(57)【要約】【課題】表面にＣｕが設けられた電子回路チップと、表面に半田が設けられた電子回路チップとを接合する場合、Ｃｕと半田との間の接続信頼性が問題となる。【解決手段】電子回路チップ１０の表層には、絶縁層１２が形成されている。この絶縁層１２中には、導体配線１４が形成されている。導体配線１４は、絶縁層１２の表面に露出している。絶縁層１２の表面に露出する導体配線１４の一部上には、半田濡れ金属膜１６（金属膜）が形成されている。この半田濡れ金属膜１６を構成する金属材料（第２の金属材料）としては、上記第１の金属材料に比して酸化物形成の自由エネルギーが高い材料が用いられる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層に絶縁層が設けられた電子回路チップであって、
前記絶縁層中に設けられ、当該絶縁層の表面に露出した導体パターンと、
前記導体パターンの一部上に設けられ、当該導体パターンを構成する第１の金属材料に比して酸化物形成の自由エネルギーが高い第２の金属材料によって構成された金属膜と、
を備えることを特徴とする電子回路チップ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子回路チップにおいて、
前記導体パターンにおける前記金属膜が設けられていない領域上に設けられ、前記第１の金属材料の酸化物によって構成された金属酸化膜を備える電子回路チップ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子回路チップにおいて、
前記第２の金属材料は、Ａｕ、Ａｇ、ＰｔまたはＰｄである電子回路チップ。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の電子回路チップにおいて、
前記導体パターンは、当該電子回路チップの配線である電子回路チップ。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の電子回路チップにおいて、
前記第１の金属材料は、Ｃｕ、ＮｉまたはＡｌである電子回路チップ。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載の電子回路チップである第１の電子回路チップと、
当該第１の電子回路チップの前記表層側に接合された第２の電子回路チップと、を備え、
前記第２の電子回路チップは、前記第１の電子回路チップ側の表層に設けられた樹脂層と、前記樹脂層中に設けられ、当該樹脂層の表面に露出した半田層とを有し、
前記第１および第２の電子回路チップは、前記金属膜と前記半田層とが接続されることにより、互いに接合されていることを特徴とする電子回路装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電子回路装置において、
前記金属膜および前記半田層は、当該金属膜および半田層をそれぞれ構成する金属元素を含む合金層を形成している電子回路装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の電子回路装置において、
前記第２の電子回路チップは、前記樹脂層中に設けられ、一端面上に前記半田層が形成された導体層を有し、
前記導体層は、前記半田層を構成する半田材料よりも高い融点をもつ導体材料によって構成されている電子回路装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電子回路装置において、
前記導体層を構成する導体材料は、ＣｕまたはＮｉである電子回路装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の電子回路装置において、
前記導体層は、ＣｕおよびＮｉの積層構造を有している電子回路装置。
【請求項１１】
請求項６乃至１０いずれかに記載の電子回路装置において、
前記樹脂層を構成する樹脂は、熱可塑性樹脂または半硬化状態にある熱硬化性樹脂である電子回路装置。
【請求項１２】
請求項６乃至１１いずれかに記載の電子回路装置において、
前記半田層を構成する半田材料は、Ｓｎ、ＳｎＡｇ、ＳｎＣｕまたはＳｎＡｇＣｕである電子回路装置。
【請求項１３】
請求項１乃至５いずれかに記載の電子回路チップである第１の電子回路チップを準備する工程と、
表層に設けられた樹脂層と、前記樹脂層中に設けられ、当該樹脂層の表面に露出した半田層とを有する第２の電子回路チップを準備する工程と、
前記第２の電子回路チップの前記半田層を、前記第１の電子回路チップの前記金属膜上に押しつけた状態で加熱することにより、当該金属膜と半田層とを接続する工程と、
を含むことを特徴とする電子回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路チップ、ならびに電子回路装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子回路装置としては、例えば非特許文献１に記載されたものがある。同文献に記載の電子回路装置においては、第１および第２の電子回路チップが互いに接合されている。各電子回路チップは、接合面側の表層に設けられたＢＣＢ（Benzocyclobutene）樹脂層と、そのＢＣＢ樹脂層中に形成されたＣｕパッドとを有している。このＣｕパッドはＢＣＢ樹脂の表面に露出している。そして、Ｃｕパッド同士が熱圧着によって接続されることで、第１および第２の電子回路チップが互いに接合されている。
【非特許文献１】J. J. McMahon et al., "Wafer Bonding of Damascene-Patterned Metal/Adhesive Redistribution Layers for Via-First Three-Dimensional (3D) Interconnect", 2005 Electronic Components and Technology Conference, p. 331-336.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このようにＣｕ間の金属接合を用いる場合、充分な金属接合を得るためには高温下で長時間の熱圧着が必要となる。実際、上記文献には、３５０℃以上で９０分間以上の加熱が必要であると開示されている。それゆえ、電子回路チップを構成する材料（例えば絶縁材料）の選択の余地が狭められてしまう。熱圧着時の高温環境に耐えられる材料に制限されるためである。
【０００４】
これに対して、一方の電子回路チップの表層に半田層を形成しておき、その半田層ともう一方の電子回路チップのＣｕパッドとを接続すれば、低温且つ短時間での接合が可能である。ところが、その場合には、Ｃｕと半田との間の接続信頼性が問題となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、鋭意検討の結果、Ｃｕおよび半田間の接続信頼性を低下させる一因が、Ｃｕの表面が自然酸化されることで、Ｃｕの半田に対する濡れ性が低下する点にあることを見出した。
【０００６】
そこで、本発明による電子回路チップは、表層に絶縁層が設けられた電子回路チップであって、上記絶縁層中に設けられ、当該絶縁層の表面に露出した導体パターンと、上記導体パターンの一部上に設けられ、当該導体パターンを構成する第１の金属材料に比して酸化物形成の自由エネルギーが高い第２の金属材料によって構成された金属膜と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
この電子回路チップにおいては、導体パターン上に金属膜が設けられている。そして、この金属膜は、導体パターンを構成する金属材料よりも酸化物形成の自由エネルギーが高い金属材料によって構成されている。すなわち、この金属膜は、導体パターンよりも酸化されにくい性質を有している。したがって、この電子回路チップを表面に半田が設けられた他の電子回路チップに接合する際には、上記金属膜を介在させることにより、導体パターンと半田との間で高い接続信頼性を得ることができる。
【０００８】
また、本発明による電子回路装置は、上記電子回路チップ（第１の電子回路チップ）と、当該第１の電子回路チップの上記表層側に接合された第２の電子回路チップと、を備え、上記第２の電子回路チップは、上記第１の電子回路チップ側の表層に設けられた樹脂層と、上記樹脂層中に設けられ、当該樹脂層の表面に露出した半田層とを有し、上記第１および第２の電子回路チップは、上記金属膜と上記半田層とが接続されることにより、互いに接合されていることを特徴とする。
【０００９】
この電子回路装置においては、上述の金属膜を介して、第１の電子回路チップの導体パターンと第２の電子回路チップの半田層とが接続されている。これにより、導体パターンと半田層との間で高い接続信頼性が得られる。
【００１０】
また、本発明による電子回路装置の製造方法は、（ａ）上記第１の電子回路チップを準備する工程と、（ｂ）表層に設けられた樹脂層と、上記樹脂層中に設けられ、当該樹脂層の表面に露出した半田層とを有する第２の電子回路チップを準備する工程と、（ｃ）上記第２の電子回路チップの上記半田層を、上記第１の電子回路チップの上記金属膜上に押しつけた状態で加熱することにより、当該金属膜と半田層とを接続する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
この製造方法においては、上述の金属膜を介して、第１の電子回路チップの導体パターンと第２の電子回路チップの半田層とを接続している。これにより、導体パターンと半田層との間で高い接続信頼性が得られる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、他の電子回路チップとの間で優れた接続信頼性を得られる電子回路チップ、ならびに電子回路装置およびその製造方法が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ、本発明による電子回路チップ、ならびに電子回路装置およびその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
図１は、本発明による電子回路装置の一実施形態を示す断面図である。電子回路装置１は、電子回路チップ１０（第１の電子回路チップ）、および電子回路チップ２０（第２の電子回路チップ）を備えている。
【００１５】
電子回路チップ１０は、配線体である。すなわち、電子回路チップ１０は、導体配線１４（導体パターン）を有する一方で、半導体素子を含んでいない。特に本実施形態において、電子回路チップ１０は多層配線構造を有している。隣り合う層に形成された導体配線１４同士は、ビアプラグ１５によって接続されている。また、最下層の導体配線１４上には、外部電極パッド１９が形成されている。この外部電極パッド１９には、外部電極端子として半田バンプ３２が接続されている。
【００１６】
電子回路チップ２０は、半導体チップ２２、接着樹脂層２４（樹脂層）および導体電極２８を有している。半導体チップ２２は、例えばＬＳＩチップである。この電子回路チップ２０の側面は、封止樹脂３４で覆われている。なお、電子回路チップ２０の側面および上面（半導体チップ２２の裏面）の双方が、封止樹脂３４で覆われていてもよい。
【００１７】
図２は、電子回路チップ１０の一部を示す断面図である。同図を参照しつつ、電子回路チップ１０の構成をより詳細に説明する。電子回路チップ１０の表層には、絶縁層１２が形成されている。この絶縁層１２中には、導体配線１４が形成されている。導体配線１４は、絶縁層１２の表面に露出している。具体的には、絶縁層１２中に設けられた導体配線１４は、側面全体が絶縁層１２で覆われる一方、上面全体が絶縁層１２の表面に露出している。ここで、導体配線１４の上面が絶縁層１２の表面に露出するとは、当該上面が外部に露出しているか否かには関わらず、当該上面が絶縁層１２で覆われていないことをいう。導体配線１４を構成する金属材料（第１の金属材料）としては、例えば、Ｃｕ、ＮｉまたはＡｌが挙げられる。
【００１８】
絶縁層１２の表面に露出する導体配線１４の一部上には、半田濡れ金属膜１６（金属膜）が形成されている。この半田濡れ金属膜１６を構成する金属材料（第２の金属材料）としては、上記第１の金属材料に比して酸化物形成の自由エネルギーが高い材料が用いられる。かかる第２の金属材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、ＰｔまたはＰｄが挙げられる。絶縁層１２の表面に露出する導体配線１４上の領域のうち、半田濡れ金属膜１６が設けられていない領域上には、金属酸化膜１８が形成されている。この金属酸化膜１８は、上記第１の金属材料の酸化物によって構成されている。
【００１９】
図３は、電子回路チップ２０の一部を示す断面図である。同図を参照しつつ、電子回路チップ２０の構成をより詳細に説明する。半導体チップ２２の一面上には、接着樹脂層２４が形成されている。これにより、電子回路チップ２０は、電子回路チップ１０側の表層に接着樹脂層２４が設けられた構成となっている。接着樹脂層２４を構成する樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂または半硬化（Ｂステージ）状態にある熱硬化性樹脂を用いることができる。前者および後者の例としては、それぞれポリイミド樹脂およびＢＣＢ樹脂が挙げられる。
【００２０】
接着樹脂層２４中には、導体電極２８が形成されている。この導体電極２８は、導体層２６および半田層２７によって構成されている。導体層２６の一端面上に半田層２７が形成されており、導体層２６の他端は半導体チップ２２に接続されている。この半田層２７は、接着樹脂層２４の表面に露出している。
【００２１】
半田層２７を構成する半田材料としては、Ｓｎ、ＳｎＡｇ、ＳｎＣｕまたはＳｎＡｇＣｕが挙げられる。ここで、導体層２６を構成する導体材料としては、半田層２７を構成する半田材料よりも高い融点をもつ材料が用いられる。かかる導体材料としては、例えば、ＣｕまたはＮｉが挙げられる。なお、導体層２６は、ＣｕおよびＮｉの積層構造を有していてもよい。
【００２２】
図４は、電子回路装置１の一部を示す断面図である。同図を参照しつつ、電子回路装置１における電子回路チップ１０，２０間の接合部の構成を説明する。電子回路チップ１０，２０は、電子回路チップ１０の半田濡れ金属膜１６と電子回路チップ２０の半田層２７（図３参照）とが接続されることにより、互いに接合されている。そして、これらの半田濡れ金属膜１６および半田層２７は、合金層３０を形成している。この合金層３０は、半田濡れ金属膜１６を構成する金属元素と半田層２７を構成する金属元素とを少なくとも含んでいる。例えば、導体配線１４、半田濡れ金属膜１６、導体層２６および半田層２７を構成する材料がそれぞれＣｕ、Ａｕ、ＣｕおよびＳｎＡｇである場合、合金層３０はＣｕ、ＳｎおよびＡｕを含む合金拡散層となる。また、電子回路チップ１０，２０間の接合面においては、電子回路チップ１０の金属酸化膜１８と電子回路チップ２０の接着樹脂層２４とが接続されている。
【００２３】
図５〜図１２を参照しつつ、本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態として、電子回路装置１の製造方法の一例を説明する。概括すると、この製造方法は、電子回路チップ１０を準備する工程と、電子回路チップ２０を準備する工程と、電子回路チップ２０の半田層２７を電子回路チップ１０の半田濡れ金属膜１６上に押しつけた状態で加熱することにより、半田濡れ金属膜１６と半田層２７とを接続する工程と、を含む。なお、電子回路チップ１０を準備する工程および電子回路チップ２０を準備する工程は、任意の順序で実行してよい。
【００２４】
まず、支持基板であるシリコンウェハ９０上にＣｕ膜９２をスパッタリング等の手法により形成する（図５（ａ））。次に、Ｃｕ膜９２上に外部電極パッド１９をフォトリソグラフィー法およびめっき法を用いて形成する（図５（ｂ））。続いて、外部電極パッド１９を覆うように、Ｃｕ膜９２上に絶縁樹脂層９４を形成する。その後、ＣＭＰ法、研削法または切削法等の平坦化手段により、外部電極パッド１９の上面を露出させる（図６（ａ））。絶縁樹脂層９４を構成する絶縁樹脂としては、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等、各種の樹脂を用いることができる。
【００２５】
さらに、絶縁樹脂層９４上に外部電極パッド１９と接続された導体配線１４（図１における下層の導体配線１４）を形成した後、この導体配線１４上に当該導体配線１４と接続されたビアプラグ１５を形成する（図６（ｂ））。続いて、導体配線１４およびビアプラグ１５を覆うように、絶縁樹脂層９４上に絶縁樹脂層９５を形成する。その後、上記平坦化手段により、ビアプラグ１５の上面を露出させる（図７（ａ））。次に、絶縁樹脂層９５上に導体配線１４（図１における上層の導体配線１４）を形成する（図７（ｂ））。
【００２６】
続いて、導体配線１４を覆うように絶縁樹脂層（絶縁層１２）を形成した後、上記平坦化手段により絶縁層１２の上面を露出させる（図８（ａ））。次に、半田濡れ金属膜１６を形成する部分を残して、絶縁層１２上にレジスト層９６を形成する（図８（ｂ））。その形成手段としては、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィー法や、レジストを印刷する印刷法等が挙げられる。
【００２７】
その後、電解めっき法または無電解めっき法等の手段を用いて、レジスト層９６の開口に露出した導体配線１４上に半田濡れ金属膜１６を形成する（図９（ａ））。次に、レジスト層９６を除去した後、Ｏ２プラズマ処理等を行う（図９（ｂ））。このとき、導体配線１４の表面のうち半田濡れ金属膜１６が形成されていない部分に自然酸化膜（金属酸化膜１８）を形成する（図１０（ａ））。この自然酸化膜は、特にプラズマ処理を行わずに、大気中に放置するだけでも容易に形成することができる。以上により、電子回路チップ１０が得られる。
【００２８】
次に、電子回路チップ１０と別途準備した電子回路チップ２０とを接合する。この接合工程においては、上述のとおり、電子回路チップ２０の半田層２７を電子回路チップ１０の半田濡れ金属膜１６上に押しつけた状態で加熱することにより、半田濡れ金属膜１６と半田層２７とを接続する。これにより、電子回路チップ１０，２０が互いに接合される（図１０（ｂ））。
【００２９】
さらに、電子回路チップ２０が搭載された電子回路チップ１０の上面を封止樹脂３４により封止する（図１１（ａ））。このとき、半導体チップ２２の裏面を露出させてもよいし、させなくてもよい。封止の工法としては、モールド法、印刷法またはポッティング法等を用いることが可能である。次に、電子回路チップ１０からシリコンウェハ９０を除去する（図１１（ｂ））。その後、電子回路チップ１０上に残ったＣｕ膜９２をエッチングにより除去する（図１２）。続いて、露出した電子回路チップ１０の外部電極パッド１９上に半田バンプ３２を接合した後、ダイシング等の方法によりウエハを個片化する。以上により、図１に示す電子回路装置１が得られる。
【００３０】
本実施形態の効果を説明する。電子回路チップ１０においては、導体配線１４上に半田濡れ金属膜１６が設けられている。そして、この半田濡れ金属膜１６は、導体配線１４を構成する金属材料よりも酸化物形成の自由エネルギーが高い金属材料によって構成されている。すなわち、半田濡れ金属膜１６は、導体配線１４よりも酸化されにくい性質を有している。そのため、酸化されることによって半田濡れ金属膜１６の半田に対する濡れ性が低下するのを抑制することができる。したがって、この電子回路チップ１０を表面に半田が設けられた他の電子回路チップ（本実施形態では電子回路チップ２０）に接合する際には、半田濡れ金属膜１６を介在させることにより、導体配線１４と半田との間で高い接続信頼性を得ることができる。よって、他の電子回路チップとの間で優れた接続信頼性を得られる電子回路チップ１０が実現されている。なお、Ａｕ、Ａｇ、ＰｔまたはＰｄは、この半田濡れ金属膜１６の材料として好適に用いることができる。
【００３１】
実際、本実施形態においては、半田濡れ金属膜１６を介して、電子回路チップ１０の導体配線１４と電子回路チップ２０の半田層２７とが接続される。これにより、導体配線１４と半田層２７との間で高い接続信頼性が得られている。
【００３２】
さらに、本実施形態においては、電子回路チップ１０と電子回路チップ２０との間にアンダーフィル樹脂を注入することや、電子回路チップ１０上にソルダーレジスト膜を形成することが不要である。このため、両チップ間の接続密度の微細化に適している。
【００３３】
導体配線１４における半田濡れ金属膜１６が設けられていない領域上には、金属酸化膜１８が形成されている。一般に、金属よりもその酸化物の方が樹脂に対する濡れ性が高い。したがって、金属酸化膜１８が介在することにより、導体配線１４と接着樹脂層２４との間で高い接続信頼性が得られる。これにより、電子回路チップ１０と電子回路チップ２０との間の接続信頼性が一層向上する。ただし、金属酸化膜１８を設けることは必須ではない。
【００３４】
電子回路チップ１０の導体パターンとして、当該電子回路チップ１０の配線が用いられている。このように、既存の構成を導体パターンとして利用することにより、製造工程数の増大を招くことなく、導体パターンが設けられた電子回路チップ１０を得ることができる。一方で、配線材料として一般に用いられるＣｕ、ＮｉまたはＡｌは、自然酸化され易い性質を有している。そのため、これらの金属を半田と直接接続すると、上述のように、良好な接続信頼性が得られなくなってしまう。したがって、かかる場合、導体配線１４上に半田濡れ金属膜１６が設けられた電子回路チップ１０が特に有用となる。ただし、電子回路チップ１０の導体パターンとして配線を用いることは必須ではない。
【００３５】
電子回路装置１においては、半田濡れ金属膜１６および半田層２７をそれぞれ構成する金属元素を含む合金層３０が形成されている。これにより、電子回路チップ１０と電子回路チップ２０との接合が一層強固なものとなる。
【００３６】
導体電極２８は、導体層２６とその上に形成された半田層２７とによって構成されている。導体電極２８を半田層２７のみで構成した場合、電子回路チップ１０と電子回路チップ２０とを接合する際に、導体電極２８全体が溶融することによって導体電極２８の高さが大きく変動してしまう可能性がある。これに対して、本実施形態においては、導体電極２８の基部として、半田層２７よりも融点の高い導体層２６が設けられている。このため、電子回路チップ１０と電子回路チップ２０とを接合する際に、導体電極２８の一部（半田層２７の部分）のみが溶融することにより、導体電極２８の高さの変動を小さく抑えることができる。ただし、導体電極２８は、半田層２７のみで構成されていてもよい。なお、ＣｕまたはＮｉは、導体層２６の材料として好適に用いることができる。また、Ｓｎ、ＳｎＡｇ、ＳｎＣｕまたはＳｎＡｇＣｕは、半田層２７の材料として好適に用いることができる。
【００３７】
熱可塑性樹脂または半硬化状態にある熱硬化性樹脂は、接着樹脂層２４の材料として好適に用いることができる。
【００３８】
本発明による電子回路チップならびに電子回路装置およびその製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態においては第１および第２の電子回路チップのうち一方のみが半導体チップを含み他方は配線体である例を示した。しかし、第１および第２の電子回路チップは、図１３に示すように共に半導体チップを含んでいてもよいし、図１４に示すように共に配線体であってもよい。
【００３９】
図１３においては、第１および第２の電子回路チップとしてそれぞれ電子回路チップ５０，２０が設けられている。電子回路チップ２０の構成は、図１および図３で説明したとおりである。電子回路チップ５０は、半導体チップ５１を有している。また、電子回路チップ５０の表層には、絶縁層５２が形成されている。この絶縁層５２中には、当該絶縁層５２の表面に露出する導体パターン５４が形成されている。さらに、この導体パターン５４の一部上には、当該導体パターン５４を構成する金属材料に比して酸化物形成の自由エネルギーが高い金属材料によって構成された金属膜（図示せず）が形成されている。この金属膜は、電子回路チップ２０の半田層２７と共に合金層６０を形成している。
【００４０】
また、電子回路チップ２０は封止樹脂３４によって覆われている。この封止樹脂３４中には、当該封止樹脂３４を貫通する導体ポスト６２が形成されている。導体ポスト６２は、一端が導体パターン５４に接続され、他端が半田バンプ６４に接続されている。なお、半導体チップ２２および／または半導体チップ５１上に、別の半導体チップを積層してもよい。その場合、半導体チップ２２，５１に貫通ビアを形成することにより、半導体チップ間の電気的接続を図ることができる。
【００４１】
図１４においては、第１および第２の電子回路チップとしてそれぞれ電子回路チップ１０，７０が設けられている。電子回路チップ１０の構成は、図１および図２で説明したとおりである。電子回路チップ７０は、配線体である。電子回路チップ７０の表層には、接着樹脂層７４が形成されている。この接着樹脂層７４中には、当該接着樹脂層７４の表面に露出する半田層（図示せず）が形成されている。この半田層は、電子回路チップ１０の半田濡れ金属膜１６と共に合金層８０を形成している。
【００４２】
また、電子回路チップ７０は多層配線構造を有しており、隣り合う層に形成された導体配線７２同士はビアプラグ７３によって接続されている。さらに、電子回路チップ７０の裏面（電子回路チップ１０との接合面と反対側の面）には、一端が導体配線７２に接続された電極パッド７９が露出している。この電極パッド７９は、電子回路チップ７０に半導体チップを接続するためのパッドである。かかる構成の電子回路装置によれば、微細な配線構造を有する配線体と低コストで設計ルールの大きな配線体とを、別々に製造した上で互いに接合することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明による電子回路装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】実施形態に係る第１の電子回路チップの一部を示す断面図である。
【図３】実施形態に係る第２の電子回路チップの一部を示す断面図である。
【図４】図１の電子回路装置の一部を示す断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１２】本発明による電子回路装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１３】実施形態の変形例に係る電子回路装置を示す断面図である。
【図１４】実施形態の変形例に係る電子回路装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１    電子回路装置
１０    電子回路チップ
１２    絶縁層
１４    導体配線
１５    ビアプラグ
１６    半田濡れ金属膜
１８    金属酸化膜
１９    外部電極パッド
２０    電子回路チップ
２２    半導体チップ
２４    接着樹脂層
２６    導体層
２７    半田層
２８    導体電極
３０    合金層
３２    半田バンプ
３４    封止樹脂
５０    電子回路チップ
５１    半導体チップ
５２    絶縁層
５４    導体パターン
６０    合金層
６２    導体ポスト
６４    半田バンプ
７０    電子回路チップ
７２    導体配線
７３    ビアプラグ
７４    接着樹脂層
７９    電極パッド
８０    合金層
９０    シリコンウェハ
９２    Ｃｕ膜
９４    絶縁樹脂層
９５    絶縁樹脂層
９６    レジスト層
【図１】
2007103859.tif 000003
【図２】
2007103859.tif 000004
【図３】
2007103859.tif 000005
【図４】
2007103859.tif 000006
【図５】
2007103859.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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