(57)【要約】      （修正有）【課題】材質の脆いシリコン基板の割れや欠けを無くすだけでなく、磁気ディスクの製造工程中における発塵を防止する。【解決手段】シリコン基板を用いてなる磁気ディスク用基板であって、基準面Ｔから点Ａ３までの距離を示すスキージャンプ値Ｈ０が、Ｈ０≦０μｍであり、基準面Ｔから点Ａ１までの距離を示すロールオフ値Ｈ１が、−０．２μｍ≦Ｈ１≦０．０μｍであり、点Ａ１と点Ａ２とを結ぶ直線に対して主表面の輪郭線が描く最大変位を示すダブオフ値Ｈ２が、０μｍ≦Ｈ２≦０．０１２μｍであり、主表面とチャンファー面との間が曲面とされ、この曲面の曲率半径Ｒが、０．０１３ｍｍ≦Ｒ≦０．０８０ｍｍである。【選択図】図３
2007193932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を用いてなる磁気ディスク用基板であって、
前記シリコン基板の主表面と外周端面との間にチャンファー面が設けられ、
前記主表面の平坦面を基準面とし、前記外周端面から基板中心に向かって前記基準面と平行な方向に１ｍｍ変位した位置にある前記主表面の輪郭線上の点をＡ１とし、前記点Ａ１から基板中心に向かって前記基準面と平行な方向に１．６ｍｍ変位した位置にある前記主表面の輪郭線上の点をＡ２とし、前記点Ａ１と前記点Ａ２との間で前記基準面に対して最も高い位置にある前記主表面の輪郭線上の点をＡ３としたときに、
前記基準面から前記点Ａ３までの距離を示すスキージャンプ値Ｈ０が、Ｈ０≦０μｍであり、
前記基準面から前記点Ａ１までの距離を示すロールオフ値Ｈ１が、−０．２μｍ≦Ｈ１≦０．０μｍであり、
前記点Ａ１と前記点Ａ２とを結ぶ直線に対して前記主表面の輪郭線が描く最大変位を示すダブオフ値Ｈ２が、０μｍ≦Ｈ２≦０．０１２μｍであり、
前記主表面と前記チャンファー面との間が曲面とされ、この曲面の曲率半径Ｒが、０．０１３ｍｍ≦Ｒ≦０．０８０ｍｍであることを特徴とする磁気ディスク用基板。
【請求項２】
前記スキージャンプ値Ｈ０が、Ｈ０≦０μｍであり、
前記ロールオフ値Ｈ１が、−０．１８μｍ≦Ｈ１≦−０．０８μｍであり、
前記ダブオフ値Ｈ２が、０．００４μｍ≦Ｈ２≦０．００８μｍであり、
前記曲率半径Ｒが、０．０３０ｍｍ≦Ｒ≦０．０７０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板を用いたことを特徴とする磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板を用いてなる磁気ディスク用基板、並びにこの磁気ディスク用基板を用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種情報機器の進展に伴い、磁気記録媒体の記憶容量は増大の一途を辿っている。特に、コンピュータの外部記憶装置として中心的な役割を果たしているハードディスクドライブ(ＨＤＤ:Hard Disk Drive)等の磁気ディスク装置では、記録容量及び記録密度が年々増加しているため、更に高密度な記録を行うための磁気ディスクの開発が必要とされている。一方、ノート型パソコンなどの携帯可能な電子機器では、小型で衝撃に強い磁気ディスク装置が望まれている。また、最近では、ナビゲーションシステムや携帯用音楽再生装置などにも、小型の磁気ディスク装置が採用されるようになってきている。このため、より高密度記録ができ且つ機械強度の高い超小型の磁気ディスクが求められている。
【０００３】
したがって、このような磁気ディスクに用いられる磁気ディスク用基板では、小型軽量化に伴う薄型化や高速回転時のディスクのうねりに耐え得る高い剛性などの機械的特性が要求されると共に、高記録密度化への要求が非常に高まっている。また、高記録密度化を達成するために、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上高さが非常に小さくなりつつある。このため、磁気ディスク用基板では、鏡面のように平坦性が高く且つ表面粗さの小さいものが要求されており、さらに、表面に微小スクラッチや微小ピット、微小突起物などの欠陥が極力無いことが要求される。
【０００４】
磁気ディスク用基板には、アルミニウム合金基板やガラス基板などが従来より採用されている。このうち、アルミニウム合金基板は、耐摩耗性や加工性が悪く、この欠点を補うために、その表面にＮｉＰメッキ処理を施したものが用いられている。しかしながら、ＮｉＰメッキ処理を施したものは、反りが生じ易く、且つ高温処理時に磁性を帯びるなどの欠点がある。一方、ガラス基板は、強化処理時に表面にひずみ層が発生し易く、加熱時に圧縮応力が作用して反りが生じるなどの欠点がある。
【０００５】
直径１インチ（２７．４ｍｍΦ）や０．８５インチ（２１．６ｍｍΦ）などの超小型の磁気ディスクでは、より高密度に記録を行う場合、このような基板の反りは致命的な欠点となる。したがって、超小型の磁気ディスク用基板としては、より薄くて外力に対して変形し難く、表面が平滑で磁気記録層の形成し易い材質のものが望まれる。
【０００６】
そこで、このような要求を満足する磁気ディスク用基板として、半導体分野で多用されているシリコン基板を用いることが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。シリコン基板を用いてなる磁気ディスク用基板では、鏡面のように平坦性が高く且つ表面粗さの小さい、さらに表面に微小スクラッチや微小ピット、微小突起物などの欠陥が極力無い清浄な表面が実現可能である。それに加えて、シリコン基板は、アルミニウム基板よりも比重が小さい、ヤング率が大きい、熱膨張率が小さい、高温特性が良い、導電性を有するなどの多くの利点を有している。したがって、シリコン基板は、磁気ディスクに適しており、また、ディスクの直径が小さくなるほど、受ける衝撃力も小さくなるため、耐久性のある磁気ディスク用基板とすることができる。
【０００７】
通常、磁気ディスク用のシリコン基板を製造するには、先ず、引き上げ法により単結晶シリコンインゴットを作製する。次に、所定の厚みにスライス加工する。スライス加工された円板から切り出された小径のシリコン基板は、その両主面や外周端面にラッピング加工やポリッシング加工などを施すことで鏡面に仕上げられる。
【０００８】
しかしながら、シリコン基板は、材質的に脆いため、上記工程を経るうちに、割れや欠けが生じ易いといった欠点がある。割れや欠けが生じると、磁気ディスクの製造時に歩留まりが低下するだけでなく、発生したパーティクルによって記録再生時にエラーやヘッドクラッシュなどを引き起こすこともある。
【０００９】
そこで、シリコン基板から割れや欠けの無い磁気ディスク用基板を得るために、特許文献１では、シリコン基板の中心孔及び外周部の縁部を砥石等で面取り加工し、面取り部の角度を丸める方法が提案されている。一方、特許文献２では、シリコン基板にケミカルエッチングを施して円弧状の面取り面を付与することが提案されている。一方、特許文献３では、シリコン基板の面取り角度を２０度以上２４度以下とし、面取り長さを０．０３ｍｍ以上０．１５ｍｍ以下とすることが提案されている。これら特許文献１〜３に記載のシリコン基板では、その外周端部を上記形状とすることにより、製造工程中のハンドリング若しくは落下による基板の欠けや割れ等の欠陥が減少し、製造時の歩留まりが格段に向上するとされている。
【特許文献１】特開平６−７６２８２号公報
【特許文献２】特開平６−１９５７０７号公報
【特許文献３】特開平７−２４９２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、磁気ディスクを作製する際には、上述したシリコン基板上に、下地層、磁気記録層、保護層等を順次積層して形成する。また、保護層の表面に微小粒子が付着している場合には、バーニッシュ処理を実施する。このバーニッシュ処理では、例えば走行するラッピングテープをゴム製のコンタクトロールで保護層の表面に押し当てて、この保護層の表面を軽く研磨する。これにより、保護層の表面に付着した微小粒子を除去し、磁気ヘッドの浮上量をより小さくすることができる。
【００１１】
しかしながら、上述したバーニッシュ処理では、ラッピングテープがシリコン基板の外周端部に接触した際に、このラッピングテープから発塵し易く、発生したパーティクルが磁気ディスクの表面に付着することがあった。磁気ディスクの表面に付着したパーティクルは記録再生時のエラーやヘッドクラッシュなどを引き起こす原因となることから、このようなパーティクルが付着した磁気ディスクは最終検査で不合格となってしまう。
【００１２】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、シリコン基板を用いた場合の磁気ディスクの製造歩留まりを向上させ、記録再生時のエラーやヘッドクラッシュ等の発生を防止し、なお且つ、磁気ヘッドの低浮上化を可能とし、更なる高記録密度化に対応することを可能とした磁気ディスク用基板、並びにこのような磁気ディスク用基板を用いた磁気ディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するため、鋭意検討した結果、磁気ディスクの製造歩留まりを向上させ、記録再生時のエラーやヘッドクラッシュ等の発生を防止し、なお且つ、磁気ヘッドの低浮上化を可能とし、更なる高記録密度化に対応することを可能とするためには、材質の脆いシリコン基板の割れや欠けを無くすことだけでなく、このシリコン基板の外周端部形状を制御して、磁気ディスクの製造工程中における発塵を防止することが必要であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち、本発明は、以下の手段を提供する。
（１）  シリコン基板を用いてなる磁気ディスク用基板であって、シリコン基板の主表面と外周端面との間にチャンファー面が設けられ、主表面の平坦面を基準面とし、外周端面から基板中心に向かって基準面と平行な方向に１ｍｍ変位した位置にある主表面の輪郭線上の点をＡ１とし、点Ａ１から基板中心に向かって基準面と平行な方向に１．６ｍｍ変位した位置にある主表面の輪郭線上の点をＡ２とし、点Ａ１と点Ａ２との間で基準面に対して最も高い位置にある主表面の輪郭線上の点をＡ３としたときに、基準面から点Ａ３までの距離を示すスキージャンプ値Ｈ０が、Ｈ０≦０μｍであり、基準面から点Ａ１までの距離を示すロールオフ値Ｈ１が、−０．２μｍ≦Ｈ１≦０．０μｍであり、点Ａ１と点Ａ２とを結ぶ直線に対して主表面の輪郭線が描く最大変位を示すダブオフ値Ｈ２が、０μｍ≦Ｈ２≦０．０１２μｍであり、主表面とチャンファー面との間が曲面とされ、この曲面の曲率半径Ｒが、０．０１３ｍｍ≦Ｒ≦０．０８０ｍｍであることを特徴とする磁気ディスク用基板。
（２）  スキージャンプ値Ｈ０が、Ｈ０≦０μｍであり、ロールオフ値Ｈ１が、−０．１８μｍ≦Ｈ１≦−０．０８μｍであり、ダブオフ値Ｈ２が、０．００４μｍ≦Ｈ２≦０．００８μｍであり、曲率半径Ｒが、０．０３０ｍｍ≦Ｒ≦０．０７０ｍｍであることを特徴とする前項（１）に記載の磁気ディスク用基板。
（３）  前項（１）又は（２）に記載の磁気ディスク用基板を用いたことを特徴とする磁気ディスク。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明では、シリコン基板の外周端部を上記形状とすることで、材質の脆いシリコン基板の割れや欠けを無くすだけでなく、磁気ディスクの製造工程中における発塵を防止することができる。これにより、パーティクル等が磁気ディスクの表面に付着することを防止し、磁気ディスクの製造歩留まりを向上させ、記録再生時のエラーやヘッドクラッシュ等の発生を防止し、なお且つ、磁気ヘッドの低浮上化を可能とし、更なる高記録密度化に対応することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を適用した磁気ディスク用基板及び磁気ディスクについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００１７】
（磁気ディスク用基板）
先ず、本発明を適用した磁気ディスク用基板について説明する。
図１及び図２に、本発明のシリコン基板１を用いてなる磁気ディスク用基板を示す。図１（ａ）は、そのシリコン基板１を切断して示す斜視図であり、図１（ｂ）は、その切断されたシリコン基板１を示す断面図である。図２は、その切断されたシリコン基板１の切断面を示す端面図である。
本発明を適用した磁気ディスク用基板は、図１及び図２に示すように、中心孔１ａが形成された円板状のシリコン基板１からなる。また、このシリコン基板１の主表面２，２と外周端面３との間には、面取りが施されたチャンファー面４，４が設けられている。同様に、主表面２，２と内周端面５との間にも、面取りが施されたチャンファー面６，６が設けられている。
【００１８】
図３は、基準面Ｔ、スキージャンプ値Ｈ０及びロールオフ値Ｈ１を説明するための模式図であり、図４は、ダブオフ値Ｈ２を説明するための模式図であり、図５は、曲面７の曲率半径Ｒを説明するための模式図である。
本発明を適用した磁気ディスク用基板は、図３〜図５に示すように、シリコン基板１の主表面２の平坦面を基準面Ｔとし、外周端面３から基板中心に向かって基準面Ｔと平行な方向に１ｍｍ変位した位置にある主表面２の輪郭線Ｓ上の点をＡ１とし、点Ａ１から基板中心に向かって基準面Ｔと平行な方向に１．６ｍｍ変位した位置にある主表面２の輪郭線Ｓ上の点をＡ２とし、点Ａ１と点Ａ２との間で基準面Ｔに対して最も高い位置にある主表面２の輪郭線Ｓ上の点をＡ３としたときに、基準面Ｔから点Ａ３までの距離を示すスキージャンプ値Ｈ０が、Ｈ０≦０μｍであり、基準面Ｔから点Ａ１までの距離を示すロールオフ値Ｈ１が、−０．２μｍ≦Ｈ１≦０．０μｍであり、点Ａ１と点Ａ２とを結ぶ直線Ｘに対して主表面２の輪郭線Ｓが描く最大変位を示すダブオフ値Ｈ２が、０μｍ≦Ｈ２≦０．０１２μｍであり、主表面２とチャンファー面４との間が曲面７とされ、この曲面７の曲率半径Ｒが、０．０１３ｍｍ≦Ｒ≦０．０８０ｍｍであることを特徴とする。
【００１９】
ここで、基準面Ｔは、図３に示すように、主表面２の最小二乗法により算出される平坦面を基準としたものである。具体的に、この基準面Ｔの測定方法については、先ず、基板中心を通り且つ主表面２に垂直なシリコン基板１の断面を考える。そして、主表面２の輪郭線Ｓ上の記録エリア内（点Ａ２よりも内側の領域）に、少なくとも２点以上の基準点を設定し、基板中心から近い順にＲ１，Ｒ２，…とする。例えば、ディスクの外径サイズが０．８５インチの場合は、基板中心からＲ１＝６．５ｍｍ，Ｒ２＝８．３ｍｍの位置に、ディスクの外径サイズが１．０インチの場合は、基板中心からＲ１＝８．３ｍｍ，Ｒ２＝１０．６ｍｍの位置に、ディスクの外径サイズが１．８９インチの場合は、基板中心からＲ１＝１４．８ｍｍ，Ｒ２＝１８．８ｍｍの位置に、ディスクの外径サイズが２．５インチの場合は、基板中心からＲ１＝２３．０ｍｍ，Ｒ２＝２７．０ｍｍの位置に、それぞれ設定すればよい。
【００２０】
次に、例えば触針式又は光学式の形状測定装置を用いて、各点Ｒ１，Ｒ２，…におけるシリコン基板１の形状測定を行う。そして、測定したシリコン基板１の形状プロファイルから、最小二乗法により各点Ｒ１，Ｒ２，…のずれの２乗の和が最小になる直線を求める。この直線が主表面２の平坦面を規定する基準線、すなわち基準面Ｔとなる。以下、この基準面Ｔをゼロ（０）としたとき、上方側をプラス(＋)、下方側をマイナス(−)と規定する。
【００２１】
上述した点Ａ１，Ａ２は、以下のように定義する。すなわち、外周端面３から基板中心に向かって基準面Ｔと平行な方向に１ｍｍ変位した位置にある主表面２の輪郭線Ｓ上の点をＡ１とし、点Ａ１から基板中心に向かって基準面Ｔと平行な方向に１．６ｍｍ変位した位置にある主表面２の輪郭線Ｓ上の点をＡ２とする。次に、例えば触針式又は光学式の形状測定装置を用いて、点Ａ１と点Ａ２との間でシリコン基板１の形状測定を行う。そして、測定したシリコン基板１の形状プロファイルから、スキージャンプ値Ｈ０、ロールオフ値Ｈ１及びダブオフ値Ｈ２を求める。
【００２２】
スキージャンプ値Ｈ０は、点Ａ１と点Ａ２との間で基準面Ｔに対して最も高い位置にある主表面２の輪郭線Ｓ上の点をＡ３としたときに、基準面Ｔから点Ａ３までの距離で表わされる値である。なお、図３は、スキージャンプ値Ｈ０がプラス（＋）の値を示す場合の図であり、この場合、主表面２の輪郭線Ｓは、点Ａ３の位置で基準面Ｔよりも上方に最も隆起した形状となる。これに対して、本発明は、スキージャンプ値Ｈ０が、Ｈ０≦０μｍとなる場合であって、スキージャンプ値Ｈ０がマイナス（−）の値を示す場合は、図２に示すように、主表面２の輪郭線Ｓが点Ａ１と点Ａ２との間で面下がり（ロールオフ）形状となる。
【００２３】
ロールオフ値Ｈ１は、基準面Ｔから点Ａ１までの距離で表わされる値である。このロールオフ値Ｈ１は、シリコン基板１の外周端部におけるだれ量を示し、その値Ｈ１が０．０μｍを超えることはなく、一方、その値Ｈ１が−０．２μｍ未満になると、だれ量が大きくなり過ぎてしまい、外周端部における磁気ヘッドの浮上姿勢が不安定となってしまう。したがって、このロールオフ値Ｈ１は、−０．２μｍ≦Ｈ１≦０．０μｍであることが好ましく、更に好ましくは、−０．１８μｍ≦Ｈ１≦−０．０８μｍである。
【００２４】
ダブオフ値Ｈ２は、図４に示すように、点Ａ１と点Ａ２とを結ぶ直線Ｘに対して主表面２の輪郭線が描く最大変位で表わされる値である。このダブオフ値Ｈ２は、シリコン基板１の外周端部における丸み量を示し、その値Ｈ２が０μｍ未満となることはなく、一方、その値Ｈ２が０．０１２μｍを超えると、丸み量が大きくなり過ぎてしまい、外周端部における磁気ヘッドの浮上姿勢が不安定となると共に、ラッピングテープがシリコン基板１の外周端部に接触した際に、このラッピングテープから発塵し易くなってしまう。したがって、このダブオフ値Ｈ２は、０μｍ≦Ｈ２≦０．０１２μｍであることが好ましく、更に好ましくは、０．００４μｍ≦Ｈ２≦０．００８μｍである。
【００２５】
曲面７の曲率半径Ｒの測定方法については、図５に示すように、先ず、上述した主表面２の基準面Ｔから延長線（図５中に示す破線）を引き、その延長線が曲面７から離れる位置を起点Ａとする。そして、この起点Ａから主表面２側及び曲面７側に、それぞれ１０μｍ離れた位置にある主表面２の輪郭線Ｓ上の点をＢとし、曲面７の輪郭線Ｓ’上の点をＣとする。次に、例えば触針式又は光学式の形状測定装置を用いて、各点Ａ，Ｂ，Ｃにおけるシリコン基板１の形状測定を行う。そして、測定したシリコン基板１の形状プロファイルから、これら３点Ａ，Ｂ，Ｃを通る円Ｏの半径を求め、この値を曲面７の曲面半径Ｒとする。
【００２６】
なお、曲面７の曲率半径の測定には、市販の測定装置（ミツトヨ社製、商品名：コントレーサーＣＰ４００）を用いた。この測定装置による測定条件は、以下のとおりである。
＜測定条件＞
速度：０．０６ｍｍ／ｓ
ピッチ：０．００１０ｍｍ
モード：Ｘ軸固定
【００２７】
曲面７の曲率半径Ｒは、０．０１３ｍｍ未満になると、主表面２とチャンファー面４との間が急峻になり過ぎて衝撃に弱くなり、ハンドリングやぶつけた時などに割れや欠け等が生じ易くなる。一方、０．０８０ｍｍを超えると、情報を記録する主表面２の面積が狭くなってしまう。したがって、この曲面７の曲率半径Ｒは、０．０１３ｍｍ≦Ｒ≦０．０８０ｍｍであること好ましく、更に好ましくは、０．０３０ｍｍ≦Ｒ≦０．０７０ｍｍである。
なお、本発明では、シリコン基板１の主表面２と内周側のチャンファー面６との間にも、このような曲面を設けることもできる。
【００２８】
以上のように、本発明を適用した磁気ディスク用基板では、シリコン基板１の外周端部を上記形状とすることで、材質の脆いシリコン基板１の割れや欠けを無くすだけでなく、磁気ディスクの製造工程中における発塵を防止することが可能な磁気ディスク用シリコン基板とすることができる。
【００２９】
（磁気ディスク用基板の製造方法）
次に、上記磁気ディスク用基板の製造方法について説明する。
上記磁気ディスク用基板となるシリコン基板１としては、例えば半導体分野で多用される単結晶シリコン（Ｓｉ）を用いることができる。そして、上記シリコン基板１は、次のような工程で製造する。
【００３０】
具体的に、このシリコン基板１を製造する際には、先ず、引き上げ法により単結晶シリコンインゴットを作製する。次に、所定の厚みにスライス加工する。次に、スライス加工された円板から切り出された小径のシリコン基板に対して、形状精度及び寸法精度の向上を目的としてラッピング加工を施す。このラッピング加工は、ラッピング装置を用いて２段階で行い、第１段のラッピング加工を行った後、通常得られるシリコン基板は、磁気ディスク用基板としては比較的大きいため、レーザースクライバーなどにより切り出し、適当な内外径を有するシリコン基板１とする。その後、シリコン基板１の外周端部及び内周端部に所定の面取り加工を施すことによって、主表面２，２と外周端面３との間にチャンファー面４，４と、主表面２，２と内周端面５との間にチャンファー面６，６とを形成する。このとき、シリコン基板１の内外周端面の表面粗さを、例えばＲｍａｘで４μｍ程度とする。次に、第２段のラッピング加工を行い、例えば主表面２の面精度を１μｍ以下、表面粗さをＲｍａｘで６μｍ以下とする。
【００３１】
次に、フッ酸、硝酸及び酢酸の混合液からなる薬液でシリコン基板１の表面をエッチング処理し、ラッピング工程の残りのダメージを除去する。次いで、シリコン基板１のチャンファー面４，６にポリッシュ加工を施して鏡面に仕上げる。最後に、磁気記録層を設ける主表面２にポリッシュ加工を施す。この主表面２に対するポリッシュ加工は、それまでの加工で発生した傷や歪みを除去するために１次ポリッシュ加工と、鏡面に仕上げるための２次ポリッシュ加工との２段階に分けて行う。以上のようにして、磁気ディスク用基板を得ることができる。
【００３２】
本発明を適用した磁気ディスク用基板は、上記シリコン基板１の外周端面３を研磨ブラシを用いて研磨することにより、上記外周端部形状を得ることができる。
具体的に、ブラシ研磨する際には、複数のシリコン基板１を例えば図６に示すような積層体１１とする。このシリコン基板１の積層体１１は、複数枚のシリコン基板１を重ね合わせ、各シリコン基板１の間にスペーサ１２を挿入したものである。
【００３３】
スペーサ１２は、シリコン基板１の外周側及び内周側のチャンファー面４，６における研磨ブラシによる研磨残りを防止するため、また、研磨時にシリコン基板１の破損を防止するために設けられている。このスペーサ１２は、シリコン基板１と同じく中心孔が形成された円板形状を有している。また、スペーサ１２の厚さは、使用するブラシ毛の線径によって適宜調整されるが、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度である。スペーサ１２の材質としては、シリコン基板１よりも軟質のものであればよく、研磨工程で使用する研磨パッドと同じ材質のもの、特に、研磨ブラシ又は研磨パッドからの圧力によって生じるシリコン基板１の破壊を阻止し得る程度に軟質なものを用いることが望ましい。このような材質のものとして、例えばポリウレタン樹脂やアクリル樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。
【００３４】
スペーサ１２は、積層体１１を構成する各シリコン基板１の間に挿入された際に、その外周端面がシリコン基板１のチャンファー面４よりも０〜２ｍｍ程度内側、好ましくは０．５〜２ｍｍ程度内側になるように、その径が設定されている。この場合、スペーサ１２の厚さとブラシ毛の線径にもよるが、ブラシ毛がシリコン基板１の主表面２の領域まで入り込むことによって、主表面２とチャンファー面４との間が研磨されて丸味を帯びてくる。
【００３５】
研磨作業は、図７に示すように、積層体１１の内周側を研磨ブラシ１３で研磨する。具体的には、先ず、シリコン基板１とスペーサ１２とを交互に積層し、図示を省略する治具により締め付けカバーを締め込むことによってクランプされたシリコン基板１の積層体１１を形成する。
【００３６】
次に、研磨ブラシ１３を積層体１１の中心孔１１ａに挿入する。なお、ここでは、研磨ブラシ１３として、例えば線径が０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍ程度、毛足長が１〜１０ｍｍ程度のポリアミド系繊維を螺旋状に束ねたものを用いている。次に、適当量の研磨液を研磨ブラシ１３に滴下し、積層体１１に対して研磨ブラシ１３を上下移動させながら互いを逆方向に回転させて、シリコン基板１の内周端面５を研磨ブラシ１３で研磨する。なお、積層体１１の回転数は、例えば６０ｒｐｍ程度であり、研磨ブラシ１３の回転数は、例えば１０００〜３０００ｒｐｍ程度である。
【００３７】
また、図８に示すように、積層体１１の外周側を研磨ブラシ１４で研磨する。具体的には、先ず、積層体１１の中心孔１１ａに支軸１５を挿入し、ブラシ毛１４ａが各シリコン基板１の外周端面３に接触するように研磨ブラシ１４を積層体１１の外周面に押し当てる。なお、ここでは、研磨ブラシ１４として、例えば線径が０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍ程度、毛足長が１〜１０ｍｍ程度のポリアミド系繊維を螺旋状に植毛した直径２００〜５００ｍｍ程度の筒状ブラシを用いている。次に、適当量の研磨液を研磨ブラシ１４に滴下し、積層体１１に対して研磨ブラシ１４を上下移動させながら互いを逆方向に回転させて、シリコン基板１の外周端面３を研磨ブラシ１４で研磨する。なお、積層体１１の回転数は、例えば６０ｒｐｍ程度であり、研磨ブラシ１４の回転数は、例えば７００〜１０００ｒｐｍ程度である。
【００３８】
ブラシ研磨が終了したシリコン基板１の主表面２に対しては、水洗浄後に第１のポリッシング加工を施す。この第１のポリッシング加工は、これまでの加工で残留したキズや歪みを除去することを主たる目的としたものである。第１のポリッシング加工には、通常用いられる研磨装置が用いられ、研磨液としては、例えばコロイダルシリカ＋水が用いられる。なお、第１のポリッシング加工では、例えば荷重を１００ｇｆ／ｃｍ２（０．９８Ｎ／ｃｍ２（相対圧））程度とし、下定盤回転数を４０ｒｐｍ程度とし、上定盤回転数を３５ｒｐｍ程度とし、サンギア回転数を１４ｒｐｍ程度とし、インターナルギア回転教を２９ｒｐｍ程度として、シリコン基板１の主表面２に対する研磨を行った。
【００３９】
次に、第１のポリッシング加工が終了したシリコン基板に対しては、水洗浄後に仕上げのための第２のポリッシング加工（フィニッシュポリッシング）を施す。この第２のポリッシング加工には、例えばコロイダルシリカと水との混合液が用いられる。なお、第２のポリッシング加工では、例えば荷重を１００ｇｆ／ｃｍ２（０．９８Ｎ／ｃｍ２（相対圧））程度とし、下定盤回転数を４０ｒｐｍ程度とし、上定盤回転数を３５ｒｐｍ程度とし、サンギア回転数を１４ｒｐｍ程度とし、インターナルギア回転教を２９ｒｐｍ程度として、シリコン基板１の主表面２に対する研磨を行った。
【００４０】
次に、第２のポリッシング加工が終了したシリコン基板１を、例えば中性洗剤、純水、純水＋ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬しながら超音波洗浄を行う。
【００４１】
以上の工程を経ることによって、上述したスキージャンプ値Ｈ０が、Ｈ０≦０μｍであり、ロールオフ値Ｈ１が、−０．２μｍ≦Ｈ１≦０．０μｍであり、ダブオフ値Ｈ２が、０μｍ≦Ｈ２≦０．０１２μｍであり、主表面２とチャンファー面４との間が曲面７とされ、この曲面７の曲率半径Ｒが、０．０１３ｍｍ≦Ｒ≦０．０８０ｍｍである上記シリコン基板１を得ることができる。
なお、本発明は、シリコン基板１の外周端部を上記形状とすることが可能であれば、上述したシリコン基板１の外周端面を研磨ブラシを用いて研磨する方法以外にも、別の方法を用いてもよい。
【００４２】
（磁気ディスク）
次に、上記磁気ディスク用基板を用いた磁気ディスク（磁気記録媒体）について説明する。
本発明を適用した磁気ディスクは、上記磁気ディスク用基板の上に、少なくとも磁気記録層を形成したものである。すなわち、本発明を適用した磁気ディスクは、上記外周端部形状を有するシリコン基板１を用いたものであり、このシリコン基板１の外周端部を上記形状とする効果を実質的に阻害しない限り、シリコン基板１上に順次積層される下地層や、磁気記録層、保護層、潤滑層等の各層の構造、並びに各層の形成方法等について特に限定されるものではない。
【００４３】
例えば図９に示す磁気ディスクは、上記シリコン基板１の両面に、インライン型スパッタリング装置等を用いてＣｒＭｏからなる下地層２１と、ＣｏＣｒＰｔＴａからなる磁性記録層２２と、水素化カーボンからなる保護層２３とを順次積層し、この上にディップ法によってパーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑層２４を形成した後に、ラッピングテープによるバーニッシュ処理を施したものである。
【００４４】
上記シリコン基板１を用いた磁気ディスクでは、材質の脆いシリコン基板１の割れや欠けを無くすだけでなく、この磁気ディスクの製造工程中における発塵を防止することができる。すなわち、上述したバーニッシュ処理時にラッピングテープがシリコン基板１の外周端部に接触した際のラッピングテープからの発塵を防止し、パーティクルが磁気ディスクの表面に付着することを防止することができる。これにより、磁気ディスクの製造歩留まりを向上させ、記録再生時のエラーやヘッドクラッシュ等の発生を防止し、なお且つ、磁気ヘッドの低浮上化を可能とし、更なる高記録密度化に対応することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１（ａ）は、シリコン基板を切断して示す斜視図であり、図１（ｂ）は、その切断されたシリコン基板を示す断面図である。
【図２】図２は、シリコン基板の切断面を示す端面図である。
【図３】図３は、基準面Ｔ、スキージャンプ値Ｈ０及びロールオフ値Ｈ１を説明するための模式図である。
【図４】図４は、ダブオフ値Ｈ２を説明するための模式図である。
【図５】図５は、曲面の曲率半径Ｒを説明するための模式図である。
【図６】図６は、積層体の要部を示す側面図である。
【図７】図７は、積層体の内周側を研磨ブラシで研磨する状態を示す斜視図である。
【図８】図８は、積層体の外周側を研磨ブラシで研磨する状態を示す斜視図である。
【図９】図９は、磁気ディスクの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…シリコン基板、２…主表面、３…外周端面、４…チャンファー面、７…曲面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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