(57)【要約】【課題】  三層レジスト構造において上層レジストをマスクとして中間無機膜層をエッチングしたのち、下層の有機膜層、例えばアモルファスカーボンをエッチングし、シリコン残渣を発生させることなくパターン形成する。【解決手段】  ウエハ載置電極の周辺に高周波電力を印加することが可能なシリコン板を設置した処理室で中間無機膜層を、弗素を含んだガス系でエッチングした後、ウエハ載置電極の周辺に高周波電力を印加することが可能な、例えば石英板を設置した処理室で下層有機膜層を例えば酸素を含んだガス系でエッチングする。若しくは前記のシリコン板をウエハ載置電極の周辺に設置した処理室において中間無機膜層を、弗素を含んだガス系でエッチングした後、処理室を変更することなく且つ中間無機膜層をエッチングした際のフッ素系の雰囲気を損なわない程度のガス置換時間で例えば酸素を含んだガス系でエッチングする。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層にレジスト、中間層に無機膜層、下層に有機膜層を有する三層レジスト構造でウエハ載置電極の周辺に高周波電力を印加することが可能なシリコン部材を設置したプラズマエッチング装置の処理室内で、第１の工程で少なくとも弗素を含むガスでエッチングを行い、第２の工程でアンモニアまたは酸素を含むガスでエッチングする２ステップエッチング方法において、
前記第２の工程の開始前に、前記処理室内の残留弗素濃度を光学的分析手段で検出し、真空排気時間の調整で前記処理室内の残留弗素濃度を安定化させることで、Ｓｉ残渣を発生させることなくパターン形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
上層にレジスト、中間層に無機膜層、下層に有機膜層を有する三層レジスト構造で第１の工程と第２の工程で処理室を変更するプラズマエッチング方法において、
前記第１の工程でウエハ載置電極の周辺に高周波電力を印加することが可能なシリコン部材を設置した第１の処理室で少なくとも弗素を含むガスでエッチングを行い、前記第２の工程でウエハ載置電極の周辺に高周波電力を印加することが可能な絶縁物を設置した第２の処理室でアンモニアまたは酸素を含むガスでエッチングを行い、Ｓｉ残渣を発生させることなくパターン形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
上層にレジスト、中間層に無機膜層、下層に有機膜層を有する三層レジスト構造で第１の工程と第２の工程で変更される複数の処理室を備えたプラズマエッチング装置において、
前記第１の工程でウエハ載置電極の周辺に高周波電力を印加することが可能なシリコン部材を設置し、少なくとも弗素を含むガスでエッチングを行う第１の処理室と、前記第２の工程でウエハ載置電極の周辺に高周波電力を印加することが可能な絶縁物を設置し、アンモニアまたは酸素を含むガスでエッチングを行い、Ｓｉ残渣を発生させることなくパターン形成することが可能な第２の処理室と、を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマエッチング装置において、
前記第２の処理室の前記ウエハ載置電極の周辺に設置され、前記高周波電力を印加することが可能な電力を印加することが可能な絶縁物として、石英、ＡｌＮ、またはＡｌ２Ｏ３を設置したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層レジストおよび層間絶縁膜のドライエッチング方法に関し、特にＳｉ残渣の発生を抑制しながら、高異方性形状の穴もしくは溝を加工する方法および処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の微細化に伴い、加工寸法精度に対してはナノメートルオーダーでの制御が要求されている。そのため、リソグラフィ技術では加工精度、マージンを上げるため、単層レジストから３層レジスト構造が用いられるようになってきた。
【０００３】
一般的な３層レジスト構造としては、上層に高解像度でパターニング可能な薄膜のレジストを、下層に基板表面の起伏を吸収し、かつ基板を加工するために十分な厚さのレジストを有し、その中間層に、下層のレジストをパターニング可能な厚さの、例えばＳＯＧ（Spin  on  Glass）膜からなる無機膜で構成されている。
このプロセスでは、まず、ホトリソグラフィ技術で所定形状に加工した上層のレジストをマスクに、中間層をＣＦ４プラズマの異方性エッチングでパターニングする。そして、この中間層をマスクに下層のレジストをＯ２プラズマにてパターニングし、前記中間層と下層のレジストを用いて、被処理膜をエッチング加工するものである。この方法によれば、下地の起伏、レジスト膜厚、露光時間等のホトリソグラフィへの影響を回避できる。近年、３層レジスト構造に関する加工方法、安定性に対し、種々の方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１記載の３層レジスト構造のパターニング方法は、被処理膜をエッチングする前に、下層のレジストを薄膜で残存させる。そして、中間層をＣＦ４プラズマで除去した後、下層のレジスト全体をＯ２プラズマで膜厚減少させ、被処理膜の開口部を形成するものである。
【特許文献１】特開平６−１３３５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来技術では、被処理膜の加工精度における被処理基板の面内均一性、及び残渣に対しては配慮がなされていない。被処理基板面内を均一に加工するには、被処理基板周辺部にＳｉ等で構成されるフォーカスリングを配設し、被処理基板周辺部の電界強度の変化を、バイアスによって均一化する制御が必要となる。しかし、下層有機膜を、例えば、Ｏ２プラズマでエッチングする際に、Ｓｉの電極部材がスパッタリングで飛散し、この飛散したＳｉ粒子がエッチングのマスクとして作用し、上層レジスト及び下層有機膜にＳｉ粒子を核とした残渣が発生する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、スパッタリングで飛散した電極部材からのＳｉ粒子を、極微量の弗素含有ガスで除去しながら下層の有機膜を、例えば、Ｏ２プラズマでエッチングする。若しくは、Ｓｉ粒子の飛散を抑制できるフォーカスリングを有する処理室を設け、中間の無機膜と下層の有機膜とを個別の処理室にて逐次処理するものである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、下層の有機膜層をシリコン残渣を発生させることなく所望の形状に形成することができると共に、被処理基板面内の加工形状の均一性を確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明に使用した枚葉式マルチチャンバを有するプラズマエッチング装置の平面図面である。本装置は、搬送ロボット２１を配備した真空搬送室２０と、ゲート２４ａ、２４ｂで介設された２個以上の処理室１ａ，１ｂと、ロードロック室２２ａ，２２ｂと、大気ローダ部２５とウェハカセット２６を載置するカセット載置部２３から構成される。処理室１ａ，１ｂで実施する同一プロセスを並列に処理することも、処理室１ａと処理室１ｂでの異種プロセスを被処理基板１３を逐次に処理することも可能となっている。
【０００８】
本装置の処理室１ａと処理室１ｂは、ほぼ同一の構造であるため、処理室１ａにつき図２を参照して詳細を説明する。
本装置は、ＵＨＦ（Ultra  High  Frequency）と磁界を利用してプラズマを形成するＵＨＦプラズマエッチング装置である。
処理室１ａは、真空容器となっており周囲に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）用磁場を発生させるためのコイル９が設置され、内壁は３０℃に、温調器（図省略）にて温度制御されている。被処理基板１３は、静電チャック７を配設した基板電極１８に載置される。静電チャック７には、直流電源（図省略）が接続され、被処理基板１３を静電チャック７に吸着可能となっている。基板電極１８には整合器１０を介して基板バイアス電源１１（例えば、周波数８００ｋＨｚ）が接続され、被処理基板１３に高周波バイアスを印加可能となっている。
ＣＦ４、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２等のフロンガス、Ａｒ、Ｎ２等の不活性ガス、Ｏ２、ＣＯなどの酸化含有ガスなどのエッチング用ガスは、マスフローコントローラー１２で流量制御され、プロセスガス源に接続されたガス供給管１４を介して、直径が０．４ないし０．５ｍｍ程度の微細な穴が１００個程度設けられたシリコンあるいはガラス状炭素からなるガス供給板８から処理室１ａへ導入される。
ガス供給板８の上部にはアンテナ電極２が配設され、高周波電源３（例えば、周波数４５０ＭＨｚ）及び高周波電源５（例えば、周波数１３．５６ＭＨｚ）から、整合回路４ならびに整合回路６を介して、同軸端子１６からアンテナ電極２に給電される。高周波はアンテナ電極２の周囲の誘電体窓１５から放射されるとともに、共振電界がガス供給板８を介して処理室１ａ内に導入され、プラズマの生成によって被処理基板１３にエッチング加工が施される。
処理室１ａの下方に、ターボ分子ポンプ（TMP）からなる真空排気手段（図省略）とオートプレッシャーコントローラー（APC）からなる調圧手段（図省略）が配設され、所定圧力に保持しながら、処理後のエッチング用ガスを処理室１ａより排出する。
【０００９】
基板電極１８の外周には、Ｓｉもしくは石英等の部材から構成されるフォーカスリング１７が載置される。フォーカスリング１７には、高周波バイアス電力の供給手段（図省略）が配設され、印加バイアスを制御することにより、被処理基板１３外周部の電界強度分布を調整可能となっている。この高周波バイアス電力は、基板バイアス電源１１から供給される高周波電力を、可変容量のコンデンサで分配し供給される。
【００１０】
処理室１ａの側壁には、採光用石英窓５０と、それと対向した位置に照射光用石英窓５１が配設されている。採光用石英窓５０には、光ファイバー５２と分光器５３が順次介設されている。分光器５３で得られた情報は、エッチング装置に配設されたデータ処理部５４へ転送され、データ処理部５４の記憶媒体に格納される。
【００１１】
照射光用石英窓５１には、光ファイバー５５が配設され、光ファイバー５５を介して光源５６へ接続されている。光源５６の光は２分され、２分された一方の光は、光ファイバー５５を通じて照射光用石英窓５１から採光用石英窓５０へ照射され、処理室１ａ内の反応ガスや反応性生物を検出するサンプリング用に用いられる。照射された光は、前記反応ガスや反応性生物に含まれる化学結合の伸縮振動、変角振動等により、物質特有の波長領域の光が吸収される。この処理室１ａ内を通過した光を、分光器５３で分析する事により、反応ガスや反応性生物の種別、及び含まれる濃度を計測することができる。
【００１２】
２分された他方の光は、採光用石英窓５０及び照射光用石英窓５１の、エッチング若しくは反応生成物の付着に伴う光度変化を補正する、ベースライン用として用いられる。光度補正は、装置の稼動が所定時間停止し、処理室１ａ内が所定の真空状態にある事をエッチング装置側で認識し、自動的に前記サンプリング用の光とベースライン用の光に基づき、各波長ごとに行われる。なお、この光度補正は作業者自身がエッチング装置の真空状態を確認して行うこともできる。
【００１３】
光源５６と光ファイバー５５の間には、光源５６からの光を遮るための、シャッター５７が配設されている。前記、物質特有の光の吸収に基づいて、反応ガスや反応性生物の濃度を計測する場合には、シャッター５７は開かれ、光源５６の光は光ファイバー５５を介して照射光用石英窓５１へと入射される。また、プラズマの発光に基づいて、反応ガスや反応性生物の濃度を計測する場合には、光源５６の光はシャッター５７で遮蔽されるよう構成されている。処理室１ａ内のプラズマによる発光は、採光用石英窓５０を通して採光され、光ファイバー５２を介して分光器５３へ送られる。分光器５３で得られた情報は、エッチング装置に配設されたデータ処理部５４へ転送され、データ処理部５４の記憶媒体に格納される。
【実施例１】
【００１４】
以下に、図３〜図５を用いて実施例１を説明する。本実施例１は、３層レジスト構造３５の下層有機膜３０エッチング時の、スパッタリングで飛散した電極部材からのＳｉ粒子を、極微量の弗素含有ガスで除去しながら３層レジスト構造３５をパターニングする例である。
本実施例１は、図３に示す（１）上層レジスト３１のパターニング工程、（２）中間無機膜３２のエッチング工程、（３）下層有機膜３０のエッチング工程によって構成される。
【００１５】
図３（１）に示す上層レジストのパターニング工程では、シリコンからなる被処理基板１３上に、下層有機膜３０：１０００ｎｍ、中間無機膜３２：１００ｎｍ、上層レジスト３１：５００ｎｍを順に形成し、ホト技術によって、上層レジスト３１に開口部３３を形成する。上層レジスト３１のパターニング工程を終了した被処理基板１３は、処理室１ａの静電チャック７を配設した基板電極１８上に載置される。
【００１６】
図３（２）に示す中間無機膜３２のエッチング工程では、弗素含有の混合ガスプラズマを用いて、上層レジスト３１をマスクに中間無機膜３２をエッチングする。基板電極１８に載置するフォーカスリング１７は、シリコンの材質から構成されるものを用いる。処理条件としては、例えば処理圧力２Ｐａ、高周波電源３のバイアス電力４００Ｗ、高周波電源５のバイアス電力６００Ｗ、基板バイアス電力２００Ｗ、ＣＦ４（４００ＳＣＣＭ）／Ａｒ（６００ＳＣＣＭ）Ｏ２（３０ＳＣＣＭ）の混合ガスプラズマ、もしくは処理圧力２Ｐａ、高周波電源３のバイアス電力４００Ｗ、高周波電源５のバイアス電力６００Ｗ、基板バイアス電力２００Ｗ、ＳＦ６（３０ＳＣＣＭ）／Ａｒ（６００ＳＣＣＭ）／Ｏ２（１０ＳＣＣＭ）の混合ガスプラズマによってエッチングする。
中間無機膜３２は、上層レジスト３１と中間無機膜３２及び下層有機膜３０の、当該処理条件におけるエッチング選択比により、選択的にエッチングされる。エッチングが実施されるその間、温度制御された処理室１ａの内壁面には、エッチング過程で発生する弗素を含む反応生成物がトラップされる。中間無機膜３２を除去した後、一旦、放電とエッチング用ガスの供給を停止し、所定時間、処理室１ａ内を真空排気する。
【００１７】
図３（３）に示す下層有機膜３０のエッチング工程では、酸素含有の混合ガスプラズマを用いて、上層レジスト３１と中間無機膜３２をマスクに、下層有機膜３０をエッチングする。処理条件としては、例えば処理圧力１Ｐａ、高周波電源３のバイアス電力８００Ｗ、高周波電源５のバイアス電力１００Ｗ、基板バイアス電力４００Ｗ、Ｏ２（４００ＳＣＣＭ）の酸素ガスプラズマ、もしくは処理圧力２Ｐａ、高周波電源３のバイアス電力１４００Ｗ、高周波電源５のバイアス電力２００Ｗ、基板バイアス電力１０００Ｗ、ＮＨ３（５００ＳＣＣＭ）の単一ガスプラズマによってエッチングする。
【００１８】
放電中は、フォーカスリング１７、及びガス供給板８に高周波バイアスが印加されている。プラズマ中で発生した酸素イオンは、この高周波バイアスで加速され、フォーカスリング１７、及びガス供給板８から、スパッタリングによりＳｉが飛散する。上層レジスト３１及び下層有機膜３０上には、このＳｉ粒子４１が付着するものの、処理室１ａ内の残留弗素ガス、及び内壁面にトラップした弗素含有付着物から供給される微量な弗素のエッチング作用によって除去され、図４に示すような残渣４０の発生を抑制しながら下層有機膜３０のエッチングが実行される。上層レジスト３１は、下層有機膜３０より薄膜で構成されるため、このエッチング工程で全てが除去され、中間無機膜３２と下層有機膜３０からなるパターンが形成される。
【００１９】
本実施例１を実施する上では、図３（２）の終了から図３（３）開始の間に実施される真空排気の処理時間が重要である。図５に示すように、真空排気時間が長くなるに従い、残渣４０の発生確率が上昇する。一方、真空排気時間が短い場合には、残留弗素の影響で、中間無機膜３２の開口部端部３４に肩落ち（クリッピング）が発生し、被処理基板１３の加工における異方性が劣化する。そのため、半導体デバイスに求められる加工精度に応じ、０〜２０秒の間で、適正な真空排気の処理時間を決定することが望ましい。図３（２）と図３（３）の処理を同一処理室内で繰り返すことにより、処理室内壁面に弗素含有付着物がトラップされ、この弗素含有付着物から定常的に供給される微量な弗素のエッチング作用により図４に示すような残渣４０の発生を抑制できる。
【００２０】
ただし、真空排気の処理時間による制御だけでは、処理室１ａでのエッチング処理枚数によっては、同じ処理時間であっても、残留弗素の濃度が変化するため、エッチングプロセスが不安定となり易い。そのため、前記物質特有の光の吸収、及びプラズマ発光による光学的分析手段にて、真空排気の処理時間と併用して残留弗素濃度を管理することが望ましく、エッチングプロセスをより安定化させることができる。真空排気中の処理室１ａ内の残留弗素濃度は、前記物質特有の光の吸収に基づいた光学的分析手段で随時計測され、所定濃度に達した事をエッチング装置が認識し、図３（３）が自動的に開始される。前記所定濃度に達した事をエッチング装置が認識した段階で、光学的分析手段はプラズマ発光による計測に切り替えられ、図３（３）処理中の残留弗素濃度に基づく発光強度が、所定範囲にあることを確認しながら、エッチング処理が進められる。図６に示すように真空排気時間が長くなるに従い、光学的分析手段で随時計測した残留弗素濃度が低下し、残渣４０の発生確率は上昇するため、適正な真空排気の処理時間を決定することが望ましい。図３（３）処理開始から所定時間、所定の発光強度の範囲に収まらない場合、異常表示（例えばアラーム）をすると共に処理を一旦停止させることも、そのまま処理を続行させることも選択可能となっている。
【００２１】
なお、本実施例１では処理室１ａ内の残留弗素、及び内壁面にトラップした弗素含有付着物から供給される微量な弗素を利用して、残渣４０の発生を抑制したが、下層有機膜３０のエッチング時に供給されるＯ２もしくはＮＨ３ガスに、極微量の弗素含有ガスを添加しても同様な効果を得ることができる。添加する弗素含有ガスの濃度によっては、肩落ち量が顕著となるため、５０〜５０００ＰＰＭの範囲で選択することが望ましい。添加するガス種は、ＣＦ４に限定されることはなく、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８等のフロンガスで、弗素を含有するものであれば、同様な効果を得ることができる。
また、極微量の流量制御（１〜１００ｍＳＣＣＭ）が可能なマスフローコントーラ等で、添加する弗素含有ガスを直接制御することも有効な手段であり、被処理基板１３間の加工精度、及び残渣の抑制が、より安定化する。
なお、本実施例１では処理室１ａについて説明したが、フォーカスリング１７をＳｉの部材で構成すれば、処理室１ｂはもちろんのこと、２個以上の処理室を配設したプラズマエッチング装置においても、同様のプロセスを並列処理することが可能である。
【実施例２】
【００２２】
本実施例２は、３層レジスト構造３５のエッチング工程を、中間無機膜３２のエッチング工程と下層有機膜３０のエッチング工程との２つに分離し、個々の処理室１ａ、及び処理室１ｂの専用室で逐次処理し、３層レジスト構造３５をパターニングする例である。主に図３を用いて説明し、実施例１と重複するものについては省略する。必要に応じ、図１、図２、図４を引用する。
【００２３】
図３Ａに示す上層レジスト３１のパターニング工程、及び図３（２）に示す中間無機膜３２のエッチング工程は、実施例１に同じである。この工程を終了した被処理基板１３は、処理室１ａから、図２に示すゲート２４ａを介して、搬送ロボット２１により真空搬送室２０へ搬出される。搬出された被処理基板１３は、同様の手順で、ゲート２４ｂを介して、搬送ロボット２１により処理室１ｂに搬入され、静電チャック７を配設した基板電極１８上に載置される。
【００２４】
処理室１ｂは、図３（３）に示す下層有機膜３０をエッチングするための専用室として構成され、基板電極１８に載置するフォーカスリング１７は、石英の材質から構成される。材質を石英とすることで、高周波バイアス印加時のフォーカスリング１７に付加されるＶｄｃを低下させ、入射する酸素イオンの加速を低減している。また、低スパッタ率の材質にすることで、フォーカスリング１７の耐スパッタ性を向上している。フォーカスリング材としてＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３を用いても同様に耐スパッタ性を向上することが可能。前記の作用により、酸素含有の混合ガスプラズマ中でのスパッタリングによる粒子の飛散を抑え、残渣４０の発生を抑制する。処理条件としては、例えば処理圧力１Ｐａ、高周波電源３のバイアス電力８００Ｗ、高周波電源５のバイアス電力１００Ｗ、基板バイアス電力４００Ｗ、Ｏ２（４００ＳＣＣＭ）の酸素ガスプラズマ、もしくは処理圧力２Ｐａ、高周波電源３のバイアス電力１４００Ｗ、高周波電源５のバイアス電力２００Ｗ、基板バイアス電力１０００Ｗ、ＮＨ３（５００ＳＣＣＭ）の単一ガスプラズマによってエッチングする。処理条件によっては、ガス供給板８からのＳｉ粒子が発生するため、ガス供給板８に付加されるＶｄｃは、１００Ｖ以下の範囲で制御することが望ましい。
【００２５】
下層有機膜３０のエッチングを終了した被処理基板１３は、処理室１ｂからゲート２４ｂを介して、搬送ロボット２１により真空搬送室２０へ搬出される。被処理基板１３は、順次ロードロック室２２ｂ、大気ローダ部２５を通して、カセット載置部２３上のウェハカセット２６に収納され、次の被処理基板１３が上記実施例２の手順に従い、逐次処理が進行する。本実施例２では、処理室１ｂを下層有機膜３０のエッチング専用処理室としたが、フォーカスリングの材質を、処理室１ａと処理室１ｂとで逆とし、処理室１ｂをシリコン、処理室１ａを例えば石英で構成すれば、逆の処理室の順路でエッチング処理できることは言うまでもない。
【００２６】
本実施例２は、半導体デバイスの試験サンプルについて最適化を行ったプロセス条件であり、３層レジスト構造３５、上層レジスト３１のパターニングの形成方法については、本実施条件に限られたものではない。
【００２７】
本発明は、３層レジスト構造３５のパターンの形成方法について記載したが、それに限るものではなく、半導体デバイス製造工程において穴や溝を加工し、その加工部の構造体が有機膜と無機膜からなるプロセスにおいては、本発明の方法が適応可能であり、例えば、Deep  Trench加工工程や、Dual  Damascene加工工程などにも応用することができる。
【００２８】
尚、本発明は、ＵＨＦ波と磁場を用いたプラズマエッチング装置を使用したが、プラズマの生成方法の如何に関わらず適用可能であり、例えば、ヘリコン波エッチング装置、誘導結合型エッチング装置、容量結合型エッチング装置等によって実施しても同等の効果を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明におけるマルチチャンバプラズマエッチング装置の構成を説明する図である。
【図２】本発明における処理室の構成を説明する断面図である。
【図３】本実施例におけるプロセスフローを説明する図である。
【図４】上層レジスト及び下層有機膜のエッチング時に発生する残渣を説明する図である。
【図５】本実施例における真空排気処理時間と肩落ち量、及び残渣発生確率の関係を説明する図である。
【図６】本実施例における真空排気処理時間と残留弗素濃度、及び残渣発生確率の関係を説明する図である。
【符号の説明】
【００３０】
１ａ，１ｂ    処理室
２    アンテナ電極
３    高周波電源（４５０ＭＨｚ）
４    整合回路（４５０ＭＨｚ）
５    高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）
６    整合回路（１３．５６ＭＨｚ
７    静電チャック
８    ガス供給板
９    コイル
１０    整合回路
１１    基板バイアス電源（８００ｋＨｚ）
１２    マスフローコントローラー
１３    被処理基板
１４    ガス供給管
１５    誘電体窓
１６    同軸端子
１７    フォーカスリング
１８    基板電極
２０    真空搬送室
２１    搬送ロボット
２２ａ，２２ｂ    ロードロック室
２３    カセット載置部
２４ａ，２４ｂ    ゲート
２５    大気ローダ部
２６    ウェハカセット
３０    下層有機膜
３１    上層レジスト
３２    中間無機膜
３３    開口部
３４    開口部端部
３５    ３層レジスト構造
４０    残渣
４１    Ｓｉ粒子
５０    採光用石英窓
５１    照射光用石英窓
５２    光ファイバー
５３    分光器
５４    データ処理部
５５    光ファイバー
５６    光源
５７    シャッター
【図１】
2007103604.tif 000003
【図２】
2007103604.tif 000004
【図３】
2007103604.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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