(57)【要約】【課題】検査対象試料の画像の転写・現像シミュレーション処理の過程で生じる一時的な強調部分を見出すこと。【解決手段】検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを記憶する取得画像記憶部と、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行う転写・現像シミュレーション部と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶部と、該取得画像のシミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理部と、を備えている、パターン検査装置。【選択図】  図１
2007192652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを記憶する取得画像記憶部と、
取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行う転写・現像シミュレーション部と、
取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶部と、
該取得画像のシミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理部と、を備えている、パターン検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン検査装置において、
基準検査パターンは、取得画像のパターン、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のパターン、又は、該参照画像のシミュレーション途中画像のパターンである、パターン検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載のパターン検査装置において、
基準検査パターンは、該取得画像のシミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、又は、検査対象試料の参照画像のシミュレーション途中画像のパターンであり、
被検査パターンと基準検査パターンの差分が閾値以上である場合、閾値以上のパターンを欠陥候補として記憶する欠陥候補記憶部とを備えている、パターン検査装置。
【請求項４】
検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理する転写・現像シミュレーション処理工程と、
取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶工程と、
該シミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理工程と、を備えている、パターン検査方法。
【請求項５】
請求項４に記載のパターン検査方法において、
基準検査パターンは、取得画像のパターン、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のパターン、又は、該参照画像のシミュレーション途中画像のパターンである、パターン検査方法。
【請求項６】
請求項４に記載のパターン検査方法において、
基準検査パターンは、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のシミュレーション途中画像のパターンであり、
被検査パターンと基準検査パターンの差分が閾値以上である場合、閾値以上のパターンを欠陥候補として記憶する記憶工程を備えている、パターン検査方法。
【請求項７】
請求項４に記載のパターン検査方法において、
基準検査パターンは、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のシミュレーション途中画像のパターンであり、
被検査パターンと基準検査パターンの差分が閾値以上である場合、閾値以上のパターンのみに対して、転写・現像シミュレーション処理を続行する続行工程を備えている、パターン検査方法。
【請求項８】
請求項４に記載のパターン検査方法において、
基準検査パターンは、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のシミュレーション途中画像のパターンであり、
被検査パターンと基準検査パターンの差分が閾値以上である場合、閾値以上のパターンのみに対して、比較処理前の転写・現像シミュレーション処理より詳細なプロセス条件で転写・現像シミュレーション処理を続行する続行工程を備えている、パターン検査方法。
【請求項９】
検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行い、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶し、該シミュレーション途中画像のパターンと比較対象のパターンとを比較処理して得られた、検査対象試料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査対象試料のパターン検査装置、パターン検査方法、又は検査された検査対象試料に関するものであり、特に、半導体素子や液晶ディスプレイパネル、及びそれらの製造に使用するレチクル（マスク）のパターン検査装置、パターン検査方法、検査された検査対象試料に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、集積回路のマスクに対する欠陥をシミュレーション処理により検査する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。しかし、シミュレーション処理の最終的なパターンで検査が実施されている。
【０００３】
しかしながら、近年の半導体の微細化の進行に伴い、転写検査のマージンが少なくなり、欠陥に対し、転写条件を実際に合わせて、最終的に転写マージンがどの程度あるかまで精査することが必要になっている。このため、これを単純に適用するとすれば、全ての転写条件を振ってマージン確認が必要になり、非常に膨大な演算処理が必要になり、非実用的である。
【０００４】
【特許文献１】特表２００５−５００６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施の形態は、検査対象試料の画像の転写・現像シミュレーション処理の過程で生じる一時的な欠陥の強調部分を見出し、より精査な検査が可能なパターン検査装置、パターン検査方法、又は、それにより得られた検査対象試料を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施の形態は、レチクルなどの検査対象試料の標準的なプロセス条件でシミュレーション処理を行う。シミュレーション処理の途中でパターン検査を実施することで、プロセス条件を全て振る代わりに、時間軸上で欠陥候補を発見する。その発見した欠陥候補に対してのみ、詳細なシミュレーション処理を行い、より精査な検査が可能となり、効率的に欠陥を検査することができる。具体的には、本発明は、以下の構成を取ることができる。
（１）本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを記憶する取得画像記憶部と、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行う転写・現像シミュレーション部と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶部と、該取得画像のシミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理部と、を備えている、パターン検査装置にある。
（２）また、本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理する転写・現像シミュレーション処理工程と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶工程と、該シミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理工程とを備えている、パターン検査方法にある。
（３）また、本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行い、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶し、該シミュレーション途中画像のパターンと比較対象のパターンとを比較処理して得られた、検査対象試料にある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態によるレチクルなどの検査対象試料の画像のパターン検査について説明する。
【０００８】
本発明の実施の形態のパターン検査は、検査対象試料から光学画像を取得し、光学画像のパターンを特定のプロセス条件で転写・現像シミュレーション処理し、転写・現像シミュレーション処理の途中のパターンを検査して、パターンの欠陥部など異常なパターンを検査するものである。画像を転写・現像シミュレーション処理する過程で画像のパターンの欠陥部が一時的に強調されることがある。その強調された欠陥部を見出すことにより、パターンの検査をより正確に行うことができる。例えば、転写・現像シミュレーション処理の途中のパターンを検査して、異常なパターンが発見された場合、欠陥部の候補として記憶し、欠陥部の候補のみに対して、最後まで転写・現像シミュレーション処理を続行する。異常なパターンが見つからない箇所は、転写・現像シミュレーション処理を中止する。最後に処理されたパターンを検査して、その異常なパターンが欠陥部となるか否かを判断する。又は、途中のパターンを検査して、異常なパターンが発見された場合、欠陥部の候補として記憶し、その異常なパターンのみに対して、特定のプロセス条件より詳細なプロセス条件で転写・現像シミュレーション処理を行う。異常なパターンが見つからない箇所に対して、転写・現像シミュレーション処理を中止するか、又は、特定のプロセス条件で転写・現像シミュレーション処理を行う。これらの処理により、転写・現像シミュレーション処理の演算量を減らすことができ、効率的に、かつ、正確に欠陥を検査することができる。また、最後まで転写・現像シミュレーション処理をすることにより、欠陥候補を削ることができ、欠陥候補の絞込みができる。
【０００９】
なお、光学画像は、光学画像取得部で取得された画像である。ただ、取得された画像は、本説明では光学画像を扱っているが、本発明では、光学画像に限ることはなく、レーザビームスキャンによる画像、ＳＥＭ（走査型電子手段）による画像、ＳＴＭ（走査トンネル手段）による画像、ＮＣ−ＡＦ（非接触原子間力手段）による画像、Ｘ線手段による画像など無接触による手段や接触による手段で取得した画像でもよい。また、転写・現像シミュレーション処理は、転写シミュレーション処理、現像シミュレーション処理など画像のパターンを処理する一般に知られているシミュレーションによる処理である。転写・現像シミュレーション処理は、露光条件、エッチング条件など種々のプロセス条件を設定して行う。プロセス条件は、処理時間が短いが簡単な処理条件や、又は、処理時間が長いがより精密な処理ができる条件など種々の処理条件がある。また、以下、検査対象試料としてレチクルについて説明するが、半導体装置や液晶表示装置などの製造において、画像が形成されるものであればどのようなものでもよく、例えば、マスク、ウエーハなどがある。また、パターンとは、画像全体のパターンでも、又は、画像の一部のパターンでもよい。
【００１０】
（パターン検査装置）
図１は、パターン検査装置の一例の概略図を示している。パターン検査装置は、光学画像取得部２１０、取得画像記憶部２２、転写・現像シミュレーション処理部２５６、シミュレーション画像記憶部２６、比較処理部２５４、参照画像作成部２５２、参照画像記憶部２４、欠陥候補記憶部２８などを備えている。光学画像取得部２１０は、レチクル２２０など検査対象試料に描かれた画像を取得するものである。取得画像記憶部２２は、レチクル２２０に描かれた画像、即ち取得画像を記憶するものである。シミュレーション処理部２５６は、画像のパターンについて転写・現像シミュレーション処理を行うものである。シミュレーション画像記憶部２６は、転写・現像シミュレート処理を行った途中の画像のパターン、即ちシミュレーション途中画像のパターンを記憶するものである。比較処理部２５４は、複数のパターンを比較処理するものであり、シミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理するものである。比較対象のパターンは、例えば、取得画像のパターン、シミュレーション途中画像の他のパターン（例：同一レチクル内の他のダイのパターン）、レチクル２２０の参照画像のパターンがある。参照画像作成部２５２は、レチクル２２０の設計データ２０から光学画像に似せた画像である参照画像を作成するものである。参照画像記憶部２４は、作成された参照画像を記憶するものである。欠陥候補記憶部２８は、比較処理部２５４で見出されたパターンの欠陥部を欠陥候補として記憶するものである。なお、パターン検査装置は、パターン検査が可能であれば、図１の構成に追加した構成を備えていても、又は、図１の構成より少ない構成であってもよい。例えば、パターン検査装置は、比較対象のパターンとして、参照画像を利用しない場合、参照画像作成部２５２、及び、参照画像記憶部２４を備えていなくてもよい。また、被検査パターンと基準検査パターンは、両者のパターンを識別するための名称であり、名称を逆にしてもよい。即ち、シミュレーション途中画像のパターンを基準検査パターンとし、比較対象のパターンを被検査パターンと呼んでもよい。
【００１１】
図２は、一例として、パターン検査装置２００を示している。パターン検査装置２００は、光学画像取得部２１０とデータ処理部２４０を備えている。光学画像取得部２１０は、オートローダ２１２、光源２１６、光照射部２１７、レチクル２２０を載置するＸＹθテーブル２１８、θモータ２２２、Ｘモータ２２４、Ｙモータ２２６、レーザ測長システム２１４、拡大光学系２２８、フォトダイオードアレイ２３０、センサ回路２３２などを備えている。データ処理部２４０は、中央演算処理部２４２、データ、プログラムなどを輸送するバス２５０、オートローダ制御部２４４、ＸＹθテーブル２１８を制御するテーブル制御部２４８、光学画像に類似した参照画像を作成する参照画像作成部２５２、画像のパターンを比較し、パターンの欠陥を判定する比較処理部２５４、光学画像や参照画像を転写や現像などのシミュレーション処理する転写・現像シミュレーション処理部２５６、バッファメモリ２４６、レーザ測長システム２１４からのテーブルの位置を求める位置測定部２５８、種々のデータ、データベース、プログラムなどを記憶し、取得画像記憶部２２、参照画像記憶部２４、シミュレーション画像記憶部２６、欠陥候補記憶部２８などを構成する主記憶装置２６６や外部記憶装置２６０、ＣＲＴ２６２、プリンタ２６４などを備えている。なお、パターン検査装置２００は、電子回路、プログラム、ＰＣ、又は、これらの組み合わせにより構成できる。
【００１２】
（光学画像取得部）
光学画像取得部２１０は、レチクル２２０の光学画像を取得する。レチクル２２０は、ＸＹθテーブル２１８上に載置される。ＸＹθテーブル２１８は、中央演算処理部２４２から指令を受けたテーブル制御部２４８により、Ｘ方向、Ｙ方向に移動でき、θ方向に回転可能な３軸（Ｘ−Ｙ−θ）マニピュレータである。Ｘ方向にはＸモータ２２４で、Ｙ方向にはＹモータ２２６で、θ方向にはθモータ２２２で駆動制御される。Ｘモータ２２４、Ｙモータ２２６、θモータ２２２は公知のサーボモータやステップモータ等を用いることができる。ＸＹθテーブル２１８の位置座標は、例えばレーザ測長システム２１４により測定され、その出力が位置測定部２５８に送られる。位置測定部２５８から出力された位置座標はテーブル制御部２４８にフィードバックされる。
【００１３】
レチクル２２０は、オートローダ２１２によりＸＹθテーブル２１８上に自動的に供給され、検査終了後に自動的に排出される。ＸＹθテーブル２１８の上方には、光源２１６及び光照射部２１７が配置されている。光源３１からの光は、光照射部２１７の集光レンズを介してレチクル２２０を照射する。レチクル２２０の下方には、拡大光学系２２８及びフォトダイオードアレイ２３０からなる信号検出部が配置されている。レチクル２２０を透過した透過光は、拡大光学系２２８を介してフォトダイオードアレイ２３０の受光面に結像される。拡大光学系２２８は、ピエゾ素子等の焦点調整装置（図示省略）で自動的に焦点調整される。この焦点調整装置は、中央演算処理部２４２に接続されたオートフォーカス制御回路（図示省略）により制御される。焦点調整は、別途設けられた観察スコープでモニタリングしてもよい。光電変換部としてのフォトダイオードアレイ２３０は、複数の光センサを配設したラインセンサもしくはエリアセンサである。ＸＹθテーブル２１８をＸ軸方向に連続的に移動させることにより、フォトダイオードアレイ２３０は、レチクル２２０の画像に対応した測定信号を検出する。
【００１４】
この測定信号は、センサ回路２３２でデジタルデータに変換され、光学画像のデータとして、バッファメモリ２４６、主記憶装置２６６、外部記憶装置２６０などに入力される。光学画像のデータは、例えば８ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさを表現するものとする。この種のパターン検査装置２００は、通常、これらのパターンデータを１０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ程度のクロック周波数に同期して、フォトダイオードアレイ２３０から読み出し、適当なデータの並び替えを経て、ラスター走査された２次元画像データとして取り扱われる。
【００１５】
図３は、光学画像の取得手順の一例を示している。レチクル２２０の被検査領域は、Ｙ方向に向かって、走査幅Ｗの短冊状の複数のストライプ３０に仮想的に分割される。その分割されたストライプ３０は、連続的に走査されるように、ＸＹθテーブル２１８は、テーブル制御部２４８の制御のもとでＸ方向に移動する。その移動に従って、各ストライプ３０は、フォトダイオードアレイ２３０により取得される。フォトダイオードアレイ２３０は、走査幅Ｗの画像を連続的に取得する。ここでは、例えば、走査幅Ｗは、２０４８画素とする。
【００１６】
センサ回路２３２から出力されたストライプ３０の測定パターンデータは、位置測定部２５８から出力されたＸＹθテーブル２１８上のレチクル２２０の位置を示すデータとともに、比較処理部２５４に送られる。比較される光学画像は、適当な画素サイズのエリアに切り出される。例えば、５１２×５１２画素の領域に切り出される。なお、光学画像は、上記記載では透過光を利用しているが、反射光、散乱光、偏光散乱光、偏光透過光などを利用するものでもよい。これらの画像の光を検出するために、光画像取得部２１０は、これらの光の画像を取得する取得機構を有している。
【００１７】
（参照画像の作成）
参照画像は、レチクル２２０の設計データから種々の変換を行って、光学画像に似せて作成された画像である。参照画像は、参照画像作成部２５２で、レチクル２２０の画像の設計データを外部記憶装置２６０又は主記憶装置２６６から中央演算処理部２４２により読み出し、イメージデータに変換し、図形の角を丸めたり、多少ボカしたりして、光学画像に似せる処理を行って作成される。作成された参照画像は、外部記憶装置２６０又は主記憶装置２６６に格納する。
【００１８】
（比較処理部）
比較処理部２５４は、画像間のパターンを比較し、欠陥などの判定するものである。比較する画像は、種々あるが、例えば、レチクル上のダイとダイの比較（ＤＤ比較）と、レチクル上のダイと参照画像の比較（ＤＢ比較）がある。ＤＤ比較やＤＢ比較は、透過率変動、付着物検出、エッジの微小位置、又は、微小強度変動を検出する。また、比較処理部２５４は、コンタクトホールなど微細形状の比較、図形の重要度に応じたマージンの設定、図形の特徴に応じた領域の感度設定を行い、より的確な劣化検査を可能とする。
【００１９】
（パターン検査方法）
図４は、パターン検査方法を示している。パターン検査方法は、次のようなステップを備えている。先ず、光学画像取得部２１０によりレチクル２２０から光学画像を取得し、取得画像記憶部２２に記憶する（光学画像取得工程Ｓ１）。次に、転写・現像シミュレーション処理部２５６により、取得画像記憶部２２から取得画像を読み出して、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行い、処理された転写・現像シミュレーション画像のパターンをシミュレーション画像記憶部２６に記憶する（転写・現像シミュレーション処理工程Ｓ２）。次に、比較処理部２５４によりシミュレーション画像記憶部２６からシミュレーション画像を読み出し、比較対象のパターンと比較する。比較の結果、パターン差異が所定の閾値を超えている場合、欠陥と判断し、欠陥候補記憶部２８に記憶する（比較処理工程Ｓ３）。比較対象のパターンは、取得画像のパターン、該シミュレーション画像の他のパターン、他のシミュレーション画像のパターン、又は、検査対象試料の参照画像のパターンなどがある。
【００２０】
図５は、転写・現像シミュレーション処理において、転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターン４２と、比較対象のパターン４４とを比較する手順を示している。図５は、先ず、レチクル２２０の画像から取得した取得画像３２について光学転写シミュレーション処理を行う（転写シミュレーション処理Ｓ１０）。詳しくは、光学転写シミュレーション処理を行い（光学転写シミュレーション処理Ｓ１１）、転写画像３４のパターンを形成する。次に、転写画像３４をレジスト上への転写シミュレーション処理を行い（レジスト上への転写シミュレーション処理Ｓ１２）、潜像画像（ｉ＝０）３６を作成する。更に、潜像画像（ｉ＝０）３６について複数段階の現像シミュレーション処理（Ｔ＝ｔ０〜ｔＮの時間経過を経る）Ｓ２０を行い（ｉ＝1〜ｎ〜Ｎ）、途中で第ｎの現像途中画像（シミュレーション途中画像）（ｉ＝ｎ）３８を作成し、最終的に現像結果画像（ｉ＝Ｎ）４０を作成する。途中画像（ｉ＝ｎ）４２のパターンと比較対象のパターン４４を比較処理部２５４で比較して、欠陥の有無の検査などの処理を行う。なお、転写シミュレーション処理工程Ｓ１０と現像シミュレーション処理工程Ｓ２０は、転写・現像シミュレーション処理工程Ｓ２を構成する。
【００２１】
図６は、例えば、ダイ画像の左右に２本の電極パターン４８ａ、４８ｂを有する取得画像について転写・現像シミュレーション処理を行った経過過程を示す。図６（Ａ）は、電極パターン４８ａ、４８ｂの現像初期画像５０の模式図を示している。右側の電極パターン４８ｂは欠陥部５４を有している。図６（Ｂ）は、電極パターン４８ａ、４８ｂの現像途中画像３８の模式図を示している。２本の電極パターン４８ａ、４８ｂが細くなり、右側の電極パターン４８ｂの欠陥部５４が強く現れている。図６（Ｃ）は、現像結果画像４０の模式図を示している。２本の電極パターン４８ａ、４８ｂが更に細くなり、右側の電極パターン４８ｂの欠陥部５４が小さくなっている。このように、転写・現像シミュレーション処理工程Ｓ２の途中で欠陥部５４が強く現れ、最終的なシミュレーション処理後では、弱まることがある。
【００２２】
（実施の形態１）
図７は、レチクル２２０からの取得画像３２の２つのダイ（一方を被検査ダイ３２ａとし、他方を基準ダイ３２ｂとする。）について、転写・現像シミュレーション処理工程Ｓ２において、転写・現像シミュレーション処理の途中のダイ３２ａとダイ３２ｂ間の被検査パターンと基準検査パターンを比較処理（ＤＤ比較処理）する手順を示している。図７は、先ず、被検査ダイ３２ａと基準ダイ３２ｂについて同一の転写・現像シミュレーション処理を行い、基準ダイと被検査ダイの潜像画像３６ａ、３６ｂの被検査パターンと基準検査パターンを形成する。被検査ダイ３２ａと基準ダイ３２ｂの潜像画像３６ａ、３６ｂの被検査パターンと基準検査パターンについて、転写・現像シミュレーション処理を行う。転写・現像シミュレーション処理工程Ｓ２の途中（ｉ＝ｎ）で被検査ダイ３２ａと基準ダイ３２ｂの途中画像３８ａ、３８ｂのパターンを比較処理部２５４で比較処理する。被検査ダイ３２ａと基準ダイ３２ｂの途中画像３８ａ、３８ｂの差が所定の閾値より大きくなった場合（例えば、ｉ＝ｍ、Ｍ１＜ｍ＜Ｍ２の範囲で大きくなった場合）、局所最大差異の検出として、被検査ダイ３２ａと基準ダイ３２ｂの欠陥候補に上がった箇所を欠陥候補記憶部２８に記憶する。欠陥候補に対してのみ、最後まで転写・現像シミュレーション処理を行う。そして、被検査ダイ３２ａと基準ダイ３２ｂの現像結果画像（ｉ＝Ｎ）のパターンを比較処理部２５４で比較処理する。比較処理部２５４では、これらの現像結果画像４０ａ、４０ｂのパターンを、転写・現像シミュレーション処理工程Ｓ２の途中で検出された欠陥候補の位置と対応させて、被検査ダイ３２ａと基準ダイ３２ｂの画像の最終的な欠陥の判定を行う。この処理により、欠陥候補を絞り込むことができる。
【００２３】
（実施の形態２）
図８は、レチクル２２０の被検査ダイの取得画像３２ａと、レチクル２２０の基準ダイの設計データ２０から作成された参照画像５６について、転写・現像シミュレーション処理を行い、転写・現像シミュレーション処理工程Ｓ２の途中画像３８ａの被検査パターンと途中画像３８ｂの基準検査パターンを比較処理（ＤＢ比較処理）する手順を示している。基準検査パターンが参照画像であることを除いて、実施の形態１（図７）と同じ処理を行う。他の処理方法は、実施の形態１と同様の方法で行う。
【００２４】
本発明は、ここで述べた実施の形態に制限されないことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】パターン検査装置の構成を示す説明図
【図２】パターン検査装置のハード構造を示す説明図
【図３】レチクルの画像をスキャンする説明図
【図４】パターン検査方法を示す説明図
【図５】転写・現像シミュレーション処理手順の説明図
【図６】転写・現像シミュレーション処理の画像パターンの変化を示す説明図
【図７】取得画像のダイとダイの取得画像のパターンの比較処理（ＤＤ比較）の説明図
【図８】取得画像のダイと参照画像のダイのパターンの比較処理（ＤＢ比較）の説明図
【符号の説明】
【００２６】
２０・・設計データ
２２・・取得画像記憶部
２４・・参照画像記憶部
２６・・シミュレーション画像記憶部
２８・・欠陥候補記憶部
３０・・ストライプ
３２・・取得画像
３４・・転写画像
３６・・潜像画像
３８・・現像途中画像
４０・・現像結果画像
４２・・現像途中画像のパターン
４４・・比較対象のパターン
４８・・電極パターン
５０・・現像初期画像
５４・・欠陥部
５６・・参照画像
２００・パターン検査装置
２１０・光学画像取得部
２１２・オートローダ
２１４・レーザ測長システム
２１６・光源
２１７・光照射部
２１８・ＸＹθテーブル
２２０・レチクル
２２２・θモータ
２２４・Ｘモータ
２２６・Ｙモータ
２２８・拡大光学系
２３０・フォトダイオード
２３２・センサ回路
２４０・データ処理部
２４２・中央演算処理部
２４４・オートローダ制御部
２４６・バッファメモリ
２４８・テーブル制御部
２５０・バス
２５２・参照画像作成部
２５４・比較処理部
２５６・転写・現像シミュレーション処理部
２５８・位置測定部
２６０・磁気ディスク装置
２６２・ＣＲＴ
２６４・プリンタ
２６６・主記憶装置
【図１】
2007192652.tif 000003
【図２】
2007192652.tif 000004
【図３】
2007192652.tif 000005
【図４】
2007192652.tif 000006
【図５】
2007192652.tif 000007
【図６】
2007192652.tif 000008
【図７】
2007192652.tif 000009
【図８】
2007192652.tif 000010