(57)【要約】【課題】アレイ基板と高いコントラスト比を有する半透過型液晶ディスプレイとアレイ基板を製造する方法とを提供する。【解決手段】アレイ基板は、基板と、アレイに配列される複数個の画素であり、前記基板上に配置され、前記画素が反射領域および透過領域ならびに前記反射領域および前記透過領域間に形成された移行領域を含むものと、アラインメント膜であり、前記画素上に配置され、前記移行領域の少なくとも一側および前記アラインメント膜のラビング（rubbing）方向間の夾角が３０度より小さいか等しいものであるものとから構成され、移行領域の少なくとも一側およびアラインメント膜のラビング方向間の夾角αが３０度より小さいか等しいものであり、また、上述したアレイ基板の製造方法を提供する。【選択図】図３Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板であって：
基板と、
アレイに配列される複数個の画素であり、前記基板上に配置され、前記画素が反射領域および透過領域ならびに前記反射領域および前記透過領域間に形成された移行領域を含むものと、
アラインメント膜であり、前記画素上に配置され、前記移行領域の少なくとも一側および前記アラインメント膜のラビング方向間の夾角が３０度より小さいか等しいものであるものとを含むアレイ基板。
【請求項２】
前記移行領域が多角形の輪郭である請求項１のアレイ基板。
【請求項３】
前記透過領域が前記反射領域によって包囲された請求項１のアレイ基板。
【請求項４】
前記移行領域の輪郭が一対の第１対向辺および一対の第２対向辺を有する四角形または平行四辺形であり、前記した一対の第１対向辺の長さが前記した一対の第２対向辺の長さより長い請求項３のアレイ基板。
【請求項５】
前記した一対の第１対向辺および前記アラインメント膜の前記ラビング方向間の夾角が３０度より小さいか等しい請求項４のアレイ基板。
【請求項６】
前記した一対の第１対向辺の１つが前記アラインメント膜の前記ラビング方向と平行である請求項４のアレイ基板。
【請求項７】
前記透過領域が前記反射領域の１エッジに連接し、線形移行領域が前記反射領域および前記透過領域間に形成される請求項１のアレイ基板。
【請求項８】
前記線形移行領域および前記アラインメント膜の前記ラビング方向間の夾角が３０度より小さいか等しい請求項７のアレイ基板。
【請求項９】
前記線形移行領域が前記アラインメント膜の前記ラビング方向と平行な請求項８のアレイ基板。
【請求項１０】
半透過型液晶表示パネルであって：
アレイ基板であり：
基板；アレイに配列された複数個の画素であり、前記基板上に配置され、前記画素が反射領域および透過領域ならびに前記反射領域および前記透過領域間に形成される移行領域を含むもの；および
アラインメント膜であり、前記画素上に配置され、前記移行領域の少なくとも一側および前記アラインメント膜のラビング方向間の夾角が３０度より小さいか等しいものであるもの；
を含むものと、
対向基板であり、前記アレイ基板の上方にあるものと、
液晶層であり、前記対向基板および前記アレイ基板間に位置するものと
を含む半透過型液晶表示パネル。
【請求項１１】
電子機器であって：
請求項１０記載の半透過型液晶表示パネルと、
入力ユニットであり、前記半透過型液晶表示パネルと操作可能に接続されて、画像を生成するために入力信号を前記パネルに提供するものとを含む電子機器。
【請求項１２】
アレイ基板の製造方法が以下のステップ：
その上に複数個の画素を有する基板を提供し、前記画素が反射領域および透過領域ならびに前記反射領域および前記透過領域間に形成される移行領域を含むことと、
前記基板上に誘電層を形成して前記画素を被覆することと、
前記誘電層をラビングしてラビング方向を有するアライメント膜を形成し、
前記移行領域の少なくとも一側および前記ラビング方向間の夾角が３０度より小さいか等しいものとすること
を含むアレイ基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２のアレイ基板の製造方法であって、前記ラビングステップが前記誘電層をラビングしてラビング方向を有するアライメント膜を形成することを含み、前記移行領域の少なくとも一側および前記ラビング方向間の夾角が０度に等しいアレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜トランジスターアレイ（TFT array）に関し、特に、この発明は、高いコントラスト比を有する半透過型液晶表示ディスプレイ（Transflective LCD）に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代人のライフスタイルに適合させるために、ビデオまたは画像装置がより軽くより薄くなってきている。従来の陰極線管（CRT）が多くの進歩を遂げたと言うものの、電子銃の設計がそれを重くてかさばるものにしている。また、いくつかの有害な放射線により見る者の目を傷つけるというリスクが常に存在している。半導体装置および光電装置の製造技術の大きな飛躍に伴って、液晶ディスプレイ（LCD）、有機発光ディスプレイ（OLED）およびプラズマディスプレイパネル（PDP）のようなフラットパネルディスプレイがディスプレイ製品の主流となってきている。
【０００３】
光源の使い方によって、液晶ディスプレイは、３タイプに分類できる。つまり、反射型ＬＣＤと、透過型ＬＣＤと、半透過型ＬＣＤである。半透過型ＬＣＤを例にとれば、半透過型ＬＣＤは、主に半透過型液晶パネルとバックライトモジュールとを含んでいる。半透過型ＬＣＤパネルは、薄膜トランジスターアレイと、カラーフィルターと、それらの間に挟まれた液晶層とを含んでいる。バックライトモジュールは、表面光源を提供して画像を表示するために半透過型ＬＣＤパネルを照明する。詳細には、薄膜トランジスターアレイが複数個の画素を含み、各画素がそれぞれ透過領域と半透過領域とを有しており、透過領域の上方に位置する液晶層の厚さが反射領域の上方に位置する液晶層の厚さとは異なっている。
【０００４】
図１は、従来の半透過型薄膜トランジスターアレイの平面図である。図１において、従来の半透過型薄膜トランジスターアレイ１００は、基板（図示せず）と基板上に配置された複数本の走査線１１０と基板上に配置された複数本のデータ線１２０と基板上に配置された複数個の画素１３０とを含んでいる。また、従来の半透過型薄膜トランジスターアレイ１００は、さらに基板上に配置されて走査線１１０およびデータ線１２０ならびに画素１３０を被覆するアラインメント膜（図示せず）を含んでいる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１に示すように、各画素１３０は、反射領域１３２と透過領域１３４とを含み、透過領域１３４は、反射領域１３２によって連接され、また、包囲されている。移行領域（テーパー  taper）１３６が反射領域１３２と透過領域１３４とで異なるセルギャップを必要とするために反射領域１３２および透過領域１３４間に形成される。透過領域１３４の輪郭（profile）は、一対の長い対向辺Ｌおよび一対の短い辺Ｓを有する長方形（rectangle）である。注意すべきは、先行技術において、透過領域１３４の長い対向辺Ｌまたは短い対向辺Ｓおよびアラインメント膜のラビング方向間の夾角αが約４５度であるということである。言い換えれば、移行領域１３６の延長方向、つまり透過領域１３４の長い対向辺Ｌまたは短い対向辺Ｓに平行であるもの、およびアラインメント膜のラビング方向間の夾角αもまた約４５度であるということである。夾角αが約４５度であるために、光漏れ現象（light leakage phenomenon）が移行領域１３６に発生する。従って、半透過型薄膜トランジスターアレイ１００を使用した半透過型ＬＣＤパネルにより表示された画像のコントラスト比が低下するものとなる。上述したように、コントラスト比が強化された高い鮮明度の半透過型ＬＣＤパネルが必要とされている。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、アレイ基板と高いコントラスト比を有する半透過型液晶ディスプレイとアレイ基板を製造する方法とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決し、所望の目的を達成するために、この発明の実施形態にかかるアレイ基板は、基板と、アレイに配列される複数個の画素であり、前記基板上に配置され、前記画素が反射領域および透過領域ならびに前記反射領域および前記透過領域間に形成された移行領域を含むものと、アラインメント膜であり、前記画素上に配置され、前記移行領域の少なくとも一側および前記アラインメント膜のラビング（rubbing）方向間の夾角が３０度より小さいか等しいものであるものとから構成され、移行領域の少なくとも一側およびアラインメント膜のラビング方向間の夾角αが３０度より小さいか等しいものである。
【０００８】
この発明の実施形態にかかる半透過型液晶表示パネルは、アレイ基板と、対向基板であり、前記アレイ基板の上方にあるものと、液晶層であり、前記対向基板および前記アレイ基板間に位置するものとを含むものである。アレイ基板は、基板；アレイに配列された複数個の画素であり、前記基板上に配置され、前記画素が反射領域および透過領域ならびに前記反射領域および前記透過領域間に形成される移行領域を含むもの；および、アラインメント膜であり、前記画素上に配置され、前記移行領域の少なくとも一側および前記アラインメント膜のラビング方向間の夾角が３０度より小さいか等しいものであるものを含むものである。
【０００９】
この発明の実施形態にかかるアレイ基板の製造方法が以下のステップ：その上に複数個の画素を有する基板を提供し、前記画素が反射領域および透過領域ならびに前記反射領域および前記透過領域間に形成される移行領域を含むことと、前記基板上に誘電層を形成して前記画素を被覆することと、前記誘電層をラビングしてラビング方向を有するアライメント膜を形成し、前記移行領域の少なくとも一側および前記ラビング方向間の夾角が３０度より小さいか等しいものとすることを含むものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明にかかるアレイ基板および半透過型ＬＣＤパネルは、線形移行領域およびアラインメント膜のラビング方向間の夾角αが３０度より小さいか等しいものであるので、光漏れ現象が減少するから、この発明にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを使用した半透過型ＬＣＤパネルにより表示される画像のコントラスト比が改善されたものとなる。この発明によりコントラスト比が強化された高い鮮明度の半透過型ＬＣＤパネルが実現可能なものとなる。従って、産業上の利用価値が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
＜第１実施例＞
図２Ａは、この発明の実施形態にかかる半透過型ＬＣＤパネルの要部断面図である。図２Ａにおいて、半透過型液晶ディスプレイパネル６００は、薄膜トランジスターアレイ２００と、対向基板４００と、液晶層５００とを含む。対向基板４００は、薄膜トランジスターアレイ２００の上方に位置する。液晶層５００は、対向基板４００および薄膜トランジスターアレイ２００間に充填される。この発明にかかる半透過型液晶ディスプレイパネル６００においては、２つのセルギャップ（dual cell-gaps）が対向基板４００および薄膜トランジスターアレイ２００間に形成される。
【００１２】
薄膜トランジスターアレイ２００は、複数個の画素を含む。薄膜トランジスターアレイ２００の各画素は、下から上へ、薄膜トランジスター（図２Ａには図示せず）を備える基板２００ａと、基板２００ａ上の平坦化層２１０と、透明画素電極２６４と、反射電極２６２と、アライメント膜２４０とを含む。先ず、平坦化層２１０が基板２００ａ上に形成される。次に、平坦化層２１０がパターン化されて透過領域２３４に開口を形成する。次に、透明画素電極２６４が基板２００ａ上に形成される。次に、反射電極２６２が形成されてからパターン化されて透過領域２３４に開口を形成する。このように、反射電極２６２が反射領域２３２に残され、移行領域（テーパー  taper）２３６が透過領域２３４および反射領域２３２間に形成される。反射領域２３２および対向基板４００間に形成されるセルギャップはｄ／２とすることができ、透過領域２３４および対向基板４００間に形成されるセルギャップはｄとすることができる。
【００１３】
図２Ｂは、この発明の実施形態にかかる半透過型ＬＣＤパネルを含む電子機器７００を概略的に示したものである。電子機器７００は、例えば、ＰＤＡ（personal data assistant）、ノート型コンピューター、タブレット型コンピューター、セルラー電話、カーテレビ、デジタルカメラ、ディスプレイモニター装置などすることができる。一般に、電子機器７００は、図２Ａに示した半透過型ＬＣＤパネル６００と入力ユニット６１０とを含む。さらに、入力ユニット６１０が操作可能に半透過型ＬＣＤパネル６００に連接されて、半透過型ＬＣＤパネル６００へ入力信号（例えば画像信号）を提供し、画像を生成する。
【００１４】
カラーＬＣＤパネルを製造するために、カラーフィルター（CF）膜および／またはブラックマトリックス（BM）が対向基板４００上に形成される。あるいは、カラーフィルター（CF）膜および／またはブラックマトリックス（BM）がＣＯＡ（Color filter On Array）技術により薄膜トランジスターアレイ２００上に形成される。
【００１５】
光漏れ現象ならびに半透過型ＬＣＤパネルにより表示される画像のコントラスト比を改善するために、透過領域の色々な新しい輪郭が下記する実施形態に示されている。この発明の以下の実施形態において、透過領域の少なくとも一側およびアラインメント膜のラビング方向間の夾角が透過領域の輪郭またはアラインメント膜のラビング方向によって特定範囲（３０度より小さいか等しい）に制御される。
【００１６】
図３Ａから図３Ｃは、この発明の第１実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。図２Ａは、図３Ａの線２−２｀に沿って示す要部断面図である。
【００１７】
図２Ａと図３Ａとにおいて、この実施形態の薄膜トランジスターアレイ２００は、基板２００ａと、複数本の走査線２１２と、複数本のデータ線２２０と、複数個の画素２３０と、アラインメント膜２４０とを含む。走査線２１２とデータ線２２０と画素２３０とは、基板２００ａ上に配置される。複数個の画素領域が走査線２１２ならびにデータ線２２０によって定義され、画素２３０が対応する画素領域に配置されている。また、アラインメント膜２４０が基板２００ａ上に配置されて走査線２１２とデータ線２２０と画素２３０とを被覆し、液晶層５００の配向（arrangement   pre-tilt or orientation etc.）がそれにより制御される。
【００１８】
図３Ａ〜図３Ｃにおいて、各画素２３０は、反射領域２３２と透過領域２３４とを含んでいる。各画素２３０において、透過領域２３４が反射領域２３２によって連接し包囲されており、移行領域２３６が反射領域２３２および透過領域２３４間に形成されている。注意すべきは、透過領域２３４の少なくとも一側およびアラインメント膜２４０のラビング方向Ｒ間の夾角αが３０度より小さいか等しいと言うことであある。図３Ａ〜図３Ｃに図示されたこの実施形態では、走査線２１２の１つならびにアラインメント膜２４０のラビング方向Ｒ間の夾角αが例えば約４５度となっている。
【００１９】
図３Ａ〜図３Ｃに示したように、透過領域２３４の輪郭（profile）は、例えば、長い対向辺Ｌおよび短い対向辺Ｓを有する長方形（rectangle）となっている。図３Ａでは、一対の長い対向辺Ｌがアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒと平行になっている。図３Ｂと図３Ｃとでは、一対の長い対向辺Ｌおよびアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒ間の夾角αが３０度より小さいか等しいものとなっている。光漏れは、特定輪郭および透過領域の一側ならびにアラインメント膜のラビング方向Ｒ間の夾角を有する透過領域２３４を介して有効に低減させることができる。
【００２０】
図３Ｄは、この発明の第１実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。図３Ｄにおいて、走査線２１２の１つとアラインメント膜２４０のラビング方向Ｒとが互いに直角になっている。さらに、透過領域２３４の少なくとも一側およびアラインメント膜２４０のラビング方向Ｒ間の夾角αが０度に等しくなっている。光漏れは、透過領域２３４の長い対向辺Ｌの１つおよびアラインメント膜のラビング方向Ｒ間の夾角を介して有効に低減することができる。
【００２１】
＜第２実施例＞
図４Ａ〜図４Ｃは、この発明の第２実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。図４Ａ〜図４Ｃにおいて、透過領域２３４の輪郭は、例えば、一対の第１対向辺Ａおよび一対の第２対向辺Ｂを有する平行四辺形となっている。一対の第１対向辺Ａの長さは、例えば、一対の第２対向辺Ｂの長さより長くなっている。図４Ａでは、一対の第１対向辺Ａがアラインメント膜２４０のラビング方向Ｒと平行になっている。図４Ｂと図４Ｃとでは、一対の第１対向辺Ａおよびアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒ間の夾角αが３０度より小さいものとなっている。
【００２２】
図４Ｂに示したように、一対の第１対向辺Ａおよびアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒ間の夾角αが３０度より小さいか等しいものとなっている。従って、光漏れが低減されてコントラスト比がより改善されたものとなる。
【００２３】
＜第３実施例＞
図５Ａ〜図５Ｃおよび図６Ａ〜図６Ｂは、この発明の第３実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの平面図である。図５Ａ〜図５Ｃおよび図６Ａ〜図６Ｂにおいて、透過領域２３４ｂの輪郭は、多角形（polygon）であり、例えば、一対の対向辺Ｘを有するところの五角形（図６Ｂの右側）、六角形（図５Ａ〜図５Ｃ）、七角形（図６Ｂの左側）または八角形（図６Ａの左側）である。
【００２４】
図５Ａと図６Ａと図６Ｂにおいて、一対の対向辺Ｘは、アラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒと平行になっている。図５Ｂと図５Ｃとでは、一対の対向辺Ｘおよびアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒ間の夾角αが３０度より小さいか等しいものとなっている。
【００２５】
＜第４実施例＞
図７Ａ〜図７Ｃは、この発明の第４実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの平面図である。図２Ａは、図７Ａの線２−２｀に沿って示した要部断面図である。
【００２６】
図２Ａと図７Ａとにおいて、この実施形態にかかる薄膜トランジスターアレイ３００は、基板２００ａと、複数本の走査線３１２と、複数本のデータ線３２０と、複数個の画素３３０と、アラインメント膜２４０（図２Ａに図示）とを含んでいる。走査線３１２とデータ線３２０と画素３３０とは、基板２００ａ上に配置されている。複数個の画素領域が走査線３１２とデータ線３２０とによって定義され、画素３３０が対応する画素領域に配置されている。また、アラインメント膜２４０（図２Ａに図示）が基板２００ａ上に配置されて走査線３１２とデータ線３２０と画素３３０とを被覆し、液晶層５００の配向（arrangement = pre-tilt or orientation etc.）がそれにより制御されている。この実施形態では、走査線３１２およびアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒ間の夾角が例えば約４５度となっている。
【００２７】
図７Ａ〜図７Ｃにおいて、各画素３３０は、反射領域３３２と透過領域３３４とを含んでいる。各画素３３０において、透過領域３３４は、反射領域３３２のエッジに連接しており、線形移行領域３３６が反射領域３３２および透過領域３３４間に形成されている。注意すべきは、線形移行領域３３６の延長方向およびアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒ間の夾角αが３０度より小さいか等しいことである。
【００２８】
図７Ａ〜図７Ｃにおいて、透過領域３３４の輪郭は、例えば、反射領域３３２のエッジに連接する一辺を有する矩形（rectangle）である。図７Ａでは、線形移行領域３３６の延長方向がアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒと平行になっている。図７Ｂと図７Ｃとでは、線形移行領域３３６の延長方向およびアラインメント膜２４０（図２Ａに図示）のラビング方向Ｒ間の夾角αが３０度より小さいか等しいものとなっている。
【００２９】
以上に図示した実施形態において、透過領域の数量は制限されておらず、この発明の技術思想によれば、１つ以上の透過領域を有する画素を提供することもできる。
【００３０】
＜第５実施例＞
この発明において、薄膜トランジスターアレイは、以下のステップで製造することができる。先ず、走査線とデータ線と画素とをその上に有する基板が提供される。各画素は、反射領域と透過領域とを含み、透過領域が反射領域に連接し、かつ包囲されており、移行領域が反射領域および透過領域間に形成される。次に、誘電層が基板上に形成されて走査線とデータ線と画素とを被覆する。最後に、誘電層がラビングされてラビング方向を有するアラインメント膜を形成し、そのうち、透過領域の少なくとも一側およびアラインメント膜のラビング方向間の夾角が３０度より小さいか等しいものである。
【００３１】
このように、本発明のひとつによれば、アレイ基板が、基板と、アレイに配列されると共に前記基板上に配置される画素と、前記画素上に配置されるアラインメント膜とを有し、前記画素が反射領域と透過領域と前記反射領域および前記透過領域間に形成された移行領域とを備え、前記移行領域の少なくとも一方の側部と前記アラインメント膜のラビング（rubbing）方向との間の夾角が３０度より小さいか等しくなっている。
また、本発明のひとつの半透過型液晶表示パネルは、アレイ基板であり、基板と、前記基板上に配置されアレイに配列された複数個の画素と、前記画素上に配置されたアラインメント膜と、前記アレイ基板の上方にある対向基板と、前記対向基板および前記アレイ基板間に位置する液晶層とを備え、前記画素が反射領域と透過領域と前記反射領域および前記透過領域間に形成される移行領域とを含み、前記移行領域の少なくとも一方の側部と前記アラインメント膜のラビング方向との間の夾角が３０度より小さいか等しくなっている。
また、本発明のひとつの電子機器は、上記半透過型液晶表示パネルと、前記半透過型液晶表示パネルと操作可能に接続され画像を生成するために入力信号を前記パネルに提供する入力ユニットと、を有する。
また、本発明のひとつのアレイ基板の製造方法は、反射領域と透過領域と該反射領域および前記透過領域の間に形成される移行領域とを含む複数個の画素をその上に備える基板を提供するステップと、前記基板上に誘電層を形成して前記画素を被覆するステップと、前記誘電層をラビングし前記移行領域の少なくとも一方の側部と前記ラビング方向との間の夾角が３０度より小さいか等しくなるようなラビング方向を有するアライメント膜を形成するステップと、を含む。
【００３２】
以上のごとく、この発明を好適な実施例により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来の半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。
【図２Ａ】この発明の実施形態にかかる半透過型ＬＣＤパネルを示す要部断面図である。
【図２Ｂ】この発明の実施形態にかかる半透過型ＬＣＤパネルを含む電子機器を示す説明図である。
【図３Ａ】この発明の第１実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。
【図３Ｂ】この発明の第１実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図３Ｃ】この発明の第１実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図３Ｄ】この発明の第１実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。
【図４Ａ】この発明の第２実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。
【図４Ｂ】この発明の第２実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図４Ｃ】この発明の第２実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図５Ａ】この発明の第３実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。
【図５Ｂ】この発明の第３実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図５Ｃ】この発明の第３実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図６Ａ】この発明の第３実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図６Ｂ】この発明の第３実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図７Ａ】この発明の第４実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイを示す平面図である。
【図７Ｂ】この発明の第４実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【図７Ｃ】この発明の第４実施例にかかる半透過型薄膜トランジスターアレイの別の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３４】
２００，３００  薄膜トランジスターアレイ
２００ａ  基板
２１０  平坦化層
２１２，３１２  走査線
２２０  データ線
２３０  画素
２３２，３３２  反射領域
２３４，３３４，２３４ｂ，２３４ｃ  透過領域
２３６，３３６  移行領域
２４０  アラインメント膜
２６２  反射電極
２６４  透明電極
４００  対向基板
５００  液晶層
６００  半透過型液晶ディスプレイパネル
６１０  入力ユニット
７００  電子機器
Ｒ  ラビング方向
Ｌ  長い対向辺
Ｓ  短い対向辺
Ａ  第１対向辺
Ｂ  第２対向辺
Ｘ  一対の対向辺
α  夾角
【図１】
2007193288.tif 000003
【図２Ａ】
2007193288.tif 000004
【図２Ｂ】
2007193288.tif 000005
【図３Ａ】
2007193288.tif 000006
【図３Ｂ】
2007193288.tif 000007
【図３Ｃ】
2007193288.tif 000008
【図３Ｄ】
2007193288.tif 000009
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2007193288.tif 000011
【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
2007193288.tif 000013
【図５Ｂ】
2007193288.tif 000014
【図５Ｃ】
2007193288.tif 000015
【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2007193288.tif 000019
【図７Ｃ】
2007193288.tif 000020