(57)【要約】【課題】  歩留まりが向上する光導波路アレイを含むマルチビーム光源を提供する。【解決手段】光導波路パターン１７Ｐの入射面の配列ピッチＰ２が、光ファイバアレイ２０の出射面の配列ピッチＰ１の１／Ｎであり、かつ光導波路パターン１７Ｐの本数が光ファイバ５の本数Ｎ倍以上であって、複数本の光ファイバ５の出射面が、それと対向する複数本の光導波路パターン１７Ｐの入射面と結合することを特徴とする。【選択図】図９
2007192896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の光ファイバを配列した光ファイバアレイまたは複数個の半導体レーザを配列した半導体レーザアレイと、
その光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面と結合されて、光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイから出射される複数本の光が導かれる複数本の光導波路パターンを有する光導波路アレイとを備えたマルチビーム光源において、
前記光導波路パターンの入射面の配列ピッチＰ２が、前記光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面の配列ピッチＰ１のＮ分の１であり、
かつ前記光導波路パターンの本数が、前記光ファイバの本数または前記半導体レーザの個数のＮ倍以上であって（但し、Ｎは２以上の整数）、
前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面が、それと対向する前記複数本の光導波路パターンの入射面と結合することを特徴とするマルチビーム光源。
【請求項２】
請求項１記載のマルチビーム光源において、前記光導波路パターンの出射面の配列ピッチＰ３が前記配列ピッチＰ２よりも狭いことを特徴とするマルチビーム光源。
【請求項３】
請求項１記載のマルチビーム光源において、前記光導波路アレイ内の（Ｎ−１）つおきの光導波路パターンの線幅が等しく、かつ他のグループとは異なっているグループが複数形成されて（但し、Ｎは２以上の整数）、
前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面が、前記複数のグループのうちのいずれか１つのグループの光導波路パターンの入射面と結合することを特徴とするマルチビーム光源。
【請求項４】
複数本の光ファイバを配列した光ファイバアレイまたは複数個の半導体レーザを配列した半導体レーザアレイと、
その光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面と結合されて、光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイから出射される複数本の光が導かれる複数本の光導波路パターンを有する光導波路アレイとを備えたマルチビーム光源の製造方法において、
前記光導波路パターンの入射面の配列ピッチＰ２が、前記光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面の配列ピッチＰ１のＮ分の１であり、
かつ前記光導波路パターンの本数が、前記光ファイバの本数または前記半導体レーザの個数のＮ倍以上であって（但し、Ｎは２以上の整数）、
前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面を、それと対向する前記複数本の光導波路パターンの入射面と仮結合する工程と、
その仮結合の状態で前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザからそれと結合している光導波路パターンに光を通して、当該光導波路パターンの欠陥の有無を検査する工程と、
その検査工程によって判明した欠陥を有する光導波路パターンを外して、前記光ファイバまたは半導体レーザの出射面を他の光導波路パターンと本結合する工程とを含む
ことを特徴とするマルチビーム光源の製造方法。
【請求項５】
複数本の光ファイバを配列した光ファイバアレイまたは複数個の半導体レーザを配列した半導体レーザアレイと、
その光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面と結合されて、光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイから出射される複数本の光が導かれる複数本の光導波路パターンを有する光導波路アレイとを備えたマルチビーム光源の製造方法において、
前記光導波路パターンの入射面の配列ピッチＰ２が、前記光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面の配列ピッチＰ１のＮ分の１であり、
かつ前記光導波路パターンの本数が、前記光ファイバの本数または前記半導体レーザの個数のＮ倍以上であって（但し、Ｎは２以上の整数）、
前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面を、それと対向する前記複数本の光導波路パターンの入射面と仮結合する第１の仮結合工程と、
その第１の仮結合の状態で前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザからそれと結合している光導波路パターンに光を通して、当該光導波路パターンの光通過量を検査する第１の検査工程と、
前記第１の仮結合を外して、前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面を検査していない他の光導波路パターンの入射面と仮結合する第２の仮結合工程と、
その第２の仮結合の状態で前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザからそれと結合している光導波路パターンに光を通して、当該光導波路パターンの光通過量を検査する第２の検査工程と、
前記第１の検査工程と第２の検査工程の検査結果で光導波路パターンの光通過量の多い方の光ファイバまたは半導体レーザと光導波路パターンの組み合わせで、前記光ファイバまたは半導体レーザと光導波路パターンとを本結合する本結合工程を含む
ことを特徴とするマルチビーム光源の製造方法。
【請求項６】
マルチビーム光源と、そのマルチビーム光源からの光を同一反射面で同時に偏向走査する回転多面体とを備えた光走査装置において、
前記マルチビーム光源が請求項１ないし３のいずれか１項記載のマルチビーム光源であることを特徴とする光走査装置。
【請求項７】
感光体と、その感光体を帯電する帯電装置と、光の走査により記録されるべき画像情報に対応した静電潜像を前記感光体上に形成する光走査装置と、前記静電潜像にトナーを付着してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被記録体上に転写する転写装置と、転写したトナー像を被記録体上に定着する定着装置とを備えた画像形成装置において、
前記光走査装置が請求項６記載の光走査装置であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチビーム光源およびその製造方法ならびに光走査装置、画像形成装置に係り、特に光導波路アレイを用いて複数のレーザ光を出射する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置を代表するレーザプリンタにおいて、複数のレーザビームを回転多面鏡で感光体上に同時に走査して光記録を行うと、回転多面鏡の回転速度が高速にできない場合でも、ビームの本数分の高速化が実現できる。複数のレーザビームを発生させる方法として光ファイバアレイを用いる方法があり、この光ファイバアレイを用いて複数のレーザビームを感光体上に走査して光記録を行う画像形成装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１４６０２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで従来の光ファイバアレイでは、光ファイバ自体が製造誤差を有しているため、複数本の光ファイバをアレイ状に配列した際、光ファイバのコア部の上下位置が不揃いになって一直線上に配列されず、あるいはコア部の間隔が不揃いになったりして、光ファイバアレイの高精度配列化が困難であった。
【０００４】
また、ピッチ間隔を変えないで更なる多ビーム化を行うと、マルチビームがレンズの中心から離れた場所を通過するから、収差が大きくなる。そのため更なる多ビーム化を行うにはピッチ間隔を狭ピッチ化する必要がでてくる。しかし、光ファイバアレイでは、光ファイバ径以下にはピッチ間隔を狭めることが困難である。
【０００５】
さらに光ファイバアレイの代わりに半導体レーザアレイを用いた場合は、熱的クロストークの問題があり、狭ピッチ化することが難しく、更なる多ビーム化を行うことは困難である。
【０００６】
しかし、光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイから出射する複数本のレーザ光を光導波路アレイに導くことにより、狭ピッチ化、高精度配列化させたマルチビームを得ることができる。これによりマルチビーム光源の更なる多ビーム化、高精度配列化ができ、高速、高精細な光記録が可能となる。
【０００７】
前記光導波路アレイは、基板上に導波層を成膜し、リソグラフィープロセス、ドライエッチングなどのプロセスにより導波路パターンを形成させた後、オーバークラッド層を形成させることにより製作される。ところが、光導波路アレイ内の光導波路の一部に欠陥が生じた場合、その光導波路アレイは不良となり、使用できなくなる。また、プロセス条件が変わることにより、目標の線幅を有する光導波路アレイを製作できないこともある。
【０００８】
本発明の目的は、歩留まりが向上するマルチビーム光源ならびにそれを用いた光走査装置、画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため、本発明の第１の手段は、複数本の光ファイバを配列した光ファイバアレイまたは複数個の半導体レーザを配列した半導体レーザアレイと、
その光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面と結合されて、光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイから出射される複数本の光が導かれる複数本の光導波路パターンを有する光導波路アレイとを備えたマルチビーム光源において、
前記光導波路パターンの入射面の配列ピッチＰ２が、前記光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面の配列ピッチＰ１のＮ分の１であり、
かつ前記光導波路パターンの本数が、前記光ファイバの本数または前記半導体レーザの個数のＮ倍以上であって（但し、Ｎは２以上の整数）、
前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面が、それと対向する前記複数本の光導波路パターンの入射面と結合することを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の第２の手段は前記第１の手段において、前記光導波路パターンの出射面の配列ピッチＰ３が前記配列ピッチＰ２よりも狭いことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の第３の手段は前記第１の手段において、前記光導波路アレイ内の（Ｎ−１）つおきの光導波路パターンの線幅が等しく、かつ他のグループとは異なっているグループが複数形成されて（但し、Ｎは２以上の整数）、
前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面が、前記複数のグループのうちのいずれか１つのグループの光導波路パターンの入射面と結合することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第４の手段は、複数本の光ファイバを配列した光ファイバアレイまたは複数個の半導体レーザを配列した半導体レーザアレイと、
その光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面と結合されて、光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイから出射される複数本の光が導かれる複数本の光導波路パターンを有する光導波路アレイとを備えたマルチビーム光源の製造方法において、
前記光導波路パターンの入射面の配列ピッチＰ２が、前記光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面の配列ピッチＰ１のＮ分の１であり、
かつ前記光導波路パターンの本数が、前記光ファイバの本数または前記半導体レーザの個数のＮ倍以上であって（但し、Ｎは２以上の整数）、
前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面を、それと対向する前記複数本の光導波路パターンの入射面と仮結合する工程と、
その仮結合の状態で前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザからそれと結合している光導波路パターンに光を通して、当該光導波路パターンの欠陥の有無を検査する工程と、
その検査工程によって判明した欠陥を有する光導波路パターンを外して、前記光ファイバまたは半導体レーザの出射面を他の光導波路パターンと本結合する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の第５の手段は、複数本の光ファイバを配列した光ファイバアレイまたは複数個の半導体レーザを配列した半導体レーザアレイと、
その光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面と結合されて、光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイから出射される複数本の光が導かれる複数本の光導波路パターンを有する光導波路アレイとを備えたマルチビーム光源の製造方法において、
前記光導波路パターンの入射面の配列ピッチＰ２が、前記光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイの出射面の配列ピッチＰ１のＮ分の１であり、
かつ前記光導波路パターンの本数が、前記光ファイバの本数または前記半導体レーザの個数のＮ倍以上であって（但し、Ｎは２以上の整数）、
前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面を、それと対向する前記複数本の光導波路パターンの入射面と仮結合する第１の仮結合工程と、
その第１の仮結合の状態で前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザからそれと結合している光導波路パターンに光を通して、当該光導波路パターンの光通過量を検査する第１の検査工程と、
前記第１の仮結合を外して、前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザの出射面を検査していない他の光導波路パターンの入射面と仮結合する第２の仮結合工程と、
その第２の仮結合の状態で前記複数本の光ファイバまたは複数個の半導体レーザからそれと結合している光導波路パターンに光を通して、当該光導波路パターンの光通過量を検査する第２の検査工程と、
前記第１の検査工程と第２の検査工程の検査結果で光導波路パターンの光通過量の多い方の光ファイバまたは半導体レーザと光導波路パターンの組み合わせで、前記光ファイバまたは半導体レーザと光導波路パターンとを本結合する本結合工程を含むことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第６の手段は、マルチビーム光源と、そのマルチビーム光源からの光を同一反射面で同時に偏向走査する回転多面体とを備えた光走査装置において、
前記マルチビーム光源が前記第１ないし第３の手段のマルチビーム光源であることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第７の手段は、感光体と、その感光体を帯電する帯電装置と、光の走査により記録されるべき画像情報に対応した静電潜像を前記感光体上に形成する光走査装置と、前記静電潜像にトナーを付着してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被記録体上に転写する転写装置と、転写したトナー像を被記録体上に定着する定着装置とを備えた画像形成装置において、
前記光走査装置が前記第６の手段の光走査装置であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は前述のような構成になっており、歩留まりが向上する構造を備えた光導波路アレイを含むマルチビーム光源ならびにそれを用いた光走査装置、画像形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
まず、本発明の実施形態に係る画像形成装置の概略構成を図３とともに説明する。  
トナー像を形成する感光体ドラム１は、図示しないモータによって一定の周速度で回転駆動している。この感光体ドラム１は帯電装置３１により特定の極性に一様に帯電され、後述の光走査装置３１からの光により露光され、記録すべき画像情報に対応した静電潜像が形成される。この露光位置の回転方向下流側に現像装置３３が配置され、現像装置３３により感光体ドラム１上にトナー像が形成される。
【００１８】
被記録媒体である印刷用紙３４は、搬送ローラ対などの搬送装置３５で搬送される。転写装置３６で印刷用紙３４の背面にトナーと逆極性の帯電を行なうことにより、感光体ドラム１上のトナー像を印刷用紙３４上に転写され、その印刷用紙３４は定着装置３８へ搬送される。転写されずに感光体ドラム１上に残ったトナーは、清掃装置３７によって除去される。
【００１９】
定着装置３８は、一定温度に加熱制御されたヒートローラ３８ａと、それに圧接する加圧ローラ３８Ｂとから構成されている。ここを通過するとき、印刷用紙３４上のトナーが加熱溶融されて定着がなされ、機外へ排出される。
【００２０】
次にマルチビーム光源を用いた光走査装置の概略構成を図１ならびに図２を用いて説明する。  
図１は、マルチビーム光源として光ファイバアレイに光導波路アレイを接続した場合の例を示している。半導体レーザ７から出射したレーザ光は、半導体レーザモジュール６に導かれる。この半導体レーザモジュール６は複数個準備され、それぞれのシングルモード光ファイバ５の出射面側は光ファイバアレイ２０によりアレイ状に配列される。
【００２１】
この光ファイバアレイ２０の出射端面は光導波路アレイ８の入射端面に接続され、光導波路アレイ８に導かれた複数のレーザ光は狭ピッチ化され、光導波路アレイ８の出射端面から出射される。光導波路アレイ８から出射されたマルチビームは、レンズ４によりポリゴンミラー３上に導かれる。ポリゴンミラー３上を反射したビームは、Ｆθレンズ２を通過した後、感光ドラム１上に結像され、光走査される。
【００２２】
図２は、マルチビーム光源として半導体レーザアレイ２３に光導波路アレイ８を接続した場合の例を示している。半導体レーザアレイ２３は、複数個の半導体レーザ（図示せず）を配列したものから構成されている。半導体レーザアレイ２３から出射したレーザ光は光導波路アレイ８に導かれ、光導波路アレイ８から出射されたマルチビームは、レンズ４によりポリゴンミラー３上に導かれる。ポリゴンミラー３上を反射したビームは、Ｆθレンズ２を通過した後、感光ドラム１上に結像され、光走査される。
【００２３】
図４は、前記半導体レーザモジュール６の断面図である。レンズ１１が接着、固定されているＬＤホルダ１２に前記半導体レーザ７が溶接固定される。光ファイバ５の入射端部にはフェルール９が接着固定され、端面研磨された後、フェルール９がフェルールホルダ１０に溶接固定される。また、結合効率が最大になるように調芯された後、フェルールホルダ１０とＬＤホルダ１２とが溶接固定される。半導体レーザ７から出射したレーザ光は、光ファイバ５の入射端面１３に入射され、光ファイバ５を通して前記光導波路アレイ８に導かれる。
【００２４】
図５は、前記光ファイバアレイ２０の断面図である。シリコンウェハなどからなる基板２５上に複数本のＶ溝２１が所定のピッチで形成され、そのＶ溝２１内にそれぞれ光ファイバ５の出射端部が挿入され、熱硬化性接着剤１５を介してガラス板１４で押し付けられ、接着固定される。その後、端面研磨がなされる。図中の５２は光ファイバ５のコア部、５１はそのコア部５２の外周を取り囲むクラッド部である。
【００２５】
図６は、光導波路アレイ８の製造プロセスを説明するための工程図である。まず初めに同図（ａ）に示すように、石英ガラスまたはＳｉＯ２などの熱酸化膜付きシリコンウェハ等からなる基板１６上に光導波層１７が成膜される。
【００２６】
光導波層１７にはＳｉＯ２にＧｅＯ２またはＴｉＯ２などの物質がドープされたものが用いられ、成膜方法は化学的気相成長法（熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等）、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの薄膜形成技術が一般的に用いられる。その後、基板１６が高温（８００℃〜１３００℃程度）で熱処理される。この熱処理により、光導波層１７を緻密で透明なガラス膜にすることができる。
【００２７】
ついで同図（ｂ）に示すように、そのガラス膜からなる光導波層１７の表面にメタルマスク用のメタル膜、例えばＣｒからなるマスクを電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などを用いて蒸着し、フォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィを行った後、ウエットエッチングを行い、光導波層１７上にメタル膜パターン１８を形成する。
【００２８】
その後同図（ｃ）に示すように、ドライエッチングを行って光導波路パターン１７Ｐを形成し、同図（ｄ）に示すようにメタル膜パターン１８を除去する。最後に同図（ｅ）に示すように、光導波路パターン１７Ｐの上からＳｉＯ２などからなるオーバークラッド層１９を、化学的気相成長法（熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等）、スパッタリング法、火炎堆積法などを用いて形成することにより光導波路アレイ８を得る。
【００２９】
製作された光導波路アレイ８は端面が研磨された後、図７に示されたように光ファイバアレイ２０の出射端面と結合され、結合効率が最大になるように調芯された後、ＵＶ樹脂などの接着剤を用いて接着固定する。
【００３０】
または図８に示されたように、端面研磨された光導波路アレイ８が半導体レーザアレイ２３と結合され、結合効率が最大になるように調芯された後、接着、半田付けなどにより固定される。
【００３１】
図９ないし図１１を用いて、本発明の実施形態に係るマルチビーム光源の説明を行う。但し、図９ないし図１１では、マルチビーム光源として光導波路アレイ８に光ファイバアレイ２０を接続したものを示したが、光ファイバアレイ２０を半導体レーザアレイ２３に置き換えることもできる。
【００３２】
図９と図１０は、第１の実施形態を説明するための図である。本実施形態の場合は図９に示すように、６個の半導体レーザモジュール６ａ〜６ｆに対して６本の光ファイバ５ａ〜５ｆがそれぞれ接続され、６本の光ファイバ５ａ〜５ｆの出射端は図５に示すように基板上に配列固定されて、光ファイバアレイ２０を構成している。光ファイバアレイ２０での光ファイバ５ａ〜５ｆの配列ピッチは、図に示すようにＰ１に設定されている。
【００３３】
これに対して光導波路アレイ８の方は図６に示したようなプロセスにより、前記光ファイバ５ａ〜５ｆのＮ倍の本数（但しＮは２，３，４のような２以上の整数  本実施形態ではＮ＝２で、合計１２本）を有する光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌが形成されている。
【００３４】
この光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌの光ファイバアレイ２０と接続される入射端面の配列ピッチは図に示すようにＰ２に設定されている。この配列ピッチＰ２は、前記配列ピッチＰ１の１／Ｎ（本実施形態では１／２）に設定されている。一方、光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌの出射端面の配列ピッチＰ３は、図に示すように中央に寄せて入射端面の配列ピッチＰ２よりも狭小になっている。従って前記配列ピッチＰは、Ｐ１＞Ｐ２（＝Ｐ１・１／Ｎ）＞Ｐ３の関係にある。
【００３５】
配列ピッチＰ２，Ｐ３としては例えば５μｍ〜４０μｍ程度が適当である。配列ピッチが４μｍ以下になると、光導波路パターン間のクロストークが問題となる。
【００３６】
なお、本実施形態の場合、光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌの線幅Ｌ［図６（Ｄ）参照］は光ファイバ５と結合させたときの光利用効率が最大となるように設計されている。光導波路パターン１７は図６に示すようなプロセスによって製造されるため、微細にかつ高精度に製作することができる。
【００３７】
従来、光ファイバアレイと光導波路アレイを結合し、光の導通検査を行なって光導波路アレイに欠陥があった場合、光導波路アレイが不良品となり、歩留まりが悪かった。
【００３８】
そこで本実施形態では図９に示したように、光ファイバアレイ２０の各光ファイバ５ａ〜５ｆを光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌに対して１つおきに例えば治具などを使用して仮結合し、各半導体レーザモジュール６ａ〜６ｆからレーザ光を出射して光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌのレーザ光２５（図７参照）の導通状態を光学的に検査（具体的には通過する光量検査）する。
【００３９】
そして例えば現在、光ファイバ５ａと仮結合している端側の光導波路パターン１７Ｐａに欠陥２２があることが判明した場合、光ファイバアレイ２０と光導波路アレイ８の仮結合を外す。そして、図１０に示すように各光ファイバ５ａ〜５ｆを光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌに対して１本ずらして、すなわち前記光導波路パターン１７Ｐａを外して例えば接着や半田付けなどで本結合すれば、良品としてこの光導波路アレイ８を使用することができる。これによって歩留まりの向上が図れる。
【００４０】
この第１の実施形態では光ファイバ５の６本に対して光導波路パターン１７Ｐを２倍の１２本設けたが、光ファイバ５の６本に対して光導波路パターン１７Ｐを例えば１５本（Ｎ倍以上）設ければ、すなわち第１の実施形態よりも例えば３本余分に設ければ、その１５本の光導波路パターン１７Ｐのうち両側３本づつ（合計６本）のいずれかの光導波路パターン１７Ｐに欠陥２２があっても対応できる。
【００４１】
前記欠陥の問題とは別に、製造プロセス条件のバラツキなどにより、光ファイバアレイと光導波路アレイのマッチング性の問題があリ、マッチング性が悪いと光導波路アレイからの出射光量の仕様を満たさない場合かある。
【００４２】
図１１に示す第２の実施形態は、このような問題を解決するためになされたものである。６個の半導体レーザモジュール６ａ〜６ｆに対して６本の光ファイバ５ａ〜５ｆがそれぞれ接続され、６本の光ファイバ５ａ〜５ｆの出射端面は図１１に示すように基板上に配列固定されて、光ファイバアレイ２０を構成している。光ファイバアレイ２０での光ファイバ５ａ〜５ｆの配列ピッチは、Ｐ１に設定されている。
【００４３】
これに対して光導波路アレイ８の方は、前記光ファイバ５ａ〜５ｆのＮ倍の本数（本実施形態ではＮ＝２で、合計１２本）を有する光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌが形成されている。
【００４４】
この光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌの光ファイバアレイ２０と接続される入射端面の配列ピッチは、Ｐ２に設定されている。この配列ピッチＰ２は、前記配列ピッチＰ１の１／Ｎ（本実施形態では１／２）に設定されている。一方、光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌの出射端面の配列ピッチＰ３は、図に示すように中央に寄せて入射端側の配列ピッチＰ２よりも狭小になっている。従って前記配列ピッチＰは、Ｐ１＞Ｐ２（＝Ｐ１・１／Ｎ）＞Ｐ３の関係にある。これまでは前記第１の実施形態と同様である。
【００４５】
第１の実施形態と異なる点は、前記光導波路パターン１７Ｐａ〜１７Ｐｌの線幅Ｌが（Ｎ−１）つおき（本実施形態ではＮ＝２で、結局１つおき）に等しく、かつ他のグループとは異なっているグループが複数グループ（本実施形態２グループ）形成されている点である。
【００４６】
具体的には図１１に示すように1つおきの導波路パターン１７Ｐａ，１７Ｐｃ，１７Ｐｅ，１７Ｐｇ，１７Ｐｉ，１７Ｐｋの６本は線幅Ｌ１の第１グループ、導波路パターン１７Ｐｂ，１７Ｐｄ，１７Ｐｆ，１７Ｐｈ，１７Ｐｊ，１７Ｐｌの６本は線幅Ｌ２の第２グループに分けて形成され、線幅Ｌ１と線幅Ｌ２は異なる（本実施形態では線幅Ｌ１＜Ｌ２）関係にある。
【００４７】
図１１は前記第２グループが光ファイバ５ａ〜５ｆと接続している状態を示しているが、この状態で光の導通検査を行ない、次に前記第１グループの方を光ファイバ５ａ〜５ｆと接続して光の導通検査を行なう。そして検査結果から光ファイバアレイ２０（光ファイバ５ａ〜５ｆ）とマッチング性の良い方のグループを選択して、光ファイバアレイ２０と光導波路アレイ８を本結合する。
【００４８】
光ファイバアレイ２０を製作する際、例えば光ファイバ５のコア部５２の位置がずれて各コア部５２が一直線上に配置されず、光ファイバアレイ２０の方にマッチングの問題があることもある。
【００４９】
そのような場合も光導波路パターン１７Ｐの本数を光ファイバ５の本数のＮ倍以上とし、光導波路パターン１７Ｐの入射端面の配置ピッチＰ２を光ファイバ５の配置ピッチＰ１の１／Ｎとする。そして光ファイバアレイ２０と光導波路アレイ８とを前述と同じようにマッチング検査を行なって、最もマッチングの良い結合位置を決定することもできる。
【００５０】
前記各実施形態では図面が煩雑になるため光導波路アレイ上の光導波路パターンの数が少ない例を示したが、実際には光導波路アレイ上に例えば２０〜３０本程度の多数の光導波路パターンを形成し、その内の１０本程度の光導波路パターンが光ファイバアレイまたは半導体レーザアレイと接続することになる。
【００５１】
本発明では光源としては使用しない光導波路パターンが出てくるが、それらの使用しない光導波路パターンが使用する光導波路パターンへ光学的な悪影響をおよぼすことはない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態に係る光走査装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る光走査装置の概略構成図である。
【図３】本発明の実施形態に係る画像形成装置の概略構成図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体レーザモジュールの断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る光ファイバアレイの断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る光導波路アレイの製造プロセスを説明するための工程図である。
【図７】本発明の実施形態に係るマルチビーム光源の概略図である。
【図８】本発明の実施形態に係るマルチビーム光源の概略図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係るマルチビーム光源を説明するための図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係るマルチビーム光源を説明するための図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るマルチビーム光源を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…感光ドラム、２…Ｆθレンズ、３…ポリゴンミラー、４…レンズ、５，５ａ〜５ｆ…光ファイバ、６，６ａ〜６ｆ…半導体レーザモジュール、７…半導体レーザ、８…光導波路アレイ、９…フェルール、１０…フェルールフォルダ、１１…レンズ、１２…ＬＤホルダ、１３…光ファイバ入射端面、１４…ガラス板、１５…接着剤、１６…アンダークラッド層、１７…導波層、１７Ｐ，１７Ｐａ〜１７Ｐｌ…導波路パターン、１８…メタル膜パターン、１９…オーバークラッド層、２０…光ファイバアレイ、２１…Ｖ溝、２２…欠陥、２３…半導体レーザアレイ、２４…半導体レーザ、２５…レーザ光、３１…帯電装置、３２…光走査装置、３３…現像装置、３４…印刷用紙、３５…搬送装置、３６…転写装置、３７…清掃装置、３８…定着装置、５１…クラッド部、５２…コア部、Ｐ１…光ファイバの出射面配列ピッチ、Ｐ２…光導波路パターンの入射面配列ピッチ、Ｐ３…光導波路パターンの出射面配列ピッチ、Ｌ…光導波路パターンの線幅、Ｔ…導波路パターンの厚さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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