(57)【要約】【課題】キャパシタ及び共振板の上部に良好に積層されるように、絶縁セラミック基底板を用いたキャップ板を有する表面実装型共振器を提供する。【解決手段】キャパシタ基底板、共振基底板及びキャップ基底板を用意する。前記キャップ基底板は、キャップ端子連結電極及び振動溝を有する。前記振動溝の各々を単位にしてキャップ基底板を切断して、キャップ板を形成する。前記共振基底板は、共振孔と、該共振孔の周囲に共振電極を有する。前記共振電極の各々を単位にして共振基底板を切断して、共振板を形成する。また、前記キャパシタ基底板は、キャパシタ電極、キャパシタ端子連結電極及び他の振動溝を有する。前記他の振動溝の各々を単位にしてキャパシタ基底板を切断して、キャパシタ板を形成する。前記キャパシタ板、共振板及びキャップ板を順に積層して、少なくとも１つの表面実装型共振器を形成することができる。【選択図】図１
2007174661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部及び下部キャップ手段から構成され、前記下部キャップ手段には、振動溝（Ｇｒｏｏｖｅ）が形成され、前記上部キャップ手段には、キャップ端子連結電極が形成されたキャップ手段と、
前記キャップ手段の下部に位置し、上部、中間及び下部共振手段から構成され、前記上部、中間及び下部共振手段の各々は、共振電極と、該共振電極の周囲に形成された共振孔とを有する共振手段と、
前記共振手段の下部に順に積層された第１乃至第５キャパシタ手段から構成され、前記第１キャパシタ手段には、他の振動溝が形成され、前記第２乃至第４キャパシタ手段には、キャパシタ電極が形成され、前記第５キャパシタ手段には、キャパシタ端子連結電極が形成されたキャパシタ手段と、
前記キャパシタ端子連結電極と前記キャップ端子連結電極とを連結する連結線とを備え、
前記連結線は、前記共振電極及び前記キャパシタ電極に接触するように配置され、前記第１キャパシタ手段の振動溝と前記下部キャップ手段の振動溝が互いに対向するように配置され、前記共振手段は、前記キャップ手段及び前記キャパシタ手段に上下に接触して配置されることを特徴とする表面実装型共振器。
【請求項２】
前記上部及び下部キャップ手段に各々配置された上部及び下部キャップ板と、前記第１乃至第５キャパシタ手段に各々配置された第１乃至第５キャパシタ板とをさらに備え、
前記キャパシタ端子連結電極及び前記キャップ端子連結電極は、前記第５キャパシタ板の上面及び前記上部キャップ板の下面に各々配置され、前記キャップ端子連結電極は、前記上部キャップ板の選択された両端部分の各々に同一個数で位置し、且つ前記上部キャップ板の前記選択された両端部分を最短距離で通過して平行する直線上に互いに対向するように配置され、前記キャパシタ端子連結電極は、前記直線に対応するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型共振器。
【請求項３】
前記上部及び下部キャップ手段に各々配置された上部及び下部キャップ板と、前記第１乃至第５キャパシタ手段に各々配置された第１乃至第５キャパシタ板とをさらに備え、
前記キャパシタ端子連結電極及び前記キャップ端子連結電極は、前記第５キャパシタ板の上面及び前記上部キャップ板の下面に各々配置され、前記キャップ端子連結電極は、前記上部キャップ板の選択された両端部分の各々に同一個数で互い違いになるように配置され、前記キャパシタ端子連結電極は、前記上部キャップ板の前記選択された両端部のうち一端部上の前記キャップ端子連結電極と同一個数で各々配置されることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型共振器。
【請求項４】
前記振動溝は、前記下部キャップ板の下面及び前記第１キャパシタ板の上面に各々配置されることを特徴とする請求項２又は３に記載の表面実装型共振器。
【請求項５】
前記上部及び下部キャップ板は、互いに接触して前記キャップ手段内に配置されることを特徴とする請求項２又は３に記載の表面実装型共振器。
【請求項６】
前記第１乃至第５キャパシタ板は、接触して前記キャパシタ手段内に配置されることを特徴とする請求項２又は３に記載の表面実装型共振器。
【請求項７】
前記上部、中間及び下部共振手段に各々配置された上部、中間及び下部共振板をさらに備え、
前記共振電極は、前記上部、中間及び下部共振板の各々に少なくとも１つ配置され、前記中間共振板は、前記上部及び下部共振板に上下に接触して前記共振手段内に配置され、前記第２乃至第４キャパシタ板の各々は、前記キャパシタ電極を１つ以上有するように配置され、そして、前記上部共振板の厚さは前記中間及び下部共振版の厚さの合計と同じ大きさを有することを特徴とする請求項２又は３に記載の表面実装型共振器。
【請求項８】
前記共振電極の各々は、時計回りに９０度回転したＴ字形状又は反時計回りに９０度回転したＴ字形状を有し、その状況で、前記上部共振板の前記共振電極及び前記中間共振板の前記共振電極は、反時計回りに９０度回転したＴ字形状及び時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように前記上部キャップ板の前記選択された両端部に対して直角方向に位置し、前記上部及び中間共振板の上面に行き違うように各々配置され、前記下部共振板の前記共振電極は、反時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように前記上部共振板の前記共振電極と同一方向に位置し、前記下部共振板の下面に配置されることを特徴とする請求項７に記載の表面実装型共振器。
【請求項９】
前記共振孔は、前記上部、中間及び下部共振板を貫通して重畳するように、前記共振板の各々に少なくとも２つが配置されることを特徴とする請求項８に記載の表面実装型共振器。
【請求項１０】
前記上部及び下部共振板の前記共振孔は、前記下部キャップ板及び前記第１キャパシタ板の前記振動溝の周囲に配置されることを特徴とする請求項９に記載の表面実装型共振器。
【請求項１１】
前記上部及び下部共振板の前記共振孔は、前記下部キャップ板及び前記第１キャパシタ板の前記振動溝と重畳するように配置されることを特徴とする請求項９に記載の表面実装型共振器。
【請求項１２】
前記上部及び下部共振板の前記共振孔は、前記下部キャップ板及び前記第１キャパシタ板の前記振動溝と部分的に重畳するように配置されることを特徴とする請求項９に記載の表面実装型共振器。
【請求項１３】
前記キャパシタ電極、前記共振電極、前記キャパシタ端子連結電極、前記キャップ端子連結電極及び前記連結線は、導電物質からなることを特徴とする請求項９に記載の表面実装型共振器。
【請求項１４】
前記上部及び下部キャップ板並びに前記第１乃至第５キャパシタ板は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）物質を含むことを特徴とする請求項１３に記載の表面実装型共振器。
【請求項１５】
前記上部、中間及び下部共振板は、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ３）物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載の表面実装型共振器。
【請求項１６】
上部及び下部キャップ手段から構成され、前記下部キャップ手段には、振動溝（Ｇｒｏｏｖｅ）が形成され、前記上部キャップ手段には、キャップ端子連結電極が形成されたキャップ手段を設ける段階と、
前記キャップ手段の下部に位置し、上部、中間及び下部共振手段から構成され、前記上部、中間及び下部共振手段の各々は、共振電極と、該共振電極の周囲に形成された共振孔とを有する共振手段を設ける段階と、
前記共振手段の下部に順に積層された第１乃至第５キャパシタ手段から構成され、前記第１キャパシタ手段には、他の振動溝が形成され、前記第２乃至第４キャパシタ手段には、キャパシタ電極が形成され、前記第５キャパシタ手段には、キャパシタ端子連結電極が形成されたキャパシタ手段を設ける段階と、
前記キャパシタ端子連結電極と前記キャップ端子連結電極とを連結する連結線を設ける段階と、を備え、
前記連結線は、前記共振電極及び前記キャパシタ電極に接触するように設けられ、前記第１キャパシタ手段の振動溝と前記下部キャップ手段の振動溝は、互いに対向するように形成され、前記共振手段は、前記キャップ手段及び前記キャパシタ手段と上下に接触するように設けられることを特徴とする表面実装型共振器の形成方法。
【請求項１７】
前記第１乃至第５キャパシタ手段に第１乃至第５キャパシタ板を形成し、前記上部、中間及び下部共振手段に上部、中間及び下部共振板を形成し、前記上部及び下部キャップ手段に上部及び下部キャップ板を形成する段階をさらに備え、
前記連結線は、前記上部及び下部キャップ板の選択された両側壁と、前記選択された両側壁を通る垂直線上の前記上部、中間及び下部共振板、そして前記第１乃至第５キャパシタ板の側壁に接触させ、前記振動溝は、前記下部キャップ板及び前記第５キャパシタ板に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項１８】
前記第５キャパシタ板上に前記キャパシタ端子連結電極、前記第２乃至第４キャパシタ板上に前記キャパシタ電極、前記上部、中間及び下部共振板上に前記共振電極、そして前記上部キャップ板上に前記キャップ端子連結電極が形成されることを特徴とする請求項１７に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項１９】
前記キャップ端子連結電極は、前記上部キャップ板の選択された両端部上の各々に同一個数で位置し、前記上部キャップ板の前記選択された両端部を最短距離で通過して平行する直線上に互いに対向するように形成され、前記キャパシタ端子連結電極は、前記直線に対応するように形成されることを特徴とする請求項１８に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２０】
前記キャップ端子連結電極は、前記上部キャップ板の選択された両端部上の各々に同一個数で互い違いになるように形成され、前記キャパシタ端子連結電極は、前記上部キャップ板の前記選択された両端部のうち一端部上の前記キャップ端子連結電極と同一個数で各々形成されることを特徴とする請求項１８に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２１】
前記キャパシタ手段を設ける段階は、
第１乃至第５キャパシタ基底板を用意する段階と、
前記第１キャパシタ基底板の上面に前記第１キャパシタ板を行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成する段階と、
前記第２乃至第４キャパシタ基底板の上面に前記第１キャパシタ板に対応するように同一個数で前記第２乃至第４キャパシタ板を各々形成する段階と、
前記第５キャパシタ基底板の下面に前記第１キャパシタ板に対応するように同一個数で前記第５キャパシタ板を形成する段階と、
前記第１乃至第５キャパシタ基底板を接着させる段階と、
前記第１乃至第５キャパシタ基底板を行及び列方向に前記第１乃至第５キャパシタ板の幅より大きく切断する段階と、を備え、
前記第１乃至第４キャパシタ基底板の上面は、同一方向に向かうように接着させ、前記第４及び第５キャパシタ基底板の上面及び下面は、互いに異なる方向に各々向かうように接着させることを特徴とする請求項１９又は２０に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２２】
前記共振電極は、前記上部、中間及び下部共振板上に各々形成され、
前記共振電極の各々は、時計回りに９０度回転したＴ字形状又は反時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように形成され、その状況で、前記上部共振板の前記共振電極及び前記中間共振板の前記共振電極は、反時計回りに９０度回転したＴ字形状及び時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように前記上部キャップ板の前記選択された両端部に対して直角方向に位置し、前記上部及び中間共振板の上面に互い違いになるように各々形成され、前記下部共振板の前記共振電極は、反時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように前記上部共振板の前記共振電極と同一方向に位置し、前記下部共振板の下面に形成されることを特徴とする請求項１８に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２３】
前記共振孔は、前記上部、中間及び下部共振板を貫通して重畳するように、前記共振板の各々に少なくとも２つ形成されることを特徴とする請求項２２に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２４】
前記上部及び下部共振板の前記共振孔は、前記振動溝の周囲に形成されることを特徴とする請求項２３に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２５】
前記上部及び下部共振板の前記共振孔は、前記振動溝と重畳するように形成されることを特徴とする請求項２３に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２６】
前記上部及び下部共振板の前記共振孔は、前記振動溝と部分的に重畳するように形成されることを特徴とする請求項２３に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２７】
前記共振手段を形成する段階は、
上部、中間及び下部共振基底板を用意する段階と、
前記上部共振基底板の上面に前記上部共振板を行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成する段階と、
前記中間及び下部共振基底板の上面及び下面に前記上部共振板に対応するように同一個数で前記中間及び下部共振板を各々形成する段階と、
前記上部、中間及び下部共振基底板を接着させる段階と、
前記上部、中間及び下部共振基底板を行及び列方向に前記上部、中間及び下部共振板の幅より大きく切断する段階と、を備え、
前記上部及び中間共振基底板の上面は、同一方向に向かうように接着させ、前記中間及び下部共振基底板の上面及び下面は、互いに異なる方向に各々向かうように接着させ、前記上部共振基底板及び上部共振板の厚さの合計は、前記中間及び下部共振基底版と前記中間及び下部共振版との厚さの合計と同じ大きさを有するように形成されることを特徴とする請求項２４乃至２６のいずれか１項に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２８】
前記キャップ手段を形成する段階は、
上部及び下部キャップ基底板を用意する段階と、
前記上部キャップ基底板の上面に前記上部キャップ板を行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成する段階と、
前記下部キャップ基底板の下面に前記上部キャップ板に対応するように同一個数で前記下部キャップ板を形成する段階と、
前記上部及び下部キャップ基底板を接着させる段階と、
前記上部及び下部キャップ基底板を行及び列方向に前記上部及び下部キャップ板の幅より大きく切断する段階と、を備え、
前記上部及び下部キャップ基底板の上面及び下面は、互いに異なる方向に各々向かうように接着させることを特徴とする請求項２４乃至２６のいずれか１項に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項２９】
前記キャパシタ電極、前記共振電極、前記キャパシタ端子連結電極、前記キャップ端子連結電極及び前記連結線は、導電物質を使用して形成されることを特徴とする請求項２３に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項３０】
前記上部及び下部キャップ板と、前記第１乃至第５キャパシタ板は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）物質を使用して形成することを特徴とする請求項２９に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【請求項３１】
前記上部、中間及び下部共振板は、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ３）物質を使用して形成することを特徴とする請求項３０に記載の表面実装型共振器の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型共振器及びその形成方法に関し、より詳細には、絶縁セラミック基底板を用いたキャップ手段を有する表面実装型共振器及びその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、セラミック共振器（Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）は、ＧＳＭカメラ付き携帯電話及びハードディスクなどに用いられており、ユーザの価値創造に漸進的に寄与している。これは、セラミック共振器が水晶振動子と同様に特定の周波数を発生する部品であるが、水晶振動子より低コスト化及び小型化が可能となって、ユーザの需要が増加しているからである。また、前記セラミック共振器は、多結晶圧電セラミックである共振板の機械的共振を利用するので、非常に安定した固有振動数を発生させることができる。したがって、前記セラミック共振器は、共振板の圧電定数及び形状寸法を使用してユーザのニーズに合う電気的特性を具現できる。さらに、前記セラミック共振器は、高周波（Ｍｅｇａ−Ｈｚ）の固有振動数を発生させるために共振板の下部にキャパシタ板を配置した表面実装（ＳＭＤ；Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ）型共振器に変形され、携帯電話、ＤＶＤロム、ＭＰ３プレーヤー及びメモリスティックなどに装着されている。
【０００３】
しかしながら、前記表面実装型共振器は、共振板の一部分に接触する保護体を供えるので、共振板の電極と保護体間の電気的短絡を発生させるおそれがある。前記保護体は、導電物質を使用して形成されうる。この時、前記電極と保護体間の電気的短絡は、初期に設計された表面実装型共振器の固有振動数の値を有しないようにすることで回避する。また、前記共振板及びキャパシタ板が保護体と異なる形状を有する場合、前記保護体は、共振板内の一部分との整列関係により表面実装型共振器の製造工程に困難性を与える可能性がある。したがって、前記表面実装型共振器は、保護体と共振板間の整列関係を良好に維持するために、複雑な製造工程を有しうる。
【０００４】
一方、特許文献１には、「圧電素子を製造する方法（ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ  Ａ  ＰＩＥＺＯＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＤＥＶＩＣＥ）」がマサユキ・キクシマ（ＭＡＳＡＹＵＫＩ  ＫＩＫＵＳＨＩＭＡ）らにより開示されている。
【０００５】
前記特許文献１によれば、前記方法は、セラミック基底板、水晶共振子及びメタルリッド（またはセラミックリッド）を順に積層させることを含む。前記メタルリッドは、セラミック基底板と整列され、セラミック基底板上に形成される。前記水晶共振子は、セラミック基底板とメタルリッドとの間に形成される。この時、前記メタルリッドは、水晶共振子から離隔され、水晶共振子を取り囲むように形成される。
【０００６】
しかし、前記方法は、メタルリッドと水晶共振子の電気的短絡を回避しがたい圧電素子を形成する可能性がある。なぜなら、前記メタルリッドとセラミック基底板間の整列状態が良好でない場合、前記メタルリッドは、水晶共振子と電気的短絡を誘発させる恐れがあるからである。また、前記圧電素子にセラミックリッドを使用する場合、前記方法は、製造工程の環境に応じて、セラミックリッドと水晶共振子との接触確率を大きくする恐れがあるので、水晶共振子の共振特性を悪化させる恐れがある。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６，９７６，２９５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前述のような従来の問題点を解決するためになされたもので、キャパシタ及び共振板の上部に良好に積層されるように、絶縁セラミック基底板を用いたキャップ板を有する表面実装型共振器を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、大量生産が可能で、且つキャパシタ及び共振板と良好に整列するように、絶縁セラミック基底板を用いたキャップ板を有する表面実装型共振器の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明は、絶縁セラミック基底板を用いたキャップ板を有する表面実装型共振器及びその形成方法を提供する。
【００１１】
本発明の一態様に係る表面実装型共振器は、上部及び下部キャップ手段から構成され、前記下部キャップ手段には、振動溝（Ｇｒｏｏｖｅ）が形成され、前記上部キャップ手段には、キャップ端子連結電極が形成されたキャップ手段と、前記キャップ手段の下部に位置し、上部、中間及び下部共振手段から構成され、前記上部、中間及び下部共振手段の各々は、共振電極と、該共振電極の周囲に形成された共振孔とを有する共振手段と、前記共振手段の下部に順に積層された第１乃至第５キャパシタ手段から構成され、前記第１キャパシタ手段には、他の振動溝が形成され、前記第２乃至第４キャパシタ手段には、キャパシタ電極が形成され、前記第５キャパシタ手段には、キャパシタ端子連結電極が形成されたキャパシタ手段と、前記キャパシタ端子連結電極と前記キャップ端子連結電極とを連結する連結線とを備え、前記連結線は、前記共振電極及び前記キャパシタ電極に接触するように配置され、前記第１キャパシタ手段の振動溝と前記下部キャップ手段の振動溝が互いに対向するように配置され、前記共振手段は、前記キャップ手段及び前記キャパシタ手段に上下に接触して配置されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の他の態様に係る表面実装型共振器の形成方法は、上部及び下部キャップ手段から構成され、前記下部キャップ手段には、振動溝（Ｇｒｏｏｖｅ）が形成され、前記上部キャップ手段には、キャップ端子連結電極が形成されたキャップ手段を設ける段階と、前記キャップ手段の下部に位置し、上部、中間及び下部共振手段から構成され、前記上部、中間及び下部共振手段の各々は、共振電極と、該共振電極の周囲に形成された共振孔とを有する共振手段を設ける段階と、前記共振手段の下部に順に積層された第１乃至第５キャパシタ手段から構成され、前記第１キャパシタ手段には、他の振動溝が形成され、前記第２乃至第４キャパシタ手段には、キャパシタ電極が形成され、前記第５キャパシタ手段には、キャパシタ端子連結電極が形成されたキャパシタ手段を設ける段階と、前記キャパシタ端子連結電極と前記キャップ端子連結電極とを連結する連結線を設ける段階と、を備え、前記連結線は、前記共振電極及び前記キャパシタ電極に接触するように設けられ、前記第１キャパシタ手段の振動溝と前記下部キャップ手段の振動溝は、互いに対向するように形成され、前記共振手段は、前記キャップ手段及び前記キャパシタ手段と上下に接触するように設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、絶縁セラミック板を用いたキャップ手段を有する表面実装型共振器及びその形成方法を提供する。したがって、本発明は、絶縁セラミック板を含むキャップ手段を利用することによって、表面実装型共振器の製造工程を単純化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付の図面を参照して、本発明に係る絶縁セラミック物質を用いたキャップ板を有する表面実装型共振器を詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明に係る表面実装型共振器を示す結合斜視図である。
【００１６】
図１を参照すれば、表面実装型共振器１５０は、キャップ手段３０を備える。前記キャップ手段３０は、上部及び下部キャップ手段１０、２０で構成される。前記上部及び下部キャップ手段１０、２０には、上部及び下部キャップ板１３、２３が各々配置される。前記上部及び下部キャップ板１３、２３は、実質的に同一面積を有する。前記上部及び下部キャップ板１３、２３は、互いに平行するように配置されることが好ましい。前記上部及び下部キャップ板１３、２３は、互いに接触してキャップ手段３０内に配置される。前記上部及び下部キャップ板１３、２３は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）物質を含むことが好ましい。前記ＬＴＣＣ物質は、セラミック及びガラス（Ｇｌａｓｓ）を含む。
【００１７】
前記上部キャップ板１３の上面にキャップ端子連結電極１６が配置される。前記キャップ端子連結電極１６は、上部キャップ板１３の選択された両端部上の各々に同一個数で位置し、上部キャップ板１３の選択された両端部を最短距離で通過して平行する直線上に互いに対向するように配置される。これに対して、前記キャップ端子連結電極１６は、前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部上の各々に同一個数で互い違いになるように配置されてもよい。前記キャップ端子連結電極１６は、銀（Ａｇ）を含む導電物質であることが好ましい。この時、前記上部及び下部キャップ板１３、２３は、キャップ端子連結電極１６と低い温度で同時焼結が可能である。また、前記下部キャップ板２３の下面に振動溝（Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ  Ｇｒｏｏｖｅ）（図示せず）が配置される。前記振動溝は、下部キャップ板２３の下面から下部キャップ板２３の上面に向かって所定の深さをもって延びたものである。この時、前記振動溝は、第１キャパシタ板８３の他の振動溝８６と同一形態を有するように、下部キャップ板２３に配置されることが好ましい。
【００１８】
前記キャップ手段３０の下部に共振手段７０が配置される。前記共振手段７０は、キャップ手段３０に接触するように配置されることができる。前記共振手段７０は、上部、中間及び下部共振手段４０、５０、６０で構成される。前記上部、中間及び下部共振手段４０、５０、６０内に、上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３が各々配置される。前記上部共振板４３の厚さは中間及び下部共振板５３、６３の厚さの合計と同じ大きさを有することが好ましい。前記上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３は、下部キャップ板２３と実質的に同一面積を有する。前記上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３は、下部キャップ板２３と平行するように配置されることが好ましい。前記中間共振板５３は、上部及び下部共振板４３、６３と上下に接触して共振手段７０内に配置される。前記上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３は、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ３）物質を含むことが好ましい。
【００１９】
前記上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３の上面に、上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６が各々配置される。前記上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６は、共振特性を有する。前記上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６は、銀（Ａｇ）を含む導電物質であることが好ましい。前記上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６は、上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３上に各々少なくとも１つ配置される。前記上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６の各々は、時計回りに９０度回転したＴ字形状又は反時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように配置される。前記上部共振電極４６及び中間共振電極５６は、反時計回りに９０度回転したＴ字形状及び時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部に対して直角方向に位置し、上部及び中間共振板４３、５３の上面に互い違いになるように各々配置されることが好ましい。前記下部共振電極６６は、反時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように上部共振電極４６と同一方向に位置し、下部共振板６３の下面に配置されることが好ましい。この時、前記振動溝及び他の振動溝８６は、上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６に振動空間を提供する。
【００２０】
前記上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３には、振動共振孔４９、５９、６９が配置される。前記振動共振孔４９、５９、６９は、上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３を貫通して重畳するように配置される。前記振動共振孔４９、５９、６９は、上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３の各々に少なくとも２つが配置される。前記上部共振板４３の振動共振孔４９は、下部キャップ板２３の振動溝の周囲に配置されることが好ましい。前記上部共振板４３の振動共振孔４９は、下部キャップ板２３の振動溝と重畳させることができる。前記上部共振板４３の振動共振孔４９は、下部キャップ板２３の振動溝と部分的に重畳させることができる。
【００２１】
前記共振手段７０の下部にキャパシタ手段１３０が配置される。前記キャパシタ手段１３０は、共振手段７０に接触するように配置させることができる。前記キャパシタ手段１３０は、第１乃至第５キャパシタ手段８０、９０、１００、１１０、１２０で構成される。前記第１乃至第５キャパシタ手段８０、９０、１００、１１０、１２０内に、第１乃至第５キャパシタ板８３、９３、１０３、１１３、１２３が各々配置される。前記第１乃至第５キャパシタ板８３、９３、１０３、１１３、１２３は、接触してキャパシタ手段１３０に順に積層される。前記第１乃至第５キャパシタ板８３、９３、１０３、１１３、１２３は、下部共振板６３と実質的に同一面積を有する。前記第１乃至第５キャパシタ板８３、９３、１０３、１１３、１２３は、下部共振板６３と平行するように配置されることが好ましい。前記第１乃至第５キャパシタ板８３、９３、１０３、１１３、１２３は、ＬＴＣＣ物質を含むことが好ましい。
【００２２】
前記第１キャパシタ板８３の上面に他の振動溝８６が配置される。前記他の振動溝８６は、第１キャパシタ板８３の上面から下面に向かって所定の深さをもって延びることが好ましい。前記他の振動溝８６は、下部共振板６３の共振孔６９の周囲に配置されることが好ましい。前記他の振動溝８６は、下部共振板６３の共振孔６９と重畳するように配置させることができる。前記他の振動溝８６は、下部共振板６３の共振孔６９と部分的に重畳するように配置させることができる。
【００２３】
前記第２乃至第４キャパシタ板９３、１０３、１１３の上面に、上部、中間及び下部キャパシタ電極９６、１０６、１１６が配置される。前記上部キャパシタ電極９６は、第２キャパシタ板９３上に１つ以上配置されることが好ましい。前記中間キャパシタ電極１０６は、第３キャパシタ板１０３上に１つ以上配置されることが好ましい。また、前記下部キャパシタ電極１１６は、第４キャパシタ板１１３上に１つ以上配置されることが好ましい。前記上部、中間及び下部キャパシタ電極９６、１０６、１１６は、銀（Ａｇ）を含む導電物質であることが好ましい。前記第５キャパシタ板１２３の下面にキャパシタ端子連結電極１２６が配置される。
【００２４】
前記キャップ端子連結電極１６が前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部を通過して平行する直線上に同一個数で互いに対向するように位置する場合、前記キャパシタ端子連結電極１２６は、前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部の前記直線に対応するように配置されることが好ましい。前記キャップ端子連結電極１６が、前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部上の各々に同一個数で互い違いになるように位置する場合、前記キャパシタ端子連結電極１２６は、前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部のうち一端部上のキャップ端子連結電極１６と同一個数で各々配置させることができる。
【００２５】
前記キャップ端子連結電極１６及びキャパシタ端子連結電極１２６を連結する連結線１４０が配置される。前記連結線１４０は、銀（Ａｇ）を含む導電物質であることが好ましい。しかも、前記連結線１４０は、上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６、そして上部、中間及び下部キャパシタ電極９６、１０６、１１６に接触するように配置される。このために、前記共振手段７０は、キャップ手段３０及びキャパシタ手段１３０と上下に接触するように配置させることができる。そして、前記第１キャパシタ板８３の振動溝８６及び下部キャップ板２３の振動溝は、互いに対向するように配置される。
【００２６】
以下、添付の図面を参照して、本発明に係る絶縁セラミック物質を用いたキャップ板を有する表面実装型共振器の形成方法を説明する。
【００２７】
図２及び図３は、各々、キャップ基底板を示す平面図であり、図１２は、図２の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’に沿って切断したキャップ手段を示す結合斜視図である。図１３は、図１２の一部分を示す斜視図である。
【００２８】
図２を参照すれば、上部キャップ基底板１１を用意する。前記上部キャップ基底板１１は、上部キャップ板１３を有するように形成される。前記上部キャップ板１３及び上部キャップ基底板１１は、互いに異なる位置に上面を各々有するように形成される。この時、前記上部キャップ板１３は、上部キャップ基底板１１の上面に行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成される。前記上部キャップ板１３及び上部キャップ基底板１１は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）物質を使用して形成する。前記ＬＴＣＣ物質は、セラミック及びガラスを含めて形成される。これに対して、前記上部キャップ基底板１１上に上部キャップ領域１２を設けることもできる。前記上部キャップ領域１２及び上部キャップ基底板１１は、同一上面を有する。前記上部キャップ領域１２は、上部キャップ板１３を限定するように、上部キャップ板１３と同一個数で上部キャップ基底板１１上に形成される。この時、前記上部キャップ領域１２は、上部キャップ基底板１１を細分してテスティング技法で所定の面積を有するように形成させることができる。前記上部キャップ領域１２は、上部キャップ基底板１１上に必ずしも表されなくてもよい。
【００２９】
前記上部キャップ板１３上にキャップ端子連結電極１６を形成する。前記キャップ端子連結電極１６は、上部キャップ板１３の選択された両端部上の各々に同一個数で位置し、上部キャップ板１３の選択された両端部を最短距離で通過して平行する直線上に互いに対向するように形成されることが好ましい。これに対して、前記キャップ端子連結電極１６は、前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部上の各々に同一個数で互い違いになるように形成されてもよい。前記キャップ端子連結電極１６を形成することは、公知技術のテープキャスティング方法（Ｔａｐｅ  Ｃａｓｔｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄ）を使用して形成することが好ましい。前記キャップ端子連結電極１６は、銀（Ａｇ）を含む導電物質を使用して形成することが好ましい。前記キャップ端子連結電極１６及び上部キャップ板１３は、上部キャップ手段１０を構成する。これに対して、前記キャップ端子連結電極１６は、上部キャップ領域１２上に形成されてもよい。
【００３０】
図３を参照すれば、下部キャップ基底板２１を用意する。前記下部キャップ基底板２１は、下部キャップ板２３を有するように形成される。前記下部キャップ板２３及び下部キャップ基底板２１は、互いに異なる位置に上面を各々有するように形成される。前記下部キャップ板２３は、下部キャップ基底板２１の下面に行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成される。この時、前記下部キャップ板２３は、図２の上部キャップ板１３に対応するように同一個数で形成されることが好ましい。前記下部キャップ板２３及び下部キャップ基底板２１は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）物質を使用して形成することが好ましい。
【００３１】
一方、前記下部キャップ基底板２１上に下部キャップ領域２２を設けることもできる。前記下部キャップ領域２２及び下部キャップ基底板２１は、同一上面を有する。前記下部キャップ領域２２は、下部キャップ板２３を限定するように、下部キャップ板２３と同一個数で下部キャップ基底板２１上に形成される。この時、前記下部キャップ領域２２は、下部キャップ基底板２１を細分してテスティング技法で所定の面積を有するように形成させることができる。前記下部キャップ領域２２は、下部キャップ基底板２１上に必ずしも表されなくてもよい。
【００３２】
前記下部キャップ板２３に振動溝（Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ  Ｇｒｏｏｖｅ）２６を形成する。前記振動溝２６は、下部キャップ板２３から下部キャップ基底板２１に向かうように所定の深さを有することが好ましい。前記振動溝２６を形成することは、公知の打ち抜き技術及びこれと類似の方法で形成させることができる。前記下部キャップ板２３及び振動溝２６は、下部キャップ手段２０を構成する。これに対して、前記振動溝２６は、下部キャップ領域２２に形成されてもよい。
【００３３】
図２、図３、図１２及び図１３を参照すれば、前記上部キャップ基底板１１と下部キャップ基底板２１との間に接着剤（図示せず）を介在させることができる。前記接着剤は、下部キャップ基底板２１の上面を上部キャップ基底板１１の下面に接着させる。この時、前記上部及び下部キャップ基底板１１、２１の上面及び下面は、各々互いに異なる方向に向かうように接着させることが好ましい。前記接着剤は、非導電性接着剤（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を使用することが好ましい。
【００３４】
一方、前記上部キャップ基底板１１及び下部キャップ基底板２１の側壁は、同一線上に各々位置するように整列させることができる。続いて、前記上部及び下部キャップ基底板１１、２１を行及び列方向（図２の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’）に上部及び下部キャップ板１３、２３の幅より大きく切断して、図１２のキャップ手段３０を形成する。前記上部及び下部キャップ基底板１１、２１を行及び列方向（図２の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’）に上部及び下部キャップ領域１２、２２の幅より大きく切断して、図１２のキャップ手段３０を形成することもできる。これにより、前記上部及び下部キャップ領域１２、２２は、上部及び下部キャップ板１３、２３を限定する。
【００３５】
前記キャップ手段３０は、上部及び下部キャップ手段１０、２０で構成されるように形成される。前記キャップ手段３０は、上部キャップ手段１０内にキャップ端子連結電極１６及び下部キャップ手段２０内に振動溝を有するように形成される。この時、前記下部キャップ手段２０は、下部キャップ板２３に図１３に示されるような振動溝２６を有する。
【００３６】
図４乃至図６は、各々、共振基底板を示す平面図であり、図１４は、図４の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した共振手段を示す結合斜視図である。図１５は、図１４の一部分を示す斜視図である。
【００３７】
図４及び図５を参照すれば、上部及び中間共振基底板４１、５１を用意する。前記上部及び中間共振基底板４１、５１は、上部及び中間共振板４３、５３を各々有するように形成される。前記上部及び中間共振板４３、５３は、上部及び中間共振基底板４１、５１と異なる位置に上面を各々有するように形成される。前記上部共振板４３は、上部共振基底板４１の上面に行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成される。前記中間共振板５３は、中間共振基底板５１の上面に上部共振板４３に対応するように同一個数で形成されることが好ましい。前記上部及び中間共振板４３、５３、そして上部及び中間共振基底板４１、５１は、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ３）物質を使用して形成することが好ましい。
【００３８】
一方、前記上部及び中間共振基底板４１、５１上に、上部及び中間共振領域４２、５２を設けることもできる。前記上部及び中間共振領域４２、５２は、上部及び中間共振基底板４１、５１と同一上面を有する。前記上部共振領域４２は、上部共振板４３を限定するように、上部共振板４３と同一個数で上部共振基底板４１上に形成される。前記中間共振領域５２は、中間共振板５３を限定するように、中間共振板５３と同一個数で中間共振基底板５１上に形成される。この時、前記上部及び中間共振領域４２、５２は、上部及び中間共振基底板４１、５１を細分してテスティング技法で所定の面積を有するように形成させることができる。前記上部及び中間共振領域４２、５２は、上部及び中間共振基底板４１、５１上に必ずしも表されなくてもよい。
【００３９】
前記上部及び中間共振板４３、５３上に上部及び中間共振電極４６、５６を各々形成する。前記上部及び中間共振電極４６、５６は、反時計回りに９０度回転したＴ字形状及び時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように図２の前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部に対して直角方向に位置し、上部及び中間共振板４３、５３の上面に互い違いになるように各々形成されることが好ましい。前記上部及び中間共振電極４６、５６は、銀を含む導電物質を使用して形成することが好ましい。これに対して、前記上部及び中間共振電極４６、５６は、上部及び中間共振領域４２、５２上に形成されてもよい。
【００４０】
しかも、前記上部及び中間共振板４３、５３に上部及び中間共振孔４９、５９を形成する。前記上部及び中間共振孔４９、５９は、上部及び中間共振板４３、５３を貫通して互いに重畳するように形成される。前記上部及び中間共振孔４９、５９は、上部及び中間共振板４３、５３に少なくとも２つが各々形成される。前記上部共振板４３、上部共振電極４６及び上部共振孔４９は、上部共振手段４０を構成する。前記中間共振板５３、中間共振電極５６及び中間共振孔５９は、中間共振手段５０を構成する。これに対して、前記上部及び中間共振孔４９、５９は、上部及び中間共振領域４２、５２に形成されてもよい。
【００４１】
図６を参照すれば、下部共振基底板６１を用意する。前記下部共振基底板６１は、下部共振板６３を有するように形成される。前記下部共振板６３及び下部共振基底板６１は、互いに異なる位置に下面を各々有するように形成される。前記下部共振板６３は、下部共振基底板６１の下面に行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成される。前記下部共振板６３は、下部共振基底板６１の下面に図４の上部共振板４３に対応するように同一個数で形成することが好ましい。前記下部共振板６３及び下部共振基底板６１は、ＰＺＴ物質を使用して形成することが好ましい。
【００４２】
一方、前記下部共振基底板６１上に下部共振領域６２を設けることもできる。前記下部共振領域６２及び下部共振基底板６１は、同一上面を有する。前記下部共振領域６２は、下部共振板６３を限定するように、下部共振板６３と同一個数で下部共振基底板６１上に形成される。この時、前記下部共振領域６２は、下部共振基底板６１を細分してテスティング技法で所定の面積を有するように形成させることができる。前記下部共振領域６２は、下部共振基底板６１上に必ずしも表されなくてもよい。
【００４３】
前記下部共振板６３上に下部共振電極６６を１つ形成する。前記下部共振電極６６は、反時計回りに９０度回転したＴ字形状を有するように、図４の上部共振板４３の上部共振電極４６と同一方向に位置し、前記下部共振板６３上に形成されることが好ましい。前記下部共振電極６６は、銀を含む導電物質を使用して形成することが好ましい。そして、前記下部共振板６３を貫通する下部共振孔６９を形成する。前記下部共振孔６９は、下部共振板６３に少なくとも２つ形成される。前記下部共振孔６９は、図５の中間共振板５３の中間共振孔５９と重畳するように形成させることが好ましい。前記下部共振板６３、下部共振電極６６及び下部共振孔６９は、下部共振手段６０を構成する。これに対して、前記下部共振電極６６は、下部共振領域６２上に形成されてもよい。下部共振電極６６は、上部及び中間共振電極４６、５６と共に共振特性を有する。前記上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３、そして、前記上部、中間及び下部共振基底板４１、５１、６１が互いに異なる上面を有する場合に、前記上部共振基底板４１及び上部共振板４３の厚さの合計は、中間及び下部共振基底板５１及び６１並びに中間及び下部共振板５３及び６３の厚さの合計と同じ大きさを有するように形成されるのが好ましい。また、前記上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３、そして、前記上部、中間及び下部共振基底板４１、５１、６１が同じ上面を有する場合に、前記上部共振板４３の厚さは中間及び下部共振板５３、６３の厚さの合計と同じ大きさを有するように形成されるのが好ましい。
【００４４】
図４乃至図６、図１４及び図１５を参照すれば、前記上部、中間及び下部共振基底板４１、５１、６１間に接着剤（図示せず）を介在させることができる。前記接着剤は、上部共振基底板４１の下面に中間共振基底板５１の上面、そして中間共振基底板５１の下面に下部共振基底板６１の上面を接着させる。この時、前記上部及び中間共振基底板４１、５１の上面は、同一方向に向かうように接着させることが好ましい。そして、前記中間及び下部共振基底板５１、６１の上面及び下面は、互いに異なる方向に各々向かうように接着させることが好ましい。前記接着剤は、非導電性接着剤を使用することが好ましい。
【００４５】
一方、前記上部、中間及び下部共振基底板４１、５１、６１の側壁は、同一線上に各々位置するように整列させることができる。続いて、前記上部、中間及び下部共振基底板４１、５１、６１を行及び列方向（図４の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’）に上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３の幅より大きく切断して、図１４の共振手段７０を形成する。前記上部、中間及び下部共振基底板４１、５１、６１を行及び列方向（図４の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’）に上部、中間及び下部共振領域４２、５２、６２の幅より大きく切断して、図１４の共振手段７０を形成することもできる。これにより、前記上部、中間及び下部共振領域４２、５２、６２は、上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３を限定する。
【００４６】
前記共振手段７０は、上部、中間及び下部共振手段４０、５０、６０で構成されるように形成される。前記共振手段７０は、上部、中間及び下部共振手段４０、５０、６０内に上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６を有し、且つ、上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６の周囲に上部、中間及び下部共振孔４９、５９、６９を有するように形成される。
【００４７】
前記上部共振孔４９は、図１３の下部キャップ板２３の振動溝２６の周囲に形成される。前記上部共振孔４９は、下部キャップ板２３の振動溝２６と重畳するように形成させることができる。前記上部共振孔４９は、下部キャップ板２３の振動溝２６と部分的に重畳するように形成させることができる。この時、前記下部共振手段６０は、図１５に示されるように、下部共振板６３に下部共振孔６９を有し、下部共振板６３上に下部共振電極６６を有する。
【００４８】
図７乃至図１１は、各々、キャパシタ基底板を示す平面図であり、図１６は、図７乃至図１１の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’に沿って切断したキャパシタ手段を示す結合斜視図である。また、図１７は、図１６の一部分を示す斜視図であり、図１８は、図１２、図１４及び図１６の結合斜視図である。
【００４９】
図７を参照すれば、第１キャパシタ基底板８１を用意する。前記第１キャパシタ基底板８１は、第１キャパシタ板８３を有するように形成される。前記第１キャパシタ板８３及び第１キャパシタ基底板８１は、互いに異なる位置に上面を各々有するように形成される。前記第１キャパシタ板８３は、第１キャパシタ基底板８１の上面に行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成される。前記第１キャパシタ板８１及び第１キャパシタ基底板８３は、ＬＴＣＣ物質を使用して形成することが好ましい。
【００５０】
一方、前記第１キャパシタ基底板８１上に第１キャパシタ領域８２を設けることもできる。前記第１キャパシタ領域８２及び第１キャパシタ基底板８１は、同一上面を有する。前記第１キャパシタ領域８２は、第１キャパシタ板８３を限定するように、第１キャパシタ板８３と同一個数で第１キャパシタ基底板８１上に形成される。この時、前記第１キャパシタ領域８２は、第１キャパシタ基底板８１を細分してテスティング技法で所定の面積を有するように形成させることができる。前記第１キャパシタ領域８２は、第１キャパシタ基底板８１上に必ずしも表されなくてもよい。
【００５１】
前記第１キャパシタ板８３上に他の振動溝８６を形成する。前記他の振動溝８６は、第１キャパシタ板から第１キャパシタ基底板に向かうように所定の深さを有することが好ましい。前記他の振動溝８６を形成することは、公知の打ち抜き技術及びこれと類似の方法で形成されることができる。前記第１キャパシタ板８３、他の振動溝８６は、第１キャパシタ手段８０を構成する。これに対して、前記他の振動溝８６は、第１キャパシタ領域８２に形成されてもよい。前記他の振動溝８６は、図３の振動溝２６と一緒に、図４乃至図６の上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６に振動空間を提供する。
【００５２】
図８乃至図１０を参照すれば、第２乃至第４キャパシタ基底板９１、１０１、１１１を用意する。前記第２乃至第４キャパシタ基底板９１、１０１、１１１は、第２乃至第４キャパシタ板９３、１０３、１１３を各々有するように形成される。前記第２乃至第４キャパシタ板９３、１０３、１１３は、第２乃至第４キャパシタ基底板９１、１０１、１１１と異なる位置に上面を各々有するように形成される。前記第２キャパシタ板９３は、第２キャパシタ基底板９１の上面に行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成される。この時、前記第３及び第４キャパシタ板１０３、１１３の各々は、第２キャパシタ板９３に対応するように同一個数で形成されることが好ましい。前記第２乃至第４キャパシタ板９３、１０３、１１３、そして第２乃至第４キャパシタ基底板９１、１０１、１１１は、ＬＴＣＣ物質を使用して形成することが好ましい。
【００５３】
一方、前記第２乃至第４キャパシタ基底板９１、１０１、１１１上に第２乃至第４キャパシタ領域９２、１０２、１１２を設けることもできる。前記第２乃至第４キャパシタ領域９２、１０２、１１２は、第２乃至第４キャパシタ基底板９１、１０１、１１１と同一上面を有する。前記第２キャパシタ領域９２は、第２キャパシタ板９３を限定するように、第２キャパシタ板９３と同一個数で第２キャパシタ基底板９１上に形成される。前記第３キャパシタ領域１０２は、第３キャパシタ板１０３を限定するように、第３キャパシタ板１０３と同一個数で第３キャパシタ基底板１０１上に形成される。そして、前記第４キャパシタ領域１１２は、第４キャパシタ板１１３を限定するように、第４キャパシタ板１１３と同一個数で第４キャパシタ基底板１１１上に形成される。この時、前記第２乃至第４キャパシタ領域９２、１０２、１１２は、第２乃至第４キャパシタ基底板９１、１０１、１１１を細分してテスティング技法で所定の面積を有するように形成させることができる。前記第２乃至第４キャパシタ領域９２、１０２、１１２は、第２乃至第４キャパシタ基底板９１、１０１、１１１上に必ずしも表されなくてもよい。
【００５４】
前記第２乃至第４キャパシタ板９３、１０３、１１３上に上部、中間及び下部キャパシタ電極９６、１０６、１１６を形成する。前記上部キャパシタ電極９６は、第２キャパシタ板９３上に少なくとも１つ形成されることが好ましい。前記中間キャパシタ電極１０６は、第３キャパシタ板１０３上に少なくとも１つ形成されることが好ましい。そして、前記下部キャパシタ電極１１６は、第４キャパシタ板１１３上に少なくとも１つ形成されることが好ましい。前記上部、中間及び下部キャパシタ電極９６、１０６、１１６は、銀を含む導電物質を使用して形成することが好ましい。前記第２キャパシタ板９３及び上部キャパシタ電極９６は、第２キャパシタ手段９０を構成する。前記第３キャパシタ板１０３及び中間キャパシタ電極１０６は、第３キャパシタ手段１００を構成する。そして、前記第４キャパシタ板１１３及び下部キャパシタ電極１１６は、第４キャパシタ手段１１０を構成する。これに対して、前記上部、中間及び下部キャパシタ電極ら９６、１０６、１１６は第２乃至第４キャパシタ領域９２、１０２、１１２上に形成されてもよい。
【００５５】
図１１を参照すれば、第５キャパシタ基底板１２１を用意する。前記第５キャパシタ基底板１２１は、第５キャパシタ板１２３を有するように形成される。前記第５キャパシタ板１２３及び第５キャパシタ基底板１２１は、互いに異なる位置に上面を各々有するように形成される。前記第５キャパシタ板１２３は、第５キャパシタ基底板１２１の下面に行及び列方向に二次元的に少なくとも１つ形成される。この時、前記第５キャパシタ板１２３は、図１０の第４キャパシタ板１１３に対応するように同一個数で形成されることが好ましい。前記第５キャパシタ板１２３及び第５キャパシタ基底板１２１は、ＬＴＣＣ物質を使用して形成することが好ましい。
【００５６】
一方、前記第５キャパシタ基底板１２１上に第５キャパシタ領域１２２を設けることもできる。前記第５キャパシタ領域１２２及び第５キャパシタ基底板１２１は、同一上面を有する。前記第５キャパシタ領域１２２は、第５キャパシタ板１２３を限定するように、第５キャパシタ板１２３と同一個数で第５キャパシタ基底板１２１上に形成される。この時、前記第５キャパシタ領域１２２は、第５キャパシタ基底板１２１を細分してテスティング技法で所定の面積を有するように形成されることができる。前記第５キャパシタ領域１２２は、第５キャパシタ基底板１２１上に必ずしも表されなくてもよい。
【００５７】
前記第５キャパシタ板１２３上にキャパシタ端子連結電極１２６を形成する。図１で、前記キャップ端子連結電極１６が前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部を通過して平行する直線上に互いに対向するように形成される場合、前記キャパシタ端子連結電極１２６は、上部キャップ板１３上の前記直線に対応するように形成されることが好ましい。これに対して、前記キャップ端子連結電極１６が前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部上に互い違いになるように形成される場合、前記キャパシタ端子連結電極１２６は、前記上部キャップ板１３の前記選択された両端部のうち一端部上のキャップ端子連結電極１６と同一個数で各々形成されることが好ましい。前記キャパシタ端子連結電極１２６は、銀を含む導電物質を使用して形成することが好ましい。前記第５キャパシタ板１２３及びキャパシタ端子連結電極１２６は、第５キャパシタ手段１２０を構成する。これに対して、前記キャパシタ端子連結電極１２６は、第５キャパシタ領域１２２上に形成させることができる。
【００５８】
図７乃至図１１、図１６及び１７を参照すれば、前記第１乃至第５キャパシタ基底板８１、９１、１０１、１１１、１２１間に接着剤（図示せず）を介在させることができる。前記接着剤は、第１キャパシタ基底板８１の下面に第２キャパシタ基底板９１の上面、第２キャパシタ基底板９１の下面に第３キャパシタ基底板１０１の上面を接着させる。また、前記接着剤は、第３キャパシタ基底板１０１の下面に第４キャパシタ基底板１１１の上面、第４キャパシタ基底板１１１の下面に第５キャパシタ基底板１２１の上面を接着させる。この時、前記第１乃至第４キャパシタ基底板８１、９１、１０１、１１１の上面は、同一方向に向かうように接着させることが好ましい。そして、前記第４及び第５キャパシタ基底板１１１、１２１の上面及び下面は、互いに異なる方向に各々向かうように接着させることが好ましい。前記接着剤は、非導電性接着剤を使用することが好ましい。
【００５９】
一方、前記第１乃至第５キャパシタ基底板８１、９１、１０１、１１１、１２１の側壁は、同一線上に各々位置するように整列させることができる。続いて、前記第１乃至第５キャパシタ基底板８１、９１、１０１、１１１、１２１を行及び列方向（図７の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’）に第１乃至第５キャパシタ板８３、９３、１０３、１１３、１２３の幅より大きく切断して、図１６のキャパシタ手段１３０を形成する。前記第１乃至第５キャパシタ基底板８１、９１、１０１、１１１、１２１を行及び列方向（図７の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’）に第１乃至第５キャパシタ領域８２、９２、１０２、１１２、１２２の幅より大きく切断して、図１６のキャパシタ手段１３０を形成することができる。これにより、前記第１乃至第５キャパシタ領域８２、９２、１０２、１１２、１２２は、第１乃至第５キャパシタ板８３、９３、１０３、１１３、１２３を限定する。
【００６０】
前記キャパシタ手段１３０は、第１乃至第５キャパシタ手段８０、９０、１００、１１０、１２０で構成されるように形成される。前記キャパシタ手段１３０は、第１キャパシタ手段８０内に他の振動溝８６、第２乃至第４キャパシタ手段９０、１００、１１０内に上部、中間及び下部キャパシタ電極９６、１０６、１１６、そして、前記第５キャパシタ手段１２０内にキャパシタ端子連結電極１２６を有するように形成される。
【００６１】
前記他の振動溝８６は、図６の下部共振板６３の下部共振孔６９の周囲に形成される。前記他の振動溝８６は、下部共振孔６９と重畳させることができる。前記他の振動溝は、下部共振孔６９と部分的に重畳させることができる。この時、前記第５キャパシタ手段１２０は、図１７に示されるように、第５キャパシタ板１２３上にキャパシタ端子連結電極１２６を有する。
【００６２】
図１８を参照すれば、前記キャパシタ手段１３０及び共振手段７０、そしてキャップ手段３０が順に積層されるように整列させる。前記キャップ手段３０、共振手段７０及びキャパシタ手段１３０間に接着剤（図示せず）を介在させることができる。前記接着剤は、非導電性接着剤を使用することが好ましい。この時、前記共振手段７０は、キャップ手段３０及びキャパシタ手段１３０と上下に接着するように形成される。これにより、前記第１キャパシタ板８３の他の振動溝８６は、下部キャップ板２３の振動溝２６に対向するように形成させることができる。
【００６３】
前記上部キャップ板１３のキャップ端子連結電極１６及び第５キャパシタ板１２３のキャパシタ端子連結電極１２６を連結する連結線１４０を形成する。前記連結線１４０は、上部及び下部キャップ板１３、２３の選択された両側壁と、前記選択された両側壁を通過する垂直線上の上部、中間及び下部共振板４３、５３、６３、そして、第１乃至第５キャパシタ板８３、９３、１０３、１１３、１２３の側壁に接触するように形成される。この時、前記連結線１４０は、上部、中間及び下部共振電極４６、５６、６６、そして上部、中間及び下部キャパシタ電極９６、１０６、１１６に接触するように形成される。前記連結線１４０は、錫（Ｓｎ）を含む導電物質を使用して形成することが好ましい。これにより、前記連結線１４０は、キャパシタ手段１３０、共振手段７０及びキャップ手段３０に電気的に接続し、表面実装型共振器（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ  ｔｙｐｅ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）１５０を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る表面実装型共振器を示す結合斜視図である。
【図２】各々、キャップ基底板を示す平面図である。
【図３】各々、キャップ基底板を示す平面図である。
【図４】各々、共振基底板を示す平面図である。
【図５】各々、共振基底板を示す平面図である。
【図６】各々、共振基底板を示す平面図である。
【図７】各々、キャパシタ基底板を示す平面図である。
【図８】各々、キャパシタ基底板を示す平面図である。
【図９】各々、キャパシタ基底板を示す平面図である。
【図１０】各々、キャパシタ基底板を示す平面図である。
【図１１】各々、キャパシタ基底板を示す平面図である。
【図１２】図２の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’に沿って切断したキャップ手段を示す結合斜視図である。
【図１３】図１２の一部分を示す斜視図である。
【図１４】図４の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した共振手段を示す結合斜視図である。
【図１５】図１４の一部分を示す斜視図である。
【図１６】図７乃至図１１の切断線Ｉ−Ｉ’及びＩＩ−ＩＩ’に沿って切断したキャパシタ手段を示す結合斜視図である。
【図１７】図１６の一部分を示す斜視図である。
【図１８】図１２、図１４及び図１６の結合斜視図である。
【符号の説明】
【００６５】
１５０  表面実装型共振器
１０  上部キャップ手段
１３  上部キャップ板
１６  キャップ端子連結電極
１４０  連結線
２０  下部キャップ手段
２３  下部キャップ板
３０  キャップ手段
４０  上部共振手段
４３  上部共振板
４６  上部共振電極
４９  振動共振孔
５０  中間共振手段
５３  中間共振板
５６  中間共振電極
５９  振動共振孔
６０  下部共振手段
６３  下部共振板
６６  下部共振電極
６９  振動共振孔
７０  共振手段
８０  第１キャパシタ手段
８３  第１キャパシタ板
８６  振動溝
９０  第２キャパシタ手段
９３  第２キャパシタ板
９６  上部キャパシタ電極
１００  第３キャパシタ手段
１０３  第３キャパシタ板
１０６  中間キャパシタ電極
１１０  第４キャパシタ手段
１１３  第４キャパシタ板
１１６  下部キャパシタ電極
１２０  第５キャパシタ手段
１２３  第５キャパシタ板
１２６  キャパシタ端子連結電極
１３０  キャパシタ手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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