(57)【要約】  【課題】  電子素子を所定の位置に実装するための新規な実装方法を提供する。  【解決手段】  分散媒２１と分散媒２１に入れられた１つだけの素子チップ２２とを含む液滴２０を、基板１０の一主面上に配置する工程と、液滴２０から分散媒２１を除去することによって、素子チップ２２を基板１０上に配置する工程とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子を含有する素子チップを基板上に実装する実装方法であって、
（ｉ）分散媒と前記分散媒に入れられた１つだけの前記素子チップとを含む液滴（Ａ）を、前記基板の一主面上に配置する工程と、
（ii）前記液滴（Ａ）から前記分散媒を除去することによって、前記素子チップを前記基板上に配置する工程とを含む実装方法。
【請求項２】
前記一主面上には、第１の領域と、前記第１の領域に囲まれ前記分散媒のぬれ性が前記第１の領域よりも高い第２の領域とが存在し、
前記（ｉ）の工程において前記液滴（Ａ）が前記第２の領域に配置される請求項１に記載の実装方法。
【請求項３】
前記第１の領域の少なくとも一部には、前記分散媒のぬれ性が前記第２の領域よりも低い有機膜が形成されている請求項２に記載の実装方法。
【請求項４】
前記一主面上には、第１の領域と、前記第１の領域に囲まれ前記第１の領域よりも突出した第２の領域とが存在し、
前記（ｉ）の工程において前記液滴（Ａ）が前記第２の領域に配置される請求項１に記載の実装方法。
【請求項５】
前記素子チップは、２つの面（Ｐ１）と、面積が面（Ｐ１）以上である２つの面（Ｐ２）と、面積が面（Ｐ２）よりも大きい２つの面（Ｐ３）とを備える直方体状の形状を有し、
前記面（Ｐ３）の形状と、前記液滴（Ａ）が配置される前記第２の領域の形状とが、実質的に等しく、
前記（ii）の工程によって、２つの前記面（Ｐ３）のうちの１つの面が前記一主面に対向するように配置される請求項２〜４のいずれか１項に記載の実装方法。
【請求項６】
前記面（Ｐ３）の形状が長方形である請求項５に記載の実装方法。
【請求項７】
前記第２の領域には電極が形成されており、
２つの前記面（Ｐ３）のいずれか一方に電極端子が形成されている請求項５または６に記載の実装方法。
【請求項８】
前記（ii）の工程ののちに、
２つの前記面（Ｐ３）のうち前記基板から遠い方の面の上を通る電極を形成する工程をさらに含む請求項７に記載の実装方法。
【請求項９】
前記（ｉ）の工程の前に、
（ａ）前記分散媒のぬれ性が低い１つの面上に、少なくとも１つの前記素子チップを配置する工程と、
（ｂ）前記面上に配置された１つの前記素子チップを前記分散媒の液滴（Ｂ）内に取り込んで前記液滴（Ａ）を形成する工程とを含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の実装方法。
【請求項１０】
前記分散媒が導電性を有し、
前記（ｉ）の工程は、前記分散媒と前記分散媒に分散された複数の前記素子チップとを含む液体から、エレクトロウェッティング現象を利用して前記液滴（Ａ）を形成する工程を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の実装方法。
【請求項１１】
前記分散媒が、その内部に前記素子チップを取り込もうとする性質を有する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の実装方法。
【請求項１２】
前記素子チップの基板が単結晶シリコンからなる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の実装方法。
【請求項１３】
前記（ｉ）の工程の前に、
前記電子素子を単結晶シリコン基板に複数個形成したのち、前記単結晶シリコン基板を切断することによって前記素子チップを形成する工程を含む請求項１２に記載の実装方法。
【請求項１４】
前記電子素子がトランジスタである請求項１〜１３のいずれか１項に記載の実装方法。
【請求項１５】
基板と、電子素子を含み前記基板上に実装された素子チップとを含む電子機器の製造方法であって、
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の実装方法で前記素子チップを実装する工程を含む、電子機器の製造方法。
【請求項１６】
前記電子機器が表示装置である請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の製造方法で製造された表示装置。
【請求項１８】
基板と、前記基板上に実装された複数のトランジスタチップと、前記トランジスタチップを制御するための第１および第２の配線とを含む表示装置であって、
前記トランジスタチップはその一主面のみに形成された電極端子を含み、
前記第１の配線は前記基板と前記トランジスタチップとの間に配置されており、
前記第２の配線は前記トランジスタチップに対して前記基板とは反対側に配置されており、
複数の前記トランジスタチップのそれぞれは、前記第１の配線および前記第２の配線のいずれか一方と、前記電極端子を介して電気的に接続されている表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装方法、電子機器の製造方法および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブ型液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示素子はガラス基板上に形成されており、基板上にマトリックス状に配置された画素はその近傍に配置されたトランジスタ素子によって制御される。現在の技術では、結晶半導体のトランジスタをガラス基板上に形成することができないので、アモルファスシリコンやポリシリコン薄膜からなる薄膜トランジスタが画素の制御に用いられている。薄膜トランジスタは大面積の基板上に安価に作製できるという長所があるが、結晶シリコンに比べて移動度が小さく、高速動作ができないという課題があった。この課題を解決するために、あらかじめシリコンウェハ上に多数のトランジスタを作製した後、これをウェハから切り出して基板上に配置する方法が従来から提案されていた。
【０００３】
たとえば、トランジスタが入るような穴をあらかじめ基板に開けておき、この基板を、単結晶トランジスタが分散した液体に曝すことによって、穴にトランジスタを配置する方法が提案されている（特許文献１および非特許文献１参照）。穴の形状とトランジスタの形状とを同一にすることによって、基板の所定の位置に所定の方向を向いたトランジスタが配置される。この方法によって、１０〜数百μｍの大きさのトランジスタ１００００個を３インチ角の基板上に配置できることが記載されている。
【０００４】
また、多数の単結晶トランジスタ素子がガラス基板上に配置された液晶表示素子の作製方法も開示されている（特許文献２参照）。この方法では、単結晶シリコントランジスタ素子が収まるような穴を開けたゴム系高分子薄膜をガラス基板上に形成し、単結晶シリコントランジスタ素子が分散した液体にこのガラス基板を曝すことによって、単結晶トランジスタ素子をガラス基板上に配置する。ガラス基板に穴を開けるためにはレーザ加工装置などの高価な装置を用いる必要があったが、この方法を用いれば、基板に直接穴を開ける必要がないため、簡単な装置で素子を配置できるという利点がある。
【特許文献１】米国特許第６４１７０２５号明細書
【特許文献２】特開２００３−５２１２号公報
【非特許文献１】インフォメーションディスプレイ（Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ｐ１２〜１６、１９９９年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数のトランジスタ素子が分散した液体に基板を曝して基板の穴に素子を入れる従来の方法では、穴近傍に近づいた素子が穴に１００％の確率で入ることはない。このため、分散液中の素子の数を基板に配置すべき数よりも大きくしなくてはならない。従って、１つの表示装置を作るためには、本来必要な数よりも多くのトランジスをあらかじめ作製する必要があり、製造コストが高くなるという課題があった。また、素子が穴に入るかどうかは確率に支配されるので、長時間、基板を分散溶液に曝しても、素子の入っていない穴が存在する確率は０にはならない。このため、穴のすべてに素子が配置されたかどうかを検査する必要があり、製造工数が増大するという課題があった。
【０００６】
また、従来の方法では、２種類以上の素子を、それぞれが配置されるべき位置に配置することが難しかった。
【０００７】
このような状況において、本発明の目的の１つは、電子素子を所定の位置に実装するための新規な実装方法を提供することである。また、本発明の目的の１つは、その実装方法を用いた電子機器の製造方法、およびそれによって製造される電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の実装方法は、電子素子を含有する素子チップを基板上に実装する実装方法であって、（ｉ）分散媒と前記分散媒に入れられた１つだけの前記素子チップとを含む液滴（Ａ）を、前記基板の一主面上に配置する工程と、（ii）前記液滴（Ａ）から前記分散媒を除去することによって、前記素子チップを前記基板上に配置する工程とを含む。
【０００９】
また、電子機器を製造するための本発明の方法は、基板と、電子素子を含み前記基板上に実装された素子チップとを含む電子機器の製造方法であって、本発明の実装方法で前記素子チップを実装する工程を含む。
【００１０】
また、本発明の表示装置は、上記電子機器の製造方法を用いて製造された表示装置である。
【００１１】
また、本発明の他の表示装置は、基板と、前記基板上に実装された複数のトランジスタチップと、前記トランジスタチップを制御するための第１および第２の配線とを含む表示装置であって、前記トランジスタチップはその一主面のみに形成された電極端子を含み、前記第１の配線は前記基板と前記トランジスタチップとの間に配置されており、前記第２の配線は前記トランジスタチップに対して前記基板とは反対側に配置されており、複数の前記トランジスタチップのそれぞれは、前記第１の配線および前記第２の配線のいずれか一方と、前記電極端子を介して電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、所定の位置に確実に素子チップを実装することが可能になる。そのため、本発明の方法は、従来の方法とは異なり、過剰な数の素子チップが不要である。また、本発明の方法によれば、素子チップが実装されたか否かを検査する工程を簡略化または省略することが可能である。また、本発明の方法によれば、従来の方法とは異なり、素子チップが配置される穴を基板に形成する工程を不要とすることが可能である。また、本発明によれば、形状が同じか又は異なる複数種の素子チップを、それぞれの所定の場所に実装することが可能である。本発明の方法を用いることによって、１ｍｍ以下の物体を基板の所定の位置に配置できる。例えば、本発明の方法を、ＩＣタグを所定の位置へ実装する方法に適用することも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明で用いる図では、見やすいようにハッチングを省略する場合がある。また、以下の説明では、同様の部分に同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
【００１４】
＜実装方法＞
本発明の実装方法は、電子素子を含有する素子チップを基板上に実装する実装方法である。この方法は、分散媒と分散媒に入れられた１つだけの素子チップとを含む液滴（Ａ）を、基板の一主面上に配置する工程（ｉ）を含む。この方法は、さらに、液滴（Ａ）から分散媒を除去することによって、素子チップを基板上に配置する工程（ii）を含む。分散媒を除去する方法に限定はなく、たとえば自然乾燥によって除去でもよいし、加熱および／または減圧によって除去してもよい。
【００１５】
この方法では、素子チップが１つだけ含まれる液滴（Ａ）を、素子チップを実装すべき部分に配置することによって、所望の位置に確実に素子チップを実装することが可能となる。この実装方法を用いて、複数の素子チップを実装することが可能である。たとえば、表示装置の駆動に用いられる複数の素子チップ（たとえば電界効果トランジスタ）を実装することが可能である。また、この実装方法を用いて、電子機器のリペアを行うことも可能である。たとえば、電子機器に実装された複数個の素子チップのうち、不良の素子チップがある場合には、不良の素子チップを除去し、その代わりに正常な素子チップを本発明の実装方法で実装してもよい。また、複数の素子チップを他の方法で実装したのち、素子チップを実装できなかった箇所に、本発明の実装方法を用いて素子チップを選択的に実装してもよい。
【００１６】
素子チップが実装される基板に限定はなく、たとえば、ガラス基板、金属基板、セラミックス基板、および、樹脂基板等が挙げられる。
【００１７】
上記基板の一主面上の所定の位置に配置された液滴（Ａ）は、その所定の位置から広がることなく溶媒が除去されることが好ましい。液滴（Ａ）が基板上で広がらないようにするための典型的な方法として、２つの方法を以下に挙げる。
【００１８】
第１の方法では、上記基板の一主面上には、第１の領域と、第１の領域に囲まれ分散媒のぬれ性が第１の領域よりも高い第２の領域とが存在する。この場合、工程（ｉ）において、液滴（Ａ）が第２の領域に配置される。この構成によれば、第２の領域に配置された液滴（Ａ）が、第１の領域に広がりにくくなる。第１の領域は、分散媒のぬれ性が低いことが好ましい。液滴（Ａ）を第２の領域にとどめるためには、第１の領域の表面エネルギーが５ｄｙｎｅ／ｃｍ以上４０ｄｙｎｅ／ｃｍ未満（好ましくは５〜２５ｄｙｎｅ／ｃｍの範囲）であることが好ましく、第２の領域の表面エネルギーが４０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上（好ましくは６０〜１０００ｄｙｎｅ／ｃｍの範囲）であることが好ましい。
【００１９】
上記第１の領域の少なくとも一部には、液滴（Ａ）の分散媒のぬれ性が第２の領域よりも低い有機膜が形成されていてもよい。この構成によれば、第１および第２の領域の形成が容易である。
【００２０】
また、第２の方法では、上記基板の一主面上には、第１の領域と、第１の領域に囲まれ第１の領域よりも突出した第２の領域とが存在する。この場合、工程（ｉ）において液滴（Ａ）が第２の領域に配置される。基板から突出した凸部の上面が第２の領域であり、その第２の領域に配置された液滴（Ａ）は、第２の領域から広がりにくい。
【００２１】
上記素子チップは、２つの面（Ｐ１）と、面積が面（Ｐ１）以上である２つの面（Ｐ２）と、面積が面（Ｐ２）よりも大きい２つの面（Ｐ３）とを備える直方体状の形状であってもよい。この場合、面（Ｐ３）の形状と、液滴（Ａ）が配置される第２の領域の形状とが、できるだけ似ていることが好ましく、実質的に等しいことがより好ましい。ここで、面（Ｐ３）の縦と横の長さをそれぞれ０．８倍（面積比０．６４倍）としたときの形状を形状Ｐ３ｘとし、縦と横の長さをそれぞれ１．２倍（面積比１．４４倍）としたときの形状をＰ３ｙとする。「面（Ｐ３）の形状と、液滴（Ａ）が配置される第２の領域の形状１２ｓとが、実質的に等しい」とは、たとえば、形状Ｐ３ｘが形状１２ｓに含まれる形状であり、形状１２ｓが形状１２ｙに含まれる形状であることを意味する。
【００２２】
工程（ii）によって、２つの面（Ｐ３）のうちの１つの面が基板の上記一主面に対向するように配置される。面（Ｐ３）の面積は、面（Ｐ２）の面積の２倍以上であることが好ましく、たとえば３倍〜５０倍の範囲である。
【００２３】
上記面（Ｐ３）の形状が長方形であってもよい。面（Ｐ３）の形状と第２の領域の形状とが実質的に等しく且つそれらが長方形である場合、方向を揃えて素子チップを実装できる。その結果、配線と素子チップの電極端子との接続が容易になる。長方形の長辺は、短辺の１．５倍〜５０倍程度であることが好ましく、たとえば２倍〜１０倍の範囲である。
【００２４】
なお、素子チップの電極端子の配置を工夫することによって、素子チップの平面形状が長方形でなくとも、電極端子と配線との接続を確実に行うことが可能となる。たとえば、素子チップの中心からの距離を変えて複数の電極を配置する場合（たとえば同心円状に電極を配置する場合）、素子チップの平面形状は正方形や円であってもよい。
【００２５】
上記第２の領域には電極が形成されており、２つの面（Ｐ３）のいずれか一方に電極端子が形成されていてもよい。この構成によれば、工程（ii）において電極端子が形成されている方の面が基板側に向いた場合に、電極端子と電極とを自動的に接触させることが可能である。
【００２６】
本発明の実装方法では、工程（ii）ののちに、２つの面（Ｐ３）のうち基板から遠い方の面の上を通る電極を形成する工程をさらに含んでもよい。この構成によれば、工程（ii）において電極端子が形成されている方の面が基板とは反対側に向いた場合に、電極端子に電極を接続できる。
【００２７】
液滴（Ａ）を形成する方法の例として、３つの例を以下に説明する。
【００２８】
第１の例では、本発明の実装方法は、工程（ｉ）の前に、（ａ）分散媒のぬれ性が低い１つの面上に、少なくとも１つの素子チップを配置する工程と、（ｂ）上記面上に配置された１つの素子チップを分散媒（液滴（Ａ）の分散媒）の液滴（Ｂ）内に取り込んで液滴（Ａ）を形成する工程とを含む。この方法は、たとえばキャピラリの先端に分散媒の液滴（Ｂ）を形成し、その液滴（Ｂ）に１つの素子チップを取り込むことによって行われる。分散媒のぬれ性が低い面とは、たとえば、表面エネルギーが５〜２５ｄｙｎｅ／ｃｍの面である。
【００２９】
第２の例では、液滴（Ａ）の分散媒が導電性を有する。そして、工程（ｉ）は、分散媒と分散媒に分散された複数の素子チップとを含む液体から、エレクトロウェッティング現象を利用して液滴（Ａ）を形成する工程を含む。
【００３０】
本発明の実装方法では、液滴（Ａ）の分散媒が、その内部に素子チップを取り込もうとする性質を有することが好ましい。たとえば、素子チップの表面に対する分散媒の静的接触角が９０°未満であってもよい。ここで、静的接触角とは、水平な表面に液滴を静かに配置したときの液滴の接触角を意味する。また、電子素子の表面エネルギーが４０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、分散媒の表面張力が２０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上（たとえば２０〜８０ｄｙｎｅ／ｃｍ）であってもよい。好ましい分散媒は、基板や素子チップの材質によって異なるが、分散媒としては、たとえば、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合液を用いることができる。これらの分散媒には、電解質が溶解されていてもよい。分散媒の具体例は後述する。
【００３１】
本発明の実装方法では、素子チップの基板が単結晶シリコンからなるものであってもよい。この場合、本発明の実装方法は、工程（ｉ）の前に、電子素子を単結晶シリコン基板に複数個形成したのち、単結晶シリコン基板を切断することによって素子チップを形成する工程を含んでもよい。素子チップが１つの電子素子のみを含むチップである場合、シリコン基板は電子素子ごとに切断される。この方法では、電子素子を形成したのち、単結晶シリコン基板の裏面側を研磨することによって基板を薄くしてもよい。単結晶シリコン基板の切断は、一般的な方法で行うことができ、たとえばダイサーを用いて行うことができる。
【００３２】
本発明の実装方法では、電子素子がトランジスタ（たとえば電界効果トランジスタ）であってもよい。電界効果トランジスタは、表示装置の駆動用素子として重要である。ただし、素子チップに含有される電子素子はトランジスタに限定されず、抵抗、コンデンサ、インダクタであってもよい。素子チップに含まれる電子素子は、１つであってもよいし、複数であってもよい。素子チップは、複数の電子素子で構成された回路を含んでもよい。素子チップに含まれる電子素子は、単結晶シリコントランジスタであってもよいし、単結晶シリコントランジスタが集積された回路素子であってもよい。素子チップの最も長い辺は、たとえば１０００μｍ以下である。
【００３３】
素子チップの電子素子が電界効果トランジスタである場合、素子チップを実装する基板に、トランジスタのソース電極、ドレイン電極およびゲート電極に対応するように電極パターンを予め形成しておき、ここに、トランジスタチップ１個のみが入った液滴を配置すればよい。このようなトランジスタは、アクティブマトリックス型の表示装置の画素制御用トランジスタとして使用できる。
【００３４】
＜電子機器の製造方法＞
電子機器を製造するための本発明の方法は、基板と、電子素子を含み基板上に実装された素子チップとを含む電子機器の製造方法である。この製造方法は、本発明の実装方法で素子チップを実装する工程を含む。
【００３５】
この製造方法で製造される電子機器に特に限定はなく、表示装置であってもよい。表示装置としては、たとえば、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、電気泳動現象を利用したディスプレイ、磁性粉末を利用したディスプレイ等が挙げられる。また、本発明の製造方法で製造される他の電子機器としては、たとえば、実装回路、アンテナ付きＩＣタグが挙げられる。この製造方法で製造された表示装置は、本発明の表示装置の１つである。
【００３６】
＜表示装置＞
本発明の表示装置は、基板と、基板上に実装された複数のトランジスタチップと、トランジスタチップを制御するための第１および第２の配線とを含む。トランジスタチップはその一主面のみに形成された電極端子を含む。第１の配線は、基板とトランジスタチップとの間に配置されている。第２の配線は、トランジスタチップに対して基板とは反対側に配置されている。複数のトランジスタチップのそれぞれは、第１の配線および第２の配線のいずれか一方と、電極端子を介して電気的に接続されている。この表示装置は、本発明の製造方法で製造できる。
【００３７】
本発明の表示装置としては、たとえば、液晶ディスプレイや、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、電気泳動現象を利用したディスプレイ、磁性粉末を利用したディスプレイ等が挙げられる。
【００３８】
＜実装方法の一例＞
本発明の実装方法の一例を図１に模式的に示す。まず、図１（ａ）に示すように、一主面１０ｓに第１の領域１１および第２の領域１２が存在する基板１０を用意する。領域１２は、領域１１に囲まれている。領域１１は、領域１２よりも分散媒２１のぬれ性が低い領域である。領域１２は長方形の形状をしており、その長方形の２つの長辺の部分には、電極１３が形成されている。
【００３９】
次に、図１（ｂ）に示すように、分散媒２１と、１個だけの素子チップ２２とを含む所定の体積の液滴２０を、基板１０の第２の領域１２に配置する。素子チップ２２は、直方体の形状をしており、そのうちの最も面積が大きい２つの主面（Ｐ３）の形状は、領域１２の形状とほぼ同じである。素子チップの２つの主面（Ｐ３）のうち、１つの主面の２つの長辺部分には、電極端子（図示せず）が形成されている。
【００４０】
領域１１は分散媒２１のぬれ性が低い領域であり、領域１２は分散媒２１のぬれ性が高い領域である。そのため、領域１２に配置された液滴２０と基板１０との接触面の形状は、領域１２の形状と同じとなる。
【００４１】
次に、液滴２０から分散媒２１を除去する。分散媒２１が除去されると、図１（ｃ）に示すように、素子チップ２２は、第２の領域１２に正確に配置される。このとき、素子チップ２２の１つの主面（Ｐ３）が、基板１０に対向するように配置される。基板１０に対向している主面（Ｐ３）に電極端子が形成されている場合、この電極端子は、基板１０上の電極１３と接続される。一方、電極端子が、基板から遠い方の主面（Ｐ３）に形成されている場合、基板１０上の電極１３と、素子チップ２２の電極端子とは接続されない。この場合、基板から遠い方の主面（Ｐ３）の上を通る電極を形成し、その電極と電極端子とを接続する。
【００４２】
このようにして、素子チップ２２が基板１０上に実装される。なお、素子チップ２２を１個のみ含む液滴２０の作製方法、および、液滴２０を基板１０の領域１２に正確に配置する方法は、後述する。
【００４３】
分散媒２１の蒸発によって素子チップ２２が基板１０の所定の位置に正確に配置される原理を、図２および図３を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、図１（ｂ）の線II−IIを通り基板に垂直な断面を模式的に示す図である。
【００４４】
液滴２０を基板１０上に配置すると、図２（ａ）に示すように、液滴２０は基板１０の領域１２内にとどまり、領域１１には広がらない。液滴２０の分散媒２１が蒸発すると、液滴２０は領域１２内にとどまりながら小さくなる。その結果、図２（ｂ）に示すように、素子チップ２２が分散媒２１からはみ出す場合がある。分散媒２１からはみ出した素子チップ２２には、図２（ｂ）に示すように表面張力Ｆ２１が作用する。この表面張力Ｆ２１の総和の力Ｆ２２は、素子チップ２２を分散媒２１の内部に引き戻そうとする力となる。このようにして、素子チップ２２が分散媒２１の内部に引き戻されながら、分散媒２１が減少していく。その結果、図２（ｃ）および（ｄ）に示すように、素子チップ２２は領域１２に配置される。
【００４５】
図３（ａ）〜（ｃ）は、図２の工程を基板１０の上方から見た平面図である。図３において、分散媒２１が存在する箇所が領域１２である。素子チップ２２が分散媒２１からはみ出ても、はみ出た素子チップ２２を分散媒２１の内部に引き戻すような表面張力Ｆ２１が素子チップ２２に作用するため、素子チップ２２は分散媒２１内にとどまり、分散媒２１の減少に伴って、素子チップ２２は領域１２に正確に配置される。
【００４６】
図２および図３のように素子チップ２２を配置するためには、素子チップ２２が分散媒２１からはみ出した場合に、これを分散媒２１の内部に引き戻す方向に表面張力が働かなくてはならない。図４（ａ）および（ｂ）は、素子チップ２２の一部が分散媒２１からはみ出た場合に、素子チップ２２に作用する表面張力を示す図である。素子チップ２２に作用する表面張力の方向は、素子チップ２２の表面に対する分散媒２１の接触角θに影響される。
【００４７】
図４（ａ）は、素子チップ２２の表面に対する分散媒２１の接触角が９０°未満の場合を示している。この場合、分散媒２１からはみ出した素子チップ２２には、分散媒２１の内部に引き戻そうとする表面張力Ｆ２１が作用する。一方、図４（ｂ）は、素子チップ２２の表面に対する分散媒２１の接触角が９０°より大きい場合を示している。この場合、分散媒２１からはみ出した素子チップ２２には、分散媒２１の外部に押し出そうとする表面張力Ｆ２１が作用する。従って、素子チップ２２の表面に対する分散媒２１の静的接触角は、９０°未満であることが好ましく、８０°以下であることがより好ましい。
【００４８】
素子チップ２２の表面に対する分散媒２１の静的接触角が小さいほど、また、分散媒２１の表面張力が大きいほど、素子チップ２２を分散媒２１の内部に引き戻す力が大きくなる。本発明者らは、分散媒の表面張力が２０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、素子チップ２２の表面エネルギーが４０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であるときに、素子チップ２２が効率よく領域１２に配置されることを見出した。
【００４９】
このように、基板上の所定の位置に素子チップ２２を正確に配置するためには、分散媒２１の種類と素子チップ２２の表面エネルギーを適切に選択することが重要である。
【００５０】
分散媒２１としては、水、有機溶媒、または、水と有機溶媒との混合液が挙げられる。これらの分散媒には電解質が溶解されていてもよい。有機溶媒としては、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ペプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、エチレングリコール、グリセリンなどのアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルなどのエーテル、メチルエチルケトンなどのケトン類、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカンなどのアルカン、テトラヒドロフラン、クロロホルムなどを用いることができる。水と有機溶媒との混合液としては、水とアルコールの混合液や、水とテトラヒドロフランとの混合液などが挙げられる。
【００５１】
素子チップ２２の表面エネルギーが４０ｄｙｎｅ／ｃｍ未満である場合、素子チップ２２の表面を処理してその表面エネルギーを増大させることが好ましい。素子チップ２２の表面にシリコンが存在する場合、オゾン雰囲気中で紫外線を照射することによってその表面エネルギーを増大させることが可能である。この方法は、白金、金、銅、ニッケルなどの電極材料に対しても有効である。
【００５２】
また、素子チップ２２の表面に親液性の薄膜（たとえば親水膜）を形成することによっても、素子チップ２２の表面エネルギーを増大させることが可能である。例えば、酸化珪素、酸化窒素、酸化チタンなどの薄膜を、真空スパッタリング法や熱ＣＶＤ法によって素子チップ２２の表面に形成してもよい。それらの薄膜を形成した後、オゾン雰囲気で紫外線を照射させることも有効である。また、末端にアミノ基、カルボキシル基または水酸基を持つシランカップリング剤で素子チップ２２の表面を修飾することによっても、その表面エネルギーを増大させることが可能である。金属のみを表面処理する場合は、末端にアミノ基、カルボキシル基または水酸基を有するチオールで表面を修飾してもよい。
【００５３】
本発明者らが実験した結果、素子チップ２２を構成する辺のうち最長の辺の長さが１ｍｍ以下であれば、表面張力によって効率よく領域１２に配置されることを見出した。また、素子チップ２２の形成や取り扱いを考慮すると、最長の辺の長さは１００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００５４】
本発明の実装方法では、素子チップを１個だけ含む液滴（Ａ）を所定の位置に配置するため、素子チップを確実に所定の位置に実装できる。そのため、従来の方法とは異なり、過剰な数の素子チップを用意する必要がない。また、本発明の実装方法では、異なる形状や異なる種類の素子チップを実装することが可能である。
【００５５】
＜素子チップの作製方法＞
素子チップの作製方法に限定はなく、公知の方法を適用してもよい。以下に、素子チップの作製方法の一例を、図５および図６を参照しながら説明する。図５（ａ）および（ｃ）は上面図であり、図５（ｂ）および（ｄ）は断面図である。
【００５６】
まず、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、表面に層５２が存在する基板５１上に、複数の電子素子５３を形成する。層５２は、選択的に除去可能な層である。次に、図５（ｃ）および（ｄ）に示すように、層５２を除去することによって、１つの電子素子を含む素子チップ２２を複数個形成する。形成された素子チップ２２は、必要に応じて分散媒に分散される。これによって、複数の素子チップ２２を含む分散液が得られる。
【００５７】
電子素子がＭＯＳ型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である場合の例を図６の断面図に示す。図６は、ウェハの一部のみを示している。まず、表面近傍の一定の深さの領域に酸化膜６１が形成された単結晶シリコンの基板６０を用意する。そして、基板６０の表面に存在するｎ型シリコン６２の表面に、複数のＦＥＴ６３を形成する（図６（ａ））。具体的には、ホウ素がドーピングされたｐ型領域６４と、熱酸化膜６５と、ソース電極６６と、ドレイン電極６７と、ゲート電極６８とを形成する。
【００５８】
次に、ＦＥＴ６３同士を分断する溝６０ｈを形成する。溝６０ｈは、酸化膜６１に到達するように形成される（図６（ｂ））。溝６０ｈは、たとえば、フォトリソ・エッチング工程によって形成できる。
【００５９】
最後に、図６（ｃ）に示すように、酸化膜６１をたとえばフッ酸によって選択的にエッチングすることによって、ＦＥＴ６３ごとに分離する。このようにして、素子チップ６９が得られる。
【００６０】
単結晶シリコントランジスタなどの素子チップの形成方法に限定はなく、他の方法で形成してもよい。たとえば、単結晶シリコンウェハにトランジスタを形成したのち、ウェハ裏面側を削ってウェハを薄くし、その後、ダイサーでウェハを切断してもよい。ウェハの裏面側は、研磨および／またはエッチングによって削ることができる。
【００６１】
＜第１および第２の領域の第１の例＞
以下に、分散媒２１のぬれ性が低い第１の領域１１と、分散媒２１のぬれ性が高い第２の領域１２の一例について説明する。それらの領域の機能を図７に示す。図７（ａ）に示すように、第２の領域１２は第１の領域１１に囲まれている。この第２の領域１２に液滴２０を配置すると、液滴２０は第２の領域１２からはみ出さないので、図７（ｂ）に示すように、液滴２０は第２の領域１２の部分のみに配置される。従って、液滴２０と基板との接触面は、通常、第２の領域１２の平面形状と一致する。
【００６２】
第１の領域１１は、たとえば、分散媒２１のぬれ性が低い有機膜を基板上に形成することによって形成できる。そのような有機膜としては、たとえば、フルオロアルキル鎖を有する高分子の膜、フルオロアルキル鎖を有するシランカップリング剤やチオール分子によって形成される膜、ゾル−ゲル法で形成されフルオロアルキル鎖を含む有機・無機ハイブリッド膜などを用いることができる。これらの膜は、表面エネルギーが１０〜２５ｄｙｎｅ／ｃｍであり、分散媒２１をはじく性質を有する。
【００６３】
フルオロアルキル鎖を有する高分子膜としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリジフルオロエチレン、およびそれらの誘導体が挙げられる。シランカップリング剤で撥液膜（たとえば撥水膜）を形成する場合、フルオロアルキル鎖を有するシランカップリング剤が数ｖｏｌ％の濃度で溶解したクロロホルム、アルカン、アルコール、または、シリコーンオイルに基板を一定時間浸漬すればよい。この場合、浸漬後に基板を溶媒で洗浄することによって、単分子膜を形成することが可能である。これらの撥液膜を形成できる基板としては、表面に活性水素が存在する基板が好ましく、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、ステンレス、銅、ニッケル、表面を活性化した樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤によって形成された撥液性の単分子膜の一例の構造を、図８（ａ）に模式的に示す。図８（ａ）の単分子膜８１は、基板８２と、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）を介して結合している。
【００６４】
チオール分子を用いて撥液性薄膜を形成する場合、フルオロアルキル鎖を有するチオール分子が数ｖｏｌ％の濃度で溶解したエタノールやプロパノール溶液に基板を一定時間浸漬し、その後、アルコールで基板を洗えばよい。これによって、撥液性の単分子膜が形成される。これらの単分子膜を形成できる基板としては、金、銀、銅といった金属からなる基板が挙げられる。チオール分子を用いて形成された撥液性単分子膜の一例の構造を、図８（ｂ）に模式的に示す。図８（ｂ）の単分子膜８３は基板８４とＳＨ基を介して結合している。
【００６５】
また、ゾル−ゲル法で撥液性薄膜を形成する場合、たとえば、酸化シリコンの前駆体であるテトラエトキシシラン、フルオロアルキル鎖を有するアルコキシド、酸触媒、水が溶解したアルコール溶液をスピンコート法やディッピング法で基板に塗布し、１００℃以上で熱処理すればよい。この撥液性薄膜は、ほとんどの基板に形成することが可能である。
【００６６】
撥液性の第１の領域に囲まれた親液性の第２の領域は、親液性の基板、または、あらかじめ親液化処理しておいた基板を用意し、第１の領域となる部分に撥液性の膜を形成することによって作製できる。たとえば、まず、親液性にしたい部分をレジストなどの保護膜で覆う。次に、基板全体を撥液膜で覆った後、保護膜を除去して第２の領域の撥液膜をリフトオフすればよい。この方法は、シランカップリング剤やゾル−ゲル法を用いて形成する撥液膜の場合に適用できる。また、撥液膜のみが特異的に付着するような表面を第１の領域となるべき部分に形成して、この領域のみに撥液膜を形成してもよい。例えば、撥液性にしたい箇所だけにチオールと反応する金属パターンを形成しておき、その基板をチオールが溶解した有機溶媒に浸漬することによって、金属領域のみを撥液性とすることができる。
【００６７】
また、インクジェット法、スクリーンプリント法、凸版印刷法、凹版印刷法、マイクロコンタクトプリント法等で撥液性の膜を所定の領域に直接形成してもよい。
【００６８】
また、撥液性の第１の領域に取り囲まれた親液性の第２の領域は、無機材料を用いて形成してもよい。例えば、シリコン基板は、酸化シリコンに比べて撥液性が高い。従って、シリコン基板の表面に酸化シリコンのパターンを形成し、酸化シリコンの部分を第２の領域としてもよい。この構成では、酸化シリコンのパターンの部分のみに液滴２０を配置することが可能となる。酸化シリコンの表面エネルギーは１００ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、シリコンの表面エネルギーは３８ｄｙｎｅ／ｃｍ程度である。
【００６９】
このように、撥液性の第１の領域１１に囲まれた親液性の第２の領域１２を形成することによって、分散媒２１を第２の領域１２に正確に配置することができる。その結果、素子チップ２２を第２の領域１２に正確に配置することが可能となる。この方法によれば、基板に穴を開けることなく素子チップを正確に配置することが可能である。
【００７０】
＜第１および第２の領域の第２の例＞
以下、第１の領域と、第１の領域に囲まれ第１の領域よりも突出した第２の領域とが存在する基板について説明する。そのような基板の一例を図９（ａ）に示す。
【００７１】
図９（ａ）の基板９０の一主面には、周囲から突出した凸部９２ａが存在する。凸部９２ａの周囲の領域が第１の領域９１であり、凸部９２ａの上面が第２の領域９２である。
【００７２】
この第２の領域９２に液滴２０を配置すると、図９（ｂ）に示すように、第２の領域９２のみに液滴２０が配置される。従って、素子チップ２２を含む液滴２０を第２の領域９２に配置して分散媒２１が除去されると、素子チップ２２は第２の領域９２に正確に配置される。
【００７３】
この場合、第１の領域９１の表面エネルギー、凸部９２ａの側面の表面エネルギー、および第２の領域９２の表面エネルギーが同じであっても、液滴２０は第２の領域９２から広がりにくい。従って、この場合には、親液性膜や撥液性膜を形成しなくても、素子チップ２２を所定の位置に配置することが可能となる。
【００７４】
凸部９２ａの高さは、好ましくは０．５〜１０μｍの範囲であり、たとえば１〜２μｍの範囲である。
【００７５】
凸部９２ａは、公知の方法で形成できる。たとえば、まず、凸部９２ａとなる薄膜を形成する。薄膜には、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、金属膜、樹脂膜を用いることができる。次に、凸部９２ａとなる部分をレジスト膜で覆い、レジスト膜が形成されていない部分の薄膜をエッチングし、最後にレジスト膜を除去する。このようにして、凸部９２ａを形成できる。
【００７６】
また、例えば、ガラス基板を用意し、第２の領域となるべき部分のみに酸化シリコン膜を形成してもよい。酸化シリコン膜が形成された部分が第２の領域となり、それ以外の部分が第１の領域となる。酸化シリコン膜の厚さに限定はなく、たとえば０．５μｍとしてもよい。所定の形状の酸化シリコン膜は、たとえば、真空電子線蒸着法で基板全体に酸化シリコン膜を形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて、不要な酸化シリコン膜を除去することによって形成できる。
【００７７】
＜液滴（Ａ）の形成方法＞
以下、液滴（Ａ）の形成方法について、３つの方法を例に挙げて説明する。
【００７８】
第１の方法は、分散媒の液滴に１個の素子チップを取り込む方法である。この方法を図１０に示す。まず、図１０（ａ）に示すように、先端部分の内径が素子チップの寸法と同程度のキャピラリ（中空管）１０１に分散媒２１を満たす。内径が１００μｍ以上のキャピラリには、市販されているガラス管を用いることができる。また、内径が数μｍ〜数十μｍのキャピラリは、内径が１００μｍ程度のキャピラリの一部をバーナーで加熱して引き伸ばすことによって形成できる。
【００７９】
次に、図１０（ｂ）に示すように、分散媒２１に圧力を加えることによって、キャピラリ１０１の先端に、分散媒２１の液滴１０２を形成する。
【００８０】
一方、図１０（ｃ）に示すように、複数の素子チップ２２を基板１０３上に配置する。素子チップ２２は、基板１０３上に無秩序に配置されてもよい。基板１０３の表面１０３ｓは、分散媒２１のぬれ性が低い面（撥液性の表面）である。素子チップ２２は、たとえば、複数の素子チップ２２が分散された液体を基板１０３上に滴下したのち、分散媒を除去することによって基板１０３上に配置できる。基板１０３としては、前述した撥液膜で覆われた基板や、シリコン基板などを用いることができる。
【００８１】
次に、キャピラリ１０１の先端に形成された液滴１０２を、基板１０３上の１つの素子チップ２２に接触させる。このとき、基板１０３の表面は撥液性であるため、液滴１０２が基板１０３の表面に吸い付けられてキャピラリ１０１の先端からはずれることはない。液滴１０２が素子チップ２２に接触すると、図１０（ｄ）に示すように、素子チップ２２は液滴１０２内に取り込まれ、分散媒２１と素子チップ２２とを含む液滴２０が形成される。
【００８２】
次に、図１０（ｅ）に示すように、基板１０のうち素子チップ２２を実装すべき位置（第２の領域１２）に液滴２０を持っていく。第２の領域１２は、キャピラリ１０１の内壁に比べて、分散媒２１のぬれ性が高いことが好ましい。そのような場合、液滴２０が第２の領域１２に接触した瞬間に、液滴２０はキャピラリ１０１の先端から基板側に移動する（図１０（ｆ））。その後、分散媒２１が揮発すると、図１０（ｇ）で示すように素子チップが所定の位置に配置される。
【００８３】
素子チップ２２を基板上に配置するための他の方法を図１１〜図１３に示す。この方法で用いられる液滴吐出装置の一例の構成を図１１に模式的に示す。図１１（ａ）は、吐出装置１１０を一方から見た斜視図である。図１１（ｂ）は、吐出装置１１０の分解斜視図である。図１１（ｃ）は、吐出装置１１０を図１１（ａ）とは反対側から見た斜視図である。
【００８４】
吐出装置１１０は、溝１１１および貫通孔１１２が形成された基体１１３を含む。溝１１１は、吐出口となる吐出溝１１１ａと、テーパー部溝１１１ｂと、後方溝１１１ｃとを含む。吐出溝１１１ａの一部には、撥液膜１１４が形成されている。撥液膜１１４の部分を除く溝１１１の内面、および後述する凹部１１８の表面は親液性である。また、溝１１１および凹部１１８以外の基体１１３の表面は撥液性である。
【００８５】
基体１１３は、シリコン基板や樹脂基板などを加工することによって形成できる。シリコン基板の場合は、フォトリソグラフィーおよびエッチング（ウエットエッチングやドライエッチング）によって基体１１３を形成できる。また、樹脂基板の場合は、レーザ加工などによって基体１１３を形成できる。
【００８６】
ここで、素子チップ２２の形状が、３方向の辺の長さが互いに異なる直方体状であるとし、素子チップ２２のサイズを、長さ、幅、厚さで規定する（長さ＞幅＞厚さ）。溝１１１の深さ１１１ｈを素子チップ２２の厚さ程度とし、吐出溝１１１ａの幅１１１ａＤを素子チップ２２の幅程度とし、吐出溝１１１ａの長さ１１１ａＬを素子チップ２２の長さ程度とする。このように設定することによって、吐出溝１１１ａに２個以上の素子チップ２２が同時に入らないようにできる。後方溝１１１ｃの幅１１１ｃＤは、たとえば、素子チップ２２の長さの１０倍以上としてもよい。
【００８７】
後方溝１１１ｃには、貫通孔１１２が形成されている。この貫通孔１１２の長さおよび幅は、それぞれ、素子チップ２２の長さおよび厚さとほぼ等しく、１つの素子チップ２２が通過できる大きさである。
【００８８】
図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、吐出溝１１１ａには、第１の電極１１５が形成されている。また、吐出溝１１１ａには、第２の電極１１６、絶縁膜１１７および撥液膜１１４が順に積層されている。第１の電極１１５は、吐出溝１１１ａの側面に形成され、第２の電極１１６とは電気的に断絶されている。
【００８９】
図１１（ｃ）は、基体１１３を裏面側から見た模式図である。基体１１３の裏面には、貫通孔１１２に通じる凹部１１８が形成されている。凹部１１８は、テーパー形状となっている。板状の素子チップ２２を配置する場合、凹部１１８のサイズは、例えば、素子チップ２２の面積（長さ×幅）の、１０〜１００倍程度の大きさにしておけばよい。
【００９０】
吐出装置１１０を用いて基板上に素子チップ２２を配置するためには、溝１１１が形成されている側が基板に向くように吐出装置１１０を配置し、複数の素子チップ２２が分散された分散液を凹部１１８から入れる。ここで、吐出溝１１１ａが後方溝１１１ｃよりも下側になるように配置する。吐出装置１１０を用いる方法では、分散液の分散媒には、導電性を有する分散媒が用いられる。
【００９１】
分散液が入れられた吐出装置１１０を基板側から見た斜視図を、図１２（ａ）に模式的に示す。図１２では溝１１１が上を向いているが、実際には、図１３に示すように溝１１１側が下を向く。
複数の素子チップ２２と、導電性を有する分散媒１２１とを含む分散液１２０は、貫通孔１１２を通って溝１１１に入り込む。溝１１１の表面積が小さい場合、分散液１２０を溝１１１に引きつける表面張力が、分散液１２０に働く重力よりも大きくなるので、分散液１２０は溝１１１から下にこぼれ落ちることはない。分散液１２０中の素子チップ２２は、後方溝１１１ｃから、テーパー部溝１１１ｂを通って吐出溝１１１ａに収まる。
【００９２】
次に、吐出装置１１０から、素子チップ２２が１つだけ含まれる液滴を吐出する方法を説明する。まず、第１の電極１１５と第２の電極１１６との間に電圧を印加しておく。この状態では、エレクトロウェッティング現象によって、導電性を有する分散媒１２１と撥液膜１１４との界面に電荷が蓄積されて界面張力が増大し、吐出溝１１１ａの撥液膜１１４は、分散媒１２１に濡れやすくなる。すなわち、電圧を印加することによって、撥液膜１１４が親液性となり、吐出溝１１１ａに分散媒１２１と１個の素子チップ２２とが収まる。図１２（ａ）はこの状態を示している。
【００９３】
次に、印加していた電圧を０Ｖにすると、撥液膜１１４は分散媒１２１を弾くため、撥液膜１１４上にあった分散媒１２１が熱力学的に不安定になり、テーパー部溝１１１ｂに存在する分散媒１２１から分離し、吐出装置１１０の外部に吐出される（図１２（ｂ）および（ｃ））。このようにして、素子チップ２２を１個だけ含む液滴２０が形成される。その後、第１の電極１１５と第２の電極１１６との間に再び電圧を印加すると、エレクトウェッティング現象によって撥液膜１１４が親液性に変化し、素子チップ２２および分散媒１２１が再び吐出溝１１１ａに充填される（図１２（ｄ））。
【００９４】
吐出装置１１０を用いて基板１０上に素子チップ２２を配置する様子を、図１３に模式的に示す。上述したように、基板１０の表面には、素子チップ２２が配置される第２の領域（図１３では図示せず）が存在する。吐出装置１１０は、Ｘ、Ｙ、Ｚ位置制御装置（図示せず）を用いて移動される。
【００９５】
第１の電極１１５と第２の電極１１６との間に電圧を印加した状態で、吐出装置１１０を基板１０の所定の位置に近づける。そして、吐出溝１１１ａに存在する分散媒１２１を基板１０の所定の位置に接触させ、第１の電極１１５と第２の電極１１６との間に印加していた電圧を０Ｖにする。すると、吐出溝１１１ａに存在する分散媒１２１が基板１０の親液性の領域（第２の領域１２）に移動し、それに伴って１つの素子チップ２２も移動する。このようにして、基板１０の第２の領域１２に液滴２０が配置される。その後、液滴２０中の分散媒１２１が揮発すると、素子チップ２２が所定の位置に配置される。
【００９６】
エレクトロウェティング現象を利用する場合、エレクトロウェティング現象を効率よく生じさせるために、導電性を有する分散媒１２１が用いられる。導電性を有する分散媒１２１としては、無機塩が溶解した水溶液、有機塩が溶解した有機溶液、またはこれらの混合液が挙げられる。特に、分散媒が蒸発したときに塩が残存しない液体が好ましく、例えば、アンモニア水や過酸化水素水などが利用できる。
【００９７】
吐出溝１１１ａから出る液体の量は、吐出装置１１０ではエレクトロウェッティング現象を用いて制御されているが、機械的に制御することも可能である。例えば、液体の流れを止めるシャッターを吐出溝とテーパー部溝との境目に備える装置を用いてもよい。圧電材料でシャッターを形成した場合、電圧の制御によってシャッターを開いたり閉じたりすることができる。吐出溝に液体が存在する状態でシャッターを閉じ、吐出溝の液体を親液性の基板に接触させると、毛管現象で吐出溝の部分に存在している液体のみが基板に移動する。その後、吐出溝を基板から離した状態でシャッターを開くと、再び吐出溝に液体が充填される。この動作を繰り返すことによって、基板の任意の位置に、所定の液体を配置することが可能となる。
【実施例】
【００９８】
以下、実施可能な本発明の実施例について説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００９９】
（実施例１）
本実施例では、液晶ディスプレイの一例について説明する。図１４に、液晶ディスプレイ１４０の構成の一部を模式的に示す。
【０１００】
液晶ディスプレイ１４０は、ガラス基板１４１と、Ｘドライバ１４２と、Ｙドライバ１４３と、Ｘ走査電極１４４と、Ｙ走査電極１４５と、トランジスタチップ１４６と、画素部１４７とを含む。トランジスタチップ１４６は、単結晶シリコンに形成されたトランジスタである。
【０１０１】
画素部１４７は、その近傍に配置されたトランジスタチップ１４６によって制御される。トランジスタのソース電極またはドレイン電極には、画素部１４７を駆動させる電圧が印加され、Ｘ走査電極１４４を介してＸドライバ１４２から印加される。ゲート電極には、画像信号電圧が、Ｙ走査電極１４５を介してＹドライバ１４３から印加される。画像信号の電圧が印加されたトランジスタから、画素の下部にある画素電極（図示せず）に電圧が印加される。一方、図では示していないが、画素電極上には透明電極が液晶層や配向膜を介して配置されている。従って、画素電極に電圧が加わると液晶層に電圧が加わって光の透過率が変化する。
【０１０２】
（液晶ディスプレイの製造方法）
以下に、液晶ディスプレイ１４０の製造方法の一例について説明する。図１５は液晶ディスプレイ１４０の断面模式図であり、２個の画素の近傍のみを示している。なお、基板上へのトランジスタチップの配置を除く工程については、一般的な方法で行うことができる。
【０１０３】
まず、５０ｃｍ角で厚さ１ｍｍのガラス基板１４１上に、Ｘ走査電極１４４、Ｙ走査電極１４５、および画素電極１５１を、フォトリソグラフィー法を用いて形成する。電極材料には銅を用い、電極の厚さは５０ｎｍである。Ｘ走査電極１４４およびＹ走査電極１４５の線幅は２μｍである。画素電極１５１のサイズは、１００μｍ×１００μｍである。
【０１０４】
Ｘ走査電極１４４およびＹ走査電極１４５は、図１４に示すように格子状に配置する。Ｘ走査電極１４４とＹ走査電極１４５とが交差する箇所には絶縁膜（図示せず）が形成される。この絶縁膜によって、両電極が互いに絶縁される。絶縁膜には窒化シリコンや酸化シリコンを用いることができる。次に、トランジスタチップ１４６を配置する。このトランジスタチップ１４６は図６（ｃ）に示す構造を有する。なお、この明細書ではソース電極とドレイン電極とを区別して説明しているが、両電極のうち、どちらがソース電極になってもよく、一方がソース電極なら他方はドレイン電極として働く。
【０１０５】
トランジスタチップ１４６の電極の配置を図１６（ｆ）に模式的に示す。トランジスタチップ１４６の形状は板状であり、大きさは２０μｍ×５μｍであり、厚さは１μｍである。このトランジスタのチャンネル長は２μｍであり、チャンネル幅は１０μｍである。トランジスタの一方の面には、ソース電極１４６ｓ、ドレイン電極１４６ｄ、およびゲート電極１４６ｇが形成されている。
【０１０６】
図１５に示すように、トランジスタのゲート電極がＸ走査電極に対応し、ソース電極およびドレイン電極がＹ走査電極および画素電極に対応するように、電極を形成する。
【０１０７】
本発明の実装方法でトランジスタチップ１４６を実装すると、電極端子が形成されている面がガラス基板１４１側に向く場合と、逆の方向に向く場合とが存在する。たとえば、図１５では、左側のトランジスタチップ１４６は、電極端子が形成されている面がガラス基板１４１側に向いており、右側のトランジスタチップ１４６は逆の方向を向いている。したがって、トランジスタチップ１４６を基板上に配置した時点では、右側のトランジスタチップ１４６には配線が接続されていない。このようなトランジスタチップ１４６への配線は、トランジスタチップ１４６を配置したのちに行われる。
【０１０８】
トランジスタチップ１４６の配置後、基板の全面を覆うように平滑層１５２を形成する。次に、トランジスタチップ１４６の電極へ配線を行うために、平滑層１５２にスルーホールを形成する。トランジスタチップ１４６の厚さは１μｍであるので、トランジスタチップ１４６に配線を行うためには平滑層１５２が必要となる。また、平滑層１５２は、トランジスタを基板に固定する役割を担う。平滑層１５２の材料としては、熱硬化性の高分子材料や紫外線硬化性の高分子材料、金属アルコキシドを用いて形成されたゾル−ゲル膜などを適用できる。特に、フォトリソグラフィーで加工可能な高分子材料が好ましく、光硬化性ポリイミドなどが好ましい。平滑層１５２を形成する前は、トランジスタチップ１４６と基板との密着性が弱いので、平滑層１５２は例えばスプレーコートによって形成することが望ましい。
【０１０９】
次に、平滑層１５２上に、Ｘ走査電極１４４、Ｙ走査電極１４５、および画素電極１５１を形成する。平滑層１５２上のこれらの電極のパターンは、ガラス基板１４１上に形成する銅の電極のパターンと同じであり、両者はガラス端部で電気的に接続されている。
【０１１０】
平滑層１５２上の電極は、電極端子が上を向いているトランジスタチップのソース電極、ドレイン電極およびゲート電極とスルーホールを介して接続される。このように、本実施例の製造方法では、トランジスタチップ１４６の電極端子が形成されている面がガラス基板１４１に対してどちら向きに配置されても、トランジスタチップ１４６は配線に接続される。
【０１１１】
次に、配向膜１５３を形成する。一方、ガラス基板１５４上に、偏光板１５５、透明電極１５６、カラーフィルター１５７、および配向膜１５８を形成する。次に、ガラス基板１４１とガラス基板１５４とを、スペーサを挟んで貼り合わせる。その後、ガラス基板１４１とガラス基板１５４との間の隙間に液晶１５９を注入し、シール材１６０でシールする。このようにして、液晶ディスプレイが得られる。
【０１１２】
（トランジスタチップの第１の実装方法）
以下に、ガラス基板１４１上にトランジスタチップを配置する方法の一例を図１６（ａ）〜（ｅ）に模式的に示す。
【０１１３】
まず、図１６（ａ）に示すように、ガラス基板１４１上に、フォトリソグラフィー法を用いて、Ｘ走査電極１４４、Ｙ走査電極１４５および画素電極１５１を形成する。これらの電極は、ガラス基板１４１上に配置されるトランジスタチップ１４６の表面のソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と接続可能な形状に形成される。
【０１１４】
次に、トランジスタチップ１４６が配置される親液性の領域１６２と、その領域１６２を取り囲む撥液性の領域１６１とを形成する。領域１６１および１６２は、以下の方法で形成できる。
【０１１５】
まず、電極が形成されたガラス基板１４１全体に、オゾン雰囲気中で紫外線を照射して、ガラス基板１４１の表面と電極の表面とを親液性にする。この処理によって、ガラス表面の表面エネルギーを１００ｄｙｎｅ／ｃｍ以上にできる。次に、撥液性にする領域以外の部分をポジ型レジスト膜で覆う。次に、乾燥雰囲気中で、ＣＦ3（ＣＦ2）7Ｃ2Ｈ4ＳｉＣｌ3が１ｖｏｌ％溶解しているパーフルオロオクタン溶液にガラス基板を２０分間浸漬する。そのガラス基板を、純粋なパーフルオロオクタンに５分間浸漬した後、溶媒を除去する。次に、ポジ型レジスト膜を除去する。この工程によって、レジスト膜で覆われていない領域が撥液性の領域１６１となる。撥液性の領域１６１の表面エネルギーは、たとえば１９ｄｙｎｅ／ｃｍである。
【０１１６】
撥液性の領域１６１および親液性の領域１６２の形状の一例を図１７に示す。領域１６２を取り囲むように領域１６１が形成されている。図１７では、基板上の電極の図示を省略しているが、基板上の電極のうち、トランジスタチップのソース電極およびドレイン電極に対応する電極は、領域１６１と領域１６２の両方にまたがって存在する。すなわち、それらの電極表面には、親液性の部分と撥液性の部分とが存在する。清浄な銅電極の表面は親液性であるが、その表面にシランカップリング剤を反応させて撥液性単分子膜を形成することによって撥液性とすることが可能である。そのため、銅電極表面のうち、所定の領域のみにシランカップリング剤を反応させることによって、撥液性領域と親液性領域の両方を有する銅電極を形成することが可能である。
【０１１７】
次に、図６に示す方法で作製した複数のトランジスタチップを純水に分散して分散液を調製する。次に、この分散液をテトラフルオロエチレンの基板にのせ、水分を蒸発させることによって、テトラフルオロエチレン基板にトランジスタチップを無秩序に配置する。次に、このテトラフルオロエチレン基板に、オゾン雰囲気中で紫外線を照射して、基板上のトランジスタチップの表面を親液性にする。親液性になったトランジスタチップの表面エネルギーは、たとえば７０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上である。
【０１１８】
次に、図１８（ａ）に示すように、ノズル先端の内径が３０μｍであり、ノズル末端の内径が５００μｍであり、両端間の長さが５ｍｍであるガラス製キャピラリ１８１を用意する。キャピラリ１８１のノズル末端には、ガス圧コントローラ１８２からガス導入チューブ１８３を介して一定の圧力の窒素ガスを送ることができる。
【０１１９】
図１８（ｂ）は、キャピラリ１８１の先端部の断面模式図である。キャピラリ１８１は、ガラス管１８１ａと、ガラス管１８１ａの外側表面に形成された銅薄膜１８１ｂおよび撥液性の単分子膜１８１ｃとを含む。単分子膜１８１ｃは、ＣＦ3（ＣＦ2）7Ｃ2Ｈ4ＳＨによって形成できる。
【０１２０】
次に、キャピラリ１８１に純水を満たした後、ガス圧コントローラ１８２によってキャピラリ１８１内に圧力を加え、キャピラリ１８１の先端に直径３０μｍの液滴１８４を形成する。純水の表面張力は７２ｄｙｎｅ／ｃｍである。キャピラリ１８１の先端周辺は撥液性の単分子膜１８１ｃで覆われているので、図１８（ｃ）に示すように、液滴１８４はキャピラリ１８１の先端部に液滴となってとどまる。
【０１２１】
次に、ＸＹＺの位置コントローラ（図示せず）を用いてキャピラリ１８１をトランジスタチップが配置されたテトラフルオロエチレン基板の近傍に近づけ、トランジスタチップに液滴１８４を接触させると、トランジスタチップが液中に引き込まれる。この液滴を図１６（ｂ）に示すガラス基板１４１の親液性の領域１６２に接触させると、トランジスタチップを含む液滴がそこに配置される。液滴は、トランジスタチップを配置すべき領域１６２のすべてに配置される。液滴の配置後、しばらく放置しておくと、液滴の水が揮発し、トランジスタチップは領域１６２の位置に正確に収まる。
【０１２２】
その後は、上述したように、平滑層１５２および電極を形成する（図１６（ｄ）および（ｅ））。このようにして、トランジスタチップが実装される。
【０１２３】
（トランジスタチップの第２の実装方法）
図１１〜図１３に示す吐出装置１１０を用いてトランジスタチップを実装する方法について、以下に説明する。
【０１２４】
吐出装置１１０のサイズの一例を図１９に示す。吐出装置１１０は、たとえば、シリコン基板を加工することによって形成できる。なお、１つのシリコンウェハに複数の吐出装置が形成されてもよい。この場合、シリコンウェハの両側に、溝および凹部が形成される。
【０１２５】
以下に、（１００）面を有し、両面に厚さ２μｍの熱酸化膜が形成された厚さ５００μｍのシリコンウェハを用いた吐出装置の作製方法の一例を述べる。
【０１２６】
まず、所定の形状の溝を形成するためのマスクを、シリコンウェハの表面に形成する。マスクには、所定のパターンの銅薄膜（厚さ１００ｎｍ）を用いる。なお、マスクは、吐出溝１１１ａの端がシリコンウェハの端面にくるようにする。
【０１２７】
次に、ドライエッチング法によって、銅薄膜が形成されていない部分の熱酸化膜とシリコンとをエッチングする。エッチング深さは６μｍとする。その後、１ｗｔ％の塩化第２鉄水溶液で銅薄膜を除去する。こうして、シリコンウェハの片面に溝１１１が形成される。
【０１２８】
次に、シリコンウェハの溝部が形成されていない側の面に凹部１１８を形成する。具体的には、まず、銅薄膜のマスクを形成する。つぎに、ドライエッチング法によって、銅薄膜が形成されていない部分の熱酸化膜のみを除去する。その後、１ｗｔ％の塩化第２鉄水溶液で銅薄膜を除去する。こうして、シリコンウェハの裏面側に、穴が空いた熱酸化膜のパターンが形成される。次に、次の工程における溝１１１の劣化を防ぐために、溝１１１の全体をエポキシ樹脂で覆う。その後、シリコンウェハを８０℃のＫＯＨ溶液に浸漬することによって、熱酸化膜が無い領域が異方性エッチングされ、テーパー形状の凹部１１８が形成される。エッチングは、凹部１１８が溝１１１とつながるまで行う。凹部１１８側の最表面の穴の形状を最適化することによって、貫通孔１１２の形状を２μｍ×２５μｍにすることができる。その後、溝１１１を覆うエポキシ樹脂を除去する。こうして、溝１１１、凹部１１８および貫通孔１１２が形成される。
【０１２９】
次に、フォトリソグラフィー法を用いて第１および第２の電極１１５および１１６を形成する。次に、第２の電極１１６上にのみ酸化シリコン膜（絶縁膜１１７）を形成する。次に、電子ビーム蒸着法によって、吐出溝１１１ａの端部が存在する面１１３ｅのみに銅薄膜を形成する。
【０１３０】
次に、乾燥雰囲気中において、ＣＦ3（ＣＦ2）7Ｃ2Ｈ4ＳｉＣｌ3が１ｖｏｌ％溶解しているパーフルオロオクタン溶液にシリコンウェハを１時間浸漬し、パーフルオロオクタンで洗浄する。ＣＦ3（ＣＦ2）7Ｃ2Ｈ4ＳｉＣｌ3は、水酸基やアミノ基など、活性な水素が存在する基板表面と反応して図８（ａ）に示すような撥液性の単分子膜を形成する。ここで、溝１１１の内壁部分はシリコンであり活性な水素がない。一方、熱酸化膜の表面と、酸化シリコン膜の表面と、第１の電極１１５の表面と、面１１３ｅに存在する銅薄膜の表面には活性水素が存在する。従って、上記処理によって、これらの表面は撥液性になる。その結果、溝１１１に液体を満たしても、液体が溝１１１からはみ出してこぼれ落ちることが無い。また、上述したように、図１９の吐出装置では、エレクトロウェッティング現象を用いて液滴を吐出できる。ここで、第１の電極１１５上にも撥液膜が形成されるが、膜厚が薄いので、液体と電気的に導通する。
【０１３１】
図１９の吐出装置を用いて、図１３で説明したようにトランジスタチップを基板上の所定の位置に配置できる。トランジスタチップを配置する際の、図１９の吐出装置の面１１３ｓと基板とがなす角度は、たとえば３０°である。トランジスタチップが分散される分散媒には、たとえば、０．５ｖｏｌ％の水酸化アンモニウム水溶液が用いられる。
【０１３２】
（実施例２）
以下に、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）の一例について説明する。有機ＥＬディスプレイ２００の構成を図２０に模式的に示す。
【０１３３】
ディスプレイ２００は、ポリカーボネートからなる基板２０１と、Ｘドライバ２０２と、Ｙドライバ２０３と、Ｘ走査電極２０４と、Ｙ走査電極２０５と、素子チップ２０６と、画素部２０７とを含む。素子チップ２０６は、結晶シリコンに形成されたトランジスタ回路を含む。画素部２０７は有機ＥＬ材料を含む。画素部２０７は、素子チップ２０６のトランジスタ回路によって制御される。
【０１３４】
画素部２０７を制御するトランジスタ回路の回路図を図２１（ａ）に示す。この回路は、スイッチ用トランジスタ２１１と、ドライバ用トランジスタ２１２と、コンデンサとを含む。画素部２０７は、スイッチ用トランジスタ２１１とドライバ用トランジスタ２１２の２個のトランジスによって制御される。スイッチ用トランジスタ２１１のソース電極には、Ｙドライバ２０３からＹ走査電極２０５を介して電圧が印加される。トランジスタ２１１のドレイン電極とトランジスタ２１２のゲート電極とは電気的に接続されている。ドライバ用トランジスタ２１２のドレイン電極は、画素部２０７の下に配置された画素電極（図２１では図示せず）に電気的に接続されている。また、ドライバ用トランジスタ２１２のソース電極には、画素を発光させるための電圧が印加されている。一方、スイッチ用トランジスタ２１１のゲート電極には、Ｘドライバ２０２からＸ走査電極２０４を介して画像信号（電圧）が印加される。
【０１３５】
スイッチ用トランジスタ２１１に画像信号の電圧が印加されると、トランジスタ２１１からドライバ用トランジスタ２１２のゲート電極に電圧が印加される。その結果、画素電極に電圧が加わる。図２１には示していないが、画素部２０７上には透明電極が配置されている。従って、画素電極に電圧が加わることによって、画素部２０７が発光する。
【０１３６】
素子チップ２０６の斜視図を、図２１（ｂ）に模式的に示す。素子チップ２０６は板状の単結晶シリコンに形成されている。素子チップ２０６のサイズは、長さ２０μｍ、幅５μｍ、厚さ１μｍである。素子チップ２０６の表面には、１つの電極端子２０６ｘと、２つの電極端子２０６ｙと、２つの電極端子２０６ｄとが形成されている。これらの電極端子は、電極端子が形成されている面に対して２回対称の配置になっている。素子チップがＥＬディスプレイ用基板に配置されたとき、電極端子２０６ｘはＸ走査電極に接続され、電極端子２０６ｙはＹ走査電極に接続され、電極端子２０６ｄはドライバ電極と接続され、ディスプレイが駆動される。
【０１３７】
（有機ＥＬディスプレイの製造方法）
以下に、有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例について説明する。本発明の有機ＥＬディスプレイ２００の断面図を図２２に示す。図２２は、２個の画素近傍のみを示している。なお、基板上への素子チップの配置を除く工程については、一般的な方法で行うことができる。
【０１３８】
まず、５０ｃｍ角で厚さ１ｍｍのポリカーボネート基板２０１上に、酸化シリコン膜２２１を形成する。次に、酸化シリコン膜２２１上に、Ｘ走査電極２０４、Ｙ走査電極２０５、画素電極２２２、および、ドライバ用トランジスタへ電圧を加えるためのドライバ電極（図示せず）を形成する。これらの電極は、フォトリソグラフィー法を用いて形成する。電極材料は銅であり、厚さは５０ｎｍである。Ｘ・Ｙ走査電極、およびドライバ電極の線幅は２μｍである。画素電極２２２のサイズは、１００μｍ×１００μｍである。Ｘ走査電極、Ｙ走査電極、およびドライバ電極が交差する箇所には、絶縁膜を形成して電極間を絶縁する。絶縁膜には窒化シリコンや酸化シリコンを用いることができる。
【０１３９】
次に、実施例１と同様の方法で、素子チップ２０６を配置する領域を親液性にし、それを取り囲む領域を撥液性にする。撥液性領域の表面エネルギーは２０ｄｙｎｅ／ｃｍ程度にでき、親液性領域の表面エネルギーは６０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上にできる。そして、表面を親液化処理した素子チップ２０６を、実施例１で説明したトランジスタチップの第１の実装方法と同様の方法で所定の位置に配置する。
【０１４０】
素子チップ２０６の表面エネルギーは、親液化処理によって５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上とすることが可能である。なお、実施例１と同様に、素子チップ２０６は、電極端子が形成されている面が基板２０１側を向く場合と、その逆を向く場合とがある。図２２の左側の素子チップ２０６は電極端子が基板２０１側を向いており、右側の素子チップ２０６はその逆を向いている。従って、図２２の左側の素子チップ２０６は、基板上の電極と接続される。一方、図２２の右側の素子チップ２０６は、後の工程で電極に接続される。なお、素子チップ２０６の電極端子は、それが形成されている面に対して２回対称となるように配置されているので、その面がどちらに配置されても基板上の電極パターンと電気的に接続することができる。
【０１４１】
素子チップ２０６の配置後、基板全面に平滑層２２３を形成する。次に、素子チップの電極端子に到達するスルーホールを平滑層２２３に形成する。平滑層２２３は、実施例１で述べた材料で形成できる。素子チップ２０６の厚さは１μｍなので、このような平滑層２２３が必要となる。また、平滑層２２３は、素子チップ２０６を基板に固定する役割を担う。
【０１４２】
次に、平滑層２２３上に、Ｘ走査電極２０４、Ｙ走査電極２０５、ドライバ電極（図示せず）、および画素電極２２２を形成する。これらの電極のパターンは、基板上に直接形成される電極のパターンと同じである。平滑層２２３上の電極と基板上の電極とは、基板端部（図示せず）で電気的に接続される。また、平滑層２２３上の電極は、スルーホールを介して、電極端子が基板２０１側とは反対側を向いている素子チップ２０６の電極端子と電気的に接続される。このように、本実施例では、素子チップ２０６の主面が基板２０１に対してどちら向きに配置されても電極と接続することが可能である。
【０１４３】
絶縁層２２４を形成した後、発光層となる有機ＥＬ膜２２５を、シャドーマスクを用いて形成する。次に、透明電極２２６および酸化シリコン膜２２７を形成する。このようにして有機ＥＬディスプレイを製造できる。
【０１４４】
なお、素子チップ２０６は、本発明の他の実装方法で実装してもよい。たとえば、実施例１で説明した、トランジスタチップの第２の実装方法と同様の方法で実装してもよい。また、素子チップ２０６の代わりに、スイッチ用トランジスタのチップと、ドライバ用トランジスタのチップとを別々に作製し、それらを別々に基板上の所定の位置に配置してもよい。この場合、電極の配置を変えることが必要になるが、上述した方法と同様の方法でトランジスタのチップを実装できる。
【０１４５】
以上、本発明の実施形態について例を挙げて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づき、他の実施形態に適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
本発明は、素子チップの実装方法に適用できる。また、本発明は、回路基板やそれを含む電子機器に適用でき、たとえば、回路基板およびそれを含む電子機器の製造方法、回路基板およびそれを含む電子機器のリペア方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】素子チップを実装するための本発明の方法の一例を模式的に示す図である。
【図２】図１の方法を説明する図である。
【図３】図１の方法を説明する他の図である。
【図４】図１の方法を説明する他の図である。
【図５】素子チップを形成する方法の一例を模式的に示す図である。
【図６】単結晶シリコンを用いたトランジスタチップの作製方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）液滴が配置される領域の一例と、（ｂ）その領域に配置された液滴の状態とを模式的に示す図である。
【図８】撥液性の有機薄膜の構造を模式的に示す図である。
【図９】（ａ）液滴が配置される領域の他の一例と、（ｂ）その領域に配置された液滴の状態とを模式的に示す図である。
【図１０】キャピラリを用いた素子チップの配置方法の一例を模式的に示す図である。
【図１１】素子チップを配置するための吐出装置の一例の構造を模式的に示す図である。
【図１２】図１１の吐出装置を用いて素子チップを含む液滴を形成する方法を模式的に示す図である。
【図１３】図１１の吐出装置を用いて素子チップを配置する様子を模式的に示す図である。
【図１４】本発明の液晶ディスプレイの一例の構成を示す模式的に示す平面図である。
【図１５】図１４の液晶ディスプレイを模式的に示す断面図である。
【図１６】基板にトランジスタチップを実装する方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図１７】撥液性の領域（第１の領域）に囲まれた親液性の領域（第２の領域）の一例を模式的に示す平面図である。
【図１８】素子チップの配置に用いられるキャピラリの一例を模式的に示す図である。
【図１９】素子チップの配置に用いられる吐出装置のサイズの一例を示す図である。
【図２０】本発明のエレクトロルミネッセンスディスプレイの一例の構成を模式的に示す平面図である。
【図２１】（ａ）図２０のディスプレイの画素近傍の回路、および（ｂ）素子チップの電極端子の配置を模式的に示す図である。
【図２２】図２１のディスプレイを模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１０、９０、１０３  基板
１０ｓ  一主面
１１、９１  第１の領域
１２、９２  第２の領域
２０  液滴（液滴（Ａ））
２１、１２１  分散媒
２２、６９、１４６、２０６  素子チップ
８１、８３  単分子膜
９２ａ  凸部
１０１  キャピラリ
１０２  液滴（液滴（Ｂ））
１０３ａ  表面（分散媒のぬれ性が低い面）
１１０  吐出装置
１１１  溝
１１１ａ  吐出溝
１１１ｂ  テーパー部溝
１１１ｃ  後方溝
１１２  貫通孔
１１３  基体
１１４  撥液膜
１１８  凹部
１４６  トランジスタチップ
１８１  キャピラリ
２００  有機ＥＬディスプレイ
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図２１】
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【図２２】
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【図１】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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