(57)【要約】      （修正有）【課題】リザーバの流路抵抗を減らし、リザーバのコンプライアンスを高め、駆動時のクロストークを吸収させ、ヘッドチップの小型化、高密度化、低コスト化が可能な液滴吐出ヘッド等を提供する。【解決手段】ノズル基板と、振動板２１を備えて吐出室４０となる第１の凹部２２、及び第１の凹部２２に供給する液体を溜めておくリザーバ４０の一部となる貫通孔２３を有するキャビティ基板２０と、振動板２１を振動させるための個別電極１２、及びリザーバ４０の一部となる第２の凹部１４を有するガラス基板１０と、個別電極１２に駆動信号を発信するドライバＩＣ５０とを備え、キャビティ基板２０の貫通孔２３とガラス基板１０の第２の凹部１４は連通されてリザーバ４０が形成されると共に、基板内にドライバＩＣ５０を収容する収容部を設けた。【選択図】図２
2007216636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する複数のノズル孔を有するノズル基板と、前記各ノズル孔に対応して設けられ吐出用の液体を加圧する振動板を備えて吐出室となる第１の凹部、及び該第１の凹部に供給する液体を溜めておくリザーバの一部となる貫通孔を有するキャビティ基板と、前記振動板を振動させるための個別電極、及び前記キャビティ基板との接面側に前記リザーバの一部となる第２の凹部を有するガラス基板と、前記個別電極に駆動信号を発信するドライバＩＣとを備え、
前記キャビティ基板の前記貫通孔と前記ガラス基板の前記第２の凹部は連通されて前記リザーバが形成されると共に、前記基板内に前記ドライバＩＣを収容する収容部を設けたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
前記ノズル基板は前記複数のノズル孔よりなる一対のノズル列が設けられ、これら一対のノズル列の間の基板内に前記ドライバＩＣの収容部が設けられ、該収容部の両側に前記キャビティ基板の前記第１の凹部が設けられて前記吐出室が形成され、これら吐出室の両側に前記キャビティ基板の前記貫通孔と前記ガラス基板の前記第２の凹部とが連通されて前記リザーバが形成されることを特徴とする請求項１記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
前記ノズル基板は断面ほぼ逆凹字状に突出する突出部が設けられ、前記キャビティ基板にはＩＣ貫通孔が設けられ、前記突出部と前記ＩＣ貫通孔とは連通されてこれらの開口側に前記ガラス基板が位置して収容部が形成され、前記ドライバＩＣは前記ガラス基板に支持されて前記収容部内に収容されていることを特徴とする請求項２記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
前記リザーバに対応するノズル基板上にリザーバダイヤフラムを設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液滴吐出装置。  
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドを搭載したことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
静電駆動方式の液滴吐出ヘッドにおいては、低コスト化、高密度化、吐出特性の安定性等が求められている。
従来の液滴吐出ヘッドは、例えば電極基板、キャビティ基板及びノズル基板の３層構造よりなり、キャビティ基板とパターン形成済みの電極基板を接合してから、キャビティ基板を薄板化し、その後、各部を形成する。この場合、リザーバは吐出室と同じ基板に形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３０６４４４号公報（第２−３頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に係る従来の液滴吐出ヘッドでは、高密度化を進めていくと、ノズル間のクロストークを抑制するために、キャビティ基板を低くする必要があった。しかしながら、キャビティ基板を低くすると、リザーバの流路抵抗が増加してしまう。
このため、従来の基板に加えて新たにリザーバ基板を設け、リザーバの体積を増加させてリザーバの流路抵抗を減少させようとする液滴吐出ヘッドが提案されている。
しかしながら、かかる液滴吐出ヘッドにおいては、リザーバの体積が増加するものの、液滴吐出ヘッドそのものが大型化してしまい、また、リザーバ基板を設けるためにコストがかかってしまう。
【０００５】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、電極基板、キャビティ基板及びノズル基板よりなる液滴吐出ヘッドにおいて、リザーバの体積を増加させてリザーバの流路抵抗を減らし、リザーバのコンプライアンスを高め、駆動時のクロストークも吸収させて、小型化、高密度化、低コスト化が可能な液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、液体を吐出する複数のノズル孔を有するノズル基板と、前記各ノズル孔に対応して設けられ吐出用液体を加圧する振動板を備えて吐出室となる第１の凹部、及び該第１の凹部に供給する液体を溜めておくリザーバの一部となる貫通孔を有するキャビティ基板と、前記振動板を振動させるための個別電極、及び前記キャビティ基板との接面側に前記リザーバの一部となる第２の凹部を有するガラス基板と、前記個別電極に駆動信号を発信するドライバＩＣとを備え、前記キャビティ基板の前記貫通孔と前記ガラス基板の前記第２の凹部は連通されて前記リザーバが形成されると共に、前記基板内に前記ドライバＩＣを収容する収容部を設けたものである。
このように、液滴吐出ヘッドにおいて、ガラス基板にリザーバの一部を設けたので、リザーバの体積を容易に増加させることができ、これによってリザーバの流路抵抗を減らすことが可能である。また、リザーバ基板を必要としないので、低コスト化が可能である。さらに、基板内にドライバＩＣが収容されるので、ヘッドチップの小型化することができる。
【０００７】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記ノズル基板は前記複数のノズル孔よりなる一対のノズル列が設けられ、これら一対のノズル列の間の基板内に前記ドライバＩＣの収容部が設けられ、該収容部の両側に前記キャビティ基板の前記第１の凹部が設けられて前記吐出室が形成され、これら吐出室の両側に前記キャビティ基板の前記貫通孔と前記ガラス基板の前記第２の凹部とが連通されて前記リザーバが形成されるものである。
このようにして、基板内にドライバＩＣが収容されるので、ヘッドチップを小型化することができる。
【０００８】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記ノズル基板は、断面ほぼ逆凹字状に突出する突出部が設けられ、前記キャビティ基板にはＩＣ貫通孔が設けられ、前記突出部と前記ＩＣ貫通孔とは連通されてこれらの開口側に前記ガラス基板が位置して収容部が形成され、前記ドライバＩＣは前記ガラス基板に支持されて前記収容部内に収容されているものである。
このようにして、基板内にドライバＩＣが収容されるので、ヘッドチップを小型化することができる。
【０００９】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前記リザーバに対応するノズル基板上にリザーバダイヤフラムを設けたものである。
このようにして、リザーバのコンプライアンスを高め、インクジェット駆動時のクロストークを吸収することができる。
【００１０】
本発明に係る液滴吐出装置は、上記のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドを搭載したものである。
このようにして、リザーバの流路抵抗を減らし、クロストークを減らすことができ、低コストで小型化した液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係る液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）の分解斜視図、図２はその組み立て状態を示す要部の縦断面図である。本実施の形態１では、フェイス型のインクジェットヘッドについて説明する。
図１、図２に示すように、液滴吐出ヘッドは、ガラス基板１０、キャビティ基板２０及びノズル基板３０の３つの基板が、下から順に接合されて３層構造を形成している。なお、以下の説明においては、ノズル基板３０を上面とし、ガラス基板１０を下面として説明するが、実際に用いられる場合には、ノズル基板３０が下面にガラス基板１０が上面になることが多い。
【００１２】
キャビティ基板２０は、例えば厚みが約５０μｍの（１１０）面方位のシリコン単結晶基板によって構成されている。そして、キャビティ基板２０に異方性ウェットエッチングを行って、ドライバＩＣを収容して保護するＩＣ収容部４２の一部となるＩＣ貫通孔２４が設けられ、その長手方向両側に共通電極２５の取り付け凹部２６が設けられている。また、ＩＣ貫通孔２４の両外側（図１の左右の外側）には、底壁に振動板２１が設けられ、吐出室４０の一部になる一対の吐出凹部２２が設けられている。さらに、吐出凹部２２の両外側には、リザーバ４１の一部になるリザーバ貫通穴２３が設けられている。
【００１３】
吐出凹部２２に設けた振動板２１は、高濃度のボロンドープ層で構成されている。所望の厚みの振動板２１を形成するために、同じだけの厚さのボロンドープ層を形成する。これは、アルカリ性水溶液でシリコンの異方性ウェットエッチングを行った場合、ボロンをドーパントとしたときには、高濃度（約５×１０１９ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3以上）の領域で極端にエッチングレートが小さくなることを利用した、いわゆるエッチングストップ技術を用いて、振動板２１の厚み及び吐出凹部２２の容積を高精度で形成する。
こうして、吐出室４０の底壁に形成した振動板２１を撓ませることにより、吐出室４０内の圧力を高め、ノズル孔（後述）から吐出室４０内に溜められた液滴を吐出させるようにしてある。
【００１４】
ここで、キャビティ基板２０の下面（ガラス基板１０と対向する側の面）には、絶縁膜となるＴＥＯＳ（Tetraethyl orthosilicate Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン、珪酸エチル）膜０．１μｍを、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜してある（図示せず）。これは、インクジェットヘッドを駆動させたときの絶縁膜破壊及び短絡を防止するためである。
【００１５】
ガラス基板１０は、例えば厚み約１ｍｍであって、ホウ珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いており、キャビティ基板２０の下面に接合するようになっている。ガラス基板１０には、キャビティ基板２０に形成される各吐出凹部２２に対応して、エッチングにより深さ約０．２μｍの電極凹部１１が設けられており、その内部には個別電極（電極部）１２が設けられ、電極凹部１１のパターン形状は個別電極１２の形状よりも少し大きめに形成してある。電極凹部１１にはこれに連続して同様にエッチングにより深さ約０．２μｍの端子凹部が設けられ、個別電極１２と連続する端子電極（電極部）１２ａが設けられて、その端部にドライバＩＣ５０が実装される。
【００１６】
電極凹部１１の内部に設ける電極部１２の材料として、酸化錫を不純物としてドープした透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）を用い、電極凹部１１内に、例えば０．１μｍの厚さにスパッタ法を用いて成膜している。したがって、図２に示すように、キャビティ基板２０とガラス基板１０を接合した際、振動板２１と個別電極１２との間に形成されるギャップＧは、この電極凹部１１の深さ、個別電極１２及び振動板（ＴＥＯＳ膜）２１の厚さにより決まることになる。このギャップＧは、吐出特性に大きく影響する。ここで、電極部１２の材料はＩＴＯに限定するものではなく、クロム等の金属等を材料に用いてもよいが、本実施の形態１では、ギャップＧ内の観察がしやすいこと、透明であるので放電したかどうかの確認が行い易いこと等の理由で、ＩＴＯを用いている。
なお、振動板２１と電極部とで形成されるギャップＧは封止材４３によって封止され、水分等が侵入しないようにして、振動板２１が電極部に貼りつかないようにしてある。
【００１７】
ガラス基板１０の中央部（対抗する電極凹部１１の内側）には、電極凹部１１に直交してドライバＩＣ５０を取り付けるＩＣ溝１３が設けられている。
また、電極凹部１１の両外側（図１の左右両外側）には、リザーバ４１の一部になる深さ約１００μｍのリザーバ凹部１４が形成されており、リザーバ凹部１４の底にはインク供給穴１５が設けられている。
【００１８】
ノズル基板３０は、例えば厚さ約１８０μｍのシリコン基板よりなり、キャビティ基板２０の上面に接合するようになっている。ノズル基板３０には、キャビティ基板２０と接する側の面に形成されて連通溝４４の一部になる連通凹部３１が設けられ、また、ノズル基板３０を貫通して形成され、吐出室４０のインクを吐出する複数のノズル孔３２（径の小さい第１のノズル孔３２ａと径の大きい第２のノズル孔３２ｂとからなる）が設けられている。複数のノズル孔３２は対抗する一対のノズル列３２ｃを形成する。さらに、一対のノズル列３２ｃの間には断面ほぼ逆凹字状に突出する突出部３３が設けられ、その内部にＩＣ収容部４２の一部になる溝部３３ａが形成されている。なお、キャビテイ基板２０の取り付け凹部２６に対応する位置には、共通電極２５の取り出し凹部３４が設けられている。
【００１９】
そして、ガラス基板１０に設けられたリザーバ凹部１４は、キャビティ基板２０に設けられたＩＣ貫通穴２３と連通し、ノズル基板３０とともにリザーバ４１を形成する。また、キャビティ基板２０に設けられた吐出凹部２２は、ノズル基板３０とともに吐出室４０を形成する。さらに、ノズル基板３０に設けられた連通凹部３１と、キャビティ基板２０との間に、リザーバ４１と吐出室４０の間を連通する連通溝４４を形成する。また、ノズル基板３０に設けられた突出部３３の溝部３３ａと、キャビティ基板２０に設けられたＩＣ貫通孔２４とが連通し、これらの開口側にガラス基板１０が設けられてＩＣ収容部４２を形成し、その内部にドライバＩＣ５０を収容する。
【００２０】
上記のように構成したインクジェットヘッドの動作を図２によって説明する。インクジェットヘッドには、外部のインクがインク供給口１５を通じてリザーバ４１内に供給され、さらに個々の連通溝４４からそれぞれの吐出室４０を経て、ノズル孔３２の先端部まで満たされている。
ドライバＩＣ５０は端子電極１２ａの端子部と接続され、個別電極１２への電荷の供給及び停止を制御する。例えば、２４ｋＨｚで発振し、個別電極１２に０Ｖと３０Ｖのパルス電位を印加して、電荷供給を行う。個別電極１２に電荷を供給して正に帯電させると、振動板２１は負に帯電し、静電気力により個別電極１２に引き寄せられて撓む。これにより、吐出室４０の容積は広がる。そして、個別電極１２への電荷供給を止めると振動板２１は元に戻るが、そのとき、吐出室４０の容積も元に戻るため、その圧力により差分の液滴がノズル孔３２より吐出し、記録対象となる記録紙に着弾して記録が行われる。
なお、このような方法は引き打ちと呼ばれるものであるが、バネ等を用いて液滴を吐出する押し打ちと呼ばれる方法もある。
【００２１】
次に、インクジェットヘッドの製造方法の一例について、図３〜図９を用いて説明する。
まず、インクジェットヘッドのガラス基板１０の製造工程について、図３、図４を用いて説明する。
（ａ）  硼珪酸ガラスの両面を研磨した厚み１ｍｍの基板１００を用意する。そして、図３（ａ）に示すように、基板１００の一方の面Ａに、Ｃｒ膜１を０．１μｍスパッタリングする。
（ｂ）  Ｃｒ膜１を成膜した面Ａに電極形成用の溝を作り込むためのレジストパターニング２を施し、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液と過塩素酸水溶液との混合液を用いてエッチングし、図３（ｂ）に示すように、Ｃｒパターンを形成する。
【００２２】
（ｃ）  基板１００をふっ酸水溶液に浸し、図３（ｃ）に示すように、Ｃｒパターンをマスクとして、ガラスを０．２μｍエッチングして、電極凹部１１を形成する。そして、Ｃｒパターン形成時に塗布したレジストを剥離する。
（ｄ）  硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液と過塩素酸水溶液との混合液を用いて、Ｃｒ膜１を全面エッチングする。そして、電極凹部１１を形成した面に、図３（ｄ）に示すように、ＩＴＯ１２０を０．１μｍスパッタする。
【００２３】
（ｅ）  ＩＴＯ１２０を成膜した面に、電極凹部１１の内部にのみＩＴＯ１２０が残るようにレジストパターニングを施し、硝酸と塩酸の混合液を用いてエッチングし、図４（ｅ）に示すように、電極部（個別電極１２及び端子電極）を形成する。そして、レジストを剥離する。
（ｆ）  サンドブラスト法により、電極部の外側（図４（ｆ）の右側）に位置する基板１００を約１００μｍ削り、図４（ｆ）に示すように、リザーバ４１の一部になるリザーバ凹部１４を形成する。
（ｇ）  図４（ｇ）に示すように、インク取り入れ口になるインク供給孔１５をサンドブラスト法または切削加工により形成して、リザーバ凹部１４と連通させる。
【００２４】
次に、インクジェットヘッドのノズル基板３０の製造工程について、図５、図６、図７を用いて説明する。
（ａ）  （１００）を面方位とするシリコン基板の両面を鏡面研磨し、１８０μｍの厚みの基板３００を作製する。次に、酸素及び水蒸気雰囲気中、１０７５℃の条件で４時間酸化することで、図５（ａ）に示すように、シリコン基板３００の両面Ｃ，Ｄに約１．２μｍのＳｉＯ2 膜３を成膜する。
（ｂ）  シリコン基板３００の両面Ｃ，Ｄにレジストを塗布し、第１のノズル孔３２ａになる部分３２０ａのレジストパターニングを片側面Ｄに施し、ふっ酸水溶液でエッチングして、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜３をパターニングする。そして両面Ｃ，Ｄのレジストを剥離する。
【００２５】
（ｃ）  シリコン基板３００の両面Ｃ，Ｄにレジストを塗布し、第２のノズル孔３２ｂになる部分３２０ｂ及び連通凹部３１になる部分３１０のレジストパターニングを片側面Ｄに施し、ふっ酸水溶液で０．８μｍエッチングして、図５（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜３が約０．４μｍ残るようにパターニングする。そして、両面Ｃ，Ｄのレジストを剥離する。
（ｄ）  ＩＣＰドライエッチング装置を用いて、図５（ｄ）に示すように、第１のノズル孔３２ａになる部分３２０ａを深さが約２０μｍになるまでエッチングする。エッチング条件は、エッチングプロセスがＳＦ6 流量４００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（４００ｓｃｃｍ）、エッチング時間３．５秒、チャンバー圧力８Ｐａ、コイルパワー２２００Ｗ、プラテンパワー５５Ｗ、プラテン温度２０℃で、デポジションプロセスがＣ4Ｆ8流量２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（２００ｓｃｃｍ）、デポジション時間２．５秒、チャンバー圧力２．７Ｐａ、コイルパワー１８００Ｗ、プラテン温度２０℃である。エッチングプロセスとデポジションプロセスを組み合わせて１サイクルとし、約５０サイクル行う。
【００２６】
（ｅ）  ふっ酸水溶液にシリコン基板３００を浸し、図６（ｅ）に示すように、第２のノズル３２ｂになる部分３２０ｂ及び連通凹部３１になる部分３１０にそれぞれ残っているＳｉＯ2 膜３をエッチングする。
（ｆ）  ＩＣＰドライエッチング装置を用いて、図６（ｆ）に示すように、第２のノズル孔３２ｂになる部分３２０ｂの深さ及び連通凹部３１になる部分３１０の深さがそれぞれ約３０μｍ（第１のノズル３２ａとなる部分３２０ａの深さは約５０μｍ）になるまでエッチングする。エッチング条件は、エッチングプロセスがＳＦ6 流量４００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（４００ｓｃｃｍ）、エッチング時間３．５秒、チャンバー圧力８Ｐａ、コイルパワー２２００Ｗ、プラテンパワー５５Ｗ、プラテン温度２０℃で、デポジションプロセスがＣ4Ｆ8流量２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（２００ｓｃｃｍ）、デポジション時間２．５秒、チャンバー圧力２．７Ｐａ、コイルパワー１８００Ｗ、プラテン温度２０℃である。エッチングプロセスとデポジションプロセスを組み合わせて１サイクルとし、約７５サイクル行う。
【００２７】
（ｇ）  シリコン基板３００をふっ酸水溶液に浸し、残っているＳｉＯ2 膜３を全て除去する。次に、酸素及び水蒸気雰囲気中、１０７５℃の条件で８時間酸化することで、図６（ｇ）に示すように、シリコン基板３００の表面に約１．７μｍのＳｉＯ2 膜３を成膜する。
（ｈ）  シリコン基板３００の両面Ｃ，Ｄにレジストを塗布する。図６（ｈ）に示すように、ノズル３２となる部分３２０等を形成した面Ｄには、突出部３３の溝部３３ａになる部分３３０ａを形成するためのレジストパターニングを施し、反対の面Ｃにはノズル孔３２を貫通させる凹部３６を形成するためのレジストパターニングを施して、ふっ酸水溶液でエッチングし、ＳｉＯ2 膜３をパターニングして、ノズル孔３２を貫通させるための凹部３６となる部分３６０を形成する。そして、レジストを剥離する。
【００２８】
（ｉ）  図７（ｉ）に示すように、シリコン基板３００を２５ｗ％の水酸化カリウム水溶液に浸し、突出部３３の溝部３３ａになる部分３３０ａ、及びノズル孔３２を貫通させるための凹部３６となる部分３６０を約１３０μｍエッチングして、突出部３３の溝部３３ａを形成するとともに、ノズル孔３２を貫通させる。そして、シリコン基板３００をふっ酸水溶液に浸し、全面のＳｉＯ2 膜３を剥離する。リザーバ４１の上に位置する部分はリザーバダイヤフラム３５としての機能を果たし、リザーバ４１のコンプライアンスを高め、インクジェット駆動時のクロストークを吸収する。
【００２９】
次に、インクジェットヘッドのガラス基板１０、キャビティ基板２０及びノズル基板３０の接合工程について、図８、図９を用いて説明する。なお、実際には、シリコンウェハから複数個分のインクジェットヘッドの部材を同時形成するが、図８、図９ではその一部分だけを示している。
（ａ）  （１１０）を面方位とする酸素濃度の低いシリコン材の片面Ｆを鏡面研磨した２２０μｍの厚みのシリコン基板２００（キャビティ基板２０）を作製する。シリコン基板２００の鏡面Ｆ側には、振動板１２の厚みと同等の高濃度ボロンドープ層が形成されている（図示せず）。また、ボロンドープ層の表面には、ＴＥＯＳ絶縁膜を０．１μｍ成膜する（図示せず）。
次に、図８（ａ）に示すように、シリコン基板２００と、図３、図４によってパターン形成済みのガラス基板１０とを、３６０℃に加熱した後、ガラス基板１０に負極、シリコン基板２００に正極を接続して、８００Ｖの電圧を印加して陽極接合する。
（ｂ）  陽極接合後、シリコン基板２００の表面Ｅを、シリコン基板２００の厚みが約６０μｍになるまで研削加工を行う。その後、３２ｗ％の濃度の水酸化カリウム溶液でシリコン基板２００を約１０μｍエッチングして、加工変質層を除去する。これにより、図８（ｂ）に示すように、シリコン基板２００の厚みは約５０μｍとなる。
【００３０】
（ｃ）  接合済みのシリコン基板２００を、図８（ｃ）に示すように、水酸化カリウム水溶液を用いてエッチングし、吐出室４０の一部になる吐出凹部２２等を形成する。シリコンのエッチング工程では、ボロンドープ層でのエッチングレート低下によるエッチングストップをさせる。これにより、振動板２１の面荒れを抑制し、厚み精度を０．８０±０．０５μｍ以下にすることができ、インクジェットヘッドの吐出性能を安定化することができる。
ＩＣ貫通孔２４やリザーバ貫通孔２３には、シリコン薄膜が残る。これを除去するために、シリコンマスクをシリコン基板２００の表面に取り付け、ＲＩＥドライエッチングを行い、貫通孔２４，２３のみにプラズマを当て、開口する。
（ｄ）  接合済みの基板を乾燥し、ギャップＧ内部の水分を除去した後、図８（ｄ）に示すように、エポキシ樹脂を封止用の貫通孔２７に流し込み、ギャップＧを封止する。この封止材４３によって、ギャップＧは密閉状態になる。
【００３１】
（ｅ）  図９（ｅ）に示すように、ガラス基板１０の端子部にドライバＩＣ５０を実装する。
（ｆ）  図９（ｆ）に示すように、キャビティ基板２０の上面にノズル基板３０をエポキシ系接着剤によって接着する。次に、ダイシングを行い、個々のヘッドに切断する。
【００３２】
以上のように、本実施の形態１によれば、キャビティ基板２０とガラス基板１０を接合した後に、吐出室４０になる吐出凹部２２等の各部位を形成するので、取り扱いが容易となり、基板の割れを低減することができ、基板の大口径化が可能となる。そして、大口径化が可能となれば、一枚の基板から多くのインクジェットヘッドを取出すことができるため、生産性を向上させることができる。
また、ガラス基板１０とキャビティ基板２０の端部側（図１の左右の端部側）にリザーバ４１を形成するため、リザーバ４１の体積を容易に増加させることができ、これによってリザーバ４１の流路抵抗を低くし、吐出能力を向上させることが可能となる。また、リザーバ４１の体積を確保するために新たに基板を追加する必要がなく、リザーバをガラス基板１０とキャビティ基板２０のみで形成できるので、インクジェットヘッドを低コストで容易に製造することができる。
さらに、ドライバＩＣ５０を液滴吐出ヘッド内に収容し、ノズル基板３０にドライバＩＣ５０を保護する突出部３３を設け、１ヘッドチップに２列のノズル列３２ｃを形成したので、ヘッドチップの小型化が可能となる。
【００３３】
実施の形態２．
図１０は実施の形態１で製造した液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）を用いた液滴吐出装置（プリンタ）の斜視図、図１１は図１０の主要部を示す斜視図である。
図１１において、被印刷物であるプリント紙１１０が支持されるドラム１０１と、プリント紙１１０にインクを吐出し記録を行う液滴吐出ヘッド１０２とによって主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド１０２にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙１１０は、ドラム１０１の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ１０３により、ドラム１０１に圧着して保持される。そして、送りネジ１０４がドラム１０１の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド１０２が保持されている。送りネジ１０４が回転することによって、液滴吐出ヘッド１０２がドラム１０１の軸方向に移動するようになっている。
【００３４】
一方、ドラム１０１は、ベルト１０５等を介してモータ１０６により回転駆動される。また、プリント制御手段１０７は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ１０４、モータ１０６を駆動させ、また、ここでは図示していないが、発振駆動回路を駆動させて振動板２１を振動させ、制御をしながらプリント紙１１０に印刷を行わせる。
【００３５】
ここでは液体をインクとしてプリント紙１１０に吐出するようにしているが、液滴吐出ヘッドから吐出する液体はインクに限定されない。例えば、カラーフィルタとなる基板に吐出させる用途においては、カラーフィルタ用の顔料を含む液体、有機化合物等の電界発光素子を用いた表示パネル（ＯＬＥＤ等）の基板に吐出させる用途においては、発光素子となる化合物を含む液体、基板上に配線する用途においては、例えば導電性金属を含む液体を、それぞれの装置において設けられた液滴吐出ヘッドから吐出させるようにしてもよい。また、液滴吐出ヘッドをディスペンサとし、生体分子のマイクロアレイとなる基板に吐出する用途に用いる場合では、ＤＮＡ（Deoxyribo Nucleic Acids ：デオキシリボ核酸）、他の核酸（例えば、Ribo Nucleic Acid：リボ核酸、Peptide Nucleic Acids：ペプチド核酸等）、タンパク質等のプローブを含む液体を吐出させるようにしてもよい。その他、布等の染料の吐出等にも利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの分解斜視図。
【図２】図１の組み立て状態の要部を示す縦断面図。
【図３】実施の形態１に係るガラス基板の製造方法を示す工程図。
【図４】図３に続く工程図。
【図５】実施の形態１に係るノズル基板の製造方法を示す工程図。
【図６】図５に続く工程図。
【図７】図６に続く工程図。
【図８】実施の形態１に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す工程図。
【図９】図９に続く工程図。
【図１０】液滴吐出ヘッドを用いた液滴吐出装置の斜視図。
【図１１】図１０の要部の斜視図。
【符号の説明】
【００３７】
１０  ガラス基板、１２  個別電極、１４  リザーバ凹部（第２の凹部）、２０  キャビティ基板、２１  振動板、２２  吐出凹部（第１の凹部）、２３  リザーバ貫通孔（貫通孔）、２４  ＩＣ貫通孔、３０  ノズル基板、３２  ノズル孔、３５  リザーバダイヤフラム、４０  吐出室、４１  リザーバ  、４２  ＩＣ収容部（収容部）、５０  ドライバＩＣ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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