(57)【要約】【課題】基板に対する膜パターンの密着力を向上し、膜パターンを良好に形成することができる膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板と膜パターンとの密着力を向上させるための中間層を基板上に形成する工程と、中間層上に機能液を供給することによって膜パターンを形成する工程とを経て形成する。中間層はシロキサン結合を主鎖とした無機材料を含む。【選択図】      図４
2007103759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する方法において、
前記基板と前記膜パターンとの密着力を向上させるための中間層を前記基板上に形成す
る工程と、
前記中間層上に前記機能液を供給することによって前記膜パターンを形成する工程とを
有し、
前記中間層はシロキサン結合を主鎖とした無機材料を含む膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記基板上に、前記膜パターンが形成されるパターン形成領域を規定するためのバンク
を形成する工程を有し、
前記中間層は前記パターン形成領域に形成される請求項１記載の形成方法。
【請求項３】
液滴吐出法を用いて前記中間層を形成するための材料を前記基板上に供給する請求項２
記載の形成方法。
【請求項４】
前記基板上に前記バンクを形成するための膜を形成し、
前記膜をハーフトーン露光することによって前記中間層及び前記バンクを形成する請求
項２記載の形成方法。
【請求項５】
前記中間層と前記バンクとは同じ材料である請求項２〜４のいずれか一項記載の形成方
法。
【請求項６】
前記中間層は前記パターン形成領域の一部の第１領域に形成され、第１材料を含む第１
機能液が前記第１領域に供給され、第２材料を含む第２機能液が前記パターン形成領域の
うち前記第１領域とは異なる第２領域に供給される請求項２〜５のいずれか一項記載の形
成方法。
【請求項７】
液滴吐出法を用いて前記機能液を前記基板上に供給する請求項１〜６のいずれか一項記
載の形成方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか一項記載の形成方法により基板上に膜パターンを形成す
る工程を有するデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記膜パターンはスイッチング素子の少なくとも一部を含む請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の製造方法を用いて製造されたデバイス。
【請求項１１】
基板上に膜パターンを有するデバイスにおいて、
前記基板と前記膜パターンとの密着力を向上させるための中間層を備え、
前記中間層はシロキサン結合を主鎖とした無機材料を含むデバイス。
【請求項１２】
前記基板上に形成され、前記膜パターンが形成されるパターン形成領域を規定するため
のバンクを有し、
前記中間層と前記バンクとは同じ材料である請求項１１記載のデバイス。
【請求項１３】
前記基板上に形成され、前記膜パターンが形成されるパターン形成領域を規定するため
のバンクを有し、
前記中間層は前記パターン形成領域の一部の第１領域に形成され、
前記第１領域に形成され、第１材料を含む第１膜パターンと、
前記パターン形成領域のうち前記第１領域とは異なる第２領域に形成され、第２材料を
含む第２膜パターンとを有する請求項１１記載のデバイス。
【請求項１４】
請求項１０〜請求項１３のいずれか一項記載のデバイスを備えた電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置、及
び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上に配線パターン等の膜パターンを形成する際、基板と膜パターンとの密着力を向
上させるために、例えば下記特許文献に開示されているような中間層を形成する技術が提
案されている。
【特許文献１】特開２００３−３１５８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の技術は、中間層を形成する材料として金属の酸化物を用いているが、使用する基
板の材質と膜パターンの材質との組み合わせの自由度を向上するために、金属の酸化物以
外の材料で中間層を形成する技術の案出が望まれる。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板に対する膜パターンの密
着力を向上し、膜パターンを良好に形成することができる膜パターンの形成方法を提供す
ることを目的とする。また、その膜パターンの形成方法を用いてデバイスを製造するデバ
イスの製造方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
【０００６】
本発明の第１の観点によると、機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する方法に
おいて、前記基板と前記膜パターンとの密着力を向上させるための中間層を前記基板上に
形成する工程と、前記中間層上に前記機能液を供給することによって前記膜パターンを形
成する工程とを有し、前記中間層はシロキサン結合を主鎖とした無機材料を含む膜パター
ンの形成方法が提供される。
【０００７】
本発明によれば、シロキサン結合を主鎖とした無機材料を含む中間層を形成することで
、基板に対する膜パターンの密着力を向上することができ、膜パターンを良好に形成する
ことができる。
【０００８】
本発明の膜パターンの形成方法において、前記基板上に、前記膜パターンが形成される
パターン形成領域を規定するためのバンクを形成する工程を有し、前記中間層は前記パタ
ーン形成領域に形成される。これにより、バンクによって規定されたパターン形成領域に
膜パターンを良好に形成することができる。
【０００９】
本発明の膜パターンの形成方法において、液滴吐出法を用いて前記中間層を形成するた
めの材料を前記基板上に供給する。これにより、中間層を形成するための工程を簡略化す
ることができるとともに、基板上に供給する材料の量、位置等の制御を良好に行うことが
できる。
【００１０】
本発明の膜パターンの形成方法において、前記基板上に前記バンクを形成するための膜
を形成し、前記膜をハーフトーン露光することによって前記中間層及び前記バンクを形成
する。これにより、中間層を形成するための工程を簡略化することができる。
【００１１】
本発明の膜パターンの形成方法において、前記中間層と前記バンクとは同じ材料である
。これにより、使用する材料の種類の数を抑えることができる。
【００１２】
本発明の膜パターンの形成方法において、前記中間層は前記パターン形成領域の一部の
第１領域に形成され、第１材料を含む第１機能液が前記第１領域に供給され、第２材料を
含む第２機能液が前記パターン形成領域のうち前記第１領域とは異なる第２領域に供給さ
れる。これにより、種々の形態で膜パターンを基板上に形成することができる。
【００１３】
本発明の膜パターンの形成方法において、液滴吐出法を用いて前記機能液を前記基板上
に供給する。これにより、膜パターンを形成するための工程を簡略化することができると
ともに、基板上に供給する機能液の量、位置等の制御を良好に行うことができる。
【００１４】
本発明の第２の観点によると、上記記載の形成方法により基板上に膜パターンを形成す
る工程を有するデバイスの製造方法が提供される。
【００１５】
本発明によれば、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【００１６】
本発明のデバイスの製造方法において、前記膜パターンはスイッチング素子の少なくと
も一部を含む。これにより、スイッチング素子を良好に形成することができる。
【００１７】
本発明の第３の観点によると、基板上に膜パターンを有するデバイスにおいて、前記基
板と前記膜パターンとの密着力を向上させるための中間層を備え、前記中間層はシロキサ
ン結合を主鎖とした無機材料を含むデバイスが提供される。
【００１８】
本発明によれば、シロキサン結合を主鎖とした無機材料を含む中間層を形成することで
、基板に対する膜パターンの密着力を向上することができ、良好に形成された膜パターン
を有するデバイスが提供される。
【００１９】
本発明のデバイスにおいて、前記基板上に形成され、前記膜パターンが形成されるパタ
ーン形成領域を規定するためのバンクを有し、前記中間層と前記バンクとは同じ材料であ
る。これにより、使用する材料の種類の数を抑えることができる。
【００２０】
本発明のデバイスにおいて、前記基板上に形成され、前記膜パターンが形成されるパタ
ーン形成領域を規定するためのバンクを有し、前記中間層は前記パターン形成領域の一部
の第１領域に形成され、前記第１領域に形成され、第１材料を含む第１膜パターンと、前
記パターン形成領域のうち前記第１領域とは異なる第２領域に形成され、第２材料を含む
第２膜パターンとを有する。これにより、種々の形態の膜パターンを有するデバイスが提
供される。
【００２１】
本発明の第４の観点によると、上記記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバ
イスが提供される。また、本発明の第５の観点によると、上記記載のデバイスを備えた電
気光学装置が提供される。また、本発明の第６の観点によると、上記記載の電気光学装置
を備えた電子機器が提供される。
【００２２】
本発明によれば、所望の性能を有するデバイス、電気光学装置、電子機器が提供される
。ここで、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率を変化させて光の透過率を変化さ
せる電気光学効果を有する装置、及び電気エネルギーを光学エネルギ−に変換する装置の
少なくとも一方を含む。具体的には、電気光学装置としては、例えば、電気光学物質とし
て液晶を用いる液晶表示装置、電気光学物質として有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用
いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガス
を用いるプラズマディスプレイ装置等が挙げられる。更に、電気光学装置としては、例え
ば、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミ
ッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等が
挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明にお
いては、必要に応じてＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各
部材の位置関係について説明する。
【００２４】
図１は膜パターンの形成方法の一実施形態を概念的に示す図である。本実施形態の膜パ
ターンの形成方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって規定され
た膜パターンを形成するためのパターン形成領域に、基板Ｐと膜パターンとの密着力を向
上させるための中間層３２を形成する工程と、中間層３２上に機能液Ｌを供給する工程と
、基板Ｐ上のバンクＢ及び機能液Ｌを焼成する工程とを有している。基板Ｐ上のパターン
形成領域に供給された機能液Ｌが乾燥、焼成されることにより、基板Ｐ上に膜パターンＦ
が形成される。バンクＢによって膜パターンＦの形状が規定されるため、例えば隣接する
バンクＢ、Ｂ間の幅を狭くする等、バンクＢを適切に形成することにより、膜パターンＦ
の微細化、細線化を実現することができる。なお、膜パターンＦが形成された後、基板Ｐ
からバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上に残してもよい。
【００２５】
基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、及び金属
板等、種々のものを用いることができる。更に、これら基板の表面に半導体膜、金属膜、
誘電体膜、有機膜等の下地膜が形成されていてもよい。
【００２６】
バンクＢを形成するための材料（以下、バンク材料、と称する）には、種々の材料を用
いることができる。例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、ポリシラン等を主成分とし
た無機質の材料を用いることができる。バンク材料が無機質の材料を含むことにより、バ
ンクＢの耐熱性が高くなり、バンクＢと基板Ｐとの間の熱膨張率の差が小さくなる。その
ため、機能液の乾燥時の熱等によるバンクＢの劣化が抑制され、膜パターンＦが良好な形
状で形成される。
【００２７】
本実施形態においては、バンク材料として、例えば特許第２８９０８９３号公報に開示
されているような、シロキサン結合を主鎖とした材料が用いられる。例えば、バンク材料
としては、シロキサン結合を主鎖とし、−Ｈ、−ＯＨ、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ、−Ｃ
ＯＯＨ、−ＣＯＯＫ、−ＣＯＯＮａ、−ＣＯＮＨ２、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ３Ｎａ、−ＳＯ
３Ｋ、−ＯＳＯ３Ｈ、−ＯＳＯ３Ｎａ、−ＯＳＯ３Ｋ、−ＰＯ３Ｈ２、−ＰＯ３Ｎａ２、
−ＰＯ３Ｋ２、−ＮＯ２、−ＮＨ２、−ＮＨ３Ｃｌ、−ＮＨ３Ｂｒ、≡ＨＮＣｌ、及び≡
ＮＨＢｒのうち、少なくとも１つを側鎖とする材料を用いることができる。また、側鎖の
一部に、アルキル基、アルケニル基、及びアリール基のうち少なくとも１つを有する材料
であってもよい。
【００２８】
バンクＢを形成する方法としては、例えば、各種コート法やＣＶＤ法（化学的気相成長
法）等を用いて基板Ｐ上に上述のバンク材料からなる層を形成した後、フォトリソグラフ
ィ法等の所定のパターニング手法を用いて、所定の形状のバンクＢを形成することができ
る。
【００２９】
中間層３２を形成するための材料（以下、中間層用材料、と称する）には、種々の材料
を用いることができる。例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、ポリシラン等を主成分
とした無機質の材料を用いることができる。本実施形態では、中間層３２は、シロキサン
結合を主鎖とした無機材料によって形成される。また、中間層３２は、電気的に絶縁性を
有する材料によって形成される。
【００３０】
本実施形態においては、中間層用材料として、例えば特許第２８９０８９３号公報に開
示されているような、シロキサン結合を主鎖とした材料が用いられる。例えば、中間層用
材料としては、シロキサン結合を主鎖とし、−Ｈ、−ＯＨ、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ、
−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＫ、−ＣＯＯＮａ、−ＣＯＮＨ２、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ３Ｎａ、−
ＳＯ３Ｋ、−ＯＳＯ３Ｈ、−ＯＳＯ３Ｎａ、−ＯＳＯ３Ｋ、−ＰＯ３Ｈ２、−ＰＯ３Ｎａ
２、−ＰＯ３Ｋ２、−ＮＯ２、−ＮＨ２、−ＮＨ３Ｃｌ、−ＮＨ３Ｂｒ、≡ＨＮＣｌ、及
び≡ＮＨＢｒのうち、少なくとも１つを側鎖とする材料を用いることができる。また、側
鎖の一部に、アルキル基、アルケニル基、及びアリール基のうち少なくとも１つを有する
材料であってもよい。
【００３１】
機能液（インク）Ｌとしては、種々のものを用いることができる。機能液とは、液中に
含まれる膜成分を膜化することによって所定の機能を有する膜（機能膜）を形成し得るも
のをいう。係る機能としては、電気・電子的機能（導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘
電性等）、光学的機能（光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍
光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等）、磁気的機能（硬磁性、
軟磁性、非磁性、透磁性等）、化学的機能（吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝
導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等）、機械的機能（耐摩耗性
等）、熱的機能（伝熱性、断熱性、赤外線放射性等）、生体的機能（生体適合性、抗血栓
性等）等の種々の機能がある。
【００３２】
本実施形態においては、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて、機能液Ｌの滴をバ
ンクＢによって規定されたパターン形成領域に供給する。液滴吐出法を用いることにより
、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて機能液の消費の無駄を少なくすることがで
きる。また、液滴吐出法は、基板上に供給する機能液の量、位置の制御を容易に行うこと
ができる。
【００３３】
本実施形態においては、機能液Ｌとして、配線パターンを形成するための導電性材料を
含む機能液が用いられる。これにより、基板上に導電性を有する膜パターンを形成するこ
とができる。この導電性の膜パターンは、配線として各種デバイスに適用される。
【００３４】
配線パターンを形成するための機能液Ｌとしては、導電性微粒子を分散媒に分散させた
分散液、有機銀化合物、酸化銀ナノ粒子を溶媒（分散媒）に分散した溶液等を用いること
ができる。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのう
ちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電
導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表
面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティン
グするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が
挙げられる。
【００３５】
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍよ
り大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、
１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得ら
れる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００３６】
分散媒としては、上述の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであ
れば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラ
デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロ
ナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、
またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチ
レングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２
−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエー
テル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極
性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出
法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物
、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を
挙げることができる。
【００３７】
機能液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ま
しい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、機能
液のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍ
を超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミング
の制御が困難になる。表面張力を調整するため、機能液には、基板との接触角を大きく低
下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添
加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、機能液の基板に対する濡れ性を向上させ、
機能膜のレベリング性を改良し、機能膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものであ
る。表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有
機化合物を含んでもよい。
【００３８】
機能液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出
法を用いて機能液の滴を吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺
が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノ
ズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３９】
液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気
熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、機能液に帯電電極で電荷
を付与し、偏向電極で機能液の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。ま
た、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２ 程度の超高圧を印加してノズル先端側に
機能液を送出するものであり、制御電圧をかけない場合には機能液が直進してノズルから
吐出され、制御電圧をかけると機能液に静電的な反発が起こり、機能液が飛散してノズル
から吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電
気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって機能
液を貯留した空間に可撓性の部材を介して圧力を与え、この空間から機能液を押し出して
ノズルから吐出させるものである。
【００４０】
また、電気熱変換方式は、機能液を貯留した空間内に設けたヒータにより、機能液を急
激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の機能液を吐出さ
せるものである。静電吸引方式は、機能液を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに
機能液のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから機能液を引き出すもので
ある。また、この他に、電場による機能液の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ば
す方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、機能液の使用に無駄が少なく、しか
も所望の位置に所望の量の機能液を的確に供給できるという利点を有する。なお、液滴吐
出法により吐出される機能液の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００４１】
図２は基板上に機能液を供給する液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成
を示す斜視図である。図２において、液滴吐出装置ＩＪは、基台９と、基台９上に設けら
れ、基板Ｐを支持可能なステージ７と、ステージ７に支持されている基板Ｐ上に機能液Ｌ
の滴を吐出する液滴吐出ヘッド１と、液滴吐出ヘッド１を移動するための駆動モータ２と
、ステージ７を移動するための駆動モータ３と、液滴吐出装置ＩＪの動作を制御する制御
装置ＣＯＮＴとを備えている。
【００４２】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッド
であり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド
１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１は、吐出ノズ
ルより、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して機能液の滴を吐出する。
【００４３】
駆動モータ２は、液滴吐出ヘッド１を移動するためのものである。液滴吐出ヘッド１に
はＸ軸方向駆動軸４が接続されており、駆動モータ２は、駆動軸４を回転することにより
、液滴吐出ヘッド１をＸ軸方向に移動可能である。
【００４４】
駆動モータ３は、ステージ７を移動するためのものである。ステージ７にはＹ軸方向駆
動軸５が接続されており、駆動モータ３は、駆動軸５を回転することにより、ステージ７
をＹ軸方向に移動可能である。
【００４５】
制御装置ＣＯＮＴは、駆動モータ２、３を制御し、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持す
るステージ７とを相対的に移動しつつ、基板Ｐ上に液滴を供給する。
【００４６】
また、本実施形態の液滴吐出装置ＩＪはクリーニング機構８を備えている。クリーニン
グ機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものであり、不図示の駆動モータによ
り、Ｙ軸方向に移動可能である。制御装置ＣＯＮＴは、クリーニング機構８と液滴吐出ヘ
ッド１とを相対的に移動することによって、クリーニング機構８と液滴吐出ヘッド１とを
近づけ、そのクリーニング機構８を用いて液滴吐出ヘッド１をクリーニングすることがで
きる。
【００４７】
また、本実施形態の液滴吐出装置ＩＪは、基板Ｐを熱処理するためのヒータ１５を備え
ている。ヒータ１５は、例えば基板Ｐ上の機能液に含まれる溶媒の蒸発、乾燥を行うこと
ができる。
【００４８】
図３はピエゾ方式による機能液の吐出原理を説明するための図である。図３において、
機能液を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１に
は、機能液を収容するタンクを含む供給系２３を介して機能液が供給される。ピエゾ素子
２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧
を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５か
ら機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２
２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子
２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材
料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４９】
〔第１実施形態〕
次に、膜パターンの形成方法の第１実施形態について図４〜図６を参照しながら説明す
る。図４は本実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図５
、図６は形成手順を示す模式図である。本実施形態では、配線パターンを形成する場合を
例にして説明する。
【００５０】
本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターンを形成するための
機能液を基板上に供給し、基板上に配線パターン（導電膜）を形成するものであって、基
板上に配線パターンに応じたバンクを形成する工程と、基板上のバンクによって規定され
たパターン形成領域に、基板と膜パターンとの密着力を向上させるための中間層を形成す
る工程と、中間層上に機能液を供給する工程と、供給された機能液を焼成する工程とを有
している。以下、各工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が
用いられる。
【００５１】
（バンク形成工程）
まず、バンクを形成する前に、基板の表面を親液性にする親液化処理が行われる。親液
化処理は、基板Ｐ上に供給される機能液が基板Ｐの表面に良好に濡れるようにするために
行われる。親液化処理は、例えば基板Ｐの表面にＴｉＯ２等の親液性の高い膜を形成する
、あるいは、基板Ｐの表面を粗面化することで基板Ｐの表面を親液性にしてもよい。
【００５２】
そして、基板Ｐ上にバンクを形成する処理が行われる。バンクは、例えばフォトリソグ
ラフィ法や印刷法等、所定の手法を用いて形成される。例えば、フォトリソグラフィ法を
用いる場合には、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップ
コート等の所定の方法で、図５（Ａ）に示すように、基板Ｐ上にバンク材料からなる膜３
１が形成される（バンク膜形成工程Ｓ１）。上述のように、本実施形態のバンク材料は、
例えば特許第２８９０８９３号公報に開示されているような、シロキサン結合を主鎖とし
た材料である。膜３１は、バンク材料をスピンコートすることで形成される。
【００５３】
そして、バンク材料がプリべークされる。プリベークは、例えばホットプレートを用い
て、９５℃で２分間加熱することで行われる。
【００５４】
（露光工程）
次に、所定のマスクを用いて膜３１が露光される（露光工程Ｓ２）。マスクには、形成
しようとするバンクに応じたパターンが形成されており、マスクのパターンに応じた膜３
１上の領域に露光のための光が照射される。本実施形態では、バンク材料として、シロキ
サン結合を主鎖とした材料と光酸発生剤（ＰＡＧ）とを含む感光性の材料を用いており、
露光のための光を照射し、後述の現像処理を行うことで、バンク材料を直接パターニング
できるようになっている。
【００５５】
次に、バンクを形成するための膜３１の表面（上面）を撥液性する撥液化処理が行われ
る。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとする
プラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。なお、処理ガスとし
ては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガス
を用いることもできる。このような撥液化処理を行なうことにより、バンクを形成するた
めの膜３１にフッ素基が導入され、膜３１の上面に高い撥液性が付与される。
【００５６】
（現像工程）
次に、図５（Ｂ）に示すように、現像処理が行われる（現像工程Ｓ３）。なお、現像処
理の条件は、現像液：ＴＭＡＨ２．３８％、温度：２５℃、現像時間：８０秒とする。こ
れにより、バンクＢ、Ｂが形成され、バンクＢ、Ｂ間には凹部３４が形成される。
【００５７】
次に、必要に応じて、バンクＢ、Ｂ間の残渣処理を行う。残渣処理としては、フッ酸溶
液で残渣部分をエッチングするフッ酸処理を採用することができる。フッ酸処理では、バ
ンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、バンクＢ、Ｂ間に形成された凹部３４の底部３５に残
ったバンク材料等が除去される。なお、残渣処理としては、凹部３４の底部３５に紫外光
を照射する紫外光（ＵＶ）照射処理、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ
処理などを採用することもできる。
【００５８】
（中間層用材料供給工程）
次に、図２を参照して説明したような液滴吐出装置ＩＪを用いて、中間層を形成するた
めの中間層用材料を含む機能液Ｌを、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂによって規定されたパター
ン形成領域、すなわちバンクＢ、Ｂ間の凹部３４に供給（吐出）する（中間層用材料供給
工程Ｓ４）。上述のように、本実施形態の中間層用材料は、例えば特許第２８９０８９３
号公報に開示されているような、シロキサン結合を主鎖とした絶縁性を有する無機材料で
ある。また、本実施形態では、中間層を形成するための中間層用材料と、バンクを形成す
るためのバンク材料とは同じ材料である。なお、中間層用材料とバンク材料とが異なる材
料であってもよい。
【００５９】
中間層用材料供給工程では、図５（Ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から中間層用
材料を含む機能液Ｌを滴にして吐出する。吐出された液滴は、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間
の凹部３４に供給される。
【００６０】
液滴が供給される凹部３４はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に
拡がることを阻止することができる。また、上述の撥液化処理工程において、膜３１の上
面（バンクＢ、Ｂの上面）は撥液性となっている。したがって、バンクＢ、Ｂ間の凹部３
４に向けて吐出された機能液の一部が、凹部３４から外れてバンクＢの上面にかかったと
しても、撥液性を有するバンクＢの上面で弾かれて凹部３４に流れ込むことができる。ま
た、上述のように、膜３１の上面には撥液性が付与されているが、現像処理を行って形成
された凹部３４の内側面には撥液性が付与されていないので、凹部３４に供給された機能
液は、凹部３４の内側面に良好に濡れることができる。また、底部３５にも撥液性は付与
されていないので、凹部３４に供給された機能液Ｌは、凹部３４全体を良好に満たすこと
ができる。これにより、バンクＢ、Ｂによって区画された領域（すなわち凹部３４）は機
能液で均一に満たされる。
【００６１】
（焼成工程）
そして、図５（Ｄ）に示すように、基板上の中間層用材料を含む機能液及ＬびバンクＢ
を焼成する（焼成工程Ｓ５）。焼成を行うことにより、機能液の溶媒（分散媒）が除去さ
れ、バンクＢ、Ｂ間のパターン形成領域には中間層３２となる膜パターンが形成されると
ともに、バンクＢ、Ｂを硬化させる。
【００６２】
（第１機能液供給工程）
次に、液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターンの一部を形成するための第１機能液Ｌ
１を、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の凹部３４に形成された中間層３２上に供給（吐出）す
る（第１機能液供給工程Ｓ６）。第１機能液供給工程では、図６（Ａ）に示すように、液
滴吐出ヘッド１から配線パターンの一部を形成するための材料を含む第１機能液Ｌ１を滴
にして吐出する。吐出された液滴は、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の中間層３２上に供給さ
れる。
【００６３】
第１機能液供給工程Ｓ１において、本実施形態では、銀を含む第１機能液Ｌ１が中間層
３２上に供給される。
【００６４】
第１機能液Ｌ１を供給する際にも、凹部３４はバンクＢ、Ｂに囲まれており、バンクＢ
、Ｂの上面は撥液性となっているので、第１機能液Ｌ１を凹部３４内の中間層３２上に良
好に供給することができる。
【００６５】
（焼成工程）
そして、図６（Ｂ）に示すように、基板上の第１機能液Ｌ１を焼成する（焼成工程Ｓ７
）。焼成を行うことにより、第１機能液Ｌ１の溶媒（分散媒）が除去され、基板Ｐ上の第
１機能液Ｌ１の膜は、図６（Ｂ）に示すように、銀を含む第１膜パターンＦ１に変換され
、導電性が発現される。
【００６６】
そして、基板Ｐと第１膜パターンＦ１との間には、シロキサン結合を主鎖とした無機材
料を含む中間層３２が設けられているので、基板Ｐと第１膜パターンＦ１との密着力を向
上することができる。
【００６７】
（第２機能液供給工程）
次に、液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターンの一部を形成するための第２機能液Ｌ
２を、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の凹部３４に形成された第１膜パターンＦ１上に供給（
吐出）する（第２機能液供給工程Ｓ８）。第２機能液供給工程では、図６（Ｃ）に示すよ
うに、液滴吐出ヘッド１から配線パターンの一部を形成するための材料を含む第２機能液
Ｌ２を滴にして吐出する。吐出された液滴は、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の第１膜パター
ンＦ１上に供給される。
【００６８】
第１機能液供給工程Ｓ１において、本実施形態では、ニッケルを含む第２機能液Ｌ２が
第１膜パターンＦ１上に供給される。
【００６９】
第２機能液Ｌ２を供給する際にも、凹部３４はバンクＢ、Ｂに囲まれており、バンクＢ
、Ｂの上面は撥液性となっているので、第２機能液Ｌ２を凹部３４内の第１膜パターンＦ
１上に良好に供給することができる。
【００７０】
（焼成工程）
そして、図６（Ｄ）に示すように、基板Ｐ上の第２機能液Ｌ２を焼成する（焼成工程Ｓ
９）。焼成を行うことにより、第２機能液の溶媒（分散媒）が除去され、基板Ｐ上の第２
機能液Ｌ１の膜は、図６（Ｄ）に示すように、ニッケルを含む第２膜パターンＦ２に変換
され、導電性が発現される。
【００７１】
基板上の第２機能液Ｌ２を焼成する際には、例えば水素ガスを１％程度含んだ窒素ガス
雰囲気下において焼成が行われる（Ｈ２ガス：１％、Ｎ２ガス：９９％）。すなわち、還
元雰囲気下で焼成が行われる。これにより、第１、第２膜パターンＦ１、Ｆ２を含む配線
パターンは、良好な導電性を発現することができる。
【００７２】
以上説明したように、基板Ｐと膜パターン（第１膜パターン）との密着力を向上させる
ための中間層３２を形成する材料として、シロキサン結合を主鎖とした無機材料を用いる
ことができる。
【００７３】
本実施形態においては、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて、中間層用材料を含
む機能液Ｌ、第１機能液Ｌ１、及び第２機能液Ｌ２の滴を、バンクＢによって規定された
パターン形成領域に供給しているので、機能液の消費の無駄を少なくすることができ、基
板上での機能液の量、位置の制御を容易に行うことができる。
【００７４】
また、本実施形態のように、例えば還元雰囲気下で焼成が行われるような場合であって
も、中間層３２は、シロキサン結合を主鎖とした無機材料であり、還元雰囲気下での焼成
によって、その物性が大きく変化することがない。したがって、基板と膜パターンとの密
着性を維持することができる。
【００７５】
なお、本実施形態では、中間層用材料を含む機能液Ｌを基板上に供給した後、焼成し、
第１機能液Ｌ１を基板上に供給した後、焼成し、第２機能液Ｌ２を基板上に供給した後、
焼成するといったように、機能液を基板上に供給する毎に焼成を行っているが、例えば、
中間層用材料を含む機能液Ｌ、第１機能液Ｌ１、及び第２機能液Ｌ２を基板上に順次供給
し、その後、一括して焼成を行うようにしてもよい。
【００７６】
〔第２実施形態〕
次に、第２実施形態について図７及び図８を参照しながら説明する。図７は本実施形態
に係る膜パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図８は形成手順を示す模式
図である。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同
一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。本実施形態の特徴的な部分は、基板
Ｐ上に膜３１を形成した後、その膜３１をハーフトーン露光することによって、バンクＢ
、Ｂと中間層３２とを形成する点にある。
【００７７】
上述の第１実施形態同様、スピンコート等の所定の方法で、基板Ｐ上にバンク材料から
なる膜３１が形成される（バンク膜形成工程Ｓ１１）。そして、バンク材料がプリべーク
される。
【００７８】
次に、ハーフトーン露光用のマスクを用いて膜３１がハーフトーン露光される（ハーフ
トーン露光工程Ｓ１２）。ハーフトーン露光用のマスクは、図８（Ａ）に示すように、露
光用の光をほぼ１００％遮蔽する遮蔽領域３３Ａと、所定の透過率で光を透過させる半透
過領域３３Ｂとを有している。膜３１のうち、遮蔽領域３３Ａに対応する領域には、光が
ほぼ照射されず、半透過領域３３Ｂに対応する領域には、半透過領域３３Ｂの透過率に応
じた光量の光が照射される。
【００７９】
次に、バンクを形成するための膜３１の表面（上面）を撥液性する撥液化処理が行われ
た後、現像処理が行われる（現像工程Ｓ３）。図８（Ｂ）に示すように、現像処理後にお
いて、膜３１のうち、半透過領域３３Ｂを介した光が照射された領域は、照射された光量
に応じた厚さだけ除去され、所定の厚さだけ残存する。これにより、バンクＢ、Ｂが形成
され、バンクＢ、Ｂ間には凹部３４が形成され、基板Ｐ上の凹部３４の内側には、膜３１
の一部が残存することによって形成された中間層３２が設けられる。すなわち、本実施形
態においては、ハーフトーン露光することによって、中間層３２と、膜パターンが形成さ
れる領域を規定するためのバンクＢ（凹部３４）とが同時に形成され、中間層３２とバン
クＢ、Ｂとは一体で（同じ材料によって）形成される。
【００８０】
次に、液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターンの一部を形成するための第１機能液Ｌ
１を、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の凹部３４に形成された中間層３２上に供給（吐出）す
る（第１機能液供給工程Ｓ１４）。第１機能液供給工程では、図８（Ｃ）に示すように、
液滴吐出ヘッド１から配線パターンの一部を形成するための材料を含む第１機能液Ｌ１を
滴にして吐出する。吐出された液滴は、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の中間層３２上に供給
される。
【００８１】
そして、図８（Ｄ）に示すように、基板上の第１機能液Ｌ１を焼成する（焼成工程Ｓ１
５）。焼成を行うことにより、第１機能液Ｌ１の溶媒（分散媒）が除去され、基板Ｐ上の
第１機能液Ｌ１の膜は、銀を含む第１膜パターンＦ１に変換され、導電性が発現される。
【００８２】
基板Ｐと第１膜パターンＦ１との間には、シロキサン結合を主鎖とした無機材料を含む
中間層３２が設けられているので、基板Ｐと第１膜パターンＦ１との密着力を向上するこ
とができる。
【００８３】
次に、液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターンの一部を形成するための第２機能液Ｌ
２を、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の凹部３４に形成された第１膜パターンＦ１上に供給（
吐出）する（第２機能液供給工程Ｓ１６）。そして、基板上の第２機能液Ｌ２を焼成する
（焼成工程Ｓ１７）。焼成を行うことにより、第２機能液の溶媒（分散媒）が除去され、
基板Ｐ上の第２機能液Ｌ２の膜は、ニッケルを含む第２膜パターンＦ２に変換され、導電
性が発現される。
【００８４】
以上説明したように、バンクを形成するための膜３１をハーフトーン露光することによ
って、中間層３２及びバンクＢを形成することができる。
【００８５】
＜第３実施形態＞
図９は第３実施形態を説明するための図である。図９において、中間層３２は凹部３４
によって形成されるパターン形成領域の一部の第１領域３６Ａに形成されている。そして
、銀を含む第１機能液Ｌ１が、第１領域３６Ａすなわち中間層３２上に供給され、ニッケ
ルを含む第２機能液Ｌ２が、パターン形成領域のうち第２領域３６Ｂに供給される。すな
わち、中間層３２はパターン形成領域の一部の第１領域３６Ａに形成され、銀を含む第１
膜パターンＦ１が第１領域３６Ａ、すなわち中間層３２上に形成され、ニッケルを含む第
２膜パターンＦ２が第２領域３６Ｂ、ここでは基板Ｐ上に形成されている。なお、図９に
おいては、第２膜パターンＦ２は、凹部３４のほぼ全部を埋めるように形成されており、
第１膜パターンＦ１の上にも形成されている。
【００８６】
上述の液滴吐出法、あるいはハーフトーン露光法によって、基板Ｐ上の凹部３４の内側
のパターン形成領域の一部の領域である第１領域３６Ａのみに中間層３２を設けることが
でき、種々の形態の配線パターンを形成することができる。
【００８７】
［第４実施形態］
次に第４実施形態について図１０を参照しながら説明する。本実施形態のパターン形成
方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程と、バンクＢによって区画された
線状の領域Ａに機能液Ｌを供給する機能液供給工程とを有している。バンク形成工程は、
上述の第１実施形態で説明した手順と同等である。バンクＢ、Ｂ間のパターン形成領域に
おける基板上には中間層が形成される。
【００８８】
本実施形態のパターン形成方法では、バンクＢによって区画された線状領域Ａに機能液
Ｌ（Ｌ１、Ｌ２）が供給され、この機能液Ｌが例えば乾燥されることにより、基板Ｐ上に
線状のパターンＦ（Ｆ１、Ｆ２）が形成される。この場合、バンクＢによってパターンＦ
の形状が規定されることから、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅を狭くするなど、バン
クＢを適切に形成することにより、パターンＦの微細化や細線化が図られる。この場合、
バンクＢの内側面は機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、上述し
たように、バンクＢの内側面は撥液化されていないので、バンクＢ，Ｂ間の幅を狭くして
も機能液Ｌは毛管現象等によりバンクＢ，Ｂ内にスムーズに入り込むことができる。なお
、パターンＦが形成された後、基板ＰからバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上
に残してもよい。
【００８９】
また、本実施形態のパターン形成方法では、基板Ｐ上にバンクＢを形成する際、バンク
Ｂによって区画される線状領域Ａについて、一部の幅を広くする。すなわち、線状領域Ａ
の軸方向に関する所定の位置に、他の領域の幅Ｗに比べて広い幅Ｗｐ（Ｗｐ＞Ｗ）からな
る部分（以後、必要に応じて幅広部Ａｓと称す）を、単数あるいは複数設ける。
【００９０】
本実施形態のパターン形成方法では、バンクＢによって区画された線状領域Ａの幅が部
分的（幅広部Ａｓ）に広く形成されていることにより、機能液Ｌの配置時、この幅広部Ａ
ｓに機能液Ｌの一部が退避し、バンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止される。
【００９１】
一般に、線状領域に液体を配置する際、液体の表面張力の作用などによってその領域に
液体が流入しにくかったり、その領域内で液体が広がりにくい場合がある。これに対して
、本実施形態のパターン形成方法では、線幅に差が設けられている部分での液体の動きが
誘因となり、線状領域Ａへの機能液Ｌの流入あるいは線状領域Ａ内での機能液Ｌの拡がり
が促進され、バンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止される。なお、機能液Ｌの配置に際し
て、線状領域Ａに対する機能液の供給量が適宜設定されることは言うまでもない。
【００９２】
このように、本実施形態のパターン形成方法では、機能液Ｌの供給時におけるバンクＢ
からの機能液Ｌの溢れが防止されることから、パターンＦが所望の形状に正確に形成され
る。したがって、細い線状のパターンＦを、精度よく安定的に形成することができる。
【００９３】
また、本実施形態では、バンクＢの形成を上述の第１実施形態で示した方法で行なって
いるため、バンクＢの上面のみ撥液化し、バンクＢの内側面を撥液化しない状態とするこ
とができる。このため、微細なパターンＦを形成する場合でも、バンクＢ，Ｂ内に機能液
Ｌがスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【００９４】
ここで、バンクＢによって区画される線状領域Ａにおいて、幅広部Ａｓの幅Ｗｐは、他
の部分の幅Ｗの１１０〜５００％であるのが好ましい。これにより、機能液の配置時にお
けるバンクからの機能液の溢れが確実に防止される。なお、上記割合が１１０％未満であ
ると、幅の広い部分に機能液が十分に退避しないおそれがあるので好ましくない。また、
５００％を超えると、基板上のスペースの有効利用を図る上で好ましくない。
【００９５】
なお、線状領域Ａの形状は図１０に示したものに限らず他の形状でもよい。線状領域Ａ
における幅広部Ａｓの個数や大きさ、配置位置、配置ピッチなどはパターンの材質や幅、
あるいは要求精度に応じて適宜設定される。
【００９６】
［第５実施形態］
次に第５実施形態について図１１及び図１２を参照しながら説明する。図１１において
、基板Ｐ上には、バンクＢによって第１の幅Ｈ１を有する第１溝部３４Ａ（幅広領域）と
、その第１溝部３４Ａに接続するように第２の幅Ｈ２を有する第２溝部３４Ｂ（幅狭領域
）とが形成されている。第１の幅Ｈ１は機能液の滴の飛翔径よりも大きく形成されている
。第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１よりも狭くなっている。換言すれば、第２の幅Ｈ２は第１
の幅Ｈ１以下である。また、第１溝部３４Ａは図１１中、Ｘ軸方向に延びるように形成さ
れ、第２溝部３４ＢはＸ軸方向とは異なる方向のＹ軸方向に延びるように形成されている
。このバンクＢは第１実施形態の方法により形成されたものである。また、バンクＢ、Ｂ
間のパターン形成領域における基板上には中間層が形成される。
【００９７】
上述した溝部３４Ａ、３４ＢにパターンＦを形成するためには、まず、図１２（Ａ）に
示すように、パターンＦを形成するための機能液Ｌの液滴を液滴吐出ヘッド１により第１
溝部３４Ａの所定位置に供給する。機能液Ｌの液滴を第１溝部３４Ａに供給するときには
、第１溝部３４Ａの上方より液滴吐出ヘッド１を使って液滴を第１溝部３４Ａに吐出する
。本実施形態においては、図１２（Ａ）に示すように、機能液Ｌの液滴は、第１溝部３４
Ａの長手方向（Ｘ軸方向）に沿って所定間隔で配置される。このとき、機能液Ｌの液滴は
、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとが接続する接続部３７近傍（
交差領域）にも供給される。
【００９８】
図１２（Ｂ）に示すように、第１溝部３４Ａに供給された機能液Ｌは、自己流動により
第１溝部３４Ａ内において濡れ拡がる。更に、第１溝部３４Ａに供給された機能液Ｌは、
自己流動によって第２溝部３４Ｂにも濡れ拡がる。これにより、第２溝部３４Ｂ上より直
接的に第２溝部３４Ｂに対して液滴を吐出することなく、第２溝部３４Ｂにも機能液Ｌを
満たすことができる。この場合、バンクＢの側面は機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態で
あることが望ましいが、本実施形態においてもバンクＢの内側面が撥液化されていないの
で、バンクＢ，Ｂ間の幅を狭くしても機能液Ｌは毛管現象等によりバンクＢ，Ｂ内にスム
ーズに入り込むことができる。
【００９９】
このように、第１溝部３４Ａに機能液Ｌを供給することで、その第１溝部３４Ａに供給
された機能液Ｌの自己流動（毛管現象）によって機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに満たすこと
ができる。したがって、狭い幅Ｈ２の第２溝部３４Ｂに対してバンクＢ上より機能液Ｌの
液滴を吐出しなくても、広い幅Ｈ１の第１溝部３４Ａに機能液Ｌの液滴を吐出することで
、第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に供給することができる。特に、第２溝部３４Ｂの幅
Ｈ２が狭く、液滴吐出ヘッド１より吐出された液滴径（飛翔中の液滴径）が幅Ｈ２よりも
小さい場合であっても、機能液Ｌの自己流動によって第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に
満たすことができる。そして、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２は狭いので、機能液Ｌは毛管現象
によって第２溝部３４Ｂに円滑に供給される。したがって、所望の形状を有するパターン
を形成することができる。そして、狭い幅の第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に供給でき
るので、パターンの細線化（微細化）を実現することができる。一方、第１溝部３４Ａの
幅Ｈ１は広いので、第１溝部３４Ａに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しても
、バンクＢの上面３８に機能液Ｌの一部がかかって残渣が残る不具合を回避できる。した
がって、所望の特性を発揮するパターンＦを安定して形成することができる。
【０１００】
また、本実施形態によれば、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂと
が接続する接続部３７近傍に機能液Ｌが供給されるため、機能液Ｌが濡れ拡がる際に容易
に第２溝部３４Ｂに流れ込ませることができ、より円滑に第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを供
給することが可能となる。
【０１０１】
また、本実施形態では、バンクＢの形成を第１実施形態で示した方法で行なっているた
め、バンクＢの上面のみ撥液化し、バンクＢの側面を撥液化しない状態とすることができ
る。このため、微細なパターンＦを形成する場合でも、バンクＢ，Ｂ内に機能液Ｌがスム
ーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【０１０２】
第１溝部３４Ａ及び第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを供給した後、上述した第１実施形態同
様、焼成工程等を経ることによって、パターンＦを形成することができる。
【０１０３】
なお、図１３に示すように、第２溝部３４Ｂに機能液の溶媒のみからなる機能液Ｌａを
供給しておいてから機能液Ｌを上述のように供給しても良い。このように、第２溝部３４
Ｂに機能液Ｌを供給しておくことによって、第２溝部３４Ｂに機能液Ｌが流れ込み易くな
り、より円滑に第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを満たすことができる。なお、機能液Ｌａは導
電性微粒子を含んでいないため導電性を有していない。このため、バンクＢ上に機能液Ｌ
の残渣が残った場合であってもパターンＦの所望の特性を変化させることはない。
【０１０４】
なお、図１１〜図１３においては、広い幅Ｈ１を有する第１溝部３４Ａの延在方向と狭
い幅Ｈ２を有する第２溝部３４Ｂの延在方向とは互いに異なっているが、図１４に示すよ
うに、広い幅Ｈ１を有する第１溝部３４Ａの延在方向と狭い幅Ｈ２を有する第２溝部３４
Ｂの延在方向とは同じであってもよい。その場合においても、図１４（Ａ）に示すように
、第１溝部３４Ａに機能液Ｌを供給することによって、その機能液Ｌの自己流動によって
、図１４（Ｂ）に示すように、機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに満たすことができる。また、
この場合においては、第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとの接続部３７を、第１溝部３４
Ａから第２溝部３４Ｂに向かって漸次窄まるようなテーパ形状にすることで、第１溝部３
４Ａに供給した機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに円滑に流入させることができる。
【０１０５】
＜薄膜トランジスタ＞
本発明の膜パターンの形成方法は、図１５に示すようなスイッチング素子としての薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）及びそれに接続する配線を形成するときに適用可能である。図１
５において、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板Ｐ上には、ゲート配線４０と、このゲート配線４
０に電気的に接続するゲート電極４１と、ソース配線４２と、このソース配線４２に電気
的に接続するソース電極４３と、ドレイン電極４４と、ドレイン電極４４に電気的に接続
する画素電極４５とを備えている。ゲート配線４０はＸ軸方向に延びるように形成され、
ゲート電極４１はＹ軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極４１の幅Ｈ
２はゲート配線４０の幅Ｈ１よりも狭くなっている。これらゲート配線４０及びゲート電
極４１を、上述の実施形態で説明した膜パターンの形成方法で形成することができる。
【０１０６】
また、上述の実施形態で説明した膜パターンの形成方法を用いて、ＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ）のゲート配線のみならず、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成
要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図１６を参照し
ながら説明する。
【０１０７】
図１６（Ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板６１０の上面に、１画素ピッチ
の１／２０〜１／１０の溝６１１ａを設けるための第１層目のバンク６１１が、上述の実
施形態の方法を用いて形成される。また、バンク６１１、６１１間のパターン形成領域に
おける基板上には、上述の実施形態で説明した中間層が形成される。
【０１０８】
第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク６１１で区画さ
れた領域である溝６１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む機能液の液滴を供給する
ことで、ゲート走査電極６１２が形成される。ゲート走査電極６１２は、バンク６１１に
十分な撥液性が予め与えられているので、溝６１１ａからはみ出ることなく形成される。
【０１０９】
以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１１とゲート走査電極６１２からなる
平坦な上面を備えた第１の導電層が形成される。
【０１１０】
また、溝６１１ａ内に液滴を良好に満たすためには、図１６（Ａ）に示すように、この
溝６１１ａの形状として準テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用する
のが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能
となる。
【０１１１】
次に、図１６（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜６１３、活性
層６１０、及びコンタクト層６０９が連続して成膜される。ゲート絶縁膜６１３として窒
化シリコン膜、活性層６１０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層６０９として
ｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。
【０１１２】
半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１６（Ｃ）に示すように、
ゲート絶縁膜６１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ溝６１１ａと交
差する溝６１４ａを設けるための２層目のバンク６１４を、フォトリソグラフィ法に基づ
いて形成する。
【０１１３】
上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク６１
４で区画された描画領域である溝６１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴を供
給することで、図１６（Ｄ）に示すように、ゲート走査電極６１２に対して交差するソー
ス電極６１５及びソース電極６１６が形成される。
【０１１４】
また、ソース電極６１５及びドレイン電極６１６が形成された溝６１４ａを埋めるよう
に絶縁材料６１７が形成される。以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１４と
絶縁材料６１７からなる平坦な上面６２０が形成される。
【０１１５】
そして、絶縁材料６１７にコンタクトホール６１９を形成するとともに、上面６２０上
にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）６１８を形成し、コンタクトホール６１９を介
してドレイン電極６１６と画素電極６１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【０１１６】
＜電気光学装置＞
次に電気光学装置の一例として、液晶表示装置について説明する。図１７は本実施形態
に係る液晶表示装置について各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、
図１８は図１７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。また、図１９は液晶表示装置の画像表
示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回
路図で、図２０は液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図
においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならせてある。
【０１１７】
図１７及び図１８において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、
対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２
によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、
保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されて
なり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【０１１８】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成
されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿
って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画
像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２
０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナーの少なくとも１箇所においては、
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０
６が配設されている。
【０１１９】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上
に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して
電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、
使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super T
wisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラック
モードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を
省略する。
【０１２０】
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０にお
いて、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）
、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１２１】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１９に示す
ように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１
００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されて
おり、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電
気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この
順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎
に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続
されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇ
ｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【０１２２】
画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子
であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給され
る画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにし
て画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、図１８に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保
持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対
向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例え
ば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積
容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の
高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１２３】
図２０はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であ
って、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上述の実施形態で説明したよ
うな膜パターンの形成方法により、導電性膜としてのゲート配線６１が形成されている。
ゲート配線６１と基板Ｐとの間には、上述の実施形態で説明したような中間層が形成され
ている。
【０１２４】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向
する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック
接合を得るための例えばｎ+型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されて
おり、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳ
ｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶
縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗
布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングさ
れる。
【０１２５】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとと
もに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして
、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…
を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴
を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【０１２６】
本実施の形態の液晶表示装置は、上記膜パターンの形成方法により、微細化や細線化が
図られた導電膜が、精度よく安定して形成されることから、高い品質や性能が得られる。
【０１２７】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチン
グ素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロル
ミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無
機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子お
よび正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ
、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子であ
る。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性
材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔
注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光
フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装
置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【０１２８】
図２１は、液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面
図である。図２１を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
【０１２９】
図２１において、有機ＥＬ装置４０１は、基板４１１、回路素子部４２１、画素電極４
３１、バンク４４１、発光素子４５１、陰極４６１（対向電極）、および封止基板４７１
から構成された有機ＥＬ素子４０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動Ｉ
Ｃ（図示略）を接続したものである。回路素子部４２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ
６０が基板４１１上に形成され、複数の画素電極４３１が回路素子部４２１上に整列して
構成されたものである。そして、ＴＦＴ６０を構成するゲート配線６１が、上述した実施
形態の配線パターンの形成方法により形成されている。基板とゲート配線との間には、中
間層が形成される。
【０１３０】
各画素電極４３１間にはバンク４４１が格子状に形成されており、バンク４４１により
生じた凹部開口４４４に、発光素子４５１が形成されている。なお、発光素子４５１は、
赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており
、これによって有機ＥＬ装置４０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰
極４６１は、バンク４４１および発光素子４５１の上部全面に形成され、陰極４６１の上
には封止用基板４７１が積層されている。
【０１３１】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置４０１の製造プロセスは、バンク４４１を形成するバ
ンク形成工程と、発光素子４５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子
４５１を形成する発光素子形成工程と、陰極４６１を形成する対向電極形成工程と、封止
用基板４７１を陰極４６１上に積層して封止する封止工程とを有している。
【０１３２】
発光素子形成工程は、凹部開口４４４、すなわち画素電極４３１上に正孔注入層４５２
および発光層４５３を形成することにより発光素子４５１を形成するもので、正孔注入層
形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入
層４５２を形成するための機能液を各画素電極４３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出
された機能液を乾燥させて正孔注入層４５２を形成する第１乾燥工程とを有している。ま
た、発光層形成工程は、発光層４５３を形成するための機能液を正孔注入層４５２の上に
吐出する第２吐出工程と、吐出された機能液を乾燥させて発光層４５３を形成する第２乾
燥工程とを有している。なお、発光層４５３は、赤、緑、青の３色に対応する材料によっ
て３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種
類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
【０１３３】
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層
形成工程における第２吐出工程とで液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【０１３４】
図２２は液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。図２２に示す液晶表示装置（電
気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液
晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バッ
クライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【０１３５】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板
９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆ
るセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、
一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ
及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられてい
る。なお、図２２においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【０１３６】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面
には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状ま
たは文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０
７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａ
は、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９
０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成す
るときに電極９０７ａと同時に形成される。したがって、これらの端子９０８は、例えば
ＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延び
るもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【０１３７】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素
子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装され
る部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されてい
てもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板９１１の
上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することに
よって製造されている。
【０１３８】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０
３における配線パターン９１２が、上述の実施形態で説明したような膜パターンの形成方
法によって形成されている。
【０１３９】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶
パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各
ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線
、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方
、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の
液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【０１４０】
また、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズ
マディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流す
ことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能で
ある。
【０１４１】
＜電子機器＞
次に電子機器の具体例について説明する。図２３（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜
視図である。図２３（Ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形
態の例えば液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
【０１４２】
図２３（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図
である。図２３（Ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力
部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の例えば液晶表示装置を備えた液晶表
示部を示している。
【０１４３】
図２３（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２３（Ｃ）におい
て、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の例えば液晶表示装置を備えた液晶
表示部を示している。
【０１４４】
図２３（Ａ）〜（Ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の表示装置を備えたものである
ので、高い品質や性能が得られる。
【０１４５】
なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置を備えるものとしたが、有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とす
ることもできる。
【０１４６】
次に、本発明の膜パターンの形成方法によって形成される膜パターンを、アンテナ回路
に適用した例について説明する。
【０１４７】
図２４は本実施形態に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体４０
０は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ
４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電
容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行なう
ようになっている。
【０１４８】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上述の実施形態で説明したような膜パタ
ーンの形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記アンテナ回路４１２の微細化
や細線化が図られ、高い品質や性能を得ることができる。
【０１４９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、
本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成
部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において
設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。
【図２】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図３】ピエゾ方式による機能液の吐出原理を説明するための図である。
【図４】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するためのフローチャート図である。
【図５】膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図６】図５に続く工程図である。
【図７】第２実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するためのフローチャート図である。
【図８】膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図９】第３実施形態に係る膜パターンを説明するための模式図である。
【図１０】第４実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１１】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１２】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１３】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１４】第５実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１５】薄膜トランジスタを有する基板の一例を示す模式図である。
【図１６】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図１７】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図１８】図１７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図１９】液晶表示装置の等価回路図である。
【図２０】液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図２１】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図２２】液晶表示装置の他の形態を示す図である。
【図２３】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【図２４】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１５１】
Ｂ…バンク、Ｆ１…第１膜パターン、Ｆ２…第２膜パターン、Ｌ１…第１機能液、Ｌ２
…第２機能液、Ｐ…基板、３０…スイッチング素子、３１…膜、３２…中間層、３４…凹
部（パターン形成領域）、３６Ａ…第１領域、３６Ｂ…第２領域、１００…液晶表示装置
、４００…非接触型カード媒体
【図１】
2007103759.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2007103759.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2007103759.tif 000012
【図１１】
2007103759.tif 000013
【図１２】
2007103759.tif 000014
【図１３】
2007103759.tif 000015
【図１４】
2007103759.tif 000016
【図１５】
2007103759.tif 000017
【図１６】
2007103759.tif 000018
【図１７】
2007103759.tif 000019
【図１８】
2007103759.tif 000020
【図１９】
2007103759.tif 000021
【図２０】
2007103759.tif 000022
【図２１】
2007103759.tif 000023
【図２２】
2007103759.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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