(57)【要約】【課題】構造的強度を高め、安定した特性を実現するラム波型高周波デバイスと、製造工程内において割れにくく、歩留りを向上できる製造方法を提供する。【解決手段】ラム波型高周波デバイス１０は、ＩＤＴ電極３０が一方の主面に形成された圧電基板２０と、圧電基板２０の他方の主面に接合される補強基板５０と、からなり、圧電基板２０と補強基板５０との接合面において、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間５４が設けられている。また、このラム波型高周波デバイス１０の製造方法は、補強基板５０に空間５４に相当する凹部５３を形成する工程と、凹部５３内に犠牲層を形成する工程と、圧電基板２０の厚板と補強基板５０とを接合した後、圧電基板２０の厚板を所定の厚さに研磨する工程と、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を形成する工程と、犠牲層を除去して空間５４を形成する工程と、を含む。【選択図】図２
2007251910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、
前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、
前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と、前記空間の周縁に接合面が設けられていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
前記空間が、前記補強基板または前記圧電基板のいずれかに設けられる箱状の凹部によって形成されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
前記空間が、前記補強基板または前記圧電基板のいずれかに設けられる溝状の凹部によって形成されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
前記圧電基板が水晶基板からなることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
【請求項５】
ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と前記空間の周縁に接合面が設けられているラム波型高周波デバイスが、ケースと蓋体からなるパッケージに気密収容されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
少なくとも前記ＩＤＴ電極を構成するバスバー上に設けられる複数のパッドによって、前記ケースの内面に設けられる接続電極に接合されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
【請求項７】
ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と前記空間の周縁に接合面が設けられているラム波型高周波デバイスの製造方法であって、
前記圧電基板の厚板または前記補強基板のいずれかに設けられる溝によって前記空間に相当する凹部を形成する工程と、
前記凹部に犠牲層を形成する工程と、
前記圧電基板の厚板と前記補強基板とを接合する接合工程と、
接合工程の後、前記圧電基板の厚板を所定の厚さに研磨する研磨工程と、
研磨工程の後、ＩＤＴ電極を形成する工程と前記犠牲層を除去する工程と、
を含むことを特徴とするラム波型高周波デバイスの製造方法。
【請求項８】
ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と前記空間の周縁に接合面が設けられているラム波型高周波デバイスの製造方法であって、
前記補強基板に、前記空間に相当する箱状の凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面に貫通孔を開設する工程と、
前記凹部に犠牲層を形成する工程と、
前記圧電基板の厚板と前記補強基板とを接合する接合工程と、
接合工程の後、前記圧電基板の厚板を所定の厚さに研磨する研磨工程と、
研磨工程の後、ＩＤＴ電極を形成する工程と前記犠牲層を除去する工程と、
を含むことを特徴とするラム波型高周波デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載のラム波型高周波デバイスの製造方法において、
前記圧電基板が水晶基板からなり、
前記圧電基板に対してエッチング液が異なる材料により前記犠牲層を形成することを特徴とするラム波型高周波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項７または請求項８に記載のラム波型高周波デバイスの製造方法において、
前記圧電基板が水晶基板からなり、
前記圧電基板の他方の主面にエッチング保護層を形成する工程と、
前記犠牲層をＳｉＯ2にて形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程の後に、前記エッチング保護層をラム波が伝搬する領域よりも広い面積の範囲にて除去する工程と、
を含むことを特徴とするラム波型高周波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と前記空間の周縁に接合面が設けられているラム波型高周波デバイスの製造方法であって、
前記圧電基板の厚板または前記補強基板のいずれかに前記空間に相当する凹部を形成する工程と、
前記圧電基板の厚板と前記補強基板とを接合する接合工程と、
前記接合工程の後に、前記空間に熱硬化性樹脂からなる犠牲層を前記空間に充填し、且つ硬化させる工程と
前記犠牲層を硬化した後、前記圧電基板の厚板を所定の厚さに研磨する研磨工程と、
研磨工程の後、ＩＤＴ電極を形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
を含むことを特徴とするラム波型高周波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラム波型高周波デバイス、及びラム波型高周波デバイスの製造方法に関する。詳しくは、ＩＤＴ電極を有する圧電基板に補強基板を接合してなるラム波型高周波デバイスと、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波共振子としては、レイリー波（Ｒａｙｌｅｉｇｈ  ｗａｖｅ）、リーキー波（Ｌｅａｋｙ  ｗａｖｅ）、ＳＨ波を用いた弾性表面波素子や、バルク波であるラム波（Ｌａｍｂ  ｗａｖｅ）を用いたラム波素子が代表される。
例えば、ＳＴカット水晶と呼ばれる水晶基板の表面において、Ｚ’軸方向にＩＤＴ電極が形成されたレイリー波型弾性表面波素子が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
また、ＳＴＷカット水晶、つまり、ＳＴカット水晶に対して弾性表面波の伝搬方向を９０度ずらした横波を伝搬するＳＨ波型弾性表面波素子も知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、弾性表面波ではなく、圧電基板の上下面で反射を繰り返して伝搬するバルク波（体積波）を用いる方式のラム波素子も知られており、ラム波素子は、位相速度が弾性表面波よりも大きいことから、特に高周波に適していることが知られている（例えば、非特許文献２、及び特許文献２参照）。
【０００５】
さらに、上述したラム波素子を用いたラム波型高周波共振子として、例えば、圧電基板にＡＴカット水晶基板を用い、水晶基板の厚みＨとラム波の波長λとの関係を、０＜２Ｈ／λ≦１０の範囲に設定することで、ラム波を効率的に励振できることが知られている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２３３６４５号公報（第３〜第６頁、図１）
【特許文献２】特開２００３−２５８５９６号公報
【非特許文献１】信学技報  ＴＥＣＨＮＩＡＬＣＡＬＲＥＰＯＲＴ  ＯＦ  ＩＥＩＣＥ．ＵＳ９９−２０（１９９−０６）３７頁〜４２頁、「有限要素法を用いた弾性表面波の周波数―温度特性解析」、神名重男
【非特許文献２】第３３回ＥＭシンポジウム２００４、第９３〜９６頁、「ラム波型弾性表面波素子用基板」中川恭彦、百瀬雅之、垣尾省司
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような特許文献１，２や非特許文献１，２では、圧電基板の厚さが数μｍから数十μｍとされ、割れやすいため取り扱いが困難である。特に、ラム波型高周波デバイスは、弾性表面波を用いた場合よりも高周波を実現できるが、特許文献２に開示されているように、ラム波を励振させるためには圧電基板の厚さを数波長としなければならない。従って、弾性表面波デバイスと比べても割れやすく取り扱いが困難となり、歩留りが低下するというような課題がある。
【０００８】
本発明の目的は、前述した課題を解決することを要旨とし、構造的強度を高め、安定した共振特性を実現するラム波型高周波デバイスと、製造工程内において割れにくく、歩留りを向上できる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のラム波型高周波デバイスは、ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と、前記空間の周縁に接合面が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、補強基板を備え、薄く割れやすい圧電基板と補強基板とを接合しているため、構造的強度を高め、割れにくく、取り扱い易いラム波型高周波デバイスを提供することができる。
【００１１】
また、圧電基板または補強基板にラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間を設けているので、構造的強度を確保しながら接合面におけるラム波励振のエネルギ損失を排除して励振効率が高く安定した共振特性を有するラム波型高周波デバイスを実現することができる。
【００１２】
また、前記空間が、前記補強基板または前記圧電基板に設けられる箱状の凹部によって形成されていることが好ましい。
【００１３】
このようにすれば、圧電基板と補強基板との接合面に上述した空間を容易に形成することができる。この空間は、箱状の凹部によって形成される。従って、凹部（つまり空間）を取り囲む全周縁部が接合されていることから、励振条件において要求される圧電基板の厚さが数μｍであっても、ラム波型高周波デバイスとしての構造的強度を保持することができる。
【００１４】
また、凹部が箱状であることから、空間を気密封止、つまり真空封止することが可能となる。従って、ラム波を反射する圧電基板の裏面側（他方の主面側）界面からのエネルギ損失を排除することができる。
【００１５】
また、前記空間が、前記補強基板または前記圧電基板のいずれかに設けられる溝状の凹部によって形成されていることが好ましい。
【００１６】
溝状の凹部の断面視形状は、圧電基板または補強基板の対向する一対の側面が開口した略コの字状となり、凹部の周縁２方向が補強されていることになる。詳しくは後述する実施の形態で説明するが、凹部に犠牲層を形成し、ＩＤＴ電極を形成した後、側面の開口部から犠牲層を容易に除去することができる。
【００１７】
また、本発明では、前記圧電基板が水晶基板からなることが好ましい。
圧電基板として水晶基板を用いることにより、従来技術によるＳＴＷカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板を用いた弾性表面波素子よりも優れた温度特性を実現することができる。
【００１８】
また、本発明のラム波型高周波デバイスは、ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と前記空間の周縁に接合面が設けられているラム波型高周波デバイスが、ケースと蓋体からなるパッケージに気密収容されていることを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、補強基板によって補強されたラム波型高周波デバイスが、さらにパッケージ内に収容されているため、ラム波型高周波デバイスを外部環境の影響から保護することができる。
【００２０】
また、ＩＤＴ電極に傷等をつけた場合、励振特性が著しく劣化することが知られているが、パッケージ内に収容しているため、パッケージ後に、ＩＤＴ電極に接触する機会はなく、ＩＤＴ電極を保護することができる。
【００２１】
さらに、パッケージが気密封止されることから、パッケージ内を真空に保持できるので、ＩＤＴ電極側においてもエネルギ損失を抑制できる。また、前述した空間が、側面に開口部を有する溝状の凹部によって形成される構造においても、パッケージ内を真空封止することにより、空間内も真空にすることができ、真空工程を１回で済ませることができる。
【００２２】
また、本発明では、少なくとも前記ＩＤＴ電極を構成するバスバー上に設けられる複数のパッドによって、前記ケースの内面に設けられる接続電極に接合されていることが望ましい。
【００２３】
バスバー上にパッドを設けても励振には影響されない。従って、バスバー上にパッドを設け、接続電極に接合することで、接続電極との電気的接続と、パッケージにラム波型高周波デバイスを固定することができる。
【００２４】
パッドを用いた接合は、フリップチップ実装と呼ばれる。フリップチップ実装を採用することで、従来から弾性表面波素子の実装に用いられるワイヤボンディング実装に比べ、固定と接続とを両立でき、実装に要する厚さや面積等のスペースを小さくでき、低背化、小型化を実現できる。
【００２５】
また、本発明のラム波型高周波デバイスの製造方法は、ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と前記空間の周縁に接合面が設けられているラム波型高周波デバイスの製造方法であって、前記圧電基板の厚板または前記補強基板のいずれかに設けられる溝によって前記空間に相当する凹部を形成する工程と、前記凹部に犠牲層を形成する工程と、前記圧電基板の厚板と前記補強基板とを接合する接合工程と、接合工程の後、前記圧電基板の厚板を所定の厚さに研磨する研磨工程と、研磨工程の後、ＩＤＴ電極を形成する工程と前記犠牲層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、凹部に犠牲層を形成した後、圧電基板が厚板の状態で補強基板と接合し、圧電基板を所定の厚さに研磨し、さらに、ＩＤＴ電極を形成した後に犠牲層を除去し上述の空間を形成している。従って、ラム波型高周波デバイスが完成される直前まで、犠牲層が設けられているので、製造工程途中において、圧電基板も割れを低減することができ、歩留りを向上することができる。
【００２７】
また、凹部が溝状に形成されていることから、溝の両端部の開口部から犠牲層を除去することが容易にできるという効果がある。
【００２８】
また、本発明のラム波型高周波デバイスの製造方法は、ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と前記空間の周縁に接合面が設けられているラム波型高周波デバイスの製造方法であって、前記補強基板に、前記空間に相当する箱状の凹部を形成する工程と、前記凹部の底面に貫通孔を開設する工程と、前記凹部に犠牲層を形成する工程と、前記圧電基板の厚板と前記補強基板とを接合する接合工程と、接合工程の後、前記圧電基板の厚板を所定の厚さに研磨する研磨工程と、研磨工程の後、ＩＤＴ電極を形成する工程と前記犠牲層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２９】
このようにすれば、凹部が箱状であり、犠牲層がこの箱内部に形成されていても、凹部に連通する貫通孔を設けることにより、この貫通孔を用いて犠牲層を除去することができる。
【００３０】
前記圧電基板が水晶基板からなり、前記圧電基板に対してエッチング液が異なる材料により前記犠牲層を形成することが好ましい。
ここで、エッチング液が異なる材料とは、例えば犠牲層を除去する際にエッチング法が用いるが、エッチング液によって犠牲層は溶解されるが圧電基板は溶解しないような材料を意味し、酸化亜鉛（ＺｎＯ）や窒化アルミ（ＡｌＮ）等がある。
【００３１】
このようにすれば、犠牲層を除去する際に、圧電基板の犠牲層との界面がエッチング液によって加工されず、圧電基板の表裏両面にて反射されるラム波において良好な共振特性を得ることができる。
【００３２】
また、前記圧電基板が水晶基板からなり、前記犠牲層をＳｉＯ2にて形成し、前記圧電基板の他方の主面にエッチング保護層を形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程の後に、前記エッチング保護層をラム波が伝搬する領域よりも広い面積の範囲にて除去する工程と、を含むことが好ましい。
【００３３】
振動体としての圧電基板と補強基板から構成される構造体は、一般にＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）構造体と呼ばれる。ＭＥＭＳ構造体において犠牲層をＳｉＯ2で形成することも一般的である。しかしながら、水晶基板と犠牲層のＳｉＯ2とはエッチング液が同じであるため、犠牲層除去工程において水晶基板の犠牲層と接する他方の主面（つまり裏面）もエッチングされる。ラム波型高周波デバイスは、バルク波であることから裏面も振動特性に影響する。従って、水晶基板の裏面にエッチング保護層を設けることにより、水晶基板をエッチング液から保護することができる。
【００３４】
さらに、本発明のラム波型高周波デバイスの製造方法は、ＩＤＴ電極が一方の主面に形成された圧電基板と、前記圧電基板の他方の主面に接合される補強基板と、からなり、前記圧電基板または前記補強基板に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間と前記空間の周縁に接合面が設けられているラム波型高周波デバイスの製造方法であって、前記圧電基板の厚板または前記補強基板のいずれかに前記空間に相当する凹部を形成する工程と、前記圧電基板の厚板と前記補強基板とを接合する接合工程と、前記接合工程の後に、前記空間に熱硬化性樹脂からなる犠牲層を前記空間に充填し、且つ硬化させる工程と前記犠牲層を硬化した後、前記圧電基板の厚板を所定の厚さに研磨する研磨工程と、研磨工程の後、ＩＤＴ電極を形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００３５】
犠牲層として熱硬化性樹脂を用いることにより、圧電基板の厚板と補強基板とを接合した後、空間に熱硬化性樹脂を注入充填することができ、犠牲層を形成するために蒸着装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等の高価な装置を必要としない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図３は本発明の実施形態１に係るラム波型高周波デバイスを示し、図４は実施形態２、図５は実施形態３、図６は実施形態４、図７，８は実施形態５に係るラム波型高周波デバイスを示している。また、図９〜図１１は、本発明のラム波型高周波デバイスの製造方法を示している。
（実施形態１）
【００３７】
図１，２は、実施形態１に係るラム波型高周波デバイスを示し、図１は斜視図、図２は図１のＡ−Ａ切断面を模式的に示す断面図である。図１において、ラム波型高周波デバイス１０は、圧電基板２０と補強基板５０とが接合されて構成されている。
【００３８】
圧電基板２０は水晶基板からなる一様な厚さを有する薄板で、一方の主面に櫛歯状のＡｌからなるＩＤＴ電極３０と、ＩＤＴ電極３０のラム波進行方向両側に一対の反射器４１，４２と、が形成されている。ＩＤＴ電極３０はＩＮ／ＯＵＴ電極３１とＧＮＤ電極３２とを備えている。ＩＮ／ＯＵＴ電極３１は、複数の電極指３１ａと電極指３１ａを接続するバスバー３１ｂを備えている。ＧＮＤ電極３２は、複数の電極指３２ａと、電極指３２ａを接続するバスバー３２ｂとを備えている。そして、電極指３１ａ，３２ａが交互に配設されて交差指電極を形成している。
【００３９】
反射器４１，４２はそれぞれ、格子状に配設される電極指４１ａ、４２ａと、電極指４１ａの両端を接続するバスバー４１ｂと、電極指４２ａの両端を接続するバスバー４２ｂとから構成されている。
なお、このようにＩＤＴ電極３０が構成されるラム波型高周波デバイス１０は１ポート共振子とよばれる。
【００４０】
続いて、ＩＤＴ電極３０と反射器４１，４２及び補強基板５０の関係について図２を参照して説明する。図１も参照する。図２では、電極指３１ａと３２ａの間のピッチをＰI、電極指３１ａ，３２ａの線幅をＬI、ＩＮ／ＯＵＴ電極３１とＧＮＤ電極３２それぞれのピッチをラム波の波長λ、電極厚さをＨIと表している。このとき、ラム波の波長λは、ピッチＰIの２倍に設定されている。
また、反射器４２の電極指４２ａのピッチをＰr、線幅をＬr、厚さをＨrと表している。
【００４１】
ラム波型高周波では、圧電基板２０の厚さＨは、ラム波の波長λとの関係を上述した特許文献２に示される０＜２Ｈ／λ≦１０の範囲に設定することで、ラム波を効率的に励振できることが知られている。従って、圧電基板２０の厚さは数μｍ〜数十μｍになる。
【００４２】
上述したようなＩＤＴ電極３０と反射器４１，４２とが形成された圧電基板２０は、他方の主面、つまり裏面側が補強基板５０に接合されている。補強基板５０は、本実施形態ではＳｉからなる板状の基板で、中央部に箱状の凹部５３が形成されている。従って、補強基板５０は、中央部に凹部５３と、この凹部５３の全周周縁に設けられる縁部５１とから構成されている。
【００４３】
前述した圧電基板２０は、補強基板５０の縁部５１上面の接合面５２と化学結合または接着剤等の接合手段を用いて接合し、空間５４を形成している。この空間５４内は真空とされる。この際、接合面５２は図１の内周面Ｐで示すように、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２から離れた範囲、つまりラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間５４が形成されている。従って、接合することによるラム波の伝搬には何ら影響しない。
また、圧電基板２０の全周周縁部が補強基板５０の縁部５１に接合されることにより補強される。
【００４４】
このように構成されたラム波型高周波デバイス１０は、ＩＤＴ電極３０に所定の周波数の入力駆動信号を入力することによってラム波が励振され、圧電基板２０の表裏の面を反射しながら反射器４１，４２の方向に伝搬される。そして、反射器４１，４２によって反射される。
【００４５】
次に、本実施形態によるラム波型高周波デバイス１０の周波数温度特性について説明する。
図３は、ラム波型高周波デバイス１０の周波数温度特性を示すグラフである。縦軸に共振周波数偏差（ｐｐｍ）、横軸に温度（℃）を示している。図３に示すように、圧電基板２０に水晶基板を用いたラム波型高周波デバイス１０は、ＳＴＷカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板（ＳＴ−ＳＡＷ）よりも優れた周波数温度特性を実現している。
【００４６】
従って、前述した実施形態１によれば、凹部５３（つまり空間５４）の全周周縁部が補強基板５０に接合されていることから、励振条件において要求される圧電基板２０の厚さが数μｍであっても、構造的強度を高め、割れにくく取り扱いやすいラム波型高周波デバイス１０を保持することができる。
【００４７】
また、圧電基板２０と補強基板５０との間に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間５４を設け、さらに空間５４内を真空にしているので、構造的強度を確保しながら圧電基板裏面におけるラム波励振のエネルギ損失を排除して励振効率が高く安定した共振特性を有するラム波型高周波デバイス１０を実現することができる。
【００４８】
また、圧電基板として水晶基板を用いることで、ＳＴＷカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板（ＳＴ−ＳＡＷ）よりも優れた周波数温度特性を実現することができる。
（実施形態２）
【００４９】
続いて、本発明の実施形態２について図面を参照して説明する。実施形態２は、前述した実施形態１（図２、参照）が、凹部を補強基板側に設けていることに対し、圧電基板側に設けていることを特徴としている。従って、実施形態１との相違個所を中心に説明する。
図４は、実施形態２に係るラム波型高周波デバイス１０を模式的に示す断面図である。図４において、圧電基板２０は、一方の主面（表面）にＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２が形成され、他方の主面（裏面）には、箱状の凹部２３が形成されている。
【００５０】
凹部２３の底部の厚さＨは、ラム波の波長λとの関係が０＜２Ｈ／λ≦１０の範囲に設定されている。この凹部２３の周囲には縁部２１が形成されており、縁部２１の上面（図では下面）の接合面２２が補強基板５０に化学的接合または接着剤で接合され、空間２４を形成している。補強基板５０は、Ｓｉからなる厚板により形成されている。
【００５１】
従って、実施形態２によれば、圧電基板２０は、縁部２１が補強部となり、補強基板５０と接合することで構造的強度を高めている。また、空間２４内は真空状態である。これらのことから、前述した実施形態１と同様な効果を有する。
（実施形態３）
【００５２】
次に、本発明の実施形態３に係るラム波型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。実施形態３は、前述した実施形態１（図２、参照）が、補強基板に空間形成のために箱状の凹部を設けていることに対して、溝状の凹部を設けているところに特徴を有している。従って、相違個所を中心に説明する。
図５は、実施形態３に係るラム波型高周波デバイス１１０を模式的に示す斜視図である。
【００５３】
補強基板１５０には、溝状（正面視、略コの字状）の凹部１５３が形成されている。凹部１５３は補強基板１５０を横断するように形成されているので、幅方向の側面が開口され、長手方向両端に縁部１５１が設けられている。そして、この縁部１５１の上面の接合面１５２において、圧電基板２０を化学的結合または接着剤等の接合手段で補強基板１５０と接合し、空間１５４が形成されている。圧電基板２０は、実施形態１（図２、参照）で示した圧電基板と同じ構成である。
なお、凹部１５３は、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２から離れた範囲、つまりラム波が伝搬する領域よりも広い面積を有していれば、形成方向は限定されない。
（実施形態４）
【００５４】
次に、本発明の実施形態４に係るラム波型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。実施形態４は、前述した実施形態２（図４、参照）が、圧電基板に空間形成のための箱状の凹部を設けていることに対して、溝状の凹部を設けているところに特徴を有している。従って、相違個所を中心に説明する。
【００５５】
図６は、実施形態４に係るラム波型高周波デバイス２１０を模式的に示す斜視図である。圧電基板１２０には、溝状（正面視、略コの字状）の凹部１２３が形成されている。凹部１２３は圧電基板１２０を横断するように形成されているので、幅方向の側面が開口され、長手方向両端に縁部１２１が設けられている。そして、この縁部１２１の上面（図では下面）の接合面１２２において、圧電基板１２０を化学的結合または接着剤等の接合手段で補強基板２５０と接合し、空間１２４が形成されている。補強基板２５０は、実施形態２（図４、参照）にて示した圧電基板と同じ構成である。
なお、凹部１２３は、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２から離れた範囲、つまりラム波が伝搬する領域よりも広い面積を有していれば、形成方向は限定されない。
【００５６】
従って、前述した実施形態３及び実施形態４によれば、凹部１５３と凹部１２３それぞれが補強基板１５０または圧電基板１２０に設けられるかの違いがあるものの、圧電基板１２０の構造的強度を高めることができ、前述した実施形態１，２とほぼ同等な効果を有する。
【００５７】
また、凹部１２３または凹部１５３の正面視形状は、圧電基板１２０または補強基板１５０の対向する一対の側面が開口した略コの字状となる。詳しくは後述する製造方法にて説明するが、凹部１２３または凹部１５３内に犠牲層を形成し、ＩＤＴ電極を形成した後、側面の開口部から犠牲層を容易に除去することができるという効果がある。
（実施形態５）
【００５８】
続いて、本発明の実施形態５に係るラム波型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。実施形態５は、前述した実施形態１〜実施形態４に示したラム波型高周波デバイス１０，１１０，２１０のいずれかをパッケージ内に収容したことに特徴を有している。ここでは、実施形態１に示されたラム波型高周波デバイス１０を例示して説明する。共通部分には同じ符号を付している。
【００５９】
図７は、実施形態５に係るラム波型高周波デバイス１０を模式的に示す斜視図である。図７において、圧電基板２０の表面に形成されるＩＤＴ電極３０、反射器４１，４２のバスバー３１ｂ、３２ｂ、４１ｂ、４２ｂの上面には複数のパッドが設けられている。
【００６０】
より具体的には、ＩＤＴ電極３０のバスバー３１ｂ、３２ｂそれぞれの上面に、パッド３３が２個ずつ計４個設けられている。また、反射器４１，４２それぞれのバスバー４１ｂ、４２ｂにもパッド３４がそれぞれ２個ずつ計４個設けられている。これらのパッド３３，３４は、Ａｕ、半田等の金属や導電性接着剤等からなり、略半球状にてほぼ同じ大きさで形成されている。
【００６１】
また、パッド３３，３４は、図７に示すように、ラム波型高周波デバイス１０をパッケージ６０（図８、参照）に収容し、接合するために、平面視して全体にバランスよく配設されている。従って、パッド３３，３４の配設位置、配設数は限定されない。
このようにパッド３３，３４が形成されたラム波型高周波デバイス１０をパッケージ６０内に実装する。
【００６２】
図８は、ラム波型高周波デバイス１０がパッケージ６０内に実装された状態を模式的に示す断面図であり、図７のＢ−Ｂ切断面を示している。図７も、参照する。図８において、パッケージ６０は、ケース７０と蓋体８０とから形成された容器である。本実施形態では、ケース７０と蓋体８０は共にセラミックスで形成されている。
【００６３】
ケース７０は、基台７０ａと縁部７０ｂとが積層して形成されており、基台７０ａと縁部７０ｂとの接合部には、基台７０ａの内側表面に形成された接続電極７１または接続電極７２が、基台７０ａの裏面に設けられる外部接続端子７５または外部接続端子７６まで延在されている（接続状態の図示は省略）。
【００６４】
ラム波型高周波デバイス１０は、基台７０ａ側に圧電基板２０を向けて挿入する。ここで、バスバー３１ｂに設けられるパッド３３は接続電極７１の位置に、バスバー３２ｂに設けられるパッド３３は接続電極７２の位置に、バスバー４１ｂ、４２ｂのそれぞれに設けられるパッド３４は、電極ランド７３，７４の位置に配設し、加熱、圧着等の手段を用いて一括接合する。このような接合をフリップチップ実装と呼ぶ。
【００６５】
従って、ＩＮ／ＯＵＴ電極３１（図１に示す）は外部接続端子７５と接続され、ＧＮＤ電極３２（図１に示す）は外部接続端子７６と接続され、外部から所定の励振駆動信号を入力することを可能にしている。
【００６６】
また、反射器４１，４２は、ＩＤＴ電極３０とは電気的に独立しているので、電極ランド７３，７４は、ラム波型高周波デバイス１０をバランスよく、且つ基台７０ａとの接合強度を高めるために設けられている。
【００６７】
ラム波型高周波デバイス１０をケース７０内に実装した後、蓋体３２０を縁部７０ｂに化学的結合または接着剤等の接合手段を用いて接合する。この際、パッケージ６０の内部の空間６１は、真空状態にされる。
【００６８】
本実施形態では、実施形態１に示したラム波型高周波デバイス１０をパッケージ６０に収容する例をあげ説明したが、実施形態２〜実施形態４にて説明したラム波型高周波デバイスも、同様な方法でパッケージ６０に実装、収容することが可能である。
【００６９】
実施形態１，２では、空間５４及び空間２４内が真空であり、パッケージ６０内の空間６１を真空にすることで、ラム波の励振領域は全て真空状態となる。
また、実施形態３，４では、パッケージングの際、空間６１を真空にする際に、一部が開口されている空間１５４及び空間１２４内も同時に真空化することができる。
【００７０】
従って、前述した実施形態５によれば、補強基板５０によって補強されたラム波型高周波デバイス１０が、さらにパッケージ６０内に収容されているため、ラム波型高周波デバイス１０を外部環境の影響から保護することができる。
【００７１】
また、ＩＤＴ電極３０に傷等をつけた場合、あるいは水分や塵埃が付着した場合、励振特性が著しく劣化することが知られている。しかし、パッケージ６０内に収容し、且つ真空状態にしているため、ＩＤＴ電極３０を保護し、良好な共振特性を維持することができる。
さらに、パッケージ内を真空に保持できるので、ＩＤＴ電極３０側においてもエネルギ損失を抑制できる。
【００７２】
また、励振には影響しないバスバー３１ｂ、３２ｂ、４１ｂ、４２ｂ上にパッド３３，３４を設け、接続電極７１，７２及び電極ランド７３，７４に接合することで、接続電極７１，７２との電気的接続と、パッケージ６０（基台７０ａ）にラム波型高周波デバイス１０を確実に固定することができる。
【００７３】
さらに、フリップチップ実装を採用することで、従来から弾性表面波素子の実装に用いられるワイヤボンディング実装に比べ、固定と接続とを両立できることから、実装に要する厚さや面積等のスペースが小さくでき、低背化、小型化を実現することができる。
（製造方法１）
【００７４】
次に、本発明のラム波型高周波デバイスの製造方法について図面を参照して説明する。
図９は、本発明のラム波型高周波デバイスの主たる製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図９においては、実施形態３（図５、参照）にて説明した補強基板１５０に溝状の凹部１５３を形成したラム波型高周波デバイス１１０を例示して説明する。
【００７５】
まず、図９（ａ）に示すように、Ｓｉの平板からなる補強基板１５０に溝状の凹部１５３を形成する。凹部１５３の形成方法としては、エッチング法により凹部１５３に相当する部分を除去する方法と、平板の基台１５５の相対する２辺端部に縁部１５１を積層する方法とがある。また、溝状をしているので、研削等の加工方法を選択することもできる。
【００７６】
次に、図９（ｂ）に示すように、凹部１５３内部に酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる犠牲層１５６をＣＶＤ法等により形成し、犠牲層１５６及び縁部１５１の上面をＣＭＰ法等を用いて平滑処理を行う。
なお、犠牲層１５６としては、酸化亜鉛の他に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やＡｌ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｇなどの金属を採用することができる。これらの犠牲層材料は、水晶からなる圧電基板とはエッチング液が異なり、後で説明する犠牲層除去の際、圧電基板の裏面が犠牲層のエッチングにより溶解されることがない材料を選択する。
【００７７】
そして、図９（ｃ）に示すように圧電基板の原料である水晶基板の厚板２０ａを犠牲層１５６が形成された補強基板１５０に化学的結合または接着剤等の接合手段を用いて接合する。なお、ここでは、厚板２０ａの厚さを１００μｍとした。
【００７８】
続いて、図９（ｄ）に示すように、厚板２０ａと補強基板１５０とが接合された状態で、厚板２０ａを研磨して所定の厚さを有する圧電基板２０を形成する。圧電基板２０の厚さＨは、ラム波の波長λとの関係が０＜２Ｈ／λ≦１０となる範囲に設定し、具体的には数μｍとした。
【００７９】
次に、圧電基板２０の表面にＩＤＴ電極３０、反射器４１，４２をフォトリソグラフィ技術を用いて形成する（図９（ｅ）に示す）。
【００８０】
続いて、図９（ｆ）に示すように、犠牲層１５６をリリースエッチングにより除去し、空間１５４を形成する。
なお、リリースエッチング工程の後に、ＩＤＴ電極３０、反射器４１，４２を形成する工程としてもよい。
【００８１】
パッド３３，３４（図７，参照）の形成は、ＩＤＴ電極３０、反射器４１，４２を形成した後に続いて形成することができる。
（製造方法２）
【００８２】
続いて、前述した実施形態４にて説明したラム波型高周波デバイス２１０（図６、参照）の製造方法２について図１０を参照して説明する。前述した製造方法との相違部分を中心に説明する。
まず、水晶基板の厚板２０ａにエッチング法等により溝状の凹部１２３を形成し、この凹部１２３内に酸化亜鉛からなる犠牲層１２５をＣＶＤ法等により形成し、犠牲層１２５及び縁部１２１の上面をＣＭＰ法等を用いて平滑処理を行う。
そして、補強基板１５０に化学的結合または接着剤等の接合手段を用いて接合する。接合された状態を図１０（ａ）に示す。
【００８３】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、厚板２０ａを研磨して所定の厚さを有する圧電基板１２０を形成する。圧電基板１２０の厚さＨは、ラム波の波長λとの関係が０＜２Ｈ／λ≦１０の範囲に設定し、具体的には数μｍとした。
【００８４】
以降、ＩＤＴ電極３０、反射器４１，４２の形成方法、犠牲層１２５の除去方法は、前述した方法、工程（図９（ｅ）、図９（ｆ）、参照）と同じであるため説明を省略する。
【００８５】
上述したラム波型高周波デバイスの製造方法によれば、図９に示すように補強基板１５０の凹部１５３内に犠牲層１５６を形成し、圧電基板が厚板の状態で接合して所定の厚さまで研磨している。あるいは、図１０に示すように圧電基板の厚板２０ａの状態で凹部１２３と、凹部１２３内に犠牲層１２５を形成し、補強基板１５０と接合して所定の厚さまで研磨している。その後、犠牲層１５６または犠牲層１２５を除去して空間１５４，１２４を形成している。
従って、ラム波型高周波デバイスが完成される直前まで、犠牲層１５６または犠牲層１２５が設けられているので、製造工程途中において、圧電基板の割れを低減することができ、歩留りを向上することができる。
【００８６】
また、凹部１５３または凹部１２３が溝状に形成されていることから、溝の開口部から犠牲層１５６または犠牲層１２５を容易に除去することができる。
（製造方法３）
【００８７】
続いて、前述した実施形態１にて説明したラム波型高周波デバイスの製造方法について図面を参照して説明する。
図１１は本発明の製造方法３を示し、実施形態１にて説明したラム波型高周波デバイス１０（図１，２、参照）の一部工程を模式的に示す断面図である。このラム波型高周波デバイス１０は、補強基板５０に箱状の凹部５３が形成される構造であって、凹部５３が圧電基板２０（厚板２０ａ）を接合した状態では開口部がない。従って、図９に示した製造方法では、犠牲層５６を除去できない。ここで、補強基板５０に、凹部５３と凹部５３の底部とを連通する貫通孔を設けていることに特徴を有している。
【００８８】
まず、補強基板５０に、箱状の凹部５３と、凹部５３の底部を連通する貫通孔５７，５８と、を開設する。そして、少なくとも凹部５３を充填する犠牲層５６を形成する（図１１（ａ）に示す）。このようにして、犠牲層５６を含む補強基板５０の上面を研磨し平滑化して、圧電基板の厚板２０ａを接合する。以降の工程は、図９（ｃ）〜（ｆ）と同様な工程により、図１１（ｂ）に示すラム波型高周波デバイス１０が形成される。
【００８９】
ここで、犠牲層５６の除去は、補強基板５０に開設された貫通孔５７，５８を用いて行うことができる。犠牲層５６を除去した後は、図示しないが、空間５４と貫通孔５７，５８が連通した状態となる。
【００９０】
なお、図１１では、貫通孔５７，５８を設けているが、貫通孔の数は２個に限定されず、１個でも、もっと多くしてもよい。また、貫通孔の形状も限定されず、例えば、円形でも、四角形でもよい。
【００９１】
このように形成されたラム波型高周波デバイス１０を実施形態５（図８、参照）にて説明したパッケージ６０内に収容することにより、空間５４内も真空状態にすることができる。
【００９２】
なお、前述した実施形態２のラム波型高周波デバイス１０も同様な製造方法で形成することができる。このラム波型高周波デバイス１０（図４、参照）は、圧電基板２０に箱状の凹部２３が形成される構造であって、凹部２３には圧電基板２０（厚板２０ａ）を接合された状態では開口部がない。そこで、図示しないが、圧電基板２０の凹部２３に連通する貫通孔を補強基板５０に開設し、犠牲層をこの貫通孔から除去することで製造可能となる。
【００９３】
従って、上述した製造方法によれば、圧電基板２０または補強基板５０に箱状の凹部が形成される実施形態１，２による構造であっても、凹部に連通する貫通孔を設けることにより、この貫通孔を用いて犠牲層を除去することができる。
（製造方法４）
【００９４】
続いて、本発明のラム波型高周波デバイスの製造方法４について図面を参照して説明する。この製造方法４は、犠牲層としてＳｉＯ2を採用したときの製造方法であり、前述した実施形態３（図５、参照）にて説明したラム波型高周波デバイス１１０と同じ構造のラム波型高周波デバイスの製造方法である。従って、相違個所を中心に説明する。実施形態３のラム波型高周波デバイスの製造方法を表す図９も参照する。
【００９５】
図１２は製造方法４を示し、犠牲層としてＳｉＯ2を採用したときの製造方法の主たる工程を示す断面図である。まず、図１２（ａ）に示すように、水晶基板の厚板２０ａの裏面側の全面にわたってエッチング保護層（エッチングストッパー層と呼ぶことがある）２５を形成する。エッチング保護層２５は薄い金属層であって、材質としてはＡｕやＡｌなど、水晶とはエッチング液が異なる材料から選択される。エッチング保護層２５は、蒸着法やスパッタリング法等により形成される。
【００９６】
次に、補強基板１５０内に設けられた凹部１５３内にＳｉＯ2からなる犠牲層１５６をＣＶＤ法等で形成する（図９（ａ）、図９（ｂ）を参照）。そして、ＣＭＰ法により平滑処理をした後、図１２（ｂ）に示すように、エッチング保護層２５が形成された水晶基板の厚板２０ａと犠牲層１５６が形成された補強基板１５０とを接合し、水晶基板の厚板２０ａを所定の水晶基板２０の厚さまで研磨する。
【００９７】
次に、図１２（ｃ）に示すように、水晶基板２０の表面にＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２をフォトリソグラフィにより形成する。その後、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を含んで水晶基板２０の表面全体にレジスト（図示せず）を塗布し、犠牲層１５６をエッチングにより除去する。
【００９８】
犠牲層１５６の除去には、エッチング液としてＤＨＦ（希フッ酸）やＢＨＦ（バッファードフッ酸）が用いられる。この際、犠牲層としてのＳｉＯ2は溶解除去されるが、Ｓｉからなる補強基板１５０、レジストで被覆された水晶基板２０の表面及びエッチング保護層２５は溶解されない。続いて、エッチング保護層２５をエッチングにより除去する。エッチング保護層２５の除去範囲は、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積であればよく、つまり、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２の形成範囲の外側の範囲とする。
【００９９】
そして、レジストを除去すれば、図１２（ｄ）に示すような水晶基板２０と補強基板１５０との間に空間１５４が形成されたラム波型高周波デバイス１１０が形成される。
なお、犠牲層１５６とエッチング保護層２５を除去した後、さらにレジストを除去してＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を形成する工程としてもよい。
【０１００】
なお、上述した製造方法は、溝状の凹部１５３により空間１５４を形成する実施形態３のラム波型高周波デバイス１１０を例示して説明したが、箱状の凹部５３を有する実施形態１によるラム波型高周波デバイス１０（図１、図１１、参照）にも応用することができる。
【０１０１】
また、凹部１５３を水晶基板２０に設ける実施形態４（図６、参照）によるラム波型高周波デバイス２１０にも応用することができる。この場合、凹部１２３の内面にエッチング保護層を形成すればよい。
【０１０２】
従って、上述した製造方法４によれば、犠牲層１５６の除去工程において水晶基板２０と犠牲層１５６とが接する裏面にエッチング保護層１５６を設けることにより、ＭＥＭＳ構造体の犠牲層として一般に用いられるＳｉＯ2を犠牲層として採用しても、水晶基板２０を犠牲層のエッチング工程から保護することができる。
（製造方法５）
【０１０３】
続いて、本発明のラム波型高周波デバイスの製造方法５について図面を参照して説明する。この製造方法は、犠牲層として熱硬化性樹脂を採用したときの製造方法であり、前述した実施形態３（図５、参照）にて説明したラム波型高周波デバイス１１０と同じ構造のラム波型高周波デバイスの製造方法である。従って、相違個所を中心に説明する。実施形態３のラム波型高周波デバイスの製造方法を表す図９も参照する。
【０１０４】
図１３は製造方法５に係る犠牲層１３０として熱硬化性樹脂を採用したときの製造方法の主たる工程を示す断面図である。まず、図１３（ａ）に示すように、凹部１５３が形成された補強基板１５０と水晶基板の厚板２０ａを接合し、補強基板１５０と水晶基板の厚板２０ａとの間に空間１５４を形成する。
【０１０５】
次に、補強基板１５０と水晶基板の厚板２０ａとが接合された状態でセット治具３５０に挿着する。図１３（ｂ）は、図５に表すラム波型高周波デバイス１１０をラム波の伝搬方向に垂直な切断面（幅方向断面）を表す断面図、図１３（ｃ）は平面図である。図１３（ｂ）、（ｃ）において、補強基板１５０は、幅方向が水晶基板の厚板２０ａよりも大きく形成され、幅方向両側に突出されている。セット治具３５０は、補強基板１５０の外周を縁部３５０ａで取り囲むよう形成されている。また、縁部３５０ａは、補強基板１５０の上面より突出している。
【０１０６】
セット治具３５０に装着された状態において、水晶基板の厚板２０ａとセット治具３５０の縁部３５０ａとの間には開口部１５３ａ，１５３ｂが形成される。開口部１５３ａ，１５３ｂは、ＩＤＴ電極３０、反射器４１，４２の並設方向（つまり、ラム波の伝搬方向）とは垂直な両端面方向に設けられている。これらの開口部１５３ａ，１５３ｂから液状の熱硬化性樹脂を注入し空間１５４に充填させる。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、メラニン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等を採用することができる。そして、加熱することにより熱硬化性樹脂を硬化させて犠牲層１３０を形成する。
【０１０７】
なお、熱硬化性樹脂を注入する際、開口部１５３ａ，１５３ｂのどちらか一方から注入し、他方から吸引するようにすれば空間１５４内部に気泡等が残留しない。
【０１０８】
犠牲層１３０を形成した後、水晶基板の厚板２０ａを所定の厚さに研磨、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を形成、犠牲層１３０を除去してラム波型高周波デバイス１１０が形成される。研磨以降の工程は、図９（ｃ）〜（ｆ）と同様な工程となるため図示を省略する。
【０１０９】
犠牲層１３０の除去は、開口部１５３ａ，１５３ｂから溶剤等を浸入させることで可能である。従って、開口部１５３ａ，１５３ｂの大きさは、熱硬化性樹脂を注入しやすく、また溶剤を浸入させやすい大きさに適宜設定すればよい。犠牲層１３０を除去した後、セット治具３５０からラム波型高周波デバイス１１０を容易に取り外すことができる。
【０１１０】
また、犠牲層１３０を除去してからＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を形成する工程も可能であるため、犠牲層１３０を除去し、セット治具３５０から取り外した状態でＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を形成してもよい。
【０１１１】
従って、製造方法５によれば、犠牲層１３０として熱硬化性樹脂を用いることにより、水晶基板の厚板２０ａと補強基板１５０とを接合した後、空間１５４内に熱硬化性樹脂を注入充填することができ、犠牲層１３０を形成するために蒸着装置やＣＶＤ装置等の高価な装置を必要としない。
また、犠牲層１５４の表面は、水晶基板２０の裏面に倣って平滑となるため、ＣＭＰ等による平滑処理が不要であり、製造工程を短縮することができる。なお、開口部１５３ａ，１５３ｂは、ＩＤＴ電極３０、反射器４１，４２の並設方向に設けても構わない。    （製造方法６）
【０１１２】
続いて、ラム波型高周波デバイスの製造方法６について図面を参照して説明する。この製造方法６は、上述した製造方法５の変形例であって、犠牲層１３０として熱硬化性樹脂を用いて、しかもセット治具を用いない製造方法である。
図１４は製造方法６を示し、図１４（ａ）は犠牲層１３０を形成した後の状態を示す斜視図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＣ−Ｃ切断面を示す断面図である。図１４（ａ）、（ｂ）において、補強基板１５０には箱状の凹部１５５が形成されている。
【０１１３】
凹部１５５は、水晶基板の厚板２０ａの幅方向両側よりも大きく形成されており、凹部１５５の周縁は、縁部１５１ａ〜１５１ｄの４片で囲まれている。従って、水晶基板の厚板２０ａと補強基板１５０とが接合された状態において、水晶基板の厚板２０ａの幅方向両側には、開口部１５５ａ，１５５ｂが形成される。
【０１１４】
この開口部１５５ａ，１５５ｂから液状の熱硬化性樹脂を空間１５４内に注入し、充填する。そして、加熱することによって硬化し、犠牲層１３０を形成する。犠牲層１３０を形成した後、水晶基板の厚板２０ａを所定の厚さに研磨、ＩＤＴ電極及び反射器を形成、犠牲層１３０を除去する。こうしてラム波型高周波デバイス１１０が形成される。
【０１１５】
犠牲層１３０の除去は、開口部１５５ａ，１５５ｂから溶剤を浸入させることで可能となる。従って、開口部１５５ａ，１５５ｂの大きさ（幅）は、熱硬化性樹脂を注入しやすく、また溶剤を浸入しやすい大きさに適宜設定すればよい。
【０１１６】
従って、上述した製造方法６によれば、熱硬化性樹脂を空間１５４内に充填する際、補強基板１５０の凹部１５５内に縁部１５１ａ〜１５１ｄによって熱硬化性樹脂を封じ込むことができるので、セット治具等を必要とせずに前述した製造方法５と同様な効果を奏する。なお、開口部１５３ａ，１５３ｂは、ＩＤＴ電極３０、反射器４１，４２の並設方向に設けても構わない。
（製造方法７）
【０１１７】
続いて、ラム波型高周波デバイスの製造方法７について図面を参照して説明する。この製造方法は、上述した製造方法６の変形例であるが、補強基板に箱状の凹部を形成している。ラム波型高周波デバイスの形態としては前述した実施形態１と同じであり、図１１に示す製造方法に対して犠牲層を熱硬化性樹脂としたところに特徴を有している。相違個所のみ説明する。
図１５は製造方法７を示し、熱硬化性樹脂からなる犠牲層１３０を形成した状態を示す断面図である。図１５において、補強基板５０には箱状の凹部５３が形成されている。凹部５３は、水晶基板の厚板２０ａが接合された状態において縁部５１によって閉じられた空間５４を形成している。
【０１１８】
凹部５３の底面には、補強基板５０を空間５４の内外を連通する貫通孔５７，５８が開設されている。液状の熱硬化性樹脂の空間５４内への注入は、貫通孔５７または貫通孔５８の一方から行われ、他方は開放または吸引する。熱硬化性樹脂を空間５４内に充填した後、過熱硬化させて犠牲層１３０を形成する。犠牲層１３０を形成した後、順次、水晶基板の厚板２０ａを所定の厚さに研磨、ＩＤＴ電極及び反射器を形成、犠牲層１３０を除去する。こうしてラム波型高周波デバイスが形成される。
【０１１９】
犠牲層１３０の除去は、補強基板５０に開設された貫通孔５７，５８を用いて行うことができる。犠牲層５６を除去した後は、図示しないが、空間５４と貫通孔５７，５８が連通した状態となる。
【０１２０】
なお、図１５では、二つの貫通孔５７，５８を設ける構造としているが、貫通孔の数は２個に限定されず、１個でも、もっと多くしてもよい。また、貫通孔の形状も限定されず、例えば、円形でも、四角形でもよい。
【０１２１】
従って、上述した製造方法７によれば、前述した製造方法５，６と同様な効果が得られる他、製造方法５のようなセット治具が不要となる。また、水晶基板２０と補強基板５０の平面形状が一致しているので、前述した製造方法６のような、液状の熱硬化性樹脂を封じ込むための縁部が不要であるため、小型化を可能にする。
【０１２２】
また、空間５４内に液体または気体を封入した後、貫通孔５７，６８を封止することができる。このようにすれば、水晶基板２０の裏面の界面を液体または気体にすることで、ラム波の裏面側の反射状態を変化させることができ、共振モードの選択肢をひろげることができる。
【０１２３】
なお、本発明は、前述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前述した実施形態にて説明した構造では、圧電基板として水晶基板を例示して説明したが、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四硼酸リチウム、ランガサイト、ランガナイト、ニオブ酸カリウム等の圧電基板、他の非圧電基板でも構わない。
【０１２４】
また、前述した犠牲層を形成する製造方法によれば圧電基板として、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、五酸化タンタル等の圧電性薄膜、硫化カドミウム、硫化亜鉛、ガリウム砒素、インジウムアンチモン等の圧電半導体にも適用することができる。
【０１２５】
さらに、前述した実施形態では、ラム波型高周波デバイスとして１ポート共振子を例示して説明したが、２ポート共振子またはＩＤＴ電極と反射器を備えたフィルタにも応用することができる。
【０１２６】
従って、本発明によれば、構造的強度を高め、安定した特性を実現するラム波型高周波デバイスと、製造工程内において割れにくく、歩留りを向上する製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の実施形態１に係るラム波型高周波デバイスを示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ切断面を模式的に示す断面図。
【図３】本発明の実施形態１に係るラム波型高周波デバイスの周波数温度特性を示すグラフ。
【図４】本発明の実施形態２に係るラム波型高周波デバイスを模式的に示す断面図。
【図５】本発明の実施形態３に係るラム波型高周波デバイスを模式的に示す斜視図。
【図６】本発明の実施形態４に係るラム波型高周波デバイスを模式的に示す斜視図。
【図７】本発明の実施形態５に係るラム波型高周波デバイスを模式的に示す斜視図。
【図８】本発明の実施形態５に係るラム波型高周波デバイスがパッケージ内に実装された状態を模式的に示す断面図。
【図９】本発明の製造方法１に係るラム波型高周波デバイスの主たる製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】本発明の製造方法２に係る実施形態４にて説明したラム波型高周波デバイスの一部工程を模式的に示す断面図。
【図１１】本発明の製造方法３に係る実施形態１にて説明したラム波型高周波デバイスの一部工程を模式的に示す断面図。
【図１２】本発明の製造方法４に係る犠牲層としてＳｉＯ2を採用したときの製造方法の主たる工程を示す断面図。
【図１３】本発明の製造方法５に係る犠牲層として熱硬化性樹脂を採用したときの製造方法の主たる工程を示す断面図。
【図１４】本発明の製造方法６を示し、（ａ）は犠牲層を形成した後の状態を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ切断面を示す断面図。
【図１５】本発明の製造方法７に係る熱硬化性樹脂からなる犠牲層を形成した状態を示す断面図。
【符号の説明】
【０１２８】
１０…ラム波型高周波デバイス、２０…圧電基板、３０…ＩＤＴ電極、４１，４２…反射器、５０…補強基板、５３…凹部、５４…空間。
【図１】
2007251910.tif 000003
【図２】
2007251910.tif 000004
【図３】
2007251910.tif 000005
【図４】
2007251910.tif 000006
【図５】
2007251910.tif 000007
【図６】
2007251910.tif 000008
【図７】
2007251910.tif 000009
【図８】
2007251910.tif 000010
【図９】
2007251910.tif 000011
【図１０】
2007251910.tif 000012
【図１１】
2007251910.tif 000013
【図１２】
2007251910.tif 000014
【図１３】
2007251910.tif 000015
【図１４】
2007251910.tif 000016
【図１５】
2007251910.tif 000017