(57)【要約】【課題】  ＤＩＭＭ基板の挿入時には接触圧を低くして、取り扱い性を良くすると共に、挿入時のＤＩＭＭ基板とコンタクトの衝突による異物発生を抑制して、接点に異物が挟み込む可能性を低減し、かつコンタクトの接触部では接触圧を強くして、異物による接触不良を防ぐ。【解決手段】  基板モジュール２の挿入／抜去により、基板モジュール２とマザー基板とを接続／切断する基板モジュール接続ソケット１において、内壁に沿って下方に延びる一対のコンタクト１１の先端部に、内側に向くように形成され、基板モジュール先端面と当接する係止部１１−２を形成し、その上方に基板モジュール２と電気的に接続される円弧状部１１−１を形成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板モジュールの挿入／抜去により、基板モジュールとマザー基板とを接続／切断する基板モジュール接続ソケットであって、上向きに延びる外側部分、及び該外側部分の上端部から内側下方へ反転した内側部分を備え、且つ該内側部分が内側へ湾曲して前記基板モジュールと電気的と接続される円弧状部を備えているコンタクトを備えたものにおいて、
前記コンタクトの内側部分は、前記円弧状部の下方に基板モジュール先端面と当接する係止部を連設した構成を備えていることを特徴とする基板モジュール接続ソケット。
【請求項２】
請求項１記載の基板モジュール接続ソケットにおいて、前記コンタクトのばね性は、前記基板モジュールの先端角部が前記円弧状部にこすれて削られない程度に弱く設定され、前記基板モジュールの先端面が前記係止部を下方へ押圧することで、基板モジュールと円弧状部との接点に適切な接触圧が生じるようになっていることを特徴とする基板モジュール接続ソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＩＭＭメモリ等、基板モジュールをマザー基板に接続する基板モジュール接続ソケットに関する。
【背景技術】
【０００２】
図５ないし図７に基いて従来例の基板モジュール接続ソケットを説明する。図５はＤＩＭＭ基板挿入前の従来例に係るＤＩＭＭソケットの構成図、図６はＤＩＭＭ基板挿入途中の従来例に係るＤＩＭＭソケットの構成図、図７はＤＩＭＭ基板挿入途完了時の従来例に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
ＤＩＭＭソケット(基板モジュール接続ソケット)１は、コンタクト１１をモールド１２内に有する。コンタクト１１はモールド１２の内壁から内側に膨らむ可撓性の円弧状部１１―１を有する。
ＤＩＭＭ基板(基板モジュール)２はＤＩＭＭ接栓部２１を有しており、上方からモールド１２の中空部に挿入され、図７に示すように、コンタクト１１の円弧状部１１―１と弾接するようになっている。
関連技術としては、特許文献１、２がある。
【特許文献１】特開平９−１４８００９号公報
【特許文献２】特開２０００−２９９１５０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、ＤＩＭＭメモリに関しては、ＤＩＭＭソケット１のコンタクト１１の狭ピッチ化により、ＤＩＭＭ基板２とＤＩＭＭソケット１の接点Ｐ(図７)に存在する異物による接触不良の影響が無視できなくなってきている。
接触不良を防ぐためには、コンタクト１１の接触圧(円弧状部１１―１の弾発力)を強くする必要があるが、接触圧を強くすると、ＤＩＭＭ基板２の挿入力(ＤＩＭＭ基板２を円弧状部１１―１の弾発力に抗してモールド１２内に押し込むための力)が大きくなり取り扱い性が悪くなると共に、挿入時にコンタクト１１がＤＩＭＭ基板２の先端角部２２(図６)を削ることによりゴミが発生し、接触不良を発生させる要因となる。
本発明は、ＤＩＭＭ基板の挿入時には接触圧を低くして取り扱い性を良くすると共に、挿入時のＤＩＭＭ基板とコンタクトとの衝突による異物発生を抑制して、接点に異物が挟み込まれる可能性を低減し、かつコンタクトの接触部では接触圧を強くして、異物による接触不良を防ぐことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、基板モジュールの挿入／抜去により、基板モジュールとマザー基板とを接続／切断する基板モジュール接続ソケットであって、上向きに延びる外側部分、及び該外側部分の上端部から内側下方へ反転した内側部分を備え、且つ該内側部分が内側へ湾曲して前記基板モジュールと電気的と接続される円弧状部を備えているコンタクトを備えたものにおいて、前記コンタクトの内側部分は、前記円弧状部の下方に基板モジュール先端面と当接する係止部を連設した構成を備えていることを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載の基板モジュール接続ソケットにおいて、前記コンタクトのばね性は、前記基板モジュールの先端角部が前記円弧状部にこすれて削られない程度に弱く設定され、前記基板モジュールの先端面が前記係止部を下方へ押圧することで、基板モジュールと円弧状部との接点に適切な接触圧が生じるようになっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、基板モジュールの挿入／抜去により、基板モジュールとマザー基板とを接続／切断する基板モジュール接続ソケットにおいて、内壁に沿って下方に延びる一対のコンタクトの先端部に内側に向くように形成され、基板モジュール先端面と当接する係止部を形成し、その上方に基板モジュールと電気的に接続される円弧状部を形成し、コンタクトのばね性は、基板モジュールの先端角部が円弧状部にこすれて削られない程度に弱く設定され、基板モジュールの先端面が係止部を押圧することで、基板モジュールと円弧状部との接点に適切な接触圧が生じるようになっているので、ＤＩＭＭ基板の挿入時には接触圧を低くして、取り扱い性を良くすると共に、挿入時のＤＩＭＭ基板とコンタクトの衝突による異物発生を抑制して、接点に異物が挟み込む可能性を低減し、かつコンタクトの接触部では接触圧を強くして、異物による接触不良を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。
図１はＤＩＭＭ基板挿入前の本発明の実施形態に係るＤＩＭＭソケットの構成図、図２はＤＩＭＭ基板挿入途中の本発明の実施形態に係るＤＩＭＭソケットの構成図、図３はＤＩＭＭ基板挿入途完了直前の本発明の実施形態に係るＤＩＭＭソケットの構成図、図４はＤＩＭＭ基板挿入途完了時の本発明の実施形態に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
従来例と同一個所には同一符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態では、２個のコンタクト１１（導電性端子）１１は、左右対称形状をなしている。各コンタクト１１は、絶縁樹脂から成るモールド１２の底部を貫通して内壁に沿って上方に延びてから、モールド内壁上部で内側に反転して下方へ延びる円弧状部１１−１を有している。更に、円弧状部１１−１の下部を下方（且つ外径方向）に向けて延長形成した下端には内側に向けたフック状の係止部１１−２を有している。なお、コンタクト１１の弾性(ばね性)は従来例より弱いものとなっている。
つまり、コンタクト１１は外側部分１１Ａと、内側部分Ｂ（１１−１、１１−２）と、から構成されている。
【０００７】
ＤＩＭＭ基板２を図２に示すようにモールド１２内に挿入すると、ＤＩＭＭ基板２の先端角部２２がコンタクト１１の円弧状部１１−１に当接するが、コンタクト１１のばね性が弱いために削られることはない。ＤＩＭＭ基板２をモールド１２内に押し込んでいくと、図３に示すように、ＤＩＭＭ基板２の先端面がコンタクト１１の係止部１１−２に突き当たる。
ＤＩＭＭ基板挿入途完了時には図４に示すように、ＤＩＭＭ基板２の先端面はＦ１の力で係止部１１−２を下方に押すことになる。するとコンタクト１１の円弧状部１１−１には内側に向くＦ２の作用力が生じ、これにより、コンタクト１１(の円弧状部１１−１)とＤＩＭＭ基板２(のＤＩＭＭ接栓部２１)との接点Ｐには最適な接触圧が得られることになる。つまり、図３の状態では、円弧状部１１−１と基板側の電極２１との接触圧は円弧状部自体の弾発力のみに依存しているが、基板先端面が係止部１１−２を下方へ押圧することによってコンタクト１１の内側部分１１Ｂ（１１−１、１１−２）が全体として下方へ引き込まれ、その際に円弧状部１１−１が内径側に付勢されることとなる。
【０００８】
つまり、本発明は、基板モジュール２の挿入／抜去により、基板モジュールとマザー基板とを接続／切断する基板モジュール接続ソケット１であって、上向きに延びる外側部分１１Ａ、及び該外側部分１１Ａの上端部から内側下方へ反転した内側部分１１Ｂを備え、且つ該内側部分１１Ｂが内側へ湾曲して基板モジュールと電気的と接続される円弧状部１１−１を備えているコンタクト１１を備えたものにおいて、コンタクト１１の内側部分１１Ｂは、円弧状部の下方に基板モジュール先端面と当接する係止部１１−２を連設した構成を備えている構成が特徴的である。
また、本発明は、コンタクト１１のばね性は、基板モジュールの先端角部２２が円弧状部にこすれて削られない程度に弱く設定され、基板モジュールの先端面が係止部１１−２を下方へ押圧することで、基板モジュールと円弧状部１１−１との接点に適切な接触圧が生じるようになっている。
このように基板２の先端面が係止部１１−２を下方へ向けて押圧することで、基板側面の電極２１と円弧状部１１−１との接点Ｐに適切な接触圧が生じるようになっているので、ＤＩＭＭ基板の挿入時には接触圧を低くして取り扱い性を良くすると共に、挿入時のＤＩＭＭ基板とコンタクトの衝突による異物発生を抑制して、接点に異物が挟み込む可能性を低減し、かつコンタクトの接触部では接触圧を強くして、異物による接触不良を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】ＤＩＭＭ基板挿入前の本発明の実施形態に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
【図２】ＤＩＭＭ基板挿入途中の本発明の実施形態に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
【図３】ＤＩＭＭ基板挿入途完了直前の本発明の実施形態に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
【図４】ＤＩＭＭ基板挿入途完了時の本発明の実施形態に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
【図５】ＤＩＭＭ基板挿入前の従来例に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
【図６】ＤＩＭＭ基板挿入途中の従来例に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
【図７】ＤＩＭＭ基板挿入途完了時の従来例に係るＤＩＭＭソケットの構成図である。
【符号の説明】
【００１０】
１  ＤＩＭＭソケット(基板モジュール接続ソケット)
１１  コンタクト
１１−１  円弧状部
１１―２  係止部
１２  モールド
２  ＤＩＭＭ基板(基板モジュール)
２１  ＤＩＭＭ接栓部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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