(57)【要約】  【課題】熱膨張率の相違による破損の発生を防止する。【解決手段】ウエハ１を載置するサセプタ電極５０を複数段、処理室３２内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極５０に電力をフィーダ５３によってそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置１０において、各段のサセプタ電極５０とフィーダ５３とを電気的に接続するターミナル５６を柔軟に構成する。複数段のサセプタ電極を支持するボートの熱膨張率とフィーダの熱膨張率との相違によって発生する位置ずれをターミナルの柔軟性によって吸収できるので、サセプタ電極やボートやフィーダ等の破損が発生する現象を防止できる。  【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極と前記フィーダとを電気的に接続するターミナルが、柔軟に構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においてウエハにプラズマ処理を施す場合には、枚葉式プラズマ処理装置を使用するのが、一般的である。
しかしながら、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを一枚ずつ処理するために、スループットが小さくなるという問題点がある。
また、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを保持したサセプタだけが処理温度に加熱されるコールドウオール形が一般的であるために、ウエハ面内を均一に加熱することが困難であるという問題点がある。
【０００３】
そこで、複数枚のウエハが搬入される処理室を備え、かつ、ヒータによって加熱されるプロセスチューブの処理室に一対の電極が縦長に配置されたバッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００２−２８０３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、プラズマが各ウエハに遠隔的にそれぞれ供給されるために、被処理基板内の処理状況やバッチ内のウエハ相互間の処理状況が不均一になる可能性が有ると、考えられる。
そこで、処理室内にウエハを一枚ずつ載置するサセプタ電極を所定の間隔を置いて複数段配置し、各段のサセプタ電極に載置したウエハ毎にプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置が、提案され得る。
しかしながら、このようなバッチ式プラズマ処理装置においては、複数段のサセプタ電極を支持したボートの熱膨張率と各サセプタ電極に電力を供給するためのフィーダの熱膨張率との相違から、サセプタ電極やボートやフィーダ等の破損が発生する危惧があると、考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、このような危惧を回避しつつ、被処理基板内の処理状況や被処理基板相互間の処理状況の均一性およびスループットを向上することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極と前記フィーダとを電気的に接続するターミナルが、柔軟に構成されていることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記フィーダが炭化シリコン（ＳｉＣ）によって形成されているとともに、前記ターミナルが導電性を有する炭化シリコンの繊維を編んで帯状に形成されていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記フィーダが炭化シリコンまたはシリコン（Ｓｉ）によって形成されているとともに、前記ターミナルが弾力性および導電性を有する炭化シリコンまたはシリコンによって形成されていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、複数段のサセプタ電極を支持するボートの熱膨張率と各サセプタ電極に電力を供給するフィーダの熱膨張率との相違によって発生する位置ずれは、ターミナルの柔軟性によって吸収することができるので、サセプタ電極やボートやフィーダ等の破損が発生する現象を未然に防止することができる。
複数段のサセプタ電極によって複数枚の被処理基板をバッチ処理することができるので、スループットを向上させることができる。
しかも、各段のサセプタ電極に載置された被処理基板毎にプラズマ処理することにより、プラズマ処理状況は被処理基板内および被処理基板相互間のいずれにおいても均一になるので、被処理基板内および被処理基板相互間のいずれにおいても均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種のプラズマ処理を施すバッチ式縦形ホットウオール形プラズマ処理装置（以下、バッチ式プラズマ処理装置という。）として構成されている。
なお、本実施の形態においては、便宜上、一回のバッチ処理のウエハの枚数が４枚の場合について説明しているが、実際上は４枚〜１５０枚程度のバッチを取り扱うことができるものとする。
【００１０】
図１に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、オープンカセット（以下、カセットという。）２が使用されている。
バッチ式プラズマ処理装置１０は筐体１１を備えている。筐体１１の正面壁の下部にはメンテナンスするための正面メンテナンス口１２が開設されており、正面メンテナンス口１２には正面メンテナンス扉１３が開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉１３にはカセット搬入搬出口１４が筐体１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。
【００１１】
カセット搬入搬出口１４の筐体１１の内部にはカセットステージ１６が設置されている。カセット２はカセットステージ１６の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１６の上から搬出されるようになっている。
工程内搬送装置により、カセットステージ１６にはカセット２が、カセット２内のウエハ１が垂直姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１６はカセット２を筐体１１の後方に右回り縦方向９０度回転させ、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向く動作が可能となるように構成されている。
【００１２】
筐体１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚１７が設置されている。カセット棚１７には複数のカセット２が収納される移載棚１８が複数段設けられており、カセット棚１７は複数段複数列にて複数個のカセット２を保管するように構成されている。
また、カセットステージ１６の上方には予備カセット棚１９が設けられており、予備カセット棚１９はカセット２を予備的に保管するように構成されている。
【００１３】
カセットステージ１６とカセット棚１７との間には、カセット搬送装置２０が設置されている。カセット搬送装置２０は、カセット２を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ２０ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構２０ｂとによって構成されており、カセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとの連続動作により、カセットステージ１６とカセット棚１７と予備カセット棚１９との間でカセット２を搬送するように構成されている。
【００１４】
カセット棚１７の後方にはウエハ移載機構２１が設置されている。ウエハ移載機構２１はウエハ移載装置エレベータ２２と、ウエハ移載装置エレベータ２２によって昇降されるウエハ移載装置２３とを備えている。ウエハ移載装置エレベータ２２は筐体１１の右側端部に設置されている。ウエハ移載装置２３はウエハ１をツィーザ２４によって保持して回転ないし直線運動させるように構成されている。
ウエハ移載装置エレベータ２２およびウエハ移載装置２３の連続動作により、ウエハ移載機構２１はウエハ１の授受作動を実行するように構成されている。
【００１５】
図１に示されているように、カセット棚１７の上方にはファンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット２５が設置されており、クリーンユニット２５は清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１の内部に流通させるように構成されている。
便宜上、図示は省略するが、ウエハ移載装置エレベータ２２側と反対側である筐体１１の左側端部にもクリーンユニットが設置されており、このクリーンユニットはクリーンエアを筐体１１内の後部空間に流通させるように構成されている。
【００１６】
図１および図２に示されているように、筐体１１の後側上部には処理炉３０が垂直に設置されている。
図２に示されているように、処理炉３０は処理室３２を形成するプロセスチューブ３１を備えている。プロセスチューブ３１は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１７】
プロセスチューブ３１の下端面にはマニホールド３３が当接されており、マニホールド３３は誘電体が使用されて上下両端部に径方向外向きに突出したフランジを有する円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３１についての保守点検作業や清掃作業のために、マニホールド３３はプロセスチューブ３１に着脱自在に取り付けられている。
そして、マニホールド３３が筐体１１に支持されることにより、プロセスチューブ３１は垂直に据え付けられた状態になっている。
マニホールド３３の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３４を形成している。炉口３４は通常時には炉口シャッタ３５によって閉塞されるようになっている。
【００１８】
マニホールド３３の側壁には排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。
【００１９】
マニホールド３３の排気管３６と異なる位置（図示例では１８０度反対側の位置）には、処理ガスを供給するためのガス供給管３７が垂直に立脚されており、ガス供給管３７は誘電体が使用されて細長い円形のパイプ形状に形成されている。
ガス供給管３７には複数個の吹出口３８が垂直方向に並べられて開設されている。吹出口３８の個数は処理すべきウエハ１の枚数に一致されており、各吹出口３８の高さの位置は上下で隣合うウエハ１、１間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
【００２０】
プロセスチューブ３１の外部には処理室３２を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ３９が、プロセスチューブ３１の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ３９は筐体１１の上に垂直に据え付けられた状態になっている。
【００２１】
図１に示されているように、筐体１１内における処理炉３０の真下近傍にはボートエレベータ４０が設置されており、ボートエレベータ４０のアーム４１には、処理に際して炉口３４を閉塞するシールキャップ４２が水平に支持されている。
シールキャップ４２はマニホールド３３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ４０によって上昇されることにより、炉口３４を気密シールして閉塞するように構成されている。
【００２２】
シールキャップ４２の上にはウエハ１を保持して処理室３２に搬入搬出するボート（搬送治具）４３が、垂直に立脚されて支持されており、ボート４３は複数枚（本実施の形態では、４枚）のウエハ１を保持して処理室３２に搬入搬出するように構成されている。
ボート４３は上下で一対の端板４４、４５と、両端板４４、４５間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では、４本）の保持柱４６とを備えている。両端板４４、４５および各保持柱４６は、ウエハ１の金属汚染源とならない石英が使用されて形成されている。石英は誘電体（絶縁体）材料でもある。
【００２３】
各保持柱４６にはウエハ受け４７が複数段（本実施の形態では、５段）ずつ、上下方向に等間隔に配置されて径方向内向きに突設されており、各段のウエハ受け４７はサセプタ電極５０を、その外周辺部を上下から挟んで水平に保持するように構成されている。
上下で隣り合うサセプタ電極５０、５０の間隔は、ウエハ１の受け渡しに必要な寸法と、後述するプラズマ処理の作用とを考慮して定められている。
【００２４】
図３に示されているように、サセプタ電極５０はウエハ１を金属汚染させない導電性を有する材料としての炭化シリコンが使用されて平板形状に形成されており、外径はウエハ１の外径よりも大きめに設定されている。
サセプタ電極５０の外周におけるウエハ移載装置２３と反対側になる位置には、略正方形平板形状の接続部５１が径方向外向きに突設されており、接続部５１の下面には円柱形状の補助接続部５２が下向きに突設されている。
サセプタ電極５０の外側における接続部５１の両脇には一対のフィーダ５３、５３がそれぞれ配置されており、両フィーダ５３、５３はボート４３の下側端板４５に垂直に支持されている。一対のフィーダ５３、５３はいずれも、ウエハ１を金属汚染させない導電性を有する材料としての炭化シリコンが使用されて丸棒形状に形成されている。
両フィーダ５３、５３におけるサセプタ電極５０に対応する高さ位置には、略長方形平盤形状の接続部５４が一段置きにそれぞれ突設されている。
フィーダ５３の接続部５４には、サセプタ電極５０とフィーダ５３とを電気的に接続するターミナル５６の一端部下面が当接されて雄ねじ５５によってねじ止めされており、ターミナル５６の他端部は上面がサセプタ電極５０の補助接続部５２の下面に当接されて雄ねじ５５によってねじ止め止めされている。
ターミナル５６はウエハ１を金属汚染させない導電性を有する材料としての炭化シリコンが使用されて、図３に示されているように、平面視が円弧形の平板形状に形成されており、かつ、柔軟性を備えるように構成されている。
本実施の形態においては、ターミナル５６は導電性を有する炭化シリコンの繊維を編んで帯状に形成することにより、柔軟性を付与されている。
【００２５】
図４に示されているように、上下で隣り合うサセプタ電極５０、５０間には、交流電力を印加する交流電源６１が整合器６２を介して電気的に接続されており、各サセプタ電極５０、５０はそれぞれ並列に接続されている。交流電力としては、数ｋＨｚの低周波数から１３．５６ＭＨｚ等の高周波数の交流電源が使用される。
【００２６】
次に、前記構成に係るバッチ式プラズマ処理装置１０の作用を説明する。
【００２７】
図１に示されているように、カセット２がカセットステージ１６に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放される。
その後、カセット２はカセット搬入搬出口１４から搬入され、カセットステージ１６の上にウエハ１が垂直姿勢であって、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット２はカセットステージ１６によって、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向けるように、筐体１１の後方に右周り縦方向に９０度回転させられる。
次に、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９の指定された棚位置へ、カセット搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡される。
【００２８】
一時的に保管された後、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９からカセット搬送装置２０によって移載棚１８に移載されるか、もしくは、直接、移載棚１８に搬送される。
カセット２が移載棚１８に移載されると、ウエハ移載装置２３はツイーザ２４によってカセット２内のウエハ１をカセット２のウエハ出し入れ口を通じてピックアップし、ウエハ１をカセット２内からボート４３に搬送し、ウエハ１をツィーザ２４からボート４３の一段目のサセプタ電極５０の上に移載する。
ウエハ１を一段目のサセプタ電極５０の上に移載すると、ウエハ移載装置２３はツィーザ２４をカセット２に戻し、次のウエハ１をツィーザ２４によってピックアップする。
ウエハ移載装置２３は以上の作動を繰り返すことによって、最下段までのサセプタ電極５０の上にウエハ１を順次に移載して行く。
【００２９】
所定の段のサセプタ電極５０の上にウエハ１が移載されたボート４３はボートエレベータ４０によって上昇されて、図５に示されているように、処理炉３０の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
ボート４３が上限に達すると、シールキャップ４２が炉口３４をシール状態に閉塞するために、処理室３２は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室３２は排気管３６によって排気され、ヒータ３９によって所定の温度（例えば、８００℃程度）に加熱される。
この際、ヒータ３９がホットウオール形構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート４３に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００３０】
処理室３２内の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス４８が処理室３２内にガス供給管３７から供給されて、処理室３２内の圧力が予め設定された値に達すると、各段のサセプタ電極５０には、それぞれ１８０度位相が異なる交流電力が交流電源６１や整合器６２によって印加される。
【００３１】
図４に示されているように、サセプタ電極５０のウエハ１のアクティブエリア側を向く表面である下面には、全体にわたって均一で平坦なプラズマ６０が生成される。
この全体にわたって均一で平坦なプラズマ６０は、ウエハ１のアクティブエリア側に生成されているために、ウエハ１のアクティブエリア側の主面にはプラズマ処理が全面にわたって均一に施される。
【００３２】
ガス供給管３７に供給された処理ガス４８は各吹出口３８から各段のウエハ１の上方空間にそれぞれ吹き出して、各サセプタ電極５０の下面に生成されたプラズマ６０により、反応が活性な状態になる。
各段のサセプタ電極５０で活性化した粒子（以下、活性粒子という。）は、各段のサセプタ電極５０の上に載置されたウエハ１のアクティブエリア側の主面に接触し、ウエハ１にプラズマ処理を施す。
この際、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート４３の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、均一で平坦なプラズマ６０による活性粒子のウエハ１との接触分布が各段のウエハ１同士で同等かつ各段のウエハ１のウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子のプラズマ反応によるウエハ１におけるプラズマ処理状況は各段のウエハ１同士で、かつ、各段のウエハ１のウエハ面内において均一な状態になる。
【００３３】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス４８の供給、ヒータ３９の加熱、交流電力の印加および排気管３６の排気等が停止された後、ボートエレベータ４０によってシールキャップ４２が下降されることにより、炉口３４が開口されるとともに、ボート４３が炉口３４から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００３４】
処理室３２の外部に搬出されたウエハ１は、前述したウエハ移載装置２３の作動とは逆の手順により、カセット２内に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１がバッチ処理される。
【００３５】
ところで、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やフラッシュメモリー（不揮発性メモリー）等のＩＣの製造方法におけるトランジスタやキャパシタの成膜や表面処理で、プラズマ処理装置を使用する場合には、処理室内に導入される処理ガス以外の不純物が処理室内の部材から放出され、成膜や処理表面の中に混入すると、電気的な特性が劣化するために、これを極力抑制する必要がある。
そこで、従来のプラズマ処理装置の処理室内に設置される部材は、ウエハの成膜や処理表面の中に不純物が混入するのを抑制するために、石英や炭化シリコンやシリコンや炭素（Ｃ）が使用されている。
ここで、サセプタ電極やフィーダおよびターミナル等は導電性が必要であるために、アルミニウム等の金属材料によって形成することが望ましい。
しかし、アルミニウム製のサセプタ電極やフィーダおよびターミナル等がプラズマや反応性ガスに晒されると、金属原子がウエハの成膜や処理表面に混入して膜質や表面の性質上を劣化させてしまう。
このために、本実施の形態においては、サセプタ電極５０やフィーダ５３およびターミナル５６は炭化シリコンによって形成している。
【００３６】
しかしながら、本実施の形態においては、ボート４３が石英によって形成されており、フィーダ５３が炭化シリコンによって形成されているために、例えば、８００℃以上の温度でプラズマ処理する場合には、ボート４３の石英の熱膨張率とフィーダ５３の炭化シリコンの熱膨張率との相違からサセプタ電極５０とフィーダ５３との間の位置ずれが発生するので、サセプタ電極５０やボート４３やフィーダ５３等の破損が起こる危惧がある。
例えば、石英の熱膨張率を０．５×１０-6［Ｋ-1］、炭化シリコンの熱膨張率を３．０×１０-6［Ｋ-1］、ボート４３とフィーダ５３の長さを１０００ｍｍとし、室温２０℃から８００℃まで温度を上昇させた場合には、図６に示されているように、最上段のサセプタ電極５０におけるボート４３の測定点Ａ１は測定点Ａ２に変位し、フィーダ５３の測定点Ｂ１は測定点Ｂ２に変位するために、サセプタ電極５０とフィーダ５３の接続部５４との間の位置ずれＬが発生し、その位置ずれＬの量は２ｍｍにもなる。
そして、サセプタ電極５０とフィーダ５３とが機械的に堅牢に接続されている場合には、このサセプタ電極５０とフィーダ５３との間の位置ずれＬによる応力によってサセプタ電極５０やボート４３やフィーダ５３等の破損が起こる。
【００３７】
しかし、本実施の形態においては、サセプタ電極５０とフィーダ５３とを接続するターミナル５６が柔軟性を備えていることにより、サセプタ電極５０を支持するボート４３の熱膨張率とサセプタ電極５０に電力を供給するフィーダ５３の熱膨張率との相違によって発生する位置ずれＬを、図６に示されているように、ターミナル５６の柔軟性によって吸収することができるので、サセプタ電極５０やボート４３やフィーダ５３等の破損が発生する現象を未然に防止することができる。
なお、室温に近い低温での温度でウエハ１をプラズマ処理する場合には、熱膨張率差による位置ずれＬの量が小さいために、サセプタ電極５０やボート４３やフィーダ５３等の破損が起こる可能性は小さい。
【００３８】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３９】
1)  複数枚のウエハを複数段のサセプタ電極のそれぞれに載置してプラズマ処理することにより、プラズマを各段のウエハのそれぞれにおいて専用的に生成することができるために、プラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
【００４０】
2)  複数段のサセプタ電極のそれぞれに載置された複数枚のウエハをホットウオール形のヒータによって一律に加熱することにより、ウエハのボート全長および各ウエハ面内の温度を均一に分布させることができるため、ウエハのプラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
【００４１】
3)  複数枚のウエハを一括してバッチ処理することにより、ウエハを一枚ずつ枚葉処理する場合に比べて、スループットを大幅に向上させることができる。
【００４２】
4)  サセプタ電極とフィーダとを接続するターミナルを柔軟性を有するように構成することにより、サセプタ電極を支持するボートの熱膨張率とサセプタ電極に電力を供給するフィーダの熱膨張率との相違によって発生する位置ずれを、ターミナルの柔軟性によって吸収することができるので、サセプタ電極やボートやフィーダ等の破損が発生する現象を未然に防止することができる。
【００４３】
5)  ターミナルを導電性を有する炭化シリコンの繊維を編んで帯状に形成することにより、ターミナルからウエハの汚染原因になる金属原子が放出するのを防止することができるとともに、ターミナルの柔軟性と導電性とを確保することができる。
【００４４】
6)  フィーダとターミナルとの接続部およびターミナルとサセプタ電極との接続部の少なくとも一方をねじ止め止め構造とすることにより、フィーダとサセプタ電極との連結が解除可能になるために、メンテナンス作業を簡単化することができる。
【００４５】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４６】
例えば、ターミナルは導電性を有する炭化シリコンの繊維を編んで帯状に形成するに限らず、柔軟性を呈する撚り線状に形成してもよい。
また、ターミナルは弾力性および導電性を有する炭化シリコンまたはシリコンによって形成してもよい。
【００４７】
フィーダは炭化シリコンによって形成するに限らず、シリコン（Ｓｉ）によって形成してもよい。
【００４８】
本発明に係るバッチ式プラズマ処理装置は、プラズマＣＶＤやドライエッチング等のプラズマ処理全般に使用することができる。
【００４９】
また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式プラズマ処理装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う正面断面図である。
【図３】ボートのサセプタ電極の部分を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部省略正面図である。
【図４】交流電力の供給回路を示す回路図である。
【図５】プラズマ処理ステップを示す一部省略正面断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は破損防止作用を示す各模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…ウエハ（基板）、２…カセット、１０…バッチ式プラズマ処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…カセット搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…カセットステージ、１７…カセット棚、１８…移載棚、１９…予備カセット棚、２０…カセット搬送装置、２０ａ…カセットエレベータ、２０ｂ…カセット搬送機構、２１…ウエハ移載機構、２２…ウエハ移載装置エレベータ、２３…ウエハ移載装置、２４…ツィーザ、２５…クリーンユニット、３０…処理炉、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…マニホールド、３４…炉口、３５…炉口シャッタ、３６…排気管、３７…ガス供給管、３８…吹出口、３９…ヒータ、４０…ボートエレベータ、４１…アーム、４２…シールキャップ、４３…ボート（搬送治具）、４４、４５…端板、４６…保持柱、４７…ウエハ受け、４８…処理ガス、５０…サセプタ電極、５１…接続部、５２…補助接続部、５３…フィーダ、５４…接続部、５５…雄ねじ、５６…ターミナル、６０…プラズマ、６１…交流電源、６２…整合器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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