(57)【要約】【課題】平坦な断面形状を有した膜パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】本発明の膜パターンの形成方法は、基板Ｐ上に所定パターンの液受容部１１を形成する液受容部形成工程と、前記液受容部１１に対して機能材料を含む液状物１２を塗布し、該塗布した液状物１２を乾燥させて機能膜１３を形成する機能膜形成工程と、前記液受容部１１及び前記機能膜１３を含む基板全面に対して平坦化処理を行う平坦化工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に所定パターンの液受容部を形成する液受容部形成工程と、
前記液受容部に対して機能材料を含む液状物を塗布し、該塗布した液状物を乾燥・焼成させて機能膜を形成する機能膜形成工程と、
前記液受容部及び前記機能膜を含む基板全面に対して平坦化処理を行う平坦化工程と、を含むことを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記液受容部形成工程において、前記基板上に所定パターンの隔壁部を形成し、該隔壁部により囲まれた領域を当該液受容部とすることを特徴とする請求項１に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記隔壁部の主成分が酸化ケイ素であることを特徴とする請求項２に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記機能膜形成工程において、形成する機能膜が前記液受容部から溢れ出るように当該機能膜を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記機能膜形成工程において、形成する機能膜が前記隔壁部の上面から溢れ出るように当該機能膜を形成することを特徴とする請求項２又は３に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記機能膜形成工程において、前記液状物の塗布は、液滴吐出装置を用いた液滴吐出法により行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項７】
前記機能膜形成工程は、第１機能材料を含む第１液状物を塗布し、該塗布した第１液状物を乾燥させて第１機能膜を形成する第１機能膜形成工程と、第２機能材料を含む第２液状物を塗布し、該塗布した第２液状物を乾燥させて第２機能膜を形成する第２機能膜形成工程と、を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項８】
前記平坦化工程は、化学的機械研磨により行うことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項９】
前記平坦化工程は、前記液受容部から溢れ出た前記機能膜を除去し、平坦な機能膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の膜パターンの形成方法を用いて配線パターンを形成する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法により得られたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置に使われるスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造する際、電極又は配線等を形成する工程において、例えばフォトリソグラフィ法が用いられている。予め機能膜を、スパッター、ＣＶＤと言った既存成膜方法により形成した後、基板上にレジストと呼ばれる感光材を塗布し、回路パターンを照射して現像した後、レジストパターンに応じて機能膜をエッチングすることで機能薄膜の回路パターンを形成するものである。この一連のフォトリソグラフィ法を利用した機能薄膜の形成、パターンニングは、成膜処理及びエッチング処理時に真空装置等の大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率が数％程度とそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高いのみならず、生産性も低い。
【０００３】
これに対して、液体吐出ヘッドから機能液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法（いわゆるインクジェット法）を用いて、基板上に機能膜のパターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、金属微粒子等の導電性微粒子を分散させた機能液である薄膜パターン形成用インクを基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザ照射を行って薄膜の導電膜パターンに変換する。この方法によれば、従来の成膜処理、フォトリソグラフィ、及びエッチング工程が不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なく生産性の向上と言ったメリットがある。
【特許文献１】特開２００３−３１７９４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、インクジェットにて目的とするゲート、ソース配線及び電極等の膜パターンを形成するため、予め当該パターンに対応したパターンを有するバンクをフォトリソグラフィにより形成し、該バンクパターン内に銀、ニッケル等の導電性を有する成分を含有した機能性インクをインクジェットにより塗布、焼成することで、所望のゲート、ソース配線及び電極等を形成している。
【０００５】
しかしながら、一般に上記機能性インクの金属含有量は１〜１０体積％であり、機能性インク塗布後の溶媒の揮発による体積収縮により、形成される膜パターンの断面形状はバンク面に対して大きく下に凸となる場合がある。そこで、このような下に凸の状態を緩和するため、インクの盛り込み量を増やすとバンクパターンから機能性材料が顕著に溢れる等の問題が生じる。その結果、バンクパターンから溢れたインク材料に起因する絶縁不良や、下に凸の形状に起因するゲート絶縁膜のカバレジ異常、さらにはトランジスタのゲート長が設計値よりも増大する等、配線上の絶縁耐圧の確保および信頼性の高い半導体キャリア層が電極上に形成できないといった課題がある。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、平坦な断面形状を有した膜パターンを形成する方法を提供することを目的とし、さらには該膜パターンの形成方法を用いた製造方法であって、信頼性の高い電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。そして、さらに本発明はそのような方法により製造された電気光学装置並びに信頼性の高い電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の膜パターンの形成方法は、基板上に所定パターンの液受容部を形成する液受容部形成工程と、前記液受容部に対して機能材料を含む液状物を塗布し、該塗布した液状物を乾燥させて機能膜を形成する機能膜形成工程と、前記液受容部及び前記機能膜を含む基板全面に対して平坦化処理を行う平坦化工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このような膜パターンの形成方法によると、膜パターンの形成面を簡便且つ確実にフラットにすることが可能となる。その結果、当該膜パターンの形成方法を用いて配線等の積層構造を形成した場合にも、平坦な積層構造を安価に提供することが可能となる。つまり、形成したフラットな膜パターン上に他の機能膜を好適に積層することができ、その際に膜の破損等の不具合が極めて生じ難いものとなる。したがって、例えば半導体素子等の形成時に本発明の膜パターンの形成方法を採用すれば、配線の断線等が生じ難く、信頼性の高い半導体素子を低コストにて提供することが可能となるのである。
【０００９】
前記液受容部形成工程において、前記基板上に所定パターンの隔壁部を形成し、該隔壁部により囲まれた領域を当該液受容部とすることができ、前記隔壁部は、主成分を酸化ケイ素として構成することができる。隔壁部を酸化ケイ素により構成すると、後の平坦化工程において当該隔壁部が損傷を受ける等の不具合が生じ難いものとなる。つまり、有機系のバンク材料では機械強度が弱く、後の平坦化処理に耐えられない等の不具合が生じる場合があるのである。なお、酸化ケイ素が主成分の隔壁部を形成するためには、例えば焼成後にＳｉＯ２となるポリシロキサン、ポリシラザン等のＳｉ含有感光性材料を用いることができる。
【００１０】
前記機能膜形成工程において、形成する機能膜が前記液受容部から溢れ出るように当該機能膜を形成するものとすることができる。つまり、本発明では過量に機能材料を含む液状物を塗布し、液受容部から溢れ出るように機能膜を形成したとしても、後の平坦化工程で溢れ出た機能膜は削られるため、溢れ出たことに起因する問題（例えば導電膜における絶縁不良発生）は生じないものとなる。逆に言うと、このような方法によれば、液受容部に機能膜が不足して下に凸の形状の機能膜が形成される不具合も生じ難いものとなる。なお、機能膜が液受容部から溢れ出るように形成するためには、例えば液状物における機能材料の濃度を調整したり、或いは液状物の吐出量を調整したりすることで実現することができる。
【００１１】
また、隔壁部により液受容部を形成する場合には、前記機能膜形成工程において、形成する機能膜が前記隔壁部の上面から溢れ出るように当該機能膜を形成するものとすれば良い。ここで、隔壁部は形成する機能膜の膜厚よりも大きな膜厚で形成することができる。後の平坦化工程で当該隔壁部を所望の厚さに研磨することが可能なためである。
【００１２】
前記機能膜形成工程において、前記液状物の塗布は、液滴吐出装置を用いた液滴吐出法により行うことができる。このような方法によると、液受容部内に対して確実に液状物を塗布することができるようになるとともに、当該液受容部への塗布量の調整も簡便に行うことができるようになる。
【００１３】
前記機能膜形成工程は、第１機能材料を含む第１液状物を塗布し、該塗布した第１液状物を乾燥・焼成させて第１機能膜を形成する第１機能膜形成工程と、第２機能材料を含む第２液状物を塗布し、該塗布した第２液状物を乾燥・焼成させて第２機能膜を形成する第２機能膜形成工程と、を含むものとすることができる。複数の機能膜の積層により多層の膜パターンを形成する場合、平坦化工程を行わないと、膜の断面形状には大きな凹凸が形成され易い。そこで、本発明のような平坦化工程を行えば、形成される多層膜の表面形状を確実に平坦とすることができ、当該膜パターンの信頼性が非常に高いものとなる。
【００１４】
前記平坦化工程は、化学的機械研磨により行うことができる。このような化学的機械研磨（ＣＭＰ）によれば、簡便に機能膜及び／又は液受容部の平坦化を行うことが可能となり、低コストに繋がることとなる。具体的には、当該平坦化工程において、前記液受容部から溢れ出た前記機能膜を除去し、平坦な機能膜を形成するものとすることができる。
【００１５】
次に、上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、上記膜パターンの形成方法を用いて配線パターンを形成する工程を含むことを特徴とする。このような製造方法によれば、配線パターンの形成面を完全にフラットにすることができ、当該配線パターン上にゲート絶縁膜やアモルファスシリコン等の半導体層を簡便且つ確実に形成することができるようになる。その結果、高性能で高信頼性の薄膜トランジスタ等の半導体素子を備えた電気光学装置を安価に提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（膜パターンの形成方法）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１（ａ）は、本実施形態の膜パターンの形成方法で用いる液滴吐出装置の概略構成図、図１（ｂ）は、同液滴吐出装置に搭載された液滴吐出装置の概略構成図である。図２は、本実施形態の膜パターンの形成方法を説明するための断面工程図である。
【００１７】
本実施形態では、液滴吐出法を用いて導電性微粒子材料（機能材料）を含む液体材料（液状物）を基体上に配置し、導電膜パターン（膜パターン）を形成する例について説明する。本実施形態に係る形成方法で用いられる液体材料には、少なくとも1種類以上の金属元素が含有され、金属は微粒子、有機金属、無機塩のいずれかの形態で分散媒に分散もしくは溶解させたスラリーからなるものである。
【００１８】
上記金属材料のうち微粒子材料の具体例を挙げるならば、銀、銅、ニッケル、マンガン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、白金等の金属や、インジウム錫酸化物、酸化錫、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物、ハロゲン含有酸化錫等の金属酸化物である。上記金属微粒子ないし金属酸化物微粒子は、液体材料における分散性の向上や変質の防止を目的としたコーティングが施されていてもよい。
【００１９】
一方、分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２０】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液体材料組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２１】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部が液体材料の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるだけでなく、液滴の吐出量が減少する。
【００２２】
ここで、液滴吐出装置について、図１（ａ）の概略構成図を参照して説明する。液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪは、液滴吐出ヘッドから基板Ｐに対して液滴を吐出（滴下）するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料が塗布される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００２３】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、上述した微粒子材料を含む液体材料が吐出される。
【００２４】
Ｘ方向駆動軸３０４には、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ方向に移動する。
【００２５】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２６】
ヒータ３１５は、本実施形態ではフラッシュランプであり、コンデンサに蓄えた電荷を短時間に放電する光照射によって基板Ｐを瞬時に加熱することで、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。フラッシュランプとしては例えばキセノンランプを例示することができ、光照射エネルギーが１〜５０Ｊ／ｃｍ２程度、光照射時間が１μ秒〜数ｍ秒程度のものを好適に用いることができる。
【００２７】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ方向を走査方向、Ｘ方向と直交するＹ方向を非走査方向とする。
したがって、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１（ａ）では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００２８】
図１（ｂ）は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。液滴吐出ヘッド３０１には、液体材料（配線用液体材料等）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形し、ノズル３２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００２９】
次に、導電膜の形成方法の一具体例として、基板上に形成したバンク（隔壁部）を利用して導電膜を基板上にパターン形成する方法について図２を参照して説明する。
【００３０】
図２（ａ）に示す基板Ｐとしては、ガラス、石英、セラミックス等の硬質基板のほか、プラスチック等の可撓性基板も用いることができる。
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の所定の方法で、図２（ａ）に示す基板Ｐ上にバンクの高さに合わせてシリコン含有感光性材料層を塗布形成する。そして、バンク形状（導電膜の形成領域）に合わせてマスクを施しシリコン含有感光性材料層を露光、現像することにより部分的に除去し、さらにこれを焼成することで所定の平面形状を有するバンク（隔壁部）Ｂ，Ｂを基板Ｐ上に形成する。これによりバンクＢ，Ｂに取り囲まれたバンク内領域（液受容部）１１が、導電膜を形成すべき領域（例えば１０μｍ幅）として形成される。
【００３１】
バンクＢを形成する材料としては、機械的強度が大きく、後工程のＣＭＰ処理の機械的研磨に耐えられるものを用いている。ここでは、焼成後ＳｉＯ２となるシリコン含有感光性材料を塗布し、パターニング後、焼成してＳｉＯ２からなるバンクＢを形成するものとしている。なお、このようなバンクＢは、ガラス等の硬質基板では必ずしも必要ではく、例えば硬質基板Ｐに溝を形成して液受容部を構成するものとしても良い。
【００３２】
次に、バンク内領域１１におけるバンク形成時の感光性材料の残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。この残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ２プラズマ処理を実施する。具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は導電膜形成用の液体材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンク内領域１１の底部に露出した基板Ｐ表面の親液性を高めることができる。
【００３３】
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、ＣＦ４ガスに限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
【００３４】
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢにはフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。基板Ｐがガラス等である場合には、バンクＢに対する撥液化処理により基板Ｐ表面の撥液性が損なわれることはないが、基板Ｐの材質によっては、親液化処理した基板Ｐ表面に対し撥液処理の影響がでることがある。その場合には、基板Ｐ表面に撥液化されにくい酸化シリコン膜等を下地膜として形成したり、バンクＢを撥液性を有する材料（フッ素樹脂等）で形成して撥液処理自体を省略することで対処できる。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示すように、上述の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターン用液体材料をバンク内領域１１に露出した基板Ｐ上に吐出して配置する。例えば、微粒子材料として銀、ニッケル、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の導電性材料の微粒子を含む液体材料１２を液滴吐出ヘッド３０１から吐出する。液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、吐出速度５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことができる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００３６】
このとき、膜パターン形成領域であるバンク内領域１１に露出した基板Ｐは、バンクＢに囲まれているので、液体材料１２が所定位置以外に拡がるのを阻止でき、また、バンクＢの表面は撥液性を付与されているため、吐出された液体材料１２の一部がバンクＢ上に乗り上げたとしてもバンクＢ表面で弾かれてバンク内領域１１に流れ落ちる。さらに、バンク内領域１１に露出した基板Ｐ表面は親液性を付与されているため、吐出された液体材料１２は基板Ｐ表面で均一に濡れ広がり、図２（ｃ）に示すように液体材料１２をバンク内領域１１の延在方向において均一に配置することができる。
【００３７】
基板Ｐに所定量の液体材料１２を吐出配置した後、分散媒を除去し、固体の導電膜とするために、乾燥／焼成工程を行う。この工程では、乾燥工程と焼成工程とを別々の工程で行ってもよく、一括の加熱処理により乾燥／焼成を行ってもよい。本実施形態の場合、乾燥／焼成処理を、フラッシュランプを用いた光照射による加熱処理によって行う。フラッシュランプの光照射条件は、光照射エネルギーが１〜５０Ｊ／ｃｍ２程度、光照射時間が１μ秒〜数ｍ秒程度である。
【００３８】
この乾燥／焼成処理により、図２（ｄ）に示すように、分散媒が除去され、また微粒子材料表面のコーティング材等も除去されることで、微粒子材料が凝集して電気的に接触した導電膜１３が基板Ｐ上に形成される。上記乾燥／焼成処理は大気中で行ってもよいが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。乾燥／焼成処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して決定すればよい。例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
【００３９】
なお、本実施形態では、図２（ｄ）に示すように導電膜１３がバンクＢの表面から溢れ出るように、つまり導電膜１３の表面がバンクＢの表面よりも突出するように膜形成するものとしている。具体的には、液体材料１２の吐出量を調整することで上記突出形状を実現しているが、例えば液体材料１２の濃度を調整することで上記突出形状を実現することもできる。また、本実施形態では導電膜１３を単層で構成しているが、例えば２層以上の積層構造により導電膜１３を構成することも可能である。
【００４０】
なお、上記実施の形態では、液体材料の塗布方法として、液滴吐出法を採用した場合について説明したが、液体材料の塗布方法は、液滴吐出法に限定されず、種々の方法を採用することが可能であり、例えば、ＣＡＰコート法やダイコート法、カーテンコート法等を、液体材料の塗布形態に応じて用いることができる。
【００４１】
（電気光学装置の製造方法）
次に、本発明に係る膜パターンの形成方法による配線形成工程を含む電子機器の製造方法の一例として、電気光学装置の製造方法、特に電気光学装置を構成するアクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。
【００４２】
まず、図３は、本発明に係る膜パターンの形成方法を用いて製造したアクティブマトリクス基板の一部を拡大した図である。アクティブマトリクス基板２０は、格子状に配線されたゲート配線４０とソース配線４２とを備えている。複数のゲート配線４０がＸ方向（第１方向）に延びるように形成され、ソース配線４２がＹ方向（第２方向）に延びるように形成されている。ゲート配線４０には、ゲート電極４１が接続され、ゲート電極４１上に絶縁層を介してＴＦＴ３０が配置されている。一方、ソース配線４２には、ソース電極４３が接続され、ソース電極４３の一端は、ＴＦＴ（スイッチング素子）３０と電気的に接続されている。
【００４３】
ゲート配線４０とソース配線４２に囲まれた領域には、画素電極４５が配置され、ドレイン電極４４を介してＴＦＴ３０と電気的に接続されている。アクティブマトリクス基板２０上には、ゲート配線４０と略平行に延びる容量線４６が設けられており、容量線４６は、画素電極４５及びソース配線４２の下層に絶縁層を介して配置されている。なお、ゲート配線４０、ゲート電極４１、ソース配線４２、容量線４６は、基板上の同一配線層に形成されている。
【００４４】
図４は、アクティブマトリクス基板２０の等価回路図である。アクティブマトリクス基板２０は、平面視マトリクス状に配列形成された複数の画素１００ａを有している。これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するソース配線４２がＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ソース配線４２に供給する画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のソース配線４２同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。ＴＦＴ３０のゲートには、ゲート配線４０が電気的に接続されている。そして、所定のタイミングで、ゲート配線４０にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００４５】
画素電極４５は、ＴＦＴ３０のドレインと電気的に接続されている。そして、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、ソース配線４２から供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極４５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図５に示す対向基板１２０の対向電極１２１との間で一定期間保持されるようになっている。
【００４６】
保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、容量線４６によって、画素電極４５と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量４８が付加されている。例えば、画素電極４５の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量４８により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００４７】
次に、アクティブマトリクス基板２０の製造方法について説明する。
本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板Ｐ上に格子パターンの配線を形成する第１工程と、半導体膜等の積層部を形成する第２工程と、画素電極等を形成する第３工程とを含む。
【００４８】
［第１工程：配線形成］
図６、図７は、第１工程である配線形成工程を説明する図である。なお、図６（ｂ）、図７（ｂ）は、それぞれ図６（ａ）、図７（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線が形成される基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものであっても良い。
【００４９】
まず、図６に示すように、基板Ｐ上に、絶縁性の材料からなるバンク５１が形成される。バンクは、後述する配線用液体材料を基板Ｐの所定位置に配置するためのものである。具体的には、図６（ａ）に示すように、洗浄した基板Ｐの上面に、格子パターンの配線の形成位置に対応した複数の開口部５２，５３，５４，５５を有するバンク５１をフォトリソグラフィ法を用いて形成する。
【００５０】
バンク５１の材料としては、例えば強度及び耐熱性等を考慮して無機質からなるものを採用している。無機質のバンク材料としては、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、シロキサン系レジスト、ポリシラン系レジスト等の骨格にケイ素を含む高分子無機材料や感光性無機材料、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、無機質のバンク材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物のように感光性を有する材料とした場合には、レジストマスクが不要になるため、好適である。
【００５１】
なお、バンク５１には、開口部５２，５３，５４，５５内に配線用液体材料を良好に配置させるために、撥液処理が施される。撥液処理として、ＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す。このＣＦ４プラズマ処理等に代えて、バンク５１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいてもよい。
【００５２】
バンク５１により形成される開口部５２，５３，５４，５５は、ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線に対応している。すなわち、バンク５１の開口部５２，５３，５４，５５に配線用液体材料を配置することにより、ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線が形成される。
具体的には、Ｘ方向に延びるように形成された開口部５２，５３は、ゲート配線４０、容量線４６の形成位置に対応する。そして、ゲート配線４０の形成位置に対応する開口部５２には、ゲート電極４１の形成位置に対応する開口部５４が接続している。また、Ｙ方向に延びるように形成された開口部５５は、ソース配線４２の形成位置に対応する。なお、Ｙ方向に延びる開口部５５は、Ｘ方向に延びる開口部５２，５３と交差しないように、交差部５６において分断されるように形成される。
【００５３】
次いで、先に記載の液滴吐出装置ＩＪによって、少なくとも1種類以上の金属元素を含有する配線用液体材料を開口部５２，５３，５４，５５内に吐出配置して、基板上にゲート配線４０やソース配線４２等からなる格子パターンの配線を形成する。配線用液体材料は、先に記載のように、金属を含有する液体材料で、金属は微粒子、有機金属、無機塩のいずれかの形態で分散媒に分散もしくは溶解させたスラリーからなるものである。一方金属材料としては、例えば、銀、アルミニウム、銅、ニッケル、マンガン、チタン等の１種類または複数の金属が用いられる。
【００５４】
基板Ｐに配線用液体材料を吐出した後、分散媒を除去して固体の導電膜を得る。具体的には、図７に示すように、第１配線用液体材料として銀を含む液体材料を吐出し、これを乾燥・焼成して第１導電膜４１ａ，４２ａ，５０ａを形成する一方、第２配線用液体材料としてニッケルを含む液体材料を吐出し、これを乾燥・焼成して第２導電膜４１ｂ，４２ｂ，５０ｂを形成する。
【００５５】
ここで、本実施形態では、上記膜パターンの形成方法で示したのと同様に、第２導電膜４１ｂ，４２ｂ，５０ｂはバンク５１から溢れ出るように、つまり第２導電膜４１ｂ，４２ｂ，５０ｂの表面がバンク５１の表面から突出するように形成する。そして、突出した第２導電膜４１ｂ，４２ｂ，５０ｂの表面をＣＭＰ（化学的機械研磨）により平坦化して、図８に示すようにバンク５１の表面と面一のソース配線４２、ゲート配線４１、及びドレイン配線５０を形成する。以上の工程により、基板Ｐ上には、図８に示すように、バンク５１及び格子パターンの配線からなる層が形成される。
【００５６】
［第２工程：積層部形成］
図９〜図１２は、第２工程である積層部形成工程を説明する図である。なお、図９（ｂ）〜図１２（ｂ）は、それぞれ図９（ａ）〜図１２（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図９（ｃ）〜図１２（ｃ）は、それぞれ図９（ａ）〜図１２（ａ）におけるＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
第２工程では、図１２に示すように、バンク５１及び格子パターンの配線４２，４１，５０からなる層上の所定位置に絶縁膜３１と半導体膜（活性層３２、コンタクト層３３）からなる積層部３５を形成する。
【００５７】
本工程では、第１工程で形成された配線層（ゲート配線４０等）の上に新たに配線層を形成することになるが、第１工程では配線形成用のバンク５１の表面を撥液化しているため、係るバンク５１の表面に直接ソース電極等を形成しようとすると、電極形成用の液体材料がバンク５１によってはじかれてしまい、良好な膜パターンを形成することができない。そこで、本工程では、ソース電極等を形成する前に予め下地となるバンク５１の表面に親液処理を施しておく。親液処理としては、紫外線照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択することができる。また、これらを組み合わせた処理としてもよい。Ｏ２プラズマ処理は、例えば、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することにより行なう。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０Ｗ〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの搬送速度が０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０℃〜９０℃とされる。
【００５８】
バンク５１の表面を親液化した後、プラズマＣＶＤ法により、基板Ｐ上の全面に対して、絶縁膜３１、活性層３２、コンタクト層３３の連続成膜を行う。具体的には、図９に示すように、絶縁膜３１として窒化シリコン膜（厚さ３００ｎｍ）、活性層３２としてアモルファスシリコン膜（厚さ２００ｎｍ）、コンタクト層３３としてｎ＋型シリコン膜（厚さ５０ｎｍ）を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより連続して形成する。なお、焼成温度はバンク５１の耐熱性の上限までに設定することが必要である。
【００５９】
次いで、図１０に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、所定位置にレジスト５８を配置する。具体的には、アクティブ素子部分（ゲート電極４０上）、ゲート配線４０とソース配線４２の交差部５６上、容量線４６上、及びドレイン配線５０と画素電極との接続部分である。なお、交差部５６上に配置するレジスト５８と容量線４６上に配置するレジスト５８とは、接触しなように形成される。また、ゲート電極４１上に配置するレジスト５８には、ハーフ露光を行うことにより、図１０（ｂ）に示すように、溝５９を形成する。
【００６０】
次いで、基板Ｐの全面に対してドライエッチングを施して、図１１に示すように、レジスト５８の形成されていない領域のコンタクト層３３及び活性層３２を除去する。
【００６１】
続いて、図１２に示すように、先に記載の液滴吐出装置ＩＪを用いて画素電極を形成する領域にレジスト６１を形成する。その後、基板Ｐの全面に対してドライエッチングを施して、レジスト５８及びレジスト６１の形成されていない領域の絶縁膜３１を除去する（図１３）。これにより、図１３に示すように、レジスト５８，６１を配置した所定位置以外の領域から、コンタクト層３３、活性層３２、絶縁膜３１が取り除かれる一方、レジスト５８，６１が配置された所定位置には、絶縁膜３１と半導体膜（コンタクト層３３、活性層３２）からなる積層部３５が形成される。
【００６２】
なお、ゲート電極４１上に形成される積層部３５では、レジスト５８にハーフ露光を行って溝５９を形成しているので、エッチング前に再度現像することにより溝が貫通する。したがって、図１３（ｂ）示すように、溝５９に対応するコンタクト層３３が除去され、２つに分断された状態に形成される。これにより、ゲート電極４１上に活性層３２及びコンタクト層３３からなるスイッチング素子としてＴＦＴ３０が形成される。
【００６３】
その後、図１４に示すように、コンタクト層３３を保護する保護膜４９として窒化シリコン膜を基板Ｐの全面に成膜する。このようにして、積層部３５の形成が完了する。
【００６４】
［第３工程：画素電極形成］
図１５〜図１８は、第３工程である画素電極４５等の形成工程を説明する図である。なお、図１５（ｂ）〜図１８（ｂ）は、それぞれ図１５（ａ）〜図１８（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図１５（ｃ）〜図１８（ｃ）は、それぞれ図１５（ａ）〜図１８（ａ）におけるＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【００６５】
第３工程では、ソース電極４３、ドレイン電極４４、導電層４７及び画素電極４５を形成する（図１８参照）。ソース電極４３、ドレイン電極４４、導電層４７は、ゲート配線４０やソース配線４２を形成したのと同じ材料によって形成することができる。画素電極４５は、透明性が必要であることから、ＩＴＯ等の透光性材料によって形成することが望ましい。これらの形成には、第１工程と同様に、液滴吐出法を用いた本発明の膜パターン形成方法が適用される。
【００６６】
まず、ゲート配線４０及びソース配線４２等を覆うようにバンクをフォトリソグラフィ法に基づいて形成する。ここでは、まず図１５に示すように、バンクとなる２層の材料層を形成し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングするものとしている。なお、２層の材料層は、下層側に形成され親液性を示す第１材料層６４と、上層側に形成され撥液性を示す第２材料層６５とからなるものである。
【００６７】
そして、図１６に示すように、材料層６４，６５に対して露光を施し、具体的には画素電極形成領域６３ａはハーフ露光を行う一方、接続部形成領域６３ｂはフル露光を行うものとしている。なお、接続部形成領域６３ｂは、各配線と電極とを接続するための領域である。このようなハーフ露光及びフル露光により、図１６に示したパターンのバンク６４ａ及びバンク６５ａを形成する。ここでは、ハーフ露光を施した領域はバンク６４ａからなる単一層のバンクから構成され、露光を施さなかった領域はバンク６４ａ及びバンク６５ａからなる２層のバンクから構成されている。なお、撥液性のバンク６５ａは略格子状とされ、ソース配線４２とゲート配線４０、及びソース配線４２と容量線４６との交差部には開口部６２が形成され、ＴＦＴ３０のドレイン領域に対応する位置には開口部６１が形成される。開口部６２は、図１６（ｂ）に示すように、ゲート電極４１上に形成した積層部３５（ＴＦＴ３０）の一部が露出するように形成される。すなわち、バンク６４ａ，６５ａが積層部３５（ＴＦＴ３０）をＸ方向に２分割するように形成される。
【００６８】
バンク６４ａ，６５ａにより形成される開口部６２は、分断されたソース配線４２を連結する導電層４７又はソース電極４３の形成位置に対応しており、開口部６３は、ドレイン電極４４の形成位置に対応している。また、それ以外の部分でバンク６５ａにより取り囲まれた領域は、画素電極４５の形成位置に対応している。このようにして形成したバンク６４ｓ，６５ａの開口部６２，６３内及びバンク６５ａにより取り囲まれた領域に液体材料を配置すれば、分断されたソース配線４２を連結する導電層４７、ソース電極４３、ドレイン電極４４、画素電極４５を形成することができる。
【００６９】
続いて、バンク６４ａ及びバンク６５ａを形成した状態（図１６）で、図１７に示すように開口部６１，６２を介して保護膜４９及び第２導電膜５０ｂに対してエッチングを施す。その後、図１８に示すように、前述した液滴吐出装置ＩＪによって、ソース電極４３やドレイン電極４４等の電極材料を含む電極用液体材料を開口部６２，６３内に吐出配置する。電極用液体材料は、ゲート配線４０等を形成するために用いた配線用液体材料と同様のものを用いることができる。基板Ｐに電極用液体材料を吐出した後には、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理、焼成処理を行う。乾燥／焼成処理により、導電性微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。このようにして、基板Ｐ上には、図１８に示すように、分断されたソース配線４２を連結する導電層４７、ソース電極４３、ドレイン電極４４が形成される。
【００７０】
次いで、バンク６５ａにより囲まれた領域であって、素子部分以外の領域、つまりバンク６４ａのみが形成された領域に、画素電極４５の電極材料を含む画素電極用液体材料を吐出配置する。画素電極用液体材料は、ＩＴＯ等の導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液である。基板Ｐに画素電極用液体材料を吐出した後には、分散媒の除去のため、フラッシュランプによる乾燥／焼成処理を行う。乾燥／焼成処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。このようにして、基板Ｐ上には、図１８に示すように、ドレイン電極４４と導通する画素電極４５が形成される。
【００７１】
以上の工程を経ることにより、アクティブマトリクス基板２０を製造することができる。このような本実施形態では、図７に示したように配線４２ｂ，４１ｂ，５０ｂの表面をバンク５１の表面から突出させて形成する一方、これを図８に示すようにＣＭＰにより平坦化した後に、絶縁膜３１、活性層３２、コンタクト層３３を積層してなる積層部３５を形成するものとしている。したがって、配線４２ｂ，４１ｂ，５０ｂの形成面を簡便且つ確実にフラットにすることが可能となり、積層部３５が凸凹になって断線等が生じる不具合発生が極めて生じ難いものとなる。その結果、非常に信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となるのである。
【００７２】
（電気光学装置）
次に、アクティブマトリクス基板２０を用いた電気光学装置の一例である液晶表示装置１００について説明する。図５（ａ）は、液晶表示装置１００を対向基板側から見た平面図であり、図５（ｂ）は、（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【００７３】
図５において、液晶表示装置（電気光学装置）１００は、アクティブマトリクス基板２０を含むＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とが光硬化性の封止材であるシール材１５２によって貼り合わされ、このシール材１５２によって区画された領域内に液晶１５０が封入、保持されている。シール材１５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が形成されている。シール材１５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
【００７４】
上記液晶表示装置１００においては、使用する液晶１５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板１２０において、ＴＦＴアレイ基板１１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００７５】
この液晶表示装置１００においては、アクティブマトリクス基板２０が前述の方法により製造されているので、高品質な表示が可能で、信頼性に優れた液晶装置となる。
【００７６】
なお、前記のアクティブマトリクス基板は、液晶表示装置以外の他の電気光学装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置等にも応用が可能である。有機ＥＬ表示装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光／燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料を液体材料とし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明における電気光学装置の範囲には、このような有機ＥＬデバイスも含まれるものとする。なお、有機ＥＬ表示装置においては、正孔注入／輸送層形成材料や発光層形成材料を形成する方法として本発明の膜パターンの形成方法を適用することも可能である。
更に、アクティブマトリクス基板２０は、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【００７７】
また、本発明の膜パターンの形成方法は、電気光学装置（アクティブマトリクス基板）の製造に限らず、種々の電子機器用基板の製造に適用することができ、例えば、タッチパネル（座標入力装置）を構成する基板の製造における導電膜の形成工程や、各種パネルの帯電防止膜としての導電膜の形成工程に好適に用いることができる。
【００７８】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１９（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。符号６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
図１９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。符号７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
図１９（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。符号８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
【００７９】
このように、図１９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置１００を備えたものであるので、信頼性の高い導電膜が電極部材等に用いられたことで、信頼性に優れる電子機器となっている。また、テレビやモニター等の大型液晶パネルにおいても上記実施形態の製造方法を適用することができる。
【００８０】
なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置１００を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００８１】
以上、添付図面を参照しながら本発明についての好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】実施形態で用いる液滴吐出装置と液滴吐出ヘッドの概略構成図。
【図２】実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための断面工程図。
【図３】アクティブマトリクス基板の任意の１画素を示す平面構成図。
【図４】アクティブマトリクス基板の回路構成図。
【図５】アクティブマトリクス基板を具備した電気光学装置の構成図。
【図６】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図７】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図８】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図９】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１０】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１１】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１２】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１３】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１４】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１５】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１６】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１７】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１８】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１９】電子機器を例示する斜視構成図。
【符号の説明】
【００８３】
ＩＪ…液滴吐出装置、３０１…液滴吐出ヘッド、Ｐ…基板（基体）、Ｂ…バンク（隔壁部）、１１…バンク内領域（液受容部）、１２…液体材料（液状物）、１３…導電膜（機能膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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