(57)【要約】【課題】コストの上昇を抑制し、厚みの増大を抑え、且つ、大きな厚みを有する電子部品を搭載可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１０は、配線基板１１上に搭載された電子部品１２とプラグ接続のためのプラグ１３とを備える。配線基板１１の下縁部に、配線基板１１内の配線１５にそれぞれ接続された複数のプラグ端子２４を表面に有するプラグアダプタ２０が搭載され、複数のプラグ端子２４が全体としてプラグ１３を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に搭載された電子部品とプラグ接続のためのプラグとを備える半導体装置において、
前記配線基板の縁部に、該配線基板内の配線にそれぞれ接続された複数のプラグ端子を表面に有するアダプタ基板が搭載され、前記複数のプラグ端子が全体として前記プラグを構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記アダプタ基板は、前記配線基板の表面側及び裏面側の双方に搭載される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線基板の縁部が、前記アダプタ基板の対応する縁部よりも外側に位置する、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記プラグ端子と前記配線基板の配線とを接続する配線が、前記アダプタ基板の縁面及び裏面に沿って形成されている、請求項１〜３の何れか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アダプタ基板の裏面に沿って形成された配線が、前記配線基板上のパッド端子とはんだ接続される、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線基板のノッチの近傍に、ダミーアダプタ基板が搭載されており、該ダミーアダプタ基板は、前記縁部に搭載されたアダプタ基板の絶縁体と一体又は別体の絶縁体を有する、請求項１〜５の何れか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線基板上に別の配線基板が搭載されており、該別の配線基板は、前記縁部に搭載されたアダプタ基板の絶縁体と一体又は別体の絶縁体を有する、請求項１〜６の何れか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
配線基板の表面にパッド端子を形成する工程と、
前記パッド端子の表面にはんだ層を形成する工程と、
前記配線基板の縁部に、前記パッド端子に対応する配線及び該配線に接続されるプラグ端子を表面に有するアダプタ基板を搭載する工程と、
前記はんだ層を溶融して前記パッド端子と前記プラグ端子に接続された配線とを接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、更に詳細には、配線基板上にＩＣチップ等の電子部品を搭載し、プラグ接続によってマザーボードのソケットに対して取外し可能に接続されるモジュール半導体装置として好適な半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モジュール半導体装置では、共通の配線基板上に複数のＩＣチップを搭載し、これら複数のＩＣチップの相互間を配線基板内の配線によって接続している。モジュール半導体装置は、一つの縁部に沿ってプラグを有し、プラグはマザーボード上のソケットに対して取外し可能に接続される。図８（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、従来のモジュール半導体装置の側面図及び正面図である。モジュール半導体装置５０は、配線基板５１と、配線基板５１上に搭載された複数のＩＣチップ５２とを備える。
【０００３】
配線基板５１の下縁部は、ソケットに対してプラグ接続されるプラグ５３を構成し、プラグ５３の表面及び裏面には複数のプラグ端子５４が配列されている。個々のプラグ端子５４は、図示しないソケットの複数のソケット端子にそれぞれ対応して配設されており、ソケットへのプラグの挿入によって、ソケット端子に対して電気的に接続され、且つ機械的に固定される。配線基板５１の双方の側縁部には、側縁部を半円形に切り欠いたノッチ５５が形成されている。モジュール半導体装置５０のソケットへの取付けに際し、ソケットのラッチをノッチ５５に係合させることによって、モジュール半導体装置５０のソケットへの機械的固定を補助する。
【０００４】
ところで、近年、電子機器の小型化により、モジュール半導体装置の更なる薄型化が要請されている。ここで、配線基板５１の厚みは、ソケットとの電気的及び機械的な接続を確保するために、ソケットの幅寸法とほぼ同じ寸法の厚さを確保する必要がある。従って、モジュール半導体装置全体の薄型化は、配線基板上に搭載されるＩＣチップ５２などの電子部品の厚みを制限することによって行われていた。しかし、電子部品の厚みが制限されると、モジュール半導体装置上に搭載可能な電子部品の種類が制限され、モジュール半導体装置の構成に制約が生じる。
【０００５】
上記問題に対して特許文献１は、図９に示すように、配線基板６１の表面に段差６２を設けており、例えば厚みを小さくした側の基板面の表面部分に厚みの大きな部品６３を搭載すると共に、厚みが大きな側の基板面の表面部分にプラグ端子６５を形成した、モジュール半導体装置６０を記載している。
【特許文献１】特開平１０−１９９９０９号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のモジュール半導体装置６０では、厚みが異なる基板の製造によりコストが増大するという問題がある。また、基板面に段差６２が存在すると、基板面上の電極パッド部分にはんだ層を形成する際に、マスクを利用するパターン形成技術の適用が困難となり、製造のスループットが低下する問題もあった。
【０００７】
本発明は、上記に鑑み、コストの上昇を抑制し、半導体装置の厚みの増大を抑えつつ、且つ、大きな厚みを有する電子部品を搭載可能であり、モジュール半導体装置として好適な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、配線基板上に搭載された電子部品とプラグ接続のためのプラグとを備える半導体装置において、
前記配線基板の縁部に、該配線基板内の配線にそれぞれ接続された複数のプラグ端子を表面に有するアダプタ基板が搭載され、前記複数のプラグ端子が全体として前記プラグを構成することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線基板の表面にパッド端子を形成する工程と、
前記パッド端子の表面にはんだ層を形成する工程と、
前記配線基板の縁部に、前記パッド端子に対応する配線及び該配線に接続されるプラグ端子を表面に有するアダプタ基板を搭載する工程と、
前記はんだ層を溶融して前記パッド端子と前記プラグ端子に接続された配線とを接続する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置では、半導体装置のソケットへの挿入に際して、配線基板とソケットとの間にアダプタ基板が介在する。これによって、配線基板の厚みを従来よりも小さくして、半導体装置の全体的な厚みの増大を抑えながら、大きな厚みを有する電子部品を配線基板上に搭載できる。
【００１１】
本発明の半導体装置では、配線基板は、その厚みを小さくし、且つプラグ端子に代えてアダプタ基板との接続用の電極が取り付けられることを除いては、従来と同様の簡素な構成を有する。また、アダプタ基板も、プラグ端子、及び、配線基板との接続用の電極等から成る簡素な基板で構成可能である。これによって、半導体装置製造のコストの上昇を抑制できる。
【００１２】
本発明の半導体装置及びその製造方法では、配線基板の表面又は裏面に段差を形成する必要がなく、平坦に形成できるので、マスクを用いた公知のパターン形成技術を用いて、はんだ層を形成できる。また、配線基板上へのアダプタ基板の接続に際して、通常の電子部品と同様のはんだ接続を用いることが出来るので、半導体装置製造のスループットの低下を抑え、コスト上昇を抑制できる。
【００１３】
本発明の半導体装置では、前記アダプタ基板は、前記配線基板の表面側及び裏面側の双方又は一方に搭載される。本発明の半導体装置の好適な実施態様では、前記配線基板の縁部が、前記アダプタ基板の対応する縁部よりも外側に位置する。高い加工コストを必要とする切削等を行うことなく、半導体装置の縁部をテーパ状に構成できる。
【００１４】
本発明の半導体装置の好適な実施態様では、前記プラグ端子と前記配線基板の配線とを接続する配線が、前記アダプタ基板の縁面及び裏面に沿って形成されている。ダミー引出し配線を形成する必要がなく、従ってダミー引出し配線の剥がれに起因するプラグ端子の剥がれを抑え、短絡や断線を抑制できる。
【００１５】
本発明の半導体装置の好適な実施態様では、前記アダプタ基板の裏面に沿って形成された配線が、前記配線基板上のパッド端子とはんだ接続される。アダプタ基板の配線基板への取り付けに際して、通常の電子部品と同じはんだ接続工程で行うことによって、スループットの低下を抑制できる。
【００１６】
本発明の半導体装置の好適な実施態様では、前記配線基板のノッチの近傍に、ダミーアダプタ基板が搭載されており、該ダミーアダプタ基板は、前記縁部に搭載されたアダプタ基板の絶縁体と一体又は別体の絶縁体を有する。配線基板とダミーアダプタ基板との合計の厚みをラッチの係合寸法に一致させることによって、半導体装置をソケットに確実に固定できる。
【００１７】
本発明の半導体装置の好適な実施態様では、前記配線基板上に別の配線基板が搭載されており、該別の配線基板は、前記縁部に搭載されたアダプタ基板の絶縁体と一体又は別体の絶縁体を有する。配線基板内の配線を迂回させることによって、配線基板内の配線の密度を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、図面を参照し、本発明の実施形態を詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明の一実施形態に係る半導体装置を構成するモジュール半導体装置の側面図及び正面図である。モジュール半導体装置１０は、標準化された寸法規格を有し、ＳＯ−ＤＩＭＭのソケットに対して取外し可能に接続されるモジュールとして構成され、配線基板１１と、配線基板１１の表面及び裏面に搭載された、ＩＣチップなどの複数の電子部品１２とを備える。配線基板１１は、例えば４層の絶縁層を備え、配線基板１１の表面側、裏面側、及び、内部に合計５層の配線層を備える多層配線基板として構成される。
【００１９】
モジュール半導体装置１０の下縁部は、マザーボードのソケットに対してプラグ接続されるプラグ１３を構成する。モジュール半導体装置１０の双方の側縁部には、側縁部を略半円状に切り欠いたノッチ１４が形成されている。ノッチ１４は、モジュール半導体装置１０のソケットへの取付けに際し、ソケットのラッチに係合される。本実施形態のモジュール半導体装置１０では、プラグ１３における配線基板１１の表面及び裏面に、板状のプラグアダプタ２０が配設され、プラグアダプタ２０の表面上にプラグ端子２４が形成されている。また、ノッチ１４の近傍の配線基板１１の表面及び裏面にも、板状のノッチアダプタ３０が配設されている。
【００２０】
図２は、図１のモジュール半導体装置で、プラグアダプタ及びノッチアダプタを取り外した構成を示す平面図である。配線基板１１の下縁部には、配線基板の配線１５にそれぞれ接続して、例えば１００個の電極パッド１６が等間隔に配列されている。電極パッド１６の配列方向の両端部には、配線１５に接続されない固定用のダミーパッド１７が配設されている。ノッチ１４の近傍にも固定用のダミーパッド１８が配設されている。電極パッド１６及びダミーパッド１７，１８は、配線基板１１の表面１１ａに形成された配線１５と同層に形成され、表面には金めっきが施されている。配線基板１１の裏面側も同様の構成を有している。
【００２１】
図３に、プラグアダプタ２０を内側から見た構成を示す。プラグアダプタ２０は、単層の絶縁層２１を備え、絶縁層２１の内側表面には、図２に示した配線基板１１の電極パッド１６及びダミーパッド１７に対応して、電極パッド２２及び固定用のダミーパッド２３がそれぞれ配設されている。電極パッド２２は、プラグアダプタ２０の外側表面に形成された対応するプラグ端子２４に個々に接続されている。電極パッド２２及びプラグ端子２４は、相互に同じ幅寸法で形成されている。
【００２２】
図４に、図１（ｂ）のIV-IV線に沿った、プラグアダプタ及びその近傍の断面を示す。絶縁層２１は例えばガラスエポキシ基板で形成される。電極パッド２２、プラグ端子２４、及び、これらを接続する配線２５は、例えば金めっきによって、絶縁層２１の内側表面、縁面２０ｂ、及び、外側表面２０ａに亘って一体的に形成されている。配線２５も、電極パッド２２及びプラグ端子２４と同じ幅寸法で形成されている。
【００２３】
プラグアダプタ２０は、プラグアダプタの電極パッド２２（ダミーパッド２３）が、配線基板の電極パッド１６（ダミーパッド１７）に対して、それぞれはんだ層２６を介して接続されることによって、配線基板１１に固定される。プラグアダプタ２０は、配線基板１１への固定に際して、その下縁部が、配線基板１１の下縁部よりも僅かに上側（内縁側）に位置するように配設される。
【００２４】
ノッチアダプタ３０は、単層の絶縁層と、この絶縁層の内側表面に形成された固定用のダミーパッド３２とを備える。絶縁層及びダミーパッド３２は、配線基板のダミーパッド１８と同じ寸法で形成されている。図５に、図１（ｂ）のＶ−Ｖ線に沿った、ノッチアダプタ及びその近傍の断面を示す。絶縁層３１は例えばガラスエポキシ基板で、ダミーパッド３２は例えば金めっきによって形成されている。ノッチアダプタ３０は、ノッチアダプタのダミーパッド３２が、配線基板のダミーパッド１８に対して、はんだ層３３を介して接続されることによって、配線基板１１に固定される。ノッチアダプタ３０は、配線基板１１への固定に際して、側縁部の形状が相互に重なるように配設される。
【００２５】
モジュール半導体装置１０の各部分の寸法は、例えば以下の通りである。図１（ａ）に示した配線基板１１の厚みＴＰＣＢは、０．６０ｍｍである。なお、ＴＰＣＢは、配線基板１１の表面及び裏面の配線層や、電極パッド１６及びダミーパッド１７，１８を含んだ厚みとして定義している。図４に示した、絶縁層２１の厚みＴ１は、０．０８ｍｍで、一体的に形成された電極パッド２２、プラグ端子２４、及び、配線２５の厚みＴ２は０．０３５ｍｍである。はんだ層２６の厚みＴ３は、０．０５ｍｍであり、はんだ層２６を含めたプラグアダプタ２０の全体の厚みＴplug-adaptorは、０．２０ｍｍである。図５に示した、絶縁層３１の厚みＴ４は０．１１５ｍｍで、ダミーパッド３２の厚みＴ５は０．０３５ｍｍである。はんだ層３３の厚みＴ６は０．０５ｍｍであり、はんだ層３３を含めたノッチアダプタ３０の全体の厚みＴnotch-adaptorは、０．２０ｍｍである。
【００２６】
上記により、プラグ１３及びノッチ１４近傍におけるモジュール半導体装置１０の厚みＴmodule-plug，Ｔmodule-notchは何れも１．００ｍｍであり、ＳＯ−ＤＩＭＭが規定する厚み１．００±０．１０ｍｍ以内を満足する。
【００２７】
図１中に示した電子部品１２は、例えばＢＧＡ接続方式のＩＣパッケージとして構成され、表面に放熱板（図示なし）を備える。放熱板及びはんだ層を含む電子部品１２の厚みＴpartは例えば１．６ｍｍであり、電子部品１２の搭載部分におけるモジュール半導体装置１０の厚みＴmoduleは３．８ｍｍである。この値は、ＪＥＤＥＣ（Joint Electron Device Engineering Council）が規定する厚み３．８ｍｍ以下を満足する。図８に示した従来の構成において、Ｔmoduleを３．８ｍｍ以下にするには、放熱板及びはんだ層を含むＩＣチップ５２の厚みＴpartを１．４ｍｍ以下にする必要がある。
【００２８】
配線基板１１の幅Ｌ１は６７．６ｍｍで、高さＬ２は３０ｍｍである。プラグアダプタ２０の幅は配線基板１１の幅Ｌ１に等しく、高さＬ３は２．５５ｍｍである。配線基板１１の下縁部とプラグアダプタ２０の下縁部との距離Ｌ４は、０．３ｍｍである。電極パッド２２及びプラグ端子２４の長さは、プラグアダプタ２０の高さＬ３に等しい。プラグ端子２４の幅は０．４５±０．０３ｍｍであり、プラグ端子２４の配列のピッチは、０．６ｍｍである。
【００２９】
プラグアダプタ２０の製造に際しては、絶縁層２１上に、電極パッド２２，ダミーパッド２３，プラグ端子２４、及び配線２５を形成する領域を露出させるマスクを形成し、めっき処理によって、露出部分に電極パッド２２，ダミーパッド２３，プラグ端子２４、及び配線２５を形成する。ノッチアダプタ３０の製造に際しても同様に、めっき処理によって、絶縁層３１上にダミーパッド３２を形成することによって製造する。
【００３０】
モジュール半導体装置１０の製造に際しては、配線基板１１を形成した後、マスクを用いたパターン形成技術を用いて、配線基板１１上のパッド上にはんだ層を形成する。次いで、配線基板１１上に、電子部品１２、プラグアダプタ２０、及び、ノッチアダプタ３０を搭載し、公知のはんだ接続技術を用いてはんだ層を溶融させ、配線基板１１上のパッドと、電子部品１２、プラグアダプタ２０、及び、ノッチアダプタ３０のパッドとを接続することによって、図１に示したモジュール半導体装置１０を完成する。なお、配線基板１１とプラグアダプタ２０及びノッチアダプタ３０との間で、パッド間に介在するはんだ層の厚みは、配線基板１１上に形成するはんだ層の量を制御することによって調節する。
【００３１】
本実施形態のモジュール半導体装置１０では、プラグ１３にプラグアダプタ２０を、ノッチ１４近傍にノッチアダプタ３０をそれぞれ配設し、ソケットへのプラグの挿入に際して、これらプラグアダプタ２０及びノッチアダプタ３０を介在させている。これによって、配線基板１１の厚みを従来よりも小さくして、モジュール半導体装置１０の全体的な厚みの増大を抑えながら、大きな厚みを有する電子部品１２を配線基板１１上に搭載できる。
【００３２】
本実施形態のモジュール半導体装置１０では、配線基板１１は、その厚みを小さくし、且つプラグ端子に代えて電極パッド１６及びダミーパッド１７，１８が表面に取り付けられていることを除いては、従来と同様の簡素な構成を有する。また、プラグアダプタ２０及びノッチアダプタ３０が何れも、単層の絶縁層上に金属層が形成された簡素な構成を有する。これによって、モジュール半導体装置１０製造のコストの上昇を抑制できる。
【００３３】
配線基板１１の表面又は裏面に段差が形成されておらず、平坦であるため、マスクを用いた公知のパターン形成技術を用いてはんだ層を形成できる。また、配線基板１１上へのプラグアダプタ２０及びノッチアダプタ３０の接続に際して、通常の電子部品と同様のはんだ接続を行うので、モジュール半導体装置１０製造のスループットの低下を抑え、コスト上昇を抑制できる。
【００３４】
モジュール半導体装置では一般に、配線基板の下縁部をテーパ状に形成することによって、ソケットへの挿入を容易にすることが出来る。そのような配線基板は例えば切削によって形成できるが、厚みの小さな配線基板の下縁部をテーパ状に切削することは容易ではなく、コストが上昇する問題があった。これに対して、本実施形態のモジュール半導体装置１０では、下縁部が配線基板１１の下縁部よりも僅かに上側に位置するように、プラグアダプタ２０を接続することによって、切削を行うことなく、モジュール半導体装置１０の下縁部をテーパ状に構成できる。
【００３５】
ところで、従来のモジュール半導体装置では、プラグ端子の形成に際して、図１０（ａ）に示すように、ダミー引出し配線５５を介して相互に接続されたプラグ端子５４を、配線基板５１上に形成した後、図１０（ｂ）に示すように、配線基板の下縁部５６でダミー引出し配線５７を切断していた。この場合、配線基板の下縁部５６にダミー引出し配線５７の縁部が露出するため、ソケットに対する挿入を繰り返すと、ダミー引出し配線５７が縁部から剥がれることによってプラグ端子５４も剥がれ、短絡や断線が生じる問題があった。これに対して、本実施形態のモジュール半導体装置１０では、プラグ端子２４から、プラグアダプタ２０の縁面及び内側表面に連続して配線２５及び電極パッド２２が形成されているため、プラグ端子２４が剥がれにくく、短絡や断線を抑制できる。
【００３６】
図６は、上記実施形態の第１変形例に係るモジュール半導体装置の構成を示す正面図である。モジュール半導体装置４０では、上記実施形態におけるプラグアダプタ２０とノッチアダプタ３０とが一体的に形成され、一体型のアダプタ４１を構成している。プラグアダプタ２０とノッチアダプタ３０とを一体的に構成することによって、部品搭載に必要な工数を低減し、モジュール半導体装置４０製造のコストを更に低減できる。
【００３７】
図７は、上記実施形態の第２変形例に係るモジュール半導体装置の構成を示す正面図である。モジュール半導体装置４２の中央部には、外部配線基板４３が配設されている。外部配線基板４３は、例えば３層の絶縁層と、外部配線基板４３の表面側、裏面側、及び、内部に合計４層の配線層とを備える多層配線基板として構成される。配線基板１１との間は、はんだボールを用いたＢＧＡ方式によって接続され、配線基板１１内部の配線に接続されている。これによって、外部配線基板４３は、配線基板１１の配線の迂回路を構成する。外部配線基板４３は、はんだを含めて例えば１．４ｍｍ程度の厚みを有する。
【００３８】
本変形例のモジュール半導体装置４２によれば、配線の密度が高い配線基板１１の中央部に外部配線基板４３を配設し、配線基板１１内の配線を迂回させることによって、配線基板１１内の配線の密度を低減できる。本変形例では、特に、多くの配線層を有する外部配線基板４３を配設することによって、配線基板１１内の配線の密度を効果的に低減できる。なお、外部配線基板を、プラグアダプタ又はノッチアダプタと同じ層構造に形成し、それらと一体的に構成してもよい。
【００３９】
なお、上記実施形態では、プラグアダプタの絶縁層２１及びノッチアダプタの絶縁層３１をガラスエポキシ材料で構成するものとしたが、フィルム材料等で構成することも出来る。また、ノッチアダプタ３０の配線基板１１への接続に際しては、樹脂を用いることも出来る。上記実施形態では、配線基板１１の表面及び裏面にプラグアダプタ２０及びノッチアダプタ３０をそれぞれ配設するものとしたが、配線基板１１の表面及び裏面の何れか一方に、より大きな厚みを有するノッチアダプタ及びプラグアダプタを配設してもよい。
【００４０】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施した半導体装置及びその製造方法も、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明の一実施形態に係る半導体装置を構成するモジュール半導体装置の側面図及び正面図である。
【図２】図１のモジュール半導体装置で、ノッチアダプタ及びプラグアダプタを取り外した構成を示す平面図である。
【図３】プラグアダプタを内側から見た構成を示す平面図である。
【図４】図１（ｂ）のIV−IV線に沿った、プラグアダプタ及びその近傍の断面を示す断面図である。
【図５】図１（ｂ）のＶ−Ｖ線に沿った、ノッチアダプタ及びその近傍の断面を示す断面図である。
【図６】実施形態の第１変形例に係るモジュール半導体装置の構成を示す正面図である。
【図７】実施形態の第２変形例に係るモジュール半導体装置の構成を示す正面図である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、従来のモジュール半導体装置の側面図及び正面図である。
【図９】特許文献１に記載のモジュール半導体装置の構成を示す側面図である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は、従来のモジュール半導体装置のプラグ端子を製造する各製造段階を順次に示す平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０，４０，４２：モジュール半導体装置（半導体装置）
１１：配線基板
１１ａ：（配線基板の）表面
１２：電子部品
１３：プラグ
１４：ノッチ
１５：配線
１６：電極パッド
１７，１８：ダミーパッド
２０：プラグアダプタ
２０ａ：（プラグアダプタの）外側表面
２０ｂ：（プラグアダプタの）縁面
２１：絶縁層
２２：電極パッド
２３：ダミーパッド
２４：プラグ端子
２５：配線
２６：はんだ層
３０：ノッチアダプタ
３０ａ：（ノッチアダプタの）外側表面
３１：絶縁層
３２：ダミーパッド
３３：はんだ層
４１：アダプタ
４３：外部配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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