(57)【要約】【課題】加熱下で圧下を伴う転写処理において、モールドと被成型物との距離の測定精度を高めて被成型物へのモールドの押しつけを適切に行うことができる転写装置を提供する。【解決手段】転写装置１は、型４および被成型物支持部１０を収容して外部から隔離するチャンバ６と、一端が型に連結され他端に第１の光路変更部材１４が設けられた型位置取出部１１と、一端が被成型物支持部に連結され他端に第２の光路変更部材１５が設けられた被成型物位置取出部１２と、光源１６および検出器１９を備え光源から照射する光により第１の光路変更部材と第２の光路変更部材との間の距離を測定するための光学式変位計測手段１３と、を有し、光学式変位計測手段がチャンバの外部に配置されてなる。【選択図】    図１
2007103799.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を被成型物支持部に支持された被成型物に押しつけて前記型に形成された凹凸を前記被成型物に転写する転写装置であって、
前記型および前記被成型物支持部を収容して外部から隔離するチャンバと、
一端が前記型に連結され他端に第１の光路変更部材が設けられた型位置取出部と、
一端が前記被成型物支持部に連結され他端に第２の光路変更部材が設けられた被成型物位置取出部と、
光源および検出器を備え光源から照射する光により前記第１の光路変更部材と前記第２の光路変更部材との間の距離を測定するための光学式変位計測手段と、を有し、
前記光学式変位計測手段が前記チャンバの外部に配置されてなる
ことを特徴とする転写装置。
【請求項２】
前記第１の光路変更部材および前記第２の光路変更部材が前記チャンバの外部に配置された
請求項１に記載の転写装置。
【請求項３】
前記第１の光路変更部材および前記第２の光路変更部材が前記チャンバの内部に収容され、
前記チャンバには、前記第１の光路変更部材および前記第２の光路変更部材の両方またはいずれかと前記光学式変位計測手段との間の光路を確保するための透過部材が設けられている
請求項１に記載の転写装置。
【請求項４】
前記チャンバが真空発生装置に連通されている
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の転写装置。
【請求項５】
前記光学式変位計測手段は前記光源および前記検出器の温度変化を減少させる温度制御手段を有する
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の転写装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な凹凸が設けられた金型を基板に塗布された樹脂に押しつけて金型の凹凸を樹脂に転写する、いわゆるナノインプリント技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造において、従来より、光露光リソグラフィとエッチングを併用して回路パターンを形成することが行われている。しかし、この方法では、半導体回路の微細化の進展とともに露光装置が高額になって初期コストが増大し、半導体の製造コストを上昇させるという問題が生じている。
かかる問題に対して、近年、パターン形成を行う技術としてナノインプリント技術が注目されている。ナノインプリント技術は、例えば、板上に塗布されたポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などの熱可塑性樹脂（レジスト）をそのガラス転移点以上にまで加熱して軟化させ、パターニングされたモールド（金型）を軟化した熱可塑性樹脂に押しつけてモールドの形状を熱可塑性樹脂に転写するものである。ナノインプリント技術は、装置の構成がシンプルで製造時間も短く、そのため製造コストの低減が期待できるとともに、形成できるパターンの自由度が高いという特徴を有している。
【０００３】
その一方で、ナノインプリント技術では、モールドの押しつけを機械的な機構により行うため、モールドの押しつけの程度の調整が容易ではなく、そのために押しつける圧力が一定にならずに転写パターンの厚みのバラツキが生じ易いという問題を有している。また、レジストに熱可塑性樹脂を使用する場合には成形雰囲気が高温となり、モールド、レジストの熱膨張および収縮などにより押しつけ位置（程度）の精度を維持するのが容易ではないという問題もある。
押しつけの精度の向上のための一方策として、モールド（原版）の高さおよび被加工物（ポリメタクリル酸メチル）の高さを計測し、これらの間隔が所定量になったら押しつけを中断する装置が開示されている（特許文献１）。
【０００４】
また、押しつけの位置決めの際のモールド表面と基板表面との平行度に着目し、モールドの押しつけ方向がモールドのパターンが形成された面に垂直な方向を維持するように制御して、レジストにおけるパターンを形成する位置を精度よく制御する装置が開示されている（特許文献２）。
【特許文献１】特開２００５−２６４６２号
【特許文献２】特開２００５−１０１２０１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１および特許文献２に開示された装置は、モールドの押しつけの程度（位置決め）の精度に関して、原理的には一定の効果を期待することができる。
しかし、特許文献１および特許文献２に開示された装置におけるレーザ光によるセンサは、いずれもモールドおよびレジストとともに高温雰囲気のフレーム又はチャンバに収容されており、以下のような問題が潜在する。
例えば、特許文献１の装置は、モールドステージに設けられたウエハ高さ計測手段（センサ）により当該センサとウエハとの距離を測定することによりモールドステージとウエハとの距離を求める。しかし、モールドは、モールド台および厚みのある構造物を介してモールドステージに取り付けられており、モールドステージとモールドとの距離は、これらの介在物の熱膨張、収縮、および圧下による荷重変形の程度により必ずしも一定ではない。そのため、加熱下で圧下を伴う成形プロセスにおいてそれら部材の熱膨張、収縮、および圧下による荷重変形によって、被成型物の成形面の位置計測に対し正確さに欠けるおそれがある。かかる加熱処理により温度上昇により、レーザ干渉計の動作が不安定になり測定精度が低下するおそれもある。
【０００６】
また、特許文献１におけるウエハ高さ計測手段は、その計測線から推察すると、例えば、三角測量方式の光学式変位計が使用されているように捉えられる。しかし、この種の変位センサは、受光素子としてのＣＣＤの画素数の制約から本質的に分解能の高さ(計測精度)と計測レンジの大きさ(計測範囲)とは両立せず、計測範囲をごく小さくすることは、開放型のプレスとして、被加工物や型の厚みの変動範囲に制限を与えることになり、実施可能なプロセス条件が制約される。
特許文献２の装置においても、モールドレーザー干渉計ビーム、基板計測レーザビームなどがチャンバ内に収容され、加熱されたレジストからの影響を受けやすいことから、特許文献１の装置と同様の部材の熱膨張、収縮による問題が生ずるおそれがある。
【０００７】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、加熱下で圧下を伴う転写処理において、モールドと被成型物との距離の測定精度を高めて被成型物へのモールドの押しつけを適切に行うことができる転写装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明においては以下の技術的手段を講じた。
すなわち、本発明に係る転写装置は、型を被成型物支持部に支持された被成型物に押しつけて前記型に形成された凹凸を前記被成型物に転写する転写装置であって、前記型および前記被成型物支持部を収容して外部から隔離するチャンバと、一端が前記型に連結され他端に第１の光路変更部材が設けられた型位置取出部と、一端が前記被成型物支持部に連結され他端に第２の光路変更部材が設けられた被成型物位置取出部と、光源および検出器を備え光源から照射する光により前記第１の光路変更部材と前記第２の光路変更部材との間の距離を測定するための光学式変位計測手段と、を有し、前記光学式変位計測手段が前記チャンバの外部に配置されてなる。
【０００９】
本発明によれば、型と被成型物支持部との距離を精度良く計測することができ被成型物への型の押しつけを適切に行うことができる。
前記第１の光路変更部材および前記第２の光路変更部材が前記チャンバの外部に配置される。
また、前記第１の光路変更部材および前記第２の光路変更部材が前記チャンバの内部に収容されていてもよく、その場合、前記チャンバには、前記第１の光路変更部材および前記第２の光路変更部材の両方またはいずれかと前記光学式変位計測手段との間の光路を確保するための透過部材が設けられている。
【００１０】
このように構成することにより、光路のゆらぎなどの外乱による型と被成型物支持部との距離の計測精度低下を防止することができる。
好ましくは、前記チャンバが真空発生装置に連通されている。
チャンバ内を陰圧に保つことにより、例えばチャンバ内のガスによる光路のゆらぎなどを減少させることができる。
また、好ましくは、前記光学式変位計測手段は前記光源および前記検出器の温度変化を減少させる温度制御手段を有する。
【００１１】
かかる手段により、光学式変位計測手段を安定して動作させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、加熱下で圧下を伴う転写処理において、モールドと被成型物との距離の測定精度を高めて被成型物へのモールドの押しつけを適切に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は本発明に係る転写装置１の概要を示す図、図２は転写装置１における光路長計測手段２の概要を示す図、図３は制御装置３の構成を示すブロック図、図４，５はモールド４の押しつけの制御方法を示すフローチャートである。
図１において、転写装置１は、加熱加圧装置５、光路長計測手段２、制御装置３、およびチャンバ６などからなる。
加熱加圧装置５は、圧下力発生部７、荷重計測部８、加熱部９、およびモールド４などからなる。
【００１４】
圧下力発生部７は、モールド４を下方に移動させて被成型物Ｗに押しつける圧下力を発生させるためのものであり、図示しないサーボモータまたはステッピングモータによりボールネジを回転させてモールド４を下方または上方に移動させる。圧下力発生部７を、空気圧または油圧機器により構成してもよい。
荷重計測部８は、モールド４を被成型物Ｗに押しつけたときの圧下力を測定するためのものであり、圧下力は図示しないひずみゲージにより計測される。
加熱部９は、その下方に支持されたモールド４を、被成型物Ｗのレジスト（熱可塑性樹脂）のガラス転移点以上の温度にまで加熱するためのものであり、加熱は抵抗加熱（ヒータ）により行われる。誘電加熱またはマイクロ波加熱を用いてもよい。
【００１５】
モールド４は、ナノメートルレベルの微細な凹凸が設けられた、いわゆるプレス加工における金型であり、被成型物Ｗの成形パターンに応じて複数種類のモールド４が付け替えられる。
モールド４と間隔を有して対向する位置には被成型物支持部１０が設けられ、被成型物支持部１０の上方に被成型物Ｗが支持される。被成型物支持部１０は、支持される被成型物Ｗのレジストのガラス転移点以上の温度にまで加熱可能となっている。
光路長計測手段２は、モールド位置取出装置１１、レジスト位置取出装置１２、およびレーザ干渉計１３などからなる。光路長計測手段２は、モールド位置取出装置１１とレジスト位置取出装置１２との間の光路長を計測するためのものである。
【００１６】
図１，２に示されているとおり、モールド位置取出装置１１は、その一端がモールド４の端に結合されている。モールド位置取出装置１１は、モールド４との結合部分から一旦水平方向に延びた後に垂直に上方に延びており、上方に延びた他端には、反射面を水平に対して４５度傾斜させた屈折器１４（ビームベンダー、反射鏡）が取り付けられている。モールド位置取出装置１１は、モールド４の上下動に伴って上下動する。
レジスト位置取出装置１２は、その一端が、被成型物支持部１０におけるモールド４とモールド位置取出装置１１とが結合された部分の下方において被成型物支持部１０の部位に結合されている。レジスト位置取出装置１２は、モールド位置取出装置１１と同様に、一旦水平方向に延びた後に垂直に上方に延び、他端側には、再帰反射器１５（レトロリフレクター）がその反射部分を屈折器の反射面に対向させて屈折器１４の上方に取り付けられている。
【００１７】
モールド位置取出装置１１およびレジスト位置取出装置１２は、その各垂直部３０，３１がチャンバ６の上部においてチャンバ６の内外を貫通するように設けられている。
屈折器１４および再帰反射器１５は、垂直方向に上下にごく近傍に設けられることが好ましい。
モールド位置取出装置１１およびレジスト位置取出装置１２は、それらの主な部分が、例えばセラミックス系のゼロジュア−（ＳＣＨＯＴＴ社登録商標）などの熱膨張率が小さい材料により形成される。
【００１８】
レーザ干渉計１３は、光源１６、分配器１７（ビームスプリッター、分光反射板）、再帰反射器１８、およびデテクター１９などからなる。
光源１６として、単一波長のＨｅ−Ｎｅレーザを発する光源が使用される。
分配器１７は、光源１６から発せられ集光されたレーザビームを透過光と反射光との２光束に分配する働きをする。
レーザ干渉計１３は、発するレーザビーム（透過光）が水平に屈折器に入射するように配置されている。
【００１９】
レーザ干渉計１３は、各構成要素がケーシング内に収容されて形成されており、ケーシングには図示しない冷却ファンが設けられて、光源１６およびデテクター１９などの温度が設定以上にならないようにケーシング内の温度が管理（制御）される。
レーザ干渉計１３、屈折器１４、および再帰反射器１５をケーシング３８に収容し、ケーシングの内部を真空にして媒質による透過光のゆらぎを防止してもよい。
制御装置３は、光路長計測手段２および荷重計測部８からの情報を処理し圧下力発生部７の動作を制御する働きを行う。
【００２０】
制御装置３は、入力部２０、転写制御部２１、および表示部２２からなる。
入力部２０は、予め転写処理終了時のモールド４と被成型物支持部１０との距離を転写制御部２１に入力するためのものであり、キーボードおよびマウスなどにより実現される。
転写制御部２１は、圧下力発生部７にモールド４を下降させて押しつけのための圧下力を発生させるように指示する圧下指示部２３、光路長計測手段２からの情報によりモールド４と被成型物支持部１０との距離を算出する相対位置算出部２４、荷重計測部８からの情報により荷重を算出する荷重算出部２５、転写処理の開始時を判断する開始判別部２６、転写処理の終了を判断する終了判別部２７、転写制御部２１全体の処理を適宜制御する制御部２８、ならびに入力部２０より入力された情報および算出された荷重の実績などを記憶する記憶部２９などからなる。圧下指示部２３、相対位置算出部２４、荷重算出部２５、開始判別部２６、終了判別部２７、および制御部２８は制御プログラム、ＣＰＵ（マイクロコンピュータ）、ＲＡＭなどにより実現され、記憶部２９はＲＡＭ、ＨＤＤなどにより実現される。相対位置算出部２４と光路長計測手段２との間、および荷重算出部２５と荷重計測部８との間にはＡ／Ｄ変換を行うインタフェースが設けられている。
【００２１】
表示部２２は、転写処理における途中のモールド４と被成型物支持部１０との距離および荷重などを表示し、ＬＣＤ、ＣＴＲなどの表示装置により実現される。
チャンバ６は、モールド４、被成型物支持部１０、ならびにモールド位置取出装置１１およびレジスト位置取出装置１２のそれぞれの一部を収容するように構成されている。チャンバ６内は、転写処理を行う時は非酸素雰囲気に維持される。ここで非酸素雰囲気とは、窒素などの不活性ガス雰囲気または真空ポンプにより減圧にされた状態をいう。転写装置１では、転写処理は窒素が流通された雰囲気下で行われる。チャンバ６にはモールド位置取出装置１１およびレジスト位置取出装置１２の各垂直部３０，３１を貫通させるための孔３２，３３が設けられており、垂直部３０，３１および孔３２，３３は、垂直部３０，３１の上下動が妨げられることのないように形成されている。
【００２２】
転写処理を減圧状態で行うことができるように、チャンバ６内を真空ポンプなどの真空発生装置に連通させてもよい。
次に、光路長計測手段２によるモールド位置取出装置１１とレジスト位置取出装置１２との間の光路長の計測について説明する。
図２を参照して、光源１６からのレーザ光は図示しないレンズにより集光されて１条のレーザビームとなった後、分配器１７により反射光と透過光との２光束に分配される。反射光は光軸が９０度屈曲されて再帰反射器１８に入射し、再帰反射器１８で反射され入射経路を逆行して分配器１７を経てデテクター１９に至る。以下、このような経路でデテクター１９に至る反射光を「参照光ＲＬ１」という。
【００２３】
透過光は、モールド位置取出装置１１の屈折器１４によって垂直方向の上方に９０度屈曲される。つまり、透過光は水平方向に照射され、屈曲器１４はこの透過光が入射可能な位置に設けられている。屈折器１４の上方に屈曲した透過光は、レジスト位置取出装置１２の再帰反射器１５に入射され、再帰反射器１５で反射されて入射経路を逆行し、屈折器１４および分配器１７を経てデテクター１９に至る。以下、このような経路でデテクター１９に至る透過光を「計測光ＴＬ１」という。
光路長計測手段２において分配器１７と再帰反射器１８との距離は一定で参照光の光路長が固定されており、参照光ＲＬ１の位相は転写処理中においても変化しない。一方、計測光ＴＬ１の光路長は、転写処理におけるモールド位置取出装置１１の屈折器１４とレジスト位置取出装置１２の再帰反射器１５との距離に応じて変化し、計測光ＴＬ１の位相はその光路長に応じて変化する。
【００２４】
参照光ＲＬ１および計測光ＴＬ１は合波されてデテクター１９に検知される。レーザ干渉計１３には、デテクター１９からの信号を、基準正弦波（参照光ＲＴ１）に対し検知された合波から分離された波（計測光ＴＬ１）の位相を求める回路が具備されている。
光路長計測手段２により検知された参照光ＲＬ１に対する計測光ＴＬ１の位相の変化情報は転写制御部２１に伝達され、光路長計測手段２による屈折器１４（モールド位置取出装置１１）と再帰反射器１５（レジスト位置取出装置１２）との間の光路長、つまりモールド４と被成型物支持部１０との距離が算出される。
【００２５】
上に説明したようなレーザ干渉計により光路長を計測する方法は公知のものである。
次に、図４を参照しながら、転写装置１による転写処理における被成型物Ｗへのモールド４の押しつけの制御について説明する。
転写処理は、圧下力発生部７が圧下指示部２３からの信号を受けてモールド４を下降させることにより開始される（＃１１）。転写処理が行われている間、光路長計測手段２による屈折器１４と再帰反射器１５との距離（光路長）の計測、および荷重計測部８による圧下力の計測が行われる。
【００２６】
制御装置３は、先ずモールド４が被成型物Ｗの表面に達したかどうかを監視する（＃１２）。モールド４が被成型物Ｗの表面に達すると、その押しつける力に対する被成型物Ｗからの反力がモールド４に作用する。この反力は荷重計測部８により検出され、荷重情報が荷重算出部２５に伝達されて荷重（圧下力）が算出され、開始判別部２６において荷重の時間変化が継続的であるかどうか（時間微分値が正であるか）が判断される（＃１２）。荷重の変化が継続的であれば（ΔＷ／Δθ＞０）、開始判別部２６は荷重の変化開始時の屈折器１４と再帰反射器１５との相対変位量Ｌを０にセットする（＃１３）。以降、この相対変位量Ｌの変化を検出してモールド４の押しつけの程度を評価することになる。
【００２７】
モールド４が被成型物Ｗに押しつけられるに従い相対変位量Ｌは増加する。終了判別部２７では、増加する相対変位量Ｌが入力部２０から予め入力された目標相対変位量Ｌｓに達したかどうかが判断される（＃１４）。相対変位量Ｌが目標相対変位量Ｌｓに達したと判断されると、終了判別部２７はそのときの荷重が管理下限値Ｗ１および管理上限値Ｗ２の範囲に入っているかどうかを判断する（＃１５）。そして、荷重がこの管理範囲に入っていれば転写処理を終了して（＃１６）次の転写処理を行い、荷重が管理範囲に入っていなければ、転写処理不良のアラームを発する（＃１７）。
【００２８】
転写装置１は、モールド４と被成型物支持部１０との距離を参照光ＲＬ１と測定光との位相の干渉を利用して測定するので、高い分解能と計測レンジの広さとを同時に実現することができる。
さらに、レーザ干渉計１３は、チャンバ６の外部に設置され加熱部９および被成型物支持部１０からの熱により加熱されることがないので、上記転写処理において安定に動作し、相対変位量Ｌの計測において高い精度を実現することができる。また、計測光ＴＬ１の光路はチャンバ６の外部に形成され、加熱部９などからの熱による光路の媒質の密度分布が生じないので、光路のゆらぎなどの外乱による相対変位量Ｌの計測精度の低下を防止することができる。転写装置１は、このように相対変位量Ｌを精度良く計測できるので、被成型物Ｗへのモールド４の押しつけを適切に行うことができる。
【００２９】
転写装置１による転写処理における被成型物Ｗへのモールド４の押しつけの制御を、図５のようにして行うことができる。この制御方法では、転写処理において被成形物Ｗに加えられる圧下力（被成形物Ｗからの反力）が一定となるように、圧下力発生部７による押しつけ速度（光路長計測手段２により計測される光路長の変化速度）が制御される（＃２１）。図５において図４と同一の符号を付された処理は、図４における処理とその内容が同一の処理である。押しつけ速度は、計測される相対変化量Ｌの微小時間あたりの変化量（時間微分値）として制御部２８で算出される。
【００３０】
こうすることにより、被成型物Ｗへのモールド４の押し込み量および被成型物Ｗの厚みを精度良く管理することができる。また、押しつけ速度はプロセス条件(圧カ、温度、型など)および材料に依存する。よって押しつけ速度を計測することにより不明確なプロセスパラメータを同定することができプロセス開発に有用である。
なお、転写装置１による転写処理におけるチャンバ６内の雰囲気は、被成型物Ｗのモールド４が樹脂の場合１００〜２００℃であり、ガラスの場合、低融点ガラスでは３００〜５００℃、一般成形ガラスでは５００〜７００℃である。例えば、チャンバ６内にレーザ光源１６などを配置した場合、チャンバ６内の雰囲気温度が高くなるほど温度に起因する光学部品の変形や対流による光軸のゆらぎが発生しやすくなる。これに対し、レーザ干渉計１３の配置および光路の形成がチャンバ６の外部でなされる転写装置１では、かかる光学部品の変形および対流による光軸のゆらぎが発生するおそれがない。
【００３１】
図６は本発明の他の実施形態による転写装置１Ｂの概要を示す図、図７は転写装置１Ｂにおける光路長計測手段２Ｂの概要を示す図である。
図６，７において図１，２と同じ符号を付した構成要素は上に説明した部位における部位の構成と同一である。以下、転写装置１Ｂが転写装置１と異なる点についてのみ説明する。
光路長計測手段２Ｂは、モールド位置取出装置１１Ｂ、レジスト位置取出装置１２Ｂ、およびレーザ干渉計１３Ｂなどからなる。
【００３２】
モールド位置取出装置１１Ｂは、その一端がモールド４の端に結合されて水平方向に延びており、その他端には、反射部分を上方に向けて再帰反射器３４Ｂが取り付けられている。モールド位置取出装置１１Ｂは、モールド４の上下動に伴って上下動する。
レジスト位置取出装置１２Ｂは、その一端が、被成型物支持部１０におけるモールド４とモールド位置取出装置１１Ｂとが結合された部分の下方において被成型物支持部１０の部位に結合されている。レジスト位置取出装置１２Ｂは、モールド位置取出装置１１Ｂと同様に水平方向に延び、他端には、再帰反射器３５Ｂがその反射部分を上方に向けて取り付けられている。
【００３３】
このように、転写装置１Ｂでは転写装置１と異なり、再帰反射器３４Ｂ，３５Ｂはいずれもチャンバ６Ｂ内に配置されている。
レーザ干渉計１３Ｂは、光源１６、分配器１７，屈折器３６Ｂ、およびデテクター１９などからなる。
屈折器３６Ｂは、分配器１７により９０度屈折された反射光（以下、「参照光ＲＬ２」という）を、その光軸が分配器からの透過光（以下、「計測光ＴＬ２」という）と平行になるように９０度屈折させる働きをする。
【００３４】
レーザ干渉計１３は、計測光ＴＬ２が再帰反射器３４Ｂに入射するように、かつ参照光ＲＬ２が再帰反射器３５Ｂに入射するように組み込まれてチャンバ６の外部に配置されている。
計測光ＴＬ２が再帰反射器３５Ｂに入射するように、かつ参照光ＲＬ２が再帰反射器３４Ｂに入射するようにしてもよい。
チャンバ６Ｂにおける計測光ＴＬ２および参照光ＲＬ２の光路にあたる部分に設けられた透過部材３７Ｂは、レーザ光を透過するガラスなどで形成されている。
【００３５】
光路長計測手段２Ｂによるモールド位置取出装置１１Ｂとレジスト位置取出装置１２Ｂとの距離の測定は、参照光ＲＴ２と計測光ＬＴ２との位相差を検出することにより行われる。
光路長計測手段２Ｂでは、参照光ＲＴ２が転写装置１の光路長計測手段２における参照光ＲＬ１のように機能する。したがって、デテクター１９により検知された合波から参照光ＲＴ２と計測光ＬＴ２との位相差を算出すれば、モールド４と被成型物支持部１０との距離を求めることができる。
【００３６】
転写装置１Ｂは、転写装置１の垂直部３０，３１のようなチャンバ６Ｂの内外を貫通して上下動する部位を有しないため、転写処理を減圧雰囲気下で行う場合に転写装置１に比べてチャンバ６Ｂ内の減圧状態をより容易に維持することができる。
また、転写装置１Ｂにおいても、図４，５に示される被成型物Ｗへのモールド４の押しつけの制御を行うことができ、転写装置１と同様の効果を得ることができる。
上述の実施形態において、転写装置１，１Ｂの構成などは、上記実施形態に限られない。
【００３７】
光路長計測手段２，２Ｂにおけるモールド位置取出装置１１，１１Ｂ、レジスト位置取出装置１２，１２Ｂおよびレーザ干渉計１３，１３Ｂは上記実施形態に限られず本発明の趣旨に沿って種々のものとすることができる。例えば、光路長計測手段２における屈折器１４および再帰反射器１５に加えて、屈折器１４に水平方向に対向させて光路を９０度屈折させる屈折器を別途チャンバ６内に収容し、レーザ干渉計１３からの透過光（計測光）をチャンバ６に設けられた透過部材を透過させて別途設けた屈折器から屈折器１４に照射するようにしてもよい。
【００３８】
その他、これらの構成または全体の構造、形状、寸法、個数、材質などは、本発明の趣旨に沿って適宜変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
微細な凹凸が設けられた金型を基板に塗布された樹脂に押しつけて金型の凹凸を樹脂に転写する、いわゆるナノインプリント技術に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係る転写装置の概要を示す図である。
【図２】転写装置における光路長計測手段の概要を示す図である。
【図３】制御装置の構成を示すブロック図である。
【図４】モールドの押しつけの制御方法を示すフローチャートである。
【図５】モールドの押しつけの制御方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明の他の実施形態による転写装置の概要を示す図である。
【図７】転写装置における光路長計測手段の概要を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１，１Ｂ  転写装置
４  型（モールド）
６，６Ｂ  チャンバ
１０  被成型物支持部
１１  型位置取出部（モールド位置取出装置）
１２  被成型物位置取出部（レジスト位置取出装置）
１３  光学式変位計測手段（レーザ干渉計）
１４  第１の光路変更部材（屈折器）
１５  第２の光路変更部材（再帰反射器）
１６  光源
１９  検出器（デテクター）
３４Ｂ  第１の光路変更部材（再帰反射器）
３５Ｂ  第２の光路変更部材（再帰反射器）
３７Ｂ  透過部材
Ｗ  被成型物
【図１】
2007103799.tif 000003
【図２】
2007103799.tif 000004
【図３】
2007103799.tif 000005
【図４】
2007103799.tif 000006
【図５】
2007103799.tif 000007
【図６】
2007103799.tif 000008
【図７】
2007103799.tif 000009