(57)【要約】【課題】低コストで特性の優れた導波管の形成が可能な誘電体基板、その誘電体基板を用いて構成された導波管、及び伝送線路変換器を提供する。【解決手段】誘電体基板１は、その両面に導電性材料からなる導体層３，５が形成された厚さｄの両面基板であり、その中心部分には、導波管と同じ内径を有する矩形状の孔Ｈが形成されている。また、誘電体基板１には、孔Ｈの内壁を形成する端面９から一定距離（ビアシフト量）δだけ離れた位置に、導体層３，５を導通させる複数のビア７が、一定間隔Ｗで形成されている。但し、伝送信号の周波数ｆにおける誘電体基板１内での基板内波長をλｇとして、δ＝λｇ／２、Ｗ≦λｇ／４に設定されている。このように構成された誘電体基板１では、導波管の内壁となる誘電体基板１の端面９は、接地されたビア７からλｇ／２だけ離れているため、仮想的に短絡しているものとして扱うことができる。【選択図】図１
2007329908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波管として使用される孔を有する誘電体基板であって、
前記導波管の内壁を形成する前記孔の端面を囲い、且つ前記端面が仮想的な短絡面となる位置に配置された複数のビアからなる第１包囲部を設けたことを特徴とする誘電体基板。
【請求項２】
前記導波管を伝搬させる電磁波の基板内波長をλｇとして、
前記第１包囲部を形成するビアは、前記端面からｎ×λｇ／２（但し、ｎは正整数）の距離に位置することを特徴とする請求項１に記載の誘電体基板。
【請求項３】
前記導波管を伝搬させる電磁波の基板内波長をλｇとして、
前記第１包囲部を形成するビアの配置間隔がλｇ／４以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の誘電体基板。
【請求項４】
前記第１包囲部を囲う位置に配置された複数のビアからなる第２包囲部を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の誘電体基板。
【請求項５】
前記導波管を伝搬させる電磁波の基板内波長をλｇとして、
前記第２包囲部を形成するビアの配置間隔がλｇ／４以下であることを特徴とする請求項４に記載の誘電体基板。
【請求項６】
前記導波管を伝搬させる電磁波の基板内波長をλｇとして、
前記第１包囲部と前記第２包囲部との間隔がλｇ／２以下であることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の誘電体基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の誘電体基板を、複数積層してなることを特徴とする導波管。
【請求項８】
前記ビアは、積層された複数の前記誘電体基板を、一直線に貫通するように形成されていることを特徴とする請求項７に記載の導波管。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の誘電体基板を、一又は複数積層した構造を有する導波管形成部と、
前記導波管形成部が形成する導波管の一端を塞ぐように該導波管形成部に積層されると共に、電磁波を伝送する平面線路、及び前記導波管の開口内に位置し前記平面線路と電磁的に結合されたアンテナパターンが形成された誘電体基板からなる変換部と、
を備えることを特徴とする伝送線路変換器。
【請求項１０】
前記変換部には、前記導波管の開口に対向する部分を囲う位置に、複数のビアからなる第３包囲部を設けたことを特徴とする請求項９に記載の伝送路変換器。
【請求項１１】
前記第３包囲部を形成するビアは、前記導波管の内壁の延長線上に配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の伝送路変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導波管を形成する誘電体基板、その誘電体基板を用いて構成された導波管、及び伝送線路変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、孔が形成された誘電体基板を積層して導波管を構成する技術が知られている。
そして、通常、このような誘電体基板では、導波管の内壁を形成する端面に、導体膜を形成することが行われている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、端面を金属塗装する代わりに、孔を囲うようにして複数のビア（Ｖｉａ）を狭間隔で配置して、このビアを導波管の内壁とすることも行われている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特許３３４７６２６号公報
【特許文献２】特開２００１−１９６８１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、端面に導体膜を形成する前者では、誘電体基板の製造時（焼成前）に、導体膜となるべき位置に導電性インクをプリントすることになるが、図８に示すように、幅の狭い端面ではインクの持つ表面張力などにより、インク（ひいては導体膜）の厚さを一定とすることが困難であり、導波管の特性劣化につながるという問題があった。
【０００５】
また、端面に導体膜を形成するには、誘電体基板における通常のパターン形成とは別の工程が必要となるため、導波管形状が制約されたり、コスト高の要因となるという問題もあった。
【０００６】
一方、ビアによりを導波管の内壁を形成する後者では、誘電体基板の強度上、孔の端面かあらある程度（例えば、０．５ｍｍ程度）離した位置にビアを形成しなければならないため、ビアの位置を導波管の内壁に一致させることができず、導波管の特性を劣化させてしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記問題点を解決するために、低コストで特性の優れた導波管の形成が可能な誘電体基板、その誘電体基板を用いて構成された導波管、及び伝送線路変換器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するためになされた請求項１に記載の発明は、導波管として使用される孔を有する誘電体基板であって、前記導波管の内壁を形成する前記孔の端面を囲い、且つ前記端面が仮想的な短絡面となる位置に配置された複数のビアからなる第１包囲部を設けたことを特徴とする。
【０００９】
このように構成された本発明の誘電体基板では、端面に導電膜を設けることなく、ビアを配置することにより導波管を形成しているため、誘電体基板における一般的なデザインルールでの製造が可能であり、低コストで導波管を形成することができる。
【００１０】
しかも、ビアは、端面の位置が仮想的な短絡面となるような位置、即ち、端面から離れて位置に設けられているため、誘電体基板の強度を低下させることなく、低損失な導波管を実現することができる。
【００１１】
そして、具体的には、請求項２に記載のように、導波管を伝搬させる電磁波の基板内波長をλｇとして、第１包囲部を形成するビアは、端面からｎ×λｇ／２（但し、ｎは正整数）の距離に位置していればよい。
【００１２】
但し、ビアを設ける位置は、正確にｎ×λｇ／２である必要はなく、±２０％程度の範囲内でずれていてもよい。
なお、第１包囲部を形成するビアの間からの電磁波の漏洩を効率良く阻止するには、請求項３に記載のように、第１包囲部を形成するビアの配置間隔がλｇ／４以下であることが望ましい。
【００１３】
また、本発明の誘電体基板には、請求項４に記載のように、第１包囲部を囲う位置に配置された複数のビアからなる第２包囲部を設けてもよい。
この場合、第１包囲部および第２包囲部が、二重に電磁波の漏洩が阻止されるため、この誘電体基板によって形成される導波管の伝送効率を向上させることができる。
【００１４】
なお、第２包囲部を形成するビアの間からの電磁波の漏洩を効率良く阻止するには、請求項５に記載のように、第２包囲部を形成するビアの配置間隔がλｇ／４以下であることが望ましい。
【００１５】
更に、第１包囲部から漏洩した電磁波を第２包囲部にて効率良く漏洩を阻止するには、請求項６に記載のように、第１包囲部と前記第２包囲部との間隔がλｇ／２以下であることが望ましい。
【００１６】
次に、請求項７に記載の導波管は、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の誘電体基板を、複数積層することで形成されていることを特徴とする。つまり、個々に製造された誘電体基板を、後から一体化することで導波管となるため、任意の長さの導波管を簡単に得ることができる。
【００１７】
そして、この場合、ビア（第１包囲部を形成するビア及び第２包囲部を形成するビアのいずれも）は、請求項８に記載のように、積層された複数の誘電体基板を、一直線に貫通するように形成されていることが望ましい。
【００１８】
次に、請求項９に記載の伝送路変換器は、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の誘電体基板を、一又は複数積層した構造を有する導波管形成部と、導波管形成部が形成する導波管の一端を塞ぐように該導波管形成部に積層されると共に、電磁波を伝送する平面線路、及び前記導波管の開口内に位置し前記平面線路と電磁的に結合されたアンテナパターンが形成された誘電体基板からなる変換部とを備えることを特徴とする。
【００１９】
なお、これら導波管や伝送線路変換器の導波管形成部は、個々に製造された請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の誘電体基板を、後から一体化することで構成されたものであってもよいし、多層の誘電体基板を構成する各層が、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の誘電体基板と同様の構造を有するように構成されたものであってもよい。
【００２０】
このように構成された本発明の導波管や伝送線路変換器によれば、製造ばらつきの小さい均一な特性を実現することができる。
なお、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の誘電体基板、ひいては請求項９に記載の伝送線路変換器における導波管形成部は、図２（ｂ）に示すように、基板厚を変更しても、導波管としての特性（伝送損失）が大きく変動することがない。このため、請求項９に記載の伝送線路変換器によれば、変換部を設計する際に、誘電体基板の厚さを任意に選択することができ、設計の自由度を増すことができる。
【００２１】
また、本発明の伝送路変換器は、請求項１０に記載のように、変換部には、導波管の開口に対向する部分を囲う位置に、複数のビアからなる第３包囲部が設けられていることが望ましい。
【００２２】
これにより、変換部からの電磁波の漏洩を阻止することができ、導波管の伝送効率をより向上させることができる。
更に、第３包囲部を形成するビアは、請求項１１に記載のように、導波管の内壁の延長線上に配置されていることが望ましい。
【００２３】
即ち、変換部には、孔を形成する端面が存在せず、導波管の内壁の延長線上にビアを形成しても基板の強度が低下するといった問題が生じることがない。つまり、第３包囲部を形成するビアによって、端面に相当する位置を直に接地することができるため、電磁波の漏洩をより効率良く阻止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に本発明の実施形態を図面と共に説明する。
［第１実施形態］
図１は、（ａ）が本発明が適用された第１実施形態の誘電体基板１の構成を示す平面図、（ｂ）がそのＡ−Ａ断面図である。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態の誘電体基板１は、その両面に導電性材料（例えば金属薄膜等）からなる導体層３，５（グランドパターンや信号線パターン等）が形成された厚さｄ（本実施形態ではｄ＝１００μｍ）の両面基板であり、その中心部分には、所定周波数帯（本実施形態では７５〜１１０ＧＨｚ帯）の電磁波の伝送に使用される導波管と同じ内径（本実施形態では２．５４ｍｍ×１．２７ｍｍ）を有する矩形状の孔Ｈが形成されている。なお、図１では、図面を見易くするために、基板の厚さ方向の長さを誇張して（実際より大きく）示している。
【００２６】
また、誘電体基板１には、孔Ｈの内壁を形成する端面９から一定距離（ビアシフト量）δだけ離れた位置に、導体層３，５を導通させる複数のビア（Ｖｉａ）７が、一定間隔Ｗで形成されている。以下、このビア７群を第１包囲部と称する。
【００２７】
但し、伝送信号の周波数ｆにおける誘電体基板１内での基板内波長をλｇとして、δ＝λｇ／２、Ｗ≦λｇ／４に設定されている。具体的には、本実施形態では、ｆ＝７６．５ＧＨｚとして、δ＝０．６５ｍｍ、Ｗ＝０．４ｍｍに設定されている。
【００２８】
このように構成された誘電体基板１は、端面９に導体層を形成する必要がないため、誘電体基板の一般的なデザインルールにて製造することができ、低コストで導波管を形成することができる。
【００２９】
また、誘電体基板１は、ビア７と導通する導体層３，５を接地することで、孔Ｈを導波管として用いることができる。しかも、導波管（孔Ｈ）の内壁を形成する誘電体基板１の端面９は、接地されたビア７からλｇ／２だけ離れているため、仮想的に短絡しているものとして扱うことができ、また、第１包囲部を形成するビア７同士の間隔が、ビア７の間からの電磁波の漏洩を効率良く抑止することのできるλｇ／４以下に設定されているため、損失の小さい導波管を形成することができる。
【００３０】
ここで、図２（ａ）は、誘電体基板１により構成される導波管の透過特性Ｓ２１を、ビアシフト量δを変化（５０μｍ〜１ｍｍ）させて、シミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図から明らかなように、λｇ／２（＝０．６５ｍｍ）付近では、損失が小さくなっていることがわかる。
【００３１】
また、図２（ｂ）は、誘電体基板１により構成させる導波管の透過特性Ｓ２１を、基板厚ｄを変化（１００μｍ〜５００μｍ）させて、シミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。なお、ここでは、基板厚ｄ＝１００μｍの時に最適な特性が得られるように設計されたものを基準として、基板厚ｄのみを変化させている。図から明らかなように、基板厚を５倍に変化させても、損失の増加は０．０５ｄＢ以下であり、基板厚ｄを変化させても損失がほとんど変化しないことがわかる。
【００３２】
なお、本実施形態では、１層の両面基板からなる誘電体基板１に本発明を適用した例を示したが、図３に示すように、多層（図では３層）の誘電体基板１０に本発明を適用してもよい。この場合、誘電体基板１０を構成する各層が、上述の誘電体基板１と同様の構造を有するように製造すればよい。
【００３３】
また、多層の誘電体基板１０を形成する場合、初めから多層基板となるように作製してもよいし、個々に作製された一層の誘電体基板１を、後から一体化することで多層基板とするようにしてもよい。特に、初めから多層基板となるように作製する場合、その作製を容易にするために、ビア７は各層を一直線に貫通するように構成されていることが望ましい。
【００３４】
また、図９に示す誘電体基板１ａのように、第１包囲部を形成するビア７を更に包囲する位置（ビア７よりγ（≦λｇ／２）だけ外周側に離れた位置）に、導体層３，５を導通させる複数のビア８が、ビア７と同じ一定間隔Ｗで形成されている。但し、図９において、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図を示す。また、以下では、ビア８群を第２包囲部と称する。
【００３５】
なお、ここでは、ビア８同士の間隔をビア７同士の間隔と同じＷとしたが、λｇ／４以下であればビア７同士の間隔とは異なる大きさに設定してもよい。また、図９（ａ）では、ビア７，８の縦位置および横位置が一致するように配置されているが、これらがずれた位置となるように配置されていてもよい。
［第２実施形態］
次に、図４は、（ａ）が本発明が適用された第２実施形態の伝送線路変換器２０の全体構成を示す斜視図、（ｂ）がそのＢ−Ｂ断面図である。
【００３６】
図４に示すように、伝送線路変換器２０は、三層の誘電体層Ｐ１〜Ｐ３と、これら三つの誘電体層Ｐ１〜Ｐ３を挟むように形成された四層のパターン層Ｌ１〜Ｌ４とを有する多層基板からなる。
【００３７】
なお、以下では、誘電体層Ｐ１、及びその両面に形成されたパターン層Ｌ１，Ｌ２を変換部２０ａと称し、誘電体層Ｐ２，Ｐ３、及びその両面及び間に形成されたパターン層Ｌ２〜Ｌ４を導波管形成部２０ｂと称するものとする。
【００３８】
そして、伝送線路変換器２０には、導波管形成部２０ｂの中心部分を貫通し、変換部２０ａを底面とする矩形状のざぐり２１が形成されている。また、導波管形成部２０ｂには、変換部２０ａ側とは反対側の面（即ち、パターン層Ｌ４の形成面）に、このざぐり２１と連通する導波管Ｇが固定されている。なお、ざぐり２１は、導波管Ｇと同じ内径を有するように構成されている。
【００３９】
具体的には、本実施形態では、周波数ｆ＝７６．５ＧＨｚの高周波信号を伝送するものとして、７５〜１１０ＧＨｚ帯の電磁波の伝送に使用する内径が２．５４ｍｍ×１．２７ｍｍの導波管Ｇを用いている。
【００４０】
そして、導波管形成部２０ｂには、ざぐり２１により形成された誘電体層Ｐ２，Ｐ３の端面から、予め設定されたビアシフト量δだけ離れた位置に、誘電体層Ｐ２，Ｐ３を貫通し、パターン層Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を互いに導通させる複数のビア２３が、ざぐり２１による開口を囲うように設けられている。以下では、このビア２３群を第１包囲部と称する。
【００４１】
また、第１包囲部を形成するビア２３の外側の位置（上記誘電体層Ｐ２，Ｐ３の端面から更に離れた位置）には、ビア２３と同様に、誘電体層Ｐ２，Ｐ３を貫通し、パターン層Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を互いに導通させる複数のビア２４が、第１包囲部を囲うように設けられている。以下では、このビア２４群を第２包囲部と称する。
【００４２】
更に、変換部２０ａには、誘電体層Ｐ１を貫通し、パターン層Ｌ１，Ｌ２を互いに導通させる複数のビア２５が、ざぐり２１による開口と対向した部分を囲い、且つ、第１包囲部を形成するビア２３よりざぐり２１の端面に近い位置に設けられてる。以下では、このビア２５群を第３包囲部と称する。
【００４３】
なお、第１包囲部を形成するビア２３同士、及び第２包囲部を形成するビア２４同士、第３包囲部を形成するビア２５同士の間隔は、導波管Ｇにて伝送する電磁波の基板内波長をλｇとして、いずれも一定間隔Ｗ（≦λｇ／４）に設定されている。また、ビア２３の位置を規定するビアシフト量δは、ｎを正整数として、ｎ×λｇ／２に設定されるものであり、本実施形態では、ｎ＝１として、δ＝０．６５ｍｍに設定されている。更に、第１包囲部を形成するビア２３の列と、第２包囲部を形成するビア２４の列との間隔は、λｇ／２以下に設定されている。
【００４４】
ここで、図５は、各パターン層Ｌ１〜Ｌ４の形状を示す説明図である。
図５に示すように、誘電体層Ｐ３の導波管Ｇが固定される側の面に形成されるパターン層Ｌ４は、ざぐり２１による開口を除いた全面を覆うグランドパターンＧＰ４からなり、誘電体層Ｐ２，Ｐ３の間に形成されるパターン層Ｌ３は、ビア２３より内側以外の全体を覆うグランドパターンＧＰ３からなる。
【００４５】
また、誘電体層Ｐ１，Ｐ２の間、即ち変換部２０ａと導波管形成部２０ｂとの間に形成されるパターン層Ｌ２は、パターン層Ｌ４と同様に、ざぐり２１による開口を除く全面を覆うグランドパターンＧＰ２と、ざぐり２１の底面となる部分に位置する矩形状のアンテナパターンＡＰとからなる。
【００４６】
更に、誘電体層Ｐ１の外側を向いた面に形成されるパターン層Ｌ１は、高周波信号を伝送し、一端がパターン層Ｌ２のアンテナパターンＡＰと対向するように配線された平面線路（ストリップ線路，マイクロストリップ線路，コプレナー線路等）ＳＰと、この平面線路ＳＰとは非接触となり、且つ、ざぐり２１による開口に相当する領域を塞ぐように配置されたグランドパターンＧＰ１とからなる。そして、第３包囲部を形成するビア２５は、パターン層Ｌ１のグランドパターンＧＰ１のみを、パターン層Ｌ２のグランドパターンＧＰ２と導通させるように形成されている。尚、平面線路ＳＰとアンテナパターンＡＰはビア等で導通されていても良い。
【００４７】
つまり、伝送線路変換器２０において、導波管形成部２０ｂは、第１実施形態の変形例として説明した誘電体基板１ａを２層積層したものと同様の構造を有しており、伝送線路変換器２０に固定される導波管Ｇと一体の導波管を形成するように構成されている。
【００４８】
また、変換部２０ａは、導波管形成部２０ｂが形成する導波管の一端を塞ぎ、平面線路ＳＰと電磁的に結合されたアンテナパターンＡＰが導波管の開口内に位置するように構成されている。なお、アンテナパターンＡＰの形状，位置，大きさは、伝送する高周波信号（電磁波）の周波数ｆ、誘電体層Ｐ１の厚さｄ等に基づいて、変換損失が最小となる最適な値に設計される。
【００４９】
このように構成された伝送線路変換器２０では、ざぐり２１により形成された誘電体層Ｐ２，Ｐ３の端面（即ち、導波管形成部２０ｂが形成する導波管の内壁）から、ビアシフト量δ（＝λｇ／２）だけ離れた位置に、第１包囲部を形成する接地された複数のビア２３が配置され、上記端面が仮想的な短絡面となるようにされている共に、第１包囲部を包囲する位置に、第２包囲部を形成する接地された複数のビア２４が配置され、第１包囲部と第２包囲部とで二重に電磁波の漏洩を防止するようにされている。
【００５０】
従って、伝送路変換器２０によれば、導波管形成部２０ｂが形成する導波管の損失を小さく抑えることができ、当該伝送線路変換器２０の変換効率を向上させることができる。
また、伝送路変換器２０では、変換部２０ａにも、ざぐり２１による開口（即ち、導波管形成部２０ｂが形成する導波管）と対向する部分を囲う位置に、第３包囲部を形成する接地されたビア２５が配置されているため、この変換部２０ａからの電磁波の漏洩を防止することができる。
【００５１】
しかも、変換部２０ａにはざぐり２１が形成されていないため、第３包囲部を形成するビア２５を、上記端面にどれだけ接近させても基板の強度を劣化させてしまうといった問題が生じることがなく、第１包囲部を形成するビア２３より上記端面に接近させて配置することがでる。その結果、第１包囲部と比較して、より効率よく電磁波の漏洩を防止することができる。
【００５２】
なお、導波管形成部２０ｂが形成する導波管の特性は、第１実施形態において説明したように、各誘電体層Ｐ１〜Ｐ３の厚さｄを変えても大きく変化することがないため、変換部２０ａを設計する際に、誘電体層Ｐ１〜Ｐ３の厚さを任意に選択することができ、設計の自由度を増すことができる。
［第３実施形態］
次に、第３実施形態について説明する。
【００５３】
図６は、（ａ）が第３実施形態の伝送線路変換器３０の全体構成を示す斜視図、（ｂ）がそのＣ−Ｃ断面図である。
本実施形態の伝送線路変換器３０は、第２実施形態の伝送線路変換器２０と同様に、変換部３０ａと導波管形成部３０ｂとからなる。但し、導波管形成部３０ｂについては、第２実施形態の導波管形成部３０ｂと全く同様の構成であるため、ここでは説明を省略し、構成の相違する変換部３０ａを中心に説明する。
【００５４】
図６に示すように、変換部３０ａは、誘電体層Ｐ１とその両面に形成されたパターン層Ｌ１，Ｌ２からなる。
このうち、パターン層Ｌ２は、ざぐり２１の底面となる部分を除く全体に形成されたグランドパターンＧＰ２からなり、即ち、第２実施形態の場合と比較して、アンテナパターンＡＰが省略されたものとなっている。
【００５５】
一方、パターン層Ｌ１は、一端がざぐり２１の底面の中央に相当する部位に位置するように配線された平面線路ＳＰと、平面線路ＳＰと非接触となり、且つざぐり２１の底面に対応する部位の周囲を覆うように形成されたグランドパターンＧＰ１とからなる。
【００５６】
そして、変換部３０ａには、誘電体層Ｐ１を貫通し、パターン層Ｌ１のグランドパターンＧＰ１と、パターン層Ｌ２のグランドパターンＧＰ２とを互いに導通させる複数のビア２５が、ざぐり２１による開口（即ち、導波管形成部３０ｂが形成する導波管）と対向する部分を囲い、且つ、ざぐり２１により形成された誘電体層Ｐ２，Ｐ３の端面（即ち、導波管の端面）の延長線上に位置するように設けられてる。以下では、このビア２５群を第３包囲部と称する。
【００５７】
また、グランドパターンＧＰ１には、導波管の端部を短絡する短絡用導波管ＧＴが固定されている。但し、平面線路ＳＰは、短絡用導波管ＧＴの短絡端から伝送信号の導波管内波長の１／４だけ離れた箇所に位置するように構成されている。但し、正確に１／４である必要はなく、±２０％程度の範囲内でずれていてもよい。
【００５８】
このように構成された本実施形態の伝送線路変換器３０は、変換部３０ａの構成が異なるだけで、第２実施形態の伝送線路変換器２０と同様の構成を得ることができる。
また、伝送路変換器３０では、第３包囲部を形成するビア２５が、上記端面の延長線上に位置するように配置されているため、変換部３０ａでの電磁波の漏洩を最大限に抑えることができる。
［他の実施形態］
以上、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において様々な態様にて実施することが可能である。
【００５９】
例えば、上記実施形態では、ビアシフト量をδ＝λｇ／２に設定しているが、これに限るものではなく、λｇ／２の整数倍であればよい。また、ビアシフト量δは、必ずしも正確にδ＝ｎ×λｇ／２である必要はなく、±２０％程度の範囲内でずれていてもよい。
【００６０】
また、上記第２及び第３実施形態では、変換部２０ａ，３０ａが一つの誘電体層Ｐ１で構成されているが、図７に示すように、複数の誘電体層Ｐ１１，Ｐ１２で構成されていてもよい（なお、図では第２実施形態の変形例を示す）。
【００６１】
また、第２及び第３実施形態では、導波管形成部２０ｂ，３０ｂが、二つの誘電体層Ｐ２，Ｐ３で構成されているが、一つ又は三つ以上の誘電体層で構成されていてもよい。
また、図７に示すように、変換部２０ａに設けられた第３包囲部を形成するビア２５を、導波管形成部２０ｂに設けられた第１及び第２包囲部を形成するビア２３，２４と同様に、二重に形成してもよい。更に、この場合、二重のビア２５の双方ともを、ビア２３よりざぐり２１に近い内側の位置（即ち、導波管形成部２０ｂが形成する導波管の端面からλｇ／２以下の位置）に形成することが望ましい。また特に、内側のビア２５は、端面の延長線上に位置するように形成することが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）が第１実施形態の誘電体基板の構成を示す平面図、（ｂ）がそのＡ−Ａ断面を示す断面図。
【図２】誘電体基板が形成する導波管の透過特性をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフであり、（ａ）がビアシフト量δを変化させた場合、（ｂ）が基板厚ｄを変化させた場合である。
【図３】第１実施形態の誘電体基板を積層した構造を示す説明図。
【図４】（ａ）が第２実施形態の伝送線路変換器の構成を示す斜視図、（ｂ）がそのＢ−Ｂ断面を示す断面図。
【図５】各パターン層の構成を示す説明図。
【図６】（ａ）が第３実施形態の伝送線路変換器の構成を示す斜視図、（ｂ）がそのＣ−Ｃ断面を示す断面図。
【図７】第２実施形態の伝送線路変換器の変形例の構成を示す説明図。
【図８】従来技術の構成、及び問題点を示す説明図。
【図９】（ａ）が第１実施形態の変形例の誘電体基板の構成を示す平面図、（ｂ）がそのＡ−Ａ断面を示す断面図。
【符号の説明】
【００６３】
１，１ａ，１０…誘電体基板、３，５…導体層、７，８，２３，２４，２５…ビア、９…端面、２０，３０…伝送線路変換器、２０ａ，３０ａ…変換部、２０ｂ，３０ｂ…導波管形成部、２１…ざぐり、Ｈ…孔、Ｇ…導波管、ＧＴ…短絡用導波管、ＡＰ…アンテナパターン、ＧＰ１〜ＧＰ４…グランドパターン、ＳＰ…平面線路、Ｌ１〜Ｌ４…パターン層、Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ１１，Ｐ１２…誘電体層。
【図１】
2007329908.tif 000003
【図２】
2007329908.tif 000004
【図３】
2007329908.tif 000005
【図８】
2007329908.tif 000006
【図９】
2007329908.tif 000007
【図４】
2007329908.tif 000008
【図５】
2007329908.tif 000009
【図６】
2007329908.tif 000010
【図７】
2007329908.tif 000011