(57)【要約】【課題】過剰な電流の流通による半導体素子の破壊に対して高い耐性を持ち、また、機械的な衝撃に対しても高い耐性を持つＬＥＤパッケージを提供することにある。【解決手段】  半導体発光素子を内部に有し、樹脂にて封止されたＬＥＤパッケージであって、この樹脂表面に透明な無機材料からなる皮膜が形成されているＬＥＤパッケージである。皮膜にはダイヤモンドライクカーボン皮膜が特に好ましい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子を内部に有し、樹脂にて封止されたＬＥＤパッケージにおいて、樹脂表面に透明な無機材料からなる皮膜が形成されていることを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
皮膜が、モース硬度７以上の材料でからなることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
皮膜が、抵抗率０．１Ωｃｍから１０００ｋΩｃｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
皮膜が、抵抗率１０００Ωｃｍから１０００ｋΩｃｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
皮膜の膜厚が５ｎｍから１００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
皮膜を構成する材料がダイヤモンドライクカーボン、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコン、フッ化カルシウム、窒化ホウ素よりなる群より選ばれた少なくとも一種類の材料を含んでいることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項７】
皮膜を構成する材料がダイヤモンドライクカーボンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項８】
皮膜を構成するダイヤモンド・ライク・カーボンがＣＶＤで成膜されたものであることを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項９】
皮膜を構成するダイヤモンド・ライク・カーボンがスパッタで成膜されたものであることを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１０】
封止する樹脂が、（メタ）アクリル酸系樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン架橋樹脂、ＵＶ硬化樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂なる群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１１】
半導体が、III−Ｖ族化合物半導体であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１２】
III−Ｖ族化合物半導体が、窒化ガリウム系化合物半導体であることを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１３】
蛍光体を有する請求項１〜１２のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は化合物半導体発光素子を有し、樹脂で封止されたＬＥＤパッケージに関し、静電気などにより過大な電流が流れ込んだ場合による半導体素子の破壊に対して高い耐性を持ち、また、機械的な衝撃に対しても高い耐性を持つＬＥＤパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオードを用いた発光デバイスの進歩が目覚しく、液晶のバックライト、大型ディスプレイのほか、自動車のヘッドライトや室内外の照明器具にも用いられるようになっている。
特に、短波長光発光素子用の半導体材料としてＧａＮ系化合物半導体材料が注目を集めている。ＧａＮ系化合物半導体材料発展により、短波長の光を得ることができたために、これを用いて蛍光体を励起してより多様な波長の光を得ることができるようになった。特に、白色の光を発光ダイオードから得ることができたのにはＧａＮ系化合物半導体が不可欠であった。
【０００３】
ＧａＮ系化合物半導体は、サファイア単結晶を始めとして、種々の酸化物やIII−Ｖ族化合物を基板として、その上に有機金属気相化学反応法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等によって形成される。
【０００４】
多くの場合ＬＥＤのパッケージは、樹脂によって封止される。良く知られた砲弾型と呼ばれるランプ形状のパッケージを始め、実装基盤にリフレクタを備えたトップパッケージと呼ばれるパッケージ、サイドビューと呼ばれる横に倒して使用されるパッケージ、あるいは、素子に樹脂をかぶせて成型し封止するサーフェイスマウントタイプと呼ばれるパッケージなどが、その例である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、樹脂は機械的な接触によるダメージに弱く、磨耗を伴うような使用環境にある場合はもちろん、製造工程でのハンドリング時の衝撃などによっても傷を生じてしまう問題があった。
【０００６】
また、ＧａＮ系化合物半導体に限らず、半導体デバイスは過大な電流が流れ込んだときに破壊されやすい。短時間に過大な電流が流れる現象は、蓄積された静電気の放出などによって引き起こされる日常的なものであり、生活の中で半導体デバイスを使用する場合には対策を取らなければならない。
特に、ＧａＮ系化合物半導体は、上述のように絶縁性のサファイア単結晶基板上に作製されることが多く、過大な電流が流れ込んだときに逃がすためのパスが限られている。このため、一般的に静電気などに対して耐性を持たない。
【０００７】
また、半導体デバイスのパッケージは、空気中の水分や酸素などの浸透によって内部の素子が劣化するという問題を持っている。パッケージは透明な樹脂などで封止されることが多いが、封止に用いられる樹脂は必ずしもガスや水分の浸透を防ぐことができていない。このため、空気中の水分やガスの浸透によりチップの劣化が発生して、信頼性を落とすことが多い。信頼性の悪化とは、リーク電流の増大でモニターすることができる。
本発明の目的は過大な電流による半導体素子の破壊に対して高い耐性を持ち、また、機械的な衝撃に対しても高い耐性を持つＬＥＤパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記の目的を達成するためになされたもので、下記の発明からなる。
（１）半導体発光素子を内部に有し、樹脂にて封止されたＬＥＤパッケージにおいて、樹脂表面に透明な無機材料からなる皮膜が形成されていることを特徴とするＬＥＤパッケージ。
（２）皮膜が、モース硬度７以上の材料でからなることを特徴とする上記（１）に記載のＬＥＤパッケージ。
（３）皮膜が、抵抗率０．１Ωｃｍから１０００ｋΩｃｍであることを特徴とする上記（１）または（２）に記載のＬＥＤパッケージ。
【０００９】
（４）皮膜が、抵抗率１０００Ωｃｍから１０００ｋΩｃｍであることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
（５）皮膜の膜厚が５ｎｍから１００ｎｍであることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
（６）皮膜を構成する材料がダイヤモンドライクカーボン、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコン、フッ化カルシウム、窒化ホウ素よりなる群より選ばれた少なくとも一種類の材料を含んでいることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【００１０】
（７）皮膜を構成する材料がダイヤモンドライクカーボンであることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
（８）皮膜を構成するダイヤモンド・ライク・カーボンがＣＶＤで成膜されたものであることを特徴とする上記（７）に記載のＬＥＤパッケージ。
（９）皮膜を構成するダイヤモンド・ライク・カーボンがスパッタで成膜されたものであることを特徴とする上記（７）に記載のＬＥＤパッケージ。
【００１１】
（１０）封止する樹脂が、（メタ）アクリル酸系樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン架橋樹脂、ＵＶ硬化樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂なる群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
（１１）半導体が、III−Ｖ族化合物半導体であることを特徴とする上記（１）〜（１０）のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
（１２）III−Ｖ族化合物半導体が、窒化ガリウム系化合物半導体であることを特徴とする上記（１１）に記載のＬＥＤパッケージ。
（１３）蛍光体を有する上記（１）〜（１２）のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は樹脂で封止したパッケージ表面を適度な硬度と透明度を持つ無機材料の皮膜で覆うことにより、機械的な接触によるダメージに対する強度が向上する効果が得られる。
また、パッケージ表面を適度な導電性を持つ皮膜で覆うことにより、過大な電流の流入による半導体素子の破壊に対して高い耐性を持ち、また、摩擦係数の小さい皮膜を選択することで機械的な衝撃に対しても高い耐性を持つＬＥＤパッケージが得られる。
さらに、ガスや水分に対し不浸透性の皮膜で覆うことにより、空気中の水分やガスの浸透を防止し、信頼性のあるＬＥＤパッケージが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下図面を参照して本発明を詳しく説明する。
図１に、本発明の実施形態の一例を示す。この図は一般にトップパッケージと呼ばれるＬＥＤパッケージ１の断面図である。
半導体デバイスであるＬＥＤチップ１１に対し、配線１２が形成されて導通がパッケージ外に引き出されている。デバイスの周囲にはリフレクタ１３と呼ばれる外縁が形成されていて、その内部が樹脂１４で封止されている。リフレクタ１３は、チップ１１からの発光を効率的に外部へ取り出す役割を持つと共に、樹脂１４を封じ込める役割も持っている。
【００１４】
本発明のＬＥＤパッケージは、この樹脂１４の上とリフレクタ１３の上面を覆って、透明な無機材料からなる皮膜１５が形成されている。この皮膜はモース硬度７以上の材料で構成されえいるのが好ましい。これにより、ＬＥＤパッケージへの機械的な接触に対する強度を向上させることができる。また、材料として透明な材料を選ぶことにより、ＬＥＤデバイスから発光される光を減じることがない。
導電性の皮膜そのものは、配線と接触しても構わない。導電率を適正に制御することにより、通常の動作に必要な程度の電流はリークせず、過大電流が注入されたときにだけ電荷を拡散させる機能を持たせることが可能である。
【００１５】
本発明では、無機材料の抵抗率は、広い範囲で選ぶことができる。具体的には、０．１Ωｃｍから１０００ｋΩｃｍである材料を用いることができる。
しかしながら、上記のように通常動作では電流リークは発生せず過大電流が注入されたときに電荷を拡散させる機能を持たせる目的では、皮膜の導電性を適正に制御する必要がある。具体的には、１ｋΩｃｍから１０００ｋΩｃｍであることが望ましい。これよりも小さいと配線に接触した場合にリーク電流の原因となるし、これよりも大きいと過大電流を逃がす効果を持たなくなる。更に望ましくは５ｋΩｃｍから５００ｋΩｃｍであり、特に、１０ｋΩｃｍから１００ｋΩｃｍである場合にバランスが良く、弊害なく特段の効果を発揮することが可能である。
【００１６】
ＬＥＤから出た発光を効率よく外部へ取り出すためには、皮膜は発光された波長に対して透明であることが必要である。本発明において透明あるいは透光性とは、３００〜８００ｎｍの波長領域における光に対して、透過率７０％以上であることを意味する。
もちろん、封入される発光素子が発光する光の波長に対して透過率が良好であることが必要である。発光が白色である場合には、波長４００〜８００ｎｍに渡って透明であることが望ましい。
【００１７】
皮膜の透過率は、皮膜の膜厚を制御することによっても変化させることが可能である。皮膜の膜厚が薄ければそれだけ透明性を発揮することになるが、機械的な強度も低下し、導電性も小さくなる。
本発明の効果を発揮するのに最適な膜厚は、５ｎｍから１００ｎｍの間である。これよりも薄いと皮膜は機械的な強度を失い、保護膜としての機能を失う。これよりも厚い場合には、いたずらに膜形成時の処理時間が長くなり、生産性が落ちるばかりである。また、皮膜の材料によっては透過率の低下や導電性の増大を招き、不都合である。
ＬＥＤパッケージの形状は必ずしも平坦ではないので、ここでいう膜厚とは、ばらつきを持っても良く、その最も厚い部分と薄い部分での膜厚が上記を満たしている場合に、本発明の効果を良く発揮する。
【００１８】
皮膜を形成する材料としては、上記抵抗率を満たすような既存の材質を問題なく使用することができる。例えば、ダイヤモンドライクカーボン、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコン、フッ化カルシウム、窒化ホウ素などである。
特に、ダイヤモンドライクカーボンが機械的な強度に優れ、可視光の全波長に透明であり、導電性も適正であって、望ましい。また、空気中の水分や酸素などの遮断性にも優れている。
【００１９】
ダイヤモンドライクカーボンとは、グラファイト構造とダイヤモンド構造の入り混じった構造を持つカーボン結晶である。高い機械強度を持っている。多くの場合黒色を呈するが、膜厚を薄く形成することで、透明性を持たせることが可能である。また製造の条件によって抵抗率を制御することができ、０．１Ωｃｍから１０００ｋΩｃｍまでの抵抗率の制御も可能である。また、封止性に優れ、多くの液体や気体の浸入を防ぐことが可能である。
製造方法としては基板を加熱したり、電極として用いてのＣＶＤが一般的であるが、近年、同等の性質の膜をスパッタ法で作製できるようになった。技術の分類としてはスパッタで作製したものをダイヤモンドライクカーボンと呼ばないが、本明細書では、同等の物性を持つ皮膜をダイヤモンドライクカーボンと呼ぶこととする。
【００２０】
皮膜は、知られているどのような方法を持って形成しても構わない。
例えば、蒸着やスパッタ、ＣＶＤなどの方法を用いることができる。ＬＥＤパッケージは樹脂を含んでいるため、被皮膜形成体の温度が目安として１００℃よりも上がらないことが望ましい。
特に、蒸着やスパッタを用いると、被皮膜形成体の温度が上昇することがないので、パッケージに使用された樹脂が受けるダメージが少なくすることができて好適である。また、皮膜の材料となる物質を溶剤に分散させておき、この溶液を被皮膜形成体に塗布して加熱する事で溶剤を飛ばし、皮膜を形成する方法も利用できる。
【００２１】
本明細書で開示する技術は、多様な種類の形態のパッケージに適用することが可能である。一例を挙げると、一般的な砲弾型のＬＥＤランプのほか、前述のトップパッケージやサイドビューパッケージ、サーフェイスマウントデバイスと呼ばれるパッケージなどがある。また、チップをボードに直接実装し、樹脂で封止するような実装の場合でも、本発明の技術を適用することができる。
【００２２】
封止するための樹脂としては、温度、湿度などに対する耐久性が高いことは言うまでもない。窒化ガリウム系材料からなる発光素子を使用する場合には、それに加えて窒化ガリウム系材料からの短波長領域の発光に対する劣化も小さいことが望まれる。また、固化する際の変形や体積変化は少ない方が良い。そのような観点から、（メタ）アクリル酸系樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン架橋樹脂、ＵＶ硬化樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などが望ましい。
【００２３】
使用するチップは、どのような形態のものでも構わない。チップの上下にそれぞれ電極を形成したワンワイヤータイプ、チップの一つの面に２つの電極を形成したフェイスアップタイプ、一つの面に２つの電極を形成しておいて、電極面を実装し基板面から発光を取り出すフリップチップタイプなどがある。
チップの大きさも、どのような大きさのものでも利用できる。具体的には１００μｍ角程度から、４ｍｍ角程度の大きさのものまで考えられる。サージ電流に対する耐性は大きなチップほど弱いことが知られており、特に、５００μｍ角以上の大きさのものに対して効果を発揮する。
【００２４】
半導体結晶積層構造体は、ｐ層とｎ層との間に発光層を積層した、一般的な素子構造であることが望ましい。ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層は各種構造のものが周知であり、これら周知のものを何ら制限なく用いることができる。例えばIII−Ｖ族化合物半導体を用いることができる。
なかでも本発明の効果は、サファイアを基板として持つ窒化ガリウム系化合物半導体に対して特に有効である。窒化ガリウム系化合物半導体としても、一般式ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体が周知であり、本発明におけるｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を構成する窒化ガリウム系化合物半導体としても、一般式ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体を何ら制限なく用いることができる。
【００２５】
これらの化合物半導体の成長方法は特に限定されず、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、などIII族窒化物半導体を成長させることが知られている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法としては、膜厚制御性、量産性の観点からＭＯＣＶＤ法である。
【００２６】
また、本構造には、蛍光体を含む領域を形成することができる。ＧａＮ系化合物半導体材料からの短波長の光を蛍光体に当てることで波長を変換する技術が広く用いられている。波長の変換を利用する技術としては、窒化ガリウム系発光素子からの青色の光を黄色を発光する蛍光体に照射して発光させ、青色と黄色とを混色して白色の光を得る技術、或いは窒化ガリウム系発光素子から紫外線を発光させ、その光を赤色、緑色、青色を発光する蛍光体に照射して発光させ、白色を得る技術などがある。また、それ以外にも、窒化ガリウム系発光素子からの青色の光を赤色の光を発光する蛍光体に照射し、青色と赤色とを混色してピンク色の発光を得たり、窒化ガリウム発光素子からの紫外線を緑色の光を発光する蛍光体に照射して緑色を得る技術などがある。
蛍光体をＬＥＤパッケージに用いる方法としては、蛍光体を例えば樹脂に分散させてもよく、また無機材料中に含ませることもできる。
【実施例】
【００２７】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
図１は本実施例で作製したＬＥＤパッケージの断面図である。
発光素子は、サファイア基板上に形成した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を用い、ＩＴＯからなるｐ電極とＣｒ／Ｔｉ／Ａｕからなるｎ電極を形成した。
窒化ガリウム系化合物半導体層の積層は、ＭＯＣＶＤ法により、当該技術分野においてよく知られた通常の条件で行なった。また、正極および負極の形成、ウエーハの分割もよく知られた通常の条件で行なった。
【００２８】
これをセラミック製のリードフレームに銅を用いてプリント配線したボードと、Ａｌを蒸着して反射率を高めたリフレクタを有するトップパッケージに、ダイボンダで接着した。更に、ワイヤボンダを用いて金線でプリント基板に配線した。
続いて、リフレクタ内にガラスエポキシ樹脂を流し込んで、加熱することにより固化した。樹脂の量と粘度を、事前に実験して適性に制御することにより、固化した後の樹脂の表面形状は少し膨らみを持つ擬似レンズ形状とすることとした。
【００２９】
続いて、このＬＥＤパッケージをスパッタ機内に導入した。ＬＥＤパッケージは、金属製の基板の上に半田を用いて接着し、保持した。
チャンバ内を真空とし、アルゴンガスプラズマを発生させ、これをマイナスの電位としたダイヤモンドライクカーボンのターゲットに当てることにより、スパッタを実施した。アルゴンプラズマによりターゲットの材料が削られ、ＬＥＤパッケージ上に積層した。
別途行った実験により成膜の速度を把握していたので、膜厚が４０ｎｍ程度になったと思われる時間に達したところでアルゴンプラズマの発生を止め、ＬＥＤパッケージをロードロック室よりチャンバ外へ引き出した。
【００３０】
上記の成膜時に、モニタの目的でガラスの板をチャンバ内に入れておいた。このガラス板上に成膜された膜を分光光度計とシート抵抗測定機にて測定したところ、成膜されたカーボン膜の透過率は９６％であり、抵抗率は１０ｋΩｃｍであった。
以上の操作により図１に断面図を示すような構造を持つＬＥＤパッケージを作製した。このＬＥＤパッケージを直径２０μｍのガラスビーズと共に水中に入れ、３０分間攪拌したが、目視で傷のついたパッケージは見られなかった。
【００３１】
また、ＥＳＤテスターと呼ばれる、電荷を短時間で注入する機能を持つテスターにて、ｐ、ｎ電極間に短時間で過大な電流を通じることで静電気耐性を測定した。それによると、ＬＥＤパッケージ５０個をテストした結果、全てのパッケージがヒューマンボディモデルで４０００Ｖの電圧を加えても破壊しなかった。
更に、このＬＥＤパッケージを温度８５℃、湿度８５％の高温・恒湿槽で５００時間、２０ｍＡで通電して輝度と低電流でのＶｆ、逆電圧でのリーク電流値の変化を測定した。低電流でのリークの変化は１％、逆方向に電圧を掛けたときの電流の変化は３％にとどまり、信頼性に問題のないことが判った。
【００３２】
（実施例２）
実施例１と同様のＬＥＤパッケージをＣＶＤ装置に導入した。
ＣＨ４とＨ２とのガスを２００ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ導入し、名バルブの開度を調節して２Ｐａにガス圧を調節した。基板側パワーと電極側パワーを３０Ｗと１５０Ｗに調節し、０秒、３０秒、６０秒、１２０秒の成膜を行った。
モニタのために同時に入れておいたガラス基板へも成膜を行い、エリプソメーターで厚さを測定したところ４．９ｎｍ、１０．５ｎｍ、２２．３ｎｍであった。同じく光の透過率を測定したところ９７％、９４％、８９％であった。またガラス基板上への成膜品でシート抵抗を測定したところ２３５ｋΩ/□、１４８０Ω/□、７５０kΩ/□であった。
このＬＥＤパッケージを直径２０μｍのガラスビーズと共に水中に入れ、３０分間攪拌したが、実施例１と同様に、目視で傷のついたパッケージは見られなかった。
【００３３】
このＬＥＤパッケージを温度８５℃、湿度８５％の高温・恒湿槽で５００時間、２０ｍＡで通電して輝度と低電流でのVf、逆電圧でのリーク電流値の変化を測定した。各特性の変化率を以下の表に纏める。
成膜時間      輝度    低電流Ｖｆ      逆電圧でのリーク電流
０秒          ８％      １１％          ９％
３０秒        ７％      ９％            ７％
６０秒        ５％      ５％            ６％
１２０秒      ３％      ２％            ３％
以上の結果よりＣＶＤカーボンで保護膜をつけることにより外部からのガス進入が防げられ、ＬＥＤパッケージの信頼性が飛躍的に向上したことがわかる。
【００３４】
（比較例）
途中までは実施例１と同様に作製し、最後に実施例１で行ったスパッタによるダイヤモンドライクカーボン皮膜の形成を施さなかったＬＥＤパッケージを作製した。このＬＥＤパッケージを直径２０μｍのガラスビーズと共に水中に入れ、３０分間攪拌したところ、全てのパッケージに目視で傷が見られた。
また、パッケージ５０個を、実施例1と同様にＥＳＤテスタにて試験したところ、４７個のパッケージはヒューマンボディモデルで２０００Ｖで破壊され、リークを発生した。
【００３５】
また、実施例１と同様にＬＥＤパッケージを温度８５℃、湿度８５％の高温・恒湿槽で５００時間、２０ｍＡで通電して、輝度と低電流でのVf、逆電圧でのリーク電流値の変化を測定したところ、低電流での電圧で１３％、逆方向のリーク電流値で２０％の劣化が見られた。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明のＬＥＤパッケージは、高い静電気耐性を持つため、照明用途、自動車用途ディスプレイ用途およびバックライト用途など、一般的な生活の場で使用する場合に優れた信頼性を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施例１で作製した本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面を示した模式図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  本発明で作製したＬＥＤパッケージ
１１  半導体チップ
１２  金線
１３  リフレクタ
１４  樹脂
１５  ダイヤモンドライクカーボン皮膜
【図１】
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