(57)【要約】【課題】ウェハレベルＣＳＰを基板へ実装した後の補強目的の樹脂封止時に、樹脂の熱収縮によるウェハレベルＣＳＰの破壊を防止する。【解決手段】シリコンウェハ１０上に回路パターン１１、及びアクセサリパターン１２と呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する回路パターン以外のパターンを、ダイシングを行う箇所を避けてパターニングする。回路パターン１１の上にアルミニウムパッド１３、及び絶縁保護膜のポリイミド層１４を設け、銅による配線１５を施し、樹脂モールド１６による封止を行ってから、はんだボール１７を取り付ける。その後、ダイシングブレードにより各個辺に切断したウェハレベルＣＳＰ１を裏返して基板２上に実装し、強度向上の為に４辺すべてに樹脂を塗布することにより、ウェハレベルＣＳＰ１の側面上部まで樹脂３のフィレットができるように樹脂封止を行い、硬化させる。【選択図】図２
2007329261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシング加工されたウェハレベルＣＳＰを基板に実装するウェハレベルＣＳＰの実装構造であって、
前記ウェハレベルＣＳＰの製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンが前記ウェハレベルＣＳＰの切断面から離れた位置に配置されているとともに、前記基板に実装された前記切断面の全てに塗布されて前記基板面から前記ウェハレベルＣＳＰの上面に達する補強樹脂のフィレットが形成されていることを特徴とするウェハレベルＣＳＰの実装構造。
【請求項２】
請求項１に記載のウェハレベルＣＳＰの実装構造に用いられるウェハレベルＣＳＰであって、
前記ウェハレベルＣＳＰの製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンが、ダイシングブレードによる前記ウェハレベルＣＳＰの切断面から離れた位置に配置されていることを特徴とするウェハレベルＣＳＰ。
【請求項３】
ダイシング加工されたウェハレベルＣＳＰを基板に実装するウェハレベルＣＳＰの実装方法であって、
製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンがその切断面から露出しないようにダイシングブレードにより個々に切断したウェハレベルＣＳＰを前記基板上に実装するとともに、前記ウェハレベルＣＳＰの前記ダイシング加工による切断面の全てに、前記基板面から前記ウェハレベルＣＳＰの上面に達するフィレットができるように補強樹脂を塗布することを特徴とするウェハレベルＣＳＰの実装方法。
【請求項４】
基板に実装されるウェハレベルＣＳＰの製造方法であって、
シリコンウェハ上に回路パターンをパターニングするとともに、製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用するアクセサリパターンをダイシングブレードによるダイシング箇所を避けてパターニングするステップと、前記回路パターンの上にアルミニウムパッド、及び絶縁保護膜のポリイミド層を設けるステップと、前記絶縁保護膜上に配線を施し、樹脂モールドによる封止を行ってから、はんだボールを取り付けるステップと、前記シリコンウェハを前記ダイシングブレードにより前記アクセサリパターンがその切断面から露出しないように各個辺に切断するステップを有していることを特徴とする基板に実装されるウェハレベルＣＳＰの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハレベルＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）に関し、特に基板上への実装の際に問題となる課題、及び該課題を解決するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハレベルＣＳＰは、ウェハの状態で回路パターンの形成、および樹脂封止と端子形成までの処理を行い、その後ダイシングによりチップ・サイズに切り分けた部品であり、そのまま基板に実装できるため、チップ・サイズに切り出してからパッケージに封止するパッケージ組み立て工程を不要にすることができ、製造工程の簡略化を図ることが可能である。
【０００３】
図６はこのようなウェハレベルＣＳＰの断面および基板への実装構造を示しており、図７はウェハレベルＣＳＰ製造時の最後の工程であるダイシングの箇所と、製造中の電気検査や、製造時の位置合わせ用として用いられるアクセサリパターンの位置関係を示している。
【０００４】
ウェハレベルＣＳＰの製造方法を説明すると、まずシリコンウェハ１０の上に回路パターン１１、及びアクセサリパターンと呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する、回路パターン以外のパターン１２がパターニングされる。そして、その回路パターンの上にアルミニウムパッド１３、及び絶縁保護膜のポリイミド層１４が設けられる。さらに銅による配線１５が施され、樹脂モールド１６による封止を行った後、はんだボール１７が取り付けられる。最後に図７に示すように、ダイシングブレードにより点線１９に沿ってそれぞれが回路パターン１１を有する各個辺に切断される。
【０００５】
このようにして製造されたウェハレベルＣＳＰ１を基板２へ搭載してはんだボール１７により基板上の配線と接続した後、図６に示すように、補強樹脂３で固定することにより基板２に実装されるが、その際、通常ＣＳＰの４辺のうち、例えば１辺に樹脂を塗布し、基板２とＣＳＰ１の下面の間へ流れ込ませる方法がとられる。しかし、この方法をとると、図６に示すように、樹脂を塗らなかった右辺のフィレットの高さが、樹脂を塗布した左辺の高さと比較して低くなり、この状態で、樹脂の熱硬化、及び冷却を行うと、樹脂の収縮ひずみにより、右辺では、樹脂３が塗布されている樹脂モールドのみが下側へ引っ張られる応力が働き、そのため、ＣＳＰ１の切断面におけるシリコンウェハ１０やポリイミド層１４と、樹脂モールド部１６との剥離が発生し、ウェハレベルＣＳＰ１が、この部分より破壊されてしまう問題が発生することがあった。
【０００６】
また、シリコンウェハ上にパターニングしたアクセサリパターン１２は、製造中の電気検査や、製造時の位置合わせ用である為に、製造終了後は必要が無いため、通常図７に示すように、製造時の最後の工程のダイシング時には、アクセサリパターン１２上をまたいで切断しており、切断面にアクセサリパターン部１２が露出していた。その為、上記樹脂のひずみによる応力が発生した際は、この露出したアクセサリパターン部１２に応力が集中し、より破壊しやすくなっていた。
【０００７】
従来、ベアチップを基板に実装する際に、基板上にフリップチップ実装したベアチップの１辺近傍に液状封止樹脂を塗布し、ベアチップと基板との間隙に毛細管現象を利用して封止樹脂を流し込み、流し込み完了後に封止樹脂を加熱硬化させると、半導体チップの隅部の封止樹脂フィレットが小さく基板反りおよび熱膨張係数差に基づく応力の緩和不十分に基づく応力が半導体チップの隅部のバンプ接続部に集中し接続信頼性が低くなる現象を改善するために、基板にフリップチップ実装した半導体チップの４隅から半導体チップと基板との間隙に封止樹脂を流し込むことにより、基板にフリップチップ実装した半導体チップの４隅の樹脂フィレットを半導体チップ辺部の樹脂フィレットより大きして半導体チップ４隅のバンプ接続部に集中する応力を緩和して接続信頼性を高める技術が特許文献１で提案されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−２８９２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に記載の技術では、基板にフリップチップ実装した半導体チップの４隅の樹脂フィレットを半導体チップ辺部の樹脂フィレットより大きして半導体チップ４隅のバンプ接続部に集中する応力を緩和するものであるが、特許文献１はその対象がベアチップであるため、半導体チップ辺部の樹脂フィレットによる問題点については特に考慮されていない。
【００１０】
一方、ウェハレベルＣＳＰの場合、図６に示すように、回路パターンの上にアルミニウムパッド１３、及び絶縁保護膜のポリイミド層１４が設けられ、さらに銅による配線１５が施され、樹脂モールド１６による封止を行った後、はんだボール１７が取り付けられ、最後に、ダイシングブレードにより各個辺に切断されるため、チップ辺部には、シリコンウェハ１０、ポリイミド層１４、樹脂モールド層１６からなる層が露出するとともに、ベアチップと比較してチップ上端までの高さも高くなるため、補強樹脂３の高さが図６の右側に示すような状態、あるいはチップ辺部側面の下端から上端までフィレットが存在している場合であってもチップ辺部の樹脂フィレットが少ない場合には、樹脂３が塗布されている樹脂モールド１６を下側へ引っ張る図６の矢印で示すような引張応力が強く働き、この引張応力によりウェハレベルＣＳＰ１の切断面におけるシリコンウェハ１０やポリイミド層１４と、樹脂モールド部１６との剥離が発生し、ウェハレベルＣＳＰ１がこの部分より破壊されてしまうことがある。
【００１１】
また、ダイシング加工時にアクセサリパターン１２が切断されると、ウェハレベルＣＳＰ１の切断面にアクセサリパターン部１２が露出する為、上記の樹脂のひずみによる応力が発生した際には、この露出したアクセサリパターン部１２に応力が集中し、より破壊しやすくなるという問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、ウェハレベルＣＳＰを基板へ実装した後の補強目的の樹脂封止時に、樹脂の熱収縮によるウェハレベルＣＳＰの破壊を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ウェハレベルＣＳＰ製造時の位置合わせで使用するシリコンウェハ上のアクセサリパターンの配置の改良、及び基板実装時の樹脂塗布方法の改良によって、基板実装時にウェハレベルＣＳＰを破壊せずに樹脂封止を可能とするものである。
【００１４】
具体的には、本発明のダイシング加工されたウェハレベルＣＳＰを基板に実装するウェハレベルＣＳＰの実装構造は、前記ウェハレベルＣＳＰの製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンが前記ウェハレベルＣＳＰの切断面から離れた位置に配置されているとともに、前記基板に実装された前記切断面の全てに塗布されて前記基板面から前記ウェハレベルＣＳＰの上面に達する補強樹脂のフィレットが形成されていることを特徴としている。
【００１５】
そのため、本発明で用いられるウェハレベルＣＳＰは、ウェハレベルＣＳＰの製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンが、ダイシングブレードによる前記ウェハレベルＣＳＰの切断面から露出しないように該切断面から離れた位置に配置されていることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明のダイシング加工されたウェハレベルＣＳＰを基板に実装するウェハレベルＣＳＰの実装方法は、製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用されるアクセサリパターンがその切断面から露出しないようにダイシングブレードにより個々に切断したウェハレベルＣＳＰを前記基板上に実装するとともに、前記ウェハレベルＣＳＰの前記ダイシング加工による切断面の全てに、前記基板面から前記ウェハレベルＣＳＰの上面に達するフィレットができるように補強樹脂を塗布することを特徴としている。
【００１７】
また、本発明で用いられるウェハレベルＣＳＰの製造方法は、シリコンウェハ上に回路パターンをパターニングするとともに、製造中の電気検査や製造時の位置合わせに使用するアクセサリパターンをダイシングブレードによるダイシング箇所を避けてパターニングするステップと、前記回路パターンの上にアルミニウムパッド、及び絶縁保護膜のポリイミド層を設けるステップと、前記絶縁保護膜上に配線を施し、樹脂モールドによる封止を行ってから、はんだボールを取り付けるステップと、前記シリコンウェハを前記ダイシングブレードにより前記アクセサリパターンがその切断面から露出しないように各個辺に切断するステップを有していることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、ウェハレベルＣＳＰ製造時のダイシング加工の際に、アクセサリパターンが切断されないようにアクセサリパターンの配置を改良し、かつ補強用の樹脂塗布の際に、４辺全てに補強樹脂を塗布することによってウェハレベルＣＳＰ側面上部までの樹脂フィレットを形成しているので、補強樹脂の収縮ひずみによるウェハレベルＣＳＰの側断面への応力を緩和することができ、ウェハレベルＣＳＰの切断面からの破壊を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明の製造方法により製造されたウェハレベルＣＳＰの構成図である。シリコンウェハ１０の上面に回路パターン１１、及びアクセサリパターンと呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する、回路パターン以外のパターン１２がパターニングされている。回路パターン１１の上には、アルミニウムパッド１３、及び絶縁保護膜のポリイミド層１４がある。そして、銅の再配線１５により、基板との接続を行うはんだボール１７まで配線が引き回されている。また、シリコンウェハ１０から銅の配線１５までは、モールド樹脂１６により埋められている。
【００２０】
このウェハレベルＣＳＰ１を基板２上に搭載し、本発明の実装方法による補強用樹脂３の塗布を実施すると、図２に示した構成になる。ＣＳＰ１は四角形である為、周囲に４つの辺が存在するが、本発明では、その４辺すべてに補強用樹脂３を多めに塗布し、硬化させることで、ＣＳＰ側面上部まで、補強用樹脂３のフィレットを形成させている。
【００２１】
図１に示すウェハレベルＣＳＰを製造するには、まずシリコンウェハ１０の上に回路パターン１１、及びアクセサリパターンと呼ばれる製造中の電気検査や、製造時の位置合わせに使用する回路パターン以外のパターン１２をパターニングする。次に、その回路パターンの上にアルミニウムパッド１３、及び絶縁保護膜のポリイミド層１４を設ける。さらに銅による配線１５を施し、樹脂モールド１６による封止を行ってから、はんだボール１７を取り付ける。そして、最終的に図３に示すようにダイシングブレード２０により、各個辺に切断される。その際、図４に示すように、アクセサリパターン１２の配置箇所は、点線１９で示されているダイシングを行う箇所を避けて配置する。
【００２２】
このようにして製造されたウェハレベルＣＳＰ１を基板２に実装する際には、まず、ウェハレベルＣＳＰ１を基板２上に搭載してはんだボール１７と基板２上の配線接続を行った後、強度向上の為の樹脂封止を行うために、図２に示すように、ウェハレベルＣＳＰ１側面上部まで樹脂３のフィレットができるよう、ウェハレベルＣＳＰの４辺の切断面すべてに樹脂３を多めに塗布し、硬化させる。その結果、ウェハレベルＣＳＰ１の４辺の周囲には各切断面を完全に覆う比較的大きな樹脂フィレットが形成されるので、樹脂モールド１６とシリコンウェハ１０やポリイミド層１４を剥離させる方向の応力はほとんど生じず、樹脂封止時のウェハレベルＣＳＰ１の破壊を防止することが出来る。
【００２３】
さらに、アクセサリパターン１２はウェハレベルＣＳＰ１の切断面から露出していないので、アクセサリパターン１２とポリイミド層１４、あるいはアクセサリパターン１２とシリコンウェハ１０との接合部分の前記応力による剥離によって生ずるウェハレベルＣＳＰの破壊も防止することが出来る。
【００２４】
図５は、本発明の他の実施形態を示す基板実装されたウェハレベルＣＳＰの補強用樹脂塗布後の断面を示す構成図である。
【００２５】
上記実施形態においては、ウェハレベルＣＳＰ１として、シリコンウェハ上にモールド樹脂の層８があるウェハレベルＣＳＰを用いた場合について説明したが、図５に示すように、ポリイミド層１４内で配線の引き回しを行うことにより、モールド樹脂層を省いたウェハレベルＣＳＰに対しても、本発明を適用することができ、同様に、樹脂封止時の破壊を防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明で用いられるウェハレベルＣＳＰの断面を示す構成図である。
【図２】本発明の実施形態を示す基板実装されたウェハレベルＣＳＰの補強用樹脂塗布後の断面を示す構成図である。
【図３】ダイシングブレードによるウェハレベルＣＳＰダイシング工程図である。
【図４】本発明におけるダイシング箇所とアクセサリパターン位置関係の例を示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態を示す基板実装されたウェハレベルＣＳＰの補強用樹脂塗布後の断面を示す構成図である。
【図６】従来の基板実装されたウェハレベルＣＳＰの補強用樹脂塗布後の断面を示す構成図である。
【図７】従来のダイシング箇所とアクセサリパターンの位置関係を示す図である。
【符号の説明】
【００２７】
１  ウェハレベルＣＳＰ
２  基板
３  補強用樹脂
１０  シリコンウェハ
１１  回路パターン
１２  アクセサリパターン
１３  アルミニウムパッド
１４  ポリイミド層
１５  銅の再配線
１６  モールド樹脂
１７  はんだボール
１９  ダイシング箇所
２０  ダイシングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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