(57)【要約】      （修正有）【課題】電極の寿命を延ばし、電極の製造費用を下げるることができる常圧プラズマ発生用電極の製造方法及び電極構造とこれを利用した常圧プラズマの発生装置の提供。【解決手段】プラズマの電極構造３００は、プラズマの形成のための高周波電力を供給するため、上下部にお互いに平行を取って向き合う平板型の電源電極３１１及び接地電極３２１を具備し、電源電極３１１及び接地電極３２１の全表面にそれぞれ酸化被膜層３１０，３２０を均一に形成して、電源電極３１１及び接地電極３２１の間にプラズマの発生空間３３０を形成する。【選択図】図３ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、
前記一対の電極が相互離隔されてその間に形成されるプラズマの発生空間と、
前記一対の電極の中で少なくとも一つの表面に均一に形成された酸化被膜層を含むことを特徴とする、
プラズマの電極構造。
【請求項２】
前記電極は表面に自然的または人為的に酸化被膜を形成することができる合金であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマの電極構造。
【請求項３】
前記電極はアルミ、チタン、マグネシウム、 亜鉛、タンタルの何れか一つの合金で構成されたことを特徴とする、請求項１記載のプラズマの電極構造。
【請求項４】
前記酸化被膜層は酸化アルミ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化タンタルの中の何れかであることを特徴とする、請求項１乃至請求項３の何れかに記載のプラズマの電極構造。
【請求項５】
前記酸化被膜層は陽極酸化被膜形成法を利用して形成されることを特徴とする、請求項４記載のプラズマの電極構造。
【請求項６】
一対の電極と、前記一対の電極の中で少なくとも一つの表面に均一に形成された酸化被膜層で構成されるプラズマの電極とを含み、
前記電極の間に形成されたプラズマの発生空間に流入されたガスをプラズマ放電して、発生されたガスイオンを被処理物に噴射することを特徴とする、常圧プラズマの発生装置。
【請求項７】
電極の製造方法において、
金属を利用して電極の自体を形成して、前記電極の全表面に酸化被膜を均一に形成することを特徴とする、
常圧プラズマ発生用電極の製造方法。
【請求項８】
前記酸化被膜は陽極酸化被膜形成法を利用して形成されることを特徴とする、請求項７記載の常圧プラズマ発生用電極の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、常圧、すなわち、大気圧で放電を通じてプラズマを発生させる電極の製造方法及び電極構造とこれを利用したプラズマ発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のＦＰＤ(Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ) 表面処理装置の中で常圧プラズマ発生装置の適用がますます拡大されるのは別途のチャンバ(Ｃｈａｍｂｅｒ)や真空システムの具備なしにインライン(ｉｎ-ｌｉｎｅ) システムで具現することができるという長所のためである。
【０００３】
すなわち、既存のプラズマ装置は高価の真空チャンバとシステムが必要だったし、これにより、処理速度、装備価格、維持補修費用などがたくさん必要となって、近来に至っては常圧プラズマ発生装置の開発と工程適用が活発に進行される成り行きにある。
【０００４】
図１は一般的な常圧プラズマ発生装置を利用した洗浄システム(１００)の構成を現わした図面である。 
図１に図示されたところのように、洗浄システム(１００)は、洗浄対象であるＬＣＤ ガラス(１３０)の表面にプラズマ反応で生成された酸素ラジカル(Ｏ Ｒａｄｉｃａｌ)(１０７)を噴射する常圧プラズマ発生装置(１１０)と、前記常圧プラズマ発生装置に交流電圧を供給する電源供給装置(１４０)と、前記常圧プラズマ発生装置に繋がれたガス配管を通じて窒素、酸素、空気などのガスを供給するガス供給装置(１２０)と、前記常圧プラズマ発生装置がプラズマ常圧放電を実施する間 ＬＣＤ ガラス(１３０)を一定した速度で一方向に移送する移送装置(１６０)で構成される。
【０００５】
また、ガス供給装置(１２０)で供給された処理ガスはガス注入口(１０８)を通じて常圧プラズマ発生装置(１１０)の隔壁誘電体空間(１０５)に流入されるのに、流入の前に流量調節機(ＭＦＣ: Ｍａｓｓ Ｆｌｏw Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ)(１２１)を通じて供給されるガスの流量が調節される。
また、常圧プラズマ発生装置(１１０)の上部に、ガス注入口(１０８)を通じて供給された処理ガスが隔壁誘電体空間(１０５)の内部に均一に分布されるように、ガス分配機(Ｇａｓ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｏｒ)(１０９)が配置される。
【０００６】
また、ガス分配機(１０９)の下部には誘電体の充電及び放電によってプラズマを発生させる第１誘電体(１０１)と第２誘電体(１０２)が形成される。
【０００７】
また、第１誘電体(１０１)及び第２誘電体(１０２)上に交流電圧を供給するため、第１誘電体(１０１)上に電源電極(１０４)が形成されて、第２誘電体(１０２)上に接地電極(１０３)がそれぞれ形成される。この時、図１に図示された第１誘電体(１０１)と第２誘電体(１０２)は垂直するように向き合う垂直平行対向型の ＤＢＤ(Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ: 誘電体隔壁放電)タイプで構成されている。
また、第１誘電体(１０１)上の電源電極(１０４)は電源供給装置(１４０)と繋がれて、第２誘電体(１０２)上の接地電極(１０３)は接地(１１２)になる。
【０００８】
また、電源電極(１０４)及び接地電極(１０３)上には放熱板(１１１)が設置されて加熱された電極を冷却させる。
【０００９】
このような洗浄システム(１００)での洗浄過程をよく見れば次の通りである。
すなわち、ＬＣＤガラス(１３０)の下部に形成された移送装置(１６０)が洗浄対象であるＬＣＤガラス(１３０)を一定した速度で一方向に移送させる。この時、第１誘電体(１０１)上に形成された電源電極(１０４)に交流電圧を供給すれば、隔壁誘電体空間(１０５)に流入されたガスがプラズマ反応を起こして、プラズマ反応によって生成された酸素ラジカル(１０７)がガス放出口(１０６)を通じて常圧プラズマ発生装置(１１０)の本体外部に放出される。
【００１０】
前記外部に放出された酸素ラジカル(１０７)が洗浄対象であるＬＣＤガラス(１３０)の表面に噴射されて、ＬＣＤガラス(１３０)の表面の有機物をとり除くようになる。
【００１１】
このように、大気圧状態でプラズマを発生させる常圧プラズマの洗浄方法は、基板の表面の有機物、回路製作の時発生する残留ポリマー(Ｐｏｌｙｍｅｒ)などの汚染物質をプラズマの内の酸素ラジカルを利用してとり除く方法として、環境的に安全で洗浄效率の高い長所がある。
【００１２】
通常的に常圧プラズマ発生装置(１１０)はＤＢＤタイプの電極構造を使うのに、前記ＤＢＤタイプの電極構造は垂直または水平の平行対向版の形態で形成することができる。図２ａ乃至図２ｃは従来の水平平行対向型のプラズマの電極構造(２００)を現わした図面である。 
【００１３】
図２ａ及び図２ｂに図示されたところのように、プラズマの電極構造(２００)は、上下部にお互いに平行を取って向き合う第１誘電体(２１０) 及び第２誘電体(２２０)を形成する。
【００１４】
また、第１誘電体(２１０)及び第２誘電体(２２０)の間の間隙を一定するように維持するため、精密加工された絶縁のスペイソ(ｓｐａｃｅｒ)を使うとか、その他の調節可能したガプ(ｇａｐ)調節機を利用して、二つの誘電体の間の間隙を一定するように維持する。
【００１５】
ここで、誘電体の材料では通常の高誘電率のセラミックス(Ｃｅｒａｍｉｃｓ)が使われる。例えば、二酸化珪素、酸化アルミ、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、酸化イットリウムなどの良質のセラミックス(Ｆｉｎｅ Ｃｅｒａｍｉｃｓ)がたくさん使われている。
【００１６】
また、前記第１誘電体(２１０)及び第２誘電体(２２０)のお互いに向き合う表面の反対側に、高電圧の電源が供給されるように、電源電極(２１１)及び接地電極(２２１)を形成する。この時、前記電源電極及び接地電極は金属の薄膜の形態で、前記金属の薄膜の形成過程をよく見ると次の通りである。
【００１７】
すなわち、主にペースト状態の銀、銅、金、アルミなどの良導体がスクリーンプリンティング(Ｓｃｒｅｅｎ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ)、スプレーコーティング(Ｓｐｒａｙ Ｃｏａｔｉｎｇ)などの方法を利用して、前記第１及び第２誘電体の表面に塗布された後高温に焼結される。以後、金属膜に結晶化されて、前記誘電体の表面に完全に固着するように形成される。これは誘電体と金属薄膜との結合の時、気孔などの欠陷がない電極を作るためである。
【００１８】
その理由は、気孔などの欠陷が誘電体と電極の間に存在する時、前記気孔でプラズマが発生して多くの熱が発生するようになって、前記発生された熱によって誘電体の絶縁の性能を低下させて、誘電体の絶縁の性能の破壊、すなわち Ａｒｃｉｎｇが易しく発生するからである。
【００１９】
第１誘電体及び第２誘電体(２１０)(２２０)の一面に金属薄膜の形態の電極(２１１)(２２１)を形成した後には、必ず前記金属の薄膜を保護するための第１及び第２保護膜(２１４)(２２４)を形成さなければならない。これは金属がプラズマによって発生することができる活性分子に対する耐性が非常に弱いからである。
【００２０】
前記金属薄膜の保護膜では、プラズマに対する耐性が高い高分子プラスチックやセラミックスの基盤の無機材料などが使われることができるのに、それぞれの材料にしたがってコーティングの方法には差がある。
【００２１】
また、電源電極(２１１)及び接地電極(２２１)の間の隔壁誘電体空間(２３０)に、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素などの処理ガスを流入させるガス流入口(２１２)(２１３)が、第１誘電体(２１０)上に形成される。
【００２２】
また、電源電極(２１１)に交流電圧が供給されば、隔壁誘電体空間(２３０)に流入された処理ガスがプラズマの状態になる。この時、プラズマの状態の処理ガスイオン(陽イオン、電子、ラジカルなど)が被処理物(ガラス、半導体 ｗａｆｅｒなど)に噴射されるように、一つ以上の微細なホール(Ｈｏｌｅ) またはスリット(ｓｌｉｔ)の形態のガス捌け口(２２３)が、第２誘電体(２２０)、接地電極(２２１)及び第２保護膜(２２４)を貫いて形成される。
【００２３】
このように、プラズマの電極構造はＤＢＤ方式で、一対の対向された誘電体の電極の間でプラズマを発生させる。以後、この中の一つの電極に形成されたガス捌け口を通じてプラズマの状態の反応ガスを排出させて、その下部に位した被処理物を処理する形態の電極構造である。
【００２４】
図２ｃは図２ｂに図示された電極構造でガス捌け口(２２３)が形成されている第２誘電体電極(斜線した部分)を拡大した図面である。図２ｃに図示されたところのように、ガス捌け口(２２３)の断面形態で、非常に薄ら厚さの金属電極(２２１)を保護膜(２２４)を覆って保護する構造になっている。
【００２５】
このような状態でＤＢＤ放電が発生するようになれば、第２誘電体(２２０)の上下部にお互いに違う極性の電荷が集まるようになる。それでは、第２誘電体(２２０)の上下部に電場が形成されて、鋭く形成された金属薄膜の電極(２２１)のエッジ部で電界效果(Ｅｄｇｅ Ｅｆｆｅｃｔ)によってより一層強い電場が形成される。
【００２６】
このような電場によって、第２誘電体(２２０)の上下面の空気層で絶縁の性能の破壊が発生する。すなわち、第２誘電体(２２０)の上面と接地電極(２２１)のエッジ部の間の前記第２誘電体の壁面に沿って放電が起きるようになるのに、これは一種の面放電と言える。
【００２７】
こんなに発生した面放電は高いエネルギーの活性イオンで放電が発生する電極の表面を損傷させるようになって、相対的に厚さが薄ら電極エッジ部の第２保護膜(２２４)を集中的に損傷させるようになる。
【００２８】
図３ａ及び図３ｂは図２ｂの斜線した部分で面放電が発生した例を表す図面である。ここで、図３ａはセラミックスの誘電体、金属の薄膜、セラミックスの保護膜が順次にコーティングされた初期状態を見せてくれて、図３ｂは前記初期コーティング後１００時間の経過後に面放電によって円(ガス捌け口)の回りの保護膜及び電極に侵害現象が発生することを表す。
【００２９】
このようにエネルギーの集中された放電が持続的に発生するようになったら、いくらプラズマの耐性がある物質と言っても、直接的な放電が起きることで侵害現象が発生するようになる。
【００３０】
また、第２保護膜(２２４)が面放電によって侵害されれば、結局には接地電極(２２１)が面放電に直接的に露出するようになる。よって、その後にはプラズマに耐性がない金属の電極が非常に早い速度に侵害されて電極の寿命が終えるようになる。
【００３１】
あるいは、第２保護膜(２２４)の厚さを充分に厚くしてこのような現象を防止しようと思うこともできるが、これもやっぱり易しくない。すなわち、通常セラミックスの系列の無機質や高分子化合物のコーティング方法は、プラズマの溶射法(Ｔｈｅｒｍａｌ Ｓｐｒａｙ)、アーク(ａｒｃ)の溶射法を利用するとか、あるいはペースト状態の材料をスプレーコーティングやスクリーンプリンティング後焼結過程を経るｓｏｌまたはゲル(ｇｅｌ)の方法などを利用することができる。しかし、接地電極(２２１)と一緒に直角で切断したエッジ部位の厚さを高めることは限界がある。
【００３２】
また、平たい接地電極(２２１)の表面の第２保護膜(２２４)の厚さを伸ばすことは可能だが、ガス捌け口(２２３)の断面の内部の厚さを伸ばすことは技術的に困難が多い。
【００３３】
また、エッジ部の保護膜の厚さを伸ばすと言っても、根本的に電界效果による面放電の発生の危険性は常時内包しているのである。
【００３４】
したがって、面放電による保護膜の寝食とこれによって電極が前記放電に直接的に露出することで、寝食の速度が加速されて電極の寿命が急激に低下される問題点は相変らず残るようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３５】
本発明は上記のような問題点を解決するために案出されたことで、その目的は電極の表面に酸化被膜層を形成して、前記酸化被膜層の自体が誘電体と保護膜の役目を同時に遂行するようにした常圧プラズマ発生用電極の製造方法及び電極構造とこれを利用したプラズマの発生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
前記の目的を果たすために、本発明は、一対の電極と、前記一対の電極が相互離隔されてその間に形成されるプラズマの発生空間と、前記一対の電極の中で少なくとも一つの表面に均一に形成された酸化被膜層を含むプラズマの電極構造を提供する。
【００３７】
また、前記電極は表面に自然的または人為的に酸化被膜を形成することができる合金であることを特徴とする。
【００３８】
また、前記電極はアルミ、チタン、マグネシウム、亜鉛、タンタルの何れか一つの合金で構成されたことを特徴とする。
【００３９】
また、前記酸化被膜層は酸化アルミ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化タンタルの中の何れかであることを特徴とする。
【００４０】
また、前記酸化被膜層は陽極酸化被膜形成法を利用して形成されることを特徴とする。
【００４１】
他の望ましい実施例は、一対の電極と、前記一対の電極の中で少なくとも一つの表面に均一に形成された酸化被膜層で構成されるプラズマの電極をと含み、 前記電極の間に形成されたプラズマの発生空間に流入されたガスをプラズマ放電して、発生されたガスイオンを被処理物に噴射する常圧プラズマの発生装置を提供する。
【００４２】
本発明の他の側面によれば、電極の製造方法において、金属を利用して電極の自体を形成して、前記電極の全表面に酸化被膜を均一に形成することを特徴とする。
【００４３】
また、前記酸化被膜は陽極酸化被膜形成法を利用して形成される。
【発明の効果】
【００４４】
以上でよく見たところのように、本発明は、電極の表面に酸化被膜層を形成して、前記酸化被膜層の自体が誘電体と保護膜の役目を同時に遂行することができる。
【００４５】
すなわち、加工費用が高いセラミックスの誘電体代りに相対的に費用が節減されるアルミ合金を利用して電極を形成して、前記電極の表面に陽極酸化被膜形成法を通じて保護膜を形成することで、従来とは違い高価のセラミックスに金属薄膜を形成する工程と保護膜をコーティングする 工程をとり除くことができるので、電極の生産工程を単純化することができることは勿論、製造単価を画期的に節減することができる效果を持つ。
【００４６】
また、バルク状態のアルミ合金電極を使って、陽極酸化被膜形成法によって均一な厚さで酸化被膜層を形成するから、面放電の発生を防止して、電極の寿命を進めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下で添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例が詳しく説明される。
【実施例】
【００４８】
図４ａ及び図４ｂは本発明の望ましい実施例によるプラズマの電極構造(３００)を現わした図面である。
【００４９】
図４ａに図示されたところのように、本発明の望ましい実施例によるプラズマの電極構造(３００)は、プラズマの形成のための高周波の電源を供給するため、上下部にお互いに平行を取って向き合う平板型の電源電極(３１１)及び接地電極(３２１)を具備する。
【００５０】
また、電源電極(３１１)及び接地電極(３２１)の全表面にそれぞれ酸化被膜層(３１０)(３２０)を均一に形成して、前記電源電極及び接地電極の間にプラズマの発生空間(３３０)を形成する。
【００５１】
また、プラズマを発生させるためにプラズマの発生空間(３３０)で処理ガスを流入させるガス流入口(未図示)を形成する。前記ガス流入口は電極に形成するとか前記プラズマの発生空間の側部に形成することができる。
【００５２】
また、電源電極(３１１)に交流電圧が供給されば、プラズマの発生空間(３３０)に流入された処理ガスがプラズマの状態になる。この時、プラズマの状態の処理ガスイオン(陽イオン、電子、ラジカルなど)が被処理物(ガラス、半導体 ｗａｆｅｒなど)に噴射されるように、一つ以上のホール(Ｈｏｌｅ)またはスリット(ｓｌｉｔ)の形態のガス捌け口(３２３)が、接地電極(３２１)及び酸化被膜層(３２０)を貫いて形成される。
【００５３】
一方、既存にはセラミックスを利用して誘電体の隔壁を形成して、その表面に金属電極の薄膜を形成して、前記電極薄膜上にまた保護膜を覆う方法でプラズマの電極構造を形成した。
【００５４】
しかし、本発明では、電源電極(３１１)及び接地電極(３２１)の両電極を形成して、前記接地電極を貫くガス捌け口(３２３)を複数個形成する。
【００５５】
その後、陽極酸化被膜形成法(Ａｎｏｄｉzｉｎｇ)を利用して両電極(３１１)(３２１)のすべての表面に酸化被膜層(３１０)(３２０)を形成する。
また、図４ａに図示されたところのように、電源電極(３１１)及び接地電極(３２１)に皆酸化被膜層(３１０)(３２０)を形成したが、どの一つの電極にだけ酸化被膜層を形成することができるし、特にガス捌け口(３２３)の内側面に面放電が発生される接地電極(３２１)にだけ酸化被膜層を形成して使うことができる。
【００５６】
また、電源電極(３１１)及び接地電極(３２１)は主にアルミ合金を使うが、表面に自然的または人為的に酸化被膜を形成することができる合金も使われることができる。
【００５７】
例えば、チタン(Ｔｉ)、マグネシウム(Ｍｇ)、亜鉛(Zｎ)、タンタル(Ｔａ)などがここに当たる。
【００５８】
また、前記陽極酸化被膜形成法を通じて形成される酸化被膜層は酸化アルミ(Ａｌ２Ｏ３)の結晶であり、これは通常ＤＢＤ電極の誘電体で活用するアルミナのような物質だ。以外にも酸化チタン、酸化マグネシウム(ＭｇＯ)、酸化亜鉛(ZｎＯ)、酸化タンタルなどが使われることができる。
【００５９】
したがって、前記酸化被膜層の自体が誘電体としての役目を担当することができるし、酸化被膜層の自体の立派な耐食性と耐プラズマ性によって、別途の保護膜が必要なしに、前記アルミ合金形態の電源電極(３１１)及び接地電極(３２１)を保護する保護膜をもっての役目も兼ねるようになる。
【００６０】
また、陽極酸化被膜形成法は、アルミ合金の電極を電解液にまったく浸漬させて、電気分解を利用して、前記電極のすべての表面に酸化被膜層を形成するので、いくら複雑な形態の電極でも、前記電極のすべての表面に均一な酸化被膜層を形成することができる。
【００６１】
すなわち、電極の平たい部分やガス捌け口の内部面まで等しい厚さの酸化被膜層が形成される。
【００６２】
また、前記金属電極でアルミ合金を例であげたが、ここに限定されないで、陽極酸化被膜形成法を通じて酸化被膜層を形成することができる多様な種類の金属が使われることができる。
【００６３】
また、酸化被膜層も酸化アルミ外に前記金属電極に活用されることができる金属の酸化被膜層も使われることができる。
【００６４】
図４ｂは図４ａに図示された電極構造でガス捌け口(３２３)が形成されている酸化被膜層及び接地電極(斜線した部分)を拡大した図面である。
【００６５】
図４ｂに図示されたところのように、ＤＢＤ放電の時、酸化被膜層(３２０)の表面と基底層に他の極の電荷が追われるようになって電場が形成されるが、接地電極(３２１)の全表面に均一に形成された酸化被膜層(３２０)によって、電場が空気層を通じて形成されることができなくなる。
また、接地電極(３２１)が既存の金属薄膜(４〜２０μm)の形態ではないバルク(ｂｕｌｋ)状態(１〜５mm)のアルミ合金の電極だから、既存の金属の薄膜と同じエッジ部の電界效果が発生し乃至、電場の集中現象も発生しない。
【００６６】
このような理由によって接地電極(３２１)の表面の面放電発生を基本的に防止することができる。
【００６７】
図５ａ及び 図５ｂは本発明によるプラズマの電極構造では面放電が発生しないことを表す図面である。 
【００６８】
図５ａは本発明によるプラズマの電極の形成の初期状態を見せてくれて、図５ｂはプラズマの放電の持続時間が１００時間の経過後に円(ガス捌け口)の回りで従来(図３ｂ参照)と違い酸化被膜層及び電極に侵害現象が発生しないで、図５ａの初期状態を表す。
【００６９】
このように、面放電が発生しなければ、高いエネルギーのイオンの衝突による侵害現象がないから、既存の保護膜よりも非常に長い寿命を維持することができる。
【００７０】
以上で、本発明によるプラズマの電極構造は、常圧プラズマの発生装置だけでなくプラズマの放電のための多くの形態の装置で電極構造に利用されることができる。
【００７１】
したがって、本発明は前記の実施例に限ることではなくて当該の技術分野において通常の知識を持っている者が本発明の技術的な思想の範囲を脱しない範囲の内で設計の変更や回避の設計をすると言っても本発明の範囲の内にあることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】一般的な常圧プラズマの発生装置を利用した洗浄システム(１００)の構成を現わした図面。
【図２ａ】従来の水平平行対向型のプラズマの電極構造(２００)を現わした図面。
【図２ｂ】従来の水平平行対向型のプラズマの電極構造(２００)を現わした図面。
【図２ｃ】従来の水平平行対向型のプラズマの電極構造(２００)を現わした図面。
【図３ａ】図２の斜線した部分で面放電が発生した例を表す図面。
【図３ｂ】図２の斜線した部分で面放電が発生した例を表す図面。
【図４ａ】本発明の望ましい実施例によるプラズマの電極構造(３００)を現わした図面。
【図４ｂ】本発明の望ましい実施例によるプラズマの電極構造(３００)を現わした図面。
【図５ａ】本発明によるプラズマの電極構造では面放電が発生しないことを表す図面。
【図５ｂ】本発明によるプラズマの電極構造では面放電が発生しないことを表す図面。
【符号の説明】
【００７３】
１００              洗浄システム
２００、３００      プラズマの電極構造
２１１、３１１      電源電極
２２１、３２１      接地電極
２２３、３２３      ガス捌け口
３２０              酸化被膜層
【図１】
2007059397.tif 000003
【図２ａ】
2007059397.tif 000004
【図２ｂ】
2007059397.tif 000005
【図２ｃ】
2007059397.tif 000006
【図３ａ】
2007059397.tif 000007
【図３ｂ】
2007059397.tif 000008
【図４ａ】
2007059397.tif 000009
【図４ｂ】
2007059397.tif 000010
【図５ａ】
2007059397.tif 000011
【図５ｂ】
2007059397.tif 000012