(57)【要約】【課題】電子部品と配線回路基板との接着強度を向上させることができる配線回路基板用基材の製造方法、配線回路基板の製造方法および配線回路基板を提供することである。【解決手段】配線回路基板用基材１は、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２を用いて絶縁樹脂フィルム１０および金属箔２０をラミネートすることにより製造される。金属箔２０の表面には、クロムを含む防錆処理層が形成されている。ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度は３３０〜３９０℃に設定されている。絶縁樹脂フィルム１０と金属箔２０との接触時点の直前における金属箔２０とラミネートロールＬＲ１との接触時間（金属箔２０が位置ａから位置ｂまで移動するために要する時間）は、０．５〜４．０秒に設定されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムと金属箔との積層構造を有する配線回路基板用基材の製造方法であって、
前記絶縁フィルムと、クロム含有層を表面に有する金属箔とを、互いに近接する第１および第２のローラ間を通過させることにより貼り合わせる工程を備え、
当該工程において、前記第１および第２のローラの温度が３３０℃以上であり、前記絶縁フィルムと前記金属箔との接触時点の直前に前記金属箔と前記第１のローラとが０．５秒以上接触することを特徴とする配線回路基板用基材の製造方法。
【請求項２】
前記第１および第２のローラの温度が３９０度以下であることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板用基材の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁フィルムと前記金属箔との接触時点の直前における前記金属箔と前記第１のローラとの前記接触時間が４．０秒以下であることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板用基材の製造方法。
【請求項４】
前記クロム含有層は、前記金属箔上に順に積層される第１、第２および第３の層を含み、
前記第１の層は、ニッケル、モリブデンおよびコバルトを含み、
前記第２の層は、クロメート処理層であり、
前記第３の層は、シランカップリング剤処理層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板用基材の製造方法。
【請求項５】
絶縁フィルムと、クロム含有層を表面に有する金属箔とを、互いに近接する第１および第２のローラ間を通過させることにより貼り合わせる工程と、
前記金属箔を所定のパターンに加工する工程とを備え、
前記絶縁層と金属箔とを貼り合わせる工程において、前記第１および第２のローラの温度が３３０℃以上であり、前記絶縁フィルムと前記金属箔との接触時点の直前に前記金属箔と前記第１のローラとが０．５秒以上接触することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１および第２のローラの温度が３９０度以下であることを特徴とする請求項５記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁フィルムと前記金属箔との接触時点の直前における前記金属箔と前記第１のローラとの前記接触時間が４．０秒以下であることを特徴とする請求項５または６記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記クロム含有層は、前記金属箔上に順に積層される第１、第２および第３の層を含み、
前記第１の層は、ニッケル、モリブデンおよびコバルトを含み、
前記第２の層は、クロメート処理層であり、
前記第３の層は、シランカップリング剤処理層であることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁フィルム上に配線パターンを備え、
前記配線パターンは、前記絶縁フィルムと、クロム含有層を表面に有する金属箔とを、互いに近接する第１および第２のローラ間を通過させることにより貼り合わせた後に、前記金属箔を所定のパターンに加工することにより形成され、
前記第１および第２のローラの温度は３３０℃以上であり、前記絶縁フィルムと前記金属箔との接触時点の直前に前記金属箔と前記第１のローラとが０．５秒以上接触することを特徴とする配線回路基板。
【請求項１０】
前記金属箔を加工することにより露出する前記絶縁フィルムの表面におけるクロムの含有量が１．５ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする請求項９記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板用基材の製造方法、配線回路基板の製造方法および配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル家電および携帯電話等の電子機器の高機能化が進んでいる。それに伴い、電子部品が実装される配線回路基板の配線密度も高くなっており、電子部品の信頼性を向上させることが重要な課題である。
【０００３】
従来より、電子部品の端子と配線回路基板の端子との接着にはＡＣＦ（異方導電性フィルム）が用いられている。電子部品の信頼性を向上させるためには、このＡＣＦの接着強度を向上させる必要がある。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１に記載されているプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法においては、ポリイミドフィルム基板上にＩＣ（集積回路）を接合する場合、接合前に、酸素プラズマをポリイミドフィルムに照射している。それにより、基板表面が活性化され、ポリイミドフィルムとＡＣＦとの接合強度が向上することが記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１３６０８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１記載の方法では、プラズマ照射後、短時間で基板と電子部品とを圧着する必要がある。そのため、厳密な工程管理が必要になり、作業効率が低下する。また、プラズマ処理を行うための構成が必要になり、製造コストが増加する。
【０００６】
本発明の目的は、電子部品と配線回路基板との接着強度を向上させることができる配線回路基板用基材の製造方法、配線回路基板の製造方法および配線回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る配線回路基板用基材の製造方法は、絶縁フィルムと金属箔との積層構造を有する配線回路基板用基材の製造方法であって、絶縁フィルムと、クロム含有層を表面に有する金属箔とを、互いに近接する第１および第２のローラ間を通過させることにより貼り合わせる工程を備え、当該工程において、第１および第２のローラの温度が３３０℃以上であり、絶縁フィルムと金属箔との接触時点の直前に金属箔と第１のローラとが０．５秒以上接触するものである。
【０００８】
その配線回路基板用基材の製造方法においては、絶縁フィルムと金属箔とが第１および第２のローラにより貼り合わされる。第１および第２のローラの温度は３３０℃以上であり、絶縁フィルムと金属箔とが接触する前に、金属箔と第１のローラとが０．５秒以上接触する。この場合、絶縁フィルムと金属箔とを貼り合わせる際に、金属箔表面のクロム含有層のクロムが絶縁フィルムに転移することを防止することができる。すなわち、絶縁フィルムの表面のクロム含有量を少なくすることができる。
【０００９】
このようにして製造した配線回路基板用基材は、さらに加工することにより配線回路基板となる。詳細には、金属箔が所定のパターンに加工され、絶縁フィルム上に配線パターンが形成される。
【００１０】
ここで、上述したように、当該製造方法によって製造された配線回路基板用基材においては、金属箔を加工することによって露出する絶縁フィルムの表面のクロム含有量は少ない。
【００１１】
この場合、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）等の接着シートを用いて配線回路基板と電子部品とを接着する際に、金属箔を加工することにより露出した絶縁フィルムの表面とＡＣＦとの接続強度を向上させることができる。
【００１２】
それにより、配線回路基板と電子部品との接着強度を向上させることができる。その結果、電子機器が高温および高湿度環境で長時間使用される際にも、配線回路基板と電子部品との接着部が劣化することを防止することができ、電子機器の故障を防止することができる。
【００１３】
（２）第１および第２のローラの温度が３９０度以下であってもよい。この場合、配線回路基板用基材の製造時に、金属箔表面のクロム含有層のクロムが絶縁フィルムに転移することを確実に防止することができる。したがって、絶縁フィルムの表面のクロム含有量を十分に少なくすることができる。
【００１４】
（３）絶縁フィルムと金属箔との接触時点の直前における金属箔と第１のローラとの接触時間が４．０秒以下であってもよい。この場合、配線回路基板用基材の製造時に、金属箔表面のクロム含有層のクロムが絶縁フィルムに転移することを確実に防止することができる。したがって、絶縁フィルムの表面のクロム含有量を十分に少なくすることができる。
【００１５】
（４）クロム含有層は、金属箔上に順に積層される第１、第２および第３の層を含み、第１の層は、ニッケル、モリブデンおよびコバルトを含み、第２の層は、クロメート処理層であり、第３の層は、シランカップリング剤処理層であってもよい。
【００１６】
この場合、クロム含有層は防錆処理層として機能し、金属箔の腐食を防止することができる。それにより、配線回路基板用基材の信頼性を向上させることができる。
【００１７】
（５）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、絶縁フィルムと、クロム含有層を表面に有する金属箔とを、互いに近接する第１および第２のローラ間を通過させることにより貼り合わせる工程と、金属箔を所定のパターンに加工する工程とを備え、絶縁層と金属箔とを貼り合わせる工程において、第１および第２のローラの温度が３３０℃以上であり、絶縁フィルムと金属箔との接触時点の直前に金属箔と第１のローラとが０．５秒以上接触するものである。
【００１８】
その配線回路基板の製造方法においては、絶縁フィルムと金属箔とが第１および第２のローラにより貼り合わされる。その後、金属箔が所定のパターンに加工される。第１および第２のローラの温度は３３０℃以上であり、絶縁フィルムと金属箔とが接触する前に、金属箔と第１のローラとが０．５秒以上接触する。
【００１９】
この製造方法においては、絶縁フィルムと金属箔とを貼り合わせる工程において、金属箔表面のクロム含有層のクロムが絶縁フィルムに転移することを防止することができる。すなわち、絶縁フィルムの表面のクロム含有量を少なくすることができる。
【００２０】
この場合、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）等の接着シートを用いて配線回路基板と電子部品とを接着する際に、金属箔を加工することにより露出した絶縁フィルムの表面とＡＣＦとの接続強度を向上させることができる。
【００２１】
それにより、配線回路基板と電子部品との接着強度を向上させることができる。その結果、電子機器が高温および高湿度環境で長時間使用される際にも、配線回路基板と電子部品との接着部が劣化することを防止することができ、電子機器の故障を防止することができる。
【００２２】
（６）第１および第２のローラの温度が３９０度以下であってもよい。この場合、絶縁フィルムと金属箔とを貼り合わせる工程において、金属箔表面のクロム含有層のクロムが絶縁フィルムに転移することを確実に防止することができる。したがって、絶縁フィルムの表面のクロム含有量を十分に少なくすることができる。
【００２３】
（７）絶縁フィルムと金属箔との接触時点の直前における金属箔と第１のローラとの接触時間が４．０秒以下であってもよい。この場合、絶縁フィルムと金属箔とを貼り合わせる工程において、金属箔表面のクロム含有層のクロムが絶縁フィルムに転移することを確実に防止することができる。したがって、絶縁フィルムの表面のクロム含有量を十分に少なくすることができる。
【００２４】
（８）クロム含有層は、金属箔上に順に積層される第１、第２および第３の層を含み、第１の層は、ニッケル、モリブデンおよびコバルトを含み、第２の層は、クロメート処理層であり、第３の層は、シランカップリング剤処理層であってもよい。
【００２５】
この場合、クロム含有層は防錆処理層として機能し、金属箔の腐食を防止することができる。それにより、配線回路基板の信頼性を向上させることができる。
【００２６】
（９）第３の発明に係る配線回路基板は、絶縁フィルム上に配線パターンを備え、配線パターンは、絶縁フィルムと、クロム含有層を表面に有する金属箔とを、互いに近接する第１および第２のローラ間を通過させることにより貼り合わせた後に、金属箔を所定のパターンに加工することにより形成され、第１および第２のローラの温度は３３０℃以上であり、絶縁フィルムと金属箔との接触時点の直前に金属箔と第１のローラとが０．５秒以上接触するものである。
【００２７】
この配線回路基板は、絶縁フィルムと金属箔とを第１および第２のローラにより貼り合わせた後、金属箔を所定のパターンに加工することにより製造される。第１および第２のローラの温度は３３０℃以上であり、絶縁フィルムと金属箔とが接触する前に、金属箔と第１のローラとが０．５秒以上接触する。
【００２８】
この配線回路基板においては、絶縁フィルムと金属箔とを貼り合わせる際に、金属箔表面のクロム含有層のクロムが絶縁フィルムに転移することが防止されている。したがって、絶縁フィルムの表面のクロム含有量は少ない。
【００２９】
この場合、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）等の接着シートを用いて配線回路基板と電子部品とを接着する際に、金属箔を加工することにより露出した絶縁フィルムの表面とＡＣＦとの接続強度を向上させることができる。
【００３０】
それにより、配線回路基板と電子部品との接着強度を向上させることができる。その結果、電子機器が高温および高湿度環境で長時間使用される際にも、配線回路基板と電子部品との接着部が劣化することを防止することができ、電子機器の故障を防止することができる。
【００３１】
（１０）金属箔を加工することにより露出する絶縁フィルムの表面におけるクロムの含有量が１．５ａｔｏｍ％以下であってもよい。
【００３２】
この場合、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）等の接着シートを用いて配線回路基板と電子部品とを接着する際に、金属箔を加工することにより露出した絶縁フィルムの表面とＡＣＦとの接続強度を十分に向上させることができる。
【００３３】
それにより、配線回路基板と電子部品との接着強度を十分に向上させることができる。その結果、電子機器が高温および高湿度環境で長時間使用される際にも、配線回路基板と電子部品との接着部が劣化することを十分に防止することができ、電子機器の故障を確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、絶縁フィルムと金属箔とを貼り合わせる際に、金属箔表面のクロム含有層のクロムが絶縁フィルムに転移することを防止することができる。この場合、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）等の接着シートを用いて配線回路基板と電子部品とを接着する際に、金属箔を加工することにより露出した絶縁フィルムの表面とＡＣＦとの接続強度を向上させることができる。
【００３５】
それにより、配線回路基板と電子部品との接着強度を向上させることができる。その結果、電子機器が高温および高湿度環境で長時間使用される際にも、配線回路基板と電子部品との接着部が劣化することを防止することができ、電子機器の故障を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板用基材および配線回路基板について図面を用いて説明する。
【００３７】
（１）配線回路基板用基材
まず、配線回路基板用基材の製造方法について説明する。図１は、配線回路基板用基材の製造方法を説明するための図である。
【００３８】
図１に示すように、配線回路基板用基材１は、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２を用いて絶縁樹脂フィルム１０および金属箔２０をラミネートする（貼り合わせる）ことにより製造される。
【００３９】
絶縁樹脂フィルム１０としては、例えば、熱硬化性ポリイミドフィルムの表面に接着層として熱可塑性ポリイミド層を形成したものを用いることができる。なお、熱硬化性ポリイミドフィルムの厚さは、９〜５０μｍであることが好ましく、熱可塑性ポリイミド層の厚さは、１〜３μｍであることが好ましい。
【００４０】
金属箔２０としては、銅箔、アルミニウム箔またはニクロム箔等を用いることができる。また、金属箔２０の表面には、クロムを含む防錆処理層が形成されている。防錆処理層は、例えば、金属箔２０上に、ニッケル、モリブデンおよびコバルトからなる三元合金被覆層、クロメート処理層およびシランカップリング剤処理層を順に積層した構成を有する。
【００４１】
三元合金被覆層の厚さは、０．００１〜０．０３μｍであることが好ましい。三元合金被覆層におけるニッケルの含有量は、０．３〜１２μｇ／ｃｍ２  であることが好ましく、モリブデンの含有量は、０．３〜１０μｇ／ｃｍ２  であることが好ましく、コバルトの含有量は、０．３〜１０μｇ／ｃｍ２  であることが好ましい。また、防錆処理層におけるクロムの含有率は、例えば、０．１〜０．９μｇ／ｃｍ２  である。
【００４２】
ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の直径は、例えば、３８０ｍｍであり、回転速度は、０．５〜２．３ｍ／ｍｉｎである。また、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度は熱可塑性ポリイミド層のガラス転移温度以上であることが好ましく、例えば、３３０℃以上であることが好ましく、３３０〜３９０℃であることがより好ましい。なお、熱可塑性ポリイミド層のガラス転移温度は、２３５〜３００℃である。
【００４３】
また、ラミネート前の絶縁樹脂フィルム１０と金属箔２０との間の角度θ（図１）は１．３〜１７．０°であることが好ましい。また、図１に示すように、金属箔２０は位置ａにおいてラミネートローラＬＲ１の外周面と接触し、位置ｂにおいて絶縁樹脂フィルム１０と金属箔２０とがラミネートされるが、金属箔２０が位置ａから位置ｂまで移動するために要する時間は、０．５秒以上であることが好ましく、０．５〜４．０秒であることがより好ましい。
【００４４】
（２）配線回路基板
次に、配線回路基板の製造方法について説明する。配線回路基板は、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法またはセミアディティブ法を用いて製造される。以下、一例としてサブトラクティブ法を用いた配線回路基板の製造方法について図面を用いて説明する。
【００４５】
図２および図３は、サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【００４６】
図２（ａ）に示すように、まず、図１で説明した方法で製造した配線回路基板用基材１を用意する。
【００４７】
次に、図２（ｂ）に示すように、金属箔２０上に所定のパターンを有するエッチングレジスト３０を形成する。エッチングレジスト３０は、例えば、ドライフィルムレジスト等により金属箔２０上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を所定のパターンで露光し、その後、現像することにより形成される。
【００４８】
次に、図２（ｃ）に示すように、エッチングにより、エッチングレジスト３０の下の領域を除く金属箔２０の領域を除去する。次に、図３（ｄ）に示すように、エッチングレジスト３０を剥離液により除去する。これにより、金属箔２０からなる配線パターン４０が形成される。
【００４９】
次に、図３（ｅ）に示すように、配線パターン４０を覆うように電解金めっき層５０を形成する。これにより、配線回路基板１００が完成する。
【００５０】
なお、上記においては、配線回路基板用基材１の上面に配線パターン４０を形成した場合について説明したが、絶縁樹脂フィルム１０の両面に金属箔２０をラミネートし、配線回路基板用基材１の両面に配線パターン４０を形成してもよい。
【００５１】
（３）効果
以上のように、本実施の形態においては、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を熱可塑性ポリイミド層のガラス転移温度以上（３３０〜３９０℃）に設定し、ラミネート前に金属箔２０をラミネートローラＬＲ１に０．５〜４．０秒間接触させている。それにより、金属箔２０表面に形成された防錆処理層のクロムが絶縁樹脂フィルム１０に転移することを防止することができる。その結果、配線パターン４０を形成することにより露出する絶縁樹脂フィルム１０の表面において、クロムの含有量を１．５ａｔｏｍ％（原子％）以下にすることができる。
【００５２】
この場合、配線回路基板１００上にＡＣＦを介して電子部品を接着する際に、配線回路基板１００とＡＣＦとの接続強度を向上させることができる。それにより、配線回路基板１００と電子部品との接着強度を向上させることができる。その結果、電子機器が高温および高湿度環境で長時間使用される際にも、配線回路基板１００と電子部品との接着部が劣化することを防止することができ、電子機器の故障を防止することができる。
【００５３】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００５４】
上記実施の形態では、絶縁樹脂フィルム１０が絶縁フィルムに相当し、防錆処理層がクロム含有層に相当し、ラミネートローラＬＲ１が第１のローラに相当し、ラミネートローラＬＲ２が第２のローラに相当し、三元合金被覆層が第１の層に相当する。
【実施例】
【００５５】
実施例および比較例の配線回路基板１００を作製し、ＡＣＦとの接続強度について評価を行った。なお、絶縁樹脂フィルム１０としては、株式会社カネカ製の接着層つき絶縁樹脂シート（商品名：ピクシオＨＣ１４２、膜厚：２５μｍ）を用い、金属箔２０としては、日本電解株式会社製の銅箔（商品名：ＵＳＬＰＳＥ、膜厚：１２μｍ）を用いた。
【００５６】
（実施例）
実施例１では、図１〜図３で説明した方法において、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を３４０．０℃、回転速度を２．０ｍ／ｍｉｎ、ラミネート前の絶縁樹脂フィルム１０と金属箔２０との間の角度θ（図１参照）を７．９９°、ラミネート前における金属箔２０とラミネートローラＬＲ１との接触長さ（図１のラミネートローラＬＲ１の外周上での位置ａから位置ｂまでの長さ）を２６．５０ｍｍ、ラミネート前における金属箔２０とラミネートローラＬＲ１との接触時間（図１において金属箔２０が位置ａから位置ｂまで移動するために要する時間）を０．８０秒とした。
【００５７】
実施例２では、同様の方法で、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を３６５．０℃、回転速度を２．０ｍ／ｍｉｎ、上記角度θを７．９９°、上記接触長さを２６．５０ｍｍ、上記接触時間を０．８０秒とした。
【００５８】
実施例３では、同様の方法で、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を３８５．０℃、回転速度を２．０ｍ／ｍｉｎ、上記角度θを７．９９°、上記接触長さを２６．５０ｍｍ、上記接触時間を０．８０秒とした。
【００５９】
実施例４では、同様の方法で、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を３６５．０℃、回転速度を１．０ｍ／ｍｉｎ、上記角度θを７．９９°、上記接触長さを２６．５０ｍｍ、上記接触時間を１．５９秒とした。
【００６０】
実施例５では、同様の方法で、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を３６５．０℃、回転速度を０．５ｍ／ｍｉｎ、上記角度θを７．９９°、上記接触長さを２６．５０ｍｍ、上記接触時間を３．１８秒とした。
【００６１】
なお、配線回路基板１００の端子部分における配線パターン４０の幅は５０μｍであり、配線パターン４０間の距離は５０μｍである。
【００６２】
（比較例）
比較例１においては、同様の方法で、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を３６５．０℃、回転速度を２．５ｍ／ｍｉｎ、上記角度θを１．３６°、上記接触長さを４．５１ｍｍ、上記接触時間を０．１１秒とした。
【００６３】
比較例２においては、同様の方法で、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を３２０．０℃、回転速度を２．０ｍ／ｍｉｎ、上記角度θを１．３６°、上記接触長さを４．５１ｍｍ、上記接触時間を０．１４秒とした。
【００６４】
比較例３においては、同様の方法で、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を３２０．０℃、回転速度を２．０ｍ／ｍｉｎ、上記角度θを７．９９°、上記接触長さを２６．５０ｍｍ、上記接触時間を０．８０秒とした。
【００６５】
表１に、実施例および比較例の配線回路基板１００の作製条件を示す。
【００６６】
【表１】
2007329259.tif 000003
【００６７】
（評価）
上記のようにして作製した実施例および比較例の配線回路基板１００のＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）分析および接着強度測定を行い、分析結果および測定結果について考察を行った。
【００６８】
（１）ＥＳＣＡ分析
まず、ＥＳＣＡ分析の結果について説明する。なお、ＥＳＣＡ分析においては、アルバック・ファイ社製のＱｕａｎｔｕｍ２０００を用いた。
【００６９】
ＥＳＣＡ分析においては、Ｃ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｐ（リン）、Ｓ（硫黄）、Ｃｌ（塩素）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｕ（銅）、Ｂｒ（臭素）およびＭｏ（モリブデン）が検出された。
【００７０】
上記検出された元素の合計量に対するＣｒの含有率は、実施例１が１．２ａｔｏｍ％、実施例２が０．２ａｔｏｍ％、実施例３が０．３ａｔｏｍ％、実施例４が０．１ａｔｏｍ％未満、実施例５が０．１ａｔｏｍ％未満、比較例１が２．６ａｔｏｍ％、比較例２が２．３ａｔｏｍ％、比較例３が２．０ａｔｏｍ％であった。
【００７１】
（２）接着強度測定
次に、接着強度測定について説明する。接着強度測定においては、ＪＩＳ−Ｃ６４７１に準じてピール強度を測定した。
【００７２】
図４は、ピール強度の測定方法を説明するための図である。図４に示すように、接着強度測定においては、実施例１〜５および比較例１〜３の配線回路基板１００を１ｃｍ幅で作製し、端子部分（長さ０．２５ｃｍ）をＡＣＦによりガラス基板ＧＳに接着した。そして、接着した配線回路基板１００を、ガラス基板ＧＳに対して垂直な方向に５０ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で引き剥がしてピール強度を測定した。なお、接着強度測定において用いた配線回路基板１００の端子部分には電解金めっき層を形成している。
【００７３】
また、ピール強度は、接着後、温度および湿度の変化を加えない状態（初期状態）の配線回路基板１００、接着後８０℃、９５％ＲＨ雰囲気中に２４時間放置した状態の配線回路基板１００、および接着後８０℃、９５％ＲＨ雰囲気中に１０００時間放置した状態の配線回路基板１００についてそれぞれ測定した。
【００７４】
その結果、実施例１の初期状態のピール強度は１０．２Ｎ／ｃｍであり、上記２４時間後のピール強度は８．７Ｎ／ｃｍであり、上記１０００時間後のピール強度は８．７Ｎ／ｃｍであった。
【００７５】
以下同様に、実施例２の初期状態のピール強度は１０．２Ｎ／ｃｍであり、２４時間後のピール強度は９．４Ｎ／ｃｍであり、１０００時間後のピール強度は８．９Ｎ／ｃｍであった。
【００７６】
実施例３の初期状態のピール強度は９．５Ｎ／ｃｍであり、２４時間後のピール強度は９．０Ｎ／ｃｍであり、１０００時間後のピール強度は８．２Ｎ／ｃｍであった。
【００７７】
実施例４の初期状態のピール強度は１０．４Ｎ／ｃｍであり、２４時間後のピール強度は８．９Ｎ／ｃｍであり、１０００時間後のピール強度は８．８Ｎ／ｃｍであった。
【００７８】
実施例５の初期状態のピール強度は９．５Ｎ／ｃｍであり、２４時間後のピール強度は８．９Ｎ／ｃｍであり、１０００時間後のピール強度は８．４Ｎ／ｃｍであった。
【００７９】
比較例１の初期状態のピール強度は８．３Ｎ／ｃｍであり、２４時間後のピール強度は２．３Ｎ／ｃｍであり、１０００時間後のピール強度は２．１Ｎ／ｃｍであった。
【００８０】
比較例２の初期状態のピール強度は９．０Ｎ／ｃｍであり、２４時間後のピール強度は４．２Ｎ／ｃｍであり、１０００時間後のピール強度は３．５Ｎ／ｃｍであった。
【００８１】
比較例３の初期状態のピール強度は８．９Ｎ／ｃｍであり、２４時間後のピール強度は４．７Ｎ／ｃｍであり、１０００時間後のピール強度は３．８Ｎ／ｃｍであった。
【００８２】
表２に、ＥＳＣＡ分析結果（Ｃｒの含有率）および接着強度（ピール強度）の測定結果を示す。
【００８３】
【表２】
2007329259.tif 000004
【００８４】
（３）考察
表２に示すように、比較例１〜３の配線回路基板１００のピール強度は、実施例１〜５の配線回路基板１００のピール強度に比べて低くなっている。特に、８０℃、９５％ＲＨ雰囲気中に２４時間および１０００時間放置した配線回路基板１００のピール強度は大幅に低下している。このことから、比較例１〜３の配線回路基板１００とＡＣＦとの接続強度は、実施例１〜５の配線回路基板１００とＡＣＦとの接続強度に比べて大幅に低下していることが考えられる。
【００８５】
ここで、表２に示すように、比較例１〜３においては、実施例１〜５に比べて、絶縁樹脂フィルム１０の表面の露出する領域のクロム（Ｃｒ）の含有量が多い。それにより、比較例１〜３の配線回路基板１００のピール強度が低下したと考えられる。
【００８６】
ところで、絶縁樹脂フィルム１０の表面のクロムの含有量が多くなった原因としては、表１に示すように、比較例１においては、実施例１〜５に比べて、ラミネート前における金属箔２０とラミネートローラＬＲ１との接触時間が短いことが影響していると考えられる。
【００８７】
また、比較例２においては、実施例１〜５に比べて、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度が低く、ラミネート前における金属箔２０とラミネートローラＬＲ１との接触時間が短いことが影響していると考えられる。
【００８８】
また、比較例３においては、実施例１〜５に比べて、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度が低いことが影響していると考えられる。
【００８９】
したがって、ラミネートローラＬＲ１，ＬＲ２の温度を適温に設定するとともに、ラミネート前における金属箔２０とラミネートローラＬＲ１との接触時間を十分に確保することにより、金属箔２０に含有されるクロムが絶縁樹脂フィルム１０に転移することを防止することができると考えられる。それにより、絶縁樹脂フィルム１０の表面の露出する領域のクロムの含有量を低下させることができると考えられる。その結果、配線回路基板１００のピール強度を向上させることができると考えられる。すなわち、配線回路基板１００とＡＣＦとの接続強度を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は電子部品が実装される種々の配線回路基板およびその基材に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】配線回路基板用基材の製造方法を説明するための図である。
【図２】サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図３】サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図４】ピール強度の測定方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００９２】
１    配線回路基板用基材
１０    絶縁樹脂フィルム
２０    金属箔
３０    エッチングレジスト
４０    配線パターン
５０    電解金めっき層
１００    配線回路基板
ＬＲ１，ＬＲ２    ラミネートローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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