(57)【要約】      （修正有）【課題】回路の配置を柔軟に行え、効率の良いレイアウトが可能な集積回路装置及びそれを搭載する電子機器の提供。【解決手段】集積回路装置は表示メモリを含み、複数のビット線ＢＬ、／ＢＬが形成される金属配線層には、複数のメモリセルに第１の電源電圧を供給するための複数の第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２が形成され、複数のワード線が形成される金属配線層には、複数のメモリセルに第１の電源電圧よりも電圧の高い第２の電源電圧を供給するための第２の電源供給配線が形成され、複数のビット線ＢＬ、／ＢＬの上層には複数のビット線保護用配線が形成され、複数のビット線ＢＬ、／ＢＬの各々と複数のビット線保護用配線の各々とは、平面視で重なる領域を含み、複数のビット線保護用配線の上層には、表示メモリ以外の回路に第２の電源電圧よりも電圧の高い第３の電源電圧を供給するための第３の電源供給配線が形成されている。【選択図】      図１９
2007011077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線及び複数のデータ線を有する表示パネルに表示される少なくとも一部のデータを格納する表示メモリを含む集積回路装置であって、
前記表示メモリは、複数のワード線と、複数のビット線と、複数のメモリセルと、を含み、
前記複数のビット線が形成される金属配線層には、前記複数のメモリセルに第１の電源電圧を供給するための複数の第１の電源供給配線が形成され、
前記複数のワード線が形成される金属配線層には、前記複数のメモリセルに前記第１の電源電圧よりも電圧の高い第２の電源電圧を供給するための第２の電源供給配線が形成され、
前記複数のワード線の上層には前記複数のビット線が形成され、
前記複数のビット線の上層には複数のビット線保護用配線が形成され、前記複数のビット線の各々と前記複数のビット線保護用配線の各々とは、平面視で重なる領域を含み、
前記複数のビット線保護用配線の上層には、前記集積回路装置に設けられた回路のうち、前記表示メモリ以外の回路に前記第２の電源電圧よりも電圧の高い第３の電源電圧を供給するための第３の電源供給配線が形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のメモリセルの各々は、短辺及び長辺を有し、
前記複数のメモリセルの各々では、
前記複数のビット線は前記複数のメモリセルの前記長辺の延びる第１の方向に沿って形成され、
前記複数のワード線は前記複数のメモリセルの前記短辺の延びる第２の方向に沿って形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数の第１の電源供給配線が形成される領域の上層には、前記複数のビット線保護用配線が形成されない保護用配線非形成領域が設けられていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記保護用配線非形成領域は、前記第１の方向に沿って延在形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかにおいて、
前記複数の第１の電源供給配線の各々は、前記第１の方向に沿って延在形成され、
前記複数のメモリセルの各々では、前記複数のビット線のうちの２本のビット線で構成されるビット線対は、前記複数の第１の電源供給配線の２本の第１の電源供給配線に挟まれるように配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記複数のビット線保護用配線は、前記第１の方向に沿って延在形成され、
前記複数のメモリセルの各々では、前記複数のビット線保護用配線の一つの前記第２の方向での両端部が、前記２本の第１の電源供給線と平面視で重なる領域を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項７】
請求項２乃至５のいずれかにおいて、
前記複数のビット線保護用配線の各々は、前記第１の方向に沿って延在形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項８】
請求項３において、
前記複数のビット線保護用配線の各々は、前記第２の方向に沿って延在形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記保護用配線非形成領域は、前記第２の方向に沿って延在形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記複数のビット線保護用配線には、前記第１の電源電圧が供給されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
前記複数のビット線保護用配線は、前記第１の電源供給配線と電気的に接続されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の集積回路装置と、表示パネルと、を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記集積回路装置は、前記表示パネルを形成する基板に実装されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記集積回路装置の前記複数のワード線が、前記表示パネルに設けられた前記複数のデータ線が延びる方向と平行になるように前記表示パネルを形成する基板に前記集積回路装置が実装されていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の普及に伴い、電子機器に搭載される表示パネルの高解像度化の需要が増大している。それに伴い、表示パネルを駆動する駆動回路には高機能が要求される。しかしながら、高機能を搭載する駆動回路には、多種の回路が必要であり、表示パネルの高解像度化に比例して、その回路規模及び回路の複雑さが増大する傾向にある。従って、高機能を維持したまま又はさらなる高機能の搭載に伴う駆動回路のチップ面積の縮小化が難しく、製造コスト削減を妨げる。
【０００３】
また、小型電子機器においても、高解像度化された表示パネルが搭載され、その駆動回路に高機能が要求される。しかしながら、小型電子機器にはそのスペースの都合上、あまり回路規模を大きくすることができない。従って、チップ面積の縮小と高機能の搭載の両立が難しく、製造コストの削減又はさらなる高機能の搭載が困難である。
【特許文献１】特開２００１−２２２２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、回路の配置を柔軟に行え、効率の良いレイアウトが可能な集積回路装置及びそれを搭載する電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、複数の走査線及び複数のデータ線を有する表示パネルに表示される少なくとも一部のデータを格納する表示メモリを含む集積回路装置であって、前記表示メモリは、複数のワード線と、複数のビット線と、複数のメモリセルと、を含み、前記複数のビット線が形成される金属配線層には、前記複数のメモリセルに第１の電源電圧を供給するための複数の第１の電源供給配線が形成され、前記複数のワード線が形成される金属配線層には、前記複数のメモリセルに前記第１の電源電圧よりも電圧の高い第２の電源電圧を供給するための第２の電源供給配線が形成され、前記複数のワード線の上層には前記複数のビット線が形成され、前記複数のビット線の上層には複数のビット線保護用配線が形成され、前記複数のビット線の各々と前記複数のビット線保護用配線の各々とは、平面視で重なる領域を含み、前記複数のビット線保護用配線の上層には、前記集積回路装置に設けられた回路のうち、前記表示メモリ以外の回路に前記第２の電源電圧よりも電圧の高い第３の電源電圧を供給するための第３の電源供給配線が形成されている集積回路装置に関する。
【０００６】
本発明によれば、複数のビット線の上層に複数のビット線保護用配線を設けることができる。これにより、ビット線保護用配線の上層に形成されている第３の電源供給配線に第３の電源電圧が供給されても、ビット線保護用配線が第３の電源供給配線に対するシールド効果を奏し、メモリセルから正常にデータを読み出すことができる。また、第３の電源供給配線を用いて表示メモリ以外の回路に第３の電源電圧を供給することができ、集積回路装置に様々な回路を効率よくレイアウトすることができ、チップ面積の縮小化が可能となる。
【０００７】
また、本発明では、前記複数のメモリセルの各々は、短辺及び長辺を有し、前記複数のメモリセルの各々では、前記複数のビット線は前記複数のメモリセルの前記長辺の延びる第１の方向に沿って形成され、前記複数のワード線は前記複数のメモリセルの前記短辺の延びる第２の方向に沿って形成されてもよい。
【０００８】
本発明によれば、ワード線よりもビット線が長いメモリセルに対しても、ビット線保護用配線を設けることができる。これにより、第３の電源供給配線からの影響をビット線保護用配線で緩和することができるので、ビット線が長いメモリセルにおいても正常なデータの読み出しが可能となる。
【０００９】
また、本発明では、前記複数の第１の電源供給配線が形成される領域の上層には、前記複数のビット線保護用配線が形成されない保護用配線非形成領域が設けられてもよい。
【００１０】
本発明によれば、第１の電源供給配線の上層に保護用配線非形成領域を設けることができる。これにより、後工程の熱処理等でビット線保護用配線の下層から生じるガスを放出することができ、後工程の熱処理等による素子の破裂、破壊等を防ぐことができる。なお、保護用配線非形成領域は第１の電源供給配線が形成される領域の上層に設けられるので、第３の電源供給配線からの影響を防ぎながら、ビット線保護用配線の下層から生じるガスを放出することができる。
【００１１】
また、本発明では、前記保護用配線非形成領域は、前記第１の方向に沿って延在形成されてもよい。
【００１２】
これにより、後工程の熱処理等でビット線保護用配線の下層から生じるガスを十分に放出することができ、集積回路装置の歩留まり向上の効果を奏する。
【００１３】
また、本発明では、前記複数の第１の電源供給配線の各々は、前記第１の方向に沿って延在形成され、前記複数のメモリセルの各々では、前記複数のビット線のうちの２本のビット線で構成されるビット線対は、前記複数の第１の電源供給配線の２本の第１の電源供給配線に挟まれるように配置されてもよい。
【００１４】
こうすることによって、隣接する他のメモリセルのビット線からの影響を防ぐことができ、データの読み出しを安定して行える。
【００１５】
また、本発明では、前記複数のビット線保護用配線は、前記第１の方向に沿って延在形成され、前記複数のメモリセルの各々では、前記複数のビット線保護用配線の一つの前記第２の方向での両端部が、前記２本の第１の電源供給線と平面視で重なる領域を含むようにしてもよい。
【００１６】
これにより、第３の電源供給配線と、複数のビット線が形成される配線層のうちの第１の電源供給配線以外の領域との間にビット線保護用配線を介在させることができ、第３の電源供給配線から受ける影響をさらに防ぐことができる。
【００１７】
また、本発明では、前記複数のビット線保護用配線の各々は、前記第１の方向に沿って延在形成されてもよい。
【００１８】
これにより、複数のビット線保護用配線で複数のビット線が形成される領域を広範囲に覆うことができる。
【００１９】
また、本発明では、前記複数のビット線保護用配線の各々は、前記第２の方向に沿って延在形成されてもよい。
【００２０】
これにより、複数のビット線保護用配線で複数のビット線が形成される領域の大部分を覆うことができる。
【００２１】
また、本発明では、前記保護用配線非形成領域は、前記第２の方向に沿って延在形成されてもよい。
【００２２】
これにより、後工程の熱処理等でビット線保護用配線の下層から生じるガスを十分に放出することができ、集積回路装置の歩留まり向上の効果を奏する。
【００２３】
また、本発明では、前記複数のビット線保護用配線には、前記第１の電源電圧が供給されてもよい。
【００２４】
これにより、第３の電源供給配線に第３の電源電圧が供給されても、ビット線に対する影響を防ぐことができ、メモリセルから正常なデータの読み出しが可能となる。
【００２５】
また、本発明では、前記複数のビット線保護用配線は、前記第１の電源供給配線と電気的に接続されてもよい。
【００２６】
これにより、ビット線保護用配線を第１の電源供給配線として用いることができ、より安定した第１の電源電圧を各メモリセルに供給することができる。即ち、メモリセルの動作の安定化が可能である。
【００２７】
また、本発明は、上記のいずれかの集積回路装置と、表示パネルと、を含む電子機器に関する。
【００２８】
また、本発明では、前記集積回路装置は、前記表示パネルを形成する基板に実装されてもよい。
【００２９】
また、本発明では、前記集積回路装置の前記複数のワード線が、前記表示パネルに設けられた前記複数のデータ線が延びる方向と平行になるように前記表示パネルを形成する基板に前記集積回路装置が実装されてもよい。
【００３０】
本発明によれば、複数のデータ線が延びる方向と交差する方向に沿って複数のビット線を形成することができる。これにより、複数のデータ線が延びる方向と交差する方向に沿って複数のビット線保護用配線を延在形成することができる。また、複数のデータ線が延びる方向に沿って複数のビット線保護用配線を延在形成することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の必須構成要件であるとは限らない。なお、以下の図において同符号のものは同様の意味を表す。
【００３２】
１．表示ドライバ
図１（Ａ）は、表示ドライバ２０（広義には集積回路装置）が実装された表示パネル１０を示す。本実施形態では、表示ドライバ２０や、表示ドライバ２０が実装された表示パネル１０を小型電子機器（図示せず）に搭載することができる。小型電子機器には例えば携帯電話、ＰＤＡ、表示パネルを有するデジタル音楽プレーヤー等がある。表示パネル１０は例えばガラス基板上に複数の表示画素が形成される。その表示画素に対応して、Ｙ方向に伸びる複数のデータ線（図示せず）及びＸ方向に伸びる走査線（図示せず）が表示パネル１０に形成される。本実施形態の表示パネル１０に形成される表示画素は液晶素子であるが、これに限定されず、ＥＬ（Electro-Luminescence）素子等の発光素子であってもよい。また、表示画素はトランジスタ等を伴うアクティブ型であっても、トランジスタ等を伴わないパッシブ型であっても良い。例えば、表示領域１２にアクティブ型が適用された場合、液晶画素はアモルファスＴＦＴであっても良いし、低温ポリシリコンＴＦＴであっても良い。
【００３３】
表示パネル１０は、例えばＸ方向にＰＸ個のピクセル、Ｙ方向にＰＹ個のピクセルの表示領域１２を持つ。例えば、表示パネル１０がＱＶＧＡ表示に対応する場合は、ＰＸ＝２４０、ＰＹ＝３２０となり、表示領域１２は２４０×３２０ピクセルで示される。なお、表示パネル１０のＸ方向のピクセル数ＰＸとは、白黒表示の場合にはデータ線本数に一致する。ここではカラー表示の場合、Ｒ用サブピクセル、Ｇ用サブピクセル、Ｂ用サブピクセルの計３サブピクセルを合わせて１ピクセルが構成される。よって、カラー表示の場合、データ線の本数は（３×ＰＸ）本となっている。従って、カラー表示の場合、「データ線に対応する画素数」は「Ｘ方向のサブピクセルの数」を意味する。各サブピクセルは階調に応じてそのビット数が決定され、例えば３つのサブピクセルの階調値をＧとすると、１ピクセルの階調値＝３Ｇビットとなる。サブピクセルが６４階調（６ビット）を表現する場合には、１ピクセルのデータ量は６×３＝１８ビットとなる。
【００３４】
なお、ピクセル数ＰＸ及びＰＹは、例えばＰＸ＞ＰＹでも良いし、ＰＸ＜ＰＹでも良いし、ＰＸ＝ＰＹでも良い。
【００３５】
表示ドライバ２０のサイズは、Ｘ方向の長さＣＸ、Ｙ方向の長さＣＹに設定される。そして、長さＣＸである表示ドライバ２０の長辺ＩＬは、表示領域１２の表示ドライバ２０側の一辺ＰＬ１と平行である。即ち、表示ドライバ２０は、その長辺ＩＬが表示領域１２の一辺ＰＬ１と平行になるように表示パネル１０に実装される。
【００３６】
図１（Ｂ）は表示ドライバ２０のサイズを示す図である。長さＣＹである表示ドライバ２０の短辺ＩＳと表示ドライバ２０の長辺ＩＬの比は、例えば１：１０に設定される。つまり、表示ドライバ２０は、その長辺ＩＬに対して、その短辺ＩＳが非常に短く設定される。このように細長い形状に形成することで、表示ドライバ２０のＹ方向のチップサイズを極限まで小さくすることができる。
【００３７】
なお、前述の比１：１０は一例であり、これに限定されない。例えば１：１１でも良いし、１：９でもよい。
【００３８】
なお、図１（Ａ）では表示領域１２のＸ方向の長さＬＸ及びＹ方向の長さＬＹが示されているが、表示領域１２の縦横のサイズ比は図１（Ａ）に限定されない。表示領域１２は、例えば長さＬＹが長さＬＸよりも短く設定されてもよい。
【００３９】
また、図１（Ａ）によると、表示領域１２のＸ方向の長さＬＸは表示ドライバ２０のＸ方向の長さＣＸと等しい。特に図１（Ａ）に限定はされないが、このように長さＬＸ及び長さＣＸが等しく設定されるのが好ましい。その理由として、図２（Ａ）を示す。
【００４０】
図２（Ａ）に示す表示ドライバ２２は方向Ｘの長さがＣＸ２に設定されている。この長さＣＸ２は、表示領域１２の一辺ＰＬ１の長さＬＸよりも短いため、図２（Ａ）に示すように、表示ドライバ２２と表示領域１２とを接続する複数の配線を方向Ｙに平行に設けることができない。このため、表示領域１２と表示ドライバ２２との距離ＤＹ２を余分に設ける必要がある。これは表示パネル１０のガラス基板のサイズを無駄に要するため、コスト削減を妨げる。そして、より小型の電子機器に表示パネル１０を搭載する場合、表示領域１２以外の部分が大きくなり、電子機器の小型化の妨げにもなる。
【００４１】
これに対して、図２（Ｂ）に示すように本実施形態の表示ドライバ２０は、その長辺ＩＬの長さＣＸが表示領域１２の一辺ＰＬ１の長さＬＸに一致するように形成されているため、表示ドライバ２０と表示領域１２との間の複数の配線を方向Ｙに平行に設けることができる。これにより、表示ドライバ２０と表示領域１２との距離ＤＹを図２（Ａ）の場合に比べて短くすることができる。さらに、表示ドライバ２０のＹ方向の長さＩＳが短いので、表示パネル１０のガラス基板のＹ方向のサイズが小さくなり、電子機器の小型化に寄与できる。
【００４２】
なお、本実施形態では、表示ドライバ２０の長辺ＩＬの長さＣＸが、表示領域１２の一辺ＰＬ１の長さＬＸに一致するように形成されるが、これに限定されない。
【００４３】
上述のように、表示ドライバ２０の長辺ＩＬを表示領域１２の一辺ＰＬ１の長さＬＸに合わせ、短辺ＩＳを短くすることで、チップサイズの縮小を達成しながら、距離ＤＹの短縮も可能となる。このため、表示ドライバ２０の製造コスト及び表示パネル１０の製造コストの削減が可能となる。
【００４４】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本実施形態の表示ドライバ２０のレイアウトの構成例を示す図である。図３（Ａ）に示すように、表示ドライバ２０には、Ｘ方向に沿ってデータ線ドライバ１００（広義にはデータ線ドライバブロック）、ＲＡＭ２００（広義には集積回路装置）、走査線ドライバ３００、Ｇ／Ａ回路４００（ゲートアレイ回路、広義には自動配線回路）、階調電圧発生回路５００、電源回路６００が配置されている。これらの回路は、表示ドライバ２０のブロック幅ＩＣＹに収まるように配置されている。そして、これらの回路を挟むように出力ＰＡＤ７００及び入出力ＰＡＤ８００が表示ドライバ２０に設けられている。出力ＰＡＤ７００及び入出力ＰＡＤ８００は、方向Ｘに沿って形成され、出力ＰＡＤ７００は表示領域１２側に設けられている。なお、入出力ＰＡＤ８００には、例えばホスト（例えばＭＰＵ、ＢＢＥ（Base-Band-Engine）、ＭＧＥ、ＣＰＵ等）による制御情報を供給するための信号線や電源供給線等が接続される。
【００４５】
なお、表示パネル１０の複数のデータ線は複数のブロック（例えば４つ）に分割され、一つのデータ線ドライバ１００は、１ブロック分のデータ線を駆動する。
【００４６】
このようにブロック幅ＩＣＹを設け、それに収まるように各回路を配置することによって、ユーザーのニーズに柔軟に対応できる。具体的には、駆動対象となる表示パネル１０のＸ方向のピクセル数ＰＸが変わると、画素を駆動するデータ線の数も変わるため、それに合わせてデータ線ドライバ１００及びＲＡＭ２００を設計する必要がある。また、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴパネル用表示ドライバでは、走査ドライバ３００をガラス基板に形成できるため、走査線ドライバ３００を表示ドライバ２０に内蔵させない場合もある。
【００４７】
本実施形態では、データ線ドライバ１００やＲＡＭ２００だけを変更したり、走査線ドライバ３００をはずしたりするだけで、表示ドライバ２０を設計することが可能となる。このため、元となるレイアウトを生かすことができ、最初から設計し直す手間が省くことができるので、設計コストの削減が可能となる。
【００４８】
また、図３（Ａ）では、２つのＲＡＭ２００が隣接するように配置されている。これにより、ＲＡＭ２００に用いられる一部の回路を共用することが可能となり、ＲＡＭ２００の面積を縮小することができる。詳しい作用効果については後述する。また、本実施形態では図３（Ａ）の表示ドライバ２０に限定されない。例えば、図３（Ｂ）に示す表示ドライバ２４のようにデータ線ドライバ１００とＲＡＭ２００が隣接し、２つのＲＡＭ２００が隣接しないように配置されても良い。
【００４９】
また、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）では、一例としてデータ線ドライバ１００及びＲＡＭ２００が各４つ設けられている。これは、表示ドライバ２０に対して、データ線ドライバ１００及びＲＡＭ２００を４つ（４ＢＡＮＫ）設けることで、１水平走査期間（例えば１Ｈ期間とも呼ぶ）に駆動されるデータ線の数を４分割することができる。例えば、ピクセル数ＰＸが２４０である場合、Ｒ用サブピクセル、Ｇ用サブピクセル、Ｂ用サブピクセルを考慮すると１Ｈ期間に例えば７２０本のデータ線を駆動する必要がある。本実施形態では、この数の４分の１である１８０本のデータ線を各データ線ドライバ１００が駆動すればよい。ＢＡＮＫ数を増やすことで、各データ線ドライバ１００が駆動するデータ線の本数を減らすこともできる。なお、ＢＡＮＫ数とは、表示ドライバ２０内に設けられたＲＡＭ２００の数と定義する。また、各ＲＡＭ２００を合わせた合計の記憶領域を表示メモリの記憶領域と定義し、表示メモリは少なくとも表示パネル１０の１画面分の画像を表示するためのデータを格納することができる。
【００５０】
図４は、表示ドライバ２０が実装された表示パネル１０の一部を拡大する図である。表示領域１２は複数の配線ＤＱＬによって表示ドライバ２０の出力ＰＡＤ７００と接続されている。この配線はガラス基板に設けられた配線であっても良いし、フレキシブル基板等にて形成され、出力ＰＡＤ７００と表示領域１２とを接続する配線であっても良い。
【００５１】
ＲＡＭ２００はそのＹ方向の長さがＲＹに設定されている。本実施形態では、この長さＲＹは、図３（Ａ）のブロック幅ＩＣＹと同じに設定されているが、これに限定されない。例えば、長さＲＹはブロック幅ＩＣＹ以下に設定されても良い。
【００５２】
長さＲＹに設定されるＲＡＭ２００には、複数のワード線ＷＬと、複数のワード線ＷＬを制御するワード線制御回路２４０が設けられている。また、ＲＡＭ２００には、複数のビット線ＢＬ、複数のメモリセルＭＣ及びそれらを制御する制御回路（図示せず）が設けられている。ＲＡＭ２００のビット線ＢＬはＸ方向に平行になるように設けられている。即ち、ビット線ＢＬは表示領域１２の一辺ＰＬ１に平行になるように設けられている。また、ＲＡＭ２００のワード線ＷＬは方向Ｙに平行になるように設けられている。即ち、ワード線ＷＬは複数の配線ＤＱＬと平行になるように設けられている。
【００５３】
ＲＡＭ２００のメモリセルＭＣはワード線ＷＬの制御により読み出しが行われ、その読み出されたデータがデータ線ドライバ１００に供給される。即ち、ワード線ＷＬが選択されると、Ｙ方向に沿って配列された複数のメモリセルＭＣに格納されているデータがデータ線ドライバ１００に供給されることになる。
【００５４】
図５は、図３（Ａ）のＡ−Ａ断面を示す断面図である。Ａ−Ａ断面はＲＡＭ２００のメモリセルＭＣが配列されている領域の断面である。ＲＡＭ２００の形成される領域には、例えば５層の金属配線層が設けられている。図５では、例えば第１金属配線層ＡＬＡ、その上層の第２金属配線層ＡＬＢ、さらに上層の第３金属配線層ＡＬＣ、第４金属配線層ＡＬＤ、第５金属配線層ＡＬＥが示されている。第５金属配線層ＡＬＥには、例えば階調電圧発生回路５００から階調電圧が供給される階調電圧用配線２９２（広義には第３の電源供給配線）が形成されている。また、第５金属配線層ＡＬＥには、電源回路６００から供給される電圧や、外部から入出力ＰＡＤ８００を経由して供給される電圧等を供給するための電源用配線２９４（広義には第３の電源供給配線）が形成されている。本実施形態のＲＡＭ２００は例えば第５金属配線層ＡＬＥを使用せずに形成できる。このため、前述のように第５金属配線層ＡＬＥに様々な配線を形成することができる。
【００５５】
また、第４金属配線層ＡＬＤにはシールド層２９０が形成されている。これにより、ＲＡＭ２００のメモリセルＭＣの上層の第５金属配線層ＡＬＥに様々な配線が形成されても、ＲＡＭ２００のメモリセルＭＣに与える影響を緩和することができる。なお、ワード線制御回路２４０等のＲＡＭ２００の制御回路が形成されている領域の第４金属配線層ＡＬＤには、これらの回路の制御用の信号配線が形成されても良い。
【００５６】
第３金属配線層ＡＬＣに形成されている配線２９６は、例えばビット線ＢＬや電圧ＶＳＳ用配線（広義には第１の電源供給配線）に用いられる。また、第２金属配線層ＡＬＢに形成されている配線２９８は、例えばワード線ＷＬや電圧ＶＤＤ用配線（広義には第２の電源供給配線）として用いることができる。また、第１金属配線層ＡＬＡに形成されている配線２９９は、ＲＡＭ２００の半導体層に形成されている各ノードとの接続に用いることができる。
【００５７】
なお、上述の構成を変更して、第３金属配線層ＡＬＣにワード線用の配線を形成し、第２金属配線層ＡＬＢにビット線用の配線を形成するようにしても良い。
【００５８】
以上のようにＲＡＭ２００の第５金属配線層ＡＬＥに様々な配線を形成することができるので、図３（Ａ）や図３（Ｂ）に示すように多種の回路ブロックをＸ方向に沿って配列することができる。
【００５９】
２．データ線ドライバ
２．１．データ線ドライバの構成
図６（Ａ）は、データ線ドライバ１００を示す図である。データ線ドライバ１００は出力回路１０４、ＤＡＣ１２０及びラッチ回路１３０を含む。ＤＡＣ１２０はラッチ回路１３０にラッチされているデータに基づいて階調電圧を出力回路１０４に供給する。ラッチ回路１３０には、例えばＲＡＭ２００から供給されたデータが格納される。例えば階調度がＧビットに設定されている場合には、各ラッチ回路１３０にはＧビットのデータが格納される。階調電圧は、階調度に応じて複数種類生成され、階調電圧発生回路５００からデータ線ドライバ１００に供給される。例えば、データ線ドライバ１００に供給された複数の階調電圧は各ＤＡＣ１２０に供給される。各ＤＡＣ１２０はラッチ回路１３０にラッチされているＧビットのデータに基づいて、階調電圧発生回路５００から供給された複数種類の階調電圧から対応する階調電圧を選択し、出力回路１０４に出力する。
【００６０】
出力回路１０４は、例えばオペアンプ（広義には演算増幅器）で構成されるが、これに限定されない。図６（Ｂ）に示すように出力回路１０４の代わりに出力回路１０２をデータ線ドライバ１００に設けても良い。この場合、階調電圧発生回路５００には複数のオペアンプが設けられている。
【００６１】
図７はデータ線ドライバ１００に設けられている複数のデータ線駆動セル１１０を示す図である。各データ線ドライバ１００は複数のデータ線を駆動し、データ線駆動セル１１０は複数のデータ線のうちの１本を駆動する。例えば、データ線駆動セル１１０は、一ピクセルを構成するＲ用サブピクセル、Ｇ用サブピクセル及びＢ用サブピクセルのいずれか一つを駆動する。即ち、Ｘ方向のピクセル数ＰＸが２４０の場合には、表示ドライバ２０には、合計２４０×３＝７２０個のデータ線駆動セル１１０が設けられていることになる。そして、この場合には各データ線ドライバ１００には、例えば４ＢＡＮＫ構成である場合、１８０個のデータ線駆動セル１１０が設けられている。
【００６２】
データ線駆動セル１１０は、例えば出力回路１４０、ＤＡＣ１２０及びラッチ回路１３０を含むが、これに限定されない。例えば、出力回路１４０は外部に設けられても良い。なお、出力回路１４０は、図５の出力回路１０４でも良いし、図６の出力回路１０２でもよい。
【００６３】
例えば、Ｒ用サブピクセル、Ｇ用サブピクセル及びＢ用サブピクセルのそれぞれの階調度を示す階調データがＧビットに設定されている場合、ＲＡＭ２００からは、データ線駆動セル１１０にＧビットのデータが供給される。ラッチ回路１３０は、Ｇビットのデータをラッチする。ＤＡＣ１２０はラッチ回路１３０の出力に基づいて階調電圧を出力回路１４０を介して出力する。これにより、表示パネル１０に設けられているデータ線を駆動することができる。
【００６４】
２．２．一水平走査期間内の複数回読み出し
図８に本実施形態に係る比較例の表示ドライバ２４を示す。この表示ドライバ２４は、表示ドライバ２４の一辺ＤＬＬが表示パネル１０の表示領域１２側の一辺ＰＬ１と対向するように実装される。表示ドライバ２４には、Ｙ方向の長さよりもＸ方向の長さの方が長く設定されているＲＡＭ２０５及びデータ線ドライバ１０５が設けられている。ＲＡＭ２０５及びデータ線ドライバ１０５のＸ方向の長さは、表示パネル１０のピクセル数ＰＸが増加するに従って、長くなる。ＲＡＭ２０５には複数のワード線ＷＬ及びビット線ＢＬが設けられている。ＲＡＭ２０５のワード線ＷＬはＸ方向に沿って延在形成され、ビット線ＢＬはＹ方向に沿って延在形成されている。即ち、ワード線ＷＬはビット線ＢＬよりも非常に長く形成される。また、ビット線ＢＬはＹ方向に沿って延在形成されているため、表示パネル１０のデータ線と平行であり、表示パネル１０の一辺ＰＬ１と直交する。
【００６５】
この表示ドライバ２４は１Ｈ期間に１回だけワード線ＷＬを選択する。そして、ワード線ＷＬの選択によってＲＡＭ２０５から出力されるデータをデータ線ドライバ１０５がラッチし、複数のデータ線を駆動する。表示ドライバ２４では、図８に示すようにワード線ＷＬがビット線ＢＬに比べて非常に長いため、データ線ドライバ１００及びＲＡＭ２０５の形状がＸ方向に長くなり、表示ドライバ２４に他の回路を配置するスペースを確保するのが難しい。そのため、表示ドライバ２４のチップ面積の縮小を妨げる。また、その確保等に関する設計時間も無駄に要してしまうため、設計コスト削減を妨げる。
【００６６】
図８のＲＡＭ２０５は例えば図９（Ａ）に示すようにレイアウトされる。図９（Ａ）によると、ＲＡＭ２０５は２分割され、そのうちの一つのＸ方向の長さは例えば「１２」であるのに対し、Ｙ方向の長さは「２」である。従って、ＲＡＭ２０５の面積を「４８」と示すことができる。これらの長さの値は、ＲＡＭ２０５の大きさを示す上での比率の一例を示すものであり、実際の大きさを限定するものではない。なお、図９（Ａ）〜図９（Ｄ）の符号２４１〜２４４はワード線制御回路を示し、符号２０６〜２０９はセンスアンプを示す。
【００６７】
これに対して、本実施形態では、ＲＡＭ２０５を複数に分割し９０度回転した状態でレイアウトすることができる。例えば、図９（Ｂ）に示すようにＲＡＭ２０５を４分割して９０度回転した状態にレイアウトすることができる。４分割されたうちの一つであるＲＡＭ２０５−１は、センスアンプ２０７とワード線制御回路２４２を含む。また、ＲＡＭ２０５−１のＹ方向の長さが「６」であり、Ｘ方向の長さが「２」である。よって、ＲＡＭ２０５−１の面積は「１２」となり、４ブロックの合計面積が「４８」となる。しかしながら、表示ドライバ２０のＹ方向の長さＣＹを短くしたいため、図９（Ｂ）の状態では都合が悪い。
【００６８】
そこで、本実施形態では、図９（Ｃ）に示すように１Ｈ期間に複数回読み出しを行うことでＲＡＭ２００のＹ方向の長さＲＹを短くすることができる。例えば、図９（Ｃ）では、１Ｈ期間に２回読み出しを行う場合を示す。この場合、１Ｈ期間にワード線ＷＬを２回選択するため、例えばＹ方向に配列されたメモリセルＭＣの数を半分にすることができる。これにより、図９（Ｃ）に示すようにＲＡＭ２００のＹ方向の長さを「３」とすることができる。その代わり、ＲＡＭ２００のＸ方向の長さは「４」となる。即ち、ＲＡＭ２００の合計の面積が「４８」となり、図９（Ａ）のＲＡＭ２０５とメモリセルＭＣが配列されている領域の面積が等しくなる。そして、これらのＲＡＭ２００を図３（Ａ）や図３（Ｂ）に示すように自由に配置することができるため、非常に柔軟にレイアウトが可能となり、効率的なレイアウトができる。
【００６９】
なお、図９（Ｄ）は、３回読み出しを行った場合の一例を示す。この場合、図９（Ｂ）のＲＡＭ２０５−１のＹ方向の長さ「６」を３分の１にすることができる。即ち、表示ドライバ２０のＹ方向の長さＣＹをより短くしたい場合には、１Ｈ期間の読み出し回数を調整することで実現可能となる。
【００７０】
上述のように本実施形態では、ブロック化されたＲＡＭ２００を表示ドライバ２０に設けることができる。本実施形態では、例えば４ＢＡＮＫのＲＡＭ２００を表示ドライバ２０に設けることができる。この場合、各ＲＡＭ２００に対応するデータ線ドライバ１００−１〜１００−４は図１０に示すように対応するデータ線ＤＬを駆動する。
【００７１】
具体的には、データ線ドライバ１００−１はデータ線群ＤＬＳ１を駆動し、データ線ドライバ１００−２はデータ線群ＤＬＳ２を駆動し、データ線ドライバ１００−３はデータ線群ＤＬＳ３を駆動し、データ線ドライバ１００−４はデータ線群ＤＬＳ４を駆動する。なお、各データ線群ＤＬＳ１〜ＤＬＳ４は、表示パネル１０の表示領域１２に設けられた複数のデータ線ＤＬを例えば４ブロックに分割したうちの１ブロックである。このように４ＢＡＮＫのＲＡＭ２００に対応して、４つのデータ線ドライバ１００−１〜１００−４を設け、それぞれに対応するデータ線を駆動させることで、表示パネル１０の複数のデータ線を駆動することができる。
【００７２】
２．３．データ線ドライバの分割構造
本実施形態では、図４のＲＡＭ２００の長さＲＹを短くするために、一水平走査期間でのＮ回読み出し、例えば２回読み出しを前提として、データ線ドライバ１００が、図１１（Ａ）に示すように第１のデータ線ドライバ１００Ａ（広義には第１の分割データ線ドライバ）及び第２のデータ線ドライバ１００Ｂ（広義には第２の分割データ線ドライバ）と、Ｎ（２）分割されている。図１１（Ａ）に示すＭは、１回のワード線選択によってＲＡＭ２００から読み出されるデータのビット数である。
【００７３】
例えば、ピクセル数ＰＸが２４０であり、ピクセルの階調度が１８ビットであり、ＲＡＭ２００のＢＡＮＫ数が４ＢＡＮＫである場合、１Ｈ期間では、各ＲＡＭ２００から２４０×１８÷４＝１０８０ビットのデータがＲＡＭ２００から出力されなければならない。
【００７４】
しかしながら、表示ドライバ１００のチップ面積縮小のためには、ＲＡＭ２００の長さＲＹを短くしたい。そこで、図１１（Ａ）に示すように例えばデータ線ドライバ１００Ａ及び１００ＢをＸ方向に分割する。そうすることで、Ｍを１０８０÷２＝５４０に設定することができ、ＲＡＭ２００の長さＲＹをおよそ半分にすることができる。
【００７５】
なお、データ線ドライバ１００Ａは表示パネル１０のデータ線のうちの一部のデータ線を駆動する。また、データ線ドライバ１００Ｂは、表示パネル１０のデータ線のうち、データ線ドライバ１００Ａが駆動するデータ線以外のデータ線の一部を駆動する。このように、各データ線ドライバ１００Ａ，１００Ｂは表示パネル１０のデータ線をシェアして駆動する。
【００７６】
具体的には、図１１（Ｂ）に示すように１Ｈ期間に例えばワード線ＷＬ１及びＷＬ２を選択する。即ち、１Ｈ期間に２回ワード線を選択する。そして、Ａ１のタイミングでラッチ信号ＳＬＡを立ち下げる。このラッチ信号ＳＬＡは例えばデータ線ドライバ１００Ａに供給される。そして、データ線ドライバ１００Ａはラッチ信号ＳＬＡの例えば立ち下がりエッジに応じてＲＡＭ２００から供給されるＭビットのデータをラッチする。
【００７７】
また、Ａ２のタイミングでラッチ信号ＳＬＢを立ち下げる。このラッチ信号ＳＬＢは例えばデータ線ドライバ１００Ｂに供給される。そして、データ線ドライバ１００Ｂはラッチ信号ＳＬＢの例えば立ち下がりエッジに応じてＲＡＭ２００から供給されるＭビットのデータをラッチする。
【００７８】
さらに具体的には、図１２に示すようにワード線ＷＬ１の選択によってＭ個のメモリセル群ＭＣＳ１に格納されているデータがセンスアンプ回路２１０を介してデータ線ドライバ１００Ａ及び１００Ｂに供給される。しかしながら、ワード線ＷＬ１の選択に対応してラッチ信号ＳＬＡが立ち下がるため、Ｍ個のメモリセル群ＭＣＳ１に格納されているデータはデータ線ドライバ１００Ａにラッチされる。
【００７９】
そして、ワード線ＷＬ２の選択によってＭ個のメモリセル群ＭＣＳ２に格納されているデータがセンスアンプ回路２１０を介してデータ線ドライバ１００Ａ及び１００Ｂに供給されるが、ワード線ＷＬ２の選択に対応してラッチ信号ＳＬＢが立ち下がる。このため、Ｍ個のメモリセル群ＭＣＳ２に格納されているデータはデータ線ドライバ１００Ｂにラッチされる。
【００８０】
このようにすると、Ｍを例えば５４０ビットに設定した場合、１Ｈ期間で２回読み出しを行うため、各データ線ドライバ１００Ａ、１００Ｂには、Ｍ＝５４０ビットのデータがラッチされることになる。即ち、合計１０８０ビットのデータがデータ線ドライバ１００にラッチされることになり、前述の例で必要である１Ｈ期間に１０８０ビットを達成できる。そして、１Ｈ期間に必要なデータ量をラッチすることができ、且つ、ＲＡＭ２００の長さＲＹをおよそ半分に短くすることができる。これにより、表示ドライバ２０のブロック幅ＩＣＹを短くすることができるので、表示ドライバ２０の製造コスト削減が可能となる。
【００８１】
なお、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）では、一例として１Ｈ期間に２回の読み出しを行う例が図示されているが、これに限定されない。例えば、１Ｈ期間に４回読み出しを行うこともできるし、それ以上に設定することもできる。例えば４回読み出しの場合には、データ線ドライバ１００を４段に分割することができ、さらにＲＡＭ２００の長さＲＹを短くすることができる。この場合、前述を例に取れば、Ｍ＝２７０に設定することができ、４段に分割されたデータ線ドライバのそれぞれに２７０ビットのデータがラッチされる。つまり、ＲＡＭ２００の長さＲＹをおよそ４分の１にしながら、１Ｈ期間に必要な１０８０ビットの供給を達成することができる。
【００８２】
また、図１１（Ｂ）のＡ３及びＡ４に示すように、データ線イネーブル信号等（図示せず）による制御に基づいてデータ線ドライバ１００Ａ及び１００Ｂの出力を立ち上げても良いし、Ａ１及びＡ２に示すタイミングで、各データ線ドライバ１００Ａ、１００Ｂがラッチした後にそのままデータ線に出力するようにしても良い。また、各データ線ドライバ１００Ａ、１００Ｂにもう一段ラッチ回路を設けて、Ａ１及びＡ２でラッチしたデータに基づく電圧を次の１Ｈ期間に出力するようにしても良い。こうすれば、１Ｈ期間に読み出しを行う回数を、画質劣化の心配なしに増やすことができる。
【００８３】
なお、ピクセル数ＰＹが３２０（表示パネル１０の走査線が３２０本）であり、１秒間に６０フレームの表示画行われる場合、１Ｈ期間は図１１（Ｂ）に示すように約５２μｓｅｃである。求め方としては、１ｓｅｃ÷６０フレーム÷３２０≒５２μｓｅｃである。これに対して、ワード線の選択は図１１（Ｂ）に示すようにおよそ４０ｎｓｅｃで行われる。つまり、１Ｈ期間に対して十分に短い期間に複数回のワード線選択（ＲＡＭ２００からのデータ読み出し）が行われるため、表示パネル１０に対する画質の劣化に問題は生じない。
【００８４】
また、Ｍの値は、次式で得ることができる。なお、ＢＮＫは、ＢＡＮＫ数を示し、Ｎは１Ｈ期間に行われる読み出し回数を示し、Ｇは階調ビット数を示す。また、ピクセル数ＰＸ×３とは、表示パネル１０のデータ線に対応する画素数を意味する。
【００８５】
【数１】
2007011077.tif 000003
【００８６】
なお、本実施形態ではセンスアンプ回路２１０はラッチ機能を有するが、これに限定されない。例えばセンスアンプ回路２１０はラッチ機能を有さないものであっても良い。
【００８７】
２．４．データ線ドライバの細分割
図１３は、１ピクセルを構成する各サブピクセルのうち、一例としてＲ用サブピクセルについてＲＡＭ２００とデータ線ドライバ１００の関係を説明するための図である。
【００８８】
例えば各サブピクセルの階調のＧビットが６４階調である６ビットに設定された場合、Ｒ用サブピクセルのデータ線駆動セル１１０Ａ−Ｒ及び１１０Ｂ−Ｒには、６ビットのデータがＲＡＭ２００から供給される。６ビットのデータを供給するために、ＲＡＭ２００のセンスアンプ回路２１０に含まれる複数のセンスアンプ２１１のうち例えば６つのセンスアンプ２１１が各データ線駆動セル１１０に対応する。
【００８９】
例えば、データ線駆動セル１１０Ａ−ＲのＹ方向の長さＳＣＹは、６つのセンスアンプ２１１のＹ方向の長さＳＡＹに納める必要がある。同様に各データ線駆動セル１１０のＹ方向の長さは６つのセンスアンプ２１１の長さＳＡＹに納める必要がある。長さＳＣＹを６つのセンスアンプ２１１の長さＳＡＹに納めることができない場合には、データ線ドライバ１００のＹ方向の長さが、ＲＡＭ２００の長さＲＹよりも大きくなってしまい、レイアウト的に効率の悪い状態になってしまう。
【００９０】
ＲＡＭ２００はプロセス的に微細化が進み、センスアンプ２１１のサイズも小さい。一方、図７に示すように、データ線駆動セル１１０には複数の回路が設けられている。特に、ＤＡＣ１２０やラッチ回路１３０は回路サイズが大きくなり、小さく設計することが難しい。さらに、ＤＡＣ１２０やラッチ回路１３０は入力されるビット数が増えると大きくなる。つまり、長さＳＣＹを６つのセンスアンプ２１１のトータル長さＳＡＹに納めることが困難である場合がある。
【００９１】
これに対して、本実施形態では、１Ｈ内読み出し回数Ｎで分割されたデータ線ドライバ１００Ａ，１００Ｂをさらにｋ（ｋは２以上の整数）分割し、Ｘ方向にスタックすることができる。図１４は、１Ｈ期間にＮ＝２回読み出しを行うように設定されたＲＡＭ２００において、データ線ドライバ１００Ａ及び１００Ｂがそれぞれｋ＝２分割されてスタックされた構成例を示す。なお、図１４では、２回読み出しに設定されたＲＡＭ２００についての構成例であり、これに限定されない。例えばＮ＝４回読み出しに設定されている場合には、データ線ドライバはＸ方向において４×２＝８段に分割される。
【００９２】
図１３の各データ線ドライバ１００Ａ、１００Ｂは、図１４に示すように、それぞれが、データ線ドライバ１００Ａ１及び１００Ａ２、データ線ドライバ１００Ｂ１及び１００Ｂ２に分割されている。そして、データ線駆動セル１１０Ａ１−Ｒ等はそのＹ方向の長さがＳＣＹ２に設定されている。長さＳＣＹ２は、図１４によるとセンスアンプ２１１がＧ×２個配列された場合のＹ方向の長さＳＡＹ２に収まるように設定されている。つまり、各データ線駆動セル１１０を形成する際に、図１３に比べてＹ方向に許容される長さが拡大され、レイアウト的に効率の良い設計が可能である。
【００９３】
次に図１４における構成の動作を説明する。例えばワード線ＷＬ１が選択されると、各センスアンプブロック２１０−１、２１０−２、２１０−３、２１０−４等を介して計Ｍビットのデータがデータ線ドライバ１００Ａ１、１００Ａ２、１００Ｂ１、１００Ｂ２の少なくともいずれかに供給される。このとき、例えば、センスアンプブロック２１０−１から出力されるＧビットのデータは、例えばデータ線駆動セル１１０Ａ１−Ｒ及び１１０Ｂ１−Ｒに供給される。そして、センスアンプブロック２１０−２から出力されるＧビットのデータは、例えばデータ線駆動セル１１０Ａ２−Ｒ及び１１０Ｂ２−Ｒに供給される。
【００９４】
このとき、図１１（Ｂ）に示すタイミングチャートと同様に、ワード線ＷＬ１が選択されたときに対応してラッチ信号ＳＬＡ（広義には第１のラッチ信号）が立ち下がる。そして、このラッチ信号ＳＬＡはデータ線駆動セル１１０Ａ１−Ｒを含むデータ線ドライバ１００Ａ１及びデータ線駆動セル１１０Ａ２−Ｒを含むデータ線ドライバ１００Ａ２に供給される。従って、ワード線ＷＬ１の選択によってセンスアンプブロック２１０−１から出力されるＧビットのデータ（メモリセル群ＭＣＳ１１に格納されているデータ）はデータ線駆動セル１１０Ａ１−Ｒにラッチされる。同様に、ワード線ＷＬ１の選択によってセンスアンプブロック２１０−２から出力されるＧビットのデータ（メモリセル群ＭＣＳ１２に格納されているデータ）はデータ線駆動セル１１０Ａ２−Ｒにラッチされる。
【００９５】
センスアンプブロック２１０−３、２１０−４についても上記と同様であり、データ線駆動セル１１０Ａ１−Ｇにはメモリセル群ＭＣＳ１３に格納されているデータがラッチされ、データ線駆動セル１１０Ａ２−Ｇにはメモリセル群ＭＣＳ１４に格納されているデータがラッチされる。
【００９６】
また、ワード線ＷＬ２が選択される場合は、ワード線ＷＬ２の選択に対応してラッチ信号ＳＬＢが（広義には第Ｎのラッチ信号）立ち下がる。そして、このラッチ信号ＳＬＢはデータ線駆動セル１１０Ｂ１−Ｒを含むデータ線ドライバ１００Ｂ１及びデータ線駆動セル１１０Ｂ２−Ｒを含むデータ線ドライバ１００Ｂ２に供給される。従って、ワード線ＷＬ２の選択によってセンスアンプブロック２１０−１から出力されるＧビットのデータ（メモリセル群ＭＣＳ２１に格納されているデータ）はデータ線駆動セル１１０Ｂ１−Ｒにラッチされる。同様に、ワード線ＷＬ２の選択によってセンスアンプブロック２１０−２から出力されるＧビットのデータ（メモリセル群ＭＣＳ２２に格納されているデータ）はデータ線駆動セル１１０Ｂ２−Ｒにラッチされる。
【００９７】
ワード線ＷＬ２の選択においても、センスアンプブロック２１０−３、２１０−４については上記と同様であり、データ線駆動セル１１０Ｂ１−Ｇにはメモリセル群ＭＣＳ２３に格納されているデータがラッチされ、データ線駆動セル１１０Ｂ２−Ｇにはメモリセル群ＭＣＳ２４に格納されているデータがラッチされる。
【００９８】
このようにデータ線ドライバ１００Ａ、１００Ｂが分割された場合において、ＲＡＭ２００に格納されるデータを図１５（Ｂ）に示す。図１５（Ｂ）に示すようにＲＡＭ２００には、Ｙ方向に沿ってＲ用サブピクセルデータ、Ｒ用サブピクセルデータ、Ｇ用サブピクセルデータ、Ｇ用サブピクセルデータ、Ｂ用サブピクセルデータ、Ｂ用サブピクセルデータ・・・という順番でデータが格納される。一方、図１３のような構成の場合には、図１５（Ａ）に示すようにＲＡＭ２００には、Ｙ方向に沿ってＲ用サブピクセルデータ、Ｇ用サブピクセルデータ、Ｂ用サブピクセルデータ、Ｒ用サブピクセルデータ・・・という順番でデータが格納される。
【００９９】
なお、図１３では長さＳＡＹは６つのセンスアンプ２１１に示されているが、これに限定されない。例えば、階調度が８ビットの場合には長さＳＡＹは８つのセンスアンプ２１１の長さに相当する。
【０１００】
また、図１４では一例として各データ線ドライバ１００Ａ、１００Ｂをそれぞれｋ＝２分割する構成が示されているが、これに限定されない。例えば３分割でも良いし、４分割でも良い。そして、例えばデータ線ドライバ１００Ａを３分割した場合、３分割されたものに同じラッチ信号ＳＬＡを供給するようにすればよい。また、１Ｈ読み出し回数と等しい分割数Ｎの変形例として、Ｎ＝３分割した場合には、それぞれをＲ用サブピクセルデータ、Ｇ用サブピクセルデータ、Ｂ用サブピクセルデータのドライバとすることができる。その構成を図１６に示す。図１６では、３つに分割されたデータ線ドライバ１０１Ａ１、１０１Ａ２、１０１Ａ３が示されている。データ線ドライバ１０１Ａ１は、データ線駆動セル１１１Ａ１を含み、データ線ドライバ１０１Ａ２は、データ線駆動セル１１１Ａ２を含み、データ線ドライバ１０１Ａ３は、データ線駆動セル１１１Ａ３を含む。
【０１０１】
そして、ワード線ＷＬ１の選択に対応してラッチ信号ＳＬＡが立ち下がる。前述と同様にラッチ信号ＳＬＡは、各データ線ドライバ１０１Ａ１、１０１Ａ２、１０１Ａ３に供給される。
【０１０２】
このようにすると、ワード線ＷＬ１の選択によって、メモリセル群ＭＣＳ１１に格納されているデータが例えばＲ用サブピクセルデータとしてデータ線駆動セル１１１Ａ１に格納される。同様にメモリセル群ＭＣＳ１２に格納されているデータが例えばＧ用サブピクセルデータとしてデータ線駆動セル１１１Ａ２に格納され、メモリセル群ＭＣＳ１３に格納されているデータが例えばＢ用サブピクセルデータとしてデータ線駆動セル１１１Ａ３に格納される。
【０１０３】
従って、図１５（Ａ）のようにＲＡＭ２００に書き込まれるデータをＹ方向でＲ用サブピクセルデータ、Ｇ用サブピクセルデータ、Ｂ用サブピクセルデータという順番に配列することができる。この場合も、各データ線ドライバ１０１Ａ１、１０１Ａ２、１０１Ａ３をさらにｋ分割することができる。
【０１０４】
３．ＲＡＭ
３．１．メモリセル
３．１．１．メモリセルの構成
各メモリセルＭＣは例えばＳＲＡＭ（Static-Random-Access-Memory）で構成することができる。図１７（Ａ）にメモリセルＭＣの回路の一例を示す。メモリセルＭＣは、例えば一方のインバータＩＮＶの出力が他方のインバータＩＮＶの入力に接続され、互いの入出力が接続された２つのインバータＩＮＶを含む。この２つのインバータＩＮＶによりフリップフロップが構成される。インバータＩＮＶには例えば電圧ＶＳＳ（広義には第１の電源電圧）及び電圧ＶＤＤ（広義には第２の電源電圧）が供給される。また、メモリセルＭＣは、２つのインバータＩＮＶで構成されるフリップフロップに保持されるデータをビット線ＢＬ、／ＢＬに供給するための転送トランジスタＴＴＲを含む。
【０１０５】
図１７（Ｂ）にメモリセルＭＣのレイアウトの一例を示す。図１７（Ｂ）に示すように、メモリセルＭＣはメインワード線ＭＷＬとサブワード線ＳＷＬを含み、これらは方向ＤＲ１（広義には第２の方向）に沿って延在形成されている。なお、サブワード線ＳＷＬは例えばポリシリコン等の導電体で形成され、例えば図１７（Ａ）の転送トランジスタＴＴＲのゲート電極を含んでも良い。また、メインワード線ＭＷＬが形成される層と同層に第２の電源供給配線ＶＤＤＬが方向ＤＲ１に沿って延在形成されている。この第２の電源供給配線ＶＤＤＬによってメモリセルＭＣのインバータＩＮＶに電圧ＶＤＤが供給される。
【０１０６】
また、メモリセルＭＣはビット線ＢＬ及びビット線／ＢＬを含み、これらは、メインワード線ＭＷＬが形成される層の上層にて、方向ＤＲ２（広義には第１の方向）に沿って延在形成されている。さらにビット線ＢＬ、／ＢＬが形成される層と同層に第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２が方向ＤＲ２に沿って延在形成されている。この第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２によってメモリセルＭＣのインバータＩＮＶに電圧ＶＳＳが供給される。
【０１０７】
なお、図１７（Ｂ）に示すように、ビット線ＢＬ、／ＢＬは、メモリセルＭＣにおいて、２本の第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２の間に形成されている。こうすることによって、隣接する他のメモリセルＭＣのビット線ＢＬ、／ＢＬからの影響を防ぐことができる。
【０１０８】
本実施形態では、メモリセルＭＣは例えば３層の金属配線を用いて形成される。その場合、ビット線ＢＬ、／ＢＬ及び第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２は例えば第３層の金属配線層に形成され、その下層の第２層の金属配線層にメインワード線ＭＷＬ及び第２の電源供給配線ＶＤＤＬが形成される。
【０１０９】
メモリセルＭＣのサイズにおいて、ビット線ＢＬ、／ＢＬに沿った長さＭＣＸは、メインワード線ＭＷＬ又はサブワード線ＳＷＬに沿った長さＭＣＹに比べて十分に長い。本実施形態では、このようなレイアウトのメモリセルＭＣをＲＡＭ２００に用いることができるが、これに限定されない。例えば、メモリセルＭＣは、長さＭＣＸよりも長さＭＣＹが長く設定されてもよい。
【０１１０】
なお、本実施形態では、メインワード線ＭＷＬ及びサブワード線ＳＷＬが所定の複数の箇所で電気的に接続されている。これにより、サブワード線ＳＷＬを金属配線であるメインワード線ＭＷＬを用いて低抵抗化することができる。また、本実施形態では、メインワード線ＭＷＬ及びサブワード線ＳＷＬを１本のワード線ＷＬとみなすことができる。
【０１１１】
３．１．２．メモリセルのシールド配線
図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）は、メモリセルＭＣのデータの読み出しを説明する図であり、説明の簡略化のため、メモリセルＭＣにデータ“１”が保持されている場合を示す。図１８（Ａ）のＡ１１に示すようにワード線ＷＬの選択によりワード線ＷＬの電位が上昇する。そしてＡ１２に示すタイミングでワード線ＷＬの電位がＨｉｇｈレベルに到達すると、例えばビット線／ＢＬの電位がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに向かって下降する。具体的には、図１７（Ａ）のワード線ＷＬの選択により転送トランジスタＴＴＲがオン状態となり、メモリセルＭＣの保持データに基づく電圧が２つのインバータＩＮＶによってビット線ＢＬ、／ＢＬに供給される。
【０１１２】
そして例えばセンスアンプ２１１をイネーブルに設定するセンスアンプイネーブル信号ＳＡＥが図１８（Ａ）のＡ１３に示すように立ち上がると、Ａ１４のタイミングでビット線ＢＬ、／ＢＬの電位差がセンスアンプ２１１によって検出される。例えば、この場合にはビット線／ＢＬの電位がビット線ＢＬの電位よりも低いため例えばデータ“１”がセンスアンプ２１１によって検出される。ビット線ＢＬ、／ＢＬの電位差に基づいてデータ“１”、データ“０”は定義されるが、どの状態にデータ“１”又はデータ“０”を割り当てるかは、図１８（Ａ）には限定されない。ビット線ＢＬの電位がビット線／ＢＬの電位より低い場合をデータ“１”に定義しても良いが、説明の明確化のために本実施形態では、図１８（Ａ）に示すようにビット線ＢＬの電位がビット線／ＢＬの電位より高い状態をデータ“１”に定義する。
【０１１３】
メモリセルＭＣに保持されているデータは、上記のように正確に検出することができる。これに対して、図１８（Ｂ）は異常なデータが検出されるケースを示す。図１８（Ｂ）に示すケースは、メモリセルＭＣが配列されている領域の上層に電圧ＶＤＤよりも大きな電圧（広義には第３の電源電圧）が供給される第３の電源供給配線ＧＬが形成されている場合である。
【０１１４】
図１８（Ｂ）のＡ１５に示すようにワード線ＷＬの選択によりワード線ＷＬの電位が上昇する。そしてＡ１６に示すタイミングでワード線ＷＬの電位がＨｉｇｈレベルに到達すると、例えばビット線／ＢＬの電位がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに向かって下降する。その後、Ａ１７に示すように第３の電源供給配線ＧＬに信号が供給されることで、その電位がＨｉｇｈレベルよりも上回ってしまうと、その電位が下降し続けていたビット線／ＢＬの電位はＡ１８に示すように急激に上昇してしまう。これは、ビット線ＢＬ、／ＢＬと第３の電源供給配線ＧＬとの間の容量カップリングによる。ビット線ＢＬ、／ＢＬの上層に第３の電源供給配線ＧＬが形成されることで、ビット線ＢＬ、／ＢＬと電源供給配線ＧＬとの間の層間絶縁膜による容量が形成される。第３の電源供給配線ＧＬの電位が上昇すると、その容量によるカップリングでビット線ＢＬ、／ＢＬの電位も上昇してしまう。即ち、ビット線ＢＬ、／ＢＬの上層に第３の電源供給配線ＧＬが形成されると、ビット線ＢＬ、／ＢＬの電位が不安定になる。
【０１１５】
その後、センスアンプイネーブル信号ＳＡＥが立ち上がるとセンスアンプ２１１でビット線ＢＬ、／ＢＬの電位差が検出される。ところが、この場合、Ａ１８に示すように電位が上昇したビット線／ＢＬの電位は、Ａ１９に示すようにビット線ＢＬの電位よりも低いレベルまで下がりきらず、結果としてビット線ＢＬの電位よりもビット線／ＢＬの電位が高い状態でセンスアンプ２１１に電位差の検出が行われる。
【０１１６】
これにより、センスアンプ２１１は、ビット線ＢＬの電位がビット線／ＢＬの電位よりも低いと判断し、データ“０”を検出する。つまり、本来データ“１”として検出されるべきメモリセルＭＣから、データ“０”のデータが検出され、異常な値が検出されてしまう。
【０１１７】
このような現象に対して、本実施形態では、図１９に示すようにメモリセルＭＣにシールド配線ＳＨＤ１（広義にはビット線保護用配線）を設けることで上記のような異常な読み出しを防止することができる。
【０１１８】
シールド配線ＳＨＤ１は、例えば図５のシールド層２９０に形成される配線である。シールド配線ＳＨＤ１は、ビット線ＢＬ、／ＢＬが形成される領域の上層を覆うように形成されている。例えば、ビット線ＢＬ、／ＢＬは図５に示すように第３金属配線層ＡＬＣに形成され、シールド配線ＳＨＤ１はその上層の第４金属配線層ＡＬＤに形成されている。そして、このシールド配線ＳＨＤ１に電圧ＶＳＳを供給することで、第３の電源供給配線ＧＬとの容量カップリングによる影響を防ぐことができる。
【０１１９】
また、シールド配線ＳＨＤ１は、ビット線ＢＬ、／ＢＬが延在形成される方向ＤＲ２に沿って延在形成されている。図１９のＡＲ１に示す部分はシールド配線ＳＨＤ１が形成されない領域（広義には保護用配線非形成領域）である。このようなシールド配線ＳＨＤ１が形成されない領域を所々に設けることで、メモリセルＭＣの製造工程上で発生するガスを放出することができる。これにより、後工程による熱処理等でシールド配線ＳＨＤ１の下層でガスが発生しても、メモリセルＭＣの配線等の破損を防ぐことができる。
【０１２０】
図１９のシールド配線ＳＨＤ１は、第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２の上層を覆うようには形成されていないが、これに限定されない。例えば、図２０のシールド配線ＳＨＤ２（広義にはビット線保護用配線）は、Ａ２１、Ａ２２に示すように第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２の上層の一部を覆うように形成されている。このようにシールド配線ＳＨＤ１、ＳＨＤ２は、ビット線ＢＬ、／ＢＬ以外の配線の上層を覆うように形成されても良い。シールド配線ＳＨＤ２も、上述同様に方向ＤＲ２に沿って延在形成されている。また、ＡＲ２に示す部分は図１９のＡＲ１と同様にシールド配線ＳＨＤ２が形成されない領域である。この領域の効果は上述と同様である。
【０１２１】
また、図２０のシールド配線ＳＨＤ２の変形例として、図２１のＡ２３に示す部分にシールド配線ＳＨＤ２が形成されない領域（広義には保護用配線非形成領域）を設けても良い。
【０１２２】
なお、図１９、図２０に示されるシールド配線ＳＨＤ１、ＳＨＤ２が形成されない領域は、方向ＤＲ２に沿って延びるように設けられている。
【０１２３】
図２２は、複数のメモリセルＭＣとシールド配線ＳＨＤ２の関係を示す図である。各メモリセルＭＣのビット線ＢＬ、／ＢＬは方向Ｘに沿って延在形成されている。その上層を覆うようにシールド配線ＳＨＤ２が方向Ｘに沿って延在形成されている。そして、第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２の上層にシールド配線非形成領域ＮＳＨ（広義には保護用配線非形成領域）が方向Ｘに沿って延びるように形成されている。シールド配線非形成領域ＮＳＨは、上述の図１９のＡＲ１や図２０のＡＲ２に示されるシールド配線ＳＨＤ１、ＳＨＤ２が形成されない領域に相当する。
【０１２４】
なお、図２３に示すようにＲＡＭ２００内には複数のシールド配線ＳＨＤ１、ＳＨＤ２が設けられている。このようにビット線ＢＬ、／ＢＬの上層を効率よくカバーすることで上述のような異常なデータの検出を防ぐことができる。また、複数のシールド配線非形成領域ＮＳＨを設けることにより、製造上の歩留まり向上が可能となる。
【０１２５】
また、第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２は方向Ｘに沿って延在形成され、電圧ＶＳＳを各メモリセルＭＣに供給する。シールド配線ＳＨＤ２を第１の電源供給配線ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２と電気的に接続することで、方向Ｘに沿って延びる太い電源供給線を形成することができ、各メモリセルＭＣに安定した電源供給が可能となる。
【０１２６】
また、図２４に本実施形態の変形例を示す。図２４に示すようにシールド配線ＳＨＤ３は方向ＤＲ１に沿って延在形成されてもよい。この場合、シールド配線非形成領域ＮＳＨが設けられているため、ビット線ＢＬ、／ＢＬの上層におい図２４のＮＢに示す部分にシールド配線ＳＨＤ３が形成されない領域（広義には保護用配線非形成領域）ができてしまう。しかしながら、シールド配線非形成領域ＮＳＨは方向ＤＲ１に沿って延びるように設けられ、方向ＤＲ２の幅を狭くすることができるため、シールド配線ＳＨＤ３によってカバーされない領域はわずかであるため、上述の異常なデータの検出を防ぐことが可能である。
【０１２７】
３．２．センスアンプの共用
図２５（Ａ）に示すようにセンスアンプ２１１のＹ方向の長さＳＡＹ３は、メモリセルＭＣの長さＭＣＹよりも十分に大きい。このため、ワード線ＷＬを選択する際に、一つのセンスアンプ２１１に対して一つのメモリセルＭＣを対応させるレイアウトは、効率が悪い。
【０１２８】
これに対して、本実施形態では、このようなメモリセルＭＣであっても効率的にレイアウト配置可能にすることができる。図２５（Ｂ）に示すように、ワード線ＷＬの選択において、一つのセンスアンプ２１１に対して複数（例えば２つ）のメモリセルＭＣを対応させる。これにより、センスアンプ２１１の長さＳＡＹ３とメモリセルＭＣの長さＭＣＹの差を問題とせずに、効率的にメモリセルＭＣをＲＡＭ２００に配列することができる。
【０１２９】
図２５（Ｂ）によると、選択型センスアンプＳＳＡは、センスアンプ２１１と、スイッチ回路２２０と、スイッチ回路２３０を含む。選択型センスアンプＳＳＡには、ビット線対ＢＬ、／ＢＬが例えば２組接続されている。
【０１３０】
スイッチ回路２２０は、選択信号ＣＯＬＡ（広義にはセンスアンプ用選択信号）に基づいて、一方の組のビット線対ＢＬ、／ＢＬをセンスアンプ２１１に接続する。同様にスイッチ回路２３０は、選択信号ＣＯＬＢに基づいて、他方の組のビット線対ＢＬ、／ＢＬをセンスアンプ２１１に接続する。なお、選択信号ＣＯＬＡ、ＣＯＬＢは、例えばその信号レベルが排他的に制御される。具体的には、選択信号ＣＯＬＡがスイッチ回路２２０をアクティブに設定する信号に設定された場合には、選択信号ＣＯＬＢはスイッチ回路２３０をノンアクティブに設定する信号に設定される。即ち、選択型センスアンプＳＳＡは例えば２組のビット線対ＢＬ、／ＢＬによって供給される２ビット（広義にはＮビット又はＬビット）のデータのうちのいずれか１ビットのデータを選択して対応するデータを出力する。
【０１３１】
図２６に選択型センスアンプＳＳＡが設けられたＲＡＭ２００を示す。図２６では、一例として、１Ｈ期間に２回（広義にはＮ回）読み出しを行う場合であり、例えば階調度のＧビットが６ビットである場合の構成が示されている。このような場合、ＲＡＭ２００には、図２７に示すようにＭ個の選択型センスアンプＳＳＡが設けられる。従って、１回のワード線ＷＬの選択によってデータ線ドライバ１００に供給されるデータは計Ｍビットである。これに対して、図２７のＲＡＭ２００にはメモリセルＭＣがＹ方向においてＭ×２個配列されている。そして、Ｘ方向では、ピクセル数ＰＹと同じ個数のメモリセルＭＣが配列されている。例えば図１３に示すような場合であって、１Ｈ期間に２回読み出しが行われる場合には、ＲＡＭ２００のＸ方向に配列されるメモリセルＭＣの数は、ピクセル数ＰＹ×読み出し回数（２回）である。これに対して、図２７のＲＡＭ２００では、選択型センスアンプＳＳＡに２組のビット線対ＢＬ、／ＢＬが接続されているため、ＲＡＭ２００のＸ方向に配列されるメモリセルＭＣの数はピクセル数ＰＹと同じ個数でよい。
【０１３２】
これにより、メモリセルＭＣの長さＭＣＸが長さＭＣＹより長い場合であっても、ＲＡＭ２００のＸ方向のサイズが大きくならないようにすることができる。
【０１３３】
３．３．動作
次に図２６に示すＲＡＭ２００の動作を説明する。このＲＡＭ２００に対する読み出しの制御方法は例えば２つあり、まずその一つを図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）のタイミングチャートを用いて説明する。
【０１３４】
図２８（Ａ）のＢ１に示すタイミングで選択信号ＣＯＬＡがアクティブに設定され、Ｂ２に示すタイミングでワード線ＷＬ１が選択される。このとき、選択信号ＣＯＬＡがアクティブであるため、選択型センスアンプＳＳＡはＡ側のメモリセルＭＣ、つまりメモリセルＭＣ−１Ａのデータを検出して出力する。そして、Ｂ３のタイミングでラッチ信号ＳＬＡが立ち下がると、データ線駆動セル１１０Ａ−Ｒは、メモリセルＭＣ−１Ａに格納されているデータをラッチする。
【０１３５】
また、Ｂ４のタイミングで選択信号ＣＯＬＢがアクティブに設定され、Ｂ５に示すタイミングでワード線ＷＬ１が選択される。このとき、選択信号ＣＯＬＢがアクティブであるため、選択型センスアンプＳＳＡはＢ側のメモリセルＭＣ、つまりメモリセルＭＣ−１Ｂのデータを検出して出力する。そして、Ｂ６のタイミングでラッチ信号ＳＬＢが立ち下がると、データ線駆動セル１１０Ｂ−Ｒは、メモリセルＭＣ−１Ｂに格納されているデータをラッチする。なお、図２８（Ａ）では、２回読み出しのうち、２回ともワード線ＷＬ１が選択される。
【０１３６】
これにより、１Ｈ期間の２回読み出しによるデータ線ドライバ１００のデータラッチが完了する。
【０１３７】
また、図２８（Ｂ）には、ワード線ＷＬ２が選択される場合のタイミングチャートが示されている。動作は上記と同様であり、その結果、ワード線ＷＬ２がＢ７やＢ８に示すように選択される場合には、メモリセルＭＣ−２Ａのデータがデータ線駆動セル１１０Ａ−Ｒにラッチされ、メモリセルＭＣ−２Ｂのデータがデータ線駆動セル１１０Ｂ−Ｒにラッチされる。
【０１３８】
これにより、図２８（Ａ）の１Ｈ期間とは異なる１Ｈ期間での２回読み出しによるデータ線ドライバ１００のデータラッチが完了する。
【０１３９】
このような読み出し方法に対して、ＲＡＭ２００の各メモリセルＭＣには、図２９に示すようにデータが格納される。例えば、データＲＡ−１〜ＲＡ−６はデータ線駆動セル１１０Ａ−Ｒに供給するためのＲ画素の６ビットのデータであり、データＲＢ−１〜ＲＢ−６はデータ線駆動セル１１０Ｂ−Ｒに供給するためのＲ画素の６ビットのデータである。
【０１４０】
図２９に示すように、例えばワード線ＷＬ１に対応するメモリセルＭＣには、Ｙ方向に沿って、データＲＡ−１（データ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）、ＲＢ−１（データ線ドライバ１００Ｂがラッチするためのデータ）、ＲＡ−２（データ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）、ＲＢ−２（データ線ドライバ１００Ｂがラッチするためのデータ）、ＲＡ−３（データ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）、ＲＢ−３（データ線ドライバ１００Ｂがラッチするためのデータ）・・という順番で格納される。即ち、ＲＡＭ２００には、Ｙ方向に沿って（データ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）と（データ線ドライバ１００Ｂがラッチするためのデータ）が交互に格納される。
【０１４１】
なお、図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）に示す読み出し方法は、１Ｈ期間に２回読み出しを行うが、１Ｈ期間に同一のワード線ＷＬが選択される。
【０１４２】
上記には、１回のワード線の選択において選択されるメモリセルＭＣのうち、各選択型センスアンプＳＳＡは２個のメモリセルＭＣからデータを受ける内容が開示されているが、これに限定されない。例えば、１回のワード線の選択において選択されるメモリセルＭＣのうち、各選択型センスアンプＳＳＡがＮ個のメモリセルＭＣからＮビットのデータを受けるような構成でも良い。その場合には、選択型センスアンプＳＳＡは、同一のワード線の１回目の選択の際には、第１〜第ＮのメモリセルＭＣのＮ個のメモリセルＭＣのうち、第１のメモリセルＭＣから受ける１ビットのデータを選択する。また、選択型センスアンプＳＳＡはＫ（１≦Ｋ≦Ｎ）回目のワード線の選択の際には、第ＫのメモリセルＭＣから受ける１ビットのデータを選択する。
【０１４３】
図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）の変形例として、１Ｈ期間にＮ回選択される同一のワード線ＷＬをＪ（Ｊは２以上の整数）本選択し、１Ｈ期間にＲＡＭ２００よりデータが読み出される回数Ｎが（Ｎ×Ｊ）回とすることができる。つまり、Ｎ＝２，Ｊ＝２とすると、図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）に示す４回のワード線選択が同一水平走査期間１Ｈ内に実施される。すなわち、１Ｈ期間内にワード線ＷＬ１を２回、ワード線ＷＬ２を２回選択することで、Ｎ＝４回読出しする方法である。
【０１４４】
この場合には、ＲＡＭブロック２００の各々は、１回のワード線の選択において、Ｍ（Ｍは２以上の整数）ビットのデータを出力し、Ｍの値は、表示パネル１０のデータ線ＤＬの本数をＤＮ、各データ線に対応する各画素の階調ビット数をＧ、ＲＡＭブロック２００のブロック数をＢＮＫと定義した場合に以下の式で与えられる。
【０１４５】
【数２】
2007011077.tif 000004
【０１４６】
次にもう一つの制御方法を図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）を用いて説明する。
【０１４７】
図３０（Ａ）のＣ１に示すタイミングで選択信号ＣＯＬＡがアクティブに設定され、Ｃ２に示すタイミングでワード線ＷＬ１が選択される。これにより図２６のメモリセルＭＣ−１Ａ及びＭＣ−１Ｂが選択される。このとき、選択信号ＣＯＬＡがアクティブであるため、選択型センスアンプＳＳＡはＡ側のメモリセルＭＣ（広義には第１のメモリセル）、つまりメモリセルＭＣ−１Ａのデータを検出して出力する。そして、Ｃ３のタイミングでラッチ信号ＳＬＡが立ち下がると、データ線駆動セル１１０Ａ−Ｒは、メモリセルＭＣ−１Ａに格納されているデータをラッチする。
【０１４８】
また、Ｃ４に示すタイミングでワード線ＷＬ２が選択され、メモリセルＭＣ−２Ａ及びＭＣ−２Ｂが選択される。このとき、選択信号ＣＯＬＡはアクティブであるため、選択型センスアンプＳＳＡはＡ側のメモリセルＭＣ、つまりメモリセルＭＣ−２Ａのデータを検出して出力する。そして、Ｃ５のタイミングでラッチ信号ＳＬＢが立ち下がると、データ線駆動セル１１０Ｂ−Ｒは、メモリセルＭＣ−２Ａに格納されているデータをラッチする。
【０１４９】
これにより、１Ｈ期間の２回読み出しによるデータ線ドライバ１００のデータラッチが完了する。
【０１５０】
また、図３０（Ａ）で示される１Ｈ期間とは異なる１Ｈ期間での読み出しを図３０（Ｂ）を用いて説明する。図３０（Ｂ）のＣ６に示すタイミングで選択信号ＣＯＬＢがアクティブに設定され、Ｃ７に示すタイミングでワード線ＷＬ１が選択される。これにより図２６のメモリセルＭＣ−１Ａ及びＭＣ−１Ｂが選択される。このとき、選択信号ＣＯＬＢがアクティブであるため、選択型センスアンプＳＳＡはＢ側のメモリセルＭＣ（広義には第１〜第Ｎのメモリセルのうちの第１のメモリセルと異なるメモリセル）、つまりメモリセルＭＣ−１Ｂのデータを検出して出力する。そして、Ｃ８のタイミングでラッチ信号ＳＬＡが立ち下がると、データ線駆動セル１１０Ａ−Ｒは、メモリセルＭＣ−１Ｂに格納されているデータをラッチする。
【０１５１】
また、Ｃ９に示すタイミングでワード線ＷＬ２が選択され、メモリセルＭＣ−２Ａ及びＭＣ−２Ｂが選択される。このとき、選択信号ＣＯＬＢはアクティブであるため、選択型センスアンプＳＳＡはＢ側のメモリセルＭＣ、つまりメモリセルＭＣ−２Ｂのデータを検出して出力する。そして、Ｃ１０のタイミングでラッチ信号ＳＬＢが立ち下がると、データ線駆動セル１１０Ｂ−Ｒは、メモリセルＭＣ−２Ｂに格納されているデータをラッチする。
【０１５２】
これにより、図３０（Ａ）の１Ｈ期間とは異なる１Ｈ期間での２回読み出しによるデータ線ドライバ１００のデータラッチが完了する。
【０１５３】
このような読み出し方法に対して、ＲＡＭ２００の各メモリセルＭＣには、図３１に示すようにデータが格納される。例えば、データＲＡ−１Ａ〜ＲＡ−６Ａ及びデータＲＡ−１Ｂ〜ＲＡ−６Ｂはデータ線駆動セル１１０Ａ−Ｒに供給するためのＲ用サブピクセルのための６ビットのデータである。データＲＡ−１Ａ〜ＲＡ−６Ａは図３０（Ａ）に示す１Ｈ期間におけるＲ用サブピクセルデータであり、データＲＡ−１Ｂ〜ＲＡ−６Ｂは図３０（Ｂ）に示す１Ｈ期間におけるＲ用サブピクセルデータである。
【０１５４】
また、データＲＢ−１Ａ〜ＲＢ−６Ａ及びデータＲＢ−１Ｂ〜ＲＢ−６Ｂはデータ線駆動セル１１０Ｂ−Ｒに供給するためのＲ用サブピクセルのための６ビットのデータである。データＲＢ−１Ａ〜ＲＢ−６Ａは図３０（Ａ）に示す１Ｈ期間におけるＲ用サブピクセルデータであり、データＲＢ−１Ｂ〜ＲＢ−６Ｂは図３０（Ｂ）に示す１Ｈ期間におけるＲ用サブピクセルデータである。
【０１５５】
図３１に示すように、ＲＡＭ２００には、Ｘ方向に沿ってデータＲＡ−１Ａ（データ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）、ＲＢ−１Ａ（データ線ドライバ１００Ｂがラッチするためのデータ）という順番に各メモリセルＭＣに格納される。
【０１５６】
また、ＲＡＭ２００には、Ｙ方向に沿って、データＲＡ−１Ａ（図３０（Ａ）の１Ｈ期間にデータ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）、データＲＡ−１Ｂ（図３０（Ａ）の１Ｈ期間にデータ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）、データＲＡ−２Ａ（図３０（Ａ）の１Ｈ期間にデータ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）、データＲＡ−２Ｂ（図３０（Ａ）の１Ｈ期間にデータ線ドライバ１００Ａがラッチするためのデータ）・・という順番で格納される。即ち、ＲＡＭ２００には、Ｙ方向に沿って、ある１Ｈ期間にデータ線ドライバ１００Ａにラッチされるデータと、その１Ｈ期間とは異なる他の１Ｈ期間にデータ線ドライバ１００Ａにラッチされるデータとが、交互に格納される。
【０１５７】
なお図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）に示す読み出し方法は、１Ｈ期間に２回読み出しを行うが、１Ｈ期間に異なるワード線ＷＬが選択される。そして、１垂直期間（つまり、１フレーム期間）に同一のワード線が２回選択される。これは、選択型センスアンプＳＳＡが２組のビット線対ＢＬ、／ＢＬを接続するからである。従って、選択型センスアンプＳＳＡに３組又はそれ以上のビット線ＢＬ、／ＢＬが接続される場合には、１垂直期間に同一のワード線が３回又はそれ以上の回数だけ選択されることになる。
【０１５８】
なお、本実施形態では、上述されたワード線ＷＬの制御は、例えば図４のワード線制御回路２４０によって制御される。
【０１５９】
３．４．ワード線制御回路の配置
本実施形態では、ＲＡＭ２００のＹ方向に沿って配列されたメモリセルの数がＭ×２個である場合、図３２に示すようにローデコーダ（広義にはワード線制御回路）２４２をＹ方向において、およそ真ん中に設けることができる。
【０１６０】
図３２に示すように、ＲＡＭ２００Ａ及び２００Ｂの各々には、Ｙ方向に沿ってそれぞれ、例えばＭ個のメモリセルＭＣが配列されている。そして、ローデコーダ２４２は、ＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５０からの信号に基づいて、ＲＡＭ２００Ａ及び２００Ｂのワード線ＷＬを制御する。ＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５０は例えば外部のホストの制御に基づいて、ローデコーダ２４２、出力回路２６０Ａ、２６０Ｂ、ＣＰＵライト／リード回路２８０Ａ、２８０Ｂ、カラムデコーダ２７０Ａ及び２７０Ｂを制御する。
【０１６１】
ＣＰＵライト／リード回路２８０Ａ、２８０ＢはＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５０からの信号に基づいて、ホスト側からのデータをＲＡＭ２００に書き込んだり、ＲＡＭ２００に格納されているデータを読み出して例えばホスト側に出力する制御を行ったりする。カラムデコーダ２７０Ａ、２７０Ｂは、ＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５０からの信号に基づいて、ＲＡＭ２００のビット線ＢＬ、／ＢＬの選択制御を行う。
【０１６２】
また、各ＲＡＭ２００Ａ及び２００ＢのＹ方向に沿って配列されるメモリセルＭＣの数はＭに限定されない。例えば、ＲＡＭ２００Ａには、Ｙ方向に沿ってＭ−α（αは任意の正の整数）個のメモリセルＭＣが配列され、ＲＡＭ２００ＢにはＹ方向に沿ってＭ＋α個のメモリセルＭＣが配列されても良い。またはその逆でも良い。
【０１６３】
なお、出力回路２６０Ａ、２６０Ｂは、例えば複数の選択型センスアンプＳＳＡを含み、例えばワード線ＷＬ１Ａ、ＷＬ１Ｂの選択によって各ＲＡＭ２００Ａ、２００Ｂから出力されるデータの合計Ｍビットのデータをデータ線ドライバ１００に出力する。
【０１６４】
本実施形態では、選択型センスアンプＳＳＡに例えば２組のビット線対ＢＬ、／ＢＬが接続される場合、図２７に示すようにＲＡＭ２００には、Ｙ方向に沿ってＭ×２個のメモリセルが配列されることになる。このような場合、１ワード線ＷＬに接続されるメモリセルＭＣの数がＭ×２個となり、１ワード線ＷＬに寄生する容量が増える。その結果、ワード線制御回路によるワード線選択に必要な消費電力が増大し、低消費電力化の妨げとなる。また、寄生容量に起因して、ワード線に選択電圧が供給された場合の電圧の立ち上がり遅延を生じ、各メモリセルＭＣの読み出しを安定させるために読み出し時間を長くする必要がある場合もある。これを回避する方法に、本来１本のワード線を複数本にブロック分割し、１本あたりに接続されるメモリセルＭＣを減らす方法が挙げられる。
【０１６５】
しかしながら、この方法では、メモリセルＭＣにメインワード線ＭＷＬ及びサブワード線ＳＷＬを形成する必要がある。また、ワード線のブロック化によって、その制御も複雑になり、その制御回路も必要となる。即ち、設計コスト及び製造コストの削減の妨げとなる。
【０１６６】
これらに対して、本実施形態では、ローデコーダ２４２が図３２に示すようにＹ方向のおよそ中央に設けられている。また、図１７（Ｂ）及び図２５（Ａ）に示すようにメモリセルＭＣの長さＭＣＹが長さＭＣＸに比べて十分に短いので、ワード線のＹ方向の長さがあまり長くならない。このような構成にすることで、ワード線ＷＬをブロック化しなくても、低消費電力化が可能である。
【０１６７】
また、ローデコーダ２４２は、データ線ドライバ１００にデータ出力する際には、ＲＡＭ２００Ａ及び２００Ｂのワード線ＷＬを選択制御するが、ホスト側からのアクセスに対しては、ＲＡＭ２００Ａ又は２００Ｂのいずれか必要な方のワード線制御を行う。こうすることによって、さらに低消費電力化が可能となる。
【０１６８】
図３３（Ａ）及び図３３（Ｂ）は、上記のような制御を説明するための図である。ローデコーダ２４２は、例えば複数の一致検出回路２４２−１を含む。またＲＡＭ２００には、複数のＡＮＤ回路（論理積回路）２４２−２及び２４２−３が設けられ、ＡＮＤ回路２４２−２には例えばＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５０から制御信号／Ｒ０が入力される。また、ＡＮＤ回路２４２−３には、例えばＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５０から制御信号Ｒ０が入力される。また、ＡＮＤ回路２４２−２及び２４２−３には一致検出回路２４２−１の出力が供給される。
【０１６９】
なお、ＡＮＤ回路２４２−２及び２４２−３は、ローデコーダ２４２に設けられても良いし、ＲＡＭ２００Ａ、２００Ｂ側に設けられても良い。
【０１７０】
例えばＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５０から指定されるワード線アドレスＷＡＤをローデコーダ２４２が受けると、いずれかの一致検出回路２４２−１において一致検出がされる。例えば一致検出回路２４２−１に入力される信号の論理積が論理“１”である場合、その一致検出回路２４２−１は一致を検出する。一致を検出した一致検出回路２４２−１は、ノードＮＤに例えば論理レベル“１”の信号を出力する。ノードＮＤに出力された論理レベル“１”の信号はＡＮＤ回路２４２−２及び２４２−３に供給される。
【０１７１】
このとき、図３３（Ｂ）に示すように、ＣＰＵアクセス時（広義にはホスト側からのアクセス時）には制御信号Ｒ０及び／Ｒ０は排他的な信号に設定される。具体的には、図３３（Ｂ）に示すように、制御信号／Ｒ０がＨレベル（又は論理レベル“１”）に設定され、制御信号Ｒ０がＬレベル（又は論理レベル“０”）に設定される場合には、ＡＮＤ回路２４２−２は、論理レベル“１”の信号を出力する。これにより、ＲＡＭ２００Ａ側のワード線ＷＬ１Ａが選択される。ＡＮＤ回路２４２−３は、制御信号Ｒ０がＬレベルに設定されているため、論理レベル“０”を出力する。そのため、ＲＡＭ２００Ｂ側のワード線ＷＬ１Ｂは選択されない。
【０１７２】
ＲＡＭ２００Ｂ側のワード線ＷＬ１Ｂを選択する場合には、図３３（Ｂ）に示すように制御信号Ｒ０、／Ｒ０が、上記の逆のパターンに設定されればよい。
【０１７３】
なお、データ線ドライバ１００に出力するＬＣＤ出力時には、制御信号Ｒ０、／Ｒ０がＨレベル（例えば論理レベル“１”）に設定されるため、一致検出された一致検出回路２４２−１に対応するＲＡＭ２００Ａ側及び２００Ｂ側のワード線が選択される。
【０１７４】
上記により、ローデコーダ２４２は、ホスト側からのアクセスに対して、ＲＡＭ２００Ａ側又は２００Ｂ側のいずれかのワード線を選択するため、消費電力の低減が可能である。
【０１７５】
３．５．カラムデコーダの配置
図３（Ａ）のようにＲＡＭ２００が配置された場合、図３４に示すようにカラムデコーダ２７２Ａを、ＲＡＭ２００−１側のＲＡＭ２００Ａ−１とＲＡＭ２００−２側の２００Ａ−２に共用させ、カラムデコーダ２７２Ｂを、ＲＡＭ２００−１側の２００Ｂ−１と、ＲＡＭ２００−２側の２００Ｂ−２とに共用させて設計することができるので、重複する部品の省略などが可能となる。これにより、図３２のカラムデコーダ２７０Ａ及び２７０ＢをＸ方向に各二つ並べる場合よりも小さく、図３４のカラムデコーダ２７２Ａ、２７２ＢのＸ方向のサイズを設計することができる。
【０１７６】
また、ＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５２をＲＡＭ２００−１側とＲＡＭ２００−２側とで共用するように設計することができるので、重複する部品の省略が可能となる。これにより、これにより、図３２のＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５０をＸ方向に二つ並べるよりも小さく、図３４のＣＰＵ／ＬＣＤ制御回路２５２のＸ方向のサイズを設計することができる。
【０１７７】
上記により、図３４のＸ方向におけるＲＡＭ２００−１、２００−２間の幅ＢＤＸを短く設計することができる。これにより、表示ドライバ２０に効率よくＲＡＭ２００を納めることができる。
【０１７８】
４．変形例
図３５に本実施形態に係る変形例を示す。例えば図１１（Ａ）では、データ線ドライバ１００Ａ及び１００ＢがＸ方向に分割されている。そして、各データ線ドライバ１００Ａ、１００Ｂにはそれぞれ、カラー表示の場合、Ｒ用サブピクセルのデータ線駆動セル、Ｇ用サブピクセルのデータ線駆動セル、Ｂ用サブピクセルのデータ線駆動セルが設けられている。
【０１７９】
これに対して、図３５の変形例では、データ線ドライバ１００−Ｒ、１００−Ｇ、１００−Ｂの３つがＸ方向に分割されている。そして、データ線ドライバ１００−Ｒには、複数のＲ用サブピクセルのデータ線駆動セル１１０−Ｒ１、１１０−Ｒ２・・が設けられ、データ線ドライバ１００−Ｇには、複数のＧ用サブピクセルのデータ線駆動セル１１０−Ｇ１、１１０−Ｇ２・・が設けられている。同様にしてデータ線ドライバ１００−Ｂには、複数のＢ用サブピクセルのデータ線駆動セル１１０−Ｂ１、１１０−Ｂ２・・が設けられている。
【０１８０】
そして、図３５の変形例では、１Ｈ期間に３回読み出しが行われる。例えば、ワード線ＷＬ１が選択されると、それに応じて、データ線ドライバ１００−ＲがＲＡＭ２００から出力されるデータをラッチする。これにより、例えばメモリセル群ＭＣＳ３１に格納されているデータがデータ線駆動セル１１０−Ｒ１にラッチされる。
【０１８１】
また、ワード線ＷＬ２が選択されると、それに応じて、データ線ドライバ１００−ＧがＲＡＭ２００から出力されるデータをラッチする。これにより、例えばメモリセル群ＭＣＳ３２に格納されているデータがデータ線駆動セル１１０−Ｇ１にラッチされる。
【０１８２】
また、ワード線ＷＬ３が選択されると、それに応じて、データ線ドライバ１００−ＢがＲＡＭ２００から出力されるデータをラッチする。これにより、例えばメモリセル群ＭＣＳ３３に格納されているデータがデータ線駆動セル１１０−Ｂ１にラッチされる。
【０１８３】
メモリセル群ＭＣＳ３４、ＭＣＳ３５、ＭＣＳ３６についても上記と同様であり、それぞれが、図３５に示すようにデータ線駆動セル１１０−Ｒ２、１１０−Ｇ２、１１０−Ｂ２のいずれかに格納されている。
【０１８４】
図３６は、この３回読み出しによる動作のタイミングチャートを示す図である。図３６のＤ１のタイミングでワード線ＷＬ１が選択され、Ｄ２のタイミングでデータ線ドライバ１００−ＲがＲＡＭ２００からのデータをラッチする。これにより、上記のようにワード線ＷＬ１の選択により出力されるデータがデータ線ドライバ１００−Ｒにラッチされる。
【０１８５】
また、Ｄ３のタイミングでワード線ＷＬ２が選択され、Ｄ４のタイミングでデータ線ドライバ１００−ＧがＲＡＭ２００からのデータをラッチする。これにより、上記のようにワード線ＷＬ２の選択により出力されるデータがデータ線ドライバ１００−Ｇにラッチされる。
【０１８６】
また、Ｄ５のタイミングでワード線ＷＬ３が選択され、Ｄ６のタイミングでデータ線ドライバ１００−ＢがＲＡＭ２００からのデータをラッチする。これにより、上記のようにワード線ＷＬ３の選択により出力されるデータがデータ線ドライバ１００−Ｂにラッチされる。
【０１８７】
上記のように動作する場合、ＲＡＭ２００のメモリセルＭＣには、図３７に示すようにデータが格納される。例えば、図３７のデータＲ１−１は、Ｒ用サブピクセルが６ビットの階調度である場合のその１ビットのデータを示し、例えば１つのメモリセルＭＣに格納される。
【０１８８】
例えば図３５のメモリセル群ＭＣＳ３１には、データＲ１−１〜Ｒ１−６が格納され、メモリセル群ＭＣＳ３２には、データＧ１−１〜Ｇ１−６が格納され、メモリセル群ＭＣＳ３３には、データＢ１−１〜Ｂ１−６が格納される。同様にして、メモリセル群ＭＣＳ３３〜ＭＣＳ３６には、図３７に示すようにデータＲ２−１〜Ｒ２−６、Ｇ２−１〜Ｇ２−６、Ｂ２−１〜Ｂ２−６が格納される。
【０１８９】
例えば、メモリセル群ＭＣＳ３１〜ＭＣＳ３３に格納されるデータを１ピクセルのデータとみなすことができ、メモリセル群ＭＣＳ３４〜ＭＳＣ３６に格納されるデータに対応するデータ線とは異なるデータ線を駆動するためのデータである。従って、ＲＡＭ２００には、Ｙ方向に沿って１ピクセル毎のデータを順に書き込むことができる。
【０１９０】
また、表示パネル１０に設けられている複数のデータ線のうち、例えばＲ用サブピクセルに対応するデータ線を駆動し、次にＧ用サブピクセルに対応するデータ線を駆動し、そしてＢ用サブピクセルに対応するデータ線を駆動する。これにより、１Ｈ期間に３回読み出しを行った場合に各回の読み出しにおいて遅延が生じても、例えばＲ用サブピクセルに対応するデータ線が全て駆動されているので、遅延によって表示されない領域の面積が小さくなる。従って、ちらつき等の表示劣化を緩和することができる。
【０１９１】
５．本実施形態の効果
本実施形態では、図１９、２０、２１、２４に示すようにＲＡＭ２００内には複数のシールド配線ＳＨＤ２が形成されている。これにより、ビット線ＢＬ、／ＢＬの上層に第３の電源供給配線ＧＬが形成されても、正常なデータの検出が可能となる。これにより、ＲＡＭ２００の上層に様々な信号線を配線することができ、例えば表示ドライバ２０の回路ブロックのレイアウトを柔軟に行うことができる。例えば、データ線ドライバ１００（広義には表示メモリ以外の回路）に必要な階調電圧をＲＡＭ２００の上層を経由して供給することが可能となる。つまり、表示ドライバ２０のチップ面積を極限まで小さくするレイアウトが可能となり、製造コストの削減の効果をそうする。
【０１９２】
また、図１９、２０、２１、２４に示すようにシールド配線ＳＨＤ２は、方向Ｘに沿って延在形成されている。このため、電圧ＶＳＳを供給する電源供給配線としてシールド配線ＳＨＤ２を用いることができ、各メモリセルＭＣに安定した電源の供給が可能となる。
【０１９３】
また、図１９、２０、２１、２４に示すようにビット線ＢＬ、／ＢＬが形成されていない領域の上層にシールド配線非形成領域ＮＳＨを設けることができるため、後工程にシールド配線ＳＨＤ２の下層等で発生するガスを放出することができ、歩留まり向上の効果をそうする。
【０１９４】
また、上述のように本実施形態では、１Ｈ期間に複数回の読み出しをＲＡＭ２００に対して行う。そのため、上述されたように、１ワード線あたりのメモリセルＭＣの数を少なくすることや、データ線ドライバ１００の分割化が可能となる。例えば１Ｈ期間の読み出し回数を調整することで１ワード線に対応するメモリセルＭＣの配列数を調整できるので、ＲＡＭ２００のＸ方向の長さＲＸ及びＹ方向の長さＲＹを適宜に調整することができる。また、１Ｈ期間の読み出し回数を調整することでデータ線ドライバ１００の分割数も変更できる。
【０１９５】
また、対象となる表示パネル１０の表示領域１２に設けられたデータ線の数に応じて、データ線ドライバ１００及びＲＡＭ２００のブロック数を変更したり、各データ線ドライバ１００及びＲＡＭ２００のレイアウトサイズを変更したりすることも容易になる。このため、表示ドライバ２０に搭載される他の回路を考慮した設計が可能となり、表示ドライバ２０の設計コストの削減が可能となる。例えば、対象となる表示パネル１０に変更があり、データ線の数だけ変更された場合、データ線ドライバ１００及びＲＡＭ２００が主に変更の対象となる場合がある。この場合、本実施形態では、データ線ドライバ１００及びＲＡＭ２００のレイアウトサイズを柔軟に設計できるため、他の回路においては従来のライブラリを流用できる場合がある。従って、本実施形態では、限られたスペースを有効に利用することができ、表示ドライバ２０の設計コストを削減できる。
【０１９６】
また、本実施形態では、１Ｈ期間に複数回読み出しを行うため、図２５（Ａ）に示すようにセンスアンプＳＳＡにより、Ｍビットのデータが出力されるＲＡＭ２００に対して、Ｙ方向にＭ×２個のメモリセルＭＣを設けることができる。これにより、効率よくメモリセルＭＣを配列することができるので、チップ面積の縮小を可能とする。
【０１９７】
また、図８の比較例の表示ドライバ２４では、ワード線ＷＬが非常に長いため、ＲＡＭ２０５からのデータ読み出しの遅延によるバラツキが生じないようにするために、ある程度の電力を必要とする。また、ワード線ＷＬが非常に長いため、ワード線ＷＬ１本あたりに接続されるメモリセルの数も増大し、ワード線ＷＬに寄生される容量が増大する。この寄生容量の増大に対しては、ワード線ＷＬを分割して制御することで対処可能であるが、そのための回路が別途必要となる。
【０１９８】
これに対して、本実施形態では、例えば図１１（Ａ）に示すようにワード線ＷＬ１、ＷＬ２等がＹ方向に沿って延在形成されており、その各々の長さが比較例のワード線ＷＬに比べて十分に短い。そのため、１回のワード線ＷＬ１の選択に要する電力は小さくなる。これにより、１Ｈ期間に複数回読み出しを行った場合にも消費電力の増大を防ぐことができる。
【０１９９】
また、図３（Ａ）に示すように例えば、ＲＡＭ２００が４ＢＡＮＫ設けられている場合、ＲＡＭ２００では、図１１（Ｂ）に示すようにワード線を選択する信号や、ラッチ信号ＳＬＡ、ＳＬＢの制御が行われる。これらの信号は、例えば４ＢＡＮＫのそれぞれのＲＡＭ２００に共通に用いられるようにすることができる。
【０２００】
具体的には、例えば図１０に示すようにデータ線ドライバ１００−１〜１００−４には、同じデータ線制御信号ＳＬＣ（データ線ドライバ用制御信号）が供給され、ＲＡＭ２００−１〜２００−４には、同じワード線制御信号ＲＡＣ（ＲＡＭ用制御信号）が供給される。データ線制御信号ＳＬＣは例えば図１１（Ｂ）に示されるラッチ信号ＳＬＡ、ＳＬＢを含み、ＲＡＭ用制御信号ＲＡＣは例えば図１１（Ｂ）に示されるワード線を選択する信号を含む。
【０２０１】
これにより、それぞれのＢＡＮＫでＲＡＭ２００のワード線が同じように選択され、データ線ドライバ１００に供給されるラッチ信号ＳＬＡ、ＳＬＢ等が同じように立ち下がる。即ち、１Ｈ期間において、あるＲＡＭ２００のワード線が選択されると同時に、他のＲＡＭ２００のワード線も同時に選択される。このようにして、複数のデータ線ドライバ１００は、複数のデータ線を正常に駆動することができる。
【０２０２】
なお、本実施形態では、表示ドライバ２０内に設けられた複数のＲＡＭ２００に対して例えば一表示画面分の画像データを格納させることができるが、これに限定されない。
【０２０３】
表示パネル１０に対してｋ（ｋは２以上の整数）個の表示ドライバを設け、ｋ個の表示ドライバの各々に、一表示画面分の画像データの（１／ｋ）を格納させても良い。この場合、一表示画面のデータ線ＤＬの総本数ＤＬＮとしたとき、ｋ個の表示ドライバの各々が分担して駆動するデータ線本数は（ＤＬＮ／ｋ）本である。
【０２０４】
上記のように、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書または図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書または図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０５】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本実施形態に係る集積回路装置を示す図である。
【図２】図２（Ａ）は本実施形態に係る比較例の一部を示す図であり、図２（Ｂ）は本実施形態に係る集積回路装置の一部を示す図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本実施形態に係る集積回路装置の構成例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る表示メモリの構成例である。
【図５】本実施形態に係る集積回路装置の断面図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、データ線ドライバの構成例を示す図である。
【図７】本実施形態に係るデータ線駆動セルの構成例である。
【図８】本実施形態に係る比較例を示す図である。
【図９】図９（Ａ）〜図９（Ｄ）は、本実施形態のＲＡＭブロックの効果を説明するための図である。
【図１０】本実施形態に係るＲＡＭブロックの各々の関係を示す図である。
【図１１】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、ＲＡＭブロックのデータ読み出しを説明するための図である。
【図１２】本実施形態に係る分割データ線ドライバのデータラッチを説明する図である。
【図１３】本実施形態に係るデータ線駆動セルとセンスアンプの関係を示す図である。
【図１４】本実施形態に係る分割データ線ドライバの他の構成例である。
【図１５】図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、ＲＡＭブロックに格納されるデータの配列を説明する図である。
【図１６】本実施形態に係る分割データ線ドライバの他の構成例である。
【図１７】図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）は、本実施形態に係るメモリセルの構成を示す図である。
【図１８】図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）はデータの検出を説明するための図である。
【図１９】本実施形態に係るメモリセルのシールド配線を示す図である。
【図２０】本実施形態に係るメモリセルのシールド配線を示す他の図である。
【図２１】本実施形態に係るメモリセルのシールド配線を示す他の図である。
【図２２】本実施形態に係る複数のメモリセルとシールド配線を示す図である。
【図２３】本実施形態に係るＲＡＭブロック内のシールド配線を示す図である。
【図２４】本実施形態に係るメモリセルのシールド配線の変形例を示す図である。
【図２５】図２５（Ａ）は本実施形態に係るセンスアンプとメモリセルの関係を示す図であり、図２５（Ｂ）は本実施形態に係る選択型センスアンプＳＳＡを示す図である。
【図２６】本実施形態に係る分割データ線ドライバと選択型センスアンプを示す図である。
【図２７】本実施形態に係るメモリセルの配列例である。
【図２８】図２８（Ａ）及び図２８（Ｂ）は本実施形態に係る集積回路装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図２９】本実施形態に係るＲＡＭブロックに格納されるデータの他の配列例である。
【図３０】図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）は本実施形態に係る集積回路装置の他の動作を示すタイミングチャートである。
【図３１】本実施形態に係るＲＡＭブロックに格納されるデータの他の配列例である。
【図３２】本実施形態のＲＡＭブロックの構成例である。
【図３３】図３３（Ａ）及び図３３（Ｂ）は本実施形態に係るワード線制御回路を説明するための図である。
【図３４】本実施形態のＲＡＭブロックの他の構成例である。
【図３５】本実施形態に係る変形例を示す図である。
【図３６】本実施形態に係る変形例の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図３７】本実施形態に係る変形例のＲＡＭブロックに格納されるデータの配列例である。
【符号の説明】
【０２０６】
１０  表示パネル、２０  表示ドライバ（集積回路装置）、
１００  データ線ドライバブロック（表示メモリ以外の回路）、
２００  ＲＡＭブロック、２４０、２４２  ワード線制御回路、
ＢＬ、／ＢＬ  ビット線、ＤＬ  データ線、ＧＬ  第３の電源供給配線、
ＭＣ  メモリセル、ＮＳＨ  保護用配線非形成領域、
ＳＨＤ１、ＳＨＤ２、ＳＨＤ３  ビット線保護用配線、ＶＤＤ  第２の電源電圧、
ＶＤＤＬ  第２の電源供給配線、ＶＳＳ  第１の電源電圧、
ＶＳＳＬ１、ＶＳＳＬ２  第１の電源供給配線、ＷＬ  ワード線
【図１】
2007011077.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007011077.tif 000011
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2007011077.tif 000014
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2007011077.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2007011077.tif 000020
【図１７】
2007011077.tif 000021
【図１８】
2007011077.tif 000022
【図１９】
2007011077.tif 000023
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
2007011077.tif 000029
【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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