(57)【要約】      （修正有）【課題】ガス導入チューブ内でのプラズマの発生を防ぐことのできるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】一端部がカソード部のガス導入口に接続され、他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブ２５の中空部内に、この中空部を長手方向に沿って複数に分ける通気性を有する複数の導体３１と、ガス導入チューブ２５の中空部を狭めて、その中空部よりも断面積が小さいガス流路をガス導入チューブ２５の一端部と他端部との間に形成する複数の誘電体３２と、を設けた。【選択図】図３
2007059103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマが生起される内部空間と、前記内部空間に連通するガス導入口と、前記内部空間に連通する開口部とを有し、高周波電力が印加される筒状のカソード部と、
被処理物を、前記開口部を介して前記内部空間に臨ませる位置に支持可能なアノード部と、
一端部が前記ガス導入口に接続され、前記一端部よりもガスの流れの上流側に位置する他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブと、
前記ガス導入チューブの中空部を長手方向に沿って複数に分けるように前記中空部に設けられた通気性を有する導体と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
プラズマが生起される内部空間と、前記内部空間に連通するガス導入口と、前記内部空間に連通する開口部とを有し、高周波電力が印加される筒状のカソード部と、
被処理物を、前記開口部を介して前記内部空間に臨ませる位置に支持可能なアノード部と、
一端部が前記ガス導入口に接続され、前記一端部よりもガスの流れの上流側に位置する他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブと、
前記ガス導入チューブの中空部を狭めて、前記中空部よりも断面積が小さいガス流路を前記一端部と前記他端部との間に形成するように前記中空部に設けられた誘電体と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記誘電体は、前記中空部よりも断面積が小さい複数のガス流路を前記一端部と前記他端部との間に形成することを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ガス導入チューブの両端にかかる高周波電圧のピーク値をＶ、前記ガス導入チューブ内を流れるガスが放電を起こすのに必要な最小電圧をＶｓとすると、前記導体によるガス流路の分割数ｎは、Ｖ／ｎ＜Ｖｓを満足する
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ雰囲気下で被処理物の処理を行うプラズマ処理装置に関し、詳しくは、高周波電力が印加されるカソード部にプロセスガスの導入部が設けられ、そのカソード部の内部空間にプラズマを発生させるプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波放電を利用したプラズマ処理装置において、高周波放電が行われる放電空間内にプロセスガスを導入する場合、その導入部はアノード部に設けることが一般的であった。しかし、例えば特許文献１に開示されるように、筒状のカソード部によって放電空間の大部分が囲まれ、そのカソード部の底に形成された開口に対向される被処理物の支持部がアノード部として機能する構造の場合、アノード側にガスを導入してもカソード部によって大部分が囲まれる放電空間にプラズマを生じさせることは難しく、また、被処理物の支持部が回転テーブル上に設けられていることからアノード側へのガス管レイアウトが困難なこともあって、カソード部にガスの導入部を設けている。
【０００３】
しかし、高周波電圧が印加されるカソード部にガス導入部を設けた場合、ガスの導入路に高周波電圧が作用することになり、この電圧によってガス導入路に放電が起こり、プラズマが発生して、ガス導入路を内部に形成する例えば樹脂材料からなるガス導入チューブが溶断してしまう問題があった。
【特許文献１】特開２００２−２５６４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ガス導入チューブ内でのプラズマの発生を防ぐことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
プラズマが生起される内部空間と、前記内部空間に連通するガス導入口と、前記内部空間に連通する開口部とを有し、高周波電力が印加される筒状のカソード部と、
被処理物を、前記開口部を介して前記内部空間に臨ませる位置に支持可能なアノード部と、
一端部が前記ガス導入口に接続され、前記一端部よりもガスの流れの上流側に位置する他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブと、
前記ガス導入チューブの中空部を長手方向に沿って複数に分けるように前記中空部に設けられた通気性を有する導体と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【０００６】
また、本発明の他の一態様によれば、
プラズマが生起される内部空間と、前記内部空間に連通するガス導入口と、前記内部空間に連通する開口部とを有し、高周波電力が印加される筒状のカソード部と、
被処理物を、前記開口部を介して前記内部空間に臨ませる位置に支持可能なアノード部と、
一端部が前記ガス導入口に接続され、前記一端部よりもガスの流れの上流側に位置する他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブと、
前記ガス導入チューブの中空部を狭めて、前記中空部よりも断面積が小さいガス流路を前記一端部と前記他端部との間に形成するように前記中空部に設けられた誘電体と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ガス導入チューブ内でのプラズマの発生を防いで、ガス導入チューブの損傷や溶断を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０００９】
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置１の要部の模式断面図である。  
また、図２は、同プラズマ処理装置１においてプラズマ生起装置３ａ〜３ｇと回転テーブ  ル５との配置関係を表す模式斜視図である。
【００１０】
プラズマ処理装置１は、図示しない真空排気系により内部が減圧される真空室７を有する。真空室７の上部は円盤状の上蓋９により気密に塞がれている。上蓋９には、複数のプラズマ生起装置３ａ〜３ｇが設けられている。複数のプラズマ生起装置３ａ〜３ｇは、図２に表されるように、上蓋９の周方向に沿って配置されている。プラズマ生起装置３ａ〜３ｇは、その一部が上蓋９を貫通して真空室７内に臨んでいる。
【００１１】
真空室７内には回転テーブル５が設けられている。回転テーブル５において、上蓋９に向き合う面の外周側部分には、被処理物１０の支持部１２（図１に図示）が、周方向に沿って複数設けられている。回転テーブル５は、図示しないモータにより、中心軸（図２において１点鎖線で表される）のまわりに回転可能となっている。回転テーブル５及び支持部１２は、例えばステンレスまたはアルミニウム材料からなり、接地されている。支持部１２は、後述する高周波放電のアノード部として機能する。
【００１２】
複数のプラズマ生起装置３ａ〜３ｇのうち、例えば、プラズマ生起装置３ｂ〜３ｇは被処理物１０へのスパッタ成膜に用いられ、プラズマ生起装置３ａは被処理物１０へのスパッタエッチングに用いられる。
【００１３】
図１に、スパッタエッチング用のプラズマ生起装置３ａの模式断面を表す。プラズマ生起装置３ａはカップ状を呈し、内部空間１４を真空室７内に臨ませた状態で上蓋９に取り付けられている。プラズマ生起装置３ａは、接地された接地部１６と、高周波電源２３より高周波電力が印加されるカソード部１８とを有する。接地部１６は、例えばアルミニウム材料からなる。カソード部１８は、例えばステンレス材料からなり、内側に、プラズマが生起される内部空間１４を有する。カソード部１８の上壁部には、内部空間１４と連通するガス導入口２６が形成されている。
【００１４】
接地部１６及びカソード部１８の底にはそれぞれ開口部１７、１９が形成され、これら開口部１７、１９を一致させて、接地部１６の内側にカソード部１８が配設されている。カソード部１８の下端と、接地部１６のリング状の底部１６ａとの間には、例えばフッ素樹脂やセラミックス材料からなるリング状の絶縁部材２１が介在されている。また、カソード部１８の外面と、接地部１６の内面との間には、例えば１５０ｍｍの空隙が形成されている。したがって、カソード部１８と接地部１６とは、互いに電気的に絶縁されている。
【００１５】
接地部１６及びカソード部１８の上壁部には、これら上壁部を貫通して、ガス導入チューブ２５が設けられている。ガス導入チューブ２５は、電気絶縁性を有する材料、例えばフッ素樹脂からなる。ガス導入チューブ２５の一端部は、カソード部１８のガス導入口２６に気密に接続されている。ガス導入チューブ２５の他端部は、接地部１６の上壁部を気密に貫通し、この他端部側の開口には、図示しない継手を介してガス搬送管２７が接続されている。ガス搬送管２７は、例えばステンレス材料からなり、接地されている。
【００１６】
ガス導入チューブ２５の一端部側の開口はネット２９で覆われ、このネット２９により、内部空間１４で生じたプラズマＰがガス導入チューブ２５内に入り込むことが抑制される。ネット２９は、例えばステンレスからなり、ガス導入チューブ２５から内部空間１４へのガスの円滑な導入を妨げない通気性を有する。ネット２９は導体に限らず絶縁体でもよい。
【００１７】
次に、ガス導入チューブ２５の内部構造の第１の具体例について説明する。  
図３は、内部を点線で表したガス導入チューブ２５の拡大側面図であり、図４は図３におけるＡ−Ａ線方向の拡大断面図である。第１の具体例では、ガス導入チューブ２５の中空部に、複数の導体３１と、複数の誘電体３２とが、ガス導入チューブ２５の長手方向に沿って交互に配置されている。
【００１８】
図５は導体３１の拡大平面図である。  
導体３１は、例えばステンレス材料からなる円形リング状のワッシャである。複数の導体３１は、略等間隔で互いに離間されて、ガス導入チューブ２５の長手方向に沿って配置されている。各導体３１は互いに電気的に接続されていない。各導体３１は、その径方向が、ガス導入チューブ２５の長手方向に略垂直となるような姿勢でガス導入チューブ２５内に配置されている。なお、導体３１の材質はステンレスに限らず、例えば、銅、アルミニウム、その他金属や合金を用いることができる。
【００１９】
次に、図６は、ガス導入チューブ２５の中空部に装入される前の状態（自然状態）の誘電体３２の拡大斜視図である。誘電体３２は、例えば、ガス導入チューブ２５と同材料、同径のものを、径方向寸法が略半分となる位置で長手方向に沿って切り裂いて、且つそれを長手方向に垂直な面で分断して得たものである。誘電体３２は、弾性を有する例えばフッ素樹脂からなるので、図６に表される自然状態のものを縮径させるように丸めた状態でガス導入チューブ２５の中空部に装入すると、自然状態に戻ろうとする拡径方向への復元力により誘電体３２の外周面が、ガス導入チューブ２５の中空部の内周面に圧接する。これにより、誘電体３２はガス導入チューブ２５の中空部内で固定される。なお、誘電体３２の材質はフッ素樹脂に限らず、その他の樹脂、あるいは、セラミックスや石英などを用いてもよい。
【００２０】
導体３１は、図３に表されるように、隣り合う２つの誘電体３２の端面の間で狭圧された状態となっており、これにより、導体３１はその位置が固定されている。各導体３１は、誘電体３２を間に介在させて平行に対向している。
【００２１】
誘電体３２がガス導入チューブ２５の中空部に装入された状態では、図４に表されるように、誘電体３２の中空部３２ａは完全にはつぶされずに、例えば、ガス導入チューブ２５の中空部の断面積の約半分ほどの断面積を有する中空部３２ａがガス導入チューブ２５内に確保される。上記ガス搬送管２７からガス導入チューブ２５の他端部に流入したプロセスガスは、誘電体３２の中空部３２ａ及び導体３１の中空孔３１ａを通って一端部に向けて流れる。すなわち、本具体例では、誘電体３２の中空部３２ａ及び導体３１の中空孔３１ａが、ガス流路として機能する。
【００２２】
次に、プラズマ処理装置１の動作について説明する。真空室７内が図示しない真空排気系により排気されて減圧された状態で、回転テーブル５が回転されると共に、各プラズマ生起装置３ａ〜３ｇが作動される。回転テーブル５の回転により、各支持部１２に支持された各被処理物１０は、各プラズマ生起装置３ａ〜３ｇに対向する位置を通過しながら、円を描く軌跡で移動され、各被処理物１０がプラズマ生起装置３ｂ〜３ｇに対向する位置を通過する際にはスパッタ成膜を受け、プラズマ生起装置３ａを通過する際にはスパッタエッチングを受ける。
【００２３】
例えば、図１に表されるスパッタエッチング用のプラズマ生起装置３ａにおいては、高周波電源２３よりカソード部１８に高周波電力が印加されると共に、図示しないガス源から、ガス搬送管２７及びガス導入チューブ２５を介して、カソード部１８の内部空間１４に、例えばアルゴンガスが導入される。
【００２４】
これにより、内部空間１４に放電が起こりプラズマＰが生起される。その内部空間１４に連通する開口部１７、１９に対向する位置に被処理物１０が移動されると、その被処理物１０は加速されたアルゴンイオンによってスパッタエッチングされる。
【００２５】
ここで、ガス導入チューブ２５の一端部は、高周波電圧が印加されるカソード部１８のガス導入口２６に接続され、他端部は、接地された接地部１６及びガス搬送管２７に結合されているため、ガス導入チューブ２５内のガス流路には、一端部から他端部にかけて高周波電圧がかかる。
【００２６】
しかし、本具体例では、そのガス流路にかかる電圧は、ガス導入チューブ２５内でガス流路に沿って互いに離間して配置された複数の導体３１によって分割されるので、ガス流路を、その分割された比較的小さな電圧がそれぞれかかる複数の小さな空間の集まりとして構成することができる。この結果、ガス流路内での放電及びプラズマの発生を防いで、ガス導入チューブ２５の損傷や溶断を防げる。
【００２７】
ガス導入チューブ２５の両端にかかる高周波電圧のピーク値をＶ、ガス導入チューブ２５内を流れるガスが放電を起こすのに必要な最小電圧をＶｓとすると、導体３１によるガス流路の分割数ｎは、Ｖ／ｎ＜Ｖｓを満足するように決められる。Ｖｓは、例えば、パッシェンの法則に基づいて、平行電極（この場合導体３１）間距離ｄと、ガス圧力ｐとの積ｐｄの関数として定めることができる。またＶｓとｐｄとの関係はガス種によっても変わる。
【００２８】
本具体例では、例えば、Ｖｓ＝１００［Ｖ］に設定し、また、Ｖ＝６０００［Ｖ］であったので、７０個の導体３１を用いてガス流路を７１分割した。すなわち、導体３１によって分けられたガス流路中の各部分にかかる電圧を、Ｖｓより小さい（６０００／７１≒８６［Ｖ］）程度に抑えることができ、ガス流路中に、Ｖｓより大きい電圧がかかる部分がなく、ガス流路中での放電及びプラズマの発生を防ぐことができる。
【００２９】
なお、ガス導入チューブ２５の長さ（カソード部１８のガス導入口２６に接続された部分から接地部１６を貫通している部分までの距離）Ｌは、高周波電力によるガス導入チューブ２５の加熱を抑えるため、２００ｍｍ以上が好ましい。本具体例では例えばＬ＝７００ｍｍとした。したがって、上述した７０個の導体３１は、略１０ｍｍ間隔でガス導入チューブ２５の長手方向に沿って配置されている。
【００３０】
導体３１を略等間隔で配置しているために、導体３１によって分けられるガス流路の各部分にかかる電圧を、上記Ｖｓより小さな所望の電圧に確実且つ容易に設定することができる。導体３１が不均等配置であると、ガス流路中の各部分にかかる電圧がばらつき、導体３１間の距離が比較的大きな部分では上記Ｖｓ以上の電圧がかかり放電が起こってしまう可能性がある。
【００３１】
また、本具体例では、導体３１として、図５に表される外径Ｄが４．４ｍｍ、中央孔３１ａの内径ｄが２．１ｍｍのワッシャを用いた。しかし、これに限らず、ガスの通過を妨げない通気性を有する導体であればよい。
【００３２】
また、本具体例では、ガス導入チューブ２５の中空部に誘電体３２を配置して、ガス流路を狭めている。具体的には、誘電体３２によって、ガス導入チューブ２５の中空部の断面積の約５０％が塞がれる。すなわち、本具体例でガス流路として機能する誘電体３２の中空部３２ａ（図４参照）の断面積は、ガス導入チューブ２５の中空部の断面積の約半分である。ガス導入チューブ２５の外径は例えば８ｍｍ、内径は例えば６ｍｍである。
【００３３】
放電が起こり、また、それが安定して持続するには、ある程度の広さの空間が必要であるので、上記のようにガス流路を狭めることは、ガス流路にプラズマを発生しにくくする。放電に必要な空間広さは、ガス導入チューブ２５に加わる高周波電圧、内部を流れるガスの圧力や種類などに依存する。したがって、ガス流路を狭める割合は５０％に限らず、前記条件等により、例えば２０〜９０％の範囲で適宜調整可能である。なお、誘電体３２はガス流路に沿って存在するが、誘電体３２には高周波電流は流れず、よって不要な電力消費を回避できる。
【００３４】
以上述べたように、本具体例によれば、導体３１によってガス導入チューブ２５にかかる電圧を分割することと、誘電体３２によってガス流路を狭めることとの相乗効果により、ガス導入チューブ２５内におけるプラズマの発生を確実に防ぐことができる。これにより、ガス導入チューブ２５がプラズマにより損傷したり溶断することを防ぐことができ、ガス導入チューブ２５の使用寿命を長くできる。この結果、コスト低減や、装置稼働率の向上が図れる。また、ガス導入チューブ２５の耐圧向上により、より高パワーの電力をカソード部１８に供給することもできる。
【００３５】
次に、上述した本発明の第１の具体例の構成を採用した場合と、ガス導入チューブ２５の内部に何も装入せずにガス導入チューブ２５だけの構成とした比較例の場合とで、高周波放電テストを行った結果について説明する。カソード部１８は、内径が２００ｍｍ、高さが１００ｍｍのものを用いた。スパッタエッチング時の内部空間１４内におけるアルゴンガスの圧力は３［Ｐａ］と５［Ｐａ］の場合とで行った。
【００３６】
比較例の構成では、内部空間１４の圧力が３［Ｐａ］と５［Ｐａ］の場合共に、カソード部１８への投入電力が５００［Ｗ］で、ガス導入チューブ２５が溶断してしまった。これに対し、本発明の第１の具体例では、内部空間１４の圧力が３［Ｐａ］と５［Ｐａ］の場合共に、カソード部１８への投入電力が５００［Ｗ］でも、さらに１［ｋＷ］でも、ガス導入チューブ２５に損傷や溶断は見られなかった。
【００３７】
次に、図７、８を参照して本発明の第２の具体例について説明する。第２の具体例は、ガス導入チューブ２５の内部構成のみが上記第１の具体例と異なる。  
図７は、第２の具体例に係るガス導入チューブ２５の内部構成を表す拡大側面図であり、図８は、ガス導入チューブ２５と、この内部に装入される複数の導体３５とを分けて表した模式斜視図である。
【００３８】
第２の具体例では、ガス導入チューブ２５の中空部に、複数の導体３５が、略等間隔で互いに離間されて、ガス導入チューブ２５の長手方向に沿って配置されている。導体３５は、図８に表されるように、例えば金属材料からなる円形の網板である。各導体３５は、ガス導入チューブ２５内で互いに電気的に接続されていない。各導体３５は、その径方向が、ガス導入チューブ２５の長手方向に略垂直となるような姿勢でガス導入チューブ２５内に配置されている。各導体３５の直径は、ガス導入チューブ２５の中空部の内径よりわずかに大きく、導体３５の縁端部が、ガス導入チューブ２５の中空部の内周面にくいこむようにして各導体３５は保持されている。
【００３９】
以上のように構成される第２の具体例においても、ガス流路にかかる電圧は、ガス導入チューブ２５内でガス流路に沿って互いに離間して配置された複数の導体３５によって分割されるので、ガス流路内での放電及びプラズマの発生を防いで、ガス導入チューブ２５の損傷や溶断を防げる。
【００４０】
次に、図９を参照して本発明の第３の具体例について説明する。第３の具体例においても、ガス導入チューブ２５の内部構成のみが上記第１の具体例と異なる。  
図９は、第３の具体例に係るガス導入チューブ２５の横断面図である。
【００４１】
第３の具体例では、ガス導入チューブ２５の中空部に、複数本のチューブ状の誘電体４１〜４９を装入することでガス流路を狭めて、ガス流路にプラズマが発生しにくくしている。各誘電体４１〜４９は、例えばフッ素樹脂やセラミックス材料からなる。
【００４２】
図１に表されるガス搬送管２７からガス導入チューブ２５の他端部に流入したプロセスガスは、各誘電体４１〜４９の中空部、各誘電体４１〜４９どうしの隙間５２、および各誘電体４１〜４９とガス導入チューブ２５の内周面との間の隙間５３を通って一端部に向けて流れる。
【００４３】
ガス流路が細くなればなるほどプラズマは発生しにくくなるが、ガス流路の断面積の減少はガスのコンダクタンスの低下をきたす。そこで、第３の具体例では、ガス流路を、ガス導入チューブ２５の断面方向でひとつながりにせず、プラズマの発生を防ぐべくより小さな断面積の複数の流路（各誘電体４１〜４９の中空部、各誘電体４１〜４９どうしの隙間５２、および各誘電体４１〜４９とガス導入チューブ２５の内周面との間の隙間５３）の集合とすることで、コンダクタンスの低下を抑えつつ、プラズマの発生を防止できる。
【００４４】
次に、図１０を参照して本発明の第４の具体例について説明する。  
図１０は、第４の具体例に係るガス導入チューブ２５の横断面図である。第４の具体例では、ガス導入チューブ２５の中空部に、断面が例えば十字状の誘電体５１を装入することでガス流路を狭めて、ガス流路にプラズマが発生しにくくしている。誘電体５１は、例えばフッ素樹脂やセラミックス材料からなる。
【００４５】
図１に表されるガス搬送管２７からガス導入チューブ２５の他端部に流入したプロセスガスは、誘電体５１と、ガス導入チューブ２５の内周面との間の隙間５４ａ〜５４ｄを通って一端部に向けて流れる。
【００４６】
第４の具体例においても、第３の具体例と同様、ガス流路を、ガス導入チューブ２５の断面方向でひとつながりにせず、プラズマの発生を防ぐべくより小さな断面積の複数の流路５４ａ〜５４ｄの集合とすることで、コンダクタンスの低下を抑えつつ、プラズマの発生を防止できる。
【００４７】
また、複数の誘電体４１〜４９を用いる第３の具体例に比べ、第４の具体例では１つの誘電体５１だけで済むので、その分、部品点数の増大が図れ低コストである。さらに、ガス導入チューブ２５内への装入作業も容易である。
【００４８】
本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４９】
本発明は、アルゴンガスのような不活性ガスを用いたスパッタエッチング処理に限らず、反応性ガスを用いた反応性スパッタ、イオン注入、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、その他のプラズマを用いる処理を行う装置に適用可能である。
【００５０】
また、被処理物としては、半導体ウェーハ、ディスク状記録媒体の基板、液晶用ガラス基板などが一例として挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の要部の模式断面図である。
【図２】同プラズマ処理装置においてプラズマ生起装置と回転テーブルとの配置関係を表す模式斜視図である。
【図３】本発明の第１の具体例に係るガス導入チューブの拡大側面図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ線方向の拡大断面図である。
【図５】同第１の具体例において、ガス導入チューブ内に装入される導体の拡大平面図である。
【図６】同第１の具体例において、ガス導入チューブ内に装入される誘電体の拡大斜視図である。
【図７】本発明の第２の具体例に係るガス導入チューブの拡大側断面図である。
【図８】同第２の具体例において、ガス導入チューブ及びこの内部に装入される複数の導体を表した拡大斜視図である。
【図９】本発明の第３の具体例に係るガス導入チューブの拡大横断面図である。
【図１０】本発明の第４の具体例に係るガス導入チューブの拡大横断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  プラズマ処理装置
３ａ〜３ｇ  プラズマ生起装置
５  回転テーブル
７  真空室
１０  被処理物
１４  内部空間
１８  カソード部
２５  ガス導入チューブ
２６  ガス導入口
３１  導体
３２  誘電体
３５  導体
４１〜４９  誘電体
５１  誘電体
【図１】
2007059103.tif 000003
【図２】
2007059103.tif 000004
【図３】
2007059103.tif 000005
【図４】
2007059103.tif 000006
【図５】
2007059103.tif 000007
【図６】
2007059103.tif 000008
【図７】
2007059103.tif 000009
【図８】
2007059103.tif 000010
【図９】
2007059103.tif 000011
【図１０】
2007059103.tif 000012