(57)【要約】    【課題】  基板処理工程を進行させる過程で、待機状態、待ち時間がなくなる様にしてスループットの向上を図る。    【解決手段】  基板が装填される基板搬送容器２が搬入出されるロードポート９と、前記基板搬送容器を所要数収納する容器収納棚１１と、基板移載対象の基板搬送容器が載置される移載棚１９と、前記ロードポート、前記容器収納棚と、前記移載棚との間で前記基板搬送容器を搬送する容器搬送装置１４と、前記移載棚に載置された基板搬送容器内の基板の移載を行う基板移載装置２３と、少なくとも前記容器搬送装置、前記基板移載装置の駆動を制御する制御装置とを具備し、該制御装置は前記移載棚に載置された基板搬送容器内の基板の移載が完了するタイミングに合せて、前記移載棚の基板搬送容器を搬送可能な状態に待機させる様構成された。    【選択図】          図１
2007258340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が装填される基板搬送容器が搬入出されるロードポートと、前記基板搬送容器を所要数収納する容器収納棚と、基板移載対象の基板搬送容器が載置される移載棚と、前記ロードポート、前記容器収納棚と、前記移載棚との間で前記基板搬送容器を搬送する容器搬送装置と、前記移載棚に載置された基板搬送容器内の基板の移載を行う基板移載装置と、少なくとも前記容器搬送装置、前記基板移載装置の駆動を制御する制御装置とを具備し、該制御装置は前記移載棚に載置された基板搬送容器内の基板の移載が完了するタイミングに合せて、前記移載棚の基板搬送容器を搬送可能な状態に待機させる様構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置としては、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、或は所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置、更にバッチ式の基板処理装置について、基板を処理する処理炉が縦型のもの、横型のものがある。以下の説明では、縦型バッチ式の基板処理装置を例に挙げて説明する。
【０００３】
基板処理装置は、主たる構成として基板を収納し、所要の処理を行う処理炉、該処理炉に処理ガス、パージガスを供給するガス供給ライン、前記処理炉内を排気する排気ライン、前記処理炉内で所定枚数の基板を保持する基板保持具、該基板保持具を前記処理炉内に装入、装脱する基板保持具装入脱装置、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板移載装置、更に基板を収納する基板搬送容器、該基板搬送容器を収納する収納棚、前記基板搬送容器を搬送する容器搬送装置等から構成され、前記基板保持具装入脱装置、前記基板移載装置、前記容器搬送装置等は基板の処理工程の進行と共に順次作動し、前記基板保持具の装入、装脱、基板の移載、容器の搬送が実行される。
【０００４】
又、基板処理工程、保持具装入脱工程、基板移載工程、容器搬送工程等、工程が実行される場合の時間は同じではなく、基板の搬送、容器搬送等では、待機状態、待ち時間が発生する。
【０００５】
例えば、従来の基板処理装置では、図７に示される様に、基板移載装置により未処理基板を基板搬送容器から基板保持具に移載した場合、或は基板移載機により処理済基板を基板保持具から基板搬送容器に移載した場合、容器搬送装置が動作中、或は動作指令が発せられ未実行の場合を除くと、基板移載を実行しているタスクから、必ず容器搬送装置に対して、ホーム動作、イニシャル動作が発せられ、容器搬送装置がホーミングポジションに復帰され、更に容器搬送装置に付属するロボットアーム等は初期状態に復帰されていた。
【０００６】
従って、容器に対して基板の移載が完了しているにも拘わらず、容器が搬送されない状態が発生する。即ち、ホーム動作、イニシャル動作が実行されている間は、基板搬送容器の搬送は行われず、又基板移載動作も行われていない状態であり、基板処理装置としては実質上待機状態となっており、待ち時間が発生する。又、待ち時間の発生は、スループット向上を妨げる要因となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板処理工程を進行させる過程で、待機状態、待ち時間がなくなる様にしてスループットの向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板が装填される基板搬送容器が搬入出されるロードポートと、前記基板搬送容器を所要数収納する容器収納棚と、基板移載対象の基板搬送容器が載置される移載棚と、前記ロードポート、前記容器収納棚と、前記移載棚との間で前記基板搬送容器を搬送する容器搬送装置と、前記移載棚に載置された基板搬送容器内の基板の移載を行う基板移載装置と、少なくとも前記容器搬送装置、前記基板移載装置の駆動を制御する制御装置とを具備し、該制御装置は前記移載棚に載置された基板搬送容器内の基板の移載が完了するタイミングに合せて、前記移載棚の基板搬送容器を搬送可能な状態に待機させる様構成された基板処理装置に係るものであり、又ロードポートに載置された基板搬送容器を容器搬送装置により移載棚に搬送し、該移載棚に載置された基板搬送容器内の基板を移載機によりボートに移載し、該ボートを処理炉に装入して基板に所定の処理を実施する基板処理方法であって、前記移載棚の基板搬送容器から前記移載機による移載が完了するタイミングに合せて、前記容器搬送装置を前記移載棚の位置に待機させることを特徴とする基板処理方法に係るものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板が装填される基板搬送容器が搬入出されるロードポートと、前記基板搬送容器を所要数収納する容器収納棚と、基板移載対象の基板搬送容器が載置される移載棚と、前記ロードポート、前記容器収納棚と、前記移載棚との間で前記基板搬送容器を搬送する容器搬送装置と、前記移載棚に載置された基板搬送容器内の基板の移載を行う基板移載装置と、少なくとも前記容器搬送装置、前記基板移載装置の駆動を制御する制御装置とを具備し、該制御装置は前記移載棚に載置された基板搬送容器内の基板の移載が完了するタイミングに合せて、前記移載棚の基板搬送容器を搬送可能な状態に待機させる様構成されたので、基板の移載が完了すると、直ちに基板搬送容器の搬送が実行でき、基板移載から基板搬送容器搬送への移行に際し、無駄な時間が発生せず、スループットが向上するという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１１】
先ず、図１、図２に於いて、本発明が実施される基板処理装置の一例を説明する。
【００１２】
尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理等を行なう縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。
【００１３】
図１及び図２に示されている様に、本発明では、シリコン等からなる基板（ウェーハ）１を搬送する為の基板搬送容器（ウェーハキャリア）として密閉式容器であるポッド２が使用される。
【００１４】
筐体３の正面壁４の正面前方部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口５が開設され、該正面メンテナンス口５を開閉する正面メンテナンス扉６，６が設けられている。
【００１５】
前記正面壁４にはポッド搬入搬出口７が前記筐体３の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口７はフロントシャッタ（開閉機構）８によって開閉される様になっている。
【００１６】
前記ポッド搬入搬出口７の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）９が設置されており、該ロードポート９は前記ポッド２を載置されて位置合せする様に構成されている。該ポッド２は前記ロードポート９上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、又前記ロードポート９上から搬出される様になっている。
【００１７】
前記筐体３内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式のポッド収納棚（容器収納棚）１１が設置されており、該ポッド収納棚１１は複数個のポッド２を保管する様に構成されている。即ち、前記ポッド収納棚１１は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に支持された複数段（図中では３段）の棚板１３とを備えており、各棚板１３はポッド２を複数個宛それぞれ載置した状態で保持する様に構成されている。
【００１８】
前記筐体３内に於ける前記ロードポート９と前記ポッド収納棚１１との間には、ポッド搬送装置（容器搬送装置）１４が設置されており、該容器搬送装置１４は、前記ポッド２を保持して、横行可能、昇降可能、進退可能となっており、前記容器搬送装置１４は横行、昇降、進退の協働により、前記ロードポート９、前記ポッド収納棚１１、ポッドオープナ（容器蓋体開閉機構）１５との間で、ポッド２を搬送する様に構成されている。
【００１９】
前記筐体３内の下方後部には、サブ筐体１６が設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ１を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１８，１８が一対、上下２段に並べられて開設されており、各ウェーハ搬入搬出口１８にはそれぞれ前記ポッドオープナ１５が設置されている。
【００２０】
該ポッドオープナ１５は前記ポッド２を載置する移載棚１９と、前記ポッド２の蓋を着脱する蓋着脱機構２１とを備えている。前記ポッドオープナ１５は前記移載棚１９に載置されたポッド２の蓋を前記蓋着脱機構２１によって着脱することにより、前記ポッド２のウェーハ出入れ口を開閉する様に構成されている。
【００２１】
前記サブ筐体１６は前記容器搬送装置１４や前記ポッド収納棚１１の設置空間から流体的に隔絶された移載室２２を構成している。該移載室２２の前側領域には基板移載装置２３が設置されており、該基板移載装置２３は、ウェーハ１を基板保持プレート２４に所要枚数（図中では５枚）具備し、ウェーハ１を前記基板保持プレート２４に保持した状態で、水平方向に進退、回転、昇降可能となっている。
【００２２】
前記基板移載装置２３は、進退、回転、昇降の協働により基板保持具（ボート）２５に対してウェーハ１を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）する様に構成されている。
【００２３】
前記移載室２２の後側領域には、前記ボート２５を収容して待機させる待機部２６が構成されている。該待機部２６の上方には、処理炉２７が設けられている。該処理炉２７の下端部は、炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）２８により開閉される様に構成されている。
【００２４】
図１に模式的に示されている様に、前記筐体３右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２６右端部との間には前記ボート２５を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）２９が設置されている。該ボートエレベータ２９の昇降台に連結された連結具としてのアーム３１には蓋体としてのシール蓋３２が水平に据付けられており、該シール蓋３２は前記ボート２５を垂直に支持し、前記炉口部を閉塞可能な様に構成されている。
【００２５】
前記ボート２５は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１を整列させた状態で、水平、多段に保持する様に構成されている。
【００２６】
又、前記ボートエレベータ２９に対向した位置に、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３３を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット３４が設置されており、前記基板移載装置２３と前記クリーンユニット３４との間には、図示しないが、ウェーハ１の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置が設置されている。
【００２７】
前記クリーンユニット３４から吹出されたクリーンエア３３は、前記ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記基板移載装置２３、前記待機部２６にある前記ボート２５に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体３の外部に排気されるか、若しくは前記クリーンユニット３４の吸込み側である一次側（供給側）に迄循環され、再び前記クリーンユニット３４によって、前記移載室２２内に吹出される様になっている。
【００２８】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
【００２９】
前記ポッド２が前記ロードポート９に供給されると、前記ポッド搬入搬出口７が前記フロントシャッタ８によって開放され、前記ポッド２は前記容器搬送装置１４によって前記筐体３の内部へ前記ポッド搬入搬出口７から搬入される。
【００３０】
搬入された前記ポッド２は、前記ポッド収納棚１１の指定された前記棚板１３へ前記容器搬送装置１４によって搬送され、一時的に保管された後、前記棚板１３から一方の前記ポッドオープナ１５に搬送されて前記移載棚１９に移載されるか、或は前記棚板１３を経ないで直接前記ポッドオープナ１５に搬送されて前記移載棚１９に移載される。この際、前記ポッドオープナ１５の前記ウェーハ搬入搬出口１８は前記蓋着脱機構２１によって閉じられており、前記移載室２２にはクリーンエア３３が流通され、充満されている。例えば、前記移載室２２にはクリーンエア３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体３の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００３１】
前記移載棚１９に載置された前記ポッド２は、該ポッド２の開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１８の開口縁辺部に押付けられると共に、前記ポッド２の蓋が前記蓋着脱機構２１によって取外され、ウェーハ出入れ口が開放される。
【００３２】
前記ポッド２が前記ポッドオープナ１５によって開放されると、ウェーハ１は前記ポッド２から前記基板移載装置２３によってウェーハ出入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合せ装置（図示せず）にてウェーハ１が整合された後、前記移載室２２の後方にある前記待機部２６へ搬入され、前記ボート２５に装填（チャージング）される。該ボート２５にウェーハ１を受渡した前記基板移載装置２３は前記ポッド２に戻り、次のウェーハ１を前記ボート２５に装填する。
【００３３】
前記基板移載装置２３による一方の前記ポッドオープナ１５の前記ポッド２から前記ボート２５への装填作業中に、他方（下段又は上段）の前記ポッドオープナ１５には前記容器搬送装置１４により別の前記ポッド２が前記ポッド収納棚１１から搬送され、他方の前記ポッドオープナ１５による前記ポッド２の開放作業が同時進行される。
【００３４】
予め指定された枚数のウェーハ１が前記ボート２５に装填されると、前記炉口シャッタ２８によって閉じられていた前記処理炉２７の下端部が、開口される。続いて、ウェーハ１群を保持した前記ボート２５が前記ボートエレベータ２９によって前記処理炉２７内へ装入（ローディング）されていく。
【００３５】
ローディング後は、前記処理炉２７にてウェーハ１に所要の処理が実施される。
【００３６】
処理後は、ノッチ合せ装置でのウェーハ１の整合工程を除き、上述と逆の手順で、ウェーハ１及び前記ポッド２は前記筐体３の外部へ払出される。
【００３７】
図３により、上記基板処理装置に用いられる処理炉２７の一例を説明する。
【００３８】
該処理炉２７は加熱機構としてのヒータ３６を有する。該ヒータ３６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース３７に支持されることにより垂直に据付けられている。
【００３９】
前記ヒータ３６の内側には、該ヒータ３６と同心円に反応管としてのプロセスチューブ４０が配設されている。該プロセスチューブ４０は内部反応管としてのインナチューブ３８と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウタチューブ３９とから構成されている。前記インナチューブ３８は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状である。前記インナチューブ３８の内側には処理室４１が画成されており、該処理室４１に前記ボート２５が装入される。
【００４０】
前記アウタチューブ３９は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径が前記インナチューブ３８の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、前記インナチューブ３８と同心円状に設けられている。該インナチューブ３８と前記アウタチューブ３９との間には筒状空間４９が形成される。
【００４１】
前記アウタチューブ３９の下方には、該アウタチューブ３９と同心円状にマニホールド４２が配設され、該マニホールド４２は、例えばステンレス等からなり、前記インナチューブ３８、前記アウタチューブ３９は前記マニホールド４２によって支持されている。尚、該マニホールド４２と前記アウタチューブ３９との間にはシール部材としてのＯリング４３が設けられている。前記マニホールド４２が前記ヒータベース３７に支持されることにより、前記プロセスチューブ４０は垂直に据付けられた状態となっている。該プロセスチューブ４０と前記マニホールド４２により反応容器が形成される。
【００４２】
前記シール蓋３２にはガス導入部としてのノズル４４が前記処理室４１内に連通する様に接続されており、前記ノズル４４にはガス供給管４５が接続されている。該ガス供給管４５の上流側には、ガス流量調整器（マスフローコントローラ）４６を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ガス流量調整器４６にはガス流量制御部４７が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４３】
前記マニホールド４２には、前記処理室４１内の雰囲気を排気する排気管４８が連通されている。該排気管４８は、前記筒状空間４９の下端部に連通している。
【００４４】
前記排気管４８には下流側に向って圧力検出器としての圧力センサ５１及び圧力調整装置５２が設けられ、前記排気管４８は真空ポンプ等の真空排気装置５３に接続されている。
【００４５】
前記圧力調整装置５２及び前記圧力センサ５１には、圧力制御部５４が電気的に接続されており、該圧力制御部５４は前記圧力センサ５１により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置５２により前記処理室４１内の圧力が所望の圧力（真空度）となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４６】
前記炉口部を開閉する前記シール蓋３２は、例えばステンレス等の金属からなり、円板状に形成されている。前記シール蓋３２の上面には前記マニホールド４２の下端と当接するシール部材としてのＯリング５５が設けられる。
【００４７】
前記シール蓋３２の下側には前記ボート２５を回転させる回転機構５６が設置されている。該回転機構５６の回転軸５７は前記シール蓋３２を貫通して、前記ボート２５に接続されており、該ボート２５を回転可能となっている。前記シール蓋３２は前記ボートエレベータ２９に昇降可能に支持され、該ボートエレベータ２９により前記ボート２５は前記処理室４１に装入、装脱可能となっている。前記回転機構５６及び前記ボートエレベータ２９には、駆動制御部５８が電気的に接続されており、所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４８】
前記ボート２５は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ１を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート２５の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板５９が水平姿勢で多段に複数枚配置された断熱部６１が構成され、前記ヒータ３６からの熱が前記マニホールド４２側に伝わり難くなる様になっている。
【００４９】
前記プロセスチューブ４０内には、温度センサ６２が設置され、該温度センサ６２及び前記ヒータ３６には、温度制御部６３が電気的に接続されており、前記温度センサ６２により検出された温度情報に基づき前記ヒータ３６への通電具合を調整することにより前記処理室４１の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００５０】
前記ガス流量制御部４７、前記圧力制御部５４、前記駆動制御部５８、前記温度制御部６３及び図示しない操作部、入出力部は、基板処理装置全体を制御する主制御装置６５に電気的に接続されている。
【００５１】
次に、上記構成に係る前記処理炉２７を用いて、半導体デバイスの製造工程の１工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ１上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は前記主制御装置６５により制御される。
【００５２】
複数枚のウェーハ１が前記ボート２５に装填されると、該ボート２５は、前記ボートエレベータ２９によって前記処理室４１に装入（ボートローディング）される。この状態では、前記シール蓋３２は前記Ｏリング５５を介して炉口部を気密に閉塞する。
【００５３】
前記処理室４１が所望の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置５３によって真空排気される。この際、前記処理室４１の圧力は、前記圧力センサ５１で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力調整装置５２が、フィードバック制御される。又、前記処理室４１が所望の温度となる様に前記ヒータ３６によって加熱される。この際、前記処理室４１が所望の温度分布となる様に前記温度センサ６２が検出した温度情報に基づき前記ヒータ３６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構５６により、前記ボート２５が回転され、同時にウェーハ１が回転される。
【００５４】
次いで、処理ガス供給源からガスが供給され、前記ガス流量調整器４６にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管４５を流通して前記ノズル４４から前記処理室４１に導入される。導入されたガスは該処理室４１を上昇し、前記インナチューブ３８の上端開口を折返し、前記筒状空間４９を流下して前記排気管４８から排気される。ガスは前記処理室４１を通過する際にウェーハ１の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ１の表面上に薄膜が堆積される。
【００５５】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室４１が不活性ガスに置換されると共に、該処理室４１の圧力が常圧に復帰される。
【００５６】
その後、前記ボートエレベータ２９により前記シール蓋３２が下降されて、炉口部が開口されると共に、処理済ウェーハ１が前記ボート２５に保持された状態で前記処理室４１から引出される。その後、処理済ウェーハ１は前記基板移載装置２３によって前記ボート２５から払出される。
【００５７】
尚、一例迄、本実施の形態の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、酸化膜の成膜に於いては、処理温度６５０〜８００℃、処理圧力９６０〜１０１３ｈＰａ、ガス種、ガス供給流量ＨＣｌ、０．５ｓｃｃｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。
【００５８】
次に、上記した基板処理装置に於ける容器搬送装置１４、基板移載装置２３等駆動系のの制御について説明する。
【００５９】
図４により前記主制御装置６５の駆動系の制御についての概略を説明する。
【００６０】
前記制御装置６５はＣＰＵで代表される演算制御部６６、ハードディスク等で構成される記憶部６７、入出力制御部６８を具備しており、操作部６９及び前記駆動制御部５８は前記入出力制御部６８を介して接続されている。又、ディスプレイ、表示パネル等の表示部８０が接続されている。
【００６１】
前記記憶部６７には、基板処理を実行する為のレシピ、レシピを実行する為の基板処理プログラム等のプログラムが格納されていると共に、処理工程の進行に伴って前記容器搬送装置１４、前記ポッドオープナ１５、前記基板移載装置２３、前記ボートエレベータ２９等の駆動部を駆動制御する為のシーケンスプログラムが格納されている。
【００６２】
尚、該シーケンスプログラムは、各駆動部の駆動タイミング、駆動内容を設定したパラメータを具備しており、又パラメータの一部はユーザの設定項目となっており、前記操作部６９を介して変更可能となっている。
【００６３】
又、ユーザが変更設定する内容としては、例えば前記容器搬送装置１４のホーミングポジション、イニシャルの状態を複数設定する。例えば、第１のホーミングポジション、イニシャルは基板処理装置で予め設定されているもの、第２のホーミングポジション、イニシャルは前記ポッドオープナ１５の上側の移載棚１９のポッド２に対して搬送可能な状態、第３のホーミングポジション、イニシャルは、前記ポッドオープナ１５の下側の移載棚１９のポッド２に対して搬送可能な状態とし、前記第１、第２、第３のホーミングポジション、イニシャルは、前記基板移載装置２３による前記ポッド２へのウェーハ１の装填、脱装状態等、前記基板移載装置２３の動作状態によって選択される様にする。
【００６４】
前記駆動制御部５８は、前記容器搬送装置１４、前記ポッドオープナ１５、前記基板移載装置２３、前記ボートエレベータ２９等の駆動部を個別に駆動制御するサブ制御部７１，７２，７３，７４等から構成され、前記サブ制御部７１，７２，７３，７４は前記演算制御部６６から受けた指令に基づき対応する駆動部を駆動させると共に駆動部の状態、例えば指令の実行中、指令待ち、実行完了等を前記演算制御部６６にフィードバックする。
【００６５】
先ず、図５に於いて、前記ポッド２の搬送の流れ、ウェーハ１の移載の流れを抽出して説明する。
【００６６】
前記ポッド２が前記ロードポート９に供給されると、前記ポッド２は前記容器搬送装置１４によって前記ポッド収納棚１１の指定された前記棚板１３へ搬送されるか、或は直接前記ポッドオープナ１５に搬送されるか、或は前記ポッド収納棚１１から前記ポッドオープナ１５に搬送される。
【００６７】
該ポッドオープナ１５の前記移載棚１９は、ウェーハ１を移載する対象となるポッド２を載置し、前記基板移載装置２３は前記移載棚１９のポッド２と前記ボート２５との間でウェーハ１の移載を行う。
【００６８】
ウェーハ１の移載が完了すると、前記容器搬送装置１４による前記ポッド２の搬送が行われる。例えば、処理済ウェーハ１の前記ボート２５から上側の移載棚１９のポッド２への移載が完了すると、処理済ウェーハ１が装填されたポッド２は前記棚板１３に搬送され、該棚板１３からは未処理ウェーハ１が装填されたポッド２が上側の移載棚１９のポッド２へ搬送される。
【００６９】
次に、ウェーハ１の移載、前記ポッド２の搬送の関連について、図６を参照して説明する。
【００７０】
尚、以下は基板処理が完了し、処理済ウェーハ１を前記ポッド２に移載し、更に該ポッド２を搬送する場合について説明する。
【００７１】
例えば、基板処理が完了し、前記ボート２５が降下され、処理済ウェーハ１の移載タスクが実行される。
【００７２】
前記ポッドオープナ１５の上側の移載棚１９に空のポッド２が載置されており、処理済ウェーハ１は前記基板移載装置２３により上側のポッド２に移載される。移載タスクが実行される過程で、前記容器搬送装置１４に対して後処理要求（コマンド）が発せられ、後処理タスク、即ちポッド２の搬送の実行が要求される。
【００７３】
後処理コマンドが要求されると、前記容器搬送装置１４が後処理コマンドを実行可能な状態であるかどうかがチェックされる。
【００７４】
チェックの条件としては、前記容器搬送装置１４が別のポッド２を搬送途中である、或は前記容器搬送装置１４に既に別のポッド２の搬送要求が発せられている等であり、搬送要求を発して直ちに実行できるか否かがチェックされる。
【００７５】
後処理コマンドが上記の様に実行不能である場合は、前記容器搬送装置１４は別の搬送を完了後、ホーム動作＋イニシャル動作が実行可能かチェックされ、更に要求されたポッド２の搬送を実行する。尚この場合、ホーム動作＋イニシャル動作が行われず、直接ホーミングポジションへ移動される場合がある。
【００７６】
後処理コマンドが実行可能である場合、前記容器搬送装置１４が実質的に停止している場合は、タスクスケジューリングがなされる。タスクスケジューリングは、前記ポッドオープナ１５の前記移載棚１９に載置されているポッド２の状態を勘案して決定される。
【００７７】
例えば、上側の移載棚１９のポッド２が空の状態である場合は、前記第２のホーミングポジション、イニシャル、即ち前記上側の移載棚１９のポッド２に対して搬送可能な状態がホーミングポジション、イニシャルに選択され、前記基板移載装置２３によるウェーハ１の移載が完了する所定時間前に、ホーム動作、イニシャル動作が実行され、ホーム動作、イニシャル動作がウェーハ１の移載完了前に終了する様に、ホーム動作、イニシャル動作の開始時期が設定される。
【００７８】
従って、少なくとも、前記基板移載装置２３による移載動作完了直前には、前記容器搬送装置１４は前記第２のホーミングポジションで待機しており、移載完了後直ちに前記ポッド２の搬送が開始される。従って、ウェーハ１の移載から前記ポッド２の搬送に移行する過程で無駄な時間がなくなり、スループットが向上する。
【００７９】
尚、基板処理前の未処理ウェーハ１が装填されたポッド２を前記ポッドオープナ１５に移載する場合も、同様に実施される。即ち、通常１バッチで処理するウェーハ１の枚数は、複数のポッド２に相当し、未処理ウェーハ１が装填されたポッド２を前記ポッドオープナ１５に供給する場合も同様に実施される。
【００８０】
尚、本発明の対象とする基板処理には、ＣＶＤ法による薄膜の生成の他、ＰＶＤ法による薄膜の生成、或は酸化膜の生成、窒化膜の生成、金属を含む膜の生成、更に、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の基板処理が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明が実施される基板処理装置の概略を示す斜視図である。
【図２】本発明が実施される基板処理装置の概略を示す側断面図である。
【図３】本発明に用いられる処理炉を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に於ける制御装置の要部を示すブロック図である。
【図５】本発明の実施の形態に於ける作動を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態を示すフローチャートである。
【図７】従来例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００８２】
１              ウェーハ
２              ポッド
９              ロードポート
１１            ポッド収納棚
１４            容器搬送装置
１５            ポッドオープナ
１９            移載棚
２３            基板移載装置
２５            ボート
２７            処理炉
２９            ボートエレベータ
５８            駆動制御部
６５            主制御装置
６６            演算制御部
６７            記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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