(57)【要約】【課題】高次横モードのスプリアスを抑圧し，かつ伝搬方向のＳＡＷ励振強度分布を変えない構造を有する弾性表面波装置を提供する。【解決手段】少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって，前記インターデジタルトランスデューサは，一対の共通電極のそれぞれに接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され，さらに，前記複数の櫛形電極が交差する領域は，交差幅が弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第１の交差領域と第２の交差領域の２つの領域から形成され，前記第１の交差領域と第２の交差領域は，前記弾性表面波の伝搬方向と垂直方向で接しているか，もしくは重なり合っていて，前記第１又は第２のいずれかの交差領域において，交差幅重みづけ包絡線が，前記弾性表面波の伝搬方向に少なくとも２つ以上の変化点を有する。【選択図】図３
2007060108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって，
前記インターデジタルトランスデューサは，
一対の共通電極のそれぞれに接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され，
さらに，前記複数の櫛形電極が交差する領域は，
交差幅が弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第１の交差領域と第２の交差領域の２つの領域から形成され，
前記第１の交差領域と第２の交差領域は，前記弾性表面波の伝搬方向と垂直方向で接しているか，もしくは重なり合っていて，
前記第１又は第２のいずれかの交差領域において，交差幅重みづけ包絡線が，前記弾性表面波の伝搬方向に少なくとも２つ以上の変化点を有する，
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
請求項１において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第１の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動した形状を有することを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項３】
請求項１において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第1の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動し，かつ伝搬方向に平行移動した形状を有することを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項４】
請求項１において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第1の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称にした形状を有することを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項５】
請求項１において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第1の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称にし，かつ伝搬方向に平行移動した形状を有することを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
請求項１において，
前記第１の交差領域における交差幅重みづけ包絡線と，前記第２の交差領域の交差幅重みづけ包絡線が互いに異なる形状であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項７】
請求項１において，
前記第１または第２の交差領域のいずれかの交差幅重みづけ包絡線は，前記弾性表面波の伝搬方向を変数ｘとするとき，周期関数ｆ（ｘ）で表される形状をなしていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項８】
少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって，
前記インターデジタルトランスデューサは，
一対の共通電極のそれぞれに接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され，
さらに，前記複数の櫛形電極が交差する領域は，
交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第１の交差領域と第２の交差領域の２つの領域から形成され，
前記第１の交差領域と第２の交差領域は，前記弾性表面波の伝搬方向と垂直方向で接しているか，もしくは重なり合っていて，
前記第１及び第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線のそれぞれは，前記弾性表面波の伝搬方向において１つのみの変化点を有し，且つ
前記第１及び第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線の有する変化点は，前記弾性表面波の伝搬方向に垂直方向で，同じ向きに存在する，
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項９】
請求項８において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第１の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動した形状を有することを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１０】
請求項８において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第1の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動し，かつ伝搬方向に平行移動した形状を有することを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１１】
請求項８において，
前記第１の交差領域における交差幅重みづけ包絡線と，前記第２の交差領域の交差幅重みづけ包絡線が互いに異なる形状であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかにおいて，
前記第１の交差領域と第２の交差領域それぞれの大きさが，前記インターデジタルトランスデューサの開口長の５０％に設定されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて，
前記共通電極が前記第１及び第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線に対応する形状をなしていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかにおいて，
前記第１の領域は，前記一対の共通電極の第１の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が第２の共通電極側に最も近く位置する櫛形電極の電極指端から，前記一対の共通電極の第１の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が前記第１の共通電極側に最も近く位置する櫛形電極の電極指端までの領域であって，
前記第２の領域は，前記一対の共通電極の第２の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が第１の共通電極側に最も近く位置する櫛形電極の電極指端から，前記一対の共通電極の第２の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が前記第２の共通電極側に最も近く位置する櫛形電極の電極指端までの領域である，
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，弾性表面波（ＳＡＷ）装置に関する。特に，ＶＨＦ，ＵＨＦ帯に共振特性を有する弾性表面波共振器（ＳＡＷ共振器），または共振器を用いた共振器フィルタとして構成される弾性表面波フィルタ（ＳＡＷ共振器フィルタ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，ＳＡＷデバイスは通信分野で広く利用されている。特にＳＡＷ共振器またはＳＡＷ共振器フィルタ（以下  ＳＡＷ共振器デバイス）は小型化かつ低損失化が可能で携帯電話，自動車のリモートキーレスエントリーなどに多く用いられている。
【０００３】
ＳＡＷ共振器デバイスは，圧電基板上に少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサー（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）電極を配置し，一般的にはその両側に設けられる反射器によって構成される。ＳＡＷ共振器デバイスにおいては，ＩＤＴの励振によって圧電基板上を伝搬するＳＡＷを反射器で反射させることにより，エネルギーを反射器間に閉じ込める。その際にＳＡＷの伝搬方向と垂直にエネルギーが分布するモード（以下  横モード）の基本モードが主伝搬モードとなる。これに対して２次以上の高次横モードも存在し，偶数次モードの振動にて励起する電荷はＩＤＴ内で相殺されるが奇数次モードによる電荷は相殺されることがなく，共振器特性にスプリアス応答として現れる。
【０００４】
この高次横モードによるスプリアスは，ＳＡＷ共振器の場合は発振回路における発振周波数飛び現象，ＳＡＷ共振器フィルタにおいては帯域内リップルとして悪影響を及ぼす。高次横モードが発生するのはＳＡＷの励振強度分布１０が矩形状となる為である。
【０００５】
図１に，一対の反射器２ａ，２ｂ間に一つのＩＤＴ１が配置された１ポートＳＡＷ共振器を例に，高次横モードによるスプリアス発生の様子を示す。図中には基本横モード１０ａと３次横モード１０ｂのみを示しているが，ＩＤＴの開口長によっては，５次，７次と高次の横モードが存在する。
【０００６】
高次横モードのスプリアスに対策する為に，図２に示すように，共通電極１ａ，１ｂに接続された複数の櫛形電極１ｃが交差する交差部に交差幅重みづけ包絡線としてＣＯＳ関数を用いての重み付けを施すことでＳＡＷの励振強度分布１０を基本横モード１０ａと一致もしくは近似させ，高次横モードを抑圧するものが知られている（特許文献１乃至３）。
【０００７】
なお，従来例においては，交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向に沿って見た場合，交差幅は徐々に増加するが，ある変化点を境に交差幅は減少に転じる。そしてこの変化点は１つのみである。
【０００８】
また，交差幅重みづけ包絡線は弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称となっている。ここで厳密に対称性を調べると，例えばソリッド電極構造においては隣合う電極指間距離分すなわち弾性表面波波長の１／２相当の差は生じるが，ソリッド電極構造に限らず，電極構造に起因した弾性表面波波長の１／２相当の対称性のずれは弾性表面波装置の構造上明らかな事であり，本発明の本質部分では無い為，以後も交差幅重みづけ包絡線を用いた説明をする際には言及しない。
【特許文献１】特公平７−２８１９５号公報
【特許文献２】特開平９−２７０６６７号公報
【特許文献３】特開平７−２２８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし，図２に示すように櫛形電極１ｃの交差部を交差幅重みづけ包絡線としてＣＯＳ関数で重み付けを行なった場合，ＩＤＴ１の櫛型電極の交差幅の伝搬方向に沿う分布１１が変化するので伝搬方向でのＳＡＷの励振強度分布までも変えてしまうことになる。
【００１０】
特にＳＡＷ共振器フィルタにおいては，伝搬方向に分布するモード（縦モード）を用いてフィルタ特性を実現している為，影響は非常に大きい。
【００１１】
交差幅が一様なＩＤＴ電極（正規型ＩＤＴ電極）ならば所望の特性，例えば帯域幅や所望周波数での減衰量確保などが実現出来るものの横モードによるスプリアスが発生してしまう。そこでＩＤＴ電極にＣＯＳ関数で重み付けを行なうとスプリアスは抑圧出来るものの所望の特性が実現出来なくなってしまうという場合が非常に多い。
【００１２】
したがって，本発明の目的は，高次横モードのスプリアスを抑圧し，かつ伝搬方向のＳＡＷ励振強度分布を変えない構造を有する弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置の第１の側面は，
少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって，
前記インターデジタルトランスデューサは，
一対の共通電極のそれぞれに接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され，
さらに，前記複数の櫛形電極が交差する領域は，
交差幅が弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第１の交差領域と第２の交差領域の２つの領域から形成され，
前記第１の交差領域と第２の交差領域は，前記弾性表面波の伝搬方向と垂直方向で接しているか，もしくは重なり合っていて，
前記第１又は第２のいずれかの交差領域において，交差幅重みづけ包絡線が，前記弾性表面波の伝搬方向に少なくとも２つ以上の変化点を有することを特徴とする。
【００１４】
上記本発明の目的を達成する弾性表面波装置の第２の側面は，
少なくとも１個のインターデジタルトランスデューサを有する弾性表面波装置であって，
前記インターデジタルトランスデューサは，
一対の共通電極のそれぞれに接続された複数の櫛形電極が交差するように配置され，
さらに，前記複数の櫛形電極が交差する領域は，
交差幅が前記弾性表面波の伝搬方向に沿って重みづけされている第１の交差領域と第２の交差領域の２つの領域から形成され，
前記第１の交差領域と第２の交差領域は，前記弾性表面波の伝搬方向と垂直方向で接しているか，もしくは重なり合っていて，
前記第１及び第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線のそれぞれは，前記弾性表面波の伝搬方向において１つのみの変化点を有し，且つ
前記第１及び第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線の有する変化点は，前記弾性表面波の伝搬方向に垂直方向で，同じ向きに存在することを特徴とする。
【００１５】
上記第１又は第２の側面において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第１の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動した形状を有するようにしてもよい。
【００１６】
上記第１又は第２の側面において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第1の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動し，かつ伝搬方向に平行移動した形状を有するようにしてもよい。
【００１７】
上記第１の側面において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第1の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称にした形状を有するようにしてもよい。
【００１８】
上記第１の側面において，
前記第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線は，前記第1の交差領域の交差幅重みづけ包絡線を前記弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称にし，かつ伝搬方向に平行移動した形状を有するようにしてもよい。
【００１９】
上記第１又は第２の側面において，
前記第１の交差領域における交差幅重みづけ包絡線と，前記第２の交差領域の交差幅重みづけ包絡線が互いに異なる形状であるようにしてもよい。
【００２０】
上記第１又は第２の側面において，
前記第１または第２の交差領域のいずれかの交差幅重みづけ包絡線は，前記弾性表面波の伝搬方向を変数ｘとするとき，周期関数ｆ（ｘ）で表される形状をなすようにしてもよい。
【００２１】
また，上記において，前記第１の交差領域と第２の交差領域それぞれの大きさが，前記インターデジタルトランスデューサの開口長の５０％になるように設定してもよい。
【００２２】
また，前記共通電極が前記第１及び第２の交差領域における交差幅重みづけ包絡線に対応する形状を成すようにしても良い。
【００２３】
さらに，上記において，上記第１の領域は，ＳＡＷの励振に寄与する櫛型電極において、第１の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が第２の共通電極側に最も近く位置する櫛形電極の電極指端から，前記一対の共通電極の第１の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が前記第１の共通電極側に最も近く位置する櫛形電極の電極指端までの領域であって，前記第２の領域は，ＳＡＷの励振に寄与する櫛型電極において、前記一対の共通電極の第２の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が第１の共通電極側に最も近く位置する櫛形電極の電極指端から，前記一対の共通電極の第２の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が前記第２の共通電極側に最も近く位置する櫛形電極の電極指端までの領域であると定義出来る。
【００２４】
すなわち、上記第１の領域は，ＳＡＷの励振に寄与する櫛型電極において、第１の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち最も短い電極指の電極指端から最も長い電極指の電極指端までの領域であって、上記第２の領域は，ＳＡＷの励振に寄与する櫛型電極において、第２の共通電極に接続された複数の櫛形電極のうち最も短い電極指の電極指端から最も長い電極指の電極指端までの領域であるとも定義出来る。
【００２５】
本発明の特徴は，以下に図面に従い説明される発明の実施の形態例から更に明らかになる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により，横モードスプリアスを抑圧し，かつ正規型電極と同様の特性が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に本発明の実施の形態例を図面に従い説明する。なお，実施の形態例は本発明の説明のためのものであり，本発明の技術的範囲がこれに限定されるものではない。
【００２８】
図３は，本発明の一実施例構成を示す図である。
【００２９】
先に図１，図２で示したように一対の反射電極２ａ，２ｂと，前記反射電極２ａ，２ｂ間にインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）１が配置された弾性表面波装置であって，反射電極２ａ，２ｂ及びＩＤＴ１は，LiTaO3，LiNbO3，Li2B4O7，水晶などの図示しない圧電基板上に形成されている。
そして，特徴として，前記ＩＤＴ１は，それぞれ第１及び第２の共通電極（バスバー）１ａ，１ｂに接続された複数の櫛形電極が交差するように配置されて構成され、弾性表面波の伝搬方向（図の矢印方向）に沿って複数の櫛形電極の交差が重みづけされている第１の交差領域Ａと第２の交差領域Ｂを有している。
【００３０】
ここで，ＩＤＴ１を構成する複数の櫛形電極指は，互いに反対の共通電極（バスバー）１ａ，１ｂに接続され，隣接して重なりあう部分を有する電極指が，弾性表面波励振に寄与する。
【００３１】
前記第１の交差領域Ａと第２の交差領域Ｂは，かかる弾性表面波励振に寄与する櫛形電極の関係から次のように定義できる。
【００３２】
図３において，第１の交差領域Ａは，一対の共通電極の第１の共通電極（バスバー）１ａに接続された駆動電極のうち，電極指端が第２の共通電極１ｂ側に最も近く位置する櫛形電極１００の電極指端から，前記一対の共通電極の第１の共通電極１ａに接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が前記第１の共通電極１ａ側に最も近く位置する櫛形電極１０１の電極指端までの領域である。
【００３３】
一方，前記第２の公差領域Ｂは，前記一対の共通電極の第２の共通電極１ｂに接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が第１の共通電極１ａ側に最も近く位置する櫛形電極１１１の電極指端から，前記一対の共通電極の第２の共通電極１ｂに接続された複数の櫛形電極のうち電極指端が前記第２の共通電極１ｂ側に最も近く位置する櫛形電極１１０の電極指端までの領域である。
【００３４】
そして交差領域ＡおよびＢ（以下  重み付け交差領域ＡおよびＢという）においてはＩＤＴ１の弾性表面波（ＳＡＷ）伝搬と垂直方向外側に向かって励振強度が除々に弱くなるような重み付けが施されている。
【００３５】
その為に交差領域Ａと交差領域Ｂを合わせた弾性表面波の励振強度分布は，基本横モード１０ａに近似した形１０となる。これにより基本横モード１０ａのみが発生し，高次横モードは抑圧される。
【００３６】
一方，図４に示すように，交差領域ＡおよびＢにおける重み付け変化は，包絡線Ｉ,
IIに近似出来る。したがって，第２の交差領域Ｂにおける交差幅重み付け付け包絡線IIは，前記第１の交差領域Ａにおける交差幅重みづけ包絡線Ｉを弾性表面波の伝搬方向（図中矢印III）と垂直方向に平行移動した形状となっている。
【００３７】
このとき，電極指の交差幅即ち，重なる（交差する）部分の大きさ１１ａは，隣接した交差幅では凸凹となるが，凸凹の差は一般的には交差領域Ａの交差幅に対して少ない量であり，交差幅の伝搬方向に沿う分布１１はほぼ矩形に保たれる。
【００３８】
この結果，矢印方向III即ち，弾性表面波の伝搬方向での励振強度は正規型ＩＤＴに近似した矩形を維持する。
【００３９】
上記のとおり，本発明により高次横モードによるスプリアスを抑圧し，かつ正規型電極と同様の特性が実現可能となる。
【００４０】
ここで，共通電極（バスバー）１ａ，１ｂに，弾性表面波の励振に寄与しないダミー電極（例えば，図３における２００，２０１等）を設けるのが一般的であるが，交差領域Ａ，Ｂにおいて，図５，図６に示す実施例のようにダミー電極を設けない場合でも同様に高次横モード抑圧に対する効果が得られる。
【００４１】
図５は，共通電極１ａ，１ｂにダミー電極が存在せず，共通電極１ａ，１ｂ自体が，交差領域Ａ，Ｂにおける櫛形電極１ｃの交差量の重み付けに対応するベタパターン形状を有するように設定されている。
【００４２】
図６は，共通電極１ａ，１ｂにダミー電極が存在せず，空隙１ｄを有するように設定されている例である。
【００４３】
ここで，重みづけ交差領域Ａ，Ｂにおける重みづけの変化パターンについて考察する。
【００４４】
図７は第２の交差領域Ｂにおける交差幅重みづけ包絡線２１が，第１の交差領域Ａにおける交差幅重みづけ包絡線２０を弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称にした形状となっており，図７Ｂに示すように，伝搬方向に沿った交差幅の分布に最小ピークと最大ピークが生じる例を示している。
【００４５】
本発明に従う重みづけの変化パターンは，図７Ａに示すような鏡面対称に限られない。図８は，第２の交差領域Ｂにおける交差幅重みづけ包絡線と，第１の交差領域Ａにおける交差幅重みづけ包絡線との関係を説明する図である。第２の交差領域Ｂにおける交差幅重みづけ包絡線２１は，前記第１の交差領域Ａにおける交差幅重みづけ包絡線２０を，矢印で示すように弾性表面波の伝搬方向と垂直に平行移動し，かつ伝搬方向にも平行移動した形状である。
【００４６】
このような，包絡線形状パターンであっても，図７Ｂに示すと同様に最小ピークと最大ピークを生じることとなる。
【００４７】
ここで，上記図７は便宜上，交差幅重みづけ包絡線２０，２１の繰り返し周期を長く描いており，このような場合は伝搬方向に沿った交差幅の分布に凹凸が生じ，図３における分布１１のような矩形と近似しないが，交差幅重み付けの繰り返し周期が短くなるにつれ，伝搬方向に沿った交差幅の分布は矩形に近似され，正規型ＩＤＴと同様の特性が実現可能である。
【００４８】
ここで，上記実施例において，第１，第２の交差領域Ａ，Ｂにおける重み付けの変化パターンとして，図３に示すＳＩＮ曲線に沿って変化する例を示した。しかし，本発明の適用は，かかる実施例に限定されるものではない。
【００４９】
すなわち，図９Ａ，９Ｂ，９Ｃに本発明の実施例（その１，その２，その３）として重みづけ交差領域Ａ，Ｂにおける種々の重み付けの例を，それらを包絡線パターンとして示す。
【００５０】
図９Ａにおいて，（ａ）は交差幅重みづけ包絡線がＣＯＳ（またはＳＩＮ）の周期関数ｆ（ｘ）であり，図３に示した実施例と同様である。第１の交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向と垂直方向に平行移動した例である。
【００５１】
（ｂ）は交差幅重みづけ包絡線が，三角波の周期関数で表される例である。また，（ｃ）は１，０値が交番する周期関数である。（ｄ）はＩＤＴ全体でなく，一部に重み付けが形成される例である。（ｅ）は異なる関数の組み合わせの例である。かかる実施例（ｂ）から（ｅ）においても，第１の交差幅重みづけ包絡線と，第２の交差幅重みづけ包絡線の関係は，実施例（ａ）と同様に，第２の交差幅重みづけ包絡線が，第１の交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向と垂直方向に平行移動した形状であることを特徴と有している。
【００５２】
さらに，実施例（ａ）〜（ｅ）に関し，図８に示したように，第１の交差幅重みづけ包絡線を弾性表面波の伝搬方向と垂直方向に平行移動し，且つ弾性表面波の伝搬方向に平行移動した形状パターンとしても良い。
【００５３】
また，図９Ｂに示す例では，第１の交差領域Ａにおける重み付けの変化パターンに対し，第２の交差領域Ｂを異なる重み付けの変化パターンで形成した例である。かかる例においても交差幅の分布がほぼ矩形をなす為，同様の本発明の効果が得られる。
【００５４】
ここで上記図９Ａ，９Ｂに示された実施例では，重み付けの変化パターンに変化点を２つ以上有する例である。
【００５５】
本発明は，かかる条件に限定されないものである。即ち，図９Ｃに示す例では，重み付けの変化パターンに変化点を１つだけ有する例である。図９Ｃ（ａ）において，第１の交差領域Ａにおける重み付け包絡線の変化パターン２０は，変化点を１つだけ有し、第２の交差領域Ｂにおける重み付け包絡線の変化パターン２１は，変化パターン２０を弾性表面波の伝搬方向と垂直方向に平行移動した形状パターンである。
【００５６】
また、図９Ｃ（ｂ）においては，第１の交差領域Ａにおける重み付け包絡線の変化パターン２０は，変化点を１つだけ有し、第２の交差領域Ｂにおける重み付け包絡線の変化パターン２１は，変化パターン２０を弾性表面波の伝搬方向と垂直方向に平行移動し，且つ弾性表面波の伝搬方向に平行移動した形状パターンである。
【００５７】
さらに，図９Ｃ（ｃ）においては，第１，第２の交差領域Ａ，Ｂにおける重み付け包絡線の変化パターン２０，２１は，変化点を１つだけ有している。そして，交差幅重み付け包絡線が互いに異なるパターンである。このような，図９Ｃに示す変化点を１つだけ有している第１，第２の交差領域Ａ，Ｂにおける重み付け包絡線の変化パターン２０，２１であっても，従来構造のように交差幅重みづけ包絡線が弾性表面波の伝搬方向を軸に鏡面対称となっていないので，伝搬方向に沿った交差幅の分布がほぼ矩形である効果を得ることが可能である。
【００５８】
次に，上記各実施例では，重みづけ交差領域Ａ，Ｂがそれぞれインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）１の開口長の５０％の場合を示しているが，本発明の適用はかかる場合に限られない。
【００５９】
図１０に示す例では，少なくともどちらか一方の重みづけ交差領域ＡまたはＢが，ＩＤＴ１の開口長の５０％よりも大きくなった場合である。重みづけ交差領域ＡとＢとのオーバーラップする量が増えるにつれ損失は悪化するが，横モードスプリアスの抑圧という観点からは同様の効果が得られる。
【００６０】
このような，重み付けのいずれの場合も本発明の要件を有するものであり，本発明の効果が得られる。
【００６１】
図１１ＡにLi2B4O7基板にて試作した３ＩＤＴ型共振器フィルタの特性を示す。図１１Ｂは図１１Ａの帯域内の拡大図である。図において，点線が正規型ＩＤＴでの特性，実線が本発明を適用した場合の特性である。
【００６２】
重み付けはＣＯＳ関数を用いており，３ＩＤＴ型共振器フィルタは図３に示されるような重み付けがなされている。重み付けによりＩＤＴのインピーダンスが変化するので，正規型ＩＤＴの場合と同等のインピーダンスを得るためにマッチング回路での補正は実施しているが，スプリアスが抑圧出来，かつ正規型ＩＤＴの場合と同等の帯域幅及び帯域外減衰特性が実現出来ている。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
上記したように，本発明により，横モードスプリアスを抑圧し，かつ正規型電極と同様の特性を実現出来る。これにより，設計自由度が高く，優れた特性のＳＡＷ共振器およびＳＡＷ共振器フィルタの設計が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】一対の反射器間に一つのＩＤＴが配置された１ポートＳＡＷ共振器の例を示す図である。
【図２】高次横モードのスプリアスに対策する為の従来構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施例構成を示す図である。
【図４】交差領域ＡおよびＢにおける重み付け変化包絡線に近似して説明する図である。
【図５】共通電極（バスバー）自体が，重みづけ交差領域における櫛形電極の交差量の重み付けに対応するベタパターン形状を有するように設定されている例を示す図である。
【図６】共通電極にダミー電極が存在せず，空隙を有するように設定されている例を示す図である。
【図７】重みづけ交差領域において存在する重み付けにより生じる最小ピークと最大ピークが生じる例を示す図である。
【図８】第２の交差領域Ｂにおける交差幅重みづけ包絡線と，第１の交差領域Ａにおける交差幅重みづけ包絡線との関係を説明する図である。
【図９Ａ】本発明の実施例として重みづけ交差領域における種々の重み付けの変化パターンの例（その１）を示す図である。
【図９Ｂ】本発明の実施例として重みづけ交差領域における種々の重み付けの変化パターンの例（その２）を示す図である。
【図９Ｃ】本発明の実施例として重みづけ交差領域における種々の重み付けの変化パターンの例（その２）を示す図である。
【図１０】重みづけ交差領域Ａ，Ｂの位置についてインターデジタルトランスデューサの開口長との関係で説明する図である。
【図１１Ａ】Li2B4O7基板にて試作した３ＩＤＴ型共振器フィルタの特性を示す図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａの帯域内の拡大図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  ＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサ）
１ａ，１ｂ  バスバー
１ｃ  櫛形電極
２ａ，２ｂ  反射器
１０  ＳＡＷの励振強度分布
１０ａ  基本横モード
１０ｂ  ３次横モード
１１  櫛型電極の交差幅の伝搬方向に沿う分布
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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