(57)【要約】【課題】凝集がなく分散性に優れ、樹脂、セラミックス等の非磁性材料中にナノサイズのフィラーとして分散させることにより、この非磁性材料に磁性を付与するのに好適なニッケルナノロッドの製造方法及びニッケルナノロッドを提供する。【解決手段】本発明のニッケルナノロッドの製造方法は、界面活性剤、環状炭化水素及び還元剤を含有する水溶液Ａの水素イオン指数を７以上かつ１０以下に調整し、次いで、この水溶液Ａにニッケルイオンを含有する水溶液Ｂを添加し、ニッケルイオンを還元剤で還元する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性剤、環状炭化水素及び還元剤を含有する水溶液Ａの水素イオン指数を７以上かつ１０以下に調整し、次いで、この水溶液Ａにニッケルイオンを含有する水溶液Ｂを添加し、前記ニッケルイオンを前記還元剤で還元することを特徴とするニッケルナノロッドの製造方法。
【請求項２】
前記界面活性剤は、下記の式（１）
ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｘ      …（１）
ただし、ｎ＝１〜１５の整数、Ｘはハロゲン元素
で表される４級アンモニウム塩と、
下記の式（２）
ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＳＯ４Ｙ              …（２）
ただし、ｎ＝１〜１５の整数、Ｙはアルカリ金属元素
で表される硫酸エステル型アニオン性界面活性剤との混合物であることを特徴とする請求項１記載のニッケルナノロッドの製造方法。
【請求項３】
前記４級アンモニウム塩は、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミドであることを特徴とする請求項２記載のニッケルナノロッドの製造方法。
【請求項４】
前記硫酸エステル型アニオン性界面活性剤は、ｎ−ドデシル硫酸ナトリウムであることを特徴とする請求項２または３記載のニッケルナノロッドの製造方法。
【請求項５】
前記還元剤は、ホルムアルデヒドスルホキシル酸ナトリウムであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載のニッケルナノロッドの製造方法。
【請求項６】
前記環状炭化水素は、シクロヘキサンであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載のニッケルナノロッドの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項記載のニッケルナノロッドの製造方法により得られたことを特徴とするニッケルナノロッド。
【請求項８】
結晶構造が面心立方であることを特徴とする請求項７記載のニッケルナノロッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ニッケルナノロッドの製造方法及びニッケルナノロッドに関し、さらに詳しくは、凝集がなく分散性に優れ、樹脂、セラミックス等の非磁性材料中にナノサイズのフィラーとして分散させることにより、この非磁性材料に磁性を付与するのに好適なニッケルナノロッドの製造方法、及びこの製造方法により得られたニッケルナノロッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ナノサイズのニッケル粒子は、磁性を有することから、非磁性材料である樹脂等の高分子材料やガラス等のセラミックスのマトリックス材料にナノサイズのフィラーとして分散し、このマトリックスの特性に磁性を付与する材料として使用されている。
また、高周波デバイスにおいては、電磁場特性を制御するために、基板に磁気特性を付与する技術が開発されている。そこでは、残留損失やヒステリシス損失が小さく、透磁率の比較的大きな金属磁性体である面心立方（face-centered cubic structure）の結晶構造を有するニッケル粒子をフィラーとして基板材料内に分散することが行われている。
【０００３】
透磁率は、磁気誘導容量ともいい、磁性体に外部から磁場を加えたときに生じる磁束密度を上記の磁場で除したものであるが、外部からの磁場が磁性体にどのくらい有効に作用して大きな磁性を示すのかは、磁性体の形状に依存する。例えば、ロッド状の磁性体の長さ方向の透磁率は、同じ体積の球状の磁性体に比べて極めて大きい。
そこで、磁性を付与するナノサイズのフィラーとしてアスペクト比を有するロッド状の磁性体を用いれば、より強い磁性を付与したり、あるいはフィラーの添加量を少なくしたりすることができる。そのためにナノサイズで棒状のニッケル粒子であるニッケルナノロッドの出現が望まれている。
【０００４】
一方、金属のナノロッドとしては、貴金属のナノロッドである金ナノロッドが知られており、この金ナノロッドの製造方法としては、電解法、化学還元法、光還元法等が知られている。しかしながら、これらの方法は、いずれも金ナノロッドに限られており、ニッケルのような卑金属のナノロッドに適用した例は、いままでにも報告されていない。
また、上記の方法を改良してイオン化傾向の小さな金属、例えば、金、銀等の貴金属や銅等の金属に適用した金属ナノロッドの製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−９７７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来のイオン化傾向の小さな金属のナノロッドの製造方法では、金属イオンをナノロッド化するために界面活性剤を添加しているので、貴金属や銅等の金属のナノロッド化はできるものの、ニッケルのようにイオン化傾向が比較的大きく還元され難い卑金属イオンのナノロッド化に適用することが難しいという問題点があった。
その理由は、添加されている界面活性剤が卑金属イオンの還元反応を阻害するために、卑金属イオンのナノロッド化がし難いためである。
このように、凝集がなく分散性に優れ、非磁性材料中にナノサイズのフィラーとして分散させることにより、少ない添加量でより強い磁性を付与することが可能なニッケルナノロッドを製造する方法が望まれているが、いまだに提案されていないのが現状である。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、凝集がなく分散性に優れ、樹脂、セラミックス等の非磁性材料中にナノサイズのフィラーとして分散させることにより、この非磁性材料に磁性を付与するのに好適なニッケルナノロッドの製造方法及びニッケルナノロッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意検討を行った結果、界面活性剤、環状炭化水素及び還元剤を含有する水溶液の水素イオン指数を７以上かつ１０以下に調整した後に、ニッケルイオンを含有する水溶液を添加すると、水溶液中のニッケルイオンが還元剤で還元されてニッケルナノロッドが得られることを知見し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明のニッケルナノロッドの製造方法は、界面活性剤、環状炭化水素及び還元剤を含有する水溶液Ａの水素イオン指数を７以上かつ１０以下に調整し、次いで、この水溶液Ａにニッケルイオンを含有する水溶液Ｂを添加し、前記ニッケルイオンを前記還元剤で還元することを特徴とする。
【０００９】
前記界面活性剤は、下記の式（１）
ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｘ      …（１）
ただし、ｎ＝１〜１５の整数、Ｘはハロゲン元素
で表される４級アンモニウム塩と、
下記の式（２）
ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＳＯ４Ｙ              …（２）
ただし、ｎ＝１〜１５の整数、Ｙはアルカリ金属元素
で表される硫酸エステル型アニオン性界面活性剤との混合物であることが好ましい。
【００１０】
前記４級アンモニウム塩は、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミドであることが好ましい。
前記硫酸エステル型アニオン性界面活性剤は、ｎ−ドデシル硫酸ナトリウムであることが好ましい。
前記還元剤は、ホルムアルデヒドスルホキシル酸ナトリウムであることが好ましい。
前記環状炭化水素は、シクロヘキサンであることが好ましい。
【００１１】
本発明のニッケルナノロッドは、本発明のニッケルナノロッドの製造方法により得られたことを特徴とする。
本発明のニッケルナノロッドは、結晶構造が面心立方であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のニッケルナノロッドの製造方法によれば、界面活性剤、環状炭化水素及び還元剤を含有する水溶液Ａの水素イオン指数を７以上かつ１０以下に調整した後、この水溶液Ａにニッケルイオンを含有する水溶液Ｂを添加し、前記ニッケルイオンを前記還元剤で還元するので、磁性を付与するためのナノサイズフィラーとして好適なニッケルナノロッドを簡便に製造することができる。
【００１３】
また、本発明のニッケルナノロッドの製造方法により得られた本発明のニッケルナノロッドは、ロッド形状を有することから、同体積のニッケル球状粒子よりも長さ方法に強く磁化され、その長さ方向の透磁率を同じ体積のニッケル球状粒子に比べて格段に大きくすることができる。
したがって、このニッケルナノロッドを非磁性材料からなるマトリックス中に配向分散させることにより、特定方向の磁場に対して強く磁性を示す磁性材料を得ることができる。
【００１４】
また、本発明のニッケルナノロッドは、溶媒中に分散させて塗料やペーストにすることが可能である。このような塗料やペーストは、ニッケルナノロッド間の接触確率が増加することにより導電率が向上するので、ニッケルの導電性を生かして回路基板の電極形成や、燃料電池や２次電池等の電極としても好適である。  さらに、このニッケルナノロッドは黒色であるから、光遮蔽材料としても好適であり、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）のブラックマトリックス材料のような黒色塗料のフィラーとしても使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のニッケルナノロッドの製造方法及びニッケルナノロッドの最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１６】
本実施形態のニッケルナノロッドの製造方法は、界面活性剤、環状炭化水素及び還元剤を含有する水溶液Ａの水素イオン指数（ｐＨ）を７以上かつ１０以下に調整し、次いで、この水溶液Ａにニッケルイオンを含有する水溶液Ｂを添加し、前記ニッケルイオンを前記還元剤で還元する方法である。
【００１７】
ここでは、まず、界面活性剤、環状炭化水素及び還元剤を含有する水溶液Ａを作製する。
この界面活性剤としては、ニッケル金属がニッケルイオンを含む水溶液から析出してロッド状に配向するための鋳型を形成するものであり、界面活性剤であれば特に制限されるものではないが、例えば、下記の式（１）
ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ３）３Ｘ      …（１）
ただし、ｎ＝１〜１５の整数、Ｘはハロゲン元素
で表される、１つの長いアルキル基と３つの短いアルキル基を有する４級アンモニウム塩と、
下記の式（２）
ＣＨ３（ＣＨ２）ｎＳＯ４Ｙ              …（２）
ただし、ｎ＝１〜１５の整数、Ｙはアルカリ金属元素
で表される、３つの短いアルキル基を有する硫酸エステル型アニオン性界面活性剤との混合物が、上記の鋳型を効率よく形成し得るので好ましい。
【００１８】
上記の界面活性剤、すなわち式（１）で表される４級アンモニウム塩と式（２）で表される硫酸エステル型アニオン性界面活性剤との混合物の、水溶液Ａ中における濃度は、０．０１ｍｏｌ／Ｌ〜０．１ｍｏｌ／Ｌが好ましく、より好ましくは０．０１５ｍｏｌ／Ｌ〜０．０３ｍｏｌ／Ｌである。
ここで、上記の混合物の濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ未満であると、ニッケルナノロッドの収率が悪くなるからであり、一方、上記の混合物の濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌを越えると、溶解度の小さな４級アンモニウム塩が溶解しきれずに沈殿してしまう虞があるからである。
【００１９】
式（１）で表される４級アンモニウム塩と式（２）で表される硫酸エステル型アニオン性界面活性剤との混合比率は、モル比で２：１〜５：１が好ましく、より好ましくは２．５：１〜３．５：１である。
この混合比率を制御することにより、得られるニッケルナノロッドのアスペクト比や収率が変化する。例えば、式（１）で表される４級アンモニウム塩の割合が多くなると、ニッケルナノロッドのアスペクト比は大きくなるが、収率は低下する。
【００２０】
式（１）で表される４級アンモニウム塩としては、例えば、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＣＨ３（ＣＨ２）１５Ｎ（ＣＨ３）３Ｂｒ）が、適度の長さの１つの長いアルキル基と３つの短いアルキル基を有し、かつ、容易に入手できるので、特に好適である。
また、式（２）で表される硫酸エステル型アニオン性界面活性剤としては、例えば、ｎ−ドデシル硫酸ナトリウム（ＣＨ３（ＣＨ２）１１ＳＯ４Ｎａ）が、４級アンモニウム塩との相性がよく適度な長さのアルキル基を有し、かつ、容易に入手できるので、特に好適である。
【００２１】
上記の環状炭化水素としては、上記の界面活性剤による鋳型を安定化するものであればよく、例えば、シクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン等が好ましく、特にシクロヘキサンが好ましい。
この環状炭化水素の水溶液Ａ中における濃度は、０．１ｍｏｌ／Ｌ〜０．５ｍｏｌ／Ｌが好ましく、より好ましくは０．１ｍｏｌ／Ｌ〜０．３ｍｏｌ／Ｌである。
環状炭化水素の濃度が上記の範囲外であると、ニッケルナノロッドの収率が低下する虞がある。
【００２２】
上記の還元剤としては、還元性が比較的強く中性域でも還元できるもので、しかも、ニッケルイオンを直接還元することで、水酸化ニッケルを経ずに直接ニッケル金属を生成することができるものが好ましく、例えば、ホルムアルデヒドスルホキシル酸ナトリウムは、還元力が最適であるうえに、安全でかつ廉価であるので好適である。なかでも、その二水和物（ロンガリット）は、容易に入手できるので最適である。
【００２３】
この還元剤の水溶液Ａ中における濃度は、０．１ｍｏｌ／Ｌ〜１ｍｏｌ／Ｌが好ましく、より好ましくは０．１ｍｏｌ／Ｌ〜０．３ｍｏｌ／Ｌである。
この還元剤の濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ未満であると、ニッケルイオンの還元が十分に行われない虞があるからであり、一方、還元剤の濃度が１ｍｏｌ／Ｌを越えると、後述する水溶液ＡのｐＨの調整に困難を伴う虞があるからである。
【００２４】
次いで、この水溶液Ａの水素イオン指数（ｐＨ）を７以上かつ１０以下、好ましくは８以上かつ９以下に調整する。このｐＨ調整に用いる酸としては、塩酸（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮＯ３）等、通常の無機酸が用いられる。
水溶液ＡのｐＨを上記の範囲内に調整する理由は、この水溶液Ａに後述するニッケルイオンを含有する水溶液Ｂを添加した際に、中性近傍でニッケルイオンの還元反応を生じさせるためである。
【００２５】
水溶液ＡのｐＨが１０を越えると、水酸化ニッケルを生成してしまい、純度の良いニッケルナノロッドが得られず、しかも収率が低下する虞があり、一方、水溶液ＡのｐＨが７未満では、ニッケルイオンを含有する水溶液Ｂが酸性のために、生成したニッケルナノロッドが溶解し易くなる。
【００２６】
次いで、ニッケルイオンを含有する水溶液Ｂを作製する。
具体的には、ニッケル塩を純水に溶解して水溶液Ｂとする。ここで用いるニッケル塩としては、水溶性のものであればよく、例えば、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２）、硝酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＯ３）２）、酢酸ニッケル（Ｎｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）２）、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）等が好適に用いられる。
【００２７】
このニッケル塩を純水に溶解させる際、水溶液Ｂ中のニッケルイオンのモル数は、この水溶液Ｂを添加する水溶液Ａ中に含まれる還元剤のモル数の１／２以下のモル数であることが好ましい。その理由は、水溶液Ｂ中のニッケルイオンのモル数が還元剤のモル数の１／２を越えると、酸性の度合いが強くなり、反応後のｐＨが強酸性になり、生成したニッケルナノロッドが再び溶解してしまう虞があるからである。
【００２８】
次いで、この水溶液Ｂを水溶液Ａに添加する。
添加は、水溶液Ａを攪拌しながら水溶液Ｂをゆっくり加えることが好ましい。水溶液Ｂを水溶液Ａに添加すると、ロット状の鋳型がほとんど生成していない状態のニッケル塩水溶液中でニッケルイオンの還元反応が生じるので、ニッケルナノロッドはほとんど生成しない。
【００２９】
次いで、この水溶液を５０〜７０℃、好ましくは５５〜６５℃に加熱し、この水溶液中のニッケルイオンを還元剤で還元する。
加熱により還元反応が進行し、ただちに黒色の粒子が生成する。
なお、加熱は、添加前から行ってもかまわない。加熱中は攪拌することが好ましい。反応時間は１〜３時間程度でよい。
【００３０】
反応終了後は黒色のコロイド分散液になっているので、洗浄により不純物イオンを除去し、ニッケルナノロッド分散液とする。
洗浄には、限外濾過膜を使用することができる。また、塗料やペーストとして使用する場合には、このニッケルナノロッド分散液を希釈あるいは濃縮して使用する。また、分散フィラーとして使用する場合には、このニッケルナノロッド分散液を乾燥し、ニッケルナノロッドを取り出す。乾燥は、ニッケルナノロッドの酸化を防ぐために凍結乾燥法を用いるのが好ましい。
【００３１】
このニッケルナノロッドの製造方法により作製されたニッケルナノロッドは、凝集がなく、分散性に優れ、直径が１０ｎｍ〜８０ｎｍ、長さが１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の微細な、面心立方（face-centered cubic structure）の結晶構造を有するニッケルナノロッドである。
【００３２】
このニッケルナノロッドは、非磁性材料中に分散させる磁性付与フィラーとして好適であり、また、水系溶媒中でも安定なことから汎用性に優れており、塗料やペーストにすることも可能である。
このような塗料やペーストは、ニッケルの導電性を生かして回路基板の電極形成材料や、燃料電池、２次電池などの電極形成材料としても好適である。
また、このニッケルナノロッドは、ナノサイズであることから極めて薄い塗膜を形成することができる。さらに、
さらに、このニッケルナノロッドは隠蔽力のある黒色であることから、ブラックマトリックス材料のような黒色塗料のフィラーとしても使用することができる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例１、２及び比較例１、２により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００３４】
「実施例１」
ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＣＴＡＢ）５．４ｇ、ｎ−ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）１．４ｇ、及びホルムアルデヒドスルホキシル酸ナトリウム二水和物（ロンガリット）２７．６ｇを純水に溶解し、水溶液を作製した。
次いで、この水溶液にシクロヘキサン１８ｇ及び純水を加え、全体量が１．３Ｌの水溶液Ａ１を作製した。
次いで、塩酸を用いて、この水溶液Ａ１のｐＨを８．５に調整し、攪拌しながら６０℃に加温した。
【００３５】
次いで、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）（試薬特級：関東化学（株）社製）２１．４ｇを少量の純水に溶解し、さらに純水を加え、全体量が５００ｍＬの水溶液Ｂを作製した。
次いで、この水溶液Ｂを、上記の６０℃に加温した水溶液Ａ１に、攪拌しながら１０ｍＬ／分の滴下速度にて滴下した。滴下終了後、攪拌したまま１時間、６０℃に保持した。この過程で水溶液は黒色のコロイド溶液となった。
【００３６】
このコロイド溶液を、限外濾過膜にて濾液の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍになるまで洗浄してニッケルナノロッド分散液を得た。その後、固液分離して分散粒子を得た。
この分散粒子を凍結乾燥法により乾燥し、その結晶構造をＸ線回折（ＸＲＤ）により測定したところ、面心立方（face-centered cubic structure）の結晶構造を有する金属ニッケルであることが分かった。さらに、この分散粒子は磁石に付着することから、磁性を有することも分かった。
【００３７】
また、この分散粒子を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し、図１に示す実施例１の分散粒子の透過型電子顕微鏡像（ＴＥＭ像）を得た。
また、このＴＥＭ像から任意に１０個の分散粒子を選び出し、それぞれの分散粒子の直径及び長さを実測し、平均直径及び平均長さを算出した。
その結果、この分散粒子は、平均直径が３８ｎｍ、平均長さが１２７ｎｍのロッド状であることが分かった。
【００３８】
「実施例２」
ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＣＴＡＢ）５．４ｇ、ｎ−ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）１．２ｇ、及びホルムアルデヒドスルホキシル酸ナトリウム二水和物（ロンガリット）２７．６ｇを純水に溶解し、水溶液を作製した。
次いで、この水溶液にシクロヘキサン１０ｇ及び純水を加え、全体量が１．３Ｌの水溶液Ａ２を作製した。
次いで、塩酸を用いて、この水溶液Ａ２のｐＨを８．３に調整し、攪拌しながら６０℃に加温した。
【００３９】
次いで、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）（試薬特級：関東化学（株）社製）２１．４ｇを少量の純水に溶解し、さらに純水を加え、全体量が５００ｍＬの水溶液Ｂを作製した。
次いで、この水溶液Ｂを、上記の６０℃に加温した水溶液Ａ２に、攪拌しながら１０ｍＬ／分の滴下速度にて滴下した。滴下終了後、攪拌したまま１時間、６０℃に保持した。この過程で水溶液は黒色のコロイド溶液となった。
【００４０】
このコロイド溶液を、限外濾過膜にて濾液の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍになるまで洗浄してニッケルナノロッド分散液を得た。その後、固液分離して分散粒子を得た。
この分散粒子を凍結乾燥法により乾燥し、その結晶構造をＸ線回折（ＸＲＤ）により測定したところ、面心立方（face-centered cubic structure）の結晶構造を有する金属ニッケルであることが分かった。さらに、この分散粒子は磁石に付着することから、磁性を有することも分かった。
【００４１】
また、この分散粒子を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し、図２に示す実施例２の分散粒子の透過型電子顕微鏡像（ＴＥＭ像）を得た。
また、このＴＥＭ像から任意に１０個の分散粒子を選び出し、それぞれの分散粒子の直径及び長さを実測し、平均直径及び平均長さを算出した。
その結果、この分散粒子は、平均直径が２９ｎｍ、平均長さが１０３ｎｍのロッド状であることが分かった。
【００４２】
「比較例１」
実施例１にて、塩酸による水溶液Ａ１のｐＨ調整を行わなかったところ、水溶液Ｂの滴下終了後、攪拌したまま５時間、６０℃に保持した後に、やや黒みを帯びた緑色のゲル状沈殿物が生成した。
このゲル状沈殿物を凍結乾燥法により乾燥して得られた物質の結晶構造をＸ線回折（ＸＲＤ）により測定したところ、大部分が水酸化ニッケルであることが分かった。さらに、この物質は磁石に付着しないことから、磁性を有していないことも分かった。
【００４３】
「比較例２」
実施例１にて、塩酸により水溶液Ａ１のｐＨを６．８に調整したところ、水溶液Ｂの滴下中に金属光沢を有する粒子が生成したが、直ちに溶解してしまった。
滴下終了後、攪拌したまま５時間、６０℃に保持した後においても、何等変化が生じなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明のニッケルナノロッドの製造方法は、界面活性剤、環状炭化水素及び還元剤を含有する水溶液Ａの水素イオン指数を７以上かつ１０以下に調整し、次いで、この水溶液Ａにニッケルイオンを含有する水溶液Ｂを添加し、前記ニッケルイオンを前記還元剤で還元するものであるから、磁性を付与するためのナノサイズフィラーとして好適なニッケルナノロッドを簡便に製造することができるのはもちろんのこと、このニッケルナノロッドを非磁性材料からなるマトリックス中に配向分散させたり、溶媒中に分散させたり等により、回路基板の電極形成、燃料電池や２次電池等の電極、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）のブラックマトリックス材料のような黒色塗料等、様々な技術分野に対しても適用可能であり、その有用性は非常に大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施例１の分散粒子を示す透過型電子顕微鏡像である。
【図２】本発明の実施例２の分散粒子を示す透過型電子顕微鏡像である。
【図１】
2007284714.tif 000002
【図２】
2007284714.tif 000003