(57)【要約】【課題】不溶物の析出がなく均一であり、面状が良好な塗膜を形成できる膜形成用組成物、さらには電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の特性が良好であるとともに、面状および誘電率の特性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物、該組成物により形成した絶縁膜、及び、該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物もしくはそれを重合させて得られる重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、該組成物により形成した絶縁膜、及び、該絶縁膜を有する電子デバイス。【化１】2007084746.tif 000013    一般式（Ｉ）中、  Ｒはアセチレン性炭素三重結合を含む置換基を表わす。Ｘは置換基を表す。ｍは１〜８の整数である。ｎは０〜７の整数を表す。ｍとｎの和は１〜８である。Ｒ及びＸについて、それぞれ複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）で表される化合物及び該化合物を重合させて得られる重合体の少なくともいずれかを含有することを特徴とする膜形成用組成物。
【化１】
2007084746.tif 000011
一般式（Ｉ）中、
Ｒはアセチレン性炭素三重結合を含む置換基を表わす。
Ｘは置換基を表す。
ｍは１〜８の整数を表す。
ｎは０〜７の整数を表す。
ｍとｎの和は１〜８である。
Ｒ及びＸについて、それぞれ複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。
【請求項２】
一般式（Ｉ）で表される化合物が一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の膜形成用組成物。
【化２】
2007084746.tif 000012
一般式（ＩＩ）中、
Ｘは置換基を表す。
ｌは０〜３の整数であり、Ｙは水素原子またはメチル基である。
ｍは１〜８の整数を表す。
ｎは０〜７の整数を表す。
ｍとｎの和は１〜８である。
アセチレン性炭素三重結合を含む置換基及びＸについて、それぞれ複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。
【請求項３】
一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物及び該化合物を重合させて得られる重合体の少なくともいずれか、及び、塗布溶剤を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の膜形成用組成物。
【請求項４】
該重合体が金属触媒の存在下で重合させて得られる請求項１〜３に記載の膜形成用組成物。
【請求項５】
該金属触媒がパラジウムを含む化合物であることを特徴とする請求項４に記載の膜形成用組成物。
【請求項６】
該重合体が金属を含まない触媒の存在下で重合させて得られることを特徴とする請求項１〜３に記載の膜形成用組成物。
【請求項７】
該重合体が該塗布溶剤に可溶であることを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の膜形成用組成物。
【請求項８】
該重合体が該塗布溶剤に１質量％以上可溶であることを特徴とする請求項７に記載の膜形成用組成物。
【請求項９】
空孔形成剤を含有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の膜形成用組成物。
【請求項１０】
密着促進剤を含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の膜形成用組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜。
【請求項１２】
請求項１１に記載の絶縁膜を有する電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜性が良好な絶縁膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子材料分野においては、高集積化、多機能化、高性能化の進行に伴い、回路抵抗や配線間のコンデンサー容量が増大し、消費電力や遅延時間の増大を招いている。中でも、遅延時間の増大は、デバイスの信号スピードの低下やクロストークの発生の大きな要因となるため、この遅延時間を減少させてデバイスの高速化を図るべく、寄生抵抗や寄生容量の低減が求められている。この寄生容量を低減するための具体策の一つとして、配線の周辺を低誘電性の層間絶縁膜で被覆することが試みられている。また、層間絶縁膜には、実装基板製造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付け等の後工程に耐え得る優れた耐熱性やウェットプロセスに耐え得る耐薬品性が求められている。さらに、近年は、Ａｌ配線から低抵抗のＣｕ配線が導入されつつあり、これに伴い、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）による平坦化が一般的となっており、このプロセスに耐え得る高い機械的強度が求められている。
【０００３】
高耐熱性の絶縁膜として、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミドが広く知られているが、極性の高いＮ原子を含むため、低誘電性、低吸水性、耐久性および耐加水分解性の面では、満足なものは得られていない。
また、有機ポリマーは概して有機溶剤への溶解性の不十分なものが多く、塗布液中での析出、絶縁膜中でのブツ発生の抑制が重要な課題となっているが、溶解性を向上させるためにポリマー主鎖を折れ曲がり構造にするとガラス転移点の低下、耐熱性の低下が弊害となりこれらを両立することは容易ではない。
また、ポリアリーレンエーテルを基本主鎖とする高耐熱性樹脂が知られており、比誘電率は２．６〜２．７の範囲である。しかし、高速デバイスを実現するためには更なる低誘電率化が望まれており、多孔化せずにバルクでの比誘電率を好ましくは２．６以下、より好ましくは２．５以下にすることが望まれている。
【０００４】
特許文献１にエチニル基が置換したアダマンタンの熱重合体を利用した絶縁膜が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２にポリノルボルネン構造を有する絶縁膜が開示されている。
しかし、これらの方法では十分に低い誘電率は得られなかった。
【特許文献１】特開２００３−２９２８７８号公報
【特許文献２】特開２００４−２７７７２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記問題点を解決するための膜形成用組成物、より詳しくは、不溶物の析出がなく均一であり、面状が良好な塗膜を形成できる膜形成用組成物、さらには電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の特性が良好であるとともに、面状および誘電率の特性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物、該組成物により形成した絶縁膜、及び、該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、下記の構成により達せられた。
（１）一般式（Ｉ）で表される化合物及び該化合物を重合させて得られる重合体の少なくともいずれかを含有することを特徴とする膜形成用組成物。
【０００８】
【化１】
2007084746.tif 000002
【０００９】
一般式（Ｉ）中、
Ｒはアセチレン性炭素三重結合を含む置換基を表す。
Ｘは置換基を表す。
ｍは１〜８の整数を表す。
ｎは０〜７の整数を表す。
ｍとｎの和は１〜８である。
Ｒ及びＸについて、それぞれ複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。
【００１０】
（２）一般式（Ｉ）で表される化合物が一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする上記（１）に記載の膜形成用組成物。
【００１１】
【化２】
2007084746.tif 000003
【００１２】
一般式（ＩＩ）中、
Ｘは置換基を表す。
ｌは０〜３の整数であり、Ｙは水素原子またはメチル基である。
ｍは１〜８の整数を表す。
ｎは０〜７の整数を表す。
ｍとｎの和は１〜８である。
アセチレン性炭素三重結合を含む置換基及びＸについて、それぞれ複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。
（３）一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物及び該化合物を重合させて得られる重合体の少なくともいずれか、及び、塗布溶剤を含有することを特徴とする上記（１）または（２）に記載の膜形成用組成物。
（４）該重合体が金属触媒の存在下で重合させて得られる上記（１）〜（３）に記載の膜形成用組成物。
（５）該金属触媒がパラジウムを含む化合物であることを特徴とする上記（４）に記載の膜形成用組成物。
（６）該重合体が金属を含まない触媒の存在下で重合させて得られることを特徴とする上記（１）〜（３）に記載の膜形成用組成物。
【００１３】
（７）該重合体が該塗布溶剤に可溶であることを特徴とする上記（３）〜（６）のいずれかに記載の膜形成用組成物。
（８）該重合体が該塗布溶剤に１質量％以上可溶であることを特徴とする上記（７）に記載の膜形成用組成物。
（９）空孔形成剤を含有することを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれかに記載の膜形成用組成物。
（１０）密着促進剤を含有することを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載の膜形成用組成物。
【００１４】
（１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の膜形成用組成物を用いて形成した絶縁膜。
（１２）上記（１１）に記載の絶縁膜を有する電子デバイス。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の膜形成用組成物は均一であり不溶物の析出がなく、該組成物から形成した絶縁膜は低い比誘電率を有し、面状が良く、電子デバイスなどにおける層間絶縁膜として利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の膜形成用組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物、もしくは/および、それを重合させて得られる重合体を含有する。
【００１７】
【化３】
2007084746.tif 000004
【００１８】
一般式（Ｉ）中、
Ｒはアセチレン性炭素三重結合を含む置換基を表す。
Ｘは置換基を表す。
ｍは１〜８の整数を表す。
ｎは０〜７の整数を表す。
ｍとｎの和は１〜８である。
Ｒ及びＸについて、それぞれ複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。
【００１９】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、ノルボルネン骨格への置換基であるＲとしてアセチレン性炭素三重結合を含む基を少なくとも一つ有する。
Ｒの好ましいアセチレン性炭素三重結合を含む置換基としては、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜８）、鎖中にアセチレン性炭素三重結合を有するアルキル基（好ましくは炭素数３〜１２）、又は、置換基としてアセチレン性炭素三重結合を有する基を有するアリール基（好ましくは炭素数８〜２４）を挙げることができる。
【００２０】
これらのアセチレン性炭素三重結合を含む基はさらに他の置換基を有していても良く、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、クロル原子、臭素原子、または沃素原子）、直鎖、分岐、環状のアルキル基（メチル、ｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘ
キシル、アダマンチル、ビアダマンチル、ジアマンチル等）、アルキニル基（エチニル、フェニルエチニル等）、アリール基（フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル等）、アシル基（ベンゾイル等）、アリールオキシ基（フェノキシ等）、アリールスルホニル基（フェニルスルホニル等）、ニトロ基、シアノ基、シリル基（トリエトキシシリル、メチルジエトキシシリル、トリビニルシリル等）、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルコール基（メチルオル、エチルオル、イソプロピルオル等）等が挙げられる。これらの置換基はさらに別の置換基で置換されていてもよい。
【００２１】
一般式（Ｉ）におけるノルボルネン骨格は、Ｘとしてアセチレン性炭素三重結合を含む基以外の置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、クロル原子、臭素原子、または沃素原子）、アルキル基（メチル、ｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アダマンチル、ビアダマンチル、ジアマンチル等）、アシル基（ベンゾイル等）、アリールオキシ基（フェノキシ等）、アリールスルホニル基（フェニルスルホニル等）、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。
【００２２】
ノルボルネン骨格のアセチレン性炭素三重結合を含む基の置換数（ｍ）は、好ましくは、1〜４であり、より好ましくは１又は２であり、特に好ましくは１である。
Ｒがノルボルネン骨格に置換する位置は、好ましくは*の位置である。
【００２３】
【化４】
2007084746.tif 000005
【００２４】
ノルボルネン骨格のアセチレン性炭素三重結合を含む基以外の置換基の置換数（ｎ）は、好ましくは０〜３であり、より好ましくは０〜１であり、特に好ましくは０である。  一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。
【００２５】
【化５】
2007084746.tif 000006
【００２６】
一般式（ＩＩ）中、
Ｘは置換基を表す。
ｌは０〜３の整数であり、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。Ｙは水素原子またはメチル基であり、より好ましくは水素原子である。
ｍは１〜８の整数を表し、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１又は２であり、特に好ましくは１である。
ｎは０〜７の整数を表し、好ましくは０〜３であり、より好ましくは０又は１であり、特に好ましくは０である。
ｍとｎの和は１〜８である。
アセチレン性炭素三重結合を含む置換基及びＸについて、それぞれ複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。
【００２７】
一般式（Ｉ）で表される化合物の分子量は、好ましくは１１０〜７０００、より好ましくは１１０〜２０００、特に好ましくは１１０〜１４０である。
【００２８】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、単独で使用しても良いし、２種以上を混合して使用しても良い。
【００２９】
以下に、一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００３０】
【化６】
2007084746.tif 000007
【００３１】
【化７】
2007084746.tif 000008
【００３２】
【化８】
2007084746.tif 000009
【００３３】
【化９】
2007084746.tif 000010
【００３４】
一般式（Ｉ）で表される化合物の合成においてエチニル基を導入するためには、例えば、市販のシクロペンタジエンを原料として、ビニルアセチレン、アリルアセチレンなどの不飽和炭化水素と反応させることによって容易に得ることができる。
また、本発明の化合物には、誘電率及び膜の吸湿性の観点から窒素原子は含まないことが特に好ましい。
【００３５】
一般式（Ｉ）で表される化合物の重合は溶媒中で行うことが好ましい。
一般式（Ｉ）で表される化合物の重合反応で使用する溶媒は、原料モノマーが必要な濃度で溶解可能であり、かつ得られる重合体から形成する膜の特性に悪影響を与えないものであればどのようなものを使用しても良い。例えば水やメタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶剤、アルコールアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、メチルベンゾエート等のエステル系溶剤、ジブチルエーテル、アニソール、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、トルエン、キシレン、メシチレン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、Ｎ−メチルピロリジノン、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、四塩化炭素、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン系溶剤、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤などが利用できる。
【００３６】
これらの中でより好ましい溶剤はアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、アニソール、テトラヒドロフラン、トルエ
ン、キシレン、メシチレン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼンであり、より好ましくはテトラヒドロフラン、γ−ブチロラクトン、アニソール、トルエン、キシレン、メシチレン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼンであり、特に好ましくはγ−ブチロラクトン、アニソール、メシチレン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼンである。これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００３７】
反応用の有機溶媒の沸点は５０℃以上が好ましく、より好ましくは１００℃以上であり、特に好ましくは１５０℃以上である。
反応液の濃度は好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは５〜３０質量％、特に好ましくは１０〜２０質量％である。
【００３８】
本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の重合はエチレン性炭素二重結合の付加重合反応、開環重合反応によって行うことが好ましい。本発明の付加重合反応としては、有機合成分野で公知のカチオン重合、アニオン重合、ラジカル重合、熱重合等が、開環重合反応としては、有機合成分野で公知の開環メタセシス重合等が利用できる。
ルテニウムやロジウムを触媒とする開環メタセシス重合や、ラジカル開始剤を用いるラジカル重合などの場合、二重結合が選択的に重合し、二重結合が反応終了した段階でも、三重結合はほぼ残っている。重合後に残った三重結合は、塗膜後、熱硬化時に架橋性基として機能する。重合後、三重結合は２％程度残っていれば、架橋性基として機能するが、多く残っていることが好ましく、１００％残っていることが好ましい。
本発明において、一般式（Ｉ）で表される化合物の重合反応は、高収率で高分子量の重合体を得るには金属触媒を使用することが好ましい。金属触媒を使用することで、反応時間短縮、反応温度の低下のメリットの他、特に本発明においては塗布溶剤への溶解性の良好な重合体をより高い収率で得ることができる優れた効果がある。使用できる触媒としては遷移金属触媒が好ましく用いられ、例えば｛（h3-allyl）Pd(SbF6)｝、Pd(PPh3)4、Bis(benzonitrile)Palladiumchloride、Pd(OAc)2等のＰｄ系触媒、Ｚｉｅｇｌｅｒ−Ｎａｔｔａ触媒、ニッケルアセチルアセトネート等のＮｉ系触媒、ＷＣｌ6等のＷ系触媒、ＭｏＣｌ5等のＭｏ系触媒、ＴａＣｌ5等のＴａ系触媒、ＮｂＣｌ5等のＮｂ系触媒、Ｒｈ系触媒、Ｐｔ系触媒等が好ましく用いられる。
また、得られる重合体を絶縁膜として用いる場合、重合体から金属触媒を除去する必要がないため、ラジカル開始剤を用いることが好ましい。
【００３９】
この中でもシクロヘキサノンのような塗布溶剤に高い溶解性を有する可溶性重合体が収率よく得られる点で、Ｐｄ系の触媒（パラジウムを含む化合物）が特に好ましい。
金属触媒の添加量は、エチレン基１モルに対して０．０００１〜０．１モルが好ましく、０．０００５〜０．０５モルがより好ましく、０．００１〜０．０１モルが特に好ましい。
【００４０】
本発明における付加重合反応の最適な条件は、触媒、溶媒の種類、触媒の量、濃度等によって異なるが、好ましくは内温０℃〜２３０℃、より好ましくは１００℃〜２３０℃、特に好ましくは１８０℃〜２３０℃で、好ましくは１〜５０時間、より好ましくは２〜２０時間、特に好ましくは３〜１０時間の範囲である。
また、重合体の酸化分解を抑制するために不活性ガス雰囲気下（例えば窒素、アルゴン等）で反応させることが好ましい。
重合して得られるポリマーの質量平均分子量の好ましい範囲は１０００〜５０００００、より好ましくは５０００〜３０００００、特に好ましくは１００００〜２０００００である。
【００４１】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物及びその重合物の少なくともいずれか、及び、塗布溶剤を含むことで、塗布液として好ましい膜形成用組成物とすることができる。
上記一般式（Ｉ）で表される化合物及びその重合物の少なくともいずれかは、塗布溶剤に十分な濃度で溶解することが望まれる。溶解性の目安としては、電子デバイス製造の際に使用される塗布溶剤（例えば、シクロヘキサノン）に２５℃で好ましくは１質量％以上、より好ましくは７質量％以上、特に好ましくは１０質量％以上溶解することが好ましい。
【００４２】
好適な塗布溶剤の例としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−ブタノール、２−エトキシメタノール、３−メトキシプロパノール等のアルコール系溶剤、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶剤、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、アニソール、フェネトール、ベラトロール等のエーテル系溶剤、メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、プロピルベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、Ｎ−メチルピロリジノン、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤などが挙げられ、これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００４３】
より好ましい塗布溶剤は、アセトン、プロパノール、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、アニソール、メシチレン、１，２−ジクロロベンゼンであり、特に好ましくはシクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、アニソールである。
【００４４】
膜形成用組成物中の全固形分濃度は、好ましくは１〜５０質量％であり、より好ましくは２〜２０質量％であり、特に好ましくは３〜１０質量％である。
【００４５】
本発明の重合体は単独で使用しても２種以上を混合して使用してもよい。
【００４６】
更に、本発明の膜形成用組成物には、得られる絶縁膜の特性（耐熱性、誘電率、機械強度、塗布性、密着性等）を損なわない範囲で、ラジカル発生剤、非イオン界面活性剤、フッ素系非イオン界面活性剤、シランカップリング剤、密着促進剤などの添加剤を添加してもよい。
【００４７】
ラジカル発生剤としては、例えば、ｔ−ブチルパーオキシド、ペンチルパーオキシド、ヘキシルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。非イオン界面活性剤としては、例えば、オクチルポリエチレンオキシド、デシルポリエチレンオキシド、ドデシルポリエチレンオキシド、オクチルポリプロピレンオキシド、デシルポリプロピレンオキシド、ドデシルポリプロピレンオキシド等が挙げられる。フッ素系非イオン界面活性剤としては、例えば、パーフルオルオクチルポリエチレンオキシド、パーフルオルデシルポリエチレンオキシド、パーフルオルドデシルポリエチレンオキシド等が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、トリビニルエトキシシラン等が挙げられる。
【００４８】
これらの添加剤の添加量は、添加剤の用途または塗布液の固形分濃度によって適当な範囲が存在するが、一般的に、塗布液中、好ましくは０．００１質量％〜１０質量％、より好ましくは０．０１質量％〜５質量％、特に好ましくは０．０５質量％〜２質量％である。
【００４９】
本発明の膜形成用組成物は空孔形成剤を含むことが好ましい。空孔形成剤とは膜形成用組成物により得た膜中に空孔を形成する機能を有する物質である。例えば、空孔形成剤を含有する膜形成用組成物により形成された膜を加熱することにより、膜中に空孔形成剤による空孔を形成し、空孔を含有する膜を得ることができる。
【００５０】
空孔形成剤としては、特に限定されないが、加熱によって分解する熱分解性ポリマーを使用することができる。空孔形成剤としてのポリマーは、膜を構成するポリマーの熱分解温度より低い温度において熱分解するものが好ましい。
【００５１】
空孔形成剤として使用できる熱分解性ポリマーとしては、例えば、ポリビニル芳香族化合物（ポリスチレン、ポリビニルピリジン、ハロゲン化ポリビニル芳香族化合物など）、ポリアクリロニトリル、ポリアルキレンオキシド（ポリエチレンオキシドおよびポリプロピレンオキシドなど）、ポリエチレン、ポリ乳酸、ポリシロキサン、ポリカプロラクトン、ポリカプロラクタム、ポリウレタン、ポリメタクリレート（ポリメチルメタクリレートなど）またはポリメタクリル酸、ポリアクリレート（ポリメチルアクリレートなど）およびポリアクリル酸、ポリジエン（ポリブタジエンおよびポリイソプレンなど）、ポリビニルクロライド、ポリアセタール、およびアミンキャップドアルキレンオキシド（ＨｕｎｔｓｍａｎＣｏｒｐ．からＪｅｆｆａｍｉｎｅＴＭポリエーテルアミンとして商業的に入手できる）などが挙げられる。
【００５２】
空孔形成剤としてのポリマーは、ホモポリマー、ブロックコポリマー、ランダムコポリマーなどいずれであってもよい。また、これらの混合物であっても良い。また、線状、分岐状、超分岐状、樹枝状または星様状であってもよい。
【００５３】
特にポリスチレンは、空孔形成剤として好適に使用できる。例えば、アニオン性重合ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、未置換および置換ポリスチレン（たとえば、ポリ（α−メチルスチレン））が挙げられ、未置換ポリスチレンがより好ましい。
【００５４】
空孔形成剤は、膜を形成する化合物に結合していることも好ましい。このように設計することで大きさが均一な空孔を形成することが可能となり、機械強度の低下を低減できる。
【００５５】
空孔形成剤は、また、絶縁膜に生成する空孔の大きさに対応した大きさの粒状物質であってもよい。このような物質としては、好ましくは０．５〜５０ｎｍ、より好ましくは０．５〜２０ｎｍの平均直径を有する物質である。かかる物質の材質等に制限はなく、例としては、デンドリマーのような超分岐状ポリマー系およびラテックス粒子、特に架橋ポリスチレン含有ラテックスが挙げられる。
これらの物質の例としては、Ｄｅｎｄｒｉｔｅｃｈ，Ｉｎｃ．を通じて入手でき、また、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｊ．（東京），Ｖｏｌ．１７，１１７（１９８５）にＴｏｍａｌｉａ等により記載されているポリアミドアミン（ＰＡＭＡＭ）デンドリマー、ＤＳＭＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できるポリプロピレンイミンポリアミン（ＤＡＢ−Ａｍ）デンドリマー、フレッシェ型ポリエーテルデンドリマー（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１１２，７６３８（１９９０）、Ｖｏｌ．１１３，４２５２（１９９１）にＦｒｅｃｈｅｔ等により記載されている）、パーセク型液晶モノデンドロン、デンドロン化ポリマーおよびそれらの自己集合高分子（Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．３９１，１６１（１９９８）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１１９，１５３９（１９９７）にＰｅｒｃｅｃ等により記載されている）、ボルトロンＨシリーズ樹枝状ポリエステル（ＰｅｒｓｔｏｒｐＡＢから商業的に入手できる）が挙げられる。
【００５６】
空孔形成剤としてのポリマーの好適な質量平均分子量は好ましくは２０００〜１０００００、より好ましくは３０００〜５００００、特に好ましくは５０００〜２００００である。
【００５７】
膜形成用組成物中の空孔形成剤の添加量は、全固形分に対して、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは１０〜４０質量％、特に好ましくは２０〜３０質量％である。
【００５８】
本発明の膜形成用組成物は密着促進剤を含むことが好ましい。
本発明に用いられる密着促進剤の代表的な例は、シラン、好ましくはアルコキシ・シラン（例えばトリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン）等のオルガノシラン、アセトキシシラン（例えばビニルトリアセトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、およびこれらの加水分解物あるいは脱水縮合物、ヘキサメチルジシラザン［（ＣＨ3）3−Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（ＣＨ3）3］、または、アミノシラン・カプラー、例えばγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、またはキレート（例えば、酸化アルミニウムを形成する点から、アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレート［（（i-Ｃ3Ｈ7Ｏ）2Ａｌ（ＯＣＯＣ2Ｈ5ＣＨＣＯＣＨ3））］、アルミニウム・アルコキシド）などを挙げることができる。これらの材料を混合して用いてもよい。また、接着促進剤として市販されているものを用いてもよい。
膜形成用組成物中の密着促進剤の添加量は、全固形分に対して、一般的には０．０５質量％〜５質量％、好ましくは０．１〜２質量％である。
【００５９】
絶縁膜は、本発明の塗布液をスピンコーティング法、ローラーコーティング法、ディップコーティング法、スキャン法等の任意の方法により基板に塗布した後、溶剤を加熱処理で除去することにより形成することができる。加熱処理の方法は、特に限定されないが、一般的に使用されているホットプレート加熱、ファーネス炉を使用した方法、ＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等によるキセノンランプを使用した光照射加熱等を適用することができる。
【００６０】
本発明の重合体は基盤上に塗布した後に加熱処理することによって硬化させることが特に好ましい。例えば重合体中に存在する（残存する）三重結合を後加熱時に重合させることによって、不溶不融化することができる。この後加熱処理の条件は、好ましくは１００〜４５０℃、より好ましくは２００〜４２０℃、特に好ましくは３５０℃〜４００℃で、好ましくは１分〜２時間、より好ましくは１０分〜１．５時間、特に好ましくは３０分〜１時間の範囲である。
後加熱処理は数回に分けて行っても良い。また、この後加熱は酸素による熱酸化を防ぐために窒素雰囲気下で行うことが特に好ましい。
【００６１】
本発明の塗布液を使用して得られる膜は、多様の目的に使用することが出来る。例えば半導体装置、マルチチップモジュール多層配線板等の電子部品における絶縁被膜として好適であり、半導体用層間絶縁膜、表面保護膜、バッファーコート膜の他、ＬＳＩにおけるパッシベーション膜、α線遮断膜、フレキソ印刷版のカバーレイフィルム、オーバーコート膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として使用することが出来る。
さらに、別の用途として本発明の膜に電子ドナーまたはアクセプターをドープすること
によって導電性を付与し、導電性膜として使用することも出来る。
【実施例】
【００６２】
以下の実施例は、本発明を説明するものであり、その範囲を限定するものではない。
【００６３】
＜実施例１＞
文献（Tetrahedron, Vol.41(4), 749-761(1985)）に記載の方法に従って、５−ノルボルネン−２−メチルエチニルを合成した。次に、５−ノルボルネン−２−メチルエチニル１０ｇとトルエン５０ｍｌおよび｛（h3-allyl）Pd(SbF6)｝３００ｍｇを窒素気流下で内温２５℃で１２時間攪拌した。触媒をクエンチするために水素ガスを３０分間吹き込み、さらに不溶物をろ過した後、メタノール３００ｍｌに投じた。析出した固体を濾過して、メタノールで洗浄した。質量平均分子量４００００の重合体（Ａ）を３．０ｇ得た。重合体（Ａ）のシクロヘキサノンへの溶解度は２５℃で１５質量％以上であった。
【００６４】
重合体（Ａ）１．０ｇをシクロヘキサノン７．３ｇに室温で完全に溶解させて塗布液を調製した。この溶液を０．２ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で２５０℃で６０秒間加熱した後、更に窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分焼成した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。この膜をシクロヘキサノンに室温で５時間浸漬したが膜圧は全く減少しなかった。膜の比誘電率（測定温度：２５℃、以降も同様）をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．２６であった。また、塗膜後の面状は良好であった。
【００６５】
＜実施例２＞
塗布溶剤をアニソールに変更した他は実施例１と全く同じようにして、塗膜を作製した。比誘電率は２．２６であった。また、塗膜後の面状は良好であった。
【００６６】
＜実施例３＞
合成した５−ノルボルネン−２−エチニル１０ｇとトルエン５０ｍｌおよび｛（h3-allyl）Pd(SbF6)｝３００ｍｇを窒素気流下で内温２５℃で１２時間攪拌した。触媒をクエンチするために水素ガスを３０分間吹き込み、さらに不溶物をろ過した後、メタノール３００ｍｌに投じた。析出した固体を濾過して、メタノールで洗浄した。質量平均分子量２００００の重合体（Ｂ）を３．０ｇ得た。
重合体（Ｂ）のシクロヘキサノンへの溶解度は室温で１５質量％以上であった。
【００６７】
重合体（Ｂ）１．０ｇをシクロヘキサノン７．３ｇに室温で完全に溶解させて塗布液を調製した。この溶液を０．２ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で２００℃で６０秒間加熱した後、更に窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分焼成した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。この膜をシクロヘキサノンに室温で５時間浸漬したが膜圧は全く減少しなかった。膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．２７であった。また、塗膜後の面状は良好であった。
【００６８】
＜実施例４＞
合成した５−ノルボルネン−２−メチルエチニル５ｇと５−ノルボルネン−２−エチニル５ｇとトルエン５０ｍｌおよび｛（h3-allyl）Pd(SbF6)｝３００ｍｇを窒素気流下で内温２５℃で１５時間攪拌した。触媒をクエンチするために水素ガスを３０分間吹き込み、
さらに不溶物をろ過した後、メタノール３００ｍｌに投じた。析出した固体を濾過して、メタノールで洗浄した。質量平均分子量２００００の重合体（Ｃ）を３．０ｇ得た。重合体（Ｃ）のシクロヘキサノンへの溶解度は室温で１５質量％以上であった。
【００６９】
重合体（Ｃ）１．０ｇをシクロヘキサノン７．３ｇに室温で完全に溶解させて塗布液を調製した。この溶液を０．２ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で１５０℃で６０秒間加熱した後、更に窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分焼成した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。この膜をシクロヘキサノンに室温で５時間浸漬したが膜圧は全く減少しなかった。膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、２．２５であった。また、塗膜後の面状は良好であった。
【００７０】
＜実施例５＞
実施例１と同じ方法で重合体（Ａ）のシクロヘキサノン塗布液を８．３ｇ作った。この液に空孔形成剤として質量平均分子量１３７００のポリスチレン０．２ｇを加えて完溶させた。この塗布液を用いて実施例１と同じ方法で塗膜を作製した。膜の比誘電率は、２．０７であった。また、塗膜後の面状は良好であった。
【００７１】
＜実施例６＞
実施例５と同じ方法で、空孔形成剤の入った塗布液を８．５ｇ作製した。ビニルトリアセトキシシランに３倍モルの水を加えて、室温で１０分間攪拌して加水分解と脱水縮合を行い、密着促進剤として部分縮合体を合成した。この縮合体１０ｍｇを塗布液に加え、完溶させた。こうして得られた塗布液を使用して実施例１と同じ方法で塗膜を作製した。比誘電率は２．０７であった。また、塗膜後の面状は良好であった。
【００７２】
＜比較例１＞
１，３，５−トリエチニルアダマンタン１ｇをアニソール１０ｇに溶解して、触媒を用いないで内温２００℃で５０時間攪拌した。反応液のＧＰＣを測定したが、９７％が原料の１，３，５−トリエチニルアダマンタンであった。
得られた化合物を実施例１と同様に塗膜を作製したところ、均一な絶縁膜を形成することは出来なかった。
【００７３】
＜比較例２＞
１，３−ジエチニルアダマンタン５ｇをトリイソプロピルベンゼン中で触媒を用いないで２１０℃で１００時間反応させ、実施例１の方法に準じて後処理を行った結果、１．０ｇの重合体（Ｄ）を得た。重合体（Ｄ）１．０ｇをシクロヘキサノン７．３ｇに室温で完全に溶解させて塗布液を調製して実施例１と同じ方法で塗膜を作製した。膜の比誘電率を測定した結果、２．６３であった。塗膜後の面状は悪かった。
【００７４】
＜比較例３＞
モノマーを５−ノルボルネン−２−メチルエチニルの代わりに１，３−ジエチニルアダマンタンを用いた以外は実施例１と全く同じようにして、塗膜を作製した。比誘電率は２．６であった。塗膜後は面状が悪かった。
【００７５】
＜比較例４＞
米国特許第５,４６８,８１９号に記載されている公知の方法によって得られたｎ−ブチルノルボルネン９０ｍｏｌ％とトリエトキシシランノルボルネン１０ｍｏｌ％からなるポリノルボルネン１８ｇを１,３,５−トリメチルベンゼン７２ｇに溶解した環状オレフィン
系樹脂溶液（プロメラス社製、商品名アバトレル）を実施例１と同じ方法で塗膜を作製した。膜の誘電率を測定した結果、２．４０であった。
【００７６】
比較例に比べて、本発明の塗布液は、比誘電率、面状が優れていることが判る。