(57)【要約】【課題】  連続使用時間が長いパターン修正装置を提供する。【解決手段】  このパターン修正装置では、欠陥部における修正液の堆積が終了した時点で、アトマイズガス流量を噴霧可能最低限よりも低い所定のレベルに設定し、噴霧部１５における修正液２０の霧粒子Ｐの生成を停止させるとともに、堆積装置５内の修正液２０の霧粒子Ｐを吹き飛ばす。したがって、装置詰まりを防止して装置の連続使用時間を延ばすことができる。【選択図】        図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
少なくとも前記欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱する加熱装置と、
霧状の修正液を生成する噴霧部を含み、前記霧状の修正液を前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて修正する堆積装置とを備え、
前記欠陥部における前記修正液の堆積が終了した時点で、前記噴霧部における前記霧状の修正液の生成を停止させることを特徴とする、パターン修正装置。  
【請求項２】
前記噴霧部は、
前記修正液が貯えられた容器と、
噴霧可能最低限流量よりも高い流量のアトマイズガスが供給された場合は、前記アトマイズガスと前記容器から吸い上げた修正液とを噴出して前記霧状の修正液を生成し、前記噴霧可能最低限流量よりも低い流量のアトマイズガスが供給された場合は、前記アトマイズガスのみを噴出する噴霧ノズルとを含み、
前記パターン修正装置は、前記欠陥部に前記修正液を堆積させる期間は、前記噴霧可能最低限流量よりも高い流量のアトマイズガスを前記噴霧ノズルに供給し、前記欠陥部における前記修正液の堆積が終了したことに応じて、前記噴霧可能最低限流量よりも低い流量のアトマイズガスを前記噴霧ノズルに供給し、前記噴霧部における前記霧状の修正液の生成を停止させるとともに、前記堆積装置内の前記霧状の修正液を除去する第１のガス流量制御装置を備えることを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項３】
前記堆積装置は、前記噴霧部で生成された前記霧状の修正液の周りをシースガスで覆いこみ、前記霧状の修正液の流れを収束させて前記欠陥部に噴出するヘッド部を含み、
前記パターン修正装置は、前記欠陥部に前記修正液を堆積させる期間は、所定の流量のシースガスを前記ヘッド部に供給し、前記欠陥部における前記修正液の堆積が終了した後も前記シースガスを前記ヘッド部に供給し、前記ヘッド部内の前記霧状の修正液を除去する第２のガス流量制御装置を備えることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９２４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００６】
また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。
【０００７】
そこで、本願発明者は、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて修正するパターン修正装置を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。このパターン修正装置では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、欠陥部を加熱して修正液を乾燥させながら堆積層を形成するので、一定の形状に堆積層を形成することができる。したがって、従来のように余分な修正ペーストを除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。
【０００８】
しかし、このパターン修正装置では、装置内で修正液を霧状にして噴出するので、装置内に修正液が詰まり、連続使用時間が短くなることも想定される。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、連続使用時間が長いパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱する加熱装置と、霧状の修正液を生成する噴霧部を含み、霧状の修正液を欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて修正する堆積装置とを備え、欠陥部における修正液の堆積が終了した時点で、噴霧部における霧状の修正液の生成を停止させることを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、噴霧部は、修正液が貯えられた容器と、噴霧可能最低限流量よりも高い流量のアトマイズガスが供給された場合は、アトマイズガスと容器から吸い上げた修正液とを噴出して霧状の修正液を生成し、噴霧可能最低限流量よりも低い流量のアトマイズガスが供給された場合は、アトマイズガスのみを噴出する噴霧ノズルとを含み、パターン修正装置は、欠陥部に修正液を堆積させる期間は、噴霧可能最低限流量よりも高い流量のアトマイズガスを噴霧ノズルに供給し、欠陥部における修正液の堆積が終了したことに応じて、噴霧可能最低限流量よりも低い流量のアトマイズガスを噴霧ノズルに供給し、噴霧部における霧状の修正液の生成を停止させるとともに、堆積装置内の霧状の修正液を除去する第１のガス流量制御装置を備える。
【００１２】
また好ましくは、堆積装置は、噴霧部で生成された霧状の修正液の周りをシースガスで覆いこみ、霧状の修正液の流れを収束させて欠陥部に噴出するヘッド部を含み、パターン修正装置は、欠陥部に修正液を堆積させる期間は、所定の流量のシースガスをヘッド部に供給し、欠陥部における修正液の堆積が終了した後もシースガスをヘッド部に供給し、ヘッド部内の霧状の修正液を除去する第２のガス流量制御装置を備える。
【発明の効果】
【００１３】
この発明に係るパターン修正装置では、欠陥部における修正液の堆積が終了した時点で噴霧部における霧状の修正液の生成を停止させるので、装置内に付着する修正液の量を最低限に抑えて装置詰まりを防止することができる。したがって、装置の連続使用時間を長くすることができ、メンテナンス回数を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、この発明の一実施形態によるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１５】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥としては、電極のオープン欠陥部、プラズマディスプレイのリブ欠損部、カラーフィルタの白抜け欠陥などが挙げられる。たとえば、オープン欠陥部１３ａがある電極１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００１６】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００１７】
また、このパターン修正装置には、ガス流量制御装置ＧＣ１，ＧＣ２および排気流量制御装置ＥＣが設けられている。ガス流量制御装置ＧＣ１には、ガス供給源（図示せず）から所定圧力に調整されたガス（たとえば窒素ガス）が供給される。ガス流量制御装置ＧＣ１は、コンピュータ８，９からの指示に従って、ガス供給源から噴霧部１５に流れるアトマイズガスの流量を制御する。ガス流量制御装置ＧＣ２には、ガス供給源（図示せず）から所定圧力に調整されたガス（たとえば窒素ガス）が供給される。ガス流量制御装置ＧＣ２は、コンピュータ８，９からの指示に従って、ガス供給源からヘッド部１８に流れるシースガスの流量を制御する。排気流量制御装置ＥＣは、減圧部１６の排気管と排気ポンプ（図示せず）との間に設けられ、コンピュータ８，９からの指示に従って、減圧部１６から排気ポンプへの排気流量を制御する。ガス流量制御装置ＧＣ１，ＧＣ２および排気流量制御装置ＥＣとして、マスフローコントローラを用いることができる。
【００１８】
噴霧部１５は、図３に示すように、容器１９を含む。容器１９内には、修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、銀ペースト、金ペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、中心金属の周りにイオンや分子が結合した化合物を含む金属錯体溶液を用いてもよい。また、プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料である低融点ガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００１９】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部からガス流量制御装置ＧＣ１を介して噴霧ノズル２１にアトマイズガスを供給すると、アトマイズガスは噴霧ノズル２１上部の小径の貫通孔２１ａおよび噴出口２１ｂを介して容器１９内に噴出される。このとき噴出口２１ｂにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｃから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ｂから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ｂの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子Ｐは容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子Ｐだけが減圧部１６に送られる。
【００２０】
なお、アトマイズガスの流量が噴霧最低限流量よりも高い場合は、上述のように、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｃから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ｂから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ｂの周囲に飛び散り霧化される。しかし、アトマイズガスの流量が噴霧最低限流量よりも低い場合は、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｃから修正液２０は吸い上げられず、アトマイズガスのみが噴出口２１ｂから噴出される。
【００２１】
また、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。
【００２２】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２３】
図２に戻って、減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子Ｐを分級するものである。小さな霧粒子Ｐはここで除去され、霧粒子Ｐの流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子Ｐのうちの流速が速い霧粒子Ｐや重い霧粒子Ｐは集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子Ｐや軽い霧粒子Ｐなどは排気管２４および排気流量制御装置ＥＣを介して排気ポンプにより排出される。なお、排気管２４と排気流量制御装置ＥＣとの間にフィルタを挿入して霧粒子Ｐを捕集し、排気流量制御措置ＥＣ以降に霧粒子Ｐが流れないようにすることが好ましい。
【００２４】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子Ｐを加熱する機能を持つ。霧粒子Ｐを加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子Ｐが付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。
【００２５】
ヘッド部１８は、図４に示すように、ガス供給源からガス流量制御装置ＧＣ２を介して与えられるシースガスで霧粒子Ｐの流れの周りを覆いこみ、霧粒子Ｐの流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子Ｐを噴出する。塗布ノズル３０の噴出口３０ａの内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子Ｐの流れを収束させることが可能である。なお、パイプ２７とヘッド部１８の間にはシール部材３２が設けられ、塗布ノズル３０はテーパシール３３および固定ナット３４によりヘッド部１８に固定され、霧粒子Ｐの流路は密閉されている。
【００２６】
図２に戻って、シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子Ｐが噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子Ｐを受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子Ｐを受ける。
【００２７】
次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。図５（ａ）は、基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する途中経過を示す図である。ＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０と基板１４を相対的に移動させ、欠陥部１３ａの一方端から他方端に向けて修正材料の微粒子を堆積させていく。このとき、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔を一定の距離（５ｍｍ前後）に保って非接触で修正することができる。
【００２８】
微粒子の堆積層の線幅を一定に保つためには、欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の一部分または基板１４全体を最適な温度に保つとともに、噴霧部１５に供給するアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量などを最適値に管理する必要がある。なお、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔が微粒子の堆積層の線幅に及ぼす影響は小さい。
【００２９】
図５（ｂ）は、欠陥部１３ａの修理が完了した状態を示す図である。微粒子の堆積層からなる修正部４０は基板加熱部６によりさらに本焼成しても良いし、基板１４全体を別工程の炉で再焼成しても構わない。なお、修正膜厚が不足する場合は、複数の微粒子層を積層すれば良い。また、修正部４０の線幅が電極１３の線幅よりも太くなったり、修正部４０以外の部分に微粒子が付着した場合は、レーザ部４を用いて不要部をレーザカットしてもよい。
【００３０】
また、図６（ａ）に示すように、プラズマディスプレイの背面ガラス基板４１の表面に形成されているリブ４２の一部が欠落したリブ欠け欠陥部４２ａを修正することも可能である。すなわち図６（ｂ）に示すように、基板加熱部６を用いて欠陥部４２ａを加熱しながら塗布ノズル３０から欠陥部４２ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつＸＹステージ１０を移動させて欠陥部４２ａに微粒子の堆積層４３＿１を形成する。引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層４３＿２〜４３＿ｎを積層し、最終的には図６（ｃ）に示すようにリブ４２の正常高さまで積層する。積層の終了後、修正部を基板加熱部６を用いて本焼成しても良いし、基板４１を炉で再焼成しても構わない。
【００３１】
この例では、堆積層４３＿１〜４３＿ｎを基板加熱部６で加熱してある程度乾燥させながら積層することができるので、積層幅は均一で崩れることがない。したがって、積層後のリブ幅再整形工程を省略することも可能である。
【００３２】
また、１回の堆積膜厚は、修正材料や各流量設定にもよるが１μｍ前後であり、修正部の高さを測定器で測定しながら堆積層４３＿１〜４３＿ｎを積層すれば、修正部のトップ面をリブ３５の正常なトップ面とほぼ同じ高さにすることができるので、従来のスキージ機構を省略することも可能である。
【００３３】
このように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部１３ａ，４２ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部１３ａ，４２ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部１３ａ，４２ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。また、従来技術で必要であった修正ペースト塗布後におけるパターン整形手順およびその機構が不要となって、装置の簡略化が可能となる。
【００３４】
次に、このパターン修正装置の特徴となる装置詰まり防止方法について説明する。図３で示したように、噴霧ノズル２１に供給されたアトマイズガスと容器１９の底から吸い上げらた修正液２０は、内径が０．３ｍｍ前後の貫通孔２１ａおよび噴出口２１ｂを介して容器１９内に噴出されるが、噴霧時間の経過に伴って貫通孔２１ａの内部に修正液２０が付着し、場合によってはそれが凝集して貫通孔２１ａを塞いでしまい、噴霧を妨げるようになる。
【００３５】
また、図４で示したように、修正液２０の微粒子はヘッド部１８の下端の塗布ノズル３０を介して欠陥部に噴射されるが、修正を続けるにつれて、塗布ノズル３０の内周壁３０ｂに修正液２０が付着し、最悪の場合には塗布ノズル３０の先端の噴出口３０ａが詰まってしまう。塗布ノズル３０の内周壁３０ｂに修正液２０が付着してくると、霧粒子Ｐの流れを収束することができずに霧粒子Ｐの飛散が大きくなり、描画線が太くなって、最終的には描画不能となる。
【００３６】
そこで、このパターン修正装置では、１箇所の修正が終わるごとに噴霧部１５の噴霧を停止して、微粒子堆積装置５内に修正液２０の霧粒子Ｐが入る時間を減らす。これにより、噴霧ノズル２１の貫通孔２１ａや塗布ノズル３０の内周壁３０ｂへの霧粒子Ｐの付着量を減らして、装置の使用可能時間を延ばすことができる。
【００３７】
図７は、微粒子堆積装置５におけるアトマイズガス流量、シースガス流量および排気流量の時間変化を示すタイムチャートである。図７において、噴出期間Ｔ１は、霧粒子Ｐの流れを収束して修正箇所に噴出可能な期間である。噴出期間Ｔ１では、アトマイズガス流量は噴霧部１５の噴霧可能最低限流量よりも高いレベルに設定され、排気流量はアトマイズガス流量よりも低いレベルに設定される。アトマイズガス流量と排気流量の差Ａの流量のアトマイズガス内に含まれる霧粒子Ｐがヘッド部１８に送られ、流量Ａの数倍の流量Ｂのシースガスがヘッド部１８に供給される。
【００３８】
欠陥部の修正が終わると休止準備期間Ｔ２に入る。休止準備期間Ｔ２では、アトマイズガス流量を噴霧可能最低限流量よりも若干低いレベルまで一旦下げて噴霧ノズル２１の貫通孔２１ａおよび噴出口２１ｂからアトマイズガスのみを噴射する。これにより、貫通孔２１ａおよび噴出口２１ｂに付着した修正液２０を吹き飛ばし、貫通孔２１ａや噴出口２１ｂが塞がることを防止する。排気流量は、噴出期間Ｔ１と同じレベルに維持される。休止準備期間Ｔ２では、アトマイズガス流量よりも排気流量の方が大きく、アトマイズガス流量の全量が排気されるので、噴霧部１５内に残っている霧粒子Ｐがヘッド部１８以降に流れることはない。
【００３９】
休止準備期間Ｔ２の後に休止期間Ｔ３に入る。休止期間Ｔ３では、アトマイズガス流量と排気流量をゼロに設定する一方、シースガス流量は一定レベルに維持する。これにより、塗布ノズル３０の内周壁３０ｂに霧粒子Ｐが付着するのを防止し、その結果、先端の噴出口３０ａが詰まりを防止する。
【００４０】
この実施の形態では、修正が終了するたびに噴霧部１５における霧粒子Ｐの生成を停止するとともに、修正終了後もアトマイズガスおよびシースガスを流す。したがって、微粒子堆積装置５内に付着する修正液２０の量を減らすことができ、微粒子堆積装置５内の汚れを少なくして洗浄までの時間を延ばすことができる。このため、パターン修正装置の連続使用時間を延ばすことができ、メンテナンス回数の低減化を図ることができる。
【００４１】
なお、図７の例では、噴出期間Ｔ１を終了して休止準備期間Ｔ２に入るとアトマイズガス流量を下げる一方で排気流量をそのまま維持したが、図８に示すように、アトマイズガス流量に合わせて排気流量を下げてもよい。また、休止期間Ｔ３では、シースガスを止めずに常時流していたが、休止期間Ｔ３の開始から一定時間経過後にシースガスの流量をゼロにしても構わない。
【００４２】
また、修正液２０によっては、図９に示すように、加熱部１７を省略することも可能である。
【００４３】
また、ＸＹステージ１０により基板１４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００４４】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００４５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の一実施の形態によるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示した堆積装置の構成を示す断面図である。
【図３】図２に示した噴霧部の構成を示す断面図である。
【図４】図２に示したヘッド部の構成を示す断面図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図６】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。
【図７】図１に示したパターン修正装置の装置詰まり防止方法を説明するためのタイムチャートである。
【図８】この実施の形態の変更例を示すタイムチャートである。
【図９】この実施の形態の他の変更例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６  基板加熱部、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１３  電極、１３ａ  オープン欠陥部、１４  基板、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、ＧＣ１，ＧＣ２  ガス流量制御装置、ＥＣ  排気流量制御装置、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  貫通孔、２１ｂ  噴出口、２１ｂ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３０ａ  噴射口、３０ｂ  内周壁、３１  シャッタ、３２  シール部材、３３  テーパシール、３４  固定ナット、４０  修正部、４１  背面ガラス基板、４２  リブ、４２ａ  リブ欠け欠陥部、４３＿１〜４３＿ｎ  堆積層。
【図１】
2007059089.tif 000003
【図２】
2007059089.tif 000004
【図３】
2007059089.tif 000005
【図４】
2007059089.tif 000006
【図５】
2007059089.tif 000007
【図６】
2007059089.tif 000008
【図７】
2007059089.tif 000009
【図８】
2007059089.tif 000010
【図９】
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