(57)【要約】【課題】電気光学装置において、コンタクトオープンの発生を低減する。【解決手段】電気光学装置の製造方法は、中継配線Ｈａ６、蓄積容量７０、補助中継配線Ｈｂ６及び画素電極９ａをそれぞれ形成する工程を備える。蓄積容量７０を形成する工程は、下側電極３０１の上層側にスペーサ絶縁膜４９を積層する工程と、スペーサ絶縁膜４９にエッチングを施し、下側電極３０１が露出するように開口部５１０を形成すると共に中継配線Ｈａ６と補助中継配線Ｈｂ６とを接続するためのコンタクトホール８２０を形成すべき領域におけるスペーサ絶縁膜４９を除去する工程と、上側電極３０２を開口部５１０の縁におけるスペーサ絶縁膜４９上に乗り上げるように形成する工程とを含み、補助中継配線Ｈｂ６を形成する工程は、コンタクトホール８２０を、層間絶縁膜４２及び４１を貫通して開孔する工程を含む。【選択図】図１０
2007334031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、表示領域に配列された複数の画素電極と、該複数の画素電極と夫々電気的に接続された蓄積容量と、前記表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記蓄積容量よりも下層側に設けられた第１配線と、前記蓄積容量よりも上層側に設けられると共に前記第１配線と電気的に接続された第２配線とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記周辺領域に、前記第１配線を形成する工程と、
前記第１配線の上層側に第１絶縁膜を積層する工程と、
前記蓄積容量を、前記第１絶縁膜の上層側に下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなるように、形成する工程と、
前記蓄積容量の上層側に第２絶縁膜を積層する工程と、
前記周辺領域における前記第２絶縁膜の上層側に、前記第１配線と電気的に接続されるように、前記第２配線を形成する工程と、
前記表示領域に、前記蓄積容量と電気的に接続されるように、前記複数の画素電極を形成する工程と
を備え、
前記蓄積容量を形成する工程は、前記下側電極の上層側に第３絶縁膜を積層する工程と、前記第３絶縁膜に対しエッチングを施すことにより、前記下側電極が露出するように開口する開口部を形成すると共に前記第１及び第２配線を電気的に接続するためのコンタクトホールを形成すべき領域における前記第３絶縁膜を除去する工程と、前記上側電極を前記開口部の縁における前記第３絶縁膜上に少なくとも一部が乗り上げるように形成する工程とを含み、
前記第２配線を形成する工程は、前記コンタクトホールを、前記第１及び第２絶縁膜を貫通して開孔する工程を含む
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記蓄積容量を形成する工程は、前記下側電極を、ポリシリコン膜から形成すると共に、前記上側電極を、金属膜から形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に、
表示領域に配列された複数の画素電極と、
該複数の画素電極と夫々電気的に接続されると共に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
前記表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記蓄積容量よりも第１絶縁膜を介して下層側に設けられた第１配線と、
前記周辺領域に、前記蓄積容量よりも第２絶縁膜を介して上層側に設けられると共に前記第１配線と、前記第１及び第２絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続された第２配線と、
前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成された第３絶縁膜と
を備え、
前記上側電極は、前記第３絶縁膜上に少なくとも一部が乗り上げるように延在しており、
前記第３絶縁膜は、少なくとも前記コンタクトホールが開孔される領域では除去されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記基板上に、
前記表示領域において互いに交差する複数の走査線及びデータ線と、
前記複数のデータ線をＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）本の前記データ線を１群とするデータ線群毎に駆動するためにＮ系統のシリアル−パラレル変換された画像信号が供給される、前記第２配線として形成されたＮ本の画像信号線と、
前記複数のデータ線の配列に対応して複数配列されており、前記Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本における前記データ線の配列方向に沿って延在する一部に一端側が電気的に夫々接続されると共に、前記一端側より他端側に向かって前記データ線の配列方向に交差する方向に夫々延びる、前記第１配線として形成された複数の中継配線と
を備えたことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の電気光学装置を具備してなる電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置、並びに、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、例えば、複数系列のシリアル−パラレル変換された画像信号に基づいて駆動される。尚、シリアル−パラレル変換は、シリアル−パラレル展開或いは相展開とも呼ばれる。例えば、液晶装置において、素子基板上の、複数の画素がアレイ状に平面配列された表示領域に配線された複数のデータ線は所定の本数毎にブロック化されており、シリアル−パラレル変換された画像信号が、ブロック単位で、該ブロックに含まれるデータ線にサンプリングスイッチを介して供給される。これにより、所定の本数のデータ線が同時に、且つ複数のデータ線は所定の本数毎に順次駆動される。
【０００３】
シリアル−パラレル変換された画像信号は、素子基板上の表示領域の周辺に位置する周辺領域に配線された複数の画像信号線に供給される。そして、各画像信号線は、中継配線を介して、サンプリングスイッチの入力配線に電気的に接続される。
【０００４】
ここで、特許文献１に開示されているように、画像信号線及びサンプリングスイッチの入力配線は例えばアルミニウム等の金属膜から形成されると共に、中継配線は、画像信号線と交差するために、画像信号線及びサンプリングスイッチの入力配線とは層間絶縁膜を介して別層に配置された例えばポリシリコン膜等から形成される。このため、画像信号線と中継配線との間（及び中継配線とサンプリングスイッチの入力配線との間）は、層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続される。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１１２４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、画像信号線と中継配線との間の層間絶縁膜の膜厚が大きいほど、画像信号線及び中継配線間の層間距離が長くてコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となり、両者を、コンタクトホールを介して電気的に接続することができない（即ち、コンタクトオープンが発生してしまう）おそれがあるという技術的問題点がある。このようなコンタクトオープンが発生すれば、画像信号をデータ線に供給することができず、表示欠陥が生じてしまうという技術的問題点がある。
【０００７】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、コンタクトオープンの発生を低減することが可能な電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、表示領域に配列された複数の画素電極と、該複数の画素電極と夫々電気的に接続された蓄積容量と、前記表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記蓄積容量よりも下層側に設けられた第１配線と、前記蓄積容量よりも上層側に設けられると共に前記第１配線と電気的に接続された第２配線とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記周辺領域に、前記第１配線を形成する工程と、前記第１配線の上層側に第１絶縁膜を積層する工程と、前記蓄積容量を、前記第１絶縁膜の上層側に下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなるように、形成する工程と、前記蓄積容量の上層側に第２絶縁膜を積層する工程と、前記周辺領域における前記第２絶縁膜の上層側に、前記第１配線と電気的に接続されるように、前記第２配線を形成する工程と、前記表示領域に、前記蓄積容量と電気的に接続されるように、前記複数の画素電極を形成する工程とを備え、前記蓄積容量を形成する工程は、前記下側電極の上層側に第３絶縁膜を積層する工程と、前記第３絶縁膜に対しエッチングを施すことにより、前記下側電極が露出するように開口する開口部を形成すると共に前記第１及び第２配線を電気的に接続するためのコンタクトホールを形成すべき領域における前記第３絶縁膜を除去する工程と、前記上側電極を前記開口部の縁における前記第３絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように形成する工程とを含み、前記第２配線を形成する工程は、前記コンタクトホールを、前記第１及び第２絶縁膜を貫通して開孔する工程を含む。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、画素電極における電位保持特性を向上させるために、画素電極と電気的に接続された蓄積容量が形成される。蓄積容量は、表示領域を構成する画素毎に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなるように形成される。
【００１０】
本発明では、蓄積容量を形成する工程によって、先ず、蓄積容量を形成すべき領域に、下側電極が例えばポリシリコン膜等から形成される。続いて、下側電極の上層側に絶縁体からなる第３絶縁膜が、典型的には基板の全面に、積層される。次に、第３絶縁膜における蓄積容量を形成すべき領域にエッチングが施されることにより、下側電極が露出するように開口する開口部が形成される。次に、誘電体膜が、典型的には基板の全面に、積層された後に、開口部毎に、上側電極が誘電体膜上に例えばアルミニウム膜等の金属膜等から形成されることにより蓄積容量が形成される。この際、上側電極は、開口部の縁における第３絶縁膜上に少なくとも一部が乗り上げるように形成される。このため、第３絶縁膜の存在によって、第３絶縁膜が存在していない場合と比較して、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大されている。よって、下側電極の端面及び上側電極の端面間の意図しない電流リーク（以下「端面リーク」と呼ぶ）の発生を阻止する或いは未然防止することができる。ここで、上側電極が「少なくとも一部が乗り上げる」とは、多少なりとも乗り上げたところに、その端面が存在していることを意味する。「層間距離」とは、積層構造における基板に交わる方向或いは垂直方向である積層方向に沿った距離を意味する。尚、上側電極及び下側電極の一方が、画素電位側容量電極となり、上側電極及び下側電極の他方が、固定電位側容量電極となるが、ここでの一方及び他方については、上側電極及び下側電極のいずれでもよい。
【００１１】
一方、表示領域の周辺に位置する周辺領域には、蓄積容量よりも第１絶縁膜を介して下層側に、第１配線が例えばポリシリコン膜等から形成される。更に、蓄積容量よりも第２絶縁膜を介して上層側に、第２配線が、第１配線と電気的に接続されるように、例えばアルミニウム膜等から形成される。
【００１２】
本発明では特に、第３絶縁膜における蓄積容量を形成すべき領域にエッチングが施される際に、第１及び第２配線を電気的に接続するためのコンタクトホールを形成すべき領域における第３絶縁膜が除去される。よって、コンタクトホールを形成すべき領域において、第３絶縁膜が存在する場合と比較して、第１配線と第２配線との層間距離を短くする（言い換えれば、積層構造において第１及び第２配線間に形成される複数の絶縁膜を全体として薄膜化する）ことができる。このため、コンタクトホールの深さを浅くすることができる。従って、第１及び第２配線間の層間距離が長くてコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となり、第１及び第２配線を、コンタクトホールを介して電気的に接続することができなくなってしまう（即ち、コンタクトオープンが発生してしまう）事態を回避することができる。これにより、第１及び第２配線を電気的に接続できないことによる表示欠陥等の不具合を低減或いは防止できる。更に、コンタクトホールの深さを浅くすることができるため、コンタクトホールの形成が容易となり、コンタクトホールの大きさを小さくする（即ち、コンタクトサイズを微細化する）ことが可能となる。よって、第１及び第２配線を微細化することができ、装置の小型化が可能となる。加えて、コンタクトホールを形成すべき領域における第３絶縁膜の除去は、第３絶縁膜における蓄積容量を形成すべき領域にエッチングが施される際に行われるので、工程数を増加する必要がなく、実践上大変有利である。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様では、前記蓄積容量を形成する工程は、前記下側電極を、ポリシリコン膜から形成すると共に、前記上側電極を、金属膜から形成する。
【００１４】
この態様によれば、蓄積容量は、ポリシリコン膜からなる下側電極、誘電体膜及び金属膜からなる上側電極が下層側から順に積層されてなるように形成される。即ち、蓄積容量は、半導体膜、絶縁体膜及び金属膜が順に積層されたＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造を有する。よって、下側電極における上層側表面を酸化する酸化処理を施すことによって高温酸化膜即ちＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜を形成することにより、或いは、下側電極上に誘電体膜を積層した後に誘電体膜を焼成する焼成処理を施すことによって誘電体膜の緻密さを向上させることにより、蓄積容量の耐圧を高め、リーク電流の発生を抑制或いは防止できる。即ち、下側電極はポリシリコン膜からなるので、酸化処理或いは焼成処理の際に施され得る比較的高温の熱処理によって、仮に下側電極が例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属膜からなる場合と比較して、下側電極が溶融してしまうことを抑制或いは防止できる。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、表示領域に配列された複数の画素電極と、該複数の画素電極と夫々電気的に接続されると共に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、前記表示領域の周辺に位置する周辺領域に、前記蓄積容量よりも第１絶縁膜を介して下層側に設けられた第１配線と、前記周辺領域に、前記蓄積容量よりも第２絶縁膜を介して上層側に設けられると共に前記第１配線と、前記第１及び第２絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続された第２配線と、前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成された第３絶縁膜とを備え、前記上側電極は、前記第３絶縁膜上に少なくとも一部が乗り上げるように延在しており、前記第３絶縁膜は、少なくとも前記コンタクトホールが開孔される領域では除去されている。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置は、上述した本発明に係る電気光学装置の製造方法により製造される。即ち、本発明に係る電気光学装置によれば、第３絶縁膜の存在によって、第３絶縁膜が存在していない場合と比較して、下側電極の端面及び上側電極の端面間の端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。更に、本発明では特に、第３絶縁膜は、少なくとも第１配線と第２配線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが開孔される領域では除去されている。よって、コンタクトホールが形成される領域において、第３絶縁膜が存在する場合と比較して、第１配線と第２配線との層間距離が短くなっている、言い換えれば、積層構造において第１及び第２配線間に形成される複数の絶縁膜が全体として薄膜化されている。このため、コンタクトホールの深さが短くなっている。従って、第１及び第２配線間の層間距離が長くてコンタクトホールで第１及び第２配線間を接続するのが困難となり、第１及び第２配線を、コンタクトホールを介して電気的に接続することができなくなってしまう事態を回避することができる。これにより、第１及び第２配線を電気的に接続できないことによる表示欠陥等の不具合を低減或いは防止できる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の一態様では、前記基板上に、前記表示領域において互いに交差する複数の走査線及びデータ線と、前記複数のデータ線をＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）本の前記データ線を１群とするデータ線群毎に駆動するためにＮ系統のシリアル−パラレル変換された画像信号が供給される、前記第２配線として形成されたＮ本の画像信号線と、前記複数のデータ線の配列に対応して複数配列されており、前記Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本における前記データ線の配列方向に沿って延在する一部に一端側が電気的に夫々接続されると共に、前記一端側より他端側に向かって前記データ線の配列方向に交差する方向に夫々延びる、前記第１配線として形成された複数の中継配線とを備える。
【００１８】
この態様によれば、その動作時には、シリアル−パラレル変換されたＮ系統の画像信号が、基板上の周辺領域に配線されたＮ本の画像信号線に供給され、更に、データ線に対応して配列された中継配線を介して例えばサンプリング回路へと供給される。例えば、Ｎ系統の画像信号は、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、３相、６相、１２相、２４相、…など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成される。このような「シリアル−パラレル変換」は、「シリアル−パラレル展開」或いは「相展開」とも呼ばれる。尚、シリアル−パラレル変換は、典型的には、電気光学装置の外部に設けられ、シリアルな画像信号の入力を受ける画像信号処理回路によって行われる。Ｎ本の画像信号線は、第２配線として形成される。即ち、Ｎ本の画像信号線は、蓄積容量よりも第２絶縁膜を介して上層側に配置された例えばアルミニウム膜等の金属膜等から形成される。一方、複数の中継配線は、第１配線として形成される。即ち、複数の中継配線は、蓄積容量よりも第１絶縁膜を介して下層側に配置された例えばポリシリコン膜等から形成される。Ｎ本の画像信号線は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して、それぞれ対応する中継配線と電気的に接続される。ここで、第３絶縁膜は、画像信号線と中継配線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが開孔される領域では除去されている。よって、画像信号線と中継配線とを、コンタクトホールを介して電気的に接続することができなくなってしまう事態を回避することができる。従って、画像信号線に供給された画像信号を、中継配線を介して例えばサンプリング回路へと確実に供給できる。この結果、高品位な画像表示が可能となる。
【００１９】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００２０】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００２１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図８を参照して説明する。
【００２３】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２４】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「表示領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２５】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って（即ち、Ｘ方向に沿って）設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００２６】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００２７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してほぼ全面的に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２８】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００２９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【００３０】
図３に示すように、液晶装置１００には、そのＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７が設けられている。
【００３１】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが、外部回路から外部回路接続端子１０２（図２参照）を介して供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｙ１、…、Ｙｍを順次生成して出力する。
【００３２】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが、外部回路から外部回路接続端子１０２を介して供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎを順次生成して出力する。
【００３３】
サンプリング回路２００は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７１を複数備えている。
【００３４】
液晶装置１００は更に、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線６ａ及び走査線１１ａを備え、それらの交点に対応する各画素部７００に、マトリクス状に配列された液晶素子１１８の画素電極９ａ、及び画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０を備える。尚、本実施形態では、走査線１１ａの総本数をｍ本（但し、ｍは２以上の自然数）とし、データ線６ａの総本数をｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）として説明する。
【００３５】
６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、６本の画像信号線１７１を介して液晶装置１００に供給される。そして、ｎ本のデータ線６ａは、以下に説明するように、画像信号線１７１の本数に対応する６本のデータ線６ａを１群とするデータ線群毎に、順次駆動される。尚、本実施形態では、シリアルーパラレル展開数を６としている、即ち６本の画像信号線１７１が横並びに配列されている。但し、例えばシリアルーパラレル展開数を３、９、１２、２４、４８、９６…などとしてもよい、即ち３、９、１２、２４、４８、９６本…などの画像信号線が横並びに配列されるようにしてもよい。
【００３６】
データ線駆動回路１０１から、データ線群に対応するサンプリングスイッチ７１毎にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、…、ｎ）が順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングスイッチ７１はオン状態となる。後述するように、各サンプリングスイッチ７１は、分岐配線を介して画像信号線１７１に接続されている。尚、この分岐配線の詳細な構成は後述する。
【００３７】
よって、６本の画像信号線１７１から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、オン状態となったサンプリングスイッチ７１を介して、一つのデータ線群に属するデータ線６ａに同時に、且つデータ線群毎に順次供給される。よって、一つのデータ線群に属するデータ線６ａは互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、ｎ本のデータ線６ａをデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。
【００３８】
図３中、一つの画素部７００の構成に着目すれば、ＴＦＴ３０のソース電極には、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、３、…、６）が供給されるデータ線６ａが電気的に接続されている一方、ＴＦＴ３０のゲート電極には、走査信号Ｙｊ（但し、ｊ＝１、２、３、…、ｍ）が供給される走査線１１ａが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン電極には、液晶素子１１８の画素電極９ａが接続されている。ここで、各画素部７００において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。従って、各画素部７００は、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
【００３９】
走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｙ１、…、Ｙｍによって、各走査線１１ａは線順次に選択される。選択された走査線１１ａに対応する画素部７００において、ＴＦＴ３０に走査信号Ｙｊが供給されると、ＴＦＴ３０はオン状態となり、当該画素部７００は選択状態となる。液晶素子１１８の画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１００からは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４０】
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量７０が、液晶素子１１８と並列に付加されている。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。蓄積容量７０の固定電位側電極は、固定電位とされた容量配線４００と電気的に接続されている。
【００４１】
次に、データ線の駆動に係る主要な構成について、図４を参照して説明する。ここに図４は、データ線の駆動に係る回路構成を示す回路図である。尚、以下では、データ線６ａの駆動に係る主要な構成について、ｎ本のデータ線６ａが、その配列方向に沿って片方向に或いは双方向のうちの一方の方向にデータ線群毎に順次駆動される際、データ線駆動回路１０１から第（ｉ−１）番目、第ｉ番目及び第（ｉ＋１）番目に出力される３つのサンプリング信号Ｓｉ−１、Ｓｉ、Ｓｉ＋１に基づいて駆動される３つのデータ線群のうち、特に第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉに基づいて駆動される第ｉデータ線群の構成に着目して説明する。尚、以下に説明する第ｉデータ線群に係る構成は、第（ｉ−１）データ線群及び第（ｉ＋１）データ線群についても同様である。
【００４２】
図４において、第ｉデータ線群に属する６本のデータ線６ａ（即ち、データ線６ａ−１〜６ａ−６）の配列に対応して、６本の分岐配線Ｅｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）が配列されている。また、６本の画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）は、データ線６ａの配列方向に交差する方向に沿って配列されている。そして、６本の分岐配線Ｅｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）の一端は、６本の画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）のうち対応する一本に、夫々電気的に接続されると共に、これら６本の分岐配線Ｅｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）の他端は夫々サンプリングスイッチ７１を介してデータ線６ａに電気的に接続される。各サンプリングスイッチを構成するＴＦＴ７１は、ソースが分岐配線Ｅｋに接続されると共に、ドレインがデータ線６ａに電気的に接続される。また、各ＴＦＴ７１のゲートは、制御配線Ｘｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）を介してデータ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。尚、第ｉデータ線群に対応する制御配線Ｘｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）には第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉがデータ線駆動回路１０１から供給される。
【００４３】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の具体的構成について、図５を参照して説明する。ここに図５は、本実施形態に係る液晶装置の画素部におけるＴＦＴアレイ基板側の構成を示す断面図である。尚、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図６、及び図８から図１０の各図について同様であり、係る縮尺については各図毎でも互いに異なることもある。
【００４４】
図５に示すように、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等からなるＴＦＴアレイ基板１０上には、画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。ＴＦＴアレイ基板１０に対向して、例えばガラス基板、石英基板等からなる対向基板２０が配置される（図２参照）。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、シール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。これにより、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に液晶を挟持してなる液晶素子１１８が画素毎に形成される。
【００４５】
以下では、ＴＦＴアレイ基板１０側の積層構造について、下層側から順に説明する。
【００４６】
先ず、ＴＦＴアレイ基板１０上において、第１層には、走査線１１ａが設けられ、走査線１１ａより上層側に下地絶縁膜１２が設けられている。
【００４７】
下地絶縁膜１２より上層側の第２層には、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、ゲート電極３ａ、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ′、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２ａ及び２ｂ、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００４８】
ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０より上層側に層間絶縁膜４１が形成されている。層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する層間絶縁膜４２及び本発明に係る「第３絶縁膜」の一例としてのスペーサ絶縁膜４９を貫通しつつ開孔されている。更に、層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下側電極３０１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【００４９】
層間絶縁膜４１より上層側の第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下側電極３０１と、固定電位側容量電極としての上側電極３０２とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００５０】
下側電極３０１は、導電性のポリシリコン膜からなり、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００５１】
上側電極３０２は、アルミニウム膜からなると共に固定電位とされた容量配線４００（図３参照）の一部として形成されており、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。
【００５２】
尚、上側電極３０２は、例えば、下層側から窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を順に積層して、アルミニウム膜を含む多層膜として形成してもよい。或いは、上側電極３０２は、アルミニウム以外の金属の単層膜又は多層膜であってもよい。
【００５３】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜３００ｎｍ程度の比較的薄い窒化シリコン（ＳｉＮ）膜から構成されている。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００５４】
尚、誘電体膜７５は、ＳｉＮの他、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の高誘電率材料の単層膜又は多層膜であってもよい。或いは、これら高誘電率材料よりも誘電率の低い低誘電率材料と共に多層膜としてもよい。
【００５５】
ここで、本実施形態に係る蓄積容量について、図６を参照して、詳細に説明する。ここに、図６は、本実施形態に係る蓄積容量を拡大して示す拡大断面図である。尚、図６では、図５の円Ｃ１及びＣ２部分を説明するため、コンタクトホール８３を省略している。
図６において、本実施形態では特に、上側電極３０２は、スペーサ絶縁膜４９上に少なくとも乗り上げるように延在しており、スペーサ絶縁膜４９の存在によって、スペーサ絶縁膜４９が存在していない場合と比較して、下側電極３０１の端面と上側電極３０２の端面との層間距離Ｄ１が増大されている。このため、下側電極３０１の端面及び上側電極３０２の端面間の意図しない電流リーク、即ち端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。尚、上側電極３０２は、図６に示すように、スペーサ絶縁膜４９に多少なりとも乗り上げたところに、その端面が存在していればよい。
【００５６】
図６に示す如きスペーサ絶縁膜４９が存在することで、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て上側電極３０２及び下側電極３０１が誘電体膜７５を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、上側電極３０２をエッチング等で切断する際に、下側電極３０１をオーバーエッチングによって切断してしまうことを、防止することができる。従って、上側電極３０２の端面と下側電極３０１の端面が層間絶縁膜等を介して近接配置されることによる端面リークの発生を防止することができる。特に、上側電極３０２が、誘電体膜７５と比べて選択比が取れない金属材料を含んで形成される場合にも、端面リークの発生を極めて効果的に阻止する或いは未然防止することが可能となる。
【００５７】
更に、上述のように端面リークの発生を防止することができるので、蓄積容量７０の誘電体膜７５を薄くすることが容易にできる。従って、各画素の非開口領域等の基板上の限られた領域内に容量値の大きな蓄積容量７０を形成することができる。
【００５８】
加えて、上述したように、本実施形態では特に、下側電極３０１は、導電性のポリシリコン膜からなり、上側電極３０２はアルミニウム膜からなる。即ち、蓄積容量７０は、半導体膜、絶縁体膜及び金属膜が順に積層されたＭＩＳ構造を有している。下側電極３０１の上層側には、図示しないＨＴＯ膜が形成されている。ＨＴＯ膜は、ポリシリコン膜からなる下側電極３０１の上層側表面を酸化する酸化処理によって形成された高温酸化シリコン膜或いは、ＬＰ（Low Pressure）−ＣＶＤ法により形成された膜からなる。このように下側電極３０１と誘電体膜７５との間に形成されたＨＴＯ膜によって、蓄積容量７０の耐圧が高められている。ここで、下側電極３０１は、ポリシリコン膜からなるので、仮に下側電極３０１が例えばアルミニウム膜等の金属膜からなる場合と比較して、比較的高温での熱処理を伴う酸化処理によって下側電極３０１が溶融してしまうことは殆どない。
【００５９】
更に、誘電体膜７５は、焼成処理が施されることによって緻密さが高められている、即ち、蓄積容量７０の耐圧が高められている。よって、蓄積容量７０におけるリーク電流の発生を抑制或いは防止できる。ここで、下側電極３０１は、ポリシリコン膜からなるので、仮に下側電極７１が例えばアルミニウム膜等の金属膜からなる場合と比較して、比較的高温での熱処理を伴う焼成処理によって下側電極３０１が溶融してしまうことは殆どない。尚、誘電体膜７５は、ＳｉＮの他、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の高誘電率材料の単層膜又は多層膜であってもよい。或いは、これら高誘電率材料よりも誘電率の低い低誘電率材料と共に多層膜としてもよい。
【００６０】
再び図５において、蓄積容量７０より上層側には、層間絶縁膜４２が形成される。層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、上述したコンタクトホール８１が開孔されていると共に、後述する中継層６１と蓄積容量７０の下側電極３０１とを電気的に接続するコンタクトホール８５が、スペーサ絶縁膜４９を貫通しつつ開孔されている。
【００６１】
層間絶縁膜４２より上層側の第４層に、データ線６ａ及び中継層６１が設けられている。データ線６ａは、アルミニウム膜からなる。尚、データ線６ａは、例えば、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、及び窒化シリコン膜からなる層の三層構造を有するようにしてもよい。更に、中継層６１が、データ線６ａと同一膜から形成されている。尚、ここで「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。中継層６１は、後述するコンタクトホール８７及び８５を介して、下側電極７１及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。
【００６２】
データ線６ａより上層側には、層間絶縁膜４３が形成されている。この層間絶縁膜４３には、後述する画素電極９ａと中継層６１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８７が開孔されている。
【００６３】
層間絶縁膜４３より上層側の第５層には、画素電極９ａが形成され、該画素電極９ａ上に配向膜が形成されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、コンタクトホール８７、中継層６１、コンタクトホール８５、下側電極３０１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【００６４】
以上説明したような画素部における構成は、各画素部において共通であり、図１から図３を参照して説明した画像表示領域１０ａには、かかる画素部における構成が周期的に形成されている。
【００６５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像信号線及び分岐配線の具体的な構成について、図７及び図８を参照して説明する。ここに図７は、画像信号線及び分岐配線のＴＦＴアレイ基板上におけるレイアウトを示す図であり、図８は、図７のＡ−Ａ´線断面図である。
【００６６】
図７において、６本の画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）は、データ線６ａ（図５参照）と同一膜（即ち、アルミニウム膜）から形成されている。また、各分岐配線Ｅｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）は、対応する画像信号線１７１−ｋに電気的に接続される一端側よりデータ線６ａの延びる方向（即ち、Ｙ方向）に、配線されている。そして、各分岐配線Ｅｋの一部はサンプリングスイッチ７１のソース電極を形成し、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａの各々の一部はサンプリングスイッチ７１のドレイン電極を形成している。
【００６７】
尚、ここでは図示しないが、図３を参照して上述した制御配線Ｘｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）は、画像信号線１７１−ｋと交差する方向であってデータ線６ａの延びる方向（即ち、Ｙ方向）に配線され、例えばポリシリコン膜によって形成されている。また、各制御配線Ｘｋの一部はサンプリングスイッチ２０２のゲート電極を形成している。
【００６８】
図７において、分岐配線Ｅｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）は、一端が対応する画像信号線１７１−ｋに電気的に接続される中継配線Ｈａｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）、及び中継配線Ｈａｋの他端に、一端が電気的に接続され、その一部がサンプリングスイッチ７１のソース電極を形成する補助中継配線Ｈｂｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）を含んで構成されている。
【００６９】
中継配線Ｈａｋは、ゲート電極３ａと同一膜（即ち、ポリシリコン膜）から形成されている。また、補助中継配線Ｈｂｋは、データ線６ａと同一膜（即ち、アルミニウム膜）から形成されている。
【００７０】
図７及び図８において、補助中継配線Ｈｂ６と中継配線Ｈａ６とは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８２０を介して電気的に接続されている。尚、第ｉデータ線群に電気的に接続される他の補助中継配線Ｈｂｋ（但し、ｋ＝１、２、…、５）と中継配線Ｈａｋ（但し、ｋ＝１、２、…、５）とは、補助中継配線Ｈｂ６及び中継配線Ｈａ６間と同様に、コンタクトホール８２０を介して電気的に接続されている。
【００７１】
図７において、画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）と中継配線Ｈａｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）とは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８１０を介して電気的に接続されている。
【００７２】
図８に示すように、本実施形態では特に、スペーサ絶縁膜４９は、補助中継配線Ｈｂ６と中継配線Ｈａ６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８２０が開孔される領域では除去されている。よって、コンタクトホール８２０が形成される領域において、スペーサ絶縁膜４９が存在する場合と比較して、補助中継配線Ｈｂｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）と中継配線Ｈａｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）との層間距離が短くなっている、言い換えれば、積層構造において補助中継配線Ｈｂｋ及び中継配線Ｈａｋ間に形成される絶縁膜が全体として薄膜化されている。このため、コンタクトホール８２０の深さが短くなっている。従って、補助中継配線Ｈｂｋ及び中継配線Ｈａｋ間の層間距離が長くてコンタクトホール８２０で補助中継配線Ｈｂｋ及び中継配線Ｈａｋ間を接続するのが困難となってしまうことを回避することができる。これにより、補助中継配線Ｈｂｋと中継配線Ｈａｋとを、コンタクトホール８２０を介して電気的に接続することができなくなってしまうこと、即ち、コンタクトホール８２０におけるコンタクトオープンが発生することを低減或いは防止できる。
【００７３】
加えて、スペーサ絶縁膜４９は、画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）と中継配線Ｈａｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１０が開孔される領域でも、同様に除去されている。よって、コンタクトホール８１０が形成される領域において、スペーサ絶縁膜４９が存在する場合と比較して、画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）と中継配線Ｈａｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）との層間距離が短くなっており、コンタクトホール８１０の深さが短くなっている。従って、コンタクトホール８１０におけるコンタクトオープンが発生することを低減或いは防止できる。
【００７４】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、コンタクトホール８２０及び８１０を形成すべき領域におけるスペーサ絶縁膜４９がそれぞれ除去されているので、補助中継配線Ｈｂｋ及び中継配線Ｈａｋ間、並びに画像信号線１７１−ｋ及び中継配線Ｈａｋ間におけるコンタクトオープンの発生を低減或いは防止できる。これにより、補助中継配線Ｈｂｋ及び中継配線Ｈａｋ間、或いは画像信号線１７１−ｋ及び中継配線Ｈａｋ間を電気的に接続できないことによる表示欠陥等の不具合を低減或いは防止できる。
【００７５】
次に、上述した本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図９及び図１０を参照して説明する。ここに図９及び図１０は、本実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図である。尚、図９及び図１０では、図５に示した画素部の断面図と図８に示した分岐配線の断面図の各々に対応して示してある。ここでは、分岐配線Ｅ６（即ち、中継配線Ｈａ６及び補助中継配線Ｈｂ６）について主に説明するが、その他の分岐配線Ｅｋ（但し、ｋ＝１、２、…、５）についても概ね同様に製造することができる。
【００７６】
先ず、図９の工程（１）において、例えば石英基板、ガラス基板からなるＴＦＴアレイ基板１０を用意する。次に、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに走査線１１ａを形成する。その後、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に下地絶縁膜１２を積層する。尚、本実施形態では、膜厚が約４００ｎｍとなるように、下地絶縁膜１２を積層する。続いて、画像表示領域１０ａに、ＴＦＴ３０を形成する。ＴＦＴ３０は、走査線１１ａと後に形成されるデータ線６ａとの交差に対応する領域に形成される。尚、各工程には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、所定パターンで導電性のポリシリコン膜が積層されることにより形成される。この際、周辺領域には、分岐配線Ｅ６（図７参照）の一部である中継配線Ｈａ６を、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａと同一膜（即ち、ポリシリコン膜）から形成する。尚、分岐配線Ｅｋ（ｋ＝１、２、…、５）の一部である中継配線Ｈａｋ（ｋ＝１、２、…、５）についても、同様に、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａと同一膜から形成する。続いて、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に層間絶縁膜４１を積層する。尚、本実施形態では、膜厚が約４００ｎｍとなるように、層間絶縁膜４１を積層する。また、層間絶縁膜４１の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化しておいてもよい。その後、画像表示領域１０ａにおいて、層間絶縁膜４１の表面の所定位置にエッチングを施し、高濃度ドレイン領域１ｅに達する深さのコンタクトホール８３を開孔する。続いて、所定のパターンで導電性のポリシリコン膜を積層し、下側電極３０１を形成する。下側電極３０１は、コンタクトホール８３によって高濃度ドレイン領域１ｅとひとつながりに接続する。この際、ポリシリコン膜からなる下側電極３０１の上層側表面に酸化処理を施す、或いは、ＬＰ−ＣＶＤ法により、高温酸化シリコン膜からなるＨＴＯ膜を形成する。次に、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、スペーサ絶縁膜４９を積層する。尚、本実施形態では、膜厚が約２００ｎｍとなるように、スペーサ絶縁膜４９を積層する。
【００７７】
次に、図９の工程（２）において、スペーサ絶縁膜４９の上に、所定パターンのレジストを積層し、エッチングを行うことにより、画像表示領域１０ａでは、下側電極７１が露出するように開口部５１０を形成する。このとき、スペーサ絶縁膜４９が、下側電極７１の上に乗り上げた部分を残すように形成する。また、このエッチングを行う際、本実施形態では特に、周辺領域において、中継配線Ｈａ６と後に形成される補助中継配線Ｈｂ６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８２０が形成される領域を含む領域におけるスペーサ絶縁膜４９を除去する。即ち、開口部５１０を形成するためのエッチングを利用して、スペーサ絶縁膜４９を除去することにより開口部５２０を形成する。尚、ここでは図示しないが、このエッチングを行う際、本実施形態では特に、周辺領域において、中継配線Ｈａｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）と後に形成される画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）とを電気的に接続するためのコンタクトホール８１０（図７参照）が形成される領域を含む領域におけるスペーサ絶縁膜４９を除去する。即ち、開口部５１０を形成するためのエッチングを利用して、コンタクトホール８１０が形成される領域を含む領域におけるスペーサ絶縁膜４９を除去する。
【００７８】
尚、スペーサ絶縁膜４９を除去する領域は、コンタクトホール８２０又は８１０が形成される領域を含む限りにおいて、できるだけ狭い領域としてもよい。この場合には、画像表示領域１０ａと周辺領域との段差を低減できる。即ち、例えば、周辺領域におけるスペーサ絶縁膜４９を全て除去した場合に発生し得る、画像表示領域１０ａと周辺領域との境界における急激な段差を低減或いは無くすことができる。従って、スペーサ絶縁膜４９より上層側のデータ線６ａ等の配線或いは画素電極９ａを形成する工程において、このような段差に起因する悪影響が生じてしまうことを低減或いは防止できる。
【００７９】
次に、図１０の工程（３）において、画像表示領域１０ａでは、ＨＴＯ膜上に、原子層堆積法即ちＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によってＳｉＮ膜を積層し、誘電体膜７５を形成する。この際、誘電体膜７５を焼成する焼成処理を行なう。よって、誘電体膜７５の緻密さを向上させることができ、蓄積容量７０の耐圧を高めることができる。次に、誘電体膜７５上に、所定のパターンで、アルミニウム膜を積層し、上側電極３０２（言い換えれば、容量配線４００）を形成する。続いて、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に層間絶縁膜４２を積層する。尚、尚、本実施形態では、膜厚が約２００ｎｍとなるように、層間絶縁膜４２を積層する。また、層間絶縁膜４２の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化しておいてもよい。その後、層間絶縁膜４２の表面の所定位置にエッチングを施し、コンタクトホール８１、８５及び８２０を開孔する。尚、この際、ここでは図示しないが、コンタクトホール８１０（図７参照）も、同様に開孔する。ここで、上述したように本実施形態では特に、コンタクトホール８２０が形成される領域を含む領域におけるスペーサ絶縁膜４９が除去されている（言い換えれば、スペーサ絶縁膜４９には、開口部５２０が開口されている）ので、スペーサ絶縁膜４９が存在する場合と比較して、コンタクトホール８２０の深さを浅くすることができる。より具体的には、スペーサ絶縁膜４９の膜厚分だけ、即ち、約２００ｎｍだけ、コンタクトホール８２０の深さを浅くすることができる。同様に、上述したように、コンタクトホール８１０が形成される領域を含む領域におけるスペーサ絶縁膜４９が除去されているので、スペーサ絶縁膜４９が存在する場合と比較して、コンタクトホール８１０の深さを浅くすることができる。
【００８０】
上述のようにコンタクトホール８２０及び８１０の深さを浅くすることができるので、コンタクトホール８２０及び８１０の形成が容易となり、コンタクトホール８２０及び８１０の大きさを小さくすることができる、即ち、コンタクトサイズを微細化することができる。よって、補助中継配線Ｈｂｋ、中継配線Ｈａｋ及び画像信号線１７１−ｋをそれぞれ微細化することができ、装置の小型化が可能となる。加えて、コンタクトホール８２０及び８１０を形成すべき領域におけるスペーサ絶縁膜４９の除去は、上述したように、スペーサ絶縁膜４９に対し、開口部５１０を形成するためのエッチングが施される際に行われるので、工程数を増加する必要がない。
【００８１】
次に、図１０の工程（４）において、層間絶縁膜４２上に、所定のパターンで、アルミニウム膜を積層し、画像表示領域１０ａでは、データ線６ａ及び中継層６１を形成すると共に、周辺領域では、補助中継配線Ｈｂ６を形成する。尚、この際、ここでは図示しないが、画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）（図７参照）も、同様に、補助中継配線Ｈｂ６と同一膜（即ち、アルミニウム膜）から形成する。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、スペーサ絶縁膜４９及び層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１によって、高濃度ソース領域１ｄとひとつながりに接続する。中継層６１は、層間絶縁膜４２及びスペーサ絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール８５によって、下側電極３０１とひとつながりに接続する。補助中継配線Ｈｂ６は、層間絶縁膜４２及び４１を貫通するコンタクトホール８２０によって、中継配線Ｈａ６とひとつながりに接続する。尚、ここでは図示しないが、画像信号線１７１−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、６）は、層間絶縁膜４２及び４１を貫通するコンタクトホール８１０によって、中継配線Ｈａ６とひとつながりに接続する。次に、層間絶縁膜４３を積層する。尚、本実施形態では、膜厚が約６００ｎｍとなるように、層間絶縁膜４３を積層する。次に、その表面の所定位置にエッチングを施し、コンタクトホール８７を開孔する。次に層間絶縁膜４３の表面の所定位置に画素電極９ａを形成する。画素電極９ａは、層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８７によって、中継層６１とひとつながりに接続する。
【００８２】
以上説明した液晶装置の製造方法によれば、上述した本実施形態に係る液晶装置を製造することができる。
＜電子機器＞
次に、上述した本実施形態に係る液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて、図１１を参照して説明する。ここに図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００８３】
図１１に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００８４】
液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００８５】
ここで、各液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶装置１１１０Ｇによる表示像は、液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８６】
尚、液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００８７】
尚、本実施形態に係る液晶装置は、図１１を参照して上述したプロジェクタの他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８８】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００８９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】データ線の駆動に係る回路構成を示す回路図である。
【図５】画素部におけるＴＦＴアレイ基板側の構成を示す断面図である。
【図６】蓄積容量を拡大して示す拡大断面図である。
【図７】画像信号線及び分岐配線のＴＦＴアレイ基板上のレイアウトを示す図である。
【図８】図７のＡ−Ａ´線断面図である。
【図９】第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を示す工程断面図（その１）である。
【図１０】第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を示す工程断面図（その２）である。
【図１１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９１】
７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、４１、４２、４３…層間絶縁膜、４９…スペーサ絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７１…サンプリングスイッチ、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、１１８…液晶素子、１７１、１７１−ｋ…画像信号線、４００…容量配線、５１０、５２０…開口部、７００…画素部、Ｅｋ…分岐配線、Ｈａｋ…中継配線、Ｈｂｋ…補助中継配線、８１０、８２０…コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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