(57)【要約】【課題】デバイス内部の圧電振動素子搭載面積を確保して、気密が良好な封止が可能な圧電デバイスを提供することにある。【解決手段】配線基板と、この配線基板上に圧電振動素子が配置され、配線基板を被覆した状態で固定される箱状の蓋体とから成る圧電デバイスにおいて、配線基板の側面外周には、環状に形成された接合材が形成され、箱状の蓋体の側壁部内周面と接合材とが接合され圧電振動素子が搭載されている空間が気密に封止されている圧電デバイス。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、該配線基板の一方の主面に少なくとも圧電振動素子が配置され、該圧電振動素子が配置された該配線基板の一方の主面を被覆した形態で該配線基板に固定される箱状の蓋体とから成る圧電デバイスにおいて、
該配線基板の側面外周には、環状に形成された接合材が形成されており、該蓋体の側壁部内面に形成された金属層と該接合材とが気密に接合されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
該配線基板の一方の主面の辺縁部には、一方の主面から該配線基板の厚み方向に深さ成分を有する溝部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の圧電デバイス。
【請求項３】
該蓋体の側壁部内面の該蓋体開口部頂面から同距離に、該蓋体の内部空間側に突出した少なくとも１つの突起部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の圧電デバイス。
【請求項４】
該突起部が、側壁部内面を一体で周回する形態の該突起部であることを特徴とする請求項３記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯用通信機器や電子計算機等の電子機器に用いられる圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯用通信機器や電子計算機等の電子機器を構成する電子部品の一つとして圧電振動子、圧電発振器や弾性表面波フィルタ等の圧電デバイスが用いられている。
【０００３】
かかる従来の圧電デバイスとして圧電振動子を例に説明する。内部に導配線が形成された積層構造の配線基板と、この配線基板の一方の主面上に支持した圧電振動素子を含む配線基板の一方の主面上の空間を包囲した状態で固定される逆碗状の金属リッドとから成り、前記配線基板本体は、複数のスルーホールを有した平板状の配線基板と、この配線基板の一方の主面周縁に沿って環状に形成された金属メッキ壁と、この金属メッキ壁の内側に位置する複数のスルーホールの各上側開口を塞ぐように配線基板の一方の主面に夫々配置され且つ圧電振動素子を支持する内部電極と、配線基板の他方の主面に複数のスルーホールの各下側開口を塞ぐように配置された金属メッキ外部接続用電極を備え、金属リッドは、金属メッキ壁の上面に固定される裾部と、この裾部底面に形成されるロウ材枠と、裾部から立ち上がった逆碗部とから成り、このロウ材枠と金属メッキ壁とを接合した構成を備えている。
【０００４】
上記のような圧電デバイス（圧電振動子）については、以下の技術情報文献に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−８７０７１号公報
【０００６】
尚、出願人は前記した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を本件出願時までに発見するに至らなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のハット状（上記逆椀状と同意）の金属リッドを用いる圧電デバイスの場合、配線基板と金属リッドとの接合には、金属リッドではその開口部周囲を外側に折り返し（上記裾部と同意）を形成し、配線基板には金属リッドとの接合側主面の辺縁部に接合材を形成するための領域を確保し  金属リッドの折り返しと接合材とを接合する形態を有するため、圧電デバイスの周囲に接合のためのリング状の領域を確保する必要がある。この領域の確保のため圧電振動素子を搭載できる面積が縮小されてしまうという欠点があった。又、圧電振動素子の搭載面積を確保した場合、圧電デバイス本体の大きさが大きくなってしまう可能性がある。
【０００８】
仮に圧電振動素子の搭載面積が縮小されることにより、そこに搭載できる圧電振動素子の小型化が必要となる。圧電振動素子が小型になると、圧電振動素子の発振特性並びに、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）値が高くなり、可変感度や起動特性が劣化してしまうといった欠点があった。
【０００９】
本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、内部に圧電振動素子の搭載面積を確保しつつ、良好な気密の封止が可能な圧電デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記の課題を解決するために成されたものであり、配線基板と、この配線基板の一方の主面に少なくとも圧電振動素子が配置され、この圧電振動素子が配置された配線基板の一方の主面を被覆した形態で配線基板に固定される箱状の蓋体とから成る圧電デバイスにおいて、
上記配線基板の側面外周には、環状に形成された接合材が形成されており、蓋体の側壁部内面に形成された金属層と接合材とが気密に接合されていることを特徴とする圧電デバイスである。
【００１１】
又、上記配線基板の一方の主面の辺縁部には、一方の主面から該配線基板の厚み方向に深さ成分を有する溝部が設けられていることを特徴とする上記記載の圧電デバイスでもある。
【００１２】
更に、上記蓋体の側壁部内面の該蓋体開口部頂面から一定の位置に、該蓋体の内部空間側に突出した少なくとも１つの突起部が形成されていることを特徴とする上記記載の圧電デバイスでもある。
【００１３】
更に又、上記突起部が、側壁部内面を一体で周回する形態の突起部であることを特徴とする上記記載の圧電デバイスでもある。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の圧電デバイスによれば、蓋体ではその開口部周囲を外側に折り返しを形成する必要がなく、又、配線基板には蓋体との接合側主面の辺縁部に接合材を形成するための領域を確保する必要もないため、圧電デバイスの周囲に接合のためのリング状の領域を確保する必要がない。因って、配線基板の主面上に圧電振動素子の搭載面積を十分に確保することが可能となる。
【００１５】
又、本発明の圧電デバイスによれば、配線基板の一方の主面の辺縁部には、一方の主面から該配線基板の厚み方向に深さ成分を有する溝部が設けられていることにより、配線基板の側面外周に形成した接合材が、接合の際に配線基板の主面上に流入しても、溝部で流入を防止し、流入した接合材が圧電振動素子等に悪影響を与えることがなくなる。
【００１６】
更に、本発明の圧電デバイスによれば、蓋体の側壁部内面の該蓋体開口部頂面から一定の位置に、該蓋体の内部空間側に突出した少なくとも１つの突起部を形成することにより、蓋体の上部が、必要以上に蓋体内部に配置された圧電振動素子等に接近することがなく、又、蓋体上部と圧電振動素子との距離も一定に保てるため、振動特性が良く且つ振動特性のデバイス間バラツキが著しく少なくなる。
【００１７】
因って、本発明は小型で且つ諸特性の良い圧電デバイスを提供できる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の圧電デバイスの一形態を説明するために、圧電デバイスの一つである水晶振動子を例示した分解斜視図である。図２は、図１記載の水晶振動子を組み立てた場合の断面図である。図３〜図５は、本発明の他の実施形態を水晶振動子を例に示した断面図である。図６は、本発明の圧電デバイスの一形態を更に説明するために、圧電デバイスの一つである水晶発振器を例示した断面図である。図７〜１０は、本発明の他の実施形態を水晶発振器を例に示した断面図である。尚、各図では、説明を明りょうにするため構造体の一部を図示せず、また寸法も一部誇張して図示している。特に各部分の厚み方向の寸法は、より誇張して図示している。
【実施例１】
【００１９】
図１〜図５に示す水晶振動子は、大略的に、配線基板１と、圧電振動素子としての水晶振動素子５と、蓋体８とで構成されている。配線基板１は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料によって形成されており、一方の主面には、一対の素子接続用電極パッド２が設けられており、また他方の主面には入力端子、出力端子、グランド端子等の外部接続用電極端子３が設けられており、更に配線基板１の側面には、周縁を囲む導体層４が設けられている。尚、上述した外部接続用電極端子３は、水晶振動子をマザーボード等の外部の電気回路網に搭載する際、外部電気回路網を構成する回路配線と半田等の導電性の接合材を介して電気的に接続されるようになっている。
【００２０】
配線基板１の一方の主面に設けられている一対の素子接続用電極パッド２は、その上面で後述する水晶振動素子５の励振電極６に電気的に接続した基板接続用電極に導電性接着材を介して電気的に接続され、下面側で配線基板１の一方の主面上の導体パターンや配線基板１内部のビア導体等を介して、配線基板１の他方の主面に形成された外部接続用電極端子３のうちの入出力端子（入力端子、出力端子）に電気的に接続される。
【００２１】
一方、前記導体層４は、その露出面側で後述する蓋体８に接合材９を介して電気的に接続され、非露出面側で配線基板１内部に形成されたビア導体等を介して配線基板１の他方の主面に形成された外部接続用電極端子３のうちの接地（ＧＮＤ）端子に電気的に接続される。導体層４は、後述する蓋体８を、接合材９を介して配線基板１の側面に接合させるためのものであり、かかる導体層４は、Ｗ若しくはＭｏから成る基層の表面にＮｉ層及びＡｕ層を順次被着させた構成となっている。
【００２２】
接合材９は、蓋体８を配線基板１に対して接合するためのろう材として機能するものであり、本実施例では接合材９の材料として金錫を使用している。金錫の組成比率は、例えば、金８０％、錫２０％に設定され、その厚みは、例えば、１０μｍ〜４０μｍとする。
【００２３】
上述した配線基板１の一方の主面に形成した素子接続用電極パッド２には水晶振動素子５が搭載される。水晶振動素子５は、所定の結晶軸で人工水晶体よりカットし外形加工を施した水晶素板の両主面に一対の励振電極６を被着・形成してなり、外部からの変動電圧が一対の励振電極６を介して水晶素板に印加されると、所定の周波数で各種振動モードの振動を起こす。この水晶振動素子５は、その両主面に被着されている励振電極６と配線基板１の一方の主面の素子接続用電極パッド２とを導電性接着材を介して電気的・機械的に接続することによって配線基板１の一方の主面上に搭載される。
【００２４】
蓋体８は、概略開口した箱のような外形をしており、その開口部形状は配線基板１の外周形状（接合材９を含む）と同じである。この蓋体８の開口部内に配線基板１を、配線基板１の一方の主面が蓋体８の内部表面に対する形態で填め込み、配線基板１の側面周囲に形成されている接合材９と、蓋体８の側壁内面とを密着して接合することにより、配線基板１の一方の主面上に搭載された水晶振動素子５を気密に封止している。本実施例では加熱炉を用いて接合材９を溶融させ封止しているが、レーザー等により接合材９を溶融させて気密封止する方法でも構わない。また蓋体８は先に述べた導体層４を介して配線基板１の他方の主面に形成された外部接続用電極端子のうちのＧＮＤ端子に電気的に接続される。よって、水晶振動子の使用時、蓋体８はグランド電位に保持されることとなり、水晶振動素子５が蓋体８のシールド効果によって外部からの不要な電気的作用、例えばノイズ等から良好に保護される。
【００２５】
また、図３に図示したように、配線基板１の一方の主面側の各辺縁部に、一方の主面の表面から配線基板１の厚み方向に深さ成分を有する溝部１２を形成しておくと、仮に蓋体８の接合の際に接合材９が配線基板１の一方の主面上に流入してきた場合でも、流入した接合材は溝部１２により更に配線基板１の内側に流入することを防止することができるので、水晶振動素子５に接合材が付着することがなく、安定した振動特性を得ることが可能となる。
【００２６】
更に、蓋体８側壁部内面の側壁部先端から配線基板１の厚み寸法分の距離に、蓋体８の内部空間側に突出した突起部１３が形成されている形態もある。この突起部１３により蓋体８の開口部に配線基板１を填め込んだ場合、必要以上に内部まで填め込むことが無く、必要とする圧電振動素子５の搭載空間を必ず確保することができる。図４には、突起部１３の一例として、蓋体８の４つの側壁部に、蓋体８の側壁部内面を一体で周回する形態で形成した突起部１３を設けた水晶振動子を例示する。
【００２７】
突起部１３の形態は図４に開示したものに限定するものではなく、図４に開示の突起部１３と同様の作用効果を奏するのであれば、他の形態の突起部であっても良い。例えば、蓋体側壁部内面の少なくとも２面の側壁部先端から配線基板の厚み寸法分の距離に、独立した複数個の突起部を設けた形態でも良い。このような突起部は側壁部に絞り加工を施すことにより形成する。即ち、ポンチ及びダイスを用い、金属の延性を利用して、所定形状に成形するものであり、金属板材から、蓋体に突起部を形成するようにポンチ及びダイスの形状で押し出して形成する。このような絞り加工では、例えば、蓋体となる部材を、フープ材を用いて形成する。
【００２８】
更に又、上述の実施形態においては、図５に示すように、配線基板１を構成する複数の層のうち、配線基板１の一方の主面側最外層を除く中間層の側面にのみ導体層４及び接合材９を形成した形態によっても、配線基板１の一方の主面側最外層上に配置した圧電振動素子５に接合材９が飛散付着することを防止することが可能となる。
【００２９】
かくして上述した水晶振動子は、配線基板１の他方の主面に設けられる外部接続用電極端子３のうちの入出力端子を介して水晶振動素子５の表裏励振電極間に外部からの変動電圧を印加し、水晶振動素子５の特性に応じた所定の周波数で振動を起こさせることによって水晶振動子として機能し、かかる水晶振動子の共振周波数に基づいて外部の発振回路で所定周波数の基準信号が発振・出力される。そして、このような基準信号は携帯用通信機器等の電子機器におけるクロック信号として利用されることとなる。
【実施例２】
【００３０】
以下、本発明に係る他の実施例として圧電デバイスの一つである水晶発振器の形態について説明をする。図６〜１０に示す水晶発振器は、大略的に、配線基板５１と、圧電振動素子としての水晶振動素子５６及び発振回路を内蔵した集積回路素子５５と、蓋体５８とで構成されている。図６において、配線基板５１は、例えば、ガラスーセラミツク、アルミナセラミツクス等のセラミツク材料によるセラミックグリーンシートを積層することによって形成されており、一方の主面側には、一対の素子接続用電極パッド５２が設けられており、また下面側には電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子の外部接続用電極端子５３が設けられており、更に側面には、周縁を囲む導体層５４とが設けられている。配線基板５１の一方の主面の概略中央には、凹部６０が形成されており、この凹部６０は、配線基板５１を構成する複数枚のセラミックグリーンシートのうち、一方の主面側に配されるセラミツクグリーンシートの中央部等に矩形状の貫通孔を穿設しておくことにより形成される。
【００３１】
配線基板５１の一方の主面側に設けられている一対の素子接続用電極パッド５２は、その上面側で後述する水晶振動素子５６の励振電極に導電性接着材５７を介して電気的に接続され、下面側で配線基板５１の一方の主面上の導体パターンや配線基板内部のビア導体等を介して配線基板５１の他方の主面に形成された外部接続用電極端子５３の発振出力端子に電気的に接続される。
【００３２】
一方、前記導体層５４は、その露出面側で後述する蓋体５８に接合材５９を介して電気的に接続され、非露出面側で配線基板５１内部のビア導体等を介して配線基板５１の他方の主面に形成された外部背接続用電極端子５３のうちの接地（ＧＮＤ）端子に電気的に接続される。導体層５４は、後述する蓋体５８を接合材５９を介して配線基板５１の側面に接合させるためのものであり、かかる導体層５４は、ＷもしくはＭｏから成る基層の表面
にＮｉ層及びＡｕ層を順次被着させた構成となっている。
【００３３】
接合材５９は、蓋体５８を配線基板５１に対して接合するためのろう材として機能するものであり、本実施例２では接合材５９の材料として金錫を使用している。金錫の組成比率は、例えば、金８０％、錫２０％に設定され、その厚みは、例えば、１０μｍ〜３０μｍとする。
【００３４】
上述した配線基板５１の一方の主面に形成した素子接続用電極パッド５２には水晶振動素子５６が搭載される。水晶振動素子５６は、所定の結晶軸アングルで人工水晶体よりカットし外形加工を施した水晶素板の両主面に一対の励振電極を被着・形成してなり、外部からの変動電圧が一対の励振電極を介して水晶素板に印加されると、所定の周波数で各種振動モードの振動を起こす。この水晶振動素子５６は、その両主面に被着されている励振電極と配線基板５１の一方の主面の素子接続用電極パッド５２とを導電性接着材５７を介して電気的・機械的に接続することによって配線基板５１の一方の主面上に搭載される。
【００３５】
そして、上述した配線基板５１の凹部６０内には、水晶振動素子５６と電気的に接続した発振回路を含む電子回路網を内蔵した集積回路素子５５が搭載されている。集積回路素子５５としては、例えば、配線基板５１との実装側面に複数個の接続端子を有したフリップチップ型の集積回路素子５５が用いられ、この集積回路素子５５には、その回路形成面に、周囲の温度状態を検知する感温素子（サーミスタ）、水晶振動素子５６の周波数温度特性を補償する温度補償データを格納し、温度補償データに基づいて水晶振動素子５６の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路や、この温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられており、発振回路で生成された発振出力は、デバイス外部に出力された後、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
【００３６】
また集積回路素子５５の実装側面に設けられる複数個の接続端子は、配線基板５１の凹部６０内底面に設けた素子接続用電極端子と１対１に対応するように配置されており、これらの接続端子を対応する素子接続用電極端子に対して、Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ合金又は半田等のバンプ或いは導電性接着剤等の導電性接合材を介して個々に接合させることによって集積回路素子５５が配線基板５１に取着され、これと同時に集積回路素子５５の接続端子が外部接続用電極端子５３に電気的に接続される。また同時に、水晶振動素子５６の励振電極が集積回路素子５５の接続端子に電気的に接続される。
【００３７】
蓋体５８は、概略開口した箱のような外形をしており、その開口部形状及びサイズは配線基板５１の外周形状及びサイズ（接合材５９を含む）とほぼ同じである。この蓋体５８の開口部内に配線基板５１を、配線基板５１の一方の主面が蓋体５８の内部表面に対する形態で嵌合し、配線基板５１の側面周囲に形成されている接合材５９と、蓋体５８の側壁内面を密着して接合することにより、配線基板５１の一方の主面に搭載された水晶振動素子５６及び集積回路素子５５を気密に封止している。本実施例２では加熱炉を用いて接合材５９を溶融させ封止しているが、レーザー等を照射することにより接合材５９を加熱溶融させて気密封止をする方法でも構わない。また蓋体５８は、先に述べた導体層５４を介して配線基板５１の他方の主面に形成された外部接続用電極端子５３のうちのＧＮＤ端子に電気的に接続される。因って、水晶発振器の使用時、蓋体５８はグランド電位に保持されることとなり、水晶振動素子５６が蓋体５８のシールド効果によって外部からの不要な電気的作用、例えばノイズ等から良好に保護される。
【００３８】
また、図７に図示したように、配線基板５１の一方の主面側の各辺縁部に、一方の主面の表面から配線基板５１の厚み方向に深さ成分を有する溝部６２を形成しておくと、仮に蓋体５８の接合の際に、接合材５９が配線基板５１の一方の主面上に流入してきた場合でも、流入した接合材は溝部６２により更に配線基板５１の内側に流入することを防止することができるので、水晶振動素子５６及び集積回路素子５５に接合材が付着することがなく、安定した発振特性を得ることが可能となる。
【００３９】
更に、蓋体５８側壁部内面の側壁部先端から配線基板５１の厚み寸法分の距離に、蓋体５８の内部空間側に突出した突起部６３が形成されている形態もある。この突起部６３により蓋体５８の開口部に配線基板５１を嵌合した場合、必要以上に内部まで嵌め込むことが無く、必要とする水晶振動素子５６及び集積回路素子５５の搭載空間を必ず確保することができる。図８には、突起部６３の一例として、蓋体５８の４つの側壁部に、蓋体５８の側壁部内面を一体で周回する形態で形成した突起部６３を設けた水晶発振器を例示する。
【００４０】
突起部６３の形態は図８に開示したものに限定するものではなく、図８に開示の突起部６３と同様の作用効果を奏するのであれば、他の形態の突起部であっても良い。例えば、蓋体側壁部内面の少なくとも２面の側壁部先端から配線基板の厚み寸法分の距離に、独立した複数個の突起部を設けた形態でも良い。このような突起部は側壁部に絞り加工を施すことにより形成する。即ち、ポンチ及びダイスを用い、金属の延性を利用して、所定形状に成形するものであり、金属板材から、蓋体に突起部を形成するようにポンチ及びダイスの形状で押し出して形成する。このような絞り加工では、例えば、蓋体となる部材を、フープ材を用いて形成する。
【００４１】
更に又、上述の実施形態においては、図９に示すように、配線基板５１を構成する複数のセラミック層のうち、配線基板５１の一方の主面側最外層を除く中間層の側面にのみ導体層５４及び接合材５９を形成した形態によっても、配線基板５１の一方の主面側最外層上に配置した圧電振動素子５６及び集積回路素子５５に接合材５９が飛散付着することを防止することが可能となる。
【００４２】
又、集積回路素子５５自体は、その使用環境として気密された空間を必要としていないので、図１０のように、蓋体５８で封止されていない配線基板５１の他方の主面に開口した凹部６０ｂを形成し、その凹部６０ｂに集積回路素子５５を配置し、対応する各端子間等を機械的及び電気的に接続する形態の水晶発振器においても、本発明は有効である。
【００４３】
尚、本発明は上述の実施例１及び実施例２に記載のものに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上述した実施形態においては、圧電振動素子の材料として水晶を用いたものを例示したが、圧電効果を奏するものであれば、水晶の他に、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムや圧電セラミックを使用しても構わない。又、上述した実施形態では、圧電デバイスの一例として圧電（水晶）振動子及び圧電（水晶）発振器を例示して説明したが、圧電振動素子として弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ等の他の圧電振動素子を用いる場合にも本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、本発明に係る圧電デバイスの一実施形態を、圧電デバイスの一つである水晶振動子を例に示した分解斜視図である。
【図２】図２は、図１に記載の水晶振動子（圧電デバイス）を組み立てた場合の断面図である。
【図３】図７は、本発明に係る水晶振動子（圧電デバイス）の他の実施形態を示した断面図である。
【図４】図７は、本発明に係る水晶振動子（圧電デバイス）の他の実施形態を示した断面図である。
【図５】図７は、本発明に係る水晶振動子（圧電デバイス）の他の実施形態を示した断面図である。
【図６】図６は、本発明に係る圧電デバイスの一実施形態を、圧電デバイスの一つである水晶発振器を例に示した断面図である。
【図７】図７は、本発明に係る水晶発振器（圧電デバイス）の他の実施形態を示した断面図である。
【図８】図８は、本発明に係る水晶発振器（圧電デバイス）の他の実施形態を示した断面図である。
【図９】図９は、本発明に係る水晶発振器（圧電デバイス）の他の実施形態を示した断面図である。
【図１０】図１０は、本発明に係る水晶発振器（圧電デバイス）の他の実施形態を示した断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１，５１・・・配線基板
２，５２・・・素子接続用電極パッド
３，５３・・・外部接続用電極端子
４，５４・・・導体層
５，５６・・・水晶振動素子（電子部品素子）
６・・・励振電極
７，５７・・・導電性接着材
８，５８・・・蓋体
９，５９・・・接合材
１２，６２・・・溝部
１３，６３・・・突起部
５５・・・集積回路素子
６０・・・凹部
【図１】
2007060592.tif 000003
【図２】
2007060592.tif 000004
【図３】
2007060592.tif 000005
【図４】
2007060592.tif 000006
【図５】
2007060592.tif 000007
【図６】
2007060592.tif 000008
【図７】
2007060592.tif 000009
【図８】
2007060592.tif 000010
【図９】
2007060592.tif 000011
【図１０】
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