(57)【要約】      （修正有）【課題】故障や信頼性の低下を防止できる半導体レーザモジュールを提供すること。【解決手段】半導体レーザ素子の活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおいてピーク強度の１／ｅ2の強度となるビーム広がり角をφ、光ファイバの楔形状の先端部の開き角度をθ、光ファイバの直径をｄ、半導体レーザ素子と光ファイバの先端部との間隔をｚとすると、ｔａｎ（φ／２）＜ｔａｎ（θ／２）／［１＋（２ｚ／ｄ）ｔａｎ（θ／２）］が成り立つことを特徴とする。【選択図】図５
2007258480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を有する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子に対向して配置され前記活性層に垂直方向での断面が楔形状である先端部を有する光ファイバと、
保持部固定剤により前記光ファイバを固定して保持する光ファイバ保持手段と、
前記半導体レーザ素子と前記光ファイバ保持手段とを固定する基板と、
を備え、前記半導体レーザ素子の前記活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおいてピーク強度の１／ｅ2の強度となるビーム広がり角をφ、前記光ファイバの先端部の開き角度をθ、前記光ファイバの直径をｄ、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの先端部との間隔をｚとすると、
ｔａｎ（φ／２）＜ｔａｎ（θ／２）／［１＋（２ｚ／ｄ）ｔａｎ（θ／２）］
が成り立つことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記光ファイバを挿通する孔を有し該孔に充填された孔部固定剤により前記光ファイバに固定され前記保持部固定剤と前記半導体レーザ素子の間に配置される壁部材を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記壁部材は、前記光ファイバ保持手段の一部に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記光ファイバ保持手段は、該光ファイバ保持手段を挟持する挟持手段を介して前記基板に固定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記挟持手段は、基部と、該基部に立設され前記光ファイバ保持手段を挟持する２つの起立壁と、を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記挟持手段は、前記光ファイバ保持手段を配置する溝部の両側に凹部を有する基部と、前記凹部に嵌め込まれ前記光ファイバ保持手段を挟持する挟持部材と、を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信分野、加工や溶接などの産業分野、および医療分野などで使用される半導体レーザモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光ファイバからレーザ光を出力する半導体レーザモジュールの製造工程において、金属メッキなどの金属被覆が施され、先端部が楔形状に加工された光ファイバを、基板上の所定の位置に固定された半導体レーザ素子に所定の間隔で対向して配置し、半導体レーザ素子の活性層から出射するレーザ光が最大の結合効率で光ファイバに結合するように光ファイバを調芯した後、ＹＡＧレーザや電熱ヒーターによって溶融させた金錫半田などの固定剤を用いて、光ファイバ保持手段上に光ファイバを固定する方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
一方、半導体レーザモジュールの製造工程において、金属被覆が施され、先端部が楔形状に加工された光ファイバを、金属フェルールなどの光ファイバ保持手段に金錫半田などの固定剤を用いて挿通固定し、金属フェルールを挟持部材により挟持して光ファイバを調芯した後、基板上にＹＡＧレーザなどで金属フェルールを溶接して固定する方法も知られている（特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１８３４４５号公報
【特許文献２】特開２００２−３３３５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、半導体レーザ素子からの出射光を楔形状の先端部を有する光ファイバに結合しようとする場合、出射光を光ファイバに１００％結合することはできず、光ファイバに結合しない非結合光が必ず発生する。この非結合光の大部分は、光ファイバの周囲を前方に進行し、光ファイバを光ファイバ保持手段に固定している半田剤や接着剤などの固定剤（保持部固定剤）に照射される。
【０００６】
特に、レーザ加工の分野や医療分野で使用される半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子からの出射光の強度が非常に大きいので、発生する非結合光の強度も大きくなる。例えば半導体レーザ素子からの出射光の光ファイバへの結合効率が８０％の場合、光ファイバからの光出力として５Ｗを得ようとすると、１．２Ｗ程度の非結合光が発生していることになる。このように非結合光の強度が大きくなると、半田剤も溶融させる可能性がある。また、固定剤として接着剤を用いる場合は、さらに低い非結合光の強度でも接着剤が溶融、もしくは劣化する可能性がある。
【０００７】
このように固定剤が溶融もしくは劣化すると、固定剤の成分が飛散し半導体レーザ素子の光出射端面に付着し、付着した飛散成分が光吸収を起こして発熱し、光出射端面が損傷して半導体レーザモジュールの故障を引き起こす可能性があるという課題がある。また、結合効率が最大の位置で固定されていた光ファイバはその位置からずれてしまうため、結合ロスが増大し、半導体レーザモジュールの信頼性の低下や故障の可能性があるという課題がある。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、故障や信頼性の低下を防止できる半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザモジュールは、活性層を有する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に対向して配置され前記活性層に垂直方向での断面が楔形状である先端部を有する光ファイバと、保持部固定剤により前記光ファイバを固定して保持する光ファイバ保持手段と、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバ保持手段とを固定する基板と、を備え、前記半導体レーザ素子の前記活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンにおいてピーク強度の１／ｅ2の強度となるビーム広がり角をφ、前記光ファイバの先端部の開き角度をθ、前記光ファイバの直径をｄ、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバの先端部との間隔をｚとすると、ｔａｎ（φ／２）＜ｔａｎ（θ／２）／［１＋（２ｚ／ｄ）ｔａｎ（θ／２）］が成り立つことを特徴とする。
【００１０】
また、この発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記光ファイバを挿通する孔を有し該孔に充填された孔部固定剤により前記光ファイバに固定され前記保持部固定剤と前記半導体レーザ素子の間に配置される壁部材を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、この発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記壁部材は、前記光ファイバ保持手段の一部に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
また、この発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記光ファイバ保持手段は、該光ファイバ保持手段を挟持する挟持手段を介して前記基板に固定されていることを特徴とする。
【００１３】
また、この発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記挟持手段は、基部と、該基部に立設され前記光ファイバ保持手段を挟持する２つの起立壁と、を有することを特徴とする。
【００１４】
また、この発明に係る半導体レーザモジュールは、上記発明において、前記挟持手段は、前記光ファイバ保持手段を配置する溝部の両側に凹部を有する基部と、前記凹部に嵌め込まれ前記光ファイバ保持手段を挟持する挟持部材と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、前記の不等式が成り立つことにより、光ファイバによって非結合光が光ファイバ保持部において光ファイバを固定する保持部固定剤に到達するのを防止できるので、保持部固定剤が溶融や劣化することによる故障や信頼性の低下を防止できる半導体レーザモジュールを実現できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、図面を参照して本発明に係る半導体レーザモジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１７】
（実施の形態１）
まず、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザモジュールについて説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。図２は、図１に示す半導体レーザモジュールのＸ１−Ｘ１線断面図である。
【００１８】
まず、本実施の形態１に係る半導体レーザモジュール１００の構成について説明する。図１および２に示すように、半導体レーザモジュール１００は、活性層を有する半導体レーザ素子１０１と、光ファイバ１０２と、保持部固定剤１０４と、ヒートシンク１０５と、サブマウント１０６と、ブロック状の光ファイバ保持手段１０７と、基板１０８と、パッケージ１０９と、蓋１１０とを備える。
【００１９】
光ファイバ１０２は金属被覆が施され、先端部が半導体レーザ素子１０１に対向して配置されている。光ファイバ保持手段１０７は保持部固定剤１０４により光ファイバ１０２を半導体レーザ素子１０１の活性層と位置合わせされた状態で固定して保持する。基板１０８は光ファイバ保持手段１０７を固定するとともに、ヒートシンク１０５とサブマウント１０６とを介して半導体レーザ素子１０１も固定する。また、パッケージ１０９の光ファイバ挿入口は挿入部固定剤１１１により封止されている。
【００２０】
図３は、光ファイバ１０２の半導体レーザ素子１０１に対向して配置される先端部を模式的に表した断面図である。図３においては、半導体レーザ素子１０１の活性層に垂直方向での断面を示す。図３に示すように、光ファイバ１０２は、直径１０５μｍのコア１０２ａと外径１２５μｍのクラッド１０２ｂを有し、ＮＡが０．１５もしくは０．２２のマルチモード光ファイバであり、先端部１０２ｃが楔形状に加工されたものである。先端部１０２ｃの開き角度は１１０°であり、球面状に研磨された先端半径Ｒは７μｍである。
【００２１】
半導体レーザ素子１０１は、ＧａＡｓ系の材料からなり、活性層における発光部の幅が１００μｍ、レーザ発振波長が９１５〜９８０ｎｍの横マルチモードレーザダイオードである。出射光の光半導体レーザ素子１０１の活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンは図４に示すようにほぼガウス型の形状を有しており、半値幅で約３３°であり、ピーク強度の１／ｅ2の強度となるビーム広がり角は約７０°である。一方、水平方向のファーフィールドパターンは半値幅で約１０°である。
【００２２】
保持部固定剤１０４、挿入部固定剤１１１は、半田や接着剤である。半田の具体例は、金錫半田（ＡｕＳｎ）、錫鉛半田（ＰｂＳｎ）、錫銀銅半田（ＳｎＡｇＣｕ）などである。接着剤の具体例は、エポキシ系、アクリル系、ＵＶ硬化樹脂系などの接着剤である。
【００２３】
ヒートシンク１０５、サブマウント１０６、基板１０８は、半導体レーザ素子１０１から発生する熱を放熱するために、熱伝導率が高い材質で構成されている。熱伝導率が高い材質の具体例は、銅−タングステン合金（ＣｕＷ）、ダイヤモンド、窒化アルミ（ＡｌＮ）などである。
【００２４】
光ファイバ保持手段１０７は、半導体レーザ素子１０１の活性層と位置合わせされた状態で光ファイバ１０２を保持部固定剤１０４で固定するためのブロック状の部品である。光ファイバ保持手段１０７の材質の具体例は、ＡｌＮやＡｌ2Ｏ3などのセラミックスや、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、ステンレス（ＳＵＳ）などの金属である。
【００２５】
つぎに、半導体レーザモジュール１００の動作について説明する。半導体レーザ素子１０１は、活性層の端面からレーザ光を出射する。出射光は半導体レーザ素子１０１に対向して配置された光ファイバ１０２の楔形状の先端部１０２ｃと８０％程度の結合効率で結合し、光ファイバ１０２のもう一端からは所望の強度の光が出力する。このとき、以下の不等式が成り立つことにより、光ファイバと結合しない非結合光が保持部固定剤１０４に到達することが防止できる。
【００２６】
すなわち、図５に示すように、半導体レーザ１０１の活性層１０１ａに垂直方向でのファーフィールドパターンにおいてピーク強度の１／ｅ2の強度となるビーム広がり角をφ、光ファイバ１０２の先端部の開き角度をθ、光ファイバ１０２の直径をｄ、半導体レーザ素子１０１と光ファイバ１０２の先端部との間隔をｚとすると、式（１）が成り立つ。
【００２７】
ｔａｎ（φ／２）＜ｔａｎ（θ／２）／［１＋（２ｚ／ｄ）ｔａｎ（θ／２）］  ・・・  （１）
【００２８】
このとき、半導体レーザ素子１０１の活性層１０１ａからの出射光のうち大部分を占めるビーム広がり角φより内側に含まれる光は光ファイバ１０２により遮断される。その結果、非結合光も遮断され、保持部固定剤１０４に到達することが防止できる。なお、出射光のうちビーム広がり角φより外側の光は強度が非常に小さいので、この光が保持部固定剤１０４に到達したとしても保持部固定剤１０４の溶融や劣化が起こることはほとんどない。
【００２９】
つぎに、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザモジュール１００の製造工程のうち主要なものについて説明する。まず、サブマウント１０６上にヒートシンク１０５を介して半導体レーザ素子１０１をＡｕＳｎなどの半田剤で固定し、その後、これを基板１０８上の所定の位置に半田剤で固定する。つぎに、基板１０８上の所定の位置に光ファイバ保持手段１０７を半田剤で固定する。
【００３０】
そして、光ファイバ１０２の楔形状の先端部１０２ｃを半導体レーザ素子１０１の活性層１０１ａの端面に対向して配置し、半導体レーザ素子１０１を駆動して活性層の端面からレーザ光を出射させて、光ファイバ１０２のもう一端から出力する光の強度をモニタしながら、光ファイバ１０２を半導体レーザ素子１０１に対して前後、左右、上下並びに光ファイバ１０２の中心軸周りに動かして調芯を行う。このとき、前述の式（１）が成り立つ範囲で調芯を行う。そして、モニタした光出力強度が最大となる位置、すなわち半導体レーザ素子１０１からの出射光の光ファイバ１０２への結合効率が最大となる位置において、光ファイバ保持手段１０７上に保持部固定剤１０４を供給し、光ファイバ１０２を光ファイバ保持手段１０７上に固定する。保持部固定剤１０４が半田剤である場合にはＹＡＧレーザの照射により保持部固定剤１０４を溶融して固定する。
【００３１】
以上説明したように、本実施の形態１に係る半導体レーザモジュール１００は、光ファイバ１０２によって非結合光が保持部固定剤１０４に到達するのを防止できるので、保持部固定剤１０４が溶融したり劣化したりすることによる故障や信頼性の低下を防止できる半導体レーザモジュールとなる。
【００３２】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態２に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態１に係る半導体レーザモジュールとは、保持部固定剤と半導体レーザ素子の間に配置される壁部材を備える点で異なる。
【００３３】
図６は、本発明の実施の形態２に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。図７は、図６に示す半導体レーザモジュールのＸ２−Ｘ２線断面図である。図６および７に示すように、半導体レーザモジュール２００は、実施の形態１に係る半導体レーザモジュール１００と同様に、活性層を有する半導体レーザ素子２０１と、光ファイバ２０２と、保持部固定剤２０４と、ヒートシンク２０５と、サブマウント２０６と、光ファイバ保持手段２０７と、基板２０８と、パッケージ２０９と、蓋２１０とを備える。そして、半導体レーザモジュール２００はさらに円板状の壁部材２０３を備える。
【００３４】
壁部材２０３は光ファイバ２０２の直径とほぼ同じ直径の孔２０３ａを有する。光ファイバ２０２は孔２０３ａに互いに中心がほぼ一致するように挿通される。また、壁部材２０３は保持部固定剤２０４と半導体レーザ素子２０１の間に配置され、孔２０３ａの内壁と光ファイバ２０２との隙間に充填された孔部固定剤２１３により光ファイバ２０２に固定されている。保持部固定剤１０４などと同様に、孔部固定剤２１３は半田や接着剤である。
【００３５】
本実施の形態２では、前述の式（１）が成り立つことにより、非結合光が壁部材２０３の孔２０３ａに充填された孔部固定剤２１３に到達することも防止できる。したがって、孔部固定剤２１３が非結合光によって溶融、劣化することがなく、固定剤の成分が飛散し半導体レーザ素子の光出射端面に付着して半導体レーザモジュールの故障を引き起こすことを防止できる。
【００３６】
なお、壁部材２０３の材質は特に限定されないが、アルミニウム（Ａｌ）、ＳＵＳ、あるいは銅（Ｃｕ）などの金属とすることができる。
【００３７】
半導体レーザモジュール２００の製造工程においては、基板２０８上に光ファイバ保持手段２０７を半田剤で固定する際に、光ファイバ保持手段２０７と半導体レーザ素子２０１の間に壁部材２０３が配置されることを考慮して固定位置を決定する。一方、光ファイバ２０２を壁部材２０３の孔２０３ａに挿通し、孔２０３ａに孔部固定剤２１３を充填し、壁部材２０３を光ファイバ２０２に固定する。その後、光ファイバ２０２を前後、左右、上下並びに光ファイバ２０２の中心軸周りに動かして調芯を行う。このとき、前述の式（１）が成り立つ範囲で調芯を行う。そして、半導体レーザ素子２０１からの出射光の光ファイバ２０２への結合効率が最大となる位置において、光ファイバ保持手段２０７上に保持部固定剤２０４を供給し、光ファイバ保持手段２０７上に固定する。保持部固定剤２０４が半田剤である場合にはＹＡＧレーザの照射により保持部固定剤２０４を溶融して固定する。
【００３８】
本実施の形態２に係る半導体レーザモジュール２００は、前述の式（１）を満たすことにより、光ファイバ２０２によって非結合光が保持部固定剤２０４や孔部固定剤２１３に到達するのを防止できるので、これらの固定剤が溶融したり劣化したりすることによる故障や信頼性の低下を防止できることに加え、保持部固定剤２０４と半導体レーザ素子２０１の間に壁部材２０３が配置され、かつ孔２０３ａが充填されていることにより、保持部固定剤２０４を溶融する際に生じる可能性がある保持部固定剤２０４からの飛散成分の半導体レーザ素子２０１への到達を防止できる。このため、飛散成分が半導体レーザ素子２０１の光出射端面に付着して故障を引き起こすことを防止できる。
【００３９】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態３に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態１に係る半導体レーザモジュールとは光ファイバ保持手段が該光ファイバ保持手段を挟持する挟持手段を介して基板に固定されているなどの点で異なる。
【００４０】
図８は、本実施の形態３に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。なお、説明のため、保持部固定剤３０４、光ファイバ保持手段３０７、挟持手段３１２は側面図で示す。図９は、図８に示す半導体レーザモジュールのＸ３−Ｘ３線断面図である。図８および９に示すように、本実施の形態３に係る半導体レーザモジュール３００は、半導体レーザモジュール１００とは異なり、ブロック状の光ファイバ保持手段３０７が光ファイバ保持手段３０７を挟持する挟持手段３１２を介して基板３０８に固定されている。この挟持手段３１２は、基部３１２ａと、基部３１２ａに立設され光ファイバ保持手段３０７を挟持する２つの起立壁３１２ｂ、３１２ｃとを有する部品である。起立壁３１２ｂ、３１２ｃは光ファイバ保持手段３０７を溶接部３１４において固定する。
【００４１】
半導体レーザモジュール３００の製造工程においては、基板３０８上の所定の位置に挟持手段３１２を基部３１２ａにおいて半田剤で、あるいはＹＡＧレーザ溶接などを用いて固定する。
【００４２】
一方、あらかじめ、光ファイバ３０２を保持部固定剤３０４により光ファイバ保持手段３０７に固定しておく。このように調芯の前にあらかじめ光ファイバ３０２を保持部固定剤３０４により光ファイバ保持手段３０７に固定しておくので、後の工程で調芯をしてから保持部固定剤３０４を光ファイバ３０２の固定のために溶融しなくてもよい。したがって、製造工程における保持部固定剤３０４の溶融による成分の飛散はない。
【００４３】
つぎに、光ファイバ３０２を固定した光ファイバ保持手段３０７を挟持手段３１２の起立壁３１２ｂと起立壁３１２ｃの間に配置し、光ファイバ保持手段３０７を前後方向（図８の左右方向）、上下方向（図８、９の上下方向）に、また、光ファイバ保持手段３０７を挟持手段３１２ごと左右方向（図９の左右方向）に動かして光ファイバ３０２の調芯を行う。そして、半導体レーザ素子３０１からの出射光の光ファイバ３０２への結合効率が最大となる位置において、光ファイバ保持手段３０７を挟持手段３１２の起立壁３１２ｂ、３１２ｃにＹＡＧレーザ溶接し、そして、挟持手段３１２を基板３０８にＹＡＧレーザ溶接する。光ファイバ保持手段３０７や挟持手段３１２の材質は、ＹＡＧレーザ溶接ができる材質であり、具体的にはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、ＳＵＳなどの金属である。
【００４４】
本実施の形態３に係る半導体レーザモジュール３００も、前述の式（１）を満たすことにより、光ファイバ３０２によって非結合光が保持部固定剤３０４に到達するのを防止できるので、保持部固定剤３０４が溶融したり劣化したりすることによる故障や信頼性の低下を防止できる半導体レーザモジュールとなる。
【００４５】
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態４に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態３に係る半導体レーザモジュールとは光ファイバ保持手段が挟持手段を介して基板に固定されているなどの点で同様であるが、光ファイバ保持手段が金属フェルールであるなどの点で異なる。
【００４６】
図１０は、本実施の形態４に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。なお、説明のため、保持部固定剤４０４、光ファイバ保持手段４０７、挟持手段４１２は側面図で示す。また、点線で囲まれた部分の一部断面拡大図も同時に示す。この一部断面拡大図においては光ファイバ保持手段４０７の断面を符号４０７ａで示している。図１１は、図１０に示す半導体レーザモジュールのＸ４−Ｘ４線断面図である。図１０および１１に示すように、本実施の形態４に係る半導体レーザモジュール４００は、半導体レーザモジュール３００とは異なり、中心軸に光ファイバ４０２の直径とほぼ同じの直径の孔を有する円筒状の金属フェルールである光ファイバ保持手段４０７が挟持手段４１２を介して基板４０８に固定されている。挟持手段４１２は、挟持手段３１２と同様の構成を有する部品である。
【００４７】
半導体レーザモジュール４００の製造工程においては、あらかじめ図１０中の一部断面拡大図において示すように、光ファイバ４０２を光ファイバ保持手段４０７の孔に挿通し、保持部固定剤４０４により光ファイバ保持手段４０７に固定しておく。
【００４８】
このように調芯の前にあらかじめ光ファイバ４０２を保持部固定剤４０４により光ファイバ保持手段４０７に固定しておくので、実施の形態３に係る半導体レーザモジュール３００と同様に、製造工程において保持部固定剤４０４の溶融による成分の飛散はない。
【００４９】
本実施の形態４に係る半導体レーザモジュール４００も、前述の式（１）を満たすことにより、光ファイバ４０２によって非結合光が保持部固定剤４０４に到達するのを防止できるので、保持部固定剤４０４が溶融したり劣化したりすることによる故障や信頼性の低下を防止できる半導体レーザモジュールとなる。
【００５０】
（実施の形態５）
次に、本発明の実施の形態５に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態５に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態４に係る半導体レーザモジュールとは光ファイバ保持手段が金属フェルールであるなどの点で同様であるが、壁部材が光ファイバ保持手段の一部に形成されているなどの点で異なる。
【００５１】
図１２は、本実施の形態５に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。なお、説明のため、保持部固定剤５０４、光ファイバ保持手段５０７、壁部材５０７ａ、挟持手段５１２は側面図で示す。図１３は、図１２に示す半導体レーザモジュールのＸ５−Ｘ５線断面図である。図１２および１３に示すように、本実施の形態５に係る半導体レーザモジュール５００は、半導体レーザモジュール４００とは異なり、壁部材５０７ａが金属フェルールである光ファイバ保持手段５０７の一部に形成されている。この壁部材５０７ａは、光ファイバ保持手段５０７の一部に中心軸の孔よりも深い位置まで溝を刻設することで形成できるので、壁部材を別途用意する必要がない。また、保持部固定部材５０４は、刻設した溝の内部に供給される。
【００５２】
半導体レーザモジュール５００の製造工程においては、調芯の前にあらかじめ光ファイバ５０２を光ファイバ保持手段５０７および壁部材５０７ａの孔に挿通し、保持部固定剤５０４により光ファイバ保持手段５０７に固定しておく。したがって、半導体レーザモジュール４００と同様に、製造工程において保持部固定剤５０４の溶融による成分の飛散はない。
【００５３】
本実施の形態５に係る半導体レーザモジュール５００も、前述の式（１）を満たすことにより、光ファイバ５０２によって非結合光が保持部固定剤５０４に到達するのを防止できるので、保持部固定剤５０４が溶融したり劣化したりすることによる故障や信頼性の低下を防止できる半導体レーザモジュールとなる。
【００５４】
（実施の形態６）
次に、本発明の実施の形態６に係る半導体レーザモジュールについて説明する。本実施の形態６に係る半導体レーザモジュールは、実施の形態４に係る半導体レーザモジュールとは光ファイバ保持手段が金属フェルールであるなどの点で同様であるが、光ファイバ保持手段を挟持する挟持手段が異なる。
【００５５】
図１４は、本実施の形態６に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。なお、説明のため、保持部固定剤６０４、光ファイバ保持手段６０７、挟持手段６１２は側面図で示す。図１５は、図１４に示す半導体レーザモジュールの挟持手段を模式的に表した斜視図である。図１４および１５に示すように、本実施の形態６に係る半導体レーザモジュール６００においては、金属フェルールである光ファイバ保持手段６０７を挟持する挟持手段６１２が、光ファイバ保持手段６０７を配置する溝部６１２ｂの両側に凹部６１２ｃを有する基部６１２ａと、凹部６１２ｃに嵌め込まれ光ファイバ保持手段６０７を挟持する挟持部材６１２ｄとを有する部品である。
【００５６】
半導体レーザモジュール６００の製造工程においては、光ファイバ６０２を挿通し保持部固定剤６０４により固定した光ファイバ保持手段６０７を挟持手段６１２の基部６１２ａの溝部６１２ｂに配置するとともに、凹部６１２ｃに挟持部材６１２ｄを嵌め込む。挟持部材６１２ｄは凹部６１２ｃに嵌め込んだ状態で光ファイバ保持手段６０７の長手方向と直角の方向に移動させることができる。そして、光ファイバ保持手段６０７を前後、左右、上下に動かして光ファイバ６０２の調芯を行った後、挟持部材６１２ｄを移動させて光ファイバ保持手段６０７を両側から挟持して、光ファイバ保持手段６０７と挟持部材６１２ｄ、および挟持部材６１２ｄと基部６１２ａをＹＡＧレーザ溶接により溶接部６１４において溶接する。このような挟持手段６１２を用いれば、光ファイバ保持手段６０７を動かして調芯を行うための隙間を十分に確保でき、調芯後は光ファイバ保持手段６０７を確実に挟持することができる。挟持手段６１２の材質は、ＹＡＧレーザ溶接ができる材質であり、具体的にはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、ＳＵＳなどの金属である。
【００５７】
本実施の形態６に係る半導体レーザモジュール６００も、前述の式（１）を満たすことにより、光ファイバ６０２によって非結合光が保持部固定剤６０４に到達するのを防止できるので、保持部固定剤６０４が溶融したり劣化したりすることによる故障や信頼性の低下を防止できる半導体レーザモジュールとなる。
【００５８】
なお、上記実施の形態２において、壁部材の形状は円形に限らず、保持部固定剤の飛散成分が半導体レーザ素子に到達するのを防止する効果を高めるために適宜変更してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。
【図２】図１に示す半導体レーザモジュールのＸ１−Ｘ１線断面図である。
【図３】光ファイバの半導体レーザ素子に対向して配置される先端部を模式的に表した断面図である。
【図４】半導体レーザ素子の活性層に垂直方向でのファーフィールドパターンを示す図である。
【図５】半導体レーザ素子と光ファイバとの関係を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。
【図７】図６に示す半導体レーザモジュールのＸ２−Ｘ２線断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。
【図９】図８に示す半導体レーザモジュールのＸ３−Ｘ３線断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。
【図１１】図１０に示す半導体レーザモジュールのＸ４−Ｘ４線断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態５に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。
【図１３】図１２に示す半導体レーザモジュールのＸ５−Ｘ５線断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態６に係る半導体レーザモジュールを模式的に表した縦断側面図である。
【図１５】図１４に示す半導体レーザモジュールの挟持手段を模式的に表した斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００〜６００  半導体レーザモジュール
１０１〜６０１  半導体レーザ素子
１０１ａ  活性層
１０２〜６０２  光ファイバ
１０２ａ  コア
１０２ｂ  クラッド
１０２ｃ  先端部
２０３、５０７ａ  壁部材
２０３ａ  孔
１０４〜６０４  保持部固定剤
１０５〜６０５  ヒートシンク
１０６〜６０６  サブマウント
１０７〜６０７  光ファイバ保持手段
１０８〜６０８  基板
１０９〜６０９  パッケージ
１１０〜６１０  蓋
１１１〜６１１  挿入部固定剤
２１３  孔部固定剤
３１２〜６１２、  挟持手段
３１２ａ〜６１２ａ  基部
３１２ｂ〜５１２ｂ、３１２ｃ〜５１２ｃ  起立壁
３１４〜６１４  溶接部
６１２ｂ  溝部
６１２ｃ  凹部
６１２ｄ  挟持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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