(57)【要約】【課題】独立する光電センサを複数並べて使用しても、干渉光の影響を最小限に抑えることが可能な光電センサを提供することを目的とする。【解決手段】光電センサは投光素子１０、フォトダイオード２０、電流電圧変換回路４０、結合コンデンサＣｏ、増幅回路５０、ＣＰＵ６０などを備え、更に、電流電圧変換回路と結合コンデンサＣｏとの間に、アナログスイッチＳｗを設けている。そして、自投光の信号を読み取る信号読取期間、以外の期間については、アナログスイッチＳｗをＯＦＦさせて、回路にいかなる信号もとり込ませないように制御している。これにより、光電センサを並べて使用した場合に、自投光の信号を読み取る信号読取期間以外の期間に、隣接する光電センサから出射された光が干渉光として入光したとしても、その影響を排除できる。【選択図】図１
2007205775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出物へ向けて所定周期ごとに光を投光する投光素子と、
前記投光素子からの光を受光し、受光量に応じた受光信号を出力する受光素子と、
前記投光素子の投光タイミングに同期した同期タイミングで前記受光信号を取り込み、その信号レベルに基づいて前記被検出物の検出を行なう受光手段とを備える光電センサにおいて、
前記受光手段は、
前記同期タイミング以前の所定期間において、前記受光素子から出力される信号の入力を阻止、或いは信号のレベルを低下させることを特徴とする光電センサ。
【請求項２】
前記受光手段は、
前記受光信号から所定帯域の周波数成分を取り除くフィルタと、
前記フィルタを通過した受光信号のレベルに基づいて、前記被検出物の検出を行なう処理部と、
前記フィルタの入力段に設けられるアナログスイッチと、
前記同期タイミング以前の所定期間は、前記アナログスイッチを開状態に制御することで、前記受光素子から出力される信号の入力を阻止する制御部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の光電センサ。
【請求項３】
前記受光手段は、
前記同期タイミング直前の干渉光検知期間において、前記受光素子から出力される信号の有無に基づいて干渉光の検出を行なう干渉光検出手段と、
前記干渉光検出手段において干渉光が検出されたときには、所定の干渉回避動作を行なう干渉回避手段と、を備え、
前記所定期間から前記干渉検知期間を除いた期間について、前記受光素子から出力される信号の入力を阻止、或いは信号のレベルを低下させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、投光素子と受光素子とを備えた、光電センサが広く知られている。このものは、投光素子から被検出物に向けて光を照射し、被検出物上で反射した光（透過した光でもよい）を受光素子により受光する。そして、受光素子から出力される受光信号の信号レベルに基づいて、被検出物の有無、位置、変位量などを測定するものである。
図９には、投光素子の投光タイミング、並びに受光信号の波形がそれぞれ示されている。このように、受光信号は投光タイミングに対してやや遅れて出力される。また、信号の信号終端にはアンダーシュートが生じているが、これは、回路中に含まれるコンデンサ（例えば、受光信号から直流成分を取り除くためのもの）が信号の通過に伴って、充放電を起こすことに起因する。尚、この種の光電センサの一例として、下記特許文献のものが提案されている。
【特許文献１】特開平１０−１９６７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年では、図１０に示すように、上述した光電センサ（それぞれが独立したセンサ）を複数個並べて使用することがある。この例では、投光素子１ａと受光素子２ａ、投光素子１ｂと受光素子２ｂ、投光素子１ｃと受光素子２ｃがそれぞれ対になっており、３つの光電センサが使用されている。
このように光電センサを併設させると、一の光電センサ（投光素子）が検出動作を行なうべく投光した光が、これと隣接する他の光電センサ（受光素子）に干渉光として入光することがあり、これが測定誤差を招く恐れがある。
【０００４】
特に、センサ同士の投光タイミングを何らかの方法により、ずらせたとしても、以下の場合には干渉光の影響を受けてしまう。
例えば、図１１には、上段に投光素子１ｂの投光タイミング、受光素子２ｂの受光信号が示され、下段に、投光素子１ａの投光タイミング、受光素子２ａの受光信号がそれぞれ示されている。ここで、投光素子１ａの投光タイミングは、投光素子１ｂの投光タイミングに重なっていないが、先にも述べたように、受光信号は投光タイミングからやや遅れて出力され、しかも、終端がアンダーシュートする。従って、投光素子１ａから出射された光が受光素子２ｂに入光（図中に一点鎖線で示す）すると、アンダーシュートが正規受光信号に重なって、正規受光信号の受光レベルを低下させてしまう。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、独立する光電センサを複数並べて使用しても干渉光の影響を最小限に抑えることが可能な光電センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、被検出物へ向けて所定周期ごとに光を投光する投光素子と、前記投光素子からの光を受光し、受光量に応じた受光信号を出力する受光素子と、前記投光素子の投光タイミングに同期した同期タイミングで前記受光信号を取り込み、その信号レベルに基づいて前記被検出物の検出を行なう受光手段とを備える光電センサにおいて、前記受光手段は、前記同期タイミング以前の所定期間において、前記受光素子から出力される信号の入力を阻止、或いは信号のレベルを低下させるところに特徴を有する。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、前記受光手段は、前記受光信号から所定帯域の周波数成分を取り除くフィルタと、前記フィルタを通過した受光信号のレベルに基づいて、前記被検出物の検出を行なう処理部と、前記フィルタの入力段に設けられるアナログスイッチと、前記同期タイミング以前の所定期間は、前記アナログスイッチを開状態に制御することで、前記受光素子から出力される信号の入力を阻止する制御部と、を備えるところに特徴を有する。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載のものにおいて、前記受光手段は、前記同期タイミング直前の干渉光検知期間において、前記受光素子から出力される信号の有無に基づいて干渉光の検出を行なう干渉光検出手段と、前記干渉光検出手段において干渉光が検出されたときには、所定の干渉回避動作を行なう干渉回避手段と、を備え、前記所定期間から前記干渉検知期間を除いた期間について、前記受光素子から出力される信号の入力を阻止、或いは信号のレベルを低下させるところに特徴を有する。
【発明の効果】
【０００８】
＜請求項１の発明＞
請求項１の発明によれば、同期タイミング以前の所定期間において、干渉光の入光があって受光素子から信号が出力されたとしても、受光手段が同信号の入力を阻止、或いは同信号のレベルを低下させる。このように干渉光による信号については、抑圧する構成としてやれば、必然的に干渉光に起因する信号のアンダーシュートも抑えられるので、対をなす投光素子から出射されて同期タイミングにおいて受光された受光信号のレベルが正しい値に保たれる。これにより、過大な干渉光に対する干渉防止効果や、投光周期が短い場合の干渉防止効果が得られ、信頼性に優れた光電センサの提供が可能となる。尚、過大な干渉光とは、例えば、対をなす投光素子より、隣接された光電センサの投光素子が近くに配置された場合などに起こる。
【０００９】
＜請求項２の発明＞
請求項２の発明によれば、同期タイミング以前の所定期間は、制御部によりアナログスイッチが開状態に制御される。これにより、干渉光に起因する信号がフィルタ、ひいてはそれ以降の後段の回路に入力されることを阻止出来る。
【００１０】
＜請求項３の発明＞
請求項３の発明によれば、干渉光検知期間においては、干渉光検出手段により干渉光の検出動作がなされ、干渉光が検出がされたときには、干渉回避手段により所定の干渉回避動作がなされる。これにより、同期タイミングの直前に干渉光の入光があったとしても、その影響を排除できる。また、所定期間から前記干渉検知期間を除いた期間については、受光手段により、信号の入力を阻止、或いは入力された信号のレベルを低下させる処理が行なわれるので、同期間中（所定期間から前記干渉検知期間を除いた期間）に干渉光の入光があったとしても、その影響を排除できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１、図２によって説明する。
図１は、光電センサの電気的構成を示すブロック図であり、同図における符号１０は投光素子、符号２０は受光素子としてのフォトダイオード、符号３０は信号処理部（本発明の受光手段に相当）である。フォトダイオード２０は電源ラインＶｃに対して抵抗Ｒを介して逆バイアスされた状態で接続されている。
【００１２】
信号処理部３０は、電流電圧変換回路４０、結合コンデンサＣｏ、増幅回路５０、ＣＰＵ６０を備えている。そして、電流電圧変換回路４０の入力端子がフォトダイオード２０のカソード端子Ｋに接続されている。尚、結合コンデンサＣｏが本発明の「受光信号から所定帯域の周波数成分を取り除くフィルタ」に相当している。
【００１３】
ＣＰＵ６０は光電センサの全体を制御するものであって、投光素子１０の投光タイミング、並びにフォトダイオード２０から出力される受光信号を読み取るタイミング（以下、同期タイミングとする）を決定する機能を有する。また、電流電圧変換回路４０の出力段と、結合コンデンサＣｏの入力段との間にはアナログスイッチＳｗが介設されている。このアナログスイッチＳｗには、ＣＰＵ６０からゲート信号Ｇが与えられるようになっており、ゲート信号Ｇが入力されている期間はＯＮ動作して結合コンデンサＣｏに対する信号の入力を許容するが、ゲート信号Ｇが入力されていない期間はＯＦＦ動作して結合コンデンサＣｏに対する信号の入力を禁止する。
【００１４】
尚、ＣＰＵ６０によるアナログスイッチＳｗの開閉制御機能により、本発明の「前記アナログスイッチを開状態に制御することで、前記受光素子から出力される信号の入力を阻止する制御部」が実現されている。
【００１５】
以下、具体的な検出動作について、説明する。
検出動作が開始されると、ＣＰＵ６０は、図２に示すように、所定周期で繰り返される投光タイミング信号Ｓｃを生成し、これを、投光素子１０に出力する。これにより、投光素子１０からは、所定周期で検出光が出射される。
【００１６】
そして、投光素子１０から出射された光は、被検出物としてのワークＷで反射され、その反射光がフォトダイオード２０に入光する。これにより、フォトダイオード２０のカソード端子からは受光量に応じた光電流ｉｏが流れ、これが、電流電圧変換回路４０により電圧信号（以下、受光信号とする）に変換される。
【００１７】
その後、受光信号は結合コンデンサＣｏによって直流成分が取り除かれる。尚、図２には、受光信号の波形として、図１のａ点の波形（結合コンデンサＣｏから出力された時点の波形）が示してある。同図に示すように、ａ点の波形（以下、受光信号Ｓｒ）には信号終端部分にはアンダーシュートがみられるが、これは、結合コンデンサＣｏに蓄えられた電荷（受光信号の直流成分）が、信号の通過後に放電されるからである。
【００１８】
そして、直流成分が除去された受光信号Ｓｒは、その後、増幅回路５０へと入力され、そこで増幅された後、ＣＰＵ６０の入力ポート６１に入力される。尚、図では省略されているが、ＣＰＵ６０の入力段にはＡ／Ｄ変換器が設けられており、増幅された受光信号Ｓｒはディジタル値に変換された後、ＣＰＵ６０に取り込まれるようになっている。
【００１９】
そして、ＣＰＵ６０は入力ポート６１への読み取り動作を、図２に示すように投光側の投光タイミングに対して受光動作の遅れαだけずらしたタイミング（同期タイミング）から所定期間（以下、信号読取期間と呼ぶ）行なう。
【００２０】
これにより、投光側に同期したタイミングで受光信号を取り込むことが出来る。そして、ＣＰＵ６０は取り込まれた受光信号のレベルに基づいてワークの有無等について判定する処理を行なう。そして、一旦、検出が開始されると、係る一連の検出動作が繰り返し行なわれることとなる。尚、以下、フォトダイオード２０と対をなす投光素子１０より出射された光を自投光と呼ぶ。また、ＣＰＵ６０による判定処理により、本発明の「処理部」の果たす処理機能が実現されている。
【００２１】
さて、上述したように、ＣＰＵ６０は投光側の投光タイミングに合わせて受光信号の読み取り動作を行なっている。そのため、光電センサを複数併設させて使用させても、自己の投光タイミングに同期したタイミングで入光した信号のみを受光信号として取り込むことが出来る。
【００２２】
しかしながら、例えば、図２の下段に示すように隣接する光電センサが自己の投光タイミングに近いタイミングで投光され、それが干渉光として入光すると、フォトダイオード２０から出力される受光信号Ｓｚの終端部分（アンダーシュートしたところ）が自投光側の信号読取期間に重なってしまう恐れがある。
【００２３】
そこで、本実施形態のものは、自投光側の信号読取期間以外の期間（図２中のＦ期間）についてはアナログスイッチＳｗをＯＦＦ動作（ＣＰＵ６０によりゲート信号Ｇの入力を禁止する）させて、アナログスイッチＳｗ以降の後段の回路にいかなる信号も入れない（本発明の「前記受光素子から出力される信号の入力を阻止」に相当）ようにしている。これにより、信号読取期間以外の期間に結合コンデンサＣｏが充電され、これを、信号読取期間中に放電するといった現象、それ自体が起きない。
【００２４】
従って、受光信号Ｓｒの信号レベルを本来の値に正しく保つことが可能で、干渉光に起因する測定誤差を排除でき、特に、過大な干渉光に対する干渉防止効果や、投光周期が短い場合の干渉防止効果が得られ、信頼性に優れた光電センサの提供が可能となる。尚、過大な干渉光とは、例えば、対をなす投光素子より、隣接された光電センサの投光素子が近くに配置された場合などに起こる。
【００２５】
尚、説明の繰り返しになるが上記効果を得るには、アナログスイッチＳｗを結合コンデンサＣｏより前段に設けることが不可欠である。仮に、結合コンデンサＣｏの後段にアナログスイッチＳｗを設けてしまうと、アナログスイッチＳｗがＯＦＦされていても、その期間に信号の入力があれば結合コンデンサＣｏが充電されてしまう。すると、自投光の受光信号を取り込むべく、アナログスイッチをＯＮさせると、そのときには、結合コンデンサＣｏが充電された状態にあって電荷の放電を始めるため、自投光の受光信号Ｓｒに影響を与えてしまうからである。
【００２６】
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２を図３によって説明する。
実施形態２は、実施形態１の光電センサに対して干渉光の検出機能、並びに干渉回避機能を新たに追加したものであり、他の構成については実施形態１と同じである。
【００２７】
具体的に説明すると、実施形態１では、図３中のＦ期間全体について、アナログスイッチＳｗをＯＦＦ動作させたが、実施形態２のものは、各Ｆ期間のうち、同期タイミング直前のＨ期間（本発明の干渉光検知期間に相当）については、アナログスイッチＳｗをＯＮ動作させるととももに、これに合わせて、入力ポート６１に対する信号の読み取り動作を、同Ｈ期間についてもＣＰＵ６０により行なうようにしている。
【００２８】
このような構成であれば、Ｈ期間中において入力ポート６１に受光信号の入力があったか、否かを検出（ＣＰＵ６０により検出）することで、自投光に重なるようなタイミング（例えば、図３の下段）で入光する干渉光の有無を判別できる。
【００２９】
尚、ＣＰＵ６０によって、Ｈ期間中に受光信号の有無を検出する処理により、本発明の「干渉光検出手段の果たす機能が実現されている」。
【００３０】
そして、干渉光が検出された場合には、ＣＰＵ６０により投光タイミング信号Ｓｃの出力を所定期間停止し、その後、再び、投光タイミング信号Ｓｃを出力する遅延処理（干渉回避動作）を行なう。尚、ＣＰＵ６０の遅延処理により、本発明の「干渉回避手段の果たす機能が実現されている」。
【００３１】
これにより、自投光が、干渉光に重ならない位置までずらされる。従って、投光タイミングが調整された以降は、干渉光の影響を受けず、ワークＷについて検出を行なうことが出来る。
【００３２】
尚、先の干渉回避動作により投光タイミングが調整された後についても、干渉光自体がなくなる訳ではないので、Ｆ期間のうちＨ期間を除く部分については、実施形態１と同様にアナログスイッチＳｗをＯＦＦさせ、結合コンデンサＣｏに対する信号の入力を規制しておく必要がある。このように、信号処理期間を除く他の期間は、結合コンデンサＣｏに極力信号を取り込ませなくすることで、結合コンデンサＣｏの充放電による影響（受光信号Ｓｒのレベル低下）を排除できる。
【００３３】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図４、図５を参照して説明する。
実施形態３のものは、測定精度の更なる向上を図るべく、外乱光（例えば、高周波点灯されるインバータ方式の蛍光灯の光など）についてのノイズ対策を図ったものである。具体的に言えば、投光素子を外乱光の周波数帯域より更に、高周波のバースト信号によって駆動させることとしている。これにより、受光素子から出力される信号も高周波の信号となる。従って、出力された高周波信号を、阻止域に外乱光の周波数帯域を含むフィルタ（この実施形態では増幅回路１２０）にかけて外乱光の周波数帯域より更に、高い周波数成分だけを取り出すことで外乱光の成分を抑圧出来る。
【００３４】
尚、この実施形態では、投光素子をバースト駆動させることに伴って、信号処理部１００の回路構成を実施形態１の構成に対して変えてある。すなわち、信号処理部１００を電流電圧変換回路１１０、結合コンデンサＣ１、増幅回路１２０、整流回路１３０、ローパスフィルタ（本発明の受光信号から所定帯域の周波数成分を取り除くフィルタに相当）１４０、ＣＰＵ１５０により構成している。そして、ローパスフィルタ１４０の入力段にアナログスイッチＳｗを設けている（図４参照）。
【００３５】
以下、具体的な検出動作について、図４、図５を参照して簡単に説明する。
検出動作が開始されると、ＣＰＵ１５０はパルスが連続してなるバースト信号Ｂにより投光信号Ｓｔを生成し、これを投光素子１０に出力する。これにより、投光素子１０が高周波点灯される。
【００３６】
すると、投光素子１０から出射された光はワークＷで反射された後、フォトダイオード２０で受光される。これにより、フォトダイオード２０から受光量に応じた光電流が出力される。光電流は電流電圧変換回路１１０によって電圧信号（受光信号）に変換され、その後、結合コンデンサＣ１によって直流成分が除去される。
【００３７】
その後、受光信号は増幅回路１２０によって外乱光の周波数帯域より更に、高い周波数成分だけが増幅される。これにより、外乱光が含まれる周波数帯域の信号成分は抑圧される（ノイズ成分の除去）。
【００３８】
しかし、増幅回路１２０から出力された受光信号（図５において、受光信号１として示されている）は、バースト信号Ｂと同様の高周波信号であるので、そのままＣＰＵ１５０に入力させても、信号のレベルを正しく読み取ることが出来ない。そのため、次の整流回路１３０によって整流し、その後、更に、ローパスフィルタ１４０によって高周波成分を除去した上でＣＰＵ１５０に入力させている。
【００３９】
また、図５には、ローパスフィルタ１４０通過後の受光信号の波形（図４中のｂ点の波形）が整流信号２として示されているが、同信号の終端にはアンダーシュートが見られる。そこで、本実施形態においても、実施形態１と同様に、干渉光の影響を排除するべく、同期タイミング以前の期間については、ＣＰＵ１５０によりアナログスイッチＳｗをＯＦＦ動作させることとしている。
【００４０】
これにより、例えば、図５の下段に示すタイミングで、隣接する光電センサによりバースト投光が行なわれ、それをフォトダイオード２０が受光したとしても、当該受光信号（干渉光を受光して出力された受光信号）がローパスフィルタ１４０に入力されることがない。
【００４１】
尚、図４に示すように、信号処理部１００には、結合コンデンサＣ１も含まれているが、ここを通過する信号は高周波信号なのでアンダーシュート、それ自体が小さく影響も少ない。すなわち、信号終端のアンダーシュートは低周波であるほど大きく現れるので、アナログスイッチＳｗは、少なくともローパスフィルタ１４０の入力段より前に設けておけばよい。
【００４２】
なお、この実施例では、ローパスフィルタ１４０の直前にアナログスイッチＳｗを配置しているが、これは、アナログスイッチＳｗを開閉する際のスイッチングノイズの影響を極力抑える（仮に、アナログスイッチＳｗを回路の入力段寄りの位置に設けると増幅回路１２０等でノイズが増幅されてしまう）ためである。
【００４３】
＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図６を参照して説明する。
実施形態３では、整流回路１３０とローパスフィルタ１４０との間にアナログスイッチＳｗを設け、同期タイミング以前の所定期間についてはこれをＯＦＦ状態とすることで、同期間中についてローパスフィルタ１４０への信号の入力を規制したが、実施形態４では、アナログスイッチＳｗのＯＮ・ＯＦＦ制御に変えて、増幅率を制御することで信号それ自体を抑圧する構成をとっている。
【００４４】
具体的には、図６における増幅回路１６０には２種のゲイン設定がされており、その切替をＣＰＵ１５０から出力される制御信号で行なうことが出来る。すなわち、同期タイミング以前の所定期間については増幅率を下げることで、同期タイミング以前に入力される信号（干渉光に起因する信号）を抑圧できる。尚、ゲインの切替を行なう構成の一例として、増幅回路１６０をエミッタ接地回路により構成している場合には、コレクタ抵抗を可変させてやればよい。
【００４５】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４６】
（１）実施形態１では、アナログスイッチＳｗのＯＮ・ＯＦＦ制御、実施形態４では増幅回路１２０のゲインを調整することで、Ｆ期間中に入力される信号のレベルを低下させたが、この他にも、フォトダイオード２０の逆バイアスのＯＮ・ＯＦＦ（図７参照、Ｆ期間は逆バイアスＯＦＦ）により信号を低下させることも出来る。すなわち、逆バイアスを外してやれば、逆バイアスがかけられている場合に比べて、フォトダイオード２０から出力される信号が小さくなる。
また、実施形態３のように投光素子をバースト投光するものであれば、フィルタの切替により信号のレベルを低下させることも出来る。すなわち、予め、通過域の異なる２種のフィルタを用意しておき、信号を通過させたいときには、同信号の帯域を通過域に含むフィルタを選択し、信号を抑圧したい場合には、同信号の帯域を阻止域に含むフィルタを選択してやればよい。
【００４７】
（２）実施形態１では、信号読取期間を除く他の期間（Ｆ期間）の全体について、アナログスイッチＳｗをＯＦＦする構成としたが、干渉光が入光したとしても、影響が小さい部分については、アナログスイッチＳｗをＯＮしておいてもよい。例えば、図８に示すように、信号読取期間直後の所定期間（図中のＪ期間）などである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施形態１に係る、光電センサの電気的構成を示すブロック図
【図２】アナログスイッチの動作タイミングを示す図
【図３】実施形態２に係るアナログスイッチの動作タイミングを示す図
【図４】実施形態３に係る、光電センサの電気的構成を示すブロック図
【図５】ローパスフィルタを通過後に信号の終端にアンダーシュートが生じた状態を示す図
【図６】実施形態４に係る、光電センサの電気的構成を示すブロック図
【図７】逆バイアスをＯＮ・ＯＦＦさせる実施例のブロック図
【図８】干渉光が入光したとしても、影響が小さい部分についてはアナログスイッチＳｗをＯＮ動作させた例を示す図
【図９】投光素子の投光タイミング、並びに受光信号の波形を示した図
【図１０】光電センサを複数並べて使用した状態を示す図
【図１１】干渉光に起因する受光信号と、自投光の受光信号の関係を示す図
【符号の説明】
【００４９】
１０…光電センサ
２０…フォトダイオード（受光素子）
３０…信号処理部（受光手段）
５０…増幅回路
６０…ＣＰＵ
Ｓｗ…アナログスイッチ
Ｃｏ…結合コンデンサ（フィルタ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007205775.tif 000007
【図６】
2007205775.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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