(57)【要約】【課題】レーザー光の出力及びビーム品質を向上させる。【解決手段】ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４の層構造の上に、ＩｎＰクラッド層１５及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１６からなり、線幅３０μｍ、曲率６８０μｍ（曲率＜光導波路の路幅×２５）のリッジなＳ字構造の光導波路２５が設けられた層構造を備えている。【選択図】図１
2007251064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、少なくともＮ型高屈折率層と活性層とＰ型高屈折率層と該Ｐ型高屈折率層より屈折率の低いＰ型クラッド層とが前記半導体基板側から順に積層された層構造を有し、前記層構造の少なくとも一層が、曲率ｒが下記式を満たし、２つ以上のモードがたつ線幅の曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造を有する半導体レーザー装置。
曲率ｒ ＜ 導波構造の線幅×２５    ・・・式
【請求項２】
前記線幅が、１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザー装置。
【請求項３】
前記層構造は、半導体レーザー構造に形成されたレーザー部位と、前記レーザー部位から入射された光を増幅する半導体光増幅器構造に形成された光増幅部位とを含む複合構造に構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザー装置。
【請求項４】
前記レーザー部位及び前記光増幅部位の少なくとも一方が、前記曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザー装置。
【請求項５】
前記レーザー部位が前記曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造を有し、前記光増幅部位が前記レーザー部位から離れる方向に漸次的に広幅になっていることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体レーザー装置。
【請求項６】
前記Ｐ型クラッド層の半導体基板から離れた側にコンタクト層を更に有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項７】
半導体レーザー構造に形成された前記レーザー部位は回折格子を含むことを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項８】
半導体レーザー構造に形成された前記レーザー部位の端面及び半導体光増幅器構造に形成された前記光増幅部位の端面の少なくとも一つは、導波構造の、前記層構造の積層方向と直交する幅方向における中心線に対して傾斜していることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項９】
前記導波構造は、電流注入領域と電流非注入領域とを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項１０】
前記曲線部位は、導波構造の、前記層構造の積層方向と直交する幅方向における中心線から外周寄りの領域の少なくとも一部に、電極を有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザー装置。
【請求項１１】
前記半導体基板が単一の基板で構成された半導体チップであり、該半導体チップの上に、曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造が設けられた層構造を複数有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体レーザー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザー装置に関し、詳しくは、導波構造を有する高出力型の半導体レーザー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体レーザーは、種々の形態のメディアを構成する光源として広く使用されている。そして、種々の用途に適用し得るように、半導体レーザーは高出力化と小型化が図られている。
【０００３】
ところが、半導体レーザーは、レーザー出力を高めていくに伴なって、レーザービームがマルチモード化してしまい、ビーム品質が悪化することが知られている。
【０００４】
そこで、光増幅器を用いた高出力化が広く行なわれており、例えば、出力されたレーザー光のモード（光強度）と利得領域とが一致するようにして、単一モードに発振する分布帰還形半導体レーザーのレーザー光を光増幅器を用いて増幅することにより、高出力で高ビーム品質のレーザー光を得ようとする技術が開示されている（例えば、特許文献１及び非特許文献１参照）。
【特許文献１】特許３３０６１０４号
【非特許文献１】ＩＥＥＥ  ＰＨＯＴＯＮ．ＴＥＣＨ．ＬＥＴＴ．VOL.9 1997 pp.440-442
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、光増幅器を用いて光を増幅する構成にしても、高出力を得るために増幅を繰り返し行なうと、ビーム品質の悪化を招く。
【０００６】
また、半導体レーザーを高出力化した場合、端面発光型の発光デバイスでは、光を取り出す光取り出し口での光強度が強くなるため、端面で発熱し、発熱により発光効率は低下する。そのため、所望の光強度を得ようと電流値を高めると、さらに端面が発熱することになり、更なる発熱によって発光効率は更に低下するといった悪循環が継続し、ひいては端面から破壊してしまう。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みなされたものであり、レーザー光の発光効率が高く、ビーム品質の良好なレーザー光が得られる高出力型の半導体レーザー装置を提供することを目的とし、該目的を達成することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ビームがマルチモード化する幅に光導波路が構成されている場合に、ビーム品質を悪化させる不要なモードの臨海角を超える曲率をもつ曲線部分を光導波路に設ける構成が、光伝播の途中で不要モードの漏れを意図的に生じさせ、ビームの高品質化を図るのに有効であるとの知見を得、かかる知見に基づいて達成されたものである。
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明の半導体レーザー装置は、半導体基板上に、少なくともＮ型高屈折率層と活性層とＰ型高屈折率層と該Ｐ型高屈折率層より屈折率の低いＰ型クラッド層とが前記半導体基板側から順に積層された層構造を有し、前記層構造の少なくとも一層が、曲率ｒ（μｍ）が下記式を満たし、２つ以上のモードがたつ線幅の曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造を有する構成としたものである。
曲率ｒ ＜ 導波構造の線幅（μｍ）×２５    ・・・式
【００１０】
ここで、曲率ｒとは、曲線部位のカーブの程度を表す量であり、曲線すなわち曲がった線分を半径ｒ'の円の一部と考えたときに１／ｒ'で表される値（円周の曲率）であり、カーブがきついほど曲率は大きくなる。
また、線幅とは、層構造における導波構造の、層構造の積層方向と直交する平面方向における幅である。
【００１１】
本発明の半導体レーザー装置においては、少なくとも上記の４層で構成された層構造中の一層もしくは二層以上を所定の幅及び曲線部位を持つ導波構造を有する構成、具体的には、２つ以上のモードがたつ線幅に構成された導波構造に曲線部位を設け、この曲線部位を「曲率ｒ＜導波構造の線幅×２５」の関係を満たす曲率に構成することで、曲線部位では反射により伝播していく光の入射角が直線構造の場合と異なり、一般にビームが導波構造を伝播するときには内部壁面への浅い角度での入射、反射を繰り返しながら伝播する基本モードに比べ高次モードは反射面に入射する入射角θbが大きいことから、高次モードの入射角θbが光が反射する限界の角度である臨界角θを超え、曲線部位を伝播する過程で高次モードは導波構造から外へ漏れ出て選択的に除かれるので、高次モードを抑えた高品質なビームが得られる。
すなわち、導波構造を広幅に構成して高出力化する場合に、マルチモード化してビーム品質が悪化するのを抑制し、高出力で高品質のビームを得ることができる。
【００１２】
上記の導波構造に設けられた曲線部位の線幅は、１０μｍ以上であることが効果的である。すなわち、線幅が１０μｍ以上であると、高出力化に有効であると共に、基本モードを含む２つ以上のモードがたちやすく、高次モードを除いて基本モードの高品質ビームを得るのに効果的である。
【００１３】
本発明の半導体レーザー装置を構成する層構造は、レーザーを発振する半導体レーザー構造に形成されたレーザー部位と、レーザー部位から入射された光を増幅する半導体光増幅器構造に形成された光増幅部位とが設けられた複合構造に構成することができる。
複合構造に構成することで、高出力で高品質のビームが得られる半導体レーザー装置の小型化を図るのに有効である。
【００１４】
本発明の半導体レーザー装置では、レーザー部位と光増幅部位とのいずれか一方あるいは両方に、上記した曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造を有する構成とすることができる。
特にレーザー部位に、曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造を形成すると共に、光増幅部位をその形状がレーザー部位に近い側から離れる方向に向かって漸次的に広幅（層構造の積層方向と直交もしくは略直交する面に沿って広幅）になるように構成することが望ましい。
【００１５】
光を発振するレーザー部位の領域内で高次モードを抑えた基本モードを主とする高品質のビームを得て、高品質化されたビームを漸次的に広幅になる光増幅部位で増幅することができる。したがって、高次モードの伝播、増幅を抑えつつ、モードのきれいなビームを選択的に増幅して、高品質のビームをより高出力に得ることができる。
【００１６】
層構造を構成するＰ型クラッド層の半導体基板から離れた側には、更にコンタクト層を設けることができる。この場合、例えばＰ型クラッド層とコンタクト層とで曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造が形成された層構造を構成することができる。
【００１７】
半導体レーザー構造に形成されたレーザー部位には、横高次モードの抑制のため、回折格子を設けた構成とすることが有効である。レーザー部位に回折格子を設けることで、導波構造の長い方向のモードも抑制することができる。
【００１８】
半導体レーザー構造に形成されたレーザー部位の端面及び半導体光増幅器構造に形成された光増幅部位の端面の少なくとも一つは、光導波路の、層構造の積層方向と直交する幅方向中心を通る中心線に対して傾斜する（≠９０°）ように設けられていることが望ましい。
【００１９】
レーザー部位の端面（及び光増幅部位の端面の少なくとも一つが、光導波路の路幅方向の中心を通る中心線に対して傾斜していることで、各部位の端面反射率が著しく低下するので、レーザー出力時に、例えばレーザー部位から出射したレーザー光が光増幅部位に入射するときに光増幅部位のレーザー部位側端面で反射したり、光増幅部位のレーザー部位側端面と反対側の端面で反射する等を防止することができ、反射により光導波路の光伝播方向と逆方向に戻る戻り光が低減されると共に、外部の光学部品からの戻り光が光導波路に結合するのを防止できる。高出力化に効果的である。
また、ファブリペロモードが著しく抑圧され、シングルモード動作が良好になるほか、製造工程上、無反射コーティングの工程を省くことが可能になり、低コスト化の点でも有用である。
【００２０】
前記導波構造が、電流注入領域と電流非注入領域とを有する構成が望ましい。例えば光増幅部位のレーザー出射端面に電流非注入領域を設けることにより、高出力化を図りつつ、出射端の端面破壊を防止することができる。
【００２１】
また、導波構造の曲線部位には、導波構造の、層構造の積層方向と直交する幅方向における中心線から外周寄り（outside）の領域の少なくとも一部に、電極を設けた形態が好ましい。曲線部位の幅方向中心から外周寄り（円の外側寄り）を選択して電極を設け、電極が設けられた領域から内周寄り（inside）に電極を形成しない領域を設けることで、基本モードの光強度分布が曲線部位の幅方向中心から外周寄りに形成されるので、基本モードに利得を与えると同時に高次モードに損失を与えることが可能になる。
【００２２】
さらに、本発明の半導体レーザー装置は、半導体基板として単一の基板で構成された半導体チップを用い、この単一の半導体チップの上に、曲線部位を少なくとも一つ含む導波構造が設けられた複数の層構造を設ける（レーザー部位及び光増幅部位の複合構造を有する場合を含む）ことによって、アレイ光源として好適に構成することが可能である。
同一の半導体チップ上に複数を集積することで小型化することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、レーザー光の発光効率が高く、ビーム品質の良好なレーザー光が得られる高出力型の半導体レーザー装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明の半導体レーザー装置の実施形態について詳細に説明すると共に、該説明を通じてアレイ光源についても述べる。
【００２５】
（第１実施形態）
本発明の半導体レーザー装置の第１実施形態を図１〜図２を参照して説明する。本実施形態の半導体レーザー装置は、半導体基板上に設けられたＰ型クラッド層に隣接して更にコンタクト層を設け、Ｐ型クラッド層とコンタクト層とをＳ字状の曲線構造に形成して重ね、レーザー光を伝播する光導波路に構成したものである。
【００２６】
本実施形態の半導体レーザー装置は、図１に示すように、Ｎ型のＩｎＰ基板（Ｓドープ、キャリア濃度１０18cm-3）１１の上に順次、厚み０．２μｍのＩｎＧａＡｓＰガイド層（キャリア濃度１０17cm-3；Ｎ型高屈折率層）１２と、厚み０．３μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層（キャリア濃度０cm-3）１３と、厚み０．２μｍのＩｎＧａＡｓＰガイド層（キャリア濃度１０17cm-3；Ｐ型高屈折率層）１４とが積層されており、このＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上には、さらにＳ字形状にして、ＩｎＰクラッド層（Ｚｎドープ、キャリア濃度１０17cm-3；Ｐ型クラッド層）１５及びＩｎＧａＡｓコンタクト層（高濃度Ｚｎドープ、キャリア濃度１０18cm-3）１６がリッジ状に積層された層構造となっている。
【００２７】
ＩｎＰクラッド層１５及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１６をリッジに積層してなるＳ字形状の曲線部位は、層構造の積層方向と直交する平面方向における線幅ｗを３０μｍとし、Ｓ字の各曲部の曲率ｒを、基本モードのみの反射が可能なように６８０μｍとした構造であり、光を伝搬する光導波路として機能すると共に、Ｓ字部の２つの曲部において高次モードを漏洩させて、基本モードを選択的に反射させて伝搬できるようになっている（以下、Ｓ字形状の曲線部位を光導波路２５ということがある。）。
線幅ｗとしては、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましく、１００μｍ以上が更に好ましく、２００μｍ以上が特に好ましい。
【００２８】
上記したように、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上に、光導波路として、ＩｎＰクラッド層１５とＩｎＧａＡｓコンタクト層１６とを重ねてリッジなＳ字構造を設けることにより、電圧を印加したときに活性層の光はリッジ状に設けられた光導波路３０側に利得領域が移って光導波路２５に沿って伝播し、低反射層がコートされた片側の端面から出射されるが、このとき、高次モード（破線）は図２−（ａ）に示すように、路内壁面に入射角θaで入射する基本モード（実線）よりも深い入射角θb（θb＞θa）で壁面に入射後、反射して光導波路内を伝搬する。そのため、光導波路２５のＳ字形状の曲線部位に達すると、直線部位では閉じ込められていた入射角の深い高次モードは、図２−（ｃ）に示すように、曲線部位では入射角が臨界角θを超え、光導波路から漏洩して伝播できなくなって除かれる。基本モードは、図２−（ｂ）に示すように、光が反射する限界の角度である臨界角θを超えないので、曲線部位で漏れずに直線部位と同様に反射して伝搬され、光導波路の路幅を広幅にして高出力が得られると共に、高次モードを抑えて高品質のビームを出射することができる。
【００２９】
ＩｎＰ基板１１は、硫黄ドープのＩｎＰで構成された層であり、ＩｎＰ以外に、ＧａＡｓなどを用いて構成することができる。
【００３０】
ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４はいずれも、活性層１３の光を閉じ込めて伝播させ得る高屈折率層であり、それぞれＮ型、Ｐ型の性質を有している。これらのガイド層は、ＩｎＧａＡｓＰ以外に、ＡｌＧａＡｓなどを用いて構成することができる。
【００３１】
ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３は、電圧を印加したときに光を発生する層であり、光の進行方向に沿って周期構造を設けた量子井戸構造（不図示）を有している。この活性層は、ＩｎＧａＡｓ以外に、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＰなどを用いて構成することができる。
【００３２】
ＩｎＰクラッド層１５は、ＺｎドープのＩｎＰで構成された層であり、ＩｎＰ以外に、ＡｌＧａＡｓなどを用いて構成することができる。
また、ＩｎＧａＡｓコンタクト層１６は、Ｚｎを高濃度にドープしたＩｎＧａＡｓで構成された層であり、ＩｎＧａＡｓ以外に、ＧａＡｓなどを用いて構成することができる。
【００３３】
上記のように、Ｓ字形状にリッジに形成されたＩｎＧａＡｓコンタクト層１６の表面には、さらにＳ字形状に沿って、蒸着形成されたＰｔ膜５０ｎｍの上にＴｉ１００ｎｍを蒸着しその上に更にＡｕ１００ｎｍを蒸着した金属多層膜（Ｐｔ／Ｔｉ／Ａｕ膜）のＰ電極１７が形成されている。
Ｐ電極１７を構成する電極材料には、Ｐｔ／Ｔｉ／Ａｕ膜以外に、Ｔｉ／Ａｕ膜などの多層膜を用いることができる。
【００３４】
ＩｎＰ基板１１のガイド層や活性層等が設けられていない側には、蒸着形成されたＴｉ膜５０ｎｍの上にＡｕ１００ｎｍを蒸着した金属多層膜（Ｔｉ／Ａｕ膜）のＮ電極１８が形成されている。
Ｎ電極１８を構成する電極材料には、Ｔｉ／Ａｕ膜以外に、Ｐｔ／Ｔｉ／Ａｕ膜などの多層膜を用いることができる。
【００３５】
上記のように、Ｎ電極１８／ＩｎＰ基板１１／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４／ＩｎＰクラッド層１５／ＩｎＧａＡｓコンタクト層１６／Ｐ電極１７を積層して形成された半導体層構造の一方の端面には、図１に示すように、層構造内を伝播する光の波長との関係で低反射率の低反射層１９がコーティングされ、他方の端面には光の波長との関係で高反射率の高反射層２０がコーティングされており、層構造内の光が低反射層１９側に向かって伝播し出力されるように構成されている。
【００３６】
次に、本実施形態の半導体レーザー装置の作製方法について説明する。
−１）基板上への各層の形成−
Ｎ型のＩｎＰ基板（Ｓドープ、キャリア濃度１０18cm-3）を用意し、このＩｎＰ基板を５００〜７００℃に加熱して、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法；キャリアガス：水素（Ｈ2）、原料ガス：トリメチルガリウム（以下、ＴＭＧａと略記する）、トリメチルインジウム（以下、ＴＭＩｎと略記する）、ターシャルブチルホスフィン（以下、ＴＢＰと略記する）、ターシャルブチルアルシン（以下、ＴＢＡｓと略記する））を用いた常法により、図１に示すように、ＩｎＰ基板１１上に厚み０．２μｍのＮ型のＩｎＧａＡｓＰガイド層（キャリア濃度１０17cm-3）１２を成長させる。
【００３７】
ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）は、半導体レーザ等の生産に一般に用いられる化合物体の薄膜成長法である。原料ガスには、主に液体の有機金属（例えば、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＢＰ、ＴＢＡｓ）を用い、キャリアガス〔例えば水素（Ｈ2）〕でバブリングして気体として反応室に供給する。原料ガスは、５００〜７００℃に加熱された基板上で分解し、基板上に薄膜が成長される。
【００３８】
続いて、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２の形成後に連続して、前記同様に５００〜７００℃に加熱しつつ、ＭＯＣＶＤ法〔キャリアガス：水素（Ｈ2）、原料ガス：ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＢＰ、ＴＢＡｓ〕を用いた常法により、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２上に、厚み０．３μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層（キャリア濃度０cm-3）１３を成長させ、引き続いて、連続してＩｎＧａＡｓＰ活性層１３上に、ＭＯＣＶＤ法〔キャリアガス：水素（Ｈ2）、原料ガス：ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＢＰ、ＴＢＡｓ〕を用いた常法により、厚み０．２μｍのＰ型のＩｎＧａＡｓＰガイド層（キャリア濃度１０17cm-3）１４を成長させて積層する。
【００３９】
ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上に、ＭＯＣＶＤ法〔キャリアガス：水素（Ｈ2）、原料ガス：ＴＭＩｎ、ＴＢＰ〕を用いた常法により、厚み１μｍのＩｎＰクラッド層（Ｚｎドープ、キャリア濃度１０17cm-3）１５を更に結晶成長させる。引き続いて、ＩｎＰクラッド層１５上にＭＯＣＶＤ法〔キャリアガス：水素（Ｈ2）、原料ガス：ＴＭＩｎ、ＴＢＡｓ、ＴＭＧａ〕を用いた常法により、ＩｎＧａＡｓコンタクト層（高濃度Ｚｎドープ、キャリア濃度１０18cm-3）１６を積層し、ＩｎＰ基板上に５層からなる層構造を形成した。
【００４０】
−２）光導波路の形成−
上記より形成された層構造のＩｎＧａＡｓコンタクト層１６の表面に、半導体製造工程で一般に用いられるフォトリソグラフィ法により、光導波路となるＳ字状の領域以外の領域が露出するようにパターニングしてフォトレジスト膜を形成する。
このフォトレジスト膜をマスクとして、塩素ガスを用いたドライエッチング法により、光導波路を形成しようとするＳ字状の領域以外の領域のＩｎＧａＡｓコンタクト層１６及びＩｎＰクラッド層１５をＩｎＧａＡｓＰガイド層１４が露出するまでエッチングし、図１に示すように、曲線部分が２箇所あるＳ字形状に段差をつけてリッジ構造に構成された光導波路２５を形成する。この光導波路２５は、ＩｎＰクラッド層１５とＩｎＧａＡｓコンタクト層１６とで構成されている。
その後、残存するフォトレジスト膜をアセトン（有機溶剤）又はレジスト剥離液を用いて除去する。
【００４１】
−３）電極の形成−
次に、層構造に設けられた光導波路２５の表面（すなわちＳ字状のＩｎＧａＡｓコンタクト層１６の表面）及び露出したＩｎＧａＡｓＰガイド層１４の表面の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜（絶縁膜）を形成し、半導体製造工程で一般に用いられるフォトリソ法により、電極窓をパターニングし、光導波路２５の表面のみを緩衝フッ酸（ＨＦ）を用いてエッチングする。なお、プラズマＣＶＤ法でＳｉＯ2膜を形成するようにしてもよい。
【００４２】
そして、半導体製造工程で一般に用いられるフォトリソ法により、Ｐ電極リフトオフ用にレジストパターンを光導波路２５の領域以外の領域全体に形成し、真空蒸着装置を用いて、光導波路を構成するＩｎＧａＡｓコンタクト層１６のＳ字表面にＰ電極１７を蒸着する。その後、リフトオフ法により、レジスト剥離液を用いてフォトレジスト膜上に形成されている不要な電極材をフォトレジスト膜と共に除去する。
【００４３】
その後、ＩｎＰ基板１１のガイド層や活性層等が形成されていない側を、ダイヤモンド微粒等の研磨材により基板の厚みが１００μｍになるまで研磨する。研磨後、真空蒸着装置を用いて、Ｔｉ膜を蒸着してＮ電極１８を形成する。
【００４４】
上記のようにしてＳ字形状の光導波路２５が設けられた層構造を得た後、この層構造の一端にスパッタリング装置によりＳｉＮ膜を成膜して低反射層１９をコーティングすると共に、他端にスパッタリング装置によりＴｉＯ／ＳｉＯ膜を成膜して高反射層２０をコーティングする。
以上のようにして、本実施形態の半導体レーザー装置を作製することができる。
【００４５】
本実施形態では、光導波路をＳ字形状、すなわち曲線部分が２箇所形成されるようにして設けたが、曲線部分は１箇所あるいは３箇所以上設けるようにしてもよく、目的や場合に応じて適宜選択して本発明の効果を得ることが可能である。
【００４６】
また、光導波路をＩｎＰクラッド層１５とＩｎＧａＡｓコンタクト層１６とで構成するようにしたが、コンタクト層を形成せずに光導波路をクラッド層のみで構成してもよく、このとき、クラッド層を複数層で構成することにより多層のクラッド層からなる光導波路を形成するようにしてもよい。
クラッド層を多層に構成する場合、低屈折率の第１クラッド層と、少なくとも第１クラッド層よりも屈折率の高い第２クラッド層とを含む二層以上の多層構造に構成することができる。具体的には例えば、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上に該ガイド層側から順に、屈折率ρ1のクラッド層と屈折率ρ2（ρ1＜ρ2）のクラッド層を積層した２層構造にすることができる。多層の層構成は、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４側から徐々に屈折率が高くなる構成になる態様が、利得領域をリッジ構造の光導波路側に移動させ得る点で好ましく、二層以外に三層以上の多層であってもよい。
【００４７】
（第２実施形態）
本発明の半導体レーザー装置の第２実施形態を図３を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態の層構造のＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上に回折格子を設けて構成したものである。
【００４８】
なお、回折格子及び回折格子が設けられた層以外の各層は第１実施形態で使用した材料及び方法を用いて第１実施形態と同様に形成することができ、第１実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４９】
本実施形態の半導体レーザー装置は、図３に示すように、層構造の低反射層１９がコートされた一端側及び高反射層２０がコートされた他端側の光導波路２５の直線部分に位置するＩｎＧａＡｓＰガイド層１４の上に、長さ方向が光導波路２５の直線部分の方向と略直交するように、回折格子３１が設けられている。
【００５０】
回折格子３１は、ＩｎＧａＡｓ（キャリア濃度１０17cm-3）を、２８０ｎｍで周期性が得られるように形成して構成された構造であり、各々の回折格子は、幅１４０ｎｍ、厚み１００ｎｍのサイズに形成されている。
【００５１】
回折格子は、ＩｎＧａＡｓ以外に、ＩｎＧａＡｓＰなどを適宜選択してＩｎＧａＡｓと同様の方法により構成することができる。周期Ａは、Ａ＝λ0／ｎr（λ0：発振波長、ｎr：実効屈折率）として求められる。
【００５２】
回折格子３１は、第１実施形態と同様にしてＩｎＧａＡｓＰガイド層１４を積層した後、このＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上に、電子線描画装置（クレステック（株）製）により、燐酸及び過酸化水素水を水で希釈した混合液を用いて２８０ｎｍにて周期性が得られるようにして、幅１４０ｎｍ、厚み１００ｎｍよりなる回折格子を形成することにより設けることができる。
その後、ＭＯＣＶＤ法〔キャリアガス：水素（Ｈ2）、原料ガス：ＴＭＩｎ、ＴＢＰ〕を用いた常法により、回折格子を埋設するようにして、厚み１０００ｎｍのＩｎＰ層３２を結晶成長させる。
【００５３】
本実施形態では、層構造の一端及び他端の両側の直線部分に回折格子３１を形成するようにしたが、いずれか片側のみに回折格子を形成するようにしてもよい。
また、回折格子のサイズ、本数については、場合に応じて適宜選択することができる。
【００５４】
（第３実施形態）
本発明の半導体レーザー装置の第３実施形態を図４を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態の層構造を、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上に回折格子を有する半導体レーザー構造に形成されたレーザー部位と、Ｓ字状の光導波路を有する半導体光増幅器構造に形成された光増幅部位とを含む複合構造に構成したものである。
【００５５】
なお、回折格子及び回折格子が設けられた層以外の各層は第１実施形態で使用した材料及び方法を用いて第１実施形態と同様に形成することができ、第１実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５６】
層構造は、図４に示すように、レーザー部位４１と光増幅部位４２とで機能分離されている。レーザー部位４１は、層構造の高反射層２０がコートされた他端から長さａの領域であり、この領域にはＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上に回折格子３１が形成されており、光導波路の長い方向のモードを抑制することができると共に、光増幅部位４２にレーザー光を入射、伝播できるようになっている。
【００５７】
レーザー部位は、回折格子を用いて、光の進行方向に沿って周期構造を設けた量子井戸構造を持つ分布帰還形半導体レーザーが性能面で好ましい。
【００５８】
また、光増幅部位４２は、レーザー部位４１に連続して形成され、レーザー部位４１から低反射層１９がコートされた一端までの距離ｂの領域であり、この領域には光導波路２５のＳ字形状の曲線部分が形成されており、レーザー部位からの光を増幅しながら伝播すると同時に、高次モードを抑えて高品質のビームを出射することができるようになっている。
【００５９】
回折格子３１は、ＩｎＧａＡｓ（キャリア濃度１０17cm-3）を、２８０ｎｍで周期性が得られるように形成して構成された構造であり、各々の回折格子は、幅１４０ｎｍ、厚み１００ｎｍのサイズに形成されている。
また、回折格子は、第２実施形態と同様にＩｎＧａＡｓ以外のＩｎＧａＡｓＰなどを選択して構成することができる。周期Ａは、Ａ＝λ0／ｎr（λ0：発振波長、ｎr：実効屈折率）として求められる。
【００６０】
回折格子３１は、第１実施形態と同様にしてＩｎＧａＡｓＰガイド層１５を積層した後に、第３実施形態と同様の方法により、２８０ｎｍにて周期性が得られるように設けることができ、その後はＭＯＣＶＤ法を用いた常法により、回折格子を埋設するようにしてＩｎＰ層３２を結晶成長させる。
【００６１】
また、層構造の低反射率の低反射層１９がコーティングされた一端と反対側の他端には、図４に示すように、層構造内を伝播する光の波長との関係で低反射率の低反射層２１がコーティングされている。
【００６２】
本実施形態のように、レーザー部位と光増幅部位とを有する複合構造に構成することで、高出力で高品質のビームが得られる半導体レーザー装置の小型化を図ることができる。
【００６３】
（第４実施形態）
本発明の半導体レーザー装置の第４実施形態を図５を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態の層構造の一方の端面及び他方の端面をそれぞれ光導波路の中心線に対して傾斜面となるように構成したものである。
【００６４】
なお、各層は第１実施形態で使用した材料及び方法を用いて第１実施形態と同様に形成することが可能であり、第１実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００６５】
本実施形態の半導体レーザー装置は、図５に示すように、層構造の低反射層１９がコーティングされた一方の端面と、高反射層２０がコーティングされた他方の端面とがそれぞれ、光導波路２５の、層構造の積層方向と直交する幅方向中心を通る中心線Ａと直交しない傾斜角αを有するように形成されている。
【００６６】
光導波路の光の伝搬方向となる中心線Ａの方向に対して角度（９０−α）、すなわち中心線Ａの方向と直交する線と傾斜角αをなす傾斜面に構成されるので、端面反射率を大幅に低減することができる。例えば図５に示すように、レーザー出力時には、端面で反射した反射光が光導波路２５に還らず端面反射率が低くなって半導体レーザーへの戻り光が減少し、半導体レーザー動作が良好になる。
また、図示しないが、外部の光学部品からの戻り光が導波路に結合するのを防止できるようになっている。
【００６７】
傾斜角αの範囲については、戻り光の減少効果が得られれば特に制限はないが、３°〜１０°の範囲とするのが有効である。
【００６８】
中心線Ａの方向に対して傾斜する傾斜面は、予め図１に示すような層構造を形成しておき、その後所望の傾斜面（端面）が形成されるように断裁することにより作製することができる。
【００６９】
（第５実施形態）
本発明の半導体光増幅器複合半導体レーザー装置の第５実施形態を図６を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態に設けられた光導波路のレーザー出射端側に電流非注入領域を形成して構成したものである。
【００７０】
なお、電流非注入領域を除き各層は第１実施形態で使用した材料及び方法を用いて第１実施形態と同様に形成することが可能であり、第１実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００７１】
本実施形態では、図６に示すように、光導波路２５のレーザーを出射する出射端面から所定の領域は、電流非注入領域４５が形成されており、この光導波路の端面からレーザーを出射する際の光強度が大きくなった場合に、出射端面の端面破壊を防止できようになっている。
【００７２】
この電流非注入領域４５は、光導波路２５上にＰ電極を形成する前に予め、表層のＩｎＧａＡｓコンタクト層の表面を絶縁膜で覆い、その状態でＰ電極を形成するようにすることによって形成することができる。
絶縁膜は、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮ膜やＳｉＯ膜を形成することにより設けることができる。
【００７３】
絶縁膜は、膜厚が０．１〜０．２μｍの範囲であるのが好ましく、出射端面からの距離には特に制限はない。
【００７４】
（第６実施形態）
本発明の半導体光増幅器複合半導体レーザー装置の第６実施形態を図７を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態の光導波路の光の伝播方向における曲線部分の下流側を路幅が出射端に向かって漸次的に広幅になる構造（光増幅構造）に構成したものである。
【００７５】
なお、各層は第１実施形態で使用した材料及び方法を用いて第１実施形態と同様に形成することが可能であり、第１実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００７６】
本実施形態の半導体レーザー装置は、第１実施形態と同様に形成された、Ｎ電極１８／ＩｎＰ基板１１／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４の層構造の上に、ＩｎＰクラッド層１５及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１６からなるリッジ構造の光導波路２５が設けられた構造（光導波路上にはＰ電極１７が設けられている）となっており、層構造内を低反射層１９側に向かって伝播した光は光導波路２５の端面から出射されるようになっている。
【００７７】
この光導波路２５は、第１実施形態と同様にリッジなＳ字構造を有しており、高反射層２０が設けられている一端から低反射層１９が設けられている他端に向かう光の伝播方向におけるＳ字構造の下流側では、光導波路２５の路幅（層構造の積層方向と直交する平面方向の幅）ｗが、広がる前の幅（ｗ0）から他端に達するまで漸次的に広幅に広がる構成（ｗ＝ｗ0〜ｗ出口）となっている。光導波路の路幅ｗは、該路幅が漸次的に広がる領域の長さ（光増幅構造の長さ）をＬとしたとき、光導波路２５の出射端での路幅ｗ出口が（1／25000）×（Ｌ／ｗ0）〜（1／35000）×（Ｌ／ｗ0）を満たす範囲で拡がっている。
【００７８】
光導波路のＳ字構造（曲線部位）では、既述したように直線部位では閉じ込められていた入射角の深い高次モードが臨界角θを超えて漏洩し伝播できなくなるため、Ｓ字構造より下流側では主として基本モードが伝播され、Ｓ字構造の下流側で路幅を広幅にして高出力が得られる構成とするので、高次モードを抑えて高品質のビームを高出力にて得ることができる。
【００７９】
光導波路の光伝播方向下流側を広幅にするには、光導波路を形成する際に、光導波路のＳ字形状から出射端面に向かって広幅になるパターンにフォトレジスト膜を形成し、これをマスクにドライエッチングすることにより形成できる。
【００８０】
（第７実施形態）
本発明の半導体光増幅器複合半導体レーザー装置の第７実施形態を図８を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態の層構造を、Ｓ字状の光導波路を有する半導体レーザー構造に形成されたレーザー部位と、半導体光増幅器構造に形成され、第６実施形態と同様に光導波路の光伝播方向における曲線部分の下流側の路幅を出射端面に向かって漸次的に広幅にした光増幅部位とを含む複合構造に構成したものである。
【００８１】
なお、クラッド層５３以外の各層は、第１実施形態で使用した材料及び方法を用いて第１実施形態と同様に形成することが可能であり、第１実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００８２】
本実施形態の半導体レーザー装置は、第６実施形態のように、第１実施形態と同様に形成された、Ｎ電極１８／ＩｎＰ基板１１／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４の層構造の上に、ＩｎＰクラッド層１５及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１６からなるリッジ構造の光導波路２５が設けられた構造（光導波路上にはＰ電極１７が設けられている）となっており、層構造内を低反射層１９側に向かって伝播した光は光導波路の端面から出射されるようになっている。
そして、光導波路２５は、リッジなＳ字構造を有しており、高反射層２０が設けられている一端から低反射層１９が設けられている他端に向かう光の伝播方向におけるＳ字構造の下流側では、光導波路２５の路幅（層構造の積層方向と直交する平面方向の幅）が他端に達するまで漸次的に広幅に広がる構成となっている。
【００８３】
本実施形態では、層構造は図８に示すように、レーザー部位５１と光増幅部位５２とで機能分離されている。レーザー部位５１は、層構造の高反射層２０がコートされた一端から長さｃの領域であり、この領域には光導波路２５のＳ字形状の曲線部分が形成されており、高次モードを抑えたビームの伝播が可能であり、光増幅部位５２に高品質のビームを入射、伝播できるようになっている。
レーザー部位は、曲がった構造に形成されると、更なる高出力化が期待できる。
【００８４】
また、光増幅部位５２は、レーザー部位５１から連続する低反射層１９がコートされた他端までの距離ｄの領域であり、この領域では、光導波路２５の路幅（層構造の積層方向と直交する平面方向の幅）ｗが、広がる前の幅（ｗ0）から他端に達するまで漸次的に広幅に広がる構成（ｗ＝ｗ0〜ｗ出口）となっている。光導波路の路幅ｗは、光導波路２５の出射端での路幅ｗ出口が（1／25000）×（ｄ／ｗ0）〜（1／35000）×（ｄ／ｗ0）を満たす範囲で拡がっている。
【００８５】
また、光増幅部位５２には、上記のように路幅ｗが漸次的に広がる光導波路が形成されていない領域のＩｎＧａＡｓＰガイド層１４上に、図８に示すように、光導波路が形成されていない領域の高さが光導波路の表面と一致するようにして厚み１μｍのクラッド層５３が形成されており、戻り光が伝搬すると拡散するため、レーザー部位に戻り光が結合しにくく、レーザーが安定動作するのに有利なようになっている。
【００８６】
すなわち、光導波路のＳ字構造では、既述の通り、直線部位で閉じ込められていた高次モードが伝播できなくなるため、光の伝播方向のＳ字構造より下流側に形成された光増幅部位には主に基本モードが伝播され、漸次的に広幅になる光増幅部位で高品質化されたビームを増幅することができる。
これにより、高次モードの伝播、増幅を抑えつつ、モードのきれいなビームを選択的に増幅して、高品質のビームをより高出力に出射することができる。
【００８７】
光導波路の光伝播方向下流側を広幅にするには、光導波路を形成する際に、光導波路のＳ字形状から出射端面に向かって広幅になるパターンにフォトレジスト膜を形成し、これをマスクにドライエッチングすることにより形成できる。
【００８８】
また、クラッド層５３の形成は、光導波路の形成後、ＳｉＯ、ＳｉＮ等の絶縁膜をスパッタリング等により成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングした後、フッ酸などで溶解して窓を開ける。レジストを除去後、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ等を蒸着することにより行なうことができる。
【００８９】
（第８実施形態）
本発明の半導体光増幅器複合半導体レーザー装置の第８実施形態を図９〜図１１を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態で形成した光導波路のＳ字状の曲線部位の一部にＰ電極が存在しない領域を形成し、曲部の外周寄りに利得領域が形成される構成としたものである。
【００９０】
なお、各層は第１実施形態で使用した材料及び方法を用いて第１実施形態と同様に形成することが可能であり、第１実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００９１】
本実施形態の半導体レーザー装置は、第１実施形態と同様に形成された、Ｎ電極１８／ＩｎＰ基板１１／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４の層構造の上に、ＩｎＰクラッド層１５及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１６からなる曲率（ｒ）６８０ｎｍのリッジなＳ字構造の光導波路２５が設けられた構造となっており、層構造内を低反射層１９側に向かって伝播した光は、光導波路２５の端面から出射されるようになっている。
【００９２】
光導波路２５の表面には、図９に示すように、Ｓ字部の曲率ｒで曲がる２つの曲線領域の各領域、つまり図９、もしくは図１に示すような直線領域でない領域Ｓ、Ｔにおいて、曲線領域の幅方向中心（中心線Ａ）から外周寄り（outside）にＰ電極５６が存在し、Ｐ電極５６から内周寄りは電極が存在しない領域（電極非形成領域）５７とし、電極領域において光強度の高い利得が得られるようになっている。すなわち、図１０に示すように、直線領域では中心線Ａ近傍をピークとする光強度分布が得られるのに対し、曲線領域ではＰ電極５６が存在する外周寄りを中心に光強度分布のピーク（利得領域）が得られる。
なお、光導波路２５の曲線領域の内周側（inside）にはＰ電極が存在しない領域５７が形成されている。
【００９３】
このように、光導波路上に設けるＰ電極を、曲線領域の内周側（inside）に電極が存在しない領域が形成される形状に設けることにより、基本モードの光強度分布を曲線部位の幅方向中心から外周寄りに形成でき、基本モードには利得を与え、高次モードには損失を与えるように制御することが可能で、高次モードを抑えて高品質のビームを高出力に得ることができる。
【００９４】
電極非形成領域の面積や位置関係については、場合に応じて選択すればよい。また、全ての曲線部位に電極非形成領域を設ける必要性は必ずしもないが、全てに設けるようにすることが高出力化の点で好ましい。
【００９５】
ここで、光導波路の路幅ｗと曲率ｒとの関係を考慮した例を示す。
例えば、光導波路の路幅（線幅）ｗを３０μｍ、曲率ｒを１０００μｍとした場合、「曲率ｒ＜導波構造の線幅×２５」の関係を満たさず、図１１に示すように、基本モード（実線）以外に、１次モード（破線）が存在する。これに対し、光導波路の路幅（線幅）ｗを３０μｍ、曲率ｒを６８０μｍとした場合、「曲率ｒ＜導波構造の線幅×２５」の関係を満たし、１次モード（破線）は存在しなくなり、高次モードを抑えた基本モード（実線）が得られる。そして、光導波路内に高次モードが残存している場合、曲線領域の幅方向中心（中心線Ａ）から外周寄りに電極を設け、この電極より内周寄りは電極が形成されない電極非形成領域となる電極配置とすることで、高次モードを抑制することができる。
【００９６】
本実施形態におけるＰ電極５６は、第５実施形態での絶縁膜の形成と同様にして、光導波路２５上にＰ電極を形成する前に、予め表層のＩｎＧａＡｓコンタクト層表面の電極形成しない領域を絶縁膜で覆い、その状態でＰ電極を形成するようにすることによって形成することができる。
【００９７】
（第９実施形態）
本発明の半導体光増幅器複合半導体レーザー装置の第９実施形態を図１２を参照して説明する。本実施形態は、第５実施形態（第１実施形態）でＩｎＰ基板上に形成した、Ｓ字形状の曲線部位（光導波路）を有する複数の層構造を同一の半導体チップ上に配列してアレイ光源としたものである。
【００９８】
なお、各層は第１及び第５実施形態で使用した材料及び方法を用いて第１実施形態と同様に形成することが可能であり、第１及び第５実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００９９】
本実施形態は、図１２に示すように、単一の半導体チップ６０の上に、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３／ＩｎＧａＡｓＰガイド層１４の層構造の上にＩｎＰクラッド層１５及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１６からなるリッジなＳ字構造の光導波路２５が設けられた層構造（光導波路上にはＰ電極１７が設けられている）を２つ配列して構成されている。単一基板上に複数の層構造を設けて構成されるので、高出力型のレーザー装置を小型化することができる。
【０１００】
半導体チップとしては、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板等を用いることができる。
【０１０１】
なお、本実施形態では、リッジなＳ字構造が設けられた２個の層構造を同一基板上に設けるようにしたが、同一基板上に設ける層構造の構造体数は目的等に応じて適宜選択することができる。また、この場合の各層構造を構成する光導波路はＳ字形状、すなわち曲線部分を２箇所とする以外に、曲線部分を１箇所あるいは３箇所以上設けるようにしてもよく、目的や場合に応じて適宜選択して本発明の効果を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザー装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】（ａ）基本モードと高次モードの伝播の様子を示す図であり、（ｂ）は基本モードの光の伝播の様子を説明するための図であり、（ｃ）は高次モードの光の伝播の様子を説明するための図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザー装置の概略構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る半導体レーザー装置の概略構成を示す斜視図である。
【図５】光導波路の中心線Ａに対して傾斜する端面で反射する光の方向を説明するための概念図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る半導体レーザー装置の概略構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係る半導体レーザー装置の概略構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の第７実施形態に係る半導体レーザー装置の概略構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の第８実施形態に係る半導体レーザー装置のＰ電極の構成を示す平面図である。
【図１０】本発明の第８実施形態に係る半導体レーザー装置における光強度分布のピーク（利得領域）の様子を示す概念図である。
【図１１】曲率ｒ＜導波構造の線幅×２５」の関係を満たさない場合のモードの発生を説明するためのグラフである。
【図１２】本発明の第９実施形態に係る半導体レーザー装置の概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１１…ＩｎＰ基板
１２…ＩｎＧａＡｓＰガイド層（Ｎ型高屈折率層）
１３…ＩｎＧａＡｓＰ活性層
１４…ＩｎＧａＡｓＰガイド層（Ｐ型高屈折率層）
１５…ＩｎＰクラッド層（Ｐ型クラッド層）
１６…ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１７，１８，５６…電極
２５…光導波路
３１…回折格子
４１，５１…レーザー部位
４２，５２…光増幅部位
４５…電流非注入領域
５７…電極が存在しない領域
６０…半導体チップ
【図１】
2007251064.tif 000003
【図２】
2007251064.tif 000004
【図３】
2007251064.tif 000005
【図４】
2007251064.tif 000006
【図５】
2007251064.tif 000007
【図６】
2007251064.tif 000008
【図７】
2007251064.tif 000009
【図８】
2007251064.tif 000010
【図９】
2007251064.tif 000011
【図１０】
2007251064.tif 000012
【図１１】
2007251064.tif 000013
【図１２】
2007251064.tif 000014