(57)【要約】【課題】  外表面に機能性の薄膜を有する、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体から構成される液晶パネル等の物品の製造方法において、耐久性に優れた物品を売ることのできる、生産性がよい製造方法を提供することである。【解決手段】  内部に気体または液体が内包された空間を有する基体の外面側の少なくとも１面に大気圧プラズマ処理により、薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に気体または液体が内包された空間を有する基体の外面側の少なくとも１面に大気圧プラズマ処理により、薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
前記大気圧プラズマ処理は、薄膜形成ガスを放電空間に導入し、励起して間接励起ガスとしたのち、該間接励起ガスに基体を晒すことにより、前記基体上に薄膜を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜形成方法。
【請求項３】
請求項１〜３のいずれか１項記載の薄膜形成方法により、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体の外面側の少なくとも１面に薄膜を形成することにより製造されたことを特徴とする物品。
【請求項４】
内部に気体または液体が内包された空間を有する基体が、抵抗膜式タッチパネルあるいは液晶表示装置を構成することを特徴とする請求項３に記載の物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、歩留まりがよく、耐久性の高く、経時での性能劣化のない、例えば、液晶パネルやタッチパネル等の内部に気体または液体が内包された空間を有する物品に種々の機能性を付与する薄膜の形成方法、またそれにより得られる物品に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネル、タッチパネル、ＦＥＤ、複層ガラスまた包装袋等のデバイス或いは物品は、二つの基板またはシール材等によって形成された内部空間に気体または液体が内包された構造を有しており、これらを構成する二つの基板にその他の部材（例えば偏光板や、反射防止フィルム等）が組み合わされ構成される。
【０００３】
これらのデバイス或いは物品において、これらを構成する部材の表面に、各種薄膜形成方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、またプラズマＣＶＤ法等により、種々の機能性薄膜を形成したり、また表面処理をおこなうことはよく知られている。
【０００４】
例えば、液晶パネルにおいては、帯電防止のために形成される導電性材料薄膜、反射防止膜等が構成部材例えば偏光板に組み込まれていたり、また、液晶パネル、タッチパネル等の前面基板には、例えば、指紋、接触による油汚れ等から部材表面を守る防汚膜等が形成される。また、これらの構成部材の表面に、親水化、疎水化等の処理を行い部材間での接着性向上等の機能を付与する表面処理がある。
【０００５】
例えば、特許文献１には、プロジェクタ用液晶表示パネルにおいて、表面にダストが付着するという問題を避けるため、ガラス基板表面に透明導電膜を形成している。
【０００６】
また、特許文献２においては、タッチパネル基材の一つに用いられるプラスチックフィルムに反射防止層、更には防汚層をもうけたフィルムを用いる例が記載されている。
【０００７】
しかしながら、従来は、この様なタッチパネル、液晶パネルといったデバイスに高機能化のために薄膜を付与する場合、デバイスを構成する部材であるガラスや樹脂基材への製膜を行い、その後、パネル組み立てるという工程がとられている。
【０００８】
従って、前記パネル製造工程中においては、それら部材の処理された表面は、洗浄・エッチングなどの工程（溶剤使用）や、基板貼り合わせ工程による化学的あるいは機械的ダメージを受けること、また、貼り合わせ工程における、基板への応力・歪み等が発生すること、等から、例えば、予め透明導電膜、或いは、防汚膜等を形成した樹脂基板或いはガラス基板を用いタッチパネルや液晶パネル等のデバイスを組み上げることは、上記のことに起因し、経時での性能劣化を引き起こすことが課題であった。
【０００９】
組み上げられたデバイス或いは物品にこれらの処理を施すことができればよい。
【００１０】
しかしながら、従来、組み上げられたデバイス或いは物品にこの様な処理を施す例としては、例えば、特許文献３〜７等において、コロナ放電処理や大気圧プラズマＣＶＤ処理（大気圧プラズマ処理）を用いる例が知られているが、組み上げられたデバイス或いは物品の表面に薄膜形成をおこなう例は今まで知られてない。
【００１１】
これは、組み上げられたデバイス或いは物品の外面に薄膜形成を行う場合、薄膜形成に係わる条件が、例えば真空下等の厳しい条件下で行わなければならない場合には、これらが組み上げられたデバイス或いは物品の特性、品質に影響を与えることや、製造工程の組み方が難しくなり、大がかりになるなどの理由があるためと考えられる。
【００１２】
プラズマＣＶＤ法、中でも大気圧プラズマＣＶＤ処理は、前記薄膜形成法の中でも、大がかりな真空設備を用いないこと、また、真空系ではできない、かつ塗布法等によっては品質が不充分な場合に適用できることなどから、本発明者は、前記デバイスの作製にあたって、このプラズマＣＶＤ法を用い、構成部材に薄膜形成を行い、これによりデバイス或いは物品の組み立てを行う、前記の方法を用いずに、組み上げられたデバイス或いは物品に、直接機能性の薄膜形成をおこなって、該物品およびデバイスに所望の特性を付与する方法について検討した。
【特許文献１】特開２０００−１４７４７０号公報
【特許文献２】特開２００４−２１５５０号公報
【特許文献３】特開平６−６３１８０号公報
【特許文献４】特開平６−２８５３６５号公報
【特許文献５】特開２００４−３４１５４２号公報
【特許文献６】特開平８−３２０４７５号公報
【特許文献７】特開平９−１７９８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明の目的は、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体から構成される、液晶パネル、タッチパネル、ＦＥＤ（内部減圧）等のデバイス或いは物品において、それぞれの構成部材に薄膜形成によって機能性を付与した後、これを組み立てて前記デバイス或いは物品を製造するという、従来の製造方法とは異なり、これらのデバイス或いは物品の組み立て後に、前記基体の外面側に大気圧プラズマ処理により機能性の薄膜を形成する方法をとることで、従来よりも、経時での耐久性に優れ、生産性がよい液晶パネル、タッチパネル等のデバイス或いは物品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
【００１５】
１．内部に気体または液体が内包された空間を有する基体の外面側の少なくとも１面に大気圧プラズマ処理により、薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【００１６】
２．前記大気圧プラズマ処理は、薄膜形成ガスを放電空間に導入し、励起して間接励起ガスとしたのち、該間接励起ガスに基体を晒すことにより、前記基体上に薄膜を形成することを特徴とする前記１記載の薄膜形成方法。
【００１７】
３．前記１〜３のいずれか１項記載の薄膜形成方法により、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体の外面側の少なくとも１面に薄膜を形成することにより製造されたことを特徴とする物品。
【００１８】
４．内部に気体または液体が内包された空間を有する基体が、抵抗膜式タッチパネルあるいは液晶表示装置を構成することを特徴とする前記３に記載の物品。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、経時での耐久性に優れ、生産性がよい液晶パネル、タッチパネル等のデバイス乃至物品の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００２１】
本発明は、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体上の外面側の少なくとも１面に大気圧プラズマ処理により、薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法である。
【００２２】
基体内部に内包される気体または液体とは、基体が構成する空間乃至空隙中に、充填される、空気や、希ガス、窒素ガス等不活性気体、また酸素等のガス、また真空（減圧）状態の前記定圧のガス、また、液体（液晶を含む）であり、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体から構成される物品とは、例えば、液晶パネル、タッチパネル、ＦＥＤ（内部減圧）、複層ガラスまた等の物品であり、これらは、多くは二つの基体（基板）間（また、シール材等により）に形成された内部空間に気体または液体が内包された構造を有しており、これらの基本構造にその他の部材（例えば偏光板や、反射防止フィルム等）が組み合わされ構成されている。その他、内包される空間にはスペーサなど他の物品を含んでもよい。
【００２３】
本発明は、構成されたデバイス或いは物品の基体の外面側の表面の少なくとも１面に大気圧プラズマ放電処理（プラズマＣＶＤ処理）により、薄膜を形成して、該デバイスや物品の表面に、帯電防止、反射防止等の機能を付与したり、防汚層を形成し、防汚機能を付与するなどの種々の機能付与を行う薄膜形成方法である。
【００２４】
一般に、この様なデバイス或いは物品における、基体へのこれらの機能付与は、構成部材の表面に、各種薄膜形成方法により、機能性の薄膜を形成し、これら部材を、組み立て、組み上げることによって、最終的なデバイス或いは物品にもたらされるものである。
【００２５】
薄膜の形成方法としては、これまでよく知られた、蒸着法（抵抗加熱法、電子ビーム法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法、またプラズマＣＶＤ法等、種々の方法が用いられている。
【００２６】
本発明には、組み上げられた内部に気体または液体が内包された空間を有する基体からなるデバイス或いは物品等の基体外表面に薄膜形成を行うものであり、薄膜形成方法としては、例えば真空下等の厳しい条件が必要とされず、組み上げられたデバイス或いは物品の特性、品質に対し影響の小さい大気圧プラズマ処理を用いることに特徴がある。内部に基体或いは液体が内包されているとは、基材を貼り合わせ内部に液晶やガス、その他必要な物品を封入した後の状態をさす。
内部に気体または液体が内包された空間を有する基体からなるデバイス或いは物品の基体外面への薄膜形成は、真空設備を用いる方法、また塗布法等によってはデバイスの性能に影響を与えることがあり難しいが、本発明によれば、内部に気体または液体が内包された空間を有するデバイス或いは物品の性能にも影響を与えることがなく、むしろ、付与される機能についての耐久性は向上することが判った。
【００２７】
本発明に係わる前記の薄膜形成方法によれば、例えば、液晶パネルや、タッチパネル等のパネル作製後に大気圧プラズマ処理（ＡＧＰ）をもちいて製膜するため、基体となる構成部材に製膜し、組み立てる場合に比べて、構成部材からデバイスを組み上げる工程において、部材表面に製膜された薄膜が、薬剤に晒されたり、また微少な傷や、折り曲げ等のストレスに晒されることが少ないため、組み上げた物品の経時での耐久性の向上がもたらされる。また、前記パネル等内部に気体または液体が内包された空間を有する基体からなる物品の歩留まりにあわせて最終的な機能性付与のための加工ができるため生産性もよい。
【００２８】
以下、幾つかの例を挙げて、本発明を説明する。
【００２９】
図１は、液晶表示素子の構成の概略を断面図にて示したものである。
二枚の対向する基体２０（透明導電膜、配向膜付き）とシール材２１によって内部に液晶化合物が封じ込められた構造を有する液晶セルの両側には、偏光板２２が、それぞれ偏光軸が直交するように一組、配置され、液晶パネルを構成している。それぞれの偏光板は、偏光子を２枚の偏光板用保護フィルムで挟持するように構成され、最外表面（視認側）となる偏光板の、視認側となる偏光板用保護フィルム表面には、ハードコート層を介し、反射防止層、帯電防止層また防眩層、防汚層等が形成されており、これらの薄膜が、液晶表示素子において、反射防止、防眩性改良による視認性の向上、汚れの防止等の機能を付与している。図１では、反射防止層２３、帯電防止層２４、防汚層２５が形成されている。
【００３０】
従来においては、これら液晶表示パネルにおいて、視認側表面に形成されるこれらの機能性薄膜は、例えば、偏光板を偏光板用保護フィルムとなる、セルロースエステル等のフィルム基材に、公知の薄膜形成方法によって、形成したのち、これを偏光板用保護フィルムとしてもちい、もう一つの偏光板保護フィルムと、偏光子を挟み込む形で偏光板を形成した後、この偏光板を、液晶セルと組み合わせることで、液晶パネル視認側の表面に形成される。また通常、これらの機能性薄膜のフィルム材料上への形成には、ゾルゲル法等の塗布法、また真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等が用いられている。
【００３１】
液晶パネルにおいては、従って、偏光板を構成する部材となる、セルロースエステルフィルム上に、この様に、一旦、機能性の薄膜をを形成し、これら機能性薄膜が形成された部材（この場合は、偏光板用保護フィルム）を構成材料の一つとして用い、液晶パネルの、最終的な反射防止性能、帯電防止性能、また、視認側外部表面の防汚耐性等が付与される。
【００３２】
図１で示される液晶パネルは、従って、配向膜、電極となる透明導電膜付きの二つの基板（ガラス或いは樹脂フィルム）間に、配向膜、透明導電膜面を対向させ、シール材により一定間隔で保った空間に、液晶材料を封入し液晶セルを形成した後、液晶セルの上、下面にそれぞれ、偏光軸を直交させた２枚の偏光板を配置させ作製される。尚、ここでは、単純化のため、液晶パネルの各画素における配線電極、駆動回路、配線等は図示されていない。
【００３３】
偏光板は、別に、偏光子の両面を、偏光板用保護フィルムにより挟持された構造を有し、視認側の偏光板の最表面、即ち、液晶パネル最表面側の偏光板用保護フィルム表面には、反射防止層、帯電防止層、防汚膜等が、予めこれらの機能性層が形成されたものをもちいる。
【００３４】
これらの液晶パネルの作製は、基体上における配線電極のパターニングや駆動素子等の回路形成、またガラス基板同士を封止材を用い一定間隙で対向させセルを形成する工程、また、該ガラス基板間に形成されたセルに液晶材料を封入する工程、またこれを封止する工程、また、作製した液晶セルに、偏光板を配置する工程等からなり、また、偏光板も、偏光子の製造、偏光板保護フィルムへの帯電防止層、反射防止層、また防汚層等それぞれの機能性薄膜形成の工程、また偏光子との貼着工程等、多くの工程を経て形成される。
【００３５】
機能性の薄膜を形成した構成部材としての基体、また偏光板等の構成部材は、液晶パネルの製造工程において、この様な種々の工程を経ることとなる。
【００３６】
偏光板の作製過程についてもう少し詳しくみると、一旦偏光板用保護フィルムとしてもちいるセルロースエステルフィルム上に反射防止膜（例えばハードコード層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層等からなる）を形成し、これをもう一つの樹脂フィルム（例えば厚み５０μｍ程度のセルロースアセテートフィルム）とあわせ、偏光子を挟持して偏光板が形成される。
【００３７】
偏光子（厚みが２０μｍ程度のヨウ素を含有させたポリビニルアルコールフィルムを一軸延伸により配向させ得るものが代表的である）との接着改良のために、偏光子側となる前記セルロースエステルフィルム表面には部分的加水分解を行うためのアルカリ処理がされる。また、偏光子との密着およびポリビニルアルコールをもちいた接着、また作製した偏光板の断裁工程、更には、液晶パネルを形成する際の、別に作製した液晶セルとの位置あわせ、また、液晶セルの反対側のもう一方の偏光板との、偏光軸をあわせ、および一体として接着する工程等、薬剤への接触の可能性、また微妙な位置の調整を要する工程が必要である。
【００３８】
これらにより、例えば、反射防止層や、防汚層等が表面に形成された偏光板用保護フィルムのような構成部材は、溶剤または薬剤等の化学的作用や、貼り合わせ工程において、熱ロール等により発生する熱や、曲がり、また位置ズレの修整等による機械的作用や、また偶々或いは必然的に接触することになるロール等、他の工程設備に起因する微少な傷の発生等、少なくない故障の機会に晒されることになる。
【００３９】
本発明においては、例えば前記の場合、反射防止層、また防汚層等が形成されてないセルロースエステルフィルムを偏光板用保護フィルムとしてもちい、偏光板の作製を行う以外は同様にして、液晶パネル形成を行い、その後に、液晶パネル外部表面（視認側の偏光板表面）に、反射防止層、耐電防止層、また防汚層等の薄膜形成を、大気圧プラズマ処理により行うものである。これらの薄膜の形成は、構成部材に行う場合には、前記のように公知の種々の方法により形成されるが、本発明においては、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体からなるデバイスあるいは物品の形成後に、その外表面に形成するには、形成された液晶パネル等の物品に対する影響の少ない大気圧プラズマ処理が最適であり、この場合に、パネルの耐久性が向上することが判った。
【００４０】
次に、液晶プロジェクタ用液晶パネルについて説明する。
【００４１】
先ず液晶プロジェクタの構成を簡潔に説明する。
【００４２】
図２は、液晶プロジェクタの構成を示す概略図である。液晶プロジェクタは光源１１を備えており、例えば強力な光源光を発するメタルハライドランプ１２と回転楕円体型の反射鏡１３とを有している。光源１１の前方には順に、熱線カットフィルタ１４と、分光器（ハーフ・ミラー）１５ａ，１５ｂ，１５ｃと、ダイクロイックミラー１６ａ，１６ｂ、液晶表示装置１７ａ，１７ｂ，１７ｃ、クロスプリズム１８、投射レンズ１９が配設されている。さらに、各液晶表示装置１７ａ，１７ｂ，１７ｃには、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）三原色の中の何れか１つのカラーフィルタ機能が持たされてており、それぞれが液晶パネル２６と入射側偏光板２２ａと出射側偏光板２２ｂとで構成されている。また、液晶パネル２６は、一対のガラス基板の間隙に液晶を保持した構成となっている。
【００４３】
このように構成されたプロジェクタは、メタルハライドランプ１２から出射した強力な光源光は、熱線カットフィルタ１４を通過し不要な赤外線を除去する。さらに、ハーフミラー１５ａ，１５ｂ，１５ｃ及びダイクロイックミラー１６ａ，１６ｂによって反射及び通過させて各液晶表示装置１７ａ〜１７ｃの液晶パネル２６に入射側偏光板板２２ａ側から入射する。液晶パネル２６から出射した光は、出射側偏光板２２ｂを通過した後、クロスプリズム１８に入射してＲ，Ｇ，Ｂの光を合成し、投射レンズ１９により拡大投影され、前方のスクリーン等に画像が映し出される。なお、この構造は、ＲＧＢ三原色の光源光に対応して３枚の液晶パネル２６を組み込んだ３枚式であるが、液晶パネルを１枚用いた単板式も知られている。
【００４４】
ところで、液晶パネル２６の厚みは１〜２ｍｍ程度であり比較的薄い。このため、光源光の強度分布にむらによる部分的加熱や、光源１１からの輻射熱による温度が上昇を軽減するための冷却機構が通常、組み込まれている。空気をパネル表面に直接吹きつけて冷却する空冷方式が一般的である。この方式では、ダストも必然的に液晶パネル表面に当たり、液晶パネル２６の表面や他の光学部品等に静電気によってダストがより付着し易く、表面に帯電防止層が、形成される。
【００４５】
次にここで用いられる液晶パネルの正面、そして断面の概略図を図３および図４に示す。
【００４６】
図４は図３のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図３及び図４において、この液晶パネル１は、図２に示したプロジェクタ内の液晶表示装置１７ａ〜１７ｃにおいて液晶パネル２６として使用することができるもので、図４に示すように液晶セル２と金属枠３とを一体化したパッケージ構造になっている。
【００４７】
液晶セル２は、一対のガラス基板４ａ，４ｂの間隙に液晶化合物を保持しており、光透過性の表示領域５を有する。尚、ガラス基板４ａ，４ｂそれぞれは、ガラス基板の液晶に接する側に、表示しないが、配線電極を構成する透明導電層、また回路配線等をそれぞれ有し、電極間の電位の制御により液晶の配向を制御する。なお、本例では、ガラス基板４ａが光源光の入射側に位置し、ガラス基板４ｂが光源光の出射側に位置している。さらに、一方のガラス基板４ａの裏面側には外部接続用のフレキシブルコネクタ６が取り付けられ、また取り付けられた後からはフレキシブルコネクタの図示せぬ電極部及び液晶セル２側の図示せぬ電極部がリークしないように、例えばシリコンゴム等の絶縁物質８を塗布してある。加えて、ガラス基板４ａの表面（光源光の入射側）とガラス基板４ｂの表面（光源光の出射側）には、ガラス基板４ａ，４ｂの略表面全体を覆った状態にして透明な導電性膜７が各々配設されている。この透明導電膜７は、耐電防止層として、例えば導電性ポリマー等をスピンコートして使用したり、または液晶セル２の透明電極として使用しているＩＴＯ（インジウムと酸化錫の合金）などを蒸着、あるいはスピンコート（ゾルゲル法）等して設けられるもので、厚みとしては５０〜２００ｎｍ程度である。
【００４８】
金属枠３は、導電性の金属材で、好ましくは高い熱伝導性を有して、液晶セル２に蓄積された熱を吸収して効率的な熱交換媒体として機能できるような材料、例えば銅，鉄、あるいはアルミニウム、ニッケル等の金属からなる。勿論、これらの複合材であっても良い。そして、この金属枠３は、図３及び図４に示すように、前後２つの金属半体に分割されていて、この前後２つの半体で液晶セル２の周囲部を挟み、かつ液晶セル２の表示領域５を囲むようにして、ガラス基板４ａ，４ｂの表面に透明導電膜７を介して密着配置させ、外枠としても機能させているとともに、透明導電膜７と金属枠３との間を電気的に導通された状態にしている。
【００４９】
このように構成された液晶表パネル１は、金属枠３をプロジェクタにアースさせた状態にして取り付けられる。こうして取り付けると、液晶セル２の表面、すなわち透明導電膜７に帯電しようとする静電気は、透明導電膜７から金属枠３に流れ、さらにプロジェクタのアースを通して放電される。
【００５０】
この場合においても、液晶パネル製造は、一対のガラス基板４ａ，４ｂを構成するガラス基体（基板ともいう）上に、先ず、それぞれ基体の外面側となる表面に、先ず、帯電防止層となる前記透明導電層（例えばＩＴＯ膜）を、そして、反対側の、液晶セルを形成する際に相対向し、その間に液晶材料を含有する側となる表面それぞれに、電極となる透明導電膜および配向膜を塗設する。この順序は勿論逆でもよい。また、図には示されていないが、透明導電膜には配線電極がパターニング形成されれる。
【００５１】
このようにして製造された構成部材としての一対のガラス基板４ａ，４ｂを、透明電極パターンおよび、配向膜を有する面をそれぞれ対向させ、封止材（省略されている）により一定間隔に保持し、ガラス基板４ａ，４ｂおよび封止材から構成される間隙に、液晶化合物（材料）を封入して、前記金属枠を用いて挟持、固定し、基体間内部に液晶材料が内包された空間を有する液晶パネルが製造される。
【００５２】
図３および４に示した液晶パネルの従来の組み立てにおいては、液晶パネルにおける配線電極、駆動素子および回路の形成等における薄膜材料のパターニングにおける、レジスト材料の形成や除去、エッチング等の工程は別としても、液晶パネル外部表面に帯電防止層を形成しようとする場合、導電性薄膜を液晶パネルの基体（構成部材）であるガラス基板の外部表面側に予め形成しておき、こうした基板をもちいて、基板同士を一定間隙で対向させ、液晶材料を注入し封止し液晶セルを作製しなければならない。即ち構成部材に予め機能性層を形成しておく必要がある。
【００５３】
一構成部材であるガラス基板上に形成されたこれらの薄膜は、パネル作製の過程において、やはり、ガラス基板同士の位置あわせ、間隙調整、貼り合わせ（圧着、加熱等）、また接着剤の塗布、封止等、金属枠による固定等、多くの工程に晒されることとなる。
【００５４】
本発明においては、これら液晶パネルの最外面に形成される機能性薄膜については、液晶パネル製造後に形成する、即ち、最外面帯電防止層を形成していない液晶パネルを作製した後、この外表面に大気圧プラズマ処理を用い帯電防止層、例えば、ＩＴＯ等、透明導電性の薄膜を形成するものである。
【００５５】
更に本発明の薄膜形成方法を有利に適用できる例として、タッチパネルについて同じく図５を用いて説明する。
【００５６】
図５は、タッチパネルの構造および製造工程を説明するための図である。図５（ａ）は、下基板３２の製造工程を説明するための図であり、下基板３２の平面図およびＡ−Ａ断面図を、また図５（ｂ）は、上基板３１の製造工程を説明するための図であり、上基板３１の平面図およびＢ−Ｂ断面図を表している。
【００５７】
図５において、３１は上基板、３２は下基板であり、下基板は厚みが１．１ｍｍのソーダガラス板からなり、一様に透明電極（抵抗体）３４が形成され、この透明電極３４上にドットスペーサー３５が形成されている。上基板３１は例えば、厚みが０．２ｍｍのマイクロガラス板、また、透明性の高い樹脂フィルム、例えば脂肪族環状構造を有するノルボルネン系の透明熱可塑性樹脂フィルム（厚み２５〜２５０μｍ）等から構成され下基板３２と同様に、透明電極（抵抗体）３３が形成されている。
【００５８】
下基板上の透明電極３４の両端に電位をかけるための両端に接続する引き回し電極３８ａ、３８ｂを、一方、上基板３１にも下基板３２と同様に、透明電極３３に、下基板上の透明電極（抵抗体）とは直交する方向に電位をかけるように、引き回し電極３７ａ、３７ｂが同時に形成されている。
【００５９】
透明電極は、５０Å〜４０００Å程度、スパッタリング或いはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００６０】
引き回し電極は、例えば、銀ペースト等をもちいて印刷法（例えばスクリーン印刷）により形成される、印刷後、１００〜２００℃にて１時間程度焼成することで形成される。
【００６１】
また、ドットスペーサーは、上下基板を一定間隙に保つ役割をもつもので、例えば、大きさが３０〜４０μｍ程度の四角または円形状等の、厚さが３〜１２μｍ程度のアクリル系レジストを４〜５ｍｍ程度の間隔で均一にフォトリソグラフィープロセスによりパターン形成することで得る（また印刷による光硬化樹脂でもよい）。
【００６２】
更に、前記下基板３２の周辺部にシール剤３６を印刷し、この時、前記下基板３２の周辺部の一部にシール剤３６の開口部３６ａを設ける。
【００６３】
前記下基板３２に上基板３１を前記下基板３２に形成されている透明電極３４と前記上基板３１に形成されている透明電極３３とが互いに対向するように配置して、重ね合わせ加圧・加熱して、前記シール剤３６により上下基板が、貼着、接着されている。
【００６４】
タッチパネルの構造を断面図にて図６に示した。図６（ａ）は上基板、下基板が重ね合わされ配置されたところを示し、（ｂ）は上下基板が接着、硬化されてタッチパネルを構成したところを示す。
【００６５】
各座標決定のため、前記引き回し電極からの、信号の検出、電極電圧の監視また駆動電圧の切り替え等を行う制御回路については図示されていないが、上基板側からの押圧による上下基板の透明電極（抵抗膜）３３および３４が接触すると、それぞれの透明電極は電位の印加方向を互いに直交させていることから、接触点のＸ、Ｙ座標は、下基板の電位を上基板の透明抵抗膜側から、また上基板の電位を下基板の透明抵抗膜側から測定することで、それぞれ決定できる。
【００６６】
従って、上基板表面に防汚層が形成されたタッチパネルは、従来の製造方法によれば、先ず、スパッタ法或いはプラズマＣＶＤ法等により、例えば上基板として用いる厚み１５０〜２５０μｍ程度の基板、例えばガラス基板或いは樹脂フィルム上に防汚膜を形成する。
【００６７】
順序はどちらでもよいが、透明電極（抵抗膜）として例えばＩＴＯ膜を基板上に形成したのち、その裏面に防汚層を形成し、また、透明電極上に、引き回し電極３７ａ、３７ｂを形成する。防汚層としては、例えば、特開２００４−２１５５０号に記載の有機フッ素化合物をもちいたもの、また特開２００４−３６００３９号公報等に記載された、フッ素含有有機化合物（錯体）を薄膜形成ガスとして用い、大気圧プラズマ法により形成される防汚層等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００６８】
また、同時に、図５に示すように、厚みが１．１ｍｍのソーダガラス板からなる下基板３２に、透明電極３４を形成し、この透明電極３４に接続する引き回し電極３８ａ、３８ｂを同様に形成する。更に、この透明電極３４上にドットスペーサー３５を形成した後、前記下基板３２の周辺部にシール剤３６を印刷する。この時、前記下基板３２の周辺部の一部にシール剤３６の開口部３６ａを設ける。
【００６９】
前記下基板３２に防汚層３９が形成された上基板３１を重ね合わせ、前記シール剤３６で貼着し、次いで、上下基板３１、３２を重ね合わせセットしたのち、硬化治具等を用い、所定の時間、加圧・加熱し、上下基板が所定の間隙となるよう、シール剤３６を焼成或いは硬化して貼着する。例えば、シール材はエポキシ樹脂やアクリル樹脂接着剤を用いることで、加熱温度９０℃、加圧力０．５ｋｇ／ｃｍ2程度で５分程度保持すればよい。その後、シール剤の開口部３６ａを封止して、タッチパネルが製作される。図７は外表面に防汚層が形成されたタッチパネルの例を断面図で示す。
【００７０】
以上の製造工程によって従来形態におけるタッチパネルが実現される。
【００７１】
防汚層は、タッチ側である上基板の、透明抵抗膜とは反対側の基板面に形成される。
【００７２】
従って以上の製造工程においては、透明抵抗膜の形成後に、基体となる構成部材である、上基板表面に防汚層を形成する場合においても、その裏面への引き回し電極の印刷、焼成等、また、下基板との接着貼着工程における、治具による圧着、加熱によるダメージや、膜の欠陥が生じる可能性が大きい。
【００７３】
従って、この場合においても、図５または６で示されるタッチパネル（防汚層は形成されていない）を製造した後、大気圧プラズマ処理により、この場合防汚層を形成すればよい。これにより図７で示される上基板外面に防汚層を有するタッチパネルが得られる。
【００７４】
大気圧プラズマ処理は大気圧乃至その近傍の圧力で、薄膜形成が可能な方法であり、余り高温を必要とせず、高機能の薄膜を得ることができるため、内部に気体または液体が内包された空間を有するパネル或いは物品等を形成した後でも、厳しい条件にデバイス或いは物品が晒されることがなく、性能、或いは機能の劣化或いは破壊を被らずに耐久性のよい機能性の薄膜（この場合は防汚膜）を得ることができる。例えば、タッチパネル、また液晶パネル等のデバイス或いは物品でも、大気圧下にあるプラズマ放電処理室に、これを搬送、導入することで、容易にその外表面に、薄膜形成が可能である。
【００７５】
また、完成されたパネル、デバイス等の物品が、強い曲げストレス等を受けることなく処理できるためには、図８或いは図９等で示される、平面架台を有するプラズマ放電処理装置が好ましい。
【００７６】
以上、防汚膜の場合について例を示したが、反射防止膜、また、帯電防止のための導電膜等を形成する場合においても同様であり、組み立て前或いは途中にて構成部材表面に膜形成する方法では限界がある。
【００７７】
本発明による薄膜形成方法は、これら、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体から構成されるデバイス或いは物品であれば適用でき、液晶表示装置や、タッチパネルの視認側表面に形成される、例えば、帯電防止層、反射防止層、防汚層等に限らず、これ以外の表示装置、例えば、ＦＥＤ（内部減圧）等において、それぞれのデバイスの最外表面に形成される反射防止膜、防汚膜、また帯電防止等またそれ以外の種々の機能性膜を形成する手段として有用である。
【００７８】
これら種々の機能性薄膜として、例えば、反射防止層があり、
反射防止膜としては、ＭｇＦ2、ＬｉＦ2、ＴｈＦ４、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2などのフッ素化物、酸化物で、これらを真空蒸着やスパッタリング法などのドライコートあるいはディプコートやスピンコートなどのウェットコートによって、ハードコート付きポリエステルフィルムやトリアセチルセルロースフィルム等のロール状フィルム上に積層して上記反射防止膜付き光学部材とされるものである。
【００７９】
反射防止層は、典型的には、基材側から、屈折率の異なる３層を、中屈折率層（支持体またはハードコート層よりも屈折率が高く、高屈折率層よりも屈折率の低い層）／高屈折率層／低屈折率層の順に積層されている。
【００８０】
低屈折率層の屈折率は、１．２０乃至１．５５、好ましくは１．３０乃至１．５５の屈折率をもつ層であり、酸化珪素等の定屈折率の無機微粒子と有機ポリマーからなる多孔質層や含フッ素ポリマーからなる層を用いることができる。低屈折率層の層厚みとしては５０〜４００ｎｍがよく、５０〜２００ｎｍが、また６０〜１５０ｎｍが更に好ましい。
【００８１】
また、高屈折率層及び中屈折率層、例えば高屈折率層の屈折率は、１．５５〜２．３０、好ましくは１．５７〜２．２０であり、中屈折率層の屈折率は、透明支持体の屈折率と高屈折率層の屈折率との中間の値となるように調整し、大凡、１．５５〜１．８０の範囲であることが好ましい。高屈折率層及び中屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１μｍである。
【００８２】
高屈折率層また、中屈折率層は、高屈折率の例えば酸化チタン等の無機化合物を用いて形成される。
【００８３】
また、防汚膜としては、例えばパーフルオロポリエーテル基をもつアルコキシシラン化合物、またルオロアルキルを有するアルコキシシラン等からゾルゲル法により形成される撥水性表面（例えば、特開２００４−２１５５０に記載）や、また特開２００４−３６００３９等に記載のフッ素含有アルキル基を含有するアルコキシシラン或いは、他の金属化合物を用いて大気圧プラズマ処理により得られる撥水性表面を有する薄膜等がある。
【００８４】
また、帯電防止に用いる透明導電膜としては、導電性ポリマーからなる膜、また、透明電極としても用いるＩＴＯ等の金属酸化物層、或いはこれらの粒子を含有する層、またイオン性化合物（ポリマー）を含有する層等があり、塗布法、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等、種々の方法により形成される膜厚数ｎｍ〜数十ｎｍの層である。
【００８５】
以上のように、前記反射防止層、帯電防止層、或いは防汚層等機能性の薄膜を基材上に形成するには、前記のように、塗布法、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等種々の方法により形成することができるが、本発明においては、これらのデバイスや物品等を形成後、その表面にこれらの機能性薄膜を形成する手段として大気圧プラズマ処理を用いる。
【００８６】
次に大気圧プラズマ放電処理について述べる。
【００８７】
大気圧プラズマ放電処理は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、互いに対向する第１電極及び第２電極から構成される放電空間に、薄膜形成ガス或いは処理ガスを導入し、電界を印加して該薄膜形成ガス或いは処理ガスを励起し、該励起した薄膜形成ガス（間接励起ガス）に基材を晒すことにより、該基材上に薄膜を形成したり、表面改質を行うものである。
【００８８】
例えば、該薄膜形成ガスとして、希ガスを放電ガスとして、またこれにアルコキシシラン等の有機金属化合物を原料ガスとして含有させ、第１電極及び第２電極から構成される放電空間にこれを導入し、第１電極及び第２電極間に高周波電位を印加することで、薄膜形成ガスを励起し、励起した薄膜形成ガスに基材を晒すことで、薄膜形成材料に応じた薄膜が基材上に形成される。
【００８９】
大気圧又は大気圧近傍の圧力下とは、２０ｋＰａ〜２００ｋＰａの圧力下であり、電圧を印加する電極間のさらに好ましい圧力は、７０ｋＰａ〜１４０ｋＰａである。これらの圧力下、導入する薄膜形成ガス、また、反応ガスをを種々変化させることで、様々な性質を有する薄膜を基材フィルム上に形成させることができる。
【００９０】
以下、本発明に係わるプラズマ放電処理に用いる装置について具体的に図を用い説明する。
【００９１】
図８は、本発明に係わる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【００９２】
図８はプラズマ放電処理装置全体の１例を断面的に示した図である。１２０はプラズマ放電処理装置、１０１はプラズマ放電処理容器、前工程から搬送されて来る被処理基材（基体）が大気圧もしくはその近傍の圧力下、連続的にプラズマ処理する処理室１０２に移送され、一対の対向電極１０３及び１０４の間でプラズマ処理される。処理室１０２は前記基材（基体）Ｆの入口１０２Ａと出口１０２Ｂを有する間仕切りされた処理室によって構成されている。以下処理室を説明する。処理室１０２に隣接して基材の入口側に予備室１１０が設けられ、その予備室１１０に隣接して予備室１１１が設けられている。出口側にも処理室１０２に隣接して予備室１１２が設けられている。予備室を設ける場合、基材Ｆの入口側に二つ、出口側に一つを設ける態様であってもよいが、これに限定されず、基材Ｆの出入口側に一つずつ設けてもよく、入口側に二つ設け、出口側に設けなくともよく、あるいは入口側に二つ以上、出口側に二つ以上設けてもよい。いずれの態様であっても、処理室１０２内の内圧が、該処理室１０２と隣接する予備室の内圧より高いことが必要であり、好ましくは０．２５Ｐａ以上高いことである。このように処理室１０２と予備室の間でも圧力差を設けることにより、外部空気の混入を防止し、反応ガスの有効使用が可能となり、処理効果も更に向上する。また処理室１０２に隣接して入口側に二つ以上、出口側に二つ以上予備室を設けた場合、その予備室１１０と隣り合う予備室１１１の間の差圧は、処理室２に近い側の予備室１１０の内圧が高く設定されることが好ましく、０．２５Ｐａ以上高く設定されることが好ましい。このように複数の予備室同士の間でも圧力差を設けることによって、外部空気の混入をより効率的に防止し、反応ガスの有効使用がより可能となり、処理効果も更に向上する。予備室１１０あるいは１１１には、処理ガスの少なくとも１成分を有していることが反応ガスの効率的な使用と処理効果の向上の観点から好ましい。更に予備室を複数設けて圧力差を設けるには、減圧手段１１５を設けることが好ましい。この減圧手段としては、吸引ファンあるいは真空ポンプ等を挙げることが出来る。前記処理室１０２と予備室１１０、予備室１１１同士の部屋には間仕切りされていることが必要であり、かかる間仕切り手段としては、ここにおいては、入口側に少なくとも１対のニップロール１０７、出口側に少なくとも一対のニップロール１０８が設けられている。かかるニップロール１０７または１０８は、基材Ｆに対して接触しながら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部屋同士を完全に間仕切り出来ないので、圧力差を設ける手段が有効に機能するのである。また間仕切り手段としては、基材Ｆに対して所定の間隙を保ち、且つ非接触での手段であってもよく、例えば、被処理基材或いは基体が構成されたデバイスまたは物品等である場合、図示しないがエアーカーテン方式等を採用する。なお、予備室を設けない場合には、処理室と外部の間に間仕切りがされればよい。
【００９３】
一対の対向電極１０３及び１０４は、金属母材と誘電体で構成され（その区別は図示されていない）、該金属母材をライニングすることにより無機質的性質の誘電体を被覆する組み合わせにより、また、金属母材に対しセラミックス溶射した後、無機質的性質の物質により封孔処理した誘電体を被覆する組み合わせにより構成されていてもよい。金属母材としては、銀、白金、ステンレススティール、アルミニウム、鉄等の金属が使えるが、ステンレススティールが加工し易く好ましい。また、誘電体のライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等を用いることができ、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易く好ましい。また、誘電体の溶射に用いるセラミックスとしては、アルミナが良く、酸化珪素等封孔材が好ましい。またアルコキシラン系封孔材をゾルゲル反応させて無機化させるものが好ましく用いられる。
【００９４】
この一対の対向電極１０３及び１０４のうち一方の電極１０３に高周波電源１０５が接続され、他方の電極１０４は、アース１０６により接地され、一対の対向電極１０３及び１０４間に電界を印加出来るように構成されている。
【００９５】
高周波電界はサイン波形を有すが、パルス化された電界を印加することも可能である。このパルス化の意味は、ＯＮ／ＯＦＦのデューティ比を変化させることでプラズマガス温度の変化が可能になる。これにより、表面凹凸の形状を変化させることも可能となる場合がある。例えば、特開平１０−１３０８５１号公報の図１の（ａ）〜（ｄ）のパルス波形であってもよい。
【００９６】
処理室１０２は、対向電極１０３および１０４間の空間からなり、基材Ｆは、この放電部を、電極１０４に接して搬送される。なお反応ガスの供給口Ｉ（供給手段）、処理後の排ガスを排出する排出口Ｏ（排出手段）が処理室１０２にはそれぞれ設けられており、該反応ガス供給口より反応ガス（薄膜形成ガスまたは処理ガス）を供給しつつ、前記対向する電極間に、高周波電源１０５により高周波電位を印加することで、電極間の放電部にプラズマ放電を発生させ、電極４上を搬送される基材表面に薄膜を形成する。処理後の排ガスは、排出口より排出される。
【００９７】
対向する電極間距離は、誘電体表面同士の距離で、均一な放電を行う観点から０．１〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは０．５〜５ｍｍである。
【００９８】
また、プラズマ放電処理中の電極表面温度を制御し、また、基材或いは基体、また処理を受ける物品の表面温度を所定値に保つため、温度調節用の媒体（水もしくはシリコンオイル等）が循環できる構造となっている。例えば、電極の金属質母材構造は金属質のパイプになっていて、それがジャケットとなり、放電中の温度調節が行えるようになっている。
【００９９】
本発明の大気圧プラズマ放電処理装置においては、対向する電極間に印加する高周波電圧は、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給し、処理ガスを励起してプラズマを発生させる。
【０１００】
本発明において、電極間に印加する高周波電圧の周波数の上限値は、好ましくは１５０ＭＨｚ以下であり、より好ましくは１５ＭＨｚ以下である。また、高周波電圧の周波数の下限値としては、好ましくは２００ｋＨｚ以上、より好ましくは８００ｋＨｚ以上である。
【０１０１】
また、電極間に供給する電力の上限値とは、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2以下、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ2以下である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ2以上である。なお、放電面積（ｃｍ2）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【０１０２】
高周波電源より印加電極に印加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が１０Ｖ〜１０ｋＶ／ｃｍ程度で、上記のように電源周波数は１００ｋＨｚを越えて１５０ＭＨｚ以下に調整される。
【０１０３】
ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても良いが連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られる。
【０１０４】
本発明においては、このような電圧を印加して、均一なグロー放電状態を保つことが出来る電極をプラズマ放電処理装置に採用する必要がある。
【０１０５】
本発明においては、印加電極に電圧を印加する電源としては、特に限定はないが、神鋼電機製高周波電源（３ｋＨｚ）、神鋼電機製高周波電源（５ｋＨｚ）、神鋼電機製高周波電源（１０ｋＨｚ）、春日電機製高周波電源（１５ｋＨｚ）、神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ）、ハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（２００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（８００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（２ＭＨｚ）、パール工業製製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（２７ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（１５０ＭＨｚ）等が使用出来る。好ましくは、１００ｋＨｚ超〜１５０ＭＨｚの高周波電源であり、好ましくは、２００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚの高周波電源であり、特に好ましくは、８００ｋＨｚ〜１５ＭＨｚのものである。
【０１０６】
これらの装置を用いて、放電ガス、反応ガス等からなる薄膜形成ガスとして、例えば、放電ガスとしては、ヘリウム、アルゴン等の希ガスをもちいこれに反応ガスとして薄膜の原料ガスを含有させ、プラズマ放電処理を行うことで、種々の機能性の薄膜が、また、例えば、帯電防止層、反射防止層、防汚層等、またガスバリア膜といった複数構成からなる積層膜の作製が、反応ガス選択、またプラズマ放電条件を各処理毎に設定することで行うことができる。
【０１０７】
また、これらの装置を、幾つか連続して設置して、異なった薄膜形成を行うことも可能であり、例えば、反射防止層形成後、防汚層形成等を連続して行うこともできる。
【０１０８】
次に、本発明に用いられるプラズマ放電処理装置の別の一例を図９に示す。この大気圧プラズマ放電装置においては、構造、特に電界の印加、および放電部の構造が前記図８と異なっている。
【０１０９】
図９で示される大気圧プラズマ放電装置は、放電空間に異なる周波数の電界を２つ以上印加したもので、第１の高周波電界と第２の高周波電界とを重畳した電界を印加する。
【０１１０】
前記第１の高周波電界の周波数ω１より前記第２の高周波電界の周波数ω２が高く、且つ、前記第１の高周波電界の強さＶ１と、前記第２の高周波電界の強さＶ２と、放電開始電界の強さIVとの関係が、
Ｖ１≧IV＞Ｖ２
または  Ｖ１＞IV≧Ｖ２  を満たし、
前記第２の高周波電界の出力密度が、１Ｗ／ｃｍ2以上である。
【０１１１】
この様な放電条件をとることにより、例えば窒素ガスのように放電開始電界強度が高い放電ガスでも、放電を開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持出来、高性能な薄膜形成を行うことが出来る。
【０１１２】
上記の測定により放電ガスを窒素ガスとした場合、その放電開始電界強度ＩＶ（１／２Ｖｐ−ｐ）は３．７ｋＶ／ｍｍ程度であり、従って、上記の関係において、第１の印加電界強度を、Ｖ１≧３．７ｋＶ／ｍｍとして印加することによって窒素ガスを励起し、プラズマ状態にすることが出来る。
【０１１３】
ここで、第１電源の周波数としては、２００ｋＨｚ以下が好ましく用いることが出来る。またこの電界波形としては、連続波でもパルス波でもよい。下限は１ｋＨｚ程度が望ましい。
【０１１４】
一方、第２電源の周波数としては、８００ｋＨｚ以上が好ましく用いられる。この第２電源の周波数が高い程、プラズマ密度が高くなり、緻密で良質な薄膜が得られる。上限は２００ＭＨｚ程度が望ましい。
【０１１５】
このような２つの電源から高周波電界を印加することは、第１の高周波電界によって高い放電開始電界強度を有する放電ガスの放電を開始するのに必要であり、また第２の高周波電界の高い周波数および高い出力密度によりプラズマ密度を高くして緻密で良質な薄膜を形成することが出来る。
【０１１６】
図９で表される装置は、放電空間に異なる周波数の電界を２つ以上印加することに加えて、図８で示される装置とは、上記同様の対向電極間でプラズマ放電させ、対向電極間に導入したガスを励起し、プラズマ状態とするが、対向電極外にジェット状に励起またはプラズマ状態のガスを吹き出し、対向電極の近傍にある基材（静置していても移送されていてもよい）をこれに晒すことによって基材の上に機能性薄膜を形成させるジェット方式の装置の例である点が異なっている。
【０１１７】
プラズマ放電処理装置２００は、第１電極２１１と第２電極２１２から構成されている対向電極を有しており、対向電極間に、第１電極２１１からは第１電源２２１からの第１の周波数ω１の高周波電圧Ｖ１が印加され、また第２電極２１２からは第２電源２２２からの第２の周波数ω２の高周波電圧Ｖ２が印加されるようになっている。第１電源２２１は第２電源２２２より大きな高周波電圧（Ｖ１＞Ｖ２）を印加できる能力を有していればよく、また第１電源２２１の第１の周波数ω１は第２電源２２２の第２の周波数ω２より小さな能力を有していればよい。
【０１１８】
第１電極２１１と第１電源２２１との間には、第１電源２２１からの電流が第１電極２１１に向かって流れるように第１フィルター２２３が設置されており、第１電源２２１からの電流を通過しにくくし、第２電源２２２からの電流が通過しやすくするように設計されている。
【０１１９】
また、第２電極２１２と第２電源２２２との間には、第２電源２２２からの電流が第２電極２１２に向かって流れるように第２フィルター２２４が設置されており、第２電源２２２からの電流を通過しにくくし、第１電源２２１からの電流を通過しやすくするように設計されている。
【０１２０】
第１電極２１１と第２電極２１２との対向電極間（放電空間）２１３に、ここでは図示してないガス供給手段からガスＧを導入し、第１電極２１１と第２電極２１２から高周波電圧を印加して放電を発生させ、ガスＧをプラズマ状態にしながら対向電極の下側（紙面下側）にジェット状に吹き出させて、対向電極下面と基材とで作る処理空間をプラズマ状態のガスＧ°で満たし、搬送されてくる基材の上に、処理位置２１４付近で機能性薄膜が形成される。機能性薄膜形成中、基材の搬送媒体や電極は、電極温度調節手段（ここでは図示していない）から配管を経て供給される媒体により加熱または冷却される。プラズマ放電処理の際の基材の温度によっては、得られる機能体の物性や組成は変化することがあり、これに対して適宜制御することが望ましい。温度調節の媒体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましく用いられる。プラズマ放電処理の際、幅手方向あるいは搬送の方向での基材の温度ムラができるだけ生じないように電極の内部の温度を均等に調節することが望まれる。
【０１２１】
また、図９に前述の高周波電圧（印加電圧）と放電開始電圧の測定に使用する測定器を示した。２２５及び２２６は高周波プローブであり、２２７及び２２８はオシロスコープである。
【０１２２】
また、これらのプラズマ放電処理装置２００は、前記二つの電源を有する電圧印加手段の他に、図９では図示してないが、ガス供給手段、電極温度調節手段も有している。
【０１２３】
また、ジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置を複数基接して直列に並べて同時に同じプラズマ状態のガスを放電させることができるので、何回も処理され高速で処理することもできる。また各装置が異なったプラズマ状態のガスをジェット噴射すれば、異なった層の積層機能体を連続形成することもできる。
【０１２４】
これらにもちいられる電極も、それぞれ導電性の金属質母材上に誘電体としてセラミックスを溶射、無機化合物の封孔材料を用いて封孔処理したものが好ましい。セラミックス誘電体は片肉で１ｍｍ程度被覆あればよい。溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、特に好ましく用いられる。また、誘電体層が、ライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体であってもよい。
【０１２５】
導電性の金属質母材も、チタン金属またはチタン合金、銀、白金、ステンレススティール、アルミニウム、鉄等の金属等や、鉄とセラミックスとの複合材料またはアルミニウムとセラミックスとの複合材料等であり、チタン金属またはチタン合金が特に好ましい。
【０１２６】
対向する電極間距離は、電極の一方に誘電体を設けた場合、誘電体表面同士の距離で、均一な放電を行う観点から０．１〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは０．５〜２ｍｍである。
【０１２７】
この様な大気圧プラズマ放電処理装置に設置する二つの高周波電源としては、第１電源（高周波電源）として、
印加電源記号    メーカー            周波数            製品名
Ａ１        神鋼電機            ３ｋＨｚ    ＳＰＧ３−４５００
Ａ２        神鋼電機            ５ｋＨｚ    ＳＰＧ５−４５００
Ａ３        春日電機          １５ｋＨｚ    ＡＧＩ−０２３
Ａ４        神鋼電機          ５０ｋＨｚ    ＳＰＧ５０−４５００
Ａ５        ハイデン研究所  １００ｋＨｚ＊  ＰＨＦ−６ｋ
Ａ６        パール工業      ２００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−２００ｋ
Ａ７        パール工業      ４００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−４００ｋ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。
【０１２８】
また、第２電源（高周波電源）として、
印加電源記号    メーカー            周波数            製品名
Ｂ１        パール工業      ８００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−８００ｋ
Ｂ２        パール工業          ２ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２Ｍ
Ｂ３        パール工業  １３．５６ＭＨｚ    ＣＦ−５０００−１３Ｍ
Ｂ４        パール工業        ２７ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２７Ｍ
Ｂ５        パール工業      １５０ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−１５０Ｍ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも好ましく使用出来る。
【０１２９】
なお、上記電源のうち、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。
【０１３０】
本発明においては、このような電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を大気圧プラズマ放電処理装置に採用することが好ましい。
【０１３１】
本発明において、対向する電極間に印加する電力は、第２電極（第２の高周波電界）に１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、エネルギーを薄膜形成ガスに与え、薄膜を形成する。第２電極に供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ2である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ2である。なお、放電面積（ｃｍ2）は、電極間において放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【０１３２】
また、第１電極（第１の高周波電界）にも、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給することにより、第２の高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立出来る。好ましくは５Ｗ／ｃｍ2以上である。第１電極に供給する電力の上限値は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2である。
【０１３３】
高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくとも第２電極側（第２の高周波電界）は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。
【０１３４】
次に、プラズマ放電処理において、放電空間に供給する混合ガスについて説明する。
【０１３５】
供給する混合ガスは、放電ガス及び薄膜形成ガスを含有する。放電ガスと薄膜形成ガスは混合して供給してもよいし、別々に供給してもかまわない。
【０１３６】
放電ガスとは、機能体形成可能なグロー放電を起こすことのできるガスであり、それ自身がエネルギーを授受する媒体として働く。放電ガスとしては、窒素、希ガス、空気、水素ガス、酸素等があり、これらを単独で放電ガスとして用いても、混合して用いてもかまわない。本発明において、このような放電ガスとしては、窒素ガスおよび／または周期表の第１８属原子、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が用いられる。これらの中でも特に、窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。
【０１３７】
放電ガスの量は、放電空間に供給する全ガス量に対し、９０〜９９．９体積％含有することが好ましい。
【０１３８】
薄膜形成ガスとは、放電ガスからのエネルギーを受け取って、それ自身は励起して活性となり、基材上に化学的に堆積して機能性の薄膜を形成する原料のことである。
【０１３９】
本発明においては、これらの薄膜形成ガスを選択することで種々の機能性薄膜を形成できる。
【０１４０】
本発明に使用する機能性薄膜を形成する混合ガスについて説明する。使用する混合ガスは、基本的に放電ガスと薄膜形成ガスの混合ガスである。更に添加ガスを加えることもある。混合ガス中、放電ガスを９０〜９９．９体積％含有することが好ましい。
【０１４１】
機能性薄膜形成の反応を促進する前記添加ガスとして、水素ガス、酸素ガス、オゾン、二酸化炭素、水（水蒸気）、アンモニア、窒素酸化物等種々のガスを同時に用いてもよい。その含有量は混合ガスに対して０．０１〜５体積％である。
【０１４２】
本発明において、機能性の薄膜を形成するために使用する薄膜形成ガスとしては、有機金属化合物、ハロゲン化金属、金属水素化合物等がありもちいられる金属として、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を挙げることができる。
【０１４３】
大気圧プラズマ処理を用い形成可能な機能性薄膜の代表的な例、および作製にもちいる薄膜形成ガスを以下に示すが、これに限られるものではない。プラズマＣＶＤ法により上記薄膜形成ガスを用い形成される機能性薄膜の膜厚は、０．１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１４４】
本発明に係わる前記プラズマＣＶＤ法により、例えば、帯電防止層、また電極膜等に用いられる導電性薄膜を形成する場合には、表面比抵抗１×１０12Ω／ｃｍ2、好ましくは１×１０11Ω／ｃｍ2以下の金属の酸化物、窒化物、炭化物等を形成するものであればよく、薄膜形成ガスとして、代表的には、例えば、トリス（２，４−ペンタンジオナート）インジウム、ジブチルジアセトキシ錫等の有機金属化合物をもちいることで、ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2等の導電性薄膜を得ることができる。また亜鉛のβ−ジケトン錯体、β−ケトカルボン酸エステル錯体等金属化合物をもちい、ＩＺＯ等のを得ることができる。
【０１４５】
また、単に導電性の薄膜であれば、金属元素単体または異なる複数の金属元素複合体や合金等の薄膜を薄膜形成ガス（原料ガス）として、対応する有機金属化合物をもちいて形成する。
【０１４６】
また、保護膜、また絶縁膜等にもちいる、誘電体薄膜、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4等の薄膜を得るには、有機金属化合物として、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラブトキシシラン、イソプロポキシシラン等のアルコキシシラン、有機シラザン等を選択することで、得ることができる。またチタンテトライソプロポキシド等により酸化チタン薄膜をうることが出来る。
【０１４７】
また、反射防止膜を得るには、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等の有機シラン化合物をもちいることでまた低屈折率層、中屈折率層にもちいる（ＳｉＯ2）が、中屈折率層、高屈折率層にもちいる（ＴｉＯ2）がチタンテトライソプロポキシド等の有機金属チタン化合物をもちいて得ることが出来る。
【０１４８】
防汚層としては、特開２００４−３６００３９号公報等に記載された、フッ素含有有機化合物（錯体）、例えば、フッ素原子を有する有機基を有するシラン、シラザン等、また、同じくフッ素原子を有する有機基を有するＴｉ、Ｓｎ等の有機金属化合物を薄膜形成ガスとしてもちい得ることが出来る。
【０１４９】
その他同様に原料金属化合物を選択することで、大気圧プラズマ処理により以下の様な薄膜を、内部に気体または液体が内包された空間を有するデバイス、また物品の形成後、その最表面に形成可能である。
反射膜  Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ
選択性吸収膜  ＺｒＣ−Ｚｒ
選択性透過膜  Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2
耐摩耗性膜  Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、ＴｉＣ、ＴｉＮ
耐食性膜  Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ
耐熱膜  Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
潤滑膜  ＭｏＳ2
装飾膜  Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＴｉＣ、Ｃｕ
【実施例】
【０１５０】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【０１５１】
実施例１：
タッチパネルの製造（タッチパネルへの防汚層製膜）
以下の方法によりタッチパネルを作製した。
【０１５２】
図５に示すように、厚みが１．１ｍｍのソーダガラス板からなる下基板３２に、透明抵抗膜３４を形成し、この透明抵抗膜３４に接続する引き回し電極３８ａ、３８ｂを形成した。透明抵抗膜３４は、厚みが２００ÅのＩＴＯ膜を以下の様にスパッタリング法により製膜した。
【０１５３】
〈ＩＴＯ膜の作製〉
即ち、洗浄したガラス基材を真空チャンバー内に導入し、ＳｎＯ2含有率が１０質量％のＩＴＯターゲット（インジウム：錫＝９５：５（モル比））を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング（条件：基板支持体の温度２５０℃、酸素圧１×１０-3Ｐａ）により、厚さ２００ÅのＩＴＯ薄膜を形成した。
【０１５４】
続いて、ＩＴＯ膜を形成したガラス基板を湿式法でエッチングし電極パターン、即ち、導電性、非導電性領域を形成した。具体的には、非導電性領域以外の部分をレジストでマスクした後、２５％塩酸水溶液に浸漬し非導電性領域部分（露出部分）のＩＴＯ膜を除去した。この後，１．５％水酸化ナトリウム巣溶液に浸してレジストを除去し、さらに水洗と乾燥を行った。
【０１５５】
また、引き回し電極は、厚さ５μｍで銀ペースト膜を印刷、１３０℃で６０分焼成して形成した。
【０１５６】
更に、透明電極３４上にドットスペーサー３５を形成した。ドットスペーサーは、ＩＴＯ膜形成後、大きさが３０μｍの円形状で、厚さが６μｍ、５ｍｍの間隔となるよう均一にアクリル系レジストを用いてフォトリソグラフィープロセスによりＩＴＯ膜上にパターン形成した。
【０１５７】
また、ドットスペーサー３５を形成した後、前記下基板３２の周辺部に図１に示されるように、シール材３６をスクリーン印刷法により幅１．５ｍｍで印刷した。エポキシ樹脂接着剤を用いた。シール材中には、スペーサ部材を含んでおり、上下基板を所要の間隔で保持できるようにした。
【０１５８】
一方、図２に示すように厚みが１２５μｍのポリエーテルスルホン樹脂からなる透明フィルムからなる上基板３１にも下基板３２と同様に、透明電極３３、引き回し電極３７ａ、３７ｂを同様に形成した。
【０１５９】
次に図６（ａ）に示すようにシール剤３６が印刷されている下基板３２を下にして、上基板３１を重ね合わせる。この時、前記下基板３２に形成されている透明電極３４と前記上基板３１に形成されている透明電極３３とが互いに対向するように配置する。
【０１６０】
次に、重ね合わせた上下基板３１、３２を、接着、硬化のための治具にセットし、加熱温度９０℃、圧力０．５ｋｇ／ｃｍ2で５分間保持し、シール材を硬化乾燥した。更に一旦圧力を解除し、更に、再び、１５０℃で０．２〜０．２５ｋｇ／ｃｍ2の圧力で、６０分保持して、徐冷、上下基板の間隔が１０μｍ程度となるよう調整硬化させた。その後、図５に示したシール剤の開口部３６ａを封止した。以上の製造工程によってタッチパネルを製作した。
【０１６１】
次いで、このタッチパネルを大気圧プラズマＣＶＤ装置に移し、上基板の外表面に防汚層を形成した。
【０１６２】
（タッチパネル２）
特開平１１−７１６６５号に記載の真空蒸着装置（図１０に示した）に準じた装置を用いて、上記で作製したタッチパネルの上基板側に防汚層を形成した。
【０１６３】
特開平１１−７１６６５号に記載の真空蒸着装置における、蒸着源のウエブ搬送を、蒸着源を含浸させた平織り物を使用するが、これをウエブでなく通常の蒸着用ボートに入れ使用した。
【０１６４】
即ち、フルオロアルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで３質量％に希釈した溶液ＫＰ８０１Ｍ（信越化学工業社製）をアルミナ繊維の平織物に含浸させ、乾燥させてアルミナ繊維含浸担体を作製し、これを蒸着用ボートの入れ蒸着源として用いた。
【０１６５】
真空蒸着装置中に、上記タッチパネルを蒸着面が上記タッチパネルの上基板側表面となる様セットした。
【０１６６】
また、上記含浸で得られた蒸着源を所定の量とり蒸着用ボートにいれ、真空槽を１０-4Ｔｏｒｒ以下に真空排気した。因みにタッチパネルの封止は、このとき完全に行わず、パネル内外の気圧差は生じないようにした。その後蒸着用ボートを３６０℃加熱し蒸発させ、膜厚が３０ｎｍとなるまで蒸着を行った。その後、徐冷し、徐々に減圧を解除した後、充分に封止を行った。これにより、防汚層がタッチパネル上基板表面に形成されたタッチパネル２を作製した。
【０１６７】
（タッチパネル３）
作製したタッチパネルを架台上に、上基板側が上となるように載置して、その外表面上に、平均乾燥膜厚が３０ｎｍとなるように、下記化合物１をイソプロピルアルコールで希釈した塗布液を、湿潤膜厚が１５μｍとなる様にワイヤーバーにて塗布し、乾燥後、９０℃で５時間加熱処理を行って、塗布法により防汚層を上基板外表面に形成した。
【０１６８】
化合物１：ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
この様に塗布法により防汚層を作製したタッチパネルをタッチパネル３とした。
【０１６９】
（タッチパネル４）
図８に示したプラズマ放電処理装置により、上記作製したタッチパネルの上基板側の外表面上に、下記防汚層形成用混合ガスを用いて、３０ｎｍの厚みとなるよう防汚層を積層した。ここで用いた高周波電源は神鋼電機製高周波電源５０ｋＨｚで０．５Ｗ／ｃｍ2の放電電力を印加した。混合ガス組成は以下のた通りである。
【０１７０】
〈混合ガス〉
希ガス（アルゴン）                                            ９８．７体積％
薄膜形成ガス（パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、東レ・ダウコーニングシリコーン（株）製、ＡＹ４３−１５８Ｅ）                        １．３体積％
作製したタッチパネルを、タッチパネル４とした。
【０１７１】
（タッチパネル５）
上記作製したタッチパネルをの上基板側の外表面上に、図９に示す大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、防汚膜の形成を行った。
【０１７２】
〈電極の作製〉
尚、電極は、長さ５０ｍｍ、幅６００ｍｍ、高さ５０ｍｍの、肉厚１０ｍｍ（中空のジャケット）のチタン合金を用い、更に、電極の放電空間を構成する表面にアルミナセラミックを１ｍｍになるまで溶射被覆させた後、アルコキシシランモノマーを有機溶媒に溶解させた塗布液をアルミナセラミック被膜に塗布し、乾燥させた後に、１５０℃で加熱し封孔処理を行って誘電体を形成した。誘電体の膜厚は、１ｍｍ、電極の誘電体を被覆していない部分に、高周波電源の接続やアースによる接地を行った。なお、ガス放出口と基材との間隙は１０ｍｍとした。
【０１７３】
電極間隙を１ｍｍとして平行に対向させ、第１電源及び第２電源としてそれぞれ前記Ａ２及びＢ３を設置した。第１電源の周波数を５ｋＨｚ、高周波電圧を１２ｋＶ／ｍｍ、第２電源の周波数を１３．５６ＭＨｚ、高周波電圧を０．８ｋＶ／ｍｍ、第１電極の電力（出力密度）を１Ｗ／ｃｍ2、第２電極の電力を１０Ｗ／ｃｍ2として大気圧プラズマ処理した。
【０１７４】
混合ガスとしては以下のものを用いた。タッチパネル４同様に防汚層の膜厚を３０ｎｍとしタッチパネル５を作製した。
【０１７５】
〈混合ガス〉
希ガス（アルゴン）                                            ９８．７体積％
薄膜形成ガス（パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、東レ・ダウコーニングシリコーン（株）製、ＡＹ４３−１５８Ｅ）                        １．３体積％
（タッチパネル１）
特開平１１−７１６６５に記載の真空蒸着装置を用いて（図１０に示した）、上基板となる厚みが１２５μｍのポリエーテルスルホン樹脂からなる透明フィルム（幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍ、長さ５００ｍのロール）を連続的に処理して、片面に防汚層を形成した。
【０１７６】
即ち、前記フルオロアルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで３質量％に希釈した溶液（ＫＰ８０１Ｍ（信越化学工業社製））を、幅３００ｍｍ、厚さ２ｍｍ、長さ５ｍのアルミナ繊維の平織物に含浸させ、乾燥させて蒸着源（２２）としてのリボン状含浸担体とした。
【０１７７】
ＫＰ８０１Ｍ（信越化学工業社製）をアルミナ繊維に含浸させた作製したリボン状含浸担体としての蒸着源（４２）と、被処理基材（４９）であるポリエーテルスルホンフィルムを巻き取り式真空蒸着装置５０にセットし、真空槽（４０）を１０-4Ｔｏｒｒ以下に真空排気した。その後このリボン状含浸担体を蒸発源送り機構（４５）を用いて５ｃｍ／ｍｉｎで送り込みながら、予め３６０℃に加熱した加熱源（４３）としてのヒートローラーに接触させ蒸発させた。このときのフィルム状被処理基材（４９）の走行速度は５ｍ／ｍｉｎとした。
【０１７８】
前記タッチパネル２〜５の作製と同様にして、但し、上基板として、この様にして防汚層を形成したポリエーテルスルホンフィルムを用いて、図５，６に示すように、透明抵抗膜３３、引き回し電極３７ａ、３７ｂを順次形成して、透明抵抗膜３４、引き回し電極３８ａ、３８ｂそしてドットスペーサー３５、更に封止材３６を順次形成した前記と同様の下基板と、前記タッチパネル２を作製するのに用いた防汚層が形成されていないタッチパネル同様の条件で、接着、硬化し、また基板間隔を調整して封止しタッチパネル１を製造した。
【０１７９】
以上得られた、各タッチパネルについて、上基板表面の水に対する接触角の測定を行い耐久性を評価した。
【０１８０】
（接触角の測定）
作製した各タッチパネル試料１〜５について、作製直後に、協和界面科学社製接触角計ＣＡ−Ｗを用いて、２３℃、５５％の環境下で、防汚膜表面の水に対する接触角を測定した。なお、測定はランダムに１０カ所について行い、その平均値を求めた。
【０１８１】
次いで、以下の強制摩耗処理を行って、耐久性について評価した。
【０１８２】
〈強制摩耗処理〉
各光学フィルム表面（防汚層塗設面側）を、摩耗試験基ＨＥＩＤＥＮ−１４ＤＲで、市販のガーゼを用いて、荷重４０ｋＰａ、移動速度、１０ｍｍ／ｍｉｎの条件で、１０回擦り（摩耗処理）、その後に同じ条件で、防汚膜表面の、同じく水に対する接触角を測定した。測定は前記同様ランダムに１０カ所行い、その平均値を求めた。
【０１８３】
以上の結果を表１に示した。
【０１８４】
【表１】
2007084843.tif 000002
【０１８５】
表１によれば、作製直後の水に対する初期接触角はいずれの方法によって作製したものも大きな変動はないが、強制摩耗処理を行った後での接触角は、パネル作製後に、パネル表面に大気圧プラズマ法によって防汚膜形成したものが変化がなく耐久性が高いことが示される。
【０１８６】
実施例２
（液晶パネル１の作製）
図３、４で示される液晶パネルを作製した。
【０１８７】
図において液晶セル２のガラス基板４ａ、４ｂとなるそれぞれのガラス基板の一方の表面に厚み１００ｎｍとなるようにＩＴＯ膜を以下の方法により作製した。ガラス基板は厚み０．７ｍｍのものを用いた。
【０１８８】
２−メトキシメタノール２２．２ｇにモノエタノールアミン０．４ｇと酢酸インジウム３．８ｇ、Ｓｎ（ＯＣ4Ｈ9）4０．１６ｇを添加し、１０分間攪拌混合し、得られた液を用い、ガラス基材上にワイアーバーによりコートした。コーティングの後、電気炉を用い１２０℃で８時間加熱し、ガラス基材上に錫ドープ酸化インジウム膜（８０ｎｍ）を作成した。
【０１８９】
また、もう一方の面に、同様の方法で、透明電極としてＩＴＯ薄膜（１００ｎｍ）を形成した。ＩＴＯ膜を形成した後、透明電極となるＩＴＯ膜について、レジストを用い、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、各画素における配線電極を形成、また、フレキシブルコネクタとの配線を形成した後、この上に、配向膜を形成した。次いで、二つのガラス基板４ａ、４ｂを、配向膜同士が対向するよう、シール材を用いて基板同士を一定間隔に保ち固定し、更に、スペーサ剤となるポリスチレンビーズを混入させた液晶材料を封入して、シール材により固着して液晶セルを形成した。シール材は、紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いた。
【０１９０】
次に、図４に示したように、前後の金属枠（銅製）とＩＴＯ膜が密着するように挟み固定して、液晶パネルを作製した。これにより形成した液晶セルの外表面に形成されたＩＴＯ膜は、金属枠と導通し帯電防止層を形成する。これを液晶パネル１とした。
【０１９１】
（液晶パネル２）
また次に、液晶パネル１と同様のガラス基板であるが、液晶セルの透明電極となるＩＴＯ膜は形成したが、反対側の表面に帯電防止層となるＩＴＯ膜を形成しないガラス基板を用いて、前記同様に、液晶パネルを作製した。これにより光源光出射側、入射側のいずれにも、帯電防止層となるＩＴＯ膜が形成されていない液晶パネルが得られた。
【０１９２】
作製した帯電防止されていない液晶パネルを用いて、以下の、製膜方法を用いて、液晶パネルの両面に帯電防止層を形成した。
【０１９３】
作製した外表面にＩＴＯ膜のない液晶パネルの外表面に、ワイヤーバーを用いて、以下の方法によりＩＴＯ膜を製膜した。
【０１９４】
〈ＩＴＯ製膜法〉
２−メトキシメタノール２２．２ｇにモノエタノールアミン０．４ｇと酢酸インジウム３．８ｇ、Ｓｎ（ＯＣ4Ｈ9）4０．１６ｇを添加し、１０分間攪拌混合した。得られた液を用い、液晶パネルの両面のガラス基材面上にワイアバーを用いて塗布した。塗布後、電気炉を用い１２０℃で８時間加熱し、ガラス基材上に錫ドープ酸化インジウム膜を作成した。
【０１９５】
これにより、液晶パネルの光出射側、また光入射側のいずれの外表面にも帯電防止層としてＩＴＯ膜（８０ｎｍ）が形成されたパネル２を得た。
【０１９６】
（液晶パネル３）
パネル２の作製に用いた外表面にＩＴＯ膜が形成されていない液晶パネルの外表面、両面に、大気圧プラズマ処理を用いてＩＴＯ膜を製膜した。
【０１９７】
プラズマ放電装置としては図８で示される電極が平行平板型の装置を用い、電極間に上記液晶パネルを載置し、混合ガスを導入して薄膜形成を行った。液晶パネルの両面に８０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜が形成されるまで、搬送用の媒体を前後させ、また、適宜、処理面を替えて処理を行い、液晶パネル３を作製した。
【０１９８】
なお、図８で示されるプラズマ放電装置には、アース（接地）電極としては、２００ｍｍ×２００ｍｍ×２ｍｍのステンレス板に高密度、高密着性のアルミナ溶射膜を被覆し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行い、このようにして被覆した誘電体表面を研磨し、平滑にして、Ｒｍａｘ  ５μｍとなるように加工した電極を用いた。また、印加電極としては、中空の角型の純チタンパイプに対し、誘電体をアース電極と同様の条件にて被覆した電極を用いた。印加電極は複数作成し、アース電極に対向して設け放電空間を形成した。
【０１９９】
また、プラズマ発生に用いる電源としては、日本電子（株）製高周波電源ＪＲＦ−１００００を用い、周波数１３．５６ＭＨｚで、５Ｗ／ｃｍ2の電力を供給した。
【０２００】
電極間に以下の組成の混合ガスを流し、プラズマ状態とし、上記のガラス基材を大気圧プラズマ処理し、ガラス基材上に錫ドープ酸化インジウム膜を作成した。
【０２０１】
（混合ガス組成）
放電ガス：ヘリウム                                            ９８．５体積％
薄膜形成ガス１：酸素                                          ０．２５体積％
薄膜形成ガス２：インジウムアセチルアセトナート                  １．２体積％
薄膜形成ガス３：ジブチル錫ジアセテート                        ０．０５体積％
（液晶パネル４）
図９に示したジェット方式のプラズマ放電処理装置により、パネル２の作製に用いた表面にＩＴＯ膜がない液晶パネルの外表面にＩＴＯ膜からなる耐電防止層を形成した。
【０２０２】
プラズマ放電処理装置は、図９に示したように、対向電極（２１１と２１２）の底面（紙上下側）と移動架台（省略されている）の上の基材との処理空間２１４の間隙を１．５ｍｍとした。
【０２０３】
第１電極２１１には第１電源２２１を接続し、その間に第１フィルター２２３を設置した。第１フィルタ２２３には、第１電源２２１からの電流を通りにくくし、第２電源２２２からの電流を通し易くしたものを、また、第２電極２１２には第２電源２２２を接続し、その間に第２フィルター２２４を設置した。第２フィルター２２４には、第２電源からの電流を通しにくくし、第１電源２２１からの電流を通し易くするものを設置した。また、各電源及び各フィルターをそれぞれアースに接地した。
【０２０４】
第１電極２１１および第２電極２１２の電極間隙を１ｍｍとして平行に対向させ、第１電源及び第２電源としてそれぞれ、第１電源の周波数を５ｋＨｚ、高周波電圧を１２ｋＶ／ｍｍ、第２電源の周波数を１３．５６ＭＨｚ、高周波電圧を０．８ｋＶ／ｍｍ、第１電極の電力（出力密度）を７Ｗ／ｃｍ2、第２電極の電力を７Ｗ／ｃｍ2として、下記混合ガスＧを放電空間に供給して放電を行い、薄膜形成ガスを放電空間２１３において励起してジェット状に吹き出させ、該プラズマ状態の混合ガスＧ°に液晶パネル表面を晒し、移動架台を、膜厚８０ｎｍになるまで往復させてＩＴＯ膜を液晶パネル表面に形成した。液晶パネル３と同様にしてパネルの両面に形成した。尚、窒素と酸素の混合放電ガスの放電開始電圧は３．８ｋＶ／ｍｍであった。
【０２０５】
〈混合ガス〉
薄膜形成ガス１：トリス（２，４−ペンタンジオナート）インジウム
０．１１５体積％
薄膜形成ガス２：ジブチルジアセトキシ錫                    ０．００４５体積％
添加ガス（還元性ガス）：水素ガス                              ０．２３体積％
窒素ガス                                                      ９５．１体積％
酸素ガス                                                        ４．５体積％
この様にして、透明導電膜（ＩＴＯ膜）が、表面側に形成された、液晶パネル１〜４をそれぞれ作製した。
【０２０６】
（強制劣化処理）
作製した各液晶パネルについて、表示面の表面比抵抗（Ω／ｃｍ2）を測定した後、各液晶パネルを、それぞれ６０度、９５％ＲＨの環境下で２週間放置した（強制劣化処理）。その後、再度、表面比抵抗を測定した。表２に結果を示した。尚、表面比抵抗の測定は以下に従った。
【０２０７】
〈表面比抵抗〉
川口電機株式会社製テラオームメーターモデルＶＥ−３０を用いて測定した。測定に用いた電極は、２本の電極（試料と接触する部分が１ｃｍ×５ｃｍ）を間隔を１ｃｍで平行に配置し、該電極に液晶パネル試料測定表面を接触させて測定し、測定値を５倍にした値を表面比抵抗値Ω／ｃｍ2とした。
【０２０８】
以上の結果を表２に示した。
【０２０９】
【表２】
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【０２１０】
以上のように、本発明の方法に従って、パネル形成後、大気圧プラズマＣＶＤ処理を用いて形成した透明導電膜は、耐電防止層として、劣化が少ないことが判る。
【図面の簡単な説明】
【０２１１】
【図１】液晶表示素子の構成の概略を示す断面図である。
【図２】液晶プロジェクタの構成を示す概略図である。
【図３】液晶パネルの正面の概略図である。
【図４】液晶パネル断面の概略図である。
【図５】タッチパネルの構造を説明するための図である。
【図６】タッチパネルの構造を示す断面図である。
【図７】防汚層が形成されたタッチパネルの一例を示す断面図である。
【図８】大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図９】プラズマ放電処理装置の別の一例を示す概略図である。
【図１０】実施例で用いた真空蒸着装置の概略図である。
【符号の説明】
【０２１２】
１  液晶パネル
２  液晶セル
３  金属枠
４ａ、４ｂ  ガラス基板
５  表示領域
７  透明導電膜
１７ａ，１９ｂ，１７ｃ  液晶表示装置
２０  基体
２２、２２ａ、２２ｂ  偏光板
２６  液晶パネル
３１  上基板
３２  下基板
３３，３４  透明電極
３５  ドットスペーサー
３７ａ，３７ｂ，３８ａ，３８ｂ  引き回し電極
３６  シール材
４０  真空槽
４２  蒸着源
４３  加熱源
４４  蒸着ロール
４５  蒸着源送り機構
４６  巻き出し機構
４８  巻き取り機構
４９  被処理基材
１０１  プラズマ放電処理容器
１０２  処理室
１０２Ａ  入口
１０２Ｂ  出口
１０３，１０４  電極
１０５  高周波電源
１０６  アース
１１５  減圧手段
２１１  第１電極
２１２  第２電極
２２１  第１電源
２２２  第２電源
１２０，２００  プラズマ放電処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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