(57)【要約】 【課題】  簡単な構成で、高密度に光半導体素子を実装可能な光配線基板および光配線モジュールを提供する。【解決手段】  光配線モジュール１を構成する光導波路部材２は、互いに異なる位置へ光を導く複数の光導波体４０を有し、各光導波体４０は、光路変換する反射膜１４を有し、各反射膜１４は、隣接する反射膜１４と、交差方向Ｍおよび光路方向Ｌに互いに間隔をあけて設けられるので、各反射膜１４間の距離を、交差方向Ｍおよび光路方向Ｌに沿う距離よりも大きくすることができ、長手方向Ｘおよび幅方向Ｙへ、各反射膜１４を用いるために光配線基板２Ａに実装される光半導体素子３を複数配列した場合であっても、光路方向Ｌと配列する方向とが異なるので、各光導波体４０が重複することなく、光配線基板２Ａの実装可能な面部の領域を有効に用いることができ、光半導体素子３を密に配列して、光配線基板２Ａを小形化することができる。【選択図】      図１
2007178950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、該支持基板に固着される光導波路部材とを含む光配線基板であって、
光導波路部材は、
クラッド層と、
クラッド層の一表面部に積層されるコア層であって、互いに異なる位置へ光を導く複数の光導波体を含むコア層とを有し、
各光導波体は、それぞれ光路変換する光路変換部を有し、
各光導波体は、クラッド層の一表面部に沿って、予め定める光路方向に延び、光路方向に交差する交差方向に間隔をあけて設けられ、
少なくとも交差方向に隣接する各光路変換部は、光路方向に互いに間隔をあけて設けられることを特徴とする光配線基板。
【請求項２】
光路変換部は、光導波体の端部に形成されて成り光を反射する反射手段であることを特徴とする請求項１記載の光配線基板。
【請求項３】
反射手段は、光半導体素子に設けられる発光部から発せられる光を反射する機能を有することを特徴とする請求項２記載の光配線基板。
【請求項４】
反射手段は、前記発光部から発せられる光を反射する進行方向とは逆方向に突出する凸曲面形状に形成されていることを特徴とする請求項３記載の光配線基板。
【請求項５】
反射手段は、クラッド層の一表面部に対して傾斜して形成されているとともに、その傾斜角度が４１度以上４９度以下に規定されることを特徴とする請求項２記載の光配線基板。
【請求項６】
クラッド層は、光路変換部がクラッド層に臨む位置に、光路変換部に入射する光または光路変換部から出射する光を集光する集光手段を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の光配線基板。
【請求項７】
集光手段は、クラッド層と一体に形成されることを特徴とする請求項６記載の光配線基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の光配線基板に電気的にかつ機械的に接続される複数の光半導体素子とを有する光配線モジュールであって、
各光半導体素子に設けられる発光部または受光部は、各光路変換部にそれぞれ臨んで設けられることを特徴とする光配線モジュール。
【請求項９】
各光半導体素子に設けられる発光部または受光部と、クラッド層の他表面部とが非接触の状態に保持されていることを特徴とする請求項８記載の光配線モジュール。
【請求項１０】
発光部および受光部を除く各光半導体素子と光配線基板との間隙には、非光透過性の樹脂から成る封止部材が設けられていることを特徴とする請求項８または９記載の光配線モジュール。
【請求項１１】
封止部材は、各光半導体素子をその外周に沿って囲繞するものであることを特徴とする請求項１０記載の光配線モジュール。
【請求項１２】
封止部材は、各光半導体素子と光配線基板とを機械的に接続することを特徴とする請求項１０または１１記載の光配線モジュール。
【請求項１３】
少なくとも前記各光半導体素子の発光部もしくは受光部と前記光路変換部との間には、光透過性の樹脂から成る透光部材が設けられていることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１つに記載の光配線モジュール。
【請求項１４】
透光部材は、各光半導体素子と光配線基板とを機械的に接続することを特徴とする請求項１３記載の光配線モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光配線基板および光配線モジュールに関し、たとえば電気配線またはその一部を光配線に適用し得る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
企業、家庭で取り扱う情報量が膨大になり、電気信号で配信できない量になりつつある。つまり電気で高速信号（高周波デジタル信号）の送受信をするためには、プリエンファシスおよびイコライジングの技術が必要であり、このための回路を付加しなければならない。この回路のため消費電力が増大し、シリコンチップの発熱が増え、冷却システムが膨大になる。このような問題を解決するために、多量の情報の配信に適した光信号を用いた技術が開示されており、光信号を装置間の通信に用いる技術、さらにバックプレーンおよびボードなどシリコンチップにより近いところまで光を用いる技術が種々開示されている。
【０００３】
光信号をシリコンチップ付近まで到達させるためには、シリコンチップが実装される基板内の光導波路を導光する光を、シリコンチップに設けられる受光素子に導く必要がある。したがってシリコンチップに設けられる発光素子または受光素子と、シリコンチップが実装される基板内の光導波路との位置合わせ精度を高精度にする必要がある。簡単に高精度に位置合わせするための技術として、基板の予め定める位置に凹部を形成し、この凹部に発光素子などを実装して、発光素子の位置決めを容易にする技術が開示されている（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２６５８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光配線基板に複数の光半導体素子を実装して、全体として小形化する技術が臨まれているが、従来の技術では、複数の光半導体素子、特に面発光型半導体レーザ（Vertical
Cavity Surface-Emitting Laser：略称ＶＣＳＥＬ）を高密度に実装する場合、ＶＣＳＥＬは光配線基板の厚み方向に向かってレーザ光を発するので、厚み方向に垂直な方向にレーザ光を導光して、厚み方向に垂直な同一層内でレーザ光を導こうとすると、光導波路が重複してしまうおそれがある。光導波路の重複を防止する技術として、光配線基板を複数層で構成して、各層によって導光する光を分離する技術も考えられるが、光配線基板の構成が複雑になり、製造コストが高いという問題がある。
【０００６】
したがって本発明の目的は、簡単な構成で、高密度に光半導体素子を実装可能な光配線基板および光配線モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、支持基板と、該支持基板に固着される光導波路部材とを含む光配線基板であって、
光導波路部材は、
クラッド層と、
クラッド層の一表面部に積層されるコア層であって、互いに異なる位置へ光を導く複数の光導波体を含むコア層とを有し、
各光導波体は、それぞれ光路変換する光路変換部を有し、
各光導波体は、クラッド層の一表面部に沿って、予め定める光路方向に延び、光路方向に交差する交差方向に間隔をあけて設けられ、
少なくとも交差方向に隣接する各光路変換部は、光路方向に互いに間隔をあけて設けられることを特徴とする光配線基板である。
【０００８】
また本発明は、光路変換部は、光導波体の端部に形成されて成り光を反射する反射手段であることを特徴とする。
【０００９】
さらに本発明は、反射手段は、光半導体素子に設けられる発光部から発せられる光を反射する機能を有することを特徴とする。
【００１０】
さらに本発明は、反射手段は、前記発光部から発せられる光を反射する進行方向とは逆方向に突出する凸曲面形状に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
さらに本発明は、反射手段は、クラッド層の一表面部に対して傾斜して形成されているとともに、その傾斜角度が４１度以上４９度以下に規定されることを特徴とする。
【００１２】
さらに本発明は、クラッド層は、光路変換部がクラッド層に臨む位置に、光路変換部に入射する光または光路変換部から出射する光を集光する集光手段を含むことを特徴とする。
さらに本発明は、集光手段は、クラッド層と一体に形成されることを特徴とする。
【００１３】
さらに本発明は、前記光配線基板に電気的にかつ機械的に接続される複数の光半導体素子とを有する光配線モジュールであって、
各光半導体素子に設けられる発光部または受光部は、各光路変換部にそれぞれ臨んで設けられることを特徴とする光配線モジュールである。
【００１４】
さらに本発明は、各光半導体素子に設けられる発光部または受光部と、クラッド層の他表面部とが非接触の状態に保持されていることを特徴とする。
【００１５】
さらに本発明は、発光部および受光部を除く各光半導体素子と光配線基板との間隙には、非光透過性の樹脂から成る封止部材が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
さらに本発明は、封止部材は、各光半導体素子をその外周に沿って囲繞するものであることを特徴とする。
【００１７】
さらに本発明は、封止部材は、各光半導体素子と光配線基板とを機械的に接続することを特徴とする。
【００１８】
さらに本発明は、少なくとも前記各光半導体素子の発光部もしくは受光部と前記光路変換部との間には、光透過性の樹脂から成る透光部材が設けられていることを特徴とする。
【００１９】
さらに本発明は、透光部材は、各光半導体素子と光配線基板とを機械的に接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、光導波路部材は、クラッド層とコア層とを有する。これらのうちコア層は、クラッド層の一表面部に積層され、互いに異なる位置へ光を導く複数の光導波体を有する。各光導波体は、光路変換する光路変換部を有し、クラッド層の一表面部に沿って、光路方向に延び、交差方向に間隔をあけて設けられる。交差方向に隣接する各光路変換部は、光路方向に互いに間隔をあけて設けられる。これによって各光路変換部は、隣接する光路変換部と、交差方向および光路方向に互いに間隔をあけて設けられるので、各光路変換部間の距離を、交差方向および光路方向に沿う距離よりも大きくすることができる。したがって光路方向と交差方向とを含む仮想平面内で、光路方向と交差方向とに互いに交差する方向へ、各光路変換部を用いるために光配線基板に実装される光部品を複数配列した場合であっても、光路方向と光部品を配列する方向とが異なるので、各光導波体が重複することなく、光配線基板の実装可能な面部の領域を有効に用いることができる。したがって光部品を密に配列することができ、光配線基板を小形化することができる。
【００２１】
また本発明によれば、光導波体の端部には、光を反射する反射手段が形成され、この反射手段によって光路変換可能な光路変換部を実現することができる。
【００２２】
さらに本発明によれば、反射手段によって、発光部から発せられる光を反射することができる。
【００２３】
さらに本発明によれば、反射手段は、前記発光部から発せられる光を反射する進行方向とは逆方向に突出する凸曲面形状に形成されているので、反射手段を平坦状に形成するものに比べて集光特性を高めることができる。したがって、発光部に対する反射手段の位置決め精度を、従来技術のものより高めることなく光路変換を実現できる。それ故、光配線基板の製造を一層簡単化でき、製造コストの低減を一層図ることができる。
【００２４】
さらに本発明によれば、反射手段は、クラッド層の一表面部に対する傾斜角度が４１度以上４９度以下に規定されることで、光導波路部材を薄肉化しつつ光を直線状に伝播することが可能となる。このように光配線基板の薄肉化を図ることができる。光配線基板を多層化する際に、基板の厚み方向寸法を低減することができ、該光配線基板を搭載する装置への汎用性を高めることが可能となる。
【００２５】
さらに本発明によれば、クラッド層は、光路変換部に臨む位置に、光路変換部に入射する光または光路変換部から出射する光を集光する集光手段を有する。したがって集光特性を高めることができ、光配線基板に設けられる発光部または受光部に対する光路変換部の位置決め精度を、従来技術のものより高めることなく光路変換を実現できる。
【００２６】
さらに本発明によれば、集光手段は、クラッド層と一体に形成されるので、集光手段を別体で設けるよりも、集光手段を容易に製造することができる。それ故、光配線基板の製造を一層簡単化でき、製造コストの低減を一層図ることができる。
【００２７】
さらに本発明によれば、光配線モジュールは、前記光配線基板と複数の光半導体素子とを有する。各光半導体素子に設けられる発光部または受光部は、各光路変換部にそれぞれ臨んで設けられる。前述したように各光路変換部は、隣接する光路変換部と、交差方向および光路方向に互いに間隔をあけて設けられるので、各光路変換部間の距離を、交差方向および光路方向に沿う距離よりも大きくすることができる。光半導体素子に設けられる発光部または受光部（以下、「受発光部」ということがある）は、各光路変換部にそれぞれ臨んで設けられるので、各光半導体素子を光路方向と交差方向とを含む仮想平面内で、光路方向と交差方向とに互いに交差する方向へ複数配列した場合であっても、光路方向と光部品を配列する方向とが異なるので、各光導波体が重複することなく、光配線基板の実装可能な面部の領域を有効に用いることができる。したがって複数の光半導体素子を密に配列することができ、光配線モジュールを小形化することができる。
【００２８】
さらに本発明によれば、発光部または受光部と、クラッド層の他表面部とが非接触の状態に保持されているので、熱膨張などに起因して発光部または受光部と、前記他表面部とが接触して、これら受発光部が損傷することを未然に防止することができる。
【００２９】
さらに本発明によれば、各光半導体素子と光配線基板との間隙には、発光部および受光部を除き、非光透過性の樹脂から成る封止部材が設けられているので、隣接する光半導体素子の受発光部に不所望に入射することを確実に防ぎ、クロストークの発生を防止することができる。これによって光配線基板に接続される光半導体素子の単位面積あたりの個数を増加させて、隣接する光半導体素子までの距離が小さくなった場合であっても、隣接する光半導体素子の受発光部の入出光に起因してクロストークが発生することを防止することができる。したがって光半導体素子を高密度に光配線基板に実装することができ、光配線モジュールをより小形化することができる。またたとえば複数のミラー片および回折格子を用いてクロストークの発生を抑制する先行技術に比べて、光配線モジュールの製造を簡単化でき、製造コストの低減を図ることができる。
【００３０】
さらに本発明によれば、封止部材は、各光半導体素子をその外周に沿って囲繞するものであるから、クロストークの発生をより一層抑制することが可能となる。封止部材を光半導体素子の外周に沿って囲繞するだけで、クロストークを抑制する条件を満たすので、封止部材の製造工程を簡単化することができる。
【００３１】
さらに本発明によれば、封止部材は、各光半導体素子と光配線基板とを機械的に接続するので、各光半導体素子と光配線基板との相対位置を固定することができる。これによって各光半導体素子と光配線基板とが、熱膨張などに起因して、不所望に相対位置が変位することを防ぐことができる。
【００３２】
さらに本発明によれば、各光半導体素子の受発光部と前記光路変換部との間には、透光性の樹脂から成る透光部材が設けられているので、次のような効果を奏する。透光部材で、受発光部と光路変換部間の光路を確保したうえで、光半導体素子、クラッド層の他表面部間に樹脂などを充填し、非接触の状態に容易に保持することが可能となる。しかも熱膨張などに起因して受発光部が損傷することを確実に防止することができる。
【００３３】
さらに本発明によれば、透光部材は、各光半導体素子と光配線基板とを機械的に接続するので、各光半導体素子と光配線基板との相対位置を固定することができる。これによって各光半導体素子と光配線基板とが、熱膨張などに起因して、不所望に相対位置が変位することを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。
【００３５】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光配線モジュール１を示す平面図である。図２は、光配線モジュール１の一部を拡大して示す斜視図である。図３は、光配線モジュール１の一部を拡大して示す断面図である。図３では、理解を容易にするために、光配線モジュール１を構成する１つの光半導体素子３と光配線基板２Ａとが関連する構成に関して示す。第１の実施形態に係る光配線モジュール１は、その光半導体素子３から発せられる光を一方から他方に導波し、前記光半導体素子３とは異なる他の光半導体素子３に伝送する機能を有する。
【００３６】
光配線モジュール１は、光配線基板２Ａと複数、本実施の形態では１０個の光半導体素子３とを有する。各光半導体素子３は、二次元マトリクス状に光配線基板２Ａの一表面部に実装される。光配線基板２Ａは、支持基板５および該支持基板５に固着される光導波路部材２を含む。支持基板５の一表面部５ａには光導波路部材２が固着支持される。支持基板５の他表面部が、図示外の配線層を介してたとえばプリント基板などに実装される。支持基板５は、絶縁性を有する、たとえば合成樹脂、アルミナ系セラミックおよびガラスセラミックの少なくともいずれか一つから直方体状に形成される。ただし直方体状に必ずしも限定されるものではない。
【００３７】
光導波路部材２は、第１，第２のクラッド膜６，８と、コアパターン７と、複数の電極挿通部９と、複数の貫通電極１０とを有し、この光導波路部材２の厚みがｈ１（ｈ１はたとえば５０μｍ以上１００μｍ以下）に形成されている。支持基板５の一表面部５ａに第２のクラッド膜８が固着されている。コアパターン７は、第２のクラッド膜８の一表面部に積層されて固着され、互いに異なる位置へ光を導く複数の光導波体４０を含んで構成される。また複数の電極挿通部９は、第２のクラッド膜８の一表面部に固着され、第１，第２のクラッド膜６，８で囲繞されるように形成されている。各電極挿通部９には、光配線基板２Ａの厚み方向Ｚに沿う貫通電極１０が設けられる。光導波路部材２は、直方体状に形成され、光配線基板２Ａ全体として、直方体状に形成される。
【００３８】
以下、光配線基板２Ａの一表面に垂直な方向を厚み方向Ｚと称する。また光配線基板２Ａの厚み方向Ｚに対して垂直な方向のうち、厚み方向Ｚに延びる軸線に垂直な投影面に投影した場合に厚み方向表面の長辺に沿って延びる方向を長手方向Ｘと称する。また光配線基板２Ａの厚み方向Ｚおよび長手方向Ｘに対してともに垂直な方向を幅方向Ｙと称する。
【００３９】
これらコアパターン７および電極挿通部９は、同一工程において同一材料から成る。該同一材料は透光性材料であり、たとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシラノール樹脂、ポリシラン、およびガラス（石英を含む）の少なくともいずれか一つによって実現される。第１および第２のクラッド膜６，８は、コアパターン７および電極挿通部９とは異なる透光性材料であって、コアパターン７の屈折率より低い透光性材料から成り、たとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシラノール樹脂、ポリシラン、およびガラス（石英を含む）の少なくともいずれか一つによって実現される。
【００４０】
コアパターン７を構成する各光導波体４０は、第１のクラッド膜６と第２のクラッド膜８とに覆われている。各光導波体４０は、それぞれ光路変換する光路変換部４０を有する。本実施の形態では、光路変換部１４は、光を反射する反射手段である反射膜１４によって実現される。反射膜１４は、光半導体素子３に設けられる発光部３Ａから発せられる光を反射する機能、光半導体素子３に設けられる受光部３Ａに光を導くべく光を反射する機能を有する。反射膜１４は、該反射膜１４の前駆体である傾斜部１３に、たとえばアルミニウムなどの反射材が蒸着されて形成される。前記傾斜部１３は、第１のクラッド膜６の一表面部６ａに対して傾斜して形成されているとともに、第１のクラッド膜６の一表面部６ａに対する傾斜角度がα（αは４１度以上４９度以下）に規定される。
【００４１】
このような傾斜部１３は、光路変換部４０に対応する位置のコアパターン７を工具で押圧することによって形成される。工具は、その押圧する圧子が一端部に向かうにつれて、縮径するように傾斜している部分を有し、たとえばダイヤモンド等の硬質材料からなる工具である。光路変換部４０に対応する位置のコアパターン７を押圧することによって、傾斜する傾斜部１３が形成される。
【００４２】
前記工具を構成する圧子は、先端角が９０°であって、中心線と稜線の角度が各４５°に加工される。圧子の稜線部分は、丸くしておくことが望ましい。丸くすることによって、圧子を圧入したときに、コアパターン７にクラックが入ることを防ぐことができる。圧子を圧入する圧力は、材料の種類や状態により異なるので、必要な形状が得られるように調整される。圧子は、コアパターン７を加工する以外の面の角度を任意に選定できるが、中心線からの角度が大きいと隣のコアパターン７に影響を与える場合があり、また、小さいとコアパターン７にクラックが発生しやすくなるので、中心線からの角度で３０°以上１２０°以下であることが望ましい。圧子は、傷つきにくいことからダイヤモンドが望ましいが、金属、セラミックスおよび超硬合金などを用いることができる。
【００４３】
この圧子を圧入するとき、コアパターン７は完全硬化している状態でもよく、半硬化状態であってもよい。コアパターン７は、完全硬化させた状態で圧子を圧入すると、コアパターン７にクラックが発生する場合がある。クラックの発生具合は使用するコアパターン７の材料によって異なる。クラックが発生する材料では、半硬化状態で圧子を圧入するのが良い。半硬化状態とは、２５％以上８０％以下の樹脂が反応した状態である。圧子を圧入する場合には、圧子の表面に離型剤を塗布する。離型剤は公知のものが使用でき、シリコン系の離型剤が効果的である。圧子を圧入後は、傾斜部１３への金属の蒸着の前に、プラズマクリーニングなどの方法で、傾斜部１３から離型剤を除去する。圧子を圧入するときは、第１クラッド層６の少なくとも一部を除去することが望ましい。除去しなければ、第１クラッド層６がコアパターン７に巻き込まれ光が散乱して、伝送損失が増加するからである。圧子は、一度に一箇所の加工を行えるものでも良いし、一度に多数の箇所が加工できるように構成してもよい。
【００４４】
第１クラッド層６をコアパターン７に形成する前の状態で、反射膜１４を形成することも可能である。この場合、加工済みのコアパターン７の表面に異物を付着させたり、傷をつける可能性があるため、注意が必要であるが、使用する材料の特性によっては、第１クラッド層６を塗布する前に加工する必要がある場合がある。
【００４５】
各光半導体素子３は、光配線基板２Ａに、導電性接合材である複数のバンプ２４を介して電気的にかつ機械的に接続されている。光半導体素子３は、電極挿通部９に形成される貫通電極１０にバンプ２４を介して電気的に接続されて、第１クラッド層６の他表面部６ｂである光導波路部材２の厚み方向Ｚ他表面部６ｂに実装されている。また各光半導体素子３には、複数のダミーバンプ２５が設けられ、光配線基板２Ａに電気的接続に供されないダミーバンプ２５を介して支持されている。各バンプ２４は、たとえば金（Ａｕ）から成る。さらに各ダミーバンプ２５は、たとえばＡｕから成り、互いに幅方向Ｙに離反し、各バンプ２４に対して長手方向Ｘにそれぞれ間隔をあけて配設されている。各光半導体素子３は、２つのバンプ２４および複数のダミーバンプ２５を介して、素子実装面部に実装されている。このようなバンプ２４およびダミーバンプ２５によって、光半導体素子３と第１のクラッド膜６の他表面部６ｂとが離間する。したがって光半導体素子３に設けられる発光部３Ａまたは受光部３Ａと、第１のクラッド膜６の他表面部６ｂとが非接触の状態に保持される。以下、発光部３Ａおよび受光部３Ａを受発光部３Ａと称すことがある。
【００４６】
光半導体素子３は、たとえば面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface
Emitting Laser：略称ＶＣＳＥＬ）によって実現され、光配線基板２Ａの素子実装面部に厚み方向Ｚ一方に向かってレーザ光を発し、発せられるレーザ光が傾斜部１３に形成される反射膜１４に照射されるように実装されている。
【００４７】
バンプ２４に接続する貫通電極１０の第１接続パッド１０Ａの表面部は、第１のクラッド膜６の他表面部６ｂであって光半導体素子３に臨む他表面部６ｂ、および光半導体素子３に臨む電極挿通部９の厚み方向Ｚ表面部９ａと同一平面、つまり長手方向Ｘおよび幅方向Ｙを含むＸＹ平面上に配設される。光半導体素子３に臨む他表面部６ｂ以外の第１のクラッド膜６の他表面部６ｂも、第１接続パッド１０Ａの表面部と同一平面、つまりＸＹ平面上に配設される。以後、第１のクラッド膜６を第１クラッド層６、コアパターン７をコア層７、第２のクラッド膜８を第２クラッド層８という場合がある。厚み方向Ｚに凹凸があるコアパターン７の反射膜１４および電極挿通部９を介在させたうえで、第２のクラッド膜８を積層するので、該第２のクラッド膜８の表面部には凹凸が生じ易いものの、積層の基端となる第１のクラッド膜６の他表面部６ｂは、第２のクラッド膜８の表面部に比べて平面度が高く保持される。
【００４８】
コアパターン７を構成する各光導波体４０は、第２のクラッド膜８の一表面部に沿って、予め定める光路方向Ｌに延び、光路方向Ｌに交差する交差方向Ｍに間隔をあけて設けられる。光路方向Ｌは、光を進行させるべき方向である。交差方向Ｍは、本実施の形態では光路方向Ｌに直交する方向である。光路方向Ｌおよび交差方向Ｍは、ＸＹ平面内の方向であって、長手方向Ｘおよび幅方向Ｙに互いに交差するように設定される。光路変換部１４である反射膜１４は、各光導波体４０の光路方向Ｌ一端部に設けられる。
【００４９】
各光導波体４０は、光路方向Ｌに沿ってたとえば長尺に形成され、光路方向Ｌおよび厚み方向Ｚに直交する前記交差方向Ｍに沿って狭ピッチで所定小距離δ１離間して形成される。少なくとも交差方向Ｍに隣接する各反射膜１４は、光路方向Ｌに互いに間隔をあけて設けられ、交差方向Ｍに関して所定小距離δ２離間して設けられる。各光導波体４０の交差方向Ｍの寸法ｄ１は、受光部３Ａに入射する光または発光部３Ａから出射する光（以下、単に「受発光部３Ａの入出光」ということがある）を光導波体４０の光路方向Ｌ一端部から光路方向Ｌ他端部まで確実に導光可能に設定される。各光導波体４０の光路方向Ｌ他端部は、光配線基板２Ａの長手方向Ｘ一端部に設けられる。各光導波体４０は、光配線基板２Ａの長手方向Ｘ一端部から対応する各受発光部３Ａに臨む位置まで、光路方向Ｌに沿って延びるように設けられる。
【００５０】
各光半導体素子３は、厚み方向Ｚから見て略正方形状である直方体状に形成され、厚み方向Ｚに延びる軸線に垂直な投影面に投影した場合に、一辺が長手方向Ｘに延び、一辺に直交する他辺が幅方向Ｙに延びるように、光配線基板２Ａに実装される。各光半導体素子３の各辺の寸法は、長さ寸法ｄ２である。各光半導体素子３は、長手方向Ｘに５個、間隔δ５をあけて並べられ、幅方向Ｙに２個、間隔δ６を開けて並べられ光配線基板２Ａに実装される。長手方向Ｘに並ぶ各光半導体素子３は、各受発光部３Ａが、幅方向Ｙに関して同一の位置となるように配置され、長手方向Ｘに隣接する受発光部３Ａまでの距離が所定距離δ３となるように設定される。また幅方向Ｙに並ぶ各光半導体素子３は、各受発光部３Ａが、長手方向Ｘに関して同一の位置となるように配置され、幅方向Ｙに隣接する受発光部３Ａまでの距離が所定距離δ４となるように設定される。また各光半導体素子３の受発光部３Ａと隣接する受発光部３Ａまでの距離（δ３およびδ４）は、たとえば互いに等しく設定される。
【００５１】
長手方向Ｘに対する光路方向Ｌの傾斜角度βは、距離δ１〜δ６，ｄ１，ｄ２に基づいて設定され、本実施の形態では、各光導波体４０が光配線基板２Ａの長手方向Ｘ一端部に達するように構成される。これによって光配線モジュール１の長手方向Ｘ一端部に、他の光配線モジュールと光信号を送受信するために接続手段を設ければよく、構成が簡単となる。
【００５２】
このようにして構成される光配線モジュール１は、中央演算処理装置（Central
Processing Unit：略称ＣＰＵ）などのＩＣ回路から電気配線、貫通電極１０およびバンプ２４を介して伝送される電気信号に基づいて、各光半導体素子３の発光部３Ａからレーザ光が厚み方向Ｚ一方に向かって出射される。レーザ光は、第１クラッド層６を透過して発光部３Ａが臨む位置の傾斜部１３に至る。傾斜部１３は、光路方向Ｌ一方に向かうにつれて厚み方向Ｚ一方に対してたとえば４５度に傾斜し、この傾斜部１３に反射膜１４が形成されている。これによってレーザ光は、光路方向Ｌ一方に向かって反射され、光路方向Ｌ方向一方に導波される。このようにして光配線モジュール１は、ＩＣ回路から伝送される電気信号に基づいて、発せられるレーザ光を光信号として用い、前記電気信号を光信号に変換し、伝送することができる。
【００５３】
以上説明したように本実施の形態の光配線基板２Ａによれば、光導波路部材２は、第１，第２のクラッド膜６，８と、コアパターン７とを有する。これらのうちコアパターン７は、第１のクラッド膜６の一表面部６ａに積層され、互いに異なる位置へ光を導く複数の光導波体４０を有する。各光導波体４０は、光路変換する光路変換部１４である反射膜１４を有し、第１のクラッド膜６の一表面部６ｂに沿って、光路方向Ｌに延び、交差方向Ｍに間隔をあけて設けられる。交差方向Ｍに隣接する各反射膜１４は、光路方向Ｌに互いに間隔をあけて設けられる。これによって各反射膜１４は、隣接する反射膜１４と、交差方向Ｍおよび光路方向Ｌに互いに間隔をあけて設けられるので、各反射膜１４間の距離を、交差方向Ｍおよび光路方向Ｌに沿う距離よりも大きくすることができる。したがって光路方向Ｌと交差方向Ｍとを含む仮想平面内で、光路方向Ｌと交差方向Ｍとに互いに交差する方向である長手方向Ｘおよび幅方向Ｙへ、各反射膜１４を用いるために光配線基板２Ａに実装される光半導体素子３を複数配列した場合であっても、光路方向Ｌと配列する方向とが異なるので、各光導波体４０が重複することなく、光配線基板２Ａの実装可能な面部の領域を有効に用いることができる。したがって光半導体素子３を密に配列することができ、光配線基板２Ａを小形化することができる。
【００５４】
光配線モジュール１は、前記光配線基板２Ａと複数の光半導体素子３とを有する。各光半導体素子３に設けられる受発光部３Ａは、各反射膜１４にそれぞれ臨んで設けられる。前述したように各反射膜１４は、隣接する反射膜１４と、交差方向Ｍおよび光路方向Ｌに互いに間隔をあけて設けられるので、各反射膜１４間の距離を、交差方向Ｍおよび光路方向Ｌに沿う距離よりも大きくすることができる。光半導体素子３に設けられる受発光部３Ａは、各反射膜１４にそれぞれ臨んで設けられるので、各光半導体素子３を光路方向Ｌと交差方向Ｍとを含む仮想平面内で、光路方向Ｌと交差方向Ｍとに互いに交差する方向である長手方向Ｘおよび幅方向Ｙへ複数配列した場合であっても、光路方向Ｌと配列する方向とが異なるので、各光導波体４０が重複することなく、光配線基板２Ａの実装可能な面部の領域を有効に用いることができる。したがって光半導体素子３を密に配列することができ、光配線モジュール１を小形化することができる。
【００５５】
また本実施の形態では、光導波体４０の端部には、光を反射する反射膜１４が形成され、この反射膜１４によって光路変換可能な光路変換部１４を実現することができる。反射膜１４は、該反射膜１４の前駆体である傾斜部１３に反射材が蒸着されて形成され、傾斜部１３は、第１のクラッド膜６の一表面部６ａに対する傾斜角度αが４１度以上４９度以下に規定されるので、光導波路部材２を薄肉化しつつ光を光路方向Ｌに直線状に伝播することが可能となる。このように光配線基板２Ａの薄肉化を図ることができる。光配線基板２Ａを多層化する際に、厚み方向Ｚの寸法を低減することができ、該光配線基板２Ａを搭載する装置への汎用性を高めることが可能となる。
【００５６】
また本実施の形態では、光半導体素子３に設けられる発光部３Ａまたは受光部と、第１のクラッド膜６の他表面部６ｂとが非接触の状態に保持されているので、次のような効果を奏する。熱膨張などに起因して受発光部３Ａと、前記第１のクラッド膜６の他表面部６ｂとが接触して、受発光部３Ａが損傷することを未然に防止することができる。したがって従来技術のように、熱膨張率差を考慮したうえで各積層体を積層させる必要がなくなる。このように光配線モジュール１の製造を簡単化でき、製造コストの低減を図ることができる。
【００５７】
本実施の形態では、コアパターン７の光路方向Ｌ一端部に反射膜１４が形成されているが、必ずしも光路方向Ｌ一端部だけに限定されるものではない。つまり反射膜１４は、少なくとも隣接する反射膜１４が光路方向Ｌに互いに間隔をあけて設けられていればよく、各光導波体４０の光路方向Ｌの一部、たとえば光路方向Ｌ中間部に形成されていてもよい。
【００５８】
本実施の形態では、ＶＣＳＥＬを光半導体素子３として用いているけれども、必ずしもＶＣＳＥＬに限定されない。たとえば端面発光型レーザダイオードでもよく、レーザ光を照射可能なものであればよい。また光半導体素子として、受光素子を光配線基板２Ａに配設してもよい。受光素子を配設することによって、受光素子で光導波路４０を導波する光を受光し、この受光した光を電気信号に変換することによって、２つの装置間の信号の伝送が可能になる。
【００５９】
図４は、本実施の形態の他の例の光配線モジュール１ａを示す平面図である。本例の光配線モジュール１ａは、前述の光配線モジュール１の各光導波体４０と構成が異なる。本例の各光導波体４０ａは、幅方向Ｙ一方寄りに配置される５個の光半導体素子３と、幅方向Ｙ他方寄りに配置される５個の光半導体素子３とで、各光導波体４０ａによって導光する光の長手方向Ｘに関する位置が異なる。幅方向Ｙ一方寄りに配置される５個の光半導体素子３は、光配線基板２Ａの長手方向Ｘ一端部に各光導波体４０ａの光路方向Ｌ他端部が設けられる。幅方向Ｙ他方寄りに配置される５個の光半導体素子３は、光配線基板２Ａの長手方向Ｘ他端部に各光導波体４０ａの光路方向Ｌ他端部が設けられる。このような構成によっても、前述の光配線モジュール１と同様の作用および効果を達成することができる。
【００６０】
図５は、本実施の形態のさらに他の例の光配線モジュール１ｂを示す平面図である。本例の光配線モジュール１ｂは、前述の光配線モジュール１の各光導波体４０と構成が異なる。本例の各光導波体４０ｂは、幅方向Ｙ一方寄りに配置される５個の光半導体素子３と、幅方向他方寄りに配置される５個の光半導体素子３とで、各光導波体４０ｂによって導光する光路方向Ｌおよび交差方向Ｍが異なる。幅方向Ｙ一方寄りに配置される５個の光半導体素子３は、光配線基板２Ａの長手方向Ｘ一端部に各光導波体４０ｂの光路方向Ｌ１他端部が設けられる。幅方向Ｙ他方寄りに配置される５個の光半導体素子３は、光配線基板２Ａの長手方向Ｘ一端部に各光導波体４０ｂの光路方向Ｌ２他端部が設けられる。
【００６１】
光路方向Ｌ１は、前述の光路方向Ｌと同一の方向であり、光路方向Ｌ２は、長手方向Ｘを軸線として、光路方向Ｌ１の軸対称の方向である。交差方向Ｍ１，Ｍ２は、それぞれ光路方向Ｌ１，Ｌ２に直交する。このように長手方向Ｘに隣接する反射膜１４に関してのみ、光路方向Ｌ１，Ｌ２および交差方向Ｍ１，Ｍ２に間隔をあけるように構成してもよい。このような構成によっても、前述の光配線モジュール１と同様の作用および効果を達成することができる。
【００６２】
次に本発明の第２の実施形態に係る光配線モジュール１Ａに関して説明する。図６は、光配線モジュール１Ａの一部を拡大して示す断面図である。図６では、理解を容易にするために、光配線モジュール１Ａを構成する１つの光半導体素子３と光配線基板２Ａとが関連する構成に関して示す。本実施の形態の光配線モジュール１Ａは、反射膜１４Ａの構成に特徴を有する。前述の第１の実施形態の光配線モジュール１では、反射膜１４の前駆体である傾斜部１３は、ＸＹ平面に対して傾斜する平坦状に形成されるが、本実施の形態では傾斜部１３ＡはＸＹ平面に対して湾曲する凸曲面形状に形成される。
【００６３】
傾斜部１３Ａは、凸曲面形状に形成されるので、圧子の表面は凸面に加工される。圧子の表面が平坦な形状であっても、次の加工方法で傾斜部１３Ａを凸曲面形状に加工することができる。圧子の圧入加工は、コアパターン７の弾塑性変形可能な領域で行われる。弾塑性変形可能な領域は、５０％から９０％の樹脂が硬化反応し、室温および常圧の雰囲気である。このような状態のコアパターン７に圧子を圧入すると、材料は塑性変形して凹むが、圧子を除去した時点で一部の樹脂が弾性変形することで凸曲面形状となる。このような方法では、圧子に複雑な凸面加工を施す必要がなくなるため、加工コストおよび加工時間を大幅に低減することができる。特に、ダイヤモンドの圧子を用いる場合には有効である。
【００６４】
傾斜部１３Ａの曲率は、弾塑性変形の特性を調整することで、任意に選択できる。すなわち、弾性変形の割合が多い状態であれば、圧子圧入後の凸状の戻りが大きいので、傾斜部１３Ａの凹みは大きくなり、逆に、塑性変形の割合が大きければ、圧子圧入後の凸状の戻りが小さいため、傾斜部１３Ａの凹みは小さくなる。圧子圧入時にクラックが発生した場合であっても、接着剤を充填することで、それ以上のクラックの進展を防止することができる。
【００６５】
傾斜部１３Ａは、発光部３Ａから発せられる光が反射した光の進行方向とは逆方向でかつ発光部３Ａから発せられる光の出射方向に突出する凸曲面形状に形成される。これによって第１の実施形態のように傾斜部１３を平坦状に形成するものに比べて、集光特性を高めることができる。したがって、発光部３Ａに対する反射膜１４Ａの位置決め精度を、従来技術のものより高めることなく光路変換を実現できる。それ故、光配線基板２Ａの製造を簡単化でき、製造コストの低減を図ることができる。
【００６６】
次に本発明の第３の実施形態に係る光配線モジュール１Ｂに関して説明する。図７は、光配線モジュール１Ｂの一部を拡大して示す断面図である。図７では、理解を容易にするために、光配線モジュール１Ｂを構成する１つの光半導体素子３に関して示す。本実施の形態の光配線モジュール１Ｂは、第１のクラッド膜６の構成に特徴を有する。本実施の形態の第１のクラッド膜６は、光半導体素子３の受発光部３Ａに臨む位置に、受光部３Ａに導かれる光または発光部３Ａから出射される光を集光するマイクロレンズ１００が設けられる。
【００６７】
マイクロレンズ１００は、厚み方向Ｚ他方に凸となるように、換言すると反射膜１４に向かって凸となるように構成される。これによって受発光部３Ａをマイクロレンズ１００の焦点付近に配置することができる。またマイクロレンズ１００は、第１のクラッド膜６と一体に形成される。
【００６８】
このようにマイクロレンズ１００を第１のクラッド膜６に設けることによって集光特性を高めることができ、受発光部３Ａに対する反射膜１４の位置決め精度を、従来技術のものより高めることなく光路変換を実現できる。
【００６９】
またマイクロレンズ１００は、第１のクラッド膜６と一体に形成されるので、マイクロレンズ１００を別体で設けるよりも、マイクロレンズ１００を容易に製造することができる。それ故、光配線基板２Ａの製造を一層簡単化でき、製造コストの低減を一層図ることができる。
【００７０】
次に本発明の第４の実施形態に係る光配線モジュール１Ｃに関して説明する。図８は、光配線モジュール１Ｃの一部を拡大して示す断面図である。図８では、理解を容易にするために、光配線モジュール１Ｃを構成する１つの光半導体素子３と光配線基板２Ａとが関連する構成に関して示す。本実施の形態の光配線モジュール１Ｃは、封止部材６０を含んで構成される点に特徴を有する。封止部材６０が、前記間隙に設けられることによって、各光半導体素子３の受発光部３Ａと、第１のクラッド膜６の他表面部６ｂとが非接触状態に保持される。
【００７１】
光半導体素子３と光配線基板２Ａとの間には、受発光部３Ａを除き封止部材６０が設けられる。封止部材６０は、受発光部３Ａを除いて、その受発光部３Ａの外周を覆って、密に充填される。この封止部材６０は、非透光性を有するアンダーフィル樹脂（たとえばエポキシ樹脂）から成り、受発光部３Ａと、第１のクラッド膜６の他表面部６ｂとを非接触の状態に保持するように充填されている。これによって封止部材６０は、受発光部３Ａの入出光が光半導体素子３の外方に出射することを防止する機能を有する。ただし封止部材６０には、受発光部３Ａと反射膜１４との間で送受する光がアンダーフィル樹脂に干渉しないように、円筒孔状(ただし円筒形でなくてもよい)で厚み方向Ｚに貫通する封止部材用透孔６１が形成されている。
【００７２】
また、この非光透過性のアンダーフィル樹脂とは、使用する波長の光（たとえば８５０ｎｍ）に対する樹脂１ｃｍあたりの光の透過量が投入量に対して−３０ｄＢ以上のものであり、望ましくは−４０ｄＢ以上のものが好適である。また、非光透過性の樹脂とは、外部からの光（たとえば白色光）に対しても、樹脂１ｃｍあたりの光の透過量が投入量に対して−３０ｄＢ以上、望ましくは−４０ｄＢ以上のものであればさらに好適である。さらに、この光の透過効率の測定方法としては、光源（たとえばＬＥＤもしくはＬＤ）からの光を第１の光ファイバに光を導入し、非光透過性の樹脂をその光ファイバからの出射光が投入されるように配置し、該出射光を第２の光ファイバに伝送させて、第２の光ファイバから出射された光の光量をパワーメータにて測定する。他方、樹脂を介在させない状態で２つの光ファイバを伝送させて光の光量を測定する。そして、この測定によって得られた光量の比より光の透過効率を算出する。
【００７３】
封止部材透孔６１を成す透孔部には光透過性を有する透明な樹脂から成る透光性部材１０１が注入される。これによって少なくとも各光半導体素子３の受発光部３Ａと反射膜１４との間には、光透過性の樹脂から成る透光部材１０１が設けられる。透光部材１０１は、各光半導体素子３と光配線基板２Ａとの両方に当接するように設けられる。したがって各光半導体素子３と光配線基板２Ａとが、透光部材１０１によって機械的に接続される。換言すると、透光部材１０１は、各光半導体素子３と第１のクラッド膜６の他表面部６ｂとの相対的な変位を規制するように設けられる。
【００７４】
ここで、透光部材１０１とは、使用する波長の光（たとえば８５０ｎｍ）に対する透光部材１ｃｍあたりの光の減衰量(損失)が、投入した光の量に対して６ｄＢ以下のものである。望ましくは３ｄＢ以下のものが好適に用いられ、最適には０．５ｄＢ以下がよい。さらに、この光の減衰量の測定方法としては、光源（たとえばＬＥＤもしくはＬＤ）からの光を第１の光ファイバに光を導入し、非光透過性の樹脂をその光ファイバからの出射光が投入されるように配置し、該出射光を第２の光ファイバに伝送させて、第２の光ファイバから出射された光の光量をパワーメータにて測定する。他方、樹脂を介在させない状態で２つの光ファイバを伝送させて光の光量を測定する。そして、この測定によって得られた光量の比より光の減衰量を算出する。
【００７５】
透光部材１０１の材料は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびシリコン樹脂など透光性の樹脂であれば、いずれも使用可能である。また、透光部材１０１の樹脂は、固体であっても液体であっても良く、またゴム状であっても良い。この樹脂は、光半導体素子３の受発光部あるいは対応する基板表面（つまり他表面部６ｂ）の位置（図８において符号６１ａと表記する）、あるいはその両方に塗布する。その後、光半導体素子３を実装する。透光部材１０１以外の部分は通常のアンダーフィル剤を塗布してもよい。
【００７６】
以上説明したように、本実施の形態の光配線モジュール１Ｃでは、封止部材６０が設けられ、封止部材６０は非光透過性の樹脂から成り、各光半導体素子３に設けられる受発光部３Ａと、隣接する光半導体素子３の受発光部３Ａとの間に設けられる。受発光部３Ａの入出光は、隣接する光半導体素子３との距離が近いと、隣接する光半導体素子３の受発光部３Ａに不所望に入射し、いわゆるクロストークが発生するおそれがあるが、本実施の形態のように封止部材６０を設けることによって、隣接する光半導体素子３の受発光部３Ａに不所望に入射することを確実に防ぎ、クロストークの発生を防止することができる。これによって光配線基板２Ａに接続される光半導体素子３の単位面積あたりの個数を増加させて、隣接する光半導体素子３までの距離（δ３およびδ４）が小さくなった場合であっても、隣接する光半導体素子３の受発光部３Ａの入出光に起因してクロストークが発生することを防止することができる。したがって光半導体素子３を高密度に光配線基板２Ａに実装することができ、光配線モジュールを小形化することができる。たとえば複数のミラー片および回折格子を用いてクロストークの発生を抑制する先行技術に比べて、光配線モジュール１Ｃの製造を簡単化でき、製造コストの低減を図ることができる。
【００７７】
また本実施の形態では、少なくとも光半導体素子３の受発光部３Ａと反射膜１４との間には、透光性樹脂から成る透光部材１０１が設けられているので、次のような効果を奏する。該透光性樹脂から成る透光部材１０１で、受発光部３Ａ、反射膜１４間の光路を確保したうえで、光半導体素子３、第１のクラッド膜６間に樹脂を充填し、非接触の状態に容易に保持することが可能となる。しかも熱膨張などに起因して受発光部３Ａが損傷することを確実に防止することができる。
【００７８】
さらに本実施の形態では、透光部材１０１は、各光半導体素子３と光配線基板２Ａとを機械的に接続するので、各光半導体素子３と光配線基板２Ａとの相対位置を固定することができる。これによって各光半導体素子３と光配線基板２Ａとが、熱膨張などに起因して、不所望に相対位置が変位することを防ぐことができる。
【００７９】
本実施の形態では、透光部材１０１は、封止部材６０に形成される封止部材用透孔６１に注入されて実現されているがこれに限ることはない。封止部材を各バンプ２４，２５の外方から覆うように設けて、光半導体素子３が光配線基板２Ａに臨む空間に、透光部材１０１を設けるようにしてもよい。これによって、透光部材１０１によって、より確実に、各光半導体素子３と光配線基板２Ａとを機械的に接続することができる。
【００８０】
次に本発明の第５の実施形態に係る光配線モジュール１Ｄに関して説明する。図９は、光配線モジュール１Ｄの一部を拡大して示す断面図である。図９では、理解を容易にするために、光配線モジュール１Ｄを構成する１つの光半導体素子３と光配線基板２Ａとが関連する構成に関して示す。本実施の形態の光配線モジュール１Ｄは、封止部材６０が、光半導体素子３と光配線基板２Ａとの間隙のみならず、光半導体素子３をその外周に沿って密に設けられて、光半導体素子３を囲繞する点に特徴を有する。
【００８１】
封止部材６０は、着色された非光透過性の樹脂から成る。この封止部材６０は、光半導体素子３と光配線基板２Ａとの間隙のみならず、光半導体素子３をその外周に沿って囲繞するものである。封止部材６０は、光半導体素子３の外周に付着し、光半導体素子３と、その近傍の第１のクラッド膜６の他表面部６ｂとを一体で覆うように設けられる。該封止部材６０にも、受発光部３Ａ、反射膜１４間で送受する光が封止部材６０に干渉しないように、円筒孔状で厚み方向Ｚに貫通する封止部材用透孔６３が形成されている。
【００８２】
このように光半導体素子３と光配線基板２Ａとの間隙には、発光部３Ａおよび受光部３Ａを除き、非光透過性の樹脂から成る封止部材６０が設けられているので、クロストークの発生を簡単に抑制することが可能となる。たとえば複数のミラー片および回折格子を用いてクロストークの発生を抑制する先行技術に比べて、光配線モジュールの製造を簡単化でき、製造コストの低減を図ることができる。封止部材６０は、光半導体素子３をその外周に沿って囲繞するものであるから、クロストークの発生をより一層抑制することが可能となる。封止部材６０を光半導体素子３の外周に沿って囲繞し、かつ前記間隙に充填するだけでクロストークを抑制する条件を満たすので、封止部材の製造工程を簡単化できる。また封止部材６０は着色されていることで、クロストークを効果的に抑制することができる。
【００８３】
また本実施の形態では、封止部材６０を隣接する光半導体素子３に当接するように設けてもよい。換言すると、封止部材６０を、光半導体素子３と隣接する光半導体素子３との間隙に充填するように設けてもよい。これによって隣接する光半導体素子３までの距離が微小の場合であっても、確実に隣接する光半導体素子３間で遮光することができる。
【００８４】
前述の各実施の形態では、光半導体素子３の発光部３Ａから出射される光に関してのみ、図に示して説明しているが、これに限ることはなく、受光部３Ａに入射する光半導体素子３であっても、同様の構成で、同様の作用および効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光配線モジュール１を示す平面図である。
【図２】光配線モジュール１の一部を拡大して示す斜視図である。
【図３】光配線モジュール１の一部を拡大して示す断面図である。
【図４】本実施の形態の他の例の光配線モジュール１ａを示す平面図である。
【図５】本実施の形態のさらに他の例の光配線モジュール１ｂを示す平面図である。
【図６】光配線モジュール１Ａの一部を拡大して示す断面図である。
【図７】光配線モジュール１Ｂの一部を拡大して示す断面図である。
【図８】光配線モジュール１Ｃの一部を拡大して示す断面図である。
【図９】光配線モジュール１Ｄの一部を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  光配線モジュール
２  光導波路部材
２Ａ  光配線基板
３  光半導体素子
３Ａ  受発光部
５  支持基板
６  第１のクラッド膜
７  コアパターン
１４  反射膜
４０  光導波体
６０，６２  封止部材
１００  マイクロレンズ
１０１  透光部材
【図１】
2007178950.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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