(57)【要約】【課題】  ラミネート処理において基板上に付着したシリコンゴムの残渣を、基板に損傷を与えることなく除去する方法を提供する。【解決手段】  ラミネート用フィルム２０を、第１のシリコンゴム３１を備えた第１のラミネーターロール３０により基板１０に圧着させ、ラミネート用フィルム２０の樹脂フィルム２１に塗布された有機材料２２を基板１０に転写した後、第１のラミネーターロール３１の圧着の際に基板１０上に付着した第１のシリコンゴム３１の残渣５０を、酸素イオン（Ｏ２−）に曝して除去する。その際、残渣５０の除去は、酸素（Ｏ２）雰囲気となったチャンバー７０内において、基板１０と共に紫外線照射されことにより行われる。もしくは、残渣５０の除去は、大気中における酸素プラズマ処理により行われる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写材料が塗布された樹脂フィルムを、シリコンゴム製のラミネーターロールにより基板に圧着させ、前記被転写材料を前記基板に転写するラミネート処理の完了後、
前記ラミネーターロールの圧着の際に前記基板上に付着した前記シリコンゴムの残渣を、酸素イオンに曝して除去することを特徴とするシリコンゴム残渣の除去方法。
【請求項２】
前記シリコンゴムの残渣の除去は、酸素雰囲気中における紫外線照射により行われることを特徴とする請求項１記載のシリコンゴム残渣の除去方法。
【請求項３】
前記シリコンゴムの残渣の除去は、大気中における酸素プラズマ処理により行われることを特徴とする請求項１記載のシリコンゴム残渣の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンゴムからなるラミネーターロールを基板に圧着させて被転写材料を転写するラミネート処理の後処理に関し、特に、基板に付着したシリコンゴム残渣を除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やデジタルカメラのＥＶＦ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｖｉｅｗ  Ｆｉｎｄｅｒ）等に用いられる表示装置として、カラー表示に対応した液晶表示装置の需要が益々高まっている。このカラー表示は、液晶表示装置の各表示画素に所定のカラーフィルタが形成されることにより実現される。従来より、カラーフィルタを形成する方法の１つとして、ラミネート法が多用されている。次に、ラミネート法について図面を参照して説明する。
【０００３】
図２は、従来例に係るラミネート法を説明する図であり、基板１０を表面側からみた上面図である。また、図３は図１のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。図４は図１のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。図５は、ラミネート法による被転写材料の転写の完了後、図２の基板１０上に、さらに平坦化膜が積層された場合の基板１０の断面図である。
【０００４】
図２及び図３に示すように、例えばガラスからなり、液晶表示装置となるパネル領域が複数配置された基板１０の表面上に、ラミネート用フィルム２０が部分的に引き出されて載置されている。ラミネート用フィルム２０を構成する樹脂フィルム２１には、基板１０と対向する側の面に、カラーフィルタとなる有機材料２２が塗布されている。
【０００５】
ここで、ラミネート用フィルム２０は、基板１０の進行方向と直交する線に沿った幅のうち、基板１０の両端部の幅Ｂを除く幅Ａを有している。基板１０の表面における両端部の幅Ｂの領域では、カラーフィルタとなる有機材料２２の層をパターニングする際のアライメントマーク（例えば銅やアルミニウム等の金属からなる）が形成されている。そのため、この幅Ｂの領域は、上記アライメントマークを露出させるためにカラーフィルタが形成されない領域、即ち有機材料２２が転写されない領域となる。
【０００６】
そして、基板１０と、基板１０上に載置されたラミネート用フィルム２０を挟むようにして、基板１０の表面及び裏面に、それぞれ、シリコンゴム製の第１及び第２のラミネーターロール３０，４０が当接される。第１及び第２のラミネーターロール３０，４０は、それぞれ、コイル等の熱源を有した第１及び第２の回転軸３１，４１と、第１及び第２の回転軸３１,４１に沿って形成され所定の弾性を有した第１及び第２のシリコンゴム３２,４２を備えている。
【０００７】
第１及び第２のラミネーターロール３０，４０が回転すると共に、上記熱源による所定の表面温度（例えば約９０℃〜１４０℃）を以って基板１０に対して圧着されると、基板１０が所定の進行方向に移動しながら、ラミネート用フィルム２０の有機材料２２が基板１０の表面上に転写される。樹脂フィルム２１は、全ての有機材料２２の転写後に剥離されるか、もしくは有機材料２２の転写と併行して剥離される。その後、例えばフォトリソグラフィによる露光及び現像により、基板１０の表面に転写された有機材料２２がパターニングされ、カラーフィルタが形成される。このラミネート法によるカラーフィルタの形成は、必要な色の数だけ繰り返される。
【０００８】
なお、本願に関連する技術文献としては、以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開２００２−００１８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記ラミネート法では、図４に示すように、第１のラミネーターロール３０をラミネート用フィルム２０に圧着する際に、基板１０の表面における両端部の幅Ｂを有する領域には、ラミネーターロール３０の第１のシリコンゴム３２が基板１０の表面に直接圧着される。そのため、上記幅Ｂの領域では、第１のシリコンゴム３２が残渣５０となって基板１０の表面上に付着していた。
【００１０】
この残渣５０は、実際には目視されにくいが、図５に示すように、後に基板１０の表面上に平坦化膜６０の材料やレジスト材料等を塗布する際に、それらの材料を基板１０の表面上に付着させないマスクとして機能してしまう。そのため、基板１０に積層される平坦化膜６０等が所定の領域に形成されなくなり、また、それらの層の平坦性が低下するなどの成膜不良が生じるという問題があった。
【００１１】
上記問題への対処としては、第１のシリコンゴム３２の残渣５０をブラッシング等により除去する方法が考えられるが、この方法では、ブラッシングにより基板１０の表面に損傷が生じるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで本発明は、ラミネート法において基板上に付着したシリコンゴムの残渣を、基板に損傷を与えることなく除去する方法を提供する。
【００１３】
本発明のシリコンゴム残渣の除去方法は、被転写材料が塗布された樹脂フィルムを、シリコンゴム製のラミネーターロールにより基板に圧着させ、その被転写材料を基板に転写するラミネート処理の完了後において、ラミネーターロールの圧着の際に基板上に付着したシリコンゴムの残渣を、酸素イオンに曝して除去することを特徴とする。
【００１４】
ここで、シリコンゴムの残渣の除去は、酸素雰囲気中における紫外線照射により行われる。もしくは、シリコンゴムの残渣の除去は、大気中における酸素プラズマ処理により行われる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板の表面上に付着した第１のシリコンゴムからなる残渣を、基板に損傷を与えることなく除去することができる。結果として、さらに基板の表面上に積層される層の平坦性が増すなど、その層の成膜状態が従来例に比して良好となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明の実施形態に係るシリコン残渣の除去方法について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係るシリコンゴム残渣の除去方法を説明する概念図である。なお、図１では、図２乃至図５に示したものと同一の構成要素については同一の符号を付して説明を行うものとする。また、図１では、従来例に係るラミネート法を経た後の基板１０の状態として、図２のＹ−Ｙ線に沿った基板１０の断面を示している。
【００１７】
図１（Ａ）に示すように、第１のラミネーターロール３１の第１のシリコンゴムが残渣５０となって付着した基板１０を、チャンバー７０内に載置する。そして、チャンバー７０に酸素（Ｏ２）ガスを充填して、このチャンバー７０内を酸素（Ｏ２）雰囲気とする。
【００１８】
次に、所定の紫外線照射用ランプ８０を用いて、酸素（Ｏ２）雰囲気のチャンバー７０内の基板１０全体、もしくは基板１０上に付着した残渣５０に紫外線を照射する。紫外線照射用ランプ８０は、例えば約５０ｍＷのパワーを有する低圧水銀ランプであることが好ましい。もしくは紫外線照射用ランプ８０は、上記低圧水銀ランプと同等のパワーを有したものであれば、それ以外の紫外線照射用ランプ、例えばエキシマランプであってもよい。
【００１９】
上記紫外線の照射により、チャンバー７０内の酸素（Ｏ２）ガスは、上記紫外線と反応することにより酸素イオン（Ｏ２−）となる。即ち、残渣５０は酸素イオン（Ｏ２−）に曝される。ここで、上記酸素イオン（Ｏ２−）と、残渣５０であるシリコンゴム中に含まれる炭素（Ｃ）とが反応して、二酸化炭素（ＣＯ２）が生成される。この反応によって残渣５０であるシリコンゴム中から炭素（Ｃ）が除かれて、残渣５０そのものが除去される。もしくは残渣５０が無視できる程度の規模に縮小される。
【００２０】
このように本実施形態では、残渣５０が酸素イオン（Ｏ２−）に曝されることにより除去されるため、基板１０に対して、ブラッシング等の物理的な接触を必要としない。そのため、その上記物理的な接触による基板１０の損傷が生じることがない。即ち、本実施形態によれば、基板１０に損傷を与えることなく残渣５０を除去することが可能となる。結果として、さらに基板１０の表面上に積層される層、例えば平坦化膜の平坦性が増すなど、その層の成膜状態が従来例に比して良好となる。
【００２１】
なお、上記酸素イオン（Ｏ２−）に曝すことにより残渣５０を除去する方法は、上記酸素（Ｏ２）雰囲気のチャンバー７０内における紫外線照射のみに限定されない。例えば、図１（Ｂ）に示すように、不図示のプラズマ発生装置を用いた大気中における酸素プラズマ処理により残渣５０が除去されてもよい。
【００２２】
この場合、大気中において、残渣５０が付着した基板１０の界面に、不図示のプラズマ発生装置を用いてプラズマを発生させることにより酸素イオン（Ｏ２−）を生成する。そして、その酸素イオン（Ｏ２−）に、基板１０上の残渣５０が曝される。そして、この場合においても上記実施形態と同様に、基板１０に損傷を与えることなく残渣５０を除去することが可能となる。
【００２３】
なお、上記実施形態の残渣５０の除去後において、残渣５０が無視できる程度であっても基板１０に僅かに残存する場合、必要に応じて、所定の洗浄液（例えば蒸留水）を用いて基板１０を洗浄してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態に係るシリコンゴム残渣の除去方法を説明する概念図である。
【図２】従来例に係るラミネート法を説明する基板の表面側からみた上面図である。
【図３】図２のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図４】図２のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。
【図５】図２の基板上に平坦化膜が積層された場合の基板の断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１０  基板                        ２０  ラミネート用フィルム
２１  樹脂フィルム                ２２  有機材料
３０  第１のラミネーターロール    ３１  第１の回転軸
３２  第１のシリコンゴム          ４０  第２のラミネーターロール
４１  第２の回転軸                ４２  第２のシリコンゴム
５０  残渣                        ６０  平坦化膜
７０  チャンバー                  ８０  紫外線照射用ランプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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