(57)【要約】      （修正有）【課題】静電チャックの表面を平滑にすることにより基板との伝熱効率を高めることができる表面処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、ウエハを収容するチャンバを有し、チャンバ内にはウエハを載置する載置台としてのサセプタが配置され、サセプタの上部には、静電チャック４２が配置されている。静電チャック４２では、まず、その表面に、溶射皮膜１を形成して、次に、砥粒を固めて円盤状にした砥石２を接触させることにより表面を削り、そして、砥粒と潤滑剤を混ぜた懸濁液が表面に吹き付けられたラップ定盤３を接触させることにより表面を平坦に削り、砥粒９が塗布固着されたテープ５と弾性体から成るローラ６とを有するテープラップ装置４のテープ５をテープラップ装置４に圧力を加えることによって接触させることにより表面を平滑に削る。【選択図】図３
2007258240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す基板処理装置内に配置され且つ前記基板を載置する載置台の基板載置面の表面処理方法であって、
前記基板載置面の平坦度を向上させる平坦化工程と、
当該平坦度が向上された面を砥粒を塗布したテープにより平滑化させる平滑化工程とを有することを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
前記平坦化工程は、前記基板載置面を砥石により平坦化させる砥石平坦化工程と、当該平坦化された面を砥粒を塗布した定盤により平坦化させる定盤平坦化工程とを有することを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
【請求項３】
前記基板載置面には溶射被膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の表面処理方法。
【請求項４】
基板に処理を施す基板処理装置内に配置された部材に施された溶射被膜の表面処理方法であって、
前記溶射被膜の表面の平坦度を向上させる平坦化工程と、
当該平坦度が向上された表面を砥粒を塗布したテープにより平滑化させる平滑化工程とを有することを特徴とする表面処理方法。
【請求項５】
前記平坦化工程は、前記溶射被膜の表面を砥石により平坦化させる砥石平坦化工程と、当該平坦化された表面を砥粒を塗布した定盤により平坦化させる定盤平坦化工程とを有することを特徴とする請求項４記載の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理方法に関し、特に、静電チャックの表面に形成される溶射皮膜の表面処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板としてのウエハにプラズマ処理、例えば、エッチング処理を施す基板処理装置は、ウエハを収容する収容室と、該収容室内に配置された、ウエハを載置する載置台とを備える。この基板処理装置は収容室内にプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハにエッチング処理を施す。
【０００３】
載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材からなる静電チャックを上部に備え、ウエハは静電チャック上に載置される。ウエハにエッチング処理が施される間、電極板には直流電圧が印加され、該直流電圧によって発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力により、静電チャックはウエハを吸着する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、載置台は内部に冷媒室を設け、この冷媒室にチラーユニットから所定温度の冷媒、例えば冷却水やガルデンを供給し、この冷媒の温度によって静電チャックの表面に吸着保持したウエハの処理温度を制御する。
【０００５】
従来、静電チャックは、図４に示すように、まず、その表面に、例えばアルミナ等のセラミックが溶射されて溶射皮膜が形成され（図４（Ａ））、図４（Ｂ）に示す溶射皮膜が形成された表面に砥粒を固めて円盤状にした砥石を接触させ、該砥石は溶射皮膜が形成された表面に対して平行に移動すると共に回転し、静電チャックにおいても図４（Ｃ）図中の一点鎖線を軸に回転することにより（図４（Ｃ））、図４（Ｄ）に示すように表面が削られて加工される。
【特許文献１】特開平５−１９０６５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の方法で加工された静電チャックは、図４（Ｄ）に示すように、微視的に見るとその表面は粗く、さらに、その表面に微小なうねりが発生している。静電チャックの表面に吸着保持されたウエハは、静電チャックの表面と接触するので、ウエハの温度は、ウエハと静電チャックの表面との接触面積に依存する。静電チャックの表面が粗い場合、ウエハと静電チャック表面との接触面積が小さいため、この接触部分の接触熱抵抗が大きくなり、ウエハの処理温度を制御する、特に温度を下げるためには、高い能力のチラーユニットを使用する必要がある。また、近年、半導体デバイスの多様化により、様々なエッチング特性が要求されるようになっており、例えば、高密度／高イオンエネルギーのプラズマ条件下において低いウエハ温度でのエッチングの実現を要求される場合がある。この高密度／高イオンエネルギーのプラズマ条件下においては、ウエハに大きな入熱が入るため、ウエハの温度は大きく上昇する。このため、高密度／高イオンエネルギーのプラズマと低いウエハ温度とを両立するためには、消費電力の大きい極低温対応のチラーユニットを使用する必要がある。
【０００７】
また、近年、エッチング形状の微細化及び複雑化により、エッチング工程を複数工程に分割し、工程が変わる時のウエハ温度をレスポンス良く制御することが要求されている。しかしながら、従来の静電チャックの場合、ウエハと静電チャック表面との接触熱抵抗が大きくなるため、チラーユニットの冷媒の温度を制御しても、ウエハ温度をレスポンス良く制御することができない。また、静電チャックのウエハに対する温度制御デバイスとして、例えばヒータやペルチェ素子を使用した場合においても同様にウエハ温度をレスポンス良く制御することができない。
【０００８】
また、従来、ウエハと静電チャックの表面との伝熱効率を上げる手法として、ウエハと静電チャックの表面との間に伝熱ガスを導入する手法が提案されている。しかしながら、この手法においてエッチング特性に対する上述した要求を満たすためには、伝熱ガスの圧力を大幅に高める必要があり、場合によってはウエハが静電チャックから剥がれる可能性がある。この対策としては、静電チャックの電極板に流す直流電圧の値を大きくし、ウエハ吸着力を高める手法が考えられるが、この場合、静電チャックの絶縁性部材の耐電圧を向上させる必要があり、ウエハ吸着力と絶縁性部材の耐電圧とを両立する静電チャックの電極板の上層の絶縁性部材の厚さを設定することは、設計上困難となる。一般に、絶縁性部材は金属よりも熱伝達率が悪いため、耐電圧向上のために絶縁性部材の厚みを厚くすると、その部分の伝熱効率が悪くなるという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、静電チャックの表面を平滑にすることにより基板との伝熱効率を高めることができる表面処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１記載の表面処理方法は、基板に処理を施す基板処理装置内に配置され且つ前記基板を載置する載置台の基板載置面の表面処理方法であって、前記基板載置面の平坦度を向上させる平坦化工程と、当該平坦度が向上された面を砥粒を塗布したテープにより平滑化させる平滑化工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の表面処理方法は、請求項１記載の表面処理方法において、前記平坦化工程は、前記基板載置面を砥石により平坦化させる砥石平坦化工程と、当該平坦化された面を砥粒を塗布した定盤により平坦化させる定盤平坦化工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の表面処理方法は、請求項１又は２記載の表面処理方法において、前記基板載置面には溶射被膜が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項４記載の表面処理方法は、基板に処理を施す基板処理装置内に配置された部材に施された溶射被膜の表面処理方法であって、前記溶射被膜の表面の平坦度を向上させる平坦化工程と、当該平坦度が向上された表面を砥粒を塗布したテープにより平滑化させる平滑化工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の表面処理方法は、請求項４記載の表面処理方法において、前記平坦化工程は、前記溶射被膜の表面を砥石により平坦化させる砥石平坦化工程と、当該平坦化された表面を砥粒を塗布した定盤により平坦化させる定盤平坦化工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１記載の表面処理方法によれば、基板載置面の平坦度を向上させ、平坦度が向上された面を砥粒を塗布したテープにより平滑化させるので、基板載置面の極表層においても平滑化させることができる。これにより、基板と基板載置面としての静電チャックの表面との接触面積を大きくすることができ、もって、基板と静電チャックの表面との伝熱効率を著しく向上させることができる。よって、基板の処理温度を制御する際に、高い能力のチラーユニットを使用する必要がなく、チラーユニットの省力化が可能となる。また、基板に施すエッチング工程が複数工程に分割されている場合においても、工程が変わる時の基板の温度をレスポンス良く制御することができ、様々なエッチング特性の要求に対して対応することできる。さらに、基板と静電チャックの表面との伝熱効率を著しく向上させることができるので、基板の温度を下げたい場合でも伝熱ガスの圧力を過度に高める必要が無く、基板が静電チャックから剥がれることを防止することができる。
【００１６】
請求項２記載の表面処理方法によれば、基板載置面を砥石により平坦化させ、平坦化された面を砥粒を塗布した定盤により平坦化させるので、基板載置面の平坦度をさらに向上させることができる。これにより、基板と静電チャックの表面との伝熱効率をさらに向上させることができ、もって、チラーユニットの省力化、及び様々なエッチング特性の要求に対して対応することができる。
【００１７】
請求項３記載の表面処理方法によれば、基板載置面には溶射被膜が形成されているので、基板載置面の平坦度を容易に向上させることができると共に、極表層においても容易に平滑化させることができる。
【００１８】
請求項４記載の表面処理方法によれば、溶射被膜の表面の平坦度を向上させ、平坦度が向上された表面を砥粒を塗布したテープにより平滑化させるので、溶射皮膜の極表層においても平滑化させることができる。これにより、溶射被膜が形成された部材においては、当該部材と隣接する部材への接触熱伝達を大きくすることができるため、例えば当該部材と隣接する部材を同一温度にすることや、直接冷媒を流す冷媒室が設けられていない部材の温度を制御することができる。この場合、少なくとも隣接する部材の一方の部材が当該表面処理方法によって加工されれば、隣接する部材の双方において請求項１乃至３の表面処理方法と同様の効果が得られる。
【００１９】
請求項５記載の表面処理方法によれば、溶射被膜の表面を砥石により平坦化させ、平坦化された表面を砥粒を塗布した定盤により平坦化させるので、溶射皮膜の平坦度をさらに向上させることができる。これにより、接触する部材間の接触熱伝達をさらに大きくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る表面処理方法によって加工された静電チャックを備える基板処理装置について説明する。
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表面処理方法によって加工された静電チャックを備える基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置は基板としての半導体ウエハにエッチング処理を施すように構成されている。
【００２３】
図１において、基板処理装置１０は、例えば、直径が３００ｍｍの半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを収容するチャンバ１１を有し、該チャンバ１１内にはウエハＷを載置する載置台としての円柱状のサセプタ１２が配置されている。基板処理装置１０では、チャンバ１１の内側壁とサセプタ１２の側面とによって、サセプタ１２上方のガスをチャンバ１１の外へ排出する流路として機能する側方排気路１３が形成される。この側方排気路１３の途中にはバッフル板１４が配置される。チャンバ１１の内壁面は石英やイットリア（Ｙ２Ｏ３）で覆われる。
【００２４】
バッフル板１４は多数の孔を有する板状部材であり、チャンバ１１を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。バッフル板１４によって仕切られたチャンバ１１の上部（以下、「反応室」という。）１７には、後述するプラズマが発生する。また、チャンバ１１の下部（以下、「排気室（マニホールド）」という。）１８にはチャンバ１１内のガスを排出する粗引き排気管１５及び本排気管１６が開口する。粗引き排気管１５にはＤＰ（Dry Pump）（図示しない）が接続され、本排気管１６にはＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）（図示しない）が接続される。また、バッフル板１４は反応室１７の後述する処理空間Ｓにおいて発生するイオンやラジカルを捕捉又は反射してこれらのマニホールド１８への漏洩を防止する。
【００２５】
粗引き排気管１５、本排気管１６、ＤＰ及びＴＭＰ等は排気装置を構成し、粗引き排気管１５及び本排気管１６は反応室１７のガスをマニホールド１８を介してチャンバ１１の外部へ排出する。具体的には、粗引き排気管１５はチャンバ１１内を大気圧から低真空状態まで減圧し、本排気管１６は粗引き排気管１５と協働してチャンバ１１内を大気圧から低真空状態より低い圧力である高真空状態（例えば、１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。
【００２６】
サセプタ１２には下部高周波電源２０が整合器（Matcher）２２を介して接続されており、該下部高周波電源２０は所定の高周波電力をサセプタ１２に印加する。これにより、サセプタ１２は下部電極として機能する。また、整合器２２は、サセプタ１２からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ１２への供給効率を最大にする。
【００２７】
サセプタ１２の上部には、電極板２３を内部に有する絶縁性部材からなる円板状の静電チャック４２ａが配置されており、その表面は後述する本実施の形態に係る表面処理方法によって加工されている。サセプタ１２がウエハＷを載置するとき、該ウエハＷは静電チャック４２ａ上に配される。電極板２３には直流電源２４が電気的に接続されている。電極板２３に負の直流電圧が印加されると、ウエハＷにおける静電チャック４２ａ側の面（以下、「裏面」という。）には正電位が発生し、さらに、静電チャック４２ａとは反対側の面（以下、「表面」という。）には負電位が発生する。そして、電極板２３及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力によってウエハＷは静電チャック４２ａの上面に吸着保持される。
【００２８】
また、サセプタ１２の上部には、静電チャック４２ａの上面に吸着保持されたウエハＷの周りを囲うように円環状のフォーカスリング２５が配設される。このフォーカスリング２５は、処理空間Ｓに露出し、該処理空間ＳにおいてプラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、エッチング処理の効率を向上させる。
【００２９】
また、サセプタ１２の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室２６が設けられる。この冷媒室２６には、チラーユニット（図示しない）から冷媒用配管２７を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデンが循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック４２ａの上面に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。
【００３０】
静電チャック４２ａの上面のウエハＷが吸着保持される部分（以下、「吸着面」という。）には、複数の伝熱ガス供給孔２８が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔２８は、伝熱ガス供給ライン３０を介して伝熱ガス供給部（図示しない）に接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）ガスを、伝熱ガス供給孔２８を介して吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハＷの熱をサセプタ１２に伝熱する。
【００３１】
また、サセプタ１２の吸着面には、静電チャック４２ａの上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン（図示しない）が配置されている。これらのプッシャーピンは、モータとボールねじ（いずれも図示しない）を介して接続され、ボールねじによって直線運動に変換されたモータの回転運動に起因して吸着面から自在に突出する。ウエハＷにエッチング処理を施すためにウエハＷを吸着面に吸着保持するときには、プッシャーピンはサセプタ１２に収容され、エッチング処理が施されたウエハＷをチャンバ１１から搬出するときには、プッシャーピンは静電チャック４２ａの上面から突出してウエハＷをサセプタ１２から離間させて上方へ持ち上げる。
【００３２】
チャンバ１１の天井部には、サセプタ１２と対向するようにガス導入シャワーヘッド３４が配置されている。ガス導入シャワーヘッド３４には整合器３５を介して上部高周波電源３６が接続されており、上部高周波電源３６は所定の高周波電力をガス導入シャワーヘッド３４に印加するので、ガス導入シャワーヘッド３４は上部電極として機能する。なお、整合器３５の機能は上述した整合器２２の機能と同じである。
【００３３】
ガス導入シャワーヘッド３４は、多数のガス穴３７を有する天井電極板３８と、該天井電極板３８を着脱可能に支持する電極支持体３９とを有する。また、該電極支持体３９の内部にはバッファ室４０が設けられ、このバッファ室４０には処理ガス導入管４１が接続されている。ガス導入シャワーヘッド３４は、処理ガス導入管４１からバッファ室４０へ供給された処理ガス、例えば、臭素系ガス又は塩素系ガスにＯ２ガス及びＨｅ等の不活性ガスを添加した混合ガスをガス穴３７を経由して反応室１７内へ供給する。
【００３４】
また、チャンバ１１の側壁には、プッシャーピンによってサセプタ１２から上方へ持ち上げられたウエハＷの高さに対応する位置にウエハＷの搬出入口４３が設けられ、搬出入口４３には、該搬出入口４３を開閉するゲートバルブ４４が取り付けられている。
【００３５】
この基板処理装置１０の反応室１７内では、上述したように、サセプタ１２及びガス導入シャワーヘッド３４に高周波電力を印加して、サセプタ１２及びガス導入シャワーヘッド３４の間の処理空間Ｓに高周波電力を印加することにより、該処理空間Ｓにおいてガス導入シャワーヘッド３４から供給された処理ガスを高密度のプラズマにしてイオンやラジカルを発生させ、該イオン等によってウエハＷにエッチング処理を施す。
【００３６】
上述した基板処理装置１０の各構成部品の動作は、基板処理装置１０が備える制御部（図示しない）のＣＰＵがエッチング処理に対応するプログラムに応じて制御する。
【００３７】
図２は、図１におけるＡ部の拡大図であり、図２（Ａ）は本実施の形態における静電チャックの場合を示し、図２（Ｂ）は従来の静電チャックの場合を示す。
【００３８】
図２（Ａ）に示すように、本実施の形態における静電チャック４２ａは、吸着面が平坦化され、さらに、吸着面の極表層においても平滑化されており、ウエハＷとの接触面積が大きい。一方、図２（Ｂ）に示す従来の静電チャック４２ｂは、その吸着面は粗く、さらに、微小なうねりが発生しており、ウエハＷとの接触面積が小さい。
【００３９】
次に、本発明の実施の形態に係る表面処理方法について説明する。上述のように静電チャックの表面は、本実施の形態に係る表面処理方法によって加工される。
【００４０】
図３は、本実施の形態に係る表面処理方法を説明する工程図である。
【００４１】
なお、図３（Ｂ）、図３（Ｄ）、図３（Ｆ）及び図３（Ｈ）はそれぞれ図３（Ａ）におけるＢ部、図３（Ｃ）におけるＤ部、図３（Ｅ）におけるＦ部及び図３（Ｇ）におけるＨ部の拡大図である。
【００４２】
図３において、本実施の形態に係る表面処理方法によって加工される静電チャック４２では、まず、その表面に、例えばアルミナ等のセラミックを溶射して溶射皮膜１を形成する（図３（Ａ））（以下、「溶射工程」という。）。溶射工程後の静電チャック４２は、図３（Ｂ）に示すように、その表面は粗く、さらに、その表面にうねりが発生している。
【００４３】
次に、溶射工程後の静電チャック４２では、その表面に砥粒を固めて円盤状にした砥石２を接触させる。該砥石２は静電チャック４２の表面に対して平行に移動すると共に回転し、静電チャック４２は図３（Ｃ）図中の一点鎖線を軸に回転する。これにより、静電チャック４２の表面が削られる（図３（Ｃ））（以下、「研削工程」という。）（平坦化工程）。研削工程後の静電チャック４２は、図３（Ｄ）に示すように、微視的に見ると、依然として、その表面は粗く、さらに、その表面に微小なうねりが発生している。
【００４４】
そして、研削工程後の静電チャック４２では、その表面に、砥粒と潤滑剤を混ぜた懸濁液が表面に吹き付けられたラップ定盤３を接触させる。該ラップ定盤３には荷重（図３（Ｅ）図中白抜き矢印で示す）が加えられ、静電チャック４２は図３（Ｅ）図中の一点鎖線を軸に回転する。これにより、静電チャック４２の表面が平坦に削られる（図３（Ｅ））（以下、「定盤ラップ工程」という。）（平坦化工程）。定盤ラップ工程後の静電チャック４２は、図３（Ｆ）に示すように、その表面に発生していた微小なうねりが除去され、その表面が平坦化されているが、微視的に見るとその表面の極表層に微細な突起１ｆが形成されている。
【００４５】
定盤ラップ工程後の静電チャック４２では、表面に砥粒９が塗布固着されたテープ５と弾性体から成るローラ６とを有するテープラップ装置４の当該テープ５を当該テープラップ装置４に圧力（図３（Ｇ）図中白抜き矢印で示す）を加えることによって接触させる。該テープ５がテープラップ装置４によって巻き取られると共に巻き出され、そのテープラップ装置４も静電チャック４２の表面と平行に移動し、静電チャック４２は図３（Ｇ）図中の一点鎖線を軸に回転する。これにより、静電チャック４２の表面が平滑に削られる（図３（Ｇ））（以下、「テープラップ工程」という。）（平滑化工程）。特に、テープラップ工程ではテープ５が弾性体から成るローラ６によって静電チャック４２の表面に押し当てられるため、ローラ６の弾性によってテープ５の押し当て圧力を制御することができ、もって、静電チャック４２の表面における極表層を微細に平滑化することができる。テープラップ工程後の静電チャック４２は、図３（Ｈ）に示すように、その表面の極表層においても平滑化されており、上述した図２（Ａ）に示す静電チャック４２ａと同様の形状をしている。
【００４６】
本実施の形態における溶射工程後の各工程において用いられる砥粒は、前工程と略同じか、又は前工程よりも小さくすることが好ましい。溶射皮膜が形成された表面を効率的に極表層においても完全に平滑化するためには、後工程に進むにつれて、砥粒の大きさを小さくするのが好ましい。但し、本実施の形態においては、加工手法そのものが、具体的には定盤ラップ工程よりもテープラップ工程の方が、又は研削工程よりもテープラップ工程の方が、より極表層を平滑化することができるため、前工程と略同じ大きさの砥粒を用いても、極表層を完全に平滑化することができる。
【００４７】
本実施の形態に係る表面処理方法によれば、溶射被膜１が形成された静電チャック４２の表面を平坦化し（定盤ラップ工程）、さらに、その表面の極表層においても平滑化する（テープラップ工程）ので、ウエハＷと静電チャック４２の表面との接触面積を大きくすることができ、もって、ウエハＷと静電チャック４２の表面との伝熱効率を著しく向上させることができる。よって、ウエハＷの処理温度を制御する際に、高い能力のチラーユニットを使用する必要がなく、チラーユニットの省力化が可能となる。また、ウエハＷに施すエッチング工程が複数工程に分割されている場合においても、工程が変わる時のウエハＷの温度をレスポンス良く制御することができ、様々なエッチング特性の要求に対して対応することできる。さらに、ウエハＷと静電チャック４２の表面との伝熱効率を著しく向上させることができるので、ウエハＷの温度を下げたい場合でも伝熱ガスの圧力を過度に高める必要が無く、ウエハＷが静電チャック４２から剥がれることを防止することができる。
【００４８】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る表面処理方法について説明する。
【００４９】
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであり、定盤ラップ工程を省略する点で第１の実施の形態と異なるのみである。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用について図３を参照しながら説明を行う。
【００５０】
本実施の形態に係る表面処理方法によって加工される静電チャックは、図３（Ａ）に示す溶射工程が施され、同図（Ｃ）に示す研削工程が施された後に、同図（Ｇ）に示すテープラップ工程が施される。
【００５１】
本実施の形態におけるテープラップ工程後の静電チャックは、その表面に微小なうねりが発生しているものの、うねりの状態に関わらずその表面の極表層において平滑化されている。
【００５２】
本実施の形態に係る表面処理方法によれば、溶射被膜が形成された静電チャックの表面の極表層において平滑化する（テープラップ工程）ので、上述した第１の実施の形態における効果と同様の効果を奏することができる。さらに、上述した第１の実施の形態における静電チャックの定盤ラップ工程を省略するので、工程数を削減することができる。
【００５３】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る表面処理方法について説明する。
【００５４】
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであり、研削工程を省略する点で第１の実施の形態と異なるのみである。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用について図３を参照しながら説明を行う。
【００５５】
本実施の形態に係る表面処理方法によって加工される静電チャックは、図３（Ａ）に示す溶射工程が施された後に、同図（Ｅ）に示す定盤ラップ工程が施され、同図（Ｇ）に示すテープラップ工程が施される。
【００５６】
本実施の形態におけるテープラップ工程後の静電チャックは、その表面が平坦化され、さらに、その表面の極表層においても平滑化されている。
【００５７】
本実施の形態に係る表面処理方法によれば、溶射被膜が形成された静電チャックの表面を平坦化し（定盤ラップ工程）、さらに、その表面の極表層においても平滑化する（テープラップ工程）ので、上述した第１の実施の形態における効果と同様の効果を奏することができる。さらに、上述した第１の実施の形態における静電チャックの研削工程を省略するので、工程数を削減することができる。
【００５８】
上述した各実施の形態では、加工される対象が溶射被膜が形成された静電チャックであったが、加工される対象はこれに限られず、溶射被膜が形成された部材であればどのようなものであってもよい。また、本実施の形態に係る表面処理方法におけるテープラップ工程によれば、焼成等によって形成されたセラミックスから成る静電チャックであっても、該静電チャック表面の極表層を平滑化することができるため、加工される対象としての静電チャックは溶射被膜が形成された静電チャックに限られず、焼成等によって形成されたセラミックスから成る静電チャックでもよい。
【００５９】
また、本実施の形態に係る表面処理方法におけるテープラップ工程によれば、静電チャックの表面の極表層においても平滑化すると共に、その表面の破砕層を除去するので、ウエハＷと静電チャックの表面との接触によりウエハＷの裏面に発生するパーティクルを抑制することもできる。
【００６０】
また、本実施の形態に係る表面処理方法におけるテープラップ工程によれば、部品の表面の極表層においても平滑化すると共に、その表面の破砕層を除去するので、チャンバ内のパーティクルの発生を抑制することができる。
【００６１】
さらに、本実施の形態に係る表面処理方法におけるテープラップ工程のみによれば、その加工の対象は平面に限られず、曲面も加工することができるので、例えば、チャンバの内周を加工することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表面処理方法によって加工された静電チャックを備える基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１におけるＡ部の拡大図であり、図２（Ａ）は本実施の形態における静電チャックの場合を示し、図２（Ｂ）は従来の静電チャックの場合を示す。
【図３】本実施の形態に係る表面処理方法を説明する工程図であり、図３（Ａ）は溶射工程を示し、図３（Ｂ）は図３（Ａ）におけるＢ部の拡大図であり、図３（Ｃ）は研削工程を示し、図３（Ｄ）は図３（Ｃ）におけるＤ部の拡大図であり、図３（Ｅ）は定盤ラップ工程を示し、図３（Ｆ）は図３（Ｅ）におけるＦ部の拡大図であり、図３（Ｇ）はテープラップ工程を示し、図３（Ｈ）は図３（Ｇ）におけるＨ部の拡大図である。
【図４】従来の静電チャックの表面処理方法を説明する工程図であり、図４（Ａ）は溶射工程を示し、図４（Ｂ）は図４（Ａ）におけるＩ部の拡大図であり、図４（Ｃ）は研削工程を示し、図４（Ｄ）は図４（Ｃ）におけるＪ部の拡大図である。
【符号の説明】
【００６３】
Ｓ  処理空間
Ｗ  半導体ウエハ
１  溶射被膜
２  砥石
３  ラップ定盤
４  テープラップ装置
５  テープ
６  ローラ
９  砥粒
１０  基板処理装置
１１  チャンバ
１２  サセプタ
２０  下部高周波電源
２３  電極板
２４  直流電源
３４  ガス導入シャワーヘッド
３６  上部高周波電源
４２，４２ａ，４２ｂ  静電チャック
【図１】
2007258240.tif 000003
【図２】
2007258240.tif 000004
【図３】
2007258240.tif 000005
【図４】
2007258240.tif 000006