(57)【要約】【課題】基板の浸漬処理を高いスループットで行う。【解決手段】処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬入口から処理槽２０ａ内へ搬入する。油圧シリンダ３２ａにより処理槽２０ａの底２１ａを上昇させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを上昇させ、基板１の浸漬処理を行う。基板１の浸漬処理が終了すると、油圧シリンダ３２ａにより処理槽２０ａの底２１ａを下降させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを下降させる。処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬出口から処理槽２０ａ外へ搬出する。処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることにより、時間の掛かる処理液の供給を行う必要がなくなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の搬入口と、該搬入口を塞ぐシャッターと、基板の搬出口と、該搬出口を塞ぐシャッターと有し、処理液を貯留する処理槽と、
基板を、前記搬入口から前記処理槽内へ搬入し、前記搬出口から前記処理槽外へ搬出する基板搬送手段と、
前記処理槽内の処理液の量を変化させることなく、前記処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させる液面高さ調整手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理槽の底が上下に移動可能に構成され、
前記液面高さ調整手段が前記処理槽の底を上昇又は下降させる昇降機構を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理槽の側壁が移動可能に構成され、
前記液面高さ調整手段が前記処理槽の側壁を移動する移動機構を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記液面高さ調整手段が、所定の体積を有するブロックと、該ブロックを前記処理槽内の処理液に浸し又は処理液から引き上げる昇降機構とを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理槽内の処理液を移動して、処理液の温度を均一にする処理液移動手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
処理槽内の処理液の液面の高さが処理槽に設けた基板の搬入口より低い状態で、基板を搬入口から処理槽内へ搬入し、
処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇させて基板の浸漬処理を行い、
処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを下降させ、
処理槽内の処理液の液面の高さが処理槽に設けた基板の搬出口より低い状態で、基板を搬出口から処理槽外へ搬出することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
処理槽の底を上下に移動可能に構成し、
処理槽の底を上昇又は下降させて、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
処理槽の側壁を移動可能に構成し、
処理槽の側壁を移動して、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項９】
所定の体積のブロックを処理槽内の処理液に浸し又は処理液から引き上げて、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
処理槽内の処理液を移動して、処理液の温度を均一にすることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて、基板のエッチング又は剥離を行うことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一項に記載の基板処理方法を用いて、基板のエッチング又は剥離を行うことを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の浸漬（ディッピング）処理を行う基板処理装置、基板処理方法、及びそれらを用いた基板の製造方法に係り、特にローラコンベア等の基板搬送機構を用いて基板の浸漬処理を１枚ずつ順番に行う枚葉式の基板処理装置、基板処理方法、及びそれらを用いた基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ装置等のフラットパネルディスプレイ装置や半導体装置の製造工程では、パネル基板や半導体ウェーハ等の基板上にカラーフィルタや回路パターン等を形成するため、フォトリソグラフィー技術を用いて、露光、現像、エッチング、剥離等の基板の処理が行われる。これらの処理の内、特にエッチングや剥離等の処理は、基板をエッチング液や剥離液等の処理液に所定時間浸す浸漬処理により行われることが多い。
【０００３】
ローラコンベア等の基板搬送機構を用いて、基板を処理槽内へ搬入し、処理後の基板を処理槽外へ搬出することにより、基板の浸漬処理を１枚ずつ順番に行う枚葉式の基板処理装置が、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載されている。
【特許文献１】特開平１１−３０２８７５号公報
【特許文献２】特開２００３−１６８６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の枚葉式の基板処理装置は、特許文献１の図３及び図４に記載の様に、まず、処理槽内の処理液の液面の高さが処理槽に設けた基板の搬入口及び搬出口の下端と同じ状態で、基板を搬入口から処理槽内へ搬入する。次いで、搬入口及び搬出口をシャッターで塞いだ後、ポンプにより処理液を処理槽内へ供給し、処理液の液面の高さを基板の表面より高くして、浸漬処理を行う。浸漬処理の終了後、搬入口及び搬出口を塞いでいたシャッターを開いて、基板を搬出口から処理槽外へ搬出する。このとき、搬入口及び搬出口からあふれ出る処理液は、タンクに一旦回収されて、ポンプにより再び処理槽へ供給される。
【０００５】
この様な従来の枚葉式の基板処理装置では、基板の大型化に伴い、処理槽の容積が大きくなると、処理液の供給に時間が掛かり、スループットが低下するという問題があった。また、処理液を供給するためにポンプが必要となって、設備が高価になると共に、処理液の液面の高さの制御が難く、さらに処理液を循環させる間に処理液の温度が低下するという問題があった。
【０００６】
これに対し、特許文献２に記載の様に、処理液の液面の高さを一定に保ち、基板の搬入口及び搬出口を処理液の液面より低い位置に設けることも行われている。その場合、特許文献２に記載の技術により搬入口及び搬出口から流出する処理液を少なくすることができるが、処理液の液面の高さを一定に保つためには、流出した処理液を常に補充してやらなければならなかった。このため、やはりポンプが必要となって、設備が高価になると共に、処理液の液面の高さの制御が難く、さらに処理液を循環させる間に処理液の温度が低下するという問題があった。
【０００７】
なお、特許文献１には、処理槽を上昇させることにより基板を処理液に浸漬させてもよい旨の記述があるが、その具体的な構成は開示されていない。特に、基板を搬送するローラコンベアを処理槽に対してどの様に構成及び設置すれば、処理槽の上昇が可能となるのか、明らかでない。
【０００８】
本発明の課題は、基板の浸漬処理を高いスループットで行うことである。また、本発明の課題は、処理液の液面の高さを調整するためのポンプを不要にして、設備を安価にすると共に、処理液の温度の低下を抑制することである。さらに、本発明の課題は、処理液の液面の高さの制御を容易にし、また処理液の温度を均一にして、基板の処理を均一に行うことである。さらに、本発明の課題は、品質の高い基板を効率良く製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板処理装置は、基板の搬入口と、搬入口を塞ぐシャッターと、基板の搬出口と、搬出口を塞ぐシャッターと有し、処理液を貯留する処理槽と、基板を、搬入口から処理槽内へ搬入し、搬出口から処理槽外へ搬出する基板搬送手段と、処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させる液面高さ調整手段とを備えたものである。
【００１０】
また、本発明の基板処理方法は、処理槽内の処理液の液面の高さが処理槽に設けた基板の搬入口より低い状態で、基板を搬入口から処理槽内へ搬入し、処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇させて基板の浸漬処理を行い、処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを下降させ、処理槽内の処理液の液面の高さが処理槽に設けた基板の搬出口より低い状態で、基板を搬出口から処理槽外へ搬出するものである。
【００１１】
処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させるので、時間の掛かる処理液の供給を行う必要がなくなり、またそのためのポンプが不要となる。具体例として、本発明の基板処理装置は、処理槽の底が上下に移動可能に構成され、液面高さ調整手段が処理槽の底を上昇又は下降させる昇降機構を有するものである。また、本発明の基板処理方法は、処理槽の底を上下に移動可能に構成し、処理槽の底を上昇又は下降させて、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させるものである。これらの具体例では、処理槽の底の移動距離を制御することで、処理槽内の処理液の液面の高さを制御できる。従って、処理液の液面の高さの制御が容易となり、処理液の液面の高さが均一になって、基板の処理が均一に行われる。
【００１２】
別の具体例として、本発明の基板処理装置は、処理槽の側壁が移動可能に構成され、液面高さ調整手段が処理槽の側壁を移動する移動機構を有するものである。また、本発明の基板処理方法は、処理槽の側壁を移動可能に構成し、処理槽の側壁を移動して、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させるものである。これらの具体例では、処理槽の側壁の移動距離を制御することで、処理槽内の処理液の液面の高さを制御できる。従って、処理液の液面の高さの制御が容易となり、処理液の液面の高さが均一になって、基板の処理が均一に行われる。
【００１３】
さらに、別の具体例として、本発明の基板処理装置は、液面高さ調整手段が、所定の体積を有するブロックと、ブロックを処理槽内の処理液に浸し又は処理液から引き上げる昇降機構とを有するものである。また、本発明の基板処理方法は、所定の体積のブロックを処理槽内の処理液に浸し又は処理液から引き上げて、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させるものである。これらの具体例では、ブロックの移動距離を制御することで、処理槽内の処理液の液面の高さを制御できる。従って、処理液の液面の高さの制御が容易となり、処理液の液面の高さが均一になって、基板の処理が均一に行われる。
【００１４】
上述したいずれの具体例においても、処理槽内の処理液を移動して、処理槽内の処理液の温度を均一にすると、基板の処理がさらに均一に行われる。
【００１５】
本発明の基板の製造方法は、上記のいずれかの基板処理装置又は基板処理方法を用いて、基板のエッチング又は剥離を行うものである。基板のエッチング又は剥離が高いスループットでむらなく均一に行われ、品質の高い基板が効率良く製造される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることにより、時間の掛かる処理液の供給を行う必要がなくなり、基板の浸漬処理を高いスループットで行うことができる。また、処理液の液面の高さを調整するためのポンプを不要にして、設備を安価にすると共に、処理液の温度の低下を抑制することができる。
【００１７】
さらに、処理槽の底を上昇又は下降させて、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることにより、処理液の液面の高さを、処理槽の底の移動距離によって容易に制御することができる。従って、処理液の液面の高さを均一にして、基板の処理を均一に行うことができる。
【００１８】
また、処理槽の側壁を移動して、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることにより、処理液の液面の高さを、処理槽の側壁の移動距離によって容易に制御することができる。従って、処理液の液面の高さを均一にして、基板の処理を均一に行うことができる。
【００１９】
また、所定の体積のブロックを処理槽内の処理液に浸し又は処理液から引き上げて、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることにより、処理液の液面の高さを、ブロックの移動距離によって容易に制御することができる。従って、処理液の液面の高さを均一にして、基板の処理を均一に行うことができる。
【００２０】
さらに、処理槽内の処理液を移動して、処理槽内の処理液の温度を均一にすることにより、基板の処理をさらに均一に行うことができる。
【００２１】
本発明の基板の製造方法によれば、基板のエッチング又は剥離を高いスループットでむらなく均一に行うことができ、品質の高い基板を効率良く製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明の一実施の形態による基板処理装置の概略構成を示す図である。また、図２は図１に示した基板処理装置の一部断面側面図、図３は図１に示した基板処理装置の上面図である。本実施の形態は、処理槽の底を上昇又は下降させて、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させる例を示している。基板処理装置は、搬送ローラ１０、押さえローラ１１、処理槽２０ａ、処理液供給管２５、ドレン管２６、液面高さ調節機構、ヒータ４０、及び処理液移動機構を含んで構成されている。
【００２３】
図１（ａ）において、処理槽２０ａは、底２１ａ及び４つの側壁２２ａを含んで構成されている。浸漬処理の準備段階で、処理液供給管２５から処理槽２０ａへ処理液が供給され、処理槽２０ａは所定量の処理液２を貯留する。処理槽２０ａの底２１ａには、処理槽２０ａ内の処理液２を交換する際に処理液を排出するドレン管２６が接続されている。
【００２４】
図２（ａ）において、処理槽２０ａの前後の側壁２２ａには、基板の搬入口２３ａ又は搬出口２３ｂがそれぞれ設けられており、それらを塞ぐシャッター２４がそれぞれ取り付けられている。複数の搬送ローラ１０は、基板１を搭載して、基板１を搬入口２３ａから処理槽２０ａ内へ搬入し、浸漬処理の終了後、基板１を搬出口２３ｂから処理槽２０ａ外へ搬出する。各搬送ローラ１０は、矢印で示す基板搬送方向に所定の間隔で設置されており、図示しない駆動手段により所定の速度で回転する。押さえローラ１１は、搬送ローラ１０に搭載された基板１の表面の端部を押さえて、浸漬処理の際に基板１が搬送ローラ１０から浮き上がるのを防止する。
【００２５】
なお、本実施の形態では基板１を水平な状態で搬送しているが、本発明はこれに限らず、基板１を水平に対して基板搬送方向と直交する方向又は基板搬送方向に所定の角度傾斜した状態で搬送してもよい。
【００２６】
図１（ａ）において、液面高さ調節機構は、液面センサー３０、駆動制御回路３１、及び油圧シリンダ３２ａを含んで構成されている。本実施の形態では、処理槽２０ａの底２１ａが、側壁２２ａに対して上下に移動可能に構成されている。液面センサー３０は、処理槽２０ａの側壁２２ａの１つに設置され、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを検出する。駆動制御回路３１は、油圧シリンダ３２ａを駆動し、液面センサー３０の検出信号に基づいて、油圧シリンダ３２ａの駆動を制御する。油圧シリンダ３２ａの先端は、処理槽２０ａの底２１ａに取り付けられており、油圧シリンダ３２ａは、処理槽２０ａの底２１ａを上昇及び下降させる。これにより、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが上昇又は下降する。
【００２７】
処理槽２０ａの底２１ａには、ヒータ４０が取り付けられており、ヒータ４０は、処理槽２０ａ内の処理液２を加熱する。処理液移動機構は、流出配管４１、ポンプ４２、流入配管４３、及びノズル４４を含んで構成されている。流出配管４１及び流入配管４３は、処理槽２０ａの側壁２２ａの１つ又は複数に所定の高さで接続されている。浸漬処理の際、ポンプ４２は、処理槽２０ａから流出配管４１を介して所定量の処理液を吸い込み、その一部を流入配管４３を介して処理槽２０ａへ戻す。さらに、ポンプ４２は、吸い込んだ処理液の一部をノズル４４へ供給する。ノズル４４は、スリットノズル又はシャワーノズル等で構成されており、図２（ａ）、図２（ｂ）及び図３に示す様に、基板１の横上方に、基板１の基板移動方向の長さに渡って設置されている。ノズル４４は、図１（ｂ）に示す様に、ポンプ４２から供給された処理液を、処理槽２０ａ内の処理液２の液面に対して斜めに吐出する。
【００２８】
以下、本実施の形態による基板処理方法を説明する。まず、図１（ａ）及び図２（ａ）に示す様に、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが搬入口２３ａ及び搬出口２３ｂより低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬入口２３ａから処理槽２０ａ内へ搬入する。次いで、搬入口２３ａ及び搬出口２３ｂをそれぞれシャッター２４で塞いだ後、油圧シリンダ３２ａにより処理槽２０ａの底２１ａを上昇させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを上昇させる。
【００２９】
図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示す様に、処理槽２０ａ内の処理液２の液面が基板１の表面を超えて所定の高さになると、駆動制御回路３１は、液面センサー３０の検出信号に基づいて、油圧シリンダ３２ａの駆動を停止する。この状態で、所定時間、基板１の浸漬処理を行う。このとき、ポンプ４２の働きにより、処理槽２０ａ内の処理液２が移動して、処理槽２０ａ内の処理液２の温度が均一化される。特に、図１（ｂ）、図２（ｂ）及び図３に示す様に、ノズル４４から吐出された処理液により、基板１の表面上の処理液が移動して、基板１の表面上の処理液の温度が均一化される。
【００３０】
基板１の浸漬処理が終了すると、油圧シリンダ３２ａにより処理槽２０ａの底２１ａを下降させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを下降させる。図１（ａ）及び図２（ａ）に示す様に、処理槽２０ａ内の処理液２の液面が搬入口２３ａ及び搬出口２３ｂより低くなると、駆動制御回路３１は、液面センサー３０の検出信号に基づいて、油圧シリンダ３２ａの駆動を停止する。そして、搬入口２３ａ及び搬出口２３ｂを塞いでいたシャッターをそれぞれ開き、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが搬入口２３ａ及び搬出口２３ｂより低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬出口２３ｂから処理槽２０ａ外へ搬出する。
【００３１】
なお、本実施の形態では、処理槽２０ａの底２１ａ全体を上昇又は下降させているが、底２１ａを分割してその一部を上昇又は下降させてもよい。
【００３２】
図１〜図３に示した実施の形態によれば、処理槽２０ａの底２１ａを上昇又は下降させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを上昇又は下降させることにより、処理液２の液面の高さを、底２１ａの移動距離によって容易に制御することができる。従って、処理液２の液面の高さを均一にして、基板１の処理を均一に行うことができる。
【００３３】
さらに、処理槽２０ａ内の処理液２を移動して、処理槽２０ａ内の処理液２の温度を均一にすることにより、基板１の処理をさらに均一に行うことができる。特に、ノズル４４から処理液を吐出することにより、基板１の表面上の処理液の温度を均一にして、基板１の処理をさらに均一に行うことができる。
【００３４】
図４は、本発明の他の実施の形態による基板処理装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、処理槽の側壁を移動して、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させる例を示している。基板処理装置は、搬送ローラ１０、押さえローラ１１、処理槽２０ｂ、処理液供給管２５、ドレン管２６、液面高さ調節機構、ヒータ４０、及び処理液移動機構を含んで構成されている。搬送ローラ１０、押さえローラ１１、処理液供給管２５、ドレン管２６、ヒータ４０、及び処理液移動機構の構成並びに動作は、図１〜図３に示した実施の形態と同様である。
【００３５】
処理槽２０ｂは、底２１ｂ及び４つの側壁２２ｂを含んで構成されている。液面高さ調節機構は、液面センサー３０、駆動制御回路３１、及び油圧シリンダ３２ｂを含んで構成されている。本実施の形態では、処理槽２０ｂの側壁２２ｂの１つが、底２１ｂに対して移動可能に構成されている。液面センサー３０は、処理槽２０ｂの側壁２２ｂの１つに設置され、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面の高さを検出する。駆動制御回路３１は、油圧シリンダ３２ｂを駆動し、液面センサー３０の検出信号に基づいて、油圧シリンダ３２ｂの駆動を制御する。油圧シリンダ３２ｂの先端は、処理槽２０ｂの移動可能な側壁２２ｂに取り付けられており、油圧シリンダ３２ｂは、処理槽２０ｂの移動可能な側壁２２ｂを左右に移動する。これにより、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面の高さが上昇又は下降する。
【００３６】
以下、本実施の形態による基板処理方法を説明する。まず、図４（ａ）に示す様に、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面の高さが図示しない搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬入口から処理槽２０ｂ内へ搬入する。次いで、搬入口及び搬出口をそれぞれ図示しないシャッターで塞いだ後、油圧シリンダ３２ｂにより処理槽２０ｂの移動可能な側壁２２ｂを図面右側へ移動して、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面の高さを上昇させる。
【００３７】
図４（ｂ）に示す様に、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面が基板１の表面を超えて所定の高さになると、駆動制御回路３１は、液面センサー３０の検出信号に基づいて、油圧シリンダ３２ｂの駆動を停止する。この状態で、所定時間、基板１の浸漬処理を行う。
【００３８】
基板１の浸漬処理が終了すると、油圧シリンダ３２ｂにより処理槽２０ｂの移動可能な側壁２２ｂを図面左側へ移動させて、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面の高さを下降させる。図４（ａ）に示す様に、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面が搬入口及び搬出口より低くなると、駆動制御回路３１は、液面センサー３０の検出信号に基づいて、油圧シリンダ３２ｂの駆動を停止する。そして、搬入口及び搬出口を塞いでいたシャッターをそれぞれ開き、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面の高さが搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬出口から処理槽２０ｂ外へ搬出する。
【００３９】
なお、本実施の形態では処理槽２０ｂの側壁２２ｂの１つを移動しているが、複数の側壁を移動してもよい。また、側壁２２ｂを分割してその一部を移動してもよい。
【００４０】
図４に示した実施の形態によれば、処理槽２０ｂの側壁２２ｂを移動して、処理槽２０ｂ内の処理液２の液面の高さを上昇又は下降させることにより、処理液２の液面の高さを、側壁２２ｂの移動距離によって容易に制御することができる。従って、処理液２の液面の高さを均一にして、基板１の処理を均一に行うことができる。
【００４１】
図５は、本発明のさらに他の実施の形態による基板処理装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、所定の体積のブロックを処理槽内の処理液に浸し又は処理液から引き上げて、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させる例を示している。基板処理装置は、搬送ローラ１０、押さえローラ１１、処理槽２０ｃ、図示しない処理液供給管、ドレン管２６、液面高さ調節機構、ヒータ４０、及び処理液移動機構を含んで構成されている。搬送ローラ１０、押さえローラ１１、処理液供給管、ドレン管２６、ヒータ４０、及び処理液移動機構の構成並びに動作は、図１〜図３に示した実施の形態と同様である。
【００４２】
処理槽２０ｃは、底２１ｃ及び４つの側壁２２ｃを含んで構成されている。液面高さ調節機構は、液面高さ調整ブロック３３ｃ、ラック３５、小歯車３６、及びモータ３７を含んで構成されている。図６は、図５に示した基板処理装置の液面高さ調整ブロックの外観図である。液面高さ調整ブロック３３ｃは、所定の体積を有するブロックであって、搬送ローラ１０及び押さえローラ１１のシャフトを挿入するための切り欠き３４が設けられている。液面高さ調整ブロック３３ｃにはラック３５が取り付けられており、ラック３５には小歯車３６がかみ合っている。モータ３７は、小歯車３６を駆動して、液面高さ調整ブロック３３ｃを上昇及び下降させる。これにより、液面高さ調整ブロック３３ｃが処理槽２０ｃ内の処理液２に浸されて又は処理液２から引き上げられて、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面の高さが上昇又は下降する。
【００４３】
以下、本実施の形態による基板処理方法を説明する。まず、図５（ａ）に示す様に、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面の高さが図示しない搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬入口から処理槽２０ｃ内へ搬入する。次いで、搬入口及び搬出口をそれぞれ図示しないシャッターで塞いだ後、モータ３７により液面高さ調整ブロック３３ｃを下降させて、液面高さ調整ブロック３３ｃを処理槽２０ｃ内の処理液２に浸し、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面の高さを上昇させる。このとき、液面高さ調整ブロック３３ｃを下降させるに従って、搬送ローラ１０及び押さえローラ１１のシャフトが、液面高さ調整ブロック３３ｃに設けた切り欠き３４に挿入される。
【００４４】
図５（ｂ）に示す様に、液面高さ調整ブロック３３ｃを所定の距離だけ下降させると、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面が基板１の表面を超えて所定の高さになる。この状態で、所定時間、基板１の浸漬処理を行う。
【００４５】
基板１の浸漬処理が終了すると、モータ３７により液面高さ調整ブロック３３ｃを上昇させて、液面高さ調整ブロック３３ｃを処理槽２０ｃ内の処理液２から引き上げ、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面の高さを下降させる。図５（ａ）に示す様に、液面高さ調整ブロック３３ｃを完全に引き上げると、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面が搬入口及び搬出口より低くなる。そして、搬入口及び搬出口を塞いでいたシャッターをそれぞれ開き、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面の高さが搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬出口から処理槽２０ｃ外へ搬出する。
【００４６】
なお、本実施の形態では、液面高さ調整ブロック３３ｃを完全に引き上げた状態で、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面が搬入口及び搬出口より低くなる様にしているが、液面高さ調整ブロック３３ｃを途中まで引き上げた状態で、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面が搬入口及び搬出口より低くなる様に、処理槽２０ｃ内の処理液２の量を調整してもよい。
【００４７】
図５に示した実施の形態によれば、液面高さ調整ブロック３３ｃを処理槽２０ｃ内の処理液２に浸し又は処理液２から引き上げて、処理槽２０ｃ内の処理液２の液面の高さを上昇又は下降させることにより、処理液２の液面の高さを、液面高さ調整ブロック３３ｃの移動距離によって容易に制御することができる。従って、処理液２の液面の高さを均一にして、基板１の処理を均一に行うことができる。
【００４８】
図７は、本発明のさらに他の実施の形態による基板処理装置の概略構成を示す図である。図５に示した実施の形態では、液面高さ調整ブロック３３ｃを基板１の左右に配置しているのに対して、本実施の形態では、液面高さ調整ブロック３３ｄを基板１の前後に配置している。基板処理装置は、搬送ローラ１０、押さえローラ１１、処理槽２０ｄ、図示しない処理液供給管、ドレン管２６、液面高さ調節機構、ヒータ４０、及び処理液移動機構を含んで構成されている。搬送ローラ１０、押さえローラ１１、処理液供給管、ドレン管２６、ヒータ４０、及び処理液移動機構の構成並びに動作は、図１〜図３に示した実施の形態と同様である。
【００４９】
処理槽２０ｄは、底２１ｄ及び４つの側壁２２ｄを含んで構成されている。液面高さ調節機構は、液面高さ調整ブロック３３ｄ、ラック３５、小歯車３６、及びモータ３７を含んで構成されている。液面高さ調整ブロック３３ｄにはラック３５が取り付けられており、ラック３５には小歯車３６がかみ合っている。モータ３７は、小歯車３６を駆動して、液面高さ調整ブロック３３ｄを上昇及び下降させる。これにより、液面高さ調整ブロック３３ｄが処理槽２０ｄ内の処理液２に浸されて又は処理液２から引き上げられて、処理槽２０ｄ内の処理液２の液面の高さが上昇又は下降する。
【００５０】
以下、本実施の形態による基板処理方法を説明する。まず、図７（ａ）に示す様に、処理槽２０ｄ内の処理液２の液面の高さが搬入口２３ｄ及び搬出口２３ｅより低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬入口２３ｄから処理槽２０ｄ内へ搬入する。次いで、モータ３７により液面高さ調整ブロック３３ｄを下降させて、液面高さ調整ブロック３３ｄを処理槽２０ｄ内の処理液２に浸し、処理槽２０ｄ内の処理液２の液面の高さを上昇させる。このとき、搬入口２３ｄ及び搬出口２３ｅが、液面高さ調整ブロック３３ｄによって塞がれる。
【００５１】
図７（ｂ）に示す様に、液面高さ調整ブロック３３ｄを所定の距離だけ下降させると、処理槽２０ｄ内の処理液２の液面が基板１の表面を超えて所定の高さになる。この状態で、所定時間、基板１の浸漬処理を行う。
【００５２】
基板１の浸漬処理が終了すると、モータ３７により液面高さ調整ブロック３３ｄを上昇させて、液面高さ調整ブロック３３ｄを処理槽２０ｄ内の処理液２から引き上げ、処理槽２０ｄ内の処理液２の液面の高さを下降させる。図７（ａ）に示す様に、液面高さ調整ブロック３３ｄを完全に引き上げると、処理槽２０ｄ内の処理液２の液面が搬入口及び搬出口より低くなる。このとき、液面高さ調整ブロック３３ｄによって塞がれていた搬入口２３ｄ及び搬出口２３ｅは、開放される。処理槽２０ｄ内の処理液２の液面の高さが搬入口２３ｄ及び搬出口２３ｅより低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬出口２３ｅから処理槽２０ｄ外へ搬出する。
【００５３】
図７に示した実施の形態によれば、液面高さ調整ブロック３３ｄを処理槽２０ｄ内の処理液２に浸し又は処理液２から引き上げて、処理槽２０ｄ内の処理液２の液面の高さを上昇又は下降させることにより、処理液２の液面の高さを、液面高さ調整ブロック３３ｄの移動距離によって容易に制御することができる。従って、処理液２の液面の高さを均一にして、基板１の処理を均一に行うことができる。さらに、搬入口２３ｄ及び搬出口２３ｅを液面高さ調整ブロック３３ｄで塞ぐことによって、シャッターを不要にすることができる。
【００５４】
なお、図５及び図７に示した実施の形態では、ラック３５及び小歯車３６を用いて液面高さ調整ブロック３３ｃ，３３ｄを上昇及び下降させていたが、本発明はこれに限るものではない。また、図１〜図３に示した実施の形態と同様に液面サンサーを設け、液面サンサーの検出信号により液面高さ調整ブロック３３ｃ，３３ｄの移動距離を制御してもよい。
【００５５】
以上説明した実施の形態によれば、処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることにより、時間の掛かる処理液の供給を行う必要がなくなり、基板の浸漬処理を高いスループットで行うことができる。また、処理液の液面の高さを調整するためのポンプを不要にして、設備を安価にすると共に、処理液の温度の低下を抑制することができる。
【００５６】
なお、以上説明した実施の形態のポンプ４２は、処理槽２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ内の処理液２を移動して処理液２の温度を均一にするためのものであるので、従来の処理液２の液面の高さを調整するためのポンプに比べて小さな容量のもので済み、安価であると共に、処理液の温度の低下が小さい。
【００５７】
本発明の基板処理装置又は基板処理方法を用いて、基板のエッチング又は剥離を行うことにより、基板のエッチング又は剥離を高いスループットでむらなく均一に行うことができ、品質の高い基板を効率良く製造することができる。
【００５８】
例えば、図８は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＣ）法等により、ガラス基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等により感光樹脂材料（フォトレジスト）を塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、ガラス基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００５９】
また、図９は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、ガラス基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、ガラス基板上に着色パターンを形成する。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。着色パターン形成工程（ステップ２０２）、保護膜形成工程（ステップ２０３）及び透明電極膜形成工程（ステップ２０４）をＲＧＢの着色パターンについて繰り返して、ガラス基板上にカラーフィルタが形成される。
【００６０】
図８に示したＴＦＴ基板の製造工程では、エッチング工程（ステップ１０５）及び剥離工程（ステップ１０６）において、図９に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）のエッチング及び剥離の処理において、本発明の基板処理装置又は基板処理方法を適用することができる。
【００６１】
さらに、本発明は、液晶ディスプレイ装置等のフラットパネルディスプレイ装置用のパネル基板に限らず、半導体ウェーハにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施の形態による基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の一部断面側面図である。
【図３】図１に示した基板処理装置の上面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態による基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図５】本発明のさらに他の実施の形態による基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図６】図５に示した基板処理装置の液面高さ調整ブロックの外観図である。
【図７】本発明のさらに他の実施の形態による基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図８】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図９】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６３】
１  基板
２  処理液
１０  搬送ローラ
１１  押さえローラ
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ  処理槽
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ  底
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ  側壁
２３ａ，２３ｄ  搬入口
２３ｂ，２３ｅ  搬出口
２４  シャッター
２５  処理液供給管
２６  ドレン管
３０  液面センサー
３１  駆動制御回路
３２ａ，３２ｂ  油圧シリンダ
３３ｃ，３３ｄ  液面高さ調整ブロック
３４  切り欠き
３５  ラック
３６  小歯車
３７  モータ
４０  ヒータ
４１  流出配管
４２  ポンプ
４３  流入配管
４４  ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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