(57)【要約】【課題】    回転している回転体に支持された状態でスパッタ処理を受ける被処理物の冷却を、回転体に冷却機構を設けずに実現する真空処理装置を提供すること。【解決手段】  真空室と、被処理物の支持部を有し、前記真空室内に回転可能に設けられた回転体と、前記回転体の回転に伴って前記支持部が移動する経路に対向して設けられた少なくとも１つの真空処理源と、前記回転体から離間し対向して設けられた冷却体と、を備えたことを特徴とする真空処理装置を提供する。【選択図】    図１
2007084862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空室と、
被処理物の支持部を有し、前記真空室内に回転可能に設けられた回転体と、
前記回転体の回転に伴って前記支持部が移動する経路に対向して設けられた少なくとも１つの真空処理源と、
前記回転体から離間し対向して設けられた冷却体と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記冷却体は、前記回転体からみて前記真空処理源が設けられた側の空間に配設された第１冷却部を有し、
前記第１冷却部は、前記少なくとも１つの真空処理源と前記回転体との間を連通させる少なくとも１つの開口部を有することを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記冷却体は、前記回転体からみて前記第１冷却部とは反対側に設けられた第２冷却部をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記第１冷却部と前記回転体により囲まれた空間及び前記第２冷却部と前記回転体により囲まれた空間の少なくともいずれかにガスを導入するガス導入手段がさらに設けられたことを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの真空処理源と前記冷却体との間に設けられた仕切壁と、
前記仕切壁からみて前記少なくとも１つの真空処理源の側の空間に面して設けられた排気口と、
前記排気口に接続された排気手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記冷却体は複数の分割体に分割され、前記複数の分割体のうちの少なくともいずれかが取り外されることで前記開口部が形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のスパッタ装置。
【請求項７】
前記冷却体の少なくとも一部は、移動可能とされたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空処理装置に関し、詳しくは、スパッタなどの真空処理中における被処理物の温度上昇を抑えることのできる真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタ成膜、エッチング、アッシング、蒸着、表面改質などの真空処理を受けているとき、被処理物はプラズマや熱源などにさらされていることなどからその温度が上昇することが多い。特に、被処理物が薄い半導体ウェーハの場合には、温度上昇により、変形したり、反ってしまう可能性がある。成膜速度を低下させることで被処理物の温度上昇を抑えることができるが、成膜速度の低下は生産性の低下をまねく。
【０００３】
そのため、真空処理中の被処理物を冷却できる冷却機構を設けることが望ましい。例えば、特許文献１では、冷媒が供給されて低温にされた支持部に被処理物を接触させた状態でスパッタ成膜を行っている。特許文献１では、静止体である支持部に冷媒の流路を設けている。しかし、被処理物を回転体上に支持させて、その回転体を回転させながら被処理物にスパッタ成膜などの真空処理を行う構成の場合に、回転体に冷媒の流路を設けることは、冷媒漏れの不安があることから好ましくない。
【特許文献１】特開平７−１８８９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、回転している回転体に支持された状態でスパッタなどの真空処理を受ける被処理物の冷却を、回転体に冷却機構を設けずに実現する真空処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
真空室と、
被処理物の支持部を有し、前記真空室内に回転可能に設けられた回転体と、
前記回転体の回転に伴って前記支持部が移動する経路に対向して設けられた少なくとも１つの真空処理源と、
前記回転体から離間し対向して設けられた冷却体と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、回転体に冷却機構を設けることで生じる問題を回避しつつ、回転体の回転により移動されながらスパッタ処理などの真空処理を受ける被処理物の温度上昇を抑制でき、被処理物の反りや変形を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
【０００８】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る真空処理装置１の模式断面図である。  
図２は、同真空処理装置１における、被処理物１０の支持部９の拡大断面図である。  
図３は、同真空処理装置１における真空室３内部の模式平面図である。
【０００９】
真空処理装置１は、略円筒状の気密容器２を有し、この内部に真空室３が形成されている。気密容器２の底部中央には排気口５が形成され、この排気口５には図示しない真空ポンプが接続されている。また、真空室３内において排気口５の上方には、リング状のガス導入管２０が設けられている。ガス導入管２０には周方向に沿って多数の小孔が形成され、それら小孔を介して真空室３内にガスが導入される。  
真空室３の側方にはロードロック室４が連設され、真空室３とロードロック室４との間は、図示しないバルブにより開閉される。
【００１０】
気密容器２の上蓋２ａには、真空処理源として、例えば複数のスパッタ源６ａ、６ｂが設けられている。スパッタ源６ａ、６ｂは、電極やターゲットなどを備え、被処理物１０に対してスパッタ成膜を行う。あるいは、スパッタエッチングを行う。スパッタ源６ａ、６ｂは、その一部が上蓋２ａを貫通して真空室３内に臨んでおり、この真空室３内に臨んだ部分にプラズマが生起される。なお、後述するように、上蓋２ａには、真空処理源として、スパッタ源６ａ、６ｂ以外にも、他のスパッタ源や、プラズマを用いたエッチングあるいはアッシング、電子線を用いた蒸着など、各種の真空処理源を適宜設けることができる。
【００１１】
真空室３の底部には、回転軸受け８を介して、回転体７が回転可能に配設されている。回転体７はドーナツ状を呈し、その中央孔７ｂが、排気口５の上方に位置している。回転体７は、モータ１１からの回転駆動力を受けて回転される。
【００１２】
回転体７の外周側部分には、厚さ方向を貫通する貫通孔部７ａが、周方向に沿って複数設けられている。図２は、その貫通孔部７ａの拡大断面図を表す。貫通孔部７ａの内周面の一部は深さ方向に対して傾斜したテーパ面９となっている。テーパ面９によって囲まれた空間は逆円錐台形状となっている。このテーパ面９が、被処理物１０の支持部として機能する。被処理物１０は、例えば半導体ウェーハやディスク状記録媒体の基板であり、図２に表すように、支持部（テーパ面）９に被処理物１０のエッジが当接して、被処理物１０は支持される。
【００１３】
回転体７が回転されると、支持部９に支持された被処理物１０は円を描く軌跡で移動され、スパッタ源６ａ、６ｂに対向する位置を通過する。本具体例では、図３において１点鎖線で表されるように、例えば２つのスパッタ源６ａ、６ｂが真空室３の中心を挟んで向き合うように配設されているが、スパッタ源は、１つであっても、あるいは３つ以上であってもよい。いずれにしても、スパッタ源は、被処理物１０の移動経路に対向して配置される。
【００１４】
真空室３内において、スパッタ源６ａ、６ｂと回転体７との間の空間には、回転体７から離間し対向して冷却体１５が配設されている。冷却体１５は、図示しない取付部材により、上蓋２ａからつり下げられるようにして上蓋２ａに取り付けられている。あるいは、気密容器２の側壁に取り付けてもよい。冷却体１５は、冷却板１６と、この冷却板１６の一表面に設けられたパイプ１７（図３に図示）とを有する。冷却体１５は、例えばドーナツを半径方向に切り取った形状を呈し、その周方向は被処理物１０の移動経路に沿っている。冷却体１５は、被処理物１０の移動経路の方向に関して複数に分割（本具体例では例えば４分割）されている。図３に表される具体例では、４つの分割体のうち、３つの分割体１５ａ〜１５ｃが真空室３内に配設され、１つの分割体は取り外されて開口部１８ａが形成されている。開口部１８ａは、２つのスパッタ源６ａ、６ｂのうち一方のスパッタ源６ａの下方に位置している。
【００１５】
冷却板１６は、例えば銅のように熱伝導性に優れた材料からなる。この冷却板１６の一表面に、例えばステンレス材料からなるパイプ１７が溶接されている。パイプ１７は、冷却板１６の一表面上で偏ることなくめぐらされている。冷却板１６は、パイプ１７が取り付けられていない反対側の他表面を、回転体７の支持部９に向けている。
【００１６】
パイプ１７は、図１に表される、気密容器２の上蓋２ａを貫通して取り付けられたフィードスルー１９を介して真空室３の外に引き出され、冷媒の供給源や循環ポンプに接続されている。これらによって冷媒の循環経路が構成されている。またさらに、フィードスルー１９に回転運動導入機能（および必要に応じて直線運動導入機能）も付与し、分割体１５ａ〜１５ｃの少なくともいずれかがフィードスルー１９を中心として、回転体７の周方向に沿って移動可能としてもよい。冷媒としては、例えば液体窒素が用いられるが、これ以外の冷媒も使用可能である。
【００１７】
第１の実施形態に係る真空処理装置１は以上のように構成され、次にその動作及び作用について説明する。
【００１８】
大気圧下で例えばカセット内に収容されている被処理物１０は、大気搬送装置２２を介してロードロック室４内に搬送され、さらに、真空搬送装置２３を介して真空室３内に搬送される。このとき、ロードロック室４内及び真空室３内は減圧雰囲気下にある。被処理物１０は、真空室３内に搬入されると、図１において回転体７の貫通孔部７ａを貫いて１点鎖線で表される位置にまで上昇しているシリンダ装置２５のロッド２６の上端部２７に載置される。この後、ロッド２６と共に被処理物１０が下降して、貫通孔部７ａのテーパ面状の支持部９（図２参照）に被処理物１０の下側のエッジが当接して支持される。ロッド２６及びその上端部２７は、図１において実線で表される位置にまで下降して被処理物１０の支持から外れる。
【００１９】
続いて、回転体７が少し回転して、別の支持部９がロッド上端部２７の真上に位置決めされる。そして、前述と同様にロッド２６の昇降によってその支持部９にも被処理物１０が支持される。以上の動作が繰り返されて、回転体７の周方向に沿って複数設けられた支持部９の各々に被処理物１０がセットされていく。なお、被処理物１０の搬出時には、ロッド２６が上昇することでその上端部２７で被処理物１０を支持部９から持ち上げて、真空搬送装置２３に受け渡す。
【００２０】
スパッタ処理時には、被処理物１０が支持部９に支持された状態で回転体７が回転されると共に、冷却体１５の開口部１８ａ（図３参照）の上に位置するスパッタ源６ａが駆動される。スパッタ源６ａに備えられたターゲットと、被処理物１０との間の距離は、例えば１０ミリメータである。冷却体１５と被処理物１０との間の距離は、例えば５ミリメータである。回転体７の回転により、各支持部９に支持された各被処理物１０は円を描く軌跡で移動される。また、このとき冷却体１５のパイプ１７には冷媒が流されている。
【００２１】
図３に表されるように、冷却体１５においてスパッタ源６ａの下に位置する部分には開口部１８ａが形成されている。したがって、スパッタ源６ａに備えられたターゲットから叩き出された粒子は開口部１８ａを通って、この開口部１８ａの下を横切るように通過する被処理物１０に到達することができる。すなわち、被処理物１０はスパッタ源６ａの下を通過するときに成膜される。
【００２２】
被処理物１０がスパッタ源６ａの下を通過するとき以外は、冷却体１５の下を移動されており、被処理物１０は冷却体１５によって冷却される。すなわち、スパッタ処理中に被処理物１０で生じた熱は、パイプ１７内を流れる冷媒により被処理物１０よりも低温にされている冷却板１６に、輻射や、真空室３内の気体を介して伝わる。被処理物１０から冷却板１６に伝わった熱は、冷却板１６と真空室３の外とを循環してパイプ１７を流れている冷媒によって真空室３の外に持ち去られる。以上のことにより、スパッタ処理中における被処理物１０の温度上昇が抑制され、被処理物１０の反りや変形を防ぐことができる。
【００２３】
冷却体１５は、被処理物１０に対して非接触で設けられ回転体７の回転や被処理物１０の移動を妨げない。また、冷媒は、回転体７には流れず、静止体を循環するため、特別な工夫を施すことなく配管でき、冷媒の漏れが生ずる可能性も低い。
【００２４】
また、本実施形態では、被処理物１０はそのエッジのみで支持部９に当接しており、支持部９と面接触する構成とはなっていない。したがって、被処理物１０が、例えば成膜を受ける面の反対面に電極等が形成された半導体ウェーハであっても、その電極形成面が支持部９と面接触せず、汚染や損傷をまねかない。本実施形態では、支持部９から被処理物１０が冷却を受ける構造ではないので、被処理物１０と支持部９とを面接触させる必要はない。
【００２５】
冷却体１５の開口部の位置は、駆動させるスパッタ源の位置に応じて変更できる。前述の具体例とは異なり、スパッタ源６ｂを用いて被処理物１０に成膜を行う場合には、図３に表される冷却体１５の分割体１５ｂを取り外す。これにより、図４に表されるように、スパッタ源６ｂの下に開口部１８ｂが形成され、この開口部１８ｂを介してスパッタ源６ｂと被処理物１０とを連通させることができ、被処理物１０はスパッタ源６ｂの下を通過するときに成膜される。他方のスパッタ源６ａを使用しない場合には、分割体１５ｄを取り付けて図３に表される開口部１８ａを塞ぐ。これにより、被処理物１０がスパッタ源６ａの下を通過するときには、分割体１５ｄにより冷却される。
【００２６】
また、冷却体１５を支持するフィードスルー１９に回転運動導入機構（および必要に応じて直線運動導入機構）を付与して、冷却体１５を移動させてもよい。  
図５は、冷却体１５を移動させた具体例を表す平面図である。  
すなわち、フィードスルー１９に回転運動導入機能を付与し、分割体１５ａ〜１５ｃを矢印Ｒで表した方向に回転させることにより、開口部１８ａを塞いで、開口部１８ｂを形成することができる。
【００２７】
図６は、分割体１５ｂのみを移動させた第２の具体例を表す平面図である。すなわち、フィードスルー１９に回転運動導入機能（および必要に応じて直線運動導入機能）を付与し、分割体１５ｂのみを矢印Ｒの方向に移動させることによっても、開口部１８ａを塞いで、開口部１８ｂを形成することができる。
【００２８】
本具体例の場合、互いにターゲット材料が異なる複数のスパッタ源を設け、動作させるスパッタ源及び開口部の位置を変えて、同一の被処理物１０にスパッタ成膜を行うことで、異なる材料の多層膜を被処理物１０に形成することができる。この時に、図５あるいは図６に関して前述したように、回転導入機能などが付与されたフィードスルー１９を用いて分割体１５ａ〜１５ｃを適宜移動させれば、気密容器２の真空を破ることなく、連続的に多層膜を被処理物１０に形成できる。しかも、この多層膜を構成するそれぞれの薄膜の形成に際して、冷却体１５による効率的な冷却ができる。
【００２９】
一方、複数のスパッタ源は同時に動作させてもよい。前述の具体例で２つのスパッタ源６ａ、６ｂを同時に用いる場合には、図７に表されるように、両スパッタ源６ａ、６ｂの下にそれぞれ開口部１８ａ、１８ｂを形成する。両スパッタ源６ａ、６ｂのターゲット材料を異なるものとすれば、被処理物１０には、異なる材料の混合膜が形成される。または、それぞれのターゲット材料の層が交互に積層される。
【００３０】
スパッタ源の数は２つに限るものではなく、３つ以上であってもよい。  
図８は、例えば３つのスパッタ源６ａ〜６ｃを用いた具体例を表す。冷却体１５において、隣り合った２つのスパッタ源６ａ、６ｃの下に位置する部分には、２つ分のスパッタ源６ａ、６ｃに対応した大きさの開口部１８ｃが形成されている。この具体例において、隣り合った２つのスパッタ源６ａ、６ｃのターゲットを同じ材料ａとし、スパッタ源６ｂのターゲットを材料ａと異なる材料ｂとすれば、材料ａの方が材料ｂよりも組成比が大なる膜を被処理物１０に形成することが可能となる。
【００３１】
また、冷却体１５を回転体７の裏側に配設して、被処理物１０を裏面側から冷却するようにしてもよい。被処理物１０は、図２を参照して前述したように、回転体７の貫通孔部７ａに形成されたテーパ面状の支持部９にエッジが当接して支持されているので、裏面側も回転体７から露出されており、回転体７の裏側に配設された冷却体１５に対して、輻射や気体熱伝達により熱を逃がすことができる。この場合には、スパッタ源と被処理物１０との間に冷却体１５が存在しないので、開口部を形成する必要がない。
【００３２】
以下、本発明の他の実施形態について説明する。なお、前出したものと同様の要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３３】
［第２の実施形態］
図９は、本発明の第２の実施形態に係る真空処理装置３１の模式断面図である。第２の実施形態では、図９に表される冷却体３５の構成が第１の実施形態と異なる。
【００３４】
冷却体３５は、第１冷却部３５ａと、第２冷却部３５ｂと、これらを連結する側壁部３５ｃとを有する。第１冷却部３５ａは、スパッタ源６ａ、６ｂと回転体７との間の空間に配設され、回転体７に形成された貫通孔部７ａの一方の開口（図９において上側の開口）に対向している。第２冷却部３５ｂは、回転体７と、真空室３の底部との間の空間に配設され、貫通孔部７ａの他方の開口（図９において下側の開口）に対向している。側壁部３５ｃは、回転体７の外縁端部に対向する部分で第１冷却部３５ａと第２冷却部３５ｂとを連結している。第１、第２冷却部３５ａ、３５ｂ及び側壁部３５ｃは、回転体７と接触しておらず、回転体７の回転を妨げない。第１、第２冷却部３５ａ、３５ｂ及び側壁部３５ｃは一体となって、例えば図示しない取付部材によって上蓋２ａからつり下げられるようにして取り付けられている。あるいは、気密容器２の側壁に取り付けてもよい。
【００３５】
第１及び第２冷却部３５ａ、３５ｂは、第１の実施形態の冷却体１５と同様に構成される。すなわち、第１及び第２冷却部３５ａ、３５ｂは、それぞれ冷却板と、この一表面（回転体７に対向する面の反対面）に取り付けられ冷媒が流れるパイプとを有する。第１及び第２冷却部３５ａ、３５ｂによって、被処理物１０は表裏両面から冷却されるので、被処理物１０の冷却効果を高めることができる。  
また、この場合も、フィードスルー１９に回転運動導入機能を付与することにより、気密容器２の真空を破らずに冷却体１５を移動させることができる。
【００３６】
［第３の実施形態］
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る真空処理装置４１の模式断面図である。図１０に表される冷却体４５は、第２の実施形態と同様、第１冷却部４５ａと、第２冷却部４５ｂと、これらを連結する側壁部４５ｃとを有する。
【００３７】
第１冷却部４５ａは、スパッタ源６ａ、６ｂと回転体７との間の空間に配設され、回転体７に形成された貫通孔部７ａの一方の開口（図１０において上側の開口）に対向している。第２冷却部４５ｂは、回転体７と、真空室３の底部との間の空間に配設され、貫通孔部７ａの他方の開口（図１０において下側の開口）に対向している。側壁部４５ｃは、回転体７の外縁端部に対向する部分で第１冷却部４５ａと第２冷却部４５ｂとを連結している。第１、第２冷却部４５ａ、４５ｂ及び側壁部４５ｃは、回転体７と接触しておらず、回転体７の回転を妨げない。
【００３８】
第１及び第２冷却部４５ａ、４５ｂは、第１の実施形態の冷却体１５と同様に構成され、第１及び第２冷却部４５ａ、４５ｂは、それぞれ冷却板と、この一表面（回転体７に対向する面の反対面）に取り付けられ冷媒が流れるパイプとを有する。
【００３９】
第１冷却部４５ａには厚さ方向を貫通するガス導入口４４が形成され、このガス導入口４４にはガス導入管４３が接続されている。ガス導入管４３は、上蓋２ａに取り付けられたフィードスルー４２を介して真空室３の外に引き出され、図示しないガス供給源に接続されている。
【００４０】
被処理物１０は、第１及び第２冷却部４５ａ、４５ｂによって、表裏両面から冷却されるので、被処理物１０の冷却効果を高めることができる。また、真空室３内の圧力を高めて被処理物１０と冷却体４５との間に介在する気体の量をより多くすれば、その気体を介する被処理物１０から冷却体４５への熱伝達を促進することができ、被処理物１０の冷却効果を高めることができる。しかし、真空室３内はスパッタ成膜が行われる空間であり、一般にスパッタ成膜は１パスカル［Ｐａ］以下の圧力下で行うことが望ましいので、被処理物１０の冷却効果を高めることだけを考慮して真空室３内の圧力を高くすることはできない。
【００４１】
そこで、本実施形態では、第１、第２冷却部４５ａ、４５ｂ及び側壁部４５ｃの内側の空間に、ガス導入管４３及びガス導入口４４を介して例えばアルゴン等のガスを導入して、真空室３内において第１、第２冷却部４５ａ、４５ｂ及び側壁部４５ｃの内側の空間内だけを、真空室３内の他の部分よりも高い圧力にしている。これにより、真空室３内においてスパッタ成膜が行われる部分の圧力を所望の圧力（例えば１［Ｐａ］以下）に維持しつつ、被処理物１０が冷却体４５の内側の空間を通過するときには例えば数１００［Ｐａ］程のガス雰囲気中を移動されるので、気体を介しての被処理物１０から冷却体４５への熱伝達を高めて効果的な冷却を行える。  
また、この場合も、フィードスルー１９に回転運動導入機能を付与することにより、気密容器２の真空を破らずに冷却体１５を移動することができる。
【００４２】
［第４の実施形態］
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る真空処理装置５１の模式断面図である。  
図１２は、同真空処理装置５１における真空室３内部の模式平面図である。
【００４３】
第４の実施形態では、例えばスパッタ源６ｂを用いて被処理物１０に成膜を行う。したがって、図１２に表されるように、冷却体１５には、スパッタ源６ｂの下に位置する部分に開口部１８ｂが形成されている。そのスパッタ源６ｂの下の空間は、仕切壁５３ａ、５３ｂ（図１１参照）によって、真空室３内の他の空間から仕切られている。仕切壁５３ａ、５３ｂは、気密容器２の上蓋２ａと底部との間でひとつながりになっておらず、回転体７の回転を許容するためのスリット５４が形成されている。
【００４４】
仕切壁５３ａ、５３ｂによって囲まれた空間は、スパッタ源６ｂによって被処理物１０がスパッタ成膜を受けるスパッタ室６１として機能する。仕切壁５３ａ、５３ｂの外側の空間には冷却体１５が存在しており、その空間は冷却体１５によって被処理物１０が冷却される冷却室として機能する。
【００４５】
図１２に表されるように、スパッタ室６１内には、図示しないスパッタ用ガス供給源に接続されたスパッタ用ガス導入管５５が接続されている。さらに、スパッタ室６１に面する気密容器２の側壁の一部には排気口５７が形成され、その排気口５７には真空ポンプ５６が接続されている。仕切壁５３ａ、５３ｂの外側の空間（冷却室）内には、冷却用ガス導入管５８が接続されている。その冷却室内は、真空室３の底部中央に形成された排気口５及びこれに接続された真空ポンプ（図示せず）を介して排気される。このように、スパッタ室６１と冷却室とは、それぞれが、ガス導入管と真空排気系を備えているので、互いに他室から独立して室内のガス圧力を制御可能である。
【００４６】
スパッタ室６１内には、スパッタ用ガス（放電用ガス）として例えばアルゴンガスが導入され、１［Ｐａ］以下の圧力に保たれる。仕切壁５３ａ、５３ｂの外側の冷却室内には、冷却用ガスとして例えばアルゴンガスが導入され、数１００［Ｐａ］程度の圧力に保たれる。このような構成のため、被処理物１０の冷却効果を高めるため冷却室内の圧力を高めつつ、スパッタ室６１内は良好なスパッタ成膜に適した圧力に保つことができる。
【００４７】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらの具体例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４８】
冷却体を低温にするための手段としては、冷媒を使うことに限らず、電気エネルギーによって低温部を生じさせるペルチェ素子を用いてもよい。
【００４９】
例えば、図３に表される、３つの分割体１５ａ〜１５ｃを組み合わせた冷却体１５を、一体的に周方向に回転させることで開口部１８ａの位置を変えてもよい。もちろん、冷却体は分割体の組み合わせでなく一体構成であってもよい。また、冷却体の一部分が、他の部分に重なるように周方向にスライドすることで、開口部が形成される構成であってもよい。この場合、そのスライド量の調整により開口部の大きさを調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る真空処理装置の模式断面図である。
【図２】同真空処理装置における被処理物の支持部の拡大断面図である。
【図３】同真空処理装置における真空室内部の模式平面図である。
【図４】図３と同様な模式平面図であり、冷却体の開口部の位置が図３と異なる具体例を表す。
【図５】冷却体１５を移動させる具体例を表す模式平面図である。
【図６】冷却体１５を移動させる第２の具体例を表す模式平面図である。
【図７】図３と同様な模式平面図であり、冷却体の開口部の数が図３と異なる具体例を表す。
【図８】図３と同様な模式平面図であり、冷却体の開口部の数及び大きさが図３と異なる具体例を表す。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る真空処理装置の模式断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る真空処理装置の模式断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る真空処理装置の模式断面図である。
【図１２】第４の実施形態に係る真空処理装置における真空室内部の模式平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  真空処理装置
３  真空室
４  ロードロック室
６ａ〜６ｃ  スパッタ源
７  回転体
７ａ  貫通孔部
９  支持部（テーパ面）
１０  被処理物
１５  冷却体
１６  冷却板
１７  パイプ
１８ａ〜１８ｃ  開口部
３１  真空処理装置
３５  冷却体
３５ａ  第１冷却部
３５ｂ  第２冷却部
３５ｃ  側壁部
４１  真空処理装置
４３  冷却用ガス導入管
４５  冷却体
４５ａ  第１冷却部
４５ｂ  第２冷却部
４５ｃ  側壁部
５１  真空処理装置
５３ａ〜５３ｂ  仕切壁
５５  スパッタ用ガス導入管
５６  真空ポンプ
５７  排気口
５８  冷却用ガス導入管
【図１】
2007084862.tif 000003
【図２】
2007084862.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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