(57)【要約】【課題】２層以上の情報層を有する光記録媒体において、半透過情報層に対して、レーザーパワーを過大とすることなく、且つ、アモルファスマークの熱安定性を損なうことなく、且つ、膜剥離を生じることなく高速記録ができるようにする。【解決手段】光記録媒体１０は、基板１２と、この基板１２の光入射側に設けられた第１の情報層１４と、これよりも更に光入射側に設けられた半透過情報層である第２の情報層１６とを有してなり、前記第２の情報層１６は、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料から形成されている記録膜１８及びこの記録膜１８の光入射側に隣接して設けられ界面層２０を含んで構成されていて、界面層２０はＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＣｒ2Ｏ3からなり、又、記録膜１８は、Ｓｂを主成分、Ｇｅを副成分としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板におけるレーザービームの光入射側に設けられた第１の情報層と、この第１の情報層よりも更に光入射側に設けられた少なくとも１層の半透過情報層と、を有してなり、前記半透過情報層は、記録膜及びこの記録膜の光入射側に隣接して設けられた界面層を含んで構成されると共に、前記記録膜は、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料で形成されている光記録媒体であって、
前記記録膜は、Ｓｂを主成分とし、且つ、副成分として少なくともＧｅを含有し、前記界面層は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＣｒ2Ｏ3から形成されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記界面層におけるＣｒ2Ｏ3の含有量が１５ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記記録膜は、Ｓｂが７７．２at％以上８８at％以下、Ｇｅが９．９at％以上２１at％以下とされたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記記録膜は、Ｍｇを添加成分として１at％以上３．９at％以下を含むことを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記界面層の膜厚が、０．４ｎｍ以上９ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記界面層の膜厚が、０．５ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記界面層の組成は、
｛（ＺｎＳ）０．８（ＳｉＯ2）０．２｝（１００−Ｘ）（Ｃｒ2Ｏ3）Ｘであって、３
９≦Ｘ≦８６であることを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、次世代ＤＶＤ（ディジタル・バーサタイル・ディスク）と称される光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代ＤＶＤとして、レーザー波長λが４０５ｎｍ（青色）、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．８５の光学系を利用するものが提案されていて、片面に２層の情報層を有し、書換え速度が１倍速（線速度約５．０ｍ／ｓ）の書換え型光記録媒体が製品化されている。この他に、レーザー波長λ＝４０５ｎｍ、開口数ＮＡ＝０．６５の規格の次世代ＤＶＤがある。
【０００３】
このような次世代ＤＶＤにおいて、更なる記憶容量の増大、高速記録化が要求されている。
【０００４】
上記のような、片面に２層、あるいは、更に多くの情報層を有する光記録媒体では、レーザービームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層は、光入射面から最も遠い情報層への記録及び再生を可能とするために半透過としている。
【０００５】
この場合、情報層に含まれる相変化記録膜の膜厚を薄くする必要があるが、この膜厚を薄くしていくと、結晶化速度及び消去率が低下し、記録マーク（アモルファス）の消去（結晶化）が困難になり、書換え速度が低下してしまうという問題点を生じる。
【０００６】
又、上記消去率の低下は、レーザービームのスポットサイズが相変化記録膜のある一点を通過する時間が短くなるほど顕著となる。即ち、線速度が速いほど消去率が低下してしまう。従って、光記録媒体が高密度大容量であるほど書換え速度を向上させることが困難となる。
【０００７】
上記のような相変化記録膜の結晶化速度を向上させる手段としては、例えば、特許文献１に記載されるように、Ｇｅ4Ｓｂ2Ｔｅ7等の化合物系相変化材料からなる相変化記録膜の界面層としてＣｒ2Ｏ3を用いることが開示されていて、記録膜中へのＺｎＳの拡散防止による書換え回数の向上、結晶化速度の向上という効果が得られるとされている。
【０００８】
しかしながら、多層光記録媒体における半透過情報層の記録膜にＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＴｅ等の化合物系相変化材料を用い、Ｃｒ2Ｏ3界面層を付加して高速記録の検討を行なったところ、レーザ波長４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５（又は０．６５）の光学系システムにおいて、線速度２０ｍ／ｓ（４倍速）ではアモルファスの結晶化（消去）ができなかった。従って、次世代ＤＶＤの分野においては、半透過情報層における相変化記録膜として、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＴｅ等の化合物系材料を用いて４倍速以上の高速記録に対応させることが困難であった。
【０００９】
これに対して、相変化記録膜として、Ｓｂを主成分とするＳｂＴｅ共晶系材料を用いると、Ｓｂの含有量により結晶化速度を制御することができ、又、融点が、化合物系材料よりも低く６００℃以下であるので、アモルファスマークを形成するためのレーザービームのパワーを小さくすることができる。
【００１０】
しかしながら、このＳｂＴｅ共晶系材料を記録膜として用いた場合に、高速記録に対応させるためにＳｂ含有量を増加していくと、結晶化・活性化エネルギーが低下してアモルファスマークの熱安定性が損なわれるという問題点を生じる。
【００１１】
これに対して、本発明者は、半透過情報層における相変化材料の記録膜を、ＳｂとＧｅを主成分、Ｍｇを添加成分として形成し、且つ、この記録膜に対して、レーザービームの光入射側に隣接する界面層をＣｒ2Ｏ3から形成することによって、レーザーパワーを過大とすることなく、且つ、アモルファスマークの熱安定性を損なうことなく、高速記録をすることができることを見出し、特願２００５−０９５８８０号で出願をした。
【００１２】
しかし、この光記録媒体では、高温・高湿下で保存すると界面層の剥離を生じて記録が不可能となる場合があるという問題点を生じる。
【００１３】
【特許文献１】特開２００３−２２８８８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、アモルファスマークを形成するためのレーザーパワーを大きくすることなく、且つ、アモルファスマークの熱安定性が損なわれることなく高速記録ができると共に、高温・高湿下での保存でも界面層に剥離を生じない光記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は鋭意研究の結果、界面層を上記のようなＣｒ2Ｏ3に代えて、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＣｒ2Ｏ3から形成すると、高温・高湿下で保存を行なっても界面層に剥離が生じることなく、高速記録をすることができることを見出した。
【００１６】
即ち、以下の実施例により上記課題を解決するものである。
【００１７】
（１）基板と、この基板におけるレーザービームの光入射側に設けられた第１の情報層と、この第１の情報層よりも更に光入射側に設けられた少なくとも１層の半透過情報層と、を有してなり、前記半透過情報層は、記録膜及びこの記録膜の光入射側に隣接して設けられた界面層を含んで構成されると共に、前記記録膜は、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料で形成されている光記録媒体であって、前記記録膜は、Ｓｂを主成分とし、且つ、副成分として少なくともＧｅを含有し、前記界面層は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＣｒ2Ｏ3から形成されていることを特徴とする光記録媒体。
【００１８】
（２）前記界面層におけるＣｒ2Ｏ3の含有量が１５ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする（１）に記載の光記録媒体。
【００１９】
（３）前記記録膜は、Ｓｂが７７．２at％以上８８at％以下、Ｇｅが９．９at％以上２１at％以下とされたことを特徴とする（１）又は（２）に記載の光記録媒体。
【００２０】
（４）前記記録膜は、Ｍｇを添加成分として１at％以上３．９at％以下を含むことを特徴とする（１）、（２）又は（３）に記載の光記録媒体。
【００２１】
（５）前記界面層の膜厚が、０．４ｎｍ以上９ｎｍ以下であることを特徴とする（１）乃至（４）のいずれかに記載の光記録媒体。
【００２２】
（６）前記界面層の膜厚が、０．５ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする（１）乃至（４）のいずれかに記載の光記録媒体。
【００２３】
（７）前記界面層の組成は、｛（ＺｎＳ）０．８（ＳｉＯ2）０．２｝（１００−Ｘ）（Ｃｒ2Ｏ3）Ｘであって、３９≦Ｘ≦８６であることを特徴とする（１）乃至（６）のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の効果】
【００２４】
この発明の光記録媒体においては、記録膜をＳｂＧｅ共晶系材料により形成し、且つそのレーザービーム入射側にＺｎＳ、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3からなる界面層を形成することによって、推測ではあるが、界面層により、記録膜界面からの結晶核生成が促進され、この生成された結晶核から急速に結晶成長が行われ、結晶化時間が短縮され、レーザーパワーを大きくすることなく、且つ、アモルファスマークの熱安定性を損なうことなく、高速記録が可能となった。又、高温・高湿下での保存後でも界面層の剥離がなかった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
最良の形態に係る光記録媒体は、基板と、この基板におけるレーザービームの光入射側に設けられた第１の情報層と、この第１の情報層よりも更に光入射側に設けられた半透過情報層と、を有してなり、前記半透過情報層は、記録膜及びこの記録膜の光入射側に隣接して設けられた界面層を含んで構成されると共に、前記記録膜は、Ｓｂを主成分とし、且つ、副成分として少なくともＧｅを有し、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料で形成され、前記界面層はＺｎＳ、ＳｉＯ2及びＣｒ2Ｏ3から形成されている。
【００２６】
前記半透過情報層の構成例としては、基板上に、第１誘電体層、反射層、第２誘電体層、記録膜（層）、界面層、第３誘電体層、放熱層を順次積層したものが挙げられる。
【００２７】
第１誘電体層は反射層の保護及び光透過率調整のために設けられ、材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。最良の実施形態では酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって形成される。ここでの主成分とは、全体に占めるモル比が６０％以上のことである。第１誘電体層の膜厚Ｄ１は、１ｎｍ≦Ｄ１≦６０ｎｍが好ましい。１ｎｍ未満では反射層の保護が不十分であり、６０ｎｍより厚いと光透過率が好ましい範囲を外れる。
【００２８】
反射層は、放熱と光干渉効果のために設けられ、材料として好ましくはＡｇ合金が用いられ、その膜厚Ｔｒは、半透過構造とするために０＜Ｔｒ＜３０ｎｍである。より好ましくは０＜Ｔｒ＜２０ｎｍである。記録膜（層）の好ましい膜厚Ｔｒｅｃは、２ｎｍ≦Ｔｒｅｃ≦１２ｎｍであり、好ましくは２．５ｎｍ≦Ｔｒｅｃ≦８ｎｍである。
【００２９】
これらにより、半透過情報層全体の記録波長における光透過率が３０％以上８０％以下となるようにされている。半透過情報層の光透過率が３０％未満であると、レーザービームの光入射面から最も遠い情報層への記録が困難となり、８０％を越えると半透過情報層への記録が困難となるためである。これは、半透過情報層として要求される一般的な条件である。
【００３０】
記録膜（層）は、少なくともＳｂ及びＧｅから構成される。又Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｉｎ等から選ばれる少なくとも１種の添加成分を含んでも良い。
【００３１】
Ｓｂの好ましい原子重量比は、７７．２≦Ｓｂ≦８８であり、より好ましくは、８１≦Ｓｂ≦８８である。Ｓｂが７７．２at％未満では、結晶化速度が低下してしまい、マークの消去が困難となる。又、マークの熱安定性が損なわれてしまう。Ｇｅの好ましい原子重量比は、１０≦Ｇｅ＜２２であり、より好ましくは１０≦Ｇｅ≦２１である。Ｇｅが１０at％未満では、マークの熱安定性が損なわれてしまう。又、２１at％を超えると、結晶化速度が低下して消去困難となる。Ｍｇ等から選ばれる少なくとも１種の添加成分の好ましい原子重量比は、１≦Ｍｇ≦３．９である。Ｍｇが１at％未満ではノイズ低減効果が得られない。又、３．９at％より多いと、結晶化速度が低下し消去困難となる。
【００３２】
第２誘電体層は、記録層と反射層の保護及び記録層から反射層への放熱性を制御する。材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。本発明の実施形態では酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって形成される。主成分とは、全体に占めるモル比が６０％以上のことである。膜厚Ｄ２は、２ｎｍ≦Ｄ２≦２０ｎｍが好ましい。２ｎｍ未満では記録層及び反射層の保護が不十分であり、２０ｎｍより厚いと記録層からの熱が速やかに反射層へと逃げることができず、冷却速度が低下して正確にアモルファスマークを形成することが困難となる。
【００３３】
界面層は、結晶化速度の制御を行なう。界面層としてＺｎＳ、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3を用い、特にＣｒ2Ｏ3を用いることで、結晶化速度を向上させることができる。界面層の膜厚Ｔｉは、０．５ｎｍ≦Ｔｉ≦８ｎｍである。界面層の膜厚が０．５ｎｍ未満では書換え可能な最大線速度は得られず、また８ｎｍより厚いと書換え可能な最大線速度は向上するが、Ｃｒ2Ｏ3による光吸収により半透過情報層の光透過率を減少させてしまう。
【００３４】
第３誘電体層は、光学特性の調整及び記録層から放熱層への放熱性の制御を行なう。材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。好ましくは、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物によって形成される。好ましいＺｎＳとＳｉＯ2のモル比は、５０：５０から９５：５である。この範囲を外れると、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物の屈折率が変化し、光学特性の調整が困難となる。第３誘電体層の膜厚Ｄ３は、５ｎｍ≦Ｄ３≦５０ｎｍが好ましい。５ｎｍより薄いと記録層の保護及び光学特性の調整が困難となり、５０ｎｍより厚いと記録層から放熱層への放熱性が低下する。
【００３５】
放熱層は、記録層からの放熱を制御し、記録層の冷却効果を高めて正確にアモルファスマークを形成し易くするためのものである。材料は特に限定されないが、第３誘電体層の材料よりも熱伝導率の高い材料が好ましく、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＢＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2等が好ましい。最良の実施形態では、ＡｌＮによって形成される。放熱層の好ましい膜厚Ｔheatは、１５≦Ｔheat＜１５０ｎｍであり、更に好ましくは２０≦Ｔheat＜１２０ｎｍである。放熱層の膜厚が１５ｎｍ未満であると、記録層からの放熱効果が小さくなり、又、１５０ｎｍ以上になると成膜に要する時間が長くなり生産性の低下を引き起こす。
【００３６】
なお、第１、第２、第３誘電体層は、単層でも２層以上の複数の誘電体層から構成されても良い。
【実施例１】
【００３７】
以下図１を参照して、本発明の実施例１に係る光記録媒体１０について詳細に説明する。
【００３８】
この光記録媒体１０は、基板１２と、この基板１２におけるレーザービームの光入射側（図１において上側）に設けられた第１の情報層１４と、この第１の情報層１４よりも更に光入射側に設けられた半透過情報層である第２の情報層１６と、を有してなり、前記第２の情報層１６は、記録膜１８及びこの記録膜１８の光入射側に隣接して設けられた界面層２０を含んで構成されている。
【００３９】
前記第１の情報層１４と第２の情報層１６との間にはスペーサ層２２が設けられ、又、前記第２の情報層１６の光入射側には光透過層２４が設けられている。
【００４０】
前記第２の情報層１６は、スペーサ層２２側から、例えば膜厚５ｎｍのＺｒＯ2膜からなる第１誘電体層２６と、例えば膜厚１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ（９８：１：１at％）膜からなる反射層２８と、例えば膜厚５ｎｍのＺｒＯ2膜からなる第２誘電体層３０と、膜厚６ｎｍの前記記録膜１８と、例えば膜厚５ｎｍのＺｎＳ、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3膜からなる前記界面層２０と、例えば膜厚１５ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ2（８０：２０mol％）膜からなる第３誘電体層３２と、例えば膜厚５０ｎｍのＡｌＮ膜からなる放熱層３４とをこの順でスパッタリングにより形成して構成されている。
【００４１】
又、前記基板１２は厚さ１．１ｍｍのポリカーボネートからなり、スペーサ層２２は厚さが２５μｍとされ、前記光透過層２４は、紫外線硬化型樹脂を用いてスピンコート法により７５μｍの厚さで形成されている。この光透過層２４は、前記第２の情報層を初期化機により全面結晶化させた後に形成される。
【００４２】
この実施例１において、前記記録膜１８の材料は、ＳｂＧｅ（８７．０：１３．０at％）を用いている。
【００４３】
この実施例１に係る光記録媒体１０に対して、波長４０５ｎｍのレーザービームにより、ＮＡ＝０．８５の光学系を持つ評価機で、線速度１９．６８ｍ／ｓ（４倍速）、クロック周波数２６４ＭＨｚ、記録信号（１，７）ＲＬＬ変調信号の条件で記録消去特性の評価をした。再生は線速度４．９２ｍ／ｓで行なった。又、膜剥離は、８０℃８５％ＲＨ５０時間保存後のサンプルを光学顕微鏡で確認した。
【００４４】
上記のような条件の光記録媒体において、界面層の組成を変えたサンプル１〜１０の膜剥離、消去特性、ジッターの評価を表１に示す。ここで、４倍速で８Ｔ信号をＤＣ１回消去したときの消去率が２５ｄＢ以上であれば○、２５ｄＢ未満では×、４倍速ジッターは、混合信号１０回記録目のジッター値が９％未満であれば○、９％以上１２％未満であれば△、１２％以上では×、剥離膜が発生していれば×、発生していなければ○でそれぞれ示している。
【００４５】
【表１】
2007059039.tif 000003
【００４６】
又、表１におけるＣｒ2Ｏ3の含有量と４倍速消去率との関係を図２に示す。消去率２５ｄＢで、Ｃｒ2Ｏ3は１５ｍｏｌ％となった。
【００４７】
又、上記サンプル１、４、６、７及び１０の消去時の線速度を変えたときのＤＣ消去率変化を図３に示す。この図３からは、４倍速（線速度１９．６８ｍ／ｓ）でサンプル４、６、７、１０において、２５ｄＢ以上の消去率が得られていることが分かる。
【００４８】
又、図４に、サンプル４、６、７、１０の、４倍速記録でのジッター特性を示す。この図４からは、記録パワーが一定範囲の領域では、ジッター値９％以下の良好な記録特性が得られていることが分かる。
【００４９】
次に、上記光記録媒体において、界面層の膜厚を変えて、４倍速消去率、４倍速ジッター、変調度を計測して、結果を表２に示す。なお、ＺｎＳ：ＳｉＯ2：Ｃｒ2Ｏ3の組成は２６：７：６７（ｍｏｌ％）としている。
【００５０】
前記４倍速消去率及び４倍速ジッターの判定基準は、前記表１の場合と同様である。又、変調度については、３５％以上のときは○、３０％以上３５％未満の場合は△、３０％未満を×としている。ここで、変調度は、ランダムパターンの信号を記録後、結晶部（未記録部）とアモルファス部（記録部）の反射率を測定し、（結晶部の反射率−アモルファス部の反射率）／結晶部の反射率×１００を変調度とした。
【００５１】
【表２】
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【００５２】
以上より、界面層の組成が、｛（ＺｎＳ）０．８（ＳｉＯ2）０．２｝（１００−Ｘ）
（Ｃｒ2Ｏ3）Ｘであって、３９≦Ｘ≦８６であり、膜厚が、０．５ｎｍ以上８ｎｍ以下が４倍速消去率、４倍速ジッター特性を損なうことなく高速記録をすることができ、且つ、界面層の膜剥離も生じないことが分かる。
【実施例２】
【００５３】
実施例２は、ＳｂＧｅＭｇ記録膜の組成を変化させた実施例１と同様の光記録媒体（サンプル１１〜２１）を作成し、前記と同様に、８Ｔマークを記録後、線速度を変えながらＤＣ消去パワー４ｍＷで１回消去したときの消去率を測定した。又、この消去線速度と消去率との関係から、消去可能の目安である消去率２５ｄＢが得られる線速度を求めた。この消去可能な最大線速度が、書換え可能な最大線速度となり、数値が大きいほど高速記録可能となる。
【００５４】
測定結果を、表３に示す。表３から分かるように、サンプル１１は、線速度４０ｍ／ｓでも消去可能であったが、記録マーク形成後の信号再生マークが一部結晶化していき、再生劣化を起していた。これは、結晶化速度が速すぎるために、アモルファスの熱安定性が低下した結果と考えられる。
【００５５】
【表３】
2007059039.tif 000005
【００５６】
又、サンプル２１では、マークの消去ができなかった。これは結晶化速度が著しく低下していた結果と考えられる。以上の結果から、Ｓｂ、Ｇｅの好ましい組成範囲は、Ｓｂが７７．２at％以上８８at％以下、Ｇｅが９．９at％以上２１at％以下となる。
【００５７】
又、本発明者の他の実験によれば、Ｍｇが１at％未満ではノイズ低減効果が得られず、３．９at％より多いと結晶化速度が低下するので、Ｍｇの組成は１at％以上３．９at％以下となる。
【００５８】
なお、上記実施例は、レーザー波長λが４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５の規格のＤＶＤに関するものであるが、上記各特性はλ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の規格のＤＶＤにおいても同様であった。又、上記実施例は、情報層が２層の光記録媒体についてのものであるが、本発明はこれに限定されるものでなく、情報層が３層以上の光記録媒体についても適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施例１に係る光記録媒体を模式的に示す断面図
【図２】実施例１の光記録媒体の界面層におけるＣｒ2Ｏ3の含有量と４倍速消去との関係を示す線図
【図３】同実施例１に係る光記録媒体と界面層の組成が異なる以外は同一構成の光記録媒体のサンプルにおける、記録線速度と消去率との関係を示す線図
【図４】同様の、界面層の組成が異なる複数のサンプルにおける４倍速記録でのジッター特性を示す線図
【符号の説明】
【００６０】
１０…光記録媒体
１２…基板
１４…第１の情報層
１６…第２の情報層（半透過情報層）
１８…記録膜
２０…界面層
２２…スペーサ層
２４…光透過層
【図１】
2007059039.tif 000006
【図２】
2007059039.tif 000007
【図３】
2007059039.tif 000008
【図４】
2007059039.tif 000009