(57)【要約】【課題】処理液の液滴が基板上において所定の処理空間よりも外側に飛散することを防止する。【解決手段】基板処理装置１は、処理液の液滴をキャリアガスと共に基板９に向けて噴出する液滴噴出ノズル２、基板９の移動方向の両側において液滴噴出ノズル２の液滴噴出口２１に平行に伸びる遮蔽ガス噴出口４１を有する遮蔽ガス噴出ノズル４、および、遮蔽ガス噴出ノズル４の液滴噴出ノズル２側に配置されて処理液の液滴を吸引する処理液吸引ノズル３を備える。基板処理装置１では、液滴噴出ノズル２からの処理液の液滴噴射領域が、基板９上において遮蔽ガス噴出ノズル４からの遮蔽ガスの噴流により囲まれているため、液滴噴出ノズル２から噴出された処理液の液滴が、基板９上において、遮蔽ガスの噴流に囲まれる処理空間よりも外側の領域に飛散することを防止することができる。また、使用済みの処理液を効率良く回収することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
処理液の液滴をキャリアガスと共に基板に向けて噴出する液滴噴出ノズルと、
前記基板上において前記液滴噴出ノズルからの前記処理液の液滴の噴射領域を囲む遮蔽ガスを噴出する遮蔽ガス噴出ノズルと、
前記遮蔽ガス噴出ノズルの前記液滴噴出ノズル側に配置されるとともに前記液滴噴出ノズルから前記基板に噴射された前記処理液の液滴を前記基板に対して非接触の状態にて周囲のガスと共に吸引する処理液吸引ノズルと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理液吸引ノズルが、前記基板上において前記液滴噴出ノズルの周囲を囲むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記基板を主面に平行な所定の移動方向に前記液滴噴出ノズルに対して相対的に移動する基板移動機構をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記液滴噴出ノズルが、前記基板に平行であり、かつ、前記移動方向に垂直な幅方向に伸びるスリット状の液滴噴出口を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽ガス噴出ノズルが、前記移動方向に関して前記液滴噴出口の両側に配置されるとともに前記液滴噴出口に平行に伸びるスリット状の２つの遮蔽ガス噴出口を備え、
前記２つの遮蔽ガス噴出口のそれぞれが、前記幅方向に関して前記基板を覆うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記処理液吸引ノズルが、前記２つの遮蔽ガス噴出口のそれぞれと前記液滴噴出口との間に配置されるとともに前記液滴噴出口に平行に伸びるスリット状の２つの処理液吸引口を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽ガス噴出ノズルが、
前記移動方向に関して前記液滴噴出口の両側に配置されるとともに前記液滴噴出口に平行に伸びるスリット状の２つの遮蔽ガス噴出口と、
前記２つの遮蔽ガス噴出口の前記幅方向の両側において前記移動方向に伸びるとともに前記２つの遮蔽ガス噴出口の端部の間を結ぶスリット状の他の２つの遮蔽ガス噴出口と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽ガス噴出ノズルと前記処理液吸引ノズルとを連結するノズル連結部をさらに備え、
前記遮蔽ガス噴出ノズルから高速に噴出される遮蔽ガスが前記ノズル連結部内のガスを引き込むことにより、前記処理液吸引ノズルによる前記処理液の液滴の吸引を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液が純水であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板が、平面表示装置用のガラス基板であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液を基板に供給して基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板や液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板に対して処理液を供給して様々な処理が行われている。例えば、基板の洗浄処理では、基板に対して純水等の洗浄液を噴射することにより、基板の表面に付着したパーティクル等が除去される。
【０００３】
このような洗浄処理を行う洗浄装置では、基板に向けて噴射されて基板に衝突した後の洗浄液の液滴が周囲に飛散してしまい、パーティクル等を包含する洗浄後の液滴が基板に再付着してしまう恐れがある。そこで、洗浄後の液滴の再付着を防止する様々な技術が提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、洗浄液の噴射と超音波の照射とを併用する超音波洗浄機において、洗浄ノズルから噴出される洗浄液に対して洗浄ノズルの周囲からガスを吹き付けることにより、基板から跳ね返った使用済みの液滴が洗浄ノズルに付着することを防止する技術が開示されている。これにより、洗浄ノズルに付着した洗浄後の液滴が基板に落下して再付着することが防止される。特許文献１の超音波洗浄機では、洗浄ノズルの噴出開口がスリット状の細長い形状をしている場合、当該噴出開口の長手方向に沿って両側にガス噴射ノズルの噴射開口が設けられる。
【０００５】
特許文献２では、円形または円環状の断面を有する洗浄用流体噴出用ノズルの周囲に、洗浄用流体の噴流を包囲する気体噴流を形成する気体噴出用ノズルを設けることにより、洗浄用流体の噴流から飛散する液滴が気体噴流よりも外側に飛散することを抑制する技術が開示されている。特許文献２では、気体噴流の外側や円環状の洗浄用流体の噴流の内側に吸引用ノズルを設けることにより、飛散する洗浄液の液滴を回収する技術も開示されている。
【０００６】
一方、特許文献３では、走査ヘッドと基板との間に洗浄液を供給して滞留させ、走査ヘッドと共に洗浄液を基板表面に沿って走査することにより洗浄処理を行う洗浄装置において、洗浄液のメニスカス近傍に界面活性ガスを供給することにより、洗浄液の液滴が走査（すなわち、洗浄）済みの領域に残存することを防止する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平８−２９９９２９号公報
【特許文献２】特開平６−３１２０７号公報
【特許文献３】特開２００３−１５１９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１の超音波洗浄機では、洗浄後の洗浄液の液滴が洗浄領域の周囲に飛散することを防止することができないため、飛散した液滴が基板上に落下して再付着することを防止することができない。また、飛散した液滴を回収することもできない。
【０００８】
一方で、特許文献２の洗浄ノズルでは、洗浄用流体自体の強い噴流が基板に噴射されるため、噴流のエネルギーにより基板表面に設けられた微細なパターンが損傷してしまう恐れがある。また、特許文献３の装置では、大型化が進む液晶表示装置用のガラス基板等を洗浄する場合、多大な作業時間が必要となって基板の生産性が低下してしまう。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理液の液滴が基板上において所定の処理空間よりも外側に飛散することを防止することを主な目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、処理液の液滴をキャリアガスと共に基板に向けて噴出する液滴噴出ノズルと、前記基板上において前記液滴噴出ノズルからの前記処理液の液滴の噴射領域を囲む遮蔽ガスを噴出する遮蔽ガス噴出ノズルと、前記遮蔽ガス噴出ノズルの前記液滴噴出ノズル側に配置されるとともに前記液滴噴出ノズルから前記基板に噴射された前記処理液の液滴を前記基板に対して非接触の状態にて周囲のガスと共に吸引する処理液吸引ノズルとを備える。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記処理液吸引ノズルが、前記基板上において前記液滴噴出ノズルの周囲を囲む。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記基板を主面に平行な所定の移動方向に前記液滴噴出ノズルに対して相対的に移動する基板移動機構をさらに備える。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記液滴噴出ノズルが、前記基板に平行であり、かつ、前記移動方向に垂直な幅方向に伸びるスリット状の液滴噴出口を備える。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記遮蔽ガス噴出ノズルが、前記移動方向に関して前記液滴噴出口の両側に配置されるとともに前記液滴噴出口に平行に伸びるスリット状の２つの遮蔽ガス噴出口を備え、前記２つの遮蔽ガス噴出口のそれぞれが、前記幅方向に関して前記基板を覆う。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記処理液吸引ノズルが、前記２つの遮蔽ガス噴出口のそれぞれと前記液滴噴出口との間に配置されるとともに前記液滴噴出口に平行に伸びるスリット状の２つの処理液吸引口を備える。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記遮蔽ガス噴出ノズルが、前記移動方向に関して前記液滴噴出口の両側に配置されるとともに前記液滴噴出口に平行に伸びるスリット状の２つの遮蔽ガス噴出口と、前記２つの遮蔽ガス噴出口の前記幅方向の両側において前記移動方向に伸びるとともに前記２つの遮蔽ガス噴出口の端部の間を結ぶスリット状の他の２つの遮蔽ガス噴出口とを備える。
【００１７】
請求項８に記載の発明は、請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記遮蔽ガス噴出ノズルと前記処理液吸引ノズルとを連結するノズル連結部をさらに備え、前記遮蔽ガス噴出ノズルから高速に噴出される遮蔽ガスが前記ノズル連結部内のガスを引き込むことにより、前記処理液吸引ノズルによる前記処理液の液滴の吸引を行う。
【００１８】
請求項９に記載の発明は、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理液が純水である。
【００１９】
請求項１０に記載の発明は、請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板が、平面表示装置用のガラス基板である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、処理液の液滴が基板上において所定の処理空間よりも外側に飛散することを抑制することができる。請求項２ないし７の発明では、処理液を効率良く回収することができる。
【００２１】
請求項３ないし７の発明では、基板全体に対する処理を容易に行うことができる。請求項４の発明では、幅方向において基板に対する均一な処理を実現することができる。請求項５の発明では、基板の移動方向の上流側および下流側において処理空間の外側に処理液の液滴が飛散することを防止することができる。請求項８の発明では、装置の駆動源の個数を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１を備える基板処理システム７０の構成を示す正面図である。図１に示すように、基板処理システム７０は、基板９に対して現像液を供給して現像処理を行う現像装置７１、現像処理された基板９に処理液である純水を供給して基板９を洗浄処理する基板処理装置１、洗浄処理された基板９の表面に圧縮空気（または、窒素ガス）を吹き付けて乾燥させる乾燥装置７２、並びに、現像装置７１、基板処理装置１および乾燥装置７２から回収された現像液を現像装置７１へと循環させる循環装置７３を備える。本実施の形態では、基板９は平面表示装置の１つである液晶表示装置用のガラス基板である。
【００２３】
現像装置７１は、処理チャンバ７１１、処理チャンバ７１１の内部に設けられるとともに基板９に向けて現像液を噴出する現像液噴出ノズル７１２、現像液噴出ノズル７１２の下方（すなわち、図１中の（−Ｚ）側）において基板９を（＋Ｘ）方向に搬送する基板移動機構７１３、および、基板移動機構７１３の下方において基板９に供給された現像液を回収する回収部７１４を備える。現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液が用いられる。
【００２４】
乾燥装置７２は、処理チャンバ７２１、処理チャンバ７２１の内部に設けられるとともに基板９に向けて圧縮空気を吹き付けて基板９上に残留している洗浄後の処理液（純水）を液切りするエアナイフヘッド７２２、エアナイフヘッド７２２の下方において基板９を（＋Ｘ）方向に搬送する基板移動機構７２３、並びに、基板移動機構７２３および基板処理装置１の基板移動機構５（図２参照）の下方において基板９上から落下する現像液を回収する回収部７２４を備える。現像装置７１の回収部７１４、乾燥装置７２の回収部７２４、および、基板処理装置１の処理液吸引ノズル３（図２参照）は、循環装置７３の回収液貯溜槽７３１と接続されている。なお、基板処理装置１の構成は後述する。
【００２５】
循環装置７３は、現像装置７１、基板処理装置１および乾燥装置７２から回収された回収液（すなわち、現像液および基板処理装置１における処理液である純水）を貯溜する回収液貯溜槽７３１、回収液貯溜槽７３１から送られてくる回収液から気体（気泡）を除去する減圧脱泡機構７３２、脱泡された回収液を貯溜する脱泡液貯溜槽７３３、並びに、現像液を貯溜する現像液貯溜槽７３４を備える。
【００２６】
基板処理システム７０では、循環装置７３の脱泡液貯溜槽７３３から現像装置７１の現像液噴出ノズル７１２へと回収液が送られ、現像液噴出ノズル７１２から基板９に向けて噴出されることにより基板９上に形成されたレジスト膜が現像される。ところで、回収液貯溜槽７３１では、基板処理装置１からの純水の混入により、回収液中におけるＴＭＡＨの濃度が低下している。循環装置７３では、脱泡液貯溜槽７３３において、回収液中におけるＴＭＡＨの濃度が濃度センサにより管理されており、濃度センサからの出力に基づいて現像液貯溜槽７３４から現像液が脱泡液貯溜槽７３３に適宜供給され、回収液の濃度が所定の濃度範囲に維持される。
【００２７】
次に、基板処理装置１について説明する。図２は、基板処理装置１を示す正面図であり、図３は、基板処理装置１を示す側面図である。図２および図３では、チャンバ１０内部の構成を示す都合上、チャンバ１０を断面にて描いている（図９においても同様）。
【００２８】
図２に示すように、基板処理装置１は、処理液（すなわち、洗浄液）の液滴をキャリアガスと共に基板９に向けて噴出する液滴噴出ノズル２、液滴噴出ノズル２の図２中の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側に配置される２つの処理液吸引ノズル３、液滴噴出ノズル２および２つの処理液吸引ノズル３の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側に配置される２つの遮蔽ガス噴出ノズル４、並びに、液滴噴出ノズル２、処理液吸引ノズル３および遮蔽ガス噴出ノズル４を内部に収容するチャンバ１０を備える。
【００２９】
基板処理装置１は、また、チャンバ１０の下方（すなわち、図２中の（−Ｚ）側）において基板９を保持するとともに基板９を基板９の主面に平行な所定の移動方向（すなわち、図２中の（＋Ｘ）方向）に移動する基板移動機構５を備える。基板９は略矩形状であり、基板９の移動方向の長さ（すなわち、Ｘ方向の長さ）、および、移動方向に垂直な幅方向の長さ（すなわち、Ｙ方向の長さ）は約２ｍである。基板移動機構５では、基板９の下面（（−Ｚ）側の主面）に当接する複数のローラ５１が、図２中において時計回りに回転することにより、基板９が（＋Ｘ）方向に移動する。
【００３０】
液滴噴出ノズル２は、処理液とキャリアガスとを内部において混合して処理液の液滴を生成し、生成された液滴を噴出する内部混合型の二流体ノズルである。液滴噴出ノズル２の内部構造については後述する。図２および図３に示すように、液滴噴出ノズル２は、Ｙ方向の長さがＸ方向の長さよりも長い略直方体であり、基板９に平行であり、かつ、Ｙ方向（すなわち、幅方向）に伸びるスリット状の液滴噴出口２１（図２参照）を下端部に備える。液滴噴出口２１のＹ方向の長さは基板９のＹ方向の長さよりも少し長く、液滴噴出口２１はＹ方向に関して基板９を覆う。
【００３１】
図２に示すように、液滴噴出ノズル２は、基板９に対して垂直となるようにチャンバ１０の底板１０１に取り付けられており、底板１０１のＹ方向に伸びる開口１０２を介して処理液の液滴を基板９に向けて噴出する。液滴噴出ノズル２から基板９に向けて噴出される液滴の噴流の中心の面は、基板９に対して垂直とされる。図４は基板９を示す平面図であり、図４では、基板９上における液滴噴出ノズル２からの処理液の液滴の噴射領域（以下、「液滴噴射領域」という。）９０１に平行斜線を付して示す。また、図４では、液滴噴出ノズル２の液滴噴出口２１を二点鎖線にて描いている（後述の処理液吸引口３１および遮蔽ガス噴出口４１についても同様）。なお、図４では、図示の都合上、液滴噴出口２１、処理液吸引口３１および遮蔽ガス噴出口４１のＸ方向の開口幅を実際よりも大きく描いている。
【００３２】
図２に示す２つの遮蔽ガス噴出ノズル４は、装置外の圧縮空気供給装置（図示省略）に接続されており、液滴噴出ノズル２の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側（すなわち、基板９の移動方向の上流側および下流側）において、液滴噴射領域９０１（図４参照）を周囲から遮蔽する遮蔽ガスを噴出する。図２および図３に示すように、２つの遮蔽ガス噴出ノズル４はそれぞれ、Ｙ方向の長さがＸ方向の長さよりも長い略直方体であり、図２に示すように、基板９に平行であり、かつ、Ｙ方向に伸びるスリット状の遮蔽ガス噴出口４１を下端部に備える。換言すれば、２つの遮蔽ガス噴出ノズル４は、Ｘ方向（すなわち、基板９の移動方向）に関して液滴噴出口２１の両側に配置されるとともに液滴噴出口２１に平行に伸びる２つの遮蔽ガス噴出口４１を備える。遮蔽ガス噴出ノズル４も、液滴噴出ノズル２と同様に、チャンバ１０の底板１０１に取り付けられており、底板１０１のＹ方向に伸びる開口１０４を介して遮蔽ガスを基板９に向けて噴出する。
【００３３】
図４に示すように、遮蔽ガス噴出口４１のＹ方向の長さは、基板９のＹ方向の長さよりも少し長く、２つの遮蔽ガス噴出口４１のそれぞれは、Ｙ方向（すなわち、幅方向）に関して基板９を覆う。このため、基板９上における遮蔽ガス噴出ノズル４からの遮蔽ガスの噴射領域（以下、「遮蔽ガス噴射領域」という。）９０２は、基板９の（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側のエッジと交差し、液滴噴射領域９０１が、２つの遮蔽ガス噴射領域９０２と基板９のＹ方向の両側のエッジとにより囲まれる。換言すれば、液滴噴出ノズル２からの処理液の液滴噴射領域９０１は、（基板９の外部を除く）基板９上において遮蔽ガス噴出ノズル４から噴出される遮蔽ガスの噴流により囲まれる。
【００３４】
図２に示す２つの処理液吸引ノズル３は、装置外の吸引装置（図示省略）に接続されており、２つの遮蔽ガス噴出ノズル４の液滴噴出ノズル２側に配置され、液滴噴出ノズル２から基板９に噴射された処理液の液滴を、基板９に対して非接触の状態にて周囲のガスと共に吸引する。既述のように、処理液吸引ノズル３は回収液貯溜槽７３１（図１参照）に接続されており、吸引された処理液は回収液貯溜槽７３１へと送られる。
【００３５】
処理液吸引ノズル３の下端部と基板９の上面（すなわち、（＋Ｚ）側の主面）との間の距離は、好ましくは、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下（本実施の形態では、５ｍｍ）とされる。処理液吸引ノズル３と基板９との間の距離が５ｍｍ以上とされることにより、基板９が撓んでいる場合や基板９が搬送中に万一上下に振動した場合であっても、処理液吸引ノズル３と基板９とが接触することを確実に防止することができる。また、処理液吸引ノズル３と基板９との間の距離が２０ｍｍ以下とされることにより、処理液吸引ノズル３に接続される吸引装置の出力を現実的な範囲としつつ処理液の液滴を確実に吸引することができる。
【００３６】
図２および図３に示すように、２つの処理液吸引ノズル３はそれぞれ、Ｙ方向の長さがＸ方向の長さよりも長い略直方体である。各処理液吸引ノズル３は、図２に示すように、基板９に平行であり、かつ、Ｙ方向に伸びるスリット状の処理液吸引口３１を下端部に備える。換言すれば、２つの処理液吸引ノズル３は、２つの遮蔽ガス噴出口４１のそれぞれと液滴噴出口２１との間に配置されるとともに液滴噴出口２１に平行に伸びる２つの処理液吸引口３１を備える。処理液吸引ノズル３も、液滴噴出ノズル２および遮蔽ガス噴出ノズル４と同様に、チャンバ１０の底板１０１に取り付けられており、底板１０１のＹ方向に伸びる開口１０３を介して処理液の液滴を吸引する。
【００３７】
図４に示すように、２つの処理液吸引口３１のＹ方向の長さは、基板９のＹ方向の長さとほぼ等しくされ、処理液吸引口３１のＹ方向の両端は、基板９のＹ方向の両側のエッジとおよそ重なる。このため、平面視において、基板９上の液滴噴射領域９０１は、２つの処理液吸引口３１と基板９の幅方向の両側のエッジとによりほぼ囲まれる。換言すれば、基板処理装置１では、２つの処理液吸引ノズル３が、（基板９の外部を除く）基板９上において液滴噴出ノズル２の周囲を囲む。
【００３８】
次に、液滴噴出ノズル２の内部構造について説明する。図５は液滴噴出ノズル２の縦断面図であり、図６は液滴噴出ノズル２の（＋Ｘ）側を示す図である。液滴噴出ノズル２は、図５に示すように、オリフィス板２４２を第１スリット板２４１と第２スリット板２４３とで挟み込んだ構造となっており、Ｙ方向に関して液滴噴出ノズル２の両側には、図６に示すように、端面板２４４が図示省略のシール部材を介して取り付けられる。
【００３９】
第２スリット板２４３には、Ｙ方向に一定のピッチで複数のガス供給ポート２４５が設けられ、第１スリット板２４１には、ガス供給ポート２４５と同様の位置に処理液供給ポート２４６（図５参照）が設けられる。処理液供給ポート２４６およびガス供給ポート２４５は、図示省略の処理液供給部およびキャリアガス供給部にそれぞれ接続されており、処理液供給部およびキャリアガス供給部が制御されることにより、液滴噴出ノズル２からの処理液の液滴の噴出が制御される。
【００４０】
液滴噴出ノズル２の内部には、図５および図６に示すように、処理液とキャリアガスとを混合する気液混合室２４１１、処理液に与えられる圧を均一にするための分配室２４２１、および、気液混合室２４１１と分配室２４２１とを連通させる複数の連通管２４２２が設けられる。また、オリフィス板２４２と第２スリット板２４３との間にもスリット状の微小な隙間が設けられ、この隙間が、ガス供給ポート２４５からのキャリアガスが供給されるガス路２４３１とされる。第１スリット板２４１と第２スリット板２４３との間のスリット状の隙間は、処理液の液滴の流路とされ、流路の下端の開口が１つの液滴噴出口２１となる。
【００４１】
図７は、図６に示す液滴噴出ノズル２のＡ−Ａ断面の一部を（＋Ｚ）側から見た図である。液滴噴出ノズル２の分配室２４２１および複数の連通管２４２２は、第１スリット板２４１とオリフィス板２４２とを重ね合わせることにより形成される。分配室２４２１は、図５ないし図７に示すように、断面形状が矩形でＹ方向に連続的に伸びており、分配室２４２１により処理液の圧がＹ方向に均一に分散されて複数の連通管２４２２に均等に処理液が分配される。複数の連通管２４２２は、Ｙ方向に一定のピッチで配列され、各連通管２４２２は上下方向に伸び、水平面による断面形状は矩形とされる。
【００４２】
図８は、図５に示す気液混合室２４１１を拡大して示す図である。気液混合室２４１１は図８に示すように、第１スリット板２４１、オリフィス板２４２および第２スリット板２４３の間に形成され、連通管２４２２の開口の下方にて他の領域よりも少し高くなった衝突面２４１２を有し、図６に示すようにＹ方向に連続的に伸びている。複数の連通管２４２２から気液混合室２４１１へ供給された処理液は、衝突面２４１２に勢いよく衝突して粉砕され気液混合室２４１１の第２スリット板２４３側へと導かれ、ガス路２４３１から供給される高速のキャリアガスと衝突することにより処理液の液滴が生成される。すなわち、液滴噴出ノズル２はいわゆる内部混合型の二流体ノズルとなっている。生成された処理液の液滴はスリット状の液滴噴出口２１から基板９に向けて噴出される。
【００４３】
液滴噴出ノズル２では、処理液とキャリアガスとを衝突させることにより処理液の微小な液滴を生成することができ、さらに、微小な液滴をキャリアガスと共に噴出することにより液滴を高速に噴出することができ、処理効率を向上することができる。また、衝突面２４１２の大きさを処理液やキャリアガスの供給圧力などに合わせて変更することにより、液滴の粒径を変化させることができ、基板９に対する最適な処理を行うことができる。
【００４４】
図２に示すように、基板処理装置１では、処理液の液滴を連続的に噴出する液滴噴出ノズル２の下方を基板９が（＋Ｘ）方向に搬送されることにより、処理液の液滴が基板９の上面の液滴噴射領域９０１（図４参照）に衝突し、当該主面に付着したパーティクル等の異物が除去される（すなわち、液滴噴射領域９０１が洗浄される）。そして、２つの遮蔽ガス噴出ノズル４の間に設けられた処理液吸引ノズル３により、基板９の洗浄に利用された使用済みの処理液の液滴（すなわち、基板９に衝突して跳ね返った後の液滴であり、パーティクル等の異物を包含している可能性がある液滴）が周囲のガスと共に吸引されて回収される。
【００４５】
基板処理装置１では、液滴噴出ノズル２として二流体ノズルを利用し、液滴の粒径や分布密度、噴出速度等を適切なものとすることにより、基板９に対する適切な洗浄圧を実現することができる。これにより、基板９の表面に設けられた微細なパターン等が損傷することを防止しつつ基板９に対する適切な洗浄処理を行うことができる。
【００４６】
基板処理装置１では、液滴噴出ノズル２からの処理液の液滴噴射領域９０１が、基板９上において遮蔽ガス噴出ノズル４からの遮蔽ガスの噴流により囲まれているため、液滴噴出ノズル２から噴出された処理液の液滴が、基板９上において、遮蔽ガスの噴流に囲まれる所定の空間（すなわち、基板９上における処理空間）よりも外側の領域（すなわち、基板９上における（＋Ｘ）側の遮蔽ガス噴出ノズル４からの遮蔽ガスの噴流よりも（＋Ｘ）側の領域、および、（−Ｘ）側の遮蔽ガス噴出ノズル４からの遮蔽ガスの噴流よりも（−Ｘ）側の領域）に飛散することを防止することができる。
【００４７】
その結果、使用済みの処理液の液滴が、基板９の処理空間外の領域に再付着して基板９が再汚染されることを防止することができる。なお、基板処理装置１では、基板９上における処理空間内の処理液の液滴の一部が、基板９の（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側から外部に飛散するが、これらの液滴が飛散する範囲には基板９は存在しないため、飛散した液滴により基板９が再汚染されることはない。
【００４８】
基板処理装置１では、遮蔽ガス噴出ノズル４からの遮蔽ガスの噴流により、処理液の液滴が基板９上において処理空間から外側に飛散することが防止されているため、使用済みの処理液を効率良く回収することができる。また、処理液吸引ノズル３が基板９上において液滴噴出ノズル２の周囲を囲むように配置されているため、使用済みの処理液の液滴をより効率良く吸引して回収することができる。さらには、処理液吸引ノズル３が基板９に非接触の状態にて処理液の液滴を吸引するため、基板９を傷つける恐れなく処理液を回収することができる。なお、処理空間内の液滴の一部は、チャンバ１０の底板１０１に形成された開口１０５からチャンバ１０内に流入し、装置外の吸引装置（図示省略）により吸引されてチャンバ１０上部に形成された排出口１０６からチャンバ１０外へと排出されて回収される。
【００４９】
基板処理装置１では、基板移動機構５により基板９を液滴噴出ノズル２に対して相対的に移動することにより、上述のように処理液の液滴が基板９上において処理空間よりも外側に飛散することを防止しつつ、基板９全体に対する洗浄処理を容易に行うことができる。また、液滴噴出ノズル２の液滴噴出口２１が、基板９の移動方向（Ｘ方向）に垂直な幅方向（Ｙ方向）に伸びるスリット状とされることにより、処理液の液滴の粒径や分布密度、噴出速度等の幅方向における均一性を向上することができる。これにより、幅方向において基板９に処理ムラが生じることを防止して基板９に対する均一な洗浄処理を実現することができる。
【００５０】
遮蔽ガス噴出ノズル４では、遮蔽ガス噴出口４１が、基板９の移動方向に関して液滴噴出口２１の両側に配置されるとともに液滴噴出口２１に平行に伸びるスリット状とされ、さらに、遮蔽ガス噴出口４１が幅方向に関して基板９を覆う。このため、基板処理装置１では、基板９の移動方向の上流側および下流側において処理空間の外側に処理液の液滴が飛散することを防止することができ、処理空間よりも上流側および下流側の領域において、使用済みの処理液の液滴が基板９に再付着することを防止することができる。特に、処理空間よりも下流側では、基板９の洗浄処理が既に終了しているため、基板９への処理液の再付着が防止されることは特に好ましい。
【００５１】
また、処理液吸引ノズル３では、処理液吸引口３１が、遮蔽ガス噴出口４１と液滴噴出口２１との間に配置されるとともに液滴噴出口２１に平行に伸びるスリット状とされることにより、処理空間内において飛散する処理液の液滴を基板９の幅方向のほぼ全幅において吸引することができるため、使用済みの処理液をより効率良く回収することができる。
【００５２】
液滴噴出ノズル２は、処理液の液滴を高速のキャリアガスと共に噴出する二流体ノズルであるため、処理液のみを吐出する通常の一流体ノズルに比べて処理液（の液滴）の噴出速度が大きく、基板９に衝突後の処理液の放射流速（すなわち、使用済みの処理液の液滴が基板９の上面に沿って飛散する速度）も大きい。さらに、液滴噴出ノズル２は内部混合型の二流体ノズルであるため、ノズルの外部において処理液をキャリアガスと衝突させることにより処理液の液滴が生成される通常の外部混合型の二流体ノズルよりも、処理液の液滴の噴出速度が大きい。したがって、効率良く基板９の洗浄処理を行うことができる反面、処理液の液滴の放射流速が大きくなり、飛散も激しくなる。
【００５３】
これに対し、基板処理装置１では、使用済みの処理液の液滴が基板９上において処理空間よりも外側に飛散することを防止することができ、さらに、飛散が防止された処理液の液滴を効率良く吸引して回収することができる。したがって、基板処理装置１の構成は、処理液の液滴の放射流速が大きく飛散も激しい二流体ノズル（特に、内部混合型の二流体ノズル）が基板９への処理液の供給機構として利用される場合に特に適している。
【００５４】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１ａについて説明する。図９は、基板処理装置１ａの構成を示す正面図である。図９に示すように、基板処理装置１ａでは、液滴噴出ノズル２の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側のそれぞれにおいて、処理液吸引ノズル３と隣接する遮蔽ガス噴出ノズル４とを連結するノズル連結部６が設けられる。また、遮蔽ガス噴出ノズル４は、チャンバ１０外に配置され、チャンバ１０の底板１０１の側壁よりも（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側に伸びる部位に取り付けられる。その他の構成は図２と同様であり、以下の説明において同符号を付す。
【００５５】
基板処理装置１ａでは、第１の実施の形態と同様に、処理液（すなわち、洗浄液）の液滴をキャリアガスと共に基板９に向けて噴出する液滴噴出ノズル２、液滴噴出ノズル２の（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側において処理液の液滴噴射領域９０１（図４参照）を基板９上において囲む遮蔽ガスを噴出する２つの遮蔽ガス噴出ノズル４、２つの遮蔽ガス噴出ノズル４のそれぞれと液滴噴出ノズル２との間において基板９上にて液滴噴出ノズル２の周囲を囲むように配置されて処理液の液滴を吸引する２つの処理液吸引ノズル３、および、基板９を（＋Ｘ）方向に移動する基板移動機構５を備える。
【００５６】
また、第１の実施の形態と同様に、液滴噴出ノズル２の液滴噴出口２１、２つの処理液吸引ノズル３の処理液吸引口３１および２つの遮蔽ガス噴出ノズル４の遮蔽ガス噴出口４１は、互いに平行であって基板９の移動方向に垂直な幅方向（Ｙ方向）に伸びるスリット状とされる。液滴噴出口２１および２つの遮蔽ガス噴出口４１はＹ方向に関して基板９を覆い、処理液吸引口３１のＹ方向の両端は、基板９のＹ方向の両側のエッジとおよそ重なる（図４参照）。
【００５７】
図９に示すように、２つのノズル連結部６はそれぞれ、処理液吸引ノズル３内の吸引路３２と遮蔽ガス噴出ノズル４内のガス流路４２とを連結する連結路６１、および、連結路６１の途中に設けられる気液分離器６２を備える。
【００５８】
基板処理装置１ａでは、装置外の圧縮空気供給装置（図示省略）から遮蔽ガス噴出ノズル４に対して供給された圧縮空気が、ガス流路４２内を（−Ｚ）方向に高速で流れ、遮蔽ガス噴出口４１から基板９に向けて遮蔽ガスとして噴出される。このとき、遮蔽ガス噴出ノズル４から高速に噴出される遮蔽ガスにより、ノズル連結部６の連結路６１内のガスが遮蔽ガス噴出ノズル４のガス流路４２内に引き込まれ、さらに、処理液吸引ノズル３の吸引路３２内のガスおよび処理液の液滴が連結路６１内に引き込まれる。連結路６１内に引き込まれたガスおよび液滴は、気液分離器６２によりガスと液体（すなわち、処理液）とに分離され、ガスは連結路６１を介して遮蔽ガス噴出ノズル４のガス流路４２に引き込まれて遮蔽ガス噴出口４１から噴出され、処理液は図示省略の回収装置により回収される。
【００５９】
処理液吸引ノズル３では、吸引路３２内のガスおよび液滴がノズル連結部６に引き込まれることにより、吸引路３２内の圧力が低下し、基板９上の処理空間内の処理液の液滴が周囲のガスと共に処理液吸引口３１から吸引される。このように、基板処理装置１ａでは、遮蔽ガス噴出ノズル４から高速に噴出される遮蔽ガスがノズル連結部６内のガスを引き込むことにより、処理液吸引ノズル３による処理液の液滴の吸引が行われる。すなわち、遮蔽ガス噴出ノズル４は、ノズル連結部６を介して処理液吸引ノズル３に吸引力を発生させるエジェクタの役割を果たす。
【００６０】
ノズル連結部６では、Ｙ方向に伸びるスリット状の連結路６１が基板９を覆うように設けられてもよく、複数の連結路６１がＹ方向に配列されてもよい。なお、基板処理装置１ａの構造の簡素化、ノズル連結部６における抵抗の低減、および、処理液吸引ノズル３の吸引力のＹ方向における均一性向上の観点からは、連結路６１はＹ方向に伸びるスリット状とされることが好ましい。
【００６１】
基板処理装置１ａでは、処理液吸引ノズル３は、遮蔽ガス噴出ノズル４にのみ連結されており、他の吸引装置には連結されていない。すなわち、処理液吸引ノズル３における吸引力は、エジェクタの役割を果たす遮蔽ガス噴出ノズル４による遮蔽ガスの噴出圧のみにより発生する。このため、基板処理装置１ａの駆動源の個数を削減することができ、基板処理装置１ａの構成を簡素化することができる。なお、遮蔽ガス噴出ノズル４による遮蔽ガスの噴出圧のみでは、処理液吸引ノズル３の吸引力が不足する場合には、処理液吸引ノズル３は、遮蔽ガス噴出ノズル４以外の他の吸引装置にも連結されてよい。この場合であっても、遮蔽ガス噴出ノズル４がエジェクタの役割を果たすため、基板処理装置１ａの作動に必要な動力を削減することができる。
【００６２】
基板処理装置１ａでは、第１の実施の形態と同様に、液滴噴出ノズル２からの処理液の液滴噴射領域９０１が、基板９上において遮蔽ガス噴出ノズル４からの遮蔽ガスの噴流により囲まれているため、処理液の液滴が基板９上において処理空間よりも外側の領域に飛散することを防止することができる。その結果、使用済みの処理液の液滴が、基板９の処理空間外の領域に再付着して基板９が再汚染されることを防止することができる。また、処理液の液滴が、基板９上において処理空間から外側に飛散することが防止されているため、使用済みの処理液を効率良く回収することができる。さらには、処理液吸引ノズル３が基板９上において液滴噴出ノズル２の周囲を囲むように配置されているため、使用済みの処理液の液滴をより効率良く吸引して回収することができる。
【００６３】
基板処理装置１ａでは、第１の実施の形態と同様に、二流体ノズルである液滴噴出ノズル２により、基板９の表面に設けられた微細なパターン等が損傷することを防止しつつ基板９に対する適切な洗浄処理を行うことができる。また、基板移動機構５により基板９を液滴噴出ノズル２に対して相対的に移動することにより、基板９全体に対する洗浄処理を容易に行うことができる。さらには、液滴噴出ノズル２の液滴噴出口２１が、基板９の移動方向（Ｘ方向）に垂直な幅方向（Ｙ方向）に伸びるスリット状とされることにより、処理液の液滴の粒径や分布密度、流速等の幅方向における均一性を向上して基板９に対する均一な洗浄処理を実現することができる。
【００６４】
また、第１の実施の形態と同様に、遮蔽ガス噴出口４１が幅方向に関して基板９を覆うスリット状とされるため、基板９の移動方向の上流側おより下流側において処理空間の外側に処理液の液滴が飛散することを防止することができる。さらには、スリット状の処理液吸引口３１を有する処理液吸引ノズル３により、使用済みの処理液の液滴をより効率良く吸引して回収することができる。
【００６５】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図１０は、第３の実施の形態に係る基板処理装置により処理される基板９を示す平面図である。図１０では、図４と同様に、基板９上の液滴噴射領域９０１および遮蔽ガス噴射領域９０２に平行斜線を付して示す。また、液滴噴出口２１、処理液吸引口３１および遮蔽ガス噴出口４１ａ、４１ｂを二点鎖線にて描いている。
【００６６】
図１０に示すように、第３の実施の形態に係る基板処理装置では、液滴噴出ノズル２（図２参照）の液滴噴出口２１、および、処理液吸引ノズル３（図２参照）の処理液吸引口３１のＹ方向の長さが基板９のＹ方向の長さよりも僅かに短くされる。また、図２に示す遮蔽ガス噴出ノズル４に代えて、液滴噴出ノズル２の全周を囲む環状の１つの遮蔽ガス噴出ノズルが設けられる。環状の遮蔽ガス噴出ノズルは、基板９の移動方向（Ｘ方向）に関して液滴噴出口２１の両側に配置されるとともに液滴噴出口２１に平行に伸びるスリット状の２つの遮蔽ガス噴出口４１ａ（以下、「第１遮蔽ガス噴出口４１ａ」という。）、および、２つの第１遮蔽ガス噴出口４１ａの幅方向（Ｙ方向）の両側において基板９の移動方向に伸びるとともに２つの第１遮蔽ガス噴出口４１ａの端部の間を結ぶスリット状の２つの遮蔽ガス噴出口４１ｂ（以下、「第２遮蔽ガス噴出口４１ｂ」という。）を備える。その他の構成は図２と同様であり、以下の説明において同符号を付す。
【００６７】
図１０に示すように、第３の実施の形態に係る基板処理装置では、液滴噴出ノズル２からの処理液の液滴噴射領域９０１の全周が、基板９上において遮蔽ガス噴射領域９０２により囲まれている。このように、第１遮蔽ガス噴出口４１ａおよび第２遮蔽ガス噴出口４１ｂから噴出される遮蔽ガスの噴流により、基板９上において液滴噴射領域９０１の全周が囲まれているため、処理液の液滴が処理空間よりも外側の領域に飛散することをより確実に防止することができる。その結果、使用済みの処理液の液滴が、基板９の処理空間外の領域に再付着して基板９が再汚染されることをより確実に防止することができる。また、処理液の液滴が、基板９上において処理空間から外側に飛散することが防止されているため、使用済みの処理液の回収率を向上することができる。なお、第３の実施の形態に係る基板処理装置では、２つの第１遮蔽ガス噴出口４１ａおよび２つの第２遮蔽ガス噴出口４１ｂが連通して１つの環状の遮蔽ガス噴出口が形成されてもよい。
【００６８】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【００６９】
液滴噴出ノズル２の内部の構造は、上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、分配室２４２１は、断面形状が矩形である必要はなく、半月形であってもよく、連通管２４２２の断面形状も矩形である必要はなく、円形であってもよい。また、衝突面２４１２も、ガス路２４３１に向かって広がっていくような扇状かつ凹状の傾斜した面とされてもよい。
【００７０】
液滴噴出ノズル２は、必ずしも内部混合型の二流体ノズルである必要はなく、例えば、外部混合型の二流体ノズルであってもよく、また、他の液滴生成装置により生成された処理液の液滴を受け取って、キャリアガスと共に基板９に向けて噴出する構造とされてもよい。
【００７１】
図１１および図１２は、遮蔽ガス噴出ノズルの好ましい例を示す断面図である。図１１に示すように、遮蔽ガス噴出ノズル４ａでは、上部（すなわち、（＋Ｚ）側）に圧縮空気が供給される複数の供給口４３がＹ方向に配列されており、供給された圧縮空気が遮蔽ガスとして噴出されるスリット状の遮蔽ガス噴出口４１ｃが下端部に形成される。また、遮蔽ガス噴出ノズル４ａの両側部（すなわち、（＋Ｘ）側および（−Ｘ）側）には、Ｙ方向に伸びるスリット状のガス取入口４４が形成されている。
【００７２】
遮蔽ガス噴出ノズル４ａでは、複数の供給口４３から供給された圧縮空気が、Ｙ方向に伸びる断面が円形の合流部４２１において合流し、スリット状の下部ガス流路４２２を高速にて流れて遮蔽ガス噴出口４１ｃから高速にて噴出されることにより、ガス取入口４４とガス流路４２とを連結する側部流路４５の圧力が低下し、ガス取入口４４から周囲のガスが引き込まれる。ガス取入口４４から引き込まれたガスは、コアンダ効果等により側部流路４５の内側面に沿って下向きに流れ、供給口４３からの圧縮空気と共に遮蔽ガス噴出口４１ｃから噴出される。
【００７３】
このため、遮蔽ガス噴出ノズル４ａでは、遮蔽ガス噴出口４１ｃから噴出される遮蔽ガスの風量を容易に増大する（例えば、ガス取入口４４を設けない場合に比べて２倍〜３倍に増大する）ことができ、処理液の液滴が処理空間外に飛散することをさらに確実に防止することができる。また、遮蔽ガス噴出ノズル４ａが、第２の実施の形態のように処理液吸引ノズル３に吸引力を発生させるエジェクタの役割を果たす場合、処理液吸引ノズル３による吸引力を増大することもできる。
【００７４】
図１２に示す遮蔽ガス噴出ノズル４ｂでは、圧縮空気が供給される複数の供給口４３ａが遮蔽ガス噴出ノズル４ｂの両側部に設けられ、ガス取入口４４ａが遮蔽ガス噴出ノズル４ｂの上部に設けられる。遮蔽ガス噴出ノズル４ｂでは、供給口４３ａから圧縮空気が供給されることにより、ガス取入口４４ａから周囲のガスが取り込まれ、ガス取入口４４ａの内側面に沿って下向きに流れて供給口４３からの圧縮空気と共に遮蔽ガス噴出口４１ｄから噴出される。また、遮蔽ガス噴出ノズル４ｂのＸ方向の厚さが下側ほど薄くされているため、遮蔽ガス噴出ノズル４ｂの周囲のガスは、遮蔽ガス噴出口４１ｄから噴出される遮蔽ガスに引き込まれ、遮蔽ガス噴出ノズル４ｂの外側面に沿って容易に下方に流れる。
【００７５】
このように、遮蔽ガス噴出ノズル４ｂでも、遮蔽ガス噴出ノズル４ａと同様に、遮蔽ガス噴出口４１ｄから噴出される遮蔽ガスの風量を容易に増大することができ、処理液の液滴が処理空間外に飛散することをさらに確実に防止することができる。また、遮蔽ガス噴出ノズル４ｂが、第２の実施の形態のように処理液吸引ノズル３に吸引力を発生させるエジェクタの役割を果たす場合、処理液吸引ノズル３による吸引力を増大することもできる。
【００７６】
上記実施の形態に係る基板処理装置では、遮蔽ガス噴出ノズルの遮蔽ガス噴出口は、必ずしも液滴噴出口２１に平行に伸びるスリット状とされる必要はなく、例えば、基板９の移動方向に関する液滴噴出口２１の両側のそれぞれに、複数の遮蔽ガス噴出口が液滴噴出口２１に沿って配列され、これら複数の遮蔽ガス噴出口から噴出されて合流した遮蔽ガスの噴流により、基板９上において処理液の液滴噴射領域９０１が囲まれてもよい。
【００７７】
処理液吸引ノズル３の処理液吸引口３１も、必ずしも液滴噴出口２１に平行に伸びるスリット状とされる必要はなく、例えば、基板９の移動方向に関する液滴噴出口２１の両側のそれぞれに、複数の処理液吸引口が液滴噴出口２１に沿って配列されてもよい。複数の処理液吸引口は、密に配列されてもよく、基板９の幅方向に関して互いに隙間を空けて配列されてもよい。複数の処理液吸引口が隙間を空けて配列される場合であっても、複数の処理液吸引口が基板９の幅方向の全長に亘って配列されることにより、液滴噴出ノズル２が処理液吸引ノズルにより基板９上において囲まれることとなり、液滴噴出ノズル２からの処理液の液滴を効率良く吸引して回収することができる。複数の処理液吸引口の形状は、例えば、円形や矩形状とされる。また、複数の処理液吸引口は、液滴噴出口２１に平行に配列されてもよく、液滴噴出口２１に沿って千鳥状に配列されてもよい。
【００７８】
基板処理装置では、例えば、円形の液滴噴出口を有する液滴噴出ノズルを中心として、当該液滴噴出口の全周を囲む円環状の処理液吸引口を有する処理液吸引ノズル、並びに、処理液吸引口の外側にて液滴噴出口および処理液吸引口の全周を囲む円環状の遮蔽ガス噴出口を有する遮蔽ガス噴出ノズルが設けられてもよい。また、円環状の処理液吸引口に代えて、液滴噴出口を中心とする周方向に配列されて液滴噴出口の周囲を囲む複数の処理液吸引口が設けられてもよい。なお、処理液の液滴が基板９上において処理空間よりも外側に飛散することを防止して処理液を効率良く回収するという観点のみからは、処理液吸引ノズルは、液滴噴出ノズルと遮蔽ガス噴出ノズルとの間に設けられていればよく、必ずしも液滴噴出ノズルの周囲を囲むように設けられる必要はない。
【００７９】
第１および第２の実施の形態に係る基板処理装置では、液滴噴出ノズル２の両側に２つの遮蔽ガス噴出ノズル４が設けられるが、１つの遮蔽ガス噴出ノズルに２つの遮蔽ガス噴出口４１が設けられて液滴噴出口２１の両側に配置されてもよい。このように、遮蔽ガス噴出ノズルの個数は１つであっても複数であってもよく、装置の設計上、適宜定められてよい。
【００８０】
上記実施の形態に係る基板処理装置では、基板移動機構５により、基板９が液滴噴出ノズル２に対して相対的に移動すればよく、例えば、基板９の上方において、液滴噴出ノズル２等を収容したチャンバ１０が、基板９の（＋Ｘ）側から（−Ｘ）方向に移動してもよい。また、液滴噴出ノズルからの処理液の液滴噴射領域が円形や矩形であって、基板９上の洗浄処理すべき領域が基板９の相対移動なしで当該液滴噴射領域に含まれている場合等、洗浄時に基板９の液滴噴出ノズルに対する相対移動が不要とされる場合には、基板移動機構５は省略されてもよい。
【００８１】
基板処理装置では、液晶表示装置用のガラス基板以外に、例えば、プラズマ表示装置等の他の平面表示装置用のガラス基板の洗浄処理が行われてもよく、半導体基板やプリント配線基板、磁気ディスク用のガラス基板等、様々な基板の洗浄処理が行われてもよい。また、基板処理装置では、洗浄する基板９の種類や洗浄目的等に合わせて、純水以外の様々な液体が洗浄液として用いられてもよい。
【００８２】
上記実施の形態に係る基板処理装置は、基板９の洗浄処理以外の処理に利用されてもよい。例えば、基板処理装置により、基板表面の露光済みのレジスト膜を現像する現像液の塗布が行われる場合、現像液の液滴がキャリアガスと共に基板９に噴射されて基板９の現像が行われる。現像後の基板に対してエッチング液の液滴を噴射することにより、基板９のエッチングが行われてもよい。また、レジスト除去用の薬液が基板９に供給されることにより、レジストの剥膜処理が行われてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置を備える装置の構成を示す正面図である。
【図２】基板処理装置を示す正面図である。
【図３】基板処理装置を示す側面図である。
【図４】基板を示す平面図である。
【図５】液滴噴出ノズルの縦断面図である。
【図６】液滴噴出ノズルの側面図である。
【図７】分配室の一部を示す横断面図である。
【図８】気液混合室を示す縦断面図である。
【図９】第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す正面図である。
【図１０】第３の実施の形態に係る基板処理装置により処理される基板を示す平面図である。
【図１１】他の好ましい遮蔽ガス噴出ノズルを示す断面図である。
【図１２】他の好ましい遮蔽ガス噴出ノズルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１，１ａ    基板処理装置
２    液滴噴出ノズル
３    処理液吸引ノズル
４，４ａ，４ｂ    遮蔽ガス噴出ノズル
５    基板移動機構
６    ノズル連結部
９    基板
２１    液滴噴出口
３１    処理液吸引口
４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ    遮蔽ガス噴出口
９０１    液滴噴射領域
【図１】
2007059416.tif 000003
【図２】
2007059416.tif 000004
【図３】
2007059416.tif 000005
【図４】
2007059416.tif 000006
【図５】
2007059416.tif 000007
【図６】
2007059416.tif 000008
【図７】
2007059416.tif 000009
【図８】
2007059416.tif 000010
【図９】
2007059416.tif 000011
【図１０】
2007059416.tif 000012
【図１１】
2007059416.tif 000013
【図１２】
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