(57)【要約】【課題】基板を簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる基板位置決め方法、基板位置決め装置および基板処理装置を提供する。【解決手段】第１支持ピンにより滑動自在に支持された基板Ｗの端面のうち回転中心Ａ０から最も離れた最大偏心部位を検出して、最大偏心部位を回転中心に向けて水平方向に押動して基板を水平方向に位置決め（位置決め動作を実行）するとき、基板Ｗ１に対して位置決め動作を実行して基板Ｗ１の偏心量が目標精度内となるように位置決めするとともに、最大偏心部位が押し込まれた位置を基準押し込み位置Ｐ１１Ａとして設定する。そして、基板Ｗ１と異なる基板Ｗ２に対して位置決め動作を実行する際に、基板Ｗ１と基板Ｗ２との基板径の差に応じて基準押し込み位置Ｐ１１Ａを補正して補正押し込み位置Ｐ１１Ｂを求めた後、補正押し込み位置Ｐ１１Ｂまで最大偏心部位ＰＡ２を回転中心Ａ０に向けて水平方向に押動する。【選択図】図２０
2007221070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の水平位置を位置決めする基板位置決め方法において、
基板回転機構により水平方向に滑動自在に支持された基板の端面のうち前記基板回転機構の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出して前記最大偏心部位を前記基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動して前記基板を水平方向に位置決めする動作を位置決め動作としたとき、
第１の基板に対して前記最大偏心部位が押し込まれた位置を基準押し込み位置として設定する第１工程と、
前記第１の基板と異なる第２の基板に対して前記位置決め動作を実行する第２工程とを備え、
前記第２工程は、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板径の差に応じて前記基準押し込み位置を補正して補正押し込み位置を求める補正工程と、
前記補正押し込み位置まで前記最大偏心部位を前記基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動する押動工程と
を有することを特徴とする基板位置決め方法。
【請求項２】
前記補正工程では、前記第１の基板と前記第２の基板との基板径との差の半分に相当する距離だけ前記基準押し込み位置から変更した位置を前記補正押し込み位置として設定する請求項１記載の基板位置決め方法。
【請求項３】
前記第２工程は、前記第１および前記第２の基板の径データを取得する取得工程をさらに有する請求項１または２記載の基板位置決め方法。
【請求項４】
前記第２の基板を所定の処理が施される被処理基板とするとき、
前記取得工程では、前記第２の基板から構成されるロットに付与されたロットＩＤから前記第２の基板の径データを取得する請求項３記載の基板位置決め方法。
【請求項５】
前記第１および前記第２の基板を所定の処理が施される被処理基板とするとき、
前記取得工程では、前記第１の基板を含むロットに付与されたロットＩＤから前記第１の基板の径データを取得するとともに、前記第２の基板を含むロットに付与されたロットＩＤから前記第２の基板の径データを取得する請求項３記載の基板位置決め方法。
【請求項６】
センサを用いて該センサと基板端面までの距離を測定することで前記最大偏心部位を検出する請求項３記載の基板位置決め方法であって、
前記第２の基板を所定の処理が施される被処理基板とするとき、
前記取得工程では、前記センサと前記第２の基板の端面との間の距離から前記第２の基板の径データを取得する基板位置決め方法。
【請求項７】
センサを用いて該センサと基板端面までの距離を測定することで前記最大偏心部位を検出する請求項３記載の基板位置決め方法であって、
前記第１および前記第２の基板を所定の処理が施される被処理基板とするとき、
前記取得工程では、前記センサと前記第１の基板の端面との間の距離から前記第１の基板の径データを取得するとともに、前記センサと前記第２の基板の端面との間の距離から前記第２の基板の径データを取得する基板位置決め方法。
【請求項８】
基板の水平位置を位置決めする基板位置決め装置において、
基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも前記基板を所定の回転中心回りに回転させる基板回転機構と、
前記基板の端面のうち前記基板回転機構の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出する検出手段と、
前記最大偏心部位を前記基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動して前記基板を水平方向に位置決めする位置決め機構と、
第１の基板および第２の基板の径データを取得する取得手段と、
前記位置決め機構による基板の位置決め動作において第１の基板に対して前記最大偏心部位が押し込まれた位置を基準押し込み位置として設定する設定手段と、
前記第１の基板と異なる第２の基板に対して前記位置決め機構による位置決め動作を実行するに際し、前記第１の基板と前記第２の基板との基板径の差に応じて前記基準押し込み位置を補正して補正押し込み位置を求め、該補正押し込み位置まで前記最大偏心部位を前記基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動する補正手段と
を備えたことを特徴とする基板位置決め装置。
【請求項９】
前記基板回転機構は、前記回転中心回りに回転自在に設けられた回転部材と、該回転部材を回転させる回転手段と、前記回転部材から上方に向けて突設され、前記基板の下面に当接して該基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも前記基板の下面との間で発生する摩擦力で前記基板を前記回転部材に保持可能な支持手段とを有する請求項８記載の基板位置決め装置。
【請求項１０】
前記位置決め機構は、前記基板と当接可能な当接部位を有し、該当接部位を前記基板の端面に当接させて前記基板を水平方向に押圧可能な押圧部材と、前記押し込み位置と前記基板から離間した離間位置との間で前記押圧部材を移動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は前記押圧部材を前記離間位置から前記押し込み位置に移動させることで、前記押し込み位置まで前記最大偏心部位を前記基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に前記基板を押動する請求項８または９記載の基板位置決め装置。
【請求項１１】
前記当接部位は、前記基板の端面と点接触する請求項１０記載の基板位置決め装置。
【請求項１２】
基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
請求項８ないし１１のいずれかに記載の基板位置決め装置と同一構成を有する位置決めユニットと、
前記位置決めユニットにより位置決めされた前記第２の基板に対して前記処理を施す処理ユニットと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
請求項８ないし１１のいずれかに記載の基板位置決め装置と同一構成を有する位置決めユニットと、
前記位置決めユニットにより位置決めされた前記第１および第２の基板に対して前記処理を施す処理ユニットと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ等の基板の位置決め方法、基板位置決め装置および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成膜工程では基板裏面あるいは基板表面の周縁部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部のデバイス形成領域のみであり、基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程において、他の装置との接触により基板表面の周縁部に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。
【０００３】
そこで、基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、基板を水平姿勢で回転させながら基板表面の周縁部に処理液を供給して該薄膜をエッチング除去することが行われている。このとき基板の物理的な中心（以下単に「基板の中心」という）と基板の回転中心が偏心（位置ずれ）していると、基板の端面から内側に向かって薄膜がエッチング除去される幅が均一にならないといった問題が発生する。このため、かかる偏心を極力少なくするよう基板の水平位置を正確に位置決めすることが重要となっている。
【０００４】
そこで、基板の水平位置を位置決めするために次のような装置が提案されている。例えば、特許文献１に記載の装置では、基板を所定位置に移送してセットする際に、基板の偏心を修正しながら基板を所定位置に移送するようにして基板の位置決めを行っている。具体的には、移送装置は所定位置への基板の搬送に先立って、回転テーブル（回転部材）に基板を載置する。そして、回転テーブルが回転される。このとき回転テーブルに対応して設けられたセンサが基板の周縁部を検出するとともに、センサの信号により計測された基板の偏心量（回転テーブルの回転中心に対する基板の中心の偏心量）と回転テーブルの回転角度が偏心量計数手段に記憶される。その後に、移送装置は基板を保持し、偏心量計数手段に記憶されたデータに基づいて基板の偏心を修正しながら基板を所定位置に移送している。
【０００５】
ところで、上記特許文献１に記載の装置では、所定位置への基板の搬送に先立って基板の偏心を修正しているが、基板を所定位置に移送した後に基板の偏心を修正することも考えられる。このように基板の搬送後に基板を位置決めするものとして、例えば特許文献２に記載の装置がある。この特許文献２に記載の装置では、センタリング機構を設けることによって基板の中心と吸着ステージ（回転部材）の回転中心とを一致させている。詳しくは、基板の外径よりも大きな形状を有するセンタリング機構を閉じることによって基板の外径を挟み込み、基板の中心と吸着ステージの回転中心とを一致させている。そして、吸着ステージは吸着動作を行うことでステージ面に基板を固定し、基板の位置ずれを防止している。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２５６７４３号公報（図１）
【特許文献２】特開平７−７０６９号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１に記載の装置では、移送装置等の基板搬送手段によって基板を回転テーブルに搬送する際に基板の偏心を修正しているが、搬送中に基板の偏心が修正されたとしても、基板を回転テーブルに載置したときに基板の偏心（位置ずれ）が生じることがあった。しかしながら、このように基板を回転テーブルに載置したときの偏心については十分に考慮されておらず、基板の偏心が処理の均一性を劣化させるなどプロセス性能を劣化させていた。
【０００８】
また、特許文献２に記載の装置のように、基板を回転テーブルに載置した後に、センタリング機構によって基板の中心と回転テーブルの回転中心とを一致させる場合には、次のような問題があった。すなわち、基板の外径を挟み込むという機構上、センタリング機構が複雑となり、しかも構造的に大型化してしまう。このため、センタリング機構を配置するために比較的大きな空間を装置内に確保する必要があることから装置全体が大型化し、省スペース、省コストの要請に反する。特に、基板を処理する処理チャンバー等の処理部内にセンタリング機構を配置する際には、配置スペースに大きな制約を伴う。
【０００９】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板を簡素な構成で、精度良く位置決めすることができる基板位置決め方法、基板位置決め装置および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、基板の水平位置を位置決めする基板位置決め方法および基板位置決め装置であって、上記目的を達成するため、次のように構成している。この発明にかかる基板位置決め方法は、基板回転機構により水平方向に滑動自在に支持された基板の端面のうち基板回転機構の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出して最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動して基板を水平方向に位置決めする動作を位置決め動作としたとき、第１の基板に対して最大偏心部位が押し込まれた位置を基準押し込み位置として設定する第１工程と、第１の基板と異なる第２の基板に対して位置決め動作を実行する第２工程とを備え、第２工程は、第１の基板と第２の基板との基板径の差に応じて基準押し込み位置を補正して補正押し込み位置を求める補正工程と、補正押し込み位置まで最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動する押動工程とを有することを特徴としている。
【００１１】
また、この発明にかかる基板位置決め装置は、基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも基板を所定の回転中心回りに回転させる基板回転機構と、基板の端面のうち基板回転機構の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出する検出手段と、最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動して基板を水平方向に位置決めする位置決め機構と、第１の基板および第２の基板の径データを取得する取得手段と、位置決め機構による基板の位置決め動作において第１の基板に対して最大偏心部位が押し込まれた位置を基準押し込み位置として設定する設定手段と、第１の基板と異なる第２の基板に対して位置決め機構による位置決め動作を実行するに際し、第１の基板と第２の基板との基板径の差に応じて基準押し込み位置を補正して補正押し込み位置を求め、該補正押し込み位置まで最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動する補正手段とを備えたことを特徴としている。
【００１２】
このように構成された発明（基板位置決め方法および装置）では、基板回転機構により水平方向に滑動自在に支持された基板の端面のうち基板回転機構の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出して、最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動して基板を水平方向に位置決めする動作（位置決め動作）を実行することで、基板回転機構の回転中心に対する基板の中心の偏心量を所定の目標精度内となるように基板を位置決めしている。このように、基板を基板回転機構により滑動自在に支持した状態で一方向に（基板回転機構の回転中心に向けて）押動することで位置決めしているので、基板の外径を両側から挟み込むようなセンタリング機構等の大がかりな機構を必要とせず、簡素な構成で、基板を位置決めすることができる。
【００１３】
さらに、本発明によれば基板径を利用して基板の位置決めを実行しているので、基板径のばらつきにかかわらず、精度良く基板を位置決めすることができる。すなわち、基板径が一定であれば、押し込み位置を定位置（基板回転機構の回転中心から押し込み位置までの距離が一定）として、最大偏心部位が該押し込み位置に一致するまで基板を押動することにより、基板回転機構の回転中心に対する基板の中心の偏心量を所定の目標精度内とすることも可能である。しかしながら、基板径は必ずしも一律ではなく、公差範囲内でばらついて個体差を有しているのが実情である。このため、押し込み位置を定位置とした場合には、各基板ごとに正確に位置決めすることができなくなってしまう。
【００１４】
そこで、本発明では、第１の基板を用いて、次のようにして第１の基板と異なる第２の基板の位置決めを行っている。すなわち、第１の基板に対して最大偏心部位が押し込まれ基板が位置決めされた位置を基準押し込み位置として設定する。そして、第１の基板の径と第２の基板の基板径との差に応じて基準押し込み位置を補正して補正押し込み位置を求めた後、第２の基板の上記位置決め動作を実行する際に補正押し込み位置まで最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動することで第２の基板を位置決めしている。このため、第１の基板と第２の基板の基板径が互いに異なる場合であっても、第１の基板の径と第２の基板の径との差に応じて押し込み位置が適宜設定されることにより、基板回転機構の回転中心に対する第２の基板の中心の偏心量を所定の目標精度内に正確に位置決めすることができる。つまり、基板（第２の基板）の径の個体差にかかわらず、基板を精度良く位置決めすることができる。
【００１５】
しかも、本発明によれば、基板回転機構の回転中心に対する第１の基板の中心の偏心量を所定の目標精度内に位置決めできる状態として、第１の基板の径と第２の基板の径との相対差に基づいて第２の基板の位置決めを実行している。このため、各基板ごとに直接に位置決めする場合に比べて、位置決め動作にかかわる構成部材に対して絶対的な位置精度が要求されることがなく、基板の位置決めを容易としながらも位置決め精度を向上させることができる。具体的には、例えば位置決め動作にかかわる絶対的な押し込み位置（絶対位置）に誤差が含まれる場合であっても、本発明によれば、第１の基板の径と第２の基板の径との相対差のみによって位置決め精度が決定されるため、このような誤差は位置決め精度に影響することがなく、簡易かつ高精度に位置決めを行うことができる。
【００１６】
なお、第１および第２の基板は共に所定の処理が施される被処理基板としてもよいし、第２の基板を被処理基板として、第１の基板は較正用基板として被処理基板とは別に専用に用意するようにしてもよい。
【００１７】
ここで、第１の基板と第２の基板の基板径との差の半分に相当する距離だけ基準押し込み位置から変更した位置を補正押し込み位置として設定することにより、基板回転機構の回転中心に対する第２の基板の中心の偏心量を、基板回転機構の回転中心に対する第１の基板の中心の偏心量と同じようにして、所定の目標精度内に正確に位置決めすることができる。このため、基板（第２の基板）の径の個体差にかかわらず、基板を精度良く位置決めすることができる。
【００１８】
また、第１および第２の基板の径データを取得する場合には、次のようにして基板の径データを取得することができる。例えば、ロットに付与されたロットＩＤに基板の径データが含まれる場合には、ロットＩＤから基板の径データを取得するようにしてもよい。通常、同一ロットに含まれる基板の特性は基板径も含めて同一とみなすことができる。また、半導体デバイス等の製造工程においては、通常、ロットに付与されたロットＩＤを管理した状態で行われることから、ロットＩＤが有するデータに基板の径データを入れておくことで、簡便にロットに含まれる基板の径データを取得することができる。このとき、第２の基板を被処理基板とする場合には、第２の基板から構成されるロットに付与されたロットＩＤから第２の基板の径データを取得すればよい。その一方で、第１および第２の基板を被処理基板とする場合には、第１の基板を含むロットに付与されたロットＩＤから第１の基板の径データを取得するとともに、第２の基板を含むロットに付与されたロットＩＤから第２の基板の径データを取得すればよい。なお、このようなロットＩＤは、外部から装置への通信により入手したり、オペレータから装置への入力により入手することができる。
【００１９】
また、基板の径データは、基板端面までの距離を測定することで最大偏心部位を検出するセンサから得られる情報をもとに取得するようにしてもよい。この構成によれば、最大偏心部位を検出すると同時に基板の径データを直接に取得することができる。すなわち、センサと基板の端面との間の距離と基板径とは比例関係にあることから、これらの関係を予め定義付けておくことにより、センサと基板端面との間の距離から基板径を一義的に求めることができる。このとき、第２の基板を被処理基板とする場合には、センサと第２の基板の端面との間の距離から第２の基板の径データを取得すればよい。その一方で、第１および第２の基板を被処理基板とする場合には、センサと第１の基板の端面との間の距離から第１の基板の径データを取得するとともに、センサと第２の基板の端面との間の距離から第２の基板の径データを取得すればよい。
【００２０】
ここで、基板回転機構は、回転中心回りに回転自在に設けられた回転部材と、該回転部材を回転させる回転手段と、回転部材から上方に向けて突設され、基板の下面に当接して該基板を水平方向に滑動自在に支持しながらも基板の下面との間で発生する摩擦力で基板を回転部材に保持可能な支持手段とを備えるように構成すると、基板は支持手段により回転部材から離間した状態で保持されるので、基板が回転部材に当接して支持された場合に生じる基板の下面の損傷や汚染を避けることができる。
【００２１】
また、位置決め機構は、基板と当接可能な当接部位を有し、該当接部位を基板の端面に当接させて基板を水平方向に押圧可能な押圧部材と、押し込み位置と基板から離間した離間位置との間で押圧部材を移動させる駆動手段とを備え、駆動手段は押圧部材を離間位置から押し込み位置に移動させることで、押し込み位置まで最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に基板を押動するようにしてもよい。このような構成によれば、基板回転機構に滑動自在に支持された基板は、その最大偏心部位が押し込み位置に一致するまで押圧部材により押動されることにより、基板の中心が基板回転機構の回転中心から所定の目標範囲内に位置決めされる。このため、簡素な構成で精度良く位置決めすることができる。
【００２２】
また、押圧部材の形状は任意であり、基板の円周方向に沿って基板端面と当接部位とが線接触するように押圧部材を構成してもよいし、基板端面と当接部位とが点接触するように押圧部材を構成してもよい。但し、後者のように構成することで、基板との接触面積をより小さくして基板と当接する位置を制御することが容易となる。基板端面と当接部位とが点接触する形態としては、例えば押圧部材の横断面形状を基板との当接点を中心として基板端面から離れるように曲率を有する形状、例えば円弧としてもよい。
【００２３】
また、基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、第２の基板を被処理基板とする場合には、上記した基板位置決め装置と同一構成を有する位置決めユニットと、該位置決めユニットにより位置決めされた第２の基板に対して処理を施す処理ユニットとを備えるようにすればよい。その一方で、第１および第２の基板を被処理基板とする場合には、上記した基板位置決め装置と同一構成を有する位置決めユニットと、該位置決めユニットにより位置決めされた第１および第２の基板に対して処理を施す処理ユニットとを備えるようにすればよい。このような基板処理装置によれば、従来装置にあるようなセンタリング機構等の大がかりな機構を必要とせず、簡素な構成で基板を精度良く位置決めしながらも、装置全体をコンパクトに構成することができる。
【発明の効果】
【００２４】
この発明によれば、基板回転機構により水平方向に滑動自在に支持された基板の端面のうち基板回転機構の回転中心から最も離れた最大偏心部位を検出して、最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動して基板を水平方向に位置決め（位置決め動作を実行）しているので、簡素な構成で、基板を位置決めすることができる。さらに、第１の基板に対して最大偏心部位が押し込まれた位置を基準押し込み位置として設定している。そして、第１の基板と異なる第２の基板に対して位置決め動作を実行する際に、第１の基板と第２の基板との基板径の差に応じて基準押し込み位置を補正して補正押し込み位置を求めた後、補正押し込み位置まで第２の基板の最大偏心部位を基板回転機構の回転中心に向けて水平方向に押動している。このため、基板（第２の基板）の径の個体差にかかわらず、基板を精度良く位置決めすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の円形基板Ｗからメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去する装置である。具体的には、その表面Ｗｆ（デバイス形成面）に薄膜が形成された基板Ｗの周縁部ＴＲに対して化学薬品または有機溶剤等の薬液や純水またはＤＩＷ等のリンス液（以下「処理液」という）を供給することで該表面周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Ｗｂに処理液を供給して裏面Ｗｂ全体を洗浄する装置である。
【００２６】
この基板処理装置は、基板Ｗをその表面Ｗｆを上方に向けた状態で水平に保持して回転させるスピンチャック１（基板回転機構）と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液（薬液やリンス液）を供給する下面処理ノズル１５と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面に対向配置される遮断板５と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲに処理液を供給する周縁処理ノズル３を備えている。さらに、この基板処理装置には、基板Ｗの水平方向の位置を位置決めするための位置決めユニット４０が本発明の「基板位置決め装置」として配設されている。
【００２７】
スピンチャック１は、中空の回転支柱１１がモータを含むチャック回転駆動機構１２の回転軸に連結されており、チャック回転駆動機構１２の駆動により鉛直方向に伸びる回転軸Ｊ回りに所定の回転速度で回転可能となっている。この回転支柱１１の上端部には、スピンベース１３が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット４からの動作指令に応じてチャック回転駆動機構１２を駆動させることによりスピンベース１３が回転軸Ｊ回りに回転する。このように、この実施形態では、チャック回転駆動機構１２が本発明の「回転手段」に、スピンベース１３が本発明の「回転部材」に相当している。
【００２８】
チャック回転駆動機構１２にはロータリーエンコーダ等の回転位置（回転角度）検出計が内蔵されており、スピンベース１３の所定の基準位置からの回転位置を検出して制御ユニット４に送出する。また、制御ユニット４は回転位置検出計から送出された信号に基づいてチャック回転駆動機構１２を駆動させてスピンベース１３を所望の回転位置に位置決めすることが可能となっている。
【００２９】
制御ユニット４は、コンピュータによって構成されており、その本体部であって演算処理を行うＣＰＵ４ａと、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく記憶部４ｂと、基板処理装置の外部に設けられているホストコンピュータ等と通信を行う通信部４ｃを備えている。ＣＰＵ４ａは、基板Ｗに対する処理条件を規定するレシピのほか、被処理対象となる基板Ｗの径データ等を含む各種データを基板処理装置の操作パネル６からオペレータによって設定入力されることで記憶部４ｂに格納する。また、ＣＰＵ４ａは、基板処理装置外のホストコンピュータから通信部４ｃを介してレシピ、基板Ｗの径データ等を含む各種データを記憶部４ｂに格納するようにしてもよい。そして、ＣＰＵ４ａは、記憶部４ｂからレシピ、基板Ｗの径データ等の各種データを読み出して装置各部を制御する。
【００３０】
制御ユニット４のＣＰＵ４ａは、例えば次のようにして基板Ｗの径データを取得する。基板Ｗが半導体ウエハの場合、当該ウエハ自体に付与されたウエハＩＤ、あるいは当該ウエハを含むロットに付与されたロットＩＤに基板Ｗの径データが含まれていれば、ＣＰＵ４ａはこれらのＩＤを記憶部４ｂに格納するとともに、必要に応じて読み出すことで基板Ｗの径データを取得することができる。
【００３１】
中空の回転支柱１１には、処理液供給管１４が挿通されており、その上端に下面処理ノズル１５が結合されている。処理液供給管１４は薬液供給ユニット１６およびリンス液供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液が選択的に供給される。このように、この実施形態では、基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）を洗浄するために裏面Ｗｂに処理液を供給する、処理液供給管１４および下面処理ノズル１５が本発明の「処理ユニット」として機能する。
【００３２】
また、回転支柱１１の内壁面と処理液供給管１４の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路１９を形成している。このガス供給路１９はガス供給ユニット１８（ガス供給部）と接続されており、基板Ｗの下面とスピンベース１３の対向面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット１８から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。
【００３３】
図３はスピンベース１３を上方から見た平面図である。スピンベース１３には、その中心部に開口が設けられるとともに、その周縁部付近には複数個（この実施形態では１２個）の第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と、複数個（この実施形態では１２個）の第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が鉛直方向に昇降自在に設けられている。第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２は、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１３から上方に向けて突出して設けられるとともに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、円周方向に沿って各第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２の間に位置するように、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１３から上方に向けて突出して設けられている。つまり、第１および第２支持ピンからなる一対の支持ピンが円周方向に沿って回転中心Ａ０を中心として放射状に１２対、スピンベース１３の周縁部に上方に向けて設けられている。
【００３４】
第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２および第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の各々は、基板裏面Ｗｂと当接することによって、スピンベース１３から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って１つ置きに配置された１２個の第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２は、第１支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板Ｗの裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る１２個の第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、第２支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板Ｗの裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。なお、基板Ｗを水平に支持するためには、各支持ピン群が有する支持ピンの個数は少なくとも３個以上であればよいが、各支持ピン群が有する支持ピンの個数を１２個とすることにより安定して基板Ｗを支持することができる。このように、基板Ｗをスピンベース１３から離間させることにより、基板Ｗがスピンベース１３に当接して支持された場合に生じる基板下面（裏面Ｗｂ）の損傷や汚染を避けることができる。
【００３５】
また、第１支持ピン群を構成する第１支持ピンの個数と第２支持ピン群を構成する第２支持ピンの個数とを同数としていることから、第１支持ピン群と第２支持ピン群との間で基板Ｗの支持状態の切り換え（基板の支持／支持の解除）を行う際にも、基板の支持状態の安定性を損なうことなく切り換えを実行することができる。
【００３６】
図４および図５は、スピンチャック１に関連する構成を説明するための断面図（図１０のＡ−Ａ’線断面）である。図４は、支持ピンが上昇した状態を示し、図５は、支持ピンが下降した状態を示す。また、図６は、スピンベース１３内に備えられた動作伝達機構の構成を説明するための平面図である。図４および図５では、第１支持ピンが連動して昇降する様子のみが図示されているが、第２支持ピンも第１支持ピンと同様に連動して昇降可能となっている。
【００３７】
スピンチャック１には、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を連動して昇降動作させるための第１動作伝達機構ＦＴ１と、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を連動して昇降動作させるための第２動作伝達機構ＦＴ２とが設けられている。第１動作伝達機構ＦＴ１は、図６（ａ）に示すように、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２をそれぞれ作動させるための１２個の上下アーム７１と、これらの上下アーム７１を連動して昇降させるための第１上下リング７２とを備えている。上下アーム７１の各々は、回転中心Ａ０を中心として互いに等角度（３０°）間隔で放射状に径方向に伸びるようにして、第１上下リング７２にネジなどの締結部品によって連結されており、各上下アーム７１の先端部には、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２が立設される。同様に、第２動作伝達機構ＦＴ２は、図６（ｂ）に示すように、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２をそれぞれ作動させるための１２個の上下アーム７３と、これらの上下アーム７３を連動して昇降させるための第２上下リング７４とを備えている。上下アーム７３の各々は、回転中心Ａ０を中心として互いに等角度（３０°）間隔で放射状に径方向に伸びるようにして、第２上下リング７４にネジなどの締結部品によって連結されており、各上下アーム７３の先端部には、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が立設される。
【００３８】
第１上下リング７２および第２上下リング７４は、スピンベース１３の回転中心Ａ０に対して同心に配置されたほぼ円環状の部材であり、第２上下リング７４は、その中央に設けられた開口部７４ａを大きくすることより、開口部７４ａに第１上下リング７２の一部を包囲しながら、第１上下リング７２の上方に配置されている（図４および図５）。これらの第１および第２上下リング７２，７４は、スピンベース１３の回転軸Ｊ（鉛直軸）に沿って昇降可能となっており、第１上下リング７２を昇降させることによって、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を一体的に昇降させることができ、第２上下リング７４を昇降させることによって、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を一体的に昇降させることができる。
【００３９】
スピンベース１３は、上板１３１と下板１３２とをボルトで固定して構成されており、上板１３１の周縁部には、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２および第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を昇降自在に配設するために貫通孔１３１ａが形成されている。また、上板１３１と下板１３２との間に第１および第２動作伝達機構ＦＴ１，ＦＴ２を収容する収容空間が形成されている。上板１３１および下板１３２の中央部には、スピンベース１３を貫通する貫通孔１３３が形成されている。この貫通孔１３３を通り、さらに、スピンチャック１の回転支柱１１を挿通するように、処理液供給管１４が配置されている。この処理液供給管１４の上端には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面中央に対向する下面処理ノズル１５が固定されている。
【００４０】
図７は、スピンベース１３を背面から見たときの平面図である。第１および第２上下リング７２，７４はそれぞれ、第１および第２上下リング７２，７４を昇降させるための第１および第２連動リング７５、７６と係合している。第１および第２連動リング７５、７６は、回転中心Ａ０に対して同心に配置された円環状の部材であり、第２連動リング７６は、第１連動リング７５よりも外側に配置されている。第１および第２連動リング７５、７６はそれぞれ、スピンベース１３の下板１３２に形成された貫通孔１３４，１３５を介して下板１３２に対して上下方向に伸びるように形成され、それらの上方端が第１および第２上下リング７２、７４と係合している。これらの第１および第２連動リング７５、７６は、スピンベース１３の回転軸Ｊに沿って昇降可能となっており、第１連動リング７５を昇降させることによって、第１上下リング７２を介して第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を昇降させることができ、第２連動リング７６を昇降させることによって、第２上下リング７４を介して第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を昇降させることができる。
【００４１】
次に、図８および図９を用いて第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の構成について説明する。図８は、第１支持ピンの構成を示す図である。なお、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの第１支持ピンの構成について説明する。第１支持ピンＦ１は、上下アーム７１の上に立設された可動本体部材１０１と、可動本体部材１０１上に設けられ基板Ｗの下面周縁部と当接して基板Ｗを支持可能に構成された支持部材１０２と、可動本体部材１０１を取り囲むようにスピンベース１３の上板１３１に嵌挿されたベローズ１０３と、ベローズ１０３の上方に取り付けられ、その上面に支持部材１０２を載置可能に構成されたリング部材１０５とを備えている。
【００４２】
可動本体部材１０１の頂部には支持部材１０２を装着可能なネジ孔１０１ａが形成されており、ネジ孔１０１ａに支持部材１０２を嵌挿させることで可動本体部材１０１上に支持部材１０２を立設する。支持部材１０２は、ネジ形状の部材であり、上部のネジ頭部（ネジ山）が支持部位１０２ａとして基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持可能に構成されるとともに、下部のネジ部が可動本体部材１０１のネジ孔１０１ａと螺合可能に構成されている。ベローズ１０３の上端部１０３ａは、可動本体部材１０１の頂部（ネジ孔１０１ａの周縁部）を覆うようにして可動本体部材１０１と係合することにより、可動本体部材１０１を保護するとともに、貫通孔１３１ａからスピンベース１３内部に液が侵入するのを防止している。ベローズ１０３は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）より形成され、薬液等により基板Ｗを処理する際に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム等から形成される可動本体部材１０１を保護する。また、スピンベース１３の上板１３１とベローズ１０３の端部材との間には、シール部材２０１が配設され、スピンベース１３の内部空間を外部雰囲気から遮断している。
【００４３】
リング部材１０５は、支持部材１０２のネジ部の径に合わせて開口した円環状の部材であり、ベローズ１０３の上端部１０３ａの上に載置され、支持部材１０２が可動本体部材１０１のネジ孔１０１ａにねじ込まれることで固定される。支持部材１０２のネジ部とリング部材１０５との間にはシール部材１０４が配置され、支持部材１０２とリング部材１０５との間から可動本体部材１０１のネジ孔１０１ａに液が侵入するのを防止している。支持部材１０２およびリング部材１０５は、耐薬性を考慮して、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）で形成されるのが好ましい。一方、耐薬性を考慮する必要がない場合には、ゴム系材質で形成するようにしてもよい。
【００４４】
第１支持ピンＦ１の下方には、圧縮コイルばね２０２をその伸縮方向を鉛直方向に沿って配置するとともに収容したばねケース２０３がスピンベース１３の下板１３２に設置されている。これにより、第１支持ピンＦ１は、上下アーム７１を介して上方に向かって付勢されており、その結果として、図４に示すように、第１支持ピンＦ１は、支持部位１０２ａが、基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持する支持位置ＰＳに位置決めされる。なお、このような第１支持ピンＦ１の高さ位置は、スピンベース１３内部に固定配置されたストッパー２０４が可動本体部材１０１の下端のフランジ部１０１ｂに係合することによって第１支持ピンＦ１の上限位置が規定される。一方、図５に示すように、後述するようにして第１支持ピンＦ１が下降された場合には、ばねケース２０３の上端面２０３ａがストッパーの役割を果たし、上下アーム７１の下方端がばねケース２０３の上端面２０３ａに係合することによって第１支持ピンＦ１の下限位置が規定される。
【００４５】
図９は、第２支持ピンの構成を示す図である。第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２とは、基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持可能に構成されている点において共通する。その一方で、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、支持部位１０２ａに支持された基板Ｗが水平方向に移動した際に、当該移動を規制することが可能となっている点で相違する。そのため、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２については、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との相違点についてのみ説明することとし、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と同一の構成については、同一符号を付して説明を省略する。なお、各第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２はいずれも同一構成を有している。
【００４６】
第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、ベローズ１０３（上端部１０３ａ）と支持部材１０２との間に介装されるリング部材１０６が、基板Ｗの端面に当接可能に仕上げられている。つまり、リング部材１０６は、支持部材１０２に対して基板Ｗの周縁側に配置された規制部位１０６ａを有し、規制部位１０６ａによって基板Ｗが水平方向に移動した際に、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗの水平方向の移動を規制することが可能となっている。そして、このような規制部位１０６ａが第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の各々に設けられることで、支持部位１０２ａに支持された基板Ｗが水平方向においてどのように移動したとしても基板Ｗの端面が規制部位１０６ａに当接して、基板Ｗの径方向外側への飛び出しを防止することが可能となっている。
【００４７】
各第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の規制部位１０６ａは、支持部位１０２ａに支持された基板Ｗの端面と対向しながら該基板端面から所定の間隙を隔てるようにして設けられている。具体的には、各第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の規制部位１０６ａをそれぞれ結んで描かれる仮想円ＶＣ（図３参照）の直径が、基板Ｗの直径に対して若干大きくなるように、規制部位１０６ａが設けられている。したがって、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２により基板Ｗを支持させるためには、後述する基板位置決め処理において、基板Ｗの水平位置を上記した仮想円ＶＣの内側に位置決めしておく必要がある。
【００４８】
また、図９（ｂ）に示すように、規制部位１０６ａの高さは、支持部位１０２ａによって支持された基板Ｗの上面の高さ位置ＷＴよりも低くなるように形成されている。このように構成することで、後述する遮断板５が基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）に対向しながら近接配置される場合であっても、遮断板５と規制部位１０６ａとが接触するのを防止できる。また、基板Ｗに処理液を供給する際に、基板Ｗの径方向外側に流れ基板上から排出される処理液が基板Ｗに向けて跳ね返るのを抑制することができる。
【００４９】
なお、その他の第２支持ピンの構成は第１支持ピンの構成と同様である。ここで、各第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、上下アーム７３の先端部に立設されているが、上下アーム７３が上昇した際に当接するストッパー２０４の高さ位置は、第１支持ピンＦ１の下方に配置されるストッパー２０４の高さ位置と同一である。そのため、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と同一の支持位置ＰＳで基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持可能となっている。
【００５０】
図４および図５に戻って説明を続ける。回転支柱１１はチャック回転駆動機構１２のモータの駆動軸と一体化しており、チャック回転駆動機構１２を貫通して設けられている。チャック回転駆動機構１２を包囲するようにケーシング２１が配置されており、このケーシング２１は、さらに、筒状のカバー部材２２によって包囲されている。カバー部材２２の上端はスピンベース１３の下面近傍にまで及んでおり、その上端付近の内面にはシール機構２３が配置されている。このシール機構２３はスピンベース１３の下面に固定されたシール部材２４に摺接するようになっており、これにより、シール機構２３と回転支柱１１との間には、外部雰囲気から遮断された機構部収容空間ＭＳが形成されている。
【００５１】
また、図１に示すように、カバー部材２２の周囲には、受け部材２５が固定的に取り付けられている。カバー部材２２の外壁面と受け部材２５の内壁面との間の空間は排液槽２６を構成しており、排液槽２６の底部には、回収ドレイン２７に連通接続された排液口２６ａが設けられている。そして、回収ドレイン２７から排液された処理液（薬液およびリンス液）は必要に応じて再利用または廃棄される。
【００５２】
また、排液槽２６の上方には、スピンチャック１及び該スピンチャック１に保持された基板Ｗを包囲するように筒状の飛散防止カップ２８が昇降自在に設けられている。この飛散防止カップ２８は、基板Ｗに供給され該基板から除去された処理液が飛散するのを防止するために設けられており、制御ユニット４からの動作指令に応じてカップ昇降駆動機構２９を駆動させることで回転軸Ｊに沿って昇降する。すなわち、飛散防止カップ２８を上方位置（図１の実線で示す位置）に位置させることでスピンチャック１及び該スピンチャック１に保持された基板Ｗを側方位置から取り囲み、基板Ｗに供給され飛散する処理液を捕集可能となっている。一方で、図示していない搬送手段が未処理の基板Ｗをスピンベース１３上の支持ピンに載置したり、処理済の基板Ｗを支持ピンから受け取る際には、下方位置（図１の破線で示す位置）に駆動される。
【００５３】
図１０は、第１および第２支持ピンを駆動するための駆動機構の構成を説明するための平面図である。機構部収容空間ＭＳ内において、ケーシング２１の上蓋部２１ａ上には、回転支柱１１を取り囲むほぼ円環状のギヤケース６１が取り付けられている。ギヤケース６１上には、図１０の平面図に示すように、第１モータＭ１および第２モータＭ２が、回転支柱１１に対して対称な位置に固定されている。ギヤケース６１の内部には、図４および図５に示されているように、その内壁面の内周側および外周側にそれぞれベアリング６２，６３が圧入されている。ベアリング６２，６３は回転支柱１１に対して同軸に配置されている。内側のベアリング６２の回転側リングには、回転支柱１１を包囲するリング状の第１ギヤ６４が固定されており、外側のベアリング６３の回転側リングには回転支柱１１を包囲するリング状の第２ギヤ６５が固定されている。したがって、ギヤケース６１内において、第１ギヤ６４および第２ギヤ６５は回転支柱１１に対して同軸的に回転可能であり、第２ギヤ６５は第１ギヤ６４よりも外側に位置している。第１ギヤ６４は、外周側にギヤ歯を有し、第２ギヤ６５は、内周側にギヤ歯を有している。
【００５４】
第１モータＭ１の駆動軸に固定されたピニオン６６は、第１ギヤ６４と第２ギヤ６５との間に入り込み、内側に配置された第１ギヤ６４に噛合している。同様に、図１０に示されているとおり、第２モータＭ２の駆動軸に固定されたピニオン６７は、第１ギヤ６４と第２ギヤ６５との間に位置し、外側に配置された第２ギヤ６５に噛合している。ギヤケース６１上にはさらに、モータＭ１，Ｍ２を回避した位置に、一対の第１ボールねじ機構８１が回転支柱１１を挟んで対向する位置（すなわち、回転支柱１１の側方）に配置されている。さらに、ギヤケース６１上には、モータＭ１，Ｍ２および第１ボールねじ機構８１を回避した位置に、他の一対の第２ボールねじ機構８２が、回転支柱１１を挟んで対向するように位置（すなわち、回転支柱１１の側方）に配置されている。
【００５５】
第１ボールねじ機構８１は、図４および図５に示されているように、回転支柱１１と平行に配置されたねじ軸８３と、このねじ軸８３に螺合するボールナット８４とを備えている。ねじ軸８３は、ギヤケース６１の上蓋部に軸受け部８５を介して取り付けられており、その下端は、ギヤケース６１の内部に及んでいる。このねじ軸８３の下端には、ギヤ８６が固定されており、このギヤ８６は第１ギヤ６４と第２ギヤ６５との間に入り込み、内側に配置された第１ギヤ６４に噛合している。
【００５６】
一方、ボールナット８４には第１非回転側可動部材８８が取り付けられている。この第１非回転側可動部材８８は、回転支柱１１を取り囲む環状の部材であって、その内周面には、回転支柱１１を取り囲むように設けられた第１ベアリング７７の非回転側リング７７ｆが固定されている。第１ベアリング７７の回転側リング７７ｒは非回転側リング７７ｆよりも回転支柱１１に対して内方側に配置されている。この回転側リング７７ｒは、回転支柱１１を取り囲む環状の第１回転側可動部材８９の外周面側に固定されている。第１回転側可動部材８９は、回転支柱１１の外周面に突出して設けられた案内レール９０に係合している。この案内レール９０は、回転支柱１１に平行な方向に沿って形成されており、これにより、第１回転側可動部材８９は、回転支柱１１に沿う方向に案内されて移動可能な状態で、回転支柱１１に結合されている。
【００５７】
第１モータＭ１を駆動してピニオン６６を回転させると、この回転は第１ギヤ６４に伝達される。これによって、第１ギヤ６４に噛合しているギヤ８６が回転して、第１ボールねじ機構８１のねじ軸８３が回転する。これによって、ボールナット８４およびこれに結合された第１非回転側可動部材８８が回転支柱１１に沿って昇降することになる。回転支柱１１とともに回転することになる第１回転側可動部材８９は、第１ベアリング７７を介して第１非回転側可動部材８８に結合されているから、この第１非回転側可動部材８８の昇降により、回転支柱１１の回転中であっても、案内レール９０に沿って昇降されることになる。
【００５８】
第１ボールねじ機構８１によって昇降されるリング状の第１非回転側可動部材８８の外方には、別のリング状の第２非回転側可動部材９１が配置されている。第２ボールねじ機構８２は、上記第１ボールねじ機構８１と同様な構成を有しているが、そのねじ軸の下端に設けられたギヤは、ギヤケース６１内の第１ギヤ６４と第２ギヤ６５との間において、第２ギヤ６５に内側から噛合している。したがって、同じく第２ギヤ６５に噛合しているピニオン６７を第２モータＭ２によって駆動すれば、第２ボールねじ機構８２のボールナット（図示せず）が昇降することになる。このボールナットが、第２非回転側可動部材９１に結合されている。
【００５９】
第２非回転側可動部材９１の外周面には、回転支柱１１を取り囲むように設けられた第２ベアリング７８の非回転側リング７８ｆが固定されている。この第２ベアリング７８の回転側リング７８ｒは、回転支柱１１を取り囲むリング状の第２回転側可動部材９２の内周面に固定されている。第２回転側可動部材９２の上面には、回転伝達ピン９３が回転支柱１１に沿う鉛直方向に２本、回転支柱１１を挟んで回転支柱１１を中心として略対称な位置に挿入されている（図７）。回転伝達ピン９３は、スピンベース１３の上板１３１および下板１３２を貫通するようにしてスピンベース１３に固定されており、その下端が第２回転側可動部材９２を昇降自在にしながら第２回転側可動部材９２と係合している。そして、第２ボールねじ機構８２のボールナットとともに第２非回転側可動部材９１が昇降するとき、第２ベアリング７８を介して結合された第２回転側可動部材９２も同時に昇降する。第２回転側可動部材９２は昇降可能な状態で回転伝達ピン９３を介してスピンベース１３に結合されているからスピンベース１３とともに（すなわち回転支柱１１とともに）回転されるが、この回転中であっても、第２ボールねじ機構８２からの駆動力を得て、昇降が可能である。
【００６０】
第１回転側可動部材８９には、その上方側に鉛直方向に伸びて第１連動リング７５と係合する上下駆動ピン８９１が４本設けられている。具体的には、第１連動リング７５には、図７に示すように、上下駆動ピン８９１の各々に対応して上下駆動ピン８９１に係合可能な切欠部７５１が形成されており、各切欠部７５１に上下駆動ピン８９１が挿入されている。そして、図５に示すように、第１回転側可動部材８９が下降されることで、上下駆動ピン８９１の肩部８９１ａが第１連動リング７５に係合して、つまり４本の上下駆動ピン８９１が第１連動リング７５を下方に引き下げるようにして、第１連動リング７５を降下させる。これにより、上下アーム７１の下方に配置された圧縮コイルばね２０２の付勢力に抗して、第１連動リング７５に係合する第１上下リング７２および第１上下リング７２に連結された上下アーム７１を一体的に降下させて上下アーム７１の各々に立設された第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を降下させることができる。
【００６１】
さらに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の降下動作についても、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２の降下動作とほぼ同様である。すなわち、第２連動リング７６には、第２回転側可動部材９２が有する上下駆動ピン（図示せず）の各々に対応して上下駆動ピンに係合可能な挿入孔７６１が形成されており、各挿入孔７６１に上下駆動ピンが挿入される。そして、第２回転側可動部材９２が下降することで、上下駆動ピンが第２連動リング７６に係合して、第２連動リング７６を降下させる。これにより、上下アーム７３の下方に配置された圧縮コイルばね２０２の付勢力に抗して、第２連動リング７６に係合する第２上下リング７４および第２上下リング７４に連結された上下アーム７３を一体的に降下させて上下アーム７３の各々に立設された第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を降下させることができる。
【００６２】
したがって、制御ユニット４の動作指令に応じて第１および第２モータＭ１、Ｍ２を回転駆動させることで、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群と、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群とを同時に、または独立して昇降させることが可能となっている。これにより、次に示す３種類の態様で基板Ｗを支持することができる。すなわち、第１および第２モータＭ１、Ｍ２を駆動させない状態では、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２の全ての支持ピンが支持位置ＰＳに位置して基板Ｗを第１支持ピン群と第２支持ピン群とで支持することができる。また、第１モータＭ１を駆動させることで第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を降下させて該第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を基板Ｗの下面から離間させ、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２のみにより基板Ｗを支持することができる。その一方で、第２モータＭ２を駆動させることで第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を降下させて該第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を基板Ｗの下面から離間させ、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２のみにより基板Ｗを支持することができる。
【００６３】
図１に戻って説明を続ける。スピンチャック１の上方には、スピンベース１３に対向する円盤状の遮断板５が水平に配設されている。この遮断板５は、スピンチャック１の回転支柱１１と同軸上に配置された回転支柱５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支柱５１には、遮断板回転駆動機構５２が連結されており、制御ユニット４からの動作指令に応じて遮断板回転駆動機構５２のモータを駆動させることにより遮断板５を回転軸Ｊ回りに回転させる。制御ユニット４は、遮断板回転駆動機構５２のモータをチャック回転駆動機構１２のモータと同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で遮断板５を回転駆動させることができる。
【００６４】
また、遮断板５は、遮断板昇降駆動機構５３と接続され、遮断板昇降駆動機構５３の昇降駆動用アクチェータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、遮断板５をスピンベース１３に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット４は遮断板昇降駆動機構５３を作動させることで、基板処理装置に対して基板Ｗを搬入出、あるいは後述する位置決めユニット４０により基板Ｗの位置決めを行う際には、スピンチャック１の上方の退避位置に遮断板５を上昇させる。その一方で、基板Ｗをスピンベース１３から所定距離だけ上方に離間した基板処理位置（支持位置ＰＳに位置決めされた支持ピンにより支持された基板Ｗの高さ位置）で該基板に対して処理を施す際には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された所定の対向位置（図１に示す位置）まで遮断板５を下降させる。これにより、遮断板５の下面（対向面５０１）と基板表面Ｗｆとが近接した状態で離間して対向配置される。
【００６５】
遮断板５の中心の開口および回転支軸５１の中空部は、ガス供給路５４を形成している。このガス供給路５４はガス供給ユニット１８と接続されており、基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）と遮断板５の対向面５０１との間に形成される空間ＳＰに窒素ガスを供給することができる。
【００６６】
図１１は遮断板５の底面図である。遮断板５は、その下面（底面）が基板Ｗの上面（表面Ｗｆ）と略平行に対向する対向面５０１となっており、その平面サイズは基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されている。このため遮断板５が対向位置に配置されると基板Ｗの表面全体を覆って基板表面Ｗｆ上の雰囲気を外部雰囲気から遮断することが可能となっている。また、遮断板５の周縁部には遮断板５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通する、略円筒状の内部空間を有する貫通孔５０２が形成されており、後述する周縁処理ノズル３が挿入可能となっている。この貫通孔５０２はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面周縁部ＴＲに対向する位置に形成されているため、周縁処理ノズル３を貫通孔５０２に挿入させることで周縁処理ノズル３を表面周縁部ＴＲに対向して配置させることができる。
【００６７】
また、対向面５０１には複数のガス噴出口５０６が開口している。複数のガス噴出口５０６はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面中央部の非処理領域ＮＴＲに対向する位置に、回転中心Ａ０を中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス噴出口５０６は、遮断板５の内部のガス流通空間５０５に連通しており、ガス流通空間５０５に窒素ガスが供給されると、ガス噴出口５０６を介して窒素ガスが空間ＳＰに供給される。なお、ガス噴出口は複数の開口に限らず、単一の開口、例えば、回転中心Ａ０を中心として全周にわたってリング状に開口したものであってもよい。但し、複数のガス噴出口とした方が、ガス噴出圧の均一性を得る点で有利である。
【００６８】
そして、この空間ＳＰに窒素ガスが供給されることで空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗをその下面に当接する支持ピン（第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２および／または第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２）に押圧させることができる。これによって、支持ピンに押圧された基板Ｗは、チャック回転駆動機構１２がスピンベース１３を回転させることで基板Ｗの下面と支持ピンとの間に発生する摩擦力によって支持ピンに支持されながらスピンベース１３とともに回転する。なお、供給された窒素ガスは空間ＳＰを基板Ｗの中心付近から径方向外側へと流れていく。
【００６９】
したがって、制御ユニット４が、ガス供給ユニット１８を制御して空間ＳＰに窒素ガスを供給しながら、第１および第２モータＭ１、Ｍ２を回転駆動させることにより、次の３種類の保持モードで基板Ｗを保持可能としながら、該３種類の保持モードの間で保持モードを選択的に切り換えることができる。すなわち、制御ユニット４は、
(1)第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を下降させて第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２（第１支持ピン群）で基板Ｗを支持しながら、空間ＳＰに供給される窒素ガスによって基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に向けて押圧してスピンベース１３に保持させる第１保持モード、
(2)第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を下降させて第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２（第２支持ピン群）で基板Ｗを支持しながら、空間ＳＰに供給される窒素ガスによって基板Ｗを第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２に向けて押圧してスピンベース１３に保持させる第２保持モード、
(3)第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２（第１および第２支持ピン群）で基板Ｗを支持しながら、空間ＳＰに供給される窒素ガスによって基板Ｗを第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２に向けて押圧してスピンベース１３に保持させる第３保持モード
とに保持モードを選択的に切り換え可能となっている。
【００７０】
次に、周縁処理ノズル３について説明する。周縁処理ノズル３は、ノズルアーム３１の一方端に固着されている。ノズルアーム３１の他方端はアーム軸３２により軸支され、アーム軸３２が回動することで周縁処理ノズル３がアーム軸３２を中心として所定の角度範囲で揺動可能となっている。また、アーム軸３２には、ノズルアーム３１と該ノズルアーム３１に固着された周縁処理ノズル３とを一体的に駆動させるノズル移動機構３３が連結されている。このノズル移動機構３３は、周縁処理ノズル３とノズルアーム３１とを揺動させるモータ等の揺動駆動源３３１と、周縁処理ノズル３とノズルアーム３１とを上下方向に昇降させるシリンダ等の昇降駆動源３３２とを備えている。これらの構成により、周縁処理ノズル３を、揺動駆動源３３１により基板表面Ｗｆに平行に水平移動させるとともに、昇降駆動源３３２により上下移動させることが可能となっている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じてノズル移動機構３３が駆動されることで、周縁処理ノズル３を遮断板５の貫通孔５０２に挿入させて表面周縁部ＴＲに処理液を供給可能な処理位置Ｐ１（図１の実線で示す位置）と、周縁処理ノズル３を表面周縁部ＴＲから離間した離間位置Ｐ２（図１の破線で示す位置）とに移動させることができる。
【００７１】
周縁処理ノズル３はノズル後端部においてチューブ等を介して薬液供給ユニット１６およびリンス液供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液が供給される。このため、例えば制御ユニット４からの動作指令に応じて薬液供給ユニット１６から薬液が圧送されると、周縁処理ノズル３の吐出口から薬液が吐出され、表面周縁部ＴＲに供給されるとともに、基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。したがって、薬液の供給位置よりも基板内周側の非処理領域ＮＴＲには薬液は供給されず、その結果、基板表面Ｗｆの周縁部は基板Ｗの端面から内側に向かって一定の幅（周縁エッチング幅）で薄膜がエッチング除去される。また、制御ユニット４からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット１７からリンス液が圧送されると、周縁処理ノズル３の吐出口からリンス液が吐出され、表面周縁部ＴＲに供給されるとともに、基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。このように、この実施形態では、基板Ｗの表面周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去するために該表面周縁部ＴＲに処理液を供給する、周縁処理ノズル３および該周縁処理ノズル３を駆動するノズル移動機構３３等が本発明の「処理ユニット」として機能する。
【００７２】
また、遮断板５の貫通孔５０２の内壁には、ガス導入部５０４が開口されており、ガス導入部５０４から貫通孔５０２の内部空間に窒素ガスを供給することが可能となっている。ガス導入部５０４は遮断板５の内部に形成されたガス流通空間５０５を介してガス供給ユニット１８に連通している。したがって、制御ユニット４からの動作指令に応じてガス供給ユニット１８から窒素ガスが圧送されると、貫通孔５０２の内部空間に窒素ガスが供給され、周縁処理ノズル３が離間位置Ｐ２（図１の破線で示す位置）に移動された状態、すなわち、周縁処理ノズル３が貫通孔５０２に挿入されていない状態では、貫通孔５０２の上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。
【００７３】
周縁処理ノズル３が処理位置Ｐ１に位置決めされた際に、周縁処理ノズル３の段差面と貫通孔５０２の内壁の当接面とが当接することにより基板Ｗ側へのガス流路が塞がれ、窒素ガスが当接部分を越えて貫通孔５０２から基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰに噴出するのが防止される。なお、ガス導入部５０４を介して貫通孔５０２に導入された窒素ガスは貫通孔５０２の上方、つまり基板Ｗの反対側の開口から排出される。
【００７４】
次に、図１２および図１３を用いて、本発明の「基板位置決め装置」として基板処理装置内に装備された位置決めユニット４０について説明する。基板Ｗの端面から内側に向かってエッチング除去される幅（周縁エッチング幅）を正確にコントロールするためには、スピンベース１３の回転中心Ａ０と基板Ｗの中心Ｗ０とを一致させることが重要となっている。基板中心Ｗ０とスピンベース１３の回転中心とが位置ずれ（偏心）していると、周縁エッチング幅を均一にして処理することができなくなるからである。ここで、例えば基板Ｗの周縁を挟持するチャックピン等の挟持部材を３個以上設けた場合には、各挟持部材が基板Ｗの端面に当接して基板Ｗを保持することで、スピンベース１３等の回転部材の回転中心と基板中心とを所定の範囲に位置決めすることが可能である。その一方で、本発明のように挟持部材がない状態では、基板Ｗが装置内に搬入され支持ピンに載置された後、スピンベース１３の回転中心Ａ０に対する基板中心Ｗ０の偏心量（スピンベース１３の回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０との間の距離）を測定するとともに、基板Ｗが偏心している場合には基板Ｗの水平位置を補正する必要がある。そこで、位置決めユニット４０により、次のようにしてスピンベース１３の回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０とを一致させている。
【００７５】
図１２は、位置決めユニットの構成を示す図である。位置決めユニット４０は、スピンチャック１と、スピンチャック１の側方に配設され、基板Ｗを回転中心Ａ０に向けて水平方向に押動して基板Ｗを水平方向に位置決め可能な位置決め機構４００を備える。この位置決め機構４００は、支持ピンに滑動自在に支持された基板Ｗの端面に当接して該基板Ｗを水平方向に押圧する押圧ブロック４１と、押圧ブロック４１を支持するロッド４２と、該ロッド４２に接続され、押圧ブロック４１をスピンベース１３の回転中心Ａ０を通る線上（スピンベース１３の径方向）に沿って水平方向に移動させるブロック移動機構４３と、基板Ｗの周縁に配置されて該基板Ｗの端面位置を検出するセンサ４４とを有している。
【００７６】
ここで、上記したように、基板Ｗは第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２により支持可能に構成されており、基板Ｗの位置決めを行う際には、制御ユニット４は、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を基板Ｗの下面から離間させて第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２のみにより、又は逆に第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を基板Ｗの下面から離間させて第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２のみにより、あるいは第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２及び第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２により基板Ｗを支持させる。このように、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群が、本発明の「支持手段」として機能する。ここで、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は規制部位１０６ａを有しているが、その位置は基板Ｗの端面より離れているので位置決め作用を有しておらず、「支持手段」として用いてもよいが、以下の実施形態では第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持させる形態について説明する。
【００７７】
押圧ブロック４１は円筒形状をなしており、その上面にロッド４２が固着されている。そのため、ブロック移動機構４３がロッド４２を水平方向に駆動させることで、押圧ブロック４１の側面４１ａを基板Ｗの端面に当接させつつ基板Ｗを水平方向に押動することが可能となっている。具体的には、押圧ブロック４１の側面４１ａ（本発明の「当接部位」に相当）が、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に滑動自在に支持された基板Ｗに当接しつつ押圧することで、基板裏面Ｗｂ（下面）と第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との間に発生する摩擦力よりも大きな力を作用させて基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２上で滑動させて押圧方向に基板Ｗを移動させることが可能となっている。このように、この実施形態では、押圧ブロック４１が本発明の「押圧部材」として機能している。
【００７８】
押圧ブロック４１の横断面形状は円形であり、押圧ブロック４１が基板Ｗと当接する際に側面４１ａと基板Ｗの端面とが点接触するように構成されている。このように基板Ｗと当接可能に押圧ブロック４１を構成することで、基板Ｗとの接触面積を小さくして基板Ｗと当接する位置を制御することが容易となる。
【００７９】
また、ロッド４２とセンサ４４とは、図示省略するブラケット等の取付け具を介して連結されている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じてブロック移動機構４３が作動することで、１つの駆動系で押圧ブロック４１とセンサ４４とが一体的に駆動するように構成されている。
【００８０】
図１３は、図１２の位置決めユニットの動作を説明するための図である。ブロック移動機構４３は、ロッド４２（およびセンサ４４）を駆動させることで、押圧ブロック４１の側面４１ａを押し込み位置Ｐ１１（図１３の破線位置）と、基板Ｗから側方に離間した離間位置Ｐ１２（図１３の実線位置）との間で移動可能に構成されている。具体的には、ブロック移動機構４３は、押圧ブロック４１を離間位置Ｐ１２から押し込み位置Ｐ１１まで移動させることで、押圧ブロック４１の側面４１ａと基板Ｗの端面とを当接させながら回転中心Ａ０に向けて水平方向に基板Ｗを押動可能となっている。このように、この実施形態では、ブロック移動機構４３が本発明の「駆動手段」として機能している。
【００８１】
センサ４４は、基板Ｗの側方に配置され、スピンベース１３を回転させることでスピンベース１３上に支持された基板Ｗの端面位置を検知することでセンサ４４から基板Ｗの端面までの距離を検出する。ここで、センサ４４とスピンベース１３の回転中心Ａ０との間の相対距離は一定であるので、基板中心Ｗ０がスピンベース１３の回転中心Ａ０から偏心している場合には、センサ４４から基板Ｗの端面までの距離が基板Ｗの回転に伴って変動する。このため、基板Ｗを回転させながらセンサ４４が基板Ｗの端面までの距離を検出することで、回転中心Ａ０から最も離れた端面（以下「最大偏心部位」という）を知ることができる。
【００８２】
なお、センサ４４には例えば投光部と受光部とを備え、反射光の位置から三角測量法により距離を測定する光学式距離センサ、あるいは測定対象物との間の容量を検出することにより距離（または距離の変位量）を測定する静電容量式の近接覚センサなどを用いることができる。このように、この実施形態では、センサ４４が本発明の「検出手段」として機能している。
【００８３】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図１４ないし図２３を参照しつつ詳述する。図１４は、図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この基板処理装置では、基板Ｗの表面Ｗfにメタル層などの薄膜ＴＦが形成された基板Ｗを薄膜形成面を上方に向けた状態で搬入させ、基板Ｗの水平位置を位置決めする位置決め処理を実行した後、位置決めされた基板Ｗに対して本発明の「所定の処理」としてベベルエッチング処理および裏面洗浄処理を実行する。
【００８４】
制御ユニット４は、基板位置決め処理に先立って飛散防止カップ２８を下方位置（図１の破線で示す位置）に位置させて、スピンチャック１を飛散防止カップ２８の上方から突出させるとともに、遮断板５をスピンチャック１の上方の退避位置に位置させて、遮断板５とスピンチャック１との間隔を広げる。また、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持させるように、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を降下させておく。これにより、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２に設けられた規制部位１０６ａがセンサ４４と基板端面との間を遮ったり、押圧ブロック４１を基板端面に当接させて押し込む際に、規制部位１０６ａと接触するのを回避することができる。そして、制御ユニット４は図１５のフローチャートに示す一連の基板位置決め処理を実行する（ステップＳ１）。なお、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群による基板Ｗの支持の場合であっても、センサ４４による検出の際に規制部位１０６ａの検出値を特定することでサンプリングから除去したり、サンプリング周期で規制部位１０６ａ位置を飛ばすことで同様の処理を行うことができる。
【００８５】
図１５は基板位置決め処理を示すフローチャートである。先ず、制御ユニット４は、被処理基板Ｗの搬入に先立って、装置のキャリブレーションが必要か否かを判断する（ステップＳ１０１）。具体的には、基板径が明らかな基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２上に支持させた状態で後述する位置決め動作を実行する際に、最大偏心部位を所定の押し込み位置に押し込んだとき回転中心Ａ０に対する基板中心Ｗ０の偏心量が所定の目標精度内の位置決め位置になるような状態になっているか否かにより、キャリブレーションの要否を判断する。例えば装置の電源投入時、あるいは所定枚数以上の基板処理が実行されたときに、キャリブレーションを実行させるようにしてもよい。そして、制御ユニット４は、キャリブレーションが必要であると判断した場合（ステップＳ１０１でＹＥＳ）には、図１６に示すキャリブレーション処理を実行する（ステップＳ１０２）。
【００８６】
図１６は図１５のキャリブレーション処理を示すフローチャートである。先ず、制御ユニット４は、ベベルエッチング処理および裏面洗浄処理が施される被処理基板Ｗ２（本発明の「第２の基板」に相当）とは別に、較正用基板Ｗ１（本発明の「第１の基板」に相当）を搬送手段（図示せず）により装置内に搬入し、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に支持させる（ステップＳ５０１）。このとき、基板Ｗとの干渉を避けるため押圧ブロック４１を離間位置Ｐ１２に退避させた状態とする。なお、このような較正用基板Ｗ１は、例えば図１７に示すように、被処理基板Ｗ２が収容されるカセット（図示せず）とは別に設けられた較正用基板収容部７から位置決めユニット４０に向けて搬入出することができる。
【００８７】
続いて、基板Ｗ１の径データを取得する（ステップＳ５０２；取得工程）。具体的には、本発明の「取得手段」として機能する制御ユニット４のＣＰＵ４ａが記憶部４ｂに格納されている基板Ｗ１の径データを読み込む。そして、押圧ブロック４１の押し込み位置Ｐ１１をデフォルトで設定する（ステップＳ５０３）。例えば、制御ユニット４は、回転中心Ａ０から水平方向に基板Ｗ１の半径だけ離れた位置を押し込み位置Ｐ１１として初期設定する。次に、制御ユニット４は、基板Ｗ１に対して位置決め動作を実行する。
【００８８】
図１８は、基板の位置決め動作を説明するための図である。先ず、センサ４４による基板Ｗ１の端面までの距離の検出（サンプリング）を開始する。サンプリング周期としては、例えば０．１ｓｅｃに設定する。そして、センサ４４による検出動作を実行した状態で、制御ユニット４はチャック回転駆動機構１２を作動させて基板Ｗ１を低速（例えば１２ｒｐｍ）で回転方向Ａに回転させる。このとき、基板Ｗ１は裏面Ｗｂと第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との間に発生する摩擦力で第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に保持されながら回転中心Ａ０回りに回転する。ここで、スピンベース１３の回転位置はチャック回転駆動機構１２に内蔵された回転位置検出計により検出され、制御ユニット４に送出される。その結果、基板Ｗの周方向位置と基板Ｗ１の端面までの距離について基板Ｗ１の全周を計測することで、図１９に示すような計測結果を得ることができる。
【００８９】
図１９はセンサによる検出結果を示すグラフである。具体的には基板Ｗ１を略一周回転させた際に得られる、基板Ｗの周方向位置に対するセンサ４４から基板端面までの距離を示すグラフである。図１９に示すように、回転中心Ａ０と基板中心Ｗ０とがずれている（偏心している）場合には、センサ４４から基板Ｗ１の端面までの距離が変化して、当該距離が最小となる極小点ＰＡと当該距離が最大となる極大点ＰＢとが検出される。また、得られた波形は基本的にサインカーブに近似することができるが、そのサインカーブから極端に基板端面までの距離が外れた位置が現れ、当該位置がノッチＮＴの位置として検出される。
【００９０】
ここで、図１８（ａ）に示すように、極小点ＰＡは回転中心Ａ０から最も離れた端面（最大偏心部位）、すなわち回転中心Ａ０から基板中心Ｗ０の方向（偏心方向）に伸びる仮想線ＰＬ１を想定した場合に該仮想線ＰＬ１と基板Ｗの外径とが交わる位置に相当する。そして、制御ユニット４は、回転位置検出計から送出される信号とセンサ４４からの検出信号に基づいて円周方向における最大偏心部位ＰＡ（回転方向の位置）を検出する（ステップＳ５０４）。なお、極小点ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離は、基板Ｗ１の偏心量（基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０との間の距離）の２倍に相当する。
【００９１】
次に、制御ユニット４は最大偏心部位ＰＡが押圧ブロック４１と対向する対向位置（図１８（ｂ）の実線で示す基板Ｗの位置）に位置するように基板Ｗ１を回転させる（ステップＳ５０５）。このとき、制御ユニット４は、最大偏心部位ＰＡにノッチＮＴが位置する場合には、ノッチＮＴの幅に相当する長さだけ回転方向Ａに基板Ｗを回転させて基板Ｗの端面位置を変更することが望ましい。これにより、次ステップ（ステップＳ５０６）において、ノッチＮＴの影響による位置ずれを回避することができる。
【００９２】
続いて、ブロック移動機構４３の作動により押圧ブロック４１を駆動させて最大偏心部位ＰＡをステップＳ５０２にてデフォルトで設定された押し込み位置Ｐ１１まで回転中心Ａ０に向けて水平方向に移動させる。このとき基板Ｗ１は第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に滑動自在に支持されているので、押圧ブロック４１が基板Ｗ１の下面と第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との間に発生する摩擦力よりも大きな力で基板Ｗ１を押圧することで、基板Ｗ１が押圧ブロック４１に当接しつつ第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２上を水平方向に滑動する。その結果、最大偏心部位ＰＡがデフォルトで設定された押し込み位置Ｐ１１まで押動される（ステップＳ５０６）。その後、制御ユニット４はブロック移動機構４３を駆動させて押圧ブロック４１（およびセンサ４４）を離間位置Ｐ１２に退避させる（ステップＳ５０７）。このように、この実施形態では、ステップＳ５０４からステップＳ５０７に対応する動作が、本発明の「位置決め動作」に相当している。
【００９３】
その後、回転中心Ａ０に対する基板中心Ｗ０の偏心量（基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０との間の距離）を測定する（ステップＳ５０８）。具体的には、ステップＳ５０２と同様な手順により、極小点（最大偏心部位）ＰＡと極大点ＰＢとを検出することにより、偏心量（極小点ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離の半分に相当）を算出する。制御ユニット４は、偏心量が目標精度ＴＡ内となっているかどうかを判断して（ステップＳ５０９）、偏心量が目標精度ＴＡ内にない場合（ステップＳ５０９でＮＯ）には、デフォルトで設定された押し込み位置Ｐ１１を変更する（ステップＳ５１０）。そして、上記したステップＳ５０４からステップＳ５０７に対応する動作（位置決め動作）を再度実行して、偏心量が目標精度ＴＡ内となっているかどうかを確認する。
【００９４】
このように、基板Ｗ１に対して位置決め動作を少なくとも１回以上実行して、偏心量が目標精度ＴＡ内となるように位置決めを行う。その結果、偏心量が目標精度ＴＡ内となった場合（ステップＳ５０９でＹＥＳ）には、制御ユニット４は、最後の位置決め動作において最大偏心部位ＰＡが押し込まれた位置を基準押し込み位置Ｐ１１Ａとして設定して、制御ユニット４の記憶部４ｂに格納する（ステップＳ５１１；第１工程）。こうして、基準押し込み位置Ｐ１１Ａが設定されると、較正用基板Ｗを装置から搬送手段（図示せず）により搬出する（ステップＳ５１２）。これにより、キャリブレーション処理が完了する。つまり、基板Ｗ１に対して位置決め動作を実行させると、偏心量が目標精度ＴＡ内となるように、装置が位置決め可能な状態とされる。このように、この実施形態では、制御ユニット４のＣＰＵ４ａが本発明の「設定手段」として機能する。
【００９５】
続いて、搬送手段（図示せず）が未処理の被処理基板Ｗ（Ｗ２）を装置内に搬入する（ステップＳ１０３）。この装置では、基板Ｗ２の表面Ｗfにメタル層などの薄膜ＴＦが形成された基板Ｗを薄膜形成面を上方に向けた状態で搬入させ、基板Ｗ２に対する位置決め動作を実行する（第２工程）。
【００９６】
その一方で、キャリブレーションが必要でないと判断した場合（ステップＳ１０１でＮＯ）には、キャリブレーション処理を行うことなく、装置に被処理基板Ｗ２を搬入する。つまり、較正用基板Ｗ１に対して基準押し込み位置Ｐ１１Ａが設定されていれば、較正用基板Ｗ１を搬入出させることなく、装置に被処理基板Ｗ２をそのまま搬入して被処理基板Ｗ２に対する位置決め動作を実行する。
【００９７】
制御ユニット４は、位置決め動作に先立って、基板Ｗ２の径データを取得する（ステップＳ１０４；取得工程）。具体的には、制御ユニット４のＣＰＵ４ａが記憶部４ｂに格納されている基板Ｗ２の径データを読み込む。そして、基板を回転させながらセンサ４４による基板Ｗ２の端面までの距離を測定することで、当該距離が最小となる極小点（最大偏心部位）ＰＡと当該距離が最大となる極大点ＰＡを検出する（ステップＳ１０５）。なお、極小点ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離は、回転中心Ａ０に対する基板中心Ｗ０の偏心量（基板中心Ｗ０と回転中心Ａ０との間の距離）の２倍に相当する。
【００９８】
そして、制御ユニット４は、基板Ｗの偏心量に対する位置決め目標精度をＴＡとしたとき、極小点（最大偏心部位）ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離が２×ＴＡの範囲内にあるか否かを判断して（ステップＳ１０６）、目標精度２×ＴＡの範囲内にある場合（ステップＳ１０６でＹＥＳ）には基板Ｗ２の位置決めをすることなく、そのまま処理を終了する。一方、目標精度２×ＴＡの範囲内にない場合（ステップＳ１０６でＮＯ）には基板Ｗの位置決めを実行する。
【００９９】
ここで、基板Ｗ２の位置決めを実行する場合（ステップＳ１０６でＮＯ）、制御ユニット４は最大偏心部位ＰＡが押圧ブロック４１と対向する対向位置に位置するように基板Ｗ２を回転させる（ステップＳ１０７）。そして、制御ユニット４は、基板Ｗ２の基板径がキャリブレーション処理時の基板径と差があるか、つまり基板Ｗ１の基板径と基板Ｗ２の基板径に差があるかどうかを判断する（ステップＳ１０８）。具体的には、制御ユニット４のＣＰＵ４ａは、記憶部４ｂから取得した基板Ｗ１の径データと基板Ｗ２の径データとを比較する。その結果、基板径に差がある場合（ステップＳ１０８でＹＥＳ）には、基板Ｗ１と基板Ｗ２との基板径の差に応じて、次のようにして基準押し込み位置Ｐ１１Ａを補正する。
【０１００】
図２０は、基準押し込み位置の補正動作を説明するための図である。ここでは、基板Ｗ２の径Ｄ２が基板Ｗ１の径Ｄ１よりも大きな場合を例に基準押し込み位置の補正動作について説明する。このように、基板Ｗ２の径Ｄ２が基板Ｗ１の径Ｄ１よりも大きな場合には、基板Ｗ２の位置決めを実行する際に、押圧ブロック４１により基準押し込み位置Ｐ１１Ａまで基板Ｗ２の最大偏心部位ＰＡ（ＰＡ２）を押動すると、図２０（ａ）に示すように、基板Ｗ１の径Ｄ１と基板Ｗ２の径Ｄ２の差に応じて基板Ｗ２が過剰に押し込まれてしまう。その結果、回転中心Ａ０に対する基板Ｗ２の基板中心ＷＯ（ＷＯ２）を所定の目標精度内とすることができなくなる。
【０１０１】
そこで、制御ユニット４は、基板Ｗ１と基板Ｗ２との基板径の差に応じて、基準押し込み位置Ｐ１１Ａを補正する（ステップＳ１０９；補正工程）。具体的には、制御ユニット４のＣＰＵ４ａは、基板Ｗ１の径Ｄ１と基板Ｗ２の径Ｄ２の差の半分に相当する距離ＤＢだけ基準押し込み位置Ｐ１１Ａを補正して補正押し込み位置Ｐ１１Ｂを求める。この例では、基板Ｗ２の径Ｄ２が基板Ｗ１の径Ｄ１よりも大きいことから回転中心Ａ０から離れる方向に距離ＤＢだけ基準押し込み位置Ｐ１１Ａから変更した位置を補正押し込み位置Ｐ１１Ｂに設定する。その一方で、基板Ｗ２の径Ｄ２が基板Ｗ１の径Ｄ１よりも小さい場合には、回転中心Ａ０に向けて距離ＤＢだけ基準押し込み位置Ｐ１１Ａから変更した位置を補正押し込み位置Ｐ１１Ｂに設定する。このように、この実施形態では、制御ユニット４のＣＰＵ４ａが本発明の「補正手段」として機能する。
【０１０２】
続いて、図２０（ｂ）に示すように、制御ユニット４は押圧ブロック４１により、上記のように設定された補正押し込み位置Ｐ１１Ｂまで最大偏心部位ＰＡ２を回転中心Ａ０に向けて水平方向に押動する（ステップＳ１１０；押動工程）。これにより、回転中心Ａ０に対する基板Ｗ２の偏心量を、基板Ｗ１の偏心量と同じようにして、目標精度ＴＡ内に正確に位置決めすることができる。
【０１０３】
その一方で、制御ユニット４は、基板Ｗ１の基板径と基板Ｗ２の基板径に差がないと判断した場合（ステップＳ１０８でＮＯ）には、基準押し込み位置Ｐ１１Ａまで基板Ｗ２の最大偏心部位を回転中心Ａ０に向けて水平方向に押動することで（ステップＳ１１１）、回転中心Ａ０に対する基板Ｗ２の偏心量を、目標精度ＴＡ内に正確に位置決めすることができる。
【０１０４】
基板Ｗ２を位置決めした後、制御ユニット４は押圧ブロック４１を離間位置Ｐ１２に退避させる（ステップＳ１１２）。その後、基板Ｗ２の偏心量を測定する（ステップＳ１１３）。具体的には、ステップＳ１０５と同様な手順により、極小点（最大偏心部位）ＰＡと極大点ＰＢとを検出することにより、基板Ｗ２の偏心量（極小点ＰＡと極大点ＰＢとの間の距離の半分に相当）を算出する。制御ユニット４は、基板Ｗ２の偏心量が目標精度ＴＡ内となっているかどうかを判断して（ステップＳ１１４）、基板Ｗ２の偏心量が目標精度ＴＡ内にある場合（ステップＳ１１４でＹＥＳ）には、続いてベベルエッチング処理および裏面洗浄処理を実行する。その一方で、基板Ｗ２の偏心量が目標精度ＴＡ内にない場合（ステップＳ１１４でＮＯ）には、再度、ステップＳ１１３の偏心量の測定にもとづいてステップＳ１０７に戻り基板Ｗ２の位置決めを実行する。
【０１０５】
こうして、基板位置決め処理が完了すると、制御ユニット４は第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２のみによる基板支持を継続させたまま、飛散防止カップ２８を上方位置（図１の実線で示す位置）に位置させることでスピンベース１３および第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２で支持された基板Ｗを側方位置から取り囲み、後述するベベルエッチング処理および裏面洗浄処理において飛散する処理液を捕集可能な状態とする。そして、装置各部を以下のように制御して基板Ｗ（Ｗ２）に対してベベルエッチング処理および裏面洗浄処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）を実行する（ステップＳ２）。より具体的には、制御ユニット４は、図２１のフローチャートに示す一連の処理を実行する。
【０１０６】
図２１はベベルエッチング処理および裏面洗浄処理の動作を示すフローチャートである。また、図２２は支持ピンの動作を示すタイミングチャートである。さらに、図２３は周縁処理ノズルの動作を示す模式図である。なお、図２２において、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２について、「ＯＮ」とあるのは、支持ピンが基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）に当接して基板Ｗを支持している状態を表す一方で、「ＯＦＦ」とあるのは、支持ピンが降下され基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）から離間している状態を表す。
【０１０７】
制御ユニット４は遮断板５を対向位置まで降下させて、第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に支持された基板Ｗに近接して対向配置させる（ステップＳ２１）。そして、ガス噴出口５０６から窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路５４から基板表面Ｗｆの中央部に向けて窒素ガスを供給する（ステップＳ２２）。つまり、制御ユニット４は保持モードを第１保持モードに設定する。これによって、遮断板５の対向面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２に向けて押圧されスピンベース１３に保持される。また、基板表面Ｗｆは遮断板５の対向面５０１にごく近接した状態で覆われることによって、基板Ｗの周辺の外部雰囲気から確実に遮断される。
【０１０８】
次に、制御ユニット４はノズル移動機構３３を作動させることで周縁処理ノズル３を離間位置Ｐ２から処理位置Ｐ１に移動させる（ステップＳ２３）。具体的には、揺動駆動源３３１の作動により周縁処理ノズル３が水平方向に沿って遮断板５の貫通孔５０２の上方位置に移動するとともに、昇降駆動源３３２の作動により周縁処理ノズル３が降下してノズル先端面が遮断板５の対向面５０１と面一となる位置まで貫通孔５０２に挿入される。このとき、周縁処理ノズル３の外形部分に形成された段差面と、貫通孔５０２の内壁に形成された当接面とが当接して、周縁処理ノズル３が遮断板５（段差部５０３）に基板Ｗに向かって、つまり鉛直方向下向きに押し付けられる。これによって、周縁処理ノズル３が遮断板５に当接固定され、処理位置Ｐ１に安定して位置決めされる。
【０１０９】
それに続いて、制御ユニット４は遮断板５を停止させた状態で、チャック回転駆動機構１２を駆動してスピンベース１３を回転させることにより、基板Ｗを回転させる（ステップＳ２４）。具体的には、制御ユニット４はスピンベース１３を比較的低速（例えば６００ｒｐｍ）の第１回転速度Ｖ１で回転させる。このとき、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２もＯＮとされ第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２に押圧された基板Ｗは第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２と基板Ｗの下面との間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながら、スピンベース１５とともに回転することとなる。このように低速の第１回転速度Ｖ１で回転させているときは、基板Ｗに作用する遠心力は比較的小さいため、基板Ｗを確実に保持することができる。
【０１１０】
基板表面Ｗｆと対向面５０１とで挟まれた空間ＳＰに供給された窒素ガスは、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転軸Ｊを中心として径方向外側に均等に流れ、基板外に排出されていく。ここで、ガス導入部５０４を介して貫通孔５０２にも窒素ガスが流れ込むが、基板Ｗ側への流路は周縁処理ノズル３の段差面と貫通孔５０２の内壁に形成された当接面との当接により塞がれており、貫通孔５０２から窒素ガスが空間ＳＰに入り込むことがなく、貫通孔５０２の内壁と周縁処理ノズル３（ノズル後端側の胴部）の隙間から遮断板５の上方から抜けていく。このため、遮断板５の周縁部に形成された１つの貫通孔５０２から空間ＳＰに回転軸Ｊに対して不均一に窒素ガスが入り込み、回転中心Ａ０を中心として径方向外側に均等に流れていく気流を乱すのを防止することができる。
【０１１１】
この状態で、薬液供給ユニット１６からエッチング処理に適した薬液が周縁処理ノズル３に圧送されて、表面周縁部ＴＲに処理液として薬液が供給される（図２３（ａ））。基板Ｗの径方向外側に向けて吐出された薬液は基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって流れ、基板の端面を伝って流下する。これにより、表面周縁部ＴＲの全体に薬液が供給されて該表面周縁部ＴＲがエッチング処理される。このとき、周縁処理ノズル３は遮断板５の段差部５０３に押し当てられた状態で処理位置Ｐ１に位置決めされているので、遮断板５に対して周縁処理ノズル３が固定され、ノズル位置、特に上下方向（高さ方向）の位置が正確に定まる。このため、基板Ｗの回転に伴う気流や振動等の影響により周縁処理ノズル３からの吐出位置が不安定になるのを防止できる。すなわち、樹脂等の剛性が比較的低い材質で形成されたノズルアーム３１およびこれに固着された小径の周縁処理ノズル３は気流や振動等の影響を受け易いが、これらに比べて物理的（体積および質量、配置条件等）に振動等の影響を受けにくい遮断板５に周縁処理ノズル３が押し付けられることで、吐出位置が変動するのが防止される。
【０１１２】
特に、この実施形態では、薬液を鉛直方向ではなく、基板Ｗの径方向外側に向けて斜めに吐出させているので、基板Ｗと周縁処理ノズル３との間の距離が一定とされることで、周縁エッチング幅ＥＨが変動するのを防止することができる。また、ノズル先端面が対向面５０１よりも上方に位置ずれした際に、周縁処理ノズル３から吐出された薬液が貫通孔５０２の内壁に当たって跳ね返りが発生するのを防止することができる。その結果、表面周縁部ＴＲ以外の非処理領域ＮＴＲがエッチングされてしまうのを回避することができる。
【０１１３】
また、保持モードを第３保持モードに設定して、基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２により支持しているため、基板Ｗの反りが防止される。つまり、第３保持モードで基板Ｗが保持された状態では、基板Ｗの反りが抑えられることから、表面周縁部ＴＲから不要物（薄膜ＴＦ）が一定の周縁エッチング幅ＥＨで全周にわたって均一にエッチング除去される（ステップＳ２５−１）。
【０１１４】
さらに、周縁処理ノズル３は遮断板５の貫通孔５０２に挿入されるため、薬液が飛散して周縁処理ノズル３に向けて跳ね返ってくるような場合でも薬液は遮断板５の対向面５０１に遮られ、周縁処理ノズル３の周囲（側面）に薬液が付着するようなことがない。
【０１１５】
表面周縁部ＴＲに対するエッチング処理が終了すると、リンス液が周縁処理ノズル３に圧送されて、表面周縁部ＴＲにリンス液が供給される。これにより、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに付着している薬液がリンス液によって洗い流される（ステップＳ２５−２）。
【０１１６】
こうして、表面周縁部ＴＲに対するリンス処理が終了すると、制御ユニット４は周縁処理ノズル３へのリンス液の圧送を停止して、周縁処理ノズル３を貫通孔５０２から抜き出して表面周縁部ＴＲから離間した離間位置Ｐ２に移動させる（ステップＳ２６）。このとき、ガス導入部５０４から貫通孔５０２に導入される窒素ガスが遮断板５の上下の開口から貫通孔５０２の上下方向に噴出する（図２３（ｂ））。このため、周縁処理ノズル３が貫通孔５０２から抜き出された状態であっても、処理液が貫通孔５０２に入り込み基板表面Ｗｆに向けて跳ね返るのが抑制される。
【０１１７】
続いて、制御ユニット４は遮断板回転駆動機構５２を制御してスピンベース１３の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に遮断板５を回転させる（ステップＳ２７）。その後、下面処理ノズル１５からスピンベース１３とともに回転される基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、裏面Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される。具体的には、下面処理ノズル１５から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて処理液として薬液とリンス液とが順次供給されることにより、裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分に対してエッチング処理（ステップＳ２８―１）とリンス処理（ステップＳ２８―２）が実行される。このとき、基板Ｗとともに遮断板５を回転させることで、遮断板５に付着する処理液がプロセスに悪影響を及ぼすのを防止するとともに、基板Ｗと遮断板５との間に回転に伴う余分な気流が発生するのを抑制して基板表面Ｗｆへの処理液の巻き込みを防止することができる。
【０１１８】
ここで、制御ユニット４は、裏面Ｗｂに対する洗浄処理が実行される間に、保持モードの切り換えを行う。すなわち、図２２に示すように、裏面Ｗｂに対するエッチング処理にあたって第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を裏面Ｗｂから離間させる（第１保持モードに設定）とともに離間させた第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２をエッチング処理中にタイミングＴ１で上昇させて第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２とで基板Ｗを支持した状態（第３保持モードに設定）に切り換えた後、タイミングＴ２で第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を下降させて第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２のみで基板Ｗを支持した状態（第２保持モードに設定）に切り換える。これにより、第１および第２支持ピンと基板裏面Ｗｂとの当接部分にも薬液を回り込ませて当該部分をエッチング処理することができる。こうして、基板Ｗの裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分のエッチング処理が完了すると、薬液の供給を停止させる。
【０１１９】
その後、タイミングＴ３で第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を上昇させ、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２とで基板Ｗを支持した状態（第３保持モードに設定）に移行させた後、リンス液を下面処理ノズル１５に圧送して裏面Ｗｂに供給する。そして、タイミングＴ４で第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２を下降させて第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２のみで基板Ｗを支持した状態（第１保持モードに設定）に切り換える。続いて、タイミングＴ５で第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２とで基板Ｗを支持した状態（第３保持モードに設定）に移行させた後、タイミングＴ６で第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２を下降させて第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２のみで基板Ｗを支持した状態（第２保持モードに設定）に切り換える。そして、タイミングＴ７で第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２とで基板Ｗを支持した状態（第３保持モードに設定）に最終的に移行させる。こうして、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２と基板裏面Ｗｂとの当接部分にもリンス液を回り込ませながら、基板Ｗの裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分のリンス処理が完了する。
【０１２０】
裏面Ｗｂに対するリンス処理が終了すると、制御ユニット４は基板Ｗの回転を継続したまま下面処理ノズル１５へのリンス液の圧送を停止して、基板Ｗに残留する液体成分を振り切り、基板外に排出する（ステップＳ２９）。
【０１２１】
続いて、制御ユニット４はチャック回転駆動機構１２および遮断板回転駆動機構５２のモータの回転速度を高めて基板Ｗおよび遮断板５を高速回転させる。具体的には、制御ユニット４はスピンベース１３を第１回転速度Ｖ１から該第１回転速度Ｖ１よりも高速の第２回転速度Ｖ２（例えば１５００ｒｐｍ）で回転させる。これにより、基板Ｗの乾燥（スピンドライ処理）が実行される（ステップＳ３０）。また、上記した基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せて、ガス供給路１９からも窒素ガスを供給することで、基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給させる。これにより、基板Ｗの表裏面の乾燥が促進される。
【０１２２】
このとき、回転速度の増大により基板Ｗに作用する遠心力が増大するため、該遠心力により基板Ｗが水平移動する可能性が高まる。しかしながら、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の各々に設けられた規制部位１０６ａが基板Ｗの水平移動を確実に規制することにより、基板Ｗの破損などを未然に防止することができる。また、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２のすべての支持ピンで支持した状態（第３保持モードに設定）となっていることから、基板Ｗの下面を支持する支持ピンの個数が第１および第２保持モードよりも多くなり、基板Ｗの反りを防止するとともに、支持ピンと基板Ｗとの間に発生する摩擦力を高めて、基板Ｗをより確実に保持すること可能となっている。
【０１２３】
こうして、基板Ｗのスピンドライ処理が終了すると、制御ユニット４は遮断板回転駆動機構５２のモータを制御して遮断板５の回転を停止させるとともに（ステップＳ３１）、チャック回転駆動機構１２を制御して基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ３２）。そして、ガス供給路５４およびガス噴出口５０６からの窒素ガスの供給が停止され、基板Ｗの第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２への押圧保持が解除される（ステップＳ３３）。
【０１２４】
その後、制御ユニット４は、遮断板５をスピンチャック１の上方の退避位置に上昇させるとともに、飛散防止カップ２８を下方位置（図１の破線で示す位置）に位置させて、スピンチャック１を飛散防止カップ２８の上方から突出させる。この状態で搬送手段（図示せず）が処理済の基板Ｗを装置から搬出して、１枚の基板Ｗに対するベベルエッチング処理および裏面洗浄処理が終了する（ステップＳ３５）。
【０１２５】
そして、連続して基板Ｗを処理する場合には、別の被処理基板Ｗ（Ｗ２）が、装置内に搬入され、該基板Ｗ２に対して基板位置決め処理が実行される。このとき、新たに基板Ｗ２について取得された基板Ｗ２の径と基板Ｗ１の径との差に応じて基準押し込み位置Ｐ１１Ａが補正され補正押し込み位置Ｐ１１Ｂが設定される。そして、補正押し込み位置Ｐ１１Ｂまで基板Ｗ２を押動することにより、簡易かつ正確に基板Ｗ２が位置決めされる。
【０１２６】
以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗを第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２により滑動自在に支持しながらも基板Ｗの下面と第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２との間に発生する摩擦力により基板Ｗを保持して回転させている。そして、基板Ｗが回転する間にスピンベース１３の回転中心Ａ０から最も離れた基板Ｗの端面（最大偏心部位）ＰＡを検出して、最大偏心部位ＰＡを回転中心Ａ０に向けて水平方向に押動することで、回転中心Ａ０に対する基板中心Ｗ０の偏心量が所定の目標精度内となるように基板Ｗを位置決めしている。このように、基板Ｗを滑動自在に支持した状態で一方向に（回転中心Ａ０に向けて）押動することで位置決めしているので、基板の外径を両側から挟み込むようなセンタリング機構等の大がかりな機構を必要とせず、簡素な構成で、基板を位置決めすることができる。
【０１２７】
さらに、この実施形態によれば、基板径を利用して基板の位置決めを実行しているので、基板径のばらつきにかかわらず、精度良く基板Ｗを位置決めすることができる。すなわち、基板径が一定であれば、押し込み位置Ｐ１１を定位置（回転中心Ａ０から押し込み位置Ｐ１１までの距離が一定）として、最大偏心部位ＰＡが該押し込み位置Ｐ１１に一致するまで基板Ｗを押動することにより、回転中心Ａ０に対する基板中心Ｗ０の偏心量を目標精度ＴＡ内とすることも可能である。しかしながら、基板径は必ずしも一律ではなく、公差範囲内でばらついて個体差を有しており、押し込み位置Ｐ１１を定位置とした場合には、各基板Ｗごとに正確に位置決めすることができなくなってしまう。
【０１２８】
しかしながら、この実施形態によれば、基板Ｗ１を用いて基板Ｗ１と異なる基板Ｗ２の位置決めを次のようにして行うことにより、基板Ｗ２を精度良く位置決めすることができる。すなわち、基板Ｗ１に対して少なくとも１回以上、位置決め動作を実行して回転中心Ａ０に対する基板Ｗ１の中心の偏心量が目標精度ＴＡ内となるように、基板Ｗ１の位置決めを行うとともに、最後の位置決め動作において最大偏心部位ＰＡが押し込まれた位置を基準押し込み位置Ｐ１１Ａとして設定している。そして、基板Ｗ１の径Ｄ１と基板Ｗ２の径Ｄ２の差の半分に相当する距離ＤＢだけ基準押し込み位置Ｐ１１Ａを補正して補正押し込み位置Ｐ１１Ｂを求めた後、基板Ｗ２の位置決め動作を実行する際に補正押し込み位置Ｐ１１Ｂまで最大偏心部位ＰＡ（ＰＡ２）を回転中心Ａ０に向けて水平方向に押動することで基板Ｗ２を位置決めしている。このため、基板Ｗ１と基板Ｗ２の基板径が互いに異なる場合であっても、基板Ｗ１の径Ｄ１と基板Ｗ２の径Ｄ２との差に応じて押し込み位置Ｐ１１が適宜設定されることにより、基板Ｗ２偏心量を目標精度ＴＡ内に正確に位置決めすることができる。つまり、基板Ｗ２の径Ｄ２の個体差にかかわらず、基板Ｗ２を精度良く位置決めすることができる。
【０１２９】
しかも、この実施形態によれば、基板Ｗ１の偏心量を目標精度ＴＡ内に位置決めできる状態として、基板Ｗ１の径Ｄ１と基板Ｗ２の径Ｄ２との相対差に基づいて基板Ｗ２の位置決めを実行している。このため、基板Ｗ２について各基板ごとに直接に位置決めする場合に比べて、位置決め動作にかかわる構成部材に対して絶対的な位置精度が要求されることがなく、基板Ｗ２の位置決めを容易としながらも位置決め精度を向上させることができる。具体的には、例えば位置決め動作にかかわる絶対的な押し込み位置（絶対位置）に誤差が含まれる場合であっても、基板Ｗ１の径Ｄ１と基板Ｗ２の径Ｄ２との相対差のみによって位置決め精度が決定されるため、このような誤差は位置決め精度に影響することがなく、簡易かつ高精度に位置決めを行うことができる。その結果、基板Ｗ２の径Ｄ２が公差範囲内でばらつくような場合であっても、基板Ｗ２の個体差にかかわらず、周縁エッチング幅ＥＨを均一にして処理することができる。さらに、このように基板Ｗ２を位置決めすることで、基板Ｗ２の位置決めに要する時間を短縮して、装置のスループットを向上させることができる。
【０１３０】
＜第２実施形態＞
上記第１実施形態では、ベベルエッチング処理および裏面洗浄処理が施される被処理基板Ｗ２とは別に、較正用基板Ｗ１を用いてキャリブレーション処理（ステップＳ１０２）を実行した後に、被処理基板Ｗ２を搬入して該基板Ｗ２に対して位置決めを実行している。しかしながら、較正用専用に基板Ｗを用意することなく、被処理基板Ｗの位置決めを行うことも可能である。そこで、この実施形態では、本発明の「第１の基板」に相当する基板Ｗ１および本発明の「第２の基板」に相当する基板Ｗ２を共に被処理基板Ｗとして次のようにして、被処理基板Ｗの位置決めを実行している。なお、その他の構成および動作は第１実施形態のそれらと同一であり、以下においては相違点を中心に説明する。
【０１３１】
図２４は、本発明の第２実施形態にかかる基板位置決め処理を示すフローチャートである。被処理基板Ｗ（Ｗ１またはＷ２）が装置内に搬入されると（ステップＳ２０１）、該基板Ｗの径データを取得する（ステップＳ２０２）。そして、制御ユニット４は、第１実施形態と同様にしてキャリブレーションが必要か否かを判断して（ステップＳ２０３）、キャリブレーションが必要であると判断した場合（ステップＳ２０３でＹＥＳ）には、被処理基板Ｗに対して図２５に示すキャリブレーション処理を実行する（ステップＳ２０４）。
【０１３２】
図２５は、図２４のキャリブレーション処理を示すフローチャートである。先ず、押圧ブロック４１の押し込み位置Ｐ１１をデフォルトで設定する（ステップＳ６０１）。続いて、基板Ｗに対して位置決め動作を少なくとも１回以上実行して、偏心量が目標精度ＴＡ内となるように位置決めを行う（ステップＳ６０２〜Ｓ６０８）。その結果、偏心量が目標精度ＴＡ内となった場合（ステップＳ６０７でＹＥＳ）には、最後の位置決め動作において最大偏心部位ＰＡが押し込まれた位置を基準押し込み位置Ｐ１１Ａとして設定する（第１工程）。なお、これらステップＳ６０１からステップＳ６０９の動作は、第１実施形態におけるステップＳ５０３からステップＳ５１１の動作（図１６）と同様である。そして、このように位置決めされた基板Ｗに対して、続いてベベルエッチング処理および裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ２）。このように、この実施形態では、第１工程が実行される被処理基板Ｗが、本発明の「第１の基板」（Ｗ１）に相当する。
【０１３３】
その一方で、キャリブレーションが必要でないと判断された場合（ステップＳ２０３でＮＯ）には、被処理基板Ｗに対して位置決め動作を実行する。すなわち、位置決め対象となる基板径がキャリブレーション処理時の基板径と差があるか、つまり位置決め対象となる基板径と基板Ｗ１の基板径に差があるかどうかが判断され（ステップＳ２０８）、基板径に差がある場合（ステップＳ２０８でＹＥＳ）には、位置決め対象となる基板と基板Ｗ１との基板径の差に応じて、補正押し込み位置Ｐ１１Ｂが設定される。そして、補正押し込み位置Ｐ１１Ｂまで最大偏心部位ＰＡ（ＰＡ２）が回転中心Ａ０に向けて水平方向に押動されることで（ステップＳ２１０）、基板Ｗ２が位置決めされる（第２工程）。こうして、基板Ｗ２の偏心量が所定の目標精度内に位置決めされると、該基板Ｗ２に対してベベルエッチング処理および裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ２）。なお、これらステップＳ２０５からステップＳ２１４の動作は、第１実施形態におけるステップＳ１０５からステップＳ１１４の動作（図１５）と同様である。このように、この実施形態では、第２工程が実行される被処理基板Ｗが、本発明の「第２の基板」（Ｗ２）に相当する。
【０１３４】
以上のように、この第２実施形態によれば、基板Ｗ２の位置決め動作を実行する際に、基板Ｗ１から設定された基準押し込み位置Ｐ１１Ａを基板Ｗ１と基板Ｗ２の基板径の差に応じて補正した補正押し込み位置Ｐ１１Ｂまで、最大偏心部位ＰＡ（ＰＡ２）を回転中心Ａ０に向けて水平方向に押動することで基板Ｗ２を位置決めしている。このため、第１実施形態と同様な作用効果を得ることができる。
【０１３５】
さらに、この第２実施形態では、被処理基板Ｗとは別に較正用基板Ｗを新たに用意する必要はないことから、較正用基板Ｗを収容する較正用基板収容部７等が不要となり、装置をより簡素に構成することができる。
【０１３６】
＜第３実施形態＞
上記第１および第２実施形態では、基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）ごとに径データを取得していたが、同一径を有する複数枚の基板Ｗを一単位とし、各単位ごとに基板位置決め処理を切り換えてもよい。というのも、基板処理プロセスでは、ほぼ同一径を有する基板Ｗを複数枚まとめて「ロット」という一単位で種々の基板処理装置の間に搬送し、各基板処理装置がロットを構成する各基板Ｗに対して同一の処理を施すからである。また、そのロットを特定するための識別コードとして「ロットＩＤ」が設けられており、該ロットＩＤを参照することで基板Ｗの径データを容易に、しかも正確に取得することができる。そこで、各ロットごとに基板位置決め処理を切り換えることができる。例えば、あるロット（以下「先行ロット」という）に対してベベルエッチング処理などを実行する際に基準押し込み位置が未設定であるという状況下で、先行ロットの各基板Ｗに対して基板位置決め処理、ベベルエッチング処理および裏面洗浄処理を実行するのに続いて、別のロット（以下「後続ロット」という）の基板Ｗについても基板位置決め処理、ベベルエッチング処理および裏面洗浄処理を実行する場合、以下に説明するように、ロットごとに基板位置決め処理を切り換えるのが望ましい。
【０１３７】
まず、先行ロットから最初の基板（先頭基板）Ｗを図１の基板処理装置に搬送して一連の処理を実行する際には、基板搬入後にロットＩＤから基板Ｗの径データを取得する。そして、この時点では基準押し込み位置が未設定であることから、第２実施形態のキャリブレーション処理（ステップＳ２０４）と同様の処理を行って該先頭基板Ｗの位置決めを行うとともに、基準押し込み位置Ｐ１１Ａを設定する。その後でベベルエッチング処理および裏面洗浄処理を実行する。なお、先行ロット中の２枚目以降の基板Ｗについては、上記のようにして設定された基準押し込み位置Ｐ１１Ａに基づき位置決め動作を実行することができ、１回の位置決め動作により基板Ｗを正確に位置決めすることができる。そして、その位置決めに続いてベベルエッチング処理および裏面洗浄処理を実行することができる。
【０１３８】
一方、後続ロットに切り替わる際には、押し込み位置を補正する必要がある。というのも、ロットが異なることにより基板径が先行ロットの基板径と相違することがあるからである。そこで、後続ロットを構成する基板Ｗに対して一連の処理を実行する際には、先行ロットと異なる基板位置決め処理を行うことができる。すなわち、後続ロットから最初の基板（先頭基板）Ｗを図１の基板処理装置に搬送して一連の処理を実行する際には、基板搬入後にロットＩＤから基板Ｗの径データを取得する。そして、この時点では上記のようにして基準押し込み位置Ｐ１１Ａが既に設定されていることから、キャリブレーション処理（ステップＳ２０４）を行わず、第２実施形態のステップＳ２０５〜Ｓ２１４と同様の位置決め動作を行って基板Ｗを位置決めすることができる。このように１回の位置決め動作により基板Ｗを正確に位置決めすることができる。そして、その位置決めに続いてベベルエッチング処理および裏面洗浄処理を実行することができる。なお、後続ロット中の２枚目以降の基板Ｗについては、先頭基板Ｗと同様の位置決め動作を行ったり、あるいは先頭基板Ｗの位置決め動作中に得られる補正押し込み位置Ｐ１１Ｂに基づき位置決め動作を行うことができる。これらいずれの位置決め動作を行うにしても、１回の位置決め動作により基板Ｗを正確に位置決めすることができる。
【０１３９】
このように、この第３実施形態では、先行ロットの先頭基板Ｗが本発明の「第１の基板」に該当し、後続ロットの基板Ｗが本発明の「第２の基板」に該当しており、先行ロットと後続ロットとで基板径がばらついたとしても、第２実施形態と同様に、精度良く基板Ｗを位置決めすることができる。また、同一ロットに含まれる基板Ｗについては押圧ブロック４１を同一の押し込み位置に移動させていることができ、基板径の差を検討することなく、制御ステップを簡素化することができる。さらに、ロットに含まれる被処理基板Ｗを本発明の「第２の基板」として、ロットＩＤから被処理基板Ｗの径データを取得するとともに、較正用基板Ｗを本発明の「第１の基板」として、図１５に示す基板位置決め処理を実行するようにしてもよい。
【０１４０】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、ウエハＩＤやロットＩＤを基板処理装置の操作パネル６からオペレータによって設定入力されることで記憶部４ｂに格納したり、基板処理装置外のホストコンピュータから通信部４ｃを介して記憶部４ｂに格納することで、ＣＰＵ４ａがこれらＩＤに含まれる基板Ｗの径データを取得するようにしているが、これに限定されない。例えば、センサ４４と基板Ｗの端面との間の距離から基板Ｗの径データを取得するようにしてもよい（第４実施形態）。
【０１４１】
図２６は、本発明の第４実施形態にかかる基板位置決め処理を示すフローチャートである。例えば第２実施形態では、ステップＳ２０２（図２４）で被処理基板Ｗ（Ｗ２）の径データを取得していたが、図２６に示すように、最大偏心部位ＰＡの検出と同時に基板径を直接に取得するようにしてもよい（ステップＳ２０５Ａ）。
【０１４２】
図２７は、基板径の算出を説明するための図である。図２７（ａ）で、センサ４４と基板Ｗの端面との間の距離ｘと基板径ｙとは比例関係にあることから、これらの関係をセンサ４４のセットアップ時に予め定義づけておけば、距離ｘから基板径ｙを一義的に算出することができる。例えば、距離ｘがＬ（ｍｍ）のとき基板径ｙがＤ（ｍｍ）となるように設定しておけば、距離ｘがＬ−０．０５（ｍｍ）のとき基板径ｙがＤ＋０．１（ｍｍ）となる。なお、図２７（ｂ）に示すように、距離Ｌは基板Ｗの回転中心Ａ０からの偏心により基板Ｗの回転に伴って変動するが、基板Ｗを１回転させたとき（１周期分）の距離ｘの平均値を求めることにより、該距離ｘ（平均値）と基板径とを関係付けておけばよい。これにより、センサ４４と基板Ｗの端面との間の距離ｘ（平均値）から基板径を求めることができる。また、同様にしてキャリブレーション処理（ステップＳ２０４）においても、センサ４４と基板Ｗの端面との間の距離ｘから基板Ｗの径データを取得するようにしてもよい。
【０１４３】
さらに、第１実施形態においても、ステップＳ１０４（図１５）において被処理基板Ｗ（Ｗ２）の径データを取得する代わりに、ステップＳ１０５において最大偏心部位ＰＡの検出と同時に基板径を直接に取得するようにしてもよい。
【０１４４】
また、上記実施形態では押圧ブロック４１の横断面形状を円形状として、押圧ブロック４１の側面４１ａと基板Ｗの端面とを点接触させているが、押圧ブロック４１の横断面形状はこれに限定されない。すなわち、押圧ブロック４１の横断面形状を、基板Ｗとの当接点を中心として基板端面から離れるように曲率を有する任意の形状とすることができる。また、図２８に示すように、押圧ブロック４１の横断面形状を角型形状として、押圧ブロック４５の側面４５ａをフラットにしてもよい。さらに、押圧ブロック４１の側面４１ａと基板Ｗの端面との接触形態は点接触に限定されず、線接触させるようにしてもよい。但し、線接触させるように構成した場合には、本来的に基板Ｗの端面と当接させる必要があるポイント以外の位置で基板Ｗと押圧ブロック４１とが当接する可能性が高まるため、点接触させるように構成する方が好ましい。
【０１４５】
また、上記実施形態では、基板Ｗに対する所定の処理として基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成されている不要な薄膜ＴＦをエッチング除去するベベルエッチング処理と裏面Ｗｂを洗浄する裏面洗浄処理を実行しているが、ベベルエッチング処理のみ、あるいは裏面洗浄処理のみ実行する基板処理装置にも適用可能である。また、裏面Ｗｂから処理液を供給して表面周縁部ＴＲに回り込ませて該表面周縁部ＴＲを処理する基板処理装置にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
この発明は、半導体ウエハ等の基板の水平位置を位置決めする基板位置決め方法、基板位置決め装置および該基板位置決め装置を備えた基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】本発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。
【図３】スピンベースを上方から見た平面図である。
【図４】スピンチャックに関連する構成を説明するための断面図であって、支持ピンが上昇した状態を示す図である。
【図５】スピンチャックに関連する構成を説明するための断面図であって、支持ピンが下降した状態を示す図である。
【図６】スピンベース内に備えられた動作伝達機構の構成を説明するための平面図である。
【図７】スピンベースを背面から見たときの平面図である。
【図８】第１支持ピンの構成を示す図である。
【図９】第２支持ピンの構成を示す図である。
【図１０】第１および第２支持ピンを駆動するための駆動機構の構成を説明するための平面図である。
【図１１】遮断板の底面図である。
【図１２】位置決めユニットの構成を示す図である。
【図１３】図１２の位置決めユニットの動作を説明するための図である。
【図１４】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１５】基板位置決め処理を示すフローチャートである。
【図１６】図１５のキャリブレーション処理を示すフローチャートである。
【図１７】位置決めユニットと較正用基板収容部のレイアウト図である。
【図１８】基板の位置決め動作を説明するための図である。
【図１９】センサによる検出結果を示すグラフである。
【図２０】基準押し込み位置の補正動作を説明するための図である。
【図２１】ベベルエッチング処理および裏面洗浄処理の動作を示すフローチャートである。
【図２２】支持ピンの動作を示すタイミングチャートである。
【図２３】周縁処理ノズルの動作を示す模式図である。
【図２４】本発明の第２実施形態にかかる基板位置決め処理を示すフローチャートである。
【図２５】図２４のキャリブレーション処理を示すフローチャートである。
【図２６】本発明の第４実施形態にかかる基板位置決め処理を示すフローチャートである。
【図２７】基板径の算出を説明するための図である。
【図２８】押圧ブロックの変形態様を示す図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１…スピンチャック（基板回転機構）
３…周縁処理ノズル（処理ユニット）
４ａ…（制御ユニットの）ＣＰＵ（取得手段、設定手段、補正手段）
１２…チャック回転駆動機構（回転手段）
１３…スピンベース（回転部材）
１４…処理液供給管（処理ユニット）
１５…下面処理ノズル（処理ユニット）
３３…ノズル移動機構（処理ユニット）
４０…位置決めユニット
４１，４５…押圧ブロック（押圧部材）
４１ａ，４５ａ…押圧ブロックの側面（当接部位）
４３…ブロック移動機構（駆動手段）
４４…センサ（検出手段）
４００…位置決め機構
Ｆ１〜Ｆ１２…第１支持ピン群（支持手段）
Ｐ１１Ａ…基準押し込み位置
Ｐ１１Ｂ…補正押し込み位置
Ｐ１２…離間位置
ＰＡ…最大偏心部位
ＴＡ…目標精度
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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