(57)【要約】【課題】生産性を高めることのできるモノリシックＲＦ回路を提供する。【解決手段】モノリシックＲＦ回路は一つのベース基板の上にフィルタ部及びスイッチ部を形成する。特に、スイッチ部の圧電層はフィルタ部の圧電層と同様の材質から形成される。スイッチ部はフィルタ部を形成する工程過程で共に形成され、フィルタ部を形成する工程と同様の工程を通じて形成される。これにより、モノリシックＲＦ回路はフィルタ部及びスイッチ部をＭＭＩＣ化することができ、工程時間を短縮して生産性を高めることができる。【選択図】図１
2007215174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の上に形成された第１及び第２保持層、前記第１保持層と第２保持層との間に形成された第１エアギャップ、前記第２保持層及び前記第１エアギャップの上に形成された第１電極、前記第１保持層及び前記第１電極の上に形成された第１圧電層、及び前記第１圧電層の上に形成された第２電極を備え、特定周波数帯域の信号を通過させるフィルタ部と、
前記ベース基板の上に形成されると共に前記第２保持層に隣接して位置する第３保持層、前記第２保持層と第３保持層との間に形成された第２エアギャップ、前記第２エアギャップ及び前記第３保持層の上に形成された第１スイッチ電極、及び前記第１スイッチ電極の上に形成され、前記第１圧電層と同様の材質から成る第２圧電層を備え、外部から受信したＲＦ信号をスイッチングするスイッチ部と、
を含むことを特徴とするモノリシックＲＦ回路。
【請求項２】
前記第１スイッチ電極及び前記第２圧電層は、一部分が前記第２保持層の上部に形成されたことを特徴とする請求項１に記載のモノリシックＲＦ回路。
【請求項３】
前記スイッチ部は、前記第２圧電層の上に形成された第２スイッチ電極を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のモノリシックＲＦ回路。
【請求項４】
前記第２スイッチ電極は、一部分が前記第２保持層の上部に形成されたことを特徴とする請求項３に記載のモノリシックＲＦ回路。
【請求項５】
ベース基板と、
前記ベース基板の上に形成された第１及び第２保持層、前記第１保持層と第２保持層との間に形成された第１エアギャップ、前記第２保持層及び前記第１エアギャップの上に形成された第１電極、前記第１保持層及び前記第１電極の上に形成された第１圧電層、及び前記第１圧電層の上に形成された第２電極を備え、特定周波数帯域の信号を通過させるフィルタ部と、
前記ベース基板の上に形成されると共に前記第２保持層に隣接して位置する第３保持層、前記第２保持層と第３保持層との間に形成された第２エアギャップ、前記第２エアギャップ及び前記第３保持層の上に形成され前記第１圧電層と同様の材質から成る第２圧電層、及び前記第２圧電層の上に形成されたスイッチ電極を備え、外部から受信したＲＦ信号をスイッチングするスイッチ部と、
を含むことを特徴とするモノリシックＲＦ回路。
【請求項６】
前記第２圧電層及び前記スイッチ電極は、一部分が前記第２保持層の上部に形成されたことを特徴とする請求項５に記載のモノリシックＲＦ回路。
【請求項７】
ベース基板の上に第１金属層を形成するステップと、
前記第１金属層をパターニングして第１保持層、第２保持層、及び第３保持層を形成するステップと、
前記第１保持層と第２保持層との間に第１犠牲層を形成し、第２保持層と第３保持層との間に第２犠牲層を形成するステップと、
前記第２保持層及び前記第１犠牲層の上に第１電極を形成し、前記第３保持層及び前記第２犠牲層の上に第１スイッチ電極を形成するステップと、
前記第１電極及び前記第１スイッチ電極が形成された前記ベース基板の上に圧電物質を蒸着するステップと、
前記圧電物質をパターニングして前記第１保持層及び前記第１電極の上部に第１圧電層を形成し、前記第１スイッチ電極の上に第２圧電層を形成するステップと、
前記第１圧電層の上に第２電極を形成するステップと、
前記第１犠牲層を除去して第１エアギャップを形成し、前記第２犠牲層を除去して第２エアギャップを形成するステップと、
を含むことを特徴とするモノリシックＲＦ回路の製造方法。
【請求項８】
前記第１電極及び前記第１スイッチ電極を形成するステップは、
前記第１及び第２保持層が形成された前記ベース基板の上に第２金属層を蒸着するステップと、
前記第２金属層をパターニングして前記第１電極及び前記第１スイッチ電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項７に記載のモノリシックＲＦ回路の製造方法。
【請求項９】
前記第２電極を形成するステップは、
前記第１及び第２圧電層が形成された前記ベース基板の上に第３金属層を蒸着するステップと、
前記第３金属層をパターニングして前記第２電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項７に記載のモノリシックＲＦ回路の製造方法。
【請求項１０】
前記第２電極を形成するステップは、前記第３金属層をパターニングして前記第２圧電層の上に第２スイッチ電極を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項９に記載のモノリシックＲＦ回路の製造方法。
【請求項１１】
ベース基板の上に第１金属層を形成するステップと、
前記第１金属層をパターニングして第１保持層、第２保持層、及び第３保持層を形成するステップと、
前記第１保持層と第２保持層との間に第１犠牲層を形成し、第２保持層と第３保持層との間に第２犠牲層を形成するステップと、
前記第２保持層及び前記第１犠牲層の上に第１電極を形成するステップと、
前記第１電極が形成された前記ベース基板の上に圧電物質を蒸着するステップと、
前記圧電物質をパターニングして前記第１電極及び第１犠牲層の上部に第１圧電層を形成し、前記第３保持層及び前記第２犠牲層の上に第２圧電層を形成するステップと、
前記第１圧電層の上に第２電極を形成し、前記第２圧電層の上にスイッチ電極を形成するステップと、
前記第１犠牲層を除去して第１エアギャップを形成し、前記第２犠牲層を除去して第２エアギャップを形成するステップと、
を含むことを特徴とするモノリシックＲＦ回路の製造方法。
【請求項１２】
前記第２電極及び前記スイッチ電極を形成するステップは、
前記第１及び第２圧電層が形成された前記ベース基板の上に第２金属層を蒸着するステップと、
前記第２金属層をパターニングして前記第２電極及び前記スイッチ電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のモノリシックＲＦ回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモノリシックＲＦ回路及びその製造方法に関し、より詳細には生産性を高めるためのモノリシックＲＦ回路及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デュプレクサは無線通信機器に適用されるＲＦ素子で、無線通信用ＲＦフィルタである。デュプレクサはアンテナから受信された信号を受信端に提供し、送信端で出力された信号をアンテナに提供する。つまり、デュプレクサは受信端及び送信端が一つのアンテナを共有する場合、受信信号は受信端にのみ提供されるように制御し、送信信号はアンテナにのみ提供されるように制御する。
【０００３】
デュプレクサは送信端フィルタ及び受信端フィルタを含む。送信端フィルタは送信しようとする周波数帯域内の信号のみを通過させるバンドパスフィルタである。受信端フィルタは受信しようとする周波数帯域内の信号のみを通過させるバンドパスフィルタである。デュプレクサは一つのアンテナを介して送受信が行なえるように、送信端フィルタ及び受信端フィルタでパスする周波数を互いに異なるように調整する。
【０００４】
デュプレクサに適用されるフィルタとしては、誘電体フィルタ、表面弾性波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ：ＳＡＷ）フィルタ、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）フィルタなどがある。
【０００５】
特に、ＦＢＡＲフィルタは、半導体基板に他の能動素子と共に集積され、デュプレクサをＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）化することができるフィルタである。
【０００６】
つまり、ＦＢＡＲは薄膜工程を通じて形成され、誘電体フィルタ及び集中定数（ＬＣ）フィルタより数百分の１のサイズに小型化が可能であり、ＳＡＷフィルタより挿入損失がかなり少ない。このように、ＦＢＡＲは安定性が高いため、高品質係数（Ｈｉｇｈ  Ｑ）を要求するＭＭＩＣに適合である。また、ＦＢＡＲは小型に製造することができ、製造コストが安い。
【０００７】
ＦＢＡＲは薄膜工程を通じて形成され、上部電極、圧電体、及び下部電極を備える。ＦＢＡＲは圧電現象を用いて特定周波数帯域で共振を発生し、共振周波数を用いて特定帯域の信号のみを通過させる。
【０００８】
一方、無線通信機器のＲＦ回路にはＲＦ信号をスイッチングするＲＦスイッチが備えられる。高周波に適用されるＲＦスイッチとしては、同軸スイッチ、ＰＩＮダイオードスイッチ、ＲＦ−ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）スイッチなどがある。特に、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは電極部及び圧電層を備え、半導体工程を通じて形成されるため、工程過程及び構成がＦＢＡＲと類似である。
【０００９】
しかし、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの圧電層とＦＢＡＲ圧電層とは互いに異なるため、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチ及びＦＢＡＲを互いに異なる基板に形成する。これにより、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチの工程及びＦＢＡＲの工程が互いに分離されて進行されるため、ＲＦ回路の生産性が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は前述の問題点を解決するために提出されたもので、本発明の目的はスイッチ及びフィルタを共に形成して生産性を高めることのできるモノリシックＲＦ回路を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の目的は前述のモノリシックＲＦ回路を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述した本発明の目的を実現するための一つの特徴に係るモノリシックＲＦ回路は、ベース基板、特定周波数帯域の信号を通過させるフィルタ部、及び外部から受信したＲＦ信号をスイッチングするスイッチ部からなる。
【００１３】
フィルタ部は、前記ベース基板の上に形成された第１及び第２保持層、前記第１保持層と第２保持層との間に形成された第１エアギャップ、前記第２保持層及び前記第１エアギャップの上に形成された第１電極、前記第１保持層及び前記第１電極の上に形成された第１圧電層、及び前記第１圧電層の上に形成された第２電極を備える。
【００１４】
スイッチ部は、前記ベース基板の上に形成されると共に前記第２保持層に隣接して位置する第３保持層、前記第２保持層と第３保持層との間に形成された第２エアギャップ、前記第２エアギャップ及び前記第３保持層の上に形成された第１スイッチ電極、及び前記第１スイッチ電極の上に形成され、前記第１圧電層と同様の材質から成る第２圧電層を備える。
【００１５】
ここで、前記第１スイッチ電極及び前記第２圧電層は、一部分が前記第２保持層の上部に形成されることができる。
【００１６】
また、前記スイッチ部は、前記第２圧電層の上に形成された第２スイッチ電極を更に含むこともできる。前記第２スイッチ電極は、一部分が前記第２保持層の上部に形成されることもできる。
【００１７】
また、前述した本発明の目的を実現するための一つの特徴に係るモノリシックＲＦ回路は、ベース基板、特定周波数帯域の信号を通過させるフィルタ部、及び外部から受信したＲＦ信号をスイッチングするスイッチ部からなる。
【００１８】
フィルタ部は、前記ベース基板の上に形成された第１及び第２保持層、前記第１保持層と第２保持層との間に形成された第１エアギャップ、前記第２保持層及び前記第１エアギャップの上に形成された第１電極、前記第１保持層及び前記第１電極の上に形成された第１圧電層、及び前記第１圧電層の上に形成された第２電極を備える。
【００１９】
スイッチ部は、前記ベース基板の上に形成され前記第２保持層に隣接して位置する第３保持層、前記第２保持層と第３保持層との間に形成された第２エアギャップ、前記第２エアギャップ及び前記第３保持層の上に形成されると共に前記第１圧電層と同様の材質から形成された第２圧電層、及び前記第２圧電層の上に形成されたスイッチ電極を備える。
【００２０】
ここで、前記第２圧電層及び前記スイッチ電極は、一部分が前記第２保持層の上部に形成されることができる。
【００２１】
また、前述した本発明の目的を実現するための一つの特徴に係るモノリシックＲＦ回路の製造方法は、まず、ベース基板の上に第１金属層を形成する。前記第１金属層をパターニングして第１保持層、第２保持層、及び第３保持層を形成する。前記第１保持層と第２保持層との間に第１犠牲層を形成し、第２保持層と第３保持層との間に第２犠牲層を形成する。前記第２保持層及び前記第１犠牲層の上に第１電極を形成し、前記第３保持層及び前記第２犠牲層の上に第１スイッチ電極を形成する。前記第１電極及び前記第１スイッチ電極が形成された前記ベース基板の上に圧電物質を蒸着する。前記圧電物質をパターニングして前記第１保持層及び前記第１電極の上部に第１圧電層を形成し、前記第１スイッチ電極の上に第２圧電層を形成する。前記第１圧電層の上に第２電極を形成する。前記第１犠牲層を除去して第１エアギャップを形成し、前記第２犠牲層を除去して第２エアギャップを形成する。
【００２２】
ここで、前記第１電極及び前記第１スイッチ電極を形成するステップは、まず、前記第１及び第２保持層が形成された前記ベース基板の上に第２金属層を蒸着する。そして、前記第２金属層をパターニングして前記第１電極及び前記第１スイッチ電極を形成する。
【００２３】
一方、前記第２電極を形成するステップは、まず、前記第１及び第２圧電層が形成された前記ベース基板の上に第３金属層を蒸着する。そして、前記第３金属層をパターニングして前記第２電極を形成する。
【００２４】
好ましくは、前記第２電極を形成するステップは、前記第３金属層をパターニングして前記第２圧電層の上に第２スイッチ電極を形成するステップを更に含むことができる。
【００２５】
また、前述した本発明の目的を実現するための一つの特徴に係るモノリシックＲＦ回路の製造方法は、まず、ベース基板の上に第１金属層を形成する。前記第１金属層をパターニングして第１保持層、第２保持層、及び第３保持層を形成する。前記第１保持層と第２保持層との間に第１犠牲層を形成し、第２保持層と第３保持層との間に第２犠牲層を形成する。前記第２保持層及び前記第１犠牲層の上に第１電極を形成する。前記第１電極が形成された前記ベース基板の上に圧電物質を蒸着する。前記圧電物質をパターニングして前記第１電極及び第１犠牲層の上部に第１圧電層を形成し、前記第３保持層及び前記第２犠牲層の上に第２圧電層を形成する。前記第１圧電層の上に第２電極を形成し、前記第２圧電層の上にスイッチ電極を形成する。前記第１犠牲層を除去して第１エアギャップを形成し、前記第２犠牲層を除去して第２エアギャップを形成する。
【００２６】
ここで、前記第２電極及び前記スイッチ電極を形成するステップは、まず、前記第１及び第２圧電層が形成された前記ベース基板の上に第２金属層を蒸着する。そして、前記第２金属層をパターニングして前記第２電極及び前記スイッチ電極を形成する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、モノリシックＲＦ回路は、一つのベース基板の上にフィルタ部及びスイッチ部を形成する。特に、スイッチ部はフィルタ部を形成する工程過程で共に形成され、フィルタ部を形成する工程と同様の工程を通じて形成される。これにより、モノリシックＲＦ回路はフィルタ部及びスイッチ部をＭＭＩＣ化することができ、工程時間を短縮して生産性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付の図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳説する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に係るモノリシックＲＦ回路を示す断面図である。
【００３０】
同図に示すように、本発明に係るモノリシックＲＦ回路１００は、ベース基板１１０、絶縁層１２０、フィルタ部１３０、及びスイッチ部１４０を含む。
【００３１】
具体的に、ベース基板１１０は半導体絶縁基板であり、シリコンウエハから形成されることができる。
【００３２】
絶縁層１２０は、ベース基板１１０の上に形成され、シリコン酸化物質（ＳｉＯ２）のような絶縁物質から成る。
【００３３】
フィルタ部１３０は、絶縁層１２０の上面に形成され、特定周波数帯域の信号のみを通過させる。フィルタ部１３０は、第１及び第２保持層１３１ａ、１３１ｂ、第１電極１３２、第１圧電層１３３、及び第２電極１３４を含む。
【００３４】
第１及び第２保持層１３１ａ、１３１ｂは金属材質から成り、絶縁層１２０の上に形成される。第１保持層１３１ａと第２保持層１３１ｂとの間には第１エアギャップＡＧ１が形成される。
【００３５】
第２保持層１３１ｂ及び第１エアギャップＡＧ１の上部には第１電極１３２が形成される。第１電極１３２は導電性の金属材質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びモリブデン（Ｍｏ）などから成る。ここで、第１電極１３２は第２保持層１３１ｂの一部分及び第１エアギャップＡＧ１を部分的にカバーする。
【００３６】
第１圧電層１３３は第１電極１３２及び第１保持層１３１ａの上面に形成される。第１圧電層１３３は第１電極１３２の一部分及び第１保持層１３１ａの上面をカバーする。また、第１圧電層１３３は第１保持層１３１ａと第１電極１３２との間に露出した第１エアギャップＡＧ１上に形成される。第１圧電層１３３は圧電性フィルムからなり、圧電性フィルムは電気的エネルギーを弾性波の形態の機械的エネルギーに変換する圧電効果を発生する。
【００３７】
第１圧電層１３３の上面には第２電極１３４が形成される。第２電極１３４は導電性の金属材質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びモリブデン（Ｍｏ）などから成る。
【００３８】
このように、フィルタ部１３０は第１及び第２電極１３２、１３４の間に第１圧電層１３３を備える。第１及び第２電極１３２、１３４に電源が印加されると、第１圧電層１３３は圧電効果を発生し、これにより、共振現象が発生する。ここで、フィルタ部１３０は共振周波数と同様の周波数帯域の信号のみ通過させる。
【００３９】
一方、フィルタ部１３０の一側には外部から入力されるＲＦ信号をスイッチングするスイッチ部１４０が形成される。スイッチ部１４０は、第３保持層１４１、第１スイッチ電極１４２、及び第２圧電層１４３を備える。
【００４０】
第３保持層１４１は第２保持層１３１ｂに隣接して位置し、金属材質からなる。第２保持層１３１ｂと第３保持層１４１との間には第２エアギャップＡＧ２が形成される。
【００４１】
第３保持層１４１及び第２エアギャップＡＧ２の上部には第１スイッチ電極１４２が形成される。第１スイッチ電極１４２は第２エアギャップＡＧ２を一部分露出し、フィルタ部１３０とは絶縁されるように位置する。第１スイッチ電極１４２は導電性の金属材質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びモリブデン（Ｍｏ）などから成る。
【００４２】
第１スイッチ電極１４２の上面には第２圧電層１４３が形成される。第２圧電層１４３は第１圧電層１３３と同様の材質から形成され、第１圧電層１３３を形成する過程で共に形成される。
【００４３】
一方、スイッチ部１４０は第２圧電層１４３の上部に形成された第２スイッチ電極１４４を更に含む。第２スイッチ電極１４４は導電性金属材質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びモリブデン（Ｍｏ）などから成る。これにより、第２圧電層１４３は第１スイッチ電極１４２と第２スイッチ電極１４４との間に介在される。
【００４４】
このように、モノリシックＲＦ回路１００は、一つのベース基板１１０の上にフィルタ部１３０及びスイッチ部１４０を共に形成することで、デュプレクサ及びスイッチ部１４０をＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）化することができる。
【００４５】
図２Ａないし図２Ｈは、図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【００４６】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ベース基板１１０の上にＲＦマグネトロンスパッタリング（ＲＦ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法又は蒸着法を用いて絶縁層１２０を形成する。次に、絶縁層１２０の上に第１金属層１５０を形成する。
【００４７】
次に、図２Ｂに示すように、第１金属層１５０をパターニングして第１ないし第３保持層１３１ａ、１３１ｂ、１４１を形成する。次に、第１ないし第３保持層１３１ａ、１３１ｂ、１４１が形成された絶縁層１２０の上に第１及び第２犠牲層１６１、１６２を形成する。ここで、第１犠牲層１６１は第１保持層１３１ａと第２保持層１３１ｂとの間に位置し、第２犠牲層１６２は第２保持層１３１ｂと第３保持層１４１との間に位置する。
【００４８】
図２Ｃ及び図２Ｄに示すように、第１ないし第３保持層１３１ａ、１３１ｂ、１４１、及び第１及び第２犠牲層１６１、１６２の上部に第２金属層１７０を蒸着する。
【００４９】
次に、図２Ｄに示すように、第２金属層１７０をパターニングして第１電極１３２及び第１スイッチ電極１４２を形成する。
【００５０】
図２Ｅ及び図２Ｆに示すように、第１電極１３２及び第１スイッチ電極１４２が形成されたベース基板１１０の上部に圧電フィルム１８０を蒸着する。
【００５１】
次に、図２Ｆに示すように、圧電フィルム１８０をパターニングして第１保持層１３１ａ及び第１電極１３２の上部に第１圧電層１３３を形成し、第１スイッチ電極１４２の上面に第２圧電層１４３を形成する。
【００５２】
図２Ｇ及び図２Ｈに示すように、第１及び第２圧電層１３３、１４３が形成されたベース基板１１０の上部に第３金属層１９０を蒸着する。
【００５３】
次に、図２Ｈに示すように、第３金属層１９０をパターニングして第１圧電層１３３の上に第２電極１３４を形成し、第２圧電層１４３の上に第２スイッチ電極１４４を形成する。
【００５４】
次に、第１及び第２犠牲層１６１、１６２を除去して第１及び第２エアギャップＡＧ１、ＡＧ２（図１参照）をそれぞれ形成する。これにより、フィルタ部１３０及びスイッチ部１４０が完成される。
【００５５】
このように、モノリシックＲＦ回路１００は、一つのベース基板１１０の上にフィルタ部１３０及びスイッチ部１４０を形成し、フィルタ部１３０を形成する工程過程でスイッチ部１４０を共に形成する。これにより、モノリシックＲＦ回路１００は、フィルタ部１３０及びスイッチ部１４０をＭＭＩＣ化することができ、工程時間を短縮して生産性を高めることができる。
【００５６】
図３は、本発明の他の実施形態に係るモノリシックＲＦ回路を示す断面図である。
【００５７】
同図に示すように、本発明に係るモノリシックＲＦ回路２００は、スイッチ部２１０を除き図１に示されたモノリシックＲＦ回路１００と同様の構成を有する。従って、以下のモノリシックＲＦ回路２００についての説明において、図１に示されたモノリシックＲＦ回路１００と同様の機能をする構成要素については、参照番号を併記しその具体的な説明は省略する。
【００５８】
モノリシックＲＦ回路２００は、ベース基板１１０、絶縁層１２０、フィルタ部１３０、及びスイッチ部２１０を含む。
【００５９】
具体的に、絶縁層１２０はベース基板１１０の上面に形成され、フィルタ部１３０及びスイッチ部２１０は絶縁層１２０の上部に形成される。
【００６０】
フィルタ部１３０は絶縁層１２０の上面に形成され、特定周波数帯域の信号のみ通過させる。フィルタ部１３０は第１及び第２保持層１３１ａ、１３１ｂ、第１電極１３２、第１圧電層１３３、及び第２電極１３４を含む。
【００６１】
スイッチ部２１０は、外部から入力されるＲＦ信号をスイッチングする。スイッチ部２１０は第３保持層１４１、第１スイッチ電極２１１、及び第２圧電層２１２を備える。
【００６２】
第３保持層１４１は絶縁層１２０の上面に形成され、第１及び第２保持層１３１ａ、１３１ｂと同様の材質から成る。第２保持層１３１ｂと第３保持層１４１との間には第２エアギャップＡＧ２が形成される。
【００６３】
第１スイッチ電極２１１は第３保持層１４１及び第２エアギャップＡＧ２の上面に形成される。特に、第１スイッチ電極２１１は一部分が第２保持層１３１ｂの上面に形成され、第１電極１３２とは互いに離隔して位置する。第１スイッチ電極２１１は導電性金属材質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びモリブデン（Ｍｏ）などから成る。
【００６４】
第２圧電層２１２は第１スイッチ電極２１１の上面に形成され、第２保持層１３１ｂが形成された領域に一部分が位置する。第２圧電層２１２は第１圧電層１３３と同様の材質から成り、第１圧電層１３３を形成する工程過程で共に形成される。
【００６５】
一方、スイッチ部２１０は第２圧電層２１２の上に形成される第２スイッチ電極２１３を更に含む。
【００６６】
第２スイッチ電極２１３は、第２保持層１３１ｂが形成された領域に一部分が位置し、導電性金属材質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びモリブデン（Ｍｏ）などから成る。
【００６７】
ここで、前述したモノリシックＲＦ回路２００を形成する過程は、図２Ａないし図２Ｈに示されたモノリシックＲＦ回路１００の形成過程と同様である。よって、モノリシックＲＦ回路２００を形成する過程についての説明は省略する。
【００６８】
前述のように、モノリシックＲＦ回路２００は、一つのベース基板１１０の上にフィルタ部１３０及びスイッチ部２１０を共に形成することで、デュプレクサ及びスイッチ部２１０をＭＭＩＣ化することができ、製造工程時間を短縮して生産性を高めることができる。
【００６９】
図４は、本発明の他の実施形態に係るモノリシックＲＦ回路を示す断面図である。
【００７０】
同図に示すように、本発明に係るモノリシックＲＦ回路３００は、スイッチ部３１０を除き図１に示されたモノリシックＲＦ回路１００と同様の構成を有する。従って、以下のモノリシックＲＦ回路３００についての説明において、図１に示されたモノリシックＲＦ回路１００と同様の機能をする構成要素については、参照番号を併記しその具体的な説明は省略する。
【００７１】
モノリシックＲＦ回路３００は、ベース基板１１０、絶縁層１２０、フィルタ部１３０、及びスイッチ部３１０を含む。
【００７２】
具体的に、絶縁層１２０はベース基板１１０の上面に形成され、フィルタ部１３０及びスイッチ部３１０は絶縁層１２０の上部に形成される。
【００７３】
フィルタ部１３０は絶縁層１２０の上面に形成され、特定周波数帯域の信号のみ通過させる。フィルタ部１３０は第１及び第２保持層１３１ａ、１３１ｂ、第１電極１３２、第１圧電層１３３、及び第２電極１３４を含む。
【００７４】
スイッチ部３１０は、外部から入力されるＲＦ信号をスイッチングする。スイッチ部３１０は第３保持層１４１、第２圧電層３１１、及びスイッチ電極３１２を備える。
【００７５】
第３保持層１４１は絶縁層１２０の上面に形成され、第１及び第２保持層１３１ａ、１３１ｂと同様の材質から成る。第２保持層１３１ｂと第３保持層１４１との間には第２エアギャップＡＧ２が形成される。
【００７６】
第２圧電層３１１は第３保持層１４１及び第２エアギャップＡＧ２の上面に形成される。第２圧電層３１１は、第１圧電層１３３と同様の材質から形成され、第１圧電層１３３を形成する過程で共に形成される。
【００７７】
本実施形態において、第２エアギャップＡＧ２は、第１電極１３２と第２圧電層３１１との間に一部分が外部に露出する。しかし、第２圧電層３１１が第２保持層１３１ｂまで延長形成されることもでき、この場合、第２エアギャップＡＧ２は外部に露出しない。
【００７８】
スイッチ電極３１２は第２圧電層３１１の上面に形成され、導電性金属材質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びモリブデン（Ｍｏ）などから成る。
【００７９】
図５Ａないし図５Ｄは、図４に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【００８０】
図５Ａに示すように、ベース基板１１０の上に絶縁層１２０を形成し、絶縁層１２０の上面に第１ないし第３保持層１３１ａ、１３１ｂ、１４１、及び第１及び第２犠牲層１６１、１６２を形成する。ここで、絶縁層１２０、第１ないし第３保持層１３１ａ、１３１ｂ、１４１、及び第１及び第２犠牲層１６１、１６２を形成する過程は図２Ａ及び図２Ｂに示されているため、その具体的な説明は省略する。
【００８１】
次に、ベース基板１１０の上に第２金属層１７０（図２Ｃ参照）を形成し、第２金属層１７０をパターニングして第１電極１３２を形成する。
【００８２】
図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、第１電極１３２が形成されたベース基板１１０の上部に圧電フィルム１８０を蒸着する。
【００８３】
次に、図５Ｃに示すように、圧電フィルム１８０をパターニングして第１保持層１３１ａ及び第１電極１３２の上部に第１圧電層１３３を形成し、第３保持層１４１及び第２犠牲層１６２の上面に第２圧電層３１１を形成する。
【００８４】
図４及び図５Ｄに示すように、第１及び第２圧電層１３３、１４３が形成されたベース基板１１０の上部に第３金属層１９０を蒸着する。
【００８５】
次に、図４に示すように、第３金属層１９０をパターニングして第１圧電層１３３の上に第２電極１３４を形成し、第２圧電層３１１の上にスイッチ電極３１２を形成する。
【００８６】
次に、第１及び第２犠牲層１６１、１６２を除去して第１及び第２エアギャップＡＧ１、ＡＧ２（図１参照）をそれぞれ形成する。これにより、フィルタ部１３０及びスイッチ部３１０が完成される。
【００８７】
このように、モノリシックＲＦ回路３００は、一つのベース基板１１０の上にフィルタ部１３０及びスイッチ部３１０を形成し、フィルタ部１３０を形成する工程過程でスイッチ部３１０を共に形成する。これにより、モノリシックＲＦ回路３００は、フィルタ部１３０及びスイッチ部３１０をＭＭＩＣ化することができ、工程時間を短縮して生産性を高めることができる。
【００８８】
以上、本発明の好適な実施形態を図示及び説明してきたが、本発明の技術的範囲は前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に基づいて定められ、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨から外れることなく当該発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば誰もが多様な変形実施が可能であることは勿論のことであり、該変更した技術は特許請求の範囲に記載された発明の技術的範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の一実施形態に係るモノリシックＲＦ回路を示す断面図である。
【図２Ａ】図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図２Ｂ】図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図２Ｃ】図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図２Ｄ】図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図２Ｅ】図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図２Ｆ】図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図２Ｇ】図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図２Ｈ】図１に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係るモノリシックＲＦ回路を示す断面図である。
【図４】本発明のもう一つの他の実施形態に係るモノリシックＲＦ回路を示す断面図である。
【図５Ａ】図４に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図５Ｂ】図４に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図５Ｃ】図４に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【図５Ｄ】図４に示されたモノリシックＲＦ回路を製造する過程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１００、２００、３００  モノリシックＲＦ回路
１１０  ベース基板
１２０  絶縁層
１３０  フィルタ部
１４０、２１０、３１０  スイッチ部
【図１】
2007215174.tif 000003
【図２Ａ】
2007215174.tif 000004
【図２Ｂ】
2007215174.tif 000005
【図２Ｃ】
2007215174.tif 000006
【図２Ｄ】
2007215174.tif 000007
【図２Ｅ】
2007215174.tif 000008
【図２Ｆ】
2007215174.tif 000009
【図２Ｇ】
2007215174.tif 000010
【図２Ｈ】
2007215174.tif 000011
【図３】
2007215174.tif 000012
【図４】
2007215174.tif 000013
【図５Ａ】
2007215174.tif 000014
【図５Ｂ】
2007215174.tif 000015
【図５Ｃ】
2007215174.tif 000016
【図５Ｄ】
2007215174.tif 000017