(57)【要約】【課題】高分子化しても一分子分の膜厚が十分薄くなり、磁気記録装置の磁気記録媒体潤滑層やヘッドスライダ潤滑層に使用すれば、これらの潤滑層の膜厚を非常に小さくでき、浮上安定性を損なうことなく、幅広い温度環境での信頼性を高めることができる潤滑剤を提供する。【解決手段】  本潤滑剤は特定構造の含フッ素ポリマーを含んでなる。このような含フッ素ポリマーは、特定構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させて製造することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式１で表される構造を有する含フッ素ポリマーを含んでなる潤滑剤。
【化１】
2007284659.tif 000025
｛式１において、ｍ，ｎはゼロ以上の実数（ただし、ｍとｎが同時にゼロにはならない）である。｛（ＸＺ）ｍ，（ＹＺ）ｎ｝は、ＸＺの構造単位とＹＺの構造単位とが、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよいことを意味する。同様に、（Ｘδ，Ｙ（１−δ））は、Ｘの構造単位とＹの構造単位とが、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよいことを意味する。δはゼロ以上１以下の実数である。Ｘ，Ｙ，Ｚの化学構造は、この順に式１２，１３，１４のとおりである。ただし、Ｘ，Ｙ，Ｚの水素は、１〜３個の炭素を含んでなる有機基であって、エーテル結合を含んでいてもよく、その水素が極性基とフッ素との一方または両方で置換されていてもよい有機基で置換されていてもよい。｝
【化２】
2007284659.tif 000026
｛式１２において、ａ，ｂ，ｐ，ｑはゼロ以上の実数（ただし、ｐとｑは同時にゼロにはならない）であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。｝
【化３】
2007284659.tif 000027
｛式１３において、ｃ，ｄ，ｒ，ｓはゼロ以上の実数（ただし、ｒとｓは同時にゼロにはならない）であり、α，βは互いに独立に正の実数であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。Ｐｏｌは、互いに独立に、かつ、他の式とは独立に、極性基を表す。｝
【化４】
2007284659.tif 000028
（式１４において、Ｐｏｌは、互いに独立に、かつ、他の式とは独立に、極性基を表す。）
【請求項２】
前記含フッ素ポリマーの隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量が５００以上である、請求項１に記載の潤滑剤。
【請求項３】
前記含フッ素ポリマーの数平均分子量が２０００以上１２０００以下である、請求項１または２に記載の潤滑剤。
【請求項４】
式２の構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させてなる含フッ素ポリマーを含有する潤滑剤。
ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｘＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ”（ＣＦ２Ｏ）ｑ”ＣＦ２ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｙＯＨ・・・（２）
｛式２中、ｐ”、ｑ”、ｘ、ｙは、互いに独立に、ゼロ以上の実数（ただし、ｐ”とｑ”は同時にゼロにはならない）であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。
【請求項５】
前記含フッ素ポリマーが、式２の構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させたのち、さらにグリシドールと反応させてなる、請求項４に記載の潤滑剤。
【請求項６】
前記含フッ素ポリマーの数平均分子量が２０００以上１２０００以下である、請求項４または５に記載の潤滑剤。
【請求項７】
前記含フッ素ポリマーが、分子鎖の途中のヒドロキシ基を、一分子中に平均して１．０〜１０．０個有する、請求項４〜６のいずれかに記載の潤滑剤。
【請求項８】
２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以下である、請求項１〜７のいずれかに記載の潤滑剤。
【請求項９】
磁性層と、当該磁性層上にある保護層と、当該保護層上にある磁気記録媒体潤滑層とを含む磁気記録媒体であって、当該磁気記録媒体潤滑層が請求項１〜８のいずれかに記載の潤滑剤を塗布したものである、磁気記録媒体。
【請求項１０】
磁気記録媒体に対し、記録および／または再生を行うための記録変換素子を備えたヘッドスライダであって、当該磁気記録媒体に面する側のヘッドスライダ面に、保護層と請求項１〜８のいずれかに記載の潤滑剤を塗布したヘッドスライダ潤滑層を有する、ヘッドスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録装置用の潤滑剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置においては、記録変換素子（本発明では単にヘッドともいう）を備えたヘッドスライダが、磁気記録媒体であるハードディスク上を浮上しながら情報の読み書きを行う。
【０００３】
ヘッドと、ハードディスク上で磁気情報を記録（書き込み）または再生（読み取り）するための磁性層との距離は磁気スペーシングと呼ばれ、磁気スペーシングが狭いほど記録密度が向上する。一方、情報の転送速度を上げるためにはハードディスクの回転数を高くする必要がある。近年の記録密度と転送速度の向上に伴い、低浮上化、高速回転化が進み、現在、ヘッド浮上高さは１０ｎｍ程度、回転数は１５０００回転／分（ｒｐｍ）程度となっている。
【０００４】
ハードディスクドライブにおいては、ドライブの信頼性を高めるため、一般に磁気ディスク上やヘッドスライダ上に潤滑剤がおおよそ１〜２ｎｍの厚さで塗布されている。この潤滑剤はヘッドがディスクに接触する際に摩擦や摩耗を減らし、障害の発生を防止している。
【０００５】
潤滑剤の膜厚はヘッド浮上高さの１０％程度となっていることから、磁気スペーシングに対して、無視できない厚さになっており（たとえば、非特許文献１参照。）、記録密度を向上させるには潤滑剤の膜厚を薄くし、磁気スペーシングを低減することが重要となってきている。
【特許文献１】特開平２００３−１６２８１０号公報（特許請求の範囲）
【非特許文献１】Ｘ．Ｍａ等，「アイトリプルイー・トランザクション・オン・マグネティクス（ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍａｇｎ．），２００１年，第３７巻，ｐ．１８２４
【非特許文献２】Ｘ．Ｍａ等，「ジャーナル・オブ・ケミカル・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｃａｌ  Ｐｈｙｓｉｃｓ），１９９９年，第１１０巻，ｐ．３１２９〜３１３７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、潤滑剤の分子の大きさが有限である以上、一分子分の膜厚より潤滑膜厚を薄くすることはできない。平均値として薄くすることはできても、それでは潤滑剤の被覆率を下げることになる。
【０００７】
潤滑剤の一分子分の膜厚は潤滑剤の分子量で決まることが知られており（たとえば、非特許文献２参照。）、分子量を小さくすることで、一分子分の膜厚を薄くすることは可能である。
【０００８】
しかしながら、潤滑剤は分子量を小さくすると蒸発しやすくなり、また、高速回転時に飛散し易くなるという特性がある。従って、現状では、高速回転時の潤滑剤減耗等のＨＤＩ（ヘッドディスクインターフェース）特性との兼ね合いで低分子化にも限界がある。従って、この限界値を超えるには、高分子化しても一分子分の膜厚が十分薄くなる潤滑剤が必要である。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決し、高分子量の潤滑剤を使用しても潤滑層の膜厚を非常に小さくでき、浮上安定性を損なうことなく、幅広い温度環境での信頼性を高めることのできる技術を開発することを目的としている。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、式１で表される構造を有する含フッ素ポリマーを含んでなる潤滑剤が提供される。
【００１１】
【化５】
2007284659.tif 000002
【００１２】
｛式１において、ｍ，ｎはゼロ以上の実数（ただし、ｍとｎが同時にゼロにはならない）である。｛（ＸＺ）ｍ，（ＹＺ）ｎ｝は、ＸＺの構造単位とＹＺの構造単位とが、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよいことを意味する。同様に、（Ｘδ，Ｙ（１−δ））は、Ｘの構造単位とＹの構造単位とが、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよいことを意味する。δはゼロ以上１以下の実数である。Ｘ，Ｙ，Ｚの化学構造は、この順に式１２，１３，１４のとおりである。ただし、Ｘ，Ｙ，Ｚの水素は、１〜３個の炭素を含んでなる有機基であって、エーテル結合を含んでいてもよく、その水素が極性基とフッ素との一方または両方で置換されていてもよい有機基で置換されていてもよい。｝
【００１３】
【化６】
2007284659.tif 000003
【００１４】
｛式１２において、ａ，ｂ，ｐ，ｑはゼロ以上の実数（ただし、ｐとｑは同時にゼロにはならない）であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。｝
【００１５】
【化７】
2007284659.tif 000004
【００１６】
｛式１３において、ｃ，ｄ，ｒ，ｓはゼロ以上の実数（ただし、ｒとｓは同時にゼロにはならない）であり、α，βは互いに独立に正の実数であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。Ｐｏｌは、互いに独立に、かつ、他の式とは独立に、極性基を表す。｝
【００１７】
【化８】
2007284659.tif 000005
【００１８】
（式１４において、Ｐｏｌは、互いに独立に、かつ、他の式とは独立に、極性基を表す。）  
上記態様により、高分子化しても一分子分の膜厚が十分薄くなる潤滑剤が得られる。この潤滑剤を使用すれば、高分子量であっても潤滑層の膜厚を非常に小さくでき、浮上安定性を損なうことなく、幅広い温度環境での信頼性を高めることができる。
【００１９】
前記含フッ素ポリマーの隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量が５００以上であること、前記含フッ素ポリマーの数平均分子量が２０００以上１２０００以下であること、前記Ｐｏｌがヒドロキシ基であること、前記含フッ素ポリマーの隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量が３０００以下であること、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以下であること、前記含フッ素ポリマーの末端が式３の構造を有すること、
−Ｒ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
（式３中、Ｒは極性基または炭化水素基を表す。）
式１中において、ＣＦ２Ｏの構造単位とＣ２Ｆ４Ｏとの構造単位の一部、またはその全てが、式４と式５のいずれかの構造で置換されてなること、
−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−・・・・・・・・・（４）
【００２０】
【化９】
2007284659.tif 000006
【００２１】
前記含フッ素ポリマー中に、ヒドロキシ基以外の極性基が存在しないこと、および、前記含フッ素ポリマーの分子鎖の途中のヒドロキシ基が、一分子中に平均して１．０〜１０．０個存在すること、が好ましい。
【００２２】
本発明の他の一態様によれば、式２の構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させてなる含フッ素ポリマーを含有する潤滑剤が提供される。
【００２３】
ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｘＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ”（ＣＦ２Ｏ）ｑ”ＣＦ２ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｙＯＨ・・・（２）
（式２中、ｐ”、ｑ”、ｘ、ｙは、互いに独立に、ゼロ以上の実数（ただし、ｐ”とｑ”は同時にゼロにはならない）であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。  
【００２４】
本態様によっても、高分子化しても一分子分の膜厚が十分薄くなる潤滑剤が得られる。この潤滑剤を使用すれば、高分子量であっても潤滑層の膜厚を非常に小さくでき、浮上安定性を損なうことなく、幅広い温度環境での信頼性を高めることができる。
【００２５】
前記含フッ素ポリマーが、式２の構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させたのち、さらにグリシドールと反応させてなるものであること、前記含フッ素ポリマーの数平均分子量が２０００以上１２０００以下であること、前記含フッ素ポリマーが、分子鎖の途中のヒドロキシ基を、一分子中に平均して１．０〜１０．０個有すること、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以下であること、前記含フッ素ポリマーの末端が式３の構造を有すること、
−Ｒ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
（式３中、Ｒは極性基または炭化水素基を表す。）
式２中において、ＣＦ２Ｏの構造単位とＣ２Ｆ４Ｏとの構造単位の一部、またはその全てが、式４と式５のいずれかの構造で置換されてなること、
−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−・・・・・・・・・（４）
【００２６】
【化１０】
2007284659.tif 000007
【００２７】
前記含フッ素ポリマー以外の含フッ素化合物を含有すること、
前記含フッ素ポリマー以外の含フッ素化合物が、式９、式１０および式１１からなる群から選ばれた少なくとも一つの構造を有する化合物であること、
Ｒ１ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ’−（ＣＦ２Ｏ）ｑ’−ＣＦ２−Ｒ２・・（９）
Ｒ１−Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒ’−ＣＦ２ＣＦ２−Ｒ２・・（１０）
【００２８】
【化１１】
2007284659.tif 000008
【００２９】
（式９〜１１中、Ｒ１，Ｒ２は、互いに独立に、かつ各式について独立に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環、ならびに、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環からなる群から選ばれた基を置換基として一個以上含み、カルボニル基またはエーテル基またはカルボニル基とエーテル基とを含んでいてもよく、二重結合または三重結合または二重結合と三重結合とを含んでいてもよく、枝分かれしていてもよい一価の脂肪族炭化水素基、ならびに、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環からなる群から選ばれた基を置換基として一個以上含む一価の芳香族炭化水素基および一価の複素環式芳香族炭化水素基からなる群から選ばれた基であり、ｐ’，ｑ’，ｒ’，ｓ’は正の実数である。式９、式１０および式１１の各構造単位は、各化合物の構造中、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。）、
が好ましい。  
【００３０】
本発明のさらに他の態様によれば、磁性層と、当該磁性層上にある保護層と、当該保護層上にある磁気記録媒体潤滑層とを含む磁気記録媒体であって、当該磁気記録媒体潤滑層が上記の潤滑剤を塗布したものである、磁気記録媒体や、磁気記録媒体に対し、記録および／または再生を行うための記録変換素子を備えたヘッドスライダであって、当該磁気記録媒体に面する側のヘッドスライダ面に、保護層と上記の潤滑剤を塗布したヘッドスライダ潤滑層を有する、ヘッドスライダが提供される。
【００３１】
上記の諸態様により、膜厚が非常に小さい潤滑層を持ち、浮上安定性を損なうことなく、幅広い温度環境での信頼性を高めた、磁気記録媒体、ヘッドスライダおよび磁気記録装置が得られる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明により、高分子化しても一分子分の膜厚が十分薄くなる潤滑剤が得られる。この潤滑剤を、磁気記録装置の磁気記録媒体潤滑層やヘッドスライダ潤滑層に使用すれば、これらの潤滑層の膜厚を非常に小さくでき、浮上安定性を損なうことなく、幅広い温度環境での信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に、本発明の実施の形態を図、表、式、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、表、式、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。
【００３４】
分子量を大きくしても一分子分の膜厚が厚くならない分子構造を与える潤滑剤としては、分子の中間部に極性基を持つパーフルオロポリエーテルが知られている（たとえば特許文献１参照）が、具体的な分子構造や分子量範囲等については不明のままであった。
【００３５】
研究の結果、特定の構造を有する含フッ素ポリマーにより、パーフルオロ構造でなくとも、磁気記録装置の磁気記録媒体潤滑層やヘッドスライダ潤滑層に使用した場合、高分子量の潤滑剤を使用しても潤滑層の膜厚を非常に小さくでき、浮上安定性を損なうことなく、幅広い温度環境での信頼性を高められることが見出された。
【００３６】
すなわち、本発明に係る潤滑剤は、式２の構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させてなる含フッ素ポリマーを含有する。
【００３７】
ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｘＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ”（ＣＦ２Ｏ）ｑ”ＣＦ２ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｙＯＨ・・・（２）
（式２中、ｐ”、ｑ”、ｘ、ｙは、互いに独立に、ゼロ以上の実数（ただし、ｐ”とｑ”は同時にゼロにはならない）であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。）  
以下を含め、本発明において、下付添字で表される記号が「実数」を表す場合は、この「実数」は、その構造を有する部分または化合物の平均値であることを意味する。
【００３８】
上記反応には公知のどのような方法を採用することもできる。この含フッ素ポリマーは、上記の反応に加え、さらに他の反応や精製工程を経たものであってもよい。分子鎖の途中にあるヒドロキシ基は１，３−ブタジエンジエポキシドから生じる。分子の末端構造は大半がヒドロキシ基になっている。
【００３９】
さらに、本発明に係る潤滑剤は、上記含フッ素ポリマーが、式２の構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させたのち、グリシドールと反応させてなるものであってもよい。上記の反応に加え、さらに他の反応や精製工程を経たものであってもよい。  
【００４０】
この反応には公知のどのような方法を採用することもできる。分子鎖の途中にあるヒドロキシ基は１，３−ブタジエンジエポキシドから生じる。分子鎖の末端にある−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−ＯＨはグリシドールから生じる。
【００４１】
上記のようにして得られたポリマーを適切な化合物と反応させ、この末端ヒドロキシ基を置換または封止することもできる。この置換や封止には、ヨウ化メチル、無水カルボン酸等を使用することができる。これにより、含フッ素ポリマーの末端が式３の構造を有するようになる。Ｒの極性基としてはＯＣＯＣＨ３、ＣＯＯＨ、ＯＣＨ３、ＯＣＨ２ＣＨ３を、炭化水素基としてはアルキル基を例示することができる。
【００４２】
−Ｒ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
（式３中、Ｒは極性基または炭化水素基を表す。）
本発明に係る含フッ素ポリマーは、さらに、式２中において、ＣＦ２Ｏの構造単位とＣ２Ｆ４Ｏとの構造単位の一部、またはその全てが、式４と式５のいずれかの構造で置換されてなる化合物を用いて得られたものであることも好ましい。
【００４３】
−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−・・・・・・・・・（４）
【００４４】
【化１２】
2007284659.tif 000009
【００４５】
なお、式４、式５の構造の構造を含む市販品のフッ素ポリマーに対して、１，３−ブタジエンジエポキシドやグリシドールを反応させることにより、式1と同様のものが合成できる。  
【００４６】
本発明により、高分子化しても一分子分の膜厚を十分薄くできる潤滑剤が得られる。このような構造の含フッ素ポリマーを含有する潤滑剤では、恐らく、分子の両末端あるいは末端近傍にある極性基（ヒドロキシ基）と共に、分子の中間にある極性基（ヒドロキシ基）が、潤滑剤を塗布される面（以下、被塗布面と略称する）に付着するため、分子が被塗布面から高く立ち上がることがなく、この効果によって、高分子量の潤滑剤を使用しても、潤滑層の膜厚を非常に小さくできるものと考えられる。
【００４７】
この様子を図１〜３を用いて説明する。図２は、含フッ素ポリマーの分子１の両端に極性基Ｐｏｌがある場合、図１は、両端と共に分子鎖の途中に極性基Ｐｏｌが一つある場合、図３は、両端と共に分子鎖の途中に極性基Ｐｏｌが二つある場合を模式的に表している。図１〜３の分子長さが同一である場合を考えると、含フッ素ポリマーの分子１が被塗布面２から離れる距離Ｌは、分子鎖の途中に極性基があると小さくなることが理解されよう。
【００４８】
なお、本発明に係る含フッ素ポリマーを使用した場合、高分子化しても一分子分の膜厚が十分薄くなる潤滑剤が得られる効果が大きいのは、１，３−ブタジエンジエポキシドの使用により、ポリマー鎖中に、炭素２個を挟んで隣接するヒドロキシ基が生じ、この炭素２個を挟んで隣接するヒドロキシ基が、孤立したヒドロキシ基より、被塗布面に、より強固に付着するためではないかと思われる。
【００４９】
含フッ素ポリマーの分子量としては、数平均分子量で２０００以上１２０００以下が好ましい。２０００未満では、高温での耐久性や膜厚の減少率で示されるようなマイグレーション特性が劣化する。また、高速回転時に飛散し易くなる傾向が現れる。１２０００を超えると粘度が高すぎ、上記に説明した磁気記録媒体やヘッドの低温での耐久性が悪化する傾向が現れる。２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。粘度の測定はどのような方法によってもよい。
【００５０】
また、分子鎖の途中のヒドロキシ基の数としては、一分子中に平均して１．０〜１０．０個有することが好ましい。１．０個未満では、一分子分の膜厚が厚くなりやすい。典型的な場合には一分子分の膜厚が２ｎｍを超える場合がある。１０．０個を超えても特段の改良効果は得られない。むしろ、含フッ素ポリマーの数平均分子量が、２０００〜１２０００の範囲の場合には、典型的に言えば短い分子鎖に多すぎるヒドロキシ基が存在することになり、ヒドロキシ基に起因する分子間相互作用により、分子同士が凝集し易くなり、潤滑膜厚が変動する（すなわち、時間と共に潤滑膜厚が増大する）という問題が生じ得る。
【００５１】
上記の範囲であれば、被塗布面への付着がうまくいっている限り、本発明に係る含フッ素ポリマーが被塗布面から離れる距離Ｌは、末端にのみ極性基を有し、上記の極性基間の構造部分の分子量と同じ値を一分子全体としての分子量として有する含フッ素ポリマーが被塗布面から離れる距離Ｌと同程度になると考えることができる。
【００５２】
分子鎖の途中のヒドロキシ基を、一分子あたり平均して１．０〜５．０個有することがさらに好ましく、２．０〜５．０個有することがよりさらに好ましい。各分子の途中に１，３−ブタジエンジエポキシドが、少なくとも一個取り込まれていれば、分子鎖の途中のヒドロキシ基の数は２個以上になるので好ましい。
【００５３】
なお、上記をさらに一般化して考えると、分子鎖の途中に極性基が存在する場合に、極性基間の分子鎖の内、少なくとも一つの分子鎖の化学式量がどの程度であるかという観点から検討することができる。
【００５４】
この考えの下に検討した結果、極性基としては、ヒドロキシ基に限らず他の極性基、たとえば、カルボキシ基、カルボニル基、スルホン酸基、ニトロ基、ニトリル基等、公知の極性基から適宜選択することができること（ただし、エーテル結合は含まれない）、潤滑剤に含まれる含フッ素ポリマーが、式１で表される構造を有していること、
【００５５】
【化１３】
2007284659.tif 000010
【００５６】
｛式１において、ｍ，ｎはゼロ以上の実数（ただし、ｍとｎが同時にゼロにはならない）である。｛（ＸＺ）ｍ，（ＹＺ）ｎ｝は、ＸＺの構造単位とＹＺの構造単位とが、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよいことを意味する。同様に、（Ｘδ，Ｙ（１−δ））は、Ｘの構造単位とＹの構造単位とが、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよいことを意味する。δはゼロ以上１以下の実数である。Ｘ，Ｙ，Ｚの化学構造は、この順に式１２，１３，１４のとおりである。ただし、Ｘ，Ｙ，Ｚの水素は、１〜３個の炭素を含んでなる有機基であって、エーテル結合を含んでいてもよく、その水素が極性基とフッ素との一方または両方で置換されていてもよい有機基で置換されていてもよい。｝
【００５７】
【化１４】
2007284659.tif 000011
【００５８】
｛式１２において、ａ，ｂ，ｐ，ｑはゼロ以上の実数（ただし、ｐとｑは同時にゼロにはならない）であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。｝
【００５９】
【化１５】
2007284659.tif 000012
【００６０】
｛式１３において、ｃ，ｄ，ｒ，ｓはゼロ以上の実数（ただし、ｒとｓは同時にゼロにはならない）であり、α，βは互いに独立に正の実数であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。Ｐｏｌは、互いに独立に、かつ、他の式とは独立に、極性基を表す。｝
【００６１】
【化１６】
2007284659.tif 000013
【００６２】
（式１４において、Ｐｏｌは、互いに独立に、かつ、他の式とは独立に、極性基を表す。）
が充足されれば、一分子分の膜厚を十分薄くできる潤滑剤が得られることが判明した。なお、式１中のα，βはＣＨ−Ｐｏｌの組がα個またはβ個あることを意味している。たとえば、α＝２であれば、ＣＨ（Ｐｏｌ）−ＣＨ（Ｐｏｌ）を意味する。製造の容易さから、式１４において二つのＰｏｌは互いに同一であることがより有利である場合が多い。
【００６３】
本発明に係る含フッ素ポリマーの分子量については、数平均分子量が２０００以上１２０００以下であること、隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量については５００以上であることが好ましい。この数平均分子量に関する上限と下限については、上記と同様の理由が考えられる。２５℃における粘度についても、同様に２０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００６４】
隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量の算出には極性基自体は含めない。枝分かれ構造がない場合の隣接する極性基間は、ポリマー鎖状で隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量として求めればよい。枝分かれ構造があってその枝分かれ構造に極性基がない場合には、枝分かれ構造部分を含まないで分子量を数える。枝分かれ構造があってその枝分かれ構造に極性基がある場合には、その枝分かれ構造にある極性基から見た場合の隣接極性基との間の分子量も数える。その場合には、隣接極性基間を結ぶ鎖部分から分枝する構造部分を含まないで分子量を数える。例えば図４の場合には、ＭａとＭｂとＭｃとを数える。図４中、Ｐｏｌは極性基を意味する。なお、本発明において「隣接する」とは、図４に示すように、（分子鎖を含む）ポリマー鎖上、次にある極性基との関係を意味している。
【００６５】
なお、分子末端およびその近傍に極性基が互いに近接して存在する場合には、そのような分子末端およびその近傍の隣接極性基間の分子鎖についても数平均分子量に加えると、隣接極性基間の分子鎖についての分子量のバラツキが大きくなり、上記５００以上の条件だけでは不十分な場合を生じ得る。検討の結果、分子末端から、炭素５個以内に、（末端極性基を含め）２個以上の極性基がある場合には、これらを纏め、分子末端から炭素５個までの部分を一つの極性基として扱い、上記５００以上の条件を満足する含フッ素ポリマーを選択することが好ましい。また、ブタジエンエポキシドを使用する場合のように極性基が極めて近くにある場合には、炭素原子２個を挟んで隣接する極性基を纏めて一つの極性基として扱い、上記５００以上の条件を満足する含フッ素ポリマーを選択することが好ましい。
【００６６】
このようにして得られた数平均分子量が５００未満であると、恐らく、極性基間の距離が近いためにポリマーの凝集が起きやすいことに起因して、潤滑層の膜厚を非常に小さくすることが困難になる。数平均分子量は１０００以上であることがより好ましい。
【００６７】
式１で表される構造を有する含フッ素ポリマーは１種類からなっていても複数の種類からなっていてもよい。たとえは、式１において、ｎ＝０，δ＝１の場合には、Ｙ成分を全く含まない構造になり、ｍ＝δ＝０の場合には、Ｘ成分を全く含まない構造になるが、本発明に係る含フッ素ポリマーは、それらのいずれか一方の構造を有する含フッ素ポリマーから構成されていても、両者が混合状態になっていてもよい。  
【００６８】
「Ｘ，Ｙ，Ｚの水素は、１〜３個の炭素を含んでなる有機基であって、エーテル結合を含んでいてもよく、その水素が極性基とフッ素との一方または両方で置換されていてもよい有機基で置換されていてもよい。」とは、式１で表される構造が、式１そのものから示される構造である「枝分かれのない構造」だけではなく、枝分かれを有していてもよいこと、その場合の枝分かれは、１〜３個の炭素を含みかつ、炭素と炭素との間に酸素が介在してもよいこと、そのような場合に炭素と結合する水素が極性基および／またはフッ素で置換されていてもよいことを意味する。上記Ｐｏｌは、式１３および式１４について、各式内で互いに独立に、かつ、式１３と式１４との間で独立に、極性基を表す。本発明において、「極性基」とは上記のごとくエーテル結合を含まない極性基を意味し、ヒドロキシ基、カルボキシ基、カルボニル基、スルホン酸基、ニトロ基およびニトリル基を例示できる。一般的に言えば、入手の容易さ、腐食等の系への影響等の点から、極性基としてはヒドロキシ基が好ましい。この意味では、極性基がヒドロキシ基のみであることがより好ましい。また、製造の容易さからは、含フッ素ポリマーには、式１３，１４のＰｏｌ以外の極性基が含まれないことや枝分かれ構造がないことが好ましい場合が多い。
【００６９】
なお、実施例において説明するように、上記いずれの場合についても、含フッ素ポリマーの隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量が３０００以下であることが好ましい。隣接する極性基間の構造部分の分子量は、その平均値の観点で見ると、３０００を超えると潤滑層の膜厚が厚くなり、３０００以下であることが好ましいことが判明した。
【００７０】
このような構造の含フッ素ポリマーについても、その末端が、上記と同様に、式３の構造を有するようになっていてもよい。式３中のＲの構造は、公知のどのような方法により導入してもよい。
【００７１】
さらに、式１中において、ＣＦ２Ｏの構造単位とＣ２Ｆ４Ｏとの構造単位の一部、またはその全てが、式４と５のいずれかの構造に置換されてなるものであることも好ましい。このような構造であると、表面自由エネルギーが減少することなどが予想される。
【００７２】
−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−・・・・・・・・・（４）
【００７３】
【化１７】
2007284659.tif 000014
【００７４】
なお、上記の式３の構造、式４の構造および式５の構造は、公知のどのような方法により導入してもよい。
【００７５】
上記含フッ素ポリマーでは、上記５００以上の数平均分子量の条件と共に、あるいはその条件に代えて、分子鎖の途中の極性基（たとえばヒドロキシ基）を、一分子中に平均して１．０〜１０．０個有すると言う条件を採用してもよい。分子鎖の途中のヒドロキシ基を、一分子あたり平均して１．０〜５．０個有することがさらに好ましく、２．０〜５．０個有することがよりさらに好ましい。  
【００７６】
本発明に係る潤滑剤は、上記いずれかの含フッ素ポリマーのみから構成されていてもよいが、その他の化合物を含んでいてもよい。その他の化合物としては、上記含フッ素ポリマー以外の含フッ素化合物であることが好ましい。これらの含フッ素化合物は、分子量や、フッ素含有量等について、潤滑剤として必要とされる特性を有しているものであることが好ましい。このような含フッ素化合物としては、式９、式１０および式１１からなる群から選ばれた少なくとも一つの化合物であることが好ましい。これらは市販品として入手可能である。
【００７７】
Ｒ１ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ’−（ＣＦ２Ｏ）ｑ’−ＣＦ２−Ｒ２・・（９）
Ｒ１−Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒ’−ＣＦ２ＣＦ２−Ｒ２・・（１０）
【００７８】
【化１８】
2007284659.tif 000015
【００７９】
式９〜１１中、Ｒ１，Ｒ２は、互いに独立に、かつ各式について独立に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環、ならびに、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環からなる群から選ばれた基を置換基として一個以上含み、カルボニル基またはエーテル基またはカルボニル基とエーテル基とを含んでいてもよく、二重結合または三重結合または二重結合と三重結合とを含んでいてもよく、枝分かれしていてもよい一価の脂肪族炭化水素基、ならびに、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環からなる群から選ばれた基を置換基として一個以上含む一価の芳香族炭化水素基および一価の複素環式芳香族炭化水素基からなる群から選ばれた基であり、ｐ’，ｑ’，ｒ’，ｓ’は正の実数である。式９、式１０および式１１の各構造単位は、各化合物の構造中、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。
【００８０】
本発明に係る、上記の各種の潤滑剤は、磁気記録装置用の磁気記録媒体またはヘッドスライダに設けられる潤滑層に好適に使用できる。すなわち、磁性層と、この磁性層上にある保護層と、この保護層上にある磁気記録媒体潤滑層とを含む磁気記録媒体であって、磁気記録媒体潤滑層が上記の潤滑剤を塗布したものである磁気記録媒体や、磁気記録媒体に対し、記録および／または再生を行うためのヘッドを備えたヘッドスライダであって、磁気記録媒体に面する側のヘッドスライダ面に、保護層と上記の潤滑剤を塗布したヘッドスライダ潤滑層を有する、ヘッドスライダは、潤滑層の膜厚を非常に小さくでき、狭いヘッド浮上高さに対応することが可能である。
【００８１】
この場合、磁気記録媒体潤滑層についてもヘッドスライダ潤滑層についても、被塗布面に塗布された潤滑剤の表面均一性および被塗布面との付着性を向上させるために、潤滑剤の塗布後に加熱処理することが好ましい。加熱処理としては、環境温度が７０〜１５０℃の範囲で０．５〜２時間の範囲が好ましい。潤滑剤の塗布後に紫外線照射処理することも好ましい。加熱処理と紫外線照射処理とはそのいずれかのみを行っても、両方を行ってもよいが、両者を採用し、加熱処理の後に紫外線照射処理を行うことが、被塗布面との付着性を向上させる上で好ましい。
【００８２】
なお、本発明に係る潤滑剤を塗布する磁気記録媒体およびヘッドスライダの塗布面を形成する材料としては、特に制限はなく公知の材料の中から適宜選択することができるが、ヒドロキシ基等の極性基に対しある程度の親和性を有するものであることが一般的に好ましい。
【００８３】
本発明に係る磁気記録装置をハードディスク装置について説明すると次のようになる。ただし、本発明に係る「磁気記録装置」には、本発明の趣旨に反しない限り、磁気記録媒体やヘッドスライダを使用するすべての磁気記録装置を含めることができる。
【００８４】
図１３はハードディスク装置の内部構造を示す模式的平面図であり、図１４は、ヘッドと、磁気記録媒体との関係を示す模式的横断面図（磁気記録媒体磁性層に垂直な方向で切断した図）である。
【００８５】
このハードディスク装置は、図１３に示すように磁気記録媒体１１とヘッドを備えたヘッドスライダ２１２、磁気記録媒体１１の回転制御機構（たとえばスピンドルモータ）３、ヘッドの位置決め機構４および記録再生信号の処理回路（リードライトアンプ等）５を主要構成要素としている。
【００８６】
ヘッドスライダ２１２は、図１４に示すように、サスペンジョン６およびヘッドスライダ２１２を柔軟に支持するためのジンバル７により、ヘッドの位置決め機構４と連結されており、その先端にヘッド８が設けられている。ヘッドスライダ面にはヘッドスライダ保護層９とヘッドスライダ潤滑層１０が設けられている。
【００８７】
磁気記録媒体１１は、図１４の下方から基板１２、Ｃｒ下地層１３，磁性層１４，磁気記録媒体保護層１５，磁気記録媒体潤滑層１６等がある。シード層等のその他の層が設けられる場合もあるが本図では省略してある。
【実施例】
【００８８】
次に本発明の実施例を詳述する。
【００８９】
［実施例１］
（潤滑剤の合成）
アセトン５００ｍＬに市販品のＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ  ＤＯＬ（ソルベイソレクシス社製、（２）式でｘ＝ｙ＝０、分子量２０２０）１００ｇと１，３−ブタジエンジエポキシド０．１５ｍｏＬとを加えよく撹拌しながら、水５ｇに水酸化ナトリウム０．１１ｍｏＬを溶解した水溶液を１０分かけて滴下し、６時間加熱還流した。
【００９０】
その後エバポレーターでアセトンを蒸発させ、トリフルオロ酢酸２５ｇ、水２５０ｍＬを加え、７０℃で３時間撹拌した。沈殿物を回収し、８０℃の水で洗浄した。
【００９１】
このポリマーが、式１においてｎ＝ａ＝ｂ＝０、δ＝１、である分子構造を有するものであることを、ＦＴＩＲ，１ＨＮＭＲ，１３ＣＮＭＲ，１９ＦＮＭＲで決定した。図５〜７に得られたスペクトルを示す。１９ＦＮＭＲより数平均分子量は２２７３、平均重合度は０．６２、隣接するヒドロキシ基間の分子鎖の数平均分子量（Ｍ１、Ｍ２、・・・）の平均値は２２７０と決定された。この数平均分子量は後述する数平均分子量（Ｍ１、Ｍ２、・・・）の平均値と考えることができる。
【００９２】
さらに、二酸化炭素の超臨界流体を用いて、温度と圧力を変化させながら、上記ポリマー潤滑剤を溶解、抽出した。抽出した潤滑剤の数平均分子量（Ｍｎ）、平均重合度（ｒ）、隣接する極性基（ヒドロキシ基）間の分子鎖（Ｍ１、Ｍ２、・・・）の数平均分子量（Ｍｃ）および一分子あたりのヒドロキシ基の平均数を、分画名（Ｆｒ１〜Ｆｒ６）と共に、表１にまとめた。
【００９３】
【表１】
2007284659.tif 000016
【００９４】
［実施例２］
（一分子分の膜厚の測定）
一分子分の膜厚は非特許文献２にも示されているように、エリプソメータにおける潤滑剤膜厚の断面プロファイルの経時変化の観察で、潤滑剤が流動していく際に出現するテラス構造から知ることができる。
【００９５】
Ｆｒ４の潤滑剤を浸漬法によりハードディスクの保護層の一部に塗布し、潤滑剤膜厚の断面プロファイルの経時変化を観察した。その結果、テラス構造が出現し、テラスの膜厚が１．７４ｎｍ（すなわち、一分子分の膜厚）と求められた。
【００９６】
同様にして求めたＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ  ＤＯＬ（分子量２０２２）の場合は１．６６ｎｍであった。すなわち、実施例１に係る含フッ素ポリマーは、その分子量がＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ  ＤＯＬの二倍以上になっているにもかかわらず、一分子分の膜厚はおおよそ同程度であることが判明した。これは、潤滑剤の極性基が基板方向を向いて吸着しているからであると考察される。
【００９７】
そこで、隣接する極性基（ヒドロキシ基）間の分子鎖（Ｍ１、Ｍ２、・・・）の数平均分子量（Ｍｃ）に対して、上記のようにエリプソメーターで求めた分子一層膜厚を図８にプロットした。
【００９８】
その結果、数平均分子量を３０００程度にまで高くすると分子一層膜厚が２．５ｎｍにも達し得ることが推察された。通常塗布膜厚としては、分子一層膜厚の約８０％が適当と考えられているので、その考え方を適用すると、Ｍｃが約３０００の場合は塗布膜厚が２ｎｍとなる。これは、磁気スペーシングの寄与やヘッドの安定浮上の点からすると、大きすぎると考えられる場合が多い。従って、Ｍｃで見た場合には、３０００以下であることがより好ましいと言えよう。
【００９９】
なお、被塗布面への被覆性は、表面自由エネルギーの測定結果より見て十分であると判断された。すなわち、表面エネルギー値はＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ  ＤＯＬの場合は２３ｍＮ／ｍであるのに対し、実施例１に係るＦｒ４の含フッ素ポリマーの場合は１８ｍＮ／ｍであり、十分な低表面エネルギー状態が得られた。
【０１００】
［実施例３］
（浮上特性の評価）
実施例１で得られた潤滑剤（Ｆｒ４）を、浸漬法によりハードディスクの保護層に塗布し、浮上特性の評価としてグライドテストを行った。潤滑剤の塗布厚は１．２ｎｍであり、環境温度１３０℃で５０分間加熱処理を施した。この試験は周速８．６ｍ／ｓでディスクを回転させながら、ピエゾ素子が装備されているスライダーを、６ｎｍの高さで浮上させ、ピエゾ素子の出力をモニターするものである。
【０１０１】
比較として、３８Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２（換算値は５．８９Ｇｂｉｔ／ｃｍ２）の記録密度を持つ市販のディスクに対しても同様の試験を行った。図９，１０に結果を示した通り両者に差は無く、本発明に係る潤滑剤を潤滑層に使用した磁気ディスクは良好な浮上特性を示した。なお、図９，１０において、横軸はディスクの半径方向の位置、縦軸はピエゾ素子の出力電圧を表す。Ａ、Ｂはディスクの面を示す。
【０１０２】
更に、比較として、市販品のＦＯＭＢＬＩＮ  ＺＤＯＬ（分子量４０００）を、浸漬法によりハードディスクの保護層に塗布し、浮上特性の評価としてグライドテストを行った。潤滑剤の塗布厚は１．２ｎｍであり、環境温度１３０℃で５０分間加熱処理を施した。
【０１０３】
この条件ではヘッドが浮上しないことが、わかった。これは、分子量が高く分子一層膜厚が厚いため、浮上障害を引き起こしていると考えられる。
【０１０４】
［実施例４］
（浮上特性の評価）
ＣＳＳ（コンタクト−スタート−ストップ）試験機を用いて、テイクオフ速度（ＴＯＶ）、タッチダウン速度（ＴＤＶ）を測定した。ＴＯＶはディスクの回転数を上昇させる際にヘッドが浮上するときの速度であり、ＴＤＶはディスクの回転数を落としたときにヘッドがディスクに衝突するときの速度として定義される。
【０１０５】
用いたヘッドは１０ｎｍの浮上高さとなるヘッドで、用いた磁気ディスクでは潤滑剤（実施例１におけるＦｒ４）を磁気記録媒体潤滑層に使用した。塗布厚は１．２ｎｍであり、実施例３と同様にして熱処理した。
【０１０６】
比較として、３８Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２（換算値は５．８９Ｇｂｉｔ／ｃｍ２）の記録密度を持つ市販のディスクに対しても同様の試験を行った。結果を図１１，１２に示した。両者に差は無く、良好な浮上特性を示した。なお、図１１，１２において、横軸はディスクの半径方向の位置、縦軸はディスクの回転数を表す。
【０１０７】
［実施例５］
（粘性係数の摺動特性に与える影響）
本例は、潤滑剤の粘度が潤滑膜の耐久特性の指標となることを示すためのものである。
【０１０８】
分画の仕方を変更した以外は実施例１と同様にして、表２に示す潤滑剤Ａ〜Ｆを得た。表２には、比較例として、市販品のＦＯＭＢＬＩＮ  ＺＤＯＬ（数平均分子量２５００）のものも示されている。これらの潤滑剤の粘度は、回転型粘度計（ローターの回転速度を一定または可変に制御し、トルクを検出する方式。）を用いて測定した。
【０１０９】
潤滑剤ＡからＦおよび比較例の潤滑剤（従来品）を保護層上にディップコーティングにより、１０ｎｍの厚さに塗布した磁気記録媒体を用いて、ＨＤＤ実機ヘッドに対する耐久性の評価するため、摺動評価を行った。
【０１１０】
具体的には、保護層上に潤滑層を有しないＨＤＤヘッドを用い、上記磁気記録媒体と接触した状態で回転させ、その後、潤滑層が枯渇し、ヘッドが磁気記録媒体の保護層に直接接触するようになった時点までパス回数（すなわち、磁気記録媒体の積算回転数）を測定した。媒体が回転し始めた時点と、潤滑層が枯渇し、ヘッドが磁気記録媒体の保護層に直接接触するようになった時点とは、ＡＥ信号によりモニタリングした。測定位置は媒体の中心から半径の半分の位置とした。
【０１１１】
ＡＥ信号とはアコースティックエミッション信号であり、固体同士が接触する際に発生する弾性波により得られる信号を意味する。この信号を使用すると、ヘッドが非浮上状態になった時点や、磁気記録媒体上の潤滑膜が枯渇し、ヘッドが磁気記録媒体の保護層に直接接触するようになった時点を検出することができる。この間の磁気記録媒体の積算回転数をその潤滑膜の膜破断回転数と定義した。
【０１１２】
図１５は評価結果を示す。横軸が粘度で、縦軸が積算回転数である。この結果より、粘度が高い潤滑剤Ｆは数平均分子量が１２０００以下であっても、寿命が従来品よりも低いことが理解される。これは、潤滑剤の粘度が高く、ヘッドの摩擦に伴う潤滑膜の薄膜化を、周囲の潤滑膜からの自己修復的な移動によって回復することが困難であったためであろうと考えられる。よって、従来品の潤滑剤の粘度を考慮した場合、潤滑剤の粘度は２０Ｐａ・ｓ以下であることが望ましいことが理解される。
【０１１３】
【表２】
2007284659.tif 000017
【０１１４】
なお、上記に開示した内容から、下記の付記に示した発明が導き出せる。
【０１１５】
（付記１）
式１で表される構造を有する含フッ素ポリマーを含んでなる潤滑剤。
【０１１６】
【化１９】
2007284659.tif 000018
【０１１７】
｛式１において、ｍ，ｎはゼロ以上の実数（ただし、ｍとｎが同時にゼロにはならない）である。｛（ＸＺ）ｍ，（ＹＺ）ｎ｝は、ＸＺの構造単位とＹＺの構造単位とが、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよいことを意味する。同様に、（Ｘδ，Ｙ（１−δ））は、Ｘの構造単位とＹの構造単位とが、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよいことを意味する。δはゼロ以上１以下の実数である。Ｘ，Ｙ，Ｚの化学構造は、この順に式１２，１３，１４のとおりである。ただし、Ｘ，Ｙ，Ｚの水素は、１〜３個の炭素を含んでなる有機基であって、エーテル結合を含んでいてもよく、その水素が極性基とフッ素との一方または両方で置換されていてもよい有機基で置換されていてもよい。｝
【０１１８】
【化２０】
2007284659.tif 000019
【０１１９】
｛式１２において、ａ，ｂ，ｐ，ｑはゼロ以上の実数（ただし、ｐとｑは同時にゼロにはならない）であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。｝
【０１２０】
【化２１】
2007284659.tif 000020
【０１２１】
｛式１３において、ｃ，ｄ，ｒ，ｓはゼロ以上の実数（ただし、ｒとｓは同時にゼロにはならない）であり、α，βは互いに独立に正の実数であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。Ｐｏｌは、互いに独立に、かつ、他の式とは独立に、極性基を表す。｝
【０１２２】
【化２２】
2007284659.tif 000021
【０１２３】
（式１４において、Ｐｏｌは、互いに独立に、かつ、他の式とは独立に、極性基を表す。）
（付記２）
前記含フッ素ポリマーの隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量が５００以上である、付記１に記載の潤滑剤。
【０１２４】
（付記３）
前記含フッ素ポリマーの数平均分子量が２０００以上１２０００以下である、付記１または２に記載の潤滑剤。
【０１２５】
（付記４）
前記Ｐｏｌがヒドロキシ基である、付記１〜３のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１２６】
（付記５）
前記含フッ素ポリマーの隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量が３０００以下である、付記１〜４のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１２７】
（付記６）
前記含フッ素ポリマーの末端が式３の構造を有する、付記１〜５のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１２８】
−Ｒ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
（式３中、Ｒは極性基または炭化水素基を表す。）
（付記７）
式１中において、ＣＦ２Ｏの構造単位とＣ２Ｆ４Ｏとの構造単位の一部、またはその全てが、式４と式５のいずれかの構造で置換されてなる、付記１〜６のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１２９】
−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−・・・・・・・・・（４）
【０１３０】
【化２３】
2007284659.tif 000022
【０１３１】
（付記８）
前記含フッ素ポリマー中に、ヒドロキシ基以外の極性基が存在しない、付記１〜７のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１３２】
（付記９）
前記含フッ素ポリマーの分子鎖の途中のヒドロキシ基が、一分子中に平均して１．０〜１０．０個存在する、付記１〜８のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１３３】
（付記１０）
式２の構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させてなる含フッ素ポリマーを含有する潤滑剤。
【０１３４】
ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｘＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ”（ＣＦ２Ｏ）ｑ”ＣＦ２ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｙＯＨ・・・（２）
（式２中、ｐ”、ｑ”、ｘ、ｙは、互いに独立に、ゼロ以上の実数（ただし、ｐ”とｑ”は同時にゼロにはならない）であり、ＣＦ２ＣＦ２ＯとＣＦ２Ｏの構造単位は、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。
【０１３５】
（付記１１）
前記含フッ素ポリマーが、式２の構造を有する化合物と１，３−ブタジエンジエポキシドとを反応させたのち、さらにグリシドールと反応させてなる、付記１０に記載の潤滑剤。
【０１３６】
（付記１２）
前記含フッ素ポリマーの数平均分子量が２０００以上１２０００以下である、付記１０または１１に記載の潤滑剤。
【０１３７】
（付記１３）
前記含フッ素ポリマーが、分子鎖の途中のヒドロキシ基を、一分子中に平均して１．０〜１０．０個有する、付記１０〜１２のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１３８】
（付記１４）
前記含フッ素ポリマーの末端が式３の構造を有する、付記１０〜１３のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１３９】
−Ｒ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
（式３中、Ｒは極性基または炭化水素基を表す。）
（付記１５）
式２中において、ＣＦ２Ｏの構造単位とＣ２Ｆ４Ｏとの構造単位の一部、またはその全てが、式４と式５のいずれかの構造で置換されてなる、付記１０〜１４のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１４０】
−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−・・・・・・・・・（４）
【０１４１】
【化２４】
2007284659.tif 000023
【０１４２】
（付記１６）
２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以下である、付記１〜１５のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１４３】
（付記１７）
前記含フッ素ポリマー以外の含フッ素化合物を含有する、付記１〜１６のいずれかに記載の潤滑剤。
【０１４４】
（付記１８）
前記含フッ素ポリマー以外の含フッ素化合物が、式９、式１０および式１１からなる群から選ばれた少なくとも一つの構造を有する化合物である、付記１７に記載の潤滑剤。
【０１４５】
Ｒ１ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ’−（ＣＦ２Ｏ）ｑ’−ＣＦ２−Ｒ２・・（９）
Ｒ１−Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒ’−ＣＦ２ＣＦ２−Ｒ２・・（１０）
【０１４６】
【化２５】
2007284659.tif 000024
【０１４７】
（式９〜１１中、Ｒ１，Ｒ２は、互いに独立に、かつ各式について独立に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環、ならびに、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環からなる群から選ばれた基を置換基として一個以上含み、カルボニル基またはエーテル基またはカルボニル基とエーテル基とを含んでいてもよく、二重結合または三重結合または二重結合と三重結合とを含んでいてもよく、枝分かれしていてもよい一価の脂肪族炭化水素基、ならびに、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基およびフォスファゼン環からなる群から選ばれた基を置換基として一個以上含む一価の芳香族炭化水素基および一価の複素環式芳香族炭化水素基からなる群から選ばれた基であり、ｐ’，ｑ’，ｒ’，ｓ’は正の実数である。式９、式１０および式１１の各構造単位は、各化合物の構造中、互いにランダムな配列をとってもブロック化した配列をとってもよい。）
（付記１９）
磁性層と、当該磁性層上にある保護層と、当該保護層上にある磁気記録媒体潤滑層とを含む磁気記録媒体であって、当該磁気記録媒体潤滑層が付記１〜１８のいずれかに記載の潤滑剤を塗布したものである、磁気記録媒体。
【０１４８】
（付記２０）  
磁気記録媒体に対し、記録および／または再生を行うための記録変換素子を備えたヘッドスライダであって、当該磁気記録媒体に面する側のヘッドスライダ面に、保護層と付記１〜１９のいずれかに記載の潤滑剤を塗布したヘッドスライダ潤滑層を有する、ヘッドスライダ。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】含フッ素ポリマーが、極性基Ｐｏｌで被塗布面に付着した様子を示す模式図である。
【図２】含フッ素ポリマーが、極性基Ｐｏｌで被塗布面に付着した様子を示す他の模式図である。
【図３】含フッ素ポリマーが、極性基Ｐｏｌで被塗布面に付着した様子を示す他の模式図である。
【図４】隣接する極性基間の分子鎖についての数平均分子量の算出方の説明図である。
【図５】実施例１で得られた化合物の1ＨＮＭＲチャートである。
【図６】実施例１で得られた化合物の13ＣＮＭＲチャートである。
【図７】実施例１で得られた化合物の19ＦＮＭＲチャートである。
【図８】隣接するヒドロキシ基間の構造部分の数平均分子量（Ｍｃ）と分子一層膜厚との関係を示すグラフである。
【図９】グライドテストの結果を表すチャートである。
【図１０】グライドテストの結果を表す他のチャートである。
【図１１】ＴＤＶ，ＴＯＶの試験結果を表すチャートである。
【図１２】ＴＤＶ，ＴＯＶの試験結果を表す他のチャートである。
【図１３】ハードディスク装置の内部構造を示す模式的平面図である。
【図１４】ハードディスク装置のヘッドと磁気記録媒体との関係を示す模式的横断面図である。
【図１５】摺動評価の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１５０】
１  含フッ素ポリマーの分子
２  被塗布面
３    回転制御機構
４    ヘッドの位置決め機構
５    記録再生信号の処理回路
６    サスペンジョン
７    ジンバル
８    ヘッド
９    ヘッドスライダ保護層
１０  ヘッドスライダ潤滑層
１１  磁気記録媒体
１２  基板
１３  Ｃｒ下地層
１４  磁性層
１５  磁気記録媒体保護層
１６  磁気記録媒体潤滑層
２１２    ヘッドスライダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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