(57)【要約】  【課題】ガラス基板の表面での視認されるむらの発生を防止できるＲＩＥ装置の下部電極表面の研磨方法を提供する。  【解決手段】ＲＩＥ装置の下部電極15の表面16に沿って旋盤31の中心位置Ｃを不連続あるいは非直線状に変化させながら移動させて下部電極15の表面16を研磨する。下部電極15の表面16の研磨むらを小さくできるとともに視認しにくくできる。下部電極15でガラス基板を加熱するときのガラス基板への熱の伝わり方のばらつきを防止しつつ不連続にできる。ガラス基板のＭｏＷ層全体でのエッチング速度の変化を防止しつつ不連続にできる。液晶セルの表示時のむらの発生を防止しつつ視認しにくくできる。  【選択図】図１
2007059545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空なチャンバと、
一主面に所定の膜が成膜された基板が設置される基板設置面を有し前記チャンバ内に位置した電極部と、を具備し、
前記電極部の前記基板設置面に前記基板を設置させた状態で、前記基板の一主面上の前記膜をエッチングするエッチング装置の製造方法であって、
前記電極部の前記基板設置面に研磨手段を接触させた状態で、前記研磨手段を前記基板設置面に沿わせつつ前記研磨手段の中心の移動方向を非直線状および不連続の少なくともいずれかで変化させながら移動させて前記電極部の前記基板設置面を研磨する
ことを特徴とするエッチング装置の製造方法。
【請求項２】
前記研磨手段は、前記研磨手段の中心の直線の移動方向を２ｍｍ以下の間隔で変化させながら研磨する
ことを特徴とする請求項１記載のエッチング装置の製造方法。
【請求項３】
前記研磨手段は、径寸法が異なる複数の旋盤であって、
前記複数の旋盤を前記電極部の前記基板設置面上に接触させつつ前記基板設置面に沿って移動させて前記基板設置面を研磨する
ことを特徴とする請求項１または２いずれか一項に記載のエッチング装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、縦方向および横方向を有する矩形平板状で、
前記電極部の前記基板設置面に前記基板を設置させた状態でのエッチングにて前記基板の一主面上の膜に横方向に沿ったむらができるように前記研磨手段にて前記電極部の前記基板設置面を研磨する
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか一項に記載のエッチング装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極部に設置された基板上の膜をエッチングするエッチング装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のエッチング装置としての反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:ＲＩＥ)装置は、中空なプロセスチャンバを有しており、このプロセスチャンバ内に下部電極が設置されている。また、この下部電極の表面に対向するプロセスチャンバ内に上部電極が設置されている。
【０００３】
そして、このプロセスチャンバ内の下部電極の表面上に基板を設置させた状態で、この下部電極にて前記基板を加熱するとともに、上部電極と下部電極との間に高周波電圧を印加させてプラズマを発生させ、このプラズマにて基板上に積層されているポリシリコン層やＭｏＷ(モリブデン−タングステン)層などの所定の膜を所定のパターンにエッチングさせる構成が知られている(例えば、特許文献１参照)。
【０００４】
一方、液晶表示装置の画像むらの原因の一つとしては、この液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)の特性のばらつきによるものがある。そして、これら薄膜トランジスタの特性をばらつかせる要因としては、液晶表示装置のアレイ基板のガラス基板上に成膜されているポリシリコン層やＭｏＷ層などの所定の膜をＲＩＥ装置にてエッチングさせる際の、このＲＩＥ装置の下部電極の表面の凹凸によって、この下部電極にてガラス基板を加熱する際の熱の伝わり方がばらつき、この熱の伝わり方のばらつきにてエッチング速度が変化し、結果として所定の膜の線幅などがばらついてしまう。
【０００５】
そして、この種のＲＩＥ装置の下部電極の表面は、この下部電極の表面に円形の旋盤を接触させた状態で、この円形の旋盤を下部電極の表面に沿って直線状に移動させることによって研磨されている。
【特許文献１】特開平１１−３１７３９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、ＲＩＥ装置の下部電極の表面に沿って円形の旋盤を直線状に移動させて研磨された下部電極を有するＲＩＥ装置にてガラス基板上の所定の膜をエッチングさせた場合には、この所定の膜の線幅のばらつきが、下部電極の研磨方向に沿って連続的に発生してしまう。このため、このガラス基板上の所定の膜のむらも連続的に大きく発生してしまうから、このむらが視認されやすくなり、液晶表示装置の歩留まりの低下の原因となっていたという問題を有している。
【０００７】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、基板に視認されるむらの発生を防止できるエッチング装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、中空なチャンバと、一主面に所定の膜が成膜された基板が設置される基板設置面を有し前記チャンバ内に位置した電極部と、を具備し、前記電極部の前記基板設置面に前記基板を設置させた状態で、前記基板の一主面上の前記膜をエッチングするエッチング装置の製造方法であって、前記電極部の前記基板設置面に研磨手段を接触させた状態で、前記研磨手段を前記基板設置面に沿わせつつ前記研磨手段の中心の移動方向を非直線状および不連続の少なくともいずれかで変化させながら移動させて前記電極部の前記基板設置面を研磨するものである。
【０００９】
そして、電極部の基板設置面に研磨手段を接触させた状態で、この研磨手段を基板設置面に沿わせつつ、この研磨手段の中心の移動方向を非直線状および不連続の少なくともいずれかで変化させながら移動させて、電極部の基板設置面を研磨する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電極部の基板設置面に凹凸ができにくくなるとともに不連続になるから、チャンバ内に位置した電極部の基板設置面に基板を設置させた状態で、この基板の一主面上の膜をエッチングするときの、電極部の基板設置面と基板との間のばらつきが少なくなるとともに不連続になるので、この基板の一主面上の膜をエッチングした後の基板への視認されるむらの発生を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明のエッチング装置の第１の実施の形態の構成を図２および図３を参照して説明する。
【００１２】
図２において、１はエッチング装置としてのＲＩＥ(Reactive Ion Etching)装置である。すなわち、このＲＩＥ装置１は、反応性イオンエッチング装置であって、中空直方体状のプロセスチャンバ２を備えている。このプロセスチャンバ２は、このプロセスチャンバ２の一主面である上側面を水平に沿わせた状態で設置されており、内部に直方体状の内部空間３が設けられている。
【００１３】
すなわち、このプロセスチャンバ２では、例えばＭｏＷ(モリブデン−タングステン)層４が一主面である表面に所定の膜として積層された基板としての被エッチング基板であるガラス基板５が収容され、このガラス基板５の表面上のＭｏＷ層４を所定のパターンにエッチングさせる。ここで、このガラス基板５は、長手方向である横方向を有するとともに幅方向である縦方向を有する矩形平板状に形成されている。
【００１４】
さらに、このガラス基板５のＭｏＷ層４上には、このＭｏＷ層４をエッチングする際のマスクとなるレジストＲが積層されている。このレジストＲは、ＭｏＷ層４をエッチングにてパターニングする際のパターンに形成されている。すなわち、このＭｏＷ層４は、レジストＲをエッチングマスクとしてエッチングされて、このレジストＲの形状に等しいパターンにパターニングされる。
【００１５】
また、プロセスチャンバ２の一側面には、このプロセスチャンバ２内にプロセスガスであるエッチングガスＧを導入して供給させるガス導入管６が連通されて取り付けられている。このガス導入管６には、プロセスチャンバ２内へと供給されるエッチングガスＧの流量を制御して、このプロセスチャンバ２内の圧力を調整する質量流量計であるマスフロコントローラ(ＭＦＣ)７が取り付けられている。このマスフロコントローラ７は、プロセスチャンバ２内に一定量のエッチングガスＧを流入させる。
【００１６】
さらに、このプロセスチャンバ２の他側面には、このプロセスチャンバ２内の温度を調整するための温度調整配管８の中間部の一部が、このプロセスチャンバ２の外部から内部へと導入された状態で取り付けられている。この温度調整配管８は、いわゆるチラー適温調整であって、この温度調整配管８に所定の温度の流体Ｆを通過させることによって、この流体Ｆが有する熱を奪ったりプロセスチャンバ２内の熱を流体Ｆに与えたりして、このプロセスチャンバ２内の温度を所定の温度に調整させる。
【００１７】
また、このプロセスチャンバ２の他主面である下側面の一側部には、このプロセスチャンバ２内へと導入されて供給されたエッチングガスＧや、このプロセスチャンバ２内でのエッチングによって生成された反応生成物ガスなどの排気ガスＥを外部へと排出させるガス排出管９が連通されて取り付けられている。このガス排出管９には、プロセスチャンバ２内の圧力を調整するためのオート圧力コントローラ(ＡＰＣ)11が取り付けられている。このオート圧力コントローラ11は、圧力制御および開度調整によってプロセスチャンバ２内の圧力を制御させる。すなわち、このオート圧力コントローラ11は、マスフロコントローラ７とによって、プロセスチャンバ２内へのエッチングガスＧの供給量と、このプロセスチャンバ２内からの排気ガスＥの排出量とのそれぞれを調整して、このプロセスチャンバ２内の圧力を所定の圧力に調整させる。
【００１８】
さらに、ガス排出管９のオート圧力コントローラ11より下流側には、いわゆるターボポンプであるターボ分子ポンプ(ＴＭＰ)12およびドライポンプ(Dry Pump)13のそれぞれが順次取り付けられている。これらターボ分子ポンプ12およびドライポンプ13は、プロセスチャンバ２内の雰囲気を大気雰囲気から低真空雰囲気へと雰囲気を変更させて、例えば１０−３Ｐａの高真空雰囲気まで真空引きできる高真空ポンプである。
【００１９】
そして、このプロセスチャンバ２の内部空間３の下方には、基板ステージ機能を有する電極部としての第１の電極である矩形平板状の下部電極15が水平に設置されている。この下部電極15は、プロセスチャンバ２の内部空間３より若干小さな矩形平板状に形成されており、この下部電極15の長手方向の両端部をプロセスチャンバ２の長手方向の内端面のそれぞれに沿わせつつ、この下部電極15の幅方向の両側部をプロセスチャンバ２の幅方向の内側面のそれぞれに沿わせた状態で設置されている。
【００２０】
ここで、図３に示すように、この下部電極15は、アルミニウム(Ａｌ)にて構成された母材層15aを有し、この母材層15aの一主面である表面上に、アルマイトにて構成されたアルマイト層15bが積層されている。さらに、このアルマイト層15bの一主面である表面上には、堆積膜としてのデポジション膜15cが積層されている。
【００２１】
また、下部電極15の一主面である上側には、ガラス基板５が設置される平坦な基板設置部としての基板設置面である表面16が形成されている。この表面16は、プロセスチャンバ２内の幅方向および長手方向それぞれの中央部に位置するように水平に設置されている。また、この下部電極15の下側面の中央部は、容量であるコンデンサ17を介してバイアス電源18に直列に電気的に接続されている。これらコンデンサ17およびバイアス電源18は、プロセスチャンバ２の外側に設置されている。また、このバイアス電源18は、接地されて電気的に絶縁されており、例えば６ＭＨｚの高周波を下部電極15に供給させて印加させる。
【００２２】
さらに、プロセスチャンバ２の内部空間３の上方には、この内部空間３より若干小さな電極部である第２の電極としての矩形平板状の上部電極21が設置されている。この上部電極21には、図示しない上部コイルが内蔵されている。そして、この上部電極21は、この上部電極21の一主面である下面22を下部電極15の表面16に平行に対向させた状態で、この下部電極15より上方のプロセスチャンバ２内に設置されている。また、この上部電極21の他主面である上面23には、マッチングボックス(Matching Box)24を介して高周波電源(ＲＦ:Radio Frequency)25が電気的に接続されている。
【００２３】
ここで、このマッチングボックス24は、高周波電源25の出力を制御する制御手段であって、高周波電源25からの高周波を、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波に制御してから上部電極21に印加させる。また、これらマッチングボックス24および高周波電源25は、プロセスチャンバ２の外側に設置されている。そして、この高周波電源25は、プロセスチャンバ２の外部から内部へと導入された配線26を介して上部電極21の上面23に電気的に接続されている。
【００２４】
さらに、この高周波電源25は、この高周波電源25から供給する高周波をマッチングボックス24にて調節してから上部電極21の上部コイルへと印加して、この上部電極21と下部電極15との間に電位差を生じさせて、これら上部電極21と下部電極15との間にプラズマを発生させ、この下部電極15の表面16上に設置されているガラス基板５上のＭｏＷ層４を所定のパターンにエッチングさせる。
【００２５】
次に、上記第１の実施の形態のエッチング装置の作用について説明する。
【００２６】
まず、ガラス基板５の表面にＭｏＷ層４を積層し、このＭｏＷ層４上に所定のパターンのレジストＲを積層させる。
【００２７】
次いで、このガラス基板５をＲＩＥ装置１のプロセスチャンバ２内へと挿入させて、このガラス基板５の表面のＭｏＷ層４が上部電極21の下面22に対向するように、このガラス基板５を下部電極15の表面16上に設置させる。
【００２８】
この状態で、マスフロコントローラ７にて流量を制御しながらガス導入管６からエッチングガスＧをプロセスチャンバ２内へと導入させるとともに、このプロセスチャンバ２内の圧力が所定の高真空雰囲気となるように、オート圧力コントローラ11、ターボ分子ポンプ12およびドライポンプ13にてガス排出管９からのエッチングガスＧなどを必要に応じて排気させる。
【００２９】
また同時に、温度調整配管８に流体Ｆを順次通過させて、下部電極15を９０℃程度に加熱させる。
【００３０】
そして、ガラス基板５が導入されたプロセスチャンバ２内が所定の高真空雰囲気になった状態で、高周波電源25から印加される高周波の出力をマッチングボックス24にて制御して調整してから上部電極21の上部コイルに、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加させるとともに、バイアス電源18から下部電源15に、例えば６ＭＨｚの高周波電圧であるバイアス電圧を印加させる。
【００３１】
この結果、これら上部電極21と下部電極15との間に電位差が生じ、この電位差によって上部電極21と下部電極15との間のエッチングガスＧがプラズマ化されて、これら上部電極21と下部電極15との間にプラズマが生成される。
【００３２】
このとき、このプラズマ中のラジカルが、ガラス基板５上のレジストＲにて覆われていない部分のＭｏＷ層４の分子と化学反応すると同時に、バイアス電源18による下部電極15へのバイアス電圧の印加によってプラズマ中のイオンが下部電極15上のガラス基板５上に引き込まれて、レジストＲにて覆われていない部分のＭｏＷ層４が剥れて除去されてエッチングされる。
【００３３】
そして、このエッチングにて除去されたＭｏＷ層４が気化して反応生成物ガスとなり、この反応生成物ガスがエッチングガスＧとともに排気ガスＥとしてプロセスチャンバ２内に充満する。
【００３４】
この後、オート圧力コントローラ11、ターボ分子ポンプ12およびドライポンプ13にてガス排出管９からプロセスチャンバ２内に充満している排気ガスＥを外部へと排気させてから、このプロセスチャンバ２内の下部電極15の表面に設置されているエッチング後のガラス基板５をプロセスチャンバ２内から取り出す。
【００３５】
次に、上記第１の実施の形態のエッチング装置の製造方法である下部電極の研磨方法を図１を参照して説明する。
【００３６】
まず、比較的小さな外径寸法である５０ｃｍ以上６０ｃｍ以下の外径寸法を有する研磨手段である円形の旋盤31を、下部電極15の表面16に接触させる。
【００３７】
この状態で、この旋盤31を下部電極15の表面16に沿わせつつ、この旋盤31の研磨領域の中心である中心位置Ｃを変化させながら、この下部電極15の表面16に沿ってランダムに移動させて、この下部電極15の表面16全体を研磨する。
【００３８】
さらに、この旋盤31による研磨の最終仕上げの時には、この旋盤31を下部電極15の表面16に沿わせつつ、この旋盤31の中心位置Ｃの移動方向を、規則性を有さないように不連続であるとともに非直線状に変化させながら、この下部電極15の表面16に沿ってランダムに移動させて、この下部電極15の表面16全体を研磨する。
【００３９】
このとき、この旋盤31の移動方法としては、研磨後の下部電極15の表面16の凹凸がむらとして視認されにくい０．８μｍ以下となるように、この旋盤31の中心位置Ｃを円形状に移動させる。
【００４０】
具体的に、通常の液晶セルを視認する距離で人間の目で視認できる限界の間隔が２ｍｍ以下であるので、この旋盤31を２ｍｍ以上の間隔で直線的に移動させず、少なくとも２ｍｍ以下の間隔で中心位置Ｃの移動方向を変化させながら、下部電極15の表面16を略均一に研磨させる。
【００４１】
言い換えると、この旋盤31の中心位置Ｃが規則正しく移動せず、繰り返しの移動とならないように、この旋盤31を移動させて下部電極15の表面16を研磨させる。
【００４２】
ここで、図１１に示す比較例のように、下部電極15の表面16に凹凸が形成されている場合には、この下部電極15の表面16の凸部41の部分でのみ、この下部電極15の表面16がガラス基板５の裏面に接触するに過ぎない。したがって、この下部電極15の凹部42が形成されている部分では、この下部電極15の表面16とガラス基板５の裏面との間に隙間43が形成されてしまう。
【００４３】
このため、この下部電極15の凹部42が形成されている部分での下部電極15からガラス基板５への熱の伝わりが、この下部電極15の凸部41が位置する部分での下部電極15からガラス電極５への熱の伝わりより悪くなる。よって、この下部電極15の凹部42が位置する部分でのガラス基板５のＭｏＷ層４のエッチング速度が、この下部電極15の凸部41が位置する部分でのガラス基板５のＭｏＷ層４のエッチング速度より遅くなるから、このガラス基板５をエッチングした際に下部電極15の凹部42上のガラス基板５のＭｏＷ層４の線幅が太くなってしまう。
【００４４】
そこで、上述した第１の実施の形態のように、ＲＩＥ装置１の下部電極15の表面16に比較的小さな外径寸法の旋盤31を接触させた状態で、この下部電極15の表面16に沿って旋盤31の中心位置Ｃを不連続に変化させながら移動させて、この下部電極15の表面16にむらとして視認される程度の０．８μｍ以上の凹凸ができないように、この下部電極15の表面16を滑らかかつ平坦に研磨させる構成とした。
【００４５】
この結果、この旋盤31にて研磨した後の下部電極15の表面16にむらとして視認される０．８μｍ以上の凹凸ができないとともに、この下部電極15の表面16に形成される凹凸が不連続になる。したがって、この下部電極15の表面16に発生する研磨むらを小さくできるとともに、視認しにくい形状にできる。よって、ＲＩＥ装置１のプロセスチャンバ２内に取り付けた下部電極15の表面16にガラス基板５を設置させた際に、このガラス基板５の裏面と下部電極15の表面16との間に隙間43ができにくく不連続になる。
【００４６】
このため、このＲＩＥ装置１にてガラス基板５上のＭｏＷ層４をエッチングするときの、このガラス基板５の裏面と下部電極15の表面16との間の接触のばらつきを少なくできるとともに不連続にできる。よって、この下部電極15にてガラス基板５を加熱するときに、この下部電極15からガラス基板５への熱の伝わり方のばらつきを防止しつつ不連続にできる。したがって、このガラス基板５上のＭｏＷ層４をエッチングする際の、このＭｏＷ層４全体でのエッチング速度の変化を防止しつつ不連続にできる。
【００４７】
この結果、エッチング後のＭｏＷ層４の線幅のばらつきを０．５μｍ以下に抑制できるとともに不連続にできるので、このエッチング後のＭｏＷ層４の線幅のばらつきを防止および不連続にできる。よって、このＭｏＷ層４をゲート電極とした各薄膜トランジスタの駆動特性のばらつきを防止および不連続にできる。このため、これら薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置としての液晶セル33に画像を表示させたときのむらの発生を防止しつつ、このむらを人間の目によって視認されにくくできる。よって、この液晶セル33のむら不良の発生率を減少できるから、この液晶セル33の歩留まりの低下を防止できるので、この液晶セル33の歩留まりを向上できる。
【００４８】
なお、上記第１の実施の形態では、比較的小さな旋盤31を不連続に移動させて下部電極15の表面16を研磨したが、図４に示す第２の実施の形態のように、この旋盤31の中心位置Ｃの直線の移動方向Ｄを２ｍｍ以下の間隔で９０゜の角度で変更しながら、この旋盤31の中心位置Ｃをジグザグな直線状に移動させることもできる。
【００４９】
具体的に、この旋盤31は、この旋盤31の中心位置Ｃを、１ｍｍ間隔のジグザグ状、例えば１ｍｍほど縦方向に移動した後に横方向に１ｍｍ移動させてから、１ｍｍ縦方向に移動した後に逆の横方向あるいは先ほどの水平方向に１ｍｍ移動させる。さらに、この旋盤31は、下部電極15の表面16の横方向に向けて等間隔に離間させた位置から、この下部電極15の表面16の縦方向に沿ってジグザグ状に移動されて、この下部電極15の表面16を不連続に研磨させる。
【００５０】
この結果、人間の目で視認できる限界である２ｍｍ以下のむらが下部電極15の表面16に形成されるに過ぎないので、この下部電極15の表面16の研磨むらを視認しにくくできるから、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。このとき、図４に示す略コ字状の連続したジグザグ状や、図５に示す略Ｖ字状の連続したジグザグ状に旋盤31の中心位置Ｃを移動させることもできる。
【００５１】
さらに、図６に示す第３の実施の形態のように、比較的小さな旋盤31より大きな外径寸法である比較的大きな１ｍｍ程度の外径寸法を有する研磨手段である円形の旋盤32を不連続に移動させて、下部電極15の表面16を研磨することもできる。この場合も、研磨後に下部電極15の表面16に形成される研磨むらを小さくできるとともに、この研磨むらを視認されにくくできるから、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００５２】
また、図７に示す第４の実施の形態のように、比較的小さな旋盤31と比較的大きな旋盤32とを組み合わせて、これら旋盤31,32それぞれを不連続に移動させて、下部電極15の表面16を研磨することもできる。すなわち、これら大きさの異なる旋盤31,32を組み合わせることによって、下部電極15の表面16を研磨するときの連続性を無くすことができる。したがって、研磨後に下部電極15の表面16に形成される研磨むらをより小さくできるとともに、この研磨むらをより視認しにくくできるから、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００５３】
さらに、人間の目は水平方向に位置しているため、人間の目には横むらより縦むらの方が視認されやすく分かりやすい。そこで、図８ないし図１０に示す第５の実施の形態のように、ＲＩＥ装置１にてエッチングした後のガラス基板５の表面に、人間の目に視認されにくい横方向に沿ったむらのみが形成されるように、このＲＩＥ装置１の下部電極15の表面16を研磨することもできる。
【００５４】
この場合、図８に示すように、この下部電極15の表面16は、この下部電極15の表面16の横方向に向けて所定間隔を介した位置のそれぞれにおいて、比較的小さな旋盤31にて下部電極15の縦方向に沿って研磨されている。この結果、この旋盤31にて研磨された後の下部電極15の表面には、この下部電極15の横方向に向けて所定間隔を介した位置のそれぞれに縦方向に沿った研磨むらＭがそれぞれ形成されている。
【００５５】
また、ガラス基板５の表面のＭｏＷ層４に横方向に沿った表示むらである横むらＮが形成されるように、このガラス基板５が下部電極15の表面16に設置される。すなわち、このガラス基板５は、このガラス基板５が液晶セル33となるように複数に分割した後の状態で、この液晶セル33の一側縁に設けられている接続領域であるＰＡＤ部34それぞれの長手方向が、下部電極15の縦方向に沿うように、この下部電極15の表面16に設置される。
【００５６】
具体的に、設計の段階で、ＲＩＥ装置１の下部電極15の表面16に設置するガラス基板５を分割した後の各液晶セル33の点灯時に横むらＮとしてのみむらが見えるように、この下部電極15の表面16の研磨方向を、例えば縦方向に沿った重なり代となるように縦方向に沿って研磨する。
【００５７】
この結果、図９および図１０に示すように、このガラス基板５の分割後に複数の液晶セル33となるように、このガラス基板５の縦方向および横方向のそれぞれに沿って格子状に分割した後の液晶セル33のＰＡＤ部34以外の領域である画像表示領域である画像表示領部35には、この液晶セル33の横方向に沿った横むらＮのみが発生するに過ぎなくなる。
【００５８】
したがって、これら液晶セル33には、これら液晶セル33の点灯時である画像表示時に、人間の目に視認されにくい横むらＮが生じるに過ぎない。結果として、これら液晶セル33でのむらの発生率を防止でき、これら液晶セル33の歩留まりを向上できるので、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００５９】
なお、上記各実施の形態では、ＲＩＥ装置１の下部電極15の表面16を比較的小さな旋盤31および比較的大きな旋盤32の少なくともいずれか一方にて研磨したが、これら旋盤31,32にて下部電極15の表面16を研磨した後に、この下部電極15の表面16を、例えばスコッチ・ブライト(登録商標)(住友スリーエム株式会社製)などの不織布表面処理材あるいはポリッシュなどの研磨剤にて研磨して、この下部電極15の表面16をより滑らかに研磨することもできる。
【００６０】
さらに、ガラス基板５としては、液晶セル33となる基板であっても対応させて用いることができるとともに、このガラス基板５の表面に成膜されたＭｏＷ層４としては、液晶セルのアレイ基板のゲート電極以外のその他のエッチング可能な膜であっても対応させて用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１の実施の形態のエッチング装置の製造方法を示す説明平面図である。
【図２】同上エッチング装置を示す説明構成図である。
【図３】同上エッチング装置にてエッチングされる基板を示す説明断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態のエッチング装置の製造方法を示す説明平面図である。
【図５】同上エッチング装置の電極部の研磨方向を示す説明図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態のエッチング装置の製造方法を示す説明平面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態のエッチング装置の製造方法を示す説明平面図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態のエッチング装置の製造方法を示す説明平面図である。
【図９】同上エッチング装置にてエッチングされる基板を示す説明平面図である。
【図１０】同上基板を分割した後の液晶セルを示す説明平面図である。
【図１１】比較例のエッチング装置にてエッチングされる基板を示す説明断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１    エッチング装置としてのＲＩＥ装置
２    チャンバとしてのプロセスチャンバ
４    膜としてのＭｏＷ層
５    基板としてのガラス基板
15    電極部としての下部電極
16    基板設置面としての表面
31,32    研磨手段としての旋盤
Ｃ    中心としての中心位置
Ｎ    むらとしての横むら
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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