(57)【要約】【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子１を塗り工程を含むプロセスで形成する場合、陽極３と陰極７の間に発光領域ＬＡを規制する画素規制層８を設けると、発光領域ＬＡを規制する側の端部Ｐ０の段差によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みにばらつきが生じる。これに伴う電流密度の差異によって発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布は均一にならない。【解決手段】正孔を注入する陽極３と、発光層６と、電子を注入する陰極７と、正孔または電子のうち少なくとも一方の注入を制御して発光層６の発光領域ＬＡを規制する画素規制層８とを有し、画素規制層８によって発光領域ＬＡにおける発光輝度をほぼ均一にするよう構成した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
正孔を注入する陽極と、発光層と、電子を注入する陰極と、前記正孔または前記電子のうち少なくとも一方の注入を制御して前記発光層の発光領域を規制する画素規制層とを有し、前記画素規制層を前記発光領域における発光輝度がほぼ均一になるように構成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記画素規制層を不透明材料で構成したことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記画素規制層がカーボン粒子を含むことを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記画素規制層の仕事関数をＷＦ１、前記陽極の仕事関数をＷＦ２とするとき、前記画素規制層を仕事関数ＷＦ１が２．０［ｅＶ］＜ＷＦ１＜ＷＦ２を満たす金属材料で構成したことを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記陽極または前記陰極の表面とこれに接する前記画素規制層の表面のなす角度によって、前記発光領域における発光輝度がほぼ均一になるように構成したことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記陽極または前記陰極の表面とこれに接する前記画素規制層の表面のなす角度を、３度以上４５度以下に構成したことを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記陽極または前記陰極の表面とこれに接する前記画素規制層の表面のなす角度を、３度以上１０度以下に構成したことを特徴とする請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記画素規制層の厚みを前記発光領域の幅より小さく、かつ発光領域の幅の１．５％以上に構成したことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記画素規制層における前記発光領域を規制する側を端部に向かうほど厚みが薄くなる曲面で構成したことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記画素規制層における前記発光領域を規制する側を前記画素規制層と接する前記陽極または前記陰極の表面に対して下に凸の曲面で構成したことを特徴とする請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記画素規制層を、前記発光層を構成する発光材料を溶解する溶媒、あるいは前記発光材料を溶解した溶液に対して濡れ性を有する材料によって構成したことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記画素規制層における前記発光領域を規制する側の前記溶媒あるいは前記溶液との接触角を４５度以下としたことを特徴とする請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
正孔を注入する陽極と、発光層と、電子を注入する陰極と、前記陽極または前記陰極の一部を被覆し前記正孔または前記電子のうち少なくとも一方の注入を制御して前記発光層の発光領域を規制する複数の層からなる画素規制層とを有し、前記画素規制層を前記発光領域における発光輝度がほぼ均一になるように構成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
前記画素規制層の各層をそれぞれ異なる材料で構成したことを特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
前記画素規制層を、前記陽極または前記陰極に接して形成された第１の画素規制層と、この第１の画素規制層に接して形成され前記陽極または前記陰極の一部を被覆する第２の画素規制層から構成したことを特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
前記陽極または前記陰極の表面とこれに接する前記第１の画素規制層の表面とがなす角度を、３度以上４５度以下に構成したことを特徴とする請求項１５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
前記陽極または前記陰極の表面とこれに接する前記第１の画素規制層の表面とがなす角度を、３度以上１０度以下に構成したことを特徴とする請求項１６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
前記画素規制層を、前記陽極または前記陰極に接して形成された第２の画素規制層と、この第２の画素規制層に接して形成され前記第２の画素規制層の一部を被覆する第１の画素規制層から構成したことを特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
前記第２の画素規制層の表面とこれに接する前記第１の画素規制層の表面とがなす角度を、３度以上４５度以下に構成したことを特徴とする請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記第２の画素規制層の表面とこれに接する前記第１の画素規制層の表面とがなす角度を、３度以上１０度以下に構成したことを特徴とする請求項１９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
前記第１の画素規制層を感光性樹脂で構成し、前記第２の画素規制層を第１の画素規制層によってパターンニングして構成したことを特徴とする請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
前記第１の画素規制層の厚みと前記第２の画素規制層の厚みを、第１の画素規制層の厚み＞第２の画素規制層の厚みの関係を満たすよう構成したことを特徴とする請求項１５または請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２３】
前記第１の画素規制層の厚みを前記発光領域の幅以下、かつ前記発光領域の幅の１．５％以上に構成したことを特徴とする請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２４】
前記第１の画素規制層を不透明材料で構成したことを特徴とする請求項１５または請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２５】
前記第１の画素規制層がカーボン粒子を含むことを特徴とする請求項２４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２６】
少なくとも前記第２の画素規制層を、前記発光層を構成する発光材料を溶解する溶媒、あるいは前記発光材料を溶解した溶液に対して濡れ性を有する材料で構成したことを特徴とする請求項１５または請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２７】
少なくとも前記第２の画素規制層の前記溶媒あるいは前記溶液との接触角を４５度以下としたことを特徴とする請求項２６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２８】
前記第１の画素規制層を有機物で構成し、前記第２の画素規制層を無機物で構成したことを特徴とする請求項１５または請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２９】
前記第１の画素規制層を絶縁性材料で構成し、前記第２の画素規制層を所定の抵抗値を有する導電性材料で構成したことを特徴とする請求項１５または請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３０】
前記導電性材料の面方向の抵抗値を１メガオーム以上としたことを特徴とする請求項２９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３１】
前記第１の画素規制層を絶縁性材料で構成し、前記第２の画素規制層を金属材料で構成したことを特徴とする請求項１５または請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３２】
前記第２の画素規制層を窒化シリコンあるいは窒化アルミニウムで構成したことを特徴とする請求項１５または請求項１８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３３】
前記陽極が少なくとも正孔輸送材料で構成された層を含むことを特徴とする請求項１または請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３４】
前記正孔輸送材料を無機酸化物あるいは非晶質カーボンとしたことを特徴とする請求項３３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３５】
前記発光層を溶媒に可溶な材料にて構成したことを特徴とする請求項１または請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３６】
前記発光層を高分子材料から構成したことを特徴とする請求項１または請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３７】
前記発光層をスピンコート法により形成したことを特徴とする請求項１または請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３８】
正孔を注入する陽極と、発光層と、電子を注入する陰極と、前記正孔または前記電子のうち少なくとも一方の注入を制御して前記発光層の発光領域を規制する画素規制層とを有し、この画素規制層によって規制された前記発光領域における前記発光層の厚みのばらつきが、前記発光領域における前記発光層の厚みを平均した値の２０％以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３９】
請求項１〜請求項３８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を列状に配置し、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子を独立して点灯／消灯制御可能に構成したことを特徴とする露光装置。
【請求項４０】
少なくとも請求項３９記載の露光装置と、前記露光装置によって静電潜像が形成される感光体と、前記感光体上に形成された静電潜像を顕画化する現像手段を有する画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子、この素子を列状に配置して露光光源として用いた露光装置およびこの露光装置を搭載した画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネッセンス素子とは固体蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスであり、現在無機系材料を発光体として用いた無機エレクトロルミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイのバックライトやフラットディスプレイ等への応用展開が一部で図られている。しかし無機エレクトロルミネッセンス素子は発光させるために必要な電圧が１００Ｖ以上と高くしかも青色発光が難しいため、ＲＧＢの三原色によるフルカラー化が困難である。また無機エレクトロルミネッセンス素子は発光体として用いる材料の屈折率が非常に大きいため、界面での全反射等の影響を強く受け、実際の発光に対する空気中への光の取り出し効率が１０〜２０％程度と低く高効率化が困難である。
【０００３】
一方、有機材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子に関する研究も古くから注目され様々な検討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから本格的な実用化研究へは進展しなかった。
【０００４】
しかし１９８７年にコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ氏らにより、発光層を構成する有機材料を正孔輸送層と発光層の２層に分けた機能分離型の積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が提案され、１０Ｖ以下の低電圧にもかかわらず１０００ｃｄ／ｍ２以上の高い発光輝度が得られることが明らかとなった（非特許文献１参照）。これ以降、有機エレクトロルミネッセンス素子が俄然注目され始め、現在も同様な機能分離型の積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子についての研究が盛んに行われており、特に有機エレクトロルミネッセンス素子の実用化のためには不可欠である高効率化・長寿命化についても十分検討がなされており、近年有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたディスプレイ等が実現されるようになった。
【０００５】
図１３は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す断面図である。
【０００６】
以降、従来の一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構造について図１３を用いて説明する。
【０００７】
図１３に示すように有機エレクトロルミネッセンス素子１１は、例えばガラス基板１２上にスパッタリング法や抵抗加熱蒸着法等により形成されたＩＴＯ等の透明な導電性膜からなる陽極１３と、陽極１３上に同じく抵抗加熱蒸着法等により形成されたＮ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−１、１'−ジフェニル−４，４'−ジアミン（以下、ＴＰＤと略称する。）等からなる正孔輸送層１４と、正孔輸送層１４上に抵抗加熱蒸着法等により形成された８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ（以下Ａｌｑ３と略称する）等からなる有機材料層１５と、有機材料層１５上に抵抗加熱蒸着法等により形成された１００ナノメートル〜３００ナノメートル程度の厚みの金属膜からなる陰極１７とを備えている。
【０００８】
なお正孔輸送層１４と有機材料層１５は便宜上一括して単に発光層１６と呼称される。この場合発光層１６には正孔輸送層１４、有機材料層１５の他に図示しない正孔注入層、電子注入層、電子輸送層、電子ブロック層（ともに図示せず）などが含まれていてもよい。以下の説明についてもこの例に倣う。
【０００９】
上記構成を有する有機エレクトロルミネッセンス素子１１の陽極１３をプラス極として、また陰極１７をマイナス極として直流電圧又は直流電流を印加すると、陽極１３から正孔輸送層１４を介して有機材料層１５に正孔が注入され、陰極１７から有機材料層１５に電子が注入される。発光層１６を構成する有機材料層１５では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が起こる。
【００１０】
そしてこのような有機エレクトロルミネッセンス素子１１において、通常有機材料層１５中の蛍光体から出射される光は蛍光体を中心とした全方位に出射され、正孔輸送層１４、陽極１３、ガラス基板１２を経由して光取り出し方向（ガラス基板１２方向）から空気中へ出射される。あるいは一旦光取り出し方向とは逆方向へ向かい、陰極１７で反射され発光層１６、陽極１３、ガラス基板１２を経由して、空気中へ出射される。
【００１１】
更に従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１１については例えば特許文献１、特許文献２に開示される構造が知られている。
【００１２】
図１４は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１１の構造例を示す断面図である。まず特許文献１に記載された従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１１の構造を図１４を用いて説明する。
【００１３】
図１４において１８は画素規制層であり、陽極１３に接して形成された厚み０．１マイクロメートル〜５マイクロメートルのポリイミド等からなる絶縁膜である。この画素規制層１８によって陽極１３の上に開口部が設けられ、画素規制層１８によって電荷の供給が制御される結果、発光層１６のうち発光領域ＬＡのみが発光する。
【００１４】
特許文献１ではこのように陽極１３上に画素規制層１８を設けることで、有機エレクトロルミネッセンス素子１１の製造工程における蒸着の回り込みによるパターン形成精度の低下を回避することができるとしている。またこの画素規制層１８を黒色または濃色とすることで有機エレクトロルミネッセンス素子１１のコントラストが向上し、更に画素規制層１８と陽極１３が接する部位にて画素規制層１８をテーパー状に形成することで画素規制層１８の段差による電気的断線を防止できるとしている。
【００１５】
図１５は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１１の構造例を示す断面図である。次に特許文献２に記載された従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を図１５を用いて説明する。
【００１６】
図１５において１８ａは陽極１３の表面に対してテーパーを形成した第１の画素規制層であり、１８ｂは第１の画素規制層１８ａおよび陽極１３をともに被覆する第２の画素規制層である。第２の画素規制層１８ｂは絶縁材料から構成されているがトンネル効果によって発光層１６に電荷が供給され、このような構成の場合も特許文献１の場合と同様に発光層１６のうち発光領域ＬＡのみが発光する。特許文献２では第１の画素規制層１８ａおよび陽極１３の表面にこれらを被覆する第２の画素規制層１８ｂを設けることで、ガラス基板１２の表面の凹凸や異物によって有機エレクトロルミネッセンス素子１１内で発光しない黒点（ダークスポット）が発生するといった問題を解決できるとしている。
【非特許文献１】タン（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ）、ヴァンスリク（Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ），「アプライドフィジックスレター（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）」（米国），第５１巻，１９８７年，ｐ．９１３
【特許文献１】特許第２７３４４６４号公報
【特許文献２】特開２００２−２８０１８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
有機エレクトロルミネッセンス素子１１は陽極１３および陰極１７から注入された電荷が発光層１６中で再結合し、その結果光が出射されるため、陽極１３と陰極１７に挟まれた領域の発光層１６はいわゆる面光源を構成する。従って陽極１３および陰極１７に挟まれた領域において、発光層１６の厚みを均一に形成することができれば発光領域ＬＡにおける発光輝度の均一性が高くなる。
【００１８】
しかしながら従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１１をスピンコート法などに代表される塗り工程を含むプロセスで形成する場合において、陽極１３と陰極１７の間に発光領域ＬＡを規制する画素規制層１８を設けるにあたり、図１４に示すように陽極１３と接して単純に画素規制層１８を設けると発光領域ＬＡの周辺部、即ち画素規制層１８において発光領域ＬＡを規制する側の端部（図１４、図１５において示すＰ０。以降の説明ではこの部位を「画素規制層１８の端部Ｐ０」と呼称する）において段差が生じるため、毛細管現象や表面張力の影響を受けて、一般に画素規制層１８の端部Ｐ０における発光層１６の厚みは発光領域ＬＡの中央部における発光層１６の厚みより厚くなる。これに伴う電流密度の差異によって発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布は均一にならず、一般に電流密度が低い画素規制層１８の端部Ｐ０の発光輝度は発光領域ＬＡの中央部の発光輝度と比較して低くなってしまう。
【００１９】
また画素規制層１８は一般にポリイミドなどの透明材料で構成されるため、例えば図１４にＬＤと示すように、発光層１６で生成された光は画素規制層１８を透過して出射される。このことも発光領域ＬＡにおける発光輝度が均一にならない要因の一つとなっている。即ち従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１１には、光の出射方向における発光輝度が均一にならないという問題がある。この問題は画素規制層１８の端部Ｐ０の形状を単にテーパー状にすれば解決するというものではない。
【００２０】
図１６は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１１の発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布（面内分布）を示す説明図である。これまでに説明したように従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１１の発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布（面内分布）は、図１６において面内分布Ｏに示すごとく発光領域ＬＡの中央部から画素規制層１８の端部Ｐ０に向かうほど発光輝度が低くなる。即ち発光領域ＬＡにおいて発光輝度は不均一な状態となっているのである。
【００２１】
さて有機エレクトロルミネッセンス素子１１を応用した、例えば一般的なディスプレイ装置など明視の距離において人間の視覚に直接的に作用するデバイスでは、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１の発光領域ＬＡにおける発光輝度の均一性は殆ど問題とならない（図１６に示す面内分布Ｏのような分布を呈していても構わない）。基本的にディスプレイ装置では発光領域ＬＡから出射されるトータルの光量を、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子間で等しくすることが課題であり、例えば画素規制層１８を等方的な構造で規制する等により、実用レベルに到達することが可能である。
【００２２】
しかしながら例えば電子写真装置などの画像形成装置に搭載される露光装置への有機エレクトロルミネッセンス素子１１の応用を考えた場合、画像形成装置では１画素単位に所望の形状、電位分布の静電潜像を形成することが必要であり、そのために個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１の発光領域ＬＡにおける発光輝度の均一性が要求される。
【００２３】
更に発光層１６の厚みが不均一である場合は発光層１６の厚みが薄い部分に電流が集中するため、発光初期に発光輝度が不均一となるのみならず、電流が多く流れる部分の輝度低下によって暗かった部分が後に相対的に明るくなるなど長期的には発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布が変化する。このことは有機エレクトロルミネッセンス素子１１を露光装置に応用した場合に、露光装置が形成する潜像の形状、面積が経時的に変化することを意味し、長期的に安定した画像を得ることが困難となる。
【００２４】
さてディスプレイ装置における有機エレクトロルミネッセンス素子１１の発光輝度は高々１０００ｃｄ／ｍ２程度でよいが、電子写真装置などの画像形成装置に搭載される露光装置では１００００ｃｄ／ｍ２以上の発光輝度が要求されるため、有機エレクトロルミネッセンス素子１１の劣化が問題となる。画像形成装置では露光対象である感光体に所定の電位の潜像を形成すべく、感光体上に所定の露光量（例えば１．０マイクロジュール／ｃｍ２）の光スポットを形成することが必要であるが、有機エレクトロルミネッセンス素子１１の発光領域ＬＡにおける発光輝度が均一でない場合、即ち個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１の発光領域ＬＡの内部に明暗の領域があると、所定の露光量を得ようとした場合に相対的に明るい領域が早く劣化してしまう。有機エレクトロルミネッセンス素子１１の寿命は最も劣化が激しい部分に支配されるため、発光輝度が均一でない場合は発光輝度が均一である場合と比較して有機エレクトロルミネッセンス素子１１の寿命が実質的に短くなってしまう。
【００２５】
また有機エレクトロルミネッセンス素子１１の劣化に対処するためには光量補正が必須とされている。光量補正の過程においては各有機エレクトロルミネッセンス素子１１の輝度を所定の受光手段で計測し、その計測結果に基づき有機エレクトロルミネッセンス素子１１を駆動する電流値などを制御するが、これによって有機エレクトロルミネッセンス素子１１の全体としての発光輝度は回復させることができても、前述のごとく発光層１６のミクロな領域毎に劣化程度が異なるため、もとの発光輝度の分布を回復させることは困難である。このため光量補正を実行しても画像形成装置によって形成される個々の画素サイズが変化してしまい、例えば印字結果に縦スジなどの不具合が出現する場合があった。
【００２６】
そこで本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子の画素規制層の構造、形状、表面状態あるいは画素規制層を構成する材料の特性などを制御することにより、発光領域における発光輝度の均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子、すなわち図１６において面内分布Ｎで示す発光輝度の分布を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、更にこの有機エレクトロルミネッセンス素子を用いることにより所望のサイズおよび形状の静電潜像が得られる露光装置、更にこの露光装置を搭載した高画質の画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は上記課題に鑑みてなされたもので、正孔を注入する陽極と、発光層と、電子を注入する陰極と、正孔または電子のうち少なくとも一方の注入を制御して発光層の発光領域を規制する画素規制層とを有し、この画素規制層を発光領域における発光輝度がほぼ均一になるように構成したものである。
【発明の効果】
【００２８】
これによって有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域における発光輝度の均一化が図られる。即ち発光領域から出射される光の発光輝度の面内分布（光量プロファイル）はほぼ矩形を呈するようになり、この有機エレクトロルミネッセンス素子を光源として用いた露光装置は所望の形状、電位分布の静電潜像を形成できるため、画像形成装置の高画質化を実現することができる。
【００２９】
更に個々の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域のあらゆる領域で劣化が均一になることから、有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を実質的に長くすることができる。
【００３０】
更に光量プロファイルが矩形であるため発光領域の劣化による発光輝度の低下は均一に進行し、劣化を補償するために駆動電流を増加させた場合でも光量プロファイルの形状は変化せず、常に安定した静電潜像を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔を注入する陽極と、発光層と、電子を注入する陰極と、正孔または電子のうち少なくとも一方の注入を制御して発光層の発光領域を規制する画素規制層とを有し、この画素規制層を発光領域における発光輝度がほぼ均一になるように構成したものである。これによって発光領域から出射される光の発光輝度の分布（光量プロファイル）を均一にすることができ、更に有機エレクトロルミネッセンス素子中を流れる電流分布が均一となり長期に渡って均一な発光を得ることができる。また所望の発光輝度を得るために無駄に明るく発光させる部分が不要となるため有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を延ばすことが可能となる。
【００３２】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層を不透明材料で構成したものである。これによって発光層によって生じた光が画素規制層を透過して出射されることがなくなり、発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００３３】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子における画素規制層にカーボン粒子を含ませたものである。これによって発光層によって生じた光が画素規制層を透過して出射されることがなくなり、発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００３４】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層の仕事関数をＷＦ１、陽極の仕事関数をＷＦ２とするとき、画素規制層を仕事関数ＷＦ１が２．０［ｅＶ］＜ＷＦ１＜ＷＦ２を満たす金属材料で構成したものである。これによって画素規制層の厚みを薄く構成でき、画素規制層の段差に基づく発光層の厚みの不均一性をなくすことができる。更に画素規制層の光透過率をほぼゼロにすることができ、発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００３５】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において陽極または陰極の表面とこれに接する画素規制層の表面のなす角度によって発光領域における発光輝度がほぼ均一になるように構成したものである。これによって発光領域から出射される光の発光輝度の分布（光量プロファイル）を均一にすることができ、更に有機エレクトロルミネッセンス素子中を流れる電流分布が均一となり長期に渡って均一な発光を得ることができる。また所望の発光輝度を得るために無駄に明るく発光させる部分が不要となるため有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を延ばすことが可能となる。
【００３６】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において陽極または陰極の表面とこれに接する画素規制層の表面のなす角度を、３度以上４５度以下に構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、陽極または陰極と画素規制層の段差を解消することができ、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００３７】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において陽極または陰極の表面とこれに接する画素規制層の表面のなす角度を、３度以上１０度以下に構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、陽極または陰極と画素規制層の段差を解消することができ、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００３８】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層の厚みを発光領域の幅以下、かつ発光領域の幅の１．５％以上に構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、画素規制層の段差によって発光領域における発光輝度が不均一となっても、発光輝度の不均一な領域が十分小さくなるため、発光輝度の不均一を実質的に無視することができる。
【００３９】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層における発光領域を規制する側を端部に向かうほど厚みが薄くなる曲面で構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、陽極または陰極と画素規制層の段差を解消することができ、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４０】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層における発光領域を規制する側を画素規制層と接する陽極または陰極の表面に対して下に凸の曲面で構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、陽極または陰極と画素規制層の段差を解消することができ発光層の厚みが均一に形成され、発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４１】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層を前記発光層を構成する発光材料を溶解する溶媒、あるいは前記発光材料を溶解した溶液に対して濡れ性を有する材料によって構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４２】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層における発光領域を規制する側の上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下としたものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４３】
また本発明は、正孔を注入する陽極と、発光層と、電子を注入する陰極と、陽極または陰極の一部を被覆し正孔または電子のうち少なくとも一方の注入を制御して発光層の発光領域を規制する複数の層からなる画素規制層とを有し、この画素規制層を発光領域における発光輝度がほぼ均一になるように構成したものである。これによって発光領域における発光輝度を均一にすることができ、更に有機エレクトロルミネッセンス素子中を流れる電流分布が均一となり長期に渡って均一な発光を得ることができる。また所望の発光輝度を得るために無駄に明るく発光させる部分が不要となるため有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を延ばすことが可能となる。
【００４４】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層の各層をそれぞれ異なる材料で構成したものである。これによって画素規制層の各層の機能を分離させることができ、画素規制層の本来機能である絶縁性と発光層の厚みの均一性の両立が可能となり、いわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４５】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層を陽極または陰極に接して形成された第１の画素規制層と、この第１の画素規制層に接して形成され陽極または陰極の一部を被覆する第２の画素規制層から構成したものである。これによって第１の画素規制層には高い絶縁性を、第２の画素規制層には発光層の厚みを均一化する機能を分離して付与することが可能となり、いわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４６】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において陽極または陰極の表面とこれに接する第１の画素規制層の表面とがなす角度を、３度以上４５度以下に構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、陽極または陰極と画素規制層の段差を間接的に抑制することができ、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４７】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において陽極または陰極の表面とこれに接する第１の画素規制層の表面とがなす角度を、３度以上１０度以下に構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、陽極または陰極と画素規制層の段差を間接的に抑制することができ、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４８】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において画素規制層を、陽極または陰極に接して形成された第２の画素規制層と、この第２の画素規制層に接して形成され第２の画素規制層の一部を被覆する第１の画素規制層から構成したものである。これによって第１の画素規制層には高い絶縁性を、第２の画素規制層には発光層の厚みを均一化する機能を分離して付与することが可能となり、いわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００４９】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第２の画素規制層の表面とこれに接する第１の画素規制層の表面とがなす角度を、３度以上４５度以下に構成したものである。これによってこれによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、陽極または陰極と画素規制層の段差を解消することができ、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００５０】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第２の画素規制層の表面とこれに接する第１の画素規制層の表面とがなす角度を、３度以上１０度以下に構成したものである。これによってこれによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、陽極または陰極と画素規制層の段差を解消することができ、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００５１】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第１の画素規制層を感光性樹脂で構成し、第２の画素規制層を第１の画素規制層によってパターンニングして構成したものである。これによってパターンニングされた感光性樹脂（後に第１の画素規制層となる）を介して他の材料からなる第２の画素規制層をパターンニングすることで、位置合わせなどの複雑な工程を経ることなく、容易に複数の材料からなる第１の画素規制層と第２の画素規制層を形成することができる。
【００５２】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第１の画素規制層の厚みと第２の画素規制層の厚みを、第１の画素規制層の厚み＞第２の画素規制層の厚みの関係を満たすよう構成したものである。これによって第１の画素規制層に十分な絶縁性を付与し、第２の画素規制層には陽極または陰極との段差を解消して発光層を均一に形成する機能を付与することができ、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００５３】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第１の画素規制層の厚みを発光領域の幅以下、かつ発光領域の幅の１．５％以上に構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に、第１の画素規制層が形成する段差によって発光領域における発光輝度が不均一となっても、発光輝度の不均一な領域が十分小さくなるため、発光輝度の不均一を実質的に無視することができる。
【００５４】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第１の画素規制層を不透明材料で構成したものである。これによって発光層によって生じた光が画素規制層を透過して出射されることがなくなり、発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００５５】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第１の画素規制層がカーボン粒子を含むように構成したものである。これによって発光層によって生じた光が画素規制層を透過して出射されることがなくなり、発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００５６】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において少なくとも第２の画素規制層を発光層を構成する発光材料を溶解する溶媒、あるいは発光材料を溶解した溶液に対して濡れ性を有する材料で構成したものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００５７】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において少なくとも前記第２の画素規制層の上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下としたものである。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００５８】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第１の画素規制層を有機物で構成し、第２の画素規制層を無機物で構成したものである。これによってパターンニングされた感光性樹脂（後に第１の画素規制層となる）を介して無機材料からなる第２の画素規制層をパターンニングすることで、位置合わせなどの複雑な工程を経ることなく、容易に複数の材料からなる第１の画素規制層と第２の画素規制層を形成することができる。
【００５９】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第１の画素規制層を絶縁性材料で構成し、第２の画素規制層を所定の抵抗値を有する導電性材料で構成したものである。これによって第２の画素規制層を有機エレクトロルミネッセンス素子単位に形成せずにベタ状態で形成することが可能となる。
【００６０】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において導電性材料の面方向の抵抗値を１メガオーム以上としたものである。これによって隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子間の電流リークを防止することができる。
【００６１】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第１の画素規制層を絶縁性材料で構成し、第２の画素規制層を金属材料で構成したものである。これによって第１の画素規制層による高い絶縁性を付与し、第２の画素規制層の厚みを薄く構成でき、画素規制層の段差に基づく発光層の厚みの不均一性をなくすことができる。更に第２の画素規制層は金属であるので光透過率をほぼゼロにすることができ、発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００６２】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において第２の画素規制層を窒化シリコンあるいは窒化アルミニウムで構成したものである。これらの材料は洗浄処理、紫外線処理、熱処理、プラズマ処理などを適宜行うことによって、発光層を構成する発光材料を溶解する溶媒、あるいは発光材料を溶解した溶液に対し高い濡れ性が得られるため、第２の画素規制層の厚みを薄くかつ上記溶媒あるいは溶液に対する濡れ性を確保することが可能となる。これによっていわゆる塗りのプロセスにて発光層を形成する際に発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００６３】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において陽極が少なくとも正孔輸送材料で構成された層を含むように構成したものである。正孔輸送材料で構成された層によって陽極上の凹凸が吸収されるため、発光層の厚みが均一に形成され発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００６４】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において正孔輸送材料を無機酸化物あるいは非晶質カーボンとしたものである。これらの材料で構成された層によって陽極上の凹凸が吸収されるとともに、これらの材料は十分な正孔輸送能力を有するため、より効果的に発光領域における発光輝度を均一にすることができる。
【００６５】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において発光層を溶媒に可溶な材料にて構成したものである。これによってスピンコート法やギャップ法などの一様塗布型の工法を採用できるため、有機エレクトロルミネッセンス素子を応用した露光装置などを安価に供給できる。
【００６６】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において発光層を高分子材料から構成したものである。これによってスピンコート法やギャップ法などの一様塗布型の工法を採用できるため、有機エレクトロルミネッセンス素子を応用した露光装置などを安価に供給できる。
【００６７】
また本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において発光層をスピンコート法により形成したものである。これによって有機エレクトロルミネッセンス素子を応用した露光装置などを安価に供給できる。
【００６８】
また本発明は、正孔を注入する陽極と、発光層と、電子を注入する陰極と、正孔または電子のうち少なくとも一方の注入を制御して発光層の発光領域を規制する画素規制層とを有し、この画素規制層によって規制された発光領域における発光層の厚みのばらつきを、発光領域における発光層の厚みを平均した値の２０％以下としたものである。これによって発光領域から出射される発光輝度の分布（光量プロファイル）を均一にすることができ、更に有機エレクトロルミネッセンス素子中を流れる電流分布が均一となり長期に渡って均一な発光を得ることができる。また所望の発光輝度を得るために無駄に明るく発光させる部分が不要となるため有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を延ばすことが可能となる。
【００６９】
また本発明は、上述の有機エレクトロルミネッセンス素子を列状に配置し、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子を独立して点灯／消灯制御可能に構成した露光装置である。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は発光層の厚みが均一で発光輝度が均一であるから、これを応用した露光装置は、所望のサイズ、電位分布の静電潜像を形成することができる。更に有機エレクトロルミネッセンス素子を流れる電流分布が均一であるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域の劣化が均一であり、露光装置の製品寿命を長くできるとともに、長期に渡って安定した潜像を形成可能な露光装置を提供することができる。更に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は発光領域が均一に発光するため、所望の発光輝度を得るために無駄に明るく発光させる必要がなく消費電力の小さな露光装置を実現することができる。
【００７０】
また本発明は、上記露光装置と、前記露光装置によって静電潜像が形成される感光体と、前記感光体上に形成された静電潜像を顕画化する現像手段を有する画像形成装置である。本発明の露光装置を応用した画像形成装置においては、長期に渡って安定に潜像を形成するため長寿命の画像形成装置を実現することができる。また簡単な工法により露光装置を得られるため画像形成装置を低価格に提供することができる。さらに本発明の露光装置を用いた画像形成装置においては、所望の静電潜像が得られるために常に高画質の画像を形成することができる。また光源として有機エレクトロルミネッセンス素子を採用することによって露光装置のサイズを小さくすることができ、この露光装置を搭載することでコンパクトな画像形成装置を実現することができる。
【００７１】
（実施例１）
以下、本発明の実施例１について図面を用いて説明する。
【００７２】
図１は本発明の実施例１における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造を示す説明図である。以降図１を用いて実施例１における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造を詳細に説明する。
【００７３】
図１において１は本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子である。簡単のためにその構造は従来例にならい、例えば陽極を駆動する駆動回路などは図から省略している。有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動する回路構成などについては後に詳細に説明する。
【００７４】
２は無色透明なガラス基板である。ガラス基板２としては、例えば透明または半透明のソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の、無機酸化物ガラス、無機フッ化物ガラス、等の無機ガラスを用いることができる。
【００７５】
その他の材料をガラス基板２として採用することも可能であり、例えば透明または半透明のポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂ポリシロキサン、ポリシラン等のポリマー材料や、等の高分子フィルム等、或いは透明または半透明のＡｓ2Ｓ3、Ａｓ40Ｓ10、Ｓ40Ｇｅ10等のカルコゲノイドガラス、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＨｆＯ2、ＴｉＯ2等の金属酸化物および窒化物等の材料、或いは発光領域から出射される光を基板を介さずに取り出す場合には、不透明のシリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体材料、或いは、顔料等を含んだ前述の透明基板材料、表面に絶縁処理を施した金属材料、等から適宜選択して用いることができ、複数の基板材料を積層した積層基板を用いることもできる。
【００７６】
またガラス基板２の表面あるいは基板内部には、後述するように有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動するための抵抗・コンデンサ・インダクタ・ダイオード・トランジスタ等からなる回路を形成しても良い。
【００７７】
さらに、用途によっては特定波長のみを透過する材料、光−光変換機能をもった特定の波長の光へ変換する材料などであってもよい。また基板は絶縁性であることが望ましいが、特に限定されるものではなく、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動を妨げない範囲或いは用途によって導電性を有していても良い。
【００７８】
３は例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）によって構成された陽極である。陽極３としてはＩＴＯの他にＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎＯ2）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等を用いることができる。陽極３は蒸着法等によっても形成できるがスパッタ法により形成することが望ましい。
【００７９】
６は発光層である。実施例１では工程がシンプルで低コスト化が可能ないわゆる塗りプロセスを採用して発光層６を形成している。具体的には以降詳細に説明する高分子系、あるいは低分子系の有機発光材料をトルエンやキシレンなどの溶媒に溶解した溶液をスピンコート法によって塗布する工程を経て発光層６を形成している。
【００８０】
発光層６を構成する高分子系の有機発光材料としては、可視領域で蛍光または燐光特性を有しかつ製膜性の良いものが好ましく、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン等のポリマー発光材料等を用いることができる。
【００８１】
また発光層６には低分子系の有機発光材料を上述した溶媒に溶解させたものを用いてもよく、これらの有機発光材料としてはＡｌｑ3やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）の他に、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４'−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４'−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４'−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、２，２'−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等のスチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体等が用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等も用いられる。あるいは、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等の燐光発光材料を用いることもできる。
【００８２】
また実施例１では従来例に倣い発光層６を便宜上単一の層として記述しているが、発光層６を陽極３の側から順に正孔輸送層／電子ブロック層／上述した有機発光材料（ともに図示せず）の３層構造としてもよいし、発光層６を陰極３の側から順に電子輸送層／有機発光材料（ともに図示せず）の２層構造、あるいは陽極３の側から順に正孔輸送層／有機発光材料の２層構造（ともに図示せず）、あるいは陽極３の側から順に正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロック層／有機発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／電子注入層のごとく７層構造（ともに図示せず）としてもよい。またはより単純に発光層６が上述した有機発光材料のみの単層構造であってもよい。このように実施例１において発光層６と呼称する場合は、発光層６が正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層などの機能層を有する多層構造である場合も含んでいる。後に説明する他の実施例についても同様である。
【００８３】
上述した機能層における正孔輸送層としては、正孔移動度が高く、透明で製膜性の良いものが好ましくＴＰＤの他に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物や、１，１−ビス｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，４'，４''−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４'−ビス（ジメチルアミノ）−２−２'−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノビフェニル、Ｎ、Ｎ'−ジフェニル−Ｎ、Ｎ'−ジ−ｍ−トリル−４、４'−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾ−ル等の芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４'−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ−３，４エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、テトラジヘクシルフルオレニルビフェニル（ＴＦＢ）あるいはポリ３−メチルチオフェン（ＰＭｅＴ）といったポリチオフェン誘導体等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系の正孔輸送層も用いられる。またＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ等の無機酸化物を用いることもある。またこれらの正孔輸送材料は電子ブロック材料として用いることもできる。
【００８４】
上述した機能層における電子輸送層としては、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料等、あるいは、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）等が用いられる。またこれらの電子輸送層を構成可能な材料は正孔ブロック材料として用いることもできる。
【００８５】
７は例えばＡｌ等の金属を蒸着法等によって形成した陰極である。有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極７としては仕事関数の低い金属もしくは合金、例えばＡｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔｉ等の金属や、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等のＭｇ合金や、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合金等のＡｌ合金等が用いられる。あるいは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃｓ等の金属、あるいは、ＬｉＦ、ＣａＯといったこれら金属のフッ化物や酸化物からなる有機物層に接触する第１の電極層と、その上に形成されるＡｌ、Ａｇ、Ｉｎ等の金属材料からなる第２の電極とからなる金属の積層構造を用いることもできる。
【００８６】
８は陽極３に接して形成された画素規制層である。画素規制層８としては絶縁性が高く、絶縁破壊に対して強く、かつ製膜性が良くパターニング性が高いものが望ましい。後に多数の実施例を挙げて説明するように、有機エレクトロルミネッセンス素子１の画素規制層８の端部Ｐ０の形状、物性、構造などを所定の条件に制御することで、有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光領域ＬＡにおける発光輝度をほぼ均一にすることが可能となる。
【００８７】
実施例１では画素規制層８をパターンニング性がよくかつ発光層６に正孔が注入されにくい金属、即ち画素規制層の仕事関数をＷＦ１、陽極の仕事関数をＷＦ２とするとき、画素規制層を仕事関数ＷＦ１が２．０［ｅＶ］＜ＷＦ１＜ＷＦ２を満たす金属材料で構成している。例えば陽極３としてＩＴＯ（仕事関数ＷＦ２＝５．０［ｅＶ］）を用いた場合にあっては、仕事関数が２．０［ｅＶ］より大きくかつ５．０［ｅＶ］未満の数値範囲にある例えばＣｒ（４．５［ｅＶ］）、Ａｌ（４．２［ｅＶ］）、Ａｇ（４．２［ｅＶ］）、Ｍｇ（３．７［ｅＶ］）などを用いて構成している。仕事関数の値の上ではＬｉ（２．９［ｅＶ］）、Ｎａ（２．８［ｅＶ］）、Ｂａ（２．７［ｅＶ］）、Ｋ（２．３［ｅＶ］）、Ｃｓ（２．１［ｅＶ］）の金属を選択することが理想的であるが、これらの金属は水や酸素に対する反応性が高いため有機エレクトロルミネッセンス素子１の製造工程においては脱水、脱酸素など雰囲気を十分に管理する必要がある。またこれらの金属材料または他の金属材料を用いて画素規制層８を複数層に形成していてもよい。ただし発光層６と接する側の仕事関数の値が重要であるから、画素規制層８において上述した金属材料が発光層６と接する側に配置されていることが望ましい。
【００８８】
画素規制層８は例えばこれらの金属材料を蒸着法やスパッタ法により一様形成し、その後にフォトマスクを用いてパターンニング、現像、エッチングによって形成される。またマスクを介してスパッタ法にて形成してもよい。これらの金属によって構成される画素規制層８の厚みは０．０５マイクロメートル以上２マイクロメートル以下とするとよい。画素規制層８の厚みが０．０５マイクロメートルを下回ると膜に欠陥が生じて本来発光すべきところでない部分が発光する確率が高くなる。また２マイクロメートルを上回ると画素規制層８の端部Ｐ０における陽極３と画素規制層８の段差により、発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みのばらつきは厚みの平均値に対して３０％を超えるようになる。
【００８９】
画素規制層８の厚みは０．０５マイクロメートル以上０．５マイクロメートル以下とすることが更に望ましい。画素規制層の厚みを０．５マイクロメートル以下とすることで、発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みのばらつきは発光層６の厚みの平均値に対して２０％以下に減少する。このように発光層６の厚みのばらつきを低減することは、発光領域ＬＡにおける発光輝度をほぼ均一にすることに直結する。
【００９０】
さてここで言う「発光輝度をほぼ均一にする」とは発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布（面内分布）の形状を矩形に近づけることである（図１６に示す面内分布Ｎを参照）。理想的には発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布の形状は完全な矩形とすることが望ましいが、実際は画素規制層８を厚みゼロで形成することは困難であり発光領域ＬＡの両端部で発光輝度は低下する。また発光層６を形成する際に上述した溶媒、溶液の塗布ムラもゼロにはならないため発光領域ＬＡの全領域における完全な均一発光は困難であり、面内分布Ｎの形状は完全な矩形とはならない。この「発光輝度をほぼ均一にする」の目安については、発光領域ＬＡにおいて発光輝度の分布が発光領域ＬＡの中央部にて略平坦部を有し、この平坦部が発光領域ＬＡの幅のおよそ４／５程度を占めていれば、輝度の分布が有機エレクトロルミネッセンス素子１の寿命に与える影響もほとんどなく、後述する露光装置などの光源として問題なく採用することができる。
【００９１】
また画素規制層８として金属材料を採用することで画素規制層８を不透明に構成できるため、従来例で述べたような画素規制層８を出射光が透過することがなく、有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光領域ＬＡにおける発光輝度が更に均一化される。画素規制層８の光透過率は５０％以下であればその効果を見出すことができるが、上記のごとく画素規制層８として金属材料を採用すれば光透過率はほぼ０％となるため非常に効果的である。
【００９２】
画素規制層８の光透過率を低減するためには、上述したように画素規制層８として所定の仕事関数の範囲を有する金属材料を用いることが望ましいが、画素規制層８を樹脂にて構成する場合は、例えばカーボン粒子を混入したポリイミドなどを用いて光の透過性を減じてもよい。カーボン粒子を混入した場合は画素規制層８の抵抗値が低下するため、画素規制層８の厚みは既に述べた上限値である２マイクロメートルとすることが望ましい。
【００９３】
また有機エレクトロルミネッセンス素子１を露光装置の光源として用いる場合は、感光体２８（後述。図２等を参照）の感度と整合を取るため、有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光は例えば波長λ＝６６０ｎｍより長波長とするが、この波長に対して吸収スペクトルを有する染料（上記の波長に対してはシアン色を呈する染料）を混入した画素規制層８とすることで、上述の抵抗値の低下を回避することができ、画素規制層８の厚みをより薄くすることができる。
【００９４】
以降、より詳細に説明を続ける。有機エレクトロルミネッセンス素子１の陽極３とまた陰極７との間に直流電圧又は直流電流を印加すると陽極３から発光層６に正孔が注入され、陰極７から発光層６に電子が注入される。その結果発光層６では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が起こり、この発光が陽極３、ガラス基板２等を経由して空気中へ出射される。このとき画素規制層８が形成されている領域（図１におけるＬＡ以外の領域）においては、発光層６へ電荷の注入は行われず光は出射されない。
【００９５】
通常有機エレクトロルミネッセンス素子１において光が出射される領域いわゆる発光領域ＬＡは、陽極３と陰極７とに挟まれた領域とすることで規制される。しかしながら陽極３と陰極７の位置関係のみによって発光領域ＬＡを規制しようとする場合、発光領域ＬＡとして例えば円形状や六角形など複雑な形状を構成するのが困難であること、陽極３と陰極７の位置合わせの精度が悪いと発光領域ＬＡの大きさにばらつきが生じるなどの不都合が生じるため、実施例１に示すような画素規制層８により発光領域ＬＡを規制する構成が用いられる。
【００９６】
しかしながら従来例を用いて説明したように、有機エレクトロルミネッセンス素子１をスピンコート法などに代表される塗り工程を含むプロセスで形成する場合において、陽極３と陰極７の間に発光領域ＬＡを規制する画素規制層８を設けるにあたり、画素規制層８の端部Ｐ０において段差が生じるため、毛細管現象や表面張力の影響を受けて画素規制層８の端部Ｐ０における発光層６の厚みと発光領域ＬＡの中央部における発光層６の厚みが異なってしまう。これに伴う電流密度の差異によって発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布は均一にならず、一般に電流密度が低い画素規制層８の端部Ｐ０の発光輝度は発光領域ＬＡの中央部の発光輝度と比較して低くなってしまう。
【００９７】
発光領域ＬＡにおける発光輝度を均一化するには、少なくとも発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みを均一に形成する必要がある。
【００９８】
また従来の画素規制層８は一般にポリイミドなどの透明材料で構成されるため、発光層６で生成された光は画素規制層８を透過して出射される。このことも発光領域ＬＡにおける発光輝度が均一にならない要因の一つとなっている。
【００９９】
更に発光層６の厚みが不均一である場合は発光層６の厚みが薄い部分に電流が集中するため、発光初期に発光輝度が不均一となるのみならず、電流が多く流れる部分の輝度低下によって暗かった部分が後に相対的に明るくなるなど長期的には発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布が変化する。
【０１００】
発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みを均一とすることで、有機エレクトロルミネッセンス素子１中を流れる電流分布が均一となり、長期に渡って均一な発光を得ることができる。また発光輝度の分布が均一でない場合、発光領域ＬＡのあるゆる部位で所定量以上の輝度を得ようとすると本来必要な明るさ以上の輝度で発光させる領域が生じ、有機エレクトロルミネッセンス素子１の寿命を短くしてしまうが、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子１においては、発光領域ＬＡを均一に発光させることができるため、所望の発光輝度を得るために無駄に明るく発光させる必要がなく、長期に渡って有機エレクトロルミネッセンス素子１を安定して発光させることができる。
【０１０１】
さて前述のごとく画素規制層８の端部Ｐ０の厚みを０．０５マイクロメートル以上２マイクロメートル以下とすることで、画素規制層８の端部Ｐ０における段差等の構造を小さくすることができるため、容易に発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一である有機エレクトロルミネッセンス素子１を実現することができ、発光領域ＬＡから出射される光の発光輝度の分布を均一にすることができるようになる。
【０１０２】
また画素規制層８の厚みを０．０５マイクロメートル以上２マイクロメートル以下とすることで、仮に発光輝度が不均一な領域が生じたとしてもこの領域は発光領域ＬＡと比較して十分に小さいため、例えば発光領域ＬＡの大きさが１００００平方マイクロメートル程度、つまり２５０ｄｐｉ程度の通常の高精細ディスプレイや精細光源等の精細度の画素の大きさであれば、その発光輝度の分布の存在を無視することができる。
【０１０３】
また画素規制層８の端部Ｐ０の厚みを０．０５マイクロメートル以上０．５マイクロメートル以下とすると更に望ましい。画素規制層８の端部Ｐ０の厚みをこの程度まで薄くすると、例えば発光領域ＬＡの大きさが２５００平方マイクロメートル程度、つまり５００ｄｐｉ程度のマイクロディスプレイや画像形成装置等に用いられる超高精細光源等の精細度の画素のようなごく小さな場合であっても、その発光輝度の分布の存在を無視することができる。
【０１０４】
特に画像形成装置等に用いられる超高精細光源については、光を感知するのが人間の目ではなく感光体などであり発光均一性が求められるため、このような高精細な有機エレクトロルミネッセンス素子１では画素規制層８の厚みは０．０５マイクロメートル以上０．５マイクロメートル以下とすることが望ましい。画素規制層８の厚みを０．０５マイクロメートル以下にする場合、画素規制層８の欠陥等により、発光させるべき場所以外が発光する確率が高くなるため、実際は０．０５マイクロメートル以上２マイクロメートル以下、あるいは、０．０５マイクロメートル以上０．５マイクロメートル以下であることが望ましい。
【０１０５】
さて画素規制層８に規制される発光領域ＬＡの面積に対して、画素規制層８により生じる段差等の構造が大きくなるにつれて、画素規制層８の端部Ｐ０に起因する発光輝度の不均一性がもたらす影響も大きくなる。
【０１０６】
しかしこれまで説明した電子写真方式の画像形成装置においては、感光体（図２の図番２８参照）に照射される光スポットのサイズが小さくなるほど、光スポット内における光エネルギーの分布に対して潜像電位の追随性が悪くなるため、例えば露光装置（図３参照）の画素サイズとして９６００ｄｐｉ（９６００ｄｐｉ：２５．４ミリメートル／９６００＝２．６マイクロメートル）を超える高解像度を実現する場合には、画素規制層８の厚みは発光領域ＬＡの大きさ以下となる程度に構成するとよい。画素規制層８の厚みの下限は上述のように０．０５マイクロメートルが目安となるため、この際の画素規制層８と画素サイズの比率は０．０５マイクロメートル／２．６マイクロメートル＝約１．９％である。
【０１０７】
また露光装置（図３参照）として２４００ｄｐｉ（２４００ｄｐｉ：２５．４ミリメートル／２４００＝１０．５マイクロメートル）程度の解像度を実現する場合には、画素規制層８の厚みを発光領域ＬＡの大きさの５分の１（即ち２．１マイクロメートル）以下となる程度に構成すればよい。画素規制層８の厚みの下限は上述のように０．０５マイクロメートルが目安となるため、この際の画素規制層８と画素サイズの比率は０．０５マイクロメートル／２．１マイクロメートル＝約２．４％である。
【０１０８】
また露光装置（図３参照）として１２００ｄｐｉ（１２００ｄｐｉ：２５．４ミリメートル／１２００＝２１マイクロメートル）程度の解像度を実現する場合には、画素規制層８の厚みを発光領域ＬＡの大きさの１０分の１（即ち２．１マイクロメートル）以下となる程度に構成すればよい。画素規制層８の厚みの下限は上述のように０．０５マイクロメートルが目安となるため、この際の画素規制層８と画素サイズの比率は０．０５マイクロメートル／２．１マイクロメートル＝約２．４％である。
【０１０９】
画素規制層８の厚みの下限については、陽極３の表面を平滑化する処理も可能であることから、画素規制層８と画素サイズの比率は約１．５％以上を目安とすればよい。
【０１１０】
以上説明してきたような構成によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一化され、発光領域ＬＡから出射される光の発光輝度の分布を均一にすることができる。
【０１１１】
なお以上の実施例では有機エレクトロルミネッセンス素子１においてガラス基板２上に形成された陽極３に対して画素規制層８を設けて、発光領域ＬＡを規制する場合について説明したが、ガラス基板２上に形成された陰極７に対して画素規制層８を設けて発光領域ＬＡを規制する構造についても、実施例１の技術的思想を同様に適用できることは言うまでもない。
【０１１２】
図２は本発明の実施例１における露光装置の構成図である。以降露光装置の構造について図２を用いて詳細に説明する。
【０１１３】
図２において３３は画像形成装置に搭載された露光装置であり、感光体２８の表面に静電潜像を形成する部材である。なお画像形成装置の構成および動作については後に詳細に説明する。
【０１１４】
２は既に説明したガラス基板であり、ガラス基板２の面Ａには発光素子即ち露光光源として有機エレクトロルミネッセンス素子１が図面と垂直な方向（主走査方向）に６００ｄｐｉ（ｄｏｔ／ｉｎｃｈ）の解像度で形成されている。
【０１１５】
７１はプラスティックまたはガラスで構成される棒レンズ（図示せず）を列状に配置したレンズアレイであり、ガラス基板２の面Ａに形成された有機エレクトロルミネッセンス素子１の出射光を正立等倍の像として、潜像が形成される感光体２８の表面に導く。レンズアレイ７１の一方の焦点はガラス基板２の面Ａであり、もう一方の焦点は感光体２８の表面となるようにガラス基板２、レンズアレイ７１、感光体２８の位置関係が調整されている。即ち面Ａからレンズアレイ７１の近い方の面までの距離Ｌ１と、レンズアレイ７１の他方の面と感光体２８の表面までの距離Ｌ２とするとき、Ｌ１＝Ｌ２となるように設定される。
【０１１６】
７２は例えばガラスエポキシ基板を用いた中継基板である。７３ａはコネクタＡ、７３ｂはコネクタＢであり、中継基板７２には少なくともコネクタＡ ７３ａおよびコネクタＢ ７３ｂが実装されている。中継基板７２は例えばフレキシブルフラットケーブルなどのケーブル７６によって露光装置３３に外部から供給される画像データや光量補正データ、及びその他の制御信号をコネクタＢ ７３ｂを介して一旦中継し、これらの信号をガラス基板２に渡す。
【０１１７】
ガラス基板２の表面にコネクタを直接実装することは接合強度や、露光装置３３が置かれる多様な環境における信頼性を考慮すると困難であるため、実施例１では中継基板７２のコネクタＡ ７３ａとガラス基板２との接続手段としてＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）を採用し（図示せず。詳細は後述する）、ガラス基板２とＦＰＣの接合は例えばＡＣＦ（異方性導電フィルム）を用いて、予めガラス基板２上に形成された例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）電極に直接接続する構成としている。
【０１１８】
一方コネクタＢ ７３ｂは、露光装置３３を外部と接続するためのコネクタである。一般的にＡＣＦ等による接続は接合強度が問題となる場合が多いが、このように中継基板７２上にユーザが露光装置３３を接続するためのコネクタＢ ７３ｂを設けることで、ユーザが直接アクセスするインタフェースに十分な強度を確保することができる。
【０１１９】
７４ａは筐体Ａであり金属板を例えば折り曲げ加工により成型したものである。筐体Ａ ７４ａの感光体２８に対向する側にはＬ字状部位７５が形成されており、Ｌ字状部位７５に沿ってガラス基板２およびレンズアレイ７１が配設されている。筐体Ａ ７４ａの感光体２８側の端面とレンズアレイ７１の端面を同一面に合わせ、更に筐体Ａ ７４ａによってガラス基板２の一端部を支持する構造とすることで、Ｌ字状部位７５の成型精度を確保すれば、ガラス基板２とレンズアレイ７１の成す位置関係を精度よく合わせ込むことが可能となる。このように筐体Ａ ７４ａは寸法精度を要求されるため、金属にて構成することが望ましい。また筐体Ａ ７４ａを金属製とすることで、ガラス基板２上に形成される制御回路およびガラス基板２上に表面実装されるＩＣチップ等の電子部品へのノイズの影響を抑制することが可能である。
【０１２０】
７４ｂは樹脂を成型して得られる筐体Ｂである。筐体Ｂ ７４ｂのコネクタＢ ７３ｂの近傍には切欠き部（図示せず）が設けられており、ユーザはこの切欠き部からコネクタＢ ７３ｂにアクセスが可能となっている。コネクタＢ ７３ｂに接続されたケーブル７６を介して露光装置３３の外部から露光装置３３に画像データ、光量補正データ、クロック信号やライン同期信号等の制御信号、制御回路の駆動電源、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源などが供給される。
【０１２１】
図３（ａ）は実施例１の露光装置３３に係るガラス基板２の上面図であり、図３（ｂ）は同要部拡大図である。以降図３に図２を併用して実施例１におけるガラス基板２の構成について詳細に説明する。
【０１２２】
図３においてガラス基板２は厚みが約０．７ｍｍの、少なくとも長辺と短辺を有する長方形形状の基板であり、その長辺方向（主走査方向）には発光素子である複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１が列状に形成されている。実施例１ではガラス基板２の長辺方向には少なくともＡ４サイズ（２１０ｍｍ）の露光に必要な発光素子が配置され、ガラス基板２の長辺方向は後述する駆動制御部７８の配置スペースを含め２５０ｍｍとしている。また実施例１では簡単のためにガラス基板２を長方形として説明するが、ガラス基板２を筐体Ａ ７４ａに取り付ける際の位置決め用などのために、ガラス基板２の一部に切り欠きを設けるような変形を伴っていてもよい。
【０１２３】
７８はガラス基板２の外部から供給される制御信号（発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動するための信号）を受け取り、この制御信号に基づいて有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動を制御する駆動制御部であり、後述するように制御信号をガラス基板２の外部から受け取るインタフェース手段とインタフェース手段を介して受け取った制御信号に基づき発光素子の駆動を制御するＩＣチップ（ソースドライバ）を含んでいる。
【０１２４】
８０は中継基板７２のコネクタＡ ７３ａとガラス基板２とを接続するインタフェース手段としてのＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）であり、コネクタ等を介さずガラス基板２に設けられた図示しない回路パターンに直接接続されている。既に説明したように、露光装置３３に外部から供給された、画像データ、光量補正データ、クロック信号やライン同期信号等の制御信号、制御回路の駆動電源、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動電源は、図２に示す中継基板７２を一旦経由した後にＦＰＣ８０を介してガラス基板２に供給される。
【０１２５】
実施例１では露光装置３３の光源としての有機エレクトロルミネッセンス素子１は、主走査方向に６００ｄｐｉの解像度で５１２０個が列状に形成されており、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１はそれぞれ独立に後述のＴＦＴ回路によって点灯／消灯を制御される。
【０１２６】
８１は有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動を制御するＩＣチップとして供給されるソースドライバであり、ガラス基板２上にフリップチップ実装されている。ガラス面へ表面実装を行うことを考慮しソースドライバ８１はベアチップ品を採用している。ソースドライバ８１には露光装置３３の外部からＦＰＣ８０を介して、電源、クロック信号、ライン同期信号等の制御関連信号および光量補正データ（例えば８ビットの多値データ）が供給される。ソースドライバ８１は後に詳細に説明するように、有機エレクトロルミネッセンス素子１に対する駆動パラメータ設定手段であり、より具体的にはＦＰＣ８０を介して受け渡された光量補正データに基づき個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動電流値を設定するためのものである。
【０１２７】
ガラス基板２においてＦＰＣ８０の接合部とソースドライバ８１は、例えば表面にメタルを形成したＩＴＯの回路パターン（図示せず）を介して接続されており、駆動パラメータ設定手段たるソースドライバ８１にはＦＰＣ８０を介して光量補正データ、クロック信号、ライン同期信号等の制御信号が入力される。このようにインタフェース手段としてのＦＰＣ８０および駆動パラメータ設定手段としてのソースドライバ８１は駆動制御部７８を構成している。
【０１２８】
８２はガラス基板２上に形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）回路である。ＴＦＴ回路８２はシフトレジスタ、データラッチ部など、発光素子の点灯／消灯のタイミングを制御するゲートコントローラ、および個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１に駆動電流を供給する駆動回路（以降ピクセル回路と呼称する）とを含んでいる。ピクセル回路は各有機エレクトロルミネッセンス素子１に対して１つずつ設けられ、有機エレクトロルミネッセンス素子１が形成する発光素子列と並列に配置されている。後に詳述するように駆動パラメータ設定手段であるソースドライバ８１によって、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動するための駆動電流値がピクセル回路に設定される。
【０１２９】
ＴＦＴ回路８２には露光装置３３の外部からＦＰＣ８０を介して、電源、クロック信号、ライン同期信号等の制御信号および画像データ（１ビットの２値データ）が供給され、ＴＦＴ回路８２はこれらの電源および信号に基づいて個々の発光素子の点灯／消灯タイミングを制御する。
【０１３０】
８４は封止ガラスである。有機エレクトロルミネッセンス素子１は水分の影響を受けると発光領域が経時的に収縮（シュリンキング）したり、発光領域内に非発光部位（ダークスポット）が生じる等して発光特性が極端に劣化するため、水分を遮断するための封止が必要である。実施例１ではガラス基板２に接着剤を介して封止ガラス８４を貼り付けるベタ封止法を採用しているが、封止領域における水分を吸着するため、封止ガラスとガラス基板２の間に図示しない乾燥剤を配置してもよい。封止領域は一般に有機エレクトロルミネッセンス素子１が構成する発光素子列から副走査方向に数ミリメートルから数センチメートル必要とされており、実施例１では封止しろとして２０００マイクロメートルを確保している。
【０１３１】
７７はアモルファスシリコンなどで構成される複数の光量センサをガラス基板２に沿って主走査方向に配置した光量センサユニットである。光量センサユニット７７によって個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光量が計測される。光量センサユニット７７の出力は図示しない配線によって一旦ＴＦＴ回路８２に取り込まれ増幅、アナログ−ディジタル変換などの信号処理を経た後、ＦＰＣ８０、中継基板７２（図２参照）、ケーブル７６（図２参照）を介して露光装置３３の外部に出力される。
【０１３２】
この信号は後述のコントローラ６１（図４参照）にて受信・処理されて光量補正データ（例えば８ビット）が生成されるが、光量センサユニット７７によって計測されるのは個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１のトータルの発光光量であって、発光領域の発光輝度分布ではない。従って光量補正データに基づく補正によって有機エレクトロルミネッセンス素子１のトータルの発光光量は回復させることができるが、発光領域における発光輝度の分布を回復させることは困難なのである。
【０１３３】
実施例１においては既に述べたように有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光領域における発光輝度は均一化されているため、有機エレクトロルミネッセンス素子１の劣化は均一に発生し、劣化が生じた場合でも発光領域における発光輝度の分布は変化しない。
【０１３４】
このため実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子１を用いた露光装置３３は、上述したように光量センサユニット７７によって個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光量を計測し、計測した発光光量に基づいて例えば有機エレクトロルミネッセンス素子１を駆動する駆動電流を増加するだけで、有機エレクトロルミネッセンス素子１のトータルの発光光量と発光領域における発光輝度の分布の双方を確実に回復させることができるという極めて顕著な効果を奏する。
【０１３５】
さて実施例１では駆動制御部７８を構成するインタフェース手段たるＦＰＣ８０、および駆動パラメータ設定手段たるソースドライバ８１を、有機エレクトロルミネッセンス素子１が形成する発光素子列の延長線上（ＥＬ＿ｄｉｒ）の位置に設けるようにした。
【０１３６】
このような配置とすると、ガラス基板２の長辺方向（主走査方向）の任意位置において、駆動制御部７８は発光素子列とオーバーラップしない位置に配置されることとなる。同時にこの構成では、ガラス基板２の長辺方向（主走査方向）の任意位置において、駆動制御部７８は発光素子列と並列に形成されたＴＦＴ回路８２（ピクセル回路を含む）ともオーバーラップしない位置に配置されることとなる。このような配置によってガラス基板２のサイズを小さくすることが可能となる。
【０１３７】
図４は本発明の実施例１の露光装置３３に係る回路図である。以降図４を用いてＴＦＴ回路８２およびソースドライバ８１による点灯制御についてより詳細に説明する。
【０１３８】
図４において６１は画像形成装置に組み込まれたコントローラであり、図示しないコンピュータ等からの画像データを受信しプリント可能な画像データを生成するとともに、上述したように露光装置３３に組み込まれた光量センサユニット７７（図３参照）の出力に基づいて光量補正データを生成する。
【０１３９】
８５はイメージメモリであり、図示しないコンピュータ等から転送されたコマンド等に基づきコントローラ６１によって生成された２値の画像データが格納されている。８６は光量補正データを格納した光量補正データメモリである。光量補正データメモリ８６は例えばＥＥＰＲＯＭ等の書き換え可能な不揮発性メモリである。露光装置３３の製造工程には、個々の露光装置３３に対して全ての有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光量および発光輝度分布を計測し、これらの計測結果に基づいて各有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光光量を均一にするための光量補正データを生成する工程が含まれており、光量補正データメモリ８６には、この光量補正データの値が格納されている。
【０１４０】
コントローラ６１はこの光量補正データを、上述した光量センサユニット７７（図３参照）の出力に基づいて新たに生成した光量補正データに更新することができる。
【０１４１】
８７はタイミング生成部であり、露光装置３３を駆動するためのタイミングに係る制御信号を生成する。イメージメモリ８５に格納されている画像データ、および光量補正データメモリ８６に格納（あるいは図示しない他の高速メモリに事前に複製）された光量補正データは、タイミング生成部８７が生成するクロック信号、ライン同期信号等の信号に基づいてケーブル７６、コネクタＢ ７３ｂ、中継基板７２、コネクタＡ ７３ａ、ＦＰＣ８０を介してガラス基板２の端部から供給される。
【０１４２】
更にガラス基板２に供給された画像データとタイミング信号は、ガラス基板２上に形成された例えばＩＴＯ上にメタル層を形成した配線によってＴＦＴ回路８２に供給されると共に、光量補正データとタイミング信号も同様にソースドライバ８１に供給される。
【０１４３】
さてＴＦＴ回路８２はピクセル回路８９とゲートコントローラ８８とに大別されている。ピクセル回路８９は個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１に対して一つずつ設けられており、有機エレクトロルミネッセンス素子１のＭ画素分を一つのグループとして、ガラス基板２上にＮグループ設けられている。実施例１においては一つのグループを８画素（即ちＭ＝８）とし、このグループを６４０個としている。従って全画素数は、８×６４０＝５１２０画素となる。各ピクセル回路８９は有機エレクトロルミネッセンス素子１に電流を供給して駆動するドライバ部９０と、有機エレクトロルミネッセンス素子１を点灯制御するにあたってドライバが供給する電流値（即ち有機エレクトロルミネッセンス素子１の駆動電流値）を内部に含むコンデンサに記憶させる、いわゆる電流プログラム部９１を有しており、予め所定のタイミングでプログラムされた駆動電流値に従って有機エレクトロルミネッセンス素子１を定電流駆動することができる。
【０１４４】
ゲートコントローラ８８は入力された２値の画像データを順次シフトするシフトレジスタと、シフトレジスタと並列に設けられシフトレジスタに所定の画素数の入力が完了した後にこれらを一括して保持するラッチ部と、これらの動作タイミングを制御する制御部からなる（共に図示せず）。更にゲートコントローラ８８は図４に示すＳＣＡＮ＿ＡおよびＳＣＡＮ＿Ｂ信号を出力し、これによってピクセル回路８９に接続された有機エレクトロルミネッセンス素子１の点灯／消灯を行う期間および、駆動電流を設定する電流プログラム期間のタイミングを制御する。
【０１４５】
一方ソースドライバ８１は内部に有機エレクトロルミネッセンス素子１のグループ数Ｎに相当する数（実施例１では６４０個）のＤ／Ａコンバータ９２を有しており（後述する）、ソースドライバ８１はＦＰＣ８０を介して供給された光量補正データ（例えば８ビット）に基づいて、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１に対する駆動電流を設定することで各有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光輝度を均一に制御する。
【０１４６】
図５は本発明の実施例１の露光装置３３に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１および駆動回路の断面図である。以降図５を用いて実施例１における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構成を詳細に説明する。
【０１４７】
図５において２は既に詳細に説明したガラス基板である。
【０１４８】
１０１はガラス基板２上の面Ａ（図２の面Ａに対応）に形成されたベースコート層であり、例えばＳｉＮとＳｉＯ２を積層することで構成される。ベースコート層１０１の上には多結晶シリコン（ポリシリコン）から成るＴＦＴ１０２が形成されている。実施例１においてはＴＦＴ１０２として多結晶シリコンを用いているが、非結晶シリコン（アモルファスシリコン）を用いてもよい。非結晶シリコンの場合、デザインルールや駆動周波数の点で多結晶シリコンと比べて不利になるが、製造プロセスが安価でありコストメリットがある。
【０１４９】
１０３は例えばＳｉＯ２からなるゲート絶縁層であり、ＴＦＴ１０２とＭｏなどの金属で構成されたゲート電極１０４を所定の間隔で離間、絶縁する。１０５は例えばＳｉＯ２およびＳｉＮを積層することで構成される中間層である。中間層１０５はゲート電極１０４を被うとともに、この表面に沿ってＡｌなどの金属で構成されるソース電極１０６およびドレイン電極１０７を支持している。ソース電極１０６およびドレイン電極１０７は中間層１０５およびゲート絶縁層１０３に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ１０２に接続されており、ソース電極１０６とドレイン電極１０７の間に所定の電位差を付与した状態でゲート電極１０４に所定の電位を付与することで、ＴＦＴ１０２はスイッチングトランジスタとして動作する。
【０１５０】
１０８はＳｉＮ等で構成された保護層であり、ソース電極１０６を完全に被うと共に、ドレイン電極１０７の一部にコンタクトホール１０９を形成する。
【０１５１】
３は保護層１０８上に形成された陽極であり、実施例１ではＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を用いている。陽極３としてはＩＴＯの他にＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎＯ2）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等を用いることができる。陽極３は蒸着法等によっても形成できるがスパッタ法あるいはＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長法）により形成することが望ましい。この陽極３はコンタクトホール１０９にてドレイン電極１０７と接続されている。
【０１５２】
陽極３の表面には既に説明したように画素規制層８が形成され、陽極３および画素規制層８の全体と接して発光層６が例えばスピンコート法のごとき塗りのプロセスによって形成されている。更に発光層６と接して陰極７が蒸着法によって形成されている。
【０１５３】
以上説明した構造、工程によってガラス基板２に有機エレクトロルミネッセンス素子１が形成される。ＴＦＴ１０２は個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１に対して１：１の関係で形成されており電気的には所謂アクティブマトリクス回路を構成する。ソース電極１０６を正極とし、ソース電極１０６と陰極７間に所定の電位差を設け、更にゲート電極１０４を所定の電位に制御することで、正孔がソース電極１０６、ＴＦＴ１０２、ドレイン電極１０７、陽極３を経て発光層６に注入され、一方陰極７から発光層６に電子が注入される。発光層６では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が起こる。
【０１５４】
発光層６から放出された光は陽極３、中間層１０５、ゲート絶縁層１０３、ベースコート層１０１およびガラス基板２を透過し、面Ａとは反対の面から射出され図示しない感光体を露光する。このように発光層６が形成された面Ａと反対側の基板面から光を取り出す構成（ボトムエミッション）とすることで発光層６の封止が容易になる。９９は配線パターンであり、例えば図４に示すソースドライバ８１から出力される光量補正データのアナログ信号などは、中間層１０５の上に設けられた配線パターン９９を利用してピクセル回路８９に接続されている。
【０１５５】
以上詳細に説明したように、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子１は発光領域ＬＡにおける発光輝度が均一であるため、これを光源に用いた露光装置は所望の形状の静電潜像を得ることができる。
【０１５６】
また実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子１は発光層６の厚みが均一であるため、有機エレクトロルミネッセンス素子１を流れる電流分布が均一となる。従って有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光領域ＬＡの劣化が均一になるため、有機エレクトロルミネッセンス素子１を用いた露光装置は製品寿命が実質的に長くなり、かつ長期に渡って安定した潜像を形成することが可能となる。
【０１５７】
更に実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子１は発光領域ＬＡが均一に発光するため、所望の発光輝度を得るために無駄に明るく発光させる必要がなく、露光装置３３の消費電力を低減することができる。
【０１５８】
なお露光装置３３においては、有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造は全て同一であってもよいし相互に異なる構造であってもよい。
【０１５９】
図６は本発明の実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子１を応用した露光装置３３を搭載した画像形成装置の構成図である。
【０１６０】
図６において画像形成装置２１は装置内にイエロー現像ステーション２２Ｙ、マゼンタ現像ステーション２２Ｍ、シアン現像ステーション２２Ｃ、ブラック現像ステーション２２Ｋの４色分の現像ステーションを縦方向に階段状に配列し、その上方には記録紙２３が収容される給紙トレイ２４を配設すると共に、各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋ に対応した箇所には給紙トレイ２４から供給された記録紙２３の搬送路となる記録紙搬送路２５を上方から下方の縦方向に配置したものである。
【０１６１】
現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋは、記録紙搬送路２５の上流側から順に、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナー像を形成するものであり、イエロー現像ステーション２２Ｙは感光体２８Ｙ、マゼンタ現像ステーション２２Ｍには感光体２８Ｍ、シアン現像ステーション２２Ｃには感光体２８Ｃ、ブラック現像ステーション２２Ｋには感光体２８Ｋが含まれ、更に各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋには図示しない現像スリーブ、帯電器等、一連の電子写真方式における現像プロセスを実現する部材が含まれている。
【０１６２】
更に各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの下部には感光体２８Ｙ〜２８Ｋの表面を露光して静電潜像を形成するための露光装置３３Ｙ、３３Ｍ、３３Ｃ、３３Ｋが配置されている。
【０１６３】
さて現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋは充填された現像剤の色が異なっているが、構成は現像色に関わらず同一であるため、以降の説明を簡単にするため特に必要がある場合を除いて現像ステーション２２、感光体２８、露光装置３３のごとく特定の色を明示せずに説明する。
【０１６４】
図７は本発明の実施例１の画像形成装置２１における現像ステーション２２の周辺を示す構成図である。図７において、現像ステーション２２の内部にはキャリアとトナーを混合物である現像剤２６が充填されている。２７ａ、２７ｂは現像剤２６を攪拌する攪拌パドルであり、攪拌パドル２７ａと２７ｂの回転によって現像剤２６中のトナーはキャリアとの摩擦によって所定の電位に帯電されると共に、現像ステーション２２の内部を巡回することでトナーとキャリアが十分に攪拌混合される。感光体２８は図示しない駆動源によって方向Ｄ３に回転する。２９は帯電器であり感光体２８の表面を所定の電位に帯電する。３０は現像スリーブ、３１は薄層化ブレードである。現像スリーブ３０は内部に複数の磁極が形成されたマグロール３２を有している。薄層化ブレード３１によって現像スリーブ３０の表面に供給される現像剤２６の層厚が規制されると共に、現像スリーブ３０は図示しない駆動源によって方向Ｄ４に回転し、この回転およびマグロール３２の磁極の作用によって現像剤２６は現像スリーブ３０の表面に供給され、後述する露光装置によって感光体２８に形成された静電潜像を現像するとともに、感光体２８に転写されなかった現像剤２６は現像ステーション２２の内部に回収される。
【０１６５】
３３は既に説明した露光装置である。実施例１の露光装置３３を応用した画像形成装置２１は、既に述べたように露光装置３３が長期に渡って安定に潜像を形成できるため、製品寿命が長く、さらに実施例１の露光装置３３は所望の形状の静電潜像を長期にわたって得られるために常に高画質の画像を形成することができる。
【０１６６】
さて実施例１における露光装置３３は有機エレクトロルミネッセンス素子を６００ｄｐｉ（ｄｏｔ／ｉｎｃｈ）の解像度で直線状に配置したもので、帯電器２９によって所定の電位に帯電した感光体２８に対し、画像データに応じて選択的に有機エレクトロルミネッセンス素子をＯＮ／ＯＦＦすることで、最大Ａ４サイズの静電潜像を形成する。この静電潜像部分に現像スリーブ３０の表面に供給された現像剤２６のうちトナーのみが付着し、静電潜像が顕画化される。
【０１６７】
感光体２８に対し記録紙搬送路２５と対向する位置には転写ローラ３６が設けられており、図示しない駆動源により方向Ｄ５に回転する。転写ローラ３６には所定の転写バイアスが印加されており、感光体２８上に形成されたトナー像を、記録紙搬送路２５を搬送されてきた記録紙に転写する。
【０１６８】
以降図６に戻って説明を続ける。
【０１６９】
これまで説明してきたように、実施例１における画像形成装置２１は複数の現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋを縦方向に階段状に配列したタンデム型のカラー画像形成装置であり、カラーインクジェットプリンタと同等クラスのサイズを目指すものである。現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋは複数のユニットが配置されるため、画像形成装置２１の小型化を図るためには現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋそのものの小型化と共に、現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの周辺に配置される作像プロセスに関与する部材を小さくし、現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの配置ピッチを極力小さくする必要がある。
【０１７０】
オフィス等においてデスクトップに画像形成装置２１を設置した際のユーザの使い勝手、特に給紙時や排紙時の記録紙２３へのアクセス性を考慮すると、画像形成装置２１の底面から給紙口６５までの高さは２５０ｍｍ以下にすることが望ましい。これを実現するためには画像形成装置２１の全体の構成の中で現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋ全体の高さを１００ｍｍ程度に抑える必要がある。
【０１７１】
しかしながら既存の例えばＬＥＤヘッドは厚みが１５ｍｍ程度あり、これを現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋ間に配置すると目標を達成することが困難である。本発明者等の検討結果によれば露光装置３３の厚みを７ｍｍ以下とすると、現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋ間の隙間に露光装置３３Ｙ〜３３Ｋを配置しても現像ステーション全体の高さを１００ｍｍ以下に抑えることが可能である。
【０１７２】
３７はトナーボトルであり、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナーが格納されている。トナーボトル３７から各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋには、図示しないトナー搬送用のパイプが配設され、各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋにトナーを供給している。
【０１７３】
３８は給紙ローラであり、図示しない電磁クラッチを制御することで方向Ｄ１に回転し、給紙トレイ２４に装填された記録紙２３を記録紙搬送路２５に送り出す。
【０１７４】
給紙ローラ３８と最上流のイエロー現像ステーション２２Ｙの転写部位との間に位置する記録紙搬送路２５には、入口側のニップ搬送手段としてレジストローラ３９、ピンチローラ４０対が設けられている。レジストローラ３９、ピンチローラ４０対は、給紙ローラ３８により搬送された記録紙２３を一時的に停止させ、所定のタイミングでイエロー現像ステーション２２Ｙの方向に搬送する。この一時停止によって記録紙２３の先端がレジストローラ３９、ピンチローラ４０対の軸方向と平行に規制され、記録紙２３の斜行を防止する。
【０１７５】
４１は記録紙通過検出センサである。記録紙通過検出センサ４１は反射型センサ（フォトリフレクタ）によって構成され、反射光の有無で記録紙２３の先端および後端を検出する。
【０１７６】
さてレジストローラ３９の回転を開始すると（図示しない電磁クラッチによって動力伝達を制御し、回転ＯＮ／ＯＦＦを行う）記録紙２３は記録紙搬送路２５に沿ってイエロー現像ステーション２２Ｙの方向に搬送されるが、レジストローラ３９の回転開始のタイミングを起点として、各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの近傍に配置された露光装置３３Ｙ〜３３Ｋによる静電潜像の書き込みタイミングが独立して制御される。
【０１７７】
最下流のブラック現像ステーション２２Ｋの更に下流側に位置する記録紙搬送路２５には出口側のニップ搬送手段として定着器４３が設けられている。定着器４３は加熱ローラ４４と加圧ローラ４５から構成されている。加熱ローラ４４は表面から近い順に、発熱ベルト、ゴムローラ、芯材（共に図示せず）から構成されている多層構造のローラである。このうち発熱ベルトは更に３層構造を有するベルトであり、表面に近い方から離型層、シリコンゴム層、基材層（共に図示せず）から構成される。離型層は厚み約２０〜３０マイクロメートルのフッ素樹脂からなり、加熱ローラ４４に離型性を付与する。シリコンゴム層は約１７０マイクロメートルのシリコンゴムで構成され、加圧ローラ４５に適度な弾性を与える。基材層は鉄・ニッケル・クロム等の合金である磁性材料によって構成されている。
【０１７８】
２６は励磁コイルが内包された背面コアである。背面コア４６の内部には表面が絶縁された銅製の線材（図示せず）を所定本数束ねた励磁コイルを加熱ローラ４４の回転軸方向に延伸し、かつ加熱ローラ４４の両端部において、加熱ローラ４４の周方向に沿って周回して形成されている。励磁コイルに半共振型インバータである励磁回路（図示せず）から約３０ｋＨｚの交流電流を印加すると、背面コア４６と加熱ローラ４４の基材層によって構成される磁路に磁束が生じる。この磁束によって加熱ローラ４４の発熱ベルトの基材層に渦電流が形成され基材層が発熱する。基材層で生じた熱はシリコンゴム層を経て離型層まで伝達され、加熱ローラ４４の表面が発熱する。
【０１７９】
４７は加熱ローラ４４の温度を検出するための温度センサである。温度センサ４７は金属酸化物を主原料とし、高温で焼結して得られるセラミック半導体であり、温度に応じて負荷抵抗が変化することを応用して接触した対象物の温度を計測することができる。温度センサ４７の出力は図示しない制御装置に入力され、制御装置は温度センサ４７の出力に基づいて背面コア４６内部の励磁コイルに出力する電力を制御し、加熱ローラ４４の表面温度が約１７０゜Ｃとなるように制御する。
【０１８０】
この温度制御がなされた加熱ローラ４４と加圧ローラ４５によって形成されるニップ部に、トナー像が形成された記録紙２３が通紙されると、記録紙２３上のトナー像は加熱ローラ４４と加圧ローラ４５によって加熱および加圧され、トナー像が記録紙２３上に定着される。
【０１８１】
４８は記録紙後端検出センサであり、記録紙２３の排出状況を監視するものである。５２はトナー像検出センサである。トナー像検出センサ５２は発光スペクトルの異なる複数の発光素子（共に可視光）と単一の受光素子を用いた反射型センサユニットであり、記録紙２３の地肌と画像形成部分とで、画像色に応じて吸収スペクトルが異なることを利用して画像濃度を検出するものである。またトナー像検出センサ５２は画像濃度のみならず、画像形成位置も検出できるため、実施例１における画像形成装置２１ではトナー像検出センサ５２を画像形成装置２１の幅方向に２ヶ所設け、記録紙２３上に形成した画像位置ずれ量検出パターンの検出位置に基づき、画像形成タイミングを制御している。
【０１８２】
５３は記録紙搬送ドラムである。記録紙搬送ドラム５３は表面を２００マイクロメートル程度の厚さのゴムで被覆した金属製ローラであり、定着後の記録紙２３は記録紙搬送ドラム５３に沿って方向Ｄ２に搬送される。このとき記録紙２３は記録紙搬送ドラム５３によって冷却されると共に、画像形成面と逆方向に曲げられて搬送される。これによって記録紙全面に高濃度の画像を形成した場合などに発生するカールを大幅に軽減することができる。その後、記録紙２３は蹴り出しローラ５５によって方向Ｄ６に搬送され、排紙トレイ５９に排出される。
【０１８３】
５４はフェイスダウン排紙部である。フェイスダウン排紙部５４は支持部材５６を中心に回動可能に構成され、フェイスダウン排紙部５４を開放状態にすると、記録紙２３は方向Ｄ７に排紙される。このフェイスダウン排紙部５４は閉状態では記録紙搬送ドラム５３と共に記録紙２３の搬送をガイドするように、背面に搬送経路に沿ったリブ５７が形成されている。
【０１８４】
５８は駆動源であり、実施例１ではステッピングモータを採用している。駆動源５８によって、給紙ローラ３８、レジストローラ３９、ピンチローラ４０、感光体（２８Ｙ〜２８Ｋ）、および転写ローラ（３６Ｙ〜３６Ｋ）を含む各現像ステーション２２Ｙ〜２２Ｋの周辺部、定着器４３、記録紙搬送ドラム５３、蹴り出しローラ５５の駆動を行っている。
【０１８５】
６１はコントローラであり、外部のネットワークを介して図示しないコンピュータ等からの画像データを受信し、プリント可能な画像データを展開、生成する。
【０１８６】
６２はエンジン制御部である。エンジン制御部６２は画像形成装置２１のハードウェアやメカニズムを制御し、コントローラ６１から転送された画像データに基づいて記録紙２３にカラー画像を形成すると共に、画像形成装置２１の制御全般を行っている。
【０１８７】
６３は電源部である。電源部６３は、露光装置３３Ｙ〜３３Ｋ、駆動源５８、コントローラ６１、エンジン制御部６２へ所定電圧の電力供給を行うと共に、定着器４３の加熱ローラ４４への電力供給を行っている。また感光体２８の表面の帯電、現像スリーブ（図７における図番３０を参照）に印加する現像バイアス、転写ローラ３６に印加する転写バイアス等のいわゆる高圧電源系もこの電源部に含まれている。
【０１８８】
また電源部６３には電源監視部６４が含まれ、少なくともエンジン制御部６２に供給される電源電圧をモニタできるようになっている。このモニタ信号はエンジン制御部６２おいて検出され、電源スイッチのオフや停電等の際に発生する電源電圧の低下を検出している。
【０１８９】
以上の説明においては本発明をカラー画像形成装置に適用した場合について説明したが、たとえばブラックなど単色の画像形成装置に適用することもできる。また、カラー画像形成装置に適用した場合、現像色はイエロー、マゼンタ、シアンおよびブラックの４色に限定されるものではない。
【０１９０】
（実施例２）
図８は本発明の実施例２における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造を示す説明図である。以降図８を用いて実施例２における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造について詳細に説明するが、有機エレクトロルミネッセンス素子１を応用した露光装置およびこの露光装置を搭載した画像形成装置については、構成や動作に差異がないため説明を省略する。
【０１９１】
実施例２では、少なくとも画素規制層８の端部Ｐ０を実施例１で詳細に説明した有機発光材料を溶解するトルエンやキシレンなどの溶媒、あるいは有機発光材料を溶解した溶液に対して高い濡れ性を示す材料である主鎖としてビニル基、吸水性シリコン、イソシアネート、ポリエステルポリマー、ポリアミド、フッ素含有ポリマー、エポキシ基、あるいは末端にビニル基、グリシジル基、アリール基等を持ったポリマー材料、あるいはポリイミド等の撥水性材料の表面を紫外線照射処理あるいはプラズマ処理して上記溶媒あるいは溶液に対して濡れ性を高くした表面をもつ材料で構成している。また単に材料面の選定のみならず画素規制層８の端部Ｐ０にプラズマ処理、エッチング処理を施して画素規制層８の端部Ｐ０の表面粗さＲａを５ナノメートル程度に荒らすことが望ましい。このように画素規制層８の材質の選定および表面処理を施すことによって、画素規制層８の端部Ｐ０において発光層６に対する濡れ性を改善することができる。実施例２では画素規制層８の材料の選定および前述の表面処理によって、濡れ性の程度として画素規制層８の端部Ｐ０における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下としている。
【０１９２】
また画素規制層８を構成する材料としては、窒化シリコン、窒化アルミニウムからなる材料を選択してもよい。これらの材料は絶縁性、画素規制精度などの点から優れており採用するメリットがある。この場合は画素規制層８を形成した後に十分な洗浄処理、紫外線照射処理、熱処理、プラズマ処理などを適宜行うことで画素規制層８のＰ０における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下にすることができる。画素規制層８を構成する材料としては酸化シリコン、酸化アルミニウムを用いることもできる。
【０１９３】
更に実施例２においては図８に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子１を構成する陽極３の表面とこれに接する画素規制層８とのなす角度θ１を、有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光領域ＬＡにおける発光輝度をほぼ均一にするように構成したものであり、この角度θ１は後述のごとく３度以上４５度以下とすることが好ましく３度以上１０度以下とすると更に望ましい。
【０１９４】
画素規制層８において画素規制層８の端部Ｐ０をテーパー状に形成するためには、エッチングにより形成する場合はエッチングガスあるいはエッチング液の種類およびエッチング時間、エッチングマスクを適宜選択したエッチング方法を適用することで容易にテーパー形状とその角度θ１を調整することができる。また感光性材料を用いた現像により形成する場合は、露光時間、露光マスク、現像時間などを適宜選択して容易にテーパー形状と角度θ１を調整することができる。
【０１９５】
特に複数のマスクを用いてエッチング領域を徐々に拡大するとともに、エッチング時間を調整してエッチングにより除去される厚みを制御することで、画素規制層８の端部Ｐ０における陽極３の表面とこれに接する画素規制層８とのなす角度θ１を精度よく調整できる。
【０１９６】
一方で陽極３の表面に接する画素規制層８とのなす角度θ１を３度より小さく設定すると画素規制層８の端部Ｐ０における膜強度が不足し、画素規制層８に本来求められる発光領域ＬＡを規制する機能が損なわれ、発光領域ＬＡの形状が一定でなくなる不都合が生ずる。
【０１９７】
発明者等の知見によれば、前述のごとく画素規制層８の端部Ｐ０における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下に設定し、陽極３の表面とこれに接する画素規制層８とのなす角度θ１を変化させた場合、この角度θ１を４５度に構成すると発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みのばらつきは３０％程度となり、更に陽極３の表面とこれに接する画素規制層８とのなす角度θ１を１０度に構成すると同２０％以下に抑制することが可能であった。このように発光層６の厚みのばらつきを低減することは、発光領域ＬＡにおける発光輝度の均一化に直結し、発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布を矩形に近づけることができる。
【０１９８】
濡れ性の程度として画素規制層８の端部Ｐ０における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下とし、画素規制層８の端部Ｐ０における発光層６に対する濡れ性を改善することで、発光層６の厚みのばらつきが減少するのは、画素規制部８の端部Ｐ０における毛細管現象や表面張力の影響を極力排除できるからである。
【０１９９】
更に陽極３の表面とこれに接する画素規制層８とのなす角度θ１を所望の値に制御することで発光層６の厚みのばらつきが減少するのは、画素規制層８において発光領域ＬＡを規制するテーパー部における陽極３との角度変化が十分に小さくなり、これによって陽極３と画素規制層８の境界部における段差、即ち陽極３と画素規制層８との不連続状態が解消されるためである。
【０２００】
従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１では、陽極３と画素規制層８の境界に段差が存在するにもかかわらず、あるいはテーパー状を構成したとしても角度θ１を管理することなく、実質的に段差を無視して塗り工程のプロセスにて有機エレクトロルミネッセンス素子１を形成しており、この構造に起因する毛細管現象や表面張力によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みにばらつきが生じていた。しかし上述のごとく画素規制層８の材料面、表面状態の改善を図り、更に画素規制層８において発光領域ＬＡを規制する側の端部の形状をテーパー状に、かつ３度以上４５度以下より好ましくは３度以上１０度以下に形成することで、テーパー部の構造に起因する毛細管現象や表面張力の影響が大きく緩和される。
【０２０１】
以上説明してきたような構成によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一化され、発光領域ＬＡから出射される光の発光輝度の分布を均一にすることができる。
【０２０２】
なお以上の実施例では有機エレクトロルミネッセンス素子１においてガラス基板２上に形成された陽極３に対して画素規制層８を設けて、発光領域ＬＡを規制する場合について説明したが、ガラス基板２上に形成された陰極７に対して画素規制層８を設けて発光領域ＬＡを規制する構造についても、実施例２の技術的思想を同様に適用できることは言うまでもない。
【０２０３】
（実施例３）
図９は本発明の実施例３における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造を示す説明図である。以降図９を用いて実施例３における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造について詳細に説明するが、有機エレクトロルミネッセンス素子１を応用した露光装置およびこの露光装置を搭載した画像形成装置については、構成や動作に差異がないため説明を省略する。
【０２０４】
実施例３においては図９に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子１を構成する陽極３の表面とこれに接する画素規制層８を、画素規制層８における発光領域ＬＡを規制する側（即ち画素規制層８の端部Ｐ０）を端部に向かうほど厚みが薄くなる曲面で構成している。更に形状的な特徴としては図示するごとく画素規制層８の端部Ｐ０を画素規制層８と接する陽極３の表面に対して下に凸の曲面で構成している。
【０２０５】
画素規制層８において画素規制層８の端部Ｐ０を自由曲面として形成するためには、エッチングにより形成する場合はエッチングガスあるいはエッチング液の種類およびエッチング時間、エッチングマスクを適宜選択したエッチング方法を適用することで容易に曲面の勾配などを変化させることができる。また感光性材料を用いた現像により形成する場合は、露光時間、露光マスク、現像時間などを適宜選択して容易に曲面の勾配などを変化させることができる。特に複数のマスクを用いてエッチング領域を徐々に拡大する際のピッチを変化させるとともに、エッチング時間を調整してエッチングにより除去される厚みを制御することで、画素規制層８の端部Ｐ０における陽極３の表面とこれに接する画素規制層８とのなす形状を精度よく調整できる。
【０２０６】
一方で陽極３の表面に接する画素規制層８の厚みを０．０５マイクロメートルより薄くしてしまうと、画素規制層８の端部Ｐ０における膜強度が不足し、画素規制層８に本来求められる発光領域ＬＡを規制する機能が損なわれ、発光領域ＬＡの形状が一定でなくなる不都合が生ずる。従って実施例３では画素規制層８の端部Ｐ０における最端部の厚みを０．０５マイクロメートルとしている。
【０２０７】
更に実施例３では少なくとも画素規制層８の端部Ｐ０を実施例１で詳細に説明した有機発光材料を溶解するトルエンやキシレンなどの溶媒、あるいは有機発光材料を溶解した溶液に対して高い濡れ性を示す材料である主鎖としてビニル基、吸水性シリコン、イソシアネート、ポリエステルポリマー、ポリアミド、フッ素含有ポリマー、エポキシ基、あるいは末端にビニル基、グリシジル基、アリール基等を持ったポリマー材料、あるいはポリイミド等の撥水性材料の表面に紫外線照射処理あるいはプラズマ処理して上記溶媒あるいは溶液に対して濡れ性を高くした表面を構成している。また単に材料面の選定のみならず、画素規制層８の端部Ｐ０にプラズマ処理、エッチング処理を施して画素規制層８の端部Ｐ０の表面粗さＲａを５ナノメートル程度に荒らすことが望ましい。このように画素規制層８の材質の選定および表面処理を施すことによって、画素規制層８の端部Ｐ０において発光層６の濡れ性を改善することができる。実施例２では画素規制層８の材料の選定および前述の表面処理によって、濡れ性の程度として画素規制層８の端部Ｐ０における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下としている。
【０２０８】
発明者等の知見によれば、前述のごとく画素規制層８の端部Ｐ０における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下に設定し、画素規制層８の端部Ｐ０を画素規制層８と接する陽極３の表面に対して下に凸の曲面で構成し、更に画素規制層８の端部Ｐ０における最端部の厚みを０．０５マイクロメートルとすることで、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１において発光領域ＬＡの形状が極めて安定するとともに、発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みのばらつきを２０％以下に抑制することが可能であった。このように発光層６の厚みのばらつきを低減することは、発光領域ＬＡにおける発光輝度の均一化に直結し、発光領域ＬＡにおける発光輝度の分布を矩形に近づけることができる。
【０２０９】
濡れ性の程度として画素規制層８の端部Ｐ０における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下とし、画素規制層８の端部Ｐ０における発光層６に対する濡れ性を改善することで、発光層６の厚みのばらつきが減少するのは、画素規制部８の端部Ｐ０における毛細管現象や表面張力の影響を極力排除できるからである。
【０２１０】
更に画素規制層８の端部Ｐ０を端部に向かうほど厚みが薄くなる曲面で構成し、更に画素規制層８の端部Ｐ０を画素規制層８と接する陽極３の表面に対して下に凸の曲面で構成し、かつ画素規制層８の端部Ｐ０における最端部の厚みを０．０５マイクロメートルとすることで発光層６の厚みのばらつきが減少するのは、画素規制層８において発光領域ＬＡを規制するテーパー部における陽極３との角度変化が十分に小さくなり、これによって陽極３と画素規制層８の境界部における段差、即ち陽極３と画素規制層８との不連続状態が解消されるためである。
【０２１１】
従来の有機エレクトロルミネッセンス素子１では、陽極３と画素規制層８の境界には段差が存在するにもかかわらず、この段差を無視して塗り工程のプロセスにて有機エレクトロルミネッセンス素子１を形成しており、この構造に起因する毛細管現象や表面張力によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みにばらつきが生じていた。しかし上述のごとく画素規制層８の材料面、表面状態の改善を図り、更に画素規制層８の端部Ｐ０を画素規制層８と接する陽極３の表面に対して下に凸の曲面で構成し、かつ画素規制層８の端部Ｐ０における最端部の厚みを０．０５マイクロメートルとすることで、テーパー部の構造に起因する毛細管現象や表面張力の影響が大きく緩和される。
【０２１２】
また実施例３の構造は画素規制層８の厚みを確保しつつ画素規制層８の端部Ｐ０において陽極３となす角度を十分に小さくすることができる。これにより高い絶縁性を保ちながら、発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一である有機エレクトロルミネッセンス素子１を容易に実現でき、発光領域ＬＡから出射される光の発光輝度の分布を均一にすることができる。
【０２１３】
以上説明してきたような構成によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一化され、発光領域ＬＡから出射される光の発光輝度の分布を均一にすることができる。
【０２１４】
なお以上の実施例では有機エレクトロルミネッセンス素子１においてガラス基板２上に形成された陽極３に対して画素規制層８を設けて、発光領域ＬＡを規制する場合について説明したが、ガラス基板２上に形成された陰極７に対して画素規制層８を設けて発光領域ＬＡを規制する構造についても、実施例３の技術的思想を同様に適用できることは言うまでもない。
【０２１５】
（実施例４）
図１０は本発明の実施例４における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造を示す説明図である。以降図１０を用いて実施例４における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造について詳細に説明するが、有機エレクトロルミネッセンス素子１を応用した露光装置およびこの露光装置を搭載した画像形成装置については、構成や動作に差異がないため説明を省略する。
【０２１６】
実施例４における有機エレクトロルミネッセンス素子１は正孔を注入する陽極３と、発光層６と、電子を注入する陰極７と、陽極３の一部を被覆し正孔の注入を制御して発光層６の発光領域ＬＡを規制する複数の層（画素規制層８ａおよび画素規制層８ｂ）を有しており、これによって画素規制層を発光領域ＬＡにおける発光輝度をほぼ均一にするよう構成したものである。図１０において詳細に示すように、８ａは第１の画素規制層であり主に陽極３と陰極７の間の全体的な絶縁性を確保する機能を有する。８ｂは第２の画素規制層であり主に発光領域ＬＡを規制するための機能を有する。この場合、第１の画素規制層８ａには陽極３と陰極７の間を絶縁性良く覆う材料を用い、第２の画素規制層８ｂには薄さや精細さなどの精度が得られる材料を用いることが望ましい。このように第１の画素規制層８ａと第２の画素規制層８ｂにそれぞれ異なる材料を用いることで、機能分離の効果をより高めることが可能となる。
【０２１７】
実施例４の有機エレクトロルミネッセンス素子１の更なる構造上の特徴は、画素規制層を、陽極に接して形成された第２の画素規制層８ｂと、この第２の画素規制層８ｂに接して形成され第２の画素規制層８ｂの一部を被覆する第１の画素規制層８ａから構成したことである。
【０２１８】
以降図１０を用いて実施例４における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造について詳細に説明する。なお以降の説明では簡単のために第１の画素規制層８ａにおいて画素規制層８ｂと接触し、かつ発光領域ＬＡ側の端部を「第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１」と呼称する（図中Ｐ１を参照）。
【０２１９】
まず第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１の構造について説明する。
【０２２０】
画素規制層８ａの端部Ｐ１において、陽極３と接して形成された第２の画素規制装置８ｂの表面に接する第１の画素規制層８ａとのなす角度θ２は３度以上４５度以下とすることが好ましく３度以上１０度以下とすると更に望ましい。実施例４においては第１の画素規制層８ａは直接的には発光領域ＬＡを規制することはないが、第１の画素規制層８ａは第２の画素規制層８ｂの周辺に形成されるため、発光層６を形成するにあたっての影響はゼロではなく、第１の画素規制層８ａに対しても実施例２で示した条件を適用することが望ましいのである。
【０２２１】
実施例４においても、少なくとも第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１を実施例１で詳細に説明した有機発光材料を溶解するトルエンやキシレンなどの溶媒、あるいは有機発光材料を溶解した溶液に対して高い濡れ性を示す材料である主鎖としてビニル基、吸水性シリコン、イソシアネート、ポリエステルポリマー、ポリアミド、フッ素含有ポリマー、エポキシ基、あるいは末端にビニル基、グリシジル基、アリール基等を持ったポリマー材料、あるいはポリイミド等の撥水性材料の表面に紫外線照射処理あるいはプラズマ処理して上記溶媒あるいは溶液に対して濡れ性を高くした表面をもつ構成とすることが望ましい。また第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１にプラズマ処理、エッチング処理を施して第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１の表面粗さＲａを５ナノメートル程度に荒らすことが望ましい。このように第１の画素規制層８ａの材質の選定および表面処理を施すことによって、第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１において発光層６に対する濡れ性を改善することができる。実施例４では画素規制層８の材料の選定および前述の表面処理によって、濡れ性の程度として画素規制層８の端部Ｐ１における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下としている。
【０２２２】
第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１をテーパー状に形成するためには、エッチングにより形成する場合はエッチングガスあるいはエッチング液の種類およびエッチング時間、エッチングマスクを適宜選択したエッチング方法を適用することで容易にテーパー形状を調整することができる。また感光性材料を用いた現像により形成する場合は、露光時間、露光マスク、現像時間などを適宜選択して容易にテーパー形状を調整することができる。特に複数のマスクを用いてエッチング領域を徐々に拡大するとともに、エッチング時間を調整してエッチングにより除去される厚みを制御することで角度θ２を精度よく調整できる。なお実施例４においても実施例３で示したのと同様に第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１を曲面で構成してもよい。
【０２２３】
また既に実施例１で説明したように画素規制層を構成する材料は不透明材料が有利である。実施例４では第１の画素規制層８ａと第２の画素規制層８ｂは機能分離されているため、第１の画素規制層８ａの厚みを５マイクロメートル程度と比較的に厚く設定し、かつ第１の画素規制層８ａをカーボン粒子の分散量を比較的低く制御したポリイミドなどの有機物で構成することで、第１の画素規制層８ａに求められる絶縁性と低光透過率を両立することが可能となる。
【０２２４】
次に第２の画素規制層８ｂについて詳細に説明する。
【０２２５】
第２の画素規制層８ｂは主に発光領域ＬＡを規制するための機能を担うものであり、既に他の実施例で説明したように発光層６に対する濡れ性を確保することが必要である。この要求を満たすために、第２の画素規制層８ｂは例えばＳｉＮあるいはＡｌＮから構成することが望ましい。これらの材料は絶縁性、画素規制精度などの点、更に材料そのものとしても上記溶媒あるいは溶液との濡れ性に優れており採用するメリットが大きい。濡れ性の確保については画素規制層８を形成した後に十分な洗浄処理、紫外線照射処理、熱処理、プラズマ処理などを行うことで上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下にすることができるため、発光層６に対して十分な濡れ性を確保することができる。
【０２２６】
既に実施例１において説明したように陽極３と第２の画素規制層８ｂとの段差は０．０５マイクロメートル以上２マイクロメートル以下が望ましく、第２の画素規制層８ｂの厚みは０．０５マイクロメートル以上０．５マイクロメートル以下とすると更に望ましい。これに対し第１の画素規制層８ｂの厚みは例えば５マイクロメートル程度とし、絶縁性を確実に確保することが望ましい。即ち第１の画素規制層８ａの厚みと第２の画素規制層８ｂの厚みを、「第１の画素規制層の厚み８ａ＞第２の画素規制層の厚み８ｂ」の関係を満たすように構成することが望ましい。この場合は第１の画素規制層８ａが画素規制層全体の厚みを支配する要因となるが、露光装置３３（図３参照）における画素サイズと第１の画素規制層８ａの厚みの関係は、既に実施例１で説明したのと同様の観点から、第１の画素規制層８ａの厚みを発光領域ＬＡの幅以下で、かつ発光領域ＬＡの幅の１．５％以上となるように構成することが望ましい。
【０２２７】
また第２の画素規制層８ｂを金属で構成してもよい。第２の画素規制層８ｂを金属で構成した場合は、既に実施例１で説明したように光透過率を実質的にゼロにできるという効果を奏する。さて実施例４では第１の画素規制層８ａは陽極３と陰極７の間の絶縁性を担うべく絶縁材料で構成されているため、第２の画素規制層８ｂは実施例１で要求された「発光層６に正孔が注入されにくい金属」という条件を満たす必要はない。従って実施例４においてはパターンニング性を満たす限りあらゆる金属材料を使用することができる。
【０２２８】
ただし図１０では第２の画素規制層８ｂは個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１内で独立して設けられているが、第２の画素規制層８ｂが複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１に跨って（即ちベタ状態で形成され、陽極３の所定位置に開口部が存在するような構成で）形成されている場合は、隣接画素に駆動電流がリークするために抵抗値の低い金属材料を採用するとことはできない。この場合は第２の画素規制層８ｂを例えば金属酸化物や窒化物など所定の抵抗値を有する導電性材料を用いることが望ましい。具体的には金属酸化物であればＭｏＯ３、窒化物であればＳｉＮなどを用いることができる。またこの場合の面方向の導電性は１メガオーム以上とすればリーク電流を防止することが可能である。リーク電流の抑制効果を更に向上するためには、この面方向の導電性については更に１０メガオーム以上とすることが望ましい。
【０２２９】
さて図１０に示す構造を得るためのプロセスとしては、（Ｉ）発光領域ＬＡおよび図中第２の画素規制層８ｂとして示す両部分に後工程にて第２の規制層８ｂとなる例えばＳｉＮ、Ｃｒなどの材料を一面に蒸着し、（ＩＩ）その後第１の画素規制層８ａとなる感光性樹脂を一面に塗布し、（ＩＩＩ）第１の画素規制層８ａの形状のフォトマスクを用いて露光、現像することで第１の画素規制層８ａを形成し、（ＩＶ）その後にこの第１の画素規制層８ａでマスクを代用してエッチング処理することで第２の画素規制層８ｂを形成することが可能である。
【０２３０】
この場合（ＩＶ）のエッチング処理においては、発光領域ＬＡの中央部から第２の画素規制層８ｂが除去されていくため、エッチング処理の時間を制御することで、第２の画素規制層８ｂを第１の画素規制層８ａの端部Ｐ１から発光領域ＬＡ側に突出した形状にて形成できる。
【０２３１】
このようにパターンニングされた感光性樹脂（後に第１の画素規制層８ａとなる）を介して他の材料からなる第２の画素規制層８ｂをパターンニングすることで、位置合わせなどの複雑な工程を経ることなく、容易に複数の材料からなる第１の画素規制層８ａと第２の画素規制層８ｂを実現できる。なお感光性樹脂は一般に高い絶縁性を持つため、第１の画素規制層８ａの材料としては適している。
【０２３２】
更に感光性樹脂のパターンニング、あるいは他材料のパターンニングの条件を調整することにより、一方の大きさを他方の大きさより大きくするなどの複雑な形状も実現することができる。
【０２３３】
以上説明してきたような構成によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一化され、発光領域ＬＡから出射される光の発光輝度の分布を均一にすることができる。
【０２３４】
なお以上の実施例では有機エレクトロルミネッセンス素子１においてガラス基板２上に形成された陽極３に対して画素規制層８ａおよび画素規制層８ｂを設けて、発光領域ＬＡを規制する場合について説明したが、ガラス基板２上に形成された陰極７に対して画素規制層８ａおよび画素規制層８ｂを設けて発光領域ＬＡを規制する構造についても、実施例４の技術的思想を同様に適用できることは言うまでもない。
【０２３５】
（実施例５）
図１１は本発明の実施例５における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造を示す説明図である。以降図１１を用いて実施例５における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造について詳細に説明するが、有機エレクトロルミネッセンス素子１を応用した露光装置およびこの露光装置を搭載した画像形成装置については、構成や動作に差異がないため説明を省略する。
【０２３６】
実施例５における有機エレクトロルミネッセンス素子１は正孔を注入する陽極３と、発光層６と、電子を注入する陰極７と、陽極３の一部を被覆し正孔の注入を制御して発光層６の発光領域ＬＡを規制する複数の層（画素規制層８ａおよび画素規制層８ｂ）を有しており、これらの画素規制層によって発光領域ＬＡにおける発光輝度をほぼ均一にするよう構成したものである。図１１において詳細に示すように８ａは第１の画素規制層であり主に陽極３と陰極７の間の全体的な絶縁性を確保する機能を有する。８ｂは第２の画素規制層であり主に発光領域ＬＡを規制するための機能を有する。この場合、第１の画素規制層８ａには陽極３と陰極７の間を絶縁性良く覆う材料を用い、第２の画素規制層８ｂには薄さや精細さなどの精度が得られる材料を用いることが望ましい。このように第１の画素規制層８ａと第２の画素規制層８ｂに、それぞれ異なる材料を用いることで機能分離の効果をより高めることが可能となる。
【０２３７】
実施例５の有機エレクトロルミネッセンス素子１の更なる構造上の特徴は、陽極３に接して形成された第１の画素規制層８ａと、この第１の画素規制層８ａに接して形成され更に陽極３の一部を被覆する第２の画素規制層８ｂから構成したことである。
【０２３８】
以降図１１を用いて実施例５における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造について詳細に説明する。なお以降の説明では簡単のために第１の画素規制層８ａにおいて発光領域ＬＡ側の端部を「第１の画素規制層８ａの端部Ｐ２」と呼称する（図中Ｐ２を参照）。
【０２３９】
まず第１の画素規制層８ａの端部Ｐ２の構造について説明する。
【０２４０】
画素規制層８ａの端部Ｐ２において、陽極３の表面と陽極３と接して形成された第１の画素規制層８ａとのなす角度θ３は３度以上４５度以下とすることが好ましく３度以上１０度以下とすると更に望ましい。実施例５においては第２の画素規制層８ｂは第１の画素規制層８ａと発光層６に挟まれた位置に配置されるため、実施例２で詳細に説明したように角度θ３は直接的に発光層６の厚みの均一性に影響する。
【０２４１】
ただし実施例５では第１の画素規制層８ａを第２の画素規制層８ｂが被覆するため、第１の画素規制層８ａは必ずしも有機発光材料を溶解するトルエンやキシレンなどの溶媒、あるいは有機発光材料を溶解した溶液に対して高い濡れ性を示す材料で構成する必要はなく、またその表面に対して上記溶媒あるいは溶液の接触角を所定の範囲に維持するための処理は必要とされない。
【０２４２】
第１の画素規制層８ａの端部Ｐ２をテーパー状に形成するためには、エッチングにより形成する場合はエッチングガスあるいはエッチング液の種類およびエッチング時間、エッチングマスクを適宜選択したエッチング方法を適用することで容易にテーパー形状を調整することができる。また感光性材料を用いた現像により形成する場合は、露光時間、露光マスク、現像時間などを適宜選択して容易にテーパー形状を調整することができる。特に複数のマスクを用いてエッチング領域を徐々に拡大するとともに、エッチング時間を調整してエッチングにより除去される厚みを制御することで角度θ３を精度よく調整できる。なお実施例５においても実施例３で示したのと同様に第１の画素規制層８ａの端部Ｐ２を曲面で構成してもよい。
【０２４３】
また既に実施例１で説明したように画素規制層を構成する材料は不透明材料が有利である。実施例４では第１の画素規制層８ａと第２の画素規制層８ｂは機能分離されているため、第１の画素規制層８ａの厚みを５マイクロメートル程度と比較的に厚く設定し、かつ第１の画素規制層８ａをカーボン粒子の分散量を比較的低く制御したポリイミドなどの有機物で構成することで、第１の画素規制層８ａに求められる絶縁性と低光透過率を両立することが可能となる。
【０２４４】
次に第２の画素規制層８ｂについて詳細に説明する。
【０２４５】
第２の画素規制層８ｂは主に発光領域ＬＡを規制するための機能を担うものであり、既に他の実施例で説明したように発光層６に対する濡れ性を確保することが必要である。この要求を満たすために、第２の画素規制層８ｂは例えばＳｉＮあるいはＡｌＮから構成することが望ましい。これらの材料は絶縁性、画素規制精度などの点、更に材料そのものとしても上記溶媒あるいは溶液との濡れ性に優れており採用するメリットが大きい。画素規制層８を形成した後に十分な洗浄処理、紫外線照射処理、熱処理、プラズマ処理などを行うことで第２の画素規制層８ｂの端部Ｐ２における上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下にすることができるため、発光層６に対して十分な濡れ性を確保することができる。
【０２４６】
既に実施例１において説明したように、陽極３と第２の画素規制層８ｂとの段差は０．０５マイクロメートル以上２マイクロメートル以下が望ましく、第２の画素規制層８ｂの厚みは０．０５マイクロメートル以上０．５マイクロメートル以下とすると更に望ましい。これに対し第１の画素規制層８ｂの厚みは例えば５マイクロメートル程度とし、絶縁性を確実に確保することが望ましい。即ち第１の画素規制層８ａの厚みと第２の画素規制層８ｂの厚みを、「第１の画素規制層の厚み８ａ＞第２の画素規制層の厚み８ｂ」の関係を満たすように構成することが望ましい。
【０２４７】
また第２の画素規制層８ｂを金属で構成してもよい。第２の画素規制層８ｂを金属で構成した場合は、既に実施例１で説明したように光透過率を実質的にゼロにできるという効果を奏する。従って第２の画素規制層８ｂとして金属を採用した場合は、第１の画素規制層８ａは特に光透過性を意識することなく構成してよい。
【０２４８】
さて実施例５では第１の画素規制層８ａは陽極３と陰極７の間の絶縁性を担うべく絶縁材料で構成されているため、実施例１で要求された「発光層６に正孔が注入されにくい金属」という条件を満たす必要はない。従って実施例５においてはパターンニング性を満たす限りあらゆる金属材料を使用することができる。
【０２４９】
ただし図１１に示すように第２の画素規制層８ｂは個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１内で独立して設けられているが、第２の画素規制層８ｂが複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１に跨って（即ちベタ状態で形成され、陽極３の所定位置に開口部が存在するような構成で）形成されている場合は、隣接画素に駆動電流がリークするために抵抗値の低い金属材料を採用するとことはできない。この場合は第２の画素規制層８ｂとして金属酸化物や窒化物など所定の抵抗値を有する導電性材料を用いることが望ましい。具体的には金属酸化物であればＭｏＯ３、窒化物であればＳｉＮなどを用いることができる。またこの場合の面方向の導電性は１メガオーム以上とすればリーク電流を防止することが可能である。リーク電流の抑制効果を更に向上するためには、この面方向の導電性については更に１０メガオーム以上とすることが望ましい。
【０２５０】
以上説明してきたような構成によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一化され、発光領域ＬＡから出射される光の発光輝度の分布を均一にすることができる。
【０２５１】
なお以上の実施例では有機エレクトロルミネッセンス素子１においてガラス基板２上に形成された陽極３に対して画素規制層８ａおよび画素規制層８ｂを設けて、発光領域ＬＡを規制する場合について説明したが、ガラス基板２上に形成された陰極７に対して画素規制層８ａおよび画素規制層８ｂを設けて発光領域ＬＡを規制する構造についても、実施例５の技術的思想を同様に適用できることは言うまでもない。
【０２５２】
（実施例６）
図１２は本発明の実施例６における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造を示す説明図である。以降図１２を用いて実施例６における有機エレクトロルミネッセンス素子１の構造について詳細に説明するが、有機エレクトロルミネッセンス素子１を応用した露光装置およびこの露光装置を搭載した画像形成装置については、構成や動作に差異がないため説明を省略する。
【０２５３】
図１２において８ｂは陽極３の表面に設けられた第２の画素規制層であり、例えば５ナノメートルから１０ナノメートルの厚みで形成された無機酸化物あるいは非晶質カーボンから構成されている。無機酸化物としては例えばＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ等を用いることができる。
【０２５４】
実施例６に示す有機エレクトロルミネッセンス素子１においては、陽極３の表面に蒸着などによって第２の画素規制層８ｂを形成し、第２の画素規制層８ｂに接して高い絶縁性を有する第１の画素規制層８ａを設け、第１の画素規制層８ａによって発光領域ＬＡを規制した上で発光層６と陰極７を積層させた構造としている。
【０２５５】
このような構造とすることで、第１の画素規制層８ａには本来の画素規制層として絶縁性の機能を持たせ、第２の画素規制層８ｂには発光領域ＬＡにおける発光層６の微小な凹凸を吸収し厚みを均一にする機能を持たせることができる。
【０２５６】
またこの第２の画素規制層８ｂの厚さを１０ナノメートル以下とすることにより、陽極３から発光層６への電荷注入を妨げることなく第２の画素規制層８ｂを構成できる。
【０２５７】
第１の画素規制層８ａとして既に実施例２で説明したように有機発光材料を溶解するトルエンやキシレンなどの溶媒、あるいは有機発光材料を溶解した溶液に対して高い濡れ性を示す材料を用い、更に第１の画素規制層８ａの表面を処理することで上記溶媒あるいは溶液との接触角を４５度以下とすることで、第１の画素規制層８ａには発光層６の厚みを均一にする機能を持たせつつ、本来の画素規制層として絶縁性の機能を持たせ、第２の画素規制層８ｂには発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一になるような機能を持たせることができる。また図１２に図示した第１の画素規制層８ａの端部Ｐ３における第２の画素規制層８ｂの表面と第１の画素規制層８ａとがなす角度θ４についても、実施例２で説明したような角度、即ち３度以上４５度以下とすることが好ましく３度以上１０度以下とすると更に望ましい。
【０２５８】
陽極３の表面に第２の画素規制層８ｂが一様に形成された構造とする場合、第１の画素規制層８ａが十分に絶縁性を持っていれば、上述のごとく高々１０ナノメートルの厚みにすぎない第２の画素規制層８ｂは隣接する有機エレクトロルミネッセンス素子１に対して十分な絶縁性を有するため、あえて発光領域ＬＡに対応する部位に選択的に第２の画素規制層８ｂを形成する必要はない。このようにすることで複雑な工程を用いなくても、複数の機能を持った画素規制層を容易に形成することができる。
【０２５９】
更に実施例６については、例えば実施例３で説明したように第１の画素規制層８ａの端部Ｐ３における形状を曲面としてもよいし、更に実施例４や実施例５で説明したように複数層からなる画素規制層を用いてもよい。
【０２６０】
以上説明してきたような構成によって発光領域ＬＡにおける発光層６の厚みが均一化され、発光領域ＬＡから出射される光の発光輝度の分布を均一にすることができる。
【０２６１】
なお以上の実施例では有機エレクトロルミネッセンス素子１においてガラス基板２上に形成された陽極３に対して画素規制層８ａおよび画素規制層８ｂを設けて、発光領域ＬＡを規制する場合について説明したが、ガラス基板２上に形成された陰極７に対して画素規制層８ａおよび画素規制層８ｂを設けて発光領域ＬＡを規制する構造についても、実施例６の技術的思想を同様に適用できることは言うまでもない。
【０２６２】
以上複数の実施例を用いて説明してきたように、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１は画素規制層８により規制された発光領域ＬＡにおける発光輝度をほぼ均一にすることができる。従って本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１を光源に用いた露光装置は所望の形状の静電潜像を得ることができる。
【０２６３】
また本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１は画素規制層８（または第１の画素規制層８ａと第２の画素規制層８ｂ）によって規制された発光領域における発光層６の厚みのばらつきが、発光領域における発光層の厚みを平均した値の２０％以下であり、発光層６の厚みが均一であるため、有機エレクトロルミネッセンス素子１を流れる電流分布が均一となる。従って有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光領域ＬＡの劣化が均一になるため、有機エレクトロルミネッセンス素子１の寿命が実質的に長くなり、かつ長期に渡って安定した潜像を形成可能な露光装置を提供できる。更に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１は発光領域ＬＡが均一に発光するため、所望の発光輝度を得るために無駄に明るく発光させる必要がなく、消費電力の小さな露光装置を実現することができる。
【０２６４】
本発明の露光装置を応用した画像形成装置においては、露光装置が長期に渡って安定に潜像を形成するため、長寿命の画像形成装置を実現できる。また簡単な工法により露光装置を得られるため画像形成装置を低価格に提供できる。さらに本発明の露光装置を用いた画像形成装置においては、所望の静電潜像が得られるために常に高画質の画像を形成することができる。また光源として有機エレクトロルミネッセンス素子１を採用することによって露光装置のサイズを小さくすることができ、この露光装置を搭載することでコンパクトな画像形成装置を実現することができる。
【０２６５】
さて有機エレクトロルミネッセンス素子１の発光領域ＬＡにおいて発光層６の厚みを均一に形成することで、安定に発光する有機エレクトロルミネッセンス素子１を実現することができるが、この効果は少なくとも発光層６の一部を高分子材料によって構成した有機エレクトロルミネッセンス素子１、あるいは少なくとも発光層６の一部を溶媒に可溶な材料によって構成した有機エレクトロルミネッセンス素子１において顕著である。これらの材料を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する場合、蒸着などの工法を用いず溶媒に溶かした状態で製膜する工法が用いられるが、蒸着時の蒸着材料の不均一分布による発光層６の厚みの不均一性よりも、有機発光材料を溶解するトルエンやキシレンなどの溶媒、あるいは有機発光材料を溶解した溶液に対する濡れ性や構造物による毛細管現象や表面張力などによる厚みの不均一性が高いため、より顕著に本発明の効果が得られる。
【０２６６】
また発光層の製膜工法について、インクジェット法などは表面張力や画素規制層８の撥水性などを積極的に利用して形成するのに対し、スピンコート法、ギャップ法、フラッドプリント法（インクジェットを使った一様塗布法）、スクリーン印刷法などの一様塗布型の工法では一様に発光層等の材料を塗布するため、本発明の効果がより顕著に現れる。これらの工法は、発光層の塗り分けを必要としない単色発光層の場合に多く用いられ、これらの工法あるいは構造を用いる場合に本発明はより有効な効果を奏するものである。
【０２６７】
また以上の説明において露光装置において有機エレクトロルミネッセンス素子１は直流電源による駆動を前提として説明したが、交流電源あるいはパルス電源で駆動してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０２６８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを用いた露光装置ならびに画像形成装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光領域の発光輝度の均一性あるいは長期にわたる安定な発光を得ることが必要な種々の装置において利用でき、例えば複写機、マルチファンクションプリンタ、プリンタ、ファクシミリなどに適用が可能である。また有機エレクトロルミネッセンス素子は有機発光材料の選定によってＲｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの三原色を得ることができるから、例えばＲＧＢそれぞれの色にて露光する露光装置を用いれば、印画紙を直接露光するタイプの画像形成装置に適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０２６９】
【図１】本発明の実施例１における有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す説明図
【図２】同実施例１における露光装置の構成図
【図３】（ａ）は同実施例１の露光装置に係るガラス基板の上面図、（ｂ）は同要部拡大図
【図４】同実施例１の露光装置に係る回路図
【図５】同実施例１の露光装置に係る有機エレクトロルミネッセンス素子および駆動回路の断面図
【図６】同実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子を応用した露光装置を搭載した画像形成装置の構成図
【図７】同実施例１の画像形成装置における現像ステーションの周辺を示す構成図
【図８】同実施例２における有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す説明図
【図９】同実施例３における有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す説明図
【図１０】同実施例４における有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す説明図
【図１１】同実施例５における有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す説明図
【図１２】同実施例６における有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す説明図
【図１３】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す断面図
【図１４】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を示す断面図
【図１５】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を示す断面図
【図１６】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域における発光輝度の分布を示す説明図
【符号の説明】
【０２７０】
１    有機エレクトロルミネッセンス素子
２    ガラス基板
３    陽極
６    発光層
７    陰極
８，８ａ，８ｂ    画素規制層
１１    有機エレクトロルミネッセンス素子
１２    ガラス基板
１３    陽極
１４    正孔輸送層
１５    有機材料層
１６    発光層
１７    陰極
１８，１８ａ，１８ｂ    画素規制層
２１    画像形成装置
２２，２２Ｙ，２２Ｍ，２２Ｃ，２２Ｋ    現像ステーション
２８，２８Ｙ，２８Ｍ，２８Ｃ，２８Ｋ    感光体
３３，３３Ｙ，３３Ｍ，３３Ｃ，３３Ｋ    露光装置
７１    レンズアレイ
７７    光量センサユニット
８１    ソースドライバ
８２    ＴＦＴ回路
８４    封止ガラス
１０２    ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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