(57)【要約】      （修正有）【課題】熱応力を低下させることができる、発光ダイオードリフレクターの形成方法とその構造、及びリフレクターを利用した発光ダイオード積載装置を提案する。【解決手段】発光ダイオードリフレクターの形成方法とその構造は、第一未加工構造、第二未加工構造を提供するものであり、その第一未加工構造、第二未加工構造にはそれぞれ、第一開孔パターン、第二開孔パターンを設け、その第二開孔パターンの開孔率は第一開孔パターンの開孔率より小さいものとし、並びに、第二未加工構造を第一未加工構造上に設けて、第一開孔パターン、第二開孔パターンは上下重畳した位置関係を形成、また第二未加工構造には、金属層を塗布、最後に、第二未加工構造を第一未加工構造の開孔パターンに沿って第一未加工構造上に成形ならびに被覆することにより、金属層をリフレクター孔の孔壁とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードリフレクターの形成方法は、第一開孔パターンを具える第一加工構造と、第二開孔パターンを具える第二未加工構造と、第二未加工構造上に設けた金属層とにより構成され、前記第二開孔パターンの開孔率は、第一開孔パターンの開孔率より小さいものとし、並びに、第一未加工構造上に設けることにより、第一開孔パターン、第二開孔パターンは上下重畳した位置関係を形成しており、また、第二未加工構造を第一未加工構造の開孔パターンに沿って第一未加工構造上に成形ならびに被覆することを特徴とする発光ダイオード
リフレクターの形成方法。
【請求項２】
前記第一未加工構造、第二未加工構造は、セラミック未加工構造の堆積により構成されることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項３】
熱成形方式もしくは圧合方式で、第二未加工構造を、第一未加工構造の開孔パターンに基づき成形、またその熱成形方式もしく肚圧合方式は、成型構造を用いて第二未加工構造に熱圧し、その成形構造は、最低、第一離型膜、第二離型膜間に設けた平板層および第二離型膜上に設けた緩衝層を含んでおり、並びに第一離型膜は、金属層と第二未加工構造に接触することを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項４】
前記第一離型膜と平板層にはそれぞれ第四開孔パターンと第五開孔パターンを設け、第四開孔パターン、第五開孔パターンと第一開孔パターンの開孔率は、同様もしくは異なるものとし、形成するリフレクターの側壁と孔縁間の形状もまた異なるものがあることを特徴とする請求項８記載の発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項５】
前記第二開孔パターン、第三開孔パターンの開孔率は第一開孔パターンの開孔率より大きく、成形過程において接着剤漏れ防止環の構造を形成することを特徴とする請求項４記載の発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項６】
前記金属層は、塗布方式もしくは厚膜印刷により銀層を形成し第二未加工構造上に設置することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項７】
前記第一未加工構造、第二未加工構造には電極接続線路を設け、その電極接続線路の一側面は金属層と相互連結することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項８】
前記第一未加工構造の一側面に更に基本台を設け、その基本台はセラミック底台とすることを特徴とする請求項への発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項９】
前記基本台の表面には、電極構造を設け、その電極構造は、電極接続線路によって金属層と相互連結し、その電極接続線路は、第一未加工構造、第二未加工構造と基本台中に位置する、埋設線路、導電孔、もしくは上述二者を含み、その電極接続線路は更に、第一未加工構造、第二未加工構造と基本台に位置する最低一つの表面に位置する導電接続パッドを含むことを特徴とする請求項８記載の発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項１０】
基本台には第三開孔を設け、その第三開孔と第一開孔は上下重畳した位置関係を成し、また第三開孔には、金属混合物を設けることを特徴とする請求項９記載の発光ダイオードリフレクターの形成方法。
【請求項１１】
発光ダイオードリフレクターは、最低、第一開孔パターンを具えている第一セラミック構造である底層と、第二開孔パターンを具えている第二セラミック構造である形成層と、
第二セラミック構造上において第一開孔パターンの底部および側壁を形成する金属層とにより構成され、前記第二開孔パターンの開孔率は、第一開孔パターンの開孔率より小さいものとし、第一セラミック構造上に設置し、且つ、第一開孔パターン、第二開孔パターンは上下重畳した位置関係を形成することにより、第二開孔パターンを第一開孔パターンに沿って成形することを特徴とする発光ダイオードリフレクター。
【請求項１２】
金属層は第二セラミック構造上に更に、第一開孔パターンの側壁を形成することを特徴とする請求項１１記載の発光ダイオードリフレクター。
【請求項１３】
前記金属層は、塗布、厚膜印刷方式もしくは電気メッキによって、銀層を第二セラミック構造上に形成することを特徴とする発光ダイオードリフレクター。
【請求項１４】
発光ダイオードの積載装置は、最低、第一開孔パターンを設ける第一セラミック構造と、第二開孔パターンを設ける第二セラミック構造と、第二セラミック構造に設置し、積載凹面内側に対応する金属層と、第一セラミック構造底部に設置し、表面に位置した電極構造を具えるセラミック底台と、第一セラミック構造、第二セラミック構造とセラミック底台の最低一箇所に位置し、金属層と電極間の電気接続をする電極接続線路とにより構成され、前記第二開孔パターンの開孔率は第一開孔パターンの開孔率より小さく、その第二開孔パターンは第一開孔パターンの形状に基づいて第一セラミック構造上に被覆して積載凹面を形成することを特徴とする発光ダイオードの積載装置。
【請求項１５】
前記電極接続線路は、第一セラミック構造、第二セラミック構造とセラミック底台に位置する埋設線路、導電孔、もしくは上述二者を含み、その電極接続線路は更に、第一セラミック構造、第二セラミック構造とセラミック底台の最低一つの表面に位置する導電接続パッドを含むことを特徴とする請求項１４記載の発光ダイオードの積載装置。
【請求項１６】
前記セラミック底台には第三開孔を設け、その第三開孔と積載凹面は上下重畳した位置関係を成し、また第三開孔には、金属混合物を設けることを特徴とする請求項１４記載の発光ダイオードの積載装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に発光ダイオードのセラミックリフレクターの成形方法で、並びに発光ダイオード積載装置の積載角度を選択できる、発光ダイオードリフレクターの形成方法とその構造、及びリフレクターを利用した発光ダイオード積載装置を提案するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは、小体積、低消耗電力、低熱、長寿命などの特性を持ち、クリスマス用ライト、懐申電灯、車両信号灯、交通表示など商品に使われており、発光ダイオードは、既に徐々に、機能が近い公知の電球を代替するものとして用いられてきている。また、一般の発光ダイオードの墓本構造は、透明パッケージ体の内部に異なる極性を持つ導電端および積載部を設け、その積載部箇所にチップを設け、別に設けた金線でチップを構成した電極層と導電端との連結により各導電端は透明パッケージ体外部に延伸して電源接点を形成する。  
【０００３】
発光ダイオードの光スペクトラムもしくは明るさ特性は主に、発光ダイオードチップを構成する化合物半導体により決定され、発光の明るさ或いは視野角度等の光特性は、発光ダイオードチップのパッケージ基板による影響が大きい。
【０００４】
公知の発光ダイオード，ペッケージ構造においては、リフレクターを採用し発光ダイオードチップが発する光を反射しているが、一般に言えば、リフレクターの作製方法は、穴開け加工法、プレス法、圧合法があるが、上述各加工法はコストが割高、斜面が粗雑な為に、光反射のパターンに不利、リフレクターの孔形が制限され、積層線路の製作が不可能であることから、発光ダイオードのパッケージコスト削減ができず、また発光ダイオードの集光効率を向上させることもできない。
【０００５】
また、発光ダイオードのパッケージ構造と発光ダイオードの機能は密接な関係を持ち、発光ダイオードの機能の一要素を決定するものは、チップ操作時に生じる熱源を外界に迅速に放出したり放熱することができるかどうかのメカニズム上にあり、高熱伝導係数の金属混合物上に直接積載するチップがパッケージ発展主流の一つとなっており、一般に言えば、セラミック金属パッケージ構造を採用した場合は、金属セラミック焼成製造工法を用いなければならないが、金属混合物は焼結過程において収縮しない故、金属に適合させる為、価格が非常に高く収縮しないセラミック材料を使用しなければならない。次に、ある種の設計においては電極を墓板上端に制限設計しており、手動ハンダ方式によって発光ダイオードモジュールを組み立てなければ成らず、加工面における強化が必要となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
解決しようとする問題点は、光反射のパターンに不利、リフレクターの孔形が制限され、積層回路の製作が不可能であることから、発光ダイオードパッケージのコスト削減ができず、また発光ダイオードの集光効率を向上することもできない点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、厚膜印刷方式によって未加工構造上に金属層を形成するもので、特に、印刷反射銀層としており、従来のメッキ膜技術の代替となり、並びに、発光ダイオードの集光効率を向上させることができ、熱圧による圧合方式によって、セラミック未加工構造を主とするリフレクターに応用し、発光ダイオード光形設計に必要なリフレクター孔形と角度を作製し、セラミックリフレクター成形困難の問題解決を最も主な目的とする。
【０００８】
上述目的を達成するために、本発明の発光ダイオード成形方法は、第一未加工構造１０、第二未加工構造２０を提供するものであり、その第一未加工構造１０、第二未加工構造２０にはそれぞれ第一開孔パターン１１、第二開孔パターン２１を設け、その第二開孔パターン２１の開孔率は、第一開孔パターン１１の開孔率より小さいものとし、並びに、第二未加工構造２０を第一未加工構造1０上に設けて、第一開孔パターン１１、第二開孔パターン２１は上下重畳した位置関係を形成、また第二未加工構造9０には、金属層を塗布、最後に、第二未加工構造２０を第一未加工構造1０の開孔パターンに沿って第一未加工構造１０上に成形ならびに被覆する。
【０００９】
本発明は、リフレクターおよびセラミック底台６０の電極接続線路の相互連結を主要構造とすることを次の目的とし、金属混合物を、剛溶接、高分子接着剤、ガラス封止の方法によって、セラミック底台６０上に固定し、熱膨張係数の近い金属混合物を選択しセラミック材料と結合させる場合、熱応力を低下させることができることを次の目的とする。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したよぅに、本発明は、セラミックリフレクター成形困難の問題を解決し、熱膨張係数の近い金属混合物をセラミック材料と結合させる場合、熱応力を低下させることができることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
貴審査委員の方々に本発明の組成および実施方式を御理解いただきたく、図を組み合わせて以下のとおり説明する。
【００１２】
本発明の 「発光ダイオードリフレクターの形成方法とその構造、及びリフレクターを利用した発光ダイオード積載装置(９．)」において、その発光ダイオードリフレクターの形成方法は、図１に示すとおりである。まず、ステップ１では、最低一つの第一未加工構造1０を提供、その第一未加工構造1０は、第一開孔パターン１１を具える。ステップ２では、第二未加工構造２０を提供、第二未加工構造２０は第二開孔パターン２１を具え、その第二開孔
。パターン２１の開孔率は、第一開孔パターン１１の開孔率より小さいものとし、並びに、第一未加工構造1０上に設けることにより、第一開孔パターン１１、第二開孔パターン２１は上下重畳した位置関係を形成する。ステップ３では、第二未加工構造２０上に金属層３０を設ける。ステップ４では、第二未加工構造２０を第一未加工構造１０の開孔パターンに沿って第一未加工構造１０上に成形ならびに被覆する。その具体的な実施例において、まず、リフレクター材料の構造は、第一未加工構造１０、第二未加工構造２０を含む。第一未加工構造１０、第二未加工構造２０は、セラミック未加工構造の堆積により構成されており、図２を同時に参照すると、第一未加工構造１０、第二未加工構造２０にはそれぞれ第一開孔パターン１１、第二開孔パターン２１を設け、その第二開孔パターン２１の開孔率は、第一開孔パターン１１の開孔率より小さく、並びに、第二未加工構造２０を第一未加工構造１０上に設け、第一開孔パターン１１、第二開孔パターン２１は上下重畳した位置関係を成し、また第二未加工構造２０の第一開孔パターン１１に対応する箇所には金属層３０を設け、最後に熱成形方式もしくは圧合方式で、第一未加工構造１０、第二未加工構造２０を相互に密着させ、金属層３０に第一開孔パターン１１の側壁および底部を形成する。図３の実施例に示すとおり、第一未加工構造１０、第二未加工構造２０を相互に密着させた後、第二未加工構造２０は、第一未加工構造１０の形状に基づき第一未加工構造1０上に被覆設置し、且つ、第一開孔パターン１１に沿った箇所に積載凹面２２を成形、また金属層３０には、積載凹面２２に相対する側壁および底部を設置し、反射側壁とする。
【００１３】
また、第二未加工構造２０の一表面上は、塗布方式で金属層３０を形成するが、本実施例においては、厚膜印刷を用いて銀層を一部表面に塗布するか、第一未加工構造1０、第二未加工構造２０を焼成した後、導電あるいは反射層を形成しており、更に、電気メッキ方式で、第二未加工構造2０表面の金属層３０にメッキ層を形成して、光反射効率を向上させる。
【００１４】
前記熱成形方式もしくは圧合方式は、本実施例においては、成形構造を用いて第二未加工構造２０上に熱圧するものであり、図４に示すとおり、成形構造４０は、最低、第一離型膜４１、第二離型膜４２間に設けた平板層４３および第二離型膜４２上に設けた緩衝層４４を含んでおり、その第一離型膜４１、第二離型膜４２はポリエステル接着膜とすることも可能であり、また、第一離型膜４１は、金属構造３０と第二未加工構造２０に接触しており、並びに、第四開孔パターン４１１を具えて成形後離型の働きを成し、その開孔率牡、第一開孔パターン１１の開孔率と同様か異なるものとし、且つ、第四開孔パターン４１１は第一未加工構造1０の第一開孔パターン１１と重畳しており、また平板層４３は、硬質板材とすることも可能で、その硬度、強度、剛性は、第一離型膜４１もしくは第二離型膜４２より高くなっており、これにより成形時、リフレクターの反射面と底部を平坦にし、並びに、リフレクター材料構造を圧して整え、且つ平板層４３もまた、第五開孔パターン４３１を持っており、その開孔率は、第一開孔パターン１１の開孔率と同様か異なるものであり、更に、第二離型膜４２は、開孔パターンのない膜層であり、厚さや材質は、第一離型膜４１とは異なり、これにより成形の働きを成しており、緩衝層４４は樹脂層とし、圧力を支える役割を果たす。
【００１５】
全体を実施する場合、図５の実施例に示すとおり、リフレクター材料構造の第一未加工構造１０、第二未加工構造９０は成形構造４０、４０’間に置き、重畳方法は、まず成形構造４０’の各層を重畳するが、例えば、緩衝層４４と平板層４３は順序に墓づき固定足部もしくはピン上に固定し、その後、第一未加工構造１０、第二未加工構造２０を重ねて、固定足部もしくはピン上に固定、金属層3０もまた既に形成した後、別の成形構造の各層を第二未加工構造２０上に置き固定した後、重畳構造5０全体を、真空パッキング(未図示)で包み込み、その後すぐに、熱間等方加圧のステップを行ぅ。熱間等方加圧のステップにおいて、第二未加工構造２０と金属層３０は徐々に成形構造の方向に向かって傾き窪み、リフレクターが必要とする孔形と角度を形成、且つ、リフレクター側壁と孔縁間の形状もまた同時に成形することにより、リフレクターの構造が形成される。図６に示すとおり、その底層は第一セラミック構造１０’であり、その第一セラミック構造１０’は、第一開孔パターン１１'，を具えており、また形成層は、第二セラミック構造２０，であり、第二セラミック構造２０'，は第二開孔パターン９１'を具え、その第二開孔パターン９１，の開孔率は第一開孔パターン１１'の開孔率より小さく、第二セラミック構造２０'，は第一セラミック構造１０'上に設けられ、第一開孔パターン１１'に沿って成形されており、第二セラミック構造２０'上には金属構造３０'を設ける。
【００１６】
また、成形構造において、第一離型膜４１と平板層４３の第四開孔パターン４１１、第五開孔パターン４３１の開孔率は、第一開孔パターン１１の開孔率と同様もしくは異なるものとし、形成するリフレクターの側壁と孔縁間の形状もまた異なるものがある。図７Ａから図８Ｃには、本発明の別の実施例に関するリフレクターの幾何学形状の断面見取り図を示す。その内、図９Ａ、Ｂ、Ｃが示すリフレクターの側壁５１は、一定傾斜率を持つ反射金属構造であり、また図８Ａ、Ｂ、Ｃには、リフレクターの側壁５１が曲面となっている金属リフレクターを示す。リフレクター面５９の交差箇所の孔縁は、図７Ａおよび図８Ａに示した一般の狭角５３、図７Ｂおよび図８Ｃに示した弧角５４、図７Ｃおよび図８Ｃに示した接着剤漏れ防止環５５とすることが可能であり、接着剤漏れ防止環５５形成の方式は、図９を同時に参照とし、それは、第四開孔パターン４１１、第五開孔パターン４３１の開孔率が第一開孔パターン１１の開孔率より大きく、熱間等方加圧の過程において接着剤漏れ防止環５５の構造を形成、その接着剤漏れ防止環５５により、発光ダイオードの接着剤注入時の接着剤外漏れという欠点を防ぐことができる。
【００１７】
また、発光ダイオードの積載装置を利用することも可能であり、図1０に示すとおり、それは第一セラミック構造1０'と第二セラミック構造２０'を具えており、その第一セラミック構造1０'、第二セラミック構造２０'にはそれぞれ、第一開孔パターン１１'第二開孔パターン２１'を設け、第二開孔パターン２１'の開孔率は第一開孔パターン１１'の開孔率より小さく、その第二開孔パターン２１'は第一開孔パターン１１'の形状に墓づき第一セラミック構造１０'上を被覆して積載凹面２２'を形成し、その積載凹面２２'内側には金属層３０'を設け、また、第一セラミック構造１０'底部には、基本台６０を設け、それは上下重畳する第一セラミック層６１、第二セラミック層６２を含み、その第二セラミック層６２の表面には電極構造６３を設け、別に設けた電極接続線路７０は金属層３０'と電極構造６３間の電気接続とすることも可能であり、その電極接続線路７０は、第一セラミック構造１０'、第二セラミック構造２０'とセラミック底台６０の最低一箇所に位置するものとし、電極接続線路７０は、導電接続パッド７１導電孔７２、埋設線路７３もしくは上述三者を含み、図に示すとおり、二つの導電接続パッド７１はそれぞれ第一セラミック構造１０'の上部に位置し、並びに金属層３０'と接触、並びに第二セラミック構造２０'底部に分布しており、上下の導電接続パッド７１は、導電孔７２によって相互連結しており、導電孔７２は、図に示すとおり、第一セラミック構造１０'、第二セラミック構造２０'間を貫通しており、第一セラミック構造1０'、第二セラミック構造２０'の外側表面に設置することも可能であり、また、埋設線路７３は、第一セラミック層６１、第二セラミック層６２に設け、一端は第一セラミック層６１と相互連結しており、もう一端は、導電孔７２によって第二セラミック構造２０'の導電接続パッド７１と電気接続している。
【００１８】
発光チップ８０を積載装置中に置いた後は、図１１に示すとおりであり、発光チップ８０の溶接線８１を金属層３０'上にハンダ接合し、順序に基づいて、導電接続パッド７１、導電孔７２を経由して、導電接続パッド７１をセラミック底台６０の上部に連結し、更に順序に基づいて、導電接続パッド７１および導電孔７２は電極構造６３と電気接続を形成することにより、積載装置全体は、電極構造６３によって基板上に固設し、同時に電気接続を形成するものとなる。              
【００１９】
また、セラミック底台６０には第三開孔６４を設け、図１０に示すとおり、その第三開孔６４と積載凹面２２'は上下重畳した位置関係を成し、また第三開孔６４には、金属混合物９０を設け、並びに溶接材料９１を使って剛溶接、高分子接着剤、もしくはガラス封止技術により金属混合物９０とセラミック底台６０を粘着すると、金属混合物９０の一側面が積載凹面２２'中に露出し、もぅ一方の側面は第二セラミック層６２中に露出する。この実施例において、金属混合物９０は、高伝導熱材料により形成した固体構造であり、熱膨張係数がセラミック底台６０の材料に近似する金属材料を選択可能である。それは例えば、タングステン銅、モリブデン銅、アルミニウム炭素、金属包層、もしくは鉄ニッケルコバルト合金等であり、セラミック底台６０との結合時に生じる熱応力を減少させることができる。また、第三開孔６４において露出した第一セラミック層６１表面上もしくは金属混合物９０表面上に溶接材料91を形成する。一つの実施例では、溶接材料９１は金属溶接材料とし、操作温度５００℃〜８００℃の銀系溶接材料、２７０℃〜５００℃の金系溶接材料、２００℃〜３５０℃の錫ペースト、３００℃〜６００℃のガラス溶接材料あるいは高分子接着剤、もしくは、操作温度の更に高い溶接材料を選択することが可能である。ハンダ溶接する場合、セラミック構造と金属混合物を製造道具に置き加圧固定し、真空焼結炉、窒素混合気体焼結炉、気体焼結炉中においてハンダ溶接し、金属層によって発光ダイオードチップ操作時に発生する熱源を迅速に伝えることができる。
【００２０】
上述したとおり、本発明は、発光ダイオードの一つの良好で可能な成形方式、及びその成形構造を提供するものであり、ここに、法に基づき発明特許の申請をする。但し、以上の実施説明および図に示したものは、本発明の良好実施例であるのみで、本発明をこれに制限するものではない。よって、本発明の構造、装置、特徴など近似または同等のものについては、本発明の創作目的および特許申請範囲内に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明における発光ダイオード成形方式のフローステップ図である。
【図２】本発明の実施例に関するリフレクター材料構造の断面見取図である。
【図３】本発明における発光ダイオードの成形構造断面見取図である。
【図４】本発明の成形構造の断面見取図である。
【図５】本発明におけるリフレクター材料構造と成形構造の断面見取図である。
【図６】本発明におけるリフレクターの断面見取図である。
【図７Ａ】本発明におけるリフレクターの一定傾斜率を持った側壁の断面見取図である。
【図７Ｂ】本発明におけるリフレクターの一定傾斜率を持った側壁の断面見取図である。
【図７Ｃ】本発明におけるリフレクターの一定傾斜率を持った側壁の断面見取図である。
【図８Ａ】本発明におけるリフレクターの曲面を持った側壁の断面見取図である。
【図８Ｂ】本発明におけるリフレクターの曲面を持った側壁の断面見取図である。
【図８Ｃ】本発明におけるリフレクターの曲面を持った側壁の断面見取図である。
【図９】本発明におけるリフレクター材料構造と成形構造を重畳した別の断面見取図である。
【図１０】本発明における積載装置の断面見取図である。
【図１１】本発明における積載装置の使用状態見取図である。
【符号の説明】
【００２２】
1０  第一未加工構造
1０'  第一セラミック構造
１１  第一開孔パターン
１１'  第一開孔パターン
２０  第二未加工構造
２０'  第二セラミック構造
２１  第二開孔パターン
２２  積載凹面
２２'  積載凹面
３０  金属層
３０'  金属層
４０，４０'  成形構造
４１  第一離型膜
４１１  第四開孔パターン
４２   第二離型膜
４３  平板層
４３１  第五開孔パターン
４４  緩衝層
５０  重畳構造
５１  側壁
５２  リフレクター面
５３  狭角
５４  弧角
５５  接着剤漏れ防止環
６０  セラミック底台
６１  第一セラミック層
６２  第二セラミック層
６３  電極構造
６４  第三開孔
７０  電極接続線路
７１  導電接続パッド
７２  導電孔
７３  埋設線路
８０  発光チップ
８１  溶接線
９０  金属混合物
９１  溶接材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007251154.tif 000008
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2007251154.tif 000010
【図７Ｃ】
2007251154.tif 000011
【図８Ａ】
2007251154.tif 000012
【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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