(57)【要約】【課題】  反射層を具えた高輝度発光ダイオードの製造方法の提供。【解決手段】  本発明は少なくとも以下の工程を包含する。まず、発光構造、非合金オームコンタクト層、及び第１金属層を、第１基板の上面に下から上に順に形成することにより、第１積層構造を提供する。次に、少なくとも第２基板を包含する第２積層構造を提供する。それから、第２積層構造の上面が第１積層構造の上面と接続されるようにしてウエハーボンディングにより第１及び第２積層構造を接合する。第１金属層は反射鏡として作用し、それは純金属又は金属窒化物で形成されて優れた反射率を達成し、その反射面はウエハーボンディング工程に直接関与しない。【選択図】        図１３
2007059623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードの製造方法において、
（ａ）発光構造、非合金オームコンタクト層、及び第１金属層を、第１基板の上面に下から上に順に形成することにより、第１積層構造を提供する工程、
（ｂ）第２基板を包含する第２積層構造を提供する工程、
（ｃ）第２積層構造の上面を第１積層構造の上面にウエハーボンディングする工程、
を包含したことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ｃ）の工程の後に、第１基板を除去する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程の後及び（ｃ）の工程の前に、第１基板を除去する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程における第１基板の上面に発光構造と非合金オームコンタクト層を形成する工程は、同じ成長工程を用いて実行されることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、非合金オームコンタクト層の形成は、別個の堆積工程を用いて、発光構造が第１基板上に成長工程により形成された後に実施されることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、第１金属層が純金属或いは金属窒化物で形成されることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の発光ダイオードの製造方法において、第１金属層が、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、窒化チタン（ＴｉＮｘ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮｘ）で形成されることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程中に、第１金属層の形成の前に、光学透過性と導電性を有する誘導層を非合金オームコンタクト層の上に形成する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の発光ダイオードの製造方法において、誘電層が透明な導電性酸化物で形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の発光ダイオードの製造方法において、誘電層が、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ）、アンチモンドープＳｎＯ、フッ素ドープＳｎＯ、りんドープＳｎＯ、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウムドープＺｎＯ、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、カドミウム酸化物（ＣｄＯ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ）、銅カルシウム酸化物（ＣｕＣａＯ）、及びストロンチウム銅酸化物（ＳｒＣｕＯ）のいずれかで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程中に、第１金属層の形成の後に、ボンディング材として作用する第２金属層を、第１金属層の上に形成する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の発光ダイオードの製造方法において、第２金属層を純金属或いは金属窒化物で形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程が更に、第２金属層の形成の前に、第２誘電層を第１金属層の上に形成する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の発光ダイオードの製造方法において、第２誘電層を、透明導電酸化物、金属窒化物、及び絶縁材料のいずれかで形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の発光ダイオードの製造方法において、第２誘電層を、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ）、アンチモンドープＳｎＯ、フッ素ドープＳｎＯ、りんドープＳｎＯ、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウムドープＺｎＯ、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、カドミウム酸化物（ＣｄＯ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ）、銅カルシウム酸化物（ＣｕＣａＯ）、及びストロンチウム銅酸化物（ＳｒＣｕＯ）、ＴｉＮｘ、ＺｒＮｘ、或いは絶縁材料、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）のいずれかで形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１６】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ｂ）の工程内に、ボンディング材として作用する少なくとも一つの第３金属層を、第２積層構造の上に形成する工程、を更に包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の発光ダイオードの製造方法において、第３金属層を純金属或いは金属窒化物で形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１８】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ｂ）の工程内に、第２基板の提供直後に、第２基板の上面に絶縁層を形成する工程、を包含したことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の発光ダイオードの製造方法において、絶縁層は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）のいずれかで形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２０】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、第１基板は導電性であることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の発光ダイオードの製造方法において、第１基板がドープ（ｄｏｐｅｄ）Ｇｅ、ドープＳｉ、ドープＧａＡｓ、ドープＧａＰ、ドープＩｎＰ、ドープＩｎＡｓ、ドープＧａＮ、ドープＡｌＧａＡｓ、ドープＳｉＣ、ドープＧａＡｓＰ、Ｍｏ、Ｃｕ、及びＡｌのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２２】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、第１基板が導電性であることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の発光ダイオードの製造方法において、第１基板がＧｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＡｓＰ、サファイヤ、ガラス、水晶、及びセラミックのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２４】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、非合金オームコンタクト層がドープ半導体層とされたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の発光ダイオードの製造方法において、非合金オームコンタクト層が、炭素ドープＡｌＡｓ、炭素ドープＧａＰ、炭素ドープＡｌＰ、炭素ドープＡｌＧａＡｓ、炭素ドープＩｎＡｌＡｓ、炭素ドープＩｎＧａＰ、炭素ドープＩｎＡｌＰ、炭素ドープＡｌＧａＰ、炭素ドープＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＡｓＰ、炭素ドープＡｌＧａＩｎＰ、炭素ドープＡｌＧａＩｎＡｓ、炭素ドープＩｎＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＩｎＡｓＰ、炭素ドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＡｓ、マグネシウムドープＧａＰ、マグネシウムドープＡｌＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＡｓ、マグネシウムドープＩｎＡｌＡｓ、マグネシウムドープＩｎＧａＰ、マグネシウムドープＩｎＡｌＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＰ、マグネシウムドープＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＩｎＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＩｎＡｓ、マグネシウムドープＩｎＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＩｎＡｓＰ、マグネシウムドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＡｓ、亜鉛ドープＧａＰ、亜鉛ドープＡｌＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＡｓ、亜鉛ドープＩｎＡｌＡｓ、亜鉛ドープＩｎＧａＰ、亜鉛ドープＩｎＡｌＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＰ、亜鉛ドープＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＩｎＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＩｎＡｓ、亜鉛ドープＩｎＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＩｎＡｓＰ、亜鉛ドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、炭素ドープＩｎＰ、炭素ドープＩｎＡｓ、炭素ドープＧａＡｓ、炭素ドープＩｎＡｓＰ、マグネシウムドープＩｎＰ、マグネシウムドープＩｎＡｓ、マグネシウムドープＧａＡｓ、マグネシウムドープＩｎＡｓＰ、亜鉛ドープＩｎＡｓ、亜鉛ドープＧａＡｓ、亜鉛ドープＩｎＡｓＰのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２６】
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程中に、非合金オームコンタクト層の形成の後に、複数の凹部を非合金オームコンタクト層の上面に形成する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ダイオードに係り、更に詳しくは、ダイオード基板による吸光を防止する反射層を具えた発光ダイオードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は周知の発光ダイオード（ＬＥＤ）の典型的構造の断面図である。図示されるように、該ＬＥＤ１００は、半導体基板１０３、該基板１０３の上に位置する発光構造１０２、該基板１０３の反対側と発光構造１０２の上にそれぞれ形成された二つのオームコンタクト電極１０９及び１０１を包含する。
【０００３】
該発光構造１０２はしばしば赤外線及び赤光発生のためのＡｌＧａＡｓ、黄緑、黄色、こはく色（ａｍｂｅｒ）、及び赤光のためのＡｌＧａＩｎＰのような複数層のアルミニウムベアリングＩＩＩ−Ｖ化合物半導体で形成されている。該基板１０３は通常ガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成されそれは発光構造１０２の格子定数にマッチングする格子定数を具えている。発光構造１０２により生成された光は全方向に向けて発射される（即ち等方性（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）である）。しかし、ＧａＡｓは可視光のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを有するため、発光構造１０２により発射される光の重要部分はＧａＡｓ基板１０３に吸収されてしまい、このことはＬＥＤ１００の外部量子効果に影響を与え、このためこのＬＥＤ１００の輝度に影響を与える。
【０００４】
図２は他の周知の発光ダイオードの典型的構造の断面図である。図示されるように、ＬＥＤ１００’はＬＥＤ１００’の同側に電極１０１’と電極１０９’を形成するために一部の発光構造１０２’をエッチングする必要がある。更に、図１のＬＥＤ１００では、基板１０３は電極１０１と１０９間の注入電流を導通させるために、導電性でなければならないが、図２のＬＥＤ１００’は、基板１０３’は導電性であっても非導電性であってもよい。ＬＥＤ１００と同様にＬＥＤ１００’は依然として同じ基板の吸光問題を有している。図１のＬＥＤ１００は垂直電極配置を有し、一方、図２のＬＥＤ１００’はプラナー（ｐｌａｎａｒ）電極配置を有する。
【０００５】
基板による吸光の問題を克服するための各種の手段が提供されている。例えば、特許文献１及び特許文献２には図１と類似の発光ダイオード構造が示されているが、異なるところは、基板の上において、発光構造が底部分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）と上部分布ブラッグ反射鏡に挟まれていることである。このＤＢＲの構造により、発光構造より基板に向けて発射される光は反射され、基板による吸収は防止される。しかし、ＤＢＲは正常な入射光に対する高い反射率のみ提供でき、光の入射角度が増すと反射率は低下する。発光ダイオードの外部量子効果と輝度の改善はこのため制限される。
【０００６】
特許文献３には別の二つの手段が示され、それはウエハーボンディング工程を使用する。手段の一つにおいて、ＬＥＤエピタキシャル構造がまずＧａＡｓ基板上に成長させられる。ＬＥＤエピタキシャル構造はそれから透明基板にウエハーボンディングされる。もう一つの手段においては、同様に、ＬＥＤエピタキシャル構造がまずＧａＡｓ基板上に成長させられる。ＬＥＤエピタキシャル構造はそれからミラーにウエハーボンディングされる。いずれの手段もＬＥＤ外部量子効果を光を吸収するＧａＡｓ基板を除去することにより改善し、前者の手段では光を透明基板を透過させ、後者の手段ではミラーにより反射させる。しかし、透明基板を使用する手段の問題は、ウエハーボンディング工程が高いアニール温度を延伸期間中にわたり必要とするために、ドーピングプロファイルの再構築とＬＥＤ性能の劣化をもたらしうることである。ミラーを使用する手段の問題は、ミラーの反射表面が直接ウエハーボンディング工程中にボンディングインタフェースに関わるため、反射面の粗さ或いは反応性の悪さ或いは汚染を引き起しうることである。
【０００７】
非特許文献１に記載の技術によると、Ａｕ／ＡｕＢｅ反射器を具えたシリコン基板がＬＥＤエピタキシャル構造に、ＧａＡｓ基板除去の前に結合される。通常、Ａｕ／ＡｕＢｅはＡｌＧａＩｎＰ  ＬＥＤにおいてｐ型材料と共にオームコンタクトを形成するのに用いられる。非特許文献１に記載の技術ではＡｕ／ＡｕＢｅはウエハーボンディングＬＥＤエピタキシャル構造においてボンディング層と金属ミラーとして使用される。しかし、合金材料ＡｕＢｅの反射率は低く、ゆえにＬＥＤの輝度の改善は制限される。合金工程では通常高いアニール温度が要求され、それは反射鏡の表面平坦度を低下させて反射率を下げる。
【０００８】
特許文献４には反射金属層を使用した発光ダイオードが記載されている。その構造は、反射金属層がウエハーボンディング工程中に発光構造と反応するのを防止するため、透明導電酸化物層例えばＩＴＯがその間に介装される。ＩＴＯ層と発光構造の間のオームコンタクトを改善するため、記載の構造は、オームコンタクトグリッドパターン或いはチャネルをＩＴＯ層内に形成するか、合金メッシュをＩＴＯ層と発光構造の間に形成することを提示している。この構造は製造工程が複雑で、ゆえに製造コストが高くつく。合金メッシュは高温の合金工程を必要とし、合金をエッチングしてメッシュを形成するのは非常に制御が難しい。加えて、合金の厚さには非常に注意する必要がある。もし合金が薄過ぎれば、合金と発光構造の間のオームコンタクトは劣ったものとなり、合金が厚過ぎるとウエハーボンディング工程は強固なボンディングを達成できない。
【０００９】
【特許文献１】米国特許第４，５７０，１７２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，２３７，５８１号明細書
【特許文献３】米国特許第５，３７６，５８０号明細書
【特許文献４】米国特許第６，７９７，９８７号明細書
【非特許文献１】「ＡｌＧａＩｎＰ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ  ｗｉｔｈ  ｍｉｒｒｏｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｗ  ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  ｂｙ  ｗａｆｅｒ  ｂｏｎｄｉｎｇ」  Ｈｏｒｎｇ  ｅｔ  ａｌ．  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １５，１９９９，Ｖｏｌｕｍｅ  ７５，Ｉｓｓｕｅ  ２０，ｐｐ．３０５４−３０５６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の主要な目的は、ゆえに、周知の技術における基板による吸光問題を改善した高輝度ＬＥＤ構造の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明によるとＬＥＤ構造は発光構造、及び、発光構造の一側に以下の順序で配置された非合金オームコンタクト層、第１金属層、及び基板を包含する。前述のＬＥＤ構造は、その形成後、ＬＥＤ構造をパッケージしてＬＥＤチップとなすための、電極形成その他の関連する作業を含むチップ工程が実行される。
【００１２】
前述のＬＥＤ構造を形成するため、本発明は少なくとも以下の工程を包含する。まず、発光構造、非合金オームコンタクト層、及び第１金属層を、第１基板の上面に下から上に順に形成することにより、第１積層構造を提供する。次に、少なくとも第２基板を包含する第２積層構造を提供する。それから、第２積層構造の上面が第１積層構造の上面と接続されるようにしてウエハーボンディングにより第１及び第２積層構造を接合する。
【００１３】
本発明の最も重要な特徴は、基板の吸光問題を解決するための、非合金オームコンタクト層と第１金属層の配置にある。第１金属層は反射鏡として機能し、優れた反射率のために純金属或いは金属窒化物で形成される。非合金オームコンタクト層は発光構造と第１金属層の間に挿入され、これにより必要とされる低抵抗導電を達成する。第１金属層の非合金オームコンタクト層及び発光構造との融合を防止し、第１金属層の反射面の平坦度を維持するため、本発明は更に、光学透過性と電気伝導性を具えた第１誘電層を第１金属層と非合金オームコンタクト層の間に挿入する工程を包含する。
【００１４】
本発明の別の重要な特徴は、反射鏡（即ち第１金属層）の反射表面が直接ウエハーボンディング工程に関与しないことにある。該第１金属層は第１積層構造の形成中に真空中で直接発光構造を被覆し、そして該発光構造はウエハーボンディング工程に関与する第１金属層の下に位置する。ゆえに、ウエハーボンディング工程における空気中への露出、高いアニール温度及び圧力は第１金属層の反射面を汚染せず、ゆえに第１金属層の表面平坦度を改善する。第２基板と第１金属層の間の良好なボンディングを達成するため、本発明は更に、第１金属層の下、或いは第２基板の上、或いはその両方に、ボンディング材として作用する少なくとも一つの追加の金属層を配置する工程を包含しうる。同様に、もし追加の金属層を第１金属層の下に形成するならば、それと第１金属層との融合とそれによる第１金属層の反射率の低下を防止するため、本発明によると、第２誘電層を第１金属層と追加の金属層との間に挿入しうる。
【００１５】
本発明の前述のそして他の目的、形態、特徴及び効果は以下の実施例の説明において図を参照して更に詳しく説明される。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１の発明は、発光ダイオードの製造方法において、
（ａ）発光構造、非合金オームコンタクト層、及び第１金属層を、第１基板の上面に下から上に順に形成することにより、第１積層構造を提供する工程、
（ｂ）第２基板を包含する第２積層構造を提供する工程、
（ｃ）第２積層構造の上面を第１積層構造の上面にウエハーボンディングする工程、
を包含したことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ｃ）の工程の後に、第１基板を除去する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程の後及び（ｃ）の工程の前に、第１基板を除去する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程における第１基板の上面に発光構造と非合金オームコンタクト層を形成する工程は、同じ成長工程を用いて実行されることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、非合金オームコンタクト層の形成は、別個の堆積工程を用いて、発光構造が第１基板上に成長工程により形成された後に実施されることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項６の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、第１金属層が純金属或いは金属窒化物で形成されることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項７の発明は、請求項６記載の発光ダイオードの製造方法において、第１金属層が、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、窒化チタン（ＴｉＮｘ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮｘ）で形成されることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項８の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程中に、第１金属層の形成の前に、光学透過性と導電性を有する誘導層を非合金オームコンタクト層の上に形成する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項９の発明は、請求項８記載の発光ダイオードの製造方法において、誘電層が透明な導電性酸化物で形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１０の発明は、請求項９記載の発光ダイオードの製造方法において、誘電層が、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ）、アンチモンドープＳｎＯ、フッ素ドープＳｎＯ、りんドープＳｎＯ、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウムドープＺｎＯ、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、カドミウム酸化物（ＣｄＯ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ）、銅カルシウム酸化物（ＣｕＣａＯ）、及びストロンチウム銅酸化物（ＳｒＣｕＯ）のいずれかで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１１の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程中に、第１金属層の形成の後に、ボンディング材として作用する第２金属層を、第１金属層の上に形成する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１２の発明は、請求項１１記載の発光ダイオードの製造方法において、第２金属層を純金属或いは金属窒化物で形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１３の発明は、請求項１１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程が更に、第２金属層の形成の前に、第２誘電層を第１金属層の上に形成する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１４の発明は、請求項１３記載の発光ダイオードの製造方法において、第２誘電層を、透明導電酸化物、金属窒化物、及び絶縁材料のいずれかで形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１５の発明は、請求項１４記載の発光ダイオードの製造方法において、第２誘電層を、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ）、アンチモンドープＳｎＯ、フッ素ドープＳｎＯ、りんドープＳｎＯ、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウムドープＺｎＯ、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、カドミウム酸化物（ＣｄＯ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ）、銅カルシウム酸化物（ＣｕＣａＯ）、及びストロンチウム銅酸化物（ＳｒＣｕＯ）、ＴｉＮｘ、ＺｒＮｘ、或いは絶縁材料、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）のいずれかで形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１６の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ｂ）の工程内に、ボンディング材として作用する少なくとも一つの第３金属層を、第２積層構造の上に形成する工程、を更に包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１７の発明は、請求項１６記載の発光ダイオードの製造方法において、第３金属層を純金属或いは金属窒化物で形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１８の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ｂ）の工程内に、第２基板の提供直後に、第２基板の上面に絶縁層を形成する工程、を包含したことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１９の発明は、請求項１８記載の発光ダイオードの製造方法において、絶縁層は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）のいずれかで形成することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２０の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、第１基板は導電性であることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２１の発明は、請求項２０記載の発光ダイオードの製造方法において、第１基板がドープ（ｄｏｐｅｄ）Ｇｅ、ドープＳｉ、ドープＧａＡｓ、ドープＧａＰ、ドープＩｎＰ、ドープＩｎＡｓ、ドープＧａＮ、ドープＡｌＧａＡｓ、ドープＳｉＣ、ドープＧａＡｓＰ、Ｍｏ、Ｃｕ、及びＡｌのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２２の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、第１基板が導電性であることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２３の発明は、請求項２２記載の発光ダイオードの製造方法において、第１基板がＧｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＡｓＰ、サファイヤ、ガラス、水晶、及びセラミックのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２４の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、非合金オームコンタクト層がドープ半導体層とされたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２５の発明は、請求項２４記載の発光ダイオードの製造方法において、非合金オームコンタクト層が、炭素ドープＡｌＡｓ、炭素ドープＧａＰ、炭素ドープＡｌＰ、炭素ドープＡｌＧａＡｓ、炭素ドープＩｎＡｌＡｓ、炭素ドープＩｎＧａＰ、炭素ドープＩｎＡｌＰ、炭素ドープＡｌＧａＰ、炭素ドープＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＡｓＰ、炭素ドープＡｌＧａＩｎＰ、炭素ドープＡｌＧａＩｎＡｓ、炭素ドープＩｎＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＩｎＡｓＰ、炭素ドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＡｓ、マグネシウムドープＧａＰ、マグネシウムドープＡｌＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＡｓ、マグネシウムドープＩｎＡｌＡｓ、マグネシウムドープＩｎＧａＰ、マグネシウムドープＩｎＡｌＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＰ、マグネシウムドープＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＩｎＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＩｎＡｓ、マグネシウムドープＩｎＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＩｎＡｓＰ、マグネシウムドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＡｓ、亜鉛ドープＧａＰ、亜鉛ドープＡｌＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＡｓ、亜鉛ドープＩｎＡｌＡｓ、亜鉛ドープＩｎＧａＰ、亜鉛ドープＩｎＡｌＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＰ、亜鉛ドープＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＩｎＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＩｎＡｓ、亜鉛ドープＩｎＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＩｎＡｓＰ、亜鉛ドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、炭素ドープＩｎＰ、炭素ドープＩｎＡｓ、炭素ドープＧａＡｓ、炭素ドープＩｎＡｓＰ、マグネシウムドープＩｎＰ、マグネシウムドープＩｎＡｓ、マグネシウムドープＧａＡｓ、マグネシウムドープＩｎＡｓＰ、亜鉛ドープＩｎＡｓ、亜鉛ドープＧａＡｓ、亜鉛ドープＩｎＡｓＰのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２６の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの製造方法において、（ａ）の工程中に、非合金オームコンタクト層の形成の後に、複数の凹部を非合金オームコンタクト層の上面に形成する工程を包含することを特徴とする、発光ダイオードの製造方法としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は少なくとも以下の工程を包含する。まず、発光構造、非合金オームコンタクト層、及び第１金属層を、第１基板の上面に下から上に順に形成することにより、第１積層構造を提供する。次に、少なくとも第２基板を包含する第２積層構造を提供する。それから、第２積層構造の上面が第１積層構造の上面と接続されるようにしてウエハーボンディングにより第１及び第２積層構造を接合する。第１金属層は反射鏡として作用し、それは純金属又は金属窒化物で形成されて優れた反射率を達成し、その反射面はウエハーボンディング工程に直接関与しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の説明は本発明の実施例に関するものに過ぎず、本発明の用途、形態、範囲を限定するものではなく、図面及び以下の説明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【００１９】
前述のＬＥＤ構造を形成するため、本発明は少なくとも以下の工程を包含する。まず、発光構造、非合金オームコンタクト層、及び第１金属層を、第１基板の上面に下から上に順に形成することにより、第１積層構造を提供する。次に、少なくとも第２基板を包含する第２積層構造を提供する。それから、第２積層構造の上面を第１積層構造の上面と接続させるようにしてウエハーボンディングにより第１及び第２積層構造を接合する。第１積層構造と第２積層構造の形成の順序は関係がない。
【００２０】
図３〜図９は本発明の各種実施例による第１積層構造の形成工程を示す。図３に示されるように、テンポラリー成長基板２０３をまず供給し、それから発光構造２０２を形成する複数の半導体層を順にテンポラリー成長基板２０３の一側上に成長させる。該発光構造２０２は、通電により発光する活性ｐｎ接合層を包含する。該発光構造２０２は通常、しかし必ずではないが、複数のＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層を包含する。発光構造２０２の精密な細部は本発明では厳密に追求されない。参照しやすいように、発光構造２０２に向いた全ての方向及び発光構造２０２に近い位置は上部方向或いは上部位置と称され、反対側は底部方向或いは底部位置と称される。テンポラリー成長基板２０３について考慮すべき主要な事柄は、発光構造２０２の良好な発光率を達成できるようにする、ということである。例えば、テンポラリー成長基板２０３は発光構造２０２と格子がマッチングするＧａＡｓのような材料で形成する。
【００２１】
それから、図４に示されるように、非合金オームコンタクト層２０４をエピタキシャル成長ツール、真空蒸着、スパッタ、或いはプレーティング技術を用いて発光構造２０２の上に堆積させる。非合金オームコンタクト層２０４の形成は、発光構造２０２のための第１成長工程の直後に、同じ反応器内で実施可能である。他の実施例では、発光構造２０２及びテンポラリー成長基板２０３を包含するエピタキシャル構造が別個に製造され、保存される。それから、非合金オームコンタクト層２０４が保存されたエピタキシャル構造の上に堆積される。
【００２２】
該非合金オームコンタクト層２０４は、以下に限定されるわけではないが、選択的に透明或いは吸光性、ｐ型或いはｎ型ドープとされ、半導体層は通常少なくとも１Ｅ１９／ｃｍ3 を有する。非合金オームコンタクト層２０４の典型的な例は、これに限定されないが、炭素ドープＡｌＡｓ、炭素ドープＧａＰ、炭素ドープＡｌＰ、炭素ドープＡｌＧａＡｓ、炭素ドープＩｎＡｌＡｓ、炭素ドープＩｎＧａＰ、炭素ドープＩｎＡｌＰ、炭素ドープＡｌＧａＰ、炭素ドープＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＡｓＰ、炭素ドープＡｌＧａＩｎＰ、炭素ドープＡｌＧａＩｎＡｓ、炭素ドープＩｎＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＧａＡｓＰ、炭素ドープＡｌＩｎＡｓＰ、炭素ドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＡｓ、マグネシウムドープＧａＰ、マグネシウムドープＡｌＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＡｓ、マグネシウムドープＩｎＡｌＡｓ、マグネシウムドープＩｎＧａＰ、マグネシウムドープＩｎＡｌＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＰ、マグネシウムドープＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＩｎＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＩｎＡｓ、マグネシウムドープＩｎＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＧａＡｓＰ、マグネシウムドープＡｌＩｎＡｓＰ、マグネシウムドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＡｓ、亜鉛ドープＧａＰ、亜鉛ドープＡｌＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＡｓ、亜鉛ドープＩｎＡｌＡｓ、亜鉛ドープＩｎＧａＰ、亜鉛ドープＩｎＡｌＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＰ、亜鉛ドープＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＩｎＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＩｎＡｓ、亜鉛ドープＩｎＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＧａＡｓＰ、亜鉛ドープＡｌＩｎＡｓＰ、亜鉛ドープＩｎＧａＡｌＡｓＰ、炭素ドープＩｎＰ、炭素ドープＩｎＡｓ、炭素ドープＧａＡｓ、炭素ドープＩｎＡｓＰ、マグネシウムドープＩｎＰ、マグネシウムドープＩｎＡｓ、マグネシウムドープＧａＡｓ、マグネシウムドープＩｎＡｓＰ、亜鉛ドープＩｎＡｓ、亜鉛ドープＧａＡｓ、亜鉛ドープＩｎＡｓＰを包含する。上述のドープ化合物半導体は成分組成により光学透過性或いは光学吸収性を具備する。
【００２３】
図５に示されるように、非合金オームコンタクト層２０４を、その堆積の後、選択的にエッチングして複数の凹部２０４１を形成する。これは図４に示されるとおりである。凹部２０４１を有することの利点は、それらが注入電流分布の制御を助けることにある。凹部２０４１の別の利点は、それらが非合金オームコンタクト層２０４が選択的に吸光材料で形成された時の光の吸収を減らすことにある。エッチングの深さは通常、発光構造２０２の一部が露出するものとされる。
【００２４】
それから図６に示されるように、真空蒸着、堆積、スパッタ、或いはプレーティング技術を用いて第１金属層２０５を形成し、非合金オームコンタクト層２０４を被覆する。第１金属層２０５は。反射鏡として機能し、ゆえに、発光構造２０２より第１金属層２０５に向けて発射される光は反射され発光構造２０２へと戻る。第１金属層２０５は純金属或いは金属窒化物、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、窒化チタン（ＴｉＮｘ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮｘ）で形成される。純金属或いは金属窒化物は伝統的な合金反射鏡の代わりに採用され、これにより優れた反射性を達成すると共に高いアニール温度を回避できる。非合金オームコンタクト層２０４が発光構造２０２と第１金属層２０５の間に堆積されて、必要な低抵抗導電を達成する。
【００２５】
別の実施例では、図７に示されるように、第１金属層２０５の形成の前に光学透過性と導電性を有する第１誘電層２０５１を非合金オームコンタクト層２０４の上に形成する。その目的は、第１金属層２０５と非合金オームコンタクト層２０４との、そして凹部２０４１がある場合は、発光構造２０２との融合を防止し、第１金属層２０５の反射面の平坦度と反射率を維持することにある。第１誘電層２０５１は通常、透明電気伝導性酸化物（ＴＣＯ）で形成される。典型的な例は、これに限定されるものではないが、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ）、アンチモンドープＳｎＯ、フッ素ドープＳｎＯ、りんドープＳｎＯ、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウムドープＺｎＯ、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、カドミウム酸化物（ＣｄＯ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ）、銅カルシウム酸化物（ＣｕＣａＯ）、及びストロンチウム銅酸化物（ＳｒＣｕＯ）。
【００２６】
他の実施例において、図８に示されるように、ウエハーボンディング工程の出来をよくするため、第２金属層２０６が基板２０７と第１金属層２０５の間に配置されうる。第２金属層２０６は純金属或いは合金で形成され、本発明のＬＥＤ構造を形成するためのウエハーボンディング工程において基板２０７への結合力を強化するために設けられる。同様に、第２金属層２０６の第１金属層２０５との融合を防止し、及び第１金属層２０５の反射性を維持するため、第２誘電層２０６１が第１金属層２０５と第２金属層２０６の間に配置され得て、それは図９に示されるとおりである。
【００２７】
注意されたいことは以下のとおりである。第１金属層２０５は反射鏡として作用し、選択的な性質の第２誘電層２０６１は重要性をもたない。更に、図９のＬＥＤ構造が垂直形態で配置された電極を具備するなら、第２誘電層２０６１は導電性を具備し、これにより導電経路が電極間に形成される。図９中のＬＥＤ構造がプラナー形態で配置された電極を具備するなら、第２誘電層２０６１の導電性の有無はプラナー電極の配置に影響を与えない。更なる細部については後述する。
【００２８】
また、図９の第１積層構造の上に、追加の一対の誘電層、及び、金属層が設けられることに注意されたい。同様に、これらの追加の誘電層には光学的透過性を具備すること及び電気伝導性を具備することは要求されず、及びこれらの追加の金属層は純金属又は合金で形成されうる。第２誘電層２０６１及びこれらの追加の誘電層は、上述したように、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ）、アンチモンドープＳｎＯ、フッ素ドープＳｎＯ、りんドープＳｎＯ、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウムドープＺｎＯ、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、カドミウム酸化物（ＣｄＯ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、銅アルミニウム酸化物（ＣｕＡｌＯ）、銅カルシウム酸化物（ＣｕＣａＯ）、及びストロンチウム銅酸化物（ＳｒＣｕＯ）、及び金属窒化物、例えばＴｉＮｘ、ＺｒＮｘ（これらは光学的透過性を具備しない）、或いは絶縁材料、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で形成されうる。
【００２９】
図１０〜図１２は本発明の各種実施例の第２積層構造を示す。図１０に示されるように、第２積層構造の最も簡単な構造は、ただ永久基板２０７のみを包含する。他の選択可能な実施例では、少なくとも第３金属層２０８が該永久基板２０７の上に、真空蒸着、堆積、スパッタ、或いはプレーティング技術を用いてを用いて図１１のように形成される。第２金属層２０６と同様に、第３金属層２０８は純金属或いは合金で形成され、その目的は、ウエハーボンディング工程の出来を良くすることにある。第３金属層２０８の堆積の後、光学アニール工程を続いて実行することで第３金属層２０８の電気伝導性或いは接合性を改善できる。
【００３０】
ウエハーボンディング工程後の最終的ＬＥＤ構造において、第１金属層２０５はほとんどの光線を基板に向けて反射するため、基板２０７の工学的性質は重要ではない。基板２０７は半導体基板、金属基板、或いは他の適合する基板とされる。基板２０７は電気的に伝導性を有するか、有さないものとされる。導電性基板として典型的な材料は、これに限定されるわけではないが、ドープ（ｄｏｐｅｄ）Ｇｅ、ドープＳｉ、ドープＧａＡｓ、ドープＧａＰ、ドープＩｎＰ、ドープＩｎＡｓ、ドープＧａＮ、ドープＡｌＧａＡｓ、ドープＳｉＣ、ドープＧａＡｓＰ、Ｍｏ、Ｃｕ、及びＡｌを包含する。典型的な非導電性基板２０７’の材料は、これに限定されるわけではないが、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＡｓＰ、サファイヤ、ガラス、水晶、及びセラミックを包含する。
【００３１】
基板２０７が導電性であるか否かが後続のチップ工程中に最終的なＬＥＤ構造の電極をどのようにするかに影響する。基板２０７が非導電性であれば、電極はプラナー形態で配置されなければならない。基板２０７が導電性であれば、電極は垂直形態或いはプラナー形態のいずれにも配置されうる。ＬＥＤ構造の電極を導電性基板上にプラナー形態に配置するなら、絶縁層２０７１が追加の第３金属層２０８の形成の前に基板２０７上に直接形成され、これは図１２に示されるとおりである。絶縁層２０７１は以下の材料のいずれかで形成される。即ちＳｉＮｘとＳｉＯｘ- である。絶縁層２０７１の形成は基板２０７に酸化工程を実施することで達成される。注意されたいことは、少なくとも一つの第２誘電層２０６１及び追加の誘電層が非導電性であれば、必ずしも絶縁層２０７１を設ける必要はないということである。誘電層は通常、必要な絶縁を提供できないため、絶縁層２０７１は設けられ得る。また、良好な絶縁性能のため、絶縁層２０７１は非導電性の基板２０７についても、同様に実施されうる。
【００３２】
ここまでで、第１積層構造と第２積層構造が形成された。それから、ウエハーボンディング工程が、図６〜９に示される第１積層構造と図１０〜図１２に示される第２積層構造を接合するために実施され、第１積層構造の上面が第２積層構造の上面に接合される。ウエハーボンディング工程中に、分離したボンディング材が、第２金属層２０６と第３金属層２０８のほかに採用されうる。テンポラリー成長基板２０３はそれから除去される。テンポラリー成長基板２０３の除去は発光構造２０２が永久基板２０７に結合された後に実施され、発光構造２０２が薄過ぎることによる問題がこれにより回避される。必要であれば、テンポラリー成長基板２０３はウエハーボンディング工程の前に除去することも可能である。以上で、本発明によるＬＥＤ構造が形成される。ウエハーボンディング工程及びテンポラリー成長基板の除去は関係技術に通じた者にとって周知である。図１３から図１６は図１０の第２積層構造が図６〜９の第１積層構造と結合された構造を示す。図１７〜図１８は図９の第１積層構造が図１１〜図１２の第２積層構造に結合された構造を示す。
【００３３】
反射鏡を発光構造にウエハーボンディングする周知の技術と比較すると、本発明は直接第１金属層２０５（即ち反射鏡）で発光構造２０２を、ウエハーボンディング工程に先立ち、真空中で被覆する。反射鏡の反射表面は直接ウエハーボンディング工程中のボンディングインタフェースに関係しない。ゆえに、反射表面の粗さ及び反射鏡の反射表面に対する反応及び汚染は回避される。本発明の第１金属層２０５はゆえに周知の技術により形成された反射鏡よりも優れた反射率を有する。
【００３４】
続いて、伝統的なチップ工程が実行されてＬＥＤ構造からＬＥＤチップが製造される。これは湿式或いは乾式化学技術による汚れを除去するＬＥＤ構造のクリーニング、及びクリーニング溶剤又は水のベーキングによる除去、或いはウエハースピニング等の作業に加え、本発明のＬＥＤ構造に適切に配置された陽極及び陰極の形成を包含する。垂直電極配置に関しては図１９に示されるように、基板２０７及び全ての誘電層は全て導電性でなければならず、これにより二つの電極２０１及び２０９の間の導電パスが利用可能となる。図２０に示されるように基板２０７が非導電性であるか、図２１に示されるように絶縁層２０７１により絶縁されるなら、電極はプラナー形態で配置されなければならない。プラナー電極配置に関しては、図２０と図２１に示されるように、ＬＥＤ構造の一部が所定深さまでエッチングされて非合金オームコンタクト層２０４と基板２０７の間に位置する金属層の一つが露出させられる。図２０の実施例では、第１金属層２０５が露出するまでエッチングされている。電極２０１と２０９はそれから発光構造２０２と第１金属層２０５の露出領域上にそれぞれ形成される。注意されたいことは、複数の金属層があり、導電パスが電極２０１と２０９の間に形成されている限り、ＬＥＤ構造に対するエッチング深さに限定はないことである。例えば、図２１では、ＬＥＤ構造は第２金属層２０６が露出するまでエッチングされている。前述したように、第２誘電層２０６１が導電性であるか否かがプラナー電極の一つの配置に影響を与える。ゆえに、図２１中の電極２０１及び２０９のプラナー配置が作用するためには、第２誘電層２０６１は導電性でなければならない。反対に、図２０の第２誘電層２０６１は非導電性とされ得て、これはそれが電極２０１と２０９間の導電パス上にないためである。
【００３５】
本発明は以上の好ましい実施例で説明されるが、本発明はこれらの実施例の細部に限定されるものではない。各種の変更及び修飾が前述の説明に基づきなされ得る。ゆえに本発明の範囲は特許請求の範囲の記載に準じるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】周知の発光ダイオード（ＬＥＤ）の典型的構造の断面図である。
【図２】他の周知の発光ダイオードの典型的構造の断面図である。
【図３】本発明の各種実施例の第１積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図４】本発明の各種実施例の第１積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図５】本発明の各種実施例の第１積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図６】本発明の各種実施例の第１積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図７】本発明の各種実施例の第１積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図８】本発明の各種実施例の第１積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図９】本発明の各種実施例の第１積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の各種実施例の第２積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の各種実施例の第２積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の各種実施例の第２積層構造の形成工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施例により製造されるＬＥＤ構造の断面図である。
【図１４】本発明の実施例により製造されるＬＥＤ構造の断面図である。
【図１５】本発明の実施例により製造されるＬＥＤ構造の断面図である。
【図１６】本発明の実施例により製造されるＬＥＤ構造の断面図である。
【図１７】本発明の実施例により製造されるＬＥＤ構造の断面図である。
【図１８】本発明の実施例により製造されるＬＥＤ構造の断面図である。
【図１９】本発明の第４実施例によるＬＥＤ構造の断面図である。
【図２０】本発明の第４実施例によるＬＥＤ構造の断面図である。
【図２１】本発明の第４実施例によるＬＥＤ構造の断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００  ＬＥＤ
１０２  発光構造
１０３  基板
１０１、１０９  電極
１００’  ＬＥＤ
１０１’、１０９’  電極
１０２’  発光構造
１０３’  基板
２０２  発光構造
２０５  第１金属層
２０４  非合金オームコンタクト層
２０４１  凹部
２０５１  第１誘電層
２０６  第２金属層
２０７  基板
２０６１  第２誘電層
２０８  第３金属層
２０７１  絶縁層
２０３  テンポラリー成長基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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