(57)【要約】【課題】形状測定の際における二次元撮像素子等の位置あわせ作業を省略することが可能な検出センサ及び形状測定方法を提供する。【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサ１３の撮像面１３Ａの面積は、測定対象物Ｗの測定が行われるときに、測定対象物Ｗからの反射光が前記撮像面１３Ａに照射されうる照射可能面積よりも大きく構成されており、ＣＰＵ１４による測定に先立って投光部１１から投光される光のうち、測定対象物Ｗからの反射光の撮像面１３Ａに受光される受光位置に基づいて測定の際に使用する測定使用画素を選択し、測定使用画素の受光信号Ｓｂのレベルに基づいて測定対象物Ｗの測定を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を投光する投光手段と、
前記投光手段から投光された光のうち測定対象物からの反射光を受光可能な撮像面を有する二次元撮像手段と、
前記二次元撮像手段の撮像面の各画素に受光される光の受光信号のレベルに基づいて前記測定対象物の測定を行う測定手段と、を備える検出センサにおいて、
前記二次元撮像手段の撮像面の面積は、前記測定対象物の測定が行われるときに、測定範囲にある当該測定対象物からの反射光が前記撮像面に照射されうる照射可能面積よりも大きく構成されており、
前記測定手段による測定に先立って前記投光手段から投光される基準となる光のうち、前記測定対象物からの反射光の前記撮像面に受光される受光位置に基づいて前記測定手段による測定の際に使用する測定使用画素を選択する画素選択手段と、
前記画素選択手段により選択された測定使用画素についての情報を記憶する記憶手段と、を備え、
前記測定手段は、前記記憶手段に記憶された前記測定使用画素の受光信号のレベルに基づいて前記測定対象物の測定を行うことを特徴とする検出センサ。
【請求項２】
前記画素選択手段は、
前記測定手段による測定に先立って、前記測定対象物を測定範囲の上限位置と下限位置とに移動させた際に、前記撮像面に受光される前記反射光の受光位置に基づいて前記測定使用画素を選択することを特徴とする請求項１記載の検出センサ。
【請求項３】
前記投光手段は、前記測定対象物に線状の光を投光するとともに、前記二次元撮像手段の撮像面には、前記測定対象物からの線状の反射光が受光されるものであり、
前記測定対象物が前記上限位置にあるときの前記撮像面の受光位置と、前記測定対象物が前記下限位置にあるときの前記撮像面の受光位置と、の間の領域の画素を前記測定使用画素として選択することを特徴とする請求項２記載の検出センサ。
【請求項４】
測定対象物の測定に先立って、投光手段から投光させた光のうち測定範囲にある前記測定対象物からの反射光を、当該反射光が受光される範囲よりも大きな面積の撮像面を有する二次元撮像手段の当該撮像面に受光させ、当該撮像面における受光位置に基づいて測定に使用する測定使用画素を選択し、この測定使用画素の情報を記憶手段に記憶し、当該記憶手段に記憶された前記測定使用画素の受光信号のレベルに基づいて前記測定対象物の測定を行うことを特徴とする形状測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出センサ及び形状測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
検出センサには、例えば図２に示すように、例えばスリット板を介して出射した光を測定対象物の表面に照射させ、その反射光を二次元撮像素子にて受光するようになっているものがある。この反射光が二次元撮像素子上に形成する照射像は、測定対象物の表面（被照射面）が平坦であれば、上記スリットの開口形と同じ形状（例えば直線状）をなす。一方、測定対象物の表面に凹凸がある場合には、その凹凸に応じた形状をなす。従って、二次元撮像素子での照射像に基づいて測定対象物の表面形状を検出（測定）することができる（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２８６４２５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上記したように、二次元撮像素子での照射像に基づいて測定対象物の表面形状を検出（測定）する場合には、一般に、表面形状の検出（測定）に先立って、測定対象物からの反射光が二次元撮像素子上に照射されるように、二次元撮像素子等の位置あわせ等の煩雑な調整作業等が必要となっていた。
【０００４】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、形状測定の際における二次元撮像素子等の位置あわせ作業を省略することが可能な検出センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明の検出センサは、光を投光する投光手段と、
前記投光手段から投光された光のうち測定対象物からの反射光を受光可能な撮像面を有する二次元撮像手段と、
前記二次元撮像手段の撮像面の各画素に受光される光の受光信号のレベルに基づいて前記測定対象物の測定を行う測定手段と、を備える検出センサにおいて、
前記二次元撮像手段の撮像面の面積は、前記測定対象物の測定が行われるときに、測定範囲にある当該測定対象物からの反射光が前記撮像面に照射されうる照射可能面積よりも大きく構成されており、
前記測定手段による測定に先立って前記投光手段から投光される基準となる光のうち、前記測定対象物からの反射光の前記撮像面に受光される受光位置に基づいて前記測定手段による測定の際に使用する測定使用画素を選択する画素選択手段と、
前記画素選択手段により選択された測定使用画素についての情報を記憶する記憶手段と、を備え、
前記測定手段は、前記記憶手段に記憶された前記測定使用画素の受光信号のレベルに基づいて前記測定対象物の測定を行う構成としたところに特徴を有する。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、前記画素選択手段は、
前記測定手段による測定に先立って、前記測定対象物を測定範囲の上限位置と下限位置とに移動させた際に、前記撮像面に受光される前記反射光の受光位置に基づいて前記測定使用画素を選択するところに特徴を有する。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項２に記載のものにおいて、前記投光手段は、前記測定対象物に線状の光を投光するとともに、前記二次元撮像手段の撮像面には、前記測定対象物からの線状の反射光が受光されるものであり、
前記測定対象物が前記上限位置にあるときの前記撮像面の受光位置と、前記測定対象物が前記下限位置にあるときの前記撮像面の受光位置と、の間の領域の画素を前記測定使用画素として選択するところに特徴を有する。
なお、「測定対象物が上限位置にあるときの撮像面の受光位置と、測定対象物が下限位置にあるときの撮像面の受光位置と、の間の領域」には、当該撮像面における両受光位置そのもの、即ち、線状の部分が含まれる。
【０００８】
請求項４の発明の形状測定方法は、測定対象物の測定に先立って、投光手段から投光させた光のうち測定範囲にある前記測定対象物からの反射光を、当該反射光が受光される範囲よりも大きな面積の撮像面を有する二次元撮像手段の当該撮像面に受光させ、当該撮像面における受光位置に基づいて測定に使用する測定使用画素を選択し、この測定使用画素の情報を記憶手段に記憶し、当該記憶手段に記憶された前記測定使用画素の受光信号のレベルに基づいて前記測定対象物の測定を行うところに特徴を有する。
【発明の効果】
【０００９】
＜請求項１及び請求項４の発明＞
予め定められた範囲の画素に測定対象物からの反射光を受光させる場合には、二次元撮像手段の位置合わせ等の煩雑な作業が必要になる。
一方、本構成によれば、実際の受光位置に基づいて測定手段による測定の際に使用される測定使用画素が選択される。したがって、形状測定の際における二次元撮像手段等の位置合わせ作業を省略することができる。
【００１０】
＜請求項２の発明＞
本構成によれば、測定手段による測定に先立って、測定対象物からの反射光を実際に撮像面に照射させて測定使用画素を選択するから、確実に測定に使用される画素を選択することができる。
【００１１】
＜請求項３の発明＞
本構成によれば、撮像面に受光される線状の反射光の２つの受光位置の間の領域の画素を測定使用画素として選択するから、簡易な構成で確実に測定使用画素を選択することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の一実施形態を図１ないし図７によって説明する。
１．形状測定装置の全体構成
図１は、本発明に係る形状測定方法を利用可能な形状測定装置１の概略的構成である。
形状測定装置１は、測定対象物Ｗの表面形状を検出する検出センサ１０と、測定対象物Ｗの載置されるステージ３１を上下に移動（昇降）可能なステージ駆動部３０と、を備えて構成されている。
【００１３】
検出センサ１０は、レーザ光を投光する投光部１１（投光手段）と、投光部１１からのレーザ光をスリット状のレーザ光Ｌ１にするスリット板１２と、スリット板１２を通ったレーザ光Ｌ１のうち、ステージ３１上に載置された測定対象物Ｗの表面にて反射した反射光Ｌ２が受光されるＣＭＯＳイメージセンサ１３（本発明の「二次元撮像手段」に相当）と、ＣＰＵ１４（Central Processing Unit）等から構成される制御回路１５と、制御回路１５からの情報が記憶されるＲＡＭ(Random Access Memory)等からなる記憶部１７と、を備えて構成されている。
【００１４】
投光部１１は、レーザ光を出射するレーザ光源１１Ａと、制御回路１５のＣＰＵ１４からの投光タイミング信号によりレーザ光源１１Ａに投光動作を行わせる光源駆動回路１１Ｂと、を備えている。
【００１５】
スリット板１２は、図１の紙面奥行き方向（図２のＹ軸方向）に長く延びたスリット（切れ目）を有し、このスリット板１２のスリットを通過した薄板状のレーザ光Ｌ１が測定対象物Ｗの表面に向けて照射されるようになっている。そして、投光部１１からスリット板１２を介して測定対象物Ｗに照射された光のうち、当該測定対象物Ｗ表面で反射した反射光Ｌ２がＣＭＯＳイメージセンサ１３の撮像面１３Ａにて受光されるようになっている。
【００１６】
即ち、上記反射光Ｌ２が二次元ＣＭＯＳイメージセンサ１３の撮像面１３Ａ上に形成する照射像１６は、測定対象物Ｗの表面が平坦であれば、上記スリット板１２のスリット形状に対応して一直線状をなす。一方、図２に示すように、測定対象物Ｗの表面に例えば凸部が形成されている場合には、この凸部形状に応じた凸状の照射像１６となる。従って、二次元ＣＭＯＳイメージセンサ１３の撮像面１３Ａにおける照射像１６を捉えることで測定対象物Ｗの表面形状を検出することが可能になる。
【００１７】
ＣＭＯＳイメージセンサ１３は、行列状に並んで撮像面１３Ａを構成する多数の画素２０と、垂直走査シフトレジスタ２５と、水平走査シフトレジスタ２６、とを備えて構成されている。このＣＭＯＳイメージセンサ１３の撮像面１３Ａの面積は、ステージ駆動部３０により測定対象物Ｗを上限位置及び下限位置に移動させたとしても、測定対象物Ｗからの反射光が撮像面１３Ａの範囲内に収まる面積とされている。なお、以下では、図４に簡略して示すように、行方向に３個、列方向に３個の計９個の画素２０を備えるものを例として説明する。
【００１８】
画素２０には、図４に示すように、フォトダイオード２１と、フォトダイオード２１からの出力を増幅する増幅回路２２と、が設けられている。また、増幅回路２２には、当該増幅回路２２から出力のオンオフを制御するＭＯＳスイッチ２３（２３Ａ〜２３Ｉ）,２４（２４Ａ〜２４Ｃ）が接続されている。
【００１９】
そして、例えば、ＭＯＳスイッチ２４Ａがオンされている状態にあるときに、制御回路１５のＣＰＵ１４から垂直走査シフトレジスタ２５に所定周期でパルス信号が与えられると、一端側の画素２０の垂直ＭＯＳスイッチ２３Ａから他端側の画素２０の垂直ＭＯＳスイッチ２３Ｃへと順番にオンされる（オンオフが切り替えられる）。一列の画素２０についての垂直ＭＯＳスイッチ２３（垂直ＭＯＳスイッチ２３Ｃ）がオンされると（一列の画素数分のパルス信号が垂直走査シフトレジスタ２５に与えられると）、制御回路１５からのパルス信号が水平走査シフトレジスタ２６に与えられ、今度は、次の列（一行隣）の一端側の画素２０の水平ＭＯＳスイッチ２４Ｂがオンされる（オンオフが切り替えられる）。そして、全ての画素２０からの出力が終了するまで上記動作を繰り返す。これにより、ＣＭＯＳイメージセンサ１３の全ての画素からの受光信号Ｓａが所定のタイミングで制御回路１５に順番に出力されるようになっている。
【００２０】
これにより、ＣＰＵ１４から垂直走査シフトレジスタ２５にパルス信号が出力されるごとに、各画素２０から受光量に応じたレベルの受光信号Ｓａが順番に出力されるから、垂直走査シフトレジスタ２５（及び水平走査シフトレジスタ２６）に出力するパルス信号のタイミングと、制御回路１５に入力される各画素ごとの受光信号Ｓａの順番とにより、ＣＰＵ１４は、入力された受光信号Ｓａが、いずれの画素２０からの受光信号Ｓａであるかを検出するようになっている。
【００２１】
そして、形状測定動作の前に、上記した投受光動作が行われたときには、ＣＰＵ１４は、受光信号Ｓａ（又は所定の閾値以上の受光量レベルを有する受光信号）が出力された画素を（形状測定の際に使用する測定使用画素として）選択し、この画素（測定使用画素）を特定するための情報（位置情報）を記憶部１７に記憶する。したがって、ＣＰＵ１４が本発明の「画素選択手段」に相当する。
また、形状測定動作時に、上記した投受光動作が行われたときには、ＣＰＵ１４は、得られた受光信号Ｓｂが形状測定動作の前に選択された画素（測定使用画素）からの受光信号Ｓｂである場合には、受光量レベル（又は所定の閾値以上の受光量が検出されたかどうか）を記憶部１７に記憶するとともに、この記憶部１７に記憶された受光量レベルに基づき、ＣＰＵ１４は測定対象物Ｗの表面形状を測定する。したがって、ＣＰＵ１４が本発明の「測定手段」に相当する。
【００２２】
ステージ駆動部３０は、図１に示すように、検出センサ１０の外部にて、検出センサ１０の制御回路１５とケーブル等の通信手段３５を介して接続されており、制御回路１５からの出力を受けて、所望の高さに測定対象物Ｗを移動可能に構成されている。
【００２３】
ここで、ステージ駆動部３０は、ステージ３１に載置される測定対象物Ｗを所定の上限位置と下限位置との間で移動させることができるようになっている。そして、形状測定前に行われる測定使用画素を特定（選択）する際には、測定対象物Ｗが上限位置にあるときに、撮像面１３Ａに受光される光の受光位置（図３の照射像１６Ａの位置）の上端位置（上端部。同図の点線Ａ）と、測定対象物Ｗが下限位置にあるときに、撮像面１３Ａに受光される光の受光位置（照射像１６Ｂの位置）の下端位置（下端部。同図の点線Ｂ）と、照射像１６の幅方向の端部（同図の点線Ｃ，Ｄ）と、に基づいて、これらの領域に囲まれる領域（各両端部間に挟まれる範囲内にある画素）が、撮像面１３Ａのうち、形状測定の際に使用される測定使用画素（測定使用範囲）となっている。
【００２４】
なお、本発明における測定対象物Ｗの「測定範囲」とは、上限位置と下限位置との間の測定対象物Ｗが移動可能な範囲（ステージ駆動部３０の移動可能な範囲）により定められるものであり、かかる「測定範囲」は検出センサの仕様により予め定められているものである。なお、上限位置と下限位置との間における測定対象物Ｗの位置は、図示しない操作部を介してユーザが設定できるようになっている。
【００２５】
２．制御回路のＣＰＵにて行われる処理
（１）形状測定に先立って行われる処理
測定対象物Ｗの形状測定に先立って、以下の処理が行われる。
＜測定使用範囲特定処理＞
図５に示すように、ＣＰＵ１４は、ステージ駆動部３０に駆動信号を与えて駆動させ、ステージ３１を上限位置まで移動させる（Ｓ１１）。
そして、測定に使用する画素を選択するための画素選択処理を実行する（Ｓ１２）。
【００２６】
（画素選択処理）
画素選択処理では、図６に示すように、ＣＰＵ１４は、光源駆動回路１１Ｂに投光部１１を投光させるための投光タイミング信号を出力する（Ｓ２１）。これにより、投光部１１からレーザ光（基準となる光）が出射される。そして、測定対象物Ｗで反射したレーザ光Ｌ２がＣＭＯＳイメージセンサ１３に受光されると、受光量に応じた受光信号ＳａがＣＰＵ１４に出力される。
【００２７】
ＣＰＵ１４は、受光信号Ｓａを受けたことを検出すると（Ｓ２２で「Ｙ」）、投光タイミング信号のタイミング（又はシフトレジスタに出力するパルス信号のタイミング）と、受光信号Ｓａのタイミング（又は順番）と、から当該受光信号Ｓａを出力した画素を求める（Ｓ２３）。
求めた画素を特定する情報（位置情報。例えば、座標データ、受光タイミング等）を記憶部１７に記憶する（Ｓ２４）。
【００２８】
次に、図５のＳ１３にて、ＣＰＵ１４は、ステージ駆動部３０に駆動信号を与えて駆動させ、ステージ３１を下限位置まで移動させる。
そして、測定に使用する画素を選択するための画素選択処理を実行する（Ｓ１４）。
【００２９】
（画素選択処理）
画素選択処理では、図６に示すように、ＣＰＵ１４は、光源駆動回路１１Ｂに投光部１１を投光させるための投光タイミング信号を出力する（Ｓ２１）。これにより、投光部１１からレーザ光（基準となる光）が出射される。そして、測定対象物Ｗで反射したレーザ光Ｌ２がＣＭＯＳイメージセンサ１３に受光されると、受光量に応じた受光信号ＳａがＣＰＵ１４に出力される。
【００３０】
ＣＰＵ１４は、受光信号Ｓａを受けたことを検出すると（Ｓ２２で「Ｙ」）、投光タイミング信号のタイミング（又はシフトレジスタに出力するパルス信号のタイミング）と、受光信号Ｓａのタイミング（又は順番）と、から当該受光信号Ｓａを出力した画素を求める（Ｓ２３）。
求めた画素を特定する情報（位置情報。例えば、座標データ、受光タイミング等）を記憶部１７に記憶する（Ｓ２４）。
【００３１】
次に、図５のＳ１５にて、ＣＰＵ１４は、測定対象物Ｗが上限位置にあるときの撮像面１３Ａの受光部分の上端部（図３の点線Ａ）と、測定対象物Ｗが下限位置にあるときの撮像面１３Ａの受光部分の下端部（同図の点線Ｂ）と、撮像面１３Ａの受光部分の両側端部（同図の点線Ｃ，Ｄ。測定対象物Ｗの幅）と、で囲まれた領域（境界部分を含む）を、表面形状測定の際に使用する測定使用範囲（測定使用画素）として設定し（Ｓ１５）、かかる測定使用範囲（測定使用画素）の情報を記憶部１７に記憶させる（Ｓ１６）。
【００３２】
（２）形状測定時に行われる処理
測定対象物Ｗの表面形状測定時には、以下の処理が行われる。
ＣＰＵ１４は、図７に示すように、光源駆動回路１１Ｂに投光部１１を投光させるための投光タイミング信号を出力する（Ｓ３１）。これにより、投光部１１からレーザ光が出射され、測定対象物Ｗで反射したレーザ光がＣＭＯＳイメージセンサ１３に受光されると、受光量に応じた受光信号ＳｂがＣＰＵ１４に出力される。
【００３３】
次に、ＣＰＵ１４は、ＣＭＯＳイメージセンサ１３から受光信号Ｓｂを受けたことを検出する（Ｓ３２で「Ｙ」）と、記憶部１７に記憶されている測定使用画素の位置の情報（測定使用範囲の情報）を読出し（Ｓ３３）、得られた受光信号Ｓｂが測定使用画素（測定使用範囲）からの受光信号Ｓｂかどうか判断する（Ｓ３４）。
【００３４】
受光信号Ｓｂが測定使用画素（測定使用範囲）からの受光信号Ｓｂであるものについては（Ｓ３４で「Ｙ」）、かかる受光信号Ｓｂを記憶部１７に記憶する。
一方、受光信号Ｓｂが測定使用画素（測定使用範囲）からの受光信号Ｓｂでないものについては（Ｓ３２で「Ｎ」）、得られた受光信号Ｓｂを消去（削除）する。
そして、ＣＰＵ１４は、記憶部１７に記憶された受光信号Ｓｂにより、測定対象物Ｗの表面形状を測定する。
【００３５】
３．本実施形態の効果
（１）予め定められた範囲の画素２０に測定対象物Ｗからの反射光を受光させる場合には、ＣＭＯＳイメージセンサ（二次元撮像手段）の位置合わせ等の煩雑な作業が必要になる。また、単にＣＭＯＳイメージセンサを大きくすることにより、位置合わせを不要とする構成とする場合には、形状測定の際に、ＣＭＯＳイメージセンサの全ての画素からの受光信号が制御回路１５により記憶部１７に記憶される。そのため、かかる多量の情報を記憶するために、記憶部１７の容量を大きくする必要があり製造コスト等の観点から望ましくない。さらに、全ての画素（撮像面１３Ａ全体）からの受光信号を受光する（測定に必要でない画素からの受光信号も受光する）場合には、外乱光等のノイズにより正確な形状測定が行われないおそれがある。
【００３６】
一方、本実施形態によれば、ＣＭＯＳイメージセンサ１３（二次元撮像手段）の撮像面１３Ａの面積は、測定対象物Ｗの測定が行われるときに、測定範囲の当該測定対象物Ｗからの反射光が撮像面１３Ａに照射されうる照射可能面積（図３の点線Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた領域 ）よりも大きく構成されており、ＣＰＵ１４（測定手段）による測定に先立って投光手段（投光部１１）から投光される基準となる光のうち、測定対象物Ｗからの反射光の撮像面１３Ａに受光される受光位置に基づいてＣＰＵ１４（測定手段）による測定の際に使用する測定使用画素２０を選択して記憶部１７（記憶手段）に記憶する。そして、ＣＰＵ１４（測定手段）による測定の際には、上記したように実際に投受光動作が行われることによって確かめられた受光位置に基づいて選択された測定使用画素２０の受光信号Ｓａのレベルに基づいて測定対象物Ｗの測定が行われる。これにより、ＣＭＯＳイメージセンサ１３（二次元撮像手段）の位置合わせ等の作業を省略することができるから、作業性を向上させることが可能になる。
【００３７】
（２）測定対象物Ｗが上限位置にあるときの撮像面１３Ａの受光位置と、測定対象物Ｗが下限位置にあるときの撮像面１３Ａの受光位置と、照射像１６の幅方向の範囲と、に基づいて、これらの領域に囲まれる領域（これら上下左右の位置の間の範囲内にある画素）が、撮像面１３Ａのうち、形状測定の際に使用される測定使用画素（測定使用範囲）とされる。したがって、測定対象物Ｗを移動可能な上限位置と下限位置とに移動させるという簡易な構成で確実に測定使用画素を選択することができる。
【００３８】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００３９】
（１）上記実施形態では、本発明の２次元撮像手段を、ＣＭＯＳイメージセンサ１３により構成することとしたが、２次元撮像手段をＣＣＤ（Charge Coupled Devices）により構成してもよい。なお、ＣＣＤは、各画素の信号を順次、隣に伝送していって一列ごとに最後に増幅される(バケツリレー方式)ため、信号伝送時にノイズが発生しにくく、また、一列ごとに最後に増幅されるから、増幅回路に起因するばらつきが少ないという利点がある。
一方、本実施形態のように、ＣＭＯＳイメージセンサを用いれば、ＣＣＤと比較して消費電力を少なくすることができる。さらに、ＣＭＯＳプロセスを応用しているから、他の回路（Ａ−Ｄ変換器等）を集積しやすくなる。
【００４０】
（２）上記実施形態では、撮像面１３Ａのうち、測定対象物Ｗが上限位置にあるときの撮像面の受光位置と、測定対象物Ｗが下限位置にあるときの撮像面の受光位置と、の間の領域にある画素を測定使用画素の範囲（測定使用範囲）としたが、必ずしもかかる範囲内にある画素のみを測定使用画素（測定使用範囲）としなくてもよく、例えば、受光位置の近傍であれば、受光位置の境界よりも外部にある画素（外部の領域）を測定使用画素（測定使用範囲）として用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】形状測定装置１の構成を概略的に示す図
【図２】測定対象物Ｗで反射したレーザ光がＣＭＯＳイメージセンサに照射される様子を示す図
【図３】ＣＭＯＳイメージセンサの撮像面の照射像を示す図
【図４】ＣＭＯＳイメージセンサの構成を説明する図
【図５】形状測定前に行われるＣＰＵの処理のフローチャート
【図６】画素選択処理のフローチャート
【図７】形状測定時のＣＰＵの処理のフローチャート
【符号の説明】
【００４２】
１…形状測定装置
１０…検出センサ
１１…投光部（投光手段）
１３…ＣＭＯＳイメージセンサ（２次元撮像手段）
１３Ａ…撮像面
１４…ＣＰＵ （測定手段、画素選択手段）
１５…制御回路
１７…記憶部（記憶手段）
２０…画素
３０…ステージ駆動部
Ｌ１…レーザ光
Ｌ２…反射光
Ｗ…測定対象物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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