(57)【要約】【課題】受動素子のグランドに接続される端子とグランド電極パターンとの間の配線による電圧降下により生じる受動素子のグランドに接続される端子の電位の上昇を防止し、電気特性を向上させることを目的とする。【解決手段】複数の絶縁基板Ｍ１からＭ１５を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品１００であって、容量素子を形成する電極パターン１０４とビアホール１１０とが形成される第１の絶縁基板Ｍ７と、少なくともグランド電極パターン１０１が形成される第２の絶縁基板Ｍ３と、前記ビアホール１１０を通り前記容量素子を形成する電極パターン１０４と前記グランド電極パターン１０１との間を導通するスルーホール配線１１１とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、
受動素子を形成する電極パターンとビアホールとが形成される第１の絶縁基板と、
グランド電極パターンが形成される第２の絶縁基板と、
前記ビアホールを通り、前記受動素子を形成する電極パターンと前記グランド電極パターンとの間を導通するスルーホール配線とを備える、積層型電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の積層型電子部品において、
前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の間に、前記スルーホール配線が通過するビアホールが形成される絶縁基板を有する、積層型電子部品。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の積層型電子部品において、
さらに、積層体の側面に、前記受動素子の一端と、前記グランド電極パターンとを繋ぐ配線を備える、積層型電子部品。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の積層型電子部品において、
前記受動素子は容量素子である、積層型電子部品。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の積層型電子部品において、
前記積層型電子部品はダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路またはフィルタ回路のいずれかを構成する、積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品に関し、特に高周波で使用される積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波部品では、積層体内のグランド電極の電位が電圧降下により上昇することを防ぐため、積層体の実装面に実装用補助パッドを設け、実装用補助パッドと積層体の内部に形成されたグランド電極パターンとの間をスルーホール配線で導通させていた（特許文献１）。また、従来の積層複合部品では、少なくとも１つの共通グランド電極パターンを有し、２以上の回路ブロックに対して回路ブロックごとにグランド電極パターンを分け、当該グランドを共通グランド電極パターンに接続していた（特許文献２）。  
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２２０８７号公報
【特許文献２】特開２００４−２６０４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術によれば、積層体内のグランド電極パターンのグランド電位の安定化は図れる。しかし、受動素子のグランド電極パターンに接続される端子とグランド電極パターンとの間の配線抵抗により生じた電圧降下により、受動素子のグランドに接続される端子の電位が上昇し、電気特性が悪くなるという問題があった。この問題は、グランド電極パターンがある絶縁基板とグランド電極パターンに接続される受動素子がある絶縁基板との間に他の絶縁基板がある場合に顕著であった。
【０００５】
本発明の目的は、上記課題を解決し、受動素子のグランドに接続される端子とグランド電極パターンとの間の配線による電圧降下により生じる受動素子のグランドに接続される端子の電位の上昇を防止し、電気特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る積層型電子部品は、複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、受動素子を形成する電極パターンとビアホールとが形成される第１の絶縁基板と、グランド電極パターンが形成される第２の絶縁基板と、前記ビアホールを通り、前記受動素子を形成する電極パターンと前記グランド電極パターンとの間を導通するスルーホール配線とを備える。
【０００７】
本発明による積層型電子部品によれば、受動素子とグランド電極パターンの間をスルーホール配線で接続するため、受動素子の端子とグランド電極パターンとの間の配線による電圧降下が緩和され、受動素子のグランドに接続される端子の電位の上昇が抑制され、積層型電子部品の電気特性を向上させることができる。
【０００８】
本発明に係る積層型電子部品は、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の間に、前記スルーホール配線が通過するビアホールが形成される絶縁基板を有する。第１の絶縁基板と第２の絶縁基板の間に、絶縁基板がある場合、受動素子の電極パターンとグランド電極パターンの間の距離が長くなり電圧降下の影響も大きいが、本発明によれば、スルーホール配線により受動素子の端子とグランド電極パターンとの間の配線による電圧降下が緩和され、受動素子のグランド電位の上昇が抑制され、積層型電子部品の電気特性を向上させることができる。
【０００９】
本発明に係る積層型電子部品において、さらに、積層体の側面に、前記受動素子の一端と、前記グランド電極パターンとを繋ぐ配線を備える。本発明によれば、積層体の側面に受動素子の一端とグランド電極パターンとを繋ぐ配線をさらに備えているため、受動素子のグランド電極パターンに接続される一端の電位がさらに安定する。
【００１０】
本発明に係る積層型電子部品において、前記受動素子は容量素子である。容量素子の場合、容量素子を構成する２枚の電極板のうちグランド側の電極板がグランド電極パターンと共通でない場合、容量素子のグランド側の電極板とグランド電極パターンを配線で繋ぐ必要があるが、本発明によれば、容量素子のグランド側の電極とグランド電極パターンとの間はスルーホール配線で接続されるため、電圧降下が緩和され、受動素子のグランド電位の上昇が抑制され、積層型電子部品の電気特性を向上させることができる。
【００１１】
本発明に係る積層型電子部品は、ダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路またはフィルタ回路のいずれかを構成する。本発明は、ダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路、あるいは、ローパスフィルタに代表されるフィルタ回路、特に高周波用のローパスフィルタ回路に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．第１の実施例：
Ｂ．第２の実施例：
Ｃ．その他の実施例：
【００１３】
Ａ．第１の実施例：
図１から図４を参照して、第１の実施例に係るダイプレクサ１００について説明する。図１は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の上面を上にした外観を模式的に示す説明図である。図２は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の下面を上にした外観を模式的に示す説明図である。図３は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図４は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の等価回路を示す説明図である。
【００１４】
第１の実施例に係るダイプレクサ１００は、複数の絶縁基板Ｍ１からＭ１５を積層してなる積層体形状の電子部品である。ダイプレクサ１００の積層体側面には、側面電極１００ａから１００ｈが形成されている。側面電極１００ａ、１００ｃ、１００ｅ、１００ｇは外部基板のグランド電極に接続されるグランド端子（ＧＮＤ）である。図４に示す等価回路では、側面電極１００ｂは入力端子（Ｃｏｍｍｏｎ  ＩＮ）に相当し、側面電極１００ｄは、出力端子１（Ｂａｎｄ１  ＯＵＴ）に相当し、側面電極１００ｆは、出力端子２（Ｂａｎｄ２  ＯＵＴ）に相当する。側面電極１００ｈは積層体内部でグランド電極パターンあるいは受動素子のいずれとも接続されていない未接続端子（Ｎ／Ｃ）である。
【００１５】
絶縁基板Ｍ１と絶縁基板Ｍ２には、図示しない電極パターンがそれぞれ形成されている。これらの電極パターン間の重なり、及び、これらの電極パターンと絶縁基板Ｍ３の第１の電極パターン１０１あるいは第２の電極パターン１０２との重なりにより、図４の等価回路に示す容量素子Ｃ５，Ｃ１０、Ｃ１２を形成する。絶縁基板Ｍ９から絶縁基板Ｍ１４には、図示しない電極パターンがそれぞれ形成されている。これらの電極パターンは、図４の等価回路に示す容量素子Ｃ３、Ｃ６、Ｃ７とコイル素子Ｌ３と、コイル素子Ｌ２の一部をそれぞれ形成している。絶縁基板Ｍ１５は蓋であり、電極パターンは形成されていない。
【００１６】
以下、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の特徴的な構成要素である絶縁基板Ｍ３から絶縁基板Ｍ８について詳細に説明する。
【００１７】
絶縁基板Ｍ３には、第１の電極パターン１０１と第２の電極パターン１０２が形成されている。第１の電極パターン１０１は、側面電極１００ｃと１００ｅに接続され、グランド電極として機能する。第２の電極パターン１０２は側面電極１００ａと１００ｇに接続され、グランド電極として機能する。第１の電極パターン１０１と第２の電極パターン１０２は、どちらもグランド電極として機能するものであるが、絶縁基板Ｍ３上では、相互に接続されていない。側面電極１００ｃ及び１００ｅは、図３の回路図に示すダイプレクサ１００の回路の入力端子から出力端子１までの回路Ｄ１用のグランド電極であり、側面電極１００ａ及び１００ｇは、図３の回路図に示すダイプレクサ１００の入力端子から出力端子２までの回路Ｄ２用のグランド電極である。第１の実施例では、一方の回路の動作が他方の回路の動作に影響を与えることを防止するために、絶縁基板Ｍ３上では、第１の電極パターン１０１と第２の電極パターン１０２のように、回路ごとにグランド電極パターンを分けている。
【００１８】
絶縁基板Ｍ４には、電極パターンＬ１ａ、Ｌ２ａ、Ｌ４ａ、Ｌ５ａが形成されている。絶縁基板Ｍ５には、電極パターンＬ１ｂ、Ｌ２ｂ、Ｌ４ｂ、Ｌ５ｂが形成されている。絶縁基板Ｍ６には、電極パターンＬ１ｃ、Ｌ２ｃ、Ｌ４ｃ、Ｌ５ｃが形成されている。電極パターンＬ４ａ、Ｌ４ｂ、Ｌ４ｃはスルーホール配線１０３により直列に接続され、図４の等価回路に示すコイル素子Ｌ４を形成している。電極パターンＬ５ａ、Ｌ５ｂ、Ｌ５ｃはスルーホール配線１０３により直列に接続され、図４の等価回路に示すコイル素子Ｌ５を形成している。
【００１９】
絶縁基板Ｍ７には、第３の電極パターン１０４と第４の電極パターン１０５と第５の電極パターン１０６と電極パターンＬ２ｄとが形成されている。絶縁基板Ｍ８には、第６の電極パターン１０８と第７の電極パターン１０９と電極パターンＬ１ｅ、Ｌ２ｅとが形成されている。
【００２０】
第３の電極パターン１０４と第６の電極パターン１０８とが重なる部分に、図４に示す等価回路の容量素子Ｃ４が形成されている。第４の電極パターン１０５と第７の電極パターン１０９とが重なる部分に、図４に示す等価回路の容量素子Ｃ９が形成されている。第５の電極パターン１０６と第７の電極パターンとが重なる部分に、図４に示す等価回路に容量素子Ｃ１１が形成されている。
【００２１】
電極パターンＬ１ａとＬ１ｂとＬ１ｃとＬ１ｅはスルーホール配線１０３により直列に接続され、図４に示す等価回路のコイル素子Ｌ１の一部を構成する。電極パターンＬ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃ、Ｌ２ｄ、Ｌ２ｅは、スルーホール配線１０３により直列に接続され、図４の等価回路に示すコイル素子Ｌ２の一部を構成する。なお、コイル素子Ｌ２の残りの部分は絶縁基板Ｍ９に形成されているが、図３では図示を省略してある。
【００２２】
第６の電極パターン１０８と絶縁基板Ｍ９に形成されている第８の電極パターン（図示せず）の重なる部分に、図４に示す等価回路の容量素子Ｃ１が形成され、第６の電極パターン１０８と絶縁基板Ｍ９に形成されている第９の電極パターン（図示せず）の重なる部分に、図４に示す等価回路の容量素子Ｃ２が形成され、第７の電極１０９と絶縁基板Ｍ９に形成されている第１０の電極パターン（図示せず）の重なる部分に、図４に示す等価回路の容量素子Ｃ８が形成されている。
【００２３】
絶縁基板Ｍ４から絶縁基板Ｍ６及び絶縁基板Ｍ７の第３の電極パターン１０４の下にはビアホール１１０が形成されている。第１の電極パターン１０１と第３の電極パターン１０４とは、ビアホール１１０を通るスルーホール配線１１１により導通されている。
【００２４】
第１の電極パターン１０１はグランド電極として機能することから、第３の電極パターン１０４は図４の等価回路の容量素子Ｃ４のグランド側の電極として機能する。  
【００２５】
図５及び図６を参照して、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ３００の構成の違いと電気特性の違いについて説明する。図５は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の絶縁基板Ｍ３、Ｍ７と第２の実施例に係るダイプレクサ２００の絶縁基板Ｎ３、Ｎ７と従来のダイプレクサ３００の絶縁基板Ｐ３、Ｐ７とを比較する説明図である。図６は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と第２の実施例に係るダイプレクサ２００と従来のダイプレクサ３００の電気特性を比較するグラフである。図６において、縦軸は減衰量、横軸は周波数を示す。図６の曲線Ａが第１の実施例に係るダイプレクサ１００の電気特性である。図６の曲線Ｃが従来のダイプレクサ３００の電気特性である。
【００２６】
第１の実施例に係るダイプレクサ１００を従来のダイプレクサ３００と比較すると、従来のダイプレクサ３００では、第３の電極パターン３０４は、配線３０７により側面電極３００ｅに接続されているだけで、スルーホール配線により第１の電極パターン３０１に導通されていないが、第１の実施例に係るダイプレクサ１００は、図５の破線ａで囲った部分で示すように、第３の電極パターン１０４がスルーホール配線１１１により第１の電極パターン１０１に導通され、グランドが強化されている。スルーホール配線１１１によれば、側面電極３００ｅ及び配線３０７経由で第１の電極パターン３０１と第３の電極パターン３０４を繋ぐよりも配線抵抗が小さく、電圧降下によるグランド電位の上昇を抑制し、グランドを強化できる。
【００２７】
その結果、５ＧＨｚ以上の高周波領域で顕著な特性改善が見られる。すなわち、従来のダイプレクサ３００では、減衰量は、周波数が６．６ＧＨｚ付近で上に凸となる電気特性を示すが、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、６．５ＧＨｚ付近で下に凸となる電気特性を示し、この周波数域における減衰量が増大している。すなわち、第１の実施例に係るダイプレクサ１００によれば、６．５ＧＨｚ付近の高周波数帯で減衰量が大きい、良好な電気特性の積層型電子部品が得られる。
【００２８】
以上説明したように、第１の実施例に係るダイプレクサでは、受動素子がグランドに接続される場合に、スルーホール配線で接続しているため、受動素子のグランドが強化され、電気特性を向上することができる。
【００２９】
積層体の電子部品では、容量素子がグランドに接続される場合、容量素子を構成する２枚の電極板のうち１枚の電極をグランド電極パターンと共用することが多い。しかし、共用できない場合には、当該電極は側面電極を介してグランド電極パターンに接続されるため、第１の実施例による効果が大きい。容量素子のグランド側の電極板とグランド電極パターンの間に複数の絶縁基板がある場合には、スルーホール配線によりグランドを強化する効果が大きくなる。
【００３０】
Ｂ．第２の実施例：
図７を参照して、第２の実施例に係るダイプレクサ２００について説明する。図７は第２の実施例に係るダイプレクサ２００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。第２の実施例に係るダイプレクサ２００の積層体側面には、８つの側面電極２００ａから２００ｈが形成されている。第２の実施例に係るダイプレクサ２００の絶縁基板Ｎ１からＮ１５の構成は第１の実施例に係るダイプレクサ１００のＭ１からＭ１５の構成とほぼ同じであるので異なる点のみを説明する。なお、第１の実施例と共通する構成要素には同じ符号を付している。
【００３１】
第２の実施例に係るダイプレクサ２００は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の構成に加えて、絶縁基板Ｎ７の第３の電極パターン２０４と側面電極２００ｅとを繋ぐ配線２０７を備えている。側面電極２００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド電極である。すなわち、第２の実施例に係るダイプレクサでは、第３の電極パターン２０４がビアホール２１０を通るスルーホール配線２１１により第１の電極パターン２０１に導通され、図５の破線ｂで囲った部分に示すように、さらに第３の電極パターン２０４とグランド電極である側面電極２００ｅとを繋ぐ配線２０７を備え、さらにグランドが強化されている。
【００３２】
図５及び図６を参照して、 第２の実施例に係るダイプレクサ２００と従来のダイプレクサ３００の構成の違いと電気特性の違いについて説明する。第２の実施例に係るダイプレクサでは、スルーホール配線に加えて、受動素子とグランド用側面電極とを繋ぐことにより、さらにグランドを強化することができる。その結果、６．６ＧＨｚ以上の高周波領域でさらに減衰量が大きくすることができる。すなわち、第２の実施例では、周波数が６．６ＧＨｚ付近で下に凸となる電気特性を示し、特に、周波数が６．６ＧＨｚ以上では、第２の実施例に係るダイプレクサ２００の減衰量の方が第１の実施例に係るダイプレクサ１００の減衰量よりも大きい。すなわち、第２の実施例によれば、６．６ＧＨｚ以上の高周波領域において、グランドをより強化する効果が現れ、第１の実施例に係るダイプレクサ１００よりも高周波側で減衰量の大きい、良好な電気特性のダイプレクサが得られる。
【００３３】
Ｃ．その他の実施例：
第１及び第２の実施例では、ダイプレクサ回路を例にとり説明してきたが、ダイプレクサ回路に限らず、マルチプレクサ回路、ローパスフィルタ回路でも実施できることはいうまでもない。
【００３４】
第１の実施例および第２の実施例における極値は例示であり、ダイプレクサ回路を構成するコイル素子のインダクタンスの値、あるいは容量素子の容量の値により、低い周波数または高い周波数へと変わり、さらに、電気特性（減衰特性）も変わり得る。
【００３５】
以上、いくつか実施例に基づいて本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施例に係るダイプレクサの上面を上にした外観を模式的に示す図。
【図２】第１の実施例に係るダイプレクサの下面を上にした外観を模式的に示す図。
【図３】第１の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図４】第１の実施例に係るダイプレクサの等価回路を示す説明図。
【図５】第１の実施例に係るダイプレクサの絶縁基板Ｍ３、Ｍ７と第２の実施例に係るダイプレクサの絶縁基板Ｎ３、Ｎ７と従来のダイプレクサの絶縁基板Ｐ３、Ｐ７の違いを比較する斜視図。
【図６】第１の実施例に係るダイプレクサと第２の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサの電気特性を比較するグラフ。
【図７】第２の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【符号の説明】
【００３７】
１００...第１の実施例に係るダイプレクサ
１００ａ〜１００ｈ...側面電極
１０１...第１の電極パターン
１０２...第２の電極パターン
１０３...スルーホール配線
１０４...第３の電極パターン
１０５...第４の電極パターン
１０６...第５の電極パターン
１０８...第６の電極パターン
１０９...第７の電極パターン
１１０...ビアホール
１１１...スルーホール配線
２００...第２の実施例に係るダイプレクサ
２０１...第１の電極パターン
２０４...第３の電極パターン
２０７...第３の電極パターンと側面電極２００ｅとを接続する配線
２１０...ビアホール
２１１...スルーホール配線
２００ａ〜２００ｈ...側面電極
３００...従来のダイプレクサ
３０１...第１の電極パターン
３０４...第３の電極パターン
３０７...第３の電極パターンと側面電極３００ｅとを接続する配線
３００ｅ...側面電極
Ｃ１〜Ｃ１２...容量素子
Ｄ１...ダイプレクサ回路のうち入力端子から出力端子１までの回路
Ｄ２...ダイプレクサ回路のうち入力端子から出力端子２までの回路
Ｌ１〜Ｌ５...コイル素子
Ｍ１〜Ｍ１５...第１の実施例に係るダイプレクサの絶縁基板
Ｎ１〜Ｎ１５...第２の実施例に係るダイプレクサの絶縁基板
Ｐ３，Ｐ７...従来のダイプレクサの絶縁基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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