(57)【要約】【課題】  電流リークを防止した有機層を有する発光パネルを提供することを目的とする。【解決手段】  有機ＥＬを用いた発光パネルにおいて、透明電極層と接続された補助電極層を有し、補助電極層の厚みは前記発光領域から離れたところに比し発光領域に近いところが薄く形成されていること。【選択図】        図３
2007026862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板に透明電極層と、発光層を含む少なくとも一層以上の有機層と、金属電極層とが積層されてなる発光パネルの前記透明電極層と前記金属電極層との間に電圧を印加することにより前記発光パネルの発光領域を発光させてなる発光パネルにおいて、前記透明電極層上に該透明電極層に電力を供給する補助電極層が設けられ、該補助電極層の厚みは前記発光領域から離れたところに比し該発光領域に近いところが薄く形成されていることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記補助電極層の膜厚が、前記発光領域から離れるに従い、階段状に変化していることを特徴とする請求項１に記載の発光パネル。
【請求項３】
前記発光領域に接する前記補助電極層の厚さが、前記有機層の厚さより薄いことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記補助電極層が前記金属電極層と同一材料であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光パネル。
【請求項５】
前記補助電極層の材料がアルミニウム又は銀を含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の発光パネル。
【請求項６】
前記透明基板が透明フィルムであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の発光パネル。
【請求項７】
前記補助電極層が多層構造に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の発光パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バックライトや照明装置に用いる有機電界発光素子（有機ＥＬ素子とも呼ぶ）からなる発光パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ素子からなる発光パネルが照明器具や電子情報機器における液晶表示画面のバックライトとして用いられている。図１に照明装置やバックライトに用いられる有機ＥＬ素子の断面の概略構成を示し、図２に上面から見た概略構成図を示す。図１において、透明基板１の上面には透明電極層（以下陽極という）２が形成されており、この陽極２の上面には発光する化合物を含有する有機ＥＬ層３が形成されている。さらにこの有機層３の上面には、金属電極層（以下陰極という）４が形成されている。陽極２と陰極４には、スイッチ７を介して、発光駆動電源６が接続されている。スイッチ７をオンすることにより有機層３に電子及び正孔が注入され、再結合することにより励起子（エキシトン）を生成する。このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光エリアＳを全面発光させ、照明器具やバックライトとして用いることができる。この時発光駆動電圧としては、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能である。さらに、自己発光型であるため視野角に冨み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペースでもある。このような特徴から発光光源として注目されている（特許文献１参照。）。
【０００３】
しかし、特許文献１では、陽極に電力供給する受電部が一つの発光エリアに対し、１カ所しか設けられていない。このため、この受電部に近い発光部分とこの受電部から離れた発光部分では、輝度ムラが発生するという問題があった。これは、陽極に用いられる透明電極層の抵抗が大きく、陽極側受電部から離れるに従い電圧降下が大きくなり発光輝度が低下するためである。このような問題に対し、特許文献２では、発光エリアの外周部に陽極と接する低抵抗な補助電極層を配置する提案が成されている。
【特許文献１】特開平１０−２４７４０１号公報
【特許文献２】特開平１０−１９９６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献２では、補助電極層と透明電極層との間に大きな段差が生じ、そのため発光パネルとしたとき、段差部分で電流のリークが発生するという問題がある。
【０００５】
本発明は、係る問題を解決するためになされたものであり、電流リークを防止した有機層を有する発光パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者は、鋭意研究を重ねたところ、以下の記載の何れかの構成により、前記課題を解決することができた。
【０００７】
請求項１に係る発光パネルは、透明基板に透明電極層と、発光層を含む少なくとも一層以上の有機層と、金属電極層とが積層されてなる発光パネルの前記透明電極層と前記金属電極層との間に電圧を印加することにより前記発光パネルの発光領域を発光させてなる発光パネルにおいて、前記透明電極層上に該透明電極層に電力を供給する補助電極層が設けられ、該補助電極層の厚みは前記発光領域から離れたところに比し該発光領域に近いところが薄く形成されていることを特徴とするものである。
【０００８】
請求項２に係る発光パネルは、請求項１に記載の発光パネルにおいて、前記補助電極層の膜厚が、前記発光領域から離れるに従い、階段状に変化していることを特徴とするものである。
【０００９】
請求項３に係る発光パネルは、請求項１又は２に記載の発光パネルにおいて、前記発光領域に接する前記補助電極層の厚さが、前記有機層の厚さより薄いことを特徴とするものである。
【００１０】
請求項４に係る発光パネルは、請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光パネルにおいて、前記補助電極層が前記金属電極層と同一材料であることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項５に係る発光パネルは、請求項１乃至４の何れか１項に記載の発光パネルにおいて、前記補助電極層の材料がアルミニウム又は銀を含むことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項６に係る発光パネルは、請求項１乃至５の何れか１項に記載の発光パネルにおいて、前記透明基板が透明フィルムであることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項７に係る発光パネルは、請求項１乃至６の何れか１項に記載の発光パネルにおいて、前記補助電極層が多層構造に形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、透明電極層と接続された補助電極層を有し、補助電極層の膜厚が発光領域と接する部分で薄くなっているので、補助電極層と金属電極層との間で電流リークの発生確率が小さい発光パネルを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明に係る発光パネルに関し、好適な実施の形態について、図を参照して以下に示す。
【００１６】
本発明に係る有機ＥＬ素子を用いた発光パネルの概略断面図を図３に示す。
【００１７】
透明基板１の上面に透明な陽極２が形成されており、この陽極２の上面には、正孔輸送層３１が設けられている。さらにこの正孔輸送層３１の上面に発光層３０が設けられ、その上面に正孔阻止層３２が設けられている。正孔阻止層３２の上面に電子輸送層３３が設けられ、さらに電子輸送層３３の上面に陰極４が設けられ、有機ＥＬ素子を構成している。この有機ＥＬ素子を接着剤５２により、封止缶５で封止し、発光パネルを構成している。封止缶５の内面には保水剤５１を取り付けている。陽極２と陰極４には、制御用ＩＣ９を介して電源ユニット８に接続されている。
【００１８】
図４は、本発明に係る発光パネルの１画素における電極構造の一例を示し、透明基板１上に形成した陽極２と陽極２に電力を供給するための補助電極層２０と有機ＥＬ層３と陰極４のそれぞれの形状と概略配置の断面図を示す。補助電極層２０は、第１の補助電極層２１と第２の補助電極層２２と第３の補助電極層２３とからなっている。
【００１９】
図５に図４に示した概略配置図の陰極４側上面から見た平面図を示す。Ｓは、発光領域の外形を示している。
【００２０】
図６は、本発明に係る発光パネルの一例を示す平面図であり、図５に示した１画素を多数配置した発光パネルである。陽極２が透明基板１上にライン状に形成され、陰極４も有機ＥＬ層状にライン状に形成されている。
【００２１】
電源ユニット８から供給される電力は、制御用ＩＣ９を介して、負極側は陰極４に接続され、正極側は、補助電極層２０を介して陽極２に供給される。
【００２２】
図５におけるＡ−Ａ断面を図７に示す。補助電極層２０の厚みは、発光領域Ｓに最も近い部分がｔ１であり、発光領域Ｓから離れるに従い、ｔ２、ｔ３と段階的に厚くなっている。このように補助電極層２０の厚みを発光領域Ｓに接する部分の厚さを薄くすることにより、発光領域Ｓの近傍で発生する電流リークを防止することができ、均一な発光輝度を有する発光パネルを得ることが出来る。
【００２３】
補助電極層２０を有する発光パネルにおける電流リークの現象は、まだ、十分に解明されていないが、以下のように考えることが出来る。
【００２４】
図８に比較のための従来の補助電極層２０の形状を有する発光パネルの概略構成図を示す。電流リークの発生箇所は、破線で示した部分で発生していると考えられ、補助電極層２０と陰極４との間で、電界強度の最も強い部分である点Ｂと点Ｃの間で起こっていると考えられる。これは、発光領域で発光することにより発光領域の有機ＥＬ層の膜抵抗値が実質低下し、発光領域縁部の補助電極層と陰極との間における電界強度の強い部分で絶縁破壊が起こり、電流リークが生じたものと推測される。本発明者は、この点を鑑み、絶縁破壊の生じやすい発光領域縁部での補助電極層の厚みを他より薄くすることで電流リークの防止を考えた。
【００２５】
図９に本発明の実施形態の一つとして、図７に示した階段状の段数を更に多くし、実質的に斜めの形状に形成した概略構成図を示す。補助電極層２０の厚みｔ３′は、陽極への電力供給の点から図８における従来の構成のものと同じにした。図９において、発光領域に最も近い補助電極層の厚みを薄くすることにより、点Ｂ′と点Ｃ′の電界強度は、図８に示した点Ｂと点Ｃの電界強度よりも小さくなっていることが分かる。このようにすることで発光領域近傍で生じる補助電極層２０と陰極４との間の絶縁破壊が防止され、電流のリークが生じなくなったと考えられる。
【００２６】
また、補助電極層２０の各段の高さを有機ＥＬ層の厚さより低くすることで、より電流リークが防止され好ましい。
【００２７】
以下、実施形態の発光パネルの構成を具体的に説明する。
【００２８】
透明基板１としては、透明な材料であればよく、透明ガラスや透明プラスチックを用いることが出来る。例えばポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透明なプラスチック基板を使用することができる。透明基板１は、透明なプラスチックフィルムであれば、外力による変形や衝撃に強く、割れにくいこと及び軽量であり、携帯性に富むことからより好ましいといえる。
【００２９】
透明電極である陽極２としては、例えば、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ：インジウム錫酸化物）、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ：インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電膜を用いることができる。このような材料を透明基板１上に、スパッタリング法によるマスク蒸着や全面蒸着又は塗布した後にフォトリソグラフィ法でパターニングしたり、またスクリーン印刷などで形成することができる。なお、陽極２の膜厚は、特に限定されないが、通常１０ｎｍ〜２μｍ、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍである。
【００３０】
補助電極層２０としては、陽極２よりも低抵抗な金属材料であればよく、特に限定されないが、陰極４に用いる材料と同一であればより好ましい。補助電極層２０の材料が陰極４と同一材料であれば、電極材料を多くそろえる必要がなく、生産性に富む。また、陽極２よりも低抵抗な材料を用いることにより、電圧降下がほとんど生じることなく、陽極に電力を供給することが出来る。
【００３１】
特に補助電極層２０がアルミニウム又は銀を含むものであれば、導電率や扱いやすさの観点からよい。
【００３２】
補助電極層２０の形成方法としては、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム蒸着法等がある。メタルマスクを使用し、第１の補助電極層を所定の膜厚に形成し、次に同様な方法により第２の補助電極層２２、第３の補助電極層２３を形成することが出来る。
【００３３】
正孔輸送層３１は、正孔を陽極２から発光層３０に輸送する機能を有する。正孔輸送層３１における正孔輸送材料としては、一般に有機ＥＬ素子に用いられるものであれば用いることができるが、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、芳香族第３級アミン化合物などを用いることができる。この正孔輸送材料を、例えば真空蒸着装法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより陽極２の上面に形成することができる。正孔輸送層３１の膜厚としては、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５０００ｎｍ程度である。
【００３４】
発光層３０は、少なくとも発光機能に関与する１種、または２種以上の有機化合物から成る。発光層３０は、正孔及び電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する。発光層３０の材料は、一般に有機ＥＬ素子で用いられている公知のものを使用することができる。例えば、キノリノラト錯体が知られている。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メタン］等がある。発光層３０の膜厚としては、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５０００ｎｍ程度である。
【００３５】
正孔阻止層３２は、電子を輸送し、正孔を輸送する能力が著しく低い機能を有し、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【００３６】
正孔阻止層３２としては、例えば特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日  エヌ・ティー・エス社発光）」の２３７頁等に記載の正孔阻止（ホールブロック）層等を本発明に係る正孔阻止層３２として適用可能である。
【００３７】
電子輸送層３３は、陰極４より注入された電子を発光層３０に伝達する機能を有していれば良く、その電子輸送材料としては、一般に有機ＥＬ素子に用いられる公知の材料からに任意に選択することができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレン、ペリレンなどの芳香族テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。この電子輸送層３３は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層３３の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度である。
【００３８】
陰極４としては、通常の金属が使用できる。中でも導電率や扱いやすさの観点から、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔから選択される１種以上の金属元素が好ましい。陰極４の形成方法は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム蒸着法等がある。メタルマスクを使用することにより第１の補助電極層２１の領域と重ね合わせ、第２の補助電極層２２の領域と重ならないように形成することができる。陰極４の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５００ｎｍ程度である。
【００３９】
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子をガラス製の封止缶５に紫外線硬化型の接着剤５２により紫外線ランプを照射することで接着封止し、本発明に係る発光パネルを作製した。この時、有機ＥＬ素子と封止缶５は、大気に接触させないように窒素雰囲気下で接着するのが好ましい。これは空気中の水分などと発光層などの有機ＥＬ層が反応することによって劣化することを防止する理由による。また、封止缶５の内部には、補水剤５１を入れておくことが好ましい。これは封止缶内に残存する微量な水分の影響を捕集して、有機ＥＬ層の劣化を防止する理由による。
【００４０】
次に本発明に係る発光パネルの駆動方法について述べる。
【００４１】
電源ユニット８は、有機ＥＬ素子駆動用の電位＋Ｖ１と−Ｖ１とを出力している。この出力電圧を制御用ＩＣ９を用いて、補助電極層２０を介して陽極２と陰極４に印加している。このようにすることで、補助電極層２０と陰極との間での電流のリークを防止し、生産性にすぐれた発光パネルを提供できる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。
（実施例１）
図５及び図７に示す電極構成のものを作製した。図１０に発光パネル製造のフローを示す。基板１上に陽極２を形成し、その上に第１の補助電極層２１と第２の補助電極層２２と第３の補助電極層を形成した。次に正孔輸送層３１、発光層３０、正孔阻止層３２、電子輸送層３３の４つの層を形成した後、陰極４を形成した。以下により詳しく説明する。
【００４３】
基板１及び陽極２として７５ｍｍ×７５ｍｍのガラス上にＩＴＯを１５０ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）を用いた。
【００４４】
次にこの透明支持基板をｉｓｏ−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
【００４５】
その後、この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、陽極２の上に第１の補助電極層２１の形状（開口部が４５ｍｍ×４５ｍｍ）になるように加工したステンレス鋼製のマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに、アルミニウム３ｇを入れ真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、アルミニウムの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、金属マスクを介して、蒸着速度１．５ｎｍ／秒〜２．０ｎｍ／秒で膜厚５０ｎｍになるように蒸着し、第１の補助電極層２１を設けた。
【００４６】
次に、真空槽をあけ、第１の補助電極層２１の上に、第１の補助電極層２１よりも開口部の大きい第２の補助電極層２２の形状（開口部が４６ｍｍ×４６ｍｍ）になるように加工したステンレス鋼製のマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに、アルミニウム３ｇを入れ真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、アルミニウムの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、金属マスクを介して、蒸着速度１．５ｎｍ／秒〜２．０ｎｍ／秒で膜厚５０ｎｍになるように蒸着し、第２の補助電極層２２を設けた。
【００４７】
次に、真空槽をあけ、第２の補助電極層２２の上に、第２の補助電極層２２よりも開口部の大きい第３の補助電極層２３の形状（開口部が４７ｍｍ×４７ｍｍ）になるように加工したステンレス鋼製のマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに、アルミニウム３ｇを入れ真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、アルミニウムの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、金属マスクを介して、蒸着速度１．５ｎｍ／秒〜２．０ｎｍ／秒で膜厚５０ｎｍになるように蒸着し、第３の補助電極層２３を設けた。
【００４８】
次に、真空槽をあけ、ステンレス鋼製のマスクを設置し、一方、５つのモリブデン製抵抗加熱ボートに、下記構造で示されるα−ＮＰＤ、ＣＢＰ、Ｉｒ−１、ＢＣＰ、Ａｌｑ3をそれぞれ入れ真空蒸着装置に取付けた。
【００４９】
【化１】
2007026862.tif 000003
【００５０】
次いで、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板に膜厚５０ｎｍの厚さになるように蒸着し、正孔輸送層３１を設けた。
【００５１】
さらに、ＣＢＰの入った前記加熱ボートとＩｒ−１の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光材料であるＣＢＰとＩｒ−１の蒸着速度が１００：７になるように調節し膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層３０を設けた。
【００５２】
ついで、ＢＣＰの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ１０ｎｍの正孔阻止層３２を設けた。更に、Ａｌｑ3の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚４０ｎｍの電子輸送層３３を設けた。
【００５３】
次に、真空槽をあけ、電子輸送層３３の上に、陰極用のステンレス鋼製のマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにアルミニウム３ｇを入れ、再び真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧した後、アルミニウム入りのボートに通電して蒸着速度１．５ｎｍ／秒〜２．０ｎｍ／秒でアルミニウムを蒸着し、陰極４（厚さ２００ｎｍ）を作製した。
【００５４】
更に、この有機ＥＬ素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスで置換したグローブボックス）へ移し、図３に示す概略模式図のような封止構造にして、有機ＥＬ素子を用いた発光パネルを作製した。
【００５５】
尚、図３中、補水剤である酸化バリウム５１は、アルドリッチ社製の高純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素樹脂系半透過膜（ミクロテックス：Ｓ−ＮＴＦ８０３１Ｑ（日東電工製））でガラス製封止缶５に貼り付けたものを予め準備して使用した。封止缶と有機ＥＬ素子との接着には紫外線硬化型の接着剤５２を用い、紫外線ランプを照射することで両者を接着し封止することで発光パネルを作製した。
【００５６】
このようにして作製した発光パネルを１０サンプル用意し、各サンプルについて電流密度２５Ａ／ｍ2の電流を流して発光させ、コニカミノルタセンシング社製の輝度計（ＣＳ１０００Ａ）を用いて、各サンプルの発光面内の輝度ムラを測定した。各サンプルとも、電流のリークは観測されず、良品率は１００％であった。
（比較例１）
実施例１における第１の補助電極層２１を膜厚１５０ｎｍに形成し、第２の補助電極を設けなかった以外は、同一条件で、１０サンプル作製した。各サンプルについて電流密度２５Ａ／ｍ2の電流を流して発光させたところ、５サンプルで電流のリークが発生し、発光しなかった。良品率は、５０％であった。
（実施例２〜８）
実施例１における第１の補助電極層２１と第２の補助電極層２２及び第３の補助電極層２３の膜厚を表１に示す値に変更した以外は同一条件として、実施例２〜８の発光パネルをそれぞれ１０サンプル作製した。この時の良品率を表１に示す。
【００５７】
【表１】
2007026862.tif 000004
【００５８】
これらの結果から、第１の補助電極層２１の膜厚としては、有機層の膜厚よりも低い値がより好ましいと言える。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】照明装置やバックライトに用いられる有機ＥＬ素子の概略構成図である。
【図２】有機ＥＬ素子を上面から見た概略構成図である。
【図３】本発明に係る発光パネルの断面図を模式的に示した図である。
【図４】本発明に係る発光パネルの１画素における電極構造の一例を模式的に示した断面図である。
【図５】本発明に係る発光パネルの１画素における電極構造の一例を模式的に示した平面図である。
【図６】本発明に係る発光パネルの一例を示す平面図である。
【図７】図５におけるＡ−Ａ断面を示す図である。
【図８】従来の発光パネルの補助電極層の概略構成図を示す。
【図９】本発明に係る発光パネルの１画素における電極構造の一例を模式的に示した断面図である。
【図１０】本発明に係る発光パネルの製造フローの一例を示した模式図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  透明基板
２  陽極
２０  補助電極層
２１  第１の補助電極層
２２  第２の補助電極層
２３  第３の補助電極層
３  有機層
３０  発光層
３１  正孔輸送層
３２  正孔阻止層
３３  電子輸送層
４  陰極
５  封止缶
５１  補水剤
５２  接着剤
６  発光駆動電源
７  スイッチ
８  電源ユニット
９  制御用ＩＣ
【図１】
2007026862.tif 000005
【図２】
2007026862.tif 000006
【図３】
2007026862.tif 000007
【図４】
2007026862.tif 000008
【図５】
2007026862.tif 000009
【図６】
2007026862.tif 000010
【図７】
2007026862.tif 000011
【図８】
2007026862.tif 000012
【図９】
2007026862.tif 000013
【図１０】
2007026862.tif 000014