(57)【要約】【課題】高い光指向性および光利用効率を有するとともに、効率よく生産可能な薄型発光素子を提供する。【解決手段】回路基板上の金属層に形成された凹部と、該凹部に設置された発光ダイオードチップと、少なくとも凹部を充填し、発光ダイオードチップを被覆するように形成された光透過性樹脂材料からなる光抽出部とを含む発光素子。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上の金属層に形成された凹部と、該凹部に設置された発光ダイオードチップと、少なくとも凹部を充填し、発光ダイオードチップを被覆するように形成された光透過性樹脂材料からなる光抽出部とを含む発光素子。
【請求項２】
凹部がハーフエッチングにより形成されたものである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
凹部の水平断面積が回路基板に近い程小さい、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
凹部が反射率の高い物質で被覆されている、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
反射率の高い物質が、Ａｇ、ＡｌおよびＡｕからなる群より選択される金属である、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
光抽出部が、発光ダイオードチップより屈折率の低い樹脂材料またはシリコーン材料で形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
光抽出部のうち、凹部が位置する部分が、それ以外の部分に比べて厚く形成されている、請求項１〜６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
回路基板の上方に、凹部を取り囲むように形成され、少なくとも内側が反射率の高い物質からなる光ガイド部をさらに含む、請求項１〜７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
光ガイド部が樹脂材料からなる、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
光ガイド部が、所定の傾斜を有するように形成されている、請求項８または９に記載の発光素子。
【請求項１１】
光ガイド部が、光抽出部の上に形成されている、請求項８〜１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
光ガイド部が、回路基板から所定の距離に形成されている、請求項８〜１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
光抽出部上、光透過性材料からなるレンズ部をさらに含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
光透過性材料が、蛍光体および拡散剤から選択される１種または２種以上の添加剤を含む、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
レンズ部がフィルムからなる、請求項１３または１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
回路基板の金属層と、回路基板下部の電極および／または金属板とを連結する貫通路をさらに含む、請求項１〜１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
回路基板上の金属層に凹部を形成する第一の工程、該凹部に発光ダイオードチップを実装する第二の工程、少なくとも該凹部を充填し、発光ダイオードチップを被覆するように光透過性樹脂材料で光抽出部を形成する第三の工程、回路基板の上方に、凹部を取り囲むように光反射性樹脂材料を成形して光ガイド部を形成する第四の工程、および、光ガイド部で取り囲まれた空間に光透過性材料を成形してレンズ部を形成する第五の工程を含む、発光素子の製造方法。
【請求項１８】
回路基板上の金属層に凹部を形成する第一の工程、該凹部に発光ダイオードチップを実装する第二の工程、少なくとも該凹部を充填し、発光ダイオードチップを被覆するように光透過性樹脂材料で光抽出部を形成する第三の工程、抽出部上に光透過性材料を成形してレンズ部を形成する第四の工程、および、少なくともレンズ部の側方に、凹部を取り囲むように光反射性樹脂材料を成形して光ガイド部を形成する第五の工程を含む、発光素子の製造方法。
【請求項１９】
回路基板上に発光ダイオードチップを実装する工程と、該発光ダイオードチップの側方を取り囲み、かつ、取り囲まれた空間の水平断面積が回路基板に近い程小さくなるように光反射性樹脂材料を成形して光ガイド部を形成する工程と、前記取り囲まれた空間に、光透過性材料を成形することによりレンズ部を形成する工程を含む、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２０】
回路基板上の金属層に凹部を設けることにより反射構造を形成する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
回路基板上に、発光ダイオードチップの位置に対応した開口を有する別の回路基板を接合することによって反射構造を形成する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光利用効率の高い新規発光素子、特に狭指向性実装型（ＳＭＤ）発光ダイオード（ＬＥＤ）ランプ、およびその新規製造方法に関する。本発明の方法は、小型・薄型の形状特性を維持しながら、ＬＥＤランプの性能を向上させるとともに、歩留・生産性の向上やコストの低減といった製造上の利点をもたらすものである。
【背景技術】
【０００２】
狭指向性実装型ＬＥＤランプに関する従来技術の例を図１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂ、２ｃおよび２ｄに示す。図１ａおよび１ｂは、２枚のＰＣＢ層（１０および２０）を貼り合わせる技術（従来例１）であり、図２ａ、２ｂ、２ｃおよび２ｄは、基板上に透光性成形物３３および光反射性成形物３４を順次形成する技術（従来例２）である（いずれも特許文献１参照）。従来例１では、図１ａおよび１ｂに見られるように、回路基板１０に多数のチップ１１を集積実装した後で、各素子（チップ）の光利用率を上げるために反射板を設ける必要があり、また、反射板設置のために、別の回路基板（第２層基板）２０に貫通ホール２１を形成して、前記チップが実装された回路基板（第１層基板）１０に合わせて接着して形成しなければならなかった。一方、図２ａ、２ｂ、２ｃおよび２ｄに示した従来例２では、回路基板３０に、全体を覆う（図２ａ）、もしくは一定の大きさの島状の（図２ｂ）成形物（１次成形物、それぞれ３２もしくは３３）を形成した後で、ダイシングにより１次成形物を部分的に除去し、この構造に第２の反射材料を成形して反射板３４を設置しなければならなかった。
【０００３】
さらに、従来例１では、２枚の回路基板を合わせるため、回路基板のコストや発光ダイオードの歩留・生産性の低下が発生することになり、また、従来例２では、エポキシ樹脂の硬化の際、成形物の収縮率が回路基板の温度変化の際のそれとは異なり、通常０．５％〜１．５％程度であるため、回路基板に成形樹脂の収縮力が伝わって変形することになって、曲がりが激しくなる。この場合、回路基板の厚さや金属基板の厚さを目標とする値で一定に維持するには、回路基板の曲がりを甘受しなければならないが、その際、基板の中央と両側との曲がりによる高さの差が約０．５ｍｍ以上になると、ダイシングにより反射性材料を所定の形状に形成することが困難となり、発光ダイオードの歩留や生産性に悪影響を与える可能性もある。また、この場合、成形された樹脂内部に大きな収縮力が含まれることによる形成済樹脂の発光ダイオードからの剥離や、発光ダイオードの分離などの問題が起こる可能性がある。さらに、反射板を成形するためにダイシングによって反射構造を形成しなければならないが、その際、ダイシングの程度を大きくすると、反射板に利用される樹脂類と回路基板との接着力不足が生じ、作製された発光ダイオードからの剥離が起こる可能性がある。このため、通常は控えめにダイシングをしなければならないが、これにより、この隙間を通して光の反射が起こらず、光のリークが起こるという問題が発生する可能性がある。
【０００４】
また、従来例２では、発光ダイオードチップを回路基板平面上に実装することで、チップからの放出光は概ね薄型の光反射板で反射して指向性を有するはずであるが、ここで光の反射効率や光指向性、その他の光利用効率などからみると、回路基板に反射構造を設置するのに比べて全般的な性能の低下が発生する。また放出光が概ね薄型の光反射板で反射を繰り返しながら進むと、この反射板は硬化し放出光を吸収することになり、発光ダイオードの信頼性が低下する。
【０００５】
しかも、従来例２においてダイシング後に設置する光反射板は、光のリークを防止するために回路基板から設置しなければならず、したがって、１次成形物の光レンズ部と概ね同じ高さで製作しなければならないため、熱膨張係数などの物性が類似でない場合、リフロー工程の際に成形物の剥離の問題が起こり、レンズ部の剥離、ワイヤ断線、反射板の剥離など、多数の問題が生じる可能性がある。
なお、特許文献２は、発光ダイオードの一般的な製法、特許文献３は、ＬＥＤチップの下面からの光を有効に利用できる発光ダイオードにそれぞれ関するものである。
【特許文献１】特開２００２−３６８２８１号公報
【特許文献２】特開２００２−３６８２８６号公報
【特許文献３】特開２００５−５６９４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来の回路基板を２つ接合する技術で生じる公差管理による歩留・生産性の低下、ダイシングおよび第２次成形によって反射板を設置することによる剥離、光の利用効率の低下などの問題点の解決、特に、発光ダイオードの小型・スリム化において、従来の技術は剥離の問題を解決するために金属板にエポキシ系材料をコーティングしていたが、これによる光利用効率の損失、光反射板の反射効率低減、光反射板とレンズ部との分離および光の散乱、光反射板のスリム化などにおける種々の制限の解消を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従来技術における上記の問題点を解決するために、本発明は下記の特徴を有する。すなわち、本発明は、回路基板上の金属層に形成された凹部と、該凹部に設置された発光ダイオードチップと、少なくとも凹部を充填し、発光ダイオードチップを被覆するように形成された光透過性樹脂材料からなる光抽出部とを含む発光素子に関する。
本発明はまた、凹部がハーフエッチングにより形成されたものである、上記発光素子に関する。
本発明はさらに、凹部の水平断面積が回路基板に近い程小さい、上記発光素子に関する。
本発明はさらにまた、凹部が反射率の高い物質で被覆されている、上記発光素子に関する。
また、本発明は、反射率の高い物質が、Ａｇ、ＡｌおよびＡｕからなる群より選択される金属である、上記発光素子に関する。
さらに、本発明は、光抽出部が、発光ダイオードチップより屈折率の低い樹脂材料またはシリコーン材料で形成されている、上記発光素子に関する。
さらにまた、本発明は、光抽出部のうち、凹部が位置する部分が、それ以外の部分に比べて厚く形成されている、上記発光素子に関する。
【０００８】
本発明はまた、回路基板の上方に、凹部を取り囲むように形成され、少なくとも内側が反射率の高い物質からなる光ガイド部をさらに含む、上記発光素子に関する。
本発明はさらに、光ガイド部が樹脂材料からなる、上記発光素子に関する。
本発明はさらにまた、光ガイド部が、所定の傾斜を有するように形成されている、上記発光素子に関する。
また、本発明は、光ガイド部が、光抽出部の上に形成されている、上記発光素子に関する。
さらに、本発明は、光ガイド部が、回路基板から所定の距離に形成されている、上記発光素子に関する。
さらにまた、本発明は、光抽出部上、光透過性材料からなるレンズ部をさらに含む、上記発光素子に関する。
本発明はまた、光透過性材料が、蛍光体および拡散剤から選択される１種または２種以上の添加剤を含む、上記発光素子に関する。
本発明はさらに、レンズ部がフィルムからなる、上記発光素子に関する。
本発明はさらにまた、回路基板の金属層と、回路基板下部の電極および／または金属板とを連結する貫通路をさらに含む、上記発光素子に関する。
【０００９】
また、本発明は、回路基板上の金属層に凹部を形成する第一の工程、該凹部に発光ダイオードチップを実装する第二の工程、少なくとも該凹部を充填し、発光ダイオードチップを被覆するように光透過性樹脂材料で光抽出部を形成する第三の工程、回路基板の上方に、凹部を取り囲むように光反射性樹脂材料を成形して光ガイド部を形成する第四の工程、および、光ガイド部で取り囲まれた空間に光透過性材料を成形してレンズ部を形成する第五の工程を含む、発光素子の製造方法に関する。
さらに、本発明は、回路基板上の金属層に凹部を形成する第一の工程、該凹部に発光ダイオードチップを実装する第二の工程、少なくとも該凹部を充填し、発光ダイオードチップを被覆するように光透過性樹脂材料で光抽出部を形成する第三の工程、抽出部上に光透過性材料を成形してレンズ部を形成する第四の工程、および、少なくともレンズ部の側方に、凹部を取り囲むように光反射性樹脂材料を成形して光ガイド部を形成する第五の工程を含む、発光素子の製造方法に関する。
【００１０】
さらにまた、本発明は、回路基板上に発光ダイオードチップを実装する工程と、該発光ダイオードチップの側方を取り囲み、かつ、取り囲まれた空間の水平断面積が回路基板に近い程小さくなるように光反射性樹脂材料を成形して光ガイド部を形成する工程と、前記取り囲まれた空間に、光透過性材料を成形することによりレンズ部を形成する工程とを含む、発光ダイオードの製造方法に関する。
本発明はまた、回路基板上の金属層に凹部を設けることにより反射構造を形成する工程をさらに含む、前記方法に関する。
本発明はさらに、回路基板上に、発光ダイオードチップの位置に対応した開口を有する別の回路基板を接合することによって反射構造を形成する工程をさらに含む、前記方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては、鍍金および湿式エッチング技術などを用いることにより、１つの回路基板内における光反射構造（凹部）の精密な設置が可能となるうえ、歩留や生産性も高まり、かつ性能も向上する。特に反射構造に反射率が高い金属を被覆した場合には、光の利用効率が高くなる。また、厚さが薄い小型の抽出部の形成が可能になり、光の抽出効率を向上させることができ、波長変換および拡散などの他の目的での光の利用効率を向上させることが可能である。
また本発明は、従来の日本国日亜方式のディスペンス法を利用する方法に比べて、少量生産の場合でも、均一性、歩留および量産性の向上、コストの低減、大型チップおよび多数チップの実装、成形コンパウンドの蛍光体および拡散体のタブレット管理、熱放出特性の向上および小型・スリム化、特に光出力性能の向上が可能である。
さらに、本発明により、従来の回路基板を使用する場合の問題点であった回路基板の曲がりによる剥離の解決、２重回路基板を使用する場合に比べた歩留や生産性の向上、コスト低減に伴う製造単価の低減、特に反射構造の設置による光利用効率および光性能の向上が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明を、その一態様である、
回路基板上に反射板および反射構造（凹部）を作る第一工程、
前記回路基板に集積して発光ダイオードチップを実装した後、光抽出部を透過性樹脂材料で個別に１次成形する第二工程、
第二工程によって形成した成形構造の間に、光反射性樹脂材料で光ガイド部を２次成形する第三工程、
第三工程によって形成した成形構造の間に、透過性材料に蛍光体などの各種添加剤を混ぜた混合物を充真し、レンズ部を作製する第四工程、および
発光ダイオードを分離する第五工程
を含む、発光ダイオードの製造方法を例として以下に説明する。
【００１３】
本発明の第一工程において、指向性および出力特性を向上させるために、回路基板上に鍍金されたＣｕなどの金属をハーフエッチングしてから、反射率の高い材料、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕなどの金属を再度鍍金するなどして被覆することができる。回路基板上の金属層（Ｃｕ鍍金など）の厚さは、反射構造を十分に形成することができれば特に限定されないが、好ましくは８０〜３００μｍ、より好ましくは１２０〜２２０μｍ、特に好ましくは１５０〜２００μｍである。また、上記の高い反射率は、光利用率の向上がもたらされれば特に限定されないが、好ましくは約７０％以上、より好ましくは約８０％以上、特に好ましくは約９０％以上である。このとき、エッチングした反射構造の形状は複数の曲率半径を持つようにしたり、反射構造の水平断面積が回路基板に近い程小さくなるよう、例えばテーパー状、皿状または椀状に形成することにより、側面および下面に向かう光の反射を誘導できるようにすると効率が向上する。特に、狭い指向性を持つようにすると効果的である。
【００１４】
本発明の第二工程では、光を抽出通過させる抽出部（光抽出部）と光の反射および誘導特性を利用して狭い指向性を付与するガイド部（光ガイド部または反射部）とを形成することになるが、発光ダイオードチップおよびワイヤをケアし、光抽出効率を上げるために、通常は、透過性で、半導体より屈折率が低い樹脂材料またはシリコーン材料を使って、抽出部成形物をガイド部より先に成形する。
本発明の第二工程において、抽出部の成形は、各チップについて抽出部の成形を個別的に行うことができる。さらに、収縮の中心（センター）を、集積するチップの個数と同程度に多数化して、回路基板の曲がりを防止するために、全体を薄くし、チップが位置する部分、例えば、凹部が位置する部分だけを厚くする方法も利用することができる。
以上の工程により、回路基板上の金属層に形成された凹部と、該凹部に実装された発光ダイオードチップと、少なくとも凹部を充填し、発光ダイオードチップを被覆するように形成された光透過性樹脂材料からなる光抽出部とを含む本発明の発光素子の原型が出来上がる。
【００１５】
本発明の第三工程において、光に指向性を付与するガイド部を作製するため、第二工程において形成した抽出部の構造の間を反射率が高い物質、例えば樹脂材料などを利用して２次成形することができる。この結果、光ガイド部が凹部を取り囲むように形成される。光ガイド部は、必ずしもその全体が反射性である必要はなく、少なくとも内側、すなわちチップに面した側が反射率の高い物質からなっていてもよい。またこの際、前記ガイド部は最終放出光に指向性を与える効果が大きいため、前記第二工程で形成した抽出部の上に位置することができる。特に回路基板からある程度の距離に位置してもよい。この距離は、光に良好な指向性を与えることができれば特に限定されないが、好ましくは１〜１００μｍ、より好ましくは２〜５０μｍ、特に好ましくは５〜１５μｍである。このように、抽出部を回路基板の全域に成形することにより、剥離の発生がより一層抑えられ、かつ、トランスファー成形作業が容易になるため、金型作製の容易化および低コスト化が可能となる。
本発明の第三工程において、ガイド部の形状の特徴は、チップから放出された光線が良好に反射し、高い指向性を有するために、一定の傾斜（傾き）を持つようにすることができる。この傾斜は上記の効果を得ることができれば特に限定されないが、ガイド部の頂部が基部よりもチップから離れるように、回路基板の垂線に対して、好ましくは０〜１５°、より好ましくは４〜１２°、特に好ましくは６〜１２°である。
【００１６】
本発明の第四工程では、第二工程で形成した光抽出部の光の通過効率を向上させるため、屈折率が異なる別の層を利用してさらに抽出効率を上げたり、指向性を与えるようにレンズ部を形成する目的で再度成形するが、このとき、必要に応じて、波長の変換または拡散の目的で、透過性樹脂に蛍光体などの各種添加剤を混ぜることができる。
また、本発明の第四工程において、レンズ部は第三工程で形成された成形構造の間を充真することで作製することができる。
【００１７】
本発明の第一工程で回路基板上の鍍金されたＣｕなどの金属、または金属基板はチップから発生する熱の有効な放出のために利用されるが、この際鍍金されたＣｕの厚さは熱伝達にとても有効であり、特に下層の電極および金属板に熱伝導率が良い金属で連結する貫通した熱伝達の通路を設置することができる。ここで、金属の熱伝導率は、良好な熱伝達が得られれば特に限定されないが、好ましくは２００Ｗ／ｍ°Ｋ以上、より好ましくは３００Ｗ／ｍ°Ｋ以上、特に好ましくは３５０Ｗ／ｍ°Ｋ以上である。
【００１８】
本発明において、第一工程で形成する反射構造は、２つの回路基板を接合することによって製造したり、あるいは平面上に作製して使用することもできる。
【００１９】
本発明は、第三工程と第四工程の順番を入れ替えて行うことも可能である。ここで、必要に応じて、前記レンズ部は、成形する代わりにフィルムの接着などにより形成することも可能である。
【００２０】
［実施例］
本発明を、図３、４ａ、４ｂ、５、６、７、８、９および表１を参照してさらに詳説する。なお、図３は本発明の外観図であり、図４ａ、４ｂおよび表１は、それぞれ回路基板１００に形成するＣｕ反射構造の形状および作製データを示し、図５は、回路基板１００に形成する反射構造および指向構造の形状を示し、図６は、抽出部１２０の形成を示す模式図である。また、図７および８は、レンズ部１４０をガイド部１３０より先に作製する本発明の変法を示し、最後の図９はガイド部１３０作製の形状を示す。使用する回路基板１００のＣｕ鍍金１０１、１１１、１１２の厚さは、反射構造を形成するのに十分な程度の約１５０μｍ以上とすることができる。
【００２１】
下面に付着された金属基板および上層の基板１００をエッチング、ラウティング方法による切断、熱放出のための貫通ホールの設置、および／または電導性材料の鍍金もしくは充真に供する。
露光技術を利用して光反射構造（凹部）を形成する。上記構造の形状は、下向する光と側面に向かう光とがいずれも指向性を有するように、複数の曲率半径を持つようにする。上記の反射構造はまた、反射率が高いＡｇ等の金属材料でコーティングして完成する。この時、反射構造はチップ１６０から放出された光の再吸収が起こらないように大きさや形状を最適化する（図４ｂおよび表１参照）。
【００２２】
【表１】
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【００２３】
この回路基板１００にダイオードチップ１６０を実装した後で光抽出部を成形しなければならないが、通常はチップ１６０での再吸収を防止するために成形物の屈折率を半導体のチップ１６０より小さくし、拡散板や波長変換の白色蛍光体を隔離して設置する。
このとき、成形物の材料と、回路基板１００および金属層１０１との熱膨張係数の差による、チップ同士のまたはリフロー工程での剥離問題が起こらないように、回路基板１００をエポキシ樹脂類、あるいはレジスト類などの材料でコーティングすることができる。
【００２４】
抽出部１２０も、上記問題を解決するため、成形する際に、各チップ１６０を個別に成形被覆したり、光ガイド部１３０を設置する部分とチップ１６０を被覆するところとを互いに違う厚さにし、収縮中心を多数化することができる。また、この時抽出部１２０の厚さを可能な限り小さくし、収縮率を低くすることが好ましいが、これは光反射構造を回路基板に設置することで可能となる。また、作製された発光ダイオードの剥離などの問題が起こらないように、内部収縮力を極力小さくする。
また、導光板に光を入射させるために、光ガイド層（光ガイド部）を設置するのが好ましいが、これには通常、白色や金属分子が分散され、反射率が高いか、または導光板との屈折率の差が大きい材料を使用する。この層は、回路基板１００上に直接設置したり、または光抽出部１２０の上層に設置する。このとき、光ガイド部は、所望の光の進行を妨げないように設置することが好ましい。
【００２５】
最後に、レンズの光効率を向上させるために、抽出部１２０と屈折率が異なる層を利用したり、波長変換および拡散の目的で、透過性樹脂に蛍光体などの各種添加剤を混合して、第三工程で形成された成形構造１３０の間を充真してレンズ部を形成した後、発光ダイオードを分離することになる。ここで、レンズ部は、必要に応じて、成形する代わりにフィルムを接着することなどにより形成することも可能である。
また、発光ダイオードを個別に分離するために、ダイシング法を利用することができるが、こうして作製される狭指向性表面実装型ＬＥＤランプは、生産の均一性および利便性を確保することで、歩留、生産性、製造単価、および信頼性が画期的に改善される。
【００２６】
本発明の方法の幾つかの変法
本発明の一変法は、回路基板１００をハーフエッチングし、反射板および反射構造を設けずに、この回路基板に発光ダイオードチップ１６０を集積して実装してから、抽出部１２０を、各チップ１６０について透過性樹脂で個別に１次成形した後、または、光の指向性のためのガイド部１３０を先に作製した後、最後にレンズの効率を向上させるため、または波長変換もしくは光の拡散のために、透過性樹脂および蛍光体などの各種添加剤を混合して、成形構造１３０の間を充真し、発光ダイオードを分離する表面実装型発光ダイオードランプ製造方法に関する。
【００２７】
第一工程の反射構造は、従来の技術と同様に２つの回路基板を接合することによって製造したり、または平面上に作製したものを使用することもできる。
第三工程と第四工程とを互いに順番を入れ替えて作製することも可能である（図８参照）。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１ａ】回路基板に多数のチップを集積して実装した後、反射板を製作する従来の技術を示した図である。
【図１ｂ】回路基板に多数のチップを集積して実装した後、反射板を製作する従来の技術を示した図である。
【図２ａ】回路基板にチップを実装する工程を示した図である。
【図２ｂ】回路基板全体、または一定な大きさの島状に成形物を形成する従来の技術を示した図である。
【図２ｃ】ダイシングにより１次成形部を除去し、この構造に第２の反射材料を成形して反射板を設置する従来の技術を示した図である。
【図２ｄ】回路基板に形成する反射構造および指向構造の形状を示した図である。
【図３】製作された発光ダイオードの形状を示した図である。
【図４ａ】回路基板に形成する反射構造の形状を示した図である。
【図４ｂ】回路基板に形成する反射構造の形状を示した図である。
【図５】回路基板に形成する反射構造および指向構造の形状を示した図である。
【図６】抽出部の形成を示した模式図である。
【図７】本発明の一態様を示した図である。
【図８】本発明の一態様を示した図である。
【図９】本発明の一態様を示した図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０  第１層基板
１１  チップ
２０  第２層基板
２１  貫通ホール
３０  基板
３１  チップ
３２  １次成形物（全体）
３３  １次成形物（島状）
３４  反射板
１００  回路基板
１０１  金属板（金属層）
１０２  高反射性被覆
１１１  金属板（金属層）
１１２  金属板（金属層）
１１３  高反射性被覆
１１４  高反射性被覆
１２０  抽出部
１３０  ガイド部
１４０  レンズ部
１５１  電極
１５２  電極
１６０  チップ
１６１  ワイヤ
１６２  ワイヤ
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
2007329444.tif 000008
【図２ｄ】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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