(57)【要約】【課題】パワー素子の異常発熱時に確実に電源電流を遮断することができるとともに、設計の自由度を向上させることのできる電気回路装置を提供する。【解決手段】配線パターン３１、３２、３３が表面に形成された回路基板３と、回路基板３上に半田付けにより実装され、ドレイン電極端子１１が放熱板を兼ねるパワー素子１０とを有する電気回路装置において、ドレイン電極端子１１が固定される配線パターン３１は、パワー素子１０に電源を供給する電源部３１ａと、電源部３１ａより下方に位置し、パワー素子１０の放熱をする放熱部３１ｂとに分割されている。【選択図】  図３
2007251134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターン（３１、３２、３３、３６、３７、３８）が表面に形成され、水平面に対して角度を有して配置された回路基板（３）と、電源端子（１１、１６）が放熱板を兼ね、該回路基板（３）上に半田付けにより実装されるパワー素子（１０、１５）と、を有する電気回路装置において、
前記電源端子（１１、１６）が半田付けにより固定される前記配線パターン（３１、３６）は、前記パワー素子（１０、１５）に電源を供給する電源部（３１ａ、３６ａ）と、
該電源部（３１ａ、３６ａ）より下方に位置し、前記パワー素子（１０、１５）の放熱をする放熱部（３１ｂ、３６ｂ）と、に分割されていることを特徴とする電気回路装置。
【請求項２】
請求項１において、前記パワー素子（１０、１５）の落下を防止するストッパ（２１、２２、２３）が備えられていることを特徴とする電気回路装置。
【請求項３】
請求項２において、前記回路基板（３）はケース本体（２ａ）とカバー（２ｂ）とからなるケース（２）に収納され、前記回路基板（３）は該ケース本体（２ａ）に取り付けられ、前記ストッパ（２１、２２、２３）は前記カバー（２ｂ）に設けられていることを特徴とする電気回路装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、前記回路基板（３）は鉛直方向に配置されることを特徴とする電気回路装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記パワー素子（１０）は、ソースパッド（４２）を有するＦＥＴチップ（４０）と、ソース電極端子（１２）を有するパッケージ（４５）と、該ソースパッド（４２）と該ソース電極端子（１２）とを接続する接続部材（４７）と、を備え、
前記ソース電極端子（１２）の溶断電流は、前記ソース電極端子（１２）が半田付けにより固定される前記配線パターン（３２）の溶断電流、前記電源端子（１１）の溶断電流、前記ＦＥＴチップ（４０）の溶断電流、前記ソースパッド（４２）の溶断電流及び前記接続部材（４７）の溶断電流のいずれよりも小さいことを特徴とする電気回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源端子が放熱板を兼ねるパワー素子が半田付けにより実装された電気回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載された電気回路装置が知られている。この電気回路装置は、図１１（Ａ）に示すように、配線パターン８１、８２、８３が表面に形成された回路基板８０と、この回路基板８０上に半田付けにより実装され、ドレイン電極端子９１が放熱板を兼ねるＭＯＳＦＥＴ９０とを有している。ＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１、ソース電極端子９２、ゲート電極端子９３は、各々配線パターン８１、８２、８３に半田付けされ、ＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１が下方を向くように実装されている。また、図１１（Ｂ）に示すように、回路基板８０はベース８５に所定角度だけ（３０°〜６０°が適切）傾斜した状態で固定され、ＭＯＳＦＥＴ９０の下方にはストッパ８６が設けられている。この電気回路装置の電気回路においては、図１１（Ｃ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ９０のゲート電極端子９３にはＭＯＳＦＥＴ駆動回路９５が接続され、ドレイン電極端子９１には電源９７が接続され、ソース電極端子９２にはモータ９６が接続されている。
【０００３】
この電気回路装置では、ＭＯＳＦＥＴ９０が異常発熱してＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１、ソース電極端子９２、ゲート電極端子９３と配線パターン８１、８２、８３との間の半田が融解すると、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ９０は自重で下方に移動してストッパ８６により停止される。この場合、図１２（Ｃ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ９０のゲート電極端子９３とＭＯＳＦＥＴ駆動回路９５とが断線するとともに、ソース電極端子９２とモータ９６とが断線する。これにより、負荷電流が遮断されて発熱が停止し、発火を防止することができる。
【特許文献１】特開２００１−６０７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来の電気回路装置では、ＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１と配線パターン８１との接触面積が大きく、異常発熱によりＭＯＳＦＥＴ９０が自重で下方に移動しても、ドレイン電極端子９１と電源９７とは接続されたままである。そのため、ＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１が他の回路素子や配線パターンと接触すると、電源９７から他の回路素子に電源電流が流れて、新たな故障を引き起こしてしまう。これを避けようとすれば、ＭＯＳＦＥＴ９０の下方を中心とした付近には他の回路素子や配線パターンを配置することができず、設計の自由度が低下することになる。
【０００５】
また、この電気回路装置では、ＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１が上方を向くように実装すると、ＭＯＳＦＥＴ９０が異常発熱した場合、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線パターン８１と配線パターン８２、８３とがショートしてしまい電源電流を遮断できない上、上記と同様に、ＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１が他の回路素子や配線パターンと接触することも考えられる。
【０００６】
さらに、この電気回路装置では、ＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１が横を向くように実装すると、ＭＯＳＦＥＴ９０が異常発熱した場合、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ９０のドレイン電極端子９１が下方を向くように実装されている場合と同様の不具合が発生し得る。
【０００７】
本発明は係る従来の問題点に鑑みてなされたものであり、パワー素子の異常発熱時に確実に電源電流を遮断することができるとともに、設計の自由度を向上させることのできる電気回路装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項１に係る電気回路装置の特徴は、配線パターンが表面に形成され、水平面に対して角度を有して配置された回路基板と、電源端子が放熱板を兼ね、該回路基板上に半田付けにより実装されるパワー素子と、を有する電気回路装置において、前記電源端子が半田付けにより固定される前記配線パターンは、前記パワー素子に電源を供給する電源部と、該電源部より下方に位置し、前記パワー素子の放熱をする放熱部）と、に分割されていることである。
【０００９】
請求項２に係る電気回路装置の特徴は、請求項１において、前記パワー素子の落下を防止するストッパが備えられていることである。
【００１０】
請求項３に係る電気回路装置の特徴は、請求項２において、前記回路基板はケース本体とカバーとからなるケースに収納され、前記回路基板は該ケース本体に取り付けられ、前記ストッパは前記カバーに設けられていることである。
【００１１】
請求項４に係る電気回路装置の特徴は、請求項１乃至３のいずれか１項において、前記回路基板は鉛直方向に配置されることである。
【００１２】
請求項５に係る電気回路装置の特徴は、請求項１乃至４のいずれか１項において、前記パワー素子は、ソースパッドを有するＦＥＴチップと、ソース電極端子を有するパッケージと、該ソースパッドと該ソース電極端子とを接続する接続部材と、を備え、前記ソース電極端子の溶断電流は、前記ソース電極端子が半田付けにより固定される前記配線パターンの溶断電流、前記電源端子の溶断電流、前記ＦＥＴチップの溶断電流、前記ソースパッドの溶断電流及び前記接続部材の溶断電流のいずれよりも小さいことである。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に係る電気回路装置においては、電源端子が固定される配線パターンがパワー素子に電源を供給する電源部と、電源部より下方に位置し、パワー素子の放熱をする放熱部とに分割されている。そのため、パワー素子の電源端子が上方になるように実装すれば、パワー素子が異常発熱して半田が融解した場合、パワー素子が自重で下方に移動してパワー素子の電源端子と配線パターンの電源部とが容易に離れてしまう。これにより、例えパワー素子の電源端子が他の回路素子や配線パターンと接触したとしても、電源電流がこれらの回路素子や配線パターンに流れることはない。また、パワー素子の電源端子が横向きになるように実装した場合でも同様である。したがって、この電気回路装置によれば、パワー素子の異常発熱時に確実に電源電流を遮断することができるとともに、設計の自由度を向上させることができる。
【００１４】
請求項２に係る電気回路装置においては、パワー素子の落下を防止するストッパが備えられているため、パワー素子の落下による新たな故障を防止することができる。
【００１５】
請求項３に係る電気回路装置においては、ストッパがカバーに設けられているため、ストッパを回路基板に設ける必要がなく、組み付けが容易になる。
【００１６】
請求項４に係る電気回路装置においては、回路基板が鉛直方向に配置されるため、省スペースを実現することができる。
【００１７】
請求項５に係る電気回路装置においては、ソース電極端子の溶断電流が、ソース電極端子が半田付けにより固定される配線パターンの溶断電流、電源端子の溶断電流、ＦＥＴチップの溶断電流、ソースパッドの溶断電流及び接続部材の溶断電流のいずれよりも小さくなっているため、パワー素子に過電流が流れた場合、ソース電極端子が溶断する。そのため、この電気回路装置によれば、パワー素子に過電流が流れた場合、確実に電源電流を遮断することができるとともに、小型化かつ低廉化が可能である。すなわち、従来、パワー素子に過電流が流れた場合の対策として、例えば、特開２００１−１８９６５０号公報、及び特開２００３−６８９６７号公報に記載されたパワー素子が知られている。特開２００１−１８９６５０号公報に記載されたパワー素子は、加熱検出手段、遮断手段等を有する制御回路を備える、いわゆるインテリジェントパワーＩＣであり、チップサイズが大型化するとともに、製造コストが高騰化するという欠点を有している。また、特開２００３−６８９６７号公報に記載されたパワー素子は、ソース電極端子等にヒューズ部を設けたものであり、パワー素子の使われ方に応じて、ヒューズ部の溶断電流や溶断時間を変えるためにヒューズ部の形状を変更する等の設計が必要であるという欠点を有している。しかし、請求項５に係る電気回路装置においては、パワー素子に過電流が流れた場合、ソース電極端子自体が溶断するようになっているため、ヒューズ部を設ける必要がないのみならず、通常のパワー素子にインテリジェントパワーＩＣと同等の保護機能をもたせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明に係る電気回路装置を具体化した実施形態を図面に基づいて以下に説明する。図１は実施形態の電気回路装置の正面図であり、図２は実施形態の電気回路装置の断面図である。図１に示すように、この電気回路装置は、パワー素子１０、パワー素子としてのインテリジェントパワーＩＣ１５、電解コンデンサ４０、抵抗４１等が半田付けにより実装された回路基板３を有している。この回路基板３は、図２に示すように、樹脂製のケース本体２ａと樹脂製のカバー２ｂとからなるケース２に収納されている。回路基板３はケース本体２ａに取り付けられ、カバー２ｂにはパワー素子１０の落下を防止する樹脂製のストッパ２１、２２、２３が設けられている。そして、この電気回路装置は、回路基板３が鉛直方向を向く状態で使用される。
【００１９】
まず、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、パワー素子１０のドレイン電極端子１１が上方を向くように実装されている場合について説明する。パワー素子１０の電源端子としてのドレイン電極端子１１、ソース電極端子１２、ゲート電極端子１３は、各々配線パターン３１、３２、３３に半田付けされ、パワー素子１０のドレイン電極端子１１が上方を向くように実装されている。配線パターン３１は、スリット３１ｃにより、パワー素子１０に電源を供給する電源部３１ａと、電源部３１ａより下方に位置し、パワー素子１０の放熱をする放熱部３１ｂとに分割されている。また、パワー素子１０のドレイン電極端子１１は放熱板を兼ねており、ドレイン電極端子１１の一部分が電源部３１ａに半田付けされ、ドレイン電極端子１１の大部分が放熱部３１ｂに半田付けされている。この電気回路装置の電気回路においては、図３（Ｃ）に示すように、パワー素子１０のゲート電極端子１３にはパワー素子駆動回路５が接続され、ドレイン電極端子１１には電源７が接続され、ソース電極端子１２にはモータ６が接続されている。
【００２０】
この電気回路装置では、パワー素子１０が異常発熱してパワー素子１０のドレイン電極端子１１、ソース電極端子１２、ゲート電極端子１３と配線パターン３１、３２、３３との間の半田が融解すると、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、パワー素子１０は自重で下方に移動する。この際、ドレイン電極端子１１が配線パターン３１の電源部３１ａから離れると、図４（Ｃ）に示すように、パワー素子１０のドレイン電極端子１１と電源７とが断線される。これにより、直ちに電源７からドレイン電極端子１１への電流が遮断され、パワー素子１０の発熱が停止して、半田はその融点以下に冷却されて凝固する。ここで、配線パターン３１の放熱部３１ｂは大きな面積を有するため、パワー素子１０は凝固した半田により図４（Ａ）、（Ｂ）に示す状態で固定される。
【００２１】
また、この電気回路装置では、図１、２に示すように、カバー２ｂにはパワー素子１０の落下を防止するストッパ２１、２２、２３が設けられている。そのため、例えばパワー素子１０が重い場合等、パワー素子１０が凝固した半田により図４（Ａ）、（Ｂ）に示す状態で固定されない場合であっても、図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、ストッパ２１、２２、２３によりパワー素子１０の落下が防止される。ここで、図５（Ａ）は正面図、図５（Ｂ）は側面図、図５（Ｃ）は底面図である。
【００２２】
次に、パワー素子１０のドレイン電極端子１１が横方向を向くように実装されている場合について説明する。図６（Ａ）および図７（Ａ）に示すように、パワー素子１０のドレイン電極端子１１、ソース電極端子１２、ゲート電極端子１３は、各々配線パターン３１、３２、３３に半田付けされ、パワー素子１０のドレイン電極端子１１が横方向を向くように実装されている。ただし、図６（Ａ）と図７（Ａ）とでは、パワー素子１０の向きが逆になっている。配線パターン３１は、スリット３１ｃにより、パワー素子１０に電源を供給する電源部３１ａと、電源部３１ａより下方に位置し、パワー素子１０の放熱をする放熱部３１ｂとに分割されている。また、パワー素子１０のドレイン電極端子１１は放熱板を兼ねており、ドレイン電極端子１１の一部分が電源部３１ａに半田付けされ、ドレイン電極端子１１の大部分が放熱部３１ｂに半田付けされている。この電気回路装置の電気回路は図３（Ｃ）に示すものと同じである。また、図６（Ａ）および図７（Ａ）においては、ストッパ２１、２２、２３を省略している。
【００２３】
この電気回路装置では、パワー素子１０が異常発熱してパワー素子１０のドレイン電極端子１１、ソース電極端子１２、ゲート電極端子１３と配線パターン３１、３２、３３との間の半田が融解すると、図６（Ｂ）および図７（Ｂ）に示すように、パワー素子１０は自重で下方に移動する。この際、ドレイン電極端子１１が配線パターン３１の電源部３１ａから離れると、パワー素子１０のドレイン電極端子１１と電源７とが断線される。これにより、直ちに電源７からドレイン電極端子１１への電流が遮断され、パワー素子１０の発熱が停止して、半田はその融点以下に冷却されて凝固する。ここで、配線パターン３１の放熱部３１ｂは大きな面積を有するため、パワー素子１０は凝固した半田により図６（Ｂ）および図７（Ｂ）に示す状態で固定される。なお、例えばパワー素子１０が重い場合等、パワー素子１０が凝固した半田により図６（Ｂ）および図７（Ｂ）に示す状態で固定されない場合であっても、図示しないストッパ２１、２２、２３によりパワー素子１０の落下が防止される。
【００２４】
次に、図８（Ａ）に示すように、パワー素子としてインテリジェントパワーＩＣ１５が実装されている場合について説明する。インテリジェントパワーＩＣ１５の電源端子としてのドレイン電極端子１６、ソース電極端子１７、ゲート電極端子１８は、各々配線パターン３６、３７、３８に半田付けされている。配線パターン３６は、スリット３６ｃにより、インテリジェントパワーＩＣ１５に電源を供給する電源部３６ａと、電源部３６ａより下方に位置し、インテリジェントパワーＩＣ１５の放熱をする放熱部３６ｂとに分割されている。また、インテリジェントパワーＩＣ１５のドレイン電極端子１６は放熱板を兼ねており、ドレイン電極端子１６の一部分が電源部３６ａに半田付けされ、ドレイン電極端子１６の大部分が放熱部３６ｂに半田付けされている。図８（Ａ）（Ｂ）においては、ストッパ２１、２２、２３を省略している。
【００２５】
この電気回路装置では、インテリジェントパワーＩＣ１５が異常発熱してインテリジェントパワーＩＣ１５のドレイン電極端子１６、ソース電極端子１７、ゲート電極端子１８と配線パターン３６、３７、３８との間の半田が融解すると、図８（Ｂ）に示すように、インテリジェントパワーＩＣ１５は自重で下方に移動する。この際、ドレイン電極端子１６が配線パターン３６の電源部３６ａから離れると、インテリジェントパワーＩＣ１５のドレイン電極端子１６と電源７とが断線される。これにより、直ちに電源７からドレイン電極端子１６への電流が遮断され、インテリジェントパワーＩＣ１５の発熱が停止して、半田はその融点以下に冷却されて凝固する。ここで、配線パターン３６の放熱部３６ｂは大きな面積を有するため、インテリジェントパワーＩＣ１５は凝固した半田により図８（Ｂ）に示す状態で固定される。なお、例えばインテリジェントパワーＩＣ１５が重い場合等、インテリジェントパワーＩＣ１５が凝固した半田により図８（Ｂ）に示す状態で固定されない場合であっても、図示しないストッパ２１、２２、２３によりインテリジェントパワーＩＣ１５の落下が防止される。
【００２６】
次に、過電流の対策について説明する。図９（Ａ）に示すように、図３（Ａ）、（Ｂ）と同様、パワー素子１０のドレイン電極端子１１、ソース電極端子１２、ゲート電極端子１３は、各々配線パターン３１、３２、３３に半田付けされ、パワー素子１０のドレイン電極端子１１が上方を向くように実装されている。パワー素子１０の実装方法は図３（Ａ）、（Ｂ）と同様である。また、この電気回路装置の回路図は、図３（Ｃ）に示すものと同様である。
【００２７】
図９（Ｂ）に示すように、パワー素子１０は、ＦＥＴチップ４０とパッケージ４５とを備えている。ＦＥＴチップ４０は、ドレイン電極端子１１、ソースパッド４２及びゲートパッド４３を有している。また、パッケージ４５は、ソース電極端子１２、ゲート電極端子１３及び樹脂部４６を有している。そして、ゲートパッド４３とゲート電極端子１３とがワイヤ４８により接続され、ソースパッド４２とソース電極端子１２とが接続銅板４７により接続されている。このソース電極端子１２の溶断電流は、配線パターン３２の溶断電流、電源端子１１の溶断電流、ＦＥＴチップ４０の溶断電流、ソースパッド４２の溶断電流及び接続銅板４７の溶断電流のいずれよりも小さくなっている。ここで、接続銅板４７が接続部材である。なお、ソースパッド４２とソース電極端子１２との接続は、接続部分の溶断電流がソース電極端子１２の溶断電流よりも大きくなっていればよく、例えば、ワイヤボンディングによることも可能である。
この電気回路装置では、パワー素子１０に過電流が流れると、ソース電極端子１２の溶断電流が配線パターン３２の溶断電流、電源端子１１の溶断電流、ＦＥＴチップ４０の溶断電流、ソースパッド４２の溶断電流及び接続銅板４７の溶断電流のいずれよりも小さくなっているため、図１０（Ａ）のＦ部に示すように、ソース電極端子１２が溶断する。このソース電極端子１２の溶断により、図１０（Ｂ）に示すように、パワー素子１０のソース電極端子１２とモータ６とが断線される。このため、通常のパワー素子１０にインテリジェントパワーＩＣと同等の保護機能をもたせることができる。なお、この電気回路装置をインテリジェントパワーＩＣに適用すれば、インテリジェントパワーＩＣの過電流検出回路等の保護回路の故障に対応することができる。
【００２８】
本実施形態の電気回路装置においては、ドレイン電極端子１１、１６が固定される配線パターン３１、３６が、スリット３１ｃ、３６ｃにより、パワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５に電源を供給する電源部３１ａ、３６ａと、電源部３１ａ、３６ａより下方に位置し、パワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５の放熱をする放熱部３１ｂ、３６ｂとに分割されている。そのため、パワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５が異常発熱して半田が融解した場合、パワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５が自重で下方に移動してパワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５のドレイン電極端子１１、１６と配線パターン３１、３６の電源部３１ａ、３６ａとが容易に離れてしまう。これにより、例えパワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５のドレイン電極端子１１、１６が他の回路素子や配線パターンと接触したとしても、電源電流がこれらの回路素子や配線パターンに流れることはない。
【００２９】
また、この電気回路装置においては、パワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５の落下を防止するストッパ２１、２２、２３が備えられているため、パワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５の落下による新たな故障を防止することができる。このストッパ２１、２２、２３は樹脂製であり、ストッパ２１、２２、２３を通じて電源電流が流れることもない。
【００３０】
さらに、この電気回路装置においては、ストッパ２１、２２、２３がカバー２に設けられているため、ストッパ２１、２２、２３を回路基板３に設ける必要がなく、組み付けが容易になる。なお、ストッパ２１、２２、２３はカバー２と一体成形してもよく、またカバー２に取り付けてもよい。
【００３１】
また、この電気回路装置においては、回路基板３が鉛直方向に配置されるため、省スペースを実現することができる。
【００３２】
したがって、実施形態の電気回路装置によれば、パワー素子１０、インテリジェントパワーＩＣ１５の異常発熱時に確実に電源電流を遮断することができるとともに、設計の自由度を向上させることができる。
また、この電気回路装置においては、ソース電極端子１２の溶断電流が、ソース電極端子１２が半田付けにより固定される配線パターン３２の溶断電流、電源端子１１の溶断電流、ＦＥＴチップ４０の溶断電流、ソースパッド４２の溶断電流及び接続銅板４７の溶断電流のいずれよりも小さくなっているため、パワー素子１０に過電流が流れた場合、ソース電極端子１２が溶断する。したがって、この電気回路装置によれば、パワー素子１０に過電流が流れた場合、確実に電源電流を遮断することができるとともに、小型化かつ低廉化が可能である。
【００３３】
なお、実施形態の電気回路装置においては、回路基板３を鉛直方向に配置したが、水平面に対して角度を有して配置すればよく、必ずしも鉛直方向に配置しなくてもよい。
【００３４】
以上、本発明の電気回路装置を実施形態に即して説明したが、本発明はこれらに制限されるものではなく、本発明の技術的思想に反しない限り、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施形態の電気回路装置の正面図。
【図２】実施形態の電気回路装置の断面図。
【図３】実施形態の電気回路装置に係り、実装時のパワー素子の正面図、側面図および回路図。
【図４】実施形態の電気回路装置に係り、異常発熱時のパワー素子の正面図、側面図および回路図。
【図５】実施形態の電気回路装置に係り、異常発熱時のパワー素子の正面図、側面図および底面図。
【図６】実施形態の電気回路装置に係り、実装時および異常発熱時のパワー素子の正面図。
【図７】実施形態の電気回路装置に係り、実装時および異常発熱時のパワー素子の正面図。
【図８】実施形態の電気回路装置に係り、実装時および異常発熱時のインテリジェントパワーＩＣの正面図。
【図９】実施形態の電気回路装置に係り、実装時のパワー素子の正面図および断面図。
【図１０】実施形態の電気回路装置に係り、過電流時のパワー素子の正面図および回路図。
【図１１】従来の電気回路装置に係り、実装時のＭＯＳＦＥＴの正面図、側面図および回路図。
【図１２】従来の電気回路装置に係り、異常発熱時のＭＯＳＦＥＴの正面図、側面図および回路図。
【図１３】従来の電気回路装置に係り、異常発熱時のＭＯＳＦＥＴの正面図および側面図。
【図１４】従来の電気回路装置に係り、異常発熱時のＭＯＳＦＥＴの正面図。
【符号の説明】
【００３６】
２…ケース、２ａ…ケース本体、２ｂ…カバー、３…回路基板、３１、３２、３３、３６、３７、３８…配線パターン、３１ａ、３６ａ…電源部、３１ｂ、３６ｂ…放熱部、１０、１５…パワー素子（１５…インテリジェントパワーＩＣ）、１１、１６…電源端子（ドレイン電極端子）、１２…ソース電極端子、２１、２２、２３…ストッパ、４０…ＦＥＴチップ、４２…ソースパッド、４５…パッケージ、４７…接続部材（接続銅板）。
【図１】
2007251134.tif 000003
【図２】
2007251134.tif 000004
【図３】
2007251134.tif 000005
【図４】
2007251134.tif 000006
【図５】
2007251134.tif 000007
【図６】
2007251134.tif 000008
【図７】
2007251134.tif 000009
【図８】
2007251134.tif 000010
【図９】
2007251134.tif 000011
【図１０】
2007251134.tif 000012
【図１１】
2007251134.tif 000013
【図１２】
2007251134.tif 000014
【図１３】
2007251134.tif 000015
【図１４】
2007251134.tif 000016