(57)【要約】      （修正有）【課題】投影システムの最終素子と基板との間の空間に液体を閉じ込めるリソグラフィ装置において、第１基板ステージおよび前記第２基板ステージの位置を連続的に測定する。【解決手段】リソグラフィ装置は第１および第２基板ステージとを含み、第１基板ステージによって保持された第１基板と最終素子との間に液体を閉じ込める第１配置から、第２基板ステージによって保持される第２基板と最終素子との間に液体を閉じ込める第２配置へ遷移させるジョイントムーブメントを実行するために協働するように構成かつ配置されており、これによって、ジョイントムーブメント中、基本的に液体を最終素子に対する空間に閉じ込めることができる。また、リソグラフィ装置は、少なくともジョイントムーブメント中、第１および第２基板ステージの位置を測定するように構成された位置測定システムを含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスを支持するように構成されたパターニングデバイス支持体であって、前記パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成することができる、パターニングデバイス支持体と、 
リソグラフィ装置の露光ステーション内において前記パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムの最終素子と前記基板との間の空間に液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムと、
基板を保持するように構成された第１および第２基板ステージと、
前記第１および第２基板ステージの位置を測定するように構成された干渉計位置測定システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記第１および第２基板ステージは、リソグラフィ装置を、前記第１基板ステージによって保持された第１基板と前記最終素子との間に前記液体を閉じ込める第１配置から、前記第２基板ステージによって保持された第２基板と前記最終素子との間に前記液体を閉じ込める第２配置へ遷移させるジョイントムーブメントを実行するために協働するように構成かつ配置されており、これによって、ジョイントムーブメント中、基本的に前記液体を前記最終素子に対して前記空間に閉じ込めることができ、
前記干渉計位置測定システムは、前記第１基板ステージおよび前記第２基板ステージの位置を連続的に測定するように構成されている、
リソグラフィ装置。 
【請求項２】
前記位置測定システムは、前記第１基板ステージおよび前記第２基板ステージの位置を６自由度で測定するように構成されている、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１および第２基板ステージが実質的に同じ寸法である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記干渉計位置測定システムは、処理エリアの両側にて、前記投影システムの軸と実質的に交差する方向に沿って配置された２つの干渉計を備え、前記方向は前記ジョイントムーブメントの方向に延在する方向である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記干渉計位置測定システムは、
前記第１および／または第２基板ステージの第１方向における位置を測定する２つのｘ干渉計であって、前記第１方向は、前記投影システムの軸に対して実質的に垂直であり、前記２つのｘ干渉計は、処理エリアの両側にて、前記第１方向に延在しかつ前記投影システムの軸に実質的に交差する方向に沿って配置されている、２つのｘ干渉計と、
前記第１および／または第２基板ステージの第２方向における位置を測定する２つのｙ干渉計であって、前記第２方向は、前記第１方向に対して実質的に垂直でありかつ前記投影システムの軸に対して実質的に垂直であり、前記２つのｙ干渉計は、処理エリアの両側にて、前記第２方向に延在しかつ前記投影システムの軸と実質的に交差する方向に沿って配置されている、２つのｙ干渉計と、
を備える、
請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記２つのｘ干渉計および前記２つのｙ干渉計は、１自由度以上の測定が可能な多軸干渉計である、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記２つのｘ干渉計および前記２つのｙ干渉計は、２つのｘ−Ｒｙ−ｚまたはｘ−Ｒｙ−Ｒｚ干渉計、および、２つのｙ−Ｒｘ−ｚまたはｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計を含む、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記干渉計位置測定システムは、前記投影システムを含む露光ステーションが配置された露光エリアと基板が交換される交換エリアとの実質的に交点上に配置され、実質的に前記交点にて前記第１および／または第２基板ステージの位置を測定する干渉計を備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記干渉計位置測定システムは、処理エリアの片側にて、前記ジョイントムーブメントの方向に対して実質的に平行な方向に沿って配置された３つの干渉計を備え、前記３つの干渉計のうち連続する２つの干渉計の間の距離は、最大で、前記第１および／または第２基板ステージの前記方向における寸法である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記３つの干渉計のうち中央の干渉計は、該干渉計のビームを、前記投影システムの軸方向に沿って、かつ、前記ジョイントムーブメントの方向に対して実質的に垂直な方向に向けるように、配置されている、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記干渉計位置測定システムは、前記ジョイントムーブメントの方向に対して実質的に平行な方向に沿って配置された２つの干渉計を備え、前記２つの干渉計の間の距離は、最大で、前記第１および／または第２基板ステージの前記方向における寸法である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
基板を保持するようにそれぞれ構成された第１および第２基板ステージと、投影システムの最終素子と前記基板との間の空間に液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムと、を備えるデュアルステージリソグラフィ装置において、パターン付き放射ビームを基板上に投影することと、
前記リソグラフィ装置を、前記第１基板ステージによって保持された第１基板と前記最終素子との間に前記液体を閉じ込める第１配置から、前記第２基板ステージによって保持された第２基板と前記最終素子との間に前記液体を閉じ込める第２配置へ遷移させる、前記第１および第２基板ステージのジョイントムーブメントを実行することと、
前記ジョイントムーブメント中、基本的に前記液体を前記最終素子に対して前記空間に閉じ込めることと、
前記第１基板ステージおよび前記第２基板ステージの位置を連続的に測定することと、
を備える、デバイス製造方法。
【請求項１３】
前記測定することは、前記第１基板ステージおよび前記第２基板ステージの位置を６自由度で測定することを含む、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法に関する。 
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つもしくは複数のダイを含む）に転写される。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、およびある特定の方向（「スキャン」方向）の放射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  集積回路および液晶ディスプレイパネルを製造する際にマイクロリソグラフィに求められる最も挑戦的な要件の一つは、ステージの位置決めである。例えば、サブ１００ｎｍ（sub-100nm）リソグラフィでは、６自由度（degree of freedom ＤＯＦ）すべてにおいて１ｎｍ程度の機械間動的精度および整合を行なえる基板位置決めステージおよびマスク位置決めステージが必要となる。
【０００４】
[0004]  そのような厳しい位置合わせ要件を満たす良く使われる方法として、ステージ位置決め構造を、微動位置決めモジュールがカスケードされる、マイクロメータ精度を有するが作業範囲全体を移動する粗動位置決めモジュール（例えば、Ｘ−Ｙテーブルまたはガントリーテーブル）に細分割(sub-devide)する方法がある。微動位置決めモジュールは、粗動位置決めモジュールによる誤差を数ナノメータにまで補正する役割を担うが、非常に限定された移動範囲を対応すればよいだけである。そのようなナノ位置決めに通常使用されるアクチュエータとしては、圧電アクチュエータまたは音声コイル型電磁式アクチュエータがある。微動モジュールによる位置決めは通常全６ＤＯＦで実現されるが、一方、広範囲動作は２ＤＯＦ以上で必要となることが少ないため、粗動モジュールの設計はかなり容易である。
【０００５】
[0005]  粗動位置決めに必要なマイクロメータ精度は、光学または磁気インクリメンタルエンコーダ（incremental encoders）等の比較的シンプルな位置センサを使用することにより、容易に達成できる。これらの位置センサは、１ＤＯＦで測定する単軸デバイスであってもよく、また最近では、Schaffel et al, “Integrated electro-dynamic multicoordinate drives”, Proc. ASPE Annual Meeting, California, USA, 1996, p.456-461に記載されるような、複数ＤＯＦ（３自由度まで）デバイスであってもよい。さらに、これに類似のエンコーダ、例えばDr. Heidenhain GmbHが製造した位置測定システムType PP281R、も市販されている。これらのセンサを使用すれば難なくマイクロメータ以下のレベルの解像度を実現できるが、絶対的精度および特に熱安定性を長い移動範囲に渡って実現することは難しい。 
[0006]  一方、微動位置決めモジュールの終端におけるマスクステージおよび基板ステージの位置測定は、ナノメータ精度および安定性を維持しつつ、全６ＤＯＦで、ナノメータ以下の解像度まで実行しなければならない。これは、一般的には、追加的なキャリブレーション機能（例えば、基板ステージ上での干渉計ミラー平面度のキャリブレーション）のために冗長軸を備えた、全６ＤＯＦで変位を測定するための多軸干渉計を使用することにより達成できる。
【０００６】
[0007]  しかし、上記の方法では、ステージが微動位置決めモジュール範囲内に移動される（戻される）度にステージの位置を６自由度でキャリブレーション（再キャリブレーション）しなければならない。これでは非常に多くの時間がかかり、結果的に、リソグラフィ装置のスループットが下がってしまう。
【０００７】
[0008]  さらに、上記の方法では、２つの基板ステージを含むリソグラフィ装置の場合、一方の基板ステージが複数干渉計のうちの一つのある信号のために基板ステージを覆い隠したり、第１基板ステージが干渉計と第２基板ステージとの間に置かれたりしてしまう可能性もある。
【０００８】
[0009]  そのような２つの基板ステージを有する位置測定システムが、米国特許第６，７８５，００５号（参照により本明細書中に組み込まれる）に開示されている。このシステムでは、第１基板ステージよりも大きいミラー面を備える基板ステージを干渉計から最も遠く離れた位置に設けることで、第１基板ステージがどの位置にあっても、複数干渉計のうちの一つのある信号を第２基板ステージのミラー面に向けることができるようにしているため、上記のような覆い隠し問題（eclipse problem）は解決される。しかし、基板ステージの大きさが異なるため、満足のいく解決にはならない。さらに、第１基板ステージが第２基板ステージより先に移動する際に、干渉計間の複雑な切替え必要となってしまう。
【０００９】
[0010]  リソグラフィ装置内の２つの基板ステージの位置を連続的に測定するための別の位置測定システムが、米国特許第６，８７９，３８２号（参照により本明細書中に組み込まれる）に開示されている。この位置測定システムは、両基板ステージの位置を決定するための干渉計を含んでいる。米国特許第６，８７９，３８２号の位置測定システムは、２つの基板ステージのｘ−ｙ面における位置を決定できるが、同時継続出願(co-pending application)である米国特許出願第１１／１３５，６５５号（参照により本明細書中に組み込まれる）に記載されるような液浸ヘッドテイクオーバ（immersion head take-over）を可能にするために所望される柔軟性は提供されない
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
[0011]  第１および第２基板ステージと、第１および第２基板ステージの位置を決定するための位置測定システムとを有する、リソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
[0012]  本発明の一実施形態によれば、パターニングデバイスを支持するように構成されたパターニングデバイス支持体であって、前記パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成することができる、パターニングデバイス支持体と、リソグラフィ装置の露光ステーション内において前記パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、前記投影システムの最終素子と前記基板との間に液体を閉じ込めるための液体閉じ込めシステムと、基板を保持するように構成された第１および第２基板ステージと、前記第１および第２基板ステージの位置を測定するための位置測定システムと、を備えるリソグラフィ装置であって、前記第１および第２基板ステージは、リソグラフィ装置を、前記第１基板ステージによって保持された第１基板と前記最終素子との間に前記液体を閉じ込める第１状態から、前記第２基板ステージによって保持されたる第２基板と前記最終素子との間に前記液体を閉じ込める第２状態へ遷移させるジョイントムーブメントを実行するために協働するように構成かつ配置されており、これによって、ジョイントムーブメント中、基本的に前記液体を前記最終素子に対して前記空間内に閉じ込めることができ、また、前記干渉計位置測定システムは、前記第１基板ステージおよび前記第２基板ステージの位置を連続的に測定するように構成されている、リソグラフィ装置が提供される。 
[0013]  本発明の一実施形態によれば、基板を保持する第１および第２基板ステージと、投影システムの最終素子と前記基板との間に液体を閉じ込めるための液体閉じ込めシステムと、を備えるデュアルステージリソグラフィ装置において、パターン付き放射ビームを基板上に投影することを有するデバイス製造方法であって、リソグラフィ装置を、前記第１基板ステージによって保持された第１基板と前記最終素子との間に前記液体を閉じ込める第１状態から、前記第２基板ステージによって保持された第２基板と前記最終素子との間に前記液体を閉じ込める第２状態へ遷移させるためのジョイントムーブメントを実行するために、前記第１および第２基板ステージが協働し、それによって、前記ジョイントムーブメント中、基本的に前記液体を前記最終素子に対して前記空間に閉じ込め、また、干渉計位置測定システムが前記第１基板ステージおよび前記第２基板ステージの位置を連続的に測定する、デバイス製造方法が提供される。
【００１２】
[0014]  ここで、本発明の実施形態を、例示のみを目的として、対応する記号が対応する部分を指示する添付概略図を参照しながら、説明する、
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
[0020]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはその他適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されたマスク支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含んでいる。さらに、リソグラフィ装置は、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板支持体」を含む。さらに、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを備える。
【００１４】
[0021]  照明システムとしては、放射を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せといった様々なタイプの光学コンポーネントを含み得る。
【００１５】
[0022]  マスク支持構造体は、パターニングデバイスを支持する、即ち、パターニングデバイスの重みを支えるものである。マスク支持構造体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、例えば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。マスク支持構造体は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。マスク支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。マスク支持構造体は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書で使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。 
[0023]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを与えるように放射ビームの断面にパターンを付けるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフト特性（phase-shifting features）またはいわゆるアシスト特徴（assist features）を含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１６】
[0024]  パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、Alternating位相シフト、および減衰型位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームが様々な方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。 
[0025]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用されている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光電システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書で使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えてよい。
【００１７】
[0026]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、前述の型のプログラマブルミラーアレイを採用しているか、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１８】
[0027]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルまたは「基板支持体」（および／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスク支持体」）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルまたは支持体を並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブルまたは支持体で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルまたは支持体を露光用に使うこともできる。
【００１９】
[0028]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、例えば、水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の、例えば、マスクと投影システムとの間の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用できる。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体中に沈めなければならないという意味ではなく、どちらかといえば、照射中、投影システムと基板との間に液体があるという意味でしかない。
【００２０】
[0029]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別々の構成要素であってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀灯である場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体型部品とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であれば、ビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２１】
[0030]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２２】
[0031]  放射ビームＢは、マスク支持構造体（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉装置、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の移動も第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは、固定されていてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、けがき線アライメントマーク（scribe-lane alignment mark）として公知である）。同様に、１つ以上のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイとの間に置かれてもよい。
【００２３】
[0032]  例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用できると考えられる。
【００２４】
[0033]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」および基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」は、その後Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光され得る。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２５】
[0034]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」および基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決定される。
【００２６】
[0035]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながらマスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」を動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0036]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２８】
[0037]  図２は、露光ステーション３４の概略側面図である。露光ステーション３４はベースフレーム３６によって支持されている。ベースフレームはメトロフレーム３８を担持している。メトロフレーム３８は、分離デバイス４０により、ベースフレーム３６から動的に分離されている。投影システム１８は、支持部材５６（支持部材５６は動的分離デバイスであってもよい）を介してメトロフレーム３８によって支持されている。ステージ４２の位置を測定するように構成された位置センサ３０は、メトロフレーム３８に取り付けられている。なお、位置センサ３０は、投影システム１８によって（言い換えれば、投影システム１８に取り付けられたフレームによって）担持されていてもよい。
【００２９】
[0038]  レチクルステージまたはマスクステージ６は、投影システム１８の上方に配置されている。レチクルステージの位置およびマスク／レチクルの位置は、測定システム６０によって測定される。測定システム６０は位置センサ３０と協働して、投影システム１８の下方において、マスク／レチクルを基板１４に位置合わせする。マスク／レチクルの基板に対する位置合わせは、通常、ゼロ点センサ（zero point sensors）およびＴＩＳアライメント技術（欧州特許第１５１０８７０号（その内容は参照により本明細書中に組み込まれる）の記載を参照）に従って行なわれる。ＴＩＳアライメントを適用する場合、基板がＴＩＳセンサのキャプチャレンジ内となるように、メトロフレーム３８に対する基板の位置は一定の精度（高精度ＴＩＳ測定のための出発点としての粗表示）内で知られている。
【００３０】
[0039]  本発明の本実施形態に係るリソグラフィ装置では、投影システム１８の最終の光学（レンズ）素子と基板１４のターゲット部分との間に液浸液６６が設けられている。液浸流体を適用すると、液浸流体を使用しない比較システムの場合に比べて、露光中、より小さいパターン構造をレチクルまたはマスクから基板１４に転写できる利点が生じる。リソグラフィ装置は、投影システムの最終素子と基板との間に液体を閉じ込めるようになされた、液体閉じ込めシステムを有する。この液体閉じ込めシステムは、いわゆる液浸フード６８（図３参照）を含んでいる。液浸流体は、照射中、この液浸フード６８によって所定位置に維持される。液浸フード６８は機械接触シールおよび／または非接触シールを含むことができ（これらを組み合わせてもよい）、後者の場合、閉じ込められる液体に向けて圧力ガス流を誘導することにより動作する。
【００３１】
[0040]  基板の露光後、基板支持体は、例えばメトロロジーステーションに向けて移動する。液浸流体６６は投影システム１８の最終素子の下方空間に保持され続けることが望ましいため、ステージが液浸液６６空間の下から移動してしまう前に、特定の手段を実行しなければならない。可能性のある手段の一つとして、底部において上記下方空間を閉塞するための別個の閉塞ディスクまたは別個の閉塞ステージ（基板を保持することはできない）を、露光対象基板を保持するステージがそれに代わるまで使用することができる。
【００３２】
[0041]  しかし、閉塞ディスク／閉塞ステージは追加のテイクオーバ動作を生むため、時間がかかり、かつ、リソグラフィ装置のスループットを著しく低下させると思われる。
【００３３】
[0042]  そのため、本発明の一実施形態では閉塞ディスク（または閉塞ステージ）が省略されており、リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置を、２つのステージのうち第１ステージによって保持された第１基板と最終素子との間に液体を閉じ込める第１状態から、２つのステージのうち第２ステージによって保持された第２基板と最終素子との間に液体を閉じ込める第２状態へ遷移させるジョイントスキャンムーブメント（joint scan movement）を実行するために協働するように構成かつ配置されたステージを備え、これらのステージによって、ジョイントスキャンムーブメント中、基本的に液体を最終素子に対する空間内に閉じ込めることができる。そのようなリソグラフィ装置は、例えば、同時継続出願である米国特許出願第１１／１３５，６５５号に開示されており、同出願の内容は参照により本明細書中に組み込まれる。同出願において、ジョイントスキャンムーブメントは「液浸ヘッドテイクオーバ」(immersion head take-over)とも呼ばれ、この用語は本出願においてもそれに対応して使用されている。
【００３４】
[0043]  図３は、ステージ４２．１およびステージ４２．２のジョイントスキャンムーブメントを概略的に示している（矢印７１は、投影システム１８に対する基板の移動方向を示している）。ジョイントスキャンムーブメントは、液浸液６６を最終レンズ素子７０の下方空間に閉じ込めるために行なわれる。下方空間の下部において、ステージ４２．１およびステージ４２．２が液浸液６６を閉じ込めている。また、両側には、液浸液６６を閉じ込める液浸フード（投影システム１８に対して基本的に固定された位置にあるのが望ましい）が設けられている。
【００３５】
[0044]  本発明の一実施形態において、第１ステージ４２．１および第２ステージ４２．２はそれぞれ、液浸クロスエッジ（immersion cross edges）７２．１および７２．２（各ステージの側面または側面付近に配置されている。図３参照）を含み、これら液浸クロスエッジは、ジョイントスキャンムーブメント中、協働するように構成かつ配置されている。各液浸クロスエッジ７２は、１つ以上の基本的に平坦かつ滑らかな表面を有しているのが好ましい。そうすることによって、液浸クロスエッジの平面と平面との間に明確に画定された空間（例えば、平行な面によって画定される空間）が得られるように、ジョイントスキャンムーブメントを行なうことができる。図３に示す例では、ジョイントスキャンムーブメント中、ステージの協働する液浸クロスエッジと液浸クロスエッジとが、相互距離Ｄをおいて空間を画定している。
【００３６】
[0045]  本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置は、制御システム（フィードバックループおよび／またはフィードフォワードループを使用する）を含んでよく、この制御システムには、関連モータ用の設定点信号を計算するために、ステージの位置測定値（実際、位置測定値という用語は、位置、速度、加速度、および／または、ジャーク測定値含むことができる）が与えられる。モータは、ステージのジョイントスキャンムーブメント中、各液浸クロスエッジの平面と平面との間の一定距離Ｄが所定機能に対応するように、設定点信号に従って位置決めシステムにより制御される。所定機能は、液浸クロスエッジと液浸クロスエッジとの間の空間が液体流路特性(liquid channel character)を機能させるように、選択される。 
[0046]  リソグラフィ装置の一実施形態によると、位置決めシステムは、ジョイントスキャンムーブメント中にステージ４２．１がステージ４２．２をそっと押すようにステージを移動させるモータを制御するように構成かつ配置されている。したがって、位置決めシステムの制御システム（フィードバックループおよび／またはフィードフォワードループを使用する）は、ステージの位置測定値（実際、位置測定値という用語は、位置、速度、加速度、および／または、ジャーク測定値を含むことができる）を与えられ、関連モータ用の設定点信号を計算する。そして、モータは、液浸クロスエッジの平面と液浸クロスエッジの平面との間の一定距離Ｄが基本的にゼロかまたはゼロに近い値となるように、設定点信号に従って、位置決めシステムによって制御される。 
[0047]  リソグラフィ装置の一実施形態によると、位置決めシステムは、ジョイントスキャンムーブメント中、距離Ｄがゼロミリメータ以上かつ１ミリメータ以下となるように、ステージを移動させるモータを制御するように構成かつ配置されている。距離Ｄとしては、０．０５〜０．２ミリメータ範囲内が好都合だと思われる。この範囲内の距離Ｄは、一方のステージが液浸クロスエッジの開口部から開口部へとつながる流路システムを備える場合に特に好都合であり、この流路システムは、ジョイントスキャンムーブメント中、ガスおよび／または液体の流れを液浸クロスエッジに沿って発生させるように構成かつ配置されている 。流れを発生させることにより、液浸液６６に気泡（気泡によってパターンの基板上への投影が劣化する）が発生する可能性を低くすることができる。距離Ｄが安定しかつよく制御されていれば、安定かつ好都合な流れが発生するので、ジョイントスキャンムーブメント中、液浸液に気泡が生じるのを防ぐことができる。
【００３７】
[0048]  ジョイントスキャンムーブメント中に第１ステージおよび第２ステージの位置を測定するため、第１および第２ステージの位置を連続的に測定するように構成された干渉計位置測定システムを使用してもよい。
【００３８】
[0049]  干渉計システムは、例えば、位置測定用にステージに取り付けられた干渉計ミラーを使用してもよく、あるいは、別の実施形態として、ステージが反射表面を有してもよい。 
[0050]  図４において、符号１００は、本発明の一実施形態に係る干渉計位置測定システムの概略を示している。干渉計位置測定システム１００は、処理エリア（点線で示されている）、すなわち、露光ステーションが位置する露光エリア１１０および基板交換が行なわれる交換／メトロロジーエリア１１１全体において、第１基板ステージ１０１および第２基板ステージ１０２の位置を連続的に測定するように設計されている。
【００３９】
[0051]  位置測定システムは、処理エリアの片側の線上に配された３つのｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３と、その反対側に配された４つ目のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０４とを含む。この４つ目のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０４は、３つのｙ−Ｒｘ−Ｒｙ干渉計１０３のうち中央の干渉計とｙ方向において実質的に同一線上にある。また、この線は、投影システム１０９の軸と交差する。さらに、処理エリアの左側には、３つのｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５が配置されている。さらにその反対側に（図４の右側）、４つ目のｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０６が配置されている。この４つ目のｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０６は、３つのｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５のうち、干渉計１０３に最も近接して配された干渉計とｘ方向において実質的に同一線上にある。また、この線は投影システム１０９の軸と交差する。
【００４０】
[0052]  ｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３，１０４、ならびに、ｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５，１０６は、３つ以上の干渉ビームを有する多軸干渉計である。これらの多軸干渉計を使用することにより、基板ステージ１０１および１０２の位置を３自由度で決定することができる。このため、ｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３，１０４はそれぞれ、ｙ方向、Ｒｘ（ｘ軸を中心とした回転）、および、Ｒｚ（ｙ軸を中心とした回転）における第１ステージまたは第２ステージの位置を決定でき、ｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５，１０６はそれぞれ、ｘ方向、Ｒｙ（ｙ軸を中心とした回転）、および、ｚ方向（図４の図の平面に対して垂直な方向）における第１ステージ１０１または第２ステージ１０２の位置を決定できる。このような多軸干渉計は当業者に知られている。
【００４１】
[0053]  上記の干渉計に加え、位置測定システム１００は、ｘ−Ｒｙ−Ｒｚ干渉計１０６と同じ側であって、かつ、処理エリアの交換エリア１１１側に配された２つのｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５とｘ方向に反対側の位置に配された、２つのｚ干渉計１０７を含む。 
[0054]  上述の位置測定システム１００では、６自由度の連続的な高精度制御が可能である。ここでいう「連続的」とは、基板の露光、メトロロジー、および交換を含むリソグラフィプロセス全体を通して、２つの基板ステージ各々の所望位置において、各基板１０１、１０２の位置を６自由度で測定できるということを意味している。この連続的な測定では、干渉計の切替えを行なうことができる。例えば、基板ステージ１０１，１０２を露光エリア１１０からメトロロジー／交換エリア１１１へ移動（つまり、ｙ方向へ移動）しなければならない場合、ｘ位置を、まずは露光エリア１１０の隣に位置するｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５で測定し、その後、露光エリア１１０とメトロロジー／交換エリア１１１の交差線上に位置するｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５で測定し、その後、メトロロジー／交換エリア１１１の隣に位置するｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５で測定する。特に、露光エリア１１０とメトロロジー／交換エリア１１１の交差線の両側に位置する干渉計１０５，１０７の組は、ｙ方向の連続的な位置測定を可能にする。また、連続制御を可能にするため、同一方向の位置を測定する２つの連続する干渉計の間の距離は、同方向における基板ステージの寸法または少なくとも同方向における反射エリアの寸法よりも小さくすべきである。そうしなければ、連続的に測定する際に、連続する干渉計を切り替えることができなくなる。
【００４２】
[0055]  図２および図３に関して述べたように、本発明の一実施形態は、液体閉じ込めシステムを有するリソグラフィ装置に関連する。図４では、このシステムによって閉じ込められた液体を符号１０８で示している。好適な実施形態では、液浸ヘッドテイクオーバは、別個の閉塞ディスクの使用を不要にして、実現される。ある実施形態では、そのような液浸ヘッドテイクオーバにおいて、第１基板ステージ１０１および第２基板ステージ１０２によるジョイントスキャンムーブメントが必要となる。そのようなジョイントスキャンムーブメントでは、第１および第２基板ステージ１０１，１０２の高精度制御を行うことによって、液浸ヘッドテイクオーバ中、第１および第２基板ステージ１０１，１０２の高精度位置測定を行なうことが望ましい。
【００４３】
[0056]  図４に示すように、干渉計位置測定システム１００は、ｘ方向のジョイントスキャンムーブメントのための６自由度の高精度位置測定を実現できる。この理由により、位置測定システム１００は、露光エリア側に３つのｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３を備える。 
[0057]  図４では、液浸ヘッドテイクオーバ直前の基板ステージ１０１、１０２が示されている。閉じ込められた液体は第１基板ステージ１０１の端部に位置する。第１基板ステージ１０１のｙ位置は（図中）中央のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３によって測定され、第２基板ステージ１０２のｙ位置は、左側のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３によって測定される。第１基板ステージ１０１のｘ位置はｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０６によって測定され、第２基板ステージのｘ位置は（図中）一番上のｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５で測定される。
【００４４】
[0058]  第１１０１および第２基板ステージ１０２が、矢印で示すようにｘ方向に移動されると、第２基板ステージ１０２が閉じ込められた液体１０８の下方に移動される。この移動中、第１基板ステージ１０１のｙ位置測定は、右側のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３に引き継がれ、第２基板ステージのｙ位置測定は、中央のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３に引き継がれる。 
[0059]  ジョイントスキャンムーブメント後、第２基板ステージ１０２上の基板には、投影システム１０９によって投影されたパターンが露光され得る。第１基板ステージ１０１は、連続制御の下、その上に支持する露光済みの基板を新しい基板と交換するための交換エリアへと移動することができる。
【００４５】
[0060]  位置測定システムの別の実施形態として、ｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０４が中央のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３の機能を引き継ぐようにしてもよい。しかしそのような実施形態は、比較的長いビーム長によって測定エラーが大きくなるため、好ましくない。
【００４６】
[0061]  さらに別の実施形態では、中央のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３を省略し、残りの２つのｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３を、最大でも各基板ステージ１０１、１０２の寸法に等しい距離をあけて、近接させて配置してもよい。そのような実施形態では干渉計の数は１つ少なくて済むが、各基板ステージ１０１、１０２上に支持される基板上にパターンを投影する間、２つのｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３間で切替えが必要になるため、あまり好ましくない。
【００４７】
[0062]  ジョイントスキャンムーブメント中、第１基板ステージ１０１および第２基板ステージ１０２はｘ方向のみにおいて互いを覆い隠すが、これは、第１基板ステージ１０１および第２基板ステージ１０２がｘ方向において隣同士になる唯一の瞬間であるため、この高さ、即ち、投影システムの軸を通るｘ方向の線上の干渉計１０５，１０６だけが、同一のｘ−Ｒｙ−ｚ型のものであればよい。このような理由により、処理エリアの右側に位置するその他の干渉計１０７は、単軸ｚ型干渉計となっている。
【００４８】
[0063]  図４の実施形態では、ｙ方向のジョイントスキャンムーブメント中は、第１基板ステージおよび第２基板ステージの連続的位置測定が不可能であるかもしれない。なぜならば、そのようなスキャンムーブメント中、基板ステージ１０１，１０２の一方が、閉じ込められた液体１０８と干渉計１０８との間に完全に配置されるまで、干渉計１０３の方へ移動されるからである。たとえ基板ステージ１０１，１０２のうち一方を位置付けるための空間が設けられていても、その基板ステージのｘ、Ｒｙおよびｚ位置は、各基板ステージがそれぞれｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５，１０６ならびにｚ干渉計１０７の範囲外にあるため、測定できない。
【００４９】
[0064]  図５の実施形態では、閉じ込められた液体１０８と干渉計１０３との間の線上に、ｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５とz-干渉計１１２からなる追加の組を提供することにより、連続的な位置測定が可能となっている。さらに、図５の位置測定システムは、図４の実施形態におけるすべての干渉計１０３、１０４、１０５、１０６、および１０７を含んでいる。このため、投影システム１０９の軸と交差するｘ方向の線上に配された干渉計１０５，１０６の線において、基板ステージ１０１と１０２の交差が起こるため、２つのｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計を処理エリアの両側に余分に設ける必要がなく、１つあれば十分である。
【００５０】
[0065]  図５では、液浸ヘッドテイクオーバのジョイントスキャンムーブメント直前の基板ステージ１０１および１０２が示されており、同ムーブメントによって、閉じ込められた液体１０８が第１基板ステージ１０１上に完全に位置付けられる。第１基板ステージ１０１のｙ位置は、中央のｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０３によって測定され、第２基板ステージ１０２のｙ位置は、ｙ−Ｒｘ−Ｒｚ干渉計１０４によって測定される。第１基板ステージ１０１のｘ位置は、投影システム１０９と同じ高さにてｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５（またはｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０６）によって測定され、第２基板ステージのｘ位置は、露光エリア１１０とメトロロジー／交換エリア１１１との交差線上にあるｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５によって測定される。
【００５１】
[0066]  第１基板ステージ１０１および第２基板ステージ１０２が、矢印で示すようにｙ方向に移動されると、第２基板ステージ１０２が閉じ込められた液体１０８の下方に移動する。移動中、第１基板ステージ１０１のｘ位置測定は、新たに設けられた一番上のｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５によって引き継がれ、第２基板ステージのｘ位置測定は、投影システム１０９と同じ高さにてｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０５（またはｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０６）によって引き継がれる。このように、新たな干渉計１０５，１１２を設けることによって、液浸ヘッドテイクオーバのためのｙ方向のジョイントスキャンムーブメント中も、第１および第２基板ステージ１０１，１０２の連続的な位置測定を行なうことができる。
【００５２】
[0067]  なお、液浸ヘッドテイクオーバのためのジョイントスキャンムーブメントをｙ方向で実行する際、２つの基板ステージのｘ方向における公差は、投影システム１０９と同じ高さで生じる必要はない。したがって、公差がｙ方向において別の高さで生じてもよく、このため、その高さにおいて、処理エリアの反対側に２つ目のｘ−Ｒｙ−ｚ干渉計１０６を配置することが必要となる。 
[0068]  図４および図５の干渉計位置測定システムは、第１および第２基板ステージ１０１，１０２の位置を６自由度で測定するように構成されている。同位置測定システムを使用してそれより少ない自由度で測定しなければならない場合は、別の型の干渉計を使用してもよく、例えば、多軸型干渉計の代わりに単軸干渉計を使用してもよく、また、いくつかの干渉計を省略してもよい。例えば、第１および第２基板ステージ１０１，１０２のｘ位置およびｙ位置のみを測定する場合は、干渉計１０３および１０４は単軸ｙ干渉計であってよく、干渉計１０５および１０６は単軸ｘ干渉計であってよく、さらに、干渉計１０７は省略されていてもよい。
【００５３】
[0069]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドといった他の用途を有することが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語がすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であると考えればよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／または、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、基板は、例えば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５４】
[0070]  光学リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィィに使用してもよく、さらに状況が許すのであれば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されたパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストを硬化させる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００５５】
[0071]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００５６】
[0072]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのどれか１つまたは組合せを指すことができる。
【００５７】
[0073]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、説明された方法以外の別の方法で実行することが可能である。例えば、本発明は、上記の開示された方法を記載した機械可読命令の１つ以上のシーケンスを包含するコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）を採用することもできる。
【００５８】
[0074]  
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】[0015]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示している。
【図２】[0016]  図２は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の露光ステーションを示している。
【図３】[0017]  図３は、図２のリソグラフィ装置における液浸ヘッドテイクオーバを示している。
【図４】[0018]  図４は、本発明の一実施形態に係る干渉計位置測定システムを示している。
【図５】[0019]  図５は、本発明の一実施形態に係る干渉計位置測定システムを示している。
【図１】
2007251160.tif 000002
【図２】
2007251160.tif 000003
【図３】
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【図４】
2007251160.tif 000005
【図５】
2007251160.tif 000006
【外国語明細書】
2007251160000001.pdf