(57)【要約】【課題】  生産効率を低下することなく、付着した異物、ゴミ等への対策が取られ、発光駆動時にリーク電流のない安定した有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子の提供。【解決手段】  基板上に、少なくとも第１電極を含む陽極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極を含む陰極層とを順次形成する工程を有する製造装置を使用し、前記発光層を含む有機化合物層の少なくとも一つの層が気相堆積装置を用いて形成する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記気相堆積装置は蒸着室と、基板保持手段と、マスク配置手段と、原料蒸発手段とを有し、前記原料蒸発手段は前記堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配設され、堆積膜を形成する時、前記原料蒸発手段と前記堆積膜形成領域との位置関係は、前記堆積膜形成領域に対して前記原料蒸発手段が少なくとも２つの位置関係になるようにして行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第１電極を含む陽極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極を含む陰極層とを順次形成する工程を有する製造装置を使用し、前記発光層を含む有機化合物層の少なくとも一つの層が気相堆積装置を用いて形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記気相堆積装置は減圧手段で減圧される蒸着室と、基板の基板保持手段と、前記基板に対して堆積膜形成領域を規制するマスクのマスク配置手段と、原料を蒸発させる原料蒸発手段とを有し、
前記原料蒸発手段は前記堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配設され、
前記気相堆積装置により前記堆積膜形成領域に堆積膜を形成する時、
前記原料蒸発手段と前記堆積膜形成領域との位置関係は、
前記堆積膜形成領域に対して前記原料蒸発手段が少なくとも２つの位置関係になるようにして行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記堆積膜を形成する時、原料蒸発手段或いは基板のどちらか一方を移動することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記堆積膜を形成する時、原料蒸発手段と堆積膜形成領域との位置関係は、該原料蒸発手段の中心と該堆積膜形成領域の最近蒸着点をＯ、最遠蒸着点をＰとした時、該原料蒸発手段の中心と該最近蒸着点Ｏを結ぶ線と、該最近蒸着点Ｏの法線との成す角度と、該原料蒸発手段の中心と該最遠蒸着点Ｐを結ぶ線と、該最遠蒸着点Ｐの法線との成す角度とが０°より大きく、７５°以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記堆積膜を形成する時、堆積膜形成領域に対して少なくとも２つの位置関係にある原料蒸発手段は、
該堆積膜形成領域の全ての蒸着点と各該原料蒸発手段の中心とを結ぶ線との交点での交角が４５°〜１８０°の位置関係を有していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記堆積膜を形成する時、堆積膜形成領域に対して複数の位置関係にある原料蒸発手段と堆積膜形成領域との位置関係は、該原料蒸発手段の中心と該堆積膜形成領域の最近蒸着点をＯ、最遠蒸着点をＰとした時、該原料蒸発手段の中心と該最近蒸着点Ｏを結ぶ線と、該最近蒸着点Ｏの法線との成す角度と、該原料蒸発手段の中心と該最遠蒸着点Ｐを結ぶ線と、該最遠蒸着点Ｐの法線との成す角度とが０°より大きく、７５°以下であり、
該堆積膜形成領域に対して複数の位置関係にある原料蒸発手段の内、任意の位置にある２つの該原料蒸発手段は、各該原料蒸発手段の中心と該堆積膜形成領域の任意の蒸着点とを結ぶ線との交点での交角が４５°〜１８０°の位置関係を有していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記基板が枚葉であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記基板が帯状プラスチックフィルムであることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記基板保持手段が、保持手段を有する平板であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
前記基板保持手段が、バックアップロールであることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記基板保持手段が、２本の支持ロールと、該支持ロールの間に配設された補助板であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により作製されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面光源やディスプレイパネル等として利用される有機エレクトロ・ルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも言う）の製造方法及びこの製造方法により作製した有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機物質を使用した有機ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されており、活発な研究開発が進められている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）すなわち発光層と、この発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）とを有する薄膜型の素子である。この様な有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機化合物層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られている。
【０００３】
この様に、有機ＥＬ素子は薄膜型の素子であるため、１個又は複数個の有機ＥＬ素子を基板上に形成した有機ＥＬパネルをバックライト等の面光源として利用した場合には、面光源を備えた装置を容易に薄型にすることが出来る。又、画素としての有機ＥＬ素子を基板上に所定個数形成した有機ＥＬパネルをディスプレイパネルとして用いて表示装置を構成した場合には視認性が高い、視野角依存性がないなど、液晶表示装置では得られない利点がある。有機ＥＬ素子の構成を図９で説明する。
【０００４】
図９は有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。
【０００５】
図中、１は有機ＥＬ素子を示す。有機ＥＬ素子１は、基板１０１上に、第１電極（陽極）１０２と、正孔輸送層１０３と、発光層１０４と、電子注入層１０５と、第２電極（陰極）１０６と、封止層１０７とをこの順番に有している。
【０００６】
本図に示される有機ＥＬ素子において、第１電極（陽極）１０２と発光層１０４又は正孔輸送層１０３の間に正孔注入層（不図示）を設けてもよい。又、第２電極（陰極）１０６と発光層１０４又は電子注入層１０５との間に電子輸送層（不図示）を設けてもよい。本図に示される有機ＥＬ素子１ａ及び有機ＥＬ素子１ｂでは、陽極（第１電極）１０２と基板１０１との間にガスバリア膜（不図示）を設けることが好ましい。
【０００７】
本図に示す有機ＥＬ素子の層構成は一例を示したものであるが、他の代表的な有機ＥＬ素子の層構成としては次の構成が挙げられる。
【０００８】
（１）基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極／封止層
（２）基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極／封止層
（３）基板／陽極／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極／封止層
（４）基板／陽極／陽極バッファー層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極／封止層
有機ＥＬ素子の場合、通常、第１電極（陽極）１０２側が観察側になり、第１電極（陽極）１０２には、ＩＴＯ（酸化スズと酸化インジウム混合物）、ＩＺＯ（酸化亜鉛と酸化インジウム混合物）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3等が知られている。中でも、ＩＴＯ電極は、９０％以上の高い光透過率と、１０Ω／□以下の低いシート抵抗値が可能で、液晶ディスプレイや太陽電池などの透明電極としても用いられている。又、ＩＺＯ電極は、形成時に基板を加熱せずに所定の低い抵抗値が得られ、ＩＴＯ電極よりも膜表面が平滑であるという利点がある。
【０００９】
有機ＥＬ素子においては、有機化合物層の厚さは全部合わせても５０〜２００ｎｍ程度であるため、基板に付着した３μｍを超える大きな異物、ゴミ等の影響を受け易いことが知られている。この様な異物、ゴミ等が存在した場合、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）間の距離が短くなり、素子に正方向（素子を発光させる方向）の電圧を印加した場合にその部分に集中的に電流が流れる現象が起こる。これがリーク電流であり、素子の発光中にリーク電流が発生すると、流れた電流に対する輝度（電流−輝度特性）が低下するばかりでなく、その部分の陽極と陰極がショートして、そこだけにしか電流が流れなくなって素子が発光しなくなる場合がある。又、本来有機ＥＬ素子の場合、逆方向の電圧の印加（逆バイアス）では、電流値が、有機ＥＬ素子の膜厚にもよるが、１×１０-7Ａ／ｃｍ2以下の低いレベルで安定するのに対し、リーク電流が発生すると、その部分では逆方向にも電流が流れ易くなるので、素子の逆バイアス電流が増加し、又その電流値も安定しない現象が見られるようになる。
【００１０】
このリーク電流発生時に起こる逆バイアス特性の悪化は、素子の実駆動を行う回路或いは駆動上の都合で素子に逆バイアスをかける場合にも問題となる。しかしながら、第１電極（陽極）に付着する異物、ゴミ等は第１電極（陽極）の表面状態、第１電極（陽極）の作製条件、基板の洗浄、工程内の搬送、工程のクリーン度などによって、ロット毎に変化する。
【００１１】
これまでに、第１電極（陽極）へ付着した異物、ゴミ等の対策が検討されてきた。例えば、第１電極（陽極）を成膜後及び第１電極（陽極）を成膜後に異物、ゴミ等の付着する可能性のある工程で処理される場合、抜き取り検査を行い、規定された大きさの異物、ゴミの付着がある場合は除去し最終工程まで不良品を持ち込まない方法が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。しかしながら、特許文献１に記載の方法では確かに異物、ゴミ等の付着した基板は除去されるが、検査工程に検査装置を導入したり、検査要員の増員が必要になり経費が増加する原因の一つなる。又、歩留まりが低下し生産効率が低下する原因の一つなる。
【００１２】
第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に、温度上昇に伴い高抵抗化するリーク防止層を設けることでリーク電流の発生を防止する技術が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。しかしながら、特許文献２に記載の方法では確かにリーク電流の発生を防止することは可能となるが、高抵抗化した部分は絶縁部分となるため、この部分が未発光となるため、発光面積が小さくなり発光効率の低下の原因の一つになる。又、リーク防止層を設けるために、工程が増え、生産工程が複雑化し、生産性低下の原因の一つにもなる。
【００１３】
付着した異物、ゴミ等により発生する保護層のピンホールから、水分や酸素が有機層に到達することになり、ダークスポット或いはダークエリアと呼ばれる発光しない領域の発生を防ぐため、付着した異物、ゴミ等よりも厚い保護層を設ける方法が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。しかしながら、特許文献３に記載の方法では確かに保護層のピンホールの発生を防止することは可能となるが、付着した異物、ゴミ等による第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との短絡に伴うリーク電流の発生を防止することは出来ない。
【００１４】
この様に特許文献１〜特許文献３に記載の方法では、何れも付着した異物、ゴミ等への対策が十分とは言えない状況となっている。この様な状況から、生産効率を低下することなく、付着した異物、ゴミ等への対策が取られ、発光駆動時においてリーク電流のない安定した有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
【特許文献１】特開２００２−７５６６０号公報
【特許文献２】特開２００４−９５３８８号公報
【特許文献３】特開２００４−３６２９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は、生産効率を低下することなく、付着した異物、ゴミ等への対策が取られ、発光駆動時においてリーク電流のない安定した有機ＥＬ素子の製造方法及びこの製造方法により作製された有機ＥＬ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。
【００１７】
（１）基板上に、少なくとも第１電極を含む陽極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極を含む陰極層とを順次形成する工程を有する製造装置を使用し、前記発光層を含む有機化合物層の少なくとも一つの層が気相堆積装置を用いて形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記気相堆積装置は減圧手段で減圧される蒸着室と、基板の基板保持手段と、前記基板に対して堆積膜形成領域を規制するマスクのマスク配置手段と、原料を蒸発させる原料蒸発手段とを有し、
前記原料蒸発手段は前記堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配設され、
前記気相堆積装置により前記堆積膜形成領域に堆積膜を形成する時、
前記原料蒸発手段と前記堆積膜形成領域との位置関係は、
前記堆積膜形成領域に対して前記原料蒸発手段が少なくとも２つの位置関係になるようにして行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１８】
（２）前記堆積膜を形成する時、原料蒸発手段或いは基板のどちらか一方を移動することを特徴とする前記（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１９】
（３）前記堆積膜を形成する時、原料蒸発手段と堆積膜形成領域との位置関係は、該原料蒸発手段の中心と該堆積膜形成領域の最近蒸着点をＯ、最遠蒸着点をＰとした時、該原料蒸発手段の中心と該最近蒸着点Ｏを結ぶ線と、該最近蒸着点Ｏの法線との成す角度と、該原料蒸発手段の中心と該最遠蒸着点Ｐを結ぶ線と、該最遠蒸着点Ｐの法線との成す角度とが０°より大きく、７５°以下であることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２０】
（４）前記堆積膜を形成する時、堆積膜形成領域に対して少なくとも２つの位置関係にある原料蒸発手段は、該堆積膜形成領域の全ての蒸着点と各該原料蒸発手段の中心とを結ぶ線との交点での交角が４５°〜１８０°の位置関係を有していることを特徴とする前記（１）〜（３）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２１】
（５）前記堆積膜を形成する時、堆積膜形成領域に対して複数の位置関係にある原料蒸発手段と堆積膜形成領域との位置関係は、該原料蒸発手段の中心と該堆積膜形成領域の最近蒸着点をＯ、最遠蒸着点をＰとした時、該原料蒸発手段の中心と該最近蒸着点Ｏを結ぶ線と、該最近蒸着点Ｏの法線との成す角度と、該原料蒸発手段の中心と該最遠蒸着点Ｐを結ぶ線と、該最遠蒸着点Ｐの法線との成す角度とが０°より大きく、７５°以下であり、該堆積膜形成領域に対して複数の位置関係にある原料蒸発手段の内、任意の位置にある２つの該原料蒸発手段は、各該原料蒸発手段の中心と該堆積膜形成領域の任意の蒸着点とを結ぶ線との交点での交角が４５°〜１８０°の位置関係を有していることを特徴とする前記（１）〜（３）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２２】
（６）前記基板が枚葉であることを特徴とする前記（１）〜（５）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２３】
（７）前記基板が帯状プラスチックフィルムであることを特徴とする前記（１）〜（６）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２４】
（８）前記基板保持手段が、保持手段を有する平板であることを特徴とする前記（１）〜（７）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２５】
（９）前記基板保持手段が、バックアップロールであることを特徴とする前記（１）〜（７）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２６】
（１０）前記基板保持手段が、２本の支持ロールと、該支持ロールの間に配設された補助板であることを特徴とする前記（１）〜（７）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２７】
（１１）前記（１）〜（１０）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により作製されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００２８】
生産効率を低下することなく、付着した異物、ゴミ等への対策が取られ、発光駆動時においてリーク電流のない安定した有機ＥＬ素子の製造方法及びこの製造方法により作製された有機ＥＬ素子を提供することが出来、高品質の有機ＥＬ素子の製造が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の実施の形態を図１〜図８を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３０】
図１は枚葉シート状基板を使用した有機ＥＬ素子の製造方法の模式図である。
【００３１】
図中、２は製造装置を示す。２０１は枚葉シート状基板２０１ａを工程に供給する供給部を示す。２０２は供給部２０１から供給された枚葉シート状基板２０１ａの表面に第１電極が蒸着される前に、蒸着性をよくするために枚葉シート状基板２０１ａの表面を清掃するための基板洗浄処理装置を示す。２０３は洗浄処理が終了した枚葉シート状基板２０１ａ上に第１電極を形成する第１電極形成気相堆積装置を示す。２０４は第１電極が形成された枚葉シート状基板２０１ｂの第１電極上に正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成気相堆積装置を示す。２０５は正孔輸送層が形成された枚葉シート状基板２０１ｃの正孔輸送層上に発光層を形成する発光層形成気相堆積装置を示す。２０６は発光層が形成された枚葉シート状基板２０１ｄの発光層上に電子注入層を形成する電子注入層形成気相堆積装置を示す。２０７は電子注入層が形成された枚葉シート状基板２０１ｅの電子注入層上に第２電極を形成する第２電極形成気相堆積装置を示す。２０８は第２電極が形成された枚葉シート状基板２０１ｆの第２電極上に封止層を形成する封止層形成気相堆積装置を示す。封止層を形成することで有機ＥＬ素子４が出来上がる。２０９は有機ＥＬ素子４を回収する回収部を示す。第１電極形成気相堆積装置２０３〜封止層形成気相堆積装置２０８は何れも同じ構成を成しており、これらの構成に関しては図４〜図８で詳細に説明する。
【００３２】
図２は帯状プラスチックフィルム基板を使用した有機ＥＬ素子の製造方法の模式図である。
【００３３】
図中、３は製造装置を示す。３０１は帯状プラスチックフィルム基板５を工程に供給する供給部を示す。３０２は供給部３０１から供給された帯状プラスチックフィルム基板５の表面に第１電極が蒸着される前に、蒸着性をよくするために帯状プラスチックフィルム基板５の表面を清掃するための基板洗浄処理装置を示す。３０３ａは第１アキュームレータ部を示す。３０４は洗浄処理が終了した帯状シート状基板５の表面に第１電極５ａを形成する第１電極形成気相堆積装置を示す。３０３ｂは第２アキュームレータ部を示す。３０５は帯状プラスチックフィルム基板５の上に形成された第１電極５ａ上に正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成気相堆積装置を示す。３０３ｃは第３アキュームレータ部を示す。３０６は帯状プラスチックフィルム基板５の上に形成された正孔輸送層５ｂ上に発光層を形成する発光層形成気相堆積装置を示す。３０３ｄは第４アキュームレータ部を示す。３０７は帯状プラスチックフィルム基板５のの上に形成された発光層５ｃ上に電子注入層を形成する電子注入層形成気相堆積装置を示す。３０３ｅは第５アキュームレータ部を示す。
【００３４】
３０８は帯状プラスチックフィルム基板５の上に形成された電子注入層５ｄ上に第２電極を形成する第２電極形成気相堆積装置を示す。３０３ｆは第６アキュームレータ部を示す。３０９は帯状プラスチックフィルム基板５の上に形成された第２電極５ｅ上に封止層を形成する封止層形成気相堆積装置を示す。３０３ｇは第７アキュームレータ部を示す。３１０は封止層（不図示）が形成された帯状プラスチックフィルム基板５を巻き芯に巻き取り、ロール状として回収する回収部を示す。封止層５ｆが形成された帯状プラスチックフィルム基板５は、規定された大きさに断裁して枚葉シートにすることで有機ＥＬ素子が作製される。
【００３５】
本図に示される製造装置３は巻き芯に巻かれたロール状帯状プラスチックフィルム基板５０１から帯状プラスチックフィルム基板５を供給し、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、第２電極、封止層を順次形成し最終的にロール状に巻き取り回収する、所謂ロールツーロール方式である。第１アキュームレータ部３０３ａ〜第７アキュームレータ部３０３ｇは各気相堆積装置で発生する搬送速度の違いを補正するために配設されている。第１電極形成気相堆積装置３０４〜封止層形成気相堆積装置３０９は何れも同じ構成を成しており、図１に示す第１電極形成気相堆積装置２０３〜封止層形成気相堆積装置２０８と同じである。
【００３６】
本図では、第１電極から封止層形成までを連続して行う製造装置を示したが、製造装置の設置場所、管理し易さ等を考慮し、工程を分割しても構わない。例えば、発光層までを形成した段階で一旦巻き取りロール状として保存した後、再度、発光層までが形成されたロール状の帯状プラスチックフィルム基板５を使用し、電子注入層、第２電極、封止層を順次形成し最終的にロール状に巻き取り回収する方法が挙げられる。尚、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、第２電極、封止層等の少なくとも１つが形成された帯状プラスチックフィルム基板を保管する時は、各層の性能劣化を防止するために１０-5〜１０Ｐａの減圧条件下で保管することが好ましい。
【００３７】
第１図、第２図に示した基板洗浄処理装置としては、例えば、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置等を使用することが好ましい。低圧水銀ランプによる基板洗浄処理の条件としては、例えば、波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを、照射強度５〜２０ｍＷ／ｃｍ2で、距離５〜１５ｍｍで照射し基板洗浄を行う条件が挙げられる。プラズマ洗浄装置による基板洗浄処理の条件としては、例えば、大気圧プラズマが好適に使用される。洗浄条件としてはアルゴンガスに酸素１〜５体積％含有ガスを用い、周波数１００ＫＨｚ〜１５０ＭＨｚ、電圧１０Ｖ〜１０ＫＶ、照射距離５〜２０ｍｍで基板洗浄処理を行う条件が挙げられる。
【００３８】
図１、図２に示される製造装置を使用して有機ＥＬ素子を構成する各層を作製する各工程は発光層の性能維持、異物付着に伴う故障欠陥の防止等を考慮し、露点温度−２０℃以下、且つＪＩＳＢ  ９９２０に準拠し、測定した清浄度がクラス３〜クラス５とすることが好ましい。
【００３９】
図３は図２に示す製造装置によりパッシブ型の有機ＥＬ素子を作製するまでを段階的に示す概略フロー図である。
【００４０】
Ｓ１は、供給部３０１（図２を参照）から供給される帯状プラスチックフィルム基板５の状態を示す。帯状プラスチックフィルム基板５の表面には堆積膜形成領域を示すマーク５ｇが付けられた状態となっている。堆積膜形成領域の間隔は製造装置に合わせ適宜変更することは可能である。帯状プラスチックフィルム基板５は基板洗浄処理装置３０２（図２を参照）で表面を洗浄した後、第１電極形成気相堆積装置３０４（図２を参照）へ送られる。図中の矢印は帯状プラスチックフィルム基板５の搬送方向を示す。
【００４１】
Ｓ２は、第１電極形成気相堆積装置３０４（図２を参照）で堆積膜形成領域にパターン化された状態の第１電極５ａが形成された状態を示す。ストライプ状に塗り潰してある場所が第１電極を示す。第１電極形成気相堆積装置３０４（図２を参照）では、帯状プラスチックフィルム基板５に付けられたマーク５ｇを検出することで、堆積膜形成領域にマスクを介して第１電極形成用原料の蒸着が行われ、第１電極５ａが形成される。第１電極５ａが形成された後、正孔輸送層形成気相堆積装置３０５（図２を参照）へ送られる。
【００４２】
Ｓ３は、第１電極５ｂ上に正孔輸送層５ｂが形成された状態を示す。正孔輸送層形成気相堆積装置３０５（図２を参照）では、帯状プラスチックフィルム基板５に付けられたマーク５ｇを検出することで、第１電極５ａの端部を除き、第１電極５ａが形成された領域全体に、マスクを介して正孔輸送層形成用原料の蒸着が行われ、正孔輸送層５ｂが形成される。正孔輸送層５ｂが形成された後、発光層形成気相堆積装置３０６（図２を参照）へ送られる。
【００４３】
Ｓ４は、正孔輸送層５ｃの上に第１電極５ａのパターンに合わせ発光層が形成された状態を示す。発光層形成気相堆積装置３０６（図２を参照）では、帯状プラスチックフィルム基板５に付けられたマーク５ｇを検出することで、正孔輸送層５ｂの上に第１電極５ａのパターンに合わせマスクを介して発光層形成用原料の蒸着が行われ、発光層５ｃが形成される。発光層５ｃが形成された後、電子注入層形成気相堆積装置３０７（図２を参照）へ送られる。
【００４４】
Ｓ５は、発光層５ｃの形成領域を含み正孔輸送層５ｂが形成された領域に電子注入層５ｄが形成された状態を示す。電子注入層形成気相堆積装置３０７（図２を参照）では、帯状プラスチックフィルム基板５に付けられたマーク５ｇを検出することで、発光層５ｃの形成領域を含み正孔輸送層５ｂが形成された領域にマスクを介して、電子注入層形成用原料の蒸着が行われ、電子注入層５ｄが形成される。電子注入層５ｄが形成された後、第２電極形成気相堆積装置３０８（図２を参照）へ送られる。
【００４５】
Ｓ６は、電子注入層５ｅの上に第１電極５ｂと直交する状態にパターン化された第２電極が形成された状態を示す。第２電極形成気相堆積装置３０８（図２を参照）では、帯状プラスチックフィルム基板５に付けられたマーク５ｇを検出することで、電子注入層５ｄの上に第２電極形成用原料の蒸着が行われ、第２電極５ｅが形成される。第２電極５ｅが形成された後、封止層形成気相堆積装置３０９（図２を参照）へ送られる。
【００４６】
Ｓ７は、第２電極５ｅの端部を除き、第２電極５ｅを含め電子注入層５ｄの形成領域上に封止層が形成された状態を示す。封止層形成気相堆積装置３０９（図２を参照）では、帯状プラスチックフィルム基板５に付けられたマーク５ｇを検出することで、第２電極５ｅの端部を除き、第２電極５ｅを含め電子注入層５ｄの形成領域上に封止層形成用原料の蒸着が行われ、封止層５ｆが形成される。封止層５ｆが形成された段階でパッシブ型の有機ＥＬ素子の作製が終了する。封止層５ｆが形成された後、回収部３１０（図２を参照）で巻き芯に巻き取られロール状として保管される。
【００４７】
図４は図１に示される正孔輸送層形成気相堆積装置の概略図である。図４の（ａ）は図１に示される正孔輸送層形成気相堆積装置の拡大概略図である。図４の（ｂ）は正孔輸送層形成気相堆積装置を構成している各部、各手段の関係を示す概略ブロック図である。尚、図１に示す第１電極形成気相堆積装置２０３〜封止層形成気相堆積装置２０８は何れも同じ構成を成しているため正孔輸送層形成気相堆積装置２０４を代表として説明する。
【００４８】
図中、気相堆積装置２０４は蒸着室２０４ａと、基板保持手段２０４ｂと、マスク配置手段２０４ｃと、原料蒸発手段２０４ｄと、制御手段２０４ｅとを有している。尚、原料蒸発手段２０４ｄは堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に置かれている。
【００４９】
２０４ａ１は蒸着室２０４ａに配設された排気口を示し減圧手段である排気手段（不図示）に繋がっており、メインバルブ２０４ａ２を介して蒸着室２０４ａを設定した真空度にするようになっている。蒸着室２０４ａの真空度は、必要に応じて適宜設定することが可能となっている。２０４ａ３は蒸着室２０４ａの真空度を測定する測定手段である真空度測定計を示す。真空度測定計としては特に限定はなく、例えば電離真空計、ピラニ真空計が挙げられる。２０４ａ４は不活性ガス導入口を示し、必要に応じてガス導入バルブ２０４ａ５を介してＮ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスが雰囲気ガスとして導入される。
【００５０】
基板保持手段２０４ｂは、基板保持部材２０４ｂ１と、温度測定手段２０４ｂ２と、温度制御機構２０４ｂ３とを有し、温度制御機構２０４ｂ３により温度制御が可能となっている。基板保持部材２０４ｂ１に保持された基板２０１ａ（図１で示される様に基板洗浄処理装置２０２、第１帯電除去装置２０３ａで処理された基板）は複数枚配置してもよく、基板保持部材２０４ｂ１のいかなる位置に配置することも可能となっている。基板保持部材２０４ｂ１としては、基板の平面性を保持し保持出来れば特に限定はなく、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等が挙げられる。
【００５１】
温度測定手段２０４ｂ２は基板保持部材２０４ｂ１に配置された基板２０１ａの温度を測定し、結果を制御手段２０４ｅにフィードバックする様になっている。フィードバックされた情報に従って、基板保持部材２０４ｂ１に熱媒体を循環させる温度制御機構２０４ｂ３を制御することで、基板上へ原料を堆積中に、基板の温度を一定に保持すること等が可能となっている。温度測定手段２０４ｂ２としては特に限定はなく、例えば熱電対、温度センサー等が挙げられる。
【００５２】
２０４ｂ４は基板保持部材２０４ｂ１を回転させる回転手段を示す。回転手段は特に限定はなく、例えば回転モーターでもよいし、プーリーを介してベルトであってもよい。本図は回転モーターの場合を示している。又、基板保持部材２０４ｂ１は回転させてもよいし、固定であってもよい。本図は回転させる場合を示している。尚、基板保持部材２０４ｂ１が固定の場合は、基板保持部材２０４ｂ１への成膜均一性を考慮し、原料蒸発手段２０４ｄを移動させる方式であってもよい。
【００５３】
マスク配置手段２０４ｃは、マスク配置部材２０４ｃ１と、温度測定手段２０４ｃ４と、温度制御機構２０４ｃ５とを有し、温度制御機構２０４ｃ５により温度制御が可能となっている。温度測定手段２０４ｃ４は基板保持部材２０４ｂ１に配置された温度測定手段２０４ｂ２と同じであることが好ましい。
【００５４】
２０４ｃ３はマスク配置部材２０４ｃ１に配置されたマスクを示す。マスク配置部材２０４ｃ１としては、マスク２０４ｃ３の平面性を保持し配置出来れば特に限定はなく、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム、銅等が挙げられる。マスク配置部材２０４ｃ１は基板保持部材２０４ｂ１に取り付けられている。
【００５５】
２０４ａ６は基板２０１ａへの原料（第１電極用原料）の堆積を制御する原料堆積制御手段の遮蔽板を示す。遮蔽板２０４ａ６はどのような形式でも構わないが、機能としては完全に閉じることで基板３への蒸気堆積を完全に防止出来る形式のものが好ましい。尚、本図に示す遮蔽板は開閉式であり、開閉を制御することが可能となっている。２０４ａ７は遮蔽板２０４ａ６の駆動手段を示す。
【００５６】
温度制御機構２０４ｂ３は、加熱・冷却が可能な媒体の温度制御手段（不図示）と、加熱・冷却が可能な媒体を基板保持手段２０４ｂの基板保持部材２０４ｂ１及びマスク配置手段２０４ｃのマスク配置部材２０４ｃ１へ循環させる循環手段（不図示）と、媒体の循環量の循環量制御手段（不図示）とを有している。温度制御機構２０４ｂ３により、基板保持部材２０４ｂ１、マスク配置部材２０４ｃ３へ所定温度に制御された媒体を循環させることで、基板保持部材２０４ｂ１に配置された基板２０１ａ、及びマスク配置部材２０４ｃ１に配置されたマスク２０４ｃ３を所定温度とすることが可能となっている。
【００５７】
媒体としては、例えば、合成系有機熱媒体油等が挙げられる。媒体の温度制御手段としては、例えば、ヒーターとチラーの組合せ等が挙げられる。循環量制御手段としては、例えば、フローメーターとポンプの組合せ等が挙げられる。
【００５８】
原料蒸発手段２０４ｄは蒸着室２０４ａの下部に配設されており、加熱手段（不図示）を有する原料容器２０４ｄ１と、原料容器２０４ｄ１内の原料（第１電極用原料）２０４ｄ２の温度を測定するための原料温度測定手段２０４ｄ３と、原料容器２０４ｄ１の加熱用の電流供給部２０４ｄ４と、原料容器２０４ｄ１の開口部２０４ｄ５の開口率を制御する開口率制御手段の蓋２０４ｄ６とを有している。原料容器２０４ｄ１の形状は特に限定はなく、例えばライン型、スポット型等が挙げられ、基板の大きさにより配設する数は適宜選択することが可能ある。原料容器２０４ｄ１の加熱手段としては特に限定はなく、例えばスパッタ方式、抵抗加熱方式等が挙げられる。本図では抵抗加熱方式の場合を示している。蓋２０４ｄ６はどのような形でもよく、原料蒸発手段の口を全て覆う形状でなくてもよい。蓋２０４ｄ６は原料２０４ｄ２が設定した温度に達する迄は、安定した堆積膜面を得るために、制御可能な可動式の蓋とすることが好ましい。２０４ｄ７は蓋２０４ｄ６を移動させるための移動手段を示す。
【００５９】
原料温度測定手段２０４ｄ３の結果を制御手段２０４ｅにフィードバックし、予め制御手段２０４ｅに入力してある設定温度に対し、演算処理し設定温度を維持する様に制御することが好ましい。これらの制御と可動式の蓋２０４ｄ６の制御と組合せ、設定温度に達したのに合わせ蓋を開ける様な制御も可能である。原料蒸発手段２０４ｄの配置する数は、位置は基板の大きさにより適宜変えることが可能となっている。
【００６０】
正孔輸送層形成気相堆積装置２０４を構成している各部、各手段の関係を図４の（ｂ）に示す概略ブロック図により説明する。基板の温度測定手段２０４ｂ２より測定された基板保持手段２０４ｂに保持された基板２０１ａの温度に関する情報は制御手段２０４ｅのＣＰＵに入力される。制御手段２０４ｅに入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、基板保持手段２０４ｂに配設された、所定の温度に調整された熱媒体を循環させる温度制御機構２０４ｂ３を制御し、媒体の循環量と媒体の温度とを制御することが可能となっている。
【００６１】
マスクの温度測定手段２０４ｃ４により測定されたマスク配置部材２０４ｃ１に保持されたマスク２０４ｃ３の温度に関する情報は制御手段２０４ｅのＣＰＵに入力される。制御手段２０４ｅに入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、マスク配置部材２０４ｃ１に配設された、所定の温度に調整された媒体を循環させる温度制御機構２０４ｃ５を制御し、熱媒体の循環量と料熱媒体の温度とを制御することが可能となっている。この時、温度制御機構２０４ｃ５による媒体の循環量と媒体の温度は、基板３の温度履歴に合わせマスク２０４ｃ３の温度を制御する方式となっている。
【００６２】
原料温度測定手段２０４ｄ３により測定された原料容器２０４ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の結果を制御手段２０４ｅにフィードバックし、予め制御手段２０４ｅに入力してある設定温度に対し、演算処理し、原料容器２０４ｄ１ａに配設された加熱手段（不図示）の電流供給部２０４ｄ４の電流調整を行うことで原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の温度を一定に制御することが可能となっている。原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の温度を指定温度に保持することで、基板２０１ａに略一定温度の原料（正孔輸送層形成用原料）が気相堆積され安定した正孔輸送層の形成が可能となる。
【００６３】
時間により換算された原料容器２０４ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の量に関する情報は制御手段２０４ｅのＣＰＵに入力される。制御手段２０４ｅに入力された情報はメモリーに予め入力されている原料容器２０４ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の量と演算処理を行い、移動手段（付図示）２０４ｄ７を稼働させ原料容器２０４ｄ１の蓋２０４ｄ６を移動させ開口率を変えることが可能となっている。例えば原料容器２０４ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の量が１００％の時は開口率を１００％とし、原料容器２０４ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の量が５０％の時は５０％とするようになっている。
【００６４】
原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の堆積速度を略一定に保持することで、基板３に一定の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２が気相堆積され安定した正孔輸送層の形成が可能となる。
【００６５】
原料温度測定手段２０４ｄ３により測定された原料容器２０４ｄ１ａ内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の温度に関する情報は制御手段２０４ｅのＣＰＵに入力される。制御手段２０４ｅに入力された情報はメモリーに予め入力されている原料堆積開始温度と演算処理を行い、駆動手段２０４ａ７を稼働させ遮蔽板２０４ａ６の開閉を行うことで、蒸着室内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の濃度が不安定な加熱初期の基板３への気相堆積防止が可能となっている。例えば予め入力されている原料堆積開始温度と原料温度測定手段２０４ｄ３により測定された原料容器２０４ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の温度との差が−１０〜＋１０℃になってから少なくとも３０ｓｅｃ経過した後、遮蔽板を開き、２０℃以上になったら閉じる様にすることが好ましい。
【００６６】
又、原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の温度測定結果を、基板３の温度制御機構２０４ｂ３及びマスク２０４ｃ３の温度制御機構２０４ｃ５にフィードバックして、基板３及びマスク４の加熱開始のタイミングを決めるのに使用することも勿論可能である。
【００６７】
本図に示す様な制御を行うことで、基板の温度とマスクの温度との温度差の変動を少なくすることが可能になるため、基板温度との差異に伴う、マスク近傍と堆積膜面の中心との品質差が生じることを抑え堆積膜面内品質不均一がなくなり安定品質の堆積膜面を得ることが可能となる。尚、堆積膜を形成する時の本図に示される原料蒸発手段２０４ｄと、基板３の堆積膜形成領域との位置関係に関しては図７、図８で説明する。又、本図では原料蒸発手段が堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に１台置かれている場合を示しているが、堆積膜形成領域の他方の端辺の法線の外側にも原料蒸発手段を配設することが好ましい。
【００６８】
図５は図２で示される正孔輸送層形成気相堆積装置の拡大概略図である。図５の（ａ）は基板の保持手段にバックアップロールを用いた場合の正孔輸送層形成気相堆積装置の拡大概略図である。図５の（ｂ）は正孔輸送層形成気相堆積装置を構成している各部、各手段の関係を示す概略ブロック図である。尚、図２に示す第１電極形成気相堆積装置３０４〜封止層形成気相堆積装置３１０は何れも同じ構成を成しているため正孔輸送層形成気相堆積装置３０５を代表として説明する。
【００６９】
図中、正孔輸送層形成気相堆積装置３０５は蒸着室３０５ａと、基板保持手段３０５ｂと、マスク配置手段３０５ｃと、原料蒸発手段３０５ｄと、制御手段３０５ｅを有している。尚、原料蒸発手段３０５ｄは堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に置かれている。３０５ａ１は蒸着室３０５ａに配設された排気口を示し減圧手段である排気手段（不図示）に繋がっており、メインバルブ３０５ａ２を介して蒸着室３０５ａを設定した真空度にするようになっている。蒸着室３０５ａの真空度は、必要に応じて適宜設定することが可能となっている。３０５ａ３は蒸着室３０５ａの真空度を測定する測定手段である真空度測定計を示す。真空度測定計としては特に限定はなく、例えば電離真空計、ピラニ真空計が挙げられる。３０５ａ４は不活性ガス導入口を示し、必要に応じてガス導入バルブ３０５ａ４を介してＮ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスが雰囲気ガスとして導入される。
【００７０】
基板保持手段３０５ｂは基板保持部材のバックアップロール３０５ｂ１と、温度測定手段３０５ｂ２と、バックアップロール３０５ｂ１に内蔵されている加熱体の電流供給部とを有している。温度測定手段３０５ｂ２により測定されたバックアップロール３０５ｂ１の温度の測定結果は、制御手段３０５ｅにフィードバックする様になっている。フィードバックされた情報に従って、バックアップロール３０５ｂ１に内蔵されている加熱体の電流供給部３０５ｂ３の電流供給量を制御することで、基板上へ原料を堆積中に、基板の温度を一定に保持すること等が可能となっている。温度測定手段３０５ｂ２としては非接触式が好ましく、例えば光学式温度センサーが挙げられる。
【００７１】
バックアップロール３０５ｂ１に保持された帯状プラスチックフィルム基板５は、図２で示される様に基板洗浄処理装置３０２、第１帯電除去装置３０３ａで処理された状態となっている。バックアップロール３０５ｂ１の周速度は帯状プラスチックフィルム基板５の搬送速度と同期する様に調整することが好ましい。バックアップロール３０５ｂ１としては、帯状プラスチックフィルム基板５の平面性を保持し配置出来れば特に限定はなく、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等が挙げられる。
【００７２】
マスク配置手段３０５ｃは、マスク配置部材３０５ｃ１と、温度測定手段３０５ｃ２とを有し、マスク配置部材３０５ｃ１に配設された加熱体（不図示）により温度制御が可能となっている。温度測定手段３０５ｃ２により測定されたマスク３０５ｃ３の温度の測定結果は、制御手段３０５ｅにフィードバックする様になっている。フィードバックされた情報に従って、マスク配置部材３０５ｃ１に配設された加熱体（不図示）の電流供給部３０５ｃ４の電流供給量を制御することで、基板上へ原料を堆積中に、マスク３０５ｃ３の温度を一定に保持すること等が可能となっている。温度測定手段３０５ｃ２としては特に限定はなく、例えば熱電対、温度センサー等が挙げられる。
【００７３】
３０５ｃ３はマスク配置部材３０５ｃ１に配置されたマスクを示す。マスク３０５ｃ３はバックアップロール３０５ｂ１の曲率に合わせることが好ましく、マスク配置部材３０５ｃ１によりバックアップロール３０５ｂ１上の帯状プラスチックフィルム基板５の第１電極形成領域を覆い被せる状態で配置される。マスク配置部材３０５ｃ１は蒸着室３０５ａのフレームに取り付けられている。
【００７４】
３０５ａ６は帯状プラスチックフィルム基板５への原料（正孔輸送層形成用原料）の堆積を制御する原料堆積制御手段の遮蔽板を示す。遮蔽板３０５ａ６はどのような形式でも構わないが、機能としては完全に閉じることで帯状プラスチックフィルム基板５への蒸気堆積を完全に防止出来る形式のものが好ましい。尚、本図に示す遮蔽板は開閉式であり、開閉を制御することが可能となっている。３０５ａ７は遮蔽板３０５ａ６の開閉用の駆動手段を示す。
【００７５】
原料蒸発手段３０５ｄは蒸着室３０５ａの下部に配設されており、加熱手段（不図示）を有する原料容器３０５ｄ１と、原料容器３０５ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の温度を測定するための原料温度測定手段３０５ｄ３と、原料容器３０５ｄ１の加熱用の電流供給部３０５ｄ４と、原料容器３０５ｄ１の開口部３０５ｄ５の開口率を制御する開口率制御手段の蓋３０５ｄ６とを有している。原料容器３０５ｄ１の形状は特に限定はなく、例えばライン型、スポット型等が挙げられ、基板の大きさにより配設する数は適宜選択することが可能ある。原料容器３０５ｄ１の加熱手段としては特に限定はなく、例えばスパッタ方式、抵抗加熱方式等が挙げられる。本図では抵抗加熱方式の場合を示している。蓋３０５ｄ６はどのような形でもよく、原料蒸発手段の口を全て覆う形状でなくてもよい。蓋３０５ｄ６は原料３０５ｄ２が設定した温度に達する迄は、安定した堆積膜面を得るために、制御可能な可動式の蓋とすることが好ましい。３０５ｄ７は蓋３０５ｄ６を移動させるための移動手段を示す。
【００７６】
原料温度測定手段３０５ｄ３の結果を制御手段３０５ｅにフィードバックし、予め制御手段３０５ｅに入力してある設定温度に対し、演算処理し設定温度を維持する様に制御することが好ましい。これらの制御と可動式の蓋３０５ｄ６の制御と組合せ、設定温度に達したのに合わせ蓋を開ける様な制御も可能である。原料蒸発手段３０５ｄの配置する数は、位置は基板の大きさにより適宜変えることが可能となっている。
【００７７】
３０５ａ８は帯状プラスチックフィルム基板５の第１電極形成領域面に予め付けられたマーク５ａ（図３を参照）を検出する検出測定器を示す。検出測定器３０５ａ８の情報は制御手段３０５ｅにフィードバックし、予め制御手段３０５ｅに入力してある帯状プラスチックフィルム基板５の搬送速度に対し演算処理し、遮蔽板３０５ａ６の開閉を制御するようになっている。これにより、正孔輸送層形成領域面でない部分が通過する際は、遮蔽板３０５ａ６を閉じることで不要部分への正孔輸送層形成材料の蒸着を防止することが可能となっている。
【００７８】
正孔輸送層形成気相堆積装置３０５を構成している各部、各手段の関係を図５の（ｂ）に示す概略ブロック図により説明する。バックアップロール３０５ｂ１の温度測定手段３０５ｂ２より測定されたバックアップロール３０５ｂ１の温度に関する情報は制御手段３０５ｅのＣＰＵに入力される。制御手段３０５ｅに入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、バックアップロール３０５ｂ１に内蔵された加熱体（不図示）の電流供給部の電流量を制御し、バックアップロール３０５ｂ１の温度を制御することが可能となっている。
【００７９】
マスクの温度測定手段３０５ｃ２により測定されたマスク３０５ｃ３の温度に関する情報は制御手段３０５ｅのＣＰＵに入力される。制御手段３０５ｅに入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、マスク配置部材３０５ｃ１に配設された加熱体（不図示）の電流供給部の電流量を制御し、マスク３０５ｃ３の温度を制御することが可能となっている。
【００８０】
原料温度測定手段３０５ｄ３により測定された原料容器３０５ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の結果を制御手段３０５ｅにフィードバックし、予め制御手段３０５ｅに入力してある設定温度に対し、演算処理し、原料容器３０５ｄ１ａに配設された加熱手段（不図示）の電流供給部３０５ｄ４の電流調整を行うことで原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の温度を一定に制御することが可能となっている。原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の温度を指定温度に保持することで、帯状プラスチックフィルム基板５に略一定温度の原料（正孔輸送層形成用原料）が気相堆積され安定した第１電極の形成が可能となる。
【００８１】
時間により換算された原料容器３０５ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）２０４ｄ２の量に関する情報は制御手段３０５ｅのＣＰＵに入力される。制御手段３０５ｅに入力された情報はメモリーに予め入力されている原料容器３０５ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の量と演算処理を行い、移動手段（付図示）３０５ｄ７を稼働させ原料容器３０５ｄ１の蓋３０５ｄ６を移動させ開口率を変えることが可能となっている。例えば原料容器３０５ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の量が１００％の時は開口率を１００％とし、原料容器３０５ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の量が５０％の時は５０％とするようになっている。
【００８２】
原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の堆積速度を略一定に保持することで、帯状プラスチックフィルム基板５に一定の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２が気相堆積され安定した第１電極の形成が可能となる。
【００８３】
原料温度測定手段３０５ｄ３により測定された原料容器３０５ｄ１ａ内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の温度に関する情報は制御手段３０５ｅのＣＰＵに入力される。制御手段３０５ｅに入力された情報はメモリーに予め入力されている原料堆積開始温度と演算処理を行い、駆動手段３０５ａ７を稼働させ遮蔽板３０５ａ６の開閉を行うことで、蒸着室内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の濃度が不安定な加熱初期の帯状プラスチックフィルム基板５への気相堆積防止が可能となっている。例えば予め入力されている原料堆積開始温度と原料温度測定手段３０５ｄ３により測定された原料容器３０５ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の温度との差が−１０〜＋１０℃になってから少なくとも３０ｓｅｃ経過した後、遮蔽板を開き、２０℃以上になったら閉じる様にすることが好ましい。
【００８４】
又、原料（正孔輸送層形成用原料）３０５ｄ２の温度測定結果を、バックアップロール３０５ｂ１の加熱体（付図示）及びマスク配置部材３０５ｃ１に配設された加熱体（不図示）の電流供給部にフィードバックして、バックアップロール３０５ｂ１及びマスク３０５ｃ３の加熱開始のタイミングを決めるのに使用することも勿論可能である。
【００８５】
検出測定器３０５ａ８からの帯状プラスチックフィルム基板５の第１電極形成領域面に予め付けられたマーク５ａ（図３を参照）に関する情報は制御手段３０５ｅにフィードバックし、予め制御手段３０５ｅに入力してある帯状プラスチックフィルム基板５の搬送速度に対し演算処理し、遮蔽板３０５ａ６の開閉を制御するようになっている。これにより、堆積中に正孔輸送層形成領域面でない部分が通過する際は、遮蔽板３０５ａ６を閉じることで不要部分への正孔輸送層形成材料の蒸着を防止することが可能となっている。
【００８６】
本図に示す様な制御を行うことで、基板の温度とマスクの温度との温度差の変動を少なくすることが可能になるため、基板温度との差異に伴う、マスク近傍と堆積膜面の中心との品質差が生じることを抑え堆積膜面内品質不均一がなくなり安定品質の堆積膜面を得ることが可能となる。又、正孔輸送層形成領域面でない部分への正孔輸送層形成材料の堆積を防止することが出来るため生産効率の向上が可能となる。又、本図では原料蒸発手段が堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に１台置かれている場合を示しているが、堆積膜形成領域の他方の端辺の法線の外側にも原料蒸発手段を配設することが好ましい。尚、堆積膜を形成する時の本図に示される原料蒸発手段３０５ｄと、帯状プラスチックフィルム基板５との堆積膜形成領域との位置関係に関しては図７、図８で説明する。
【００８７】
図６は基板の保持手段に２本の支持ロールと補助板を用いた場合の正孔輸送層形成気相堆積装置の拡大概略図である。
【００８８】
正孔輸送層形成気相堆積装置３０５′は蒸着室３０５′ａと、基板保持手段３０５′ｂと、マスク配置手段３０５′ｃと、原料蒸発手段３０５′ｄとを有している。尚、原料蒸発手段３０５′ｄは堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に置かれている。３０５′ａ１は蒸着室３０５′ａに配設された排気口を示し減圧手段である排気手段（不図示）に繋がっており、メインバルブ３０５′ａ２を介して蒸着室３０５′ａを設定した真空度にするようになっている。蒸着室３０５′ａの真空度は、必要に応じて適宜設定することが可能となっている。３０５′ａ３は蒸着室３０５′ａの真空度を測定する測定手段である真空度測定計を示す。真空度測定計としては特に限定はなく、例えば電離真空計、ピラニ真空計が挙げられる。３０５′ａ４は不活性ガス導入口を示し、必要に応じてガス導入バルブ３０５′ａ４を介してＮ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスが雰囲気ガスとして導入される。
【００８９】
基板保持手段３０５′ｂは基板保持部材の２本の支持ロール３０５′ｂ１と２本の支持ロール３０５′ｂ１間の帯状プラスチックフィルム基板５の平面性を保持するための補助板３０５′ｂ２と、温度測定手段３０５′ｂ３と、温度制御機構（付図示）とを有し、温度制御機構（付図示）により温度制御が可能となっている。基板保持手段３０５′ｂに保持された帯状プラスチックフィルム基板５は、図２で示される様に基板洗浄処理装置３０２、第１帯電除去装置３０３ａで処理された状態となっている。支持ロール３０５′ｂ１の周速度は帯状プラスチックフィルム基板５の搬送速度と同期する様に調整することが好ましい。補助板３０５′ｂ２としては、帯状プラスチックフィルム基板５の平面性を保持し配置出来れば特に限定はなく、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等が挙げられる。
【００９０】
温度測定手段３０５′ｂ３は補助板３０５′ｂ２の温度を測定し、結果を制御手段（不図示）にフィードバックする様になっている。温度測定手段３０５′ｂ３としては特に限定はなく、例えば熱電対、温度センサー等が挙げられる。
【００９１】
マスク配置手段３０５′ｃは、マスク配置部材３０５′ｃ１と、温度測定手段３０５′ｃ２とを有し、温度制御機構（不図示）により温度制御が可能となっている。温度測定手段３０５′ｃ２としては特に限定はなく、例えば熱電対、温度センサー等が挙げられる。
【００９２】
３０５′ｃ３はマスク配置部材３０５′ｃ１に配置されたマスクを示す。マスク３０５′ｃ３はマスク配置部材３０５′ｃ１により補助板３０５′ｂ２上の帯状プラスチックフィルム基板５の第１電極形成領域を覆い被せる状態で配置される。マスク配置部材３０５′ｃ１は蒸着室３０５′ａのフレームに取り付けられている。
【００９３】
３０５′ａ６は帯状プラスチックフィルム基板５への原料（正孔輸送層形成用原料）の堆積を制御する原料堆積制御手段の遮蔽板を示す。遮蔽板３０５′ａ６はどのような形式でも構わないが、機能としては完全に閉じることで基板３への蒸気堆積を完全に防止出来る形式のものが好ましい。尚、本図に示す遮蔽板は開閉式であり、開閉を制御することが可能となっている。３０５′ａ７は遮蔽板３０５′ａ６の開閉用の電力源を示す。
【００９４】
原料蒸発手段３０５′ｄは蒸着室３０５′ａの下部に配設されており、加熱手段（不図示）を有する原料容器３０５′ｄ１と、原料容器３０５′ｄ１内の原料（正孔輸送層形成用原料）３０５′ｄ２の温度を測定するための原料温度測定手段３０５′ｄ３と、原料容器３０５′ｄ１の加熱用の電流供給部３０５′ｄ４と、原料容器３０５′ｄ１の開口部３０５′ｄ５の開口率を制御する開口率制御手段の蓋３０５′ｄ６とを有している。原料容器３０５′ｄ１の形状は特に限定はなく、例えばライン型、スポット型等が挙げられ、基板の大きさにより配設する数は適宜選択することが可能ある。原料容器３０５′ｄ１の加熱手段としては特に限定はなく、例えばスパッタ方式、抵抗加熱方式等が挙げられる。本図では抵抗加熱方式の場合を示している。蓋３０５′ｄ６はどのような形でもよく、原料蒸発手段の口を全て覆う形状でなくてもよい。蓋３０５′ｄ６は原料３０５′ｄ２が設定した温度に達する迄は、安定した堆積膜面を得るために、制御可能な可動式の蓋（付図示）とすることが好ましい。３０５′ｄ７は蓋３０５′ｄ６を移動させるための移動手段（付図示）への電流供給部を示す。又、本図では原料蒸発手段が堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に１台置かれている場合を示しているが、堆積膜形成領域の他方の端辺の法線の外側にも原料蒸発手段を配設することが好ましい。尚、堆積膜を形成する時の原料蒸発手段３０５′ｄと、帯状プラスチックフィルム基板５の堆積膜形成領域との位置関係に関しては図７、図８で説明する。
【００９５】
図７は堆積膜を形成する時、原料蒸発手段と帯状プラスチックフィルム基板の堆積膜形成領域との位置関係を示す模式図である。
【００９６】
図中、６は基板を示し、７ａは堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配置された原料蒸発手段を示す。７ｂは堆積膜を形成する時に原料蒸発手段７ａが移動して堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配置された原料蒸発手段を示す。又は、予め堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配置された原料蒸発手段であってもよい。尚、予め堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に原料蒸発手段が２台配置された場合は、これら２台の原料蒸発手段の間に必要に応じて複数の原料蒸発手段を配置しても構わない。すなわち、本発明において、堆積膜を形成する時に、堆積膜形成領域に対して少なくとも２つの位置関係になるようにするとは、本図に示すように堆積膜を形成する時に、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段７ａ、原料蒸発手段７ｂとが存在する様な関係を言う。
【００９７】
Ｏは原料蒸発手段７ａに対する堆積膜形成領域の最近蒸着点（最も近い蒸着点を言う）を示す（原料蒸発手段７ｂに対しては堆積膜形成領域の最遠蒸着点（最も遠い蒸着点を言う）となる）。Ｐは原料蒸発手段７ａに対する堆積膜形成領域の最遠蒸着点（最も遠い蒸着点を言う）を示す（原料蒸発手段７ｂに対しては堆積膜形成領域の最近蒸着点（最も近い蒸着点を言う）となる）。
【００９８】
θ１は原料蒸発手段７ａの中心と、最近蒸着点Ｏとを結ぶ線と、最近蒸着点Ｏにおける法線との成す角度を示す。θ２は原料蒸発手段７ａの中心と、最遠蒸着点Ｐとを結ぶ線と、最遠蒸着点Ｐにおける法線との成す角度を示す。θ３は原料蒸発手段７ｂの中心と、最近蒸着点Ｏとを結ぶ線と、最近蒸着点Ｏにおける法線との成す角度を示す。θ４は原料蒸発手段７ｂの中心と、最遠蒸着点Ｐとを結ぶ線と、最遠蒸着点Ｐにおける法線との成す角度を示す。角度θ１〜θ４は、堆積膜形成領域に存在する凸状の異物の均一被覆性、堆積膜形成材料の効率、堆積膜の均一安定形成性等を考慮し、０°より大きく、７５°より小さいことが好ましい。
【００９９】
堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配置された原料蒸発手段が１台の時、堆積膜形成領域に凸状の異物が存在する場合は、凸状の異物の原料蒸発手段側が蒸着により覆われ、反対側は覆われない状態になる。すなわち、堆積膜を形成する時、堆積膜形成領域に凸状の異物が存在する場合、凸状の異物に対して均等に堆積膜を形成するためには、堆積膜形成領域の蒸着点と原料蒸発手段とが少なくとも２つの位置関係になるようにして行うことが挙げられる。この様に、堆積膜形成領域の蒸着点と原料蒸発手段とが少なくとも２つの位置関係にするには次の方法が挙げられる。
１）堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に原料蒸発手段を１台配置し、堆積膜を形成する時、原料蒸発手段を堆積膜形成領域の他の端辺の法線の外側に迄移動させることで、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段が少なくとも２つの位置関係になるようにして行う方法。
２）堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に原料蒸発手段を１台配置し、堆積膜を形成する時、堆積膜形成領域の他の端辺の法線の外側に迄基板を移動させることで、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段が少なくとも２つの位置関係になるようにして行う方法。
３）予め、堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に少なくとも２台の原料蒸発手段を配置することで、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段が少なくとも２つの位置関係になるようにして行う方法。
【０１００】
上記１）〜３）に述べられる方法において、堆積膜を形成する時、堆積膜形成領域と原料蒸発手段との関係は、堆積膜形成領域の全ての蒸着点で、原料蒸発手段に対して最近蒸着点及び最遠蒸着点と原料蒸発手段の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点及び最遠蒸着点における法線との成す角度を０°より大きく、７５°以下にすることで、堆積膜形成領域に凸状の異物が存在する場合、凸状の異物に対して均等に堆積膜を形成することが可能となる。
【０１０１】
原料蒸発手段が堆積膜形成領域の端辺の法線の外側に配設された気相堆積装置を使用し、堆積膜形成領域に堆積膜を形成する時、原料蒸発手段と前記堆積膜形成領域との位置関係を、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段が少なくとも２つの位置関係になるようにし、各原料蒸発手段の中心と堆積膜形成領域の最近蒸着点及び最遠蒸着点の法線との成す角度を０°より大きく、７５°以下にすることで以下に示す効果が得られた。
１）電極上に存在する異物、ゴミ等に対して、異物、ゴミ等の表面を覆うように成膜することが可能となり、シャドウイング現象により成膜されない陰の部分を大幅に減少することが可能となり、リーク電流の発生を抑えることが可能となった。
２）電極上に存在する異物、ゴミ等の影響を受けることなく有機ＥＬ素子の製造が可能となり、生産効率の向上が可能となった。
３）リーク電流の発生を抑えることが可能となり、有機ＥＬ素子の発光効率の向上及び寿命が延び、産業上の利用価値を高めることが可能となった。
４）回り込みのよいとされているスピンコート法、ディップ法、塗布法等の成膜法を使用することなく、生産プロセスの簡素化が可能となった。
【０１０２】
図８は図７に示すように堆積膜を形成する時に、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段が２つの位置関係にある場合の、各原料蒸発手段の位置関係を示す模式図である。
【０１０３】
図中、８は帯状プラスチックフィルム基板を示す。９は帯状プラスチックフィルム基板８の堆積膜形成領域を示す。７ａは堆積膜形成領域９の端辺（片側）の法線の外側に配置された原料蒸発手段を示す。７ｂは原料蒸発手段７ａが、気相堆積時に堆積膜形成領域９の端辺まで移動させた場合の原料蒸発手段を示す。尚、原料蒸発手段７ｂは予め堆積膜形成領域９の端辺（反対側）の法線の外側に配置された原料蒸発手段にも該当する。Ｑは堆積膜形成領域９の任意の蒸着点を示す。Ｒは原料蒸発手段７ａの中心と蒸着点Ｑを結ぶ線と、原料蒸発手段７ｂの中心と蒸着点Ｑを結ぶ線との交点を示す。θ５は交点Ｒの交角を示す。交角θ５は、堆積膜形成領域に存在する凸状の異物の均一被覆性、堆積膜形成材料の効率、堆積膜の均一安定形成性等を考慮し、４５°〜１８０°が好ましい。堆積膜を形成する時に、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段が２つの位置関係にある場合の、各原料蒸発手段の位置関係は堆積膜形成領域の全域のいかなる蒸着点において本図に示す関係を有していることが好ましい。
【０１０４】
本図に示す様に、堆積膜を形成する時に、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段が２つの位置関係にある場合、各原料蒸発手段の位置関係は堆積膜形成領域の全域のいかなる蒸着点で、蒸着点と各原料蒸発手段の中心とを結ぶ交点の交角を４５°〜１８０°にすることで次に示す効果が得られた。
１）電極上に存在する異物、ゴミ等に対して、堆積膜形成領域の全域において、異物、ゴミ等の表面を覆うように成膜することが可能となり、シャドウイング現象により成膜されない陰の部分を無くすことが可能となり、リーク電流の発生を抑えることが可能となった。
２）電極上に存在する異物、ゴミ等の影響を受けることなく有機ＥＬ素子の製造が可能となり、生産効率の向上が可能となった。
３）リーク電流の発生を抑えることが可能となり、有機ＥＬ素子の発光効率の向上及び寿命が延び、産業上の利用価値を高めることが可能となった。
【０１０５】
更に、堆積膜を形成する時、堆積膜形成領域の蒸着点と原料蒸発手段との関係が図７に示す様に０°より大きく、７５°以下となる様に配設置関係にすることで以下に示す効果が得られた。
１）少ない蒸着材料にて、堆積膜形成領域の全域を、異物、ゴミ等のシャドウイング現象により成膜されない陰の部分を無くすことが可能となり、リーク電流の発生を抑えることと、蒸着材料の節約が可能となった。
２）電極上に存在する異物、ゴミ等の影響を受けることなく有機ＥＬ素子の製造が可能となり、生産効率の向上が可能となった。
３）リーク電流の発生を抑えることが可能となり、有機ＥＬ素子の発光効率の向上及び寿命が延び、産業上の利用価値を高めることが可能となった。
【０１０６】
以下、本発明に係わる有機ＥＬ素子を構成している基板、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、第２電極、封止手段等に付き説明する。
【０１０７】
本発明に係わる基板としては、枚葉基板、帯状可撓性基板が挙げられる。枚葉基板としては、透明ガラス板、シート状透明樹脂フィルムが挙げられる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。帯状可撓性基板としては、透明樹脂フィルムが挙げられ、枚葉基板と同じ樹脂フィルムが使用可能である。
【０１０８】
基板として透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。更には、酸素透過度１０-3ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０１０９】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開２００４−６８１４３号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０１１０】
第１電極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この様な電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。又、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3・ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、又陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１１１】
第１電極と発光層又は正孔輸送層の間、正孔注入層（陽極バッファー層）を存在させてもよい。正孔注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）に詳細に記載されている。陽極バッファー層（正孔注入層）に使用する材料の一例としては、特開２０００−１６０３２８号公報に記載されている材料が挙げられる。
【０１１２】
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることが出来る。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１１３】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することが出来るが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１１４】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。又、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することが出来る。
【０１１５】
又、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることも出来る。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【０１１６】
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。又、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することが出来るため好ましい。
【０１１７】
本発明において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を指す。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、又各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも一つの青発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。又、発光層を４層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能である。
【０１１８】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常２ｎｍ〜５μｍ、好ましくは２〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。更に１０〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。膜厚を２０ｎｍ以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚は、好ましくは２〜１００ｎｍの範囲で選ばれ、２〜２０ｎｍの範囲にあるのが更に好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、３発光層中、青発光層（複数層ある場合はその総和）が最も厚いことが好ましい。
【０１１９】
発光層は発光極大波長が各々４３０〜４８０ｎｍ、５１０〜５５０ｎｍ、６００〜６４０ｎｍの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも３層以上の層を含む。３層以上であれば、特に制限はない。４層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が４３０〜４８０ｎｍにある層を青発光層、５１０〜５５０ｎｍにある層を緑発光層、６００〜６４０ｎｍの範囲にある層を赤発光層と言う。又、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長４３０〜４８０ｎｍの青発光性化合物と、同５１０〜５５０ｎｍの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。
【０１２０】
発光層の材料として使用する有機発光材料は、（ａ）電荷の注入機能、すなわち、電界印加時に陽極或いは正孔注入層から正孔を注入することが出来、陰極或いは電子注入層から電子を注入することが出来る機能、（ｂ）輸送機能、すなわち、注入された正孔及び電子を電界の力で移動させる機能、及び（ｃ）発光機能、すなわち、電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光に繋げる機能、の３つの機能を併せもつものであれば特に限定はない。例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物を用いることが出来る。上記の蛍光増白剤の具体例としては、ベンゾオキサゾール系では、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾオリル］スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５−α，α−ジメチルベンジル−２−ベンゾオキサゾリル］チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト［１，２−ｄ］オキサゾール等が挙げられる。ベンゾチアゾール系では、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等が挙げられ、ベンゾイミダゾール系では、２−［２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等が挙げられる。更に、他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１），第６２８〜６３７頁及び第６４０頁に列挙されている。
【０１２１】
又、上記のスチリルベンゼン系化合物の具体例としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等が挙げられる。
【０１２２】
更に、上述した蛍光増白剤及びスチリルベンゼン系化合物以外にも、例えば、１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際公開公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ  ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、芳香族ジメチリディン系化合物が挙げられる。芳香族ジメチリディン系化合物の具体例としては、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４’−フェニレンジメチリディン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、４，４’−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、及びこれらの誘導体が挙げられる。又、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（III）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（III）等が挙げられる。
【０１２３】
その他、上述した有機発光材料をホストとし、当該ホストに青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系或いは前記ホストと同様の蛍光色素をドープした化合物も、有機発光材料として好適である。有機発光材料として前記の化合物を用いた場合には、青色から緑色の発光（発光色はドーパントの種類によって異なる）を高効率で得ることが出来る。前記化合物の材料であるホストの具体例としては、ジスチリルアリーレン骨格の有機発光材料（特に好ましくは、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル）が挙げられ、前記化合物の材料であるドーパントの具体例としては、ジフェニルアミノビニルアリレーン（特に好ましくは、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノビフェニルベンゼンや４，４’−ビス［２−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル）フェニル］ビニル］ビフェニル）が挙げられる。
【０１２４】
発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物（リン光発光性化合物とも言う）を含有することが好ましい。
【０１２５】
ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することが出来る。又、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることが出来る。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用も出来る。
【０１２６】
これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０１２７】
複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の５０質量％以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更にはホスト化合物のリン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基板上に１００ｎｍの蒸着膜のフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の０−０バンドのピークエネルギーを言う。
【０１２８】
ホスト化合物は、有機ＥＬ素子の経時での劣化（輝度低下、膜性状の劣化）、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。すなわち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。Ｔｇは、更に好ましくは１００℃以上である。
【０１２９】
リン光性化合物（リン光発光性化合物）とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機ＥＬ素子とすることが出来る。
【０１３０】
本発明に係るリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定出来る。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定出来るが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
【０１３１】
リン光性化合物の発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上出来ャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【０１３２】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることが出来る。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で８族−１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１３３】
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることが出来る。
【０１３４】
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。
【０１３５】
本発明で言うところの白色素子とは、２℃視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ2でのＣＩＥ１９３１  表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にあることを言う。
【０１３６】
電子注入層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。電子注入層（陰極バッファー層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１３７】
他に発光層側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが出来、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来る。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。
【０１３８】
又、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることが出来る。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることが出来る。又、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることが出来る。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１３９】
又、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開平１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することが出来るため好ましい。
【０１４０】
第２電極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）又は第２電極（陰極）の何れか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１４１】
又、第２電極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２電極（陰極）を作製することが出来、これを応用することで第１電極（陽極）と第２電極（陰極）の両方が透過性を有する素子を作製することが出来る。
【０１４２】
封止手段としては、有機ＥＬ素子への水分や酸素の浸入による性能劣化を防止するための手段であり、例えば封止部材と、電極、支持基盤とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウムおよびタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、酸素透過度１０-3ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【０１４３】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化および熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系などの熱および化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０１４４】
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０１４５】
また、有機層を挟み支持基盤と対向する側の電極の外側に、該電極と有機層を被覆し、支持基盤と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることができる。
【０１４６】
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相および液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体や、フッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０１４７】
吸湿性化合物としては例えば金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等があげられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物および過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０１４８】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。又、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０１４９】
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために以下に示す方法を併用することが好ましい。有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光の内１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことが出来ないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
【０１５０】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５）。基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）。素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）。基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）。基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）。基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【０１５１】
本発明においては、これらの方法を有機ＥＬ素子と組合せて用いることが出来るが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることが出来る。本発明においては、これらの手段を組合せることにより、更に高輝度或いは耐久性に優れた素子を得ることが出来る。
【０１５２】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。又、更に１．３５以下であることが好ましい。低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくは何れかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることが出来る性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることが出来ない光を、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０１５３】
回折格子を導入する位置としては前述の通り、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。この時、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０１５４】
更に、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために、基板の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、或いは、所謂集光シートと組合せることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることが出来る。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大き過ぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０１５５】
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。この様なシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることが出来る。プリズムシートの形状としては、例えば基板に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。又、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることが出来る。
【実施例】
【０１５６】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。
【０１５７】
実施例１
一つのドットの大きさが２ｍｍ×２ｍｍで、７ドット×１０ドットの合計７０ドット（発光領域）で構成される有機ＥＬ素子を、図１に示す製造装置を使用して図３に示すフロー図に従って作製した。
【０１５８】
（基板の準備）
基板として厚さ１．１ｍｍ、幅４０ｍｍ、長さ６０ｍｍのソーダ石灰ガラスを準備した。尚、ソーダ石灰ガラスの全面には、酸やアルカリから保護するためのシリカコートしたものを使用した。
【０１５９】
（第１電極の形成）
準備したガラス基板を波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度１５ｍＷ／ｃｍ2で、距離１２ｍｍで照射し洗浄を行った。この後、図４に示す第１電極形成気相堆積装置を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にてインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）を使用し、準備したガラス基板の堆積膜形成領域（第１電極形成領域）に、幅２ｍｍ、長さ５０ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、７列のパターン化した第１電極を形成した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。
【０１６０】
（正孔輸送層の形成）
第１電極が形成されたガラス基板を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて正孔輸送層形成気相堆積装置で正孔輸送層形成用材料としてＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ｍ−トリル４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフェニル（以下、ＴＰＤ）を使用し、ガラス基板上に形成された第１電極の一方の端部を除き第１電極の上に、蒸着（気相堆積）した。
【０１６１】
尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線に対する位置を表１に示すように２台配置し、堆積膜形成を形成する時、原料蒸発容器と堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との関係は図７に示す様にした。正孔輸送層形成用材料を蒸着する時、原料蒸発手段の堆積膜形成領域の最近蒸着点と正孔輸送層形成用材料を入れた原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線との成す角度θ１（θ３）と、堆積膜形成領域の最遠蒸着点と原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最遠蒸着点における法線との成す角度θ２（θ４）を表１に示す様に変えて正孔輸送層を形成し１−１〜１−１５とした。尚、正孔輸送層の厚さは５０ｎｍとした。
【０１６２】
【表１】
2007059188.tif 000003
【０１６３】
〈有機ＥＬ素子の作製〉
正孔輸送層が形成された各ガラス基板Ｎｏ．１−１〜１−１５を使用し、以下に示す方法で順次発光層、電子輸送層、第２電極層、封止層を積層し有機ＥＬ素子を作製し試料Ｎｏ．１０１〜１１５とした。
【０１６４】
（発光層の形成）
正孔輸送層が形成された各ガラス基板Ｎｏ．１−１〜１−１５を使用し、正孔輸送層の上に発光層形成用材料としてＡｌｑ3を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて発光層形成気相堆積装置で蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。発光層の厚さは５０ｎｍとした。
【０１６５】
（電子輸送層の形成）
発光層が形成されたガラス基板を使用し、発光層を含め正孔輸送層が形成された領域に、電子輸送層形成用材料としてＬｉＦを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて電子輸送層形成気相堆積装置でＬｉＦを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。電子輸送層の厚さは０．５ｎｍとした。
【０１６６】
（第２電極の形成）
電子輸送層が形成されたガラス基板を使用し、電子輸送層の上に第１電極と直交する方向で、第２電極形成用材料としてＡｌを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて第２電極形成気相堆積装置でＡｌを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。尚、形成した第２電極は、幅２ｍｍ、長さ３５ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、１０列のパターンとした。
【０１６７】
（封止層の形成）
第２電極が形成されたガラス基板を使用し、第２電極の端部を除き第２電極が形成された領域に、封止層形成用材料としてＳｉＯｘを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて封止層形成気相堆積装置でＳｉＯｘを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。封止層の厚さは３００ｎｍとした。
【０１６８】
（評価）
作製した各資料Ｎｏ．１０１〜１１５に付き、リーク電流特性を以下に示す試験方法により試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表２に示す。
【０１６９】
リーク電流特性の試験方法
定電圧電源を用いて、逆方向の電圧（逆バイアス）を５Ｖを５秒間印加し、その時素子に流れる電流を測定した。７０ドット（発光領域）全てにおいて測定を行い、最大電流値をリーク電流とした。
【０１７０】
リーク電流の評価ランク
◎：１×１０−8Ａ未満
○：１×１０−8Ａ以上、１×１０−6Ａ未満
△：１×１０−6Ａ以上、１×１０−4Ａ未満
×：１×１０−4Ａ以上
【０１７１】
【表２】
2007059188.tif 000004
【０１７２】
本発明の有効性が確認された。
【０１７３】
実施例２
一つのドットの大きさが２ｍｍ×２ｍｍで、７ドット×１０ドットの合計７０ドット（発光領域）で構成される有機ＥＬ素子を、図１に示す製造装置を使用して図３に示すフロー図に従って作製した。
【０１７４】
（基板の準備）
基板として厚さ１．１ｍｍ、幅４０ｍｍ、長さ６０ｍｍのソーダ石灰ガラスを準備した。尚、ソーダ石灰ガラスの全面には、酸やアルカリから保護するためのシリカコートしたものを使用した。
【０１７５】
（第１電極の形成）
準備したガラス基板を波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度１５ｍＷ／ｃｍ2で、距離１２ｍｍで照射し板洗浄を行った後、図４に示す第１電極形成気相堆積装置で、５×１０-4Ｐａの真空下にてインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）を使用し、準備したガラス基板の堆積膜形成領域（第１電極形成領域）に、幅２ｍｍ、長さ５０ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、７列のパターン化した第１電極を形成した。
【０１７６】
尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。
【０１７７】
（正孔輸送層の形成）
第１電極が形成されたガラス基板を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて正孔輸送層形成気相堆積装置で正孔輸送層形成用材料としてＴＰＤを使用し、ガラス基板上に形成された第１電極の一方の端部を除き第１電極の上に、蒸着（気相堆積）した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線に対する位置を表１に示すように１台配置し、堆積膜形成を形成する時、原料蒸発容器を移動させることで原料蒸発容器と堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との関係は図７に示す様にした。正孔輸送層形成用材料を蒸着する時の堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との位置関係は、正孔輸送層形成用材料を入れた原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線との成す角度θ１（θ３）と、堆積膜形成領域の最遠蒸着点と原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最遠蒸着点における法線との成す角度θ２（θ４）を表３に示す様に変えて正孔輸送層を形成し２−１〜２−１５とした。尚、正孔輸送層の厚さは５０ｎｍとした。
【０１７８】
【表３】
2007059188.tif 000005
【０１７９】
〈有機ＥＬ素子の作製〉
正孔輸送層が形成された各ガラス基板Ｎｏ．２−１〜２−１５を使用し、以下に示す方法で順次発光層、電子輸送層、第２電極層、封止層を積層し有機ＥＬ素子を作製し試料Ｎｏ．２０１〜２１５とした。
【０１８０】
（発光層の形成）
正孔輸送層が形成された各ガラス基板Ｎｏ．２−１〜２−１５を使用し、正孔輸送層の上に第１電極のパターに合わせ、発光層形成用材料としてＡｌｑ3を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて発光層形成気相堆積装置で蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。発光層の厚さは５０ｎｍとした。
【０１８１】
（電子輸送層の形成）
発光層が形成されたガラス基板を使用し、発光層を含め正孔輸送層が形成された領域に、電子輸送層形成用材料としてＬｉＦを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて電子輸送層形成気相堆積装置でＬｉＦを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。電子輸送層の厚さは０．５ｎｍとした。
【０１８２】
（第２電極の形成）
電子輸送層が形成されたガラス基板を使用し、電子輸送層の上に第１電極と直交する方向で、第２電極形成用材料としてＡｌを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて第２電極形成気相堆積装置でＡｌを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。尚、形成した第２電極は、幅２ｍｍ、長さ３５ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、１０列のパターンとした。
【０１８３】
（封止層の形成）
第２電極が形成されたガラス基板を使用し、第２電極の端部を除き第２電極が形成された領域に、封止層形成用材料としてＳｉＯｘを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて封止層形成気相堆積装置でＳｉＯｘを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。封止層の厚さは３００ｎｍとした。
【０１８４】
（評価）
作製した各試料Ｎｏ．２０１〜２１５に付き、リーク電流特性を実施例１と同じ試験方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表４に示す。
【０１８５】
【表４】
2007059188.tif 000006
【０１８６】
本発明の有効性が確認された。
【０１８７】
実施例３
一つのドットの大きさが２ｍｍ×２ｍｍで、７ドット×１０ドットの合計７０ドット（発光領域）で構成される有機ＥＬ素子を、図１に示す製造装置を使用して図３に示すフロー図に従って作製した。
【０１８８】
（基板の準備）
基板として厚さ１．１ｍｍ、幅４０ｍｍ、長さ６０ｍｍのソーダ石灰を準備した。尚、ソーダ石灰ガラスの全面には、酸やアルカリから保護するためのシリカコートしたものを使用した。
【０１８９】
（第１電極の形成）
準備したガラス基板を波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度１５ｍＷ／ｃｍ2で、距離１２ｍｍで照射し板洗浄を行った後、図４に示す第１電極形成気相堆積装置を使用し、堆積膜を形成する時にＩＴＯを入れた原料蒸発容器を図８に示す様な位置になるように２台配置し、５×１０-4Ｐａの真空下にてインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）を使用し、準備したガラス基板の堆積膜形成領域（第１電極形成領域）に、幅２ｍｍ、長さ５０ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、７列のパターン化した第１電極を形成した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１台配置した。
【０１９０】
（正孔輸送層の形成）
第１電極が形成されたガラス基板を使用し、ガラス基板上に形成された第１電極の一方の端部を除き、堆積膜形成領域に正孔輸送層形成用材料としてＴＰＤを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて図８に示す様な位置に原料蒸発容器を２台配置した正孔輸送層形成気相堆積装置で蒸着（気相堆積）した。尚、原料蒸発容器は、１台の原料蒸発容器の中心と堆積膜形成領域（第１電極形成領域）の蒸着点とを結ぶ線と、他の１台の原料蒸発容器と堆積膜形成領域（第１電極形成領域）の蒸着点とを結ぶ線と交点の交角θ５を表５に示す様に変えて配置し、正孔輸送層を形成しＮｏ．３−１〜３−１０とした。
【０１９１】
又、正孔輸送層形成用材料を蒸着する時の正孔輸送層形成用材料を入れた原料蒸発容器と、堆積膜形成領域の関係は図７に示す様にした。堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との位置関係は、原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線との成す角度θ１（θ３）を２０°、堆積膜形成領域の最遠蒸着点と原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最遠蒸着点における法線との成す角度θ２（θ４）を５０°とした。正孔輸送層の厚さは５０ｎｍとした。
【０１９２】
【表５】
2007059188.tif 000007
【０１９３】
〈有機ＥＬ素子の作製〉
正孔輸送層が形成された各ガラス基板Ｎｏ．３−１〜３−９を使用し、以下に示す方法で順次発光層、電子輸送層、第２電極層、封止層を積層し有機ＥＬ素子を作製し試料Ｎｏ．３０１〜３０９とした。
【０１９４】
（発光層の形成）
正孔輸送層が形成された各ガラス基板を使用し、正孔輸送層の上に第１電極のパターに合わせ、発光層形成用材料としてＡｌｑ3を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて発光層形成気相堆積装置で蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１配置した。発光層の厚さは５０ｎｍとした。
【０１９５】
（電子輸送層の形成）
発光層が形成されたガラス基板を使用し、発光層を含め正孔輸送層が形成された領域に、電子輸送層形成用材料としてＬｉＦを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて電子輸送層形成気相堆積装置でＬｉＦを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１配置した。電子輸送層の厚さは０．５ｎｍとした。
【０１９６】
（第２電極の形成）
電子輸送層が形成されたガラス基板を使用し、発光層の上に第１電極と直交する方向で、第２電極形成用材料としてＡｌを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて第２電極形成気相堆積装置でＡｌを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１配置した。尚、形成した第２電極は、幅２ｍｍ、長さ３５ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、１０列のパターンとした。
【０１９７】
（封止層の形成）
第２電極が形成されたガラス基板を使用し、第２電極の端部を除き電子輸送層が形成された領域に、封止層形成用材料としてＳｉＯｘを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて封止層形成気相堆積装置でＳｉＯｘを蒸着した。尚、原料蒸発容器は堆積膜形成領域の端辺の法線の内側（堆積膜形成領域のほぼ中央）に１配置した。封止層の厚さは３００ｎｍとした。
【０１９８】
（評価）
作製した各試料Ｎｏ．３０１〜３０９に付き、リーク電流特性を実施例１と同じ試験方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表６に示す。
【０１９９】
【表６】
2007059188.tif 000008
【０２００】
本発明の有効性が確認された。
【０２０１】
実施例４
一つのドットの大きさが２ｍｍ×２ｍｍで、７ドット×１０ドットの合計７０ドット（発光領域）で構成される有機ＥＬ素子を、図２に示す製造装置を使用して図３に示すフロー図に従って作製した。
【０２０２】
（帯状支持体の準備）
予め、透明性ガスバリア層と堆積膜形成領域にマークを付けた、厚さ１００μｍ、幅１００ｍｍ、長さ３０ｍの巻き芯に巻き取りロール状としたポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人・デユポン社製フィルム、以下、ＰＥＴと略記する）を準備した。
【０２０３】
（透明性ガスバリア層の形成）
準備したＰＥＴ上に、大気圧プラズマ放電処理法で、厚さ約９０ｎｍの透明ガスバリア層を形成した。ＪＩＳｋ−７１２９Ｂに準拠した方法により水蒸気透過率を測定した結果、１０-3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であった。ＪＩＳｋ−７１２６Ｂに準拠した方法により酸素透過率を測定した結果、１０-3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であった。
【０２０４】
（第１電極の形成）
準備したＰＥＴを波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度１５ｍＷ／ｃｍ2で、距離１２ｍｍで照射し洗浄を行った後、図５に示す第１電極形成気相堆積装置を使用し、ＩＴＯを入れた原料蒸発容器を堆積膜形成領域の法線より外側に配置し、５×１０-4Ｐａの真空下にてインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）を使用し、準備したＰＥＴ基板の堆積膜形成領域（第１電極形成領域）に、幅２ｍｍ、長さ６０ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、７列のパターン化した第１電極を形成した。第１電極の形成位置はＰＥＴ基板に付けられたマークを検出することで制御手段により制御した。
【０２０５】
尚、ＩＴＯを蒸着する時のＩＴＯを入れた原料蒸発容器と、堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との位置関係は、原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線の内側に、原料蒸着容器中心と堆積膜形成領域の各蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との距離がほぼ等しく（堆積膜形成領域のほぼ中央）なるように１台配置した。
【０２０６】
（正孔輸送層の形成）
第１電極が形成されたＰＥＴ基板を使用し、ＰＥＴ基板上に形成された第１電極の一方の端部を除き、堆積膜形成領域に正孔輸送層形成用材料としてＴＰＤを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて正孔輸送層形成気相堆積装置にて蒸着（気相堆積）した。尚、原料蒸発容器と堆積膜形成領域の位置関係は図７に示す様にし、ＰＥＴ基材を搬送移動させることで、正孔輸送層形成用材料を入れた原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）における法線との成す角度θ１と、堆積膜形成領域の最近蒸着点と原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線との成す角度θ１（θ３）と、堆積膜形成領域の最遠蒸着点と原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最遠蒸着点における法線との成す角度θ２（θ４）とを表７に示す様に変えて配置し正孔輸送層を形成しＮｏ．４−１〜４−１２とした。尚、正孔輸送層の厚さは５０ｎｍとした。
【０２０７】
【表７】
2007059188.tif 000009
【０２０８】
〈有機ＥＬ素子の作製〉
正孔輸送層が形成された各ＰＥＴ基板Ｎｏ．４−１〜４−１２を使用し、以下に示す方法で順次発光層、電子輸送層、第２電極層、封止層を積層し有機ＥＬ素子を作製し試料Ｎｏ．４０１〜４１２とした。
【０２０９】
（発光層の形成）
正孔輸送層が形成された各ＰＥＴ基板を使用し、正孔輸送層の上に第１電極のパターに合わせ、発光層形成用材料としてＡｌｑ3を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて発光層形成気相堆積装置で蒸着した。尚、原料蒸発容器と、堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との位置関係は、原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線の内側に、原料蒸着容器中心と堆積膜形成領域の各蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との距離がほぼ等しく（堆積膜形成領域のほぼ中央）なるように１台配置した。発光層の厚さは５０ｎｍとした。
【０２１０】
（電子輸送層の形成）
発光層が形成されたＰＥＴ基板を使用し、発光層を含め正孔輸送層が形成された領域に、電子輸送層形成用材料としてＬｉＦを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて電子輸送層形成気相堆積装置でＬｉＦを蒸着した。尚、原料蒸発容器と、堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との位置関係は、原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線の内側に、原料蒸着容器中心と堆積膜形成領域の各蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との距離がほぼ等しく（堆積膜形成領域のほぼ中央）なるように１台配置した。電子輸送層の厚さは０．５ｎｍとした。
【０２１１】
（第２電極の形成）
電子輸送層が形成されたＰＥＴ基板を使用し、電子輸送層の上に第１電極と直交する方向で、第２電極形成用材料としてＡｌを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて第２電極形成気相堆積装置でＡｌを蒸着した。尚、原料蒸発容器と、堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との位置関係は、原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線の内側に、原料蒸着容器中心と堆積膜形成領域の各蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との距離がほぼ等しく（堆積膜形成領域のほぼ中央）なるように１台配置した。尚、形成した第２電極は、幅２ｍｍ、長さ５０ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、１０列のパターンとした。
【０２１２】
（封止層の形成）
第２電極が形成されたＰＥＴ基板を使用し、第２電極の端部を除き電子輸送層が形成された領域に、封止層形成用材料としてＳｉＯｘを使用し、堆積膜を形成する時にＳｉＯｘを入れた原料蒸発容器を図８に示す様な位置になるように２台配置し、５×１０-4Ｐａの真空下にて封止層形成気相堆積装置でＳｉＯｘを蒸着した。尚、原料蒸発容器と、堆積膜形成領域の蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との位置関係は、原料蒸発容器の中心とを結ぶ線と、最近蒸着点における法線の内側に、原料蒸着容器中心と堆積膜形成領域の各蒸着点（最近蒸着点、最遠蒸着点）との距離がほぼ等しく（堆積膜形成領域のほぼ中央）なるように１台配置した。封止層の厚さは３００ｎｍとした。
【０２１３】
（評価）
作製した各試料Ｎｏ．４０１〜４１２に付き、リーク電流特性を実施例１と同じ試験方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表８に示す。
【０２１４】
【表８】
2007059188.tif 000010
【０２１５】
本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０２１６】
【図１】枚葉シート状基板を使用した有機ＥＬ素子の製造方法の模式図である。
【図２】帯状プラスチックフィルム基板を使用した有機ＥＬ素子の製造方法の模式図である。
【図３】図２に示す製造装置によりパッシブ型の有機ＥＬ素子を作製するまでを段階的に示す概略フロー図である。
【図４】図１に示される第１電極形成気相堆積装置の概略図である。
【図５】図２で示される第１電極形成気相堆積装置の拡大概略図である。
【図６】基板の保持手段に２本の支持ロールと補助板を用いた場合の第１電極形成気相堆積装置の拡大概略図である。
【図７】堆積膜を形成する時、原料蒸発手段と帯状プラスチックフィルム基板の堆積膜形成領域との位置関係を示す模式図である。
【図８】図７に示すように堆積膜を形成する時に、堆積膜形成領域に対して原料蒸発手段が２つの位置関係にある場合の、各原料蒸発手段の位置関係を示す模式図である。
【図９】有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０２１７】
１  有機ＥＬ素子
１０１、３、６  基板
１０２  第１電極（陽極）
１０３  正孔輸送層
１０４  発光層
１０５  電子注入層
１０６  第２電極（陰極）
１０７  封止層
２、３  製造装置
２０１、３０１  供給部
２０１ａ〜２０１ｆ  枚葉シート状基板
２０２、３０２  基板洗浄処理装置
２０３、３０４  第１電極形成気相堆積装置
２０４、３０５、３０５′  正孔輸送層形成気相堆積装置
２０４ａ、３０５ａ、３０５′ａ  蒸着室
２０４ｂ、３０５ｂ、３０５′ｂ  基板保持手段
２０４ｃ、３０５ｃ、３０５′ｃマスク  配置手段
２０４ｄ、３０５ｄ、３０５′ｄ、７ａ、７ｂ  原料蒸発手段
２０４ｄ１、３０５ｄ１、３０５′ｄ１  原料容器
２０４ｅ、３０５ｅ  制御手段
２０５、３０６  発光層形成気相堆積装置
２０６、３０７  電子注入層形成気相堆積装置
２０７、３０８  第２電極形成気相堆積装置
２０８  封止層形成気相堆積装置
２０９  回収部
５、８  帯状プラスチックフィルム基板
９  堆積膜形成領域
Ｏ  最近蒸着点（最遠蒸着点）
Ｐ  最遠蒸着点（最近蒸着点）
Ｑ  蒸着点
Ｒ  交点
θ１〜θ４  角度
θ５  交角
【図１】
2007059188.tif 000011
【図２】
2007059188.tif 000012
【図３】
2007059188.tif 000013
【図４】
2007059188.tif 000014
【図５】
2007059188.tif 000015
【図６】
2007059188.tif 000016
【図７】
2007059188.tif 000017
【図８】
2007059188.tif 000018
【図９】
2007059188.tif 000019