(57)【要約】【課題】被検査体の検査に並行して、被検査体上における特定の検査を必要とする特定領域の画像データを取得すること。【解決手段】フォトマスク２を撮像して取得した検査画像データと参照データとを比較して欠陥を検出するフォトマスク２の検査に並行して、画像取り込み部１６によりフォトマスク２上における少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを取り込んで特定領域メモリ１７に保存し、この特定領域メモリ１７に保存された特定画像データに対して計測検査処理部１９によりパターン線幅の分布計測処理、再検査処理又はパターンと同一パターン同士の比較検査処理のうち少なくとも１つの処理を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータの演算処理により被検査体を撮像して取得した検査画像データと予め取得した参照データとに基づく前記被検査体の検査に並行して、前記被検査体上における少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを取り込んでメモリに保存することを特徴とする画像取り込み方法。
【請求項２】
コンピュータの演算処理により被検査体を撮像して取得した検査画像データと予め取得した参照データとに基づいて前記被検査体の検査を行う検査方法において、
前記被検査体の前記検査に並行して、前記被検査体上における少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを取り込んでメモリに保存することを特徴とする検査方法。
【請求項３】
被検査体を撮像して取得した検査画像データと予め取得した参照データとに基づいて前記被検査体の検査処理を行う検査装置において、
前記被検査体の前記検査処理に並行して、前記被検査体上における少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを取り込んでメモリに保存する画像取り込み部、
を具備したことを特徴とする検査装置。
【請求項４】
被検査体を撮像して取得した検査画像データと予め取得した参照データとを比較し、前記検査画像データと前記参照データとの不一致点を欠陥データとして判断し、前記欠陥データに対応する欠陥画像データを取り込んで欠陥メモリに保存する検査処理を行う検査装置において、
前記被検査体における少なくとも１つの前記特定領域を予め指定する特定領域指定部と、
特定領域メモリと、
前記被検査体の前記検査処理中に、当該検査処理中の位置が前記特定領域指定部により指定された前記特定領域であるか否かを判断し、前記特定領域の位置であれば、当該特定領域に対応する前記特定画像データを取り込んで前記特定領域メモリに保存する画像取り込み部と、
前記特定領域メモリに保存された前記特定画像データに対する少なくともパターンの線幅の分布計測処理と、前記特定画像データに対する再検査処理と、前記特定画像データ上に形成されたパターンと同一パターン同士の比較検査処理とのうち少なくとも１つの処理を行う計測検査処理部と、
を具備したことを特徴とする検査装置。
【請求項５】
前記被検査体は、半導体集積回路のパターンを形成したフォトマスクを有することを特徴とする請求項３又は４記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体集積回路のパターンを形成したフォトマスク等の被検査体を撮像して特定領域の画像データを取り込む画像取り込み方法、検査画像データと参照データとに基づいて被検査体の検査を行う検査方法及びその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体集積回路のパターンを形成したフォトマスクのパターン欠陥検査が行われる。このようなパターン欠陥検査を行う装置は、例えばフォトマスクを撮像して検査画像データを取得すると共に、ＣＡＤ等に記憶されているフォトマスクの設計データから参照データを生成する。パターン欠陥検査装置は、検査画像データと参照データとを比較し、検査画像データと参照データとの不一致点をパターンの欠陥部分として判断し、この欠陥部分に対応する欠陥画像データを検査画像データから取り込んで欠陥メモリに保存する。
【０００３】
フォトマスク面上には、パターンの線幅分布や詳細な検査を必要とする領域を有する。この領域は、例えば危険点、クリティカルポイントと称され、半導体集積回路の検査の重要なところであり、例えば検査規格を厳しく例えば欠陥判別のための閾値を高く設定して検査する必要のある領域である。このような領域は、例えばフォトマスクを通して半導体ウエハ上に露光を行うシミュレーションの結果から得たり、又は実際にフォトマスクを通しての半導体ウエハ上への露光を行った結果から得ている。
【０００４】
しかしながら、パターン欠陥検査装置は、パターンの欠陥部分を判断し、この欠陥部分の欠陥画像データを欠陥メモリに保存する処理を行うのみであり、シミュレーション結果又は実際に露光を行った結果から得られた危険点、クリティカルポイントをフィードバックして、これら危険点、クリティカルポイントの検査を行うものでない。
【０００５】
パターン欠陥検査装置としては、例えば特許文献１〜３に開示されている技術がある。特許文献１は、欠陥の検出に同期して欠陥の画像的特徴量を計算し、この研鑚された特徴量によって欠陥をクラスタに分類することを開示する。特許文献２は、複数のダイが形成された半導体ウエハを走査して各ダイの画像データを順次取得し、この取得された画像データを一時的に記憶する解析用バッファメモリを設け、比較結果に応じて欠陥情報が生成されると直ちに要解析欠陥を選択し、要解析部の解析に必要な画像データを解析用バッファメモリから自動欠陥分類手段に転送し、欠陥検出及び分類処理の一部を並行して行うことを開示する。特許文献３は、パターン検査と同時にあるいは並行して欠陥部の荷電粒子線画像の信号量を含む欠陥の特徴量を算出し、これによって欠陥の電気的性質に基づく分類を即座に行うことを開示する。
【特許文献１】特開平１１−８７４４６号公報
【特許文献２】特開２０００−１７２８４３号公報
【特許文献３】特開２００２−１４０６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１〜３は、いずれも欠陥検出により検出された欠陥の分類に関する技術であり、上記技術と同様に、シミュレーション結果又は実際に露光を行った結果から得られた危険点、クリティカルポイントをフィードバックして、これら危険点、クリティカルポイントの検査を行うものでない。
【０００７】
本発明の目的は、被検査体の検査に並行して、被検査体上における特定の検査を必要とする特定領域の画像データを取得できる画像取り込み方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の目的は、被検査体の検査に並行して、被検査体上における特定の検査を必要とする特定領域の画像データを取得し、この特定領域の画像データに対する検査等を可能とする検査方法及びその装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の局面に係る画像取り込み方法は、コンピュータの演算処理により被検査体を撮像して取得した検査画像データと予め取得した参照データとに基づく被検査体の検査に並行して、被検査体上における少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを取り込んでメモリに保存する。  
上記画像取り込み方法において、特定領域は、被検査体に対する所定の検査レベル以上を要する領域として予め指定される。
【００１０】
本発明の第２の局面に係る検査方法は、コンピュータの演算処理により被検査体を撮像して取得した検査画像データと参照データとに基づいて被検査体の検査を行う検査方法において、被検査体の検査に並行して、被検査体上における特定の検査を必要とする少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを検査画像データから取り込んでメモリに保存する。  
上記検査方法において、記特定領域は、被検査体に対する所定の検査レベル以上を要する領域として予め指定される。  
上記検査方法において、メモリに保存された特定画像データに対する少なくともパターンの線幅の分布計測処理と、特定画像データに対する再検査処理と、特定画像データ上に形成されたパターンと同一パターン同士の比較検査処理とのうち少なくとも１つの処理を行う。
【００１１】
本発明の第３の局面に係る検査装置は、被検査体を撮像して取得した検査画像データと予め取得された参照データとに基づいて被検査体の検査処理を行う検査装置において、被検査体の検査処理に並行して、被検査体上における少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを取り込んでメモリに保存する画像取り込み部を具備する。  
上記検査装置において、画像取り込み部は、被検査体の検査処理中に、当該検査処理中の位置が特定領域であるか否かを判断し、特定領域の位置であれば、当該特定領域に対応する特定画像データを取り込む。  
上記検査装置において、被検査体における少なくとも１つの特定領域を予め指定する特定領域指定部を有する。  
上記検査装置において、メモリに保存された特定画像データに対する少なくともパターンの線幅の分布計測処理と、特定画像データに対する再検査処理と、特定画像データ上に形成されたパターンと同一パターン同士の比較検査処理とのうち少なくとも１つの処理を行う計測検査処理部を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被検査体の検査に並行して、被検査体上における特定の検査を必要とする特定領域の画像データを取得できる画像取り込み方法を提供できる。
【００１３】
本発明によれば、被検査体の検査に並行して、被検査体上における特定の検査を必要とする特定領域の画像データを取得し、この特定領域の画像データに対する検査等を可能とする検査方法及びその装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。  
図１はパターン欠陥検査装置の構成図を示す。ＸＹステージ１上には、被検査体としての例えば半導体集積回路の半導体パターンを形成したフォトマスク２が載置されている。センサ３は、対物レンズ等の拡大光学系４を介してフォトマスク２の半導体パターンの光学像を撮像し、その画像信号を出力する。ＸＹステージ１には、レーザ干渉計５が設けられている。このレーザ干渉計５は、フォトマスク２を載置するＸＹステージ１のＸＹ位置を検出し、そのＸＹ位置データを出力する。
【００１５】
欠陥検出処理装置６は、コンピュータの演算処理によりフォトマスク２のパターンを検査するための情報を含有する検査データ（ＶＳＢ）に従ってフォトマスク２を撮像して取得した検査画像データと参照データとを比較してフォトマスク２の欠陥データを検出する検査に並行して、フォトマスク２上における特定の検査を必要とする少なくとも１つの特定領域、例えば例えば危険点、クリティカルポイントに対応する特定画像データを取り込む処理を行う。図１に示す欠陥検出処理装置６は、コンピュータの機能を機能ブロックにより示す。
【００１６】
主制御部７は、例えばＣＰＵにより成る。この主制御部７は、画像入力部８に対してセンサ３から出力された画像信号の入力指令を発し、かつパターン欠陥検査部９に動作指令を発する。画像入力部８は、センサ３から出力された画像信号を逐次入力し、検査画像データとしてパターン欠陥検査部９に送る。
【００１７】
パターン欠陥検査部９は、検査画像データと予め取得された参照データとを比較してフォトマスク２に形成されたパターンを検査するもので、検査画像データメモリ１０と、参照データメモリ１１と、比較部１２と、欠陥画像データメモリ１３とを有する。パターン欠陥検査部９は、画像入力部８から送られてくるフォトマスク２の半導体パターンの光学像である検査画像データを検査画像データメモリ１０に保存する。
【００１８】
参照データメモリ１１には、フォトマスク２に形成されている半導体パターンの参照データが保存される。この参照データは、フォトマスク２を設計するＣＡＤ装置から設計データを取り出し、この設計データをデータ展開回路に送る。このデータ展開回路は、設計データを展開して参照データ生成回路に送る。これにより、参照データ生成回路は、フォトマスク２の半導体パターンの光学像を模擬したポイント・スプレッド・ファンクション（ＰＳＦ）により設計データをフィルタ演算し、参照データを生成する。しかるに、この参照データが参照データメモリ１１に保存される。
【００１９】
比較部１２は、検査画像データメモリ１０に保存されている検査画像データを読み出すと共に、この検査画像データのＸＹ座標と同一ＸＹ座標の参照データを参照データメモリ１１から読み出し、これら検査画像データと参照データとを比較し、不一致点をパターンの欠陥部分として判断する。この場合、比較部１２は、レーザ干渉計５から出力されるＸＹ位置データを位置入力部１４から入力し、このＸＹ位置データに基づいて検査画像データのＸＹ座標と同一ＸＹ座標の参照データを参照データメモリ１１から読み出す。検査画像データと参照データとの比較の結果、パターン欠陥部分を判断すると、比較部１２は、パターン欠陥部分に対応する欠陥画像データを検査画像データから取り込んで欠陥画像データメモリ１３に保存する。
【００２０】
一方、欠陥検出処理装置６は、パターン欠陥検査部９によるフォトマスク２のパターン検査に並行して、フォトマスク２上における特定の検査を必要とする少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを取り込むための特定領域指定部１５と、画像取り込み部１６と、特定領域メモリ１７とを有する。  
特定領域指定部１５には、例えばキーボード、マウス等の操作入力部１８が接続されている。特定領域指定部１５には、操作入力部１８からフォトマスク２上におけるパターンの線幅分布や詳細な検査を必要とする領域、例えば危険点、クリティカルポイントが設計者による操作によって入力され、例えば位置指定ファイル（指定ポイント）として検査データに含有する。これら危険点、クリティカルポイントは、フォトマスク２の検査の重要なところであり、例えば検査規格を厳しく例えば欠陥判別のための閾値を高く設定して検査する必要のある領域である。
【００２１】
この領域は、ＣＡＤ装置に格納されているフォトマスク２の設計データをシミュレーション装置に渡し、このシミュレーション装置により例えばフォトマスク２を通して半導体ウエハ上に露光を行うシミュレーションを行って、このシミュレーション結果から得たり、又は実際にフォトマスク２を通しての半導体ウエハ上への露光を行った結果から得られる。図２はフォトマスク２上の危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の一例を示し、これら危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３は、それぞれ例えば各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）に指定されている。なお、危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３は、点座標により示すのに限らず、例えば各ＸＹ座標Ｅ１〜Ｅ３を中心とする予め設定された各２次元エリアを示してもよい。
【００２２】
画像取り込み部１６は、パターン欠陥検査部９によるフォトマスク２の検査処理中に、この検査処理中のフォトマスク２上の位置（ＸＹ座標）が特定領域指定部１５により指定された特定領域、例えば危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）であるか否かを判断し、特定領域のＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）であれば、当該特定領域のＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）の各画像データを各特定画像データとして指定されたサイズで取り込んで特定領域メモリ１７に保存する。
【００２３】
比較部１２は、検査画像データメモリ１０に保存されている検査画像データを読み出すと共に、この検査画像データのＸＹ座標と同一ＸＹ座標の参照データを参照データメモリ１１から読み出し、これら検査画像データと参照データとを比較し、不一致点をパターンの欠陥部分として判断する。この場合、比較部１２は、レーザ干渉計５から出力されるＸＹ位置データを位置入力部１４から入力し、このＸＹ位置データに基づいて検査画像データのＸＹ座標と同一ＸＹ座標の参照データを参照データメモリ１１から読み出す。検査画像データと参照データとの比較の結果、パターン欠陥部分を判断すると、比較部１２は、パターン欠陥部分に対応する欠陥画像データを検査画像データから取り込んで欠陥画像データメモリ１３に保存する。
【００２４】
計測検査処理部１９は、特定領域メモリ１７に保存されたフォトマスク２に対する所定の検査レベル以上を要する特定領域の各特定画像データ、例えば危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）に対応する各特定画像データを読み出し、これら特定画像データに対するパターン線幅分布又は透過率分布等の分布計測処理と、特定画像データに対する再検査処理と、特定画像データ上に形成されたパターンと同一パターン同士の比較検査処理（以下、ダイ（Ｄie）比較検査と称する）とのうち少なくとも１つの処理を行う。なお、これら分布計測処理、再検査処理又はＤie比較検査処理は、例えば設計者により選択指示される。
【００２５】
主制御部７は、液晶ディスプレイ等のモニタ２０を表示制御する。主制御部７は、欠陥画像データメモリ１３に保存された欠陥画像データ、計測検査処理部１９により計測検査された結果、例えば危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）に対応する各特定画像データに対するパターン線幅分布又は透過率分布等の分布計測処理結果、特定画像データに対する再検査処理結果、特定画像データ上に形成されたパターンと同一パターン同士のＤie比較検査処理結果などをモニタ２０に表示する。
【００２６】
次に、フォトマスク２上における例えば図２に示すような危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）の指定について図３に示す特定領域指定のフローチャートに従って説明する。  
例えばＣＡＤ装置に対する設計者の操作によりフォトマスク２の設計データが作成される。この設計データは、ステップ＃１において、ＣＡＤ装置からシミュレーション装置に渡される。このシミュレーション装置は、例えばフォトマスク２を通して半導体ウエハ上に露光を行うシミュレーションを実行する。このシミュレーションの結果から設計者は、ステップ＃２において、フォトマスク２上におけるパターンの線幅分布や詳細な検査を必要とする領域、例えば図２に示すような危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）を位置確認し、これら位置を決定する。
【００２７】
これら危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）は、設計者による操作入力部１８への操作により特定領域指定部１５に入力される。この特定領域指定部１５は、ステップ＃３において、操作入力部１８から入力された危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）を位置指定ファイル（指定ポイント）として検査データに含有する。
【００２８】
次に、フォトマスク２に対する検査動作について図４に示す検査動作フローチャートに従って説明する。  
ＣＡＤ装置の設計データが取り出され、この設計データがデータ展開回路に送られる。このデータ展開回路は、設計データを展開して参照データ生成回路に送る。この参照データ生成回路は、フォトマスク２の半導体パターンの光学像を模擬したポイント・スプレッド・ファンクション（ＰＳＦ）により設計データをフィルタ演算し、参照データを生成する。この参照データは、参照データメモリ１１に保存される。
【００２９】
一方、検査光ＰがＸＹステージ１上のフォトマスク２上に照射される。このとき、ＸＹステージ１は、ＸＹ方向に移動し、フォトマスク２上に検査光Ｐを走査させる。センサ３は、対物レンズ等の拡大光学系４を介してフォトマスク２の半導体パターンの光学像を撮像し、その画像信号を出力する。レーザ干渉計５は、フォトマスク２を載置するＸＹステージ１のＸＹ位置を検出し、そのＸＹ位置データを出力する。
【００３０】
画像入力部８は、センサ３から出力された画像信号を逐次入力し、検査画像データとしてパターン欠陥検査部９に送る。このパターン欠陥検査部９は、画像入力部８から送られてくるフォトマスク２の半導体パターンの光学像である検査画像データを検査画像データメモリ１０に保存する。
【００３１】
比較部１２は、レーザ干渉計５から出力されるＸＹ位置データを位置入力部１４から入力し、このＸＹ位置データに基づいて検査画像データのＸＹ座標と同一ＸＹ座標の参照データを参照データメモリ１１から読み出す。この比較部１２は、検査画像データメモリ１０に保存されている検査画像データを読み出すと共に、この検査画像データのＸＹ座標と同一ＸＹ座標の参照データを参照データメモリ１１から読み出し、これら検査画像データと参照データとを比較し、不一致点をパターンの欠陥部分として判断する。この判断の結果、パターン欠陥部分が存在すると判断すると、比較部１２は、パターン欠陥部分に対応する欠陥画像データを検査画像データから取り込んで欠陥画像データメモリ１３に保存する。
【００３２】
このようなフォトマスク２の欠陥データを検出する検査に並行して、欠陥検出処理装置６は、フォトマスク２上の例えば危険点、クリティカルポイントに対応する特定画像データを取り込む。すなわち、画像取り込み部１６は、ステップ＃１０において、検査データを展開し、この検査データに含有する位置指定ファイルから図２に示す危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）を取得する。
【００３３】
画像取り込み部１６は、ステップ＃１１において、パターン欠陥検査部９によるフォトマスク２の検査処理中、この検査処理中のフォトマスク２上の位置（ＸＹ座標）が特定領域指定部１５により指定された特定領域、例えば危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）であるか否かを判断する。  
この判断の結果、フォトマスク２の検査処理中の位置（ＸＹ座標）が特定領域のＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）と一致すると、画像取り込み部１６は、ステップ＃１２において、当該特定領域のＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）の各画像データを各特定画像データとして指定されたサイズで取り込み、次のステップ＃１３において、これらＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）に対応する各特定画像データを順次欠陥画像データメモリ１３とは別の特定領域メモリ１７に保存する。
【００３４】
次に、計測検査処理部１９は、ステップ＃１４において、特定領域メモリ１７に保存されたＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）に対応する各特定画像データに対してそれぞれ選択指示された詳細な検査処理、例えば分布計測処理、再検査処理又は比較検査処理のうち少なくとも１つを同時に行う。  
例えば、ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）に対応する特定画像データに対して分布計測処理が指示されると、計測検査処理部１９は、ステップ＃１５において、当該特定画像データに対してパターン線幅分布又は透過率分布等の分布計測処理を行う。計測検査処理部１９は、ステップ＃１６において、特定画像データに対するパターン線幅分布又は透過率分布等の分布計測処理の結果であるパターン線幅分布図又は透過率分布図をモニタ２０に表示する。
【００３５】
同様に、例えば、ＸＹ座標Ｅ２（ｘ２，ｙ２）に対応する特定画像データに対して再検査処理が指示されると、計測検査処理部１９は、ステップ＃１７において、当該特定画像データに対して再検査処理を行う。この再検査処理は、例えばパターン欠陥検査部９における欠陥検査の判定と異なる判定基準、例えば欠陥を判定する閾値を低く設定し、僅かな輝度レベルの変化でも欠陥として検出可能とする。計測検査処理部１９は、ステップ＃１８において、特定画像データに対する再欠陥検査の結果をモニタ２０に表示する。
【００３６】
又、例えば、ＸＹ座標Ｅ３（ｘ３，ｙ３）に対応する特定画像データに対して比較検査処理が指示されると、計測検査処理部１９は、ステップ＃１９において、当該特定画像データに対して比較検査処理を行う。この比較検査処理は、特定画像データ上に形成されたパターンと同一パターン同士を比較し、不一致点をパターンの欠陥部分として判定する。計測検査処理部１９は、ステップ＃２０において、特定画像データに対するＤie比較検査処理による欠陥検査の結果をモニタ２０に表示する。
【００３７】
このように上記一実施の形態によれば、フォトマスク２を撮像して取得した検査画像データと参照データとを比較して欠陥を検出する通常のフォトマスク２の検査に並行して、フォトマスク２上における特定の検査を必要とする少なくとも１つの特定領域に対応する特定画像データを取り込んで特定領域メモリ１７に保存し、この特定領域メモリ１７に保存された特定画像データに対してパターン線幅等の分布計測処理、再検査処理又はパターンと同一パターン同士のＤie比較検査処理のうち少なくとも１つの処理を行うので、通常のフォトマスク２に対する検査処理により検出された欠陥画像データを欠陥画像データメモリ１３に保存すると共に、フォトマスク２上におけるパターンの線幅分布や詳細な検査を必要とする領域、例えば図２に示すような危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）に対応する各特定画像データを順次欠陥画像データメモリ１３とは別の特定領域メモリ１７に保存できる。
【００３８】
これにより、通常のフォトマスク２の検査に並行して、欠陥画像データ以外のフォトマスク２上における特定の検査を必要とする特定領域、例えば危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）に対応する各特定画像データに対してパターン線幅等の分布計測処理、再検査処理又はパターンと同一パターン同士のＤie比較検査処理のうち少なくとも１つの処理ができる。しかるに、例えばフォトマスクを通して半導体ウエハ上に露光を行うシミュレーションの結果、又は実際に露光を行った結果から得られた危険点、クリティカルポイントをフィードバックし、これら危険点、クリティカルポイントに対する検査を実施できる。これら分布計測処理、再検査処理又はＤie比較検査処理は、例えば設計者によって選択指示されると、これら選択指示された各処理を同時に実施可能である。
【００３９】
なお、本発明は、上記一実施の形態に限定されるものではなく、次のように変形してもよい。  
例えば、上記一実施の形態では、特定画像データに対してパターン線幅等の分布計測処理、再検査処理又はパターンと同一パターン同士のＤie比較検査処理を行っているが、これら処理に限らず、他の検査処理を行ってもよい。  
例えば危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）を位置指定ファイル（指定ポイント）として検査データに含有しているが、所定のファイルに危険点、クリティカルポイントＥ１〜Ｅ３の各ＸＹ座標Ｅ１（ｘ１，ｙ１）〜Ｅ３（ｘ３，ｙ３）の各領域を記述し、このファイルを検査データに組み込んでもよい。  
ＣＡＤ装置の設計データを用いて転写性シミュレーションを実行し、この転写性シミュレーションの結果から例えば危険点、クリティカルポイントを決定してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係るパターン欠陥検査装置の一実施の形態を示す構成図。
【図２】同装置におけるフォトマスク上の危険点やクリティカルポイントの一例を示す図。
【図３】同装置における特定領域指定フローチャート。
【図４】同装置における検査動作フローチャート。
【符号の説明】
【００４１】
１：ＸＹステージ、２：フォトマスク、３：センサ、４：拡大光学系、５：レーザ干渉計、６：欠陥検出処理装置、７：主制御部、８：画像入力部、９：パターン欠陥検査部、１０：検査画像データメモリ、１１：参照データメモリ、１２：比較部、１３：欠陥画像データメモリ、１４：位置入力部、１５：特定領域指定部、１６：画像取り込み部、１７：特定領域メモリ、１８：操作入力部、１９：計測検査処理部、２０：モニタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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