(57)【要約】【課題】  化学増幅型のレジストが塗布され露光された基板を加熱処理するにあたり、レジストの化学増幅反応を促進させて線幅精度の高いパターンを形成できる基板処理装置を提供すること。【課題を解決する手段】  処理容器内の基板載置部と、水を気化する気化部と、この気化部にキャリアガスを供給するための供給路と、キャリアガスを前記気化部に供給して得られた水蒸気を含む処理ガスを処理容器内に供給するガス供給路と、基板が基板載置部に載置され、処理容器内が前記処理ガスの露点温度よりも高い温度になった後に前記処理ガスを処理容器内に供給する制御部と、を備えるように基板加熱装置を構成する。露光された基板を水蒸気雰囲気で加熱できるため、短時間の電子ビーム露光がなされたエネルギー注入量の少ないレジストの場合であっても加熱処理により露光領域にあたる部位を充分に変質させることができ、線幅精度も向上する。  【選択図】図１
2007059633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の基板載置部に、化学増幅型のレジストが塗布された、露光後、現像前の基板を載置して加熱手段により加熱する基板加熱装置において、
水を気化する気化部と、
この気化部にキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給路と、
キャリアガスを前記気化部に供給して得られた水蒸気を含む処理ガスを処理容器内に供給するガス供給路と、
基板が基板載置部に載置され、処理容器内が前記処理ガスの露点温度よりも高い温度になった後に、前記処理ガスを処理容器内に供給するための制御部と、を備えたことを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
気化部は、水を収容し、キャリアガスをするバブリングさせるための容器と、この容器内の水を加熱する手段と、を含むことを特徴とする請求項１記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記制御部は、基板載置部に基板が載置された後の経過時間に基づいてあるいは処理容器内の温度検出値に基づいて、処理容器内が前記処理ガスの露点温度よりも高い温度になったと判断することを特徴とする請求項１または２に記載の基板加熱装置。
【請求項４】
前記露光は、低加速の電子ビームにより基板の表面にパターンを描画する電子ビーム露光であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
【請求項５】
前記処理容器内を加圧する加圧手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
【請求項６】
処理容器内を排気する排気手段を設け、
前記制御部は、この排気手段により処理ガスが排気された後に、基板を処理容器の外に搬出するための制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板加熱装置。
【請求項７】
複数枚の基板を収納した基板キャリアが搬入されるキャリアステージと、このキャリアステージに搬入された基板キャリアとの間で基板受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むキャリアステーションと、
前記受け渡し手段から受け渡された基板にレジストを塗布する塗布ユニットと、
露光後の基板を現像する現像ユニットと、
露光前の基板を露光装置に受け渡し、露光後の基板を露光装置から受け取るためのインターフェイス部と、を備えた塗布、現像装置において、
請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板加熱装置を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項８】
化学増幅型のレジストが塗布された、露光後、現像前の基板を加熱する基板加熱方法において、
基板を処理容器内の基板載置部に載置する工程と、
キャリアガスにより水を気化して水蒸気を含む処理ガスを生成する工程と、
基板が基板載置部に搬入され、処理容器内が前記処理ガスの露点温度よりも高い温度になった後に、前記処理ガスを処理容器内に供給する工程と、を備えたことを特徴とする基板加熱方法。
【請求項９】
前記露光は、低加速の電子ビームにより基板の表面にパターンを描画する電子ビーム露光であることを特徴とする請求項８記載の基板加熱方法。
【請求項１０】
処理ガスを処理容器内から排気する工程と、
その後、基板を処理容器の外に搬出する工程と、を備えたことを特徴とする請求項８または９のいずれか一つに記載の基板加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学増幅型のレジストが塗布され、さらに露光された後の基板を現像する前に加熱処理する基板加熱装置、塗布、現像装置及び基板加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、例えば半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の表面に薄膜状にレジストを塗布し、露光した後、現像液により現像して表面にマスクパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
レジストの種類の一つに化学増幅型のレジストがある。このレジストは、露光することによりレジストに含まれる酸発生剤から酸が発生し、さらにＰＥＢ（Post Exposure Bake）と呼ばれる加熱処理を行うことによりこの酸が露光領域内に拡散して酸触媒反応が進行する。図９は化学増幅型のレジストのうち露光領域が酸触媒反応によって現像液に対し溶解性に変質するポジ型のレジストを用いたときの露光、加熱、現像の状態を示す図である。先ず、レジストＲが薄膜状に塗布された基板例えばウエハＷに対し、パターンに対応する開口部を有するマスクＭを介在させて露光を行うと、マスクＭの開口部を通過して光の当たった部位の表面部に例えばプロトン（Ｈ＋）などの酸が発生する（図１１（ａ））。次いでウエハＷを所定の温度例えば９０〜１４０℃で加熱すると、酸が拡散して酸触媒反応が進行し、そしてレジストＲの主成分であるベース樹脂を酸が分解して現像液に対して可溶解性となる（図１１（ｂ））。この酸触媒反応についてより詳しくは、例えば露光部に発生した酸が拡散してベース樹脂を分解すると、このとき新たに酸（或いは酸に相当する成分）が生成し、この酸がベース樹脂を分解する、といったように増幅反応が進行する。その後、ウエハＷの表面に現像液を供給することにより、現像液に不溶解性の部位が残ってレジストパターンが形成される（図１１（ｃ））。
【０００４】
ところで、パターンの微細化は益々進行する傾向にあり、更に、近年においては、少品種大量生産から多品種少量生産の生産方式に移行しつつあることから、これまでのように各品種毎に専用のマスクＭを作製していたのでは製品の単価が高騰してしまうことがある。そこで、電子ビームを用いてキャラクタープロジェクションと呼ばれるマスクレスの描画技術（以下、「電子ビーム露光」と呼ぶ）が検討され、報告がなされている（特許文献１参照）。電子ビーム露光の概念について図１２を用いて以下に簡単に述べておく。図中１は電子ビームを照射するための電子銃であり、この電子銃１から照射された電子ビームは第１の偏向手段１１により形成される静電界により曲げられ、上下の目開き部材１２ａ，１２ｂ，・・・の各々の表面に形成された例えば丸、三角、四角などの種々の開口部（図示せず）のうち所定の組み合わせの開口部を通過させることにより、電子ビームの断面形状が所定のパターン状に形成される。その後、電子ビームは第２の偏向手段１３により再度曲げられてウエハＷの表面の予定とする照射領域に照射される。このように電子ビーム露光は、電子ビームを通過させる開口部の組み合わせを変えることによりマスクＭを用いなくとも任意のパターンをウエハＷの表面に描画することができる利点がある。
【０００５】
但し、ウエハＷに照射する電子ビームの加速度が大きすぎるとウエハＷの下地に到達した電子が反射して上方側に向かい予定としない部位まで描画してしまうことから（このような現象は近接効果と呼ばれている）、この近接効果を抑制するために電子ビームの加速度は小さく設定されている。このように電子ビームを低加速に設定すれば、偏向手段１１，１３の静電界によりビームの軌道が曲げやすくなるので、目開き部材１２の目標とする開口部を高精度に通過させることができ、更にウエハＷの表面の予定とする位置に高精度にビームを当てることができるという利点もある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−５０５６７号公報（「従来の技術」）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら低加速の電子ビームを用いた描画には以下のような問題がある。即ち、低加速にした分において電子ビームからレジストに注入されるエネルギーが少なくなるため、化学増幅型レジストの場合には増幅反応促進のトリガーとなり得る酸の量が不足してしまい、描画後加熱を行っても描画領域内に充分に酸が広がらない場合がある。このためレジストの変質が充分に行われず、結果としてパターンが形成されないか、あるいは形成されたとしても線幅精度が低いパターンが形成されてしまう。このため電子ビーム露光を実施しようとすると充分な電子ビームのエネルギーをレジストに注入するために描画部位に対する電子ビームの照射時間を長くせざるを得ないが、そうするとスループットがかなり低くなってしまい、実現化が阻まれている要因になっている。そして、今後、より高精度にビームの軌道を制御するために更にビームを低加速に設定したいという動きもあり、ビームの低加速度化とスループットの向上とのトレードオフの問題が益々顕著化する懸念がある。
また他の問題として電子ビーム露光に限られないが、一般に形成しようとするパターンが微細化してその線幅が小さくなるほど、例えばレジストの強度や下地との密着面積が少なくなるなどの要因から形成されたパターンが崩れて線幅精度が低くなったり、パターンが形成されなかったりする不具合が発生しやすくなる。
【０００８】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は化学増幅型のレジストが塗布され、例えば低加速の電子ビームにより露光された基板を加熱処理するにあたり、レジストの化学増幅反応を促進させて線幅精度の高いレジストパターンを形成し、またパターンの線幅の崩れを抑えることのできる基板加熱装置、塗布、現像装置及び基板加熱方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板加熱装置は、処理容器内の基板載置部に、化学増幅型のレジストが塗布された、露光後、現像前の基板を載置して加熱手段により加熱する基板加熱装置において、水を気化する気化部と、この気化部にキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給路と、キャリアガスを前記気化部に供給して得られた水蒸気を含む処理ガスを処理容器内に供給するガス供給路と、基板が基板載置部に載置され、処理容器内が前記処理ガスの露点温度よりも高い温度になった後に、前記処理ガスを処理容器内に供給するための制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
前記気化部は、水を収容し、キャリアガスをするバブリングさせるための容器と、この容器内の水を加熱する手段と、を含んでもよく、また前記制御部は、例えば基板載置部に基板が載置された後の経過時間に基づいてあるいは処理容器内の温度検出値に基づいて、処理容器内が前記処理ガスの露点温度よりも高い温度になったと判断する。
【００１１】
前記露光は、例えば低加速の電子ビームにより基板の表面にパターンを描画する電子ビーム露光である。また前記処理容器内を加圧する加圧手段を備えていてもよい。さらに処理容器内を排気する排気手段を設け、前記制御部は、この排気手段により処理ガスが排気された後に、基板を処理容器の外に搬出するための制御信号を出力してもよい。
【００１２】
本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納した基板キャリアが搬入されるキャリアステージと、このキャリアステージに搬入された基板キャリアとの間で基板受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むキャリアステーションと、前記受け渡し手段から受け渡された基板にレジストを塗布する塗布ユニットと、露光後の基板を現像する現像ユニットと、露光前の基板を露光装置に受け渡し、露光後の基板を露光装置から受け取るためのインターフェイス部と、を備えた塗布、現像装置において、既述の基板加熱手段を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の基板加熱方法は、化学増幅型のレジストが塗布された、露光後、現像前の基板を加熱する基板加熱方法において、基板を処理容器内の基板載置部に載置する工程と、キャリアガスにより水を気化して水蒸気を含む処理ガスを生成する工程と、基板が基板載置部に搬入され、処理容器内が前記処理ガスの露点温度よりも高い温度になった後に、前記処理ガスを処理容器内に供給する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
前記露光は、低加速の電子ビームにより基板の表面にパターンを描画する電子ビーム露光であってもよい。また前記基板加熱方法は、処理ガスを処理容器内から排気する工程と、その後、基板を処理容器の外に搬出する工程と、を備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、化学増幅型のレジストが塗布され、露光された基板を水蒸気雰囲気で加熱するようにしているため、例えば低加速の電子ビームを用いて短時間の電子ビーム露光がなされたエネルギー注入量の少ないレジストの場合であってもこの加熱処理により露光領域にあたる部位を充分に変質させることができる。その理由については、露光によってレジストから発生している酸がこの水の中を移動するため、レジストの露光領域内での酸の拡散を活発にすることができるからであると推測される。従って、低加速の電子ビームの照射時間を長くしなくとも当該加熱処理の段階で対処できるので、スループットの向上を図ることができる。また後述の評価試験で述べるようにこのように水蒸気が供給されて加熱処理されて形成されたパターンは、その線幅が低くなっても崩れが抑えられることから、その結果として現像後において基板の表面に線幅精度の高いレジストパターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に本発明に係る基板加熱装置の実施の形態の一例として、化学増幅型のレジストが塗布され、さらに例えば低加速の電子ビームにより所定のパターンが描画された後の基板例えばウエハＷに加熱処理を行い、酸触媒反応を進行させる基板加熱装置である基板加熱装置２について図１を用いて説明する。この基板加熱装置２は本体部２Ａと水蒸気供給部６とにより構成され、本体部２Ａは方形の筺体２０を備えており、筺体２０の側壁にはウエハＷの搬送口２１が開口されている。図中２１ａは搬送口２１に設けられたシャッタであり、例えばウエハＷが搬送口２１を介して搬入出される場合を除いて閉鎖されることで筺体２０内への外気の流入が防がれている。また筺体２０内には下方が空洞となっている基台２２が設けられている。
【００１７】
筺体２０内において搬送口２１に向かう側を手前側とすると、この基台２２の内部には手前側から奥側に昇降機構２３、２５がこの順に設けられている。昇降機構２３には例えば３本の支持ピン２４が接続されており、この支持ピン２４は当該昇降機構２３により基台２２上に穿孔された孔を介して基台２２上を鉛直方向に突没できるように構成されている。昇降機構２５については後述する。
【００１８】
基台２２上において手前側には冷却プレート２７が設けられている。当該冷却プレート２７は裏面側に、例えば温度調節水を流すための図示しない冷却流路を備えており、当該冷却プレート２７に載置されたウエハＷを粗冷却するように構成されている。また冷却プレート２７にはスリット（不図示）が設けられており、例えばウエハＷの裏面を支持するアーム体を備えたウエハＷの搬送機構（不図示）がウエハＷを支持した状態で搬送口２１を介して筺体２０内に進入すると、既述のように上昇した支持ピン２４が前記スリットを通過してウエハＷの裏面を支持し、この支持ピン２４がウエハＷを支持したまま下降することで前記搬送機構から冷却プレート２７へのウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００１９】
また冷却プレート２７は前記搬送機構と、筺体２０の奥側に設けられたウエハＷを加熱する熱板３１との間でウエハＷの受け渡しを行う役割を持ち、基台２２に設けられるガイド手段（不図示）に沿って基台２２上を手前側から奥側へ進退自在に構成され、ウエハＷを熱板３１上に搬送できるようになっている。
【００２０】
図２をも参照して筺体２０内における熱板３１の周囲の構成について説明する。この基板載置部である熱板３１は例えば円形状に形成されており、ウエハＷ表面をカバーする大きさを有している。図中３２は熱板３１の内部に設けられた加熱手段であるヒータであり、後述の制御部１００からの制御信号を受けたこのヒータ３２の発熱により熱板３１が加熱され、熱板３１上に載置されたウエハＷが所定の温度で加熱される。図中３３は熱板３１の側周部及び底部を覆うように形成された、熱板３１を支持する支持部材であり、熱板３１はこの支持部材３３を介して基台２２に埋め込まれている。
【００２１】
熱板３１及び支持部材３３にはこれらを夫々鉛直方向に貫くように例えば３つの孔が穿孔されており、これらの各孔内には夫々支持ピン２６が設けられている。各支持ピン２６は前記昇降機構２５に接続され、この昇降機構２５を介して前記孔内を昇降し、熱板３１上に突没できるようになっている。そしてウエハＷを保持した冷却プレート２７が熱板３１上に移動した際に支持ピン２６が熱板３１上に突出し、冷却プレート２７のスリットを通過することでウエハＷの裏面を支持できるようになっており、冷却プレート２７が後退した後、支持ピン２４がウエハＷの裏面を支持したまま下降することにより熱板３１上にウエハＷが受け渡される。なお図２中３４は支持部材３３の周縁部上に設けられたＯリングである。
【００２２】
図中４１は熱板３１の上方に設けられた天板であり、この天板４１は前記支持部材３３とともに処理容器４を構成し、例えばフランジ部を有する円形の蓋状に形成されている。図中４２は天板４１を昇降させるための駆動部であり、既述のようにウエハＷが熱板３１上に載置されるとこの駆動部４２により天板４１が下降する。そして図２に示すように前記Ｏリング３４を介して天板４１の周縁部と支持部材３３の周縁部とが密着することにより、ウエハＷの周囲が密閉空間となるように構成されている。
【００２３】
天板４１の中央下部にはガス供給口５１が設けられており、このガス供給口５１には後述するガス供給管６５が接続されている。また天板４１の下部には例えば円筒状の支持部材５２が設けられている。この支持部材５２を上下方向に仕切るように整流板５３，５４が夫々並行に間隔をおいて設けられており、整流板５３，５４には例えば多数のガス吐出口５３ａ，５４ａが夫々間隔をおいて設けられている。図中５５は整流板５３と支持部材５２と天板４１とにより囲まれることにより区画された第１の通気室５５であり、図中５６は整流板４８と整流板４９と支持部材５２とにより囲まれることにより区画された第２の通気室５６である。図中５７は例えば天板４１の上部に設けられたヒータブロックであり、後述するようにガス供給管６５から処理容器４内に水蒸気を含んだ処理ガスが供給される際に例えばこのヒータブロック５７により天板４１がその処理ガスの温度に対応した温度に加熱されることによって前記水蒸気がこの処理容器４内で結露することが防がれるようになっている。
【００２４】
天板４１の前記フランジ部の内方には例えば全周に亘りガス吸引口４３が設けられており、このガス吸引口４３の外方側には排気通路４５が当該ガス吸引口４３と連通するように設けられている。この排気通路４５は後述するようにガス吸引口４３を介して排気通路４５内に吸引されることにより冷却されて液化した処理ガス中の一部の水蒸気を貯留することができるようになっており、またこの排気通路４５にはガス吸引管４６が接続されている。ガス吸引管４６は例えば筺体２０の外部へ伸長し、圧力調整部４７を介して例えば真空ポンプなどの吸引排気手段４８に接続されている。なおこの圧力調整部４７と後述の流量制御部６９とは請求の範囲でいう加圧手段を構成している。
【００２５】
次に水蒸気供給部６について説明する。水蒸気供給部６は例えば純水が貯留された容器６１を備え、この容器６１はキャップ６２によりその開口部が塞がれることで当該容器６１の内部が気密になるように構成されている。図中６３は容器６１内の純水の温度をモニターする温度検出部である感温センサである。図中６４は容器６１の外周を囲むように設けられた加熱手段であるマントルヒータであり、このマントルヒータ６４はヒータ６４ａと、ヒータ６４ａを囲む断熱材６４ｂと、断熱材を囲う外装部６４ｃとにより構成されている。このマントルヒータ６４は所定の温度で発熱できるように設定可能となっており、また例えば前記感温センサ６３が水温を検出するとその温度検出値を後述の制御部１００に出力し、その出力に基づき制御部１００がマントルヒータ６４の温度制御信号を出力することによって、その水温が設定温度になるように制御されるようになっている。なお容器６１、キャップ６２、後述のノズル６７及びマントルヒータ６４は請求の範囲でいう気化部を構成している。
【００２６】
容器６１内の気相部分にはガス供給路であるガス供給管６５の一端が開口しており、このガス供給管６５は、既述の天板４１におけるガス供給口５１に接続されている。なお図中６６は後述するようにこのガス供給管６５を通過する処理ガスがこのガス供給管６５内で結露することを防ぐために当該ガス供給管６５に巻装されたテープヒータであり、制御部１００からの電気信号を受けて例えば処理ガスの温度に対応する温度に加熱されるようになっている。
【００２７】
また容器６１内の液相部分にはバブリングを行うためのノズル６７が浸漬されており、このノズル６７にはキャリアガス供給路であるキャリアガス供給管６８が接続されている。キャリアガス供給管６８の端部は例えばキャリアガスとしてＮ２ガスなどの不活性ガスが貯留されたガス供給源６０に接続されており、このガス供給源６０から前記Ｎ２ガスがキャリアガス供給管６８に流入するようになっている。このキャリアガス供給管６８には例えばマスフローコントローラなどからなる流量制御部６９、バルブＶ２、バルブＶ１が上流側に向かってこの順に介設されている。なお図中７１は気化部をバイパスして配管されたバイパス路であり、バルブＶ３、流量制御部７２が介設されている。
【００２８】
バルブＶ１〜Ｖ３は夫々制御部１００からの制御信号を受けることによって開閉が制御されており、例えばバルブＶ２が開いているときにはバルブＶ３が閉じ、逆にバルブＶ３が開いているときにはバルブＶ２が閉じることによってＮ2ガスの気化部の通流と気化部のバイパス（迂回）とが交互に切り替えられるようになっている。そしてバルブＶ１及びバルブＶ２が開くとガス供給源６０からキャリアガス供給管６８にＮ２（窒素）ガスが供給される。このＮ２ガスは流量制御部６９により例えば予め設定された流量に制御されてノズル６７から容器６１内に吐出され、前記マントルヒータ６４により加熱されながらバブリングされる。このバブリングによってＮ2ガスは加湿されて水蒸気を含んだ処理ガスとなり、この処理ガスが前記ガス供給管６５に流入するようになっている。
またバルブＶ１及びＶ３が開くとガス供給源６０からのキャリアガス供給管６８内に流入したＮ２ガスはバイパス路７１に流入し、流量制御部７２より例えば予め設定された流量に制御され、ガス供給管６５に流入するようになっている。
【００２９】
このようにガス供給管６５内に流れ込んだ処理ガス及びＮ2ガスは天板４１のガス供給口５１を介して第１の通気室５５に流入する。そしてこの第１の通気室５５に流入したこれらのガスは整流板５３の吐出口５３ａを介して第２の通気室５６に流入し、その後整流板５４の吐出口５４ａから筺体２０内に吐出されるようになっている。またこのようにＮ2ガス及び処理ガスが筺体２０内に供給されると吸引排気手段４８が圧力調整部４７を介して吸引口４３から筺体２０内の排気を行うようになっており、例えば筺体２０内が大気圧に設定される。
【００３０】
そして熱板３１にウエハＷが載置されると既述のように天板４１が下降して、熱板３１に載置されたウエハＷの周囲が密閉空間とされ、既述のＮ２ガス及び処理ガスの供給と吸引とにより例えば図２に矢印で示すような気流が形成される。具体的に説明すると処理ガス及びＮ２ガスがガス吐出口５４ａからウエハＷの表面全体に向けて吐出された後、ウエハＷの中心部側から周縁部側へ向かい、吸引口４３に流入して排気されるようになっており、このような気流が形成されながら熱板３１の熱によりウエハＷが加熱され、ウエハＷに塗布された化学増幅型のレジストの酸触媒反応が進行するようになっている。
【００３１】
そして前記気流が処理ガスにより形成される場合はウエハＷの表面全体に例えば一定の流量で水蒸気が供給され、ウエハＷの周囲の絶対湿度（水蒸気量）が一定に保たれながらウエハＷが加熱されるようになっている。なおウエハＷの表面に処理ガス中に含まれた水蒸気が結露すると結露により生じた水滴跡がウエハＷの表面に付着し、この加熱処理の後に行われる現像処理の際に水滴跡が付着した箇所はパターンの現像が妨げられるおそれがあることから、既述のようにウエハＷに処理ガスが供給される際にはこの水蒸気の結露を防ぐためにウエハＷはヒータ３２により前記処理ガスの露点よりも高い温度に加熱されているものとする。
なおこのようにしてウエハＷに水蒸気が供給される際には流量制御部６９により処理容器４へ供給されるＮ２ガスの供給量が制御され、また圧力調整部４７により処理容器４内から排出されるＮ２ガスの排気量が夫々制御されることで処理容器４内が所定の圧力に維持されるようになっている。
【００３２】
続いてこの基板加熱装置２に備えられた制御部１００について説明する。この制御部は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には後述するような基板加熱装置２の作用、つまり各バルブの開閉、流量制御部６９，７２によるＮ２ガスの流量制御、各ヒータの発熱量の制御、駆動部４２を介した天板４１の昇降、駆動部２３，２５を介した各支持ピンの昇降、冷却プレート２７の移動などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納される。そして前記プログラムが制御部１００に読み出されることにより制御部１００は基板加熱装置２の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００３３】
次に既述の基板加熱装置２を用いて表面に化学増幅型のレジストが塗布され、電子ビームで所定のパターンが描画されたウエハＷを加熱処理する場合を例にして図３を参照しながら説明する。この図３は横軸に時間をとり、時間とウエハＷの温度及びこのウエハＷの周囲におけるＮ２濃度及び絶対湿度（Ｈ２Ｏ（水）の量）の変化とを示している。  
【００３４】
先ず例えばウエハＷが筺体２０内に搬入される前に、バルブＶ１及びＶ３が開かれる一方でバルブＶ２が閉じられ、既述のようにガス供給源５０からＮ２ガスがバイパス路７１に流入し、流量制御部７２により流量制御を受けた後ガス供給管６５に流入する。そしてこのＮ2ガスが天板４１の通気室５５，５６を介して筺体２０内に吐出されるとともにガス吸引口４３からこのＮ２ガスの供給量に応じた量の吸引排気が行われることによって筺体２０内にガスの気流が形成されている。
【００３５】
続いて図示しない外部の搬送機構により搬送口２１を介して筺体２０内にウエハＷが搬入されると、例えば流量制御部７２を介してＮ2ガスの筺体２０内への供給量が制御されることにより筺体２０内のＮ２濃度が上昇する。一方マントルヒータ６４が所定の温度例えば７０℃に加熱されており、またテープヒータ６６及びヒータブロック５７が例えば夫々７０℃以上の温度に加熱される。筺体２０内に搬入されたウエハＷは支持ピン２４を介して冷却プレート２７に受け渡される。当該冷却プレート２７が熱板３１上へ移動するまでに熱板３１の表面はヒータ３２により所定の温度例えば１３０℃に加熱される。そして昇降機構２５により支持ピン２６が上昇して冷却プレート２７により熱板３１上に搬送されたウエハＷの裏面を支持する。冷却プレート２７が後退すると支持ピン２６は下降し、熱板３１上にウエハＷが載置される（図３中時間ｔ1）。
【００３６】
天板４１が下降して処理容器４が密閉された後、この中に既述のようなＮ２ガスによる気流が形成され例えば圧力調整部４７の圧力調整により、処理容器４内が大気圧状態になる。また熱板３１によりウエハＷが加熱されてウエハＷの温度が上昇する。そして当該ウエハＷの温度が一定になって例えば３０秒経過した後、バルブＶ３が閉じられると同時にバルブＶ２が開かれ、バイパス路７１におけるＮ2ガスの流通が停止するとともに、既述のようにＮ２ガス供給源６０からキャリアガス供給管６８に流入したＮ２ガスが流量制御部６９により流量制御を受け、その後マントルヒータ６４で加熱された水の中でバブリングされて水蒸気を含んだ処理ガスとなる。この処理ガス中には前記Ｎ2ガスが存在する分、その処理ガスの温度における飽和水蒸気量よりも若干少ない量の水蒸気が含まれている。このような高湿度ガスである処理ガスがガス供給管６５内に流入し、また途中配管が７０℃以上の温度に加熱されているので前記処理ガスは結露せずに処理容器４内に供給されて、ウエハＷの周囲の絶対湿度が上昇し、ウエハＷに水蒸気が供給される（図３中時間ｔ2）。
【００３７】
このような高湿度雰囲気で当該ウエハＷは加熱処理される。その後バルブＶ２が開かれると同時にバルブＶ３が閉じられて処理容器４内に形成される気流を構成するガスが処理ガスからＮ2ガスに切り替わることにより、ウエハＷの周囲は乾燥雰囲気に切り替わる（図３中時間ｔ3）。その後天板４が上昇し、支持ピン２６がウエハＷの裏面を支持したまま上昇する。冷却プレート２７が再び熱板３１上へ移動して、前記ウエハＷは冷却プレート２７上に受け渡され熱板３１から退避する（図３中時間ｔ4）。前記冷却プレート２７はウエハＷの粗熱取りを行うとともに基台２２上を手前側へと移動する。冷却プレート２７が移動した後、支持ピン２４を介してウエハＷは当該冷却プレート２７から例えば搬送アームなどの搬送機構に受け渡され、筺体２０の外へ搬出される。
【００３８】
既述の基板加熱装置２は、化学増幅型のレジストが塗布され、露光されたウエハＷが処理容器４内においてヒータ３２により加熱され、そのウエハＷの温度が水蒸気を含んだ処理ガスの露点温度よりも高くなった後にその処理ガスを処理容器内に供給してウエハＷを水蒸気雰囲気で加熱するようにしているため、例えば低加速の電子ビームを用いて短時間の電子ビーム露光がなされたエネルギー注入量の少ないレジストの場合であってもこの加熱処理により露光領域にあたる部位を充分に変質させることができる。その理由については、露光によってレジストから発生している酸がこの水の中を移動するため、レジストの露光領域内での酸の拡散を活発にすることができるからであると推測される。従って、低加速の電子ビームの照射時間を長くしなくとも当該加熱処理の段階で対処できるので、スループットの向上を図ることができる。また後述の評価試験が示すようにこのように水蒸気が供給されて加熱処理されて形成されたパターンは、その線幅が低くなっても崩れが抑えられることから、その結果として現像後において基板の表面に線幅精度の高いレジストパターンを形成することができる。
【００３９】
既述の実施形態において処理ガスの処理容器４内に供給するタイミングとしては、例えば予め熱板３１上に載置されたウエハＷの温度が熱板３１への載置後昇温して一定温度になるまでの時間についてのデータを制御部１００に入力しておき、制御部１００がそのデータに基づいて実際にウエハＷが熱板３１に載置され前記時間が経過した後しばらくすると既述のようにバルブの切り替えを行うことで処理ガスが処理容器４内に供給されるようになっていてもよい。またこのように時間を基準にして処理ガスの供給を管理することに限らず例えば熱板３１上のウエハＷの温度を検出し、またその温度を制御部１００に出力するように構成された感温センサを設けて、この感温センサが検出するウエハＷの温度が一定になった後しばらくすると制御部１００により既述のようなバルブの切り替えが行われて処理容器４内に処理ガスが供給されるようになっていてもよい。
【００４０】
なお既述のようにウエハＷを熱板３１から退避させる際に処理容器４内のガスを処理ガスからＮ２ガスに置換してから天板４１を上昇させ、その後冷却プレート２７を介してウエハＷが熱板３１から退避させることにより、処理容器４内に残留した処理ガスが天板４１の上昇時に処理容器４の外に流出することが防がれ、このため水蒸気が筺体２０内やその外部の搬送雰囲気において結露するおそれがない。このため後続のウエハＷに水滴が付着したり電気配線系にショートが起きたりするといった懸念がない。
【００４１】
また既述のように処理容器４内に処理ガスを供給する際には処理容器４内を常圧状態とすることに限られず、例えば１．２×１０５Ｐａ程度の加圧状態にして前記気流を形成してもよい。処理容器４内を加圧状態にすると処理容器４内を常圧にして気流を形成した場合に比べてより多くの水蒸気がウエハＷのレジストにしみ渡って働きかける。従って加熱による酸触媒分解反応の短縮化が期待できる。
【００４２】
ところで処理容器４内への処理ガスの供給は処理ガス中の水蒸気がウエハＷ上で結露しないタイミングで行われればよく、既述の実施形態のようにウエハＷの温度が一定になってから供給することに限られず例えばウエハＷの昇温中においてウエハＷの温度が処理ガス中の水蒸気が結露する温度よりも高くなった後、当該処理ガスをウエハＷに供給するようにしてもよい。
【００４３】
なお既述の実施形態のようにウエハＷが加熱される際にはレジストから昇華した昇華物がヒータ３２の熱により上昇するが、既述のＮ２ガス及び処理ガスにより形成される気流に乗って吸引口４３に流入し、前記密閉空間内から除去されるようになっており、処理ガスにより前記気流が形成される場合には処理ガス中の水蒸気が昇華物と反応することによって、より確実に昇華物を気流にのせることができるため天板４１及びガス吸引口４３、排気通路４５、排気管４６からなる排気ラインへの昇華物の付着をより一層低減できる。
【００４４】
ところで基板加熱装置２により加熱されるウエハＷは低加速の電子ビームにより描画されたものに限られず、例えば高加速の電子ビームで描画されたウエハＷや、マスクを介して露光されたウエハＷにも適用することもできる。この場合であっても、酸触媒反応を促進させることができるので、短時間で露光後加熱を行うことでスループットの向上を図ることができる。また本発明は、被処理基板に半導体ウエハＷ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、フォトマスク用レチクル基板の加熱処理にも適用できる。
【００４５】
続いて本発明の基板加熱装置が組み込まれた塗布、現像装置の一例について図４及び図５を参照しながら簡単に説明する。図中Ｂ１は基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納された基板キャリアであるキャリアＣ１を搬入出するためのキャリア載置部（キャリアステージ）であり、キャリアＣ１を複数個載置可能な載置部９０ａを備えた キャリアステーション９０と、この キャリアステーション９０から見て前方の壁面に設けられる開閉部９１と、開閉部９１を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００４６】
キャリア載置部Ｂ１の奥側には筐体９２にて周囲を囲まれる処理部Ｂ２が接続されており、この処理部Ｂ２には手前側から順に加熱、冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３と、後述する塗布、現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハＷの受け渡しを行うウエハ搬送手段である主搬送手段Ａ２，Ａ３とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び主搬送手段Ａ２，Ａ３は キャリア載置部Ｂ１側から見て前後一列に配列されると共に、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されており、ウエハＷは処理部Ｂ２内を一端側の棚ユニットＵ１から他端側の棚ユニットＵ３まで自由に移動できるようになっている。また主搬送手段Ａ２、Ａ３は、 キャリア載置部Ｂ１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁９３により囲まれる空間内に置かれている。また図中９４，９５は各ユニットで用いられる誘電液体の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。
【００４７】
液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図５に示すように塗布液（レジスト液）や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部９６の上に、塗布ユニットＣＯＴ、現像ユニットＤＥＶ及び反射防止膜形成ユニットＢＡＲＣ等を複数段例えば５段に積層した構成とされている。また既述の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば９段に積層した構成とされており、その組み合わせは、上述の基板加熱装置２をユニット化した露光後加熱ユニット（ＰＥＢ）、ウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット、ウエハＷを冷却する冷却ユニット等が含まれる。
【００４８】
処理部Ｂ２における棚ユニットＵ３の奥側には、例えば第１の搬送室９７及び第２の搬送室９８からなるインターフェイス部Ｂ３を介して露光部Ｂ４が接続されている。インターフェイス部Ｂ３の内部には処理部Ｂ２と露光部Ｂ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための２つの受け渡し手段Ａ４，Ａ５の他に、棚ユニットＵ６及びバッファキャリアＣ０が設けられている。
【００４９】
この装置におけるウエハの流れについて一例を示すと、先ず外部からウエハＷの収納されたキャリアＣ１が載置台９０ａに載置されると、開閉部９１と共に キャリアＣの蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、棚ユニットＵ１〜Ｕ３内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われ、しかる後、塗布ユニットにてレジスト膜が形成されると、ウエハＷは棚ユニットＵ１〜Ｕ３の一の棚をなす加熱ユニットで加熱（ベーク処理）され、更に冷却された後棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェイス部Ｂ３へと搬入される。このインターフェイス部Ｂ３においてウエハＷは例えば受け渡し手段Ａ４→棚ユニットＵ６→受け渡し手段Ａ５という経路で露光部Ｂ４へ搬送され、露光が行われる。露光後、棚ユニットＵ３内に設けられた本発明の基板加熱装置にて既述のようにして加熱処理が行われ、その後ウエハＷは主搬送手段Ａ２を介して現像ユニットＤＥＶに搬入され、現像されることでレジストパターンが形成される。しかる後ウエハＷは載置台９０ａ上の元のキャリアＣ１へと戻される。
【００５０】
（評価試験）
本発明の効果を確認するために以下の評価試験を行った。先ず化学増幅型のレジストが塗布されたウエハＷに対して、２６０Ｊ／ｍ２のＤｏｓｅ量の低加速の電子ビームで所定のパターンを描画した。パターンの線幅は２５０ｎｍＬＳ（ラインスペース）とした。そして標準処理１として既述の基板加熱装置２と略同様に構成された加熱装置を用いてウエハＷに対して加熱処理を行った。この加熱処理においてはウエハＷの加熱処理中に相対湿度４５％、温度２３℃のＮ２ガスをウエハＷに供給し続けた。またこのＮ２ガス中に含まれる水蒸気の圧力は１気圧とし、これらの値を基に算出されたＮ２ガスの絶対湿度は９ｇ／ｍ３である。この加熱処理後に現像処理を行いウエハＷにレジストパターンを形成した。
【００５１】
続いて評価試験１として複数のウエハＷに対して２６０Ｊ／ｍ２よりも低い、夫々異なるＤｏｓｅ量で各ウエハＷに標準処理１と同様に２５０ｎｍＬＳのパターンを描画し、その後各ウエハＷについて前記基板加熱装置２を用いて既述の実施形態で述べた手順と同様の手順に従って加熱処理を行った。マントルヒータ６４の温度は７０℃に設定した。このとき前記マントルヒータ６４の温度である７０℃が処理ガスに含まれる水蒸気の温度であるものとし、また処理ガスにはＮ2ガスが含まれているため当該処理ガスの相対湿度を９０％とした。さらに処理ガス中の水蒸気の圧力は１気圧としてこれらの各値を用いて算出した処理ガスの絶対湿度は１６０ｇ／ｍ３であった。その後各ウエハＷに現像処理を行い形成された各レジストパターンを比較すると前記標準処理１における最適Ｄｏｓｅ量で描画されて形成されたレジストパターンの線幅と同一の線幅を有していたのは２３０Ｊ／ｍ２のＤｏｓｅ量で描画されたウエハＷに形成されたレジストパターンであり、この２３０Ｊ／ｍ２を絶対湿度１６０ｇ／ｍ３における最適Ｄｏｓｅ量とした。
【００５２】
続いて評価試験２として夫々異なるＤｏｓｅ量の電子ビームでパターンが描画された複数のウエハＷについてマントルヒータの温度を１００℃にしたことを除いては評価試験１と同様の手順で加熱処理及び現像処理を行いレジストパターンを形成した。そしてマントルヒータ６４の温度である１００℃を処理ガスに含まれる水蒸気の温度とし、水蒸気圧、相対湿度の値は評価試験１と同様の値を用いて処理ガス中の絶対湿度を算出した処理ガス中の絶対湿度は４６０ｇ／ｍ３であった。そして評価試験１と同様に各ウエハＷに形成されたパターンを夫々比較すると２００Ｊ／ｍ２のＤｏｓｅ量で描画したウエハＷに形成されたレジストパターンが標準処理１における最適Ｄｏｓｅ量で描画されて形成されたパターンの線幅と同一の線幅を有しており、この２００Ｊ／ｍ２を絶対湿度４６０ｇ／ｍ３における最適Ｄｏｓｅ量とした。  
さらに評価試験３としてマントルヒータの温度を１３０℃に設定したことを除いて評価試験１と同様の手順で夫々異なるＤｏｓｅ量の電子ビームでパターンが描画された複数のウエハＷについて加熱処理及び現像処理を行いパターンを形成した。そしてマントルヒータ６４の温度である１３０℃を処理ガスに含まれる水蒸気の温度とし、水蒸気圧、相対湿度の値は評価試験１と同様の値を用いて算出した処理ガス中の絶対湿度は１１００ｇ／ｍ３であった。そして評価試験１と同様に各ウエハＷに形成されたレジストパターンを比較すると最適Ｄｏｓｅ量は１７０Ｊ／ｍ２であった。
【００５３】
標準処理１の最適Ｄｏｓｅ量を既述のようにパターンを描画したときのＤｏｓｅ量である２６０Ｊ／ｍ２として、標準処理１及び評価試験１〜３における加熱処理の際にウエハＷに供給される処理ガスの絶対湿度と最適Ｄｏｓｅ量との相関を図６のグラフに示した。このグラフを見ると標準処理１における最適Ｄｏｓｅ量に比べると評価試験１、評価試験２及び評価試験３における最適Ｄｏｓｅ量は夫々約１２％、約２３％、約３５％低下しており、この結果からウエハＷに供給される水蒸気量が多くなるに従い最適Ｄｏｓｅ量が低くなるといえる。つまりウエハＷに供給される水蒸気量が多くなるに従ってよりエネルギーの低いビームでウエハＷにパターンを描画できることが示されている。  
【００５４】
図７は標準処理１及び評価試験１〜３における最適Ｄｏｓｅ量により描画を行うことで形成されたパターンの断面写真であり、図７中（ａ）は標準処理、（ｂ）（ｃ）（ｄ）は夫々評価試験１、２、３に対応する。この写真から評価試験１、２では夫々の最適Ｄｏｓｅ量において標準処理１と略同様の形状を持ったパターンが形成されているが評価試験３においては未露光部の膜ベリの発生、つまり電子ビームが照射されなかった部位が水により削られて形成されたパターンの劣化が生じていた。なお評価試験１〜３においてはマントルヒータ６４の温度を処理ガス中の水蒸気の温度として計算しているがこの温度は実際の水温とは異なっており、また処理ガスの相対湿度も正確には９０％ではない。また加熱されているため処理ガス中の水蒸気圧も正確に１気圧ではない。従って、これらの値を元に計算で求められる絶対湿度は処理ガス中における実際の絶対湿度とは異なるものである。しかし既述の評価試験１〜３の結果と標準処理１の結果とを比べればウエハＷに加湿した空気を供給することが最適Ｄｏｓｅ量を下げることは明らかであり、また処理ガス中の絶対湿度が高いほど最適Ｄｏｓｅ量が低下していくのも明らかである。
【００５５】
続いて夫々異なるＬＳを持つように低加速の電子ビームで描画された複数のウエハＷを夫々既述の標準処理１及び評価試験１〜３と同じ条件で加熱した後に現像して、各ウエハＷに夫々レジストパターンを形成した。図８はこのように形成された各ウエハＷのレジストパターンの断面を示し、表にしたものである。この表において横軸にはＬＳの大きさをとり、そして上から標準処理、評価試験１、２、３の各条件で加熱処理して形成されたレジストパターンの写真を配列している。この図８に示すように標準処理１と同じ条件で処理したものはＬＳが１６０ｎｍから２５０ｎｍまでの範囲においてはレジストパターンの形成が確認されたがＬＳを夫々１５０ｎｍ、１４０ｎｍとして描画したウエハＷについてはレジストパターンが崩れてしまっていた。これに対して評価試験１〜３の条件で処理したものはＬＳが夫々１４０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲においてレジストパターンの崩れは見られず正常なレジストパターンが形成されていた。この結果からＬＳが小さくなるとレジストパターンが崩れて形成されにくくなるが、ウエハＷの加熱処理中に所定の量の水蒸気を当該ウエハＷに供給することによってレジストパターンの崩れを防ぐことができるといえる。
【００５６】
次に加熱処理における水蒸気を供給するタイミングと形成されるレジストパターンの線幅との関係を調べるために評価試験４として既述の基板加熱装置２を用いて先ず化学増幅型のレジストが塗布された複数のウエハＷに夫々異なるＤｏｓｅ量で所定のパターンを描画した。続いて既述の基板加熱装置２を用いて既述の実施形態で述べた手順と略同様の手順に従って各ウエハＷについて加熱処理を行った後、現像処理を行い各ウエハＷにレジストパターンを形成した。図９（ａ）はこの評価試験４の加熱処理におけるウエハＷに処理ガスを供給するタイミングをグラフに示したものである。この評価試験４では図９（ａ）に示すようにその加熱処理においてウエハＷが熱板３１に載置されてからそのウエハＷが熱板から退避するまでの時間（図中ｔ１からｔ４までの時間）を９０秒とし、ウエハＷの加熱温度が当該ウエハＷに供給される処理ガスの露点に達してからウエハＷが熱板から退避するまでの時間を前半と後半とに分けた場合、その前半において２０秒間処理容器４内に処理ガスを供給した。なお図中において処理ガスの供給する時間、処理ガスの供給を停止する時間を夫々ｔ２、ｔ３としている。また加熱処理中の処理容器内の圧力は１．８ａｔｍとした。
【００５７】
次に評価試験５として既述の評価試験４と略同様に化学増幅型のレジストが塗布され、夫々異なるＤｏｓｅ量で所定のパターンが描画された複数のウエハＷに対して夫々加熱処理及び現像処理を行いレジストパターンを形成した。ただし評価試験４と異なりウエハＷの加熱温度が露点に達してからウエハＷが熱板から退避するまでの時間の後半において２０秒間、処理容器４内に処理ガスを供給した。図９（ｂ）はこの評価試験５のウエハＷの温度と処理ガスを供給するタイミングとの関係をグラフに示したものである。
また標準処理２として既述の評価試験４と略同様に化学増幅型のレジストが塗布され、夫々異なるＤｏｓｅ量で所定のパターンが描画された複数のウエハＷに対して加熱処理及び現像処理を行った。また評価試験４、５と同様に加熱処理中の処理容器４内の圧力は１．８ａｔｍとした。ただしこの標準処理２においては加熱処理中に処理ガスの供給を行なわなかった。
【００５８】
図１０は評価試験４、５及び標準処理２において各ウエハＷに照射された電子ビームのＤｏｓｅ量と現像処理後のウエハＷに形成されたレジストパターンの線幅であるＣＤ（ｎｍ）との関係を示したグラフである。このグラフからわかるように所定の線幅のパターンを得るために必要な電子ビームのＤｏｓｅ量は標準処理２に比べて評価試験４，５の方が少なく、また評価試験４と評価試験５とを比較した場合所定の線幅のパターンを得るために必要な電子ビームのＤｏｓｅ量は評価試験５の方が少なかった。
【００５９】
これらの評価試験４，５と標準処理２との結果から加熱処理中に加湿した空気を供給するとその加湿した空気を供給しない場合に比べて低いＤｏｓｅ量で所定の幅のパターンをウエハＷに形成できることがわかる。また加熱処理中に加湿した空気を供給する場合はウエハＷの加熱温度が当該ウエハＷに供給される処理ガスの露点に達してからウエハＷが熱板から退避するまでの時間を前半と後半とに分けるとその前半に加湿した空気を供給するよりも後半に加湿した空気を供給した方がより低いＤｏｓｅ量で所定の幅のパターンをウエハＷに形成できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板加熱装置の構成を示す説明図である。
【図２】前記基板加熱装置の熱板及び天板の構成を示す縦断側面図ある。
【図３】前記基板加熱装置を用いて行う加熱処理におけるウエハＷの温度及びウエハＷの周囲の状態を示すグラフ図である。
【図４】本発明の基板加熱装置が組み込まれる塗布、現像装置を示す平面図である。
【図５】本発明の基板加熱装置が組み込まれる塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図６】露光時の電子ビームの最適なエネルギー量と加熱処理時における絶対湿度との関係を示したグラフである・
【図７】前記各絶対湿度においてウエハに形成されたパターンの状態を示した写真である。
【図８】形成されたウエハのパターンの状態をパターンのラインスペースごとに配列した写真である。
【図９】ウエハの加熱処理において基板に水蒸気を供給するタイミングを示したグラフである。
【図１０】ウエハに形成されたパターンのＣＤとウエハに照射された電子ビームのＤｏｓｅ量との関係を示したグラフである。
【図１１】化学増幅型レジストを露光、加熱、現像したときの様子を示す説明図である。
【図１２】電子ビーム露光の概略を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
２  基板加熱装置
３２  ヒータ
４  処理容器
４１  天板
６  水蒸気供給部
６５  ガス供給管
【図１】
2007059633.tif 000003
【図２】
2007059633.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2007059633.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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