(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルにおいて、ガラス基板に溝部を形成し導電性材料を埋め込んで表示電極対を形成する際に、溝部と表示電極対との間に隙間ができる。このため、ガラス基板と表示電極対を覆うように誘電体層を形成すると、誘電体層にクラックが発生し、誘電体層の耐電圧が低くなる。【解決手段】前面板２側のガラス基板３に設けられた溝部１６において、溝部１６の側面とガラス基板３の放電空間１５側表面との交差部が略円弧状になるように形成し、この溝部１６に導電性材料を埋め込んで表示電極対６を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とが放電空間を介して対向に配置され、前記両基板周囲が封着されているプラズマディスプレイパネルであって、
前記第１基板の放電空間側に形成された溝部と、
前記溝部に埋め込まれている電極と、
前記第１基板上に設けられた誘電体層とを備え、
前記溝部側面と前記第１基板の前記放電空間側表面との第１交差部が略円弧状であるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記溝部の側面と前記溝部の底面との第２交差部が略円弧状である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記誘電体層は、一酸化珪素を主成分とし、膜厚が１μｍ以上２０μｍ以下である請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１交差部における両端を結ぶ直線と、前記第１基板表面との角度が３０度以上７０度以下である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記第２交差部における両端を結ぶ直線と、前記溝部底面との角度が３０度以上７０度以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
第１基板と第２基板とを放電空間を介して対向させ、前記両基板周囲を封着する工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第１基板に感光性被覆層を形成する工程と、
前記感光性被覆層に所定パターンを形成する工程と、
前記所定パターンを用いて前記第１基板に溝部を形成する工程と、
前記感光性被覆層を除去する工程と、
前記第１基板の前記放電空間側表面と前記溝部側面の交差部を略円弧状に形成する工程と、
前記溝部に導電性材料を塗布して電極を形成する工程と、
前記基板と前記電極との上に前記誘電体層を形成する工程と、
を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記溝部の側面と前記溝部の底面との交差部を略円弧状に形成する工程を有する請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記所定パターンを用いて前記第１基板に溝部を形成する工程において、前記溝部の側面と前記溝部の底面との交差部を略円弧状に形成する請求項６または請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記溝部の側面と前記溝部の底面との交差部を略円弧状に形成する工程と、前記第１基板の前記放電空間側表面と前記溝部側面の交差部を略円弧状に形成する工程とが、照射方位が変更可能なサンドブラスト装置を用いて行なわれる請求項６から請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記サンドブラスト装置より前記溝部に照射されるビーズの粒径が、5μｍ以下である請求項６から請求項９のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイおよびその製造方法に関わり、特に、誘電体層の絶縁破壊防止を改善することを目的としている。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）について、図７を用いて説明する。ＰＤＰ２３は、前面パネル２４と背面パネル３２とで放電空間３８を挟む構造となっている。前面パネル２４には、ガラス基板２５上に、複数の維持電極２６、走査電極２７から成る表示電極対２８、ブラックストライプ層２９、誘電体層３０、保護層３１が形成されている。背面パネル３２には、背面ガラス基板３３上に、複数のアドレス電極３４、誘電体層３５、隔壁３６、蛍光体層３７が形成されている。放電空間３８には、放電ガスとして、例えば、NeとXeからなる混合希ガス等が封入されている。
【０００３】
しかし、ガラス基板２５の上に設けられた複数の表示電極対２８は、ガラス基板２５に対して数μｍ〜数十μｍの段差を有している。この表示電極対２８上に設けられた誘電体層３０には、表示電極対２８の段差が反映され、厚さ分布（段差）が生じる。その結果、焼成工程において、この段差上の誘電体層３０に歪みがかかるため、クラックが発生し、ＰＤＰの絶縁耐圧が大幅に低下してしまうという不具合が生じていた。
【０００４】
これらの課題を解決するために、ガラス基板面と電極面とが同一平面と成るようにする（段差をなくす）ために、ガラス基板上に溝を掘り、表示電極を埋め込むことが知られている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−１４３６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図８は、ガラス基板３９上に溝部４０を設け、この溝部４０に表示電極４１を埋め込んだ構造の従来例を示した断面図である。このように、溝部４０の側面が、基板表面から底部まで垂直に切り立った構造では、ＡｇやＡｌ等の金属材料を主成分とする表面電極４１を焼成する際に、電極材料自身の表面張力によって焼結をおこし、球状に収縮する。このため、埋め込まれた表示電極４１と溝部４０の間に数μｍ程度の間隙４２が発生する。この表示電極対４１上に誘電体層４３として、スクリーン印刷やダイコート法等の塗布プロセスを用いた誘電体ガラスを形成した場合、この間隙４２に誘電体材料が完全に充填されないため、誘電体層４３と表示電極４１の間に空隙４２ができる。したがって、表示電極４１に電圧を印可した際、この間隙４２に強電界がかかり誘電体層４３が絶縁破壊する。
【０００６】
また、数μｍから十数μｍの薄い膜厚の誘電体層４３では、図８のように、間隙４３を完全に被覆できないため、誘電体層４２の絶縁耐圧が更に低下していた。また、蒸着法、スパッタ法やCVD法等の真空プロセスの手法を用いて誘電体層４３の膜厚を数十μｍにした場合、隙間４２上に設けられた誘電体層４３の厚みが１μｍ以下と非常に薄く形成されるため、絶縁体耐圧が低下していた。
【０００７】
本発明は、このような従来の課題を解決したもので、誘電体層の絶縁破壊を防止した信頼性の高いPDP及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のＰＤＰは、第１基板と第２基板とが放電空間を介して対向に配置され、前記両基板周囲が封着されているプラズマディスプレイパネルであって、前記第１基板の放電空間側に形成された溝部と、前記溝部に埋め込まれている電極と、前記第１基板上に設けられた誘電体層とを備え、前記溝部側面と前記第１基板の前記放電空間側表面との交差部が略円弧状であるという構成となっている。
【０００９】
また、本発明の製造方法は、第１基板と第２基板とを放電空間を介して対向させ、前記両基板周囲を封着する工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記第１基板に感光性被覆層を形成する工程と、前記感光性被覆層に所定パターンを形成する工程と、前記所定パターンを用いて前記第１の基板に溝部を形成する工程と、前記感光性被覆層を除去する工程と、前記第１基板の放電空間側表面と前記溝側面の交差部を略円弧状に形成する工程と、前記溝部に導電性材料を塗布して電極を形成する工程と、前記基板と前記電極との上に前記誘電体層を形成する工程とを有している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、誘電体層の絶縁破壊を防止したPDP及びPDPの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の以下に示す実施の形態及び各図面は例示を目的とし、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、各図面においては、説明の便宜のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示すこととする。
【００１２】
（実施の形態１）
１．（全体の構成）
図１は、本発明の第１の実施例に係るPDPを示す概略図である。PDP１の各部の説明に先立ち、このPDP１の概要を示す。
【００１３】
前面板２において、ガラス基板３は溝部１６を有し、この溝部１６にＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ等を主成分とする導電性材料が埋め込まれ、維持電極４、走査電極５からなる表示電極対６が形成される。誘電体層７は、ガラス基板３と表示電極対６とを被覆している。更に、誘電体層７上にＭｇＯからなる誘電体保護膜８が形成されている。
【００１４】
背面板９は、ガラス基板１０上にストライプ状に設けられた複数のアドレス電極１１と、ガラス基板１０とアドレス電極１１とを覆う誘電体層１２と、隣接するアドレス電極１１間の領域にアドレス電極１１と平行に延びる絶縁性の隔壁１３と、誘電体層上から隔壁１３の側壁面上に沿って設けられた蛍光体層１４から構成されている。放電空間１５内で、対抗する電極間にプラズマ放電を生じさせ、上記放電空間１５内に封入されている主にＮｅ、Ｘｅ等のガスから発生した紫外線を、蛍光体層１４にあてることにより画像表示を行うものである。
【００１５】
ここで、溝部１６において、第１基板の放電空間１５側表面と溝部１６の側面との交差部（以下、「エッジ部」と略す）が略円弧状となっている。
【００１６】
溝部側面の断面形状が底部まで垂直に切り立っている従来の溝形状（図８）では、溝部に電極材料を充填しても、焼成後球状に収縮するため、溝のエッジ部に間隙が深く発生し、誘電体層を完全に被覆することが難しい。本発明では、図２に示すように、このエッジ部が略円弧形状であるため、金属電極６がこの曲面に沿うように収縮する。このため、ガラス基板３と電極対６間に急激な段差が発生せず、誘電体層７を連続的に隙間なく形成できる。このため、前面板２の誘電体層７の絶縁破壊が激減し、信頼性の高いプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【００１７】
また、溝部１６において、溝部１６の底面と溝部１６の側面との交差部が滑らかな略円弧形状となっている。この構成により、電極対６は、この滑らかな曲面に沿って焼結するため、溝部１６と表示電極対６の隙間を更に低減することができる。このため、誘電体層７の絶縁不良率を更に低下させることができる。
【００１８】
さらには、溝部１６の底面と溝部１６の側面との交差部が略円弧状となっているため、外光を散乱させることができ、コントラストが向上した視認性の高い優れたプラズマディスプレイパネルが得られる。
【００１９】
２．（前面板２に係るガラス基板３、電極対６、誘電体層７、溝部１６の構成）
ここでは、PDP１の前面板２に係る、本発明要部の構成についてより具体的に説明する。
【００２０】
（前面ガラス基板３、溝部１６）
図３（a）、（ｂ）は、PDP１の溝部の断面図である。ここでは、説明の便宜のため、図１に示したPDPの他の構成は、特に図示しているものを除き省略している。前面ガラス基板３には、放電空間側１５表面から内部に向けて、エッジ部の断面形状が曲面である溝部１６が形成されている。
【００２１】
なお、この円弧における接線の傾きの変化率は常に正、もしくは常に負である。
【００２２】
ここで、曲面である交差部の両端を結ぶ直線と、前記ガラス基板３表面との角度であるθ１（図３（a）に示す）は、３０度以上７０度以下の範囲であることが好ましい。これにより、表示電極６との隙間を最も低減でき、誘電体層７を連続的に被覆することができる。
【００２３】
また、円弧状である交差部の両端を結んだ線と前記溝底面との角度であるθ２（図３（ｂ）に示す）は、３０度以上７０度以下の範囲であることが好ましい。これにより、表示電極６との隙間を更に低減できる。
【００２４】
なお、溝部１６に充填される表示電極対６は放電空間１５で発生した可視光を透過しない。このため、表示電極対６の幅が溝部からはみ出さない、または、溝幅１７が小さい程、セルの開口面積（放電空間で発生した可視光を通過する面積）が広くなり、輝度を高くすることができる。
【００２５】
（電極対６）
電極対６には、Ａｇを主成分とする材料が溝部１６に隙間無く埋め込まれている。なお、電極対６の上面は、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示したように、ガラス基板３表面と比較して、縦方向（図４のＸ方向）に高い（ａ）、同じ高さ（ｂ）、低い（ｃ）のいずれの場合であってもよい。
【００２６】
ここで、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す矢印１７を、前面板２から観察した表示電極の幅１７とする。上記のとおり、表示電極対６は放電空間１５で発生した可視光を透過できないため、表示電極対６の幅が狭い方ほどセルの開口面積（放電空間で発生した可視光を通過する面積）が広くなり、輝度が高くなる。表示電極幅の１７は、図４（ａ）＞（ｂ）＞（ｃ）のため、（ｃ）が最も開口率が高い表示電極となる。すなわち、横方向（図４のＹ方向）にはみ出ていない形状（ｃ）がより望ましい。
【００２７】
（誘電体層７）
本実施の形態において、誘電体層７は、真空中内で成膜する手法を用いて作製されたものである。真空中内で成膜する手法とは、例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法をいい、これらの方法により、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を主成分とする膜を形成する。なお、誘電体層７の膜厚は２０μｍ以下あれば誘電体層７の絶縁耐圧は保たれるが、誘電体層７としての効果を十分に発揮するためには１μｍ以上形成する方が望ましい。
【００２８】
なお、本実施の形態は、緻密で純度の高いＳｉＯ２膜が形成できる真空中成膜手法を用いて作成された誘電体層７を用いて説明したが、ガラス誘電体をペースト化して塗布し焼成する手法を用いた作成された誘電体層７であってもよい。
【００２９】
なお、本発明は、前面パネルに係る誘電体層７に限定するものではなく、背面パネルにおいてもエッジ部を曲面とすることで同様の効果を奏する。
【００３０】
３．（製造方法）
[前面板２]
まず、上述したPDP１の前面板２に係る各部の製造方法について述べる。
【００３１】
図５を用いて前面板２を作製する工程（１）〜（８）について説明する。
【００３２】
工程（１）  前面板２となるガラス基板３を用意し、この上に、感光性のネガ型ドライフィルムレジスト（厚さ５０μｍ）１９をラミネートして形成する。
【００３３】
工程（２）  ドライフィルムにフォトマスクを用いてフォトリソグラフィー法にて表示電極を形成する場所に、開口幅１００μｍの開口パターン２０を形成する。
【００３４】
工程（３）  基板上面からサンドブラスト装置２１によって基板にカーボランダムビーズあるいは、アルミナビーズを当てて、ドライフィルムレジストの開口部のガラス基板上に溝部１６を形成する。
【００３５】
溝部の側面と溝部の底部の交差部が略円弧状で滑らかな形状になるように、ビーズの大きさは、開口幅に対してその直径が１／４〜１／２０程度の大きさである５μｍ〜２５μｍの粒径を用いた。また溝深さは５μｍ〜２０μｍとなるようサンドブラスト時の噴射圧力を０．２MＰa〜０．５MPａに調節し、表示電極を形成する。
【００３６】
工程（４）  基板を剥離液に浸水してドライフィルムレジストを剥離する。
【００３７】
工程（５）  サンドブラスト装置２２によって再びガラス基板表面３のエッジ部を切削して、溝部１６のエッジ部を略円弧状にする。溝部１６のエッジ部をアール加工するには、このエッジ表面の荒さを小さくするため、５μｍ以下の粒径のカーボランダムビーズあるいは、アルミナビーズを用いることが好ましい。
【００３８】
工程（６）  表示電極６は、ディスペンサ法によって溝部１６に、例えば、Ａｇ電極ペーストを埋め込み、５００℃〜６００℃で焼成する。Ａｇペーストは、粘度を５０Ｐａ・s〜１０００Ｐａ・ｓに調整してガラス基板３の溝部１６内に塗布する。
【００３９】
工程（７）  表示電極上に真空中成膜手法を用いて誘電体層７を形成する。
【００４０】
工程（８）  誘電体層７の上に真空蒸着法で、ＭｇＯを主成分とする保護層８を０．６μｍ成膜する。
【００４１】
次に、真空中成膜手法を用いた誘電体層７の製造方法についての詳細を以下に説明する。
【００４２】
誘電体層７は、例えば、比誘電率が３．５〜４．５程度のシリコン酸化膜を３〜２０μｍの範囲で形成すればよい。例えば、被覆性の高いプラズマＣＶＤ装置を用いて形成する。これによって、表示電極対６に沿って誘電体層７を形成することができる。
【００４３】
プラズマＣＶＤ装置は一般的なものを用いるので、その構成についての説明を省略する。
【００４４】
以下、プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜を誘電体層７として形成する工程について説明する。
【００４５】
真空容器内に設けられた下部電極上にＰＤＰ材料として用いるガラス基板を載置し、ガス供給装置から上部電極下部に設けられたシャワガスーヘッドを通じて例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ヘリウム（Ｈｅ）、酸素（Ｏ２）を原料ガスとして供給しつつ、ポンプで真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に保ちながら、上部電極に上部電極用高周波電源より例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給し、下部電極に下部電極用高周波電源より例えば１ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、原料ガスをプラズマ化させて、その反応性を高め、ガラス基板３上にシリコン酸化膜を誘電体層７として形成する。
【００４６】
なお、プラズマＣＶＤ法によれば、表示電極６の表面形状に沿って、均一的な厚みでシリコン酸化膜が形成される。当該シリコン酸化膜の表面形状は、表示電極の表面形状と略同形状となるので、本願発明には好適である。
【００４７】
誘電体層上の保護膜は、実施の形態１と同様に真空蒸着法で、保護層８（MｇO）を０．６μｍ成膜すればよい。
【００４８】
[背面板９]
背面板９の作製方法について、以下説明する。
【００４９】
アドレス電極１１は、背面板のガラス基板３上に感光性Ａｇペーストを印刷法で全面に塗布形成後、フォトリソグラフ法にて、巾１００μｍのＡｇ電極を形成する。その後、５００℃〜５７０℃で焼成する。
【００５０】
背面板９の誘電体ガラス層１２は、ガラス基板１０およびアドレス電極１１上に、誘電体ガラスペーストを用いてスクリーン印刷により形成する。例えば、誘電体ガラスペーストは、軟化点が５５０℃以上の酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）―酸化亜鉛（ＺｎＯ）−酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）−酸化硅素（ＳｉＯ２）−酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）−酸化カルシウム(ＣａＯ)含むガラス粉末と、平均粒子径が０．１μｍ〜０．５μｍの酸化チタン（ＴｉＯ２）あるいはＡｌ２Ｏ３とを添加すればよい。白色誘電体層１２の形成方法やペーストの作製方法は、前面パネル２の誘電体層７と同様の方法である。誘電体層１２の焼成温度は、５７０℃〜５９０℃で、その膜厚は８μｍ〜１５μｍとした。
【００５１】
隔壁１３は、アドレス電極１１上の誘電体層１２上に形成する。まず、カラス粉末として、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系のガラスを５０重量％〜７０重量％と、フィラーとして、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＢａＯのうちの少なくとも一種を１０重量％〜２５重量％と、少なくとも感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合開始剤、溶剤を含む感光性有機成分８重量％〜１５重量％とを含む感光性ペーストを印刷法でガラス基板１０上の誘電体層１２上に全面に塗布形成後、フォトリソグラフィー法にて、隔壁１３形状を形成し、５７０℃〜５９０℃で焼成して隔壁１３を所定のピッチで固着する。
【００５２】
蛍光体層１４は、隔壁１３に挟まれた各空間内に、赤色（Ｒ）蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体の中の１つを配設することによって蛍光体層１４を形成する。各色Ｒ，Ｇ，Ｂの蛍光体としては、一般的にＰＤＰに用いられている蛍光体を用いることができるが、ここでは次の蛍光体を用いる。
【００５３】
赤色蛍光体  ：  （Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ３＋
緑色蛍光体  ：  Ｚｎ２ＳｉＯ４：ＭｎとＹＢＯ３：Ｔｂの混合蛍光体
青色蛍光体  ：  ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋
上記の隔壁１３内に入れる蛍光体の作製方法については、各蛍光体粉末５０重量％，エチルセルローズ１．０重量％、溶剤（α−ターピネオール）４９重量％から成る蛍光体混合物をサンドミルで混合撹はんし、０．１Ｐａ・s〜１０Ｐａ・ｓとした塗布液を用いて、ストライプ形状の隔壁１３内に、この塗布液をノズルから噴射させるラインジェット塗布法で、隔壁１３間に蛍光体を塗布後５００℃で１０分間焼成し、蛍光体層１４を形成し、背面板９を作製する。
【００５４】
[ＰＤＰ]
ＰＤＰの作製は、前述のようにして作製した前面板２と背面板９とを封着用ガラスを用いてはり合わせると共に、隔壁１３で仕切られた放電空間１５内を、背面ガラス基板に同じく封着用ガラスを用いて取り付けた排気管から高真空（１×１０-4Ｐａ）に排気した後、所定の組成の放電ガスを所定の圧力で封入することによってＰＤＰを作製する。
【００５５】
なお、本実施形態では、ＰＤＰのセルサイズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合するよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、画素数が１９２０×１０８０、表示電極の電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。
【００５６】
また、封入する放電ガスの組成は、従来から用いられているＮｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量を１５体積％以上に、封入圧力は５０ＫＰａ〜６０ＫＰａに設定することで、セルの発光輝度の向上を図っている。
【００５７】
（実施例１）
本願実施の形態のＰＤＰにおける絶縁耐圧と外光反射の効果について図６を用いて示す。
【００５８】
図中の試作サンプル１〜１０は、本願発明の前面板を用いたパネルで、溝部１６に図４の（１）〜（８）の工程を施した。
【００５９】
試作サンプル１から５は、エッジ部を略円弧状にするアール加工が施された溝部１６を有する前面ガラス基板２を用いてパネル化した試料である。各サンプルは、エッジ部におけるθ１を２０度、３０度、４５度、７０度、８０度の条件で形成した。
【００６０】
試作サンプル６から１０は、各エッジ部に加えて、溝底面と溝側面との交差部を滑らかな略円弧状にするアール加工が施された溝形状を有する前面ガラス基板２を用いてパネル化した試料である。各サンプルは溝底部のθ２を２０度と、３０度、４５度、７０度、８０度の条件で形成した。
【００６１】
また、比較例として、試作サンプル１１及び１２のパネルを作製した。
【００６２】
試作サンプル１１は、前面基板３に溝部１６が設けられているが、エッジ部も、溝底面と溝側面との交差部もアール加工が施されていない前面ガラス基板を用いてパネル化した。
【００６３】
試作サンプル１２は、前面ガラス基板上に直接表示電極を形成した前面ガラス基板を用いてパネル化した。
【００６４】
また、試作したすべてのパネルに係る誘電体層７は、ＳｉＯ２膜を主成分とし、厚さが５μｍとした。
【００６５】
［作用と効果］
試作サンプル１〜１２のＰＤＰについて、４２インチのＰＤＰパネルを１００枚ずつ作製し、これらパネルの絶縁耐圧測定を行った。絶縁耐圧は、表示電極６とアドレス電極１１間に５００Ｖ、パルス電圧を印加した時に、前面パネル２の誘電体層７が破壊するかどうかを調べその結果を図６に記した。
【００６６】
試作サンプル１１（比較例）は、クラックは発生しなかったが、表示電極６と溝部１６との間に１．５〜３μｍの隙間ができ、耐圧不良が９．８％発生した。
【００６７】
試作サンプル１２（比較例）は、基板３に溝部１６が形成されていないため、前面板２の誘電体層７を観察すると、表示電極６の端部と、ガラス基板３の溝のエッジ部にクラックが見られた。そして、パネルの絶縁耐圧試験不良が１５．４％発生した。
【００６８】
本実施例の試作条件１〜５のＰＤＰは、溝部の隙間が観察されず、絶縁耐圧不良の発生は比較例１１、１２よりも激減した。特に、θ１が３０度では、０．４％、４５度では０．３１％、７０度では０．４３％と、θ１が３０度から７０度の範囲で、パネルの絶縁耐圧試験不良率は更に低い結果となった。
【００６９】
また、θ１を４５度に固定した試作条件６〜１０のＰＤＰは、θ２が３０度では、０．０１％、４５度では０．０１％、７０度では０．０２％と、θ２が３０度から７０度の範囲で、パネルの絶縁耐圧試験不良率は更に低い結果となった。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
以上述べてきたように、本発明のプラズマディスプレイパネルによると、前面板のガラス基板中に設けられた溝部に電極材料を塗布しても、前記溝側面と前記第１基板の前記放電空間側表面との交差部が略円弧状であるため、急激な段差がなくなり、連続的に隙間なく誘電体層を形成できる。このため前面板側の誘電体層の絶縁破壊が激減し、信頼性の高いプラズマディスプレイパネルを提供できる。また、溝底面と溝側面との交差部が略円弧状となっているため、更に溝部と電極の隙間が無くなり誘電体層の絶縁破壊が減少する。更には、外光を散乱させることができ、コントラストを向上でき、視認性の高い優れたプラズマディスプレイパネルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施の形態に係るＰＤＰを模式的に示す断面図
【図２】本発明の実施の形態に係る前面板を模式的に示す前面図
【図３】本発明の実施の形態に係る溝部を模式的に示す断面図
【図４】本発明の実施の形態に係る電極の形状を模式的に示す断面図
【図５】本発明の実施の形態に係る前面板の製造工程図
【図６】本発明の実施の形態と比較例に係るパネル耐圧不良に対する調査結果を示す図
【図７】従来の形態に係るＰＤＰの主要部を模式的に示す斜視図
【図８】従来の形態に係るＰＤＰの溝部と電極の関係を模式的に示す断面図
【符号の説明】
【００７２】
１    プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
２    前面板
３    第１基板（ガラス基板）
４    維持電極
５    走査電極
６    表示電極対
７    誘電体層
８    誘電体保護膜（ＭｇＯ）
９    背面板
１０    第２基板（ガラス基板）
１１    アドレス電極
１２    誘電体層
１３    隔壁
１４    蛍光体層
１５    放電空間
１６    溝部
１７    溝幅
１８    前面板から観察した電極幅
１９    感光性のネガ型ドライフィルムレジスト
２０    開口パターン
２１，２２    サンドブラスト装置
２３    プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
２４    前面板
２５    ガラス基板
２６    維持電極
２７    走査電極
２８    表示電極対
２９    ブラックストライプ
３０    誘電体層（前面板）
３１    誘電体保護膜（ＭｇＯ）
３２    背面板
３３    ガラス基板
３４    アドレス電極
３５    誘電体層(背面板)
３６    隔壁
３７    蛍光体層
３８    放電空間
３９    前面ガラス基板
４０    溝部
４１    表示電極
４２    焼成後に発生した電極と溝部の隙間
４３    誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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