(57)【要約】【課題】ＩｎＧａＮ層を適切に結晶成長させることが可能な半導体発光素子を提供すること。【解決手段】結晶成長室２内に基板１を載置し、ＮＨ3ガスを含む原料ガスを供給可能なガス供給手段３から結晶成長室２内に上記原料ガスを供給することにより、基板１上にＩｎＧａＮ層を結晶成長させる工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、上記ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度を測定可能なＦＴＩＲ４を用いることにより、上記原料ガス中のＨ2Ｏ濃度を０．１ｐｐｍ以下としている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶成長室内に基板を載置し、ＮＨ3ガスを含む原料ガスを供給可能なガス供給手段から上記結晶成長室内に上記原料ガスを供給することにより、上記基板上にＩｎＧａＮ層を結晶成長させる工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、
上記ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度を測定可能なＨ2Ｏ濃度測定手段を用いることにより、上記原料ガス中のＨ2Ｏ濃度を０．１ｐｐｍ以下としていることを特徴とする、半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
上記Ｈ2Ｏ濃度測定手段は、フーリエ変換赤外分光光度計である、請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
上記ガス供給手段は、複数のＮＨ3ガスボンベと、これらのＮＨ3ガスボンベのうち任意のものからＮＨ3ガスを吐出させるボンベ切替手段と、を備えており、
上記複数のＮＨ3ガスボンベのいずれかを用いたＮＨ3ガスの供給において、上記Ｈ2Ｏ濃度測定手段によりＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度が０．１ｐｐｍ以下とされた基準濃度に達したときには、上記ボンベ切替手段により吐出させる上記ＮＨ3ガスボンベを切り替える、請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
上記ガス供給手段に備えられる上記ＮＨ3ガスボンベについて、吐出されるＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度が上記基準濃度となるＮＨ3ガスの基準残量をあらかじめ計測しておき、
上記複数のＮＨ3ガスボンベのうち吐出させているもののＮＨ3ガス残量が上記基準残量となったときには、上記ボンベ切替手段により吐出させる上記ＮＨ3ガスボンベを切り替える、請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の製造方法に関し、特に基板上にＩｎＧａＮ層を形成するためにＮＨ3ガスを用いる半導体発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来の半導体発光素子の製造方法の一例に用いられる製造装置を示している。同図に示された構成は、有機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法）を用いて、基板９１上にＩｎＧａＮからなる層を含む複数の半導体を積層させるためのものである。基板９１は結晶成長室９２内に載置されている。結晶成長室９２には、ガス供給手段９３が接続されている。ガス供給手段９３は、複数のガスボンベを備えている。これらのガスボンベは、たとえばＮＨ3ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガス、トリエチルガリウム（以下、ＴＥＧ）ガスおよびトリメチルインジウム（以下、ＴＭＩｎ）ガスなどを個別に貯蔵している。基板９１に上記ＩｎＧａＮ層を成長させるには、結晶成長室９２内を所定温度に保った状態で、ガス供給手段９３から、上述した複数のガスの混合ガスを結晶成長室９２内に供給する。これにより、上記ＩｎＧａＮ層を形成することができる。
【０００３】
しかしながら、一般的な半導体発光素子の製造におけるＮＨ3ガスの供給量が１０〜２０Ｌ／ｍｉｎであったのに対し、近年需要が高まっている白色ＬＥＤの製造においてはＭＯＣＶＤ装置の大型化により、ＮＨ3ガスの供給量を３０〜６０Ｌ／ｍｉｎとすることが必要である。ＮＨ3ガスを貯蔵したボンベからのＮＨ3ガス吐出量が増大するほど、液化ＮＨ3が気化する際の気化熱によりこのボンベの温度が低下しやすい。低温となった上記ボンベ内においては、このボンベ内に混入している微量の水分が飛沫した状態でＮＨ3ガス中に取り込まれるおそれが大きい。これにより、結晶成長室９２に供給される上記原料ガス中のＨ2Ｏ濃度が上昇することとなる。上記ＩｎＧａＮ層にＨ2ＯのＯ元素が過大に取り込まれると、上記ＩｎＧａＮ層の不純物濃度が高まることとなり、適切な発光量を得るための上記ＩｎＧａＮ層の順方向電圧が大きくなってしまうなどの不具合を生じていた。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１８９５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ＩｎＧａＮ層を適切に結晶成長させることが可能な半導体発光素子を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供される半導体発光素子の製造方法は、結晶成長室内に基板を載置し、ＮＨ3ガスを含む原料ガスを供給可能なガス供給手段から上記結晶成長室内に上記原料ガスを供給することにより、上記基板上にＩｎＧａＮ層を結晶成長させる工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、上記ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度を測定可能なＨ2Ｏ濃度測定手段を用いることにより、上記原料ガス中のＨ2Ｏ濃度を０．１ｐｐｍ以下としていることを特徴としている。
【０００７】
このような構成によれば、上記ＩｎＧａＮ層の結晶成長において、Ｈ2ＯのＯ元素がＩｎＧａＮ中に取り込まれることを抑制することが可能である。発明者の研究によれば、上記ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度を０．１ｐｐｍ以下とすれば、所定の発光量を得るための順方向電圧を適正な値とすることができることが判明している。したがって、発光効率が優れた上記半導体発光素子を製造するのに適している。特に、上記半導体発光素子を白色光を発光するものとして製造する場合には、上記ＮＨ3ガスの使用量が非常に多くなり、上記ＮＨ3ガス中に含まれるＨ2Ｏ濃度が高くなるおそれが大きい。このような場合であっても、上記製造方法によれば、上記ＩｎＧａＮ層中の不純物（Ｏ元素）を適切に減少させることができる。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記Ｈ2Ｏ濃度測定手段は、フーリエ変換赤外分光光度計である。このような構成によれば、上記ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度を、たとえばｐｐｍオーダーあるいはｐｐｂオーダーで正確に測定することが可能である。したがって、上記ＩｎＧａＮ層中の不純物（Ｏ元素）を減少させるのに好ましい。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ガス供給手段は、複数のＮＨ3ガスボンベと、これらのＮＨ3ガスボンベのうち任意のものからＮＨ3ガスを吐出させるボンベ切替手段と、を備えており、上記複数のＮＨ3ガスボンベのいずれかを用いたＮＨ3ガスの供給において、上記Ｈ2Ｏ濃度測定手段によりＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度が０．１ｐｐｍ以下とされた基準濃度に達したときには、上記ボンベ切替手段により吐出させる上記ＮＨ3ガスボンベを切り替える。このような構成は、工業上一般的に用いられる上記ＮＨ3ガスボンベを備えた構成であるため、この製造方法に用いられる製造装置を比較的容易に構築することが可能である。また、上記ＮＨ3ガスボンベが使用される間に上記ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度が徐々に上昇することがあっても、上記結晶成長室に供給されるＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度が上記基準濃度を超えることを適切に防止することができる。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ガス供給手段に備えられる上記ＮＨ3ガスボンベについて、吐出されるＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度が上記基準濃度となるＮＨ3ガスの基準残量をあらかじめ計測しておき、上記複数のＮＨ3ガスボンベのうち吐出させているもののＮＨ3ガス残量が上記基準残量となったときには、上記ボンベ切替手段により吐出させる上記ＮＨ3ガスボンベを切り替える。このような構成によれば、上記結晶成長室に供給されるＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度が上記基準濃度を超えることをより確実に防止することができる。
【００１１】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１３】
図１は、本発明に係る半導体発光素子の製造方法の一例に用いられる製造装置を示している。同図に示された製造装置Ａは、結晶成長室２、ガス供給手段３、フーリエ変換赤外分光光度計(Fourier Transform Infrared Spectrometer、以下、ＦＴＩＲ)４、および制御手段５を備えており、ＭＯＣＶＤ法により半導体層を形成するために用いられる。
【００１４】
結晶成長室２は、基板１に半導体の結晶からなる層を積層させるための容器とされており、テーブル２２、ヒーター２３を備えている。テーブル２２は、基板１を載置するための場所である。ヒーター２３は、テーブル２２に内蔵されており、結晶成長室２内の温度をＭＯＣＶＤ法に適した温度に保つためのものである。結晶成長室２には、ガスの供給口と排出口とが設けられている。この供給口の上流側には制御弁２１が設けられている。
【００１５】
ガス供給手段３は、複数のＮＨ3ガスボンベ３０、複数のガスボンベ３１、およびボンベ切替手段３２を備えている。ガス供給手段３は、ＭＯＣＶＤ法に用いられる原料ガスおよびキャリアガスを結晶成長室２に供給するためのものである。
【００１６】
ＮＨ3ガスボンベ３０は、たとえば３７．６Ｎｍ3程度のＮＨ3ガスを蓄えている。ＮＨ3ガスボンベ３０に蓄えられたＮＨ3ガスは、基板１にＩｎＧａＮ層を形成するための原料ガスの一部として用いられる。複数のＮＨ3ガスボンベ３０はボンベ切替手段３２に接続されている。
【００１７】
ボンベ切替手段３２は、複数のＮＨ3ガスボンベ３０から任意のものを選択してＮＨ3ガスを吐出させることが可能に構成されており、電磁式の切替弁などを具備している。また、ボンベ切替手段３２は、各ＮＨ3ガスボンベ３０の残量を検出可能である。ボンベ切替手段３２は、制御手段５からいずれのＮＨ3ガスボンベ３０を使用すべきかの指令を入力され、また各ＮＨ3ガスボンベ３０の残量を制御手段５に出力する。
【００１８】
複数のガスボンベ３１は、ＩｎＧａＮ層をはじめとする半導体層をＭＯＣＶＤ法によって基板１に形成するために必要なガスを貯蔵するためのものである。複数のガスボンベ３１としては、Ｎ2ガスおよびＨ2ガスなどのキャリアガスを貯蔵するものと、トリメチルガリウム（以下、ＴＭＧ）ガス、ＴＥＧガスおよびＴＭＩｎガスなどの原料ガスを貯蔵するものとが備えられている。
【００１９】
ＦＴＩＲ４は、ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度を計測するためのものであり、本発明で言うＨ2Ｏ濃度計測手段の一例である。ＦＴＩＲ４には、ガス供給手段３からのＮＨ3ガスが分岐されて供給される。ＦＴＩＲ４は、ＮＨ3ガスの吸収スペクトルを高速フーリエ変換を用いて計測することにより、ＮＨ3ガス中に含まれるＨ2Ｏなどの微量成分の濃度をｐｐｍ以下のオーダーで計測することができる。たとえば波数が１６５３ｃｍ-1、３７４４ｃｍ-1、３８５３ｃｍ-1、１４５７ｃｍ-1、１５０６ｃｍ-1、１５４０ｃｍ-1、１５５８ｃｍ-1、１６８３ｃｍ-1、３６４８ｃｍ-1、３６７５ｃｍ-1、３７３５ｃｍ-1、３７５０ｃｍ-1におけるピークを監視することにより、ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度の計測を行うことができる。ＦＴＩＲ４による計測結果は、制御手段５に出力される。ＦＴＩＲ４の上流側には、流量調整弁４１が設けられている。流量調整弁４１は、ＦＴＩＲ４に送られるＮＨ3ガスの流量を計測に適した量に制御するためのものである。
【００２０】
制御手段５は、ガス供給手段３を制御し、またＦＴＩＲ４からの計測結果を取り込むためのものであり、たとえばＰＣ（パーソナルコンピュータ）である。制御手段５は、後述する半導体発光素子の製造方法を実現するために、ＦＴＩＲ４の計測結果または複数のＮＨ3ガスボンベ３０の残量に基づいて、制御弁２１の開閉またはガス切替手段３２によるＮＨ3ガスボンベの切替指令を行う。
【００２１】
図２は、製造装置Ａによって製造される半導体発光素子の一例を示している。同図に示された半導体発光素子Ｂは、基板１と、この基板１上に積層されたｎ−ＧａＮ層１１、活性層１２、ｐ−ＧａＮ層１３とを備えており、白色光を発光可能に構成されている。
【００２２】
基板１は、たとえばサファイア製であり、ｎ−Ｇａｎ層１１、活性層１２、およびｐ−Ｇａｎ層１３を支持するためのものである。ｎ−Ｇａｎ層１１は、ＧａＮにＳｉがドープされたことによりいわゆるｎ型半導体層とされている。基板１とｎ−ＧａＮ層１１との間には、格子歪を緩和するためのＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等からなるバッファ層（図示略）が形成されている。ｎ−ＧａＮ層１１には、ｎ側電極１１ａが形成されている。
【００２３】
活性層１２は、ＩｎＧａＮ層を含むＭＱＷ構造とされた層であり、電子と正孔とが再結合することにより発せられる光を増幅させるための層である。活性層１２は、複数のＩｎＧａＮ層と複数のＧａＮ層とが交互に積層されている。ｎ−ＧａＮ層１１と活性層１２との間には、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とが一原子層毎に交互に積層された超格子（Superlattice）構造を有する超格子層（図示略）が形成されている。ｐ−ＧａＮ層１３は、ＧａＮにＭｇがドープされたことによりいわゆるｐ型半導体層とされている。
【００２４】
次に、製造装置Ａを用いた半導体発光素子の製造方法について以下に説明する。
【００２５】
まず、基板１を結晶成長室２のテーブル２２に載置する。そして、ヒーター２３を用いて結晶成長室２内の温度である成膜温度を１，１００℃とする。次に、ガス供給手段３によりＨ2ガスとＮ2ガスとを結晶成長室２に流すことにより、基板１を洗浄する。
【００２６】
次に、成膜温度を１，０６０℃とした状態で、キャリアガスとしてのＨ2ガス、Ｎ2ガス、および原料ガスとしてのＮＨ3ガス、およびＴＭＧガスを結晶成長室２に供給する。この際、ｎ型のドーパントであるＳｉのドープを行うためにＳｉＨ4ガスを同時に供給する。これにより、基板１上にｎ−ＧａＮ層１１を形成する。また、この後に上述した超格子層を形成しておく。
【００２７】
次に、成膜温度を７００〜８００℃、たとえば約７６０℃とした状態で、キャリアガスとしてのＨ2ガス、Ｎ2ガス、および原料ガスとしてのＮＨ3ガス、ＴＥＧガスおよびＴＭＩｎガスを結晶成長室２内に供給する。これにより、Ｉｎの組成比がたとえば１５％程度である井戸層としてのＩｎＧａＮ層を形成する。この際、ＮＨ3ガスの供給は、制御手段５からの指令に基づいてボンベ切替手段３２によって任意のＮＨ3ガスボンベ３０からＮＨ3ガスを吐出させることにより行う。また、ＮＨ3ガスボンベ３０から供給されたＮＨ3ガスは、結晶成長室２に供給されるものと、ＦＴＩＲ４に導かれるものとに分岐されている。
【００２８】
図３は、このときのＮＨ3ガスボンベ３０のガス残量ＲｑとＦＴＩＲ４によって計測されたＨ2Ｏ濃度Ｄｍとを示している。ＮＨ3ガスボンベ３０には、あらかじめＮＨ3ガスが封入される際に微量なＨ2Ｏが混入することが不可避である。ＮＨ3ガスが供給され始めた直後はＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度は十分に低い値である。ＮＨ3ガスの供給を開始すると、使用されているＮＨ3ガスボンベ３０の残量Ｒｑが減っていく。
【００２９】
特に、白色光を発光可能である半導体発光素子Ｂの活性層１２を構成するＩｎＧａＮ層を形成するためには、ＮＨ3ガスを３０〜６０Ｌ／ｍｉｎ程度供給する必要がある。この供給量は、白色光以外の光を発する半導体発光素子の製造における供給量の倍以上である。このため、ＮＨ3ガスボンベ３０内において液化ＮＨ3が盛んに気化してＮＨ3ガスとなる。このときの気化熱によって、ＮＨ3ガスボンベ３０の温度が急激に下がっていく。そうすると、ＮＨ3ガスボンベ３０中のＨ2ＯがＮＨ3ガス中に飛沫しやすくなる。この結果、ＮＨ3ガスに含まれるＨ2Ｏ濃度Ｄｍが残量Ｒｑの減少に伴って増加する。
【００３０】
上記ＩｎＧａＮ層を形成するためのＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度が高くなると、Ｏ元素が上記ＩｎＧａＮ層に不純物として取り込まれる。発明者の試験によれば、ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度Ｄｍが０．１ｐｐｍ以上となると、所定の光量を得るための順方向電圧が過大となり、半導体発光素子Ｂを構成するＩｎＧａＮ層として好ましくないことが分かった。具体的には、発明者の試験結果においては、Ｈ2Ｏ濃度Ｄｍが０．０８ｐｐｍの場合には、順方向電圧は３．２Ｖ程度であるが、Ｈ2Ｏ濃度Ｄｍが０．２ｐｐｍの場合には、順方向電圧は４．１Ｖに達した。
【００３１】
そこで、十分に順方向電圧を小とすることが可能である基準濃度Ｄｓ（≦０．１ｐｐｍ）を設定し、Ｈ2Ｏ濃度Ｄｍが基準濃度ＤｓとなるＮＨ3ガスボンベ３０の残量をあらかじめ調べておく。このときの残量を基準残量Ｒｑ0として、制御手段５に記憶させる。基準残量Ｒｑ0は、たとえば複数のＮＨ3ガスボンベ３０の測定結果の平均値とすることが好ましい。本実施形態においては、基準残量Ｒｑ0は、約５％とされている。そして、図３に示すように、ＮＨ3ガスボンベ３０の残量ＲｑがＦｕｌｌの状態から基準残量Ｒｑ0になったことをガス切替手段３２によって検出したときには、この検出信号を制御手段５に出力する。制御手段５は、この検出信号を受けると次に使用すべきＮＨ3ガスボンベ３０へと切り替えることをボンベ切替手段３２に指令する。ボンベ切替手段３２は、制御手段５からの指令により使用中のＮＨ3ガスボンベ３０から次に使用すべきＮＨ3ガスボンベ３０への切替を行う。これによって、結晶成長室２に送られるＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度Ｄｍが、常に基準濃度Ｄｓ以下に保たれる。ボンベ切替手段３２によるＮＨ3ガスボンベ３０の切り替えは、上記井戸層を形成する間にわたって行われる。また、半導体発光素子Ｂの製造開始から終了の間においてＮＨ3ガスが用いられる工程においても上述したＮＨ3ガスボンベ３０の切替を行っても良いことはもちろんである。
【００３２】
また、次に使用すべきＮＨ3ガスボンベ３０が準備できていないときや、製造装置Ａの不具合などによりＦＴＩＲ４によって測定されたＨ2Ｏ濃度Ｄｍが不当に高い値となったときなどは、制御手段５により制御弁２１を閉とする。これにより、Ｈ2Ｏ濃度Ｄｍが基準濃度Ｄｓよりも高いＮＨ3ガスが結晶成長室２に供給されてしまうことを防止することができる。
【００３３】
上記井戸層を形成した後は、成膜温度を７６０℃とした状態で、ＮＨ3ガス、Ｈ2ガス、Ｎ2ガス、およびＴＭＧガスを供給する。これにより、バリア層としてのＧａＮ層を形成する。この後、上述した井戸層としてのＩｎＧａＮ層およびバリア層としてのＧａＮ層の形成を交互に行う。それぞれの層を３〜７層程度形成することにより、ＭＱＷ構造を有する活性層１２が得られる。
【００３４】
次に、成膜温度を１，０１０℃とした状態で、ＮＨ3ガス、Ｈ2ガス、Ｎ2ガス、およびＴＭＧガスを供給する。この際、ｐ型のドーパントであるＭｇのドープを行うために、Ｃｐ2Ｍｇガスを同時に供給する。これにより、ｐ−ＧａＮ層１３を形成する。この後は、ｎ側電極１１ａおよびｐ側電極１３ａを形成することにより、半導体発光素子Ｂの製造が完了する。
【００３５】
次に、本実施形態の半導体発光素子の製造方法の作用について説明する。
【００３６】
本実施形態によれば、活性層１２を構成する上記ＩｎＧａＮ層を形成する際に、結晶成長室２に供給されるＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度Ｄｍは、基準濃度Ｄｓ以下となる。基準濃度Ｄｓは、０．１ｐｐｍ以下として設定されているため、Ｈ2Ｏ濃度Ｄｍを０．１ｐｐｍ以下とすることが可能である。これにより、Ｈ2ＯのＯ元素が上記ＩｎＧａＮ層内に不純物として過大に取り込まれることを防止可能である。したがって、活性層１２に所定の電流を流すための順方向電圧を比較的小さくすることが可能であり、半導体発光素子Ｂの発光効率を高めることができる。
【００３７】
ＦＴＩＲ４は、気体中の微量元素濃度を極めて高精度で計測することが可能である。上述した製造方法において、ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度Ｄｍを０．１ｐｐｍ以下とするためには、Ｈ2Ｏ濃度の計測分解能として０．０１ｐｐｍオーダーあるいはｐｐｂオーダーを有することが好ましい。ＦＴＩＲ４によれば、このような高精度が要求されるＨ2Ｏ濃度の計測を適切に行うことができる。
【００３８】
基準残量Ｒｑ0を指標としてガス切替手段３２により複数のＮＨ3ガスボンベ３０を切り替えて使用することにより、結晶成長室２に供給されるＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度Ｄｍを基準濃度Ｄｓ以下とすることを容易に行うことができる。また、ＦＴＩＲ４による計測が偶発的に不正確となった場合であっても、結晶成長室２に供給されるＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度Ｄｍを不当に高めてしまうおそれがない。
【００３９】
本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光素子の製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００４０】
上述した実施形態とは異なり、ＮＨ3ガスボンベ３０の残量Ｒｑを監視することなく、ＮＨ3ガス中のＨ2Ｏ濃度Ｄｍと基準濃度Ｄｓとの比較のみを行うことにより、複数のＮＨ3ガスボンベ３０の切替や制御弁２１の閉動作を行ってもよい。また、ガス供給手段３に備えられるＮＨ3ガスボンベ３０の本数は、供給するＮＨ3ガスボンベ３０の容量によって適宜決定すればよい。たとえば１本のＮＨ3ガスボンベ３０のみを備える構成であってもよい。また、ＮＨ3ガスの貯蔵手段として、ガスボンベ以外の形態のものを用いてもよいのはもちろんである。
【００４１】
本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、活性層を構成するＩｎＧａＮ層の形成に用いること以外に、半導体発光素子を構成するその他のＩｎＧａＮ層の形成に用いてもよい。本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、大量のＮＨ3ガスを必要とする白色光を発する半導体発光素子の製造に適しているが、白色光以外の様々な波長の光を発する半導体発光素子の製造に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明に係る半導体発光素子の製造方法の一例に用いられる製造装置を示す概略図である。
【図２】本発明に係る半導体発光素子の製造方法の一例によって製造される半導体発光素子を示す断面図である。
【図３】本発明に係る半導体発光素子の製造方法の一例における、ＮＨ3ガスボンベの残量とＨ2Ｏ濃度とを示すグラフである。
【図４】従来の半導体発光素子の製造方法の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４３】
Ｄｍ    Ｈ2Ｏ濃度
Ｄｓ    基準濃度
Ｒｑ    （ＮＨ3ガス）残量
Ｒｑ0  （ＮＨ3ガス）基準残量
１      基板
２      結晶成長室
３      ガス供給手段
４      ＦＴＩＲ（Ｈ2Ｏ濃度計測手段）
５      制御手段
１１    ｎ−ＧａＮ層
１１ａ  ｎ側電極
１２    活性層（ＩｎＧａＮ層）
１３    ｐ−ＧａＮ層
１２ａ  ｐ側電極
３０    ＮＨ3ガスボンベ
３２    ボンベ切替手段
４１    流量調整弁
【図１】
2007221016.tif 000003
【図２】
2007221016.tif 000004
【図３】
2007221016.tif 000005
【図４】
2007221016.tif 000006