(57)【要約】【課題】被処理基板のエッジのパーティクルをパターンの破壊を発生させずに有効に除去することができる洗浄装置を提供すること。【解決手段】パターンが形成されたウエハＷの洗浄に用いられる処理液が貯留された洗浄槽２内でウエハＷを洗浄するにあたり、ウエハＷに超音波を照射する超音波照射ユニット１０を用いる。この超音波照射ユニット１０は、振動板２ｂと、振動板２ｂに装着される超音波振動子１１と、超音波振動子１１に高直進性の超音波を出力可能な周波数の高周波を供給する高周波発生部１２とを有し、超音波振動子１１は、ウエハＷのエッジ部分に対応する位置のみに設けられる。【選択図】図３
2007059841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された被処理基板の洗浄に用いられる処理液が貯留される洗浄槽と、
前記洗浄槽内で被処理体を保持する被処理体保持機構と、
前記洗浄槽に処理液を供給する処理液供給機構と、
被処理基板に超音波を照射する超音波照射ユニットと
を具備し、
前記洗浄槽に被処理体を配置した状態で、前記処理槽に処理液を供給して被処理基板を処理液に浸漬させて被処理体を洗浄する洗浄装置であって、
前記超音波照射ユニットは、
振動板と、
振動板に装着される超音波振動子と、
超音波振動子に高直進性の超音波を出力可能な周波数の高周波を供給する高周波発生部とを有し、
前記超音波振動子は、被処理体のエッジ部分に対応する位置のみに設けられることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記超音波振動子へ供給される高周波出力および高周波のオン・オフを制御する駆動制御部をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
パターンが形成された被処理基板の洗浄に用いられる処理液が貯留される洗浄槽と、
前記洗浄槽内で被処理体を保持する被処理体保持機構と、
前記洗浄槽に処理液を供給する処理液供給機構と、
被処理基板に超音波を照射する超音波照射ユニットと
を具備し、
前記洗浄槽に被処理体を配置した状態で、前記処理槽に処理液を供給して被処理体を処理液に浸漬させて被処理体を洗浄する洗浄装置であって、
前記超音波照射ユニットは、
振動板と、
振動板の被処理基板に対応する部分に装着された複数の超音波振動子と、
前記超音波振動子に高周波を供給する高周波発生部と、
前記高周波発生部から前記超音波振動子に高直進性の周波数の超音波を出力可能な高周波を出力させ、かつ、被処理基板のエッジ部分では高出力、被処理基板のパターン形成部分ではパターンが破壊されない出力になるように前記超音波振動子からの超音波出力を制御する制御部と
を有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】
前記超音波の周波数は５００ｋＨｚ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記洗浄槽内で被処理体を回転させる回転機構をさらに具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記洗浄槽の底部が前記振動板として構成され、前記超音波振動子は前記洗浄槽の底部の外側に貼り付けられることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項７】
洗浄槽内に貯留された処理液でパターンが形成された被処理基板を洗浄する洗浄方法であって、
前記被処理基板のエッジ部分のみに超音波を照射しながら被処理基板を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【請求項８】
前記超音波の照射は、振動板と、振動板に装着される超音波振動子と、超音波振動子に高直進性の超音波を出力可能な周波数の高周波を供給する高周波発生部とを有し、前記超音波振動子は、被処理体のエッジ部分に対応する位置のみに設けられた超音波照射ユニットを用いてなされることを特徴とする請求項７に記載の洗浄方法。
【請求項９】
洗浄槽内に貯留された処理液でパターンが形成された被処理基板を洗浄する洗浄方法であって、
前記被処理基板のエッジ部分に高出力の超音波を照射し、前記被処理基板のパターン形成部分にパターンが破壊しない程度の出力の超音波を照射しながら被処理基板を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１０】
前記超音波の照射は、振動板と、振動板の被処理基板に対応する部分に装着された複数の超音波振動子と、前記超音波振動子に高周波を供給する高周波発生部と、前記高周波発生部から前記超音波振動子に高直進性の周波数の超音波を出力可能な高周波を出力させ、かつ、被処理基板のエッジ部分では高出力、被処理基板のパターン形成部分ではパターンが破壊されない低出力になるように前記超音波振動子からの超音波出力を制御する制御部とを有する超音波照射ユニットを用いてなされることを特徴とする請求項９に記載の洗浄方法。
【請求項１１】
前記超音波の周波数は５００ｋＨｚ以上であることを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項１２】
コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記ソフトウェアは、プログラム実行時に、請求項７から請求項１０のいずれかの洗浄方法が実施されるようにコンピュータに洗浄装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄用の薬液を貯留した薬液槽内で被処理体を薬液に浸漬して洗浄する洗浄装置および洗浄方法、ならびにその方法を実行するためのコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）に種々の工程によりトランジスタ等の素子を形成するが、その表面にパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションが存在すると素子の性能が劣化してしまうため、ウエハを洗浄してこれらを除去する必要がある。このようなウエハの洗浄処理としては、洗浄槽内に所定の洗浄液を貯留し、その中にウエハを浸漬させるものが多用されている。このような洗浄処理は、ＳＰＭ洗浄（硫酸過酸化水素水洗浄）やＡＰＭ洗浄（アンモニア過酸化水素水洗浄）があり、ウエハに付着したパーティクルを効果的に除去できる長所がある。
【０００３】
しかし、ウエハのエッジは処理中にガイドや搬送機構等、種々の部材に接触するためパーティクル（ゴミ）が多量にかつ強固に付着しており、上記のような洗浄では完全に除去することはできず、残存したパーティクルは、洗浄後のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）乾燥の際にウエハに拡散してしまうおそれがある。
【０００４】
このようなウエハに付着したパーティクルを除去するにはメガソニック照射が有効であることが知られている（例えば、特許文献１）。すなわち、洗浄槽に圧電体を設けて洗浄液にメガソニックレベルの超音波を照射してウエハのパーティクルを除去するのである。
【０００５】
しかしながら、近年のパターンの微細化にともない、メガソニックを照射はパターン破壊をもたらすことが多く、メガソニックを使用することができない場合が多い。あるいは使用できたとしてもその出力をかなり小さくする必要があり、その場合にはウエハエッジのパーティクルを十分に除去することができない。
【特許文献１】特開２００３−２０９０８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、被処理基板のエッジのごみをパターン倒れを発生させずに有効に除去することができる洗浄装置および洗浄方法、ならびにそのような洗浄方法を実行するためのコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、パターンが形成された被処理基板の洗浄に用いられる処理液が貯留される洗浄槽と、前記洗浄槽内で被処理体を保持する被処理体保持機構と、前記洗浄槽に処理液を供給する処理液供給機構と、被処理基板に超音波を照射する超音波照射ユニットとを具備し、前記洗浄槽に被処理体を配置した状態で、前記処理槽に処理液を供給して被処理基板を処理液に浸漬させて被処理体を洗浄する洗浄装置であって、前記超音波照射ユニットは、振動板と、振動板に装着される超音波振動子と、超音波振動子に高直進性の超音波を出力可能な周波数の高周波を供給する高周波発生部とを有し、前記超音波振動子は、被処理体のエッジ部分に対応する位置のみに設けられることを特徴とする洗浄装置を提供する。
【０００８】
上記第１の観点において、前記超音波振動子へ供給される高周波出力および高周波のオン・オフを制御する駆動制御部をさらに具備してもよい。
【０００９】
本発明の第２の観点では、パターンが形成された被処理基板の洗浄に用いられる処理液が貯留される洗浄槽と、前記洗浄槽内で被処理体を保持する被処理体保持機構と、前記洗浄槽に処理液を供給する処理液供給機構と、被処理基板に超音波を照射する超音波照射ユニットとを具備し、前記洗浄槽に被処理体を配置した状態で、前記処理槽に処理液を供給して被処理体を処理液に浸漬させて被処理体を洗浄する洗浄装置であって、前記超音波照射ユニットは、振動板と、振動板の被処理基板に対応する部分に装着された複数の超音波振動子と、前記超音波振動子に高周波を供給する高周波発生部と、前記高周波発生部から前記超音波振動子に高直進性の周波数の超音波を出力可能な高周波を出力させ、かつ、被処理基板のエッジ部分では高出力、被処理基板のパターン形成部分ではパターンが破壊されない出力になるように前記超音波振動子からの超音波出力を制御する制御部とを有することを特徴とする洗浄装置を提供する。
【００１０】
上記第１および第２の観点において、前記超音波の周波数は５００ｋＨｚ以上であることが好ましい。また、前記洗浄槽内で被処理体を回転させる回転機構をさらに具備することが好ましい。さらに、前記洗浄槽の底部が前記振動板として構成され、前記超音波振動子は前記洗浄槽の底部の外側に貼り付けられる構成とすることができる。
【００１１】
本発明の第３の観点では、洗浄槽内に貯留された処理液でパターンが形成された被処理基板を洗浄する洗浄方法であって、前記被処理基板のエッジ部分のみに超音波を照射しながら被処理基板を洗浄することを特徴とする洗浄方法が提供される。
【００１２】
この場合に、前記超音波の照射は、振動板と、振動板に装着される超音波振動子と、超音波振動子に高直進性の超音波を出力可能な周波数の高周波を供給する高周波発生部とを有し、前記超音波振動子は、被処理体のエッジ部分に対応する位置のみに設けられた超音波照射ユニットを用いてなされるようにすることができる。
【００１３】
本発明の第４の観点では、洗浄槽内に貯留された処理液でパターンが形成された被処理基板を洗浄する洗浄方法であって、前記被処理基板のエッジ部分に高出力の超音波を照射し、前記被処理基板のパターン形成部分にパターンが破壊しない程度の出力の超音波を照射しながら被処理基板を洗浄することを特徴とする洗浄方法を提供する。
【００１４】
この場合に、前記超音波の照射は、振動板と、振動板の被処理基板に対応する部分に装着された複数の超音波振動子と、前記超音波振動子に高周波を供給する高周波発生部と、前記高周波発生部から前記超音波振動子に高直進性の周波数の超音波を出力可能な高周波を出力させ、かつ、被処理基板のエッジ部分では高出力、被処理基板のパターン形成部分ではパターンが破壊されない低出力になるように前記超音波振動子からの超音波出力を制御する制御部とを有する超音波照射ユニットを用いてなされるようにすることができる。
【００１５】
本発明の第５の観点では、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記ソフトウェアは、プログラム実行時に、上記いずれかの洗浄方法が実施されるようにコンピュータに洗浄装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、パターンが形成された被処理基板のエッジ部分に超音波を照射してパーティクルを除去可能にし、パターン形成部分には超音波を照射しないかまたは照射してもパターンが破壊しない程度の出力の超音波であるので、パターン破壊を生じることなく被処理基板のエッジ部分のパーティクルを効果的に除去することがでる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について具体的に説明する。本実施形態では、本発明をワンパス方式の洗浄装置に適用した例について説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る洗浄装置を示す平面図であり、図２はそのＡ−Ａ線による断面図、図３はＢ−Ｂ線による断面図である。
【００１８】
本実施形態の洗浄装置は、筐体１とその中に設けられた洗浄槽２とを有しており、洗浄槽２内に所定の処理液が貯留されるようになっている。そして、後述するように所定の供給源から洗浄槽２内に設けられたノズル３（図２，３参照）を介して、所定の処理液を洗浄槽２内に供給することによりその中にその処理液が貯留され、その処理液中に複数のウエハＷを浸漬させ、洗浄槽２から処理液をオーバーフローさせた状態で洗浄処理が行われる。オーバーフローした処理液は、図示しない外槽へ流れるようになっている。洗浄槽２の下方には、超音波照射ユニット１０が設けられている（図３参照）。
【００１９】
洗浄槽２内においては、ウエハ保持部材４によって複数、例えば５０枚のウエハＷが保持される。ウエハ保持部材４は、ウエハＷを立てた状態で水平方向に保持するウエハ保持部５と、ウエハ保持部５の端部から内槽２の内壁に沿って上方に延び、ウエハ保持部５を支持する支持部６とを有しており、図示しない駆動機構により支持部６を介してウエハ保持部５を上下動することにより洗浄槽２に対するウエハＷの出し入れが可能となっている。ウエハ保持部材４に対するウエハＷの受け渡しは、適宜の搬送装置により行われる。また、ウエハ保持部５は、ウエハＷの下端近傍を保持する第１の保持棒５ａと、ウエハＷのその少し上方を保持する第２の保持棒５ｂとを有しており、第１および第２の保持棒５ａ、５ｂにはウエハＷを保持するための複数の溝が形成されている。また、洗浄槽２内には、槽に固定された槽固定ウエハガイド７が設けられており（図３参照）、ウエハ保持部材４が下降した際にウエハＷが当接するようになっている。そして、ウエハ保持部材４を下降させてこの槽固定ウエハガイド７にウエハＷを当接させてからウエハ保持部材４をさらに下降させることにより、複数枚のウエハＷが回転可能となっている。
【００２０】
上記洗浄槽２は、例えば耐薬品性に富む材料例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）あるいはフッ素樹脂（ＰＦＡ）等にて形成される側壁部２ａと、耐薬品性および音波透過性に富む材料例えばアモルファスカーボンや炭化ケイ素等のカーボン系材料にて形成される底部２ｂとで構成されている。また、底部２ｂは、パッキンを介して側壁部４の下端部に気水密な状態でボルト締めされている。底部２ｂの厚みは、アモルファスカーボンにて形成した場合は、例えば２．０ｍｍ〜１０．０ｍｍとすることができる。
【００２１】
超音波照射ユニット１０は、超音波振動子１１と、振動子に高周波電力を供給する高周波発生部１２と、高周波発生部１２から超音波振動子１１に至る給電線に設けられたマッチング回路１３と、超音波振動子１１に供給される高周波のオン・オフやその出力を個別的に制御する駆動制御部１４とを有している。高周波発生部１２は、周波数およびパワーを制御可能な制御機構を内蔵している。
【００２２】
超音波振動子１１は、例えば圧電素子からなる矩形板として構成されており、洗浄槽２の底部２ｂの外側部分に貼り付けられている。そして、超音波振動子１１の振動は洗浄槽２の底部２ｂを介して洗浄槽２内の処理液に供給される。つまり底部２ｂは振動板として機能する。
【００２３】
この超音波振動子１１は、図４に示すように、ウエハＷのエッジ部分に対応する部分のみに例えば合計６枚配置されている。超音波振動子１１に供給される高周波は、高直進性を有するものが選択される。これにより、ウエハＷのエッジ部分のみに超音波を照射することができる。また、キャビテーションが生じるとパターンが破壊されるため、キャビテーションが生じないことも要求される。
【００２４】
このような観点から、超音波振動子１１の振動数は５００ｋＨｚ以上が好ましく、６００ｋＨｚ以上がより好ましい。さらに好ましくはメガソニックレベル（１０００ｋＨｚ以上）である。高い周波数の超音波は直進性が高いことが知られており、５００ｋＨｚ以上とすることにより十分な直進性を有し、かつキャビテーションも生じ難い。このような周波数の制御は、高周波発生部１２に内蔵された制御機構によって行われる。
【００２５】
なお、本実施形態では、洗浄槽２の底部全体を振動板として機能させる場合について示したが、超音波振動子１１が貼り付けられた部分のみ振動板として機能させるようにしてもよい。また、洗浄槽２の底部以外に振動板を設けてもよい。
【００２６】
次に、本実施形態の洗浄装置における処理液の供給および排出のための構造、ならびに洗浄装置の制御系について、図５を参照しながら説明する。
【００２７】
洗浄槽２の外側にはオーバーフローした処理液を受けるための外槽８を有している。また、洗浄槽２内のノズル３には、処理液を供給するための処理液供給配管４０が接続されている。処理液供給配管４０の他端側には、処理液供給機構４１が配置されている。処理液供給機構４１は、アンモニア（ＮＨ４ＯＨ）を供給するためのアンモニア源４２と、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を供給するための硫酸源４３と、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を供給するための過酸化水素源４４と、純水（ＤＩＷ）を供給するための純水源４５とを備えている。処理液供給配管４０には、これらからそれぞれ延びる配管４６，４７，４８，４９が、切替・混合バルブ５０を介して接続されている。したがって、切替・混合バルブ５０を操作することにより、これら単独で配管４０およびノズル３を介して洗浄槽２へ供給することにより洗浄を行うことができる他、所定濃度の硫酸過酸化水素水やアンモニア過酸化水素水を調製し、配管４０およびノズル３を介して洗浄槽２へ供給して、ＳＰＭ洗浄、ＡＰＮ洗浄を実現することができる。
【００２８】
処理液供給配管４０には、上流側から順に温度制御部５８、ポンプ５６、フィルタ６０が設けられている。そしてポンプ５６の稼働により、所定の処理液を洗浄槽２に向けて送給し、ヒータ５８によって処理液を所定の温度に加熱し、フィルタ６０によって所歴中の不純物を除去した後に洗浄槽２に処理液が供給される。
【００２９】
一方、洗浄槽２の底部および外槽８の底部には、それぞれ処理液排出配管６２，６３が接続されており、図示しないバルブを操作することにより、洗浄槽２および外槽８に貯留されている処理液を処理液排出配管６２，６３から排出できるようになっている。
【００３０】
以上のような洗浄装置の各構成部、例えば切替・混合バルブ５０や、ポンプ５６、ヒータ電源、ウエハＷの搬送機構、高周波発生部１２、駆動制御部１４等は、プロセスコントローラ７０に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ７０には、工程管理者が洗浄装置を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、洗浄装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース７１が接続されている。
【００３１】
また、プロセスコントローラ７０には、洗浄装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ７０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部７２が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性の記憶媒体に収容された状態で記憶部７２の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
【００３２】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース７１からの指示等にて任意のレシピを記憶部７２から呼び出してプロセスコントローラ７０に実行させることで、プロセスコントローラ７０の制御下で、洗浄装置での所望の処理が行われる。
【００３３】
次に、以上のように構成される洗浄装置における処理動作の一例について説明する。
上述したように、本実施形態における洗浄装置は種々の洗浄を行うことができるが、ここでは、アンモニア過酸化水素水を用いて洗浄を行うＡＰＭ洗浄を例にとって説明する。
【００３４】
まず、洗浄槽２が空の状態から、ポンプ５６を駆動させて、ＤＩＷ供給源４５から処理液供給配管４０およびノズル３を介して洗浄槽２内に純水（ＤＩＷ）を供給し、洗浄槽２内を純水（ＤＩＷ）で満たす。そして、ウエハ保持部材４のウエハ保持部５を洗浄槽２の上方に位置させた状態で、図示しない搬送装置から複数、例えば５０枚のウエハＷをウエハ保持部５に受け渡し、図示しない駆動機構によりウエハ保持部材４を降下させ、ウエハＷを洗浄槽２内の純水（ＤＩＷ）に浸漬する。そして、ウエハＷを洗浄槽２の処理液に浸漬した後、純水（ＤＩＷ）を洗浄槽２からオーバーフローさせつつ純水（ＤＩＷ）による洗浄を行う。
【００３５】
純水（ＤＩＷ）による洗浄が終了したら、処理液排出配管６２および６３を介して洗浄槽２および外槽８から純水を排出し、次いで切替・混合バルブ５０を操作して所定量のアンモニアと過酸化水素と純水とを洗浄槽２内に供給し、ＡＰＭ洗浄を行う。
【００３６】
ＡＰＭ洗浄は洗浄力が高くウエハ全体に対する洗浄性は良好であるが、処理中にガイドや搬送機構等の部材に接触することにより強固に付着したウエハエッジのパーティクルについては十分に除去することができないおそれが高い。そのため、従来からメガソニック等の超音波により除去することが試みられてきたが、ウエハのパターン形成部分に超音波が供給されることにより、パターンが破壊されるという問題がある。また、パターンが破壊されない程度に超音波の出力を小さくすると、やはりウエハエッジのパーティクル除去が不十分となりやすい。
【００３７】
そこで、本実施形態では、上述したように、ウエハＷのエッジ部分に対応する部分のみに超音波振動子１１を設け、高直進性の周波数範囲の超音波を供給する。このため、ほぼパターンの存在しないウエハＷのエッジ部分のみに超音波を照射することが可能となり、パーティクルを除去したいエッジ部分のみを有効に洗浄し、パターン破壊が懸念される部分は超音波を照射しないためパターンの破壊を防止することができる。高い周波数の超音波は直進する性質をもっているので、周波数を高くすることにより、所望の直進性を得ることができる。具体的には、上述したように、５００ｋＨｚ以上が好ましく、６００ｋＨｚ以上がより好ましい。さらに好ましくはメガソニックレベル（１０００ｋＨｚ以上）である。また、このような周波数範囲であれば、キャビテーションによるパターン破壊も生じ難い。所望の周波数はおよび出力は、プロセスコントローラ７０からの指令に基づいて、高周波発生部１２に内蔵された制御機構により行われる。
【００３８】
この際に、上述した槽固定ウエハガイド７を利用してウエハＷを回転させることによりウエハエッジ部全周に超音波を照射することができ、ウエハエッジ部のパーティクルを効果的に取り除くことができる。
【００３９】
この際の回転動作について図６を参照しながら説明する。
図６の（ａ）に示す状態ではウエハ保持部材４が正規の位置にあり、ウエハ保持部５に保持された複数枚のウエハＷは槽固定ウエハガイド７に当たっていない。この状態で、図６の（ｂ）に示すようにウエハ保持部材４を下降させて、ウエハＷを槽固定ウエハガイド７に当接させる。そして、この状態からウエハ保持部材４をさらに下降させると、図６の（ｃ）に示すように、ウエハＷは槽固定ウエハガイド７を支点としてウエハＷが少し回転する。この状態でウエハ保持部材４を上昇させて図６の（ａ）の位置に戻す。この動作を必要回数繰り返して、ウエハを所望の角度で回転させる。なお、ウエハ保持部材４を昇降のみならず水平方向にも移動させることにより、より効果的にウエハＷを回転させることができる。
【００４０】
以上のようなＡＰＭ洗浄を行って複数枚のウエハＷの全体が清浄化された後、洗浄槽２からアンモニア過酸化水素水を排出し、次いで洗浄槽２に純水（ＤＩＷ）を供給し、純水洗浄を行う。以上により洗浄装置による洗浄動作が終了する。
【００４１】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
上記実施形態では、ウエハＷのエッジ部分にのみ超音波を照射する場合について説明したが、この実施形態ではウエハＷの全面に超音波を照射し、ウエハＷのパターン形成部分はパターンが破壊されない程度の低出力とし、エッジ部分はパーティクルの除去に十分な高出力とする構成を有している。
【００４２】
図７は、この他の実施形態に係る洗浄装置を示す概略断面図である。この図に示すように、図３に示す洗浄装置の超音波照射ユニット１０の代わりに超音波照射ユニット１０′を有している。超音波照射ユニット１０′は、ウエハＷのエッジ部分に対応する超音波振動子１１ａとウエハＷのパターン形成部分に対応する超音波振動子１１ｂを有し、これらが洗浄槽２の底部２ｂの外側の全面に貼り付けられている。他の構成は超音波照射ユニット１０と同様である。そして、駆動制御部１４により、ウエハＷのエッジ部分に対応する超音波振動子１１ａについてはパーティクル除去に十分な出力が供給され、ウエハＷのパターン形成部分に対応する超音波振動子１１ｂについてはパターン破壊が生じない程度の出力になるように出力を制御する。この際の出力制御の指令は、プロセスコントローラ７０から発信される。
【００４３】
このような構成とすることにより、ウエハＷのパターン形成部分についてもある程度の洗浄力上昇を図ることができ、パターン破壊が生じない範囲でより洗浄性を高めることができる。
【００４４】
なお、図７の洗浄装置においては、駆動制御部１４により超音波振動子１１ｂに高周波出力を供給しないこともでき、この場合には、従前の実施形態と同様の超音波作用を及ぼすことができる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態ではワンパス方式の洗浄装置を例にとって説明したが、これに限らず、洗浄槽内で洗浄する方式の洗浄装置であれば適用可能である。また、ＡＰＭ洗浄に適用した例について説明したが、これに限らず、ＳＰＭ洗浄等の他の洗浄液による洗浄に適用することができることは言うまでもない。さらに、上記実施形態では、超音波を下から照射した場合について示したが、照射方向は限定されず、例えば側方から照射してもよいし、上方から照射してもよい。上記実施形態では被処理体として半導体ウエハを適用した場合について示したが、液晶表示装置（ＬＣＤ）用基板等、他の被処理体の洗浄処理にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に係る洗浄装置を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線による断面図。
【図４】図１〜３に示す洗浄装置の超音波振動子の配置状態を説明するための図。
【図５】本発明の一実施形態の洗浄装置における処理液の供給および排出のための構造、ならびに洗浄装置の制御系について示す模式図。
【図６】本発明の一実施形態に係る洗浄装置において、洗浄処理中の基板回転動作の一例を説明する模式図。
【図７】本発明の他の実施形態に係る洗浄装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００４７】
２；洗浄槽
３；ノズル
４；ウエハ保持部材
５；ウエハ保持部
７；槽固定ウエハガイド
１０，１０′；超音波照射ユニット
１１，１１ａ，１１ｂ；超音波振動子
１２；高周波発生部
１４；駆動制御部
７０；プロセスコントローラ
７２；記憶部
Ｗ；半導体ウエハ
【図１】
2007059841.tif 000003
【図２】
2007059841.tif 000004
【図３】
2007059841.tif 000005
【図４】
2007059841.tif 000006
【図５】
2007059841.tif 000007
【図６】
2007059841.tif 000008
【図７】
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