(57)【要約】【課題】  外乱の侵入をシールドし、磁場の時間的な変動を抑制することにより、長時間にわたって高い信頼性を維持できる安価な超電導マグネットを提供すること。【解決手段】  液体ヘリウムを蓄える容器と、該容器の内部に収納された主磁場を発生するためのコイルと、該容器の外周を覆う輻射シールドを含む超電導マグネットにおいて、該主磁場を発生するコイルとは電気的に独立した第２の超電導コイルを輻射シールドの外側に設ける。このとき前記主磁場を発生するためのコイルの巻軸と、第２の超電導コイルの巻軸を、平行にする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体ヘリウムを蓄える容器と、前記容器の内部に収納された磁場を発生するためのコイルと、前記容器の外周を覆う輻射シールドと、を含む超電導マグネットにおいて、
前記磁場を発生するコイルとは電気的に独立した超電導コイルを前記輻射シールドの外側に設けることを特徴とする超電導マグネット。
【請求項２】
前記磁場を発生するためのコイルの巻軸と前記超電導コイルの巻軸とを平行にすることを特徴とする請求項１に記載の超電導マグネット。
【請求項３】
前記磁場を発生するためのコイルは浸漬された液体ヘリウムによって、前記超電導コイルは冷凍機によって、冷却されることを特徴とする請求項１に記載の超電導マグネット。
【請求項４】
前記超電導コイルは、動作温度が１０Ｋ〜３５Ｋであることを特徴とする請求項１〜２に記載の超電導マグネット。
【請求項５】
前記超電導コイルは、マグネシウムとホウ素とを含む超電導体で構成されていることを特徴とする請求項１〜３に記載の超電導マグネット。
【請求項６】
液体ヘリウムを蓄える容器と、前記容器の内部に収納された磁場を発生するためのコイルと、前記容器の外周を覆う輻射シールドと、を含む超電導マグネットにおいて、
前記磁場を発生するコイルと直列に接続された漏れ磁場シールド超電導コイルを前記輻射シールドの外側に設けることを特徴とする超電導マグネット。
【請求項７】
請求項１〜５に記載の超電導マグネットを用いて均一磁場を発生させ、この空間内におかれた検査体の磁気共鳴現象を計測する核磁気共鳴装置システム。
【請求項８】
請求項６に記載の超電導マグネットを用いて均一磁場を発生させ、この空間内におかれた検査体の磁気共鳴現象を計測する核磁気共鳴装置システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導マグネットに関するものであり、特に、時間安定性に優れた均一磁場を発生させることが必要な核磁気共鳴装置用の超電導マグネットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、外部磁場の変動を抑制することや漏れ磁場をシールドすることが可能なマグネット、また、このようなマグネットを用いた核磁気共鳴装置は公知となっている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、漏れ磁場や磁場均一度の乱れを抑制するマグネットと、このマグネットを用いるＮＭＲ分析装置や医療用ＭＲＩ装置が記載されている。このマグネットは、低温容器の二重外筒の一方もしくはその蓋部を磁性体にすることで、マグネットからの外部への漏れ磁場及び試料空間での磁場均一度の乱れを抑制している。
【０００４】
また、特許文献２には、水平磁場方式等の磁石を使用したＭＲＩ装置を磁気シールド内に設置することが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−０９３４６４号公報
【特許文献２】特開２００２−１７２１０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＭＲＩ装置は、通常、病院に設置されるが、振動の大きな場所、例えば大型自動車や電車あるいはエレベーターが通過するような外乱が発生する場所では、均一磁場を維持することが困難となる。また、これと並行して、マグネットからの外部への漏れ磁場も極力小さくする必要がある。
【０００７】
本発明の目的は、外乱の侵入をシールドし、磁場の時間的な変動を抑制することにより、長時間にわたって高い信頼性を維持できる安価なＭＲＩ装置やＮＭＲ装置をはじめとする超電導マグネットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の超電導マグネットは、液体ヘリウムを蓄える容器と、容器の内部に収納された磁場（「主磁場」とも呼称される。）を発生するためのコイルと、容器の外周を覆う輻射シールドとを含むものであって、磁場を発生するコイルとは電気的に独立した、第２の超電導コイルを輻射シールドの外側に設けることにより達成できる。
【０００９】
一般に、外乱を抑制するためのシールドコイルは、超電導ループをできるだけ大きくする方が効率的である。本発明における第２の超電導コイルは、マグネット装置内の外側に設置される輻射シールドに巻き付けるため、超電導ループを大きくすることが可能となる。これにより、効率良くシールドできる。したがって、例えば液体ヘリウム容器の内部に第２の超電導コイルを配置する場合に比べて、シールドの効率として１５〜２０％上昇するというメリットが生じる。
【００１０】
主磁場を発生するためのコイルの巻軸と、第２の超電導コイルの巻軸を平行にすることが必要である。これは、外乱による磁場変動を抑制する技術である。両者の巻軸が垂直な場合は、外乱をシールドすることができないことを実験により確認している。
【００１１】
このとき、第２の超電導コイルは、輻射シールドの上下に配置する。すなわち、侵入してくる外乱をシールドするために、主磁場を発生するためのコイルから見て上下のふちに配置することが重要である。このように、巻軸が同一で、主磁場を発生させるコイルの上端より上部、及び下端より下部に設置すれば、巻き形状や設置場所が設計と２５％程度異なっても差し支えない。さらに、巻線密度や巻線精度も２５％程度異なっても特に問題ない。
【００１２】
また、主磁場を発生するためのコイルは浸漬された液体ヘリウム、第２の超電導コイルは冷凍機によって伝導で冷却されることが好ましい。
【００１３】
一般に、ＭＲＩ装置には冷却を促進するために冷凍機が搭載され、これが輻射シールドを冷却している。このため、装置の大型化は発生しない。
【００１４】
また、第２の超電導コイルの動作温度が１０Ｋ〜３５Ｋであることが好ましい。
【００１５】
また、第２の超電導コイルは、マグネシウムとホウ素を含むことにより達成できる。代表例としては、ＭｇＢ2 超電導体が挙げられる。
【００１６】
また、液体ヘリウムを蓄える容器と、容器の内部に収納された磁場を発生するためのコイルと、容器の外周を覆う輻射シールドとを含む超電導マグネットにおいて、磁場を発生するコイルと直列接続された、漏れ磁場シールド超電導コイルを輻射シールドの外側に設けることにより達成できる。
【００１７】
超電導マグネットを用いて均一磁場を発生させ、この空間内におかれた検査体の磁気共鳴現象を計測する核磁気共鳴装置システムにすることにより達成できる。
【００１８】
本発明のＭＲＩ装置やＮＭＲ分析装置は、本発明の超電導マグネットを使用することで、また、組み合わせて使用することで、本発明の目的を達成した装置として提供することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、外乱の侵入をシールドし、磁場の時間的な変動を抑制することにより、長時間にわたって高い信頼性を維持できる安価なＭＲＩ装置やＮＭＲ装置をはじめとする超電導マグネットを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明では、第２の超電導コイルを輻射シールドの外側に巻き付けることで、大きく分けて２種類の効果が期待できる。
【００２１】
１つめは、外部磁場変動シールドコイルとしての機能である。本発明における外部磁場変動シールドコイルは、精密な磁場分布や均一度の確保が必要とされる超電導マグネットに適用され、均一磁場の変化を抑制することが目的である。主に、ＭＲＩ装置やＮＭＲ分析装置に使用される。特に、本発明においては、液体ヘリウム容器内に収納された主磁場を発生するコイルとは電気的に独立した、第２の超電導コイルを輻射シールドの外側に設けることが特徴である。主磁場を発生させる超電導コイルに対して、第２の超電導コイルは、電流容量が１／１０〜１／１００と非常に小さいために、電気的に独立した構造にする。
【００２２】
２つめは、漏れ磁場シールドコイルとしての機能である。本発明における漏れ磁場シールドコイルは、主磁場を発生するコイルからの磁場の漏れを低減することが目的である。一般に、主磁場と逆方向の磁場を発生させるシールドコイルを磁石内部に配置して、外部への漏れ磁場をキャンセルさせる手法が採用されている。これも、主にＭＲＩ装置やNMR分析装置に適用される。
【００２３】
外部磁場変動シールドコイルと異なる点は、液体ヘリウム容器の収納された主磁場を発生するコイルと超電導コイルを直列接続することである。これは、主磁場を発生させるコイルと第２の超電導コイルの電流容量を同じにする必要があるためであるが、この場合、主磁場を発生するコイルに使用した線材と、漏れ磁場シールドコイルに使用した線材とを低抵抗で接続する必要がある。従って、超電導接続が実現しない超電導線材は使用できない。
【００２４】
第２の超電導コイルは、輻射シールドの外側に設置するが、仮にＮｂＴｉ線を用いた場合、何らかの擾乱エネルギーが入った場合、超電導線がＴｃ以上に上昇し、最悪のケースではクエンチに至る。このため、Ｔｃが高い材料が必要とされる。いくつかの超電導材料の中でも、線材やコイルを作製する際の簡便性や、低抵抗接続のしやすさ等を考慮すると、ＭｇＢ2 超電導体を使用することが最も効果的である。
【００２５】
ＭｇＢ2は、Ｔｃが３９Ｋであるため、仮に約３５Ｋまで温度が上昇しても第２の超電導コイルに必要な性能は維持できることを発明者らは実験により確認している。
【００２６】
本発明における第２の超電導コイルの類似コイルとして、シムコイルがある。シムコイルは、磁場均一度を向上させる目的で設置される磁場補正用コイルである。一般に歪んだ磁場を補正するため、静的なものといえる。これに対し、本発明の第２の超電導コイルは、時間的な磁場変動を分単位あるいは秒単位で抑制するため、動的なものであるといえる。以上のことから、第２の超電導コイルは、いわゆるシムコイルとは異なるものである。  
【００２７】
このように、本実施の形態のマグネットによれば、マグネットの設計や構造が容易になる。また、均一磁場が長時間維持されるという効果もあると考える。
【００２８】
更に、低コストで効果を得ることができると考える。また、マグネット中心部の試料空間において、磁場均一度が乱れてしまうこともなく、外乱による磁場変動を解決することが可能となる。
【００２９】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。但し、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００３０】
（実施例１）
図１は、本発明における超電導マグネットの概念図である。この図は、核磁気共鳴装置をイメージしたものを簡略化したものであるが、実際には必要な性能を得るために数多くの補正コイル等が設置されている。
【００３１】
超電導マグネットの中心部には、均一磁場空間１がある。
【００３２】
ＭＲＩ装置の場合、人間が仰向けに寝た状態で撮像する必要があるので、人間の肩幅や腹部周りが通過できるような空間が設けられている。
【００３３】
一方、ＮＭＲ分析装置の場合、試料は試験管に入った溶液などであることから、磁場均一空間は通常、数mmから数cmである。
【００３４】
主磁場を発生する超電導コイル３は、液体ヘリウム容器２に収納されている。
【００３５】
また、主磁場を発生する超電導コイル３は、液体ヘリウム４に浸った状態で４.２Ｋ の温度に冷却されている。その外側には、輻射シールド５が置かれている。これらは、すべて真空断熱容器６内に収納されている。
【００３６】
本発明の超電導コイル（以下、主磁場を発生する超電導コイル３と区別するため、「外部磁場変動シールドコイル」と呼称して説明する）７は、輻射シールド５の外側に巻回されている。コイルが巻回された位置の温度は、定常状態で２５Ｋであった。本実施例では、外部磁場変動シールドコイル７には、ＭｇＢ2 超電導線材８を使用した。線材をあらかじめ６００℃で熱処理した後、線材表面をエナメルで絶縁処理した、直径０.８mm の
ＭｇＢ2超電導線材８を輻射シールド５外面に接触させてリング状に１０ターン巻きつけ、外部磁場変動シールドコイル７とした。このとき、侵入してくる外乱をシールドするため、主磁場を発生する超電導コイル３の上端より上部、及び下端より下部に設置した。
【００３７】
外部磁場変動シールドコイル７は、主磁場を発生する超電導コイル３のコイル中心から、それぞれ０.５ｍ 離れた位置に直接巻きつけた。その後、エポキシ系樹脂で外部磁場変動シールドコイル７を接着補強した。両コイルの巻き方向は、平行となる向きとした。巻き方向が異なると、本発明の特徴である外乱の抑制ができなくなるためである。実施例２にその検討結果を述べている。
【００３８】
図２は、外部磁場変動シールドコイル７の接続部の回路模式図である。線材の先端部９と線材の後端部１０は接続され、超電導ループを構成した。本実施例では、Ｐｂ−５０Biハンダを用いて、接続部１１を構成した。
【００３９】
この接続部１１はできる限り低抵抗が望ましいが、要求される抵抗値は、（１）回路全体におけるコイルのインダクタンスの大きさ、（２）回路全体の接続部を含んだ抵抗値、（３）どの程度の時間を定常状態で運転するか、で決まる。本実施例では、以上の３点を考慮し、１０-11Ω 以下の抵抗となるように両端部を接続した。接続部１１には、ヒーター線１２を巻回している。
【００４０】
超電導ループを有する外部磁場変動シールドコイル７は、図１に示すように、高さ方向に２つ配置した。コイルの通電電流は、そのときの設計仕様に応じて変動する。しかしながら、巻線の状態や設置する場所の精度はあまり重要ではなく、２５％程度のずれであれば、問題が生じることはない。
【００４１】
本実施例では、外部磁場変動シールドコイル７にＭｇＢ2線材を使用した。この線材の直径は０.８mm とした。図３に作製したＭｇＢ2 超電導線の断面模式図の一例を示す。
ＭｇＢ2 超電導線材８の断面は、金属シース材１３の中に超電導フィラメント１４が充填又は内包されている。なお、断面の形状は、丸形状に限定されるものではなく、超電導マグネットとして要求される仕様を満足するものであれば、例えば扇形のようなものから、幅広の極薄テープまで様々な線材形状にしても差し支えない。
【００４２】
主磁場を発生する超電導コイル３は、ＮｂＴｉ線を用いて作製した。線材の直径は１mmである。この線材を、コイル状に巻回することにより、外径１.０ｍ，高さ２.０ｍの超電導コイルとした。必要な主磁場を得るための電流値（オペレーション電流）は４００Ａである。
【００４３】
一方、外部磁場変動シールドコイル７は、ＭｇＢ2 線を用いて作製した。線材の直径は０.８mm である。外部磁場の変動による均一磁場の変化を抑制するために必要なシールド電流はおよそ２Ａである。以上のように、通電電流が異なるため、両者は電気回路が独立している必要がある。
【００４４】
運転方法としては、以下である。
（１）主磁場を発生する超電導コイル３へ電流を通電し、磁場の上げ下げを行うときは、外部磁場変動シールドコイル７をヒーターで加熱して常電導（ノーマル）状態にする。
（２）主磁場を発生する超電導コイル３に４００Ａが供給され定常状態（静磁場）になったときは、外部磁場変動シールドコイル７の加熱を停止して超電導状態にする。
【００４５】
このように、外部磁場変動シールドコイル７は、超電導状態と常電導状態との２つを切り替える必要があるため、接続部１１にヒーター線１２を巻回し、超電導状態にする場合はヒーターをＯＦＦ、常電導状態にする場合はヒーターをＯＮする。
【００４６】
上記(１) と(２) のようにして、主磁場を発生するコイルに４００Ａ通電し定常状態になった後、外部磁場変動シールドコイル７を超電導状態にした。そして、外部から０.８〜１.３ガル（cm／ｓ2）の加速度を意図的に加えて外乱を与え、磁気変動を生じさせた。そして、そのときの磁場均一度を計測した。比較として、外部磁場変動シールドコイル７が超電導状態でない場合についても計測した。
【００４７】
その結果を表１に示す。外部磁場変動シールドコイル７が超電導状態の場合は、外乱を与えても磁場均一度は０.０１ppm以下であったが、外部磁場変動シールドコイル７に通電しない場合は磁場均一度が５０ppm 以上であった。以上のように、外部磁場変動シールドコイル７を超電導状態として永久電流ループを形成することで、外乱に対しても磁場の均一度に影響を及ぼさないことを明らかとなった。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
また、本実施例は、外部磁場変動シールドコイル７を輻射シールド５に巻回する構成であるが、液体ヘリウム容器２の外壁に熱接触するように巻回した場合でも同様の効果が得られた。また主磁場を発生する超電導コイル３の外周に外部磁場変動シールドコイル７を巻回する場合は、液体ヘリウム容器２の内壁とのギャップが非常に狭いため、作業性が悪く歩留まりが５０％程度であったが、輻射シールド５や液体ヘリウム容器２の外壁に巻回することにより、作業性が大幅に向上し、歩留まりも１００％となった。
【００５０】
（実施例２）
実施例１と同様に、図１に示すような構成の超電導マグネットにおいて、主磁場を発生する超電導コイル３の巻軸と外部磁場変動シールドコイル７の巻軸を、（１）平行にした場合と、（２）垂直にした場合について、外部から０.８ 〜１.３ガル（cm／ｓ2）となるように意図的に外乱を与えて、主磁場を発生する超電導コイル３の磁場均一度の変化を計測した。
【００５１】
表２に外部磁場変動シールドコイルの磁場均一度を示す。
【００５２】
【表２】
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【００５３】
以上のように、外乱で生じる変動磁場を抑制するためには、主磁場を発生する超電導コイル３の巻軸と外部磁場変動シールドコイル７の巻軸を平行にすることが必要であることを確認した。
【００５４】
（実施例３）
実施例１と同様に、図１に示すような構成の超電導マグネットにおいて、主磁場を発生する超電導コイル３は液体ヘリウムで冷却し、外部磁場変動シールドコイル７は市販の
ＧＭ冷凍機で温度が８Ｋ〜３５Ｋになるように冷却した。そして、外部から０.８〜１.３ガル（cm／ｓ2）となるように、意図的に外乱を与えて、磁場均一度の変化を計測した。
【００５５】
本実施例では、外部磁場変動シールドコイル７にＮｂＴｉ線，Ｎｂ3Ｓｎ線，ＭｇＢ2線，Ｙ−１２３線，Ｂｉ−２２１２線を用いた場合について計測した。表３に冷凍機で外部磁場変動シールドコイル７の温度を変化させたときの磁場均一度を示す。
【００５６】
以上のように、ＮｂＴｉ線では温度１５Ｋ以上、Ｎｂ3Ｓｎ線では温度２０Ｋ以上になると磁場均一度が急激に悪くなる。これは、各超電導材料のＴｃに依存する。すなわち、ＮｂＴｉ超電導体はＴｃが９.８Ｋ，Ｎｂ3Ｓｎ超電導体はＴｃが１８Ｋであるため、外部の温度がＴｃを超えると、外乱からの磁場の変動を制御できなくなる。
【００５７】
本実施例では、外部磁場変動シールドコイル７に上記５種の超電導体を用いたが、Ｙ系，Ｂｉ系，Ｔｉ系，Ｈｇ系に代表される酸化物超電導体や、その他有機系超電導体などのＴｃが比較的高い各種超電導体を用いても同様の効果が得られる。しかしながら、ＧＭ冷凍機を用いて、３５Ｋ以下の温度にする場合は、線材の製造コストや曲げ歪特性を考えると、ＭｇＢ2超電導体を使用することが好適である。
【００５８】
【表３】
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【００５９】
（実施例４）
図４は、本発明における超電導マグネットの概念図である。基本構成は図１と同様であるが、本実施例では外部磁場の変動を抑制するのではなく、主磁場を発生する超電導コイル３３からの漏れ磁場を低減する目的の超電導マグネットである。この図もＭＲＩ装置やＮＭＲ分析装置の簡略図であるが、実際には必要な性能を得るために数多くの補正コイル等が設置されており、非常に複雑な構成を有している。
【００６０】
超電導マグネットの中心部には、均一磁場空間３１がある。液体ヘリウム容器３２に収納された主磁場を発生する超電導コイル３３から構成される。主磁場を発生する超電導コイル３３は、液体ヘリウム３４に浸かった状態で４.２Ｋ の温度に冷却されている。その外側には、輻射シールド３５が置かれている。これらは、すべて真空断熱容器３６内に収納されている。
【００６１】
本発明の漏れ磁場シールド超電導コイル３７は、液体ヘリウム容器３２の外壁の外側に巻回されている。コイルが巻回された位置の温度は、定常状態で６.５Ｋ であった。本実施例では、漏れ磁場シールド超電導コイル３７には、ＭｇＢ2 超電導線材３８を使用した。
【００６２】
線材をあらかじめ７００℃で熱処理した後、線材表面をエナメルで絶縁処理した、直径１.６mm のＭｇＢ2 超電導線材３８を液体ヘリウム容器３２の外壁に熱接触させてリング状に３ターン巻きつけた。
【００６３】
漏れ磁場シールド超電導コイル３７は、主磁場を発生する超電導コイル３３のコイル中心から、それぞれ０.５ｍ 離れた位置の液体ヘリウム容器３２の外壁に直接巻きつけた。その後、エポキシ系樹脂で漏れ磁場シールド超電導コイル３７を含浸補強した。
【００６４】
図５は、漏れ磁場シールドコイル磁場の接続部の回路図である。漏れ磁場シールド超電導コイル３７を作製した線材の先端部４０と主磁場を発生する超電導コイル３３を作製した線材の先端部４１、及び漏れ磁場シールド超電導コイル３７を作製した線材の後端部
４２と主磁場を発生する超電導コイル３３を作製した線材の後端４３を、それぞれ低抵抗となるように接続し、接続部３９を構成した。
【００６５】
主磁場を発生する超電導コイル３３は、ＮｂＴｉ線を用いて作製した。線材の直径は
１.１mm である。この線材を、コイル状に巻回することにより、外径１ｍ，高さ２ｍの超電導コイルとした。必要な主磁場を得るための電流値（オペレーション電流）は４００Ａである。一方、漏れ磁場シールド超電導コイル３７は、ＭｇＢ2 線を用いて作製した。線材の直径は１.６mm である。主磁場を発生する超電導コイル３３と漏れ磁場シールド超電導コイル３７は、直列に接続されているため、シールド電流として４００Ａ通電されている。
【００６６】
上記のようにして、４００Ａの通電を行って定常状態になった後、外部への漏れ磁場を計測した。比較として、漏れ磁場シールド超電導コイル３７を設置しない場合についても計測した。計測箇所は、超電導マグネットの真空断熱容器３６の下端から５０cmの位置である。
【００６７】
その結果を表４に示す。漏れ磁場シールド超電導コイル３７を設置した場合は、漏れ磁場が５ガウス以下であったが、漏れ磁場シールド超電導コイル３７を設置しない場合は、漏れ磁場が３００ガウス以上であった。
【００６８】
以上のように、本実施例のように、主磁場を発生する超電導コイル３３と、漏れ磁場シールド超電導コイル３７を直列接続することで、漏れ磁場が大幅に低減できることを明らかにした。
【００６９】
本実施例では、漏れ磁場シールド超電導コイル３７にＭｇＢ2超電導体を適用したが、Ｙ系，Ｂｉ系，Ｔｌ系，Ｈｇ系に代表される酸化物超電導体や、その他有機系超電導体などのＴｃが比較的高い各種超電導体を用いても同様の効果が得られる。しかしながら、
３５Ｋ以下の温度で使用可能な場合は、線材の製造コストや曲げ歪特性を考えると、
ＭｇＢ2超電導体を使用することが好適である。
【００７０】
また、漏れ磁場シールド超電導コイル３７を輻射シールド３５に巻回した場合でも同様の効果が得られることを発明者らは実験によって確認した。
【００７１】
【表４】
2007075470.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明における超電導マグネットの概念図。
【図２】外部磁場変動シールドコイルの接続部の回路模式図。
【図３】超電導線材の断面模式図。
【図４】本発明における超電導マグネットの概念図。
【図５】漏れ磁場シールドコイルの接続部の回路図。
【符号の説明】
【００７３】
１，３１…均一磁場空間、２，３２…液体ヘリウム容器、３，３３…主磁場を発生する超電導コイル、４，３４…液体ヘリウム、５，３５…輻射シールド、６，３６…真空断熱容器、７…外部磁場変動シールドコイル、８，３８…ＭｇＢ2 超電導線材、９，１０…外部磁場変動シールドコイルの線材先端側、１１，３９…接続部、１２…ヒーター線、１３…金属シース材、１４…超電導フィラメント、３７…漏れ磁場シールド超電導コイル、
４０…漏れ磁場シールドコイルの線材先端部、４１…主磁場を発生する超電導コイルの線材先端部、４２…漏れ磁場シールドコイルの線材後端部、４３…主磁場を発生する超電導コイルの線材後端部。
【図１】
2007075470.tif 000007
【図２】
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【図３】
2007075470.tif 000009
【図４】
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【図５】
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