(57)【要約】【課題】活性化されたガスが死活しにくく、パーティクルの発生を抑制する基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１０は、基板１８を処理する処理室８０と、処理室８０に活性化されていない原料ガス及び活性化された酸素含有ガスを供給するガス供給部１００と、酸素含有ガスを活性化させるプラズマユニット１２０と有する。プラズマユニット１２０で活性化された酸素含有ガスは、活性化された後に直ちに処理室８０に流入し、原料ガスはプラズマユニット１２０を通過することなくガス供給部１００の側方から処理室８０へ流入し、酸素含有ガスと原料ガスとが処理室８０に収容された基板１８に薄膜を形成する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
所望の薄膜が生成される前記基板の面に対向して設けられ、多数のガス噴出口を有するガス供給部であって、活性化された処理ガス及び活性化されない処理ガスを前記処理室内に供給する前記ガス供給部と、
前記活性化されるガスを活性化させるガス活性化手段と、
前記活性化されるガスを活性化させる空間をなし、該空間が前記ガス供給部に隣接して設けられる活性化空間と、
を備え、
前記活性化される処理ガスは、前記活性化空間で活性化された後、直ちに前記ガス供給部の上部側から前記ガス供給部を経て前記処理室へ流入し、
前記活性化されない処理ガスは、前記活性化空間の周囲に設けられた供給経路を通り、前記活性化空間を通ることなく前記ガス供給部の側方から前記ガス供給部を経て前記処理室へ流入することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置等、基板を処理する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置として、活性化された処理ガスと活性化されない処理ガスとを用いるものが知られている。図５において従来の基板処理装置２００が示されている。基板処理装置２００は、処理される基板２０２が収納されたチャンバ２０４と、活性化されるガスを活性化させるガス活性化手段として用いられるリモートプラズマユニット２０６とを有する。チャンバ２０４は、基板２０２を支持するヒータサセプタ２０８と、分散板２１０と、シャワー板２１２とを有し、リモートプラズマユニット２０６から活性化されたガスの導入がなされる配管２１４と、活性化されないガスの導入がなされる第１のガス導入口２１６と、排気口２１８とが設けられている。リモートプラズマユニット２０６は、配管２１４でチャンバ２０４に連結されるとともに、活性化されるガスが導入される第２のガス導入口２２０が設けられている。
【０００３】
この基板処理装置２００では、第２のガス導入口２２０から導入された活性化されるガスがリモートプラズマユニット２０６で活性化され、この活性化されたガスが配管２１４を介してチャンバ２０４へと導入され、活性化されないガスが第１のガス導入口２１６を介してチャンバ２０４へと導入される。そして、この活性化されるガスと活性化されないガスとが、分散板２１０とシャワー板２１２とを通過して処理室２０５に流入し、基板２０２へと到達し、基板２０２を処理する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、リモートプラズマユニット２０６で活性化された活性化されるガスが、配管２１４を通過し基板２０２に到達するまでの間に死活してしまうことがあるとの問題点があった。この問題点は、配管２１４が長かったり、曲がっていたりすると発生しやすい。
また、活性化されたガスと活性化されないガスとを同時に供給する場合では、分散板２１０やシャワー板２１２にて混合されてしまう。又、交互に供給する場合においても、分散板２１０やシャワー板２１２により残留ガスの除去効率が低下してしまい、残留した一方のガスと他方のガスとが混合してしまう虞がある。このようにガスが基板２０２に到達する前に分散板２１０やシャワー板２１２で混合してしまうためパーティクルが発生しやすいとの問題点があった。
【０００５】
本発明は上記問題点を解決し、ガスを死活させることなく基板に到達させ、また、パーティクルの発生を抑制する基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の特徴とするところは、基板を収容する処理室と、所望の薄膜が生成される前記基板の面に対向して設けられ、多数のガス噴出口を有するガス供給部であって、活性化された処理ガス及び活性化されない処理ガスを前記処理室内に供給する前記ガス供給部と、前記活性化されるガスを活性化させるガス活性化手段と、前記活性化されるガスを活性化させる空間をなし、該空間が前記ガス供給部に隣接して設けられる活性化空間と、を備え、前記活性化される処理ガスは、前記活性化空間で活性化された後、直ちに前記ガス供給部の上部側から前記ガス供給部を経て前記処理室へ流入し、前記活性化されない処理ガスは、前記活性化空間の周囲に設けられた供給経路を通り、前記活性化空間を通ることなく前記ガス供給部の側方から前記ガス供給部を経て前記処理室へ流入する基板処理装置にある。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、活性化空間で活性化された処理ガスが直ちに処理室に流入されるので、活性化されたガスを死活させることなく基板に到達させることができる。また、活性化されない処理ガスは活性化空間を通ることなく処理室へ流入するので、活性化されないガスと活性化されるガスとが処理室への流入前に混合することが抑制され、パーティクルの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１において、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の全体が示されている。この基板処理装置１０は、基板を搬送するキャリアとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod  以下、ポッドという）を用いている。
なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準とし、図１に示されている紙面に対して前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【０００９】
基板処理装置１０は、中央やや後ろ側に第１の搬送室１２を有する。この第１の搬送室１２は、平面視で六角形状をなす第１の筺体１４に囲まれて構成され、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造となっており、第１の筺体１４は上下両端が閉鎖した箱形状に形成されている。この第１の搬送室１２には、第１の移載機１６が配置されている。この基板移載機１６は、負圧下で基板１８を移載し、また、第１のエレベータ２０に昇降されるようになっている。
【００１０】
第１の筺体１４の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用予備室２２と搬出用予備室２４とがそれぞれゲートバルブ２６，２８を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。それぞれの予備室２２，２４には、基板置き台３０，３２がそれぞれ設置されている。
【００１１】
予備室２２，２４の前側には、略大気圧下で耐え得る第２の搬送室３４がゲートバルブ３６，３８を介して連結されている。第２の搬送室３４には基板１８を移載する第２の移載機４０か設置されている。第２の移載機４０は第２の搬送室３４に設置された第２のエレベータによって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータによって左右方向に往復移動されるように構成されている。また、第２の搬送室３４の左側にはオリフラ合わせ装置４６が設置されている。
【００１２】
第２の搬送室３４を構成する第２の筐体５０には、基板１８を第２の搬送室３４に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口５２と、この基板搬入搬出口５２を閉塞する蓋と、ポッドオープナ５６がそれぞれ設置されている。また、第２の搬送室３４の前側にはポッド５８を載置するポッド載置台６０が設けられている。ポッドオープナ５６は、キャップ開閉機構を備えており、このキャップ開閉機構によりポッド載置台６０に載置されたポッドのキャップ及び前述した蓋を開閉し、ポッド５８に収納された基板の出し入れを可能にする。なお、ポッド５８は、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ポッド載置台６０に供給及び排出されるようになっている。
【００１３】
前述した第１の筺体１４の六枚の側壁のうち後側に位置する二枚の側壁には、それぞれ第１の処理炉６４と第２の処理炉６６とがそれぞれゲートバルブ６８，７０を介して連結されている。第１の処理炉６４及び第２の処理炉６４は、例えばいずれもコールドウォール式のものである。また、第１の筺体１４における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第１のクーリングユニット７２と第２のクーリングユニット７４とがそれぞれ連結されており、いずれも処理済みの基板１８を冷却するように構成されている。なお、第１の処理炉６４の詳細は後述する。
【００１４】
次に上述した基板処理装置１０を用いた場合の処理工程を説明する。
【００１５】
未処理の基板１８は２５枚がポッド５８に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置１０へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。このようにして搬送されたポッド５８はポッド載置台６０の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド５８のキャップ及び基板搬入出口５２を開閉する蓋がキャップ開閉機構によって取り外され、ポッド５８の基板出入口が開放される。
【００１６】
ポッド５８がポッドオープナ５６により開放されると、第２の搬送室３４に設置された第２の基板移載機４０はポッド５８から基板１８をピックアップし、搬入用予備室２２に搬入し、基板１８を基板置き台３０に移載する。この移載作業中には、第１の搬送室１２側のゲートバルブ２６は閉じられており、第１の搬送室１２が負圧に維持されている。基板１８の基板置き台３０への移載が完了すると、ゲートバルブ３６が閉じられ、搬入用予備室２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００１７】
搬入用予備室２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２６，６８が開かれ、搬入用予備室２２、第１の搬送室１２及び第１の処理炉６４が連通される。続いて、第１の搬送室１２の第１の基板移載機１６が基板置き台３０から基板１８をピックアップして第１の処理炉６４に搬入する。そして、第１の処理炉６４内に処理ガスが供給され、所望の処理が基板１８に対して行われる。
【００１８】
第１の処理炉６４で処理が完了すると、処理済みの基板１８は第１の搬送室１２の第１の基板移載機１６によって第１の搬送室１２に搬出される。
【００１９】
そして、第１の基板移載機１６は第１の処理炉６４から搬出した基板１８を第１のクーリングユニット７２へ搬入し、処理済みの基板１８を冷却する。
【００２０】
第１のクーリングユニット７２に基板１８を移載すると、第１の基板移載機１６は搬入用予備室２２の基板置き台３０に予め準備された基板１８を第１の処理炉６４に前述した作 動によって移載し、第１の処理炉６４内に処理ガスが供給され、所望の処理が基板１８に行われる。
【００２１】
第１のクーリングユニット７２において予め設定された冷却期間が経過すると、冷却済みの基板１８は第１基板移載機１６によって第１のクーリングユニット７２から第１の搬送室１２に搬出される。
【００２２】
その後、ゲートバルブ２８が開かれ、第１の基板移載機１６は第１のクーリング ユニット７２から搬出した基板１８を搬出用予備室２４へ搬送し、基板置き台３２に移載した後、搬出用予備室２４はゲートバルブ２８によって閉じられる。
【００２３】
搬出用予備室２４がゲートバルブ２８によって閉じられると、搬出用予備室２４内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。搬出用予備室２４内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ３８が開かれ、第２の搬送室３４の搬出用予備室２４に対応した基板搬入搬出口５２を閉塞する蓋と、ポッド載置台６０に載置された空のポッド５８のキャップがポッドオープナ５６によって開かれる。続いて、第２の搬送室３４の第２の基板移載機４０は基板置き台３２から基板１８をピックアップして第２の搬送室３４に搬出し、第２の搬送室３４の基板１８が基板搬入搬出口５２を通してポッド５８に収納する。処理済みの２５枚の基板１８のポッド５８への収納か完了すると、ポッド５８のキャップと蓋がポッドオープナ５６によって閉められる。このようにして閉じられたポッド５８はポッド載置台６０の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００２４】
以上の作動が繰り返されることにより、基板１８が順次処理されて行く。以上の作動は第１の処理炉６４及び第１のクーリングユニット７２が使用される場合を例にして説明したが、第２の処理炉６６及び第２のクーリングユニットエ７４が使用される場合についても同様の作動か実施される。
【００２５】
なお、上述の基板処理装置では、予備室２２を搬入用、予備室２４を搬出用としたが、逆に予備室２４を搬入用、予備室２２を搬出用としてもよい。また、第１の処理炉６４と第２の処理炉６６は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第１の処理炉６４と第２の処理炉６６で別の処理を行う場合、例えば第１の処理炉６４で基板１８にある処理を行った後、続けて第２の処理炉６６で別の処理を行わせてもよい。また、第１の処理炉６４で基板１８にある処理を行った後、第２の処理炉６６で別の処理を行わせる場合、第１のクーリングユニット７２（又は第２のクーリングユニット７４）を経由するようにしてもよい。
【００２６】
図２乃至４において前述した処理炉６４の一例が示されている。
処理炉６４は、基板１８にルテニウム（Ｒｕ）からなる薄膜を形成するもＡＬＤ炉であり、基板１８を収容する処理室８０と、活性化された処理ガスと活性化されない処理ガスとを処理室８０に供給するガス供給部１００と、活性化されるガスを活性化させるガス活性化手段として用いられるプラズマユニット１２０とを有し、このプラズマユニット１２０は、ガスが活性化される空間である活性化空間１２２を備えている。
【００２７】
処理室８０は、上部に開口部を備えた本体部８２と、本体部８２の開口部を塞ぐように配置される蓋部８４及びガス供給部１００で囲まれる空間から構成され、処理室８０内に、セラミックヒータからなるヒータサセプタ９０と、リフトピンホルダ９２に支持されたリフトピン９４とが配設されている。本体部８２には、基板搬送口８６が開設されており、この基板搬送口８６を介して処理室８０に処理すべき基板１８が前述した移載機１６により搬入され、処理後には搬出される。また、本体部８２には排気口８８が開設されていて、この排気口８８がポンプ等からなる排気装置（図示せず）に接続され、処理室８０内は排気装置によって排気される。蓋部８４には、上部に開口部が設けられていて、この開口部に後述する第１のシャワープレート１０２が嵌合する。
【００２８】
ガス供給部１００は、処理室８０に収納された基板１８に対向して設けられていて、多数のガス噴出口を有し、活性化されるガスとして用いられる酸素含有ガスと、活性化されないガスとして用いられる原料ガスであるビスエチルシクロペンタジエニルルテニウム（Ｒｕ（ＥｔＣｐ）２）を気化させたガスとキャリアガスであるアルゴン（Aｒ）とを混合したガスとを、先述の処理室８０へと供給するものである。このガス供給部１００は、第１のシャワープレート１０２と第２のシャワープレート１０４とを有する。
【００２９】
第１のシャワープレート１０２は、熱伝導率の高い材料であるアルミ等からなり、先述の蓋部８４に嵌合する平面部と、この平面部の周囲に設けられたカラー部とを有し、平面部には多数の貫通孔１０６が開設されている。なお、第1のシャワープレート１０２の活性化されたガスが接する部分は、表面処理により絶縁したり、絶縁物で覆ったりすることが望ましい。これにより、後述するプラズマユニット１２０で活性化されたガスが死活しにくくなる。
【００３０】
第２のシャワープレート１０４は、熱伝導率の高い材料であるアルミ等からなり、第１のシャワープレート１０２に嵌め込まれる状態で第１のシャワープレート１０２の平面部と一定の間隔を持って配置される平面部と、この平面部の周囲に設けられたカラー部とを有する。平面部には第１のシャワープレート１０２に設けられた貫通孔１０６と上下方向に対応する位置に、この貫通孔１０６と同心円の形状を有する貫通孔１０８が開設され、貫通孔１０６に第２のシャワープレート１０４の平面部に設けられた突出部が挿入された状態となる。また、第２のシャワープレート１０４のカラー部には第１のシャワープレート１０２と対向する位置に切欠き１１０が設けられている。なお、第２のシャワープレート１０４の活性化されたガスが接する部分は、表面処理により絶縁したり、絶縁物で覆ったりすることが望ましい。これにより、後述するプラズマユニット１２０で活性化されたガスが死活しにくくなる。
【００３１】
第１のシャワープレート１０２の平面部と第２のシャワープレート１０４の平面部との間には空間Ａが形成され、第２のシャワープレート１０４の切欠き１１０と第１のシャワープレート１０２で囲まれた位置に空間Ｂが形成される。この空間Ｂは、後述するプラズマユニット１２０の周囲にリング状に設けられた状態となる。また、空間Ａと空間Ｂとは、第１のシャワープレート１０２と第２のシャワープレート１０４との微細な隙間を介して連通していて、図４に矢印ａで示すようにガスが空間Ｂから空間Ａへと均一に移動できるようになっている。また、図２に示すように、空間Ｂはガス供給流路１１２を介して第１のガス入口１１４と接続されている。そして、この第１のガス入口１１４には、先述の原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給するガス供給部（不図示）が接続されている。
【００３２】
第２のシャワープレート１０４の貫通孔１０８には、石英からなるパイプ１１８が挿入されていて、このパイプ１１８を介して先述の処理室８０と後述するプラズマユニット１２０とが連通した状態となっている。パイプ１１８は石英からなるため、パイプ１１８を通過する活性化されたガスが死活しにくい。また、ガスを死活させにくくするために、第1シャワープレート１０２と第２のシャワープレート１０４との全体を石英製とする構成とすることもできるが、石英からなるパイプ１１８を用いる本実施形態の構成の方が製作が容易である。また、本実施形態においては、第1のシャワープレート１０２と第２のシャワープレート１０４とを、熱伝導率が高いアルミ製とすることができる。
【００３３】
プラズマユニット１２０は、先述の第１のシャワープレート１０２と第２のシャワープレート１０４との直上に設けられていて、気体を活性化させる活性化空間１２２を形成するユニット本体１２４と、このユニット本体１２４を先述の第１のシャワープレート１０２に固定する固定部材１２６と、ユニット本体１２４の外側に設けられたコイルを備えたパイプ電極１２８と、このパイプ電極１２８に電極端子１２９を介して接続され、パイプ電極１２８に高周波の交流電圧を印加する交流電源１３０とを有し、交流電源１３０からパイプ電極１２８に交流電圧を印加することで活性化空間１２２に誘導電界を発生させ、この誘導電界により活性化空間１２２にプラズマを生成させる。
【００３４】
ユニット本体１２４の上部には、第２のガス入口１３２が設けられ、この第２のガス入口１３２に継手１３４を用いてガス供給部（不図示）が接続されていて、このガス供給部から活性化空間１２２に酸素含有ガスの供給がなされる。また、ユニット本体１２４の底部には、先述の第１のシャワープレート１０２の貫通孔１０６と第２のシャワープレート１０４の貫通孔１０８とに対応する位置に多数の貫通孔１３６が設けられていて、この貫通孔１３６と先述のパイプ１１８を介して、活性化空間１２２と処理室８０とが連通している。また、ユニット本体１２４の内壁部には、石英からなるカバー部材１３８が取り付けられている。石英からなるカバー部材１３８を取り付けることにより、活性化空間１２２内において活性化されたガスが死活しにくくなる。パイプ電極１２８は、プラズマ発生用の電極として用いられることとあわせて、装置を冷却するための冷却用の冷却水が流れる冷却手段としても用いられる。
【００３５】
次に、以上の構成に係る処理炉６４の作用を説明する。
まず、処理室８０に搬送され、ヒータサセプタ９０に載置された基板１８をヒータサセプタ９０により処理温度まで加熱する。次に原料ガスを５秒間、第１のガス入口１１４から供給する。原料ガスとしては、先述のように液体原料であるビスエチルシクロペンタジエニルルテニウム（Ｒｕ（ＥｔＣｐ）２）を気化させたガスが用いられ、この原料ガスがキャリアガスであるアルゴン（Aｒ）と共に第１のガス入口１１から供給される。供給量は、ビスエチルシクロペンタジエニルルテニウムが０．１２ｃｃ／ｍｉｎであり、アルゴンが３００ｃｃ／ｍｉｎである。また、処理室８０の圧力は５０〜１５０Ｐａとなっている。なお、液体原料としては、ビスエチルシクロペンタジエニルルテニウムにかえて、ＤＥＲを用いることもできる。
【００３６】
第１のガス入口１１４から供給がなされた原料ガスは、図４に示すように、ガス供給流路１１２を通過して空間Ｂへ流入し、空間Ｂから第１のシャワープレート１０２と第２のシャワープレート１０４との隙間を通過して空間Ａへと流入する。そして、図３に矢印ｂで示すように、第１のシャワープレート１０２と第２のシャワープレート１０４との隙間を通過して、空間Ａから処理室８０へと流入する。このように、活性化されないガスとして用いられる原料ガスは、プラズマユニット１２０の活性化空間１２２の周囲に設けられた空間Ｂ等からなる供給経路通り、活性化空間１２２を通ることなく、ガス供給部１００の側方から処理室８０へと流入する。この結果、基板１８の表面に原料ガスが吸着することになる。
【００３７】
次に、原料ガスの供給を停止し、５秒間のパージを行い、空間Ａ、Ｂ及び修理室８０に残留する原料ガスを除去した後、活性化されるガスとして用いられる酸素（Ｏ２）含有ガスを、６秒間、供給量２００ｓｃｃｍで第２のガス入口１３２からプラズマユニット１２０の活性化空間１２２へ供給する。この酸素含有ガスは、活性化空間１２２で活性化された後、図３に矢印ｃで示すように、プラズマユニット１２０の底部に設けられた貫通孔１３６とパイプ１１８とを介して処理室８０へ流入する。これにより酸素含有ガスが基板１８の表面に吸着している原料と反応し、酸化ルテニウム膜が形成される。尚、このように酸素含有ガスは、活性化空間１２２で活性化がなされた後、直ちにガス供給部１００の上部側から処理室８０へと流入する。このため、活性されたガスは、例えば配管等を用いて処理室８０へ導く場合と比較して、処理室８０へ到達するまでの間に死活しにくくなる。また、配管等が不要であるので、処理炉６４を小型化することが可能となる。なお、活性化されるガスとしては、酸素含有ガスにかえて、水素含有ガスやアンモニア含有ガスを用いることもできる。
【００３８】
次に、酸素含有ガスの供給が停止された状態で、例えば窒素ガス等の不活性ガスにより処理室８０内を５秒間パージして、活性化空間１１２及び処理室８０に残留したガスを除去する。そして、上述した原料ガスと酸素含有ガスの供給、停止を所望の厚さの膜が得られるまで所定回数繰り返す。処理完了後は、処理済の基板１８を処理室８０から搬出する。
【００３９】
なお、この実施形態では、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスと、酸素含有ガスとを交互に処理室８０に流入させているが、両ガスを同時に処理室８０に流入させても良い。
【００４０】
以上のように、基板処理装置１０においては、活性化されない原料ガスは活性化空間１２２を通ることなく処理室８０へ流入し、この活性化されないガスと活性化される酸素含有ガスとが処理室８０内において基板１８の直上で初めて混合する。このため、処理室８０へ到達する前に、原料ガスと酸素含有ガスとが混合される場合と比較して、パーティクルの発生を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
以上述べたように、本発明はＣＶＤ装置等、基板を処理する基板処理装置に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す平面断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いた処理炉を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いた処理炉の要部である図２における領域Ｃを拡大して示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いた処理炉の要部である図２における領域Ｄを拡大して示す断面図である。
【図５】従来の基板処理装置を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０      基板処理装置
１８      基板
６４      処理炉
８０      処理室
１００    ガス供給部
１０２    第１のシャワープレート
１０４    第２のシャワープレート
１２０    プラズマユニット
１２２    活性化空間
【図１】
2007084898.tif 000003
【図２】
2007084898.tif 000004
【図３】
2007084898.tif 000005
【図４】
2007084898.tif 000006
【図５】
2007084898.tif 000007