(57)【要約】【課題】電磁波シールド性および透過性に優れた電磁波シールドフィルムを安価で簡便に製造する方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る電磁波シールドフィルム７の製造方法は、金属基材１と、該金属基材の表面に被覆され、かつ、格子状の金属基材が露出した凹部３を有する絶縁層２とからなる転写基材４を用意し、該転写基材４の凹部３内に金属導電層５をメッキ形成する工程、該転写基材４の金属導電層５形成面に、透明基材６を、接着剤９を介して積層する工程、および該透明基材６を転写基材４から剥離し、該透明基材４に該金属導電層５を転写形成する工程を含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材と、該金属基材の表面に被覆され、かつ、格子状に金属基材が露出した凹部を有する絶縁層とからなる転写基材を用意し、該転写基材の凹部内に金属導電層をメッキ形成する工程、
該転写基材の金属導電層形成面に、透明基材を、接着剤を介して積層する工程、および
該透明基材を転写基材から剥離し、該透明基材に該金属導電層を転写形成する工程
を含むことを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項２】
前記金属基材がステンレス箔であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層がフッ素系樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項４】
前記格子状の凹部が、前記金属基材の表面に被覆された絶縁層をダイサーで切削することにより形成されたことを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項５】
前記金属導電層を構成する主成分が銅または銀であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項６】
前記透明基材が透明樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項７】
前記接着剤が電着接着剤であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項８】
前記透明基材の金属導電層形成面に、透明被覆層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの前面板フィルターなどに好適に用いられる電磁波シールドフィルムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大型の薄型ディスプレイとしてプラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」ともいう。）が注目されている。
ＰＤＰは、２枚の板状ガラスの間に封入したネオンなどの希ガスに電圧を加え、その時に生じる紫外線を発光体に当てることで可視光を発生させている。しかしながら、可視光発生の際に電磁波や近赤外線なども放射されるため、人体に与える影響や周辺の電子機器を誤作動させるといった問題がある。そのため、ＰＤＰの前面に、電磁波シールドフィルムや近赤外線吸収フィルムなどが積層された前面板フィルターが設けられている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記電磁波シールドフィルムとして、たとえば、フィルム基材上に銀（Ａｇ）などの金属薄膜層をスパッタリング法などにより形成した、いわゆるスパッタリングタイプの電磁波シールドフィルムが知られている（たとえば、特許文献２参照）。しかしながら、スパッタリングタイプの電磁波シールドフィルムは、電磁波シールド性と光透過性との両立が難しいという問題がある。
【０００４】
これに対して、電磁波シールド性と光透過性とを両立することができる電磁波シールドフィルムとして、たとえば、銅などの金属箔をフィルム基材上にラミネートした後、フォトレジスト法を用いてエッチング処理することにより金属導電層を形成した、いわゆるエッチングメッシュタイプの電磁波シールドフィルムが知られている（たとえば、特許文献３、４参照）。
【０００５】
しかしながら、従来のエッチング処理法では、金属箔の積層、金属箔上へのレジスト膜の形成、露光および現像によるレジストパターンの形成、エッチングによる金属導電層の形成、レジスト膜の剥離、さらに必要に応じて金属導電層の開口部に透明樹脂を埋め込んで電磁波シールドフィルムの表面を平滑にするといった多くの煩雑な工程を経なければならないという問題があった。
【０００６】
また、電磁波シールド性および光透過性をさらに向上させるため、より微細で寸法精度の高い金属導電層の形成が求められるとともに、電磁波シールドフィルムの低コスト化が要求されている現状において、従来のエッチング処理法等では、線幅が２０μｍ以下の微細で寸法精度の高い金属導電層を安価に形成することが難しく、またエッチング処理工程における工程数の短縮や大幅なコスト削減も難しいという問題があった。
【０００７】
さらに、従来の方法では、金属導電層の格子状パターンの寸法設計が変更されると、高額なフォトマスクを新たに作製する必要があり、設計変更に対して柔軟に対応できないという問題もあった。
【０００８】
したがって、より微細で寸法精度の高い金属導電層を簡便かつ安価に形成する方法、ならびに、電磁波シールド性および光透過性に優れた電磁波シールドフィルムの開発が求められている。
【特許文献１】特開２００５−２２３６５号公報
【特許文献２】特開平１−２７８８００号公報
【特許文献３】特開平１１−１４５６７６号公報
【特許文献４】特開２００５−２３８６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述した従来技術における課題を解決しようとするものであり、電磁波シールド性および透過性に優れた電磁波シールドフィルムを安価で簡便に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、絶縁層が被覆された金属基材の該絶縁層をダイサーで切削して金属基材を露出させ、そこに金属導電層をめっき形成し、該金属導電層を透明樹脂フィルムに転写することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造方法は、金属基材と、該金属基材の表面に被覆され、かつ、格子状に金属基材が露出した凹部を有する絶縁層とからなる転写基材を用意し、該転写基材の凹部内に金属導電層をメッキ形成する工程、該転写基材の金属導電層形成面に、透明基材を、接着剤を介して積層する工程、および該透明基材を転写基材から剥離し、該透明基材に該金属導電層を転写形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
前記金属基材はステンレス箔であることが好ましく、前記絶縁層はフッ素系樹脂からな
ることが好ましく、前記格子状の凹部は、前記金属基材の表面に被覆された絶縁層をダイサーで切削することにより形成することができ、前記金属導電層を構成する主成分は銅または銀であることが好ましく、前記透明基材が透明樹脂フィルムであることが好ましく、前記接着剤として電着接着剤を用いることができる。
【００１３】
また、本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法は、前記透明基材の金属導電層形成面に、透明被覆層を形成する工程をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、金属導電層を形成するためのフォトリソグラフィー工程を必要としないため、電磁波シールド性および透過性に優れた電磁波シールドフィルムを安価で簡便に製造することができる。
【００１５】
また、本発明によれば、金属導電層の格子状パターンの寸法設計が変更されたとしても、高額なフォトマスクを新たに作製する必要がなく、市販のダイサーと寸法制御装置を用いて簡便かつ安価に転写基材を作製することにより柔軟に対応することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造方法について詳細に説明する。
図１に示すように、本発明に係る電磁波シールドフィルム７の製造方法は、格子状の凹部３を有する転写基材４の該凹部３内に金属導電層５をメッキ形成する工程（以下「メッキ工程」ともいう）と、該転写基材４の金属導電層５形成面に、透明基材６を、接着剤９を介して積層する工程（以下「積層工程」ともいう）と、該透明基材６に金属導電層５を転写形成する工程（以下「転写工程」ともいう）とを含む。また、必要に応じて、前記透明基材６の金属導電層５が形成された面に、透明被覆層８を形成する工程（以下「被覆層形成工程」ともいう）をさらに含んでもよい。以下、各工程について説明する。
【００１７】
〔メッキ工程〕
この工程では、格子状の凹部３を有する転写基材４を用意し、該転写基材４の凹部３内に金属導電層５をメッキ形成する。
【００１８】
本発明で用いられる転写基材は、図１に示すように、金属基材１と、該金属基材の表面に被覆された絶縁層２とからなる。また、前記絶縁層２は格子状の凹部３を有し、該凹部３では前記金属基材１が露出している。したがって、前記凹部３内に金属導電層５を電界メッキにより形成することができる。
【００１９】
上記金属基材としては、後述する金属導電層をメッキ形成することができ、かつ、形成された金属導電層が、容易に剥離されて後述する透明基材に転写され得る性質を有していれば特に限定されないが、価格、入手の容易性および生産効率などを考慮するとステンレス箔等が好ましい。ステンレス箔のようにシート状の金属基材を用いることにより、ロール等を用いた転写基材の搬送や巻き取りなどを連続的に行うことができ、操業上都合がよい。前記ステンレス箔の厚みとしては、１０〜５０００μｍ、好ましくは２５〜１１００μｍである。
【００２０】
上記金属基材は、メッキ形成された金属導電層が透明基材に転写されやすいように、滑らかな表面を有していることが好ましい。したがって、金属基材にエッチング等の表面処理を施した後、絶縁層を形成してもよく、あるいは、絶縁層を切削して格子状の凹部を形成を形成した後、該凹部において露出している金属基材を表面処理してもよい。また、金属導電層の剥離性を向上させるために、絶縁層の凹部内壁についても表面処理を施してもよい。
【００２１】
上記絶縁層を構成する絶縁性材料としては、上記金属基材との密着性に優れ、金属導電層がメッキ形成されず、後述する透明基材を積層することができれば特に限定されない。具体的には、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂などが挙げられる。これらの中では、表面自由エネルギーが小さいことから、フッ素系樹脂が好ましい。
【００２２】
上記フッ素系樹脂としては、たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）、エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）などが挙げられる。
【００２３】
上記絶縁層の被覆方法としては、たとえば、５０〜６０％のＰＴＦＥの固体を含む水の分散液を調製し、これを上記金属基材に塗布し、乾燥させた後、約３５０度に加熱する方法、いわゆるテフロン（登録商標）コーティング法などが挙げられる。なお、このようなテフロン（登録商標）コーティングを行う際に、絶縁層と金属基板との密着性を高めるために、金属基板にプライマー層を設けてもよく、また、エッチングやサンドブラストなどの表面処理を施してもよい。
【００２４】
上記絶縁層の厚み、特に該絶縁層を切削して凹部を形成する面の厚みは、該凹部の深さが電磁波シールドフィルムにおける金属導電層の厚みとなることから、通常、１〜５０μｍ、好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは５〜２０μｍである。
【００２５】
上記のようにして金属基板表面に被覆された絶縁層を、市販のダイサーなどにより所望のパターンに切削して格子状の凹部を形成する。ダイサーによる切削は、コンピューター
等による寸法制御によって行うことができ、寸法設計の変更に対しても柔軟に対応することができる。すなわち、格子状パターンの線幅はダイサーの刃の太さを変更することにより調整することができ、ピッチ幅および深さは寸法制御装置等により任意に設定することができる。
【００２６】
上記凹部の線幅およびピッチ幅は、金属導電層の格子状パターン寸法に応じて適宜設定される。上記凹部の線幅は、通常、１〜５０μｍ、好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは５〜２０μｍであり、ピッチ幅は、通常、５〜５００μｍ、好ましくは１００〜３００μｍである。また、上記凹部の深さは、上記金属基材の表面が露出する深さであり、上記絶縁層の厚みに対応する。
【００２７】
上記のようにして作製された転写基材を用いて電界メッキを行うことにより、図１に示すように、転写基材４の凹部３内に金属導電層５を形成することができる。
上記格子状の凹部内に形成される金属導電層を構成する金属としては、銅、銀、金、白金、鉄、ニッケル、アルミニウム、タングステン、クロム、チタンなどの導電性を有する金属、およびこれらの金属の２種以上を組み合わせた合金、さらには炭素などが挙げられる。上記金属は１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では、加工性、導電性および価格の観点から銅または銀を主成分とすることが好ましい。
【００２８】
電解メッキは公知の方法および条件で行うことができる。たとえば、電解銅メッキは、メッキ浴の組成として、硫酸銅五水和物濃度を３０〜２００ｇ／ｌ、硫酸濃度を１０〜２００ｇ／ｌ、塩化物濃度を１０〜１００ｍｇ／ｌとし、光沢剤などの添加剤を加え、液温１０〜５０℃、陰極電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2、陽極電流密度０．２〜５Ａ／ｄｍ2で必要に応じてエアー攪拌またはポンプによる噴流攪拌の条件で行うことができる。
【００２９】
上記のようにして形成された金属導電層は、線幅が細く、線間隔（ピッチ）が広くなるほど開口率が高くなり、得られる電磁波シールドフィルムの光透過性は向上する。しかしながら、線幅を細くした場合、ピッチが広くなりすぎると、フィルム表面の導電性が不足して電磁波シールド性が低下する傾向にある。したがって、上記金属導電層の線幅が１〜５０μｍ、好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは５〜２０μｍの範囲にあり、線間隔が５〜５００μｍ、好ましくは１００〜３００μｍの範囲にあることが望ましい。前記範囲の線幅および線間隔を有する金属導電層を形成することにより、良好な電磁波シールド性および光透過性が得られる。
【００３０】
また、上記金属導電層の厚みは、１〜５０μｍ、好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは５〜２０μｍである。金属導電層の厚みが前記範囲にあることにより、電磁波シールド性およびディスプレイの視野角などに優れるとともに、均一で強度に優れた金属導電層を効率的かつ経済的に形成することができる。
【００３１】
〔積層工程〕
この工程では、上記転写基材４の金属導電層５が形成された面に、透明基材６を、接着剤６を介して積層する。
【００３２】
本発明で用いられる透明基材としては、可視波長領域において十分な透明性を有していれば特に限定されない。具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート、ナイロン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ノルボルネン系樹脂などの材質からなる透明樹脂フィルムが挙げられる。これらは１種単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。これらの中では、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＴＡＣ、ＰＣ、ノルボルネン系樹脂が、耐熱性、透明
性、価格などの点から好ましく、特に、下記式（１）で表される少なくとも１種の化合物を含む単量体を開環重合し、さらに水素添加して得られたノルボルネン系樹脂が、上記透明基材の材質として好ましい。
【００３３】
【化１】
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【００３４】
上記式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０の炭化水素基またはその他の１価の有機基を表す。Ｒ1〜Ｒ4は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子およびケイ素原子からなる群より選ばれた少なくとも１種の原子を１個以上含む１価の極性基であってもよく、Ｒ1〜Ｒ4のうち少なくとも一つが、酸素原子、窒素原子、硫黄原子およびケイ素原子からなる群より選ばれた少なくとも１種の原子を１個以上含む１価の極性基であることが好ましい。また、Ｒ1とＲ2および／またはＲ3とＲ4が相互に結合してアルキリデン基を形成していてもよく、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4またはＲ2とＲ3が相互に結合して炭素環もしくは複素環を形成してもよい。該炭素環もしくは複素環は、単環構造でも多環構造でもよく、また芳香環でも非芳香環でもよい。ｍは０〜３の整数であり、ｐは０または１である。
【００３５】
上記式（１）で表される化合物の具体例としては、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１２．５．１７．１０］−３−ドデセン等が挙げられる。
また、特開２００４−２３５５３９号公報に記載されている環上オレフィン系付加共重合体も上記透明樹脂として好適に用いることができる。
【００３６】
本発明に用いられる透明基材は、上記透明樹脂を公知の溶融押出法等により成形した透明樹脂フィルムを用いてもよく、また、市販の上記透明樹脂フィルムを用いてもよい。
上記透明基材の厚みは、通常、１０〜５００μｍ、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは４０〜１２０μｍである。厚みが前記範囲を下回ると、機械的強度が不足することがあり、一方、前記範囲を超えると、厚みや表面性などが均一なフィルムを製造することが難しいばかりか、得られたフィルムを巻き取ることが困難になり、さらには可視光透過率も低下することがある。
【００３７】
上記透明基材の可視光線透過率は、８０％以上であることが好ましい。可視光透過率が８０％未満であると、得られる前面板フィルターが透過率の低いものとなるため、ＰＤＰの表示画面が十分な明度を有さないことがある。
【００３８】
本発明では、上記のような透明基材を、上記金属導電層が形成された転写基材上に、接着剤を介して密着させて積層する。前記接着剤は、上記透明基材上または上記金属導電層が形成された転写基材上のいずれに塗布してもよい。
【００３９】
上記接着剤としては、上記絶縁層に対する接着能力はなく、上記透明基材を転写基材から剥離した際に、上記金属導電層が該転写基材から剥離され、該透明基材上に転写形成させることができれば特に限定されない。たとえば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、シアノアクリレート系接着剤などが挙げられる。
【００４０】
また、上記接着剤として、特開平９−１５７６２１号公報に記載されているような電着接着剤を好適に用いることができる。このような電着接着剤を用いれば、上記金属導電層上にのみ接着剤層を設けることができるため、より効率的に金属導電層を透明基材に転写形成することができる。
【００４１】
上記のようにして転写基材上に積層させた透明基材上に、さらに保護フィルムを積層してもよい。また、前記保護フィルムの代わりに、近赤外カット、ネオンカット、色調調整、反射防止、帯電防止などの機能を持たせた機能性光学フィルムを透明樹脂フィルムに積層してもよい。前記保護フィルムまたは機能性光学フィルムには、さらにセパレーターが積層されていてもよい。
【００４２】
〔転写工程〕
この工程では、上記透明基材６を転写基材４から剥離し、該透明基材６に上記金属導電層５を転写形成する。なお、金属導電層を透明樹脂フィルムに転写させた転写基材は、再度凹部内に金属導電層をメッキ形成することにより再利用できる。
【００４３】
剥離方法としては、転写基材から透明樹脂フィルムを安定的に剥離できれば特に限定されず、たとえば、透明基材と転写基材とを別々のロール等で巻き取る方法などにより行うことができる。この剥離操作によって、金属導電層を金属基材から剥離し、透明基材に転写させることができる。
【００４４】
なお、金属導電層の剥離性が十分でない場合は、上述したように、予め金属基材や絶縁層の凹部内壁に表面処理を施しておくことが好ましい。表面処理方法としては、金属導電層の剥離性を向上させるものであれば特に限定されないが、たとえば、フルオロシリコーン系表面処理剤、シランカップリング剤などを塗布する処理方法が挙げられる。
【００４５】
上記のようにして透明基材上に転写形成された金属導電層の表面が銅などの金属色や白色系であると、可視光線反射率が増加してディスプレイのコントラストや視認性を低下させることがある。そのため、上記金属導電層の表面を黒化処理することが好ましい。
【００４６】
上記黒化処理の方法としては、電磁波シールド性を損なわなければ特に限定されず、従来公知の黒化処理方法、たとえば、金属導電層の表面を酸化処理する方法、ニッケルメッキやクロムメッキなどのメッキ処理による方法、アルカリ液等による表面処理による方法などが挙げられる。
【００４７】
〔被覆層形成工程〕
この工程では、必要に応じて、上記透明基材６の金属導電層５が形成された面に、透明被覆層８を形成する。
【００４８】
透明被覆層は、上記金属導電層を有する面の少なくとも一部、好ましくは全部を被覆して形成される。透明被覆層を設けることにより、上記金属導電層を物理的に保護することができる。透明被覆層の材質は、高い透明性を有していれば特に限定されないが、放射線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
【００４９】
上記透明被覆層は、５８９ｎｍにおける上記透明基材の屈折率（以下、５８９ｎｍにおける屈折率を単に「屈折率」という。）との差が０．１以下となる屈折率を有することが望ましい。上記透明被覆層と透明基材との屈折率差が０．１以下、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０３以下、特に好ましくは０．０１以下であることにより、透明基材表面の微小な凹凸に由来する光散乱を抑制し電磁波シールドフィルムの透光性を向上
させることができる。
【００５０】
上記透明被覆層に用いることができる放射線硬化性樹脂としては、透明性が高く、上記屈折率特性を有していれば特に限定されず、たとえば、（Ａ）エチレン性不飽和基含有化合物と（Ｂ）光重合開始剤とを含有する放射線硬化性樹脂組成物が好ましい。
【００５１】
上記エチレン性不飽和基含有化合物（Ａ）としては、エチレン性不飽和基を２以上有する化合物（以下「多官能モノマー」という。）やエチレン性不飽和基を１つ有する化合物（以下「単官能モノマー」という。）が挙げられる。硬化物の屈折率を調節するために、成分（Ａ）として、通常、透明基材の屈折率よりも高い屈折率を有する成分と、透明基材の屈折率よりも低い屈折率を有する成分とを混合して用いる。また、硬化収縮等による透明被覆層の反りを低減するために、成分（Ａ）として、適宜、多官能モノマーと単官能モノマーとを併用することが好ましい。さらに、透明基材と透明被覆層との高い密着性を得るために、成分（Ａ）として、透明基材の材質と化学構造が近似した成分を配合することが好ましい。
【００５２】
上記成分（Ａ）として用いることのできる多官能モノマーとしては、たとえば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリオキシエチル（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシ）イソシアヌレート、ビス（（メタ）アクリロイルオキシメチル）トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン（慣用
名；トリシクロデカンジイルジメタノールジ（メタ）アクリレート）、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのポリエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドの付加体であるジオールのジ（メタ）アクリレート、水添ビスフェノールＡのエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドの付加体であるジオールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルに（メタ）アクリレートを付加させたエポキシ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジビニルエーテルなどが挙げられる。
【００５３】
上記多官能モノマーの中で、高屈折率の多官能モノマーとしては、トリス（２−ヒドキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシ）イソシアヌレート、ビスフェノールＡのポリエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドの付加体であるジオールのジ（メタ）アクリレート、水添ビスフェノールＡのエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドの付加体であるジオールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルに（メタ）アクリレートを付加させたエポキシ（メタ）アクリレート等の芳香族構造を有する多官能モノマーなどが挙げられる。また、透明基材として、たとえばノルボルネン系樹脂フィルムを用いる場合には、ビス（（メタ）アクリロイルオキシメチル）トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン、ビ
ス（ヒドロキシメチル）トリシクロデカンジ（メタ）アクリレートなどが、基材との密着性向上の観点から好ましい。
【００５４】
上記成分（Ａ）として用いることのできる単官能モノマーとしては、たとえば、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、ビニルイミダゾール、ビニルピリジン、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシ−２−メチルエチル（メタ）アクリレ
ート、フェノキシエトキシエチル（メタ）アクリレート、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、４−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、３−（２−フェニルフェニル）−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレンオキシドを反応させたｐ−クミルフェノールの（メタ）アクリレート、２−ブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４−ジブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４，６−トリブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、エチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを複数モル変性させたフェノキシ（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、アクリロイルモルホリン、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、へキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、７−アミノ−３，７−ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド、ヒドロキシブチルビルエーテル、ラウリルビニルエーテル、セチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテルなどが挙げられる。
【００５５】
上記多官能モノマーの中で、低屈折率の単官能モノマーとしては、ラウリル（メタ）アクリレート等の直鎖状アルキル基を有する単官能モノマーなどが、透明被覆層の反り低減の観点から好ましい。また、透明基材として、たとえばノルボルネン系樹脂フィルムを用いる場合には、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、アクリロイルモルホリンなどが、基材との密着性向上の観点から好ましい。
【００５６】
上記光重合開始剤（Ｂ）としては、光照射により分解してラジカルを発生し、重合反応を開始させるものであれば特に限定されず、たとえば、アセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、キサントン、フルオレノン、べンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、３−メチルアセトフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパ
ン−１−オン、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−プロパン−１−オン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシドなどが挙げられる。
【００５７】
上記放射線硬化性樹脂組成物には、透明被覆層の透明性を損なわない範囲で、上記成分（Ａ）および（Ｂ）以外の成分、たとえば、シリカ粒子等の無機粒子、ポリスチレン粒子等の有機ポリマー粒子などを配合してもよい。
【００５８】
上記放射線硬化性樹脂組成物中の各成分の配合量は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計量を１００質量％として、成分（Ａ）が、通常９０〜９９．９質量％、好ましくは９０〜９８質量％であり、成分（Ｂ）が、通常０．１〜１０質量％、好ましくは２〜１０質量％である。また、屈折率の調整および硬化物の反り低減のためには、成分（Ａ）全量１００質量％中に占める多官能モノマーの割合を３０〜９５質量％とすることが好ましく、３０〜７０質量％とすることがさらに好ましい。
【００５９】
上記透明被覆層は、上記放射線硬化性樹脂組成物を電磁波シールドフィルムの金属導電層を有する面に塗布し、該組成物を硬化させることによって形成することができる。上記放射線硬化性樹脂組成物の塗布は、たとえば、スキージ等を用いて行うことができ、塗膜の厚さは５〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。上記放射線硬化性樹脂組成物は放射線によって硬化される。ここで放射線とは、たとえば、赤外線、可視光線、紫外線ならびにＸ線、電子線、α線、β線およびγ線などの電離放射線を意味し、通常は紫外線等の光が簡便に用いられる。
【００６０】
上記のように、本発明の方法によれば、従来のエッチング処理法による金属導電層の形成方法と比較して、大幅に工程数を削減することができるとともに、寸法精度が高い微細な金属導電層を形成することができる。すなわち、本発明によれば、電磁波シールド性および光透過性に優れた電磁波シールドフィルムを、低コストで製造することができる。このような本発明の電磁波シールドフィルムは、たとえば、プラズマディスプレイパネルの前面板フィルターなどに好適に用いることができ、優れた電磁波シールド性を発揮するとともに、ディスプレイの輝度や画質についても向上させることができる。
【００６１】
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【００６２】
＜合成例１＞
攪拌機、温度計、窒素導入管および還流冷却器を取り付けた２Ｌのフラスコに、エポキシ樹脂（ダイセル化学（株）製「Ｇ−４０２」）１００ｇ、エチレンジアミン４ｇおよびブチルセロソルブ１００ｇを仕込み、エポキシ基が消失するまで８０℃で５時間反応させた。この樹脂溶液７７ｇ、４官能エポキシ樹脂（油化シェル（株）製「ＥＰＯＮ 1031」
）２５．４ｇ、イタコン酸変性ポリビニルアセトアセタール樹脂（積水化学工業（株）製「ＫＮＴ-10」）7.9ｇ、エーテル化メラミン樹脂（大日本インキ化学工業（株）製「Ｌ-109-65」）１２．１ｇ、乳酸７．７ｇおよびイオン交換水５９２ｇを混合し、ホモミキサ
ーで３０分間攪拌し、固形分濃度１０％のエマルジョンを得た。
【００６３】
〔実施例１〕
（基板の作製）
表面を鏡面研磨した１．０ｍｍ×２００ｍｍ×２００ｍｍサイズのステンレス＃ＳＵＳ
３０４基板の表裏全面に、テフロン（登録商標）ラテックス（ポリテトラフルオロエチレン粒子の５０％濃度の水分散液）を塗布して乾燥させた後、３５０℃に加熱して膜厚10μｍの絶縁層を形成した。この基板の上面の絶縁層のみを、厚み１５μｍのブレードを設置したＤＩＳＣＯ（株）製ダイサーを用いて、溝幅１５μｍ、ピッチ３００μｍで縦横格子状に研削することにより、部分的にステンレス面を露出させた。絶縁層研削部にはステンレス面が露出していることをテスターの導電試験で確認した。
【００６４】
（メッキ工程）
この絶縁層の部分研削基板に、下記組成の電解銅メッキ液を用いて該基板のステンレス露出部のみに０．５Ａ/ｃｍ2で１分間通電することにより、１０μｍ厚の銅メッキを施した。
【００６５】
（電解銅メッキ液の調製）
蒸留水１Ｌに、硫酸銅五水和物７５ｇ、硫酸１９０ｇ、塩素イオン５０ｍｇおよび光沢剤（日本リーロナール製カパーグリームST-901）２０ｍｌを溶解させてメッキ液を調製した。
【００６６】
（転写工程）
格子状に銅パターンがメッキされた上記ステンレス基板上の全面に、接着剤（住友スリーエム（株）製エポキシ系接着剤）を塗布し、市販のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚み１００μｍ）で覆い接着した。接着剤が硬化後、ＰＥＴフィルムとステンレス基板との離型性は良好で、離型時に銅パターンを同時にリフトオフ転写できた。銅の格子状パターンは欠けることなくフィルムに強固に付着しており、転写性が極めて良好であった。この銅パターンフィルムのシート抵抗を測定したところ、８０ｍΩ／□であった。また、この銅パターン付きフィルムの全光線透過率を、スガ試験機社製ヘイズメーター「ＨＧＭ−２ＤＰ型」を使用して測定したところ、８５％以上であった。
【００６７】
（電磁波シールド性の評価）
この銅パターン付きフィルムの電磁波シールド性について  関西電子工業振興センター法（ＫＥＣ法）による評価を実施した。シールドプレートの間に試料を挟み、特定周波数の電磁波を発信させ、試料を通過する電界および磁界を他方で受信し、試料通過による減衰を測定する。測定は、温度２２．５℃、湿度６４％ＲＨ、気圧９９７ｈＰａ、周波数１００ｋＨｚ〜１ＧＨｚの条件で行った。３ＭＨｚ〜１ＧＨｚの範囲内のすべての周波数で減衰量が５０ｄｂ以上であった。
【００６８】
〔実施例２〕
合成例１で得られたエマルジョン電着溶液に、アノードとして未処理のステンレス基板を用い、カソードとして実施例１で得られた銅パターンメッキ基板を用いて、銅パターン部のみに接着剤を電着させた。電着接着剤付き基板に市販のＰＥＴフィルム（厚み１００μｍ）をロールで圧着した。この積層体のフィルムを剥離したところ、メッキした銅パターンがＰＥＴフィルムに転写されており、離型性は極めて良好であった。この銅パターンフィルムのシート抵抗を実施例１と同様に測定したところ、８０ｍΩ／□であった。またこの銅パターン付きフィルムの全光線透過率を、スガ試験機社製ヘイズメーター「ＨＧＭ−２ＤＰ型」を使用して測定したところ、８５％以上であった。
【００６９】
（電磁波シールド性の評価）
この銅パターン付きフィルムの電磁波シールド性について  関西電子工業振興センター法（ＫＥＣ法）による評価を実施した。シールドプレートの間に試料を挟み、特定周波数の電磁波を発信させ、試料を通過する電界および磁界を他方で受信し、試料通過による減衰を測定する。測定は、温度２２．５℃、湿度６４％ＲＨ、気圧９９７ｈＰａ、周波数１
００ｋＨｚ〜１ＧＨｚの条件で行った。３ＭＨｚ〜１ＧＨｚの範囲内のすべての周波数で減衰量が５０ｄｂ以上であった。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００７１】
１・・・金属基材
２・・・絶縁層
３・・・凹部
４・・・転写基材
５・・・金属導電層
６・・・透明樹脂フィルム
７・・・電磁波シールドフィルム
８・・・透明被覆層
９・・・接着剤層
【図１】
2007251048.tif 000004