(57)【要約】【課題】画素ユニットを提供する。【解決手段】第一薄膜トランジスタは、スキャン信号を受信する第一制御端と、データ信号を受信する第一電極と、第二電極と、を含む。第二薄膜トランジスタは、第二電極に接続される第二制御端と、第一電圧を受信する第三電極と、第四電極と、第三電極と第四電極のどちらかに接続される第五電極と、を含む。蓄積容量は第二制御端と第三電極間に接続される。発光装置は第四電極と第二電圧間に接続される。【選択図】図３
2007183631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素ユニットであって、
スキャン信号を受信する第一制御端、データ信号を受信する第一電極、及び、第二電極、を含む第一薄膜トランジスタと、
前記第二電極に接続される第二制御端と、第一電圧を受信する第三電極と、第四電極と、前記第三電極と前記第四電極のどちらかに接続される第五電極と、を含む第二薄膜トランジスタと、
前記第二制御端と前記第三電極間に接続される蓄積容量と、
前記第四電極と前記第二電圧間に接続される発光装置と、
を含むことを特徴とする画素ユニット。
【請求項２】
前記発光装置は、有機発光ダイオード（OLED）かポリマー発光ダイオード（PLED）のどちらかであることを特徴とする請求項１に記載の画素ユニット。
【請求項３】
前記第二薄膜トランジスタがN型である時、前記第五電極は前記第四電極に接続されることを特徴とする請求項１に記載の画素ユニット。
【請求項４】
前記第二薄膜トランジスタがP型である時、前記第五電極は前記第三電極に接続されることを特徴とする請求項３に記載の画素ユニット。
【請求項５】
前記第一電圧のレベルは前記第二電圧より大きいことを特徴とする請求項４に記載の画素ユニット。
【請求項６】
ディスプレイパネルであって、
複数のスキャン信号を供給するゲートドライバと、
複数のデータ信号を供給するスキャンドライバと、からなり、
ディスプレイ領域は、
前記スキャン信号を受信する複数のゲート電極と、
前記データ信号を受信する複数のソース電極と、
各画素が対応する前記スキャン信号と対応する前記データ信号を受信する複数の請求項１に記載の画素ユニットと、
を含むことを特徴とするディスプレイパネル。
【請求項７】
前記発光装置は、有機発光ダイオード（OLED）かポリマー発光ダイオード（PLED）のどちらかであることを特徴とする請求項６に記載のディスプレイパネル。
【請求項８】
前記第二薄膜トランジスタがN型である時、前記第五電極は前記第四電極に接続されることを特徴とする請求項６に記載のディスプレイパネル。
【請求項９】
前記第二薄膜トランジスタがP型である時、前記第五電極は前記第三電極に接続されることを特徴とする請求項６に記載のディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記第一電圧のレベルは前記第二電圧より大きいことを特徴とする請求項９に記載のディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記請求項６のディスプレイパネルと、前記ディスプレイパネルを制御し、映像を表示するコントローラーと、を含むことを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記請求項１１のディスプレイ装置と、前記ディスプレイ装置を駆動するアダプターと、を含むことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画素ユニットに関し、特に、薄膜トランジスタを有する画素ユニットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は、公知の画素ユニットを示す図である。薄膜トランジスタ（TFT）１０１は、スキャン信号S１を受信するゲートと、データ信号D１を受信するドレイン、及び、ソースを含む。TFT１０３は、TFT１０１のソースに接続されるゲートと、ドレインと、電圧源Vddに接続されるソースと、を含む。蓄積容量１０５はTFT１０３のゲートとTFT１０３のソース間に接続される。発光素子１０７はTFT１０３のドレインと電圧源Gnd間に接続される。
【０００３】
スキャン信号S１がアサートされる時、TFT１０１はオンになる。これにより、データ信号D１は蓄積容量１０５に入力され、蓄積容量１０５は充電される。蓄積容量１０５により保存される電圧がプリセット値に達する時、TFT１０３はオンになり、発光素子１０７は発光する。
【０００４】
TFT１０３を飽和領域で操作したい時、TFTのドレインとソース間の電圧差Vdsは以下のように定義される。
Vds>Vgs-Vth；
VgsはTFT１０３のゲートとソースを横切る電圧差で、VthはTFT１０３のスレショルド電圧である。
【０００５】
Vgsをー５V、Vthをー１．５Vと仮定する。TFT１０３を飽和領域で操作するために、電圧差Vdsは３．５V以上が必要である。
【０００６】
発光素子１０７を横切る電圧差が６V以上の場合、発光素子１０７は最大輝度を表示する。よって、ノードN１とノードN２間の電圧差V１０３は９．５V以上が必要で、これにより、TFT１０３は飽和領域内で操作し、発光素子１０７は最大輝度を表示する。
【特許文献１】米国公開２００５/００５２３７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、画素ユニットとディスプレイパネル、及び、それを用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
画素ユニットの具体例は、第一及び第二薄膜トランジスタ、蓄積容量、発光装置、を含む。第一薄膜トランジスタは、スキャン信号を受信する第一制御端と、データ信号を受信する第一電極と、第二電極と、を含む。第二薄膜トランジスタは、第二電極に接続される第二制御端と、第一電圧を受信する第三電極と、第四電極と、第三電極と第四電極のどちらかに接続される第五電極と、を含む。蓄積容量は第二制御端と第三電極間に接続される。発光装置は第四電極と第二電圧間に接続される。
【０００９】
画素ユニットを有するディスプレイパネルも提供される。画素ユニットを有するディスプレイパネルの具体例は、ゲート電極、ソース電極、及び、画素ユニット、を含む。ゲート電極は複数のスキャン信号を受信する。ソース電極は複数のデータ信号を受信する。画素ユニットは対応するスキャン信号と対応するデータ信号を受信する。各画素ユニットは第一、及び、第二薄膜トランジスタ、蓄積容量、及び、発光装置、を含む。第一薄膜トランジスタは、対応するスキャン信号を受信する第一制御端と、第二電極と、を含む。第二薄膜トランジスタは、第二電極に接続される第二制御端と、第一電圧を受信する第三電極、第四電極と、第三電極と第四電極のどちらかに接続される第五電極と、を含む。蓄積容量は第二制御端と第三電極間に接続される。発光装置は、第四電極と第二電圧間に結合される。
【００１０】
画素ユニットを有する電子装置も提供される。画素ユニットを有する電子装置の具体例は、ゲートドライバ、スキャンドライバ、及び、ディスプレイパネル、を含む。ゲートドライバは複数のスキャン信号を供給する。スキャンドライバは複数のデータ信号を供給する。ディスプレイパネルは、ゲート電極、ソース電極、及び、画素ユニット、を含む。ゲート電極はスキャン信号を受信する。ソース電極はデータ信号を受信する。各画素ユニットは、対応するスキャン信号と対応するデータ信号を受信し、第一、第二薄膜トランジスタ、蓄積容量、発光装置、を含む。第一薄膜トランジスタは、対応するスキャン信号を受信する第一制御端と、対応するデータ信号を受信する第一電極と、第二電極と、を含む。第二薄膜トランジスタは、第二電極に接続される第二制御端と、第一電圧を受信する第三電極と、第四電極、及び、第三電極と第四電極のどちらかに接続される第五電極と、を含む。蓄積容量は第二制御端と第三電極間に接続される。発光装置は第四電極と第二電圧間に接続される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の接続方式により、薄膜トランジスタのスレショルド電圧を減少させ、薄膜トランジスタの消耗電力を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図２は電子装置の具体例を示す図である。電子装置２０は、アダプター２１、及び、ディスプレイ装置２２、を含む。アダプター２１は電源を提供し、ディスプレイ装置２２を駆動する。ディスプレイ装置２２は、コントローラー２３とディスプレイパネル２００を含む。コントローラー２３はディスプレイパネル２００を制御し、イメージを表示する。
【００１３】
ディスプレイパネル２００は、ゲートドライバ２０１、ソースドライバ２０２、ディスプレイ領域２０５、を含む。ゲートドライバ２０１はスキャン信号S１〜Sｍを供給する。ソースドライバ２０２はデータ信号D１〜Dｎを供給する。ディスプレイ領域２０５は、ゲート電極、ソース電極、画素ユニットP１１〜Pnm、を含む。ゲート電極はスキャン信号S１〜Sｍを受信し、ソース電極はデータ信号D１〜Dｎを受信する。交錯したゲート電極とソース電極は単一の画素ユニットを制御する。
【００１４】
図３は、画素ユニットの具体例を示す図である。画素ユニットP１１〜Pnmの構造は同じであり、画素ユニットP１１を例とする。
【００１５】
画素ユニットP１１は、TFT３０１と３０３、蓄積容量３０５、発光装置３０７、を含む。TFT３０１は、スキャン信号S１を受信する制御端C１、データ信号D１を受信する電極E１、及び、電極E２、を含む。TFT３０３は、電極E２に接続される制御端C２、電圧V１を受信する電極E３、電極E４、及び、電極E３とE４のどちらかに接続される電極E５、を含む。本具体例において、TFT３０３はP型であり、電極E５は電極E３に接続される。
【００１６】
蓄積容量３０５は、制御端C２と電極E３間に接続される。例えば、有機発光ダイオード（OLED）やポリマー発光ダイオード（PLED）のような発光装置３０７は、電極E４と電圧V２間に接続される。本具体例において、電圧V１のレベルは電圧V２より大きい。
【００１７】
電極E５が電極E３に接続される時、TFT１０３のスレショルド電圧は減少する。TFT３０３のスレショルト電圧Vthがー３Vで、制御端C２と電極E３間の電圧差がー５Vの場合、電極E４とE３間の電圧差Vdsはー２Vであり、TFT３０３は飽和領域で操作する。
【００１８】
また、発光装置３０７間の電圧差V３０７が６Vの時、発光装置３０７は最大輝度を表示する。よって、ノードN３とN４間の電圧差は約８Vである。
【００１９】
図４は、TFT１０３と３０３に関する特徴を示す曲線である。TFT３０３の制御端C２と電極E３の間の電圧差Vgsがー５Vの時、曲線４１は電圧差Vdsと電流Idsに関する特徴を示す曲線であり、電圧差Vdsは電極E３とE４間の電圧差で、電流Idsは電極E３から電極E４へ流れる。
【００２０】
TFT３０３の電極E３とE４の間の電圧差Vdsがー２Vの時、TFT３０３は飽和領域で操作する。これにより、電極E３から電極E４に流れる電流Idsは約Aである。
【００２１】
TFT１０３の制御端C２と電極E３間の電圧差Vdsが−５Vの時、曲線４３は電圧差Vdsと電流Idsに関する特徴を示す曲線であり、電圧差Vdsは、TFT１０３の電極E３と電極E４間の電圧差であり、電流IdsはTFT１０３の電極E３から電極E４に流れる電流である。
【００２２】
TFT１０３の電極E3と電極E４間の電圧差Vdsが約ー４Vの時、TFT１０３は飽和領域で操作する。これにより、TFT１０３の電極E３から電極E４に流れる電流Idsは約Aである。
【００２３】
図１と図３で示されるように、TFT１０３のソースとドレイン間の電圧差Vdsが約−４Vの時、TFT１０３は飽和領域で操作し、TFT１０３のソースからドレインに流れる電流Idsは約Aである。電極E３と電極E４間の電圧差Vdsが約−２Vの時、TFT１０３は飽和領域で操作し、電極E３から電極E４ドレインに流れる電流Idsは約Aである。よって、TFT３０３の消耗電力はTFT１３０より少ない。
【００２４】
図５は画素ユニットのもう一つの具体例を示す図である。図５はTFT５０３がN型で、TFT５０３の電極E７が電極E６に接続される以外は図３と同じである。
【００２５】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】公知の画素ユニットを示す図である。
【図２】電子装置の具体例を示す図である。
【図３】画素ユニットの具体例を示す図である。
【図４】TFT１０３と３０３に関する特徴を示す曲線である。
【図５】画素ユニットのもう一つの具体例を示す図である。
【符号の説明】
【００２７】
101、103、301、303、503：薄膜トランジスタ；
105、305：蓄積容量；
107、307：発光装置；
20：電子装置；
21：アダプター；
22：ディスプレイ；
23：コントローラー；
200：ディスプレイパネル；
201：ゲートドライバ；
202：ソースドライバ；
205：ディスプレイ領域；
P11~Pnm：画素ユニット。
【図１】
2007183631.tif 000003
【図２】
2007183631.tif 000004
【図３】
2007183631.tif 000005
【図４】
2007183631.tif 000006
【図５】
2007183631.tif 000007