(57)【要約】      （修正有）【課題】圧電基板の櫛歯電極及び反射器との間の空間を形成する空間形成体を簡単に形成することができる表面弾性波装置の製造方法及び表面弾性波装置を提供すること。【解決手段】表面弾性波装置の製造方法は、圧電基板１２上にて櫛歯電極１３，１４及び反射器１９を覆うように犠牲層を形成する犠牲層形成ステップと、この犠牲層の表面に沿って反射器１９の近傍に開口部８を形成しつつ空間形成体７を形成する空間形成体形成ステップと、空間形成体７の開口部８から犠牲層を取り除く犠牲層除去ステップと、空間形成体７によって櫛歯電極１３，１４及び反射器１９との間に励振保護空間７ｃが形成された表面弾性波素子１１を封止樹脂によって封止する樹脂封止ステップとを有する。【選択図】図２
2007325013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、この圧電基板に生じる表面弾性波と電気信号とを相互に変換する機能を有した櫛歯電極と、表面弾性波の伝搬方向でみて前記櫛歯電極に隣接して配置され、前記圧電基板に伝搬する表面弾性波を前記櫛歯電極に向けて反射する反射器とを備え、前記圧電基板の表面のうち前記櫛歯電極及び前記反射器が形成された領域を覆う空間部を残した状態で少なくとも前記圧電基板の表面が封止樹脂により封止された構造を有する表面弾性波装置の製造方法において、  前記圧電基板の表面に形成された金属膜をエッチングし、完成状態で前記圧電基板の表面に表面弾性波を伝搬させる予定の方向に配列された前記櫛歯電極及び前記反射器を形成するエッチングステップと、  前記圧電基板の表面上で前記櫛歯電極及び前記反射器を覆う位置に、前記空間部の形状に相当する外形を有した犠牲層を前記予定の方向に沿って形成する犠牲層形成ステップと、  前記予定の方向に沿う前記犠牲層の外面に沿って材料を付着させることで、前記予定の方向に沿う前記犠牲層の外面を取り囲み、かつ前記予定の方向でみた端部には前記犠牲層を露出させる開口を有した状態で前記圧電基板の表面に設置された空間形成体を形成するする空間形成体形成ステップと、  前記空間形成体の開口を通じて前記圧電基板の表面上から前記犠牲層を取り除く犠牲層除去ステップと、  前記犠牲層を取り除いた後、前記空間形成体によって前記櫛歯電極及び前記反射器との間に前記空間部が形成された状態で前記圧電基板の表面を封止樹脂によって封止する樹脂封止ステップとを有することを特徴とする表面弾性波装置の製造方法。    
【請求項２】
請求項１に記載の表面弾性波装置の製造方法において、  前記犠牲層は、樹脂を材質とすることを特徴とする表面弾性波装置の製造方法。    
【請求項３】
請求項１に記載の表面弾性波装置の製造方法において、  前記犠牲層は、珪素を材質とすることを特徴とする表面弾性波装置の製造方法。    
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の表面弾性波装置の製造方法において、  前記犠牲層形成ステップでは、前記犠牲層の形成にあたり、前記圧電基板上に形成された前記櫛歯電極及び前記反射器を覆う範囲に加え、前記反射器が形成された位置からさらに前記予定の方向へ前記犠牲層を延長させて形成することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の表面弾性波装置の製造方法。    
【請求項５】
圧電基板と、  前記圧電基板の表面に生じる表面弾性波と電気信号とを相互に変換する機能を有した櫛歯電極と、  前記圧電基板の表面上で表面弾性波の伝搬方向に沿って前記櫛歯電極に隣接して形成され、前記圧電基板を伝搬する表面弾性波を前記櫛歯電極に向けて反射する反射器と、  前記圧電基板の表面上に設置され、前記櫛歯電極及び前記反射器を覆う空間を区画して形成する空間形成体と、  前記空間形成体とともに前記圧電基板の外面を封止する封止樹脂とを備え、  前記空間形成体は、  前記圧電基板の表面から前記空間をおいて離間する位置で前記櫛歯電極及び前記反射器の配列方向に沿って延びる蓋部と、  前記蓋部の外縁部と前記圧電基板の表面との間を延びて前記空間の側壁を構成する脚部と、  前記反射器の近傍にて前記脚部及び前記脚部に囲まれて形成された開口部とを有することを特徴とする表面弾性波装置。    
【請求項６】
請求項５に記載の表面弾性波装置において、  前記空間形成体は、表面弾性波の伝搬方向でみて前記開口部から前記反射器までの間に、前記開口部を通じて前記封止樹脂が入り込むのを許容する樹脂受入空間を有することを特徴とする表面弾性波装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板の櫛歯電極及び反射器との間に空間を形成するための空間形成体を備える表面弾性波装置の製造方法及び表面弾性波装置に関するものである。  
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話装置やテレビジョン受像器などの電子部品や通信部品においては、共振子や帯域フィルタなどとして表面弾性波装置（以下、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイス」と呼称する。）が採用されている。      
【０００３】
ＳＡＷデバイスは、封止樹脂によって表面弾性波素子を覆って封止した構成となっており、この表面弾性波素子は、圧電基板の表面に櫛歯電極及び反射器などが形成されている。また、この圧電基板において櫛歯電極及び反射器が形成された表面（機能領域）には、これら櫛歯電極及び反射器との間に所定の空間を形成する空間形成体が設けられている（特許文献１参照）。この空間形成体は、圧電基板を封止樹脂で封止する際に、この圧電基板に形成済みの櫛歯電極などに封止樹脂が付着したことによって、櫛歯電極による表面弾性波の励振機能が阻害されるのを抑えるためのものである。      
【０００４】
従来の表面弾性波装置の製造方法では、このような空間形成体を構成するのに、４辺の枠体と蓋体とを組み合わせて構成している。具体的には、この空間形成体は、表面弾性波素子の表面にドライフィルムレジストをラミネートした後に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで、空間形成体を構成する４辺の枠体を形成している。さらにこの空間形成体は、この４辺の枠体に蓋体としてフィルムを貼り付けることにより、これら４辺の枠体を壁面とするとともに蓋体を底面とする箱状の部材として構成されている。        
【特許文献１】特開２００２−２３２２６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の表面弾性波装置の製造方法では、このように空間形成体を構成するのに、４辺の枠体を形成する工程及び、この４辺の枠体にフィルムを貼り付けて蓋体とする工程という２つの工程を必要とすることから、製造工程が複雑となっていた。      
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解消し、圧電基板の櫛歯電極及び反射器との間の空間を形成する空間形成体を容易に形成することができる表面弾性波装置の製造方法及び表面弾性波装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、この圧電基板に生じる表面弾性波と電気信号とを相互に変換する機能を有した櫛歯電極と、表面弾性波の伝搬方向でみて櫛歯電極に隣接して配置され、圧電基板に伝搬する表面弾性波を櫛歯電極に向けて反射する反射器とを備え、圧電基板の表面のうち櫛歯電極及び反射器が形成された領域を覆う空間部を残した状態で少なくとも圧電基板の表面が封止樹脂により封止された構造を有する表面弾性波装置を製造する方法である。      
【０００８】
上記目的を達成するための第１の発明は、圧電基板の表面に形成された金属膜をエッチングし、完成状態で圧電基板の表面に表面弾性波を伝搬させる予定の方向（以下「伝搬予定方法」とする）に配列された櫛歯電極及び反射器を形成するエッチングステップと、圧電基板の表面上で櫛歯電極及び反射器を覆う位置に、空間部の形状に相当する外形を有した犠牲層を伝搬予定方向に沿って形成する犠牲層形成ステップと、伝搬予定方向に沿う犠牲層の外面に沿って材料を付着させることで、伝搬予定方向に沿う犠牲層の外面を取り囲み、かつ伝搬予定方向でみた端部には犠牲層を露出させる開口を有した状態で圧電基板の表面に設置された空間形成体を形成するする空間形成体形成ステップと、空間形成体の開口を通じて圧電基板の表面上から犠牲層を取り除く犠牲層除去ステップと、犠牲層を取り除いた後、空間形成体によって櫛歯電極及び反射器との間に空間部が形成された状態で圧電基板の表面を封止樹脂によって封止する樹脂封止ステップとを有する。      
【０００９】
第１の発明によれば、先ず圧電基板の表面上に櫛歯電極及び反射器を形成することで、表面弾性波素子が得られる（エッチングステップ）。この表面弾性波素子は、外部から入力される電気信号を櫛歯電極により圧電基板の機械的な変位（表面弾性波）に変換し、これを櫛歯電極で再び電気信号として取り出すという、表面弾性波装置（デバイス）の中心的な機能を有した素子となる。次に第１の発明では、櫛歯電極及び反射器を覆うべく形成した犠牲層に沿って空間形成体を形成した後、この空間形成体の開口から犠牲層を取り除くという簡単な製造工程によって、この空間形成体と櫛歯電極及び反射器との間に空間を形成することができる。この空間は、表面弾性波素子の良好な共振特性を確保することに寄与する。さらに第１の発明では、このような空間形成体が形成された状態で圧電基板の表面を封止樹脂によって封止することで表面弾性波装置を得ている。なお、封止樹脂はその粘性により空間形成体の外側で留まり、内側の空間にまで大きく入り込むことはない。      
【００１０】
ところで、このような封止の際、開口から空間形成体と櫛歯電極及び反射器との間の空間に封止樹脂が入り込んでしまうことも考えられるが、第１の発明では、この開口が櫛歯電極ではなく反射器の近傍に形成されるため、仮に封止樹脂が入り込んだとしても、反射器に部分的に接触することはあっても、櫛歯電極にまで接触することはない。      
【００１１】
一般的に反射器と櫛歯電極とでは、櫛歯電極の方が表面弾性波素子の共振特性に与える影響が大きいことが知られている。しかしながら第１の発明では、このような簡単な製造工程によって空間形成体を形成した場合においても、封止樹脂の入り込みによって櫛歯電極の機能に影響を与えることがない。このため第１の発明によって製造された表面弾性波装置においては、空間形成体に開口が形成されていない場合（空間形成体が閉じた構造の場合）と同様に、櫛歯電極により圧電基板の表面に良好な表面弾性波を励振させることができる。      
【００１２】
第２の発明は、第１の発明の構成において、上記の犠牲層が樹脂を材質とすることを特徴とする。      
【００１３】
第２の発明によれば、第１の発明の作用に加えてさらに、犠牲層が樹脂であることから、犠牲層除去ステップにおいて犠牲層のエッチングにあたり、櫛歯電極及び反射器を構成する金属、空間形成体及び圧電基板のいずれにも影響を与えないエッチングが可能である。なお、犠牲層の材質としては、樹脂そのもののみならず、このような樹脂などを含めた有機物のいずれかを採用することができる。      
【００１４】
第３の発明は、第１の発明の構成において、上記の犠牲層が珪素を材質とすることを特徴とする。      
【００１５】
第３の発明によれば、第１の発明の作用に加えてさらに、犠牲層が珪素であることから、犠牲層除去ステップにおいて犠牲層のエッチングにあたり、櫛歯電極及び反射器を構成する金属、空間形成体及び圧電基板のいずれにも影響を与えないエッチングが可能である。なお、犠牲層の材質としては、珪素そのもののみならず、このような珪素などを含めた無機物のいずれかを採用することができる。      
【００１６】
第４の発明は、第１の発明から第３の発明のいずれかの構成において、犠牲層形成ステップでは、犠牲層の形成にあたり、圧電基板上に形成された櫛歯電極及び反射器を覆う範囲に加え、反射器が形成された位置からさらに伝搬予定方向へ犠牲層を延長させて形成することを特徴とする。      
【００１７】
第
４の発明によれば、第１の発明から第３の発明のいずれかの作用に加えてさらに、犠牲層形成ステップにおいて形成された犠牲層は、櫛歯電極及び反射器を覆うだけでなく、反射器から空間形成体の端部の開口までを伝搬予定方向へ離間させた構成となっている。このため次の空間形成体形成ステップでは、このような犠牲層の外面に沿って空間形成体を形成すると、形成された空間形成体は、その内側に櫛歯電極及び反射器を覆う空間を形成することに加えて、その端部の開口と反射器との間にも空間（以下「樹脂受入空間」と呼称する）を構成することができる。      
【００１８】
本発明の表面弾性波装置の製造方法によれば、表面弾性波素子を封止した際に、空間形成体の開口部から内周面内に封止樹脂が入り込んだ場合においても、この入り込んだ封止樹脂が樹脂受入空間に充填されるだけで、反射器には至らない。この場合、開口を有した空間形成体が設けられた圧電基板（表面弾性波素子の状態）を封止樹脂により封止して表面弾性波装置を構成しても、櫛歯電極や反射器の機能が損なわれることはない。      
【００１９】
しかも、このような表面弾性波装置の製造方法によれば、仮に大量の封止樹脂が空間形成体の開口からその内部に入り込んだ場合であっても、入り込んだ封止樹脂の大半が樹脂受入空間で留まる。また、一部の封止樹脂が反射器の端部に到達した場合であっても、反射器の端部は表面弾性波の反射にそれほど大きく寄与していないため、反射器が本来有する機能はほとんど阻害されない。したがって、このような手法を用いて製造された表面弾性波装置は、内蔵する表面弾性波素子の共振特性を良好に確保することができる。      
【００２０】
第５の発明は別途独立の構成を有する。第５の発明は表面弾性波装置そのものである。本発明の表面弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の表面に生じる表面弾性波と電気信号とを相互に変換する機能を有した櫛歯電極と、圧電基板の表面上で表面弾性波の伝搬方向に沿って櫛歯電極に隣接して形成され、圧電基板を伝搬する表面弾性波を櫛歯電極に向けて反射する反射器と、圧電基板の表面上に設置され、櫛歯電極及び反射器を覆う空間を区画して形成する空間形成体と、空間形成体とともに圧電基板の外面を封止する封止樹脂とを備えている。特に上記の空間形成体は、圧電基板の表面から空間をおいて離間する位置で櫛歯電極及び反射器の配列方向に沿って延びる蓋部と、蓋部の外縁部と圧電基板の表面との間を延びて空間の側壁を構成する脚部と、反射器の近傍にて脚部及び蓋部に囲まれて形成された開口部とを有する。      
【００２１】
第５の発明によれば、櫛歯電極及び反射器が形成された表面においては空間形成体によって空間が構成されているため、櫛歯電極によって圧電基板に生じさせた表面弾性波が外部から影響を受けることがない。しかも、この空間形成体を形成する際には、圧電基板上に、これら脚部及び蓋部の形状を形成するための型（犠牲層）を形成した後、この型に沿ってこれを覆うように脚部及び蓋部を構成し、その開口部から型の部分を取り除くという簡単な手法を採用することができる。      
【００２２】
また、空間形成体の開口部が反射器の近傍に位置しているため、表面弾性波素子となった圧電基板を封止樹脂によって封止した際には、封止樹脂が反射器の端部に到達することはあっても、櫛歯電極にまでは到達しにくくなる。このとき開口部から入り込んだ封止樹脂が反射器に触れた場合においても、反射器は、その端部の機能がその中心部の機能に比べて低いため、封止樹脂が反射器の端部に触れた場合における共振特性に与える影響は少ない。したがって、表面弾性波装置は、内蔵する表面弾性波素子の櫛歯電極を十分に機能させることができるため、このように空間形成体に開口部が形成されている場合においても、表面弾性波素子に良好な共振特性を発揮させることができる。      
【００２３】
第６の発明は、第５の発明の構成において、空間形成体は、表面弾性波の伝搬方向でみて開口部から反射器までの間に、開口部を通じて封止樹脂が入り込むのを許容する樹脂受入空間を有することを特徴とする。      
【００２４】
第６の発明によれば、第５の発明の作用に加えて、表面弾性波素子を封止樹脂によって封止する際に、仮に空間形成体の開口部から封止樹脂が入り込んだ量が比較的多い場合でも、この入り込んだ封止樹脂が樹脂受入空間に留まり、反射器にまで到達することはない。このため表面弾性波装置は、表面弾性波素子の反射器が十分に機能を発揮することができることから、空間形成体に開口部が形成されている場合においても良好な共振特性を発揮する。      
【００２５】
しかも第６の発明によれば、仮に空間形成体の開口部から入り込んだ封止樹脂が極端に多量であった場合においても、その大部分の封止樹脂が樹脂受入空間に充填される一方、収まりきらなかった一部の封止樹脂は、反射器に大きく触れることなく反射器の端部に多少触れる程度に留まる。このような構成によれば、開口部からの封止樹脂の入り込む量が極端に多い場合においても、櫛歯電極が十分に機能を発揮できるばかりでなく、反射器もほぼ十分に機能を発揮することができる。このため表面弾性波装置は、封止樹脂による封止の際に空間形成体の開口部から入り込んだ封止樹脂の量が極端に多量である場合においても、表面弾性波素子の共振特性に与える影響が少ない。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、圧電基板の櫛歯電極及び反射器との間の空間を形成する空間形成体を簡単に形成することができる表面弾性波装置の製造方法及び表面弾性波装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１及び図２は、第１実施形態としての表面弾性波装置の構造を示す断面図である。これら図１，図２に示される表面弾性波装置は、一般的にＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイスと称される電子部品の一例であり、以下に述べる各実施形態では「ＳＡＷデバイス」と表記する。このＳＡＷデバイス１は、携帯電話装置やテレビジョン受像器などの電子機器や通信装置において、共振子や帯域フィルタとしての機能を発揮する用途に用いられる。なお図２は、図１に示すＳＡＷデバイス１をＡ−Ａ’線に沿う断面構成例を示す断面図である。なお図２においては、説明の理解を助けるため断面に含まれない構成を適宜追加して図示している。      
【００２８】
ＳＡＷデバイス１は、金属バンプ５及びリードフレーム３が設けられた表面弾性波素子１１を封止樹脂２４によって封止した構成となっている。この封止樹脂２４は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を材質とする樹脂である。リードフレーム３は、ＳＡＷデバイス１の外部との間で高周波信号を入出力するための外部電極である。金属バンプ５は、表面弾性波素子１１とリードフレーム３とを電気的に接続するための突起状の電極（突起電極）である。      
【００２９】
表面弾性波素子１１は圧電基板（ＳＡＷデバイス基板）１２を有する。この圧電基板１２の主面（表面弾性波を発生・伝搬させる面）には、櫛歯電極１３，１４及び一対の反射器１９が形成されている。さらに圧電基板１２の主面には、櫛歯電極１３，１４及び反射器１９を覆うようにして空間形成体７が配置されている。この空間形成体７は、圧電基板１２上に形成されたこれら櫛歯電極１３，１４及び反射器１９との間に空間７ｃを形成している。この空間７ｃは、圧電基板１２の主面に効率よく表面弾性波を伝搬させ、また櫛歯電極１３，１４による良好な励振状態を確保するためのものである。このため空間７ｃ内で、圧電基板１２の主面及び櫛歯電極１３，１４は封止樹脂１１に接していない。なお本実施形態では、この空間７ｃを「励振保護空間」と呼称する。      
【００３０】
この空間形成体７は、励振保護空間７ｃを取り囲む位置に蓋部７ａ及び一対の脚部７ｂを備えている。蓋部７ａは、櫛歯電極１３，１４及び反射器１９の配列方向に延びる平板状の部材である。一対の脚部７ｂは、表面弾性波の伝搬方向に平行な蓋部７ａの両縁部から圧電基板１２の主面１２ａに延びる側壁を構成しており、蓋部７ａとともに励振保護空間７ｃを形成している。      
【００３１】
表面弾性波素子１１は、圧電基板１２上に、反射器１９、電極部（図示せず）及び配線パターン（図示せず）が形成された構成となっている。圧電基板１２は、例えばＬＴ（タンタル酸リチウム：ＬｉＴａＯ３）又はＬＮ（ニオブ酸リチウム：ＬｉＮｂＯ３）を材質とする基板である。      
【００３２】
電極部は、櫛歯電極１３、櫛歯電極１４及び配線パッド（図示せず）を有している。櫛歯電極１３は、基部１３ｂ及び、この基部１３ｂから圧電基板１２の表面に沿って櫛歯状に延びる各櫛歯部１３ａを含んでいる。櫛歯電極１４は、櫛歯電極１３とほぼ同様の構成であり、基部１４ｂ及び、この基部１４ｂから圧電基板１２の表面に沿って櫛歯状に延びる各櫛歯部１４ａを含んでいる。これら櫛歯部１３ａと櫛歯部１４ａとは、一定の間隔をおいて交互に位置するように配列されている。この配列方向は、圧電基板１２の主面にて表面弾性波を発生及び伝搬させる方向と一致している。      
【００３３】
図示しない配線パッドは、各々表面弾性波素子１１を外部の回路（図示せず）と接続するための配線電極である。この外部の回路は、配線パッドに高周波信号を入力するための回路である。なお、以下の説明では、この高周波信号を「高周波入力信号」と呼称する。      
【００３４】
一対の反射器１９は、表面弾性波の伝搬方向と垂直に細長く延びる複数の電極パターンをすだれ状に配列した構成となっている。これら反射器１９は、表面弾性波の伝搬方向でみて、櫛歯電極１３，１４の両側に隣接して配置されている。ここでいう伝搬方向とは、櫛歯電極１３，１４の励振により表面弾性波を伝搬させる主要な方向を意味している。反射器１９は、圧電基板１２の表面を伝搬する表面弾性波を櫛歯電極１３，１４に向けて反射し、その表面弾性波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。      
【００３５】
図１に示されているように、上記の空間形成体７は表面弾性波の伝搬方向にみた断面がコ字形状をなしており、その内側の溝形部分に空間７ｃが形成されている。そして空間形成体７は、表面弾性波の伝搬方向でみて両側端に矩形の開口部８を有している。開口部８は、空間形成体７の一対の脚部７ｂと蓋部７ａ、そして圧電基板１２の主面によって囲まれている。なお開口部８は、空間形成体７の両側端から蓋部７ａに食い込むようにして形成されていてもよい。この開口部８は、一対の反射器１９に対して、それぞれの反射方向（伝搬してきた表面弾性波を反射する方向）と逆の位置に形成されている。具体的には、本実施形態では、開口部８は、空間形成体７の表面弾性波伝搬方向における両側にそれぞれ形成されている。つまり、空間形成体７は、その内面と圧電基板１２の主面１２ａとの間に、２つの開口部８の間をトンネル状に貫通して延びる励振保護空間７ｃを形成する。      
【００３６】
しかも本実施形態では、この開口部８と反射器１９との間における励振保護空間７ｃ内に、樹脂受入空間３３が確保されている。この樹脂受入空間３３は、封止樹脂２４によって表面弾性波素子１１をモールドした際に封止樹脂２４が開口部８から空間７ｃ内へ入り込むことを許容しつつ、このとき封止樹脂１１が反射器１９の位置にまで至らないようにするための予備的な空間である。なお、この樹脂受入空間３３は、２つの開口部８の少なくとも一方に形成されている形態であってもよい。      
【００３７】
表面弾性波素子１１の概要は以上のような構成であり、次に図１及び図２を参照しつつ表面弾性波素子１１の動作例について簡単に説明する。  配線パッドには、外部の回路からの高周波入力信号が配線パターンを経由して供給されている。配線パッドは櫛歯電極１４に接続されており、この櫛歯電極１４には、この配線パッドを経由して高周波入力信号が供給されている。      
【００３８】
櫛歯電極１４に高周波入力信号が供給されると、この櫛歯電極１４を構成する櫛歯部１４ａは、この高周波入力信号による電界によって逆圧電効果を生じさせ、圧電基板１２の表面に機械的な変位を生じさせる。すると、この圧電基板１２上には表面弾性波が生じ、この表面弾性波が主として櫛歯部１４ａの配列方向に伝搬する。このとき一対の反射器１９は、伝搬してくる弾性表面波を反射することで、弾性表面波のエネルギー損失を抑える働きをする。      
【００３９】
この表面弾性波は、この櫛歯部１４ａと対をなす櫛歯部１３ａに伝搬し、この櫛歯部１３ａは、伝搬した表面弾性波による圧電基板１２の表面の変位に基づく圧電効果によって、その変位に応じた特定帯域の周波数信号（以下「特定帯域周波数信号」と呼称する）を検出することができる。この特定帯域周波数信号は、基部１３ｂを経由して櫛歯電極１３に接続された配線パッドから取り出せるようになっている。      
【００４０】
ＳＡＷデバイス１は以上のような構成であり、次に第１実施形態としての表面弾性波装置（ＳＡＷデバイス１）の製造方法の一例について説明する。  図３〜図１２は、それぞれ第１実施形態におけるＳＡＷデバイス１の製造方法の一例を示す断面図である。これら図３〜図１２は、それぞれ図１に示す断面と同様の箇所における断面を示している。      
【００４１】
＜エッチングステップ＞  まず最初に圧電基板（ＳＡＷデバイス基板）１２上には、図３に示すように金属膜２１が成膜される。このように圧電基板１２上に金属膜２１が成膜された後、この金属膜２１は、形成すべき櫛歯電極１３，１４、反射器１９及び配線パターン（図示せず）に応じてエッチングされ、その残った金属膜２１が図４に示すように櫛歯電極１３，１４、反射器１９及び配線パターン（図示せず）となっている。つまり、圧電基板１２の表面には、金属膜２１の残りで構成される櫛歯電極１３，１４、反射器１９そして配線パターン（図示せず）が形成される。本実施形態では、このように圧電基板１２の表面に櫛歯電極１３，１４などが形成された状態を「表面弾性波素子（表面弾性波素子１１）」と呼称している。なお、図面の煩雑化を防止するため、図５以降では櫛歯電極１３，１４や反射器１９等についての図示を便宜上、省略するものとする。      
【００４２】
＜犠牲層形成ステップ＞  次に犠牲層形成ステップでは、図５に示すように、圧電基板１２上にて櫛歯電極１３，１４及び反射器１９に覆い被せるようにして犠牲層６を形成する。この犠牲層形成ステップにて形成された犠牲層６は、図示されている矩形の断面形状が最終的に空間７ｃの断面形状に相当する。      
【００４３】
具体的には、まず、この犠牲層形成ステップでは、上記のエッチングステップを経た後の圧電基板１２の全面に、例えばスパッタリング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スピンコーティング、印刷などのいずれかの手法によって、犠牲層６となる樹脂などの有機物及び珪素（Ｓｉ）などの無機物のいずれかの膜を形成する。なお、この犠牲層６の材質は樹脂に限らず、櫛歯電極１３、反射器１９、圧電基板１２及び空間形成体７に影響を与えることなくエッチング液を用いてエッチングできるものであれば、いかなる組成であってもよい。      
【００４４】
さらにこの犠牲層形成ステップでは、櫛歯部１３ａ，１４ａ及び反射器１９を覆う部分以外の不要部分をエッチングすることで、櫛歯部１３ａ，１４ａ及び反射器１９上に薄い直方体形状の犠牲層６を形成する。この結果、圧電基板１２上には、例えば厚さ１〜５０μｍ程度の犠牲層６が形成される。この犠牲層６は、例えば表面弾性波の伝搬方向に沿う各面（圧電基板１２の主面に平行な面と、この面に隣り合う両側面）が、表面弾性波の伝搬方向と平行に延びるように形成されている。このとき、犠牲層形成ステップでは、好ましくは反射器１９から開口部８までの間が離れるように、反射器１９の位置よりも犠牲層６を延長して形成している。ここでいう、反射器１９から開口部８までの間を離間させて形成した部分の犠牲層６は、後に形成される樹脂受入空間３３に相当する。      
【００４５】
＜空間形成体形成ステップ＞  次に空間形成体ステップでは、まず、図６に示すように圧電基板１２上に形成された犠牲層６の表面に沿うように、エポキシなどの樹脂レジストを犠牲層６よりも例えば厚く成膜する。そして空間形成体ステップでは、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術により、蓋部７ａ及び脚部７ｂによってブリッジ形状（断面橋形状）とした空間形成体７を一体で形成する。このとき、形成された空間形成体７には、各反射器１９の近傍に開口部８（この段階では開口部８となる予定の部位）が形成された状態となる。つまり、この空間形成体形成ステップでは、圧電基板１２上の犠牲層６の表面に沿って、反射器１９の近傍に開口部８を形成しつつ空間形成体７を形成しているのである。      
【００４６】
＜金属バンプ形成ステップ＞  次に金属バンプ形成ステップでは、図７に示すように空間形成体７の両側（櫛歯電極１３，１４及び反射器１９の両側）に、圧電基板１２上に形成済みの配線パターン（図示せず）に導通させるように金属バンプ５を形成する。      
【００４７】
＜犠牲層除去ステップ＞  犠牲層除去ステップでは、空間形成体７内に充填されている犠牲層６を、例えばエッチング液を用いた等方性エッチングによって、図８に示すように開口部８から取り除き、櫛歯部１３ａ，１４ａ及び反射器１９と空間形成体７との間に励振保護空間７ｃを形成する。このとき空間形成体７の内側（励振保護空間７ｃとなる部分）では、両方の開口部８を通じて等方性エッチングが良好に進行するため、容易に犠牲層６を取り除くことができる。      
【００４８】
＜フ
リップチップボンディング＞  フリップチップボンディングステップでは、図９に示すように金属バンプ５をリードフレーム３に押し当てながら超音波を照射し、金属バンプ５をリードフレーム３に接合してチップ実装を行う。      
【００４９】
＜樹脂封止ステップ＞  樹脂封止ステップでは、まず、このようにチップ実装した表面弾性波素子１１について、例えば図１０に示すようにリードフレーム３を一括成型用テープ１８に貼り付けておく。次に樹脂封止ステップでは、図１１に示すように、励振保護空間７ｃが形成された状態の表面弾性波素子１１を封止樹脂２４によってモールド（封止）する。このとき空間形成体７の両端（表面弾性波の伝搬方向でみた両端）では、開口部８を通じて励振保護空間７ｃ内に封止樹脂１１が入り込むことがある。ただし、このような封止樹脂１１の入り込みは毛細管現象に準ずるものであり、その粘性によって過度に進行することなく、概ね反射器１９に到達する手前で止まる。したがって、励振保護空間７ｃが封止樹脂１１により浸食されることはなく、完成後に櫛歯部１３ａ，１４ａの励振状態を良好に保護することができる。      
【００５０】
＜ダイシングステップ〜テープ剥離ステップ＞  次に封止樹脂２４でモールドされた表面弾性波素子１１は、表面弾性波素子１１ごとに分けるべくダイシングされるとともに、一括成型用テープ１８が剥離され、図１２に示すように個々のＳＡＷデバイス１とされる。      
【００５１】
第１実施形態によれば、櫛歯電極１３，１４及び反射器１９を覆うべく形成した犠牲層６に沿って空間形成体７を形成した後、この空間形成体７の開口部８から犠牲層６を取り除くという簡単な製造工程によって、この空間形成体７と櫛歯電極１３，１４及び反射器１９との間に励振保護空間７ｃを形成することができる。さらに第１実施形態によれば、このような空間形成体７が形成された表面弾性波素子１１を封止樹脂２４によって封止することでＳＡＷデバイス１を構成している。      
【００５２】
また上述のように、封止の際（樹脂封止ステップ）に開口部８から励振保護空間７ｃに封止樹脂２４が入り込んでしまうことも考えられるが、第１実施形態では、この開口部８が櫛歯電極１３，１４ではなく反射器１９の近傍に形成されているため、仮に封止樹脂２４が入り込んでも、反射器１９には接触する可能性があるものの櫛歯電極１３，１４に接触することはない。      
【００５３】
一般的に反射器１９と櫛歯電極１３，１４とでは、櫛歯電極１３，１４の方が表面弾性波素子１１の共振特性に与える影響が大きいことが知られている。しかしながら第１実施形態では、このような簡単な製造工程によって空間形成体７を形成した場合においても、封止樹脂２４の入り込みによって櫛歯電極１３，１４の機能に影響を与えることがない。このため第１実施形態では、空間形成体７に開口部８を形成していない場合と同様に、櫛歯電極１３，１４により良好な状態で表面弾性波を励振させることができる。      
【００５４】
また第１実施形態では、犠牲層６の材質として樹脂を採用した場合、犠牲層除去ステップにおいて犠牲層６のエッチングにあたり、櫛歯電極１３，１４及び反射器１９を構成する金属、空間形成体７及び圧電基板１２のいずれにも影響を与えないエッチング液を採用することができる。なお、犠牲層６の材質としては、樹脂単独のものに限らず、樹脂を含有する有機物を採用することもできる。      
【００５５】
また第１実施形態では、犠牲層６の材質として珪素を採用した場合、犠牲層除去ステップにおいて犠牲層６のエッチングにあたり、櫛歯電極１３，１４及び反射器１９を構成する金属、空間形成体７及び圧電基板１２のいずれにも影響を与えないエッチング液を採用することができる。なお、犠牲層６の材質としては、珪素そのもののだけでなく、珪素を含有する無機物を採用することができる。      
【００５６】
第１実施形態におけるＳＡＷデバイス１は、表面弾性波素子１１における櫛歯電極１３，１４及び反射器１９が形成された表面に励振保護空間７ｃが形成されているため、櫛歯電極１３，１４によって生じた表面弾性波が外部から影響を受けることがない。しかも、この空間形成体７を形成する際には、圧電基板１２上に、これら脚部７ｂ及び蓋部７ａの形状を形成するための型（犠牲層６に相当）を形成した後、この型の外面を覆うように脚部７ｂ及び蓋部７ａを構成し、開口部８からその型の部分を取り除くという簡単な手法を採用することができる。      
【００５７】
また第１実施形態におけるＳＡＷデバイス１は、上述のように空間形成体７の開口部８が反射器１９の近傍に位置しているため、表面弾性波素子１１を封止樹脂２４によって封止した際でも、封止樹脂２４が反射器１９の端部に到達することはあっても、櫛歯電極１３，１４にまでは到達せず、櫛歯電極１３，１４に触れることがない。なお、開口部８から入り込んだ封止樹脂２４が反射器１９の端部に接触した場合においても、反射器１９は、その端部の機能がその中心の機能に比べて低いため、封止樹脂２４が反射器１９の端部に触れた場合における共振特性に与える影響を少なくすることができる。したがって、ＳＡＷデバイス１は、内蔵する表面弾性波素子１１の櫛歯電極１３，１４を十分に機能させることができるため、空間形成体７に開口部８が形成されている場合においても、表面弾性波素子１１に良好な共振特性を発揮させることができる。      
【００５８】
さらに第１実施形態におけるＳＡＷデバイス１は、空間形成体７の内側にて開口部８から反射器１９までの間に封止樹脂２４の入り込みを許容する樹脂受入空間３３を備えている。このため、表面弾性波素子１１を封止樹脂２４によって封止する際に、仮に空間形成体７の開口部８から封止樹脂２４が入り込んだ量が平均より多くなった場合でも、この入り込んだ封止樹脂２４が樹脂受入空間３３に留まり、この開口部８近傍の反射器１９にまで到達することがない。このためＳＡＷデバイス１は、表面弾性波素子１１の反射器１９による機能を十分に発揮させることができることから、空間形成体７に開口部８が形成されている場合においても良好な共振特性を得ることができる。      
【００５９】
しかも、仮に空間形成体７の開口部８から入り込んだ封止樹脂２４が極端に多量であった場合においても、その大部分の封止樹脂２４が樹脂受入空間３３に充填される一方、ここに収まりきらなかった封止樹脂２４の一部は反射器１９の端部に僅かに接触する程度に留まる。このため、依然として櫛歯電極１３，１４に十分な機能を発揮させることができる。また、反射器１９については多少の影響を受けるものの、その端部では反射機能に与える影響が少ないことから、実用上は十分に機能を発揮することができる。このためＳＡＷデバイス１は、封止樹脂２４による封止の際に空間形成体７の開口部８から入り込んだ封止樹脂２４の量が多量である場合においても、表面弾性波素子１１の共振特性に与える影響を少なくすることができる。      
【００６０】
＜第２実施形態＞
図１３は、本発明の第２実施形態としてのＳＡＷデバイス１ａの構成例を示す断面図である。
第２実施形態としてのＳＡＷデバイス１ａは、第１実施形態のＳＡＷデバイス１とほぼ同様の構成であって、これとほぼ同様の動作を行うため、同様の構成および動作についてはその説明を省略し、以下異なる点を中心として説明する。なお、第２実施形態において第１実施形態と同様の構成および動作について説明が及ぶ場合は、第１実施形態と同一の符号を用いる。
【００６１】
第２実施形態におけるＳＡＷデバイス１ａは、いわゆるウェハレベルのＳＡＷパッケージである点において、第１実施形態におけるＳＡＷデバイス１とはその構成が異なっている。このＳＡＷデバイス１ａは、空間形成体７が形成されていない面（櫛歯電極１３などが形成されていない面）が、封止樹脂２４によって封止されておらず外部に露出した構成となっている。
【００６２】
さらにＳＡＷデバイス１ａは、表面弾性波素子１１と封止樹脂２４の外部との間で信号を交換する構成として、第１実施形態におけるＳＡＷデバイス１とは異なり、表面弾性波素子１１の圧電基板１２上の配線パターン（図示せず）上にポスト２６が形成されているとともに、その外部においてこのポスト２６に外部電極としての半田ボール２８が接続された構成となっている。このポスト２６は、例えば銅（Ｃｕ）を材質とする導電体である。
【００６３】
第２実施形態としてのＳＡＷデバイス１ａは以上のような構成であり、次に図１３を参照しつつＳＡＷデバイス１ａの製造方法の手順例について説明する。  図１４〜図２２は、それぞれ第２実施形態におけるＳＡＷデバイス１ａの製造方法の一例を示す断面図である。これら図１４〜図２２は、それぞれ図１に示す断面図と同様の箇所における断面構成例を表している。なお、図１４〜図１７における各手順は、第１実施形態における図３〜図６における各手順と同一であるので、その説明を省略する。      
【００６４】
＜ポスト形成ステップ＞  ポスト形成ステップでは、図１８に示すように空間形成体７の両側に（櫛歯電極１３，１４及び反射器１９の両側）に、圧電基板１２上に形成済みの配線パターン（図示せず）に導通させるようにポスト２６を形成する。      
【００６５】
＜犠牲層除去ステップ＞  犠牲層除去ステップでは、第１実施形態と同様に、空間形成体７内に充填されている犠牲層６を、例えばエッチング液を用いた等方性エッチングによって、図１９に示すように開口部８から取り除き、櫛歯電極１３，１４及び反射器１９と空間形成体７との間に励振保護空間７ｃを形成する。      
【００６６】
＜樹脂封止ステップ及びグラインドステップ＞  次に第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、フリップチップボンディングステップを実行せずに樹脂封止ステップを実行する。この樹脂封止ステップでは、第１実施形態と異なり、図２０に示すようにポスト２６が形成された表面弾性波素子１１を覆うように封止樹脂２４によりモールドする。すると、表面弾性波素子１１は、圧電基板１２の主面１２ａ（櫛歯電極１３，１４等が形成されている面）側が封止樹脂２４によって封止されているが、その裏面１２ｂ（櫛歯電極１３，１４等が形成されていない面）側が封止樹脂２４によって封止されず露出した状態となっている。この樹脂封止ステップでは、圧電基板１２の主面１２ａに配置するポスト２６も覆うように封止樹脂２４によって封止されている。さらに樹脂封止ステップでは、圧電基板１２の主面１２ａに形成された封止樹脂２４を、図２１に示すようにポスト２６が露出するまで削り取る（グラインドステップ）。      
【００６７】
＜バンプ形成ステップ〜ダイシングステップ＞  次にバンプ形成ステップでは、図１３に示すように封止樹脂２４の外面に露出しているポスト２６上に半田ボール２８を形成する。このように半田ボール２８を形成すると、図示しないウェハ上には、このようなプロセスによって形成された複数のＳＡＷデバイス１ａが配列した状態となる（便宜上、図ではデバイス単位で示されている。）。そして、このウェハをダイシングすることで、個々のＳＡＷデバイス１ａが得られる。      
【００６８】
第２実施形態では、第１実施形態の有用性に加えてさらに、ウェハ単位でＳＡＷデバイス１ａをまとめて多数製造する場合においても、簡単な手法によって空間形成体７を形成することができる。      
【００６９】
＜第３実施形態＞
次に図２２は、本発明の第３実施形態としてのＳＡＷデバイス１ｂの構成例を示す断面図である。
第３実施形態としてのＳＡＷデバイス１ｂは、第２実施形態としてのＳＡＷデバイス１ａとほぼ同様の構成であって、これとほぼ同様の動作を行うため、同様の構成および動作についてはその説明を省略し、以下異なる点を中心として説明する。なお、第３実施形態において第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成および動作について説明が及ぶ場合は、第１実施形態及び第２実施形態と同一の符号を用いる。
【００７０】
第３実施形態におけるＳＡＷデバイス１ｂは、いわゆるウェハレベルのＳＡＷパッケージである点において、第２実施形態におけるＳＡＷデバイス１ａと同一であるが、圧電基板１２の裏面１２ｂに保護膜３０が成膜されている点が異なっている。この保護膜３０は、例えば樹脂を材質としている。
【００７１】
この第３実施形態によれば、第２実施形態の有用性に加えて、ＳＡＷデバイス１ｂは、保護膜３０の存在によって外部からの衝撃や接触から圧電基板１２を保護できるという利点を有する。
【００７２】
＜第４実施形態＞
図２３は、本発明の第４実施形態としての表面弾性波装置の製造方法により製造されたＳＡＷデバイス１ｃの構成例を示す断面図である。
第４実施形態としてのＳＡＷデバイス１ｃは、第２実施形態としてのＳＡＷデバイス１ａとほぼ同様の構成であるとともにほぼ同様の動作を行うため、同様の構成および動作についてはその説明を省略し、以下異なる点を中心として説明する。なお、第４実施形態において第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成および動作について説明が及ぶ場合は、第１実施形態及び第２実施形態と同一の符号を用いる。
【００７３】
第４実施形態におけるＳＡＷデバイス１ｃは、いわゆるウェハレベルのＳＡＷパッケージである点において、第２実施形態におけるＳＡＷデバイス１ａと同一であるが、圧電基板１２の主面から延びるポスト２６ａの高さが異なっている。具体的には、第３実施形態では、第２実施形態と異なり、ポスト２６ａが封止樹脂２４の表面よりも突出しており、半田ボール２８の内部にまで到達している。なお、このポスト２６ａは、例えば銅（Ｃｕ）を材質とする導電体である。
【００７４】
第４実施形態によれば、第１実施形態及び第２実施形態の有用性に加えてさらに、図２０のようにモールドされた封止樹脂２４をグラインド工程（グラインドステップ）において削り取ってポスト２６ａを露出させなくても、封止樹脂２４から元々露出しているポスト２６ａに対し、そのまま半田ボール２８を形成することができる。このため第４実施形態によれば、グラインド工程を省略することができるため、ＳＡＷデバイス１ｃの製造に掛かる工程を簡略化することができる。
【００７５】
＜第５実施形態＞
図２４は、本発明の第５実施形態としての表面弾性波装置の製造方法により製造されたＳＡＷデバイス１ｄの構成例を示す断面図である。
第５実施形態としてのＳＡＷデバイス１ｄは、第３実施形態としてのＳＡＷデバイス１ｂ及び第４実施形態としてのＳＡＷデバイス１ｄとほぼ同様の構成であるとともにほぼ同様の動作を行うため、同様の構成および動作についてはその説明を省略し、以下異なる点を中心として説明する。なお、第５実施形態において第３実施形態及び第４実施形態などと同様の構成および動作について説明が及ぶ場合は、第３実施形態及び第４実施形態などと同一の符号を用いる。
【００７６】
第５実施形態におけるＳＡＷデバイス１ｄは、いわゆるウェハレベルのＳＡＷパッケージである点において、第３実施形態におけるＳＡＷデバイス１ｂ及び第４実施形態におけるＳＡＷデバイス１ｃと同一であり、また、圧電基板１２の主面から延びるポスト２６ａの高さは第４実施形態と同様である。具体的には、第５実施形態では、第３実施形態と異なり、ポスト２６ａが封止樹脂２４の表面よりも突出しており、半田ボール２８の内部にまで到達している。さらに、第５実施形態では、圧電基板１２の裏面１２ｂに保護膜３０が成膜されている。この保護膜３０は、第３実施形態と同様に、例えば樹脂を材質としている。
【００７７】
この第５実施形態によれば、第３実施形態による有用性を発揮することができるとともに、併せて第４実施形態による有用性をも発揮することができる。
【００７８】
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。例えば上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。また第１実施形態における樹脂封止ステップでは、チップ実装した表面弾性波素子１１について、図１０に示すようにリードフレーム３を一括成型用テープ１８に貼り付けているが、これに限られず、このようなテープ部材に固定しない手法を採用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】第１実施形態としての表面弾性波装置の構成例を示す断面図である。
【図２】図１に示すＳＡＷデバイスをＡ−Ａ’線で切断した場合における断面構成例を示す断面図である。
【図３】圧電基板上に金属膜が成膜された様子を示す断面図である。
【図４】エッチングで残された金属膜により圧電基板上に櫛歯電極、反射器を形成した様子を示す断面図である。
【図５】圧電基板上に励振保護空間の形状と同一の外形を有する犠牲層を形成した様子を示す断面図である。
【図６】圧電基板上の犠牲層の表面に沿って空間形成体を形成した様子を示す断面図である。
【図７】空間形成体の両側で櫛歯電極の基部に金属バンプを形成した様子を示す断面図である。
【図８】空間形成体内に充填されている犠牲層を取り除き、励振保護空間を形成した様子を示す断面図である。
【図９】金属バンプをリードフレームに接合してチップ実装を行った様子を示す断面図である。
【図１０】チップ実装した表面弾性波素子のリードフレームを一括成型用テープに貼り付けた様子を示す断面図である。
【図１１】励振保護空間を形成した表面弾性波素子を、封止樹脂によってモールドした様子を示す断面図である。
【図１２】封止樹脂でモールドされた表面弾性波素子から、一括成型用テープが剥離された様子を示す断面図である。
【図１３】第２実施形態としての表面弾性波装置の構成例を示す断面図である。
【図１４】圧電基板上に金属膜が成膜された様子を示す断面図である。
【図１５】圧電基板上で、エッチングにより残された金属膜により櫛歯電極及び反射器を形成した様子を示す断面図である。
【図１６】圧電基板上に励振保護空間の形状と同一の外形を有する犠牲層を形成した様子を示す断面図である。
【図１７】圧電基板上の犠牲層の表面に沿って空間形成体を形成した様子を示す断面図である。
【図１８】空間形成体の両側にポストを形成した様子を示す断面図である。
【図１９】空間形成体内に充填されている犠牲層を取り除き、励振保護空間を形成した様子を示す断面図である。
【図２０】ポストが形成された表面弾性波素子を覆うように、封止樹脂でモールドした様子を示す断面図である。
【図２１】圧電基板の表面に形成された封止樹脂を、ポストが露出するまで削り取った様子を示す断面図である。
【図２２】第３実施形態における表面弾性波装置の構成例を示す断面図である。
【図２３】第４実施形態における表面弾性波装置の構成例を示す断面図である。
【図２４】第５実施形態における表面弾性波装置の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１    ＳＡＷデバイス（表面弾性波装置）    １ａ  ＳＡＷデバイス（表面弾性波装置）    １ｂ  ＳＡＷデバイス（表面弾性波装置）    ６    犠牲層    ７    空間形成体    ７ａ  蓋部    ７ｂ  脚部    ７ｃ  励振保護空間    ８    開口部  １１    表面弾性波素子  １３    櫛歯電極  １４    櫛歯電極  １９    反射器  ２４    封止樹脂  ３３    樹脂受入空間
【図１】
2007325013.tif 000003
【図２】
2007325013.tif 000004
【図３】
2007325013.tif 000005
【図４】
2007325013.tif 000006
【図５】
2007325013.tif 000007
【図６】
2007325013.tif 000008
【図７】
2007325013.tif 000009
【図８】
2007325013.tif 000010
【図９】
2007325013.tif 000011
【図１０】
2007325013.tif 000012
【図１１】
2007325013.tif 000013
【図１２】
2007325013.tif 000014
【図１３】
2007325013.tif 000015
【図１４】
2007325013.tif 000016
【図１５】
2007325013.tif 000017
【図１６】
2007325013.tif 000018
【図１７】
2007325013.tif 000019
【図１８】
2007325013.tif 000020
【図１９】
2007325013.tif 000021
【図２０】
2007325013.tif 000022
【図２１】
2007325013.tif 000023
【図２２】
2007325013.tif 000024
【図２３】
2007325013.tif 000025
【図２４】
2007325013.tif 000026