(57)【要約】    【課題】トラック密度の向上に伴い、高密度記録と漏れ磁界低減を同時に満足させることが困難となってきた。    【解決手段】記録ヘッド先端部は、下部磁極主層１４、下部磁極先端層１６、突起部２６、記録ギャップ層２８、上部磁極先端層３４および上部磁極上層４６で構成される。突起部２６は高飽和磁束密度Bsの軟磁性材からなり、下部磁極先端層１６よりも高い飽和磁束密度Bsを有し、上部磁極先端層３４のトラック幅Twとほぼ同一の幅を有する。下部磁極先端層１６の飽和磁束密度Bsが約２．２Tの場合、突起部２６の飽和磁束密度Bsは２．４T程度にするのが望ましい。また、突起部２６の奥行きLnは、実質的にスロートハイトを決定している下部磁極先端層１６の奥行きGdよりも長い。【選択図】図１
2007026562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された磁気シールド層および再生素子を有する再生部と、記録ギャップを介して対向する下部磁極および上部磁極と、該下部磁極と上部磁極を周回するコイルとを有する記録部とを複合した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁極は下部磁極主層と、該下部磁極主層の浮上面側に設けられた下部磁極先端層と、前記下部磁極主層の後端に設けられた下部磁極後端層と、前記下部磁極先端層に設けられた軟磁性材の突起部であって、前記下部磁極先端層よりも飽和磁束密度が高く、前記下部磁極先端層よりも奥行きが長い突起部とを有し、前記上部磁極は前記突起部と対向する上部磁極先端層と、該上部磁極先端層と前記下部磁極後端層に磁気的に接続された上部磁極上層とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記突起部の飽和磁束密度が２．３T以上であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記突起部の飽和磁束密度が約２．４Tであることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記下部磁極先端層の飽和磁束密度が約２．２Tであり、前記突起部の飽和磁束密度が約２．４Tであることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記上部磁極先端層は、飽和磁束密度が２．４T以上の第１軟磁性層と、飽和磁束密度が１．７T以上２．４T未満の第２軟磁性層と、飽和磁束密度が約１．７Tの第３軟磁性層とを有することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記下部磁極先端層は、前記突起部の下部に該突起部と同じ幅の突出部を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記下部磁極主層と前記下部磁極先端層が、前記再生部及び前記突起部よりも浮上面から後退して配置されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
基板上に形成された磁気シールド層および再生素子を有する再生部と、記録ギャップを介して対向する下部磁極および上部磁極と、該下部磁極と上部磁極を周回するコイルとを有する記録部とを複合した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁極は下部磁極主層と、該下部磁極主層の浮上面側に設けられた下部磁極先端層と、前記下部磁極主層の後端に設けられた下部磁極後端層と、前記下部磁極先端層に設けられた軟磁性材の突起部であって、前記下部磁極先端層よりも飽和磁束密度が高く、幅がほぼ一定の上部と幅が前記下部磁極先端層に向かって広がる下部を有し、前記下部磁極先端層よりも奥行きが長い突起部とを有し、前記上部磁極は前記突起部と対向する上部磁極先端層と、該上部磁極先端層と前記下部磁極後端層に磁気的に接続された上部磁極上層とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記突起部の下部が、前記下部磁極先端層の一部であることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
セラミック材からなる基板上に軟磁性材からなる下部磁気シールド層をメッキ法により形成するステップと、
前記下部磁気シールド層の上に非磁性絶縁材よりなる再生ギャップ、該再生ギャップ中にＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子またはＣＰＰ素子からなる再生素子をスパッタリングにて形成するステップと、
前記再生ギャップの上に軟磁性材からなる上部磁気シールド層をメッキ法により形成するステップと、
前記上部磁気シールド層の上に非磁性材からなるセパレート層をスパッタリングにて形成するステップと、
前記セパレート層の上に軟磁性材からなる下部磁極主層をメッキ法により形成するステップと、
前記下部磁極主層の浮上面側に下部磁極先端層を、バックギャップ側に下部磁極後端層を、軟磁性材をメッキ法により形成するステップと、
前記下部磁極先端層と前記下部磁極後端層の間に非磁性絶縁層をスパッタリングにより充填し、該非磁性絶縁層の上に下層コイルをメッキ法により形成するステップと、
前記下層コイルの間に絶縁材を充填し、その上に非磁性絶縁層をスパッタリングにより形成するステップと、
前記非磁性絶縁層を形成後、CMPにて平坦化処理を行うステップと、
平坦化処理した面に、前記下部磁極先端層よりも飽和磁束密度が高い軟磁性層をスパッタリングにて形成するステップと、
前記軟磁性層の上に非磁性絶縁材からなる記録ギャップ層をスパッタリングにより形成するステップと、
前記下部磁極先端層に対応する位置に該下部磁極先端層の後端よりバックギャップ側に長いレジストパターンと、前記下部磁極後端層に対応する位置にレジストパターンを選択的に形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクにして、前記記録ギャップ層と前記軟磁性層をイオンミリングによりエッチングするするステップと、
前記レジストパターンをマスクにして前記エッチングにより除去した領域に非磁性絶縁層をスパッタリングにより充填するステップと、
前記非磁性絶縁層を形成後、CMPにより平坦化処理を行うステップと、
前記レジストパターンを除去し、トリミング用の非磁性絶縁層をスパッタリングにて形成するステップと、
平坦化処理した面に、上部磁極先端層および前記上部磁極後端層をスパッタリングとメッキ法にて形成するステップと、
前記上部磁極先端層と前記トリミング用に形成した非磁性絶縁層をマスクにして前記上部磁極先端層、前記記録ギャップ層、前記軟磁性層および前記下部磁極先端層をイオンミリングによりトリミングするステップと、
前記上部磁極先端層と前記上部磁極後端層の間に、非磁性絶縁層をスパッタリングにて充填するステップと、
前記非磁性絶縁層を形成後、CMPにより平坦化処理を行うステップと、
平坦化処理した面に、非磁性絶縁層をスパッタリングにより形成し、その上に上層コイルをメッキ法にて形成するステップと、
前記上層コイルの周囲を絶縁材で覆い、熱処理により凸形状に形成するステップと、
前記上部磁極先端層と前記凸形状の絶縁材と前記上部磁極後端層の上に上部磁極上層をメッキ法にて形成するステップと、
前記上部磁極上層を覆うように保護層をスパッタリングにより形成するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ディスク装置に使用される薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に係り、特に高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の記録密度の向上に伴って、記録媒体の性能向上とともに記録再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドの開発が強く要求されている。現在、再生ヘッドとしては、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子を用いたヘッドが使用されている。また、さらに高い再生感度の得られるＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）素子やＣＰＰ(Current Perpendicular to Planer) 素子も開発されている。一方、記録ヘッドには従来の電磁誘導を利用した誘導型の薄膜記録ヘッドが用いられており、以上の再生ヘッドと記録ヘッドを一体に形成した薄膜磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
高密度記録を実現するためには線記録密度とともにトラック密度の向上が必要である。トラック密度が向上しトラックピッチが狭くなると、記録ヘッドからの漏れ磁界により隣接トラックの情報が影響を受け、信号を消去したり弱めたりしてしまういわゆるＡＴＩ（Adjacent Track Interference）の問題が発生する。
【０００４】
記録時における漏れ磁界を抑える手段として従来は、記録磁界そのものを下げる、記録トラック幅を狭める等の対策が図られてきたが、高トラック密度化を目的とする高保磁力媒体への記録を考えると、これまでの対策では、高密度記録と漏れ磁界低減を同時に満足させることが困難となってきた。
【０００５】
特許文献１には、下部磁極主層上にトラック幅方向の幅が下部磁極主層の幅より小さい下部磁極先端部を設け、この下部磁極先端部の上部磁極側に浮上面における幅がトラック幅とほぼ同一であり、浮上面よりヘッド後部方向に離れた位置における幅が上部磁極の幅より大きい突起段差部を設けることにより、トラック幅精度を向上し、かつオフトラック位置での不要な媒体面内磁界を低減し、さらに下部磁極先端部の高さを増加することにより磁界強度を増加する薄膜磁気ヘッドが開示されている。
【０００６】
特許文献２には、下部磁極主層上に下部磁極先端層を設け、この平坦面上にほぼ同一の平面形状を有する下部磁極突起層、記録ギャップ層及び上部磁極先端層を下部磁極先端層より長くなるように同一フレームを用いてメッキ法により形成することにより、下部磁極のトリミング加工を不用にし、トラック幅精度を向上し、上部磁極先端層から下部磁極主層への漏洩磁束を低減する薄膜磁気ヘッドが開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３６５０６号公報
【特許文献２】特開２００３−８５７０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
高密度記録と漏れ磁界低減を実現するためには、スロートハイトを短くして記録磁界を強め、磁極先端部で磁気飽和させないようにする必要がある。上記特許文献１に記載の発明では、スロートハイトを短くした場合、磁極先端部での磁気飽和が問題となる。上記特許文献２記載の発明では、下部磁極突起層、記録ギャップ層及び上部磁極先端層をメッキ法で形成するために、下部磁極突起部の材料の選定に制限があり、高記録磁界の発生に限界がある。
【０００９】
本発明の目的は、高密度記録と漏れ磁界低減を同時に満足させることができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の代表的な薄膜磁気ヘッドは、基板上に形成された磁気シールド層および再生素子を有する再生部と、記録ギャップを介して対向する下部磁極および上部磁極と、下部磁極と上部磁極を周回するコイルとを有する記録部とを複合した薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁極は下部磁極主層と、下部磁極主層の浮上面側に設けられた下部磁極先端層と、下部磁極主層の後端に設けられた下部磁極後端層と、下部磁極先端層に設けられた軟磁性材の突起部であって、下部磁極先端層よりも飽和磁束密度が高く、下部磁極先端層よりも奥行きが長い突起部とを有し、上部磁極は突起部と対向する上部磁極先端層と、上部磁極先端層と下部磁極後端層に磁気的に接続された上部磁極上層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高密度記録と漏れ磁界低減を同時に満足させることができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの構成例を図１および図２に示す。図１は記録ヘッド先端近傍の斜視図と部分拡大図であり、図２はヘッド全体の断面図である。図２において、各部位にハッチングを付すと複雑になるので、特徴部分にのみハッチングを付してある。まず、図２を参照してヘッド全体の構成を説明する。非磁性材からなる基板２の上に、再生分解能を向上し外部磁界の影響を排除するための軟磁性材からなる下部磁気シールド層４が設けられ、その上に非磁性絶縁材よりなる再生ギャップ６が設けられ、再生ギャップ中にＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子、またはＣＰＰ素子からなる再生素子８が設けられている。この上に上部磁気シールド層１０が設けられ、さらに、記録ヘッドと再生ヘッドを分離する非磁性材からなるセパレート層１２が設けられている。
【００１３】
セパレート層１２の上に下部磁極主層１４が設けられ、下部磁極主層１４の上に下部磁極先端層１６、下部磁極後端層１８が設けられている。下部磁極先端層１６と下部磁極後端層１８の間には非磁性絶縁層２０を介して下層コイル２２が設けられ、下層コイル２２の間および上部には非磁性絶縁材２４が充填されている。下部磁極先端層１６および非磁性絶縁層２４の上に軟磁性層からなる突起部２６、記録ギャップ層２８が設けられ、突起部２６および記録ギャップ層２８の後部には、非磁性絶縁層３０が充填されている。下部磁極主層１４と下部磁極先端層１６および下部磁極後端層１８と突起部２６とで下部磁極が構成される。
【００１４】
記録ギャップ層２８および非磁性絶縁層３０の上には突起部２６のトリミングに用いられた絶縁層３２が残っており、この前後に上部磁極先端層３４と上部磁極後端層３６が設けられている。上部磁極先端層３４と上部磁極後端層３６の間には非磁性絶縁層３８が充填され、非磁性絶縁層３８の上に非磁性絶縁層４０を介して上層コイル４２が設けられ、上層コイル４２の間および上部には非磁性絶縁材４４が充填されている。この上に上部磁極先端層３４と上部磁極後端層３６に磁気的に接続された上部磁極上層４６が設けられ、さらにヘッド全体を覆う保護層５０が設けられている。上部磁極上層４６と上部磁極先端層３４および上部磁極後端層３６とで上部磁極が構成される。
【００１５】
上部磁極上層４６の先端部４７は浮上面ABSより後退されており、上部磁極上層４６の後端部４８および上部磁極後端層３６は下部磁極後端層１８と磁気的に接続されている。下層コイル２２、上層コイル４２は下部磁極後端層１８および上部磁極上層４６の後端部４８を周回するように構成されている。下層コイル２２および上層コイル４２に記録電流を流すことにより、下部磁極先端層１６、下部磁極主層１４、下部磁極後端層１８、上部磁極後端層３６、上部磁極上層４６、および上部磁極先端層３４に磁束を誘起し、記録ギャップ層２８の先端より発生する記録磁界により、浮上面ABSから微少距離離れて移動する記録媒体（磁気ディスク）１００に信号を記録する。
【００１６】
図１は、記録ヘッド先端近傍の下部磁極主層１４、下部磁極先端層１６、突起部２６、記録ギャップ層２８、上部磁極先端層３４および上部磁極上層４６を示している。突起部２６は高飽和磁束密度Bsの軟磁性材からなり、下部磁極先端層１６よりも高い飽和磁束密度Bsを有し、上部磁極先端層３４のトラック幅Twとほぼ同一の幅を有する。下部磁極先端層１６の飽和磁束密度Bsが約２．２Tの場合、突起部２６の飽和磁束密度Bsは２．３T以上、２．４T程度にするのが望ましい。また、突起部２６の奥行きLnは、実質的にスロートハイトを決定している下部磁極先端層１６の奥行きGdよりも長くなっている。なお、突起部２６は高Bs材のみで構成されていても良いし、突起部２６の下部の下部磁極先端層１６がトリミングにより突出し、突起部２６の一部を構成していても良い。上部磁極先端層３４は、上部磁極主層４６よりも飽和磁束密度Bsが高い軟磁性材であれば一層でも良いが、図１に示すように３層構造とし、記録ギャップ側の第１軟磁性層P1を２．４T以上の高Bs材とし、その上の第２軟磁性層P2を１．７T−２．４TのBs材とし、その上の第３軟磁性層P3を約１．７TのBs材とすることにより、磁束を記録ギャップ側に、かつ磁極先端に効率良く導くことができる。
【００１７】
このように、突起部２６を高Bsの軟磁性材で形成し、かつ下部磁極先端層１６のBsよりも高くすることにより、突起部２６の磁気飽和を防止することができる。また、下部磁極先端層１６の奥行きGdを短くすることにより、上部磁極先端層３４から下部磁極先端層１６への漏れ磁界を低減することができる。したがって、上部磁極先端層３４に導かれた磁束が、途中で下部磁極先端層１６に漏洩するのを抑制し、かつ、突起部２６が磁気飽和しないためトラック幅方向への不要なフリンジ磁界の発生を低減することができる。すなわち、高密度記録に必要な強記録磁界の発生と漏れ磁界低減を同時に満足させることができる。
【００１８】
上部磁極先端層３４を形成する表面は、トラック幅形成を高精度で実現するために平坦化処理（CMP）が必要であるが、突起部２６を構成する高Bs材の軟磁性層を再現性良く配置するためにはCMPの終点精度を考慮すると、平坦化処理後に成膜する必要がある。また、強記録磁界を発生させるためには、スロートハイトを短くする必要があり、したがって、長さの短い部位（下部磁極先端層１６の突出部）に高Bs膜パターンを形成するためのプロセスマージンが狭くなる。しかしながら、上記実施例のように突起部２６の長さを、スロートハイトを決定している下部磁極先端層１６の長さ（奥行き）Gdよりも長くすることにより、突起部２６を再現性良く形成するためのプロセスマージンを確保することができる。
【００１９】
次に図３Ａ〜図３Ｋを参照して上記第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図３Ａに示すように、Al2O3-TiC等のセラミック材からなる基板２上に軟磁性材からなる下部磁気シールド層４をメッキ法により形成し、その上に非磁性絶縁材よりなる再生ギャップ６、再生ギャップ中にＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子、またはＣＰＰ素子からなる再生素子８をスパッタリングにて形成する。再生ギャップ６の上に軟磁性材からなる上部磁気シールド層１０をメッキ法により形成する。さらに、記録ヘッドと再生ヘッドを分離する非磁性材からなるセパレート層１２をスパッタリングにて形成する。
【００２０】
続いて図３Ｂに示すように、軟磁性材からなる下部磁極主層１４をメッキ法により形成し、下部磁極主層１４の浮上面ABSに露出する位置に下部磁極先端層１６を、バックギャップ位置に下部磁極後端層１８を、飽和磁束密度Bsが約２．２Tの軟磁性材をメッキ法により形成する。
【００２１】
次に図３Ｃに示すように、下部磁極先端層１６と下部磁極後端層１８の間に非磁性絶縁層２０をスパッタリングにより充填し、非磁性絶縁層２０の上にCu等の下層コイル２２をメッキ法により形成する。下層コイル２０の間にレジスト等の絶縁材を塗布法により充填し、その上にAl2O3等からなる非磁性絶縁層２４をスパッタリングにより形成する。非磁性絶縁層２４を形成後、CMPにて平坦化処理を行う。
【００２２】
続いて図３Ｄに示すように、突起部２６となる軟磁性層を、飽和磁束密度Bsが約２．４Tの軟磁性材をスパッタリングすることにより形成し、その上にAl2O3等の非磁性絶縁材からなる記録ギャップ層２８をスパッタリングにより形成する。
【００２３】
次に図３Ｅに示すように、下部磁極後端層１８の上部の記録ギャップ層２８をイオンミリングにより除去し、下部磁極先端層１６と下部磁極後端層１８に対応する位置に選択的にレジストパターンRを形成する。このとき、レジストパターンRはリフトオフ用にオーバーハング形状にする。レジストパターンRの浮上面側後端は下部磁極先端層１６の後端よりバックギャップ側にある。この位置関係は、下部磁極後端層１８の短い奥行き方向の長さに対して位置合わせがし易いという利点がある。
【００２４】
続いて図３Ｆに示すように、レジストパターンRをマスクにして、記録ギャップ層２８と軟磁性層２６をイオンミリングによりエッチングする。
【００２５】
次に図３Ｇに示すように、レジストパターンRをマスクにしてAl2O3、SiO2等の非磁性絶縁層３０をスパッタリングにより形成して、記録ギャップ層２８および軟磁性層２６のエッチングにより除去した領域を埋め、その上をCMPにより平坦化する。
【００２６】
以上の工程において、軟磁性層２６の後端はリフトオフ用レジストパターンRの後端エッジで決められる。また、非磁性絶縁層３０の埋め戻しを生産性の高いリフトオフにて行うためには、後端位置を高精度に求めることはできない。このような制約から、生産性を考慮して、下部磁極先端層１６の後端より軟磁性層２６の長さを長く設定してある。
【００２７】
次に図３Ｈに示すように、リフトオフプロセスによりレジストパターンRを溶解し、レジストパターンRとその上に堆積された非磁性絶縁層を除去する。その後、トリミング用のAl2O3等の非磁性絶縁層３２をスパッタリングにて形成し、さらに上部磁極先端層３４および上部磁極後端層３６をスパッタリングとメッキ法にて形成する。
【００２８】
続いて図３Ｉに示すように、上部磁極先端層３４、記録ギャップ層２８、軟磁性層２６および下部磁極先端層１６の上部をイオンミリングによりトリミングする。この際のマスクは上部磁極先端層３４とトリミング用に形成した非磁性絶縁層３０である。このトリミング加工により上部磁極先端層３４、記録ギャップ層２８、軟磁性層２６および下部磁極先端層１６の上部の幅をトラック幅Twに加工する。また、突起部２６の両側に浮上面ABSに向かってテーパ（破線で表示）が形成される。この後、上部磁極先端層３４と上部磁極後端層３６の間に、Al2O3等の非磁性絶縁層３８をスパッタリングにて充填し、その表面をCMPにより平坦化する。
【００２９】
次に図３Ｊに示すように、平坦面上にAl2O3等の非磁性絶縁層４０をスパッタリングにより形成し、Ｃｕ等の上層コイル４２をメッキ法にて形成する。
【００３０】
続いて図３Ｋに示すように、コイル周囲をレジスト等の絶縁材４４で覆い、高温の熱処理により滑らかな凸形状を形成する。その後、上部磁極主層４６をメッキ法にて形成し、ヘッド全体を覆うようにAl2O3等の保護層５０をスパッタリングにより形成する。
【００３１】
次に図４を用いて第２の実施例を説明する。図４に示す例は、高Bs材からなる突起部２６がほぼ一定の幅（トラック幅Tw）の上部と、裾が下部磁極先端層１６に向かって広がっている下部とで構成されている例である。記録ギャップ層（図示せず）は突起部２６の先端部分に形成される。この構成によれば、裾が広がっている部分の作用により、上部磁極先端層３４から下部磁極先端層１６に向かうトラック幅方向へのフリンジ磁界の発生を一層低減することができる。
【００３２】
図５に第３の実施例を示す。この例は、突起部２６のほぼ一定の幅の部分から裾が広がる下部を下部磁極先端層１６に形成する例である。記録ギャップ層は省略してある。この構成においても、下部磁極先端層１６の突起部２６の裾が広がる下部の作用により、上部磁極先端層３４から下部磁極先端層１６に向かうトラック幅方向へのフリンジ磁界の発生を上記実施例よりも低減することができる。
【００３３】
上記図４および図５に示す第２および第３の実施例において、突起部２６の裾が広がっている下部の形成は、上記第１の実施例の図３Ｉに示したトリミング工程において、イオンビームの入射角を調整することにより形成することができる。
【００３４】
図６に第４の実施例を示す。この例は、下部磁極主層１４と下部磁極先端層１６を浮上面ABSから後退させる構成例である。この構成によれば、上記各実施例と同様の効果の他に、下部磁極主層１４と下部磁極先端層１６から浮上面ABS方向へ向かう漏れ磁界も減少させることができる。
【００３５】
図７Ａ、図７Ｂに上記各実施例による薄膜磁気ヘッド１を搭載した磁気ディスク装置の基本構成を示す。図７Ａは装置の平面図、図７Ｂは断面図である。磁気ディスク１００は、モータ１０２に直結されており、情報の入出力時に回転される。薄膜磁気ヘッド１はサスペンション１０４に取り付けられ、アーム１０６を介してロータリ・アクチュエータ１０８に支持される。サスペンション１０４は、薄膜磁気ヘッド１を磁気ディスク１００上に所定の力で保持する機能を有する。記録信号および再生信号を処理する信号処理回路１１０は装置のベースに取り付けられ、情報の入出力を制御する回路および各部位の制御回路を実装する基板１１２はベースの裏面に取り付けられている。薄膜磁気ヘッド１は、ロータリ・アクチュエータ１０８により回転され、磁気ディスク１００面上を移動し、任意の場所に位置決めされた後、磁気情報の書き込み、あるいは読み取りを行う。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド先端近傍の斜視図と部分拡大図である。
【図２】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの全体の断面図である。
【図３Ａ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｂ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｃ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｄ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｅ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｆ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｇ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｈ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｉ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｊ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図３Ｋ】第１の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図４】第２の実施例による薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド先端部の斜視図である。
【図５】第３の実施例による薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド先端部の斜視図である。
【図６】第４の実施例による薄膜磁気ヘッドの全体を示す斜視図である。
【図７Ａ】薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の基本構成を示す平面図である。
【図７Ｂ】磁気ディスク装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…薄膜磁気ヘッド、
２…基板、
４…下部磁気シールド層、
６…再生ギャップ、
８…再生素子、
１０…上部磁気シールド層、
１２…セパレート層、
１４…下部磁極主層、
１６…下部磁極先端層、
１８…下部磁極後端層、
２２…下層コイル、
２４…非磁性絶縁層、
２６…突起部、
２８…記録ギャップ層、
３０…非磁性絶縁層、
３２…トリミング用絶縁層、
３４…上部磁極先端層、
３６…上部磁極後端層、
３８…非磁性絶縁層、
４２…上層コイル、
４４…非磁性絶縁層、
４６…上部磁極上層、
５０…保護層。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図３Ｋ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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