(57)【要約】  【課題】基板ピッチを広げることなく基板表面に傷が付くのを防止できる基板処理装置を提供する。  【解決手段】基板処理装置１０は、基板５４を処理する処理室４５と、処理室４５を加熱するヒータ４６と、処理室４５内で複数枚の基板を水平姿勢で間隔をあけて多段に支持する支持具３０と、基板５４を支持具３０に対して搬送する基板搬送プレート３２とを有する。支持具３０は基板５４を１枚ずつ支持するリング状の支持板８０を複数備えており、それぞれの支持板８０の少なくとも基板搬送プレート３２が挿入される部分は、基板５４を支持板８０に載置した際に基板５４よりも外側の部分に位置するように配置される。【選択図】図４
2007103765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室を加熱するヒータと、
前記処理室内で複数枚の基板を水平姿勢で間隔をあけて多段に支持する支持具と、
基板を前記支持具に対して搬送する基板搬送プレートとを有し、
前記支持具は基板を１枚ずつ支持するリング状の支持板を複数備えており、それぞれの支持板の少なくとも前記基板搬送プレートが挿入される部分は、基板を前記支持板に載置した際に基板よりも外側の部分に位置するように配置されることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置として、複数枚の基板を支持する支持具（ボート）に該基板を１枚ずつ支持するリング状の支持板を備えたものが知られている。この支持板を用いることにより、該支持板に支持された基板に対して熱ストレスが急激に加わった場合であっても、該基板に生ずる接触面間の引張応力や自重応力による結晶欠陥（スリップ）を抑制することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この支持板は、基板に生ずるスリップの抑制には効果があるものの、熱処理時に基板が変形した（反った）際に、該基板と上方に位置する支持板の裏面とがぶつかり、基板表面に傷が付き、さらにパーティクルが発生することがある。したがって、熱処理の条件の変更（緩和）や、より広いボートピッチ（ウエハピッチ）が必要となり、スループットが低下する（１バッチ当たりの基板の処理枚数が少なくなる）という問題がある。
【０００４】
本発明の目的は、上記従来の問題を解消し、基板の処理枚数を増大させることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室内で複数枚の基板を水平姿勢で間隔をあけて多段に支持する支持具と、基板を前記支持具に対して搬送する基板搬送プレートとを有し、前記支持具は基板を１枚ずつ支持するリング状の支持板を複数備えており、それぞれの支持板の少なくとも前記基板搬送プレートが挿入される部分は、基板を前記支持板に載置した際に基板よりも外側の部分に位置するように配置される基板処理装置にある。
【０００６】
本発明の第２の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、前記処理室内を加熱するヒータと、前記処理室内で複数枚の基板を水平姿勢で間隔をあけて多段に支持する支持具とを有し、前記支持具は基板を１枚ずつ支持するリング状の支持板を複数備えており、それぞれの支持板には、基板支持面よりも下方にあって支持板の異なる部分同士を接続する接続部が設けられ、その接続部は基板を支持板に載置した際に基板よりも外側の部分に位置するように配置される基板処理装置にある。
【０００７】
本発明の第３の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、前記処理室内を加熱するヒータと、前記処理室内で複数枚の基板を水平姿勢で間隔をあけて多段に支持する支持具とを有し、前記支持具は基板を１枚ずつ支持するリング状の支持板を複数備えており、それぞれの支持板の少なくとも一部は他の部分よりも厚く構成され、この厚く構成された部分は基板を支持板に載置した際に基板よりも外側の部分に位置するように配置される基板処理装置にある。
【０００８】
好適には、前記支持板の接続部、または他の部分よりも厚く構成された部分は、すくなくとも基板挿入側の一部分である。
【０００９】
好適には、前記支持板の接続部、または他の部分よりも厚く構成された部分は、基板を前記支持具に対して搬送する基板搬送プレートが挿入される部分である。
【００１０】
好適には、前記支持板の他の部分よりも厚く構成された部分には、前記基板搬送プレートに対応する凹部が設けられる。
【００１１】
好適には、前記支持板の接続部、または他の部分よりも厚く構成された部分は、前記基板搬送プレートを退避させることが可能なように構成される。
【００１２】
また、本発明における基板処理方法、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法は、少なくとも基板搬送プレートが挿入される部分が基板を載置した際に基板よりも外側の部分に位置するように配置されるリング状の支持板にて複数枚の基板を１枚ずつ水平姿勢で間隔をあけて多段に支持する工程と、前記支持板にて支持した基板を処理室内に搬入する工程と、前記支持板にて支持した基板を前記処理室内で熱処理する工程と、熱処理後の基板を前記処理室より搬出する工程とを有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、支持具に備えられる支持板の少なくとも基板搬送プレートが挿入される部分を、基板を支持板に載置した際に基板よりも外側の部分に位置するように配置したので、ボートピッチ（ウエハピッチ）を広くすることなく基板表面に傷が付くのを防止でき、それによりパーティクルを低減でき、また入出炉温度の高温化などが可能となり、スループットを向上させることができる。更にはボートピッチ（ウエハピッチ）を狭くすることも可能となり、もって基板の処理枚数を増大させることも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１０の一例を示す。この基板処理装置１０は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体１２を有する。この筺体１２の正面側には、ポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にポッド１６が搬送される。ポッド１６には、例えば２５枚の被処理基板としてのウエハが収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ１４にセットされる。
【００１５】
筺体１２内の正面側であって、ポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。また、このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２及び基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド棚２０はポッドオープナ２２の上方に配置され、基板枚数検知器２４はポッドオープナ２２に隣接して配置される。ポッド搬送装置１８は、ポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内の基板の枚数が基板枚数検知器２４により検知される。
【００１６】
さらに、筺体１２内には、基板移載機２６、ノッチアライナ２８及び支持具（ボート）３０が配置されている。基板移載機２６は、例えば５枚の基板を取り出すことができる基板搬送プレート（アーム）３２を有し、この基板搬送プレート３２を動かすことにより、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド１６、ノッチアライナ２８及び支持具３０間で基板を搬送する。ノッチアライナ２８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板のノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。また、支持具３０は、基板を１枚ずつ支持する支持板８０（例えば図３を用いて後述）を複数備えており、複数枚の基板を水平姿勢で間隔をあけて多段に支持するようになっている。
【００１７】
さらに、筺体１２内の背面側上部には反応炉４０が配置されている。この反応炉４０内に、複数枚の基板を装填した支持具３０が搬入され熱処理が行われる。
【００１８】
図２に反応炉４０の一例を示す。この反応炉４０は、炭化珪素（ＳｉＣ）製の反応管４２を有する。この反応管４２は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部はフランジ状に形成されている。この反応管４２の下方には反応管４２を支持するよう石英製のアダプタ４４が配置される。このアダプタ４４は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、開放された上端部と下端部はフランジ状に形成されている。アダプタ４４の上端部フランジの上面に反応管４２の下端部フランジの下面が当接している。この反応管４２とアダプタ４４により反応容器４３が形成されており、この反応容器４３（反応管４２）内に複数枚の基板を処理する処理室４５が設けられている。また、反応容器４３のうち、アダプタ４４を除いた反応管４２の周囲には、処理室４５内を加熱するヒータ４６が配置されている。
【００１９】
反応管４２とアダプタ４４により形成される反応容器４３の下部は、支持具３０を挿入するために開放され、この開放部分（炉口部）は炉口シールキャップ４８がＯリングを挟んでアダプタ４４の下端部フランジの下面に当接することにより密閉されるようにしてある。炉口シールキャップ４８は支持具３０を支持し、支持具３０と共に昇降可能に設けられている。炉口シールキャップ４８と支持具３０との間には、石英製の第１の断熱部材５２と、この第１の断熱部材５２の上部に配置された炭化珪素（ＳｉＣ）製の第２の断熱部材５０とが設けられている。支持具３０は、多数枚、例えば２５〜１００枚の基板５４を略水平状態で隙間をもって多段に支持し、反応管４２（処理室４５）内に装填される。
【００２０】
１２００℃以上の高温での処理を可能とするため、反応管４２は炭化珪素（ＳｉＣ）製としてある。このＳｉＣ製の反応管４２を炉口部まで延ばし、この炉口部をＯリングを介して炉口シールキャップ４８でシールする構造とすると、ＳｉＣ製の反応管４２を介して伝達された熱によりシール部まで高温となり、シール材料であるＯリングを溶かしてしまうおそれがある。Ｏリングを溶かさないようＳｉＣ製の反応管４２のシール部を冷却すると、ＳｉＣ製の反応管４２が温度差による熱膨張差により破損してしまう。そこで、反応容器４３のうちヒータ４６による加熱領域をＳｉＣ製の反応管４２で構成し、ヒータ４６による加熱領域から外れた部分を石英製のアダプタ４４で構成することで、ＳｉＣ製の反応管４２からの熱の伝達を和らげ、Ｏリングを溶かすことなく、また反応管４２を破損することなく炉口部をシールすることが可能となる。また、ＳｉＣ製の反応管４２と石英製のアダプタ４４とのシールは、双方の面精度を良くすれば、ＳｉＣ製の反応管４２はヒータ４６の加熱領域に配置されているため温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。よって、ＳｉＣ製の反応管４２下端部のフランジ部分は平面を保つことができ、アダプタ４４との間に隙間ができないので、ＳｉＣ製の反応管４２を石英製のアダプタ４４に載せるだけでシール性を確保することができる。
【００２１】
アダプタ４４には、アダプタ４４と一体にガス供給口５６とガス排気口５９とが設けられている。ガス供給口５６にはガス導入管６０が、ガス排気口５９には排気管６２がそれぞれ接続されている。
【００２２】
アダプタ４４の内壁は反応管４２の内壁よりも内側にあり（突出しており）、アダプタ４４の側壁部（肉厚部）には、ガス供給口５６と連通し、垂直方向に向かうガス導入経路６４が設けられ、その上部にはノズル取付孔が上方に開口するように設けられている。このノズル取付孔は、反応管４２の内部におけるアダプタ４４の上端部フランジ側の上面に開口しており、ガス供給口５６およびガス導入経路６４と連通している。このノズル取付孔にはノズル６６が挿入され固定されている。すなわち、反応管４２内部におけるアダプタ４４の反応管４２の内壁よりも内側に突出した部分の上面にノズル６６が接続され、このアダプタ４４の上面によりノズル６６が支持されることとなる。この構成により、ノズル接続部は熱で変形しにくく、また破損しにくい。また、ノズル６６とアダプタ４４の組立て、解体が容易になるというメリットもある。ガス導入管６０からガス供給口５６に導入された処理ガスは、アダプタ４４の側壁部に設けられたガス導入経路６４、ノズル６６を介して反応管４２内に供給される。なお、ノズル６６は、反応管４２の内壁に沿って基板配列領域の上端よりも上方、すなわち支持具３０の上端よりも上方まで延びるように構成される。
【００２３】
次に、上述したように構成された基板処理装置１０の作用、すなわち基板処理装置１０を用いて半導体装置（デバイス）の製造工程や基板の製造工程の一工程として行う基板処理工程について説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ７０により制御される。
【００２４】
まず、ポッドステージ１４に複数枚の基板５４を収容したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置１８によりポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。次に、ポッド搬送装置１８により、このポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットし、このポッドオープナ２２によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２４によりポッド１６に収容されている基板５４の枚数を検知する。
【００２５】
次に、基板移載機２６により、ポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６から基板５４を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。このノッチアライナ２８においては、基板５４を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板５４のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機２６により、ノッチアライナ２８から基板５４を取り出し、支持具３０に移載する。すなわち、支持具３０に備えられた複数の支持板８０（後述）にて、複数の基板を１枚ずつ水平姿勢で間隔をあけて多段に支持する（基板支持工程）。
【００２６】
このようにして、１バッチ分の基板５４を支持具３０に移載すると、例えば６００℃程度の温度に設定された反応炉４０（処理室４５）内に支持板８０（後述）にて複数枚の基板５４を支持した支持具３０を装入（搬入）し、炉口シールキャップ４８により反応炉４０内を密閉する（基板搬入工程）。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、ガス導入管６０からガス導入口５６、アダプタ４４側壁部に設けられたガス導入経路６４、及びノズル６６を介して反応管４２内に処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）、酸素（Ｏ２）等が含まれる。基板５４を処理室４５内で熱処理する際、支持板８０（後述）にて支持した基板５４は例えば１２００℃程度以上の温度に加熱される（熱処理工程）。
【００２７】
基板５４の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を６００℃程度の温度に降温した後、熱処理後の基板５４を支持板８０（後述）にて支持した支持具３０を反応炉４０（処理室４５）からアンロード（搬出）し（基板搬出工程）、支持具３０に支持された全ての基板５４が冷えるまで、支持具３０を所定位置で待機させる。次に、待機させた支持具３０の基板５４が所定温度まで冷却されると、基板移載機２６により、支持具３０から基板５４を取り出し、ポッドオープナ２２にセットされている空のポッド１６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置１８により、基板５４が収容されたポッド１６をポッド棚２０、またはポッドステージ１４に搬送して一連の処理が完了する。
【００２８】
図３に支持具３０の一例が示されている。支持具３０は、例えば炭化珪素または珪素（単結晶または多結晶）からなり、上部板７２、下部板７４、及び該上部板７２と下部板７４とを接続する例えば４本の支柱７６、７６、７６、７６を有する。これら支柱７６、７６、７６、７６には支持片（爪部）７８、７８、７８、７８が形成されている。この支持片７８、７８、７８、７８は、支柱７６、７６、７６、７６から水平方向に延びており、垂直方向に一定間隔隔てて支柱７６、７６、７６、７６に多数形成されている。
【００２９】
支柱７６、７６、７６、７６は、上面方向から見て基板挿入側（図３（ｂ）の矢印方向、基板挿入方向側）に２本、基板挿入側とは反対側に２本設けられている。具体的には、基板挿入側の２本の支柱７６、７６は、この基板挿入側に１８０°隔てて設けられ、基板挿入側とは反対側の２本の支柱７６、７６は、基板挿入側の２本の支柱７６、７６の間に設けられている。
【００３０】
また、支持具３０には基板を１枚ずつ支持するリング状の支持板８０が複数備えられている。この支持板８０は、石英、珪素、もしくは炭化珪素からなり、支柱７６、７６、７６、７６のそれぞれの支持片７８、７８、７８、７８上に載置（設置）されている。
【００３１】
図４及び図５に第１の実施例における支持板８０が示されている。
図４に示すように、支持板８０には、基板５４裏面と接触して該基板５４を支持する（基板５４が載置される基板支持面を有する）例えば２つの基板支持部８０ａ、８０ｂと、支持板８０の異なる部分同士を接続する、すなわち該基板支持部８０ａと基板支持部８０ｂとを接続する接続部８０ｃ、８０ｄとが設けられている。これら接続部８０ｃ、８０ｄは、基板５４を支持板８０に載置した際に基板５４よりも外側に位置するように配置されている。また、接続部８０ｃは、基板支持面よりも下方に配置されており、他の部分（基板支持部８０ａ、８０ｂ）よりも厚く構成されている。
【００３２】
図５に示すように、支持板８０の他の部分よりも厚く構成された部分、すなわち接続部８０ｃは、支持板８０の基板挿入側、すなわち基板５４を支持具３０に対して搬送する基板搬送プレート３２が挿入される部分に配設されている。この接続部８０ｃには、基板搬送プレート３２に対応する（基板搬送プレート３２を退避させることが可能な）凹部８０ｅが設けられている。この接続部８０ｃの凹部８０ｅの高さ方向の大きさ、すなわち深さ（図５（ｂ）のｄ１）は、基板搬送プレート３２の厚さ（図５（ｂ）のｄ２）よりもやや大きく形成されている。この接続部８０ｃの凹部８０ｅにより、基板５４を支持板８０に移載する際に、基板搬送プレート３２と支持板８０との干渉を防ぐことができ、さらに基板５４を支持板８０上に載置後、基板搬送プレート３２を下方に微量移動させて退避させることが可能である。すなわち、接続部８０ｃは、基板搬送プレート３２を挿入および退避させることが可能なように構成されている。
【００３３】
基板搬送プレート３２は、基板５４のエッジ（周縁）部を該基板搬送プレート３２のテーパ面（図示せず）で支持して搬送することにより、基板５４の裏面に傷が付くのを防止している。このため、基板搬送プレート３２の先端部分は基板５４よりも外側に突出している。したがって、基板挿入側とは対向する位置（反対側）に配設された支持板８０の接続部８０ｄは、支持板８０に基板搬送プレート３２が挿入された際に該基板搬送プレート３２の先端部分が接触しないように（逃がすように）構成されている。
【００３４】
次に比較例について説明する。
図８に比較例の支持板１００の一例が示されている。
図８に示すように比較例の支持板１００には、該支持板１００上面の基板挿入側及び基板挿入側と対向する位置に基板搬送プレート３２が挿入されるための凹部１００ａ、１００ａが設けられている。したがって、支持板１００の厚さ（図８のｄ３）は、基板搬送プレート３２の厚さ（上述した図５（ｂ）のｄ２）よりも厚くなるように形成されている。
【００３５】
次に、本例の支持板８０を比較例の支持板１００と比較して説明する。
図６に本例の支持板８０が比較例の支持板１００と対比して示されている。図６（ａ）に示すように、比較例の支持板１００は、それぞれの支持板１００上面同士の距離（ボートピッチ）が例えばＬ１となるように支持具３０（図示せず）に載置（設置）されている。同様に本例の支持板８０は、図６（ｂ）に示すように、それぞれの支持板８０上面同士の距離（ボートピッチ）が例えばＬ２となるように支持具３０（図示せず）に載置（設置）されている。ここで、比較例の支持板１００が載置（設置）されている支持具３０のボートピッチと本例の支持板８０が載置（設置）されている支持具３０のボートピッチとは同一、すなわちＬ１＝Ｌ２とする。
【００３６】
例えば高温での入出炉時において、図６に示すように、基板５４が反った場合、比較例の支持板１００上に載置された基板５４は支持板１００と接触する。すなわち該基板５４の表面が上方に位置する支持板１００の裏面（下面）にぶつかる（図６（ａ））。これにより基板５４の表面に傷が付き、さらにパーティクルが発生することがある。
【００３７】
一方、本例における支持板８０上に載置された基板５４は、該基板５４が反った場合においても、該基板５４と支持板８０とは接触しない。すなわち該基板５４の上方に位置する支持板８０の裏面（下面）にぶつからない（図６（ｂ））。
【００３８】
このように、本例における支持板８０は、支持板８０の基板搬送プレート３２が挿入される部分（接続部８０ｃ）を、基板５４を支持板８０に載置した際に基板５４よりも外側の部分に位置するように配置したことにより、該支持板８０の接続部８０ｃ以外の部分の厚さを薄くすることが可能となり、比較例の支持板１００と比較すると基板５４上のスペースをより確保することが可能となる。したがって、高温での入出炉を行っても基板５４の反り（変形）による該基板５４と支持板８０の裏面との接触（ぶつかり）が無くなるので、基板５４の表面傷を減少させ、さらにパーティクルの発生を防止させ、基板５４の汚染を低減させることができる。また、それにより（高温での入出炉が可能となることにより）スループットを向上させることもできる。更にはボートピッチ（ウエハピッチ）を狭くすることも可能となるので、基板の処理枚数を増大させることも可能となる。
【００３９】
図７に第２の実施例における支持板８０が示されている。
なお、第１の実施例と同一部分については、図６に同一符号を付してその説明を省略する。
【００４０】
第２の実施例における支持板８０は、第１の実施例における支持板８０と比較すると接続部８０ｄの形状を異にしている。すなわち、本例における支持板８０の接続部８０ｄは、接続部８０ｃと同様に、基板支持面よりも下方に配置されており、他の部分（基板支持部８０ａ、８０ｂ）よりも厚く構成されている。この支持板８０の厚く構成された部分、すなわち接続部８０ｄには、基板搬送プレート３２に対応する（基板搬送プレート３２を退避させることが可能な）凹部８０ｅが設けられている。
【００４１】
このように、接続部８０ｄを上記の構成とすることにより、基板搬送プレート３２の先端部分と支持板８０との干渉をより一層防止することができる。すなわち、基板５４を搬送する基板搬送プレート３２の先端部分が該基板搬送プレート３２上に載置された基板５４よりも外側に大きく突出している場合においても、支持板８０に基板搬送プレート３２が挿入された際に該基板搬送プレート３２の先端部分が該支持板８０に接触しないようになっている。
【００４２】
なお、上記実施の形態の説明においては、一度に複数枚の基板を熱処理するバッチ式の基板処理装置を用いたが、本発明はこれに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００４３】
本発明の基板処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウエハの一種であるＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxygen）ウエハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用する例について説明する。
【００４４】
まずイオン注入装置等により単結晶シリコンウエハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウエハを上記実施の形態の基板処理装置を用いて、例えばＡｒ、Ｏ２雰囲気のもと、１３００℃〜１４００℃、例えば１３５０℃以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウエハ内部にＳｉＯ２層が形成された（ＳｉＯ２層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウエハが作製される。
【００４５】
また、ＳＩＭＯＸウエハの他、水素アニールウエハやＡｒアニールウエハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。この場合、ウエハを本発明の基板処理装置を用いて、水素雰囲気中もしくはＡｒ雰囲気中で１２００℃程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりＩＣ（集積回路）が作られるウエハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。また、この他、エピタキシャルウエハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。
【００４６】
以上のような基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の基板処理装置を適用することができる。
【００４７】
本発明の基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造工程に適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣｌ酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
【００４８】
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、本発明の基板処理装置を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置において、基板の処理枚数を増大させる必要があるものに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板理装置の反応炉を示す縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板理装置の支持具を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いられる第１の実施例における支持板を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、（ｄ）は側面図、（ｅ）はＣ−Ｃ線縦断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いられる第１の実施例における支持板に基板搬送プレートが挿入された状態を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いられる第１の実施例における支持板と比較例の支持板とを対比して示し、（ａ）は図８（ａ）のＧ−Ｇ線断面図および図８（ａ）のＨ−Ｈ線断面図、（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線断面図および図４（ａ）のＣ−Ｃ線縦断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いられる第２の実施例における支持板を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断面図、（ｄ）は側面図、（ｅ）はＦ−Ｆ線縦断面図である。
【図８】比較例における支持板を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は（ａ）のＧ−Ｇ線断面図、（ｄ）は側面図、（ｅ）はＨ−Ｈ線縦断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  基板処理装置
３０  支持具
３２  基板搬送プレート
４５  処理室
４６  ヒータ
５４  基板
８０  支持板
８０ｃ  接続部
８０ｅ  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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