(57)【要約】      （修正有）【課題】受動素子が後続する工程の侵食から保護され、且つ特殊設備も必要なく、オートメーション大量生産ができる、積層式受動素子の絶縁構造及びその製作方法を提案する。【解決手段】受動素子を包み込み処理工程により素子本体表面を絶縁保護膜で包み込み、その工程は液体に浸す、膜メッキ（蒸メッキ、スパッタリング）印刷等であり、取り出した後、特定温度ので乾燥後、外電極を塗付形成、温度処理完了後、その外電極下方の絶縁保護膜は、導体に転換、別に剥離工程を行う必要はなく、外電極と受動素子本体を電気接続、また、その他区域の絶縁保護膜は、本体表面において絶縁体状態をやはり呈している。本発明は、温度変化を利用して積層式受動素子外電極の絶縁材料を、絶縁体から半導体／導体に変換する為、本発明は単一式(Single Type) 積層式受動素子への応用だけに限らず、並列式(Array Type)もしくはその他特殊端点(Special Type)素子への応用も可能である。【選択図】図４
2007258259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装技術(Surface Mount Technology) の受動素子に対する一種の積層式受動素子の絶縁構造において、
受動素子である本体と、本体表面に設ける複数の第一外電極と、本体表面を包み込む絶縁保護膜及び絶縁保護膜を隔て第一外電極上方に位置する複数の第二外電極とにより構成され、
性状変化温度によって第二外電極下方の絶縁保護膜の性質を半導体／導体に変化、第二外電極と第一外電極間は電気接続し、その他区域の絶縁保護膜は絶縁体のままであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項２】
請求項１記載の積層式受動素子の絶縁構造において、第一外電極、第二外電極は銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料及び前述金属材料の合金の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項３】
請求項１記載の積層式受動素子の絶縁構造において、絶縁保護膜の厚さは20nmから5mmであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項４】
請求項１記載の積層式受動素子の絶縁構造において、絶縁保護膜の絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)より選択されることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項５】
請求項１記載の積層式受動素子の絶縁構造において、性状変化温度は150℃〜1000℃間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項６】
表面実装技術(Surface Mount Technology) の受動素子に対する一種の積層式受動素子の絶縁構造において、
受動素子である本体と、本体表面を包み込む絶縁保護膜及び  絶縁保護膜上に形成する複数の外電極とにより構成され、
性状変化温度により、外電極下方の絶縁保護膜の性質は半導体／導体に変化、外電極と本体間は電気接続することにより、その他区域の絶縁保護膜は絶縁体のままであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項７】
請求項６記載の積層式受動素子の絶縁構造において、外電極は、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料及び前述金属材料の合金の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項８】
請求項６記載の積層式受動素子の絶縁構造において、絶縁保護膜の厚さは20nmから5mmであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項９】
請求項６記載の積層式受動素子の絶縁構造において、絶縁保護膜の絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)より選択されることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項１０】
請求項６記載の積層式受動素子の絶縁構造において、性状変化温度は150℃〜1000℃間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造。
【請求項１１】
一種の積層式受動素子の絶縁構造製作方法は、次の製造工程を含むことを特徴とし、
(a)受動素子である本体を形成、
(b)前記本体表面に複数の第一外電極を形成、
(c)本体は、包み込み処理工程後、取り出し、ある一定の乾燥温度により乾燥処理を行い、本体表面を絶縁保護膜で包み込み、
(d)複数の第二外電極を形成、第二外電極は、絶縁保護膜を隔て第一外電極上方に位置し、
(e)性状変化温度処理により、第二外電極下方の絶縁保護膜の性質は導体に変化、第二外電極下方の絶縁保護膜の性質は半導体／導体、第二外電極と第一外電極間は電気接続され、その他区域の絶縁保護膜は絶縁体のままであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、第一外電極、第二外電極は、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料及び前述金属材料の合金の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、包み込み処理工程は、液体に浸す、膜メッキ及び印刷方式の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、絶縁保護膜の絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)より選択されることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、乾燥温度は70℃〜300℃、乾燥時間は10分から2時間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項１６】
請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、性状変化温度は150℃〜1000℃間で、処理時間は30分から2時間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項１７】
一種の積層式受動素子の絶縁構造製作方法は、次の工程を含むことを特徴とし、
(a)受動素子である本体を形成、
(b)前記本体表面の包み込み処理工程終了後、取り出し、ある一定乾燥温度で乾燥処理をして、本体表面を絶縁保護膜で包み込み、
(c)更に、絶縁保護膜表面に複数の外電極を形成、
(d)性状変化温度処理により、外電極下方の絶縁保護膜性質は半導体／導体に変化、外電極と本体間は電気接続を行う為、その他区域の絶縁保護膜は絶縁体のままであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、外電極は、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料及び前述金属材料の合金の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、包み込み処理工程方式は、液体に浸す、膜メッキ及び印刷方式の内一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項２０】
請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、絶縁保護膜の絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)より選択されることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項２１】
請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、乾燥温度は70℃〜300℃、乾燥時間は10分から2時間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【請求項２２】
請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、性状変化温度は150℃〜1000℃間で、処理時間は30分から2時間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の絶縁構造及びその製作方法は、特に、表面実装型積層式受動素子を提案するものであり、受動素子の表面に絶縁保護膜を作り、受動素子を保護して後続する工程の影響を受けないようにし、後続する工程をスムーズに行わせる積層式受動素子の絶縁構造及びその製作方法である。
【背景技術】
【０００２】
回路の広範な機能が増加し、システムサイズが減少、消費仕事率と回路価格の低下の為に、電子商品は、軽薄短小の方向に発展しており、特に情報、通信、消費性電子商品においては、更に顕著である。積層式受動素子もまた同じように、回路基板上の回路に確実に付着させる為、積層式受動素子上の外電極と回路基板上のクリームハンダは、ＩＲリフロー(IR Reflow) もしくはウェーブソルダー(Wave Soldering) の後、融解して回路を形成、予定の電気的特性(Erectrical Specifications) を達成させる。
【０００３】
図１〜図３に、単一式(Single Type) 、並列式(Array Type)及び特殊端点(Special Type)の積層式受動素子の表示図を示す。単一式(Single Type) 積層式受動素子の外観は、図１に示すとおりであり、それは、受動素子の本体11、本体11両端に位置する外電極12を含む。並列式(Array Type)積層式受動素子の外観は図２に示すとおりであり、それは、受動素子の本体21、及び本体21に相対的な両表面に並列する外電極22を含む。特殊端点(Special Type)積層式受動素子の外観は図３に示すとおりであり、それは、受動素子の本体31と、本体31各表面に必要に応じて設置した外電極32を含む。
【０００４】
通常、外電極は、銀を含む成分の金属材料を使用し、その後、表面処理工程を経過して、外電極表面に補助外電極とパッド(pads) を溶解したハンダ界面層をメッキし、表面実装技術(Surface Mount Technology) 工程によって加工する。
【０００５】
表面処理工程においては、溶液は通常、多酸塩基溶液(High acid base solution) に属する為、積層式受動素子の本体表面について言えば、この工程を行う場合、積層式受動素子本体表面は侵食の影響を容易に受け、更に元来設計の電気的特性(Erectrical Specifications) を失うことになる。  
【０００６】
従来技術では、製造工程において、有効的に受動素子本体を保護する為の外電極の形成には、幾種類かの方式を使用できる。下記に簡単に説明する。
（1）第一種方法：貴金属成分を含む外電極を塗り付けて、積層式受動素子を直接パッド(pads) 上のクリームハンダと融解する方法で、これは、“電気メッキ不要外電極”と呼ばれる。加工方法は、一般の外電極塗付方式を使い、オートメーション大量生産が可能、生産速度も速い。しかし、この方式で形成する外電極とクリームハンダが接触する箇所は、温度上昇により粘着度が低下、クリームハンダは温度が最も高いパッド(pads) 外側から融解を始め、“電気メッキ不要外電極”とクリームハンダは同質材料でない為、ＩＲリフロー(IR Reflow) もしくはウェーブソルダー(Wave Soldering) 経過後、そのハンダ高さは、表面処理工程を経過する素子より劣る。また、積層式受動素子のサイズは、徐々に小さいサイズに向かって発展しており、この方法で形成する外電極は、信頼性テスト（冷熱循環テスト、熱衝撃テスト等）で失敗するケースも多い。並びに、貴金属価格も高く、波動性も比較的高く、原料コストは、非常に大きな負担となっている。
（2）第二種方法：積層式受動素子の本体表面に絶縁保護膜を作成、絶縁保護膜の材料は、非晶質材料（例えばガラス等）、高分子材料等である。絶縁保護膜を形成後、剥離洗浄工程によって、内電極を露出させ、更にもう一度外電極塗布作業をして、この本体保護目的を完成させ、後続するハンダ界面層の表面処理に役立たせる。この種の工程においては、剥離洗浄工程が一つ多くなる故、この工程では、材料から設備までの選択を一つ一つ考慮せねばならず、製作上、多くの難度が存在する。
（3）第三種方法：積層式受動素子の本体表面に一層の絶縁保護膜を生成、その絶縁保護膜は皮膜生長方式によって行われ、効果は第二種方法と同様であるが、剥離洗浄工程を回避でき、製造時間とコスト削減ができる。しかし、この方法は、ＩＲリフロー(IR Reflow) もしくはウェーブソルダー(Wave Soldering) を経過した後、絶縁抵抗値は低下、また、素子を電気回路上に取り付ける場合、その漏電が増加、製品の信頼度に影響、且つ、表面に高抵抗化を形成する工程の制御が難しく、絶縁不良率が高いのも欠点である。よって、如何に本体表面に反応を起こさせず、且つ本体表面に安定した絶縁保護膜を生成させるかが大きな課題となっている。
（4）第四種方法：金属拡散(Metal Diffusion) 方式であり、素子表面に高抵抗絶縁保護膜を形成、その方法は金属イオンの拡散進行を制御する、最高難度のものであり、表面に形成する高抵抗パラメータの制御が難しく、且つ、半導体層面に属する設備は、製造価格が非常に高値である。
前述する方法から、従来技術がまだ多くの欠点を抱えていることを理解でき、実に良好な設計というものはなく、改善が待たれている現状である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の主な目的は、工程を減少して積層式受動素子の表面に絶縁保護膜を製作、受動素子本体が表面処理工程における侵食影響を受けないように保護し、後続する工程の進行に役立たせることをその特徴とする。
【０００８】
本発明の第二目的は、元来の塗付設備により生産でき、オートメーション大量生産が達成でき、生産量向上ができることをその特徴とする。
【０００９】
本発明の第三目的は、絶縁保護膜を利用して表面処理工程の間、素子本体を保護し、これによって、後続する工程における侵食現象及び表面皮膜生成加工法による漏電の増加を改善、絶縁不良率高という欠点を克服する。
【００１０】
前述した本発明の目的を達成すべく、本発明は、受動素子を包み込み処理工程により、受動素子本体表面を絶縁保護膜で包み込み、その包み込み処理工程は、液体に浸す、膜メッキ（蒸メッキ、スパッタリング）印刷等方式であり、取り出した後、特定温度の下乾燥、その後、外電極を塗付形成、温度処理完了後、その外電極下方の絶縁保護膜は、導体に転換、別に剥離工程を行う必要はなく、外電極と受動素子本体を電気接続、また、その他区域の絶縁保護膜は、本体表面において絶縁体状態をやはり呈している。本発明は、温度変化を利用して積層式受動素子外電極の絶縁材料を、絶縁体から半導体／導体に変換する為、本発明は単一式(Single Type) 積層式受動素子への応用だけに限らず、並列式(Array Type)積層式受動素子もしくはその他特殊端点(Special Type)積層式受動素子への応用も可能である。本発明の工程により、受動素子が後続する工程の侵食から保護され、且つ特殊設備も必要なく、素早く大量生産できる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、表面実装技術(Surface Mount Technology) の受動素子に対する一種の積層式受動素子の絶縁構造において、
受動素子である本体と、本体表面に設ける複数の第一外電極と、本体表面を包み込む絶縁保護膜及び絶縁保護膜を隔て第一外電極上方に位置する複数の第二外電極とにより構成され、
性状変化温度によって第二外電極下方の絶縁保護膜の性質を半導体／導体に変化、第二外電極と第一外電極間は電気接続し、その他区域の絶縁保護膜は絶縁体のままであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の積層式受動素子の絶縁構造において、第一外電極、第二外電極は銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料及び前述金属材料の合金の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の積層式受動素子の絶縁構造において、絶縁保護膜の厚さは20nmから5mmであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の積層式受動素子の絶縁構造において、絶縁保護膜の絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)より選択されることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の積層式受動素子の絶縁構造において、性状変化温度は150℃〜1000℃間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
【００１２】
請求項６の発明は、表面実装技術(Surface Mount Technology) の受動素子に対する一種の積層式受動素子の絶縁構造において、
受動素子である本体と、本体表面を包み込む絶縁保護膜及び  絶縁保護膜上に形成する複数の外電極とにより構成され、
性状変化温度により、外電極下方の絶縁保護膜の性質は半導体／導体に変化、外電極と本体間は電気接続することにより、その他区域の絶縁保護膜は絶縁体のままであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
請求項７の発明は、請求項６記載の積層式受動素子の絶縁構造において、外電極は、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料及び前述金属材料の合金の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
請求項８の発明は、請求項６記載の積層式受動素子の絶縁構造において、絶縁保護膜の厚さは20nmから5mmであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
請求項９の発明は、請求項６記載の積層式受動素子の絶縁構造において、絶縁保護膜の絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)より選択されることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
請求項１０の発明は、請求項６記載の積層式受動素子の絶縁構造において、性状変化温度は150℃〜1000℃間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造としている。
【００１３】
請求項１１の発明は、一種の積層式受動素子の絶縁構造製作方法は、次の製造工程を含むことを特徴とし、
(a)受動素子である本体を形成、
(b)前記本体表面に複数の第一外電極を形成、
(c)本体は、包み込み処理工程後、取り出し、ある一定の乾燥温度により乾燥処理を行い、本体表面を絶縁保護膜で包み込み、
(d)複数の第二外電極を形成、第二外電極は、絶縁保護膜を隔て第一外電極上方に位置し、
(e)性状変化温度処理により、第二外電極下方の絶縁保護膜の性質は導体に変化、第二外電極下方の絶縁保護膜の性質は半導体／導体、第二外電極と第一外電極間は電気接続され、その他区域の絶縁保護膜は絶縁体のままであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項１２の発明は、請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、第一外電極、第二外電極は、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料及び前述金属材料の合金の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項１３の発明は、請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、包み込み処理工程は、液体に浸す、膜メッキ及び印刷方式の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項１４の発明は、請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、絶縁保護膜の絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)より選択されることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項１５の発明は、請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、乾燥温度は70℃〜300℃、乾燥時間は10分から2時間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項１６の発明は、請求項１１記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、性状変化温度は150℃〜1000℃間で、処理時間は30分から2時間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
【００１４】
請求項１７の発明は、一種の積層式受動素子の絶縁構造製作方法は、次の工程を含むことを特徴とし、
(a)受動素子である本体を形成、
(b)前記本体表面の包み込み処理工程終了後、取り出し、ある一定乾燥温度で乾燥処理をして、本体表面を絶縁保護膜で包み込み、
(c)更に、絶縁保護膜表面に複数の外電極を形成、
(d)性状変化温度処理により、外電極下方の絶縁保護膜性質は半導体／導体に変化、外電極と本体間は電気接続を行う為、その他区域の絶縁保護膜は絶縁体のままであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項１８の発明は、請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、外電極は、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料及び前述金属材料の合金の内の一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項１９の発明は、請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、包み込み処理工程方式は、液体に浸す、膜メッキ及び印刷方式の内一つであることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項２０の発明は、請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、絶縁保護膜の絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)より選択されることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項２１の発明は、請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、乾燥温度は70℃〜300℃、乾燥時間は10分から2時間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
請求項２２の発明は、請求項１７記載の積層式受動素子の絶縁構造製作方法において、性状変化温度は150℃〜1000℃間で、処理時間は30分から2時間であることを特徴とする積層式受動素子の絶縁構造製作方法としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、工程を減少して積層式受動素子の表面に絶縁保護膜を製作、受動素子本体が表面処理工程における侵食影響を受けないように保護し、後続する工程の進行に役立たせ、また、元来の塗付設備により生産でき、オートメーション大量生産が達成でき、生産量向上ができ、更に、絶縁保護膜を利用して表面処理工程の間、素子本体を保護し、これによって、後続する工程における侵食現象及び表面皮膜生成加工法による漏電の増加を改善、絶縁不良率高という欠点を克服する効果を持つ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図４〜６に、本発明の単一式(Single Type) 、並列式(Array Type)、特殊端点(Special Type)の積層式受動素子の構造表示図を示す。本発明の絶縁構造及びその製造方法は下記のとおりである。
(a)受動素子である本体110、210、310を形成する。
(b)複数の第一外電極120a、220a、320aを塗付形成、本体110、210、310表面に設け、且つ本体110、210、310に電気接続する。その内、第一外電極120a、220a、320aは、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料の内一つ、前述金属材料合金の内一つを選択する。
(c)その後、本体110、210、310を包み込み処理工程によって、本体110、210、310表面を絶縁保護膜130、230、330で包み込む。その内絶縁材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)から選ばれる。
その包み込み処理工程は、液体に浸す、膜メッキ（蒸メッキ、スパッタリング）、印刷等方式が可能であり、取り出した後、一定の乾燥温度70℃から300℃、乾燥時間は約10分から2時間で乾燥する。形成後の絶縁保護膜130、230、330の厚さは20nmから5mmである。
(d)更にその絶縁保護膜130、230、330表面に、複数の第二外電極120b、220b、320bを塗付形成、且つこれらは第一外電極120a、220a、320a上方に位置する。その内、第二外電極120b、220b、320bは、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料の内の一つ、もしくは前述金属材料の合金の内の一つである。
(e)最後に150℃から1000℃間の性状変化温度で約30分から2時間の処理を行い、第二外電極120b、220b、320b下方の絶縁保護膜130、230、330の性質を半導体／導体に変換、第二外電極120b、220b、320bと第一外電極120a、220a、320a間を電気接続、その他区域の絶縁保護膜130、230、330は絶縁体のままである。
その保護膜層により、本発明の本体110、210、310は、表面処理工程において、後続する工程の侵食を受けず、後続する工程を助け、第二外電極120b、220b、320b表面には、補助外電極とパッド(pads) を融解したハンダ界面層をメッキする故、表面実装技術(Surface Mount Technology) を用いる積層式受動素子の製造工程を助ける結果となる。
【００１７】
図７から図９に、本発明の単一式(Single Type) 、並列式(Array Type)、特殊端点(Special Type)の積層式受動素子のもう一つの構造表示図を示す。その絶縁構造及びその製造方法は次のとおりである。
(a)受動素子の本体110、210、310を形成する。
(b)前記本体110、210、310は、包み込み処理工程後、取り出し、ある一定の乾燥温度により乾燥処理を行い、本体110、210、310表面に絶縁保護膜130、230、330を包み込む。その内、絶縁材料は化学組成物であり、下記から選ばれる。：アルカリ金属、アルカリ土類金属、シリコン基(Si-base)、鉛基(Pb-base)、ホウ素基(B-base)、チタン基(Ti-base)、亜鉛基(Zn-base)、アルミニウム基(Al-base)。
包み込み処理工程は、液体に浸す、膜メッキ（蒸メッキ、スパッタリング）、印刷等方式が可能である。包み込み処理工程終了後、取り出して乾燥、乾燥温度は70℃から300℃、乾燥時間は10分から2時間、厚さ20nmから5mmの絶縁保護膜130、230、330が形成される。
(c)更に、絶縁保護膜130、230、330表面に複数の外電極120、220、320が塗付形成される。その内外電極120、220、320は、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、金(Au)の金属材料の内の一つ、もしくは前述金属材料の合金の内の一つである。
(d)最後に、150℃から1000℃間の性状変化温度で、30分から2時間の処理を行い、外電極120、220、320下方の絶縁保護膜130、230、330性質は半導体／導体に変化、その外電極120、220、320と本体110、210、310は電気接続を行い、その他区域の絶縁保護膜130、230、330は絶縁体のままである。
その保護膜層により、本発明の本体110、210、310が表面処理工程において後続する各工程の侵食を受けず、後続する工程に役立ち、外電極120、220、320表面には、補助外電極とパッド(pads) を融解したハンダ界面層をメッキする為、表面実装技術(Surface Mount Technology) の積層式受動素子工程の加工が便利になる。
【００１８】
本発明の特徴は、積層式受動素子の絶縁保護膜構造及びその形成方法にあり、それは、表面実装型の積層式受動素子本体に対する絶縁保護処理技術であり、その他従来技術の方法と比較すると、更に下記のような長所が見られる。
1.本発明の絶縁保護膜は絶縁特性を持ち、温度処理後、電極端のある区域の絶縁保護膜130、230、330は、半導体／導体に変化する故、別に剥離工程をする必要はなく、且つ、その他区域の絶縁保護膜130、230、330は、本体110、210、310表面において絶縁体となっている。よって、別の工程によって電極端の絶縁保護膜130、230、330を除去する必要はない為、絶縁保護膜局部の損失を回避、同時に時間、コスト、設備の節約ができる。
2.本発明の積層式受動素子の絶縁保護膜130、230、330及びその形成方法は、元来の生産設備を使用できる為、オートメーション大量生産方式で、生産量を向上できる。
3.本発明の積層式受動素子の絶縁保護膜130、230、330構造及びその形成方法は、積層式受動素子に広く応用したもので、単一式(Single Type) 積層式受動素子、並列式(Array Type)積層式受動素子とその他特殊端点(Special Type)積層式受動素子を含み、受動素子形態が異なることによる特別な設備や工程が不要で、コスト削減に非常に役立つ。
4.本発明の積層式受動素子の絶縁保護膜130、230、330及びその形成方法は、異なるサイズの積層式受動素子、例えば、長さ1.0mm*幅0.5mm、長さ0.5mm*幅0.25mmもしくは更に小さなサイズの受動素子等に広く応用される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来品に関する単一式(Single Type)積層式受動素子の表示図である。
【図２】従来品に関する並列式(Array Type)積層式受動素子の表示図である。
【図３】従来品に関する特殊端点(Special Type)積層式受動素子の表示図である。
【図４】本発明実施例に関する単一式(Single Type)積層式受動素子の構造表示図である。
【図５】本発明実施例に関する並列式(Array Type)積層式受動素子の構造表示図である。
【図６】本発明実施例に関する特殊端点(Special Type)積層式受動素子の構造表示図である。
【図７】本発明実施例に関する単一式(Single Type)積層式受動素子のもう一つの構造表示図である。
【図８】本発明実施例に関する並列式(Array Type)積層式受動素子のもう一つの構造表示図である。
【図９】本発明実施例に関する特殊端点(Special Type)積層式受動素子のもう一つの構造表示図である。
【符号の説明】
【００２０】
11、21、31          本体
12、22、32          外電極
110、210、310      本体
120、220、320      外電極
120a、220a、320a   第一外電極
120b、220b、320b   第二外電極
130、230、330      絶縁保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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