(57)【要約】 【課題】液浸露光装置における計測部を用いた計測精度の劣化を抑え、基板を良好に露光することができる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、計測ステージ５の上面５Ｆに設けられたスリット６１を含むように設定された第１領域８１と、上面５Ｆで第１領域８１の周囲に設定され、第１領域８１よりも液体に対して撥液性を有する第２領域８２とを備えている。第１領域８１は、その第１領域８１及びその近傍での液体の残留が抑制されるように、所定の大きさ以下に設定されている。【選択図】        図４
2007059522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板を露光する露光装置において、
所定面上に設けられた計測部を含むように設定された第１領域と、
前記所定面上で前記第１領域の周囲に設定され、前記第１領域よりも液体に対して撥液性を有する第２領域とを備え、
前記第１領域は、該第１領域での液体の残留が抑制されるように、所定の大きさ以下に設定されている露光装置。
【請求項２】
前記第２領域は撥液性材料で被覆され、前記第１領域は前記撥液性材料で被覆されていない請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１領域は、直径１ｍｍ以下に設定される請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１領域は、略円形状である請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記所定面上に、前記第１領域を覆うように液体の液浸領域を形成する液浸機構と、
前記所定面を有する所定部材を前記液浸領域に対して移動することによって、前記液浸領域を前記第１領域とその外側の領域との間で移動可能な駆動機構とを備え、
前記第１領域の大きさは、前記液浸領域が前記第１領域から退いたときに、前記第１領域に液体が残留しないように設定される請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１領域の大きさは、前記所定部材を移動するときの移動条件に応じて設定される請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記移動条件は、前記所定部材の移動速度、加減速度、及び移動方向の少なくとも一部を含む請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記移動条件を考慮して、前記第１領域の形状、及び液体に対する接触角の少なくとも一方が設定される請求項６又は７記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１領域を覆うように前記液浸領域を形成した状態で前記計測部を用いて所定の計測処理を行う制御装置を備えた請求項５〜８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１０】
前記制御装置は、前記液浸領域の液体を介して前記計測部に前記露光光を照射することによって前記計測処理を行う請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
液体を介して基板を露光する露光装置において、
所定面上に設けられた計測部を含むように設定された第１領域と、
前記所定面上で前記第１領域の周囲に設定され、前記第１領域よりも液体に対して撥液性を有する第２領域と、
前記所定面上に、前記第１領域を覆うように液体の液浸領域を形成する液浸機構と、
前記所定面を有する所定部材を前記液浸領域に対して移動することによって、前記液浸領域を前記第１領域とその外側の領域との間で移動可能な駆動機構と、
前記液浸領域が前記第１領域から退いたときに、前記第１領域に液体が残留しないように、前記第１領域の大きさに応じて、前記所定部材の移動条件を設定する制御装置とを備えた露光装置。
【請求項１２】
前記移動条件は、前記部材の移動速度、加減速度、及び移動方向の少なくとも一部を含む請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１領域の形状、及び液体に対する接触角の少なくとも一方も考慮して、前記移動条件が設定される請求項１１又は１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記所定面上には複数の計測部が設けられ、前記第１領域は前記複数の計測部に対応するように複数設定され、
前記制御装置は、前記複数の第１領域のそれぞれから前記液浸領域を退かすときの移動条件を前記複数の第１領域に応じてそれぞれ設定する請求項１１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１４のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、露光光の光路を液体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、液浸露光装置において、所定の計測部を用いて計測を行う場合、その計測部上に液体の液浸領域を形成することが考えられる。その場合において、例えば計測部上の液体の除去動作を行った後、計測部上に液体が残留すると、残留した液体に起因して、その計測部を用いた計測精度が劣化する可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸露光装置における計測部を用いた計測精度の劣化を抑え、基板を良好に露光することができる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、所定面（５Ｆ）上に設けられた計測部（６１）を含むように設定された第１領域（８１）と、所定面（５Ｆ）上で第１領域（８１）の周囲に設定され、第１領域（８１）よりも液体（ＬＱ）に対して撥液性を有する第２領域（８２）とを備え、第１領域（８１）は、該第１領域（８１）での液体（ＬＱ）の残留が抑制されるように、所定の大きさ以下に設定されている露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、計測部を含む第１領域での液体の残留を抑制することができ、その計測部を用いた計測精度の劣化を抑制することができる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、所定面（５Ｆ）上に設けられた計測部（６１）を含むように設定された第１領域（８１）と、所定面（５Ｆ）上で第１領域（８１）の周囲に設定され、第１領域（８１）よりも液体（ＬＱ）に対して撥液性を有する第２領域（８２）と、所定面（５Ｆ）上に、第１領域（８１）を覆うように液体（ＬＱ）の液浸領域（ＬＲ）を形成する液浸機構（１２、１３など）と、所定面（５Ｆ）を有する所定部材（５）を液浸領域（ＬＲ）に対して移動することによって、液浸領域（ＬＲ）を第１領域（８１）とその外側の領域との間で移動可能な駆動機構（５Ｄ）と、液浸領域（ＬＲ）が第１領域（８１）から退いたときに、第１領域（８１）に液体（ＬＱ）が残留しないように、第１領域（８１）の大きさに応じて、所定部材（５）の移動条件を設定する制御装置（７）とを備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、計測部を含む第１領域での液体の残留を抑制することができ、その計測部を用いた計測精度の劣化を抑制することができる。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、計測部を用いた計測精度の劣化が抑制された露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、液浸露光装置における計測部を用いた計測精度の劣化を抑え、基板を良好に露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００１４】
図１は本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈを有し、基板ホルダ４Ｈに基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載し、基板ステージ４とは独立して移動可能な計測ステージ５と、各ステージの位置情報を計測するレーザ干渉システム６と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）を塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。なお、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
【００１５】
本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内においてＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行な方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１６】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路Ｋを液体ＬＱで満たす液浸システム１を備えている。液浸システム１の動作は制御装置７に制御される。液浸システム１は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い第１光学素子ＬＳ１の下面と、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板ホルダ４Ｈ上の基板Ｐの表面との間の露光光ＥＬの光路Ｋを液体ＬＱで満たして液浸領域ＬＲを形成する。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１７】
露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影している間、液浸システム１を用いて、露光光ＥＬの光路Ｋを液体ＬＱで満たす。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと露光光ＥＬの光路Ｋに満たされた液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、第１光学素子ＬＳ１と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋに満たされた液体ＬＱが、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。
【００１８】
なお、液浸領域ＬＲは、基板Ｐ上だけでなく、投影光学系ＰＬの像面側において、第１光学素子ＬＳ１と対向する位置に配置された物体上、例えば基板ステージ４の一部や計測ステージ５の一部などにも形成可能である。
【００１９】
照明系ＩＬは、光源及び照明光学系を含んで構成されており、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＡを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においては、光源としてＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられ、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００２０】
照明光学系は、フライアイレンズ等のオプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、リレー光学系、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域ＩＡを設定するブラインド装置３０、及びコンデンサレンズ等を備えている。ブラインド装置３０は、露光光ＥＬの光路上に設けられ、マスクＭ上での露光光ＥＬの照射領域（照明領域）ＩＡ、及び基板Ｐ上での露光光ＥＬの照射領域（投影領域）ＡＲを調整可能である。
【００２１】
マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置３Ｄの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報は、レーザ干渉システム６の一部を構成するレーザ干渉計６Ｍによって計測される。レーザ干渉計６Ｍは、マスクステージ３上に設けられた移動鏡３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計６Ｍの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置３Ｄを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００２２】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２３】
基板ステージ４は、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈを有しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置４Ｄの駆動により、基板ホルダ４Ｈに基板Ｐを保持した状態で、ベース部材ＢＰ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ホルダ４Ｈは、基板ステージ４上に設けられた凹部４Ｒに配置されており、基板ステージ４のうち凹部４Ｒ以外の上面４Ｆは、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面と、基板ステージ４の上面４Ｆとの間に段差があってもよい。
【００２４】
基板ステージ４（ひいては基板Ｐ）の位置情報は、レーザ干渉システム６の一部を構成するレーザ干渉計６Ｐによって計測される。レーザ干渉計６Ｐは、基板ステージ４に設けられた移動鏡４Ｋを用いて、基板ステージ４のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計６Ｐの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置４Ｄを駆動し、基板ステージ４に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
【００２５】
計測ステージ５は、基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサ等、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む計測ステージ駆動装置５Ｄの駆動により、計測器を搭載した状態で、ベース部材ＢＰ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。計測ステージ５の位置情報は、レーザ干渉システム６の一部を構成するレーザ干渉計６Ｐによって計測される。レーザ干渉計６Ｐは、計測ステージ５に設けられた移動鏡５Ｋを用いて、計測ステージ５のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計６Ｐの計測結果に基づいて、計測ステージ駆動装置５Ｄを駆動し、計測ステージ５の位置制御を行う。なお、計測ステージを備えた露光装置については、例えば特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報等により詳細に開示されている。
【００２６】
次に、液浸システム１について説明する。液浸システム１は、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１と、その第１光学素子ＬＳ１と対向する位置に配置され、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋを液体ＬＱで満たす。液浸システム１は、第１光学素子ＬＳ１と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋの近傍に設けられ、その光路Ｋに対して液体ＬＱを供給するための供給口１２及び液体ＬＱを回収するための回収口２２を有するノズル部材７１と、供給管１３、及びノズル部材７１の内部に形成された供給流路を介して供給口１２に液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材７１の回収口２２から回収された液体ＬＱを、ノズル部材７１の内部に形成された回収流路、及び回収管２３を介して回収する液体回収装置２１とを備えている。供給口１２と供給管１３とは供給流路を介して接続されており、回収口２２と回収管２３とは回収流路を介して接続されている。本実施形態においては、ノズル部材７１は、露光光ＥＬの光路Ｋを囲むように環状に設けられており、液体ＬＱを供給する供給口１２は、ノズル部材７１のうち、露光光ＥＬの光路Ｋを向く内側面に設けられ、液体ＬＱを回収する回収口２２は、ノズル部材７１のうち、基板Ｐの表面と対向する下面に設けられている。
【００２７】
液体供給装置１１は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。また、液体回収装置２１は、真空系等を備えており、液体ＬＱを回収可能である。液体供給装置１１及び液体回収装置２１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３、及びノズル部材７１の供給流路を流れた後、供給口１２より露光光ＥＬの光路Ｋに供給される。また、液体回収装置２１を駆動することにより回収口２２から回収された液体ＬＱは、ノズル部材７１の回収流路を流れた後、回収管２３を介して液体回収装置２１に回収される。制御装置７は、液浸システム１を制御して、供給口１２からの液体供給動作と回収口２２を介した液体回収動作とを並行して行うことで、第１光学素子ＬＳ１と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋを液体ＬＱで満たし、液浸領域ＬＲを形成する。
【００２８】
図２は基板ステージ４及び計測ステージ５の動作の一例を説明するための模式図である。制御装置７は、ステージ駆動装置４Ｄ、５Ｄを用いて、基板ステージ４及び計測ステージ５のそれぞれをベース部材ＢＰ上で互いに独立して移動可能である。また、制御装置７は、基板ステージ４と計測ステージ５との位置関係を調整可能である。例えば、図２に示すように、制御装置７は、基板ステージ４と計測ステージ５とを接近又は接触させることができ、基板ステージ４の上面４Ｆと計測ステージ５の上面５Ｆとをほぼ同じ高さ（面一）にすることができる。また、制御装置７は、基板ステージ４の上面４Ｆと計測ステージ５の上面５Ｆとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ４と計測ステージ５とをＸＹ方向に一緒に移動することにより、液浸システム１によって形成された液浸領域ＬＲを、基板ステージ４の上面４Ｆと計測ステージ５の上面５Ｆとの間で移動することができる。
【００２９】
また、基板ステージ４の上面４Ｆは、液体ＬＱに対して撥液性を有している。本実施形態においては、上面４Ｆは、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系材料等の撥液性を有する材料を含む。また、計測ステージ５の上面５Ｆのうち、後述する第１領域８１以外の領域も、基板ステージ４の上面４Ｆと同様に、液体ＬＱに対して撥液性を有する材料で被覆されている。
【００３０】
図３は計測ステージ５の平面図である。上述のように、計測ステージ５は、露光処理に関する各種計測を行うための複数の計測器（計測部材）を備えている。計測ステージ５の上面５Ｆの所定位置には、第１の光透過部４０が形成されており、その光透過部４０の下方（−Ｚ方向）には、例えば国際公開第９９／６０３６１号パンフレット（対応する欧州特許第１，０７９，２２３号明細書）等に開示されるような、波面収差計測器４１が配置されている。
【００３１】
また、計測ステージ５の上面５Ｆの所定位置には、第２の光透過部４２が形成されており、その光透過部４２の下方（−Ｚ方向）には、投影光学系ＰＬを介して計測ステージ５上に照射される露光光ＥＬに関する情報（光量、照度、照度むら等）を計測する露光光計測器４３が配置されている。露光光計測器４３としては、例えば特開昭５７−１１７２３８号公報（対応する米国特許第４，４６５，３６８号）等に開示されているように照度むらを計測したり、特開２００１−２６７２３９号公報に開示されているように投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測するためのむら計測器、及び例えば特開平１１−１６８１６号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書）等に開示される照射量計測器（照度計測器）を用いることができる。
【００３２】
また、計測ステージ５の上面５Ｆの所定位置には、複数の基準マークが形成された基準板４４が設けられている。基準板４４には、例えば特開平７−１７６４６８号公報に開示されているような、ＶＲＡ（Visual Reticle Alignment）方式のアライメント系で計測される基準マーク４５、及び例えば特開平４−６５６０３号公報に開示されているような、ＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメント系で計測される基準マーク４６が設けられている。
【００３３】
また、計測ステージ５の上面５Ｆの所定位置には、透明部材４７が設けられており、その透明部材４７の下方（−Ｚ方向）には、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１や、透明部材４７上に形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲの画像（光学像）を取得可能な観察用カメラが設けられている。観察用カメラは、光学系及び撮像素子を備えており、液浸領域ＬＲ等の画像を透明部材４７を介して取得する。
【００３４】
また、計測ステージ５の上面５Ｆの所定位置には、スリット状の光透過部６１が形成されており、その光透過部（スリット）６１の下方（−Ｚ方向）には、例えば特開２００２−１４００５号公報や特開２００２−１９８３０３号公報に開示されているような、投影光学系ＰＬの結像特性（光学特性）を計測する空間像計測器６０が配置されている。
【００３５】
図４はスリット６１近傍の断面図、図５は平面図である。図４及び図５において、スリット６１はスリット板６５に形成されている。図４に示すように、計測ステージ５の５Ｆの一部には開口５Ｒが形成されており、その開口５Ｒにスリット板６５が嵌め込まれている。また、計測ステージ５には、開口５Ｒに接続する内部空間が形成されている。空間像計測器６０は、スリット６１を通過した光を受光する受光素子６３を備えている。スリット板６５の下方には、受光素子６３が隙間無く配置されており、スリット６１からの光は、気体空間を通過せずに受光素子６３に入射する。開口５Ｒに嵌め込まれたスリット板６５の上面と、計測ステージ５の上面５Ｆとほぼ面一であり、スリット板６５の上面は、計測ステージ５の上面５Ｆの一部を構成している。すなわち、本実施形態においては、スリット６１は、スリット板６５の上面を含む計測ステージ５の上面５Ｆに設けられている。
【００３６】
スリット板６５は、透明なガラス板部材６４と、そのガラス板部材６４の上面に形成されたクロム等からなる遮光膜６２とを備えており、その遮光膜６２の一部に、遮光膜６２が形成されていないスリット６１が形成されている。ガラス板部材６４の形成材料としては、ＡｒＦエキシマレーザ光あるいはＫｒＦエキシマレーザ光に対する透過性を有する合成石英あるいは螢石などが用いられる。スリット６１は、遮光膜６２を例えばエッチング処理することで形成可能である。また、遮光膜６２のスリット６１近傍には段差６２Ｄが設けられている。
【００３７】
スリット板６５の上面（計測ステージ５の上面５Ｆ）は、スリット６１を含むように設定された第１領域８１と、スリット板６５の上面（計測ステージ５の上面５Ｆ）で第１領域８１の周囲に設定され、第１領域８１よりも液体ＬＱに対して高い撥液性を有する第２領域８２とを備えている。スリット板６５の上面（計測ステージ５の上面５Ｆ）のうち、第２領域８２は撥液性材料からなる撥液膜６８で被覆され、第１領域８１は撥液膜６８で被覆されていない。第２領域８２においては、撥液膜６８が最も上層（表層）に設けられている。撥液膜６８は、フッ素系樹脂材料を含む材料で構成されている。本実施形態においては、撥液膜６８は、旭硝子社製「サイトップ」によって形成されている。
【００３８】
遮光膜６２と撥液膜６８との間には、光透過性を有する材料からなる中間膜６６が設けられている。第１領域８１においては、中間膜６６が最も上層（表層）に設けられている。すなわち、第１領域８１においては、中間膜６６は、スリット６１（スリット６１から露出したガラス板部材６４）、及び遮光膜６２を覆っている。中間膜６６は、スリット６１における遮光膜６２とガラス板部材６４との段差や、遮光膜６２の段差６２Ｄを小さくするとともに、撥液膜６８の密着性を高めるために設けられている。本実施形態において、中間膜６６は、例えばＳｉＯ２（液化硬化ＳｉＯ２）によって形成されている。
【００３９】
このように、第１領域８１においては中間膜６６が露出し、第２領域８２においては撥液膜６８が露出しており、第２領域８２は第１領域８１よりも液体ＬＱに対して撥液性を有している。本実施形態においては、第１領域８１（中間膜６６）の液体ＬＱに対する接触角は２０〜３０°程度、第２領域８２（撥液膜６８）の液体ＬＱに対する接触角は１０５°程度である。
【００４０】
図５に示すように、撥液膜６８が設けられていない第１領域８１は、第１領域８１及びその近傍での液体ＬＱの残留が抑制されるように、所定の大きさ以下に設定されている。本実施形態においては、第１領域８１は略円形状であり、その直径Ｄは１ｍｍ以下に設定されている。
【００４１】
なお、スリット６１の長さは１０〜１５μｍ程度、幅は０．２μｍ程度の微小なものである。また、図では、Ｘ軸方向を長手方向とするスリット６１が１つだけ図示されているが、実際には、Ｘ軸方向を長手方向とするスリットとＹ軸方向を長手方向とするスリットとがそれぞれ複数ずつ設けられている。そして、それら複数のスリットが第１領域８１内に配置されている。
【００４２】
なお、スリット板６５の上面の一部に第１領域８１を設ける場合には、例えば、まずスリット板６５の上面の全域に、撥液膜６８を設けた後、その撥液膜６８の一部（第１領域８１に対応する領域の撥液膜）を除去する。撥液膜６８の一部を除去する処理としては、例えば、ドライエッチング処理が挙げられる。もちろん、スリット板６５に撥液膜６８を被覆（塗布）するときに、第１領域８１に対応する領域には、その撥液膜６８を塗布しないようにすることで、第１領域８１を形成することができる。
【００４３】
次に、空間像計測器６０を用いて投影光学系ＰＬの結像特性を計測する方法について図６を参照して説明する。図６（Ａ）は投影光学系ＰＬの像面側に形成された液浸領域ＬＲとスリット板６５との位置関係を模式的に示す側面図、図６（Ｂ）は平面図である。
【００４４】
図６に示すように、制御装置７は、液浸システム１を用いて、投影光学系ＰＬとスリット板６５との間を液体ＬＱで満たす。液浸システム１は、計測ステージ５の上面５Ｆに、第１領域８１を覆うように液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。制御装置７は、第１領域８１を覆うように液浸領域ＬＲを形成した状態で、スリット６１を用いて計測処理を行う。また、スリット６１を含む空間像計測器６０を用いて計測処理を行うに際し、マスクステージ３には、空間像計測用パターンが形成された計測用マスクが保持される。
【００４５】
制御装置７は、照明系ＩＬより露光光ＥＬを射出する。露光光ＥＬは、計測用マスク、投影光学系ＰＬ、及び液浸領域ＬＲの液体ＬＱを通過した後、スリット板６５に照射される。スリット板６５のスリット６１を通過した光は、空間像計測器６０の受光素子６３に受光される。受光素子６３は、受光量に応じた光電変換信号（光量信号）を制御装置７に出力する。制御装置７は、受光素子６３の受光結果に基づいて所定の演算処理を行い、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介した結像特性を求める。このように、制御装置７は、液浸領域ＬＲの液体ＬＱを介してスリット６１に露光光ＥＬを照射することによって、計測処理を行う。
【００４６】
ここで、制御装置７は、照明系ＩＬのブラインド装置３０を用いて、計測用マスク上の照明領域ＩＡ、ひいてはスリット板６５上の投影領域ＡＲの大きさを調整し、露光光ＥＬを照射するようにしてもよい。具体的には、制御装置７は、露光光ＥＬが第１領域８１の内側のみに照射されるようにブラインド装置３０を調整し、第２領域８２には露光光ＥＬが照射されないようにすることができる。
【００４７】
本実施形態の撥液膜６８は、露光光ＥＬ（紫外光）に対して耐性を有しているものの、露光光ＥＬ（紫外光）の照射により、その撥液性が劣化したり、あるいはその表面状態が劣化する（荒れる）等、その品質が劣化する不具合が発生する可能性がある。そのため、露光光ＥＬが照射されるスリット６１を覆うように撥液膜６８を設けた場合、露光光ＥＬの照射により、その露光光ＥＬの照射された部分の撥液膜６８の品質が劣化し、その後の計測処理に影響を及ぼしたり、計測精度が劣化する可能性がある。
【００４８】
本実施形態においては、露光光ＥＬが照射されるスリット６１を含む第１領域８１には撥液膜６８が設けられていないので、上述のような不具合の発生を防止することができる。
【００４９】
一方、第２領域８２を含む計測ステージ５の上面５Ｆの大部分の領域を撥液性にすることにより、液浸領域ＬＲが計測ステージ５上から退いた後にも、液体ＬＱの残留を防止することができる。
【００５０】
スリット６１を含む第１領域８１を覆うように液浸領域ＬＲを形成した状態での空間像計測器６０による計測処理が完了した後、図７に示すように、制御装置７は、計測ステージ駆動装置５Ｄを用いて、上面５Ｆを有する計測ステージ５を、投影光学系ＰＬの像面側に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲに対してＸＹ方向に移動し、その液浸領域ＬＲを第１領域８１の外側の領域に移動する。すなわち、制御装置７は、計測ステージ５を移動することによって、液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かす。
【００５１】
本実施形態においては、第１領域８１の大きさは、液浸領域ＬＲが第１領域８１から退いたときに、第１領域８１及びその近傍に液体ＬＱが残留しないように設定されている。第１領域８１及び／又はその近傍に液体ＬＱが残留した場合、その残留した液体ＬＱが気化するときの気化熱によって計測精度が劣化する可能性がある。また、第１領域８１に液体ＬＱが残留した場合、その残留した液体ＬＱが気化することによって、スリット６１を含む第１領域８１に液体ＬＱの付着跡（本実施形態ではウォーターマーク）が形成される可能性がある。ウォーターマークは異物として作用するため、その後の計測動作に影響を及ぼしたり、計測精度を劣化させる等の不具合が発生する可能性がある。本実施形態では、第１領域８１の大きさが最適に設定されているので、液浸領域ＬＲが第１領域８１から退いたときに、第１領域８１及びその近傍に液体ＬＱが残留することを防止することができる。
【００５２】
次に、第１領域８１の大きさを最適に設定するために行った実験及びその結果について、図８及び図９の模式図を参照しながら説明する。上面５Ｆ上に設けられたスリット８１を含むように設定された第１領域８１を覆うように液浸領域ＬＲを形成した後、液浸領域ＬＲに対して所定の移動速度で所定方向に上面５Ｆを移動し、第１領域８１内及び／又はその近傍に液体ＬＱが残留したかどうかを観察した。
【００５３】
すなわち、図８（Ａ）に示すように、上面５Ｆに設けられた第１領域８１を覆うように液浸領域ＬＲを形成した後、図８（Ｂ）に示すように、上面５Ｆを液浸領域ＬＲに対して所定の移動速度で所定方向に移動し、第１領域８１内及び／又はその近傍に液体ＬＱが残留したかどうかを観察した。第１領域８１の直径Ｄを１ｍｍ以下に設定した場合には、第１領域８１及びその近傍には液体ＬＱが残留しなかった。
【００５４】
一方、図９の模式図に示すように、第１領域８１の直径Ｄを２ｍｍ、４ｍｍに設定した場合、第１領域８１の近傍に液体ＬＱの滴が残留した。
【００５５】
このように、本実験においては、第１領域８１を直径１ｍｍ以下に設定することにより、液浸領域ＬＲが第１領域８１から退いたときに、第１領域８１及びその近傍に液体ＬＱが残留することを抑制することが分かった。
【００５６】
なお、上述の第１領域８１の大きさは一例であり、例えば計測ステージ５を移動するときの移動条件に応じて最適に設定してもよい。ここで、移動条件とは、計測ステージ５の移動速度、加速度（減速度）、及び移動方向の少なくとも一つを含む。例えば、液浸領域ＬＲを第１領域８１上から退かすときに、計測ステージ５の移動速度を遅くすることにより、第１領域８１の大きさを１ｍｍより大きくしても、第１領域８１に液体ＬＱが残留し難くなる可能性がある。また、例えば、液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かすときの計測ステージ５の移動速度を高速化したい場合には、第１領域８１の大きさを１ｍｍより小さくすることが望ましい。
【００５７】
実験では、第１領域８１の直径Ｄを４ｍｍに設定し、計測ステージ５を５００ｍｍ／ｓｅｃ．の移動速度で移動した場合、第１領域８１の近傍に残留した液体ＬＱの滴の数は、２又は３つであったが、２５０、３５０ｍｍ／ｓｅｃ．の移動速度で移動した場合、第１領域８１の近傍に残留した液体ＬＱの滴の数は、２つであるという結果を得た。また、第１領域８１の直径Ｄを２ｍｍに設定し、計測ステージ５を２５０、３５０、５００ｍｍ／ｓｅｃ．の移動速度で移動した場合、第１領域８１の近傍に残留した液体ＬＱの滴の数は、それぞれ１つ、１つ、２つであった。また、第１領域８１の直径Ｄを１ｍｍに設定し、計測ステージ５を２５０、３５０、５００ｍｍ／ｓｅｃ．の移動速度で移動した場合、第１領域８１及びその近傍には液体ＬＱは残留しなかった。
【００５８】
また、液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かすときの計測ステージ５の加速度、減速度、及び移動方向などに応じて、第１領域８１の大きさを設定することで、液体ＬＱの残留を抑制できる可能性がある。このように、第１領域８１の大きさを、計測ステージ５を移動するときの移動条件に応じて設定することで、液体ＬＱの残留を抑制できる可能性がある。
【００５９】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。基板Ｐを露光する前に、上述した手順で、空間像計測器６０を用いた投影光学系ＰＬの結像特性の計測処理が行われる。
【００６０】
第１領域８１を覆うように液浸領域ＬＲを形成した状態でスリット６１を用いて計測処理を行った後（又は前）、制御装置７は、例えば露光光計測器４３を用いた計測、基準板４４を用いた計測、及び波面収差計測器４１を用いた計測の少なくとも一つを行うことができる。本実施形態では、計測ステージ５の上面５Ｆのうち、光透過部４２を含む所定領域（第１領域）の撥液膜６８が所定の大きさ（直径１ｍｍ）で除去されているので、露光光計測器４３を用いた計測動作終了後、その光透過部４２を含む第１領域から液浸領域ＬＲを退かしても、その第１領域及びその近傍に液体ＬＱが残留することが防止されている。同様に、本実施形態においては、計測ステージ５の上面５Ｆのうち、光透過部４０を含む所定領域（第１領域）、及び基準板４４の基準マーク４５、４６を含む所定領域（第１領域）でも撥液膜６８が除去されており、それら第１領域も直径１ｍｍ以下の大きさとなっているので、計測動作終了後に第１領域から液浸領域ＬＲを退かしても、その第１領域及びその近傍に液体ＬＱが残留することが防止されている。
【００６１】
計測ステージ５での計測処理が終了した後、制御装置７は、図２を用いて説明したように、基板ステージ４と計測ステージ５とを接触（又は接近）させ、基板ステージ４と計測ステージ５との相対的な位置関係を維持しつつ、ステージ駆動装置４Ｄ、５Ｄを用いて、基板ステージ４と計測ステージ５とをＸＹ平面内で一緒に移動することによって、液浸領域ＬＲを、計測ステージ５の上面５Ｆから基板ステージ４の上面４Ｆへ移動する。制御装置７は、計測ステージ５で計測した結果を用いて、例えば投影光学系ＰＬの結像特性の調整処理（キャリブレーション処理）など、所定の処理を適宜行う。また、マスクステージ３にはデバイスを製造するためのマスクＭが保持され、基板ステージ４にはデバイスを製造するための基板Ｐが保持される。制御装置７は、照明系ＩＬより露光光ＥＬを射出し、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上に形成された液浸領域ＬＲの液体ＬＱとを介して基板Ｐ上にマスクＭのパターン像を投影する。
【００６２】
以上説明したように、第１領域８１を所定の大きさ以下に設定することで、第１領域８１を覆う液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かしたとき、第１領域８１及びその近傍に液体ＬＱが残留することを抑制することができる。したがって、液体ＬＱの残留に起因する不具合の発生を抑制することができる。
【００６３】
また、本実施形態においては、第１領域８１は略円形状である。すなわち、第１領域８１には角部が無く、液体ＬＱが残留し難い形状となっている。このように、第１領域８１の形状を最適化することにより、液体ＬＱの残留を効果的に抑制することができる。
【００６４】
なお、上述のように、第１領域８１の大きさは、計測ステージ５を移動するときの移動条件に応じて設定可能であるが、制御装置７は、液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かしたときに、第１領域８１及びその近傍に液体ＬＱが残留しないように、第１領域８１の大きさに応じて、計測ステージ５をの移動条件を設定することもできる。例えば、第１領域８１の大きさが大きい場合には、移動速度、加速度等を小さくすることで、液体ＬＱの残留を抑制することができる。また、第１領域８１の大きさが小さい場合には、移動速度、加速度等を高めることができる可能性がある。
【００６５】
また、上述したように、第１領域８１の形状を最適化することにより、液体ＬＱの残留を抑制できる可能性があるため、第１領域８１の形状を考慮して、計測ステージ５の移動条件を設定するようにしてもよい。例えば、第１領域８１のエッジの所定位置に角部がある場合には、液体ＬＱの残留を抑制するために、第１領域８１を覆う液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かすとき、液浸領域ＬＲの液体ＬＱが角部に残留し難い方向に、計測ステージ５を移動させる。また、第１領域８１が円形状である等、液体ＬＱの残留を抑制できる形状である場合には、計測ステージ３の移動速度を高速化することができる可能性がある。また、第１領域８１が円形状である場合には、第１領域８１に対する液浸領域ＬＲのＸＹ平面内での移動方向の制限、すなわち計測ステージ５の移動方向の制限を設けなくてもすむ。
【００６６】
逆に、計測ステージ５の移動条件を考慮して、第１領域８１の形状を設定するようにしてもよい。例えば、第１領域８１を覆う液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かすために、液浸領域ＬＲに対して計測ステージ５を所定方向に移動させる場合、第１領域８１のエッジのうち、液浸領域ＬＲが通る経路上には角部が無い形状に、第１領域８１を設定する。こうすることにより、液体ＬＱの残留を抑制できる可能性がある。
【００６７】
また、計測ステージ５の移動条件を考慮して、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角、及び第２領域８２の液体ＬＱに対する接触角の少なくとも一方を設定するようにしてもい。あるいは、計測ステージ５の移動条件を考慮して、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角と、第２領域８２の液体ＬＱに対する接触角との差を設定するようにしてもよい。例えば、液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かすときに、計測ステージ５の移動速度を遅くした場合には、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角、あるいは第２領域８２の液体ＬＱに対する接触角が小さくても、液体ＬＱの残留を抑えることができる。また、液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かすときに、計測ステージ５の移動速度を速くする場合には、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角を最適化したり、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角と第２領域８２の液体ＬＱに対する接触角との差を最適化することで、第１領域８１の液体ＬＱの残留を抑えることができる可能性がある。
【００６８】
逆に、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角、及び第２領域８２の液体ＬＱに対する接触角の少なくとも一方を考慮して、計測ステージ５の移動条件を設定するようにしてもよい。あるいは、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角と、第２領域８２の液体ＬＱに対する接触角との差を考慮して、計測ステージ５の移動条件を設定するようにしてもよい。例えば、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角が大きい（第１領域８１が撥液性である）場合には、液浸領域ＬＲを第１領域８１から退かすときに、計測ステージ５の移動速度を高速化しても、液体ＬＱの残留を抑えることができる可能性がある。また、第１領域８１の液体ＬＱに対する接触角と、第２領域８２の液体ＬＱに対する接触角との差が小さい場合には、その差に応じて、計測ステージ５の移動速度や加速度を最適化することができる。
【００６９】
そして、上述のような実験、又はシミュレーション等を行うことにより、液体ＬＱの残留を抑制するための計測ステージ５の移動条件、第１領域８１の形状、及び第１領域８１（第２領域８２）の液体ＬＱに対する接触角の最適化を行うことができる。
【００７０】
また、上述のように、計測ステージ５の上面５Ｆには、露光光ＥＬが照射される複数の光透過部、マークが設けられており、第１領域は、複数の光透過部（マーク）に対応するように複数設定されているが、それら各第１領域の大きさが、各光透過部（マーク）に応じて設定されてもよい。例えば、光透過部４０の大きさと光透過部４２の大きさとが互いに異なる場合には、光透過部４０及び光透過部４２のそれぞれに対応する第１領域の大きさを互いに異ならせることができる。
【００７１】
また、制御装置７は、複数の第１領域のそれぞれから液浸領域ＬＲを退かすときの計測ステージ５の移動条件を、それら複数の第１領域に応じてそれぞれ設定することができる。例えば、光透過部４０に対応する第１領域の大きさと光透過部４２に対応する第１領域の大きさとが互いに異なる場合には、その第１領域の大きさに応じて、移動条件が設定される。また、光透過部４０に対応する第１領域の形状（又は液体ＬＱに対する接触角）と、光透過部４２に対応する第１領域の形状（又は液体ＬＱに対する接触角）とが互いに異なる場合には、それら各第１領域に応じて、計測ステージ５の移動条件を設定することができる。
【００７２】
なお、上述の実施形態において、第１領域８１の最上層の膜はＳｉＯ２であったが、露光光ＥＬを透過可能であれば他の材料であってもよい。
【００７３】
また、上述の実施形態においては、複数の計測器（計測部材）が計測ステージ５に配置されているが、一部を省略してもよいし、一部を基板ステージ４に設けてもよい。
【００７４】
上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。
【００７５】
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４程度と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
【００７６】
本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子ＬＳ１が取り付けられており、この光学素子により投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。
【００７７】
なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。
【００７８】
なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。
【００７９】
また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
【００８０】
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。
【００８１】
また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で光学素子ＬＳ１を形成してもよい。
【００８２】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００８３】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００８４】
また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００８５】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。この場合、少なくとも一つの基板ステージの上面の一部に計測部が配置される。
【００８６】
また、本発明は、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されているように、計測ステージを備えていない露光装置にも適用できる。この場合、計測部は、基板ステージの上面の一部に設けられる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【００８７】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００８８】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。
【００８９】
また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００９０】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００９１】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
【図２】基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための模式図である。
【図３】計測ステージの一例を示す平面図である。
【図４】計測ステージの要部を示す断面図である。
【図５】計測ステージの要部を示す平面図である。
【図６】計測ステージを用いた計測動作を説明するための図である。
【図７】計測ステージを用いた計測動作を説明するための図である。
【図８】第１領域の大きさと液体の挙動との関係を説明するための模式図である。
【図９】第１領域の大きさと液体の挙動との関係を説明するための模式図である。
【図１０】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート図である。
【符号の説明】
【００９３】
１…液浸システム、４…基板ステージ、５…計測ステージ、５Ｄ…計測ステージ駆動装置、５Ｆ…上面、７…制御装置、６１…スリット、６８…撥液膜、８１…第１領域、８２…第２領域、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＲ…液浸領域、Ｐ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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