(57)【要約】【課題】簡単な設備で導波路に対し正確な位置に反射面を形成することが可能な光部品の製造方法を提供する。【解決手段】光部品１の製造方法において、基板５０の表裏面のうち第１面５０ａに導波路２を形成する導波路形成工程（１−７）〜（１−１３）と、表裏面のうち第２面５０ｂに、導波路２に対して所定の相対的位置関係を有する標識５４を形成する標識形成工程（１−１５），（１−１６）と、標識５４を基準として、導波路上の所定の箇所Ｌ２を第２面５０ｂの側から削ることで、導波路２が導く光を反射して光の進路を変える反射面２３を形成する反射面形成工程（１−１８）とを有することを特徴とする光部品の製造方法。【選択図】        図３
2007334127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表裏面のうち第１面に導波路を形成する導波路形成工程と、
前記表裏面のうち第２面に、前記導波路に対して所定の相対的位置関係を有する標識を形成する標識形成工程と、
前記標識を基準として、前記導波路上の所定の箇所を前記第２面の側から削ることで、該導波路が導く光を反射して該光の進路を変える反射面を形成する反射面形成工程とを有することを特徴とする光部品の製造方法。
【請求項２】
前記導波路形成工程より前に、前記基板の前記第１面の側から穴を掘る穴形成工程を備え、
前記導波路形成工程が、前記穴の位置を基準とした位置に前記導波路を形成する工程であり、
前記標識形成工程が、前記基板を前記第２面から、前記穴に達するまで削る工程であることを特徴とする請求項１記載の光部品の製造方法。
【請求項３】
前記標識形成工程が、前記第２面のうち、前記穴の裏側を含む領域を削る工程であることを特徴とする請求項２記載の光部品の製造方法。
【請求項４】
前記穴の位置を基準として、前記導波路上の所定の箇所を前記第２面の側から切断する切断工程を有することを特徴とする請求項１記載の光部品の製造方法。
【請求項５】
内部を通る光を導く、少なくとも一端には、その光を反射して進路を曲げる反射面を有する導波路と、
前記導波路に沿って延びた、該導波路に面した一方に対する他方には、前記反射面に対して所定の相対的位置関係を有する標識が設けられた沿部とを備えたことを特徴とする光部品。
【請求項６】
前記沿部は、前記標識として穴が設けられたものであることを特徴とする請求項５記載の光部品。
【請求項７】
光を扱う第１の光部品と、
前記第１の光部品が固定された本体基板と、
前記本体基板に固定された、前記第１の光部品と光の授受を行う第２の光部品とを備え、
前記第２の光部品が、
内部を通る光を導く、少なくとも一端には、その光を反射して進路を曲げることで前記第１の光部品と前記第２の光部品とを光の進路で繋ぐ反射面を有する導波路と、
前記導波路に沿って延びた、該導波路に面した一方に対する他方には、前記反射面に対して所定の相対的位置関係を有する標識が設けられた沿部とを備えたものであることを特徴とする光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光部品の製造方法、光部品および光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光を導く導波路を有し、その導波路によって、装置内に配置された光電素子や光コネクタ相互間で光を伝送する光部品が知られている。このような光部品の中には、導波路に反射面を有するタイプのものがあり、例えば、発光素子が固定された本体基板に取付けられ、この発光素子から出力された光を反射して進路を曲げ、本体基板に沿って他の部品に導くため利用されている。このタイプの光部品の構造としては、例えば、透明の基板と、その基板に沿って一体に形成された導波路とからなり、導波路は傾斜した端面を有しており、この端面の内側が上記の反射面として作用する構造が採用される。
【０００３】
この光部品を製造するには、まず、透明な材料からなる基板の一方の側に、加工位置の目印となる標識を有した導波路を形成し、この後、導波路を、基板の導波路が形成された側とは反対の裏側から基板ごと斜めに削ることで傾斜した端面を形成する。基板を裏側から削る際には、透明の基部を透かして見える導波路の標識をカメラ等によって画像認識し、標識を基準とした所定の位置を削ることで、導波路の適切な位置に反射面が設けられる。
【０００４】
近年、光部品には、本体基板における半田リフロー工程に投入可能とするための耐熱性が求められてきており、光部品を構成する基板には、例えばシリコン等の耐熱性材料が用いられてきている。しかし、このような耐熱性材料は可視光に対し不透明であり、基板を切断する工程において、標識が基板の側から見えない。そこで、基板を裏側から削る場合に、導波路が形成された側を臨む位置にカメラを配置して標識の位置を認識させながら、切断位置を調整する必要があり、反射面形成のための装置が複雑となる。ここで、特許文献１には、半導体ウエハの製造において、半導体ウエハに赤外線を照射し、透過した赤外線によって半導体ウエハ上の特定位置を捉える方法が示されている。
【特許文献１】特開２００６−４１３９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示される方法では、赤外線を照射するための光源や、透過した赤外線により画像認識するためのカメラ等の設備が必要となる。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑み、簡単な設備で導波路に対し正確な位置に反射面を形成することが可能な光部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成する本発明の光部品の製造方法は、基板の表裏面のうち第１面に導波路を形成する導波路形成工程と、
上記表裏面のうち第２面に、上記導波路に対して所定の相対的位置関係を有する標識を形成する標識形成工程と、
上記標識を基準として、上記導波路上の所定の箇所を上記第２面の側から削ることで、この導波路が導く光を反射してこの光の進路を変える反射面を形成する反射面形成工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の光部品の製造方法によれば、導波路上の所定の箇所を第２面の側から削る反射面形成工程では、基板が透明材料からなるか否かに拘わらず、この第２面の側に設けられた標識を基準として削る位置を決めることができるので、本発明の工程を有していない場合に比較して簡単な設備で導波路の正確な位置に反射面を形成することができる。
【０００９】
ここで、上記本発明の光部品の製造方法は、上記導波路形成工程より前に、上記基板の上記第１面の側から穴を掘る穴形成工程を備え、
上記導波路形成工程が、上記穴の位置を基準とした位置に上記導波路を形成する工程であり、
上記標識形成工程が、上記基板を上記第２面から、上記穴に達するまで削る工程であることが好ましい。
【００１０】
導波路形成工程および反射面形成工程の双方において、形成を行う面に開口する共通の穴を基準として位置決めを行うことができる。
【００１１】
また、上記本発明の光部品の製造方法において、上記標識形成工程が、上記第２面のうち、上記穴の裏側を含む領域を削る工程であることが好ましい。
【００１２】
穴の裏側を含む領域を削ることで、第２面を削る労力を低減できる。
【００１３】
また、上記本発明の光部品の製造方法は、上記穴の位置を基準として、上記導波路上の所定の箇所を上記第２面の側から切断する切断工程を有することが好ましい。
【００１４】
本工程を有していない場合に比較して、簡単な設備で導波路に対し正確な位置で切断された光部品を製造することができる。
【００１５】
また、本発明の光部品は、
内部を通る光を導く、少なくとも一端には、その光を反射して進路を曲げる反射面を有する導波路と、
上記導波路に沿って延びた、この導波路に面した一方に対する他方には、上記反射面に対して所定の相対的位置関係を有する標識が設けられた沿部とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の光部品によれば、沿部が透明材料からなるか否かに拘わらず、この光部品を実装する際の位置決めでは、沿部に設けられた標識を認識することで光部品の位置を確認することができるので、本構成を有していない場合に比較して簡易な手法で正確な位置決めが可能となる。
【００１７】
ここで、上記本発明の光部品において、上記沿部は、上記標識として穴が設けられたものであってもよく、また、上記沿部は、上記標識として突起が設けられたものであってもよい。
【００１８】
穴や突起は、視認が容易な形状であるので標識として好ましい。
【００１９】
また、上記課題を解決する本発明の光装置は、
光を扱う第１の光部品と、
上記第１の光部品が固定された本体基板と、
上記本体基板に固定された、上記第１の光部品と光の授受を行う第２の光部品とを備え、
上記第２の光部品が、
内部を通る光を導く、少なくとも一端には、その光を反射して進路を曲げることで上記第１の光部品と上記第２の光部品とを光の進路で繋ぐ反射面を有する導波路と、
上記導波路に沿って延びた、この導波路に面した一方に対する他方には、上記反射面に対して所定の相対的位置関係を有する標識が設けられた沿部とを備えたものであることを特徴とする。
【００２０】
本発明の光装置によれば、沿部に設けられた標識を認識することで光部品の位置を確認することができるため、実装の際、第２の光部品の第１の光部品に対する正確な位置決めが容易に行える。この結果、本構成を有していない場合に比較して第２の光部品と第１の光部品とが正確に位置決めされた光装置が実現する。
【００２１】
なお、本発明にいう光装置については、ここではその基本形態のみを示すのに留めるが、これは単に重複を避けるためであり、本発明にいう光装置には、上記の基本形態のみではなく、前述した光部品、および光部品の製造方法によって製造される光部品の各形態に対応する各種の形態が含まれる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明によれば、本工程を有していない場合に比較して簡単な設備で導波路に対し正確な位置に反射面を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００２４】
図１は、本発明の光部品の製造方法により製造される光部品を示す図である。
【００２５】
図１のパート（ａ）には、光部品の外観図が示され、パート（ｂ）には、パート（ａ）におけるＡ−Ａ断面図が示されている。
【００２６】
図１に示す光部品１は、光電素子や光コネクタ相互間で光を伝送する部品であり、例えば、光コネクタや光電素子が固定された本体基板に搭載され、光コネクタおよび光電素子との間で光を伝送する。この光部品１は、内部を通る光を導く導波路２、およびこの導波路が形成された基板３を備えており、導波路２の層と基板３の層とからなる２層構造を有している。
【００２７】
導波路２は、光を伝播する５本の棒状のコア２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ）、およびコア２１を取り囲むクラッド２２を備えている。
【００２８】
クラッド２２は、透明なポリイミド樹脂からなる。またコア２１は、クラッド２２の構成材料よりも屈折率が大きな、透明なポリイミド樹脂からなる。なお、コア２１およびクラッド２２は、コア２１の構成材料がクラッド２２の構成材料よりも大きい屈折率を有するものであれば、他の材料、例えば、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、またはポリエチレンやポリスチレン等のポリオレフィン樹脂によっても構成可能である。５本のコア２１は、互いに並行して、導波路２の一方の端である第１の端２ａから他方の端である第２の端２ｂまで延びている。
【００２９】
基板３は導波路に沿って延びている。この基板３はシリコンからなり、光部品１が製造される際に基部となる。ここで、基板３の表裏面のうち導波路側の面を第１面３ａと称し、第１面の逆側の面を第２面３ｂと称する。また、導波路２の、基板とは反対側の面を底面２ｄと称する。基板３が、本発明にいう沿部の一例に相当する。
【００３０】
光部品１は、コア２１が延びるコア延伸方向Ｘの一端には、導波路２および基板３の双方に亘る、底面２ｄに対して略４５°に傾斜した斜面４を有しており、この斜面４の内側が反射面２３となっている。反射面２３は、導波路２を通る光を反射してこの光の進路２４を曲げるものである。例えば、導波路２の第２の端２ｂからコア２１に入射してコア２１内部を伝搬する光は、反射面２３、より詳細には、反射面２３のうちの各コア２１ａ〜２１ｂの断面部２３ａ〜２３ｅで反射されて曲げられ、クラッド２２の内部を通り、導波路２の基板３とは反対の側の光入出力口２ｃから出射される。図１のパート（ｂ）には、導波路２の第２の端２ｂから反射面２３を経て光入出力口２ｃに至る光の進路２４が示されている。導波路２は、光を双方向で導くものであり、上述した方向とは逆に、光入出力口２ｃから入射した光は第２の端２ｂに導かれる。
【００３１】
基板３には、第２面３ｂに２個の標識３１が設けられている。具体的には、標識３１は、基板３の第２面３ｂの２箇所に開口した穴である。この２個の標識３１は、２個の標識３１は、コア延伸方向Ｘおよびコア延伸方向Ｘに交わるコア配列方向Ｙからなる２次元座標において、コアの断面部２３ａ〜２３ｅからの位置が設計上の所定位置となるように正確に形成されている。このような２次元座標での相対位置が、本発明にいう「相対的位置関係」の一例に相当する。
【００３２】
上述した構成の光部品１が、例えば、実装装置によって本体基板に実装される場合には、実装装置に取付けられたカメラで、実装する光部品１の基板３に設けられた標識３１を画像認識し、この標識が本体基板の目標位置にくるように光部品１が位置決めされて、本体基板上に固定される。
【００３３】
続いて、光部品１の製造方法を説明する。
【００３４】
図２、図３、および図４は、本発明の第１実施形態である光部品の製造方法として、図１に示す光部品を製造する各工程を示す工程図であり、図５、図６および図７は、図２から図４までに示す光部品の製造工程の途中の状態を示す図である。
【００３５】
図２、図３、および図４には、光部品１を製造する、第１の工程（１−１）から第２１の工程（１−２１）までの一連の製造工程が、序盤、中盤、および終盤に分かれて、図１のパート（ｂ）の断面図に相当する断面図として示されている。また、図５、図６および図７には、光部品１の製造工程の途中の状態が、図２〜４とは異なる向きから示されており、図５および図６には、基板３の第１面３ａとなる側から見た図が示され、図７には、光部品１の第２面３ｂとなる側から見た図が示されている。
【００３６】
光部品１は、リソグラフィ技術を用いて製造される。光部品１の製造に際しては、まず、図２の第１の工程（１−１）に示すように、基板としてのシリコン基板５０を用意し、第２の工程（１−２）に示すように、シリコン基板５０の表裏面のうち第１面５０ａにフォトレジスト５１を塗布する。シリコン基板５０は、薄い略円盤状のシリコンウエハーであり、後に光部品１の基板３となるものである。また、シリコン基板５０の第１面５０ａは、基板３の第１面３ａ（図１参照）となるものであり、シリコン基板５０の第２面５０ｂは、基板３の第２面３ｂ（図１参照）となるものである。続いて、第３の工程（１−３）に示すように、光部品１の標識３１に対応するマスクパターンが形成されたフォトマスク５３を通してフォトレジスト５１を露光し、第４の工程（１−４）に示すように、フォトレジスト５１を現像する。続いて、第５の工程（１−５）に示すように、シリコン基板５０をエッチングし、第６の工程（１−６）に示すように、フォトレジスト５１を剥離する。第２の工程（１−２）から第６の工程（１−６）までの工程によって、シリコン基板５０の第１面の側から標識としての７個の穴５４が掘られる。これら第２の工程（１−２）から第６の工程（１−６）までの工程が本発明の穴形成工程の一例に相当する。なお、図２の断面図では、図の見易さの便宜から、７個の穴５４のうち３個の穴５４ａ，５４ｆ，５４ｇが示されている。
【００３７】
ここで、一旦図５を参照して別の角度から説明すると、上述した第２の工程（１−２）から第６の工程（１−６）までの工程によって、略円盤状のシリコン基板５０の第１面５０ａの側には、３箇所に四角形の穴５４ａ，５４ｂ，５４ｃと、４箇所に十字形の穴５４ｄ，５４ｅ，５４ｆ，５４ｇが掘られている。
【００３８】
図２に戻って、光部品１の製造について説明を続けると、続いて、第７の工程（１−７）に示すように、シリコン基板５０の第１面５０ａに、クラッドの材料である液状化したクラッド材料５５を塗布し、第８の工程（１−８）に示すように、加熱して硬化する（キュア）。続いて、図３の第９の工程（１−９）に示すように、硬化したクラッド材料５５の上に、コアの材料となり、紫外線が照射されることで屈折率が低下するコア材料５６を塗布し、第１０の工程（１−１０）に示すように、光部品１のコア２１（図１）に対応するマスクパターンが形成されたフォトマスク５７を通して感光性のコア材料５６を露光する。このとき、第１面５０ａの側に設けられた穴５４（５４ａ〜５４ｇ）の位置を基準としてフォトマスク５７を位置決めする。コア材料５６は、コアとなる部分を除いた部分に露光光が照射されることで屈折率が低下し、光部品１のクラッド２２の一部を構成する。続いて、第１１の工程（１−１１）に示すように、加熱してコア材料５６を硬化し（キュア）、第１２の工程（１−１２）に示すように、コア材料５６を全面に亘り露光する。これにより、コア材料５６のうち、一定量以上の露光光が到達する表面付近の部分の屈折率が低下し、光部品１のクラッド２２（図１参照）の一部を構成することとなる。続いて、第１３の工程（１−１３）に示すように、加熱してコア材料５６を硬化する。このコア材料５６の表面が、光部品１の底面２ｄ（図１参照）となる。コア材料５６のうち、第１１の工程（１−１１）および第１２の工程（１―１２）によって屈折率が低下した部分は、クラッド材料５５と一体となるため、以降、クラッド材料５５と総称する。第１１の工程（１−１１）および第１２の工程（１―１２）によって屈折率が変化しない部分がコア２１となる。第７の工程（１−７）から第１３の工程（１−１３）までの工程によって、シリコン基板５０の第１面３ａに、光部品１の導波路２（図１参照）となる部分が形成される。これら第７の工程（１−７）から第１３の工程（１−１３）までの工程が本発明の導波路形成工程の一例に相当する。
【００３９】
ここで一旦、図６を参照して別の角度から説明すると、シリコン基板５０上に形成されたクラッド材料５５の内部には、５本のコア２１が互いに並行に延びている。また、透明なクラッド材料５５の層の奥には、シリコン基板５０の第１面に設けられた穴５４（５４ａ〜５４ｇ）が透けて見えている。ここで、上述した第１０の工程（１−１０）では、穴５４の位置を基準としてフォトマスク５７を位置決めして露光を行っているため、コア２１は、コア延伸方向Ｘおよびコア延伸方向Ｘに交わるコア配列方向Ｙからなる２次元座標において、穴５４からの位置が設計上の所定位置となるように正確に形成されている。このような２次元座標での相対位置が、本発明にいう「相対的位置関係」の一例に相当する。
【００４０】
図３に戻って、光部品１の製造について説明を続けると、第１３の工程（１−１３）に続いて、第１４の工程（１−１４）に示すように、表裏反転したシリコン基板５０を、クラッド材料５５の側で接着テープ５９に接着し（テープマウント）、第１５の工程（１−１５）に示すように、シリコン基板５０の第２面５０ｂを全面に亘りグラインダー６０で削る。第１５の工程（１−１５）では、図４の第１６の工程（１−１６）に示すように、シリコン基板５０を穴５４に達するまで削る。
【００４１】
ここで一旦、図７のパート（ａ）を参照して別の角度から説明すると、第１５の工程（１−１５）および第１６の工程（１−１６）によって、シリコン基板５０の第２面５０ｂに４個の穴５４が現れる。これら第１５の工程（１−１５）および第１６の工程（１−１６）が、本発明の標識形成工程の一例に相当する。なお、シリコン基板５０の第１面５０ａの側には、穴５４を基準とした所定の位置にコア２１が形成されている。
【００４２】
図４に戻って、光部品１の製造について説明を続けると、第１６の工程（１−１６）に続いて、第１７の工程（１−１７）に示すように、コア２１の端の部分をシリコン基板５０ごと、第２面５０ｂの側からダイシングブレード６１で直線状に切断する（９０°加工）。ここで、一旦図７のパート（ｂ）を参照して別の角度から説明すると、第１７の工程（１−１７）に示す切断工程では、コア２１がシリコン基板５０ごと、切断線Ｌ１に沿って切断される。この切断工程では、例えば、穴５４の位置を、ダイシングブレード６１が配置される位置と同様の、第２面５０ｂの側を臨む位置からカメラで画像認識し、穴５４ｄ，５４ｇの位置を基準としてダイシングブレード６１を位置決めして切断を行う。図４に戻って説明を続けると、この結果、第１８の工程（１−１８）に示すように、光部品の第２の端２ｂが形成される。第１７の工程（１−１７）が、本発明にいう切断工程の一例に相当する。
【００４３】
続いて、第１８の工程（１−１８）に示すように、コア２１の、第２の端２ｂが形成された端に対する他の端を、４５°に傾斜した切削面を有するダイシングブレード６２で直線状に切断する（４５°加工）ことで、光部品１の反射面２３（図１参照）となる傾斜した面を形成する。再び図７のパート（ｂ）を参照して説明すると、第１８の工程（１−１８）では、コア２１がシリコン基板５０とともに切断線Ｌ２に沿って、シリコン基板５０の第２面５０ｂに対して４５°の斜めに切断される。第１８の工程（１−１８）が、本発明にいう反射面形成工程の一例に相当する。
ここで、図４に戻って説明を続けると、ダイシングブレード６２は、切断時に、コア延伸方向Ｘでの位置が穴５４の位置に対して正確に位置決めされる。この反射面形成工程では、例えば、穴５４ｅ，５４ｆの位置を、ダイシングブレード６２が配置される位置と同様に、第２面５０ｂの側を臨む位置からカメラで画像認識し、穴５４ｅ，５４ｆの位置を基準としてダイシングブレード６２を位置決めして切断を行う。この結果、図７のパート（ｂ）に示す切断線Ｌ２の位置が、穴５４ｅ，５４ｆの位置に対して一定の距離に精密に位置決めされる。このように、第１８の工程（１−１８）で、光部品１の反射面２３を形成すると、第１９の工程（１−１９）に示すように、コア２１の断面部２３ａ〜２３ｅが、第１８の工程（１−１８）に示す穴５４の位置に対して正確に位置決めされる。続いて、第１９の工程（１−１９）に示すように、コア２１の両サイドをダイシングブレード６３で直線状に切断する。ここで、再び図７のパート（ｂ）を参照して説明すると、シリコン基板５０が切断線Ｌ３，Ｌ４に沿って切断される。
【００４４】
図４に戻って説明を続けると、第１９の工程（１−１９）に続いて、第２０の工程（１−２０）に示すように、表裏反転したシリコン基板５０の接着テープ５９に紫外線を照射して、接着テープ５９の接着力を低下させる。続いて、第２１の工程（１−２１）に示すように、接着テープ５９を剥離することで、光部品１を得る。光部品１に残った穴５４ａ，５４ｂは標識３１となる。ここで、光部品１のコア２１および反射面２３は、第１０の工程（１−１０）および第１６の工程（１−１６）で説明したように、標識としての穴５４からの位置が設計上の所定位置となるように正確に形成されている。したがって、反射面２３は、コア２１に対し設計上の正確な相対位置に設けられている。また、光部品１の標識３１となった穴５４ａ，５４ｂは、コア２１および反射面２３に対して正確に位置決めがなされている。
【００４５】
続いて、光部品１を備えた光装置の組立てについて説明する。
【００４６】
図８は、図１に示す光部品を本体基板へ実装する工程を示す工程図である。
【００４７】
図８には、光部品１を本体基板７１へ実装する工程が、第１の実装工程（ａ）から工程第３の実装工程（ｃ）まで順に示されている。
【００４８】
光装置の組立てに際しては、まず、図８の第１の実装工程（ａ）に示すように、光部品１を用意する。ここで、導波路２の反射面２３のうちの各コア２１ａ〜２１ｂ（図１参照）の断面部２３ａ〜２３ｅと標識３１とは、コア延伸方向Ｘおよびコア配列方向Ｙにおいて、距離が一定に定められた相対的位置関係を有している。ここで、断面部２３ａ〜２３ｅと、標識３１との間のコア（図１参照）が延びるコア延伸方向Ｘにおける距離をＢとする。
【００４９】
一方、図８の第２の実装工程（ｂ）に示すように、それぞれが発光素子または受光素子である５個の光電素子７２ａ〜７２ｅが備えられた本体基板７１を用意する。本体基板７１には、光電素子７２ａ〜７２ｅが一列に並んで固定されている。光電素子７２ａ〜７２ｅは、本発明の光装置における第１の光部品の一例に相当する。また、光部品１は、本発明の光装置における第２の光部品の一例に相当する。第２の実装工程（ｂ）では、実装装置に備えられた第１の顕微鏡Ｓ１および第２の顕微鏡Ｓ２のうち、第１の顕微鏡Ｓ１で標識３１を画像認識し、第２の顕微鏡Ｓ２で光電素子７２ａを画像認識して、第１の顕微鏡Ｓ１と第２の顕微鏡Ｓ２の距離、および認識された画像から、標識３１と光電素子７２ａとのコア延伸方向Ｘでの距離を測定する。
【００５０】
続いて、図８の第３の実装工程（ｃ）に示すように、光部品１を、第２の実装工程（ｂ）で測定した光電素子７２ａとの距離から、断面部２３ａ〜２３ｅと標識３１との間の距離Ｂを差し引いた分の距離だけ、コア延伸方向Ｘに移動させる。また、コア配列方向Ｙについても、コア延伸方向Ｘにおける距離の測定および光部品１移動と同様に、距離の測定および光部品１の移動を行う。光部品１を移動後、本体基板７１に接着して固定することで、光装置７０を得る。
【００５１】
図９は、図８に示す工程で組立てられた光装置の断面図である。
【００５２】
図９には、光コネクタが接続された状態の光装置７０が示されている。光装置７０は、光部品１、本体基板７１、および光電素子７２（７２ａ）を備えている。光部品１は、反射面２３のうちのコア２１ａの断面部２３ａの位置が、光電素子７２ａに対し正確に位置決めされて本体基板に固定されている。
【００５３】
ここで、光電素子７２ａが例えば発光素子の場合、光電素子７２ａから出力された光は、光部品１の反射面２３で反射され進路２４が曲げられて、この反射面２３に対し正確な位置に形成されているコア２１ａ内を第２の端２ｂまで効率よく導かれる。すなわち、反射面２３によって、光電素子７２ａと光部品１とが光の進路で繋がれる。第２の端２ｂまで導かれた光は、光部品１に接続された、ＭＴタイプコネクタである光コネクタ８０に向かって出力される。このようにして、光部品１と、光電素子７２ａとの間で光の授受が行われる。
【００５４】
ここで、光部品１は、光電素子７２ａに対し、反射面２３の位置、詳細には、反射面２３のうちのコア２１ａの断面部２３ａの位置が正確に位置決めされて固定されており、光電素子７２ａから出力された光は、効率よく反射面２３で反射されコア２１ａ中を導かれる。
【００５５】
上述した第１実施形態における光部品１の製造方法では、シリコン基板５０の第２面５０ｂを全面に亘り削るが、続いて、第２面を一部分だけ削る第２実施形態について説明する。以下の第２実施形態の説明にあたっては、これまで説明してきた実施形態における各要素と同一の要素には同一の符号を付けて示し、前述の実施形態との相違点について説明する。
【００５６】
図１０、図１１、および図１２は、本発明の第２実施形態である光部品の製造方法の各工程を示す工程図であり、図１３は、図１０から図１２までに示す光部品の製造工程の途中の状態を示す図である。
【００５７】
図１０、図１１、および図１２には、第１実施形態とは別の方法で、図１に示す光部品１を製造する一連の製造工程が、序盤、中盤、および終盤に分かれて示されている。第２実施形態における光部品１の製造において、第１の工程（２−１）から第１４の工程（２―１４）までの工程は、第１実施形態における第１の工程（１−１）から第１４の工程（１−１４）までの工程と同様である。
【００５８】
図１１の第１４の工程（２−１４）に続いては、第１５の工程（２−１５）に示すように、シリコン基板５０の２箇所を、第１面５０ａとは反対の第２面５０ｂからダイシングブレード２６５ａ，２６５ｂ，２６５ｃ，２６５ｄで削り、溝２５４ａ，２５４ｂ，２５４ｃ，２５４ｄを形成する。このとき、第１５の工程（２−１５）では、図１２の第１６の工程（２−１６）に示すように、シリコン基板５０を穴５４に達するまで削る。ここで、一旦図１３のパート（ｂ）を参照して別の角度から説明すると、第１５の工程（２−１５）および第１６の工程（２−１６）では、シリコン基板５０の第２面５０ｂのうち、第１面５０ａの側に掘られた穴５４（５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ，５４ｅ，５４ｆ，５４ｇ）の裏側を含む４本の直線帯状の領域２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄを削ることで４本の溝２５４ａ〜２５４ｄが形成され、この溝２５４ａ〜２５４ｄの底に７個の穴５４が現れる。
【００５９】
第１６の工程（２−１６）に続く、図１２の第１７の工程（２−１７）から第２１の工程（２―２１）までの工程は、第１実施形態における第１７の工程（１−１７）から第２１の工程（１−２１）までの工程と同様である。例えば、図１２の第１７の工程（２−１７）では、図１３に示すようにシリコン基板５０が穴５４の位置を基準として位置決めされた切断線Ｌ１（図１３参照）に沿って切断される。また、第１８の工程（２−１８）に示す反射面形成工程では、シリコン基板５０が穴５４の位置を基準として位置決めされた切断線Ｌ２（図１３参照）に沿って斜めに切断されることで、反射面２３が形成される。
【００６０】
このようにして、第２実施形態の製造方法でも、反射面２３（図１参照）が、コア２１に対し設計上の正確な相対位置に設けられた光部品１を得る。
【００６１】
なお、上述の実施形態では、コア２１が穴５４に対し、コア延伸方向Ｘおよびコア配列方向Ｙからなる２次元座標において所定位置となるように形成されていると説明したが、本発明の相対的位置関係はこれに限られるものではなく、例えば、コアとが標識とが１次元座標、あるいは３次元座標において所定の位置になるよう形成されたものであってよい。
【００６２】
また、上述の実施形態では、切断をする工程で、穴５４ｄ，５４ｅ，５４ｆ，５４ｇの位置を基準としてダイシングブレードを位置決め、切断すると説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、切断位置は、光部品１に標識３１として残る穴５４ａ，５４ｂ，５４ｃを基準として決められるものであってもよい。この場合、標識（穴５４ａ，５４ｂ，５４ｃ）は、反射面をコアに対して正確に位置決めする標識、および、製造された光部品を本体基板に実装する際の位置決め標識として兼用される。
【００６３】
また、標識は穴であるとして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、標識は基板の第２面に設けられた突起であってもよい。
【００６４】
また、光部品１の基板はシリコンからなるものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、基板は、例えばガラスセラミックや、ガラスエポキシ樹脂等の材料からなるものであってよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の光部品の製造方法により製造される光部品を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態である光部品の製造方法の序盤の工程を示す工程図である。
【図３】本発明の第１実施形態である光部品の製造方法の中盤の工程を示す工程図である。
【図４】本発明の第１実施形態である光部品の製造方法の終盤の工程を示す工程図である。
【図５】図２から図４までに示す光部品の製造工程の途中の穴が形成された状態を示す図である。
【図６】図２から図４までに示す光部品の製造工程の途中のコアが形成された状態を示す図である。
【図７】図２から図４までに示す光部品の製造工程の途中の第２面の側の穴が現れた状態を示す図である。
【図８】図１に示す光部品を本体基板へ実装する工程を示す工程図である。
【図９】図８に示す工程で組立てられた光装置の断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態である光部品の製造方法の序盤の各工程を示す工程図である。
【図１１】本発明の第２実施形態である光部品の製造方法の中盤の各工程を示す工程図である。
【図１２】本発明の第２実施形態である光部品の製造方法の終盤の各工程を示す工程図である。
【図１３】図１０から図１２までに示す光部品の製造工程の途中の第２面の側の穴が現れた状態を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
（１−２）〜（１−６），（２−２）〜（２−６）    穴形成工程
（１−７）〜（１−１３），（２−７）〜（２−１３）    導波路形成工程
（１−１５）および（１−１６），（２−１５）および（２−１６）    標識形成工程
（１−１７），（２−１７）    切断工程
（１−１８），（２−１８）    反射面形成工程
１    光部品（第２の光部品）
２    導波路
２３    反射面
３    基板（沿部）
３１    標識
５０    シリコン基板（基板）
５０ａ    第１面
５０ｂ    第２面
５４（５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ，５４ｅ，５４ｆ，５４ｇ）    穴（標識）
２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄ    （穴の裏側を含む）領域
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４    切断線
７０    光装置
７１    本体基板
７２ａ    光電素子（第１の光部品）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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