(57)【要約】【課題】  製造コストの低減を図ることが可能な半導体メモリカードを提供する。【解決手段】  本発明に係る半導体メモリカード１００は、所定の信号を入出力するための入出力端子１が上面側に形成された配線基板２と、配線基板２の下面側に形成されたパッド３と接続された半導体メモリ４と、配線基板２上に形成され配線基板２の側端部５で切断された、電解メッキに必要な電力を供給するためのメッキ配線６と、配線基板２上で半導体メモリ４を封止するとともに、配線基板２の側端部５および少なくとも１つのメッキ配線６の端部６ａを封止する封止樹脂７と、を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の信号を入出力するための入出力端子が上面側に形成された配線基板と、
前記配線基板の上面側または下面側に形成されたパッドと接続された半導体メモリと、
前記配線基板上に形成され前記配線基板の側端部で切断された、電解メッキに必要な電力を供給するためのメッキ配線と、
前記配線基板上で前記半導体メモリを封止するとともに、前記配線基板の前記側端部および少なくとも１つの前記メッキ配線の端部を封止する封止樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体メモリカード。
【請求項２】
前記メッキ配線は、少なくとも前記入出力端子に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。
【請求項３】
前記メッキ配線は、少なくとも前記パッドに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。
【請求項４】
前記封止樹脂により封止された前記配線基板の側端部は、湾曲した形状を有していることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の半導体メモリカード。
【請求項５】
半導体メモリカードの配線基板を形成するための基板上に形成されたメッキ配線により電力を供給して、前記メッキ配線が接続された入出力端子およびパッドを電解メッキにより前記基板上に形成し、
前記基板にスリットを形成するとともに前記メッキ配線を切断し、
前記パッドと半導体メモリとをボンディングすることにより接続し、
前記ボンディングの後、前記基板の前記半導体メモリが設けられた面および前記スリットが形成された前記基板の側端部を前記封止樹脂で樹脂モールドすることにより、前記半導体メモリを封止するとともに切断された前記メッキ配線の端部を封止し、
個々の前記半導体メモリカードの配線基板を区画する切断線に沿って前記基板を切断することを特徴とする半導体メモリカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止された配線基板を有する半導体メモリカードおよび半導体メモリカードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルビデオカメラ、携帯電話、携帯音楽プレーヤなどのデジタル機器用データ記憶媒体として、半導体メモリ素子を内蔵した半導体メモリカードが広く使用されている。
【０００３】
この従来の半導体メモリカードには、ポリフェニルエーテルより成る絶縁性のカバーケース（キャップ）と、このカバーケース内に収納され、所定の信号を入出力するための入出力端子が上面側に形成された配線基板と、この配線基板の下面側に形成されたパッドを介して接続された半導体メモリと、配線基板上に形成され配線基板の側端部で切断された電解メッキに必要な電力を供給するためのメッキ配線と、を備えるものがある。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この従来技術においては、配線基板をカバーケースの中に収めるため、ケース代や加工代等により製品コストが上昇することとなる。
【０００５】
ここで、半導体メモリカードの製造コストを抑えるためにケースを省略するために、例えば、一般的な半導体パッケージのように、配線基板の半導体メモリを搭載した面を樹脂で封止し、所定の外形に切り出した場合、配線基板の側端部においてメッキ配線が露出する。この場合、使用時にコネクタ等の導体に接することでメッキ配線同士が短絡し、またはメッキ配線にノイズ信号（不要な信号）が入力されて半導体メモリカードの誤動作の原因になり得る。
【０００６】
そして、上記の配線基板の側端部のメッキ配線の露出を回避するために、例えば、メッキ配線をメッキ後に配線基板から除去（エッチバック）した場合、工程数が増えるため製造コストが高くなる。
【０００７】
また、配線基板の側端部のメッキ配線の露出を回避するために、無電解メッキにより入出力端子やバッドを形成した場合、形成される膜の膜厚が電解メッキにより形成した膜よりも薄いため、腐食に対する信頼性およびボンディング性が低く、また、所望の膜厚を得るためには電解メッキよりも高価になり、結果として製造コストが高くなる。
【０００８】
以上のように、上記従来技術によっては半導体メモリカードの製造コストの削減が図れないという問題があった。
【特許文献１】特開２００４―１３７３８号公報（第５−７頁、第２２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、製造コストを削減することが可能な半導体メモリカードおよび半導体メモリカードの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係る半導体メモリカードは、所定の信号を入出力するための入出力端子が上面側に形成された配線基板と、
前記配線基板の上面側または下面側に形成されたパッドと接続された半導体メモリと、
前記配線基板上に形成され前記配線基板の側端部で切断された、電解メッキに必要な電力を供給するためのメッキ配線と、
前記配線基板上で前記半導体メモリを封止するとともに、前記配線基板の前記側端部および少なくとも１つの前記メッキ配線の端部を封止する封止樹脂と、
を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体メモリカードの製造方法は、半導体メモリカードの配線基板を形成するための基板上に形成されたメッキ配線により電力を供給して、前記メッキ配線が接続された入出力端子およびパッドを電解メッキにより前記基板上に形成し、
前記基板にスリットを形成するとともに前記メッキ配線を切断し、
前記パッドと半導体メモリとをボンディングすることにより接続し、
前記ボンディングの後、前記基板の前記半導体メモリが設けられた面および前記スリットが形成された前記基板の側端部を前記封止樹脂で樹脂モールドすることにより、前記半導体メモリを封止するとともに切断された前記メッキ配線の端部を封止し、
個々の前記半導体メモリカードの配線基板を区画する切断線に沿って前記基板を切断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る半導体メモリカードによれば、半導体メモリカードの製造コストを削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明においては、半導体メモリカードのカバーケースを省略し、メッキ配線が露出する部分を樹脂で封止することにより、当該メッキ配線からのノイズ信号の入出力や、メッキ配線同士の短絡を防止する。これにより、カバーケースを省略するとともに、エッチバック等の高コストな対策を講ずることなく電解メッキにより入出力端子やパッドを形成して、半導体メモリカードの製造コストの削減するものである。
【００１４】
以下、本発明を適用した実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本発明の実施例１に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す正面図である。また、図２は、図１のＢ方向から見た半導体メモリカードの側端部図である。図３は、図１のＡ−Ａに沿った半導体メモリカードの断面を示す断面図である。なお、各図において、簡単のため、メッキ配線以外の配線は省略している。
【００１６】
図１および図３に示すように、半導体メモリカード１００は、所定の信号を入出力するための入出力端子１が上面側に形成された配線基板２と、この配線基板２の下面側に形成されたパッド３と接続された半導体メモリ４と、配線基板２上に形成され配線基板２の側端部５で切断された、電解メッキに必要な電力を供給するためのメッキ配線６と、配線基板２上で半導体メモリ４を封止するとともに、配線基板２の側端部５およびメッキ配線６の端部６ａを封止する封止樹脂７と、を備えている。
【００１７】
配線基板２の上面側は、例えばソルダレジスト（図示せず）がコートさており、上面側のメッキ配線６は外部から絶縁されている。
【００１８】
半導体メモリ４は、ワイヤボンディングされ、ボンディングワイヤ８でパッド３と電気的に接続されている。なお、半導体メモリ４は、ワイヤレスボンディングされパッド３に電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
側端部５は、配線基板２が基板（図示せず）からダイシングにより切り出される前に、例えば、プレス金型により打ち抜かれて上記基板に形成されたスリットの一部である。このように側端部５は、プレス加工により形成されるため、図１に示すような直線状ではない多角形の構造（形状）や、湾曲した構造（形状）に容易に形成することができる。このプレス加工時に、メッキ配線６が切断される。また、ダイシングにより直線的に切り出された側端部５ａは、封止樹脂７による封止はなされていない。
【００２０】
メッキ配線６は、電解メッキすべき入出力端子１、パッド３にそれぞれ接続されている。このメッキ配線６は、基板（図示せず）に上記スリットが形成される前に、外部から印加された電解メッキに必要な電力を供給して、それぞれの入出力端子１、パッド３をニッケル金メッキにより形成するのに使用される。
【００２１】
既述のように、封止樹脂７は、入出力端子１に接続されたメッキ配線６の端部６ａを封止するとともに、パッド３に接続された前記メッキ配線６の端部６ａを封止している。これにより、封止された部分においては、他の配線等との短絡やノイズ信号の入力は回避される。
【００２２】
次に、上記構成を有する半導体メモリカード１００を製造するための方法について説明する。ここで、本製造方法は、配線基板２が形成される基板に、ダイシングでは形成が困難なスリットをプレス加工により形成し、メッキ配線６を含めプレス加工により打ち抜かれた部分を封止樹脂７で封止し、その後ダイシングにより各配線基板２に切断する点に特徴を有するものである。
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本製造方法について詳細に説明する。図４ないし図７は、本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの製造方法における各工程を示す図である。なお、これらの図は、説明のため半導体メモリ４が接続され、封止樹脂７により封止される配線基板２の下面側（すなわち、基板の下面側）を参照している。また、図４ないし図７においては、簡単のため半導体メモリおよびボンディングワイヤは省略している。
【００２４】
先ず、半導体メモリカード１００の配線基板２を形成するための基板２００上に形成されたメッキ配線６により、外部から印加される電解メッキに必要な電力を供給して、メッキ配線６が接続されたパッド３を電解メッキにより基板２００上に形成する。なお、同様に基板２００の上面側には入出力端子１が電解メッキにより形成される。プレス金型を用いてメッキ配線６を切断するとともに基板２００にスリット９を形成する（図４）。
【００２５】
次に、パッド３と半導体メモリとをボンディングすることにより接続する。ボンディングの後、基板２００の半導体メモリが設けられた下面側およびスリット９が形成された基板２００の側端部５を封止樹脂７でモールドする。これにより、半導体メモリを封止するとともに切断されたメッキ配線６の端部６ａを封止する（図５）。ここで、樹脂モールド時には、封止樹脂７の外縁を規定するモールド金型（図示せず）により基板２００が押さえられることとなるので、基板２００が歪んで封止樹脂７が基板２００の上面側に回り込むのを防止するとともに、配線やボンディングワイヤ等の変形を防止することができる。
【００２６】
次に、個々の前記半導体メモリカードの配線基板を区画する切断線１０に沿って基板２００をダイシングする（図６）。
【００２７】
上記ダイシングにより、個々の配線基板２（半導体メモリカード１００）に分割される（図７）。なお、図７の半導体メモリカード１００の上面側は、図１に示すような構成になる。
【００２８】
このように、切断構造が複雑な側端部５については、プレス加工して形成するとともに樹脂封止し、直線状の側端部５ａについてはダイシングにより切断して形成するので、容易に半導体メモリカード１００の外縁を形成することができ、製造コストを削減することができる。
【００２９】
ここで、上記の半導体メモリカードの製造方法により製造される他の例を図８および図９に示す。
【００３０】
図８に示すように、半導体メモリカード１００ａは、配線基板２の周囲の１辺にダイシングにより側端部１１ａが形成されているとともに、配線基板２の４つの隅部１２や外部装置への誤挿入防止のためのストッパ部１３の湾曲した部分を含む部分には、プレス加工により側端部１１が形成されている。
【００３１】
このように、ダイシングでは加工が困難な隅を丸めた形状や、ストッパの形状等をプレス加工により形成することにより、配線基板２を容易に所望の形状に加工することができる。
【００３２】
また、図９に示す半導体メモリカード１００ｂのように、隅部１２やストッパ部１３についてはプレス加工により側端部１４を形成するとともに、樹脂モールド時に基板が歪んで封止樹脂が反対側に回り込むのを防止する効果を高めるために、配線基板２の周囲の直線部分の数カ所を基板と接続されるようにし、樹脂モールド後ダイシングにより当該接続部分を切断し側端部１４ａを形成するようにしてもよい。
【００３３】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、カバーケースを省略するとともに、エッチバック等の高コストな対策を講ずることなく電解メッキにより入出力端子やパッドを形成して、半導体メモリカードの製造コストの削減することができる。
【００３４】
なお、本実施においては、入出力端子、半導体メモリをボンディングして接続するためのパッドに配線されたメッキ配線の端部を配線基板の側端部で封止する場合について説明したが、他の端子、パッドに接続されたメッキ配線の端部を配線基板の側端部で封止するようにしても同様の作用効果を奏する。
【００３５】
また、本実施例においては、入出力端子および半導体メモリをボンディングして接続するためのパッドに接続されたすべてのメッキ配線の端部を封止樹脂により封止する場合について説明したが、他の配線等と接触することにより半導体メモリカードの誤動作の原因となり得るメッキ配線を選択的に封止樹脂により封止するようにしてもよいのは勿論である。
【００３６】
また、本実施例においては、電解メッキにより成膜されるのは、ニッケル金メッキとして説明しているが、他の電解メッキが可能な銅等の材料を用いた場合についても同様に適用できるのは勿論である。
【００３７】
また、本実施例においては、配線基板の下面側にパッドを形成し半導体メモリをボンディングにより接続する場合について説明しているが、配線基板の上面側にパッドを形成し半導体メモリをボンディングにより接続するようにしてもよいのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す正面図である。
【図２】図１のＸ方向から見た半導体メモリカードの側端部図である。
【図３】図１の半導体メモリカードのＡ−Ａに沿った断面を示す断面図である。
【図４】本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの製造工程を示す図である。
【図５】本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの製造工程を示す図である。
【図６】本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの製造工程を示す図である。
【図７】本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの製造工程を示す図である。
【図８】本発明の一態様である実施例１に係る他の半導体メモリカードの要部の構成を示す正面図である。
【図９】本発明の一態様である実施例１に係る他の半導体メモリカードの要部の構成を示す正面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  入出力端子
２  配線基板
３  パッド
４  半導体メモリ
５  側端部
５ａ  側端部
６  メッキ配線
６ａ  メッキ配線の端部
７  封止樹脂
８  ボンディングワイヤ
９  スリット
１０  切断線
１１  側端部
１１ａ  側端部
１２  隅部
１３  ストッパ部
１４  側端部
１４ａ  側端部
１００、１００ａ、１００ｂ  半導体メモリカード
２００  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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