(57)【要約】【課題】チップ型絶縁基板１の上面に，抵抗膜２と，その両端に対する上面電極３と，前記抵抗膜を覆うカバーコート４とを形成して成るチップ抵抗器において，前記上面電極に，亀裂及び腐食等の欠陥が発生することを，抵抗膜用材料を増加することなく，防止する。【解決手段】前記抵抗膜の幅寸法を，当該抵抗膜のうち少なくともその左右両端において前記上面電極に重なる部分のみを前記上面電極の幅寸法よりも広幅にし，この広幅の左右両端に，前記上面電極の上側に重なって前記カバーコートの外側にまで延びて，前記上面電極のうち前記カバーコートに隣接する部分を幅全体にわたって覆い隠すようにした延長部２ｂを一体的に設ける一方，前記抵抗膜のうちその両端における延長部の間の部分にトリミング溝２ａを設ける。【選択図】図１
2007059934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ型に構成した絶縁基板の上面に，少なくとも，抵抗膜と，その両端に対する上面電極と，前記抵抗膜を覆うカバーコートとを形成し，更に，前記上面電極の表面を覆って金属メッキ層を形成して成るチップ抵抗器において，
前記抵抗膜の幅寸法を，当該抵抗膜のうち少なくともその左右両端において前記上面電極に重なる部分のみを前記上面電極の幅寸法よりも広幅にし，この広幅の左右両端に，前記上面電極の上側に重なって前記カバーコートの外側にまで延びて，前記上面電極のうち前記カバーコートに隣接する部分を幅全体にわたって覆い隠すようにした延長部を一体的に設ける一方，前記抵抗膜のうちその両端における延長部の間の部分に，当該抵抗膜に対するトリミング溝を設けたことを特徴とするチップ抵抗器の構造。
【請求項２】
前記請求項１の記載において，前記延長部の表面に，上面電極の表面における金属メッキ層を形成したことを特徴とするチップ抵抗器の構造。
【請求項３】
前記請求項１又は２の記載において，前記カバーコートにおける幅寸法を，前記抵抗膜のうちその両端の前記延長部における幅寸法よりも広幅にしたことを特徴とするチップ抵抗器の構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，チップ型に形成した絶縁基板の表面に抵抗膜を形成する一方，前記絶縁基板の両端に前記抵抗膜に対する端子電極を形成して成るチップ抵抗器において，その構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来，この種のチップ抵抗器は，絶縁基板の上面に抵抗膜と，その両端に対する銀による上面電極とを形成すると共に，ガラスによるカバーコートを前記抵抗膜の全体を覆うように形成する一方，前記絶縁基板における左右両端面に，銀による側面電極を前記上面電極に導通するように形成し，更に，前記両上面電極及び両側面電極の表面に，下地としてのニッケルメッキ層と上層としての錫メッキ層又は半田メッキ層とから成る金属メッキ層を形成すると言う構成にするのが一般的であった。
【０００３】
この従来のチップ抵抗器は，銀による上面電極における表面を，その一部をガラスによるカバーコートで，残りの部分を金属メッキ層で覆うと言う構成であることにより，前記上面電極のうちカバーコートと金属メッキ層との境界部分に，熱膨張差等に起因する応力が集中するから，前記上面電極のうち前記境界部分に亀裂が発生し，抵抗値が変動するばかりか，上面電極と抵抗膜とが分断されると言う不具合があった。
【０００４】
そこで，先行技術としての特許文献１は，前記した不具合を解消するために，抵抗膜の両端部を，上面電極の上側にしてカバーコートの外側にまで延長し，この延長部の表面にも，上面電極の表面における金属メッキ層を形成することを提案している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし，この先行技術は，抵抗膜の両端部を，上面電極の上側にしてカバーコートの外側まで延長すると言う構成にしているものの，抵抗膜における幅寸法を，上面電極の幅寸法よりも狭くすると言う構成にしたものであることにより，上面電極のうち左右両外側の部分は，前記抵抗膜の両端における延長部にて覆われていないから，この部分の表面には，ガラスによるカバーコートと，上面電極の表面に形成した金属メッキ層との境界部が存在している。
【０００６】
このために，上面電極のうち抵抗膜の延長部より外側の部分には，カバーコートとの熱膨張差等に起因する応力集中にて亀裂が発生し，この亀裂が，抵抗膜の延長部で覆われた部分まで進行すると言うおそれがあり，しかも，上面電極のうち抵抗膜の延長部より外側の部分には，熱膨張差のために，金属メッキ層とカバーコートとの間に隙間ができ，チップ抵抗器を腐食性ガスの雰囲気で使用したとき，前記上面電極のうち前記隙間の部分に腐食が発生し，この腐食が，抵抗膜の延長部で覆われた部分まで進行するおそれがあるから，抵抗値が変動すること，及び，上面電極と抵抗膜とが分断されることを充分に消去することができないと言う問題があった。
【０００７】
本発明は，この問題を確実に解消できるようにしたチップ抵抗器の構造を提供することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この技術的課題を達成するため本発明の請求項１は，
「チップ型に構成した絶縁基板の上面に，少なくとも，抵抗膜と，その両端に対する上面電極と，前記抵抗膜を覆うカバーコートとを形成し，更に，前記上面電極の表面を覆って金属メッキ層を形成して成るチップ抵抗器において，
前記抵抗膜の幅寸法を，当該抵抗膜のうち少なくともその左右両端において前記上面電極に重なる部分のみを前記上面電極の幅寸法よりも広幅にし，この広幅の左右両端に，前記上面電極の上側に重なって前記カバーコートの外側にまで延びて，前記上面電極のうち前記カバーコートに隣接する部分を幅全体にわたって覆い隠すようにした延長部を一体的に設ける一方，前記抵抗膜のうちその両端における延長部の間の部分に，当該抵抗膜に対するトリミング溝を設けた。」
ことを特徴としている。
【０００９】
また，本発明の請求項２は，
「前記請求項１の記載において，前記延長部の表面に，上面電極の表面における金属メッキ層を形成した。」
ことを特徴としている。
【００１０】
更にまた，本発明の請求項３は，
「前記請求項１又は２の記載において，前記カバーコートにおける幅寸法を，前記抵抗膜のうちその両端の前記延長部における幅寸法よりも広幅にした。」
ことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
このように，上面電極のうちカバーコートに隣接する部分を，抵抗膜の両端における広幅の延長部にて幅全体にわたって完全に覆い隠すことにより，カバーコートとの間における熱膨張差に起因する応力集中を抵抗膜における延長部にて分散できるから，上面電極に亀裂が発生することを確実に防止できるのであり，しかも，金属メッキ層とカバーコートとの間に隙間ができても，この隙間内に上面電極が露出することがないから，チップ抵抗器を腐食性ガスの雰囲気で使用したときに上面電極に腐食が発生することを確実に防止できるのである。
【００１２】
従って，本発明によると，抵抗値の変動すること，及び，上面電極と抵抗膜との間に分断が発生することのない信頼性の高いチップ抵抗器を提供できる効果を有する。
【００１３】
しかも，本発明によると，前記抵抗膜のうち両上面電極に対して重なる部分のみを，上面電極よりも広幅に構成したことで，前記抵抗膜のうち前記両上面電極間の部分を上面電極と同じ幅か狭い幅に構成できるから，抵抗膜を形成する材料を節減できる。
【００１４】
その上，前記抵抗膜のうちその両端における延長部の間の部分に，当該抵抗膜に対するトリミング溝を設けたことで，前記抵抗値を調節するために刻設するトリミング溝の長さを短くでき，抵抗膜のトリミング調節が，抵抗膜を全体にわたって広幅に構成する場合より迅速に行うことができる利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下，本発明の実施の形態を，図１及び図２の図面について説明する。
【００１６】
この図において，符号１は，チップ型に構成した絶縁基板を示し，この絶縁基板１の上面には，抵抗膜２と，この抵抗膜２の両端に電気的に接続した左右一対の上面電極３と，前記抵抗膜２を覆うガラス製のカバーコート４とが形成されている。
【００１７】
一方，前記絶縁基板１の下面には，その左右両端部に下面電極５が，前記絶縁基板１の左右両端面には，前記上面電極３と下面電極５とを電気的に接続する側面電極６が各々形成され，更に，前記両上面電極３，両下面電極５及び両側面電極６の表面には，下地としてのニッケルメッキ層と上層としての錫メッキ層又は半田メッキ層とから成る金属メッキ層７が形成されている。
【００１８】
なお，前記抵抗膜２には，その抵抗値が所定の抵抗値の許容範囲内に入るように調節するためのトリミング溝２ａが刻設されている。
【００１９】
そして，前記抵抗膜２における幅寸法を，当該抵抗膜２のうち少なくともその左右両端において前記両上面電極３に重なる部分のみを前記上面電極の幅寸法Ｗ１よりも大きい幅寸法Ｗ０の広幅にし，この広幅の左右両端に，前記両上面電極３の上側に重なって前記カバーコート４よりも外側にまで延びる延長部２ｂを一体的に設ける一方，前記抵抗膜２のうちその両端における延長部２ｂの間の部分に，当該抵抗膜２における抵抗値を調整するためのトリミング溝２ａを刻設する。
【００２０】
更に，前記上面電極３，両下面電極５及び両側面電極６の表面に形成する金属メッキ層７を，前記抵抗膜２における両延長部２ｂの表面にも形成すると言う構成にするとともに，前記カバーコート４における幅寸法を，前記抵抗膜２のうちその両端の前記延長部２ｂにおける幅寸法よりも広幅に構成する。
【００２１】
このように構成することにより，両上面電極３のうちカバーコート４に隣接する部分を，抵抗膜２の両端における広幅の延長部２ａにて幅全体にわたって完全に覆い隠すことができるから，カバーコート４との間における熱膨張差に起因する応力集中を抵抗膜２における延長部２ａにて分散することができ，両上面電極３に亀裂が発生することを確実に防止できるのであり，しかも，金属メッキ層７とカバーコート４との間に隙間ができても，この隙間内に上面電極３が露出することを抵抗膜２の両端における広幅の延長部２ａにて阻止できるから，チップ抵抗器を腐食性ガスの雰囲気で使用したときに両上面電極３に腐食が発生することを確実に防止できるのである。
【００２２】
その上，前記抵抗膜２のうちその左右両端において両上面電極３に対して重なる部分のみを，上面電極３よりも広幅に構成したことにより，前記抵抗膜２のうち両上面電極３の間の部分を上面電極３と同じ幅か狭い幅に構成することができるから，抵抗膜２を形成する材料を節減できると共に，これに抵抗値を調節するために刻設するトリミング溝２ａの長さが短くでき，抵抗膜のトリミング調節が，抵抗膜を全体にわたって広幅に構成する場合より迅速に行うことができる利点を有する。
【００２３】
また，前記した構成のチップ抵抗器は，大まかに言って，先づ，絶縁基板１の下面に，下面電極５を形成し，次いで，絶縁基板１の上面に上面電極３を形成したのち抵抗膜２を形成し，この抵抗膜２に対するトリミング調整と，カバーコート４の形成とを行ったのち，側面電極６を形成し，最後に，バレルメッキ処理により金属メッキ層７を形成すると言う順序で製造される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態のチップ抵抗器を示す一部切欠平面図である。
【図２】図１のII−II視断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１                            絶縁基板
２                            抵抗膜
２ａ                          トリミング溝
２ｂ                          延長部
３                            上面電極
４                            カバーコート
５                            下面電極
６                            側面電極
７                            金属メッキ層
【図１】
2007059934.tif 000003
【図２】
2007059934.tif 000004