(57)【要約】【課題】ヒューズの判定精度を高める。【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上に形成され、導電体材料により構成されたヒューズ１０２と、半導体基板上においてヒューズ１０２の周囲に配置され、ヒューズ１０２を切断する処理が施されると、ヒューズ１０２を構成する導電体材料によりヒューズ１０２と電気的に接続されるように形成された被接触導電体１０８と、ヒューズ１０２の電気的切断の有無を検出するとともに被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続の有無を検出して、ヒューズ１０２の電気的切断を検出するかまたは被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続を検出すると、ヒューズ１０２が切断されたと判定する判定部１１５とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、導電体材料により構成されたヒューズと、
前記半導体基板上において前記ヒューズの周囲に配置され、当該ヒューズを切断する処理が施されると、当該ヒューズを構成する導電体材料により当該ヒューズと電気的に接続されるように形成された被接触導電体と、
前記ヒューズの電気的切断の有無を検出するとともに前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出して、前記ヒューズの電気的切断を検出するかまたは前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続を検出すると、前記ヒューズが切断されたと判定する判定部と、
を含む半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記判定部は、前記ヒューズの一端に接続され、当該ヒューズの電気的切断の有無を検出する第１の検出部と、前記被接触導電体に接続され、前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出する第２の検出部と、前記第１の検出部からの出力および前記第２の検出部からの出力を入力して、前記第１の検出部が前記ヒューズの電気的切断を検出した場合または前記第２の検出部が前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続を検出した場合に前記ヒューズが切断されたことを示す信号を出力する出力部と、を含む半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第２の検出部は、前記ヒューズを接地した状態で、前記被接触導電体に所定の第１電位を与えて前記被接触導電体における電位の高低を検出し、当該電位が高い場合に当該被接触導電体と前記ヒューズとが電気的に接続していないことを検出するとともに、当該電位が低い場合に当該被接触導電体と前記ヒューズとが電気的に接続していることを検出する半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体装置において、
前記第１の検出部は、前記ヒューズの他端を接地した状態で、当該ヒューズの前記一端に所定の第２電位を与えて前記一端における電位の高低を検出し、当該電位が高い場合に当該ヒューズが電気的に切断されたことを検出するとともに、当該電位が低い場合に当該ヒューズが電気的に切断されていないことを検出する半導体装置。
【請求項５】
請求項２から４いずれかに記載の半導体装置において、
前記ヒューズは、切断状態において、切断箇所が前記被接触導電体との接続箇所よりも前記一端側に形成される半導体装置。
【請求項６】
請求項２から５いずれかに記載の半導体装置において、
前記ヒューズは、切断状態において、前記導電体材料が外方に流出してなる流出部が形成され、当該流出部により前記被接触導電体と電気的に接続されるとともに前記流出部と前記第１の検出部と間に切断箇所が形成される半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６いずれかに記載の半導体装置において、
前記被接触導電体は、前記ヒューズの上方、下方および側方を覆い、前記ヒューズ切断時に当該ヒューズを構成する導電性材料が周囲に拡散するのを防ぐカバー部材により構成された半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板上に形成され、導電体材料により構成されたヒューズと、前記半導体基板上において前記ヒューズの周囲に配置され、当該ヒューズを切断する処理が施されると、当該ヒューズを構成する導電体材料により当該ヒューズと電気的に接続されるように形成された被接触導電体と、を含む半導体装置における前記ヒューズの判定方法であって、
前記ヒューズの電気的切断の有無を検出する工程と、
前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出する工程と、
前記ヒューズの電気的切断を検出するかまたは前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続を検出すると、前記ヒューズが切断されたと判定する工程と、
を含むヒューズの判定方法。
【請求項９】
請求項８に記載のヒューズの判定方法において、
前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出する工程において、前記ヒューズを接地した状態で、前記非接触導電体に所定の電位を与えて当該非接触導電体における電位の高低を検出し、当該電位が低い場合に前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続を検出するとともに当該電位が高い場合に前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的切断を検出するヒューズの判定方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載のヒューズの判定方法において、
前記ヒューズの電気的切断の有無を検出する工程において、前記ヒューズの一端側を接地した状態で、前記ヒューズの他端側に所定の電位を与えて前記ヒューズの前記他端側における電位の高低を検出し、当該電位が高い場合に前記ヒューズの電気的切断を検出するとともに当該電位が低い場合に前記ヒューズの電気的接続を検出するヒューズの判定方法。
【請求項１１】
請求項８に記載のヒューズの判定方法において、
前記ヒューズは、当該ヒューズを切断する処理が施されると、当該ヒューズの一端側で前記被接触導電体に電気的に接続するよう構成され、
前記ヒューズの電気的切断の有無を検出する工程と前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出する工程とを略同時に行い、
当該ヒューズの電気的切断の有無を検出する工程において、前記ヒューズの前記一端側を接地した状態で、前記ヒューズの他端側に所定の電位を与えて前記ヒューズの前記他端側における電位の高低を検出し、当該電位が高い場合に前記ヒューズの電気的切断を検出するとともに当該電位が低い場合に前記ヒューズの電気的接続を検出し、
前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出する工程において、前記非接触導電体に所定の電位を与えて当該非接触導電体における電位の高低を検出し、当該電位が低い場合に前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続を検出するとともに当該電位が高い場合に前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的切断を検出するヒューズの判定方法。
【請求項１２】
請求項８に記載のヒューズの判定方法において、
前記ヒューズの電気的切断の有無を検出する工程と前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出する工程とを順に行い、
当該ヒューズの電気的切断の有無を検出する工程において、前記ヒューズの一端側を接地した状態で、前記ヒューズの他端側に所定の電位を与えて前記ヒューズの前記他端側における電位の高低を検出し、当該電位が高い場合に前記ヒューズの電気的切断を検出するとともに当該電位が低い場合に前記ヒューズの電気的接続を検出し、
前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出する工程において、前記ヒューズの前記一端側および前記他端側を接地した状態で、前記非接触導電体に所定の電位を与えて当該非接触導電体における電位の高低を検出し、当該電位が低い場合に前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続を検出するとともに当該電位が高い場合に前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的切断を検出するヒューズの判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびヒューズの判定方法に関し、とくにヒューズを含む半導体装置およびヒューズの判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置にヒューズを搭載しておき、ヒューズを切断することにより半導体装置で使用する抵抗の値を調整したり、不良素子を切り離して正常素子に置き換える等の処理を行う技術が知られている。ヒューズの切断方法には、ヒューズの一部にレーザを照射することによりヒューズを切断する方式や、ヒューズを電流により切断する方式が用いられている。
【０００３】
特許文献１（特開２００５−５７１８６号公報）には、ヒューズを構成する材料がエレクトロマイグレーションにより移動する現象を用いて切断される電気ヒューズが記載されている。ここで、電気ヒューズの被切断部分をプレートで囲むことにより、電気ヒューズに電流を流したときに被切断部分で発生する熱を閉じこめたり蓄積したりするようにして切断を促進する構成が記載されている。
【０００４】
特許文献２〜６には、このようなヒューズの切断状態を判定する技術が記載されている。
特許文献２（特開２００４−３４２７２９号公報）には、基準抵抗と溶断後のヒューズの抵抗値との差に基づいて、ヒューズの溶断状態を判定する判定回路が記載されている。
【０００５】
特許文献３（特開２０００−３１２８３号公報）には、ヒューズの状態を監視する出力インバータと、ヒューズを最初に溶断して、フィラメント再成長が現れるとヒューズを自動的に再溶断するスイッチングトランジスタとを有する回路が記載されている。
【０００６】
特許文献４（特開２００１−２１００９３号公報）には、ヒューズが切断されているか否かを正しく検出したリペア信号を出力し、不良箇所を有した回路の救済を確実に行うようにしたリペア信号発生回路が記載されている。
【０００７】
特許文献５（特開２００４−２６５５２３号公報）には、モード信号を切り替えることにより、通常モードに比べてラッチ回路のドライブ回路の能力を増大させる構成の半導体装置が記載されている。これにより、ヒューズの切断の認識誤りを解消することができるとされている。
【０００８】
特許文献６（特開２００４−１０３６１０号公報）には、半導体集積回路にあらかじめ用意された調整用回路の接続をオン／オフ選択しながら調整を行うトリミングパターン（電気ヒューズ）が記載されている。図１０は、特許文献６に記載されたトリミングパターンの概略平面図である。トリミングパターンは、電圧を印加するための２つのパッド部１１、１２と２つのパッド部１１，１２をつなぐ細線部１０と、細線部１０と接触してない両側にあって、調整用回路と半導体集積回路とにつながる２つの接続部１３、１４を含む。このようなトリミングパターンを用いて、パッド部１１、１２間に電圧を印加して電流を流して、細線部１０を溶融切断させてパッドにつながる調整用回路をオフさせるのではなく、溶融した細線部１０のメタルが接続部１３、１４に接続することにより、接続部１３、１４につながる調整用回路をオンする方法でトリミングを行っている。細線部１０を溶融切断させるよりも、近傍の接続部１３、１４に溶融メタルを接触させる方が簡単に起こりえるので、トリミングを容易に、また短時間に行うことができる、とされている。
【特許文献１】特開２００５−５７１８６号公報
【特許文献２】特開２００４−３４２７２９号公報
【特許文献３】特開２０００−３１２８３号公報
【特許文献４】特開２００１−２１００９３号公報
【特許文献５】特開２００４−２６５５２３号公報
【特許文献６】特開２００４−１０３６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来、特許文献１〜５に記載された技術ではヒューズの切断が充分でない場合や、一旦切断した後にヒューズ構成材料の移動が生じて再接続が生じるような場合、本来は切断されたはずのヒューズの切断状態を正しく判定することができないという問題があった。また、半導体装置の微細化に伴い、配線間距離も小さくなるため、配線間のショートの課題が顕在化している。
【００１０】
さらに、特許文献６に記載された技術でも、接続部１３、１４に溶融メタルが接触しなかった場合や、一旦接触した場合でも、ヒューズ構成材料の移動が生じて再切断されるような場合、ヒューズの切断状態を正しく判定することができないという問題がある。また、特許文献６に記載の構成では、２つの接続部１３、１４を設けるとともに、パッド部１１、１２間に電圧を印加するための構成を追加する必要があり、面積が増大するという問題もある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、導電体材料により構成されたヒューズと、
前記半導体基板上において前記ヒューズの周囲に配置され、当該ヒューズを切断する処理が施されると、当該ヒューズを構成する導電体材料により当該ヒューズと電気的に接続されるように形成された被接触導電体と、
前記ヒューズの電気的切断の有無を検出するとともに前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出して、前記ヒューズの電気的切断を検出するかまたは前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続を検出すると、前記ヒューズが切断されたと判定する判定部と、
を含む半導体装置が提供される。
【００１２】
本発明によれば、
前記半導体基板上に形成され、導電体材料により構成されたヒューズと、前記半導体基板上において前記ヒューズの周囲に配置され、当該ヒューズを切断する処理が施されると、当該ヒューズを構成する導電体材料により当該ヒューズと電気的に接続されるように形成された被接触導電体と、を含む半導体装置における前記ヒューズの判定方法であって、
前記ヒューズの電気的切断の有無を検出する工程と、
前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続の有無を検出する工程と、
前記ヒューズの電気的切断を検出するかまたは前記被接触導電体と前記ヒューズとの電気的接続を検出すると、前記ヒューズが切断されたと判定する工程と、
を含むヒューズの判定方法が提供される。
【００１３】
このような構成とすることにより、ヒューズの切断状態の判定精度を高めることができる。また、ヒューズを切断する処理が施されると、被接触導電体がヒューズと電気的に接続されるように構成されている。被接触導電体とヒューズとの電気的接続の有無を検出する際には、被接触導電体またはヒューズのいずれか一方を接地する必要があるが、本発明の構成によれば、通常のヒューズにおいてヒューズを接地するために用いる配線を用いて、ヒューズを接地して、被接触導電体とヒューズとの電気的接続の有無を検出することができる。そのため、接地用の配線を新たに設ける必要がなく、簡易な構成で装置面積の増大を抑えつつヒューズの判定精度を高めることができる。
【００１４】
本発明の半導体装置において、前記ヒューズは、切断状態において、切断箇所が前記被接触導電体との接続箇所よりも前記一端側に形成される構成とすることができる。
【００１５】
本発明の半導体装置において、前記ヒューズは、切断状態において、前記導電体材料が外方に流出してなる流出部が形成され、当該流出部により前記被接触導電体と電気的に接続されるとともに前記流出部と前記第１の検出部との間に切断箇所が形成される構成とすることができる。
【００１６】
ここで、ヒューズは、電流を流してヒューズを切断する電気ヒューズとすることができる。本発明者は、電気ヒューズの構成や電圧印加方法等を制御することにより、電気ヒューズ切断時に、電気ヒューズの一部で電気ヒューズを構成する導電体を強制的に外方に流出させ、材料の移動・供給のバランスを崩すことにより、他の部分に大きな切断箇所を形成するという電気ヒューズの新たな切断手法を見出した。このような手法を用いることにより、ヒューズと被接触導電体との接続箇所およびヒューズの切断箇所を選択的に設定することができる。これにより、上記のように、切断状態において、ヒューズの切断箇所が被接触導電体との接続箇所よりも一端側に形成される構成とすることができる。また、この手法により、切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つことができる。
【００１７】
ここで、「外方」とは、切断前状態においてヒューズが形成されていた領域の外方とすることができ、たとえば、ヒューズを配線により構成する場合は、配線溝外とすることができる。これに伴い、ヒューズを構成する導電体材料が流出部の方向に吸い出され、流出部と異なる箇所に切断箇所が形成される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ヒューズの判定精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態における半導体装置の構成を示す模式図である。
半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成され、導電体材料により構成されたヒューズ１０２と、半導体基板上においてヒューズ１０２の周囲に配置され、ヒューズ１０２を切断する処理が施されると、ヒューズ１０２を構成する導電体材料によりヒューズ１０２と電気的に接続されるように形成された被接触導電体１０８とを含む。
【００２０】
半導体装置１００は、ヒューズ１０２の電気的切断の有無を検出するとともに被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続の有無を検出して、ヒューズ１０２の電気的切断を検出するかまたは被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続を検出すると、ヒューズ１０２が切断されたと判定する判定部１１５をさらに含む。
【００２１】
本実施の形態において、判定部１１５は、切断検出回路１１０（第１の検出部）、接触検出回路１１２（第２の検出部）、およびＮＯＲ回路１１４（出力部）を含む。切断検出回路１１０は、ヒューズ１０２の一端に接続され、ヒューズ１０２の電気的切断の有無を検出する。接触検出回路１１２は、被接触導電体１０８に接続され、被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続の有無を検出する。ＮＯＲ回路１１４は、切断検出回路１１０からの出力および接触検出回路１１２からの出力を入力して、切断検出回路１１０がヒューズ１０２の電気的切断を検出した場合または接触検出回路１１２が被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続を検出した場合に、ヒューズ１０２が切断されたことを示す信号を出力する。ヒューズ１０２の他端には第１の端子１１６が接続される。被接触導電体１０８は、ヒューズ１０２の近傍に配置され、接触検出回路１１２に接続される。ＮＯＲ回路１１４の出力は第２の端子１１８に接続される。
【００２２】
切断検出回路１１０は、ヒューズ１０２の他端（第１の端子１１６）を接地した状態で、ヒューズ１０２の一端に所定の電位を与えて一端における電位の高低を検出し、当該電位が基準電位より高い場合にヒューズ１０２が電気的に切断されたことを検出するとともに、当該電位が基準電位より低い場合にヒューズ１０２が電気的に切断されていないことを検出する。切断検出回路１１０は、たとえば接地電位を検出した場合、電位が低いと判定することができ、ヒューズ１０２の一端に与えたのと同程度の電位を検出した場合、電位が高いと判定することができる。
【００２３】
また、接触検出回路１１２は、ヒューズ１０２を接地した状態で、被接触導電体１０８に所定の電位を与えて被接触導電体１０８における電位の高低を検出し、当該電位が基準電位より高い場合に被接触導電体１０８とヒューズ１０２とが電気的に接続していないことを検出するとともに、当該電位が基準電位より低い場合に被接触導電体１０８とヒューズ１０２とが電気的に接続していることを検出することができる。接触検出回路１１２は、接地電位を検出した場合、電位が低いと判定することができ、被接触導電体１０８に与えたのと同程度の電位を検出した場合、電位が高いと判定することができる。
【００２４】
図２は、図１の半導体装置１００の切断検出回路１１０および接触検出回路１１２の具体的な構成の一例を示す模式図である。
【００２５】
切断検出回路１１０は、第１のスイッチ１３０、第１のインバータ１３２、第２のインバータ１３４、および第３のインバータ１３６を含む。第１のインバータ１３２と第２のインバータ１３４とは、それぞれ一方の出力が他方に入力されるように環状に接続されており、記憶回路として機能する。第１のインバータ１３２の入力には、ヒューズ１０２および第１のスイッチ１３０が接続されている。第１のスイッチ１３０は、電源線Ｖｃｃと第１のインバータ１３２との接続をオンオフする。第１のインバータ１３２の出力は、第３のインバータ１３６に入力されている。第３のインバータ１３６の出力は、ＮＯＲ回路１１４に入力されている。
【００２６】
接触検出回路１１２は、第２のスイッチ１４０、第４のインバータ１４２、および第５のインバータ１４４を含む。第４のインバータ１４２と第５のインバータ１４４とは、それぞれ一方の出力が他方に入力されるように環状に接続されており、記憶回路として機能する。第４のインバータ１４２の入力には、被接触導電体１０８および第２のスイッチ１４０が接続されている。第２のスイッチ１４０は、電源線Ｖｃｃと第４のインバータ１４２との接続をオンオフする。第４のインバータ１４２の出力は、ＮＯＲ回路１１４に入力されている。接触検出回路１１２は、アンチヒューズの電気的接続の有無を判定するのに用いられるものと同様の構成とすることができる。
【００２７】
図３に、本実施の形態におけるヒューズ１０２が切断された状態を示す。本実施の形態において、ヒューズ１０２は、切断状態において、被接触導電体１０８との接触部（接続箇所）１５０と切断検出回路１１０との間に切断部（切断箇所）１５２が形成される。
【００２８】
このような構成によれば、第１の端子１１６を接地するとともに被接触導電体１０８に所定の電位（Ｖｃｃ）を与えた場合に、被接触導電体１０８がヒューズ１０２に電気的に接続されているか否かに応じて、被接触導電体１０８の電位が変化するので、接触検出回路１１２により被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続状態を検出することができる。この場合、被接触導電体１０８が接触部１５０を介してヒューズ１０２に接続されていれば、被接触導電体１０８の電位はＧＮＤとなる。一方、被接触導電体１０８がヒューズ１０２に電気的に接続されていなければ、被接触導電体１０８の電位はＶｃｃとなる。
【００２９】
次に、このような構成の半導体装置１００において、ヒューズ１０２の切断状態を判定する処理手順を具体的に説明する。まず、切断検出回路１１０による検出処理を説明する。
第１のスイッチ１３０をオンとして、第１のインバータ１３２と電源線Ｖｃｃとを接続する。これにより、ヒューズ１０２の一端に所定の電位（Ｖｃｃ）が付与される。また、第１の端子１１６を接地（ＧＮＤ）する。その後、所定の時間経過後に、第１のスイッチ１３０をオフにする。
【００３０】
このような状態で、ヒューズ１０２が電気的に切断されていない場合、ヒューズ１０２に電流が流れるため、ヒューズ１０２の一端の電位はＧＮＤ（低電位）となる。そのため、第１のインバータ１３２への入力はＧＮＤ（低電位）、第３のインバータ１３６への入力はＶｃｃとなる。このとき、第３のインバータ１３６からＮＯＲ回路１１４へはＧＮＤが入力される。一方、ヒューズ１０２が電気的に接続されている場合、ヒューズ１０２に電流が流れないため、ヒューズ１０２の一端の電位はＶｃｃ（高電位）が維持される。そのため、第１のインバータ１３２への入力はＶｃｃ（高電位）、第３のインバータ１３６への入力はＧＮＤとなる。このとき、第３のインバータ１３６からＮＯＲ回路１１４へは、Ｖｃｃが入力される。
【００３１】
つづいて、接触検出回路１１２による検出処理を説明する。
第２のスイッチ１４０をオンとして、第４のインバータ１４２と電源線Ｖｃｃとを接続する。これにより、被接触導電体１０８に所定の電位（Ｖｃｃ）が付与される。また、第１の端子１１６を接地（ＧＮＤ）する。その後、所定の時間経過後に、第２のスイッチ１４０をオフにする。
【００３２】
このような状態で、被接触導電体１０８がヒューズ１０２に電気的に接続されている場合、すなわちヒューズ１０２を電気的に切断する処理が施されている場合、被接触導電体１０８は、接触部１５０を介してヒューズ１０２と電気的に接続されるため、被接触導電体１０８の電位はＧＮＤ（低電位）となる。そのため、第４のインバータ１４２への入力はＧＮＤ（低電位）となり、第４のインバータ１４２からＮＯＲ回路１１４へはＶｃｃが入力される。一方、被接触導電体１０８が電気的に接続されていない場合、すなわちヒューズ１０２を電気的に切断する処理が施されていない場合、被接触導電体１０８の電位はＶｃｃ（高電位）となる。そのため、第４のインバータ１４２への入力はＶｃｃ（高電位）となり、第４のインバータ１４２からＮＯＲ回路１１４へはＧＮＤが入力される。
【００３３】
本実施の形態においては、切断検出回路１１０による検出および接触検出回路１１２による検出は同時に行うことができる。すなわち、第１のスイッチ１３０と第２のスイッチ１４０とは同時にオンとされ、上記の検出が行われる。
【００３４】
ＮＯＲ回路１１４は、切断検出回路１１０からの入力および接触検出回路１１２からの入力のいずれもがＧＮＤの場合にのみ、Ｖｃｃを出力し、それ以外はＧＮＤを出力する。本実施の形態において、判定部１１５は、ＮＯＲ回路１１４からの出力がＧＮＤの場合にヒューズ１０２が切断されたと判定し、ＮＯＲ回路１１４からの出力がＶｃｃの場合にヒューズ１０２が電気的に切断されていないと判定することができる。
【００３５】
以上のように、本実施の形態における半導体装置１００によれば、ヒューズ１０２の切断状態の判定精度を高めることができる。たとえば、切断処理を施したヒューズ１０２を含む半導体装置１００を長時間使用後に、仮にヒューズ１０２の両端がショートしてしまったとしても、ヒューズ１０２と被接触導電体１０８との接続が検出されれば、このヒューズ１０２が切断されていると判断することができる。また逆に、切断処理を施したヒューズ１０２を含む半導体装置１００を長時間使用後に、仮にヒューズ１０２と被接触導電体１０８とのショートがオープンに変わったとしても、ヒューズ１０２の切断が検出されれば、ヒューズ１０２が切断されていると判断することができる。
【００３６】
次に、本実施の形態におけるヒューズ１０２の具体的な構成およびその切断手順を説明する。本実施の形態において、ヒューズ１０２は、電流を流すことにより切断される電気ヒューズとすることができる。本発明者は、電気ヒューズの構成や電気ヒューズへの電圧印加方法等を制御することにより、電気ヒューズの切断処理時に、電気ヒューズの一部で電気ヒューズを構成する材料を強制的に外方に流出させ、材料の移動・供給のバランスを崩すことにより、他の部分に大きな切断箇所を形成するという手法を見出した。すなわち、切断処理を行う電気ヒューズに過剰なパワーを印加することにより、電気ヒューズに電流が流れ、導電体材料が加熱されて膨張する。導電体材料が膨張すると、それを取り囲む周囲の被覆膜にクラック等が生じる。さらに導電体材料が膨張することにより、導電体材料が周囲の被覆膜のクラック内に強制的に流出される。その結果、導電体材料の移動・供給のバランスが崩れ、導電体材料が流出した領域とは異なる部分に大きな切断箇所が形成される。以下、この手法による電気ヒューズの切断を、「クラックアシスト型切断」という。
【００３７】
このようなクラックアシスト型切断により、電気ヒューズの切断を容易にすることができるとともに、切断状態を良好に保つことができる。また、電気ヒューズの構成を工夫することにより、導電体材料が流出する箇所と導電体材料が切断する箇所とを選択的に設けることができる。本実施の形態において、クラックアシスト型切断を用いてヒューズ１０２の切断処理を行う。
【００３８】
図４は、本実施の形態におけるヒューズ１０２の具体的な構成を示す上面図である。ヒューズ１０２は、切断処理を行った場合に、接触部１５０および切断部１５２が選択的に形成する構成を有する。図４（ａ）は切断前状態、図４（ｂ）は切断後状態を示す。
【００３９】
半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、その上に形成されたヒューズ１０２とを有する。ヒューズ１０２は、異なる層に形成された第１の配線１０３ｃおよび第２の配線１０３ｅと、第１の配線１０３ｃと第２の配線１０３ｅとを接続するビア１０３ｄとにより構成される。ここで、第１の配線１０３ｃが上層、第２の配線１０３ｅが下層に形成される。第２の配線１０３ｅは、一端が第２のパッド部１０６に接続され、他端がビア１０３ｄに接続されている。第１の配線１０３ｃは、一端がビア１０３ｄに接続され、他端が第１のパッド部１０４に接続されている。第１のパッド部１０４は、第１の端子１１６に接続される。第２のパッド部１０６は、切断検出回路１１０に接続される。
【００４０】
第１の配線１０３ｃは、配線の折り返し構造１０３ｂを有する。折り返し構造１０３ｂは、第１のパッド部１０４に接続された第１直線部、第１直線部に略平行に配置された第２直線部、第２直線部に略平行に配置された第３直線部、第３直線部に略平行に配置された第４直線部、第１直線部と第２直線部とを接続する第１接続部、第２直線部と第３直線部とを接続する第２接続部、第３直線部と第４直線部とを接続する第３接続部、および第４直線部とビア１０３ｄとを接続する第４接続部とを有する。
【００４１】
また、本実施の形態において、半導体装置１００は、ヒューズ１０２の上方、下方および側方を、カバー部材４０４により覆った構成を有する。カバー部材４０４は、ビア４０２、電極４００、および図示しないプレートにより構成される。電極４００は、ヒューズ１０２の第１の配線１０３ｃと同層に形成されたパッド電極とすることができる。また、ビア４０２は、電極４００の上層および下層に形成され、さらにその上層および下層に形成されたプレートと電極４００を互いに接続する。ビア４０２は、スリットビアとすることができ、ビア４０２と電極４００とで、ヒューズ１０２の周囲を壁状に覆う構成とすることができる。これにより、第１のパッド部１０４と第２のパッド部１０６との間に電流を流したときに、ヒューズ１０２に発生する熱をカバー部材４０４により反射させてカバー部材４０４内部に閉じ込めることができ、ヒューズ１０２において、接触部１５０および切断部１５２が形成されやすいようにすることができる。また、カバー部材４０４は、ヒューズ１０２が切断されるときに、ヒューズ１０２を構成する材料が周囲に拡散または飛散するのを防ぐ拡散防止構造としても機能する。これにより、ヒューズ１０２を構成する材料の飛散物が他の素子に達しないようにすることができる。
【００４２】
本実施の形態において、被接触導電体１０８は、カバー部材４０４により構成することができる。カバー部材４０４は、ヒューズ１０２の切断前状態においては、ヒューズ１０２と電気的に切断して配置される。また、カバー部材４０４は、第１の配線１０３ｃの折り返し構造１０３ｂの近傍に配置され、ヒューズ１０２に切断処理が施されたときに、接触部１５０を介してヒューズ１０２の第１の配線１０３ｃと接触するように形成される。一方、カバー部材４０４は、ヒューズ１０２に切断処理が施された場合でも、第２の配線１０３ｅと接触しないように形成される。さらに、カバー部材４０４は、接触検出回路１１２に接続される。
【００４３】
カバー部材４０４の構成については、上述した特許文献１等にも記載されている。本実施の形態において、被接触導電体１０８として、従来から用いられているカバー部材を用いることにより、装置面積の増大を抑えつつ、ヒューズ１０２の判定精度を高めることができる。
【００４４】
このような構成のヒューズ１０２において、第１のパッド部１０４と第２のパッド部１０６との間に電流を流すと、ヒューズ１０２を構成する材料が加熱される。このとき、配線が折り返された部分では導電体材料が加熱されやすくなる。そのため、折り返し構造１０３ｂ部分で導電体材料が熱膨張しやすくなり、クラックが生じやすくなる。ヒューズ１０２を構成する材料は、折り返し構造１０３ｂから流出して接触部１５０を形成する。すなわち、本実施の形態において、折り返し構造１０３ｂ部分は、接触部１５０が形成される流出予定領域１５０ａとなる。
【００４５】
流出予定領域１５０ａから材料が流出して接触部１５０が形成されると、ビア１０３ｄで材料の供給が追いつかず、切断されやすくなる。そのため、ビア１０３ｄ部分が切断部１５２が形成される切断予定領域となる。本実施の形態におけるヒューズ１０２によれば、接触部１５０と切断部１５２との形成箇所を選択的に設定することができる。
【００４６】
図５は、図４のＡ−Ａ’断面図の一例を示す図である。図５（ａ）は切断前状態、図５（ｂ）は切断後状態を示す。ここで、第２の配線１０３ｅが下層配線、第１の配線１０３ｃが上層配線の例を示すがこれらは逆であってもよい。
【００４７】
図５（ａ）に示すように、半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に、以下の順で形成された第１のエッチング阻止膜３０２、第１の層間絶縁膜３０４、第１の保護膜３０６、第２のエッチング阻止膜３０８、第２の層間絶縁膜３１０、第３のエッチング阻止膜３１２、第３の層間絶縁膜３１４、第２の保護膜３１６および第４のエッチング阻止膜３１８を含む。
【００４８】
切断前状態において、ヒューズ１０２のビア１０３ｄは、第２の配線１０３ｅおよび第１の配線１０３ｃに電気的に接続されている。第２の配線１０３ｅは、第１のエッチング阻止膜３０２、第１の層間絶縁膜３０４および第１の保護膜３０６内に形成される。また、ビア１０３ｄは、第２のエッチング阻止膜３０８、第２の層間絶縁膜３１０および第３のエッチング阻止膜３１２内に形成される。また、第１の配線１０３ｃは、第３のエッチング阻止膜３１２、第３の層間絶縁膜３１４および第２の保護膜３１６内に形成される。
【００４９】
第２の配線１０３ｅ、ビア１０３ｄ、および第１の配線１０３ｃは、銅を主成分として含む銅含有金属膜により構成することができる。銅含有金属膜は、銀を含むことができる。さらに、銅含有金属膜は、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、または、Ｓｎから選択される一又は二以上の異種元素を含む構成とすることもできる。銅含有金属膜は、たとえばめっき法により形成することができる。また、銅含有金属膜の表面は、たとえばシリサイド膜が形成された構成とすることもできる。
【００５０】
さらに、第１の配線１０３ｃ、ビア１０３ｄ、および第２の配線１０３ｅの側面および底面には、それぞれ、これらに接してこれらを覆うように設けられたバリアメタル膜３２０が形成されている。バリアメタル膜は、高融点金属を含む構成とすることができる。バリアメタル膜３２０は、たとえば、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、ＷＮ等により構成することができる。
【００５１】
つまり、切断前状態において、第２の配線１０３ｅとビア１０３ｄとの間には、バリアメタル膜３２０がこれらに接して設けられる。また、ビア１０３ｄと第１の配線１０３ｃとの間にも、バリアメタル膜３２０がこれらに接して設けられる。
【００５２】
第１の層間絶縁膜３０４および第３の層間絶縁膜３１４は、ＳｉＯＣ等の低誘電率膜により構成することができる。低誘電率膜としては、ＳｉＯＣの他に、ＨＳＱ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）、ＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）、またはＭＨＳＱ（メチル化ハイドロジェンシルセスキオキサン）等のポリハイドロジェンシロキサン、ポリアリールエーテル（ＰＡＥ）、ジビニルシロキサンービスーベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、またはＳｉｌｋ（登録商標）等の芳香族含有有機材料、ＳＯＧ、ＦＯＸ(ｆｌｏｗａｂｌｅ ｏｘｉｄｅ)、サイトップ、またはＢＣＢ（Ｂｅｎｓｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）等を用いることもできる。また、低誘電率膜としては、これらのポーラス膜を用いることもできる。第１の層間絶縁膜３０４および第３の層間絶縁膜３１４は、同じ材料により構成しても、異なる材料により構成してもいずれでもよい。
【００５３】
また、第２の層間絶縁膜３１０は、第１の層間絶縁膜３０４や第３の層間絶縁膜３１４について上述したのと同様の材料により構成することができる。ただし、第２の層間絶縁膜３１０は、第１の層間絶縁膜３０４や第３の層間絶縁膜３１４との関係において、第１の層間絶縁膜３０４や第３の層間絶縁膜３１４よりもかたい材料により構成することが好ましい。たとえば、第２の層間絶縁膜３１０は、第１の層間絶縁膜３０４や第３の層間絶縁膜３１４よりもヤング率の高い材料により構成することができる。このような構成とすることにより、配線部分に接触部１５０を形成しやすくすることができるとともに、ビア１０３ｄに切断部１５２を形成しやすくすることができる。
【００５４】
一例として、ビア１０３ｄが形成される第２の層間絶縁膜３１０をＳｉＯＣ（Black Diamond）により構成し、第１の配線１０３ｃが形成される第３の層間絶縁膜３１４をＳｉＯＣ（Aurora）により構成することができる。ここで、Black DiamondおよびAuroraはいずれもＳｉＯＣのポーラス膜であるが、Auroraの方がBlack Diamondよりも比誘電率が低く、膜密度が低く、柔らかい膜である。
【００５５】
なお、このような構成に限られず、第２の層間絶縁膜３１０は、第１の層間絶縁膜３０４や第３の層間絶縁膜３１４と同じ材料により構成してもよい。この場合も、第１の配線１０３ｃは電流印加により自己発熱し膨張量が  大きいことに対して、ビア１０３ｄは導体体積が小さく熱伝導による膨張量が小さいため、ビア１０３ｄに選択的に切断部１５２を形成することができる。
【００５６】
第２のエッチング阻止膜３０８および第４のエッチング阻止膜３１８は、ビアホールや配線溝を形成する際のエッチング阻止膜として機能するとともに、第２の配線１０３ｅや第１の配線１０３ｃを構成する銅の拡散を防止する機能を有する。第２のエッチング阻止膜３０８および第４のエッチング阻止膜３１８は、第１の層間絶縁膜３０４や第３の層間絶縁膜３１４よりもかたい材料により構成することができる。第２のエッチング阻止膜３０８および第４のエッチング阻止膜３１８は、第１の層間絶縁膜３０４や第３の層間絶縁膜３１４よりもヤング率の高い材料により構成することができる。第２のエッチング阻止膜３０８および第４のエッチング阻止膜３１８は、たとえば、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＦまたはＳｉＯＮ等により構成することができる。
【００５７】
第１の保護膜３０６および第２の保護膜３１６は、第２の配線１０３ｅおよび第１の配線１０３ｃをそれぞれＣＭＰにより研磨する際に、第１の層間絶縁膜３０４および第３の層間絶縁膜３１４を保護する機能を有する。第１の保護膜３０６および第２の保護膜３１６は、たとえば、ＳｉＯ２膜により構成することができる。
【００５８】
第１のエッチング阻止膜３０２および第３のエッチング阻止膜３１２は、第２のエッチング阻止膜３０８および第４のエッチング阻止膜３１８と同様の材料により構成することができる。また、ここでは図示していないが、第１のエッチング阻止膜３０２および第３のエッチング阻止膜３１２は、第２のエッチング阻止膜３０８および第４のエッチング阻止膜３１８と同様の材料により構成された第１の絶縁膜と、その上に形成され第１の保護膜３０６および第２の保護膜３１６と同様の材料に構成された第２の絶縁膜との積層膜とすることもできる。
【００５９】
なお、以上の構成の第２の配線１０３ｅ、ビア１０３ｄ、および第１の配線１０３ｃ等は、通常の多層配線構造と同工程で形成することができる。これにより、特別な工程を追加することなく、ヒューズ１０２を形成することができる。
【００６０】
以上により、たとえば第１の配線１０３ｃの周囲がバリアメタル膜３２０および第４のエッチング阻止膜３１８等の被覆膜で覆われ、さらにその周囲に被覆膜よりも柔らかい材料である第３の層間絶縁膜３１４が形成された構成とすることができる。
【００６１】
このような構成のヒューズ１０２において、第１のパッド部１０４と第２のパッド部１０６との間に所定の電圧を印加してヒューズ１０２に過剰なパワーが印加されると、第１の配線１０３ｃを構成する材料が膨張して、柔らかい膜である第３の層間絶縁膜３１４の方向に膨張する。材料の膨張に伴い、バリアメタル膜３２０等にクラックが生じ、第１の配線１０３ｃを構成する材料がクラックから第３の層間絶縁膜３１４中に流出する。つまり、第１の配線１０３ｃを構成する材料が、配線溝外部に流出する。このような流出は、第１の配線１０３ｃの折り返し構造１０３ｂで生じる。これにより、図４（ｂ）に示すように、接触部１５０が形成される。このとき、接触部１５０がカバー部材４０４に接続することにより、カバー部材４０４（被接触導電体１０８）と第１の端子１１６とが電気的に接続される。
【００６２】
さらに、ヒューズ１０２を構成する材料が接触部１５０の方向に急激に移動するため、材料の移動が追いつかなかった箇所で材料が切断される。本実施の形態において、ビア１０３ｄ部分で材料が切断され、切断部１５２が形成される。このようなメカニズムにより、接触部１５０と切断部１５２とを離れた箇所に形成することができる。
【００６３】
また、本実施の形態において、ビア１０３ｄと第２の配線１０３ｅとの間にバリアメタル膜３２０が設けられているため、バリアメタル膜３２０が第２の配線１０３ｅから剥離しやすく、バリアメタル膜３２０と第２の配線１０３ｅとの間に切断部１５２が形成されやすくなる。
【００６４】
さらに、切断後状態において、ビア１０３ｄを構成する材料がバリアメタル膜３２０とともに移動してバリアメタル膜３２０と第２の配線１０３ｅとの間に切断部１５２が形成される。そのため、この後の工程で熱処理等が行われても、バリアメタル膜３２０が銅含有金属膜により構成された導電体材料が再び移動して第２の配線１０３ｅとの間で再接続が生じるのを防ぐことができる。これにより、半導体装置１００の耐熱性を向上することができる。なぜならば、接触部１５０と切断部１５２との間にバリアメタル膜３２０が二重で形成されるため、熱処理による導電体材料の移動をより阻止することができるからである。
【００６５】
なお、以上では、シングルダマシン構造の配線構造を示したが、デュアルダマシン構造としてもよい。
【００６６】
本実施の形態における半導体装置１００によれば、上述したように、ヒューズ１０２の切断状態の判定精度を高めることができる。また、本実施の形態において、ヒューズ１０２の一端を接地することにより、被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続の有無を検出する構成となっている。そのため、ヒューズ１０２と被接触導電体１０８との電気的接続の有無を検出する際に、接地用の配線を新たに設けることなく、ヒューズ１０２切断時およびヒューズ１０２の両端の電気的切断の有無を判断する際に用いる配線を用いることができ、簡易な構成で装置面積の増大を抑えつつヒューズ１０２の判定精度を高めることができる。さらに、被接触導電体１０８としてカバー部材４０４を用いることにより、被接触導電体１０８形成のために装置面積を増大することなく、ヒューズ１０２の判定精度を高めることができる。
【００６７】
（第２の実施の形態）
図６は、本実施の形態における半導体装置１００の構成を示す模式図である。
本実施の形態において、ヒューズ１０２の切断状態を判定する処理手順が第１の実施の形態で説明した処理手順と異なる。
【００６８】
半導体装置１００は、第１の実施の形態において図２を参照して説明した構成に加えて、ヒューズ１０２と切断検出回路１１０との間にソース・ドレインの一方が接続されたトランジスタ１５４をさらに含む。なお、トランジスタ１５４のソース・ドレインの他方は接地される。とくに説明していないが、トランジスタ１５４としては、従来のヒューズ構造に含まれる、ヒューズ１０２切断時に用いるトランジスタを用いることができる。また、切断検出回路１１０は、第１の実施の形態において図２を参照して説明した構成に加えて、ヒューズ１０２と第１のインバータ１３２との接続をオンオフする第３のスイッチ１３１をさらに含む。
【００６９】
このような構成の半導体装置１００において、ヒューズ１０２の切断状態を判定する処理手順を具体的に説明する。本実施の形態においては、切断検出回路１１０による検出および接触検出回路１１２による検出は、タイミングをずらして行われる。
【００７０】
まず、切断検出回路１１０による検出処理を説明する。
第１のスイッチ１３０をオンとして第１のインバータ１３２と電源線Ｖｃｃとを接続するとともに、第３のスイッチ１３１をオンとして第１のインバータ１３２とヒューズ１０２とを接続する。このとき、第２のスイッチ１４０およびトランジスタ１５４はオフとしておく。これにより、ヒューズ１０２の一端に所定の電位（Ｖｃｃ）が付与される。また、第１の端子１１６を接地（ＧＮＤ）する。この後、所定の時間経過後に、第１のスイッチ１３０をオフにする。
【００７１】
このような状態で、ヒューズ１０２の電気的接続状態の検出は、第１の実施の形態と同様の結果となる。すなわち、ヒューズ１０２が電気的に切断されていない場合、第３のインバータ１３６からＮＯＲ回路１１４へはＧＮＤが入力される。一方、ヒューズ１０２が電気的に接続されている場合、第３のインバータ１３６からＮＯＲ回路１１４へは、Ｖｃｃが入力される。
【００７２】
つづいて、接触検出回路１１２による検出処理を説明する。
第１のスイッチ１３０および第３のスイッチ１３１をオフとする。このとき、切断検出回路１１０の第１のインバータ１３２と第２のインバータ１３４とは、記憶回路として機能するため、上記の検出結果を保持しておくことができる。この状態で、第２のスイッチ１４０をオンとして、第４のインバータ１４２と電源線Ｖｃｃとを接続する。これにより、被接触導電体１０８に所定の電位（Ｖｃｃ）が付与される。また、第１の端子１１６を接地（ＧＮＤ）するとともに、トランジスタ１５４をオンとする。これにより、ヒューズ１０２の一端と他端の両方が接地される。この後、所定の時間経過後に、第２のスイッチ１４０をオフにする。ヒューズ１０２の一端と他端の両方が接地されているため、ヒューズ１０２に切断処理が施されてヒューズ１０２が被接触導電体１０８に電気的に接続している場合、ヒューズ１０２の接触部と切断部との位置関係にかかわらず、被接触導電体１０８の電位をＧＮＤとすることができる。
【００７３】
このような状態で、被接触導電体１０８とヒューズ１０２との電気的接続状態の検出は、第１の実施の形態と同様の結果となる。すなわち、被接触導電体１０８がヒューズ１０２に電気的に接続されている場合、第４のインバータ１４２からＮＯＲ回路１１４へはＶｃｃが入力される。一方、被接触導電体１０８がヒューズ１０２に電気的に接続されていない場合、第４のインバータ１４２からＮＯＲ回路１１４へはＧＮＤが入力される。
【００７４】
本実施の形態においても、ＮＯＲ回路１１４は、第１の実施の形態で説明したのと同様、切断検出回路１１０からの入力および接触検出回路１１２からの入力のいずれもがＧＮＤの場合にのみ、Ｖｃｃを出力し、それ以外はＧＮＤを出力する。判定部１１５は、ＮＯＲ回路１１４からの出力がＧＮＤの場合にヒューズ１０２が切断されたと判定し、ＮＯＲ回路１１４からの出力がＶｃｃの場合にヒューズ１０２が電気的に切断されていないと判定することができる。
【００７５】
本実施の形態において、ヒューズ１０２は、第１の実施の形態で説明したのと同様の構成とすることもできるが、ヒューズ１０２の構成はとくに限定されない。以下、ヒューズ１０２の構成例を説明する。
【００７６】
図７は、ヒューズ１０２が電気ヒューズである場合を示す図である。図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【００７７】
ヒューズ１０２は、配線により構成することができる。ヒューズ１０２の一端および他端には、それぞれ第１のパッド部１０４および第２のパッド部１０６が形成される。ここでは、ヒューズ１０２が一方向に延在する形状を示すが、ヒューズ１０２の形状は種々の形状とすることができる。
【００７８】
被接触導電体１０８は、第１の実施の形態において図４を参照して説明したカバー部材４０４と同様に、ヒューズ１０２切断時にヒューズ１０２の構成材料の飛散を防止するカバー部材により構成することができる。
【００７９】
また、ヒューズ１０２は、図８に示したように、レーザ照射により溶断する構成とすることもできる。図８（ａ）は上面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。
【００８０】
本実施の形態における半導体装置１００によっても、第１の実施の形態で説明したのと同様の効果が得られる。本実施の形態においても、トランジスタ１５４としては、ヒューズ１０２を切断する際に用いるトランジスタを用いることができ、簡易な構成で装置面積の増大を抑えつつヒューズ１０２の判定精度を高めることができる。
【００８１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００８２】
第１の実施の形態において、ヒューズ１０２が第１の配線１０３ｃ、ビア１０３ｄ、および第２の配線１０３ｅにより構成され、ビア１０３ｄに切断部１５２が形成される例を説明した。しかし、他の例において、ヒューズ１０２は、幅広の配線により形成された折り返し構造１０３ｂと幅狭の配線との組合せとすることもできる。この場合、幅狭の配線に切断部１５２が形成されるようにすることができる。
【００８３】
なお、以上の実施の形態では被接触導電体１０８としてカバー部材４０４を用いる構成を示したため、図１等において被接触導電体１０８がヒューズ１０２の周囲全体を囲むような構成を示した。しかし、被接触導電体１０８は、必ずしもヒューズ１０２の周囲全体を囲んだ構成とする必要はなく、ヒューズ１０２への切断処理を行ったときにヒューズ１０２と接触するような配置とされていればどのような構成となっていてもよい。このような例を図９に模式的に示す。また、被接触導電体１０８は、カバー部材４０４とは別個に設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の構成を示す模式図である。
【図２】図１の半導体装置の切断検出回路および接触検出回路の具体的な構成の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるヒューズが切断された状態を示す。
【図４】本発明の実施の形態におけるヒューズの具体的な構成を示す上面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体装置の構成を示す模式図である。
【図７】ヒューズおよび被接触導電体の具体的な構成を示す図である。
【図８】ヒューズおよび被接触導電体の具体的な構成を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態における半導体装置の他の構成を示す模式図である。
【図１０】従来のトリミングパターンの概略平面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０ 細線部
１１ パッドＡ
１２ パッドＢ
１３ 接続部Ａ
１４ 接続部Ｂ
１５ 引き出し部
１６ 引き出し部
２０ 溶融メタル
１００ 半導体装置
１０２ ヒューズ
１０３ｂ  折り返し構造
１０３ｃ  第１の配線
１０３ｄ  ビア
１０３ｅ  第２の配線
１０４ 第１のパッド部
１０６ 第２のパッド部
１０８ 被接触導電体
１１０ 切断検出回路
１１２ 接触検出回路
１１４ ＮＯＲ回路
１１５ 判定部
１１６ 第１の端子
１１８ 第２の端子
１３０ 第１のスイッチ
１３１ 第３のスイッチ
１３２ 第１のインバータ
１３４ 第２のインバータ
１３６ 第３のインバータ
１４０ 第２のスイッチ
１４２ 第４のインバータ
１４４ 第５のインバータ
１５０ 接触部
１５０ａ  流出予定領域
１５２ 切断部
１５４ トランジスタ
３０２ 第１のエッチング阻止膜
３０４ 第１の層間絶縁膜
３０６ 第１の保護膜
３０８ 第２のエッチング阻止膜
３１０ 第２の層間絶縁膜
３１２ 第３のエッチング阻止膜
３１４ 第３の層間絶縁膜
３１６ 第２の保護膜
３１８ 第４のエッチング阻止膜
３２０ バリアメタル膜
４００ 電極
４０２ ビア
４０４ カバー部材
【図１】
2007329197.tif 000003
【図２】
2007329197.tif 000004
【図３】
2007329197.tif 000005
【図４】
2007329197.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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