(57)【要約】【課題】セミアディティブ法によって導電回路部の上面が平坦な配線基板を製造できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基材２に設けられた導電性シード層３の面に、回路パターンとは逆パターンのメッキレジスト層４を設けるメッキレジスト工程と、メッキレジスト層４の外面に導電性被膜６を設ける導電性被膜工程と、導電性シード層３及び導電性被膜６を電極としてビアフィルメッキを行い、メッキレジスト層４の開口部を埋め、且つ、メッキ表面が平坦な電解メッキ層７を形成する電解メッキ工程と、メッキレジスト層４が露出するまで電解メッキ層７及び導電性被膜６を均一にエッチングし、電解メッキ層７を回路パターンの導電回路部５に加工するエッチング工程と、メッキレジスト層４を除去するメッキレジスト層除去工程と、導電回路部５が設けられていない導電性シード層３の箇所を除去するシード層除去工程とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材に設けられた導電性シード層の面に、回路パターンとは逆パターンのメッキレジスト層を設けるメッキレジスト工程と、
前記メッキレジスト層の外面に導電性被膜を設ける導電性被膜工程と、
前記導電性シード層及び前記導電性被膜を電極として電解メッキを行い、前記メッキレジスト層の開口部を埋め、且つ、メッキ表面が平坦な電解メッキ層を設ける電解メッキ工程と、
前記メッキレジスト層が露出するまで前記電解メッキ層及び前記導電性被膜を均一にエッチングし、前記電解メッキ層を回路パターンの導電回路部に加工するエッチング工程と、
前記メッキレジスト層を除去するメッキレジスト層除去工程と、
前記導電回路部が設けられていない前記導電性シード層の箇所を除去するシード層除去工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
導電性被膜工程は、ダイレクトプレーティング、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着のいずれかによって行うことを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
電解メッキ工程は、ビアフィルメッキ工法を用いて行うことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
エッチング工程は、メッキを均一にエッチングするエッチング液を使用して行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性基材の面にメッキによって導電回路部を形成する配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の製造方法の一つとしてセミアディティブ法がある。このセミアディティブ法は、ファインピッチ（３０μｍ未満のピッチ）の回路を形成するのに適した工法である。以下、セミアディティブ法を用いた従来の配線基板の製造方法を説明する（特許文献１参照）。先ず、図３（ａ）に示すように、絶縁性基材１００の一面に、薄い導電性シード層１０１を形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、導電性シード層１０１の面に、回路パターンとは逆パターンのメッキレジスト層１０２を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、メッキレジスト層１０２で被われていない導電性シード層１０１の面に、電解メッキによって所望の回路パターンの導電回路部１０３を形成する（メッキ工程）。次に、図３（ｄ）に示すように、メッキレジスト層１０２を除去する。次に、図３（ｅ）に示すように、導電回路部１０３が設けられていない導電性シード層１０１の箇所をエッチングによって除去する。
【特許文献１】特開２００６−９３２３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の配線基板の製造方法では、導電回路部１０３を形成するメッキ工程にあって、メッキレジスト層１０２に近い導電回路部１０３の両端部では電流が遮断され、メッキレジスト層１０２より離れた導電回路部１０３の中央部では電流が遮断されない。そのため、導電回路部１０３は、その両端部に較べて中央部が厚くなる凸形状となる。導電回路部１０３の上面が凸形状であると、導電回路部１０３上に載置された実装部品の端子が横ズレし易いため、部品の実装性が悪いという問題がある。
【０００４】
特に、ＡＣＦ接合では、プレス時に異方性導電フィルムの導電粒子が導電回路部１０３の側部領域に逃げ、導電回路部１０３と接触して有効に機能する異方性粒子の個数が少なくなり、実装部品の接続信頼性が低下する。
【０００５】
そこで、本発明は、セミアディティブ法によって導電回路部の上面が平坦な配線基板を製造できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成する請求項１の発明は、絶縁性基材に設けられた導電性シード層の面に、回路パターンとは逆パターンのメッキレジスト層を設けるメッキレジスト工程と、前記メッキレジスト層の外面に導電性被膜を設ける導電性被膜工程と、前記導電性シード層及び前記導電性被膜を電極として電解メッキを行い、前記メッキレジスト層の開口部を埋め、且つ、メッキ表面が平坦な電解メッキ層を設ける電解メッキ工程と、前記メッキレジスト層が露出するまで前記電解メッキ層及び前記導電性被膜を均一にエッチングし、前記電解メッキ層を回路パターンの導電回路部に加工するエッチング工程と、前記メッキレジスト層を除去するメッキレジスト層除去工程と、前記導電回路部が設けられていない前記導電性シード層の箇所を除去するシード層除去工程と、を有することを特徴とする。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１記載の配線基板の製造方法であって、導電性被膜工程は、ダイレクトプレーティング、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着のいずれかによって行うことを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法であって、電解メッキ工程は、ビアフィルメッキ工法を用いて行うことを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１〜請求項３記載の配線基板の製造方法であって、エッチング工程は、メッキを均一にエッチングするエッチング液を使用して行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の発明によれば、エッチング工程によって導電回路部の上面が平坦に加工される。従って、セミアディティブ法によって導電回路部の上面が平坦な配線基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態に係るプリント配線基板の製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各材料層の厚みやその比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００１２】
図１及び図２は本発明の一実施の形態を示し、図１はプリント配線基板の断面図、図２（ａ）〜（ｆ）はプリント配線基板の各製造過程の断面図である。
【００１３】
図１に示すように、プリント配線基板１は、絶縁性基材２と、この一面に形成された所定の回路パターンの導電性シード層３と、この導電性シード層３の表面に形成された所定の回路パターンの導電回路部５とを備えている。
【００１４】
以下、このプリント配線基板１の製造方法を順に説明する。図２（ａ）に示すように、絶縁性基材２の一面に導電性シード層３を形成した基材を出発材料とする。
【００１５】
先ず、図２（ｂ）に示すように、導電性シード層３の表面に、所望の回路パターンとは逆パターンのメッキレジスト層４を形成する（メッキレジスト工程）。メッキレジスト層４は、導電性シード層３の表面にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光し、現像を行うことによって形成する。
【００１６】
次に、図２（ｃ）に示すように、メッキレジスト層４の外面に導電性被膜６を形成する（導電性被膜工程）。導電性被膜６を形成する工程は、ダイレクトプレーティングや無電解メッキやスパッタリングや蒸着によって行う。
【００１７】
次に、図２（ｄ）に示すように、導電性シード層３及び導電性被膜６を電極としてビアフィルメッキを行う。ビアフィルメッキは、メッキレジスト層４の開口部内へのメッキ析出スピードがメッキレジスト層４の表面側への析出スピードよりも速い。この特性を利用してメッキレジスト層４の開口部内のメッキ高さがメッキレジスト層４の表面側のメッキ高さに一致するタイミングでメッキを終了し、これによってメッキ表面が全ての箇所で平坦な電解メッキ層７を形成する（電解メッキ工程）。
【００１８】
次に、図２（ｅ）に示すように、メッキレジスト層４が露出するまで電解メッキ層７及び導電性被膜６を均一にエッチングし、電解メッキ層７を所定の回路パターンの導電回路部５に加工する（エッチング工程）。
【００１９】
次に、図２（ｆ）に示すように、メッキレジスト層４を除去する（メッキレジスト層除去工程）。
【００２０】
次に、導電回路部５が設けられていない導電性シード層３の箇所をエッチングによって除去する（シード層除去工程）このとき、側面の導電性被膜６も除去される。以上によって、図１の配線基板１を作製する。
【００２１】
上記製造方法中のエッチング工程では、導電回路部５の上面が平坦に加工される。従って、セミアディティブ法によって導電回路部５の上面が平坦な配線基板１を製造できる。
【００２２】
（具体例）
次に、上記製造方法の各工程の具体例を説明する。
【００２３】
出発材料の基材は、絶縁性基材２として２５μｍのユーピレックスの片面に、スパッタリングでＮｉ−Ｃｒ層が３０ｎｍ、Ｃｕ層が２００ｎｍの導電性シード層３が形成されたダイアファイン（三菱伸銅製）を使用した。
【００２４】
メッキレジスト工程では、導電性シード層３の表面に厚さ２５μｍのドライフィルムレジスト（日立化成製）をラミネートし、このドライフィルムレジストに回路パターンを露光・現像することによってドライフィルムレジストの回路パターンに対応する箇所を除去する。このようにして導電性シード層３の表面に、回路パターンとは逆パターンのドライフィルムレジスト（メッキレジスト層４）を形成した。
【００２５】
導電性被膜工程では、ダイレクトプレーティング法（ＤＰＰ）によってメッキレジスト層４の露出面に導電性被膜６を形成した。
【００２６】
電解メッキ工程では、電解銅メッキによって、メッキレジスト層４の開口部及びメッキレジスト層４の表面に銅を析出させた。その際のビアフィルメッキ液としては、以下の硫酸銅メッキ浴を使用した。
【００２７】
（硫酸銅メッキ浴）
硫酸銅５水塩が１５０ｇ／Ｌ、硫酸が１００ｇ／Ｌ、塩素イオンが３０ｍｇ／Ｌ、キューブライトＶＦII−Ａ（荏原ユージライト製）が１０ｍＬ／Ｌ、キューブライトＶＦII−Ａ（荏原ユージライト製）が５ｍＬ／Ｌのものである。
【００２８】
エッチング工程では、メッキを均一にエッチングできる塩化鉄液、塩化銅液、硫酸過酸化水素液等のエッチング液を用いてメッキレジスト層４が露出されるまで均一にエッチングした。
【００２９】
メッキレジスト層除去工程では、３％水酸化ナトリウム水溶液を用いてメッキレジスト層４を剥離した。
【００３０】
シード層除去工程では、塩化銅鉄液や塩化銅液、硫酸過酸化水素液等のエッチング液を用いて導電性シード層３をエッチングによって除去した。
【００３１】
このようにして製造したプリント配線基板１は、その導電回路部５の両端部と中央部の高低差が０．５μｍ以内であった。これに対し、従来例の製造工程で製造したプリント配線基板では、導電回路部の両端部と中央部の高低差が最大１．２μｍであった。以上より、本発明における導電回路部５の平坦化が実証された。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施の形態にかかるプリント配線基板の断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は一実施の形態にかかるプリント配線基板の各製造過程の断面図である。
【図３】従来例を示し、（ａ）〜（ｅ）は配線基板の各製造過程の断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  プリント配線基板（配線基板）
２  絶縁性基材
３  導電性シード層
４  メッキレジスト層
５  導電回路部
６  導電性被膜
７  電解メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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