(57)【要約】【課題】クラックが発生することを防止する。【解決手段】パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性膜相互間に形成される層間絶縁膜との層構造を有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素が設けられた電気光学装置であって、前記導電性膜の凹凸によって前記層間絶縁膜に生じる段差部分に対応する領域を含み前記導電性膜上に形成される第１の窒化膜３１と、前記第１の窒化膜上に形成された前記層間絶縁膜上に、前記第１の窒化膜と同一の平面形状に形成される第２の窒化膜３２と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図１
2007193259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性膜相互間に形成される層間絶縁膜とを
有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素が設けられた電気光学装置で
あって、
前記導電性膜の凹凸によって前記導電性膜上の層間絶縁膜に生じる段差部分に対応する
領域を含み前記導電性膜上に形成される第１の窒化膜と、
前記第１の窒化膜上に形成された前記層間絶縁膜上に、前記第１の窒化膜と同一の平面
形状に形成される第２の窒化膜と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の窒化膜と前記第２の窒化膜とは、相互に異なる材料を含む膜であることを特
徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記層間絶縁膜は、前記第１及び第２の窒化膜に近づくほど窒素含有量が大きくなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性膜相互間に形成される層間絶縁膜とを
有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素が設けられた電気光学装置で
あって、
前記導電性膜の凹凸によって前記導電性膜上の層間絶縁膜に生じる段差部分に対応する
領域であって、前記導電性膜上以外の領域に形成される第１の窒化膜、
を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性膜相互間に形成される層間絶縁膜とを
有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素が設けられた電気光学装置で
あって、
前記導電性膜の凹凸によって前記導電性膜上の層間絶縁膜に生じる段差部分を含む領域
の前記層間絶縁膜上に形成される第２の窒化膜、
を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の窒化膜は、シリコン窒化膜又はチタン窒化膜であることを特徴とす
る請求項１乃至５のいずれか１つに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記層間絶縁膜の下層の導電性膜は、前記データ線であることを特徴とする請求項１乃
至６のいずれか１つに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記導電性膜は、前記第１の窒化膜によって覆われたデータ線であることを特徴とする
請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１及び第２の窒素を有する膜は、前記走査線とデータ線との交差部分において他
の部分よりも前記走査線の延出方向に広幅に形成されることを特徴とする請求項７に記載
の電気光学装置。
【請求項１０】
パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性膜相互間に形成される層間絶縁膜とを
有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素が設けられた電気光学装置の
製造方法であって、
前記導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜の凹凸によって前記導電性膜上の層間絶縁膜に生じる段差部分に対応する
領域を含み前記導電性膜上の領域に第１のマスクを用いて第１の窒化膜を形成する工程と
、
前記第１の窒化膜上に前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記第１のマスクを用いて前記第１の窒化膜と同一の平面形状で
第２の窒化膜を形成する工程と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか１つに記載の電気光学装置を用いて構成したことを特徴とす
る電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クラックの発生を抑制するようにした電気光学装置及びその製造方法並びに
電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置
は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。このうち、ＴＦＴ駆動、ＴＦＤ
駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置においては、縦
横に夫々配列された多数の走査線（ゲート線）及びデータ線（ソース線）の各交点に対応
して、画素電極及びスイッチング素子を基板（アクティブマトリクス基板）上に設けて構
成される。
【０００３】
ＴＦＴ素子等のスイッチング素子は、ゲート線に供給されるオン信号によってオンとな
り、ソース線を介して供給される画像信号を画素電極（透明電極（ＩＴＯ））に書込む。
これにより、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液
晶分子の配列を変化させる。こうして、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を
通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
このようなスイッチング素子を構成する素子基板は、ガラス又は石英基板上に、所定の
パターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜（層間絶縁膜）又は導電性薄膜を積層すること
によって構成される。即ち、各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程の繰返しによっ
て、ＴＦＴ基板等は形成されている。
【０００５】
例えば、ＴＦＴ素子を構成する半導体層、電圧保持特性を改善するための蓄積容量層、
配線層及びこれらの層間に設けられる層間絶縁膜等が形成されて、ＴＦＴ基板が構成され
ている。
【特許文献１】特開２００４−１７０９１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、液晶装置等の電気光学装置においては、開口率を向上させるために、ＴＦＴ
素子、蓄積容量及び配線等を平面的には重なった位置に形成して、光を透過させる領域を
多くするようになっている。
【０００７】
従って、ＴＦＴ素子、蓄積容量及び配線等は同様な領域に形成されるので、この部分に
おける層厚は他の部分に比べて厚くなる。このため、配線層等の形成部分と、光を透過す
る画素電極の形成領域との間で段差が生じる。
【０００８】
一方、圧縮系の蓄積容量や配線層に比べて、引っ張り系の層間絶縁膜は熱膨張係数が小
さく、割れやすい性質を有する。このため、配線層等の段差部分において、層間絶縁膜を
起点として、クラックが生じやすいという問題があった。
【０００９】
なお、特許文献１においては、シールド層が窒化膜を含む構成が開示されているが、ク
ラック対策としては必ずしも十分ではない。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、少なくとも段差部分に耐クラッ
ク性に優れた窒化膜を設けることにより、クラック耐性を向上させることができる電気光
学装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る電気光学装置は、パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性膜相互
間に形成される層間絶縁膜とを有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画
素が設けられた電気光学装置であって、前記導電性膜の凹凸によって前記導電性膜上の層
間絶縁膜に生じる段差部分に対応する領域を含み前記導電性膜上に形成される第１の窒化
膜と、前記第１の窒化膜上に形成された前記層間絶縁膜上に、前記第１の窒化膜と同一の
平面形状に形成される第２の窒化膜と、を具備したことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、導電性膜及びこの導電性膜の周辺、即ち、導電性膜の凹凸に
よって導電性膜上の層間絶縁膜に生じる段差部分に対応する領域を含む領域には第１の窒
化膜が形成される。また、第１の窒化膜上に形成された層間絶縁膜上には、第１の窒化膜
と同一の平面形状で第２の窒化膜が形成される。従って、層間絶縁膜に生じる段差部分に
おいて、層間絶縁膜は、第１の窒化膜と第２の窒化膜とで挟まれた構造となる。窒化膜は
耐ストレス性に優れており、層間絶縁膜の段差部分を起点として、クラックが生じること
を防止することができる。
【００１３】
また、本発明の一態様によれば、前記第１の窒化膜と前記第２の窒化膜とは、相互に異
なる材料を含む膜であることを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、他の層との関係において、適した膜材料を選択することがで
き、設計の自由度が向上する。
【００１５】
また、本発明の一態様によれば、前記層間絶縁膜は、前記第１及び第２の窒化膜に近づ
くほど窒素含有量が大きくなることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、第１の窒化膜と層間絶縁膜との間及び層間絶縁膜と第２の窒
化膜との間において、物性の変化を滑らかにすることができる。
【００１７】
また、本発明に係る電気光学装置は、パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性
膜相互間に形成される層間絶縁膜とを有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応
して画素が設けられた電気光学装置であって、前記導電性膜の凹凸によって前記導電性膜
上の層間絶縁膜に生じる段差部分に対応する領域であって、前記導電性膜上以外の領域に
形成される第１の窒化膜、を具備したことを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、導電性膜の周辺、即ち、導電性膜の凹凸によって層間絶縁膜
に生じる段差部分に対応する領域には第１の窒化膜が形成される。窒化膜は耐ストレス性
に優れており、層間絶縁膜の段差部分を起点として、クラックが生じることを防止するこ
とができる。また、段差部分に対応する領域に第１の窒化膜を形成することで、全体とし
て段差部分の段差の大きさを緩和することができ、層間絶縁膜を滑らかに形成することが
できる。
【００１９】
また、本発明に係る電気光学装置は、パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性
膜相互間に形成される層間絶縁膜とを有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応
して画素が設けられた電気光学装置であって、前記導電性膜の凹凸によって前記導電性膜
上の層間絶縁膜に生じる段差部分を含む領域の前記層間絶縁膜上に形成される第２の窒化
膜、を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【００２０】
このような構成によれば、導電性膜の凹凸によって導電性膜上の層間絶縁膜に生じる段
差部分を含む領域の層間絶縁膜上には第２の窒化膜が形成される。窒化膜は耐ストレス性
に優れており、層間絶縁膜の段差部分を起点として、クラックが生じることを防止するこ
とができる。
【００２１】
また、本発明の一態様によれば、前記第１及び第２の窒化膜は、シリコン窒化膜又はチ
タン窒化膜であることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、例えば第１の窒化膜としてチタン窒化膜を採用し、第２の窒
化膜としてシリコン窒化膜を採用することができる。
【００２３】
また、本発明の一態様によれば、前記層間絶縁膜の下層の導電性膜は、前記データ線で
あることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、データ線の縁辺部近傍の層間絶縁膜に生じる段差部分を起点
としてクラックが発生することを防止することができる。
【００２５】
また、本発明の一態様によれば、前記導電性膜は、前記第１の窒化膜によって覆われた
データ線であることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、耐ストレス性に優れた第１の窒化膜でデータ線を覆うことに
よって、データ線にクラックが生じることを防止することができる。
【００２７】
また、本発明の一態様によれば、前記第１及び第２の窒素を有する膜は、前記走査線と
データ線との交差部分において他の部分よりも前記走査線の延出方向に広幅に形成される
ことを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、開口率を低下させることなく、耐クラック性を向上させるこ
とができる。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、パターニングされた複数の導電性膜と前記導
電性膜相互間に形成される層間絶縁膜とを有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に
対応して画素が設けられた電気光学装置の製造方法であって、前記導電性膜を形成する工
程と、前記導電性膜の凹凸によって前記導電性膜上の層間絶縁膜に生じる段差部分に対応
する領域を含み前記導電性膜上の領域に第１のマスクを用いて第１の窒化膜を形成する工
程と、前記第１の窒化膜上に前記層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に、前
記第１のマスクを用いて前記第１の窒化膜と同一の平面形状で第２の窒化膜を形成する工
程と、を具備したことを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、導電性膜上に第１の窒化膜が形成される。この場合には、第
１のマスクを用いることで、第１の窒化膜は、導電性膜の凹凸によって層間絶縁膜に生じ
る段差部分に対応する領域を含む導電性膜上の領域に形成される。第１の窒化膜上には層
間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上には第２の窒化膜が形成される。第２の窒化膜は、第
１のマスクを用いることで、第１の窒化膜と同一の平面形状に形成される。第１及び第２
の窒化膜が、層間絶縁膜に生じる段差部分に対応する領域に形成されるので、層間絶縁膜
の段差部分を起点として生じるクラックの発生を抑制することができる。
【００３１】
また、本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を用いて構成したことを特徴とする
。
【００３２】
このような構成によれば、層間絶縁膜に生じる段差部分を起点としてクラックが生じる
ことはなく、信頼性が高い装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３４】
＜第１の実施の形態＞
図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を示す断面図である。本実施の形
態は電気光学装置としてＴＦＴ基板を用いた液晶装置に適用したものである。図２は本実
施の形態における電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対
向基板側から見た平面図である。図３は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入
する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である
。図４は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路
図である。図５は本実施の形態のＴＦＴ基板上に形成する隣接した複数の画素について各
層の成膜パターンを示す平面図である。なお、図５では４つの画素のみを示している。な
お、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３５】
先ず、図２乃至図５を参照して本実施の形態の液晶装置の全体構成について説明する。
【００３６】
液晶装置は、図２及び図３に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基
板を用いたＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用
いた対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１
０と対向基板２０とは、シール材４１によって貼り合わされている。
【００３７】
ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置
される。また、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。ＴＦＴ
基板１０の画素電極９ａ上には、配向処理が施された配向膜１６が設けられている。一方
、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、配向処理が施された配
向膜２２が設けられている。
【００３８】
図４は画素を構成するＴＦＴ基板１０上の素子の等価回路を示している。また、図５は
ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ、蓄積容量７０、走査線３ａ及びデータ線６ａの平面
的な配置を示している。
【００３９】
図４及び図５に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデー
タ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に
画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差
部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００４０】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに
供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設
けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列
に、固定電位点３ｂに接続された蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０によって
、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持
が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い
画像表示が可能となる。
【００４１】
画素電極９ａは、ＴＦＴ基板１０上にマトリクス状に複数設けられており、画素電極９
ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６
ａは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシ
リコン膜等からなる。また、走査線３ａは、図５の斜線部に示すチャネル領域１ａ’に対
向して形成されている。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれ
ぞれ、ゲート電極を構成する走査線３ａとチャネル領域１ａ’とが対向配置されて画素ス
イッチング用のＴＦＴ３０が構成されている。
【００４２】
図２及び図３に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜
４２及びＴＦＴ３０形成領域を遮光する遮光膜２３が設けられている。
【００４３】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２
０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置
され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の
１辺の一部において欠落しており、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成され
る。貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶注入口７８より
液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになって
いる。
【００４４】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６
２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走
査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側
に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基
板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００４５】
次に、図１を参照して断面構造を詳細に説明する。図１は図５のＡ−Ａ’線にて切断し
て示す断面図である。
【００４６】
ガラスや石英等の素子基板１０には、素子基板完成時の段差形状を調整するために溝１
１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２が形成されている。溝１１によって、Ｔ
ＦＴ基板の液晶５０との境界面が平坦化される。また、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成
領域に対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等の形成領域、即ち各画素の
非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、反射光がＴＦＴ
３０のチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅ（図５参照）に入射す
ることが防止される。
【００４７】
溝１１上には、第１層間絶縁膜１３が形成され、第１層間絶縁膜１３上には、半導体層
１ａが形成される。半導体層１ａは、図５に示すように、ＴＦＴ形成領域において形成さ
れ、半導体層１ａにはチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅが形成
される。
【００４８】
半導体層１ａ上及び第１層間絶縁膜１３上にはＴＦＴ３０を構成するためのゲート絶縁
膜２が形成される。ゲート絶縁膜２上には、ＴＦＴ形成領域において、ゲート電極をなす
走査線３ａ（図５参照）が設けられる。
【００４９】
ＴＦＴ３０上及びゲート絶縁膜２上には第２層間絶縁膜１４が積層される。第２層間絶
縁膜１４には、ドレイン領域１ｅ上においてコンタクトホール２６ａが開口される。また
、図５に示すように、第２層間絶縁膜１４には、ソース領域１ｄ上においてコンタクトホ
ール２６ｂが開口される。
【００５０】
第２層間絶縁膜１４上には蓄積容量７０を構成する中間導電層１５が形成されている。
中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。容量線１
８は、容量層１８ａと遮光層１８ｂとからなり、中間導電層１５との間で蓄積容量７０を
構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層１ａに比較的近接
した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる
。
【００５１】
容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線
６ａが積層される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１９，１４を貫通するコン
タクトホール２６ｂ（図５参照）を介してソース領域１ｄに電気的に接続される。
【００５２】
本実施の形態においては、データ線６ａ上及びデータ線６ａ近傍の第３層間絶縁膜１９
の一部上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）３１が形成されている。シリコン窒化膜３１上
及び第３層間絶縁膜１９上には、第４層間絶縁膜２５が形成されている。
【００５３】
更に、本実施の形態においては、第４層間絶縁膜２５上に、シリコン窒化膜３１と略同
様の平面形状でシリコン窒化膜３２が形成されている。このシリコン窒化膜３２上及び第
４層間絶縁膜２５上には画素電極９ａが形成されている。
【００５４】
図６はシリコン窒化膜３１，３２の平面形状を説明するための説明図である。
【００５５】
図６に示すように、シリコン窒化膜３１，３２は、平面的には、データ線６ａの端部近
傍、即ち、データ線６ａ等の形成に伴ってデータ線６ａ等と画素電極９ａとの境界近傍に
おいて生じる段差部分を少なくとも覆うように、データ線６ａ並びに第３及び第４層間絶
縁膜１９，２５の一部上に形成されている。
【００５６】
シリコン窒化膜３１，３２は、耐ストレス性に優れている。本実施の形態においては、
データ線６ａ、シリコン窒化膜３１、第４層間絶縁膜２５、シリコン窒化膜３２の積層構
造を採用している。即ち、第４層間絶縁膜２５は、シリコン窒化膜３１，３２相互間に挟
まれた構造となっており、第４層間絶縁膜２５の段差部分における耐ストレス性を著しく
向上させることができる。これにより、第４層間絶縁膜２５の段差部分を起点としてクラ
ックが生じることを防止することができる。
【００５７】
なお、画素電極９ａは、第４層間絶縁膜２５，第３層間絶縁膜１９，誘電体膜１７を貫
通する図示しないコンタクトホールにより第１中間導電層１５に電気的に接続される。そ
して、第１中間導電層１５は第２層間絶縁膜１４及び絶縁膜２を貫通するコンタクトホー
ル２６ａを介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミ
ド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向に配向処理されている。
【００５８】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａ’が導通
状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給さ
れた画像信号が画素電極９ａに与えられる。画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応
じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化する。こうして、画像信号に応じて、光の透過
率が変化し、階調表示が可能となる。
【００５９】
次に、このように構成された実施の形態の製造方法について説明する。
【００６０】
先ず、素子基板１０に対してエッチング等によって溝１１を形成する。次に、遮光膜１
２を形成する。次いで、遮光膜１２上に、例えば、減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テト
ラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス等を用いて、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）等から
なる第１層間絶縁膜１３を形成する
次に、第１層間絶縁膜１３上に、半導体層１ａを形成する。例えば、減圧ＣＶＤ法等に
よってアモルファスシリコン膜を形成し、更に、熱処理を施すことによって、ポリシリコ
ン膜を固相成長させる。なお、固相成長させる方法としては、ＲＴＡを使ったアニール処
理でもよいし、エキシマレーザ等を用いたレーザアニールでもよい。そして、フォトリソ
グラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。
【００６１】
次に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを熱酸化して、ゲート絶縁膜２を形成する。
なお、熱酸化によって得られるゲート絶縁膜上に、減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコ
ン膜（ＨＴＯ膜）等を積層して、多層構造のゲート絶縁膜を構成してもよい。次に、ＴＦ
Ｔ形成領域において、ゲート電極となる走査線３ａを形成する。
【００６２】
次に、半導体層１ａにソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅを形成するために、不純物
を導入する。ＬＤＤ構造を有するＴＦＴ３０を形成する場合には、先ず、半導体層に低濃
度の不純物を注入して、ソース・ドレイン領域を形成する。次いで、走査線３ａ上及びそ
の周辺上にレジストを形成した後、高濃度の不純物を注入して、高濃度のソース・ドレイ
ン領域１ｄ，１ｅを形成する。こうして、低濃度のソース・ドレイン領域と高濃度のソー
ス・ドレイン領域とを有するＬＤＤ構造の素子を構成する。
【００６３】
次に、走査線３ａ及びゲート絶縁膜２上に、例えば、ＴＥＯＳガス等を用いた減圧ＣＶ
Ｄ法等により、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜１４を形成する。
【００６４】
次に、反応性イオンエッチング等のドライエッチングにより、第２層間絶縁膜１４に、
ドレイン領域１ｅに通ずるコンタクトホール２６ａを開孔する。
【００６５】
次に、第２層間絶縁膜１４上に、蓄積容量７０を構成する中間導電層１５を形成する。
例えば、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を成膜することで、所定パターンを有する
中間導電層１５を形成する。この場合にはポリシリコン膜を、コンタクトホール２６ａが
埋められるように形成し、ドレイン領域１ｅと中間導電層１５との電気的接続が図られる
。
【００６６】
次に、ＨＴＯ膜等からなる誘電体膜１７を形成し、この誘電体膜１７上に容量線１８を
形成する。容量線１８は、下層にポリシリコン膜等を減圧ＣＶＤ法等によって成膜して形
成した容量層１８ａを有し、上層にタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の金属膜をスパ
ッタリング等によって成膜して形成した遮光層１８ｂを有する。
【００６７】
次に、例えば、ＴＥＯＳガス等を用いた減圧ＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等から
なる第３層間絶縁膜１９を形成する。次いで、第３及び第２層間絶縁膜１９，１４を貫通
するコンタクトホール２６ｂを形成する。
【００６８】
次に、コンタクトホール２６ｂを埋めるように、第３層間絶縁膜１９上にデータ線６ａ
となる例えばアルミニウムをスパッタリング等により形成する。アルミニウムの膜厚は約
１００〜５００ｎｍ程度、好ましくは約３５０ｎｍとする。そして、フォトリソグラフィ
及びエッチングにより、所定パターンをもつデータ線６ａを形成する。
【００６９】
次に、本実施の形態においては、プラズマＣＶＤ法等によって、シリコン窒化膜を成膜
する。このシリコン窒化膜を、図６の斜線部に示す形状のマスクを用いることで、データ
線６ａ上及びデータ線６ａから所定距離だけ離間した位置までの第３層間絶縁膜１９上に
残すように、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする。こうして、蓄
積容量７０やデータ線６ａ等の形成に伴う段差部分を覆うシリコン窒化膜３１が形成され
る。なお、シリコン窒化膜３１の膜厚は、例えば２０ｎｍ等に設定される。次に、例えば
、ＴＥＯＳガス等を用いた減圧ＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等からなる第４層間絶
縁膜２５を形成する。
【００７０】
本実施の形態においては、この第４層間絶縁膜２５上に、更に、プラズマＣＶＤ法等に
よって、シリコン窒化膜を成膜する。そして、シリコン窒化膜３１の形成時に用いたマス
クを用いてパターニングを行うことで、平面的にはシリコン窒化膜３１と同一の位置及び
形状のシリコン窒化膜３２を形成する。なお、シリコン窒化膜３２の膜厚も、例えば２０
ｎｍ等に設定される。次に、シリコン窒化膜３２の一部及び第４層間絶縁膜２５上に画素
電極９ａを形成する。
【００７１】
このように本実施の形態においては、蓄積容量７０やデータ線６ａ等の形成に伴う段差
部分については、耐ストレス性に優れたシリコン窒化膜３１，３２が第４層間絶縁膜２５
を挟むように形成されることになる。これにより、この段差部分を起点として第４層間絶
縁膜２５にクラックが生じることを防止することができる。
【００７２】
また、シリコン窒化膜３１，３２の形成には共通のマスクを用いており、製造容易であ
る。
【００７３】
＜第２の実施の形態＞
図７は本発明の第２の実施の形態を示す断面図である。また、図８は各層の配置を示す
平面図である。図７及び図８において夫々図１及び図５と同一の構成要素には同一符号を
付して説明を省略する。
【００７４】
本実施の形態はシリコン窒化膜３１，３２に夫々代えてシリコン窒化膜５１，５２を採
用した点が第１の実施の形態と異なる。
【００７５】
シリコン窒化膜５１は、データ線６ａ上には形成されておらず、データ線６ａの近傍で
あって、第３層間絶縁膜１９の窪んだ部分に形成される。また、シリコン窒化膜５２は、
平面的にはシリコン窒化膜５１と同一の位置及び形状に形成される。即ち、シリコン窒化
膜５１，５２は、図８に示すように、蓄積容量７０やデータ線６ａ等の形成に伴う段差部
分上のみに形成されている。
【００７６】
このように構成された実施の形態においても、第４層間絶縁膜２５の段差部分を起点と
してクラックが生じることを防止することができる。
【００７７】
更に、本実施の形態においては、シリコン窒化膜５１，５２は、第３及び第４層間絶縁
膜１９，２５の窪んだ部分に形成されるので、第３及び第４層間絶縁膜１９，２５の表面
の傾斜は滑らかとなって、段差が小さくなるという利点がある。
【００７８】
＜第３の実施の形態＞
図９は本発明の第３の実施の形態を示す断面図である。図９において図８と同一の構成
要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００７９】
本実施の形態はシリコン窒化膜５１を省略した点が第２の実施の形態と異なる。
【００８０】
シリコン窒化膜５２は、第２の実施の形態と同様に、少なくとも蓄積容量７０やデータ
線６ａ等の形成に伴う段差部分上に形成されている。
【００８１】
このように構成された実施の形態においても、第４層間絶縁膜２５の段差部分を起点と
してクラックが生じることを防止することができる。他の作用効果は、第２の実施の形態
と同様である。
【００８２】
なお、第３の実施の形態においては、第２の実施の形態からシリコン窒化膜５１を省略
した例を示したが、第２の実施の形態からシリコン窒化膜５２を省略するようにしてもよ
い。この場合でも、第３層間絶縁膜１９上の窪んだ位置にシリコン窒化膜５１を形成する
ことにより、第３の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
＜変形例＞
上記各実施の形態においては、シリコン窒化膜３１，３２，５１，５２は、平面的には
、データ線６ａの垂直方向に伸びる辺と平行な辺を有するように形成されたが、これらの
シリコン窒化膜を形成する辺は、データ線６ａの垂直方向に伸びる辺と平行である必要は
なく、任意の形状を採用することができる。
【００８４】
例えば、走査線３ａの形成領域に突出する部分を設けてもよい。図１０及び図１１のこ
の場合の例を示す説明図である。
【００８５】
図１０において、斜線部で示すシリコン窒化膜３１’，３２’は、突出部３３を設けた
点が第１の実施の形態におけるシリコン窒化膜３１，３２と異なるのみである。
【００８６】
また、図１１において、斜線部で示すシリコン窒化膜５１’，５２’は、突出部５３を
設けた点が第２の実施の形態におけるシリコン窒化膜５１，５２と異なるのみである。
【００８７】
これらの突出部３３，５３は、遮光領域に設けられており、シリコン窒化膜３１’，３
２’，５１’，５２’を広幅に形成して十分な耐ストレス性を得ると共に、開口率を低下
させることがない。
【００８８】
＜第４の実施の形態＞
図１２乃至図１５は本発明の第４の実施の形態を説明するための説明図である。
【００８９】
上記各実施の形態においては、クラックを防止するための膜としてシリコン窒化膜を採
用した。本実施の形態はシリコン窒化膜以外の膜も用いるようにした例である。
【００９０】
図１２は図１のデータ線６ａの位置におけるデータ線６ａ以上の各層の材料を示してい
る。上述したように、データ線６ａを構成するアルミニウム（Ａｌ）上に、シリコン窒化
膜３１を構成するシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が形成されている。更に、シリコン窒化膜３
１上に第４層間絶縁膜２５を構成するシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）が形成され、第４層間
絶縁膜２５上にシリコン窒化膜３２を構成するシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が形成されてい
る。
【００９１】
図１３はシリコン窒化膜３１に代えて窒化チタン膜（ＴｉＮ）を採用した例を示してい
る。窒化チタン膜を用いた場合でも、シリコン窒化膜を用いた場合と同様に、クラックの
発生を抑制することができる。他の層との関係を考慮して、材料を適宜選択することがで
き、設計の自由度が大きい。
【００９２】
図１４はシリコン窒化膜３１，３２相互間の層間絶縁膜をシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯ
Ｎ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）及びシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の多層構造で形
成した例を示している。シリコン窒化膜３１とシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）との物性
は比較的近似しており、また、シリコン酸化窒化膜とシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）との物
性も比較的近似している。従って、図１４の膜構造では、シリコン窒化膜３１，３２相互
間の物性を滑らかに変化させることができるという利点がある。
【００９３】
図１５はシリコン窒化膜３１，３２相互間の層間絶縁膜の窒素濃度を滑らかに変化させ
た例を示している。例えば、第４層間絶縁膜２５の形成時において、添加する窒素ガスの
流量を変えることで、膜厚方向の中央をＳｉＯ２とし、上下のシリコン窒化膜３１，３２
に向かうほど窒素リッチになるように、第４層間絶縁膜２５を形成する。こうして、シリ
コン窒化膜３１，３２相互間の物性を滑らかに変化させることができる。
【００９４】
他の作用及び効果は上記各実施の形態と同様である。
【００９５】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例た
る投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について
説明する。ここに、図１６は、投射型カラー表示装置の説明図である。
【００９６】
図１６において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェク
タ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュー
ルを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトパルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとし
て用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハ
ライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚の
ミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応
する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及
び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐため
に、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレー
レンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１０
０Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１
２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画
像として投射される。
【００９７】
なお、本発明の電気光学装置は、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、
アクティブマトリクス型の液晶パネル（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（
薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル）にも同様に適用する
ことが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、
有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ
装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Elect
ron-Emitter Display 等）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）（別名ＤＭＤ：Digita
l Micromirror Device）等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用すること
が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を示す断面図。
【図２】本実施の形態における電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図３】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図４】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図５】本実施の形態のＴＦＴ基板上に形成する隣接した複数の画素について各層の成膜パターンを示す平面図である。
【図６】シリコン窒化膜３１，３２の平面的な形成位置を説明するための説明図。
【図７】本発明の第２の実施の形態を示す断面図。
【図８】各層の配置を示す平面図。
【図９】本発明の第３の実施の形態を示す断面図。
【図１０】変形例を示す説明図。
【図１１】変形例を示す説明図。
【図１２】本発明の第４の実施の形態を説明するための説明図。
【図１３】本発明の第４の実施の形態を説明するための説明図。
【図１４】本発明の第４の実施の形態を説明するための説明図。
【図１５】本発明の第４の実施の形態を説明するための説明図。
【図１６】投射型カラー表示装置を示す説明図。
【符号の説明】
【００９９】
１３，１４，１９，２５ …層間絶縁膜、７０…蓄積容量、６ａ…データ線、３１，
３２…シリコン窒化膜、９ａ…画素電極。  
【図１】
2007193259.tif 000003
【図２】
2007193259.tif 000004
【図３】
2007193259.tif 000005
【図４】
2007193259.tif 000006
【図５】
2007193259.tif 000007
【図６】
2007193259.tif 000008
【図７】
2007193259.tif 000009
【図８】
2007193259.tif 000010
【図９】
2007193259.tif 000011
【図１０】
2007193259.tif 000012
【図１１】
2007193259.tif 000013
【図１２】
2007193259.tif 000014
【図１３】
2007193259.tif 000015
【図１４】
2007193259.tif 000016
【図１５】
2007193259.tif 000017
【図１６】
2007193259.tif 000018