(57)【要約】【課題】  半導体チップと基板との接合強度を充分に高めることができ、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを確実に防止することが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】  半導体チップ３が接合される接合領域２ａを有する基板２と、接合領域２ａに金属層１０を介して接合された半導体チップ３とを備えた半導体装置であって、金属層１０は、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３と、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３に重なった半田層１５とを有し、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３と半田層１５との界面には、凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置１。【選択図】    図２
2007059485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップが金属層を介して接合される接合領域を有する基板と
を備えた半導体装置であって、
前記金属層は、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と、前記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層に重なった半田層とを有し、
前記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と前記半田層との界面には、凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半田層の内部には、Ａｕ−Ｓｎ合金相が分散している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体チップが接合される接合領域を有する基板であって、
前記接合領域には、Ｎｉ層が形成され、前記Ｎｉ層の表面に、厚さ０．１〜２．０μｍのＡｕ層が形成されていることを特徴とする基板。
【請求項４】
半導体チップが接合される接合領域にＮｉ層が形成され、前記Ｎｉ層の表面に厚さ０．１〜２．０μｍのＡｕ層が形成された基板の前記Ａｕ層の表面に、Ｓｎ含有半田材を用いてＳｎ含有半田材層を形成する形成工程と、
前記Ｓｎ含有半田材層の表面に、半導体チップを搭載する搭載工程と、
前記Ｓｎ含有半田層が溶融する温度で加熱する加熱工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置、基板及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＬＳＩ等の半導体チップを備えた半導体装置のなかには、Ａｕ層が表面に形成された配線基板上に、半導体チップが半田付けされ、樹脂封止された半導体装置が存在する。配線基板表面のＡｕ層は、半田濡れ性の確保や、配線の酸化防止等を目的として、メッキやスパッタリング等によって形成されているものである。しかし、このような配線基板に半導体チップを半田付けすると、Ａｕ層のＡｕと半田の成分であるＳｎとによって、両者の界面近傍にＡｕ−Ｓｎ合金層が形成され、半導体チップと配線基板との接合強度が低下するため、熱衝撃や温度サイクル等によってＡｕ−Ｓｎ合金層を起点としたクラックが発生するという問題があった。
【０００３】
そこで、従来、Ａｕ層を非常に薄くして、Ａｕ−Ｓｎ合金層が形成されないように制御することが行われている（例えば、特許文献１参照）。しかし、Ａｕ層を薄くしても、Ａｕ層と半田との接触箇所が存在する以上、Ａｕ−Ｓｎ合金層の形成を完全に防止することはできず、局所的にはＡｕ−Ｓｎ合金層が形成されてしまうことから、半導体チップと配線基板との接合強度の低下を充分に防止することができないという問題があった。また、Ａｕ層を薄くすると、半田濡れ性が低下してしまい、その結果、ボイドが発生したり、半導体チップを半田付けする際にセルフアランメントが良好に作用しなくなったりするという問題もあった。
【０００４】
かかる課題を解決すべく、従来、Ａｕ層を薄くしてＡｕ−Ｓｎ合金層が形成されないようにするのではなく、Ａｕ−Ｓｎ合金層が形成されるようにしつつ、Ａｕ−Ｓｎ合金層と半田層との界面に凹凸が形成されるように制御することが行われている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の構造によれば、Ａｕ−Ｓｎ合金層と半田層との界面に凹凸が形成されているため、アンカー効果によって半導体チップと配線基板との接合強度の向上を図ることができる。また、Ａｕ層の厚さが確保されているため、ボイドが発生したり、半導体チップを半田付けする際にセルフアライメントが作用し難くなったりすることがない。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２８３８４４号公報
【特許文献２】特開２００４−２２６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述したようなアンカー効果は、Ａｕ−Ｓｎ合金層と半田層との界面の起伏が激しく、Ａｕ−Ｓｎ合金層が半田層に複雑に入り込んだアンカー形状であるほど、良好に作用するものである。
しかしながら、特許文献２に記載されているように、Ａｕ−Ｓｎ合金層と半田層との界面に凹凸が形成されるように制御した場合、Ａｕ−Ｓｎ合金層表面のアンカー形状を、半田層に複雑に入り込むように成長させることが困難であり、充分なアンカー効果を得ることができないという問題があった。そのため、特許文献２に記載の構造では、半導体チップと配線基板との接合強度を充分に高めることが困難であり、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生するおそれがあった。
【０００７】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体チップと基板との接合強度が高く、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを確実に防止することが可能な半導体装置、該半導体装置の製造に用いられる基板、及び、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明は、以下のようなものを提供する。
（１）  半導体チップと、
上記半導体チップが金属層を介して接合される接合領域を有する基板と
を備えた半導体装置であって、
上記金属層は、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層に重なった半田層とを有し、
上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と上記半田層との界面には、凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【０００９】
（１）の発明によれば、基板と半導体チップとを接合する金属層は、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層に重なった半田層とを有し、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と上記半田層との界面には、凹凸が形成されている。
上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と上記半田層との界面に形成された凹凸は、Ａｕ−Ｓｎ合金層と半田層との界面に形成された凹凸（特許文献２参照）と比較すると、起伏が激しく、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層表面の形状は、上記半田層に複雑に入り込んだ形状を有する。また、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金は、Ｎｉを含有していて、その強度が高いので、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層の上記半田層への噛み込みは、Ａｕ−Ｓｎ合金層の場合と比較しても強固なものである。従って、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と上記半田層との界面におけるアンカー効果が強く作用し、そのアンカー効果によって、半導体チップと基板との接合強度を高めることができる。その結果、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを確実に防止することができる。
【００１０】
なお、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と上記半田層との界面に形成された凹凸が、Ａｕ−Ｓｎ合金層と半田層との界面に形成された凹凸と比較して、起伏が激しく、複雑に入り込んだ形状を有するのは、Ｎｉが存在することによって、上記金属層が形成される際に、上記Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層のアンカー形状の成長が促進されるためであると考えられる。
【００１１】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（２）  上記（１）の半導体装置であって、
上記半田層の内部には、Ａｕ−Ｓｎ合金相が分散していることを特徴とする。
【００１２】
（２）の発明によれば、半田層の内部にＡｕ−Ｓｎ合金相が分散していて、半田層自体の強度が高くなっているため、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層と半田層との界面におけるアンカー効果がより強く作用し、そのアンカー効果によって、半導体チップと基板との接合強度をより高めることができる。
【００１３】
なお、半田層の内部に、Ａｕ−Ｓｎ合金相が分散することによって、半田層自体の強度が高くなる理由は、以下のとおりである。半田層の内部（例えば、半田層の表面近傍）にＡｕ−Ｓｎ合金相が偏在していると、熱衝撃や温度サイクル等によって上記Ａｕ−Ｓｎ合金を起点としたクラックが発生してしまう場合があるが、半田層の内部にＡｕ−Ｓｎ合金相が分散していると、Ａｕ−Ｓｎ合金相を起点としたクラックが発生せず、さらに分散強化によって、半田層の強度を高めることができるのである。
【００１４】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（３）  半導体チップが接合される接合領域を有する基板であって、
上記接合領域には、Ｎｉ層が形成され、上記Ｎｉ層の表面に、厚さ０．１〜２．０μｍのＡｕ層が形成されていることを特徴とする基板。
【００１５】
（３）の発明によれば、上記Ａｕ層は、厚さが０．１μｍ以上であり、凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層の形成と半田層へのＡｕ−Ｓｎ合金相の分散とに必要な量のＡｕを有している。また、上記Ａｕ層は、厚さが２．０μｍ以下であり、厚過ぎないため、半田溶融初期にＡｕ層のＡｕと半田の成分であるＳｎとによって形成されるＡｕ−Ｓｎ合金に対して、下層のＮｉ層からＮｉを均一に拡散させることができる。従って、この基板を用いれば、半田層との界面に凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層を形成し得るとともに、半田層にＡｕ−Ｓｎ合金相を分散させることが可能であり、半導体チップと基板との接合強度が高く、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを確実に防止し得る半導体装置を製造することが可能になる。
【００１６】
さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。
（４）  半導体チップが接合される接合領域にＮｉ層が形成され、上記Ｎｉ層の表面に厚さ０．１〜２．０μｍのＡｕ層が形成された基板の上記Ａｕ層の表面に、Ｓｎ含有半田材を用いてＳｎ含有半田材層を形成する形成工程と、
上記Ｓｎ含有半田材層の表面に、半導体チップを搭載する搭載工程と、
上記Ｓｎ含有半田層が溶融する温度で加熱する加熱工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１７】
（４）の発明によれば、半田層との界面に凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層を形成し得るとともに、半田層にＡｕ−Ｓｎ合金相を分散させることができるため、半導体チップと基板との接合強度が高く、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを確実に防止し得る半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体チップと基板との接合強度が高く、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを防止することが可能な半導体装置、該半導体装置の製造に用いられる基板、及び、半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
まず、本発明の半導体装置の一例について図面を用いて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
半導体装置１が備える基板２は、ガラスエポキシ樹脂等からなるものであり、基板２の表面であって、半導体チップ３が接合される接合領域２ａ以外の領域には、Ｃｕ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順に積層された導体回路７が形成されている。なお、基板２としては、特に限定されるものではなく、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの等を挙げることができる。また、基板２の裏面には、半田バンプ４が形成されていて、導体回路７と半田バンプ４とはスルーホール８を介して電気的に接続されている。本実施形態では、予め基板２の裏面に半田バンプ４が形成されている場合について説明するが、本発明はこの例に限定されず、例えば、実装時に半田ボールや半田ペースト等を用いて直接、プリント基板に実装することとしてもよい。
【００２０】
基板２は、半導体チップ３が接合される接合領域２ａを有していて、接合領域２ａには、金属層を介して、半導体チップ３が接合されている。金属層１０については、後で図面を用いて詳述することにする。なお、半導体チップ３としては、種々のものを用いることが可能であり、その具体的な機能や内部の回路構成は、特に限定されるものではない。半導体チップ３は、上面に電極（図示せず）を有していて、上記電極と導体回路７とがワイヤ６によって電気的に接続されている。半導体装置１には、半田バンプ４を含む基板２の裏面側を露出させて半導体チップ３を封止する樹脂パッケージ部６が形成されている。樹脂パッケージ部６は、例えば、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物からなるものである。
【００２１】
図２は、図１に示した半導体装置の接合領域近傍を模式的に示す部分拡大断面図である。
金属層１０は、Ｃｕ層１１、Ｎｉ層１２、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３、半田層１５、及び、Ａｕ−Ｓｎ合金層１６を有している。また、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３と半田層１５との界面には凹凸が形成されていて、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３の表面が半田層１５に複雑に入り込んでいる。
【００２２】
Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３と半田層１５との界面に形成される凹凸の形状は、特に限定されるものではないが、多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンであることが望ましく、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層が半田層側に楔状又は絨毛状に入り込む形状であることがより望ましい。複雑に入り組んだ形状であるほど、アンカー効果が強く作用し、そのアンカー効果によって、半導体チップ３と基板２との接合強度を高めることができるからである。
【００２３】
また、Ａｕ−Ｓｎ合金層１６と半田層１５との界面には凹凸が形成されていて、Ａｕ−Ｓｎ合金層１６の表面が半田層１５に複雑に入り込んでいる。Ａｕ−Ｓｎ合金層１６と半田層１５との界面に形成される凹凸の形状についても、アンカー効果をより強く作用させる点から、多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線パターンであることが望ましく、Ａｕ−Ｓｎ合金層が半田層に楔状又は絨毛状に入り込む形状であることがより望ましい。
【００２４】
半田層１５の内部には、Ａｕ−Ｓｎ合金相１４が分散している。
半田層１５の構成物質は、特に限定されるものではなく、半導体装置１の製造時に用いられるＳｎ含有半田材の組成によって定められる。なお、Ｓｎ含有半田材については、後で詳述することにする。
また、Ａｕ−Ｓｎ合金相１４は、半田層１５の内部において、縦方向（基板２から半導体チップ３へ向かう方向）に均一に分散していることが望ましい。Ａｕ−Ｓｎ合金相１４の存在によってクラックが発生することがなく、分散強化によって半田層１５自体の強度を高めることができるからである。
【００２５】
本実施形態に係る半導体装置１によれば、基板２と半導体チップ３とを接合する金属層１０は、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３と半田層１５とを有し、両者の界面には凹凸が形成されているため、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３と半田層１５との界面におけるアンカー効果が強く作用し、そのアンカー効果によって、半導体チップ３と基板２との接続強度を高めることができる。また、半田層１５の内部にＡｕ−Ｓｎ合金相１４が分散していて、分散強化によって、半田層１５自体の強度が高くなっているため、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３と半田層１５との界面におけるアンカー効果がより強く作用し、そのアンカー効果によって、半導体チップ３と基板２との接続強度をより高めることができる。その結果、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを確実に防止することができる。
【００２６】
次に、本発明の基板の一例について、図１及び図３を用いて説明する。
図３は、本発明の一実施形態に係る基板の接合領域近傍を模式的に示す部分拡大断面図である。
【００２７】
まず、基板２の全体について説明するが、本発明の一実施形態に係る基板２は、半導体装置１の製造に用いられるものであり、図１を用いて説明したように、基板２の表面であって接合領域２ａ以外の領域には導体回路７が形成されている。また、基板２の裏面には、半田バンプ４が形成されていて、導体回路７と半田バンプ４とはスルーホール８を介して電気的に接続されている。
【００２８】
さらに、図３に示すように、基板２の接合領域２ａには、Ｃｕ層１１、Ｎｉ層１２、Ａｕ層２３が、この順で形成されている。
【００２９】
Ｃｕ層１１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜設定することが可能である。Ｃｕ層１１については、例えば、導体回路７のＣｕ層と同じ厚さとして、該Ｃｕ層と同時に形成することが可能である。また、Ｃｕ層１１の形成方法としては、特に限定されるものではなく、真空蒸着法、スパッタ法、メッキ法、印刷法等を用いることができる。また、予め表面にＣｕ薄膜が形成された基板２にエッチングを施することにより、Ｃｕ層１１を形成することとしてもよい。
【００３０】
Ｎｉ層１２の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜設定することが可能である。また、Ｎｉ層１２の形成方法としては、特に限定されるものではなく、真空蒸着法、スパッタ法、メッキ法、印刷法等を用いることができる。
【００３１】
Ａｕ層２３の厚さは、０．１〜２．０μｍである。これにより、半田層１５との界面に凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３を形成し得るとともに、半田層１５にＡｕ−Ｓｎ合金相１４を分散させることができる。
Ａｕ層２３の厚さが０．１μｍ未満である場合、Ａｕ層２３が薄過ぎるため、凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３の形成と半田層１５へのＡｕ−Ｓｎ合金相１４の分散とに必要な量のＡｕをＡｕ層１３から供給することが困難である。
一方、Ａｕ層２３の厚さが２．０μｍを超える場合、Ａｕ層２３が厚過ぎるため、半田溶融初期にＡｕ層２３のＡｕと半田の成分であるＳｎとによって形成されるＡｕ−Ｓｎ合金に対して、下層のＮｉ層１２からＮｉを均一に拡散させることが困難である。また、Ａｕ層２３が厚過ぎると、コストが増大するという問題もある。
【００３２】
また、Ａｕ層２３の厚さについては、凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３の形成と半田層１５へのＡｕ−Ｓｎ合金相１４の分散とを促進させる点から、Ａｕ層２３の厚さの望ましい下限値は、０．５μｍであり、その望ましい上限値は、１．０μｍである。
また、Ａｕ層２３の形成方法としては、特に限定されるものではなく、真空蒸着法、スパッタ法、メッキ法、印刷法等を用いることができる。
【００３３】
本実施形態に係る基板２は、Ａｕ層２３の厚さが０．１〜２．０μｍであり、Ａｕ層２３が、凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３の形成と半田層１５へのＡｕ−Ｓｎ合金相１４の分散とに必要な量のＡｕを有し、かつ、Ａｕ−Ｓｎ合金に対してＮｉ層１２からＮｉを均一に拡散させ得る厚さを有している。従って、この基板２を用いれば、半田層１５との界面に凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３を形成し得るとともに、半田層１５にＡｕ−Ｓｎ合金相１４を分散させることが可能であり、半導体チップ３と基板２との接合強度が高く、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを確実に防止し得る半導体装置を製造することが可能になる。
【００３４】
次に、本発明の半導体装置の製造方法について、図１〜図４に用いて、主に図４に基づいて説明する。
（Ａ）まず、半導体チップ３の裏面にメッキ法等によりＡｕ層２６を形成する（図４参照）。Ａｕ層２６の厚さは、特に限定されるものではない。
【００３５】
（Ｂ）次に、形成工程として、図３を用いて説明した基板２のＡｕ層２３の表面に、Ｓｎ含有半田材を用いてＳｎ含有半田材層２５を形成する。
Ｓｎ含有半田材としては、Ｓｎを含有するものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ単体金属等の合金を含む半田ペーストや半田クリーム等の半田材を挙げることができる。
また、Ｓｎ含有半田材として、Ｐｂ系高温半田材（８５質量％以上のＰｂを含有するＰｂ−Ｓｎ合金の半田材）を用いることができる。このようなＰｂ系高温半田材としては、例えば、Ｐｂ−８Ｓｎ−２Ａｇ合金（Ｓｎを８重量％、Ａｇを２重量％含み、残部がＰｂ及び不可避不純物からなる合金の半田材）を挙げることができる。
【００３６】
（Ｃ）次に、搭載工程として、Ｓｎ含有半田材層２５の上面に、上記（Ａ）の工程において裏面にＡｕ層２６を形成した半導体チップ３を搭載する。
図４は、搭載工程終了時の接合領域近傍を模式的に示す部分拡大断面図である。
基板２の接合領域２ａには、Ｃｕ層１１、Ｎｉ層１２、Ａｕ層２３、Ｓｎ含有半田材層２５が、この順に形成され、Ｓｎ含有半田材層２５には、裏面にＡｕ層２６が形成された半導体チップ３が搭載されている。
【００３７】
（Ｄ）次に、加熱工程として、Ｓｎ含有半田層２５が溶融する温度で、半導体チップ３を搭載した基板２を加熱する。Ｓｎ含有半田層２５が溶融する温度（溶融温度）は、（約）２６０℃以上であり、好ましくは（約）２９５℃以上である。また、上記加熱工程におけるリフロー時間は、１０〜６０秒である。
上述した処理を行うと、図２及び図４に示すように、Ｓｎ含有半田材層２５に含まれるＳｎと、Ａｕ層２３のＡｕとによって、Ａｕ−Ｓｎ合金が形成され、上記Ａｕ−Ｓｎ合金に対してＮｉ層１１からＮｉが拡散し、半田層１５との界面に凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３が形成される。このとき、Ｎｉが存在することによって、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３のアンカー形状の成長が促進されるため、上記界面の凹凸は起伏が激しいものとなり、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３表面の形状は、半田層１５に複雑に入り込んだ形状を有する。
また、Ｓｎ含有半田材層２５に含まれるＳｎと、Ａｕ層２６のＡｕとによって、半田層１５との界面に凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ合金層１６が形成される。さらに、Ｓｎ含有半田材層２５に含まれるＳｎと、Ａｕ層２２又はＡｕ層２６のＡｕとによって形成されたＡｕ−Ｓｎ合金の一部は、Ａｕ−Ｓｎ合金相１４として半田層１５の内部に分散する。その結果、図２に示したような金属層１０が形成され、半導体チップ３が金属層１０を介して基板２に接合される。
【００３８】
続いて、図１に示すように、半導体チップ３の上面に形成された電極と、導体回路７とをワイヤ６を用いてワイヤボンディングする。その後、基板２の裏面を露出させて半導体チップ３等を封止するように、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物で樹脂パッケージ部６を形成することにより、半導体装置１を製造することができる。
【００３９】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半田層１５との界面に凹凸を有するＡｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層１３を形成し得るとともに、半田層１５にＡｕ−Ｓｎ合金相１４を分散させることができるため、半導体チップ３と基板２との接合強度が高く、熱衝撃や温度サイクル等によってクラックが発生することを確実に防止し得る半導体装置を製造することができる。
【００４０】
以上、本発明の一実施形態に係る半導体装置、基板及び半導体装置の製造方法について説明したが、本発明の半導体装置、基板及び半導体装置の製造方法は、上述した例に限定されるものではない。
本実施形態においては、半田層の下側（基板側）に、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層が形成される場合について説明したが、本発明は、この例に限定されず、例えば、半田層の上側（半導体チップ側）に、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層が形成されることとしてもよく、半田層の上側及び下側に、Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層が形成されることとしてもよい。
【００４１】
本実施形態においては、半田層の内部にＡｕ−Ｓｎ合金相が分散している場合について説明したが、本発明においては、必ずしも、半田層の内部にＡｕ−Ｓｎ合金相が分散している必要はない。
【００４２】
本実施形態においては、基板が１層からなるものである場合について説明したが、本発明において、上記基板は、複数の板状体が積層されたものであってもよい。また、基板として、リードフレームを用いることも可能である。
【００４３】
樹脂パッケージ部を形成する際に用いられる樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、樹脂主成分としての熱硬化性のエポキシ樹脂と、硬化剤成分としてのフェノール樹脂と、無機充填剤とを含有した樹脂組成物等を挙げることができる。また、上記樹脂主成分として、エポキシ樹脂にかえて、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂等、耐熱性の熱可塑性樹脂を用いることも可能である。また、上記無機充填剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、石英ガラス、結晶性シリカ、溶融シリカ等を挙げることができる。
【００４４】
本実施形態においては、半導体装置のパッケージ方式がＢＧＡ（Ball Grid Array）である場合について説明したが、本発明において、パッケージ方式としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＬＧＡ（Land Grid Array）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）、ＱＦＪ（Quad Flat J leaded package）、ＳＯＰ（Small Out-line Package）、ＳＯＪ（Small Out-line J leaded package）、ＤＩＰ（Dual In-line Package）、ＳＩＰ（Single In-line Package）等を挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の接合領域近傍を模式的に示す部分拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板の接合領域近傍を模式的に示す部分拡大断面図である。
【図４】搭載工程終了時の接合領域近傍を模式的に示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  半導体装置
２  基板
３  半導体チップ
３ａ  接合領域
４  半田バンプ
５  ワイヤ
６  樹脂パッケージ部
７  導体回路
１０  金属層
１１  Ｃｕ層
１２  Ｎｉ層
１３  Ａｕ−Ｓｎ−Ｎｉ合金層
１４  Ａｕ−Ｓｎ合金相
１５  半田層
１６  Ａｕ−Ｓｎ合金層
２３、２６  Ａｕ層
２５  Ｓｎ含有半田材層
【図１】
2007059485.tif 000003
【図２】
2007059485.tif 000004
【図３】
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【図４】
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