(57)【要約】【課題】矩形の基板表面に対して効率よく均一に処理を行う。【解決手段】基板処理装置１は、処理液供給部２、基板９を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構３、処理液の液滴を噴出する複数のノズル４、各ノズル４にガスを供給するガス供給部５、および、制御回路６を備える。複数のノズル４は、搬送方向に一定のノズルピッチにて配列され、各ノズル４は内部において処理液の液滴を生成し、搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口４０から処理液の液滴をガスと共に基板９に向けて噴出する二流体ノズルとなっている。基板処理装置１では、処理液の液滴が複数のノズル４から搬送経路に向けて噴出される間に、処理液の噴出範囲内にて基板９を搬送方向およびその反対方向に１回以上揺動させることにより、基板９上の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができ、基板表面に対して効率よく均一に処理を行うことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構と、
それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口から処理液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する複数のノズルと、
を備え、
前記噴出口の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、
前記複数のノズルが前記搬送方向に一定のノズルピッチにて配列され、前記複数のノズルのうち前記搬送方向に関して両端に位置する２つのノズルの噴出口間の距離が、前記基板上の前記処理領域の前記搬送方向の長さ以上であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記複数のノズルのそれぞれの内部において、処理液が高速のガスと衝突することにより前記処理液の液滴が生成されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記両端に位置する前記２つのノズルの前記噴出口間の距離が、前記処理領域の前記長さに前記ノズルピッチを加えた長さ以上であり、
前記処理液の液滴が前記複数のノズルから前記搬送経路に向けて噴出される間に、前記基板搬送機構が、前記２つのノズルの前記噴出口間の範囲内で前記基板を前記搬送方向およびその反対方向に前記ノズルピッチ以上の距離だけ１回以上揺動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記処理液がエッチング液であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記両端に位置する前記２つのノズルの前記噴出口間において前記基板の搬送を停止した状態で、前記複数のノズルから前記処理液の液滴が噴出されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記処理液が純水であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送工程と、
それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口を有する複数のノズルから処理液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する処理液噴出工程と、
を備え、
前記噴出口の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、
前記複数のノズルが前記搬送方向に一定のノズルピッチにて配列され、前記複数のノズルのうち前記搬送方向に関して両端に位置する２つのノズルの噴出口間の距離が、前記基板上の前記処理領域の前記搬送方向の長さに前記ノズルピッチを加えた長さ以上であり、
前記基板搬送工程が、前記処理液噴出工程が行われている間に、前記２つのノズルの前記噴出口間の範囲内で前記基板を前記搬送方向およびその反対方向に前記ノズルピッチ以上の距離だけ１回以上揺動させる揺動工程を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送工程と、
それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口を有する複数のノズルから処理液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する処理液噴出工程と、
を備え、
前記噴出口の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、
前記複数のノズルが前記搬送方向に一定のノズルピッチにて配列され、前記複数のノズルのうち前記搬送方向に関して両端に位置する２つのノズルの噴出口間の距離が、前記基板上の前記処理領域の前記搬送方向の長さ以上であり、
前記基板搬送工程において前記両端に位置する前記２つのノズルの前記噴出口間において前記基板の搬送が一時的に停止され、前記基板の搬送を停止した状態で前記処理液噴出工程が行われることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理液を供給して基板を処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、矩形の基板に対してエッチングを行う装置では、搬送経路上にて複数のノズルを揺動させながら処理液を基板に供給したり、ノズルの揺動に加えて基板を搬送経路の上流側および下流側へと揺動するように移動しながら基板表面に対する処理が行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、多数のノズルを有する複数のシャワーパイプを基板の搬送方向に平行な方向に向けつつ搬送方向に垂直な方向に配列し、シャワーパイプを長手方向の中心軸を回動中心として回動しつつ処理液をノズルから基板へと供給することにより、基板表面への処理液供給の均一化を図る基板処理装置が開示されている。特許文献２では、水平姿勢で水平方向へ搬送される基板に対し、エッチング液を円錐形状に噴射する多数個のスプレーノズルを基板の進行方向に対して垂直な方向へと揺動させることにより、基板の幅方向での処理レートの不均等を解消する基板処理装置が開示されている。
【０００４】
また、特許文献３では、基板の搬送方向に垂直な方向に伸びるノズルから処理液を供給する基板処理装置において、搬送による基板の揺動回数、基板の揺動距離および揺動時間から、揺動時における基板の搬送速度を演算し、求められた搬送速度に基づいて基板を揺動させつつ搬送する技術が開示されている。
【０００５】
一方、半導体基板に処理を行う装置においては、二流体ノズルから薬液をガスと共に噴出してエッチングすることにより化学洗浄と物理洗浄とを同時に行い、エッチングの処理効率を向上させる技術が用いられている。例えば、特許文献４では、エッチング液を高圧ガスで間欠的に噴射する扁平口を有する放射ノズル、および、噴射されたエッチング液を回収する回収ノズルを用いることにより、高いエッチングファクターを得るのに好ましい液の流れ状態を形成する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−７９３６８号公報
【特許文献２】国際公開第２００２／０４９０８７号パンフレット
【特許文献３】特開２００１−１７６９４８号公報
【特許文献４】特開平４−１３２２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１および２に記載の基板処理装置では、処理液を円錐形状に噴出するノズルが用いられるため個々にスプレーパターンが生じ、基板上で処理液が供給される領域が重なる部分に発生する処理ムラを防止するために基板の揺動に加えてノズルの揺動が必要となる。特に、特許文献２に記載の基板処理装置では、処理ムラをより効果的に防止するために基板表面の幅方向全域に膜状に処理液を供給するスリットノズルがさらに設けられているが、これにより装置全体が大型化されてしまう。また、特許文献３に記載の基板処理装置も、基板を揺動させる範囲が基板の長さの数倍以上となり、装置全長が長大となってしまう。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板上の処理領域に対して処理ムラを防止しつつ効率よく処理を行うことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構と、それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口から処理液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する複数のノズルとを備え、前記噴出口の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、前記複数のノズルが前記搬送方向に一定のノズルピッチにて配列され、前記複数のノズルのうち前記搬送方向に関して両端に位置する２つのノズルの噴出口間の距離が、前記基板上の前記処理領域の前記搬送方向の長さ以上である。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記複数のノズルのそれぞれの内部において、処理液が高速のガスと衝突することにより前記処理液の液滴が生成される。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記両端に位置する前記２つのノズルの前記噴出口間の距離が、前記処理領域の前記長さに前記ノズルピッチを加えた長さ以上であり、前記処理液の液滴が前記複数のノズルから前記搬送経路に向けて噴出される間に、前記基板搬送機構が、前記２つのノズルの前記噴出口間の範囲内で前記基板を前記搬送方向およびその反対方向に前記ノズルピッチ以上の距離だけ１回以上揺動させる。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記処理液がエッチング液である。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記両端に位置する前記２つのノズルの前記噴出口間において前記基板の搬送を停止した状態で、前記複数のノズルから前記処理液の液滴が噴出される。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記処理液が純水である。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送工程と、それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口を有する複数のノズルから処理液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する処理液噴出工程とを備え、前記噴出口の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、前記複数のノズルが前記搬送方向に一定のノズルピッチにて配列され、前記複数のノズルのうち前記搬送方向に関して両端に位置する２つのノズルの噴出口間の距離が、前記基板上の前記処理領域の前記搬送方向の長さに前記ノズルピッチを加えた長さ以上であり、前記基板搬送工程が、前記処理液噴出工程が行われている間に、前記２つのノズルの前記噴出口間の範囲内で前記基板を前記搬送方向およびその反対方向に前記ノズルピッチ以上の距離だけ１回以上揺動させる揺動工程を備える。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送工程と、それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口を有する複数のノズルから処理液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する処理液噴出工程とを備え、前記噴出口の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、前記複数のノズルが前記搬送方向に一定のノズルピッチにて配列され、前記複数のノズルのうち前記搬送方向に関して両端に位置する２つのノズルの噴出口間の距離が、前記基板上の前記処理領域の前記搬送方向の長さ以上であり、前記基板搬送工程において前記両端に位置する前記２つのノズルの前記噴出口間において前記基板の搬送が一時的に停止され、前記基板の搬送を停止した状態で前記処理液噴出工程が行われる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、複数のノズルが搬送方向に関して基板上の処理領域よりも広い範囲に配置され、さらに、各ノズルの搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口から処理液の液滴が噴出されることにより、効率よく処理を行うことができるとともに処理領域全体において処理ムラが生じることを防止することができる。さらに、請求項２の発明では、処理液が高速のガスと衝突することにより微小な液滴を高速に噴出することができ、処理効率を向上することができる。
【００１７】
また、請求項３および７の発明では、ノズルを揺動することなく基板の揺動のみで処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができ、請求項４の発明では、高いエッチングレートにて均一に処理することができ、その結果、処理の高い質を維持しつつスループットを向上することができる。
【００１８】
また、請求項５，６および８の発明では、処理ムラを抑えつつ簡単に基板を処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１を示す正面図であり、図２は基板処理装置１の一部を示す平面図である。図１では、装置の構成の一部を断面にて示している。基板処理装置１では、処理液であるエッチング液を、液晶用の矩形のガラス基板（以下、単に「基板９」という。）に供給することにより基板９の処理が行われる。
【００２０】
基板処理装置１は、図１に示すように、基板９の処理が行われる処理室１１、処理液供給部２、基板９を所定の搬送方向（図１中のＹ方向）に水平に搬送する基板搬送機構３、処理液供給部２から供給される処理液の液滴を噴出する複数のノズル４、各ノズル４にガスを供給するガス供給部５、および、制御回路６を備える。複数のノズル４は、処理液およびガスが供給されることにより、処理液の液滴をガスと共に基板９の搬送経路に向けて噴出する。
【００２１】
処理液供給部２は、処理液を貯溜する貯溜槽２０、処理液を送出するポンプ２１、処理液の流路を開閉する弁２２、および、処理液中のパーティクルなどを取り除くフィルタ２３を備える。フィルタ２３からの流路は各ノズル４に接続され、貯溜槽２０に貯溜された処理液がポンプ２１によって貯溜槽２０から送り出されると、弁２２およびフィルタ２３を介して各ノズル４に供給される。
【００２２】
処理室１１は、搬入口１２および搬出口１３を有し、処理室１１の底部には、複数のノズル４から基板９に向けて噴出された処理液を回収するための回収口１４が設けられる。回収口１４より回収された処理液は貯溜槽２０に戻されて再利用される。さらに、処理室１１内には、基板９の搬送経路の搬入口１２近傍および搬出口１３近傍にそれぞれ基板９の位置を検出するための第１センサ１５および第２センサ１６が配置され、これらのセンサは制御回路６に接続される。
【００２３】
基板搬送機構３は、基板９の搬送方向に配列される複数のローラ３１、および、複数のローラ３１に取り付けられた図示省略の伝達装置に接続される正逆回転可能なモータ３２を備える。モータ３２は制御回路６に電気的に接続され、制御回路６からの指令によりモータ３２が駆動されて複数のローラ３１が一斉に正回転または逆回転することにより、基板９が搬送方向（（＋Ｙ）方向）またはその反対方向（（−Ｙ）方向）へと搬送される。
【００２４】
複数のノズル４は、図１および図２に示すように、処理室１１内において搬送方向に一定のノズルピッチ（すなわち、隣り合う２つのノズル４の噴出口間の距離であり、図２にて符号Ｐを付す。）にて配列され、それぞれが基板９に平行であり、かつ、搬送方向に垂直な方向（すなわち、Ｘ方向）に伸びるスリット状の噴出口４０を有する。各ノズル４は、内部において処理液とガスとが混合されることにより処理液の液滴を生成し、この液滴を噴出口４０から基板９に向けて噴出するいわゆる二流体ノズルとなっている。ノズルピッチＰは、好ましくは、基板９上の処理すべき領域（本実施の形態では基板９の上面全体であり、以下、「処理領域」と呼ぶ。）の搬送方向の長さを等分割した距離とされる。図１および図２では、ノズルピッチＰは基板９の搬送方向の長さを５等分した距離とされる。また、噴出口４０の長さは、処理領域の幅全体に対して均一に処理液の液滴を噴出することができる長さ以上とされ、少なくとも基板９上の処理領域の搬送方向に垂直な方向の幅以上とされる。
【００２５】
図３はノズル４の縦断面図であり、図４はノズル４の（＋Ｙ）側を示す図である。ノズル４は、図３に示すように、オリフィス板４２を第１スリット板４１と第２スリット板４３とで挟み込んだ構造となっており、Ｘ方向に関してノズル４の両側には、図４に示すように、端面板４４が図示省略のシール部材を介して取り付けられる。第２スリット板４３には、Ｘ方向に一定のピッチで複数のガス供給ポート４５が設けられ、第１スリット板４１には、ガス供給ポート４５と同様の位置に処理液供給ポート４６（図３参照）が設けられる。処理液供給ポート４６およびガス供給ポート４５は、図１に示す処理液供給部２およびガス供給部５にそれぞれ接続される。そして、制御回路６の指令により処理液供給部２のポンプ２１およびガス供給部５が作動することにより、複数のノズル４からの処理液の液滴の噴出が制御される。
【００２６】
ノズル４の内部には、図３および図４に示すように、処理液とガスとを混合する気液混合室４１１、処理液に与えられる圧を均一にするための分配室４２１、および、気液混合室４１１と分配室４２１とを連通させる複数の連通管４２２が設けられる。また、オリフィス板４２と第２スリット板４３との間にもスリット状の微小な隙間が設けられ、この隙間が、ガス供給ポート４５からのガスが供給されるガス路４３１とされる。第１スリット板４１と第２スリット板４３との間のスリット状の隙間は、処理液の液滴の流路とされ、流路の下端の開口が１つの噴出口４０となる。
【００２７】
図５は、図４に示すノズル４のＡ−Ａ断面の一部を（＋Ｚ）側から見た図である。ノズル４の分配室４２１および複数の連通管４２２は、第１スリット板４１とオリフィス板４２とを重ね合わせることにより形成される。分配室４２１は、図３ないし図５に示すように、断面形状が矩形でＸ方向に連続的に伸びており、分配室４２１により処理液の圧がＸ方向に均一に分散されて複数の連通管４２２に均等に処理液が分配される。複数の連通管４２２は、Ｘ方向に一定のピッチで配列され、各連通管４２２は上下方向に伸び、水平面による断面形状は矩形とされる。
【００２８】
図６は、図３に示す気液混合室４１１を拡大して示す図である。気液混合室４１１は図６に示すように、第１スリット板４１、オリフィス板４２および第２スリット板４３の間に形成され、連通管４２２の開口の下方にて他の領域よりも少し高くなった衝突面４１１１を有し、図４に示すようにＸ方向に連続的に伸びている。複数の連通管４２２から気液混合室４１１へ供給された処理液は、衝突面４１１１に勢いよく衝突して粉砕され気液混合室４１１の第２スリット板４３側へと導かれ、ガス路４３１から供給される高速のガスと衝突することにより処理液の液滴が生成される。すなわち、ノズル４はいわゆる内部混合型の二流体ノズルとなっている。生成された処理液の液滴はスリット状の噴出口４０から基板９に向けて噴出される。
【００２９】
ノズル４では、処理液とガスとを衝突させることにより処理液の微小な液滴を生成することができ、さらに、微小な液滴をガスと共に噴出することにより液滴を高速に噴出することができ、処理効率を向上することができる。また、衝突面４１１１の大きさを処理液やガスの供給圧力などに合わせて変更することにより、液滴の粒径を変化させることができ、基板９に対する最適な処理を行うことができる。
【００３０】
図７は、基板処理装置１の動作の流れを示す図である。基板処理装置１では、図１および図２に示すように、複数のノズル４のうち搬送方向に関して両端に位置する２つのノズル４の噴出口４０間の距離Ｌが、基板９上の処理領域の搬送方向の長さにノズルピッチＰを加えた長さ以上（好ましくは、処理領域の搬送方向の長さにノズルピッチＰの（正の）整数倍の長さを加えた長さ）とされ、複数のノズル４から処理液の液滴をガスと共に搬送経路に向けて噴出する工程（以下、「処理液噴出工程」という。）が行われている間に、基板搬送機構３により基板９を搬送方向およびその反対方向に一定距離だけ移動して揺動させる工程（以下、「揺動工程」という。）を行いつつ基板９の表面が処理される。以下、基板処理装置１の動作の詳細について説明する。
【００３１】
基板処理装置１では、まず、図１に示す基板搬送機構３により基板９を所定の搬送方向に搬送する工程（以下、「基板搬送工程」という。）が開始され（ステップＳ１１１）、搬入口１２から処理室１１内へと基板９が搬入される。基板９の（−Ｙ）側の端部（以下、「後端」という。）の通過が第１センサ１５により検出されて基板９の全体が処理室１１内に搬入されたことが確認されると（ステップＳ１１２）、制御回路６によりポンプ２１およびガス供給部５が能動化され、複数のノズル４から処理液の液滴を噴出する処理液噴出工程が開始される（ステップＳ１１３）。
【００３２】
処理液噴出工程が行われている間に、基板搬送工程が継続されて基板９の（＋Ｙ）側の端部（以下、「先端」という。）が第２センサ１６により検出されると（ステップＳ１２１）、制御回路６からモータ３２に逆回転の指令が伝えられ、基板９が搬送方向とは反対方向（すなわち、（−Ｙ）方向）へ搬送される（ステップＳ１２２）。これにより、処理液噴出工程が行われている間に、反対方向へ基板９が搬送され、やがて、基板９の後端が第１センサ１５により検出される（ステップＳ１２３）。
【００３３】
以上の動作により、基板処理装置１では、基板９の後端が、複数のノズル４のうち最後尾に位置するノズル４の噴出口４０に一致する状態（すなわち、ステップＳ１１２の時点の図１に示す状態）から、搬送方向に関して両端に位置する２つのノズル４の噴出口４０間の範囲内で基板９上の処理領域が往復搬送（すなわち、揺動）され、基板９の後端が再び元の状態に戻ることにより１回の揺動工程が終了する。なお、処理の均一化を正確に実現するためには、基板９の揺動の距離はノズルピッチＰの整数倍の距離とされることが好ましい。
【００３４】
揺動工程において基板９の後端が第１センサ１５により検出されると、揺動工程が所定の回数行われたか否かが確認され（ステップＳ１２４）、さらに揺動工程が必要と判断されると、制御回路６からモータ３２に正回転の指令が伝えられて基板９が搬送方向へ搬送され、ステップＳ１２１へと戻る（ステップＳ１２５）。これにより、処理液噴出工程が行われている間に、基板９の揺動工程が繰り返される（ステップＳ１２１〜Ｓ１２３）。
【００３５】
所定の回数だけ基板９の揺動工程が行われたと確認されると（ステップＳ１２４）、処理液の噴出が停止され（ステップＳ１３１）、制御回路６からモータ３２に正回転の指令が伝えられて基板９が搬出口１３から搬出される（ステップＳ１３２）。このように、揺動工程は基板搬送工程の一部として実行される。なお、最後の揺動工程の後、基板９の先端が第２センサ１６にて検出されるまでさらに処理が行われてもよい。この場合は、実質的に０．５回分だけ揺動工程が延長されることとなる。
【００３６】
以上、基板処理装置１の構成および動作について説明したが、基板処理装置１では、搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口４０から処理液の液滴がガスと共に高速に噴出されることにより、基板９上において搬送方向に垂直な方向に処理ムラが生じることを防止しつつ効率よく処理を行うことができ、さらに、搬送方向に関して基板９の処理領域よりも広い範囲に複数のノズル４を配置して両端に位置する２つのノズル４の噴出口４０間の範囲内で（正確には、処理領域が両端の噴出口４０間に含まれる範囲内で）基板９をノズルピッチ以上の距離だけ１回以上揺動させることにより、基板９の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができる。その結果、ノズル４を揺動することなく基板９の揺動のみで、かつ、装置全体の構造を大型にすることなく基板９上の処理領域全体を適切に処理することができる。特に、処理液がエッチング液である場合、高いエッチングレートにて均一に処理することができ、処理の高い質を維持しつつスループットを向上することができる。
【００３７】
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１ａを示す図である。基板処理装置１ａは、図１に示す基板処理装置１におけるノズル４の数を減らし、処理室１１内に１つのセンサ１７のみが配置されるという点を除いて図１の基板処理装置１と同様の構造であり、同様の構成要素に同符号を付している。また、基板処理装置１ａでは、処理液が純水とされる。
【００３８】
複数のノズル４は、図１の場合と同様に搬送方向に一定のノズルピッチにて配列され、搬送方向に関して両端に位置する２つのノズル４の噴出口４０間の距離が、基板９上の処理領域の長さ（本実施の形態の場合は基板９の長さに等しい。）以上とされるが、基板９の揺動が行われないため、両端に位置する２つのノズル４の噴出口４０間の距離は、基板９の処理領域の長さに対して余り長くはされない。また、基板９の処理領域全体を均一に処理するために、ノズルピッチは、１つのノズル４がおよそ均一に処理可能な領域の（搬送方向の）幅に等しくされる。なお、液滴はスリット状の噴出口４０から基板９上の細長い長方形の領域に均一に噴出されるため、複数のノズル４を互いに平行に所定のピッチで配置することで処理領域の中に非処理領域が生じてしまうことを容易に防止することができ、これにより、処理ムラの発生を容易に防止することができる。
【００３９】
図９は、基板処理装置１ａの動作の流れを示す図である。基板処理装置１ａでは、基板処理装置１と同様に、まず、図８に示す基板搬送機構３による基板搬送工程が開始され（ステップＳ２１）、搬入口１２から処理室１１内へと基板９が搬送される。基板９の先端がセンサ１７により検出されると（ステップＳ２２）、基板９の搬送が一時的に停止される（ステップＳ２３）。そして、制御回路６の制御よりポンプ２１およびガス供給部５が能動化され、複数のノズル４から純水の液滴をガスと共に噴出する処理液噴出工程が開始されて（ステップＳ２４）、基板９の表面が洗浄される。すなわち、基板処理装置１ａでは、基板９の搬送を停止した状態で複数のノズル４から処理液（純水）の液滴が噴出されることにより基板９の表面が洗浄される。なお、基板処理装置１ａでは、処理液として純水を用いるため、回収口１４より回収された使用済みの処理液は、貯溜槽２０に戻されずに廃棄される。
【００４０】
基板９の洗浄が所定時間行われると、純水の液滴の噴出が停止され（ステップＳ２５）、再び基板搬送機構３により搬送方向へ基板９の搬送が開始されて基板９が搬出口１３から搬出される（ステップＳ２６）。
【００４１】
以上のように、基板処理装置１ａでは、複数のノズル４が搬送方向に関して基板９上の処理領域よりも広い範囲に配置され、搬送方向に関して両端に位置する２つのノズル４の噴出口４０間において基板９の搬送が一時的に停止され、搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口４０から純水の液滴がガスと共に高速に噴出されることにより、処理領域全体において処理ムラ（すなわち、洗浄ムラ）を抑えつつ簡単かつ効率よく基板９を処理することができる。
【００４２】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００４３】
上記第１の実施の形態では処理中に基板９の揺動が行われ、第２の実施の形態では基板９が静止した状態で洗浄が行われるが、これらの実施の形態ではスリットタイプの複数のノズル４が基板９上の処理領域よりも搬送方向に関して長い範囲に配置されることにより、基板９上の処理領域全体に対して効率よく、かつ、均一に処理を行うことが実現され、装置の大型化も抑制される。このような効果を得るためには、ノズル４が基板９上の処理領域よりも広範囲に配置されるのであれば基板９の揺動や停止は必須ではなく、例えば、基板９を一方向のみに搬送し、基板９の処理領域全体が噴出範囲内に入った時点で処理液の噴出が開始され、処理領域が噴出範囲から外れる直前に処理液の噴出が停止されてもよい。さらには、処理液の液滴を継続的に噴出しておいて基板９が処理領域よりも長い噴出範囲を通過することにより効率よく処理が行われてもよい。
【００４４】
また、通常は基板９上の処理領域は基板９の全面とされるが、基板９上の処理領域は基板９の一部とされてもよい。この場合、複数のノズル４が配置される範囲は基板９の長さよりも短くなることもある。
【００４５】
ノズル４の内部の構造は、上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、分配室４２１は、断面形状が矩形である必要はなく、半月形であってもよく、連通管４２２の断面形状も矩形である必要はなく、円形であってもよい。また、衝突面４１１１も、ガス路４３１に向かって広がっていくような扇状かつ凹状の傾斜した面とされてもよい。さらに、ノズル４では内部で液滴が生成されなくてもよく、別途生成された液滴がキャリアガスと共にノズル４に供給されて噴出口４０から噴出されてもよい。
【００４６】
また、基板処理装置１，１ａでは、基板９上から処理液が速やかに流れ出すように、基板９が搬送方向に垂直な水平方向に関して傾斜した状態で搬送されもよい。
【００４７】
なお、基板処理装置１の下流側に基板処理装置１ａを配置し、基板処理装置１でエッチング処理された基板９を基板処理装置１ａで純水にて洗浄する基板処理システムが構築されてもよい。
【００４８】
基板処理装置は、基板９のエッチングや洗浄以外の処理に用いられてもよく、基板処理装置における処理の対象物は、ガラス基板以外に半導体基板やプリント配線基板などの基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置を示す正面図である。
【図２】基板処理装置の一部を示す平面図である。
【図３】ノズルの縦断面図である。
【図４】ノズルの右側面図である。
【図５】分配室の一部を示す横断面図である。
【図６】気液混合室を示す縦断面図である。
【図７】第１の実施の形態に係る基板処理装置の動作の流れを示す図である。
【図８】第２の実施の形態に係る基板処理装置を示す正面図である。
【図９】第２の実施の形態に係る基板処理装置の動作の流れを示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１，１ａ    基板処理装置
２    処理液供給部
３    基板搬送機構
４    ノズル
５    ガス供給部
９    基板
４０    噴出口
４１１    気液混合室
４２１    分配室
４１１１    衝突面
Ｓ１１１〜Ｓ１１３，Ｓ１２１〜Ｓ１２５，Ｓ１３１，Ｓ１３２，Ｓ２１〜Ｓ２６    ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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