(57)【要約】【課題】高周波化している半導体装置に対する場合でも、半導体装置の電極部分と電気回路部分を傷つけることなく、半導体装置の検査電極とソケットの接触子との位置合わせ精度を向上することができ、半導体装置の入れ替え時間を短縮できる半導体検査装置および半導体検査方法を提供する。【解決手段】測定対象の半導体装置１０１がある粘着シート２０１の下面を凸形状の冶具３０１によって突き上げることにより、測定対象の半導体装置１０１の周辺にある非測定対象の半導体装置１０８が、測定対象の半導体装置１０１より低い位置となるようにして、高周波測定のためにソケット１０５周辺に取り付けられたインピーダンス調整素子１０３や同軸コネクタが、非測定対象の半導体装置１０８に干渉しないようにする。【選択図】図１
2007178132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波用の半導体装置の電気特性を検査するときに、前記半導体装置の電気的諸量を測定するため、前記半導体装置の検査電極と測定部の検査用基板との間を電気的に接続する半導体検査装置であって、
円形の内側に穴を有する薄い剛体からなるフレームの内側縁部に、
前記フレームの内側の穴よりサイズが大きいシート状で、かつ少なくとも片面が粘着性を有し、その粘着面に前記半導体装置をその検査電極面とは反対面を対向させて複数貼り付けた粘着シートを固定し、
前記フレームを、前記半導体装置の検査電極面を上面にして、水平且つ垂直方向に移動可能なステージ上に配置し、
前記フレームの上部に、前記検査用基板に設けられ前記測定部からの電気信号を前記半導体装置に供給するために前記半導体装置の検査電極と接触する複数の接触子を配置し、
前記フレームと前記ステージの間に、前記水平且つ前記垂直方向に移動可能な凸形状の治具を配置し、
前記凸形状治具を前記垂直方向に上昇させて、前記凸形状治具の突出部分で前記複数の半導体装置のうち前記検査のために測定対象とする半導体装置のみを突き上げ、前記測定対象の半導体装置の検査電極と前記検査用基板の複数の接触子とを接触させるように構成した
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記凸形状治具の突出部分の前記粘着シートと接する面は平坦で前記半導体装置の裏面からはみ出さない形状とした
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記凸形状治具の突出部分は垂直方向の可動を可能とした
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記測定対象とする半導体装置の突き上げにより前記凸形状治具の突出部分の前記粘着シートと接する面に前記粘着シートを吸着する機能手段を設置した
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記凸形状治具の突出部分以外の面に前記粘着シートを吸着する機能手段を設置した
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記粘着シートは、熱により収縮可能な素材とした
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体検査装置であって、
前記凸形状治具の近傍に前記粘着シートに対して熱収縮のための熱を供給する機能手段を設置した
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体検査装置を使用して、前記半導体装置の電気特性を検査するときに、前記半導体装置の電気的諸量を測定するに際し、
前記ステージ上で、
前記凸形状治具を前記水平方向に移動させて前記測定対象とする半導体装置と前記凸形状治具の突出部分とを位置合わせし、
前記凸形状治具を前記垂直方向に上昇させて前記測定対象の半導体装置をその周辺の非測定対象の半導体装置より高く突き上げた状態で、
前記ステージを前記水平方向に移動させて前記測定対象の半導体装置の検査電極と前記測定部の検査用基板に設けられた前記複数の接触子とを位置合わせし、
前記ステージを前記垂直方向に上昇させて前記測定対象の半導体装置の検査電極と前記検査用基板の前記複数の接触子とを接触させ、
前記半導体装置の検査電極と前記測定部の検査用基板との間を電気的に接続する
ことを特徴とする半導体検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査に関し、特に高周波の半導体装置の電気特性を検査する半導体検査装置及び半導体検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置においては、携帯電話などの高周波機器に使用可能で良好な高周波特性を有する半導体装置が求められており、その半導体装置の検査装置として、検査装置側で測定対象の半導体装置との間に中継用の検査用基板が設けられており、検査用基板の信号線が高周波特性を考慮されたマイクロストリップラインで構成され、さらに高周波特性を調整するインピーダンス調整装置や同軸コネクタが搭載されている。
【０００３】
このような半導体検査装置においては、検査用基板上に、半導体装置の検査用電極部に接続されるソケットが取り付けられており、そのソケットとしては、高周波特性を保障するため極力短い接触子のものが必要とされ、代表的なものとして、ポゴピンや異方性導電シートを使用したソケットが用いられている。
【０００４】
一方、上記の半導体装置はパッケージ化して基板上に実装されるが、その半導体パッケージとして、サイズ小型化のために、半導体ウエハ上に形成された半導体装置の電極部分に、実装基板と半導体装置を接続するための半田ボールが取り付けられたウエハレベルチップサイズパッケージ（以下、ＷＬＣＳＰという）が用いられている。
【０００５】
以上のようなＷＬＣＳＰタイプの半導体装置に対して電気特性を検査する従来の半導体検査装置（例えば、特許文献１を参照）について、図面を用いて以下に説明する。
ＷＬＣＳＰタイプの半導体装置の検査工程において、半導体装置の搬送には、通常、水平搬送式ハンドラ装置が用いられている。この水平搬送式ハンドラ装置では、図７に示すように、個片化したＷＬＣＳＰタイプの半導体装置１０１が、収納されているトレイ部分から検査装置の測定部分に搬送され、その半導体装置１０１がソケット１０５にセットされる。
【０００６】
その後、水平搬送式ハンドラ装置を上下に可動する押し込み治具１０７により、半導体装置１０１の上面部（電極部がない面）に荷重（１ピン当たり２０〜３０ｇの荷重）がかけられることによって、ソケット１０５の接触子と半導体装置１０１の検査用電極（半田ボール）とが電気接続され、半導体装置１０１に対して電気特性検査が行われる。
【特許文献１】特開２００４−１５２９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら上記のような従来の半導体検査装置においては、水平搬送式ハンドラ装置によるＷＬＣＳＰタイプの半導体装置の搬送では、ＷＬＣＳＰが非常に小型（５ｍｍ角以下）であるため、搬送中にＷＬＣＳＰが落下したり、トレイや測定部でのＷＬＣＳＰの吸着ミスが起きたり、搬送経路の距離が長くなるため、半導体装置の入れ替え時間が長くなるといった欠点がある。
【０００８】
水平搬送式ハンドラ装置の測定部分では、ソケットの接触子とＷＬＣＳＰの半導体装置の電極子との位置合わせにおいては、図７に示すように、ＷＬＣＳＰの外形とソケットの位置決め治具１０６による位置合わせを行っており、ＷＬＣＳＰの外形寸法誤差や位置決め治具１０６での填め合いミスによって、ＷＬＣＳＰタイプの半導体装置の電極部分とソケットの接触子とが電気接続できないときがある。
【０００９】
最近では、水平搬送式ハンドラ装置による搬送中での半導体装置の落下や吸着ミスを防止するために、半導体装置の検査電極とソケットの接触子のコンタクトにおいて、画像認識装置を用いて高精度な位置合わせが行えるフレームプローバ装置が使われている。
【００１０】
フレームプローバ装置は、個片化した半導体装置を搬送するハンドラ装置と異なり、図３に示すように、半導体ウエハ２０３がリング状のフレーム２０２に内周縁より大きいサイズの円形状の粘着シート２０１を貼り付けたウエハ保持具によって搬送される。そしてウエハ保持具内の半導体ウエハ２０３は、ダイシング装置によって個片化された半導体装置の状態とする。
【００１１】
このようなＷＬＣＳＰの半導体装置１０１を電気特性検査するには、図８に示すように、粘着シート２０１を貼り付けたウエハ保持具をフレームプローバのステージ２０４に装着して、測定対象の半導体装置１０１の電極部分１０２と電気接続するソケット１０５をフレームプローバのステージ２０４の上部に水平に取り付けた構造とする。
【００１２】
フレームプローバ装置による検査フローは、最初に画像認識装置（図示せず）により半導体装置１０１の電極部分１０２の位置を認識して、上部に取り付けられたソケット１０５の接触子と接触できるように、ステージ２０４を水平且つ垂直方向に移動動作させ位置合わせを行う。そして位置合わせ後、ステージ２０４を垂直方向に上昇させることにより、測定対象である半導体装置１０１の検査用電極部分１０２と測定部のソケット１０５の接触子とが接続され電気特性検査が行える。
【００１３】
以上のように、フレームプローバ装置では、水平搬送式ハンドラ装置と比較して、測定部での半導体装置の検査電極とソケットの接触子との位置合わせが高精度に行え、搬送経路の距離が短くなるため半導体装置を入れ替える時間を短縮することができる。
【００１４】
しかしながら、最近の半導体装置の高周波化（周波数１ＧＨｚ以上）に伴い、図８に示すように、測定部の検査用基板１０４には、ソケット１０５のすぐ近辺に、端子の計測器間のインピーダンス調整素子１０３（高さ約１ｍｍ）が搭載されており、そのためフレームプローバ装置によって従来のように電気的接続を行うと、ウエハ保持具を装着したステージ２０４を垂直方向に上げたとき、高周波測定のために取り付けられたインピーダンス調整素子１０３が、測定対象である半導体装置１０１の周辺にある非測定対象の半導体装置１０８上面にある電極部分や電気回路部分と干渉して、非測定対象の半導体装置１０８の電極部分と電気回路部分を傷つけてしまうという問題点を有していた。
【００１５】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、測定部分の構成として、高周波化している半導体装置に対する高周波での電気特性検査に対応させて構成している場合でも、半導体装置の電極部分と電気回路部分を傷つけることなく、半導体装置の検査電極とソケットの接触子との位置合わせ精度を向上することができるとともに、半導体装置の入れ替え時間を短縮することができる半導体検査装置および半導体検査方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の半導体検査装置は、高周波用の半導体装置の電気特性を検査するときに、前記半導体装置の電気的諸量を測定するため、前記半導体装置の検査電極と測定部の検査用基板との間を電気的に接続する半導体検査装置であって、円形の内側に穴を有する薄い剛体からなるフレームの内側縁部に、前記フレームの内側の穴よりサイズが大きいシート状で、かつ少なくとも片面が粘着性を有し、その粘着面に前記半導体装置をその検査電極面とは反対面を対向させて複数貼り付けた粘着シートを固定し、前記フレームを、前記半導体装置の検査電極面を上面にして、水平且つ垂直方向に移動可能なステージ上に配置し、前記フレームの上部に、前記検査用基板に設けられ前記測定部からの電気信号を前記半導体装置に供給するために前記半導体装置の検査電極と接触する複数の接触子を配置し、前記フレームと前記ステージの間に、前記水平且つ前記垂直方向に移動可能な凸形状の治具を配置し、前記凸形状治具を前記垂直方向に上昇させて、前記凸形状治具の突出部分で前記複数の半導体装置のうち前記検査のために測定対象とする半導体装置のみを突き上げ、前記測定対象の半導体装置の検査電極と前記検査用基板の複数の接触子とを接触させるように構成したことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項２に記載の半導体検査装置は、請求項１に記載の半導体検査装置であって、前記凸形状治具の突出部分の前記粘着シートと接する面は平坦で前記半導体装置の裏面からはみ出さない形状としたことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項３に記載の半導体検査装置は、請求項１に記載の半導体検査装置であって、前記凸形状治具の突出部分は垂直方向の可動を可能としたことを特徴とする。
また、本発明の請求項４に記載の半導体検査装置は、請求項１に記載の半導体検査装置であって、前記測定対象とする半導体装置の突き上げにより前記凸形状治具の突出部分の前記粘着シートと接する面に前記粘着シートを吸着する機能手段を設置したことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項５に記載の半導体検査装置は、請求項１に記載の半導体検査装置であって、前記凸形状治具の突出部分以外の面に前記粘着シートを吸着する機能手段を設置したことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の請求項６に記載の半導体検査装置は、請求項１に記載の半導体検査装置であって、前記粘着シートは、熱により収縮可能な素材としたことを特徴とする。
また、本発明の請求項７に記載の半導体検査装置は、請求項６に記載の半導体検査装置であって、前記凸形状治具の近傍に前記粘着シートに対して熱収縮のための熱を供給する機能手段を設置したことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の請求項８に記載の半導体検査方法は、請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体検査装置を使用して、前記半導体装置の電気特性を検査するときに、前記半導体装置の電気的諸量を測定するに際し、前記ステージ上で、前記凸形状治具を前記水平方向に移動させて前記測定対象とする半導体装置と前記凸形状治具の突出部分とを位置合わせし、前記凸形状治具を前記垂直方向に上昇させて前記測定対象の半導体装置をその周辺の非測定対象の半導体装置より高く突き上げた状態で、前記ステージを前記水平方向に移動させて前記測定対象の半導体装置の検査電極と前記測定部の検査用基板に設けられた前記複数の接触子とを位置合わせし、前記ステージを前記垂直方向に上昇させて前記測定対象の半導体装置の検査電極と前記検査用基板の前記複数の接触子とを接触させ、前記半導体装置の検査電極と前記測定部の検査用基板との間を電気的に接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように本発明によれば、測定部分が、高周波化している半導体装置に対して高周波で電気特性検査を行うように構成されている場合でも、高精度の位置合わせが可能なフレームプローバ方式を利用し、かつ測定対象の半導体装置を下面から突き上げることにより、測定対象の半導体装置の周辺にある非測定対象の半導体装置が、測定対象の半導体装置より低い位置となるようにして、高周波測定のためにソケット周辺に取り付けられたインピーダンス調整素子や同軸コネクタが、非測定対象の半導体装置に干渉しないようにすることができる。
【００２３】
そのため、測定部分の構成として、高周波化している半導体装置に対する高周波での電気特性検査に対応させて構成している場合でも、半導体装置の電極部分と電気回路部分を傷つけることなく、半導体装置の検査電極とソケットの接触子との位置合わせ精度を向上することができるとともに、半導体装置の入れ替え時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を示す半導体検査装置および半導体検査方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
最初に、本実施の形態に示す半導体検査装置の構成について、図１、図２、図３、図４、図５、図６を用いて説明する。
【００２５】
図１は本実施の形態の半導体検査装置における凸形状治具部分の構成を示す断面図である。図２は本実施の形態の半導体検査装置における凸形状治具部分の他の構成（可動式）を示す断面図である。図３は本実施の形態の半導体検査装置におけるウエハ保持具の構成を示す斜視図である。図４は本実施の形態の半導体検査装置における全体構成を示す断面図である。図５は本実施の形態の半導体検査装置における全体構成を示す斜視図である。図６は本実施の形態の半導体検査装置におけるエキスパンド量の算出方法の説明図である。
【００２６】
図３に示すように、半導体ウエハ２０３のウエハサイズよりも大きいリング状のフレーム２０２に、フレーム内周縁より大きいサイズの円形状の粘着シート２０１を固定し、その粘着シート２０１上に、半導体ウエハ２０３を半導体装置の検査用電極面とは反対側の面が対向するように貼り付ける。なお、粘着シート２０１は、粘着面に紫外線を照射すると粘着性が弱くなり、熱をかけると収縮することを特徴とする素材とする。
【００２７】
このように粘着シート２０１に貼り付けられた半導体ウエハ２０３は、ダイシング装置により個片化された半導体装置の状態にし、この個片化された半導体装置において、図１に示す凸形状治具３０１の突出部分によって測定対象の半導体装置１０１を突き上げた際に、図６に示すように、突き上げた半導体装置の周辺に隣接する非測定対象の半導体装置１０８同士が互いの干渉により受けるダメージを防ぐため、粘着シート２０１をエキスパンド（拡張）して個々の半導体装置間に所定の隙間を設ける。
【００２８】
以下に、個々の半導体装置間に所定の隙間を設けるための粘着シート２０１のエキスパンド量の算出式について説明する。
治具３０１の突出部分の先端からステージの距離は、高周波測定に取り付けている検査装置の基板上のインピーダンス調整素子に干渉しないようにするため、インピーダンス調整素子の高さ（約１ｍｍ）の２倍の約２ｍｍとし、ソケット１０５には異方性導電シートを使用し、導電シートの厚さを０．５ｍｍとしてコンタクトした時の導電シートの圧縮距離は０．３ｍｍとし、実際の治具３０１の突出部分による突き上げ量ａは１．７ｍｍ必要とする。
【００２９】
そして、半導体装置の厚さｃを０．５ｍｍとし、半導体装置サイズｂを４ｍｍ角とした場合に、突き上げた半導体装置の周辺の半導体装置同士が接触しない距離を得るための粘着シートのエキスパンド量ｄは、次式に従って算出すると、０．２２ｍｍ以上確保することが望ましい。
ｄ＝２×ｃ×ｓｉｎ（０．５×ａｒｃ  ｓｉｎ（ａ／ｂ））
ここで、ａ：突き上げ量
ｂ：半導体装置サイズ
ｃ：半導体装置の厚さ
ｄ：エキスパンド量
この算出式に従って求めたエキスパンド量ｄ（＝０．２２ｍｍ以上）を基に、ダイシング装置によって個片の半導体装置に切断した半導体ウエハ２０３に対して、個々の半導体装置間に所定の隙間を設けるために、粘着シート２０１のエキスパンドを行う。
【００３０】
以上のように粘着シート２０１に対してエキスパンドを行って個々の半導体装置間に所定の隙間が設けられた半導体ウエハ２０３は、図４に示すように、ウエハ保持具により保持する。このウエハ保持具は、個片化された半導体装置の検査電極面が上面になるように、水平且つ垂直方向に動作可能なステージ４０３に設置する。この場合、ステージ４０３の位置精度は、半導体装置の検査電極がソケット１０５の接触子とコンタクトするための最も重要な要素となるため、水平且つ垂直方向とも誤差を±１０μｍ以内とする。
【００３１】
ウエハ保持具の上部には、検査用基板１０４に固定されたソケット１０５の接触子が下面になるように設置され、ソケット１０５には、高周波特性の良くするために接触子の長さが短い（約１ｍｍ以下）ポゴピンもしくは異方性導電シートを用いる。
【００３２】
また、ウエハ保持具とステージ４０３の間には、図４に示すような凸形状治具３０１が、水平且つ垂直方向に可動できるように設置され、位置精度はソケット１０５の接触子と半導体装置１０１の仮位置合わせであるため、水平且つ垂直方向ともラフな位置精度（誤差は±１００μｍ以内）とする。
【００３３】
凸形状治具３０１の突出部分の形状は、先端部分の粘着シート２０１と接する面は平坦な面とし、半導体装置の裏面からはみ出さない形状とする。また、凸形状治具３０１の突出部分として、図２に示すように、垂直方向に可動できる突出部分３０２を用いた構造とすることもでき、突出部分３０２の可動範囲はステージ４０３の上面から約２ｍｍとする。このように凸形状治具３０１の突出部分３０２が可動することにより、測定対象の半導体装置１０１の突き上げ量を調整することが可能となる。
【００３４】
測定対象の半導体装置１０１を凸形状治具３０１で突き上げた際に、周辺の非測定対象の半導体装置１０８が浮き上がってインピーダンス調整素子１０３と干渉しないようにするために、測定対象の半導体装置１０１の周辺にある非測定対象の半導体装置４点の粘着シート下面を吸着する機能を有した吸着装置４０１を、図４、図５に示すように、凸形状治具３０１の突出部分より下段部分に取り付けた構造とする。特に４点の吸着部分は吸着性を上げるためにシリコンのパッドが望ましい。
【００３５】
また、凸形状治具３０１では、測定対象の半導体装置１０１を突き上げた際に、その半導体装置が位置ずれしないようにするため、図４、図５に示すように、凸形状治具３０１の突出部分の先端部分に、粘着シート下面を吸着する機能を有した吸着装置４０４を取り付けた構造とする。特に先端部分の吸着部分は吸着性を上げるためにシリコンのパッドが望ましい。
【００３６】
また、凸形状治具３０１により測定対象の半導体装置１０１を突き上げた後には、粘着シート２０１において測定対象の半導体装置１０１の周辺部分が伸びてしまうため、次工程の半導体装置ピックアップ工程では、粘着シート２０１の伸びにより、半導体装置１０１をピックアップする際に、ピックアップ位置がずれてしまい、半導体装置のピックアップミスにつながってしまう。
【００３７】
これに対し、粘着シート２０１の熱収縮性を利用して、粘着シート２０１に温風をあてることにより突き上げによる粘着シート２０１の伸びを元通りにする。図４、図５に示すように、凸形状治具３０１の側面に温風を出す機能を有する温風装置４０２を設置し、測定対象の半導体装置周辺の粘着シート下面に温風があたる構造とする。
【００３８】
以上のような構造の半導体検査装置による半導体検査方法の全体フローに関して、図４、図５を用いて以下に説明する。
最初に、ウエハ保持具上の測定対象の半導体装置１０１と凸形状治具３０１の先端部分である突出部分との位置合わせを行う。位置合わせ後、凸形状治具３０１を半導体ウエハ２０３に対して垂直方向に上昇させて、凸形状治具３０１の突出部分の先端に設けた吸着装置４０４により、測定対象である半導体装置１０１の裏面の粘着シートを吸着し、さらに、凸形状治具３０１を上昇させて、その突出部分より下段に設けた吸着装置４０１により粘着シート２０１を吸着する。吸着する部分は、図４、図５に示すように、４点の非測定対象の半導体装置１１０が貼り付けられた粘着シート２０１の裏面を吸着する。
【００３９】
そして、測定対象の半導体装置１０１が周辺にある非測定対象の半導体装置１１０より約２ｍｍ高くなるまで、凸形状治具３０１を突き上げる。凸形状治具３０１で突き上げた状態で、ウエハ保持具を設置したステージ４０３により、突き上げた半導体装置１０１の検査用電極とその上部に取り付けられたソケットの接触子との位置合わせを行う。
【００４０】
そして、位置合わせ後、ウエハ保持具のステージ４０３と凸形状治具３０１を、凸形状治具３０１で突き上げた状態で、同時に上昇させることにより、非測定対象の半導体装置１１０が検査用基板１０４のインピーダンス素子１０３に干渉することなく、測定対象の半導体装置１０１の電極部分と測定部のソケット１０５の接触子が電気的に接続され、電気特性検査が行える状態になる。
【００４１】
電気特性検査が終了すると、凸形状治具３０１の突出部分に設けた吸着装置４０４と、それより下段に設けた吸着装置４０１をＯＦＦにして、粘着シート２０１への吸着を解除する。そして、ウエハ保持具のステージ４０３と凸形状治具３０１を、同時に垂直方向にソケット１０５の接触子先端からウエハ保持具の上面までの距離が２ｍｍになるまで下降させて、ウエハ保持具とソケット１０５を切り離す。
【００４２】
凸形状治具３０１は、さらにウエハ保持具の下面からステージ４０３上の凸形状治具３０１の先端部分までの距離が２ｍｍになるまで、下降させウエハ保持具と凸形状治具３０１を切り離す。下降後は、ウエハ保持具のステージ４０３と凸形状治具３０１を次に測定対象とする半導体装置へ水平方向に移動させ、同時に、凸形状治具３０１の側面に設けた温風装置４０２から、測定した半導体装置１０１と被測定の周辺の粘着シートに向けて温風をあて、凸形状治具の突き上げによって伸びた粘着シートを、突き上げ前の状態に戻す。
【００４３】
上記の検査フローを繰り返すことにより、ウエハ保持具に取り付けられた複数の半導体装置の電気特性検査が行える。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の半導体検査装置および半導体検査方法は、測定部分の構成として、高周波化している半導体装置に対する高周波での電気特性検査に対応させて構成している場合でも、半導体装置の電極部分と電気回路部分を傷つけることなく、半導体装置の検査電極とソケットの接触子との位置合わせ精度を向上することができるとともに、半導体装置の入れ替え時間を短縮することができるもので、ＷＬＣＳＰのフレームプローバ装置を用いた高周波の電気特性検査時に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態の半導体検査装置における凸形状治具部分の構成を示す断面図
【図２】同実施の形態の半導体検査装置における凸形状治具部分の他の構成（可動式）を示す断面図
【図３】同実施の形態の半導体検査装置におけるウエハ保持具の構成を示す斜視図
【図４】同実施の形態の半導体検査装置における全体構成を示す断面図
【図５】同実施の形態の半導体検査装置における全体構成を示す斜視図
【図６】同実施の形態の半導体検査装置におけるエキスパンド量の算出方法の説明図
【図７】従来の半導体検査装置として水平搬送式ハンドラ装置の測定部の構成を示す断面図
【図８】従来の半導体検査装置としてフレームプローバ装置の測定部の構成を示す断面図
【符号の説明】
【００４６】
１０１    （測定対象の）半導体装置
１０２    半田ボール（検査用電極）
１０３    インピーダンス調整素子
１０４    検査用基板
１０５    ソケット
１０６    位置決め治具
１０７    押し込み治具
１０８    （非測定対象の）半導体装置
２０１    粘着シート
２０２    （リング状の）フレーム
２０３    半導体ウエハ
２０４    （フレームプローバの）ステージ
３０１    凸形状治具
３０２    （凸形状治具の垂直可動が可能な）突出部分
４０１    （凸形状治具の突出部分より下段部分の）吸着装置
４０２    温風装置
４０３    （ウエハ保持具が搭載される）ステージ
４０４    （凸形状治具の突出部分の）吸着装置
【図１】
2007178132.tif 000003
【図２】
2007178132.tif 000004
【図３】
2007178132.tif 000005
【図４】
2007178132.tif 000006
【図５】
2007178132.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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