(57)【要約】【課題】櫛形の発生しない改善された表示品質を持つ発光素子を提供する。【解決手段】本発明に係る発光素子は、一端が第１方向に延長されるスキャンラインＳ１、Ｓ２と連結された多数の第１カソード電極Ｃ１、Ｃ２と、一端が第２方向に延長されるスキャンラインＳ４、Ｓ５と連結された多数の第２カソード電極Ｃ４、Ｃ５と、一端は第１方向に延長されるスキャンラインＳ３ａと連結され、他端は第２方向に延長されるスキャンラインＳ３ｂと連結された少なくとも一つ以上の第３カソード電極Ｃ３を含んでいる。【選択図】図２
2007140449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のアノード電極及びカソード電極が交差する領域に形成された多数の発光部と、
上記多数のカソード電極のいずれかの一端に連結されて第１方向または第２方向に延長される多数のスキャンラインと、を含む発光素子であって、
上記多数のカソード電極は、
一端が上記第１方向に延長されるスキャンラインに連結された多数の第１カソード電極と、一端が上記第２方向に延長されるスキャンラインに連結された多数の第２カソード電極と、
一端は上記第１方向に延長されるスキャンラインに連結され、他端は上記第２方向に延長されるスキャンラインに連結された少なくとも一つ以上の第３カソード電極と、を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
上記多数の第１カソード電極の少なくとも一部は互いに隣接して配置され、上記多数の第２カソード電極の少なくとも一部は互いに隣接して配置され、上記第３カソード電極は、互いに隣接して配置された上記第１カソード電極と上記第２カソード電極との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
上記第３カソード電極は、上記第１カソード電極と上記第２カソード電極との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
上記第３カソード電極に連結されたスキャンラインの抵抗値は、上記第１カソード電極及び第２カソード電極に連結されたスキャンラインの抵抗値よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
上記第３カソード電極の線幅は、上記第１カソード電極及び第２カソード電極の線幅よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
上記発光素子は、
上記第１方向に延長されたスキャンラインによって上記カソード電極に電気的に連結される第１スキャン駆動部と、
上記第２方向に延長されたスキャンラインによって上記カソード電極に電気的に連結される第２スキャン駆動部と、
上記第１スキャン駆動部及び上記第２スキャン駆動部の動作を制御する制御部と、をさらに含み、
上記第３カソード電極は、上記第１方向に連結されたスキャンライン及び上記第２方向に連結されたスキャンラインを通して、上記第１スキャン駆動部及び上記第２スキャン駆動部の両方に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
上記第３カソード電極の両端の電位は、実質的に同じであることを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
上記第３カソード電極は、上記第１カソード電極と上記第２カソード電極との間にこれらと隣接して配置され、上記第３カソード電極上の発光部の輝度は、上記第１カソード電極上の対応する発光部の輝度と上記第２カソード電極上の対応する発光部の輝度との間の値を持つことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
上記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子に関する。詳しくは改善された表示品質を持つ有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光は、有機物（低分子または高分子）薄膜に、カソード電極及びアノード電極を通して注入された電子と正孔とが再結合して励起子（exciton）が形成され、形成された励起子からのエネルギーによって特定波長の光が発生する現象であり、有機電界発光素子は、このような現象を用いた平板型表示素子である。
【０００３】
有機電界発光素子の基本構造は、透明基板、透明基板上に互いに交差するように配列されたアノード電極層及びカソード電極層、アノード電極層及びカソード電極層の間に介在する有機物層を含み、これらの二つの電極層を通して有機物層に所定電圧が印加されれば、電子と正孔とが再結合して電界発光を発する。
【０００４】
図１Ａは従来の有機電界発光素子を示したブロック図である。図１Ａを参照すれば、従来の有機電界発光素子は、パネル１００及びドライバー１０２を含んでいる。
パネル１００は、多数の発光領域に形成される多数のピクセルＥ１１〜Ｅ５５を含んでおり、多数の発光領域は、多数のアノード電極層（以下、“アノードライン”という）Ａ１〜Ａ５と多数のカソード電極層（以下、“カソードライン”という）Ｃ１〜Ｃ５とが交差する領域に形成される。
ドライバー１０２は、制御部１０４、第１スキャン駆動部１０６、第２スキャン駆動部１０８、及びデータ駆動部１１０を含む。
【０００５】
アノードラインＡ１〜Ａ５は、データラインＤ１〜Ｄ５と接続され、パネル１００の外部に配置されたデータ駆動部１１４と連結される。また、カソードラインＣ１〜Ｃ５は、スキャンラインＳ１〜Ｓ５と接続され、パネル１００外部のスキャン駆動部１０６、１０８と連結される。
【０００６】
第１スキャン駆動部１０６は、第１方向に形成されたスキャンラインＳ１、Ｓ３、Ｓ５に連結され、第１スキャン信号をスキャンラインＳ１、Ｓ３、Ｓ５を通して該当カソードラインＣ１、Ｃ３、Ｃ５に伝送する。第２スキャン駆動部１０８は、上記第１方向と異なる第２方向に形成されたスキャンラインＳ２、Ｓ４に連結され、第２スキャン信号をスキャンラインＳ２、Ｓ４を通して該当カソードラインＣ２、Ｃ４に伝送する。
【０００７】
制御部１０４は、第１制御信号ＣＳ１を第１スキャン駆動部１０６に伝送し、第２制御信号ＣＳ２を第２スキャン駆動部１０８に伝送し、第３制御信号ＣＳ３をデータ駆動部１１０に伝送して、駆動部１０６、１０８、１１０の動作を制御する。
【０００８】
データ駆動部１１０は、外部から入力された表示データに該当するデータ電流を、データラインＤ１〜Ｄ５を通してアノードラインＡ１〜Ａ５に印加する。
【０００９】
図１Ｂは、図１Ａのパネルを示した回路図であり、カソード電極Ｃ１〜Ｃ５がスキャンラインＳ１〜Ｓ５を通してスキャン駆動部（図１Ａの１０６及び１０８、ここでは接地電位とスキャン電圧Ｖ１で表す）に連結される態様を示している。また、図１Ｃは、図１Ａの一部のピクセルを表す等価回路図であり、図１Ｄは、スキャンライン及びデータラインを通してそれぞれ印加されるスキャン電圧及びデータ電流を示したタイミングダイヤグラムである。
【００１０】
図１Ｂを参照すれば、カソードラインＣ１〜Ｃ５中の一部のカソードラインＣ１、Ｃ３、Ｃ５は、これらのカソードラインの一端から第１方向に延長されて、スキャン電圧Ｖ１または接地電位に連結されるスキャンラインＳ１、Ｓ３、Ｓ５と連結されており、残りのカソードラインＣ２、Ｃ４は、これらのカソードラインの一端から第２方向に延長されて、スキャン電圧Ｖ１または接地電位に連結されるスキャンラインＳ２、Ｓ４と連結されている。
【００１１】
以下、ピクセルＥ１１〜Ｅ５５の動作を詳述する。但し、説明の便宜のために、各スキャンラインＳ１〜Ｓ５の抵抗を、図１Ｂに示されるようにいずれも６０Ωと仮定し、ピクセルＥ１１〜Ｅ５５の間のカソードラインＣ１〜Ｃ５に該当する部分の抵抗は、１０Ωと仮定する。
【００１２】
まず、スキャンラインＳ１が接地電位に連結され、残りのスキャンラインＳ２〜Ｓ５がピクセルＥ１１〜Ｅ５５を駆動する駆動電圧と同じ大きさを有するスキャン電圧Ｖ１に連結される。ここで、ピクセルＥ１１〜Ｅ５５は、各ピクセルに対応するカソードラインと連結されたスキャンラインが接地電位に連結されるときに発光するので、スキャンラインＳ１と連結されたカソードラインＣ１上のピクセルＥ１１〜Ｅ５１のみが発光する。
【００１３】
続いて、スキャンラインＳ１と同じ方向に形成されたスキャンラインＳ２が接地電位に連結され、残りのスキャンラインＳ１、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５はスキャン電圧Ｖ１に連結される。従って、スキャンラインＳ２と連結されたカソードラインＣ２上のピクセルＥ１２〜Ｅ５２のみが発光する。
【００１４】
この場合、カソードラインＣ１上のピクセルＥ１１〜Ｅ５１のライン抵抗成分Ｒ１１〜Ｒ５１と、カソードラインＳ２上のピクセルＥ１２〜Ｅ５２に連結されたライン抵抗成分Ｒ１２〜Ｒ５２を、図１Ｃを参照して比較する。
【００１５】
図１Ｃを参照すれば、アノードラインＡ１上で互いに隣接して配置されたピクセルＥ１１、Ｅ１２の抵抗Ｒ１１、Ｒ１２は、４０Ωの差を有しており、アノードラインＡ２上で互いに隣接して配置されたピクセルＥ２１、Ｅ２２のライン抵抗Ｒ２１、Ｒ２２は、２０Ωの差を有している。また、アノードラインＡ３上で互いに隣接して配置されたピクセルＥ３１、Ｅ３２のライン抵抗Ｒ３１、Ｒ３２は、互いに同一である。また、アノードラインＡ４上で互いに隣接して配置されたピクセルＥ４１、Ｅ４２のライン抵抗Ｒ４１、Ｒ４２は、２０Ωの差を有しており、アノードラインＡ５上で互いに隣接して配置されたピクセルＥ５１、Ｅ５２のライン抵抗Ｒ５１、Ｒ５２は、４０Ωの差を有している。
【００１６】
以下、このようなライン抵抗値の差が各ピクセルＥ１１〜Ｅ５５の輝度に及ぼす影響を、図１Ｄを参照して詳述する。但し、第１１ピクセルＥ１１が発光する場合を例として用いる。
【００１７】
図１Ｄを参照すれば、データ電流Ｉ１は、スキャンラインＳ１がＬｏｗ論理状態のとき、データラインＤ１を通してピクセルＥ１１に印加される。この場合、理想的には、スキャンラインＳ１がＬｏｗ論理状態の間、データ電流Ｉ１は、予め設定された値ＩWを有しなければならないが、実際には、図１Ｄに示されるように、予め設定された値ＩWより小さい値ＩUを持つ。即ち、データ電流は、それに対応する抵抗に影響を受けるので、ピクセルＥ１１〜Ｅ５５の輝度は、抵抗成分Ｒ１１〜Ｒ５５の影響によって変化する。
尚、ここでは抵抗Ｒ１１〜Ｒ５５の影響によってピクセルＥ１１〜Ｅ５５の輝度が低くなる場合を詳述したが、場合によっては高くなることもある。
【００１８】
以下、パネル１００の動作を詳述する。
再び図１Ｃを参照すると、アノードライン（図１ＢのＡ１）上のピクセルＥ１１及びＥ１２の抵抗成分Ｒ１１及びＲ１２は、大きな差を有するので、ピクセルＥ１１及びＥ１２に同じデータ電流が印加された場合にも、抵抗Ｒ１１及びＲ１２の影響によってピクセルＥ１１とＥ１２の間に明暗の差が大きく発生する。
【００１９】
さらに、他のアノードラインＡ２〜Ａ５上のピクセルＥ１２〜Ｅ５５間にも明暗の差が発生する。但し、パネル１００の縁部に配置されるアノードライン（図１ＢのＡ１及びＡ５）上のピクセルＥ１１〜Ｅ１５、Ｅ５１〜Ｅ５５間で明暗の差が明らかに発生する。その結果、アノードラインＡ１及びＡ５上のピクセルＥ１１〜Ｅ１５、Ｅ５１〜Ｅ５５間に明暗の差が繰り返されて形成される縞形、即ち、“櫛形”が発生した。即ち、パネル１００の左右の縁部で櫛形が発生し、使用者には視覚的に不便が感じられた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
従って、櫛形の発生しない改善された画質を持つ発光素子、電界発光素子、または有機電界発光素子のような平板型表示素子の開発に対する要求が依然として存在する。
【００２１】
本発明は、櫛形の発生しない発光素子（平板型表示素子）を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る発光素子は、多数のアノード電極及びカソード電極が交差する領域に形成された多数の発光部と、上記多数のカソード電極のいずれかの一端に連結されて第１方向または第２方向に延長される多数のスキャンラインとを含む発光素子であって、上記多数のカソード電極は、一端が上記第１方向に延長されるスキャンラインに連結された多数の第１カソード電極と、一端が上記第２方向に延長されるスキャンラインに連結された多数の第２カソード電極と、一端は上記第１方向に延長されるスキャンラインに連結され、他端は上記第２方向に延長されるスキャンラインに連結された少なくとも一つ以上の第３カソード電極と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る発光素子（平板型表示素子）は、櫛形の発生しない長所を有する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、櫛形の発生しない改善された表示品質を持つ平板型表示素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して本発明に係る発光素子の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【００２６】
図２は、本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示したブロック図である。図２を参照すれば、本実施形態の有機電界発光素子は、パネル２００及びドライバー２０２を含んでいる。
【００２７】
パネル２００は、多数の発光領域に形成される多数のピクセルＥ１１〜Ｅ５５を含んでおり、多数の発光領域は、多数のアノードライン（アノード電極層）Ａ１〜Ａ５と多数のカソードライン（カソード電極層）Ｃ１〜Ｃ５とが交差する領域に形成される。アノードラインＡ１〜Ａ５は、データラインＤ１〜Ｄ５と接続されて、パネル２００の外部に配置されたデータ駆動部２１０と連結される。また、カソードラインＣ１〜Ｃ５は、スキャンラインＳ１〜Ｓ５と接続されて、パネル２００外部のスキャン駆動部２０６、２０８と連結される。
【００２８】
各ピクセルＥ１１〜Ｅ５５は、アノード電極層、カソード電極層、及びこれら２層の電極層の間に介在する有機物層を含む。ここで、有機物層は、アノード電極層上に順次に積層された正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transporting Layer）、発光層（ＥＭＬ：Emitting Layer，）及び電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transporting Layer）を含む。
【００２９】
アノード電極層に正の電圧が印加され、カソード電極層に負の電圧が印加されると、ＨＴＬは、アノード電極層から供給される正孔をＥＭＬに輸送し、ＥＴＬは、カソード電極層から供給される電子をＥＭＬに輸送する。次いで、供給された正孔と電子がＥＭＬで再結合し、それにより所定波長の光がＥＭＬから放射される。
【００３０】
ドライバー２０２は、制御部２０４、第１スキャン駆動部２０６、第２スキャン駆動部２０８、及びデータ駆動部２１０を含む。
【００３１】
第１スキャン駆動部２０６は、カソードラインＣ１〜Ｃ３の一端から第１方向に延長されたスキャンラインＳ１〜Ｓ３と連結され、第１スキャン信号を、スキャンラインＳ１〜Ｓ３を通して該当カソードラインＣ１〜Ｃ３に伝送する。第２スキャン駆動部２０８は、カソードラインＣ３〜Ｃ５の一端から、上記第１方向と異なる第２方向に延長されたスキャンラインＳ３〜Ｓ５と連結され、第２スキャン信号を、スキャンラインＳ３〜Ｓ５を通して該当カソードラインＣ３〜Ｃ５に伝送する。
【００３２】
ここで、カソードラインＣ３（第３カソード電極）の一端は、第１方向に延長されたスキャンラインＳ３ａに連結され、カソードラインＣ３の他端は、第２方向に延長されたスキャンラインＳ３ｂに連結される。また、カソードラインＣ３の両端は、二つのスキャンラインＳ３ａ、Ｓ３ｂを通して第１スキャン駆動部２０６及び第２スキャン駆動部２０８の両方に連結される。スキャンラインＳ３ａ、Ｓ３ｂを通してカソードラインＣ３に伝送される第１及び第２スキャン信号は、互いに同一である。
【００３３】
以下、スキャンラインＳ１〜Ｓ５の位置関係について詳述する。
【００３４】
本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子は、第１スキャン駆動部２０６及び第２スキャン駆動部２０８の両方に連結された少なくとも一つ以上のカソードラインＣ３を含む。一実施形態において、このようなカソードラインＣ３は、図２に示されるように、第１方向に延長されたスキャンラインＳ２に連結されたカソードラインＣ２（第１カソード電極）と、第２方向に延長されたスキャンラインＳ４に連結されたカソードラインＣ４（第２カソード電極）との間に配置される。他の実施形態では、カソードラインＣ３は、同じ方向に延長されたスキャンラインに連結された二つのカソードラインの間に配置されていてもよい。
【００３５】
但し、本実施形態の有機電界発光素子では、図２のカソードラインＣ３のように、両方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードラインは、常に、第１方向に形成されたスキャンラインに連結されたカソードラインと、第２方向に形成されたスキャンラインに連結されたカソードラインとの間に存在する。このようにカソードラインとスキャンラインを配置する理由は、添付された図面を参照して以下に詳述する。
【００３６】
制御部２０４は、第１制御信号ＣＳ１を第１スキャン駆動部２０６に伝送し、第２制御信号ＣＳ２を第２スキャン駆動部２０８に伝送し、第３制御信号ＣＳ３をデータ駆動部２１０に伝送して、駆動部２０６、２０８、２１０の動作を制御する。特に、制御部２０４は、カソードラインＣ３の選択のときに、カソードラインＣ３の２つのスキャンラインＳ３ａ及びＳ３ｂを電界発光開始電圧、例えば、接地電位に同時に連結する。
【００３７】
データ駆動部２１４は、外部から提供されたビデオデータに該当するデータ電流を、データラインＤ１〜Ｄ５を通してアノードラインＡ１〜Ａ５に印加する。
【００３８】
図３は、図２のパネルを示した回路図であり、カソードラインＣ１〜Ｃ５がスキャンラインＳ１〜Ｓ５を通してスキャン駆動部（図２の２０６及び２０８、ここでは接地電位とスキャン電圧Ｖ１で表示する）に連結される態様を示している。また、図４Ａ〜４Ｃは、図３のパネルに含まれる一部のピクセルを表す等価回路図である。
【００３９】
図３を参照すれば、スキャンラインＳ１、Ｓ２は、カソードラインＣ１、Ｃ２（第１カソード電極）の一端から第１方向に延長され、接地電位またはスキャン電圧Ｖ１と連結されている。また、スキャンラインＳ４、Ｓ５は、カソードラインＣ４、Ｃ５（第２カソード電極）の一端から、第１方向と異なる第２方向に形成される。スキャンラインＳ３ａは、カソードラインＣ３（第３カソード電極）の一端から第１方向に延長され、接地電位またはスキャン電圧Ｖ１と連結されており、また、スキャンラインＳ３ｂは、カソードラインＣ３の他端から第２方向に延長されて、接地電位またはスキャン電圧Ｖ１と連結されている。
【００４０】
以下、ピクセルＥ１１〜Ｅ５５の動作を詳述する。但し、各スキャンラインＳ１〜Ｓ５のライン抵抗を、図３に示されるように、それぞれ６０Ω及び１４０Ωと仮定し、ピクセルＥ１１〜Ｅ５５間のカソードラインのライン抵抗を１０Ωと仮定する。
【００４１】
まず、スキャンラインＳ１が接地電位に連結され、残りのスキャンラインＳ２〜Ｓ５は、ピクセルＥ１１〜Ｅ５５を駆動する駆動電圧と同じ大きさを有するスキャン電圧Ｖ１に連結される。ここで、ピクセルＥ１１〜Ｅ５５は、各ピクセルに該当するスキャンラインが接地電位に連結されるときに発光するので、スキャンラインＳ１に連結されたカソードラインＣ１上のピクセルＥ１１〜Ｅ５１のみが発光する。
【００４２】
続いて、スキャンラインＳ１と同じ方向に形成されたスキャンラインＳ２が接地電位に連結され、他のスキャンラインＳ１、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５は、スキャン電圧Ｖ１に連結される。従って、カソードラインＣ２上のピクセルＥ１２〜Ｅ５２のみが発光する。
【００４３】
以下、カソードラインＣ１上のピクセルＥ１１〜Ｅ５１のライン抵抗成分Ｒ１１〜Ｒ５１と、カソードラインＣ２上のピクセルＥ１２〜Ｅ５２のライン抵抗成分Ｒ１２〜Ｒ５２を、図４Ａを参照して比較する。
【００４４】
図４Ａを参照すれば、データラインＤ１と連結されたピクセルＥ１１及びＥ１２のライン抵抗成分Ｒ１１及びＲ１２の抵抗値は同一であり、また、データラインＤ２と連結されたピクセルＥ２１及びＥ２２のライン抵抗成分Ｒ２１及びＲ２２の抵抗値も同一であり、さらに、データラインＤ３と連結されたピクセルＥ３１及びＥ３２のライン抵抗成分Ｒ３１及びＲ３２の抵抗値も同一である。また、データラインＤ４と連結されたピクセルＥ４１及びＥ４２のライン抵抗成分Ｒ４１及びＲ４２の抵抗値は同一であり、データラインＤ５と連結されたピクセルＥ５１及びＥ５２のライン抵抗成分Ｒ５１及びＲ５２の抵抗値も同一である。従って、カソードラインＣ１上のピクセルＥ１１〜Ｅ５１と、カソードラインＣ２上のピクセルＥ１２〜Ｅ５２との間には、明暗の差が生じない。つまり、同じ方向に形成されたスキャンラインに連結されたカソード電極同士の間には、明暗の差が生じない。
【００４５】
再び図３を参照すれば、続いて、スキャンラインＳ３ａ及びＳ３ｂが接地電位に連結され、残りのスキャンラインＳ１、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ５は、スキャン電圧Ｖ１に連結される。従って、スキャンラインＳ３に連結されたカソードラインＣ３上のピクセルＥ１３〜Ｅ５３のみが発光する。
【００４６】
以下、カソードラインＣ２上のピクセルＥ１２〜Ｅ５２のライン抵抗成分Ｒ１２〜Ｒ５２と、カソードラインＣ３上のピクセルＥ１３〜Ｅ５３のライン抵抗成分Ｒ１３〜Ｅ５３を、図４Ｂを参照して比較する。
【００４７】
図４Ｂを参照すれば、データラインＤ１と連結されたピクセルＥ１２のライン抵抗成分Ｒ１２とピクセルＥ１３のライン抵抗成分Ｒ１３は、抵抗値において所定の差があり、それにより発光時のピクセルＥ１２とピクセルＥ１３との間に輝度差が発生する。しかし、このような明暗の差は、従来の有機電界発光素子とは異なり、抵抗値の差が少ないため、使用者には認知されない。このように、スキャンラインＳ２に連結されたカソードライン（図３のＣ２）上のピクセルＥ１２〜Ｅ５２と、スキャンラインＳ３に連結されたカソードライン（図３のＣ３）上のピクセルＥ１３〜Ｅ５３の輝度を比較すると、所定の明暗の差が発生するが、このような明暗の差は使用者には認知されない。つまり、第１方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードラインと、両方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードラインとの間には、使用者が認知し得る明暗の差が発生しない。
【００４８】
続いて、スキャンラインＳ４が接地電位に連結され、残りのスキャンラインＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ５は、スキャン電圧Ｖ１に連結される。従って、スキャンラインＳ４に連結されたカソードラインＣ４上のピクセルＥ１４〜Ｅ５４のみが発光する。
【００４９】
以下、カソードラインＣ３上のピクセルＥ１３〜Ｅ５３のライン抵抗成分Ｒ１３〜Ｒ５３の抵抗値と、カソードラインＣ４上のピクセルＥ１４〜Ｅ５４のライン抵抗成分Ｒ１４〜Ｒ５４の抵抗値を、図４Ｃを参照して比較する。
【００５０】
図４Ｃを参照すれば、カソードラインＣ３上のピクセルＥ１３〜Ｅ５３のライン抵抗成分Ｒ１３〜Ｒ５３の抵抗値と、カソードラインＣ４上のピクセルＥ１４〜Ｅ５４のライン抵抗成分Ｒ１４〜Ｒ５４の抵抗値は、その大きさが異なり、それによりカソードラインＣ３上のピクセルＥ１３〜Ｅ５３とカソードラインＣ４上のピクセルＥ１４〜Ｅ５４との間に輝度差が発生する。しかし、カソードラインＣ３上のピクセルＥ１３〜Ｅ５３のライン抵抗成分Ｒ１３〜Ｒ５３の抵抗値と、カソードラインＣ４上のピクセルＥ１４〜Ｅ５４のライン抵抗成分Ｒ１４〜Ｒ５４の抵抗値との差が小さいため、使用者にはこのような明暗の差が認知されない。つまり、第２方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードラインと、両方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードラインとの間には、使用者が認知し得る明暗の差が発生しない。
【００５１】
上述したように、本実施形態の有機電界発光素子では、同一方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソード電極同士の間に明暗の差が発生せず、さらに、いずれか一方向に形成されたスキャンラインに連結されたカソード電極と、両方向に形成されたスキャンラインに連結されたカソード電極との間には、使用者が認知することができない極めて少ない明暗の差が発生するだけである。従って、明暗の差が繰り返されて発生する櫛形のような現象は発生しない。
【００５２】
本実施形態の有機電界発光素子では、両方向に形成されたスキャンラインが、第１方向に形成されたスキャンラインと第２方向に形成されたスキャンラインとの間に常に形成される。従って、第１方向に形成されたスキャンラインと第２方向に形成されたスキャンラインとの間に櫛形が発生した従来の有機電界発光素子のパネル１００とは異なり、本実施形態の有機電界発光素子に含まれるパネル２００には、櫛形が発生しない。
【００５３】
以上で説明した本発明の実施形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものであるならば、添付された特許請求の範囲に開示された本発明の思想の範囲内で様々な修正、変更、及び付加が可能である。従って、そのような修正、変更、及び付加は、本発明の特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１Ａ】従来の有機電界発光素子を示したブロック図である。
【図１Ｂ】図１Ａのパネルを示した回路図であり、カソード電極がスキャンラインを通してスキャン駆動部に連結される態様を示した図である。
【図１Ｃ】図１Ａの一部のピクセルを表す回路図である。
【図１Ｄ】図１Ａの有機電界発光素子を駆動するために、スキャンライン及びデータラインを通してそれぞれ印加されるスキャン電圧及びデータ電流を示したタイミングダイヤグラムである。
【図２】本発明の好ましい一実施形態に係る有機電界発光素子を示したブロック図である。
【図３】図２のパネルを示した回路図であり、カソード電極がスキャンラインを通してスキャン駆動部に連結される態様を示した図である。
【図４Ａ】図３のパネルに含まれる一部のピクセルを表す等価回路図であり、同じ方向に形成されたスキャンラインに連結されたカソードライン上のピクセルを比較する図である。
【図４Ｂ】図３のパネルに含まれる一部のピクセルを表す等価回路図であり、第１方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードライン上のピクセルと、両方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードライン上のピクセルとを比較する図である。
【図４Ｃ】図３のパネルに含まれる一部のピクセルを表す等価回路図であり、第２方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードライン上のピクセルと、両方向に延長されたスキャンラインに連結されたカソードライン上のピクセルとを比較する図である。
【符号の説明】
【００５５】
Ａ１〜Ａ５：アノード電極、Ｃ１，Ｃ２：第１カソード電極、Ｃ３：第３カソード電極、Ｃ４，Ｃ５：第２カソード電極、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４，Ｓ５：スキャンライン
【図１Ａ】
2007140449.tif 000003
【図１Ｂ】
2007140449.tif 000004
【図１Ｃ】
2007140449.tif 000005
【図１Ｄ】
2007140449.tif 000006
【図２】
2007140449.tif 000007
【図３】
2007140449.tif 000008
【図４Ａ】
2007140449.tif 000009
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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