(57)【要約】      （修正有）【課題】集合基板の処理中には誤って分割されることが無く、必要時には分割しやすい集合基板から製造される個別基板を提供すること。【解決手段】分割後に複数個の個別基板２０となる基板領域４と、廃棄されるダミー領域６とを有し、各個別基板２０の裏面には、端子電極２４が形成してある集合基板２からＳＭＤなどとして用いられる個別基板を製造する。基板領域４では、個別基板２０を仕切り、ダミー領域６の途中まで延びており、集合基板２の側端部までは延びていない第１深さの複数の第１分割溝８ａ，８ｂを、溝切り装置４０により８〜１２Ｎなる第１の力で、集合基板２の厚みに対して１０〜９０％の深さで形成する。また、ダミー領域６には、集合基板２の側端部まで延びるように、第１深さよりも浅い第２深さの第２分割溝１０を、溝切り装置４０により６〜１０Ｎなる第２の力で、集合基板２の厚みに対して５〜５０％の深さで形成する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割後に複数個の個別基板となる基板領域と、個別基板とはならずに廃棄されるダミー領域とを有し、各個別基板の裏面には、端子電極が形成してある集合基板を焼成する工程と、
前記個別基板毎に仕切り、前記ダミー領域の途中まで延びており、前記集合基板の側端部までは延びていない第１深さの複数の第１分割溝を、焼成後の前記集合基板に行列状に形成する工程と、
前記ダミー領域に、前記集合基板の側端部まで延びるように、前記第１深さよりも浅い第２深さの第２分割溝を少なくとも一つ形成する工程と、
前記第２分割溝に沿って、前記集合基板を割った後に、前記第１分割溝に沿って前記集合基板を割り、前記個別基板毎に分割する工程と、を有し、
前記第１分割溝は、溝切り器具により８〜１２Ｎなる第１の力で、前記集合基板の厚みに対して１０〜９０％の深さで形成され、
前記第２分割溝は、前記溝切り器具により６〜１０Ｎなる第２の力で、前記集合基板の厚みに対して５〜５０％の深さで形成されることを特徴とする個別基板の製造方法。
【請求項２】
前記溝切り器具が回転刃である請求項１に記載の個別基板の製造方法。
【請求項３】
第２分割溝を形成した後に、第１分割溝を形成する請求項１または２に記載の個別基板の製造方法。
【請求項４】
前記個別基板毎に分割する前に、前記基板領域における各個別基板の表面に、電子部品を実装する請求項１〜３のいずれかに記載の個別基板の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品を実装した後で、前記個別基板毎に分割する前に、各個別基板の表面を樹脂封止することを特徴とする請求項４に記載の個別基板の製造方法。
【請求項６】
分割した後の前記個別基板の周縁部をバレル研磨することなく、当該個別基板を、他の回路基板の上に実装する請求項１〜５のいずれかに記載の個別基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個別基板の製造方法に係り、さらに詳しくは、たとえばＳＭＤ（表面実装型電子部品）などの電子部品モジュールとして用いられる裏面電極付き個別基板を容易に製造することができる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、ガラス粉末とセラミック粉末の混合物を低温焼成して得られるガラスセラミック基板を絶縁基板として用いることが注目されている。ガラスセラミックは、誘電率が低く、高周波用絶縁基板として好適であり、またガラスセラミックは８００〜１０００℃程度の低温で焼成することができることから、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の低抵抗金属を配線層として使用できるメリットがある。
【０００３】
ところで、各種回路機能（導体パターン）が形成された各別のセラミック基板は寸法が小さく、生産効率や設備などの点で各別に製造することが困難である。そこで、従来では、たとえば下記の特許文献１に示すように、複数個の同一回路パターンを一枚の基板上に同時に印刷した集合基板を形成した後、各回路パターンごとに分割（ブレーク）するための分割溝を形成し、焼成後に、この分割溝に沿って各回路パターンごと集合基板を分割し、最終製品としての複数個の個別の基板を得るようにした方法が採用されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、焼成前の集合基板に分割溝を形成するために、焼成による基板収縮や反りなどに伴い、分割溝に沿って変形やゆがみを受ける可能性がある。このため、集合基板を分割溝で分割して得られる個別基板の寸法精度が低下するおそれがある。
【０００５】
また、特許文献１に記載してある集合基板では、焼成前の集合基板に分割溝を形成するために、あまりに深い分割溝を形成すると、焼成前や焼成時の取扱中に、基板にゆがみや変形が生じてしまう。そのために、浅い分割溝しか形成することができず、焼成後に、集合基板を分割溝に沿って分割（ブレーク）した場合に、ブレークラインが斜めになる等の粗悪なブレークラインが形成されることがあった。ブレークラインが粗悪になると、ブレーク後に、バリ、形状不良、接続パターンの欠陥などの不都合を生じる。
【０００６】
焼成後の集合基板に分割溝を形成することも考えられるが、集合基板の側端部まで延びる分割溝を行列状に深く形成すると、集合基板の表面に特定の処理を行う場合に、取扱中に誤って分割されてしまうおそれがある。そのような不都合を解消するために、分割溝を浅く形成すると、集合基板の表面に特定の処理を行ったあとに、ブレークするための処理が困難であり、ブレークラインが斜めになる等の不都合が生じるおそれがある。
【０００７】
なお、従来のＳＭＤは、部品の端部に端子電極が形成してあるために、集合基板から分離した後の個別基板をＳＭＤとして用いる場合には、分離した後の個別基板の端部をバレル研磨法などで丸く加工する必要があった。そのように端部を丸く加工しないと、ハンダ実装時にハンダがＳＭＤ端子電極に対して良好に付着しないためである。
【０００８】
そこで、集合基板から分離した後の個別基板を、たとえばＳＭＤなどの電子部品モジュールとして用いる場合に、分離した後の個別基板をバレル研磨することなく、そのまま回路基板などの上に実装することができるための方法が求められていた。
【特許文献１】特開２００５−５０９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、集合基板の処理中には誤って分割されることが無く、しかも、必要時には分割しやすくい集合基板から製造される個別基板を、寸法精度を向上させ、しかも、高い製造効率で製造することができる個別基板の製造方法を提供することである。また、本発明の別の目的は、たとえば電子部品モジュールなどとして用いられる場合に、分離後に研磨処理をすることなく実装が可能な個別基板を製造することができる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係る集合基板は、
分割後に複数個の個別基板となる基板領域と、個別基板とはならずに廃棄されるダミー領域とを有し、各個別基板の裏面には、端子電極が形成してある集合基板を焼成する工程と、
前記個別基板毎に仕切り、前記ダミー領域の途中まで延びており、前記集合基板の側端部までは延びていない第１深さの複数の第１分割溝を、焼成後の前記集合基板に行列状に形成する工程と、
前記ダミー領域に、前記集合基板の側端部まで延びるように、前記第１深さよりも浅い第２深さの第２分割溝を少なくとも一つ形成する工程と、
前記第２分割溝に沿って、前記集合基板を割った後に、前記第１分割溝に沿って前記集合基板を割り、前記個別基板毎に分割する工程と、を有し、
前記第１分割溝は、溝切り器具により８〜１２Ｎなる第１の力で、前記集合基板の厚みに対して１０〜９０％の深さで形成され、
前記第２分割溝は、前記溝切り器具により６〜１０Ｎなる第２の力で、前記集合基板の厚みに対して５〜５０％の深さで形成されることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る方法では、集合基板のダミー領域には、比較的に浅い第２分割溝が形成してあり、比較的に深い第１分割溝は、ダミー領域の途中までしか形成されていない。このため、ダミー領域が、集合基板全体に対して一体化される強度を付与し、集合基板の表面に何らかの処理を行っても、第１分割溝に沿って集合基板が誤って分割されることはない。
【００１２】
しかも、集合基板の処理後には、第２分割溝に沿って、前記集合基板を割った後に、第１分割溝に沿って集合基板を割ることで、容易に個別基板毎に分割することができる。第２分割溝は、比較的に浅いが、その溝は、集合基板の側端部まで延びているので、比較的に、小さな力で割ることができ、割り易い。
【００１３】
第２分割溝は、第１分割溝の端部と交差しているために、第２分割溝に沿って集合基板を割ると、第１分割溝の端部が、集合基板の分割面に露出することになる。そのため、その集合基板の分割面に露出している第１分割溝に沿って集合基板を分割していくことで、次々と、個別基板に分離していく。しかも、第１分割溝は、比較的に深く形成してあるために、分割後の個別基板の分割面には、割れや欠けなどが生じにくい。すなわち、本発明の方法によれば、分割作業の処理速度が向上し、個別基板の製造効率が向上する。
【００１４】
さらに、本発明の方法では、焼成後に、第１分割溝および第２分割溝を形成することから、焼成前や焼成時の取扱中に、基板にゆがみや変形が生じてしまうことがなく、集合基板を分割して得られる個別基板の寸法精度を向上させることが可能となる。
【００１５】
さらにまた、本発明の方法では、各個別基板の裏面には、端子電極が形成してあり、各個別基板における周囲縁端面は分割面となり、端子電極が形成されていない。このため、集合基板から分離した後の個別基板を、たとえばＳＭＤなどの電子部品モジュールとして用いる場合に、分離した後の個別基板をバレル研磨などの研磨処理をすることなく、そのまま回路基板などの上に実装することができる。
【００１６】
好ましくは、前記溝切り器具が回転刃である。回転刃としては、特に限定されないが、たとえばダイヤモンドカッターなどが用いられる。
【００１７】
好ましくは、第２分割溝を形成した後に、第１分割溝を形成する。第２分割溝の方が、第１分割溝に比較して浅いために、その順序で形成することが容易である。
【００１８】
好ましくは、前記個別基板毎に分割する前に、前記基板領域における各個別基板の表面に、電子部品を実装する。比較的に面積が大きい集合基板の状態で、電子部品を実装する方が作業的に容易である。同様な理由から、好ましくは、前記電子部品を実装した後で、前記個別基板毎に分割する前に、各個別基板の表面を樹脂封止する。
【００１９】
好ましくは、前記第２分割溝は、複数の前記第１分割溝のうちの少なくとも一つに連続して直線状に形成してある。このような構成にすることで、第２分割溝に沿って、前記集合基板を割り易くなる。
【００２０】
あるいは、前記第２分割溝は、前記第１分割溝とは別に、複数の前記第１分割溝の端部に交差するように直線状に形成しても良い。
【００２１】
前記ダミー領域は、通常、前記基板領域の周囲に形成してある。一枚の集合基板には、複数の基板領域が、ダミー領域を介して配置してあっても良い。
【００２２】
前記基板領域における各個別基板の表面には、複数の電子部品が実装してあっても良い。その後に、分割作業も可能である。
【００２３】
好ましくは、前記集合基板がガラスセラミック多層基板である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る集合基板の正面図、
図２は図１に示すII−II線に沿う断面図、
図３は図１に示すIII−III線に沿う断面図、
図４は図１に示す集合基板における実装後の個別基板表面の拡大図、
図５は図１に示す集合基板における個別基板の裏面の拡大図、
図６は個別基板の製造過程を示すフローチャート図、
図７は集合基板の分割を行うための装置の概略図、
図８は図７に示すダイヤモンド回転刃の側面図、
図９は図１に示す集合基板の分割過程を示す正面図、
図１０（Ａ）は分割後の個別基板（ＳＭＤ）を回路基板の表面に実装する時の概略図、図１０（Ｂ）は従来のＳＭＤを回路基板の表面に実装する時の概略図、
図１１〜図１４はそれぞれ本発明の他の実施形態に係る集合基板の正面図、
図１５は図１４に示すＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。
第１実施形態
【００２５】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る集合基板２は、ガラスセラミック基板であり、以下のようにして製造される。
【００２６】
まず、ガラスセラミックグリーンシートを準備する。ガラスセラミックグリーンシートは、たとえばガラスセラミックペーストを用いて、ドクターブレード法などによりシート状に成形される。ガラスセラミックペーストとしては、ガラス粉末、セラミック粉末、さらに有機バインダ、可塑剤、有機溶剤等を混合したものを用いることができる。
【００２７】
ガラス粉末としては、特に限定されないが、たとえば、ＳｉＯ２  −Ｂ２  Ｏ３  系、ＳｉＯ２  −Ｂ２  Ｏ３  −Ａｌ２  Ｏ３  系、ＳｉＯ２  −Ｂ２  Ｏ３  −Ａｌ２  Ｏ３  −ＭＯ系、ＳｉＯ２  −Ａｌ２  Ｏ３  −Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系、ＳｉＯ２  −Ｂ２  Ｏ３  −Ａｌ２  Ｏ３  −Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系、ＳｉＯ２  −Ｂ２  Ｏ３  −Ｍ３２  Ｏ系、ＳｉＯ２  −Ｂ２  Ｏ３  −Ａｌ２  Ｏ３  −Ｍ３２  Ｏ系、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。但し、記号ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示し、記号Ｍ１および記号Ｍ２はＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示し、記号Ｍ３はＬｉ、ＮａまたはＫを示す。
【００２８】
セラミック粉末としては、特に限定されないが、たとえば、Ａｌ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、ＺｒＯ２  とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２  とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、Ａｌ２  Ｏ３  およびＳｉＯ２  から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（たとえばスピネル、ムライト、コージェライト）等が挙げられる。
【００２９】
ガラス粉末とセラミック粉末の混合割合は、特に限定されず、重量比で、たとえば４０：６０〜９９：１とすることができる。
【００３０】
有機バインダとしては、特に限定されず、たとえばアクリル系（アクリル酸、メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的にはアクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等）、ポリビニルブチラ−ル系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、ポリプロピレンカーボネート系、セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。
【００３１】
ガラスセラミックペーストは、ガラス粉末、セラミック粉末、有機バインダに対して、必要に応じて、所定量の可塑剤、溶剤（有機溶剤、水等）を加えてスラリー化される。このペーストは、ドクターブレード、圧延、カレンダーロール、金型プレス等によりシート化され、ガラスセラミックグリーンシートとなる。
【００３２】
ガラスセラミックグリーンシートの表面には、必要に応じて、導体パターン層が形成される。導体パターン層を形成するには、ガラスセラミックグリーンシート表面に、たとえば導体材料粉末をペースト化した導体ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷するか、あるいは所定パターン形状の金属箔を転写する等の方法が挙げられる（図６に示すステップＳ１）。導体材料としては、たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の１種または２種以上が挙げられ、２種以上の場合は混合、合金、コーティング等のいずれの形態であっても良い。
【００３３】
なお、表面の導体パターンには、上下の層間の導体パターン同士を接続するためのビア導体やスルーホール導体等の貫通導体が表面に露出した部分も含まれる。これら貫通導体は、パンチング加工等によりガラスセラミックグリーンシートに形成した貫通孔に、導体材料粉末をペースト化した導体ペーストを印刷により埋め込む等の手段によって形成される。
【００３４】
次に、図６に示すステップＳ２に示すように、上述のようにして準備したガラスセラミックグリーンシート（厚さ２５〜４００μｍ）を、支持シートの表面に多数枚を積層して、ガラスセラミックグリーンシートの積層体であるグリーン基板を準備する。なお、支持シートとしては、たとえばＰＥＴフィルムなどが用いられる。
【００３５】
ガラスセラミックグリーンシートの積層には、積み重ねたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダ、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００３６】
ガラスセラミックグリーンシートの積層数は、特に限定されず、たとえば数層〜数百層程度とされる。熱圧着後のグリーン基板の厚みは、特に限定されないが、たとえば０．５〜３mm程度とされる。
【００３７】
その後、このグリーン基板は、必要に応じて脱バインダ処理が施され、その後に、図６に示すステップＳ３にて焼成炉に導入され、たとえば空気中で８００〜８５０℃、９０〜１２０分の保持条件で焼成される。なお、導体ペースト層がＮｉ、Ｃｕの場合は還元または中性雰囲気で焼成する。これにより、未焼成状態の基板は、ガラスセラミック製集合基板２となる。
【００３８】
ガラスセラミック製集合基板２における各個別基板の裏面には、たとえば図５に示す端子電極２４のパターンが形成される。
【００３９】
次に、図６に示すステップＳ４にて、この集合基板２の表面に、第１分割溝８ａおよび８ｂと第２分割溝１０とを形成する（スクライブ工程）。第１分割溝８ａおよび８ｂは第２分割溝１０の後に形成することが好ましいが、同時に形成しても良く、第２分割溝１０の前に形成しても良い。
【００４０】
第１分割溝８ａおよび８ｂは、図４に示すチップ状電子部品２２を表面に実装した後の個別基板２０を分離するための溝であり、格子状に形成される。個別基板２０は、集合基板２の表面に行列状に配置され、これらの個別基板２０が形成される基板領域４の周囲には、個別基板としては用いられずに廃棄処分とされるダミー領域６が形成される。
【００４１】
ダミー領域６は、集合基板２の表面に電子部品を実装する際などに、良好なハンドリング特性を付与する領域などとして機能する。このダミー領域６の幅は、材料の無駄を排除する観点からは、個別基板２０の縦横寸法よりも小さいことが一般的であるが、必ずしも小さくなくても良い。
【００４２】
第２分割溝１０は、この実施形態では、図１において、ダミー領域６と基板領域４との境界領域に位置する一つの第１分割溝８ｂに連続して、その延長線上に、集合基板２の側端部まで延びるように形成してある。なお、第１分割溝８ａ、８ｂは、個別基板２０を仕切り、ダミー領域６の途中までは延びているが、集合基板２の側端部までは延びないように形成してある。
【００４３】
これらの第１分割溝８ａおよび８ｂと第２分割溝１０とは、図４に示すチップ状電子部品２２を表面に実装する前に、集合基板２の表面に形成される。図２および図３に示すように、第１分割溝８ａおよび８ｂの深さｔ１は、第２分割溝１０の深さｔ２よりも深く形成してあり、集合基板２の厚みｔ０に対して、１０％〜９０％の深さである。また、第２分割溝１０の深さｔ２は、集合基板２の厚みｔ０に対して、５％〜５０％の深さである。
【００４４】
これらの第１分割溝８ａおよび８ｂと第２分割溝１０とは、図７に示す溝切り装置４０により形成される。この溝切り装置４０は、電空レギュレータ４２と、この電空レギュレータ４２を移動自在に保持するレール４４と、電空レギュレータ４２をレール４４に沿って平面上でＸ−Ｙ方向に移動させるＡＣサーボモータ４６とを有する。
【００４５】
電空レギュレータ４２の下端ロッドには、回転刃５０が回転自在に、しかも上下方向に移動自在に保持してある。回転刃５０は、いわゆるガラス切り具であり、図７および図８に示すように、円盤形状であり、その外径は、本実施形態では、約２mm前後、内径は、約０．８mm、厚みは約０．６５mm、先端幅ｔ３は０．０１５〜０．０２０mm、先端角θは１１０度である。先端幅ｔ３相当部分には、外周に沿って、１１０分割の切削溝５２が形成してあり、その切削溝５２の深さは約１０μｍである。
【００４６】
図７に示すように、電空レギュレータ４２に対して所定の力が印加されると、回転刃５０は、下方に移動し、支持台４８の上に固定された集合基板２の表面に、所定の力で接触する。その力は、第１分割溝８ａ，８ｂを形成する場合には、８〜１２Ｎなる第１の力であり、第２分割溝１０を形成する場合には、６〜１０Ｎなる第２の力である。
【００４７】
それらの力を加えた状態で、電空レギュレータ４２を移動させれば、回転刃５０が、その移動につれて回転しながら、集合基板２の表面に食い込み、所定深さの溝が形成される。その際の力が大きすぎると、集合基板２が割れてしまい、また小さすぎると、所定深さの溝が形成されない。
【００４８】
第１分割溝８ａおよび８ｂと第２分割溝１０とは、溝切り装置４０を用いて、同時に形成しても良いが、別々に形成しても良い。第２分割溝１０の方が浅いので、好ましくは、第２分割溝１０を形成してから、第１分割溝８ａ，８ｂを形成する。これらの分割溝８ａ，８ｂ，１０の溝幅Ｗ０は、図８に示す回転刃５０の幅に対応し、０．６５〜０．７５mm程度である。
【００４９】
これらの第１分割溝８ａ，８ｂおよび第２分割溝１０を集合基板２の表面に形成した後、図６に示すステップＳ５にて、基板領域４における各個別基板２０の表面には、複数のチップ状電子部品２２を実装する。その後に、必要に応じて、ステップＳ６にて、基板領域４における各個別基板２０の表面を樹脂被覆し、各個別基板２０の表面のチップ状電子部品２２を樹脂封止する。
【００５０】
その後に、図９に示すように、第２分割溝１０を含む第１分割溝８ｂに沿って、曲げ応力あるいは剪断応力を加えて、集合基板２を分割する（図６に示すステップＳ７）。第２分割溝１０は、比較的に浅いが、その溝１０は、第１分割溝８ｂと連続していると共に、集合基板２の側端部まで延びているので、比較的に、小さな力で割ることができ、割り易い。
【００５１】
第２分割溝１０を含む第１分割溝８ａに沿って集合基板２を割ると、第１分割溝８ａに交差する第１分割溝８ｂの端部が、集合基板２の分割面３０に露出することになる。そのため、その集合基板２の分割面３０に露出している第１分割溝８ａに沿って集合基板２を分割していくことで、次々と、個別基板２０に分離していくことができる。しかも、第１分割溝８ａは、比較的に深く形成してあるために、分割後の個別基板２０の分割面３０には、割れや欠けなどが生じにくい。したがって、本実施形態では、容易に個別基板２０毎に次々と分割することができる。したがって、個別基板２０の製造歩留まりも向上する。
【００５２】
また、本実施形態に係る集合基板２では、集合基板２のダミー領域６には、比較的に浅い第２分割溝１０が形成してあり、比較的に深い第１分割溝８ａ，８ｂは、ダミー領域６の途中までしか形成されていない。このため、ダミー領域６が、集合基板２全体に対して一体化される強度を付与し、集合基板２の表面に何らかの処理を行っても、第１分割溝８ａ,８ｂに沿って集合基板２が誤って分割されることはない。すなわち、本実施形態の集合基板２はハンドリング性に優れている。
【００５３】
さらにまた、本実施形態の方法では、図１０（Ａ）に示すように、分割後の各個別基板２０の裏面には、端子電極２４が形成してあり、各個別基板２０における周囲縁端面は分割面となり、端子電極が形成されていない。このため、集合基板２から分離した後の個別基板２０を、たとえばＳＭＤなどの電子部品モジュールとして用いる場合に、分離した後の個別基板２０をバレル研磨などの研磨処理をすることなく、そのまま回路基板２６などの上に実装することができる。
【００５４】
ちなみに従来では、図１０（Ｂ）に示すように、ＳＭＤ２０ｂの両端面に端子電極２４ａが形成してあったために、ハンダ２８の回り込み特性を良くするために、ＳＭＤ２０ｂの両端面は、バレル研磨などにより丸みを持たせる必要があった。
第２実施形態
【００５５】
図１１に示すように、本実施形態に係る集合基板２ａでは、第２分割溝１０を、基板領域４とダミー領域６との境界ではない中間に位置する単一の縦方向第１分割溝８ｂに対して直線状に連続して形成してある。
【００５６】
この実施形態の場合には、最初に分割する位置が、基板領域４とダミー領域６との境界ではない中間に位置する単一の縦方向第１分割溝８ｂに対して直線状の位置である以外は、前述した第１実施形態と同様であり、その説明は省略する。
第３実施形態
【００５７】
図１２に示すように、本実施形態に係る集合基板２ｂでは、第２分割溝１０を、基板領域４とダミー領域６との境界ではない中間に位置する単一の横方向第１分割溝８ａに対して直線状に連続して形成してある。
【００５８】
この実施形態の場合には、最初に分割する位置が、基板領域４とダミー領域６との境界ではない中間に位置する単一の横方向第１分割溝８ａに対して直線状の位置である以外は、前述した第１実施形態と同様であり、その説明は省略する。
第４実施形態
【００５９】
図１３に示すように、本実施形態に係る集合基板２ｃでは、第２分割溝１０を、第１分割溝８ａ，８ｂとは別に、複数の第１分割溝８ａまたは８ｂの端部に交差するように、ダミー領域６の内部で直線状に形成してある。
【００６０】
この実施形態の場合には、最初に分割する位置が、ダミー領域６における単一の第２分割溝１０に対して直線状の位置である以外は、前述した第１実施形態と同様であり、その説明は省略する。
第５実施形態
【００６１】
図１４に示すように、本実施形態では、一枚の集合基板２ｄの表面に複数の基板領域４ａが、ダミー領域６を介して配置してある。各基板領域４ａ毎に、複数の個別基板２０ａが行列状に配置してある。しかも、本実施形態では、集合基板２ｄにおける中央の縦方向に延びるダミー領域６と、その左側に位置する二つの基板領域４ａ，４ａとの境界に位置する縦方向の第１分割溝８ｂに沿って直線状に、第２分割溝１０が形成してある。その断面形状を図１５に示す。
【００６２】
この実施形態の場合には、最初に分割する位置が、図１４および図１５に示す第２分割溝１０の直線状位置である以外は、前述した第１実施形態と同様であり、その説明は省略する。
【００６３】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００６４】
たとえば、上述した実施形態では、一つの集合基板に対して第２分割溝１０を一直線状に形成したが、本発明では、２つ以上の直線状に第２分割溝１０を形成しても良い。たとえば図１において、ダミー領域６と基板領域４との２〜４の境界領域に位置する第１分割溝８ａ、８ｂに連続して、それぞれ２〜４の直線状に第２分割溝１０を形成しても良い。
【００６５】
また、上述した実施形態では、第１分割溝および第２分割溝を全て直線状に形成したが、本発明では、必要に応じて、一部または全部において曲線や折れ線形状を含んでも良い。
【００６６】
さらに、本発明は、ＬＴＣＣ基板（低温同時焼成セラミック基板）などのガラスセラミック基板に限定されず、その他のセラミック基板、樹脂基板、複合積層基板などにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る集合基板の正面図である。
【図２】図２は図１に示すII−II線に沿う断面図である。
【図３】図３は図１に示すIII−III線に沿う断面図である。
【図４】図４は図１に示す集合基板における実装後の個別基板の表面の拡大図である。
【図５】図５は図１に示す集合基板における個別基板の裏面の拡大図である。
【図６】図６は個別基板の製造過程を示すフローチャート図である。
【図７】図７は集合基板の分割を行うための装置の概略図である。
【図８】図８は図７に示すダイヤモンド回転刃の側面図である。
【図９】図９は図１に示す集合基板の分割過程を示す正面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は分割後の個別基板（ＳＭＤ）を回路基板の表面に実装する時の概略図、図１０（Ｂ）は従来のＳＭＤを回路基板の表面に実装する時の概略図である。
【図１１】図１１は本発明の他の実施形態に係る集合基板の正面図である。
【図１２】図１２は本発明のその他の実施形態に係る集合基板の正面図である。
【図１３】図１３は本発明のその他の実施形態に係る集合基板の正面図である。
【図１４】図１４は本発明のその他の実施形態に係る集合基板の正面図である。
【図１５】図１５は図１４に示すＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
２，２ａ〜２ｄ…  集合基板
４，４ａ…  基板領域
６…  ダミー領域
８ａ，８ｂ…  第１分割溝
１０…  第２分割溝
２０，２０ａ…  個別基板
２０ｂ…  ＳＭＤ
２２…  チップ状電子部品
２４，２４ａ…  端子電極
２６…  回路基板
２８…  ハンダ
３０…  分割面
４０…  溝切り装置
４２…  真空レギュレータ
４４…  レール
４６…  ＡＣサーボモータ
４８…  支持台
５０…  回転刃
５２…  切削溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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