(57)【要約】【課題】  有機ＥＬディスプレイのダウンサイズ化を図れると共に高信頼性を確保でき、しかも装置の稼働率の向上を図れ、ランニングコストも削減でき、更に、このレーザー加工法により形成された給電用開口部の封止も確実に行える極めて実用性に秀れた有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することである。【解決手段】  基板11上に陽極，有機発光層，陰極を順次積層して形成される発光部12上に、この発光部12を封止する第一封止膜13を形成し、前記陽極及び陰極の端子部14上に積層された前記第一封止膜13の一部にレーザー光を照射することで、この端子部14上の第一封止膜13を除去して給電用開口部15を形成し、この給電用開口部15から露出する端子部14に前記発光部駆動用の駆動回路16の端子17を接続して駆動回路16を実装した後、この給電用開口部15及び前記第一封止膜13を完全に隠蔽するように基板11上に第二封止膜18を形成するものである。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に陽極，有機発光層，陰極を順次積層して形成される発光部上に、この発光部を封止する第一封止膜を形成し、前記陽極及び陰極の端子部上に積層された前記第一封止膜の一部にレーザー光を照射することで、この端子部上の第一封止膜を除去して給電用開口部を形成し、この給電用開口部から露出する端子部に前記発光部駆動用の駆動回路の端子を接続して駆動回路を実装した後、この給電用開口部及び前記第一封止膜を完全に隠蔽するように基板上に第二封止膜を形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
前記第一封止膜若しくは前記第二封止膜をマスクを用いずに基板の全表面に成膜することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記第一封止膜若しくは前記第二封止膜は、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成ることを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の有機ＥＬ素子（以下、ＯＬＥＤという。）は、以下のような手順で作製されている。
【０００３】
（１）ガラス基板上にスパッタ法若しくは蒸着法でアノード電極用ＩＴＯのような金属薄膜を成膜し、フォトリソプロセスを経てアノード電極配線パターンを形成する。
【０００４】
（２）メタルマスクを使用し正孔注入層（ＣｕＰｃ）、正孔輸送層（α−ＮＰＤ）、発光層（Ａｌｑ３＋ドーパント）、電子輸送層（Ａｌｑ３）、電子注入層（ＬｉＦ）を順次成膜して有機発光層を形成した後、更にカソード電極形成用メタルマスクを用いて金属薄膜（Ａｌ，Ａｌ／Ｌｉ，Ｍｎ，Ｍｎ／Ａｇ…ｅｔｃ．）を成膜し、カソード電極配線パターンを形成して発光部を形成する。
【０００５】
（３）上記（１）及び（２）のプロセスを経たサンプル（発光部）上に、無機膜の単層若しくは積層、有機膜の単層若しくは積層または無機膜及び有機膜の積層膜から成る封止膜を成膜する。この場合、図１，２に図示したように、端子部ＡをメタルマスクＢ等で遮蔽し、この端子部Ａに封止膜Ｃが成膜されないようにする必要がある。尚、図中符号Ｄは基板、Ｅは発光部である。
【０００６】
また、何らかの理由でメタルマスクで遮蔽できない場合には、所謂半導体若しくはＴＦＴのフォトリソプロセスの手法を応用する必要がある。
【０００７】
上述のＯＬＥＤへの給電用端子形成手法としては、現在はシャドーマスク法が一般的である。シャドーマスクの材料としては、シリコン、セラミック、ガラス等と熱膨張係数が近い日本冶金製のＮＡＳ４２（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）や低膨張係数のＮＡＳ（３６％Ｎｉ−Ｆｅ合金）やＳＵＳ４３０等が採用されている。
【０００８】
このようにして給電用開口部が形成された有機ＥＬ素子に、この給電用開口部から露出する給電端子部に例えばドライバーＩＣ付きＦＰＣ（Flexible Print Circuit Board）やＩＣベアチップ等の駆動回路の端子をＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して接続することで、駆動回路を実装して有機ＥＬディスプレイを製造する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＯＬＥＤの信頼性能確保のためには、大気中の酸素及び水分の影響を防ぐために、有機層と腐食性の高いカソード電極層を封止膜で完全に被覆する必要がある。この際、有機層及びカソード電極層よりも封止層を十分に大きくすればデバイス性能は確保できるが、デバイスの素子面積が大きくなってしまうという問題点が生じる。
【００１０】
従って、デバイスの性能が維持できる最適な封止面積を選択する必要がある。この際、シャドーマスクを利用してＯＬＥＤへの給電端子部の形成をする場合には、マスクのアライメントが必要になる。更に、ＯＬＥＤ表示装置を携帯用等の表示パネルとして実装するためには、表示部以外の面積は出来る限り小さくしたいという要求がある。そのため、マスクアライメント精度を高め、設計余裕度を最小限に抑える必要が生じてくるが、コスト高となるのは避けられない。
【００１１】
また、封止膜として、無機層と有機層とを交互に複数層成膜する場合には、有機層用のメタルマスクや無機層用のマスクが必要になる。更に量産ラインではマスクの自動交換機構も必要になる。そして、無機層と有機層との組み合わせを複数層形成する場合には、多数の予備マスクが必要となり、非常に複雑で高コストの設備になってしまう。しかも、メタルマスクは定期的に交換洗浄する必要があり、ランニングコストも非常に高くなってしまうという問題が発生する。
【００１２】
このような封止膜成膜時にメタルマスクを使用することによる問題点を解決するためには、封止成膜工程ではメタルマスクを使用しないプロセスを採用すれば良い。
【００１３】
例えば半導体デバイスやＴＦＴデバイスで一般的に採用されている最終パシベーション膜成膜後のフォトリソプロセスによる端部引き出し工程を適用すれば良い。しかし、この工程には、レジスト塗布、レジスト露光、レジスト現像、エッチング、レジスト剥離洗浄と５工程が必要となる。更に、レジスト現像及びレジスト剥離洗浄工程においてはウェット工程があり、ＯＬＥＤ製造プロセスには不適切な工程であると同時に非常に高コストプロセスとなってしまうという問題が生じる。
【００１４】
更に、封止膜が積層構造で、しかも、有機層と無機層とから成る場合には、エッチング工程において、ドライの場合にはエッチングガス、ウェットの場合にはエッチング液を交換する必要があり、積層数が多くなればなるほどプロセスは一層複雑化する。
【００１５】
また、上記有機ＥＬ素子に駆動回路を実装する際、給電用開口部には、例えば給電端子部がＡｌ等が腐食性金属の場合、ＦＰＣ若しくはＩＣベアチップとの接続部付近を熱硬化性若しくはＵＶ硬化性等のシリコーン樹脂若しくはエポキシ樹脂で固めて給電端子部の腐食防止対策を講じる場合はあるが、これらの硬化剤には封止性がなく、給電用開口部は完全に封止されていないのが現状である。
【００１６】
本発明は、上述のような現状に鑑み、マスクを用いて予め給電用開口部を有する封止膜を成膜するのではなく、また、フォトリソプロセスを用いることもなく、発光部の略全面に封止膜を成膜し、レーザー加工法を用いて端子部上の封止膜のみを除去して給電用開口部を形成することで端子部を露出せしめるから、有機ＥＬディスプレイのダウンサイズ化を図れると共に高信頼性を確保でき、しかも装置の稼働率の向上を図れ、ランニングコストも削減でき、更に、このレーザー加工法により形成された給電用開口部の封止も確実に行える極めて実用性に秀れた有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。
【００１８】
基板11上に陽極，有機発光層，陰極を順次積層して形成される発光部12上に、この発光部12を封止する第一封止膜13を形成し、前記陽極及び陰極の端子部14上に積層された前記第一封止膜13の一部にレーザー光を照射することで、この端子部14上の第一封止膜13を除去して給電用開口部15を形成し、この給電用開口部15から露出する端子部14に前記発光部駆動用の駆動回路16の端子17を接続して駆動回路16を実装した後、この給電用開口部15及び前記第一封止膜13を完全に隠蔽するように基板11上に第二封止膜18を形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法に係るものである。
【００１９】
また、前記第一封止膜13若しくは前記第二封止膜18をマスクを用いずに基板11の全表面に成膜することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法に係るものである。
【００２０】
また、前記第一封止膜13若しくは前記第二封止膜18は、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成ることを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、上述のように構成したから、有機ＥＬディスプレイのダウンサイズ化を図れると共に高信頼性を確保でき、しかも装置の稼働率の向上を図れ、ランニングコストも削減でき、更に、給電用開口部の封止も確実に行える極めて実用性に秀れた有機ＥＬディスプレイの製造方法となる。
【００２２】
また、請求項２記載の発明においては、極めて簡易に且つコスト安に給電用開口部の封止を行える一層実用性に秀れたものとなる。
【００２３】
また、請求項３記載の発明においては、本発明を一層容易に実現できる一層実用性に秀れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
好適と考える本発明の実施形態（発明をどのように実施するか）を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。
【００２５】
基板11上に、例えばＩＴＯから成る陽極（アノード電極）と、正孔注入層（ＣｕＰｃ），正孔輸送層（α−ＮＰＤ），発光層（Ａｌｑ３＋ドーパント），電子輸送層（Ａｌｑ３），電子注入層（ＬｉＦ）から成る有機発光層と、Ａｌから成る陰極（カソード電極）とを順次成膜して成る発光部12上に、この発光部12を封止する第一封止膜13を成膜する。
【００２６】
この際、例えばマスクを用いずに発光部12の全表面に第一封止膜13を成膜して、陽極及び陰極の端子部14上の第一封止膜13のみにレーザー光を照射することで、第一封止膜13を部分的に除去し、この端子部14を露出せしめる給電用開口部15を形成する。
【００２７】
即ち、従来のようにマスクを用いて、給電用開口部を有する封止膜を成膜するのではなく、発光部12上の全表面に成膜した第一封止膜13の一部を除去することで給電用開口部15を形成することができるから、マスクが不要となり、マスクを用いる際の不都合、即ち、従来必要であったマスクのアライメント機構や、多数の予備マスクや、マスクの自動交換機構等は一切必要なくなり、極めてコスト安となり、しかも、マスクを定期的に交換洗浄する必要もないから、メンテナンス性にも秀れたものとなる。
【００２８】
また、有機ＥＬ素子の更なる高密度化・高解像度化を図るためには、発光部12（表示部）以外の面積を可及的に小さくする必要があるが、マスクを用いる場合、上述のマスクのアライメント機構の更なる高精度化は非常にコスト高となるため実現は難しく、ある程度の誤差を見越して余裕をもって発光部同志の間隔を設定しなければならなかったが、本発明によれば、マスクのアライメントは必要ないため、上述のような問題は一切なく、発光部12以外の面積を可及的に小さくすることができ、更なる高密度化・高解像度化を実現できることになる。
【００２９】
また、フォオリソプロセスと異なり、極めて簡易な工程でウェット工程も必要ないから、素子の劣化を阻止できるのは勿論、極めてコスト安に第一封止膜13を成膜できることになる。
【００３０】
次に、上述のようにして形成した給電用開口部15から露出する端子部14に、駆動回路16の端子17を例えばＡＣＦ20を介して熱圧着により接続することで駆動回路16を実装する。
【００３１】
しかし、この状態では、給電用開口部15が封止されていないため、この給電用開口部15から水分等が侵入する可能性がある。
【００３２】
そこで、本発明においては、給電用開口部15を封止する第二封止膜18を更に基板11上に成膜する。具体的には、第二封止膜18は前記給電用開口部15及び第一封止膜13を完全に隠蔽するように形成する。この際、例えば第二封止膜18を、基板全表面に成膜するようにすれば、上記第一封止膜13と同様にマスクを用いることなく成膜できる。更に、回り込み性が高く、影の部分まで成膜可能な成膜方法、例えばＣＶＤ法やディップコーティング法等により基板全表面に成膜した場合には、例えば駆動回路16の底部と基板11との間の空間部にも良好に成膜できることになり、簡易な手法で確実に給電用開口部15を封止できることになる。
【００３３】
従って、レーザー加工により第一封止膜13を除去して形成された給電用開口部15を第二封止膜18により封止することで、マスクやウェット工程の必要なしにＯＬＥＤの水分による劣化をより確実に阻止できることになり、また、第一封止膜13に仮に欠陥部があった場合いにこの欠陥部を補完することもでき、それだけ高精細な有機ＥＬディスプレイを製造可能となる。
【００３４】
よって、本発明は、有機ＥＬディスプレイのダウンサイズ化を図れると共に高信頼性を確保でき、しかも装置の稼働率の向上を図れ、ランニングコストも削減でき、更に、給電用開口部の封止も確実に行える極めて実用性に秀れた有機ＥＬディスプレイの製造方法となる。
【実施例】
【００３５】
本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
【００３６】
本実施例は、基板11上に陽極，有機発光層，陰極を順次積層して形成される発光部12上に、この発光部12を封止する第一封止膜13を形成し、前記陽極及び陰極の端子部14上に積層された前記第一封止膜13の一部にレーザー光を照射することで、この陽極の端子部14上及び陰極の端子部14上の夫々の第一封止膜13を除去して給電用開口部15を形成し、この夫々の給電用開口部15から露出する陽極の端子部14及び陰極の端子部14に前記発光部駆動用の駆動回路16の端子17を夫々接続して駆動回路16を実装した後、この給電用開口部15及び前記第一封止膜13を完全に隠蔽するように基板11上に第二封止膜18を形成するものである。
【００３７】
有機ＥＬ素子は、図４に図示したような有機ＥＬ素子製造装置を用いて製造する。
【００３８】
例えば図４に示すように、フォトリソグラフィー法により形成されたアノード配線ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板11を仕込み室に収納し、真空排気を行う。次にゲートバルブを開け、前記ガラス基板11を、真空排気されたプラズマ洗浄室に移動し、酸素ガス等を導入し、高周波により酸素プラズマを生成し、表面処理を行う。次に真空排気された有機成膜室１に前記ガラス基板11を移動し、正孔注入層を蒸着成膜する、更に真空排気された各々の有機成膜室（２〜４）に前記ガラス基板11を移動し、赤、緑、青各々の発光層を成膜する。
【００３９】
更に、真空排気された有機成膜室５に前記ガラス基板11を移動し、電子輸送層を蒸着成膜する。更に真空排気され成膜室６で電子注入層を蒸着成膜し、真空排気された金属電極蒸着室でカソード配線電極膜を成膜する。
【００４０】
次に真空排気若しくは窒素置換されたレーザー加工室１に前記ガラス基板11を移動し、レーザーによりカソード配線電極を形成する。
【００４１】
次に真空排気若しくは窒素置換された薄膜封止室に前記ガラス基板11を移動し、第一封止膜13を成膜する。
【００４２】
この薄膜封止室にはスパッタリング法若しくは真空蒸着法により第一封止膜13を成膜する封止膜形成機構が設けられており、この封止膜形成機構により、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜を基板11の略全面に成膜する（図３参照）。
【００４３】
無機膜としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2），シリコンナイトライド（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ），アルミナ（ＡｌＯX）等が採用される。また、有機膜としては、エポキシ系，ポリイミド系，アクリル系，シリコーン系の、熱硬化型若しくはＵＶ硬化型または熱硬化及びＵＶ硬化併用型の樹脂等が採用される。
【００４４】
更にレーザー加工室２に前記ガラス基板11を移動し、レーザーにより端子部14上の第一封止膜13を除去し、給電用開口部15から露出する給電端子部を形成する。
【００４５】
レーザー加工室２には、封止膜除去機構としてのレーザー光を発振するレーザー発振器（光源）と、前記基板11を駆動してレーザー発振器からのレーザー光を前記端子部14上の第一封止膜13の所定部位に照射せしめる駆動部としての、基板11が載置されるＸ，Ｙステージとを有するレーザー加工装置が設けられており、レーザー発振器として、ガスレーザー発振器若しくは固体レーザー発振器を採用する。尚、本実施例においては、基板11を駆動する駆動部を設けた構成としているが、レーザー発振器を駆動する駆動部を設けた構成としても良い。
【００４６】
例えば、前記ガスレーザー発振器としてはＣＯ2，ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ2，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ若しくはＨｅＣｄレーザー発振器を採用すると良く、前記固体レーザー発振器としてはＴｉサファイア，ＹＡＧ若しくはＹＶＯ4レーザー発振器を採用すると良い。
【００４７】
具体的には、前記封止膜除去機構は、前記成膜機構によって成膜された複数層の無機膜若しくは複数層の有機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜の内、いずれかの層の波長吸収特性に応じた波長のレーザー光を照射して複数層を一括除去し得るように構成している。即ち、積層膜を一層ずつ除去する必要なく、最適な同一加工条件を選定することにより、レーザー種を変更する必要なく積層膜から成る第一封止膜を除去できる。例えば、レーザーとして、最下層の膜が吸収しやすい波長を有するレーザーを採用し（若しくは最下層の膜としてレーザーの波長を吸収しやすい材料から成るものを採用し）、この最下層の膜を除去することでその上に積層される膜をまとめて除去し得るように設定する。尚、最下層でない膜を除去することで、複数の膜を除去し得るように設定しても良い。
【００４８】
従って、複数の有機膜と無機膜とを積層した積層膜を除去する場合でも、一層ずつ除去する必要なく一の工程で簡易に且つ効率的に第一封止膜13を除去して給電用開口部を形成できることになる。
【００４９】
また、本実施例においては、端子部14上の第一封止膜13を全て除去するのではなく、図５に図示したように一部を除去するように設定している。具体的には端子部14の接続端子19上の一部の第一封止膜13を長方形状に除去するように設定している。従って、給電用開口部15の大きさは最小で済み、それだけ第一封止膜13による封止作用は良好に発揮される。
【００５０】
また、前記発光部12上に積層成膜した第一封止膜13の周縁部をレーザー光を照射することで閉塞する封止周縁部閉塞機構を備えた構成としても良い。このように封止周縁部を閉塞することにより、封止作用は一層良好となり、素子の劣化は可及的に阻止されることになる。具体的には、この封止周縁部閉塞機構は、上述のレーザー加工室２を封止膜除去機構と兼用する構成としても良いし、別途レーザー加工室を設ける構成としても良い。
【００５１】
また、この場合には、前記第一封止膜13が、前記レーザー光が照射される周縁部のみに熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜若しくは前記周縁部のみに成膜される前記熱硬化性成分を含有する有機膜若しくは基板前面全てに渡って熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜を含むように、前記封止膜形成機構を設定すると良い。
【００５２】
以上、前記実施例についての有機成膜は低分子有機ＥＬ材料を想定し、真空蒸着法について説明した。
【００５３】
その他の実施例として高分子有機ＥＬ材料の有機成膜については、インクジェット法を利用してもよい。
【００５４】
また、更に高分子有機材料をスピン塗布法、スプレー法を利用する場合には、真空排気若しくは真空置換された乾燥室を追加したり、有機成膜をレーザー加工室でパターン形成する実施例も考えられる。
【００５５】
その他の実施例として、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、有機成膜室、スパッター室、ＣＶＤ室、金属電極蒸着室、薄膜封止室及び排出室を有する有機ＥＬ素子製造装置において、有機成膜室、スパッター室、ＣＶＤ室、金属電極蒸着室、薄膜封止室のうちの少なくともいずれか一台以上の処理室と、一台又は、複数台のレーザー加工室とを一体化した有機ＥＬ素子製造装置としている。
【００５６】
また、前記搬送室の周囲若しくは前記搬送室の搬送方向に沿った位置に前記処理室を配設すると共に前記レーザー加工室を配設している。
【００５７】
また、前記有機成膜室、スパッター室、ＣＶＤ室、金属電極蒸着室、薄膜封止室及びレーザー加工室内の雰囲気は、真空雰囲気若しくはＡｒ等の不活性ガス若しくは窒素ガスなどによる非酸化性雰囲気で、且つ露点が−５０℃以下の乾燥雰囲気としている。
【００５８】
また、前記有機成膜室は有機材料或いは金属材料を抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱等の蒸着源加熱手段及び高分子有機材料をインクジェット法、スピン塗布法、スクリーン印刷を含む各種印刷法若しくはスプレー印刷法を用いて成膜する手段を有し、スパッター室は、有機材料或いは絶縁材料をコンベンショナル、マグネトロン、イオンビーム、ＥＣＲ等のスパッタリング法を用いて成膜する手段を有し、ＣＶＤ室は金属材料及び絶縁材料を減圧、常圧、プラズマ法を用いて成膜する手段を有し、金属電極蒸着室は金属材料を抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱等の蒸着源加熱手段を有する。
【００５９】
また、薄膜封止室は、大気雰囲気と遮断することにより、大気雰囲気中の水及び酸素が直接有機ＥＬ素子表面と接触することを防止する機能を有する封止膜を付加する手段を有し、前記レーザー加工室は、透明導電膜、有機ＥＬ膜、金属電極膜、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等のセラミック膜をレーザー光にて加工する手段を有する。
【００６０】
本実施例では、基板を前記各処理室に搬送する機構を有する前記搬送室の周囲に仕込み室、プラズマ洗浄室、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、陰極金属蒸着室、レーザー加工室、薄膜封止室及び排出室を設けた構成としている。
【００６１】
また、前記基板を前記各処理室に搬送する機構を有する前記搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、レーザー加工室１、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、金属電極蒸着室、レーザー加工室２、薄膜封止室及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６２】
また、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、レーザー加工室１、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、金属電極蒸着室、レーザー加工室２、薄膜封止室、レーザー加工室３及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６３】
また、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、レーザー加工室及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６４】
前記仕込み室が前記排出室を兼ねる場合は、仕込む室のみでも良い。
【００６５】
また、レーザー加工室を複数室としたが、一室のみで兼用しても良い。
【００６６】
また、有機成膜室を三室としても良いし、一室で兼用しても良く、もちろん四室以上にしても良い。
【００６７】
また、本実施例では、搬送室の周囲に各処理室とレーザー加工室を配設（通称クラスター方式）したが、図７に図示したような搬送室の搬送方向に順次各処理室とレーザー加工室を縦列（通称インライン方式）した構成としても良い。
【００６８】
続いて、上述のようにして作製した有機ＥＬ素子に、有機ＥＬ素子（発光部12）駆動用の駆動回路16を接続実装する。具体的には、駆動回路16としては、ＩＣベアチップやドライバーＩＣを搭載したＦＰＣ等を用いる。
【００６９】
また、実装形態は、例えばＦＰＣをＴＡＢを介して接続する構成や、ドライバーベアチップＩＣを基板上に直接実装するＣＯＧ（Chip On Glass）等、いずれの形態をとっても良い。
【００７０】
本実施例においては、図５，６に図示したようにＦＰＣを採用し駆動回路16（ドライバーＩＣ付ＦＰＣ）の端子17を前記端子部14の接続端子19に接続することで基板11上に駆動回路16を実装している。
【００７１】
具体的には、上述のようにして第一封止膜13に形成された給電用開口部15から露出する陽極の端子部14（ＩＴＯ膜）の接続端子19若しくは陰極の端子部14の接続端子19と、駆動回路16の端子17（駆動回路配線パターン）とをＡＣＦ20（異方性導電膜）を介して熱圧着により接続することで、基板11上に駆動回路16を実装している。尚、図中符号21はＡＣＦ20に含まれる導電粒子である。
【００７２】
尚、図示しないが、駆動回路16（ドライバーベアチップＩＣ）をＣＯＧ接続により実装する場合も、第一封止膜13により全面を覆われているガラス基板上の有機ＥＬ素子からの引出し配線の端部上面に、レーザー加工によって給電開口部を形成して、ＡＣＦ20を介することで駆動回路16を熱圧着により接続することも可能である。
【００７３】
続いて、基板11上に実装した駆動回路16及びその下地となっている前記第一封止膜13のいずれをも完全に隠蔽するように第二封止膜18を成膜する。従って、マスクを用いることなく簡易に給電用開口部15を完全に封止して、レーザー加工時の唯一の懸念事項であった給電用開口部15からの大気中の酸素や水分等の侵入を確実に防止することが可能となると共にその外周にある第一封止膜13をも完全に隠蔽することで、より確実な封止を実現する。成膜方法としては、ディップコーティング法やプラズマＣＶＤ法等の回り込み性が良く、前記ＩＣベアチップと基板11との間等、影の部分まで確実に成膜可能な成膜方法を採用するのが好ましい。
【００７４】
本実施例においては、前記駆動回路16を実装した基板11を成膜溶液が貯留せしめられた貯留槽に漬けた後、乾燥させて加熱処理を行うことで成膜する（ディップコーティング法）。
【００７５】
続いて、前記駆動回路16を制御するコントローラやその他の電子部品などが組み込まれたプリント基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）を基板11に取り付け、ケーブルや筐体を取り付けることで有機ＥＬディスプレイを製造する。
【００７６】
本実施例は上述のようにしたから、メタルマスクを用いず封止膜を成膜した後に、そのＯＬＥＤ表示装置の給電端子部を、レーザー加工手法を用いて形成することにより、パネルのダウンサイズ化と高信頼性を確保できるＯＬＥＤの製造が可能になる。例えば、ＯＬＥＤを製造することを目的とするクラスター型有機ＥＬ素子製造装置にレーザー加工室（封止膜除去機構）と封止薄膜室（封止膜成膜機構）とを設けることにより、高精度、高密度、高性能のＯＬＥＤの製造が可能になる。
【００７７】
また、封止膜形成機構にメタルマスクを使用しないことにより、メタルマスクの交換機構、アライメント機構、メタルマスク及び蒸着トレイ等の移動機構が不要になり、装置は非常に簡略化する。そのため、装置コストの低減、トラブル及びメンテナンス頻度の低減により装置稼働率の向上が図れる。
【００７８】
更に、メタルマスクコストの削減、メタルマスク及び装着トレイの削減、これらの洗浄工程の削減とランニングコストも大幅に削減することが可能になる。
【００７９】
また、封止膜が積層構造の場合でも、レーザー加工の場合には、異種マスク毎にレーザー種を変更することなく最適な同一加工条件を選定することにより、給電端子部の封止膜開口加工が可能となる。
【００８０】
また、封止膜の周縁部をレーザーを照射することで閉塞するように構成すれば、この封止膜の封止作用を一層良好にすることができ、この封止膜により封止された発光部の劣化は可及的に阻止されることになる。
【００８１】
更に、前記給電用開口部からの水分等の侵入を、簡易な手法で確実に防止でき、それだけ高精細な有機ＥＬディスプレイを製造可能となる。
【００８２】
従って、本実施例は、前記有機ＥＬ素子を単に安価に且つ効率良く製造できるだけでなく、極めて高品質で商品価値の高い有機ＥＬディスプレイを製造できることになる。
【００８３】
本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】従来例の封止膜形成法の概略説明図である。
【図２】従来例の有機ＥＬ素子の概略説明図である。
【図３】本実施例の封止膜形成法の概略説明図である。
【図４】本実施例に係る有機ＥＬ素子の端子部の拡大概略説明図である。
【図５】有機ＥＬ素子製造装置のクラスター方式での一例を示す概略構成説明図である。
【図６】本実施例に係る有機ＥＬ素子の端子部と駆動回路との接続部分の拡大概略説明断面図である。
【図７】有機ＥＬ素子製造装置のインライン方式での一例を示す概略構成説明図である。
【符号の説明】
【００８５】
11  基板
12  発光部
13  第一封止膜
14  端子部
15  給電用開口部
16  駆動回路
17  端子
18  第二封止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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