(57)【要約】【課題】  誘電体フィルタの減衰極の位置を通過帯域幅を変えずに所望の位置にの変化させることのできる誘電体フィルタを提供する。【解決手段】  ２枚の誘電体基板が接合されて３個以上の共振器が一体に形成された誘電体フィルタにおいて、直線的に伸びる３本以上の凹溝を具えた誘電体基板の凹溝のある表面に平板の第２の誘電体基板が接合されて３本以上の貫通孔が形成された誘電体ブロックが構成される。貫通孔内の表面に内導体が、貫通孔の延びる方向に平行な表面と短面に外導体が、貫通孔の開口する端面の一方に短絡導体が形成されるとともに、第１の誘電体基板の誘電率と第２の誘電体基板の誘電率が異なるように構成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の誘電体基板が接合されて３個以上の共振器が一体に形成された誘電体フィルタにおいて、
直線的に伸びる３本以上の凹溝を具えた誘電体基板の凹溝のある表面に平板の第２の誘電体基板が接合されて３本以上の貫通孔が形成された誘電体ブロックが構成され、
貫通孔内の表面に内導体が、貫通孔の延びる方向に平行な表面と短面に外導体が、貫通孔の開口する端面の一方に短絡導体が形成されるとともに、
第１の誘電体基板の誘電率と第２の誘電体基板の誘電率が異なることを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】
２枚の誘電体基板が接合されて３個以上の共振器が一体に形成された誘電体フィルタにおいて、
直線的に伸びる３本以上の凹溝を具えた誘電体基板の凹溝のある表面に平板の第２の誘電体基板が接合されて３本以上の貫通孔が形成された誘電体ブロックが構成され、
貫通孔内の表面に内導体が、貫通孔の延びる方向に平行な表面と短面に外導体が、貫通孔の開口する端面に隣接する貫通孔において交互に異なるように一方側に短絡導体が形成されるとともに、
第１の誘電体基板の誘電率と第２の誘電体基板の誘電率が異なることを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項３】
平板の誘電体基板の誘電率を高くした請求項１または請求項２記載の誘電体フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体フィルタの構造に係るもので、特に容量性結合を有する誘電体フィルタの減衰極の調整構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
移動体通信機器用において高周波用のフィルタとして各種の誘電体フィルタが使用されている。小型化、薄型化、高周波化等の要求を満たすために、誘電体ブロック内に複数の共振器を一体に構成するタイプが使用されている。共振器が２つの２素子のものから帯域
通過特性や選択度に応じて多素子のものが使用されるようになっている。
【０００３】
そのような誘電体フィルタの例として3素子インターディジタルタイプ誘電体フィルタの簡易的な等価回路を図７に示す。図７中のC1は隣同士の共振器間の容量性結合、C2は１つおきの共振器間（共振器１と共振器3）の容量性結合、Mは1つおきの共振器間の誘導性結合である。3素子インターディジタルタイプ誘電体フィルタにおいて減衰極の位置は容量性結合C2と誘導性結合Mとのバランスで決まる。従って減衰極の位置を変化させるには容量性結合C2と誘導性結合Mのバランスを変える必要がる。しかし、このバランスは誘電体フィルタの共振器間ピッチなどの構造（寸法）で決まる。しかし、構造（寸法）を変化させると所望の通過帯域幅も変わってしまい、減衰極の位置のみを変化させることができなかった。
【特許文献１】特開平１０−２０９７１５号公報
【特許文献２】特開２０００−３４１００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、誘電体フィルタの減衰極の位置を通過帯域幅を変えずに所望の位置にの変化させることのできる誘電体フィルタを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、２枚の誘電体基板を接合し、それらの誘電体基板の誘電率を異ならせることによって上記の課題を解決するものである。すなわち、２枚の誘電体基板が接合されて３個以上の共振器が一体に形成された誘電体フィルタにおいて、直線的に伸びる３本以上の凹溝を具えた誘電体基板の凹溝のある表面に平板の第２の誘電体基板が接合されて３本以上の貫通孔が形成された誘電体ブロックが構成され、貫通孔内の表面に内導体が、貫通孔の延びる方向に平行な表面と短面に外導体が、貫通孔の開口する端面の一方に短絡導体が形成されるとともに、第１の誘電体基板の誘電率と第２の誘電体基板の誘電率が異なることに特徴を有するものである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、比誘電率の異なる2枚の誘電体基板を使用することによって、1つおきの共振器間の容量性結合と誘導性結合のバランスを変えることができ、減衰極の位置を変化させることができる。また、比誘電率の高い誘電体基板を使用するため、小型化を図ることができる。さらに、外部パターンなどを必要とせず、シンプルな構造であるため製造容易な誘電体フィルタが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は、３素子以上の誘電体フィルタ全般に利用でき、コムライン、インタ−-ディジタルいずれにも適用可能である。また、フィルタだけでなくデュプレクサ等にも応用可能である。
【実施例】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。実際に設計した３素子インターディタルタイプ誘電体フィルタとその特性図を図１と図２に示す。以下の図のグラフの細線は同一比誘電率の場合の特性、太線は平板に比誘電率の誘電体基板と凹溝のある誘電体基板に比誘電率を異ならせたものを使用した場合の特性図を示している。
【０００９】
図１の誘電体フィルタは、２枚の誘電体基板11、12を貼り合せて全体の形状を幅6.5mm、長さ3.55mm、厚み（高さ）1.8mmの直方体とし、凹溝のある誘電体基板の比誘電率を37とし、平板の誘電体基板の誘電率を91と高くして、3素子の誘電体フィルタを構成したものである。その特性を示したのが図２である。細線と太線を比較すれば分かるが、通過帯域幅を変えずに減衰極の位置が変化している。これは平板の誘電体基板に凹溝を備えた誘電体基板よりも比誘電率の高い誘電体基板を使用することによって、図７の容量性結合C2が減少し、容量性結合C2と誘導性結合Mとのバランスが変化したことによる。
【００１０】
図３の誘電体フィルタは、２枚の誘電体基板31、32を貼り合せて全体の形状を幅6.5mm、長さ5.1mm、厚み（高さ）1.8mmの直方体とし、凹溝のある誘電体基板の比誘電率を21とし、平板の誘電体基板の誘電率を91と高くして、４素子の誘電体フィルタを構成したものである。その特性を示したのが図4である。また、図５の誘電体フィルタは、２枚の誘電体基板51、52を貼り合せて全体の形状を幅3.5mm、長さ3.3mm、厚み（高さ）1.2mmの直方体とし、凹溝のある誘電体基板の比誘電率を9とし、平板の誘電体基板の誘電率を91と高くして、５素子の誘電体フィルタを構成したものである。その特性を示したのが図6である。
【００１１】
上の例のように、凹溝のある誘電体基板よりも平板の誘電体基板の比誘電率を高くする以外にも、凹溝のある誘電体基板の比誘電率の方を高くして減衰極の位置を変えることもできる。また、インターディジタルタイプのみではなく、コムラインタイプでも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００１２】
本発明は、移動体通信機器の携帯端末機器などのフィルタをはじめ、MHｚ帯からGHz帯にかけて広範囲で応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例を示す斜視図
【図２】その特性の説明図
【図３】本発明の他の実施例を示す斜視図
【図４】その特性の説明図
【図５】本発明の他の実施例を示す斜視図
【図６】その特性の説明図
【図７】3素子の誘電体フィルタの等価回路図
【符号の説明】
【００１４】
11、31、51：凹溝を具えた誘電体基板
12、32、52：平板の誘電体基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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