(57)【要約】    【課題】イレーズバンドΔEおよびフリンジ磁界が小さく、記録磁界が高い高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドを提供する。    【解決手段】リーディング側磁極の下部磁極突起部２３が記録ギャップ層１２と接する幅LWを、トレーリング側磁極の上部磁極先端層１３が記録ギャップ層１２と接する幅TWよりも狭くし、記録ギャップ層１２に隣接した下部磁極突起部２３の幅が記録ギャップ層１２から離れるに従って広くなるように構成する。【選択図】図１
2007026578.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された磁気シールド層および再生素子からなる再生部と、記録ギャップを介してリーディング側磁極とトレーリング側磁極が対向した記録部を複合した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記リーディング側磁極の前記記録ギャップと接する幅は前記トレーリング側磁極が前記記録ギャップと接する幅よりも狭く、前記リーディング側磁極の前記記録ギャップから離れた部分の幅は前記記録ギャップから離れるに従って広くなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記リーディング側磁極は、下部磁極層と、該下部磁極層から突出した下部磁極突起部とを有し、該下部磁極突起部が前記記録ギャップを介して前記トレーリング側磁極と対向することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記リーディング側磁極は、下部磁極主層と、該下部磁極主層上の下部磁極先端層と、該下部磁極先端層から突出した下部磁極突起部とを有し、該下部磁極突起部が前記記録ギャップを介して前記トレーリング側磁極と対向することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記リーディング側磁極は、下部磁極主層と、該下部磁極主層上の下部磁極先端層とを有し、該下部磁極先端層は下部磁極突起部と該下部磁極突起部の後部の段差部を有し、該下部磁極突起部が前記記録ギャップを介して前記トレーリング側磁極と対向することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記記録ギャップと接する前記リーディング側磁極と前記トレーリング側磁極の幅の比が0.4以上0.9以下であることを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記リーディング側磁極の幅の広がりは、該リーディング側磁極の側面の前記記録ギャップとのなす角度が88度以下11.5度以上であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記記録ギャップと接する前記リーディング側磁極と前記トレーリング側磁極の幅の比と、前記リーディング側磁極の側面の前記記録ギャップとのなす角度の関係が（0.8,85.5°）、（0.75,85.5°）、（0.4,52°）、（0.4,11.5°）、（0.6,25°）、（0.8,65.6°）で示される多角形の範囲内にあることを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記リーディング側磁極の最大幅が、前記トレーリング側磁極が前記記録ギャップに接する幅の２倍以下であることを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記トレーリング側磁極が前記記録ギャップに接する幅が0.2μmを超えないことを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
基板上に形成された磁気シールド層および再生素子からなる再生部と、記録ギャップを介してリーディング側磁極とトレーリング側磁極が対向した記録部を複合した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記リーディング側磁極は、前記記録ギャップと接し前記トレーリング側磁極が前記記録ギャップと接する幅よりも狭い幅の部分と、該狭い幅の部分から前記記録ギャップから離れる方向にほぼ一定の幅の部分と、該ほぼ一定の幅の部分から前記記録ギャップから離れるに従って幅が広くなる部分とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記ほぼ一定の幅の部分の前記狭い幅の部分からの長さが0.01μm以上0.08μm以下であることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
基板上に形成された磁気シールド層および再生素子からなる再生部と、記録ギャップを介してリーディング側磁極とトレーリング側磁極が対向した記録部とを有し、前記リーディング側磁極の前記記録ギャップと接する幅は前記トレーリング側磁極が前記記録ギャップと接する幅よりも狭く、前記リーディング側磁極の前記記録ギャップから離れた部分の幅は前記記録ギャップから離れるに従って広くなる薄膜磁気ヘッドと、トラックピッチが0.22μm以下の磁気ディスクとを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ディスク装置に使用される薄膜磁気ヘッドに関する。特に高密度記録に適した狭トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の記録密度の向上に伴って、記録媒体の性能向上とともに記録再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドの開発が強く要求されている。現在、再生ヘッドとしては、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子を用いたヘッドが使用されている。また、さらに高い再生感度の得られるＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）素子やＣＰＰ(Current Perpendicular to Planer) 素子も開発されている。一方、記録ヘッドには従来の電磁誘導を利用した誘導型の薄膜記録ヘッドが用いられており、以上の再生ヘッドと記録ヘッドを一体に形成した薄膜磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
高密度記録を実現するためには線記録密度とともにトラック密度の向上が必要である。従来の薄膜磁気ヘッドでは、記録された信号を消去するイレーズ幅よりも、信号磁化が記録される実効記録トラック幅が狭く、一定幅のイレーズバンドΔＥ（＝イレーズ幅−実効記録トラック幅）／２が存在する。従来の薄膜磁気ヘッドではイレーズバンドΔＥを低減することが困難であり、記録ヘッドの幾何トラック幅を狭くしてイレーズ幅を狭くすると、実効記録トラック幅も狭くなり、Ｓ／Ｎ比、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）が劣化してしまうという問題があった。
【０００４】
さらに、トラック密度が向上しトラックピッチが狭くなると、記録ヘッドから発生する磁界が隣接トラックまで広がり、隣接トラックの信号を消去したり弱めたりしてしまういわゆるＡＴＩ（Adjacent Track Interference）が生ずるという問題が発生し、これを解決する方法が求められている。
【０００５】
特許文献１には、媒体対向面から見て、記録ギャップを構成する上部磁極および下部磁極の記録ギャップ側のトラック幅方向寸法をリーディング側で短く、トレーリング側で長くし、上部磁極材料の飽和磁束密度を下部磁極の飽和磁束密度よりも大きくすることにより、磁化遷移のトラック端部での曲がりと消去幅を減少させ、かつ、記録トラック幅を狭小化し、高密度記録に適した構造の複合型磁気ヘッドが開示されている。
【０００６】
特許文献２には、下部磁極主層上に下部磁極先端部を設け、下部磁極先端部の上に上部磁極先端層の幅より広い幅を有する突起段差を設けることにより、オフトラック位置での不要な磁界を低減した薄膜磁気ヘッドが開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−３０６５１３号公報
【特許文献２】特開２００３−３６５０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年の磁気記録の高密度化に対応するためにトラック幅およびトラックピッチを減少した場合、上記従来技術だけでは高保磁力媒体に十分に記録可能な記録磁界を発生しつつ、イレーズバンドΔＥを低減し、かつ、隣接トラックの信号減少を生じないようにフリンジ磁界を低減することが困難となりつつある。
【０００９】
本発明の目的は、十分な記録磁界を発生し、イレーズバンドΔＥが小さく、かつ、フリンジ磁界を低減した薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の代表的な薄膜磁気ヘッドは、基板上に形成された磁気シールド層および再生素子からなる再生部と、記録ギャップを介してリーディング側磁極とトレーリング側磁極が対向した記録部を複合した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記リーディング側磁極の前記記録ギャップと接する幅は前記トレーリング側磁極が前記記録ギャップと接する幅よりも狭く、前記リーディング側磁極の前記記録ギャップから離れた部分の幅は前記記録ギャップから離れるに従って広くなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、十分な記録磁界を発生し、イレーズバンドΔＥが小さく、かつ、フリンジ磁界を低減した薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。本発明が適用される薄膜磁気ヘッドの構成例を図３および図４に示す。図３は断面図であり、図４は記録ヘッド先端近傍の斜視図である。非磁性材からなる基板１の上に、再生分解能を向上し外部磁界の影響を排除するための軟磁性材からなる下部磁気シールド層２を設け、その上に非磁性絶縁材よりなる再生ギャップ３を設け、再生ギャップ中にＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子、またはＣＰＰ素子からなる再生素子４を配置する。この上に上部磁気シールド層５を設け、さらに、記録ヘッドと再生ヘッドを分離する非磁性材からなるセパレート層６を設ける。
【００１３】
セパレート層６の上に下部磁極主層７を設け、さらに下部磁極先端層８、下部磁極後端層９を設ける。下部磁極先端層8と下部磁極後端層9の間には下層コイル１０を設け、下部非磁性絶縁層１１を充填する。さらに、下部磁極先端層8および下部非磁性絶縁層１１の上に記録ギャップ層１２を設け、上部磁極先端層１３、上部磁極後端層１４、上部非磁性絶縁層１５を設ける。この上に、コイル絶縁層１６、上層コイル１７を配置する。さらに上部磁極上層１８を設け、ヘッド全体を保護層１９で覆う。
【００１４】
上部磁極上層１８の先端は浮上面２１より後退させて配置する。上部磁極上層１８の後端部２０および上部磁極後端層１４は下部磁極後端層９と磁気的に接続している。下層コイル１０、上層コイル１７は下部磁極後端層９および上部磁極上層１８の後端部２０を周回する如く構成する。下層コイル１０および上層コイル１７に記録電流を流すことにより、上部磁極先端層１３、上部磁極上層１８、上部磁極後端層１４、下部磁極後端層９、下部磁極主層７、および下部磁極先端層８に磁束を誘起し、記録ギャップ層１２の先端より発生する記録磁界により、浮上面２１から微少距離離れて移動する記録媒体（磁気ディスク）２２に信号を記録する。これらの薄膜磁気ヘッドでは一般に、下部磁極側をリーディング側磁極、上部磁極側をトレーリング側磁極として記録動作を行う。
【００１５】
図４は、下部磁極主層７、下部磁極先端層８、上部磁極先端層１３および上部磁極上層１８の一部のみを示している。下部磁極先端層８のギャップ面側に、上部磁極先端層１３のトラック幅Twと同一幅の下部磁極突起部２３を有する。このような下部磁極突起部２３を設けることにより、下部磁極突起部がない場合に比較してトラック幅方向への不要なフリンジ磁界の発生を減少し、上記ＡＴＩの問題を軽減することができる。
【００１６】
上記薄膜磁気ヘッドの主要な寸法は、トレーリング側磁極である上部磁極先端層１３の幅Tw=0.18μm、ギャップ長GL=0.1μm、下部磁極突起部２３高さTD=0.25μm、上部磁極先端層１３高さUpt=1.3μm、下部磁極先端層８深さGd=1μm、上部磁極先端層１３絞り位置Ly=1μmである。また、下部磁極先端層８、下部磁極突起部２３および上部磁極先端層１３の磁性材料の飽和磁束密度を2.4Tとした。浮上面２１から見た形状を図５(a)に示す。また、図５(b)に、特許文献１に記載されている、リーディング側磁極幅LWが、トレーリング側磁極幅TWより狭い薄膜磁気ヘッドを示す。さらに比較のために、図５(c)にリーディング側磁極幅LWがトレーリング側磁極幅TWより広い薄膜磁気ヘッドを示す。これらの薄膜磁気ヘッドは、いずれも下部磁極突起部２３の幅UWがリーディング側磁極の記録ギャップに接する幅LWに等しい形状である。
【００１７】
上記のように、記録ヘッドの形状が変化したときのイレーズバンドΔE、トラック幅中心での磁界強度、およびフリンジ磁界を比較した。イレーズ幅、実効記録トラック幅およびΔＥを求めるために、ヘッド走行方向xおよびトラック幅方向zの合成磁界Hxz(=√(Hx2+Hy2))の媒体保磁力Hcrでの等磁界曲線（ライトバブル）を求めた。Hcrは6000 Oe（480ｋＡ／ｍ）とした。また、ヘッド浮上面から磁界計算位置までの距離は、ほぼ媒体中心に相当する25nmとした。図５(a)、(b)、(c)に示したヘッドにおいて、リーディング側磁極幅LWとトレーリング側磁極幅TWの比をそれぞれ、1.0、0.8、1.25とした場合の等磁界曲線の例を図６に示す。ライトバブルのオフトラック方向への最大幅は媒体が消去される幅に相当し、この幅をイレーズ幅とした（図はトラック中心から正の側のみ表示しており、イレーズ幅は負の側も加えた値となる）。
【００１８】
実効記録トラック幅は、図７に示すように、前記等磁界曲線（ライトバブル）に沿ったトレーリング側の磁極密度のオフトラック方向の変化を求め、磁極密度がトラック中心の半分になる位置から求めた（図はトラック中心から正の側のみ表示しており、実効記録幅は負の側も加えた値となる）。ΔＥはイレーズ幅と実効記録幅の差の半分で定義した。トラック中心での記録磁界、フリンジ磁界、イレーズ幅および実効記録トラック幅は記録電流ともに増加する。トラックピッチは主にイレーズ幅で決められており、イレーズ幅が大きい場合にはトラックピッチを減少できない。ここでは、ヘッド形状による性能変化を比較するためにイレーズ幅が一定(0.24μm)になる記録電流条件でのΔＥ、トラック中心での記録磁界、および隣接トラックでのフリンジ磁界を比較した。
【００１９】
図８、図９、および図１０に、リーディング側磁極幅LWとトレーリング側磁極幅TWの比を変化したときのΔE、トラック幅中心での磁界強度、およびフリンジ磁界を示す。図８のように、リーディング側磁極幅LWとトレーリング側磁極幅TWの比が１に比べて大きくなるに従ってΔEは増加し、１より小さくなるとΔＥは減少し、LW/TWが0.8以下の領域ではほぼ一定になる。このようにLW/TWによってΔＥが変化する理由は、図６によって説明できる。すなわち、LW/TWが１より大きい時には、図６中の図５(c)の等磁界曲線のように、リーディング側がトレーリング側より膨らんだ等磁界曲線となり、LW/TWが1より小さい場合には、図５(b)のようにトレーリング側が膨らんだ等磁界曲線となる。トレーリング側の等磁界曲線の直線部が長いほど図７のように実効記録トラック幅が大きく、一方、イレーズ幅は等磁界曲線の最大幅で決まるので、トレーリング側の等磁界曲線が膨らむLW/TW＜1の条件がΔEが小さくなる。一方、図９に示すように、LW/TWが小さくなると、トラック中心の記録磁界が低下し、Ｏ／Ｗの低下につながってしまう。さらに、図１０のように、隣接トラック位置(0.2μm)でのフリンジ磁界もLW/TWが0.8以下になると大きく増加してしまい、隣接トラック信号減少等の問題が生じる。
【００２０】
本発明が適用される薄膜磁気ヘッドの構成として、図３及び図４に示す構成例を説明したが、この構成に限られるものではなく、図２１、図２２に示すような構成であっても良い。図２１は、下部磁極先端層８上の、上部磁極先端層１３の浮上面側の端面２６より浮上面側に、すなわち下部磁極突起部２３の後部にフリンジ磁界を吸収するための段差２７を設けた構成である。図２２は、下部磁極先端層８がなく、基本的に下部磁極が下部磁極主層（下部磁極層）７と下部磁極突起部２３からなり、ギャップデプスGdを規定するための非磁性材２８を上部磁極先端層１３の側あるいは下部磁極層７側に設けた構成である。
【００２１】
＜実施例１＞
本発明では、リーディング側磁極幅LWをトレーリング側磁極幅TWより小さくし、ΔＥを減少したヘッドにおいて、上記のような記録磁界の低下、フリンジ磁界の増加を解決することを目的とする。本発明の実施例１の薄膜磁気ヘッドの浮上面での形状を図１に示す。図では下部磁極先端層８、上部磁極先端層１３、記録ギャップ１２、下部磁極突起部２３のみを示している。本発明の薄膜磁気ヘッドは、基本的にリーディング側磁極となる下部磁極突起部２３の記録ギャップ１２と接する幅LWが、トレーリング側磁極となる上部磁極先端層１３の記録ギャップ１２と接する幅TWよりも狭くなるように構成し、かつ下部磁極突起部２３の幅が記録ギャップ１２から離れるに従って前記LWより広くなるように構成する。
【００２２】
図１の形状の薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ギャップ１２に接するリーディング側磁極幅とトレーリング側磁極幅の比LW/TW、および記録ギャップ直下における下部磁極突起部２３の側面２４の記録ギャップ面からの角度θを変えた時の、ΔE、トラック中心の記録磁界、および隣接トラックでのフリンジ磁界の変化を図１１、図１２および図１３に示す。なお下部磁極突起部２３の最大幅UWはTWと同一とした。図１１のように、角度θを従来の９０度より減少しても、ΔEはθ＝９０度の場合よりわずかに増加するものの、ΔEはLW=TWの場合より小さく、ΔE低減の効果は維持されている。一方、トラック中心の記録磁界は、図１２のように、角度θを９０度より小さくし、下部磁極突起部２３の幅をLWから広げることにより、従来の９０度の場合に比較していずれのLW/TWの条件でも大きく増加する。さらに図１３に示すように、隣接トラック位置でのフリンジ磁界も、角度θを９０度より小さくすることにより、従来の９０度の場合に比較していずれのLW/TWの条件でも大幅に低減することが出来る。
【００２３】
以上のように、実施例１の薄膜磁気ヘッドでは、リーディング側磁極となる下部磁極突起部２３の記録ギャップ１２と接する幅LWをトレーリング側磁極となる上部磁極先端層１３の記録ギャップ１２と接する幅TWよりも狭くし、下部磁極突起部２３の記録ギャップ１２から離れた位置での幅をLWよりも広くすることにより、ΔEを低減し、記録磁界が高く、フリンジ磁界の低い、優れた記録性能を有する薄膜磁気ヘッドを実現することが出来る。これらの効果は角度θが９０度より小さい８８度以下11.5度以上で十分に認められる。また、LW/TWが0.4以上0.9以下でΔE、フリンジ磁界を低減し、記録磁界を増加する効果が十分に認められる。
【００２４】
＜実施例２＞
実施例２の構成を図２に示す。本実施例は図１に示した実施例１の薄膜磁気ヘッドの下部磁極突起部２３と記録ギャップ１２との間に、LWと同等の幅を有し、高さSDの下部磁極突起中間部２５を設けたものである。前記下部磁極突起中間部２５に隣接した下部磁極突起部２３は、図１と同様にLWからUWまで幅が増加する。本実施例の薄膜磁気ヘッドのΔE、トラック中心での記録磁界、および隣接トラックのフリンジ磁界の、下部磁極突起中間部２５の高さSDによる変化を、図１４、図１５、および図１６に示す。なお、LW/TW=0.8、下部磁極突起部２３の側面２４の記録ギャップ面との角度θを６８度とし、下部磁極突起部最大幅UW=TWとした。図１４のように、本実施例において、幅LWの下部磁極突起中間部２５を設けた場合においても、図５(a)のLW=TWの場合に比べて、ΔEの低減効果は十分維持されている。また、図１５のように、図５(b)の従来例に比較して記録磁界を増加する効果が維持されており、さらに、図１６のように、図５(b)の従来例に比較してフリンジ磁界を減少する効果も維持されている。
【００２５】
本発明の効果の最大の効果は、図５(a)に示した従来のLW=TWの薄膜磁気ヘッドよりも記録磁界が高く、フリンジ磁界が低い範囲で得られる。図１２および図１３より、LW=TWの薄膜磁気ヘッドより記録磁界が高く、フリンジ磁界が低いLW/TWおよび角度θの条件を求め、図１７に示した。図１７でFringeと表示した線より角度θが小さい範囲で、フリンジ磁界がLW=TWのヘッドよりも低くなる。また、Hxと表示した線からHx2と表示した線の間の角度範囲で記録磁界がLW=TWのヘッドより記録磁界が高くなる。また、LW/TWが0.8以下の範囲で図１１のように高いΔE低減効果が得られる。LW/TWが0.4未満でも本効果は得られるが、製造が困難になる。以上より、LW/TWとθがそれぞれ（0.8,85.5°）、（0.75,85.5°）、（0.4,52°）、（0.4,11.5°）、（0.6,25°）、（0.8,65.6°）の多角形で囲まれる範囲で本発明の高い効果が得られる。また、図２の実施例２の形状において、下部磁極突起中間部２５の高さSDが0.01μm以上0.08μm以下の薄膜磁気ヘッドにおいても、図１５および図１６に示すように、本発明の高い効果が得られる。
【００２６】
本発明の図１および図２の実施例では下部磁極突起部２３の最大幅UWがトレーリング側磁極幅TWと等しい場合について記載したが、本発明の効果はTW=UWの場合に限定されず、図１８に示すようにUWがTWより小さい場合、および図１８の破線で示すようにUW′がTWより大きい場合にも効果が得られる。この場合、UWは少なくともLWより大きくする必要がある。また、UWがTWに比較して非常に大きい場合は、リーディング側の等磁界曲線が広がり、ΔE低減の効果が減少するため、UW/TWを２以下とする必要がある。また、図１９に示すように、下部磁極突起部２３の基部の幅UWbが下部磁極突起部最大幅UWより狭くなる場合にもUWbがLWより広くなる範囲内で、本発明の効果は維持される。
【００２７】
本発明の薄膜磁気ヘッドの形状を適用する基本構造として、図３および図４に示したように、下部磁極先端層８および上部磁極先端層１３が存在する構造について記載したが、本発明の薄膜磁気ヘッドの形状は上記構造に限定されず、下部磁極先端層８がなく下部磁極が本質的に下部磁極主層７のみで構成される薄膜磁気ヘッド、あるいは、上部磁極先端層１３がなく、上部磁極が本質的に上部磁極上層１８のみで構成される薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。さらに下部磁極と上部磁極の間にトラック幅方向の幅が等しい下部磁極先端部および上部磁極先端部が挟み込まれた構造を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【００２８】
上記実施例１および２の薄膜磁気ヘッドの製造方法を図２０に示す。図２０は薄膜磁気ヘッドを浮上面側から見た図であり、記録ヘッドの形状の作製方法のみを示し、他のプロセスは省略している。図２０(a)では、下部磁極主層（図示せず）の上に所定の形状の下部磁極先端層８をメッキ法などにより形成する。この上に記録ギャップ層１２をスパッタリング法などにより形成する。この際、記録ギャップ層１２には上部磁極先端層１３、および下部磁極突起部２３に使用する材料よりミリングレートが早い材料を選択する。具体的には、高融点の非磁性金属であるPt、Rh、Ru、Pd等が用いられる。次に、図２０(b)において、記録ギャップ層１２の上に上部磁極先端層１３を形成するためのレジストフレームを形成し、この中に上部磁極先端層１３となる材料をメッキ法などにより形成し、さらにレジストフレームを除去する。次に、上記上部磁極先端層１３をマスクとしてイオンミリング法により記録ギャップ層１２を除去し、さらに下部磁極先端層８を掘り込む。これにより図２０(c)のように、下部磁極突起部２３を形成する。
【００２９】
上記イオンミリングのプロセスにおいて、図２０(c)の矢印のようにイオン照射の角度を制御することにより、記録ギャップ層１２は上部磁極先端層１３および下部磁極突起部２３の材料よりミリングレートが早いために、図２０(c)のように下部磁極突起部２３と記録ギャップ層１２が接する位置の幅LWが上部磁極先端層１３が記録ギャップ層１２と接する幅TWより狭く、記録ギャップ層１２から離れた位置での下部磁極突起部２３の幅がLWより大きい、本発明の形状の薄膜磁気ヘッドを製造することが出来る。また、イオン照射の角度をイオンミリングプロセス中に変化することなどにより、図２に示した実施例２の形状を製造することが出来る。
【００３０】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、基本的にリーディング側磁極が記録ギャップと接する幅が0.2μm以下の狭トラック薄膜磁気ヘッドにおいて優れた効果を発揮する。また、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載することにより、0.22μm以下の狭トラックピッチの高密度記録磁気ディスク装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例１による薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドの形状を示す正面図である。
【図２】本発明の実施例２による薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドの形状を示す正面図である。
【図３】本発明が適用される薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図４】図３に示す薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド先端部の斜視図である。
【図５】磁気特性を評価するために用いた記録ヘッドの形状を示す正面図である。
【図６】図５の形状における等磁界曲線を示す図である。
【図７】図５の形状における磁極密度を示す図である。
【図８】リーディング側磁極幅LWとトレーリング側磁極幅TWの比を変化させたときのイレーズバンド△Ｅを示す図である。
【図９】リーディング側磁極幅LWとトレーリング側磁極幅TWの比を変化させたときのトラック中心での磁界強度を示す図である。
【図１０】リーディング側磁極幅LWとトレーリング側磁極幅TWの比を変化させたときのフリンジ磁界を示す図である。
【図１１】実施例１のイレーズバンド△Ｅを示す図である。
【図１２】実施例１のトラック中心での磁界強度を示す図である。
【図１３】実施例１のフリンジ磁界を示す図である。
【図１４】実施例２のイレーズバンド△Ｅを示す図である。
【図１５】実施例２のトラック中心での磁界強度を示す図である。
【図１６】実施例２のフリンジ磁界を示す図である。
【図１７】本発明の薄膜磁気ヘッドの好適な範囲を示す図である。
【図１８】実施例１の変形例を示す図である。
【図１９】実施例１の変形例を示す図である。
【図２０】実施例１および２の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。
【図２１】本発明が適用される薄膜磁気ヘッドの他の構成例の記録ヘッド先端部を示す斜視図である。
【図２２】本発明が適用される薄膜磁気ヘッドのさらに他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１…基板、
２…下部磁気シールド層、
３…再生ギャップ、
４…再生素子、
５…上部磁気シールド層、
６…セパレート層、
７…下部磁極主層（下部磁極層）、
８…下部磁極先端層、
９…下部磁極後端層、
１０…下層コイル、
１１…下部非磁性絶縁層、
１２…記録ギャップ層、
１３…上部磁極先端層、
１４…上部磁極後端層、
１５…上部非磁性絶縁層、
１６…コイル絶縁層、
１７…上層コイル、
１８…上部磁極上層、
１９…保護層、
２０…上部磁極上層の後端部、
２１…浮上面、
２２…磁気ディスク、
２３…下部磁極突起部、
２５…下部磁極突起中間部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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