(57)【要約】【課題】所望の厚さを有するＩＣパッケージを実装可能な半導体メモリカードを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体メモリカード１００は、外部装置に信号を入出力するための入出力端子１ａが表面に形成されるとともに、実装パッド３が表面の端部に形成された回路基板１と、この回路基板１に隣接して配置され、所望の信号を入出力するためのリード２がその一辺のみに形成され、このリード２と実装パッド３とをはんだ接続することにより、回路基板１と接続された矩形のＩＣパッケージ４と、回路基板１の少なくとも一部とＩＣパッケージ４とを内部に収納し、少なくとも回路基板１を支持するカバーケース５とを備える。【選択図】図１
2007193763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置に接続して信号を入出力する半導体メモリカードであって、
前記外部装置に信号を入出力するための入出力端子が表面に形成されるとともに、実装パッドが表面の端部に形成された回路基板と、
前記回路基板に隣接して配置され、所望の信号を入出力するためのリードがその一辺のみに形成されるとともに、このリードと前記実装パッドとを接続することにより前記回路基板と接続された、ＩＣパッケージと、
前記回路基板の少なくとも一部と前記ＩＣパッケージとを内部に収納し、少なくとも前記回路基板を支持するカバーケースと、
を備えることを特徴とする半導体メモリカード。
【請求項２】
前記ＩＣパッケージは、複数個積層されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。
【請求項３】
少なくとも１つの前記ＩＣパッケージが隣接する他の前記ＩＣパッケージに固定されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体メモリカード。
【請求項４】
前記実装パッドは、前記回路基板の両面の端部に形成され、積層された前記ＩＣパッケージのそれぞれのリードが接続されていることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体メモリカード。
【請求項５】
前記ＩＣパッケージは、所望のデータを格納する半導体メモリを含み、
前記回路基板上に載置され前記半導体メモリを制御するためのコントローラチップをさらに備えることを特徴とする請求項１ないし４に記載の半導体メモリカード。
【請求項６】
外部装置に接続して信号を入出力する半導体メモリカードであって、
前記外部装置に信号を入出力するための入出力端子が前方表面に形成されるとともに、ボンディングパッドおよび実装パッドが表面に形成された回路基板と、
前記回路基板の上面に接着され、前記ボンディングパッドとボンディングワイヤで接続されるとともに封止樹脂により前記回路基板上で前記ボンディングワイヤとともに封止された前記ＩＣチップと、
前記回路基板の上面後方に載置され、所望の信号を入出力するためのリードと前記実装パッドとを接続することにより前記回路基板と接続されたＩＣパッケージと、
前記回路基板の少なくとも一部、前記ＩＣチップ、および、前記ＩＣパッケージを内部に収納し前記回路基板を支持するカバーケースと、
を備え、
前記回路基板は、前記入出力端子が設けられた第１の基板部分と前記ＩＣチップが接着された第２の基板部分との間の第１の折り曲げ線に沿って前記第２の基板部分が前記第１の基板部分から見て下方に折り曲げられるとともに、前記第２の基板部分と前記ＩＣパッケージが載置された第３の基板部分との間の第２の折り曲げ線に沿って前記第３の基板部分が前記第２の基板部分から見て上方に折り曲げられて、前記カバーケース内における前記第３の基板部分の高さが前記第１の基板部分の高さよりも下側に位置するように配置され、
前記封止樹脂は、前記第２の基板部分から前記第１の基板部分の一部まで延びて前記回路基板上面を封止している
ことを特徴とする半導体メモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部機器と接続して使用する半導体メモリカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、携帯電話、携帯音楽プレーヤなどのデジタル機器用データ記憶媒体として、半導体メモリを内蔵した半導体メモリカードが広く使用されている。この半導体メモリカードは、外部装置であるデジタル機器のソケットに挿入することによって、当該デジタル機器の内部回路とのアクセスが行われ、データの書き込みや読み出しが実行されるものである。
【０００３】
ここで、従来の半導体メモリカード（携帯可能電子媒体）には、例えば、外部装置に信号を入出力するための入出力端子が表面に形成され、実装高さの低い電子部品（コントローラ）が実装されたリジット基板と、このリジット基板よりも薄く形成され、実装高さの高い電子部品（半導体メモリチップ）が実装されたフレキシブル基板と、を備え、該リジット基板とフレキシブル基板とがはんだにより接続されているものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかし、上記従来技術では、リジット基板にフレキシブル基板をはんだ接続し、半導体メモリチップを実装する必要があるため、部品点数が多くなるという問題があった。また、規格によりサイズが規定されたカバーケース内のスペースがフレキシブル基板の厚みの分だけ占有され、厚さが厚い電子部品（半導体メモリチップ）の搭載が困難になるという問題があった。
【特許文献１】特開２００２−２８８６１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するものであり、部品点数を削減し、所望の厚さを有するＩＣパッケージを実装可能な半導体メモリカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る半導体メモリカードは、
外部装置に接続して信号を入出力する半導体メモリカードであって、
前記外部装置に信号を入出力するための入出力端子が表面に形成されるとともに、実装パッドが表面の端部に形成された回路基板と、
前記回路基板に隣接して配置され、所望の信号を入出力するためのリードがその一辺のみに形成されるとともに、このリードと前記実装パッドとを接続することにより前記回路基板と接続された、ＩＣパッケージと、
前記回路基板の少なくとも一部と前記ＩＣパッケージとを内部に収納し、少なくとも前記回路基板を支持するカバーケースと、
を備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の態様に係る半導体メモリカードは、
外部装置に接続して信号を入出力する半導体メモリカードであって、
前記外部装置に信号を入出力するための入出力端子が前方表面に形成されるとともに、ボンディングパッドおよび実装パッドが表面に形成された回路基板と、
前記回路基板の上面に接着され、前記ボンディングパッドとボンディングワイヤで接続されるとともに封止樹脂により前記回路基板上で前記ボンディングワイヤとともに封止された前記ＩＣチップと、
前記回路基板の上面後方に載置され、所望の信号を入出力するためのリードと前記実装パッドとを接続することにより前記回路基板と接続されたＩＣパッケージと、
前記回路基板の少なくとも一部、前記ＩＣチップ、および、前記ＩＣパッケージを内部に収納し前記回路基板を支持するカバーケースと、
を備え、
前記回路基板は、前記入出力端子が設けられた第１の基板部分と前記ＩＣチップが接着された第２の基板部分との間の第１の折り曲げ線に沿って前記第２の基板部分が前記第１の基板部分から見て下方に折り曲げられるとともに、前記第２の基板部分と前記ＩＣパッケージが載置された第３の基板部分との間の第２の折り曲げ線に沿って前記第３の基板部分が前記第２の基板部分から見て上方に折り曲げられて、前記カバーケース内における前記第３の基板部分の高さが前記第１の基板部分の高さよりも下側に位置するように配置され、
前記封止樹脂は、前記第２の基板部分から前記第１の基板部分の一部まで延びて前記回路基板上面を封止していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体メモリカードによれば、部品点数を削減し、所望の厚さを有するＩＣパッケージを実装することができる。
【０００９】
また、本発明の他の態様に係る半導体メモリカードによれば、所望の厚さを有するＩＣパッケージを実装させつつ、ＩＣチップの実装密度を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を半導体メモリカードとしてＳＤカードＴＭに適用した実施例について図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、半導体メモリカードとして他のメモリカードにも同様に適用が可能である。
【実施例１】
【００１１】
図１は、本発明の実施例１に係る半導体メモリカードの要部構成を示す断面図である。また、図２は、図１の半導体メモリカードの回路基板の上面側示す上面図である。図３は、図１の半導体メモリカードの回路基板の下面側を示す下面図である。
【００１２】
図１ないし図３に示すように、外部装置（図示せず）に接続して信号を入出力する半導体メモリカード１００は、外部装置に信号を入出力するための入出力端子１ａが表面に形成されるとともに、実装パッド３が表面の端部に形成された回路基板１と、この回路基板１に隣接して配置され、所望の信号を入出力するためのリード２がその一辺のみに形成されるとともに、このリード２と実装パッド３とをはんだ接続することにより、回路基板１と接続された矩形のＩＣパッケージ４と、回路基板１の少なくとも一部とＩＣパッケージ４とを内部に収納し、少なくとも回路基板１を支持するカバーケース５とを備える。
【００１３】
回路基板１は、例えば、フレキシブル基板が用いられる。この回路基板１の上面（ここでは、カバーケース５内に収納される面）には、例えば、ＩＣパッケージ４に含まれる所望のデータを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ等の半導体メモリを制御するためのＩＣチップであるコントローラチップ６が載置されている。
【００１４】
このコントローラチップ６は、回路基板１上に接着される。そして、コントローラチップ６のパッド電極６ａは、回路基板１上に形成されたボンディングパッド７にボンディングワイヤ８を介して接続されている。コントローラチップ６は、ボンディングパッド７、ボンディングパッド８とともに、封止樹脂９により回路基板１上で封止されている。
【００１５】
なお、この封止樹脂９の領域は、回路基板１への搭載位置が自由に設定可能である。このため、回路基板１のサイズを小さくすることにより、大きなチップサイズのＩＣパッケージ４を半導体メモリカード１００に実装することができる。
【００１６】
また、回路基板１の上面には、所望の抵抗特性を有するチップ抵抗１０が実装されている。
【００１７】
また、回路基板１の下面（ここでは、カバーケース５から露出する面）には、接触性向上のため例えば金メッキされた既述の入出力端子１ａが形成されている。なお、ここでは、入出力端子１ａが回路基板１の下面に形成されているが、半導体メモリカード１００の仕様により上面に形成されていてもよい。この場合、少なくともこの入出力端子１ａはカバーケース５から露出している必要がある。
【００１８】
ＩＣパッケージ４は、水平方向に伸びたリード２と実装パッド３とをはんだ接続することで回路基板１に電気的に接続されるとともに固定されている。そして、ＩＣパッケージ４の下方に回路基板１が配置されていない。これにより、少なくとも回路基板１の厚さ分のカバーケース５内のスペース１１をＩＣパッケージ４に使用することができる。すなわち、ＩＣパッケージ４は、回路基板１から下方にはみ出すように実装される。このように、半導体メモリカード１００の薄膜化によりカバーケース５内のスペース１１が削減される場合や大容量化によりＩＣパッケージ４が増大する場合にも対応が可能である。また、従来技術のようにフレキシブル基板をはんだ接続し、半導体メモリチップを実装する必要がないため、部品点数を削減することができる。
【００１９】
カバーケース５は、上ケース５ａと下ケース５ｂとから構成される。この上ケース５ａと下ケース５ｂとの間に回路基板１を挟み込んだ状態で、上ケース５ａと下ケース５ｂを溶着することで半導体メモリカード１００が構成される。
【００２０】
なお、ここでは、カバーケース５が回路基板１のみを支持するようになっているが、さらに、ＩＣパッケージ４を支持するようにしてもよい。
【００２１】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、部品点数を削減し、厚さの厚いＩＣパッケージを実装することができる。
【実施例２】
【００２２】
実施例１では、水平方向に伸びたリードと実装パッドとをはんだ接続することで回路基板にＩＣパッケージを接続させる構成について述べた。
【００２３】
ここで、例えば、カバーケースに対する相対的な回路基板に形成された入出力端子の高さは、半導体メモリカードの外形規格により決定される。そこで、本実施例では、リードの形状を二段階に折り曲げた形状（ガルウイング形状）に加工して、入出力端子の種々の高さに適応させ、カバーケース内におけるＩＣパッケージの高さを調整する構成について述べる。
【００２４】
図４は、本発明の実施例２に係る半導体メモリカード２００の要部の構成を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００２５】
図４に示すように、ＩＣパッケージ４は、所望の信号を入出力するためのリード２２がその一辺のみに形成されている。このリード２２は、下方に二段階に折り曲げた形状に加工されている。そして、回路基板１の下面の端部には、実装パッド２３が形成されており、この実装パッド２３とリード２２の上面の端部とがはんだ接続されている。このように、ＩＣパッケージ４を実装する面は、封止樹脂５が設けられた面（上面）とは反対側の基板面（下面）になるため、封止樹脂５が邪魔にならない。
【００２６】
リード２２の二段階に折り曲げた形状の加工は、ＩＣパッケージ４の実装前に施してもよく、また、ＩＣパッケージ４の実装後にリード部分を二段階に折り曲げた形状に曲げることにより施してもよい。
【００２７】
またＩＣパッケージ４のリード２２を変形させているため、ＩＣパッケージ４がカバーケース５内に収納できるように高さを調整できる。
【００２８】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、リードの形状を二段階に折り曲げた形状に加工して、入出力端子の種々の高さに適応させ、カバーケース内におけるＩＣパッケージの高さを調整しつつ、部品点数を削減し、厚さの厚いＩＣパッケージを実装することができる。
【実施例３】
【００２９】
実施例１および２では、例えば、１つのＩＣパッケージを半導体メモリカードに搭載させる構成について述べたが、本実施例では、２つのＩＣパッケージを半導体メモリカードに搭載させる構成について述べる。
【００３０】
図５は、本発明の実施例３に係る半導体メモリカード３００の要部の構成を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００３１】
図５に示すように、ＩＣパッケージ３４ａ、３４ｂは、それぞれ、所望の信号を入出力するためのリード３２ａ、３２ｂがその一辺のみに形成されている。そして、回路基板１の両面の端部には、それぞれ実装パッド３３ａ、３３ｂが形成されている。この実装パッド３３ａとリード３２ａの下面の端部とがはんだ接続され、実装パッド３３ｂとリード３２ｂの上面の端部とがはんだ接続されている。これにより、２つのＩＣパッケージ３４ａ、３４ｂが、カバーケース５内で積層される。
【００３２】
さらに、ＩＣパッケージ３４ｂの下面とカバーケース５の内面（下ケース５ｂの上面）とが接着等により固定されているとともに、このＩＣパッケージ３４ｂの上面とＩＣパッケージ３４ａの下面とが接着等により固定されている。これにより、カバーケース５に対するＩＣパッケージ３４ａ、３４ｂの固定性を向上することができる。
【００３３】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、部品点数を削減し、カバーケース内におけるＩＣパッケージの実装密度、固定性を向上することができる。
【００３４】
なお、本実施例において、少なくともＩＣパッケージ３４ａと隣接する他のＩＣパッケージ３４ｂとが固定されていれば、これらのＩＣパッケージ３４ａ、３４ｂが実装パッド３３ａ、３３ｂとリード３２ａ、３２ｂとの２カ所の接続で固定されることになり、少なくとも回路基板１に対する固定性を向上することができる。
【実施例４】
【００３５】
実施例３は、２つのＩＣパッケージを半導体メモリカードに搭載させる構成について述べたが、本実施例では、さらにＩＣパッケージの実装密度を向上させる構成について述べる。
【００３６】
図６は、本発明の実施例４に係る半導体メモリカード４００の要部の構成を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００３７】
図６に示すように、ＩＣパッケージ４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄは、それぞれ、所望の信号を入出力するためのリード４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄがその一辺のみに形成されている。このリード４２ａ、４２ｂ、４２ｃは、下方に二段階に折り曲げた形状に加工されている。一方、最下層のＩＣパッケージ４４ｄは、水平方向に伸びて形成されている。
【００３８】
そして、回路基板１の両面の端部には、それぞれ実装パッド４３ａ、４３ｂが形成されている。この実装パッド４３ａとリード４２ａ、４２ｂの端部とがはんだ接続され、実装パッド４３ｂとリード４２ｃ、４２ｄの端部とがはんだ接続されている。これにより、複数のＩＣパッケージ４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄが、カバーケース５内で積層される。
【００３９】
また、ＩＣパッケージ４４ａの下面とＩＣパッケージ４４ｂの上面、ＩＣパッケージ４４ｂの下面とＩＣパッケージ４４ｃの上面、および、ＩＣパッケージ４４ｃの下面とＩＣパッケージ４４ｄの上面が接着等により固定されている。このように、ＩＣパッケージが隣接する他のＩＣパッケージに固定されている。
【００４０】
さらに、ＩＣパッケージ４４ｄの下面とカバーケース５の内面（下ケース５ｂの上面）とが接着等により固定されている。これにより、カバーケース５に対するＩＣパッケージ４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄの固定性を向上することができる。
【００４１】
なお、各リード４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄは、必ずしも上述のように形成される必要はなく、各ＩＣパッケージ４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄを所望の位置に配置するように選択的に二段階に折り曲げた形状に加工されてもよい。
【００４２】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、部品点数を削減し、よりＩＣパッケージの実装密度を向上することができる。
【実施例５】
【００４３】
実施例１ないし４では、ＩＣパッケージ下方に回路基板を配置させないことにより、ＩＣパッケージの実装密度を向上する構成について述べた。
【００４４】
本実施例では、回路基板を折り曲げて、ＩＣパッケージの実装密度を向上させつつ、ＩＣチップの実装密度を向上させる構成について述べる。
【００４５】
図７は、本発明の実施例５に係る半導体メモリカードの要部構成を示す断面図である。また、図８は、図７の半導体メモリカードの回路基板の上面側示す上面図である。図９は、図７の半導体メモリカードの回路基板の下面側を示す下面図である。
【００４６】
図７ないし図９に示すように、外部装置（図示せず）に接続して信号を入出力する半導体メモリカード５００は、外部装置に信号を入出力するための入出力端子５０１ａが前方表面に形成されるとともに、ボンディングパッド５０７ａ、５０７ｂおよび実装パッド５０３が表面に形成された回路基板５０１を備える。
【００４７】
さらに、半導体メモリカード５００は、回路基板５０１の上面に接着され、ボンディングパッド５０７ａ、５０７ｂとボンディングワイヤ５０８ａ、５０８ｂで接続されるとともに封止樹脂５０９により前記回路基板上でボンディングワイヤ５０８ａ、５０８ｂとともに封止された前記ＩＣチップ５０６と、回路基板５０１の上面後方に載置され、所望の信号を入出力するためのリード５０３と実装パッド５０２とを接続することにより回路基板５０１と接続されたＩＣパッケージ５０４と、を備える。
【００４８】
さらに、半導体メモリカード５００は、回路基板５０１の少なくとも一部、ＩＣチップ５０６、および、ＩＣパッケージ５０４を内部に収納し回路基板５０１を支持するカバーケース５０５を備える。
【００４９】
回路基板５０１は、例えば、フレキシブル基板が用いられる。この回路基板５０１の上面（ここでは、カバーケース５０５内に収納される面）には、例えば、ＩＣパッケージ５０４に含まれる所望のデータを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ等の半導体メモリを制御するためのＩＣチップ５０６であるコントローラチップが載置されている。
【００５０】
また、回路基板５０１の上面には、所望の抵抗特性を有するチップ抵抗５１０が実装されている。
【００５１】
また、回路基板５０１の下面（ここでは、カバーケース５０５から露出する面）には、接触性向上のため例えば金メッキされた既述の入出力端子５０１ａが形成されている。なお、ここでは、入出力端子５０１ａが回路基板５０１の下面に形成されているが、半導体メモリカード５００の仕様により上面に形成されていてもよい。この場合、少なくともこの入出力端子５０１ａはカバーケース５０５から露出している必要がある。
【００５２】
ここで、図１０に回路基板５０１の要部断面図を示す。図１０に示すように、回路基板５０１は、入出力端子５０１ａが設けられた第１の基板部分５０１ｂとＩＣチップ５０６が接着された第２の基板部分５０１ｃとの間の第１の折り曲げ線Ｘに沿って第２の基板部分５０１ｃが第１の基板部分５０１ｂから見て下方に折り曲げられている。
【００５３】
さらに、回路基板５０１は、第２の基板部分５０１ｃとＩＣパッケージ５０４が載置された第３の基板部分５０１ｄとの間の第２の折り曲げ線Ｙに沿って第３の基板部分５０１ｄが第２の基板部分５０１ｃから見て上方に折り曲げられている。
【００５４】
このように折り曲げられていることにより、図７に示すように、カバーケース５０５内における第３の基板部分５０１ｄの高さが第１の基板部分５０１ｂの高さよりも下側に位置するように配置される。
【００５５】
また、回路基板５０１の折り曲げを調整することにより、入出力端子５０１ａの高さをカードの外形規格により規定された高さに適合させることができる。
【００５６】
また、図７、８、１０に示すように、ＩＣチップ５０６は、既述のように回路基板５０１の第２の基板部分５０１ｃ上に接着される。そして、ＩＣチップ５０６のパッド電極５０６ａ、５０６ｂは、回路基板５０１上に形成されたボンディングパッド５０７ａ、５０７ｂにボンディングワイヤ５０８ａ、５０８ｂを介して接続されている。なお、ＩＣチップ５０６が配置される領域を大きくするために、ボンディングパッド５０７ａが第１の基板部分５０１ｂ上に設けられている。また、ボンディングワイヤ５０８ａ、５０８ｂは、金属など延性の大きい材料で構成されている。
【００５７】
また、ＩＣチップ５０６は、既述のようにボンディングパッド５０７ａ、５０７ｂ、ボンディングパッド５０８ａ、５０８ｂとともに、封止樹脂５０９により回路基板５０１上で封止されている。
【００５８】
封止樹脂５０９は、第２の基板部分５０１ｃから第１の基板部分５０１ｂの一部まで延びて回路基板５０１上面を封止している。このため、第２の基板部分の範囲内においてＩＣチップ５０６のサイズを大きくすることができ、より大きなチップサイズのＩＣチップ５０６を半導体メモリカード５００に実装することができる。
【００５９】
ＩＣパッケージ５０４は、例えば、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）タイプであり、左右両側から伸びたリード５０２と実装パッド５０３とをはんだ接続することで回路基板５０１に電気的に接続されるとともに固定されている。
【００６０】
また、既述のように、カバーケース５０５内における第３の基板部分５０１ｄの高さが第１の基板部分５０１ｂの高さよりも下側に位置するように配置されている。これにより、少なくとも回路基板５０１の厚さ分のカバーケース５０５内のスペース５１１をＩＣパッケージ５０４に使用することができる。
【００６１】
このように、半導体メモリカード５００の薄膜化によりカバーケース５０５内のスペース５１１が削減される場合や大容量化によりＩＣパッケージ５０４が増大する場合にも対応が可能である。
【００６２】
カバーケース５０５は、上ケース５０５ａと下ケース５０５ｂとから構成される。この上ケース５０５ａと下ケース５０５ｂとの間に回路基板５０１を挟み込んだ状態で、上ケース５０５ａと下ケース５０５ｂを溶着することで半導体メモリカード５００が構成される。
【００６３】
ここで、以上のような構成を有する半導体メモリカード５００の回路基板の折り曲げ方法について説明する。
【００６４】
図１１および図１２は、封止樹脂による封止前の回路基板を折り曲げてＩＣチップを実装する工程の一部を示す断面図である。
【００６５】
図１１に示すように、折り曲げ線Ｘ、Ｙに沿って折り曲げ所望の形状に成形した後の回路基板５０１の第２の基板部分５０１ｃに、ＩＣチップ５０６を接着剤５１２により接着する。そして、パッド電極５０６ａ、５０６ｂをボンディングパッド５０７ａ、５０７ｂにボンディングワイヤ５０８ａ、５０８ｂを介して接続する。
【００６６】
その後、封止樹脂５０９によりＩＣチップ５０６およびボンディングワイヤ５０８ａ、５０８ｂを封止することにより図１０に示す構成が得られる。
【００６７】
また、図１２に示すように、回路基板５０１の第２の基板部分５０１ｃにＩＣチップ５０６を接着財５１２により接着する。そして、パッド電極５０６ａ、５０６ｂをボンディングパッド５０７ａ、５０７ｂにボンディングワイヤ５０８ａ、５０８ｂを介して接続する。そして、回路基板５０１を折り曲げ線Ｘ、Ｙに沿って折り曲げ、所望の形状に成形する。ここで、既述のように、ボンディングワイヤ５０７ａは、金属など延性の大きい材料で構成されており、折り曲げても容易に変形するようになっている。
【００６８】
その後、封止樹脂５０９によりＩＣチップ５０６およびボンディングワイヤ５０８ａ、５０８ｂを封止することにより図１０に示す構成が得られる。
【００６９】
このように、ＩＣチップ５０６が回路基板５０１の折り曲げ線Ｘ、Ｙを避けて接着されるため、チップクラックが生じるのを防ぐことができる。
【００７０】
また、回路基板５０１を折り曲げて所望の形状に成形しワイヤボンディングした後、またはワイヤボンディングし回路基板５０１を折り曲げて所望の形状に成形した後、樹脂封止するため、ボンディングワイヤ５０８ａの断線等を防止することができる。
【００７１】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、回路基板を折り曲げて、ＩＣパッケージの実装密度を向上させつつ、ＩＣチップの実装密度を向上することができる。
【００７２】
なお、上記各実施例１ないし４において、コントローラチップを回路基板に直接搭載した場合について説明したが、ＩＣパッケージと同じように、コントローラチップを半導体パッケージ化してはんだ実装してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す断面図である。
【図２】図１の半導体メモリカードの回路基板およびＩＣパッケージの要部構成を示す上面図である。
【図３】図１の半導体メモリカードの回路基板およびＩＣパッケージの要部構成を示す下面図である。
【図４】本発明の一態様である実施例２に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一態様である実施例３に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の一態様である実施例４に係る半導体メモリカードの要部の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の一態様である実施例５に係る半導体メモリカードの要部構成を示す断面図である。
【図８】図７の半導体メモリカードの回路基板の上面側示す上面図である。
【図９】図７の半導体メモリカードの回路基板の下面側を示す下面図である。
【図１０】本発明の一態様である実施例５に係る半導体メモリカードの回路基板の要部を示す断面図である。
【図１１】本発明の一態様である実施例５に係る、封止樹脂による封止前の回路基板を折り曲げてＩＣチップを実装する工程の一部を示す断面図である。
【図１２】本発明の一態様である実施例５に係る、封止樹脂による封止前の回路基板を折り曲げてＩＣチップを実装する工程の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１  回路基板
１ａ  入出力端子
２  リード
３  実装パッド
４  ＩＣパッケージ
５  カバーケース
５ａ  上ケース
５ｂ  下ケース
６  コントローラチップ
６ａ  パッド電極
７  ボンディングパッド
８  ボンディングワイヤ
９  封止樹脂
１０  チップ抵抗
１１  スペース
２２  リード
２３  実装パッド
２４  ＩＣパッケージ
３２ａ、３２ｂ  リード
３３ａ、３３ｂ  実装パッド
３４ａ、３４ｂ  ＩＣパッケージ
４２ａ〜４２ｄ  リード
４３ａ、４３ｂ  実装パッド
４４ａ〜４４ｄ  ＩＣパッケージ
１００、２００、３００、４００、５００  半導体メモリカード（半導体メモリカード）
５０１  回路基板
５０１ａ  入出力端子
５０１ｂ  第１の基板部分
５０１ｃ  第２の基板部分
５０１ｄ  第３の基板部分
５０２  リード
５０３  実装パッド
５０４  ＩＣパッケージ
５０５  カバーケース
５０５ａ  上ケース
５０５ｂ  下ケース
５０６  コントローラチップ（ＩＣチップ）
５０６ａ、５０６ｂ  パッド電極
５０７ａ、５０７ｂ  ボンディングパッド
５０８ａ、５０８ｂ  ボンディングワイヤ
５０９  封止樹脂
５１０  チップ抵抗
５１１  スペース
５１２  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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