(57)【要約】【課題】光電変換素子と組み合わされた光電気変換モジュールの光学特性を向上させるとともに、光コネクタの位置決め精度も向上させて、光利用効率特性を向上させる。【解決手段】光電変換モジュール１を構成するＭＩＤ２を平坦化金型２０に固定し、ＭＩＤ２の開口部１１に光硬化性樹脂２１を充填し、その上に遮光開口パターン２２が形成された遮光マスク２３を取り付け、紫外線光源２４から出射された紫外線を照射し、光硬化性樹脂２１のなかで遮光開口パターン２２の開口部分に対応する部分を硬化して導波路コア部１２を形成する。導波路コア部１２を形成した後、導波路コア部１２の周囲の光硬化性樹脂２１を熱硬化させ、導波路コア部１２の周囲に導波路コア部１２よりも屈折率が低い導波路クラッド部１３を形成して、開口部１１にコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上に設けた光電気変換素子と、基板上に設けた電気配線と、前記電気配線と前記光電気変換素子との電気接続を行う電気接続手段と、前記光電気変換素子と光結合を行う光結合素子とを有する光電気変換モジュールにおいて、
前記基板は、光結合素子形成用の貫通した開口を有し、前記開口内に光硬化性樹脂を充填して形成されたコア・クラッド構造の光結合素子を有することを特徴とする光電気変換モジュール。
【請求項２】
基板と、基板上に設けた光電気変換素子と、基板上に設けた電気配線と、前記電気配線と前記光電気変換素子との電気接続を行う電気接続手段と、前記光電気変換素子と光結合を行う光結合素子が一部に設けられた光結合素子支持部材とを有する光電気変換モジュールにおいて、
前記光結合素子支持部材には、光結合素子形成用の貫通孔又は凹部が設けられ、前記開口又は凹部内に光硬化性樹脂を充填して形成されたコア・クラッド構造の光結合素子を有することを特徴とする光電気変換モジュール。
【請求項３】
基板と、基板上に設けた光電気変換素子と、基板上に設けた電気配線と、前記電気配線と前記光電気変換素子との電気接続を行う電気接続手段と、前記光電気変換素子と光結合を行う光結合素子とを有する光電気変換モジュールの製造方法において、
前記基板に光結合素子形成用の貫通した開口を形成し、該開口に光硬化性樹脂を充填し、前記開口の光電気変換素子を取り付ける位置とは反対側に透過率面積変調マスクを設け、該透過率面積変調マスクを透過した光で前記光硬化性樹脂にコア・クラッド構造の光結合素子を形成することを特徴とする光電気変換モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記基板の透過率面積変調マスク取付面と透過率面積変調マスクに互いに嵌合する凹凸構造を有し、該凹凸構造により透過率面積変調マスクを基板に位置合わせする請求項３記載の光電気変換モジュールの製造方法。
【請求項５】
基板と、基板上に設けた光電気変換素子と、基板上に設けた電気配線と、前記電気配線と前記光電気変換素子との電気接続を行う電気接続手段と、前記光電気変換素子と光結合を行う光結合素子が一部に設けられた光結合素子支持部材とを有する光電気変換モジュールの製造方法において、
前記光結合素子支持部材に光結合素子形成用の貫通孔又は凹部を形成し、該貫通孔又は凹部に光硬化性樹脂を充填し、前記開口又は凹部の開口している側に透過率面積変調マスクを設け、該透過率面積変調マスクを透過した光で前記光硬化性樹脂にコア・クラッド構造の光結合素子を形成することを特徴とする光電気変換モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記光結合素子支持部材の透過率面積変調マスク取付面と透過率面積変調マスクに互いに嵌合する凹凸構造を有し、該凹凸構造により透過率面積変調マスクを光結合素子支持部材に位置合わせする請求項４記載の光電気変換モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光伝送や光計測あるいは光メモリ等の各種分野において光の入出射を行う光電気変換モジュール及びその製造方法、特に光利用効率特性の向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光電気変換素子または光電変換素子と電子回路素子とをパッケージ化することにより、マルチチップモジュールとなる光電気変換パッケージまたは光電変換パッケージ（ＯＥ−ＭＣＭともいわれる）は、特許文献１や特許文献２等に示されているように、光電気変換素子または光電変換素子と光結合素子と光実装基板と発光光電変換素子用ドライバ電子回路素子と受光光電変換素子用増幅電子回路素子と論理電子回路素子及びこれら全体を封止するパッケージや端子やＭＣＭ基板等から構成されている。
【０００３】
例えば特許文献２に記載された光電変換素子パッケージは、図８の断面図に示すように、光ファイバ１００等のコネクタ構成を有する部品と、これに対して位置調整されたＬＤチップ１０１等の光電変換素子と、受信用ＰＤ１０２等の電気回路素子及びモニタ用ＰＤチップ１０３や光導波路１０４中のＷＤＭフィルタ１０５等の周辺部品とが不透明で硬化性に優れたエポキシ樹脂等のモールド部材１０６によりモールドされて一体に形成されている。ここでＬＤチップ１０１及びモニタ用ＰＤチップ１０３の周囲は、ＬＤチップ１０１からの光をモニタ用ＰＤチップ１０３に導光させるためにシリコン系樹脂等の透明樹脂１０７により覆われている。このようにして金属のハーメチック封止による光電変換素子パッケージよりも、小型で低価格化が実現可能となる。
【０００４】
しかしながら、特許文献２に記載された光電変換素子パッケージは、外部の光ファイバ１００とＬＤチップ１０１等の光電変換素子とを高効率で光結合させるためには高精度な光実装が必要なため、外部の光ファイバ１００の一部をモールド部材１０６に直接挿入して一体化しており、外部の光ファイバ１００の脱着ができない構成になっている。このため、光電変換素子パッケージのプリント基板への実装には、リフロー炉を量産で用いることは困難であり、ロボット半田付けや手半田付け等による少量生産しかできない。また、機器内光伝送におけるボード間光伝送のように、機器組み付け作業としてコネクタが必須の装置には用いることができないという問題がある。
【０００５】
また、光ファイバの挿入に代えて光コネクタをモールド部材に直接挿入して一体化すれば、光電変換素子パッケージと外部の光ファイバとを脱着ができるようになるが、光コネクタ自体は高価であり低コスト化できないばかりか、光コネクタという大きい部材に対する高精度の光実装が必要となり、組付けコストが増大してしまう。
【０００６】
これらの問題を解決するために、特許文献３に示された光電変換素子パッケージ２００は、図９の断面図に示すように、光電変換素子２０１と、光電変換素子２０１を封止する透明材料２０２とからなるパッケージ２０３と、光電変換素子２０１と電気的に接続された電子回路素子２０４とパッケージ２０３とを封止するパッケージ２０５とよりなり、パッケージ２０３の一部をパッケージ２０５の一部から外部に露出させて、通常の電気実装パッケージと同様な封止により光電変換素子パッケージ２００の作製時の光学実装を不要として簡単に作製できるようにしている。
【特許文献１】特開２００２−２０２４３８公報
【特許文献２】特開２０００−２２８５５５公報
【特許文献３】特開２００４−３１９５５５広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献３における光電変換モジュールでは、光電変換素子を予め光学部品と光学実装しておく必要があるが、光学部品に要求される樹脂は、良好な光結合素子特性を発現するために成形精度が高く、かつ変形しにくい比較的に硬度の高い材料が好ましのに対して、光電変換素子を光実装する場合の封止材料は、ワイヤボンド実装を用いた場合には、熱衝撃および熱サイクル時のワイヤへの応力及びワイヤボンド部への応力を小さくして信頼性を確保するために、ある程度変形しやすい比較的に硬度の低い材料が好ましく、その要求内容が異なる。基本的には信頼性を確保することが優先されるので、軟らかく変形が比較的に生じる材料を用いる結果、光学特性がその分だけ劣化してしまい、通常の光学部品と比較して十分な特性を得ることがでず、光利用効率を大きくできないという問題がある。
【０００８】
さらに、この光電変換モジュールに光コネクタの機能を複合化させる場合に、光コネクタの位置決めに必要な位置決め穴の形状精度に関しても、光学部品と同様に軟らかく変形が比較的に生じる材料のために形状精度が低下しているので、高精度の位置決めができにくく、その分だけさら光利用効率が低下しやすいという問題がある。
【０００９】
この発明は、信頼性を確保しながらも、光電変換素子と組み合わされた光電気変換モジュールの光学特性を向上させるとともに、光コネクタの位置決め精度も向上させて、光利用効率特性を向上させることができる光電気変換モジュール及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１０】
より詳細に、この発明は、発光素子や受光素子のような光電変換素子又は光電気変換素子である光と電気との信号変換を行う素子とこの光電変換素子又は光電気変換素子との光結合を行う光結合素子とをモジュール化した光電変換モジュール又は光電気変換モジュールにおいて、簡単な光結合素子によって光結合効率を向上させるとともに、光電変換素子又は光電気変換素子とこの電気配線に対する信頼性を向上させ、かつ製造工程を簡略化して低コストの光電気変換モジュールを実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明の光電気変換モジュールは、基板と、基板上に設けた光電気変換素子と、基板上に設けた電気配線と、前記電気配線と前記光電気変換素子との電気接続を行う電気接続手段と、前記光電気変換素子と光結合を行う光結合素子とを有する光電気変換モジュールにおいて、前記基板は、光結合素子形成用の貫通した開口を有し、前記開口内に光硬化性樹脂を充填して形成されたコア・クラッド構造の光結合素子を有することを特徴とする。
【００１２】
この発明の他の光電気変換モジュールは、基板と、基板上に設けた光電気変換素子と、基板上に設けた電気配線と、前記電気配線と前記光電気変換素子との電気接続を行う電気接続手段と、前記光電気変換素子と光結合を行う光結合素子が一部に設けられた光結合素子支持部材とを有する光電気変換モジュールにおいて、前記光結合素子支持部材には、光結合素子形成用の貫通孔又は凹部が設けられ、前記開口又は凹部内に光硬化性樹脂を充填して形成されたコア・クラッド構造の光結合素子を有することを特徴とする。
【００１３】
この発明の光電気変換モジュールの製造方法は、基板と、基板上に設けた光電気変換素子と、基板上に設けた電気配線と、前記電気配線と前記光電気変換素子との電気接続を行う電気接続手段と、前記光電気変換素子と光結合を行う光結合素子とを有する光電気変換モジュールの製造方法において、前記基板に光結合素子形成用の貫通した開口を形成し、該開口に光硬化性樹脂を充填し、前記開口の光電気変換素子を取り付ける位置とは反対側に透過率面積変調マスクを設け、該透過率面積変調マスクを透過した光で前記光硬化性樹脂にコア・クラッド構造の光結合素子を形成することを特徴とする。
【００１４】
前記基板の透過率面積変調マスク取付面と透過率面積変調マスクに互いに嵌合する凹凸構造を有し、該凹凸構造により透過率面積変調マスクを基板に位置合わせすることが望ましい。
【００１５】
この発明の他の光電気変換モジュールの製造方法は、基板と、基板上に設けた光電気変換素子と、基板上に設けた電気配線と、前記電気配線と前記光電気変換素子との電気接続を行う電気接続手段と、前記光電気変換素子と光結合を行う光結合素子が一部に設けられた光結合素子支持部材とを有する光電気変換モジュールの製造方法において、前記光結合素子支持部材に光結合素子形成用の貫通孔又は凹部を形成し、該貫通孔又は凹部に光硬化性樹脂を充填し、前記開口又は凹部の開口している側に透過率面積変調マスクを設け、該透過率面積変調マスクを透過した光で前記光硬化性樹脂にコア・クラッド構造の光結合素子を形成することを特徴とする。
【００１６】
前記光結合素子支持部材の透過率面積変調マスク取付面と透過率面積変調マスクに互いに嵌合する凹凸構造を有し、該凹凸構造により透過率面積変調マスクを光結合素子支持部材に位置合わせすることが望ましい。
【発明の効果】
【００１７】
この発明は、光電気変換素子と光結合を行う光結合素子を、光電気変換素子を取り付ける基板や、光電気変換素子と光結合を行う光結合素子を保持する光結合素子支持部材の導波路を形成する開口や凹部に、光硬化性樹脂を充填し、充填した光硬化性樹脂を、透過率面積変調マスクを透過した光で熱硬化させてコア・クラッド構造の光結合素子を形成することにより、基板や光結合素子支持部材に対して光結合素子を高い位置精度で簡単に形成することができ、光利用効率を向上して光電気変換モジュールの信頼性を高めることができる。
【００１８】
また、基板や光結合素子支持部材の透過率面積変調マスク取付面と透過率面積変調マスクに互いに嵌合する凹凸構造を形成し、この凹凸構造により透過率面積変調マスクを基板や光結合素子支持部材に位置合わせすることにより、基板や光結合素子支持部材に対して光結合素子をより高い位置精度で、安定して形成することができ、光電気変換モジュールの信頼性を寄り向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、この発明の光電気変換モジュールの構成を示す断面図である。図に示すように、光電気変換モジュール（以下、光電変換モジュールという）１は、立体配線基板であるＭＩＤ（Molded Interconnected Device）２の上部電気配線３に沿って光電気変換素子４と、光電気変換素子４と電気的に接続されたレーザドライバ５とトランスインピーダンスアンプ６とが、接合バンプ７で固定されている。光電気変換素子４は、実際には紙面に垂直方向に配列された面発光レーザ（VCSEL=Vertical Cavity Surface-Emitting Laser）または単にレーザ半導体（ＬＤ）および面受光型ＰＩＮフォトディテクタ（ＰＤ）である。光電気変換素子４とレーザドライバ５及びとトランスインピーダンスアンプ６の上部電気配線３と反対側はアンダーフィル剤８を介して熱インタポーザ９が設けられ、ＭＩＤ２と熱インタポーザ９の間隙には隙間充填剤１０が充填されている。光電気変換素子４の取付位置に応じて形成されたＭＩＤ２の開口部１１には導波路コア部１２と導波路クラッド部１３を有するコア・クラッド構造の光結合素子１４が形成されている。ＭＩＤ２の下部電気配線１５はボールアレイ１６を介して主基板１７の電気配線１８に接続されている。
【００２０】
この光電変換モジュール１のＭＩＤ２の開口部１１にコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成するときは、図２の断面図の（ａ）に示すように、光電変換モジュール１を構成するＭＩＤ２を平坦化金型２０に固定し、ＭＩＤ２の開口部１１に光硬化性樹脂２１を充填し、その上に例えばガラスで形成された基板の上に遮光開口パターン２２が形成された遮光マスク２３を取り付ける。そして図２（ｂ）に示すように、遮光マスク２３を取り付けたＭＩＤ２の遮光マスク２３側に、紫外線光源２４から出射された紫外線を照射する。遮光マスク２３に照射された紫外線は遮光マスク２３の遮光開口パターン２２の開口部分のみを透過して光硬化性樹脂２１のなかで遮光開口パターン２２の開口部分に対応する部分を硬化して導波路コア部１２を形成する。導波路コア部１２を形成した後、ＭＩＤ２の開口部１１の周辺に熱を加えて導波路コア部１２の周囲の光硬化性樹脂２１を熱硬化したり、開口部１１の周辺に紫外線を照射して、導波路コア部１２の周囲に導波路コア部１２よりも屈折率が低い導波路クラッド部１３を形成して、開口部１１にコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成する。この導波路クラッド部１３を形成するために紫外線を照射するときは、遮光マスク２３を取り除いた後に、開口部１１の周辺に紫外線を照射したり、ＭＩＤ２の横方向より紫外線を照射したり、あるいは平坦化金型２０側から紫外線を照射すれば良い。また、平坦化金型２０を透明材料であるガラス部材で形成した場合には、平坦化金型２０の下部からそのまま光を照射しても良い。
【００２１】
このように遮光マスク２３を使用してＭＩＤ２の開口部１１に導波路コア部１２と導波路クラッド部１３を有するコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成することにより、立体配線基板という形状が複雑なＭＩＤ２の開口部１１に光を通す光結合素子１４を高い位置精度で形成することができ、高い光利用効率を実現した光電気変換モジュール１を構成することができる。
【００２２】
また、ＭＩＤ２に例えば図３に示すようにマイクロレンズ形状を有する光結合素子５０を取り付けるとき、ＭＩＤ２と光結合素子５０の支持部材５１との外周外形を画像検出により位置検出し、ＭＩＤ２と光結合素子５０との相対位置精度を確保した組み付けを行うと、支持部材５１の外周外形は接触によるキズ等で画像検出による位置検出の誤差が大きく、高い相対位置精度を確保が難しく、また画像検出に相当の時間を要してしまうが、光電変換モジュール１のようにＭＩＤ２にコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成することにより、光結合素子１４を精度良く形成することができる。
【００２３】
前記説明ではＭＩＤ２の開口部１１に充填した光硬化性樹脂２１により導波路クラッド部１３を形成した場合について示したが、導波路コア部１２を形成した後、導波路コア部１２周囲の光硬化性樹脂２１を除去した後に低屈折率用材料に入れ替えても良いし、添加物や照射条件を制御して低屈折率化しても良い。
【００２４】
また、遮光マスク２３は、ガラスの基板に限定されず、金属やプラスチックで形成して、金属や不透明プラスチックの形状をそのまま遮光部材として用いたり、透明プラスチックにパターンを有する金属薄膜や不透明材料部分を形成して用いても良い。また、遮光マスク２３を光硬化後に分離しないで、光電変換モジュール１の一部としてコネクタ構造や上面保護層、封止構造、補強構造あるいは光学部材としてそのまま、または部分的に変形して用いても良い。
【００２５】
次にこの発明の第２の光電変換モジュールについて図４の構成図を参照して説明する。図４に示すように、光電変換モジュール１ａは、光電気変換素子４とレーザドライバ５及びトランスインピーダンスアンプ６がインタポーザ基板２５に取り付けられ、光電気変換素子４とレーザドライバ５及びトランスインピーダンスアンプ６はインタポーザ基板２５の電気配線２６にワイヤボンド２７で接続されている。この光電気変換素子４とレーザドライバ５及びトランスインピーダンスアンプ６を取り付けたインタポーザ基板２５は、光結合素子支持体２８の内部に、１次封止材料２９と２次封止材料３０を介して取り付けられている。光結合合素子支持体２８の光電気変換素子４と対応する位置の開口部１１には導波路コア部１２と導波路クラッド部１３を有するコア・クラッド構造の光結合素子１４が形成されている。
【００２６】
このように光電変換モジュール１ａは、１次封止材料２９と２次封止材料３０を介してインタポーザ基板２５を光結合素子支持体２８の内部に取り付けるから、封止特性をより向上することができる。
【００２７】
この光電変換モジュール１ａの光結合素子支持体２８の開口部１１にコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成するときは、図５の断面図の（ａ）に示すように、光電変換モジュール１ａを構成する光結合素子支持体２８の開口部１１に光硬化性樹脂２１を充填し、その上に例えばガラスで形成された基板に遮光開口パターン２２を有する遮光マスク２３を取り付ける。そして図５（ｂ）に示すように、遮光マスク２３を取り付けた光結合素子支持体２８の遮光マスク２３側に、紫外線光源２４から出射された紫外線を照射する。遮光マスク２３に照射された紫外線は遮光マスク２３の開口部分のみを透過して光硬化性樹脂２１のなかで遮光開口パターン２２の開口部分に対応する部分を硬化して導波路コア部１２を形成する。導波路コア部１２を形成した後、光結合素子支持体２８の開口部１１の周辺に熱を加えて導波路コア部１２の周囲の光硬化性樹脂２１を熱硬化したり、開口部１１の周辺に紫外線を照射して、導波路コア部１２の周囲に導波路コア部１２よりも屈折率が低い導波路クラッド部１３を形成して、開口部１１にコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成する。この導波路クラッド部１３を形成するために紫外線を照射するときは、遮光マスク２３を取り除いた後に、開口部１１の周辺に紫外線を照射したり、光結合素子支持体２８の横方向より紫外線を照射したり、あるいはインタポーザ基板２５に紫外線を透過する材料、例えばポリイミド樹脂等を用いた場合には、下部からそのまま光を照射しても良い。
【００２８】
このように遮光マスク２３を使用して光結合素子支持体２８の開口部１１に導波路コア部１２と導波路クラッド部１３を有するコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成することにより、立体形状で形状が複雑な光結合素子支持体２８の開口部１１に光結合素子１４を高い位置精度で形成することができ、高い光利用効率を実現した光電気変換モジュール１ａを構成することができる。
【００２９】
また、この場合も導波路コア部１２を形成した後、導波路コア部１２周囲の光硬化性樹脂２１を除去した後に低屈折率用材料に入れ替えて導波路クラッド部１３を形成しても良いし、添加物や照射条件を制御して低屈折率化しても良い。
【００３０】
さらに、光結合素子支持体２８の開口部１１に、異なる材料で光結合素子となるコア・クラッド構造の光結合素子１４を形成するから、光結合素子１４とは異なる材料を光結合素子支持体２８として用いることができ、光結合素子支持体２８を複雑な構成にしたり、光コネクタの位置決め特性や光伝送モジュール全体の耐熱特性を向上させることもできる。
【００３１】
また、この場合も、遮光マスク２３は、ガラスの基板に限定されず、金属やプラスチックで形成して、金属や不透明プラスチックの形状をそのまま遮光部材として用いたり、透明プラスチックにパターンを有する金属薄膜や不透明材料部分を形成して用いても良い。また、遮光マスク２３を光硬化後に分離しないで、光電変換モジュール１ａの一部としてコネクタ構造や上面保護層、封止構造、補強構造あるいは光学部材としてそのまま、または部分的に変形して用いても良い。
【００３２】
また、図６の断面図に示すように、光電変換モジュール１のＭＩＤ２の遮光マスク２３を取り付ける面に、例えば四角錐形状の凹部３１を設け、遮光マスク２３にＭＩＤ２の凹部３１と嵌合する凸部３２を設けて、遮光マスク２３をＭＩＤ２に取り付けるとき、ＭＩＤ２の凹部３１と遮光マスク２３の凸部３２を画像検出して位置決めして取り付けると、遮光マスク２３をＭＩＤ２に高い相対位置精度で簡単に取り付けることができ、導波路コア部１２と導波路クラッド部１３を有するコア・クラッド構造の光結合素子１４をより精度良く形成することができる。
【００３３】
同様に、図７の断面図に示すように、光電変換モジュール１ａの光結合素子支持体２８の遮光マスク２３を取り付ける面に、例えば四角錐形状の凹部３１を設け、遮光マスク２３に光結合素子支持体２８の凹部３１と嵌合する凸部３２を設けて、遮光マスク２３を光結合素子支持体２８に取り付けるとき、光結合素子支持体２８の凹部３１と遮光マスク２３の凸部３２を画像検出して位置決めして取り付けると、遮光マスク２３を光結合素子支持体２８に高い相対位置精度で簡単に取り付けることができ、導波路コア部１２と導波路クラッド部１３を有するコア・クラッド構造の光結合素子１４をより精度良く形成することができる。
【００３４】
このＭＩＤ２や光結合素子支持体２８に形成した凹部３１と遮光マスク２３に形成した凸部３２は、四角錐形状に限定されず、直方体や円柱および直方錘や円錐等の鋸歯構造等で画像検出が可能であり、位置決めピンとして用いることができる形状であればどのような形状でも良い。さらに、ＭＩＤ２や光結合素子支持体２８に凸部３２を形成し、遮光マスク２３に凹部３１を形成しても良いし、ＭＩＤ２や光結合素子支持体２８と遮光マスク２３に、互いに嵌合する凹部３１と凸部３２を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の光電変換モジュールの構成を示す断面図である。
【図２】光電変換モジュールのＭＩＤに光結合素子を形成する処理を示す工程図である。
【図３】マイクロレンズ形状を有する光結合素子を有する光電変換モジュールの構成を示す断面図である。
【図４】この発明の第２の光電変換モジュールの構成を示す断面図である。
【図５】第２の光電変換モジュールの光結合素子支持体に光結合素子を形成する処理を示す工程図である。
【図６】第３の光電変換モジュールの構成を示す断面図である。
【図７】第４の光電変換モジュールの構成を示す断面図である。
【図８】従来の光電変換素子パッケージの構成例を示す断面図である。
【図９】従来の他の光電変換素子パッケージの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１；光電変換モジュール、２；ＭＩＤ、３；上部電気配線、４；光電気変換素子、
５；レーザドライバ、６；トランスインピーダンスアンプ、７；接合バンプ、
８；アンダーフィル剤、９；熱インタポーザ、１０；隙間充填剤、１１；開口部、
１２；導波路コア部、１３；導波路クラッド部、１４；光結合素子、
１５；下部電気配線、１６；ボールアレイ、１７；主基板、１８；電気配線、
２０；平坦化金型、２１；光硬化性樹脂、２２；遮光開口パターン、
２３；遮光マスク、２４；紫外線光源、２５；インタポーザ基板、
２６；電気配線、２７；ワイヤボンド、２８；光結合素子支持体、
２９；１次封止材料、３０；２次封止材料、３１；凹部、３２；凸部。
【図１】
2007041428.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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