(57)【要約】【課題】ａ−Ｓｉドラムを搭載した複写機・プリンターにおいてドラムヒ−タを使用しなくても、高温高湿条件下で画像流れのない鮮明な画像を得ることにあり、特に、画像流れとクリーニング性、クリーニング部材耐久性を両立させ、長期の高画質維持することにある。【解決手段】クリーニング１０６を有する、ａ−Ｓｉ感光体１０１を使用したデジタル画像形成方法において、少なくとも該クリーニングにおいて、平均粒径が５０〜５００ｎｍのペロブスカイト型結晶からなる研磨剤を介して該感光体表面を摺擦研磨し、正規現像方式を使用し、主除電光をＣＬＮ前に配する。【選択図】図１
2007292985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体を帯電する帯電工程と、帯電された該感光体に潜像を形成する潜像形成工程と、前記潜像を現像剤により現像する現像工程と、現像された現像剤像を転写材に転写する転写工程と、前記感光体をクリーニングする弾性ブレードからなるクリーニング工程を有する画像形成方法において、
該感光体は、導電性支持体上に形成される、シリコン原子を母体として水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなり光導電性を示す光導電層有する感光体であり、
該潜像形成工程は背面露光方式であって、
クリーニング工程において平均粒径Ｄが３０〜５００ｎｍのペロブスカイト型結晶を有する無機微粒子からなる研磨粒子を介して該感光体表面を摺擦する工程を有し、
更に、除電工程を、該転写工程と該クリーニング工程の間に有することを特徴とする画像形成方法。
【請求項２】
前記無機微粒子の平均粒径Ｄが１００〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
前記感光体表面の１０点平均粗さＲｚが前記研磨粒子の平均粒径Ｄの０．５倍以上２倍以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成方法。
【請求項４】
上記現像工程で使用される現像剤が、磁性トナー粒子及び外添剤からなる磁性一成分現像剤であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項５】
該現像剤の、該磁性トナー粒子の重量平均粒子径Ｘ（μｍ）が４μｍ乃至１２μｍであり、フロー式粒子像測定方法で計測される円相当径３μｍ以上４００μｍ以下で測定される円形度ａ’の平均値（平均円形度ａ）が０．９３０以上０．９７０未満であることを特徴とする請求項４に記載の画像形成方法。
【請求項６】
前記無機微粒子が、直方体状の無機微粒子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項７】
該感光体表面の、上記クリーニング工程から帯電工程の中心までの移動時間が１００ｍｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項８】
上記帯電工程が近接帯電方式であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項９】
上記帯電工程が回転方式（ローラー状、ベルト状）であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項１０】
前記研磨粒子を介して感光体表面を摺擦及び／又は該研磨粒子を回収する工程を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の画像形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドット状の潜像露光を感光体に露光して潜像形成を行う電子写真に係り、特に、クリーニング工程を有し、長寿命な感光体を使用した画像形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、レーザプリンタ等のデジタル電子写真装置は、その画質の良さおよび高速プリントアウトなどの特徴で注目を浴びている。
【０００３】
特にアモルファスシリコン感光体（以下、ａ−Ｓｉ感光体と称する）を使用した電子写真装置は、高感度、高安定性、高耐久性で、メンテナンス間隔が長かったり、ランニングコストの低減といった観点で好ましい。
【０００４】
図１８、図１９はデジタル電子写真装置の画像形成プロセスを示す概略図で、感光体１８０１の周辺には該感光体に近接して主帯電手段１８０２、潜像露光１８０３、現像手段１８０４、転写手段１８０８、クリーニング手段１８０６、除電手段１８０７、搬送手段１８０９などが配設してある。感光体１８０１は、特にａ−Ｓｉ感光体など耐磨耗性に優れた高耐久な感光体を使用する場合、高湿環境下での画像ボケ抑止のため、不図示の温度制御手段（ドラムヒーターと称する）を有している。
【０００５】
感光体１８０１はＸ方向に回転駆動し、主帯電手段１８０２で帯電され、潜像露光１８０３が照射されて静電潜像が形成される。該潜像は現像手段１８０４からトナーが供給されて現像される。その後、転写手段１８０８で紙などの転写材Ｐに転写、定着手段（図示せず）にて定着され、装置外に排出される。一方、転写工程後の感光体１８０１表面は、クリーニング手段１８０６であるクリーニングブレードによってクリーニングされ、更に除電手段１８０７で除電された後に、再び次の画像形成プロセスに供せられる。クリーニングされた転写残現像剤等は廃トナー容器１８０５に回収される。あるいは、不図示の搬送手段を介して、別の廃トナー容器（不図示）に回収されてもよい。なお、クリーニング手段１８０６の上流側には摺擦部材１８１０あるいは廃トナー送り羽１８１１を設ける場合もある。
【０００６】
一方、電子写真装置自体については、市場のニーズとして小型化、高生産性化、省エネルギー化が進み、高耐久な感光体を使用した電子写真装置においても、該感光体の小径化或いはより高速化、また環境ヒーターなどの加熱手段を除去すること（ドラムヒーターレスと称する）などが望まれている。
【０００７】
ａ−Ｓｉ感光体に代表される高耐久な感光体を使用したデジタル電子写真装置においては、従来の有機感光体（ＯＰＣ）等のように表面層ごと帯電生成物を削り取る手法が使用できないため、特にドラムヒーターレスでは高湿環境下で画像がボケる、いわゆる画像流れという画像欠陥が生じる場合があった。
【０００８】
更に、ａ−Ｓｉ感光体を小径化、或いは該ａ−Ｓｉ感光体を使用した電子写真装置の高速化においては、各プロセス間、特に除電工程から主帯電工程までの時間が短くなり、帯電に際して過剰な電流を必要とする為、放電生成物の増量に伴い画像流れが悪化する。また、特に小型化においては従来設けられていた磁気ブラシローラー等の摺擦部材、特に磁気ブラシも小型化、乃至は除去する必要があり、磁気ブラシによる摺擦研磨力の低下に伴う画像流れの悪化が生じる場合がある。
【０００９】
これらの問題を解決する方法として、一次粒子の平均粒径と比抵抗を規定した２種の酸化チタン微粒子で表面処理されたトナーと、ポリウレタン発泡体からなるクリーニングローラーを用いてａ−Ｓｉ感光体表面を研磨する方法が提案されている（特許文献１）。しかしながら、この方法ではスポンジローラーを使用しているため、罫線などの局在化した出力パターンを繰り返した時に、画像比率の差による研磨力の偏りが生じる場合があった。
【００１０】
局在化した出力への対応としては、磁気ブラシ部材とクリーニングブレードからなるクリーニング手段の上流側に除電光源を設け、転写残トナーの静電力を弱め、該磁気ブラシから感光体表面への廃トナー再供給を均一化する方法が提案されている（特許文献２）。  しかしながら、この方法では画像流れへの対策としては不十分である。
【００１１】
また、感光体表面の摺擦と帯電安定性を加味した方法として、クリーニング手段よりも上流側に除電手段を設け、さらに該クリーニング手段と該除電手段の間に摺擦手段を兼ねた補助帯電手段をもうける方法として、該補助帯電に注入帯電を使用する方法（特許文献３）、また平均粒径および電気抵抗値を規定した研磨剤を含有する現像剤を使用し、さらに弾性ローラーからなる補助帯電部材を使用する方法（特許文献４及び５）が提案されている。しかしながら、特許文献３の方法では補助帯電として注入帯電を使用しているため、高圧電源などの付帯装置が必要であり、コスト高を免れない。一方、特許文献４及び５の構成では、特許文献１同様に研磨力の偏りが生じる場合があった。
【００１２】
【特許文献１】特開２００５−１７５２４号公報
【特許文献２】特開平１０  −４９０１７号公報
【特許文献３】特開２００３−９１１４２号公報
【特許文献４】特開２００１−４２７３４号公報
【特許文献５】特開２００１−０５２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上述のごとき問題点を解決した画像形成方法を提供することを課題とする。具体的には、長期に渡って感光体から帯電生成物を良好に除去できるクリーニング性を維持し、画像流れ等の画像欠陥を防止し、安定した画像特性を高水準で維持できる画像形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成する為の、本発明の画像形成方法は、
（１）ａ−Ｓｉ感光体を使用し、潜像形成工程は背面露光（以下、ＢＡＥと称する。  ＢＡＥ；Ｂａｃｋ  Ａｒｅａ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）方式を用いて、クリーニング工程において平均粒径Ｄが３０〜５００ｎｍのペロブスカイト型結晶を有する無機微粒子からなる研磨粒子を介して該感光体表面を摺擦する工程を有し、更に、除電工程を、該転写工程と該クリーニング工程の間に有することを特徴とする。
（２）感光体表面の１０点平均粗さＲｚが、前記研磨剤の平均粒径Ｄの０．５〜２倍であることを特徴とする。
（３）感光体表面の最大粗さＲｍａｘが、前記研磨剤の平均粒径Ｄの３倍以下であることを特徴とする。
（４）現像剤が磁性一成分現像剤であることを特徴とする。
（５）現像剤中のトナー粒子の平均粒径、及び平均円形度が規定された範囲のものを使用することを特徴とする。
（６）画像形成時におけるクリーニング工程から帯電工程までの時間が１００ｍｓｅｃ以下であることを特徴とする。
（７）主帯電工程が近接帯電方式であることを特著とする。
（８）研磨粒子回収工程を有することを特徴とする。
（９）研磨粒子回収工程で所定の極性のバイアスを印加することを特著とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、耐磨耗性が優れたａ−Ｓｉ感光体を使用した場合でも、感光体ドラム表面に付着した帯電生成物を良好に掻き取ることができ、画像流れを防止できる。
【００１６】
また、局在化した画像や、濃度が極端に低い画像等の出力で繰り返し使用（いわゆる耐刷）した場合の研磨力やクリーニングブレードへの負荷を均一化することができ、画像流れを防止するとともに、良好なクリーニング性を維持し、またクリーニングブレードや感光体の損耗を抑制することができる。
【００１７】
感光体表面形状と研磨剤の粒径の相関を規定したことで、帯電生成物を高効率に研磨除去すると主にクリーニング工程での特に長手方向への流動性を高めることができる。
【００１８】
非接触現像方式である磁性一成分現像方式の採用で現像工程での研磨剤回収やそれに伴う現像特性の低下を抑止することができる。また、研磨剤のみならず高硬度な磁性トナーに依る感光体表面の摺擦効果も重畳される。
【００１９】
近接帯電方式、研磨剤回収工程の付与等により感光体、クリーニング手段、帯電手段性を含めたシステムの寿命を延ばすことができ、メンテナンスの負荷を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２１】
・画像形成装置構成
図１に、本発明に掛る画像形成装置の一例を示す。Ｘ方向に回転駆動される感光体１０１の周囲に、主帯電手段１０２、潜像露光１０３、現像手段１０４、転写手段１０８、クリーニング手段１０６、搬送手段１０９などが設けられる。なお、潜像露光はＢＡＥ（詳細は後述する）を採用し、また除電手段１０７は転写手段１０８からクリーニング手段１０６の間に配される。
【００２２】
デジタル画像形成方法では、画像情報と露光部との関係で、大きく分けて２つの方式がある。１つは画像部を露光するイメージ露光法（以下、ＩＡＥという）、もう１つは非画像部（背景部）を露光する背面露光法（ＢＡＥ）である。
【００２３】
ＢＡＥはアナログ画像形成方式と同じでいわゆる正規現像方式、ＩＡＥは感光体と現像剤が逆極性の反転現像方式が採用される。
【００２４】
図１０は、左側部にＩＡＥの１ラインの状態、即ち１ラインのみ光ビームＯＮの状態を、右側部にＢＡＥの１ラインの状態、即ち１ラインのみ光ビームＯＦＦの潜像状態と、現像バイアスのＤＣ成分を示している。実線は現像工程時の感光体表面電位、破線は図１８乃至図１９の如き画像形成装置を使用した場合の、クリーニング工程時の感光体表面電位である。また、現像バイアスはＩＡＥにおいてＶｄｉ、ＢＡＥにおいてＶｄｂである。
【００２５】
現像剤は静電付着力により感光体表面に現像されるが、該静電付着力は、各々ΔＶｌ１＝Ｖｄｉ−Ｖｉ、ΔＶｈ１＝Ｖｂ−Ｖｄｂのコントラストに起因する。
【００２６】
クリーニング工程突入時には、感光体の表面電位が減衰し、破線のような状態になっている。上記の静電付着力にかかるコントラストは、ＩＡＥでは各々ΔＶｌ１がΔＶｌ２へ増加し、ＢＡＥではΔＶｈ１がΔＶｈ２へと低減する。ＢＡＥでは現像剤の付着力が低減することにより、クリーニング工程において、現像剤が感光体の長手方向へ移動しやすくなり、転写残現像剤や研磨粒子等がクリーニングブレードで均一に均される。また、感光体電位の減衰に伴い、画像部と非画像部の電位差が減少することも有効に働く。
【００２７】
本発明の系では、クリーニング工程に突入する前に除電工程を通過するため、クリーニング工程時には、図１０の一点鎖線の様に、更に低電位でまた画像部と非画像部の電位差が低減され、ＢＡＥでより有効に作用する。特に、ａ−Ｓｉ感光体はＯＰＣ等と比較して電位の減衰が大きいため、より効果的である。
【００２８】
ＩＡＥでは非画像部（背景部）の電位が画像部より高い為、転写分離性能に関してはＩＡＥよりもＢＡＥの方がラチチュードは広く、この点でもＢＡＥが有利である。
・無機微粒子
感光体表面に付着する帯電生成物を除去する為の研磨剤である無機微粒子としては、平均粒径Ｄが３０〜５００ｎｍのペロブスカイト型結晶を有する無機微粒子が好ましい。
【００２９】
ペロブスカイト型の結晶構造を有する材料としては、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム等が挙げられる。該研磨粒子は、平均粒径が３０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。より好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍである。この範囲のとき、充分な研磨作用と、更にはクリーニングブレードニップ部での潤滑剤としての作用により、画像流れを効果的に防止しつつ良好なクリーニング性を維持し、該クリーニングブレードや感光体の損耗を抑止して、長期に良好な画像を得ることができる。
【００３０】
３０ｎｍ以下の小粒径では研磨作用が低減するほか、クリーニングブレードをすり抜ける量が多く、除電光や潜像露光などの、感光体への照射を妨げる場合がる。また、凝集性が高くなり、流動性即ちクリーニングブレードへの均一供給性が低下したり、大粒径の２次粒子となって、クリーニングブレード乃至は感光体の損耗が生じる場合があった。一方、５００ｎｍを超えるような大粒径の場合には、クリーニングブレードと感光体のニップ近傍、特に楔形の部位に侵入しにくく、充分な研磨作用が得られない場合がる。また、該領域に進入しにくくクリーニングブレードニップ部での充分な潤滑作用を得難くなり、クリーニングブレード乃至は感光体の損耗が生じる場合があった。
【００３１】
６００ｎｍ以上の粒径を有する凝集体の含有率が１個数％以下であれば、良好な結果が得られる。６００ｎｍ以上の粒子及び凝集体を、１個数％を超えて含有している場合には、一次粒径が５００ｎｍ未満であっても、静電荷潜像担持体にキズが発生する場合があったが、ＢＡＥ，ａ−Ｓｉとの組合せで、クリーニング工程において、該凝集体がほぐされ易くなるので、１個数％以下に抑制することが容易となり好適である。
【００３２】
無機微粒子の平均粒径については、電子顕微鏡にて５万倍の倍率で撮影した写真から１００個の粒径を測定して、その平均を求めた。粒径は、一次粒子の最長辺をａ、最短辺をｂとしたとき、（ａ＋ｂ）／２として求めた。また、本発明で用いるペロブスカイト型結晶無機微粒子中の、粒子形状が稜線乃至は角を有する、具体的には直方体状である粒子の含有率を５０個数％以上にすることで、更に効率的に帯電生成物の除去が行えるので好ましい。
【００３３】
更に本発明において、研磨粒子を現像剤に添加する場合は、トナー粒子に対する遊離率は２０体積％以下であることが好ましく、１５体積％以下が更に好ましい。ここで遊離率とは、トナー粒子から遊離したペロブスカイト型結晶無機微粒子の割合を体積％で求めたものであり、パーティクルアナライザー（ＰＴ１０００：横河電機（株）製）により公知の原理（非特許文献１）で測定されたものである。
【００３４】
該研磨粒子の形状は、不定形でも構わないが、稜線或いは角を有する形状が好ましい。例えば図１３乃至図１４の如き、直方体状であることが好ましい。
【００３５】
本発明で用いるペロブスカイト型結晶の無機微粒子は、周知の焼結・粉砕法で製造できる。
【００３６】
また、直方体状の微粉体は、例えば、硫酸チタニル水溶液を加水分解して得た含水酸化チタンスラリーのｐＨを調整して得たチタニアゾルの分散液に、ストロンチウムの水酸化物を添加して、反応温度まで加温することで合成することができる。該含水酸化チタンスラリーのｐＨは０．５〜１．０とすることで、良好な結晶化度及び粒径のチタニアゾルが得られる。
【００３７】
また、チタニアゾル粒子に吸着しているイオンを除去する目的で、該チタニアゾルの分散液に、水酸化ナトリウムの如きアルカリ性物質を添加することが好ましい。このときナトリウムイオン等を含水酸化チタン表面に吸着させないために、該スラリーのｐＨを７以上にしないことが好ましい。また、反応温度は６０℃〜１００℃が好ましく、所望の粒度分布を得るためには昇温速度を３０℃／時間以下にすることが好ましく、反応時間は３〜７時間であることが好ましい。
【００３８】
上記の如き方法により製造された無機微粒子を脂肪酸又はその金属塩で表面処理を行う方法としては以下の方法がある。たとえば、Ａｒガス又はＮ2ガス雰囲気下、無機微粒子スラリーを脂肪酸ナトリウム水溶液中に入れ、ペロブスカイト型結晶表面に脂肪酸を析出させることができる。また、たとえばＡｒガス又はＮ2ガス雰囲気下、無機微粒子スラリーを脂肪酸ナトリウム水溶液中に入れ、撹拌しながら、所望の金属塩水溶液を滴下することで、ペロブスカイト型結晶表面に脂肪酸金属塩を析出，吸着させることができる。例えばステアリン酸ナトリウム水溶液と硫酸アルミニウムを用いればステアリン酸アルミニウムを吸着させることができる。
【００３９】
【非特許文献１】「Ｊａｐａｎ  Ｈａｒｄｃｏｐｙ  ９７論文集」６５〜６８頁（発行者：電子写真学会、発行日：１９９７年７月９日）
【００４０】
・感光体（ａ−Ｓｉ）
画像形成システムのメンテナンス負荷低減の為に、感光体は長寿命な感光体が好ましい。ａ−Ｓｉ感光体は、耐磨耗性、耐久に伴う電位安定性などに優れた長寿命感光体である。
【００４１】
図１１は、ａ−Ｓｉ感光体の層構成の例を説明するための模式的構成図である。感光体１１００は、支持体１１０１の上に、感光層１１０２が設けられている。該感光層１１０２は光導電層１１０３と、表面層１１０４と、必要に応じて設けられる電荷注入阻止層１１０５、同１１０６とから構成され、各層は周知のａ−Ｓｉ感光体用材料、及びプラズマＣＶＤなど周知の製造方法で作製できる。
【００４２】
なお、本発明に掛る感光体は、その表面形状が規定された感光体であることが好ましい。
【００４３】
感光体表面の１０点平均粗さＲｚとしては、前記無機微粒子が効果的に流動したり、或いは該無機微粒子等の凝集体をほぐすために、該無機微粒子の平均粒径Ｄの０．５〜２倍（０．５≦Ｒｚ／Ｄ≦２．０）であることが好ましい。
【００４４】
該Ｒｚ／Ｄは、大きすぎると、前記無機微粒子が効果的に流動することができない。一方、小さすぎても前記無機微粒子の転がりが生じ難くなる。
【００４５】
同様の理由から、感光体表面の最大粗さＲｍａｘは、前記研磨剤の平均粒径Ｄの３倍以下であることが好ましい。
【００４６】
該ａ−Ｓｉ感光体の表面形状は、例えば支持体の切削や、回転ボールミル等による処理を行い、該支持体の表面形状を調整した上で感光層を形成することでの制御することができる。
【００４７】
具体的には、アルミシリンダー等の支持体を切削する際のバイトの種類、角度、或いは切削ピッチの調整により、該支持体の表面形状を制御することができる。また、一般にＣＶＤで製造されるａ−Ｓｉ感光体は、図１２の如く、該支持体の表面形状に応じた表面形状を有する。
【００４８】
また、ａ−Ｓｉ感光層成膜時の原料ガスの流量やプラズマ放電電力、基板温度等の成膜条件を調整することで該感光層の表面粗さを調整することができる。例えば、プラズマＣＶＤで製造する場合、原料ガス流量を増やすとともに、放電電力／原料ガス流量比を増加させるとＲｚ、Ｒｍａｘが増加傾向になるなどである。
【００４９】
さらに、作製された感光体の表面を、研磨テープなどを用いて研磨し、表面形状を制御することも可能である。
【００５０】
これら表面形状を制御する手法は、単独で制御しても、また複合的に制御しても良い。
【００５１】
本発明における表面形状とは、クリーニングブレードの長手方向に相当する方向の表面形状Ｒｚ、Ｒｍａｘを指し、ＪＩＳＢ０６０１：１９８２で定義されるものであり、該ＪＩＳＢ０６０１：１９８２に対応した表面粗さ測定装置で測定することができる。
【００５２】
・現像剤
現像剤としては周知の現像剤を使用できるが、特に高速・超寿命のシステムにおいては、現像手段もメンテナンスフリーであることが好ましく、非接触磁性一成分現像方式であるジャンピング現像方式が、ａ−Ｓｉ感光体の画像形成装置などで実用化されている。
【００５３】
ジャンピング現像はまた、非接触現像であるが故に、上述の研磨剤がクリーニング工程等からのすり抜けを生じても、現像手段への回収をし難く、該研磨剤の現像手段中での濃縮等に起因する画像特性の変動を防止できる。また、トナーが磁性トナーであり、磁性体による研磨作用付加や摺擦回収部材として磁性体を利用できるなどの付加的な作用も期待できる。
【００５４】
磁性一成分現像剤は磁性トナー粒子と、外添剤からなる現像剤であるが、該磁性トナー粒子の粒子径は高画質、高精細から小さい方が好ましい。一方、小さすぎるとトナークリーニングが困難になる場合がある。また、一般にトナー粒径が小さくなると、付着力に対する静電的付着力の寄与率が小さくなり、本発明におけるＢＡＥの作用効果の観点からも小さすぎない方が好ましい。該トナー粒子の重量平均粒子径Ｘ（μｍ）は、４μｍ乃至１２μｍが好ましい範囲である。
【００５５】
更に、フロー式粒子像測定装置で計測される円相当径３μｍ以上４００μｍ以下のトナー粒子における平均円形度が０．９３０以上０．９７０未満（好ましくは０．９３５以上０．９７０未満）であることが好ましい。平均円形度ａは高い方が離形性に優れる、即ち付着力を低減できクリーニング性に有利であるほか、転写効率も向上する。一方、球形など、円形度が高すぎる場合にはクリーニングブレード部での流動性が低下し上記研磨剤等を該クリーニングブレードの長手方向に均一に均すさよう蛾低下してしまう。結果として、上記研磨粒子の作用や、クリーニング性の低下を招く場合がある。
【００５６】
円形度はトナー粒子の、凹凸の度合いの指標であり、トナーが完全な球形の場合１．００を示し、表面形状が複雑になるほど円形度は小さな値となる。
【００５７】
平均円形度は、粒子の形状を定量的に表現する簡便な方法として用いたものであり、本発明ではシスメックス社製フロー式粒子像分析装置ＦＰＩＡ−２１００を用いて２３℃、６０％ＲＨの環境下で測定を行い、円相当径０．６０μｍ〜４００μｍの範囲内の粒子を測定し、そこで測定された粒子の円形度ａ’を下式（１）により求め、更に円相当径３μｍ以上４００μｍ以下の粒子において、該円形度ａ’の総和を全粒子数で除した値を平均円形度ａと定義する。
円形度ａ’＝Ｌ０／Ｌ                    （１）
〔式中、Ｌ０は粒子像と同じ投影面積を持つ円の周囲長を示し、Ｌは５１２×５１２の画像処理解像度（０．３μｍ×０．３μｍの画素）で画像処理した時の粒子投影像の周囲長を示す。〕
【００５８】
具体的な測定方法としては、容器中に予め不純固形物などを除去したイオン交換水１０ｍｌを用意し、その中に分散剤として界面活性剤、好ましくはアルキルベンゼンスルホン酸塩を加えた後、更に測定試料を０．０２ｇ加え、均一に分散させる。分散させる手段としては、超音波分散機「Ｔｅｔｏｒａ１５０型」（日科機バイオス社製）を用い、２分間分散処理を行い、測定用の分散液とする。その際、該分散液の温度が４０℃以上とならない様に適宜冷却する。また、円形度のバラツキを抑えるため、フロー式粒子像分析装置ＦＰＩＡ−２１００の機内温度が２６〜２７℃になるよう装置の設置環境を２３℃±０．５℃にコントロールし、一定時間おきに、好ましくは２時間おきに２μｍラテックス粒子を用いて自動焦点調整を行う。
【００５９】
トナー粒子の円形度測定には、前記フロー式粒子像測定装置を用い、測定時のトナー粒子濃度が３０００〜１万個／μｌとなる様に該分散液濃度を再調整し、トナー粒子を１０００個以上計測する。計測後、このデータを用いて、円相当径３μｍ未満のデータをカットして、トナー粒子の平均円形度を求める。
【００６０】
円形度ａ’の個数基準の円形度分布において、０．９００以上の円形度ａ’を有する粒子が９０個数％以上存在することが好ましい。平均円形度を制御した作用が有効に働き、上記クリーニング性や、クリーニングブレード長手方向の均一性を好適に維持できる。
【００６１】
本発明の磁性トナー粒子の製造には、周知の粉砕法、重合法など、周知の方法を使用することができる。また、製造手段も混合機、混練機、粉砕機、分級機、篩い装置、何れも公知の装置を使用することができる。また、円形度の制御も公知の機械式や熱による表面改質手段を使用したり、重合条件を調整して制御することができる。また、トナー粒子に使用する結着樹脂、磁性体、ワックス等の添加剤、またトナー粒子に外添する添加剤は周知の物を使用することができる。
【００６２】
・帯電方式
帯電方式はコロナ帯電方式、接触帯電方式、またこれらの中間に位置する、いわゆる近接帯電方式など、周知の帯電方式が使用できる。
【００６３】
また、印加するバイアスも、ＤＣバイアスのみでも、ＤＣバイアスにＡＣバイアスを重畳（ＡＣ／ＤＣと称する）してもよい。
【００６４】
一般にコロナ帯電方式よりも接触帯電方式、近接帯電方式の方が、発生するオゾンやＮＯｘ等の生成物の量が少ない。また、該接触、および近接帯電方式は、小型での帯電性能に優れ、画像形性装置を小型化する場合に有効である。
【００６５】
近接帯電方式は、接触帯電とほぼ同等のバイアスで、また感光体に接触していないため帯電部材表面が汚染され難い、更に該感光体と該帯電手段の空隙部で気流が生じるため、帯電生成物が帯電領域に蓄積され難い。
【００６６】
近接帯電方式において、感光体と帯電手段の空隙間隔は、最近接部で５００μｍ以下、好ましくは２０〜３００μｍ、より好ましくは１００μｍ以下であり、感光体との距離が大きい（数ｍｍ）コロナ帯電とは区別されるものである。
【００６７】
この空隙は、大きすぎた場合には帯電が不安定になりやすく、また、小さすぎた場合には、感光体に残留した研磨粒子等が存在する場合に、帯電部材表面が汚染されてしまう可能性がある。
【００６８】
帯電手段の形状は、例えば図３、図４−１〜４−２のように電極を感光体に近接させた状態で固定した方式であっても、或いは図５のようにローラー乃至はベルト状の可動の物であっても良い。感光体との空隙が維持できるように、帯電手段端部にスペーサーなどの部材を設けることもできる。近接帯電部材の材料は周知の物が使用できるが、接触帯電手段と比較して高硬度に設定されるのが一般的である。空隙を維持できる硬度であれば良い。
【００６９】
特に可動式の場合、実質的に表面積を稼ぐことができ、部材を長寿命化できるとともに、感光体の表面移動に同期させて稼動することで、上記気流を、より好適に形成できる。
【００７０】
・摺擦、回収機構
上記研磨剤を介して該感光体表面を摺擦、及び／又は該研磨剤を回収する機構を有しても良い。
【００７１】
摺擦・回収機構としては、ファーブラシ、弾性部材、磁気ブラシ等、周知の部材を使用することができる、クリーニングブレードとは別に摺擦・回収工程を設けることで、該クリーニングブレードにおける感光体摺擦研磨の負荷を低減でき、該クリーニングブレードの損耗を抑止するのに効果的である。
【００７２】
その形態も周知の物を使用することができる。
【００７３】
弾性部材はＡｓｋｅｒＣ硬度で５〜４０°の範囲が好ましい。４０°を超える硬い弾性部材では、感光体の損耗が生じる場合がある。また、５°未満の低硬度の弾性部材では、弾性部材の当接圧が低くなり、摺擦効果が低下したり、弾性部材が破損したり、外径が変化するなど、上記の耐久に耐えない場合があった。
【００７４】
ファーブラシは、材質にもよるが、０．５６〜３．３３ｔｅｘ（５Ｄ〜３０Ｄ）のファーブラシである時に良好な結果が得られた。０．５６ｔｅｘ未満の場合にはファーが損耗や変形したり、摺擦効果が不充分であった。また０．３３ｔｅｘを超える場合には感光体の損耗が生じる場合があった。
【００７５】
これらの部材は、感光体表面に対して相対速度差を持って駆動されることも摺擦・回収作用が向上するので好ましい。また、特に長期放置後は、該放置により帯電生成物が蓄積している場合がある。該放置後の画像形成前等では上記摺擦・回収機構の駆動速度を、相対速度差を大きくなる様にして、摺擦性を向上させるなど、通常の画像形成時とは異なる速度で駆動することも好ましい。
【００７６】
該摺擦部材の駆動条件として、感光体の面速度に対する相対速度［％］は、部材の材料の物性、感光体の面速度や侵入圧等にもよるが、概ね−１００〜＋２００％が良好な範囲である。−１０〜＋１０％、および略連れ回りの＋９０〜＋１１０％以外が、より好ましい。
【００７７】
なお、該相対速度［％］は、＋は感光体に対し順方向、−はカウンター方向であり、例えば＋１００％は感光体と連れ回る状態、０％は停止状態、−１００％は、感光体面速度と同速度でカウンター方向に回転している状態を指す。
【００７８】
該相対速度の差は大きい方が良いが、大きすぎると部材の損耗が発生したりする場合がある。また、クリーニング手段外に摺擦・回収部材を設置する場合など、遠心力等により無機微粒子の飛散が発生する場合がある。
【００７９】
一方、摺擦・回収機構がブレード状の場合は、該機構の簡略化の観点で好ましい。該摺擦・回収用部材としては、クリーニングブレードと同様の材料を使用することができ、特に摺擦・回収性のため、感光体との当接ニップ巾を広げたり、当接圧を上げることが好ましい。該ブレードはトナークリーニングを主目的としているわけではないので、感光体に対して設定角を鈍角に設定する等、設置条件を選択することにより摺擦・研磨性と該部材の長寿命を両立することができる。
【００８０】
また、これらの摺擦・回収部材において、該研磨剤を回収する為、該研磨剤とは逆極性のバイアスを印加することも好ましい。
【実施例】
【００８１】
以下、図に基づいて本発明の一実施形態を説明するが、本発明は本実験例に何ら制限されるものではない。
【００８２】
｛無機微粒子製造例｝
下記製造例にて、チタン酸ストロンチウムからなる研磨粒子を作製した。
【００８３】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  １＞
四塩化チタン水溶液にアンモニア水を添加することにより加水分解して得られた含水酸化チタンを純水で洗浄し、該含水酸化チタンのスラリーに含水酸化チタンに対するＳＯ3として０．３％の硫酸を添加した。次に、該含水酸化チタンのスラリーに塩酸を添加して、ｐＨを０．６に調整してチタニアゾル分散液を得た。該チタニアゾル分散液にＮａＯＨを添加し、分散液のｐＨを５．０に調整し、上澄み液の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍになるまで洗浄をくり返しした。
【００８４】
該含水酸化チタンに対し、０．９７倍モル量のＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏを加えてＳＵＳ製の反応容器に入れ、窒素ガス置換した。更に、ＳｒＴｉＯ3換算で０．６ｍｏｌ／リットルになるように蒸留水を加えた。窒素雰囲気中で該スラリーを６０℃まで１０℃／時間で昇温し、６０℃に到達してから７時間反応を行った。反応後室温まで冷却し、上澄み液を除去した後、純水で洗浄をくり返し、その後、ヌッチェで濾過を行った。得られたケーキを乾燥し、焼結工程を経由していないチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。このチタン酸ストロンチウム微粒子を無機微粒子Ａとした。該無機微粒子Ａの物性を表１に示す。
【００８５】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  ２＞
四塩化チタン水溶液にアンモニア水を添加することにより加水分解して得られた含水酸化チタンを純水で洗浄し、該含水酸化チタンのスラリーに含水酸化チタンに対するＳＯ３として０．２５％の硫酸を添加した。次に、該含水酸化チタンのスラリーに塩酸を添加して、ｐＨを０．６５に調整してチタニアゾル分散液を得た。該チタニアゾル分散液にＮａＯＨを添加し、分散液のｐＨを４．７に調整し上澄み液の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍになるまで洗浄をくり返しした。
【００８６】
該含水酸化チタンに対し、０．９５倍モル量のＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏを加えてＳＵＳ製反応容器に入れ、窒素ガス置換した。さらにＳｒＴｉＯ3換算で０．６ｍｏｌ／リットルになるように蒸留水を加えた。
【００８７】
窒素雰囲気中で該スラリーを６５℃まで１０℃／時間で昇温し、６５℃に到達してから８時間反応を行った。反応後室温まで冷却し、上澄み液を除去した後純水で洗浄をくり返した。
【００８８】
さらに窒素雰囲気下、上記スラリーをスラリーの固形分に対して２質量％のステアリン酸ナトリウムを溶解した水溶液中に入れ、撹拌しながら、硫酸マグネシウム水溶液を滴下して、ペロブスカイト型結晶表面にステアリン酸マグネシウムを析出させた。
【００８９】
該スラリーを純水でくり返し洗浄した後ヌッチェで濾過し、得られたケーキを乾燥してステアリン酸マグネシウムで表面処理したチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。この焼結工程を経由していない表面処理されたチタン酸ストロンチウム微粒子を無機微粒子Ｂとする。該無機微粒子Ｂの物性を表１に示す。
【００９０】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  ３＞
上記製造例２に対し、添加する硫酸の量やｐＨ、スラリー昇温温度や反応時間を調整してチタン酸ストロンチウム微粒子からなる無機微粒子Ｃを得た。該無機微粒子Ｃの物性を表１に示す。
【００９１】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  ４＞
硫酸チタニル水溶液を加水分解して得られた含水酸化チタンスラリーをアルカリ水溶液で洗浄した。次に、該含水酸化チタンのスラリーに塩酸を添加して、ｐＨを０．７に調整してチタニアゾル分散液を得た。該チタニアゾル分散液にＮａＯＨを添加し、分散液のｐＨを５．０に調整し、上澄み液の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍになるまで洗浄をくり返しした。
【００９２】
該含水酸化チタンに対し、０．９８倍モル量のＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏを加えてＳＵＳ製の反応容器に入れ、窒素ガス置換した。更に、ＳｒＴｉＯ3換算で０．５ｍｏｌ／リットルになるように蒸留水を加えた。窒素雰囲気中で該スラリーを８０℃まで７℃／時間で昇温し、８０℃に到達してから６時間反応を行った。反応後室温まで冷却し、上澄み液を除去した後、純水で洗浄をくり返し、その後、ヌッチェで濾過を行った。得られたケーキを乾燥し、焼結工程を経由していないチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。このチタン酸ストロンチウム微粒子を無機微粒子Ｄとした。該無機微粒子Ｄの物性を表１に示す。
【００９３】
また無機微粒子Ｄの電子顕微鏡にて５万倍の倍率で撮影した写真を図１３に示す。図１３において、平均１次粒径Ｄが１００ｎｍの直方体状のチタン酸ストロンチウム微粒子が見える。
【００９４】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  ５＞
硫酸チタニル水溶液を加水分解して得られた含水酸化チタンスラリーをアルカリ水溶液で洗浄した。次に、該含水酸化チタンのスラリーに塩酸を添加して、ｐＨを０．８に調整してチタニアゾル分散液を得た。該チタニアゾル分散液にＮａＯＨを添加し、分散液のｐＨを５．０に調整し、上澄み液の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍになるまで洗浄をくり返しした。
【００９５】
該含水酸化チタンに対し、０．９５倍モル量のＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏを加えてＳＵＳ製の反応容器に入れ、窒素ガス置換した。更に、ＳｒＴｉＯ3換算で０．７ｍｏｌ／リットルになるように蒸留水を加えた。窒素雰囲気中で該スラリーを６５℃まで８℃／時間で昇温し、６５℃に到達してから５時間反応を行った。反応後室温まで冷却し、上澄み液を除去した後、純水で洗浄をくり返し、その後、ヌッチェで濾過を行った。得られたケーキを乾燥し、焼結工程を経由していないチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。このチタン酸ストロンチウム微粒子を無機微粒子Ｅとした。該無機微粒子Ｅの物性を表１に示す。
【００９６】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  ６＞
上記製造例５に対して、ｐＨ、加えるＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏの、含水酸化チタンに対するモル量、スラリー昇温温度や反応時間を調整してチタン酸ストロンチウム微粒子Ｆを得た。該無機微粒子Ｆの物性を表１に示す。
【００９７】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  ７＞
硫酸チタニル水溶液を加水分解して得られた含水酸化チタンスラリーをアルカリ水溶液で洗浄した。次に、該含水酸化チタンのスラリーに塩酸を添加して、ｐＨを１．５に調整してチタニアゾル分散液を得た。該チタニアゾル分散液にＮａＯＨを添加し、分散液のｐＨを５．３に調整し上澄み液の電気伝導度が１００μＳ／ｃｍになるまで洗浄をくり返しした。
【００９８】
該含水酸化チタンに対し、１．０７倍モル量のＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏを加えてＳＵＳ製反応容器に入れ、窒素ガス置換した。さらにＳｒＴｉＯ3換算で０．３ｍｏｌ／リットルになるように蒸留水を加えた。
【００９９】
窒素雰囲気中で該スラリーを８７℃まで７０℃／時間で昇温し、８７℃に到達してから５時間反応を行った。反応後室温まで冷却し、上澄み液を除去した後純水で洗浄をくり返した。
【０１００】
さらに窒素雰囲気下、上記スラリーをスラリーの固形分に対して１質量％のステアリン酸ナトリウムを溶解した水溶液中に入れ、撹拌しながら、硫酸亜鉛水溶液を滴下して、ペロブスカイト型結晶表面にステアリン酸亜鉛を析出させた。
【０１０１】
該スラリーを純水でくり返し洗浄した後ヌッチェで濾過し、得られたケーキを乾燥してステアリン酸亜鉛で表面処理したチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。この一次粒子の平均粒径が３２０ｎｍのチタン酸ストロンチウム微粒子をＧとした。無機微粒子Ｇの物性を表１に示す。
【０１０２】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  ８＞
四塩化チタン水溶液にアンモニア水を添加することにより加水分解して得られた含水酸化チタンを上澄み液の電気伝導度が９０μＳ／ｃｍになるまで純水で洗浄した。
【０１０３】
該含水酸化チタンに対し、１．５倍モル量のＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏを加えてＳＵＳ製反応容器に入れ、窒素ガス置換した。さらにＳｒＴｉＯ3換算で０．２ｍｏｌ／リットルになるように蒸留水を加えた。
【０１０４】
窒素雰囲気中で該スラリーを８０℃まで１５℃／時間で昇温し、８０℃に到達してから５時間反応を行った。反応後室温まで冷却し、上澄み液を除去した後純水で洗浄をくり返した」。
【０１０５】
さらに窒素雰囲気下、上記スラリーをスラリーの固形分に対して１８質量％のステアリン酸ナトリウムを溶解した水溶液中に入れ、撹拌しながら、硫酸亜鉛水溶液を滴下して、ペロブスカイト型結晶表面にステアリン酸亜鉛を析出させた。
【０１０６】
該スラリーを純水でくり返し洗浄した後ヌッチェで濾過し、得られたケーキを乾燥してステアリン酸亜鉛で表面処理したチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。この一次粒子の平均粒径が３５０ｎｍのチタン酸ストロンチウム微粒子Ｈとした。該無機微粒子Ｈの物性を表１に示す。
【０１０７】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例  ９＞
製造例８に対して、上澄み液の電気伝導度、加えるＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏの量、昇温温度や反応時間を調整して、一次粒子の平均粒径が４２０ｎｍのチタン酸ストロンチウム微粉体Ｉとした。該無機微粒子Ｉの物性を表１に示す。
【０１０８】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例１０＞
製造例８に対して、上澄み液の電気伝導度、加えるＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏの量、昇温温度や反応時間を調整して、一次粒子の平均粒径が５００ｎｍのチタン酸ストロンチウム微粒子Ｊとした。該無機微粒子Ｊの物性を表１に示す。
【０１０９】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例１１＞
一次粒子の平均粒径が１３０ｎｍの、結晶形状が不定形のチタン酸ストロンチウム微粒子Ｋとした。該無機微粒子Ｋの物性を表１に示す。
【０１１０】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例１２＞
一次粒子の平均粒径が２８０ｎｍの、結晶形状が不定形のチタン酸ストロンチウム微粒子Ｌとした。該無機微粒子Ｌの物性を表１に示す。
【０１１１】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の製造例１３＞
無機微粉体Ｅを１０００℃で焼結した後に解砕して焼結工程を経由したチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。一次粒子の平均粒径が５０ｎｍであり、不定形な粒子形状を有するチタン酸ストロンチウム微粒子を無機微粒子Ｍとした。該無機微粒子Ｍの物性を表１に示す。
【０１１２】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の比較製造例１＞
硫酸チタニル水溶液を加水分解して得られた含水酸化チタンスラリーをアルカリ水溶液で洗浄した。次に、該含水酸化チタンのスラリーに塩酸を添加して、ｐＨを４．０に調整してチタニアゾル分散液を得た。該チタニアゾル分散液にＮａＯＨを添加し、分散液のｐＨを８．０に調整し、上澄み液の電気伝導度が１００μＳ／ｃｍになるまで洗浄をくり返しした。
【０１１３】
該含水酸化チタンに対し、１．０２倍モル量のＳｒ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏを加えてＳＵＳ製の反応容器に入れ、窒素ガス置換した。更に、ＳｒＴｉＯ3換算で０．３ｍｏｌ／リットルになるように蒸留水を加えた。窒素雰囲気中で該スラリーを９０℃まで３０℃／時間で昇温し、９０℃に到達してから５時間反応を行った。反応後室温まで冷却し、上澄み液を除去した後、純水で洗浄をくり返し、その後、ヌッチェで濾過を行った。得られたケーキを乾燥し、一次粒子の平均粒径が２５ｎｍのチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。このチタン酸ストロンチウム微粒子を比較粉体Ａとした。該比較粉体Ａの物性を表１に示す。
【０１１４】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の比較製造例２＞
一次粒子の平均粒径が６２０ｎｍのチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。このチタン酸ストロンチウム微粒子を比較微粒子Ｂとした。該比較微粒子Ｂの物性を表１に示す。
【０１１５】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粉体の比較製造例３＞
一次粒子の平均粒径が２４ｎｍの、結晶形状が不定形なチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。このチタン酸ストロンチウム微粒子を比較微粒子Ｃとした。該比較微粒子Ｃの物性を表１に示す。
【０１１６】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の比較製造例４＞
一次粒子の平均粒径が５３０ｎｍの、結晶形状が不定形なチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。このチタン酸ストロンチウム微粒子を比較微粒子Ｄとした。該比較微粒子Ｄの物性を表１に示す。
【０１１７】
＜ペロブスカイト型結晶無機微粒子の比較製造例５＞
炭酸ストロンチウム６００ｇと酸化チタン３５０ｇをボールミルにて、８時間湿式混合した後、ろ過乾燥し、この混合物を１０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で成形して１２００℃で７時間焼結した。これを、機械粉砕して、焼結工程を経由した一次粒子の平均粒径が７００ｎｍチタン酸ストロンチウム微粒子を得た。このチタン酸ストロンチウム微粒子を比較微粒子Ｅとした。該比較微粒子Ｅの物性を表１に示す。
【０１１８】
【表１】
2007292985.tif 000003
【０１１９】
｛感光体製造例｝
下記製造例にて、ａ−Ｓｉ感光体を作製した。
【０１２０】
外径３０ｍｍ（φ３０と記載する）の支持体１１０１の表面を、市販の切削旋盤を使用して切削した。Ｒ形状のバイトの種類を振った支持体、平バイトの設置角度及び侵入量を制御した支持体を作製した。また、回転ボールミルを用い、粒径の異なる金属球をシリンダーに衝突させ、不規則な形状の支持体を作製した。なお、該ａ−Ｓｉ感光体の分光感度ピークは大略６６０〜７００ｎｍ、また表面層の抵抗率は２×１０16Ω・ｃｍであった。
【０１２１】
感光層の成膜状件は下表２の条件に固定し、ＲＦ−ＣＶＤで成膜して、正帯電のａ−Ｓｉ感光体Ｐ０１〜Ｐ０５を作製した。また、Ｐ０１等同一の方法で作製した感光体をバフ研磨し、Ｐ０６〜Ｐ０７を得た。
【０１２２】
【表２】
2007292985.tif 000004
【０１２３】
作製した感光体Ｐ０１〜Ｐ０７の表面形状を、表面粗さ測定器（サーフコーダＳＥ−３４００：コサカ研究所製）を用い、測定長８ｍｍ、速度０．０５ｍｍ／ｓｅｃ、カットオフλｃ０．８ｍｍ、ＪＩＳ１９８２モードにて、該感光体の長手方向で測定した。結果を表３に示す。
【０１２４】
【表３】
2007292985.tif 000005
【０１２５】
なお、本例では詳細は割愛するが、プラズマＣＶＤの条件を振ることでも表面形状を制御できる。例えば、ガス流量を増加させるとともに、放電電力／ガス流量を増加させるとＲｚやＲｍａｘが増加する、などである。
【０１２６】
上記で作製した無機微粒子Ａ〜比較微粒子Ｅの平均１次粒径Ｄ（表１参照）を、感光体Ｐ０１〜Ｐ０７の表面形状Ｒｚ、Ｒｍａｘ（表３参照）で除した結果を下表４、同５に各々示す。
【０１２７】
【表４】
2007292985.tif 000006
【０１２８】
【表５】
2007292985.tif 000007
【０１２９】
｛現像剤製造例｝
下記製造例にて、トナー粒子、及び各種添加剤からなる現像剤を作製した。
【０１３０】
周知のポリエステル系結着樹脂１００質量部、磁性酸化鉄１００質量部、モノアゾ鉄化合物２質量部、サリチル酸Ａｌ化合物１質量部、フィッシャートロプシュワックス（ＤＳＣピークトップ温度＝１０４℃、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８）４質量部の混合物をヘンシェルミキサーで前混合した後、１３０℃に加熱された２軸エクストルーダで溶融混練し、冷却した混練物をハンマーミルで粗粉砕してトナー粗粉砕物を得た。
【０１３１】
得られた粗粉砕物を、機械式粉砕機ターボミルを用いて、粉砕機入り口エアー温度を−１５℃、出口エアー温度を４８℃、粉砕ローター及びライナーを冷却する冷媒の温度を−５℃に調整して機械式粉砕させて微粉砕し、得られた微粉砕物をコアンダ効果を利用した多分割分級装置（日鉄鉱業社製エルボジェット分級機）で微粉及び粗粉を同時に厳密に分級除去した。その後、機械式表面改質装置を用いて種々の円形度のトナー粒子を作製した。
【０１３２】
該トナー粒子に１００質量部に、ＢＥＴ２００ｍ2／ｇの乾式シリカに疎水化処理を施した、疎水化シリカ粒子１．５質量部を、ヘンシェルミキサーで混合して、重量平均粒子径Ｘが６．４μｍで、下表６に示すような平均円形度の負帯電性トナーＴ１〜Ｔ１１を得た。
【０１３３】
【表６】
2007292985.tif 000008
【０１３４】
｛摺擦・回収部材製造例｝
下記製造例にて、各種摺擦・回収部材を作製した。
【０１３５】
＜摺擦・回収部材の製造例  １＞  弾性ローラー
周知の方法で、φ８の芯金上にカーボンを分散した発泡ウレタンからなる弾性ローラーＤＲ１を作製した。該弾性ローラーＤＲ１は、平均孔径がφ１００μｍの単泡セルを多数有する。Ａｓｋｅｒ−Ｃ硬度は２０度で、感光体に０．５ｍｍ侵入するように設置した。また、クリーニング装置内には、該弾性ローラーに０．２ｍｍ侵入するようにスクレーパーを作製、設置した。
【０１３６】
＜摺擦・回収部材の製造例  ２＞  ファーブラシローラー
カーボンを分散させた、２ｔｅｘ（１８Ｄ）のレーヨンを、９．３×１０3ｆ／ｃｍ2（６０ｋｆ／ｉｎｃｈ2）で、感光体に１．５ｍｍ侵入するようにブラシローラーＢＲ１を作製した。また、クリーニング装置内には、該ブラシローラーに０．５ｍｍ侵入するようにスクレーパーを作製し、感光体に並行に当接するように設置した。
【０１３７】
＜摺擦・回収部材の製造例  ３＞  磁気ブラシ
周知の方法で、φ８の芯金上にプラスチックマグネットからなるマグネットローラーを作製した。該マグネットローラー上に磁性現像剤が１．５ｍｍ厚でコートされる様に厚規制部材を設け、磁気ブラシＭＲ１を作製した。該磁気ブラシは、感光体表面に０．２ｍｍの侵入量で当接する様に設置した。
【０１３８】
なお、上記弾性ローラーＤＲ１、ファーブラシローラーＦＲ１、磁気ブラシＭＲ１は感光体の回転に同期し、該感光体の面速度に対して任意の速度で回転駆動する駆動手段を有する。
【０１３９】
＜摺擦・回収部材の製造例  ４＞  ブレード
クリーニングブレードと同一材料からなる。厚さ２ｍｍのブレード材ＢＬＤ１を作成した。該部材は自由長５ｍｍ、当接角１４０°（順方向で４０°）、及び当接圧は総圧８００ｇで、クリーニングブレードの下流側に、設置出来る様にした。
【０１４０】
尚、上記摺擦・研磨部座は、チャージアップ抑止等のため、接地した。また、必要に応じて、接地する変わりに、後述する実施例のようにバイアス印加手段を付加しても良い。
【０１４１】
〔実施例  １〕
評価装置として、図１９の如きキヤノン製複写機ｉＲ４００を改造して、図１の如き評価機とした。具体的には、除電手段１０７としてピーク波長６８０ｎｍのＬＥＤを使用し、図１に示すように、転写工程とクリーニング工程の間に配した。
【０１４２】
感光体面速度を２４０ｍｍ／ｓｅｃで５０ｐｐｍ（ｐｐｍ；Ｐｒｉｎｔ  Ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ）とし、正帯電ａ−Ｓｉ感光体と、負帯電現像剤の正規現像用に、高圧電源を改造して極性及びバイアスを調整できる様にした。
【０１４３】
さらに、潜像露光手段を改造し、中心波長６６０ｎｍのレーザーを使用し、スポット径４０μｍで６００ｄｐｉのＢＡＥ、２５６階調のＰＷＭとした。
【０１４４】
また、クリーニング手段に回収された転写残トナーや紙粉等は、廃トナー搬送手段１０７ｃ等の搬送手段により不図示の廃トナーボックスに回収されるようにした。さらに電位評価を行えるように露光量や帯電条件の調整や、電位計の設置が可能にする等の改造を施した。なお、電位計は本体ＴＲｅｋ杜製３４４、及び同社製プローブ５５５Ｐ−１を用い、専用治具にて現像手段位置に設置して電位を測定するようにした。
【０１４５】
更に、ｉＲ４００のカートリッヂの廃トナー送り羽を除去し、該カートリッヂ内に、無機微粒子をセットし、該無機微粒子を供給する部材１１０としてファーブラシを設置した。図１中、斜線部が無機微粒子設置領域である。なお、供給部材１１０は＋１３０％（感光体表面と同方向で、感光体の面速度の１３０％）の速度で回転駆動する様にした。
【０１４６】
無機微粒子はＡ〜Ｍを使用し、現像剤はＴ１０（平均円形度ａ＝０．９１８）を使用した。
【０１４７】
なお、評価用感光体は上述のＰ０１を用いた。
【０１４８】
該評価装置を用いて、温度３０℃／湿度８０％の（Ｈ／Ｈ）環境下で図１５の如く、通紙方向に等間隔の罫線（５００μｍ線を１０ｍｍ間隔で配した。画像比率５％）を、連続で２０ｋ枚／日で通紙した後、各種評価用画像形成を行い、メインスイッチをオフして夜間放置した。翌朝、評価用画像形成後、同様に２０ｋ枚／日の耐刷試験を継続し、３００ｋまでの耐刷試験を行った。
【０１４９】
次に、温度１０℃／湿度１５％の（Ｌ／Ｌ）環境下で、同様に、１００ｋ枚、合計４００ｋ枚の通紙耐久を行った。
【０１５０】
尚、評価用画像としては、３００μｍ線を５ｍｍ間隔で交差させた格子画像、１ドット１スペース、１ドット２スペースのハーフトーン画像、ベタ黒、及び１７階調画像を形成した。
【０１５１】
画像流れは、Ｈ／Ｈ環境下で上記評価画像を目視で評価した。
【０１５２】
クリーニング性は、クリーニング不良による、フィルミングや擦り抜け、クリーニング部材の振動音（ビビリ）、共鳴音を評価した。
【０１５３】
クリーニング耐久性は、耐久前後でクリーニング部材のエッヂ部を顕微鏡観察し、損耗レベルを評価した。
【０１５４】
感光体耐久性は、感光体表面の磨耗量、及びキズで評価した。摩耗量は、反射分光式干渉計（商品名：ＭＣＰＤ−２０００、大塚電子（株）社製）により測定し、１回転あたりの摩耗Ｒａｔｅ［ｎｍ／回転］として算出した。また、感光体表面のキズは、感光体表面の任意の１２点、及び目視でキズ又はスジが現認された箇所について、表面粗さ測定機（小坂研究所製、サーフコーダーＳＥ−３４００）を用い、ＪＩＳ１９８２モード、測定速度０．１ｍｍ／ｓｅｃ、測定長５ｍｍ、カットオフλｃ＝０．８ｍｍで測定した。
【０１５５】
評価基準は下記の通りである。
【０１５６】
・画像流れ（Ｈ／Ｈ環境）
耐刷翌朝のサンプル画像から判定した。判定基準は下記の通りである。
◎；非常に良好  上記評価画像において  線、及びドットのボケ無し
○；良好        格子画像は流れ認識できず、ハーフトーン又は階調画像の一部領域でド                ットのボケ又は濃度低下あり。但しＡ４通紙５０枚以内で回復
●；実用可能    格子画像は流れ認識できず、ハーフトーン又は階調画像でドットのボケ                又は濃度低下あり。回復まで５０〜１００枚
△；実用可能    格子画像は流れ認識できず、ハーフトーン又は階調画像でドットのボケ                又は濃度低下あり。回復まで１００枚超過。
または、格子画像で若干の流れ認識できるが、格子画象の流れ回復まで                ５０枚以内
×；上記以外    格子画像で流れ認識される
【０１５７】
・ＣＬＮ耐久性
耐刷試験後にクリーニングブレードのカット面と当接面を顕微鏡観察し、クリーニングブレードの欠けや抉れ、トナーすり抜けや、ビビリ、捲れといったクリーニング不良を評価した。判定基準は下記の通りである。
◎；非常に良好  ブレード欠け無し。トナー粒径以下の抉れ又は欠けが３箇所以内。擦り                抜けなし。めくれ、ビビリ、共鳴音、何れも無し
○；良好        トナー粒径以下の抉れ又は欠けが４〜５箇所。トナー粒径以上の抉れ又                は欠け無し。擦り抜け無し。めくれ無し、共鳴音は感光体停止時に発生                する場合がある、又はビビリが発生する場合がある（頻度少）
●；実用可能    トナー粒径以下の抉れ又は欠けが６〜１０箇所。トナー粒径以上の抉れ                又は欠けが有るが、トナー粒径の２倍以上のものは無し。擦り抜け無し                。共鳴音またはビビリが発生する場合がある（頻度少）
△；実用可能    トナー粒径以下の抉れ又は欠けが１０箇所以上。トナー粒径の２倍以上                の抉れ又は欠けが有るが、擦り抜け無し。共鳴音とビビリの双方が発生                する場合がある（頻度少）
×；上記以外    欠け／抉れ等のブレード損耗に起因する擦り抜け有り、又はメクレが発                生す場合がある。ビビリと共鳴音が発生する乃至は頻度が高い
【０１５８】
・感光体耐久性
耐刷試験前後の各感光体の膜厚摩耗を測定した。
【０１５９】
感光体の膜厚測定は、感光体の表面層厚については周方向に６箇所、長軸方向で６箇所の、計３６箇所を測定し、その平均値を、平均表面層厚とした。磨耗量の算出は、耐久前後の平均表面層厚の差分、感光体の回転数で除し、１０，０００回転あたりの摩耗Ｒａｔｅ［ｎｍ／１０ｋ回転（ｒｏｔ）］として算出した。画像濃度は絶対濃度で測定し、各画像評価時における上記画像を濃度計「ＲＤ−９１８」（マクベス社製）を使用して測定した。
【０１６０】
判定基準は下記の通りである。
◎；非常に良好  摩耗Ｒａｔｅが１．５［ｎｍ／１０ｋｒｏｔ］以下、且つ偏摩耗無し
○；良好        摩耗Ｒａｔｅが１．５［ｎｍ／１０ｋｒｏｔ］以下、偏摩耗あるが、２                ．０［ｎｍ／１０ｋｒｏｔ］を超える測定点無し。且つ、偏磨耗部とそ                の近傍の画像濃度差は０．２以下
×；上記以外    摩耗Ｒａｔｅが１．５［ｎｍ／１０ｋｒｏｔ］超過、または２．０［ｎ                ｍ／１０ｋｒｏｔ］を超える測定点あり。又は偏磨耗部とその近傍の画                像濃度差は０．２超過
【０１６１】
評価結果を表７〜表９に示す。
【０１６２】
〔実施例２〜７〕
評価用感光体として、Ｐ０２〜Ｐ０７を用いたい該は実施例１と同様に評価を行った。結果を表７〜表９に示す。
【０１６３】
【表７】
2007292985.tif 000009
【０１６４】
【表８】
2007292985.tif 000010
【０１６５】
【表９】
2007292985.tif 000011
【０１６６】
特に、流れとＣＬＮ耐久性の結果を、無機微粒子の平均１次粒径Ｄとの相関として図１６に示す。表７〜同９、及び図１６より、平均粒径Ｄが３０〜５００ｎｍの時、良好な結果が得られた。該粒径Ｄが１００〜３００ｎｍの時、更に良好な結果が得られた。
【０１６７】
また、流れの評価結果が●以上、すなわち平均粒径Ｄが３０〜５００ｎｍの無機微粒子について、感光体Ｐ０１〜Ｐ０７のＲｚとの比（Ｒｚ／Ｄ）との相関を取ったものを図１７に示す。図１７より、Ｒｚ／Ｄが０．５〜２．０の時、更に良好な結果が得られていることが分る。
【０１６８】
なお、クリーニング工程から帯電中心までの時間が１００ｍｍ／ｓｅｃより大（大略２０ｐｐｍ未満）の低速機では、市場で求められる寿命レベルは数ｋ〜数１０Ｋである。本発明の如き長寿妙な感光体、さらに摺擦部材は、技術的には良好な結果が得られるが、コストアップが生じるため、費用対効果の観点から、必ずしも実用的ではない。
【０１６９】
〔比較例１〜７〕
無機微粒子として比較微粒子Ａ〜同Ｅを用いた以外は、実施例１〜７と同様の評価を行った。比較例１〜７の耐刷評価結果を、表７〜表９に示す。特に流れ、ＣＬＮ耐久性で実施例との差異が見られた。
【０１７０】
〔実施例８〕スコロトロン
図２の如く、帯電手段１０２として、スコロトロン帯電器を使用し、該スコロトロンのグリッドには８００Ｖまでの電圧が印加される吸込み電源を用いた。この状態で該ワイヤヘの電流を調整して暗部電位を調整できる様に、高圧電源を変更した。また、転写手段１０８もコロトロンのコロナ帯電方式とした。その他は、実施例１〜７、比較例１〜５と同様の評価を行った。
【０１７１】
結果、実施例１〜７同様に、無機微粒子の平均一時粒径が３０〜５００ｎｍで良好な結果が、１００〜３００ｎｍでは更に良好な結果が得られた。
【０１７２】
〔実施例９〕研磨剤外添
使用する現像剤として、実施例１で使用したトナー粒子１００質量部に対して、実施例１で使用した無機微粒子を１．５質量部追加して外添した物を現像剤として使用した。これに伴い、実施例１で設けた無機微粒子溜り（図１の斜線部）と、該無機微粒子供給部材１０６は除去し、元の廃トナー送り羽根（図１９の１８１１）とした。これ以外は、実施例１〜７と同様にして評価を行った。
【０１７３】
結果、実施例１〜７同様に、無機微粒子の平均一時粒径が３０〜５００ｎｍで良好な結果が、１００〜３００ｎｍでは更に良好な結果が得られた。無機微粒子の供給は、実施例１〜８の如く供給部材を使用しても、本例の如く現像剤への添加でもよい。
【０１７４】
〔実施例１０〕無機微粒子形状・・・直方体
実施例９で用いた現像剤のうち、何れも平均１次粒径Ｄが５００ｎｍである無機微粒子Ｊ、Ｍを外添したものを使用した。また、感光体はＰ０１を使用し、感光体面速度を２７０ｍｍ／ｓｅｃで６５ｐｐｍとし、また耐刷試験で形成する画像として、５００μｍ線を２０ｍｍ間隔で配した。画像比率２．５％とした。給紙、排紙手段等の各手段の速度や、帯電手段に印加するバイアス条件、露光手段等は、該感光体面速度に付随して調整した。
【０１７５】
この条件で、実施例９と同様に、耐刷試験及び評価を行った。結果を表１０に示す。
【０１７６】
【表１０】
2007292985.tif 000012
【０１７７】
表１０より、直方体状の無機微粒子Ｊの方が不定形の無機微粒子Ｍよりも流れやＣＬＮ耐久性に対するラチチュードが広がっていることが分る。
【０１７８】
〔実施例１１〕円形度ａ＝０．９３０〜０．９７０
感光体はＰ０１を使用した。また、現像剤は平均１次粒径Ｄが３２０ｎｍの微粒子Ｇを、Ｔ１〜Ｔ１１に対して、実施例９の如く外添したものを使用した。
【０１７９】
これらの感光体、無機微粒子、現像剤を用い、実施例９と同様に耐刷、評価を行った。Ｊ結果を表１１に示す。
【０１８０】
【表１１】
2007292985.tif 000013
【０１８１】
表１１より、トナー平均円形度ａが、０．９３０〜０．９７０、特に０．９３５以上の時、良好な結果が得られた。トナーの円形度を制御することで、クリーニング手段の当接部近傍での均一性や、クリーニング性自体が良好に維持されると考えられる。
【０１８２】
〔実施例１２〕近接帯電  ＣＣＣ
帯電手段１０２として、感光体１０１の表面とほぼ同曲率の金属電極を作製し、感光体への対向面側には抵抗を調整した樹脂層を設けた。
【０１８３】
図３の如く、帯電手段１０２として、感光体１０１に近接させた電極を設けた電極の長手で画像領域外の端部にスペーサーを設けて感光体１０１との最近接部の空隙間隔を５０μｍとした。空隙は上流側が狭広い図４−１のように設置した。帯電手段に印加するバイアス条件を調整し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１２に示す。
【０１８４】
【表１２】
2007292985.tif 000014
【０１８５】
表１２より、実施例１よりも良好な結果が得られた。また、Ｎ／Ｌ環境下での耐刷試験において、実施例１ではクリーニング手段１０６をすり抜けた無機微粒子、或いは外添剤等の微小粒子の付着等による、帯電部材１０２の汚れが生じる場合があったが、非接触の本例では帯電手段の汚染は僅少であった。
【０１８６】
また、図４−２のように下流側が広い設定で帯電手段１０２をセットして同様の耐刷評価を行った結果でも、同様に良好な結果が得られた。
【０１８７】
〔実施例１３〕近接帯電  近接ローラー
図５の如く、実施例１で使用した帯電ローラーの端部にスペーサーを設けて、最近接部の空隙間隔を５０μｍとした、帯電手段１０２をセットした。実施例１２と同様の耐刷評価試験を行った結果を表１２に示す。表１２より、実施例１２同様に良好な結果が得られた。
【０１８８】
また、帯電ローラーの硬度をアスカーＣ硬度で９０度の高硬度なものに変更し、また該帯電手段１０２には不図示の駆動手段を設けて、感光体１０１の駆動に同期して、面速度が等速で回転駆動する様にした。実施例１２と同様の耐刷評価試験を行った結果を表０６に示す。表０６より、実施例１２同様に良好な結果が得られた。
【０１８９】
これらの帯電部材を使用し、実施例１同様の評価を行った。実施例１よりも良好な結果が得られた。特に、ローラー形状の帯電手段１０２を回転駆動した場合は、非常に良好な結果が得られた。
【０１９０】
近接帯電方式、更には駆動式の近接帯電で、感光体１０１の表面近傍に気流が生じ、エアフロー等の作用が良好に働いているのではないかと考えられる。
【０１９１】
〔実施例１４〕摺擦・回収工程    回転駆動型
帯電手段は実施例１３で使用した近接帯電手段を用い、摺擦・回収部材として、図６のように摺擦回収部材１１１を設置し、評価装置を作成した。該摺擦回収部材１１１として弾性ローラーＤＲ１を使用し、感光体の面速度Ｓに対し、相対速度−５０％の順方向で回転するようにした。また、ファーブラシローラーＢＲ１を使用し、−６０％で駆動する様にした評価装置、磁気ブラシＭＲ１を使用し、−６０％で駆動する様にした評価装置を同様に作成した。また、図７の如く弾性ブレードＢＬＤ１を設置した評価装置を用意した。
【０１９２】
これらについて、感光体はＰ０、現像剤はＴ１０に対して無機微粒子を外添したものを使用して、実施例９と同様の耐刷評価を行った。
【０１９３】
結果を、表１３に示す。
【０１９４】
【表１３】
2007292985.tif 000015
【０１９５】
表１３より、摺擦回収部材により、流れ，ＣＬＮ耐久性ともに良化している。
【０１９６】
また、帯電手段１０２を実施例１同様の接触帯電方式にして、上記と同じ耐刷評価を行った。耐刷試験後に帯電手段１０２を観察した所、摺擦・回収部材を有している方では、無い方と比して、該帯電手段１０２に付着する無機微粒子や外添剤等が殆ど無く、帯電電流の変動も抑制された。なお、摺擦・回収手段１１１の駆動は、常時所定の速度であってもよいし、部材の耐久性などの観点から画像形成時は速度差を小さくして、画像形成時以外の、例えば前回転や後回転時に速度差を大きくする等してもよい。
【０１９７】
また、図８〜図９の如く、これらの摺擦・回収手段１１１を複数設けて、摺擦・回収の効率を上げることも好ましい。また、回収用のバイアス、あるいは帯電手段と同極性のバイアスを印加することも、帯電手段１０２のバイアス低減、ひいては帯電生成物質の量が減少して、流れやＣＬＮ耐久性、帯電手段の汚れに対して好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１９８】
【図１】本発明にかかる画像形成装置の、実施態様例
【図２】本発明にかかる画像形成装置の、実施態様の別の例
【図３】本発明にかかる画像形成装置の、実施態様の別の例
【図４−１】近接帯電方式の設置部概略拡大図
【図４−２】近接帯電方式の設置部概略拡大図
【図５】本発明にかかる画像形成装置の、実施態様の別の例
【図６】本発明にかかる画像形成装置の、実施態様の別の例
【図７】本発明にかかる画像形成装置の、実施態様の別の例
【図８】本発明にかかる画像形成装置の、実施態様の別の例
【図９】本発明にかかる画像形成装置の、実施態様の別の例
【図１０】ＢＡＥとＩＡＥの潜像を比較したモデル図
【図１１】ａ−Ｓｉ感光体の層構成の例を示すモデル図
【図１２】ａ−Ｓｉ感光体の支持体形状と表面形状の関係を示す概略モデル図
【図１３】本発明に掛る好適な無機微粒子の一例のＳＥＭ写真
【図１４】直方体形状の概念図
【図１５】実施例、比較例の耐刷試験で形成する画像の概略図
【図１６】無機微粒子の平均１次粒径Ｄと評価結果を示すグラフ
【図１７】Ｒｚ／Ｄと評価結果を示すグラフ
【図１８】従来の画像形成装置の例
【図１９】従来の画像形成装置の例
【符号の説明】
【０１９９】
１０１、１８０１、１１００；感光体
１０２、１８０２；帯電手段
１０３、１８０３；潜像形成露光
１０４、１８０４；現像手段
１０５、１８０５；廃トナー容器
１０６、１８０６；クリーニング手段
１０７、１８０７；除電手段
１０８、１８０８；転写手段
１０９、１８０９；搬送手段
１１０；無機微粒子供給手段
１１１（１１１−ｉ、１１１−ｉｉ）；摺擦・回収手段
１１０１；支持体
１１０２；感光層
１１０３；光導電層
１１０４；表面層
１１０５、１１０６；電荷注入阻止層
１８１０；摺擦部材
１８１１；廃トナー送り羽
Ｘ；感光体進行方向
Ｐ；転写材
Ｖｄｉ、Ｖｄｂ；現像バイアスＤＣ電位
ΔＶｌ１、ΔＶｌ１；現像コントラスト
【図１】
2007292985.tif 000016
【図２】
2007292985.tif 000017
【図３】
2007292985.tif 000018
【図４−１】
2007292985.tif 000019
【図４−２】
2007292985.tif 000020
【図５】
2007292985.tif 000021
【図６】
2007292985.tif 000022
【図７】
2007292985.tif 000023
【図８】
2007292985.tif 000024
【図９】
2007292985.tif 000025
【図１０】
2007292985.tif 000026
【図１１】
2007292985.tif 000027
【図１２】
2007292985.tif 000028
【図１３】
2007292985.tif 000029
【図１４】
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【図１５】
2007292985.tif 000031
【図１６】
2007292985.tif 000032
【図１７】
2007292985.tif 000033
【図１８】
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【図１９】
2007292985.tif 000035