(57)【要約】【課題】  トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】  下記一般式（１）で表されるチオチオフテン構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。    【化１】2007059512.tif 000019【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるチオチオフテン構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
2007059512.tif 000017
〔式中、Ｒ11〜Ｒ14は、各々水素原子または置換基を表す。〕
【請求項２】
前記置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または複素環基を表すことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体材料。
【請求項３】
前記Ｒ11、Ｒ12が、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表すことを特徴とする請求項１または２に記載の有機半導体材料。
【請求項４】
前記Ｒ11、Ｒ12が、各々チエニル基、チエノ［３，２−ｂ］チエニル基またはチアゾリル基を表すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【請求項５】
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【化２】
2007059512.tif 000018
〔式中、Ｒ21〜Ｒ26は、各々水素原子または置換基を表す。〕
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体膜。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体材料を用いることを特徴とする有機半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体材料を半導体層に用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
情報端末の普及に伴い、コンピュータ用のディスプレイとしてフラットパネルディスプレイに対するニーズが高まっている。また、さらに情報化の進展に伴い、従来、紙媒体で提供されていた情報が電子化される機会が増え、薄くて軽い、手軽に持ち運びが可能なモバイル用表示媒体として、電子ペーパーあるいはデジタルペーパーへのニーズも高まりつつある。
【０００３】
一般に平板型のディスプレイ装置においては、液晶、有機ＥＬ（有機エレクトロルミネッセンス）、電気泳動等を利用した素子を用いて表示媒体を形成している。また、こうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度等を確保するために、画像駆動素子としてアクティブ駆動素子（ＴＦＴ素子）を用いる技術が主流になっている。例えば、通常のコンピュータディスプレイではガラス基板上にこれらＴＦＴ素子を形成し、液晶、有機ＥＬ素子等が封止されている。
【０００４】
ここで、ＴＦＴ素子には主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）等の半導体を用いることができ、これらのＳｉ半導体（必要に応じて金属膜も）を多層化し、ソース、ドレイン、ゲート電極を基板上に順次形成していくことでＴＦＴ素子が製造される。こうしたＴＦＴ素子の製造には通常、スパッタリング、その他の真空系の製造プロセスが必要とされる。
【０００５】
しかしながら、このようなＴＦＴ素子の製造では、真空チャンバーを含む真空系の製造プロセスを何度も繰り返して各層を形成せざるを得ず、装置コスト、ランニングコストが非常に膨大なものとなっていた。例えば、ＴＦＴ素子では、通常それぞれの層の形成のために真空蒸着、ドープ、フォトリソグラフ、現像等の工程を何度も繰り返す必要があり、何十もの工程を経て素子を基板上に形成している。スイッチング動作の要となる半導体部分に関しても、ｐ型、ｎ型等、複数種類の半導体層を積層している。こうした従来のＳｉ半導体による製造方法ではディスプレイ画面の大型化のニーズに対し、真空チャンバー等の製造装置の大幅な設計変更が必要とされる等、設備の変更が容易ではない。
【０００６】
また、このような従来からのＳｉ材料を用いたＴＦＴ素子の形成には高い温度の工程が含まれるため、基板材料には工程温度に耐える材料であるという制限が加わることになる。このため実際上はガラスを用いざるをえず、先に述べた電子ペーパーあるいはデジタルペーパーといった薄型ディスプレイを、こうした従来知られたＴＦＴ素子を利用して構成した場合、そのディスプレイは重く、柔軟性に欠け、落下の衝撃で割れる可能性のある製品となってしまう。ガラス基板上にＴＦＴ素子を形成することに起因するこれらの特徴は、情報化の進展に伴う手軽な携行用薄型ディスプレイへのニーズを満たすにあたり望ましくないものである。
【０００７】
一方、近年において高い電荷輸送性を有する有機化合物として、有機半導体材料の研究が精力的に進められている。これらの化合物は有機ＥＬ素子用の電荷輸送性材料のほか、有機レーザー発振素子（例えば、非特許文献１参照。）や、多数の論文にて報告されている有機薄膜トランジスタ素子（有機ＴＦＴ素子）（例えば非特許文献２参照。）への応用が期待されている。これら有機半導体デバイスを実現できれば、比較的低い温度での真空ないし低圧蒸着による製造プロセスの簡易化や、さらにはその分子構造を適切に改良することによって、溶液化できる半導体を得る可能性があると考えられ、有機半導体溶液をインク化することによりインクジェット方式を含む印刷法による製造も考えられる。これらの低温プロセスによる製造は、従来のＳｉ系半導体材料については不可能と考えられてきたが、有機半導体を用いたデバイスにはその可能性があり、従って前述の基板耐熱性に関する制限が緩和され、透明樹脂基板上にも例えばＴＦＴ素子を形成できる可能性がある。透明樹脂基板上にＴＦＴ素子を形成し、そのＴＦＴ素子により表示材料を駆動させることができれば、ディスプレイを従来のものよりも軽く、柔軟性に富み、落としても割れない（もしくは非常に割れにくい）ディスプレイとすることができるであろう。
【０００８】
しかしながら、こうしたＴＦＴ素子を実現するための有機半導体としてこれまでに検討されてきたのは、ペンタセンやテトラセンといったアセン類（例えば、特許文献１参照。）、鉛フタロシアニンを含むフタロシアニン類、ペリレンやそのテトラカルボン酸誘導体といった低分子化合物（例えば、特許文献２参照。）や、α−チエニールもしくはセクシチオフェンと呼ばれるチオフェン６量体を代表例とする芳香族オリゴマー（例えば、特許文献３参照。）、ナフタレン、アントラセンに５員の芳香族複素環が対称に縮合した化合物（例えば、特許文献４参照。）、モノ、オリゴ及びポリジチエノピリジン（例えば、特許文献５参照。）、更には、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリ−ｐ−フェニレンビニレンといった共役高分子等限られた種類の化合物（例えば、非特許文献１〜３参照。）でしかなく、溶剤への十分な溶解性を保持しながら、十分なキャリア移動度・ＯＮ／ＯＦＦ比を示す材料は見出されていない。
【０００９】
最近、溶解性の高いアセン類であるルブレンの単結晶が非常に高い移動度を有することが報告されているが（例えば、非特許文献４参照。）、このような単結晶は気相成長法で作製したものであり、溶液キャストで製膜した膜はアモルファスであり、十分な移動度は得られていない。
【００１０】
また、真空蒸着によって高いキャリア移動度を有する化合物であるペンタセンに官能基を付与した化合物等も開示され、溶液塗布によって比較的良好なキャリア移動度が得られるとの報告もなされている（例えば、特許文献６参照。）。
【００１１】
しかし、アセン系化合物は空気によって容易に酸化され、エンドパーオキシドと呼ばれる酸化体に転化しやすく、その結果として、電界効果トランジスタとしての性能が大きく劣化してしまうことが知られており、溶液での保存安定性や塗布膜の安定性についてはいまだ解決すべき課題が残されている。
【００１２】
酸素に対する安定性という意味では、オリゴチオフェン系化合物のほうがアセン系化合物よりも比較的安定であるという傾向は見られるが、オリゴチオフェン系化合物についても同様に酸素によって酸化されて性能が経時で劣化するといった課題が知られている。
【００１３】
このような有機半導体素子の経時安定性については、例えば、特開２００３−２９２５８８号公報、米国特許出願公開第２００３／１３６９５８号明細書、同２００３／１６０２３０号明細書、同２００３／１６４４９５号明細書において、「マイクロエレクトロニクス用の集積回路論理素子にポリマーＴＦＴを用いると、その機械的耐久性が大きく向上し、その使用可能寿命が長くなることが知られている。
【００１４】
しかしながら、半導体ポリチオフェン類の多くは、周囲の酸素によって酸化的にドープされ、導電率が増大してしまうため空気に触れると安定ではないと考えられる。この結果、これらの材料から製造したデバイスのオフ電流は大きくなり、そのため電流オン／オフ比は小さくなりやすい。
【００１５】
従ってこれらの材料の多くは、材料加工とデバイス製造の間に環境酸素を排除して酸化的ドーピングを起こさない、あるいは最小とするよう厳重に注意しなければならず、これらの予防措置が製造コストを押し上げ、特に大面積デバイスのための、アモルファスシリコン技術に代わる経済的な技術としてのある種のポリマーＴＦＴの魅力が削がれてしまうという問題点がある。
【００１６】
従って、酸素に対して強い対抗性を有し、比較的高い電流ＯＮ／ＯＦＦ比を示すエレクトロニックデバイスが望まれている」との記載があるように、有機半導体材料が経時で劣化することをいかに防ぐかといった課題の解決が当業界において要望されている。
【００１７】
また、上記の問題点については、種々の解決手段が提案されてはいる。
【００１８】
例えば、ポリチオフェンにおいて置換基を有するチエニル基を適切な間隔を置いて設置することによって、ポリチオフェン鎖の平面構造を断続的なものとし、イオン化ポテンシャルを酸素と反応する準位よりも低く保つことによって、酸化を抑制するこ技術が開示されている（例えば、特許文献７、８及び９参照。）。
【００１９】
また、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン構造を有するオリゴチオフェン系化合物によって、チエノチオフェン構造を介して電荷が非局在化できない構造とすることで、同様にイオン化ポテンシャルを酸素と反応する準位よりも低く保ち、耐酸化性の改善がなされるという報告もなされている（例えば、特許文献１０参照）。
【００２０】
しかし、これらの化合物の示すトランジスタ特性の一つである、移動度は１．７×１０-2ｃｍ2／Ｖｓｅｃ程度であり、アクティブマトリックスディスプレイとして必要な動作周波数を達成できる移動度としては不十分であり、有機半導体として十分な性能と耐久性を有する化合物はいまだ見出されていない。
【００２１】
従って、溶媒に可溶性であり、かつ十分なキャリア移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比を有し、さらには経時安定性を有するような、新規な電荷輸送性材料を用いた半導体性組成物の開発が待望されている。
【特許文献１】特開平５−５５５６８号公報
【特許文献２】特開平５−１９０８７７号公報
【特許文献３】特開平８−２６４８０５号公報
【特許文献４】特開平１１−１９５７９０号公報
【特許文献５】特開２００３−１５５２８９号公報
【特許文献６】国際公開第０３／０１６５９９号パンフレット
【特許文献７】特開２００３−２６１６５５号公報
【特許文献８】特開２００３−２６４３２７号公報
【特許文献９】特開２００３−２６８０８３号公報
【特許文献１０】特開２００５−７６０３０号公報
【非特許文献１】『サイエンス』（Ｓｃｉｅｎｃｅ）誌２８９巻、５９９ページ（２０００）
【非特許文献２】『ネイチャー』（Ｎａｔｕｒｅ）誌４０３巻、５２１ページ（２０００）
【非特許文献３】『アドバンスド・マテリアル』（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）誌、２００２年、第２号、９９ページ
【非特許文献４】Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．３０３（２００４），１６４４ページ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明の目的は、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の上記目的は、下記の構成１〜８により達成された。
【００２４】
（１）
下記一般式（１）で表されるチオチオフテン構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【００２５】
【化１】
2007059512.tif 000002
【００２６】
〔式中、Ｒ11〜Ｒ14は、各々水素原子または置換基を表す。〕
（２）
前記置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または複素環基を表すことを特徴とする前記１に記載の有機半導体材料。
【００２７】
（３）
前記Ｒ11、Ｒ12が、各々芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表すことを特徴とする前記１または２に記載の有機半導体材料。
【００２８】
（４）
前記Ｒ11、Ｒ12が、各々チエニル基、チエノ［３，２−ｂ］チエニル基またはチアゾリル基を表すことを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【００２９】
（５）
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【００３０】
【化２】
2007059512.tif 000003
【００３１】
〔式中、Ｒ21〜Ｒ26は、各々水素原子または置換基を表す。〕
（６）
前記１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体膜。
【００３２】
（７）
前記１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体材料を用いることを特徴とする有機半導体デバイス。
【００３３】
（８）
前記１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体材料を半導体層に用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【発明の効果】
【００３４】
本発明により、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することが出来た。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明の有機半導体材料においては、請求項１〜５のいずれか１項に規定される構成を用いることにより、薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を得ることができる。また、該有機半導体材料を用いて作製した本発明の有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ（以下、有機ＴＦＴともいう）は、キャリア移動度が高く、良好なＯＮ／ＯＦＦ特性を示す等、優れたトランジスタ特性を示しながら、且つ、高耐久性であることが分かった。
【００３６】
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について説明する。
【００３７】
《有機半導体材料》
本発明の有機半導体材料について説明する。
【００３８】
従来、有機半導体材料としてはペンタセンに代表されるような、アセン系の化合物がよく知られているが、ペンタセンは不溶性の為、従来は蒸着によってしか膜を形成できず、塗布膜を作製することは難しい。また、特許文献６のようにアルキル基等を付与してペンタセンを可溶化したとしても、アセン系化合物は酸素によって非常に速く酸化されてＴＦＴ性能が劣化するため、蒸着のような真空製膜プロセス以外では用いることができない。
【００３９】
アセン系以外の材料としては、無置換６Ｔに代表されるようなチオフェンオリゴマーも有機半導体材料としてよく知られているが、ペンタセン同様に不溶性であり蒸着によってしか膜の形成が困難であるという問題点があった。また、末端チオフェンの４位の活性が高いため、材料及び塗膜の経時安定性に問題があった。
【００４０】
ポリチオフェンにヘキシル基を付与したポリヘキシルチオフェン（ＰＨＴ）、あるいはＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１２６（２００４）３３７８ページに開示されているようなアルキルチオフェンポリマー等も提案されているが、分子量分布を持つポリマーではπスタックの形成が不十分であり、分子配列が乱れている部分が多く、未だ、満足できるＴＦＴ性能は得られていない。
【００４１】
また、前記非特許文献４で開示されているような化合物（ルブレン）は、アセン系化合物としては溶解性の高い化合物であるが、他のアセン系化合物と同様に、溶液中では酸素によって容易に酸化されるため、経時安定性に課題を有している。
【００４２】
ポリチオフェン系化合物としては、特許文献７〜１０のように、共役系が比較的狭い範囲にしか広がらない構造とすることによって、ある程度の耐酸化性を付与できるとの報告がなされているが、他方でＴＦＴ性能がいまだ不十分であった。
【００４３】
本発明者等は、上記の問題点を種々検討した結果、本発明に係る下記一般式（１）で表される化合物のような、チオチオフテン構造を有する化合物が、ＴＦＴ性能と溶液塗布性、耐酸化性を兼ね備える化合物であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００４４】
《一般式（１）で表される化合物》
本発明の有機半導体材料は、前記一般式（１）で表されるような、チオチオフテン構造を有する化合物を含有することが特徴である。チオチオフテン構造とは、は５員環が２つ縮合した１０π系芳香族環であるが、３つのＳ（硫黄）原子は等間隔に一直線に並ぶ構造となっており、特異な平面構造を有している。これは３つのＳ原子が４電子３中心結合を形成しているためと推測されており、電子的にも特異な構造の芳香族環として知られている。
【００４５】
本発明の有機半導体材料は、従来公知の材料に比較して、極めて優れたトランジスタ特性を示すことがわかっているが、このような優れた特性を示す理由としては、詳細は不明であるが、上記のような特異的な平面構造と電子構造とを併せ持つことにより、分子配向を誘起しやすく、結果として、ＴＦＴとしての性能が高くなるのではと推定している。
【００４６】
また、化合物が酸素に対する安定性が高いことも寄与していると推定している。
【００４７】
一般式（１）において、Ｒ11〜Ｒ14で表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ビフェニリル基等、またナフタレン環、アントラセン環、アズレン環、アセナフテン環、フルオレン環、フェナントレン環、インデン環、ピレン環、テトラセン環、ペンタセン環、ヘキサセン環、ベンゾピレン環、ベンゾアズレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、アセナフテン環、アセナフチレン環、トリフェニレン環、コロネン環、ベンゾコロネン環、ヘキサベンゾコロネン環、ベンゾフルオレン環、フルオランテン環、ペリレン環、ナフトペリレン環、ペンタベンゾペリレン環、ベンゾペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、コロネン環、ナフトコロネン環、オバレン環、アンスラアントレン環等の縮合芳香族炭化水素環の一部の水素を置き換えた置換基、）、芳香族複素環基（例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、テトラジン環、キノリン環、イソキノリン環、アクリジン環、フェナントリジン環、キノキサリン環、シンノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、プテリジン環、フェナジン環、フェナントロリン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、カルバゾール環、プリン環、ピロロピロール環、ピラゾロトリアゾール環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、カルボリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、フラザン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、チエノ［２，３−ａ］チオフェン環、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、アントラジチオフェン環、ジチアフルベン環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾジチオフェン環、アントラジチオフェン環、チオチオフテン環等の環から導出される置換基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基、ピペリジニル基、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シク��アルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルス��ホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えばジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）が挙げられる。これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
【００４８】
上記の置換基として好ましく用いられるのは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または複素環基であるが、中でも、分子の長軸方向に芳香族環（芳香族炭化水素環及び／または芳香族複素環）が連続した細長い板状の分子構造をとる化合物を分子設計し、その結果として、塗布膜が配向しやすく、得られる有機ＴＦＴ素子の性能をより向上させる観点から、前記一般式（１）においてＲ11とＲ12が、いずれも置換または無置換の、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である化合物であることが好ましく、更に好ましくは、前記一般式（１）においてＲ11とＲ12が、各々チエニル基、チエノ［３，２−ｂ］チエニル基（チエノ［３，２−ｂ］チオフェンから導出される基ともいう）またはチアゾリル基を表す場合である。
【００４９】
上記の効果が得られる理由としては、芳香族環同士の共役構造が比較的狭い範囲に限定されることとなり、化合物のイオン化ポテンシャルが上がりすぎず、酸化に対して安定な化合物になると推定している。
【００５０】
本発明に係る一般式（１）で表される化合物の中でも、特に好ましい特性を示す化合物としては、直鎖状アルキル基を置換基として有するチエニル基が規則的に結合した、下記一般式（２）で表されるような化合物である。
【００５１】
前記アルキル基には化合物を溶媒に溶解させやすくする効果と、塗布膜が規則的に配列することを助ける効果があるため、アルキル基によって置換されたチエニル基によってチオチオフテン環が置換されていることが好ましく、更に、前記アルキル基同士が相互嵌合できるような一定間隔を置いてアルキル基を有することがより効果的である。
【００５２】
ここで、『相互嵌合できるようなアルキル基の配置』とは、他分子のアルキル基と櫛歯状に嵌まり込むことができるような配置のことである。直鎖状アルキル基は直径が約５Åの棒状の置換基であるため、アルキル基同士が１０Å前後の間隔でチオチオフテン構造を含む棒状分子を置換していると、他の分子がアルキル基の間隔にちょうど嵌まる形で配列するため、分子配列を比較的容易に誘起できるといった効果を有することが判った。
【００５３】
《一般式（２）で表される化合物》
本発明に係る一般式（２）で表される化合物について説明する。
【００５４】
一般式（２）において、Ｒ21〜Ｒ26で、各々表される置換基は、上記一般式（１）において、Ｒ11〜Ｒ14で、各々表される置換基と同義である。
【００５５】
《一般式（１）または一般式（２）で表される化合物の分子量》
本発明に係る一般式（１）または一般式（２）で各々表される化合物においては、化合物の揮発性を十分低く調整して、生産時の揮発・工程汚染を防止し、且つ、溶媒への溶解性を良好な範囲に調整する観点から、化合物の分子量を、３００〜５０００の範囲に調整することが好ましい。
【００５６】
更に、分子間のスタック性を上げ、ＴＦＴ性能を向上させる観点から、化合物の分子量を５００〜２０００の範囲に調整することが好ましい。
【００５７】
尚、本発明の有機半導体材料の分子量は、市販の質量分析装置などによって測定を行うことができる。
【００５８】
以下、本発明に係る一般式（１）または（２）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００５９】
【化３】
2007059512.tif 000004
【００６０】
【化４】
2007059512.tif 000005
【００６１】
【化５】
2007059512.tif 000006
【００６２】
【化６】
2007059512.tif 000007
【００６３】
【化７】
2007059512.tif 000008
【００６４】
【化８】
2007059512.tif 000009
【００６５】
【化９】
2007059512.tif 000010
【００６６】
【化１０】
2007059512.tif 000011
【００６７】
【化１１】
2007059512.tif 000012
【００６８】
【化１２】
2007059512.tif 000013
【００６９】
【化１３】
2007059512.tif 000014
【００７０】
尚、本発明に係る一般式（１）または（２）で表される化合物は、例えば、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｐｅｒｋｉｎ  Ｔｒａｎｓ．，ｖｏｌ１（１９７２），ｐ１３１０，Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ，ｖｏｌ．３６（１９９３），ｐ２２３，Ｂｕｌｌ．Ｃｈｉｍ．Ｓｏｃ．Ｆｒ．，１９６６，ｐ３７９０、などを参考にして合成することができる。
【００７１】
《有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ》
本発明の有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタの各々について説明する。
【００７２】
本発明の有機半導体材料は、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタの半導体層に用いることにより、良好に駆動する有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタを提供することができる。有機薄膜トランジスタは、支持体上に、半導体層として有機半導体で連結されたソース電極とドレイン電極を有し、その上にゲート絶縁層を介してゲート電極を有するトップゲート型と、支持体上にまずゲート電極を有し、ゲート絶縁層を介して有機半導体で連結されたソース電極とドレイン電極を有するボトムゲート型に大別される。
【００７３】
本発明の有機半導体材料を有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタの半導体層に設置するには、真空蒸着により基板上に設置することもできるが、適切な溶媒に溶解し必要に応じ添加剤を加えて調製した溶液をキャストコート、スピンコート、印刷、インクジェット法、アブレーション法等によって基板上に設置するのが好ましい。
【００７４】
この場合、本発明の有機半導体材料を溶解する溶媒は、有機半導体材料を溶解して適切な濃度の溶液が調製できるものであれば格別の制限はないが、具体的にはジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル等の鎖状エーテル系溶媒、テトラヒドロフランやジオキサン等の環状エーテル系溶媒、アセトンやメチルエチルケトン等のケトン系溶媒、クロロホルムや１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒、トルエン、ｏ−ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、ｍ−クレゾール等の芳香族系溶媒、Ｎ−メチルピロリドン、２硫化炭素等を挙げることができる。これらの溶媒のうち、非ハロゲン系溶媒を含む溶媒が好ましく、非ハロゲン系溶媒で構成することが好ましい。
【００７５】
本発明の有機薄膜トランジスタは、本発明の有機半導体材料を前述のように半導体層に用いることが好ましい。前記半導体層は、これらの有機半導体材料を含有する溶液または分散液を塗布することにより形成することが好ましい。有機半導体材料を溶解する溶媒は、前記非ハロゲン系溶媒を含む溶媒が好ましく、非ハロゲン系溶媒で構成することが好ましい。
【００７６】
本発明において、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯ及び炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。
【００７７】
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅等の金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーション等により形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペースト等を凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等の印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【００７８】
ゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム等が挙げられる。それらのうち好ましいのは酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【００７９】
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法等のドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等の塗布による方法、印刷やインクジェット等のパターニングによる方法等のウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
【００８０】
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶媒あるいは水に必要に応じて界面活性剤等の分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えば、アルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ法とゾルゲル法である。
【００８１】
大気圧下でのプラズマ製膜処理による絶縁膜の形成方法は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する処理で、その方法については特開平１１−６１４０６号公報、同１１−１３３２０５号公報、特開２０００−１２１８０４号公報、同２０００−１４７２０９号公報、同２０００−１８５３６２号公報等に記載されている（以下、大気圧プラズマ法とも称する）。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成することができる。
【００８２】
また、有機化合物皮膜として、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、及びシアノエチルプルラン等を用いることもできる。有機化合物皮膜の形成法としては、前記ウェットプロセスが好ましい。無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚としては、一般に５０ｎｍ〜３μｍ、好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
【００８３】
また、支持体はガラスやフレキシブルな樹脂製シートで構成され、例えば、プラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース（ＤＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
【００８４】
以下に、本発明の有機半導体材料を用いて形成された有機半導体膜を用いた有機薄膜トランジスタについて説明する。
【００８５】
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの構成例を示す図である。同図（ａ）は、支持体６上に金属箔等によりソース電極２、ドレイン電極３を形成し、両電極間に本発明の有機半導体材料からなる有機半導体層１を形成し、その上に絶縁層５を形成し、さらにその上にゲート電極４を形成して有機薄膜トランジスタを形成したものである。同図（ｂ）は、有機半導体層１を、（ａ）では電極間に形成したものを、コート法等を用いて電極及び支持体表面全体を覆うように形成したものを表す。（ｃ）は、支持体６上に先ずコート法等を用いて、有機半導体層１を形成し、その後ソース電極２、ドレイン電極３、絶縁層５、ゲート電極４を形成したものを表す。
【００８６】
同図（ｄ）は、支持体６上にゲート電極４を金属箔等で形成した後、絶縁層５を形成し、その上に金属箔等で、ソース電極２及びドレイン電極３を形成し、該電極間に本発明の有機半導体材料により形成された有機半導体層１を形成する。その他同図（ｅ）、（ｆ）に示すような構成を取ることもできる。
【００８７】
図２は、有機薄膜トランジスタシートの概略等価回路図の１例を示す図である。
【００８８】
有機薄膜トランジスタシート１０はマトリクス配置された多数の有機薄膜トランジスタ１１を有する。７は各有機薄膜トランジスタ１１のゲートバスラインであり、８は各有機薄膜トランジスタ１１のソースバスラインである。各有機薄膜トランジスタ１１のソース電極には、出力素子１２が接続され、この出力１２は例えば液晶、電気泳動素子等であり、表示装置における画素を構成する。画素電極は光センサの入力電極として用いてもよい。図示の例では、出力素子として液晶が、抵抗とコンデンサからなる等価回路で示されている。１３は蓄積コンデンサ、１４は垂直駆動回路、１５は水平駆動回路である。
【００８９】
有機薄膜トランジスタの性能としては、その用途に応じて必要とされる性能は変化するが、例えば電子ペーパーのような用途においては、キャリア移動度は０．０５（５．０×１０-2）〜１．０ｃｍ2／Ｖｓｅｃの範囲であることが好ましく、ＯＮ／ＯＦＦ比としては１．０×１０5〜１．０×１０7の範囲であることが好ましい。このような範囲とすることで十分な速度でディスプレイを駆動することができ、またディスプレイに良好な階調を付与することができる。
【実施例】
【００９０】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００９１】
ここで、実施例に用いられる化合物の構造式を示す。
【００９２】
【化１４】
2007059512.tif 000015
【００９３】
実施例１
《有機薄膜トランジスタ１の作製》
ゲート電極としての比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＳｉウェハーに、厚さ２０００Åの熱酸化膜を形成してゲート絶縁層とした後、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を行った。
【００９４】
このような表面処理を行ったＳｉウェハー上に、比較化合物１（ペンタセン、アルドリッチ社製）を昇華精製したのち、事前に窒素バブリングを３０分行ったトルエンに０．５質量％で溶解させた溶液を、窒素雰囲気下としたグローブボックス内でスピンコート塗布（回転数２５００ｒｐｍ、１５秒）し、自然乾燥することによりキャスト膜を形成し、さらに５０℃、３０分間の熱処理を施した。
【００９５】
さらに、この膜の表面にマスクを用いて金を蒸着してソース電極及びドレイン電極を形成した。ソース電極及びドレイン電極は幅１００μｍ、厚さ２００ｎｍで、チャネル幅Ｗ＝３ｍｍ、チャネル長Ｌ＝２０μｍの有機薄膜トランジスタ１を作製した。
【００９６】
《有機薄膜トランジスタ２の作製》
有機薄膜トランジスタ１の作製において、比較化合物１を比較化合物２に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ２を作製した。
【００９７】
尚、比較化合物２（２，３，９，１０−テトラヘキシルペンタセン）は、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ．２（２０００），ｐ８５を参照して合成した。
【００９８】
《有機薄膜トランジスタ３の作製》
有機薄膜トランジスタ１の作製において、比較化合物１を比較化合物３（ルブレン、アルドリッチ社製市販試薬を昇華精製して用いた）に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ３を作製した。
【００９９】
《有機薄膜トランジスタ４の作製》
有機薄膜トランジスタ１の作製において、比較化合物１を比較化合物４（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ｒｅｇｉｏｌｅｇｕｌａｒ、アルドリッチ社製）に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ４を作製した。
【０１００】
《有機薄膜トランジスタ５の作製》
有機薄膜トランジスタ１の作製において、比較化合物１を比較化合物５に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ５を作製した。尚、比較化合物５は、前記特許文献７の１６頁、例（ａ）に記載の方法を参照して合成した。
【０１０１】
《有機薄膜トランジスタ６の作製》
有機薄膜トランジスタ１の作製において、比較化合物１を比較化合物６に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ６を作製した。尚、比較化合物６は、前記特許文献１０の３５頁、例３に記載を参照して合成した。
【０１０２】
《有機薄膜トランジスタ７〜１１の作製》
有機薄膜トランジスタ１の作製において、比較化合物１の代わりに、表１に記載の本発明の有機半導体材料に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ７〜１１を作製した。
【０１０３】
《キャリア移動度及びＯＮ／ＯＦＦ値の評価》
得られた有機薄膜トランジスタ１〜１１について、各素子のキャリア移動度とＯＮ／ＯＦＦ値を、素子作製直後に測定した。なお、本発明では、Ｉ−Ｖ特性の飽和領域からキャリア移動度を求め、さらに、ドレインバイアス−５０Ｖとし、ゲートバイアス−５０Ｖ及び０Ｖにしたときのドレイン電流値の比率からＯＮ／ＯＦＦ比を求めた。
【０１０４】
また同様の評価を、各素子を４０℃、９０％ＲＨ（相対湿度）の環境室に４８時間投入したのち、キャリア移動度・ＯＮ／ＯＦＦ比の再測定を行った。
【０１０５】
得られた結果を表１に示す。
【０１０６】
【表１】
2007059512.tif 000016
【０１０７】
表１から、比較化合物１は、溶解性が低く、塗布によって膜を作ることができず、有機半導体としての駆動は確認できなかった。比較化合物２、３は、比較化合物１に比べて溶解性が高く、塗布膜を得ることができたが、有機半導体としての駆動を確認することができたが、耐久試験の後では大きく性能が劣化する材料であることがわかる。
【０１０８】
同様に、チオフェン系化合物である比較化合物４も初期の性能は比較的良好であるが、耐久性の低い化合物であった。
【０１０９】
比較化合物５、６においては、比較化合物４よりも耐久試験後の移動度・ＯＮ／ＯＦＦ比の改善が見られるが、全体にＴＦＴ素子としての性能が低い。
【０１１０】
他方、本発明の有機半導体材料を用いて作製した有機薄膜トランジスタ７〜１１では、作製直後だけでなく耐久試験後においてもおいてキャリア移動度が５．０×１０-2以上、ＯＮ／ＯＦＦ比も１．０×１０5以上の値を保持しており、経時劣化が少なく高い耐久性を併せ持つことが分かる。
【０１１１】
中でも、一般式（２）で表される構造を有する化合物から作製した有機ＴＦＴ素子１０、１１では耐久性試験後でも、キャリア移動度が１０-1台と高いことが確認された。
【０１１２】
実施例２
《有機ＥＬ素子の作製》
有機ＥＬ素子の作製は、Ｎａｔｕｒｅ，３９５巻，１５１〜１５４頁に記載の方法を参考にして、図３に示したような封止構造を有するトップエミッション型の有機ＥＬ素子を作製した。尚、図３において、１０１は基板、１０２ａは陽極、１０２ｂは有機ＥＬ層（具体的には、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等が含まれる）、１０２ｃは陰極を示し、陽極１０２ａ、有機ＥＬ層１０２ｂ、陰極１０２ｃにより、発光素子１０２が形成されている。１０３は封止膜を示す。尚、本発明の有機ＥＬ素子は、ボトムエミッション型でもトップエミッション型のどちらでもよい。
【０１１３】
本発明の有機ＥＬ素子と本発明の有機薄膜トランジスタ（ここで、本発明の有機薄膜トランジスタは、スイッチングトランジスタや駆動トランジスタ等として用いられる）を組み合わせて、アクティブマトリクス型の発光素子を作製したが、その場合は、例えば、図４に示すように、ガラス基板６０１上にＴＦＴ６０２（有機薄膜トランジスタ６０２でもよい）が形成されている基板を用いる態様が一例として挙げられる。ここで、ＴＦＴ６０２の作製方法は公知のＴＦＴの作製方法が参照できる。勿論、ＴＦＴとしては、従来公知のトップゲート型ＴＦＴであってもボトムゲート型ＴＦＴであっても構わない。
【０１１４】
上記で作製した有機ＥＬ素子は、単色、フルカラー、白色等の種々の発光形態において、良好な発光特性を示した。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明に係る有機ＴＦＴの構成例を示す図である。
【図２】本発明の有機ＴＦＴの概略等価回路図の１例である。
【図３】封止構造を有する有機ＥＬ素子の一例を示す模式図である。
【図４】有機ＥＬ素子に用いる、ＴＦＴを有する基板の一例を示す模式図であ
【符号の説明】
【０１１６】
１  有機半導体層
２  ソース電極
３  ドレイン電極
４  ゲート電極
５  絶縁層
６  支持体
７  ゲートバスライン
８  ソースバスライン
１０  有機薄膜トランジスタシート
１１  有機薄膜トランジスタ
１２  出力素子
１３  蓄積コンデンサ
１４  垂直駆動回路
１５  水平駆動回路
１０１、２０１  基板
１０２  有機ＥＬ素子
１０２ａ、２０２  陽極
１０２ｂ  有機ＥＬ層
１０２ｃ、２０４  陰極
１０３  封止膜
２０５  駆動用素子
２０６  正孔輸送層
２０７  発光層
２０８  電子輸送層
６０１  基板
６０２  ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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