(57)【要約】【課題】サーボ情報に相当するような微細で複雑な凹凸パターンの転写面を有する原盤を高精度で製造できる原盤の製造方法、これを用いたスタンパの製造方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板（樹脂層支持材）４２の上に形成された樹脂層４４を、所定の基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部４４Ａが形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンに加工し、該樹脂層４４に基いて基板４２をエッチングして変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに基板４２を加工する。【選択図】図１２
2007059006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部が形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンに加工する変則的凹凸パターン形成工程と、該樹脂層に基いて前記樹脂層支持材をエッチングして前記変則的凹凸パターンを前記基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層支持材を加工する樹脂層支持材エッチング工程と、を含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記変則的凹凸パターン形成工程と前記樹脂層支持材エッチング工程との間に、前記樹脂層をエッチングして該樹脂層の凸部のうち前記分割用凸部を選択的に除去する樹脂層エッチング工程が設けられたことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記樹脂層支持材と前記樹脂層との間に前記樹脂層支持材エッチング工程のエッチングに対してマスクとして機能するマスク層を形成し、前記変則的凹凸パターン形成工程と前記樹脂層支持材エッチング工程との間に、前記樹脂層の分割用凸部を除去しつつ該樹脂層に基いて前記マスク層をエッチングするマスク層エッチング工程が設けられたことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記樹脂層支持材エッチング工程において、前記分割用凸部の下に連続した凹部を形成するように前記樹脂層支持材をエッチングすることを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項５】
樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部が形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンに加工する変則的凹凸パターン形成工程と、前記樹脂層をエッチングして前記変則的凹凸パターンを前記基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層を加工する樹脂層エッチング工程と、を含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記樹脂層エッチング工程において、該樹脂層の凸部のうち前記分割用凸部を選択的に除去するように前記樹脂層をエッチングすることを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記原盤の凹凸パターンは、複数のデータ領域と複数のサーボ領域とに区分けされ、前記各サーボ領域が更に複数の升目状の領域に区分けされて、これら升目状の各領域に０及び１のいずれかの情報が所定の規則で記録層に二値的に記録されて用いられ、該記録層は、前記サーボ領域の部分が、前記升目状の領域のうち前記０及び１のいずれか一方の情報が記録される領域が凹部であり他方の情報が記録される領域が凸部である凹凸パターンで形成された磁気記録媒体の前記記録層の凹凸パターンに相当する凹凸パターンであり、
前記基本的凹凸パターンは、前記記録層のサーボ領域の部分の升目状の領域のうち、前記０及び１のいずれか一方の情報が記録される升目状の領域に相当する部分が凹部単位領域であり他方の情報が記録される升目状の領域に相当する部分が凸部単位領域である凹凸パターンであり、前記変則的凹凸パターン形成工程において、前記樹脂層を、前記基本的凹凸パターンに対し、前記凹部単位領域のうち連続する少なくとも２つの凹部単位領域の境界近傍に前記分割用凸部が形成されて該連続する凹部単位領域に分割された凹部が形成された変則的凹凸パターンに該樹脂層を加工することを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記変則的凹凸パターンは、前記基本的凹凸パターンの前記凹部単位領域のうち前記磁気記録媒体の径方向に連続する少なくとも２つの凹部単位領域の境界近傍に前記分割用凸部が形成されて該連続する凹部単位領域に前記径方向に分割された凹部が形成された凹凸パターンであることを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記変則的凹凸パターン形成工程において、前記樹脂層を、前記基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する前記基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに加工することを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項１０】
樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する前記基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに加工する変則的凹凸パターン形成工程と、該樹脂層に基いて前記樹脂層支持材をエッチングして前記変則的凹凸パターンを前記基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層支持材を加工する樹脂層支持材エッチング工程と、を含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項１１】
樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する前記基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに加工する変則的凹凸パターン形成工程と、前記樹脂層をエッチングして前記変則的凹凸パターンを前記基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層を加工する樹脂層エッチング工程と、を含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかにおいて、
前記樹脂層の材料としてレジスト材料を用い、前記変則的凹凸パターン形成工程において、露光及び現像により前記樹脂層を前記変則的凹凸パターンに加工することを特徴とする原盤の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の原盤の製造方法により製造された原盤の上に電解メッキ法で電解メッキ層を形成する電解メッキ工程を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記電解メッキ工程を第１の電解メッキ工程として該第１の電解メッキ工程の後に、前記原盤から前記電解メッキ層を含むメタルマスタを剥離する剥離工程と、該メタルマスタの上に電解メッキ法によりスタンパ及び他のメタルマスタのいずれかを形成する第２の電解メッキ工程と、が設けられたことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４のスタンパの製造方法により製造されたスタンパを用いて記録層の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体製品や情報記録媒体等の製造工程において凹凸パターンを形成するために用いられるスタンパの原盤の製造方法、スタンパの製造方法及びこれらを利用した磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製品の製造工程において、樹脂層支持材の上にレジスト材料の樹脂層を成膜し、これを露光、現像して凹凸パターンに加工するリソグラフィと称される手法が用いられている。凹凸パターンの樹脂層をマスクとして樹脂層支持材をエッチングすることで、樹脂層の凹凸パターンに倣った凹凸パターンに樹脂層支持材を加工できる。近年、ピッチが数百ｎｍ以下の微細な凹凸パターンの加工が要求されることがあり、このような微細な凹凸パターンを形成する場合、露光に用いる光の波長の影響が無視できなくなるため、露光のために電子線が用いられることがある。しかしながら、電子線を用いて各半導体製品毎に露光（描画）を行う手法は生産性が低いという問題がある。
【０００３】
これに対し、樹脂層にスタンパを当接させて凹凸パターンを転写するインプリント法と称される手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ピッチが数百ｎｍ以下の微細な凹凸パターンを転写する場合、特にナノインプリント法と称されることがある。尚、スタンパを当接させて凹凸パターンを転写しただけでは凹部底部に樹脂層が残存し、樹脂層支持材は露出しないが、凹部底部の樹脂層を除去する程度に樹脂層を一様にエッチングすることで凹部底部から樹脂層支持材を露出させることができ、転写された凹凸の段差の分だけ樹脂層をマスクとして用いることができる。
【０００４】
インプリント法によれば、各製品毎に電子線を用いた露光を行う手法に対し、生産性を大幅に高めることができ、以下のような事情により、ハードディスク等の磁気記録媒体の分野においても、このようなインプリント法による生産性の向上が期待されている。
【０００５】
磁気記録媒体は、複数のデータ領域と複数のサーボ領域とに区分けされ、サーボ領域にヘッドの位置決め等のためのサーボ情報が記録されて用いられる。各サーボ領域は複数の升目状の領域に区分けされ、サーボ情報は、これら各領域に０及び１のいずれかの情報が所定の規則で二値的に記録された構成である。サーボ情報は例えば、クロックの同期のためのプリアンブル部、サーボデータの開始を示すＳＡＭ部、トラック番号を示すトラックアドレス信号部、セクタ番号を示すセクタアドレス信号部、磁気ヘッドのトラッキングのためのバースト信号部等で構成される。このようなサーボ情報は通常サーボ・トラック・ライティング方式で磁気記録媒体に記録される。サーボ情報の記録工程は磁気記録媒体毎にサーボ領域中の升目状の各領域を順次磁化させていくものであり、生産性が低いという問題があった。特に近年、面記録密度の向上及びこれに伴うヘッドの浮上高さの低下のため、サーボ情報についても高密度で、高精度な記録が要求されるようになっており、サーボ情報の記録の効率改善に対するニーズが高まっている。
【０００６】
これに対し、記録層のサーボ領域の部分を、０及び１のいずれか一方の情報を記録するための升目状の領域が凹部を構成する凹部単位領域であり、他方の情報を記録するための升目状の領域が凸部を構成する凸部単位領域である、サーボ情報に相当する凹凸パターンで形成することが提案されている（例えば、特許文献２、３参照）。このように記録層のサーボ領域の部分がサーボ情報に相当する凹凸パターンで形成された磁気記録媒体は一様に直流磁場が印加されることにより記録層がサーボ情報のパターンどおりに磁化されるので、サーボ情報の記録効率の大幅な向上が可能である。
【０００７】
又、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合う他のトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、これら従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきており、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層がデータ領域において凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されたディスクリートトラック媒体や、パターンド媒体が提案されている。ディスクリートトラック媒体や、パターンド媒体を製造する場合、データ領域に記録要素を凸部として形成するために記録層を加工する工程があり、この工程において同時に記録層のサーボ領域の部分も凹凸パターンに加工できるので、生産効率という点で特に好都合である。
【０００８】
このように記録層をサーボ情報やトラックの形状に相当する凹凸パターンに加工するために、上記のようなスタンパを用いたインプリント法を利用することが期待されている。尚、記録層を凹凸パターンに加工する場合、記録層の上に直接樹脂層を形成してもよいが、記録層の材質やエッチングの種類等の事情により、記録層と樹脂層との間に一又は複数のマスク層を形成し、凹凸パターンの樹脂層に基いてこれらを順次エッチングし、記録層を凹凸パターンに加工する手法も提案されている。
【０００９】
ところで、インプリント法とは異なるが、光記録媒体の分野では基板にピット、グルーブ等の凹凸パターンを形成するためにスタンパが利用されている。具体的には、スタンパを型内に配設し、ポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形することでピット、グルーブ等の情報伝達のための凹凸パターンが形成された基板が得られる。
【００１０】
光記録媒体用のスタンパは製造方法が確立されており、その一例をここで簡単に説明しておく。まずガラス等の基板の上にレジスト材料の樹脂層を成膜し、樹脂層をリソグラフィの手法で露光・現像して部分的に除去することにより表面が凹凸パターンの原盤が得られる。次に、原盤の表面に無電解メッキ法又は蒸着法で導電膜を成膜する。次に、導電膜を電極として電解メッキ法によりＮｉ（ニッケル）等の電解メッキ層を形成し、これら導電膜及び電解メッキ層を原盤から一体で剥離することによりスタンパが得られる（例えば、特許文献４参照）。尚、このようにして得られるスタンパは原盤と凹凸位置関係が反対であるが、原盤から一体で剥離した導電膜及び電解メッキ層をメタルマスタ（原盤）として用い、このメタルマスタから電解メッキ法でスタンパを作製すれば、原盤と凹凸位置関係が一致するスタンパが得られる。更に、電解メッキ法を１回又は複数回繰り返し、メタルマスタから他のメタルマスタを作製することもある。
【００１１】
このような光記録媒体の分野で確立されたスタンパの製造方法を、半導体製品や磁気記録媒体用のスタンパを製造するためにも利用することが期待される。
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−１００６０９号公報
【特許文献２】特開平６―１９５９０７号公報
【特許文献３】特開平９―２５９４２６号公報
【特許文献４】特開平５―２０５３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、リソグラフィで樹脂層をサーボ情報に相当する微細で複雑な凹凸パターンに正確に加工することは困難であった。特にトラックアドレス信号部は複雑なパターンであり、トラックアドレス信号部に相当する凹凸パターンを充分な精度で原盤に形成することは困難であった。従って、サーボ情報に相当するような微細で複雑な凹凸パターンの転写面を有するスタンパを充分な精度で作製することは困難であった。
【００１４】
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであって、サーボ情報に相当するような微細で複雑な凹凸パターンを有する原盤を高精度で製造できる原盤の製造方法、これを用いたスタンパの製造方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部が形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンに加工し、該樹脂層に基いて樹脂層支持材をエッチングして変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層支持材を加工することにより上記目的を達成するものである。
【００１６】
又、本発明は、樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部が形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンに加工し、更に該樹脂層をエッチングして変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層を加工することにより上記目的を達成するものである。
【００１７】
又、本発明は、樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに加工し、該樹脂層に基いて樹脂層支持材をエッチングして変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層支持材を加工することにより上記目的を達成するものである。
【００１８】
又、本発明は、樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する前記基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに加工し、更に該樹脂層をエッチングして変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層を加工することにより上記目的を達成するものである。
【００１９】
本発明に想到する過程で発明者らは、微細で複雑な凹凸パターンを高精度で形成することが困難である理由を鋭意検討したところ、以下のような要因が加工精度を低下させている可能性が高いという見識を得た。
【００２０】
リソグラフィで樹脂層を微細で複雑な凹凸パターンに加工する場合、露光のドーズ量を適正な値に調整することが重要があるが、複雑な凹凸パターンに含まれる様々な幅の凹部又は凸部のうちの一部に適正である値にドーズ量を調整すると、他の部分に対してはドーズ量が過大であったり不充分な場合があり、樹脂層を所望の凹凸パターンに正確に加工できないことがあると考えられる。
【００２１】
これに対し、樹脂層を、基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンに相当する露光パターンで露光することで、凹部に相当する露光部の幅の広さの範囲が基本的凹凸パターンに相当する露光パターンで露光する場合よりも限定されるので、露光のドーズ量を全領域に対して適正な値に近い値に調整でき、樹脂層を変則的凹凸パターンに高精度で加工できる。尚、分割用凸部は樹脂層の他の凸部よりも幅が著しく小さく、樹脂層をエッチングしたり、樹脂層に基いて樹脂層支持材をエッチングする際に樹脂層の分割用凸部やこれに相当するマスク層、樹脂層支持材の凸部は他の凸部よりも速く除去される。従って、樹脂層支持材又は樹脂層を、基本的凹凸パターン、又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工できる。
【００２２】
又、樹脂層をエッチングしたり、樹脂層に基いて樹脂層支持材をエッチングする工程では、樹脂層の凸部のうち、隣接する凹部に突出する凸部の角部は特に除去されやすく丸みを帯びた形状に加工されやすく、樹脂層の下の樹脂層支持材の凸部の角部も丸みを帯びた形状に加工されやすい。従って、樹脂層支持材又は樹脂層を所望の凹凸パターンに加工できないことがあると考えられる。
【００２３】
これに対し、樹脂層を、基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部側に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに相当する露光パターンで露光し、現像によりこの変則的凹凸パターンに加工してから、樹脂層をエッチングしたり、樹脂層に基いて樹脂層支持材をエッチングすれば、樹脂層の角部の突起部やこれに相当するマスク層、樹脂層支持材の凸部の角部の突起部は除去され、これらの角部は、これらに相当する基本的凹凸パターンの角部に近い形状に加工されるので、樹脂層や樹脂層支持材を、基本的凹凸パターン、又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工できる。
【００２４】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００２５】
（１）樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部が形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンに加工する変則的凹凸パターン形成工程と、該樹脂層に基いて前記樹脂層支持材をエッチングして前記変則的凹凸パターンを前記基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層支持材を加工する樹脂層支持材エッチング工程と、を含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【００２６】
（２）  （１）において、前記変則的凹凸パターン形成工程と前記樹脂層支持材エッチング工程との間に、前記樹脂層をエッチングして該樹脂層の凸部のうち前記分割用凸部を選択的に除去する樹脂層エッチング工程が設けられたことを特徴とする原盤の製造方法。
【００２７】
（３）  （１）又は（２）において、前記樹脂層支持材と前記樹脂層との間に前記樹脂層支持材エッチング工程のエッチングに対してマスクとして機能するマスク層を形成し、前記変則的凹凸パターン形成工程と前記樹脂層支持材エッチング工程との間に、前記樹脂層の分割用凸部を除去しつつ該樹脂層に基いて前記マスク層をエッチングするマスク層エッチング工程が設けられたことを特徴とする原盤の製造方法。
【００２８】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記樹脂層支持材エッチング工程において、前記分割用凸部の下に連続した凹部を形成するように前記樹脂層支持材をエッチングすることを特徴とする原盤の製造方法。
【００２９】
（５）樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部が形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンに加工する変則的凹凸パターン形成工程と、前記樹脂層をエッチングして前記変則的凹凸パターンを前記基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層を加工する樹脂層エッチング工程と、を含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【００３０】
（６）  （５）において、前記樹脂層エッチング工程において、該樹脂層の凸部のうち前記分割用凸部を選択的に除去するように前記樹脂層をエッチングすることを特徴とする原盤の製造方法。
【００３１】
（７）  （１）乃至（６）のいずれかにおいて、前記原盤の凹凸パターンは、複数のデータ領域と複数のサーボ領域とに区分けされ、前記各サーボ領域が更に複数の升目状の領域に区分けされて、これら升目状の各領域に０及び１のいずれかの情報が所定の規則で記録層に二値的に記録されて用いられ、該記録層は、前記サーボ領域の部分が、前記升目状の領域のうち前記０及び１のいずれか一方の情報が記録される領域が凹部であり他方の情報が記録される領域が凸部である凹凸パターンで形成された磁気記録媒体の前記記録層の凹凸パターンに相当する凹凸パターンであり、前記基本的凹凸パターンは、前記記録層のサーボ領域の部分の升目状の領域のうち、前記０及び１のいずれか一方の情報が記録される升目状の領域に相当する部分が凹部単位領域であり他方の情報が記録される升目状の領域に相当する部分が凸部単位領域である凹凸パターンであり、前記変則的凹凸パターン形成工程において、前記樹脂層を、前記基本的凹凸パターンに対し、前記凹部単位領域のうち連続する少なくとも２つの凹部単位領域の境界近傍に前記分割用凸部が形成されて該連続する凹部単位領域に分割された凹部が形成された変則的凹凸パターンに該樹脂層を加工することを特徴とする原盤の製造方法。
【００３２】
（８）  （７）において、前記変則的凹凸パターンは、前記基本的凹凸パターンの前記凹部単位領域のうち前記磁気記録媒体の径方向に連続する少なくとも２つの凹部単位領域の境界近傍に前記分割用凸部が形成されて該連続する凹部単位領域に前記径方向に分割された凹部が形成された凹凸パターンであることを特徴とする原盤の製造方法。
【００３３】
（９）  （１）乃至（８）のいずれかにおいて、前記変則的凹凸パターン形成工程において、前記樹脂層を、前記基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する前記基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに加工することを特徴とする原盤の製造方法。
【００３４】
（１０）樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する前記基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに加工する変則的凹凸パターン形成工程と、該樹脂層に基いて前記樹脂層支持材をエッチングして前記変則的凹凸パターンを前記基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層支持材を加工する樹脂層支持材エッチング工程と、を含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【００３５】
（１１）樹脂層支持材の上に形成された樹脂層を、所定の基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する前記基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに加工する変則的凹凸パターン形成工程と、前記樹脂層をエッチングして前記変則的凹凸パターンを前記基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターンに該樹脂層を加工する樹脂層エッチング工程と、を含むことを特徴とする原盤の製造方法。
【００３６】
（１２）  （１）乃至（１１）のいずれかにおいて、前記樹脂層の材料としてレジスト材料を用い、前記変則的凹凸パターン形成工程において、露光及び現像により前記樹脂層を前記変則的凹凸パターンに加工することを特徴とする原盤の製造方法。
【００３７】
（１３）  （１）乃至（１２）のいずれかに記載の原盤の製造方法により製造された原盤の上に電解メッキ法で電解メッキ層を形成する電解メッキ工程と、を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。
【００３８】
（１４）  （１３）において、前記電解メッキ工程を第１の電解メッキ工程として該第１の電解メッキ工程の後に、前記原盤から前記電解メッキ層を含むメタルマスタを剥離する剥離工程と、該メタルマスタの上に電解メッキ法によりスタンパ及び他のメタルマスタのいずれかを形成する第２の電解メッキ工程と、が設けられたことを特徴とするスタンパの製造方法。
【００３９】
（１５）  （１３）又は（１４）のスタンパの製造方法により製造されたスタンパを用いて記録層の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００４０】
尚、本出願において、「変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた形態の凹凸パターン」とは、変則的凹凸パターンよりも基本的凹凸パターンと異なる部分が少ない凹凸パターンという意義で用いることとする。
【００４１】
又、本出願において、「樹脂層支持材を凹凸パターンに加工する」とは、樹脂層支持材を厚さ方向に部分的に除去して凹部及び凸部双方を有する連続した膜又は部材の形状に樹脂層支持材を加工する場合の他、凸部だけに樹脂層支持材が残存するように樹脂層支持材を分割する場合や、凸部同士が部分的に連続する形状に樹脂層支持材を加工する場合も含む意義で用いることとする。
【００４２】
又、本出願において「樹脂層に基いて樹脂層支持材をエッチングする」とは、樹脂層支持材の上に直接形成された凹凸パターンの樹脂層をマスクとして樹脂層支持材をエッチングする場合の他、樹脂層支持材と樹脂層との間にマスク層等の１又は複数の他の層を形成し、凹凸パターンの樹脂層に基いてこれらの層を順次エッチングする場合も含む。
【００４３】
又、本出願において「０及び１の情報」とは、着磁されることで付与される情報と着磁されないことで付与される情報のように記録層に二値的に記録され、磁気ヘッドにより二値的に識別可能である異なる磁気特性が付与された２種類の情報という意義で用いることとする。
【００４４】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００４５】
本発明によれば、サーボ情報に相当するような微細で複雑な凹凸パターンを高精度で形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００４７】
本発明の第１実施形態は、図９に示されるような原盤４０の製造方法、これを用いて図１及び図２に示されるような凹凸パターンの転写面１０Ａを有するスタンパ１０を製造する方法及びスタンパ１０を用いて、図３及び図４に示されるような磁気記録媒体１２を製造する方法に関する。
【００４８】
本第１実施形態の理解のため、まず磁気記録媒体１２の構成について簡単に説明しておく。
【００４９】
磁気記録媒体１２は、ディスク形状の垂直記録型のディスクリートトラック媒体で、複数のデータ領域ＤＡと複数のサーボ領域ＳＡとに区分けされ、各サーボ領域ＳＡが更に図５及び図６に示されるように、複数の升目状の領域に区分けされて、これら升目状の各領域に０及び１のいずれかの情報が所定の規則で記録層１４に二値的に記録されて用いられる。
【００５０】
記録層１４は、サーボ領域ＳＡの部分が、前記升目状の領域のうち０及び１のいずれかの情報が記録される領域が凹部であり他方の情報が記録される領域が凸部である凹凸パターンで形成されている。尚、図５及び図６において、ハッチングが施された升目状の領域が凸部であり、その他の升目状の領域が凹部である。又、図４〜図６中の符号Ｄｃは磁気記録媒体１２の周方向を示し、符号Ｄｒは径方向を示す。
【００５１】
記録層１４のサーボ領域ＳＡの部分は、具体的には、クロックの同期のためのプリアンブル部１６、サーボデータの開始を示すＳＡＭ（Ｓｅｒｖｏ  Ａｄｒｅｓｓ  Ｍａｒｋ）部１８、トラック番号を示すトラックアドレス信号部２０、セクタ番号を示すセクタアドレス信号部２２及びデータ領域ＤＡの各記録要素１４Ａ（トラック）における磁気ヘッドの位置を検出するためのバースト信号部２４で構成されている。図５及び図６は、トラックアドレス信号部２０の一部を拡大して示したものである。尚、図４は、サーボ領域ＳＡの記録層１４の凸部の形状を便宜上、径方向Ｄｒに平行な線形状で示しているが、図５及び図６に示されるように、記録層１４の凸部は、実際には周方向Ｄｃにも幅を有している。
【００５２】
又、記録層１４のデータ領域ＤＡの部分は、同心の円弧形状に分割され、トラックを構成する周方向Ｄｃに長い多数の記録要素１４Ａが、径方向Ｄｒに所定のトラックピッチで凸部として形成されている。
【００５３】
記録層１４は、厚さが５〜３０ｎｍで、図７に示されるように基板２６の上に形成されている。記録層１４の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＣｒ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料の中にＣｏＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。又、基板２６の材料としては、ガラス、ＮｉＰで被覆したＡｌ合金、Ｓｉ、Ａｌ２Ｏ３等の非磁性材料を用いることができる。
【００５４】
データ領域ＤＡの記録要素１４Ａの間の凹部やサーボ領域ＳＡの記録層１４の凸部の間の凹部には充填材２８が充填されている。充填材２８の材料としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、フェライト等の酸化物、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物等の非磁性材を用いることができる。
【００５５】
記録層１４及び充填材２８の上には保護層３０、潤滑層３２がこの順で形成されている。保護層３０は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層３０の材料としては、例えば、ダイヤモンドライクカーボンと呼称される硬質炭素膜等を用いることができる。又、潤滑層３２は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層３２の材料としては、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）等のフッ素系潤滑剤を用いることができる。
【００５６】
又、基板２６と、記録層１４と、の間には、反強磁性層３４、軟磁性層３６、記録層１４に厚さ方向（表面に垂直な方向）の磁気異方性を付与するための配向層３８が形成されている。反強磁性層３４は、厚さが５〜５０ｎｍである。反強磁性層３４の材料としてはＰｔＭｎ合金、ＲｕＭｎ合金等を用いることができる。軟磁性層３６は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層３６の材料としては、Ｆｅ（鉄）合金、Ｃｏ（コバルト）アモルファス合金、フェライト等を用いることができる。配向層３８は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層３８の具体的な材料としては、非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。
【００５７】
次にスタンパ１０の製造方法を図８に示されるフローチャートに沿って説明する。
【００５８】
まず、前記図９に示される原盤４０を作製する。原盤４０は、片面が凹凸パターンに加工された基板４２と、基板４２の凸部の上に形成されたマスク層４３と、を有する構成である。基板４２の材料はＳｉ、マスク層４３の材料はＮｉである。
【００５９】
まず、両面が平坦な未加工の基板（樹脂層支持材）４２を洗浄し、該基板４２の片面にスパッタリング等によりのマスク層４３を一様な厚さで成膜し、更に密着材の薄膜（図示省略）を形成してからスピンコート法で樹脂層４４を成膜し、図１０に示されるような原盤の加工出発体４５を作製する（Ｓ１０２）。樹脂層４４の材料はポジ型のレジスト材料である。更に、ベーキングにより樹脂層４４中の溶剤を蒸発させて乾燥させ、樹脂層４４の膜厚、欠陥を検査する。
【００６０】
次に、樹脂層４４にレーザー光線又は電子線を照射し、スタンパ１０の転写面１０Ａの凹凸パターンに相当する図１１に示されるような基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部４４Ａが形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された図１２に示されるような変則的凹凸パターンに相当する露光パターンで該変則的凹凸パターンの凹部を露光するように描画する（Ｓ１０４）。尚、図１１及び図１２において、ハッチングを施した部分が凸部、その他の部分が凹部である。
【００６１】
基本的凹凸パターンは、記録層１４のサーボ領域の部分の升目状の領域のうち、前記０及び１のいずれかの情報が記録される升目状の領域に相当する領域が凹部単位領域ＣＵであり他方の情報が記録される升目状の領域に相当する領域が凸部単位領域ＰＵである凹凸パターンである。
【００６２】
一方、変則的凹凸パターンは、この基本的凹凸パターンに対し、凹部単位領域ＣＵのうち連続する少なくとも２つの凹部単位領域ＣＵの境界近傍に分割用凸部４４Ａが配置されて該連続する凹部単位領域ＣＵの凹部が分割された凹凸パターンである。尚、変則的凹凸パターンは、凹部単位領域ＣＵのうち径方向Ｄｒに連続する少なくとも２つの凹部単位領域ＣＵの境界近傍に分割用非凸部４４Ａが形成されて該連続する凹部単位領域ＣＵの凹部が径方向Ｄｒに分割された凹凸パターンであることが好ましい。
【００６３】
次に、現像により樹脂層４４の露光部を除去して前記図１２に示される変則的凹凸パターンに加工する（Ｓ１０６）。樹脂層４４における、基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンの凹部に相当する部分を露光することで、露光部の幅の広さの範囲が基本的凹凸パターンの凹部に相当する部分を露光する場合よりも限定されるので、露光のドーズ量を全領域に対して適正な値に近い値に調整でき、樹脂層４４を前記図１２及び図１３に示されるように、変則的凹凸パターンに高精度で加工できる。
【００６４】
次に、加工用ガスとしてＡｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、マスク層４３をエッチングする（Ｓ１０８）。この際、樹脂層４４の凸部もエッチングされ、分割用凸部４４Ａは樹脂層４４の他の凸部よりも幅が著しく小さく、他の凸部よりも速く除去されるので、分割用凸部４４Ａに相当する部分に連続した凹部が形成されるように樹脂層４４はエッチングされる。即ち、樹脂層４４は、基本的凹凸パターン、又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工される。従って、図１４に示されるように、マスク層４３も、基本的凹凸パターン、又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工される。尚、マスク層４３を加工した後、反応ガスとしてＯ２又はＯ３を用いた反応性イオンエッチングにより、凸部の上の樹脂層４４を除去する。
【００６５】
次に、反応ガスとしてフッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングにより基板４２をエッチングし、基本的凹凸パターン、又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに基板４２を加工する（Ｓ１１０）。これにより前記図９に示される原盤４０が得られる。
【００６６】
次に、図１５に示されるように、蒸着法、無電解メッキ法等により原盤４０の表面に導電膜４８を成膜し（Ｓ１１２）、電解メッキ法により導電膜４８の上に、電解メッキ層５０を成膜する（Ｓ１１４）。具体的には、導電膜４８が成膜された原盤４０をスルファミン酸ニッケル溶液中に浸漬し、導電膜４８を電極として通電することによりニッケルの膜を成長させて、電解メッキ層５０を成膜する。これら導電膜４８及び電解メッキ層５０を一体で原盤４０から剥離する。尚、剥離した導電膜４８及び電解メッキ層５０には、樹脂層４４が付着していることがあるので有機溶剤で樹脂層４４を除去し、必要に応じて導電膜４８及び電解メッキ層５０の外周等を打抜いて形状を整え、電解メッキ層５０における導電膜４８と反対側の面を研磨してから超純水で超音波洗浄する。これにより前記図２に示される凹凸パターンの転写面１０Ａを有するスタンパ１０が得られる。尚、スタンパ１０の転写面１０Ａの凹凸パターンは、原盤４０の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対である。
【００６７】
このように、樹脂層４４を、スタンパ１０の転写面１０Ａの凹凸パターンに相当する基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部４４Ａが形成されて該基本的凹凸パターンの凹部の少なくとも一部が分割された変則的凹凸パターンでその凹部に相当する部分を露光するように描画し、現像により樹脂層４４の露光部を除去して該変則的凹凸パターンに加工し、マスク層４３をエッチングしつつ樹脂層４４をエッチングして分割用凸部４４Ａに相当する部分の少なくとも一部を除去してマスク層４３を基本的凹凸パターン又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工し、このマスク層４３に基いて基板４２エッチングすることにより、基板４２を基本的凹凸パターン又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけたパターンに高精度で加工できる。
【００６８】
次に、スタンパ１０を用いた磁気記録媒体１２の製造方法について、図１６に示されるフローチャートに沿って説明する。
【００６９】
まず、図１７に示されるような、基板２６の上に反強磁性層３４、軟磁性層３６、配向層３８、（未加工の連続した）記録層１４、第１のマスク層５２、第２のマスク層５４、樹脂層５６がこの順で形成された磁気記録媒体の加工出発体５８を用意し、樹脂層５６にスタンパ１０を当接させて転写面１０Ａの凹凸パターンを樹脂層５６に転写する。樹脂層５６には、スタンパ１０の転写面１０Ａの凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンが形成される（Ｓ１２０）。尚、樹脂層５６に転写される凹凸パターンは、原盤４０の凹凸パターンと凹凸位置関係が同じである。第１のマスク層５２の材料としては例えばＣ（炭素）を、第２のマスク層５４の材料としては例えばＮｉを用いることができる。又、樹脂層５６の材料としてはレジスト材料等を用いることができる。
【００７０】
次に、樹脂層５６における凹部の底部を構成する部分を除去する程度に、Ｏ２又はＯ３ガスを用いた反応性イオンエッチングにより樹脂層５６を一様にエッチングして凹部底部に第２のマスク層５４を露出させる（Ｓ１２２）。樹脂層５６のサーボ領域ＳＡの部分は、前記図１１に示されるような基本的凹凸パターン、又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工される。
【００７１】
次に、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、樹脂層５６をマスクとして第２のマスク層５４をエッチングし（Ｓ１２４）、ＳＦ６ガスを用いた反応性イオンエッチングにより凹部底部の第１のマスク層２２を除去し（Ｓ１２６）、更にＡｒガスを用いたイオンビームエッチングにより凹部底部の記録層１４を除去し（Ｓ１２８）、記録層１４を前記図４〜６に示されるような凹凸パターンに加工する。記録層１４のサーボ領域ＳＡの部分は、前記図５及び６に示されるように、基本的凹凸パターン、又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工される。
【００７２】
次に、バイアススパッタリング法により記録層１４の上に充填材２８を成膜して凹部を充填し（Ｓ１３０）、更にイオンビームエッチングにより記録層１４の表面に対して傾斜した方向からＡｒガスを照射して余剰の充填材２８を除去し、表面を平坦化する（Ｓ１３２）。
【００７３】
次に、ＣＶＤ法により記録層１４及び充填材２８の上面に保護層３０を成膜し（Ｓ１３４）、更に、ディッピング法により保護層３０の上に潤滑層３２を成膜する（Ｓ１３６）。これにより磁気記録媒体１２が完成する。
【００７４】
磁気記録媒体１２は、記録層１４のサーボ領域ＳＡの部分がサーボ情報に相当する凹凸パターンで形成されているので、直流磁場が印加されることでサーボ情報が効率良く確実に記録される。より詳細に説明すると、サーボ領域ＳＡの各凸部が表面に垂直な方向の所定の向きに磁化されることで０及び１のいずれか一方の情報が記録され、各凹部が磁化されないことで他方の情報が記録される。
【００７５】
尚、樹脂層４４の分割用凸部４４Ａがマスク層エッチング工程（Ｓ１０８）で完全に除去されないこともありうる。このような場合、記録層１４は、所望の凹凸パターンに対して凹部が部分的に分割されたような凹凸パターンに加工されてしまうことがありうるが、連続する凹部単位領域ＣＵの境界近傍に分割用凸部４４Ａが形成される変則的凹凸パターンに樹脂層４４を加工すれば、記録層１４の凹部はサーボ領域ＳＡを区分けする升目状の領域毎に分割されるような形態に加工されるので、磁気ヘッドは各升目状の領域を正確に認識しやすい。又、磁気ヘッドは磁気記録媒体１２に対し、相対的に周方向Ｄｃに飛行するので、径方向Ｄｒに連続する凹部単位領域ＣＵの境界近傍に分割用凸部４４Ａが形成される変則的凹凸パターンに樹脂層４４を加工すれば、サーボ信号の読み取りに与える影響は小さい。言い換えれば、樹脂層４４を、基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部が径方向Ｄｒに分割された変則的凹凸パターンに加工することが好ましい。
【００７６】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００７７】
前記第１実施形態に係る原盤４０が、片面が凹凸パターンに加工された基板４２と、基板４２の凸部の上に形成されたマスク層４３と、を有する構成であるのに対し、本第２実施形態の原盤６０は、図１８に示されるように、両面が平坦な基板６２と、基板６２の上に凹凸パターンで形成された樹脂層６４と、を有する構成であることを特徴としている。尚、原盤６０の製造工程では、基板６２と樹脂層６４との間にマスク層は形成されず、マスク層加工工程（Ｓ１０８）、基板加工工程（Ｓ１１０）が省略されている一方、図１９のフローチャートに示されるように、現像工程（Ｓ１０６）と、導電膜成膜工程（Ｓ１１２）と、の間に樹脂層エッチング工程（Ｓ２０４）が設けられている。他の点については、前記第１実施形態と同様であるので説明を適宜省略することとする。
【００７８】
原盤６０の作製方法について具体的に説明する。まず、基板６２の上に樹脂層６４を一様な厚さで成膜した原盤の加工出発体を作製する（Ｓ２０２）。次に、前記第１実施形態と同様に、露光工程（Ｓ１０４）、現像工程（Ｓ１０６）を実行し、樹脂層６４を変則的凹凸パターンに加工する。
【００７９】
次に、樹脂層６４をエッチングし、樹脂層６４の凸部のうち分割用凸部６４Ａを選択的に除去し、基本的凹凸パターン、又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに樹脂層６４を加工する（Ｓ２０４）。具体的なエッチング方法としては、Ｏ２又はＯ３ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングやＡｒガスやＯ２又はＯ３ガスを用いたイオンビームエッチング等を用いることができる。これにより前記図１８に示される原盤６０が得られる。
【００８０】
このようにして得られた原盤６０に対し、前記第１実施形態と同様に導電膜成膜工程（Ｓ１１２）、電解メッキ工程（Ｓ１１４）を実行することにより、スタンパ１０が得られる。本第２実施形態も、前記第１実施形態と同様に、スタンパ１０の転写面１０Ａに基本的凹凸パターン又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンを高精度で形成できる。
【００８１】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【００８２】
前記第１実施形態に係る変則的凹凸パターンは、基本的凹凸パターンに対し、該基本的凹凸パターンの凹部の一部に分割用凸部４４Ａが形成されて該基本的凹凸パターンの凹部が分割された凹凸パターンであるのに対し、本第３実施形態に係る変則的凹凸パターンは、図２０に示されるように、基本的凹凸パターンに対し、隣接する凹部側に突出する凸部の角部の少なくとも一部が該角部に相当する基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部４４Ｂを含む凹凸パターンであることを特徴としている。他の点については、前記第１実施形態と同様であるので説明を適宜省略することとする。
【００８３】
前記第１実施形態と同様に加工出発体作製工程（Ｓ１０２）、露光工程（Ｓ１０４）、現像工程（Ｓ１０６）を実行することで、樹脂層４４は、この変則的凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工される。
【００８４】
次に、マスク層４３をエッチングする（Ｓ１０８）と、樹脂層４４もエッチングされ、樹脂層４４の突起部４４Ｂは樹脂層４４における他の部分よりも速く加工され、突起部４４Ｂが形成された角部は、この角部に相当する基本的凹凸パターンの角部に近い形状に加工される。即ち、樹脂層４４は、基本的凹凸パターン又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工される。従って、マスク層４３も、基本的凹凸パターン又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工される。尚、樹脂層４４を基本的凹凸パターンに近い凹凸パターンに加工するためには、突起部４４Ｂの内角が鋭角であることが好ましい。
【００８５】
更に、基板４２をエッチングする（Ｓ１１０）ことで、基板４２も、基本的凹凸パターン又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工される。
【００８６】
このようにして得られた原盤４０に対し、前記第１実施形態と同様に導電膜成膜工程（Ｓ１１２）、電解メッキ工程（Ｓ１１４）を実行することにより、スタンパ１０が得られる。本第３実施形態も、前記第１実施形態と同様に、スタンパ１０の転写面１０Ａに基本的凹凸パターン又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近付けた凹凸パターンを高精度で形成できる。
【００８７】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
【００８８】
本第４実施形態は、前記第２実施形態に対し、変則的凹凸パターンを前記第３実施形態の図２０に示される凹凸パターンとしたものである。他の点については、前記第１〜第３実施形態と同様であるので説明を適宜省略することとする。本第４実施形態も、前記第１〜第３実施形態と同様に、スタンパ１０の転写面１０Ａに基本的凹凸パターン又は変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンを高精度で形成できる。
【００８９】
尚、前記第１〜第４実施形態において、記録層１４のサーボ領域ＳＡの凹凸パターンとして図５及び図６に示される凹凸パターンが例示され、これに相当する樹脂層４４の基本的凹凸パターン、変則的凹凸パターンとして、前記第１及び第２実施形態においては、図１１に示される基本的凹凸パターン、図１２に示される変則的凹凸パターンが例示されており、又、前記第３及び第４実施形態においては、図２０に示される変則的凹凸パターンが例示されているが、基本的凹凸パターン及び変則的凹凸パターンは磁気記録媒体１２に要求される性能等に応じて適宜決定すればよい。
【００９０】
例えば、図４には、プリアンブル部１６、ＳＡＭ部１８、トラックアドレス信号部２０、セクタアドレス信号部２２及びバースト信号部２４で構成されたサーボ情報が例示されているが、サーボ情報は要求される性能等に応じて、これらの一部を入れ替えて配置したり、これらの一部を省略した構成、又、これらに他の機能を担う部分を追加した構成としてもよく、基本的凹凸パターン及び変則的凹凸パターンは、このようなサーボ情報に応じて適宜決定すればよい。
【００９１】
又、サーボ領域ＳＡを区分けする升目状の領域は内角が直角である正方形や長方形に限定されず、平行四辺形であってもよい。従って、凹部単位領域ＣＵ及び突部単位領域ＰＵの形状も正方形や長方形に限定されず、平行四辺形であってもよい。
【００９２】
又、前記第１及び第２実施形態の図１２において、樹脂層４４の変則的凹凸パターンは、基本的凹凸パターンにおける連続する総ての凹部単位領域ＣＵの境界に分割用凸部４４Ａが形成されて、総ての凹部が分割された凹凸パターンであるが、原盤４０、６０に基本的凹凸パターン又は基本的凹凸パターンに近い所望の凹凸パターンを形成できれば、基本的凹凸パターンにおける連続する一部の凹部単位領域ＣＵの境界に分割用凸部４４Ａを形成し、一部の凹部単位領域ＣＵの凹部を分割してなる変則的凹凸パターンに樹脂層４４を加工してもよい。
【００９３】
又、前記第１及び第２実施形態の図１２において、樹脂層４４の変則的凹凸パターンは、図１１に示される基本的凹凸パターンにおける連続する凹部単位領域ＣＵの境界に分割用凸部４４Ａが形成されて、基本的凹凸パターンの凹部が分割された凹凸パターンであるが、原盤４０、６０に基本的凹凸パターン又は基本的凹凸パターンに近い所望の凹凸パターンを形成できれば、凹部単位領域ＣＵにおける境界近傍以外の他の部位に分割用凸部が形成されて、基本的凹凸パターンの凹部が分割された変則的凹凸パターンに樹脂層を加工してもよい。更に、原盤４０、６０に基本的凹凸パターン又は基本的凹凸パターンに近い所望の凹凸パターンを形成できれば、基本的凹凸パターンの凹部が周方向Ｄｃに分割された変則的凹凸パターンに樹脂層を加工してもよい。
【００９４】
又、前記第１及び第３実施形態において、樹脂層４４をマスクとしてマスク層４３をエッチングする際、変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに樹脂層４４を加工しつつ、変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンにマスク層４３を加工しているが、現像工程（Ｓ１０６）とマスク層エッチング工程（Ｓ１０８）との間に樹脂層エッチング工程を設け、この工程で樹脂層４４を、変則的凹凸パターンを基本的凹凸パターンに近づけた凹凸パターンに加工してもよい。
【００９５】
又、マスク層エッチング工程（Ｓ１０８）の後も、樹脂層４４の分割用凸部４４Ａやマスク層４３における分割用凸部４４Ａに相当する部分が完全に除去されずに残存することもあるが、このような場合、樹脂層４４の分割用凸部４４Ａやこれに相当するマスク層４３の凸部は、基板エッチング工程（Ｓ１１０）で除去すればよい。
【００９６】
又、前記第１及び第３実施形態において、基板４２の上にマスク層４３、樹脂層４４を成膜し、凹凸パターンの樹脂層４４に基いて基板４２を間接的に凹凸パターンに加工しているが、原盤４０に基本的凹凸パターン又は基本的凹凸パターンに近い所望の凹凸パターンを形成できれば、マスク層の材質、厚さ、積層数は特に限定されず、基板と樹脂層との間に２層以上のマスク層を設け、これらを順次凹凸パターンに加工してもよい。又、マスク層を省略し、基板の上に直接樹脂層を成膜して樹脂層に基づいて直接的に基板を凹凸パターンに加工してもよい。
【００９７】
又、前記第１及び第３実施形態において、樹脂層支持材として基板４２を凹凸パターンに加工しているが、基板と異なる樹脂層支持材を基板の上に設け、この樹脂層支持材の上に樹脂層を直接又はマスク層等を介して間接的に成膜し、凹凸パターンの樹脂層に基づいて直接的又は間接的に（基板を加工しないで）樹脂層支持材を凹凸パターンに加工してもよい。
【００９８】
又、前記第１及び第３実施形態において、原盤４０は、基板４２と、基板４２の凸部の上に形成されたマスク層４３と、を有する構成であるが、樹脂層支持材である基板又は基板の上に設けられた樹脂層支持材を凹凸パターンに加工した後、マスク層を除去したものを原盤として用いてもよい。
【００９９】
又、前記第１実施形態において、分割用凸部４４Ａに相当する部分に連続した凹部を形成するように基板４２をエッチングし、前記第２実施形態において、分割用凸部４４Ａに相当する部分に連続した凹部を形成するように樹脂層４４をエッチングしているが、磁気ヘッドが磁気記録媒体の０又は１の情報を確実に認識できれば、例えば分割用凸部４４Ａに相当する部分に若干の凸部が形成された凹凸パターンのような、基本的凹凸パターンに近い凹凸パターンに基板４２、又は樹脂層４４を加工してもよい。
【０１００】
又、前記第３及び第４実施形態の図２０において、樹脂層４４の変則的凹凸パターンは、隣接する凹部側に突出する凸部の総ての角部が該角部に相当する基本的凹凸パターンの角部より隣接する凹部側に突出する突起部４４Ｂを含む凹凸パターンであるが、原盤４０、６０に基本的凹凸パターン又は基本的凹凸パターンに近い所望の凹凸パターンを形成できれば、隣接する凹部側に突出する凸部の角部の一部の角部だけが該角部に相当する基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに樹脂層４４を加工してもよい。
【０１０１】
又、前記第１及び第２実施形態において、樹脂層４４の変則的凹凸パターンは、基本的凹凸パターンの凹部を分割してなる凹凸パターンであり、前記第３及び第４実施形態において、樹脂層４４の変則的凹凸パターンは、隣接する凹部側に突出する凸部の角部が該角部に相当する基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む凹凸パターンであるが、これらを組み合わせ、基本的凹凸パターンに対し、基本的凹凸パターンの凹部の一部が分割され、且つ、隣接する凹部側に突出する凸部の角部の一部の角部だけが該角部に相当する基本的凹凸パターンの角部よりも隣接する凹部側に突出する突起部を含む変則的凹凸パターンに樹脂層４４を加工してもよい。
【０１０２】
又、前記第１及び第２実施形態の図１２及び前記第３及び第４実施形態の図２０は、樹脂層４４におけるサーボ領域ＳＡのトラックアドレス信号部２０に相当する部分を拡大したものであるが、樹脂層を変則的凹凸パターンに加工する領域は、サーボ領域ＳＡに相当する部分の全体でもよく、トラックアドレス信号部２０のように、凹凸パターンが微細で複雑な領域に相当する部分に限定してもよい。
【０１０３】
又、前記第１実施形態において、磁気記録媒体の加工出発体５８は、記録層１４の上に第１のマスク層５２、第２のマスク層５４、樹脂層５６が形成された構成であり、これらを順次エッチングすることで記録層１４を加工しているが、記録層を高精度で加工できれば、記録層と樹脂層との間のマスク層の材料、厚さ、積層数は特に限定されず、例えば、記録層と樹脂層との間のマスク層は１層としてもよく、３層以上としてもよい、又、記録層の上に樹脂層を直接形成してもよい。
【０１０４】
又、前記第１〜第４実施形態において、スタンパ１０は、原盤４０、６０に導電膜４８、電解メッキ層５０を成膜し、これらを一体で剥離することで作製されるが、導電膜４８及び電解メッキ層５０をメタルマスタとして用い、メタルマスタから電解メッキ法でスタンパを形成してもよい。このようにすることで、原盤４０の凹凸パターンと凹凸位置関係が一致するスタンパが得られる。又、更に電解メッキ法を繰り返してメタルマスタ、スタンパを作製してもよい。
【０１０５】
又、前記第１〜第４実施形態において、導電膜４８の材料はＮｉであるが、導電膜の材料として、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の他の導電性の材料を用いてもよい。
【０１０６】
又、前記第１〜第４実施形態において、電解メッキ層５０の材料もＮｉであるが、スタンパやメタルマスタとして適切な硬度及び延性を有する材料であれば、電解メッキ層、スタンパの材料として、例えばＮｉ−Ｃｏ（コバルト）合金等の他の材料を用いてもよい。
【０１０７】
又、前記第１及び第３実施形態において、原盤４０に対し、導電膜成膜工程（Ｓ１１２）、電解メッキ工程（Ｓ１１４）を実行することにより、導電膜４８及び電解メッキ層５０を含むスタンパ１０を作製しているが、原盤の基板（樹脂層支持材）の材料として導電性を有する材料を用い、導電膜成膜工程（Ｓ１１２）を省略してもよい。この場合、導電膜を含まず、電解メッキ層だけで構成されるスタンパ又はメタルマスタが得られる。
【０１０８】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１２は、記録層１４の凸部の間の凹部に充填材２８が充填されているが、記録層１４の凸部の間の凹部を充填しない構成の磁気記録媒体の製造のためにも本発明は適用可能である。
【０１０９】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１２は、記録層１４のデータ領域ＤＡの部分が径方向Ｄｒに微細な間隔で多数の記録要素１４Ａに分割されたディスクリートトラック媒体であるが、記録層のデータ領域ＤＡの部分が径方向Ｄｒ及び周方向Ｄｃに微細な間隔で多数の記録要素に分割されたパターンド媒体や、記録層のデータ領域ＤＡの部分が一様な厚さで連続した膜形状の磁気記録媒体の製造のためにも本発明は適用可能である。
【０１１０】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１２は垂直記録型であるが、面内記録型の磁気記録媒体の製造のためにも本発明は適用可能である。
【０１１１】
又、前記第１〜第４実施形態は、磁気記録媒体１２の製造に関するものであるが、例えば光記録媒体等の他の情報記録媒体や半導体等の製造のためにも本発明は適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、例えば、半導体製品や情報記録媒体等の製造工程において凹凸パターンを形成するために用いられるスタンパを製造するために利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の第1実施形態に係るスタンパの構造を模式的に示す側断面図
【図２】同スタンパの転写面の凹凸パターンを模式的に示す平面図
【図３】同スタンパを用いて製造される磁気記録媒体の構造を模式的に示す平面図
【図４】同磁気記録媒体のサーボ領域を拡大して模式的に示す平面図
【図５】同サーボ領域のトラックアドレス部を拡大して模式的に示す平面図
【図６】同トラックアドレス部を更に拡大して模式的に示す平面図
【図７】同磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図８】前記スタンパの製造工程の概要を示すフローチャート
【図９】同スタンパの製造工程で作製される原盤の構造を模式的に示す側断面図
【図１０】同原盤の加工出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図１１】同原盤の樹脂層の基本的凹凸パターンを模式的に示す平面図
【図１２】同樹脂層の変則的凹凸パターンを模式的に示す平面図
【図１３】同樹脂層が凹凸パターンに加工された状態を模式的に示す側断面図
【図１４】マスク層が凹凸パターンに加工された状態を模式的に示す側断面図
【図１５】導電膜及び電解メッキ層が成膜された原盤を模式的に示す側断面図
【図１６】前記磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図１７】前記スタンパによるインプリント工程を模式的に示す側断面図
【図１８】本発明の第２実施形態に係るスタンパの原盤の構造を模式的に示す側断面図
【図１９】同スタンパの製造工程の概要を示すフローチャート
【図２０】本発明の第３実施形態及び第４実施形態に係る原盤の樹脂層の変則的凹凸パターンを模式的に示す平面図
【符号の説明】
【０１１４】
１０…スタンパ
１０Ａ…転写面
１２…磁気記録媒体
１４…記録層
１４Ａ…記録要素
１６…プリアンブル部
１８…ＳＡＭ部
２０…トラックアドレス部
２２…セクタアドレス信号部
２４…バースト信号部
２６…基板
２８…充填材
３０…保護層
３２…潤滑層
３４…反強磁性層
３６…軟磁性層
３８…配向層
４０、６０…原盤
４２、６２…基板（樹脂層支持材）
４４、６４…樹脂層
４４Ａ…分割用凸部
４４Ｂ…突起部
４５…原盤の加工出発体
４８…導電膜
５０…電解メッキ層
５２…第１のマスク層
５４…第２のマスク層
５６…樹脂層
５８…磁気記録媒体の加工出発体
ＤＡ…データ領域
ＳＡ…サーボ領域
ＣＵ…凹部単位領域
ＰＵ…凸部単位領域
Ｄｒ…径方向
Ｄｃ…周方向
Ｓ１０２、Ｓ２０２…原盤の加工出発体作製工程
Ｓ１０４…露光工程
Ｓ１０６…現像工程
Ｓ１０８…マスク層エッチング工程
Ｓ１１０…基板エッチング工程
Ｓ１１２…導電膜成膜工程
Ｓ１１４…電解メッキ工程
Ｓ１２０…インプリント工程
Ｓ１２２…樹脂層エッチング工程
Ｓ１２４…第２のマスク層エッチング工程
Ｓ１２６…第１のマスク層エッチング工程
Ｓ１２８…記録層エッチング工程
Ｓ１３０…充填材成膜工程
Ｓ１３２…平坦化工程
Ｓ１３４…保護層形成工程
Ｓ１３６…潤滑層形成工程
Ｓ２０４…樹脂層エッチング工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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