(57)【要約】【課題】露光装置においてＮＡが大きい光を検知するために好適な光学部品を提供する。【解決手段】投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置において使用される光学部品を製造する方法を提供する。該方法は、光透過性基板１Ｓの第１面に拡散面３を形成する拡散面形成工程と、光透過性基板１Ｓの第２面にマーク２を形成するマーク形成工程とを含む。【選択図】図３
2007329289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置において使用される光学部品の製造方法であって、
光透過性基板の第１面に拡散面を形成する拡散面形成工程と、
前記光透過性基板の第２面にマークを形成するマーク形成工程と、
を含むことを特徴とする光学部品の製造方法。
【請求項２】
前記第２面に遮光膜を形成する遮光膜形成工程を更に含み、前記マーク形成工程では、前記遮光膜をパターンニングして前記マークを形成することを特徴とする請求項１に記載の光学部品の製造方法。
【請求項３】
前記遮光膜形成工程の後に前記拡散面形成工程を実施し、前記拡散面形成工程の後に前記マーク形成工程を実施することを特徴とする請求項２に記載の光学部品の製造方法。
【請求項４】
前記拡散面形成工程の後に前記遮光膜形成工程を実施し、前記遮光膜形成工程の後に前記マーク形成工程を実施することを特徴とする請求項２に記載の光学部品の製造方法。
【請求項５】
前記マーク形成工程の後に前記マークを保護材で保護する保護工程を更に含み、前記保護工程の後に前記拡散面形成工程を実施することを特徴とする請求項１に記載の光学部品の製造方法。
【請求項６】
前記拡散面形成工程では、前記第１面に対して部分的に拡散面を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学部品の製造方法。
【請求項７】
投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置において使用される光学部品の製造方法であって、
第１光透過性基板に拡散面を形成する拡散面形成工程と、
第２光透過性基板にマークを形成するマーク形成工程と、
前記拡散面が露出するように前記第１光透過性基板と前記第２光透過性基板とを結合する結合工程と、
を含むことを特徴とする光学部品の製造方法。
【請求項８】
前記光学部品は、露光対象の基板を位置決めする基板ステージに配置されて光を検知するセンサユニットの部品であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光学部品の製造方法。
【請求項９】
投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置であって、
該基板を位置決めする基板ステージに配置されて光を検知するセンサユニットを備え、
前記センサユニットは、受光素子と、前記受光素子と前記投影光学系との間に配置された光学部品とを含み、
前記光学部品は、拡散面が形成された第１光透過性基板とマークが形成された第２光透過性基板とを前記拡散面が露出するように結合した構造を有し、前記拡散面が前記受光素子に対面している、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
デバイス製造方法であって、
請求項９に記載の露光装置を使って基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置に関連し、特に、露光装置において使用される光学部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイス等のデバイスは、フォトリソグラフィー工程を通して製造される。フォトリソグラフィー工程では、レチクル等の原版に形成された回路パターンを投影光学系を通してウェハ等の基板に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が使用される。
【０００３】
縮小投影露光装置で転写可能な最小の寸法（解像度）は、露光光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。したがって、短波長化及び高ＮＡ化によって解像度を向上させることができる。
【０００４】
露光光の短波長化によるアプローチでは、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）へと短波長化がなされている。
【０００５】
投影光学系の高ＮＡ化によるアプローチでは、液浸露光が注目されている（特許文献１）。液浸露光とは、投影光学系のウェハ側（像面側）の媒質として液体（液浸材）を使用する方法である。投影光学系のＮＡは、媒質の屈折率をｎとすると、ＮＡ＝ｎ・ｓｉｎθである。そこで、投影光学系とウェハとの間の露光光が通過する空間を空気の屈折率よりも高い屈折率（ｎ＞１）の媒質（液体）で満たすことでＮＡをｎまで大きくすることができる。換言すれば、液浸露光は、ウェハ側からみた投影光学系のＮＡを１以上にすることで解像度を向上させる。
【特許文献１】特開平１０−３０３１１４号公報
【特許文献２】特開２００５−２６８７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ウェハステージには、投影光学系及び液浸用の液体を介して入射する光を検知するセンサユニットが配置されうる。センサユニットは、受光素子と、それを覆うガラス板とを含みうる。受光素子とガラス板との間の空間には空気が満たされうる。投影光学系及び液浸用の液体を通過してくる光のうち１を超えるＮＡの光は、センサユニットのガラス板とその下の空気との境界面で全反射されるので、空気中に射出することはできない。これは、ＮＡが１を超える光の情報をセンサユニットで検知することができないことを意味する。
【０００７】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、露光装置においてＮＡが大きい光を検知するために好適な光学部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の側面は、投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置において使用される光学部品の製造方法を対象とし、前記製造方法は、光透過性基板の第１面に拡散面を形成する拡散面形成工程と、前記光透過性基板の第２面にマークを形成するマーク形成工程とを含む。
【０００９】
本発明の好適な実施形態によれば、前記製造方法は、前記第２面に遮光膜を形成する遮光膜形成工程を更に含むことができる。前記マーク形成工程では、前記遮光膜をパターンニングして前記マークを形成することができる。
【００１０】
本発明の好適な実施形態によれば、前記遮光膜形成工程の後に前記拡散面形成工程を実施し、前記拡散面形成工程の後に前記マーク形成工程を実施することができる。
【００１１】
本発明の好適な実施形態によれば、前記拡散面形成工程の後に前記遮光膜形成工程を実施し、前記遮光膜形成工程の後に前記マーク形成工程を実施することができる。
【００１２】
本発明の好適な実施形態によれば、前記マーク形成工程の後に前記マークを保護材で保護する保護工程を更に含み、前記保護工程の後に前記拡散面形成工程を実施することができる。
【００１３】
本発明の好適な実施形態によれば、前記拡散面形成工程では、前記第１面に対して部分的に拡散面を形成することができる。
【００１４】
本発明の第２の側面は、投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置において使用される光学部品の製造方法を対象とし、前記製造方法は、第１光透過性基板に拡散面を形成する拡散面形成工程と、第２光透過性基板にマークを形成するマーク形成工程と、前記拡散面が露出するように前記第１光透過性基板と前記第２光透過性基板とを結合する結合工程とを含む。
【００１５】
本発明の第１、第２の側面において、前記光学部品は、例えば、露光対象の基板を位置決めする基板ステージに配置されて光を検知するセンサユニットの部品である。
【００１６】
本発明の第３の側面は、投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置を対象とし、前記露光装置は、該基板を位置決めする基板ステージに配置されて光を検知するセンサユニットを備え、前記センサユニットは、受光素子と、前記受光素子と前記投影光学系との間に配置された光学部品とを含み、前記光学部品は、拡散面が形成された第１光透過性基板とマークが形成された第２光透過性基板とを前記拡散面が露出するように結合した構造を有し、前記拡散面が前記受光素子に対面している。
【００１７】
本発明の第４の側面は、デバイス製造方法に係り、前記製造方法は、上記の露光装置を使って基板を露光する工程と、前記基板を現像処理する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、例えば、露光装置においてＮＡが大きい光を検知するために好適な光学部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。  [第１実施形態]
図１は、本発明の好適な実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の露光装置２００は、照明系１１０と、レチクルステージ（原版ステージ）１２０と、投影光学系１３０と、ウェハステージ（基板ステージ）１４０と、センサユニット１００とを備える。
【００２０】
露光装置２００は、例えば、ステップアンドリピート方式やステップアンドスキャン方式で、レチクル（原版）ＲＣに形成された回路パターンを露光対象のウェハ（基板）Ｗの表面の感光剤に転写する。
【００２１】
露光装置２００は、投影光学系１３０とウェハＷとの間の露光光が通過する空間に液体を満たす液浸露光装置として構成されうる。液浸露光においては、投影光学系１３０のＮＡを１以上にすることができる。
【００２２】
照明系１１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクルＲＣを照明する。照明系１１０は、例えば、光源部１１１と、照明光学系１１３とを含む。
【００２３】
光源部１１１は、例えば、レーザーを含む。レーザーとしては、例えば、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーなどが好適である。例えば、ＹＡＧレーザーを使用してもよい。また、光源部１１１は、複数のレーザーを含んでもよい。例えば、独立に動作する２以上の固体レーザーを使用する場合、固体レーザー間相互のコヒーレンスはないので、コヒーレンスに起因するスペックルが低減される。更に、スペックルを低減するために光学系を直線駆動及び／又は回動駆動してもよい。光源部１１にレーザーが使用される場合、レーザーからの平行光束を所望の断面形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。光源部１１１に使用可能な光源は、レーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００２４】
照明光学系１１３は、マスクＲＣを照明する光学系であり、例えば、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含みうる。照明光学系１１３は、軸上光、軸外光を問わず使用することができる。ライトインテグレーターは、例えば、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されうる。ライトインテグレーターは、光学ロッドや回折素子で置き換えられうる。
【００２５】
レチクルステージ１２０は、レチクルＲＣを支持して駆動する。レチクルＲＣは、例えば、石英製の部材の上に転写されるべき回路パターン（又は像）を形成したものである。
【００２６】
レチクルＲＣから発せられた回折光は、投影光学系１３０を通りウェハＷ上に投影される。レチクルＲＣとウェハＷとは、共役の関係にある。露光装置２００が走査露光装置として構成される場合には、レチクルＲＣとウェハＷとを走査駆動しながらレチクルＲＣのパターンがウェハＷ上に転写される。露光装置２００がステッパー（ステップアンドリピート露光方式の露光装置として構成される場合には、レチクルＲＣとウェハＷとを静止させた状態で露光が行われる。
【００２７】
投影光学系１３０としては、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系、回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
【００２８】
ウェハＷには、フォトレジスト（感光剤）が塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理である。密着性向上剤塗布処理では、例えば、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００２９】
ウェハステージ１４０は、ウェハＷを支持する。ウェハステージ１４０は、例えば、リニアモータによって駆動されて、ＸＹＺ方向にウェハＷを位置決めすることができる。露光装置２００が走査露光装置として構成される場合には、レチクルＲＣとウェハＷは、同期走査される。この際に、レチクルステージ１２０とウェハステージ１４０の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウェハステージ１４０は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されたステージ定盤上に設けられる投影光学系１３０は、例えば、ベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００３０】
ウェハステージ１４０には、センサユニット１００が配置されている。センサユニット１００は、例えば、Ｚ方向（光軸方向）、ＸＹ方向（光軸に直交する方向）にウェハステージ１４０（ウェハＷ）を位置調整するために使用されうる。センサユニット１００は、マーク２が形成された基準板（光学部品）１と、センサ４とを含みうる。マーク２は、ウェハＷの表面高さ（つまり、投影光学系１３０の像側焦点）とほぼ同一高さに配置されている。
【００３１】
レチクルステージ１２０には、マーク１２４が形成された基準板１２２が配置されている。マーク１２４は、レチクルＲＣのパターン面の高さ（つまり、投影光学系１３０の物体側焦点）とほぼ同一高さに配置されている。
【００３２】
基準板１２に形成されたマーク１２４は、照明光学系１１０によって照明されて、投影光学系１３０を通して、マーク２が形成された基準板１に投影される。基準板１を透過した光の光量は、センサ４によって検知される。マーク１２４が基準板１に投影されて形成される像は、マーク２と同一の形状及び大きさを有する。センサ４によって検出される光量が最大となるようにＺ方向及びＸＹ方向にウェハステージ１４０を位置調整することによって投影光学系１３０の焦点を検出することができる。また、これと同時に、レチクルステージ１２０とウェハステージ１４０とのＸＹ方向の位置関係を検知することができる。
【００３３】
図２は、センサユニット１００の構成例を示す断面図である。センサユニット１００は、基準板（光学部品）１と、センサ４と、ホルダ５とを含みうる。センサ４は、１又は複数のフォトダイオード等の受光素子を含む。基準板１は、石英基板等の光透過性基板１Ｓを含み、光透過性基板１Ｓは、第２面及び第１面を有する。第１面は、センサ４側の面であり、第２面は、投影光学系１３０側の面である。第１面の少なくとも一部には、拡散面３が形成されている。基準板１は、光透過性基板１の第２面側に、マーク２が形成された遮光膜を有する。基準板４の拡散面３は、センサ４に対面し、基準板４とセンサ４との間の空間Ｓは、空気等の気体で満たされるか、真空に維持されうる。
【００３４】
マーク２を含むパターンは、光透過性基板１Ｓの第２面に遮光膜を形成した後に該遮光膜をリソグラフィー等の方法でパターニングして形成されうる。遮光膜は、露光装置において使用される露光光を遮光することができる材料、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ及びＡｌから選択される材料で構成されうる。マーク２は、例えば、１又は複数のラインマーク、１又は複数の円形マーク、若しくは、１又は複数の十字マーク、又は、これらの組み合わせを含みうる。
【００３５】
マーク２を通過又は透過した光は、光透過性基板１Ｓを透過して拡散面３に到達する。拡散面３は、露光装置の鉛直方向（Ｚ方向或いは光軸方向）に対して多用な斜面を含む。鉛直方向に対して多用な斜面を有するということは、入射する光線の入射角度が入射した斜面の角度に応じて変換されることを意味する。よって、１を超えるＮＡの光であっても、入射角度が減少する斜面からは空気中に出射することが可能となる。更に、屈折の法則にしたがって、センサ４の面に対してより垂直な方向に光線を屈折させる斜面からの光が効率よくセンサ４によって受光される。
【００３６】
投影光学系１３０とウェハＷとの間の露光光が通過する空間に液体を満たす液浸露光においては、投影光学系１３０のＮＡを１以上にすることができる。基準板１とセンサ４との間の空間Ｓが気体で満たされている場合又は真空に維持される場合には、拡散面３が形成されなければ、マーク２を透過した光のうちＮＡが１を超える光は、基準板１と空間Ｓとの境界面で全反射する。このような全反射が起こると、ＮＡが１を超える光に対してセンサ４が感度を有しないので、投影光学系１３０の焦点を正確に検出することができない。
【００３７】
センサ４及び基準板１は、ホルダ５に固定されている。基準板１は、例えば、接着剤によってホルダ５の搭載面５ｍに固定されうる。センサ４は、ボンディング工程によってホルダ５に固定されうる。図２において、電気配線等は省略されている。
【００３８】
ホルダ５は、マーク２が同面板１２の表面とほぼ同じ高さになるように搭載されている。マーク２は、典型的には、その中心が光透過性基板１Ｓの中心にほぼ一致するように配置される。拡散面３は、典型的には、その中心がマーク２の中心にほぼ一致するように配置される。
【００３９】
光透過性基板１Ｓの第１面（センサ４側の面）のうちホルダ５との結合部分を平面部１ｍとして、該結合部分の内側に拡散面３を形成することが好ましい。この場合、ホルダ５と光透過性基板１Ｓとの位置関係が該平面部１ｍとホルダ５の搭載面５ｍとによって決定される。よって、拡散面にホルダ５を結合する場合よりも、ホルダ５と光透過性基板１Ｓ（結果として、センサ４、同面板１２）との位置関係を高精度に決定することができる。また、光透過性基板１Ｓに平面部１ｍを設けて、平面部１ｍと搭載面５ｍとを結合することにより、空間Ｓの気密性を向上させることができる。
【００４０】
光透過性基板１Ｓに拡散面３を形成することによって、光透過性基板１Ｓの表面積が増加するので、拡散面３への汚染物質の付着により光の透過率が変化しやすい。そこで、空間Ｓには、窒素ガス等の不活性ガスを充填することが好ましい。機密性の向上は、不活性ガスの維持に寄与し、センサユニット１００の安定性を向上させる。
【００４１】
図３を参照しながら基準板１の製造方法を例示的に説明する。図３（ａ）に示す工程では、石英基板等の光透過性基板１Ｓの第１面に拡散面３を形成し（拡散面形成工程）、光透過性基板１Ｓの第２面に遮光膜６を形成する（マーク形成工程）。ここで、遮光膜６の形成後に拡散面３を形成してもよいし、拡散面３の形成後に遮光膜６を形成してもよい。ただし、遮光膜６の形成後に拡散面３を形成した方が、遮光膜６の成膜工程中に拡散面３に遮光膜が形成されたり拡散面３が汚染されたりする可能性を排除することができる。
【００４２】
拡散面３は、光透過性基板３の第１面に対して、例えば、すり加工又はブラスト加工を施すことによって形成されうる。光透過性基板１Ｓの第１面に対して部分的に拡散面３を形成する際には、マスクによって加工領域を容易に限定することができるブラスト加工が有利である。光透過性基板１Ｓの第１面に平面部１ｍと拡散面３とを定義する場合には、拡散面３の最も高い部分（凸部）が平面部１ｍよりも低いことが好ましい。このような構造によれば、拡散面３が平面部１ｍの存在によって保護される。
【００４３】
図３（ｂ）に示す工程では、例えば、リソグラフィー工程によって、マーク２、例えば、ライン・アンド・スペースパターンを形成する。以上の工程を経て基準板（光学部品）１が得られる。ここで、光透過性基板１Ｓに対して部分的に拡散面３を形成する方法を採用すると、リソグラフィー工程において光透過性基板１Ｓを操作することが容易である。図４は、プロセス装置の搬送系の一例を示す図である。図４では、光透過性基板１Ｓを下面から見ている。光透過性基板１Ｓを操作する搬送ハンド１０の吸着口９は、光透過性基板１Ｓの全面のうち拡散面３が配置されていない部分を吸着するように配置されることが好ましい。これにより、拡散面３である粗面に吸着口９が重なることによる吸着不良が防止される。
【００４４】
更に、ホルダ５にセンサ４を固定し、ホルダ５の搭載面５ｍに基準板１を固定することによって、センサユニット１００が得られる。
【００４５】
[第２実施形態]  第２実施形態は、基準板１の他の製造方法を提供する。ここで言及しない事項は、矛盾しない限りにおいて第１実施形態に従いうる。図５は、本発明の第２実施形態の基準板１の製造方法を示す図である。まず、図５（ａ）に示す工程では、石英基板等の光透過性基板１Ｓの第２面に遮光膜６を形成する（遮光膜形成工程）。次いで、図５（ｂ）に示す工程では、リソグラフィー等によって遮光膜６をパターニングしてマーク２を形成する。
【００４６】
次いで、図５（ｃ）に示す工程では、マーク２が形成された遮光膜６の表面を保護材８で保護した（保護工程）後に、光透過性基板１Ｓの第１面を研磨パッド７で研磨して拡散面３を形成する。保護材８としては、例えば、粘着タイプの保護シート、又は、塗布型の材料を使用することができる。保護材８としては、例えば、リソグラフィーで使用されるレジスト保護シートが好適である。拡散面３は、部分的なブラスト加工や部分的なすり加工によって、光透過性基板１Ｓに部分的に形成されてもよい。
【００４７】
次いで、図５（ｄ）に示す工程では、マーク２が形成された遮光膜６から保護材８を除去する。
【００４８】
図５（ｅ）に示す工程では、光透過性基板１Ｓから基準板１として使用する部分を切り出して、基準板１又はホルダ５（不図示）に結合される。この際に、マーク２が形成された遮光膜６と同面板１２とが同一面を構成するように、基準板１が位置決めされる。位置決めは、図５（ｅ）に例示するように、マーク２が形成された遮光膜６を下方に向けて重力を利用してなされうる。基準板１の固定は、接着のほか、機械的な締結手段などによってもなされうる。
【００４９】
[第３実施形態]
第３実施形態は、基準板１の他の製造方法を提供する。ここで言及しない事項は、矛盾しない限りにおいて第１実施形態に従いうる。
【００５０】
図６は、本発明の第３実施形態の基準板１の製造方法を示す図である。まず、図６（ａ）に示す工程では、石英基板等の光透過性基板１Ｓ１の第２面を保護材８で保護した後に、光透過性基板１Ｓ１の第１面を研磨パッド７で研磨して拡散面３を形成する。保護材８としては、例えば、粘着タイプの保護シート、又は、塗布型の材料を使用することができる。例えば、リソグラフィーで使用されるレジスト保護シートが好適である。
【００５１】
一方、図６（ｂ）に示す工程では、別に用意した石英基板等の光透過性基板１Ｓ２の第２面に遮光膜６を形成し、図６（ｃ）に示す工程では、リソグラフィー工程によって遮光膜６をパターンニングしてマーク２を形成する。マーク２を形成する際にも、反対側の面に保護材８を形成してもよい。
【００５２】
図６（ｄ）に示す工程では、別々に製作した拡散面付き基板１Ｓ１とマーク付き基板１Ｓ２とを、拡散面が露出するようにオプティカルコンタクト又は結晶直接接合等の接合方法によって結合して基準板１を形成する（結合工程）。ＡｒＦレーザー光（波長：１９３ｎｍ）の露光光として使用することを想定した場合には、そのような波長の光を吸収する接着剤を接合のために使用すべきではない。
【００５３】
［デバイス製造方法］
本発明の露光装置は、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶パネル等の表示デバイス、磁気ヘッドなどの検出デバイス、ＣＣＤなどの撮像デバイスといった各種デバイス、マイクロメカニクスで用いる微細パターンの製造に好適である。
【００５４】
次に本発明の露光装置を利用したデバイスの製造プロセスを説明する。ここでは、一例として半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクル（原版またはマスクともいう）を作製する。一方、ステップ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウェハを用いて、リソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００５５】
図８は、上記ウェハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記の露光装置を用いて、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウェハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ１７（現像）ではウェハに転写されたレジストを現像してレジストパターンを形成する。ステップ１８（エッチング）ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の好適な実施形態の露光装置を概略構成を示す図である。
【図２】本発明の好適な実施形態のセンサユニットの概略構成を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態の基準板の製造方法を示す図である。
【図４】プロセス装置の搬送系の一例を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態の基準板の製造方法を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態の基準板の製造方法を示す図である。
【図７】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図８】ウェハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  基準板
１Ｓ  光透過性基板
１ｍ  平面部
２  マーク
３  拡散面
４  センサ
５  ホルダ
５ｍ  搭載面
１００  センサユニット
Ｓ  空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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