(57)【要約】【課題】画素電極面積の低下、つまり開口率の低下を伴うことなく、画素電極と配線との間に生じ得る寄生容量の発生を防止ないし抑制することが可能な電気光学装置を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置は、基板１１０と、前記基板１１０上に形成された配線４０，４２と、所定パターンで形成された画素電極４５とを含み、前記配線４０，４２上には、当該配線４０，４２と前記画素電極４５とを絶縁する第１絶縁部６４ａが形成され、前記第１絶縁部６４ａ上には、前記画素電極４５を取り囲んで当該画素電極４５のパターンを象る第２絶縁部６５ａが形成されており、前記第２絶縁部６５ａは、前記第１絶縁部６４ａよりも狭幅に形成されてなることを特徴とする。【選択図】図１９
2007140324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された配線と、所定パターンで形成された画素電極とを含む電気光学装置であって、
前記配線上には、当該配線と前記画素電極とを絶縁する第１絶縁部が形成され、
前記第１絶縁部上には、前記画素電極を取り囲んで当該画素電極のパターンを象る第２絶縁部が形成されており、
前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部よりも狭幅に形成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極が前記第２絶縁部で囲まれた領域に隙間無く形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極が前記第１絶縁部の一部を覆う形で形成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２絶縁部は前記第１絶縁部に比して相対的に撥液性が高いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１絶縁部が前記配線上を覆う形で形成されてなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記画素電極を選択駆動するための薄膜トランジスタを備え、
前記配線が、前記薄膜トランジスタのソース配線及び／又はゲート配線であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
基板と、前記基板上に形成された配線と、所定パターンで形成された画素電極とを含む電気光学装置の製造方法であって、
基板上に所定パターンの配線を形成する工程と、
前記配線上に、所定パターンの第１絶縁部及び第２絶縁部を形成する工程と、
前記第２絶縁部によって囲まれた領域に対し液相法により画素電極を形成する工程と、を有し、
前記第１絶縁部及び第２絶縁部を形成する工程において、前記第１絶縁部上に当該第１絶縁部よりも狭幅となるように前記第２絶縁部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁部及び第２絶縁部を形成する工程は、
前記配線を含む基板上に第１の絶縁材料を成膜して、第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に第２の絶縁材料を成膜して、第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜の所定領域に対して選択的に露光を行う工程と、
前記第１絶縁膜の所定領域に対して選択的に露光を行う工程と、
前記露光後の第１絶縁膜及び第２絶縁膜に対してエッチングを行い、それぞれ前記第１絶縁部及び前記第２絶縁部とする工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の絶縁材料として、前記第１の絶縁材料に比して相対的に撥液性の高い材料を用いることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置においては、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が多用されている（例えば特許文献１）。このようなＴＦＴを用いた電気光学装置においては、例えば画素電極と、その下層を走るゲート配線及びソース配線との間は、ゲート絶縁膜である窒化ケイ素若しくは酸化ケイ素の薄膜が形成された構成とされている。なお、ゲート絶縁膜の膜厚はＴＦＴのトランジスタ特性により、例えば２００ｎｍ〜４００ｎｍに規定されている。
【特許文献１】特開２００５−７４３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような状況のもと、ゲート配線及びソース配線と画素電極とが基板法線方向にオーバーラップした場合、ゲート絶縁膜を介して各ラインと画素電極間に大きな寄生容量が発生し、ゲート配線及びソース配線に印加する信号の損失及び遅延が発生する場合がある。このような寄生容量の発生を低減させるために、従来では、画素電極をゲート配線及びソース配線上から内側に数μｍずらすように設計していた。しかしながら、このような構成によると、画素電極面積の低下を引き起こすため、電気光学装置の開口率が低下する場合があった。
【０００４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、画素電極面積の低下や開口率の低下を伴うことなく、画素電極と配線との間に生じ得る寄生容量の発生を防止ないし抑制することが可能な電気光学装置と、その製造方法、及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、基板と、前記基板上に形成された配線と、所定パターンで形成された画素電極とを含む電気光学装置であって、前記配線上には、当該配線と前記画素電極とを絶縁する第１絶縁部が形成され、前記第１絶縁部上には、前記画素電極を取り囲んで当該画素電極のパターンを象る第２絶縁部が形成されており、前記第２絶縁部は、前記第１絶縁部よりも狭幅に形成されてなることを特徴とする。
【０００６】
このような電気光学装置によると、上層側の狭幅の第２絶縁部により画素電極のパターンを象っているため画素電極の面積を最大限に大きくしつつ、画素電極の専有面積には影響しない下層側の誘電体層を広幅にすることで、画素電極と配線との間における寄生容量の発生を抑制することが可能となる。つまり、配線上に絶縁部を形成するに際し、下層側に寄生容量の発生を抑制する目的で十分な高さ及び幅を確保した第１絶縁部を形成する一方、上層側に個々の画素電極を区画するのみの目的で可能な限り狭幅の第２絶縁部を形成して、２段状の絶縁部としたことで、寄生容量の発生の防止ないし抑制と、十分な開口率の確保を両立させたのである。
【０００７】
本発明の電気光学装置において、前記画素電極が前記第２絶縁部で囲まれた領域に隙間無く形成されてなるものとすることができる。このように狭幅の第２絶縁部に囲まれた領域に画素電極を隙間無く形成すれば、最大限の画素電極面積を確保でき、ひいては高開口率の電気光学装置を提供することが可能となる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置において、前記画素電極が前記第１絶縁部の一部を覆う形で形成されてなるものとすることができる。このように第１絶縁部は画素電極のパターンを象る機能を具備していないため、その平面上の一部を覆う形で画素電極を形成すれば、画素電極の面積を大きく確保することができ、ひいては高開口率の電極光学装置を提供することが可能となる。なお、第１絶縁部は画素電極の専有面積に影響を及ぼさないため、十分な厚さ及び幅で形成することができ、つまり配線と画素電極との間の寄生容量の発生を十分に抑制することができるものとされている。また、前記第１絶縁部は、前記配線上を覆う形で形成されてなるものとすることができ、これにより配線と画素電極との間を確実に絶縁可能となる。
【０００９】
前記第２絶縁部は前記第１絶縁部に比して相対的に撥液性が高いものとすることができる。第２絶縁部は画素電極のパターンを象るものであるため、例えば画素電極を形成する工程において液滴吐出法等の液相法を用いた場合には、当該第２絶縁部を相対的に撥液性を高くすれば、第２絶縁部上に画素電極が乗り上げる等の不具合が生じ難く、パターン形成が非常に良好なものとなる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置は、前記画素電極を選択駆動するための薄膜トランジスタを備え、前記配線が、前記薄膜トランジスタのソース配線及び／又はゲート配線であるものとすることができる。この場合、ソース配線及び／又はゲート配線と画素電極との間に生じ得る寄生容量の発生を防止ないし抑制しつつ、十分な画素電極面積を確保し、ひいては高い開口率を備えた電気光学装置を提供することが可能となる。
【００１１】
次に、上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板と、前記基板上に形成された配線と、所定パターンで形成された画素電極とを含む電気光学装置の製造方法であって、基板上に所定パターンの配線を形成する工程と、前記配線上に、所定パターンの第１絶縁部及び第２絶縁部を形成する工程と、前記第２絶縁部によって囲まれた領域に対し液相法により画素電極を形成する工程と、を有し、前記第１絶縁部及び第２絶縁部を形成する工程において、前記第１絶縁部上に当該第１絶縁部よりも狭幅となるように前記第２絶縁部を形成することを特徴とする。このような方法によると、上述した本発明の電気光学装置を好適に製造することができる。
【００１２】
上記製造方法において、前記第１絶縁部及び第２絶縁部を形成する工程は、前記配線を含む基板上に第１の絶縁材料を成膜して、第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜上に第２の絶縁材料を成膜して、第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜の所定領域に対して選択的に露光を行う工程と、前記第１絶縁膜の所定領域に対して選択的に露光を行う工程と、前記露光後の第１絶縁膜及び第２絶縁膜に対してエッチングを行い、それぞれ前記第１絶縁部及び前記第２絶縁部とする工程とを含むものとすることができる。このような方法によると、上述した本発明の電気光学装置を好適に製造することができる。
【００１３】
なお、上記製造方法において、前記第２の絶縁材料として、前記第１の絶縁材料に比して相対的に撥液性の高い材料を用いることができる。このような材料の選択により、後に行う液滴吐出法による画素電極の形成工程において、画素電極を含む液状組成物を第２絶縁部で囲まれた領域に確実に配置して、当該第２絶縁部で囲まれた領域内に画素電極を確実に形成することができるようになる。
【００１４】
次に、上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴とする。上記電気光学装置を例えば携帯電話等に代表される電子機器の表示部等に採用することで、視認性に優れ、信頼性の高い表示を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（電気光学装置）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
まず、電気光学装置の一例である液晶表示装置１００について説明する。図１（ａ）は、液晶表示装置１００を対向基板側から見た平面図であり、図１（ｂ）は、（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【００１６】
図１において、液晶表示装置（電気光学装置）１００は、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とが光硬化性の封止材であるシール材１５２によって貼り合わされ、このシール材１５２によって区画された領域内に液晶１５０が封入、保持されている。シール材１５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が形成されている。シール材１５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
【００１７】
上記液晶表示装置１００においては、使用する液晶１５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板１２０において、ＴＦＴアレイ基板１１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００１８】
図２は液晶表示装置１００の等価回路図で、図３は液晶表示装置１００の画素構成を拡大して示す平面図である。
液晶表示装置１００は、平面視マトリクス状に配列形成された複数の画素１００ａを有している。これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するソース配線４２がＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ソース配線４２に供給する画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のソース配線４２同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。ＴＦＴ３０のゲートには、ゲート配線４０が電気的に接続されている。そして、所定のタイミングで、ゲート配線４０にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００１９】
画素電極４５は、ＴＦＴ３０のドレインと電気的に接続されている。そして、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、ソース配線４２から供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極４５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１に示す対向基板１２０の対向電極１２１との間で一定期間保持されるようになっている。
【００２０】
保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、容量線４６によって、画素電極４５と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量４８が付加されている。例えば、画素電極４５の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量４８により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００２１】
一方、図１９はＴＦＴアレイ基板１１０上に形成されたゲート配線４０及びソース配線４２と画素電極４５との位置関係を示す拡大断面図である。図示から分かるように、本実施形態の液晶表示装置１００では、ゲート配線４０及びソース配線４２上に絶縁部６６が配設されており、当該絶縁部６６によって配線４０，４２と画素電極４５とが絶縁されている。そして、絶縁部６６は段状構成ないし積層構成を有しており、下段側（下層側）の第１絶縁部６４ａと、上段側（上層側）の第２絶縁部６５ａを具備している。
【００２２】
第１絶縁部６４ａは、アクリル樹脂等の比誘電率が６以下の誘電体から構成されてなり、配線４０，４２全体を覆う形で、第２絶縁部６５ａよりも相対的に広幅にて形成されている。一方、第２絶縁部６５ａは、酸化ケイ素等の絶縁体から構成されてなり、第１絶縁部６４ａよりも相対的に高い撥液性を有するとともに、該第１絶縁部６４ａよりも狭幅にて構成されている。
【００２３】
そして、第１絶縁部６４ａは配線４０，４２と画素電極４５との絶縁を確保する機能を具備し、これらの間に寄生容量が発生することを防止ないし抑制すべく十分な厚さ（例えば０．５μｍ〜５．０μｍ）及び幅を有して構成されている。また、第２絶縁部６５ａは画素電極４５のパターンを象る隔壁部として機能しており、画素電極４５が当該第２絶縁部６５ａにより囲まれた領域内に隙間無く形成され、高い開口率が確保されている。なお、画素電極４５は第１絶縁部６４ａの一部を覆う形で形成されている。
【００２４】
以上のような構成により、本実施形態の液晶表示装置１００は、肉厚且つ高幅の第１絶縁部６４ａの形成により、配線４０，４２と画素電極４５との間の絶縁性が確保され、しかも両者間に生じ得る寄生容量の発生が防止ないし抑制されて、信頼性の高い駆動が確保されている。そして、狭幅の第２絶縁部６５ａの形成により、画素電極４５の占有面積が大きく確保され、開口率の大きな液晶表示装置１００として高い視認性が確保されている。
【００２５】
なお、上記のような構成は、液晶表示装置以外の他の電気光学装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置等にも応用が可能である。
有機ＥＬ表示装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光／燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記の絶縁部６６及びＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料を液体材料とし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。
【００２６】
（電気光学装置の製造方法）
次に、上述した液晶表示装置１００の製造方法について説明する。本実施形態の液晶表示装置１００の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板１１０を作成する工程、対向基板１２０を作成する工程、両基板１１０，１２０を貼り合せた後、液晶を注入する工程、を有するものである。なお、ここでは、特にＴＦＴアレイ基板１１０の作成工程について、基板上へ配線４０，４２等を形成する工程（第１工程）、半導体膜等を形成する工程（第２工程）、絶縁部６６及び画素電極４５等を形成する工程（第３工程）を主として説明するものとする。
【００２７】
［第１工程］
図４、図５は、第１工程である配線形成工程を説明する図である。なお、図４（ｂ）、図５（ｂ）は、それぞれ図４（ａ）、図５（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線が形成される基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものであっても良い。
【００２８】
まず、図４に示すように、基板Ｐ上に、絶縁性の材料からなるバンク５１が形成される。バンクは、後述する配線用液体材料を基板Ｐの所定位置に配置するためのものである。具体的には、図４（ａ）に示すように、洗浄した基板Ｐの上面に、格子パターンの配線の形成位置に対応した複数の開口部５２，５３，５４，５５を有するバンク５１をフォトリソグラフィ法を用いて形成する。
【００２９】
バンク５１の材料としては、例えば強度及び耐熱性等を考慮して無機質からなるものを採用している。無機質のバンク材料としては、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、シロキサン系レジスト、ポリシラン系レジスト等の骨格にケイ素を含む高分子無機材料や感光性無機材料、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、無機質のバンク材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物のように感光性を有する材料とした場合には、レジストマスクが不要になるため、好適である。
【００３０】
なお、バンク５１には、開口部５２，５３，５４，５５内に配線用液体材料を良好に配置させるために、撥液処理が施される。撥液処理として、ＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す。このＣＦ４プラズマ処理等に代えて、バンク５１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいてもよい。
【００３１】
バンク５１により形成される開口部５２，５３，５４，５５は、ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線に対応している。すなわち、バンク５１の開口部５２，５３，５４，５５に配線用液体材料を配置することにより、ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線が形成される。
具体的には、Ｘ方向に延びるように形成された開口部５２，５３は、ゲート配線４０、容量線４６の形成位置に対応する。そして、ゲート配線４０の形成位置に対応する開口部５２には、ゲート電極４１の形成位置に対応する開口部５４が接続している。また、Ｙ方向に延びるように形成された開口部５５は、ソース配線４２の形成位置に対応する。なお、Ｙ方向に延びる開口部５５は、Ｘ方向に延びる開口部５２，５３と交差しないように、交差部５６において分断されるように形成される。
【００３２】
次いで、先に記載の液滴吐出装置ＩＪによって、微粒子材料を含む配線用液体材料を開口部５２，５３，５４，５５内に吐出配置して、基板上にゲート配線４０やソース配線４２等からなる格子パターンの配線を形成する。配線用液体材料は、先に記載のように、金属や金属酸化物の微粒子材料を分散媒に分散させた分散液からなるものである。微粒子材料としては、例えば、ニッケル、マンガン、チタン等の金属微粒子の他、ＩＴＯ等の導電性の金属酸化物が用いられる。
【００３３】
基板Ｐに配線用液体材料を吐出した後、分散媒を除去して固体の導電膜を得る。具体的には、図５に示すように、第１配線用液体材料として銀を含む液体材料を吐出し、これを乾燥・焼成して第１導電膜４１ａ，４２ａ，５０ａを形成する一方、第２配線用液体材料としてニッケルを含む液体材料を吐出し、これを乾燥・焼成して第２導電膜４１ｂ，４２ｂ，５０ｂを形成する。
【００３４】
ここで、本実施形態では、第２導電膜４１ｂ，４２ｂ，５０ｂはバンク５１から溢れ出るように、つまり第２導電膜４１ｂ，４２ｂ，５０ｂの表面がバンク５１の表面から突出するように形成する。そして、突出した第２導電膜４１ｂ，４２ｂ，５０ｂの表面をＣＭＰ（化学的機械研磨）により平坦化して、図６に示すようにバンク５１の表面と面一のソース配線４２、ゲート配線４１、及びドレイン配線５０を形成する。以上の工程により、基板Ｐ上には、図６に示すように、バンク５１及び格子パターンの配線からなる層が形成される。
【００３５】
［第２工程］
図７〜図１２は、第２工程を説明する図である。なお、図７（ｂ）〜図１２（ｂ）は、それぞれ図７（ａ）〜図１２（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図７（ｃ）〜図１２（ｃ）は、それぞれ図７（ａ）〜図１２（ａ）におけるＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
第２工程では、図１１に示すように、バンク５１及び格子パターンの配線４２，４１，５０からなる層上の所定位置に絶縁膜３１と半導体膜（活性層３２、コンタクト層３３）からなる積層部３５を形成する。
【００３６】
本工程では、第１工程で形成された配線層（ゲート配線４０等）の上に新たに配線層を形成することになるが、第１工程では配線形成用のバンク５１の表面を撥液化しているため、係るバンク５１の表面に直接ソース電極等を形成しようとすると、電極形成用の液体材料がバンク５１によってはじかれてしまい、良好な膜パターンを形成することができない。そこで、本工程では、ソース電極等を形成する前に予め下地となるバンク５１の表面に親液処理を施しておく。親液処理としては、紫外線照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択することができる。また、これらを組み合わせた処理としてもよい。Ｏ２プラズマ処理は、例えば、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することにより行なう。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０Ｗ〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの搬送速度が０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０℃〜９０℃とされる。
【００３７】
バンク５１の表面を親液化した後、プラズマＣＶＤ法により、基板Ｐ上の全面に対して、絶縁膜３１、活性層３２、コンタクト層３３の連続成膜を行う。具体的には、図７に示すように、絶縁膜３１として窒化シリコン膜（厚さ３００ｎｍ）、活性層３２としてアモルファスシリコン膜（厚さ２００ｎｍ）、コンタクト層３３としてｎ＋型シリコン膜（厚さ５０ｎｍ）を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより連続して形成する。なお、焼成温度はバンク５１の耐熱性の上限までに設定することが必要である。
【００３８】
次いで、図８に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、所定位置にレジスト５８を配置する。具体的には、アクティブ素子部分（ゲート電極４０上）、ゲート配線４０とソース配線４２の交差部５６上、容量線４６上、及びドレイン配線５０と画素電極との接続部分である。なお、交差部５６上に配置するレジスト５８と容量線４６上に配置するレジスト５８とは、接触しなように形成される。また、ゲート電極４１上に配置するレジスト５８には、ハーフ露光を行うことにより、図８（ｂ）に示すように、溝５９を形成する。
【００３９】
次いで、基板Ｐの全面に対してドライエッチングを施して、図９に示すように、レジスト５８の形成されていない領域のコンタクト層３３及び活性層３２を除去する。
【００４０】
続いて、図１０に示すように、先に記載の液滴吐出装置ＩＪを用いて画素電極を形成する領域にレジスト６１を形成する。その後、基板Ｐの全面に対してドライエッチングを施して、レジスト５８及びレジスト６１の形成されていない領域の絶縁膜３１を除去する（図１１）。これにより、図１１に示すように、レジスト５８，６１を配置した所定位置以外の領域から、コンタクト層３３、活性層３２、絶縁膜３１が取り除かれる一方、レジスト５８，６１が配置された所定位置には、絶縁膜３１と半導体膜（コンタクト層３３、活性層３２）からなる積層部３５が形成される。
【００４１】
なお、ゲート電極４１上に形成される積層部３５では、レジスト５８にハーフ露光を行って溝５９を形成しているので、エッチング前にアッシング若しくは再度現像することにより溝が貫通する。したがって、図１１（ｂ）示すように、溝５９に対応するコンタクト層３３が除去され、２つに分断された状態に形成される。これにより、ゲート電極４１上に活性層３２及びコンタクト層３３からなるスイッチング素子としてＴＦＴ３０が形成される。
【００４２】
その後、図１２に示すように、コンタクト層３３を保護する保護膜４９として窒化シリコン膜を基板Ｐの全面に成膜する。このようにして、積層部３５の形成が完了する。
【００４３】
［第３工程］
図１３〜図１６は、第３工程である画素電極４５等の形成工程を説明する図である。なお、図１３（ｂ）〜図１６（ｂ）は、それぞれ図１３（ａ）〜図１６（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図１３（ｃ）〜図１６（ｃ）は、それぞれ図１３（ａ）〜図１６（ａ）におけるＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【００４４】
第３工程では、ソース電極４３、ドレイン電極４４、導電層４７、絶縁部６６（絶縁部６４ａ，６５ａからなる）及び画素電極４５を形成する（図１６参照）。ソース電極４３、ドレイン電極４４、導電層４７は、ゲート配線４０やソース配線４２を形成したのと同じ材料によって形成することができる。画素電極４５は、透明性が必要であることから、ＩＴＯ等の透光性材料によって形成することが望ましい。これらの形成には、第１工程と同様に、液滴吐出法を用いた方法が適用される。
【００４５】
まず、ゲート配線４０及びソース配線４２等を覆うようにバンクをフォトリソグラフィ法に基づいて形成する。ここでは、まず図１３に示すように、バンクとなる２層の材料層、すなわち第１絶縁膜６４及び第２絶縁膜６５を形成し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングするものとしている。なお、第１絶縁膜６４は下層側に形成されて親液性を示し、第２絶縁膜６５は上層側に形成されて撥液性を示すものとされている。具体的には、第１絶縁膜６４はアクリル樹脂等の比誘電率が６以下の絶縁材料からなるもので親水化単分子膜形成等による親液処理が施されてもの、第２絶縁膜６５は酸化ケイ素からなるものでフッ素処理等による撥液処理が施されたものである。なお、第１絶縁部６４の厚さは例えば０．５μｍ〜５．０μｍとして、配線４０，４２と画素電極４５との間の寄生容量値を制御するものとしている。
【００４６】
そして、図１４に示すように、絶縁膜６４，６５に対して露光を施し、具体的には接続部形成領域６３ｂはフル露光を行うものとしている。また、電極形成領域６３ａのうち配線４０，４２上は第２絶縁膜６５の一部を除去して段差形状を付与すべく、選択的なハーフ露光が行なわれる。なお、接続部形成領域６３ｂは、各配線と電極とを接続するための領域である。このようなハーフ露光及びフル露光により、図１４に示したパターンのバンク（第１絶縁部）６４ａ及びバンク（第２絶縁部）６５ａを形成する。ここでは、ハーフ露光を施した領域はバンク６４ａからなる単一層のバンクから構成され、露光を施さなかった領域はバンク６４ａ及びバンク６５ａからなる２層のバンクから構成されている。
【００４７】
なお、撥液性のバンク６５ａは略格子状とされ、ソース配線４２とゲート配線４０、及びソース配線４２と容量線４６との交差部には開口部６２が形成され、ＴＦＴ３０のドレイン領域に対応する位置には開口部６１が形成される。開口部６２は、図１４（ｂ）に示すように、ゲート電極４１上に形成した積層部３５（ＴＦＴ３０）の一部が露出するように形成される。すなわち、バンク６４ａ，６５ａが積層部３５（ＴＦＴ３０）をＸ方向に２分割するように形成される。
【００４８】
バンク６４ａ，６５ａにより形成される開口部６２は、分断されたソース配線４２を連結する導電層４７又はソース電極４３の形成位置に対応しており、開口部６３は、ドレイン電極４４の形成位置に対応している。また、それ以外の部分でバンク６５ａにより取り囲まれた領域は、画素電極４５の形成位置に対応している。このようにして形成したバンク６４ａ，６５ａの開口部６２，６３内及びバンク６５ａにより取り囲まれた領域に液体材料を配置すれば、分断されたソース配線４２を連結する導電層４７、ソース電極４３、ドレイン電極４４、画素電極４５を形成することができる。
【００４９】
続いて、バンク６４ａ及びバンク６５ａを形成した状態（図１４）で、図１５に示すように開口部６１，６２を介して保護膜４９及び第２導電膜５０ｂに対してエッチングを施す。その後、図１６に示すように、液滴吐出装置ＩＪ（図１７参照）によって、ソース電極４３やドレイン電極４４等の電極材料を含む電極用液体材料を開口部６２，６３内に吐出配置する。電極用液体材料は、ゲート配線４０等を形成するために用いた配線用液体材料と同様のものを用いることができる。基板Ｐに電極用液体材料を吐出した後には、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理、焼成処理を行う。乾燥／焼成処理により、導電性微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。このようにして、基板Ｐ上には、図１６に示すように、分断されたソース配線４２を連結する導電層４７、ソース電極４３、ドレイン電極４４が形成される。
【００５０】
次いで、バンク６５ａにより囲まれた領域であって、素子部分以外の領域、つまりバンク６４ａのみが形成された領域に、同じく液滴吐出装置ＩＪ（図１７参照）によって画素電極４５の電極材料を含む画素電極用液体材料を吐出配置する。画素電極用液体材料は、ＩＴＯ等の導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液である。基板Ｐに画素電極用液体材料を吐出した後には、分散媒の除去のため、フラッシュランプによる乾燥／焼成処理を行う。乾燥／焼成処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。このようにして、基板Ｐ上には、図１６に示すように、ドレイン電極４４と導通する画素電極４５が形成される。
【００５１】
以上の工程を経ることにより、ＴＦＴアレイ基板１１０を製造することができる。
一方で、基板上に対向電極１２１等を形成して対向基板１２０を作成し、該対向基板１２０と上記ＴＦＴアレイ基板１１０とをシール剤を介して貼り合せた後、液晶材料をシーツ剤に予め形成しておいた液晶注入口から注入し、所定の配線等を接続して、本実施形態の液晶表示装置１００を製造する。
【００５２】
以下、上述した液滴吐出装置ＩＪについて図１７を参照しながら説明する。
図１７（ａ）は液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成図、図１７（ｂ）は同液滴吐出装置ＩＪに搭載された液滴吐出ヘッド３０１の概略構成図である。液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッドから基板Ｐに対して液滴を吐出（滴下）するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料が塗布される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００５３】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、上述した画素電極４５等を形成するための微粒子材料を含む液体材料が吐出される。
【００５４】
Ｘ方向駆動軸３０４には、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ方向に移動する。
【００５５】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００５６】
ヒータ３１５は、本実施形態ではフラッシュランプであり、コンデンサに蓄えた電荷を短時間に放電する光照射によって基板Ｐを瞬時に加熱することで、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。フラッシュランプとしては例えばキセノンランプを例示することができ、光照射エネルギーが１〜５０Ｊ／ｃｍ２程度、光照射時間が１μ秒〜数ｍ秒程度のものを好適に用いることができる。
【００５７】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ方向を走査方向、Ｘ方向と直交するＹ方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１７（ａ）では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００５８】
図１７（ｂ）は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。液滴吐出ヘッド３０１には、液体材料（配線用液体材料等）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形し、ノズル３２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与え難いという利点を有する。
【００５９】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１８（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。符号６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
図１８（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。符号７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
図１８（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。符号８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
【００６０】
このように、図１８（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置１００を備えたものであるので、信頼性に優れる電子機器となっている。また、テレビやモニター等の大型液晶パネルにおいても上記実施形態の製造方法を適用することができる。
【００６１】
なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置１００を備えるものとしたが、電気光学装置として液晶表示装置以外にも、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００６２】
以上、添付図面を参照しながら本発明についての好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】液晶表示装置の構成を模式的に示す平面図及び断面図。
【図２】液晶表示装置の回路構成図。
【図３】液晶表示装置の任意の１画素を示す平面構成図。
【図４】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図５】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図６】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図７】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図８】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図９】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図１０】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図１１】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図１２】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図１３】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図１４】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図１５】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図１６】液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図。
【図１７】実施形態で用いる液滴吐出装置と液滴吐出ヘッドの概略構成図。
【図１８】電子機器を例示する斜視構成図。
【図１９】図１の液晶表示装置について配線と画素電極との関係を示す断面模式図。
【符号の説明】
【００６４】
４０…ゲート配線（配線）、４２…ソース配線（配線）、４５…画素電極、６４ａ…第１絶縁部、６５ａ…第２絶縁部、１１０…ＴＦＴアレイ基板（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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