(57)【要約】【課題】仮に曲げられた場合であっても、半導体装置に搭載されている複数の回路部同士の接続配線が分断されず、正常な動作を行うことが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】補強層２と、補強層上に積層された半導体基体３と、半導体基体３の補強層とは反対側の面３ａに形成された少なくとも２以上の回路部４ａ、４ｂと、半導体基体３の各回路部４ａ、４ｂの間に形成された被変形部５と、半導体基体３の補強層２とは反対側の面３ａ上に形成され被変形部５の上を横切って回路部４ａ、４ｂ同士を電気的に接続する配線パターン６と、を具備してなることを特徴とする半導体装置１を採用する。【選択図】図３
2007251099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強層と、前記補強層上に積層された半導体基体と、前記半導体基体の前記補強層とは反対側の面に形成された少なくとも２以上の回路部と、前記半導体基体の前記各回路部の間に形成され前記回路部同士を分断する被変形部と、前記半導体基体の前記補強層とは反対側の面上に形成され前記被変形部の上を横切って前記回路部同士を電気的に接続する配線パターンと、を具備してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基体が平面視略長方形状であり、前記被変形部が前記半導体基体の長辺と直交する方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記被変形部が、前記半導体基体の前記各回路部の間であって前記補強層とは反対側の面に設けられ前記半導体基体の割れを誘導する凹部または溝部と、前記凹部または前記溝部に充填された低弾性の樹脂とから構成され、前記配線パターンが、前記低弾性の樹脂の上を通ることによって前記被変形部を横切っていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記補強層がダイアタッチフィルムであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
補強層及び前記補強層上に積層され前記補強層とは反対側の面に複数の回路部が形成されてなる半導体ウェーハを用意する工程と、
前記半導体ウェーハ及び前記補強層をダイシングすることによって、前記補強層上に少なくとも２以上の前記回路部が含まれる半導体基体が積層されてなる複数の半導体チップを形成した後、または形成する前に、前記半導体ウェーハまたは前記半導体チップの前記各回路部同士の間に割れを誘導する凹部または溝を形成する工程と、
前記凹部又は前記溝に低弾性の樹脂を充填することにより被変形部を形成する工程と、
前記半導体基体の前記補強層とは反対側の面上に、前記被変形部を横切って前記半導体基体における前記各回路部を電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記凹部または前記溝の形成を、前記半導体ウェーハ及び前記補強層をダイシングする際に用いたダイシングブレードによって行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
導電性粒子を含有する塗布液を液滴吐出法により吐出してから乾燥することによって前記配線パターンを形成することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記補強層がダイアタッチフィルムであることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものであり、特にフレキシブルに形状を変形させることが可能な電子デバイスに搭載される半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カードサイズの電子機器をはじめ、身近な電子機器は薄型にかつ軽量になっている。これに伴い、電子機器に搭載される各種デバイスも薄くなると同時にデバイス自体の剛性、特に曲げ応力に耐えられる事が求められている。
このようなデバイスの一例として、液晶表示バネル（ＬＣＤ）の表示部を駆動するための駆動用ＩＣチップ（半導体装置）を例にとれば、半導体ウェーハの一面上に回路部を形成してから、一面と反対側の他面を研削することによって、厚さ５０μｍ以下の駆動用ＩＣチップの製造が可能になっている。
【０００３】
一般に、回路部形成面（一面）側に回路部が形成された半導体ウェーハは、最初に裏面研削工程で回路形成面の反対側の面（他面）を研削することにより半導体ウェーハの厚みを減少させる。所定の厚みとされた半導体ウェーハはその後、ダイシング工程でダイシングブレードにより所定形状の半導体チッブに分割される。また、他の方法として、予めダイシングブレードによって半導体ウェーハ表面から所定の深さまで溝状のハーフカットを形成し、半導体ウェーハの回路形成面側に保護テープを貼り付け、その後に他面を研削する先ダイシング法（ＤＧＢ法）といった手段もある。
【０００４】
また、上記のいずれかの方法で薄型化された駆動用ＩＣチップを前記表示パネルと電気的に接続する際の接続方法としては、ポリイミド樹脂薄膜ベース等に銅配線が形成されてなるテープキャリアフィルムに駆動用ＩＣチップを実装したＴＣＰ法（Tape Carrier Package）と、駆動用ＩＣチップを表示装置に直接実装するＣＯＧ法（Chip On Glass）法とが知られている。
【０００５】
このＣＯＧ法としては駆動用ＩＣチップに電極を形成し、絶縁性接着剤中に導電性粒子が拡散されて混在されてなる異方性導電剤により接続する方法が主流となっている。しかし、ＣＯＧ法により製造された表示パネルには、外部応力が加えられた際に駆動用ＩＣチップが割れてしまい、表示ができなくなるという問題があった。
【０００６】
以上の問題を解決する方法として、例えば下記特許文献１には、駆動用ＩＣチップの回路部面側に割れを誘導する溝を予め形成し、この溝によって回路が電気的に分断された部位を電気的に接続する接続配線を形成して、駆動用ＩＣチップが割れた場合でも正常に動作が継続できる表示パネルの構造が提案されている。
【特許文献１】特開２００５−２９２５０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載の方法を用いた場合でも、電子ペーパーのようにフレキシブルに変形自在な表示部を有し、駆動用ＩＣチップ自体の曲げ使用まで想定した表示装置においては、最初に形成した溝が完全に分断されると同時に接合配線も断線されてしまい、正常動作が継続されない虞があった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、仮に曲げられた場合であっても、半導体装置に搭載されている複数の回路部同士の接続配線が分断されず、正常な動作を行うことが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の半導体装置は、補強層と、前記補強層上に積層された半導体基体と、前記半導体基体の前記補強層とは反対側の面に形成された少なくとも２以上の回路部と、前記半導体基体の前記各回路部の間に形成され前記回路部同士を分断する被変形部と、前記半導体基体の前記補強層とは反対側の面上に形成され前記被変形部の上を横切って前記回路部同士を電気的に接続する配線パターンと、を具備してなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置においては、前記半導体基体が平面視略長方形状であり、前記被変形部が前記半導体基体の長辺と直交する方向に沿って形成されていることが好ましい。
更に、本発明の半導体装置においては、前記被変形部が、前記半導体基体の前記各回路部の間であって前記補強層とは反対側の面に設けられ前記半導体基体の割れを誘導する凹部または溝部と、前記凹部または前記溝部に充填された低弾性の樹脂とから構成され、前記配線パターンが、前記低弾性の樹脂の上を通ることによって前記被変形部を横切っていることが好ましい。
尚、本明細書においては、半導体基体の厚み方向の途中まで切り欠いてなるものを凹部と呼び、半導体基体の厚み方向全部を切り欠いてなるものを溝と呼ぶ。すなわち、凹部の場合は切り欠きが補強層まで達せず、溝の場合は切り欠きが補強層まで達した状態になる。
また、本発明の半導体装置においては、前記補強層がダイアタッチフィルムであることが好ましい。
【００１０】
上記の半導体装置によれば、半導体基体に回路部同士を分断する被変形部と、被変形部の上を横切って回路部同士を電気的に接続する配線パターンとが備えられているので、半導体装置に外部応力が印加された場合であっても、被変形部が変形することで応力が緩和され、これにより半導体装置自体の破損を防止できる。また、配線パターンが被変形部の上を横切って形成されているので、外部応力が加わって被変形部が変形したとしても、配線パターンが断線される虞がなく、これにより半導体装置自体の機能を正常に保つことができる。
また、補強層の上に半導体基体が積層されているので、半導体基体に外部応力が印加されて割れた場合であっても、割れた断片同士が補強層上に留まり、半導体装置自体の分解を防止できる。
また、上記の半導体装置によれば、被変形部が半導体基体の長辺と直交する方向に沿って形成されているので、外部応力が印加された際に被変形部に応力をより集中させることができ、これにより半導体装置の破損を防止できる。
更に、上記の半導体装置によれば、前記被変形部が凹部または溝と、これら凹部または溝の内部に充填された低弾性の樹脂からなり、被変形部に外部応力が印加された場合に、凹部または溝の変形に応じて低弾性の樹脂が追従して変形するので、被変形部に段差が生じる虞がない。このため、低弾性の樹脂の上を通る配線パターンは被変形部において断線される虞がなく、半導体装置自体の機能を正常に保つことができる。
また、上記の半導体装置によれば、補強層がダイアタッチフィルムなので、半導体装置をそのまま表示装置等にフェイスアップマウント実装をすることができる。
【００１１】
次に、本発明の半導体装置の製造方法は、補強層及び前記補強層上に積層され前記補強層とは反対側の面に複数の回路部が形成されてなる半導体ウェーハを用意する工程と、前記半導体ウェーハ及び前記補強層をダイシングすることによって、前記補強層上に少なくとも２以上の前記回路部が含まれる半導体基体が積層されてなる複数の半導体チップを形成した後、または形成する前に、前記半導体ウェーハまたは前記半導体チップの前記各回路部同士の間に割れを誘導する凹部または溝を形成する工程と、前記凹部又は前記溝に低弾性の樹脂を充填することにより被変形部を形成する工程と、前記半導体基体の前記補強層とは反対側の面上に、前記被変形部を横切って前記半導体基体における前記各回路部を電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、を具備してなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記凹部または前記溝の形成を、前記半導体ウェーハ及び前記補強層をダイシングする際に用いたダイシングブレードによって行うことが好ましい。
更に、本発明の半導体装置の製造方法においては、導電性粒子を含有する塗布液を液滴吐出法により吐出してから乾燥することによって前記配線パターンを形成することが好ましい。
更にまた、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記補強層がダイアタッチフィルムであることが好ましい。
【００１２】
上記の半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェーハ及び補強層をダイシングして半導体チップを切り出したのち、または切り出す前に、凹部または溝部を設けるので、凹部または溝部を形成する際には、半導体ウェーハまたは半導体チップのどちらとも補強層上に積層された状態にある。これにより、凹部または溝部の形成によって半導体ウェーハまたは半導体チップを分断させることがない。
また、凹部または溝部に低弾性の樹脂を充填してから配線パターンを形成するので、配線パターンが凹部または溝部によって分断される虞がなく、半導体基体上の回路部同士を電気的に接続することができる。
また、上記の半導体装置の製造方法によれば、凹部または溝部の形成を、半導体ウェーハ及び補強層をダイシングする際に用いたダイシングブレードによって行うので、製造工程を簡素化できる。
また上記の半導体装置の製造方法によれば、前記補強層としてダイアタッチフィルムを用いるので、製造された半導体装置をそのまま表示装置等にフェイスアップマウント実装させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（半導体装置の一例）
本発明の実施形態の半導体装置の一例について、図面を参照して説明する。図１は本実施形態の半導体装置の一例を示す平面模式図であり、図２は、図１の断面模式図であり、図３は、図１及び図２に示す半導体装置の要部を示す拡大断面模式図である。尚、本実施形態において説明する図は、半導体装置の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１４】
図１及び図２に示す半導体装置１は、補強層２と、補強層２上に積層された半導体基体３と、半導体基体３に形成された２つの回路部４ａ、４ｂと、半導体基体３に形成された被変形部５と、回路部４ａ、４ｂを電気的に接続する配線パターン６とから概略構成されている。
【００１５】
補強層２は、半導体基体３とほぼ同じ大きさとされ、半導体基体３の回路部４ａ、４ｂの形成面とは反対側の面に配置されている。補強層２の具体例としては、厚み１０〜２０μｍ程度のダイアタッチフィルムを例示できる。
【００１６】
半導体基体３は、平面視長方形状の半導体材料からなるものであり、例えばドーパントが添加された単結晶シリコンから構成されている。半導体基体３の厚みは５μｍ〜６５０μｍの範囲とされている。この半導体基体３の補強層２とは反対側の一面３ａには、２つの回路部４ａ、４ｂが形成されている。回路部４ａ、４ｂはいわゆる集積回路であって、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子が含まれて構成されている。回路部４ａ、４ｂは通常の半導体デバイスの形成プロセスによって製造される。各回路部４ａ、４ｂからは、回路部４ａ、４ｂ同士を電気的に接続するための端子配線４ａ１、４ｂ１がそれぞれ引き出されており、各端子配線４ａ１、４ｂ１は、後述する配線パターン６によってそれぞれ接続されている。
【００１７】
次に、図１〜図３に示すように被変形部５は、半導体基体３の各回路部４ａ、４ｂの間に形成されており、回路部４ａ、４ｂ同士を分断している。また、被変形部５は、外部応力が加わった際に被変形部５が変形しやすいように、半導体基体３の長辺と直交する方向に沿って形成されている。この被変形部５は、外部応力が印加された場合に被変形部５自体が変形して応力を緩和させ、これにより回路部４ａ、４ｂ自体の破壊を防止している。本例の被変形部５は、半導体基体３の割れを誘導する断面視略Ｖ字状の溝部５ａと、この溝部５ａに充填された低弾性の樹脂５ｂとから構成されている。図３に示すように、本例においては溝部５ａが補強層２にまで達していることから、本明細書では溝部と称している。従って溝部５ａの深さは半導体基体３の厚みと同じであり、５μｍ〜６５０μｍの範囲とされている。また、溝部５ａの開き角度は例えば６０°〜９０°の範囲とされている。半導体装置１に外部応力が加わると、この溝部５ａに対して応力が集中し、溝部５ａが破断されて被変形部５自体が変形する。
また、低弾性の樹脂５ｂとしては、例えばシリコーンゴムやオレフィン系ポリマー等を例示できる。この樹脂５ｂは、被変形部５に外部応力が印加された場合に、溝部５ａの変形に追従して変形させる必要があることから、例示したような低弾性の樹脂が好ましく用いられる。
【００１８】
次に、配線パターン６は、半導体基体３の補強層２とは反対側の一面３ａ上に形成されており、被変形部５の上を横切って回路部４ａ、４ｂ同士を電気的に接続している。より具体的には、配線パターン６によって回路部４ａ、４ｂの各端子配線４ａ１、４ｂ１が結線されており、これにより回路部４ａ、４ｂ同士が電気的に接続されている。配線パターン６の厚みは１μｍ〜１０μｍの範囲とされている。配線パターン６がこの範囲より薄くなると、配線パターン６が断線しやすくなるので好ましくない。また、配線パターン６がこの範囲より厚くなると、配線パターン６の柔軟性が失われてしまい、被変形部５の変形に追従しきれずに断線してしまうので好ましくない。
配線パターン６の材料は、特に限定されず、既に公知となっているいずれかの配線を利用してもよい。例えば、配線パターン６は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。この配線パターン６は、例えば液滴吐出法により形成される。
【００１９】
上記構成の半導体装置１によれば、半導体基体３に回路部４ａ、４ｂを分断する被変形部５と、被変形部５の上を横切って回路部４ａ、４ｂを電気的に接続する配線パターン６とが備えられており、半導体装置１に外部応力が印加された場合であっても、被変形部５が変形することで応力が緩和され、これにより回路部４ａ、４ｂの破損が防止され、結果的に半導体装置１自体の破壊が防止される。
また、配線パターン６が被変形部５の上を横切って形成されているので、外部応力が加わって被変形部５が変形したとしても、被変形部５の変形に追従して配線パターン６も変形し、これにより配線パターン６が断線される虞がなく、半導体装置１自体の機能を正常に保つことができる。特にこの効果は、配線パターン６を液滴吐出法によって薄く形成した場合に得られやすい。
また、補強層２の上に半導体基体３が積層されているので、半導体基体３に外部応力が印加されて割れた場合であっても、割れた半導体基体３の断片同士が補強層２上に留まり、半導体装置１自体の分解を防止できる。
また、上記の半導体装置１によれば、被変形部５が半導体基体３の長辺と直交する方向に沿って形成されているので、外部応力が印加された際に被変形部５に応力をより集中させることができ、これにより半導体装置１の破損を防止できる。
更に、上記の半導体装置１によれば、被変形部５が溝部５ａ及び低弾性の樹脂５ｂからなり、被変形部５に外部応力が印加された場合に、溝部５ａの変形に応じて低弾性の樹脂５ｂが追従して変形するので、被変形部５に段差が生じる虞がない。このため、低弾性の樹脂５ｂの上を通る配線パターン６は被変形部５において断線される虞がなく、半導体装置１自体の機能を正常に保つことができる。
また、上記の半導体装置１によれば、補強層２がダイアタッチフィルムなので、半導体装置１をそのまま表示装置等にフェイスアップマウント実装をすることができる。
【００２０】
（半導体装置の別の例）
次に、本実施形態の半導体装置の別の例について、図面を参照して説明する。図４は、本実施形態の半導体装置の別の例の要部を示す拡大断面模式図である。
図４に示す半導体装置１１と、先に説明した半導体装置１との相違点は、被変形部を構成する溝部が断面視略Ｖ字状の凹部に変更されている点である。その他の構成要素については、図４に示す半導体装置１１と図１に示す半導体装置１との間で相違点がないので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００２１】
図４に示す被変形部１５は、上記の半導体装置１の場合と同様に、半導体基体１３の各回路部４ａ、４ｂの間に形成されており、回路部４ａ、４ｂ同士を分断している。また、被変形部１５は、外部応力が加わった際に被変形部１５が変形しやすいように、半導体基体１３の長辺と直交する方向に沿って形成されている。この被変形部１５は、外部応力が印加された場合に被変形部１５自体が変形して応力を緩和させ、これにより回路部４ａ、４ｂ自体の破壊を防止している。本例の被変形部１５は、半導体基体１３の割れを誘導する断面視略Ｖ字状の凹部１５ａと、この凹部１５ａに充填された低弾性の樹脂１５ｂとから構成されている。図４に示すように、本例においては凹部１５ａが補強層２にまで達していないことから、本明細書では凹部と称している。凹部１５ａの深さは半導体基体１３の厚みよりも小さく、４μｍ〜６４９μｍの範囲とされている。凹部１５ａの深さがこの範囲より小さいと、外部応力が加わった場合に被変形部１５に割れを誘導できなくなるので好ましくない。また凹部１５ａの深さがこの範囲を超えると、半導体基体１３の強度が低下し、半導体装置１１を製造する際のハンドリングを慎重にせざるを得なくなる。また、凹部１５ａの開き角度は例えば６０°〜９０°の範囲とされている。半導体装置１１に外部応力が加わると、この凹部１５ａに対して応力が集中し、凹部１５ａが破断されて被変形部１５自体が変形する。また、低弾性の樹脂１５ｂとしては、先の半導体装置１における樹脂５ｂと同じ材質でよい。
【００２２】
上記の半導体装置１１によれば、先に説明した半導体装置１の効果とほぼ同様な効果が得られると共に、次のような効果も得られる。
すなわち、上記の半導体装置１１によれば、被変形部１５が溝部ではなく、凹部１５ａで構成されるので、半導体基体１３の強度が比較的高くなり、これにより半導体装置１１を製造する際のハンドリング性が良好となって生産性を高めることができる。
【００２３】
（半導体装置の他の例）
次に、本実施形態の半導体装置の他の例について、図面を参照して説明する。図５は、本実施形態の半導体装置の他の例の要部を示す拡大断面模式図である。
図５に示す半導体装置２１と、先に説明した半導体装置１との相違点は、被変形部を構成する溝部が断面視略Ｖ字状ではなく、断面視略矩形状に形成されている点である。その他の構成要素については、図５に示す半導体装置２１と図１に示す半導体装置１との間で相違点がないので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００２４】
図５に示す被変形部２５は、先に説明した半導体装置１の場合と同様に、半導体基体２３の各回路部４ａ、４ｂの間に形成されており、回路部４ａ、４ｂ同士を分断している。また、被変形部２５は、外部応力が加わった際に被変形部２５が変形しやすいように、半導体基体２３の長辺と直交する方向に沿って形成されている。この被変形部２５は、外部応力が印加された場合に被変形部２５自体が変形して応力を緩和させ、これにより回路部４ａ、４ｂ自体の破壊を防止している。本例の被変形部２５は、半導体基体２３の割れを誘導する断面視略矩形状の溝部２５ａと、この溝部２５ａに充填された低弾性の樹脂２５ｂとから構成されている。図５に示すように、本例においては溝部２５ａが補強層２にまで達していることから、本明細書では溝部と称している。溝部２５ａの深さは半導体基体３の厚みと同じであり、５μｍ〜６５０μｍの範囲とされている。また、溝部２５ａの幅は例えば３μｍ〜１３００μｍの範囲とされている。半導体装置２１に外部応力が加わると、この溝部２５ａに対して応力が集中し、溝部２５ａが変形してこれに伴って被変形部２５自体が変形する。また、低弾性の樹脂２５ｂとしては、先の半導体装置１における樹脂５ｂと同じ材質でよい。
【００２５】
上記の半導体装置２１によれば、先に説明した半導体装置１の効果とほぼ同様な効果が得られる。
【００２６】
（半導体装置のその他の例）
次に、本実施形態の半導体装置の他の例について、図面を参照して説明する。図６は、本実施形態の半導体装置のその他の例の要部を示す拡大断面模式図である。
図６に示す半導体装置３１と、先に説明した半導体装置１との相違点は、被変形部を構成する溝部が断面視略矩形状の凹部に変更されている点である。その他の構成要素については、図６に示す半導体装置３１と図１に示す半導体装置１との間で相違点がないので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００２７】
図６に示す被変形部３５は、上記の半導体装置１の場合と同様に、半導体基体３３の各回路部４ａ、４ｂの間に形成されており、回路部４ａ、４ｂ同士を分断している。また、被変形部３５は、外部応力が加わった際に被変形部３５が変形しやすいように、半導体基体３３の長辺と直交する方向に沿って形成されている。この被変形部３５は、外部応力が印加された場合に被変形部３５自体が変形して応力を緩和させ、これにより回路部４ａ、４ｂ自体の破壊を防止している。本例の被変形部３５は、半導体基体３３の割れを誘導する断面視略矩形状の凹部３５ａと、この凹部３５ａに充填された低弾性の樹脂３５ｂとから構成されている。図６に示すように、本例においては凹部３５ａが補強層２にまで達していないことから、本明細書では凹部と称している。凹部３５ａの深さは半導体基体３３の厚みよりも小さく、４μｍ〜６４９μｍの範囲とされている。凹部３５ａの深さがこの範囲より小さいと、外部応力が加わった場合に被変形部３５に割れを誘導できなくなるので好ましくない。また凹部３５ａの深さがこの範囲を超えると、半導体基体３３の強度が低下し、半導体装置３１を製造する際のハンドリングを慎重にせざるを得なくなる。また、凹部３５ａの幅は例えば３μｍ〜１３００μｍの範囲とされている。半導体装置３１に外部応力が加わると、この凹部３５ａに対して応力が集中し、凹部３５ａが破断されて被変形部３５自体が変形する。また、低弾性の樹脂３５ｂとしては、先の半導体装置１における樹脂５ｂと同じ材質でよい。
【００２８】
上記の半導体装置３１によれば、先に説明した半導体装置１の効果とほぼ同様な効果が得られると共に、次のような効果も得られる。
すなわち、上記の半導体装置３１によれば、被変形部３５が溝部ではなく、凹部３５ａで構成されるので、半導体基体３３の強度が比較的高くなり、これにより半導体装置３１を製造する際のハンドリング性が良好となって生産性を高めることができる。
【００２９】
（半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。図７〜図１７は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
まず、第１の工程では、図７に示すように半導体ウェーハ４１を用意する。この半導体ウェーハ４１は例えば、ドーパントが添加された単結晶シリコンであって、厚みが５μｍ〜６５０μｍ程度のものである。この半導体ウェーハ４１の一面４１ａには、多数の回路部が形成されている。この回路部は、後述するように半導体ウェーハ４１がダイシングされて半導体チップとなったときに、少なくとも２以上の回路部が半導体チップに含まれるように、ダイシング箇所に対して予め位置決めされている。
次に図８に示すように、半導体ウェーハ４１の一面４１ａに、回路部を保護するための保護テープ４２を貼り付ける。この保護テープ４２は、通常の半導体製造プロセスで使用される回路保護テープを用いればよい。このように保護テープ４２を貼り付けることで、半導体ウェーハの他面４１ｂが露出された状態になる。
【００３０】
次に図９に示すように、半導体ウェーハ４１の他面４１ｂをグラインダーＧにより機械研磨して、半導体ウェーハ４１の厚みを４０μｍ〜１１０μｍ程度、より具体的には８０μｍ程度になるまで薄く研磨する。
次に、図１０に示すように、半導体ウェーハ４１の他面４１ｂ上に、例えば濃硝酸からなるエッチング液を滴下して他面４１ｂをウェットエッチングする。機械研磨後の半導体ウェーハ４１の他面４１ｂには、機械的な衝撃で転位等からなる破砕層が発生しているので、この破砕層を除去するためにウェットエッチングを行う。この時のエッチング量は、破砕層を完全に除去するためにも１０μｍ〜８０μｍ程度、より具体的には３０μｍ程度にする。これにより、半導体ウェーハ４１の厚みが３０μｍ〜７０μｍ程度、より具体的には５０μｍ程度になる。
【００３１】
次に第２の工程では、図１１に示すように、半導体ウェーハ４１の他面４１ｂを、リングフレーム４３付きの補強層一体型のダイシングテープ４４上に接着する。ここで使用する補強層一体型のダイシングテープ４４は、基体テープ４４ａに、補強層２（例えば１０μｍ〜２０μｍ厚のダイアタッチフィルム）を積層したものである。また、リングフレーム４３は、補強層一体型のダイシングテープ４４を一定の張力を保ちつつ支持している。そして、ここまで回路形成面である一面４１ａを保護していた保護テープ４２を、半導体ウェーハ４１から剥離する。保護テープ４２の剥離は、保護テープ４２側から半導体ウェーハ４１にＵＶ光を照射して保護テープ４２の粘着力を弱めてから剥離すると良い。
【００３２】
次に、図１２に示すように、半導体ウェーハ４１を補強層２とともにダイシングブレード４５を用いてダイシングする。このダイシングによって、半導体ウェーハ４１及び補強層２が多数の半導体チップ４６に分割される。ここで使用するダイシングブレード４５は、先端に端面４５ａを有する円板状のブレードである。また、ダイシングする際には、半導体ウェーハ４１と補強層２のみを切断し、基体テープ４４ａまでは切断しないことが重要である。基体テープ４４ａまで切断すると、半導体ウェーハ４１を支持できなくなる。
【００３３】
図１３には、ダイシング工程により切り出された１つの半導体チップ４６を示す断面模式図であり、図１４には図１３の拡大断面図を示す。図１３に示すように、この半導体チップ４６は、補強層２と半導体基体３とが積層されて構成されており、半導体基体３の一面３ａ上には、半導体ウェーハ４１の段階で予め形成しておいた２つの回路部４ａ、４ｂが配置されている。各回路部４ａ、４ｂには、端子配線４ａ１、４ｂ１がそれぞれ形成されている。
【００３４】
次に図１５に示すように、半導体チップ４６の各回路部４ａ、４ｂの間に、割れを誘導する溝部５ａを形成する。溝部５ａの形成は、例えば、先端の断面視形状が略Ｖ字状であるダイシングブレード４７を使用すればよい。ここで、溝部５ａを形成する場合には、ダイシングブレード４７による一面３ａからの切り込み深さを半導体基体３の厚み以下にすることが好ましい。切り込み深さが半導体基体３の厚みより大きくすると、補強層２まで切断してしまい、これにより半導体基体３が完全に分断されてしまうので好ましくない。また、ダイシングブレード４７による切り込み深さを半導体基体３の厚み程度にすることで、図１５に示すような「溝部」が形成される。「溝部」に代えて「凹部」を形成する場合は、ダイシングブレード４７による切り込み深さを半導体基体３の厚み未満とすればよい。また、本例では断面視略Ｖ字状の溝部５ａを形成する場合について説明したが、溝部の断面視形状を変更するならば、ダイシングブレードの先端形状を変更すればよい。
また、溝部または凹部の形成に用いるダイシングブレードは、先の半導体ウェーハ４１をダイシングして半導体チップを切り出した際に用いたダイシングブレード４５を用いても良い。このダイシングブレード４５を使用した場合には、例えば図５または図６に示すような断面視略矩形状の溝部２５ａまたは凹部３５ａが形成される。これにより、工程を簡素化して生産性を高めることができる。
【００３５】
次に第３の工程では、図１６に示すように、溝部５ａに低弾性の樹脂５ｂを充填する。充填の手段としては、例えば、樹脂５ｂが可溶な溶媒に樹脂を溶解して樹脂液４８とし、この樹脂液４８を溝部５ａにディスペンサ法などの手段で塗布してから乾燥する、といった手段を用いることができる。樹脂５ｂは、溝部５ａを完全に埋めるまで充填することが好ましい。このようにして、溝部５ａと、この溝部５ａに充填された低弾性の樹脂５ｂからなる被変形部５が形成される。
【００３６】
次に、第４の工程では、図１７に示すように、被変形部５上を通って回路部４ａ、４ｂの端子配線４ａ１、４ｂ１を電気的に接続する配線パターン６を形成する。配線パターン６の形成は、例えば、液滴吐出法、印刷法、蒸着法といった手段を用いることができる。図１７には、液滴吐出法を用いた配線パターン６を形成する様子を例示的に示す。図１７に示すように、液滴吐出ヘッド４９を用意し、この液滴吐出ヘッド４９には、導電性粒子が分散媒に分散されてなる導電性インク（塗布液）を充填しておく。そして、液滴吐出ヘッド４９を半導体基体３の一面３ａ上で移動させつつ、導電性インク４９ａを液滴吐出ヘッド４９の吐出ノズル４９ｂから吐出させ、半導体基体３の一面３ａ上に着弾させ、その度、乾燥させる。この動作を繰り返すことによって、微細な導電性粒子が結合されてなる配線パターン６が形成される。液滴吐出法によって形成された配線パターン６は比較的柔軟性が高いので、被変形部５の変形に良く追従して、配線パターン６自体の断線が防止される。また、配線パターン６が通る被変形部５においては、樹脂５ｂが半導体基体３の一面３ａからわずかに盛り上がって形成されているので、半導体基体３の一面３ａには被変形部５において段差が形成された状態になっている。このように段差がある面に対しても、液滴吐出法であれば容易に配線パターン６を形成することができ、この点においても液滴吐出法は有利である。
【００３７】
以上の各工程を経ることによって、図１〜図３に示すような半導体装置１が製造される。
【００３８】
上記の半導体装置１の製造方法によれば、半導体ウェーハ４１及び補強層２をダイシングして半導体チップ４６を切り出したのちに溝部５ａを設けるので、溝部５ａを形成する際には半導体チップ４６が補強層２上に積層された状態にある。これにより、溝部５ａの形成によって半導体チップ４６を分断させることがない。
また、溝部５ａに低弾性の樹脂５ｂを充填してから配線パターン６を形成するので、配線パターン６が溝部５ａによって分断される虞がなく、半導体基体３上の回路部４ａ、４ｂ同士を電気的に接続することができる。
また上記の製造方法によれば、補強層２としてダイアタッチフィルムを用いるので、製造された半導体装置１をそのまま表示装置等にフェイスアップマウント実装させることができる。
【００３９】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記の実施形態では、半導体基体３の２つの回路部４ａ、４ｂを形成し、各回路部４ａ、４ｂの間に１つの被変形部５を形成したが、被変形部５の数は複数であっても良い。また、回路部の数も２つに限らず、２つ以上であればいくつでも良い。
また、上記の実施形態では、半導体ウェーハ４１をダイシングして半導体チップ４６にしてから、被変形部５を構成する溝部５ａの形成を行ったが、先に溝部５ａの形成を行った後に、半導体ウェーハ４１をダイシングして半導体チップ４６に切り分けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は本発明の実施形態である半導体装置の一例を示す平面模式図である。
【図２】図２は、図１の断面模式図である。
【図３】図３は、図１及び図２に示す半導体装置の要部を示す拡大断面模式図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態である半導体装置の別の例の要部を示す拡大断面模式図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態である半導体装置の他の例の要部を示す拡大断面模式図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態である半導体装置のその他の例の要部を示す拡大断面模式図である。
【図７】図７は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する工程図であって、半導体ウェーハの断面模式図である。
【図８】図８は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する工程図であって、半導体ウェーハと回路保護膜を積層した状態を示す断面模式図である。
【図９】図９は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する工程図であって、半導体ウェーハを機械研磨する工程を示す断面模式図である。
【図１０】図１０は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、半導体ウェーハをウェットエッチングする工程を示す断面模式図である。
【図１１】図１１は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、半導体ウェーハをリングフレームに転写する工程を示す断面模式図である。
【図１２】図１２は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、半導体ウェーハ及び補強層をダイシングする工程を示す断面模式図である。
【図１３】図１３は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、ダイシングにより切り出された半導体チップを示す断面模式図である。
【図１４】図１４は、図１３の拡大断面模式図である。
【図１５】図１５は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、溝部を形成する工程を示す断面模式図である。
【図１６】図１６は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、溝部に樹脂を充填する工程を示す断面模式図である。
【図１７】図１７は、図１〜図３に示す半導体装置の製造方法を説明する図であって、配線パターンを形成する工程を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１、１１、２１、３１…半導体装置、２…補強層、３、１３、２３、３３…半導体基体、３ａ…一面（半導体基体の補強層とは反対側の面）、４ａ、４ｂ…回路部、５、１５、２５、３５…被変形部、５ａ、２５ａ…溝部、５ｂ、１５ｂ、２５ｂ、３５ｂ…樹脂、６…配線パターン、１５ａ、３５ａ…凹部、４１…半導体ウェーハ、４５、４７…ダイシングブレード、４６…半導体チップ、４９ａ…導電性インク（塗布液）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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