(57)【要約】【課題】水分に起因する表示品質の信頼性が向上した液晶表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板およびカラーフィルタ基板は、配向膜形成工程において斜方蒸着膜が形成され（ステップＳ１，Ｓ４）、疎水処理工程において疎水性処理としてのシラン処理が施される（ステップＳ２，Ｓ５）。そして、シラン処理された各基板は、セル分断工程（ステップＳ３，Ｓ６）、貼り合せ工程（ステップＳ７）を経て、水分除去工程（ステップＳ８）に移行する。水分除去工程では、真空度が９×１０-9Torrの超高真空中で、各基板上に形成された斜方蒸着膜の表面に吸着する水分の除去が行われる。そして、水分除去されたセル内に液晶が注入される（ステップＳ９）。【選択図】図２
2007140326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に無機配向膜が形成された一対の基板間に液晶層が挟持される液晶表示パネルの製
造方法であって、
前記基板に形成された無機配向膜の表面に疎水性処理を行う疎水処理工程と、
前記疎水処理工程以後に超高真空中で水分除去を行う水分除去工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法において、
前記水分除去を行う前記超高真空の真空度が９×１０-9Torr以下であること特徴とする
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液晶表示パネルの製造方法において、
前記疎水性処理がシラン処理であることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の液晶表示パネルの製造方法において、
前記疎水性処理がアルコール置換処理であることを特徴とする液晶表示パネルの製造方
法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルの製造方法に関し、特に水分に起因する表示品質の信頼性が
が向上した液晶表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、薄型軽量、低消費電力等の長所を有することから、テレビ、パ
ーソナルコンピュータおよびデジタルスチルカメラ等の表示装置として広く使用されてい
る。こうした液晶表示装置を構成する表示デバイスとして、液晶表示パネルが用いられて
いる。
液晶表示パネルは、一般にガラス等の２枚（一対）の基板間に液晶を封入した構造から
なり、カラーフィルタ基板とＴＦＴ（Thin Fim Transistor）基板とを備えている。カラ
ーフィルタ基板には、カラーフィルタ、ブラックマトリックスおよび共通電極等が形成さ
れている。ＴＦＴ基板には、薄膜トランジスタ、ゲートバスライン、ドレインバスライン
および画素電極等が形成されている。これらの各基板の表面には、液晶を所定の方向に配
向させる配向膜が形成される。
【０００３】
液晶表示パネルの各基板に形成される配向膜は、より大きなコントラストを得る目的で
、ＳｉＯ等の無機化合物を用いた無機蒸着膜（斜方蒸着膜）が好ましく用いられてきた。
しかし、斜方蒸着膜は、親水性が高いことから水分を吸湿し易く、基板間に封入された液
晶や薄膜トランジスタの特性が変動することで、残像、焼きつき等、表示特性に影響を及
ぼしていた。
こうした課題に対応するために、形成されたＳｉＯ斜方蒸着膜が２５０〜３００℃でア
ニール処理され、その表面粗度が所定値以下になっている液晶表示素子が知られている（
例えば、特許文献１参照）。また、一対の基板の少なくとも一方の配光膜が、シラン処理
された無機化合物を用いた斜方蒸着膜である液晶表示素子が提案されている（例えば、特
許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特許第３０７７１２６号公報
【特許文献２】特開平８−２２００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１および２に記載される何れの液晶表示素子も、斜方蒸着膜を
形成した後の液晶注入までのセル組立プロセスにおいて、例えば４０％以下の湿度環境下
での作業管理や保管管理、あるいは時間制限管理等が行われた場合であっても、斜方蒸着
膜の表面に微量な吸着水の付着が懸念される。そのため、吸着水をより積極的に除去する
ことが求められている。
そこで本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、水分に起因する表示品
質の信頼性が向上した液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、内面に無機配向膜
が形成された一対の基板間に液晶層が挟持される液晶表示パネルの製造方法であって、前
記基板に形成された無機配向膜の表面に疎水性処理を行う疎水処理工程と、前記疎水処理
工程以後に超高真空中で水分除去を行う水分除去工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
この製造方法によれば、内面に無機配向膜が形成された一対の各基板の表面に、疎水性
処理が施される疎水処理工程と、疎水処理工程以後に超高真空中で水分除去を行う水分除
去工程とを備えることにより、無機配向膜の表面に吸着する水分が取り除かれると共に、
無機配向膜の内部の水分が膜内部に閉じこめられた状態に維持され、基板間に挟持された
液晶層の水分による劣化を防ぐことができる。したがって、水分に起因する表示品質の信
頼性が飛躍的に向上した液晶表示パネルを得ることができる。
【０００８】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、前記水分除去を行う前記超高真空の真空
度が９×１０-9Torr以下であること特徴とする。
この製造方法によれば、疎水処理工程以後に、水分除去工程において真空度が９×１０
-9Torr以下の超高真空中で水分除去が行われることにより、各基板の表面に形成された無
機配向膜の表面に吸着する水分が確実に取り除かれると共に、無機配向膜の内部の水分を
膜内部に閉じこめられた状態に維持することができる。
【０００９】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、前記疎水性処理がシラン処理であること
を特徴とする。
この製造方法によれば、疎水性処理がシラン処理であることにより、無機配向膜の表面
に水分が吸着し難くすると共に、無機配向膜の内部の水分を膜内部に閉じこめることがで
きる。
【００１０】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、前記疎水性処理がアルコール置換処理で
あることを特徴とする。
この製造方法によれば、疎水性処理がアルコール置換処理であることにより、無機配向
膜の表面に水分が吸着し難くすると共に、無機配向膜の内部の水分を膜内部に閉じこめる
ことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。なお、本実施形態は、ＴＦＴ（Thin
Fim Transistor）素子を備えたアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルを用い
場合を例示する。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る液晶表示パネルの製造方法によって製造される液晶表示パネ
ルの要部構造を示す断面模式図である。
図１において、液晶表示パネル１００は、ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０と
を備えている。ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０とは、ガラスビーズ等のスペー
サ（図示せず）を介して互いに対向するように配置され、各々の周縁部がシール材３０に
よって互いに接着されている。ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０との隙間には液
晶層４０が挟持されている。
【００１３】
ＴＦＴ基板１０は、例えば、透明なガラス基板１１を有している。ガラス基板１１の内
面（液晶層４０側の面）には、ゲート線１４およびソース線１５の透明な配線が縦横に交
差するように配置されると共に、これらの配線により囲まれるマトリックス状の多数の各
領域に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透明な画素電極１２とスイッチング素子
としてα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子１３を備えている。
【００１４】
一方、カラーフィルタ基板２０は、透明なガラス基板２１を有している。ガラス基板２
１の内面にはカラーフィルタ２２が形成されている。カラーフィルタ２２は、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に対応する３つのストライプ状の着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２
Ｂが１組となり、その３つの着色層の組が多数形成されている。この各着色層を区画する
位置には、各着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂへの光りの混入を防止するための遮光層ＢＭ
が形成されている。なお、各着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、ＴＦＴ基板１０の各画素
電極１２と対向している。
【００１５】
また、カラーフィルタ２２を覆うように平坦化層２３が形成されている。平坦化層２３
は、透明膜であり、例えば、アクリルまたは感光性の有機膜である。平坦化層２３は、平
坦化する機能の他に、液晶表示パネル１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食
や汚染から、カラーフィルタ２２を保護する機能を有する。さらに、平坦化層２３の内面
には、平坦化層２３を覆うように、ＩＴＯ等からなる透明の共通電極２４が形成されてい
る。
【００１６】
このように構成されたＴＦＴ基板１０およびカラーフィルタ基板２０の内面には、基板
からの立ち上がり角（チルト角）を含む所定の方向に液晶を配向させる配向膜が形成され
ている。本実施形態における配向膜は、無機化合物を用いた無機蒸着膜としての斜方蒸着
膜５０および６０が形成されている。斜方蒸着膜５０は、ＴＦＴ基板１０の内面に形成さ
れたゲート線１４、ソース線１５および画素電極１２と、ＴＦＴ素子１３を覆うようにし
て形成されている。また、斜方蒸着膜６０は、同様に、カラーフィルタ基板２０の共通電
極２４の内面に、共通電極２４を覆うように形成されている。斜方蒸着膜５０，６０を形
成する無機化合物としては、酸化ケイ素、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化ジ
ルコニウム等が挙げられる。このうち、酸化ケイ素を好ましく用いることができる。
【００１７】
さらに、斜方蒸着膜５０が形成されたＴＦＴ基板１０の内面には、疎水性処理により形
成された疎水層７０が形成されている。同様に、斜方蒸着膜６０が形成されたカラーフィ
ルタ基板２０の内面には、疎水性処理により形成された疎水層８０が形成されている。
疎水層７０，８０は、疎水性処理としてシラン処理されたシランカップリング剤の分子
層からなる。
【００１８】
次に、以上のように構成された液晶表示パネルの製造方法について説明する。なお、製
造方法は、完成したＴＦＴ基板１０およびカラーフィルタ基板２０の内面に、斜方蒸着膜
５０，６０を形成する配向膜形成工程から液晶注入工程までのセル組立プロセスについて
説明する。
【００１９】
図２は、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法の概要を示す工程図である。
液晶表示パネルの製造にあたり、完成したＴＦＴ基板１０およびカラーフィルタ基板２
０が準備される。準備されるＴＦＴ基板１０およびカラーフィルタ基板２０は、複数枚に
分断される大判シートの形態で工程に投入される。
【００２０】
先ず、配向膜形成工程（ステップＳ１）において、ＴＦＴ基板１０のガラス基板１１上
に形成されたゲート線１４、ソース線１５および画素電極１２と、ＴＦＴ素子１３を覆う
ように斜方蒸着膜５０が形成される。
斜方蒸着膜５０の形成は、真空蒸着装置を用い、蒸発源として、タンタル製のボートに
純度９９．９９％程度のＳｉＯ2粉末を載置し、ボートを抵抗加熱することにより、蒸着
角度（基板の法線とボートの鉛直線との成す角度）１１０°〜７０°、膜厚２５０〜１２
００ÅのＳｉＯ2からなる斜方蒸着膜５０を形成した。
そして、斜方蒸着膜５０が形成されたＴＦＴ基板１０は、疎水処理工程に移行する。
【００２１】
疎水処理工程（ステップＳ２）では、配向膜形成工程において形成された斜方蒸着膜５
０の表面に、疎水性処理としてのシラン処理を施して、斜方蒸着膜５０を覆うようにシラ
ンカップリング剤の分子層からなる疎水層７０が形成される。
シラン処理は、加熱したシランカップリング剤の蒸気に、ＴＦＴ基板１０の斜方蒸着膜
５０が形成された面を曝すことにより行われる。例えば、トリメチルクロロシランのシラ
ンカップリング剤がトルエンの溶媒中に溶解した溶液を、略１２０℃に加熱、沸騰させ、
その蒸気に３０分程度曝して処理される。
【００２２】
なお、シラン処理に用いられるシランカップリング剤としては、トリメチルクロロシラ
ンの他に、トリエチルクロロシラン、トリクロロフェニルシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、ジクロロメチルシラン、ジクロロエチルシラン、ジクロロメチルフェニルシラン、ト
リメチルクロロシラン、トリメチルヨードシラン、トリメチルシアノシラン、ジメチルク
ロロシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、トリエチルクロロシラン、トリ−ｎ−プ
ロピルクロロシラン、トリ−ｎ−ブチルクロロシラン、トリフェニルクロロシラン、トリ
メチルシリルイミダゾール、トリメチルシリルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノト
リメチルシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、
テトラメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ'−ビス（トリメチルシリル）尿素、Ｎ，Ｎ'−ビス（ト
リエチルシリル）尿素、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ−トリメチルシリ
ルフェニル尿素のようなシリル化剤や、トリメトキシメチルシラン、トリエトキシメチル
シラン、トリメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシジメチ
ルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジエトキシメチルシラ
ン、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン等が挙げられる。
そして、シラン処理されたＴＦＴ基板１０は、セル分断工程に移行する。
【００２３】
セル分断工程（ステップＳ３）では、シラン処理されたＴＦＴ基板１０が、レーザ加工
法等を用いて、所定の分断位置に沿って切断され、セル単位に分断される。
【００２４】
一方、カラーフィルタ基板２０については、ＴＦＴ基板１０と同様に、配向膜形成工程
（ステップＳ４）、疎水処理工程（ステップＳ５）を経て、セル分断工程（ステップＳ６
）においてセル単位に分断される。なお、カラーフィルタ基板２０の各工程は、ＴＦＴ基
板１０と同様であり、その説明を省略する。
そして、セル単位に分断されたＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０は、貼り合わ
せ工程に移行する。
【００２５】
貼り合わせ工程（ステップＳ７）は、セル単位に分断されたＴＦＴ基板１０とカラーフ
ィルタ基板２０とが、貼り合わせられる。
貼り合わせは、斜方蒸着膜等が形成された各基板の面を互いに対向するように配置して
、ガラスビーズ等からなるスペーサを介して、各基板の周縁部がシール材３０によって、
所定の隙間寸法に互いに接着される。
そして、ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０とが貼り合わされたセル（以後、セ
ルと表す）は、水分除去工程に移行する。
【００２６】
水分除去工程（ステップＳ８）では、ＴＦＴ基板１０およびカラーフィルタ基板２０に
形成された斜方蒸着膜５０，６０に吸着する水分の除去が行われる。
水分除去は、セルが、超高真空装置のチャンバ内に投入されて行われる。超高真空装置
としては、公知のターボ分子ポンプとロータリーポンプ等からなる排気系を２系統備え、
２系統の排気系が隔離バルブにより隔離される構造を有し、真空度が１×１０-11Torr程
度に到達可能な真空装置が用いられる。本実施形態においては、超高真空装置の真空度を
９×１０-9Torrに設定し、チャンバ内の真空度が９×１０-9Torrに到達後、常温雰囲気の
チャンバ内に、３０分程度保持されて、斜方蒸着膜５０，６０の表面に吸着する水分の除
去が行われる。
【００２７】
なお、超高真空装置の真空度の値は、一般的な気体分子運動論の教科書に記述されてい
るように、装置の真空系の残留ガスの分子が被対象物の表面を覆うことのないように、４
×１０-11程度が必要であるとされている。しかしながら、本実施形態においては、真空
度を９×１０-9Torrに設定して各基板の水分除去を行った。もちろん、真空度は９×１０
-9Torr以下であってもよいし、９×１０-9Torr以下であればより好ましい。
【００２８】
また、超高真空装置は、セルの投入前に、チャンバ内を２００℃程度の温度で数時間加
熱するベーキングを行うことが好ましい。これにより、チャンバ内の吸着ガスが取り除か
れ、短時間の内に所定の真空度に達することができると共に、真空度を維持することがで
きる。
そして、斜方蒸着膜５０，６０に吸着する水分の除去が行われたセルは、超高真空装置
のチャンバ内から取り出されて、液晶注入工程に移行する。
【００２９】
液晶注入工程（ステップＳ９）では、セルのＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０
との隙間に、液晶が注入され、シールされる。
液晶注入は、例えば、真空環境下で注入口に強誘電性液晶が滴下されて、セルのＴＦＴ
基板１０とカラーフィルタ基板２０との隙間に強誘電性液晶が注入される。これにより、
ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０との隙間に液晶層４０が挟持された、図１に示
す液晶表示パネル１００が完成する。なお、水分除去が行われたセルのチャンバ内の取り
出しから、液晶注入までの間は、湿度４０％未満に湿度管理された環境内で作業が行われ
るのが望ましい。
【００３０】
なお、セル組立プロセスにおいて、配向膜形成工程（ステップＳ１）後、あるいはセル
分断工程（ステップＳ３）後に、必要に応じて、水洗浄およびＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）洗浄を行うことができる。また、ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０との
貼り合わせが、大判シートの形態で行われる場合には，セル単位に分断するセル分断工程
（ステップＳ３，Ｓ６）は、貼り合わせ工程（ステップＳ７）の後に行われるのが好まし
い。
【００３１】
次に、本実施形態における効果の確認を行った。
効果の確認は、リファレンス試料としてＳｉ基板上に斜方蒸着膜のみを形成した第１試
料と、斜方蒸着膜の形成後に疎水性処理（シラン処理）および水分除去を施した第２試料
と、の２種類の試料を作成した。すなわち、第２の試料は、前述の本実施形態の液晶表示
パネルの製造方法に基づいて作成された試料である。
そして、質量分析装置を用いて、作成し第１試料および第２の試料に含まれる水分量の
確認（分析）を行った。なお、高感度で正確な分析を達成するために、リファレンス試料
は、石英ガラス基板に替えてＳｉ基板を用いた。
【００３２】
第１の試料は、１０×１０ｍｍ角のＳｉ基板の表面に膜厚１２００ÅのＳｉＯ2からな
る斜方蒸着膜を形成した。第２の試料は、斜方蒸着膜が形成された第１の試料に対して、
さらに斜方蒸着膜の表面にシラン処理を施し、且つ真空度が９×１０-9Torrに到達した超
高真空装置のチャンバ内に、３０分程度保持して水分除去を行った。なお、各試料の作成
作業は、湿度４０％未満に湿度管理されたクリーンルーム内で行った。
【００３３】
そして、質量分析装置を用いて、作成した第１の試料、および第２の試料に含まれる水
分の質量分析を行った。
斜方蒸着膜のみ形成した第１の試料は、大気圧イオン化法質量分析（ＡＰＩ−ＭＳ：At
mospheric Pressure Ionization Mass Spectroscopy）法を用いて行った。また、斜方蒸
着膜の表面にシラン処理と超高真空による水分除去を行った第２の試料は、より微量水分
の分析が可能な昇温脱離質量分析（ＴＤＳ−ＭＳ：Thermal Desorption Spectroscopy Ma
ss Spectroscopy）法を用いて行った。
【００３４】
図３は、斜方蒸着膜のみを形成した試料（第１の試料）のＡＰＩ−ＭＳ法による分析結
果を示すスペクトルデータである。図４は、斜方蒸着膜の表面に、シラン処理と超高真空
による水分除去を施した試料（第２の試料）のＴＤＳ−ＭＳ法による分析結果を示し、同
図（ａ）はイオン質量数（ｍ／ｚ：質量体電荷比）１８のスペクトルデータ、同図（ｂ）
はｍ／ｚ２のスペクトルデータである。
【００３５】
第１の試料の水分量の解析は、公知のＡＰＩ−ＭＳ装置を用いて行った。
第１の試料を分析チャンバ内に載置し、大気圧のガス導入部にキャリアガスとして流量
１０００ｍｌ／ｍｉｎのＡｒガスを導入して、イオン分子反応でイオン化した第１の試料
に存在するＨ2Ｏ（ｍ／ｚ１８）のイオン強度を、直接四重極型質量分析計で測定した。
なお、イオン分子反応は、常温から７００℃まで間を１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱し
て、熱脱離挙動を測定した。その結果を図３に示す。
【００３６】
図３は、イオン質量数１８（Ｈ2Ｏ）におけるスペクトルデータであり、横軸に温度（
℃）、縦軸にイオン強度を示す。図３において、温度１００℃付近に一つの小ピークαを
示し、再び２００℃付近から増加して２８０℃付近に最大ピークβを示し、その後略一定
値で推移する検出結果が得られた。小ピークαが示すイオン強度は、斜方蒸着膜の表面に
吸着するＨ2Ｏ（水分）であり、最大ピークβ以降の略一定値を示すイオン強度は、斜方
蒸着膜の内部から放出されたＨ2Ｏと推察する。
【００３７】
一方、第２の試料の水分量の解析は、ＴＤＳ−ＭＳ装置（電子科学（株）製、ＥＭＤ−
ＷＡ１０００Ｋ）を用いて行った。
真空度が１０-8Ｐａオーダーに設定された高真空チャンバ内の試料ステージ（石英ステ
ージ）に第２の試料を載置し、試料に導光用石英ロッドを介して赤外光を照射することに
より加熱して、イオン分子反応でイオン化した第２の試料に存在する水分のイオン強度を
、直接四重極型質量分析計で測定した。イオン分子反応は、５０℃から７００℃まで間を
１℃／ｓｅｃの昇温速度で加熱して、脱離ガスの挙動を測定した。
なお、イオン分子反応の測定は、試料を高真空チャンバ内に載置してから略５分間程度
経過して、チャンバ内の圧力が安定した後に開始した。また、加熱温度の側温と制御、お
よび試料の表面温度の側温は、熱電対を用いて行った。
【００３８】
第２の試料の水分量の解析は、イオン化電圧を７０ｅＶに設定した電子衝撃法によるイ
オン化法で、イオン質量ｍ／ｚ１〜２００の範囲をスキャン測定した。測定されたマスス
ペクトルデータ（図示せず）からは、主にｍ／ｚ１（Ｈ），２（Ｈ2），１７（ＯＨ），
１８（Ｈ2Ｏ）のフラグメントピークが検出された。この内、ｍ／ｚ１（Ｈ）とｍ／ｚ１
７（ＯＨ）は、Ｈ2Ｏ由来のフラグメントイオンであると考えられる。したがって、第２
の試料から脱離した水分として、ｍ／ｚ２（Ｈ2）およびｍ／ｚ１８（Ｈ2Ｏ）のスペクト
ルデータに着目すればよいと言える。
【００３９】
図４（ａ）は、ｍ／ｚ２（Ｈ2）におけるスペクトルデータであり、図４（ｂ）は、ｍ
／ｚ１８（Ｈ2Ｏ）のスペクトルデータである。各スペクトルデータの横軸は温度（℃）
、縦軸はイオン強度（Ａ）を示す。なお、イオン強度（Ａ）は装置に依存する値であり、
本装置の場合はイオン強度の値が１．０Ｅ−１０（Ａ）以下を水分無しと判定することが
できる。
【００４０】
図４（ａ）において、ｍ／ｚ２（Ｈ2）のイオン強度は、３００℃付近から急激に増加
し、４００℃付近にピークを示す。その後、減少し、５００℃付近からは一定値で推移す
る検出挙動を示している。
一方、ｍ／ｚ１８（Ｈ2Ｏ）のイオン強度は、図４（ｂ）に示すように、３００℃付近
から急激に増加し、３４０℃付近にピークを示す。その後、減少する検出挙動を示してい
る。
【００４１】
以上に示した第２の試料のペクトルデータにおいて、３００℃付近からの加熱温度で検
出されるイオン強度は、ガラス基板上に形成された斜方蒸着膜の内部から放出された水分
であると推察される。
したがって、石英ガラス基板上に形成された斜方蒸着膜の表面に、疎水性処理としてシ
ラン処理と、超高真空中での水分除去が行われた第２の試料は、斜方蒸着膜のみを形成し
た第１の試料に見られる加熱温度１００℃付近におけるＨ2Ｏの検出がなく、しかも最大
ピーク位置が２８０℃付近に対して３００℃付近に検出されることから、斜方蒸着膜の表
面に吸着する水分が超高真空中で取り除かれると共に、斜方蒸着膜の内部に吸着する水分
を疎水性処理としてシラン処理することにより、閉じこめた状態にすることができる。
【００４２】
なお、斜方蒸着膜の内部に吸着する水分は、３００℃付近からの加熱温度で検出される
ことから、３００℃程度以上のアニール処理等を施して除去することも可能と言えるが、
ＴＦＴ基板１０上に形成されたＴＦＴ素子１３等や、カラーフィルタ基板２０上に形成さ
れたカラーフィルタ２２等の許容温度範囲を大幅に超えるため、好ましい方法とは言えな
い。
【００４３】
また、斜方蒸着膜が形成された試料に、分析装置の異なる真空度を印加したスペクトル
データを多数得ると共に、水分除去工程に用いる超高真空装置に真空度を計測する真空ゲ
ージを設置することにより、製造される各基板の吸着水に対する清浄度を管理することが
できる。
【００４４】
以上に説明した液晶表示パネルの製造方法によれば、ＴＦＴ基板１０に形成された斜方
蒸着膜５０、およびカラーフィルタ基板２０に形成された斜方蒸着膜６０の表面に、疎水
性処理としてシラン処理が施され、且つＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０の貼り
合せ後（液晶注入前）に、真空度９×１０-9Torr以下の超高真空中で水分除去が行われる
ことにより、斜方蒸着膜５０，６０の表面に吸着する極微量な水分が取り除かれると共に
、シラン処理されて形成される疎水層７０，８０により、斜方蒸着膜５０，６０の内部の
水分が、膜内部に閉じこめられた状態に維持され、水分による液晶層４０の劣化を防ぐこ
とができる。したがって、水分に起因する表示品質の信頼性が飛躍的に向上した液晶表示
パネルを得ることができる。
【００４５】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、例えば以下の態様であって
もよい。
【００４６】
前記実施形態では、疎水性処理としてシラン処理を施した場合で説明したが、疎水性処
理としてアルコール置換処理を施してもよい。アルコール置換処理を施すことでシラン処
理と同様な効果が得られる。
アルコール置換処理は、ＴＦＴ基板１０に形成された斜方蒸着膜、あるいはカラーフィ
ルタ基板２０に形成された斜方蒸着膜に、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を沸点付近
に加熱して発生するＩＰＡ蒸気に曝すことにより、斜方蒸着膜の表面に吸着する水分をア
ルコール置換すると共に、斜方蒸着膜の内部に吸着する水分を閉じこめた状態にすること
ができる。
【００４７】
また、前記実施形態では、強誘電性液晶を用い、ＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリ
クス駆動方式の液晶表示パネル１００の場合で説明したが、駆動方式および液晶は、これ
に限定されない。また、液晶表示パネルは、シリコン基板と対向する透明基板の間に液晶
を挟みこむ構造の反射型液晶パネル（ＬＣＯＳ：Liquid Crystal On Silicon）の場合で
あってもよい。さらに、液晶表示デバイスに限定されず、無機配向膜が形成された電気光
学表示素子においても同様に適用することができる。
【００４８】
また、前記実施形態では、疎水処理工程としてのシラン処理は、加熱したシランカップ
リング剤の蒸気に、斜方蒸着膜５０が形成された各基板１０，２０を曝すことにより行っ
たが、クロロシラン系シラン処理剤をアルコール類やベンゼン等の溶媒に溶解した溶液中
に、各基板１０，２０を浸漬させる方法であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施形態に係る液晶表示パネルの製造方法によって製造される液晶表示パネルの要部構造を示す断面模式図。
【図２】液晶表示パネルの製造方法の概要を示す工程図。
【図３】斜方蒸着膜のみを形成した試料のＡＰＩ−ＭＳ法による分析結果を示すスペクトルデータ。
【図４】斜方蒸着膜の表面にシラン処理と超高真空による水分除去を行った試料のＴＤＳ−ＭＳ法による分析結果を示すスペクトルデータであり、（ａ）はｍ／ｚ１８のスペクトルデータ、（ｂ）はｍ／ｚ２のスペクトルデータ。
【符号の説明】
【００５０】
１０…ＴＦＴ基板、１１，２１…ガラス基板、１２…画素電極、１３…ＴＦＴ素子、１
４…ゲート線、１５…ソース線、２０…カラーフィルタ基板、２２…カラーフィルタ、２
２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ…着色層、２３…平坦化層、２４…共通電極、３０…シール材、４
０…液晶層、５０，６０…斜方蒸着膜、７０，８０…疎水層、１００…液晶表示パネル。
【図１】
2007140326.tif 000003
【図２】
2007140326.tif 000004
【図３】
2007140326.tif 000005
【図４】
2007140326.tif 000006