(57)【要約】【課題】  特別な装置構成を追加することなく、飽和した欠陥画素を検出し、それに隣接する画素からの出力を補正できるようにすること。【解決手段】  受光部と遮光部とを有する複数の画素を備える撮像素子（１４）と、予め取得した撮像素子の欠陥画素の位置情報及び基準出力レベルを少なくとも保持する不揮発性メモリ（５６）とを有する撮像装置において、遮光部にある欠陥画素であって、被写体の撮影時の出力レベルが予め設定された飽和レベル未満である欠陥画素を検出し（Ｓ２０２）、検出された欠陥画素の基準出力レベルと、撮影時の出力レベルとに基づいて、受光部にある欠陥画素の基準出力レベルを調整し（Ｓ２０５）、調整された基準出力レベルが前記第２の飽和レベル以上である欠陥画素に隣接する画素を補正対象画素として設定し（Ｓ２０７）、欠陥画素及び補正対象画素から出力された撮影時の出力レベルの補正を行う（Ｓ２０９）。【選択図】  図４
2007174124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光部と遮光部とを有する複数の画素を備える撮像素子と、
予め取得した前記撮像素子の欠陥画素の位置情報及び基準出力レベルを少なくとも保持する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された欠陥画素の内、前記遮光部にある欠陥画素であって、被写体の撮影時の出力レベルが予め設定された第１の飽和レベル未満である欠陥画素を検出する検出手段と、
前記検出された欠陥画素の基準出力レベルと、前記撮影時の出力レベルとに基づいて、前記記憶手段に記憶された欠陥画素の内、前記受光部にある欠陥画素の基準出力レベルを調整する調整手段と、
前記調整手段により調整された基準出力レベルが前記画素の飽和レベルである第２の飽和レベル以上であるかどうかを判断し、前記調整された基準出力レベルが前記第２の飽和レベル以上である欠陥画素に隣接する画素を補正対象画素として設定する設定手段と、
前記記憶手段に記憶された欠陥画素及び前記設定手段により設定された補正対象画素から出力された前記撮影時の出力レベルの補正を行う補正手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記調整手段は、前記検出された欠陥画素の基準出力レベルと、前記撮影時の出力レベルとの比を求め、求めた比を乗することにより、前記受光部にある欠陥画素の基準出力レベルを調整することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像素子の出力レベルを増幅する増幅手段を更に有し、
前記第１の飽和レベルが前記増幅手段の飽和レベルであることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記増幅手段のゲインが、前記記憶手段に記憶された欠陥画素の位置情報及び基準出力レベルを取得した時と、前記撮影時とで異なる場合に、前記調整手段は、前記撮影時の出力レベルを前記取得時のゲインに合わせるように調整することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記検出手段は、前記撮影時の出力レベルが前記第１の飽和レベル未満で且つ最も高い欠陥画素を検出することを特徴とする請求項１乃至４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記検出手段により複数の欠陥画素が検出された場合に、前記調整手段は、当該検出された複数の欠陥画素の基準出力レベル及び撮影時の出力レベルをそれぞれ平均することを特徴とする請求項１乃至４に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記検出手段は、前記撮影時の電荷蓄積時間及び感度の少なくともいずれか一方に基づいて、検出に用いる欠陥画素を変更することを特徴とする請求項１乃至４に記載の撮像装置。
【請求項８】
受光部と遮光部とを有する複数の画素を備える撮像素子と、予め取得した前記撮像素子の欠陥画素の位置情報及び基準出力レベルを少なくとも保持する記憶手段とを有する撮像装置において、撮影時に前記欠陥画素から出力された出力レベルを補正する補正方法であって、
前記記憶手段に記憶された欠陥画素の内、前記遮光部にある欠陥画素であって、被写体の撮影時の出力レベルが予め設定された第１の飽和レベル未満である欠陥画素を検出する検出ステップと、
前記検出された欠陥画素の基準出力レベルと、前記撮影時の出力レベルとに基づいて、前記記憶手段に記憶された欠陥画素の内、前記受光部にある欠陥画素の基準出力レベルを調整する調整ステップと、
前記調整ステップで調整された基準出力レベルが前記画素の飽和レベルである第２の飽和レベル以上であるかどうかを判断し、前記調整された基準出力レベルが前記第２の飽和レベル以上である欠陥画素に隣接する画素を補正対象画素として設定する設定ステップと、
前記記憶手段に記憶された欠陥画素及び前記設定ステップで設定された補正対象画素から出力された前記撮影時の出力レベルの補正を行う補正ステップと
を有することを特徴とする補正方法。
【請求項９】
前記調整ステップでは、前記検出された欠陥画素の基準出力レベルと、前記撮影時の出力レベルとの比を求め、求めた比を乗することにより、前記受光部にある欠陥画素の基準出力レベルを調整することを特徴とする請求項８に記載の補正方法。
【請求項１０】
前記撮像装置は、前記撮像素子の出力レベルを増幅する増幅手段を更に有し、
前記第１の飽和レベルが前記増幅手段の飽和レベルであることを特徴とする請求項８または９に記載の補正方法。
【請求項１１】
前記増幅手段のゲインが、前記記憶手段に記憶された欠陥画素の位置情報及び基準出力レベルを取得した時と、前記撮影時とで異なる場合に、前記調整ステップでは、前記撮影時の出力レベルを前記取得時のゲインに合わせるように調整することを特徴とする請求項１０に記載の補正方法。
【請求項１２】
前記検出ステップでは、前記撮影時の出力レベルが前記第１の飽和レベル未満で且つ最も高い欠陥画素を検出することを特徴とする請求項８乃至１１に記載の補正方法。
【請求項１３】
前記検出ステップで複数の欠陥画素が検出された場合に、前記調整ステップでは、当該検出された複数の欠陥画素の基準出力レベル及び撮影時の出力レベルをそれぞれ平均することを特徴とする請求項８乃至１１に記載の補正方法。
【請求項１４】
前記検出ステップでは、前記撮影時の電荷蓄積時間及び感度の少なくともいずれか一方に基づいて、検出に用いる欠陥画素を変更することを特徴とする請求項８乃至１１に記載の補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置及び補正方法に関し、更に詳しくは、撮像素子を用いた撮像装置において、撮像素子の欠陥画素の出力を補正する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、デジタルカメラやビデオカメラ等の撮像装置において、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等の固体撮像素子が一般的に使用されている。この固体撮像素子では、製造過程において発生する欠陥画素が、画質の低下や製造上の歩留まりを下げる要因の一つとなっていることが知られている。欠陥画素を完全に無くすことは困難であることから、一般的に、欠陥画素の周囲画素を用いた補間処理を行って画質向上を図ることが知られている。
【０００３】
たとえば、欠陥画素から出力される信号の補正技術として、例えば、特許文献１の「従来の技術」に記載された方法が知られている。まず、固体撮像素子の工場出荷時等に、所定の条件下において標準電荷蓄積時間、固体撮像素子を露光して得られる出力値を用いて欠陥画素を判定する。そして、その際に取得した欠陥画素の位置情報及び出力レベル等の情報を記憶しておき、撮像時には、この記憶した欠陥画素の位置情報及び出力レベル等の情報を基にして、欠陥画素に隣接する画素の出力レベルを用いて、欠陥画素の出力の補間処理を行う。
【０００４】
一方、長秒時露光時に行う以下のような技術が提案されている。まず、実撮影に先立ってダーク画像を撮影し、そのダーク画像から所定出力以上のものを欠陥画素として抽出して記憶しておき、実撮影で得られた画像に対して、抽出した欠陥画素を補正する。また、抽出された欠陥画素以外については、実撮影で得られた各画素の出力レベルから、ダーク画像における対応する画素の出力レベルを減算する、所謂黒引きを行う。このように補正することで、長秒時露光時に起こる欠陥画素の出力レベルの増大に対しても、システムが破錠をせず、画像劣化を最小限に抑えた補正をすることができる（例えば、特許文献２を参照）。
【０００５】
また、欠陥画素の出力を補正するための複数の補正用データを備え、電荷蓄積時間や撮影感度等の撮影条件、温度等の撮影環境に応じて最適なデータを選択して、撮影画像の補正を行う技術も提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３３３４３５号公報
【特許文献２】特開２００１−０２８７１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
欠陥画素には暗電流に起因し、温度や電荷の蓄積時間によって出力レベルが大きく変化するものがある。このような暗電流に起因する欠陥画素の出力レベルは、高温下や長時間の露光（長秒時露光）時により暗電流が増加することで増大する。
【０００８】
上述した暗電流起因の欠陥画素からは、暗電流の増加によって蓄積された電荷が画素の飽和レベル以上に達した場合に、以下のような現象が起きる。即ち、画素の飽和レベルを超えた分の数パーセントが隣接画素に漏れ込んでしまい、その結果、図５に示すように、隣接画素の出力レベルが不必要に高くなり、十字状の欠陥画素領域となってしまう。図５では、座標（ｎ，ｎ）が暗電流起因の欠陥画素であり、その上下左右に隣接する座標（ｎ-1，ｎ）、（ｎ+1、ｎ）、（ｎ，ｎ-1）、（ｎ，ｎ+1）に位置する画素も電荷の漏れこみにより出力レベルが高くなってしまう現象が生じた様子を示している。
【０００９】
上記特許文献２に記載の方法では、キズを抽出するために撮影に先立って撮影と同じ電荷蓄積時間でダーク画像を取り込む時間が必要であるため、撮影が指示されてから実際に撮影が行われるまでのレリーズタイムラグが長くなってしまう。特に、電荷の隣接画素への漏れ込みが生じるほどの長秒時撮影では、レリーズタイムラグが非常に長くなってしまう。しかしながら、レリーズタイムラグを短くしようとすると今度は、電荷が漏れ込んだ隣接画素を抽出することができず、補正ができないという問題があった。
【００１０】
また、図５に示すような暗電流起因の十字状の欠陥画素領域に対して特許文献１のような補正を行おうとすると、以下のような問題があった。即ち、温度・電荷の蓄積時間によって出力レベルが変化するので、各欠陥画素に対して条件毎に隣接画素の補正を行う可動化の情報とアドレスを持つ必要があり、記憶させておくメモリの容量も必要であった。
【００１１】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、特別な装置構成を追加することなく、飽和した欠陥画素を検出し、それに隣接する画素からの出力を補正できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、受光部と遮光部とを有する複数の画素を備える撮像素子と、予め取得した前記撮像素子の欠陥画素の位置情報及び基準出力レベルを少なくとも保持する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された欠陥画素の内、前記遮光部にある欠陥画素であって、被写体の撮影時の出力レベルが予め設定された第１の飽和レベル未満である欠陥画素を検出する検出手段と、前記検出された欠陥画素の基準出力レベルと、前記撮影時の出力レベルとに基づいて、前記記憶手段に記憶された欠陥画素の内、前記受光部にある欠陥画素の基準出力レベルを調整する調整手段と、前記調整手段により調整された基準出力レベルが前記画素の飽和レベルである第２の飽和レベル以上であるかどうかを判断し、前記調整された基準出力レベルが前記第２の飽和レベル以上である欠陥画素に隣接する画素を補正対象画素として設定する設定手段と、前記記憶手段に記憶された欠陥画素及び前記設定手段により設定された補正対象画素から出力された前記撮影時の出力レベルの補正を行う補正手段とを有する。
【００１３】
受光部と遮光部とを有する複数の画素を備える撮像素子と、予め取得した前記撮像素子の欠陥画素の位置情報及び基準出力レベルを少なくとも保持する記憶手段とを有する撮像装置において、撮影時に前記欠陥画素から出力された出力レベルを補正する補正方法は、前記記憶手段に記憶された欠陥画素の内、前記遮光部にある欠陥画素であって、被写体の撮影時の出力レベルが予め設定された第１の飽和レベル未満である欠陥画素を検出する検出ステップと、前記検出された欠陥画素の基準出力レベルと、前記撮影時の出力レベルとに基づいて、前記記憶手段に記憶された欠陥画素の内、前記受光部にある欠陥画素の基準出力レベルを調整する調整ステップと、前記調整ステップで調整された基準出力レベルが前記画素の飽和レベルである第２の飽和レベル以上であるかどうかを判断し、前記調整された基準出力レベルが前記第２の飽和レベル以上である欠陥画素に隣接する画素を補正対象画素として設定する設定ステップと、前記記憶手段に記憶された欠陥画素及び前記設定ステップで設定された補正対象画素から出力された前記撮影時の出力レベルの補正を行う補正ステップとを有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、特別な装置構成を追加することなく、飽和した欠陥画素を検出し、それに隣接する画素からの出力を補正できるようにすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態における画像処理機能を有する撮像装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態においては、撮像装置としてデジタルカメラを例にとって説明する。なお撮像装置としては、他にデジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯端末（カメラ付き携帯電話を含む）、スキャナ等があり、被写体光学像を変換して電気的な画像信号を出力可能なものであれば、本発明を適用することが可能である。
【００１７】
図１に示すように、本実施の形態の撮像装置は、主にカメラ本体１００と、交換レンズタイプのレンズユニット３００により構成されている。
【００１８】
レンズユニット３００において、３１０は複数のレンズから成る撮像レンズ、３１２は絞り、３０６は、レンズユニット３００をカメラ本体１００と機械的に結合するレンズマウントである。レンズマウント３０６内には、レンズユニット３００をカメラ本体１００と電気的に接続する各種機能が含まれている。３２０は、レンズマウント３０６において、レンズユニット３００をカメラ本体１００と接続するためのインターフェース、３２２はレンズユニット３００をカメラ本体１００と電気的に接続するコネクタである。
【００１９】
コネクタ３２２は、カメラ本体１００とレンズユニット３００との間で制御信号、状態信号、データ信号などを伝え合うと共に、各種電圧の電流を供給されるあるいは供給する機能も備えている。また、コネクタ３２２は電気通信のみならず、光通信、音声通信などを伝達する構成としても良い。
【００２０】
３４０は測光部４６からの測光情報に基づいて、後述するカメラ本体１００のシャッター１２を制御するシャッター制御部４０と連携しながら、絞り３１２を制御する絞り制御部である。３４２は撮像レンズ３１０のフォーカシングを制御するフォーカス制御部、３４４は撮像レンズ３１０のズーミングを制御するズーム制御部である。
【００２１】
３５０はレンズユニット３００全体を制御するレンズシステム制御回路である。レンズシステム制御回路３５０は、動作用の定数、変数、プログラムなどを記憶するメモリを備えている。更に、レンズユニット３００固有の番号などの識別情報、管理情報、開放絞り値や最小絞り値、焦点距離などの機能情報、現在や過去の各設定値などを保持する不揮発メモリも備えている。
【００２２】
次に、カメラ本体１００の構成について説明する。
【００２３】
１０６はカメラ本体１００とレンズユニット３００を機械的に結合するレンズマウント、１３０、１３２はミラーで、撮像レンズ３１０に入射した光線を一眼レフ方式によって光学ファインダー１０４に導く。なお、ミラー１３０はクイックリターンミラーの構成としても、ハーフミラーの構成としても、どちらでも構わない。１２は絞り機能を備えるシャッター、１４は光学像を電気信号に変換する撮像素子であり、本実施の形態では撮像素子１４としてベイヤー配列のＣＭＯＳエリアセンサを使用している。撮像レンズ３１０に入射した光線は、一眼レフ方式によって光量制限手段である絞り３１２、レンズマウント３０６および１０６、ミラー１３０、シャッター１２を介して導かれ、光学像として撮像素子１４上に結像する。撮像素子１４は一般的に、入射する光線を受光する受光部と、遮光された遮光部（ＯＢ部）とを含み、本願発明における欠陥画素補正では、このＯＢ部にある欠陥画素の出力を利用して、図５に示すような隣接画素への電荷の漏れ込みが発生しているかどうかを判断する。
【００２４】
１５は、ＩＳＯ感度設定により、撮像素子１４から出力される信号のゲインを調整するゲインコントロールアンプを備えたＡＧＣ（Automatic Gain Controller）回路である。１６はＡＧＣ回路１５から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器である。１８は撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１８、Ｄ／Ａ変換器２６にそれぞれクロック信号や制御信号を供給するタイミング発生回路であり、メモリ制御回路２２及びシステム制御回路５０により制御される。
【００２５】
２０は画像処理回路であり、Ａ／Ｄ変換器１６からのデータ或いはメモリ制御回路２２からのデータに対して所定の画素補間処理や色変換処理を行う。また、画像処理回路２０は、Ａ／Ｄ変換器１６から出力される画像データを用いて所定の演算処理を行う。そして、得られた演算結果に基づいてシステム制御回路５０がシャッター制御部４０、測距制御部４２を制御するための、ＴＴＬ（スルー・ザ・レンズ）方式のオートフォーカス（ＡＦ）処理、自動露出（ＡＥ）処理、フラッシュプリ発光（ＥＦ）処理を行っている。さらに、画像処理回路２０は、Ａ／Ｄ変換器１６から出力される画像データを用いて所定の演算処理を行い、得られた演算結果に基づいてＴＴＬ方式のオートホワイトバランス（ＡＷＢ）処理も行っている。さらには、後述するように、不揮発性メモリ５６に記憶された欠陥画素の情報（キズ補正データ）に基づき、欠陥画素の出力に対して補正処理を行う。
【００２６】
なお、本実施の形態における図１に示す例では、測距制御部４２および測光制御部４６を専用に備えているので、システム制御回路５０は、測距制御部４２および測光制御部４６を用いてＡＦ処理、ＡＥ処理、ＥＦ処理の各処理を行っても良い。また、画像処理回路２０を用いてＡＦ処理、ＡＥ処理、ＥＦ処理の各処理を行わない構成としても構わない。また、測距制御部４２および測光制御部４６を用いてＡＦ処理、ＡＥ処理、ＥＦ処理の各処理を行い、さらに、画像処理回路２０を用いてＡＦ処理、ＡＥ処理、ＥＦ処理の各処理を行う構成としてもよい。
【００２７】
２２はメモリ制御回路であり、Ａ／Ｄ変換器１６、タイミング発生回路１８、画像処理回路２０、画像表示メモリ２４、Ｄ／Ａ変換器２６、メモリ３０、圧縮・伸長回路３２を制御する。Ａ／Ｄ変換器１６から出力される画像データは、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、或いはメモリ制御回路２２のみを介して、画像表示メモリ２４或いはメモリ３０に書き込まれる。
【００２８】
２４は画像表示メモリ、２６はＤ／Ａ変換器、２８はＴＦＴ方式のＬＣＤ等から成る画像表示部であり、画像表示メモリ２４に書き込まれた表示用の画像データはＤ／Ａ変換器２６を介して画像表示部２８により表示される。画像表示部２８を用いて、撮像した画像データを逐次表示することで、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）機能を実現することができる。また、画像表示部２８は、システム制御回路５０の指示により任意に表示をＯＮ／ＯＦＦすることが可能であり、表示をＯＦＦにした場合にはカメラ本体１００の電力消費を大幅に低減することができる。
【００２９】
３０は撮影した静止画像や動画像を格納するためのメモリであり、所定枚数の静止画像や所定時間の動画像を格納するのに十分な記憶容量を備えている。これにより、複数枚の静止画像を連続して撮影する連写撮影やパノラマ撮影の場合にも、高速かつ大量の画像書き込みをメモリ３０に対して行うことが可能となる。また、メモリ３０はシステム制御回路５０の作業領域としても使用することが可能である。
【００３０】
３２は適応離散コサイン変換（ＡＤＣＴ）等、公知の圧縮方法を用いて画像データを圧縮・伸長する圧縮・伸長回路である。圧縮・伸長回路３２は、メモリ３０に格納された画像を読み込んで圧縮処理或いは伸長処理を行い、処理を終えたデータを再びメモリ３０に書き込む。
【００３１】
４０はシャッター制御部であり、測光制御部４６からの測光情報に基づいて絞り３１２を制御する絞り制御部３４０と連携しながらシャッター１２を制御する。４２はＡＦ（オートフォーカス）処理を行うための測距制御部である。レンズユニット３００内の撮像レンズ３１０に入射した光線を絞り３１２、レンズマウント３０６、１０６、ミラー１３０および測距用サブミラー（図示せず）を介して一眼レフ方式で入射することにより、光学像として結像された画像の合焦状態を測定する。
【００３２】
４６はＡＥ（自動露出）処理を行うための測光制御部である。レンズユニット３００内の撮影光学系３１０に入射した光線を、絞り３１２、レンズマウント３０６、１０６、ミラー１３０および測光用サブミラー（図示せず）を介して一眼レフ方式で入射することにより、光学像として結像された画像の露出状態を測定する。４８はフラッシュであり、ＡＦ補助光の投光機能、フラッシュ調光機能も有する。測光制御部４６はフラッシュ部４８と連携することにより、ＥＦ（フラッシュ調光）処理機能も有する。また、本実施の形態における測光制御部４６は、複数の測光エリアを備える周知の分割測光方式で測光を行い、撮影シーン内の複数ポイント（例えば３５ポイント）を測光し、その結果に応じて露出を決定するものとする。
【００３３】
なお、前述したように、Ａ／Ｄ変換器１６からの画像データを用いて画像処理回路２０により演算された演算結果に基づいて露出制御およびＡＦ制御を行っても良い。その場合、システム制御回路５０がシャッター制御部４０、絞り制御部３４０、フォーカス制御部３４２に対し、ビデオＴＴＬ方式を用いた露出制御およびＡＦ制御を行うことが可能である。
【００３４】
また、測距制御部４２による測定結果と、Ａ／Ｄ変換器１６からの画像データを画像処理回路２０によって演算した演算結果とを用いて、ＡＦ制御を行うようにしてもよい。さらに、測光制御部４６による測定結果と、Ａ／Ｄ変換器１６からの画像データを画像処理回路２０によって演算した演算結果とを用いて露出制御を行うようにしてもよい。
【００３５】
５０はカメラ本体１００全体を制御するシステム制御回路であり、周知のＣＰＵなどを内蔵する。５２はシステム制御回路５０の動作用の定数、変数、プログラム等を記憶するメモリである。
【００３６】
５４はシステム制御回路５０でのプログラムの実行に応じて、文字、画像、音声などを用いて動作状態やメッセージなどを外部に通知するための通知部である。通知部５４としては、例えばＬＣＤやＬＥＤなどによる視覚的な表示を行う表示部や音声による通知を行う発音素子などが用いられるが、これらのうち１つ以上の組み合わせにより構成される。特に、表示部の場合には、カメラ本体１００の操作部７０近辺の、視認しやすい、単数あるいは複数箇所に設置されている。また、通知部５４は、その一部の機能が光学ファインダー１０４内に設置されている。
【００３７】
通知部５４の表示内容の内、ＬＣＤなどに表示するものとしては以下のものがある。まず、シングルショット／連写撮影表示、セルフタイマ表示等、撮影モードに関する表示がある。また、圧縮率表示、記録画素数表示、記録枚数表示、残撮影可能枚数表示等の記録に関する表示がある。また、シャッタースピード表示、絞り値表示、露出補正表示、フラッシュ表示、赤目緩和表示等の撮影条件に関する表示がある。その他に、マクロ撮影表示、ブザー設定表示、時計用電池残量表示、電池残量表示、エラー表示、複数桁の数字による情報表示、記録媒体２００及び２１０の着脱状態表示がある。更に、レンズユニット３００の着脱状態表示、通信Ｉ／Ｆ動作表示、日付・時刻表示、外部コンピュータとの接続状態を示す表示等も行われる。
【００３８】
また、表示部５４の表示内容のうち、光学ファインダ１０４内に表示するものとしては、例えば、以下のものがある。合焦表示、撮影準備完了表示、手振れ警告表示、フラッシュ充電表示、フラッシュ充電完了表示、シャッタースピード表示、絞り値表示、露出補正表示、記録媒体書き込み動作表示等である。
【００３９】
さらに、表示部５４の表示内容のうち、ＬＥＤ等により表示するものとしては、例えば、以下のものがある。合焦表示、撮影準備完了表示、手振れ警告表示、フラッシュ充電表示、フラッシュ充電完了表示、記録媒体書き込み動作表示、マクロ撮影設定通知表示、二次電池充電表示等である。
【００４０】
また、表示部５４の表示内容のうち、ランプ等に表示するものとしては、例えば、セルフタイマ通知ランプ等がある。このセルフタイマ通知ランプはＡＦ補助光と共用してもよい。
【００４１】
５６は後述するプログラムなどが格納された電気的に消去・記録可能な不揮発性メモリであり、例えばＥＥＰＲＯＭ等が用いられる。この不揮発性メモリ５６には、各種パラメータやＩＳＯ感度などの設定値、また、欠陥画素の出力に対して補正処理を行う際に用いる、欠陥画素に関するキズ補正データ等が格納される。
【００４２】
なお、欠陥画素に関するキズ補正データは、少なくとも欠陥画素の位置を示す位置情報として座標（Ｘ，Ｙ）を示したアドレスデータおよび出力レベル情報が格納されている。またキズ補正データは、本実施の形態ではＣＭＯＳエリアセンサの製造工場において、所定の環境温度下で標準電荷蓄積時間、ＣＭＯＳエリアセンサを露光して得られた画像データから欠陥画素を抽出して得たデータとする。従って、センサ個々に対応したキズ補正データが格納されている。しかしながら、本発明のキズ補正データはこれに限るものではなく、カメラにＣＭＯＳエリアセンサ組み込んだ後、新たに欠陥画素に関する情報を作り出して格納させるようにしてもよい。
【００４３】
６０、６２、６４、６６、６８、６９及び７０は、システム制御回路５０の各種の動作指示を入力するための操作手段であり、スイッチやダイアル、タッチパネル、視線検知によるポインティング、音声認識装置等の単数或いは複数の組み合わせで構成される。
【００４４】
ここで、これらの操作手段の具体的な説明を行う。
【００４５】
６０はモードダイアルスイッチで、自動撮影モード、プログラム撮影モード、シャッター速度優先撮影モード、絞り優先撮影モード、マニュアル撮影モード、焦点深度優先（デプス）撮影モード等の各機能撮影モードを切り替え設定することができる。他に、ポートレート撮影モード、風景撮影モード、接写撮影モード、スポーツ撮影モード、夜景撮影モード、パノラマ撮影モードなどの各機能撮影モードを切り替え設定することもできる。
【００４６】
６２はシャッタースイッチＳＷ１で、不図示のシャッターボタンの操作途中（例えば半押し）でＯＮとなり、ＡＦ処理、ＡＥ処理、ＡＷＢ処理、ＥＦ処理等の動作開始を指示する。
【００４７】
６４はシャッタースイッチＳＷ２で、不図示のシャッターボタンの操作完了（例えば全押し）でＯＮとなり、露光処理、現像処理、及び記録処理からなる一連の処理の動作開始を指示する。まず、露光処理では、撮像素子１４から読み出した信号をＡ／Ｄ変換器１６、メモリ制御回路２２を介して画像データをメモリ３０に書き込み、更に、画像処理回路２０やメモリ制御回路２２での演算を用いた現像処理が行われる。更に、記録処理では、メモリ３０から画像データを読み出し、圧縮・伸張回路３２で圧縮を行い、記録媒体２００あるいは２１０に画像データを書き込む。
【００４８】
６６は再生スイッチであり、撮影モード状態で撮影した画像をメモリ３０あるいは記録媒体２００、２１０から読み出して画像表示部２８に表示する再生動作の開始を指示する。また、再生スイッチ６６を用いて、再生モード、マルチ画面再生・消去モード、ＰＣ接続モード等の各機能モードを設定可能に構成してもよい。
【００４９】
６８は単写／連写スイッチであり、シャッタースイッチＳＷ２（６４）を押した場合、１コマの撮影を行って待機状態とする単写モードと、シャッタースイッチＳＷ２（６４）を押している間、連続して撮影を行い続ける連写モードとを設定可能である。
【００５０】
６９はＩＳＯ感度設定スイッチであり、ＡＧＣ回路１５におけるゲインの設定を変更することによりＩＳＯ感度を設定できる。
【００５１】
７０は各種ボタンやタッチパネルなどから成る操作部である。一例として、メニューボタン、セットボタン、マクロボタン、マルチ画面再生改ページボタン、フラッシュ設定ボタン、単写／連写／セルフタイマー切り換えボタン、メニュー移動＋（プラス）ボタン、メニュー移動−（マイナス）ボタンを含む。更に、再生画像移動＋（プラス）ボタン、再生画像移動−（マイナス）ボタン、撮影画質選択ボタン、露出補正ボタン、日付／時間設定ボタンなども含む。なお、上記プラスボタンおよびマイナスボタンの各機能は、回転ダイアルスイッチを備えることによって、より軽快に数値や機能を選択することが可能となる。
【００５２】
他に、パノラマモード等の撮影および再生を実行する際に各種機能の選択および切り替えを設定する選択／切り替えボタン、パノラマモード等の撮影および再生を実行する際に各種機能の決定および実行を設定する決定／実行ボタンがある。また、画像表示部２８のＯＮ／ＯＦＦを設定する画像表示ＯＮ／ＯＦＦスイッチ、撮影直後に撮影した画像データを自動再生するクイックレビュー機能を設定するクイックレビューＯＮ／ＯＦＦスイッチがある。また、ＪＰＥＧ圧縮の圧縮率を選択するため、あるいは撮像素子の信号をそのままディジタル化して記録媒体に記録するＣＣＤＲＡＷモードを選択するためのスイッチである圧縮モードスイッチがある。また、ワンショットＡＦモードとサーボＡＦモードとを設定可能なＡＦモード設定スイッチなどがある。ワンショットＡＦモードでは、シャッタースイッチＳＷ１（６２）を押した際にオートフォーカス動作を開始し、一旦合焦した場合、その合焦状態を保ち続ける。サーボＡＦモードでは、シャッタースイッチＳＷ１（６２）を押している間、連続してオートフォーカス動作を続ける。
【００５３】
７２は電源スイッチであり、カメラ本体１００の電源オン、電源オフの各モードを切り替え設定可能である。また、カメラ本体１００に接続されたレンズユニット３００、外部ストロボ、記録媒体２００、２１０等の各種付属装置の電源オン、電源オフの設定も合わせて切り替え設定可能である。
【００５４】
８０は電源制御部で、電池検出回路、ＤＣ−ＤＣコンバータ、通電するブロックを切り替えるスイッチ回路等により構成されている。電源制御部８０は、電池の装着の有無、電池の種類、電池残量の検出を行い、検出結果及びシステム制御回路５０の指示に基づいてＤＣ−ＤＣコンバータを制御し、必要な電圧を必要な期間、記録媒体を含む各部へ供給する。
【００５５】
８２、８４はコネクタ、８６はアルカリ電池やリチウム電池等の一次電池やＮｉＣｄ電池やＮｉＭＨ電池、Ｌｉ−ｉｏｎ電池、Ｌｉポリマー電池等の二次電池、ＡＣアダプター等からなる電源部である。
【００５６】
９０及び９４はメモリカードやハードディスク等の記録媒体とのインタフェース、９２及び９６はメモリカードやハードディスク等の記録媒体と接続を行うコネクタである。９８はコネクタ９２及び／或いは９６に記録媒体２００或いは２１０が装着されているか否かを検知する記録媒体着脱検知回路である。
【００５７】
なお、本実施の形態では記録媒体を取り付けるインタフェース及びコネクタを２系統持つものとして説明しているが、記録媒体を取り付けるインタフェース及びコネクタは、単数或いは複数、いずれの系統数を備える構成としても構わない。また、異なる規格のインタフェース及びコネクタを組み合わせて備える構成としても構わない。
【００５８】
インタフェース及びコネクタとしては、種々の記憶媒体の規格に準拠したものを用いて構成することが可能である。例えば、ＰＣＭＣＩＡ（Personal Computer Memory Card International Association）カードやＣＦ（コンパクトフラッシュ（登録商標））カード、ＳＤカード等である。インタフェース９０及び９４、そしてコネクタ９２及び９６をＰＣＭＣＩＡカードやＣＦ（登録商標）カード等の規格に準拠したものを用いて構成した場合、各種通信カードを接続することができる。通信カードとしては、ＬＡＮカードやモデムカード、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）カード、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronic Engineers）１３９４カードがある。他にも、Ｐ１２８４カード、ＳＣＳＩ（Small Computer System Interface）カード、ＰＨＳ等がある。これら各種通信カードを接続することにより、他のコンピュータやプリンタ等の周辺機器との間で画像データや画像データに付属した管理情報を転送し合うことができる。
【００５９】
１０４は光学ファインダであり、撮像レンズ３１０に入射した光線を、一眼レフ方式によって、絞り３１２、レンズマウント３０６、１０６、ミラー１３０、１３２を介して導き、光学像として結像させて表示することが可能である。これにより、画像表示部２８による電子ファインダー機能を使用すること無しに、光学ファインダーのみを用いて撮影を行うことが可能である。また、光学ファインダー１０４内には、通知部５４の一部の機能、例えば、合焦状態、手振れ警告、フラッシュ充電、シャッタースピード、絞り値、露出補正などが表示される。
【００６０】
１１０は通信部で、ＲＳ２３２ＣやＵＳＢ、ＩＥＥＥ１３９４、Ｐ１２８４、ＳＣＳＩ、モデム、ＬＡＮ、無線通信、等の各種通信機能を有する。１１２は通信部１１０によりカメラ本体１００を他の機器と接続するコネクタ或いは無線通信の場合はアンテナである。
【００６１】
１２０はレンズマウント１０６内でカメラ本体１００をレンズユニット３００と接続するためのインターフェースである。
【００６２】
１２２はカメラ本体１００をレンズユニット３００と電気的に接続するコネクタである。また、レンズマウント１０６および／またはコネクタ１２２にレンズユニット３００が装着されているか否かは、不図示のレンズ着脱検知部により検知される。コネクタ１２２はカメラ本体１００とレンズユニット３００との間で制御信号、状態信号、データ信号などを伝え合うと共に、各種電圧の電流を供給する機能も備えている。また、コネクタ１２２は電気通信だけでなく、光通信、音声通信などを伝達する構成としてもよい。
【００６３】
２００及び２１０はメモリカードやハードディスク等の記録媒体である。この記録媒体２００及び２１０は、それぞれ、半導体メモリや磁気ディスク等から構成される記録部２０２及び２１２、カメラ本体１００とのインタフェース２０４及び２１４、カメラ本体１００と接続を行うコネクタ２０６及び２１６を備えている。
【００６４】
記録媒体２００及び２１０としては、ＰＣＭＣＩＡカードやコンパクトフラッシュ（登録商標）等のメモリカード、ハードディスク等を用いることができる。また、マイクロＤＡＴ、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲやＣＤ−ＷＲ等の光ディスク、ＤＶＤ等の相変化型光ディスク等で構成されていても勿論構わない。
【００６５】
なお、本実施の形態における撮像装置として、レンズ交換式の一眼レフタイプのデジタルカメラであるものとして説明したが、レンズや鏡筒が本体と一体化された、いわゆるデジタルコンパクトカメラなどであってもよい。
【００６６】
次に、図２乃至図４を参照して、本発明の実施の形態における上記構成を有する撮像装置の動作を説明する。
【００６７】
図２および図３は本実施の形態における撮像装置の撮影処理手順を示すフローチャートである。この処理プログラムは不揮発メモリ５６などの記憶媒体に格納されており、メモリ５２にロードされてシステム制御回路５０内のＣＰＵによって実行される。
【００６８】
図２において、電池交換等の電源投入により、システム制御回路５０はフラグや制御変数等を初期化し（ステップＳ１０１）、カメラ本体１００の各部に対して必要な所定の初期設定を行う。次に、システム制御回路５０は、電源スイッチ７２の設定位置を判別し、電源スイッチ７２が電源ＯＦＦに設定されているか否かを判別する（ステップＳ１０２）。電源スイッチ７２が電源ＯＦＦに設定されている場合、システム制御回路５０は、各表示部の表示を終了状態に変更し、フラグや制御変数等を含む必要なパラメータや設定値、設定モードを不揮発性メモリ５６に記録する。更に、システム制御回路５０は、電源制御部８０により画像表示部２８を含むカメラ本体１００各部の不要な電源を遮断する等の所定の終了処理を行った後（ステップＳ１０３）、ステップＳ１０２に戻る。
【００６９】
ステップＳ１０２で電源スイッチ７２がＯＮに設定されている場合、システム制御回路５０は、電源制御部８０により電池等により構成される電源８６の残容量や動作情況がカメラ本体１００の動作に問題があるか否かを判断する。問題があるならば（ステップＳ１０４でＮＯ）通知部５４を用いて画像や音声により所定の警告表示を行った後に（ステップＳ１０５）、ステップＳ１０２に戻る。
【００７０】
一方、電源８６に問題が無いならば（ステップＳ１０４でＹＥＳ）、モードダイアルスイッチ６０の設定位置を判断し、モードダイアルスイッチ６０が撮影モードに設定されているか否かを判別する（ステップＳ１０６）。モードダイアルスイッチ６０がその他のモードに設定されている場合は、システム制御回路５０は選択されたモードに応じた処理を実行し（ステップＳ１０７）、処理を終えたならばステップＳ１０２に戻る。モードダイアルスイッチ６０が撮影モードに設定されている場合はステップＳ１０８へ移行する。
【００７１】
ステップＳ１０８では、記録媒体２００或いは２１０が装着されているか否かを判断する。装着されていれば、記録媒体２００或いは２１０に記録された画像データの管理情報を取得する。また、更に、記録媒体２００或いは２１０の動作状態がカメラ本体１００の動作、特に記録媒体２００或いは２１０に対する画像データの記録再生動作に問題があるか否かを判別する。問題があると判別された場合は（ステップＳ１０８でＮＯ）、ステップＳ１０５に進んで通知部５４を用いて画像や音声により所定の警告表示を行った後に（ステップＳ１０５）、ステップＳ１０２に戻る。問題が無いと判別された場合は（ステップＳ１０８でＹＥＳ）、ステップＳ１０９へ移行する。
【００７２】
ステップＳ１０９では、通知部５４を用いて画像や音声によりカメラ本体１００の各種設定状態の告知を行う。ここで、画像表示部２８の画像表示スイッチがＯＮである場合、画像表示部２８にカメラ本体１００の各種設定状態を表示するようにしてもよい。
【００７３】
次に、ステップＳ１１０においてシャッタースイッチＳＷ１が押されているか否かを判別し、シャッタースイッチＳＷ１が押されていないならば、ステップＳ１０２に戻る。シャッタスイッチＳＷ１が押されている場合は、ステップＳ１１１に進む。
【００７４】
ステップＳ１１１ではシステム制御回路５０は、測距処理を行って撮像レンズ３１０の焦点を被写体に合わせ、測光処理を行って絞り値及びシャッター速度を決定する測距・測光処理を行う。測光の結果、必要であればフラッシュ・フラグをセットし、フラッシュの設定も行う。
【００７５】
測距・測光処理を終えると、ステップＳ１１２に進み、シャッタースイッチＳＷ２が押されているか否かを判別する。シャッタースイッチＳＷ２が押されずに（ステップＳ１１２でＯＦＦ）、さらにシャッタスイッチＳＷ１も解除されたならば（ステップＳ１１３でＯＦＦ）、ステップＳ１０２に戻る。
【００７６】
シャッタスイッチＳＷ２が押されたならば（ステップＳ１１２でＯＮ）、システム制御回路５０は、撮影した画像データを記憶可能な画像記憶バッファ領域がメモリ３０にあるか否かを判別する（ステップＳ１１４）。メモリ３０の画像記憶バッファ領域内に新たな画像データの記憶可能な領域が無いと判別された場合はステップＳ１１５へ進み、通知部５４を用いて画像や音声により所定の警告表示を行った後、ステップＳ１０２に戻る。
【００７７】
なお、メモリ３０の画像記憶バッファ領域内に新たな画像データの記憶可能な領域が無い場合とは、例えば、以下の様な状況が考えられる。メモリ３０の画像記憶バッファ領域内に記憶可能な最大枚数の連写撮影を行った直後で、メモリ３０から読み出して記憶媒体２００或いは２１０に書き込むべき最初の画像がまだ記憶媒体２００或いは２１０に記録終了していないことがある。この様な場合には、１枚分の空き領域もメモリ３０の画像記憶バッファ領域上に確保できない。
【００７８】
なお、撮像した画像データを圧縮処理してからメモリ３０の画像記憶バッファ領域に記憶する場合、圧縮後の画像データ量が圧縮モードの設定に応じて異なることを考慮する必要がある。そして、記憶可能な領域がメモリ３０の画像記憶バッファ領域上にあるか否かをステップＳ１１４の処理で判断することになる。
【００７９】
メモリ３０に新たな画像データを記憶可能な領域があると判別された場合は、ステップＳ１１６へ移行する。
【００８０】
ステップＳ１１６では、システム制御回路５０は撮影処理を実行する。この撮影処理では、所定時間蓄積した撮像信号を撮像素子１４からＡＧＣ回路１５、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、或いはＡ／Ｄ変換器１６から直接メモリ制御回路２２を介して、メモリ３０の所定領域に撮影した画像データを書き込む。
【００８１】
ステップＳ１１７では、メモリ３０に書き込まれた画像データに対して、欠陥画素の補正処理を行う。システム制御回路５０は、まず、不揮発性メモリ５６に書き込まれている欠陥画素に関するキズ補正データとして、アドレスデータおよび出力レベルを読み出す。アドレスデータとは、全画素中における欠陥画素の位置情報を示した座標（Ｘ，Ｙ）である。そして、メモリ３０に書き込まれた画像データに対して、隣接画素からの補間による補正処理を行う。なお、ここで行われる補正処理の詳細については、図４を参照して後述する。
【００８２】
ステップＳ１１８では、システム制御回路５０は、メモリ３０の所定領域に書き込まれた画像データの一部をメモリ制御回路２２を介して読み出して現像処理を行うために必要なＷＢ積分演算処理、ＯＢ（オプティカルブラック）積分演算処理を行う。演算結果はシステム制御回路５０の内部メモリあるいはメモリ５２に記憶する。システム制御回路５０は、メモリ制御回路２２、必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０の所定領域に書き込まれた撮影画像データを読み出す。そして、システム制御回路５０の内部メモリあるいはメモリ５２に記憶した演算結果を用いて、ＡＷＢ処理、ガンマ変換処理、色変換処理を含む各種現像処理を行う。
【００８３】
ステップＳ１１９では、システム制御回路５０は、メモリ３０の所定領域に書き込まれた画像データを読み出して、設定されたモードに応じた画像圧縮処理を圧縮・伸長回路３２により行う。そして、メモリ３０の画像記憶バッファ領域の空き画像部分に、撮影して一連の処理を終えた画像データの書き込みを行う。
【００８４】
ステップＳ１２０において、システム制御回路５０は、メモリ３０の画像記憶バッファ領域に記憶された処理済みの画像データを読み出す。そして、インターフェース９０または９４、コネクタ９２または９６を介して、メモリカードやコンパクトフラッシュ（登録商標）カード等の記録媒体２００または２１０に読み出した画像データを書き込む記録処理を開始する。この記録開始処理は、メモリ３０の画像記憶バッファ領域の空き画像部分に、撮影して一連の処理を終えた画像データの書き込みが新たに行われる度に、その画像データに対して実行される。
【００８５】
なお、記録媒体２００、２０１に画像データの書き込みを行っている間、書き込み動作中であることを示すために、表示部５４に例えばＬＥＤを点滅させる等の記録媒体書き込み動作表示を行う。
【００８６】
ステップＳ１２１では、システム制御回路５０は、シャッタースイッチＳＷ１が押されているか否かを判別する。シャッタースイッチＳＷ１が放された状態である場合はステップＳ１０２の処理に戻り、シャッタースイッチＳＷ１が押された状態である場合は、ステップＳ１１２の処理に戻って次の撮影に備える。これにより、システム制御回路５０は、一連の撮影動作を終えてステップＳ１０２に戻る。
【００８７】
次に、図３のステップＳ１１７で行われる欠陥画素の補正処理について、図４のフローチャートを参照して説明する。
【００８８】
まず、ステップＳ２０１において、不揮発性メモリ５６に記憶されているキズ補正データを読み出す。ここでは、欠陥画素の座標（Ｘ，Ｙ）を示すアドレスデータおよび出力レベルが読み出される。
【００８９】
次にステップＳ２０２において、ステップＳ２０１で読み出したキズ補正データに記憶された欠陥画素の内、アドレスデータを用いて撮像素子１４の遮光部（ＯＢ部）にある欠陥画素を選択する。そして、図３のステップＳ１１６の撮影処理によりメモリ３０に書き込まれた画像データから、選択された欠陥画素の出力レベルを読み出す。
【００９０】
次に、ステップＳ２０３において、ステップＳ２０２でメモリ３０から読み出した撮影時の出力レベルがＡ／Ｄ変換器１６の飽和レベル未満であるかどうかを判断する。飽和レベル未満であれば、ステップＳ２０４へ進んで、読み出した撮影時の出力レベルを後述する演算に用いるものとして確定させる。一方、読み出した出力レベルがＡ／Ｄ変換器１６の飽和レベルに達していたならばステップＳ２０２へ戻り、キズ補正データに記憶されている欠陥画素の内、ＯＢ部にある別の欠陥画素を選択して、その欠陥画素の撮影時の出力レベルをメモリ３０から読み出す。このようにして、ＯＢ部にある欠陥画素の内、Ａ／Ｄ変換器１６の飽和レベルに満たない出力レベルのものが見つかるまで、ステップＳ２０２及びステップＳ２０３の処理を繰り返し実行する。
【００９１】
なお、ステップＳ２０２でＯＢ部に存在する欠陥画素を選択する順番であるが、キズ補正データに記憶された出力レベルが大きいものから順に選択していくと良い。このように選択していくことで、撮影時の出力レベルがＡ／Ｄ変換器１６の飽和レベル未満であって、且つ、所定出力レベル以上の誤差が少ない欠陥画素を選択することができる。
【００９２】
また、欠陥画素に限らず、出力レベルは蓄積時間やＩＳＯ感度によって変化する。従って、撮影時の蓄積時間やＩＳＯ感度によって、Ａ／Ｄ変換器１６の飽和レベルまで達する欠陥画素も異なる。従って、ステップＳ２０２で欠陥画素を選択する際に、欠陥画素の蓄積時間やＩＳＯ感度に対する性質に基づいて、本撮影時における蓄積時間やＩＳＯ感度の設定に応じて選択する欠陥画素を変更するようにしても無論構わない。このためには、例えば、予め異なる蓄積時間やＩＳＯ感度で撮影を行い、各条件下で所望の（即ち、Ａ／Ｄ変換器１６の飽和レベル未満で、所定出力レベル以上の）欠陥画素を検出し、各条件毎に検出した欠陥画素を記憶しておけばよい。
【００９３】
また、ステップＳ２０２で、Ａ／Ｄ変換器１６の飽和レベル未満の出力レベルを有するＯＢ部の欠陥画素を検出する際に、ステップＳ２０２を実行する回数制限や最小レベル等の制限を設けてもよい。そして、制限内に条件に該当する欠陥画素を検出できない場合には画像自体が破綻しているとして、何かしらの警告を行うともに、補正を行わないようにしても構わない。
【００９４】
次に、ステップＳ２０５では、ステップＳ２０４で確定された撮影時の欠陥画素の出力レベルと、キズ補正データから読み出した同じ欠陥画素の出力レベルとから、キズ補正データに記録されている、他の欠陥画素の出力レベルの演算を行う。ここでは、キズ補正データに記録されている欠陥画素の内、撮像素子１４の受光部にある欠陥画素について演算を行う。これは、欠陥画素は、温度・電荷の蓄積時間によって出力レベルが変化するので、撮影時のＯＢ部における欠陥画素の出力レベルは、撮影時の温度・電荷の蓄積時間に対応したものとなっているからである。
【００９５】
ここで行われる演算では、まず、ステップＳ２０４で確定された欠陥画素について、撮影時の出力レベルと、キズ補正データに記録されている出力レベルとの比Ｋを求め、次にこの比Ｋを、キズ補正データに記録されている各欠陥画素の出力レベルに掛け合わせる。なお、ＩＳＯ感度の設定により撮影時のゲインが変更されている場合、そのゲインに応じて撮影時の出力レベルの換算を行う。例えば撮影時のゲインがキズ補正データを取得した時の２倍であれば１／２倍、４倍であれば１／４倍というように換算する。この換算により、撮影時の出力レベルの真の値を求めることができる。
【００９６】
次に、ステップＳ２０６において、ステップＳ２０５で求めた演算結果からその欠陥画素が、画素の飽和レベルに達しているか否かを判断する。飽和レベルに達している場合（ステップＳ２０６でＹＥＳ）、その欠陥画素で生成された電荷が隣接する画素に流れ込んでいる可能性が高い。従って、飽和レベルに達していると判定された欠陥画素の上下左右画素をキズ補正を行う対象の画素として、一時的に記憶する（ステップＳ２０７）。
【００９７】
このように、飽和レベルに達した欠陥画素に隣接する画素についても補正対象画素とすることで、欠陥画素からの電荷の漏れ込みにより不適切な出力レベルとなってしまった画素を補正することが可能となる。
【００９８】
また、飽和レベルに達していない場合は（ステップＳ２０６でＮＯ）、そのままステップＳ２０８に進む。ステップＳ２０８では、キズ補正データに記録されている欠陥画素全てについて、上述した出力レベルの演算及び飽和レベルの判断が行われたかを判断し、終了していなければステップＳ２０５に戻って、次の欠陥画素に対して処理を行う。キズ補正データに記憶された、撮像素子１４の受光部にある全ての欠陥画素について終了していればステップＳ２０９へ進む。
【００９９】
ステップＳ２０９ではキズ補正データに記憶された欠陥画素及び、ステップＳ２０７で補正対象として一時的に記憶された画素の撮影時の画像データに対して、キズ補正処理を実行する。なお、ここでは、欠陥画素及び補正対象画素に対して、正常な画像データが得られている周辺の画素部から出力される画像データを用いて、補間処理を行う。本実施の形態においてはＲＧＢのベイヤー配列されたＣＭＯＳエリアセンサを撮像素子として使用している。そのため、欠陥画素及び補正対象画素と同色の最近接の上下左右および斜め方向の画素のうち、正常な出力データが得られている画素の平均値データに基づいて補間処理を行う。
【０１００】
なお、補間処理についてはこれに限るものではなく、任意の周辺画素の出力レベルを用いた公知の補間処理であっても無論問題は無い。
【０１０１】
そして、ステップＳ２０９で全ての欠陥画素及び補正対象画素に対して、撮影時の出力レベルの補正処理を終えると、欠陥画素補正処理を終了し、図３のステップＳ１１７に戻る。
【０１０２】
上記の通り本実施の形態によれば、キズ補正データに記憶された、ＯＢ部にある欠陥画素の出力レベルと、同じ欠陥画素の撮影時の出力レベルとの比に基づいて、キズ補正データに記憶された他の欠陥画素が飽和状態にあるかどうかを判断する。そして、飽和状態あると判断された場合に、飽和状態にある欠陥画素から隣接する画素に対しても、欠陥画素と同様の補正処理を行う。このように制御することで、特別な構成を追加すること無く、容易に図５に示す様なエラーも含めて適切にキズ補正を行うことが可能になる。
【０１０３】
なお、本実施の形態においては、欠陥画素に隣接する上下左右の画素の出力について補正を行わせるようにしているが、本発明はこれに限るものではない。例えば、斜め方向に隣接する画素にも飽和した欠陥画素から電荷が漏れ込む構成を有する撮像素子においては、更に、欠陥画素に隣接する斜め上下方向の画素からの出力もあわせて補正を行うようにしてもよい。
【０１０４】
なお、本実施の形態ではＣＭＯＳ型エリアセンサを例にとって説明したが、ＣＣＤ型エリアセンサ等、どのようなエリアセンサに本発明を適用しても構わない。
【０１０５】
また、本実施の形態では、ＯＢ部の一欠陥画素の出力レベルを基にして、ステップＳ２０５の演算及びＳ２０６の判断を行っているが、本発明はこれに限るものでは無く、ＯＢ部の複数欠陥画素の出力レベルの平均値等を用いるように構成しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の実施の形態における撮像装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態における撮像装置の撮影処理手順を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態における撮像装置の撮影処理手順を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態における欠陥画素補正処理手順を示すフローチャートである。
【図５】欠陥画素が飽和して電荷が周辺画素に漏れ込んだ場合の例を示した図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１４  撮像素子
５０  システム制御回路
５６  不揮発性メモリ
１００  カメラ本体
３００  レンズユニット
【図１】
2007174124.tif 000003
【図２】
2007174124.tif 000004
【図３】
2007174124.tif 000005
【図４】
2007174124.tif 000006
【図５】
2007174124.tif 000007