(57)【要約】【課題】  金属ブロックと同様に外部からのノイズの侵入を阻止し、高周波インピーダンス整合を図ると共に、ＲＦ信号用プローブを狭ピッチの電極端子に対しても同軸構造で、安価に製造し得る高周波・高速用デバイスの検査ユニットを提供する。【解決手段】  貫通孔２２が形成された絶縁性ブロック２１と、その絶縁性ブロック２１の外表面および少なくとも一部の貫通孔２２の露出面にメッキ被膜２３が設けられることによりグランドブロック２が形成されている。このグランドブロック２の貫通孔２２内にＲＦ信号用プローブ１SIG、グランド用プローブ１GNDおよび電源用プローブ１POWが挿入され、このグランドブロック２の他面側に設けられる図示しない検査装置と接続された配線基板の配線端子と、グランドブロック２の一面側に設けられる図示しない検査されるＩＣなどの電極端子とを前述の各プローブ１で接続することにより検査がなされる。【選択図】        図１
2007178165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性ブロックに複数個の貫通孔が形成され、該絶縁性ブロックの外表面および前記貫通孔の少なくとも一部の貫通孔の露出面にメッキ被膜が形成されたグランドブロックと、該グランドブロックの前記貫通孔内に挿入して保持される少なくともＲＦ信号用プローブ、グランド用プローブおよび電源用プローブとを有し、前記各プローブの一端側に被検査デバイスの電極端子が接続され、前記各プローブの他端側に検査装置に接続される配線端子が接続されることにより、前記被検査デバイスの電気的特性を検査する高周波・高速用デバイスの検査ユニット。
【請求項２】
前記ＲＦ信号用プローブが、前記貫通孔の露出面に形成されるメッキ被膜を外部導体とし、該貫通孔の中心軸上に保持されるコンタクトプローブを内部導体とし、前記メッキ被膜とコンタクトプローブとの間隙部を中空部とすることにより特定インピーダンスの同軸構造となるように形成されてなる請求項１記載の検査ユニット。
【請求項３】
前記ＲＦ信号用プローブを前記貫通孔の中心軸上に保持する固定部材が前記グランドブロックの少なくとも一面側に設けられ、該固定部材が絶縁性部材により形成されると共に前記グランドブロックの貫通孔と連通する貫通孔が設けられ、該固定部材の露出面および前記連通する貫通孔の少なくとも一部の露出面にメッキ被膜が形成されてなる請求項２記載の検査ユニット。
【請求項４】
前記電源用プローブが挿入される貫通孔内には、前記メッキ被膜が形成されない構造である請求項１ないし３のいずれか１項記載の検査ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば携帯電話機に組み込まれる増幅回路やミキサ回路、フィルタ回路、メモリ、ＣＰＵなど、高周波・高速用（アナログで周波数の高いものを高周波といい、デジタルでパルス幅およびパルス間隔が非常に短いものを高速という、以下両方纏めてＲＦ用ともいう）回路のモジュールやＩＣなどを回路基板などに組み込む前にその電気的特性を検査する場合に、その被検査デバイスと検査装置との接続を確実にする高周波・高速用デバイスの検査ユニットに関する。さらに詳しくは、外部からのノイズを遮断したり、ＲＦ信号用プローブを同軸構造にしながら狭ピッチ化に対応し得る構造にしたりすることができるようにすると共に、軽くて安価に製造しうる構造の検査ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ、ＩＣあるいはモジュールなどのＲＦ用デバイスの電気的特性の検査を行う場合、とくに端子部の接触状態が適正でないとインピーダンスなどが変化し測定値が変動するため、図８（ａ）に示されるような検査ユニットを介して行われる。すなわち、被検査デバイスであるＲＦ回路は、外界との干渉を避けるため、金属製の筐体内に増幅回路やミキサ回路などが組み込まれてモジュール５０とされ、その筐体の裏面にＲＦ信号の入出力端子５１、５４、電源電極端子５２、接地（アース）電極端子５３などが設けられることにより構成されている。そして、検査用の配線が施された配線基板６６の各端子に電気的に接続することにより検査をする方法が用いられている。
【０００３】
この例では、金属パイプ内にスプリングとプランジャの一端部を入れてそのスプリングによりプランジャを外部に突出させ、押えれば縮むコンタクトプローブを用い、ノイズの影響を防止するための金属ブロック６１内に前記の構成をとるＲＦ信号用コンタクトプローブ６３、電源用コンタクトプローブ６４、グランド用コンタクトプローブ６５を設けることによりそれぞれの各電極端子と配線基板６６とを接続する構成が採用されている。このＲＦ信号用プローブ６３は、とくにノイズの侵入を防止しつつ、高周波インピーダンス整合するため、コンタクトプローブを中心導体とし、金属ブロック６１の貫通孔内壁を外部導体とする同軸構造に形成されている（たとえば特許文献１参照）。この例では、狭ピッチ化に対応するため、同軸構造の内部導体（ＲＦコンタクトプローブ６３）と、外部導体（金属ブロック６１の貫通孔の内面）との間を中空にして小さい径にし得るように形成されている。そのため、ＲＦ信号用コンタクトプローブ６３を中空で保持できるように、図８（ｂ）の部分拡大図に示したごとく、絶縁性のＯリング６９が嵌め込まれている。
【０００４】
また、グランド用コンタクトプローブ６５は、金属ブロック６１との接触を良くするため、グランドソケット６５ａを介することにより、グランド用コンタクトプローブ６５を変形させることなく挿入しながら金属ブロック６１との良好な接触を得ている。なお、電源用コンタクトプローブ６４は金属ブロック６１と接触しないように絶縁チューブ６４ａを介して金属ブロック６１内に挿入されている。図８（ａ）において、６７は同軸ケーブル、６８はコンタクトプローブ外周の金属パイプを押える押え板である。また、ＩＣを検査するＩＣソケットでも、外形は異なるものの、コンタクトプローブ近傍の構成は同様である。
【特許文献１】特開２００１−９９８８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように、金属ブロックを用いてＲＦ信号用プローブとして同軸構造にすることにより、その同軸構造の内部導体と外部導体との間隙を中空にすることができるため、全体を細くすることができ、インピーダンス整合を図りながら電極端子が狭ピッチで形成されたデバイスの検査にも対応することができる。しかし、この金属ブロック６１には、真鍮やアルミニウムのような金属ブロックに、０.４〜１ｍｍ程度のピッチで貫通孔を形成する必要があり、その製作精度も±１０μｍ程度の高い精度が要求されるため、一般にダイキャスト品で置き換えることが困難であり、また、置き換える場合であっても、各貫通孔をそれぞれ切削加工により製作せざるを得ない状態にあるため、製作コストが非常に増大するという問題がある。
【０００６】
さらに、金属ブロックにより形成されていることにより、完全に外部ノイズが遮断されるというメリットはあるものの、電源用プローブなどは、金属ブロックと接触しないようにする必要があり、コンタクトプローブ間隔が狭ピッチ化されて、たとえば０.５ｍｍ以下の狭ピッチとなると、電源用コンタクトプローブに絶縁チューブを被せるために、電源用プローブの径を細くせざるを得ず、絶縁チューブを挿入するコストアップを生ずると共に、電源用プローブでは接触抵抗が増大するという問題がある。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、金属ブロックqと同様に外部からのノイズの侵入を阻止しながら高周波インピーダンス整合を図ると共に、狭ピッチの電極端子に対してもＲＦ信号用プローブを同軸構造にすることができ、かつ、安価に製造し得る高周波・高速用デバイスの検査ユニットを提供することを目的とする。
【０００８】
本発明の他の目的は、電源用プローブのように、シールドする必要のないプローブの貫通孔内壁は、金属壁にしないで電源用プローブに絶縁チューブを被せるコストを減らすと共に、電源用プローブをできるだけ太くし得る構造の高周波・高速用デバイスの検査ユニットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による高周波・高速用の検査ユニットは、絶縁性ブロックに複数個の貫通孔が形成され、該絶縁性ブロックの外表面および前記貫通孔の少なくとも一部の貫通孔の露出面にメッキ被膜が形成されたグランドブロックと、該グランドブロックの前記貫通孔内に挿入して保持される少なくともＲＦ信号用プローブ、グランド用プローブおよび電源用プローブとを有し、前記各プローブの一端側に被検査デバイスの電極端子が接続され、前記各プローブの他端側に検査装置が接続される配線端子が接続されることにより、前記被検査デバイスの電気的特性を検査する構成になっている。
【００１０】
ここにＲＦ信号とは、アナログの高周波信号やデジタルのパルス間隔が短い高速信号の両方を含み、正弦波（サイン波）またはパルスの繰返しが１ＧＨｚ程度以上のものを意味する。また、プローブとは、配線基板の配線端子と被検査デバイスの電極端子とを接続する接続ピンを意味し、その接続ピンの先端が可動するコンタクトプローブや可動しないで一定の長さのピンの場合の両方を含む意味である。なお、コンタクトプローブとは、たとえば金属パイプ内にスプリングを介してリード線（プランジャ）が設けられ、プランジャの一端部は金属パイプから突出するが、他端部は金属パイプから抜け出ないように形成されることにより、プランジャの一端部を押し付ければ金属パイプの端部まで引っ込むが、外力を解除すればスプリングの力によりプランジャが金属パイプから外方に突出する構造のように、リード線の先端が可動し得る構造のプローブを意味する。
【００１１】
本発明においては、前記ＲＦ信号用プローブが、前記貫通孔の露出面に形成されるメッキ被膜を外部導体とし、該貫通孔の中心軸上に保持されるコンタクトプローブを内部導体とし、前記メッキ被膜とコンタクトプローブとの間隙部を中空部とすることにより特定インピーダンスの同軸構造となるように形成されることにより、内部導体と外部導体との間の比誘電率を殆ど１とすることができるため、同じコンタクトプローブの太さで、同じ特性インピーダンスにするのに、貫通孔の内径（すなわちメッキ被膜された貫通孔の内径）を小さくすることができ、０.４ｍｍ程度以下の狭ピッチ化された被検査デバイスに対しても、同軸構造を形成することができる。
【００１２】
また、本発明においては、前記ＲＦ信号用プローブを前記貫通孔の中心軸上に保持する固定部材が前記グランドブロックの少なくとも一面側に設けられ、該固定部材が絶縁性部材により形成されると共に前記グランドブロックの貫通孔と連通する貫通孔が設けられ、該固定部材の露出面および前記連通する貫通孔の少なくとも一部の露出面にメッキ被膜が形成される構造にすることにより、各プローブを固定する固定部材も金属板で形成するのと同様の機能を安価な樹脂ブロックなどを用いて構成することができる。
【００１３】
さらに、本発明では、前記電源用プローブが挿入される貫通孔内を、前記メッキ被膜が形成されない構造にすることにより、電源用プローブが貫通孔の側壁に接触しないように絶縁チューブを被せる必要がなく、部品および工数の節減を図ることができるのみならず、電源用プローブを太くすることができ、接触抵抗の上昇を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、絶縁性ブロックにメッキ被膜を形成することによりグランドブロックを形成しているため、たとえばインジェクションモールドなどによる成型で絶縁性ブロックを正確な寸法で、大量に生産することができる。しかもこのような絶縁性ブロックにおいては、その表面に、たとえばＮｉメッキとＡｕメッキなどによるメッキ被膜が形成されることにより、表面が金属被膜で覆われるため、内部をシールドすることができ、金属ブロックと同様の機能を果たすことができる。また、狭ピッチ化に対応するため、ＲＦ信号用プローブを同軸構造の中心導体（内部導体）にしながら、グランドブロックの貫通孔内壁を同軸構造の外部導体にし、中心導体との間を中空にすることもできる。その結果、金属ブロックから切削加工により貫通孔を１個１個形成するのに比べて、非常に簡単に製造することができ、大幅なコストダウンを達成しながら、従来の金属ブロックを使用する場合と同様の機能を達成することができる。
【００１５】
さらに、電源用プローブを挿入する貫通孔内にはメッキ被膜を形成しない構造にすれば、電源用プローブがグランドブロックの貫通孔内壁に接触しても、メッキ被膜が形成されていないため絶縁性ブロックの露出面に接触するだけであり、短絡の問題は全く発生しない。その結果、絶縁チューブを挿入したり、必要以上に電源用プローブを細くしたりする必要がないため、電源用プローブを貫通孔に挿入できる範囲で太くすることができ、接触抵抗の点からも非常に高特性になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
つぎに、図面を参照しながら本発明の検査ユニットについて説明をする。図１に本発明の検査ユニットの一実施形態であるＩＣソケットの断面説明図、そのプローブ部分の拡大断面説明図、およびコンタクトプローブの構成例の説明図をそれぞれ示す。ＲＦ信号用プローブ１SIG、グランド用プローブ１GNDおよび電源用プローブ１POW（ここでは便宜的に低周波・低速信号用のプローブも同等に扱う）を挿入し得る貫通孔２２が形成された絶縁性ブロック２１には、外表面および少なくとも一部の貫通孔２２の露出面にメッキ被膜２３が設けられることによりグランドブロック２が形成されている。このグランドブロック２の貫通孔２２内に前述のＲＦ信号用プローブ１SIG、グランド用プローブ１GNDおよび電源用プローブ１POWが挿入され、このグランドブロック２の一面側に設けられる図示しないＩＣなどの被検査デバイスの電極端子と、このグランドブロック２の他面側に設けられる図示しない検査装置と接続された配線基板の配線端子とを前述の各プローブ１で接続することにより検査がなされる。
【００１７】
すなわち、本発明では、このグランドブロック２が金属ブロックから形成されるのではなく、樹脂ブロックなどの絶縁性ブロックの外表面および少なくとも一部の貫通孔内に形成されたメッキ被膜からなり、そのメッキ被膜がグランドとされることにより、金属ブロックの貫通孔内に各プローブが設けられる検査ユニットの場合と同様の機能を果たすことに特徴がある。
【００１８】
図１に示される例では、コンタクトプローブ１の一端部側は、絶縁性ブロック２１の一面側に形成された段差を有する凹部が形成されることにより、その段差を有する凹部で、コンタクトプローブ１の他端部側（図の下部側）は絶縁性ブロック２１の他面側（図の下側）に設けられた固定手段でそれぞれ固定される構造になっている。そして、この絶縁性ブロック２１および固定部材３１のそれぞれの外表面の全面にメッキ被膜２３が形成されている。しかし、後述するように、グランドブロック（メッキ被膜２３が形成された絶縁性ブロック２１）２の両面に固定部材を形成する構成にすることもできるし、絶縁性ブロック２１のみ外表面全面にメッキ被膜が設けられ、固定部材３１は絶縁性部材により形成されてもよい。
【００１９】
図１に示される例では、このようなメッキ被膜２３が形成された絶縁性ブロック２１（グランドブロック２）の貫通孔２２内に各プローブ１（１SIG、１POW、１GND）を挿入して固定手段３（固定部材３１および絶縁性スペーサ３２）により固定し、その上にデバイスガイド板４を設け、絶縁性ブロック２に設けられた位置決めピン６を図示しない配線基板の所定の位置に合せて配線基板と各プローブ１SIG、１POW、１GNDを接続し、上部のデバイスガイド板４の凹部内にＩＣなどの被検査デバイスを挿入することにより、被検査デバイスの電極端子と配線基板の配線端子とをプローブ１を介して接続させて検査を行うＩＣソケットが示されている。
【００２０】
メッキ被膜２３は、絶縁性ブロック２１の外表面の全面および電源用プローブ１POWを挿入する貫通孔２６以外の全ての貫通孔２２の露出面にメッキを施すことにより形成され、たとえば無電解ニッケルメッキにより２〜３μｍ程度のＮｉメッキ被膜と、その上に引き続き無電解メッキにより形成されるフラッシュから３μｍ程度のＡｕメッキ被膜とから形成されている。この場合、メッキ被膜を形成しない貫通孔内には、レジストを塗布したり、メッキ防止ピンを挿入したりするなどメッキ液と接触しないようにすることにより、簡単にメッキ被膜を形成しなくすることができる。また、全面にメッキを施した後に、後加工によりメッキ被膜を取り除くこともできる。すなわち、図２にグランドブロック２の一部の断面斜視の図が示されるように、ＲＦ信号用プローブおよびグランドソケットを挿入する貫通孔２５、２７はその内面にメッキ被膜２３が形成されると共に、外表面にもメッキ被膜２３が形成されているが、電源用プローブが挿入される貫通孔２６の内面にはメッキ被膜が施されないで絶縁性ブロック２１が露出しており、表面の電源用プローブ用貫通孔２６の周縁にもメッキ被膜２３は形成されていない。なお、図２において、メッキ被膜２３の形成されているところに斜線を付してある。しかし、狭ピッチではなく、寸法的に余裕がある場合には、電源用プローブ１POWを挿入する貫通孔２６の内壁にもメッキ被膜を形成することができる。
【００２１】
前述のように、図１に示される例では、絶縁性ブロック２１と固定部材３１とにより各プローブ１を保持する構造になっており、メッキ被膜２３はこの両方に同じように形成されている。しかし、検査ユニットによっては、たとえば図３に示されるように、グランドブロック２の上下両側に固定部材３１を設ける構造にすることもでき、この場合３ピースに分割される構造になるが、それぞれの外表面にメッキ被膜２３が形成されてもよい。一方、固定部材３１の厚さが絶縁性ブロック２１の厚さに比して非常に薄く形成されている場合には、絶縁性ブロック２１の外表面および少なくとも一部の貫通孔２２の露出面にメッキ被膜２３が形成されていれば、固定部材３１にはメッキ被膜が形成されていなくても、ＲＦ的にもそれほど特性的には劣化しない。
【００２２】
本発明においては、グランドブロック２が絶縁性ブロック２１の外表面にメッキ被膜２３が設けられることにより形成されている以外、従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと同様の構成にすることができるが、その一例が図１に示されている。すなわち、図１に示される例では、メッキ被膜２３が形成されたグランドブロック２の貫通孔２２（図２の２５、２６、２７）にコンタクトプローブ１（１SIG、１POW、１GND）が挿入され、固定手段３で固定されている。このＲＦ信号用プローブ１SIGは、ＲＦ信号プローブ用貫通孔２５内に挿入されたコンタクトプローブ１を中心導体、貫通孔露出部に形成されたメッキ被膜２３を外部導体とする同軸構造に形成され、また、グランド用プローブ１GNDは、グランドソケット１７がグランドプローブ用貫通孔２７内に設けられたメッキ被膜２３と接続するように設けられ、そのグランドソケット１７内にグランド用コンタクトプローブ１GNDが挿入されることにより固定されている。また、電源用プローブ（低周波・低速の信号用も含む）１POWは、メッキ被膜が形成されない電源プローブ用貫通孔２６内に挿入されている。しかし、寸法的に余裕がある場合には、電源プローブ用貫通孔にもメッキ被膜を形成し、その貫通孔内に絶縁チューブを介して電源用プローブ１POWが挿入されてもよい。なお、図１に示される例では、各プローブとして先端のピンがスプリングなどにより可動するコンタクトプローブが用いられているが、このような可動するピンでなくても、通常の接触用ピンでも構わない。
【００２３】
コンタクトプローブ１は、たとえば図１（ｃ）に断面説明図が示されるように、金属パイプ１３内にスプリング１４とプランジャ１１、１２の一端部が収納され、金属パイプ１３に設けられた、くびれ部１３ａによりプランジャ１１、１２が金属パイプ１３から抜け出ないようにされると共に、スプリング１４により外方に付勢されており、プランジャ１１、１２の先端部を押し付ければスプリング１４が縮んで金属パイプ１３内に押し込められ、力が加わらないときはプランジャ１１の先端部がたとえば１ｍｍ程度突出する構造になっている。図１（ｃ）に示される例では、両端にプランジャ１１、１２が設けられる構造になっているが、少なくとも被検査デバイスとの接触側の一方がプランジャ１１となる構造になっていればよい。なお、金属パイプ１３の長さは数ｍｍ程度で、たとえば洋白（銅・ニッケル・亜鉛合金）により形成され、プランジャ１１、１２は、たとえばＳＫ材またはベリリウム銅などからなる、０.１〜０.５ｍｍ程度の太さの線材が用いられ、スプリング１４はピアノ線などにより形成される。
【００２４】
このコンタクトプローブ１の構造は、信号用、電源用、およびグランド用のいずれの用途に対するものであっても、ほぼ同様の構造であるが、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１SIGは、後述するグランドブロック２の貫通孔２５の内壁を外部導体とする同軸構造にするため、その外径ｄと貫通孔２５内のメッキ被膜２３の内径Ｄは一定の関係を満たすように形成され、たとえば０.４ｍｍピッチ（プローブが０.４ｍｍのピッチでマトリクス状に設けられるもの）の検査ユニットにする場合、ｄがφ０.１５ｍｍに形成され、メッキ被膜２３の内径Ｄがφ０.３５ｍｍ程度に形成されている。電源用およびグランド用のコンタクトプローブ１POW、１GNDは、できるだけ太い方がよく、ピッチに応じてＲＦ信号用に形成される貫通孔２５と同程度の貫通孔２６、２７に挿入される（グランドソケットが用いられる場合にはその分小さくなる）太さで形成される。なお、電源用コンタクトプローブ１POWは、メッキ被膜２３が形成されない貫通孔２６に挿入されることによりショートの心配はないが、メッキ被膜の形成された貫通孔内に挿入する場合には、図示しない絶縁チューブが被せられる。グランド用コンタクトプローブ１GNDは、図１に示されるように、貫通孔２７内のメッキ被膜２３との接触をよくするため、リン青銅からなるグランドソケット１７が貫通孔２７内に挿入され、その中に挿入されている。
【００２５】
絶縁性ブロック２は、被検査デバイスであるＩＣやモジュールの電極端子と接触させるためのＲＦ信号用コンタクトプローブ１SIGや電源用コンタクトプローブ１POWなどを保持するもので、たとえばポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）などの樹脂を用いることができ、板状の樹脂ブロックに前述の各コンタクトプローブ１用の貫通孔２２がマトリクス状に設けられるように、たとえば切削またはモールド成形により形成されている。そして、電源用プローブ１POW用の貫通孔２６以外の貫通孔２５、２７に前述のメッキ被膜２３が形成されている。
【００２６】
この絶縁性ブロック２の厚さおよび大きさは、本発明による検査ユニットを、ＩＣと配線が施された配線基板とを仲介するだけのＩＣソケットとして、あるいは同軸ケーブルなどが接続された基板と接続される検査治具として使用する場合など、用途によって異なるが、通常は、３〜８ｍｍ程度の厚さで、３０〜５０ｍｍ角程度の大きさに形成される。なお、図１に示される例では、コンタクトプローブ１の一端部側（図の上側）が段差を有する貫通孔が形成されることにより、コンタクトプローブ１の一端部を固定する構造になっているが、図３に示されるように、一端部側も他端部側も固定部材により固定することもできる。
【００２７】
固定手段３は、図１に示される例では、ベース２の他面側に設けられ（図１の下部）、絶縁性材料からなり、表面にメッキ被膜３１ｂが形成された固定部材３１と、ＲＦコンタクトプローブ１SIGの部分に設けられる絶縁性スペーサ３２とにより構成されている。すなわち、この固定部材３１には、コンタクトプローブ１のプランジャ１１を突出させると共に段差を有する突出孔３１ａが形成されると共に、その段差部分に、プランジャ１１を突出させると共にコンタクトプローブ１を固定する段差を有する貫通孔３２ａが設けられた絶縁性スペーサ３２が挿入されており、これらによって固定手段３を形成している。すなわち、絶縁性スペーサ３２のグランドブロック２側に形成された段差部が、コンタクトプローブ１の金属パイプ１３の外形に合うように形成されており、プランジャ１１を自由に突出させながら、コンタクトプローブ１が金属ブロック２から飛び出ないように固定される構造になっている。固定部材３１は、たとえば前述の絶縁性ブロック２１と同様に、ＰＥＩ、ＰＩ、ＰＥＥＫなどからなり、１〜２ｍｍ程度の厚さの絶縁性基板で形成され、絶縁性スペーサ３２は、たとえばポリエーテルイミド（ＰＥＩ）などにより、０.５ｍｍ程度の厚さに形成されている。なお、グランド用および電源用の突出孔３１ａには、絶縁性スペーサは不要である。また、３１ｃは位置決めピン８用の貫通孔である。
【００２８】
図１に示される例では、コンタクトプローブ１の一端部側は、固定部材を設けないで、絶縁性ブロック２１に直接段差付きの貫通孔３１ａが形成され、その段差部内に前述と同様の絶縁性スペーサ３２が挿入されることにより固定手段とされている。しかし、図１に示される例には限定されず、たとえば図３に示されるように、コンタクトプローブ１の一端部側にも固定部材を配設して他端部側と同様の固定手段３を設けてもよい。また、図１に示される例では、ＲＦ信号用プローブの他端側に、たとえばシリコーンゴムなどからなるＯリング７が挿入されている。これは、コンタクトプローブ１の一端部が最初に固定手段３内にそれぞれ個々に挿入されるため、挿入するのに問題はないのに対し、他端部側は、並べられた多数のコンタクトプローブ１の全てが一端部に挿入されるように固定手段３である固定部材３１を被せる必要があり、その際、コンタクトプローブ１の他端部がそのセンターに揃わず、コンタクトプローブ１が傾いている場合には、そのプランジャ１１を固定手段３の突出孔３２ａに挿入することができないため、Ｏリング７を設けてこれを防ぐ必要があるからである。
【００２９】
グランドブロックの上下にメッキが施されない固定手段が設けられた構造で、樹脂ブロックに２〜３μｍ程度のＮｉメッキとフラッシュ程度のＡｕメッキとを施した本発明による検査ユニットでの、ＲＦプローブのリターンロス、ＲＦプローブの挿入損失、グランドプローブのデバイス側のインダクタンス特性、およびグランドプローブのボード側（配線基板側）のインダクタンス特性が、従来の金属ブロックを用いた構成で、同じ条件で調べた結果と対比して（Ｐが本発明で、Ｑが金属ブロックを用いたもの）、それぞれ図４〜７に示されている。図４〜７から明らかなように、両者の間には高周波特性の大きな差はなく、同等に扱えることが分る。
【００３０】
以上のように、本発明によれば、樹脂製などの絶縁性ブロックの表面に、たとえばＮｉとＡｕなどのメッキ被膜を形成してグランドブロックとすることにより、従来の金属ブロックを用いたものと殆ど同等の特性検査をすることができ、従来の金属ブロックから切削による孔加工を施すことなく、金型インサート成型などにより、非常に簡単に貫通孔を有するブロックを形成することができ、必要なところに金属メッキを施すだけでグランドブロックを形成することができるため、大幅なコストダウンを達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明による検査ユニットの一実施形態の構成を示す断面説明図である。
【図２】本発明によるグランドブロックのメッキ被膜を形成する部分の一部断面説明図である。
【図３】コンタクトプローブを固定する他の構成例を示す断面説明図である。
【図４】本発明による検査ユニットでのＲＦ信号用プローブのリターン特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。
【図５】本発明による検査ユニットでのＲＦ信号用プローブの挿入損失特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。
【図６】本発明による検査ユニットでのグランド用プローブのデバイス側インダクタンス特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。
【図７】本発明による検査ユニットでのグランド用プローブのボード側インダクタンス特性を従来の金属ブロックを用いた検査ユニットと対比して示した図である。
【図８】従来の金属ブロックを用いた検査ユニットで、ＲＦ信号用プローブの同軸構造の内軸と外軸との間を中空にした例を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１    コンタクトプローブ
２    絶縁性ブロック
３    固定手段
１１、１２    プランジャ
１３    金属パイプ
１７    グランドソケット
２１    絶縁性ブロック
２２    貫通孔
２３    メッキ被膜
２５    ＲＦ信号プローブ用貫通孔
２６    電源プローブ用貫通孔
２７    グランドプローブ用貫通孔
３１    固定部材
３１ｂ  メッキ被膜
３２    絶縁性スペーサ
【図１】
2007178165.tif 000003
【図２】
2007178165.tif 000004
【図３】
2007178165.tif 000005
【図４】
2007178165.tif 000006
【図５】
2007178165.tif 000007
【図６】
2007178165.tif 000008
【図７】
2007178165.tif 000009
【図８】
2007178165.tif 000010