(57)【要約】【課題】  放射線像燐光体又はシンチレータパネルにおいて支持体層と貯蔵燐光体又はシンチレータ層の間の許容可能な接着性及び低い腐食性を達成する。【解決手段】  陽極酸化層を有するアルミニウム層であってクロムが前記アルミニウム層及び／又は前記陽極酸化層に存在するもの、及び保護被覆でカバーされた、上部に針状燐光体又はシンチレータ結晶を含む蒸着燐光体又はシンチレータ層を連続層の層配置として含む放射線像燐光体又はシンチレータパネルにおいて、前記陽極酸化層が少なくとも０．００１の陽極酸化層厚さｔに対する平均表面粗さＲａの比率を有し、Ｒａが０．０１μｍから０．３０μｍ未満の範囲にあり、前記陽極酸化層が１μｍから１０μｍまでの範囲の厚さを有することを特徴とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極酸化層を有するアルミニウム支持体であってクロムが前記アルミニウム層及び／又は前記陽極酸化層に存在するもの、及び保護被覆でカバーされた、上部に針状燐光体又はシンチレータ結晶を含む蒸着燐光体又はシンチレータ層を連続層の層配置として含む放射線像燐光体又はシンチレータパネルにおいて、前記陽極酸化層が少なくとも０．００１の陽極酸化層厚さｔに対する平均表面粗さＲａの比率を有し、Ｒａが０．０１μｍから０．３０μｍ未満までの範囲にあり、前記陽極酸化層が１μｍから１０μｍまでの範囲の厚さを有することを特徴とする放射線像燐光体又はシンチレータパネル。
【請求項２】
前記比率が０．００５から０．３０未満までの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の放射線像燐光体又はシンチレータパネル。
【請求項３】
前記陽極酸化層と前記燐光体又はシンチレータ層の間に下層をさらに含み、前記下層が無機化合物を含むこと、及び前記下層が０．１μｍから２．５μｍまでの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線像燐光体又はシンチレータパネル。
【請求項４】
前記無機化合物が金属化合物又は金属酸化物化合物であり、前記金属が錫、銅、ニッケル、クロム、スカンジウム、イットリウム、タンタル、バナジウム、チタン、ニオブ、コバルト、ジルコニウム、モリブデン及びタングステンからなる群から選択されることを特徴とする請求項３に記載の放射線像燐光体又はシンチレータパネル。
【請求項５】
４μｍから１５μｍまでの範囲の厚さを有する有機ポリマー層からなるプレコート層を含み、前記ポリマーがセライト、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリスチレン、ポリスチレン−アクリロニトリル、ポリウレタン、ヘキサ官能ポリアクリレート、ポリビニリデンジフルオライド、エポキシ官能ポリマー及びポリ−ｐ−キシリレンからなる群から選択され、前記ポリマーが有機シランベースのポリマーであるときに前記プレコート層が１μｍから５μｍ未満までの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線像燐光体又はシンチレータパネル。
【請求項６】
前記下層が有機プレコート層でさらにオーバコートされる請求項３又は４に記載の放射線像燐光体又はシンチレータパネル。
【請求項７】
前記燐光体層がマトリックス化合物としてアルカリ金属ハロゲン化物及び活性化剤化合物としてランタノイドを有する針状燐光体結晶を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の放射線像燐光体。
【請求項８】
前記針状燐光体が光刺激性ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の放射線像燐光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極酸化されたアルミニウム支持体上に蒸着された燐光体又はシンチレータ層を与えられた、結合剤のない放射線像スクリーン又はパネルに関し、前記パネルは、アルミニウム腐食のため少ない「孔食（ｐｉｔｔｉｎｇ）」又は「少ない孔食程度」を示し、前記陽極酸化されたアルミニウム支持体上への燐光体又はシンチレータ層の許容可能な接着性を有する。
【背景技術】
【０００２】
スクリーンを像に従って変調された透過放射線に露光することによって放射線像が燐光体又はシンチレータスクリーン上に記録される放射線像記録システムは今日、広く使用されている。
【０００３】
貯蔵燐光体スクリーンの場合には、記録された像は露光された光刺激性燐光体スクリーンを刺激放射線によって刺激することによって、及び刺激で燐光体スクリーンによって放出された光を検出し、検出された光を放射線像の電気信号表示に変換することによって再現される。
【０００４】
幾つかの用途、例えばマンモグラフィでは、像のシャープネスは極めて重要なパラメータである。光刺激性燐光体スクリーンから読み出された像のシャープネスはスクリーン自体のシャープネス及び解像度だけでなく、使用された読み出しシステムによって得られた解像度にも依存する。
【０００５】
今日使用される従来の読み出しシステムではフライングスポットタイプの走査ユニットが一般に使用される。かかる走査ユニットは刺激放射線の源（例えばレーザ光源）、光刺激性燐光体スクリーン上に走査線を形成するようにレーザによって放出された光を偏向するための手段、及びレーザビームをスクリーン上に合焦するための光学手段を含む。
【０００６】
かかるシステムの例は商品名ＡＤＣ７０及びＡｇｆａ  Ｃｏｍｐａｃｔによって示されるＡｇｆａ診断システムである。これらのシステムではＢａＦＢｒ：Ｅｕ燐光体を含む光刺激性燐光体スクリーンが一般に使用される。
【０００７】
読み出し装置の解像度は主に、レーザビームのスポット径によって決定される。このスポット径は光学光合焦装置の特性に依存する。走査システムの解像度を最適化することは合焦光学素子の光収集効率の損失を生じうることが認識される。結果としてレーザ光の重要な部分は像スクリーン上に合焦されない。５０％より低い合焦光学素子の光収集効率を有するシステムの使用に対して幾つかの偏見が存在する。なぜならばこれらのシステムは許容可能な走査時間内で十分な程度にこのスクリーンを読み出すためにスクリーンに対して適切な量の出力を送出しないように期待されているからである。そのための解決策はＵＳ−Ａ  ６５０１０８８に開示されているように求められ見出される。そこでは光刺激性燐光体スクリーンに貯蔵された放射線像を読み出すための方法が使用され、その方法はレーザ源によって放出された刺激放射線によって前記スクリーンを走査し、刺激で前記スクリーンによって放出された光を検出し、検出された光を前記放射線像の電気信号表示に変換する工程を含み、前記光刺激性燐光体スクリーンは二価ユウロピウム活性化セシウムハロゲン化物燐光体を含み、前記ハロゲン化物は塩化物及び臭化物の少なくとも一つであり、前記レーザビームは前記レーザビームのガウス分布の１／ｅ２点間で測定された、前記レーザによって放出されたレーザスポットのスポット径が１００μｍより小さいように合焦される。光刺激性燐光体スクリーンに貯蔵された放射線像を読み出すための方法及びシステムを提供するその発明の目的は、針状貯蔵燐光体層を有する光刺激性燐光体スクリーンに貯蔵された放射線像を読み出すための方法及びシステムに加えて、高いシャープネスを生じる方法及びシステムを生じた。
【０００８】
ＵＳ−Ａ  ２００４／０１４９９２９では、支持体、支持体の表面を９５％以上の被覆百分率でカバーする燐光体マトリックス化合物層、及び燐光体マトリックス化合物層上に形成された刺激性燐光体層（それは燐光体マトリックス化合物層上に直立する多数の斜方晶系の刺激性燐光体結晶から構成される）から構成される放射線像貯蔵パネルが開示され、それによって支持体と刺激性燐光体層の間に高い剥離抵抗、高い感度、及び高品質の再現された放射線像を提供する。
【０００９】
しかしながら、放射線像変換パネルでは、所望の放射線吸収力を達成するために針状のユウロピウムドープされたセシウムハロゲン化物貯蔵燐光体を約２００〜８００μｍの厚さを有する層に形成しなければならない。ＣｓＢｒの如きアルカリハロゲン化物化合物からなる光刺激性燐光体の親化合物は約５０×１０−６／°Ｋの大きな熱膨張係数を有するので、かかる比較的厚い層にクラックが出現し、従って支持体上への貯蔵燐光体層の接着が問題になり、剥離に導く。クラック及び剥離に対してマイナスの影響を持つ要因は蒸着工程時の支持体温度及びその変化に加えて、真空室内の不活性ガスの圧力、及び前記蒸着工程時に蒸着された燐光体層の結晶性に対して有意な影響を持つ不純物の存在と関連する。その問題を解決するために、ＪＰ−Ａ  ２００５−１５６４１１において解決策が提案されている。その出願では、第一蒸着層は支持体上に形成され、前記層は光刺激性燐光体の親化合物より小さい分子量を有するアルカリハロゲン化物化合物を含有していた。蒸着された刺激性のユウロピウムドープされたセシウムハロゲン化物燐光体を有する層はさらにその上に蒸着された。それにもかかわらず、支持体と貯蔵燐光体層の間の第一層は再び、蒸着された層であるので、クラック及び剥離に関する同じ問題が遭遇され、それらに関する期待された改良がまだ十分に達成されなかった。
【００１０】
ＵＳ−Ａ  ６８７０１６７ではマトリックス成分及び活性化剤成分を含む燐光体を含む燐光体層を有する放射線像貯蔵パネルの製造方法が開示され、その方法は蒸着によってマトリックス成分を含む下部斜方晶系結晶層を支持体上に形成し、上部層の結晶性に好ましい配置として蒸着によってマトリックス成分及び活性化剤成分を含む上部斜方晶系結晶層を下部斜方晶系結晶層上に形成する工程を含む。しかしながら、接着のためにはＵＳ出願２００５／５１７３６では下部層において球状燐光体を使用することが提案されている。
【００１１】
専用の支持体上に燐光体層を作るために蒸着技術を実施するとき、シンチレータ又は燐光体材料が蒸着されるべきである極めて望ましい支持体材料はガラス、セラミック材料、ポリマー材料又は金属から作られる。金属ベース材料として一般にアルミニウム、鋼、黄銅、チタン及び銅の金属シートから作られる。支持体として特に好ましいものは支持体表面全体にわたってだけでなく厚さ方向にも完全に均一な温度を可能にする極めて良好な熱伝導性材料としてのアルミニウムである。かかる熱伝導性は０．０５〜０．５Ｗ／（ｍ・ｋ）の範囲である。
【００１２】
完全に純粋なアルミニウムは精製技術の観点から容易に生成されないので、シリコン、鉄、マンガン、銅、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル及びチタンのようなアルミニウム合金中の他の元素を含有するアルミニウム支持体はＵＳ−Ａ  ３７８７２４９及び３７２０５０８に記載されるように使用され、そこでは自動車用途のように、バフ磨きされたステンレス鋼又はクロムメッキ黄銅と少し似た外観を有する明るい陽極酸化アルミニウム合金は、使用者にとってかなり経済的である。前記合金は４００〜５００℃の温度範囲の酸化に対して顕著に改善された耐性を有し、それは熱間圧延後の改善された表面外観をもたらし、それらが光沢浸漬される広い範囲の溶液に対して耐性がある。ＵＳ−Ａ  ４２３５６８２に記載された合金は、硫酸における陽極酸化及び封止の後、実質的に改善された光沢をさらに示す。
【００１３】
しかしながら、二つの蒸着層の蒸着を実施するためには、例えばＵＳ−Ａ  ６８７０１６７及び６９６７３３９、又はＵＳ出願２００５／００７７４７９に記載されているように、各層において異なる出発原材料を蒸着するために蒸着装置において二つの異なる工程が要求されることに注意するべきである。上部層における増大したドーパント量はかくして形成された貯蔵燐光体スクリーンの所望の高い感度に導くことが知られているので、高いドーパント量は被覆層の低下した接着及び増大したクラックに導くことが予想されうる。別の方法では貯蔵燐光体の刺激で放出された光の反射に有利な良好な反射特性、その結果として増大した感度を持つために、より鏡状でより滑らかな支持体表面がその上に蒸着された燐光体層の良好な接着に有利でないことが予想されうる。
【００１４】
粗さ、スピード、クラック及び接着性の間の良好な妥協性に加えて、アルミニウム支持体上への燐光体又はシンチレータのアグレッシブな蒸着工程によって支持体層中の孔食の数又は「孔食度」の低下が考えられることは明らかである。
【発明の開示】
【００１５】
最適化された条件で蒸着装置において作られるときに望ましくない「クラック」又はシンチレータ又は燐光体「フレーク」の剥離を生じないので、上部に１００μｍ〜１０００μｍの厚さを有する蒸着された燐光体又はシンチレータ層の接着特性に関してこれまで好ましかったが、本発明の主な目的は、高温及び低圧の激しい条件で燐光体層の蒸着の結果として生じる支持体層の腐食（かかる腐食は３０℃の温度及び８０％の相対湿度ＲＨで一週間の熱処理後にフラットフィールド燐光体パネルに「孔食」の形で見ることができる）を避けることである。
【００１６】
さらに、本発明の目的は、感度を増強する反射特性を与える滑らかな支持体を使用するときであっても支持体と燐光体層の間の許容可能な接着性を維持することである。
【００１７】
上述の有利な効果は請求項１に述べた特別な特徴を有する貯蔵燐光体パネルを提供することによって実現される。本発明の好ましい実施態様に対する特別な特徴は従属請求項に述べられている。
【００１８】
支持体層と蒸着された燐光体又はシンチレータ層の間の許容可能な接着性及び少ない腐食のために、陽極酸化されたアルミニウム支持体層、及び保護被覆でカバーされた針状燐光体又はシンチレータ結晶を含む燐光体又はシンチレータ層を連続層の層配置として含み、クロムが前記アルミニウム層及び／又は前記陽極酸化層に存在する放射線像燐光体又はシンチレータパネルであって、前記陽極酸化アルミニウム支持体層が少なくとも０．００１の陽極酸化層厚さに対する平均表面粗さＲａの比率を有することを特徴とするものが有利であることを見出した。特に、０．００１未満の比率Ｒａ／ｔが測定されるかかるパネルが腐食に対して好ましいが接着性不足を被り、一方０．３０以上の比率が測定されるかかるパネルが接着性に対して好ましいが望ましくない孔食を示すことが見出された。
【００１９】
本発明による燐光体又はシンチレータパネルの特別な実施態様は以下の通りである：
−  平均表面粗さＲａは０．０１μｍから０．３０μｍ未満までの範囲である；
−  平均表面粗さＲａは０．０１μｍから０．２０μｍまでの範囲である；
−  前記平均表面粗さＲａは０．０１μｍから０．１０μｍまでの範囲である；
−  前記平均表面粗さＲａは０．０１μｍから０．０５μｍまでの範囲である；
−  前記陽極酸化層厚さは１μｍから１０μｍまでの範囲である；
−  前記陽極酸化層厚さは１μｍから５μｍまでの範囲である；
−  マグネシウムはアルミニウムに対して１重量％から５重量％までの範囲の量、例えば約３重量％の量で前記アルミニウム層に存在する；
−  クロムは前記アルミニウム層及び／又は前記陽極酸化アルミニウム層に必ず存在するべきである；
−  前記燐光体層はマトリックス化合物としてアルカリ金属ハロゲン化物及び活性化剤化合物としてランタノイドを有する針状燐光体結晶を含む；
−  前記針状燐光体は光刺激性ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体、特に結合剤のないＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体、さらに特に結合剤のない蒸着されたＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体である。
【００２０】
粗さＲａの意味に関して、Ｒａは、評価長さＬ内で平均レベル線から粗さプロファイルの逸脱の算術的平均値としてＤＩＮ４７６８に従って測定され、平均レベル線の上下の面の表面積は前記粗さＲａ値を計算するために積分されることを頭に入れておくべきである。
【００２１】
用語「フラットフィールド（ｆｌａｔ  ｆｉｅｌｄ）」は、「均一に露光される」、即ち「ファントム」を避けるために均一なエネルギー分布でかつ一定の強度で露光される、こととして理解されるべきである。標準的な手順では、ＲＱＡ５（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ−ＩＥＣ６１２６７：１９９４）ビーム品質がそのために使用される。
【００２２】
本発明のさらなる利点及び特別な実施態様は以下の説明から明らかになるが、それに限定されるものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明によれば、陽極酸化アルミニウム支持体層、及び保護被覆でカバーされた、針状燐光体又はシンチレータ結晶を含む燐光体又はシンチレータ層を連続層の層配置として含む放射線像燐光体又はシンチレータパネルは、陽極酸化層厚さ「ｔ」に対する平均表面粗さ「Ｒａ」の比率が少なくとも０．００１であり、Ｒａが０．０１μｍから０．３０μｍ未満までの範囲であり、前記陽極酸化層は１μｍから１０μｍまでの範囲の厚さを有し、クロムが前記アルミニウム層及び／又は前記陽極酸化層に存在することを特徴とする。
【００２４】
本発明による別の実施態様では、前記比率は０．００５から０．３０未満までの範囲、さらには０．０１から０．３０未満までの範囲である。
【００２５】
従って、本発明は、アルミニウム及びアルミニウム合金表面上に表面層を形成してかかる表面を続く被覆に対して永続的に受容性にさせることに関する。アルミニウムの重量及びその腐食特性のため、アルミニウム及びそれとの合金は被覆、無機及び有機と結合した商業的、工業的及び消費者の領域において増々利用されている。
【００２６】
特に高温での燐光体層の蒸着が好ましくは６０％〜９０％の範囲の高い燐光体充填密度を与える方法として実施されるとき、無機アルカリハロゲン化物塩によるさらなる腐食に対してアルミニウム支持体の表面を保護するために、本発明によれば、少なくとも０．００１、別の実施態様では０．００５〜０．３０、さらには０．１０〜０．３０の範囲の陽極酸化層厚さに対する平均表面粗さＲａの比率を有する表面層を持つ陽極酸化アルミニウム層が前記燐光体層と前記支持体の間の良好な接着性に有利であり、特に本発明によれば、平均表面粗さＲａが０．０１μｍから０．３０μｍ未満までの範囲であり、前記陽極酸化層が１μｍ〜１０μｍの範囲の厚さを有するときそうであることが見出された。別の実施態様では、本発明によれば、前記平均表面粗さＲａは０．０１μｍ〜０．２０μｍの範囲、より狭い範囲では０．０１μｍ〜０．１０μｍ、さらに最も狭い範囲では０．０１μｍ〜０．０５μｍであるべきである。
【００２７】
本発明の範囲内のかかる手段の結果としての良好な接着性は、ここではクラック形成の不存在又は少なくとも減少した傾向、その結果として剥離の少ない傾向として理解されるべきであり、その逆もまたそうであることが理解されるべきである。
【００２８】
かかる粗さ「Ｒａ」は、最も一般的に使用される技術として知られるパーソメータによって記録された陽極酸化アルミニウム支持体層の粗さプロファイルから計算され、既に前述したようにＤＩＮ４７６８に従って計算される。
【００２９】
本発明による放射線像パネルでは、前記陽極酸化層厚さは１μｍ〜１０μｍの範囲であり、別の実施態様では１μｍ〜５μｍの範囲であり、さらに別の実施態様では前記陽極酸化層厚さは１μｍ〜３μｍの範囲である。
【００３０】
本発明に従って使用するための典型的なアルミニウム支持体は、最大９９％のアルミニウム又はアルミニウム合金（そのアルミニウム含有量は少なくとも９５％である）から作られる。本発明の方法に使用するために好適なものは、良く知られたアルミニウム支持体、増白された陽極酸化アルミニウム、アルミニウム鏡及び酸化物パッケージを有する陽極酸化アルミニウムであるが、請求項のような本発明によるパネルにおける支持体の表面特性に関する条件が満足されることが条件である。その厚さによって、パネルは多かれ少なかれ可撓性でありうることは明らかである。もしより可撓性の支持体が要求されるなら、公開されたＵＳ出願２００５／０００３２９５に記載されたようにとられる手段が適用されうる。かかる陽極酸化支持体は、パネルが読み出される走査装置によって許される５０μｍ〜３ｍｍの範囲の厚さを有しうる。本発明による一つの実施態様では前記陽極酸化アルミニウム支持体は最大１０００μｍまでの厚さを有する。
【００３１】
アルミニウム支持体材料に関して、様々なグレードのアルミニウムを使用してもよいことは明らかである。本発明による一つの実施態様では、マグネシウムは１〜５重量％の範囲の量で存在する。アルミニウムは所望により硬度を制御するために熱処理されてもよく、しぼ付及び陽極酸化されてもよい。ブラシしぼ付、化学的しぼ付の如き様々なしぼ付技術を適用してもよいが、酸溶液における電気化学的しぼ付が好ましい。しぼ付の酸は例えば塩酸もしくは硝酸、又は好ましくは塩酸と酢酸の混合物を含んでもよい。しぼ付後、アルミニウムは例えば燐酸又はより好ましくは硫酸中で陽極酸化されてもよい。所望により、アルミニウムはまた、例えば水酸化ナトリウムでの処理によるしぼ付の前、及び例えば燐酸での処理による陽極酸化の前に清浄化されてもよい。しぼ付及び陽極酸化後、アルミニウム支持体は、前に示したように測定されかつ以下の実施例のように適用される、表面粗さと陽極重量の間の関係に関して、ＥＰ−Ａ  ０２７８７６６に述べられた明細書に従うことが好ましい。特に好ましい支持体として、平版印刷アルミニウム支持体が電気化学的にしぼ付され陽極酸化される。前記アルミニウムは、電気化学的しぼ付によってしぼ付され、シュウ酸溶液、燐酸もしくは硫酸溶液又はそれらの混合物を使用する陽極酸化技術によって陽極酸化されることが好ましい。アルミニウムのしぼ付及び陽極酸化の方法は業界で極めて良く知られており、本発明の支持体に有利に適用されうる。陽極酸化は、クロム酸、硫酸、及び変性硫酸タイプ（これらに限定されない）の陽極酸化被覆の現像及びその直後の水リンスのために必要な工程制御パラメータ及び電解質を使用して達成されてもよい。アルミニウム及びアルミニウム合金の清浄化及び仕上げの議論について、Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｍｅｔａｌｓによって発行されたＭｅｔａｌｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、第８編（１９６４），Ｖｏｌ．２，６１１−６３４頁を参照されたい。
【００３２】
アルミニウム支持体のしぼ付（粗面化）によって、接着及び湿潤の両方の特性が平版印刷用途において改良される。しぼ付工程において適用される電圧及び電解質の濃度及び／又は種類を変更することによって、異なる種類の粒子が得られうる。例えば腐食及び磨耗に対する耐性を改善するためのように様々な目的のためにアルミニウム又はアルミニウム合金支持体上に確立された陽極酸化被覆は様々な従来法によって形成される。例えば、陽極酸化被覆は、良く知られた手順に従ってスルホフタル酸溶液を含有する硫酸又は硫酸溶液の如き酸媒体における陽極酸化（処理溶液に電流を通し、陽極として作用する支持体を被覆する）によって形成される。最近の商業的な慣習では、硫酸ベースの電解質における直流陽極酸化は、従来の交流方法と比較した電流消費の効率のため、厚くて、クリアで、多孔質型の陽極酸化被覆の製造のための他のほとんどの陽極酸化工程に実質的に置き換えられている。一般に、硫酸ベースの電解質のために使用される直流陽極酸化電圧は、酸の強さ及び温度によって１２〜２２ボルトの範囲である。典型的には、硫酸陽極酸化では、電解質は２０℃の温度及び１７−１８Ｖの電圧で１５〜２０重量％の硫酸を含有する。硫酸ベースの電解質はシュウ酸及びスルファミド酸の如き他の酸と硫酸の混合物を含み、そこでは陽極酸化特性は硫酸含有量によって広く決定される。Ａｌ２Ｏ３の厚さ並びに微小構造は陽極酸化工程によって決定され、そこではアルミニウム表面上に形成されたＡｌ２Ｏ３の陽極重量（ｇ／ｍ２）は通常、１〜８ｇ／ｍ２で変化する。しぼ付及び陽極酸化されたアルミニウム支持体はその表面の親水性を改善するために後処理されてもよい。従って、例えばアルミニウム酸化物表面は、例えば９５℃のような高温で珪酸ナトリウム溶液でその表面を処理することによって珪酸化されてもよい。あるいは、燐酸処理を適用してもよく、それは無機フッ化物をさらに含有しうる燐酸溶液でアルミニウム酸化物表面を処理することを伴う。さらに、アルミニウム酸化物表面を有機酸及び／又はその塩、例えばカルボン酸、ヒドロカルボン酸、スルホン酸又はホスホン酸、又はそれらの塩、例えばスクシネート、ホスフェート、ホスホネート、スルフェート及びスルホネートでリンスされてもよい。クエン酸又はクエン酸溶液が好ましい。この処理は室温で実施されてもよく、又は約３０℃〜５０℃のわずかに高い温度で実施されてもよい。
【００３３】
さらに重要な処理は、アルミニウム酸化物表面を重炭酸塩溶液でリンスすることを含んでもよい。さらに、アルミニウム酸化物表面はポリビニルホスホン酸、ポリビニルメチルホスホン酸、ポリビニルアルコールの燐酸エステル、ポリビニルスルホン酸、ポリビニルベンゼンスルホン酸、ポリビニルアルコールの硫酸エステル、及びスルホン化脂肪族アルデヒドとの反応によって形成されたポリビニルアルコールのアセタールで処理されてもよい。さらに、これらの後処理の一つ以上は単独又は組み合わせて実施されてもよいことは明らかである。これらの処理についてのさらなる詳細はＧＢ  １０８４０７０，ＤＥ
４４２３１４０，ＤＥ ４４１７９０７，ＥＰ−Ａ  ６５９９０９，ＥＰ−Ａ  ５３７６３３，ＤＥ  ４００１４６６，ＥＰ−Ａ  ２９２８０１及びＥＰ−Ａ  ２９１７６０及びＵＳ−Ａ  ４４５８００５及び４７６９５４９に見出すことができる。
【００３４】
ＵＳ−Ａ  ６９０１６８７に説明されているように、当業者に公知の幾つかの電解質は電気化学処理におけるアルミニウム酸化物の稠密な中間層を適用するために使用されてもよいが、有利に使用される電解質はシュウ酸もしくは硫酸又はそれらの混合物の溶液を含む。上述の陽極酸化層の組み合わせは極めて良好な結果に導く。最初の燐酸陽極酸化は内部のゾル−ゲル被覆の良好な接着性を確保する多孔質酸化物を得るために使用され、そこでは１μｍ〜５μｍの範囲のかかる多孔質層の典型的な厚さが求められる。次の工程はシュウ酸陽極酸化の適用である。また、硫酸又はシュウ酸と硫酸の混合物を使用してもよい。この方法工程では硬くて稠密な酸化物層がアルミニウム支持体と燐酸陽極酸化層の間に適用される。
【００３５】
かかる間に起こる劇的な変化は支持体の少なくとも一方の側に適用されても支持体の両側に適用されてもよい。好ましい実施態様では、それは支持体シート材料の一方の側に適用され、最も好ましい実施態様では、それは燐光体が蒸発される側に適用される。しかしながら、他の場合には裏側の表面構造は例えばＵＳ−Ａ  ２００５／０００３２９５に記載されているようにエッチング法の適用によって変化される。本発明によれば、言及される前記粗さはシート、ウェブ又はパネルの少なくとも一つの側上に適用される。
【００３６】
アルミニウム箔の粗面化は従来技術で良く知られた方法に従って実施されることができる。従って、アルミニウム支持体の表面は機械的、化学的、光学的又は電気化学的しぼ付によって又はそれらの組み合わせによって構造化又は組織化された方法で粗面化（エッチング）されることができる。機械的しぼ付は例えばサンドブラスティング、ボールしぼ付、ワイヤしぼ付、ブラシしぼ付、スラリーしぼ付又はこれらの組み合わせによって実施されることができる。機械的エッチング法は食刻法に関し、そこでは溝は金属ウェブ、シート又は箔中に刻み込まれる。溝又はピット間のレリーフパターンのエッチング解像度は通常、数マイクロメートルの範囲である。別の実施態様ではアルミニウムを含む表面支持体の機械的エッチングはＵＳ−Ａ  ５７７５９７７及び５８６０１８４のような湿潤ブラシがけによって実施されてもよく、そこでは金属ワイヤー及び有機繊維の束を有するブラシ列が表面上に並んで配置されるシリンダーブラシが使用され、湿潤ブラシがけのために使用される懸濁液は水の中に磨耗粒子を含有する。あるいは、ＵＳ−Ａ  ６２７３７８４に開示されているように、しぼ付ブラシをアルミニウムウェブの幅方向に移動するための移動装置、及びしぼ付ブラシがアルミニウムウェブの輸送方向に対して斜めに位置されうるようにしぼ付ブラシを回転するための回転装置の少なくとも一つを与えられてもよい。しぼ付ブラシをアルミニウムウェブの幅方向に周期的にしぼ付ブラシを移動することによって、しぼ付ブラシ全体がアルミニウムウェブと均一に接触するようになる。しぼ付ブラシを回転させてそれをアルミニウムウェブの輸送方向に対して斜めに位置させることによって、しぼ付ブラシ全体が常にアルミニウムウェブと接触するようになる。従って、しぼ付ブラシの毛の磨耗は均一に維持される。化学的しぼ付は例えば鉱酸のアルミニウム塩の飽和水溶液でのアルカリ性エッチングによって実施されてもよい。化学的エッチングはＤＥ−Ａ−２２５１３８２に記載されているように行なってもよく、そこでは１０％水酸化ナトリウム水溶液によるアルカリ性エッチング及び続く２０％硝酸溶液による酸性エッチングからなるアルミニウム箔のエッチング法が記載されている。他の方法ではＥＰ−Ａ  ０７０９２３２に記載された方法が適用されることができ、前記方法は、アルミニウム箔を粗面化し、続いて前記アルミニウム箔を陽極酸化し、粗面化後及び陽極酸化前に前記アルミニウム箔が強アルカリを含むアルカリ性溶液で、続いて強酸を含む酸性溶液でエッチングされる工程を含む。アルカリ性エッチングは極めてアグレッシブであるかもしれないが、前述の機械的エッチング技術又は後述の技術と組み合わせて適用されることが有利でありうる。水性エッチング溶液に使用するために好適なアルカリは無機強アルカリであり、強アルカリは少なくとも１３のｐＫａを有するアルカリである。特に好適なアルカリの例は例えばＮａＯＨ，ＫＯＨ又はそれらの混合物である。強アルカリ及び弱酸の塩はまた、例えばグルコン酸ナトリウムのような強アルカリと混合して使用されてもよい。かかる水性エッチング溶液におけるアルカリの全量は例えば４ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌの範囲でありうる。上述のアルカリ性溶液での化学的エッチング時間は、好ましくは数秒から数分までの範囲、より好ましくは２〜５秒から４〜５分までの範囲である。水性酸性エッチング溶液に使用するための好適な酸は好ましくは無機強酸であり、強酸は最大１のｐＫａを有する酸である。特に好適な酸の例は例えばＨ２ＳＯ４，Ｈ２Ｃｒ２Ｏ７，ＨＣｌ，ＨＮＯ３，ＨＦ，Ｈ３ＰＯ４又はそれらの混合物である。弱酸はまた、強酸と混合して使用されてもよい。水性酸性エッチング溶液における酸の全量は少なくとも２００ｇ／ｌ、より好ましくは少なくとも２５０ｇ／ｌであってもよい。化学的エッチング時間は数秒から数分までの範囲、より好ましくは２〜５秒から４〜５分までの範囲である。アルカリ性溶液でのエッチングと酸性溶液でのエッチングの間でアルミニウム箔は脱イオン水でリンスされることが有利である。光エッチングは、さらに良く知られた技術であり、本発明の範囲内で有用な技術であり、そこではそれは、金属ベース上にフォトレジストを付着し、次いでフォトレジストパターンによってカバーされない部分を化学的エッチング剤の助けでエッチングすることによって得られる。この技術を適用するとき、「エッチングファクタ」は最終的なエッチング深さとフォトレジストパターンの下でエッチングする横方向の長さの間の比として規定され、一般に１．５に等しい。即ち、約１０μｍのエッチングはまた、深さ方向に１５μｍのエッチングに対して横方向に起こる。支持体の両面エッチングは、二つのパターンがエッチングによって得られ、パターンの各々が支持体材料の厚さの一部にわたって材料の一方の側から延びるようにすることが有利でありうる。電解質浴に通常使用される有機添加剤は、それらがエッチング速度に影響する特性を持ち、そのために有用でありうる。このタイプの多数の好適な添加剤は、「Ｍｏｄｅｒｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ」、第３編、１９７３、Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ発行、２９６頁以降に述べられている。
【００３７】
電気化学的しぼ付は好適な技術として有利に使用されうる。なぜならばそれは一般に望まれるように極めて微細でかつ均一な粒子で大きな表面積にわたって均一な表面粗さを与えるからである。微細にしぼ付された表面トポグラフィを得るために、電解質溶液の濃度及び温度、電流形態及び密度は最適化されるべきである。電気化学的しぼ付は交流又は直流を使用しながら塩酸及び／又は硝酸含有電解質溶液で行なわれることが好ましい。電気化学的しぼ付で使用されうる他の水溶液は例えばＨＮＯ３，Ｈ２ＳＯ４，Ｈ３ＰＯ４のような酸であり、所望によりＡｌ（ＮＯ３）３，ＡｌＣｌ３、硼酸、クロム酸、サルフェート、クロライド、ニトレート、モノアミン、ジアミン、アルデヒド、ホスフェート及びＨ２Ｏ２（これらに限定されない）の如き一種以上の腐食抑制剤をさらに含有する。
【００３８】
次に、被覆層は通常、水で洗浄され、続いて約１時間、沸騰水で沸騰される。結果として、上の多孔質アルミニウム酸化物は密集した結晶を含む被覆層を得るために結晶水を含めることによって膨張される。この操作はいわゆる封止処理である。多孔質陽極酸化アルミニウム表面の様々なタイプの封止が存在する。好ましくは、前記後処理は、ＥＰ−Ａ  ０５６７１７８に開示されているように重炭酸塩を含有する水溶液でしぼ付されかつ陽極酸化されたアルミニウム支持体を処理することによって実施される。
【００３９】
封止処理後、熱処理は好ましくは２５０℃以上で実施されてもよく、それによって結晶水を有する上記アルミニウム酸化物は、前記水を失って収縮して微細な島形状の層部分のパターンを形成し、それらを収縮によるクラックによって形成された間隙によって包囲しかつ互いに分離するだろう。かくして得られたアルミニウム酸化物被覆は好ましくは数マイクロメータ以上の厚さを有するべきであり、薄い被覆の場合には、層部分はより大きくなる傾向を有するので、陽極酸化工程のための条件を最適に選択することが勧められる。上述のように微細な間隙によって包囲された多数の微細なタイルのような表面構造を有する支持体として、封止処理、続いて熱処理を適用された陽極酸化アルミニウムプレートの支持体が好ましい。かかる製造方法は例えばＵＳ−Ａ  ４７６９５４９で実施されたように適用されることが有利でありうる。封止工程を促進するために、封止促進剤が開発され、それは封止浴に直接添加されたときに封止工程を促進する。従って、封止工程が熱水封止浴への促進剤の直接添加によって促進されうることが知られている。かかる促進剤は通常、穏やかな塩基性物質であり、それは封止浴のアルカリ度をｐＨ７から１１の範囲に上昇させる。従って、ＵＳ−Ａ  ３３６５３７７及び３８２２１５６は封止を促進するために熱水封止浴へのトリエタノールアミンの添加を開示する。アルミニウム又はアルミニウム合金の多孔質陽極酸化は硫酸、燐酸、クロム酸又はシュウ酸の如き酸を含有する電解質において実施されてもよく、それは陽極膜の酸化物をゆっくりと溶解又は攻撃し、陽極膜の外部表面から内側に延びる開放した細孔を形成する。多孔質膜の形成後、膜は所望により、沸騰水の浴中に膜を置き、表面酸化物を水和及び膨張させ、従って細孔の開放端を閉じることによって封止されてもよい。ＡｌｃａｎからのＥＰ−Ａ  ０３６８４７０のように、陽極酸化可能な金属の支持体上に仕上げ金属の層を蒸着する方法を適用してもよく、それは、支持体を前記表面に陽極酸化して約０．５μｍ〜約５０μｍの厚さの多孔質陽極酸化層で約０．００５μｍ〜０．１０μｍの横方向の寸法の細孔をその中に有するものを生成し、交流又は改変した交流堆積を使用して細孔充填金属を細孔中に堆積して細孔を陽極酸化層の表面まで金属で完全に充填し、細孔充填金属の堆積を続けて約０．５〜３μｍの範囲の厚さの陽極酸化層の表面上に連続的な支持体層を形成し、さらに支持体層上に仕上げ金属の少なくとも一つの被覆を付着させることを含む。その方法はアルミニウム及びその合金上にクロムの仕上げ被覆のめっきをするために特に有用である。アルミニウム又は陽極酸化可能なアルミニウム合金から作られた金属支持体の多孔質陽極酸化はまた、ＵＳ−Ａ  ５２１８４７２に記載されたように実施されてもよく、そこでは所望の（光学的に厚い）厚さの多孔質陽極酸化膜を生長させるために好適な時間、酸（燐酸、硫酸、シュウ酸など）を含有する電解質を使用する。陽極酸化アルミニウムの低温蒸気封止をさらにＵＳ−Ａ  ４１０３０４８のように適用してもよい。アルミニウム及びアルミニウム合金を保護するためにアルミニウム及びアルミニウムの合金上への陽極酸化被覆の封止をさらにＵＳ−Ａ  ４３１��３９０に記載されたように適用してもよい。封止操作時に陽極酸化被覆を有機樹脂で同時に含浸することは、優れた耐腐食性を有する陽極酸化アルミニウムに保護被覆を与える。８０℃を越える温度で優れた安定性を持つ特定の水担持樹脂被覆材料を使用して他の従来のアルミニウム陽極酸化法の封止工程時に未封止陽極酸化被覆をアルミニウム酸化物の一水和物／三水和物の形に変換してもよい。続いて、封止された陽極酸化膜は２４５℃までの温度で硬化されてもよい。従って、この方法は、従来の処理を通して得られた別個に封止して有機的に下塗りされたアルミニウムより優れた特性を有する全体の保護システムを与える。前述は、アルミニウム支持体を調製して陽極酸化する従来工程に従う典型的な処理順序を記載する。従って、陽極酸化のためのかかる調製は、（ａ）脱脂、（ｂ）アルカリ性処理、及び（ｃ）中間水で脱酸素し、操作（ａ），（ｂ）及び（ｃ）の各々の後にリンスすることを含む。特に陽極酸化工程及び／又は後陽極処理工程（封止工程）において、クロム酸のような酸での陽極酸化アルミニウム支持体の前記処理の結果として、本発明では放射線像燐光体又はシンチレータパネルがそのアルミニウム層及び／又は陽極酸化アルミニウム層においてクロムを存在させることは明らかである。これは、クロムが、アルミニウム金属バルクに存在しているかどうかにかかわらず、一実施態様では、陽極酸化されたアルミニウム層において存在するか又は豊富にされている（もしバルクアルミニウム材料に既に存在するなら）ことを意味する。
【００４０】
別の後陽極処理として例えばポリビニルピロリドン溶液を陽極酸化アルミニウム表面上にスプレーすることを与えてもよい。陽極酸化アルミニウム表面層の調製法においてさらなる研磨工程は除外されない。
【００４１】
本発明によれば、前記刺激性燐光体層はマトリックス又はベース化合物としてアルカリ金属ハロゲン化物を有しかつ活性化剤又はドーパント化合物としてランタノイドを有する針状燐光体結晶を含む。
【００４２】
本発明による特別な実施態様では、前記針状刺激性燐光体はＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体である。
【００４３】
高感度及び高シャープネスの見地から選択された針状結晶の形の光刺激性ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はＣｓＢｒの０．０００１〜０．０１ｍｏｌ／ｍｏｌ、より好ましくは０．０００３〜０．００５ｍｏｌ／ｍｏｌの範囲の、活性化剤又はドーパントとしてのＥｕの量を与えられることが有利である。刺激性ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体の場合には、蒸発源のユウロピウム化合物は二価ユウロピウムＥｕ２＋化合物及び三価ユウロピウムＥｕ３＋化合物から出発することができ、前記ユウロピウム化合物は２．０＜ｘ＜２．３の条件を満足するＥｕＢｒｘであることができ、二価ユウロピウム化合物をできるだけ多く、例えば少なくとも７０％含有するユウロピウム化合物が望ましい。
【００４４】
燐光体層の厚さは光刺激性燐光体の感度クラスとともに変化するが、１００μｍ〜１０００μｍ、より好ましくは２００μｍ〜８００μｍ、さらにより好ましくは３００μｍ〜７００μｍの厚さを有する燐光体層を付着することが望ましい。燐光体層が薄すぎると、少なすぎる放射線の吸収量、増大した透明性、及び得られた放射線像の劣化した像品質を生じ、一方燐光体層が厚すぎると、シャープネスの低下による像品質の低下を生じるだろう。
【００４５】
本発明による特別な実施態様では、放射線像燐光体又はシンチレータパネルはさらに、前記陽極酸化された層と前記燐光体又はシンチレータ層の間に下層を含み、前記下層は無機化合物を含み、前記下層は０．１μｍ〜２．５μｍの範囲の厚さを有する。特に、本発明による放射線像燐光体又はシンチレータパネルでは、前記無機化合物は金属化合物又は金属酸化物化合物であり、前記金属は錫、銅、ニッケル、クロム、スカンジウム、イットリウム、タンタル、バナジウム、チタン、ニオブ、コバルト、ジルコニウム、モリブデン及びタングステンからなる群から選択される。
【００４６】
本発明による別の特別な実施態様では、放射線像燐光体又はシンチレータパネルは４μｍから１５μｍまでの範囲の厚さを有する有機ポリマー層からなるプレコート層を含み、前記ポリマーがセライト、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリスチレン、ポリスチレン−アクリロニトリル、ポリウレタン、ヘキサ官能化ポリアクリレート、ポリビニリデン−ジフルオロライド、エポキシ官能化ポリマー及びポリ−ｐ−キシリレンポリマーからなる群から選択され、前記プレコート層は前記ポリマーが有機シランベースのポリマーであるときに１μｍから５μｍ未満までの範囲の厚さを有する。
【００４７】
さらなる実施態様では、本発明による前記放射線像燐光体又はシンチレータパネルにおいて、前記下層はさらに、有機プレコート層でオーバーコートされる。本発明による、下層と燐光体又はシンチレータ層の間に位置されるかかる有機プレコート層は、セライト、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリスチレン、ポリスチレン−アクリロニトリル、ポリウレタン、ヘキサ官能化ポリアクリレート、ポリビニリデン−ジフルオロライド、エポキシ官能化ポリマー及びポリ−ｐ−キシリレンポリマーからなる群から選択された有機ポリマー化合物を含む。前記有機プレコート層における適合しうる有機ポリマーの組み合わせは除外されない。
【００４８】
本発明による放射線像貯蔵パネルを製造する方法において、前記燐光体層は物理蒸着、化学蒸着及び噴霧化技術からなる群から選択された技術によって下層又はプレコート層又は上記の層の上に被覆される。噴霧化技術として、例えばＵＳ−Ａ  ６７４０８９７及び６８７５９９０及びＵＳ出願２００２／０５０５７０，２００４／０７５０６２及び２００４／１４９９３１に記載されているように電子線蒸着を使用することができる。電子線蒸着技術では、電子銃によって生成した電子線は蒸発源上に適用され、電子線の加速電圧は好ましくは１．５ｋＶ〜５．０ｋＶの範囲である。電子線技術を適用することによって、マトリックス成分及び活性化剤要素の蒸発源は加熱され、蒸発され、支持体上に付着される。本発明の燐光体層における結合剤のない針状結晶の蒸着に使用するために好適な物理蒸着技術は例えば抵抗加熱、スパッタリング及びＲＦ誘導技術である。抵抗加熱蒸着は有利には例えばＵＳ−Ａ  ６７２００２６，６７３０２４３及び６８０２９９１及びＵＳ出願２００１／００７３５２に記載されたように適用されてもよい。この技術は本発明によるパネルのために針状の結合剤のない貯蔵燐光体を蒸着するための方法として推奨される。抵抗加熱蒸発では、蒸発源は電気エネルギーを抵抗加熱手段：蒸着装置において好ましくは耐火材料から構成されるるつぼ又はボート構成に供給することによって加熱され、例えばＵＳ出願２００５／０００４１１，２００５／０００４４７及び２００５／２１７５６７に開示されたように蒸着燐光体材料の均一な付着を実際に実現してもよい。
【００４９】
蒸着装置における蒸着は予め決められた真空度の調整を必要とする。本発明によるパネルにおける結合剤のない針状貯蔵燐光体層に対して、前記燐光体を高真空下で形成することが望ましい：１×１０−５〜５Ｐａ、特に１×１０−２〜２Ｐａの真空度が望ましく、Ａｒ又はＮｅの貴ガスあるいは窒素ガスの如き不活性ガスを真空蒸着装置中に導入してもよい。１×１０−５〜１×１０−２Ｐａのずっと低い内部圧力を与えるための排気が電子線蒸着に対して好ましい。酸素又は水素ガスの導入が有利に実施され、特に反応性を高めるため及び／又は例えばアニール工程において実施されうる。さらに、ＵＳ−Ａ  ６７２００２６に開示されたように、不活性ガスの導入は支持体上への蒸着前の蒸気流及び／又は燐光体蒸着原材料を蒸着させるべき支持体を冷却するために実施されることができる。あるいは、ＵＳ−Ａ  ７０２９８３６に開示されたように蒸着を実施しながら支持体の一方の側を加熱して他方の側を冷却してもよい。
【００５０】
蒸着速度は一般に０．１〜１０００μｍ／分の範囲、好ましくは１〜１００μｍ／分の範囲である。本発明のように下層及び／又はプレコート層（単数又は複数）でオーバーコートされた支持体への予備処理を実施することは除外されない：強化された乾燥工程のため、燐光体蒸着前の層配置は規定された時間、高温で保持される。燐光体層の滑らかなベースを得るために、下層の表面が水和を開始するまで相対湿度のパーセンテージを増加することは除外されない。しかしながら、支持体上への貯蔵燐光体層の有効な蒸着はＵＳ出願２００４／０８１７５０に開示されているように５０℃〜２５０℃の範囲の支持体の温度を要求する。従って、蒸着工程中の支持体の加熱又は冷却は必要により操縦及び制御されることができる。
【００５１】
マトリックス及び活性化剤化合物を含む燐光体原材料は粉末又は錠剤の形のプリカーサとして存在させることが有利である。本発明において有用な燐光体プリカーサ材料の例はＵＳ出願２００５／１８４２５０，２００５／１８４２７１及び２００５／１８６３２９に記載されている。蒸発は一つ以上のるつぼから実施されてもよい。一つより多いるつぼが存在する場合には、活性化剤又はドーパントの均一性、均質性及び／又は専用の混入のために独立した蒸発制御を実施してもよい。これは、例えばＣｓＢｒ及びＥｕＯＢｒ又はＥｕＢｒｘ（ｘは２．０＜ｘ＜２．３の条件を満足する）の場合のように、特にマトリックスと活性化剤化合物の間の蒸気圧の差が有意であるときに好ましい。
【００５２】
針状ＣｓＢｒ：Ｅｕ結晶に含まれるユウロピウムドーパントの平均量は１５０〜７５０μｍｏｌ／ｍｏｌの範囲、より好ましくは２００〜６００μｍｏｌ／ｍｏｌの範囲である。
【００５３】
形成された燐光体層は支持体に対してほとんど垂直に整列されている斜方晶系の針状刺激性燐光体結晶を含む。かくして形成された燐光体層は結合剤が存在せずに刺激性燐光体を含むだけであり、燐光体層の深さ方向に延びるクラックが生成される。像品質、特にシャープネスのため、針状燐光体層は例えばＵＳ−Ａ  ６９７７３８５に記載されたように刺激された発光を吸収しないが刺激線を吸収する着色剤で着色されることが有利である。
【００５４】
蒸着工程が完了した後、蒸着層は「アニーリング」とも称される熱処理を受けることが好ましく、それは一般に１００〜３００℃の温度で０．５〜３時間、好ましくは１５０〜２５０℃の温度で０．５〜２時間、少量の酸素ガス又は水素ガスを含有しうる不活性ガス雰囲気下で実施される。アニール工程はＵＳ−Ａ  ６７３０２４３，６８１５６９２及び６８５２３５７又はＵＳ出願２００４／０１３１７６７，２００４／０１８８６３４，２００５／００４０３４０及び２００５／００７７４７７に記載されたように適用されてもよい。
【００５５】
本発明に開示されたような燐光体又はシンチレータ層が付着される専用の支持体からなるスクリーン又はパネルの層配置はさらに、燐光体又はシンチレータ層の側を保護被覆で保護されることが有利である。刺激性燐光体層の表面上の透明保護膜被覆は輸送工程における放射線像貯蔵パネルの良好な取り扱いを確保するため及び劣化及び損傷を避けるために適用されることが有利である。化学的に安定で、物理的に強く、高耐湿性の被覆は、有機ポリマー（例えばセルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒に可溶なフルオロ樹脂）が保護膜（例えばポリエチレンテレフタレートの如き有機ポリマーの膜、透明ガラスプレート）のための前もって作られたシートを、接着剤を有する燐光体膜上に置くことによって、又は燐光体膜上の無機化合物の蒸着によって溶媒に溶解される溶液で燐光体又はシンチレータ層をオーバーコートすることによって与えられることが有利である。保護層は酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリテトラフルオロエチレン及びテトラフルオロエチレン−６フルオライドプロピレンコポリマー、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、及び塩化ビニリデン−アクリロニトリルコポリマーの如き材料から構成されてもよい。透明ガラス支持体を保護被覆層として使用してもよい。さらに、例えばスパッタリング技術を使用する蒸着によって、ＳｉＣ，ＳｉＯ２，ＳｉＮ、及びＡｌ２Ｏ３グレードの保護被覆を形成してもよい。種々の添加剤を保護膜被覆に分散してもよい。添加剤の例は光散乱微粒子（例えば酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン及びアルミナの粒子）、スリップ剤（例えばパーフルオロオレフィン樹脂及びシリコン樹脂の粉末）及び架橋剤（例えばポリイソシアネート）を含む。保護層の好ましい厚さはポリマー被覆に対して１μｍ〜２０μｍの範囲であり、珪酸ガラスのような無機材料の場合には２０００μｍまでさえある。汚れに対する抵抗性を強めるため、フッ素樹脂層が保護膜被覆上に与えられることが好ましい。フッ素樹脂層は、フッ素樹脂が有機溶媒に溶解又は分散される溶液で保護膜の表面を被覆し、被覆された溶液を乾燥することによって形成されることができる。フッ素樹脂は単独で使用されてもよいが、フッ素樹脂と膜形成樹脂の混合物を使用してもよい。混合物には、ポリシロキサン構造又はパーフルオロアルキル基を有するオリゴマーをさらに添加することができる。フッ素樹脂層には、干渉によって生じるしみを減らすため及び生じた像の品質を改良するために微粒子充填剤を混入してもよい。フッ素樹脂層の厚さは一般に０．５〜２０μｍの範囲である。かかるフッ素樹脂層を形成するため、架橋剤、膜硬化剤及び青味剤の如き添加剤を使用してもよい。特に、架橋剤はフッ素樹脂層の耐久性を改良するために有利に使用される。光刺激性燐光体を有する貯蔵燐光体パネルにおいて生じた像のシャープネスをさらに改良するために、少なくとも一つの層を、通常３００〜５００ｎｍの波長範囲で放出された刺激された放出光を吸収しないが４００〜���００ｎｍの波長範囲の刺激線を効果的に吸収する着色剤で着色されてもよい。
【００５６】
別の実施態様では、公開されたＵＳ出願２００６／００４９３７０のように放射線像貯蔵パネルを作るために有機溶媒ガスにおいて燐光体プレートを加熱して燐光体プレートを耐湿性保護膜で封止することを適用してもよい。
【００５７】
適用されるために好適な保護層被覆のさらなる実施態様は、ＵＳ−Ａ  ６７１０３５６；６８００３６２；６８２２２４３；６８４４０５６；６８６４４９１及び６９８４８２９及びＵＳ出願２００４／０１６４２５１，２００５／００６７５８４，２００４／０１８３０２９，２００４／０２２８９６３，２００５／０１０４００９，２００５／０１２１６２１，２００５／０１３９７８３，２００５／０２１１９１７，２００５／０２１８３４０，２００６／００２７７５２及び２００６／００６０７９２（これらに限定されない）に見出すことができる。
【実施例】
【００５８】
本発明をその好ましい実施態様と関連して以下の実施例に記載するが、本発明をそれらの実施態様に限定することを意図しないことは理解されるだろう。
【００５９】
実施例１
支持体アルミニウム層に関して、マグネシウムは純粋なＡｌ比較プレートＣＢ７３８０４にも本発明プレートＣＢ７４３１９及び７４３２２に存在させなかった。
【００６０】
それに対してアルミニウム層支持体におけるマグネシウムは三つの本発明プレート（ＣＢ７３８０５、ＣＢ７３８０７及びＣＢ７３８１２）に３重量％の量で存在させた。
【００６１】
針状光刺激性燐光体としてＣｓＢｒ：Ｅｕの蒸着燐光体層で被覆されるために好適な、陽極酸化層を有する表面をアルミニウム支持体に与えるために以下の処理を実施した。
【００６２】
裸のアルミニウムプレートをまず７０℃の水酸化ナトリウム溶液で約５秒間「脱脂」し、例えば油、ダスト、及び他の望ましくない汚染物による汚染のない清浄な表面を得た。第二工程ではアルミニウム支持体の「しぼ付」は塩化水素（あるいは硝酸）中で交流電流によって実施された。しぼ付工程時に形成された水酸化アルミニウムを除去するために、「スマット除去」中和工程が適用され、そこではアルミニウムプレートは７０℃で５秒間硫酸（あるいは燐酸）でスプレーされた。「陽極酸化工程」は硫酸（あるいは二クロム酸−正確な条件は以下の表１に与えられる）中でＤ．Ｃ．（直流）の適用によって実施された。
【００６３】
前記陽極酸化処理は１μｍ以上の厚さ「ｔ」を有する陽極酸化層を提供する。
【００６４】
μｍで表示された粗さ「Ｒａ」値はパーソメータで表面粗さプロファイルを記録した後に上述のように計算された。試料はＤｅｋｔａｋ−８  Ｓｔｙｌｕｓ  Ｐｒｏｆｉｌｅｒでそれについて走査され、値はＤＩＮ−４７６８に記載のように計算された。
【００６５】
陽極酸化層の厚さ「ｔ」はＳＥＭ像（走査電子顕微鏡写真）から測定された。
【００６６】
粗さ値「Ｒａ」と陽極酸化層厚さ「ｔ」の比率が計算された。
【００６７】
原材料としてＣｓＢｒ及びＥｕＯＢｒの混合物から出発して、熱蒸着工程によって真空室において上で示したように作られた陽極酸化アルミニウムプレート上にＣｓＢｒ：Ｅｕ光刺激性燐光体スクリーンを作った。前記陽極酸化アルミニウム支持体上への前記蒸着工程は前記支持体が蒸気流上で回転するような方法で実施された。電気加熱オーブン及び耐火トレー又はボートを使用し、そこでは１６０〜２００ｇのＣｓＢｒとＥｕＯＢｒの混合物（ＣｓＢｒ／ＥｕＯＢｒ重量％比＝９９．５％／０．５％）を蒸着のための原材料として存在させた。
【００６８】
るつぼとして１００ｍｍの長さを有する細長いボートを使用し、それは０．５ｍｍの厚さを有する「タンタル」から構成された３５ｍｍの幅及び４５ｍｍの側壁高さを有し、三つの集積部品：るつぼ容器、スリット及び小さな開口付きの「第二」プレート及びスリット出口を有するカバーから構成された。長手方向部分は漏れを克服するために一つの連続タンタルベースプレートから折り曲げられ、頭部分が溶接された。前記第二プレートは４５ｍｍの前記側壁高さの２／３より小さい最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着された。
【００６９】
真空室へのアルゴンガスの連続注入によって維持された真空圧力（２×１０−３ｍｂａｒに等価な２×１０−１Ｐａの圧力）下で、かつ蒸気源（７６０℃）の十分に高い温度で、得られた蒸気は移動するシート支持体の方に向けられ、前記支持体が蒸気流の上で回転しながら連続的にその上に付着された。蒸気源の前記温度は、外側に存在しかつ前記るつぼの底の下で圧縮された熱電対によって及びるつぼに存在するタンタル保護された熱電対によって測定された。
【００７０】
８００μｍの厚さ、１０ｃｍの幅及び１０ｃｍの長さを有する陽極酸化アルミニウム支持体は支持体とるつぼ蒸気出口スリットの間を２２ｃｍの距離にして燐光体が蒸着される側に位置させた。
【００７１】
プレートはほぼ等しい厚さの燐光体層を有する燐光体プレートに導く同じ蒸着時間を実施した後に蒸着装置から取り出された。従って、陽極酸化支持体層と針状燐光体層の間にさらなる中間層は存在させなかった。
【００７２】
保護シートはさらに被覆され、陽極酸化アルミニウム支持体上への燐光体層の接着強度はさらに試験された。各場合において燐光体層上への保護被覆の接着性は各燐光体スクリーンのための陽極酸化アルミニウム上への燐光体層の接着層と少なくとも同じ強さであることは明らかであった。
【００７３】
燐光体の被覆重量、相対スピード（新鮮なもの及び状態調節後のもの）及びシャープネスについてのデータは表２に記載され、そこでは相対スピード（ＳＡＬ％）はＡｇｆａ−Ｇｅｖａｅｒｔ，Ｍｏｒｔｓｅｌ、ベルギーによって製造されたＭＤ１０（登録商標）参照光刺激性燐光体スクリーンの参照スピードと比較したスクリーンの各々のスピードとして規定される。
【００７４】
層の接着性は硬いアルミニウムプレートの取扱い中、即ち下記工程の少なくとも一つの間に評価された：（１）蒸着装置の真空室から蒸着燐光体プレートを除去する；（２）（例えば記名による）プレートへの識別手段の付与；（３）プレートの試験（良く規定された温度及び湿度条件での状態調節室におけるその挙動の試験）。
【００７５】
その中の数字「４」は「悪い」接着を示すために考えられた；
数字「３」は参照プレートの「不安定な」接着を示した（完全に満足しない−一回より多く接着問題を起こす）；
数字「２」は「前述の接着より良好な」接着（許容可能、時にはまれに接着問題を起こす）を示した；
数字「１」は「優れた」接着（前述のように硬いアルミニウムプレートの取扱い中に支持体と燐光体層の間に剥離が全く観察されない）を示した。
【００７６】
腐食は「フラットフィールド」（前に規定したようにＸ線によって均等に露光された）被覆針状像貯蔵燐光体プレート上に視覚的に評価され、１００ｃｍ２（即ち、完全なプレート（１０ｃｍ×１０ｃｍ））あたりの孔食の数として表示された。
【００７７】
2007292755.tif 000002
【００７８】
表１の結果から、示された本発明のパネルに対して許容可能な接着性で優れた耐腐食性が得られることが明らかになる。表１にまとめられたこれらの結果から結論づけられるように、例えばプレートＣＢ７４３２２のように低下した粗さの程度（Ｒａ＝０．０５；ｔ＝５μｍ；比率Ｒａ／ｔ＝０．０１）を有する薄い陽極酸化層に対してであっても（大きな）孔食が全く出現せずに優れた接着性が得られる。但し、陽極酸化層は二クロム酸溶液における陽極酸化及び／又は封止の結果としてクロム（Ｃｒ）を含有することが条件である。
【００７９】
さらに、約５μｍの層厚さ「ｔ」及び約０．３の平均表面粗さ「Ｒａ」を有する陽極酸化層を有する（従って、約０．０６−０．０７の前記表面層の平均粗さと前記アルミニウム支持体の陽極酸化層厚さの比を有する）マグネシウム含有アルミニウム支持体が、特に陽極酸化層が二クロム酸溶液での陽極酸化及び／又は封止の結果としてクロム（Ｃｒ）を含有するとき、改良された耐腐食性に対して良好な結果を与え、それによって蒸着されたＣｓＢｒ：Ｅｕ層で被覆されたときに許容可能な接着特性で低い「孔食度」を示すことが結論づけられる。
【００８０】
表２は、スピード、及び室温を越える厳しい条件（３０℃）で高い相対湿度（８０％ＲＨ）で１週間及び３０日間でのスピード減少について与える：ＣＢ７３８１２及びＣＢ７４３２２は、比較プレートＣＢ７３８０７及びＣＢ７４３１９のそれぞれと比較すると明らかに良好に挙動する。
【００８１】
以下の表２の結果から、アルミニウム支持体上に陽極酸化アルミニウム表面層、針状燐光体又はシンチレータ結晶を含む蒸着燐光体層及び保護層被覆を連続層として有する放射線像燐光体又はシンチレータパネルを製造する本発明の方法であって、最初の製造工程において前記アルミニウム支持体が陽極酸化処理工程で処理され、１μｍ〜１０μｍの範囲の厚さを有する陽極酸化層が形成され、その後封止工程がなされ、前記陽極酸化アルミニウム表面層の表面粗さＲａが０．０１μｍから０．３０μｍ未満まで、さらには０．２０μｍ以下、特に０．０１μｍから０．０５未満までの範囲である方法において、前記アルミニウム支持体が前記工程の少なくとも一つにおいてクロム化合物を含有する溶液で処理されることを条件として、本発明の有利な効果として、（大きな）孔食の不存在及びアルミニウム支持体上への燐光体層の極めて良好な接着性が見出されることが結論づけられる。
【００８２】
2007292755.tif 000003
【００８３】
実施例２
アルミニウム層支持体は、プレートＣＢ７３８７２（アルミニウム支持体中にＭｇなし）を除いて全てのプレート（即ち、ＣＢ７３８０５−ＣＢ７３８６３及びＣＢ７３８２３）において３重量％の量でマグネシウムを有する。ＣＢ７３８０５は保護層のない比較パネルを表わす。
【００８４】
陽極酸化層を得るために陽極酸化処理が実施された：前記処理に加えて、その厚さ（μｍで表示）は以下の表３に与えられる。
【００８５】
陽極酸化アルミニウム支持体上へのプレコート層としてのパリレンＣ（登録商標）の存在（本発明プレートＣＢ７３８６３及びＣＢ７３８２３）又は有機シラン被覆の存在（本発明プレートＣＢ７３８７２）、又はプレコート層の不存在（比較プレートＣＢ７３８０５）がその厚さ（μｍ）によって表３に記載されているように示された。
【００８６】
ＣｓＢｒ：Ｅｕ光刺激性燐光体スクリーンは前記実施例１に記載のように作られた。
【００８７】
プレートは、ほぼ等しい厚さの燐光体層を有する燐光体プレートに導く同じ蒸着時間を実施した後に蒸着装置から取出された。
【００８８】
保護シートはさらに被覆され、陽極酸化アルミニウム支持体上への燐光体層の接着強度がさらに試験された。各場合において燐光体層上への保護被覆の接着性が各燐光体スクリーンについて陽極酸化アルミニウム支持体上への燐光体層の接着性と少なくとも同じ強さであることは明らかであった。
【００８９】
燐光体の被覆重量、相対スピード（新鮮及び状態調節後）についてのデータは表４に記載され、そこでは相対スピード（ＳＡＬ％）はＡｇｆａ−Ｇｅｖａｅｒｔ，Ｍｏｒｔｓｅｌ、ベルギーによって、製造されたＭＤ１０（登録商標）参照光刺激性燐光体スクリーンの参照スピードと比較したスクリーンの各々のスピードとして再び規定される。層の接着性は実施例１に示したように硬いアルミニウムプレートの取扱い中に評価され、以下の「１」〜「４」の数字は前と同じ意味が与えられる。
【００９０】
上記の接着性試験から、本発明のプレートの全てが「良好」から「優れた」接着性を示し、一方比較プレートＣＢ７３８０５については許容可能な接着性であることは明らかである。
【００９１】
2007292755.tif 000004
【００９２】
ＣＢ７３８７２に関して極めて薄い陽極酸化層を有する場合であっても、５μｍ未満の厚さを有する、薄い有機シランベースのプレコートの存在下で良好な接着性が達成されることができた。
【００９３】
2007292755.tif 000005
【００９４】
表４は、特に薄い有機テトラシラン被覆を有する本発明貯蔵燐光体プレートＣＢ７３８７２について、優れたスピード、一週間の高い相対湿度の厳しい条件における許容可能なスピード減少、及び１線対／ｍｍのシャープネスを示す。
【００９５】
実施例３
５μｍの厚さを有する陽極酸化層を得るためにこの実施例において陽極酸化処理が実施された。燐光体の被覆重量は約５０ｍｇ／ｃｍ２に設定された（ＣＢプレート７２７２１，７２７２４及び７２７２３のそれぞれについて４８．０；５１．７及び４９．８）。
【００９６】
2007292755.tif 000006
【００９７】
陽極酸化Ａｌ支持体の間の中間層又は支持体としてのパリレンＣ（登録商標）の存在は、「フラットフィールド」上の乱れた孔食の不存在から観察されうるように適切な腐食保護を明らかに与える。用語「フラットフィールド」は、「均一に露光される」、即ち「ファントム」を避けるために一定の強度及び均一なエネルギー分布で露光されるものとして理解されるべきである。
【００９８】
標準的な方法ではそのためにＲＱＡ５（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ−ＩＥＣ６１２６７：１９９４）ビーム品質を使用する。
【００９９】
さらに、支持体と燐光体層の間の良好な接着性が考えられたように観察され、前記接着性は前に規定したように「取扱い」しながら制御される。
【０１００】
実施例４
比較プレートＣＢ７３８０５及び本発明プレートＣＢ７３８６５においてアルミニウム層支持体に３重量％の量でマグネシウムを存在させた。Ｍｇは純粋なＡｌ含有比較支持体プレートＣＢ７３８０４及び本発明支持体プレートＣＢ７３８０３に存在させなかった。
【０１０１】
以下の表６に示したように厚さ「ｔ」を有する陽極酸化層を得るために陽極酸化処理が実施された。陽極酸化層の処理条件は以下に示したように実施された。
【０１０２】
裸のアルミニウムプレートをまず７０℃の水酸化ナトリウム溶液で約５秒間「脱脂」し、例えば油、ダスト、及び他の望ましくない汚染物による汚染のない清浄な表面を得た。
【０１０３】
第二工程ではアルミニウム支持体の「しぼ付」は塩化水素（あるいは硝酸）中で交流電流によって実施された。
【０１０４】
しぼ付工程時に形成された水酸化アルミニウムを除去するために、「スマット除去」中和工程が適用され、そこではアルミニウムプレートは７０℃で約５秒間硫酸でスプレーされた。「陽極酸化工程」は硫酸中で直流電流の適用によって実施され、水封止された。
【０１０５】
陽極酸化アルミニウム層の粗さＲａの意味に関して、ＲａがＤＩＮ４７６８に従って評価長さＬ内の平均レベル線からの粗さプロファイルの逸脱の算術平均値として測定され、前記線の上下の平面の表面積が前記粗さＲａ値を計算するために積分されることを頭に入れておくべきである。
【０１０６】
粗さ「Ｒａ」値（μｍで表示）は、パーソメータで表面粗さプロファイルを記録した後に計算された。試料はＤｅｋｔａｋ−８  Ｓｔｙｌｕｓ  Ｐｒｏｆｉｌｅｒでそれについて走査され、値はＤＩＮ−４７６８に記載のように計算された。
【０１０７】
腐食は、「フラットフィールド」被覆針状像プレート上で評価され、「１００ｃｍ２あたりの孔食の数」、即ち完全なプレートあたりの数として表示された。用語「フラットフィールド」は、「均一に露光される」、即ち「ファントム」を避けるために一定の強度及び均一なエネルギー分布で露光されるものとして理解されるべきである。その標準的な方法では、ＲＱＡ５（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ−ＩＥＣ６１２６７：１９９４）ビーム品質をそれに対して使用する。
【０１０８】
比較プレートＣＢ７３８０４及びＣＢ７３８０５について封止された陽極酸化支持体層と針状燐光体層の間に中間層は存在させなかった。本発明プレートＣＢ７３８６５及びＣＢ７３８０３について電気化学的に付着された錫（硫酸錫溶液から）の無機被覆及び化学蒸着（ＣＶＤ）によって適用された酸化イットリウムの無機被覆を無機下層としてそれぞれ適用した。
【０１０９】
以下の表６にまとめられた結果から結論づけられるように、本発明例ＣＢ７３８６５（錫金属層で被覆）又はＣＢ７３８０３（イットリウムの酸化物被覆で被覆）についてのように無機層で被覆された陽極酸化アルミニウム支持体は、下層のない比較パネルＣＢ７３８０４及びＣＢ７３８０５と比較したとき、腐食に対して明らかに良好な保護を与える。表６で得られた結果は腐食の減少及び孔食度の低下を示す。さらに、アルミニウム支持体中のマグネシウムの存在が本発明被覆並びに比較被覆に対してさらに良好な腐食保護を与えることは明らかである。１０μｍ未満の無機被覆での保護はさらに、孔食度を、それを低下すること（ＣＢ７３８６５）によって劇的に改善する。
【０１１０】
2007292755.tif 000007
【０１１１】
表７は、特に酸化イットリウムの薄い酸化物被覆が陽極酸化アルミニウム支持体と燐光体層の間に下層として存在するパネル（ＣＢ７３８０３）について、一週間の高い相対湿度の厳しい条件における許容可能なスピード及びスピード減少を示す。
【０１１２】
2007292755.tif 000008
【０１１３】
本発明の好ましい実施態様を詳細に記載したが、添付の特許請求の範囲に規定された本発明の範囲から逸脱せずに多数の変更をその中でなしうることが当業者に明らかであるだろう。