(57)【要約】【課題】金属膜の応力に起因する基板の反りを緩和して、表示不良の発生を少なくできる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板上に金属膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法であって、ガラス基板上に金属膜を形成した後、当該金属膜に対してパターニング処理を行う前に、金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、ガラス基板の反りを緩和することを特徴とする。例えば、加熱処理温度を１５０〜３００℃の範囲内で、加熱処理時間を５〜６０分の範囲内とすることができる。【選択図】図２
2007140231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に金属膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法において、
前記ガラス基板上に前記金属膜を形成した後、当該金属膜に対してパターニング処理を
行う前に、前記金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、前記ガラス基
板の反りを緩和することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱処理温度を１５０〜３００℃の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１に
記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記加熱処理時間を５〜６０分の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１又は２に
記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板が無アルカリガラスからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板は、厚さが０．３〜０．７ｍｍの範囲内の値のガラス基板であることを
特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属膜の形成を、スパッタリング法又は蒸着法のいずれかを用いて行うことを特徴
とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜がクロム膜、タンタル膜、タングステン膜、チタン膜、モリブデン膜、アル
ミニウム膜、亜鉛膜のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
か一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属膜が、配線又はスイッチング素子の一部を構成する金属膜であることを特徴と
する請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
パターニングされた前記金属膜の上層にさらに別の導電性材料膜を形成することを特徴
とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関し、特に、ガラス基板上に金属膜を形成するこ
とによるガラス基板の反りを緩和できる電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様として、対向配置された一対の基板におけるそれぞれの基
板に形成された電極間に電圧を印加して、それぞれの画素の液晶材料を選択的に配向させ
ることによって、部分的に光を透過させ、全体として文字や図形等の画像を表示させる液
晶装置が広く知られている。
この液晶装置を構成する基板には、クロムやタンタル、タングステン等の金属材料から
なる電気配線やスイッチング素子が形成されている。これらの電気配線等は、基板上の全
面に、スパッタリング法や蒸着法によって金属膜を形成した後、当該金属膜を所定形状に
パターニングすることにより形成されている。
【０００３】
より詳細には、スイッチング素子を備えたアクティブマトリクスアレイ基板を形成する
際には、例えば、スパッタリング法を用いて以下のように行われる。まず、ガラス基板上
にタンタルを、スパッタリング法を用いて薄膜形成し非線形抵抗素子の下部電極及び配線
電極の正方形状の配線電極下部パターンを形成する。次いで、陽極酸化法を用いて第１の
金属層の表面に酸化膜を形成し、非線形抵抗素子の絶縁膜とする。次いで、クロムを、ス
パッタリング法を用いて薄膜形成し、非線形抵抗素子の上部電極及び配線電極の配線電極
パターンを形成する。次いで、配線電極下部パターン上に配線電極パターンを形成し、さ
らにＩＴＯを、スパッタリング法を用いて薄膜形成し、表示画素電極を形成してアクティ
ブマトリクスアレイ基板が完成する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−２０９６７４号公報  （全文）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されたようなスパッタリング法を用いた電気配線等の
形成方法では、ガラス基板上の全面に金属膜を成膜した際に、当該金属膜の応力によって
ガラス基板の反りが生じる場合があった。例えば、ガラス基板上にクロム膜を形成した場
合においては、クロムの比較的高い伸張応力によって、クロム膜の形成面側が凹状になる
ように反るおそれがあった。また、ガラス基板上にタンタル膜を形成した場合においては
、タンタルの比較的高い圧縮応力によって、タンタル膜の形成面側が凸状になるように反
るおそれがあった。
このようなガラス基板の反りの問題は、蒸着法を用いて金属膜を形成した場合にも同様
に生じると考えられる。
【０００５】
このような反りが生じたガラス基板を用いて形成された電気光学装置用基板は、電気光
学装置に組み込まれると表示不良の原因になるおそれがある。例えば、反りが生じた基板
上の金属膜に対して、レジスト材料をパターニングした後エッチング処理すると、図４（
ｃ）に示すように、特に基板６１の周辺部近傍において、金属膜６２のエッジ部分６２ａ
が基板面６１Ａに対して垂直な方向から傾斜した状態で形成される場合がある。このよう
な金属膜６２に対して、さらに導電材料６４を積層すると、図４（ｄ）に示すように、下
層の金属膜６２のエッジ部分６２ａで断線を生じて、表示不良となるおそれがあった。
【０００６】
そこで、本発明の発明者らは鋭意検討した結果、ガラス基板上に金属膜を形成した場合
に、パターニング処理を行う前に、金属膜が形成された基板を加熱処理することにより、
このような問題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明は、表面に形成された金属膜によるガラス基板の反りを緩和して、不
良品を少なくすることができる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、ガラス基板上に金属膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法
であって、ガラス基板上に金属膜を形成した後、当該金属膜に対してパターニング処理を
行う前に、金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、ガラス基板の反り
を緩和することを特徴とする電気光学装置の製造方法が提供され、上述した問題を解決す
ることができる。
すなわち、表面に金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、金属膜の
応力によって反りを生じていたガラス基板の反りの程度を小さくすることができる。した
がって、その後のパターニング処理や、上層の形成の精度を高めて、表示不良の少ない電
気光学装置を製造することができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、加熱処理温度を１５０〜
３００℃の範囲内の値とすることが好ましい。
このように実施することにより、金属膜を溶融させることなく応力を緩和して、効率的
にガラス基板の反りを小さくすることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、加熱処理時間を５〜６０
分の範囲内の値とすることが好ましい。
このように実施することにより、他の工程とのタクトタイムを考慮して、効率よく電気
光学装置を製造することができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、ガラス基板が無アルカリ
ガラスからなることが好ましい。
このように実施することにより、融点がより高いガラスからなる基板であるため、ガラ
ス基板の反りをより小さくすることができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、ガラス基板は、厚さが０
．３〜０．７ｍｍの範囲内の値のガラス基板であることが好ましい。
このように実施することにより、金属膜の応力によって反りを生じやすい、比較的薄い
ガラス基板について、反りの程度を小さくすることができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、金属膜の形成を、スパッ
タリング法又は蒸着法のいずれかを用いて行うことが好ましい。
このように実施することにより、ガラス基板の反りを生じやすい金属膜の形成方法を実
施した場合であっても、ガラス基板の反りの程度を小さくすることができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、金属膜がクロム膜、タン
タル膜、タングステン膜、チタン膜、モリブデン膜、アルミニウム膜、亜鉛膜のうちのい
ずれか一つであることが好ましい。
このように実施することにより、比較的高い応力を有する金属膜をガラス基板上に形成
した場合であっても、ガラス基板の反りの程度を小さくすることができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、金属膜が、配線又はスイ
ッチング素子の一部を構成する金属膜であることが好ましい。
このように実施することにより、基板の反りに起因する導電不良を防いで、表示不良の
少ない電気光学装置を効率的に製造することができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、パターニングされた金属膜の上層に
さらに別の導電性材料膜を形成することが好ましい。
このように実施することにより、反りの程度が小さくされたガラス基板上に、精度良く
電極等を形成することができ、表示品位に優れた電気光学装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置の製造方法に関する実施形態について具
体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発
明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１７】
本発明の実施の形態は、ガラス基板上に金属膜を形成する工程を含む電気光学装置の製
造方法であって、ガラス基板上に金属膜を形成した後、当該金属膜に対してパターニング
処理を行う前に、金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、ガラス基板
の反りを緩和することを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
【００１８】
以下、適宜図面を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法について、
ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えた素子基板と、カラーフィルタを備えた対向
基板とを含む液晶装置１０の製造方法を例に採って説明する。ただし、これに制限される
ものではなく、二端子型非線形素子のＴＦＤ素子を備えたアクティブマトリクス型構造の
液晶装置や、スイッチング素子を備えていないパッシブマトリクス型構造の液晶装置をは
じめとして、製造工程において、ガラス基板上に金属膜を形成する工程を含む種々の電気
光学装置に適用することができる。
【００１９】
１．液晶装置
まず、本実施形態の液晶装置の製造方法で製造することができる液晶装置について説明
する。図１は、液晶パネル２０の画素領域部分の断面図を示す。
この図１に示すように、液晶パネル２０は、対向基板３０と素子基板６０とが、それら
の周辺部においてシール材（図示せず）によって貼り合わせられている。また、対向基板
３０、素子基板６０及びシール材（図示せず）によって囲まれる間隙内に液晶材料２１が
封入されている。かかる液晶パネル２０が、プラスチック等からなる筐体に、ＬＥＤ（発
光ダイオード）等の光源とともに収容されることにより、液晶装置が構成される。
【００２０】
また、対向基板３０は、ガラス基板３１上に、カラーフィルタすなわち着色層３７と、
その着色層３７の上に形成された対向電極３３と、その対向電極３３の上に形成された配
向膜４５とを備えている。また、反射領域における、着色層３７と対向電極３３との間に
は、リタデーションを最適化するための絶縁層４１を備えている。
ここで、対向電極３３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって対向基板３０の
表面全域に形成された面状電極である。また、着色層３７は、素子基板６０側の画素電極
６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）
、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメントを備えている。そし
て、着色層３７の間に遮光膜３９が設けられている。
【００２１】
また、対向する素子基板６０は、ガラス基板６１上に、スイッチング素子として機能す
るアクティブ素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９
の上層に形成された画素電極６３とを備えている。
ここで、図１に示す液晶パネル２０における素子基板６０は、画素電極６３が、反射領
域においては反射表示を行うための光反射膜６３ａを兼ねて形成されるとともに、透過領
域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極６３ｂとして形成される。また、画素電極と
しての光反射膜６３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性
材料によって形成される。そして、画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂か
らなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラ
ビング処理が施される。
【００２２】
また、対向基板３０の外側（すなわち、図１の上側）表面には、位相差板４７が形成さ
れ、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわ
ち、図１の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成
されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置
される。
【００２３】
また、ＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート
電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜
７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０
の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層
７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを有する。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３
はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の
横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線
はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向
へ等間隔で平行に複数本形成される。
【００２４】
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線とし
て作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば信
号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区
画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００２５】
ここで、ゲートバス配線及びゲート電極は、例えばクロム、タンタル等によって形成す
ることができる。また、ゲート絶縁膜は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮX）、酸化シリコ
ン（ＳｉＯX）等によって形成される。また、半導体層は、例えばドープトａ−Ｓｉ、多
結晶シリコン、ＣｄＳｅ等によって形成することができる。さらに、コンタクト電極は、
例えばａ−Ｓｉ等によって形成することができ、ソース電極及びそれと一体をなすソース
バス配線並びにドレイン電極は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって形
成することができる。
【００２６】
また、有機絶縁膜８１は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素
子基板６０上の全域に形成されている。但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応
する部分にはコンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３の所で画素電
極６３とＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との導通がなされている。
また、かかる有機絶縁膜８１は、反射領域に対応する領域に、散乱形状として、山部と
谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有している。
この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜６３ａも同様にして凹凸パターンか
ら成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、透過領域には形
成されていない。
【００２７】
以上のような構造を有する液晶パネル２０を備えた液晶装置において、反射表示の際に
は、太陽光や室内照明光などの外光が、対向基板３０側から液晶パネル２０に入射すると
ともに、着色層３７や液晶材料２１などを通過して光反射膜６３ａに至り、そこで反射さ
れて再度液晶材料２１や着色層３７などを通過して、液晶装置から外部へ出ることにより
、反射表示が行われる。
一方、透過表示の際には素子基板６０の背面側に備えられた照明装置が点灯されるとと
もに、照明装置から出射された光が、透光性の透明電極６３ｂ部分を通過し、着色層３７
、液晶材料２１などを通過して液晶装置の外部へ出ることにより、透過表示が行われる。
【００２８】
２．液晶装置の製造方法
次に、図２〜図５を適宜参照して、本発明の電気光学装置の製造方法について、上述し
た構成の液晶装置の製造方法を例に採って説明する。図２は、本実施形態の液晶装置の製
造方法を示すフロー図である。
【００２９】
（１）素子基板の形成
（１）−１  ゲートバス配線及びゲート電極の形成
まず、ステップＡ１として、ガラス基板上に、クロム等の金属材料からなるゲートバス
配線及びゲート電極を形成する。
具体的には、ステップＡ１ａとして、ガラス基板上に、クロムやタンタル等の金属膜を
、スパッタリング法を用いて形成する。例えば、真空槽内において、クロム材料を２００
℃に加熱しつつ、クロム材料のターゲット（蒸発源）からスパッタ粒子を叩きだし、基板
上に、クロム材料からなる金属膜を形成する。このスパッタリング法は、クロムやタンタ
ルの薄膜が形成できる限り、特に制限されるものではない。
なお、金属膜の形成は、上述のスパッタリング法に限定されるものではなく、蒸着法や
、その他の公知の手段により実施することができる。
【００３０】
ここで、スパッタリング法や蒸着法等を用いてガラス基板上に金属膜を形成した結果、
金属膜の有する固有の応力によってガラス基板に反りを生じている場合がある。
例えば、図３（ａ）は、ガラス基板６１上にクロム材料からなる金属膜６２を、スパッ
タリング法を用いて形成した場合におけるガラス基板６１の断面図を示している。このガ
ラス基板６１は、クロム材料が有する比較的大きい伸張応力によって、ガラス基板６１に
おけるクロム膜６２が形成された面６１Ａが凹状となるように反りを生じている。
また、図３（ｂ）は、ガラス基板６１上にタンタル材料からなる金属膜６２を、スパッ
タリング法を用いて形成した場合におけるガラス基板６１の断面図を示している。このガ
ラス基板６１は、タンタル材料が有する比較的大きい圧縮応力によって、ガラス基板６１
におけるタンタル膜６２が形成された面６１Ａが凸状となるように反りを生じている。
【００３１】
次いで、本実施形態の液晶装置の製造方法においては、ステップＡ１ｂとして、金属膜
が形成されたガラス基板を加熱処理することを特徴とする。すなわち、ガラス基板に生じ
ていた反りを緩和して、平坦に近い状態とするためである。
より詳細には、ガラス基板に反りが生じていると、次工程においてレジスト膜を形成す
る際に、図４（ａ）〜（ｂ）に示すように、基板６１の周辺部に近づくにしたがって、レ
ジスト膜１０５のエッジ部分１０５ａが基板面６１Ａに対して垂直な方向から傾斜して形
成されやすくなる。特に、露光処理を行った場合の光の回り込みを考慮すると、それぞれ
のレジスト膜１０５における基板６１の周辺部に近い側のエッジ１０５ａがレジスト膜１
０５の下部に極端に入り込むことが考えられる。
また、このようなエッジ形状のレジスト膜１０５を表面に備えた金属膜６２に対してエ
ッチング処理をすると、図４（ｃ）に示すように、当該金属膜６２のエッジ部分６２ａも
傾斜状に形成されることになる。特に、エッチング液やエッチングガスの浸透具合に応じ
て、金属膜６２のエッジ６２ａが金属膜６２下に食い込むように形成される。
【００３２】
そして、このようなエッジ形状の金属膜６２に対して、上層の電極や配線等の導電材料
６４を重ねて形成すると、図４（ｄ）に示すように、金属膜６２のエッジ部分６４Ａにお
いて断線や切れが生じてしまい、表示不良の原因となってしまう。
そこで、本実施形態の液晶装置の製造方法においては、クロム等の金属膜の形成後、パ
ターニング処理を行う前に、金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、
ガラス基板の反りを緩和して、金属膜のエッジ形状が過度に傾斜状とならないようにして
、さらに上層の導電材料の断線等を防止している。
【００３３】
より具体的には、例えば、真空オーブン内にガラス基板を投入し、１５０〜３００℃の
範囲内の温度で加熱処理することが好ましい。この理由は、クロム等からなる金属膜を溶
融させることがない一方、当該金属膜の応力を効率的に緩和させることができるためであ
る。
また、加熱処理を行う時間を５〜６０分の範囲内とすることが好ましい。この理由は、
加熱処理時間が短いと、基板の反りを緩和させることができない場合があるためである。
一方、加熱処理時間が過度に長いと、作業効率が低下する場合があるためである。
したがって、加熱処理を、例えば、２５０℃、３０分の条件で行うことができる。
【００３４】
ここで、表１を参照して、ガラス基板上にクロム膜をスパッタリング処理によって形成
した基板に対して、処理時間を異ならせて加熱処理した場合における、基板の反りの程度
について説明する。
表１に示すデータは、外形が４７０ｍｍ×３７０ｍｍ、厚さが０．５ｍｍの無アルカリ
ガラスを用いたガラス基板上に、厚さ０．３μｍのクロム膜を形成した基板を用いて測定
したデータである。また、基板の反り量は、図５に示すように、基板６１を支持台１１０
上に載置した状態で、載置台１１３表面から基板６１の最低点Ｐ２までの高さＤ２を、載
置台１１３表面から支持台１１０上面Ｐ１までの高さＤ１から差し引いて求めた値（μｍ
）である。さらに、反り量の相対値は、加熱処理をしない場合の反り量を１００とした場
合の、それぞれの基板の反り量である。
【００３５】
表１中、
基板Ａは、ガラス基板上にクロム膜を形成した後、一切熱処理がなされていない基板で
ある。
基板Ｂは、ガラス基板上にクロム膜を形成した後、真空オーブンを用いて、２００℃×
３０分の条件で加熱処理した基板である。
基板Ｃは、ガラス基板上にクロム膜を形成した後、真空オーブンを用いて、２５０℃×
１０分の条件で加熱処理した基板である。
基板Ｄは、ガラス基板上にクロム膜を形成した後、真空オーブンを用いて、２５０℃×
１０分の条件で加熱処理した後、さらに、２００℃×３０分の条件で加熱処理した基板で
ある。
基板Ｅは、ガラス基板上にクロム膜を形成した後、真空オーブンを用いて、２５０℃×
１０分の条件で加熱処理した後、さらに、２５０℃×１０分の条件で加熱処理した基板で
ある。
基板Ｆは、ガラス基板上にクロム膜を形成した後、真空オーブンを用いて、２５０℃×
１０分の条件で加熱処理した後、さらに、２５０℃×１０分の条件で加熱処理し、さらに
また、２００℃×３０分の条件で加熱処理した基板である。
そして、それぞれの基板を４枚作成し、測定した上で、その平均値を取って示してある
。
【００３６】
【表１】
2007140231.tif 000003
【００３７】
かかる表１に示すように、クロム膜が形成された基板に対して、加熱処理を施すことに
よって、ガラス基板に生じていた反りが緩和されている。さらに、その温度条件や、加熱
時間を制御することにより、反りを緩和させる程度についても、きめ細かく制御できるこ
とが理解できる。
言い換えるならば、配線やスイッチング素子の一部を構成する金属膜であれば０．２〜
１．０μｍ程度の厚さで形成されるが、このような厚さの金属膜に対して、基板の外形が
一辺３００〜５００ｍｍ程度の大きさであって、基板の厚さが０．３〜０．７ｍｍ程度の
ガラス基板を使用するような場合には、金属膜の応力に起因した基板の反りが生じやすい
ところ、本発明の加熱処理を実施することにより、ガラス基板の反りを緩和する効果が得
られやすい。ただし、言うまでもなく、上述のガラス基板の外形や厚さ、金属膜の厚さは
、本発明の適用範囲を限定するものではない。
【００３８】
次いで、ステップＡ１ｃとして、形成されたクロム等からなる金属膜上に、所定形状に
パターニングされたレジスト膜を形成する。より具体的には、感光性樹脂からなるレジス
ト材料層を金属膜上に形成した後、当該レジスト材料層をゲートバス配線やゲート電極の
形状に対応させたパターンマスクを介して露光し、現像することにより、所定形状にパタ
ーニングされたレジスト膜を形成することができる。より具体的には、ポジ型のレジスト
材料である場合には、ゲートバス配線やゲート電極の形成箇所に対応する領域のみ光を透
過させるパターンマスクを用い、ネガ型のレジスト材料である場合には、ゲートバス配線
等の形成箇所に対応する領域のみ遮光させるパターンマスクを用いて、レジスト材料に対
して露光処理を行った後、現像する。
このとき、上述したとおり、ガラス基板が比較的平坦に近い状態にされていることから
、レジスト膜のエッジは、基板面に対して垂直に近い状態で形成される。
【００３９】
次いで、ステップＡ１ｄとして、表面に所定形状にパターニングされたレジスト膜が形
成された金属膜を、フッ酸水溶液等のエッチング液やドライエッチングガス等を用いてエ
ッチング処理する。これによって、パターニングされたゲートバス配線やゲート電極を形
成することができる。
このとき、上述したとおり、レジスト膜のエッジが、基板面に対して垂直に近い状態で
形成されていることから、パターニングされた金属膜のエッジについても、基板面に対し
て垂直に近い状態で形成される。
【００４０】
（１）−２  ソースバス配線及びソース電極、ドレイン電極の形成
次いで、ステップＡ２として、ソースバス配線及びソース電極と、ドレイン電極とを順
次形成する。これらの電極や配線については、用いる材料が異なる点以外は、上述のゲー
トバス配線及びゲート電極の形成方法と同様とすることができる。すなわち、チタン、モ
リブデン、アルミニウム等からなる金属膜を、スパッタリング法や蒸着法を用いて形成し
た後、レジスト膜を形成し、露光現像することにより、これらの電極や配線を精度良く形
成することができる。また、これらの電極や配線等を形成する際に、金属膜の形成後、パ
ターニング処理を行う前に、金属膜が形成された基板を加熱することにより、それぞれの
金属材料が有する応力の影響を緩和して、当該応力に起因した基板の反りを小さくするこ
とができる。
【００４１】
（１）−３  ゲート絶縁膜、コンタクト電極、有機絶縁層の形成
次いで、ステップＡ３として、ゲート絶縁膜、コンタクト電極、層間絶縁層を順次形成
する。例えば、ゲート電極は、酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁材料を積層した後、
例えば、フォトリソグラフィ法を用いて所定パターンに露光現像することによりゲート絶
縁膜を形成することができる。
また、コンタクト電極については、ａ−Ｓｉ等の半導体材料を積層した後、さらに、層
間絶縁層については、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等を積層した後、例えば、フォトリソ
グラフィ法を用いて所定形状にパターニングすることにより形成することができる。
【００４２】
（１）−４  画素電極及び配向膜の形成
次いで、ステップＡ４として、透過領域においては、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電性材
料を用い、反射領域においては、アルミニウム等の反射性の金属材料を用い、ＴＦＴ素子
に対して電気的に接続されるように画素電極を形成する。その後、ガラス基板最表面に配
向膜を形成することにより、素子基板を製造することができる。
【００４３】
（２）対向基板の形成
一方、ステップＢ１〜Ｂ５として、素子基板と対向配置される対向基板としてのカラー
フィルタ基板を形成する。
より具体的には、ガラス基板上に、着色層や遮光層、平坦化膜、対向電極（面状電極）
、配向膜を、それぞれ公知の方法により積層して、カラーフィルタ基板を形成する。
【００４４】
（３）貼合わせ及び液晶材料の配置
次いで、ステップＣとして、それぞれ製造した素子基板及びカラーフィルタ基板を対向
配置するとともに、基板間に液晶材料を配置し、それらの基板をシール材を用いて貼り合
わせることにより液晶パネルを形成する。
例えば、いずれかの基板上に、液晶材料を注入するための開口部を設けたシール材を形
成し、他方の基板と貼り合わせた後、当該開口部から真空注入法等によって液晶材料をセ
ル内に配置することができる。また、一方の基板上に枠状のシール材を形成するとともに
、この枠状のシール材の内部に対応させて、いずれかの基板上に液晶材料を滴下し、それ
らの基板を貼り合わせることによって、液晶材料をセル内に配置することもできる。
【００４５】
（４）組立工程
次いで、ステップＤとして、液晶パネルに対して、半導体素子やフレキシブル回路基板
等を接続するとともに、照明装置等とともに筐体に組み込む。これによって、液晶装置を
製造することができる。
このように製造された液晶装置であれば、ガラス基板の反りを小さくして、それぞれの
金属材料からなる部材のエッジを、基板面に対して垂直に近い状態としてあるために、さ
らに上層の導電部材の断線等を防いで、表示品位に優れるとともに、動作不良の少ない液
晶装置とすることができる。
【００４６】
（５）その他適用例
以上、ＴＦＴ素子を有するアクティブマトリクス型の液晶装置の製造方法を例に採って
説明したが、他にも、ＴＦＤ素子を有するアクティブマトリクス型の液晶装置をはじめと
して、金属膜を形成する工程を含む電気光学装置を製造する際に適用することができる。
【００４７】
４．応用例
本発明の応用例として、本実施形態の液晶装置の製造方法により得られた液晶装置を備
えた電子機器について具体的に説明する。
まず、図６は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機
器は、液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有している。また、
図６中では、液晶パネル２０を、パネル構造体２０Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成さ
れる駆動回路２０Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段２００は、表示情
報出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミングジェネレータ
２０４とを備えている。
また、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Acces
s Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレー
ジユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレ
ータ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されている。
【００４８】
また、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテ
ーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示
情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０Ｂへ供給
する。さらに、駆動回路２０Ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回
路を含めることができる。また、電源回路２０３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の
電圧を供給する機能を有している。
かかる電子機器は、金属膜の応力によるガラス基板の反りを緩和した液晶装置を備えて
いるために、断線や接続不良等に起因した表示不良の少ない電子機器とすることができる
。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施形態で製造される液晶装置を説明するために供する図である。
【図２】本実施形態の液晶装置の製造方法のフローを示す図である。
【図３】ガラス基板が反った状態を示す図である。
【図４】反ったガラス基板上で金属膜と導電膜とを形成した状態を示す図である。
【図５】基板の反りの測定方法を説明するために供する図である。
【図６】応用例としての電子機器のブロック図の一例である。
【符号の説明】
【００５０】
３０：対向基板、６０：素子基板、６１：ガラス基板、６２：金属膜、６３ａ：光反射膜
（反射画素電極）、６３ｂ：透過画素電極、６４：導電膜、６５：ゲートバス配線、６６
：ドレイン電極、６９：ＴＦＴ素子、７０：半導体層、７１：ゲート電極、７２：ゲート
絶縁膜、７３：ソース電極、７５：ソースバス配線、７７：コンタクト電極、８１：有機
絶縁膜、８５：配向膜、１０５：レジスト材料、１１０：支持台、１１３：載置台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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