(57)【要約】【課題】使用するアクティブマトリクス方式の表示器に使用される有機半導体装置においてゲート駆動信号を伝搬するゲート線（ゲート信号線）の抵抗値を下げることを可能とした半導体装置、電気光学置及び電子機器を提供する。【解決手段】基板上(101)に形成された有機半導体トランジスタと、有機半導体トランジスタのソース又はドレイン電極(105)と接続されるデータ線(107)と、データ線と交差するように配置されて有機半導体トランジスタのゲート電極(110)に接続されるゲート線と、を備え、ゲート線は、ゲート電極(110a)、ゲート電極に信号を伝搬する第１のゲート線(102)、及びデータ線と層間絶縁層(109)を介して交差する第２のゲート線(110b)を含み、上記ゲート電極、上記第１及び第２のゲート線は互いに直列に接続され、第１のゲート線(102)の導電率がゲート電極(110a)及び第２のゲート線(110b)の導電率よりも高い、ことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された有機半導体トランジスタと、
前記有機半導体トランジスタのソース又はドレイン電極と接続されるデータ線と、
前記データ線と交差するように配置されて前記有機半導体トランジスタのゲート電極に接続されるゲート線と、を備え、
前記ゲート線は、前記ゲート電極、当該ゲート電極に信号を伝搬する第１のゲート線、及び前記データ線と層間絶縁層を介して交差する第２のゲート線を含み、前記ゲート電極、前記第１及び第２のゲート線は互いに直列に接続され、前記第１のゲート線の導電率が前記ゲート電極及び前記第２のゲート線の導電率よりも高い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のゲート線及び前記ゲート電極が前記有機半導体トランジスタの有機半導体層よりも上層に存在する同一の膜である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のゲート線及び前記ゲート電極が一体に形成されている請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記有機半導体トランジスタのゲート絶縁層及び前記層間絶縁膜が前記有機半導体トランジスタの有機半導体層よりも上層に存在する同一の膜である請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記有機半導体トランジスタのゲート絶縁層と前記データ線及び前記第２のゲート線間に存在する層間絶縁膜とが一体に形成されている請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１のゲート線の線幅が前記ゲート電極及び前記第２のゲート線の線幅よりも小さい、請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２のゲート線及び前記ゲート電極が印刷法によって形成される請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記有機半導体トランジスタのゲート絶縁層及び前記層間絶縁膜が印刷法によって形成される請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置を含む電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置を含む電子機器。
【請求項１１】
絶縁基板上に低抵抗の第１のゲート線、少なくとも２つのソース・ドレイン電極、データ線を形成する第１の工程と、
前記ソース・ドレイン電極間に有機半導体を成膜する第２の工程と、
前記有機半導体層及び前記データ線上にそれぞれゲート絶縁膜及び層間絶縁膜を印刷法によって形成する第３の工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜上にそれぞれ前記第１のゲート線に接続されるゲート電極及び第２のゲート線を印刷法によって形成する第４の工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の工程は非印刷法、又は前記有機半導体が劣化する温度よりも高温で導電材料の熱処理を行って前記第１のゲート線を低抵抗化する、ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第３の工程は、前記ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜を一体に形成するものである、請求項１１又は１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第４のゲート電極及び第２のゲート線を一体に形成するものである請求項１１乃至１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１のゲート線の幅が前記ゲート電極及び前記第２のゲート線の幅よりも小さく形成される、ことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法の改良、当該半導体装置を使用した電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体材料を用いて有機半導体トランジスタ等の半導体装置を作製することが提案されている。例えば、２００５−２１５６１６号公報には、画素、データ配線、周辺部の配線を１つのフォトリソグラフィプロセスで作製し、その後、液体材料を用いる液相プロセスで各種機能膜を成膜することでアクティブマトリックス基板を作製する例が記載されている。例えば、液体材料による成膜にはインクジェット法等の印刷法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）等の導電性有機物を基板に塗布し、乾燥して回路配線を形成している。
【特許文献１】特開２００５−２１５６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、印刷法に用いられるＰＥＤＯＴ等に代表される導電性有機物は抵抗率が高い。また、金属の分散液を印刷して乾燥させた配線においても、材料自身の導電率、あるいは有機半導体のアニールによる特性劣化、あるいはプラスチック基板のガラス転移点温度の低さの制限から、塗布乾燥された金属層のアニール温度を上げることができず、高い電導率を得られない。このため、例えば、高精細、大画面のアクティブマトリクス方式表示パネルのゲート配線群を印刷法によって形成すると、画素駆動トランジスタを動作させる駆動信号のゲート配線抵抗による遅延時間が大きくなる。
【０００４】
また、有機半導体トランジスタのゲート絶縁膜の製造工程において、スピンコート法等によりゲート絶縁膜を基板全面に形成した場合、その後に印刷法でゲート電極やゲート配線等を形成しようとすると、ゲート配線と周辺部の配線と導通させるために、ゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成する必要がある。基板上に有機半導体層を形成した後にコンタクトホールを形成する場合、有機半導体と同じ有機物のレジストを用いたフォトリソプロセスを使用すると有機半導体にダメージを与えやすい。これを回避する手段として、ゲート絶縁層に針等による物理的な方法でコンタクトホールを開口することも可能ではあるが、手間がかかって量産に向かない。
【０００５】
よって、本発明に係る一つの態様は、使用するアクティブマトリクス方式の表示器に使用される有機半導体装置においてゲート駆動信号を伝搬するゲート線（ゲート配線）の抵抗値を下げることを可能とした半導体装置、電気光学置及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
また、本発明に係る他の一つの態様は、コンタクトホールを開口することなくゲート線の抵抗値を下げて応答特性を改良した半導体装置、電気光学置及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明に係る他の一つの態様は、使用するアクティブマトリクス方式の表示器に使用される有機半導体装置のゲート線（ゲート配線）の抵抗値を下げることを可能とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため本発明に係る半導体装置は、基板上に形成された有機半導体トランジスタと、上記有機半導体トランジスタのソース又はドレイン電極と接続されるデータ線と、上記データ線と交差するように配置されて上記有機半導体トランジスタのゲート電極に接続されるゲート線と、を備え、上記ゲート線は、上記ゲート電極、当該ゲート電極に信号を伝搬する第１のゲート線、及び上記データ線と層間絶縁層を介して交差する第２のゲート線を含み、上記ゲート電極、上記第１及び第２のゲート線は互いに直列に接続され、上記第１のゲート線の導電率が上記ゲート電極及び上記第２のゲート線の導電率よりも高い、ことを特徴とする。
【０００９】
かかる構成とすることによってゲート線（ゲート信号線）における信号遅延が減少する。
【００１０】
上記第２のゲート線及び前記ゲート電極が前記有機半導体トランジスタの有機半導体層よりも上層に存在する同一の膜であることが望ましい。また、上記第２のゲート線及び上記ゲート電極が一体に形成されていることが望ましい。また、上記有機半導体トランジスタのゲート絶縁層及び上記層間絶縁膜が上記有機半導体トランジスタの有機半導体層よりも上層に存在する同一の膜であることが望ましい。
【００１１】
それにより、インクジェット法などの印刷法によって当該成膜・パターニングをなすことが出来、有機半導体層へエッチングや熱プロセスによるダメージを回避することが可能となる。
【００１２】
好ましくは、上記有機半導体トランジスタのゲート絶縁層と上記データ線及び前記第２のゲート線間に存在する層間絶縁膜とが一体に形成されている。それにより、印刷法における塗布（吐出）回数を減らすことが可能となる。
【００１３】
好ましくは、上記第１のゲート線の線幅が上記ゲート電極及び上記第２のゲート線の線幅よりも小さくなるようになされる。それにより、アクティブマトリクス方式の表示器における画素の開口効率を高めることが可能となる。
【００１４】
上記第２のゲート線及び上記ゲート電極が印刷法によって形成されることが望ましい。上記有機半導体トランジスタのゲート絶縁層及び上記層間絶縁膜が印刷法によって形成されることが望ましい。それにより、有機半導体層へのエッチングや熱プロセスによるダメージを回避することが可能となる。また、直接パターニングを行うので製造における工程数を減らすことが可能となる。
【００１５】
上述した半導体装置は、有機ＥＬ装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置などの電気光学装置や電子機器に使用されることによって当該装置の性能を改善することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置は、一方向に延在する複数のデータ線と、上記複数のデータ線と交差するように配置される複数のゲート線と、上記複数のデータ線と上記複数のゲート線とによって画定される領域に配置される複数の画素電極と、上記データ線と上記ゲート線との交差点近傍に配置された複数の有機半導体トランジスタと、を含む画素電極基板を備え、上記ゲート線は、上記有機半導体トランジスタのゲート電極、当該ゲート電極に信号を伝搬する第１のゲート線、及び上記データ線と層間絶縁層を介して交差する第２のゲート線を含み、上記ゲート電極、上前記第１及び第２のゲート線は互いに直列に接続され、上記第１のゲート線の導電率が上記ゲート電極及び上記第２のゲート線の導電率よりも高いことを特徴とする。
【００１７】
かかる構成とすることによって、ゲート線全体を印刷法によって形成した場合よりも抵抗値が減少し、ゲート線における信号遅延が減少する。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基板上に第１のゲート線、少なくとも２つのソース・ドレイン電極、データ線を形成する第１の工程と、上記ソース・ドレイン電極間に有機半導体を成膜する第２の工程と、上記有機半導体層及び上記データ線上にそれぞれゲート絶縁膜及び層間絶縁膜を印刷法によって形成する第３の工程と、上記ゲート絶縁膜及び上記層間絶縁膜上にそれぞれ上記第１のゲート線に接続されるゲート電極及び第２のゲート線を印刷法によって形成する第４の工程と、を含む。
【００１９】
かかる構成とすることによって、ゲート線（ゲート信号線）における信号遅延を減少することが可能となる。また、有機半導体層へエッチングや熱プロセスによるダメージを回避することが可能となる。
【００２０】
好ましくは、上記第１の工程は非印刷法、又は上記有機半導体が劣化する温度よりも高温で導電材料の熱処理を行って上記第１のゲート線を低抵抗化する。それにより、第１のゲート線の抵抗を低抵抗化することが可能となる。非印刷法としては、例えば、金属材料を蒸着法又はスパッタ法によって成膜してゲート線を形成する工程であることが望ましい。それにより、低抵抗のゲート線（ゲート電極）を得ることが可能となる。
【００２１】
上記第３の工程は、上記ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜を一体に形成するものであることが望ましい。上記第４のゲート電極及び第２のゲート線を一体に形成するものであることが望ましい。これにより、プロセスが簡略化される。
【００２２】
上記第１のゲート線の幅が上記ゲート電極及び上記第２のゲート線の幅よりも小さく形成されることが望ましい。それにより、ゲート線の面積が減少し、相対的に画素電極の面積を広くすることが可能となって、アクティブマトリクス方式の画素基板における画素の開孔効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の好適な複数の実施例について図面を参照して説明する。各図において、対応する部分には同一の符号を付している。
【００２４】
（第１の実施例）
図１乃至図４は、本発明の有機半導体トランジスタを表示器の画素の駆動回路に使用した例を示している。図１は半導体装置である有機半導体トランジスタの製造工程を説明する工程図、図２は画素駆動回路の平面図である。
【００２５】
この実施例では、基板上に低抵抗のゲート線（配線）を形成し、ゲート線同士の接続やゲート電極の形成を印刷法による同一工程によって行っている。
【００２６】
まず、図１（Ａ）に示すように、絶縁基板上１０１に第１のゲート線１０２、データ線１０７、ソース・ドレイン電極１０５、画素電極１０６（図２参照）、外部駆動装置と接続するための端子、外部の取り回す配線等（図示せず）を一括で形成する。
【００２７】
絶縁基板１０１としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等のプラスチック基板やガラス基板を使用することが出来る。他の基板材料として、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスティック基板（樹脂基板）の他、可撓性のあるものであれば、ガラス基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を採用することができる。
【００２８】
第１のゲート線１０２、データ線１０７、ソース・ドレイン電極１０５、画素電極１０６等は、アルミニウム、ニッケル、銅、チタン、銀、金、白金などの金属を蒸着法やスパッタ法にて堆積し、フォトリソグラフィプロセスを用いて堆積した金属膜をパターニングして形成することが出来る。
【００２９】
また、インクジェット（液滴吐出）法に代表される印刷法を用いて、金属微粒子を含む溶液を吐出（あいるは塗布）し、乾燥加熱して形成しても良い。溶液塗布後、溶媒を除去し、金属微粒子を用いる場合には、金属微粒子間の電気的接触を向上させる目的で、熱処理を行うこともできる。熱処理は通常大気中で行われるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。金属微粒子としては、例えば、銀、アルミニウム、金などが挙げられる。
【００３０】
なお、実施例では、非接触の利点があるインクジェット法を使用したが、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット（液滴吐出）法、マイクロコンタクトプリンティング法等の他の印刷法を使用しても良い。
【００３１】
この段階における熱処理は、後述の有機半導体材料の耐熱温度を考慮する必要がないので基板の耐熱を考慮した比較的に高い温度で行うことが可能である。それにより、低抵抗（高導電率）のゲート線１０２等が得られる。
【００３２】
次に、図１（Ｂ）に示すように、基板に対して酸素プラズマ処理を行い、クリーニング処理を行う。その後、有機半導体であるＦ８Ｔ２（ポリフルオレン−チオフェン共重合体）をインクジェット法で滴下し、アニール処理を行い、複数のソース・ドレイン電極１０５相互間のトランジスタのチャネル部を覆うように有機半導体層１０８を５０ｎｍ程度の膜厚に形成する。
【００３３】
なお、有機半導体材料としては、低分子系有機半導体材料、ポリマー有機半導体材料のいずれも使用することができる。
【００３４】
ポリマー有機半導体材料としては、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ'−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ'−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリルアミン共重合体、トリアリルアミン系ポリマー、フルオレンビチオフェン共重合体等が挙げられる。
【００３５】
低分子系有機半導体としては、例えば、Ｃ６０、或いは、金属フタロシアニン、或いは、それらの置換誘導体、或いは、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料、或いは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）、オクチチオフェン（８Ｔ）、ジヘキシルクォーターチオフェン（ＤＨ４Ｔ）、ジヘキルセキシチオフェン（ＤＨ６Ｔ）、等が挙げられる。
【００３６】
同図（Ｃ）に示すように、有機半導体層１０８を覆うようにゲート絶縁層１０９を形成する。ゲート絶縁層１０９は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、エステル系樹脂をスピンコート法、ディップ法、あるいはインクジェット法等の印刷法を用いて形成することが可能である。実施例では、スピンコート法により基板全面に形成した。ゲート絶縁層はトランジスタ領域以外では層間絶縁膜として機能する。
【００３７】
なお、ゲート絶縁層１０９は、後述の第２の実施例のように印刷法によって必要な部分のみに形成することができる。
【００３８】
同図（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁層１０９の、トランジスタ領域の両側のゲート線１０２上、データ線１０７の両側のゲート線１０２上に、それぞれコンタクトホール１０４を形成する。
【００３９】
コンタクトホール１０４の形成は、例えば、ゲート絶縁層１０９上にフォトレジストを塗布し、コンタクトホール１０４のマスクを使用して露光・現像して、レジストマスクを形成し、このレジストマスクを使用してゲート絶縁層１０９をエッチングすることによって行うことができる（フォトリソグラフィ法）。
【００４０】
なお、ゲート絶縁層１０９として感光性ポリマー（フォトレジスト）を用い、コンタクトホールのマスクを用いて露光・現像してゲート絶縁層１０９に直接コンタクトホールを形成（直接感光）しても良い。
【００４１】
また、ゲート絶縁層１０９を樹脂で形成する場合に、ポリマーが可溶な溶剤をインクジェット法等で所望の場所に吐出（あるいは塗布）することでゲート絶縁層１０９の一部を除去し、コンタクトホール１０４を有するゲート絶縁層１０９を形成しても良い。
【００４２】
同図（Ｅ）に示すように、ゲート絶縁層１０９の上にトランジスタのチャネル部を覆うように、あるいは横切るように、トランジスタ領域両側のコンタクトホール１０４相互間にゲート電極１１０ａを形成する。また、データ線１０７の両側のコンタクトホール１０４相互間に第２のゲート線１１０ｂを形成する。
【００４３】
ゲート電極１１０ａ及び第２のゲート線１１０ｂは、例えば、金属粒子の分散液、あるいはＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）等の導電性高分子等をインクジェット法やその他の印刷法によって吐出あるいは塗布し、有機半導体層に悪い影響を与えない適度な温度によるアニール処理や乾燥処理を施すことによって形成される。
【００４４】
その結果、図示のように、第１のゲート線１０２、第２のゲート線１１０ｂ、第１のゲート線１０２、ゲート電極１１０ａ、第１のゲート線１０２が互いに直列に接続され、ゲート駆動信号を次段トランジスタに伝搬する信号線（ゲート線）が形成される。
【００４５】
このようにして製作された画素電極の基板は、更に、保護層等が適宜に形成され（図示せず）、図２や後述の図９に示すように、液晶表示器、電気泳動表示装置等の画素電極基板（アクティブマトリクス基板）として使用される。
【００４６】
（第２の実施例）
図３及び図４は、第２の実施例を示している。図３は半導体装置である有機半導体トランジスタの製造工程を説明する工程図、図４は画素駆動回路の平面図である。図３及び図４において図１及び図２と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
【００４７】
まず、図３（Ａ）に示すように、絶縁基板上１０１に第１のゲート線１０２、データ線１０７、ソース・ドレイン電極１０５、画素電極１０６（図４参照）、外部駆動装置と接続するための端子、外部の取り回す配線等（図示せず）を一括で形成する。
【００４８】
同図（Ｂ）に示すように、基板に対して酸素プラズマ処理を行い、クリーニング処理を行う。その後、有機半導体であるＦ８Ｔ２（ポリフルオレン−チオフェン共重合体）をインクジェット法で滴下し、アニール処理を行い、複数のソース・ドレイン電極１０５相互間のトランジスタのチャネル部を覆うように有機半導体層１０８を５０ｎｍ程度の膜厚に形成する。
【００４９】
同図（Ｃ）に示すように、有機半導体層１０８及びデータ線１０７をそれぞれ覆うようにゲート絶縁層１０９ａ及び層間絶縁層１０９ｂを形成する。ゲート絶縁層１０９ａ及び層間絶縁層１０９ｂは、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、エステル系樹脂をインクジェット法等の印刷法を用いて形成することが可能である。実施例では、インクジェット法により基板の各部に形成した。なお、既述したゲート絶縁層１０９はトランジスタ領域以外では層間絶縁層として機能している。
【００５０】
同図（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁層１０９ａの上にトランジスタのチャネル部を覆うように、あるいは横切るように、トランジスタ領域両側のコンタクトホール１０４相互間にゲート電極１１０ａを形成する。また、データ線１０７の両側のコンタクトホール１０４相互間に層間絶縁層１０９ｂを介して第２のゲート線１１０ｂを形成する。ゲート電極１１０ａ及び層間絶縁層１０９ｂはインクジエット法などの印刷法によって形成される。上述したプロセスにおける材料などのパラメータは既述した第１の実施例の対応する部分と同様である。
【００５１】
上述した、第２の実施例では、第１の実施例で形成したコンタクトホール１０４は使用していない。このため、第２の実施例では、図３（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁層１０９ａを基板全面に形成するのではなく、ゲート絶縁層１０９ａ、層間絶縁層１０９ｂをインクジェット法などの印刷法によって部分的に形成（パターニング）し、ゲート線１０２を表面に露出させている。実施例では、ゲート絶縁層１０９ａ及び層間絶縁層１０９ｂを同一の印刷法工程で形成している。既述したように、ゲート絶縁層１０９ａ等として、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、エステル系樹脂を使用することが出来る。
【００５２】
なお、ゲート絶縁層１０９ａ、層間絶縁層１０９ｂをそれぞれ別工程で作製することも可能であるが、同時作製の工程がスループットの観点から望ましい。ゲート絶縁層１０９ａ、層間絶縁層１０９ｂの形成は従来のフォトリソグラフィ法でも可能ではあるが、既に有機半導体層１０８が形成されているので、上述した印刷法が好適である。
【００５３】
また、図４に示すように、周囲との絶縁性の確保の点からゲート絶縁層１０９ａの幅は第１のゲート線１０２、第２のゲート線１１０ｂ及びゲート電極１１０ａの幅よりも広いことが望ましい。
【００５４】
（第３の実施例）
図５及び図６は、第３の実施例を示している。図５は半導体装置である有機半導体トランジスタの製造工程を説明する工程図、図６は画素駆動回路の平面図である。図５及び図６において図１及び図２と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
【００５５】
第３の実施例では、第１の実施例（図１（Ｅ））に示された、第２のゲート線１１０ｂ、第１のゲート線１０２、ゲート電極１１０ａが、図５（Ｅ）に示されるように、一つのゲート電極配線１１０ｃによって構成されている。こうすることによってパターンの数が減り、インクジェット法による塗りの回数が減って具合がよい。
【００５６】
（第４の実施例）
図７乃至図９は、第４の実施例を示している。図７は半導体装置である有機半導体トランジスタの製造工程を説明する工程図、図８は画素駆動回路の平面図、図９は、複数（４つ）の画素駆動回路を配置したアクティブマトリクス基板の例を示す平面図である。図７乃至図９において図２及び図３と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
【００５７】
この第４の実施例は、上述したコンタクトホールを不要とした第２の実施例と、上述したゲート電極１１０ａを延長したゲート電極配線１１０ｃとすることで、第１のゲート線１０２、ゲート線１０７と交差する第２のゲート線１１０ｂを不要とした第３の実施例とを組み合わせたものである。
【００５８】
かかる構成によれば、既述した利点に加えて、ゲート絶縁層１０９ａ及びゲート線１０７上の層間絶縁層１０９ｂが連続的に同一層のゲート絶縁層１０９ｃで形成される。これは印刷法に好適である。
【００５９】
（第５の実施例）
図１０は、第５の実施例を示す画素駆動回路の平面図である。同図において図８と対応する部分には同一符号を付しており、かかる部分の説明は省略する。
【００６０】
この第５の実施例では、低抵抗である第１のゲート線１０２の線幅がゲート電極配線１１０ｃの線幅より小さく形成されている。それにより、ゲート線の配線面積が減り、画素電極１０６の面積を増やすことが可能となる。表示パネルの開孔効率を向上させれることができる。
【００６１】
また、画素電極１０６のパターンを第１のゲート線１０２よりも線幅が広いゲート電極配線１１０ｃ（あるいはゲート電極１１０ａ、第２のゲート線１１０ｂ）に対応してゲート線１０２と画素電極１０６との間隔が広げられている。そうすることで、ゲート電極配線１１０ｃ（あるいはゲート電極１１０ａ、第２のゲート線１１０ｂ）と画素電極１０６が重なって寄生容量が生ずるのを防止する。
【００６２】
以上説明したように、本発明の実施例によれば、第１のゲート線１０２に抵抗率の小さな材料を用いることでゲート線全体の抵抗が小さくなり、ゲート配線による遅延時間が減少する。また、第１のゲート線１０２をより高精細で作製可能である。ゲート電極１１０ａ、第２のゲート線１１０ｂ及びゲート電極配線１１０ｃは印刷法を用いていることから、低コストで高精細な基板の作製も可能である。
【００６３】
また、ゲート電極１１０ａ、トランジスタのチャネル部に接続されてるゲート電極配線１１０ｃ、データ線１０７の両側に存在する第１のゲート線１０２を接続するための第２のゲート線１１０ｂとを、同一の連続した配線で形成する。それにより、プロセスが簡略化される。
【００６４】
また、パターニングされたゲート絶縁層１０９ａ、層間絶縁層１０９ｂが同一材料で形成され、同一プロセスで形成されていることで製造プロセスが簡略化される。
【００６５】
また、第１のゲート線１０２の線幅がゲート電極１１０ａ、第２のゲート線１１０ｂ、ゲート電極配線１１０ｃの線幅より小さいことで、より高精細なパネルが作製可能となる。
【００６６】
（電子機器）
次に、上述した製造方法によって製造される有機半導体ＴＦＴを備える電子機器の例について説明する。本実施形態にかかる有機半導体ＴＦＴは、各種の電子機器において、表示部を構成する液晶表示パネル、エレクトロルミネッセンス表示パネル、電気泳動表示パネルなどの製造や、回路部の製造などに適用することができる。
【００６７】
図１１は、電子機器の例を示す概略斜視図である。同図（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話５３０はアンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４、表示部５３５を備えている。
【００６８】
同図（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ５４０は受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３、表示部５４４を備えている。
【００６９】
同図（Ｃ）はテレビジョン装置への適用例であり、当該テレビジョン装置５５０は表示部５５１を備えている。
【００７０】
同図（Ｄ）はロールアップ式テレビジョン装置への適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン装置５６０は表示部５６１を備えている。また、本発明にかかる有機半導体ＴＦＴは、上述した例に限らず各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【００７１】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】図１は、第１の実施例の有機半導体トランジスタ（半導体装置）の製造工程を説明する工程図である。
【図２】図２は、第１の実施例の有機半導体トランジスタの構造を説明する平面図である。
【図３】図３は、第２の実施例の有機半導体トランジスタの製造行程を説明する工程図である。
【図４】図４は、第２の実施例の有機半導体トランジスタの構造を説明する平面図である。
【図５】図５は、第３の実施例の有機半導体トランジスタの製造工程を説明する工程図である。
【図６】図６は、第３の実施例の有機半導体トランジスタの構造を説明する平面図である。
【図７】図７は、第４の有機半導体トランジスタの製造行程を説明する工程図である。
【図８】図８は、第４の有機半導体トランジスタの構造を説明する平面図である。
【図９】図９は、本発明の有機半導体トランジスタを使用するアクティブマトリクス基板の例を説明する平面図である。
【図１０】図１０は、第５の実施例を説明する有機半導体トランジスタの平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の有機半導体トランジスタを使用した電子機器の例を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０１  基板、１０２  第１のゲート線、１０４  コンタクトホール、１０５  ソース・ドレイン電極、１０６  画素電極、１０７  データ線、１０８  有機半導体領域、１０９  ゲート絶縁層、１０９ａ  ゲート絶縁層、１０９ｂ  層間絶縁層、１１０ａ  ゲート電極、１１０ｂ  第２のゲート線、１１０ｃ  ゲート電極配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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