(57)【要約】【課題】半導体チップのパターン変更を伴わずに半導体チップの複数の受光部領域間の距離を調節する。【解決手段】半導体チップ１７における２つの受光部領域が形成されている主面１９に対向する裏面２０を研磨して、主面１９とその裏面２０とに所定の角度を設ける。こうすることによって、リードフレーム１５の面に平行な方向へ計測した上記２つの受光部領域間の距離を、主面１９とその裏面２０とに角度を設けない場合(つまり、裏面２０を研磨しない場合)の距離よりも、半導体チップ１７のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく減少できる。また、主面１９とその裏面２０との角度を調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定できる。【選択図】図２
2007258433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面を有する共に、上記受光面に複数の受光部領域が形成された半導体チップと、
上記半導体チップが搭載されたリードフレームあるいは基板と
を備え、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板に設定された基準面に対する上記受光面の角度が所定角度になるように搭載されており、
上記所定角度は、上記基準面に平行な方向へ計測した上記複数の受光部領域間の距離が所望の距離になるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記半導体チップは、上記受光面とこの受光面に対向する裏面とが上記所定角度を成すように形成されており、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記半導体チップの搭載面を上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板における上記搭載面に上記裏面が接触して搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記リードフレームのヘッダ部を、このリードフレームの本体部に対して上記所定角度だけ折り曲げて傾斜させており、
上記リードフレームにおける上記本体部の面を上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームにおける上記ヘッダ部に搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に段差を設けて、上記ヘッダ部の少なくとも一部を当該リードフレームあるいは当該基板の本体部よりも低くあるいは高くしており、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記本体部の面を、上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記段差とに搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
上記段差は複数設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に突起を設けており、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部の面を上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記突起とに搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
上記突起は、その水平断面が略点状になるように形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体装置において、
上記突起は、帯状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に、このリードフレームあるいは基板の本体部の面に対する角度が上記所定角度の傾斜面を有する傾斜部を設けており、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記本体部の面を、上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板における上記傾斜面に搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記基板におけるヘッダ部に窪みを設け、上記窪みの底面に突起を設けており、
上記基板における上記窪みの底面を上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記基板における上記窪みの底面と上記突起とに搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記基板におけるヘッダ部に、この基板の本体部の面に対する角度が上記所定角度の傾斜面を有する窪みを設けており、
上記基板における上記本体部の面を、上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記基板の上記窪みにおける上記傾斜面に搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
受光面を有する共に、上記受光面に複数の受光部領域が形成された半導体チップを、リードフレームあるいは基板に搭載するに際して、
上記半導体チップにおける上記受光面が、上記リードフレームあるいは上記基板に設定された基準面に対して所定角度を有するように搭載して、
上記所定角度を、上記基準面に平行な方向へ計測した上記複数の受光部領域間の距離が所望の距離になるように設定する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に突起を形成し、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部の面を上記基準面として設定し、
上記半導体チップを上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記突起とに搭載し
て、上記受光面の上記基準面に対する角度を上記所定角度にする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
上記基板におけるヘッダ部に窪みを形成した後、上記窪みの底面に突起を形成し、
上記基板における上記窪みの底面を上記基準面として設定し、
上記半導体チップを上記基板における上記窪みの底面と上記突起とに搭載し
て、上記受光面の上記基準面に対する角度を上記所定角度にする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３あるいは請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
上記突起は、上記リードフレームあるいは上記基板に予め形成されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３あるいは請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
上記突起は、上記リードフレームあるいは上記基板に上記半導体チップを搭載する直前に形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１１の何れか一つに記載の半導体装置を用いた
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップを樹脂封止してパッケージ化した半導体装置およびその製造方法、並びに、上記半導体装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近における光センサや光ピックアップ等の製造工程において、図１２に示すように１つの半導体チップ１に複数の受光部領域２が存在する場合に、ユーザの使用切り替えに伴う半導体チップパターンの変更等によって、特に半導体チップ１における受光部領域２の間の距離を調整する機会が増加している。
【０００３】
上述のような要望に対して、従来は、パターン変更を行った半導体チップを新たに作成し、さらに、新たに作成した半導体チップに応じたパッケージ実装工程を行うことによって、上記受光部間の距離の調整を行うようにしている(例えば、特開平５‐５５５３７号公報(特許文献１))。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に開示された従来の受光部間の距離の調整方法においては、以下のような問題がある。すなわち、
・パターン変更を行った半導体チップを新たに作成するので、作成時に新たなマスクを形成するために費用等が掛かる。
・上記新たな半導体チップを作成するのに付随した時間を要する。
・上記半導体チップのパターンを変更することによって、パッケージ実装工程の変更も必要になり、パターン変更を行った半導体チップの作成時の場合と同様に、新規パッケージの実装に多くの開発時間と費用とを要する。
【特許文献１】特開５‐５５５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、この発明の課題は、半導体チップのパターン変更およびパッケージ実装工程の変更を伴わずに半導体チップにおける複数の受光部領域間の距離を変更できる半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、この発明の半導体装置は、
受光面を有する共に、上記受光面に複数の受光部領域が形成された半導体チップと、
上記半導体チップが搭載されたリードフレームあるいは基板と
を備え、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板に設定された基準面に対する上記受光面の角度が所定角度になるように搭載されており、
上記所定角度は、上記基準面に平行な方向へ計測した上記複数の受光部領域間の距離が所望の距離になるように設定されている
ことを特徴としている。
【０００７】
上記構成によれば、リードフレームあるいは基板に搭載された半導体チップにおける上記リードフレームあるいは上記基板の基準面に平行な方向へ計測した複数の受光部領域間の距離は、上記半導体チップが上記受光面と上記基準面とが平行になるように搭載された場合の上記距離に比して短い所望の距離になっている。
【０００８】
したがって、上記複数の受光部領域間の上記距離を、上記半導体チップのパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく変更することできる。さらに、上記複数の受光部領域間の上記距離を、上記受光面と上記基準面との角度を調節することによって任意に設定することが可能になる。
【０００９】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記半導体チップは、上記受光面とこの受光面に対向する裏面とが上記所定角度を成すように形成されており、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記半導体チップの搭載面を上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板における上記搭載面に上記裏面が接触して搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている。
【００１０】
この実施の形態によれば、上記半導体チップは上記受光面と裏面とが上記所定角度を成しており、上記リードフレームあるいは上記基板における搭載面に搭載された際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記受光面とその裏面との角度を調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００１１】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記リードフレームのヘッダ部を、このリードフレームの本体部に対して上記所定角度だけ折り曲げて傾斜させており、
上記リードフレームにおける上記本体部の面を上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームにおける上記ヘッダ部に搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている。
【００１２】
この実施の形態によれば、上記リードフレームのヘッダ部が本体部に対して上記所定角度だけ折り曲げられて傾斜しており、上記半導体チップを上記リードフレームの上記ヘッダ部に搭載した際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記ヘッダ部の傾斜角度を調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００１３】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に段差を設けて、上記ヘッダ部の少なくとも一部を当該リードフレームあるいは当該基板の本体部よりも低くあるいは高くしており、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記本体部の面を、上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記段差とに搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている。
【００１４】
この実施の形態によれば、上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に段差を設けており、上記半導体チップを上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記段差とに搭載した際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記ヘッダ部に設ける上記段差の高さを調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００１５】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記段差は複数設けられている。
【００１６】
この実施の形態によれば、上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に、複数の段差が設けられている。したがって、上記受光面の傾斜角度を同じにするのであれば、上記段差を１段のみ設ける場合に比して上記複数の段差の夫々の高さを低くすることができる。その結果、上記リードフレームあるいは上記基板と上記半導体チップとの密着性を高めることができる。
【００１７】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に突起を設けており、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部の面を上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記突起とに搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている。
【００１８】
この実施の形態によれば、上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に突起を設けており、上記半導体チップを上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記突起とに搭載した際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記ヘッダ部に設ける上記突起の高さを調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００１９】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記突起は、その水平断面が略点状になるように形成されている。
【００２０】
この実施の形態によれば、上記突起の水平断面は略点状になる。したがって、上記突起の位置を調節することによって、上記受光面の傾斜方向を任意に設定することができ、上記複数の受光部領域間の上記距離をさらに広範囲に設定することができる。
【００２１】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記突起は、帯状に形成されている。
【００２２】
この実施の形態によれば、上記突起は帯状に形成されている。したがって、上記半導体チップ搭載時における上記半導体チップの安定性を増すことができる。
【００２３】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に、このリードフレームあるいは基板の本体部の面に対する角度が上記所定角度の傾斜面を有する傾斜部を設けており、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記本体部の面を、上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記リードフレームあるいは上記基板における上記傾斜面に搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている。
【００２４】
この実施の形態によれば、上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に本体部の面に対して上記所定角度の傾斜面を有する傾斜部を設けており、上記半導体チップを上記リードフレームあるいは上記基板における上記傾斜面に搭載した際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記ヘッダ部に設ける上記傾斜部の傾斜角度を調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００２５】
さらに、上記リードフレームあるいは上記基板のヘッダ部に、直接上記傾斜部を設けている。したがって、上記ヘッダ部に段差や突起を設ける場合に比して、上記リードフレームあるいは上記基板と上記半導体チップとの接合強度を上げることができる。
【００２６】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記基板におけるヘッダ部に窪みを設け、上記窪みの底面に突起を設けており、
上記基板における上記窪みの底面を上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記基板における上記窪みの底面と上記突起とに搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている。
【００２７】
この実施の形態によれば、上記基板におけるヘッダ部に設けた窪みの底面に突起を設けており、上記半導体チップを上記基板における上記窪みの底面と上記突起とに搭載した際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記窪みの底面に設ける上記突起の高さを調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００２８】
さらに、上記突起を上記窪みの底面に設けている。したがって、上記基板における上記ヘッダ部の上方に高さの制約がある場合でも、任意の角度に上記半導体チップを実装可能になる。
【００２９】
また、１実施の形態の半導体装置では、
上記基板におけるヘッダ部に、この基板の本体部の面に対する角度が上記所定角度の傾斜面を有する窪みを設けており、
上記基板における上記本体部の面を、上記基準面としており、
上記半導体チップは、上記基板の上記窪みにおける上記傾斜面に搭載されて、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になっている。
【００３０】
この実施の形態によれば、上記基板におけるヘッダ部に本体部の面に対して上記所定角度の傾斜面を有する窪みを設けており、上記半導体チップを上記基板の上記窪みにおける上記傾斜面に搭載した際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記ヘッダ部に設ける上記窪みの傾斜角度を調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００３１】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、
受光面を有する共に、上記受光面に複数の受光部領域が形成された半導体チップを、リードフレームあるいは基板に搭載するに際して、
上記半導体チップにおける上記受光面が、上記リードフレームあるいは上記基板に設定された基準面に対して所定角度を有するように搭載して、
上記所定角度を、上記基準面に平行な方向へ計測した上記複数の受光部領域間の距離が所望の距離になるように設定する
ことを特徴としている。
【００３２】
上記構成によれば、リードフレームあるいは基板に搭載された半導体チップにおける上記リードフレームあるいは上記基板の基準面に平行な方向へ計測した複数の受光部領域間の距離は、上記半導体チップが上記受光面と上記基準面とが平行になるように搭載された場合の上記距離に比して短い所望の距離になっている。
【００３３】
したがって、上記複数の受光部領域間の上記距離を、上記半導体チップのパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく変更することできる。さらに、上記複数の受光部領域間の上記距離を、上記受光面と上記基準面との角度を調節することによって任意に設定することが可能になる。
【００３４】
また、１実施の形態の半導体装置の製造方法では、
上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に突起を形成し、
上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部の面を上記基準面として設定し、
上記半導体チップを上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記突起とに搭載し
て、上記受光面の上記基準面に対する角度を上記所定角度にする。
【００３５】
この実施の形態によれば、上記リードフレームあるいは上記基板におけるヘッダ部に突起を形成し、上記半導体チップを上記リードフレームあるいは上記基板における上記ヘッダ部と上記突起とに搭載した際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記ヘッダ部に形成する上記突起の高さを調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００３６】
また、１実施の形態の半導体装置の製造方法では、
上記基板におけるヘッダ部に窪みを形成した後、上記窪みの底面に突起を形成し、
上記基板における上記窪みの底面を上記基準面として設定し、
上記半導体チップを上記基板における上記窪みの底面と上記突起とに搭載し
て、上記受光面の上記基準面に対する角度を上記所定角度にする。
【００３７】
この実施の形態によれば、上記基板におけるヘッダ部に窪みを形成した後、上記窪みの底面に突起を形成し、上記半導体チップを上記基板における上記窪みの底面と上記突起とに搭載した際に、上記受光面の上記基準面に対する角度が上記所定角度になるようにしている。したがって、上記窪みの底面に形成する上記突起の高さを調節することによって、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意に設定することができる。
【００３８】
さらに、上記突起を上記窪みの底面に形成している。したがって、上記基板における上記ヘッダ部の上方に高さの制約がある場合でも、任意の角度に上記半導体チップを実装可能になる。
【００３９】
また、１実施の形態の半導体装置の製造方法では、
上記突起は、上記リードフレームあるいは上記基板に予め形成されている。
【００４０】
この実施の形態によれば、上記突起は上記リードフレームあるいは上記基板に予め形成されている。したがって、単に、上記半導体チップを上記ヘッダ部に搭載するだけで、上記受光面の上記基準面に対する角度を上記所定角度にできる。
【００４１】
また、１実施の形態の半導体装置の製造方法では、
上記突起は、上記リードフレームあるいは上記基板に上記半導体チップを搭載する直前に形成する。
【００４２】
この実施の形態によれば、上記突起は、上記リードフレームあるいは上記基板に上記半導体チップが搭載される直前に形成される。したがって、上記半導体チップにおける上記受光面の傾斜角度を当該半導体装置の使用方法に応じて調節して、上記複数の受光部領域間の上記距離を臨機応変に設定することができる。
【００４３】
また、この発明の電子機器は、
この発明の半導体装置を用いた
ことを特徴としている。
【００４４】
上記構成によれば、半導体チップの受光面には複数の受光部領域が形成されており、リードフレームあるいは基板に設定された基準面に平行な方向へ計測した上記複数の受光部領域間の距離を、上記半導体チップのパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく変更することできる半導体装置を用いている。したがって、ユーザの使用切り替えに伴って上記受光部領域間の距離を変更する必要が生じた際に、半導体チップパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行う必要がない。
【００４５】
さらに、上記リードフレームあるいは上記基板に搭載される半導体チップの傾斜角度を調節するだけで、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意の距離に簡単に設定することが可能になる。
【発明の効果】
【００４６】
以上より明らかなように、この発明の半導体装置および半導体装置の製造方法は、受光面に複数の受光部領域が形成された半導体チップを、リードフレームまたは基板に設定された基準面に対する上記受光面の角度が所定角度になるように搭載し、上記所定角度を、上記基準面に平行な方向へ計測した上記複数の受光部領域間の距離が所望の距離になるように設定するので、上記複数の受光部領域間の上記距離を、上記半導体チップのパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく変更することできる。さらに、上記複数の受光部領域間の上記距離を、上記受光面と上記基準面との角度を調節することによって任意に設定することが可能になる。
【００４７】
すなわち、この発明によれば、上記基準面に平行な方向へ計測した上記複数の受光部領域間の距離の変更を行う際に、新たな半導体チップパターンおよび新たなパッケージ実装工程の開発に必要な多くの時間と費用とを節約することができる。
【００４８】
また、この発明の電子機器は、上記基準面に平行な方向へ計測した上記複数の受光部領域間の距離を、上記半導体チップのパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく変更することできる半導体装置を用いている。したがって、ユーザの使用切り替えに伴って上記受光部領域間の距離を変更する必要が生じた際に、半導体チップパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行う必要がない。
【００４９】
さらに、上記リードフレームあるいは上記基板に搭載される半導体チップの傾斜角度を調節するだけで、上記複数の受光部領域間の上記距離を任意の距離に簡単に設定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００５１】
本実施の形態においては、図１に示すように、複数の(図１においては２つの)受光部領域１２が形成された半導体チップ１１において、受光部領域１２が形成されている主面１３を、搭載するリードフレームの搭載面または実装する電子機器の基板の実装面に対して傾斜を持たせるようにしている。こうすることによって、半導体チップ１１の２つの受光部領域１２間における上記搭載面または上記実装面に平行な方向へ計測した距離「Ｌ1」を、半導体チップ１１を上記搭載面または上記実装面に対して主面１３が平行になるように配置した場合(半導体チップ１１',受光部領域１２'および主面１３'で示す)における２つの受光部領域１２の間の上記距離「Ｌ2」よりも減少させることができるのである。
【００５２】
その場合、上記半導体チップ１１'と半導体チップ１１とは同じものであるから、半導体チップを新たに設計して作成する必要は全くない。したがって、半導体チップパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を必要とせず、新たな半導体チップパターンや新たなパッケージ実装工程の開発に必要な多くの時間と費用とを節約することができるのである。
【００５３】
ところで、上記半導体チップ１１の主面１３に、搭載するリードフレームの搭載面あるいは実装する電子機器の基板の実装面に対して傾斜を持たせる方法は種々考えられる。そこで、以下の各実施の形態においては、受光部領域１２が形成されている主面１３に傾斜を持たせる方法について、詳細に説明する。
【００５４】
・第１実施の形態
図２は、本実施の形態の半導体装置における断面図である。図中、１５,１６はリードフレームであり、１７はリードフレーム１５に搭載された半導体チップであり、１８は封止樹脂である。半導体チップ１７は、２つの受光部領域(図示せず)が形成されている主面１９に対向している裏面２０を研磨して、主面１９とその裏面２０とが所定の角度を有するようにしている。こうすることによって、裏面２０をリードフレーム１５の搭載面に接触させて半導体チップ１７をリードフレーム１５に搭載した際に、上記半導体チップ１７の主面１９にリードフレーム１５の搭載面に対して傾斜を持たせることができる。したがって、リードフレーム１５の搭載面に平行な方向へ計測した主面１９上の２つの受光部領域の間の距離を、半導体チップ１７のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく、減少させることできるのである。
【００５５】
尚、その場合における上記主面１９とその裏面２０とが成す角度、つまり裏面２０の研磨方向は、２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【００５６】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記半導体チップ１７における上記２つの受光部領域が形成されている主面１９に対向する裏面２０を研磨して、主面１９とその裏面２０とに所定の角度を設けるようにしている。したがって、上記２つの受光部領域の間における上記距離を、主面１９とその裏面２０とに角度を設けない場合(つまり、裏面２０を研磨しない場合)の距離よりも減少させることができる。
【００５７】
また、上記主面１９とその裏面２０との角度を調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定することができるのである。
【００５８】
尚、本実施の形態においては、上記半導体チップ１７をリードフレーム１５に搭載する場合を例に説明したが、半導体チップ１７を実装する電子機器の基板に搭載する場合も同様である。
【００５９】
・第２実施の形態
図３は、本実施の形態の半導体装置における断面図である。図中、２１,２２はリードフレームであり、２３はリードフレーム２１に搭載された半導体チップであり、２４は封止樹脂である。本実施の形態においては、半導体チップ２３が搭載されるリードフレーム２１におけるヘッダ部２５を本体部２６の面に対して所定の角度だけ折り曲げて、ヘッダ部２５を傾斜させている。こうすることによって、ヘッダ部２５に半導体チップ２３を搭載した際に、半導体チップ２３における２つの受光部領域(図示せず)が形成されている主面２７に、リードフレーム２１における本体部２６の面に対して傾斜を持たせることができる。
【００６０】
したがって、上記リードフレーム２１における本体部２６の面に平行な方向へ計測した主面２７上の２つの受光部領域の間の距離を、半導体チップ２３のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく、減少させることできるのである。
【００６１】
尚、その場合における上記主面２７とリードフレーム２１の本体部２６とが成す角度、つまりリードフレーム２１におけるヘッダ部２５の傾斜角度は、２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【００６２】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記リードフレーム２１におけるヘッダ部２５を、上記本体部２６に対して所定の角度だけ折り曲げて傾斜させている。したがって、上記２つの受光部領域の間における上記距離を、リードフレーム２１のヘッダ部２５を折り曲げない場合の距離よりも減少させることができる。
【００６３】
また、上記リードフレーム２１におけるヘッダ部２５の傾斜角度を調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定することができるのである。
【００６４】
・第３実施の形態
図４は、本実施の形態の半導体装置における断面図である。図中、３１,３２はリードフレームであり、３３はリードフレーム３１に搭載された半導体チップであり、３４は封止樹脂である。本実施の形態においては、半導体チップ３３が搭載されるリードフレーム３１におけるヘッダ部３５に段差３６を設けて、ヘッダ部３５の先端側を本体部３７よりも低くなるようにしている。こうすることによって、ヘッダ部３５と段差３６とに半導体チップ３３を搭載した際に、半導体チップ３３における２つの受光部領域(図示せず)が形成されている主面３８に、リードフレーム３１における本体部３７の面に対して傾斜を持たせることができる。
【００６５】
したがって、上記リードフレーム３１における本体部３７の面に平行な方向へ計測した主面３８上の２つの受光部領域の間の距離を、半導体チップ３３のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく、減少させることできるのである。
【００６６】
尚、その場合における上記主面３８とリードフレーム３１の本体部３７とが成す角度、つまりリードフレーム３１におけるヘッダ部３５に形成する段差３６の高さは、２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【００６７】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記リードフレーム３１におけるヘッダ部３５に、本体部３７に対して所定の低さを有する段差３６を設けるようにしている。したがって、ヘッダ部３５と段差３６とに半導体チップ３３を搭載した際に、半導体チップ３３の主面３８に、リードフレーム３１の本体部３７に対して傾斜を持たせることができる。その結果、上記２つの受光部領域の間における上記距離を、リードフレーム３１のヘッダ部３５に段差３６を設けない場合の距離よりも減少させることができる。
【００６８】
また、上記リードフレーム３１におけるヘッダ部３５の段差の高さを調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定することができるのである。
【００６９】
・第４実施の形態
図５は、本実施の形態の半導体装置における断面図である。図中、４１,４２はリードフレームであり、４３はリードフレーム４１に搭載された半導体チップであり、４４は封止樹脂である。本実施の形態においては、半導体チップ４３が搭載されるリードフレーム４１におけるヘッダ部４５に複数(図５においては２つ)の段差４６,４７を設けて、ヘッダ部４５を本体部４８よりも低くなるようにしている。こうすることによって、ヘッダ部４５と段差４６,４７とに半導体チップ４３を搭載した際に、半導体チップ４３における２つの受光部領域(図示せず)が形成されている主面４９に、リードフレーム４１における本体部４８の面に対して傾斜を持たせることができる。
【００７０】
したがって、上記リードフレーム４１における本体部４８の面に平行な方向へ計測した主面４９上の２つの受光部領域の間の距離を、半導体チップ４３のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく、減少させることできるのである。
【００７１】
尚、その場合における上記主面４９とリードフレーム４１の本体部４８とが成す角度、つまりリードフレーム４１におけるヘッダ部４５に形成する複数の段差４６,４７の数および高さは、上記２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【００７２】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記リードフレーム４１におけるヘッダ部４５に、本体部４８に対して所定の低さを有する複数の段差４６,４７を設けるようにしている。したがって、ヘッダ部４５と段差４６,４７とに半導体チップ４３を搭載した際には、半導体チップ４３の主面４９に、リードフレーム４１の本体部４８に対して傾斜を持たせることができる。その結果、上記２つの受光部領域の間における上記距離を、リードフレーム４１のヘッダ部４５に複数の段差４６,４７を設けない場合の距離よりも減少させることができる。
【００７３】
また、上記リードフレーム４１のヘッダ部４５に設ける複数の段差４６,４７の数および高さを調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定することができるのである。
【００７４】
さらに、本実施の形態においては、上記リードフレーム４１のヘッダ部４５に複数の段差４６,４７を設けている。したがって、上記第３実施の形態の場合のように、リードフレーム３１のヘッダ部３５に１段の段差３６を設ける場合に比して、主面３８,４９の傾斜角度を同じにするのであれば、段差４６,４７の高さを段差３６の高さよりも低くすることができる。その結果、上記第３実施の形態の場合よりも、リードフレーム４１と半導体チップ４３との密着性を高めることができるのである。
【００７５】
・第５実施の形態
図６は、本実施の形態の半導体装置における断面図である。図中、５１,５２はリードフレームであり、５３はリードフレーム５１に搭載された半導体チップであり、５４は封止樹脂である。本実施の形態においては、半導体チップ５３が搭載されるリードフレーム５１のヘッダ部５５における本体部５６側に、突起５７を設けている。こうすることによって、ヘッダ部５５と突起５７とに半導体チップ５３を搭載した際に、半導体チップ５３における２つの受光部領域(図示せず)が形成されている主面５８に、リードフレーム５１における本体部５６の面に対して傾斜を持たせることができる。
【００７６】
したがって、上記リードフレーム５１における本体部５６の面に平行な方向へ計測した主面５８上の２つの受光部領域の間の距離を、半導体チップ５３のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく、減少させることできるのである。
【００７７】
図７は、図６の平面透視図である。但し、半導体チップ５３は省略している。図７に示すように、突起５７の形状を小径の略円錐(突起５７')にしている。こうすることによって、半導体チップ５３を、略円錐形状の突起５７'の先端を中心にしてあらゆる方向に傾けることが可能になる。したがって、単に主面５８上の２つの受光部領域間の距離の計測方向に半導体チップ５３を傾斜させた場合に比して、さらに２つの受光部領域の間の上記距離を減少させることができるのである。
【００７８】
尚、その場合における上記主面５８とリードフレーム５１における本体部５６の面とが成す角度および主面５８の傾斜方向、つまり突起５７'の高さおよび位置は、２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【００７９】
また、上記突起５７'の形状は小径の略円錐としているが、これに限定されるものではない。例えば、突起５７'の頂部に丸みを持たせても良いし、略四角錐状としても良い。要は、突起５７'の水平断面が略点状になるような形状であればよいのである。
【００８０】
図８は、図７とは異なる図６の平面透視図である。但し、半導体チップ５３は省略している。図８に示すように、主面５８上の２つの受光部領域間の距離の計測方向にのみ半導体チップ５３を傾ける場合には、突起５７の形状を上記計測方向に直交する方向に延在させて略三角断面を有する帯状(突起５７'')にするのである。こうすることによって、半導体チップ５３搭載時における安定性を増すことができるのである。
【００８１】
尚、その場合における上記主面５８とリードフレーム５１における本体部５６の面とが成す角度、つまり上記突起５７''の高さは、２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【００８２】
また、上記突起５７''の形状は略三角断面を有する帯状としているが、これに限定されるものではない。例えば、突起５７''の頂部に丸みを持たせても良い。要は、帯状であればよいのである。
【００８３】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記リードフレーム５１におけるヘッダ部５５の本体部５６側に、突起５７を設けるようにしている。したがって、ヘッダ部５５と突起５７とに半導体チップ５３を搭載した際に、半導体チップ５３の主面５８に、リードフレーム５１における本体部５６の面に対して傾斜を持たせることができる。その結果、上記２つの受光部領域の間における上記距離を、リードフレーム５１のヘッダ部５５に突起５７を設けない場合の距離よりも減少させることができる。
【００８４】
また、上記リードフレーム５１のヘッダ部５５に設ける突起５７の高さおよび位置を調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定することができるのである。
【００８５】
さらに、本実施の形態においては、上記半導体チップ５３を搭載する直前に、突起５７をリードフレーム５１に接着等によって取り付けるようにすれば、半導体チップ５３の傾斜角度を当該半導体装置の使用方法に応じて調節して、上記２つの受光部領域の間の距離を臨機応変に設定することができるのである。
【００８６】
・第６実施の形態
図９は、本実施の形態の半導体装置における断面図である。図中、６１,６２はリードフレームであり、６３はリードフレーム６１に搭載された半導体チップであり、６４は封止樹脂である。本実施の形態においては、半導体チップ６３が搭載されるリードフレーム６１におけるヘッダ部６５に本体部６６側から先端部に向かって下る傾斜面を有する傾斜部６７を設けている。こうすることによって、ヘッダ部６５における傾斜部６７の傾斜面に半導体チップ６３を搭載した際に、半導体チップ６３における２つの受光部領域(図示せず)が形成されている主面６８に、リードフレーム６１における本体部６６の面に対して傾斜を持たせることができる。
【００８７】
したがって、上記リードフレーム６１における本体部６６の面に平行な方向へ計測した主面６８上の２つの受光部領域の間の距離を、半導体チップ６３のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく、減少させることできるのである。
【００８８】
尚、その場合における上記主面６８とリードフレーム６１の本体部６６とが成す角度、つまりリードフレーム６１におけるヘッダ部６５に形成する傾斜部６７の傾斜角度は、２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【００８９】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記リードフレーム６１におけるヘッダ部６５に、本体部６６に対して所定の傾斜角度を有する傾斜部６７を設けるようにしている。したがって、ヘッダ部６５の傾斜部６７上に半導体チップ６３を搭載した際に、半導体チップ６３の主面６８に、リードフレーム６１の本体部６６に対して傾斜を持たせることができる。その結果、上記２つの受光部領域の間における上記距離を、リードフレーム６１のヘッダ部６５に傾斜部６７を設けない場合の距離よりも減少させることができる。
【００９０】
また、上記リードフレーム６１のヘッダ部６５に設ける傾斜部６７の傾斜角度を調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定することができるのである。
【００９１】
さらに、本実施の形態においては、上記リードフレーム６１のヘッダ部６５に、直接傾斜部６７を設けている。したがって、上記第３実施の形態〜第５実施の形態の場合のように、段差３６,４６,４７や突起５７,５７',５７''を設ける場合に比して、リードフレーム６１と半導体チップ６３との接合強度を上げることができるのである。
【００９２】
・第７実施の形態
図１０は、本実施の形態の半導体装置における断面図である。図中、７１は半導体チップが実装される電子機器等の基板であり、７２は基板７１に実装された半導体チップであり、７３は封止樹脂である。本実施の形態においては、半導体チップ７２が実装される基板７１におけるヘッダ部７４に窪み７５を形成し、この窪み７５の底面における一端側に突起７６を設けている。こうすることによって、窪み７５の底面と突起７６とに半導体チップ７２を実装した際に、半導体チップ７２における２つの受光部領域(図示せず)が形成されている主面７７に、基板７１における窪み７５の底面に対して傾斜を持たせることができる。
【００９３】
したがって、上記基板７１における窪み７５の底面に平行な方向へ計測した主面７７上の２つの受光部領域の間の距離を、半導体チップ７２のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく、減少させることできるのである。
【００９４】
尚、その場合における上記主面７７と窪み７５の底面とが成す角度、つまり突起７６の高さは、２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【００９５】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記基板７１におけるヘッダ部７４に窪み７５を形成し、この窪み７５の底面に突起７６を設けるようにしている。したがって、窪み７５の底面と突起７６とに半導体チップ７２を実装した際に、上記半導体チップ７２の主面７７に、基板７１における窪み７５の底面に対して傾斜を持たせることができる。その結果、上記２つの受光部領域の間における上記距離を、基板７１における窪み７５の底面に突起７６を設けない場合の距離よりも減少させることができる。
【００９６】
また、上記基板７１における窪み７５の底面に設ける突起７６の高さを調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定することができるのである。
【００９７】
さらに、本実施の形態のごとく、上記基板７１に直接半導体チップ７２を実装する場合は、リードフレームに搭載する場合とは異なり、高さの制約等があるために基板７１のヘッダ部７４のみの加工では半導体チップ７２に傾斜を持たせるのは困難である。そのために、基板７１のヘッダ部７４に予め窪み７５を設けてから窪み７５の底面に突起７６を設けるようにしている。こうすることによって、任意の角度に半導体チップ７２を実装可能になる。
【００９８】
但し、上記基板７１に高さの制約がない場合には、基板７１のヘッダ部７４に窪み７５を設けることなく、直接突起７６を設けても差し支えない。
【００９９】
尚、上記突起７６の形状は、上記第５実施の形態の場合と同様に、水平断面が略点状になる形状や帯状をなす形状である。
【０１００】
・第８実施の形態
図１１は、本実施の形態の半導体装置における断面図である。図中、８１は半導体チップが実装される電子機器等の基板であり、８２は基板８１に実装された半導体チップであり、８３は封止樹脂である。本実施の形態においては、半導体チップ８２が実装される基板８１のヘッダ部８４に、本体部８５の面に対して所定の角度の傾斜面を有する窪み８６を形成している。こうすることによって、窪み８６の傾斜面に半導体チップ８２を実装した際に、半導体チップ８２における２つの受光部領域(図示せず)が形成されている主面８７に、基板８１における本体部８５の面に対して傾斜を持たせることができる。
【０１０１】
したがって、上記基板８１における本体部８５の面に平行な方向へ計測した主面８７上の２つの受光部領域の間の距離を、半導体チップ８２のパターンの変更やそれに伴うパッケージ実装工程の変更を行うことなく、減少させることできるのである。
【０１０２】
尚、その場合における上記主面８７と基板８１の本体部８５とが成す角度、つまり窪み８６の傾斜角度は、２つの受光部領域の間の上記距離の設定値に基づいて予め求めておけばよい。
【０１０３】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記基板８１におけるヘッダ部８４に、本体部８５に対して所定の傾斜角度の傾斜面を有する窪み８６を形成している。したがって、窪み８６の傾斜面に半導体チップ８２を実装した際に、半導体チップ８２の主面８７に、基板８１の本体部８５に対して傾斜を持たせることができる。その結果、上記２つの受光部領域の間における上記距離を、基板８１のヘッダ部８４に窪み８６を設けない場合の距離よりも減少させることができる。
【０１０４】
また、上記基板８１のヘッダ部８４に設ける窪み８６の傾斜角度を調節することによって、上記２つの受光部領域の間の上記距離を任意に設定することができるのである。
【０１０５】
上述したように、従来では、半導体チップにおける複数の受光部領域の間の距離を異ならせる場合には、半導体チップパターンの変更等を行う必要があった。ところが、上記各実施の形態のように、リードフレームあるいは基板に傾斜や段差や突起を設けることによって、半導体チップパターンの変更等を行うことなく複数の受光部領域の間の距離を減少させることができる。したがって、非常に汎用性のある半導体装置の製造が可能となり、半導体チップパターンの変更に伴う時間および費用の大幅削減が可能になるのである。
【０１０６】
尚、上記第３実施の形態〜第６実施の形態においては、リードフレーム３１,４１,５１,６１に段差,突起あるいは傾斜部を設けているが、半導体チップ３３,４３,５３,６３が実装される電子機器等の基板に段差,突起あるいは傾斜部を設けることも可能である。
【０１０７】
また、上記各実施の形態においては、上記半導体チップ１７,２３,３３,４３,５３,６３,７２,８２における図中左側を右側に対して低く配置することによって、主面１９,２７,３８,４９,５８,６８,７７,８７に傾斜を持たせている。しかしながら、この発明はこれに限定されるもではなく、上記半導体チップ１７,２３,３３,４３,５３,６３,７２,８２における図中左側を右側に対して高く配置することによって、主面１９,２７,３８,４９,５８,６８,７７,８７に傾斜を持たせても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】この発明の半導体装置における基本概念を示す図である。
【図２】この発明の半導体装置における断面図である。
【図３】図２とは異なる半導体装置の断面図である。
【図４】図２および図３とは異なる半導体装置の断面図である。
【図５】図２〜図４とは異なる半導体装置の断面図である。
【図６】図２〜図５とは異なる半導体装置の断面図である。
【図７】図６における平面透視図である。
【図８】図７とは異なる平面透視図である。
【図９】図２〜図６とは異なる半導体装置の断面図である。
【図１０】図２〜図６および図９とは異なる半導体装置の断面図である。
【図１１】図２〜図６,図９および図１０とは異なる半導体装置の断面図である。
【図１２】複数の受光部領域を有する半導体チップの断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１１,１１',１７,２３,３３,４３,５３,６３,７２,８２…半導体チップ、
１２,１２'…受光部領域、
１３,１３',１９,２７,３８,４９,５８,６８,７７,８７…主面、
１５,１６,２１,２２,３１,３２,４１,４２,５１,５２,６１,６２…リードフレーム、
１８,２４,３４,４４,５４,６４,７３,８３…封止樹脂、
２０…裏面、
２５,３５,４５,５５,６５,７４,８４…ヘッダ部、
２６,３７,４８,５６,６６,８５…本体部、
３６,４６,４７…段差、
５７,５７',５７'',７６…突起、
６７…傾斜部、
７１,８１…基板、
７５,８６…窪み。
【図１】
2007258433.tif 000003
【図２】
2007258433.tif 000004
【図３】
2007258433.tif 000005
【図４】
2007258433.tif 000006
【図５】
2007258433.tif 000007
【図６】
2007258433.tif 000008
【図７】
2007258433.tif 000009
【図８】
2007258433.tif 000010
【図９】
2007258433.tif 000011
【図１０】
2007258433.tif 000012
【図１１】
2007258433.tif 000013
【図１２】
2007258433.tif 000014