(57)【要約】【課題】データのアクセス頻度、使用するキャッシュメモリの状態に応じてデータ保存先を強制的に決めるコマンドを利用し、データの信頼性を高める。【解決手段】ホストインターフェース３１２と、前記ホストインターフェースから入力されたコマンドの内容を解析するコマンド解析部４１１と、前記コマンド解析部で解析されたコマンドが、データ書き込み先としてハードディスクを指定しているときは、前記書き込みデータを前記ハードディスクに送る書き込み処理部４１８とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストインターフェースと、
キャッシュメモリへのインターフェースとなるメモリインターフェースと、
前記ホストインターフェースから入力されたコマンドの内容を解析するコマンド解析部と、
前記コマンド解析部で解析されたコマンドが、データ書き込み先としてハードディスクを指定しているときは、前記ハードディスクに前記書き込みデータを送り、ピンドを指定しているときは、前記キャッシュメモリへ前記書き込みデータを送る書き込み処理部と
を具備したことを特徴とする不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置。
【請求項２】
前記コマンド解析部で解析されたコマンドが、データ書き込み先としてハードディスクを指定していないときは、前記ハードディスクの回転状態を判定する状態判定部と、
前記状態判定部の判定結果が、前記ハードディスクが回転していることを示すときは、前記ハードディスクに前記書き込みデータを送り、回転していないことを示すときは、前記キャッシュメモリに前記書き込みデータを送る前記書き込み処理部と
を具備したことを特徴とする不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置。
【請求項３】
前記キャッシュメモリは、フラッシュメモリであることを特徴とする
請求項１記載の不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置。
【請求項４】
コマンドを発行するホスト装置と、
前記ホスト装置が接続されたホストインターフェースと、
キャッシュメモリへのインターフェースとなるメモリインターフェースと、
前記ホストインターフェースから入力されたコマンドの内容を解析するコマンド解析部と、
前記コマンド解析部で解析されたコマンドが、データ書き込み先としてハードディスクを指定しているときは、前記ハードディスクに前記書き込みデータを送り、ピンドを指定しているときは、前記キャッシュメモリへ前記書き込みデータを送る書き込み処理部と
を具備したことを特徴とする不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置。
【請求項５】
前記ホスト装置は、データのアクセス頻度予測部を有し、前記書き込みデータがアクセス頻度の低いものであると判定しているときは、前記データ書き込み先としてハードディスクを指定するコマンドを発行する
ことを特徴とする請求項４記載の不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置。
【請求項６】
前記ホスト装置は、前記キャッシュメモリの状態認識部を有し、前記キャッシュメモリの消去回数が所定の回数になっているときは、前記データ書き込み先としてハードディスクを指定するコマンドを発行する
ことを特徴とする請求項４記載の不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置。
【請求項７】
前記ホスト装置は、前記キャッシュメモリのエラー発生状態を認識する状態認識部を有し、エラー発生率が所定値を超えるときは、前記データ書き込み先としてハードディスクを指定するコマンドを発行する
ことを特徴とする請求項４記載の不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置。
【請求項８】
ホストインターフェースと、キャッシュメモリへのインターフェースとなるメモリインターフェースと、前記ホストインターフェースから入力されたコマンドの内容を解析するコマンド解析部とを有し、ハードディスクと前記キャッシュメモリに対してデータアクセスを行う制御方法において、
前記コマンド解析部で解析されたコマンドが、データ書き込み先としてハードディスクを指定しているときは、前記ハードディスクに前記書き込みデータを送り、ピンドを指定しているときは、前記キャッシュメモリへ前記書き込みデータを送る
ことを特徴とする記憶装置の制御方法。
【請求項９】
前記コマンド解析部で解析されたコマンドが、データ書き込み先としてハードディスクを指定していないときは、前記ハードディスクの回転状態を判定し、
前記状態判定結果が、前記ハードディスクが回転していることを示すときは、前記ハードディスクに前記書き込みデータを送り、回転していないことを示すときは、前記キャッシュメモリに前記書き込みデータを送ることを特徴とする
請求項８載の記憶装置の制御方法。
【請求項１０】
前記コマンドを発行するホスト装置は、データのアクセス頻度予測部を有し、前記書き込みデータがアクセス頻度の低いものであると判定しているときは、前記データ書き込み先としてハードディスクを指定するコマンドを発行することを特徴とする
請求項８載の記憶装置の制御方法。
【請求項１１】
前記コマンドを発行するホスト装置は、前記キャッシュメモリの状態認識部を有し、前記キャッシュメモリの消去回数が所定の回数になっているときは、前記データ書き込み先としてハードディスクを指定するコマンドを発行することを特徴とする
請求項８載の記憶装置の制御方法。
【請求項１２】
前記コマンドを発行するホスト装置は、前記キャッシュメモリのエラー発生状態を認識する状態認識部を有し、エラー発生率が所定値を超えるときは、前記データ書き込み先としてハードディスクを指定するコマンドを発行することを特徴とする
請求項８載の記憶装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置とその制御方法に関するものであり、低消費電力、高速書き込み読出し、記憶媒体の長寿命化を実現し、さらには、データ処理の信頼性を向上するように工夫したものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体記憶媒体であるメモリカードと、磁気記憶媒体であるハードディスクを用いたハードディスク（ＨＤ）の両方を搭載できる記憶装置が開発されている（特許文献１参照）。ここでは、例えば外部より取得したメモリカードのデータを磁気記憶媒体であるハードディスク（ＨＤ）にバックアップすることができる。また、ＨＤのデータをメモリカードに転送して、取り出すことができる。
【０００３】
また携帯用の記憶装置として、フラッシュメモリを用いたものが開発されている（特許文献２）。ここでは、フラッシュメモリは、消去回数（例えば１０万回）が多くなると、エラーが多く発生するために、このような問題を解決しようとしている。例えば特定領域のみの消去回数が多くなるのを抑制するデータ管理方法を提供している。
【特許文献１】特開２００４−０５５１０２公報
【特許文献２】特許３４０７３１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この発明に係る１つの実施形態では、記憶媒体としてのハードディスク及び半導体メモリの特徴を巧みに利用し、低消費電力、高速書き込み読出しを実現でき、データ処理効率を高めることができる環境を得る、不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置及びその制御方法を提供することを目的としている。
【０００５】
そして特にこの実施形態では、データのアクセス頻度、使用するキャッシュメモリの状態に応じて、データ保存先を強制的に決めることができるコマンドを利用し、データの信頼性を高めることができる不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置及びその制御方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、この発明に係る１つの実施の形態では、ホストインターフェースと、前記ホストインターフェースから入力されたコマンドの内容を解析するコマンド解析部と、前記コマンド解析部で解析されたコマンドが、データ書き込み先としてハードディスクを指定しているときは、前記書き込みデータを前記ハードディスクに送る書き込み処理部とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
上記のように、書き込み先を指定するコマンドに応答する手段を用いることにより、不揮発性メモリの状態や、データのアクセス頻度に応じて、データの格納先をホスト側が強制的にコントロールできるので、低消費電力、高速書き込み読出し、記憶媒体の長寿命化を実現し、さらには、データ処理の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら、この発明に係る幾つかの実施の形態を説明する。
【０００９】
＜全体の構成及び機能＞
まず図１において、実施形態の全体ブロックの例を説明する。１００は、ホスト装置であり、例えば、パーソナルコンピュータに於けるコントロール部である。２００は、不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置である。この記憶装置２００は、バッファとして機能するＳＤＲＡＭ２０１、後述するコントローラなどが搭載された例えば１チップのＬＳＩ（大規模集積化回路）２０２、フラッシュメモリ２０３、ハードディスク（ＨＤ）２０４を有する。
【００１０】
ＬＳＩ２０２は、コントローラ３１１、ホストインターフェース３１２、ＳＤＲＡＭインターフェース３１３、ディスクインターフェース３１４、フラッシュメモリインターフェース３１５を有する。なお、このＬＳＩ２０２に、上記のＳＤＲＡＭ２０１が内蔵されていてもよい。
【００１１】
ホスト装置１００は、ホストインターフェース３１２を介して、コントローラ３１１にコマンドを与えることができる。またホスト装置１００は、ホストインターフェース３１２を介して、コントローラ３１１からのデータを受け取ることもできるし、コントローラ３１１側へデータを転送することもできる。
【００１２】
コントローラ３１１からのコマンドは、データの書き込み命令、データの読出し命令、データのサイズ指定、データの転送メモリ、情報の読み取り命令などがある。コントローラ３１１は、ホスト装置１００からのコマンドを解釈し、データの書き込み処理、読出し処理、転送処理などを実行する。
【００１３】
コントローラ３１１は、ＳＤＲＡＭインターフェース３１３を介して、ＳＤＲＡＭ２０１との間でデータのやり取りを行うことができる。またコントローラ３１１は、ディスクインターフェース３１４を介して、ＨＤ２０４との間でデータのやり取りを行うことができる。さらにコントローラ３１１は、フラッシュメモリインターフェース３１５を介して、フラッシュメモリ２０３との間でデータのやり取りを行うことができる。上記したフラッシュメモリ２０３に格納されるデータは、エラー訂正コードが付加されて格納される。またハードディスクに記録されるデータもエラー訂正コード（ＥＣＣ）が付加されて格納される。フラッシュメモリへの記録データ、ハードディスクへの記録データに対しても、再生時のエラー訂正が可能なようにＥＣＣ処理が施される。
【００１４】
上記の装置は、フラッシュメモリインターフェース３１５、フラッシュメモリ２０３の部分は、キャッシュとして使用する。
【００１５】
データの書き込み順序、データの読出し順序は、コントローラ３１１に格納されているソフトウエアに応じて決まる。例えば、ホスト装置１００からハードディスク２０４へ書き込みデータが送られるときは、ホストインターフェース２０２→コントローラ３１１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→ＳＤＲＡＭ２０１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→コントローラ３１１→ディスクインターフェース３１４→ハードディスク２０４の系路でもよく、ホストインターフェース２０２→コントローラ３１１→フラッシュメモリインターフェース３１５→フラッシュメモリ２０３→フラッシュメモリインターフェース３１５→コントローラ３１１→ディスクインターフェース３１４→ハードディスク２０４の系路でもよい。また、ホストインターフェース２０２→コントローラ３１１→フラッシュメモリインターフェース３１５→フラッシュメモリ２０３→フラッシュメモリインターフェース３１５→コントローラ３１１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→ＳＤＲＡＭ２０１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→コントローラ３１１→ディスクインターフェース３１４→ハードディスク２０４の系路でもよい。
【００１６】
また、ハードディスク２０４からホスト装置１００側へデータが読み出されるときは、ディスクインターフェース３１４→コントローラ３１１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→ＳＤＲＡＭ２０１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→コントローラ３１１→ホストインターフェース３１２→ホスト装置、でも良く、ディスクインターフェース３１４→コントローラ３１１→フラッシュメモリインターフェース３１５→フラッシュメモリ２０３→フラッシュメモリインターフェース３１５→コントローラ３１１→ホストインターフェース３１２→ホスト装置でもよい。さらには、ディスクインターフェース３１４→コントローラ３１１→フラッシュメモリインターフェース３１５→フラッシュメモリ２０３→フラッシュメモリインターフェース３１５→コントローラ３１１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→ＳＤＲＡＭ２０１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→コントローラ３１１→ホストインターフェース３１２→ホスト装置でも良い。
【００１７】
さらには、ディスクインターフェース３１４→コントローラ３１１→フラッシュメモリインターフェース３１５→フラッシュメモリ２０３→フラッシュメモリインターフェース３１５→コントローラ３１１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→ＳＤＲＡＭ２０１→ＳＤＲＡＭインターフェース３１３→コントローラ３１１→ホストインターフェース３１２→ホスト装置でも良い。
【００１８】
＜フラッシュメモリに関する説明＞
図２は、フラッシュメモリ２０３を取り扱う上で特有の制御が行われることを説明する図である。フラッシュメモリ２０３は、不揮発性メモリでありながら、データの電気的消去が可能である。したがって、データの書き換えが可能な不揮発性メモリである。
【００１９】
このフラッシュメモリ２０３は、例えば、消去単位は、１２８Ｋバイトで規定されている。一方、読み取り単位及び書き込み単位は、例えば２Ｋバイトに規定されている。またこのフラッシュメモリ２０３は、消去回数が多くなると素子が劣化し、エラー発生が多くなる。そこで、素子の性能を保証する情報として、書き換え回数を１０万回程度に規定している。なお上記の消去単位のバイト数及び書き込み単位の数値はこれに限定されるものではない。消去単位２３Ｋバイト、読み書き単位５１２単位であってもよい。
【００２０】
＜フラッシュメモリとコントローラとホスト装置からのコマンドとの基本的な関係＞
図２に示すように、フラッシュメモリ２０３にデータが書き込まれた場合、その書き込み領域を、Ｐｉｎｎｅｄ（ピンド）領域２０３Ａと、ＵｎＰｉｎｎｅｄ（アンピンド）領域２０３Ｂという名称で分類することができる。Ｐｉｎｎｅｄ領域２０３Ａは、ホスト装置１００が送ってきたデータ書き込み先のコマンドが、あえてフラッシュメモリ２０３を指定した場合に形成された領域である。コマンドは、フラッシュメモリ２０３とその論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）を含む。ＵｎＰｉｎｎｅｄ（アンピンド）領域２０３Ｂは、ホスト装置１００によるデータ書き込み先のコマンドが指定されていない場合で、かつ、コントローラ３１１が独自に判断して、データを転送し、格納した領域である。
【００２１】
なおフラッシュメモリ２０３に書き込むデータとしては、ホスト装置１００から送られてくるデータ、あるいは、ハードディスク２０４から読み出したデータがある。
【００２２】
コントローラ３１１がデータ書き込み先を決めるための判断要件は、各種ある。コントローラ３１１内部の状態判定部が周囲の要件を総合的に判断し、書き込み先を決定している。例えば、装置の電源が投入された直後であり、ＨＤ２０４が所定回転数に達していない場合、あるいは、ＨＤ２０４が停止状態にある場合などである。
【００２３】
＜フラッシュメモリインターフェース３１５及びコントローラ３１１の機能と構成＞
図３には、コントローラ３１１、フラッシュメモリインターフェース３１５の構成を機能別に分類して示している。フラッシュメモリインターフェース３１５には、累積カウンタが設けられており、カウント数は、例えばインターフェース内に設けられたレジスタに書き込まれ、後にフラッシュメモリ２０３に書き込まれる、あるいは直接フラッシュメモリ２０３が利用されてもよい。
【００２４】
カウンタとしては、累積ライト回数カウンタ３１５ａ，累積消去回数カウンタ３１５ｂ、累積ライトエラー回数カウンタ３１５ｃ、リードエラー数カウンタ３１５ｄが用意されている。リードエラー数カウンタ３１５ｄの代わりに、ＥＣＣ回路により検出されるエラー数カウンタ、あるいはエラー訂正数カウンタ３１５ｅが設けられてもよい。また、リードライト単位をカウントするカウンタが設けられていてもよい。これらのカウンタの内容は、エラーが多くなったときの警告、状態判定部の判定要素として利用される。
【００２５】
コントローラ３１１は、コマンド解析部４１１を有し、ホスト装置１００から送られてきたコマンドをここでデコードし解析する。コマンドの解析結果により、アーキテクチャメモリ４１４内のソフトウエアが特定され、シーケンスコントローラ４１２に動作手順が設定される。また、これらのコマンド解析及び制御は、インターフェース３１２において行われてもよい。
【００２６】
シーケンスコントローラ４１２は、インターフェース及びバスコントローラ４１３などを介して、データ及びコントロールデータの流れを制御する。例えば、データ書き込みあるいは読出しが行われるときは、メディア選択部４１５がフラッシュメモリ２０３あるいはハードディスク（ＨＤ）を特定し、アドレス制御部４１６が書き込みアドレスあるいは読出しアドレスを特定する。そして、データ書き込み時には、書き込み処理部４１７が書き込みデータの転送処理などを行う。また、データ読出し時には、読出し処理部４１７が読出しデータの転送処理などを行う。
【００２７】
さらに消去処理部４１９が設けられている。消去処理部４１９は、フラッシュメモリ２０３のデータの消去処理を行う。またこの消去処理部４１９は、ハードディスクのデータの消去処理も行うことができる。
【００２８】
さらにアドレス管理部４２０が設けられている。アドレス管理部４２０は、ハードディスクのアドレス及びフラッシュメモリ２０３の記録済み領域、未記録領域などのアドレスを一括して管理している。フラッシュメモリ２０３は、キャッシュメモリとして利用されるので、ホスト装置側がアドレスを指定する場合は、キャッシュメモリのアドレスを意識する必要はなく、ハードディスク側のアドレスを設定すればよい。データの格納先として特別にキャッシュメモリを指定する場合に、Ｐｉｎｎｅｄのコマンドを発行すればよい。Ｐｉｎｎｅｄのコマンドがない場合には、データ格納先は、コントローラ３１１に構築されているファームウエアの判定結果に依存する。
【００２９】
またフラッシュメモリ２０３のＰｉｎｎｅｄ領域、Ｕｎｐｉｎｎｅｄ領域などのアドレス管理及び制御は、インターフェース３１５において行われてもよい。
【００３０】
さらに状態判定部４２１が設けられている。この状態判定部４２１は、ハードディスク２０４の状態を監視している。
【００３１】
なおフラッシュメモリ２０３の記憶容量がある閾値より大きくなった場合には、コントローラ３１１が状態を判定し、ハードディスクに転送して書き移す処理を行う。このときの動作は、主として読出し処理部４１８、書き込み処理部４１６、アドレス管理部４２０が組み合わせて制御される。
【００３２】
さらに、ホスト装置１００には、フラッシュメモリインターフェース３１５に保持されているカウンタ内容を取り込み、フラッシュメモリの状態を監視するフラッシュメモリ状態認識部１０１が設けられている。またホスト装置１００は、コマンド発行部１０２、ＨＤＤモータ状況認識部１０３、及びデータのアクセス頻度予測部１０４を有する。ＨＤＤモータ状況認識部１０３は、発行したコマンドに応じて、現時点でＨＤＤモータが回転しているかどうかを予測することができる。例えばＨＤＤを起動してデータ書き込み準備を行うようなコマンドを発行した後であれば、ＨＤＤモータが回転していることは、確実であり、ＨＤＤモータを停止させるコマンドの発行後であれば、ＨＤＤモータが停止していることを予測できる。また、データのアクセス頻度予測部１０４は、記憶装置３１１へ送り込むデータの目的及び内容に応じて、アクセス頻度の高いものであるのか、低いものであるのかの判別を行うことができる。例えば、背景画などのような変更の少ないデータであれば、アクセス頻度は低く、順次書き換えられるようなテキストデータなどであれば、アクセス頻度が高いといえる。ホスト装置１００のコントローラは、フラッシュメモリの状態、データのアクセス頻度に応じて、データの書き込みさきを、強制的にＨＤとしたほうがよいかどうかを判断している。
【００３３】
＜実施例における特有の構成と機能と動作＞
＜基本的な前提＞上記の記憶装置は、低消費電力が得られることがこのましい。このためにはできるだけハードディスク２０４の駆動回数を少なくするように動作を管理したほうがよい。このような指向で管理すると、フラッシュメモリ２０３に対するアクセス回数が増加する。フラッシュメモリ２０３に対する書き込み回数が増加するような管理を行うと、今度は、フラッシュメモリ２０３の寿命が短くなるという新たな問題が生じる。
【００３４】
＜基本的な解決手段＞そこでこの実施の形態では、低消費電力を図りながらフラッシュメモリ２０３の短命化を抑制できるようにした動作管理を行うものである。また同時に、書き込み先を指定するコマンドに応答する手段を用いることにより、不揮発性メモリの状態や、データのアクセス頻度に応じて、データの格納先をホスト側が強制的にコントロールできるようにし、データ処理の信頼性を向上することができる。
【００３５】
図４は、装置がデータ書き込み処理を行うときの動作を示すフローチャートの一例である。コマンド解析部４１１がホスト装置１００から送られてきたコマンドを解析し、データ書き込みコマンドがあるかを判定する（ステップＳＴ１）。データ書き込みコマンドがない場合には、他の処理（ステップＳＴ３）を実行してステップＳＴ１に戻る。
【００３６】
データ書き込みコマンドがあった場合、データ書き込み先としてＨＤが指定されているかどうかを判定する（ステップＳＴ２）。ＨＤが指定されていた場合には、ＨＤに書き込みデータが送られる（ステップＳＴ４）。
【００３７】
ステップＳＴ２の判定で、ＨＤが指定されていない場合には、書き込みデータは、Ｐｉｎｎｅｄであるかどうかの判定を行う（ステップＳＴ５）。Ｐｉｎｎｅｄであれば、書き込み処理部４１８は、フラッシュメモリにデータを書き込む。書き込みデータがＰｉｎｎｅｄでない場合には、ＨＤＤモータ（スピンドルモータ）が回転しているかどうかを状態判定部４２１が判定する（ステップＳＴ７）。スピンドルモータが回転していない場合には、書き込み処理部４１８は、書き込みデータ（Ｕｎｐｉｎｎｅｄ領域となる）をフラッシュメモリに書き込む（ステップＳＴ６）。ＨＤＤモータが回転している場合には、書き込み処理部４１８は、書き込みデータをハードディスクに書き込む（ステップＳＴ４）。データをハードディスク（ＨＤ）に書き込む判断条件としては、フラッシュメモリが寿命近くになっているかどうかを判断して、寿命近くになっていた場合は、ＨＤに書き込むようにしてもよい。
【００３８】
＜有効な影響＞
上記したような管理を行うことにより、データ処理のアクセス速度の効率化、データの信頼性を向上できる。また、ハードディスク２０４の新規な駆動回数ができるだけ少なくなる。これにより低消費電力化が得られる。また、フラッシュメモリ２０３に対するアクセス回数が抑制できる。これによりフラッシュメモリ２０３の長寿命化が得られる。
【００３９】
＜この実施の形態が対応している特有の環境＞
図５には、ホスト装置１００の動作及び機能をフローチャートで示している。データを記憶装置２００に送ることが決定されると（ステップＳＴＢ１）、そのデータをＨＤに保存するよう指定するコマンドを発行したらよいかどうかを判断する（ステップＳＴＢ３）。判断条件は、各種あるが、これについては後述する。ＨＤにデータを保存すべきであるとの結論が得られたら、格納先としてＨＤを指定したコマンドを発行し、そのあとデータを転送して終了する（ステップＳＴＢ５）。ステップＳＴＢ３において、ＨＤにデータを保存すべきであるとの結論が得られなかったら、データの格納先は、記憶装置２００のコントローラの判断に委ねられる。あるいは、フラッシュメモリ３１５に保存すべきであるとの結論であれば、コマンドとして先に説明したＰｉｎｎｅｄを発行する。
【００４０】
上記の判断条件の幾つかを以下述べる。たとえば、（１）フラッシュメモリの消去回数が規定数に近い値（例えば９万回）となっている。（２）フラッシュメモリのリードライト時のエラー発生率が所定値以上となった。所定値は、メーカ独自、あるいはメモリの仕様に応じて設定される。（３）ホスト装置から出力するデータがその後のアクセス頻度の低いものである。（４）上記のいずれかの条件を１つでも満足してスピンドルモータが回転している。などがある。
【００４１】
図６は、この実施形態の装置の電源がオンされたときの動作を簡単に示している。この装置では、電源がオンされたときに、ホスト装置１００は、フラッシュメモリインターフェース３１５のカウンタに格納されている情報を取得する（ステップＳＴＣ１）。そして、図３に示したフラッシュメモリの状態認識部１０１において、情報の更新処理を実行し（ステップＳＴＣ２）、次の処理のために待機する（ステップＳＴＣ３）。これにより、カウンタ情報は、電源が入れたときに最新の情報に更新される。
【００４２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明に係る一実施の形態の全体構成を示すブロック図である。
【図２】図１におけるフラッシュメモリの特徴を説明するために示した図である。
【図３】図１におけるフラッシュメモリインターフェースの機能及びコントローラ３１１の機能を説明するために示した図である。
【図４】図１の装置の一動作例を説明するために示したフローチャートである。
【図５】ホスト装置がコマンドを発行する際の動作例を示すフローチャートである。
【図６】実施形態の装置の電源がオンされたときの動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４４】
１００…ホスト装置、２００…記憶装置、２０１…ＳＤＲＡＭ、２０２…基板、２０３…フラッシュメモリ、２０４…ハードディスク、３１１…コントローラ、３１２…ホストインターフェース、３１３…ＳＤＲＡＭインターフェース、３１４…ディスクインターフェース、３１５…フラッシュメモリインターフェース。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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