(57)【要約】      （修正有）【課題】搬送孔の形成工程以前の工程で位置合わせすることができるとともに、ＴＡＢ用テープキャリアの強度の低下を防止することができ、さらに、得られたＴＡＢ用テープキャリアの高密度化を図ることのできる、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供する。【解決手段】補強層４の上に、ベース絶縁層２を形成し、そのベース絶縁層２の上に、導体パターン７、搬送部導体層１３および位置決めマーク２３を同時に形成した後、導体パターン７の中継リードを被覆するように、位置決めマーク２３を基準として、感光性ソルダレジストから、カバー絶縁層１２を形成し、ベース絶縁層２に、送り孔１５を穿孔して、同時に、送り孔１５の形成予定領域２４に設けられている位置決めマーク２３を除去した後、配線部補強層開口部１４と搬送部補強層開口部１７とを形成して、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。【選択図】図７
2007059627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、複数の導体パターンを互いに間隔を隔てて連続的に形成するＴＡＢ用テープキャリアの製造方法において、
前記基材を搬送するための搬送孔の形成予定領域内において、前記基材上に、位置決めマークを形成する工程と、
前記搬送孔の形成予定領域に前記搬送孔を形成して、前記位置決めマークを除去する工程と
を含むことを特徴とする、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記基材上に、複数の前記導体パターンを形成する工程を含み、
前記位置決めマークは、複数の前記導体パターンを形成する工程において、複数の前記導体パターンと同時に形成することを特徴とする、請求項１に記載のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法、詳しくは、位置決めマークを形成する工程を含むＴＡＢ用テープキャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＢ用テープキャリアは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって、半導体素子が実装されるテープキャリアであって、電子部品の分野において広く用いられている。
ＴＡＢ用テープキャリアは、ベース絶縁層と、そのベース絶縁層の上に配線回路パターンとして形成される導体パターンと、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備えており、そのＴＡＢ用テープキャリアの製造工程において、ＴＡＢ用テープキャリアには、ＴＡＢ用テープキャリアの両側縁に、長手方向に間隔を隔てて設けられる搬送孔としてのパーフォレーション孔やスプロケットホールなどが形成される。
【０００３】
また、近年、電子機器の軽量化、薄型化および小型化の要求に伴って、ＴＡＢ用テープキャリアに実装される、半導体素子の高密度化が図られている。
このようなＴＡＢ用テープキャリアの製造工程において、通常、位置決め用穴やアライメントマークなどの位置決めマークを利用して、位置合わせをしている。
ＴＡＢ用テープキャリアの製造工程において、位置決めマークとして、例えば、パーフォレーション孔の少なくとも１つを位置決め用穴とすることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、例えば、パーフォレーション孔以外に、少なくとも１つの位置決め用穴を設けることが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。また、例えば、スプロケットホール間の所定位置にアライメントマークを設けることが提案されている（例えば、特許文献３参照。）。さらにまた、例えば、スプロケット予備孔を正規のスプロケット孔予定領域内に設けることが提案されている（例えば、特許文献４参照。）。
【特許文献１】特開平５−１３５１２号公報
【特許文献２】特開平５−１３５１１号公報
【特許文献３】特開２００１―２３０２７９号公報
【特許文献４】特開平５―７４８６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されるような位置決めマークは、パーフォレーション孔を位置決め用穴とするので、パーフォレーション孔を形成する以前の工程での位置合わせができない。さらに、特許文献２および３に記載されるような位置決めマークは、パーフォレーション孔やスプロケットホールなどの形成予定領域以外に形成され、別途、位置決めマークを形成する位置を確保する必要があるため、ＴＡＢ用テープキャリアの高密度が図れず、半導体素子の実装の高密度化を図ることが困難である。また、特許文献２および３に記載されるような位置決めマークは、パーフォレーション孔やスプロケットホールとともに、ＴＡＢ用テープキャリアを貫通する穴であるため、ＴＡＢ用テープキャリアの強度が低下し、破損するおそれがある。さらに、特許文献４に記載されるスプロケット予備孔は、スプロケット孔を形成する以前の工程で形成するので、スプロケット孔を形成する以前の工程で位置合わせをすることはできるが、やはり貫通孔として形成するので、ＴＡＢ用テープキャリアの強度が低下し、破損するおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、搬送孔の形成工程以前の工程で位置合わせすることができるとともに、ＴＡＢ用テープキャリアの強度の低下を防止することができ、さらに、得られたＴＡＢ用テープキャリアの高密度化を図ることのできる、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法は、基材上に、複数の導体パターンを互いに間隔を隔てて連続的に形成するＴＡＢ用テープキャリアの製造方法において、前記基材を搬送するための搬送孔の形成予定領域内において、前記基材上に、位置決めマークを形成する工程と、前記搬送孔の形成予定領域に前記搬送孔を形成して、前記位置決めマークを除去する工程とを含むことを特徴としている。
【０００７】
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法は、前記基材上に、複数の前記導体パターンを形成する工程を含み、前記位置決めマークは、複数の前記導体パターンを形成する工程において、複数の前記導体パターンと同時に形成することが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法によれば、搬送孔の形成予定領域内において、基材上に、位置決めマークを形成するので、搬送孔の形成工程以前の工程で位置決めマークを基準として位置合わせすることができるとともに、搬送孔の形成予定領域以外に、別途、位置決めマークを形成する位置を確保する必要がなく、半導体素子の実装の高密度化を図ることができる。その結果、電子機器の軽量化、薄型化および小型化を図ることができる。
【０００９】
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法によれば、位置決めマークは、基材を貫通する穴ではなく、基材上に形成されている。そのため、ＴＡＢ用テープキャリアの強度の低下を防止することができる。その結果、ＴＡＢ用テープキャリアの製造工程において、ＴＡＢ用テープキャリアの破損を防止することができる。
さらに、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法において、位置決めマークを、導体パターンと同時に形成すれば、位置決めマークを、別途形成する場合の工数や手間を省くことができる。そのため、ＴＡＢ用テープキャリアの製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法により製造されるＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの配線部の拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図、図４は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの拡大断面図、図５は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの搬送部の拡大平面図である。
【００１１】
図１において、このＴＡＢ用テープキャリア１は、長手方向に連続して延びるテープ状の基材としてのベース絶縁層２と、そのベース絶縁層２の表面に形成され、導体パターン７が設けられる複数の配線部３と、そのベース絶縁層２の裏面に形成される補強層４（図３参照）と、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部５とを備えている。
配線部３は、ベース絶縁層２の表面において、ベース絶縁層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。）において、互いに間隔を隔てて、連続的に複数設けられている。
【００１２】
各配線部３には、図２に示すように、その中央に、半導体素子を実装（載置）するための平面視略矩形状の実装部６が設けられている。また、実装部６の長手方向両側には、導体パターン７がそれぞれ形成されている。
この導体パターン７は、ベース絶縁層２の表面において、互いに間隔を隔てて配置される複数の配線８からなり、各配線８は、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１を一体的に備えている。
【００１３】
各インナリード９は、実装部６内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向（長手方向と直交する方向、以下、単に幅方向という場合がある。）に並列配置されている。各インナリード９のピッチ（すなわち、１つのインナリード９の幅（底面幅）と、２つのインナリード９間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰは、８０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下で、通常、２０μｍ以上に設定されている。
【００１４】
また、各インナリード９の幅（底面幅）は、５〜４０μｍ、好ましくは、１０〜１５μｍ、２つのインナリード９間の幅（間隔）は、５〜４０μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍに設定されている。
各アウタリード１０は、配線部３における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔てて幅方向に並列配置されている。各アウタリード１０のピッチ（すなわち、１つのアウタリード１０の幅（底面幅）と、２つのアウタリード１０間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、例えば、５０〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード１０のピッチＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、広幅あるいは狭幅に設定してもよく、また、各インナリード９のピッチＩＰと実質的に同幅で設定することもできる。
【００１５】
各中継リード１１は、各インナリード９と各アウタリード１０とが連続するように、各インナリード９と各アウタリード１０とを中継しており、各アウタリード１０のピッチＯＰが各インナリード９のピッチＩＰに対して広幅に設定されている場合には、ピッチの狭いインナリード９側からピッチの広いアウタリード１０側に向かって、次第に幅方向に広がる放射状で配置されている。
【００１６】
また、各中継リード１１が配置される部分には、ソルダレジストなどのカバー絶縁層１２が設けられている。すなわち、カバー絶縁層１２は、実装部６を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード１１を覆うように設けられている。
なお、導体パターン７が、アディティブ法により形成される場合には、図４に示すように、ベース絶縁層２と導体パターン７との間には、金属薄膜２１が介在されている。
【００１７】
補強層４は、図３に示すように、ベース絶縁層２の裏面に積層されている。補強層４には、図１および図３に示すように、各配線部３との対向位置に、配線部補強層開口部１４が形成されている。各配線部補強層開口部１４は、各配線部３に対応して、補強層４が底面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。この補強層４は、ベース絶縁層２を下側から補強している。
【００１８】
搬送部５は、図１および図３に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。搬送部５には、図４に示すように、補強導体層１３が設けられるとともに、搬送孔としての送り孔１５と、搬送部導体層開口部１６と、搬送部補強層開口部１７とが開口されている。
搬送部導体層１３は、図１に示すように、各搬送部５において、ベース絶縁層２の上に、長手方向に沿って連続するように形成されている。各搬送部導体層１３は、図５に示すように、その幅Ｌ１が、例えば、２．５〜５．０ｍｍに設定されている。この搬送部導体層１３は、搬送部５において、ベース絶縁層２を上側から補強している。
【００１９】
送り孔１５は、図１および図５に示すように、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどを噛合させることができるように形成されている。送り孔１５は、各搬送部導体層１３と対向するベース絶縁層２の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、等間隔毎に複数形成されている。各送り孔１５は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。また、各送り孔１５は、図４および図５に示すように、ベース絶縁層２が平面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。各送り孔１５は、図５では、矩形であるが、円形であってもよい。好ましくは、矩形であり、その一辺の長さＬ２が、一般の規格に基づき、１．４２ｍｍまたは１．９８ｍｍに設定されている。
【００２０】
搬送部導体層開口部１６は、図１および図５に示すように、各送り孔１５に対応して、各搬送部導体層１３の幅方向中央において、長手方向に沿って、等間隔毎に複数形成されている。各搬送部導体層開口部１６は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。また、各搬送部導体開口部１６は、図４および図５に示すように、各送り孔１５との対向位置において、搬送部導体層１３が、送り孔１５よりやや大きい平面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。各搬送部導体層開口部１６は、各送り孔１５を囲むように形成され、図５では、矩形であるが、円形であってもよい。好ましくは、矩形であり、その一辺の長さＬ３は、１．４５〜２．００ｍｍ（送り孔１５の一辺の長さＬ２が１．４２ｍｍである場合）、または、２．００〜２．６０ｍｍ（送り孔１５の一辺の長さＬ２が、１．９８ｍｍである場合）に設定されている。
【００２１】
搬送部補強層開口部１７は、図３に示すように、各搬送部導体層１３と対向する補強層４の幅方向両側縁部において、各送り孔１５に対応して、長手方向に沿って、等間隔毎に複数形成されている。各搬送部補強層開口部１７は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。また、各搬送部補強層開口部１７は、図４に示すように、各送り孔１５との対向位置において、補強層４が、送り孔１５よりやや大きい（搬送部導体層開口部１６と略同じ大きさ）平面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。各搬送部補強層開口部１７は、各送り孔１５を囲むように形成され、図３では、矩形であるが、円形であってもよい。好ましくは、矩形であり、その一辺の長さＬ４は、１．４５〜２．００ｍｍ（送り孔１５の一辺の長さＬ２が１．４２ｍｍである場合）、または、２．００〜２．６０ｍｍ（送り孔１５の一辺の長さＬ２が、１．９８ｍｍである場合）に設定されている。
【００２２】
図６および図７は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す製造工程図、図１０は、図７（ｆ）における搬送部（点線で囲まれた範囲）の拡大平面図である。次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法について、図５〜図７および図１０を参照して説明する。
この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、補強層４を用意する。補強層４としては、例えば、銅箔やステンレス箔などの金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレス箔としては、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７などが用いられる。また、補強層４の厚みは、例えば、３〜１００μｍ、好ましくは、５〜３０μｍ、さらに好ましくは、８〜２０μｍである。
【００２３】
なお、図１〜図４においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１を示しているが、通常は、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。例えば、幅２５０ｍｍの補強層４では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製し、幅３００ｍｍの補強層４では、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製する。
【００２４】
次いで、図６（ｂ）に示すように、その補強層４の上にベース絶縁層２を形成する。
ベース絶縁層２の形成は、補強層４の上に、ポリイミド樹脂前駆体を含有する樹脂溶液を、補強層４の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、形成する。
ポリイミド樹脂前駆体としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンとの反応により得られるポリアミック酸樹脂が用いられる。樹脂溶液は、例えば、ポリアミック酸樹脂を有機溶媒に溶解して、ワニスとして調製する。
【００２５】
また、樹脂溶液の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の方法が用いられる。
なお、樹脂溶液に、公知の感光剤を配合すれば、樹脂溶液を補強層４の上に塗布した後に、露光および現像することにより、ベース絶縁層２をパターンとして形成することもできる。
【００２６】
なお、ベース絶縁層２は、予め加工されたポリイミド樹脂のドライフィルムを、補強層４の上に、必要により接着剤層を介して貼着することにより、形成することもできる。
このようにして形成されたベース絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、１５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、ベース絶縁層２の表面の全面に、種膜（下地）となる金属薄膜２１を形成する。
【００２７】
金属薄膜２１の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、金属薄膜２１となる金属は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層２の表面の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、金属薄膜２１の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定する。
【００２８】
次いで、図６（ｄ）に示すように、金属薄膜２１の上に、めっきレジスト２２を形成する。めっきレジスト２２は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像する公知の方法により、導体パターン７、搬送部導体層開口部１６が形成される搬送部導体層１３および後述する位置決めマーク２３と反転するレジストパターンとして形成する。
【００２９】
次いで、図６（ｅ）に示すように、めっきレジスト２２から露出する金属薄膜２１の上に、導体パターン７と、搬送部導体層１３と、位置決めマーク２３とを同時に形成する。これらは、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などから形成される。好ましくは、銅から形成される。また、これらを同時に形成するには、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。また、これらの厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８〜１５μｍである。
【００３０】
次いで、図７（ｆ）に示すように、めっきレジスト２２を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去し、続いて、導体パターン７、搬送部導体層１３および位置決めマーク２３から露出する金属薄膜２１（つまり、めっきレジスト２２が形成されていた部分の金属薄膜２１）を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
【００３１】
搬送部導体層１３には、上記した電解めっきにより、搬送部導体層開口部１６が同時に形成される。
また、位置決めマーク２３は、次のカバー絶縁層１２の形成工程や検査工程などにおいて、位置合わせ（アライメント）のために用いられ、上記した電解めっきにより、搬送部導体層１３と同時に形成される搬送部導体層開口部１６内において、搬送部導体層１３と同時に形成される。この位置決めマーク２３は、図１０に示すように、各搬送部導体層開口部１６内に、適宜形成され、また、各位置決めマーク２３は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている（図７（ｆ）参照）。
【００３２】
より具体的には、各位置決めマーク２３は、各搬送部導体層開口部１６内のベース絶縁層２の上において、次に形成する送り孔１５の形成予定領域２４内に形成されている。各位置決めマーク２３は、送り孔１５の形成予定領域２４の中央において、平面視円形状に形成されている。なお、位置決めマーク２３は、図１０では、平面視円形状に形成されているが、矩形など適宜の形状で形成することができる。また、位置決めマーク２３は、ＴＡＢ用テープキャリア１の位置決め精度を考慮すると、好ましくは、平面視円形状である。位置決めマーク２３が平面視円形状の場合には、その直径Ｌ５が、例えば、０．１〜２．６ｍｍ、好ましくは、０．３〜１．０ｍｍに設定され、位置決めマーク２３が平面視矩形状の場合には、その一辺の長さが、例えば、０．１〜２．６ｍｍ、好ましくは、０．３〜１．０ｍｍに設定される。
【００３３】
次いで、この方法では、図７（ｇ）に示すように、各配線８の中継リード１１を被覆するカバー絶縁層１２を、実装部６を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成する。カバー絶縁層１２は、感光性ソルダレジストなどから、露光および現像する公知の方法により形成する。カバー絶縁層１２の厚みは、例えば、５〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。なお、このカバー絶縁層１２の形成工程では、上記した位置決めマーク２３を基準として、感光性ソルダレジストの露光位置などを、位置決めしている。
【００３４】
次いで、この方法では、図７（ｈ）に示すように、ベース絶縁層２に、送り孔１５を形成して、同時に、位置決めマーク２３を除去する。送り孔１５は、各搬送部導体層開口部１６内のベース絶縁層２を、搬送部導体層開口部１６よりもやや小さく穿孔することにより形成する。これによって、送り孔１５の形成予定領域２４に設けられている位置決めマーク２３が除去される。また、このベース絶縁層２の穿孔と同時に、送り孔１５の形成予定領域２４に対応する補強層４も穿孔される。
【００３５】
送り孔１５の穿孔は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の穿孔方法を用いることができ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。
次いで、この方法では、図７（ｉ）に示すように、補強層４に、配線部補強層開口部１４と搬送部補強層開口部１７とを形成して、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
補強層４に、配線部補強層開口部１４と搬送部補強層開口部１７を形成するには、補強層４における配線部３と対向する部分と、補強層４における搬送部導体層１３に対向する部分とを、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知の方法によって、開口する。例えば、エッチングする場合には、補強層４における、配線部補強層開口部１４および搬送部補強層開口部１７の形成部分以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などのエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去する。
【００３６】
上記したＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法では、導体パターン７を、金属薄膜２１とめっきレジスト２２とを形成して電解めっきするアディティブ法により形成したが、導体パターン７を、導体層１８とエッチングレジスト３１とを形成してエッチングするサブトラクディブ法により形成することもできる。
図８および図９は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の他の実施形態を示す製造工程図である。
【００３７】
次に、サブトラクディブ法によりＴＡＢ用テープキャリア１を製造する場合の、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法について、図８〜図１０を参照して説明する。
この方法では、まず、図８（ａ）に示すように、補強層４と、補強層４の上に形成されたベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成された導体層１８とを備える三層基材を用意する。
【００３８】
三層基材を形成する補強層４は、上記と同様の金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、５〜３０μｍ、さらに好ましくは、８〜２０μｍである。
三層基材を形成するベース絶縁層２は、上記と同様の合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、１０〜４０μｍ、さらに好ましくは、２０〜３０μｍである。
【００３９】
三層基材を形成する導体層１８は、上記と同様の金属から形成され、好ましくは、銅から形成される。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図８（ｂ）に示すように、導体層１８の上に、エッチングレジスト３１を形成する。
エッチングレジスト３１は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像する公知の方法により、導体パターン７、搬送部導体層開口部１６が形成される搬送部導体層１３および位置決めマーク２３と同一のレジストパターンとして形成する。
【００４０】
次いで、この方法では、図８（ｃ）に示すように、エッチングレジスト３１から露出する導体層１８をエッチングして、上記したパターンで、導体パターン７、搬送部導体層１３および位置決めマーク２３を形成する。導体層１８のエッチングは、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）が用いられる。
次いで、この方法では、図８（ｄ）に示すように、エッチングレジスト３１を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
【００４１】
搬送部導体層１３には、上記したエッチングにより、搬送部導体層開口部１６が同時に形成される。
また、位置決めマーク２３も、上記したエッチングにより、搬送部導体層１３と同時に形成される搬送部導体層開口部１６内において、搬送部導体層１３と同時に形成される。
より具体的には、各位置決めマーク２３は、上記と同様の形状で、各搬送部導体層開口部１６内のベース絶縁層２の上において、次に形成する送り孔１５の形成予定領域２４内に形成される。
【００４２】
次いで、図９（ｅ）に示すように、各配線８の中継リード１１を被覆するカバー絶縁層１２を、実装部６を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成する。カバー絶縁層１２は、上記と同様の感光性ソルダレジストから、上記と同様の方法により形成する。カバー絶縁層１２の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、５〜２０μｍである。
次いで、この方法では、図９（ｆ）に示すように、ベース絶縁層２に、送り孔１５を形成して、同時に、位置決めマーク２３を除去する。送り孔１５の穿孔は、上記と同様の方法が用いられ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。また、このベース絶縁層２の穿孔と同時に、送り孔１５の形成予定領域２４に対応する補強層４も穿孔される。
【００４３】
次いで、この方法では、図９（ｇ）に示すように、補強層４に、配線部補強層開口部１４と搬送部補強層開口部１７とを形成して、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。配線部補強層開口部１４および搬送部補強層開口部１７は、上記と同様の形状で、同様の方法により開口する。
上記したＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法によれば、送り孔１５の形成予定領域２４内において、ベース絶縁層２の上に、位置決めマーク２３を形成するので、送り孔１５の形成工程以前の工程（カバー絶縁層１２の形成工程）で位置決めマーク２３を基準として位置合わせすることができるとともに、送り孔１５の形成予定領域２４以外に、別途、位置決めマーク２３を形成する位置を確保する必要がなく、半導体素子の実装の高密度化を図ることができる。その結果、電子機器の軽量化、薄型化および小型化を図ることができる。
【００４４】
また、上記したＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法によれば、位置決めマーク２３は、ベース絶縁層２を貫通する穴ではなく、ベース絶縁層２の上に形成されている。そのため、ＴＡＢ用テープキャリア１の強度の低下を防止することができる。その結果、ＴＡＢ用テープキャリア１の製造工程（カバー絶縁層１２の形成工程）において、ＴＡＢ用テープキャリア１の破損を防止することができる。
【００４５】
さらに、上記したＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法では、電解めっきにより、位置決めマーク２３を、導体パターン７と同時に形成しているので、位置決めマーク２３を、別途形成する場合の工数や手間を省くことができる。そのため、ＴＡＢ用テープキャリア１の製造コストを低減することができる。
また、上記したＴＡＢ用テープキャリア１では、搬送部補強層開口部１７および搬送部導体層開口部１６が、送り孔１５の周りを囲むように、送り孔１５よりも大きく形成されている。そのため、送り孔１５にスプロケットを噛合させたときには、そのスプロケットが、補強層４および搬送部導体層１３に接触することなく、ベース絶縁層２のみに接触する。これによって、スプロケットが補強層４および搬送部導体層１３と接触することにより、補強層４および搬送部導体層１３から金属粉が発生することを防止することができる。その結果、導体パターン７の金属粉に起因する短絡を防止することができる。
【００４６】
なお、上記の説明では、ＴＡＢ用テープキャリア１の搬送部５に、搬送部導体層１３を設けたが、その目的および用途により、搬送部導体層１３は、設けなくてもよく、さらには、補強層４も、設けなくてもよい。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
実施例１では、幅２５０ｍｍの補強層上に、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製した。
まず、補強層として、厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）を用意し（図６（ａ）参照）、その補強層の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を、塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、厚み２０μｍのベース絶縁層を形成した（図６（ｂ）参照）。
【００４８】
次いで、ベース絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ２０００Åの金属薄膜を形成した（図６（ｃ）参照）。
次いで、ドライフィルムレジストを露光および現像することにより、めっきレジストを金属薄膜の表面に、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークと反転パターンするレジストパターンとして形成した（図６（ｄ）参照）。
【００４９】
次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、２．５Ａ／ｄｍ２で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークを同時に形成した（図６（ｅ）参照）。
搬送部導体層の幅は、２．８９ｍｍであった。また、搬送部導体層には、電解銅めっきにより、搬送部導体層開口部が同時に形成された。搬送部導体層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、１．８２ｍｍであった。位置決めマークは、平面視円形状であり、その直径が、０．５０ｍｍであった。
【００５０】
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去し、続いて、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークから露出する金属薄膜を、同じく、化学エッチングにより除去した（図７（ｆ）参照）。
次いで、各配線の中継リードを被覆するカバー絶縁層を、感光性ソルダレジストから、露光および現像して、実装部を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成した。なお、このカバー絶縁層の形成工程では、位置決めマークを基準として、感光性ソルダレジストの露光位置を位置決めした（図７（ｇ）参照）。
【００５１】
次いで、ベース絶縁層に、パンチング加工により、送り孔を形成して、同時に、位置決めマークを除去した（図７（ｈ）参照）。送り孔は、各搬送部導体層開口部内のベース絶縁層を、搬送部導体層開口部よりもやや小さく穿孔することにより形成した。送り孔は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが１．４２ｍｍであった。このベース絶縁層の穿孔と同時に、対応する補強層も穿孔した。
【００５２】
次いで、補強層における配線部と対向する部分と、補強層における搬送部導体層開口部に対向する部分とを、化学エッチングにより、開口して、補強層に、配線部補強層開口部と搬送部補強層開口部とを形成して、ＴＡＢ用テープキャリアを得た（図７（ｉ）参照）。
なお、搬送部補強層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、１．８２ｍｍであった。
【００５３】
実施例２
実施例２では、幅２５０ｍｍの補強層上に、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製した。
まず、補強層として、厚み２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）と、ベース絶縁層として、厚み２０μｍのポリイミド樹脂層と、導体層として、１０μｍの銅からなる銅箔とからなる三層基材を用意した（図８（ａ）参照）。
【００５４】
次いで、ドライフィルムレジストを露光および現像することにより、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークと同一のレジストパターンとして、導体層の上に、エッチングレジストを形成した（図８（ｂ））参照）。
次いで、エッチングレジストから露出する導体層を、化学エッチングを用いてエッチングして、上記したパターンで、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークを形成した（図８（ｃ）参照）。
【００５５】
搬送部導体層の幅は、４．７０ｍｍであった。また、搬送部導体層には、化学エッチングにより、搬送部導体層開口部が同時に形成された。搬送部導体層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、２．３８ｍｍであった。位置決めマークは、平面視円形状であり、その直径が、０．５０ｍｍであった。
次いで、エッチングレジストを、化学エッチングによって除去した（図８（ｄ）参照）。
【００５６】
次いで、各配線の中継リードを被覆するカバー絶縁層を、感光性ソルダレジストから、露光および現像して、実装部を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成した。なお、このカバー絶縁層の形成工程では、位置決めマークを基準として、感光性ソルダレジストの露光位置を位置決めした（図９（ｅ）参照）。
次いで、ベース絶縁層に、パンチング加工により、送り孔を形成して、同時に、位置決めマークを除去した（図９（ｆ）参照）。送り孔は、各搬送部導体層開口部内のベース絶縁層を、搬送部導体層開口部よりもやや小さく穿孔することにより形成した。送り孔は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが１．９８ｍｍであった。このベース絶縁層の穿孔と同時に、対応する補強層も穿孔した。
【００５７】
次いで、補強層における配線部と対向する部分と、補強層における搬送部導体層開口部に対向する部分とを、化学エッチングにより、開口して、補強層に、配線部補強層開口部と搬送部補強層開口部とを形成して、ＴＡＢ用テープキャリアを得た（図９（ｇ）参照）。
なお、搬送部補強層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、１．９８ｍｍであった。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法により製造されるＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図である。
【図２】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの配線部の拡大平面図である。
【図３】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
【図４】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの拡大断面図である。
【図５】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの搬送部の拡大平面図である。
【図６】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す製造工程図であって、（ａ）は、補強層を用意する工程、（ｂ）は、補強層の上にベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の表面の全面に、金属薄膜を形成する工程、（ｄ）は、金属薄膜の上に、めっきレジストを形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、導体パターンと、搬送部導体層と、位置決めマークとを形成する工程を示す。
【図７】図６に続いて、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ｆ）は、めっきレジストを除去し、続いて、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークから露出する金属薄膜を、除去する工程、（ｇ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｈ）は、ベース絶縁層に、送り孔を形成して、同時に、位置決めマークを除去する工程、（ｉ）は、補強層に、配線部補強層開口部と搬送部補強層開口部とを形成する工程を示す。
【図８】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の他の実施形態を示す製造工程図であって、（ａ）は、補強層とベース絶縁層と導体層とからなる三層基材を用意する工程、（ｂ）は、導体層の上に、エッチングレジストを形成する工程、（ｃ）は、導体層をエッチングして、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークを形成する工程、（ｄ）は、エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図９】図８に続いて、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の他の実施形態を示す工程図であって、（ｅ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、ベース絶縁層に、送り孔を形成して、同時に、位置決めマークを除去する工程、（ｇ）は、補強層に、配線部補強層開口部と搬送部補強層開口部とを形成する工程を示す。
【図１０】図１０は、図７（ｆ）における搬送部（点線で囲まれた範囲）の拡大平面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１    ＴＡＢ用テープキャリア
２    ベース絶縁層
７    導体パターン
１５  送り孔
２３  位置決めマーク
２４  送り孔の形成予定領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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