(57)【要約】【課題】高密度化された電極を有する半導体チップが安定して結合される。【解決手段】重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路２と、充填路２と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数のバンプ電極１が形成されたバンプ電極領域１ａと、を有する半導体チップ３と、半導体チップ３と複数のバンプ電極１を介して接合された回路基板と、結合された半導体チップ３と回路基板との間に、充填された封止樹脂と、が構成されることによって、封止樹脂の流入が制御される。【選択図】図１
2007329229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップ構造を有する半導体装置において、
重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路と、該充填路と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数の接続電極が形成された接続電極領域と、を有する半導体素子と、
前記半導体素子と前記複数の接続電極を介して接合された回路基板と、
前記半導体素子と前記回路基板との間に充填された封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記充填路と前記接続電極領域との境界に、遮蔽壁を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記重心に整流突起物を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記整流突起物が、菱形であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
フリップチップ構造を有する半導体装置の製造方法において、
重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路と、該充填路と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数の接続電極が形成された接続電極領域と、を有する半導体素子を準備する工程と、
前記半導体素子と回路基板とを前記複数の接続電極を介して接合する工程と、
結合された前記半導体素子と前記回路基板との間に、前記充填路の各路口から、略同時に封止樹脂を注入する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、フリップチップ構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の高速化に対応するために、半導体チップ、基板の電極ピッチの微細化や多端子化が進み、フリップチップ構造を用いた実装方式が主流になっている。
【０００３】
図１３は、一般的なフリップチップ構造の側面要部断面模式図である。
フリップチップ構造とは、図１３に示すように、半導体チップ５０３の電極と基板５０４の電極をバンプ（ｂｕｍｐ）電極５０１にて接続した後に、アンダーフィルと呼ばれる封止樹脂５０６を半導体チップ５０３の外周からバンプ接続部に充填し、半導体チップ５０３と基板５０４との高信頼な接続を実現する手法である。
【０００４】
図１４は、フリップチップ構造の側面要部断面模式図であり、図１５は、フリップチップ構造における封止樹脂の充填の模式図である。
電極の微細化が進むと、図１４に示すように、半導体チップ５０３と基板５０４との間の接続の隙間が狭くなるため、封止樹脂５０６の充填度が低下し、ボイド（ｖｏｉｄ）５０７が発生してしまう。また、図１５に示すように、半導体チップ５０３の電極と基板５０４の電極をバンプ電極５０１にて接続した後に、半導体チップ５０３の外周から封止樹脂５０６を充填すると、封止樹脂５０６が徐々に全体に充填されていく（図１５（Ａ）〜図１５（Ｃ））。この際、空気の巻き込みなどによって封止樹脂が充填されなかった箇所がボイド５０７となってしまう（図１５（Ｄ））。
【０００５】
このように、封止樹脂内にボイドが発生し、封止樹脂の充填率が低下すると、封止樹脂と、半導体チップおよび基板との接着力の低下に繋がるだけでなく、半導体チップおよび基板を結合して組み立てられた半導体装置をさらにプリント配線版にはんだ付けする際の加熱によってバンプ電極が再溶融し、ボイドを伝ってバンプ電極が連結し、ショートする恐れがある。
【０００６】
今後、さらに、ＬＳＩの高集積化が進むと、半導体チップのサイズも２５ｍｍ角以上に大型化するため、封止樹脂の均一な充填および封止樹脂内のボイドの発生をなくした充填が一層困難になることが危惧される。
【０００７】
そこで、封止樹脂の充填率を向上させるために、基板に貫通孔を設け、チップの実装後に、基板の裏面から貫通孔を通して封止樹脂を注入する方法などが提案された（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−５３４１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、封止樹脂を注入するために、基板に貫通孔を設けるようにすると、基板に貫通孔分の領域を確保する必要があり、基板の配線密度の高密度化が図れないという問題点があった。
【０００９】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、高密度化された電極を有する半導体チップが安定して結合された半導体装置を提供することを目的とする。
また、本発明の別の目的は、半導体チップの接続信頼性が向上された半導体装置の製造方法を提供することとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では上記課題を解決するために、図１に示すように、フリップチップ構造を有する半導体装置において、重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路２と、該充填路２と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数のバンプ電極１が形成されたバンプ電極領域１ａと、を有する半導体チップ３と、半導体チップ３と複数のバンプ電極１を介して接合された回路基板と、半導体チップ１と回路基板との間に充填された封止樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１１】
上記の構成によれば、重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路２と、充填路２と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数のバンプ電極１が形成されたバンプ電極領域１ａと、を有する半導体チップ３と、半導体チップ３と複数のバンプ電極１を介して接合された回路基板と、半導体チップ３と回路基板との間に、充填された封止樹脂と、が構成されることによって、封止樹脂の流入が制御される。
【００１２】
また、本発明では、フリップチップ構造を有する半導体装置の製造方法において、重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路と、該充填路と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数の接続電極が形成された接続電極領域と、を有する半導体素子を準備する工程と、前記半導体素子と回路基板とを前記複数の接続電極を介して接合する工程と、結合された前記半導体素子と前記回路基板との間に、前記充填路の各路口から、略同時に封止樹脂を注入する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】
上記の方法によれば、重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路と、該充填路と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数の接続電極が形成された接続電極領域と、を有する半導体素子が準備され、半導体素子と回路基板とを複数の接続電極を介して接合され、結合された半導体素子と回路基板との間に、充填路の各路口から、略同時に封止樹脂が注入されることによって、封止樹脂が所望の向きに制御される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路と、充填路と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数のバンプ電極が形成されたバンプ電極領域と、を有する半導体チップと、半導体チップと複数のバンプ電極を介して接合された回路基板と、半導体チップと回路基板との間に、充填された封止樹脂と、を有するよう構成した。これにより、結合された半導体チップと基板との間に、半導体チップの外周部の充填路の各路口に、注入した封止樹脂の流れを制御することが可能となり、バンプ電極領域内のボイドの発生を抑制することができる。
【００１５】
また、本発明では、重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路と、該充填路と異なる領域が形成でき、格子状に配列した複数の接続電極が形成された接続電極領域と、を有する半導体素子を準備でき、半導体素子と回路基板とを複数の接続電極を介して接合し、結合された半導体素子と回路基板との間に、充填路の各路口から、略同時に封止樹脂を注入することができる。これにより、封止樹脂の流れを制御して充填することができ、バンプ電極領域内で発生するボイドの径を小さくすることができ、ボイドの数も減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は、第１の実施の形態の半導体チップの表面の模式図、図２は、結合した図１の半導体チップと基板の要部側面断面模式図である。
【００１７】
図１に示すように、半導体チップ３に、半導体チップ３の重心から外周部まで略同一の直線距離を有する充填路２と、格子状に配列した複数のバンプ電極１のうち、充填路２の領域のバンプ電極１以外のバンプ電極領域１ａと、が設置されている。
【００１８】
そして、図２に示すように、この半導体チップ３と基板４とをバンプ電極１にて結合させ、結合した半導体チップ３と基板４の間に、半導体チップ３の外周部の充填路２の各路口から、略同時に封止樹脂を注入し、半導体チップ３と基板４との結合が完了する。
【００１９】
このような半導体チップ３に充填路２の各路口から略同時に注入された封止樹脂は、毛細血管現象が利用され、充填路２を進み、半導体チップ３の中心部にて折り返す。そして、封止樹脂はバンプ電極１が配置されたバンプ電極領域１ａ内に流入し、半導体チップ３の外側に広がって流れていき、バンプ電極領域１ａを充填する。
【００２０】
このような封止樹脂の流れによって、バンプ電極領域１ａ内の空気などの巻き込みなどが起因したボイドの発生が抑制されて、封止樹脂の充填性が向上する。すなわち、ボイドの発生が抑制され、封止樹脂の充填率が向上することによって、高密度化された電極を有する回路基板同士を安定して結合させることが可能となる。
【００２１】
なお、充填路２の幅は、バンプ電極１の整数個分、好ましくは２個分〜１０個分とする。この程度の幅にすることにより、半導体チップ３の端子数を大きく減少させることなく、容易に半導体チップ３が設計でき、充填路２を導入することが可能となる。
【００２２】
さらに、第１の実施の形態の実施例について以下に説明する。
図３は、第１の実施の形態の実施例の模式図である。
図３に示すように、充填路２ａと、格子状に複数のはんだバンプ電極が配列されたはんだバンプ電極領域１ａａと、を有する半導体チップ３ａと、基板４ａと、が結合されている。なお、図３は結合した半導体チップ３ａと基板４ａとを、半導体チップ３ａ側から見た模式図である。
【００２３】
このような半導体チップ３ａは、例えば以下のように構成することができる。
半導体チップ３ａ（大きさ：２３ｍｍ×２３ｍｍ、電極ピッチ：１５０μｍ、電極数：１９０３６個）の表面に、半導体チップ３ａの中心から外周部までの直線距離が等しく、はんだバンプ電極の４個分の幅を持つ充填路２ａと、格子状に配列した複数のはんだバンプ電極（組成：Ｓｎ−３．５Ａｇ、高さ：８０μｍ）のうち、充填路２ａの領域のはんだバンプ電極以外のはんだバンプ電極領域１ａａと、が設置されている。
【００２４】
続いて、この半導体チップ３ａのはんだバンプ電極に対向した位置に電極を有する基板４ａに対して、フリップチップボンダーを用いて半導体チップ３ａの位置合わせを行う。
位置合わせ後、加熱溶融を行うことにより、半導体チップ３ａのはんだバンプ電極と、基板４ａの電極とを接続させる。
【００２５】
続いて、半導体チップ３ａと基板４ａとが結合した組立体を１００℃のホットプレートで加熱しながら、エポキシ系の封止樹脂を半導体チップ３ａの外周部の充填路２ａの各路口から、略同時に注入する。
【００２６】
封止樹脂を注入した後、そのままの状態で、１０分間保持し、１６５℃で１時間、加熱硬化させて、半導体チップ３ａと基板４ａとの結合が完了する。
なお、結合された半導体チップ３ａと基板４ａとの間の封止樹脂内を、超音波顕微鏡を用いて観察を行った結果、径が５μｍ以上のボイドは一切観察されず、封止樹脂による良好な接続が形成されていることが確認された。
【００２７】
さらに、充填路２ａの幅をはんだバンプ電極５個分およびはんだバンプ電極１０個分とした場合でも、同様の方法で観察を行った。その結果、いずれの場合においても、径が５μｍ以上のボイドは一切観察されず、封止樹脂による良好な接続が形成されていることが確認された。
【００２８】
また、上記の第１の実施の形態においては、半導体チップ３と基板４とを接続する場合を例に挙げて説明したが、回路基板同士の接続にも第１の実施の形態を利用し、同様の効果を得ることができる。
【００２９】
さらに、上記の第１の実施の形態においては、半導体チップ３が正方形の場合を例に挙げて説明した。図４は、第１の実施の形態の半導体チップの表面の別の模式図である。図４に示すように、長方形の半導体チップ３ｂの場合は、半導体チップ３ｂの重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路２ｂは、図４に示すように、対角線を結ぶ領域になる。そして、バンプ電極領域１ｂは、充填路２ｂの領域のバンプ電極を除いた領域となることにより、第１の実施の形態と同様の効果が得ることができる。
【００３０】
また、同一距離となる充填路を形成することが困難な場合には、充填路の幅を変えることで、充填速度を制御することが可能となり、同一距離とした場合と見せかけ上同じ効果を得ることができる。
【００３１】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図５は、第２の実施の形態の半導体チップの表面の模式図、図６は、結合した図５の半導体チップと基板の要部側面断面模式図である。
【００３２】
図５に示すように、第１の実施の形態と同様に、半導体チップ３０に、半導体チップ３０の重心から外周部まで略同一の直線距離を有する充填路２０と、格子状に配列した複数のバンプ電極１０のうち、充填路２０の領域のバンプ電極１０以外のバンプ電極領域１０ａと、が設置されている。
【００３３】
しかし、第２の実施の形態では、図５、図６に示すように、第１の実施の形態と異なり、充填路２０とバンプ電極領域１０ａとの境界に、遮蔽壁５０が設置されている。
そして、図６に示すように、この半導体チップ３０と基板４０とをバンプ電極１０にて結合させ、結合した半導体チップ３０と基板４０との間に、半導体チップ３０の外周部の充填路２０の各路口から略同時に封止樹脂を注入し、半導体チップ３０と基板４０との結合が完了する。
【００３４】
このような半導体チップ３０に充填路２０の各路口から、略同時に注入された封止樹脂は、既述の通り、毛細血管現象が利用され、充填路２０を進み、半導体チップ３０の中心部へ進んでいく。しかし、遮蔽壁５０により、封止樹脂が半導体チップ３０の中心部へ到達する前に、封止樹脂がバンプ電極領域１０ａ内に流入することが妨げられる。よって、遮蔽壁５０を設けることにより、注入された封止樹脂のほとんどが、半導体チップ３０の中心部から、外側に広がっていき、バンプ電極領域１０ａを充填していく。このために、第１の実施の形態よりも、空気などの巻き込みの発生が低下し、ボイドの発生を抑えることが可能となる。このように、ボイドの発生が抑制され、封止樹脂の充填率が向上することによって、高密度化された電極を有する回路基板同士を安定して結合させることが可能となり、このような流れの制御方法は、今後チップが大きくなった場合に、より有効な手段となる。
【００３５】
なお、第１の実施の形態と同様に充填路２０の幅は、バンプ電極１０の整数個分、好ましくは２個分〜１０個分とする。この程度の幅にすることにより、半導体チップ３０の端子数を大きく減少させることなく、容易に半導体チップ３０が設計でき、充填路２０を導入することが可能となる。
【００３６】
なお、遮蔽壁５０は、半導体チップ３０または基板４０のいずれかに、樹脂ペーストの印刷あるいは感光性樹脂によるパターニングなどの手法を用いて形成することができる。さらに、遮蔽壁５０を基板４０に形成する際は、半導体チップ３０と基板４０とを結合するときに、バンプ電極１０を阻害しないようにするために、半導体チップ３０との間に隙間を設けるようにする。また、図７は、封止樹脂を充填した図６の要部拡大断面模式図である。図７に示すように、半導体チップ３０と遮蔽壁５０との隙間がある場合でも、充填路２０の方がバンプ電極領域１０ａよりも圧力が高いため、充填路２０に封止樹脂６０が流入しにくいという特徴がある。
【００３７】
また、第１の実施の形態で述べたように、上記の第２の実施の形態においては、半導体チップ３０と基板４０とを接続する場合を例に挙げて説明したが、回路基板同士の接続にも第２の実施の形態を利用し、同様の効果を得ることができる。
【００３８】
さらに、第１の実施の形態で述べたように、半導体チップが長方形の場合でも、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、同一距離となる充填路を形成することが困難な場合には、充填路の幅を変えることで、充填速度を制御することが可能となり、同一距離とした場合と見せかけ上同じ効果を得ることができる。
【００３９】
次に第３の実施の形態について説明する。
図８は、第３の実施の形態の半導体チップの表面の模式図、図９は、結合した図８の半導体チップと基板の要部側面断面模式図、図１０は、図８の要部拡大模式図、図１１は、第３の実施の形態における封止樹脂の充填の模式図である。
【００４０】
図８に示すように、第１の実施の形態と同様に、半導体チップ３００に、半導体チップ３００の重心から外周部まで略同一の直線距離を有する充填路２００と、格子状に配列した複数のバンプ電極１００のうち、充填路２００の領域のバンプ電極１００以外のバンプ電極領域１００ａと、が設置されている。
【００４１】
そして、第２の実施の形態と同様に、充填路２００とバンプ電極領域１００ａとの境界に、遮蔽壁５００が設置されている。
しかし、第３の実施の形態では、第２の実施の形態と異なり、半導体チップ３００の中心の、充填路２００が交差する領域に、整流突起物７００が設置されている。
【００４２】
そして、図９に示すように、この半導体チップ３００と基板４００とをバンプ電極１００にて結合させ、結合した半導体チップ３００と基板４００との間に、半導体チップ３００の外周部の充填路２００の各路口から、略同時に封止樹脂を注入し、半導体チップ３００と基板４００との結合が完了する。
【００４３】
このような半導体チップ３００に、図１１に示すように、充填路２００の各路口から略同時に注入された封止樹脂６００（図１１（Ａ））は、既述の通り、毛細血管現象が利用され、充填路２００を進み、半導体チップ３００の中心部へ進んでいく。そして、既述の通り、遮蔽壁５００により、封止樹脂は半導体チップ３００の中心部へ到達する前に、封止樹脂６００がバンプ電極領域１００ａ内に流入することが妨げられる。
【００４４】
そして、封止樹脂が半導体チップ３００の中心部へ到達すると、図１０に示すように、充填路２００を流れてきた封止樹脂６００（図１０中の矢印は封止樹脂の流れを表す。）は、整流突起物７００により、流れ方向を所望の方向に変えることができ、容易にバンプ電極領域１００ａ内に流入し、半導体チップ３００の外側へ広がり、バンプ電極領域１００ａに充填されていく（図１１（Ｂ）〜図１１（Ｄ））。よって、整流突起物７００を設けることにより、第２の実施の形態よりも、封止樹脂が半導体チップ３００の中心部からバンプ電極領域１００ａへ効果的に充填される。このため、空気などの巻き込みの発生が低下し、ボイドの発生をより抑えることが可能となる。このように、ボイドの発生が抑制され、封止樹脂の充填性が向上されることによって、高密度化された電極を有する回路基板同士を安定して結合させることが可能となり、このような流れの制御方法は、今後チップが大きくなった場合に、より有効な手段となる。
【００４５】
なお、第１、第２の実施の形態と同様に充填路２００の幅は、バンプ電極１００の整数個分、好ましくは２個分〜１０個分とする。この程度の幅にすることにより、半導体チップ３００の端子数を大きく減少させることなく、容易に半導体チップ３００が設計でき、充填路２００を導入することが可能となる。
【００４６】
また、整流突起物７００は、第２の実施の形態の遮蔽壁と同様に、半導体チップ３００または基板４００のいずれかに、樹脂ペーストの印刷あるいは感光性樹脂によるパターニングなどの手法を用いることにより形成することができる。また、整流突起物７００は、その形状が菱形のとき、整流効果がより発揮される。最も効果が得られる菱形のサイズとしては、菱形の対角線長が充填路の幅と略同じ長さの時である。ちなみに、菱形の対角線長が、充填路２００の幅の３０％以下の場合は、整流効果が得られず、３０％よりも大きい場合は、逆に封止樹脂の流れを阻止してしまう。
【００４７】
さらに、このような整流突起物７００を基板４００に形成する際は、例えば、半導体チップ３００と基板４００を結合するときに、バンプ電極１００を阻害しないようにするために、半導体チップ３００との間に隙間を設けるなどを行う。また、第２の実施の形態の図７に示したように、半導体チップ３００と整流突起物７００との隙間がある場合でも、充填路２０の方がバンプ電極領域１０ａよりも圧力が高いため、充填路２００に封止樹脂が流入しにくいという特徴がある。
【００４８】
また、同一距離となる充填路を形成することが困難な場合には、充填路の幅を変えることで、充填速度を制御することが可能となり、同一距離とした場合と見せかけ上同じ効果を得ることができる。
【００４９】
さらに、第３の実施の形態の実施例について以下に説明する。
図１２は、第３の実施の形態の実施例の模式図である。
図１２に示すように、充填路２００ａ、格子状に配列された複数のはんだバンプ電極を有するはんだバンプ電極領域１００ａａ、充填路２００ａとはんだバンプ電極領域１００ａａとの間に遮蔽壁５００ａ、および充填路２００ａの中心に整流突起物７００ａを有する半導体チップ３００ａと、基板４００ａと、が結合されている。
【００５０】
このような、半導体チップ３００ａは例えば以下のように構成することができる。
半導体チップ３００ａ（大きさ：２３ｍｍ×２３ｍｍ、電極ピッチ：１５０μｍ、電極数：１９０３６個）の表面に、半導体チップ３００ａの中心から外周部までの直線距離が等しく、はんだバンプ電極の２個分の幅を持つ充填路２００ａと、格子状に配列した複数のはんだバンプ電極（組成：Ｓｎ−３．５Ａｇ、高さ：８０μｍ）のうち、充填路２００ａの領域のはんだバンプ電極以外のはんだバンプ電極領域１００ａａと、が設置されている。
【００５１】
続いて、基板４００ａの表面に、感光性レジスト樹脂を塗布（厚さ：４０μｍ）して、露光・現像により、遮蔽壁５００ａ（幅：２０μｍ、遮蔽壁間の距離：８０μｍ）および菱形の整流突起物７００ａ（１辺の長さ：９μｍ）を形成する。
【００５２】
続いて、この半導体チップ３００ａのはんだバンプ電極に対向した位置に電極を有する基板４００ａに対して、フリップチップボンダーを用いて半導体チップ３００ａの位置合わせを行う。
【００５３】
位置合わせ後、加熱溶融を行うことにより、半導体チップ３００ａのはんだバンプ電極と基板４００ａの電極とを接続させる。
続いて、半導体チップ３００ａと基板４００ａとが結合した組立体を１００℃のホットプレートで加熱しながら、エポキシ系の封止樹脂を半導体チップ３００ａの外周部の充填路２００ａの各路口により略同時に注入する。
【００５４】
封止樹脂を注入した後、そのままの状態で、１０分間保持し、１６５℃で１時間、加熱硬化させて、半導体チップ３００ａと基板４００ａとの結合が完了する。
なお、結合された半導体チップ３００ａと基板４００ａとの間の封止樹脂を、超音波顕微鏡を用いて観察した。その結果、径が５μｍ以上のボイドは一切観察されず、封止樹脂による良好な接続が形成されていることが確認された。
【００５５】
さらに、充填路２００ａの幅をバンプ電極５個分およびバンプ電極１０個分とした場合でも、同様の方法で観察した。その結果、いずれの場合においても、径が５μｍ以上のボイドは一切観察されず、封止樹脂による良好な接続が形成されていることが確認された。
【００５６】
また、比較のため、充填路、遮蔽壁および整流突起物を設けない正規格子状にバンプ電極を形成した、第３の実施の形態の実施例と同じサイズの半導体チップと基板とを、同様の方法により、結合させた組立体についても観察した。その結果によれば、径が５μｍ以上のボイドが３０個以上存在しており、最大で径が４００μｍのボイドも観察された。
【００５７】
また、第１、第２の実施の形態で述べたように、上記の第３の実施の形態においては、半導体チップ３００と基板４００とを接続する場合を例に挙げて説明したが、回路基板同士の接続にも第３の実施の形態を利用し、同様の効果を得ることができる。
【００５８】
さらに、第１、第２の実施の形態で述べたように、半導体チップが長方形の場合でも、第３の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、今回示した第１〜第３の実施の形態の実施例における構成材料の他に、実施の形態を構成することができる材料系の組み合わせであれば、同様の効果を得ることができる。
【００５９】
（付記１）  フリップチップ構造を有する半導体装置において、
重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路と、該充填路と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数の接続電極が形成された接続電極領域と、を有する半導体素子と、
前記半導体素子と前記複数の接続電極を介して接合された回路基板と、
前記半導体素子と前記回路基板との間に充填された封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【００６０】
（付記２）  前記充填路の幅は、前記接続電極の整数個分に相当することを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記３）  前記整数個分は、前記接続電極の２個分〜１０個分に相当することを特徴とする付記２記載の半導体装置。
【００６１】
（付記４）  前記充填路と前記接続電極領域との境界に、遮蔽壁を有することを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
（付記５）  前記重心に整流突起物を有することを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【００６２】
（付記６）  前記整流突起物が、菱形であることを特徴とする付記５記載の半導体装置。
（付記７）  フリップチップ構造を有する半導体装置の製造方法において、
重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路と、該充填路と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数の接続電極が形成された接続電極領域と、を有する半導体素子を準備する工程と、
前記半導体素子と回路基板とを前記複数の接続電極を介して接合する工程と、
結合された前記半導体素子と前記回路基板との間に、前記充填路の各路口から、略同時に封止樹脂を注入する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６３】
（付記８）  前記充填路の幅は、前記接続電極の整数個分に相当することを特徴とする付記７記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）  前記整数個分は、前記接続電極の２個分〜１０個分に相当することを特徴とする付記８記載の半導体装置の製造方法。
【００６４】
（付記１０）  前記充填路と前記接続電極領域との境界に、遮蔽壁を有することを特徴とする付記７乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）  前記遮蔽壁は、チップ状の半導体素子または回路基板に、樹脂ペーストの印刷又は、感光性樹脂によるパターニングにより形成されることを特徴とする付記１０記載の半導体装置の製造方法。
【００６５】
（付記１２）  前記重心に整流突起物を有することを特徴とする付記７乃至１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）  前記整流突起物が、菱形であることを特徴とする付記１２記載の半導体装置の製造方法。
【００６６】
（付記１４）  前記整流突起物は、チップ状の半導体素子または回路基板に、感光性樹脂又は、感光性樹脂によるパターニングにより形成されることを特徴とする付記１２又は１３記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第１の実施の形態の半導体チップの表面の模式図である。
【図２】結合した図１の半導体チップと基板の要部側面断面模式図である。
【図３】第１の実施の形態の実施例の模式図である。
【図４】第１の実施の形態の半導体チップの表面の別の模式図である。
【図５】第２の実施の形態の半導体チップの表面の模式図である。
【図６】結合した図５の半導体チップと基板の要部側面断面模式図である。
【図７】封止樹脂を充填した図６の要部拡大断面模式図である。
【図８】第３の実施の形態の半導体チップの表面の模式図である。
【図９】結合した図８の半導体チップと基板の要部側面断面模式図である。
【図１０】図８の要部拡大模式図である。
【図１１】第３の実施の形態における封止樹脂の充填の模式図である。
【図１２】第３の実施の形態の実施例の模式図である。
【図１３】一般的なフリップチップ構造の側面要部断面模式図である。
【図１４】フリップチップ構造の側面要部断面模式図である。
【図１５】フリップチップ構造における封止樹脂の充填の模式図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  バンプ電極
１ａ  バンプ電極領域
２  充填路
３  半導体チップ
【図１】
2007329229.tif 000003
【図２】
2007329229.tif 000004
【図３】
2007329229.tif 000005
【図４】
2007329229.tif 000006
【図５】
2007329229.tif 000007
【図６】
2007329229.tif 000008
【図７】
2007329229.tif 000009
【図８】
2007329229.tif 000010
【図９】
2007329229.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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