(57)【要約】【課題】本発明では、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際の精度の高い位置あわせが不要で、なおかつ電極から液晶に対する電界のかかり方に影響を与えないような液晶表示装置およびその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、遮光膜および着色膜が形成された基板上に複数のＴＦＴおよび配線等で構成される駆動回路や、複数のＴＦＴ、配線、および画素電極等で構成される画素部等が一体形成されたアクティブマトリクス基板を用いて形成されることを特徴とし、このようなアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶が注入された構成を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された着色膜と、
前記着色膜上であり、かつ前記着色膜と重なる位置に絶縁膜を介して形成された電極とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板上に形成された着色膜と、
前記着色膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続された電極とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記電極は、前記着色膜と重なる位置に形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
基板上に形成された着色膜と、
前記着色膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタ、画素電極、および共通電極とを有し、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とは、電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記画素電極および前記共通電極は、前記着色膜と重なる位置に形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を有し、
前記第１の半導体膜は、珪素、シリコンゲルマニウムを主成分とする非晶質半導体、または非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を有し、
前記第１の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、
前記第１の半導体膜上であり、かつ前記ゲート電極と重なる位置に前記ソース電極、およびドレイン電極を形成する導電膜と同一の導電膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を有し、
前記第１の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、
前記第１の半導体膜上であり、かつ前記ゲート電極と重なる位置に、前記ソース領域および前記ドレイン領域を形成する第２の半導体膜と、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する導電膜と同一の導電膜とが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を有し、
前記第１の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、
前記第１の半導体膜上であり、かつ前記ゲート電極と重なる位置に形成された絶縁体上に、前記ソース領域および前記ドレイン領域を形成する第２の半導体膜と、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する導電膜と同一の導電膜とが形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記絶縁体の膜厚は、前記ソース電極および前記ドレイン電極の膜厚よりも厚いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の半導体膜上であり、かつ前記ゲート電極と重なる位置に設けられる導電膜は、前記ゲート電極の幅よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を有し、
前記第１の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、
前記第１の半導体膜上であり、かつ前記ゲート電極と重なる位置に遮光体を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を有し、
前記第１の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、
前記第１の半導体膜上であり、かつ前記ゲート電極と重なる位置に遮光体が形成され、
前記遮光体は、補助配線を介して前記ゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を有し、
前記第１の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、
前記第１の半導体膜上であり、かつ前記ゲート電極と重なる位置に遮光体が形成され、
前記遮光体は、補助配線を介して前記ゲート電極と電気的に接続され、
前記補助配線は、前記画素電極と同一の材料で形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項４乃至請求項１３のいずれか一において、
前記画素電極または前記共通電極のいずれか一方、もしくは両方が透明導電膜で形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
基板上に着色膜を形成し、
前記着色膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成し、
前記ドレイン電極と電気的に接続された電極を前記着色膜と重なる位置に形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記チャネル形成領域は、珪素、シリコンゲルマニウムを主成分とする非晶質半導体、または非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体を用いて形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１８】
基板上に着色膜を形成し、
前記着色膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜からなるゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上の一部であって、前記ゲート電極と重なる位置に絶縁体を形成し、
前記第１の半導体膜上に前記絶縁体により分離形成された第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域を形成し、
前記第２の半導体膜上に前記絶縁体により分離形成された第２の導電膜からなるソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極と電気的に接続された電極を前記着色膜と重なる位置に形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１９】
基板上に着色膜を形成し、
前記着色膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜からなるゲート電極および共通電極を形成し、
前記ゲート電極および前記共通電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上の一部であって、前記ゲート電極と重なる位置に絶縁体を形成し、
前記第１の半導体膜上に前記絶縁体により分離形成された第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域を形成し、
前記第２の半導体膜上に前記絶縁体により分離形成された第２の導電膜からなるソース電極、ドレイン電極、および遮光体を形成し、
前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を形成し、
前記共通電極および前記画素電極が前記着色膜と重なる位置に形成されていることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１８または請求項１９において、
前記第１の半導体膜は、珪素、シリコンゲルマニウムを主成分とする非晶質半導体、または非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体を用いて形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１９または請求項２０において、
前記画素電極または前記共通電極のいずれか一方、もしくは両方を透明導電膜で形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１９乃至請求項２１のいずれか一において、
前記遮光体は、前記画素電極と同時に形成される補助配線を介して前記ゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアクティブマトリクス型の液晶表示装置およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの能動素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置が知られている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は画素密度を高くすることが可能であり、小型軽量でしかも低消費電力であることから、ＣＲＴに代わるフラットパネルディスプレイの一つとしてパーソナルコンピュータのモニター、液晶テレビ、カーナビゲーションのモニターなどの製品が開発されている。
【０００３】
液晶表示装置は、複数のＴＦＴおよび配線で構成された駆動回路（ソース信号線駆動回路、ゲート信号線駆動回路等）や、複数のＴＦＴ、配線、および画素電極（個別電極）で構成された画素部等が形成された基板（アクティブマトリクス基板）と、対向電極（共通電極）、遮光膜、および着色膜（カラーフィルター）等が形成された基板（対向基板）とを貼り合わせ、これらの間に液晶を注入し、画素電極と対向電極との間に印加される電界により液晶分子を配向させている。
【０００４】
しかし、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際に、精度良く位置合わせをする必要があり、これが十分でないとアクティブマトリクス基板の画素電極と、対向基板上の着色膜との間で位置ずれが生じ、表示の際に画像に色ずれやぼやけを生じることが問題となっていた。
【０００５】
これに対して、対向基板上に形成されていた着色膜をアクティブマトリクス基板の画素電極上に形成することで、両基板を貼り合わせる際に精度の良い位置あわせが不要で色にじみがなく均一で明るい表示が得られる液晶表示装置が報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１７５１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記文献の液晶表示装置のように画素電極上に着色膜が形成される構成とすると、画素電極と液晶との間に誘電体が挟まれる構造となるため、電極から液晶に対して印加される電界が阻害されるという問題が生じる。そこで、本発明では、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際の精度の高い位置あわせが不要で、なおかつ電極から液晶に対する電界のかかり方に影響を与えないような液晶表示装置およびその作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶表示装置は、遮光膜および着色膜が形成された基板上に複数のＴＦＴ、配線、および画素電極等で構成される画素部等が一体形成されたアクティブマトリクス基板を用いて形成されることを特徴とし、このようなアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶が注入された構成を有する。
【０００８】
また、本発明では、上記構成において対向基板側に対向電極（共通電極）が形成される構成とすることもできるが、アクティブマトリクス基板の画素部に対向電極（共通電極）が含まれる構成とすることにより、イン−プレーンスイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやフリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の横電界方式の場合であっても実施可能である。なお、この場合には、基板上に何も形成されていない絶縁基板を対向基板として用いるが、対向基板のうちの液晶と接する面に配向膜を形成しておくのが好ましい。
【０００９】
また、本発明のアクティブマトリクス基板は、遮光膜および着色膜が形成された基板上にＴＦＴが形成されるため、着色膜や遮光膜の形成に用いられる有機材料等によりＴＦＴが汚染させるのを防ぐ為に、遮光膜および着色膜上にバリア膜を形成することが好ましい。なお、バリア膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））などを用いることができる。
【００１０】
また、本発明のアクティブマトリクス基板は、遮光膜および着色膜が形成された基板上にＴＦＴが形成されるため、有機材料で形成される着色膜に対するＴＦＴ作製プロセスにおける温度の影響を考慮すると、これらのＴＦＴは、低温プロセス（作製プロセスの温度が２００〜４００℃以下）で形成することが好ましい。なお、低温プロセスで形成することが可能なＴＦＴとしては、活性層に珪素、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とする非晶質半導体（アモルファス半導体）、非晶質半導体と結晶構造を有する半導体（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体を含む膜であるセミアモルファス半導体（以下、ＳＡＳと示す）を用いたＴＦＴ等が挙げられる。なお、結晶構造を有する半導体（結晶性半導体）を用いたＴＦＴでも構わない。
【００１１】
本発明の液晶表示装置では、対向基板側に光源を設け、アクティブマトリクス基板側に光を透過させる透過型液晶表示装置とすることができるが、アクティブマトリクス基板側に光源を設ける場合には、対向基板側に光を透過させる透過型液晶表示装置とするだけでなく、アクティブマトリクス基板側に光を透過させる反射型液晶表示装置とすることもできる。なお、反射型液晶表示装置の場合には、対向基板上に反射電極を設けておく必要がある。
【００１２】
なお、アクティブマトリクス基板に形成されるＴＦＴが、先に説明したようなアモルファス半導体やセミアモルファス半導体や結晶性半導体からなる活性層を有するボトムゲート型のＴＦＴであり、なおかつ、対向基板側に光源が設けられる場合には、ＴＦＴの活性層に光源からの光が照射されるのを防ぐ為に、活性層と重なる位置に遮光体を設けることが好ましい。なお、遮光体を設ける場合において、ボトムゲート型のＴＦＴをチャネルストップ（保護）型で形成することにより、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極と同時にゲート電極と重なる位置に遮光体を形成する。
【００１３】
さらに、本発明において、上述したようにアクティブマトリクス基板の画素部に画素電極（個別電極）および対向電極（共通電極）が形成される場合には、画素電極（個別電極）および対向電極（共通電極）の一方、または両方を透明導電膜で形成するのが好ましい。
【００１４】
本発明の具体的な構成は、基板上に形成された着色膜と、着色膜上に絶縁膜を介して形成された電極とを有することを特徴とする液晶表示装置であり、電極が、絶縁膜を介して着色膜と重なる位置に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、上記構成には、絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタと電極（画素電極）とが電気的に接続された構成も含むこととする。
【００１６】
また、絶縁膜上に薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極、および共通電極とを有する構成、および画素電極と共通電極が、着色膜と重なる位置に形成される構成も含むこととする。さらに、画素電極または共通電極のいずれか一方、もしくは両方が透明導電膜で形成される構成も含むこととする。
【００１７】
また、本発明に用いることができる薄膜トランジスタには、ゲート電極、ゲート絶縁膜、第１の半導体膜、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を有し、前記第１の半導体膜が、珪素、シリコンゲルマニウムを主成分とする非晶質半導体、または非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体または結晶構造を有する半導体（結晶性半導体）からなる薄膜トランジスタを用いることができる。
【００１８】
また、本発明に用いる薄膜トランジスタが、ボトムゲート型の薄膜トランジスタの場合には、チャネル形成領域を形成する第１の半導体膜が、ゲート絶縁膜を介してゲート電極上に形成され、第１の半導体膜上であり、かつゲート電極と重なる位置にソース電極、およびドレイン電極を形成する導電膜と同一の導電膜（いわゆる遮光体）が形成されていることを特徴とする。さらに、上記遮光体を形成するために、第１の半導体膜上であり、かつゲート電極と重なる位置に絶縁体が形成されることを特徴とする。
【００１９】
なお、上記構成において、絶縁体の膜厚は、ソース電極およびドレイン電極の膜厚よりも厚いことを特徴とし、さらに、ゲート電極の幅よりも小さくすることにより、絶縁体上であって、ゲート電極と重なる位置に設けられる導電膜（遮光体）の幅をゲート電極の幅よりも小さくすることを特徴とする。
【００２０】
また、上記構成において、遮光体が補助配線を介してゲート電極と電気的に接続されることを特徴とし、また、補助配線が画素電極と同一の材料で形成されることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の別の構成は、液晶表示装置の作製方法であって、基板上に着色膜を形成し、着色膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成し、ドレイン電極と電気的に接続された電極を着色膜と重なる位置に形成することを特徴とする。
【００２２】
なお、上記構成において、チャネル形成領域は、珪素、シリコンゲルマニウムを主成分とする非晶質半導体、または非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体または結晶構造を有する半導体（結晶性半導体）を用いて形成することができる。
【００２３】
また、上記構成において、ボトムゲート型の薄膜トランジスタが形成される場合には、絶縁膜上に第１の導電膜からなるゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、前記第１の半導体膜上の一部であって、ゲート電極と重なる位置に絶縁体を形成し、第１の半導体膜上に絶縁体により分離形成された第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域を形成し、第２の半導体膜上に絶縁体により分離形成された第２の導電膜からなるソース電極およびドレイン電極を形成し、ドレイン電極と電気的に接続された電極（画素電極）を着色膜と重なる位置に形成することを特徴とする。
【００２４】
なお、上記構成において、絶縁体上には第２の導電膜からなる遮光体が形成されることを特徴とする。
【００２５】
また、上記構成において、ゲート電極と同時に共通電極が形成される場合には、共通電極および画素電極が着色膜と重なる位置に形成されていることを特徴とする。さらに、画素電極または共通電極のいずれか一方、もしくは両方が透明導電膜で形成される構成も含むこととする。
【００２６】
また、上記構成において、遮光体が補助配線を介して前記ゲート電極と電気的に接続されることを特徴とし、また、補助配線が画素電極と同一の材料で形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の液晶表示装置において、液晶が注入される一対の基板のうちの一方であるアクティブマトリクス基板は、遮光膜および着色膜が形成された基板上に複数のＴＦＴおよび配線等で構成される駆動回路や、複数のＴＦＴ、配線、および画素電極等で構成される画素部等が一体形成されていることから、アクティブマトリクス基板で着色膜と画素部との間の位置あわせができているため、従来のように貼り合わせの際に要求される精度の高い位置あわせが不要となる。
【００２８】
また、アクティブマトリクス基板の着色膜は、画素電極に対して液晶と反対側に設けられているため、両電極から液晶に対する電界のかかり方に影響を与えることなくアクティブマトリクス基板に一体形成することができる。
【００２９】
また、本発明において、アクティブマトリクス基板に形成されるＴＦＴが、アモルファス半導体やセミアモルファス半導体や結晶性半導体からなる活性層を有するボトムゲート型のＴＦＴであり、なおかつ、対向基板側に光源が設けられた場合において、活性層と重なる位置に遮光体を設ける場合には、上記効果に加えてＴＦＴを駆動させた場合にソース領域・ドレイン領域間にリーク電流が生じるのを防ぐことができる。なお、遮光体を設ける場合において、ボトムゲート型のＴＦＴをチャネルストップ（保護）型とすることにより、作製工程を増やすことなく遮光体を設けることができる。
【００３０】
また、本発明において、アクティブマトリクス基板の画素部に画素電極（個別電極）および対向電極（共通電極）が形成される構成の場合には、両電極のうちの一方、または両方を透明導電膜で形成することにより、上記効果に加えて開口率の低減を防ぐことができる。なお、ボトムゲート型のＴＦＴを示したが、本発明ではトップゲート型のＴＦＴを用いても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に、本発明の一態様について図面等を用いながら詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３２】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の液晶表示装置に用いることができる液晶パネルのうち、アクティブマトリクス基板に画素電極（個別電極）および対向電極（共通電極）が形成され、横電界方式（ＩＰＳモード、ＦＦＳモード）で駆動される液晶表示パネルについて図１を用いて説明する。
【００３３】
図１において、基板１０１上に遮光膜１０２が形成され、遮光膜１０２の一部に重なるように着色膜１０３が形成されている。
【００３４】
基板１０１には、ガラス基板、石英基板、アルミナなどのセラミック等絶縁物質で形成される基板、プラスチック基板、シリコンウェハ、金属板等を用いることができる。
【００３５】
また、遮光膜１０２は、画素部の各画素の周囲全部、または一部を覆うようにパターン形成されており、遮光膜１０２に用いる材料としては、具体的には、着色顔料や染料を含む絶縁膜（ポリイミド、アクリル樹脂など）、樹脂ＢＭ、カーボンブラック、レジストの他、クロムや酸化クロム等の金属材料を用いることができる。また、膜厚は１〜３μｍとするのが好ましい。
【００３６】
着色膜１０３は、その一部が遮光膜と重なるように形成されている。なお、着色膜１０３は、画素部における画素列ごとに異なる色（例えば赤、緑、青の３色）を呈する材料で形成されていても良いし、１画素ごとに異なる色（例えば赤、緑、青の３色）を呈する材料で形成されていても良い。さらに、全ての画素が同一色を呈する材料で形成されていても良い。着色膜１０３に用いる材料としては、具体的には、着色顔料を含む絶縁膜（ポリイミド、アクリル樹脂、）その他、感光性樹脂やレジスト等を用いることができる。また、膜厚は、１〜３μｍとするのが好ましい。本発明では、図１のように、遮光膜１０２の端部を着色膜１０３が覆うように形成してもよいので、液晶表示装置を作製するときのマージンを広げることができ、製造しやすくなる。
【００３７】
また、遮光膜１０２および着色膜１０３上には、遮光膜１０２および着色膜１０３を形成して生じる凹凸を緩和する為の平坦化膜１０４が形成されている。なお、平坦化膜１０４には、絶縁材料（有機材料、無機材料）を用いることができ、単層または積層構造で形成することができる。なお、具体的には、アクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）、エポキシ樹脂などの耐熱性高分子、又はシリカガラスに代表されるシロキサンポリマー系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサンポリマー、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーに代表される珪素上の水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサンポリマー系の有機絶縁材料からなる膜や、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、及びその他の珪素を含む無機絶縁材料からなる膜を用いることができる。また、膜厚は、１〜３μｍとするのが好ましい。
【００３８】
なお、ここでは図示しないが、基板１０１や平坦化膜１０４から半導体膜への不純物の混入を防止するため、平坦化膜１０４上に窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））等のブロッキング膜が形成されていても良い。
【００３９】
平坦化膜１０４上には、ＴＦＴ１０５のゲート電極１０６、および共通電極１２２が形成されている。なお、ゲート電極１０６、および共通電極１２２には、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｎｄ等の金属元素からなる膜、前記元素を主成分とする合金材料からなる膜、Ｓｉ、Ｇｅ等の元素を含む合金材料からなる膜、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層膜、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜、ＭｏＮ／Ａｌ−Ｎｄ／ＭｏＮの積層膜、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏの積層膜、Ａｌ／Ｃｒの積層膜、又は金属窒化物等の化合物材料からなる膜、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）膜、酸化珪素を組成物として有するＩＴＯ等の膜を用いることができる。また、ゲート電極１０６、および共通電極１２２の膜厚は、２００ｎｍ以上とするのが好ましく、さらに３００〜５００ｎｍとするのが好ましい。
【００４０】
ゲート電極１０６、および共通電極１２２上には、絶縁膜が形成されており、その一部はＴＦＴ１０５のゲート絶縁膜１０７である。なお、絶縁膜（ゲート絶縁膜１０７を含む）は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、及びその他の珪素を含む絶縁膜等により、単層または積層構造で形成される。なお、ゲート絶縁膜１０７の膜厚は、１０〜１５０ｎｍとするのが好ましく、さらに３０〜７０ｎｍとするのが好ましい。
【００４１】
ゲート絶縁膜１０７を一部に含む絶縁膜上には、第１の半導体膜１０８が形成されている。第１の半導体膜１０８には、珪素、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とする非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体（以下、ＳＡＳと示す）、及び非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、結晶構造を有する半導体（結晶性半導体）から選ばれたいずれかの状態を有する膜を用いることができる。なお、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶状態はいわゆるマイクロクリスタル（以下、μｃと示す）と呼ばれている。また、上記主成分の他に、リン、ヒ素、ボロン等のアクセプター型元素又はドナー型元素が含まれていても良い。第１の半導体膜１０８の膜厚は、１０〜１５０ｎｍとし、さらに３０〜７０ｎｍとするのが好ましい。
【００４２】
第１の半導体膜１０８上であって、先に形成されたゲート電極１０６と重なる位置に絶縁体１０９が形成されている。絶縁体１０９は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、及びその他の珪素を含む絶縁膜により単層又は積層構造で形成される。絶縁体１０９の膜厚は、ソース領域１１０、ドレイン領域１１１、ソース電極１１２、およびドレイン電極１１３よりも厚くなるように形成される。具体的には、５００ｎｍ以上とするのが好ましい。さらに、絶縁体１０９の幅（図１に示すＬ２）は、ゲート電極１０６の幅（図１に示すＬ１）よりも小さくなるように形成される。なお、絶縁体１０９の幅（図１に示すＬ２）を制御することにより、遮光体１１４の幅を制御することができる。すなわち、遮光体１１４の幅がゲート電極１０６の幅（図１に示すＬ１）よりも小さくなることで、遮光体１１４を設けることによる寄生容量を低減させることができる。
【００４３】
次に、第１の半導体膜１０８上には、ソース領域１１０およびドレイン領域１１１、ソース領域１１０上にはソース電極１１２、ドレイン領域１１１上にはドレイン電極１１３、さらに絶縁体１０９上には遮光体１１４がそれぞれ分離形成されている。
【００４４】
なお、ソース領域１１０およびドレイン領域１１１は、珪素、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とする非晶質半導体、ＳＡＳ、μｃ等の半導体膜を用いて形成される。なお、ここで用いる半導体膜には、上記主成分の他に、リン、ヒ素、ボロン等のアクセプター型元素又はドナー型元素が含まれている。また、ソース領域１１０およびドレイン領域１１１の膜厚は、１０〜１５０ｎｍとするのが好ましく、さらに３０〜７０ｎｍとするのが好ましい。
【００４５】
また、ソース電極１１２、ドレイン電極１１３、遮光体１１４に用いる材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａ等の金属元素からなる膜、前記元素を主成分とする合金材料からなる膜、Ｓｉ、Ｇｅ等の元素を含む合金材料からなる膜、又は金属窒化物等の化合物材料からなる膜、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を組成物として有するＩＴＯ等の膜を用いることができる。また、ソース電極１１２、ドレイン電極１１３、および遮光体１１４の膜厚は、２００ｎｍ以上とするのが好ましく、さらに３００〜５００ｎｍとするのが好ましい。
【００４６】
本実施の形態１で示す液晶表示パネルの場合、光源は液晶表示パネルの両側（図１の基板１０１側、もしくは基板１１８側）のうち、どちら側にも設けることができる。しかし、ＴＦＴ１０５がボトムゲート型であるため、基板１１８側に光源を設け、図１中の矢印の方向に光源からの光が照射される構成とする場合には、第１の半導体膜１０８の一部（ＴＦＴ１０５のチャネル形成領域）に光が照射されてしまう。このようにＴＦＴ１０５の活性層（チャネル形成領域）に光が照射されると、ＴＦＴ１０５を駆動させた場合にソース領域・ドレイン領域間にリーク電流が生じてしまう等の電気的特性に対する影響が問題となるが、遮光体１１４を設けておくことにより、第１の半導体膜１０８の一部（いわゆる、ＴＦＴ１０５のチャネル形成領域）に光が照射されるのを防ぐことができる。
【００４７】
また、第１の半導体膜１０８、ソース領域１１０、ドレイン領域１１１、ソース電極１１２、ドレイン電極１１３、およびゲート絶縁膜１０７上にＴＦＴ１０５の保護膜１１５として機能する絶縁膜が形成されている。なお、ここでの絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、及びその他の珪素を含む絶縁膜等により単層又は積層構造で形成される。また、保護膜１１５の膜厚は、１０〜１５０ｎｍとし、さらに３０〜７０ｎｍとするのが好ましい。
【００４８】
また、ドレイン電極１１３上の保護膜１１５の一部に形成された開口部を介してドレイン電極１１３と電気的に接続された画素電極１１６が形成されている。なお、画素電極１１６は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を組成物として有するＩＴＯ等の膜からなる透明導電膜を用いて形成される。
【００４９】
本実施の形態１では、基板上に上述した構成を有するものをアクティブマトリクス基板１１７と呼ぶこととする。
【００５０】
なお、本発明における液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板と基板との間に液晶層が挟まれた構造を有する。すなわち、本実施の形態１では、アクティブマトリクス基板１１７と基板１１８との間に液晶層１１９が挟まれた構造を有する。なお、液晶層１１９には、公知の液晶材料を用いることができる。
【００５１】
また、アクティブマトリクス基板１１７と基板１１８の表面には、それぞれ配向膜１２０、１２１が形成されている。配向膜１２０、１２１は、ポリイミド、ポリアミド等の材料を用いて形成される。また、配向膜１２０、１２１には液晶を配向させるための配向処理が施されている。なお、基板１１８は、基板１０１に用いることができる基板を同様に用いることができる。
【００５２】
以上のように、本実施の形態１で説明した液晶表示パネルは、基板１０１上に遮光膜１０２、着色膜１０３、ＴＦＴ１０５、画素電極１１６、その他配線等がすべて作り込まれたアクティブマトリクス基板と、配向膜のみが形成された基板とを貼り合わせ、その間に液晶層を形成する構成であることから、対向側の基板１１８に遮光膜や着色層を形成する場合と異なり、基板同士を貼り合わせる際の位置合わせが不要となる。
【００５３】
なお、本実施の形態１で示す液晶表示パネルを用いて形成される液晶表示装置では、その構造的特徴からＩＰＳモードやＦＦＳモード等の横電界方式の駆動モードを用いるため、アクティブマトリクス基板の画素電極１１６と共通電極１２２との間で形成される横電界を阻害するような電界の発生を防ぐ為に遮光膜１０２を導電性材料ではなく、樹脂材料を用いて形成することが好ましい。
【００５４】
また、図１とは異なる形態として、アクティブマトリクス基板に形成されるＴＦＴを、結晶性半導体膜からなる活性層を有するトップゲート型のＴＦＴとした場合について、図１２を用いて説明する。なお、以下に説明する構造及び材料以外は、図１と同様とすることができる。
【００５５】
図１２において、基板１２０１上に遮光膜１２０２が形成され、遮光膜１２０２の一部に重なるように着色膜１２０３が形成されている。
【００５６】
遮光膜１２０２及び着色膜１２０３上には、平坦化膜１２０４及び下地膜１２０５が形成されている。下地膜１２０５は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、及びその他の珪素を含む絶縁膜等により単層又は積層構造で形成される。
【００５７】
下地膜１２０５上には、結晶性半導体膜１２０６、絶縁膜１２０７（ゲート絶縁膜を含む）、ゲート電極１２０８及び共通電極１２０９が形成されている。ゲート電極１２０８及び共通電極１２０９上には、層間絶縁膜１２１０が形成されており、層間絶縁膜１２１０は酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、及びその他の珪素を含む絶縁膜等により単層又は積層構造で形成されている。
【００５８】
結晶性半導体膜１２０６上であって、先に形成されたゲート電極１２０８と重なる位置に絶縁体１２１１が形成されている。さらに、層間絶縁膜１２１０の一部に形成された開口部を介して、結晶性半導体膜１２０６上には、ソース電極１２１２及びドレイン電極１２１３、さらに絶縁体１２１１上には遮光体１２１４がそれぞれ分離形成されている。
【００５９】
結晶性半導体膜１２０６、ゲート絶縁膜１２０７、ゲート電極１２０８、ソース電極１２１２及びドレイン電極１２１３上にＴＦＴ１２２２の保護膜１２１５として機能する絶縁膜が形成されており、保護膜１２１５の一部に形成された開口部を介してドレイン電極１２１３と電気的に接続された画素電極１２１６が形成されている。
【００６０】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、実施の形態１で説明した液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板の作製方法について図２〜図４を用いて説明する。なお、図４は、アクティブマトリクス基板の平面図であり、図２および図３は、図４中のＡ−Ａ’における断面図である。また、図２〜図４においては、共通の番号を用いて説明することとする。
【００６１】
まず、図２（Ａ）に示すように、基板３０１上に遮光膜３０２が形成される。
【００６２】
基板３０１には、ガラス基板、石英基板、アルミナなどのセラミック等絶縁物質で形成される基板、プラスチック基板、シリコンウェハ、金属板等を用いることができる。また、３２０ｍｍ×４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板を用いることができる。
【００６３】
なお、プラスチック基板の代表例としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネイト、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、またはポリフタールアミドからなるプラスチック基板、直径数ｎｍの無機粒子が分散された有機材料で形成される基板等が挙げられる。また、基板の表面は平面である必要はなく、凹凸又は曲面を有するものでもよい。
【００６４】
また、遮光膜３０２は、画素部の各画素の周囲全部、または一部を覆うようにパターン形成される。なお、遮光膜３０２は、着色顔料や染料を含む絶縁膜（ポリイミド、アクリル樹脂など）、樹脂ＢＭ、カーボンブラック、レジストの他、クロムや酸化クロム等の金属材料を用いて形成することができ１〜３μｍの膜厚で形成される。なお、遮光膜３０２は、液晶表示パネルの光漏れを防止する機能を有する。
【００６５】
次に、着色膜３０３を形成する。着色膜３０３は、その一部が遮光膜と重なるように形成する。なお、着色膜３０３は、着色顔料を含む絶縁膜（ポリイミド、アクリル樹脂など）、その他、感光性樹脂やレジスト等の材料を用いて形成することができ、画素部における画素列ごとに異なる色（例えば赤、緑、青の３色）を呈するように形成されていても良いし、１画素ごとに異なる色（例えば赤、緑、青の３色）を呈するように形成されていても良い。さらに、全ての画素が同一色を呈するように形成されていても良い。また、着色膜３０３は、１〜３μｍの膜厚で形成される。
【００６６】
次に遮光膜３０２および着色膜３０３を覆って平坦化膜３０４が形成される。なお、平坦化膜３０４は、遮光膜３０２および着色膜３０３を形成することにより生じた凹凸を緩和する機能を有する。
【００６７】
平坦化膜３０４の材料としては、アクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシリカガラスに代表されるシロキサンポリマー系材料を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサンポリマー、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーに代表される珪素上の水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機シロキサンポリマー系の絶縁材料を用いることができる。また、成膜方法としては、塗布法、印刷法等公知の手法を用いることができる。
【００６８】
次に、平坦化膜３０４上にＣＶＤ法によりバリア膜３０５を形成する。なお、バリア膜３０５は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、及び窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、およびその他の珪素を含む絶縁膜等の単層または積層構造で形成される。バリア膜３０５を設けることにより、基板３０１側からの不純物の混入を防ぐことができる。
【００６９】
図２（Ｂ）に示すように、バリア膜３０５上に第１の導電膜３０６を形成する。第１の導電膜３０６は、スパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、液滴吐出法、印刷法、電界メッキ法等の成膜方法により、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｎｄ等の金属元素、前記元素を主成分とする合金材料、Ｓｉ、Ｇｅ等の元素を含む合金材料、又は金属窒化物等の化合物材料、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を組成物として有するＩＴＯ等の膜で形成される。
【００７０】
なお、第１の導電膜３０６をパターニングすることによって、図２（Ｃ）に示すようにゲート電極３０６ａ、共通電極３０６ｂ、図４に示すようにゲート信号線３０６ｃ、共通配線３０６ｄがそれぞれ形成される。スパッタリング法やＣＶＤ法等の成膜方法を用いて第１の導電膜３０６を形成する場合には、液滴吐出法、フォトリソグラフィー工程、レーザビーム直接描画装置を用いた感光性材料の露光及び現像等によって、導電膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて導電膜を所望の形状にパターニングすることとする。
【００７１】
また、液滴吐出法を用いる場合には、そのままパターン形成が可能であるため、吐出口（以下、ノズルと示す。）から上記金属の粒子が有機樹脂に溶解又は分散された液状物質を吐出し、加熱することにより、ゲート電極３０６ａ、共通電極３０６ｂ、ゲート信号線３０６ｃ、共通配線３０６ｄ等が形成される。有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤、及び被覆剤として機能する有機樹脂から選ばれた一つ又は複数を用いることができる。代表的には、ポリイミド、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、珪素樹脂、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等や、公知の有機樹脂が挙げられる。
【００７２】
なお、液状物質の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓが好適であり、これは、乾燥が起こることを防止し、ノズルから金属粒子を円滑に吐出できるようにするためである。また、表面張力は４０ｍ／Ｎ以下が好ましい。なお、用いる溶媒や用途に合わせて、液状物質の粘度等は適宜調整するとよい。
【００７３】
液状物質に含まれる金属粒子の粒子の径は、数ｎｍ〜１０μｍのものを用いることができるが、ノズルの目詰まり防止や高精細なパターンの作製のためには、なるべく小さい方が好ましく、粒径０．１μｍ以下の金属粒子を用いるのがより好ましい。
【００７４】
次に、ゲート絶縁膜３０７を形成する（図２（Ｄ））。ゲート絶縁膜３０７は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、及び窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、およびその他の珪素を含む絶縁膜等の単層または積層構造で形成される。なお、ゲート絶縁膜３０７の膜厚は、１０〜１５０ｎｍとするのが好ましく、さらに３０〜７０ｎｍとするのが好ましい。
【００７５】
次に、第１の半導体膜３０８を成膜する。第１の半導体膜３０８は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により、珪素、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とする非晶質半導体、ＳＡＳ、μｃ等の膜で形成される。また、第１の半導体膜３０８には、上記主成分の他に、リン、ヒ素、ボロン等のアクセプター型元素又はドナー型元素が含まれていても良い。また、第１の半導体膜３０８の膜厚は、１０〜１５０ｎｍとし、さらに３０〜７０ｎｍとするのが好ましい。
【００７６】
次に、第１の半導体膜３０８上であって、先に形成されたゲート電極３０６ａと重なる位置に絶縁体３０９が形成される（図２（Ｅ））。なお、絶縁体３０９を形成することにより、後の工程で形成される第２の半導体膜３１０および第２の導電膜３１１を分離形成し、ＴＦＴのソース領域３１０ａ、ドレイン領域３１０ｂ、ソース電極３１１ａ、ドレイン電極３１１ｂ、遮光体３１１ｃ（図３（Ｂ）、図４参照）をそれぞれ形成することができる。なお、絶縁体３０９は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により形成された酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、及び窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、およびその他の珪素を含む絶縁膜（単層構造、または積層構造のいずれでも良い）等の絶縁膜を、液滴吐出法、フォトリソグラフィー工程、レーザビーム直接描画装置を用いた感光性材料の露光及び現像等によって、絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて所望の形状にパターニングすることにより形成される。また、絶縁体３０９の膜厚は、ソース電極３１１ａ、ドレイン電極３１１ｂよりも厚くなるように形成される。具体的には、２００ｎｍとし、さらに３００〜８００ｎｍとするのが好ましい。さらに、絶縁体３０９の幅（図２（Ｅ）に示すＬ２）は、ゲート電極３０６ａの幅（図２（Ｅ）に示すＬ１）よりも小さくなるように形成される。
【００７７】
次に、一導電型を呈する第２の半導体膜３１０を形成する（図３（Ａ））。第２の半導体膜３１０は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により形成される。また、ここで形成される珪素、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とする非晶質半導体、ＳＡＳ、μｃ等の膜中には、上記主成分の他に、リン、ヒ素、ボロン等のアクセプター型元素又はドナー型元素が含まれている。なお、第２の半導体膜３１０は、絶縁体３０９上に形成された部分と、第１の半導体膜３０８上に形成された部分とでそれぞれ分離されている。なお、このとき、第２の半導体膜３１０の一部が絶縁体３０９の側面に形成される場合には、エッチング処理等を施しても良い。
【００７８】
さらに、第２の半導体膜３１０上に第２の導電膜３１１が形成される。なお、第２の導電膜３１１は、本実施の形態において先に説明した第１の導電膜３０６と同様の方法で、同様の材料を用いて形成することができる。なお、第２の導電膜３１１の膜厚は、２００ｎｍ以上とするのが好ましく、さらに３００〜７００ｎｍとするのが好ましい。なお、第２の導電膜３１１は、第２の半導体膜３１０と同様に絶縁体３０９により分離形成されている。なお、このとき、第２の導電膜３１１の一部が絶縁体３０９の側面に形成される場合には、エッチング処理等を施しても良い。
【００７９】
次に、第２の導電膜３１１をパターニングして、ソース電極３１１ａ、ドレイン電極３１１ｂ（図３（Ｂ）、図４）を形成し、さらにソース電極３１１ａ、ドレイン電極３１１ｂをマスクとして、第１の半導体膜３０８および第２の半導体膜３１０をエッチングすることにより、図３（Ｂ）に示す形状を得る。すなわち、ソース領域３１０ａ、ドレイン領域３１０ｂ、ソース電極３１１ａ、ドレイン電極３１１ｂ、チャネル形成領域３０８ａ（図３（Ｂ）、図４）がそれぞれ形成される。また、ソース電極３１１ａは、図４に示すようにソース信号線３１１ｄと連続する膜で形成されている。なお、パターニングには、液滴吐出法、フォトリソグラフィー工程、レーザビーム直接描画装置を用いた感光性材料の露光及び現像等によって、第２の導電膜３１１上にマスクを形成し、マスクを用いて所望の形状にエッチングする方法を用いることができる。
【００８０】
次に、保護膜３１２を形成する（図３（Ｃ））。なお、保護膜３１２は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ（Ｘ＞Ｙ））、及び窒化酸化珪素膜（ＳｉＮｘＯｙ（Ｘ＞Ｙ））、およびその他の珪素を含む絶縁膜等の単層または積層構造で形成される。なお、保護膜３１２は、絶縁体３０９の側面にも形成するため、カバレッジの良い材料を選択することが好ましい。
【００８１】
次に、保護膜３１２の一部であって、ドレイン電極３１１ｂと重なる位置に開口部を形成し、開口部においてドレイン電極３１１ｂと電気的に接続された画素電極３１３（図３（Ｄ）、図４）を形成する。画素電極３１３は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、塗布法等により形成されるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を組成物として有するＩＴＯ等の透明導電膜をパターニングすることにより形成される。なお、画素電極３１３の膜厚は、１００〜１５０ｎｍとするのが好ましい。
【００８２】
また、図４に示すように画素電極３１３の一部をゲート信号線３０６ｃの一部と重なるように形成することにより、保持容量３１５が形成されている。
【００８３】
以上の工程により、図３（Ｄ）および図４に示すアクティブマトリクス基板を形成することができる。
【００８４】
なお、図３（Ｄ）および図４に示すアクティブマトリクス基板を得た後、アクティブマトリクス基板および対向基板となる基板上に配向膜を形成し、これらの基板を貼り合わせた後、両基板の間に液晶材料を注入し、封止材によって完全に封止することにより、液晶表示パネルを形成することができる。なお、液晶表示パネルの構成については、実施の形態６で詳細に説明することとする。
【００８５】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、実施の形態１の構造の一部に改良を加えた液晶表示パネルについて説明する。なお、図５に示す液晶表示パネルにおいて、実施の形態１で説明した図１と同様の名称等を示す場合については、同様の材料を用いて同様に形成することができるとし、詳細については実施の形態１に記載の説明を参照することとする。
【００８６】
図５の遮光体５１９は、実施の形態１で示したのと同様にソース電極５１１ａやドレイン電極５１１ｂを形成する第２の導電膜で形成されるため、導電性材料で形成される。そのため、絶縁体５０９が十分な膜厚で形成されていない場合には、遮光体５１９がＴＦＴ５１４における寄生容量となる場合がある。そこで、本実施の形態３では、遮光体５１９がＴＦＴ５１４の寄生容量となるのを防ぐ為に遮光体５１９と電気的に接続された補助配線５２０を形成する。
【００８７】
ここで、図５の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板の平面図として図６を用い、さらに詳細に説明することとする。なお、図６（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面図を図６（Ｂ）に示すこととする。また、図６において、実施の形態２で説明した図４と同様の名称等を示す場合については、同様の材料を用いて同様の方法で形成することができるとし、詳細については実施の形態２に記載の説明を参照することとする。
【００８８】
図６（Ａ）に示すように、補助配線５２０は、画素電極５１３と同時に形成される。すなわち、図６（Ｂ）に示すように画素電極５１３形成前に保護膜５１２の一部（図６（Ｂ）に示す領域ａ）に開口部を形成する際に、遮光体５１９上に形成された保護膜５１２の一部（図６（Ｂ）に示す領域ｂ）と、ゲート信号線５０６ｃ上に積層されたゲート絶縁膜５０７、第１の半導体膜５０８、および保護膜５１２の一部（図６（Ｂ）に示す領域ｃ）にも開口部を形成し、透明導電膜をパターニングして画素電極５１３と補助配線５２０を同時に形成する。従って、画素電極５１３と補助配線５２０とは、同一工程において、同じ導電性材料で形成される。
【００８９】
以上により、補助配線５２０により遮光体５１９とゲート信号線５０６ｃとが電気的に接続されるため、遮光体５１９がＴＦＴ５１４における寄生容量となるのを防ぐことができる。また、本実施の形態において形成される補助配線５２０は、新たな材料や新たな処理を必要とするものではないため、特に工程数を増やすことなく形成することができる。
【００９０】
（実施の形態４）
本発明のようにアクティブマトリクス基板に両方の電極（画素電極、共通電極）が形成される構成の場合、電極材料に遮光性の導電膜を用いると画素部における開口率が低下するという問題が生じる。そこで、本実施の形態４では、画素電極だけでなく、共通電極も透明導電膜で形成する場合について説明する。
【００９１】
図７において、図７（Ａ）には、本実施の形態４で説明するアクティブマトリクス基板の平面図を示し、図７（Ｂ）には図７（Ａ）のＣ−Ｃ’における断面図を示すこととする。なお、図７において、実施の形態２で説明した図４と同様の名称等を示す場合については、同様の材料を用いて同様の方法で形成することができるとし、詳細については実施の形態２に記載の説明を参照することとする。但し、本実施の形態４で説明する共通電極については、以下に説明するとおりとする。
【００９２】
図７（Ａ）に示すように共通電極７０６ｂは、画素電極７１３と同じ材料で形成されている。共通配線７０６ｃと電気的に接続されるが、異なる材料で形成されている。すなわち、図７（Ｂ）に示すように画素電極７１３形成前に保護膜７１２の一部（図７（Ｂ）に示す領域ａ’）に開口部を形成する際に、共通配線７０６ｃ上に形成された保護膜７１２の一部（図７（Ｂ）に示す領域ｂ’）にも開口部を形成し、透明導電膜をパターニングして画素電極７１３と共通電極７０６ｂを同時に形成する。従って、本実施の形態４の場合には画素電極７１３と共通電極７０６ｂとは、同一工程において、同じ導電性材料で形成される。
【００９３】
以上により、共通電極７０６ｂを画素電極７１３と同じ透明導電膜で形成されることにより、画素部における開口率の低下を防ぐことができる。また、本実施の形態において形成される共通電極７０６ｂは、新たな材料や新たな処理を必要とするものではないため、特に工程数を増やすことなく形成することができる。
【００９４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板となる基板上に形成される着色膜について図８を用いて説明する。なお、本実施の形態で示すアクティブマトリクス基板の構成（駆動回路、画素部など）は、本発明に用いることができるアクティブマトリクス基板の一形態である。
【００９５】
図８（Ａ）には、後の工程で各形成領域に駆動回路や画素部を形成することによりアクティブマトリクス基板が形成される基板を示す。すなわち、図８（Ａ）の基板８００上の画素部形成領域８０１に画素部を形成し、ソース信号線駆動回路形成領域８０２にソース信号線駆動回路を形成し、ゲート信号線駆動回路形成領域８０３にゲート信号線駆動回路をそれぞれ形成することによりアクティブマトリクス基板が形成される。
【００９６】
なお、本発明の場合には、これらの駆動回路や画素部が形成される前に、基板８００上の画素部形成領域８０１には、遮光膜、および着色膜が形成されている。
【００９７】
図８（Ｂ）には、図８（Ａ）の領域ａ（８０４）の拡大図を示す。また、図８（Ｂ）の領域ａ（８０４）の画素形成領域８０６には、後の工程で画素が形成される。従って、この画素形成領域８０６に合わせて予め基板８００上に遮光膜８０５および着色膜８０７が形成される。
【００９８】
遮光膜８０５は、基板８００上の画素形成領域８０６の間に先に形成される。そして、遮光膜８０５および画素形成領域８０６を覆って、着色膜８０７が形成される。
【００９９】
ここでは着色膜８０７が、３種類の着色膜、すなわち赤色顔料を含む絶縁材料からなる着色膜Ｒ（８０７ａ）、緑色顔料を含む絶縁材料からなる着色膜Ｇ（８０７ｂ）、青色顔料を含む絶縁材料からなる着色膜Ｂ（８０７ｃ）でストライプ状に形成される場合について示す。なお、着色膜の種類（色、材料）は、１種類でも複数種でも良く、また、１種類からなるベタ膜で形成されていても、塗り分けされていても良い。なお、材料や塗り分け方法については特に限定はなく、公知の材料を用いて公知の方法で適宜形成することができる。
【０１００】
また、図８（Ｃ）には、図８（Ｂ）のＤ−Ｄ’における断面図を示す。基板８００上の画素形成領域８０６の間に遮光膜８０５が形成されており、遮光膜８０５の間に着色膜８０７（８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃ）が形成される。なお、図８（Ｃ）に示すように遮光膜８０５に重なるように着色膜８０７（８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃ）が形成されていても良い。
【０１０１】
また、ここでは図示しないが、基板８００上に遮光膜８０５および着色膜８０７（８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃ）を形成した後で基板８００上の凹凸を緩和すべく、平坦化膜が形成される。なお、平坦化膜は、絶縁材料により形成される。
【０１０２】
以上のように遮光膜８０５、着色膜８０７（８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃ）、および平坦化膜が形成された基板上に駆動回路や画素部を形成することによりアクティブマトリクス基板が形成される。なお、以降の工程を経て形成されるアクティブマトリクス基板については、実施の形態１〜４における記載を参照することとする。
【０１０３】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の液晶表示パネルの構成について、図９を用いて説明する。図９（Ａ）は、アクティブマトリクス基板となる第１の基板９０１と、対向基板となる第２の基板９０２との間を第１のシール材９０３及び第２のシール材９０４によって封止されたパネルの上面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。また、第１の基板９０１に、実施の形態１〜４で説明したアクティブマトリクス基板を用いることが可能である。
【０１０４】
図９（Ａ）において、点線で示された９０５は画素部、９０６はソース信号線駆動回路、９０７はゲート信号線駆動回路である。本実施の形態において、画素部９０５、ソース信号線駆動回路９０６、及びゲート信号線駆動回路９０７は、第１のシール材９０３及び第２のシール材９０４で封止されている領域内に形成されている。
【０１０５】
また、第１の基板９０１と第２の基板９０２とを封止する第１のシール材９０３及び第２のシール材９０４には、密閉空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されており、これらにより形成される空間には、液晶材料が充填されている。
【０１０６】
次に、断面構造について図９（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板９０１上には遮光膜９２０および着色膜９２１が形成されている。また、これらを覆って形成された平坦化膜９２２上に駆動回路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。なお、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路９０６と画素部９０５が示されている。なお、ソース信号線駆動回路９０６はｎチャネル型ＴＦＴ９０８とｐチャネル型ＴＦＴ９０９とを組み合わせたＣＯＭＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１０７】
また、画素部９０５には、複数の画素が形成されており、各画素には液晶素子９１０が形成されている。液晶素子９１０は、画素電極である第１の電極９１１、ここでは図示しないが共通電極である第２の電極、及びその間に液晶材料で形成された液晶層９１２が形成されている部分である。液晶素子９１０が有する第１の電極９１１は、配線を介して駆動用ＴＦＴ９１３と電気的に接続されている。また、第１の基板９０１上の各画素電極表面、および第２の基板９０２の表面には配向膜９１４、９１５が形成されている。
【０１０８】
９２３は柱状のスペーサーであり、第１の基板９０１と第２の基板９０２との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。絶縁膜を所望の形状にエッチングして形成されている。なお、球状スペーサーを用いていても良い。
【０１０９】
ソース信号線駆動回路９０６、ゲート信号線駆動回路９０７、および画素部９０５に与えられる各種信号及び電位は、接続配線９１６を介して、ＦＰＣ９１７から供給されている。なお、接続配線９１６とＦＰＣとは、異方性導電膜又は異方導電性樹脂９１８で電気的に接続されている。なお、異方性導電膜又は異方性導電樹脂の代わりに半田等の導電性ペーストを用いてもよい。
【０１１０】
また、図示しないが、第１の基板９０１及び第２の基板９０２の一方又は両方の表面には、接着剤によって偏光板が固定されている。なお、偏光板の他に位相差板を設けてもよい。
【０１１１】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の液晶表示パネルにおける駆動回路の実装方法について、図１０を用いて説明する。
【０１１２】
図１０（Ａ）の場合には、画素部１００１の周辺にソース信号線駆動回路１００２、及びゲート信号線駆動回路１００３ａ、１００３ｂを実装される。すなわち、公知の異方性導電接着剤、及び異方性導電フィルムを用いた実装方法、ＣＯＧ方式、ワイヤボンディング方法、並びに半田バンプを用いたリフロー処理等により基板１０００上にＩＣチップ１００５を実装することで、ソース信号線駆動回路１００２、及びゲート信号線駆動回路１００３ａ、１００３ｂ等が実装される。なお、ＩＣチップ１００５は、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１００６を介して、外部回路と接続される。
【０１１３】
なお、ソース信号線駆動回路１００２の一部、例えばアナログスイッチを基板上に一体形成し、かつその他の部分を別途ＩＣチップで実装してもよい。
【０１１４】
また、図１０（Ｂ）の場合には、画素部１００１とゲート信号線駆動回路１００３ａ、１００３ｂ等が基板上に一体形成され、ソース信号線駆動回路１００２等が別途ＩＣチップで実装される。すなわち、ＣＯＧ方式などの実装方法により、画素部１００１とゲート信号線駆動回路１００３ａ、１００３ｂ等が一体形成された基板１０００上にＩＣチップ１００５を実装することで、ソース信号線駆動回路１００２等が実装される。なお、ＩＣチップ１００５は、ＦＰＣ１００６を介して、外部回路と接続される。
【０１１５】
なお、ソース信号線駆動回路１００２の一部、例えばアナログスイッチを基板上に一体形成し、かつその他の部分を別途ＩＣチップで実装してもよい。
【０１１６】
さらに、図１０（Ｃ）の場合には、ＴＡＢ方式によりソース信号線駆動回路１００２等が実装される。なお、ＩＣチップ１００５は、ＦＰＣ１００６を介して、外部回路と接続される。図１０（Ｃ）の場合には、ソース信号線駆動回路１００２等をＴＡＢ方式により実装しているが、ゲート信号線駆動回路等をＴＡＢ方式により実装してもよい。
【０１１７】
ＩＣチップ１００５をＴＡＢ方式により実装すると、基板に対して画素部を大きく設けることができ、狭額縁化を達成することができる。
【０１１８】
また、ＩＣチップ１００５の代わりにガラス基板上にＩＣを形成したＩＣ（以下、ドライバＩＣと表記する）を設けてもよい。ＩＣチップ１００５は、円形のシリコンウェハからＩＣチップを取り出すため、母体基板形状に制約がある。一方ドライバＩＣは、母体基板がガラスであり、形状に制約がないため、生産性を高めることができる。そのため、ドライバＩＣの形状寸法は自由に設定することができる。例えば、ドライバＩＣの長辺の長さを１５〜８０ｍｍとして形成すると、ＩＣチップを実装する場合と比較し、必要な数を減らすことができる。その結果、接続端子数を低減することができ、製造上の歩留まりを向上させることができる。
【０１１９】
ドライバＩＣは、基板上に形成された結晶質半導体を用いて形成することができ、結晶質半導体は連続発振型のレーザ光を照射することで形成するとよい。連続発振型のレーザ光を照射して得られる半導体膜は、結晶欠陥が少なく、大粒径の結晶粒を有する。その結果、このような半導体膜を有するトランジスタは、移動度や応答速度が良好となり、高速駆動が可能となり、ドライバＩＣに好適である。
【０１２０】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置に組み込まれる液晶モジュールであって、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の駆動モードの白色ライトを用いてカラー表示をする液晶モジュールについて、図１１の断面図を用いて説明する。なお、本実施の形態８で説明する液晶モジュールには、実施の形態１〜７を実施することにより形成される液晶表示パネルを用いることができるものとする。
【０１２１】
図１１に示すように、アクティブマトリクス基板１１０１と対向基板１１０２は、シール材１１０３により固着され、それらの間には液晶層１１０５が設けられ、液晶表示パネルが形成されている。
【０１２２】
また、アクティブマトリクス基板１１０１に形成された着色膜１１０６は、カラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色膜が各画素に対応して設けられている。アクティブマトリクス基板１１０１と対向基板１１０２との内側には、配向膜１１１８、１１１９が形成されている。また、アクティブマトリクス基板１１０１と対向基板１１０２との外側には、偏光板１１０７、１１０８が配設されている。また、偏光板１１０７の表面には、保護膜１１０９が形成されており、外部からの衝撃を緩和している。
【０１２３】
アクティブマトリクス基板１１０１に設けられた接続端子１１１０には、ＦＰＣ１１１１を介して配線基板１１１２が接続されている。配線基板１１１２には、画素駆動回路（ＩＣチップ、ドライバＩＣ等）、コントロール回路や電源回路などの外部回路１１１３が組み込まれている。
【０１２４】
冷陰極管１１１４、反射板１１１５、及び光学フィルム１１１６、インバータ（図示しない。）は、バックライトユニットであり、これらが光源となって液晶表示パネルへ光を投射する。液晶表示パネル、光源、配線基板１１１２、ＦＰＣ１１１１等は、ベゼル１１１７で保持及び保護されている。
【０１２５】
（実施の形態９）
本発明の液晶表示装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その好ましい形態について、図１３を参照して説明する。
【０１２６】
図１３（Ａ）に示すテレビジョン装置は、本体８００１、表示部８００２等を含んでいる。表示部８００２は、本発明の液晶表示装置を適用することができる。なお、本発明の液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板に着色膜が形成されているため、対向基板との貼り合わせの際に問題となる位置ずれを防ぐことができ、画像のずれやぼやけを防ぐことができる。これにより、優れた画像表示が実現可能なテレビジョン装置を提供することができる。
【０１２７】
図１３（Ｂ）に示す携帯情報端末機器は、本体８１０１、表示部８１０２等を含んでいる。表示部８１０２は、本発明の液晶表示装置を適用することができる。なお、本発明の液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板に着色膜が形成されているため、対向基板との貼り合わせの際に問題となる位置ずれを防ぐことができ、画像のずれやぼやけを防ぐことができる。これにより、優れた画像表示が実現可能な携帯情報端末機器を提供することができる。
【０１２８】
図１３（Ｃ）に示すデジタルビデオカメラは、本体８２０１、表示部８２０２等を含んでいる。表示部８２０２は本発明の液晶表示装置を適用することができる。なお、本発明の液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板に着色膜が形成されているため、対向基板との貼り合わせの際に問題となる位置ずれを防ぐことができ、画像のずれやぼやけを防ぐことができる。これにより、優れた画像表示が実現可能なデジタルビデオカメラを提供することができる。
【０１２９】
図１３（Ｄ）に示す携帯電話機は、本体８３０１、表示部８３０２等を含んでいる。表示部８３０２は、本発明の液晶表示装置を適用することができる。なお、本発明の液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板に着色膜が形成されているため、対向基板との貼り合わせの際に問題となる位置ずれを防ぐことができ、画像のずれやぼやけを防ぐことができる。これにより、優れた画像表示が実現可能な携帯電話機を提供することができる。
【０１３０】
図１３（Ｅ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体８４０１、表示部８４０２等を含んでいる。表示部８４０２は、本発明の液晶表示装置を適用することができる。なお、本発明の液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板に着色膜が形成されているため、対向基板との貼り合わせの際に問題となる位置ずれを防ぐことができ、画像のずれやぼやけを防ぐことができる。これにより、優れた画像表示が実現可能な携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の液晶表示装置を適用することができる。
【０１３１】
このように、画像のずれやぼやけを防ぐことができる本発明の液晶表示装置をその表示部に用いることにより、優れた画像表示が実現可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の液晶表示パネルを説明する図。
【図２】アクティブマトリクス基板の作製方法を説明する図。
【図３】アクティブマトリクス基板の作製方法を説明する図。
【図４】アクティブマトリクス基板の平面図。
【図５】本発明の液晶表示パネルを説明する図。
【図６】アクティブマトリクス基板の平面図および断面図。
【図７】アクティブマトリクス基板の平面図および断面図。
【図８】着色膜について説明する図。
【図９】本発明の液晶表示パネルを説明する図。
【図１０】本発明の液晶表示パネルの駆動回路について説明する図。
【図１１】液晶表示装置について説明する図。
【図１２】本発明の液晶表示パネルを説明する図。
【図１３】電子機器について説明する図。
【符号の説明】
【０１３３】
１０１    基板
１０２    遮光膜
１０３    着色膜
１０４    平坦化膜
１０５    ＴＦＴ
１０６    ゲート電極
１０７    ゲート絶縁膜
１０８    半導体膜
１０９    絶縁体
１１０    ソース領域
１１１    ドレイン領域
１１２    ソース電極
１１３    ドレイン電極
１１４    遮光体
１１５    保護膜
１１６    画素電極
１１７    アクティブマトリクス基板
１１８    基板
１１９    液晶層
１２０    配向膜
１２１    配向膜
１２２    共通電極
３０１    基板
３０２    遮光膜
３０３    着色膜
３０４    平坦化膜
３０５    バリア膜
３０６    第１の導電膜
３０６ａ  ゲート電極
３０６ｂ  共通電極
３０６ｃ  ゲート信号線
３０６ｄ  共通配線
３０７    ゲート絶縁膜
３０８    第１の半導体膜
３０９    絶縁体
３１０    第２の半導体膜
３１０ａ  ソース領域
３１０ｂ  ドレイン領域
３１１    第２の導電膜
３１１ａ  ソース電極
３１１ｂ  ドレイン電極
３１１ｃ  遮光体
３１２    保護膜
３１３    画素電極
３１４    ＴＦＴ
３１５    保持容量
５０２    遮光膜
５０３    着色膜
５０６ａ  ゲート電極
５０６ｂ  共通電極
５０６ｃ  ゲート信号線
５０６ｄ  共通配線
５０７    ゲート絶縁膜
５０８    第１の半導体膜
５０９    絶縁体
５１１ａ  ソース電極
５１１ｂ  ドレイン電極
５１２    保護膜
５１３    画素電極
５１４    ＴＦＴ
５１９    遮光体
５２０    補助配線
７０１    基板
７０２    遮光膜
７０３    着色膜
７０６ｂ  共通電極
７０６ｃ  共通配線
７０７    ゲート絶縁膜
７０８    第１の半導体膜
７１１ｂ  ドレイン電極
７１２    保護膜
７１３    画素電極
８００    基板
８０１    画素部形成領域
８０２    ソース信号線駆動回路形成領域
８０３    ゲート信号線駆動回路形成領域
８０５    遮光膜
８０６    画素形成領域
８０７    着色膜
８０７ａ  着色膜Ｒ
８０７ｂ  着色膜Ｇ
８０７ｃ  着色膜Ｂ
９０１    第１の基板
９０２    第２の基板
９０３    第１のシール材
９０４    第２のシール材
９０５    画素部
９０６    ソース信号線駆動回路
９０７    ゲート信号線駆動回路
９０８    ｎチャネル型ＴＦＴ
９０９    ｐチャネル型ＴＦＴ
９１０    液晶素子
９１１    第１の電極
９１２    液晶層
９１３    駆動用ＴＦＴ
９１４    配向膜
９１６    接続配線
９１７    ＦＰＣ
９１８    異方導電性樹脂
９２０    遮光膜
９２１    着色膜
９２２    平坦化膜
９２３    スペーサー
１０００    基板
１００１    画素部
１００２    ソース信号線駆動回路
１００３ａ  ゲート信号線駆動回路
１００３ｂ  ゲート信号線駆動回路
１００６    ＦＰＣ
１００５    ＩＣチップ
１００６    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１１０１    アクティブマトリクス基板
１１０２    対向基板
１１０３    シール材
１１０５    液晶層
１１０６    着色膜
１１０７    偏光板
１１０８    偏光板
１１０９    保護膜
１１１０    接続端子
１１１１    ＦＰＣ
１１１２    配線基板
１１１３    外部回路
１１１４    冷陰極管
１１１５    反射板
１１１６    光学フィルム
１１１７    ベゼル
１１１８    配向膜
１１１９    配向膜
１２０１    基板
１２０２    遮光膜
１２０３    着色膜
１２０４    平坦化膜
１２０５    下地膜
１２０６    結晶性半導体膜
１２０７    ゲート絶縁膜
１２０８    ゲート電極
１２０９    共通電極
１２１０    層間絶縁膜
１２１１    絶縁体
１２１２    ソース電極
１２１３    ドレイン電極
１２１４    遮光体
１２１５    保護膜
１２１６    画素電極
１２１７    アクティブマトリクス基板
１２１８    基板
１２１９    液晶層
１２２０    配向膜
１２２１    配向膜
１２２２    ＴＦＴ
８００１    本体
８００２    表示部
８１０１    本体
８１０２    表示部
８２０１    本体
８２０２    表示部
８３０１    本体
８３０２    表示部
８４０１    本体
８４０２    表示部
【図１】
2007041553.tif 000003
【図２】
2007041553.tif 000004
【図３】
2007041553.tif 000005
【図４】
2007041553.tif 000006
【図５】
2007041553.tif 000007
【図６】
2007041553.tif 000008
【図７】
2007041553.tif 000009
【図８】
2007041553.tif 000010
【図９】
2007041553.tif 000011
【図１０】
2007041553.tif 000012
【図１１】
2007041553.tif 000013
【図１２】
2007041553.tif 000014
【図１３】
2007041553.tif 000015