(57)【要約】【課題】常温及び１００℃以上の高温では磁石の磁気特性が温度変化するため、モータ特性が変化する。この磁石の温度依存性に起因するモータ特性の温度依存性を低減させることが課題である。【解決手段】複数のスロット及び複数のティースを形成する固定子と、前記ティースに巻かれる電機子巻線と、前記固定子の内部に配置する回転子とを有し、前記固定子の内周側に整磁材を配置し、前記整磁材の表面又は内部に高抵抗層を形成する回転機の構成を採る。【選択図】図５
2007174805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスロット及び複数のティースを形成する固定子と、
前記ティースに巻かれる電機子巻線と、
前記固定子の内部に配置する回転子とを有し、
前記固定子の内周側に整磁材を配置し、
前記整磁材の表面又は内部に高抵抗層を形成する回転機。
【請求項２】
前記整磁材はＦｅＮｉ，ＣｏＮｉ系，ＦｅＮｉＭ (Ｍ＝Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ、Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ,Ａｕ)系あるいはＣｏＮｉＭ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｒｕ、Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ）系の合金の何れかにより形成される請求項１に記載の回転機。
【請求項３】
前記高抵抗層はフッ素化合物を含む請求項１に記載の回転機。
【請求項４】
前記高抵抗層は平均膜厚が１ｎｍ以上１００００ｎｍ以下である請求項１に記載の回転機。
【請求項５】
前記整磁材は前記ティースの先端に配置する請求項１に記載の回転機。
【請求項６】
前記整磁材の断面積を前記ティースの中心断面積よりも大きくする請求項５に記載の回転機。
【請求項７】
前記回転子は複数の永久磁石を有し、
前記永久磁石の残留磁束密度が前記整磁材の飽和磁束密度以下である請求項１に記載の回転機。
【請求項８】
前記永久磁石としてボンド磁石を使用する請求項７に記載の回転機。
【請求項９】
複数のスロット及び複数のティースを形成する固定子と、
前記ティースに巻かれる電機子巻線と、
前記固定子の内部に配置する回転子とを有し、
前記固定子の内周側に整磁材を配置し、
前記ティースの周方向中心位置でギャップ側表面における表面磁束密度が前記整磁材の飽和磁束密度を超え、前記ティースの断面積をギャップ側で大きくする回転機。
【請求項１０】
複数のスロット及び複数のティースを形成する固定子と、
前記ティースに巻かれる電機子巻線と、
前記固定子の内部に配置する回転子とを有し、
前記回転子の一部に永久磁石を用い、かつ前記回転子の外周側に整磁材を配置する回転機。
【請求項１１】
前記ティースは、ギャップ側で断面積が大きい形状である請求項１０に記載の回転機。
【請求項１２】
複数のスロット及び複数のティースを形成する固定子と、
前記ティースに巻かれる電機子巻線と、
前記固定子の内部に配置する回転子とを有し、
前記固定子の内周側に整磁材を配置し、
前記整磁材の表面又は内部にフッ化物を主成分とする膜を形成する回転機。
【請求項１３】
前記フッ化物はＬａＦ3 である請求項１２に記載の回転機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、整磁材を用いた回転機に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
整磁材あるいは整磁合金，整磁鋼を用いた回転機は下記特許文献１に記載のように磁束バイパス用円板として使用されている。この円板は表面損により昇温した磁石が所望のギャップ磁束量を発生し得なくなった際、バイパス磁束を減じて補う役目を果たし、運転時に安定したトルクを得ることができることになる。前記記載内容は２０℃に設計し、磁石の温度が損失で上昇した時に磁束をギャップに漏らすように整磁鋼を用いている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２１０６８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
Ｆｅ系整磁材あるいはＣｏ系整磁材の損失は積層珪素鋼板よりも大きく、２０℃から
２００℃の温度範囲で飽和磁束密度や透磁率が低温ほど増加する特徴がある。損失が珪素鋼板よりも大きいのは、珪素鋼板のような絶縁層を形成した積層体と比較してバルク整磁材の抵抗が０.１ｍΩcm よりも小さく、低抵抗による渦電流損失が大きいため、整磁材の損失が大きい。飽和磁束密度や透磁率の温度依存性が上記のように低温ほど増加する磁性材料には、ＮｉＦｅ合金，ＣｏＮｉＦｅ合金がある。このような合金は圧延シートあるいは粉末で入手できるが、回転機の回転子あるいは固定子の一部に使用する場合、粉末を原料にして加工したほうが、加工形状および材料利用率の向上の点で有利である。粉末を型などに挿入して加圧成形する場合、高透磁率，高抵抗などの特性をもち、高効率モータへの適用が期待されている。しかし、整磁材の飽和磁束密度は、整磁材を構成する材料系によって異なる。また、これらの磁気特性は熱処理により変化することが知られている。
ＮｄＦｅＢ系磁石のキュリー温度は低く残留磁束密度や、保磁力は室温から１００℃において温度に強く依存する。このため、室温（２０℃）より高温で磁気回路を設計した場合、室温よりも低温で磁気回路に流れる磁束の大きさなどが変わり、そのため回転機ではモータ特性が高温での設計と異なるようになり、使用温度によって問題となる場合が出てくる。特にＮｄＦｅＢ系磁石を磁気回路に使用している場合、高温側で設計すると、低温で大トルクが発生することになり、低温側で設計すると高温側でトルク不足になる。自動車に使用される磁気回路では、使用環境温度が−５０℃から２００℃になる部品がありこのような時にＮｄＦｅＢ磁石などの低キュリー温度の磁石材料を適用しようとすると温度依存性のために設計が困難になる。
【０００５】
上記従来技術では、整磁鋼自身の抵抗が低いため発熱しやすく磁石部の温度の方が整磁鋼の温度よりも低くなる場合には、トルクが設定よりも大きくなり不安定となる。上記従来技術には整磁鋼の損失に関する記載がなく、また磁石の渦電流損失を低減するために軸方向分割に関する記載はあるが、磁石の高抵抗化による渦電流損失低減に関する記載はない。従って、整磁材の渦電流損失による発熱があり、モータ特性の温度依存性を低減させることが困難となる。
【０００６】
本願発明では、整磁材あるいは磁石の抵抗を高め、渦電流を低減させた回転機などの磁気回路を構成することが課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段として、複数のスロット及び複数のティースを形成する固定子と、前記ティースに巻かれる電機子巻線と、前記固定子の内部に配置する回転子とを有し、前記固定子の内周側に整磁材を配置し、前記整磁材の表面又は内部に高抵抗層を形成する回転機の構成を採る。
【０００８】
ここで整磁材とは室温（２０℃）以上から２００℃以下の温度で磁気特性が大きく変化する軟磁性材料であり、飽和磁束密度や透磁率が１００℃±１００℃の範囲で軟磁気特性の温度依存性が大きい材料である。このような整磁材を磁気回路の一部に用いると、磁石からの磁束は整磁材によって変化する。磁石から発生する磁束は磁石近傍の整磁材によってその方向や大きさが変わる。磁石の磁極を整磁材でつなげた場合、整磁材の飽和磁束密度が大きいほど磁石からの磁束は整磁材の外には出にくくなる。磁石から離れた空間の磁束密度は、整磁材のありなしによって変わり、磁石磁極に接触して整磁材が配置された場合には、整磁材がない場合と比較して高温では高い磁束密度、低温で低い磁束密度とすることが可能である。また磁気回路の空間にこのような整磁材を配置すると、低温で磁束が整磁材に流れ、高温で磁束が磁気回路を主に流すように設計することができる。整磁材として使用可能な合金はＦｅＮｉ，ＣｏＮｉ系，ＦｅＮｉＭ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ、Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ）系あるいはＣｏＮｉＭ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ、Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ）系である。
【０００９】
回転子が表面磁石回転子であり、固定子に整磁材を用いた場合、固定子の内周側にリング状の整磁材を配置することで、低温側の誘起電圧増大を防止することが可能である。これは、整磁材の飽和磁束密度が１００℃から２０℃以下になると飽和磁束密度が１０％以上増加し、そのため回転子とコアを流れる磁束の一部が整磁材を流れ、整磁材に流れる磁束が低温ほど大きくなるためである。誘起電圧の温度依存性を低減するために、上記整磁材に回転子とコア間を流れる磁束の一部を整磁材に流れるような構造とし、整磁材のもつ磁気特性の温度依存性を利用して低温になるほど磁束が整磁材に流れるようにすることが可能である。磁石が回転子表面から離れた位置に埋め込まれる場合、磁石から発生する磁束は回転子内に強磁性体があれば、その強磁性体に磁束が流れ、さらに回転子の外からコアに流れる磁束がある。回転子内の強磁性体の一部に整磁材を用いることにより磁束の一部は整磁材を流れるようになる。この整磁材の配置，材料の種類，整磁材製造プロセスに依存して磁束量の温度依存性が変わり、低温で回転子の外周側の磁束量は減少させることが可能である。回転子内の希土類磁石の残留磁束密度が高い場合でも、その磁束の一部は整磁材に流れるように設計することが可能である。上記整磁材は金属であるため電気抵抗が低い。そのため薄板を絶縁処理した積層体あるいは粉末に絶縁処理して成形した材料を作製し、高抵抗化して使用する必要がある。これは、整磁材に渦電流が流れると発熱し、整磁材付近の温度が上昇するため整磁材を流れる磁束量が減少してしまうためである。すなわち整磁材を使用して磁気回路を流れる磁束の一部を整磁材に流すことにより、モータ特性の温度依存性を低減させるためには、整磁材自身が渦電流によって発熱することを防止しなければならない。そこで、整磁材の表面に絶縁膜あるいは高抵抗層を形成することで、整磁材に渦電流が流れにくくする。Ｆｅ，ＣｏあるいはＮｉなどの強磁性材が整磁材になるため、絶縁膜としては整磁材の磁気特性あるいは磁気特性の温度依存性を劣化させるものではないことが望ましい。絶縁あるいは高抵抗材料としては、酸化物、フッ化物、窒化物、あるいは炭化物が選ばれるが、熱処理によって磁気特性を制御する場合には熱処理で高抵抗層と強磁性材との間で磁気特性を大きく変える反応や拡散などの生じにくい系を選ぶ必要がある。反応や拡散による磁気特性の劣化が生じにくい高抵抗層としては上記のうちフッ化物，窒化物である。フッ素化合物として使用できるのは、ＢａＦ2，ＣａＦ2，ＭｇＦ2，ＳｒＦ2，ＬｉＦ，ＬａＦ3，ＮｄＦ3，ＰｒＦ3，ＳｍＦ3，ＥｕＦ3，ＧｄＦ3，ＴｂＦ3，ＤｙＦ3，ＣｅＦ3，ＨｏＦ3，ＥｒＦ3，ＴｍＦ3，ＹｂＦ3，ＬｕＦ3,ＬａＦ2，ＮｄＦ2，ＰｒＦ2，ＳｍＦ2，ＥｕＦ2，ＧｄＦ2，ＴｂＦ2，ＤｙＦ2，ＣｅＦ2,ＨｏＦ2，ＥｒＦ2，ＴｍＦ2，ＹｂＦ2，ＬｕＦ2，ＹＦ3，ＳｃＦ3，ＣｒＦ3，ＭｎＦ2，ＭｎＦ3，ＦｅＦ2，ＦｅＦ3，ＣｏＦ2，ＣｏＦ3，ＮｉＦ2，ＺｎＦ2，ＡｇＦ，ＰｂＦ4，ＡｌＦ3，ＧａＦ3，ＳｎＦ2，ＳｎＦ4，ＩｎＦ3，ＰｂＦ2，ＢｉＦ3であり、これらの化合物にＣ，Ｏ，Ｎなどの不純物が混入していても上記化合物の主構造に大きな変化が無ければ高抵抗層として良い。また上記の複数���フッ化物が混合している場合、フッ素以外の元素の一部に不純物が混入している場合、上記フッ化物と他の酸化物の混合体、上記フッ化物と窒化物との混合体であっても良い。窒化物としてはＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＢＮなどである。上記高抵抗層が形成された整磁材の粉末と強磁性を示す他の粉末との混合体を用いても良い。また上記高抵抗層は高抵抗を示す粉末材料を整磁材の外周に塗布するか、溶液を整磁材に塗布後、溶媒を除去して整磁材表面に形成するか、整磁材に蒸着などの膜形成手法で形成するか、高抵抗を示す粉末を整磁材の粉末径よりも小さく粉砕して混合するか、高抵抗を示す粉砕粉と溶媒を混合し、それを整磁材に吹き付けた後に溶媒を除去するかいずれかの手法を用いることが可能である。整磁材のみではなく、渦電流を抑制するために鉄系の飽和磁束密度１.０Ｔ 以上の材料あるいは希土類元素を含む高保磁力材料に関しても上記手法で、上記高抵抗層を形成することが可能である。上記高抵抗層の平均厚さは１ｎｍから１００００ｎｍであり、磁気特性や抵抗の設計値によってその厚さを制御する。
【００１０】
ティース先端部（ティースの回転子側先端）の断面積をティース中心（回転子側先端とコアバックとの中心）での断面積より大きくとり整磁材を用いること、あるいは、ティースとコアバックの材料を変えてその一部に整磁材を用いることが可能である。ギャップの磁束密度を高くして高トルクにしたい場合には、回転子の磁石付近にのみ整磁材を配置することが望ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によりモータ特性の温度依存性を小さくすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００１３】
図１は本発明による整磁材を使用した回転機（以下整磁材回転機と略す）の径方向断面形状を示す。図１において、整磁材回転機の固定子２はティース４とコアバック５からなる固定子鉄心６と、ティース４間のスロット７内にはティース４を取り囲むように巻装された集中巻の電機子巻線８（三相巻線のＵ相巻線８ａ，Ｖ相巻線８ｂ，Ｗ相巻線８ｃからなる）から構成される。ここで、整磁材回転機は４極６スロットであるから、スロットピッチは電気角で１２０度である。回転子はシャフト孔９あるいは回転子挿入孔１０に挿入し、回転子シャフト３の外周表面に永久磁石１を配置している。固定子には厚さ約２５
μｍのＦｅＳｉＢの非晶質材を使用し、薄帯を打ち抜き後、樹脂を薄帯の１／１０以下の厚さで塗布し占積率を高めるためにプレス成形している。固定子２に非晶質材を使用することで、１０００rpm 以上の高速回転で低損失とすることができる。これは非晶質のヒステリシス損や渦電流損が珪素鋼板に比べて小さいからであり、高効率が要求されるエアコンなどの家電モータ，分散電源用発電機，ＨＥＶ駆動モータなどに適している。一般に電圧波形に高調波成分あるいは高次数の成分が重畳し、電圧波形に歪が生じており、このような高調波成分による磁性体内の渦電流損をできるだけ小さくし高効率化を計る。そのために、ティース４の内周側のティース間に抵抗値が磁石と同等以上の抵抗をもつ整磁材を配置する。整磁材にはＦｅ７０Ｎｉ３０合金を用いた。この整磁材の抵抗を高めるために前記組成の合金粉（粉末径１０〜１００μｍ）の表面に１〜１０００ｎｍのフッ化物膜を形成した。その手法を以下に示す。
【００１４】
Ｆｅ７０Ｎｉ３０粉末に溶媒を用いてゲル化あるいはゾル化したＬａＦ3 を使用して磁性粉末表面の一部または全面に結晶質または非晶質のＬａＦ3 主成分とする膜を形成する。磁性粉末に塗布する際には、磁性粉末に磁気的あるいは構造的ダメージを与えにくい溶媒を選択して使用する。塗布して形成したＬａＦ3 の膜厚は、平均で１−１０００ｎｍである。フッ化物層と磁性粉末の界面付近には、酸化物及び微量の不純物である炭素あるいは酸素含有化合物があってもよい。このようなフッ化物として同様な溶液が使用できるのは、ＢａＦ2，ＣａＦ2，ＭｇＦ2，ＳｒＦ2，ＬｉＦ，ＬａＦ3，ＮｄＦ3,ＰｒＦ3,ＳｍＦ3，ＥｕＦ3，ＧｄＦ3，ＴｂＦ3，ＤｙＦ3，ＣｅＦ3，ＨｏＦ3，ＥｒＦ3，ＴｍＦ3,ＹｂＦ3，ＬｕＦ3，ＬａＦ2，ＮｄＦ2，ＰｒＦ2，ＳｍＦ2，ＥｕＦ2，ＧｄＦ2，ＴｂＦ2,ＤｙＦ2，ＣｅＦ2，ＨｏＦ2，ＥｒＦ2，ＴｍＦ2，ＹｂＦ2，ＬｕＦ2,ＹＦ3，ＳｃＦ3，ＣｒＦ3，ＭｎＦ2，ＭｎＦ3，ＦｅＦ2，ＦｅＦ3，ＣｏＦ2，ＣｏＦ3，ＮｉＦ2，ＺｎＦ2，ＡｇＦ，ＰｂＦ4，ＡｌＦ3，ＧａＦ3，ＳｎＦ2，ＳｎＦ4，ＩｎＦ3，ＰｂＦ2，ＢｉＦ3 あるいはこれらのフッ素化合物を２種類以上混合した複合フッ素化合物、あるいはＭｘＦｙで表示されるフッ素化合物でＭが１種あるいは複数の金属元素、Ｘが１から５、Ｙが１から１０の組成であるフッ化物である。Ｆの一部に酸素，炭素，窒素，ホウ素などの軽元素が混合しても良い。このようにフッ化物を表面処理プロセスにより粉末表面に形成し、加圧成形して密度９０〜９９％の圧粉体を得る。この圧粉体は加工が可能であり抵抗は１５０ｍΩcm以上となる。このようなフッ化物の形成には他の手法も採用できる。その手法を以下に示す。
【００１５】
Ｎｉ７０Ｆｅ３０薄帯は、組成を調整した母合金を急冷することにより作製後粉砕し１〜１００μｍの平均径にする。次に溶媒を用いてゲル化したＬａＦ3 を使用して磁性粉末表面の一部または全面に結晶質または非晶質のＬａＦ3 を主成分とする膜を形成する。
Ｎｉ７０Ｆｅ３０磁性粉末に塗布する際には、磁性粉末に磁気的あるいは構造的ダメージを与えにくい溶媒を選択して使用する。塗布して熱処理により形成したＬａＦ3 の膜厚は、平均で１−１００００ｎｍである。ＬａＦ3 の厚さを平均１００ｎｍになるように平均粒径１０−２０ｎｍのＬａＦ3 を塗布し、熱処理温度が８００℃以下では構造や組成が変化しないことをＸ線回折やＴＥＭで確認している。上記フッ素を含む化合物または合金と同等の組成をもった非晶質のフッ素化合物含有成分を少なくとも１種類以上粉末表面に形成し２００℃以上の温度で加熱することにより、粉末の加圧による変形歪の除去とそれにともなうヒステリシス低減が可能である。
【００１６】
電圧波形歪を小さくするために、図２に示すようにティースの断面積をギャップ近傍で大きくすることが有効であり、整磁材回転機の固定子２はティース４とコアバック５からなる固定子鉄心６と、ティース４間のスロット７内にはティース４を取り囲むように巻装された集中巻の電機子巻線８（三相巻線のＵ相巻線８ａ，Ｖ相巻線８ｂ，Ｗ相巻線８ｃからなる）から構成される。ここで、整磁材回転機は４極６スロットであるから、スロットピッチは電気角で１２０度である。回転子はシャフト孔９あるいは回転子挿入孔１０に挿入し、回転子シャフト３の外周表面に永久磁石１を配置している。厚さ約２５μｍの
ＦｅＳｉＢの非晶質材または珪素鋼板を使用し、これらを打ち抜き後、樹脂を塗布し占積率を高めるためにプレス成形している。また、永久磁石１の材料は、Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ を主相の組成あるいは構造とする種々のグレードについて回転子を作製している。その結果を図３に示す。整磁材１０１がティース先端に配置されており、磁石からみた面積はティース４の面積よりも広くなっている。このようにすることで、回転機の使用雰囲気温度が室温より低下した場合、磁束は整磁材１０１に流れる。整磁材１０１を円周上に繋ぐことにより、磁束の一部はティース４に流れず、整磁材１０１を回転するようになる。このようなバイパス磁束によりトルクが抑制される。整磁材１０１はこのように固定子側に配置され、使用温度が−５０℃と２００℃でのトルク変動を抑えることができる。これはNdFeB系磁石の残留磁束密度の温度依存性が約０.１％／℃ で変化し、低温で磁石からの磁束が増加し、トルクの温度依存性が生じるのを防止している。リング状の整磁材を固定子内周側に配置し、回転機の誘起電圧について雰囲気温度において測定した結果が図３に示してある。整磁材がない場合に比べ、整磁材を使用することにより低温での誘起電圧が抑えられる。回転子外周側にリング状に配置した場合の測定結果を図４に示す。この場合も磁石からの磁束を低温側で抑制することができるため、回転子表面の磁束密度の温度依存性は整磁材があることで小さくなっていることがわかる。
【００１７】
図５は、回転子にリラクタンストルクを利用するためのスリットが形成された場合である。整磁材回転機の固定子２はティース４とコアバック５からなる固定子鉄心６と、ティース４間のスロット７内にはティース４を取り囲むように巻装された集中巻の電機子巻線８（三相巻線のＵ相巻線８ａ，Ｖ相巻線８ｂ，Ｗ相巻線８ｃからなる）から構成される。ここで、整磁材回転機は４極６スロットであるから、スロットピッチは電気角で１２０度である。回転子はシャフト孔９あるいは回転子挿入孔１０に挿入し、回転子シャフト３の外周表面に永久磁石１を配置している。永久磁石１の残留磁束密度は温度依存性を示し、低温で大きくなる。このため低温で回転機を起動する時に設計以上の高トルク特性を示し問題となる場合がある。そこで図５に示すように整磁材１０１を回転子１０２の外周部にリング状に配置する。この整磁材１０１はＮｉＦｅ合金であり、高抵抗化して渦電流による温度上昇を抑制している。その抵抗値は使用している磁石以上にしてある。このように整磁材１０１を配置すると低温で磁石からの磁束の一部は整磁材１０１をバイパスするようになるためトルクが抑えられる。図５の永久磁石１はボンド磁石の場合でも同様な効果が確認されている。
【００１８】
図６は、瓦型の焼結磁石からなる永久磁石１を回転子の外周側に配置し、回転子１０２の外周に整磁材１０１が配置されている。最外周を整磁材にすることにより、低温での磁石からの磁束は整磁材１０１をバイパスするようになり、モータ特性の温度依存性を低減できる。
【００１９】
図７は立方体に近い形状の永久磁石１を回転子１０２に配置した回転子であり、ティース４のギャップ側でティース断面積が大きくなっている。回転子表面の磁束密度は整磁材１０１が配置されているため、温度依存性が小さい。したがって誘起電圧や誘起電圧波形などの温度依存性が小さくなる。
【００２０】
図８は永久磁石の無い回転子１０２で作製した回転機の軸方向に垂直な面での構造が示されている。整磁材１０１によりリラクタンストルクの温度依存性は大きくなる。室温より低温ではリラクタンストルクが小さく、室温より高温ではリラクタンストルクが大きくなる。これは整磁材１０１の透磁率が室温以下の場合と１００℃とで異なり、室温以下の方が１０％以上大きいためである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】回転機の径方向断面形状。
【図２】回転機の径方向断面形状（ティース断面積が径方向で異なる）。
【図３】誘起電圧の温度依存性。
【図４】最大磁束密度の温度依存性。
【図５】回転機の径方向断面形状。
【図６】回転機の径方向断面形状。
【図７】回転機の径方向断面形状。
【図８】回転機の径方向断面形状。
【符号の説明】
【００２２】
１…永久磁石、２…固定子、３…回転子シャフト、４…ティース、５…コアバック、６…固定子鉄心、７…スロット、８…電機子巻線、９…シャフト孔、１０…回転子挿入孔、１０１…整磁材。
【図１】
2007174805.tif 000003
【図２】
2007174805.tif 000004
【図３】
2007174805.tif 000005
【図４】
2007174805.tif 000006
【図５】
2007174805.tif 000007
【図６】
2007174805.tif 000008
【図７】
2007174805.tif 000009
【図８】
2007174805.tif 000010