(57)【要約】【課題】  静電容量の検査を容易とし、なおかつ、等価直列抵抗が比較的大きい積層コンデンサを提供すること。【解決手段】  本発明に係る積層コンデンサは、誘電体層１０〜２０と導体パターンとを積層して形成された積層体１と、複数の第１端子電極及び第２端子電極とを備える。導体パターンは、複数の第１端子電極のうち異なる一つの第１端子電極に電気的に接続される一つの引き出し電極３１Ａ，３２Ｂ，３３Ｃ，３４Ｄをそれぞれ有する複数の第１内部電極３１〜３４と、複数の第２端子電極のうち異なる一つの第２端子電極に電気的に接続される一つの引き出し電極５１Ａ，５２Ｂ，５３Ｃ，５４Ｄをそれぞれ有する第２内部電極５１〜５４と、複数の第１端子電極を電気的に接続した第１電極ブリッジパターン３０と、複数の第２端子電極を電気的に接続した第２電極ブリッジパターン５０と、を含む。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と複数の導体パターンとを積層して形成された積層体と、
前記積層体の外表面に形成された複数の第１端子電極と、
前記積層体の外表面に形成されて前記複数の第１端子電極と電気的に絶縁された複数の第２端子電極と、を備え、
前記導体パターンは、
前記複数の第１端子電極のうち異なる一つの第１端子電極に電気的に接続される一つの引き出し電極をそれぞれ有する複数の第１内部電極と、
前記複数の第２端子電極のうち異なる一つの第２端子電極に電気的に接続される一つの引き出し電極をそれぞれ有して、前記第１内部電極とは前記誘電体層を介して積層された第２内部電極と、
前記複数の第１端子電極を電気的に接続し、前記第２内部電極とは前記誘電体層を介して積層された第１電極ブリッジパターンと、
前記複数の第２端子電極を電気的に接続し、前記第１内部電極とは前記誘電体層を介して積層された第２電極ブリッジパターンと、
を含むことを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第１電極ブリッジパターンは、前記複数の導体パターンのうちで積層方向における一方の最外側に位置し、
前記第２電極ブリッジパターンは、前記複数の導体パターンのうちで積層方向における他方の最外側に位置すること、
を特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記第１電極ブリッジパターンは、前記複数の導体パターンのうち前記第１内部電極と積層方向に隣り合い、
前記第２電極ブリッジパターンは、前記複数の導体パターンのうち前記第２内部電極と積層方向に隣り合うこと、
を特徴とする請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記第１電極ブリッジパターン及び前記第２電極ブリッジパターンは、前記複数の第１端子電極及び前記複数の第２端子電極の幅より細い部分を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層コンデンサとして、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、積層体の外表面に形成されて内部電極とそれぞれ電気的に接続された複数の端子電極とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記積層コンデンサは、ＬＳＩの電源回路に組み込まれ、急激な電流変動に伴う電圧変動を制御して電源回路の安定化を図るために用いられる。
【特許文献１】特開２００２−２９９１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
積層コンデンサの等価直列抵抗が極端に小さくなると、周辺回路のインダクタンスによって共振現象が起こった際に大きく電源が落ち込んだり、リンギングなどの減衰振動を起こす為に、電源回路が不安定になる。
【０００５】
上記特許文献１に記載された積層コンデンサは、等価直列インダクタンスを小さくするために、内部電極から引き出されて端子電極と接続する引き出し電極を１つの内部電極に対して複数形成すると共にその引き出し長さを短くしている。よって、等価直列抵抗が極端に小さくなり、接続された電源回路の不安定化を招く場合がある。
【０００６】
そこで本発明は上記問題を解消するためになされたものであり、等価直列抵抗が比較的大きい積層コンデンサを提供することである。
【０００７】
ところで、上記のような複数の端子電極を備えた多端子型の積層コンデンサは、静電容量の検査時に同極の端子電極を電気的に接続して測定する必要があり、検査を煩雑にしていた。そこで、さらに本発明は、静電容量の検査を容易とする積層コンデンサを提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の導体パターンとを積層して形成された積層体と、積層体の外表面に形成された複数の第１端子電極と、積層体の外表面に形成されて複数の第１端子電極と電気的に絶縁された複数の第２端子電極と、を備え、導体パターンは、複数の第１端子電極のうち異なる一つの第１端子電極に電気的に接続される一つの引き出し電極をそれぞれ有する複数の第１内部電極と、複数の第２端子電極のうち異なる一つの第２端子電極に電気的に接続される一つの引き出し電極をそれぞれ有して、第１内部電極とは誘電体層を介して積層された第２内部電極と、複数の第１端子電極を電気的に接続し、第２内部電極とは誘電体層を介して積層された第１電極ブリッジパターンと、複数の第２端子電極を電気的に接続し、第１内部電極とは誘電体層を介して積層された第２電極ブリッジパターンと、を含むことを特徴とする。
【０００９】
第１電極ブリッジパターンが複数の第１端子電極を電気的に接続し、第２電極ブリッジパターンが複数の第２端子電極を電気的に接続するので、静電容量の検査時に外部から複数の第１端子電極と複数の第２端子電極をそれぞれ電気的に接続する必要がなくなり、検査を容易とすることができる。また、第１電極ブリッジパターンと第２電極ブリッジパターンとを形成することにより、等価直列抵抗を生成して、比較的大きな等価直列抵抗を有することができる。更に、第１電極ブリッジパターンは第２内部電極と誘電体層を介して積層され、第２電極ブリッジパターンは第１内部電極と誘電体層を介して積層されているので、第１電極ブリッジパターンと第２電極ブリッジパターンを形成することによりコンデンサとしての機能を阻害しないようにすることができる。
【００１０】
また、本発明の積層コンデンサでは、第１電極ブリッジパターンは、複数の導体パターンのうちで積層方向における一方の最外側に位置し、第２電極ブリッジパターンは、複数の導体パターンのうちで積層方向における他方の最外側に位置することも好ましい。
【００１１】
このように構成することにより、第１内部電極と第２内部電極との相対的な位置関係に影響を与えずに、第１電極ブリッジパターンと第２電極ブリッジパターンとを配置することができる。よって、第１電極ブリッジパターンと第２電極ブリッジパターンとを配置することによる積層コンデンサの静電容量への影響を抑制することができる。
【００１２】
また、本発明の積層コンデンサでは、第１電極ブリッジパターンは、複数の導体パターンのうち第１内部電極と積層方向に隣り合い、第２電極ブリッジパターンは、複数の導体パターンのうち第２内部電極と積層方向に隣り合うことも好ましい。
【００１３】
このように構成することにより、第１電極ブリッジパターンは異極である第２内部電極と積層方向に隣り合わず、第２電極ブリッジパターンは異極である第１内部電極と積層方向に隣り合わないので、第１電極ブリッジパターンと第２内部電極との間、及び第２電極ブリッジパターンと第１内部電極との間における静電容量の発生を防止することができる。
【００１４】
更に、本発明の積層コンデンサでは、第１電極ブリッジパターン及び第２電極ブリッジパターンは、複数の第１端子電極及び複数の第２端子電極の幅より細い部分を有することも好ましい。
【００１５】
このように構成することにより、第１電極ブリッジパターンと第２電極ブリッジパターンとにおいてより大きな等価直列抵抗を有するようにすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、静電容量の検査を容易とし、なおかつ、等価直列抵抗が比較的大きい積層コンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素に同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
図１及び図２を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層コンデンサが備える積層体の分解図である。
【００１９】
積層コンデンサＣ１は、図１に示すように、直方体形状の積層体１と、積層体１の外表面に形成された第１端子電極３Ａ〜３Ｄ及び第２端子電極５Ａ〜５Ｄと、を備える。積層体１は、積層方向と垂直で互いに対向する側面１ａ及び側面１ｂと、積層方向及び側面１ａ，１ｂと垂直で互いに対向する端面１ｃ及び端面１ｄと、側面１ａ及び端面１ｃと垂直で互いに対向する側面１ｅ及び側面１ｆとを有する。
【００２０】
第１端子電極３Ａ〜３Ｄ及び第２端子電極５Ａ〜５Ｄは、積層体１の側面１ａ，１ｂ上に形成されている。第１端子電極３Ａ，３Ｂは、積層体１の側面１ａ上に積層方向と平行な帯状に形成され、側面１ｅ及び側面１ｆまで回り込んでいる。第１端子電極３Ｃ，３Ｄは、側面１ｂ上に積層方向と平行な帯状に形成され、側面１ｅ及び側面１ｆまで回り込んでいる。第２端子電極５Ａ，５Ｂは、積層体１の側面１ａ上に積層方向と平行な帯状に形成され、側面１ｅ及び側面１ｆまで回り込んでいる。第２端子電極５Ｃ，５Ｄは、側面１ａと対向する積層体１の側面１ｂ上に積層方向と平行な帯状に形成され、側面１ｅ及び側面１ｆまで回り込んでいる。
【００２１】
第１端子電極３Ａ〜３Ｄ及び第２端子電極５Ａ〜５Ｄは、それぞれほぼ一定の幅Ｄで形成されている。すなわち幅Ｄとは、各第１端子電極３Ａ〜３Ｄ及び各第２端子電極５Ａ〜５Ｄにおける側面１ａ，１ｂと平行で積層方向と垂直な方向の寸法である。
【００２２】
側面１ａ，１ｂ上では、第１端子電極３Ａ〜３Ｄ、第２端子電極５Ａ〜５Ｄが交互に配置されている。すなわち、側面１ａ上では、側面１ｃ側から側面１ｄ側に向かって、第１端子電極３Ａ、第２端子電極５Ａ、第１端子電極３Ｂ、第２端子電極５Ｂがこの順で配置されている。側面１ｂ上では、側面１ｃ側から側面１ｄ側に向かって、第１端子電極３Ｃ、第２端子電極５Ｃ、第１端子電極３Ｄ、第２端子電極５Ｄがこの順で配置されている。第１端子電極３Ａ〜３Ｄと第２端子電極５Ａ〜５Ｄとは、互いに電気的に絶縁されている。
【００２３】
積層体１は、図２に示すように、複数の誘電体層１０〜２０と複数の導体パターン３０〜３４，５０〜５４とが交互に積層して形成されている。略矩形状の誘電体層１０〜２０は、本実施形態では、１１層積層されている。実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層１０〜２０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２４】
導体パターンは、第１内部電極３１〜３４と、第２内部電極５１〜５４と、第１のブリッジパターン３０と、第２のブリッジパターン５０とを含む。本実施形態では、第１内部電極３１〜３４と第２内部電極５１〜５４とは各４層、第１のブリッジパターン３０と第２のブリッジパターン５０とは各１層積層されている。
【００２５】
第１内部電極３１〜３４は、略矩形状を呈しており、積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。第１内部電極３１〜３４は、第１端子電極３Ａ〜３Ｄのうち異なる一つの第１端子電極に電気的に接続した引き出し電極３１Ａ，３２Ｂ，３３Ｃ，３４Ｄを有している。引き出し電極３１Ａ，３２Ｂは、積層体１の側面１ａにおける第１端子電極３Ａ，３Ｂが形成される位置にそれぞれ対応して引き出されるように形成され、第１端子電極３Ａ，３Ｂとそれぞれ電気的に接続されている。引き出し電極３３Ｃ，３４Ｄは、積層体１の側面１ｂにおける第１端子電極３Ｃ，３Ｄが形成される位置にそれぞれ対応して引き出されるように形成され、第１端子電極３Ｃ，３Ｄとそれぞれ電気的に接続されている。
【００２６】
第２内部電極５１〜５４は、略矩形状に形成され、積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。第２内部電極５１〜５４は、第２端子電極５Ａ〜５Ｄのうち異なる一つの第２端子電極に電気的に接続した引き出し電極５１Ａ，５２Ｂ，５３Ｃ，５４Ｄを有している。引き出し電極５１Ａ，５２Ｂは、積層体１の側面１ａにおける第２端子電極５Ａ，５Ｂが形成される位置にそれぞれ対応して引き出されるように形成され、第２端子電極５Ａ，５Ｂとそれぞれ電気的に接続されている。引き出し電極５３Ｃ，５４Ｄは、積層体１の側面１ｂにおける第２端子電極５Ｃ，５Ｄが形成される位置にそれぞれ対応して引き出されるように形成され、第２端子電極５Ｃ，５Ｄとそれぞれ電気的に接続されている。
【００２７】
第１電極ブリッジパターン３０は、第１端子電極３Ａ〜３Ｄとそれぞれ電気的に接続した複数の引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄと、各引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄを電気的に接続した導体パターン３０ｐとを含んで形成される。引き出し電極３０Ａ，３０Ｂは、積層体１の側面１ａにおける第１端子電極３Ａ，３Ｂが形成される位置にそれぞれ対応して引き出されるように形成されている。引き出し電極３０Ｃ，３０Ｄは、積層体１の側面１ｂにおける第１端子電極３Ｃ，３Ｄが形成される位置にそれぞれ対応して引き出されるように形成されている。
【００２８】
導体パターン３０ｐは、引き出し電極３０Ａと引き出し電極３０Ｄとをつなぐ直線パターンと、引き出し電極３０Ｄと引き出し電極３０Ｂとをつなぐ直線パターンと、引き出し電極３０Ｂと引き出し電極３０Ｃとをつなぐ直線パターンとを含んで形成される。すなわち、導体パターン３０ｐは、引き出し電極３０Ａと引き出し電極３０Ｄとを電気的に接続し、引き出し電極３０Ｄと引き出し電極３０Ｂとを電気的に接続し、引き出し電極３０Ｂと引き出し電極３０Ｃとを電気的に接続している。
【００２９】
導体パターン３０ｐの幅は、第１端子電極３Ａ〜５Ａ及び第２端子電極５Ａ〜５Ｄの幅Ｄより狭い。また、導体パターン３０ｐの幅は、引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄの幅より狭い。引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄの幅とは、引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄにおいて側面１ａ，１ｂと平行な方向の長さである。
【００３０】
第２電極ブリッジパターン５０は、第２端子電極５Ａ〜５Ｄとそれぞれ電気的に接続した複数の引き出し電極５０Ａ〜５０Ｄと、各引き出し電極５０Ａ〜５０Ｄを電気的に接続した導体パターン５０ｐとを含んで形成される。引き出し電極５０Ａ，５０Ｂは、積層体１の側面１ａにおける第１端子電極５Ａ，５Ｂが形成される位置にそれぞれ対応して引き出されるように形成されている。引き出し電極５０Ｃ，５０Ｄは、積層体１の側面１ｂにおける第１端子電極５Ｃ，５Ｄが形成される位置にそれぞれ対応して引き出されるように形成されている。
【００３１】
導体パターン５０ｐは、引き出し電極５０Ｄと引き出し電極５０Ａとをつなぐ直線パターンと、引き出し電極５０Ａと引き出し電極５０Ｃとをつなぐ直線パターンと、引き出し電極５０Ｃと引き出し電極５０Ｂとをつなぐ直線パターンとを含んで形成される。すなわち、導体パターン５０ｐは、引き出し電極５０Ｄと引き出し電極５０Ａとを電気的に接続し、引き出し電極５０Ａと引き出し電極５０Ｃとを電気的に接続し、引き出し電極５０Ｃと引き出し電極５０Ｂとを電気的に接続している。
【００３２】
導体パターン５０ｐの幅は、第１端子電極３Ａ〜５Ａ及び第２端子電極５Ａ〜５Ｄの幅Ｄより狭い。また、導体パターン５０ｐの幅は、引き出し電極５０Ａ〜５０Ｄの幅より狭い。引き出し電極５０Ａ〜５０Ｄの幅とは、引き出し電極５０Ａ〜５０Ｄにおいて側面１ａ，１ｂと平行な方向の長さである。
【００３３】
第１内部電極３１〜３４と第２内部電極５１〜５４とは、各誘電体層１２〜１８を介して交互に積層される。第１電極ブリッジパターン３０は、複数の導体パターンのうち第１内部電極３１と積層方向に隣り合っている。すなわち、第１電極ブリッジパターン３０は、複数の導体パターンのうちで積層方向における一方の最外側に位置する。第２電極ブリッジパターン５０は、複数の導体パターンのうち第２内部電極５４と積層方向に隣り合っている。すなわち、第２電極ブリッジパターン５０は、複数の導体パターンのうちで積層方向における他方の最外側に位置する。
【００３４】
また、誘電体層１０が、第１電極ブリッジパターン３０の積層方向の外側に積層され、誘電体層２０が第２のブリッジパターン５０の積層方向の外側に積層されている。
【００３５】
以上説明した本実施形態の積層コンデンサＣ１によれば、第１電極ブリッジパターン３０が複数の第１端子電極３Ａ〜３Ｄを電気的に接続し、第２電極ブリッジパターン５０が複数の第２端子電極５Ａ〜５Ｄを電気的に接続するので、静電容量の検査時に外部から複数の第１端子電極３Ａ〜３Ｄと複数の第２端子電極５Ｄ〜５Ｄをそれぞれ電気的に接続する必要がなくなり、検査を容易とすることができる。また、第１電極ブリッジパターン３０と第２電極ブリッジパターン５０とを形成することにより、等価直列抵抗を生成して、比較的大きな等価直列抵抗を有することができる。
【００３６】
また、第１電極ブリッジパターン３０は、複数の導体パターンのうちで積層方向における一方の最外側に位置し、第２電極ブリッジパターン５０は、複数の導体パターンのうちで積層方向における他方の最外側に位置するので、第１内部電極３Ａ〜３Ｄと第２内部電極５Ａ〜５Ｄとの相対的な位置関係に影響を与えずに、第１電極ブリッジパターン３０と第２電極ブリッジパターン５０とを配置することができる。よって、第１電極ブリッジパターン３０と第２電極ブリッジパターン５０とを配置することによる積層コンデンサＣ１の静電容量への影響を抑制することができる。
【００３７】
また、第１電極ブリッジパターン３０は、複数の導体パターンのうち第１内部電極３１と積層方向に隣り合い、第２電極ブリッジパターン５０は、複数の導体パターンのうち第２内部電極５４と積層方向に隣り合うので、第１電極ブリッジパターン３０と第２内部電極５１〜５４との間、及び第２電極ブリッジパターン５０と第１内部電極３１から３４との間における静電容量の発生を防止することができる。
【００３８】
また、第１電極ブリッジパターン３０及び第２電極ブリッジパターン５０は、複数の第１端子電極３Ａ〜３Ｄ及び複数の第２端子電極５Ａ〜５Ｄの幅Ｄより幅が細い導体パターン３０ｐ，５０ｐを有するので、第１電極ブリッジパターン３０と第２電極ブリッジパターン５０とにおいてより大きな等価直列抵抗を有するようにすることができる。
【００３９】
また、導体パターン３０ｐ，５０ｐの幅は、引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄ，５０Ａ〜５０Ｄの幅より狭い。このように、導体パターン３０ｐ，５０ｐの幅をより狭くすることにより等価直列抵抗をより大きくすることができる。一方で、引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄ，５０Ａ〜５０Ｄの幅をより広くすることによって、引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄ，５０Ａ〜５０Ｄと第１，第２端子電極３Ａ〜３Ｄ，５Ａ〜５Ｄとの物理的な接触をより確実にさせることができる。従って、導体パターン３０ｐ，５０ｐの幅を、引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄ，５０Ａ〜５０Ｄの幅より狭くすることによって、引き出し電極３０Ａ〜３０Ｄ，５０Ａ〜５０Ｄと第１，第２端子電極３Ａ〜３Ｄ，５Ａ〜５Ｄとの物理的な接触をより確実にすると共に、等価直列抵抗をより大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図２】本実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解図である。
【符号の説明】
【００４１】
Ｃ１…積層コンデンサ、１…積層体、１ａ〜１ｆ…側面、３Ａ〜３Ｄ…第１端子電極、５Ａ〜５Ｄ…第２端子電極、１０〜２０…誘電体層、３０Ａ〜３０Ｄ，３１Ａ，３２Ｂ，３３Ｃ，３４Ｄ，５０Ａ〜５０Ｄ，５１Ａ，５２Ｂ，５３Ｃ，５４Ｄ…引き出し電極、３０…第１電極ブリッジパターン、３０ｐ…導体パターン、３１〜３４…第１内部電極、５０…第２電極ブリッジパターン、５０ｐ…導体パターン、５１〜５４…第２内部電極。
【図１】
2007059814.tif 000003
【図２】
2007059814.tif 000004