(57)【要約】【課題】マンガン膜をＣＶＤ法により形成することができる成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体Ｗの表面にマンガン膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器１４と、前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置するための載置台１６と、前記処理容器内へマンガンが含有された有機金属材料或いは金属錯体材料を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段１８と、前記処理容器内へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段２０とを備える。これにより、マンガン膜をＣＶＤ法により形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の表面にマンガン膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する成膜装置において、
真空引き可能になされた処理容器と、
前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置するための載置台と、
前記処理容器内へマンガンが含有された有機金属材料或いは金属錯体材料を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記処理容器内へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段を有することを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記原料ガスと前記還元ガスとは前記処理容器内で混合されることを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記原料ガス供給手段は、液体状になされた原料を収容する原料タンクと、
前記液体状になされた原料をキャリアガスによりバブリングするバブリング機構とを有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項５】
前記原料ガス供給手段は、
液体状になされた原料を収容する原料タンクと、
前記液体状になされた原料を加圧気体により圧送する圧送機構と、
前記圧送される液体状の原料を流量制御する液体流量制御器と、
前記液体流量制御器からの液体状の原料を気化する気化器と、
を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項６】
前記原料タンク内の原料は加熱により液体状になされていることを特徴とする請求項４又は５記載の成膜装置。
【請求項７】
前記原料タンク内の原料は有機溶媒により溶かすことにより液体状になされていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項８】
前記被処理体を加熱する加熱手段を有し、前記ＣＶＤとして熱ＣＶＤを行うようにしたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項９】
真空引き可能になされた処理容器内で、マンガンが含有された有機金属材料或いは金属錯体材料を含む原料ガスを用いて被処理体の表面に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりマンガン膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
前記原料ガスと共に還元ガスを用いることを特徴とする請求項９記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記原料ガスと前記還元ガスとは前記処理容器内で混合されることを特徴とする請求項１０記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記還元ガスは、Ｈ２ ガスよりなることを特徴とする請求項１１記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記原料は液体状になされており、不活性ガスによりバブリングにより気体になされて供給されることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１４】
前記原料は液体状になされており、加圧気体により圧送されて液体流量制御器により流量制御されると共に、キャリアガスにより気化器で気化されて供給されることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１５】
前記原料は加熱により液体状になされていることを特徴とする請求項１３又は１４記載の成膜方法。
【請求項１６】
前記原料は有機溶媒に溶かされて液体状になされていることを特徴とする請求項１３又は１４記載の成膜方法。
【請求項１７】
前記有機溶媒は、炭化水素系溶媒、或いはＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶媒よりなることを特徴とする請求項１６記載の成膜方法。
【請求項１８】
前記炭化水素系溶媒は、ペンタン、シクロペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘプタン、オクタン、トルエンよりなる群より選択される１以上の材料を含むことを特徴とする請求項１７記載の成膜方法。
【請求項１９】
前記有機金属材料は、Ｃｐ２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ５ Ｈ５ ）２ ］、（ＭｅＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（ＣＨ３ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、（ＥｔＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ２ Ｈ５ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、（ｉ−ＰｒＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ３ Ｈ７ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、ＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ［＝（ＣＨ３Ｃ５Ｈ４）Ｍｎ（ＣＯ）３    ］、（ｔ−ＢｕＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ４ Ｈ９ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、ＣＨ３ Ｍｎ（ＣＯ）５ 、Ｍｎ（ＤＰＭ）２［＝Ｍｎ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２ ）２ ］、Ｍｎ（ＤＰＭ）３  ［＝Ｍｎ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２ ）３ ］、（ＥｔＣｐ）Ｍｎ（ＤＭＰＤ）［＝Ｍｎ（Ｃ７ Ｈ１１Ｃ２ Ｈ５ Ｃ５ Ｈ４ ）］、Ｍｎ（ａｃａｃ）２ ［＝Ｍｎ（Ｃ５ Ｈ７ Ｏ２ ）２ ］、Ｍｎ（ａｃａｃ）３［＝Ｍｎ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）３］よりなる群から選択される１以上の材料であることを特徴とする請求項９乃至１８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項２０】
前記ＣＶＤは、熱ＣＶＤであることを特徴とする請求項９乃至１９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項２１】
前記被処理体の温度は７５℃以上であることを特徴とする請求項２０記載の成膜方法。
【請求項２２】
前記ＣＶＤは、プラズマＣＶＤであることを特徴とする請求項９乃至１９のいずれかに記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の表面にマンガン（Ｍｎ）膜を形成するための成膜装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスを製造するには、半導体ウエハに成膜処理やパターンエッチング処理等の各種の処理を繰り返し行って所望のデバイスを製造するが、半導体デバイスの更なる高集積化及び高微細化の要請より、線幅やホール径が益々微細化されている。そして、配線材料や、トレンチ、ホールなどの凹部内への埋め込み材料としては、各種寸法の微細化により、より電気抵抗を小さくする必要から電気抵抗が非常に小さくて且つ安価である銅を用いる傾向にある（特許文献１）。そして、この配線材料や埋め込み材料として銅を用いる場合には、その下層への銅の拡散バリヤ性等を考慮して、一般的にはタンタル金属（Ｔａ）やタンタル窒化膜（ＴａＮ）等がバリヤ層として用いられる。
【０００３】
そして、上記凹部内を埋め込むには、まずプラズマスパッタ装置内にて、この凹部内の壁面全体を含むウエハ表面全面に銅膜よりなる薄いシード膜を形成し、次にウエハ表面全体に銅メッキ処理を施すことにより、凹部内を完全に埋め込むようになっている。その後、ウエハ表面の余分な銅薄膜をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等により研磨処理して取り除くようになっている。
【０００４】
この点については図７を参照して説明する。図７は半導体ウエハの凹部の従来の埋め込み工程を示す図である。この半導体ウエハＷの表面には下地となるＳｉＯ２層１が形成され、このＳｉＯ２層１にはビアホールやスルーホールや溝（ト  レンチやＤｕａｌ  Ｄａｍａｓｃｅｎｅ構造）等に対応する凹部２が形成されており、この凹部２は設計ルールの微細化に伴ってアスペクト比が非常に大きく（例えば３〜４程度に）なっており、この凹部２の幅、或いは内径は例えば１２０ｎｍ程度になっている。
【０００５】
この半導体ウエハＷの表面には上記凹部２内の内面も含めて略均一に例えばＴａＮ膜及びＴａ膜の積層構造よりなるバリヤ層４がプラズマスパッタ装置にて予め形成されている（図７（Ａ）参照）。そして、プラズマスパッタ装置にて上記凹部２内の表面を含むウエハ表面全体に亘って金属膜として薄い銅膜よりなるシード膜６を形成する（図７（Ｂ）参照）。このシード膜６をプラズマスパッタ装置内で形成する際、半導体ウエハ側に高周波電圧のバイアス電力を印加して、銅の金属イオンの引き込みを効率良く行うようになっている。更に、上記ウエハ表面に銅メッキ処理を施すことにより上記凹部２内を例えば銅膜よりなる金属膜８で埋め込むようになっている（図７（Ｃ）参照）。その後は、上記ウエハ表面の余分な金属膜８、シード膜６及びバリヤ層４を上記したＣＭＰ処理等を用いて研磨処理して取り除くことになる。
【０００６】
ところで、最近にあっては、上記バリヤ層の更なる信頼性の向上を目標として種々の開発がなされており、中でもＣｕＭｎ合金膜を用いた自己形成バリヤ層が注目されている（特許文献２）。このＣｕＭｎ合金膜は、スパッタリングにより成膜されて、成膜後にアニールを施すことで自己整合的に下層の絶縁膜であるＳｉＯ２ 層と反応して、このＳｉＯ２ 層とＣｕＭｎ合金膜との境界部分にＭｎＳｉｘＯｙ（ｘ、ｙ：任意の整数）膜というバリヤ膜が形成される。更にこのＣｕＭｎ合金膜自体がシード膜となるので、この上方にＣｕメッキ層を直接形成でき、製造工程数も削減できる、という利点を有する。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−７７３６５号公報
【特許文献２】特開２００５−２７７３９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、現状の実用レベルでは上記ＣｕＭｎ合金はスパッタリング法でしか形成することができないが、将来的に予想される極微細パターン、例えば線幅や穴径が３２ｎｍ以下のトレンチやホールに対しては、スパッタリング法では十分に対応することができず、埋め込みが不十分になる恐れが高い。
【０００９】
この問題を解決する手法としては、ＣｕＭｎ合金をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜することが考えられる。しかしながら、ＣｕＭｎ合金を比較的低温でＣＶＤ法で成膜する技術は確立されておらず、更には、ＣｕＭｎ合金膜よりも成膜が容易と考えられるマンガン単独膜に関しても、これを比較的低温でＣＶＤ法により成膜する技術は確立していないのが現状である。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、マンガン膜をＣＶＤ法により形成することができる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る発明は、被処理体の表面にマンガン膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器と、前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置するための載置台と、前記処理容器内へマンガンが含有された有機金属材料或いは金属錯体材料を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。
このように、マンガン含有の有機金属材料、又は金属錯体材料の原料ガスを用いているので、比較的低温でマンガン膜を形成することができる。
【００１１】
この場合、請求項２に記載したように、前記処理容器内へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段を有する。
このように、成膜時にアシストガスとして還元ガスを用いることにより、更なる低温でもマンガン膜を形成することができる。
また例えば請求項３に記載したように、前記原料ガスと前記還元ガスとは前記処理容器内で混合される。
【００１２】
また例えば請求項４に記載したように、前記原料ガス供給手段は、液体状になされた原料を収容する原料タンクと、前記液体状になされた原料をキャリアガスによりバブリングするバブリング機構とを有している。
また例えば請求項５に記載したように、前記原料ガス供給手段は、液体状になされた原料を収容する原料タンクと、前記液体状になされた原料を加圧気体により圧送する圧送機構と、前記圧送される液体状の原料を流量制御する液体流量制御器と、前記液体流量制御器からの液体状の原料を気化する気化器と、を有する。
また例えば請求項６に記載したように、前記原料タンク内の原料は加熱により液体状になされている。
【００１３】
また例えば請求項７に記載したように、前記原料タンク内の原料は有機溶媒により溶かすことにより液体状になされている。
このように、原料を有機溶媒に溶かして原料溶液として用いることにより、液体状の原料溶液の供給量を精度良く制御することができるので、成膜の再現性を向上させることができる。
また原料を液体化するために原料タンク内で加熱する必要がなくなるので、原料タンク内において原料自体が熱分解したり、或いは熱により劣化することを防止することができる。
【００１４】
また例えば請求項８に記載したように、前記被処理体を加熱する加熱手段を有し、前記ＣＶＤとして熱ＣＶＤを行うようにした。
また例えば請求項９に記載したように、真空引き可能になされた処理容器内で、マンガンが含有された有機金属材料或いは金属錯体材料を含む原料ガスを用いて被処理体の表面に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりマンガン膜を形成する。
【００１５】
また例えば請求項１０に記載したように、前記原料ガスと共に還元ガスを用いる。
また例えば請求項１１に記載したように、前記原料ガスと前記還元ガスとは前記処理容器内で混合される。
また例えば請求項１２に記載したように、前記還元ガスは、Ｈ２ ガスよりなる。
また例えば請求項１３に記載したように、前記原料は液体状になされており、不活性ガスによりバブリングにより気体になされて供給される。
【００１６】
また例えば請求項１４に記載したように、前記原料は液体状になされており、加圧気体により圧送されて液体流量制御器により流量制御されると共に、キャリアガスにより気化器で気化されて供給される。
また例えば請求項１５に記載したように、前記原料は加熱により液体状になされている。
また例えば請求項１６に記載したように、前記原料は有機溶媒に溶かされて液体状になされている。
【００１７】
また例えば請求項１７に記載したように、前記有機溶媒は、炭化水素系溶媒、或いはＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶媒よりなる。
また例えば請求項１８に記載したように、前記炭化水素系溶媒は、ペンタン、シクロペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘプタン、オクタン、トルエンよりなる群より選択される１以上の材料を含む。
【００１８】
また例えば請求項１９に記載したように、前記有機金属材料は、Ｃｐ２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ５ Ｈ５ ）２ ］、（ＭｅＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（ＣＨ３ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、（ＥｔＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ２ Ｈ５ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、（ｉ−ＰｒＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ３ Ｈ７ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、ＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ［＝（ＣＨ３ Ｃ５Ｈ４）Ｍｎ（ＣＯ）３ ］、（ｔ−ＢｕＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ４ Ｈ９ Ｃ５   Ｈ４ ）２ ］、ＣＨ３ Ｍｎ（ＣＯ）５ 、Ｍｎ（ＤＰＭ）２［＝Ｍｎ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）２ ］、Ｍｎ（ＤＰＭ）３ ［＝Ｍｎ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２ ）３ ］、（ＥｔＣｐ）Ｍｎ（ＤＭＰＤ）［＝Ｍｎ（Ｃ７ Ｈ１１Ｃ２ Ｈ５ Ｃ５ Ｈ４ ）］、Ｍｎ（ａｃａｃ）２ ［＝Ｍｎ（Ｃ５ Ｈ７ Ｏ２ ）２ ］、Ｍｎ（ａｃａｃ）３ ［＝Ｍｎ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）３］よりなる群から選択される１以上の材料である。
【００１９】
また例えば請求項２０に記載したように、前記ＣＶＤは、熱ＣＶＤである。
また例えば請求項２１に記載したように、前記被処理体の温度は７５℃以上である。
また例えば請求項２２に記載したように、前記ＣＶＤは、プラズマＣＶＤである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る成膜装置及び成膜方法によれば、マンガン含有の有機金属材料、又は金属錯体材料の原料ガスを用いているので、比較的低温でマンガン膜を形成することができる。
特に請求項２に係る発明によれば、成膜時にアシストガスとして還元ガスを用いることにより、更なる低温でもマンガン膜を形成することができる。
特に請求項７に係る発明によれば、原料を有機溶媒に溶かして原料溶液として用いることにより、液体状の原料溶液の供給量を精度良く制御することができるので、成膜の再現性を向上させることができる。
また原料を液体化するために原料タンク内で加熱する必要がなくなるので、原料タンク内において原料自体が熱分解したり、或いは熱により劣化することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明に係る成膜装置及び成膜方法の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
＜成膜装置の第１実施例＞
図１は本発明に係る成膜装置の第１実施例の一実施形態を示す構成図である。
図示するように、第１実施例に係るこの成膜装置１２は、例えば横置きになされた円筒体状の処理容器１４を有している。この処理容器１４は、耐熱性があって、且つ耐腐食性の高い材料、例えば石英によって形成されている。この処理容器１４内には、例えば石英やセラミック材等の耐熱耐腐食性材料よりなる載置台１６が設けられており、この上面に被処理体である例えば半導体ウエハＷを載置できるようになっている。この載置台１６の表面は、ガス流の上流側に向けて対向するように僅かに傾斜されており、ウエハ表面とガス流れが効率的に接触するようになっている。
【００２２】
そして、この処理容器１４の一側には、この処理容器１４内へマンガンが含有された有機金属材料、或いは金属錯体材料を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段１８と、処理容器１４内へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段２０とが設けられている。
【００２３】
上記原料ガス供給手段１８は、マンガンを含有する原料２４を貯留する原料タンク２２を有している。この原料タンク２２中の原料２４は、原料の種類により固体の場合や液体の場合もあり、必要に応じてこの原料２４を加熱して液化させる原料加熱ヒータ２６が設けられている。図示例では、原料が液体、或いは液化された状態を示している。尚、室温程度で液体の原料を用いる場合には上記原料加熱ヒータ２６を設けなくてもよいし、また、室温程度で固体の原料を有機溶媒（詳細については後述する）で溶かして液体化して用いてもよく、この場合にも原料加熱ヒータ２６を設けてもよいし、或いは設けなくてもよい。この原料タンク２２には、バブリング機構２７が設けられている。
【００２４】
具体的には、このバブリング機構２７はバブリング用配管２８を有しており、このバブリング配管２８は上記原料タンク２２内に挿通させて設けられており、このバブリング用配管２８には、途中にマスフローコントローラのような流量制御器３０が介設されている。このバブリング配管２８の先端は液体状の原料２４内に浸漬させている。そして、このバブリング用配管２８により、キャリアガスを流量制御しつつ上記原料タンク２２内の原料２４中に導入してバブリングすることにより、この原料２４を気化させてキャリアガスと共に搬送するようになっている。
【００２５】
そして、上記処理容器１４の側壁には、例えば石英よりなる原料ガスノズル３２が貫通させて設けられており、この原料ガスノズル３２と上記原料タンク２２とを接続するようにして例えばステンレス製の原料ガス配管３４が設けられており、この原料ガス配管３４の先端部には、上記原料タンク２２内の上部空間部に挿通され、原料ガスをキャリアガスと共にこの原料ガス配管３４中を流すようになっている。またこの原料ガス配管３４の途中には開閉弁３６が介設されており、必要に応じて供給の開始及び停止をコントロールできるようになっている。また上記原料ガス配管３４の周囲には、原料ガスの再液化防止用のテープヒータ３８が巻回して設けられている。
【００２６】
ここで上記キャリアガスとしては、Ｎ２ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを用いることができ、ここではＨｅガスを用いている場合を示している。
【００２７】
また上記還元ガス供給手段２０は、上記処理容器１４の側壁を貫通して設けられる例えば石英よりなる還元ガスノズル４０を有している。この還元ガスノズル４０には、例えばステンレス製の還元ガス配管４２が接続され、この還元ガス配管４２の途中には開閉弁４６及びマスフローコントローラのような流量制御器４８がそれぞれ介設されて、還元ガスを流量制御しつつ供給できるようになっている。上記還元ガスとしては、例えばＨ２ ガスを用いることができるが、他にＨ２ Ｏや気化させた有機溶剤等も用いることができる。尚、後述するように、還元ガスを用いない場合には、この還元ガス供給手段２０を設ける必要がない。
【００２８】
上記した構成により、各ノズル３２、４０から供給された原料ガスと還元ガスであるＨ２ ガスとが処理容器１４内で初めて混合され、いわゆるポストミックスで両ガスを供給できるようになっている。
また、上記各ノズル３２、４０が設けられた容器側壁とは反対側の側壁には、排気口５０が設けられており、この排気口５０には、排気系５２が接続されている。この排気系５２は、上記排気口５０に接続される排気路５４を有しており、この排気路５４の途中には、圧力制御弁５６及び真空ポンプ５８がそれぞれ順次介設されて、上記処理容器１４内を真空引きして所定の圧力に維持できるようになっている。
【００２９】
また上記処理容器１４の周囲には、これを囲むようにして例えば抵抗加熱ヒータよりなる加熱手段６０が設けられており、上記処理容器１４内のウエハＷを所定の温度で加熱し得るようになっている。
そして、このような装置全体の動作を制御するために、例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御手段６２を有しており、上記各ガスの供給量の制御、処理容器１４内の圧力制御、ウエハＷの温度制御等を行うようになっている。そして、上記制御手段６２は、上記した制御を行うためのコンピュータプログラムを記憶するための記憶媒体６４を有している。上記記憶媒体６４としては、例えばフロッピディスク（登録商標）、フラッシュメモリ、ハードディスク、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｅｓｃ）等を用いることができる。
【００３０】
次に、以上のように構成された成膜装置１２を用いて行われる成膜方法について説明する。
まず、半導体ウエハＷを処理容器１４内の載置台１６上に載置した状態で、このウエハＷは、加熱手段６０によって所定の温度まで昇温されて維持される。そして、これと同時にこの処理容器１４内へ原料ガスと還元ガスであるＨ２ ガスを導入する。すなわち、原料ガス供給手段１８においては、原料タンク２２内の液状の原料を、流量制御されたキャリアガスであるＨｅガスでバブリングすることにより液状の原料がガス化され、この原料ガスはキャリアガスによって原料ガス配管３４内を流れ、原料ガスノズル３２より処理容器１４内へ供給される。
【００３１】
また還元ガス供給手段２０においては、還元ガスであるＨ２ ガスが流量制御されて還元ガス配管４２内を流れ、還元ガスノズル４０より処理容器１４内へ供給される。
この時、この処理容器１４内は排気系５２の真空ポンプ５８により連続的に真空引きされて所定のプロセス圧力に維持されている。そして、上記両ガスノズル３２、４０より処理容器１４へ導入された原料ガスと水素ガスとはここで混合され、ウエハＷの表面と接触しつつ下流側へ流れて行く。この時、熱ＣＶＤ反応によって原料ガスは分解されてＨ２ ガスにより還元され、ウエハＷの表面に、マンガン膜が堆積することになる。
【００３２】
尚、還元ガスを用いない場合には原料ガスが単独で供給され、熱ＣＶＤ反応によって原料ガスは分解されてウエハＷの表面にマンガン膜が堆積することになる。この場合、熱ＣＶＤ反応による成膜なので、ウエハＷの表面に図７に示すように下地のＳｉＯ２ 層１に直径や線幅が３２ｎｍ程度の超微細な凹部、すなわちホールやトレンチが存在した場合には、比較的低温でその内部壁面まで上記マンガン膜を堆積させて形成することができる。
【００３３】
この場合、プロセス圧力は、２．９〜８０ｋＰ（２２〜６００Ｔｏｒｒ）の範囲内である。また、プロセス温度は７５〜４５０℃の範囲内、好ましくは９０〜４５０℃の範囲内である。プロセス温度が４５０℃を超えて大きくなると、ウエハ表面に予め形成されている各下地層（下層の半導体デバイスなど）が熱的ダメージを受ける場合が生ずる。
【００３４】
＜実施例１〜６＞
次に、上記した装置例を用いて実際にマンガン膜の成膜について評価を行ったので、その評価結果について図２も参照して説明する。図２はマンガン膜の成膜方法の実施例１〜６の評価結果を示す図である。
ここでは原料２４として（ＭｅＣｐ）２ Ｍｎ（プリカーサ）を用い、これをＨｅガス（キャリアガス）でバブリングしてガス化して供給した。この原料２４は６０〜７０℃に加熱した。また原料ガス配管３４と開閉弁３６は７５〜８０℃に加熱した。また還元ガスとしてＨ２ ガスを用いた。プロセス圧力については１．６〜８０ｋＰａ（１２〜６００Ｔｏｒｒ）まで種々変化させ、またプロセス温度については７０〜５５０℃まで変化させている。ウエハＷには、プラズマＴＥＯＳによりＳｉＯ２ を成膜したシリコンウエハを用いた。
【００３５】
図２に示すように、比較例１〜３では全てＨ２ ガスを供給しておらず、この場合にはプロセス温度４７５℃以下の領域では全く成膜がみられず（比較例１と２）、プロセス温度５５０℃では島状に僅かに堆積がみられただけである（比較例３）。従って、Ｈ２ ガスを供給しない場合には、４７５℃以下の低温では全くマンガン膜を堆積することができないことが判る。
【００３６】
これに対して、実施例１〜６においては、Ｈ２ ガスを１０〜１００ｓｃｃｍの範囲内で供給している。この場合、プロセス圧力も２．９〜８０ｋＰａの範囲内で変化させている。プロセス温度７０℃ではウエハ表面に原料が付着するだけであり（実施例１）、マンガン膜の成膜はみられなかった。プロセス温度が７５℃以上である、実施例２〜６の全てにおいてウエハ表面に連続膜として形成されたマンガン膜の成膜がみられ、その膜厚はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて測定された。従って、Ｈ２ ガスを供給する場合には、７５℃以上のプロセス温度であればマンガン膜を堆積することができることが判る。ただし、プロセス温度が７５〜８０℃の場合（実施例２）には、マンガン膜の膜厚は非常に僅かであった。
【００３７】
これに対して、プロセス温度が９０℃以上の場合（実施例３〜６）には、Ｈ２ 流量にそれ程左右されず、また、プロセス圧力にそれ程左右されず、十分な成膜レートでマンガン膜を形成することができた。これらの実験結果から、好ましくはプロセス温度を９０〜４５０℃の範囲内に設定するのがよいことが確認できた。上述したように、実施例において原料２４は６０〜７０℃に加熱し、原料ガス配管３４と開閉弁３６は７５〜８０℃に加熱することで、ガス化した原料を処理容器１４内へ供給している。
【００３８】
一方、還元ガスとしてＨ２ ガスを供給した場合におけるマンガン膜堆積開始温度は７５℃であるので、キャリアガスとしてＨ２ ガスを用いて原料のバブリングを行うと、原料タンク２２、原料ガス配管３４、開閉弁３６及び原料ガスノズル３２の内部にマンガン膜が堆積して、パーティクルを発生させたり、配管などの内部を閉塞させてしまったりする恐れがある。このことから、成膜装置１２においては、原料ガス供給手段１８と還元ガス供給手段２０とを独立させておき、原料ガスと還元ガスとが処理容器１４内で初めて混合されるポストミックス方式でなければならないことが判る。
【００３９】
更に、ポストミックス方式であっても、処理容器１４の側壁に設けられた原料ガスノズル３２および還元ガスノズル４０の付近ではＭｎ原料ガスと還元ガスとが交じり合っているため、温度管理を適切に行なわないと、処理容器１４の側壁やノズル付近に望ましくない成膜が生じたり、気相にてパーティクルが発生したりする恐れがある。そこで、ガスノズル３２、４０の付近における望ましい設定温度を考察する。（ＭｅＣｐ）２Ｍｎ（プリカーサ）ガスをバブリングにて安定 供給するために必要なＭｎ原料２４の加熱温度は上述したように６０〜７０℃であるので、この温度以下ではＭｎ原料ガスが再液化する恐れがある。
【００４０】
一方、還元ガスであるＨ２存在下におけるＭｎ膜の最低成膜温度は、上述した ように７５〜８０℃であり、９０℃にもなると十分な成膜レートを持つことから、この温度以上ではＭｎ原料ガスが成膜反応を起こす恐れがある。上述の温度特性を考慮すれば、（ＭｅＣｐ）２Ｍｎ（プリカーサ）ガスが、還元ガスであるＨ ２存在下において再液化もせず、成膜反応もしない温度範囲は、６０〜９０℃、 より安全には７０〜８０℃であることがわかる。よって、ガスノズル３２、４０の付近の設定温度を６０〜９０℃、望ましくは７０〜８０℃とすれば、処理容器１４の側壁やガスノズル３２、４０の付近に望ましくない成膜が生じたり、気相にてパーティクルが発生したりすることを防ぐことができる。尚、これらの設定温度は、後述する成膜装置の第２実施例における処理容器６６や、シャワーヘッド部７２にも適用することが可能である。
【００４１】
＜実施例７〜１９＞
次に原料２４として（ＥｔＣｐ）２ Ｍｎガス或いはＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ガスを用いて実施例７〜１９を行ってその評価を行ったので、その評価結果について説明する。図３はマンガン膜の成膜方法の実施例７〜１９の評価結果を示す図である。
全体的な成膜処理の流れは図２を参照して説明した場合と同じである。ここでは、Ｈ２ ガスを供給する場合（実施例１１〜１３、１７〜１９）と、供給しない場合（実施例７〜１０、１４〜１６）とについても検討した。
【００４２】
ここで（ＥｔＣｐ）２ Ｍｎガスに関しては（実施例７〜１３）、プロセス温度は１００〜４００℃の範囲内、Ｈ２ 流量は１０ｓｃｃｍ（ゼロを除く）の場合（実施１１〜１３）とゼロの場合（実施例７〜１０）、プロセス圧力は０．７１ｋＰａ、プロセス時間は３０ｍｉｎであり、原料は８０℃に加熱している。
またＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ガスに関しては（実施例１４〜１９）、プロセス温度は２５０〜４００℃の範囲内、Ｈ２ の流量は１０〜５０ｓｃｃｍ（ゼロを除く）の場合（実施例１７〜１９）とゼロの場合（実施例１４〜１６）、プロセス圧力は０．７ｋＰａ、プロセス時間は１５〜６０ｍｉｎであり、原料は７０℃に加熱している。
【００４３】
図３に示すように、成膜温度が４００℃未満の実施例７〜９、実施例１１〜１８においてマンガン膜を形成することができた。この場合のマンガン膜厚は図３に示すとおりであった。
このように上記２つの原料を用いた場合には、還元ガス（Ｈ２）を用いないで も、成膜温度が４００℃未満であればマンガン膜を形成することができる、と言うことを確認することができた。特に実施例７によれば、（ＥｔＣｐ）２Ｍｎガ スの場合には１００℃という低温でもマンガン膜を形成することができた。また、実施例１４によれば、ＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ガスの場合には、２５０℃でも マンガン膜を形成することができた。
【００４４】
ここで、実施例１〜６と同様に、部材の望ましい設定温度を考察するが、プリカーサが（ＭｅＣｐ）２Ｍｎのときとは異なり、（ＥｔＣｐ）２ＭｎやＭｅＣｐ  Ｍｎ（ＣＯ）３使用時においては成膜反応に必ずしもＨ２を必要としないため、  Ｍｎがガス化している部分、すなわち、原料ガス配管３４、開閉弁３６も含めての設定温度の考察となる。
【００４５】
（ＥｔＣｐ）２Ｍｎ（プリカーサ）ガスをバブリングにて安定供給するために 必要なＭｎ原料２４の加熱温度は６０〜９０℃であるので、この温度以下ではＭｎ原料ガスが再液化する恐れがある。一方、Ｍｎ膜の最低成膜温度は、上述したように１００℃であることから、この温度以上ではＭｎ原料ガスが成膜反応を起こす恐れがある。これらの温度特性を考慮すれば、（ＥｔＣｐ）２Ｍｎ（プリカ ーサ）ガスが、再液化もせず、成膜反応もしない温度範囲は、６０〜１００℃、より安全には約９０℃であることがわかる。よって、原料ガス配管、開閉弁、ガスノズル付近の設定温度を６０〜１００℃、望ましくは約９０℃とすれば、処理容器側壁や原料ガス配管、開閉弁、ガスノズル付近に望ましくない成膜が生じたり、気相にてパーティクルが発生したりすることを防ぐことができる。尚、これらの設定温度は、後述する成膜装置の第２実施例における処理容器６６や、シャワーヘッド部７２にも適用することが可能である。
【００４６】
ＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３（プリカーサ）ガスをバブリングにて安定供給するた めに必要なＭｎ原料２４の加熱温度は４０〜９０℃であるので、この温度以下ではＭｎ原料ガスが再液化する恐れがある。一方、Ｍｎ膜の最低成膜温度は、上述したように２５０℃であることから、この温度以上ではＭｎ原料ガスが成膜反応を起こす恐れがある。これらの温度特性を考慮すれば、ＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ （プリカーサ）ガスが、再液化もせず、成膜反応もしない温度範囲は、４０〜２５０℃、より安全には９０〜２４０℃であることがわかる。よって、原料ガス配管、開閉弁、ガスノズル付近の設定温度を４０〜２５０℃、望ましくは９０〜２４０℃とすれば、処理容器側壁や原料ガス配管、開閉弁、ガスノズル付近に望ましくない成膜が生じたり、気相にてパーティクルが発生したりすることを防ぐことができる。尚、これらの設定温度は、後述する成膜装置の第２実施例における処理容器６６や、シャワーヘッド部７２にも適用することが可能である。
【００４７】
ここで（ＥｔＣｐ）２ Ｍｎガスを用いた上記実施例９とＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ガスを用いた実施例１６における膜中のＣ（炭素）とＭｎ（マンガン）の濃度についてＳＩＭＳ（二次イオン質量分析）により測定したので、その測定結果について説明する。
図４は実施例９における膜中のＣとＭｎの濃度を示すグラフである。図５は実施例１６における膜中のＣとＭｎの濃度を示すグラフである。上述したように、両実施例９、１６においてＨ２ ガスの供給量は共にゼロであり、プロセス温度は共に３００℃、プロセス圧力は共に略０．７ｋＰａである。
【００４８】
まず、（ＥｔＣｐ）２ Ｍｎガスを用いた図４に示すグラフの場合には、ＳｉＯ２ 膜上に深さ（厚さ）が１００ｎｍ程度までＭｎ濃度が１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 程度を示しており、Ｍｎ膜が形成されていることを確認することができた。またＣ濃度に関しては、上記Ｍｎ膜中に１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 程度含まれていることを確認することができた。
【００４９】
またＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ガスを用いた図５に示すグラフの場合には、ＳｉＯ２ 膜上に深さ（厚さ）が６０ｎｍ程度までＭｎ濃度が１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 程度を示しており、Ｍｎ膜が形成されていることを確認することができた。またＣ濃度に関しては、上記Ｍｎ膜中に検出の下限の近傍である３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 程度しか含まれておらず、図４に示すグラフの場合よりも含有されるＣ濃度が遥かに少ないことを確認することができた。
【００５０】
尚、図４と図５のデータをＳＩＭＳで測定する際、Ｍｎの測定精度を優先させたため、Ｃ濃度については検出感度を下げて測定している。また、Ｍｎ膜中におけるＣ濃度を校正できなかったため、Ｃ濃度の絶対値としては正確とは言えないものの、試料間の相対値として比較することは可能であり、図５に示したＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ガスを用いたＭｎ膜の方が、図４に示した（ＥｔＣｐ）２Ｍｎ  ガスを用いたＭｎ膜に比べて含有されるＣ濃度が１桁程度少ないことから、Ｍｎ膜の密着性向上、電気抵抗の低減などの膜質が向上するものと期待される。
【００５１】
また、図４および図５に示すグラフにおいて、Ｍｎ／ＳｉＯ２界面におけるＭ ｎプロファイルの立ち上がりはいずれも急峻であり、ＭｎプロファイルがＳｉＯ２側にテールを引いていないことから、ＭｎのＳｉＯ２側への染み出しが無いこ  とを確認することができた。
【００５２】
さらに発明者らは、図３に示した成膜条件以外にもＭｎが成膜されるプロセス条件を探った。その結果、（ＥｔＣｐ）２Ｍｎガスの場合には、その好ましい成 膜条件  としては、プロセス温度は９０〜４００℃、Ｈ２流量は１００ｓｃｃｍ 以下、プロセス圧力は０．１３３〜１．３３ｋＰａ、プロセス時間は１５〜６０ｍｉｎ、原料加熱温度は６０〜９０℃であった。またＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ガスの場合には、好ましい成膜条件は、プロセス温度は２５０〜４００℃、Ｈ２流 量は１００ｓｃｃｍ以下、プロセス圧力は０．１３３〜１．３３ｋＰａ、プロセス時間は１５〜６０ｍｉｎ、原料加熱温度は４０〜９０℃であった。
【００５３】
＜成膜装置の第２実施例＞
次に、本発明の成膜装置の第２実施例について説明する。図６は本発明に係る成膜装置の第２実施例の一実施形態を示す構成図である。尚、ここでは図１に示す構成部品と同一構成部品については同一符号を付して、その説明を省略する。
図６に示すように、ここでは例えばアルミニウム合金により筒体状に成形された処理容器６６を有している。そして、この処理容器６６内には、抵抗加熱ヒータ等よりなる加熱手段６７を有する円形の載置台６８が容器底部から起立させて設けられており、この載置台６８上に半導体ウエハＷを載置するようになっている。
【００５４】
そして、この処理容器６６の底部には、排気口５０が設けられており、この排気口５０に、圧力制御弁５６や真空ポンプ５８等を介設した排気路５４を接続することにより、排気系５２を設けている。また、この処理容器６６の側壁には、この容器内に対してウエハＷを搬出入する際に開閉されるゲートバルブ７０が設けられている。
また処理容器６６の天井部には、ガス導入手段として例えばシャワーヘッド部７２が設けられており、このシャワーヘッド７２は分離区画された複数のガス拡散室（図示せず）を有しており、複数のガス種をそれぞれ別々に処理容器６６内へ導入し、いわゆるポストミックスとなるように構成されている。上記ガス拡散室の１つへは、還元ガス配管４２及びこれに介設される開閉弁４６と流量制御器４８よりなる還元ガス供給手段２０が接続されており、Ｈ２ ガスを供給できるようになっている。
【００５５】
他のガス拡散室へは、原料ガス供給手段１８が接続される。具体的には、この原料ガス供給手段１８は、原料ガスを流すための原料ガス配管３４を有し、この基端部は、原料タンク２２に接続されている。この原料タンク２２内には、原料を有機溶媒により溶かすことにより液体状になされた原料溶液７４が収容されている。この場合、図１に示す装置例とは異なって、ここでは室温状態で液体状に保たれるように原料が有機溶媒に溶かされている。尚、必要な場合には、原料加熱ヒータを設けるようにしてもよい。ここでは、例えば原料として（ＭｅＣｐ）２ Ｍｎが用いられ、有機溶媒としてはヘキサンが用いられている。そして、この原料溶液７４中に上記原料ガス配管３４の端部が浸漬されている。
【００５６】
そして、この原料タンク２２は、上記原料溶液７４を加圧気体により圧送するための圧送機構７６が設けられる。この圧送機構７６は、上記原料タンク２２内の上部空間部に先端部が挿入された圧送ガス管７８を有しており、この圧送ガス管７８には圧力レギュレータ８０が設けられ、図示しないガス源より加圧気体を上記原料タンク２２へ供給して原料溶液７４を上記原料ガス配管３４内へ圧送し得るようになっている。この加圧気体としては、例えばＨｅが用いられるが、例えばＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ等の希ガスの他にＮ２ 等の不活性ガスを用いることができる。
【００５７】
そして、上記原料ガス配管３４には、その上流側から下流側に向けて、第１の開閉弁８２、液体流量制御器８４、第２の開閉弁８６、気化器８８及びフィルタ９０が順次介設されており、上記液体流量制御器８４の作用により精度良く流量が制御された液体溶液７４を流すようになっている。そして、上記気化器８８には、開閉弁９２と流量制御器９４とが途中に介設された気化ガス管９６が接続されており、上記気化器８８へ流れてくる原料液体７４を気化して処理容器６６側へ流すようになっている。この気化ガスとしては、例えばＨｅが用いられるが、例えばＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ等の希ガスの他にＮ２ 等の不活性ガスを用いることができる。そして、上記気化器８８よりも下流側の原料ガス配管３４には、テープヒータ９８が巻回して設けられており、これを所定の温度に加熱することにより原料ガスが再液化することを防止するようになっている。
【００５８】
このように構成された成膜装置の第２実施例における成膜過程は、基本的には図１を参照して説明した第１実施例の場合と同じである。ただし、この第２実施例では、固体状の原料を有機溶媒に溶かして原料溶液７４とし、この液体状の原料溶液７４を圧送機構７６によって圧送し、これを液体流量制御器８４で流量制御しつつ気化器８８にて気化させるようにしているので、原料溶液７４の供給量の制御性を向上させることができ、この結果、成膜（膜厚）の再現性を向上させることができる。
【００５９】
また原料タンク２２を加熱する必要がないので、原料タンク２２内において原料溶液７４（原料）が熱分解したり、或いは熱により劣化することも防止することができる。さらには蒸気圧の低い原料を気化し供給することが可能となるので、使用可能なＭｎ原料の選択肢を拡げることができる。
尚、図６に示す成膜装置において、原料ガス供給手段１８として、図１に示したバブリング機構２７を用いた原料ガス供給手段を用いてもよいし、逆に、図１に示す成膜装置において原料ガス供給手段１８として、図６に示した圧送機構７６を用いた原料ガス供給手段を用いてもよい。
【００６０】
上記実施例では有機溶媒として、ヘキサンを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されないのが勿論である。具体的には、有機溶媒としては、例えば炭化水素系溶媒やＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶媒を用いることができ、また上記炭化水素系溶媒としては、ペンタン、シクロペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘプタン、オクタン、トルエンよりなる群より選択される１以上の材料を用いることができる。特に、（ＭｅＣｐ）２ ＭｎはＴＨＦ溶液、ヘキサン、トルエン等に対して、最大０．３ｍｏｌ／リットル程度は十分に溶かすことができる。実際に、これらの組み合わせにおいて０．１〜０．３ｍｏｌ／リットル濃度のサンプルを作って溶解実験を行なったところ、いずれのサンプルにおいても溶液化に関しては固体等の析出もなく可溶であり、また、１ヶ月放置した場合でも固体等の析出が認められないことを確認することができた。
【００６１】
また、上記第２実施例でも、室温で液体の原料を用いる場合には有機溶媒で溶かさなくてもよいし、また、（ＥｔＣｐ）２ ＭｎガスやＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ガス等を用いる場合には、第１実施例において説明したように、還元ガス供給手段２０を設けなくてもよい。
【００６２】
尚、以上説明した各実施例における原料としては前述したものに限定されず、原料としては、マンガンを含有する有機金属材料を用いることができ、この有機金属材料としては、Ｃｐ２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ５ Ｈ５ ）２ ］、（ＭｅＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（ＣＨ３ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、（ＥｔＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ２ Ｈ５ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、（ｉ−ＰｒＣｐ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ３ Ｈ７ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、ＭｅＣｐＭｎ（ＣＯ）３ ［＝（ＣＨ３Ｃ５Ｈ４）Ｍｎ（ＣＯ）３ ］、（ｔ−ＢｕＣｐ   ）２ Ｍｎ［＝Ｍｎ（Ｃ４ Ｈ９ Ｃ５ Ｈ４ ）２ ］、ＣＨ３ Ｍｎ（ＣＯ）５ 、Ｍｎ（ＤＰＭ）２［＝Ｍｎ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２ ）２ ］、Ｍｎ（ＤＰＭ）３ ［＝Ｍｎ（Ｃ１１Ｈ１９ Ｏ２ ）３ ］、（ＥｔＣｐ）Ｍｎ（ＤＭＰＤ）［＝Ｍｎ（Ｃ７ Ｈ１１Ｃ２ Ｈ５ Ｃ５ Ｈ４ ）］、Ｍｎ（ａｃａｃ）２ ［＝Ｍｎ（Ｃ５ Ｈ７ Ｏ２ ）２ ］、Ｍｎ（ａｃａｃ）３［＝Ｍｎ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）３］よりなる群から選択される１以上の材料を用いることができる。
【００６３】
更には、原料としてマンガンを含有する有機金属材料（環状炭化水素系プリカーサ）に限定されず、マンガンを含有する金属錯体材料を用いてもよい。
また更には、ここでは成膜装置として熱ＣＶＤ方法を行う装置について説明したが、これに限定されず、高周波やマイクロ波を用いてプラズマを形成するプラズマ形成手段を処理容器に設け、プラズマＣＶＤ法によりマンガン膜を成膜するようにしてもよい。
【００６４】
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
更には、本発明の成膜装置、成膜方法は、半導体デバイスの分野にとどまらず、例えば磁性材料、磁性多層膜、磁気記録材料、電気・コンデンサなどの電極、光学薄膜などの分野にも応用可能であるし、強誘電体や発光素子へのドーピング手法としても応用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る成膜装置第１実施例の一実施形態を示す構成図である。
【図２】マンガン膜の成膜方法の実施例１〜６の評価結果を示す図である。
【図３】マンガン膜の成膜方法の実施例７〜１９の評価結果を示す図である。
【図４】実施例９における膜中のＣとＭｎの濃度を示すグラフである。
【図５】実施例１６における膜中のＣとＭｎの濃度を示すグラフである。
【図６】本発明に係る成膜装置の第２実施例の一実施形態を示す構成図である。
【図７】半導体ウエハの凹部の従来の埋め込み工程を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１２  成膜装置
１４  処理容器
１６  載置台
１８  原料ガス供給手段
２０  還元ガス供給手段
２２  原料タンク
２４  原料
２７  バブリング機構
３２  原料ガスノズル
３４  原料ガス配管
４０  還元ガスノズル
４２  還元ガス配管
５２  排気系
６０  加熱手段
６６  処理容器
６７  加熱手段
６８  載置台
７２  シャワーヘッド部
７４  原料溶液
７６  圧送機構
８４  液体流量制御器
８８  気化器
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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