(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な制御で高いスループットが得られる電子線描画装置、電子線描画方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃２０と、マイクロエミッタ型電子銃にそれぞれ接続された複数の電荷蓄積部１０と、電荷蓄積部に電荷を書き込み可能な電荷書込回路と、マイクロエミッタ型電子銃から放出される電子線を被処理体に照射する電子光学系とを備え、電荷書込回路は描画する電子線パターンに応じて電荷蓄積部に電荷を蓄積し、それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線を、それぞれに接続されたマイクロエミッタ型電子銃から一括して放出することにより被照射体に電子線パターンを照射する。【選択図】図１
2007258305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃と、
前記マイクロエミッタ型電子銃にそれぞれ接続された複数の電荷蓄積部と、
前記電荷蓄積部に電荷を書き込み可能な電荷書込回路と、
前記マイクロエミッタ型電子銃から放出される電子線を被処理体に照射する電子光学系と、
を備え
前記電荷書込回路は、描画する電子線パターンに応じて前記電荷蓄積部に電荷を蓄積し、
それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線をそれぞれに接続された前記マイクロエミッタ型電子銃から一括して放出可能としたことを特徴とする電子線描画装置。
【請求項２】
複数のゲート・バス・ラインと、
複数のデータ・バス・ラインと、
前記複数のゲート・バス・ラインのいずれかに制御電極が接続され、前記複数のデータ・バス・ラインのいずれかに主電極の一方が接続され、前記複数の電荷蓄積部のいずれかに主電極の他方が接続された複数のスイッチング素子と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の電子線描画装置。
【請求項３】
前記電荷書込回路は、前記複数のゲート・バス・ラインを介して前記スイッチング素子を制御するゲート・ドライバと、前記複数のデータ・バス・ラインを介して前記スイッチング素子に電荷信号を出力するデータ・ドライバと、を有することを特徴とする請求項２記載の電子線描画装置。
【請求項４】
前記マイクロエミッタ型電子銃は、エミッタと、前記エミッタに電界を印加し電子線を放出させるグリッドと、を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子線描画装置。
【請求項５】
前記複数のマイクロエミッタ型電子銃にそれぞれ設けられた前記グリッドは、共通接続されてなることを特徴とする請求項４記載の電子線描画装置。
【請求項６】
アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃のそれぞれに接続された電荷蓄積部に、描画する電子線パターンに応じた量の電荷を蓄積し、それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線をそれぞれに接続された前記マイクロエミッタ型電子銃から一括して放出することにより被照射体に電子線パターンを照射することを特徴とする電子線描画方法。
【請求項７】
被処理ウェーハを形成する工程と、
前記被処理ウェーハにレジストを塗布する工程と、
アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃のそれぞれに接続された電荷蓄積部に、描画する電子線パターンに応じた量の電荷を蓄積し、それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線をそれぞれに接続された前記マイクロエミッタ型電子銃から一括して放出することにより前記レジストに電子線パターンを照射する工程と、
前記レジストを現像してマスクを形成する工程と、
前記マスクを利用して前記被処理ウェーハを処理する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線描画装置、電子線描画方法及び半導体装置の製造方法に関し、より具体的には、マイクロエミッタ型電子銃をアレイ配置した電子線放出源を有する電子線描画装置、電子線描画方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線描画装置によるパターン描画は、光波長より短い電子線波長レべルの分解能の精度で描画可能なため、高い解像度のパターンを形成できるという特徴を有する。その反面、光露光によるマスク描画方式と異なり、完成パターンを小さな分割パターンビームで直接描画するため、描画に長時間かかる問題がある。しかし、高精度の細線パターンを形成できる特徴を持っており、光露光方式のリソグラフィ技術の次の技術、あるいは多品種少量生産の半導体装置の製造に有力なツールとして発展している。
【０００３】
電子線で直接パターンを形成する方法としては、小さな丸ビームをＯＮ／ＯＦＦ制御しながら試料全面をスキャンしてパターンを形成する方法や、ステンシルアパーチャを通過した電子線をパターン描画するＶＳＢ描画の方式がおこなわれている。さらにＶＳＢ描画を発展させ、一定の決まった繰り返しパターンを１つのブロック的なアパーチャとして準備しておき、選択したアパーチャによるパターンを連続描画することで高速描画する電子線描画の技術も開発されている。さらに、描画精度を上げるため、高加速電子線を利用する方法も行われている。
【０００４】
これら従来技術に対して、本発明者らは、マイクロエミッタ型電子銃をアレイ配置した電子線放出源を用いることにより、空間電荷効果による解像度の低下を防止しつつ大電流ビームを用いて高解像度の電子線描画を可能にする電子線描画装置を発明した（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−１２７８００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、簡単な制御で高いスループットが得られる電子線描画装置、電子線描画方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃と、前記マイクロエミッタ型電子銃にそれぞれ接続された複数の電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に電荷を書き込み可能な電荷書込回路と、前記マイクロエミッタ型電子銃から放出される電子線を被処理体に照射する電子光学系と、を備え前記電荷書込回路は、描画する電子線パターンに応じて前記電荷蓄積部に電荷を蓄積し、それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線をそれぞれに接続された前記マイクロエミッタ型電子銃から一括して放出可能としたことを特徴とする電子線描画装置が提供される。
【０００７】
また、本発明の他の一態様によれば、アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃のそれぞれに接続された電荷蓄積部に、描画する電子線パターンに応じた量の電荷を蓄積し、それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線をそれぞれに接続された前記マイクロエミッタ型電子銃から一括して放出することにより被照射体に電子線パターンを照射することを特徴とする電子線描画方法が提供される。
【０００８】
また、本発明のさらに他の一態様によれば、被処理ウェーハを形成する工程と、前記被処理ウェーハにレジストを塗布する工程と、アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃のそれぞれに接続された電荷蓄積部に、描画する電子線パターンに応じた量の電荷を蓄積し、それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線をそれぞれに接続された前記マイクロエミッタ型電子銃から一括して放出することにより前記レジストに電子線パターンを照射する工程と、前記レジストを現像してマスクを形成する工程と、前記マスクを利用して前記被処理ウェーハを処理する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、簡単な制御で高いスループットが得られる電子線描画装置、電子線描画方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の実施の形態に係る電子線描画装置に設けられる電子線放出源の概念図である。  
また、図２は、その等価回路図である。  
すなわち、この電子線放出源１は、縦横マトリクス状に配線された複数のゲート・バス・ライン１２と、データ・バス・ライン１４とを有する。ゲート・バス・ライン１２には、ゲート・ドライバ７２から制御信号が適宜供給される。一方、データ・バス・ライン１４には、データ・ドライバ７４から蓄積電荷に対応する信号が供給される。
【００１１】
ゲート・バス・ライン１２とデータ・バス・ライン１４との交差点付近には、スイッチング素子１６が設けられている。スイッチング素子１６は、例えば、ＭＯＳトランジスタのように制御電極と主電極とを有する。ゲート・バス・ライン１２は、これらスイッチング素子１６の制御電極に接続されている。一方、データ・バス・ライン１４は、これらスイッチング素子の一方の主電極に接続されている。
【００１２】
そして、スイッチング素子１６の他方の主電極は、電荷蓄積部（キャパシタ）１０に接続されている。また、電荷蓄積部１０の他端には、マイクロエミッタ型電子銃２０が接続されている。すなわち、データ・ドライバ７４からそれぞれのデータ・バス・ライン１４に供給し、ゲート・ドライバ７２によりそれぞれのスイッチング素子１６を制御することによって、アレイ状に配置された電荷蓄積部１０のうちの所望のものに所定の電荷信号を蓄積（充電）させることができる。これらゲート・バス・ライン１２、データ・バス・ライン１４、スイッチング素子１６、電荷蓄積部１０の構成や配置は、例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置における駆動回路機構に類似したものとすることができる。
【００１３】
図３は、マイクロエミッタ型電子銃２０の動作を説明するための概念図である。  
また、図４は、マイクロエミッタ型電子銃２０の構成をさらに詳細に表した模式図である。
【００１４】
すなわち、マイクロエミッタ型電子銃２０は、エミッタ（カソード）２１、グリッド２２、ブランキングアパーチャ（グリッド）２３、レンズ２４などから構成されており、高電流の放出が可能である。グリッド２２、２３がエミッタ２１と同電位あるいはエミッタ２１よりも低電位（マイナス電位）である時には、図３（ａ）に表したように電子線ｅは放出されない。一方、グリッド２２、２３の電位がエミッタ２１の電位よりも所定レベルまで高くなる（プラス）と、電界放出によりエミッタ２１から電子線ｅが放出される。そして、本実施形態においては、この時、電荷蓄積部１０に蓄積された電荷量に応じて、電界放出のしきい値電圧あるいは、電子線ｅの放出を調整できる。
【００１５】
従って、描画すべきパターンに応じて予め電荷蓄積部１０に電荷を蓄積しておき、しかる後に、全てのマイクロエミッタ型電子銃２０のグリッド２２、２３に所定の電圧を印加すると、描画すべきパターンに応じた電子線パターンが放出され、一括露光が可能となる。後に詳述するように、本実施形態においては、それぞれのマイクロエミッタ型電子銃２０から放出される電子線ｅの量を個別に制御する必要がないので、グリッド２２、２３は、共通化できる。つまり、アレイ状に配置されたマイクロエミッタ型電子銃２０のすべてのグリッド２２、２３を共通接続してグリッド電位を与えるようにできる。
【００１６】
次に、上述の電子線放出源１を用いた電子線描画装置について説明する。  
図５は、本発明の実施の形態に係る電子線描画装置における電子銃とビーム光学系の構成を例示する模式図である。
【００１７】
本具体例の場合、電子線放出源１に設けられた複数のマイクロエミッタ型電子銃２０から放出される各電子線（電子線束）ｅの光軸上に、静電式主偏向対物レンズ５３、偏向器５４、ＸＹステージ（図示せず）が配置されている。なお、静電収束方式の静電式主偏向対物レンズ５３の代わりに、電磁収束方式の電磁式主偏向対物レンズを用いることもできる。複数のマイクロエミッタ型電子銃２０は、前述したように同一平面にアレイ状に配置され、マイクロエミッタ・アレイを構成している。そして、それぞれのマイクロエミッタ型電子銃２０に接続された電荷蓄積部１０には、描画すべきパターンに応じた電荷が予め蓄積されている。
【００１８】
各マイクロエミッタ型電子銃２０は、図４に関して前述したように、エミッタ（カソード）２１、グリッド２２、ブランキングアパーチャ（グリッド）２３、レンズ２４を有する。ＸＹステージの上には、被処理物Ｗであるウェーハが載置されている。複数のマイクロエミッタ型電子銃２０の配置は、例えば縦横に所定のピッチの格子状あるいは碁盤目状とすることができる。ただし、マイクロエミッタ型電子銃２０の配置はこれに限定されることはなく、例えば、千鳥格子状などでもよい。
【００１９】
図６は、この電子線描画装置の構造をさらに具体的に例示した概念図である。  
パターン設計データ８１が入力されるパターン生成回路８２には、電荷書込回路７０と、ブランキング制御回路８３と、レンズ制御回路８４と、が接続されている。ここで、電荷書込回路７０は、図１及び図２に関して前述したゲート・ドライバ７２及びデータ・ドライバ７４を含む回路である。
【００２０】
電荷書込回路７０、エミッション制御回路８５、ブランキング制御回路８３、及びレンズ制御回路８４は、電荷蓄積部１０やマイクロエミッタ型電子銃２０がマトリクス状に配置された電子線放出源１に接続されている。また、レンズ制御回路８４は、静電式主偏向対物レンズ５３に接続されている。一方、ステージ制御回路８６は、ＸＹステージ９１、ブランキング制御回路８３、及びトラッキング制御回路８７に接続されており、トラッキング制御回路８７は偏向器５４に接続されている。
【００２１】
図７は、電子線描画装置の構成を例示するブロック図である。図７において図６に表したものと同様の要素には同一の符号を付した。  
パターン設計データ８１が入力されるパターン生成回路８２には、電荷書込回路７０、エミッション制御回路８５、ブランキング制御回路８３、レンズ制御回路８４、及びステージ制御回路８６が接続されている。
【００２２】
エミッション制御回路８５は、各マイクロエミッタ型電子銃２０のエミッタ２１とグリッド２２に適宜接続されている。本実施形態においては、各マイクロエミッタ型電子銃２０から放出される電子線ｅの量は、それに接続された電荷蓄積部１０に蓄積された電荷量により制御することができる。従って、本実施形態においては、エミッション制御回路８５は、マイクロエミッタ型電子銃２０のそれぞれのエミッションを個別に制御する必要はなく、例えば、すべてのマイクロエミッタ型電子銃２０のエミッションを必要に応じて同時にオン・オフし、あるいは一括して放出量の調整すればよく、制御が大幅に簡略化される。
【００２３】
一方、ブランキング制御回路８３は、ブランキングアンプ１１１を介して各マイクロエミッタ型電子銃２０のブランキングアパーチャ２３に接続されている。レンズ制御回路８４は、レンズアンプ１１２を介して各マイクロエミッタ型電子銃２０の静電式レンズ２４と静電式主偏向対物レンズ５３とに適宜接続されている。ステージ制御回路８６は、ＸＹステージ９１に接続されているとともに、トラッキング制御回路８７と偏向器アンプ１１３を介して偏向器５４に接続されている。
【００２４】
パターン生成回路８２は、パターン設計データ８１とエミッション制御回路８５から入力したエミッション情報とを基に、電荷書込回路７０に書込情報を出力する。電荷書込回路７０は、入力した書込情報に基づいて、マトリクス状に配置された電荷蓄積部１０のそれぞれに所定の電荷を書き込む。
【００２５】
また、ブランキング制御回路８３は、マイクロエミッタ型電子銃２０の点灯制御を行なう。すなわち、ブランキング制御回路８３は、ブランキングアンプ１１１を介して、各マイクロエミッタ型電子銃２０のブランキングアパーチャ２３に印加する電圧を制御する。つまり、ブランキング制御回路８３は、各マイクロエミッタ型電子銃２０に設置されたブランキング電極２３に印加する電圧を制御する。ただし、本実施形態においては、各マイクロエミッタ型電子銃２０から放出される電子線ｅの量は、それに接続された電荷蓄積部１０に蓄積する電荷量により制御できるので、ブランキング制御回路８３によって、各マイクロエミッタ型電子銃２０のブランキング動作を個別に制御する必要はなくなる。このため、ブランキング制御回路８３は、所定のタイミングですべてのマイクロエミッタ型電子銃２０を同時に点灯させるだけでよく、ブランキング制御も大幅に容易となる。
【００２６】
一方、パターン生成回路８２は、ステージ制御回路８６にコントロール情報を出力する。ステージ制御回路８６は、トラッキング情報をブランキング制御回路８３とトラッキング制御回路８７へ適宜出力する。トラッキング制御回路８７は、偏向器５４アンプ１１３を介して、偏向器５４を制御する。レンズ制御回路８４は、レンズアンプ１１２を介して、各マイクロエミッタ型電子銃２０の静電式レンズ２４と静電式主偏向対物レンズ５３を適宜制御する。ただし、本実施形態においては、各マイクロエミッタ型電子銃２０から放出される電子線ｅの量は、それに接続されている電荷蓄積部１０に蓄積された電荷量により制御できるので、レンズ制御回路８４が、各マイクロエミッタ型電子銃２０の静電式レンズ２４を個別に制御する必要はなくなり、制御は大幅に容易となる。
【００２７】
図８は、本実施形態の電子線描画装置の動作を例示するフローチャートである。  
すなわち、本実施形態においては、まずパターン生成回路８２において描画パターンが生成される（ステップＳ１００）。しかる後に、描画すべきパターンに応じて、電荷書込回路７０が電子線放出源１の電荷蓄積部１０に電荷を書き込む（ステップＳ１１０）。
【００２８】
次に、マイクロエミッタ型電子銃２０が点灯し、接続されている電荷蓄積部１０に蓄積された電荷量に応じて電子線ｅがそれぞれ放出され、一括露光が実行される（ステップＳ１２０）。  
しかる後に、ＸＹステージ９１が所定の距離だけ移動し、ステップＳ１１０に戻って次の領域の描画のための電荷の書き込みが実行される。  
以上説明したステップを繰り返すことにより、例えば８インチあるいはそれ以上の大口径ウェーハの全面に電子線による描画をすることができる。
【００２９】
ここで、実際の描画のスピードを見積もると以下の如くである。  
すなわち、１０２４×１０２４個のマイクロエミッタ型電子銃２０に接続された電荷蓄積部１０に電荷を書込むために必要なゲート・ドライバ７２及びデータ・ドライバ７４の動作時間は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の場合と同様レベルあるいはそれ以下とすることができ、１６ミリ秒以下とすることができる。ここで、線幅５０ナノメータのパターンを描画するためには、１０２４×１０２４のマイクロエミッタアレイがウェーハ上で約５１マイクロメータに相当する縮尺率が必要とされる。ここで、２０個の電子線放出源１に同時に書き込み、一括露光するシステムを想定すると、８インチのウェーハの全面に描画するために必要とされる電荷書込時間の合計は、約１００秒となる。実際の描画の際には、ステージを移動する時間が必要とされるが、ここで、ステージの移動速度を毎秒１００ミリメータとした場合には、８インチウェーハに対する描画速度は、１時間あたり約３３枚となる。つまり、１時間あたり３３枚の８インチウェーハに描画することができ、これは、従来の電子線描画装置を凌駕する処理速度である。
【００３０】
次に、ショットの制御について、図７を基にブランキング動作を説明する。  
ショットは、例えば、マイクロエミッタ型電子銃２０の個々に設けられたブランキングアパーチャ（電極）２３へ印加するブランキング電圧を制御することで行なう。描画を行なう時は、パターン設計データ８１と電荷書込回路７０、エミッション制御回路８５により制御されているマイクロエミッタ型電子銃２０の電流密度やグリッド電圧の情報とから、パターン生成回路８２で、ＸＹステージ９１の移動速度を決定するとともに、ショット時間やショット待ち時間などのショットインターバルが決定される。
【００３１】
この情報は、既に移動中のＸＹステージ９１のトラッキング情報とともにブランキング制御回路８３に送られ、描画したショットが高精度に繋がるようにブランキングのタイミングが演算されて、ブランキング指令値がブランキングアンプ１１１に送られる。ブランキングアンプ１１１は、送られた指令値に基づいてブランキング電圧をブランキングアパーチャ２３に印加する。これによりブランキングが行なわれ、その結果、任意のパターンに成形されたビームが被処理物Ｗであるウェーハ上に一括照射される。
【００３２】
また、パターン生成回路８２により求められた電荷書込回路７０の制御にともない、ブランキングの他、ショットサイズ、照射エリアの形状変更を行なう指令値がレンズ制御回路８４に適宜送られる。レンズ制御回路８４は、各マイクロエミッタ型電子銃２０のエミッタ２１で生成されるビームサイズとパターンサイズとを適切な形状サイズに調整するために、適切なタイミングで、レンズアンプ１１２にレンズ励起条件の指令値を送る。レンズアンプ１１２は、この指令値によりレンズ励起条件を変更してレンズ２４と対物レンズ５３を適宜駆動する。
【００３３】
また、トラッキング制御回路８７は、ステージ制御回路８６より送られるトラッキング情報により、電子線の光路上の偏向器５４を制御して照射位置のトラッキング補正を行ない、ショットが高精度に繋がるようにビーム照射位置を制御する。
【００３４】
なお、ブランキング電圧として＋（プラス）Ｖを印加することで、ビーム偏向によるブランキングが行なえる。また、ブランキング電圧として− （マイナス）Ｖを印加することで、エミッタ先端の電界集中が緩和され、エミッションＯＦＦによるブランキングが行なえる。
【００３５】
次に、描画精度（ショット繋ぎ精度）について説明する。前述したようにパターンは各マイクロエミッタ型電子銃２０からの一括露光により、それぞれ別の時間に別のステージ位置での描画（ショット）が繰返されて、徐々に繋がってゆく。ショット間の繋ぎを高精度で行なうことは、微細配線描画では重要となる。本実施形態では、ＸＹステージ９１の移動時の現在位置を例えばレーザ干渉計を使った既知の方法により検出する。そして、この位置情報を元にトラッキング補正を行ない、トラッキング制御回路８７と電子線の経路中に設けた偏向器５４により、ビーム照射位置のトラッキング補正を実施することで、高精度なショット繋ぎ精度を確保している。
【００３６】
また、以上のように構成された電子線描画装置において、同一構成のマイクロエミッタ型電子銃２０を多数アレイ状に配置することで、予備のマイクロエミッタ型電子銃２０のアレイとして使用することも可能である。何らかの原因で、マイクロエミッタ型電子銃２０のうち故障したエミッタなどが生じた場合、エミッタレイおよび電荷書込回路を予備側に切り替えることで、即座に描画を再開することができるため、装置の解体／修理／調整などの事態を回避することが可能になる。
【００３７】
上述の実施の形態によれば、０．０５μｍデザインルール以上の任意パターン成形において、ビーム成形絞りをあらかじめ用意する必要が全く、無いマスクレス描画を可能にし、空間電荷効果による解像性の劣化を全く受けずに、すべて同一のスループットを確保することができる。
【００３８】
また、レジスト感度を低下させても必要十分なスループットを維持しうるため、ショットノイズあるいはカンタムノイズと呼ばれるような、現像処理後のレジスト・ラフネスに関与するような成形パターンのヨタリ不良を回避することが可能となり、微細配線パターンのリソグラフィの品位の向上が可能となる。
【００３９】
以上に説明したように、上述の各実施の形態によれば、空間電荷効果による解像度の低下を防止しつつ大電流ビームを用いて高解像度の描画を可能にする電子線描画装置を実現することができる。
【００４０】
図９は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の要部工程を表すフローチャートである。  
半導体メモリや演算回路などの半導体集積回路装置、あるいはトランジスタやダイオード、発光素子などのディスクリート半導体装置などを製造する際に、微細加工が可能なリソグラフィー・プロセスが用いられることが多い。本実施形態によれば、この微細加工プロセスを高精度かつ高スループットで実行できる。
【００４１】
例えば、半導体基板基板の表面に半導体層や絶縁層あるいは導電体層などが形成された被処理ウェーハを形成する（ステップＳ２００）。そして、この表面に感光性のフォトレジストを塗布する（ステップＳ２１０）。次に、このウェーハを本実施形態の電子線描画装置に導入しレジストに露光する（ステップＳ２２０）。すなわち、図１〜図８に関して前述した電子線描画装置において、マイクロエミッタ型電子銃から放出される電子線により露光する。前述したように、電子線描画装置の電荷蓄積部１０に蓄積された電荷を、一括して真空中に放出させ、任意形状の電子線パターンを得ることができる。この電子線パターンは、後段に設けられている縮小電子光学系により適当なサイズに縮小され、被処理物Ｗとしての被処理ウェーハ上においてレジストに照射されてこれを感光する。
【００４２】
しかる後に、レジストを現像（ステップＳ２３０）し、レジストのマスクを形成する。そして、このマスクを利用して被処理ウェーハを処理する（ステップＳ２４０）。具体的には、例えばマスクを利用して被処理ウェーハをエッチングし、所定の微細パターンを形成することができる。または、このマスクを利用してイオン注入法などにより、被処理ウェーハに選択的に不純物を導入することもできる。
【００４３】
本実施形態によれば、図１〜図８に関して前述した電子線描画装置を用いることにより、高い集積度を有する半導体集積回路や、微細な構造を有する各種の半導体装置を正確にかつ高スループットで製造することができる。
【００４４】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明はこの実施形態及びその具体例には限定されない。例えば、電子線描画装置を構成する各部の構造や配置、機能、動作、サイズなどについては、当業者が適宜選択したものも、本発明の要旨を含む限りにおいて本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態に係る電子線描画装置に設けられる電子線放出源の概念図である。
【図２】電子線放出源１の等価回路図である。
【図３】マイクロエミッタ型電子銃２０の動作を説明するための概念図である。
【図４】マイクロエミッタ型電子銃２０の構成をさらに詳細に表した模式図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る電子線描画装置における電子銃とビーム光学系の構成を例示する模式図である。
【図６】電子線描画装置の構造をさらに具体的に例示した概念図である。
【図７】電子線描画装置の構成を例示するブロック図である。
【図８】本実施形態の電子線描画装置の動作を例示するフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の要部工程を表すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４６】
１ 電子線放出源
１０ 電荷蓄積部
１２ ゲート・バス・ライン
１４ データ・バス・ライン
１６ スイッチング素子
２０ マイクロエミッタ型電子銃
２１ エミッタ
２２ グリッド
２３ ブランキングアパーチャ
２３ ブランキング電極
２４ 静電式レンズ
５３ 静電式主偏向対物レンズ
５４ 偏向器
７０ 電荷書込回路
７２ ゲート・ドライバ
７４ データ・ドライバ
８１ パターン設計データ
８２ パターン生成回路
８３ ブランキング制御回路
８４ レンズ制御回路
８５ エミッション制御回路
８６ ステージ制御回路
８７ トラッキング制御回路
９１ ステージ
１１１ ブランキングアンプ
１１２ レンズアンプ
１１３ 偏向器アンプ
【図１】
2007258305.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007258305.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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