(57)【要約】【課題】塩素処理水を塩素の有益性を保持しながら塩素害を抑制して水質改善できるセラミックス粒子の製造方法を目的とする。【解決手段】ケイ素(Ｓｉ)、アルミニウム(Ａｌ)、鉄(Ｆｅ)の酸化物、水酸化物もしくはフッ化物を主成分とし、これらより容易に還元される金属の酸化物、水酸化物もしくはフッ化物を微量成分として含む岩石粉末を原料とする。岩石粉末を１０００℃以上の高温で焼成してから還元雰囲気中で５００℃以上１０００℃以下の温度まで昇温して再焼成して再焼成セラミックス粒子とする。再焼成セラミックス粒子の硬度をより向上できる。再焼成セラミックス粒子中の微量成分を還元できる。水中の残留塩素を保持したまま塩素害を抑制し、レジオネラ菌の発生および増殖を抑制できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素(Ｓｉ)、アルミニウム(Ａｌ)および鉄(Ｆｅ)の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを主元素とし、還元可能な酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを含む岩石粉末を、１０００℃以上の温度で焼成して一次焼成セラミックス粒子とし、
この一次焼成セラミックス粒子を、酸素が少ない雰囲気で５００℃以上１０００℃以下の温度まで昇温して再焼成セラミックス粒子にする
ことを特徴とした塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法。
【請求項２】
一次焼成セラミックス粒子を冷却してから再焼成セラミックス粒子にする
ことを特徴とした請求項１記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法。
【請求項３】
岩石粉末を焼成して直径０．５ｍｍ以上７ｍｍ以下の球形状の一次焼成セラミックス粒子にしたものを再焼成セラミックス粒子にする
ことを特徴とした請求項１または２記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法。
【請求項４】
酸素が少ない雰囲気として不活性ガスを注入した還元雰囲気を用いる
ことを特徴とした請求項１ないし３いずれか記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法にて製造された複数の再焼成セラミックス粒子が入れられた容器内に、塩素処理水を通過させる
ことを特徴とした塩素処理水の水質改善方法。
【請求項６】
複数の再焼成セラミックス粒子が入れられた容器内に、レジオネラ菌が残留する塩素処理水を通過させる
ことを特徴とした請求項５記載の塩素処理水の水質改善方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、岩石粉末を焼成したセラミックス粒子による塩素処理水のより効果的な塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法、および塩素処理水の水質改善方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のセラミックス粒子としては、天然の活性石を微細化してバインダにて約３ｍｍから５ｍｍの球状にしてから、磁気効果と硬度を向上させる目的から１０００℃以上の温度で焼成してセラミックスとしている。そして、このセラミックス間に湯を通過させてミネラル成分を溶出させ、この湯中の雑菌を滅菌し、脱臭させるミネラルセラミックスの炉材を使用した循環式温浴器が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、この種のセラミックス粒子としては、黒色ガラス質の石英安山岩の鉱石を１μｍから５μｍほどの微粒子に粉砕してから、この粉砕した鉱石を粘土に混入して練り合わせて型に入れて成型する。この後、この成型した鉱石を素焼きで前焼きしてから、この素焼きを微粒子が溶けている溶液に浸漬させて、この素焼きの表面に微粒子を付着させる。そして、この微粒子が付着した素焼きを乾燥させてから、陶器窯にいれて１２００℃から１３００℃の温度で焼成して構成された陶磁製遠赤外線放射器が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】実開平４−１７８９３号公報
【特許文献２】特開平７−２８９１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したミネラルセラミックスや陶磁製遠赤外線放射器では、このミネラルセラミックスに含まれているミネラルを湯中に溶出させたり、陶磁製遠赤外線放射器の表面から放射される遠赤外線の効果が時間とともに低下したりすることから、これらミネラルセラミックスや陶磁製遠赤外線放射器を定期的に交換する必要があるので、経済的に優れていない。さらに、これらミネラルセラミックスや陶磁製遠赤外線放射器は、湯などの水を活性化することには優れているが、この湯などの水に含まれている塩素による塩素害を軽減させることは容易ではないという問題を有している。
【０００５】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、塩素処理水による塩素害を低減できる塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法、および塩素処理水の水質改善方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法は、ケイ素(Ｓｉ)、アルミニウム(Ａｌ)および鉄(Ｆｅ)の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを主元素とし、還元可能な酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを含む岩石粉末を、１０００℃以上の温度で焼成して一次焼成セラミックス粒子とし、この一次焼成セラミックス粒子を、酸素が少ない雰囲気で５００℃以上１０００℃以下の温度まで昇温して再焼成セラミックス粒子にするものである。
【０００７】
請求項２記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法は、請求項１記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法において、一次焼成セラミックス粒子を冷却してから再焼成セラミックス粒子にするものである。
【０００８】
請求項３記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法は、請求項１または２記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法において、岩石粉末を焼成して直径０．５ｍｍ以上７ｍｍ以下の球形状の一次焼成セラミックス粒子にしたものを再焼成セラミックス粒子にするものである。
【０００９】
請求項４記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法は、請求項１ないし３いずれか記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法において、酸素が少ない雰囲気として不活性ガスを注入した還元雰囲気を用いるものである。
【００１０】
請求項５記載の塩素処理水の水質改善方法は、請求項１ないし４いずれか記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法にて製造された複数の再焼成セラミックス粒子が入れられた容器内に、塩素処理水を通過させるものである。
【００１１】
請求項６記載の塩素処理水の水質改善方法は、請求項５記載の塩素処理水の水質改善方法において、複数の再焼成セラミックス粒子が入れられた容器内に、レジオネラ菌が残留する塩素処理水を通過させるものである。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法によれば、ケイ素(Ｓｉ)、アルミニウム(Ａｌ)および鉄(Ｆｅ)の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを主元素とし、還元可能な酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを含む岩石粉末を、１０００℃以上の温度で焼成して一次焼成セラミックス粒子とした後に、この一次焼成セラミックス粒子を、酸素が少ない雰囲気で５００℃以上１０００℃以下の温度まで昇温して再焼成セラミックス粒子にすることにより、この一次焼成セラミックス粒子中に含まれている元素が還元されて、この岩石粉末の結晶構造が変化する。したがって、これら再焼成セラミックス粒子間に塩素処理水を通過させることによって、この塩素処理水に含まれている塩素を除去せずに、この塩素処理水による塩素害を防止できレジオネラ菌の発生を抑制できるとともに、この塩素処理水の酸化還元電位や表面張力などを低下できるから、これら再焼成セラミックス粒子で水の水質を効率良く改善できる。
【００１３】
請求項２記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法によれば、請求項１記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法の効果に加え、一次焼成セラミックス粒子を冷却してから再焼成セラミックス粒子にすることにより、一次焼成セラミックス粒子の昇温を確実にできる。
【００１４】
請求項３記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法によれば、請求項１または２記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法の効果に加え、一次焼成セラミックス粒子に再焼成セラミックス粒子の硬度をより向上できるので、この再焼成セラミックス粒子による水質改善をより長期間に亘ってできる。
【００１５】
請求項４記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法によれば、請求項１ないし３いずれか記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法の効果に加え、酸素が少ない雰囲気として不活性ガスを注入することにより、この雰囲気が還元雰囲気となるので、再焼成セラミックス粒子に含まれている酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかをより確実に還元できるから、これら再焼成セラミックス粒子による塩素処理水の水質をより効率良く改善できる。
【００１６】
請求項５記載の塩素処理水の水質改善装置によれば、請求項１ないし４いずれか記載の塩素処理水の水質改善用のセラミックス粒子の製造方法にて製造された複数の再焼成セラミックス粒子が充填された容器内に、塩素処理水を通過させることによって、この塩素処理水に含まれる塩素の殺菌効果を維持しつつ塩素害を抑制できる。
【００１７】
請求項６記載の塩素処理水の水質改善方法によれば、請求項５記載の塩素処理水の水質改善方法の効果に加え、複数の再焼成セラミックス粒子が入れられた容器内に、レジオネラ菌が残留する塩素処理水を通過させることによって、この塩素処理水に含まれているレジオネラ菌の増殖を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明のセラミックス粒子を用いた水質改善装置の一実施の形態の構成を図２および図３を参照して説明する。
【００１９】
図２および図３において、１は水質改善装置で、この水質改善装置１は、理論的に明確ではないが、例えば水質安全確保のために塩素が投入された水道水や、井戸水、浴槽水あるいは地下水などの被処理水であって塩素処理された塩素処理水である水Ｗの水質を結果的に改善させる。すなわち、この水質改善装置１は、水Ｗの酸化還元電位(レドックス電位:redoxpotential oxidation-reduction potential：ＯＲＰ)および表面張力(surfacetension)を低下させて、この水Ｗの性質を変化させる。さらに、この水質改善装置１は、水質安全確保のために投入された塩素を含む塩素処理された水Ｗ中に含まれている残留塩素を保持させたまま、この水Ｗに含まれている６０℃以下の温度で繁殖しやすいレジオネラ菌の発生を抑制させるとともに、このレジオネラ菌の増殖を抑制させる。
【００２０】
具体的に、この水質改善装置１は、鉛直方向に沿った軸方向を有する有底略円筒状の処理容器としての処理タンク２を備えている。この処理タンク２の底部には、中心域から側方域に向けて上方に湾曲した円弧面状の下側円弧面部３が設けられている。また、この処理タンク２の上端には、側方域から中心域に向けて相対する方向へと湾曲した円弧面状の上側円弧面部４が設けられている。
【００２１】
そして、この処理タンク２の上側円弧面部４の上端中心部には、この処理タンク２内に流入された水Ｗを活性化させた後に外部へと流出させる円筒状の流出口５が突設されている。この流出口５は、鉛直方向に沿った軸方向を有し、処理タンク２に対して同心状に設けられている。また、この処理タンク２の下側円弧面部３の下端中心部には、この処理タンク２内に水Ｗを流入させる円筒状の流入口６が突設されている。この流入口６もまた、鉛直方向に沿った軸方向を有し、処理タンク２に対して同心状に設けられている。
【００２２】
また、処理タンク２は、流入管６を備えたタンク下部11と、流出口５を備えたタンク上部12と、これらタンク下部11およびタンク上部12を同心状に連通させて接続させるタンク中間部13とによって形成されている。さらに、これらタンク下部11およびタンク中間部13の間と、このタンク中間部13およびタンク上部12の間には、平面視円盤状のメッシュ体14がそれぞれ取り付けられている。これらメッシュ体14は、処理タンク２内に充填されている再焼成セラミックス粒子15が通過しない程度の大きさの孔が形成されている。
【００２３】
すなわち、タンク中間部13とタンク上部12との間に取り付けられているメッシュ体14は、処理タンク２の流入口６から水Ｗを流入させた際に、この処理タンク２内に充填されている再焼成セラミックス粒子15の流出口５からの流出を防止する。また、タンク下部11とタンク中間部13との間に取り付けられているメッシュ体14は、処理タンク２の流入口６からの水Ｗの流入を停止させた際に、この処理タンク２内に充填されて収容されている再焼成セラミックス粒子15の自重による流入口６からの流出を防止する。さらに、このメッシュ体14は、タンク中間部13の上方から再焼成セラミックス粒子15を収容させた際の受け皿となるとともに、このタンク中間部13内に収容された再焼成セラミックス粒子15が、流入口６から外部へと逆流して流出することを防止する。
【００２４】
そして、これらタンク下部11、タンク上部12およびタンク中間部13のそれぞれを接続して形成された処理タンク２内のメッシュ体14間には、この処理タンク２の流入口６から流入される水Ｗの水質を改善させる多数の再焼成セラミックス粒子15が充填されて収容されている。この再焼成セラミックス粒子15は、処理タンクのタンク中間部に、この処理タンク内の容積に対して５％以上５０％以下、好ましくは１５％ほど充填されている。さらに、この再焼成セラミックス粒子15は、水Ｗの水質を改善する際に、この水Ｗの酸化還元電位を低下させ、この水Ｗの表面張力を低下させる水質改善材である。
【００２５】
ここで、この再焼成セラミックス粒子15は、ケイ素(Ｓｉ)、アルミニウム(Ａｌ)、鉄(Ｆｅ)の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを主成分とし、これらケイ素(Ｓｉ)、アルミニウム(Ａｌ)、鉄(Ｆｅ)の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかよりも容易に還元され得る金属の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを微量成分として含む岩石粉末を原料として造粒したものであるので、この再焼成セラミックス粒子15の製造方法について説明する。
【００２６】
まず、原料となる岩石粉末をスキャンクオリティＸ線(ＳＱＸ)分析したところ、表１に示す元素を含有していた。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
具体的に、この岩石粉末は、表１に示すように、ケイ素(Ｓｉ)を約５６．２０質量％、鉄(Ｆｅ)を約１２．１３質量％、アルミニウム(Ａｌ)を約９．７３質量％、カルシウム(Ｃａ)を約８．６０質量％、カリウム(Ｋ)を約８．５４質量％ほど含有している。また、この岩石粉末は、ナトリウム(Ｎａ)を約１．２４質量％、チタン(Ｔｉ)を約１．１４質量％、マグネシウム(Ｍｇ)を約０．９５質量％、バリウム(Ｂａ)を約０．３６質量％、マンガン(Ｍｎ)を約０．３６質量％ほど含有している。さらに、この岩石粉末は、ストロンチウム(Ｓｒ)を約０．２８質量％、リン(Ｐ)を約０．１２質量％、ジルコニウム(Ｚｒ)を約０．０８質量％、塩素(Ｃｌ)を約０．０７質量％、ルビジウム(Ｒｂ)を約０．０６質量％ほど含有している。また、この岩石粉末は、クロム(Ｃｒ)を約０．０４質量％、亜鉛(Ｚｎ)を約０．０４質量％、硫黄(Ｓ)を約０．０４質量％、ニッケル(Ｎｉ)を約０．０２質量％ほど含有している。
【００２９】
またこの結果を酸化物に換算した結果を表２に示す。
【００３０】
【表２】
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【００３１】
具体的に、この岩石粉末は、表２に示すように、二酸化ケイ素(ＳｉＯ２)を約６８．３質量％、アルミナ(Ａｌ２Ｏ３)を約１１．９質量％、第３酸化鉄(Ｆｅ２Ｏ３)を約６．４２質量％、酸化カルシウム(ＣａＯ)を約５．００質量％、酸化カリウム(Ｋ２Ｏ)を約４．５５質量％ほど含有している。また、この岩石粉末は、一酸化ナトリウム(Ｎａ２Ｏ)を約１．２４質量％、酸化マグネシウム(ＭｇＯ)を約１．０８質量％、二酸化チタン(ＴｉＯ２)を約０．７５質量％、酸化マンガン(ＭｎＯ)を約０．１７質量％、酸化バリウム(ＢａＯ)を約０．１６質量％ほど含有している。さらに、この岩石粉末は、五酸化二リン(Ｐ２Ｏ５)を約０．１３質量％、酸化ストロンチウム(ＳｒＯ)を約０．１１質量％、三酸化硫黄(ＳＯ３)を約０．０４質量％、酸化ジルコニウム(ＺｒＯ２)を約０．０３質量％、塩素(Ｃｌ)を約０．０３質量％ほど含有している。また、この岩石粉末は、第３酸化クロム(Ｃｒ２Ｏ３)を約０．０２質量％、酸化ルビジウム(Ｒｂ２Ｏ)を約０．０２質量％、酸化亜鉛(ＺｎＯ)を約０．０２質量％、酸化ニッケル(ＮｉＯ)を約０．０１質量％ほど含有している。
【００３２】
そして、この岩石粉末を、粉砕工程として、例えば平均粒径０．５μｍ以上１０μｍ以下の微粉末に粉砕する(ステップ１)。
【００３３】
この後、造粒工程として、この粉砕した岩石に水またはエタノールなどの有機溶媒を加えて混練して、例えば０．５ｍｍ以上７ｍｍ以下の平均粒径の球状の微細粒子に造粒する (ステップ２)。
【００３４】
この状態で、一次焼成工程である第１焼成工程として、この造粒された岩石粉末を１０００℃以上の高温で焼成してセラミックス化させて一次焼成セラミックス粒子とする(ステップ３)。
【００３５】
ここで、この一次焼成セラミックス粒子をスキャンクオリティＸ線(ＳＱＸ)分析したところ、表３に示す元素を含有していた。
【００３６】
【表３】
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【００３７】
具体的に、この一次焼成セラミックス粒子は、表３に示すように、ケイ素(Ｓｉ)を約５３．８９質量％、アルミニウム(Ａｌ)を約２１．５０質量％、鉄(Ｆｅ)を約９．１４質量％、カリウム(Ｋ)を約７．１２質量％、カルシウム(Ｃａ)を約４．９９質量％ほど含有している。また、この一次焼成セラミックス粒子は、チタン(Ｔｉ)を約１．５１質量％、ナトリウム(Ｎａ)を約０．６５質量％、マグネシウム(Ｍｇ)を約０．４１質量％、ストロンチウム(Ｓｒ)を約０．２３質量％、ジルコニウム(Ｚｒ)を約０．１６質量％ほど含有している。さらに、この一次焼成セラミックス粒子は、リン(Ｐ)を約０．１３質量％、亜鉛(Ｚｎ)を約０．１１質量％、ルビジウム(Ｒｂ)を約０．０８質量％、硫黄(Ｓ)を約０．０７質量％ほど含有している。
【００３８】
またこの結果を酸化物に換算した結果を表４に示す。
【００３９】
【表４】
2007209912.tif 000006
【００４０】
具体的に、この一次焼成セラミックス粒子は、表４に示すように、二酸化ケイ素(ＳｉＯ２)を約６０．５６質量％、アルミナ(Ａｌ２Ｏ３)を約２６．０５質量％、第３酸化鉄(Ｆｅ２Ｏ３)を約４．５６質量％、酸化カリウム(Ｋ２Ｏ)を約３．５０質量％、酸化カルシウム(ＣａＯ)を約２．６９質量％ほど含有している。また、この一次焼成セラミックス粒子は、二酸化チタン(ＴｉＯ２)を約０．９３質量％、一酸化ナトリウム(Ｎａ２Ｏ)を約０．７７質量％、酸化マグネシウム(ＭｇＯ)を約０．４８質量％、五酸化二リン(Ｐ２Ｏ５)を約０．１３質量％、酸化ジルコニウム(ＺｒＯ２)を約０．０９質量％ほど含有している。さらに、この一次焼成セラミックス粒子は、酸化ストロンチウム(ＳｒＯ)を約０．０９質量％、三酸化硫黄(ＳＯ３)を約０．０８質量％、酸化亜鉛(ＺｎＯ)を約０．０４質量％、酸化ルビジウム(Ｒｂ２Ｏ)を約０．０３質量％ほど含有している。
【００４１】
次いで、冷却工程として、この一次焼成セラミックス粒子を冷却させてから(ステップ４)、再焼成工程である第２焼成工程として、この一次焼成セラミックス粒子を、図示しない窯内に、例えば窒素ガス(Ｎ２)などの不活性ガスが注入されて酸素が少ない雰囲気である還元雰囲気中で、例えば５００℃以上１０００℃以下の温度で１５分以上保持して再焼成させて、これら一次焼成セラミックス粒子に含まれている金属酸化物を還元させ、再焼成セラミックスとしての再焼成セラミックス粒子15を製造させる(ステップ５)。
【００４２】
ここで、この再焼成セラミックス粒子15のスキャンクオリティＸ線(ＳＱＸ)分析したところ、表５に示す元素を含有していた。
【００４３】
【表５】
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【００４４】
具体的に、この再焼成セラミックス粒子15は、表５に示すように、ケイ素(Ｓｉ)を約５１．５０質量％、アルミニウム(Ａｌ)を約２１．３８質量％、鉄(Ｆｅ)を約１１．０６質量％、カリウム(Ｋ)を約６．５３質量％、カルシウム(Ｃａ)を約５．３４質量％ほど含有している。また、この再焼成セラミックス粒子15は、チタン(Ｔｉ)を約１．４６質量％、ナトリウム(Ｎａ)を約０．６５質量％、マグネシウム(Ｍｇ)を約０．５８質量％、銀(Ａｇ)を約０．４０質量％、ジルコニウム(Ｚｒ)を約０．３５質量％ほど含有している。さらに、この再焼成セラミックス粒子15は、ストロンチウム(Ｓｒ)を約０．２４質量％、マンガン(Ｍｎ)を約０．２０質量％、リン(Ｐ)を約０．１４質量％、亜鉛(Ｚｎ)を約０．１０質量％、ルビジウム(Ｒｂ)を約０．０９質量％ほど含有している。
【００４５】
またこの結果を酸化物に換算した結果を表６に示す。
【００４６】
【表６】
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【００４７】
具体的に、この再焼成セラミックス粒子15は、表６に示すように、二酸化ケイ素(ＳｉＯ２)を約５９．０１質量％、アルミナ(Ａｌ２Ｏ３)を約２５．９６質量％、第３酸化鉄(Ｆｅ２Ｏ３)を約５．６５質量％、酸化カリウム(Ｋ２Ｏ)を約３．３３質量％、酸化カルシウム(ＣａＯ)を約３．００質量％ほど含有している。また、この再焼成セラミックス粒子15は、二酸化チタン(ＴｉＯ２)を約０．９３質量％、一酸化ナトリウム(Ｎａ２Ｏ)を約０．７６質量％、酸化マグネシウム(ＭｇＯ)を約０．６７質量％、酸化ジルコニウム(ＺｒＯ２)を約０．１５質量％、五酸化二リン(Ｐ２Ｏ５)を約０．１４質量％ほど含有している。さらに、この再焼成セラミックス粒子15は、第１酸化銀(Ａｇ２Ｏ)を約０．１４質量％、酸化マンガン(ＭｎＯ)を約０．０９質量％、酸化ストロンチウム(ＳｒＯ)を約０．０９質量％、酸化亜鉛(ＺｎＯ)を約０．０４質量％、酸化ルビジウム(Ｒｂ２Ｏ)を約０．０３質量％ほど含有している。
【００４８】
次に、一次焼成セラミックス粒子および再焼成セラミックス粒子15のビッカース硬さを測定して比較した。
【００４９】
まず、この一次焼成セラミックス粒子として計５つの異なる一次焼成セラミックス粒子のビッカース硬さを測定したところ、表７に示すように、これら計５つの一次焼成セラミックス粒子のビッカース硬さは、平均して９１８となった。
【００５０】
【表７】
2007209912.tif 000009
【００５１】
次いで、再焼成セラミックス粒子15として計５つの異なる再焼成セラミックス粒子15のビッカース硬さを測定したところ、表８に示すように、これら計５つの再焼成セラミックス粒子15のビッカース硬さは、平均して９６５となり、一次焼成セラミックス粒子の平均ビッカース硬さより大きくなった。
【００５２】
【表８】
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【００５３】
次に、上記一実施の形態の水質改善装置１を用いた水質改善方法を説明する。
【００５４】
まず、処理タンク２の流入口６から水Ｗを流入させる。すると、この水Ｗが流入口６から処理タンク２のタンク下部11内に流入される。
【００５５】
この後、この流入口６からタンク下部11内に流入された水Ｗは、このタンク下部11の内側面に衝突などされて、このタンク下部11内のいずれの位置においても上方に向けて跳ね返される。
【００５６】
この結果、この水Ｗは、処理タンク２内に貯溜された後、この処理タンク２内において水Ｗの流動による流れの方向性がほとんど消去された状態で、この処理タンク２内の略全域において下方から上方に向かう一定の方向に略均等に湧き上がるように流動される。
【００５７】
そして、この水Ｗが再焼成セラミックス粒子15間を通過する際の、これら再焼成セラミックス粒子15への水Ｗの接触によって、この水Ｗの酸化還元電位および表面張力が低下されて、この水Ｗが水質変化して水質改善される。
【００５８】
同時に、この水Ｗは、複数の再焼成セラミックス粒子15間を通過することによって、この水Ｗに予め加えられている残留塩素が保持されるとともに、この水Ｗに対するレジオネラ菌の発生抑制力を向上させるとともに、このレジオネラ菌の増殖抑制力を向上させる。
【００５９】
このとき、この水Ｗは、ｐＨが微小ながらアルカリ側に変化する。また、このときの水Ｗへの再焼成セラミックス粒子15による接水面積および時間を増加させるほど、この水Ｗの水質改善効果を向上できる。
【００６０】
この後、この水質改善された水Ｗは、改善水として処理タンク２のメッシュ体14を通過してから流出口５から外部へと流出される。
【００６１】
次に、上記水質改善装置１の設置例について説明する。
【００６２】
まず、この水質改善装置１を公衆浴場などの浴槽水Ｈを循環させるシステムに設置する場合には、図３に示すように、この水質改善装置１の流出口５を熱交換機21の上流側に接続させる。この熱交換機21は、この熱交換機21を通過する浴槽水Ｈを加熱して、この浴槽水Ｈを加温する装置である。さらに、この熱交換機21の下流側は、浴槽水Ｈが貯留される浴槽22の上流側に設けられている流入口23に接続されている。
【００６３】
さらに、この浴槽22の下流側に設けられている流出口24には、この浴槽22から流出される浴槽水Ｈに含まれている毛髪などを浴槽水Ｈから分離する集毛器25が取り付けられている。また、この集毛器25の下流側には、この集毛器25を通過した浴槽水Ｈに塩素を注入する塩素注入器26が取り付けられている。この塩素注入器26の下流側には、この塩素注入器26にて塩素注入された浴槽水Ｈを図示しないフィルターにてろ過するろ過器27の上流側が接続されている。
【００６４】
そして、このろ過器27の下流側が、水質改善装置１の流入口６に接続されている。さらに、この水質改善装置１は、ろ過器27の下流側と熱交換機21の上流側とが接続された本流管路28に接続されたバイパス管路29に取り付けられている。そして、この本流管路28には、この本流管路28を通過する浴槽水Ｈの流量を調整する流量調整バルブ31が取り付けられており、この流量調整バルブ31の調整によってバイパス管路29へ流れる浴槽水Ｈの流量、すなわち水質改善装置１を通過する浴槽水Ｈの流量を調整させる。また、バイパス管路29の水質改善装置１の上流側および下流側のそれぞれには、このバイパス管路29を開閉可能な止水弁32,33がそれぞれ取り付けられている。さらに、水質改善装置１の上流側と止水弁32との間には、この水質改善装置１へと流れ込む浴槽水Ｈの流量を自動的に一定量に調整させる定流量弁34が取り付けられている。
【００６５】
この結果、浴槽22から流出した浴槽水Ｈは、集毛器25にて毛髪などが分離されてから塩素注入器26にて塩素注入された後にろ過器27にてろ過される。さらに、このろ過器27にてろ過された浴槽水Ｈの少なくとも一部は、水質改善装置１内を通過して、この水質改善装置１の処理タンク２内に充填されている複数の再焼成セラミックス粒子15間を通過するときに水質が改善されることにより、この浴槽水Ｈに予め加えられている残留塩素が保持されるとともに、この浴槽水Ｈに対するレジオネラ菌の発生が抑制され、このレジオネラ菌の増殖が抑制される。そして、この水質改善装置１を通過した浴槽水Ｈは、熱交換機21を通過する際に所定温度まで加熱されてから、浴槽22の流入口23へと送られて、この浴槽22内へと供給される。
【００６６】
上述したように、上記一実施の形態によれば、ケイ素(Ｓｉ)、アルミニウム(Ａｌ)、鉄(Ｆｅ)の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを主成分とし、これらケイ素(Ｓｉ)、アルミニウム(Ａｌ)、鉄(Ｆｅ)の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかよりも容易に還元され得る金属の酸化物、水酸化物およびフッ化物の少なくともいずれかを微量成分として含む岩石粉末を、１０００℃以上の高温で焼成してから完全に冷却させた後に、還元雰囲気中で５００℃以上１０００℃以下の温度まで昇温して再焼成して製造した再焼成セラミックス粒子15を用いる構成とした。
【００６７】
このとき、１０００℃以上の高温で焼成した一次焼成セラミックス粒子を還元雰囲気で１０００℃以上の温度で再焼成した場合には、この一次焼成セラミックス粒子中の元素の還元が進行しすぎて、この一次焼成セラミックス粒子の再焼成にて製造される再焼成セラミックス粒子15の硬度および靭性が損なわれてしまう。
【００６８】
また、この一次焼成セラミックス粒子を還元雰囲気で５００℃以下の温度で再焼成した場合には、この一次焼成セラミックス粒子に含まれている微量成分を効率良く還元できないので、この一次焼成セラミックス粒子の再焼成にて製造される再焼成セラミックス粒子15の水質改善効果が期待できない。そこで、この一次焼成セラミックス粒子の還元雰囲気中での再焼成としては、５００℃以上１０００℃以下の温度が好ましい。ただし、この温度は、この一次焼成セラミックス粒子を再焼成する図示しない炉内に流入する不活性ガスの還元度によって変化し得る。
【００６９】
この結果、これら複数の再焼成セラミックス粒子15の還元雰囲気下での再焼成によって、これら再焼成セラミックス粒子15の硬度がより向上されるとともに、これら再焼成セラミックス粒子15の表面が引き締まって平滑化される。したがって、これら再焼成セラミックス粒子15の表面の平滑化によって、これら再焼成セラミックス粒子15の表面に対する応力集中を回避できるので、これら再焼成セラミックス粒子15の欠損や破損を防止できる。このため、これら再焼成セラミックス粒子15のより長期間の使用が可能となる。
【００７０】
さらに、これら再焼成セラミックス粒子15同士を衝突などさせる構成ではないので、一定期間ごとに再焼成セラミックス粒子15を取り替える必要はない。また、これら再焼成セラミックス粒子15は、析出作用や帯電作用によって水質を改善するものではないので、これら再焼成セラミックス粒子15を洗浄したり交換したりする必要はない。さらに、これら再焼成セラミックス粒子15の接水作用によって、水Ｗの水質を改善させる構成であることから、この水Ｗが再焼成セラミックス粒子15間を低速で通過しても水質改善効果を得ることができる。
【００７１】
ここで、これら再焼成セラミックス粒子15との接水時間が長ければ長いほど水Ｗの水質を向上できるが、これら再焼成セラミックス粒子15自体の反応性が向上していることから、これら再焼成セラミックス粒子15との接水時間をある程度短くしても効果を得ることができる。
【００７２】
同時に、これら再焼成セラミックス粒子15の還元雰囲気下での再焼成によって、これら再焼成セラミックス粒子15に含まれている元素である微量成分が還元される。言い換えると、再焼成セラミックス粒子15の還元再焼成によって、還元再焼成前の一次焼成セラミックス粒子中の微量成分を還元でき、還元性の高い再焼成セラミックス粒子15にできる。このため、これら再焼成セラミックス粒子15にて塩素処理水中の残留塩素を保持しながら、還元力および制菌力により優れた水質に改善できる。
【００７３】
よって、これら複数の再焼成セラミックス粒子15を水質改善装置１の処理タンク２に充填させて、この処理タンク２内で複数の再焼成セラミックス粒子15間に水Ｗを通過させることによって、この水Ｗの酸化還元電位および表面張力を低下できる。したがって、この水Ｗの還元作用をより向上できることから、この水Ｗに予め含まれている残留塩素を保持したまま、金属が酸化および劣化するなどの塩素害を防止でき、かつ、この水Ｗ内のレジオネラ菌の発生を抑制できるとともに、この水Ｗ中に存在するレジオネラ菌の増殖を抑制できる。
【００７４】
このため、水Ｗの酸化還元電位を低下させたことにより、この水Ｗに還元力を与えることができる。この結果、還元作用、酸化防止作用および腐敗防止作用を有する水Ｗの生成が容易にできる。
【００７５】
さらに、この水Ｗの水質を改善させる際に、この水Ｗの表面張力を低下させたことにより、この水Ｗの浸透力を高めることができるから、この水Ｗの界面活性力を高めることができる。そして、この水Ｗを図示しない管体に流通させることにより、この管体の内壁に付着したカルシウムやシリカなどの石質、すなわちスケールや赤錆び、尿石などを徐々に溶かして除去できる。
【００７６】
また、この水Ｗを用いることにより、プール設備や温泉設備などでの各種機器の劣化などの塩素害を低減できる。
【００７７】
以上の結果、再焼成セラミックス粒子15間に塩素処理された水Ｗを通過させることによって、塩素量を増加させることなく残留塩素を保持しながら酸化を抑制でき、還元力、制菌力に優れた水に水質改善できることから、飲料水や生活用水の多分野にわたって水質の劣化を長期間抑制でき、現在の塩素殺菌による浄化法をより効果的にできる。さらに、塩素投入量増加に伴う人体および生体に対する塩素害や、各種機器に対する塩素害を抑制して、これら機器の延命効果などにてコストを削減させ、薬剤投入による排水劣化などを防止できるので、環境改善を促進できる。よって、取り扱い性、メンテナンス性およびコスト的に優れた水質改善装置１を提供できる。
【００７８】
ここで、現在、水道水においては塩素を除去することが水質の向上につながると考えられ、ほとんどの家庭においては水道水中から塩素を除去するために浄水器を使用している。その一方で、一般的な冷蔵庫の製氷機で、塩素を除去した水道水を用いて製氷すると、この水道水中に一般細菌が増殖するおそれがあるとともに、塩素を除去した水道水をすぐに飲用すればよいが、長時間放置された水道水には一般細菌が増殖してしまう。
【００７９】
また、ビルディングやマンションなどの屋上などに設置されている受水槽では、水道水を滞留させていることから、一般細菌の増殖や、水道水の酸化などの水質の劣化が生じるなどの問題があることから、受水槽を用いない傾向になっているが、防災用の水を確保する観点から好ましくない。
【００８０】
これに対し、上述した水質改善装置１を用いることによって、受水槽に貯留されている水道水を、水質改善装置１を含む流路に循環させることによって、この水道水の酸化還元電位を低下できるとともに、表面張力を低下でき、有害物質の低下などの水質を向上できることが確認できた。また、水道水などの上水のみならず、公衆の浴槽水Ｈにおいても水質の改善が課題となっている。
【００８１】
特に、浴槽水Ｈでは一般細菌中のレジオネラ菌の対応が容易ではない。厚生労働省から公衆浴場や旅館に対して衛生などの管理要領が発表され、この管理要領には、貯湯槽に貯留されている浴槽水Ｈの温度を６０℃以上に保ち、循環ろ過装置を使用している浴槽についてはエアロゾル発生装置を設置しないことなどが記載されている。ところが、この循環ろ過装置では、この循環ろ過装置に使用されているろ材に汚れが付着して蓄積してしまうとともに、このろ材にレジオネラ属菌などの微生物が増殖しやすくなるので、このレジオネラ属菌がいったん付着して増殖した場合には、化学的な洗浄が必要となる。
【００８２】
これに対し、この循環ろ過装置の後段に上述した水質改善装置１を設置した状態で、浴槽水Ｈを循環させることによって、この水質改善装置１が設置されていない浴槽水Ｈに比べ、レジオネラ菌の発生を抑制できる。このとき、従来では菌が繁殖しやすいろ過装置内のろ材のほとんどが変化しない。
【００８３】
ここで、このレジオネラ菌の殺菌方法としては、次亜塩素酸を含んだ塩素殺菌や、オゾン殺菌、紫外線殺菌、加熱殺菌などの方法がある。これらのうち、オゾン殺菌は、病原性生物の消毒、殺菌、難分解性有機物の生分解性向上などの観点から有効であって、使用後にオゾンが酸素に分解されることから環境にやさしい殺菌方法として利用されているが、非常に微量でも人がオゾンを吸い込むと気管支や肺に危害を及ぼす可能性があるため、高濃度のオゾンガスが発生しない構造にする必要がある。
【００８４】
また、紫外線殺菌は、浴槽水に紫外線を照射することによってレジオネラ菌やバクテリアなどを不活性化できるが、この紫外線殺菌を含んだ循環システムを停止させると、浴槽水中にバクテリアが増殖しやすい状況になることから、この循環システムの連続運転が必要となる。また、この紫外線殺菌による効果を維持させるためには、定期的な清掃が重要でメンテナンスが容易ではない。
【００８５】
さらに、塩素殺菌は、塩素を浴槽水に加えるだけであるので手軽であり、塩素の投入量を多くすることによって効果を向上できるが、この塩素が多量に投入された浴槽水に触れた人体の皮膚だけではなく、設備機器に対しても塩素害を生じさせてしまうとともに、排水劣化による環境悪化を招いてしまう。これに対し、上述した水質改善装置１を種々の配管システムに組み込むことによって、塩素殺菌による問題を解消しながら、塩素の有益性の効果を向上できる。
【００８６】
なお、上記一実施の形態では、塩素処理された水Ｗを水質改善装置１に通過させることによって、この水Ｗの酸化還元電位および表面張力がそれぞれ低下され、レジオネラ菌の発生および増殖が抑制されるが、これら酸化還元電位、表面張力およびレジオネラ菌などの一般細菌の発生抑制の少なくともいずれかに対して効果があれば良い。
【００８７】
また、一次焼成セラミックス粒子を冷却してから、還元雰囲気中で再焼成して再焼成セラミックス粒子15としたが、この一次焼成セラミックス粒子を冷却せずに再焼成しても再焼成セラミックス粒子15を製造できる。
【００８８】
＜実施例１＞
次に、上記水質改善装置１を用いた実施例１について説明する。
【００８９】
この実施例１では、原水として京都市内の水道水を用い、この水道水中に、一次焼成のみされた一次焼成セラミックス粒子であるオリジナルセラミックスと、水質改善装置１内に充填されている再焼成セラミックス粒子15である再焼成セラミックスを浸水させて、浸水直後と浸水開始から１時間後とのそれぞれでの酸化還元電位(ＯＲＰ)および水温とを測定した。
【００９０】
【表９】
2007209912.tif 000011
【００９１】
この結果、表９に示すように、再焼成セラミックス粒子15を浸水させた水道水では、浸水直後の酸化還元電位が３６４ｍＶで水温が２７．０℃となり、浸水開始１時間後の酸化還元電位が３２９ｍＶで水温が２７．６℃となった。これに対して、一次焼成セラミックス粒子を浸水させた水道水では、浸水直後の酸化還元電位が４５２ｍＶで水温が２７．７℃となり、浸水開始１時間後の酸化還元電位が４２８ｍＶで水温が２８．０℃となった。さらに、何も浸水させていない水道水では、他の水道水にセラミックス粒子15や一次焼成セラミックス粒子を浸水させた直後の酸化還元電位が５８６ｍＶで水温が２８．１℃となり、浸水開始１時間後の酸化還元電位が４２８ｍＶで水温が２８．２℃となった。
【００９２】
したがって、再焼成セラミックス粒子15を水道水中に浸水させることによって、何ら浸水させない場合や一次焼成セラミックス粒子を浸水させた場合のそれぞれよりも、水道水の酸化還元電位を低下できることが分かった。
【００９３】
さらに、この水道水を、一次焼成セラミックス粒子が充填されている処理タンク２と、再焼成セラミックス粒子15が収容されている処理タンク２と、何ら収容されていない処理タンク２のそれぞれに通過させて、この水道水が１循環したときの酸化還元電位(ＯＲＰ)と水温とをそれぞれ測定した。
【００９４】
【表１０】
2007209912.tif 000012
【００９５】
この結果、表１０に示すように、再焼成セラミックス粒子15を充填した処理タンク２を１循環した水道水では、酸化還元電位が４９８ｍＶで水温が２５．８℃となった。これに対して、一次焼成セラミックス粒子を充填した処理タンク２を１循環した水道水では、酸化還元電位が５２８ｍＶで水温が２５．５℃となった。さらに、何も充填されていない処理タンクを１循環した水道水では、酸化還元電位が６０３ｍＶで水温が２６．１℃となった。
【００９６】
この結果から、再焼成セラミックス粒子15が充填されている処理タンク２内に水道水を循環させることによって、何ら充填されていない処理タンク２や、一次焼成セラミックス粒子が充填された処理タンク２内を循環させた場合のそれぞれより、水道水の酸化還元電位を低下できることが分かった。
【００９７】
＜実施例２＞
次に、上記再焼成セラミックス粒子15を用いた実施例２について説明する。
【００９８】
この実施例２では、原水として京都市内の水道水を用い、この原水中に、一次焼成のみされた一次焼成セラミックス粒子と、水質改善装置１内に充填されている再焼成セラミックス粒子15とのそれぞれを別個に浸水させて、浸水直前と、浸水開始１５分後と、浸水開始３０分後と、浸水開始１時間後と、浸水開始２時間後とのそれぞれでの、表面張力(ｄｙｎ／ｃｍ)と水温とｐＨとのそれぞれを測定した。
【００９９】
【表１１】
2007209912.tif 000013
【０１００】
この結果、表１１に示すように、再焼成セラミックス粒子15を浸水させた原水では、浸水直前の表面張力が７３．５ｄｙｎ／ｃｍで水温２４℃、ｐＨ７．０となり、浸水開始１５分後の表面張力が７０．２ｄｙｎ／ｃｍで水温２５℃、ｐＨ７．０となり、浸水開始３０分後の表面張力が６７．４ｄｙｎ／ｃｍで水温２６．５℃、ｐＨ７．０となり、浸水開始１時間後の表面張力が６３．３ｄｙｎ／ｃｍで水温２７℃、ｐＨ７．１となり、浸水開始２時間後の表面張力が６１．２ｄｙｎ／ｃｍで水温２６．７℃、ｐＨ７．２となった。
【０１０１】
これに対して、一次焼成セラミックス粒子を浸水させた原水では、浸水直前の表面張力が７３．５ｄｙｎ／ｃｍで水温２４℃、ｐＨ７．０となり、浸水開始１５分後の表面張力が７０．４ｄｙｎ／ｃｍで水温２５℃、ｐＨ７．０となり、浸水開始３０分後の表面張力が６８．３ｄｙｎ／ｃｍで水温２６．５℃、ｐＨ７．０となり、浸水開始１時間後の表面張力が６４．６ｄｙｎ／ｃｍで水温２７℃、ｐＨ７．１となり、浸水開始２時間後の表面張力が６２．８ｄｙｎ／ｃｍで水温２６．７℃、ｐＨ７．２となった。
【０１０２】
したがって、再焼成された再焼成セラミックス粒子15を原水中に浸水させることによって、一次焼成セラミックス粒子を浸水させた場合よりも、原水の表面張力を低下できることが分かった。
【０１０３】
＜実施例３＞
次に、上記水質改善装置１を用いた実施例３について説明する。
【０１０４】
この実施例３では、任意の建物内に設置されている受水槽に水質改善装置１を取り付けて、この受水槽に貯留されている飲料水となる水道水を水質改善装置１に循環させる前の状態の非処理水と、この水道水を水質改善装置１に循環させた後の状態の処理水とのそれぞれの一般細菌、大腸菌、鉛および鉛化合物のそれぞれについて測定した。
【０１０５】
【表１２】
2007209912.tif 000014
【０１０６】
【表１３】
2007209912.tif 000015
【０１０７】
この結果、表１２に示すように、非処理水では、鉛および鉛化合物が、基準値(０．０１ｍｇ／Ｌ以下)より高い０．０１９ｍｇ／Ｌほど検出された。これに対し、表１３に示すように、処理水では、鉛および鉛化合物が、基準値より低い０．００２ｍｇ／Ｌほど検出されたに過ぎなかった。
【０１０８】
したがって、水道水を水質改善装置１に循環させることによって、この水道水中に含まれている有害な鉛および鉛化合物の含有量を低くでき、表１２および表１３に示すように、水道法に基づく水質基準(厚生労働省令第１０１号)に適合する飲料水にできることが分かった。
【０１０９】
＜実施例４＞
次に、上記水質改善装置１を用いた実施例４について説明する。
【０１１０】
この実施例４では、原水として京都市内の水道水を用い、この水道水を水質改善装置１に通過させる前の状態の非処理水と、この水道水を水質改善装置１に通過させた後の状態の処理水のそれぞれについて測定した。
【０１１１】
【表１４】
2007209912.tif 000016
【０１１２】
【表１５】
2007209912.tif 000017
【０１１３】
この結果、表１４に示すように、非処理水では、鉛および鉛化合物が０．００５ｍｇ／Ｌほど検出され、硝酸態窒素および亜硝酸態窒素が３．４ｍｇ／Ｌほど検出され、亜鉛および亜鉛化合物が０．０３９ｍｇ／Ｌほど検出され、銅および銅化合物が０．０４ｍｇ／Ｌほど検出され、蒸発残留物が１１０ｍｇ／Ｌほど検出された。
【０１１４】
これに対し、表１５に示すように、処理水では、鉛および鉛化合物が０．００１ｍｇ／Ｌ未満検出され、硝酸態窒素および亜硝酸態窒素が０．０３ｍｇ／Ｌほど検出され、亜鉛および亜鉛化合物が０．０１０ｍｇ／Ｌほど検出され、銅および銅化合物が０．０１ｍｇ／Ｌ未満検出され、蒸発残留物が８５ｍｇ／Ｌほど検出されたに過ぎなかった。
【０１１５】
したがって、水道水を水質改善装置１に通過させることによって、この水道水に含まれている有害な鉛、鉛化合物、硝酸態窒素、亜硝酸態窒素、亜鉛、亜鉛化合物、銅、銅化合物および蒸発残留物のそれぞれが減少されることが分かった。
【０１１６】
＜実施例５＞
次に、上記水質改善装置１を用いた実施例５について説明する。
【０１１７】
この実施例５では、任意の旅館に設置されている浴槽22内の温泉水(原水)である浴槽水Ｈを循環させる循環ろ過装置などのシステム中に水質改善装置１を取り付ける前後での浴槽水Ｈの状態ついてそれぞれ測定した。
【０１１８】
【表１６】
2007209912.tif 000018
【０１１９】
【表１７】
2007209912.tif 000019
【０１２０】
この結果、表１６に示すように、浴槽水Ｈを水質改善装置１に循環させる前の状態では、この浴槽水Ｈから、レジオネラ属菌(菌数)が基準値(１０ＣＦＵ／１００ｍＬ未満)より高い１２０ＣＦＵ／１００ｍＬほど検出された。これに対して、表１７に示すように、この浴槽水Ｈを水質改善装置１に循環させた後の状態では、この浴槽水Ｈから、レジオネラ属菌(菌数)が検出されなかった(検出限界：１０ＣＦＵ／１００ｍＬ)。
【０１２１】
したがって、浴槽水Ｈを水質改善装置１に循環させることによって、この浴槽水Ｈに含まれているレジオネラ属菌の菌数が低下していることから、この浴槽水Ｈ中のレジオネラ属菌の発生を抑制できるとともに、この浴槽水Ｈ中のレジオネラ属菌の増殖を抑制できることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明のセラミックス粒子の製造方法の一実施の形態を示すフローチャートである。
【図２】同上セラミックス粒子を備えた水質改善装置を示す説明図である。
【図３】同上水質改善装置の設置状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１２３】
２    容器としての処理タンク
15    再焼成セラミックス粒子
Ｗ    塩素処理水としての水
【図１】
2007209912.tif 000020
【図２】
2007209912.tif 000021
【図３】
2007209912.tif 000022