(57)【要約】【課題】ノズル形状を加工したシリコン基板を樹脂によって支持基板に貼り合わせ、ノズル内に充填した貼り合わせ用樹脂を引抜く際に、酸化シリコン膜のバリや樹脂残渣がノズル内に残らないようにしたノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板に、第１のノズル孔と、第２のノズル孔とからなるノズルを形成するノズル基板の製造方法であって、第１のノズル孔及び第２のノズル孔を形成する工程と、樹脂を用いてシリコン基板に支持基板を貼り合わせ、樹脂を凹部の内部に充填する工程と、シリコン基板を薄板化し、薄板化されたシリコン基板から第１のノズル孔を開口させる工程と、第１のノズル孔に充填されている樹脂を除去する工程と、シリコン基板に酸化膜及び撥水膜を形成する工程と、支持基板をシリコン基板から剥離する工程とを有する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に、第１のノズル孔と、前記第１のノズル孔に連通し、前記第１のノズル孔よりも径の大きい第２のノズル孔とからなるノズルとなる凹部を形成するノズル基板の製造方法であって、
前記第１のノズル孔及び前記第２のノズル孔をドライエッチングで形成する工程と、
樹脂を用いて前記シリコン基板の前記第２のノズル孔が形成されている面に支持基板を貼り合わせ、該樹脂を前記凹部の内部に充填する工程と、
前記シリコン基板の前記支持基板が貼り合わせられた面の反対面を薄板化し、薄板化された前記シリコン基板から前記第１のノズル孔を開口させる工程と、
前記第１のノズル孔が開口した部分から前記凹部に充填されている樹脂を除去する工程と、
前記シリコン基板の薄板化された面に酸化膜及び撥水膜を形成する工程と、
前記支持基板を前記シリコン基板から剥離する工程とを有する
ことを特徴とするノズル基板の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン基板と前記支持基板との貼り合わせを真空中で行う
ことを特徴とする請求項１に記載のノズル基板の製造方法。
【請求項３】
樹脂を用いて前記シリコン基板の前記凹部が形成されている面に支持基板を貼り合わせ、該樹脂を前記凹部の内部に充填する工程において、
前記樹脂を前記支持基板にコーティングしてから、前記シリコン基板と前記支持基板とを貼り合わせて該樹脂を前記凹部の内部に充填する
ことを特徴とする請求項１または２に記載のノズル基板の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン基板と前記支持基板との間に、光によって分離する剥離層を形成する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板が、透明材料からなる
ことを特徴とする請求項４に記載のノズル基板の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン基板の前記支持基板が貼り合わせられた面の反対面を薄板化する工程において、
バックグラインダー、ポリッシャー、ＣＭＰのいずれか１つまたはそれらの組み合わせによって前記シリコン基板を研磨加工する
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１のノズル孔が開口した部分から前記凹部に充填されている樹脂を除去する工程において、
前記凹部に充填されている樹脂をＯ2 プラズマ処理により除去する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１のノズル孔が開口した部分から前記凹部に充填されている樹脂を除去する工程において、
前記第１のノズル孔に充填されている樹脂の全部と、
前記第２のノズル孔に充填されている樹脂の一部または全部とを除去する
ことを特徴とする請求項７に記載のノズル基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１のノズル孔及び前記第２のノズル孔をＣ4Ｆ8及びＳＦ6 を用いたドライエッチングで形成する
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板を前記シリコン基板から剥離した後に、前記樹脂を前記シリコン基板から剥がし取る
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項１１】
前記支持基板を前記シリコン基板から剥離する工程において、
前記撥水膜を保護するための部材を前記シリコン基板の薄板化された面に取り付けてから、前記支持基板を前記シリコン基板から剥離する
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項１２】
前記撥水膜を保護するための部材が、テープである
ことを特徴とする請求項１１に記載のノズル基板の製造方法。
【請求項１３】
前記撥水膜を保護するための部材が、マスクである
ことを特徴とする請求項１１に記載のノズル基板の製造方法。
【請求項１４】
前記支持基板を前記シリコン基板から剥離した後に、
前記シリコンの薄板化された面の反対面から前記凹部の内部をプラズマ処理する
ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載のノズル基板の製造方法。
【請求項１５】
前記請求項１〜１４のいずれかに記載のノズル基板の製造方法を用いて液滴吐出ヘッドを製造する
ことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記請求項１５に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して液滴吐出装置を製造する
ことを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インク液滴を吐出するノズル孔を形成したノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法に関し、特にインク液滴の吐出性能が高いノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インクジェット記録装置は、記録時の騒音が極めて小さいこと、高速印字が可能であること、インクの自由が高く安価な普通紙を使用できること等のような多くの利点を有している。そして、記録が必要な時にのみインク液滴を吐出する、いわゆるインク・オン・デマンド方式のインクジェット記録装置が現在主流となってきている。このインク・オン・デマンド方式のインクジェット記録装置は、記録に不要なインク液滴の回収を必要としないようになっている。
【０００３】
このインク・オン・デマンド方式のインクジェットヘッド記録装置のインク液滴を吐出させる方法には、駆動手段に静電気力を利用したものや、圧電振動子を利用したもの、発熱素子を利用したもの等がある。その中でも、特に駆動手段に静電気力を利用してインク液滴を吐出させる方式のインクジェットヘッド記録装置は、チップサイズの小型高密度化、印字性能の高品質化及び長寿命化できるということに優れている。
【０００４】
駆動手段に静電気力を利用してインク液滴を吐出させる方式のインクジェットヘッド記録装置内に搭載されているインクジェットヘッドは、インクノズルの先端部からインク液滴を吐出させるようになっている。したがって、ノズルプレートに設けられているノズル孔部でのインク液滴の流路抵抗を調整し、最適なノズル長さになるようにノズルプレートの厚みを調整することが望ましい。
【０００５】
そのようなものとして、たとえば、「シリコン単結晶基板にエッチングを施して、ノズルを形成する噴射装置のノズル形成方法において、前記シリコン単結晶基板の表面にレジスト膜を形成し、前記ノズルの後端側に対応する部分の前記レジスト膜を取り除くことにより第１の開口パターンを形成し、前記ノズルの先端側に対応する部分の前記レジスト膜を取り除くことにより、前記第１の開口パターンより小さな第２の開口パターンを形成し、前記第１、第２の開口パターンによって露出された前記シリコン単結晶基板表面の露出部分に対して異方性ドライエッチングを施して、後端側から先端側に向けて階段状に断面が小さくなったノズルを形成する」ことを特徴とする噴射装置のノズル形成方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００６】
この噴射装置のノズル形成方法は、シリコン単結晶基板の接合面側からＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）放電を用いた異方性ドライエッチングにより内径の異なる第１ノズル孔と第２ノズル孔とを２段に形成した後、接合面とは反対の吐出面より一部分を異方性ウェットエッチングにより掘下げて、ノズル長を調整する方法が取られている。
【０００７】
また、「シリコン基板の一方の面にノズルに相当するノズルパターンを、他方の面にインク入り口穴に相当するパターンを形成し、一方の面には異方性ドライエッチングを施してノズルを形成し、他方の面にはある程度の異方性を兼ね備えた等方性エッチングを施してインク入り口穴を形成し、エッチングマスクを除去した後、熱酸化膜を形成する」ことを特徴とするインクジェットヘッド用ノズルプレート及びその製造方法が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。
【０００８】
このインクジェットヘッド用ノズルプレート及びその製造方法は、予めシリコン基板を所望の厚みに研磨した後、シリコン基板の両面にそれぞれドライエッチング加工を施して、ノズル穴を形成する方法が取られている。すなわち、シリコン基板の一方の面に異方性ドライエッチングを利用して第１ノズル孔（ノズル）を形成し、他方の面に等方性ドライエッチング（プラズマエッチング）を利用して第２ノズル孔（インク入り口穴）を形成するようになっている。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２８８２０号公報（第４、５頁及び第３、４図）
【特許文献２】特開平９−５７９８１号公報（第２頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載の噴射装置のノズル形成方法では、ノズルの先端開口がノズルプレートの反対側の面に形成した凹部の底面に開口するようになっている。このように、ノズルが開口する吐出面がノズルプレートから深く一段下がった面にあると、インク液滴の飛行曲がりやノズルの目詰まり等の原因となるおそれがあった。すなわち、ノズルの吐出面に付着した紙粉やインク等をゴム片またはフェルト片等で払拭するワイピング作業が難しくなると言う問題があった。
【００１１】
また、特許文献２に記載のインクジェットヘッド用ノズルプレート及びその製造方法では、インクジェットヘッドの高密度化が進むに伴いシリコン基板の厚みを更に薄くしなければならなかった。このようなシリコン基板は、製造工程中に割れ易く、また高価であるという問題があった。さらに、ドライエッチング加工の際に、加工形状が安定するように基板裏面からＨｅ（ヘリウム）ガス等で冷却を行うが、ノズル孔貫通時にＨｅガスがリークしてエッチングが不可能になってしまうという場合もあった。
【００１２】
そのため、予めシリコン基板にノズル形状を形成し、サポート基板に貼り合わせてから薄板化加工（研削やエッチング加工）を施すことによってノズルを開口する方法が考えられる。また、ノズル開口時のノズル先端部が欠けりことを防止するために、サポート基板を貼り合わせる際に、予めノズル内に貼り合わせ用樹脂を充填する方法が考えられる。しかしながら、ノズルを開口し、ノズル面に酸化シリコン膜（ＳＩＯ2 膜）及び撥水膜を成膜した後、ノズル内に充填した貼り合わせ用樹脂を引抜くとノズル先端稜線部に酸化シリコン膜のバリや樹脂残渣が残ってしまうという問題が発生した。このようなノズルプレートを使用すると、インク液滴の吐出性能が低下してしまうことになる。
【００１３】
本発明は、ノズル形状を加工したシリコン基板を樹脂によって支持基板に貼り合わせ、ノズル内に充填した貼り合わせ用樹脂を引抜く際に、酸化シリコン膜のバリや樹脂残渣がノズル内に残らないようにしたノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、シリコン基板に、第１のノズル孔と、第１のノズル孔に連通し、第１のノズル孔よりも径の大きい第２のノズル孔とからなるノズルとなる凹部を形成するノズル基板の製造方法であって、第１のノズル孔及び第２のノズル孔をドライエッチングで形成する工程と、樹脂を用いてシリコン基板の第２のノズル孔が形成されている面に支持基板を貼り合わせ、該樹脂を凹部の内部に充填する工程と、シリコン基板の支持基板が貼り合わせられた面の反対面を薄板化し、薄板化されたシリコン基板から第１のノズル孔を開口させる工程と、第１のノズル孔が開口した部分から凹部に充填されている樹脂を除去する工程と、シリコン基板の薄板化された面に酸化膜及び撥水膜を形成する工程と、支持基板をシリコン基板から剥離する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
シリコン基板の薄板化された面に酸化膜を形成する前の段階において、ノズルとなる凹部内の樹脂を除去するので、第１のノズル孔が庇の役目を果たし、ノズルとなる凹部の内壁とその凹部に充填されている樹脂の表面との接線部分に酸化膜が形成されることが無くなる。すなわち、樹脂を引抜く際に、シリコン基板の第１のノズル孔の開口部分に酸化膜がバリとなって残ることが無いのである。さらに、酸化膜がバリとして残らないので、凹部内部に樹脂の残渣も無くすことができる。
【００１６】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、前記シリコン基板と前記支持基板との貼り合わせを真空中で行うことを特徴とする。すなわち、シリコン基板に支持基板を貼り合わせる工程を真空中で行うことによって、ノズルとなる凹部に気泡等が溜まることなく、ノズルとなる凹部に樹脂を充填することが可能となるのである。したがって、ノズルとなる凹部内に充填される樹脂の偏りをなくすことが可能となっている。
【００１７】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、樹脂を用いてシリコン基板の凹部が形成されている面に支持基板を貼り合わせ、該樹脂を凹部の内部に充填する工程において、樹脂を支持基板にコーティングしてから、シリコン基板と支持基板とを貼り合わせて該樹脂を凹部の内部に充填することを特徴とする。樹脂を支持基板側にコーティングすることによって、ノズルとなる凹部に気泡等が溜まることなく、ノズルとなる凹部に樹脂を充填することが可能となる。
【００１８】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、シリコン基板と支持基板との間に、光によって分離する剥離層を形成することを特徴とする。このように、シリコン基板と支持基盤との間に光によって分離する剥離層を形成してシリコン基板と支持基板とを貼り合わせるようにしているので、たとえば、レーザや紫外線等の光を照射することによって容易に支持基板を剥離することが可能となる。
【００１９】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、支持基板が、透明材料からなることを特徴とする。支持基板をガラス等のような透明材料で構成すれば、レーザや紫外線等の光を剥離層に容易に到達させることが可能となる。したがって、剥離層が分離するのに必要な量の光を十分に剥離層に到達することができ、シリコン基板から容易に支持基板を剥離することが可能となるのである。
【００２０】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、シリコン基板の支持基板が貼り合わせられた面の反対面を薄板化する工程において、バックグラインダー、ポリッシャー、ＣＭＰのいずれか１つまたはそれらの組み合わせによってシリコン基板を研磨加工することを特徴とする。このように、シリコン基板の薄板化をバックグラインダー、ポリッシャー、ＣＭＰで行うので、シリコン基板の表面をきれいに仕上げることが可能となる。
【００２１】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、第１のノズル孔が開口した部分から凹部に充填されている樹脂を除去する工程において、凹部に充填されている樹脂をＯ2 プラズマ処理により除去することを特徴とする。ノズルとなる凹部の内部に充填されている樹脂をＯ2 プラズマ処理で除去するので、樹脂を容易に除去することが可能となる。また、ノズルとなる凹部の内部に充填されている樹脂をＯ2 プラズマ処理で除去すれば、樹脂をきれいに除去することも可能となる。
【００２２】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、第１のノズル孔が開口した部分から凹部に充填されている樹脂を除去する工程において、第１のノズル孔に充填されている樹脂の全部と、第２のノズル孔に充填されている樹脂の一部または全部とを除去することを特徴とする。ノズルとなる凹部（第１のノズル孔、第２のノズル孔）の内部に充填されている樹脂の一部または全部を除去すれば、シリコン基板の第１のノズル孔の開口部分に酸化膜が残ることが無いのである。したがって、シリコン基板の第１のノズル孔の開口部分に酸化膜がバリとなって残ることも無いのである。
【００２３】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、第１のノズル孔及び第２のノズル孔をＣ4Ｆ8及びＳＦ6 を用いたドライエッチングで形成することを特徴とする。ノズルとなる凹部（第１のノズル孔及び第２のノズル孔）を形成する工程を、Ｃ4Ｆ8及びＳＦ6 を用いた異方性ドライエッチングで行うことによって、高精度なノズルを製造することができる。したがって、歩留まりの高いノズル基板を製造することが可能となる。
【００２４】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、支持基板をシリコン基板から剥離した後に、樹脂をシリコン基板から剥がし取ることを特徴とする。支持基板をシリコン基板から剥離する工程の後に、樹脂をシリコン基板から剥がし取るようにすれば、ノズルとなる凹部内部の樹脂も樹脂層とともに引き抜かれることになるため、ノズルとなる凹部内部の充填剤の除去といった工程が不要となる。したがって、ノズル基板の生産性が向上することになる。
【００２５】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、支持基板をシリコン基板から剥離する工程において、撥水膜を保護するための部材をシリコン基板の薄板化された面に取り付けてから、支持基板をシリコン基板から剥離することを特徴とする。このように、撥水膜を保護するための部材をシリコン基板の薄板化された面に取り付けてから、支持基板をシリコン基板から剥離するので、ノズルとなる凹部から樹脂を剥がし取る際に、撥水膜が一緒に剥がし取られることがない。すなわち、撥水膜の下面に形成されている酸化膜も併せて保護されるので、シリコン基板の第１のノズル孔の開口部分に酸化膜がバリとなって残ることが無いのである。
【００２６】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、撥水膜を保護するための部材が、テープであることを特徴とする。また、本発明に係るノズル基板の製造方法は、前記撥水膜を保護するための部材が、マスクであることを特徴とする。このように、テープやマスクで撥水膜を保護するので、新たな部材を作製したり用意したりすることがなく、製造にかかる手間やコストを低減することが可能となる。
【００２７】
本発明に係るノズル基板の製造方法は、支持基板をシリコン基板から剥離した後に、シリコンの薄板化された面の反対面から凹部の内部をプラズマ処理することを特徴とする。ノズルとなる凹部内部をプラズマ処理しても、シリコン基板の表面に成膜した撥水膜は、テープやマスクで保護されているので、シリコン基板の表面の撥水膜までプラズマ処理されることはない。したがって、ノズル基板の撥水性能が低下することはないのである。
【００２８】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上述のノズル基板の製造方法を用いて液滴吐出ヘッドを製造することを特徴とする。したがって、上記の効果を有するとともに、インク液滴の吐出性能の高い液滴吐出ヘッドを製造することが可能となる。また、高精度なノズル基板を製造することが可能なので、液滴吐出ヘッドの製造についての歩留まりも向上する。
【００２９】
本発明に係る液滴吐出装置の製造方法は、上述の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して液滴吐出装置を製造することを特徴とする。したがって、上記の効果を有するとともに、インク液滴の吐出性能の高い液滴吐出装置を製造することが可能となる。また、高精度なノズル基板を製造することが可能なので、液滴吐出装置の製造についての歩留まりも向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る液滴吐出ヘッド１００の断面構成を示す縦断面図である。また、図２は、液滴吐出ヘッド１００の分解斜視図である。なお、この図１では、駆動回路２１の部分を模式的に示している。また、実施の形態１に係る液滴吐出ヘッド１００の一例として、静電駆動方式でフェイスイジェクトタイプの液滴吐出ヘッドを示している。図１及び図２に基づいて、液滴吐出ヘッド１００の構成及び動作について説明する。
【００３１】
この液滴吐出ヘッド１００は、主にキャビティ基板１、電極基板２、及びノズル基板３が接合されることにより構成されている。つまり、キャビティ基板１を電極基板２とノズル基板３とが上下から挟むように構成されている。ノズル基板３は、たとえば円筒状の第１のノズル孔６と、第１のノズル孔６と連通し、第１のノズル孔６よりも径の大きい円筒状の第２のノズル孔７とで形成されているノズル８が形成されている。この第１のノズル孔６は、インク吐出面１０（キャビティ基板１との接合面１１の反対面）に開口するように形成されており、第２のノズル孔７は、キャビティ基板１との接合面１１に開口するように形成されている。なお、ノズル基板３は、後に示す所定の加工を施し易いように単結晶シリコンを使用するのが望ましい。
【００３２】
キャビティ基板１は、たとえば単結晶シリコンからなり、底壁が振動板１２である吐出室１３となる凹部が複数形成されている。この複数の吐出室１３は、図１の紙面手前側から紙面奥側にかけて平行に並んで形成されているものとする。また、キャビティ基板１には、各吐出室１３にインク等の液滴を供給するためのリザーバ１４となる凹部と、このリザーバ１４と各吐出室１３を連通する細溝状のオリフィス１５となる凹部が形成されている。
【００３３】
この液滴吐出ヘッド１００では、リザーバ１４は単一の凹部から形成されており、オリフィス１５は各吐出室１３に対して１つずつ形成されている。なお、オリフィス１５は、ノズル基板３の接合面１１に形成するようにしてもよい。さらに、キャビティ基板１の全面には、たとえばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又は熱酸化によって酸化シリコン等からなる絶縁膜（シリコン酸化膜）１６が形成されている。この絶縁膜１６は、液滴吐出ヘッド１００の駆動時の絶縁破壊やショートを防止し、また吐出室１３やリザーバ１４の内部の液滴によりキャビティ基板１がエッチングされるのを防止するためのものである。
【００３４】
キャビティ基板２の振動板１２側には、たとえばホウ珪酸ガラスからなる電極基板２が接合されている。電極基板２には、振動板１２と対向する複数の個別電極１７が形成されている。この個別電極１７は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）をスパッタすることにより形成する。また、電極基板２には、リザーバ１４と連通するインク供給孔１８が形成されている。このインク供給孔１８は、リザーバ１４の底壁に設けられた孔と繋がっており、リザーバ１４にインク等の液滴を外部から供給するために設けられている。なお、キャビティ基板１が単結晶シリコンからなり、電極基板２がホウ珪酸ガラスからなる場合には、キャビティ基板１と電極基板２との接合を陽極接合によって行うことができる。また、キャビティ基板１と電極基板２とを接合した基板を接合基板６０と称する（後に詳述する）。
【００３５】
ここで液滴吐出ヘッド１００の動作について説明する。キャビティ基板１と個々の個別電極１７とには駆動回路２１が接続されている。駆動回路２１によりキャビティ基板１と個別電極１７との間にパルス電圧が印加されると、振動板１２が個別電極１７の側に撓み、リザーバ１４の内部に溜まっていたインク等の液滴が吐出室１３に流れ込む。そして、キャビティ基板１と個別電極１７との間に印加されていた電圧がなくなると、振動板１２が元の位置に戻って吐出室１３の内部の圧力が高くなり、ノズル８からインク等の液滴が吐出される。なお、本実施の形態１では、液滴吐出ヘッド１００の一例として静電駆動方式の液滴吐出ヘッドを示しているが、これに限定するものではない。たとえば、圧電駆動方式やバブルジェット（登録商標）方式等の液滴吐出ヘッドにも適用することができる。
【００３６】
図３は、ノズル基板３をインク吐出面１０側から見た上面図である。図３に示すように、第１のノズル孔６がノズル基板３のインク吐出面１０側に複数開口している。なお、第２のノズル孔７は、図３の個々のノズル孔６の紙面奥側に形成されている。また、キャビティ基板１の吐出室１３は、個々の第１のノズル孔６（ノズル８）ごとに形成されており、Ａ−Ａ線方向に細長い形状となっているものとする。
【００３７】
この実施の形態１では、以下において主にノズル基板３を製造するためのシリコン基板の加工方法について説明する。なお、実施の形態１に係る液滴吐出ヘッド１００では、第１のノズル孔６と第２のノズル孔７との中心軸が高い精度で一致しているものとする。こうすることにより、ノズル８からインク等の液滴を吐出する際の液滴の直進性を向上させることができるようになっている。
【００３８】
図４〜図１１は、実施の形態１に係るシリコン基板の加工方法を用いて液滴吐出ヘッド１００を製造する際の製造工程を示した縦断面図である。図４〜図９は、主にノズル基板３の製造工程を示している。また、図１０及び図１１は、キャビティ基板１及び電極基板２を接合した接合基板６０の製造工程を示している。なお、図４〜図９は、図３に示したＡ−Ａ線に沿った縦断面におけるノズル８の周辺部を示している。初めに、図４〜図９に基づいてシリコン基板３ａからノズル基板３を作製する製造工程について説明する。そして、図１０及び図１１に基づいてキャビティ基板１と電極基板２とを接合して接合基板６０を製造し、この接合基板６０にノズル基板３を接合して液滴吐出ヘッド１００を作製する製造工程について説明する。
【００３９】
まず、たとえば厚さが５２５μｍのシリコン基板３ａを準備し、このシリコン基板３ａの全面にシリコン酸化膜５０を均一に成膜する（図４（Ａ））。たとえば、このシリコン酸化膜５０は、熱酸化装置により温度１０７５℃、酸素と水蒸気との混合雰囲気中で４時間熱酸化することにより形成するようになっている。次に、シリコン基板３ａの片面にレジスト５１をコーティングし、第２のノズル孔７となる凹部７ａをパターニングして、その第２のノズル孔７となる凹部７ａのレジスト５１を除去する（図４（Ｂ））。なお、レジスト５１のコーティングされた面は、後にノズル基板３の接合面１１となる。
【００４０】
そして、たとえばフッ酸水溶液とフッ化アンモニウム水溶液を１対６で混合した緩衝フッ酸水溶液でシリコン酸化膜５０をハーフエッチングし、第２のノズル孔７となる凹部７ａのシリコン酸化膜５０を薄膜化する（図４（Ｃ））。なお、このときレジスト５１の形成されていない面のシリコン酸化膜５０も同様に薄くなる。それから、シリコン酸化膜５０の片面に形成されたレジスト５１を剥離する（図４（Ｄ））。
【００４１】
その後、接合面１１となる面に再度レジスト５１ａをコーティングし、第１のノズル孔６となる凹部６ａをパターニングして、その第１のノズル孔６となる凹部６ａのレジスト５１ａを除去する（図４（Ｅ））。そして、たとえばフッ酸水溶液とフッ化アンモニウム水溶液を１対６で混合した緩衝フッ酸水溶液でシリコン酸化膜５０をハーフエッチングし、第１のノズル孔６となる凹部６ａのシリコン酸化膜５０を除去する（図５（Ｆ））。なお、このときレジスト５１ａの形成されていない面のシリコン酸化膜５０もすべて除去される。それから、接合面１１に残っているレジスト５１ａを剥離する（図５（Ｇ））。
【００４２】
次に、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）放電によるドライエッチングによって第１のノズル孔６となる凹部６ａから異方性エッチングを行い、たとえば深さ２５μｍの第１のノズル孔６となる凹部６ｂを形成する（図５（Ｈ））。なお、この第１のノズル孔６となる凹部６ｂは、第１のノズル孔６となる凹部６ｃの元となるものである（図５（Ｊ）参照）。この異方性ドライエッチングのエッチングガスとして、Ｃ4Ｆ8、ＳＦ6 を交互に使用することができる。このとき、Ｃ4Ｆ8は凹部６ｂの側面方向にエッチングが進行しないように凹部６ｂの側面を保護するために使用し、ＳＦ6 は凹部６ｂの垂直方向のエッチングを促進するために使用する。
【００４３】
その後、シリコン酸化膜５０をハーフエッチングして、第２のノズル孔７となる凹部７ａのシリコン酸化膜５０を除去する（図５（Ｉ））。このとき、シリコン酸化膜５０のその他の部分も薄くなる。そして、再度ＩＣＰ放電によるドライエッチングによって第２のノズル孔７となる凹部７ａ（第１のノズル孔６となる凹部６ｂを含む）から異方性ドライエッチングを行い、たとえば深さ４０μｍの第２のノズル孔７となる凹部７ｂを形成する（図６（Ｊ））。なお、第１のノズル孔となる凹部６ｂも、同時にエッチングされて第１のノズル孔とある凹部６ｃが形成される。
【００４４】
それから、たとえばフッ酸水溶液を使用して、シリコン基板３ａに残ったシリコン酸化膜５０をすべて除去した後、シリコン基板３ａの全面に厚さ０．１μｍのシリコン酸化膜５０ａを均一に成膜する（図６（Ｋ））。このシリコン酸化膜５０ａは、たとえば熱酸化装置により温度１０００℃、酸素雰囲気中で２時間熱酸化することにより形成する。なお、図６（Ｋ）では熱酸化によりシリコン酸化膜５０ａを成膜するため、第１のノズル孔となる凹部６ｃ及び第１のノズル孔となる凹部７ｂの内壁にも均一にシリコン酸化膜５０ａが成膜される。
【００４５】
次に、たとえばガラス等の透明材料からなる支持基板４０の片面に剥離層４１をスピンコートし、その上に樹脂からなる樹脂層４２をスピンコートする。そして、剥離層４１及び樹脂層４２をスピンコートした面と、シリコン基板３ａの第２のノズル孔となる凹部７ｂ等が形成されている面を向かい合わせて樹脂層４２を硬化させることにより、支持基板４０とシリコン基板３ａとを貼り合わせる（図６（Ｌ））。なお、図６（Ｌ）以降の工程では、シリコン基板３ａの向きが図４（Ａ）から図６（Ｋ）までとは上下逆になっている。
【００４６】
この実施の形態１では、図６（Ｌ）の支持基板４０とシリコン基板３ａとの貼り合わせを真空中で行い、樹脂層４２を構成する樹脂が第１のノズル孔となる凹部６ｃ及び第２のノズル孔となる凹部７ｂに充填されるようにする。このように、支持基板４０とシリコン基板３ａとの貼り合わせを真空中で行うことにより、第１のノズル孔となる凹部６ｃ及び第２のノズル孔となる凹部７ｂに気泡等が溜まることを防止することができるのである。なお、図６（Ｌ）の工程における剥離層４１及び樹脂層４２については後に詳述する。
【００４７】
シリコン基板３ａと支持基板４０とを接合した後に、シリコン基板３ａの支持基板４０が接合された面の反対面からバックグラインダーやポリッシャー、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｍｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって研磨加工を行い、第１のノズル孔となる凹部６ｃの先端のシリコン酸化膜５０ａが除去されるまでシリコン基板３ａを薄板化する（図６（Ｍ））。このとき、バックグラインダーで第１のノズル孔となる凹部６ｃの先端のシリコン酸化膜５０ａの付近までシリコン基板３ａを薄板化し、薄板化の仕上げをポリッシャー又はＣＭＰによって行うようにすれば、シリコン基板３ａの表面を鏡面状に仕上げることができる。
【００４８】
次に、シリコン基板３ａをドライエッチング装置にセットし、Ｏ2 プラズマ処理によってノズル８先端部（第１のノズル孔となる凹部６ｃ内）の樹脂層４２を除去する（図７（Ｎ））。このプラズマ処理は、第２のノズル孔７となる凹部７ｂに達するまで行う。それから、このシリコン基板３ａのインク吐出面１０に対して、スパッタ装置によりシリコン酸化膜５０ｂを、たとえば０．１μｍの厚みで成膜する（図７（Ｏ））。
【００４９】
なお、このシリコン酸化膜５０ｂの成膜は、樹脂層４２が劣化しない温度（たとえば、２００℃程度）以下で実施することができれば良く、スパッタリング法に限定するものではない。ただし、耐インク性等を考慮すると緻密な膜を形成する必要があり、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｏｒｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スパッタ装置等の常温で緻密な膜を成膜できる装置を使用することが望ましい。このとき、第１のノズル部６の内壁及びレジン（樹脂層４２）表面にもシリコン酸化膜５０ｂが成膜されることになる。しかしながら、第１のノズル孔６が庇（ひさし）のようになり、ノズル内壁とレジン表面との接線部分にシリコン酸化膜５０ｂが成膜されることは無い。
【００５０】
シリコン酸化膜５０ｂを成膜した後に、シリコン基板３ａのインク吐出面１０の表面に撥インク処理を施す（図７（Ｐ））。この撥インク処理とは、Ｆ（フッ素）原子を含む撥インク性の材料を蒸着やディッピング等によって成膜し、たとえば厚さ０．１μｍの撥水膜３４を形成することである。このとき、第１のノズル孔６の内壁にも、撥水膜３４が形成される。すなわち、撥水膜３４は、撥インク性の材料を蒸着やディッピングによって形成されるために、第１のノズル孔６が庇のようになっていても、ノズル内壁全体に成膜されるのである。
【００５１】
そして、撥水膜３４が形成されたインク吐出面１０にテープ３５（ダイシングテープ等）を貼り、支持基板４０を剥離する（図８（Ｑ））。つまり、インク吐出面１０にテープ３５を貼り付けた後、インク吐出面１０を吸着ステージ等に真空吸着固定し、支持基板４０側からレーザを照射して剥離層４１の部分から支持基板４０を剥離するのである。なお、インク吐出面１０のテープ３５を貼り付ける場合を例に示しているが、これに限定するものではない。たとえば、マスク等のような基板を接合してもよい。
【００５２】
それから、樹脂層４２を外周部からゆっくり剥がし取る（図８（Ｒ））。このとき、第１のノズル孔６の内壁に成膜されていたシリコン酸化膜５０ｂは、撥水膜３４に保護されているために、樹脂層４２を引き抜いてもインク吐出面１０にシリコン酸化膜５０ｂのバリが残らないようになっている。従来は、インク吐出面にテープ等を貼り付けることなく樹脂層を引き抜いていたので、きれいにシリコン酸化膜を除去することができなかった。つまり、ノズルの開口部分にシリコン酸化膜がバリとして残ってしまい、バリが残ることにより樹脂層の残渣もノズル内に残ってしまっていたのである。
【００５３】
しかしながら、ここでは、テープ３５等を貼り付けて撥水膜３４を固定してから、樹脂層４２を引き抜くために、インク吐出面１０にシリコン酸化膜５０ｂのバリを残留させることなく、樹脂層４２を完全に引き抜きことができるのである。また、第２のノズル孔７の内壁と樹脂層４２とが接する面積が少なくなっているため、樹脂層４２を更に引き抜き易くなっている。それは、第１のノズル孔６の内部にあった樹脂層４２は、テープ３５を貼り付ける前にＯ2 プラズマ処理で予め除去されているからである。
【００５４】
樹脂層４２を引き抜いた後、シリコン基板３ａをドライエッチング装置にセットし、０2 プラズマ処理またはＡｒプラズマ処理により第１のノズル孔６及び第２のノズル孔７の内壁に付着している撥水膜３４を除去する（図９（Ｓ））。このときも、インク吐出面１０に形成してある撥水膜３４は、テープ３５で保護されるようになっている。そして、シリコン基板３ａの接合面１１側を真空吸着固定し、テープ３５を剥離することによってノズル基板３が完成する（図９（Ｔ））。
【００５５】
それから、シリコン基板３ａ（ノズル基板３）の第２のノズル孔７が形成されている面に接着剤等を転写して接着剤層を形成し、電極基板２が接合されたキャビティ基板１（接合基板６０）と、シリコン基板３ａとを接合する。最後に、たとえばキャビティ基板１、電極基板２、及びノズル基板３接合された接合基板をダイシング（切断）により分離して、液滴吐出ヘッド１００が完成する。
【００５６】
ここで、実施の形態１の特徴部分である剥離層４１及び樹脂層４２について、図６（Ｌ）の工程を参照しながら説明する。剥離層４１は、図８（Ｑ）の工程において、シリコン基板３ａから支持基板４０を剥離させるためのものである。この剥離層４１は、レーザー光等の光が当てられることにより剥離層４１内部やシリコン基板３ａとの界面において剥離（層内剥離又は界面剥離という）を起こすものである（図８（Ｑ）参照）。
【００５７】
すなわち、剥離層４１は、所定の強度の光を受けることにより剥離層４１を構成する材料の原子又は分子間の結合力が消失若しくは減少することにより、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ、切除又は除去）を生じて剥離し易くするためのものである。たとえば、剥離層４１が一定の強度の光を受けることにより、剥離層４１の構成材料中の成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００５８】
これにより、図８（Ｑ）の工程において薄板化されたシリコン基板３ａ（ノズル基板３）から支持基板４０を容易に取り外すことができる。なお、支持基板４０は、光を透過するガラス等からなるものを用いるのが望ましい。それは、シリコン基板３ａから支持基板４０を剥離するときに、支持基板４０の裏面（シリコン基板３ａが接合された面の反対面）から照射される光の有する剥離エネルギーを剥離層４１に確実に到達させるためである。つまり、支持基板４１が光を透過する材料で構成されていれば、剥離層４１に十分な剥離エネルギーが与えられることになるのである。
【００５９】
剥離層４１を構成する材料は、上記のような機能を有するものであればよく、特に限定するものでない。たとえば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ、アモルファスシリコン）や酸化ケイ素、ケイ酸化合物や、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化セラミックス等を材料とするとよい。また、光の照射によって原子間結合が切断される有機高分子材料等を材料としてもよい。さらに、アルミニウム、リチウム、チタン、マンガン、インジウム、錫、イットリウム、ランタン、セリウム、ネオジウム、プラセオジム、ガドリニウム、サマリウム等の金属や、それらの金属を少なくとも１種以上含んだ合金等を材料としてもよい。
【００６０】
これらの材料の中でも特に、剥離層４１の構成材料として非晶質シリコンを用いるのが好ましい。また、この非晶質シリコンの中に水素が含まれているのがさらに好ましい。それは、剥離層４１が光を受けた場合に水素が放出されて剥離層４１に内圧が発生し、剥離を促進させることができるからである。この場合の剥離層４１の水素の含有量は、２重量％以上であることが好ましく、２〜２０重量％であることがさらに好ましい。また、剥離層４１の水素の含有量は、剥離層４１の成膜条件、たとえば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成やガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の諸条件を適宜設定することによって調整することができるようになっている。
【００６１】
一方、樹脂層４２は、シリコン基板３ａの凹凸を吸収し、かつ、シリコン基板３ａと支持基板４０とを接合するためのものである。樹脂層４２を構成する材料としては、シリコン基板３ａと支持基板４０とを接合する機能を有するものであればよく、特に限定するもものではない。たとえば、熱硬化性接着剤や光硬化性接着剤等の硬化性接着剤を樹脂層４２として使用することができる。
【００６２】
なお、この樹脂層４２は、耐ドライエッチング性の高い材料を主材料としているものが望ましい。それは、シリコン基板３ａをエッチングしてノズル８を形成する際に、樹脂層４２をエッチングの停止層とし、シリコン基板３ａを完全に貫通させることができるからである。また、樹脂層４２は、加工時において、シリコン基板３ａの線膨張係数と支持基板４０の線膨張係数との相違から生じる応力を緩和する機能も有している。
【００６３】
この実施の形態１では、剥離層４１と樹脂層４２とは別々の層として形成されている場合を例に示しているが、これに限定するものではない。たとえば、これらの層を１つの層から構成するようにしてもよい。この場合、シリコン基板３ａと支持基板４０とを接着する機能を有し、かつ、光エネルギーや熱エネルギーによって剥離を引き起こす機能を持った材料を用いることで実現できる。
【００６４】
最後に、図１０及び図１１に基づいて、キャビティ基板１と電極基板２とを接合させた接合基板６０の製造工程について説明する。図１０及び図１１は、キャビティ基板１と電極基板２とを接合させた接合基板６０の製造工程を示す縦断面図である。なお、接合基板６０の製造工程の中で、電極基板２及びキャビティ基板１の製造工程についても簡単に説明するものとする。また、キャビティ基板１及び電極基板２の製造方法は、図１０及び図１１に示されるものに限定されるものではない。
【００６５】
まず、ホウ珪酸ガラス等からなるガラス基板２ａを、たとえば金・クロム等をエッチングマスクとしてフッ酸によってエッチングすることにより凹部１９を形成する。この凹部１９は、個別電極１７の形状より少し大きい溝状のものであって複数形成するものとする。そして、凹部１９の内部に、たとえばスパッタによってＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる個別電極１７を形成する。その後、ドリル等によってインク供給孔１８となる孔部１８ａを形成して電極基板２を作製する（図１０（ａ））。
【００６６】
次に、たとえば厚さが５２５μｍのシリコン基板１ａの両面を鏡面研磨した後に、シリコン基板１ａの片面にプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｙｌＯｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）からなる厚さ０．１μｍのシリコン酸化膜２２を形成する（図１０（ｂ））。なお、このシリコン酸化膜２２を形成する前に、エッチングストップのためのボロンドープ層を形成するようにしてもよい。振動板１２をボロンドープ層から形成することにより、厚み精度の高い振動板１２を形成することができる。
【００６７】
それから、図１０（ｂ）に示すシリコン基板１ａと、図１０（ａ）に示す電極基板２とを、たとえば３６０℃に加熱し、シリコン基板１ａに陽極、電極基板２に陰極を接続して８００Ｖ程度の電圧を印加して陽極接合を行う（図１０（ｃ））。シリコン基板１ａと電極基板２とを陽極接合した後に、この接合基板６０ａを水酸化カリウム水溶液等でエッチングすることにより、シリコン基板１ａの全体を、たとえば厚さ１４０μｍになるまで薄板化する（図１０（ｄ））。
【００６８】
それから、シリコン基板１ａの上面（電極基板２が接合されている面の反対面）の全面にプラズマＣＶＤによって、たとえば厚さ１．５μｍのＴＥＯＳ膜を形成する。そして、このＴＥＯＳ膜に、吐出室１３となる凹部１３ａ、リザーバ１４となる凹部１４ａ及びオリフィスとなる凹部１５ａとなる部分を形成するためのレジストをパターニングし、この部分のＴＥＯＳ膜をエッチング除去する。
【００６９】
その後、シリコン基板１ａを水酸化カリウム水溶液等でエッチングすることにより、吐出室１３となる凹部１３ａ、リザーバ１４となる凹部１４ａ及びオリフィスとなる凹部１５ａを形成する（図１１（ｅ））。このとき、電極取出し部２３となる部分もエッチングして薄板化しておく。なお、図１１（ｅ）のウェットエッチングの工程では、たとえば初めに３５重量％の水酸化カリウム水溶液を使用し、その後、３重量％の水酸化カリウム水溶液を使用することができる。こうすることで、振動板１２の面荒れを抑制することができる。
【００７０】
シリコン基板１ａのエッチングが終了した後に、接合基板６０ａをフッ酸水溶液でエッチングしてシリコン基板１ａに形成されたＴＥＯＳ膜を除去する。また、電極基板２のインク供給孔１８となる孔部１８ａにレーザー加工を施し、インク供給孔１８が電極基板２を貫通するようにする（図１１（ｆ））。次に、シリコン基板１ａの吐出室１３となる凹部１３ａ等の形成された面に、たとえばＣＶＤによってＴＥＯＳ等からなる液滴保護膜２４を、たとえば厚さ０．１μｍで形成する（図１１（ｇ））。
【００７１】
それから、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等によって電極取出し部２３を開放する。また、シリコン基板１ａに機械加工又はレーザー加工を行って、インク供給孔１８をリザーバ１４となる凹部１４ａまで貫通させる。これにより、キャビティ基板１と電極基板２とが接合された接合基板６０が完成する。この接合基板６０は、ノズル基板３と接合されることとなる。なお、電極取出し部２３に、振動板１２と個別電極１７との間の空間を封止するための封止剤（図示せず）を塗布するとよい。
【００７２】
この実施の形態１に係るインク吐出装置１００は、インク吐出面１０にシリコン酸化膜５０ｂを形成する前に、第１のノズル孔６に残る樹脂層４２を第２のノズル孔７に達する部分まで除去するようにしている。したがって、第１のノズル孔６が庇の様な役目を果たし、ノズル内壁とレジン（樹脂層４２）表面との接線部分にシリコン酸化膜５０ｂが形成されることが無い。
【００７３】
すなわち、樹脂層４２を引抜く際に、第１のノズル孔６の開口部分にシリコン酸化膜５０ｂがバリとなって残る事が無く、第１のノズル孔６内部に樹脂層４２の残渣も無くすことができる。また、インク吐出面１０にテープ３５を張って支持基板４０を剥離することで、インク吐出面１０の撥水膜３４を保護し、第１のノズル孔６の内壁に付着した撥水膜３４のみをプラズマ処理で除去でき、ノズル内壁の親水性を回復することができる。
【００７４】
また、実施の形態１では、シリコン基板３ａの一方の面をエッチングすることにより第２のノズル孔７となる凹部７ａを形成し、第２のノズル孔７となる凹部７ａが形成されている面に支持基板４０を貼り合わせて、支持基板４０が貼り合わせられた面の反対面からシリコン基板３ａを薄板化するため、第２のノズル孔７となる凹部７ａを形成するときに厚いシリコン基板３ａを使用することができ、シリコン基板３ａが割れたり欠けたりするのを防止することができる。
【００７５】
さらに、薄板化したシリコン基板３ａを加工する工程がないため、シリコン基板３ａが割れたり欠けたりするのを効果的に防止することができる。さらに、シリコン基板３ａに支持基板４０を貼り合わせる工程において、樹脂が第１のノズル孔６となる凹部６ｃ及び第２のノズル孔７となる凹部７ｂに充填されるようにするため、シリコン基板３ａを薄板化する際にノズル８の先端部が欠けるのを防止することができる。またさらに、厚いシリコン基板３ａに非貫通状態でノズル８となる凹部を形成するため、ヘリウムガス等が加工面側にリークしてエッチングができなくなるのを防止することができる。
【００７６】
実施形態２．
図１２は、実施の形態１の製造方法で得られた液滴吐出ヘッド１００を搭載した液滴吐出装置１５０の一例を示した斜視図である。図１０に示す液滴吐出装置１５０は、一般的なインクジェットプリンタである。なお、この液滴吐出装置１５０は、周知の製造方法によって製造することができる。実施の形態１で得られた液滴吐出ヘッド１００は、上記のように割れや欠けがなく、液滴吐出装置１００は吐出性能が高いものである。
【００７７】
なお、実施の形態１の製造方法で得られた液滴吐出ヘッド１００は、図１０に示す液滴吐出装置１５０の他に、液滴を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、生体液体の吐出等にも適用することができる。また、実施の形態１の製造方法で得られた液滴吐出ヘッド１００は、圧電駆動方式の液滴吐出装置や、バブルジェット（登録商標）方式の液滴吐出装置にも使用できる。
【００７８】
なお、本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法は、本発明の実施の形態で説明した内容に限定されるものではなく、本発明の思想の範囲内において変更することができる。たとえば、図６（Ｌ）の製造工程において、必ずしも剥離層４１を形成する必要はなく、シリコン基板３ａと支持基板４０とが分離できるようになっていればよい。また、液滴吐出ヘッド１００が３層構造である場合を例に説明したが、液滴吐出ヘッド１００が４層構造であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの断面構成を示す縦断面図である。
【図２】液滴吐出ヘッドの分解斜視図である。
【図３】ノズル基板をインク吐出面側から見た上面図である。
【図４】液滴吐出ヘッドを製造する際の製造工程を示した縦断面図である。
【図５】液滴吐出ヘッドを製造する際の製造工程を示した縦断面図である。
【図６】液滴吐出ヘッドを製造する際の製造工程を示した縦断面図である。
【図７】液滴吐出ヘッドを製造する際の製造工程を示した縦断面図である。
【図８】液滴吐出ヘッドを製造する際の製造工程を示した縦断面図である。
【図９】液滴吐出ヘッドを製造する際の製造工程を示した縦断面図である。
【図１０】液滴吐出ヘッドを製造する際の製造工程を示した縦断面図である。
【図１１】液滴吐出ヘッドを製造する際の製造工程を示した縦断面図である。
【図１２】液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置の一例を示した斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
１  キャビティ基板、１ａ  シリコン基板、２  電極基板、２ａ  ガラス基板、３  ノズル基板、３ａ  シリコン基板、６  第１のノズル孔、６ａ  第１のノズル孔となる凹部、６ｂ  第１のノズル孔となる凹部、６ｃ  第１のノズル孔となる凹部、７  第２のノズル孔、７ａ  第２のノズル孔となる凹部、７ｂ  第２のノズル孔となる凹部、８  ノズル、１０  インク吐出面、１１  接合面、１２  振動板、１３  吐出室、１３ａ  吐出室となる凹部、１４  リザーバ、１４ａ  リザーバとなる凹部、１５  オリフィス、１５ａ  オリフィスとなる凹部、１６  絶縁膜、１７  個別電極、１８  インク供給孔、１９  凹部、２１  駆動回路、２２  シリコン酸化膜、２３  電極取出し部、２４  液滴保護膜、３４  撥水膜、３５  テープ、４０  支持基板、４１  剥離層、４２  樹脂層、５０  シリコン酸化膜、５０ａ  シリコン酸化膜、５０ｂ  シリコン酸化膜、５１  レジスト、５１ａ  レジスト、６０  接合基板、６０ａ  接合基板、１００  液滴吐出ヘッド、１５０  液滴吐出装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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