(57)【要約】      （修正有）【課題】切削材の噴出による切削加工におけるワークの非表示領域への切削加工屑の付着を防止し品質が向上するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】アドレス電極３０１や引出電極３１０を形成する電極形成工程で、基板の非表示領域にダミー電極３３０を形成する。電極形成工程、基板の表示領域に絶縁層を形成する絶縁層形成工程、絶縁層上に隔壁形成材料層を形成する隔壁形成材料層形成工程、隔壁形成材料層上に隔壁の形状に対応した隔壁パターンのレジストマスクを被覆形成するマスク形成工程を実施して形成したワークを、サンドブラスト装置にて切削材を噴射し隔壁形成材料層を切削加工するサンドブラスト工程を実施する際、各外部接続端子部３１１とダミー電極３３０を接地する。それにより部分的な静電気の帯電状態の差が生じず、切削加工屑の付着を防止できる。【選択図】 図５
2007026960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の電極を形成する電極形成工程と、前記基板の電極が形成された面上で表示領域に対応する領域に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記基板の絶縁層上に隔壁形成材料層を形成するとともにこの隔壁形成材料層上に隔壁パターンに対応した開口を有するマスクを順次形成し、切削材の噴射により前記マスクの開口を介して前記隔壁形成材料層を切削加工して隔壁を形成する隔壁形成工程と、を実施するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記電極形成工程では、前記基板の前記電極が形成される面における前記表示領域外となる非表示領域に擬似電極を形成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記隔壁形成工程では、前記切削材の噴射による切削加工の際に前記基板を接地電位に接続する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記隔壁形成工程における前記基板の接地電位への接続として、前記電極とともに前記擬似電極を接地電位に接続する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記擬似電極は、前記電極の外部接続される引出電極が位置する引出電極群間に位置して形成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記擬似電極は、前記引出電極群における前記引出電極の密度に略近似する密度で形成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切削材を噴射して被加工体をサンドブラスト加工するプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）は、一対の平面基板同士が放電空間を介して互いに対向配置され、一方の平面基板の内面上に井桁状もしくはストライプ状の隔壁を設けている。このことにより、ＰＤＰは、放電空間が複数個の放電セルに区画される。そして、ＰＤＰは、複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を行う装置である。
【０００３】
図１に一般的なストライプ状の隔壁を備えたＰＤＰの内部構造を示す。この図１において、８００はＰＤＰで、このＰＤＰ８００は、放電空間８０１を介して前面基板８１０と背面基板８２０とが対向配置されている。前面基板８１０の内面側には、複数の透明電極８１１、複数のバス電極８１２、複数のブラックストライプ８１３、誘電体層８１４および保護膜８１５がそれぞれ設けられている。背面基板８２０の内面側には、この背面基板８２０上に複数のアドレス電極８２１がそれぞれ平行に設けられ、これらアドレス電極８２１を覆うように背面基板８２０の内面側にアドレス保護層８２２が設けられ、さらにこのアドレス保護層８２２上にストライプ形状の隔壁８２３が設けられ、これら隔壁８２３により、複数個の放電セル８２４が区画形成される。そして、複数個の放電セル８２４の内部には、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層（８２５Ｒ、８２５Ｇ、８２５Ｂ）が順に形成されている。放電空間８０１の内部、すなわちそれぞれの放電セル８２４の内部は、ネオンガスなどの放電ガスが充填され、外気との間で密閉されている。
【０００４】
従来、この図１に示すようなＰＤＰの背面基板８２０に隔壁を形成する場合、この隔壁は、スクリーン印刷法による重ね刷りで形成されていたが、最近では精度の点からサンドブラスト法により形成されることが多くなっている。サンドブラスト法によって隔壁を形成する場合、あらかじめ基板上にアドレス電極を形成しておき、この基板上にガラスペーストなどを塗布して隔壁材料層を形成し、この上に隔壁のパターンに対応するレジストマスクを被覆する。そして、レジストマスクおよび隔壁材料層が形成された基板に対して、切削材を含んだドライエアを噴射ノズルから噴射することにより、隔壁材料層のレジストマスクに覆われていない部分を除去し、次いでレジストマスクを剥離してから基板を焼成する手順が採られている。
【０００５】
このようなサンドブラスト法では、加工時に静電気が発生することが問題となる。一般に、静電気は、物質同士の接触圧力が大きい程、物質同士が接触してから乖離するまでの時間が短い程、あるいは、環境中の湿度が低い程、発生し易くなる。サンドブラスト法により隔壁を形成する場合は、高い噴射圧力で隔壁材料層に切削材を衝突させるために、切削材の噴射にドライエアを使用するので、静電気が発生し易くなり、この静電気が基板の品質に悪影響を与えるおそれがある。
【０００６】
例えば、図２に示すように、隔壁材料層８２３Ａの下にあるアドレス電極８２１が中央で分割されて分割電極部８２１Ａが形成されている場合、静電気が発生して分割電極部８２１Ａ近傍に所定量の電荷が蓄積すると、分割電極部８２１Ａの端部間で放電が起こる。このため、分割電極部８２１Ａ近傍の隔壁材料層８２３Ａの一部が破壊されてピンホールが発生し、アドレス電極８２１が露出するという不具合が生じるおそれがある。また、電荷が集中した分割電極部８２１Ａ付近の隔壁材料層８２３Ａの上には切削材が吸着し、この近傍の隔壁材料層８２３Ａが切削され難くなって残渣となって残るおそれもある。さらには、アドレス電極８２１の膜厚の薄い部分が断線するというおそれもある。
【０００７】
このような静電気の発生を防ぐために、物質表面に帯電した自由電子を逃がす除電する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に形成したアドレス電極の端子部を隔壁材料層で覆わずに露出させた状態にしておき、このアドレス電極の端子部に当接して導電性ブラシなどの除電手段を設け、サンドブラスト加工時に、基板上に発生した静電気をアドレス電極の端子部から除電手段を介して除電する構成が採られている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１１７８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した特許文献１に記載のような従来の構成では、除電手段によりアドレス電極の端子部に除電手段を接触させて接地電位に接続しても、基板の外周に位置する非表示領域におけるアドレス電極の端子部が設けられた領域と、これら端子部が位置しない領域とでは帯電状態に差が生じ、切削加工屑などの残滓が基板の非表示領域から十分に除去できないおそれがある。このことにより、残滓の付着により品質に悪影響を与えるおそれがある問題点が一例として挙げられる。
【００１０】
本発明は、このような実情などに鑑みて、切削材の噴出による切削加工における基板の非表示領域への残滓の付着を防止し品質が向上するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、基板上に複数の電極を形成する電極形成工程と、前記基板の電極が形成された面上で表示領域に対応する領域に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記基板の絶縁層上に隔壁形成材料層を形成するとともにこの隔壁形成材料層上に隔壁パターンに対応した開口を有するマスクを順次形成し、切削材の噴射により前記マスクの開口を介して前記隔壁形成材料層を切削加工して隔壁を形成する隔壁形成工程と、を実施するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記電極形成工程では、前記基板の前記電極が形成される面における前記表示領域外となる非表示領域に擬似電極を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の一形態を図面に基づいて説明する。図３は、本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルを製造する製造方法の隔壁を形成する際に、切削材を噴射して切削加工するサンドブラスト加工を実施するサンドブラスト装置を示す概略構成図である。図４は、サンドブラスト加工する背面基板となるワークを示す一部を省略した平面図である。図５は、ワークの非表示領域におけるダミー電極近傍の電極パターンを概略的に示す平面図である。
【００１３】
〔サンドブラスト装置の構成〕
図３において、１００はサンドブラスト装置で、このサンドブラスト装置１００は、被加工物であるプラズマディスプレイパネルを構成する背面基板の形成のために基板であるワークＷに切削材を噴射して切削加工、すなわちサンドブラスト加工を実施する装置である。このサンドブラスト装置１００は、サンドブラスト室１０１内に配設されている。このサンドブラスト室１０１は、内部に加湿調整手段１０２が設けられ、この加湿調整手段１０２によって内部の湿度が高い状態に保持されている。この加湿調整手段１０２は、サンドブラスト室１０１内の空気を加湿する加湿器などで、例えば、水を加熱して蒸気を発生させるもの、あるいは、超音波で蒸気を発生させるもの、その他の手段で蒸気を発生させるいずれのものを採用することができる。この加湿調整手段１０２は、例えば湿度を５０〜６０％に調整することが好ましい。すなわち、加湿調整手段１０２は、サンドブラスト加工時にワークＷの表面に付着する水分量を増大させてワークＷの表面における電気伝導率を向上させて蓄積する静電気を大気中に放出させる高湿度に、サンドブラスト室１０１内を保持する。
【００１４】
ここで、サンドブラスト加工を施すワークＷは、前工程において電極であるアドレス電極および隔壁形成層が生成されたものである。すなわち、サンドブラスト装置１００は、電極形成工程、絶縁層形成工程と、隔壁形成工程における隔壁形成材料層形成工程と、隔壁形成工程におけるマスク形成工程と、が実施されたワークＷを、隔壁形成工程におけるサンドブラスト工程でサンドブラスト加工する装置である。そして、電極形成工程は、基板上に複数の電極であるアドレス電極を形成する工程である。
【００１５】
この電極形成工程において、アドレス電極の形成として、図４に示すように、プラズマディスプレイパネルの表示領域２０１に対応する位置にアドレス電極３０１を複数ストライプ状に形成するとともに、表示領域２０１外の非表示領域２０２に位置して各アドレス電極３０１に接続する状態に複数の引出電極３１０が形成される。なお、図４は、説明の都合上、アドレス電極および引出電極３１０を概略的に粗な状態で示した図である。これら引出電極３１０は、図４および図５に示すように、外部接続のための外部接続端子部３１１と、アドレス電極３０１および外部接続端子部３１１を接続するアドレス電極引出部３１２を有している。なお、図５は、説明の都合上、引出電極３１０を誇張するとともに一部を省略した図である。そして、外部接続端子部３１１は、引出電極群である引出部３２０として、所定の間隔でまとまって形成される。さらに、電極形成工程では、引出部３２０およびアドレス電極引出部３１２にて区画される図４に示す領域２１０に、図５に示すように、擬似電極としてのダミー電極３３０がストライプ状に複数形成される。これらダミー電極３３０は、例えば、引出部３２０における外部接続端子部３１１の密度と、ダミー電極３３０の密度とが略同等となるように形成されている。すなわち、引出部３２０における外部接続端子部３１１の面積割合と、ダミー電極３３０が形成される領域２１０におけるダミー電極３３０の面積割合とが略同等となるように形成されている。具体的には、ダミー電極３３０は、引出部３２０における外部接続端子部３１１と略同幅寸法で、外部接続端子部３１１間のピッチと略同ピッチで形成されている。
【００１６】
このようにアドレス電極３０１、引出電極３１０およびダミー電極３３０を形成する電極形成工程の後に実施される絶縁層形成工程は、電極形成工程によりアドレス電極３０１が形成された基板２２０のアドレス電極形成面における表示領域２０１に対応する領域に、図示しない絶縁層を生成する工程である。隔壁形成材料層形成工程は、絶縁形成工程により絶縁層が形成された基板２２０の絶縁層の上面に、図示しない隔壁形成材料層を形成する工程である。マスク形成工程は、隔壁形成材料層形成工程で形成した隔壁形成材料層の上面に、隔壁の形状に対応した隔壁パターンが開口形成された図示しないレジストマスクを被覆形成する工程である。なお、隔壁形成材料層を形成する隔壁材料としては、比重が比較的に小さい低融点ガラスなどが利用される。また、サンドブラスト装置１００でサンドブラスト加工に利用する切削材としては、比重が比較的に大きいガラスビーズや、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）などの粒子などが利用される。
【００１７】
そして、サンドブラスト装置１００は、図３に示すように、ワークＷを搬送する搬送ローラ１０３と、ブラストガン１１０、加工室１２０、ブラストキャビネット１３０、材料供給タンク１４０、分離フィルタ１５０、遠心分離機１６０、集塵機１７０、切削材タンク１８０、定量供給装置１９０、などを備えている。ブラストガン１１０は、切削材をドライエアと共にワークＷにこのワークＷの平面に対して交差する方向に噴射するもので、加工室１２０の内部に設けられる。このブラストガン１１０は、ワークＷの移動に連動して揺動可能に設けられている。このブラストガン１１０による切削材の噴射によって、ワークＷにおける図示しないレジストマスクで被覆されていない隔壁材料層が切削・除去され、切削後の隔壁材料と切削材となどが混在した切削加工屑が発生する。
【００１８】
加工室１２０は、その内部で実際にサンドブラスト加工が行われる筐体であって、加工後の切削材や切削された隔壁材料などの切削加工屑が加工室１２０の外部に飛散しないように構成されている。具体的には、加工室１２０は、内部圧力が外部圧力に対して低い状態に保たれている。この加工室１２０の一部には、ワークＷが搬入される搬入窓１２１、ワークＷが搬出される搬出窓１２２が開口形成され、これら搬入窓１２１および搬出窓１２２を貫通するように、搬送ローラ１０３によって搬送ラインが形成されている。すなわち、搬送ローラ１０３は水平面においてワークＷの移動方向に対して略垂直に複数個並列に配設され、これら搬送ローラ１０３によりワークＷの移動方向と略平行な搬送ラインが形成される。また、この加工室１２０の底部には、排出部１２３が設けられ、切削加工屑が排出部１２３を介して加工室１２０外へ排出可能となっている。さらに、加工室１２０の内部には、ヒータ１２４が設けられ、切削加工屑を乾燥する。
【００１９】
ブラストキャビネット１３０は、加工室１２０および加工室１２０に対してワークＷの搬送方向の下流側に位置して設けられた筐体で、加工室１２０に飛散する切削加工屑を回収する。このブラストキャビネット１３０には、ワークＷを搬入する搬入窓１３１およびワークＷを搬出する搬出窓１３２が開口形成されている。そして、ブラストキャビネット１３０は、搬送ラインが搬入窓１３１および搬出窓１３２と加工室１２０の搬入窓１２１および搬出窓１２２とを貫通する状態に構成されている。また、ブラストキャビネット１３０には、サンドブラスト加工後のワークＷをエアで洗浄することによって、ワークＷに付着した切削加工屑を除去する図示しないエア洗浄手段が設けられている。この除去された切削加工屑は、排出部１２３と同様の図示しない排出部を介して、ブラストキャビネット１３０外へ排出される。
【００２０】
材料供給タンク１４０は、新たな切削材を供給するタンクであり、分離フィルタ１５０へと連絡されている。この材料供給タンク１４０は、内部にヒータ１４１が設けられ、内部をドライ化する。
【００２１】
分離フィルタ１５０は、加工室１２０の排出部１２３やブラストキャビネット１３０の排出部から排出された切削加工屑を回収し、この回収した切削加工屑に混入した異物を除去するフィルタである。そして、分離フィルタ１５０によって回収された切削加工屑は、遠心分離機１６０へと移送され、この遠心分離機１６０により、重量が小さい切削後の隔壁材料などと重量が大きい切削材とに分離される。集塵機１７０は、遠心分離機１６０で分離された切削後の隔壁材料などを回収する。この集塵機１７０には、内部に吸気ファン１７１および図示しない隔壁材料収納部が設けられている。そして、吸気ファン１７１は、遠心分離機１６０で分離された切削後の隔壁材料を吸引して隔壁材料収納部へ移送する。また、吸気ファン１７１は、吸気によって加工室１２０の内部圧力を外部圧力に対して低くなるように調整する。なお、隔壁材料収納部に貯蔵された切削後の隔壁材料は、省資源化の観点から、再利用される。
【００２２】
切削材タンク１８０は、遠心分離機１６０で分離された切削材を回収する。この回収した切削材は、切削材タンク１８０に接続された定量供給装置１９０へ移送される。また、切削材タンク１８０は、内部にヒータ１８１が設けられ、内部をドライ化している。定量供給装置１９０は、切削材タンク１８０で回収された切削材を定量調整し、ブラストガン１１０へ加圧供給する。この定量供給装置１９０には、内部にヒータ１９１が設けられ、内部をドライ化している。なお、加工室１２０、材料供給タンク１４０、切削材タンク１８０および定量供給装置１９０の内部に設けられたヒータ１２４、１４１、１８１、１９１は、これらの各装置の内部をドライ化し、微小粒である切削材同士が湿度によって接着し、均一なサンドブラスト加工が行えなくなることを防ぐためである。
【００２３】
〔サンドブラスト装置の動作〕
次に、上記したサンドブラスト装置１００によって、隔壁形成工程でのプラズマディスプレイパネルの背面基板の形成のためにワークＷに隔壁を形成する動作について説明する。
【００２４】
まず、サンドブラスト加工を実施する隔壁形成工程の前工程、すなわち、上述したように、電極形成工程、絶縁層形成工程、隔壁形成材料層形成工程およびマスク形成工程を実施してワークＷを形成しておく。また、サンドブラスト室１０１の内部の湿度を加湿調整手段１０２によって適度に加湿調整するとともに、サンドブラスト装置１００の各構成装置を作動させておく。この作動の際、集塵機１７０の吸気ファン１７１の回転により、加工室１２０の内部圧力が外部圧力に比して低く調整される。このことにより、加工室１２０の搬入窓１２１および搬出窓１２２や、ブラストキャビネット１３０の搬入窓１３１および搬出窓１３２などから、加湿された空気が内部へ導入される。
【００２５】
このような状態でワークＷを搬送ローラ１０３上に載置させ、ワークＷをブラストキャビネット１３０の搬入窓１３１、および加工室１２０の搬入窓１２１を経由させ加工室１２０の内部へと搬入する。加工室１２０の内部圧力が外部圧力に対して負圧の状態となっているので、搬入されたワークＷの表面は、加工室１２０の搬入窓１２１および搬出窓１２２や、ブラストキャビネット１３０の搬入窓１３１および搬出窓１３２などから流入した加湿された空気が接触する状態となっている。
【００２６】
そして、サンドブラスト装置１００は、加工室１２０内に搬入されたワークＷの被処理面、すなわちレジストマスクが設けられた面へブラストガン１１０から切削材を噴射する。この切削材の噴射の際、ワークＷを接地電位に接続させる。すなわち、非表示領域２０２に位置して、引出部３２０における各外部接続端子部３１１とダミー電極３３０とに、例えば導電性ブラシなどの除電手段をそれぞれ接触させて接地させる。そして、ブラストガン１１０は、ワークＷの移動に連動してワークＷの幅方向に往復する状態に揺動し、ワークＷの被処理面の一端から他端へかけて漏れなく切削材を噴射し、ワークＷのレジストマスクにより被覆されていない隔壁材料層を切削・除去する。このサンドブラスト加工時に発生した切削加工屑は、ヒータ１２４によって瞬間的に乾燥され、加工室１２０の排出部１２３へ吸気ファン１７１の回転により吸引される。
【００２７】
また、ワークＷが搬送され搬出窓１２２に到達するまでに、ワークＷの被処理面の略全面に対してサンドブラスト加工が行われ、加工後、ワークＷは搬出窓１２２からブラストキャビネット１３０内のバッファー室に搬送される。このバッファー室において、サンドブラスト加工後のワークＷは図示しないエア洗浄手段によって洗浄され、ワークＷに付着した切削加工屑が除去される。ワークＷのエア洗浄後、ワークＷは搬出窓１３２からブラストキャビネット１３０の外側に搬出され、一連のサンドブラスト加工が完了する。この後、ワークＷからレジストマスクを剥離する工程へ移送される。
【００２８】
〔実施の形態の作用効果〕
上述したように、上記実施の形態では、基板２２０上に複数のアドレス電極３０１や引出電極３１０を形成する電極形成工程で、アドレス電極３０１や引出電極３１０が形成される基板２２０の面における表示領域２０１外となる非表示領域２０２に位置してダミー電極３３０を形成している。このことにより、電極形成工程、アドレス電極３０１や引出電極３１０、ダミー電極３３０が形成された基板２２０の上面で表示領域２０１に対応する領域に図示しない絶縁層を形成する絶縁層形成工程、絶縁層上に隔壁形成材料層を形成する隔壁形成材料層形成工程、隔壁形成材料層上に隔壁の形状に対応した隔壁パターンが開口形成された図示しないレジストマスクを被覆形成するマスク形成工程を実施して形成したワークＷを、サンドブラスト装置１００にて切削材を噴射してレジストマスクの隔壁パターンに対応する開口から隔壁形成材料層を切削加工するサンドブラスト工程を実施した際に、引出部３２０間に位置するダミー電極３３０により、引出部３２０が位置する領域と、ダミー電極３３０が位置する領域２１０とで、静電気の帯電状態に差が生じず、切削加工屑がワークＷの非表示領域２０２に付着することが防止され、例えば引出部３２０に外部電極を接続する際に接続不良が生じるなどの不都合を防止でき、安定した良好な品質のプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【００２９】
仮に、切削加工屑が非表示領域２０２に付着する状態でも、ワークＷを接地電位に接続、すなわち引出部３２０とダミー電極３３０とを除電手段により接地させて除電していることから、静電気による切削加工屑の吸着力はないあるいは強くない。このため、ブラストキャビネット１３０内のバッファー室におけるエア洗浄手段により十分に除去され、エア洗浄などの簡単な構成で、上述した接続不良などの不都合を確実に防止できる。
【００３０】
さらに、引出部３２０における外部接続端子部３１１の密度と、ダミー電極３３０の密度とが略同等となるように形成している。すなわち、引出部３２０における外部接続端子部３１１の面積割合と、ダミー電極３３０が形成される領域２１０におけるダミー電極３３０の面積割合とが略同等となるように形成している。このため、より非表示領域２０２における部分的な静電気の帯電状態に差が生じず、より切削加工屑の付着が防止され、上述した接続不良などの不都合を確実に防止できる。
【００３１】
特に、ダミー電極３３０の形成として、引出部３２０における外部接続端子部３１１と略同幅寸法で、外部接続端子部３１１間のピッチと略同ピッチで形成している。このため、外部接続端子部３１１と同様にダミー電極３３０を形成でき、非表示領域２０２における部分的な静電気の帯電状態の差が生じない構成が容易に得られ製造工程が煩雑となることを防止できる。
【００３２】
そして、加湿調整手段１０２を備えたサンドブラスト室１０１内にサンドブラスト装置１００を配設している。このため、加湿された空気がサンドブラスト加工を実施する加工室１２０内に流入してワークＷに接触するので、さらにワークＷに静電気が帯電しにくくなり、より良好に切削加工屑の非表示領域２０２における付着を防止できる。
【００３３】
〔実施の形態の変形〕
なお、本発明は、上述した実施の一形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
【００３４】
すなわち、サンドブラスト工程として上述したサンドブラスト装置１００の構成に限らず、切削材を噴射して隔壁を形成可能ないずれの装置を利用できる。例えば、加湿調整手段１０２を備えたサンドブラスト室１０１内にサンドブラスト装置１００を配設した構成に限らず、加湿調整手段１０２を加工室１２０内に設けるなど、加湿した空気をワークＷに吹き付ける構成などとしてもよく、さらには加湿する構成を設けないものでも可能である。さらに、切削加工屑を回収して切削材を回収し、再利用する構成を設けない、あるいは他のいずれの再利用可能な構成を利用したり、ヒータ１２４などを設けない構成としたりするなどしてもよい。
【００３５】
また、本発明の擬似電極として、ダミー電極３３０の形状に限らず、非表示領域２０２における部分的な静電気の帯電状態に差が生じることを抑制可能ないずれの形状に形成してもよい。すなわち、例えば図６に示すように、ダミー電極３３０をアドレス電極引出部３１２にアドレス電極引出部３１２が互いに短絡しない状態で接続する状態に形成したり、図７に示すように、ダミー電極３３０が形成される領域２１０の形状に対応して屈曲する形状としたり、図８に示すように、ダミー電極３３０が形成される領域２１０のほぼ全域に１つのみ形成したり、ストライプ状に限らず、除電手段が接触してダミー電極が接地される状態にマトリックス状やドット状に形成するなどしてもよい。
【００３６】
さらに、本発明の擬似電極として、ダミー電極３３０をアドレス電極３０１間に位置する状態に延出形成してもよい。具体的には、図９に示すように、図７に示す実施の形態における複数のダミー電極３３０の接続部分となる頂部の位置に、例えばアドレス電極３０１を形成する際に、アドレス電極３０１間にアドレス電極３０１と略平行に帯状に設けた延出ダミー電極３３０Ａが接続する状態としている。このような構成としても、上述した各実施の形態と同様の作用効果を奏する。
【００３７】
そして、除電する構成としては、導電性ブラシなどを接触させる構成の他、軟質部材の表面に導電部材を被覆した柱状部材を用いるなど、いずれの方法でワークＷを接地電位に接続させる構成が適用できる。
【００３８】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【００３９】
〔実施の形態の効果〕
上述したように、基板２２０上に複数のアドレス電極３０１や引出電極３１０を形成する電極形成工程で、アドレス電極３０１や引出電極３１０が形成される基板２２０の面における表示領域２０１外となる非表示領域２０２に位置してダミー電極３３０を形成する。このため、電極形成工程、アドレス電極３０１や引出電極３１０、ダミー電極３３０が形成された基板２２０の上面で表示領域２０１に対応する領域に図示しない絶縁層を形成する絶縁層形成工程、絶縁層上に隔壁形成材料層を形成する隔壁形成材料層形成工程、隔壁形成材料層上に隔壁の形状に対応した隔壁パターンが開口形成された図示しないレジストマスクを被覆形成するマスク形成工程を実施して形成したワークＷを、サンドブラスト装置１００にて切削材を噴射してレジストマスクの隔壁パターンに対応する開口から隔壁形成材料層を切削加工するサンドブラスト工程を実施した際に、非表示領域２０２における静電気の帯電状態に部分的な差が生じず、切削加工屑がワークＷの非表示領域２０２に付着することを防止でき、例えば引出部３２０に外部電極を接続する際に接続不良が生じるなどの不都合を防止でき、安定した良好な品質のプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来の一般的なプラズマディスプレイパネルの内部構造を示す一部を切り欠いた分解斜視図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイパネルを構成する背面基板の形成のためにサンドブラスト加工するワークを示す一部を切り欠いた斜視図である。
【図３】本発明における実施の一形態に係るサンドブラスト工程で利用するサンドブラスト装置を示す概略構成図である。
【図４】前記実施の一形態におけるサンドブラスト加工するワークを示す一部を省略した平面図である。
【図５】前記実施の一形態におけるワークの非表示領域におけるダミー電極近傍のパターンを概略的に示す平面図である。
【図６】本発明における他の実施の形態に係るワークの非表示領域におけるダミー電極近傍のパターンを概念的に示す平面図である。
【図７】本発明におけるさらに他の実施の形態に係るワークの非表示領域におけるダミー電極近傍のパターンを概念的に示す平面図である。
【図８】本発明におけるさらに他の実施の形態に係るワークの非表示領域におけるダミー電極近傍のパターンを概念的に示す平面図である。
【図９】本発明におけるさらに他の実施の形態に係るワークの非表示領域におけるダミー電極近傍のパターンを概念的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１００……サンドブラスト装置
２０１……表示領域
２０２……非表示領域
２２０……基板
３１０……電極である引出電極
３２０……引出電極群である引出部
３３０……擬似電極であるダミー電極
Ｗ……基板であるワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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