(57)【要約】【課題】製造工程を単純化するための垂直配向膜の製造方法および該垂直配向膜を具備する液晶表示装置を提供する。【解決手段】反応器内に処理基板を提供する段階と、前記反応器内にシリコン系ガスと炭素系ガスとを注入する段階と、前記処理基板の表面で前記シリコン系ガスおよび前記炭素系ガスを化学反応させ、炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応器内に処理基板を提供する段階と、
前記反応器内にシリコン系ガスと炭素系ガスとを注入する段階と、
前記処理基板の表面で前記シリコン系ガスおよび前記炭素系ガスを化学反応させ、炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、
を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン系ガスはＳｉＨ４ガスを含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項３】
前記炭素系ガスはＣ２Ｈ２ガスまたはＣＨ４ガスの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項４】
前記垂直配向膜は３５％以上のＳｉ−Ｓｉ結合分率を持つことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項５】
前記垂直配向膜において、シリコンに対する炭素の組成比が０．５〜１１であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項６】
前記垂直配向膜にイオンビームを照射して前記垂直配向膜のプレチルト角を調節する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項７】
前記イオンビームの入射角度は、前記垂直配向膜に対して４５°〜９０°であることを特徴とする請求項６に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項８】
前記プレチルト角は、６７°〜９０°であることを特徴とする請求項６または７に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項９】
シリコン系物質を含む第１ターゲットおよび炭素系物質を含む第２ターゲットを具備する反応器内に処理基板を提供する段階と、
前記反応器内に不活性ガスを注入する段階と、
前記第１および第２ターゲットに電圧を印加して前記不活性ガスをプラズマ状態に活性化させる段階と、
プラズマ状態の前記不活性ガスが前記第１および第２ターゲットと衝突することによって、前記第１および第２ターゲットからシリコン原子および炭素原子が放出されて、炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、
を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法。
【請求項１０】
前記垂直配向膜に含まれる炭化シリコンにおいて、シリコンに対する炭素の組成比が０．５〜１１であることを特徴とする請求項９に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項１１】
前記処理基板には接地電圧を印加し、前記第１および第２ターゲットにはＲＦ電圧を各々印加し、
前記垂直配向膜に含まれる炭化シリコンにおいて前記シリコンに対する炭素の組成比は、前記第１および第２ターゲットに印加される前記ＲＦ電圧の大きさに応じて変わることを特徴とする請求項１０に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項１２】
前記不活性ガスはアルゴンガスであることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項１３】
前記垂直配向膜に含まれる水素比率は３０％以下であることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項１４】
前記炭化シリコンにイオンビームを照射して前記垂直配向膜のプレチルト角を調節する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項１５】
前記イオンビームの入射角度は、前記垂直配向膜に対して４５°〜９０°であることを特徴とする請求項１４に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項１６】
前記プレチルト角は、６７°〜９０°であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項１７】
第１ベース基板、前記第１ベース基板上に形成された共通電極、および前記共通電極上に形成され炭化シリコンを有する第１垂直配向膜を含む第１表示基板と、
第２ベース基板、前記第２ベース基板上に形成された画素電極、および前記画素電極上に形成され炭化シリコンを有する第２垂直配向膜を含む第２表示基板と、
前記第１表示基板と前記第２表示基板との間に介在された液晶層と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１および第２垂直配向膜は３５％以上のＳｉ−Ｓｉ結合分率を持つことを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第１および第２垂直配向膜におけるシリコンに対する炭素の組成比が０．５〜１１であることを特徴とする請求項１７または１８に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第１および第２垂直配向膜のプレチルト角は６７°〜９０°であることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記共通電極は２以上の第１開口部を具備し、
前記画素電極は前記第１開口部の間に位置する第２開口部を具備することを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配向膜の製造方法に係り、より詳細には垂直配向膜の製造方法および垂直配向膜を用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置はアレイ基板、カラーフィルタ基板および液晶層からなる。液晶層は多数の液晶分子を含み、アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に介在される。アレイ基板およびカラーフィルタ基板の表面には液晶層に含まれる多数の液晶分子を一定の方向に配列させるための配向膜が具備される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
配向膜は、水平配向膜と垂直配向膜とに大きく区別される。水平配向膜は、液晶層に電圧が印加されない状態で液晶分子を基板の表面に対して平行に配列させる特性を持つ。一方、垂直配向膜は、液晶層に電圧が印加されない状態で液晶分子を基板の表面に対して所定の角度に傾くように配列させる特性を持つ。
【０００４】
水平配向膜と垂直配向膜として、ポリイミド系物質から構成される膜が従来用いられてきた。垂直配向膜はポリイミド系物質を処理基板上に印刷した後、ベーキングおよび硬化工程を経て完成される。最近では、生産費の節減のため、垂直配向膜が形成される処理基板のサイズが大きくなってきている。
【特許文献１】特開２００５−１８１７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、処理基板のサイズが大きくなれば、ポリイミド系物質を処理基板上で均一な厚さに印刷することが困難となりうる。
【０００６】
また、垂直配向膜を具備するＰＶＡ（Ｐａｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード液晶表示装置の応答速度は、垂直配向膜のプレチルト角に応じて変わるが、従来のように垂直配向膜がポリイミド系物質から構成されれば、工程上で垂直配向膜のプレチルト角を調節することができない。
【０００７】
本発明の目的は、製造工程を単純化するための垂直配向膜の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上述の垂直配向膜を具備する液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、反応器内に処理基板を提供する段階と、前記反応器内にシリコン系ガスと炭素系ガスとを注入する段階と、前記処理基板の表面で前記シリコン系ガスおよび前記炭素系ガスを化学反応させ、垂直配向特性を持つ炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は、シリコン系物質を含む第１ターゲットおよび炭素系物質を含む第２ターゲットを具備する反応器内に処理基板を提供する段階と、前記反応器内に不活性ガスを注入する段階と、前記第１および第２ターゲットに電圧を印加して前記不活性ガスをプラズマ状態に活性化させる段階と、プラズマ状態の前記不活性ガスが前記第１および第２ターゲットと衝突することによって、前記第１および第２ターゲットからシリコン原子と炭素原子が放出されて、垂直配向特性を持つ炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法を提供する。
【００１０】
さらに、本発明は、第１ベース基板、前記第１ベース基板上に形成された共通電極、および前記共通電極上に形成され炭化シリコンを有する第１垂直配向膜を含む第１表示基板と、第２ベース基板、前記第２ベース基板上に形成された画素電極、および前記画素電極上に形成され炭化シリコンを有する第２垂直配向膜を含む第２表示基板と、前記第１表示基板と前記第２表示基板との間に介在された液晶層と、を含むことを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
このような垂直配向膜の製造方法および該製造方法により製造された垂直配向膜を有する液晶表示装置によれば、処理基板上には炭化シリコンを含む垂直配向膜が形成される。
【００１２】
本発明の製造方法によれば、従来行われてきたベーキングおよび硬化工程が省略されて、垂直配向膜の製造工程を単純化することができる。その結果、上述の工程を通じて製造される垂直配向膜を具備する液晶表示装置の生産性が向上することとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付の図を参照して本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１４】
図１は本発明の一実施形態に係る垂直配向膜の形成過程を説明するための図である。
【００１５】
図１を参照すれば、反応器５０内には所定の温度で加熱された処理基板３０が具備される。前記反応器５０内にはシリコン系ガスおよび炭素系ガスが注入される。本発明の一実施形態において、前記シリコン系ガスはシラン（Ｓｉｌａｎｅ；ＳｉＨ４）ガスを含み、前記炭素系ガスはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスまたはメタン（ＣＨ４）ガスの少なくとも１種を含む。
【００１６】
加熱された前記処理基板３０上で上述のガスが化学反応し、その結果、前記処理基板３０上には垂直配向特性を持つ炭化シリコン（ＳｉＣｘ）を含む垂直配向膜４０が形成される。
【００１７】
図１では熱エネルギーを利用した化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程を通じて前記処理基板３０上に前記垂直配向膜４０を形成する過程を示した。しかし、本発明の他の実施形態において、前記垂直配向膜４０はプラズマまたは光エネルギーを利用したＣＶＤ工程を通じて前記処理基板３０上に形成されうる。
【００１８】
一方、前記垂直配向膜４０において、炭素ＣとシリコンＳｉとの元素組成比は上述のシリコン系ガスと炭素系ガスとの割合に応じて調節される。本発明の一実施形態において、シリコンＳｉに対する炭素Ｃの組成比は０．５〜１１である。
【００１９】
垂直配向膜４０に存在するＳｉ結合分率のうちＳｉ−Ｓｉ結合分率が全体の３５％以上であることが好ましい。この場合、前記垂直配向膜４０はイオンビームを照射する工程がなくとも垂直配向特性を持つことができる。なお、本願における結合分率は、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析によって算出される値である。
【００２０】
一方、前記垂直配向膜４０のプレチルト角を調節するために前記垂直配向膜４０の表面にはイオンビームが照射されうる。本発明の一実施形態において、前記垂直配向膜４０のプレチルト角は６７°〜９０°である。この時、前記イオンビームの入射角度は垂直配向膜に対して４５°〜９０°が好ましい。イオンビームのエネルギーは１００ｅＶ〜７００ｅＶでありうる。
【００２１】
図２は本発明の他の実施形態に係る垂直配向膜の形成過程を説明するための図である。
【００２２】
図２を参照すれば、真空状態の反応器５５内は、処理基板３５を支持する支持台２０、シリコン系物質を含む第１ターゲット２３、および炭素系物質を含む第２ターゲット２５を具備する。前記処理基板３５を前記反応器５５の内部に移送し、前記支持台２０に静置する。ここで、前記処理基板３５には、接地電圧を印加し、前記第１および第２ターゲット２３、２５には、第１および第２ＲＦ電圧（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｐｏｗｅｒ:ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ）を各々印加する。
【００２３】
一方、前記反応器５５の内部には、不活性ガスであるアルゴンガス（Ａｒ）が注入される。前記Ａｒは前記第１および第２ターゲット２３、２５から放出された電子と衝突してアルゴンイオン（Ａｒ＋）に励起され、励起されたアルゴンイオン（Ａｒ＋）は前記第１および第２ターゲット２３、２５と衝突する。前記アルゴンイオン（Ａｒ＋）が前記第１および第２ターゲット２３、２５と衝突すれば、前記第１および第２ターゲット２３、２５からシリコン原子および炭素原子が各々放出される。放出された前記シリコン原子および炭素原子は前記処理基板３５上で結合して前記処理基板３５上に薄膜としてコーティングされる。よって、前記処理基板３５上には垂直配向特性を持つ炭化シリコン（ＳｉＣｘ）を含む垂直配向膜４５が形成される。
【００２４】
本発明の一例において、炭化シリコン（ＳｉＣｘ）を含む前記垂直配向膜４５に含まれる水素組成比率は３０％以下でありうる。
【００２５】
表２は前記アルゴンガスＡｒに含まれる水素成分による液晶配向状態を示す。
【００２６】
なお、実験例および比較例１および２は、上記図２に示す方法で作製された。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
表１に示したように、前記不活性ガスが純粋アルゴンガス（Ａｒ）からなる実験例の場合には、前記垂直配向膜４５によって液晶が垂直配向された。しかし、前記不活性ガスに水素（Ｈ２）成分が２６モル％以上含有された比較例１および比較例２では液晶が垂直配向しなかった。よって、液晶を垂直配向させることができる垂直配向膜４５を形成するためには、前記反応器５５に注入される前記アルゴンガスに含有される水素成分を最大限に減少させることが好ましい。好ましくは、前記アルゴンガスに含有される水素成分は、２６モル％未満である。
【００２９】
一方、炭化シリコン（ＳｉＣｘ）を含む前記垂直配向膜４５において、前記シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）との組成比は、前記第１および第２ＲＦ電圧の大きさに応じて変わりうる。
【００３０】
図３は、ＲＦ電圧の割合による炭化シリコンの組成比を示すグラフである。なお、垂直配光膜は、図２の方法で作製された。
【００３１】
図３において、ｘ軸はＲＦ電圧の割合を示し、ｙ軸はシリコンに対する炭素の組成比を示す。ここで、前記ＲＦ電圧の割合は第１ターゲットに印加される第１ＲＦ電圧を１とした場合の第２ターゲットに印加される第２ＲＦ電圧の割合（第２ＲＦ電圧／第１ＲＦ電圧）として定義する。
【００３２】
図３を参照すれば、前記ＲＦ電圧の割合が１から５まで漸次的に増加するにつれて、前記炭化シリコンにおけるシリコンに対する炭素の組成比も漸次的に増加した。
【００３３】
表２は前記ＲＦ電圧の割合による液晶配向状態を示す。
【００３４】
【表２】
2007140470.tif 000004
【００３５】
表２によれば、前記ＲＦ電圧の割合が１、２、３、４、５の場合に液晶配向状態が垂直配向となった。よって、ＳｉＣｘで表記されるｘが０．５〜１１である時、液晶が垂直配向しやすいため、ｘがこの範囲にあることが好ましい。
【００３６】
図４はＲＦ電圧の割合による垂直配向膜のプレチルト角を示したグラフである。図４において、ｘ軸はＲＦ電圧の割合を示し、ｙ軸はプレチルト角を示す。なお、垂直配光膜は、図２の方法で作製された。
【００３７】
図４において、第１グラフＧ１はイオンビームを照射しなかった場合のＲＦ電圧の割合によるプレチルト角を示す。同様に、第２グラフＧ２はイオンビームを照射した時のイオンビームの入射角が８０°の場合の、第３グラフＧ３はイオンビームを照射した時のイオンビームの入射角が６０°の場合の、第４グラフＧ４はイオンビームを照射した時のイオンビームの入射角が４５°の場合の、ＲＦ電圧の割合によるプレチルト角をそれぞれ示す。
【００３８】
第１〜第４グラフＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４に示したように、ＲＦ電圧の割合が１〜５である範囲内で、イオンビームが照射されない場合、または８０°〜４５°で照射された場合、プレチルト角は９０°〜６７°を示した。このように、ＲＦ電圧の割合が１〜５の範囲に存在すれば、液晶の配向状態が垂直配向を示すだけでなく、プレチルト角も垂直配向に十分な６７°以上を示す。よって、スパッタリング方式で前記垂直配向膜４５（図２参照）を製造する時、前記第１および第２ターゲット２３、２５（図２参照）に各々印加される第１および第２ＲＦ電圧の割合は１〜５の範囲内に存在することが好ましい。また、垂直配向膜に対するイオンビームの入射角度は、４０〜９０°であることが好ましく、４５〜９０°であることがより好ましい。
【００３９】
図５は本発明の他の実施形態に係るＰＶＡモード液晶表示装置の平面図であり、図６は図５に示した切断線Ｉ−Ｉ’に沿って切断したＰＶＡモード液晶表示装置の断面図である。
【００４０】
図５および図６を参照すれば、液晶表示装置４００はカラーフィルタ基板１００、前記カラーフィルタ基板１００と向き合うアレイ基板２００および前記カラーフィルタ基板１００と前記アレイ基板２００との間に介在された液晶層３００からなる。
【００４１】
前記カラーフィルタ基板１００は第１ベース基板１１０、ブラックマトリックス１２０、カラーフィルタ層１３０、共通電極１５０および第１垂直配向膜１６０を含む。
【００４２】
前記第１ベース基板１１０上には前記ブラックマトリックス１２０が形成され、前記カラーフィルタ層１３０は赤色画素（Ｒ）、緑色画素（Ｇ）および青色画素（Ｂ）からなり、前記ブラックマトリックス１２０に隣接して第２ベース基板１１０上に形成される。
【００４３】
前記ブラックマトリックス１２０および前記カラーフィルタ層１３０の上にはオーバーコーティング層１４０がさらに形成される。前記オーバーコーティング層１４０は互いに異なる厚さを持つ前記ブラックマトリックス１２０と前記カラーフィルタ層１３０との間で発生する段差を減少させることによって、前記カラーフィルタ基板１００の表面を平坦化させる。
【００４４】
前記共通電極１５０は前記オーバーコーティング層１４０上に形成される。前記共通電極１５０には前記オーバーコーティング層１４０を露出させる第１開口部１５１が形成され、前記第１開口部１５１は「Ｖ」字形状を有する。
【００４５】
前記第１垂直配向膜１６０は炭化シリコン（ＳｉＣｘ）を含み、図１および図２に示したような工程を通じて前記共通電極１５０上に形成される。
【００４６】
一方、前記アレイ基板２００は第２ベース基板２１０、ゲート線ＧＬ、データ線ＤＬ、薄膜トランジスタ２２０、画素電極２６０および第２垂直配向膜２７０を具備する。さらに、前記アレイ基板２００は、保護膜２４０および有機絶縁膜２５０をさらに含む。前記保護膜２４０は、無機絶縁膜からなり、前記第２ベース基板２１０上に具備される薄膜トランジスタ２２０をカバーし、前記有機絶縁膜２５０は前記保護膜上に具備されて前記アレイ基板２００の表面を平坦化させる。
【００４７】
前記ゲート線ＧＬおよびデータ線ＤＬは前記第２ベース基板２１０上に具備され、互いに直交する方向に延長される。前記ゲート線ＧＬおよびデータ線ＤＬはゲート絶縁膜２３０によって互いに電気的に絶縁され、前記ゲート線ＧＬおよびデータ線ＤＬにはゲート信号およびデータ信号が各々印加される。
【００４８】
前記ゲート線および前記データ線によって画定された画素領域には前記薄膜トランジスタ２２０および前記画素電極２６０が具備される。前記薄膜トランジスタ２２０は前記ゲート線ＧＬおよびデータ線ＤＬに電気的に連結される。具体的には、前記薄膜トランジスタ２２０のゲート電極は前記ゲート線ＧＬに電気的に連結され、ソース電極は前記データ線ＤＬに電気的に連結される。前記薄膜トランジスタ２２０のドレイン電極は前記画素電極２６０に電気的に連結される。よって、前記薄膜トランジスタ２２０は前記ゲート信号に応答して前記データ信号を前記画素電極２６０に提供する。
【００４９】
前記画素電極２６０は折曲されて「Ｖ」字形状を有し、前記画素電極２６０の折曲部はデータ線ＤＬと部分的にオーバーラップされる。前記画素電極２６０の中央領域には「Ｖ’」形状の第２開口部２６１が形成される。
【００５０】
ここで、前記画素電極２６０に形成された第２開口部２６１は前記共通電極１５０に形成された二つの第１開口部１５１の間に位置する。このように前記第１および第２開口部１５１、２６１によって前記液晶表示装置４００の画素領域は液晶配向が異なる多数のドメインに分割される。
【００５１】
一方、前記第２垂直配向膜２７０は炭化シリコン（ＳｉＣｘ）を含み、図１および図２に示したような工程を通じて前記画素電極２６０上に形成される。前記第１および第２垂直配向膜１６０、２７０によって前記液晶層３００に含まれた液晶分子はブラック状態で垂直配向される。
【００５２】
前記アレイ基板２００が完成されれば、前記アレイ基板２００上に液晶が滴下される。その後、前記カラーフィルタ基板１００と前記アレイ基板２００が結合すれば、二つの基板１００、２００の間には前記液晶層３００が形成される。
【００５３】
このように完成された前記液晶表示装置４００の前記画素電極２６０と前記共通電極１５０との間に電場が形成されれば、ドメインに応じて前記液晶層３００に含まれた液晶分子は互いに異なる方向に配向される。よって、液晶表示装置４００は配向された液晶分子を利用して光透過度を調節することによって、画像を表示することができ、その結果、前記液晶表示装置４００の視野角を全体的に改善することができる。
【００５４】
図５および図６に示さないが、前記液晶表示装置４００は受発光素子である前記液晶分子を利用するため、前記アレイ基板２００の後面に具備されて光を発生するバックライトアセンブリをさらに含む。よって、前記液晶表示装置４００は前記バックライトアセンブリから出力されて前記液晶層３００によって透過度が調節された光を利用して画像を表示する。
【００５５】
以上、実施形態を参照して本発明を詳細に説明したが、当業者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想および領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更させることができることが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態に係る垂直配向膜の形成過程を説明するための図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る垂直配向膜の形成過程を説明するための図である。
【図３】ＲＦ電圧の割合による炭化シリコンの組成比を示すグラフである。
【図４】ＲＦ電圧の割合による垂直配向膜のプレチルト角を示すグラフである。
【図５】本発明の他の実施形態に係るＰＶＡモード液晶表示装置の平面図である。
【図６】図５に示した切断線Ｉ−Ｉ’に沿って切断したＰＶＡモード液晶表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
２０  支持台、
２３  第１ターゲット、
２５  第２ターゲット、
３０，３５  処理基板、
４０，４５  垂直配向膜、
５０，５５  反応器、
１００  カラーフィルター基板、
１１０  第１ベース基板、
１２０  ブラックマトリックス、
１３０  カラーフィルタ層、
１４０  オーバーコーティング層、
１５０  共通電極、
１５１  第１開口部、
１６０  第１垂直配向膜、
２００  アレイ基板、
２１０  第２ベース基板、
２２０  薄膜トランジスタ、
２４０  保護膜、
２５０  有機絶縁膜、
２６１  第２開口部、
２６０  画素電極、
２７０  第２垂直配向膜、
３００  液晶層、
４００  液晶表示装置。
【図１】
2007140470.tif 000005
【図２】
2007140470.tif 000006
【図３】
2007140470.tif 000007
【図４】
2007140470.tif 000008
【図５】
2007140470.tif 000009
【図６】
2007140470.tif 000010