(57)【要約】【課題】バルク波に基づくスプリアスを低減できるようにする。【解決手段】弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２にすだれ状電極からなるＩＤＴ１４、１６を有する。圧電基板１２は、オイラー角を（φ，θ，ψ）としたときに、カット角が（４５°，９０°，８０°〜１００°）（ただし、ψ＝９０°を除く）または（１３５°，９０°，８０°〜１００°）（ただし、ψ＝９０°を除く）である四ホウ酸リチウムからなっている。すだれ状電極からなるＩＤＴ１４、１６は、ＩＤＴ１４によって圧電基板１２に励振されたバルク波の群速度方向と異なる方向に沿って配置してある、【選択図】図２
2007325084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板にすだれ状電極が設けてある弾性表面波素子片であって、
前記圧電基板は、オイラー角を（φ，θ，ψ）としたときに、カット角が（４５°，９０°，８０°〜１００°）（ただし、ψ＝９０°を除く）または（１３５°，９０°，８０°〜１００°）（ただし、ψ＝９０°を除く）である四ホウ酸リチウムからなり、
前記すだれ状電極は、すだれ状電極によって前記圧電基板に励振されたバルク波の群速度方向と異なる方向に沿って配置してある、
ことを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波素子片において、
前記すだれ状電極は、すだれ状電極によって励振された弾性表面波の位相速度の方向に対して傾斜して配置してあることを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項３】
請求項１または２に記載の弾性表面波素子片において、
前記すだれ状電極は、前記弾性表面波の群速度の方向と前記位相速度の方向とのなす角度をパワーフロー角（PFA）としたときに、前記すだれ状電極の配置方向と前記位相速度
の方向とのなす角度がPFA±３°である、
ことを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項４】
請求項３に記載の弾性表面波素子片において、
前記すだれ状電極は、電極指が前記弾性表面波の位相速度の方向と直交して形成してあることを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性表面波素子片において、
前記すだれ状電極は、配置した方向に複数設けてあることを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波素子片において、
前記すだれ状電極は、すだれ状電極の配置方向に形成した反射器に挟まれていることを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の弾性表面波素子片を有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板にすだれ状電極を設けた弾性表面波素子片に係り、特に圧電基板として四ホウ酸リチウム単結晶を用いた弾性表面波素子片および弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子などの弾性表面波デバイスは、小型で量産性に優れているところから、携帯電話機などの各種電子機器に用いられている。弾性表面波デバイスは、圧電基板にすだれ状電極からなるＩＤＴ（Interdigital Transducer）を設け
た弾性表面波素子片を主な構成要素としている。
【０００３】
従来、弾性表面波素子片を形成する圧電基板としては、水晶結晶や ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｉＯ３）単結晶、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶などが広く用いられている。水晶基板は、温度の変化に対する周波数の安定性（周波数温度特性）が優れており、高精度な弾性表面波素子片を得るのに広く用いられている。しかし、水晶基板は、０℃〜５０℃における周波数変動が約２０ｐｐｍと周波数温度特性に優れている反面、電気機械結合係数ｋ２が０．１％と小さいため、水晶基板を励振するために大きな電気エネルギーを必要とする。
【０００４】
一方、ニオブ酸リチウムの単結晶は、電気機械結合係数ｋ２が５．５％と水晶に比較して非常に大きい利点を有している。しかし、ニオブ酸リチウムは、０℃〜５０℃における周波数変動が約３７００ｐｐｍと非常に大きく、広帯域フィルタなどに使用することができても、近年、強く要求されている高精度な狭帯域フィルタなどには使用することができない。また、タンタル酸リチウム単結晶は、電気機械結合係数ｋ２が０．８％程度であり、水晶よりもはるかによい。だが、０℃〜５０℃における周波数変動が約８００ｐｐｍであり、水晶に比較するとかなり劣っている。
【０００５】
そこで、近年、電気機械結合係数ｋ２が０．８％程度とタンタル酸リチウムと同じ程度の電気機械結合係数を有し、０℃〜５０℃における周波数変動量が約１８０ｐｐｍ程度と、水晶ほどではないが、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムよりも優れた温度の特性が得られる四ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）が注目されている。従来の弾性表面波素子片を形成する四ホウ酸リチウムは、通常、カット角（切り出し角と表面弾性波の伝播方向）がオイラー角表示で（４５°，９０°，９０°）の単結晶基板が用いられていた。ところが、四ホウ酸リチウム単結晶（以下、単に四ホウ酸リチウムという）は、基板の内部を伝播（伝搬）するいわゆるバルク波（Bulk Wave：ＢＡＷ）に対しても、弾性表面波に
対しても同様な比較的大きな電気機械結合係数を有している。このため、上記のカット角を有する四ホウ酸リチウム（いわゆる、４５°回転ＸカットＺ伝搬四ホウ酸リチウム）の弾性表面波素子片からなるフィルタは、図１０にＡで示したように、中心周波数の高域側にＢＡＷによるスプリアスが生ずる。なお、図１０は、中心周波数が約３００ＭＨｚのフィルタの周波数特性を示しており、横軸が中心周波数との周波数差（相対周波数）をＭＨｚで示し、縦軸が中心周波数に対する相対減衰量をｄＢで示している。そして、このフィルタを構成している弾性表面波素子片は、一対のＩＤＴが弾性表面波の伝播方向（位相速度の方向）に沿って配置してある。
【０００６】
また、上記の４５°回転ＸカットＺ伝搬四ホウ酸リチウムは、結晶の異方定数γが大きく、ＩＤＴによって励振した弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）の回折が大
きくなり、フィルタ特性を劣化させる。そこで、特許文献１では、オイラー角を（φ，θ
，ψ）としたときに、四ホウ酸リチウム基板のカット角をオイラー角表示で（４５°，９０°，７５°≦ψ＜８０°）または（４５°，９０°，１００°＜ψ≦１０５°）にして弾性表面波の回折による特性の劣化を抑えるようにしている。
【特許文献１】特開２００３−３０４１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように、従来の４５°回転ＸカットＺ伝搬四ホウ酸リチウムを用いた弾性表面波素子片は、中心周波数の高域側にＢＡＷによるスプリアスが現れて好ましくない。したがって、四ホウ酸リチウムを用いた弾性表面波素子片において、ＢＡＷによるスプリアスを低減することが望まれている。
【０００８】
一方、発明者らの研究によると、カット角をオイラー角表示で（４５°，９０°，ψ）とした場合、詳細を後述するように、ψ＜８０°、ψ＞１００°である四ホウ酸リチウムは、ＢＡＷが急速に大きくなることが明らかになった。したがって、特許文献１に記載のカット角を有する四ホウ酸リチウムは、ＢＡＷによるスプリアスを低減することができない。
本発明は、ＢＡＷに基づくスプリアスを低減することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明に係る弾性表面波素子片は、圧電基板にすだれ状電極が設けてある弾性表面波素子片であって、前記圧電基板は、オイラー角を（φ，θ，ψ）としたときに、カット角が（４５°，９０°，８０°〜１００°）（ただし、ψ＝９０°を除く）または（１３５°，９０°，８０°〜１００°）（ただし、ψ＝９０°を除く）である四ホウ酸リチウムからなり、前記すだれ状電極は、すだれ状電極によって前記圧電基板に励振されたバルク波の群速度方向と異なる方向に沿って配置してある、ことを特徴としている。
【００１０】
前記弾性表面波素子片は、ＩＤＴを構成しているすだれ状電極をＢＡＷ（バルク波）の群速度方向と異なる方向に沿って配置したことにより、ＢＡＷの影響を小さくすることができ、ＢＡＷによるスプリアスを低減することができる。弾性表面波の伝播方向（位相速度の方向）であるψがψ＜８０°、またはψ＞１００°の場合、後述するように、バルク波のレベル（強度）が急激に大きくなり好ましくない。
【００１１】
すだれ状電極は、すだれ状電極によって励振された弾性表面波の位相速度の方向に対して傾斜して配置してよい。発明者らの研究によると、すだれ状電極によって励振されるバルク波は、伝播方向（位相速度の方向）が、弾性表面波の伝播方向（位相速度の方向）と一致している。しかし、バルク波と弾性表面波の群速度の方向は、本発明に係る圧電基板の方位においては双方異なる。したがって、すだれ状電極を弾性表面波の位相速度の方向と異ならすことにより、バルク波によるスプリアスを低減することができる。
【００１２】
すだれ状電極は、弾性表面波の群速度の方向と位相速度の方向とのなす角度をパワーフロー角（PFA）としたときに、すだれ状電極の配置方向と位相速度の方向とのなす角をPFA±３°とするとよい。発明者らの研究によると、切り出し角と弾性表面波の伝播方向（位相速度の方向）、すなわちカット角がオイラー角表示で（４５°，９０°，９０°）の場合、弾性表面波の群速度の方向とバルク波の群速度の方向とが同じである。しかし、弾性表面波の伝播方向ψが９０°からずれると、弾性表面波とバルク波との群速度の方向が異なってくる。したがって、すだれ状電極を弾性表面波の群速度の方向に配置することにより、バルク波によるスプリアスをより低減することができる。また、後述するように、弾性表面波とバルク波とは、弾性表面波の伝播方向ψがψ＝９０°からずれるのにしたがっ
て、群速度の方向の相違が次第に大きくなる。このため、例えば、ψ≦７５°またはψ≧９５°においては、すだれ状電極の配置方向をPFA±３°としても、バルク波によるスプ
リアスの影響を従来に比較して有意に低減することができる。
【００１３】
すだれ状電極は、電極指が弾性表面波の位相速度の方向と直交して形成することができる。電極指を弾性表面波の位相速度の方向に直交して形成することにより、すだれ状電極を群速度の方向に確実に配置することができる。そして、すだれ状電極は、配置した方向に複数設けることができる。すだれ状電極を複数設けてフィルタ用の弾性表面波素子片としてよい。もちろん、すだれ状電極は１つであってもよい。すだれ状電極は、反射器によって挟んでよい。これにより、弾性表面波の閉じ込め効果を高めることができる。
【００１４】
本発明に係る弾性表面波デバイスは、上記いずれかの弾性表面波素子片を有することを特徴としている。これにより、上記の効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明に係る弾性表面波素子片および弾性表面波デバイスの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図１は、本発明に係る弾性表面波素子片の平面図である。図１において、弾性表面波素子片１０は、平面視矩形状の圧電基板１２に中央部にすだれ状電極からなる一対のＩＤＴ１４、１６が設けてある。ＩＤＴ１４、１６は、圧電基板１２に励振された弾性表面波の、矢印２６で示した後述する群速度の方向に沿って設けてある。各ＩＤＴ１４、１６は、それぞれが一対の櫛型電極１８（１８ａ、１８ｂ）、２０（２０ａ、２０ｂ）からなっている。ＩＤＴ１４を構成する櫛型電極１８ａ、１８ｂは、それぞれ複数の電極指２２（２２ａ、２２ｂ）とバスバー２４とからなり、電極指２２の一端がバスバー２４に接続してある。
【００１６】
各電極指２２は、矢印２８で示した弾性表面波の伝播方向（位相速度の方向）に直交して形成してある。また、バスバー２４は、矢印２６で示した弾性表面波の群速度方向に沿って形成してある。そして、ＩＤＴ１４は、一対の櫛型電極１８ａ、１８ｂの電極指２２ａ、２２ｂが噛み合うように等間隔で配置してあり、すだれ状をなしている。ＩＤＴ１６を構成している一対の櫛型電極２０は、電極指３８（３８ａ、３８ｂ）とバスバー４０とからなり、櫛型電極１８と同様に形成してある。したがって、ＩＤＴ１６は、ＩＤＴ１４と同様に一対の櫛型電極２０の電極指３８が噛み合うように等間隔で配置されてすだれ状をなしている。また、圧電基板１２は、実施形態の場合、ＩＤＴ１４、１６に沿った一対の長辺３０、３２がバスバー２４と平行、すなわち弾性表面波の群相速度の方向２６に沿って形成してある。圧電基板１２の一対の短辺３４、３６は、長辺３０、３２と直交している。
【００１７】
弾性表面波素子片１０は、ＩＤＴ１４、１６を挟んで、弾性表面波の群速度の方向２６に沿って一対の反射器４２（４２ａ、４２ｂ）を備えている。反射器４２は、ＩＤＴ１４、１６の電極指と平行に形成した複数の導体ストリップ４４からなっている。そして、反射器４２は、各導体ストリップ４４の両端が相互に接続されていて、梯子状をなしている。これらの反射器４２とＩＤＴ１４、１６とは、実施形態の場合、アルミニウムまたはアルミニウム合金の薄膜をフォトエッチングして形成してある。すなわち、圧電基板ウエハの表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の薄膜を真空蒸着またはスパッタリングなどによって成膜し、その薄膜を所定の形状にフォトエッチングして形成してある。
【００１８】
ＩＤＴ１４、１６は、いずれか一方、例えばＩＤＴ１４が入力電極となり、いずれか他方のＩＤＴ（この場合、ＩＤＴ１６）が出力電極となっている。入力電極となるＩＤＴ１４の一対の櫛型電極１８ａ、１８ｂは、入力した所定周波数の電気信号(電圧)により、圧
電基板１２を励振して所定周波数の弾性表面波を生成する。ＩＤＴ１６は、ＩＤＴ１４によって励振された弾性表面波を受信し、電気信号（電圧）に変換して出力する。
【００１９】
圧電基板１２は、実施形態の場合、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）からなっている。圧電基板１２である四ホウ酸リチウムは、実施形態の場合、オイラー角を（φ、θ，ψ）としたとき、切り出し角と弾性表面波の伝播方向（弾性表面波の位相速度の方向）とがオイラー角表示で（４５°，９０°，９０°±１０°）（ただし、ψ＝９０°を除く）となっている。図２は、この切り出し角度と弾性表面波の伝播方向と（以下、これらをカット角という）を説明する図である。
【００２０】
図２において、Ｘ、Ｙ、Ｚの各軸は、相互に直交した基になる結晶の座標軸である。まず、Ｘ軸とＹ軸とをＺ軸を中心にして、すなわちＸＹ面４５内において反時計方向に角度φ回転させ、回転後のＸ軸とＹ軸とをＸ′軸、Ｙ′軸とする。次に、Ｙ′軸とＺ軸とをＸ′軸を中心に反時計方向に角度θ回転させ、回転後のＹ′軸とＺ軸とをＹ″軸、Ｚ′軸とする。さらに、Ｘ′軸とＹ″軸とをＺ′軸を中心として、すなわちＸＹ面４５に対してθ度傾斜しているＸ′Ｙ″面４６内において反時計方向に角度ψ回転させ、回転後のＸ′軸とＹ″軸とＺ′軸とをそれぞれＸ１軸、Ｙ１軸、Ｚ１軸とする。ただし、Ｚ１軸は、Ｚ′軸と一致し、Ｘ′Ｙ″面（Ｘ１Ｙ１面）に直交している。このようにして得られたＸ１Ｙ１面４６において、弾性表面波の伝播方向（弾性表面波の位相速度の方向）がＸ１軸に沿った方向である場合をオイラー角（φ，θ，ψ）と表現する。そして、実施形態の場合、φ＝４５°、θ＝９０°であって、弾性表面波の伝播方向である位相速度の方向ψ＝９０°±１０°（ただし、ψ＝９０°を除く）に設定している。
【００２１】
発明者らは、φ＝４５°、θ＝９０°の切り出し角度を有する四ホウ酸リチウム基板を用いて弾性表面波素子片を作成し、弾性性表面波の伝播方向（位相速度の方向）とバルク波（ＢＡＷ）の強さ（レベル）との関係を調べた。図３、図４は、その結果を示したものであって、弾性表面波の伝播方向、すなわち弾性表面波の位相速度の方向ψが９０°近辺のバルク波の強さを示した図である。図３と図４とは、同じ電圧をＩＤＴに与えて弾性表面波を励振したときのバルク波（ＢＡＷ）のレベルを示したもので、図３は放射レベルを示し、図４は受信レベルを示している。
【００２２】
図３は、横軸が度（°）で表した弾性表面波の伝播方向（位相速度の方向）ψであって、縦軸がバルク波（ＢＡＷ）の放射の強さ（放射レベル）を示している。図３に示したように、切り出し角がφ＝４５°、θ＝９０°の場合、弾性表面波の伝播方向ψが９０°のとき、バルク波の放射レベルが約０．２と最も小さくなる。そして、弾性表面波の伝播方向ψが９０°からマイナス方向、またはプラス方向のどちら側の方向にずれたとしても、ずれ角度が大きくなるに従ってバルク波の放射レベルも次第に大きくなる。このバルク波の放射レベルの変化は、ψ＝９０°を中心にしてマイナス側とプラス側でほぼ対称である。なお、バルク波の放射レベルは計算により求めた。
【００２３】
図４は、弾性表面波の群速度の方向とすだれ状電極の配置方向とを一致させた弾性表面波素子におけるバルク波の受信の強さを示している。横軸が度（°）で表した弾性表面波の伝播方向ψであって、縦軸がバルク波の受信の強さ（受信レベル）を示している。図４に示されているように、バルク波の受信レベルは、ψ＝９０°に約５の極大値を有する。そして、弾性表面波の伝播方向ψが９０°からマイナス側、プラス側のいずれの側にずれたとしても、バルク波の受信レベルは低下し、ψ≒８２°またはψ≒９８°で約２の極小値となる。しかし、バルク波の受信レベルは、弾性表面波の伝播方向ψが８２°より小さくなると、または９８°より大きくなると、急速に大きくなる。
【００２４】
この図３、図４の結果から、バルク波に基づくスプリアスを低減するためには、切り出
し角がφ＝４５°、θ＝９０°の四ホウ酸リチウム基板の場合、弾性表面波の伝播方向（位相速度の方向）ψは、８０°〜１００°、すなわちψ＝９０°±１０°が望ましい。そして、バルク波の受信レベルが低くなるψ＝８０°〜８５°またはψ＝９５°〜１００°の範囲が特に望ましい。
【００２５】
さらに、発明者等は、上記のカット角を有する四ホウ酸リチウム基板からなる弾性表面波素子片に付いて、弾性表面波とバルク波との群速度の方向を調べた。図５は、その結果を示したものである。図５は、横軸がψ＝９０°を基準とした弾性表面波（ＳＡＷ）の位相速度の方向を度（°）でもって示している。すなわち、図５の横軸は、０°がψ＝９０°、従って四ホウ酸リチウムの切り出し角と弾性表面波の位相速度の伝播方向とが、オイラー角表示で（４５°，９０°，９０°）である。そして、図５の縦軸は、弾性表面波またはバルク波（ＢＡＷ）の位相速度の方向と群速度の方向とがなす角（パワーフロー角）PFAを度で示した。
【００２６】
図５に示されているように、ψ＝９０°においては、弾性表面波、バルク波ともにPFA
＝０°であって、弾性表面波、バルク波ともに位相速度の方向と群速度の方向とが一致している。なお、バルク波の位相速度の方向（伝播方向)は、弾性表面波の位相速度の方向
と同じであった。しかし、弾性表面波の位相速度の方向がψ＝９０°からずれると、弾性表面波、バルク波ともに位相速度の方向と群速度の方向とが異なる。すなわち、PFA＝０
°でなくなる。しかも、バルク波の群速度の方向は、弾性表面波の群速度の方向と異なった方向となる。すなわち、弾性表面波とバルク波とでは、群速度の方向が位相速度の方向に対して相互に反対側となった。例えば、弾性表面波の群速度の方向が位相速度に対してプラス側になる場合、バルク波の群速度の方向は、位相速度の方向に対して、マイナス側になる。
【００２７】
そして、弾性表面波のパワーフロー角PFAＳＡＷとバルク波のパワーフロー角PFAＢＡＷとの差の絶対値｜PFAＳＡＷ−PFAＢＡＷ｜を求めると、図６のようになる。図６は、横軸がψ＝９０°からのずれ角度Δψの絶対値を度で示し、縦軸が｜PFAＳＡＷ−PFAＢＡＷ｜＝ΔPFAを度で示している。図６に示されているように、ΔPFAは、ψ＝９０°からずれ、ずれ角｜Δψ｜が大きくなるのに従って直線的に大きくなる。このΔPFAの直線の傾きは
、０．９６であった。すなわち、ΔPFAは、ΔPFA＝０．９６｜Δψ｜として表すことができる。
【００２８】
以上の結果から、すだれ状電極からなるＩＤＴの配置方向をバルク波の群速度の方向ψＢＧと異ならすことにより、バルク波の影響を小さくすることができ、バルク波によるスプリアスを低減することができる。この場合、ＩＤＴの配置方向は、弾性表面波の伝播方向、すなわち弾性表面波の位相速度の方向と異なっていてもよい。そして、ＩＤＴの配置方向を弾性表面波の群速度の方向に沿って配置すると、弾性表面波のエネルギーを効率よく反射、伝播することができ、バルク波によるスプリアスをより小さくすることができる。また、ＩＤＴの電極指を弾性表面波の位相速度の方向と直交して形成することにより、ＩＤＴを弾性表面波の群速度の方向に確実に配置することができる。
【００２９】
したがって、実施形態の弾性表面波素子片１０は、図２に示したように、ＩＤＴ１４によって励振される弾性表面波の伝播の方向（位相速度の方向）をＹ１とすると、すだれ状電極からなるＩＤＴ１４、１６は、弾性表面波の伝播の方向とパワーフロー角PFAだけ傾
斜した、一点鎖線４８で示した群速度の方向に沿って配置してある。なお、弾性表面波の伝播方向Ｙ１は、Ｘ１軸の方向に沿っている。そして、発明者の実験によると、弾性表面波の伝播方向Ｙ１がψ＝９０°でなく、例えばψ≦８５°またはψ≧９５°である場合、ＩＤＴ１４，１６の配置方向とＹ１とのなす角度は、PFA±３°であっても、バルク波に
よるスプリアスを従来に比較して有意に低減することができる。
【００３０】
図７は、本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの一例である弾性表面波フィルタを模式的に示した断面図である。図７において、弾性表面波フィルタ５０は、弾性表面波素子片１０がパッケージ５２に収容してある。パッケージ５２は、パッケージ本体５４と蓋体５６からなっている。パッケージ本体５４は、例えばセラミックのグリーンシートを積層して焼成し、弾性表面波素子片１０を収容する収容空間５８を有する箱型に形成してある。蓋体５６は、金属板やガラス板、セラミック板などからなっており、金属ロウ材や低融点ガラスなどを介してパッケージ本体５４の上端面に接合され、収容空間５８を気密に封止している。
【００３１】
弾性表面波素子片１０は、パッケージ本体５４が形成する収容空間５８に収容され、接着剤６０などを介してパッケージ本体５４の底面に固着してある。パッケージ本体５４は、底面に複数の実装端子６２が設けてある。この実装端子６２には、金やアルミニウムなどのボンディングワイヤ６４の一端が接続してある。ボンディングワイヤ６４は、他端が弾性表面波素子片１０に設けたボンディングパッド（図示せず）に接合してある。ボンディングパッドは、ＩＤＴ１４、１６を構成している一対の櫛型電極１８、２０のそれぞれに対応して設けてあり、図示しない配線パターンなどを介して櫛型電極１８、２０に電気的に接続してある。したがって、ＩＤＴ１４、１６は、ボンディングパッドとボンディングワイヤ６４とを介して実装端子６２に電気的に接続してある。また、実装端子６２は、パッケージ本体５４に形成した図示しないスルーホールなどを介して、パッケージ本体５４の下面に設けた外部端子６６に電気的に接続してある。ＩＤＴ１４を構成している一対の櫛型電極は、外部端子６６を介して一方が電子機器のマザーボードに設けた信号入力回路に接合され、他方がグランドに接続される。また、ＩＤＴ１６を構成している一対の櫛型電極は、外部端子６６を介して一方が出力回路に接続され、他方がグランドに接続される。
【００３２】
図８は、実施形態に係る弾性表面波素子片１０を用いた中心周波数が約３００ＭＨｚの弾性表面波フィルタ５０の周波数特性を示したものである。用いた弾性表面波素子片１０の圧電基板１２は、カット角（切り出し角と弾性表面波の伝播方向）がオイラー角表示で（４５°，９０°，９８°）の四ホウ酸リチウムである。また、ＩＤＴ１４、１６は、配置方向が弾性表面波の群速度の方向に沿っており、ＩＤＴ１４、１６の配置方向と弾性表面波の伝播方向（位相速度の方向）とのなす角（パワーフロー角PFA）が５．３°である
。そして、バルク波は、位相速度の方向と群速度の方向とのなす角（パワーフロー角PFA)が−２．３°となっている。
【００３３】
図９に示したように、ＩＤＴ１４により励振された弾性表面波６８は、伝播領域７２が二点鎖線で示したように、ＩＤＴ１４、１６の配置方向に沿っている。そして、弾性表面波６８の伝播方向(位相速度の方向)は、ＩＤＴ１４、１６の電極指に直行する。一方、バルク波７０は、伝播領域７４が破線で示したように、ＩＤＴ１４、１６と交差する。したがって、バルク波７０は、一部しかＩＤＴ１６に受信されない。ただし、伝播方向は、弾性表面波と同様に、ＩＤＴ１４、１６の電極指と直行する。この結果、図８のＢをもって示したように、中心周波数の高域側に現れるバルク波によるスプリアスを、図１０に示した従来のものと比較して５〜６ｄＢ改善することができる。なお、図８は、横軸が中心周波数との周波数差（相対周波数）をＭＨｚで示し、縦軸が中心周波数に対する相対減衰量をｄＢで示している。
【００３４】
なお、前記実施形態においては、カット角がオイラー角表示で（４５°，９０°，８０°〜１００°)(ただし、ψ＝９０°を除く)の四ホウ酸リチウム基板を用いた場合につい
て説明したが、四ホウ酸リチウム単結晶の対称性から、カット角がオイラー角表示で（１３５°，９０°，８０°〜１００°)(ただし、ψ＝９０°を除く)の四ホウ酸リチウム基
板であってもよい。そして、前記実施形態においては、ＩＤＴが一対設けられている場合について説明したが、ＩＤＴが１つの共振子用弾性表面波素子片であってもよい。また、前記実施形態においては、ＩＤＴ１４、１６を挟んで反射器４２を設けた場合について説明したが、反射器４２を有しないトランスバーサル型であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。
【図２】カット角の説明図である。
【図３】弾性表面波の伝播方向とバルク波の放射レベルとの関係を示す図である。
【図４】弾性表面波の伝播方向とバルク波の受信レベルとの関係を示す図である。
【図５】弾性表面波の伝播方向と弾性表面波およびバルク波のパワーフロー角との関係を示す図である。
【図６】弾性表面波のパワーフロー角とバルク波のパワーフロー角との差の絶対値を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの模式的に示した断面図である。
【図８】実施形態に係る弾性表面波フィルタのフィルタ特性を示したものである。
【図９】実施の形態における弾性表面波素子片の弾性表面波とバルク波との伝播領域を模式的に示した図である。
【図１０】従来の四ホウ酸リチウムを用いた弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０………弾性表面波素子片、１２………圧電基板、１４、１６………すだれ状電極(
ＩＤＴ)、１８ａ、１８ｂ………櫛型電極、２０ａ、２０ｂ………櫛型電極、２２ａ、２
２ｂ………電極指、２６………弾性表面波の群速度の方向、２８………弾性表面波の位相速度の方向、３８ａ、３８ｂ………電極指、４２ａ、４２ｂ………反射器、５０………弾性表面波デバイス(弾性表面波フィルタ)、６８………弾性表面波、７０………バルク波。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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