(57)【要約】【課題】画素電極の切開部の幅を最適化することによって、フリンジフィールドの大きさを適正化し、画素の開口率を向上した液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、第１切開部を有する第１電場生成電極と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第２基板上に形成され、第２切開部を有する第２電場生成電極と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層とを備え、前記第２電場生成電極は前記第１電場生成電極より厚く、前記第１切開部の幅は前記第２切開部より狭い。このように第１切開部の幅を減少させることによって、液晶表示装置の開口率が増加する。【選択図】図４
2007011372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成され、第１切開部を有する第１電極と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第２基板上に形成され、第２切開部を有する第２電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層とを備え、
前記第２電極は前記第１電極より厚く、
前記第１切開部の幅は前記第２切開部の幅の５０％乃至９０％であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２電極の厚さは前記第１電極の厚さの１．５倍乃至３倍であることを特徴とする請求項１に記載液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２切開部は前記第１切開部と交互に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２切開部は、狭くなったり切断された部分を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線と、
前記ゲート線、前記データ線及び前記第１電極に接続されている薄膜トランジスタとをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタは、
前記ゲート線に接続されているゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体と、
前記半導体上に形成されているソース電極及びドレイン電極とを備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２基板上に形成されている遮光部材をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２基板及び前記遮光部材上に形成されているカラーフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
第１基板と、
前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線と、
前記ゲート線及びデータ線に接続されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続され、第１切開部を有する画素電極と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第２基板上に形成されているカラーフィルタと、
前記第１基板上に形成され、第２切開部を有する共通電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層とを備え、
前記共通電極の厚さは前記画素電極の厚さの約１．５倍乃至３倍であり、
前記第１切開部の幅は前記第２切開部の幅の５０％乃至９０％であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２切開部は前記第１切開部と交互に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第２切開部は狭くなったり切断された部分を含むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
第１基板と、
前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線と、
前記ゲート線及びデータ線に接続されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続され、切開部を有する画素電極と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第２基板上に形成されているカラーフィルタと、
前記第２基板上に形成されている共通電極と、
前記共通電極上に形成されている突起と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層とを備え、
前記共通電極の厚さは前記画素電極より厚く、
前記切開部の幅は前記突起の幅の５０％乃至９０％であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
前記共通電極の厚さは前記画素電極の厚さの１．５倍乃至３倍であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記突起は前記切開部と交互に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記突起は有機膜を含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に切開部を有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挟持された液晶層を備える。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これによって液晶層の液晶分子の方向を決定し、入射光の偏光を制御して映像を表示する。
液晶表示装置のうち、電場が印加されない状態で液晶分子をその長軸が表示板に対し垂直をなすように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ ｍｏｄｅ）液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、基準視野角が広くて脚光を浴びている。
【０００３】
垂直配向方式液晶表示装置において、広視野角を実現するための方法としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と電場生成電極の上または下に突起を形成する方法などがある。切開部または突起は、液晶分子が傾く方向を決定し、これらを様々に配置して液晶分子の傾斜方向を複数方向に分散することによって基準視野角を広くすることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
切開部や突起を形成する場合、切開部や突起の幅が広くなるほどフリンジフィールドの水平成分が大きくなって液晶制御に有利であるが、切開部や突起の幅が広くなるほど画像を表示可能な領域が減少し、開口率が低下する。
そこで、本発明は、前記のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、画素電極の切開部の幅を最適化することによって、フリンジフィールドの大きさを適正化し、画素の開口率が向上した液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前述した目的を達成するための本願第１発明の液晶表示装置は、第１基板、前記第１基板上に形成され第１切開部を有する第１電極、前記第１基板と対向する第２基板、前記第２基板上に形成され第２切開部を有する第２電極、並びに前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層を備え、前記第２電極は前記第１電極より厚く、前記第１切開部の幅は前記第２切開部の幅の５０％乃至９０％である。
【０００６】
例えば、第１電極は画素電極であり、第２電極は共通電極である。上記のように切開部を形成することで、画素領域を複数の副領域に分割することができる。各副領域上の液晶分子は、各副領域の主辺にほぼ垂直方向に傾斜しており、液晶分子の傾斜方向が複数存在する。このように液晶分子が傾く方向を複数にすると液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【０００７】
また、共通電極を画素電極より厚く形成することで、共通電極の面抵抗が減少し、位置による共通電極の電圧偏差が減少するので好ましい。ここで、画素電極の切開部による電場の水平成分と、共通電極の切開部による電場の水平成分との差は、共通電極と画素電極との厚みの差が大きくなるほど大きくなる。よって、共通電極の厚みを画素電極の厚みよりも厚くする場合には、画素電極の切開部及び共通電極の切開部の幅を調整して、画素電極の切開部による電場の水平成分と、共通電極の切開部による電場の水平成分とを同程度に調整する。なお、両基板の切開部の電場の水平成分が異なる場合、光の透過量を調整する液晶層の中間層に存在する液晶分子の動きが画素電極側と共通電極側で異なってしまう。そうすると、同一の電場であっても同一の光透過率を得られない場合がある。そのため、両基板の切開部の電場の水平成分を同一にし、光透過率を同一にする。このとき、画素電極の切開部及び共通電極の切開部の幅を、画素電極の切開部の幅が共通電極の切開部の幅の５０％乃至９０％となるように調整することで、画素電極の切開部及び共通電極の切開部の水平成分を同程度にしつつ、開口率の低下を抑制することができる。
【０００８】
第２発明は、第１発明において、前記第２電極の厚さが前記第１電極の厚さの１．５倍乃至３倍であることが望ましい。
第３発明は、第１発明において、前記第２切開部は前記第１切開部と交互に配置されることが望ましい。交互に配置することで、液晶の傾斜が異なる複数の副領域を形成することができる。
【０００９】
第４発明は、第１乃至５発明のいずれかにおいて、前記第２切開部は狭くなったり切断された部分を含むことが望ましい。
このようなノッチを形成することで、切開部近傍の液晶分子の傾斜方向を容易に決定できなかったり、傾斜方向が頻繁に変わる等、液晶の全反応時間が遅延するのを防止する役割を果たす。
【００１０】
第５発明は、第１発明において、前記液晶表示装置は、前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線、並びに前記ゲート線、前記データ線及び前記第１電極に接続されている薄膜トランジスタをさらに備えることが望ましい。
第６発明は、第５発明において、前記薄膜トランジスタは、前記ゲート線に接続されているゲート電極、前記ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体、並びに前記半導体上に形成されているソース電極及びドレイン電極を備えることが望ましい。
【００１１】
第７発明は、第１発明において、前記液晶表示装置は、前記第２基板上に形成されている遮光部材をさらに備えることが望ましい。
第７発明は、第１発明において、前記液晶表示装置は、前記第２基板及び前記遮光部材上に形成されているカラーフィルタをさらに備えることが望ましい。
本願第９発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１基板、前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線、前記ゲート線及びデータ線に接続されている薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続され第１切開部を有する画素電極、前記第１基板と対向する第２基板、前記第２基板上に形成されているカラーフィルタ、前記第１基板上に形成され第２切開部を有する共通電極、並びに前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層を備え、前記共通電極の厚さは前記画素電極の厚さの約１．５倍乃至３倍であり、前記第１切開部の幅は前記第２切開部の幅の５０％乃至９０％である。
【００１２】
第１０発明は、第９発明において、前記第２切開部は前記第１切開部と交互に配置されることが望ましい。
第１１発明は、第１０発明において、前記第２切開部は狭くなったり切断された部分を含むことが望ましい。
本願第１２発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１基板、前記第１基板上に形成されているゲート線及びデータ線、前記ゲート線及びデータ線に接続されている薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続され切開部を有する画素電極、前記第１基板と対向する第２基板、前記第２基板上に形成されているカラーフィルタ、前記第２基板上に形成されている共通電極、前記共通電極上に形成されている突起、並びに前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層を備え、前記共通電極の厚さは前記画素電極より厚く、前記切開部の幅は前記突起の幅の５０％乃至９０％である。
【００１３】
第１３発明は、第１２発明において、前記共通電極の厚さは前記画素電極の厚さの１．５倍乃至３倍であることが望ましい。
第１４発明は、第１２発明において、前記突起は前記切開部と交互に配置されることが望ましい。
第１５発明は、第１２発明において、前記突起は有機膜を含むことが望ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、薄い画素電極の切開部の幅を厚い共通電極の切開部より狭くすることにより、画素電極及び共通電極の切開部による電場の水平成分の大きさを同一にしながら、液晶表示装置の開口率を適正化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１６】
以下、図１乃至図５を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図３は図１の薄膜トランジスタ表示板と図２の共通電極表示板を備える液晶表示装置の配置図であり、図４は図３の液晶表示装置のＩＶ-ＩＶ線に沿った断面図であり、図５は図３のＶ-Ｖ線に沿った断面図である。
【００１７】
図１乃至図５を参照すれば、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。
まず、図１、図３乃至図５を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
【００１８】
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し図１中の主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、ゲート線幅よりも下上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を有する。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積できる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、ゲート線１２１が延びてそれと直接接続される。
【００１９】
維持電極線１３１は、所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行に延びた幹線と、これから分岐された複数の第１、第２、第３及び第４維持電極群１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ及び複数の接続部１３３ｅを有する。維持電極線１３１それぞれは隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は二つのゲート線１２１のうち上側に近い。
【００２０】
図１及び図３に示すように、第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂは、１画素内を縦方向に延びて互いに対向する。第１維持電極１３３ａは幹線に接続された固定端とその他端に位置する自由端を有し、自由端は突出部を有する。第３及び第４維持電極１３３ｃ、１３３ｄは、ほぼ第１維持電極１３３ａの縦方向の中央からそれぞれ第２維持電極１３３ｂの両端の方向に延在している。つまり、第３維持電極１３３ｃは第２維持電極１３３ｂの上端に斜め上方に延び、第４維持電極１３３ｄは第２維持電極１３３ｂの下端に斜め下方に延びている。一方、維持電極線１３１の形状及び配置は様々に変更可能である。
【００２１】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。さらに、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。そのうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これと異なり、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１はそれ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。
【００２２】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対し傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であることが好ましい。このように側面が傾斜しているとその上部の膜を平坦化し易く、また上部の配線の断線を防止することができる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２３】
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、図１中の主に縦方向に延び、ゲート電極１２４に向かって延びた複数の突出部１５４を有する。線状半導体１５１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１近傍で幅が広くなってそれらを幅広く覆う。
【００２４】
半導体１５１上には複数の線状及び島状オーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６１、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることができる。線状オーミック接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５とは対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
【００２５】
半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面もまた、基板１１０面に対し傾斜しており、その傾斜角は３０゜乃至８０゜程度であることが好ましい。
オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立金属片１７８が形成されている。
データ線１７１はデータ電圧を伝達し主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を有する。データ電圧を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積できる。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１が延びてそれと直接接続される。
【００２６】
ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は一方の拡張された端部と棒状である他方の端部を有しており、棒状端部は屈曲したソース電極１７３に取り囲まれるように対向している。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。
【００２７】
孤立金属片１７８は第１維持電極１３３ａ近傍のゲート線１２１上に位置する。
データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属、またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８はそれ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。
【００２８】
データ線１７１とドレイン電極１７５及び金属片１７８もまた、その側面が基板１１０面に対し３０゜乃至８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
オーミック接触部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする。ほとんどの部分で線状半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、前述したように、ゲート線１２１及び維持電極線１３１に出会う部分で幅が広くなって表面のプロファイルを滑らかにすることによって、データ線１７１が断線するのを防止する。半導体１５１は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間を始めとしてデータ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出した部分を有している。
【００２９】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、金属片１７８及び露出した半導体１５１部分上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦になることができる。無機絶縁物の例としては、窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。一方、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出した半導体１５１部分に害を及ぼさないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。
【００３０】
保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１、第１維持電極１３３ａの固定端近傍の維持電極線１３１の一部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ａ、そして第１維持電極１３３ａの自由端の突出部を露出させる複数のコンタクトホール１８３ｂが形成されている。
【００３１】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ（ｏｖｅｒｐａｓｓ）８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなることができる。
画素電極１９１はコンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子（図示せず）の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０は、キャパシタ（以下、液晶キャパシタという。）を構成して、薄膜トランジスタが非導通状態になった後にも印加された電圧を維持する。
【００３２】
画素電極１９１は、維持電極１３３ａ乃至１３３ｄを始めとして維持電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重畳して構成するキャパシタを“ストレージキャパシタ”といい、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
各画素電極１９１は、ゲート線１２１またはデータ線１７１にほぼ平行な４つの主辺を有し、主辺と主辺の間には、画素電極の４つの角を面取り（ｃｈａｍｆｅｒｅｄ）するように斜辺を有する。後述の切開部を除くと、各画素電極はほぼ四角形状である。画素電極１９１の面取りされた斜辺はゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなす。
【００３３】
画素電極１９１には中央切開部９１、下部切開部９２ａ及び上部切開部９２ｂが形成されており、画素電極１９１は、これら切開部９１、９２ａ、９２ｂによって複数の領域に分割される。切開部９１-９２ｂは、画素電極１９１を二等分する仮想の横中心線Ａ−Ａに対してほぼ反転対称をなす。
下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺から左側辺に斜めに延びており、画素電極１９１の横中心線Ａ−Ａに対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは、ゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなし、互いに垂直に延びている。
【００３４】
中央切開部９１は、画素電極１９１の横中心線Ａ−Ａに沿って長方形状に切り欠かれた部分と、それに続いて図１中の右辺側に広がるように切り欠かれた部分（以下、入口という）とにより構成されている。中央切開部９１の入口は、下部切開部９２ａと上部切開部９２ｂにそれぞれほぼ平行な一対の斜辺を有している。
このため、画素電極１９１の下半部は下部切開部９２ａによって二つの領域に分割され、上半部もまた、上部切開部９２ｂによって二つの領域に分割される。この時、領域の数または切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性など設計要素に応じて変化する。
【００３５】
接触補助部材８１、８２はそれぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
接続ブリッジ８３はゲート線１２１を横切り、ゲート線１２１を間に置いて反対側に位置するコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを介して維持電極線１３１の露出した部分と維持電極１３３ａの自由端の露出した端部に接続されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂを始めとする維持電極線１３１は、接続ブリッジ８３及び金属片１７８と共にゲート線１２１やデータ線１７１、または薄膜トランジスタの欠陥の修理に用いることができる。
【００３６】
次に、図２乃至図４を参照して共通電極表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックスともいい、光漏れを防ぐ。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ同一形状の複数の開口部２２５を有し、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。さらに、遮光部材２２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する部分と薄膜トランジスタに対応する部分とからなることができる。
【００３７】
基板２１０上にはまた、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２２０で覆われた領域内に大部分存在し、画素電極１９１の列に沿って縦方向に長く延びることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出するのを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略してもよい。
【００３８】
オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなり、画素電極１９１より厚い。共通電極２７０には複数の切開部群７１、７２ａ、７２ｂが形成されている。
一つの切開部群７１、７２ａ、７２ｂは、一つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、下部切開部７２ａ及び上部切開部７２ｂを有する。切開部７１、７２ａ、７２ｂそれぞれは画素電極１９１の隣接する切開部９１、９２ａ、９２ｂの間、または切開部９１、９２ａ、９２ｂと画素電極１９１の面取りされた斜辺との間に配置されている。また、各切開部７１、７２ａ、７２ｂは画素電極１９１の下部切開部９２ａまたは上部切開部９２ｂと平行に延びた少なくとも一つの斜線部を有する。切開部７１、７２ａ、７２ｂは画素電極１９１の横中心線Ａ−Ａに対しほぼ反転対称をなし、画素電極１９１の切開部９１、９２ａ、９２ｂより広い。
【００３９】
下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂそれぞれは斜線部、横部及び縦部を有する。斜線部はほぼ画素電極１９１の上側辺または下側辺から左側辺に延びる。横部及び縦部は、斜線部の各端部から画素電極１９１の辺に沿って各辺と重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなす。
中央切開部７１は、中央横部、一対の斜線部及び一対の縦断縦部を有する。中央横部は、ほぼ画素電極１９１の左側辺から画素電極１９１の横中心線Ａ−Ａに沿って右側に延び、一対の斜線部は、中央横部の端部から、画素電極１９１の右側辺に向かってそれぞれ下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂとほぼ平行に延びる。縦断縦部は、当該斜線部の端部から画素電極１９１の右側辺に沿って右側辺と重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなす。
【００４０】
切開部７１、７２ａ、７２ｂの数もまた、設計要素によって変わることができ、遮光部材２２０が切開部７１、７２ａ、７２ｂと重畳して切開部７１、７２ａ、７２ｂ近傍の光漏れを遮断することができる。
表示板１００、２００の内側の面には配向膜１１、２１が塗布され、これらは垂直配向膜であることができる。表示板１００、２００の外側の面には偏光子１２、２２が具備されているが、二つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交し、そのうちの一つの偏光軸はゲート線１２１に対して平行であることが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子１２、２２のうちの一つが省略可能である。
【００４１】
本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに備えることができる。液晶表示装置はまた、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈ ｔｕｎｉｔ）（図示せず）を備えることができる。
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対して垂直をなすように配向されている。このため、入射光は直交偏光子１２、２２を通過できずに遮断される。
【００４２】
共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加すれば、表示板１００、２００の表面にほぼ垂直である電場（電界）が生成される。液晶分子は電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように方向を変えようとする。以下、画素電極１９１と共通電極２７０を電場生成電極という。
電場生成電極１９１、２７０の切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂと画素電極１９１の辺は電場を歪曲して、液晶分子の傾斜方向を決定する水平成分を形成する。電場の水平成分は、切開部７１-７２ｂ、９１-９２ｂの辺と画素電極１９１の辺にほぼ垂直である。
【００４３】
図３に示すように、一つの切開部群７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂは画素電極１９１を複数の副領域（ｓｕｂ-ａｒｅａ）に分割し、各副領域は画素電極１９１の主辺と斜角をなす二つの主辺（ｍａｊｏｒ ｅｄｇｅ）を有する。各副領域上の液晶分子は、各副領域の主辺にほぼ垂直方向に傾斜しており、傾斜方向はほぼ４つの方向である。このように液晶分子が傾く方向を複数にすると液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００４４】
少なくとも一つの切開部７１、７２ａ、７２ｂ、９１、９２ａ、９２ｂは突起（図示せず）や陥没部（図示せず）で代替することができる。突起は有機物または無機物からなることができ、電場生成電極１９１、２７０の上または下に配置されることができる。
一方、共通電極２７０は画素電極１９１より厚く形成される。これにより、共通電極２７０の面抵抗が減少し、位置による共通電極２７０の電圧偏差が減少するため、画質を向上することができる。例えば、共通電極２７０は、画素電極１９１よりも１．５倍乃至３倍、厚く形成される。また、画素電極１９１の切開部９１、９２ａ、９２ｂの幅は共通電極の切開部７１、７２ａ、７２ｂより狭いため、共通電極２７０の切開部７１、７２ａ、７２ｂによって生成された電場の水平成分と、画素電極１９１の切開部９１、９２ａ、９２ｂによって生成された電場の水平成分とを同一にすることができる。なお、両基板の切開部の電場の水平成分が異なる場合、光の透過量を調整する液晶層の中間層に存在する液晶分子の動きが画素電極側と共通電極側で異なってしまう。そうすると、同一の電場であっても同一の光透過率を得られない場合がある。そのため、両基板の切開部の電場の水平成分を同一にし、光透過率を同一にする。
【００４５】
このように共通電極２７０が画素電極１９１より厚いとき、共通電極２７０の切開部７１-７２ｂの幅と画素電極１９１の切開部９１-９２ｂの幅が全て同一であれば、画素電極１９１の切開部９１-９２ｂによる電場の水平成分が共通電極２７０の切開部７１-７２ｂによる電場の水平成分より大きくなる。
このような水平成分の大きさの差は、厚さの差が大きいほど大きくなるので、厚さの差が大きいほど切開部７１-７２ｂ、９１-９２ｂの幅の差も大きくすることが好ましい。この時、共通電極２７０の切開部７１-７２ｂの幅は適正開口率と適正水平成分を維持できるように定め、画素電極１９１の切開部９１、９２ｂの幅は水平成分の均衡をとるように決定することができる。これについて図６Ａ乃至図６Ｇを参照して例を挙げて説明する。
【００４６】
図６Ａ乃至図６Ｇは、互いに異なる幅の切開部を有する液晶表示装置の液晶層に生成された等電位線を示した図面である。
共通電極２７０と画素電極１９１の間の電圧差は約５Ｖであった。図６Ａ乃至図６Ｄでは共通電極２７０の厚さが画素電極１９１の厚さの約２倍であり、図６Ｅ乃至図６Ｇでは約３倍であった。なお、図６Ａ〜図６Ｇでは、共通電極２７０の切開部７５の端部及び画素電極１９１の切開部９５の端部それぞれから距離αの位置が指し示されている。
【００４７】
図６Ａは共通電極２７０の切開部７５と画素電極１９１の切開部９５の幅が全て１０μｍであった。図示したように、画素電極１９１の切開部９５の側面からの等電位線の間隔が、共通電極２７０の切開部７５の側面からの等電位線の間隔より狭い。図６Ａでは、共通電極２７０の切開部７５の端部及び画素電極１９１の切開部９５の端部それぞれから距離αの位置が指し示されている。ここで、画素電極１９１の端部から距離α内には６本の等電位線があり、共通電極２７０の端部から距離α内には５本の等電位線がある。よって、画素電極１９１の切開部９５の側面からの等電位線の間隔が、共通電極２７０の切開部７５の端部の側面からの等電位線の間隔より狭い。このため、画素電極１９１の切開部９５による電場の水平成分が共通電極２７０の切開部７５による電場の水平成分より大きい。
【００４８】
図６Ｂ乃至図６Ｄで共通電極２７０の切開部７５の幅は約１０μｍであり、画素電極１９１の切開部９１-９２ｂの幅は各々約９μｍ、８μｍ及び７μｍであった。
図示したように、図６Ｂの場合、共通電極２７０の切開部７５と画素電極１９１の切開部９５による電場の水平成分において依然として差があるもののその差は図６Ａより小さい。ここで、画素電極１９１の端部から距離α内には５本の等電位線があり、共通電極２７０の端部から距離α内には５本の等電位線がある。等電位線の数に着目すると距離α内に存在する数は同じであり、図６Ａの場合よりも、画素電極１９１の切開部９５と共通電極２７０の切開部７５とでの電場の水平成分は近づいている。しかし、画素電極１９１の端部から５本目の等電位線ａまでの距離は、共通電極２７０の端部から５本目の等電位線ａ’までの距離よりも小さく、画素電極１９１の切開部９５による電場の水平成分が共通電極２７０の切開部７５による電場の水平成分より大きい。
【００４９】
図６Ｃの場合、両側の切開部７５、９５による電場の水平成分がほぼ同一である。
図６Ｄの場合、共通電極２７０の切開部７５による電場の水平成分がより大きいが、その差は小さい。ここで、画素電極１９１の端部から距離α内には４本の等電位線があり、共通電極２７０の端部から距離α内には５本の等電位線がある。よって、画素電極１９１の切開部９５の側面からの等電位線の間隔が、共通電極２７０の切開部７５の端部の側面からの等電位線の間隔より広い。
【００５０】
図６Ｅ乃至図６Ｇにおいて、共通電極２７０の切開部７５の幅は約１０μｍであり、画素電極１９１の切開部９５の幅は各々約８μｍ、７μｍ及び６μｍであった。
図示したように、図６Ｅと図６Ｆの場合、切開部７５、９５による電場の水平成分はほぼ同一であるが、図６Ｅでは共通電極２７０の切開部７５による電場の水平成分が若干大きい。
【００５１】
図６Ｆでは画素電極１９１の切開部９５による電場の水平成分が若干大きい。
図６Ｇの場合、共通電極２７０の切開部７５による電場の水平成分がより大きい。ここで、画素電極１９１の端部から距離α内には５本の等電位線があり、共通電極２７０の端部から距離α内には４本の等電位線がある。よって、画素電極１９１の切開部９５の側面からの等電位線の間隔が、共通電極２７０の切開部７５の端部の側面からの等電位線の間隔より広い。
【００５２】
このように、共通電極２７０が画素電極１９１より１．５倍乃至２倍厚い場合、適正開口率と電場の適正水平成分を維持できる画素電極１９１の切開部９１-９２ｂの幅は、共通電極２７０の切開部７１-７２ｂの幅の６０％乃至９０％であることが好ましい。特に、共通電極２７０が画素電極１９１より約２倍厚い場合には、画素電極１９１の切開部９１-９２ｂの幅が共通電極２７０の切開部７１-７２ｂの幅の７０％乃至９０％であることが好ましい。なお、共通電極２７０が画素電極１９１より約３倍厚い場合には、画素電極１９１の切開部９１-９２ｂの幅は共通電極２７０の切開部７１-７２ｂの幅の６０％乃至９０％であることが好ましい。さらに、図６Ａ〜図６Ｇの共通電極２７０が画素電極１９１より約２倍〜３倍厚い場合の結果から、共通電極２７０が画素電極１９１より約３倍以上厚い場合には、画素電極１９１の切開部９１-９２ｂの幅が共通電極２７０の切開部７１-７２ｂの幅の５０％乃至９０％であることが好ましい。
【００５３】
次に、図７乃至図１０を参照して本発明の別の実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
図７は本発明の別の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図８は本発明の別の実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図９は図７の薄膜トランジスタ表示板と図８の共通電極表示板を備える液晶表示装置の配置図であり、図１０は図９の液晶表示装置のＸ-Ｘ線に沿った断面図である。
【００５４】
本実施形態による液晶表示装置も、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３、二つの表示板１００、２００の外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を備える。
本実施形態による表示板１００、２００の層状構造は、図１乃至図５とほぼ同一である。
【００５５】
薄膜トランジスタ表示板１００においては、基板１１０上にゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１、複数の維持電極線１３１が形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を有する複数の線状半導体１５１、突出部１６３を有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順に形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５上にはソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立金属片１７８が形成されており、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１（図示していない、ゲート線１２１の端部に接続されるゲートパッドのためのコンタクトホール）、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５が形成されており、その上には複数の画素電極１９１、複数の接続ブリッジ８３、複数の接触補助部材８１（図示していない、ゲートバッド用の補助部材）、８２及び配向膜１１が形成されている。
【００５６】
共通電極表示板２００においては、遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
しかしながら、図１乃至図５に示した液晶表示装置とは異なり、維持電極線１３１に含まれた一つの維持電極群は第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂのみ有する。第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂそれぞれは、幹線に接続された固定端とその反対側の自由端を有している。ここで、幹線は、図７中の画素の上部に位置し、所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行に延びている。
【００５７】
画素電極１９１は中央切開部９３、下部切開部９４ａ、９５ａ及び上部切開部９４ｂ、９５ｂを有する。
下部及び上部切開部９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂはほぼ画素電極１９１の右側辺または上側辺から左側辺に斜めに延びており、画素電極１９１の横中心線Ａ−Ａに対して下半部と上半部にそれぞれ位置している。下部及び上部切開部９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂはゲート線１２１に対して約４５゜の角度をなし、互いに垂直に延びている。
【００５８】
中央切開部９３は横部及びこれに接続された一対の斜線部を有する。横部は画素電極１９１の横中心線に沿って短く延び、一対の斜線部は横部から画素電極１９１の右側辺に向かって下部切開部９４ａ及び上部切開部９４ｂとそれぞれほぼ平行に延びている。
共通電極２７０は複数の切開部群７３、７４、７５ａ、７６ａ、７５ｂ、７６ｂを有する。
【００５９】
一つの切開部群７３、７４、７５ａ、７６ａ、７５ｂ、７６ｂは、図７に示すように中央切開部７３、７４、下部切開部７５ａ、７６ａ及び上部切開部７５ｂ、７６ｂを有する。
下部及び上部切開部７６ａ、７６ｂそれぞれは斜線部と横部及び縦部を有する。斜線部はほぼ画素電極１９１の上側または下側辺から左側辺に延びている。横部及び縦部は斜線部の各端から画素電極１９１の辺に沿って重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなす。
【００６０】
下部及び上部切開部７５ａ、７５ｂそれぞれは斜線部と縦部または拡張部を有する。斜線部はほぼ画素電極１９１の左側辺から右側角に延びており、右側角の近傍には縦部または拡張部が位置している。斜線部の左側端には縦部が接続されており、縦部は画素電極１９１の左側辺に沿って重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなす。
中央切開部７３、７４は中央横部、一対の斜線部及び一対の縦断縦部を有する。中央横部は画素電極１９１の左側辺の中央から画素電極１９１の横中心線Ａ−Ａに沿って右側に延びており、斜線部は中央横部の端から中央横部と斜角をなし画素電極１９１の右側辺に向かって延びている。縦断縦部は斜線部の各端から画素電極１９１の辺に沿って重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなす。
【００６１】
切開部７４、７５ａ、７５ｂの斜線部の中央近傍にはノッチ（ｎｏｔｃｈ）７７が形成されている。このようなノッチ７７は、切開部７３-７５ｂ近傍の液晶分子の傾斜方向を容易に決定できなかったり、傾斜方向が頻繁に変わる等、液晶の全反応時間が遅延するのを防止する役割を果たす。ノッチ７７の代わりに切開部７３-７５ｂを横断するブリッジ（図示せず）を形成することができ、ノッチ７７は省略してもよい。
【００６２】
図示したように、本実施形態においても、画素電極１９１の切開部の幅が共通電極２７０の切開部より狭い。図１乃至図５に示した液晶表示装置の多くの特徴は、図７乃至図１０に示した液晶表示装置にも適用できる。
次に、図１１乃至図１３を参照して本発明の別の実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
【００６３】
図１１は本発明の別の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図１２は図１１の液晶表示装置のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った断面図であり、図１３は図１１の液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。
図１１乃至図１３に示したように、本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれらの間に挟持された液晶層３、並びに二つの表示板１００、２００の外側の面に付着された偏光板１２、２２を備える。
【００６４】
本実施形態による表示板１００、２００の層状構造はほぼ図１乃至図５に示したものと類似している。
薄膜トランジスタ表示板１００においては、基板１１０上にゲート電極１２４及び端部１２９を有する複数のゲート線１２１、及び維持電極１３３ａ〜１３３ｄ及び接続部１３３ｅを有する複数の維持電極線１３１が形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を有する複数の線状半導体１５１、突出部１６３を有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順に形成されている。
【００６５】
オーミック接触部材１６１、１６５上にはソース電極１７３及び端部１７９を有する複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の孤立金属片１７８が形成されており、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５が形成されており、その上には切開部９１、９２ａ９２ｂを有する複数の画素電極１９１、複数の接触補助部材８１、８２及び複数の接続ブリッジ８３が形成されている。
【００６６】
共通電極表示板２００においては、絶縁基板２１０上に複数の開口部２２５を有する遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、共通電極２７０及び配向膜２１が形成されている。
しかし、図１乃至図５に示した液晶表示装置と異なり、共通電極２７０に切開部がない代わり共通電極２７０上に有機物などからなる複数の突起群５１、５２ａ、５２ｂが形成されている。
【００６７】
このような突起５１-５２ｂにより配向膜２１もまた突出部を有する。配向膜２１が垂直配向膜である場合には、液晶層３の液晶分子が配向膜２１の表面に垂直に傾斜した状態に配向される。また、突起５１、５２ａ、５２ｂの誘電率と液晶層３の誘電率が異なるので、突起５１、５２ａ、５２ｂは画素電極１９１と共通電極２７０の間の電場を歪曲して水平成分を形成することもある。
【００６８】
突起５１、５２ａ、５２ｂは図１乃至図５に示した実施形態の切開部７１、７２ａ、７２ｂと同じ位置に配置され、一つの突起群５１、５２ａ、５２ｂは一つの画素電極１９１と対向し、中央突起５１、下部突起５２ａ及び上部突起５２ｂを有する。
図１乃至図５を参照して切開部７１、７２ａ、７２ｂに関連して既に述べたように、一つの突起５１、５２ａ、５２ｂ及び切開部群９１、９２ａ、９２ｂは画素電極１９１を複数の副領域に分割し、各副領域は画素電極１９１の主辺と斜角をなす二つの主辺を有する。各副領域上の液晶分子はほとんど主辺に垂直方向に傾斜しており、傾斜方向はほぼ４つの方向である。このように液晶分子が傾斜する方向を複数にすると液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００６９】
突起５１、５２ａ、５２ｂは共通電極２７０の下に形成されることもできる。
また、共通電極２７０に切開部がなく、オーバーコート膜もない。
表示板１００、２００の外側の面には偏光板１２、２２が具備されており、内側の面には垂直配向膜１１、２１が形成されている。
図示したように、共通電極２７０は画素電極１９１より厚く、画素電極１９１の切開部９１、９２ａ、９２ｂの幅は共通電極２７０上の突起５１、５２ａ、５２ｂの幅より狭い。
【００７０】
図１乃至図５に示した液晶表示装置の多くの特徴は、図１１乃至図１３に示した液晶表示装置にも適用できる。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の共通電極表示板の配置図である。
【図３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図６Ａ】ある幅の切開部を有する液晶表示装置の液晶層に生成された等電位線を示した図面である。
【図６Ｂ】ある幅の切開部を有する液晶表示装置の液晶層に生成された等電位線を示した図面である。
【図６Ｃ】ある幅の切開部を有する液晶表示装置の液晶層に生成された等電位線を示した図面である。
【図６Ｄ】ある幅の切開部を有する液晶表示装置の液晶層に生成された等電位線を示した図面である。
【図６Ｅ】ある幅の切開部を有する液晶表示装置の液晶層に生成された等電位線を示した図面である。
【図６Ｆ】ある幅の切開部を有する液晶表示装置の液晶層に生成された等電位線を示した図面である。
【図６Ｇ】ある幅の切開部を有する液晶表示装置の液晶層に生成された等電位線を示した図面である。
【図７】本発明の別の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図８】本発明の別の実施形態による液晶表示装置の共通電極表示板の配置図である。
【図９】本発明の別の実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図１１】本発明の別の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図１２】図１１の液晶表示装置のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った断面図である。
【図１３】図１１の液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１１、２１  配向膜
１２、２２  偏光板
３  液晶層
５１、５１ａ、５１ｂ  突起
７１、７２、７２ａ、７２ｂ、７３、７３ａ、７３ｂ、７４、７５、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ  切開部
７７  ノッチ
８１、８２  接触補助部材
９１、９２ａ、９２ｂ、９３、９４、９４ａ、９４ｂ、９５、９５ａ、９５ｂ  切開部
１００  薄膜トランジスタ表示板
１１０  基板
１２１、１２９  ゲート線
１２４  ゲート電極
１３１  維持電極線
１３３、１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ、１３３ｅ  維持電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４  半導体
１６１、１６３、１６５  オーミック接触層
１７１、１７９  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１８０  保護膜
１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５  コンタクトホール
１９１  画素電極
２００  共通電極表示板
２１０  基板
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２５０  オーバーコート膜
２７０  共通電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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