(57)【要約】【課題】スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化させて、良好な表示特性が得られるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】結晶ＭｇＯ層３４２の形成工程において、スプレー法にて、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液を薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗布する。当該塗工液には、ＭｇＯ粉体を予めシランカップリング剤に暴露してから分散させるか、あるいは、シランカップリング剤を添加する。これにより、スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化できる。当該スプレー法にて結晶ＭｇＯ層３４２を均一に形成でき、ＰＤＰの各放電セルにおいて放電遅れ・放電確率を均一化できる。均一な輝度および良好なスキャン特性を有したＰＤＰが得られる。【選択図】図７
2007103231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層を形成する保護層形成工程には、スプレーガンを用いたスプレー法により、酸化マグネシウム粉体を溶剤に分散させた塗工液を塗布する工程が含まれ、
前記酸化マグネシウム粉体を、予めシランカップリング剤に暴露してから前記溶剤に分散させている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層を形成する保護層形成工程には、スプレーガンを用いたスプレー法により、酸化マグネシウム粉体を溶剤に分散させた塗工液を塗布する工程が含まれ、
前記塗工液には、シランカップリング剤が添加されている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記シランカップリング剤の前記塗工液中における濃度は０．５ｗｔ％以上である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記シランカップリング剤として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンのいずれかを使用する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層形成工程において、前記誘電体層上に下地酸化マグネシウム層を形成した後、この下地酸化マグネシウム層上に前記塗工液を塗布する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記溶剤はアルコールである
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記酸化マグネシウム粉体は単結晶粉体である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの保護層をスプレー法により形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。
【０００３】
このようなプラズマディスプレイパネルの前面基板の内面側には、放電ギャップを介して対向する複数の透明電極およびこれら透明電極の一端部に積層するバス電極を備えた複数の表示電極対と、これら表示電極対間に設けられた複数のブラックストライプと、これら表示電極対およびブラックストライプ上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層と、などがそれぞれ設けられている。
【０００４】
上記保護層は、誘電体層が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層としての役割も持っている。また、発光は保護層を通して前面基板側から観察されるため可視光に対する透明性も必要とされる。このため、保護層の材料としては、低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性により酸化マグネシウム（以下ＭｇＯと記す）が広く用いられている。
【０００５】
従来、このようなＭｇＯによる保護層の形成方法として、スプレーガンを用いたスプレー法により、ＭｇＯの微結晶粉末を溶剤に分散させた塗工液を基板に対して吹き付けるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
この特許文献１に記載の構成では、直径が１〜２μｍのＭｇＯの微結晶粉末をエチルアルコールを分散溶媒として分散させ、吹き付けに用いる懸濁液としている。そして、スプレーガンに懸濁液と霧化用の高圧エアを供給し、懸濁液をガラス基板上にスプレー塗布した後、ガラス基板を２００℃に加熱しエチルアルコールを充分に蒸発させ、ＭｇＯ微結晶が積層したＭｇＯ膜を得る構成が採用されている。
【０００７】
このようなスプレー法による塗布を実施する塗工装置としては、従来、図１および図２に示すものが知られている。ここで、図１は従来の塗工装置を示す模式図である。図２は従来の三方弁を備えた塗工装置を示す模式図である。
【０００８】
図１に示す塗工装置８００は、単結晶ＭｇＯ粉末を溶剤に分散させた塗工液ＬＱをガラス基板Ｋに対してスプレー塗布する装置である。この塗工装置８００は、塗工液ＬＱを貯留する塗工液タンク８１０と、この塗工液タンク８１０に配管８１１を介して接続されて塗工液タンク８１０内の塗工液ＬＱを吸引する液送ポンプ８２０と、この液送ポンプ８２０に配管８２１を介して接続されて塗工液ＬＱをガラス基板Ｋ上に対してスプレー塗布するスプレーガン８３０とを備えている。
このような塗工装置８００では、スプレー塗布を実施する場合にのみ、液送ポンプ８２０を駆動させて、塗工液ＬＱをスプレーガン８３０に供給する。
【０００９】
図２に示す塗工装置９００は、図１に示す塗工装置８００と同様に、単結晶ＭｇＯ粉末を溶剤に分散させた塗工液ＬＱをガラス基板Ｋに対してスプレー塗布する装置である。この塗工装置９００は、塗工液ＬＱを貯留する塗工液タンク９１０と、この塗工液タンク９１０に配管９１１を介して接続されて塗工液タンク９１０内の塗工液ＬＱを吸引する液送ポンプ９２０と、この液送ポンプ９２０に配管９２１を介して接続された三方弁９３０と、この三方弁９３０に配管９３１を介して接続されて塗工液ＬＱをガラス基板Ｋ上に対してスプレー塗布するスプレーガン９４０とを備えている。また、三方弁９３０は、配管９３２を介して塗工液タンク９１０内に接続されている。
【００１０】
このような塗工装置９００では、液送ポンプ９２０は常に駆動させておき、スプレー塗布を実施する場合にのみ、三方弁９３０をスプレーガン９４０側に切り換えて塗工液ＬＱをスプレーガン９４０に供給する。一方、スプレー塗布を実施しない間は、塗工液タンク９１０、配管９１１、液送ポンプ９２０、配管９２１、三方弁９３０、配管９３２、塗工液タンク９１０と順に塗工液ＬＱを循環させる。このようにして、スプレー塗布の実施の有無に関わらず、塗工液ＬＱを絶えず循環させているので、装置の各部において単結晶ＭｇＯ粉末が沈降することを防げる。
【００１１】
ここで、塗工装置８００，９００の各配管内で塗工液ＬＱの流速が遅い場合、または、塗工液ＬＱが滞留する部分や各配管の傾斜部分、弁などで流速差が生じる部分にて単結晶ＭｇＯが沈降・固着しやすい。
【００１２】
具体的には、溶剤中に分散した粒子の沈降速度は以下に示す式（１）にて与えられる。
この式（１）からも分かるように、単結晶ＭｇＯは真比重が約３でかつ溶剤の比重が通常１以下であるため、ＭｇＯ粉体の沈降速度ｖは大きくなる、すなわち、ＭｇＯ粉体が溶剤中で沈降しやすい。特に、沈降速度ｖは粒径の２乗に比例するため、ＭｇＯ粉体の粒径ｄが大きくなる程沈降しやすくなる。
【００１３】
〔数式〕
ｖ∝ｄ２×（ρｐ−ρｌ）×ｇ／μ（式１）
ｖ：終末沈降速度、ｄ:粒子の粒径、ρｐ:粒子の密度、ρｌ:溶剤の密度、ｇ:重力加速度
、μ：溶剤粘度
【００１４】
また、ＭｇＯ粉体は凝集性が高いために、塗工液タンク８１０，９１０内部や、各配管内で沈降が生じたときに、ＭｇＯ粉体同士が凝集して成長する。これにより塗工液ＬＱの流路にＭｇＯ粉体の凝集物が付着し、固着や閉塞を引き起こす。
【００１５】
このように、塗工液ＬＱの流路におけるＭｇＯ粉体の固着や閉塞が生じた場合、塗工液ＬＱの流れが妨げられ、スプレーガン８３０，９４０からの吐出量が減少しあるいは不安定となる。これによりガラス基板Ｋ上に付着するＭｇＯ量が一定とならず、塗工ムラが生じるおそれがある。
【００１６】
プラズマディスプレイパネルにおいては、所定の量の単結晶ＭｇＯが保護層として充分な厚さをもって堆積していない場合、放電遅れが大きくなり、選択不良等の問題を引き起すおそれがある。また、局所的にＭｇＯの塗布量にバラツキが生じた場合、輝度ムラなどの特性不良も引き起こすおそれがある。
【００１７】
【特許文献１】特開平７−２９６７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
この点において、上記特許文献１に記載の構成では、ＭｇＯの微結晶粉末をエチルアルコールに分散させて懸濁液を構成しているので、上記のようにＭｇＯが沈降・凝集し易くなってしまう。これにより、懸濁液の流路において、ＭｇＯ粉体の固着や閉塞が生じ易く、基板上への吐出が不安定となり散布されるＭｇＯの量がばらついてしまうおそれがある。
【００１９】
そして、図１に示す塗工装置８００の場合、スプレー塗布を実施しないときには塗工液ＬＱの流れがないために、ＭｇＯ粉体が沈降しやすく、液経路内で固着・閉塞が発生しやすい。
また、図２に示す塗工装置９００の場合、塗工液ＬＱは絶えず循環しているので循環している液経路内で固着・閉塞が発生することは少ないが、三方弁９３０から配管９３１、スプレーガン９４０までの間は、スプレー塗布を実施しない間に塗工液ＬＱの流れがなく、結果として、固着・閉塞が発生してしまう。
そして、塗工装置８００，９００の双方とも、塗工液ＬＱの滞留が起き易い部分では、ＭｇＯ粉体の固着が生じ、それが成長して詰まりやすい状態となっている。
【００２０】
上記のように塗工液ＬＱの塗布量にムラが生じた場合、製造されたプラズマディスプレイパネルにおいては、放電遅れ・放電確率がセルにより異なってしまうため、輝度の不均一、スキャン不良を引き起こしてしまうおそれがある。
【００２１】
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化させて、良好な表示特性が得られるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
請求項１に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層を形成する保護層形成工程には、スプレーガンを用いたスプレー法により、酸化マグネシウム粉体を溶剤に分散させた塗工液を塗布する工程が含まれ、前記酸化マグネシウム粉体を、予めシランカップリング剤に暴露してから前記溶剤に分散させていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００２３】
請求項２に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層を形成する保護層形成工程には、スプレーガンを用いたスプレー法により、酸化マグネシウム粉体を溶剤に分散させた塗工液を塗布する工程が含まれ、前記塗工液には、シランカップリング剤が添加されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。図３は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。図４は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線における断面図である。図６は、図４のＶＩ−ＶＩ線における断面図である。
なお、本実施の形態では、前面基板の保護層が薄膜ＭｇＯ層および結晶ＭｇＯ層からなる２層構造となったものを例示するが、当該保護層は結晶ＭｇＯ層からなる１層構造であってもよい。
【００２５】
（１）プラズマディスプレイパネルの構成
本実施形態において、図３に示すように、１はプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）であり、このＰＤＰ１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、画像表示領域を構成する放電空間Ｈを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板２および前面基板３を備えている。
【００２６】
これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、当該空間にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００２７】
背面基板２は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、図３に示すように、複数の直線状のアドレス電極２１と、これらアドレス電極２１上を覆うアドレス電極保護層２２と、このアドレス電極保護層２２上に一体的に設けられた隔壁２３と、この隔壁２３の放電セル２３１内部に充填された蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）と、などがそれぞれ設けられている。
【００２８】
具体的には、アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などにて形成され、図３および４に示すように、背面基板２の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極２１の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極２１に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
【００２９】
アドレス電極保護層２２は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図３，５および６に示すように、背面基板２の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層２２の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
【００３０】
隔壁２３は、図３および５に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層２２上において、アドレス電極２１と略直交する複数の直線状の隙間Ｓ（図５参照）をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。そして、隔壁２３は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板２と前面基板３との間隙寸法を規定する。
【００３１】
蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、図３，５および６に示すように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストが放電セル２３１内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００３２】
前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、例えば背面基板２と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、図３に示すように、アドレス電極２１と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対３１と、これら表示電極対３１間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ３２と、これら表示電極対３１およびブラックストライプ３２上を覆う誘電体層３３と、この誘電体層３３を覆う保護層３４と、などがそれぞれ設けられている。
【００３３】
具体的には、表示電極対３１は、図４および５に示すように、放電ギャップＧ（図４参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
【００３４】
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図４に示すように、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００３５】
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図４参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極３１２ａ，３１２ｂのそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極３１１ａ，３１１ｂに図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極３１２ａ，３１２ｂは、図５に示すように、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと、これらバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂに積層して設けられたＡｇ（銀）などを主成分とする金属材料からなる主導電層３１４ａ，３１４ｂとを備えた２層構造となっている。
【００３６】
ブラックストライプ３２は、図４および５に示すように、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ３２およびバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂにて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００３７】
誘電体層３３は、図５および６に示すように、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２のアドレス電極保護層２２と対向して設けられている。この誘電体層３３は、パネル駆動時において、放電による表示電極対３１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
【００３８】
保護層３４は、図３，５および６に示すように、誘電体層３３の内周面の全面を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）からなる薄膜ＭｇＯ層３４１（下地酸化マグネシウム層）と、この薄膜ＭｇＯ層３４１を被覆する結晶ＭｇＯ層３４２とを備えた２層構造となっている。
薄膜ＭｇＯ層３４１は、例えば蒸着法やスパッタリング法などにより形成される。結晶ＭｇＯ層３４２は、後述するスプレー法にて形成される。
このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。
【００３９】
（２）ＰＤＰ１の製造方法
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法について図面に基づいて説明する。図７は、スプレー法による単結晶ＭｇＯ粉体層の形成工程を示した模式図である。
【００４０】
まず、ＰＤＰ１の背面基板２の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に金属薄膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極２１のパターンを形成する。このアドレス電極２１上にガラスペーストを塗布して、当該ガラスペーストを成形・焼成することによりアドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。そして、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を形成する。これにより、ＰＤＰ１の背面基板２が完成する。
【００４１】
次に、ＰＤＰ１の前面基板３の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。この透明電極対上にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを積層形成し、更にこのパターン上にＡｇペーストのパターンを積層形成する。そして、これらのパターンを焼成して、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂおよび主導電層３１４ａ，３１４ｂからなる２層構造のバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。この後、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂ間にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを塗布して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂ、バス電極３１２ａ，３１２ｂおよびブラックストライプ３２を被覆する状態にダイコータなどによりガラスペーストを塗布して誘電体層３３を形成する。そして、この誘電体層３３の上に蒸着法やスパッタリング法などにより薄膜ＭｇＯ層３４１を成膜形成する。さらに、図７に示すように、この薄膜ＭｇＯ層３４１上に、図２に示す塗工装置９００を用いたスプレー法にて単結晶ＭｇＯ粉体層を形成し（以下に詳述）、これを焼成して結晶ＭｇＯ層３４２を形成する。これにより、ＰＤＰ１の前面基板３が完成する。
【００４２】
（３）スプレー法による単結晶ＭｇＯ粉体層の形成工程
次に、上記スプレー法による単結晶ＭｇＯ粉体層の形成工程について図面に基づいて説明する。ここで、図８は、シランカップリング剤の加水分解反応を示す構造式である。図９は、薄膜ＭｇＯ層と結晶ＭｇＯ層との界面状態を示す模式図である。
【００４３】
(3-1)スプレー法の構成
本実施形態では、図２に示す塗工装置９００を用いる。すなわち、塗工装置９００では、液送ポンプ９２０は常に駆動させておく。そして、スプレー塗布を実施する場合にのみ、三方弁９３０をスプレーガン９４０側に切り換えて塗工液ＬＱをスプレーガン９４０に供給し、スプレーガン９４０から薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗工液ＬＱを吹き付ける（図７参照）。一方、スプレー塗布を実施しない間は、塗工液タンク９１０、配管９１１、液送ポンプ９２０、配管９２１、三方弁９３０、配管９３２、塗工液タンク９１０と順に塗工液ＬＱを循環させ、スプレー塗布の実施の有無に関わらず塗工液ＬＱを絶えず循環させておく。
塗工液タンク９１０に貯留する塗工液ＬＱは、以下に示すＭｇＯ粉体、溶剤およびシランカップリング剤を調合して得る。
【００４４】
(3-2)ＭｇＯ粉体の構成
ＭｇＯ粉体には、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００Å以上（好ましくは２０００Å以上）の気相法酸化マグネシウム単結晶粉体が用いられる。
このような単結晶ＭｇＯ粉体を用いて結晶ＭｇＯ層３４２を形成することにより、ＰＤＰ１の放電特性が改善（放電遅れの減少、放電確率の向上）されることになる。すなわち、放電によって発生する電子線の照射によって結晶ＭｇＯ層３４２に含まれる粒径の大きな単結晶ＭｇＯ粒から、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ（特に、２３５ｎｍ付近、２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起される。そして、当該単結晶ＭｇＯ粒は、そのピーク波長に対応したエネルギー準位を有し、そのエネルギー準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができる。この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られ、結果として、放電遅れが減少し、放電確率が向上する。
【００４５】
このようなＭｇＯ粉体は、予めシランカップリング剤に暴露した後に塗工液ＬＱに混入されることが好ましく、このことによりＭｇＯ粉体の分散性が向上する。
すなわち、シランカップリング剤は、図８に示すように、アルキル基などの疎水基（Ｒ）と、メトキシシリル基（-Si-O-CH3）やエトキシシリル基（-Si-O-C2H5）などのアルコキシシリル基（Si-O-R`）と、で構成される。アルコキシキシル基は、加水分解することによりシラノール基（Si-OH）となり、このシラノール基がＭｇやＳｉなどの無機材料界面とシロキサン結合をする。
また、ＭｇＯは水分の吸着性が非常に高いため、ＭｇＯ粉体表面には大気中の水分が付着している。
このため、ＭｇＯ粉体をシランカップリング剤に対して暴露することにより、ＭｇＯ粉体表面に吸着した水分でシランカップリング剤が加水分解される。そして、ＭｇＯ粉体における外側のＭｇとシランカップリング剤のシラノール基とが結合し、ＭｇＯ粉体の外側がシランカップリング剤の疎水基（Ｒ）にて覆われた状態となる。さらに、この暴露後のＭｇＯ粉体を溶剤中に分散させると、ＭｇＯ粉体の外側を囲む疎水基（Ｒ）が溶剤の疎水基（アルキル基など）に対して親和性を示し、かつ、分子量の大きい疎水基が存在することによる見かけ比重の低下により、ＭｇＯ粉体の溶剤中での分散性が向上する。
【００４６】
そして、シランカップリング剤に暴露済みのＭｇＯ粉体を含有した塗工液ＬＱを用いて薄膜ＭｇＯ層３４１上に結晶ＭｇＯ層３４２を形成した場合、図９に示すように、薄膜ＭｇＯ層３４１と結晶ＭｇＯ層３４２との界面にてシラノール基（Si-OH）が両層のＭｇと反応してシロキサン結合（Si−O−Si）が生じる。これにて薄膜ＭｇＯ層３４１および結晶ＭｇＯ層３４２がシロキサン結合を介して強固に結合する。つまり、シランカップリング剤は接着剤としても機能する。また、シラノール基は誘電体層３３などのガラス材質とも同様に反応してシロキサン結合を形成するため、薄膜ＭｇＯ層３４１上を設けずに直接誘電体層３３上に結晶ＭｇＯ層３４２を形成する構成の場合でも、誘電体層３３と結晶ＭｇＯ層３４２との強固な結合状態が得られる。
【００４７】
(3-3)溶剤の構成
ＭｇＯ分散溶液として強い分散を呈するものはグリコールなどのアルコールが挙げられる。また、酢酸エチル、酢酸イソプロピル等のエステル化合物、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物、ジメチルホルムアミド等の窒素化合物においても分散が可能である。
最も分散性が良い水酸基を有する溶剤（アルコール等）を用いた場合では、ＭｇＯ粉末の分散はＭｇＯの酸素と溶剤の水酸基による水素結合により行なわれると考えられる。
【００４８】
(3-4)シランカップリング剤の構成
シランカップリング剤を塗工液ＬＱに添加することにより、ＭｇＯ粉体の分散性が向上する。
すなわち、上記(3-2)においても説明したように、ＭｇＯは水分の吸着性が非常に高いため、ＭｇＯ粉体表面には大気中の水分が付着している。そして、シランカップリング剤のアルコキシキシル基（Si-O-R`）は、ＭｇＯ粉体表面に吸着した水分で加水分解することによりシラノール基（Si-OH）となり（図８）、このシラノール基がＭｇＯ粉体のＭｇと結合する。
このため、塗工液ＬＱ中において、ＭｇＯ粉体における外側のＭｇとシランカップリング剤のシラノール基とが結合し、ＭｇＯ粉体の外側がシランカップリング剤の疎水基（Ｒ）にて覆われた状態となる。そして、ＭｇＯ粉体の外側を囲む疎水基（Ｒ）が溶剤の疎水基（アルキル基など）に対して親和性を示し、かつ、分子量の大きい疎水基が存在することによる見かけ比重の低下により、ＭｇＯ粉体の溶剤中での分散性が向上する。
【００４９】
そして、シランカップリング剤を添加した塗工液ＬＱを用いて薄膜ＭｇＯ層３４１上に結晶ＭｇＯ層３４２を形成した場合も、上記(3-2)においても説明したように、薄膜ＭｇＯ層３４１と結晶ＭｇＯ層３４２との界面にてシラノール基（Si-OH）が両層のＭｇと反応してシロキサン結合（Si−O−Si）が生じる（図９）。これにて薄膜ＭｇＯ層３４１および結晶ＭｇＯ層３４２がシロキサン結合を介して強固に結合する。
なお、塗工液ＬＱの散布前においては、予め成膜された薄膜ＭｇＯ層３４１は大気中の水分を吸着した状態で存在する。そこへ、シランカップリング剤とＭｇＯ結晶粒子とが添加された塗工液ＬＱをスプレー塗布する事により、薄膜ＭｇＯ層３４１上に吸着した水分でシランカップリング剤が加水分解される。このことによっても、薄膜ＭｇＯ層３４１および結晶ＭｇＯ層３４２がシロキサン結合を介して強固に結合する。
また、薄膜ＭｇＯ層３４１上を設けずに直接誘電体層３３上に結晶ＭｇＯ層３４２を形成する構成の場合でも、誘電体層３３と結晶ＭｇＯ層３４２との強固な結合状態が得られる。
【００５０】
このようなシランカップリング剤としては、例えば、テトラメトキシシラン[ Si（OCH3）4]、テトラエトキシシラン[ Si（OC2H5）4]、メチルトリメトキシシラン[ CH3Si（OCH3）3]、メチルトリエトキシシラン[ CH3Si（OC2H5）3]、ジメチルジメトキシシラン[（CH3）2Si（OCH3）2]、ジメチルジエトキシシラン[（CH3）2Si（OC2H5）2]、ビニルトリメトキシシラン[（CH3）3SiCH=CH2]、ビニルトリエトキシシラン[（C2H5）3SiCH=CH2]、ヘキサメチルジシラザン[（CH3）3SiNHSi（CH3）3]のいずれかを採用できる。
【００５１】
（４）実施例
本実施形態の効果を確認するための実施例を以下に示す。
【００５２】
(4-1)種々のシランカップリング剤の使用による詰まり性評価
シランカップリング剤の使用による配管経路の詰まり性評価として、スプレー法により塗工を繰り返し行なったときの吐出量ばらつきを比較した。
ＭｇＯ粉体はＢＥＴ換算粒径５０００Åの単結晶粉体とし、塗工液ＬＱにおける濃度は５ｗｔ％とした。溶剤にはＩＰＡ（２−プロパノール）を使用した。ＭｇＯ粉体は、シランカップリング剤が入ったデシケーターに入れて、常温（２３℃）にて２時間放置させ暴露処理を施している。また、溶剤にも当該シランカップリング剤を０．５ｗｔ％混入させた。
【００５３】
シランカップリング剤としては、テトラメトキシシラン（実施例１−１）、テトラエトキシシラン（実施例１−２）、メチルトリメトキシシラン（実施例１−３）、メチルトリエトキシシラン（実施例１−４）、ジメチルジメトキシシラン（実施例１−５）、ジメチルジエトキシシラン（実施例１−６）、ビニルトリメトキシシラン（実施例１−７）、ビニルトリエトキシシラン（実施例１−８）、ヘキサメチルジシラザン（実施例１−９）の計9種類を用いた。また、比較例として、シランカップリング剤を添加しないものも用意した（比較例１）。
【００５４】
スプレー法による塗工は、図２に示す塗工装置９００を用いた。液送ポンプ９２０は定量性のあるギヤポンプを使用し、スプレーガン９４０にはエア霧化方式の２流体ノズル（エア、塗工液）を用いた。また塗工液タンク９１０は沈降防止のためにφ５０の４枚羽根にて攪拌を行なった。狙い吐出量は１５ｃｃ／ｍｉｎとし、吐出時間は１分間、休止時間は２分間を繰り返した。
表１に、各塗工液ＬＱについて、上記条件にて２００回吐出させたときの吐出量標準偏差、および、分散させて１時間放置後の沈降性評価の結果を示す。ここでは、２００回の塗工時には配管内の洗浄は行っていない。
【００５５】
【表１】
2007103231.tif 000003
【００５６】
表１の結果より、シランカップリング剤を添加したもの（実施例１−１〜１−９）は、添加していないもの（比較例１）と比べ、スプレー吐出量のばらつきがいずれも小さくなったことが分かる。
また、シランカップリング剤のアルコキシシリル基（Si-O-R）が多いもの程、吐出量ばらつきが小さくなる傾向が見られた。例として、テトラメトキシシラン（実施例１−１）、メチルトリメトキシシラン（実施例１−３）、ジメチルジメトキシシラン（実施例１−５）を比較すると、アルコキシシリル基が多いものは吐出量ばらつきが小さくなり、テトラメトキシシラン（実施例１−１）が最もばらつきが小さくなったことが分かる。これは、アルコキシシリル基が多いシランカップリング剤はＭｇＯ界面でシロキサン結合しやすいために、ＭｇＯ粉体の外側が当該シランカップリング剤で確実に覆われ、結果として溶剤との親和性が高くなったものと考えられる。
【００５７】
また、沈降性評価の結果では、シランカップリング剤を入れていないもの（比較例１）では沈降が僅かに発生したが、シランカップリング剤を添加したもの（実施例１−１〜１−９）に関しては、沈降が発生せず、分散性の向上が確認できた。
【００５８】
以上より、シランカップリング剤を塗工液ＬＱに添加することにより、ＭｇＯ粉体が好適に分散してＭｇＯ粉体の沈降が発生しなくなるので、スプレー吐出量のばらつきが小さくなることが分かる。すなわち、シランカップリング剤は液配管の詰まりに対して有利に働くことが分かる。そして、アルコキシシリル基が多いシランカップリング剤はＭｇＯ粉体の分散性をより向上させ、特に、テトラメトキシシラン（実施例１−１）が好適であることが分かる。
【００５９】
(4-2)暴露処理の有無による吐出量ばらつき評価
次にＭｇＯ粉体のシランカップリング剤に対する暴露処理の有無による、吐出量ばらつきを評価した。ＭｇＯ粉体はＢＥＴ換算粒径５０００Åの単結晶粉体とし、塗工液ＬＱにおける濃度は５ｗｔ％とした。溶剤にはＩＰＡ（２−プロパノール）を使用した。シランカップリング剤はテトラメトキシシランを用い、溶剤への添加量は０．５ｗｔ％とした。ＭｇＯ粉体は、シランカップリング剤が入ったデシケーターに入れて、常温（２３℃）にて２時間放置させ暴露処理を施したものを実施例２とし、暴露処理を施さずに直接塗工液ＬＱに投入したものを比較例２とした。スプレー法による塗工は上記(4-1)と同条件とし、表２に各塗工液ＬＱについての吐出結果を示す。
【００６０】
【表２】
2007103231.tif 000004
【００６１】
表２の結果より、ＭｇＯ粉体をシランカップリング剤に対して暴露処理した実施例２の方が、暴露処理のない比較例２と比較して吐出量のばらつきが小さいことが分かる。これは、ＭｇＯ粉体のシランカップリング暴露によりシランカップリングが加水分解し、シラノール基（Si-OH）を形成し、それが、ＭｇＯ表面でシロキサン結合をするために詰まりに対して有利になったものと考えられる。
【００６２】
(4-3)シランカップリング剤の添加量による詰まり性評価
ここで上記(4-1)にて標準偏差の小さかった、テトラメトキシシランならびにヘキサメチルジシラザンについて添加量を変化させ、上記(4-1)と同条件にて２００回吐出させたときの吐出量標準偏差を評価した。溶剤にはＩＰＡ（２−プロパノール）を使用した。ＭｇＯ粉体は上記(4-1)と同様のもので、暴露処理を２時間行なったものを使用した。表３に、各塗工液ＬＱについての実験結果を示す。
【００６３】
【表３】
2007103231.tif 000005
【００６４】
表３の結果より、テトラメトキシシラン（実施例３−１〜３−４）については、添加量が０．５〜５ｗｔ％（実施例３−２〜３−４）においては、吐出量標準偏差が小さくなり、しかもいずれも近い値となったことが分かる。これは、ＭｇＯの暴露処理に比べて、溶剤に添加するシランカップリング剤の濃度依存性が小さいことによるものと考えられ、シランカップリング剤の加水分解のしやすさと関係しているものと考えられる。しかし、厳密には、添加量が１ｗｔ％の場合（実施例３−３）に最も吐出量が安定していることが分かる。
【００６５】
一方、ヘキサメチルジシラザン（実施例３−５〜３−８）についても、添加量が０．５〜５ｗｔ％（実施例３−６〜３−８）においては、吐出量標準偏差が小さくなり、しかもいずれも近い値となったことが分かる。これは、上記テトラメトキシシランの場合と同様の理由によるものと考えられる。しかし、厳密には、添加量が５ｗｔ％の場合（実施例３−８）が最も吐出量のばらつきが小さなものとなったことが分かる。
【００６６】
以上より、テトラメトキシシランおよびヘキサメチルジシラザンの双方とも、添加量が０．５ｗｔ％以上にて吐出量が安定することが分かった。特に、テトラメトキシシランでは添加量が１ｗｔ％の場合、ヘキサメチルジシラザンでは添加量が５ｗｔ％の場合に最も吐出量のばらつきが小さくなることが分かった。また、添加量が０．５ｗｔ％以上にて吐出ばらつきがいずれも大差ないことから、ＭｇＯ粉体の暴露処理に比べて溶剤に添加する濃度依存性の方が小さいことが分かる。
【００６７】
(4-4)シランカップリング剤の使用による透過性評価
次に、シランカップリング剤の使用によるガラス基板の透過性の評価を行った。
塗工液ＬＱにおいて、溶剤としてＩＰＡを用いた。ＭｇＯ粉体はＢＥＴ換算粒径５０００Åの単結晶粉体（濃度５ｗｔ％）とし、上記(4-1)と同条件でシランカップリング剤に対して暴露処理を施した。また、シランカップリング剤は０．５ｗｔ％添加している。シランカップリング剤として、テトラメトキシシランを使用したものを実施例４−１、ヘキサメチルジシラザンを使用したものを実施例４−２とした。また、比較例としてシランカップリング剤を使用していない塗工液ＬＱ（比較例４）を用意した（ＭｇＯ粉体の暴露処理もない）。
【００６８】
そして、それぞれの塗工液について、あらかじめ２００回吐出させた後、構造物がない縦横１０００ｍｍのソーダガラス基板上に単結晶ＭｇＯ粉体を塗工した。さらに、ピーク温度３００℃で乾燥（蒸発）を行なった後に、それぞれの基板について、面内２０ポイントにて透過率を測定した。この透過率は拡散透過率ならびに直線透過率が混在しているものであり、指標として使用した。このときの透過率（空気の透過率を１００％と設定）の狙い値は７０％と設定した。この透過率の測定結果を図１０に示す。
【００６９】
図１０より、シランカップリング剤を使用しなかった比較例４（図中左の直線）では、面内での透過率ばらつきが大きいことが分かる。一方、テトラメトキシシランを使用した実施例４−１（図中中央の直線）およびヘキサメチルジシラザンを使用した実施例４−２（図中右の直線）では、面内での透過率ばらつきが小さく、散布安定性が改善していることが分かる。特に、テトラメトキシシランを使用した実施例４−１の透過率ばらつきが小さいことが分かる。これは、シランカップリング剤を使用することにより液経路の詰まり性が改善し、スプレーの吐出量が安定したためによるものと考えられる。
【００７０】
(4-5)シランカップリング剤の使用による放電遅れ評価
次に、分散剤の使用によるＰＤＰ１の放電遅れの評価を行った。
塗工液ＬＱにおいて、溶剤としてＩＰＡを用いた。ＭｇＯ粉体はＢＥＴ換算粒径５０００Åの単結晶粉体（濃度５ｗｔ％）とし、上記(4-1)と同条件でシランカップリング剤に対して暴露処理を施した。なお、このＭｇＯ粉体はＰＬ（フォトルミネセンス）強度が十分なものを使用した。また、シランカップリング剤は０．５ｗｔ％添加している。シランカップリング剤として、テトラメトキシシランを使用したものを実施例５−１、ヘキサメチルジシラザンを使用したものを実施例５−２とした。また、比較例としてシランカップリング剤を使用していない塗工液ＬＱ（比較例５）を用意した（ＭｇＯ粉体の暴露処理もない）。
【００７１】
それぞれの塗工液について、液経路に対して詰まり状態差が見やすいようにあらかじめ２００回吐出させた後（塗工１分、休止２分が１サイクル）、前面基板３に結晶ＭｇＯ層３４２を形成して、ＰＤＰ１を作製した。そして、それぞれのＰＤＰ１について、放電遅れ測定を前面基板３面内の２０ポイントで行なった。図１１には面内２０点の放電遅れの測定結果（範囲）を示す。放電遅れは単結晶ＭｇＯ塗工を行なわないパネルの平均値で規格化した。
なお、放電遅れとは、放電を発生させるための電圧を印加させてから、実際に放電が起きるまでの時間を意味する。
【００７２】
図１１より、分散剤を使用しなかった比較例５（図中左の直線）では、塗工ムラが生じたことから、面内での放電遅れのばらつきが大きいことが分かる。一方、テトラメトキシシランを使用した実施例５−１（図中中央の直線）およびヘキサメチルジシラザンを使用した実施例５−２（図中右の直線）では、放電遅れのばらつきが小さく、安定した塗工が行なわれたことが分かった。
放電遅れがある程度以上大きくなると、アドレスのスキャンに対して放電が追いつかなくなるために、選択不良が発生する。分散剤を用いない比較例４では、放電遅れが大きい部分が存在するために、アドレス選択不良が発生する可能性が大きいと考えられる。
【００７３】
(4-6)シランカップリング剤の使用による塗工表面状態の評価
次に、シランカップリング剤の使用による塗工表面状態の評価を行った。
塗工液ＬＱにおいて、溶剤としてＩＰＡを用いた。ＭｇＯ粉体はＢＥＴ換算粒径５０００Åの単結晶粉体（濃度５ｗｔ％）とし、シランカップリング剤にて暴露処理を施した。シランカップリング剤として、テトラメトキシシランを０．５ｗｔ％添加したもの、ならびに、ヘキサメチルジシラザンを０．５ｗｔ％添加したものを用意した。そして、あらかじめ２００回吐出させた後、構造物がないソーダガラス上に単結晶ＭｇＯ粉体を塗工した。また、これと同様にしてシランカップリング剤を使用しない塗工液を用いて、構造物がないソーダガラス上に単結晶ＭｇＯ粉体を塗工した。そして、それぞれの基板の乾燥（蒸発）後に、それぞれの塗工表面状態を顕微鏡で観察し状態観察を行なった。
この結果、シランカップリング剤を使用したものは、シランカップリング剤を使用しなかったものよりも、単結晶ＭｇＯの粒（乾燥凝集による粒の集合体）の粒径の標準偏差が約４０％減少し、表面の分散状態も改善していた。これは、シランカップリング剤が結晶ＭｇＯ層３４２と薄膜ＭｇＯ層３４１との付着性を増強させ、ＭｇＯ粒子の乾燥凝集が起こりにくくなったためと考えられる。
【００７４】
（５）ＰＤＰ１の製造方法の効果
上述したように、上記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法によれば、以下の効果を奏することができる。
【００７５】
(5-1)結晶ＭｇＯ層３４２の形成工程において、図２に示す塗工装置９００を用いたスプレー法にて、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液ＬＱを薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗布する。この塗工液ＬＱにおいて、ＭｇＯ粉体を予めシランカップリング剤に暴露してから溶剤に分散させている。
このため、ＭｇＯ粉体における外側のＭｇとシランカップリング剤の加水分解により生じたシラノール基とが結合し、ＭｇＯ粉体の外側がシランカップリング剤の疎水基（Ｒ）にて覆われた状態となる。そして、この暴露後のＭｇＯ粉体を溶剤中に分散させると、ＭｇＯ粉体の外側を囲む疎水基（Ｒ）が溶剤の疎水基（アルキル基など）に対して親和性を示し、かつ、分子量の大きい疎水基が存在することによる見かけ比重の低下により、ＭｇＯ粉体の溶剤中での分散性を向上できる。
これにより、塗工液ＬＱの流路において、ＭｇＯ粉体の固着や閉塞が生じ難くなり、スプレーガン９４０からの塗工液ＬＱの塗布量を安定化させることができ、散布されるＭｇＯのばらつきを小さくできる。
そして、このような塗工液ＬＱを用いたスプレー法によれば、結晶ＭｇＯ層３４２を均一に形成することができるので、ＰＤＰ１の各放電セル２３１において放電遅れ・放電確率を均一化することができる。このため、均一な輝度および良好なスキャン特性を有したＰＤＰ１を得ることができる。
したがって、スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化させて、良好な表示特性を有したプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【００７６】
(5-2)結晶ＭｇＯ層３４２の形成工程において、図２に示す塗工装置９００を用いたスプレー法にて、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液ＬＱを薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗布する。この塗工液ＬＱには、シランカップリング剤を添加している。
このため、塗工液ＬＱ中において、ＭｇＯ粉体における外側のＭｇとシランカップリング剤のシラノール基とが結合し、ＭｇＯ粉体の外側がシランカップリング剤の疎水基（Ｒ）にて覆われた状態となる。そして、ＭｇＯ粉体の外側を囲む疎水基（Ｒ）が溶剤の疎水基（アルキル基など）に対して親和性を示し、かつ、分子量の大きい疎水基が存在することによる見かけ比重の低下により、ＭｇＯ粉体の溶剤中での分散性を向上できる。
これにより、塗工液ＬＱの流路において、ＭｇＯ粉体の固着や閉塞が生じ難くなり、スプレーガン９４０からの塗工液ＬＱの塗布量を安定化させることができ、散布されるＭｇＯのばらつきを小さくできる。
そして、このような塗工液ＬＱを用いたスプレー法によれば、結晶ＭｇＯ層３４２を均一に形成することができるので、ＰＤＰ１の各放電セル２３１において放電遅れ・放電確率を均一化することができる。このため、均一な輝度および良好なスキャン特性を有したＰＤＰ１を得ることができる。
したがって、スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化させて、良好な表示特性を有したプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【００７７】
(5-3)シランカップリング剤の塗工液ＬＱ中における濃度は０．５ｗｔ％以上であることが好ましい。
このような塗工液ＬＱによれば、塗工液ＬＱ中においてＭｇＯ粉体を良好に分散させることができ、スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化させることができる。
【００７８】
(5-4)シランカップリング剤として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンのいずれかを使用することが好ましい。
これらのシランカップリング剤は、疎水基およびアルコキシキシル基をＭｇＯ粉体の分散に適した状態で含有しているので、ＭｇＯ粉体を確実に分散させることができる。特に、テトラメトキシシランなどのアルコキシキシル基を多く含有するシランカップリング剤によれば、ＭｇＯ粉体の分散性をより向上できる。
【００７９】
(5-5)保護層形成工程において、誘電体層３３上に薄膜ＭｇＯ層３４１を形成した後、この薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗工液ＬＱを塗布して結晶ＭｇＯ層３４２を形成している。
このため、薄膜ＭｇＯ層３４１と結晶ＭｇＯ層３４２との界面にてシラノール基（Si-OH）が両層のＭｇと反応してシロキサン結合（Si−O−Si）が生じさせる。これにて薄膜ＭｇＯ層３４１および結晶ＭｇＯ層３４２をシロキサン結合を介して強固に結合することができる。また、塗工液ＬＱの散布前においては、予め成膜された薄膜ＭｇＯ層３４１は大気中の水分を吸着した状態で存在する。そこへ、シランカップリング剤とＭｇＯ結晶粒子とが添加された塗工液ＬＱをスプレー塗布する事により、薄膜ＭｇＯ層３４１上に吸着した水分でシランカップリング剤が加水分解される。このことによっても、薄膜ＭｇＯ層３４１および結晶ＭｇＯ層３４２を、シロキサン結合を介して強固に結合することができる。すなわち、シランカップリング剤は、分散剤および接着剤として利用できる。
したがって、結晶ＭｇＯ層３４２を薄膜ＭｇＯ層３４１上に確実に密着させることができるので、ＰＤＰ１の放電遅れを減少できかつ放電確率を向上できる。
【００８０】
(5-6)溶剤はアルコールであることが好ましい。このような溶剤によれば、アルコールの強い極性によりＭｇＯ粉体を好適に分散させることができる。特にグリコールやＩＰＡ（２−プロパノール）などのアルコールであれば、水酸基の価数も高くかつ比較的沸点も低いので、ＭｇＯ粉体をより好適に分散させることができ、かつ、塗工後の溶剤を早く揮発させることができる。したがって、ＰＤＰ１の製造効率を向上できる。
【００８１】
(5-7)酸化マグネシウム粉体は単結晶粉体であることが好ましい。
このような単結晶ＭｇＯ粉体を用いて薄膜ＭｇＯ層３４１を形成すれば、ＰＤＰ１において、放電遅れが減少しかつ放電確率が向上するなど、放電特性を改善することができる。
【００８２】
(5-8)塗工液ＬＱにおいて、シランカップリング剤として、テトラメトキシシランを１ｗｔ％添加する。
このような塗工液ＬＱによれば、好適にＭｇＯ粉体を分散させることができ、スプレーからの吐出量を高度に安定させることができる。
【００８３】
(5-9)塗工液ＬＱにおいて、シランカップリング剤として、ヘキサメチルジシラザンを５ｗｔ％添加する。
このような塗工液ＬＱによれば、好適にＭｇＯ粉体を分散させることができ、スプレーからの吐出量を高度に安定させることができる。
【００８４】
（６）実施形態の変形
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００８５】
すなわち、例えば、前記実施形態では、塗工液ＬＱにおいて、予めシランカップリング剤にて暴露処理を施した状態のＭｇＯ粉体と、シランカップリング剤との双方を添加する構成としたが、これに限らない。すなわち、本発明では、塗工液ＬＱには、シランカップリング剤にて暴露処理を施した状態のＭｇＯ粉体を添加し、シランカップリング剤を添加しない構成としてもよい。一方、塗工液ＬＱには、暴露処理を施さない状態のＭｇＯ粉体と、シランカップリング剤とを添加する構成としてもよい。これらの構成でも、上記（４）に示す実施例からも明らかなように、シランカップリング剤を一切添加しない従来の構成と比べて、ＭｇＯ粉体の分散性を向上させることが可能であり、スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化させることができる。そして、このようなスプレー塗布にて保護層を形成することにより、プラズマディスプレイパネルの良好な表示特性が得られる。
【００８６】
前記実施形態のＰＤＰ１を、前面基板３に表示電極対３１を形成し誘電体層３３によって被覆しかつ背面基板２側に蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）とアドレス電極２１を形成した反射型交流ＰＤＰとするとしたが、これに限らない。すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面基板に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面基板側に蛍光体層を形成し背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ、放電空間の表示電極対とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ、放電空間の表示電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することができる。
【００８７】
前記実施形態では、隔壁２３を梯子状に形成するとしたが、これに限らず、井桁状やストライプ状の隔壁としてもよい。
【００８８】
前記実施形態では、保護層３４は、誘電体層３３の全面を被覆するとしたが、これに限らず、例えば、誘電体層３３における透明電極３１１ａ，３１１ｂに対向する部分や逆に透明電極３１１ａ，３１１ｂに対向する部分以外の部分などのように、部分的にパターン化して形成するようにしてもよい。
【００８９】
（７）実施形態の作用効果
上述したように、前記実施形態では、結晶ＭｇＯ層３４２の形成工程において、スプレー法にて、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液ＬＱを薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗布する。この塗工液ＬＱにおいて、ＭｇＯ粉体を予めシランカップリング剤に暴露してから溶剤に分散させている。
このため、ＭｇＯ粉体における外側のＭｇとシランカップリング剤の加水分解により生じたシラノール基とが結合し、ＭｇＯ粉体の外側がシランカップリング剤の疎水基（Ｒ）にて覆われた状態となる。これにより、ＭｇＯ粉体の溶剤中での分散性を向上でき、スプレーガン９４０からの塗工液ＬＱの塗布量を安定化させることができる。
そして、このような塗工液ＬＱを用いたスプレー法によれば、結晶ＭｇＯ層３４２を均一に形成することができるので、ＰＤＰ１の各放電セル２３１において放電遅れ・放電確率を均一化することができる。このため、均一な輝度および良好なスキャン特性を有したＰＤＰ１を得ることができる。
したがって、スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化させて、良好な表示特性を有したプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【００９０】
また、前記実施形態では、結晶ＭｇＯ層３４２の形成工程において、スプレー法にて、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液ＬＱを薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗布する。この塗工液ＬＱには、シランカップリング剤を添加している。
このため、塗工液ＬＱ中において、ＭｇＯ粉体における外側のＭｇとシランカップリング剤の加水分解により生じたシラノール基とが結合し、ＭｇＯ粉体の外側がシランカップリング剤の疎水基（Ｒ）にて覆われた状態となる。これにより、ＭｇＯ粉体の分散性を向上でき、スプレーガン９４０からの塗工液ＬＱの塗布量を安定化させることができる。
そして、このような塗工液ＬＱを用いたスプレー法によれば、結晶ＭｇＯ層３４２を均一に形成することができるので、ＰＤＰ１の各放電セル２３１において放電遅れ・放電確率を均一化することができる。このため、均一な輝度および良好なスキャン特性を有したＰＤＰ１を得ることができる。
したがって、スプレーガンからの塗工液の塗布量を安定化させて、良好な表示特性を有したプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】従来の塗工装置を示す模式図である。
【図２】従来の三方弁を備えた塗工装置を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。
【図４】前記実施形態におけるプラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ線における断面図である。
【図７】前記実施形態におけるスプレー法による単結晶ＭｇＯ粉体層の形成工程を示した模式図である。
【図８】シランカップリング剤の加水分解反応を示す構造式である。
【図９】前記実施形態における薄膜ＭｇＯ層と結晶ＭｇＯ層との界面状態を示す模式図である。
【図１０】前記実施形態におけるスプレー法にて結晶ＭｇＯ層が形成されたガラス基板の透過率の測定結果である。
【図１１】前記実施形態におけるスプレー法にて形成された結晶ＭｇＯ層を具備したＰＤＰの放電遅れの測定結果である。
【符号の説明】
【００９２】
１…プラズマディスプレイパネル
２…背面基板
３…前面基板
３１…表示電極対
３３…誘電体層
３４…保護層
３４１…薄膜ＭｇＯ層（下地酸化マグネシウム層）
３４２…結晶ＭｇＯ層
９００…塗工装置
９１０…塗工液タンク
９２０…液送ポンプ
９３０…三方弁
９４０…スプレーガン
Ｈ…放電空間
ＬＱ…塗工液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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