(57)【要約】      （修正有）【課題】リソグラフィ装置においてパターニングデバイスを変形させることなくクランプすること。【解決手段】リソグラフィ装置内のマスクが、第１のクランプデバイスを使用して第１の面がクランプされ、かつ、第２のクランプデバイスを使用して、第１の面とは異なる第２の面がクランプされる。クランプ力は、薄膜を使用して印加されることが好ましい。第１のクランプは、パターニングデバイスの平面に平行の方向、パターニングデバイスの平面に直角の方向および回転方向から基板をクランプしている。第２のクランプデバイスは、基板の平面に平行の方向にのみパターニングデバイスをクランプしている。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化された放射ビームを形成するべく前記放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
パターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システムと、
前記パターニングデバイスを前記パターニングデバイスの第１の面で保持するための第１のホルダと、
前記パターニングデバイスを前記パターニングデバイスの前記第１の面とは反対側の第２の面で保持するための第２のホルダと、
を備えたリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第１のホルダが真空クランプである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第２のホルダが真空クランプである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
薄膜を使用して前記パターニングデバイスの前記第１の面に保持力が加えられる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
第２の薄膜を使用して前記パターニングデバイスの前記第２の面に保持力が加えられる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記薄膜が大きい摩擦係数を有する、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記第２の薄膜が大きい摩擦係数を有する、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第１のホルダが、前記パターニングデバイスの平面に平行の方向、前記パターニングデバイスの平面に直角の方向および回転方向から前記パターニングデバイスを支持している、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記第２のホルダが、前記パターニングデバイスの平面に平行の方向に前記パターニングデバイスを支持している、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記薄膜がパターニングデバイスホルダに対して移動可能である、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記第２の薄膜がパターニングデバイスホルダに剛直に取り付けられた、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記パターニングデバイスホルダが前記リソグラフィ装置から取外し可能である、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
他の第１のホルダおよび他の第２のホルダをさらに備え、前記第１および第２のホルダがそれぞれ前記基板の反対側に配置された、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記パターニングデバイスが前記第２の薄膜に剛直に取り付けられた、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記パターニングデバイスが前記第２の薄膜から分離可能である、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
パターン化された放射のビームを形成するために、パターニングデバイスを使用して放射のビームにパターンを付与すること、
前記パターン化された放射のビームを基板に投射すること、
前記第１のパターニングデバイスを前記パターニングデバイスの第１の面で保持すること、および、
前記パターニングデバイスを前記パターニングデバイスの前記第１の面とは異なる第２の面で保持すること、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板のターゲット部分に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれているパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成される。生成されたパターンが、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば部分的に１つまたは複数のダイからなっている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料（レジスト）の層へのイメージングを介して実施される。通常、１枚の基板には、順次パターン化されるターゲット部分に隣接する回路網が含まれている。既知のリソグラフィ装置には、パターン全体を１回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または非平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるスキャナがある。パターンを基板にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  パターニングデバイスは、従来、パターニングデバイスのパターン化された面がパターニングデバイスホルダでクランプされている。それにより異なるパターニングデバイスを容易に挿入し、かつ、除去することができ、延いてはリソグラフィ装置の多様性を改善している。しかしながら、パターニングデバイスに大きな加速度（最大６００ｍ／ｓ２）が加えられると、パターニングデバイスが滑り、（重畳）パターンの投影に誤差が生じることになる。パターニングデバイスの滑りを防止するためには、より大きいクランプ力を印加することが可能である。しかしながら、より大きいクランプ力を印加することにより、場合によってはパターニングデバイスが変形することがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  パターニングデバイスをリソグラフィ装置にパターニングデバイスを変形させることなくクランプすることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]  本発明の一実施形態によれば、パターン化された放射ビームを形成するべく放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、パターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システムと、パターニングデバイスをパターニングデバイスの第１の面で保持するための第１のホルダと、パターニングデバイスをパターニングデバイスの第１の面とは反対側の第２の面で保持するための第２のホルダとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
【０００６】
[0006]  本発明の一実施形態によれば、パターニングデバイスを使用して、パターン化された放射のビームにパターンを付与するステップと、パターン化された放射のビームを基板に投射するステップと、第１のパターニングデバイスをパターニングデバイスの第１の面で保持するステップと、パターニングデバイスをパターニングデバイスの第１の面とは異なる第２の面で保持するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。
【０００７】
[0007]  以下、本発明の実施形態について、単なる実施例にすぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部分を表している。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
[0013]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。この装置は、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構成された、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ、基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴ、およびパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つまたは複数のダイが含まれている）に投影するように構成された投影システム（たとえば屈折型投影レンズシステム）ＰＳを備えている。
【０００９】
[0014]  照明システムは、放射を導き、成形し、あるいは制御するための、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネントまたは他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。
【００１０】
[0015]  支持構造はパターニングデバイスを支持している。つまり、支持構造はパターニングデバイスの重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、たとえばパターニングデバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターニングデバイスを保持している。支持構造には、パターニングデバイスを保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法または他のクランプ技法を使用することができる。支持構造は、たとえば必要に応じて固定または移動させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスをたとえば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語の同義語とみなすことができる。
【００１１】
[0016]  本明細書に使用されている「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンに位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシスト特徴が含まれている場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
【００１２】
[0017]  パターニングデバイスは、透過型であってもあるいは反射型であってもよい。パターニングデバイスの実施例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ位相シフトおよび減衰位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプが知られている。プログラマブルミラーアレイの実施例には、マトリックスに配列された、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができる微小ミラーが使用されている。この傾斜したミラーによって、ミラーマトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。
【００１３】
[0018]  本明細書に使用されている「投影システム」という用語は、たとえば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、カタディオプトリック光学システム、磁気光学システム、電磁光学システムおよび静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語とみなすことができる。
【００１４】
[0019]  図に示すように、この装置は、透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、この装置は、反射型（たとえば上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用した、あるいは反射型マスクを使用した）タイプの装置であってもよい。
【００１５】
[0020]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または複数のマスクテーブル）を有するタイプの装置であってもよい。このような「マルチステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００１６】
[0021]  また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の大きい液体、たとえば水で覆われ、それにより投影システムと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。また、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえばマスクと投影システムの間の空間に液浸液を与えることも可能である。液浸技法は、当分野では、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。本明細書に使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に浸すべきであることを意味しているのではなく、単に、露光の間、投影システムと基板の間に液体が置かれることを意味しているにすぎない。
【００１７】
[0022]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビーム引渡しシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素にすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム引渡しシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
【００１８】
[0023]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを条件付け、所望する一様な強度分布をその断面に持たせることができる。
【００１９】
[0024]  支持構造（たとえばマスクテーブルＭＴ）の上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。マスクＭＡを透過した放射ビームＢは、放射ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよびもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、たとえばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成しているロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成しているロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナではなく）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図には専用ターゲット部分を占有している基板アライメントマークが示されているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分とターゲット部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメントマークは、スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にマスクアライメントマークを配置することができる。
【００２０】
[0025]  図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
【００２１】
[0026]  １．ステップモード：マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（すなわち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で結像するターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２２】
[0027]  ２．スキャンモード：放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期スキャンされる（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の幅）が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ（スキャン方向の高さ）が決まる。
【００２３】
[0028]  ３．その他のモード：プログラマブルパターニングデバイスを保持するべくマスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２４】
[0029]  上で説明した使用モードの組合せおよび／またはその変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００２５】
[0030]  図２に示すように、マスクＭＡは、マスクの両方の表面をマスクテーブルＭＴでクランプすることができる。マスクＭＡの両方の表面をクランプすることにより、滑りまたは変形を伴うことなくマスクを大きな加速度にさらすことができる。図２に示す実施形態では、クランプ力すなわち保持力は、マスクの変形をさらに防止する薄膜２１、２２を使用して印加されることが好ましい。マスクＭＡの第１の面に対するクランプ力は、第１の真空クランプ２３すなわちホルダを使用して生成され、マスクの第２の面に対するクランプ力は、第２の真空クランプ２４すなわちホルダを使用して生成される。薄膜は、通常、マスクＭＡよりはるかに薄い。マスクＭＡの厚さは、たとえば約６ｍｍにすることができ、一方、膜の厚さは、約０．２ｍｍと０．４ｍｍの間である。薄膜は、マスクＭＡの損傷を回避するためには、マスクＭＡが加速する方向（つまりマスクＭＡの平面に平行の方向）に剛直であり、かつ、マスクＭＡの平面に直角の方向により柔軟であることが好ましい。
【００２６】
[0031]  マスクＭＡの第１の面をクランプしている第１のクランプ２３は、マスクの平面に平行の方向、マスクの平面に直角の方向および回転方向からマスクを支持している。つまり、第１のクランプ２３は、マスクを剛直に支持している。一方、第２のクランプ２４は、マスクＭＡの厚さの変化を許容するために、マスクの平面に平行の方向にのみマスクＭＡを支持している。
【００２７】
[0032]  図３は、マスクテーブルから取り降ろされているマスクを示したものである。図４から分かるように、薄膜２２は、マスクを支えているフレーム２５の一部を形成している。異なるマスクを必要とする場合、フレーム全体が除去され、異なるパターンを備えたマスクを支えている別のフレームが挿入される。別のフレームが挿入されると、真空クランプが加えられ、マスクが所定の位置でクランプされる。フレーム２５は、マスクテーブルＭＴに接続してもあるいは接続しなくてもよく、また、フレーム２５は、マスクテーブルＭＴの一部を形成している。別法としては、図５に示すように、フレーム２５とは別にマスクＭＡを除去し、かつ、交換することも可能である。第２の膜とは異なり、第１の膜２１は、たとえばにかわによってマスクテーブルに剛直に接続されている。この実施例では、マスクＭＡは、マスクテーブルＭＴの底部から取り降ろされ、かつ、装荷されるが、本発明は、第１のクランプ２３をマスクの上方のマスクＭＡの下方に配置し（第２のクランプ２４にマスクＭＡに平行の方向にのみマスクＭＡを支持させ）、また、マスクＭＡを上方から装荷し、かつ、取り降ろすことによっても同様に実施することができる。
【００２８】
[0033]  マスクＭＡの両面をクランプすることにより（つまり両方の薄膜を使用することにより）、総摩擦力が著しく大きくなり、したがって、損傷の原因になる局部的な力を導入することなく、より大きい加速を達成することができる。加速度が大きくなるため、スループットをより大きくすることができる。
【００２９】
[0034]  薄膜２１、２２へのマスクＭＡの粘着をさらに改善するために、薄膜は、摩擦係数の大きい材料から形成することができ、たとえばゴムのような材料または材料のテクスチャを使用して形成することができる。
【００３０】
[0035]  第１のクランプを使用して、マスクＭＡのパターン化された表面をクランプすることができ、あるいはマスクＭＡのパターン化されていない表面をクランプすることができる。後者の場合、第２のクランプは、マスクＭＡのパターン化された面をクランプすることができる。
【００３１】
[0036]  マスクＭＡの両面または両側の縁に配置された２つの第１のクランプ２３が存在し、かつ、マスクＭＡの両面または両側の縁に配置された２つの第２のクランプ２４が存在していることが好ましい。
【００３２】
[0037]  本明細書においては、真空クランプに関連して説明されているが、本発明は、他の形態のクランプ、たとえば静電クランプを使用して実施することも可能である。
【００３３】
[0038]  本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語の同義語とみなすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジストの層を塗布し、かつ、露光済みのレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で、露光前または露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回にわたって処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００３４】
[0039]  また、本発明による実施形態の使用について、とりわけ光リソグラフィのコンテキストの中で参照されているが、本発明は、他のアプリケーション、たとえば転写リソグラフィに使用することができ、コンテキストが許容する場合、光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。転写リソグラフィの場合、基板に生成されるパターンは、パターニングデバイスのトポグラフィによって画定される。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されているレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せが印加される。レジストが硬化すると、パターニングデバイスがレジストから除去され、後にパターンが残される。
【００３５】
[0040]  本明細書に使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長あるいはその近辺の波長の放射）、および極端紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００３６】
[0041]  コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネントおよび静電光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを意味している。
【００３７】
[0042]  以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。たとえば本発明は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（たとえば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。
【００３８】
[0043]  以上の説明は例示を意図したものであり、本発明を制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】[0008]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0009]本発明の一実施形態に従ってクランプされたパターニングデバイスを示す図である。
【図３】[0010]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図４】[0011]本発明の一実施形態によるマスクテーブルと共に使用されるフレームの平面図である。
【図５】[0012]本発明の代替実施形態を示す図である。
【図１】
2007251137.tif 000002
【図２】
2007251137.tif 000003
【図３】
2007251137.tif 000004
【図４】
2007251137.tif 000005
【図５】
2007251137.tif 000006
【外国語明細書】
2007251137000001.pdf