(57)【要約】【課題】取り扱い性が良く、容易に製造できると共に、ボイドの発生を抑制することができる線はんだを提供することにある。【解決手段】融点が３００℃以下の第一金属成分からなるメッキ層２と、前記メッキ層２が表面に形成され、前記第一金属成分に溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物を生成する第二金属成分からなる線状部材３とを有する線はんだ本体１を所定の応力にて複数縒り合わせたことで、所定の応力が隣接する線はんだ本体１に作用し、メッキ層２の形状を変形させて、隣接する複数の線はんだ本体１間の空隙４を減少させており、接合部形成時に第一金属成分と第二金属成分とが溶融し拡散してなる合金内への空気の入り込みが抑制され、その結果、ボイドの発生を抑制させるようにした。【選択図】図２
2007098455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点が３００℃以下の第一金属成分からなるメッキ層と、前記メッキ層が表面に形成され、前記第一金属成分に溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物を生成する第二金属成分からなる線状部材とを有する線はんだ本体を所定の応力にて複数縒り合わせてなる
ことを特徴とする線はんだ。
【請求項２】
請求項１に記載された線はんだであって、
前記第一金属成分および前記第二金属成分は、Ｓｎ，Ｉｎのうち１種の金属元素またはその合金、およびＣｕ，Ａｇを主成分とする金属またはその合金である、または、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉのうち１種の金属元素またはその合金、およびＮｉを主成分とする金属またはその合金である
ことを特徴とする線はんだ。
【請求項３】
請求項２に記載された線はんだであって、
前記第一金属成分に前記第二金属成分が溶融し拡散して生成され、融点が３５０℃以上となる合金は、Ｓｎ４０〜６０ｗｔ％とＣｕ４０〜６０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｃｕ系合金、Ｉｎ２６〜４４ｗｔ％とＣｕ５６〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ１５〜２４．５ｗｔ％とＡｇ７５．５〜８５ｗｔ％とからなるＳｎ−Ａｇ系合金、Ｉｎ２６〜３５ｗｔ％とＡｇ６５〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ６０〜７４ｗｔ％とＮｉ２６〜４０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｎｉ系合金、Ｉｎ７４〜８２ｗｔ％とＮｉ１８〜２６ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｎｉ系合金、Ｂｉ７６〜９２ｗｔ％とＮｉ８〜２４ｗｔ％とからなるＢｉ−Ｎｉ系合金である
ことを特徴とする線はんだ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載された線はんだであって、
前記線はんだ本体の直径は、１００μｍ以下である
ことを特徴とする線はんだ。
【請求項５】
融点が３００℃以下の第一金属成分がメッキ処理され、前記第一金属成分に溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物を生成する第２金属成分からなる線状の線はんだ本体を所定の応力にて複数縒り合わせてなる
ことを特徴とする線はんだの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された線はんだの製造方法であって、
前記第一金属成分および前記第二金属成分は、Ｓｎ，Ｉｎのうち１種の金属元素またはその合金、およびＣｕ，Ａｇを主成分とする金属またはその合金である、または、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉのうち１種の金属元素またはその合金、およびＮｉを主成分とする金属またはその合金である
ことを特徴とする線はんだの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された線はんだの製造方法であって、
前記第一金属成分に前記第二金属成分が溶融し拡散して生成され、融点が３５０℃以上となる合金は、Ｓｎ４０〜６０ｗｔ％とＣｕ４０〜６０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｃｕ系合金、Ｉｎ２６〜４４ｗｔ％とＣｕ５６〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ１５〜２４．５ｗｔ％とＡｇ７５．５〜８５ｗｔ％とからなるＳｎ−Ａｇ系合金、Ｉｎ２６〜３５ｗｔ％とＡｇ６５〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ６０〜７４ｗｔ％とＮｉ２６〜４０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｎｉ系合金、Ｉｎ７４〜８２ｗｔ％とＮｉ１８〜２６ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｎｉ系合金、Ｂｉ７６〜９２ｗｔ％とＮｉ８〜２４ｗｔ％とからなるＢｉ−Ｎｉ系合金である
ことを特徴とする線はんだの製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７の何れかに記載された線はんだの製造方法であって、
前記線はんだ本体の直径は、１００μｍ以下である
ことを特徴とする線はんだの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線はんだおよびその製造方法に関し、詳細には、Ｐｂフリーはんだであって、接合部に発生し易いボイドを抑制し、電子部品の接合、特に半導体素子のダイボンディグや積層セラミックコンデンサのろう付け等に用いて好適な線はんだおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波素子やトランジスタ素子など半導体素子の内部のダイボンディング、積層セラミックコンデンサのろう付け、両面および二次実装する際における最初のロウ付け部分の接続、パッケージの気密封止等においては、一般にＰｂを８５％〜９５％含むＰｂ−Ｓｎ合金等が使用されている。この合金は高融点であり、高温はんだと称される。この高温はんだによれば、ろう材の溶融温度の２６０℃以上となる３００℃〜３６０℃にてろう付けが可能となり、実装時などの熱履歴に接合部が耐えることができる。
【０００３】
しかし、Ｐｂ系合金については、環境汚染に対する配慮からＰｂの使用が敬遠され、高温はんだにおいても、Ｐｂを含まないはんだ（Ｐｂフリーはんだ）が求められている。このようなＰｂフリーはんだとして、ＳｎとＣｕ，Ｎｉ，Ａｇなどの高融点化合物を有する、混合粉や積層膜・シートなどが考えられている。また、異種金属混合粉を含むはんだ付け用組成物（例えば、特許文献１および特許文献２を参照）などが開発されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２５４１９４号公報
【特許文献２】特開２００２−２５４１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、混合粉、または積層膜からなるＰｂフリーはんだは、線材や板材に成型することができず、取り扱い性が良くなかった。また、このＰｂフリーはんだにより接合部形成の際にボイド（空隙）が多く生成することが知られており、半導体素子のダイボンディング等の用途では、微少な接合部における接合強度を有し、かつ信頼性も要求されることから、生成したボイドは不具合の原因となってしまう。また、積層膜からなるＰｂフリーはんだでは、積層するための製造が複雑であった。
【０００６】
また、特許文献１および特許文献２に記載のはんだは、異種金属混合粉にフラックスを混ぜたものであり、接合部形成の際にボイドが発生し易く、半導体素子のダイボンディング等の用途では、微少な接合部における接合強度を有し、かつ信頼性も要求されることから、生成したボイドは不具合の原因となってしまう。
【０００７】
そこで、本発明は、前述した問題に鑑み提案されたもので、取り扱い性が良く、容易に製造できると共に、ボイドの発生を抑制することができる線はんだおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決する第１の発明に係る線はんだは、融点が３００℃以下の第一金属成分からなるメッキ層と、前記メッキ層が表面に形成され、前記第一金属成分に溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物を生成する第二金属成分からなる線状部材とを有する線はんだ本体を所定の応力にて複数縒り合わせてなることを特徴とする。
【０００９】
上述した課題を解決する第２の発明に係る線はんだは、第１の発明に記載された線はんだであって、前記第一金属成分および前記第二金属成分が、Ｓｎ，Ｉｎのうち１種の金属元素またはその合金、およびＣｕ，Ａｇを主成分とする金属またはその合金である、または、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉのうち１種の金属元素またはその合金、およびＮｉを主成分とする金属またはその合金であることを特徴とする。
前記所定の応力としては、第二金属成分がＣｕの場合には６７〜２１３ＭＰａ、好ましくは６７〜１５０ＭＰａが挙げられ、第二金属成分がＮｉの場合には５９〜３１６ＭＰａ、好ましくは５９〜２００ＭＰａが挙げられ、第二金属成分がＮｉの場合には５４〜１２５ＭＰａ、好ましくは５４〜１００ＭＰａが挙げられる。
【００１０】
上述した課題を解決する第３の発明に係る線はんだは、第２の発明に記載された線はんだであって、前記第一金属成分に前記第二金属成分が溶融し拡散して生成され、融点が３５０℃以上となる合金が、Ｓｎ４０〜６０ｗｔ％とＣｕ４０〜６０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｃｕ系合金、Ｉｎ２６〜４４ｗｔ％とＣｕ５６〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ１５〜２４．５ｗｔ％とＡｇ７５．５〜８５ｗｔ％とからなるＳｎ−Ａｇ系合金、Ｉｎ２６〜３５ｗｔ％とＡｇ６５〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ６０〜７４ｗｔ％とＮｉ２６〜４０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｎｉ系合金、Ｉｎ７４〜８２ｗｔ％とＮｉ１８〜２６ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｎｉ系合金、Ｂｉ７６〜９２ｗｔ％とＮｉ８〜２４ｗｔ％とからなるＢｉ−Ｎｉ系合金であることを特徴とする。
【００１１】
上述した課題を解決する第４の発明に係る線はんだは、第１乃至第３の何れかの発明に記載された線はんだであって、前記線はんだ本体の直径が、１００μｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
上述した課題を解決する第５の発明に係る線はんだの製造方法は、融点が３００℃以下の第一金属成分がメッキ処理され、前記第一金属成分に溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物を生成する第２金属成分からなる線状の線はんだ本体を所定の応力にて複数縒り合わせてなることを特徴とする。
【００１３】
上述した課題を解決する第６の発明に係る線はんだの製造方法は、第５の発明に記載された線はんだの製造方法であって、前記第一金属成分および前記第二金属成分が、Ｓｎ，Ｉｎのうち１種の金属元素またはその合金、およびＣｕ，Ａｇを主成分とする金属またはその合金である、または、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉのうち１種の金属元素またはその合金、およびＮｉを主成分とする金属またはその合金であることを特徴とする。
前記所定の応力としては、第二金属成分がＣｕの場合には６７〜２１３ＭＰａ、好ましくは６７〜１５０ＭＰａが挙げられ、第二金属成分がＮｉの場合には５９〜３１６ＭＰａ、好ましくは５９〜２００ＭＰａが挙げられ、第二金属成分がＮｉの場合には５４〜１２５ＭＰａ、好ましくは５４〜１００ＭＰａが挙げられる。
【００１４】
上述した課題を解決する第７の発明に係る線はんだの製造方法は、第６の発明に記載された線はんだの製造方法であって、前記第一金属成分に前記第二金属成分が溶融し拡散して生成され、融点が３５０℃以上となる合金が、Ｓｎ４０〜６０ｗｔ％とＣｕ４０〜６０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｃｕ系合金、Ｉｎ２６〜４４ｗｔ％とＣｕ５６〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ１５〜２４．５ｗｔ％とＡｇ７５．５〜８５ｗｔ％とからなるＳｎ−Ａｇ系合金、Ｉｎ２６〜３５ｗｔ％とＡｇ６５〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ６０〜７４ｗｔ％とＮｉ２６〜４０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｎｉ系合金、Ｉｎ７４〜８２ｗｔ％とＮｉ１８〜２６ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｎｉ系合金、Ｂｉ７６〜９２ｗｔ％とＮｉ８〜２４ｗｔ％とからなるＢｉ−Ｎｉ系合金であることを特徴とする。
【００１５】
上述した課題を解決する第８の発明に係る線はんだの製造方法は、第５乃至第７の何れかの発明に記載された線はんだの製造方法であって、前記線はんだ本体の直径が、１００μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る線はんだによれば、所定の応力が隣接する線はんだ本体に作用し、第一金属成分からなるメッキ層の形状を変形させて、隣接する複数の線はんだ本体間の空隙を減少させる。よって、接合部形成時に第一金属成分と第二金属成分とが溶融し拡散してなる合金内への空気の入り込みが抑制され、その結果、ボイドの発生が抑制される。第一金属成分と第二金属成分とを所定の組成割合にしたことで、第一金属成分に第二金属成分が溶融し拡散してなる合金の融点が３５０℃以上となり、電子部品の接合、特に半導体素子のダイボンディグや積層セラミックコンデンサのろう付け等に用いて好適となる。
【００１７】
線はんだ本体を所定の太さとしたことで、線はんだが複数本の線はんだ本体を縒り合わせてなるため、第一金属成分と第二金属成分とが均一に分散した状態となっており、接合部を形成する際に、第一金属成分と第二金属成分とが均一に分散して完全に合金化させることができる。その結果、ボイドの発生が抑制される。また、線はんだが線状部材であり、これを複数縒り合わせ所定の太さにすることで、取り扱い性が向上する。
【００１８】
本発明に係る線はんだの製造方法によれば、製造工程が簡略であり、その製造コストを削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明に係る線はんだを実施するための最良の形態を説明する。
【００２０】
図１は、本発明の最良の形態に係る線はんだの概略図であり、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ矢視断面図であり、図３は、本発明の最良の形態に係る線はんだの製造工程を示す図である。
【００２１】
本発明の最良の形態に係る線はんだ１０は、図１および図２に示すように、融点が３００℃以下の低融点材料である金属または合金の第一金属成分からなるメッキ層２と、メッキ層２が表面に形成され、前記第一金属成分に溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物である合金を生成する第二金属成分からなる線状部材３とを有する線はんだ本体１を所定の応力にて複数縒り合わせてなる。
【００２２】
前記第一金属成分および前記第二金属成分としては、Ｓｎ（ヴィッカース硬度：１０），Ｉｎ（ヴィッカース硬度：約１）のうち１種の金属元素またはその合金、およびＣｕ（ヴィッカース硬度：３６９），Ａｇ（ヴィッカース硬度：２５１）を主成分とする金属またはその合金である。または、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉ（ヴィッカース硬度：約１１）のうち１種の金属元素またはその合金、およびＮｉ（ヴィッカース硬度：６３８）を主成分とする金属またはその合金が挙げられる。
【００２３】
前記所定の応力は、前記第二金属成分により異なり、前記第二金属成分がＣｕの場合には６７〜２１３ＭＰａ、好ましくは６７〜１５０ＭＰａとし、第二金属成分がＮｉの場合には５９〜３１６ＭＰａ、好ましくは５９〜２００ＭＰａとし、第二金属成分がＮｉの場合には５４〜１２５ＭＰａ、好ましくは５４〜１００ＭＰａとする。
【００２４】
Ｃｕ，Ａｇ，ＮｉにＳｎまたはＩｎをメッキ処理する処理方法としては、線はんだ本体１をめっき液が溜められためっき浴に浸漬させ、線はんだ本体１に電気を所定時間、所定電圧を通電してメッキ層２を線状部材３の表面に形成する電気メッキなどが挙げられる。ＮｉにＢｉをメッキ処理する方法としては、溶融メッキなどが挙げられる。
【００２５】
また、前記第一金属成分に前記第二金属成分が溶融し拡散して生成され、融点が３５０℃以上となる合金として、例えば、Ｓｎ４０〜６０ｗｔ％とＣｕ４０〜６０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｃｕ系合金、Ｉｎ２６〜４４ｗｔ％とＣｕ５６〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ１５〜２４．５ｗｔ％とＡｇ７５．５〜８５ｗｔ％とからなるＳｎ−Ａｇ系合金、Ｉｎ２６〜３５ｗｔ％とＡｇ６５〜７４ｗｔ％とからなるＩｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ６０〜７４ｗｔ％とＮｉ２６〜４０ｗｔ％とからなるＳｎ−Ｎｉ系合金、Ｉｎ７４〜８２ｗｔ％とＮｉ１８〜２６ｗｔ％とからなるＩｎ−Ｎｉ系合金、Ｂｉ７６〜９２ｗｔ％とＮｉ８〜２４ｗｔ％とからなるＢｉ−Ｎｉ系合金が挙げられる。
【００２６】
上述したように、複数本、図２中では２５本の線はんだ本体１を所定の応力にて縒り合わせることで、前記所定の応力が隣接する線はんだ本体１におけるヴィッカース硬度が低いメッキ層２に作用し、その形状を変形させて、隣接する線はんだ本体１間の空隙４を減少させる。よって、接合部形成時に第一金属成分と第二金属成分とが溶融し拡散してなる合金内への空気の入り込みが抑制され、その結果、ボイドの発生が抑制される。
【００２７】
線はんだ本体１の直径は１００μｍ以下であり、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下である。
線はんだ本体１を上述したような太さの範囲にすることで、線はんだ１０が複数本の線はんだ本体１を縒り合わせてなるため、第一金属成分と第二金属成分とが均一に分散した状態となる。よって、半導体素子のダイボンディング等の用途にて接合するときの温度である４００℃にて３０秒加熱して、接合部を形成する際に、第一金属成分と第二金属成分とが均一に分散して完全に合金化させることができる。その結果、ボイドの発生が抑制される。
【００２８】
複数の線はんだ本体の縒り合わせ方法としては、複数の線はんだ本体１を互いに編み込み、隣接する線はんだ本体の間の空隙を極力小さくする方法、例えば、図１および図２に示すように、線はんだ本体１を２５本縒り合わせて単位線はんだ５を作製し、この単位線はんだ５をさらに２５本縒り合わせる方法などが挙げられる。
【００２９】
以下に、本発明の最良の形態に係る線はんだの製造方法について、図３を用いて説明する。
【００３０】
最初に、図３（ａ）に示すように、第一金属成分にてメッキ処理されメッキ層が表面に形成され、第二金属成分からなる線状部材の線はんだ本体１が所定の応力にて１９本縒り合わされて、単線はんだ５が作製される。
【００３１】
続いて、図３（ｂ）に示すように、単位線はんだ５が所定の応力にて３本縒り合わされて、単位線はんだ集合体６が作製される。
【００３２】
続いて、図３（ｃ）に示すように、単位線はんだ集合体６が所定の応力にて３本縒り合わされて、線はんだ１０が製造される。
【００３３】
線はんだ本体１、単位線はんだ５、および単位線はんだ集合体６をそれぞれ縒り合わせる数量を適宜調整して、取り扱いに最適な太さ、例えば１ｍｍ程度になるまで繰り返し行われる。このように線はんだ１０が線状部材であり、これを複数縒り合わせ所定の太さにすることで、取り扱い性が向上する。
【００３４】
したがって、本発明の最良の形態に係る線はんだ１０によれば、所定の応力が隣接する線はんだ本体１に作用し、第一金属成分からなるメッキ層２の形状を変形させて、隣接する複数の線はんだ本体１間の空隙４を減少させる。よって、接合部形成時に第一金属成分と第二金属成分とが溶融し拡散してなる合金内への空気の入り込みが抑制され、その結果、ボイドの発生が抑制される。
また、本発明の最良の形態に係る線はんだ１０の製造方法によれば、製造工程が簡略であり、その製造コストを削減することができる。
【実施例１】
【００３５】
以下に、本発明の第１の実施例に係る線はんだの製造方法について具体的に説明する。
【００３６】
本発明の第１の実施例に係る線はんだの製造方法では、融点が３００℃以下の第一金属成分であるＳｎがメッキ処理され、前記Ｓｎに溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物を生成する第２金属成分であるＣｕからなる線状の線はんだ本体を所定の応力にて複数縒り合わされて線はんだが製造される。
【００３７】
Ｃｕからなる線はんだ本体にＳｎをメッキ処理する方法は、以下の通りである。
めっき浴のめっき液は、硫酸第一錫を５５ｇ／Ｌ、硫酸を１００ｇ／Ｌ、クレゾールスルホン酸を１００ｇ／Ｌ、ゼラチンを２ｇ／Ｌ、β−ナフトールを１ｇ／Ｌ混合・撹拌して作製される。
【００３８】
続いて、前記めっき液の温度を１５℃〜２５℃にて保持し、陽極に純錫板を用いる一方、負極に直径５０μｍの銅線を用い、２〜３Ａ／ｄｍ2で１３分間通電してメッキ処理される。このとき、Ｓｎのめっき被膜（メッキ層）の膜厚は１３μｍとなり、Ｃｕ４８ｗｔ％−Ｓｎ５２ｗｔ％含有した線はんだ本体が得られる。なお、線はんだ本体の直径は、７６μｍとなる。
【００３９】
上述した線はんだ本体が所定の応力にて複数本縒り合わされて、単位線はんだが作製される。この単位線はんだが所定の応力にてさらに複数縒り合わされる。このような縒り合わせ作業は、線はんだの取り扱い性が向上する当該線はんだの直径が１ｍｍとなるまで繰り返し行われる。
【００４０】
したがって、本発明の第１の実施例に係る線はんだによれば、所定の応力が隣接する線はんだ本体に作用し、Ｓｎからなるメッキ層の形状を変形させて、隣接する複数の線はんだ本体間の空隙を減少させる。よって、接合部形成時にＳｎとＣｕとが溶融し拡散してなる合金内への空気の入り込みが抑制され、その結果、ボイドの発生が抑制される。
【００４１】
なお、上記では、直径が５０μｍの銅線を用いて説明したが、直径が３０μｍの銅線を用いても良く、直径３０μｍの銅線にメッキ処理する際には、通電時間を適宜調整する事で、この銅線からなる線はんだの直径に対して三分の一程度のメッキ層を作製することができ、上記直径５０μｍの銅線を有する線はんだと同様な線はんだを作製することができる。
【００４２】
上記では、第二金属成分からなる線状部材として、銅線を用いて説明したが、このような金属組成からなる線状部材の代わりに、ＡｇまたはＮｉからなる線状部材を用いても良く、上述した銅線を有する線はんだと同様な線はんだを作製することができる。
【実施例２】
【００４３】
以下に、本発明の第２の実施例に係る線はんだの製造方法について具体的に説明する。
【００４４】
本発明の第２の実施例に係る線はんだの製造方法では、融点が３００℃以下の第一金属成分であるＩｎがメッキ処理され、前記Ｉｎに溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物を生成する第２金属成分であるＣｕからなる線状の線はんだ本体を所定の応力にて複数縒り合わされて線はんだが製造される。
【００４５】
Ｃｕからなる線はんだ本体にＩｎをメッキ処理する方法は、以下の通りである。
めっき浴のめっき液は、スルファミン酸インジウムを１０５ｇ／Ｌ、スルファミン酸ナトリウムを１５０ｇ／Ｌ、スルファミン酸を２６ｇ／Ｌ、塩化ナトリウムを４５ｇ／Ｌ、デキストリンを８ｇ／Ｌ、トリエタノールアミンを２〜２．５ｇ／Ｌ混合・撹拌して作製される。
【００４６】
続いて、前記めっき液の温度を１８℃〜２５℃にて保持し、且つ前記めっき液のｐＨを３．８以下に保持し、陽極に白金、炭素、または鉄などを用いる一方、負極に直径５０μｍの銅線を用い、２〜１０Ａ／ｄｍ2で５分２０秒間通電してメッキ処理される。このとき、Ｉｎのめっき被膜（メッキ層）の膜厚は約９μｍとなり、Ｃｕ６０ｗｔ％−Ｉｎ４０ｗｔ％含有した線はんだ本体が得られる。なお、線はんだ本体の直径は、約６８μｍとなる。
【００４７】
上述した線はんだ本体を所定の応力にて複数本縒り合わされて、単位線はんだが作製される。この単位線はんだが所定の応力にてさらに複数縒り合わされる。このような縒り合わせ作業は、線はんだの取り扱い性が向上する当該線はんだの直径が１ｍｍとなるまで繰り返し行われる。
【００４８】
したがって、本発明の第２の実施例に係る線はんだによれば、所定の応力が隣接する線はんだ本体に作用し、Ｉｎからなるメッキ層の形状を変形させて、隣接する複数の線はんだ本体間の空隙を減少させる。よって、接合部形成時にＩｎとＣｕとが溶融し拡散してなる合金内への空気の入り込みが抑制され、その結果、ボイドの発生が抑制される。
【００４９】
なお、上記では、直径が５０μｍの銅線を用いて説明したが、直径が３０μｍの銅線を用いても良く、直径３０μｍの銅線にメッキ処理する際には、通電時間を適宜調整する事で、この銅線からなる線はんだの直径に対して三分の一程度のメッキ層を作製することができ、上記直径５０μｍの銅線を有する線はんだと同様な線はんだを作製することができる。
【００５０】
上記では、第二金属成分からなる線状部材として、銅線を用いて説明したが、このような金属組成からなる線状部材の代わりに、ＡｇまたはＮｉからなる線状部材を用いても良く、上述した銅線を有する線はんだと同様な線はんだを作製することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、線はんだおよびその製造方法に利用することが可能であり、詳細には、Ｐｂフリーはんだであって、接合部に発生し易いボイドを抑制し、電子部品の接合、特に半導体素子のダイボンディグや積層セラミックコンデンサのろう付け等に好適な線はんだおよびその製造方法に利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の最良の形態に係る線はんだの概略図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
【図３】本発明の最良の形態に係る線はんだの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１      線はんだ本体
２      メッキ層
３      線状部材
４      空隙
５      単位線はんだ
６      単位線はんだ集合体
１０    線はんだ
【図１】
2007098455.tif 000003
【図２】
2007098455.tif 000004
【図３】
2007098455.tif 000005