(57)【要約】【課題】半透過型液晶表示装置において、一画素内において、画素構造を複雑化することなく、且つ開口率低下を抑制しつつ、高画質な画像表示が可能な液晶表示装置を提供することである。【解決手段】第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、第１の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、第２の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、その第２の基板は、液晶層側に画素電極を有し、第１の基板は、液晶層側に共通電極を有し、複数の画素からなる液晶表示装置であって、複数の画素の各画素は、反射領域と、透過領域とを有し、１画素平面内において、透過領域の開口部に占める前記共通電極の割合と、反射領域の開口部に占める共通電極の割合とが異なり、反射領域の開口部に占める共通電極の割合は０％以上１００％以下である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、
前記第２の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、
前記第２の基板は、前記液晶層側に画素電極を有し、
前記第１の基板は、前記液晶層側に共通電極を有し、
複数の画素からなる液晶表示装置であって、
前記複数の画素の各画素は、反射領域と、透過領域とを有し、
１画素平面内において、前記透過領域の開口部に占める前記共通電極の割合と、前記反射領域の開口部に占める前記共通電極の割合とが異なり、
前記反射領域の開口部に占める前記共通電極の割合は、０％以上１００％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、
前記第２の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、
前記第２の基板は、前記液晶層側に画素電極を有し、
前記第１の基板は、前記液晶層側に共通電極を有し、
複数の画素からなる液晶表示装置であって、
前記複数の画素の各画素は、反射領域と、透過領域とを有し、
１画素平面内において、前記透過領域の開口部に占める前記画素電極の割合と、前記反射領域の開口部に占める前記画素電極の割合とが異なり、
前記反射領域の開口部に占める前記共通電極の割合は、０％以上１００％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の基板と、第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、
前記第２の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、
前記第２の基板は、前記液晶層側に画素電極を有し、
前記第１の基板は、前記液晶層側に共通電極を有し、
複数の画素からなる液晶表示装置であって、
前記複数の画素の各画素は、反射領域と、透過領域とを有し、
１画素平面内において、前記透過領域の開口部に占める前記共通電極の割合と、前記反射領域の開口部に占める前記共通電極の割合とが異なり、前記反射領域の開口部に占める前記共通電極の割合は、０％以上１００％以下であり、
前記１画素平面内において、前記透過領域の開口部に占める前記画素電極の割合と、前記反射領域の開口部に占める前記画素電極の割合とが異なり、前記反射領域の開口部に占める前記画素電極の割合は、０％以上１００％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
第１の基板と、第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、
前記第２の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、
前記第２の基板は、前記液晶層側に画素電極を有し、
前記第１の基板は、前記液晶層側に共通電極を有し、
複数の画素からなる液晶表示装置であって、
前記複数の画素の各画素は、第一の副画素と第二の副画素を有し、
１画素平面内において、前記第一の副画素の開口部に占める前記共通電極の割合と、前記第二の副画素の開口部に占める前記共通電極の割合とが異なり、
前記第一の副画素の開口部に占める前記共通電極の割合は、０％以上１００％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
第１の基板と、第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、
前記第２の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、
前記第２の基板は、前記液晶層側に画素電極を有し、
前記第１の基板は、前記液晶層側に共通電極を有し、
複数の画素からなる液晶表示装置であって、
前記複数の画素の各画素は、第一の副画素と第二の副画素を有し、
１画素平面内において、前記第一の副画素の開口部に占める前記画素電極の割合と、前記第二の副画素の開口部に占める前記画素電極の割合とが異なり、
前記第一の副画素の開口部に占める前記画素電極の割合は、０％以上１００％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
第１の基板と、第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、
前記第２の基板に対して前記液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、
前記第２の基板は、前記液晶層側に画素電極を有し、
前記第１の基板は、前記液晶層側に共通電極を有し、
複数の画素からなる液晶表示装置であって、
前記複数の画素の各画素は、第一の副画素と第二の副画素とを有し、
１画素平面内において、前記第一の副画素の開口部に占める前記共通電極の割合と、前記第二の副画素の開口部に占める前記共通電極の割合とが異なり、前記第一の副画素の開口部に占める前記共通電極の割合は、０％以上１００％以下であり、
前記１画素平面内において、前記第一の副画素の開口部に占める前記画素電極の割合と、前記第二の副画素の開口部に占める前記画素電極の割合とが異なり、前記第一の副画素の開口部に占める前記画素電極の割合は、０％以上１００％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記液晶層は、電圧が印加されていないときに、液晶分子の長軸が前記第１の基板及び前記第２の基板に対してほぼ垂直に配向していることを特徴する液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記液晶層は、電圧が印加されていないときに、液晶分子の長軸が前記第１の基板及び前記第２の基板に対してほぼ水平に配向しており、
前記液晶層のプレチルト角は０度以上１０度未満であり、
前記第１の基板及び前記第２の基板の間の液晶分子のねじれ角が０度以上９０度未満であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板上に信号線と走査線を有し、前記信号線と前記走査線が交差する場所に薄膜トランジスタを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板に対して前記液晶層が配置された側にカラーフィルタが配置されている液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板もしくは前記第２の基板のうちどちらか一方、もしくは両方の基板が高分子材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板と前記第１の偏光板の間及び前記第２の基板と前記第２の偏光板の間にそれぞれ一枚以上の位相差板を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液晶表示装置において、
前記位相差板は１／４波長の位相差を有する液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の液晶表示装置において、
前記位相差板は、１／４波長の位相差を持つ第１の位相差板と、１／２波長の位相差を持つ第２の位相差板の２枚を有し、
前記第１の位相差板は、前記液晶層と前記第２の位相差板との間に配置され、
前記第２の位相差板は、前記第１の偏光板または前記第２の偏光板と前記第１の位相差板との間に配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項１２に記載の液晶表示装置において、
前記位相差板は、ネガティブＣ−プレートであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記反射領域に反射板を有し、
前記共通電極または前記画素電極と前記反射板との間に絶縁層を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の液晶表示装置において、
前記反射板が非導電性物質によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記反射領域における前記画素電極及び／または前記共通電極は、くし歯状電極であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記反射領域における前記画素電極及び／または前記共通電極は、くし歯状電極であり、
前記くし歯状電極の長手方向に対してほぼ平行に一つ以上のスリットを有する液晶表示装置。
【請求項２０】
請求項４乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第一の副画素における前記画素電極及び／または前記共通電極は、くし歯状電極であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２１】
請求項４乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第一の副画素における前記画素電極及び／または前記共通電極は、くし歯状電極であり、
前記くし歯状電極の長手方向に対してほぼ平行に一つ以上のスリットを有する液晶表示装置。
【請求項２２】
請求項３に記載の液晶表示装置において、
前記透過領域の開口部に占める前記共通電極と前記画素電極の割合は１００％であり、
前記反射領域の開口部に占める前記共通電極と前記画素電極の割合が４０％以上６０％未満であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に半透過型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、ＣＲＴ(Cathode Ray Tube)，ＰＤＰ(Plasma Display Panel)等に代表される自発光型のディスプレイと異なり、光の透過光量を調節することで画像を表示する非発光型のディスプレイである。液晶表示装置は、薄型，軽量，低消費電力といった特徴を有する。
【０００３】
液晶表示装置には、背面に光源（以下バックライトと呼ぶ）を配置し、その光源の透過光量を調節することで画像を表示する透過型液晶表示装置と、室内照明や太陽光等の外光を利用しディスプレイの表側から外光を入射させ、その反射光量を調節することで画像を表示する反射型液晶表示装置がある。また、明るい環境では反射型表示装置として用い、暗い環境では透過型表示装置として用いることができる液晶表示装置（以下半透過型液晶表示装置と呼ぶ）がある。半透過型液晶表示装置は反射型と透過型の両表示機能を兼ね備え、明るい環境ではバックライトを消灯することで、消費電力を低減できる。また暗い環境ではバックライトの点灯により視認可能となる。つまり様々な照明環境下においての使用が想定される携帯電話やデジタルカメラ等の携帯機器の液晶表示装置に好適である。
【０００４】
半透過型液晶表示装置は、特許文献１に記載されているように、画素内に透過領域と反射領域を独立に配置し、それぞれのリタデーションを最適に設計する必要がある。これは、反射領域に段差を設け、反射領域の液晶層の厚さを透過領域の液晶層の厚さのおよそ半分にすることで、達成している。
【０００５】
また、Vertical Alignment（以下ＶＡと呼ぶ）方式の透過型液晶表示装置は、特許文献２に記載されているように、画素内を二つに分けその二つの領域でことなる電気光学特性を持たせることで、斜め方向から観察した際のγシフトを低減する方法が提案されている。γ特性とは階調の特性を表わす数値であり、この数値が観測する方向から異なることは、観測する方向によって階調が異なることを示している。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１８７２２０号公報
【特許文献２】特開２００４−３８１６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の通り、半透過型液晶表示装置は様々な照明環境化において、良好な視認性が得られる。しかしながら、透過領域と反射領域のリタデーションを最適化するために、反射領域に段差構造を設ける必要がある。この段差構造は、画素内の有効領域を低減させ、さらに段差構造に起因する液晶の配向乱れのために、コントラスト比が低下もしくは開口率低下を招いてしまうことが課題となっている。
【０００８】
また、ＶＡ方式の透過型液晶表示装置では、γシフトの低減のために画素を二つに分割して、異なる電気光学特性を持たせるために、新たな画素容量を設ける、もしくは新たなＴＦＴを設ける必要があり、開口率低下や高コストが課題となっている。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、一画素内において、画素構造を複雑化することなく、且つ開口率低下を抑制しつつ、高画質な画像表示が可能な液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するために、第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、第１の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、第２の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、その第２の基板は、液晶層側に画素電極を有し、第１の基板は、液晶層側に共通電極を有し、複数の画素からなる液晶表示装置であって、複数の画素の各画素は、反射領域と、透過領域とを有し、１画素平面内において、透過領域の開口部に占める前記共通電極の割合と、反射領域の開口部に占める共通電極の割合とが異なり、反射領域の開口部に占める共通電極の割合は、０％以上１００％以下である構成とする。
【００１１】
また、上記同様の半透過型液晶表示装置の構成で、１画素平面内において、透過領域の開口部に占める画素電極の割合と、反射領域の開口部に占める画素電極の割合とが異なり、反射領域の開口部に占める共通電極の割合は、０％以上１００％以下である構成とする。
【００１２】
また、上記同様の半透過型液晶表示装置の構成で、１画素平面内において、透過領域の開口部に占める共通電極の割合と、反射領域の開口部に占める共通電極の割合とが異なり、反射領域の開口部に占める共通電極の割合は、０％以上１００％以下であり、１画素平面内において、透過領域の開口部に占める画素電極の割合と、反射領域の開口部に占める画素電極の割合とが異なり、反射領域の開口部に占める画素電極の割合は、０％以上100％以下である構成とする。
【００１３】
また、第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、第１の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第１の偏光板と、第２の基板に対して液晶層が配置された側の反対側に配置された第２の偏光板と、を有し、第２の基板は、液晶層側に画素電極を有し、第１の基板は、液晶層側に共通電極を有し、複数の画素からなる液晶表示装置であって、複数の画素の各画素は、第一の副画素と第二の副画素を有し、１画素平面内において、第一の副画素の開口部に占める共通電極の割合と、第二の副画素の開口部に占める共通電極の割合とが異なり、第一の副画素の開口部に占める共通電極の割合は、０％以上１００％以下である構成とする。
【００１４】
また、上記と同様の半透過型液晶表示装置の構成で、１画素平面内において、第一の副画素の開口部に占める画素電極の割合と、第二の副画素の開口部に占める画素電極の割合とが異なり、第一の副画素の開口部に占める画素電極の割合は、０％以上１００％以下である構成とする。
【００１５】
また、上記と同様の半透過型液晶表示装置の構成で、１画素平面内において、第一の副画素の開口部に占める共通電極の割合と、第二の副画素の開口部に占める共通電極の割合とが異なり、第一の副画素の開口部に占める共通電極の割合は、０％以上１００％以下であり、１画素平面内において、第一の副画素の開口部に占める画素電極の割合と、第二の副画素の開口部に占める画素電極の割合とが異なり、第一の副画素の開口部に占める画素電極の割合は、０％以上１００％以下である構成とする。
【発明の効果】
【００１６】
一画素内において、画素構造を複雑化することなく、且つ開口率低下を抑制しつつ、高画質な画像表示が可能な液晶表示装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下各実施例を図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００１８】
本実施例について図面を参照して説明する。本実施例は、液晶分子が電圧無印加時に基板に対して垂直方向に配向し、電圧印加時に基板に対してほぼ水平に配向されるＶＡ方式の半透過型液晶表示装置において、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める共通電極２１の割合が異なり、反射領域の開口部に占める共通電極２１の占める割合が０％以上１００％未満であることを特徴とする液晶表示装置である。この液晶表示装置を使用することで、反射領域の厚さｄR と透過領域の厚さｄT との比ｄR／ｄTを０.５ 以上１以内にすることができる。その結果、開口率を向上させることができ、さらには生産プロセス低減のためコスト低下にもつながる。
【００１９】
さらに反射領域の開口部に占める電極の割合を、透過領域の開口部に占める電極の割合よりも小さくする。この結果、透過領域と反射領域の開口領域の液晶層に印加される実効的な電圧に差を持たせることができる。つまり、反射領域の液晶層に印加される実効的な電圧を低下させることによって、反射領域の液晶層の面内のリタデーションを、透過領域の液晶層の面内のリタデーションに対して１／２にすることができる。ゆえに、上記問題であった反射領域に設ける段差を無くすことができ、段差レスの半透過型液晶表示装置を達成することができる。
【００２０】
さらに、同様な方法で副画素を構成することができるために、ＶＡ方式の液晶表示装置においてγ特性の改善も可能である。
【００２１】
なお、ここで記載の開口部とは、一画素内において、透過領域では光が透過する領域，反射領域では光が反射する領域をそれぞれの開口部と定義する。
【００２２】
図１は本実施例の液晶表示装置の断面構造を示す概略図である。
【００２３】
本実施例での液晶表示装置は、一対の偏光板を有する液晶パネルとバックライトで構成され、具体的には、その液晶パネルは、第１の偏光板１１と第２の偏光板１２との間に配置する液晶セル１０によって構成されている。第１の偏光板１１と液晶セル１０の間には、第１の位相差板１３と第２の位相差板１４と第１のネガティブＣプレート（以下ネガティブＣ−Plate と呼ぶ）３４が配置される。第２の偏光板１２と液晶セル１０の間には、第２のネガティブＣ−Plate３５ と第３の位相差板１５と第４の位相差板１６が配置される。さらに、第２の偏光板１２の液晶セル１０の反対側には、バックライトユニット１７が配置される。
【００２４】
この第１の偏光板１１と第２の偏光板１２は、ヨウ素を吸着させ延伸したPoly Vinyl 
Alcohol(以下ＰＶＡと呼ぶ）層とそれを保護する保護フィルムによって構成される。ノーマリークローズを達成するために、第１の偏光板１１の吸収軸と第２の偏光板１２の吸収軸はほぼ垂直に配置する構成とする。
【００２５】
また、第１の位相差板１３と第４の位相差板１６の位相差は１／２波長とし、第１の位相差板１３と第４の位相差板１６は、ポリカーボネートやノルボルネン系樹脂などが用いられる。
【００２６】
また、第２の位相差板１４と第３の位相差板１５の位相差は１／４波長とし、第２の位相差板１４と第３の位相差板１５は、ポリカーボネートやノルボルネン系樹脂などが用いられる。
【００２７】
これらの第１の位相差板１３と第２の位相差板１４の組み合わせ及び、第３の位相差板１５と第４の位相差板１６の組み合わせによって波長依存が小さい広帯域１／４波長板を達成できる。
【００２８】
また、第１のネガティブＣ−Plate３４及び第２のネガティブＣ−Plate３５は、黒表示時に斜め方向から観察したときの光漏れを軽減するために配置される。第１のネガティブＣ−Plate３４及び第２のネガティブＣ−Plate３５は、セルロースアセテート，セルロースアセテートブチレート等のセルロースアシレート類，ポリカーボネート，ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエステル等の材料を使用することができる。総合的にみるとセルロースアシレート類が望ましく、特にセルロースアセテートが望ましい。第１のネガティブＣ−Plate３４と第２のネガティブＣ−Plate３５の厚さ方向のリタデーションＲthはほぼ等しいことが望ましい。Ｒthは次式（１）で定義される。
【００２９】
【数１】
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【００３０】
ここでｎx ，ｎy ，ｎz は、屈折率楕円体の主軸方向の屈折率であり、ｎx ，ｎy は面内方向の屈折率、ｎz は厚さ方向の屈折率を示している。またｄは位相差板の厚さである。
【００３１】
なお、ネガティブＣ−Plate は、面内において屈折率がほぼ等方性を有し、面内方向の屈折率に比べ厚さ方向の屈折率が小さい媒体である。
【００３２】
また、バックライトユニット１７は、光源であるＬＥＤと導光板，拡散板等によって構成される。ＬＥＤは白色が好ましいが、ＲＧＢ三色のＬＥＤを使用することもできる。尚、バックライトユニット１７は、液晶セルを裏面から照明することができるものであれば良く、光源や構造はこれに限定されるものではない。例えば、光源としてＣＣＦＬを使用しても本発明の効果は得られる。
【００３３】
図２は本実施例の液晶表示装置に係る位相差板と偏光板の光学軸の関係を示す模式図である。
【００３４】
広帯域の円偏光板を達成するためには図２に示したように位相差板を配置する必要がある。
【００３５】
第１の位相差板１３と第４の位相差板１６、また第２の位相差板１４と第３の位相差板１５の遅相軸はそれぞれほぼ直交している。さらに、第１の偏光板１１及び第２の偏光板１２の吸収軸と第１乃至第４の位相差板の遅相軸の関係は、第１の偏光板１１の吸収軸を０度とすると、第１の位相差板１３の遅相軸は−１０５度、第２の位相差板１４の遅相軸は１５度、第３の位相差板１５の遅相軸は−７５度、第４の位相差板１６の遅相軸は−15
度、第２の偏光板１２の吸収軸は−９０度となる。
【００３６】
なお、示した位相差板配置は一例であってこれに限ったものではない。
【００３７】
図３は、図１の液晶セル１０の一断面図を示し、図５のＡ−Ａ′間及び、そのＡ−Ａ′間に対応する図６の部分にて切断した断面構造を示す概略図である。
【００３８】
本実施例の半透過型液晶表示装置は、一画素に透過領域（図３のＴ部）と反射領域（図３のＲ部）を有する。液晶セル１０は、第１の基板１８と液晶層２０と第２の基板１９を有し、第１の基板１８と第２の基板１９は、液晶層２０を挟持する。第１の基板１８は液晶層２０側にカラーフィルタ２３と共通電極２１と第１の配向膜２４を有する。また第２の基板１９は液晶層２０側に、画素電極２２と第２の配向膜２５を有する。第２の基板
１９の液晶層２０側の反射領域には反射板２６が配置される。共通電極２１の液晶層２０側には配向制御用の突起３６を備える。また、第２の基板１９の液晶層２０側には遮光部３７が配置され、第１の基板１８の液晶層２０側の反射領域に相当する領域には段差部
４４を有する。
【００３９】
なお、第１の基板１８及び第２の基板１９は、光が透過するために透明であり、例えば、ガラスや高分子フィルムを用いることができる。高分子フィルムは、特にプラスティックやポリエーテルサルホン（以下ＰＥＳと呼ぶ）が望ましい。しかしプラスティックや
ＰＥＳは、空気を通過させてしまうために、基板表面にガスバリアを形成する必要がある。ガスバリアはシリコンナイトライドの膜によって形成されることが望ましい。
【００４０】
液晶層２０は、液晶分子の長軸方向の誘電率がその短軸方向よりも小さい負の誘電異方性を示す液晶組成物から構成される。液晶層２０の液晶材料は室温域を含む広い範囲でネマティック相を示すものを用いる。また、ＴＦＴを用いた駆動条件、例えば解像度がQVGA（ライン数２４０本），駆動周波数６０Ｈｚにおいて、保持期間中に透過率を充分に保持し、フリッカを生じないだけの高抵抗率を示すものを使用する。つまり、液晶層２０の抵抗率は１０12Ωcm2 以上が望ましく、特に１０13Ωcm2 以上であることが望ましい。
【００４１】
第１の配向膜２４及び第２の配向膜２５は、基板表面の液晶分子を垂直に配向させる機能を有する。第１の配向膜２４及び第２の配向膜２５はポリイミド系有機膜であることが望ましいが、ＳｉＯ垂直蒸着膜，界面活性剤やクロム錯体などでも良い。
【００４２】
配向制御用の突起３６は、電界印加時に倒れる液晶分子の向きを規定するために配置される。垂直配向している液晶分子が電圧によって倒れる方向を規定する必要がある。ここでは例えとして突起を使用しているが、これに限ったものではなく、例えば電極スリットでも良い。配向制御用の突起３６の周辺部では、この配向制御用の突起３６の傾きに応じて液晶層２０内の液晶分子の配向方向が基板法線方向に対して傾く。配向制御用の突起
３６は例えばアクリル系樹脂によって形成される。このアクリル樹脂は、フォトエッチングにより突起を形成することができる。配向制御用の突起３６は図５では、１画素中に２カ所配置しているが、これに限ったものではなく、１画素に１つ以上配置すればよく、その場所は配向制御用の突起３６がほぼ等間隔に配置されることが望ましい。
【００４３】
遮光部３７は、配向制御用の突起３６の周辺における液晶配向乱れに起因する光漏れを遮断するために配置される。遮光部３７に用いられる材料は、金属などの不透明材料を用いることができ、クロム，タンタル−モリブデン，タンタル，アルミニウム，銅などが好ましい。
【００４４】
カラーフィルタ２３は、画素毎に赤，緑，青のいずれかの光が透過する赤の領域／緑の領域／青の領域を配列するものである。例えばこのような配置は、ストライプ配列やデルタ配列などがある。
【００４５】
共通電極２１は、透明な導電性材料からなり、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）が用いられる。
【００４６】
反射板２６は、反射表示時に第１の基板１８側から入射する外光を反射するために設けられる。反射板２６は、反射光を拡散させるために凹凸を有している。
【００４７】
また、反射板２６は、透過領域と反射領域を同電位とするために、画素電極２２と接続されるため、反射領域の画素電極としての役割も果たすことができ、導電性が高い金属で形成される。特に、反射板２６は、可視領域における反射率が高く、導電性にも優れている、銀，アルミニウムなどで形成される。
【００４８】
段差部４４は、レジスト材料によって構成され、透過領域の電圧−透過率特性と反射領域の電圧−反射率特性を一致させるために設置される。
【００４９】
次に、図４と図５を用いて画素電極２２について説明する。
【００５０】
図４は画素表示領域を構成するマトリクス状に配置された画素の等価回路を示す図である。画素領域には信号配線２８と走査配線２９を有する。信号配線２８と走査配線２９に囲まれている領域が画素であり、その信号配線と走査配線とは、ほぼ直交して配置され、それらの交差部に少なくとも一つの薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと呼ぶ）を有する。このＴＦＴ３０はスルーホール２７と接続され、スルーホール２７は図４には示されていないが、画素電極２２と接続されている。また、一画素に少なくとも一つの蓄積容量３１を配置し、保持された画像信号がリークすることを防止する。
【００５１】
なお、ここでは一画素内にＴＦＴ３０を用いたアクティブマトリクス駆動を例にとって説明しているが、本実施例はパッシブマトリクス駆動でも同様な効果が得られる。
【００５２】
信号配線２８は、液晶層２０を制御するための電圧信号が印加され、走査配線２９には、ＴＦＴ３０を制御するための信号が印加される。これら信号配線２８及び走査配線２９の材料は、低抵抗な導電性材料であることが望ましく、例えば、クロム，タンタル−モリブデン，タンタル，アルミニウム，銅などである。
【００５３】
図５は、第２の基板１９の一画素の概略構成を示す平面図である。
【００５４】
一画素には反射領域と透過領域が形成され、その透過領域はさらに二つに分けて形成されている。図５では、ＴＦＴ側（ソース電極３３が配置された側）から第２の透過領域，第１の透過領域，反射領域の順で形成されているが、これに限ったものではない。ＴＦＴ３０は逆スタガ型構造であり、そのチャネル部には半導体層３２有し、画素電極２２とソース電極３３を接続するためにスルーホール２７を有する。
【００５５】
画素電極２２は、液晶層２０に電界を印加するために配置され、共通電極２１と同様に透明な導電性材料からなり、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）が用いられる。
【００５６】
本実施例は、液晶分子が電圧無印加時に基板に対して垂直方向に配向し、電圧印加時に基板に対してほぼ水平に配向されるＶＡ方式の半透過型液晶表示装置において、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める共通電極２１の割合が異なり、反射領域の開口部に占める共通電極２１の占める割合が０％以上１００％未満であることを特徴とする液晶表示装置について述べている。
【００５７】
この結果、透過領域と反射領域の液晶層２０に印加される実効的な電圧に差が生じる。ゆえに、電圧印加時においてΔｎT＞ΔｎRとなり、透過領域と反射領域の電圧−透過率
（反射率）特性を一致させる条件はｄR＞ｄT／２となる（特にｄR＝ｄTとなるためには、２ΔｎT＝ΔｎRとなることが望ましい）。
【００５８】
以上から、画素構造を複雑化することなく、且つ開口率低下を抑制しつつ、高画質な画像表示が可能な液晶表示装置を提供できる効果が得られる。
【００５９】
具体的に、透過領域と反射領域の液晶層２０に印加される実効的な電圧に差を生じさせるための構造を説明する。このように差を生じさせるためには、例えば、図６に示したような共通電極２１を用いることで達成できる。
【００６０】
図６は第１の基板１８の一画素の概略構成を示す平面図である。図６に示した共通電極２１の反射領域はくし歯状電極部４１を有する。共通電極２１の形状はくし歯状電極部
４１に限ったものではなく、例えば図７に示したような、メッシュ状電極部４２でも良い。
【００６１】
次に、図２１は、電圧−透過率特性について理論計算を行った結果である。図２１(ａ)は、開口部に占める共通電極２１の割合が６０％の場合、図２１（ｂ）は開口部に占める共通電極２１の割合が１００％の場合を示した。
【００６２】
この場合、図２１（ａ）は図２１（ｂ）に比べ、閾値電圧及び中間調を示す電圧が、高電圧側にシフトする。これは例えば４Ｖ印加時において、（ａ）は（ｂ）の透過率に対して約８２％になる。つまり、（ａ）を反射領域の共通電極２１、（ｂ）を透過領域の共通電極２１とすることによって、電圧印加時にΔｎT＞ΔｎRの関係が実現できる。よって、本実施例の構成によって、ｄR／ｄT＞０.５ の関係を達成できる。
【実施例２】
【００６３】
次に本発明の液晶表示装置の他の実施例について説明する。
【００６４】
本実施例は、液晶分子が電圧無印加時に基板に対してほぼ水平に配向し、電圧印加時に基板に対してほぼ垂直に配向されるElectrically Controlled Birefringence(以下ＥＣＢと呼ぶ) 方式の半透過型液晶表示装置において、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める共通電極２１の割合が異なり、反射領域の開口部に占める共通電極２１の占める割合が０％以上１００％未満であることを特徴とする液晶表示装置について記したものである。
【００６５】
この液晶表示装置を使用することで、反射領域の厚さｄR と透過領域の厚さｄT との比ｄR／ｄTを０.５ 以上１以内にすることができる。その結果、開口率を向上させることができ、さらには生産プロセス低減のためコスト低下にもつながる。
【００６６】
本実施例の液晶表示装置の断面構造は図１と同様であるが、液晶セル１０がＶＡ方式からＥＣＢ方式へ変更されている。
【００６７】
図８は、ノーマリークローズにおける本実施例の液晶表示装置に係る位相差板と偏光板の光学軸の関係を示す模式図である。
【００６８】
波長依存の小さい広帯域の円偏光板を達成するためには図８に示したように位相差板を配置する必要がある。第１の位相差板１３と第４の位相差板１６、また第２の位相差板
１４と第３の位相差板１５の遅相軸はそれぞれほぼ直交している。さらに、第１の偏光板１１及び第２の偏光板１２の吸収軸と第１乃至第４の位相差板の遅相軸の関係は、第１の偏光板１１の吸収軸を０度とすると、第１の位相差板１３の遅相軸は−１０５度、第２の位相差板１４の遅相軸は１５度、第３の位相差板１５の遅相軸は−７５度、第４の位相差板１６の遅相軸は−１５度、第２の偏光板１２の吸収軸は−９０度となる。
【００６９】
次に、図９は、図１の液晶セル１０の他の断面図を示し、図１１のＢ−Ｂ′間及び、そのＢ−Ｂ′間に対応する図１０の部分にて切断した断面構造を示す概略図である。
【００７０】
本実施例の半透過型液晶表示装置は、一画素に透過領域（図９のＴ部）と反射領域（図９のＲ部）を有する。液晶セル１０は、第１の基板１８と第２の基板１９を有しており、それらの一対の基板で液晶層２０が挟持されている。第１の基板１８は液晶層２０側にカラーフィルタ２３と共通電極２１と第１の配向膜２４を有し、第２の基板１９は液晶層
２０側に画素電極２２と第２の配向膜２５を有する。また第２の基板１９の液晶層２０側の反射領域には反射板２６が配置され、第１の基板１８の液晶層２０側の反射領域には段差部４４を有する構成となっている。
【００７１】
液晶層２０は、液晶分子の長軸方向の誘電率がその短軸方向よりも大きい正の誘電異方性を示す液晶組成物から構成され、その液晶材料は、室温域を含む広い範囲でネマティック相を示すものを用いる。また、ＴＦＴを用いた駆動条件、例えば解像度がＱＶＧＡ（ライン数２４０本）、駆動周波数６０Ｈｚにおいて、保持期間中に透過率を充分に保持し、フリッカを生じないだけの高抵抗率を示すものを使用する。つまり、液晶層２０の抵抗率は１０12Ωcm2 以上が望ましく、特に１０13Ωcm2 以上であることが望ましい。
【００７２】
液晶層２０の配向状態は、第１の基板１８と第２の基板１９の間において、ねじれ角は０度以上９０度以下であることが望ましい。また液晶層２０は基板に対してほぼ水平配向に配向しているが、第１の基板１８及び第２の基板１９の界面付近では０度以上１０度未満のプレチルト角を有することが望ましい。なお、示した位相差板配置は一例であってこれに限ったものではない。
【００７３】
本実施例において、液晶層２０のねじれ角は０度が望ましく、電圧無印加時の液晶層
２０の位相差は１／４波長となることが望ましい。
【００７４】
図１０は、第１の基板１８の一画素の概略構成を示す平面図である。
【００７５】
図１０に示した共通電極２１の反射領域は、くし歯状電極部４１を有する。このように反射領域にくし歯状電極である共通電極２１を用いることで、反射領域の液晶層２０に印加される電界は透過領域に比べ小さくなる。よって、電圧を印加しているときは、透過領域と反射領域の面内のリタデーションに差が生じる。ただ、この効果は、反射領域の有効な画素の面積と電極の面積の比を、透過領域の有効な画素の面積と電極の面積の比よりも小さくすることによって得ることができるため、反射領域の共通電極２１の形状は、くし歯状電極に限定されるものではなく、電極と電極とがある一定の間隔をおいて配置されたような電極構造であればよく、例えばメッシュ状の電極でもよい。
【００７６】
図１１は、第２の基板１９の一画素の概略構成を示す平面図である。半透過型液晶表示装置には、入射光を反射するための反射板が必要である。そこで、図１１に示したように反射領域には、入射光を反射するための反射板２６が配置される。
【００７７】
以上の構成は、実施例１と同様に、反射領域の有効な画素の面積と共通電極２１の面積の比を、透過領域の有効な画素の面積と共通電極２１の面積の比よりも小さくする。この結果、透過領域と反射領域の液晶層２０に印加される実効的な電圧に差を持たせることができる。ゆえに、電圧印加時においてΔｎT＞ΔｎRとなり、透過領域と反射領域の電圧−透過率（反射率）特性を一致させる条件は（１）式よりｄR＞ｄT／２となり、開口率を向上させることができ、さらには生産プロセス低減のためコスト低下にもつながる効果を達成できる。
【実施例３】
【００７８】
次に、本発明の液晶表示装置の他の実施例について説明する。
【００７９】
本実施例は、ＶＡ方式の半透過型液晶表示装置において、２ドメイン配向を達成することで高透過率化の効果がある構成の実施例であり、実施例１，２と同様、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める共通電極２１の割合が異なり、反射領域の開口部に占める共通電極２１の占める割合が０％以上１００％未満であることを特徴とする液晶表示装置である。この液晶表示装置を使用することで、反射領域の厚さｄR と透過領域の厚さｄT との比ｄR／ｄTを０.５以上１以内にすることができる。その結果、開口率を向上させることができ、さらには生産プロセス低減のためコスト低下にもつながる。
【００８０】
図１２は、ＶＡ方式の半透過型液晶表示装置における図１の液晶セル１０の他の断面図を示し、図１４のＣ−Ｃ′間及び、そのＣ−Ｃ′間に対応する図１３の部分にて切断した断面構造を示す概略図である。基本的な構造は、実施例１と同様である。
【００８１】
図１３は、図１２の第１の基板１８の一画素の一概略構成を示す平面図である。反射領域と透過領域の間に配向を制御するための第１の電極スリット３９を有する。この電極スリットは、上述した実施例内で説明した通り、垂直配向している液晶分子が電圧によって倒れる方向を規定するために配置している。また反射領域の共通電極２１はくし歯状電極部４１を有する。
【００８２】
図１４は、図１２の第２の基板１９の一画素の一概略構成を示す平面図である。透過領域と反射領域のほぼ中央にそれぞれ配向を制御するための第２の電極スリット４０を有する。
【００８３】
図２２は、図１２の一対の基板に挟持された液晶層２０内の液晶分子の配向状態を示した図である。図２２（ａ）は、電圧印加前の液晶の配向状態を示している。図２２（ｂ）は閾値電圧よりも十分に大きな電圧を印加したときの液晶の配向状態を示している。図
２２のＴ部は透過領域を仮定しており、開口部に占める共通電極２１の割合は１００％である。図２２のＲ部は反射領域を仮定しており、開口部に占める共通電極２１の割合は
６０％である。このとき、液晶層２０の厚さは３μｍであり、共通電極２１は液晶分子が倒れる方向に電極５μｍ，スリット４μｍの間隔で配置される。
【００８４】
本実施例の構成によって、反射領域および透過領域においてそれぞれ、２ドメイン構造になる。また、透過領域（図２２（ｂ）のＴ部）と反射領域（図２２（ｂ）のＲ部）において、液晶分子の電界に応じた基板法線方向からの傾き角が異なる。ゆえに、電圧印加時にΔｎT＞ΔｎRの関係が成り立つ。よって、本実施例の構成によって、ｄR＞ｄT／２の関係を達成できる。また、配向制御用の突起３６を必要としないために、高開口率，高透過率化を達成できる。
【実施例４】
【００８５】
次に本発明の液晶表示装置の第２の基板の他の実施例について説明する。
【００８６】
本実施例で記載の半透過型液晶表示装置は、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める画素電極２２の割合が異なり、反射領域の開口部に占める画素電極２２の占める割合が０％以上１００％未満であることを特徴とするものである。これらの構成によって、反射領域の厚さｄR と透過領域の厚さｄT との比ｄR／ｄTを０.５ 以上１以内にすることができる。その結果、開口率を向上させることができ、さらには生産プロセス低減のためコスト低下にもつながる。
【００８７】
本実施例は、実施例２において、共通電極２１及び画素電極２２の構成を変更したものである。他の基本的な構成は実施例２と同様である。
【００８８】
実施例１乃至３においては、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める共通電極
２１の割合が異なり、反射領域の開口部に占める共通電極２１の占める割合が０％以上
１００％未満にすることで、反射領域の厚さｄR と透過領域の厚さｄT との比ｄR／ｄTを０.５ 以上１以内にできる効果があることを示した。これは、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める画素電極２２の割合が異なり、反射領域の開口部に占める画素電極
２２の占める割合が０％以上１００％未満にすることでも同様な効果を得ることができる。このとき、共通電極はべた状にすることができる。
【００８９】
図１５は、第２の基板１９の一画素の概略構成を示す平面図である。第２の基板１９の液晶層２０側の反射領域には反射板２６が配置される。反射板２６が配置されている反射領域の画素電極２２はくし歯状電極部４１を有する。
【００９０】
図１６は図１５に示されたＤ−Ｄ′間の第２の基板１９の断面構造を示す図である。第２の基板１９の反射領域（図１６のＲ部）には反射板２６が配置される。第２の基板１９と画素電極２２の間には絶縁層４３が配置される。
【００９１】
絶縁層４３は、画素電極２２と反射板２６を絶縁するために、画素電極２２と反射板
２６の間に配置される。絶縁層４３は、透明性に優れた絶縁物質が望ましく、特にポリイミド系有機膜やシリコンナイトライドの膜が望ましい。
【００９２】
本実施例は、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める画素電極２２の割合が異なり、反射領域の開口部に占める画素電極２２の占める割合が０％以上１００％未満にすることで、実施例２と同様な効果を得ることができる。さらに、実施例１乃至３においては、第１の基板１８の反射領域の電極と、第２の基板１９に配置される反射板２６の位置を合わせる必要があった。しかしながら、本実施例ではその必要がないため、歩留まり向上の効果が得られる。これは実施例１および３においても共通電極２１及び画素電極２２の構成を本実施例に変更することで同様な効果が得られる。
【実施例５】
【００９３】
本実施例は、実施例４における画素電極２２の構成を変更したものであり、他の基本的な構成は実施例４と同様である。
【００９４】
本実施例の半透過型液晶表示装置で用いる反射板２６は、絶縁物質によって構成され、特に誘電体多層膜が望ましい。
【００９５】
このように反射板２６を絶縁物質で構成することで、実施例４のように絶縁物質で構成されないよう反射板２６を用いた場合に比べ、画素電極２２と反射板２６を絶縁するために設けられた絶縁層を無くすことができる。
【００９６】
ゆえに、実施例４と同様な効果を得ながら、液晶表示装置の作製工程を減らし、低コスト化を得ることができる。
【実施例６】
【００９７】
本実施例の半透過型液晶表示装置では、実施例１乃至実施例３で説明した特徴である、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める共通電極２１の割合が異なり、反射領域の開口部に占める共通電極２１の占める割合が０％以上１００％未満である構成に、実施例４及び実施例５で説明した特徴である、透過領域と反射領域でそれぞれ開口部に占める画素電極２２の割合が異なり、反射領域の開口部に占める画素電極２２の占める割合が０％以上１００％未満である構成、を加えるものであります。
【００９８】
このように本実施例では、反射領域の開口部に占める共通電極２１と画素電極２２の両方の割合をそれぞれ０％以上１００％未満にすることで、さらに液晶表示装置の作製工程を減らし、低コスト化を得ることができる。これは例えば実施例２で説明した図１１の画素電極２２を図１５に示した画素電極２２に変更することで達成することができる。
【００９９】
ここで、反射領域の共通電極２１と画素電極２２の開口部に占める割合において、電圧−透過率特性を理論計算した結果を図２３に示す。
【０１００】
図２３の（ａ）は、開口部に占める共通電極２１の割合が６０％の場合、図２３の(ｂ)は開口部に占める共通電極２１の割合が１００％の場合、図２３の（ｃ）は、開口部に占める共通電極２１及び画素電極２２の割合がそれぞれ６０％の場合を示した。
【０１０１】
この場合、（ｂ）→（ａ）→（ｃ）の順で、閾値電圧及び中間調を示す電圧が、高電圧側にシフトする。これは例えば４Ｖ印加時において、（ｃ）は（ｂ）の透過率に対して約５６％になる。つまり、（ｃ）を反射領域の共通電極２１、（ｂ）を透過領域の共通電極２１とすることによって、電圧印加時にΔｎT＞ΔｎRの関係が実現できる。
【０１０２】
よって、本実施例の構成によって、ｄR／ｄT＞０.５ の関係を達成でき、開口率の向上と共に、生産プロセス低減によるコスト低下といった効果を達成できる。
【実施例７】
【０１０３】
次に、本発明の液晶表示装置の他の実施例について図面を用いて説明する。
【０１０４】
本実施例は、一つの画素に二つの副画素を有するＶＡ方式の液晶表示装置において、一つの副画素ともう一つの副画素でそれぞれ開口部に占めるの共通電極２１もしくは画素電極２２もしくはその両方の割合が異なり、一つの副画素の開口部に占める共通電極２１もしくは画素電極２２もしくはその両方の占める割合が０％以上１００％未満であることを特徴とする液晶表示装置の構成を説明するものである。
【０１０５】
このＶＡ方式の液晶表示装置を用いることで、正面から観察したときのγ特性と斜め方向から観察したときのγ特性がシフトしてしまうことを軽減できる効果がある。
【０１０６】
図１７は、本実施例の液晶表示装置の断面構造を示す概略図である。
【０１０７】
本実施例の透過型液晶表示装置は、一画素に二つの副画素を有する（以下副画素Ａ及び副画素Ｂと呼ぶ）。本実施例の液晶表示装置は、第１の偏光板１１と第２の偏光板１２の一対の偏光板間に液晶セル１０を配置して構成されている。第１の偏光板１１と液晶セル１０の間には、第１のネガティブＣ−Plate３４が配置される。第２の偏光板１２と液晶セル１０の間には、第２のネガティブＣ−Plate３５が配置される。さらに、第２の偏光板１２の液晶セル１０の反対側には、バックライトユニット１７が配置される。
【０１０８】
図１８は、図１７の液晶セル１０の一断面図を示し、図２０のＥ−Ｅ′及び、そのＥ−Ｅ′に対応する図１９の部分にて切断した断面構造を示す概略図である。
【０１０９】
液晶セル１０は、第１の基板１８と第２の基板１９の一対の基板を有している。第１の基板１８と第２の基板１９は、液晶層２０を挟持する。第１の基板１８は液晶層２０が配置された側にカラーフィルタ２３と共通電極２１と第１の配向膜２４を有する。つまり第１の基板１８と液晶層２０との間に、カラーフィルタ２３と共通電極２１と第１の配向膜２４を有する。また、第２の基板１９は液晶層２０が配置された側に画素電極２２と第２の配向膜２５を有する。また、共通電極２１が配置された側の第１の配向膜２４上、且つ液晶層２０に近接する側に配向制御用の突起３６を備える。また、第２の基板１９が配置された側の第２の配向膜２５上、且つ突起３６に対応する部分で液晶層２０に近接する側に遮光部３７が配置される。
【０１１０】
ここで配向制御用の突起３６はそれぞれ画素中央付近に配置されているが、本実施例は、ＶＡ方式の液晶表示装置にはすべてにおいて効果を得ることができるために、例えば液晶の配向制御は電極スリット構造でも良い。
【０１１１】
図１９は、図１８の第１の基板１８の一画素の概略構成を示す平面図である。
【０１１２】
図１９に示した共通電極２１の副画素Ａは、べた状電極（副画素の開口部全部を電極で覆った電極）を形成し、副画素Ｂは、くし歯状電極（一定の間隔で空隙が空いた電極）を形成した構成とする。図１９に示したような共通電極２１を用いることで、副画素Ａと副画素Ｂにおいて、電圧印加時のリタデーションに差が生じる。この効果は、副画素Ａの開口部に占める共通電極の割合を１００％とし、副画素Ｂの開口部に占める共通電極２１の割合を０％以上１００％未満にすることで達成できる。このとき、共通電極２１の代わりに画素電極２２の割合を変化させても同様な効果が得られる。副画素Ｂの共通電極２１の形状はくし歯状電極に限定されるものではなく、例えばメッシュ状の電極でもよい。
【０１１３】
図２０は、図１８の第２の基板１９の一画素の概略構成を示す平面図である。
【０１１４】
副画素Ａ及び副画素Ｂの画素中央付近に、配向制御用の突起３６に対応するように遮光部３７がそれぞれ配置されている。
【０１１５】
また、本実施例の構造における電圧−透過率特性について理論計算を行った結果を図
２４に記す。図２４中の（ａ）は本実施例を採用し、例として開口部に占める共通電極
２１の割合を５０％とした場合の結果である。一方図２４中の（ｂ）は従来の電極構造
（開口部に占める共通電極２１の割合を１００％）とした場合の結果である。
【０１１６】
図２４の（ａ）と図２４の（ｂ）を比較すると、透過率が最大値の５０％になる電圧が前者は約３.０Ｖ であり、後者が約３.７Ｖ になる。よって、図２４（ａ）と（ｂ）の関係から、本実施例の構成によって、副画素Ａと副画素Ｂにおいて異なる電気光学特性を達成できることがわかる。
【０１１７】
また、図２５は、各条件における階調−相対輝度特性、いわゆるγ特性である。
【０１１８】
図２５（ａ）は図２４の（ａ）の条件、図２５（ｂ）は図２４の（ｂ）の条件、図２５（ｃ）は、本実施例の構成であり、副画素Ａは図２４の（ａ）の条件、副画素Ｂは図２４の（ｂ）の条件下におけるγ特性である。γ特性は基板正面から観測した場合、第１の偏光板１１の吸収軸と平行な方向であり、かつ基板法線方向に対して６０度の角度から観測した場合、第１の偏光板１１の吸収軸から時計回りに４５度回転し、かつ基板法線方向に対して６０度の角度から観測場合の３条件を示した。図２５（ｃ）は図２５（ａ）および図２５（ｂ）に比べ、γシフトが軽減した。
【０１１９】
以上の通り、本実施例は、副画素Ｂにおいて、開口部の共通電極２１の割合を０％以上１００％未満にすることで、正面から観測したときのγ特性と斜め方向から観察したときのγ特性がシフトしてしまうことを改善する効果が得られる。
【実施例８】
【０１２０】
次に、本実施例は、一つの画素に二つの副画素を有し、通常の偏光板の代わりに円偏光板を用いたＶＡ方式の液晶表示装置において、一つの副画素ともう一つの副画素でそれぞれ開口部に占める共通電極２１もしくは画素電極２２もしくはその両方の割合が異なり、一つの副画素の開口部に占める共通電極２１もしくは画素電極２２もしくはその両方の占める割合が０％以上１００％未満である液晶表示装置について説明する。
【０１２１】
この円偏光板を用いたＶＡ方式の液晶表示装置を用いることで、正面から観察したときのγ特性と斜め方向から観察したときのγ特性がシフトしてしまうことを軽減できる効果がある。
【０１２２】
本実施例は、実施例７において、位相差板配置の構成を変更したものである。本実施例の透過型液晶表示装置は、図１に示した液晶表示装置の断面構造を示す概略図と同様な配置である。
【０１２３】
以上の構成によって、実施例７同様に、通常の偏光板の代わりに円偏光板を用いたＶＡ方式の透過型液晶表示装置において、正面から観察したときのγ特性と斜め方向から観察したときのγ特性がシフトしてしまうことを軽減できる。これは、通常の偏光板の代わりに円偏光板を用いた半透過型液晶表示装置についても同様な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の一実施例の断面構造を示す図である。
【図２】図１の位相差板と偏光板の光学軸の関係を示す図である。
【図３】図１の液晶セルの断面構造の一実施例を示す図である。
【図４】図１の画素表示領域の一等価回路を示す図である。
【図５】図３の第２の基板の一画素の一平面例を示す図である。
【図６】図３の第１の基板の一画素の一平面例を示す図である。
【図７】図３の第１の基板の一画素の他の平面例を示す図である。
【図８】図９の位相差板と偏光板の光学軸の関係を示す図である。
【図９】図１の液晶セルの断面構造の他の実施例を示す図である。
【図１０】図９の第１の基板の一画素の一平面例を示す図である。
【図１１】図９の第２の基板の一画素の一平面例を示す図である。
【図１２】図１の液晶セルの断面構造の他の実施例を示す図である。
【図１３】図１２の第１の基板の一画素の一平面例を示す図である。
【図１４】図１２の第２の基板の一画素の一平面例を示す図である。
【図１５】図１２の第２の基板の一画素の他の平面例を示す図である。
【図１６】図１５の第２の基板の断面構造を示す図である。
【図１７】本発明に係る液晶表示装置の他の実施例の断面構造を示す図である。
【図１８】図１７の液晶セルの断面構造の一実施例を示す図である。
【図１９】図１８の第１の基板の一画素の一平面例を示す図である。
【図２０】図１８の第２の基板の一画素の一平面例を示す図である。
【図２１】本発明の実施例１の電圧−透過率特性について説明する図である。
【図２２】本発明の実施例３の液晶配向を説明する図である。
【図２３】本発明の実施例１と実施例６との電圧−透過率特性について説明する図である。
【図２４】本発明の実施例７の電圧−透過率特性について説明する図である。
【図２５】本発明の実施例７の液晶表示装置の構成によるγ特性を示した図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１０…液晶セル、１１…第１の偏光板、１２…第２の偏光板、１３…第１の位相差板、
１４…第２の位相差板、１５…第３の位相差板、１６…第４の位相差板、１７…バックライトユニット、１８…第１の基板、１９…第２の基板、２０…液晶層、２１…共通電極、２２…画素電極、２３…カラーフィルタ、２４…第１の配向膜、２５…第２の配向膜、
２６…反射板、２７…スルーホール、２８…信号配線、２９…走査配線、３０…薄膜トランジスタ、３１…蓄積容量、３２…半導体層、３３…ソース電極、３４…第１のネガティブＣ−Plate、３５…第２のネガティブＣ−Plate、３６…配向制御用の突起、３７…遮光部、３８…電極スリット部、３９…第１の電極スリット、４０…第２の電極スリット、
４１…くし歯状電極部、４２…メッシュ状電極部、４３…絶縁層、４４…段差部、４５…ワイヤーグリット偏光板、４６…スリット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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