(57)【要約】【課題】光散乱特性及び光指向性に優れた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】基板上に樹脂膜及び光反射膜を備えた電気光学装置において、樹脂膜の上面には凹凸形状が形成してあるとともに、当該凹凸形状の上に、更に光反射膜が形成してあり、一つの画素内における光反射膜の下層にある樹脂膜が凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域を含み、第１の領域における乱反射性を、第２の領域における乱反射性よりも大きくする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に樹脂膜及び光反射膜を備えた電気光学装置において、
前記樹脂膜の上面には凹凸形状が形成してあるとともに、当該凹凸形状の上に、更に前記光反射膜が形成してあり、
一つの画素内における前記光反射膜の下層にある前記樹脂膜が凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域を含み、
前記第１の領域における乱反射性を、前記第２の領域における乱反射性よりも大きくすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の領域における凹凸形状の存在密度ρ１を、前記第２の領域における凹凸形状の存在密度ρ２よりも大きくすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記存在密度ρ１を３０〜６０（％）の範囲内の値とし、前記存在密度ρ２を３０（％）未満とすることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記凹凸形状を基板平面方向から眺めたときの、前記第１の領域における凹凸形状の円相当径をφ１とし、前記第２の領域における凹凸形状の円相当径をφ２としたとき、前記円相当径φ１を、前記円相当径φ２よりも大きくすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記円相当径φ１を４〜１２（μｍ）の範囲内の値とし、前記円相当径φ２を４（μｍ）未満とすることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１の領域における凹凸形状の高さｈ１を、前記第２の領域における凹凸形状の高さｈ２よりも高くすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記高さｈ１を０．４〜４（μｍ）の範囲内の値とし、前記高さｈ２を０．４（μｍ）未満とすることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１の領域と、第２の領域と、の面積比率を、１０：９０〜９０：１０の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記基板は、反射領域と透過領域とからなる表示領域を有し、前記第１の領域及び第２の領域に形成してある前記凹凸形状は、ともに前記反射領域に形成してあることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記基板は複数の画素からなる表示領域を有し、前記第１の領域及び第２の領域の少なくとも一方が、前記画素内に複数設けてあることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第２の領域が、前記凹凸形状が形成されていない平坦領域であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
基板上に樹脂膜及び光反射膜を備えた電気光学装置の製造方法において、
前記基板上に感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層に対して、パターン露光を実施する工程と、
前記樹脂層に対して、現像液を適用して前記樹脂膜を形成するとともに、一つの画素内における前記樹脂膜の表面に、凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域をそれぞれ形成する工程と、
前記樹脂膜上に光反射膜を形成する工程と、を含み、
前記第１の領域における乱反射性を、前記第２の領域における乱反射性よりも大きくするように前記凹凸形状を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記パターン露光を、ハーフトーン露光法あるいは多段階露光法により実施することを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。特に、光散乱特性及び光指向性に優れた樹脂膜を備える電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、それぞれ電極を備えた一対の基板を対向配置するとともに、当該一対の基板間に液晶材料を配置して構成されている。この液晶装置は、対向する電極に電圧を印加して液晶材料を配向させ、通過する光を偏向させることにより、画像表示させるものである。
このような液晶装置には、その表示領域を、バックライトからの光を透過させて表示する透過領域と、外光を反射させて表示する反射領域と、から構成する半透過反射型の液晶装置がある。このような半透過反射型の液晶装置は、その視野角を調整するために、特に反射領域内に樹脂材料等で形成された凹凸が設けられている。この凹凸の形状により、反射光の散乱方向を制御して、視野角を調整することができる。
しかしながら、このような凹凸はその配列状態によっては、厚さ方向あるいは平面方向に所定の周期性を持って形成される場合がある。このように、凹凸が周期性を持って配列された場合には、その周期性に対応するように、散乱光同士が互いに干渉して干渉縞が形成され、表示特性を低下させるという問題が見られた。
【０００３】
そこで、このような問題を解決するために、凹部と凸部の高さが実質的に等しく、かつそれらが平面方向に対して不規則に配列してある光反射膜を形成することにより、光散乱特性を維持したまま、干渉縞の発生を少なくした電気光学装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−７５９８７号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された電気光学装置は、表示領域内に配置された凹凸が一様に不規則に配置してあることから、斜め方向からの視認性を示す指標である光散乱特性は改善するものの、正面方向からの視認性を示す指標である光指向性に欠ける場合が見られた。また、このように不規則に配置された凹凸形状では、その光散乱特性及び光指向性のバランスは、主に、凹凸形状の加工精度によって大きく左右されるため、設計が微細化したような場合には、所望の範囲に維持することが困難な場合が見られた。
【０００５】
そこで、本発明の発明者は鋭意努力し、樹脂膜上に設けられた凹凸形状の形成領域を、凹凸形状の態様の異なる複数の領域から構成することにより、上述したような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、樹脂膜上に、凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域を、それぞれ独立に設けることにより、斜め方向からの視認性及び正面方向からの視認性のバランスを簡易かつ高精度に制御することができる、光散乱特性及び光指向性に優れた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、基板上に樹脂膜及び光反射膜を備えた電気光学装置において、樹脂膜の上面には凹凸形状が形成してあるとともに、当該凹凸形状の上に、更に光反射膜が形成してあり、一つの画素内における光反射膜の下層にある樹脂膜が凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域を含み、第１の領域における乱反射性を、第２の領域における乱反射性よりも大きくすることを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、樹脂膜上に凹凸形状の態様が異なる複数の領域を形成することにより、斜め方向からの視認性を示す指標である乱反射性すなわち光散乱特性と、正面方向からの視認性を示す指標である光指向性と、の双方をバランス良く高めることができる。また、この光散乱特性と光指向性のバランスは、凹凸形状の他、第１の領域及び第２の領域の面積を変更するといった簡易な方法により、適宜変更することができる。
したがって、第１の領域において光散乱特性を高める凹凸形状を形成し、第２の領域において光指向性を高める凹凸形状を形成することにより、それぞれを独立に制御して、所望の表示特性を容易に得ることができる。
【０００７】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の領域における凹凸形状の存在密度ρ１を、第２の領域における凹凸形状の存在密度ρ２よりも大きくすることが好ましい。
このように構成することにより、第１の領域において光散乱特性を高めることができるとともに、第２の領域において光指向性を高めることができ、凹凸形状の存在密度を制御することで、光散乱特性及び光指向性を共に高めることができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、存在密度ρ１を３０〜６０（％）の範囲内の値とし、存在密度ρ２を３０（％）未満とすることが好ましい。
このように構成することにより、光散乱特性及び光指向性のバランスを、凹凸形状の存在密度の値によって所定範囲内に調整することができ、視認方向毎の鮮明度を所望の範囲内に制御することができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、凹凸形状を基板平面方向から眺めたときの、第１の領域における凹凸形状の円相当径をφ１とし、第２の領域における凹凸形状の円相当径をφ２としたとき、円相当径φ１を、円相当径φ２よりも大きくすることが好ましい。
このように構成することにより、第１の領域において光散乱特性を高めることができるとともに、第２の領域において光指向性を高めることができ、凹凸形状の直径を制御することで、光散乱特性及び光指向性を共に高めることができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、円相当径φ１を４〜１２（μｍ）の範囲内の値とし、円相当径φ２を４（μｍ）未満とすることが好ましい。
このように構成することにより、光散乱特性及び光指向性のバランスを、凹凸形状の直径によって所定範囲内に調整することができ、視認方向毎の鮮明度を所望の範囲内に制御することができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の領域における凹凸形状の高さｈ１を、第２の領域における凹凸形状の高さｈ２よりも高くすることが好ましい。
このように構成することにより、例えば、凹凸形状の円相当径を一定とした場合には、第１の領域において光散乱特性を高めることができるとともに、第２の領域において光指向性を高めることができ、凹凸形状の高さを制御することで、光散乱特性及び光指向性を共に高めることができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の領域における凹凸形状の高さｈ１を０．４〜４（μｍ）の範囲内の値とするとともに、第２の領域における凹凸形状の高さｈ２を０．４（μｍ）未満とすることが好ましい。
このように構成することにより、光散乱特性及び光指向性のバランスを、凹凸形状の高さによって所定範囲内に調整することができ、視認方向毎の鮮明度を所望の範囲内に制御することができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の領域と、第２の領域と、の面積比率を、１０：９０〜９０：１０の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、面積比率を変化させるという簡易な方法により、第１の領域から生じる反射光と、第２の領域から生じる反射光と、の発生割合を所定範囲内に制御することができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、基板は、反射領域と透過領域とからなる表示領域を有し、第１の領域及び第２の領域に形成してある凹凸形状は、ともに反射領域に形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、特に、反射領域における表示特性に優れた電気光学装置とすることができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、基板は、複数の画素からなる表示領域を有し、第１の領域及び第２の領域の少なくとも一方が、画素内に複数設けてあることが好ましい。
このように構成することにより、同一画素内で、光散乱特性あるいは光指向性の異なる領域を複数設けることができ、より広視角化に対応した表示特性を得ることができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第２の領域が、凹凸形状が形成されていない平坦領域であることが好ましい。
このように構成することにより、特に光指向性に優れた表示特性を得ることができる。
【００１７】
また、本発明の別の態様は、基板上に樹脂膜及び光反射膜を備えた電気光学装置の製造方法において、基板上に感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する工程と、樹脂層に対して、パターン露光を実施する工程と、樹脂層に対して、現像液を適用して樹脂膜を形成するとともに、一つの画素内における樹脂膜の表面に、凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域をそれぞれ形成する工程と、樹脂膜上に光反射膜を形成する工程と、を含み、第１の領域における乱反射性を、第２の領域における乱反射性よりも大きくするように凹凸形状を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
すなわち、樹脂膜上に凹凸形状の態様が異なる複数の領域を形成するにあたり、フォトリソグラフィ法を用いて形成することにより、その形状調整を、フォトマスク、露光条件あるいは現像条件といった複数の方法により実施することができ、精度良く所望の凹凸形状を形成することができる。
【００１８】
また、本発明の製造方法を実施するにあたり、パターン露光を、ハーフトーン露光法あるいは多段階露光法により実施することが好ましい。
このように実施することにより、樹脂膜の深さ方向に露光量を変化させることができ、更に効果的に所望の凹凸形状を形成することができる。
【００１９】
また、本発明の更に別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器である。
すなわち、光散乱特性に優れた電気光学装置を備えているため、表示ムラが少なく、表示特性に優れた電子機器を効率的に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
［第１実施形態］
第１実施形態は、基板上に樹脂膜及び光反射膜を備えた電気光学装置において、樹脂膜の上面には凹凸形状が形成してあるとともに、当該凹凸形状の上に、更に光反射膜が形成してあり、一つの画素内における光反射膜の下層にある樹脂膜が凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域を含み、第１の領域における乱反射性を、第２の領域における乱反射性よりも大きくすることを特徴とする電気光学装置である。
以下、本発明の実施形態として、樹脂膜はオーバーレイヤ（ＯＶＬ）構造を形成するための層間絶縁膜であって、その表面には、視野角調整のための凹凸形状が形成してあるＴＦＴ型液晶装置を例に採って、具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
例えば、かかる樹脂膜を対向基板側に形成することもでき、あるいは、凹凸形状を備えた樹脂散乱膜とすることもできる。また、スイッチング素子として、ＴＦＴ素子の代わりにＴＦＤ素子を用いたり、スイッチング素子を備えていないパッシブマトリクス構造の液晶装置とすることもできる。
【００２１】
１．液晶装置の基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置について説明する。ここで、図１（ａ）〜（ｂ）は、液晶装置１０の断面図及び平面図を示しており、図１（ａ）は、図１（ｂ）におけるＥＥ断面図を示している。さらに、図２は、液晶装置１０の外観を表す概略斜視図を示す。
かかる図１（ａ）に示すように、液晶装置１０は、対向基板３０と素子基板６０とが、それらの周辺部においてシール材（図示せず）によって貼り合わせられ、さらに、対向基板３０、素子基板６０及びシール材によって囲まれる間隙内に液晶材料２１を封入して形成されている。また、かかる液晶装置１０は、その表示領域が反射領域Ｒと透過領域Ｔとからなる、いわゆる半透過反射型の液晶装置を構成している。
【００２２】
２．素子基板
（１）基本的構成
次いで、図１（ａ）に示される素子基板６０について説明する。
この素子基板６０は、ガラス等の透明性材料からなる基体６１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９と、データ線７５等の電気配線と、を備えている。また、これらは、層間絶縁膜８１で全面的に被覆してあり、互いに電気絶縁性が保たれている。
また、この層間絶縁膜８１の表面であって、表示領域に相当する領域には、透明導電膜からなる画素電極６３が形成されている。
ここで、画素電極６３は、反射領域Ｒにおいては反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極６３ｂとして形成される。また、画素電極６３ａとしての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。そして、画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施される。
【００２３】
（２）層間絶縁膜
図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、層間絶縁膜８１は、電気配線間あるいは電気配線とスイッチング素子とを絶縁分離するための絶縁膜であって、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子６９を覆うように、素子基板６０上の全域に形成されている。
また、層間絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分にはコンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３の所で画素電極６３とＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との導通がなされている。
また、かかる層間絶縁膜８１には、反射領域に対応する領域に凹凸形状１０５が形成されているとともに、その凹凸形状が形成してある領域は、当該凹凸形状の態様がそれぞれ異なる第１の領域及び第２の領域から構成されている。
【００２４】
（３）凹凸形状
本発明において、層間絶縁膜８１の上面に形成してある凹凸形状１０５は、凹凸形状の態様がそれぞれ異なる第１の領域及及び第２の領域を含み、第１の領域における乱反射性を、第２の領域における乱反射性よりも大きくすることを特徴とする。
ここで、凹凸形状の態様が異なるとは、より具体的には、例えば、凹部あるいは凸部の存在密度、直径及び高さの少なくとも一つのパラメーターが異なる場合を意味している。
また、第１の領域における乱反射性を第２の領域における乱反射性よりも大きくするとは、第１の領域において乱反射する光を、第２の領域において乱反射する光よりも多くすることを意味するとともに、第１の領域において正反射（正面方向への反射）する光を、第２の領域において正反射する光よりも少なくすることを意味している。
また、これらのパラメーターは、それぞれを単独で変化させても良いし、いずれかを組み合わせて変化させることもできる。
以下、それぞれのパラメーターを変化させた場合の態様及び効果等について説明する。
【００２５】
（３）−１  存在密度
図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、反射領域（Ｒ）における層間絶縁膜８１は、その上面において、凹凸形状の存在密度がそれぞれ異なる第１の領域Ｓ１及び第２の領域Ｓ２を含んでいることが好ましい。より具体的には、第１の領域Ｓ１における凹凸形状１０５ａの存在密度ρ１を、第２の領域Ｓ２における凹凸形状１０５ｂの存在密度ρ２より大きくしてあることが好ましい。
この理由は、凹凸形状の存在密度の異なる領域を複数形成することにより、存在密度が高い領域から発生する広視角方向への反射光と、存在密度が低い領域から発生する正面方向への反射光と、をそれぞれバランス良く得ることができるためである。
また、反射光の散乱角（θ）は、図３（ｂ）に示すように、入射光と反射光とのなす角として定義される。したがって、入射光（Ｉ）を基板に垂直入射させた場合、散乱角（θ）＝０°となる反射光は、正面方向への反射光を意味しており、散乱角が大きくなるほど、斜め方向への散乱であることを意味している。
ここで、図４に、第１の領域及び第２の領域における存在密度が、光散乱特性及び光指向性に与える影響を表す特性曲線を示す。
この特性曲線は、横軸に、入射光の入射方向に対する反射光の散乱方向を採って示してあり、縦軸には、それぞれの散乱方向に対応する反射光強度を採って示してある。
より具体的には、図中実線で示される特性曲線（Ａ）は、従来の凹凸形状、すなわち、反射領域内において同一形状の凹凸を不規則に配列したときに得られる光散乱特性グラフである。
また、図中点線で示される特性曲線（Ｂ）は、反射領域内に凹凸形状を形成しなかったときの光散乱特性である。
更に、図中一点破線で示される特性曲線（Ｃ）は、本発明にかかる凹凸形状から得られる光散乱特性グラフであって、存在密度ρ１を４５（％）、存在密度ρ２を０（％）としたときの光散乱特性グラフを示している。
この特性曲線（Ｃ）は、特性曲線（Ａ）及び（Ｂ）を重ね合わせたような特性を示しており、所定の散乱方向において２つの不連続な段差を有する特性グラフとなる。この段差は、第１の領域からの反射光及び第２の領域からの反射光が重なり合う散乱方向において生じる不連続点であって、それぞれの光強度の差が大きくなるほど、その点での曲線の不連続性は大きくなる。また、この不連続点の位置やその不連続性は、第１の領域及び第２の領域に形成される凹凸形状の態様あるいは面積比率等で適宜変化させることができる。
かかる特性曲線から理解できるように、存在密度ρ２の第２の領域を設けることで、散乱角０°の正面方向の反射光強度を許容範囲内に維持しつつ、存在密度ρ１の第１の領域を設けることで、広視角側での視認性が向上していると言える。
よって、この存在密度ρ１及び存在密度ρ２の具体的数値範囲としては、存在密度ρ１を３０〜６０（％）の範囲内の値とし、存在密度ρ２を３０（％）未満とすることが好ましい。
しかしながら、この存在密度ρ１及び存在密度ρ２の値を過度に大きくし過ぎるような場合には、広視角側での視認性だけが一方的に強まって、結果的に表示特性を低下させてしまう場合がある。
また逆に、この存在密度ρ１及び存在密度ρ２の値を過度に小さくし過ぎるような場合には、正面方向からの視認性だけが一方的に強まって、やはり表示特性を低下させてしまう。
したがって、存在密度ρ１の範囲としては３５〜５５（％）とすることが好ましく、４０〜５０（％）とすることがより好ましい。
また、存在密度ρ２の範囲としては０〜２５（％）とすることが好ましく、０〜１５（％）とすることがより好ましい。
また、第２の領域において、その存在密度ρ２を０（％）、すなわち、当該領域を、凹凸形状が形成されていない平坦領域とすることも好ましい。
この理由は、凹凸形状を形成しないことで、正面方向への反射を顕著に高めることができ、正面方向からの視認性に優れた表示特性を得ることができるためである。
なお、本発明に用いられる存在密度とは、例えば、存在密度ρ１は第１の領域の面積に対する凹凸形状の占有面積を意味している。より具体的には、図３（ａ）において、第１の領域の横長をＸ１縦長をＹ１、面積をＳ１（＝Ｘ１×Ｙ１）とし、凹凸形状１０５ａの一つの凸部の平面積をＳａ、存在個数をＮとした場合、存在密度ρ１＝（Ｓａ×Ｎ）／（Ｓ１）×１００（％）で表すことができる。
【００２６】
（３）−２  高さ
また、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、層間絶縁膜８１はその上面において、凹凸形状の高さがそれぞれ異なる第１の領域Ｓ１及び第２の領域Ｓ２を含んでいることが好ましい。
この理由は、反射光の散乱方向を凹凸形状の高さで制御して、所望の光散乱特性及び光指向性を得ることができるためである。
より具体的には、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、直径が等しい凹凸形状１０５ａ及び１０５ｂにおいて、凹凸形状の高さが比較的高い領域では、入射光に対して、散乱角が大きくなって、高い光散乱特性を示す。その一方で、凹凸形状の高さが比較的低い領域では、入射光に対して、散乱角が小さくなって正面方向への反射が大きくなり、高い光指向性を示す。
したがって、このように高さの異なる領域を複数設けることで、散乱方向毎の光強度を効率的に制御することができる。
また、凹凸形状１０５の高さの数値範囲としては、第１の領域Ｓ１における凹凸形状１０５ａの高さｈ１を０．４〜４（μｍ）の範囲内の値とし、第２の領域Ｓ２における凹凸形状１０５ｂの高さｈ２を０．４（μｍ）未満とすることが好ましい。
この理由は、このような範囲内の値とすることにより、反射光の散乱方向を所定範囲内に制御することができるためである。
しかしながら、高さｈ１を４（μｍ）より大きくしたり、高さｈ２を０．４（μｍ）以上とした場合には、広視角側での視認性だけが一方的に強まって、結果的に表示特性を低下させてしまう場合がある。
また逆に、高さｈ１を０．４（μｍ）より小さくしたり、高さｈ２を過度に小さくし過ぎた場合には、正面方向からの視認性だけが一方的に強まって、やはり表示特性を低下させてしまう。
したがって、高さｈ１の範囲としては１．０〜３．０（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、１．５〜２．５（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、高さｈ２の範囲としては０．１〜０．３（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、０．１５〜０．２５（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００２７】
（３）−３  直径
また、図６（ａ）〜（ｂ）に示すように、層間絶縁膜８１はその上面において、凹凸形状の直径がそれぞれ異なる第１の領域Ｓ１及び第２の領域Ｓ２を含んでいることが好ましい。
この理由は、反射光の散乱方向を凹凸形状の直径で制御することができ、簡易な方法で、所望の光散乱特性及び光指向性を得ることができるためである。
なお、ここでの直径とは、凹凸形状を基板平面方向から眺めたときの、円の直径を意味しており、より具体的には、図６（ａ）におけるＤ１あるいはＤ２に相当する。
また、この凹凸形状１０５ａ及び１０５ｂを平面方向から眺めた形状が円形でないような場合には、面積の等しい真円の直径、すなわち円相当径を直径とすることができる。
また、凹凸形状の直径と光散乱特性及び光指向性との関係は、図６に示すように、凹凸形状の直径が比較的大きい領域では、領域全体における、凹凸の斜面部分の占める割合が相対的に高くなるため、広視角側での視認性が向上する。その一方で、凹凸形状の直径が比較的小さい領域では、凹凸の斜面部分の占める割合が低くなり、逆に平坦部分の占める割合が高くなることから、正面方向での視認性が向上する。
また、より具体的には、円相当径φ１を４〜１２（μｍ）の範囲内の値とし、円相当径φ２を４（μｍ）未満とすることが好ましい。
この理由は、このような範囲内の値とすることにより、上述した散乱角を所定範囲内に制御することができ、所望の光散乱特性及び光指向性を得ることができるためである。
しかしながら、円相当径φ１を１２（μｍ）より大きくしたり、円相当径φ２を４（μｍ）以上とした場合には、広視角側での視認性だけが一方的に強まって、表示特性を低下させてしまう場合がある。
また逆に、円相当径φ１を４（μｍ）より小さくしたり、円相当径φ２を過度に小さくした場合には、正面方向からの視認性だけが一方的に強まって、やはり表示特性を低下させてしまう。
したがって、かかる円相当径の範囲としては、円相当径φ１を６〜１０（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、７〜９（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、円相当径φ２を１〜３（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、１．５〜２．５（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００２８】
（３）−４  面積比率
また、第１の領域Ｓ１と、第２の領域Ｓ２と、の面積比率（Ｓ１：Ｓ２）を、１０：９０〜９０：１０の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、上述したように、第１の領域を広視角側の反射に割り当て、第２の領域を正面方向の反射に割り当てた場合に、それぞれの方向への光強度を、面積比率によって制御することができ、より簡易な方法で、所望の光散乱特性及び光指向性を得ることができるためである。
ここで、図７に面積比率（Ｓ１：Ｓ２）と光散乱特性及び光指向性の関係を表す特性曲線を示す。
この特性曲線は、横軸に、基板法線方向に対する反射光の散乱角方向を採って示してあり、縦軸には、散乱角に対応する反射光強度を採って示してある。
また、特性曲線（Ａ）は、面積比率（Ｓ１：Ｓ２）が１０：９０のときの光散乱特性グラフを示しており、特性曲線（Ｂ）は面積比率が５０：５０のときの光散乱特性グラフ、特性曲線（Ｃ）は面積比率が９０：１０のときの光散乱特性グラフをそれぞれ示している。
かかる特性曲線から理解できるように、第１の領域（Ｓ１）と第２の領域（Ｓ２）との面積比率を変化させることで、特性曲線（Ａ）から特性曲線（Ｃ）に変化させることができると言える。例えば、第１の領域を増加させることにより、特性曲線は（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の順に変化することとなる。
しかしながら、特性曲線（Ａ）や特性曲線（Ｃ）のような場合には、極端に特定方向の視認性を強調する場合には用いられるものの、現実的な用途に乏しいことから、かかる面積比率としては、２０：８０〜８０：２０の範囲内の値とすることが好ましく、４０〜６０〜６０：４０の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、特性曲線（Ｂ）上の２箇所に見られる不連続点は、図４にて説明した不連続点と同義のものであって、第１の領域及び第２の領域に形成される凹凸形状の存在密度、高さ、直径、及び面積比率等によって、その位置及び不連続性は変化することとなる。
【００２９】
（３）−５  平面形状
また、図８に示すように、第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２の平面形状は、その態様に合わせて適宜変更することができる。
より具体的には、図８（ａ）に示すように、一つの画素内において、反射領域（Ｒ）を２分割するように、第１の領域Ｓ１内に凹凸形状１０５ａを形成し、第２の領域Ｓ２内に凹凸形状１０５ｂを形成することが好ましい。
この理由は、第１の領域及び第２の領域をそれぞれ混在させることなく分離して配置することで、簡易な構成とすることができ、設計及び製造が容易となるためである。
また、図８（ｂ）に示すように、一つの画素内に、第１の領域Ｓ１及び第２の領域Ｓ２の少なくとも一方を複数設けることが好ましい。
その一例として、図８（ｂ）に示すように、一つの画素内の全体を第１の領域Ｓ１とし、当該画素の中に、複数の第２の領域Ｓ２を設けることが好ましい。
この理由は、複数の第２の領域を形成することにより、散乱方向を部分領域毎に異ならせることができ、より複雑な光散乱特性を得ることができるためである。
更には、図８（ｃ）に示すように、一つの画素内において、第１の領域Ｓ１と、第２の領域Ｓ２を、それぞれ複数設けることが好ましい。
この理由は、図８（ｂ）の場合と比較して、更に、散乱方向を部分領域毎に異ならせることができ、より複雑な光散乱特性を得ることができるためである。
なお、第１の領域及び第２の領域の少なくとも一方を複数の領域から構成する場合、その部分領域の平面形状は、図８（ｂ）に示すように、円形形状とすることもでき、あるいは、図８（ｃ）に示すように、画素電極の形状に沿うように、矩形形状とすることもできる。
また、この図８に示す平面形状において、凹凸形状１０５は、不規則に配列してあることが好ましい。
この理由は、凹凸形状が何らかの規則性をもって配列された場合、反射光が、その規則性に応じて互いに干渉して、表示領域内に干渉縞を形成して表示特性を低下させる場合が見られるためである。
【００３０】
（４）ＴＦＴ素子
また、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子は、図１（ａ）に示すように、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを有する。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００３１】
また、ゲートバス配線及びゲート電極は、例えばクロム、タンタル等によって形成することができる。また、ゲート絶縁膜は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等によって形成される。また、半導体層は、例えばドープトａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等によって形成することができる。さらに、コンタクト電極は、例えばａ−Ｓｉ等によって形成することができ、ソース電極及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって形成することができる。
【００３２】
３．対向基板の構成
また、対向基板３０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該対向基板３０上には、カラーフィルタすなわち着色層３７と、その着色層３７の上に形成された対向電極３３と、その対向電極３３の上に形成された配向膜４５とを備えている。また、反射領域Ｒにおける、着色層３７と対向電極３３との間には、リタデーションを最適化するための絶縁層４１を備えている。
また、対向電極３３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって対向基板３０の表面全域に形成された面状電極である。また、着色層３７は、素子基板６０側の画素電極６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメントを備えている。そして、着色層３７の隣であって、画素電極６３に対向しない位置にブラックマトリクス３９が設けられている。
また、対向基板３０の外側（すなわち、図１（ａ）の上側）表面には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわち、図１（ａ）の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置される。
【００３３】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、基板上に樹脂膜及び光反射膜を備えた電気光学装置の製造方法において、基板上に感光性樹脂材料を塗布して樹脂層を形成する工程と、樹脂層に対して、パターン露光を実施する工程と、樹脂層に対して、現像液を適用して樹脂膜を形成するとともに、一つの画素内における樹脂膜の表面に、凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域をそれぞれ形成する工程と、樹脂膜上に光反射膜を形成する工程と、を含み、第１の領域における乱反射性を、第２の領域における乱反射性よりも大きくするように凹凸形状を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
以下、第２実施形態に係る液晶装置の製造方法として、樹脂膜として層間絶縁膜を形成するとともに、当該層間絶縁膜の表面に視野角調整のための凹凸形状を形成する半透過反射型の液晶装置の製造方法を例に採って説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
したがって、例えば、かかる樹脂膜を対向基板側に設ける構成としたり、あるいは樹脂膜を樹脂散乱膜とし、その表面に光反射膜を形成する構成とすることもできる。
【００３４】
１．素子基板の製造工程
（１）ＴＦＴ素子の形成工程
まず、ＴＦＴ素子の形成工程を実施する。かかるＴＦＴ素子の形成工程は、素子基板の基体上に金属膜および絶縁膜を形成し、パターニングすることにより、図９（ａ）に示すように、ＴＦＴ素子等のスイッチング素子を形成する工程である。
スイッチング素子を形成するにあたり、基体６１上に、ゲート電極７１を形成する。このゲート電極７１は、例えば、クロム、タンタル、モリブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。
【００３５】
次いで、このゲート電極７１上に、絶縁層としてのゲート絶縁膜７２を形成する。このゲート絶縁膜７２は、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）等の電気絶縁材料を積層させて形成することができる。
次いで、このゲート絶縁膜７２上に、ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層７０を形成することができる。さらに、この半導体層７０の両端部分に、ドープトａ−Ｓｉ等によりコンタクト電極７７を形成することができる。
最後に、このコンタクト電極７７と接触するように、ソース電極７３及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極６６を形成することができる。このとき、ソース電極７３、ソースバス配線（図示せず）及びドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成することができる。
【００３６】
（２）層間絶縁膜の形成工程
次いで、層間絶縁膜の形成工程を実施する。かかる層間絶縁膜の形成工程は、図９（ｂ）〜図１０（ｂ）に示すように、基体６１上に感光性樹脂材料を塗布して樹脂層８１Ｘを形成する塗布工程と、この樹脂層８１Ｘに対して、所定の露光装置を用いてパターン露光する露光工程と、この樹脂層８１Ｘに対して現像液を適用して樹脂膜８１を形成する現像工程と、樹脂膜８１を熱硬化させるために所定温度で加熱保持する焼成工程と、から構成されている。
【００３７】
（２）−１  塗布工程
まず、塗布工程を実施する。塗布工程は、図９（ｂ）に示すように、感光性樹脂材料を、基体６１上に塗布し、樹脂層８１Ｘを形成する工程である。このとき、用いる感光性樹脂材料の種類としては、感光した部分が現像液に対して可溶化するポジ型と、感光した部分が不溶化するネガ型と、のいずれも好適に用いることができるが、本実施形態においては、ポジ型を用いた場合を例に採って説明する。
また、樹脂層８１Ｘの厚さとしては、露光条件に応じて変更することができ、特に限定されるものではないが、過度に薄い場合には、基体表面が部分的に露出して、パターン不良を発生させる場合がある。また、逆に厚い場合には、後述する現像工程において作業性を低下させる場合がある。したがって、かかる樹脂層の厚さとしては、０．１〜１０（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、１〜５（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
【００３８】
（２）−２  露光工程
露光工程は、図９（ｃ）に示すように、基体６１の上方に配置されたフォトマスク２０２を介して、ｉ線等のエネルギー線を照射することにより、樹脂層８１Ｘを部分的に感光させ、パターン露光する工程である。
また、フォトマスク２０２の種類としては、特に限定されるものではないが、例えば、部分的に光透過率を異ならせたハーフトーンマスクを用いることが好ましい。
この理由は、樹脂層８１Ｘの表面に凹凸形状を形成する際に、深さ方向に対して露光量を微妙に変化させることができ、より微細な凹凸形状を形成することができるためである。
また、他の露光方法としては、エネルギー線の照射強度を変更しながら、複数回露光を行う多段階露光を行うことも好ましい。
この理由は、ハーフトーンマスクを用いた場合と同様、樹脂層８１Ｘの深さ方向に対して、露光量を変化させることができ、より複雑かつ微細な凹凸形状を形成することができるためである。
【００３９】
（２）−３  現像工程
現像工程は、図１０（ａ）に示すように、潜像形成された樹脂層８１Ｘに対して、所定の現像液を適用して、樹脂膜８１を形成する工程である。
かかる現像工程は、図１０（ａ）に示すように、潜像形成された樹脂層に対して、所定の現像液を適用してパターン形成し、所定形状の層間絶縁膜８１を形成する工程である。このとき、現像液は、基板平面と平行して移動させながら滴下しても良く、基板中心部の上方にシャワーノズルを設置し、霧状に滴下しても良い。
また、このノズルをスリット形状のノズルとした場合には、その移動速度を変化させることにより、凹凸形状１０５を非対称に形成することができ、特定の散乱方向における視認性を強調したいような場合に適用することができる。
【００４０】
（２）−４  焼成工程
焼成工程は、図１０（ｂ）に示すように、所定形状にパターン加工された層間絶縁膜８１に対して、所定条件で加熱処理することにより、熱硬化させて形状を安定化させる工程である。
かかる焼成工程は、図１０（ｂ）に示すように、内部にヒータ１１４を備えた加熱装置１１３内に、素子基板６０を保管することにより実施することができる。より具体的には、例えば、加熱時間１〜６０分、加熱温度１５０〜２５０℃の条件で実施することができる。
また、この焼成工程の条件によって、凹凸形状の曲面形状を所望の形状に変化させることができ、その光散乱特性を制御することができる。
【００４１】
（３）光反射膜の形成工程
光反射膜の形成工程は、図１０（ｃ）に示すように、層間絶縁膜８１上の凹凸形状形成領域に、光反射性を備えた材料からなる光反射膜７９を形成する工程である。
かかる光反射膜の形成工程は、図１０（ｃ）に示すように、層間絶縁膜８１上に、アルミニウム等の光反射性を備えた材料を、スパッタリング法や電子ビーム法といった公知の蒸着方法を用いて成膜したのち、所定のパターニング処理を施すことにより、凹凸形状１０５上に選択的に光反射膜７９を形成することができる。
【００４２】
（４）画素電極の形成工程
画素電極の形成工程は、透明導電膜等を蒸着することにより画素電極を形成する工程と、液晶材料の配向を制御するための配向膜を形成する工程と、から構成される。
より具体的には、図１１（ａ）に示すように、対向電極と相対する位置に、スパッタリング法等により透明導電膜することにより、画素電極６３を形成する。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５を、画像表示領域に形成する。かかる配向膜８５は、所定のラビング部材を用いてラビング処理を実施することにより、液晶を配向制御できる配向膜とすることができる。
【００４３】
２．対向基板の製造工程
（１）カラーフィルタの形成工程
次いで、カラーフィルタの形成工程を実施する。かかるカラーフィルタの形成工程は、図１に示すように、基体３１上に、それぞれの画素領域に対応する複数の開口部を備えたブラックマトリクス３９を形成する工程と、カラーフィルタ層３７を形成する工程と、リタデーション調整のための層厚調整層４１を形成する工程と、から構成される。
まず、ブラックマトリクス３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。ただし、膜厚が薄い場合であっても遮光性を確保することができるとともに、ブラックマトリクス３９による段差を小さくすることができることから、クロム等の金属膜を使用することが好ましい。
かかる金属膜を用いてブラックマトリクス３９を形成する場合には、例えば、クロム（Ｃｒ）等の金属材料を蒸着法等により第１の基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成することができる。
【００４４】
次いで、カラーフィルタ層３７は、図１に示すように、例えば、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、ブラックマトリクス３９が形成された基板３１上に、スピンコータやスリットコータを用いて塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成することができる。そして、色毎に上記工程を繰り返すことにより、複数色のカラーフィルタ層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂを配列形成する。
次いで、基板３１上に全面的に光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料を塗布するとともに、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施し、少なくとも表示領域に相当する領域に、リタデーション調整のための層厚調整層４１を形成する。
【００４５】
（２）対向電極の形成工程
次いで、対向電極の形成工程を実施する。かかる対向電極の形成工程は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極を形成する工程と、液晶を配向制御するための配向膜４５を形成する工程と、から構成される。
まず、対向電極３３としては、層厚調整層４１上に全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層をスパッタリング法により形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施すことにより、対向電極３３を形成する。
次いで、素子基板において形成した配向膜８５と同様の方法を用いて、対向基板上にも配向膜４５を形成する。また、この配向膜４５に対して、素子基板の製造工程と同様、ラビング処理を実施することにより、液晶配向の制御機能を備えた配向膜とすることができる。
【００４６】
３．貼合工程等
次いで、貼合工程は、対向基板又は素子基板のいずれか一方において、表示領域を囲むようにしてシール材を積層した後、他方の基板を重ね合わせて、加熱圧着することにより、カラーフィルタ基板及び素子基板を貼り合わせて、セル構造を形成する工程である。
このようにして形成された一対の基板に対して、シール材の一部に設けられた注入口から液晶材料を注入し、封止材等により封止することにより、間隙内部に液晶材料を備えた液晶パネルを形成することができる。
【００４７】
４．後工程
次いで、後工程は、カラーフィルタ基板及び素子基板それぞれの外面に、位相差板（１／４λ板）４７、７７及び偏光板４９、８９を配置したり、ドライバＩＣを実装する工程である。これらの工程を経て、図２に示すような、本発明における液晶装置１０を製造することができる。
【００４８】
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の液晶装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図１２は、本発明の電子光学装置を備えた電子機器３００の概略構成図である。この電子機器３００の例では、液晶装置等の電子光学装置３１０と、これを制御するための制御手段３２０と有している。そして、電子光学装置３１０を、パネル構造体３１０ａと、半導体素子等で構成される駆動回路３１０ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段３２０は、表示情報出力源３３１と、表示情報処理回路３３２と、電源回路３３３と、タイミングジェネレータ３３４とから構成してある。
さらに、表示情報出力源３３１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ３３４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路３３２に供給するように構成されている。
【００４９】
また、表示情報処理回路３３２は、シリアルーパラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３１０ｂへ供給するように構成してある。さらに、駆動回路３１０ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含み、電源回路３３３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
よって、本実施形態の電子機器であれば、光散乱特性及び光指向性に優れた電気光学装置を備えるために、表示ムラが少なく、表示特性に優れた電子機器とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明によれば、樹脂膜が、凹凸形状の態様が異なる第１の領域及び第２の領域を含むことにより、正面方向からの視認性及び斜め方向からの視認性を、それぞれバランス良く向上させ、光散乱特性及び光指向性に優れた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。
したがって、本発明の電気光学装置等は、ＴＦＴ素子やＴＦＤ素子等のスイッチング素子を備えた液晶装置やそれを用いた電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を備えた装置（ＦＥＤ:Fi eld Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明に係る液晶装置を示す断面図及び素子基板の平面図である。
【図２】本発明に係る電気光学装置を示す概略斜視図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、本発明に係る凹凸形状を説明するための概略図である。
【図４】凹凸形状の存在密度と光散乱特性との関係を示す特性曲線である。
【図５】（ａ）〜（ｂ）は、凹凸形状の高さと光散乱特性との関係を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、凹凸形状の直径と光散乱特性との関係を示す図である。
【図７】面積比率と光散乱特性との関係を示す特性曲線である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、第１の領域及び第２の領域の平面形状の好適例を示す平面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板の製造工程を示す断面図である。（その１）
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板の製造工程を示す断面図である。（その２）
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、素子基板の製造工程を示す断面図である。（その３）
【図１２】本発明に係る電気光学装置を備えた電子機器を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０：液晶装置、３０：対向基板（カラーフィルタ基板）、３３：対向電極、４５：配向膜、６０：素子基板、６１：基体、６３：画素電極、６９：スイッチング素子（ＴＦＴ素子）、７９：光反射膜、８１：層間絶縁膜（樹脂膜）、８３：コンタクトホール、８５：配向膜、１０５：凹凸形状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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