(57)【要約】【課題】基板本体の側面に十分な厚みの金属メッキ層を形成した切欠部導体を有する配線基板、およびかかる配線基板を得るための多数個取り用配線基板、ならびにかかる多数個取り用配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】上層側のセラミック層ｃ２，ｃ３と下層側のセラミック層ｃ１とを積層して構成され、表面２および裏面３を有する基板本体１と、かかる基板本体１における下層側のセラミック層ｃ１の側面４に形成された切欠部５およびかかる切欠部５内に形成された切欠部導体６と、かかる切欠部導体６の少なくとも上端部６ｃを覆うように形成され且つ湾曲面１１を有する絶縁部１０と、を含む、配線基板ｐ１。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層側のセラミック層と下層側のセラミック層とを積層して構成され、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体における下層側のセラミック層の側面に形成された切欠部およびかかる切欠部内に形成された切欠部導体と、
上記切欠部導体の少なくとも上端部を覆うように形成された絶縁部と、を含む、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁部は、前記切欠部導体と接する湾曲面またはテーパ面を有している、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁部は、前記切欠部導体との間で鈍角を成している、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
上層側のセラミック層と下層側のセラミック層とを積層して構成され、平面視で複数の製品が縦横に配置される製品領域とかかる製品領域を囲む耳部とを有するベース基板と、
上記ベース基板のうち、下層側のセラミック層における製品領域内の製品同士の境界および製品領域と耳部との境界である切断予定面と交差し且つ当該下層側のセラミック層を貫通する貫通孔と、
上記貫通孔の内壁に形成された内壁導体と、
上記内壁導体の少なくとも上端部を覆うように形成された絶縁部と、を含む、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項５】
前記絶縁部は、前記内壁導体と接する湾曲面またはテーパ面を有している、
ことを特徴とする請求項４に記載の多数個取り配線基板。
【請求項６】
前記絶縁部は、前記内壁導体との間で鈍角を成している、
ことを特徴とする請求項４または５に記載の多数個取り配線基板。
【請求項７】
上層側のグリーンシートの裏面に溶剤を塗布する工程と、
下層側のグリーンシートの製品領域内で縦横に配置される複数の製品間の境界および製品領域とこれを囲む耳部との境界である切断予定面と交差し、且つ当該下層側のグリーンシートを貫通する複数組のスルーホールおよび当該スルーホールの内壁に沿った内壁導体を形成する工程と、
上記上層側のグリーンシートと下層側のグリーンシートとを積層して圧着する工程と、を含む、
ことを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板本体の裏面側の切欠部に切欠部導体を有する配線基板、およびベース基板の裏面に開口する非貫通孔に内壁導体を有する多数個取り配線基板、ならびに当該多数個取り配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、直方体で且つ帯状の基体の上面に貫通孔を有する枠体を積層し、前記基体における４つの角部のそれぞれに上記枠体の下方に位置して切り欠かれた平面視で円弧状の切欠き部を有し、かかる切欠き部の内周面に側面導体を形成した発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記発光素子収納用パッケージは、上記基体における４つの角部のそれぞれに円弧形状の側面導体が大きな表面積で形成されているため、基体の下面に形成した電極パッドを外部電気回路基板の配線導体に接続する際に、大きな半田のメニスカスが形成されて、接合強度を大きくできる、という効果を奏する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２５３７１１号公報（第１〜１２頁、図１，２）
【０００４】
しかしながら、前記発光素子収納用パッケージを多数個取りで製造する場合、大版サイズの絶縁基板の裏面に開口する非貫通孔の内周面に形成され、追って前記複数の円弧形状の側面導体に分割される円筒形状の内壁導体には、メッキ液が容易に環流しないため、十分な厚みのメッキ層を形成できない。このため、上記多数個取り基板を複数のパッケージに分割して、得られた各パッケージにおける４個の前記側面導体には、例えば、Ａｕからなるメッキ層などが十分な厚みで被覆されていない。この結果、かかる側面導体を前記外部電気回路基板の配線導体に接続するに際し、ハンダの濡れ広がり性が低いため、かかるハンダ付けの接合強度が不十分になる、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、基板本体の側面に十分な厚みの金属メッキ層を形成した切欠部導体を有する配線基板、およびかかる配線基板を得るための多数個取り用配線基板、ならびにかかる多数個取り用配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、追って配線基板の切欠部導体となる多数個取り配線基板の内壁導体に対し、メッキ液が容易に環流し易くして、十分な厚みのメッキ層を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、上層側のセラミック層と下層側のセラミック層とを積層して構成され、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体における下層側のセラミック層の側面に形成された切欠部およびかかる切欠部内に形成された切欠部導体と、かかる切欠部導体の少なくとも上端部を覆うように形成された絶縁部と、を含む、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記切欠部導体は、その上端部を覆う絶縁部により、当該配線基板を得るための多数個取り配線基板において、メッキ液の環流が悪い部分は、上記絶縁部に覆われているので、金属メッキ層が形成されず、これ以外の部分には金属メッキ層が容易に形成される。このため、絶縁部に覆われている上端部を除いた上記切欠部導体の表面に全体に、例えば、Ａｕからなり所要の厚みを有する金属メッキ層が形成されている。この結果、多数個取り配線基板を切断して分割した当該配線基板をマザーボードに搭載する際に、かかるマザーボードの外部端子と上記切欠部導体との間を、濡れ広がり性の高いハンダによって、強固に接合することができる。従って、上記配線基板の内部配線などとマザーボードとの導通を安定して得ることが可能となる。上記ハンダは、低融点の金属または合金を指す。
【０００８】
尚、前記基板本体を形成する各セラミック層は、例えばアルミナを主成分とするセラミックや、低温焼成の一種である例えばガラス−セラミックからなる。
また、上層側および下層側のセラミック層は、それぞれ単層のほか、複数のセラミック層を積層した形態も含まれる。
更に、前記基板本体の表面には、上層側のセラミック層に設けた貫通孔を側面とするキャビティが開口する形態としても良く、かかるキャビティの底面に、電子部品や発光素子などが搭載される。
また、前記切欠部および切欠部導体は、下層側のセラミック層における側面の中間位置のほか、隣接する側面同士間のコーナ部に形成しても良い。
更に、切欠部導体は、配線基板の内部配線と導通すると共に、かかる内部配線を介して、基板本体の表面またはかかる表面に開口するキャビティに搭載される電子部品や発光素子との間でも導通可能とされている。
【０００９】
また、本発明には、前記絶縁部は、前記切欠部導体と接する湾曲面またはテーパ面を有している、配線基板（請求項２）も含まれる。尚、上記テーパ面は、１つの傾斜面からなる他、複数の傾斜面の組み合わせからなる形態も含む。
更に、本発明には、前記絶縁部は、前記切欠部導体との間で鈍角を成している、配線基板（請求項３）も含まれる。尚、上記鈍角の範囲は、９０度超から１５０度までである。１５０度超の範囲は、平面に近付くので、除いている。また、前記湾曲面を有する絶縁部の場合、基板本体の表面と直交する垂直断面における湾曲面の中央付近に接する接線と切欠部導体の表面との間が、上記鈍角となる。
これらによれば、切欠部導体の上端部を覆う上記絶縁部が、かかる切欠部導体と接する湾曲面またはテーパ面を有しているか、あるいは、切欠部導体との間で鈍角を成している。この結果、当該配線基板を得るための多数個取り配線基板において、メッキ液の環流が悪い部分には、前記絶縁部に覆われることで、金属メッキ層が形成されない反面、絶縁部に覆われていない部分には、金属メッキ層が容易に形成される。このため、絶縁部に覆われる上端部を除いた上記切欠部導体の表面に全体に、例えば、Ａｕからなり所要の厚みを有する金属メッキ層が形成されている。従って、上記配線基板をマザーボードに搭載する際に、かかるマザーボードの外部端子と上記切欠部導体との間を、濡れ広がり性の高いハンダにより強固に接合することができる。
【００１０】
一方、本発明の多数個取り配線基板（請求項４）は、上層側のセラミック層と下層側のセラミック層とを積層して構成され、平面視で複数の製品が縦横に配置される製品領域とかかる製品領域を囲む耳部とを有するベース基板と、かかるベース基板のうち、下層側のセラミック層における製品領域内の製品同士の境界および製品領域と耳部との境界である切断予定面と交差し且つ当該下層側のセラミック層を貫通する貫通孔と、かかる貫通孔の内壁に形成された内壁導体と、かかる内壁導体の少なくとも上端部を覆うように形成された絶縁部と、を含む、ことを特徴とする。
【００１１】
これによれば、前記内壁導体は、その上端部を覆う絶縁部によって、当該多数個取り配線基板をメッキ液に浸漬した際に、かかるメッキ液の環流が悪い部分は、前記絶縁部に覆われているため、金属メッキ層が形成されない反面、かかる絶縁部以外の部分では、メッキ液の環流がスムースに行われる。この結果、絶縁部に覆われる上端部を除いた上記内壁導体の表面に全体に、例えば、Ａｕからなり所要の厚みを有する金属メッキ層が形成されている。このため、かかる多数個取り配線基板を切断・分割して得られる複数の配線基板ごとの前記切欠部導体も、その上端部を除いて上記金属メッキ層が形成されている。従って、分割後の上記配線基板をマザーボードに搭載する際に、かかるマザーボードの外部端子と上記切欠部導体との間を、ハンダを介して強固に接合することができる。
尚、前記貫通孔の内壁に沿って形成される内壁導体は、かかる貫通孔の内壁とほぼ相似形のほぼ円筒形を呈する。
【００１２】
また、本発明には、前記絶縁部は、前記内壁導体と接する湾曲面またはテーパ面を有している、多数個取り配線基板（請求項５）も含まれる。
更に、本発明には、前記絶縁部は、前記内壁導体との間で鈍角を成している、多数個取り配線基板（請求項６）も含まれる。
尚、上記鈍角は、９０度超から１５０度までの範囲である。
これらによれば、上記内壁導体の上端部を覆う絶縁部が、かかる内壁導体と接する湾曲面またはテーパ面を有しているか、あるいは、内壁導体との間で鈍角を成している。このため、当該多数個取り配線基板をメッキ液に浸漬した際に、当該メッキ液の環流の悪い部分は、前記絶縁部に覆われるので、金属メッキ層が形成されない反面、絶縁部に覆われていない部分には、メッキ液が良好に環流する。この結果、上端部を除いた内壁導体の表面に全体に、例えば、Ａｕからなり所要の厚みを有する金属メッキ層が形成されている。従って、上記多数個取り配線基板を切断・分割して得られる複数の配線基板ごとの前記切欠部導体と、マザーボードの外部端子とを、ハンダを介して強固に接合することが可能となる。
【００１３】
また、本発明による多数個取り配線基板の製造方法（請求項７）は、上層側のグリーンシートの裏面に溶剤を塗布する工程と、下層側のグリーンシートの製品領域内で縦横に配置される複数の製品間の境界および製品領域とこれを囲む耳部との境界である切断予定面と交差し、且つ当該下層側のグリーンシートを貫通する複数組のスルーホールおよび当該スルーホールの内壁に沿った内壁導体を形成する工程と、上記上層側のグリーンシートと下層側のグリーンシートとを積層して圧着する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００１４】
これによれば、上層側のグリーンシートと下層側のグリーンシートとを積層して圧着することで、製品領域とこれを囲む耳部とを有するベース基板が形成されると共に、上記切断予定面と交差する位置に、下層側のグリーンシートを貫通する複数組の貫通孔および内壁導体が形成される。しかも、かかる内壁導体の少なくとも上端部は、上層側のグリーンシートにおける前記溶剤が浸透したその裏面側の一部が当該内壁導体の内側に延び出た絶縁部に覆われる。従って、追って上記内壁導体に対し、例えばＮｉおよびＡｕメッキ層を形成する際に、メッキ液の環流の悪い部分は、前記絶縁部に覆われているので、金属メッキ層が形成されない反面、これ以外の内壁導体の表面全体には、メッキ液が容易に環流するので、所要の厚みの金属メッキ層を形成することができる。
尚、前記溶剤の種類や圧着方法を調整することで、絶縁部に湾曲面またはテーパ面を形成することが可能である。
【００１５】
付言すれば、本発明には、前記多数個取り配線基板を焼成する工程、焼成された多数個取り配線基板の内壁導体に金属メッキ層を形成する工程と、その後に、多数個取り配線基板を製品領域内で縦横に配置される複数の製品間の境界および製品領域とこれを囲む耳部との境界である切断予定面に沿って切断する工程と、を含む、配線基板の製造方法も含まれ得る。これによる場合、複数の前記配線基板を効率良く確実に製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における一形態の配線基板ｐ１を示す垂直断面図である。
配線基板ｐ１は、図１に示すように、平面視がほぼ正方形で表面２および裏面３を有する基板本体１と、かかる基板本体１の表面２に開口するキャビティ１４と、基板本体１の裏面３と側面４にまたがって形成された複数の切欠部５と、かかる切欠部５内ごとに形成された複数の切欠部導体６と、を備えている。
基板本体１は、図１に示すように、主にアルミナからなる上層側のセラミック層ｃ２，ｃ３と下層側のセラミック層ｃ１とを一体に積層したものである。上層側のセラミック層ｃ３には、キャビティ１４の側面１６が、基板本体１の表面２側に広がるように傾斜しつつほぼ円錐形状に貫通しており、かかる側面１６の底部に上層側のセラミック層ｃ２の表面であるキャビティ１４の底面１５が、平面視を円形にして露出している。
【００１７】
キャビティ１４の側面１６には、ＷまたはＭｏからなる金属層１７が形成され、その表面には、例えば下地のＮｉメッキ層を介して、光反射用のＡｇメッキ層（何れも図示せず）が表層に形成されている。キャビティ１４の底面１５には、Ｗなどからなる一対のパッド１８が形成され、これらの間に、図１中の一点鎖線で示す発光ダイオード（発光素子）Ｃが搭載可能とされている。かかる発光ダイオードＣは、図示しないボンディングワイヤを介して、一対のパッド１８と接続され、当該発光ダイオードＣから発光された光は、金属層１７の表層を覆うＡｇメッキ層に反射して、配線基板ｐ１の外部に放射される。
【００１８】
図１に示すように、基板本体１を形成する下・上層側のセラミック層ｃ１，ｃ２間には、Ｗなどからなり所定パターンを有する内部配線２０が形成されている。また、基板本体１の裏面３には、Ｗなどからなる複数の外部端子１９が形成されている。上記パッド１８と内部配線２０との間は、Ｗなどからなるビア導体２１によって接続され、内部配線２０と外部端子１９との間は、上記同様のビア導体２２によって接続されている。
尚、上記内部配線２０と切欠部導体６との間も接続されている。また、図示しないビア導体２１は、上記金属層１７と内部配線２０との間を接続している。
【００１９】
図１，図２に示すように、基板本体１における下層側のセラミック層ｃ１の側面４には、平面視がほぼ半円形の切欠部５が形成され、かかる切欠部５の内周面に平面視の断面がほぼ半円形の切欠部導体６が形成されている。
図２の部分拡大断面図および同図中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分水平断面図に示すように、切欠部導体６は、セラミック層ｃ１，ｃ２間に延びる半リング状の水平片６ａと基板本体１の裏面３上に延びる半リング状の水平片６ｂとを、上・下端に有する。かかる切欠部導体６は、その上端部６ｃが上層側のセラミック層ｃ２の一部が基板本体１の裏面３側の延び出た絶縁部１０に覆われている。
【００２０】
かかる絶縁部１０は、図２に示すように、窪んだ形状の湾曲面１１を有している。基板本体１の表面２と直交する垂直断面において、上記湾曲面１１の中央付近に接する接線ｓと切欠部導体６の表面との間の角度は、約１３０度の鈍角θである。
図１，図２に示すように、上記絶縁部１０に覆われた上端部６ｃおよび水平片６ａを除いた切欠部導体６の表面全体には、下地で厚みが約１〜１５μｍのＮｉメッキ層と表層で厚みが約０．１〜５．０μｍのＡｕメッキ層とからなる金属メッキ層８が形成されている。
【００２１】
図３は、異なる形態の配線基板ｐ２を示す垂直断面図、図４は、かかる図３中の部分拡大断面図、図５は、図４中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った部分断面図である。
図３に示すように、配線基板ｐ２も、下層側のセラミック層ｃ１および上層側のセラミック層ｃ２，ｃ３からなる前記同様の基板本体１、底面１５および側面１６からなるキャビティ１４、金属層１７、パッド１８、外部端子１９、内部配線２０、ビア導体２１，２２、基板本体１の裏面３と側面４にまたがって形成された切欠部５、および切欠部５内に形成された切欠部導体６、を備えている。
図４，図５に示すように、基板本体１における下層側のセラミック層ｃ１の側面４には、平面視がほぼ半円形の切欠部５が形成され、かかる切欠部５の内周面に平面視の断面がほぼ半円形の切欠部導体６が形成されている。
【００２２】
上記切欠部導体６は、その上・下端に半リング状の水平片６ａ，６ｂを有すると共に、その上端部６ｃが上層側のセラミック層ｃ２の一部が基板本体１の裏面３側に延び出た絶縁部１２に覆われている。
かかる絶縁部１２は、図４に示すように、当該絶縁部１２における基板本体１の表面２側から裏面３側に向かって、広がるように傾斜したテーパ面１３を有している。基板本体１の表面２と直交する垂直断面において、上記テーパ面１３と切欠部導体６の表面との間の角度は、約１３０度の鈍角θである。
図４に示すように、上記絶縁部１２に覆われた上端部６ｃおよび水平片６ａを除いた切欠部導体６の表面全体には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｕメッキ層からなる金属メッキ層８が前記同様の厚みで形成されている。
【００２３】
以上のような配線基板ｐ１，ｐ２によれば、基板本体１における下層側のセラミック層ｃ１の側面４に形成された前記切欠部導体６は、その上端部６ｃを覆う絶縁部１０，１２によって、当該配線基板ｐ１，ｐ２を得るための多数個取り配線基板において、メッキ液の環流が悪い部分は、絶縁部１０，１２に覆われているので、金属メッキ層８が形成されない。これに対し、絶縁部１０，１２に覆われず且つメッキ液が容易に環流し易くなっている上端部６ｃを除いた切欠部導体６の表面に全体には、表層に所要の厚みのＡｕメッキ層を有する金属メッキ層８が形成されている。従って、上記多数個取り配線基板を切断・分割した当該配線基板ｐ１，ｐ２をマザーボードに搭載する際に、金属メッキ層８の下地であるＮｉメッキ層が拡散しにくく且つハンダが容易に濡れ広がるため、マザーボードの外部端子と上記切欠部導体６との間を、ハンダを介して強固に接合することができる。
【００２４】
更に、複数の切欠部導体６を、電気的に独立した複数（例えば２つ）の回路に接続することで、一方の回路を介して、前記パッド１８，外部端子１９の表面に対し、下地のＮｉメッキ層と表層のＡｕメッキ層とを形成すると共に、他方の回路を介して、前記キャビティ１４の側面１６に形成した金属層１７に対し、下地のＮｉメッキ層と表層の光反射用のＡｇメッキ層とを形成することもできる。
尚、切欠部５および切欠部導体６は、基板本体１の下層側のセラミック層ｃ１において、互いに隣接する側面４，４間の各コーナ部に形成しても良い。かかるコーナ部では、切欠部５および切欠部導体６は、平面視でほぼ円形の４分の１である円弧形の形状または断面となる。
【００２５】
図６は、複数個の前記配線基板ｐ１を得るための多数個取り配線基板Ｋ１を示す平面図、図７は、かかる多数個取り配線基板Ｋ１の底面図、図８は、図６，図７中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図である。
多数個取り配線基板Ｋ１は、図６〜図８に示すように、主にアルミナからなる上層側のセラミック層ｃ２，ｃ３と下層側のセラミック層ｃ１とを積層して構成され、平面視で９個（複数）の配線基板（製品）ｐ１が縦横に配置される製品領域Ｐと、かかる製品領域Ｐを囲む四角枠形の耳部ｍとを有するベース基板３１を、備えている。尚、図６，図７において、互いに隣接する配線基板ｐ１，ｐ１間および配線基板ｐ１，製品領域Ｐ間の境界を示す破線は、仮想面の切断予定面ｆである。また、表面３２および裏面３３は、ベース基板３１、製品領域Ｐ、配線基板ｐ１、耳部ｍに共通して用いる。更に、上記セラミック層ｃ１〜ｃ３は、大版サイズのものである。
上記ベース基板３１を構成する下層側のセラミック層ｃ１には、上記切断予定線ｆと交差し、且つ当該セラミック層ｃ１を貫通する複数の貫通孔２５が、各配線基板ｐ１の各側面（４）となる位置ごとに形成され、かかる貫通孔２５ごとの内壁に沿って、Ｗなどからなるほぼ円筒形の内壁導体２６が形成されている。
【００２６】
図６〜図８に示すように、製品領域Ｐ内に位置する個々の配線基板ｐ１には、前記同様の底面１５および側面１６からなるキャビティ１４、かかる側面１６の金属層１７、キャビティ１４の底面１５における一対のパッド１８、ベース基板３１の裏面３３に位置する複数の外部端子１９、セラミック層ｃ１，ｃ２間に位置する内部配線２０、セラミック層ｃ１，ｃ２を貫通するビア導体２１，２２がそれぞれ形成されている。
尚、ベース基板３１は、平面視でほぼ正方形の外形を有し、個々の配線基板ｐ１も平面視で正方形の外形であり、ベース基板３１の表面３２に開口する各キャビティ１４の底面１５は、平面視が円形であり、キャビティ１４の側面１６は、底面１５側から表面３２に向かって広がるほぼ円錐形を呈する。
【００２７】
図９の拡大断面図で示すように、ベース基板３１を構成する下層側のセラミック層ｃ１を貫通する断面ほぼ円形の貫通孔２５には、その内壁に沿ってほぼ円筒形を呈する内壁導体２６が形成されている。かかる内壁導体２６は、セラミック層ｃ１，ｃ２間に延びるリング状の水平片２６ａとベース基板３１の裏面３３上に延びるリング状の水平片２６ｂとを、上・下端に有する。かかる内壁導体２６は、その上端部２６ｃが上層側のセラミック層ｃ２を形成するセラミック材料の一部がベース基板３１の裏面３３側の延び出た絶縁部４０に覆われている。
かかる絶縁部４０は、ベース基板３１の裏面３３側に窪み且つ内壁導体２６に接するほぼ半球形の湾曲面４１を有する。前記ベース基板３１の表面３２と直交する垂直断面である図９において、絶縁部４０の上記湾曲面４１の中央付近に接する接線ｓと内壁導体２６の表面との間の角度は、約１４０度の鈍角θである。
【００２８】
図９に示すように、上記絶縁部４０に覆われた上端部２６ｃおよび水平片２６ａを除いた切欠部導体２６の表面全体には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｕメッキ層からなる金属メッキ層２８が前記金属メッキ層８と同様の厚みで形成されている。
図１０は、異なる多数個取り配線基板Ｋ２を示す前記図８と同様の垂直断面図、図１１は、図１０中の一部拡大断面図である。
図１０，図１１に示すように、多数個取り配線基板Ｋ２も、下・上層側のセラミック層ｃ１〜ｃ３からなり、複数の配線基板ｐ２を配置した製品領域Ｐおよびこれを囲む耳部ｍを有する前記同様のベース基板３１を備えている。また、各配線基板ｐ２にも、前記同様のキャビティ１４、金属層１７、一対のパッド１８、複数の外部端子１９、内部配線２０、および、ビア導体２１，２２が形成されている。尚、表面３２および裏面３３は、ベース基板３１、製品領域Ｐ、配線基板ｐ２、耳部ｍに共通して用いる。
【００２９】
図１１に示すように、下層側のセラミック層ｃ１を貫通する貫通孔２５には、その内壁に沿って内壁導体２６が形成され、かかる内壁導体２６は、前記同様の水平片２６ａおよび水平片２６ｂを、上・下端に有する。かかる内壁導体２６は、その上端部２６ｃが上層側のセラミック層ｃ２の一部がベース基板３１の裏面３３側の延び出た絶縁部４２に覆われている。
上記絶縁部４２は、ベース基板３１の表面３２側から裏面３３側に向かって広がるように傾斜して、内壁導体２６に接するほぼ円錐形のテーパ面４３を有する。前記ベース基板３１の表面３２と直交する垂直断面図である図１１において、絶縁部４２の上記テーパ面４３と内壁導体２６の表面との間の角度は、約１３０度の鈍角θである。
図１１に示すように、上記絶縁部４２に覆われた上端部２６ｃおよび水平片２６ａを除いた切欠部導体２６の表面全体には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｕメッキ層からなる金属メッキ層２８が前記同様の厚みで形成されている。
【００３０】
以上のような多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２によれば、前記内壁導体２６の上端部２６ｃは、湾曲面４１またはテーパ面４３を有する絶縁部４０，４２に覆われているため、当該多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２をメッキ液に浸漬した際に、当該メッキ液が環流せず、金属メッキ層が形成されない。その反面、絶縁部４０，４２に覆われていない部分では、メッキ液の環流がスムースとなるため、上端部２６ｃおよび水平片２６ａを除いた上記内壁導体２６の表面全体に、Ｎｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなり所要の厚みを有する金属メッキ層２８が形成されている。このため、かかる多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２を、前記切断予定面ｆに沿って切断・分割して得られる複数の前記配線基板ｐ１，ｐ２ごとの前記切欠部導体６も、その上端部６ｃを除いて前記金属メッキ層８が形成される。従って、上記配線基板ｐ１，ｐ２をマザーボードに搭載する際に、かかるマザーボードの外部端子と切欠部導体６との間を、ハンダを介して強固に接合することができる。
尚、前記貫通孔２５および内壁導体２６は、前記図７の底面図において、複数の切断予定面ｆが交差する位置に形成しても良い。かかる形態の多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２では、これを分割することで、前記基板本体１の下層側のセラミック層ｃ１にて、隣接する側面４，４間のコーナ部に切欠部導体６が形成される。
【００３１】
前記多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２および前記配線基板ｐ１，ｐ２は、次のようにして製造した。尚、以下においては、作図上の都合により、各図の左右方向の長さを若干短くしている。
予め、アルミナ粉末の粒子、樹脂バインダ、可塑剤、および溶剤などからなる原料を混合して、セラミックスラリを製作した。かかるセラミックスラリにドクターブレード法を施し、厚みが約３００μｍである３枚のグリーンシートｓ１〜ｓ３を形成した。かかるグリーンシートｓ１〜ｓ３は、図１２で例示すように、前記配線基板ｐ１，ｐ２を形成する複数の配線基板（製品）ｐを縦横に配置した製品領域Ｐと、これを囲む平面視が四角枠形の耳部ｍと、これらの境界である切断予定面（仮想面）ｆとを有する多数個取り用である大版サイズのものである。
先ず、図１３の上方に示すように、最上層（上層側）のグリーンシートｓ３に対し、その表面と裏面との間を裏面側が小径で且つ表面側が大径となるように、所要のクリアランスを有するパンチとダイの受入孔との間の剪断作用によって、各配線基板ｐごとの中央部に、ほぼ円錐形の貫通孔１７ａをそれぞれ形成した。
【００３２】
また、図１３の中程に示すように、中層（上層側）のグリーンシートｓ２に対し、複数の配線基板ｐごとの表面と裏面との間を貫通する複数のビアホールｈを、パンチとダイの受入孔とによる打ち抜き加工によって形成した。尚、グリーンシートｓ２の裏面側には、予め、フタル酸ｎブチル、ひまし油、ｎブチル・アルコールなどからなる溶剤ｗを所定の厚みで浸透するように塗布した。
更に、図１３の下方に示すように、下層側のグリーンシートｓ１にも、複数の配線基板ｐごとの表面と裏面との間を貫通する複数のビアホールｈを形成すると共に、切断予定面ｆごとの所定の位置に厚み方向に沿った貫通孔２５を前記同様の打ち抜き加工によって形成した。
【００３３】
次いで、図１４の上方に示すように、最上層（上層側）のグリーンシートｓ３の各貫通孔１７ａの内周面に対し、図示しないメタルマスクとスキージとを用い且つ反対側の表面または裏面から吸引状態として、ＷまたはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを所定の厚みで印刷して、それぞれに金属層１７を形成した。
また、図１４の中程に示すように、中層（上層側）のグリーンシートｓ２の各ビアホールｈに対し、前記同様のメタルマスクとスキージとを用いて、上記同様の導電性ペーストを充填して、それぞれにビア導体２１を形成した。
更に、図１４の下方に示すように、下層側のグリーンシートｓ１の各ビアホールｈに対しても、上記同様のビア導体２１をそれぞれ形成した。併せて、上記メタルマスクとスキージとを用い且つ反対側の表面または裏面から吸引状態として、下層側のグリーンシートｓ１における各貫通孔２５の内壁ごとに、上記同様の導電性ペーストを塗布して、ほぼ円筒形の内壁導体２６を形成した。
【００３４】
次に、図１５の中程に示すように、中層（上層側）のグリーンシートｓ２の表面に、各ビア導体２１の上端と接続するように、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、各製品部分ｐごとに一対ずつのパッド１８を形成した。
更に、図１５の下方に示すように、下層側のグリーンシートｓ１の表面と裏面とにも、各ビア導体２２の上端または下端と接続するように、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、所定パターンの内部配線２０および複数の外部端子１６を形成した。
そして、図１５中の矢印で示すように、下層側のグリーンシートｓ１の上に、上層側のグリーンシートｓ２，ｓ３を、順次または同時に積層して圧着した。
【００３５】
その結果、図１６に示すように、前記グリーンシートｓ１〜ｓ３が積層されて表面３２および裏面３３を有するベース基板３１と、製品領域Ｐ内に縦横に配置された複数の配線基板ｐと、個々の配線基板ｐの表面３２に開口し且つ底面１５および側面１６からなるするキャビティ１４と、を有するグリーンシート積層体Ｓ１が形成された。この際、各貫通孔２５の内壁導体２６の上方には、グリーンシートｓ２における前記溶剤ｗにより軟化された主にアルミナからなるセラミック材料が、前記圧着に伴う圧力によって、その一部が複数の内壁導体２６の内側に延出し（伸び出し）て、かかる内壁導体２６ごとの上端部２６ｃを覆った。この結果、ベース本体３１の表面３２に対し垂直な断面において、ベース本体３１の裏面３３側に向かって窪んだほぼ半球形の湾曲面４１を有する絶縁部４０が各貫通孔２５ごとの上部に形成された。
【００３６】
また、上層側のグリーンシートｓ２に対する前記溶剤ｗの浸透深さや圧着時の圧力を調整して、グリーンシートｓ２を形成するセラミック材料の一部を、内壁導体２６ごとの内側に延出させて、かかる内壁導体２６の上端部２６ｃを覆った。
その結果、図１７に示すように、前記同様のベース基板３１を備えるグリーンシート積層体Ｓ２が形成されると共に、各貫通孔２５ごとの上部に、かかるベース本体３１の裏面３３側に向かって窪んだほぼ円錐形のテーパ面４３を有する絶縁埋め部４２を形成することができた。
【００３７】
更に、前記グリーンシート積層体Ｓ１，Ｓ２を、所要の温度帯で焼成した。
次いで、前記グリーンシートｓ１〜ｓ３が焼成されて下・上層側のセラミック層ｃ１〜ｃ３となったベース基板３１を、図示しないメッキ槽中に浸漬し、複数の内壁導体２６にメッキ用の電極棒を接触させた状態で、電解Ｎｉメッキを行った後、別のメッキ槽中に浸漬し且つ上記同様の状態で、電解Ａｕメッキを行った。
この際、焼成済みの各ベース基板３１ごとの内壁導体２６において、各メッキ液の環流の悪い部分は、その上端部２６ｃを覆う湾曲面４１またはテーパ面４３を有する絶縁部４０，４２に覆われていたため、金属メッキ層２８が形成されなかった。その反面、絶縁部４０，４２に覆われていない上端部２６ｃ以外の各内壁導体２６の表面には、上記各メッキ液が容易に環流していた。
その結果、各内壁導体２６の表面には、所要の厚みのＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなる金属メッキ層２８が形成された。同時に、前記キャビティ１４の底面１５に位置する各パッド１８とベース基板３１の裏面３３に位置する各外部端子１９の表面にも、上記同様の金属メッキ層（図示せず）が形成された。
【００３８】
引き続いて、前記と別の内壁導体２６にメッキ用の電極棒を接触させた状態で、電解Ｎｉメッキを行った後、別のメッキ槽中に浸漬し且つ上記同様の状態で、電解Ａｇメッキを行った。その結果、各キャビティ１４の側面１６に形成された焼成後の金属層１７の表面に、下地のＮｉメッキを介して表層側に光反射用のＡｇメッキ層（何れも図示せず）を所要の厚みにして形成できた。
この結果、前記図６〜図９で示した多数個取り配線基板Ｋ１、あるいは、前記図１０，図１１で示した多数個取り配線基板Ｋ２を製造することができた。
以上のような多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２の製造方法によれば、下層側のセラミック層ｃ１の貫通孔２５ごとに形成された内壁導体２６の表面に、所要の厚みを有するＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなる金属メッキ層２８が形成された当該多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２を確実に形成することができた。
【００３９】
そして、多数個取り配線基板Ｋ１，Ｋ２を、これらにおける前記切断予定面ｆに沿って、図示しないブレードを用いて、各ベース基板３１の厚み方向に切断加工した。
その結果、図１８に示すように、下・上層側のセラミック層ｃ１〜ｃ３からなる基板本体１、下層側のセラミック層ｃ１の側面４に形成された切欠部５、かかる切欠部５に形成された切欠部導体６、および切欠部導体６の上端部６ｃを覆い且つ湾曲面１１を有する絶縁部１０を備えた前記同様の配線基板ｐ１を、複数個ずつ製造することができた。
【００４０】
あるいは、図１９に示すように、上記同様の基板本体１、切欠部５、切欠部導体６、および切欠部導体６の上端部６ｃを覆い且つテーパ面１３を有する絶縁部１２を備えた前記同様の配線基板ｐ２を、複数個ずつ製造することができた。
以上のような配線基板ｐ１，ｐ２の製造方法によれば、下層側のセラミック層ｃ１の側面４に形成された複数の切欠部５ごとに形成された切欠部導体６の表面に、所要の厚みを有するＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなる金属メッキ層８が形成された当該配線基板ｐ１，ｐ２を効率良く確実に形成することができた。
【００４１】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記セラミック層や前記グリーンシートは、前記アルミナに限らず、ムライトや窒化アルミニウムなどのセラミック材料としたり、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミック材料からなるものとしても良い。
また、前記上層側のセラミック層を１層または３層以上からなる形態としたり、前記下層側のセラミック層を２層以上からなる形態としても良い。
更に、前記切欠部および切欠部導体は、前記下層側ベース基板の各側面ごの中間と、隣接する側面間の各コーナごととの双方に形成しても良い。これに応じて、前記多数個取り配線基板において、個々の切断予定面の中間位置と共に、複数の切断予定面が交差する位置にも、前記貫通孔および内壁導体を形成しても良い。
【００４２】
更に、前記配線基板のキャビティは、底面が平面視で長円形で且つ側面がほぼ長円錐形、または底面が平面視で楕円形で且つ側面がほぼ楕円錐形などの形態としても良い。
加えて、配線基板は、その基板本体の表面を前記キャビティがない平坦面とし、かかる平坦な表面に形成したパッドにＩＣチップなどの電子部品を導通可能として、かかる電子部品を上記表面上に搭載する形態としても良い。
あるいは、配線基板は、その基板本体の表面に開口し、平面視が矩形（正方形または長方形）の底面とその周囲から垂直に立設する４つの側面とからなるキャビティを有する形態とし、かかるキャビティの底面に上記電子部品を搭載する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明における一形態の配線基板を示す垂直断面図。
【図２】上記配線基板の部分拡大断面図。
【図３】異なる形態の配線基板を示す垂直断面図。
【図４】上記配線基板の部分拡大断面図。
【図５】図４中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図。
【図６】本発明における一形態の多数個取り基板を示す平面図。
【図７】上記多数個取り基板の底面図。
【図８】図６，図７中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図９】図８中の部分拡大断面図。
【図１０】異なる形態の多数個取り基板を示す垂直断面図。
【図１１】図１０中の部分拡大断面図。
【図１２】上記多数個取り基板の製造工程を示す概略図。
【図１３】図１２に続く製造工程を示す概略図。
【図１４】図１３に続く製造工程を示す概略図。
【図１５】図１４に続く製造工程を示す概略図。
【図１６】以上の各工程により得られたグリーンシート積層体を示す概略図。
【図１７】異なる形態のグリーンシート積層体を示す概略図。
【図１８】上記多数個取り基板を分割した前記配線基板を示す概略図。
【図１９】上記同様に分割された異なる形態の前記配線基板を示す概略図。
【符号の説明】
【００４４】
１……………………………基板本体
２，３２……………………表面
３，３３……………………裏面
４……………………………側面
５……………………………切欠部
６……………………………切欠部導体
６ｃ，２６ｃ………………上端部
１０，１２，４０，４２…絶縁部
１１，４１…………………湾曲面
１３，４３…………………テーパ面
２５…………………………貫通孔
２６…………………………内壁導体
３１…………………………ベース基板
ｐ，ｐ１，ｐ２……………配線基板（製品）
Ｋ１，Ｋ２…………………多数個取り配線基板
ｃ１…………………………下層側のセラミック層
ｃ２，ｃ３…………………上層側のセラミック層
Ｐ……………………………製品領域
ｍ……………………………耳部
ｆ……………………………切断予定面
θ……………………………鈍角
ｓ１…………………………下層側のグリーンシート
ｓ２，ｓ３…………………上層側のグリーンシート
【図１】
2007251017.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2007251017.tif 000010
【図９】
2007251017.tif 000011
【図１０】
2007251017.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2007251017.tif 000015
【図１４】
2007251017.tif 000016
【図１５】
2007251017.tif 000017
【図１６】
2007251017.tif 000018
【図１７】
2007251017.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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