(57)【要約】【課題】導電回路部の表面が平坦な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基材２に設けられた導電性シード層３の面に、回路パターンとは逆パターンのめっきレジスト層４を設けるめっきレジスト工程と、めっきレジスト層４で被われていない導電性シード層３の面に、めっきによって回路パターンの導電回路部５を設けるめっき工程と、めっきレジスト層４を除去する前に、エッチング液として○○を使用して、導電回路部５の表面をエッチングによって平坦化する平坦化エッチング工程と、めっきレジスト層４を除去するめっきレジスト層除去工程と、導電回路部５が設けられていない導電性シード層３の箇所を除去するシード層除去工程とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材上に、回路パターンとは逆パターンのめっきレジスト層を設けるレジストパターニング工程と、
前記めっきレジスト層で被われていない領域に、めっき処理によって回路パターンの導電回路部を設けるめっき工程と、
前記めっきレジスト層を除去する前に、エッチングによって前記導電回路部の表面を平坦化する平坦化エッチング工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
前記平坦化エッチング工程では、硫酸過酸化水素系、アミン系のエッチング液を使用してエッチングすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
エッチングのレートは、０．１〜１μｍ／分であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性基材の表面にめっきによって導電回路部を形成する配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の製造方法の一つとしてセミアディティブ工法がある。このセミアディティブ工法は、ファインピッチ回路（例えば、３０μｍ未満のピッチ）を形成するのに適した工法であり、その従来の製造方法の一例が特許文献１に開示されている。以下、この製造方法を簡単に説明する。
【０００３】
先ず、図４（ａ）に示す絶縁性基材１００を出発材料として用いて、図４（ｂ）に示すように、この絶縁性基材１００の一面に、薄い導電性シード層１０１を形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、導電性シード層１０１の上に、回路パターンとは逆パターンのめっきレジスト層１０２をパターニングする。次に、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト層１０２で被われていない導電性シード層１０１の表面に、めっきによって所望の回路パターンの導電回路部１０３を成長させる。次に、図４（ｅ）に示すように、めっきレジスト層１０２を除去する前に、導電回路部１０３をその厚み方向途中までエッチングする（ハーフエッチング工程）。このハーフエッチング工程では、公知のエッチング液（例えば銅エッチング液）を使用して化学エッチングを行い、エッチング前の導電回路部１０３の高さを１００％とすると、５０〜９８％となるまでエッチングを行う。
【０００４】
次に、めっきレジスト層１０２を除去して図４（ｆ）に示すような構造とする。次に、図５（ａ）に示すように、導電回路部１０３が設けられていない導電性シード層１０１の箇所をエッチングによって除去する。最後に、図５（ｂ）に示すように、絶縁性基材１００上の導電回路部１０３を被うように保護層１０４を形成する。
【０００５】
この配線基板の製造方法によれば、めっきにより導電回路部１０３を形成した後に、めっきレジスト層１０２を残した状態で、導電回路部１０３をその厚さ方向途中までエッチングすることにより、回路パターン形状や配置に係わらず全ての箇所の導電回路部１０３の厚みをほぼ均一にしようとするものである。
【０００６】
つまり、配線密度の高い部分の導電回路部１０３におけるエッチング液周りが配線密度の低い導電回路部１０３におけるエッチング液周りよりも良好である。これを利用して、配線密度の高い部分の導電回路部１０３の厚みを厚く、配線密度の低い導電回路部１０３の厚みを薄く設定しておくことにより、配線密度の高い部分の各導電回路部１０３がより多くエッチングされる一方、配線密度の低い部分の導電回路部１０３がより少なくエッチングされる。従って、配線密度の高い部分の導電回路部１０３の厚みと、配線密度の低い部分の導電回路部１０３の厚みをほぼ等しくすることができる。
【特許文献１】特開２００４−３９７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、導電回路部１０３を形成するめっき工程にあって、めっきレジスト層１０２に近い導電回路部１０３の幅方向の両端部と、めっきレジスト層１０２より離れた導電回路部１０３の幅方向の中央部ではめっき浴の循環効率が相違し、導電回路部１０３の中央部に対して両端部の循環効率が悪い。そのため、導電回路部１０３は、その両端部に較べて中央部が厚くなる凸形状となる。導電回路部１０３が凸形状であると、導電回路部１０３上に載置された実装部品の端子が横ずれを起こし易いため、部品の実装性が悪いという問題がある。
【０００８】
特に、異方導電性接着フィルムを用いたＡＣＦ接合では、プレス時に異方性導電フィルムの導電粒子が導電回路部１０３の側部領域に逃げ、導電回路部１０３と接触して有効に機能する異方性粒子の個数が少なくなり、実装部品の接続信頼性が低下する。
【０００９】
そこで、本発明は、導電回路部の表面が平坦な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、配線基板の製造方法であって、絶縁性基材上に、回路パターンとは逆パターンのめっきレジスト層を設けるレジストパターニング工程と、めっきレジスト層で被われていない領域に、めっき処理によって回路パターンの導電回路部を設けるめっき工程と、めっきレジスト層を除去する前に、エッチングによって導電回路部の表面を平坦化する平坦化エッチング工程と、を有することを要旨とする。なお、平坦化エッチング工程は、硫酸過酸化水素系、アミン系のエッチング液を使用してエッチングすることが好ましい。そして、エッチングのレートは、０．１〜１μｍ／分であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、めっき工程では、幅方向の断面形状が中央が突出した形状の導電回路部が形成されるが、次の平坦化エッチング工程によって導電回路部の表面が平坦化されるため、導電回路部の表面が平坦な配線基板を製造できる。このため、本発明により製造された配線基板は、導電回路部表面の平坦度が高くなるため、接続の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１３】
図１〜図３は本発明の一実施の形態に係るプリント配線基板の各製造過程の断面図である。
【００１４】
図３（ｂ）に示すように、プリント配線基板１は、絶縁性基材２と、この一面に形成された所定の回路パターンの導電性シード層３と、この導電性シード層３の表面に形成された所定の回路パターンの導電回路部５と、絶縁性基材２上に設けられ、導電回路部５を被う保護層６とから構成されている。
【００１５】
以下、このプリント配線基板１の製造方法を順に説明する。  図１（ａ）に示す絶縁性基材２を出発材料とする。絶縁性基材２は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂等より形成されている。
【００１６】
先ず、図１（ｂ）に示すように、絶縁性基板２の一面に薄い導電性シード層３を形成する（シード層形成工程）。
【００１７】
次に、図２（ａ）に示すように、導電性シード層３の表面に、所望の回路パターンとは逆パターンのめっきレジスト層４を形成する（めっきレジスト工程）。めっきレジスト層４は、導電性シード層３の表面にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光し、現像を行うことによって形成する。
【００１８】
次に、図２（ｂ）に示すように、めっきレジスト層４で被われていない導電性シード層３の面に、めっきによって所望の回路パターンの導電回路部５を形成する（めっき工程）。導電回路部５は、導電性シード層３を電解層として、めっきレジスト層４で被われていない箇所に電解めっきを施すことによって形成する。
【００１９】
次に、図２（ｃ）に示すように、めっきレジスト層４を除去する前に、エッチング液として硫酸過酸化水素系又はアミン系のエッチング液を使用して導電回路部５の表面をエッチングによって平坦化する（平坦化エッチング工程）。つまり、エッチング液として硫酸過酸化水素系又はアミン系のエッチング液を使用した場合は、特に、めっきレジスト層４に近い導電回路部５の両端部がエッチングされ難く、めっきレジスト層４より離れた導電回路部５の中央部がエッチングされ易いために、凸状の導電回路部５を平坦化できる。
【００２０】
次に、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト層４を除去する（めっきレジスト層除去工程）。
【００２１】
次に、図３（ａ）に示すように、導電回路部５が設けられていない導電性シード層３の箇所をエッチングによって除去する（シード層除去工程）。
【００２２】
最後に、図３（ｂ）に示すように、絶縁性基材２上に、導電回路部５を被うように保護層６を形成すれば完了する。
【００２３】
以上、説明したように、めっき工程では、図２（ｂ）に示す如く凸形状の導電回路部５が形成されるが、次の平坦化エッチング工程によって導電回路部５の表面が平坦化されるため、導電回路部５の表面が平坦なプリント配線基板１を製造できる。従って、導電回路部５上に載置された実装部品の端子が横ズレし難くなるため、部品の実装性が向上する。ＡＣＦ接合にあっても、プレス時に異方性導電フィルムの導電粒子が導電回路部の側部領域に逃げなくなるため、導電回路部５と接触して有効に機能する異方性粒子の個数が多くなり、実装部品の接続信頼性が向上する。
【００２４】
（実施例）
次に、上述した製造方法の各工程の具体例を説明する。
【００２５】
絶縁性基材２としては、ポリイミド（東レ・デュポン社製；商標名カプトンＥＮ）を使用した。
【００２６】
シード層形成工程では、絶縁性基材２をスパッタチャンバにセットし、プラズマガスとしてアルゴンガスを用い、７×１０−３Ｔｏｒｒの真空化で、スパッタリングによりニッケル層を１００Å、その上に銅層を２０００Åスパッタリング蒸着することにより導電性シード層３を形成した。
【００２７】
めっきレジスト工程では、導電性シード層３の表面にドライフィルムレジスト（日立化成社製）をラミネートし、このドライフィルムレジストに回路パターンを露光・現像し、回路形成領域のドライフィルムレジストを除去することによってめっきレジスト層４を形成した。
【００２８】
めっき工程では、下記の硫酸銅めっき浴を用い、この硫酸銅めっき浴中に浸した絶縁基材２上の導電性シード層３に電気を流し、めっきレジスト層４で被われていない箇所に銅を析出することによって導電回路部５を形成した。
【００２９】
硫酸銅めっき浴は、硫酸銅５水塩が７５ｇ／リットル（ｌ）、硫酸が１９０ｇ／リットル、塩酸が５０ｍｇ／リットル、カバーグリームＣＬＸ−Ａ（メルテックス社製）が５ｍｌ／リットル、カバーグリームＣＬＸ−Ｃ（メルテックス社製）が５ｍｌ／リットルのものである。
【００３０】
平坦化エッチング工程では、エッチング液としてアミン系エッチング液を使用し、２８℃、０．１５ＭＰａの条件の下に導電回路部５の表面をエッチングする。
【００３１】
めっきレジスト層除去工程では、３％水酸化ナトリウム水溶液を用いてめっきレジスト層４を剥離した。
【００３２】
シード層除去工程では、塩化鉄液や塩化銅液等のエッチング液を用いて導電性シード層３をエッチングによって除去した。
【００３３】
このようにして製造したプリント配線基板１は、その導電回路部５の両端部と中央部の高低差が０．５μｍ以内であった。これに対し、平坦化エッチング工程以外を同じ製造工程で製造したプリント配線基板では、導電回路部の両端部と中央部の高低差が最大１．２μｍであった。以上より、本発明における導電回路部５の平坦化が実証された。
【００３４】
（平坦化エッチング工程のエッチング液の他の具体例及びエッチングのレート）
（１）エッチング液
平坦化エッチング工程では、エッチング液として硫酸過酸化水素系、アミン系を使用しても良い。
【００３５】
硫酸過酸化水素系又はアミン系のエッチング液を使用すれば、ドライフィルムレジストと回路の接する部位よりも回路がむき出しになっている部分がエッチングされ易いため、回路形状を平坦化することができる。
【００３６】
（２）エッチングのレート
エッチングのレートは０．１〜１μｍ／分とした。このようにエッチングのレートを０．１〜１μｍ／分とした理由は、この範囲でないと微量なエッチング量をコントロールする必要があるため作業上困難となるからである。
【００３７】
なお、上記実施の形態では、電解めっきによるセミアディティブ工法の場合を説明したが、本発明は無電解めっきによるフルアディティブ工法等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施の形態を示し、（ａ）は絶縁性基材の断面図、（ｂ）はプリント配線基板の一製造過程の断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態を示し、（ａ）〜（ｄ）はプリント配線基板の各製造過程の断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態を示し、（ａ）はプリント配線基板の一製造過程の断面図、（ｂ）は製造されたプリント配線基板の断面図である。
【図４】従来例を示し、（ａ）は絶縁性基材の断面図、（ｂ）〜（ｆ）はプリント配線基板の各製造過程の断面図である。
【図５】従来例を示し、（ａ）はプリント配線基板の一製造過程の断面図、（ｂ）は製造されたプリント配線基板の断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  プリント配線基板（配線基板）
２  絶縁性基材
３  導電性シード層
４  めっきレジスト層
５  導電回路部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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