(57)【要約】【課題】  ベース基板の両面それぞれに形成された配線を、簡易な方法で互いに接続することができる実装基板を提供する。【解決手段】本発明に係る実装基板は、半導体装置が実装される実装基板であって、ベース基板１と、ベース基板１の第１の面に形成された第１の配線２ａと、ベース基板１に形成され、第１の面の裏面である第２の面に位置する第２の配線４と、ベース基板１に形成され、第１の面から第２の面まで貫通したスルーホール１ａと、第２の配線４の一部であり、第２の面からスルーホール１ａの内側面に沿って延伸して第１の面に達するオーバーハング部４ａとを具備し、第２の配線４は、オーバーハング部４ａによって第１の配線２ａと接続している。【選択図】      図３
2007059574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の第１の面に形成された第１の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面の裏面である第２の面に位置する第２の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面から前記第２の面まで貫通したスルーホールと、
前記第２の配線の一部であり、前記第２の面から前記スルーホールの内側面に沿って延伸して前記第１の面に達するオーバーハング部と、
を具備し、前記第２の配線は、前記オーバーハング部によって前記第１の配線と接続している実装基板。
【請求項２】
前記第２の配線は、前記スルーホールを囲む環状部を有しており、
複数の前記オーバーハング部が、互いに離間した状態で、前記環状部から前記スルーホールの内側面に沿って延伸している請求項１に記載の実装基板。
【請求項３】
前記オーバーハング部は、先端部が他の部分と比べて幅広である請求項１又は２に記載の実装基板。
【請求項４】
前記第２の配線と前記ベース基板の間には接着層が配置されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の実装基板。
【請求項５】
ベース基板と、
前記ベース基板の第１の面に形成された第１の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面の裏面である第２の面に位置する第２の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面から前記第２の面まで貫通したスルーホールと、
前記第１の配線の一部であり、前記第１の面から前記スルーホールの内側面に沿って延伸する第１のオーバーハング部と、
前記第２の配線の一部であり、前記第２の面から前記スルーホールの内側面に沿って延伸する第２のオーバーハング部と、
を具備し、前記第１の配線及び前記第２の配線は、前記第１のオーバーハング部及び前記第２のオーバーハング部によって、前記スルーホール内で互いに接続している実装基板。
【請求項６】
前記第１の配線は、前記スルーホールを囲む第１の環状部を有しており、
前記第２の配線は、前記スルーホールを囲む第２の環状部を有しており、
複数の前記第１のオーバーハング部が、互いに離間した状態で、前記第１の環状部から前記スルーホールの内側面に沿って延伸しており、
複数の前記第２のオーバーハング部が、互いに離間した状態で、前記第２の環状部から前記スルーホールの内側面に沿って延伸しており、
前記複数の第１のオーバーハング部は、それぞれ前記第２のオーバーハング部と前記スルーホール内で接続している請求項５に記載の実装基板。
【請求項７】
前記第１及び第２のオーバーハング部は、それぞれ、先端部が他の部分と比べて幅広である請求項５又は６に記載の実装基板。
【請求項８】
前記第１の配線と前記ベース基板の間、及び前記第２の配線と前記ベース基板の間それぞれには、接着層が配置されている請求項５〜７のいずれか一項に記載の実装基板。
【請求項９】
前記ベース基板はフレキシブル基板である請求項１〜８のいずれか一項に記載の実装基板。
【請求項１０】
第１の面に第１の導電膜が形成されたベース基板を準備する工程と、
前記ベース基板の、前記第１の面の裏面である第２の面に、接着層を設ける工程と、
前記ベース基板及び前記接着層に、前記第１の面から前記第２の面まで貫通するスルーホールを形成する工程と、
前記接着層の上に、第２の導電膜を貼り付ける工程と、
前記第２の導電膜をパターニングすることにより、前記接着層上に位置する第２の配線と、前記第２の配線から前記スルーホール上に延伸するオーバーハング部とを形成する工程と、
前記第１の導電膜をパターニングすることにより、第１の配線を形成する工程と、
前記オーバーハング部を前記スルーホールの縁に沿って折り曲げ、該スルーホールの内側面に沿わせることにより、前記オーバーハング部を前記第１の配線に接触させ、前記第１の配線と前記第２の配線を接続する工程と、
を具備する実装基板の製造方法。
【請求項１１】
ベース基板の第１の面に、第１の接着層を設ける工程と、
前記ベース基板及び前記第１の接着層に、前記第１の面から該第１の面の裏面である第２の面まで貫通するスルーホールを形成する工程と、
前記第１の面上に、前記第１の接着層を用いて第１の導電膜を貼り付ける工程と、
前記第１の導電膜をパターニングすることにより、前記第１の面上に第１の配線と、前記第１の配線から前記スルーホール上に延伸する第１のオーバーハング部とを形成する工程と、
前記第２の面に、第２の接着層を設ける工程と、
前記第２の面上に、前記第２の接着層を用いて第２の導電膜を貼り付ける工程と、
前記第２の導電膜をパターニングすることにより、前記第２の面上に位置する第２の配線と、前記第２の配線から前記スルーホール上に延伸する第２のオーバーハング部とを形成する工程と、
前記第１及び第２のオーバーハング部を、それぞれ前記スルーホールの縁に沿って折り曲げ、該スルーホールの内側面に沿わせて互いに接触させることにより、前記第１及び第２のオーバーハング部を介して前記第１の配線と前記第２の配線を接続する工程と、
を具備する実装基板の製造方法。
【請求項１２】
半導体チップと、
前記半導体チップが実装された実装基板と、
を具備し、
前記実装基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板の第１の面に形成された第１の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面の裏面である第２の面に位置する第２の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面から前記第２の面まで貫通したスルーホールと、
前記第２の配線の一部であり、前記第２の面から前記スルーホールの内側面に沿って延伸して前記第１の面に達するオーバーハング部と、
を具備し、前記第２の配線は、前記オーバーハング部によって前記第１の配線と接続している半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装基板及びその製造方法に関する。特に本発明は、ベース基板の両面それぞれに形成された配線を、簡易な方法で互いに接続することができる実装基板及びその製造方法、並びに半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来の実装基板の一例を説明する為の断面図である。この実装基板は、フレキシブル基板であり、ベース基板１０１の第１の面に第１の銅配線１０２を設け、ベース基板１０１の第２の面に第２の銅配線１０３を設けたものである。ベース基板１０１にはスルーホール１０１ａが設けられている。スルーホール１０１ａの内側面には、第１の銅配線１０２と第２の銅配線１０３を接続するメッキ材１０４が設けられている。これに類似する技術が、特許文献１に記載されている
【特許文献１】特開平８−３７３７５号公報（図１２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記した従来例では、スルーホールの内側面にメッキ材を形成する必要があった。このため、製造工程数が多くなり、かつ、製造に時間を要していた。また、メッキ工程の廃液を処理する必要があった。
【０００４】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、メッキを使わずに、ベース基板の両面それぞれに形成された配線を、簡易な方法で互いに接続することができる実装基板及びその製造方法、並びに半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明に係る実装基板は、ベース基板と、
前記ベース基板の第１の面に形成された第１の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面の裏面である第２の面に位置する第２の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面から前記第２の面まで貫通したスルーホールと、
前記第２の配線の一部であり、前記第２の面から前記スルーホールの内側面に沿って延伸して前記第１の面に達するオーバーハング部と、
を具備し、前記第２の配線は、前記オーバーハング部によって前記第１の配線と接続している。
【０００６】
この実装基板によれば、前記第１の配線と前記第２の配線は、前記オーバーハング部によって互いに接続している。前記オーバーハング部は、例えばパンチで折り曲げられることにより、前記スルーホールの内側面に沿って延伸したものである。このため、前記第１の配線と前記第２の配線を、メッキを使わずに、簡易な方法で互いに接続することができる。
【０００７】
前記第２の配線は、前記第２の面に位置していて前記スルーホールを囲む環状部を有しており、複数の前記オーバーハング部が、互いに離間した状態で、前記環状部から前記スルーホールの内側面に沿って延伸してもよい。前記オーバーハング部は、例えば前記スルーホールの縁に沿って折り曲げられることにより、前記スルーホールの内側面に沿って延伸する。この場合、上記の構造にすると、オーバーハング部の折り曲げ部分に加わるひずみが小さくなり、亀裂の発生が抑制される。
【０００８】
前記オーバーハング部は、先端部が他の部分と比べて幅広であってもよい。このようにすると、前記オーバーハング部と前記第１の配線の接触面積が広くなるため、接続抵抗が低くなる。また、折り曲げられる部分が先端部と比べて細いため、オーバーハング部の折り曲げ部分に加わるひずみが小さくなり、亀裂の発生が抑制される。
【０００９】
前記第２の配線と前記ベース基板の間には接着層が配置されていてもよい。
【００１０】
本発明に係る実装基板は、ベース基板と、
前記ベース基板の第１の面に形成された第１の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面の裏面である第２の面に位置する第２の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面から前記第２の面まで貫通したスルーホールと、
前記第１の配線の一部であり、前記第１の面から前記スルーホールの内側面に沿って延伸する第１のオーバーハング部と、
前記第２の配線の一部であり、前記第２の面から前記スルーホールの内側面に沿って延伸する第２のオーバーハング部と、
を具備し、前記第１の配線及び前記第２の配線は、前記第１のオーバーハング部及び前記第２のオーバーハング部によって、前記スルーホール内で互いに接続している。
【００１１】
この実装基板によれば、前記第１の配線と前記第２の配線は、前記第１及び第２のオーバーハング部によって、前記スルーホール内で互いに接続している。前記第１及び第２のオーバーハング部それぞれは、例えばパンチで折り曲げられることにより、前記スルーホールの内側面に沿って延伸したものである。このため、前記第１の配線と前記第２の配線を、メッキを使わずに、簡易な方法で互いに接続することができる。
【００１２】
前記第１の配線は、前記第１の面に位置し、前記スルーホールを囲む第１の環状部を有しており、前記第２の配線は、前記第２の面に位置し、前記スルーホールを囲む第２の環状部を有しており、前記第１の面において、複数の前記第１のオーバーハング部が、互いに離間した状態で、前記第１の環状部から前記スルーホールの内側面に沿って延伸しており、前記第２の面において、複数の前記第２のオーバーハング部が、互いに離間した状態で、前記第２の環状部から前記スルーホールの内側面に沿って延伸しており、前記複数の第１のオーバーハング部は、それぞれ前記第２のオーバーハング部と前記スルーホール内で接続していてもよい。
【００１３】
前記第１及び第２のオーバーハング部は、それぞれ、先端部が他の部分と比べて幅広であってもよい。前記第１の配線と前記ベース基板の間、及び前記第２の配線と前記ベース基板の間それぞれには、接着層が配置されていてもよい。
前記ベース基板は、例えばフレキシブル基板である。
【００１４】
本発明に係る実装基板の製造方法は、第１の面に第１の導電膜が形成されたベース基板を準備する工程と、
前記ベース基板の、前記第１の面の裏面である第２の面に、接着層を設ける工程と、
前記ベース基板及び前記接着層に、前記第１の面から前記第２の面まで貫通するスルーホールを形成する工程と、
前記接着層の上に、第２の導電膜を貼り付ける工程と、
前記第２の導電膜をパターニングすることにより、前記接着層上に位置する第２の配線と、前記第２の配線から前記スルーホール上に延伸するオーバーハング部とを形成する工程と、
前記第１の導電膜をパターニングすることにより、第１の配線を形成する工程と、
前記オーバーハング部を前記スルーホールの縁に沿って折り曲げ、該スルーホールの内側面に沿わせることにより、前記オーバーハング部を前記第１の配線に接触させ、前記第１の配線と前記第２の配線を接続する工程とを具備する。
【００１５】
本発明に係る他の実装基板の製造方法は、ベース基板の第１の面に、第１の接着層を設ける工程と、
前記ベース基板及び前記第１の接着層に、前記第１の面から該第１の面の裏面である第２の面まで貫通するスルーホールを形成する工程と、
前記第１の面上に、前記第１の接着層を用いて第１の導電膜を貼り付ける工程と、
前記第１の導電膜をパターニングすることにより、前記第１の面上に第１の配線と、前記第１の配線から前記スルーホール上に延伸する第１のオーバーハング部とを形成する工程と、
前記第２の面に、第２の接着層を設ける工程と、
前記第２の面上に、前記第２の接着層を用いて第２の導電膜を貼り付ける工程と、
前記第２の導電膜をパターニングすることにより、前記第２の面上に位置する第２の配線と、前記第２の配線から前記スルーホール上に延伸する第２のオーバーハング部とを形成する工程と、
前記第１及び第２のオーバーハング部を、それぞれ前記スルーホールの縁に沿って折り曲げ、該スルーホールの内側面に沿わせて互いに接触させることにより、前記第１及び第２のオーバーハング部を介して前記第１の配線と前記第２の配線を接続する工程と、
を具備する。
【００１６】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、
前記半導体チップが実装された実装基板と、
を具備し、
前記実装基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板の第１の面に形成された第１の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面の裏面である第２の面に位置する第２の配線と、
前記ベース基板に形成され、前記第１の面から前記第２の面まで貫通したスルーホールと、
前記第２の配線の一部であり、前記第２の面から前記スルーホールの内側面に沿って延伸して前記第１の面に達するオーバーハング部と、
を具備し、前記第２の配線は、前記オーバーハング部によって前記第１の配線と接続している。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１の各図、図２（Ａ）、及び図３の各図は、本発明の第１の実施形態に係る実装基板の製造方法を説明する為の断面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の状態における実装基板の平面図である。なお、図１〜図３に示した断面図は、図２（Ｂ）のＡ−Ａ断面に相当する断面を示している。本実施形態によって製造される実装基板は、フレキシブル基板であり、第１の面と第２の面それぞれに配線層を有している。これら２つの配線層は、スルーホールを介して接続されている。
【００１８】
まず、図１（Ａ）に示すように、ベース基板１の第１の面（例えば図中の裏面）に、銅膜２をスパッタリング法により形成する。ベース基板１は、例えば例えばフレキシブル基板であり、ポリイミドを基材としている。次いで、ベース基板１の第２の面（例えば図中の表面）に、接着層３を形成する。接着層３は、例えばシート状の接着層をベース基板１に転写することにより形成されるが、接着剤をベース基板１に塗布することにより形成されてもよい。
【００１９】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、ベース基板１、銅膜２、接着層３にスルーホール１ａを形成する。スルーホール１ａの断面形状は略円形である。
【００２０】
次いで、図２（Ａ）に示すように、接着層３に銅膜を貼り付ける。次いで、この銅膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、銅膜上にはレジストパターンが形成される。なお、これらの処理によって、銅膜２はフォトレジスト膜で被覆される。
【００２１】
次いで、このレジストパターン及びフォトレジスト膜をマスクとして、銅膜をウェットエッチングする。これにより、銅膜はパターニングされ、ベース基板１の第２の面に位置する第２の銅配線４が形成される。その後、レジストパターン及びフォトレジスト膜を除去する。
【００２２】
次いで、銅膜２上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、銅膜２上にはレジストパターンが形成される。なお、これらの処理によって、ベース基板の第２の面上及び第２の銅配線４は、フォトレジスト膜で被覆される。
【００２３】
次いで、このレジストパターン及びフォトレジスト膜をマスクとして銅膜２をエッチングする。これにより、ベース基板１の第１の面には第１の銅配線２ａが形成される。その後、レジストパターン及びフォトレジスト膜を除去する。
【００２４】
図２（Ｂ）の平面図は、第２の銅配線４のパターンを示している。本図及び図２（Ａ）に示すように、第２の銅配線４は、スルーホール１ａの周囲を囲むドーナツ状の環状部４ｂと、環状部４ｂからスルーホール１ａ上に延伸する複数のオーバーハング部４ａを有している。オーバーハング部４ａは、略長方形であり、その長さはベース基板１の厚さよりわずかに長い。
また、第１の銅配線２ａは、少なくとも第２の銅配線４のオーバーハング部４ａと対向する部分が、スルーホール１ａの縁に位置している。
【００２５】
その後、ベース基板１の第１の面及び第１の銅配線２ａそれぞれ上、並びにベース基板１の第２の面及び第２の銅配線４上それぞれに、ソルダーレジスト層（図示せず）を形成する。次いで、このソルダーレジスト層を露光及び現像し、スルーホール１ａ内及びその周囲に位置するソルダーレジスト層を除去する。次いで、第２の銅配線４上及び第１の銅配線２ａ上の所定箇所に、メッキ法によりランド（図示せず）を形成する。
【００２６】
次いで、図３（Ａ）に示すように、ベース基板１の第２の面方向から、スルーホール１ａ内にパンチ１０を挿入する。これにより、第２の銅配線４のオーバーハング部４ａは、スルーホール１ａの縁に沿って折り曲げられ、スルーホール１ａの内側面に沿う状態になる。オーバーハング部４ａの先端は、ベース基板の第１の面に達している。なお、パンチ１０とスルーホール１ａの内側面の隙間（クリアランス）は、オーバーハング部４ａの厚さの０．５倍以上３倍以下であるのが好ましい。
【００２７】
その後、図３（Ｂ）に示すように、スルーホール１ａからパンチ１０を引き抜く。次いで、ベース基板１の第１の面方向から、側面にテーパが設けられたパンチ１１を、スルーホール１ａ内に挿入する。これにより、第２の銅配線４は更に折り曲げられ、その先端部は、第１の銅配線２ａに接続する。
【００２８】
その後、パンチ１１を引き抜く。このようにして、実装基板が形成される。その後、実装基板に、半導体チップ（図示せず）が実装され、半導体チップが第１の銅配線２ａ及び第２の銅配線４に接続される。
【００２９】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、ベース基板１にスルーホール１ａを形成し、第２の銅配線４に、スルーホール１ａ上に延伸するオーバーハング部４ａを設けている。そして、パンチ１０，１１をスルーホール１ａ内に挿入することにより、オーバーハング部４ａをスルーホール１ａの内側面に沿って折り曲げ、その先端部を第１の銅配線２ａに接続させている。
【００３０】
従って、少ない工程数で第１の銅配線２ａと第２の銅配線４とを接続することができる。また、接続の際にメッキ工程を必要としないため、メッキ工程の廃液を処理する必要もない。このため、実装基板の製造コストが低くなる。
また、第１の銅配線２ａと第２の銅配線４とを直接接続させるため、樹脂と導電性樹脂を混合した導電性ペースト等を用いる場合と比べて接続抵抗を小さくすることができる。
【００３１】
また、複数のオーバーハング部４ａが、互いに離間して設けられている。このため、オーバーハング部４ａがスルーホール１ａの全周（すなわち環状）に設けられた場合と比較して、オーバーハング部４ａが細くなり、オーバーハング部４ａをスルーホール１ａの縁に沿って折り曲げる際に、折り曲げ部分で亀裂が生じにくくなる。
【００３２】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る実装基板の製造方法を説明する為の平面図であり、第１の実施形態における図２（Ｂ）に相当する。本実施形態は、オーバーハング部４ａの形状を除いて、第１の実施形態に係る実装基板の製造方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３３】
本実施形態において、オーバーハング部４ａは、先端部４ｃ以外の部分が、先端部４ｃと比べて細くなっている。このようにすると、第１の実施形態と同一の効果を得るほか、オーバーハング部４ａをスルーホール１ａに沿って折り曲げる際に、折り曲げ部分で亀裂が生じることを更に抑制できる。
【００３４】
図５は、本発明の第３の実施形態に係る実装基板の製造方法を説明する為の断面図である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず、図５（Ａ）に示すように、ベース基板１の第１の面に、接着層５を形成する。接着層５の形成方法は、第１の実施形態において接着層３を形成する方法と同一である。
【００３５】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、ベース基板１及び接着層５に、スルーホール１ａを形成する。
【００３６】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、接着層５上に銅膜を貼り付ける。次いで、この銅膜をパターニングすることにより、第１の銅配線２ａを形成する。銅膜のパターニング方法は、第１の実施形態において第２の銅配線４を形成するときのパターニング方法と同一である。また、本実施形態において、第１の銅配線２ａは、第１の実施形態における第２の銅配線４と平面形状が同一であり、環状部（図示せず）及びオーバーハング部２ｂを有する。
【００３７】
次いで、図６（Ａ）に示すように、ベース基板１の第２の面に、接着層３及び第２の銅配線４を形成する。これらの形成方法は第１の実施形態と同一である。ただし、先にスルーホール１ａが形成されているため、接着層３はスルーホール１ａ上にも形成される。
【００３８】
その後、図６（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層（図示せず）の形成及びそのパターニング、並びにランド（図示せず）の形成を行う。これらの形成方法は、第１の実施形態と同一である。ソルダーレジスト層のパターニング工程には洗浄工程が含まれているが、この洗浄工程において、スルーホール１ａ上に位置する接着層３のうち、オーバーハング部４ａがない部分は、除去される。
【００３９】
その後、図６（Ｃ）に示すように、パンチ１０をスルーホール１ａ内に挿入し、第２の銅配線４のオーバーハング部４ａを、スルーホール１ａの縁に沿って折り曲げ、スルーホール１ａの内側面に沿って延伸させる。
【００４０】
その後、図６（Ｄ）に示すように、パンチ１０をスルーホール１ａから引き抜く。次いで、パンチ１１をスルーホール１ａ内に挿入する。これにより、第１の銅配線２ａのオーバーハング部２ｂがスルーホール１ａの縁に沿って折り曲げられ、スルーホール１ａの内側面に沿って延伸する。これにより、複数のオーバーハング部２ｂそれぞれが、互いに異なるオーバーハング部４ａと、スルーホール１ａ内で接続する。
【００４１】
その後、パンチ１１をスルーホール１ａから引き抜く。
このように、本実施形態でも第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第１の銅配線２ａにもオーバーハング部２ｂを形成し、オーバーハング部２ｂ，４ａがスルーホール１ａ内で互いに接続することにより、第１の銅配線２ａと第２の銅配線４とが接続している。従って、第１の実施形態と比較して互いの接触面積が広くなり、接続抵抗がさらに低くなる。
なお、本実施形態において、オーバーハング部２ｂ，４ａの形状を、第２の実施形態のようにしてもよい。
【００４２】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、第１〜第３の実施形態それぞれにおいて、パンチ１０にテーパ又はＲを設けてもよい。この場合、パンチ１０とスルーホール１ａの隙間を狭くしても、オーバーハング部４ａの折り曲げ部分に加わるひずみを小さくすることができる。
【００４３】
また、第１の実施形態において、オーバーハング部４ａの長さをベース基板１の厚さより長くしてもよい。このようにすると、オーバーハング部４ａは、パンチ１０によって折り曲げられた状態では、先端部がベース基板１の第１の面から飛び出る。この飛び出た部分を第１の面に沿って折り曲げると、第１の面において第１の銅配線２ａとオーバーハング部４ａとを接触させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】（Ａ）は第１の実施形態に係る実装基板の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図２】（Ａ）は図１（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の状態における実装基板の平面図。
【図３】（Ａ）は図２（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図４】第２の実施形態に係る実装基板の製造方法を説明する為の平面図。
【図５】（Ａ）は第２の実施形態に係る実装基板の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図６】（Ａ）は図５（Ｃ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｄ）は（Ｃ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図７】従来の実装基板の一例を説明する為の断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１，１０１…ベース基板、１ａ，１０１ａ…スルーホール、２…銅膜、２ａ，１０２…第１の銅配線、２ｂ，４ａ…オーバーハング部、３，５…接着層、４，１０３…第２の銅配線、４ｂ…環状部、４ｃ…先端部、１０，１１…パンチ、１０４…メッキ材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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