(57)【要約】【課題】点欠陥などの発生を抑制し、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる気相堆積膜の製造方法および気相堆積膜の製造装置並びに放射線像変換パネルの製造方法を提供すること。【解決手段】真空時蒸着装置の真空チャンバ内に基板がセットされた状態で、前記真空チャンバ内を真空に排気した後に、蒸着前の前記基板の表面状態を確認する工程と、前記基板表面に蛍光体層を形成する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。ここで、前記基板の表面状態を確認する工程は表面状態検査手段により行われることが好ましい。【選択図】図１
2007308760.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉塞された真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に膜形成を行う気相堆積膜の製造方法であって、
前記真空チャンバ内に基板をセットする工程と、
前記基板がセットされた状態で、前記真空チャンバ内を真空に排気した後に、蒸着前の前記基板の表面状態を確認する工程と、
成膜材料を基板上に膜形成させる工程と
を有することを特徴とする気相堆積膜の製造方法。
【請求項２】
前記基板の表面状態を確認する工程は表面状態検査手段により行われる
請求項１に記載の気相堆積膜の製造方法。
【請求項３】
前記基板の表面状態を確認する工程において前記基板の表面に異物が付着していた場合には、その異物を除去する
請求項１または２に記載の気相堆積膜の製造方法。
【請求項４】
前記基板の表面に付着していた異物を除去する工程をクリーニングローラにより行う
請求項３に記載の気相堆積膜の製造方法。
【請求項５】
前記クリーニングローラは、前記基板の表面に接触するローラ部を有し、
このローラ部は、ブチルゴム，シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものにより構成される
請求項４に記載の気相堆積膜の製造方法。
【請求項６】
前記基板の表面状態を確認する工程において前記基板の表面に損傷が認められた場合には、その旨を通知する
請求項１〜５のいずれかに記載の気相堆積膜の製造方法。
【請求項７】
前記基板の表面状態を確認する工程において前記基板の表面に異常が認められた場合には、前記基板の表面に異物除去工程を行った後、再度、前記基板の表面状態を確認する工程を行う
請求項１〜６のいずれかに記載の気相堆積膜の製造方法。
【請求項８】
シート状の基板の表面に真空蒸着によって蛍光体層を形成する気相堆積膜の製造装置であって、
真空チャンバと、
この真空チャンバ内を排気する真空排気手段と、
前記真空チャンバ内に設けられた成膜材料を蒸発させる蒸発手段と、
前記真空チャンバ内に設けられ、前記蒸発手段の上方において、前記基板を保持する基板保持手段と、
前記真空チャンバ内に設けられ、前記基板の表面状態を確認する表面状態確認手段と
を有することを特徴とする気相堆積膜の製造装置。
【請求項９】
前記基板の表面状態確認手段として、面検査装置を用いる
請求項８に記載の気相堆積膜の製造装置。
【請求項１０】
前記各手段に加えて、さらに、
前記表面状態確認手段を制御する制御手段と、
この制御手段に接続され、前記基板の表面状態確認手段により前記基板の表面への異物の付着が確認された場合に、その異物を除去する異物除去手段を有する
請求項８または９に記載の気相堆積膜の製造装置。
【請求項１１】
前記異物除去手段としてクリーニングローラを用いる
請求項１０に記載の気相堆積膜の製造装置。
【請求項１２】
前記クリーニングローラとして、前記基板の表面に接触するローラ部を有し、
このローラ部は、ブチルゴム，シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものにより構成されるものを用いる
請求項１１に記載の気相堆積膜の製造装置。
【請求項１３】
前記基板の表面状態確認手段により前記基板の表面に損傷が認められた場合にその旨を通知する基板損傷通知手段を有する
請求項８〜１２のいずれかに記載の気相堆積膜の製造装置。
【請求項１４】
前記基板の表面状態を確認する工程において前記基板の表面に異常が認められた場合には、前記基板の表面に異物除去工程を行った後、再度、前記基板の表面状態を確認する工程を行うよう制御する処理工程制御手段を有する
請求項８〜１３のいずれかに記載の気相堆積膜の製造装置。
【請求項１５】
請求項１〜７のいずれかに記載の気相堆積膜の製造方法を用いて放射線像変換パネルを製造することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピューテッドラジオグラフィー（ＣＲ）等で放射線画像の記録（撮影）を行う際に用いられる放射線像変換パネルの製造方法およびその製造装置に関し、より具体的には、柱状結晶からなる蛍光体層における柱状結晶の成長状態を均一にし、点欠陥などが少なく高品位な画像が得られる気相堆積膜の製造方法および気相堆積膜の製造装置並びに放射線像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線，α線，β線，γ線，電子線および紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光などの励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
例えば、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層）を有する放射線像変換パネルを利用する放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム（株）製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）システムとして実用化されている。
この放射線画像情報記録再生システムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、放射線像変換パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの表示装置または写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
放射線像変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末を、バインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスまたは樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、真空蒸着またはスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に輝尽性蛍光体層（以下、単に蛍光体層ともいう）を形成してなる蛍光体パネルも知られている。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという優れた特性を有している。さらに、蛍光体層が蛍光体の柱状構造で形成されるため、鮮鋭度の高い良好な画質が得られる。
【０００５】
また、放射線像変換パネルにおいては、読み取り時にちり（塵）またはほこり（埃）などのゴミや異物が付着した場合、および製造時に塵または埃などの異物が混入した場合、得られる画像に欠陥が生じる虞がある。このため、このような画像の欠陥の発生を抑制するために、種々の技術が開示されている（特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００６】
特許文献１には、蓄積蛍光体シートのクリーニング機構が設けられた放射線画像読取装置が開示されている。この特許文献１のクリーニング機構は、回転クリーニングローラ対と、除電ブラシ対とを有するものである。
特許文献１の放射線画像読取装置においては、クリーニング機構により、蛍光体シートの表面に付着した異物を除去するとともに、表面の電荷を除去する。これにより、電荷による放射線画像の影響や、塵埃の付着による放射線画像の悪影響を取り除いている。
【０００７】
また、特許文献２の放射線画像読取装置は、放射線画像の記録された蓄積性蛍光体パネルを搬送する搬送系が、蓄積性蛍光体パネルの両面側に位置するように配置された複数の弾性ベルトを備えるものである。
特許文献２の放射線画像読取装置においては、複数の弾性ベルトを駆動し複数の弾性ベルトの間に挟まれた蓄積性蛍光体パネルを搬送する。これにより、蓄積性蛍光体パネルを搬送する際に傷が付くこと、またひずみが生じ経年劣化してしまうことを防止し、さらには、搬送中に蓄積性蛍光体パネルに塵，ゴミ，埃などの異物が付着することを防止するものである。この特許文献２においても、蛍光体層へのゴミの付着を防止し、画像読み取り時に生じる画像の劣化を未然に防止することができる。
【０００８】
さらに、特許文献３の放射線画像変換パネルの製造方法には、保護層および輝尽性蛍光体層の少なくとも１層の表面のゴミを粘着力による除去方法で除去した後に、保護層と輝尽性蛍光体層をそれぞれ接着させる工程を有するものが開示されている。
このように、特許文献３においては、放射線画像変換パネルの製造方法の工程の中に、ゴミ除去方法を設けることにより、繰り返し使用される放射線画像変換パネルに対し、搬送系等を介して読み取り部に侵入した塵埃や蓄積性蛍光体シートに付着した塵埃等による画像読み取り精度の劣化を防止し、ノイズの少ない優れた画像が得られる。
【０００９】
また、塗装表面等の検査を効率的に行う方法としては、例えば、特許文献４に開示されている方法が知られている。この方法は、撮像手段によって被検査面を撮像し、画像処理装置によって被検査面の欠陥部分を検出する方法であって、このような方法は、種々の分野において実用化されているものである。なお、特許文献４に記載の技術そのものは、画像データの出力方法の改良に係るものなので、ここでは説明は省略する。
【００１０】
【特許文献１】特開平５−７２６５６号公報
【特許文献２】特開平１１−３４４７８１号公報
【特許文献３】特開２００５−４３０５０号公報
【特許文献４】特開平５−１７２５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１の放射線画像読取装置および特許文献２の放射線画像読取装置においては、画像の読み取り時に、付着するゴミを取り除くものであり、放射線像変換パネルにゴミが混入している場合には、対処できないという問題点がある。
また、特許文献３においては、保護層と蛍光体層との間にゴミが混入しないようにするものであるものの、蛍光体層を形成するに際し、ゴミ，埃などの混入を抑制するものではない。この結果、蛍光体層を形成する際に、ゴミ，埃などが混入した場合、製造された放射線像変換パネルにおいては、以下に示すような画像欠陥が生じる虞がある。
【００１２】
図７に示す放射線像変換パネル２００のように、通常は、柱状結晶２０６が成長し、この柱状結晶２０６により輝尽性蛍光体層（蛍光体層）２０４が構成される。また、蛍光体層２０４の表面２０４ａは略均一な高さとなる。
しかしながら、基板２０２上に蛍光体層２０４を形成する際に、基板２０４にゴミ２０８がある場合、このゴミ２０８を起点として異常成長結晶２０６ａが起き、結果として蛍光体層２０４において、この表面２０４ａから突出したヒロック（Ｈillock）Ｈが生じる。このような異常成長結晶２０６ａにより、得られる画像において、本来黒である画像が白くなる点欠陥が生じる。このように、ゴミ，埃などの混入を抑制しない場合には、必ずしも欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができるとは限らない。さらには、現状では、蛍光体層２０４の異常成長結晶２０６の発生を抑制することを開示するものはない。
【００１３】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、蛍光体層における柱状結晶の成長状態を均一にし、点欠陥などが少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる気相堆積膜の製造方法および気相堆積膜の製造装置並びに放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、閉塞された真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に膜形成を行う気相堆積膜の製造方法であって、前記真空チャンバ内に基板をセットする工程と、前記基板がセットされた状態で、前記真空チャンバ内を真空に排気した後に、蒸着前の前記基板の表面状態を確認する工程と、成膜材料を基板上に膜形成させる工程とを有することを特徴とする気相堆積膜の製造方法を提供するものである（請求項１）。
【００１５】
本発明においては、前記基板の表面状態を確認する工程は表面状態検査手段により行われることが好ましい（請求項２）。
また、本発明においては、前記基板の表面状態を確認する工程において前記基板の表面に異物が付着していた場合には、その異物を除去する工程を有することが好ましい（請求項３）。
【００１６】
さらに、本発明においては、前記基板の表面に付着していた異物を除去する工程をクリーニングローラにより行うことが好ましい（請求項４）。
ここで、前記クリーニングローラは、前記基板の表面に接触するローラ部を有し、このローラ部は、ブチルゴム，シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものにより構成されることが好ましい（請求項５）。
【００１７】
さらにまた、本発明においては、前記基板の表面状態を確認する工程において前記基板の表面に損傷が認められた場合には、その旨を通知する工程を有することが好ましい（請求項６）。
さらに、本発明においては、前記基板の表面状態を確認する工程において前記基板の表面に異常が認められた場合には、前記基板の表面に異物除去工程を行った後、再度、前記基板の表面状態を確認する工程を有することが好ましい（請求項７）。
【００１８】
また、本発明の第２の態様は、シート状の基板の表面に真空蒸着によって蛍光体層を形成する気相堆積膜の製造装置であって、真空チャンバと、この真空チャンバ内を排気する真空排気手段と、前記真空チャンバ内に設けられた成膜材料を蒸発させる蒸発手段と、前記真空チャンバ内に設けられ、前記蒸発手段の上方において、前記基板を保持する基板保持手段と、前記真空チャンバ内に設けられ、前記基板の表面状態を確認する表面状態確認手段とを有することを特徴とする気相堆積膜の製造装置を提供するものである（請求項８）。
【００１９】
本発明においては、前記基板の表面状態確認手段として、面検査装置を用いることが好ましい（請求項９）。
また、本発明においては、前記各手段に加えて、さらに、前記表面状態確認手段を制御する制御手段と、この制御手段に接続され、前記基板の表面状態確認手段により前記基板の表面への異物の付着が確認された場合に、その異物を除去する異物除去手段を有することが好ましい（請求項１０）。
【００２０】
また、本発明においては、さらに、前記異物除去手段としてクリーニングローラを用いることが好ましい（請求項１１）。
ここで、前記クリーニングローラとして、前記基板の表面に接触するローラ部を有し、このローラ部は、ブチルゴム，シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものにより構成されるものを用いることが好ましい（請求項１２）。
【００２１】
さらにまた、本発明においては、前記基板の表面状態確認手段により前記基板の表面に損傷が認められた場合にその旨を通知する基板損傷通知手段を有することが好ましい（請求項１３）。
さらに、本発明においては、前記基板の表面状態を確認する工程において前記基板の表面に異常が認められた場合には、前記基板の表面に異物除去工程を行った後、再度、前記基板の表面状態を確認する工程を行うよう制御する処理工程制御手段を有することが好ましい（請求項１４）。
【００２２】
また、本発明の第３の態様は、前述のような気相堆積膜の製造方法を用いて放射線像変換パネルを製造することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項１５）。
ここで、前記放射線像変換パネルは柱状結晶からなる蛍光体層を含むものであることが好ましい。
また、前記蛍光体層はアルカリハライド系輝尽性蛍光体からなるものであることが好ましい。
また、前記輝尽性蛍光体はＣｓＢｒ：Ｅｕからなることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、真空チャンバ内に基板をセットする工程と、基板がセットされた状態で、前記真空チャンバ内を真空に排気した後（すなわち、蒸着開始の直前）に、蒸着前の前記基板の表面状態を確認する工程と、前記蛍光体層を基板上に形成する工程とを有する構成としたことにより、蛍光体層を基板上に形成する直前に、前記基板表面の表面状態を確認し、必要に応じて、基板表面の異物の除去あるいは基板そのものを別の新品に交換する等の処置を行うことが可能になる。この結果として、清浄な状態の基板表面に蛍光体層が形成されるため、異常核成長の発生が抑制され、ヒロックの発生等も抑制され、（柱状結晶からなる蛍光体層における柱状結晶の成長状態を均一にし、）点欠陥などが少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができるという効果が得られる。
【００２４】
また、本発明に係る放射線像変換パネル製造装置によれば、上述のような放射線像変換パネルの製造方法を好適に実施することが可能であり、効率的に、上述のような高品質な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の一実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。
【００２６】
図１に示す放射線像変換パネル製造装置（以下、単に製造装置ともいう）１０は、蓄積性蛍光体（母体）となる材料と、付活剤（賦活剤：activator）となる材料とを別々に蒸発する二元の真空蒸着によって、基板７０の表面７０ｄに蓄積性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層という）を形成して、（蓄積性）放射線像変換パネルを製造する装置である。
【００２７】
このような製造装置１０は、基本的に、真空チャンバ１２と、基板保持搬送機構１４と、加熱蒸発部（抵抗加熱手段）１６と、真空ポンプ（真空排気手段）１８と、ガス導入ノズル１９と、制御部２０とを有して構成される。なお、本実施形態に係る製造装置１０は、これ以外にも、公知の真空蒸着装置が有する各種の構成要素を有してもよいのは、もちろんである。例えば、真空チャンバ１２内の真空度を測定する真空計（図示せず）を有し、制御部２０に接続されている。
【００２８】
なお、本実施形態において、基板７０は、基板ホルダ３９に収納されて基板保持搬送機構１４に基板ホルダ３９ごと保持され、真空チャンバ１２内にセットされて直線搬送されるものである。
また、ここでは、基板ホルダ３９は、基板７０をその側面から挿入して内部に係止して保持する形で保持するように構成されているものである。
【００２９】
また、本発明は、図１に示すような二元の真空蒸着装置に限定はされず、全ての成膜材料を混合して蒸発源に収納する一元の真空蒸着を行う装置であってもよく、あるいは、三元以上の真空蒸着を行う装置であってもよいが、好ましくは、複数の成膜材料を別々の蒸発源に収納する、二元あるいはそれ以上の多元の真空蒸着装置である。
【００３０】
また、本実施形態においては、好適な一例として、蛍光体成分となる臭化セシウム（ＣｓＢｒ）と、付活剤成分となる臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒｘ（ｘは、通常、２〜３であり、特に２が好ましい）とを成膜材料として用い、抵抗加熱による二元の真空蒸着を行って、基板７０に蓄積性蛍光体であるＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を成膜して、放射線像変換パネルを作製する。
【００３１】
また、成膜中に不活性ガスの導入を行うためのガス導入ノズル１９を有する製造装置１０は、好ましくは、一旦、真空チャンバ１２内を高真空度まで排気した後、排気を行いつつガス導入ノズル１９によって不活性ガスを導入して真空チャンバ１２内を０．１Ｐａ〜１０Ｐａ程度の真空度（以下、中真空という）とし、この中真空下で、加熱蒸発部１６において抵抗加熱によって成膜材料（臭化セシウムおよび臭化ユーロピウム）を加熱蒸発して、基板保持搬送機構１４によって基板７０を直線状に搬送（以下、直線搬送という）しつつ、真空蒸着による基板７０への蛍光体層の成膜を行う。
【００３２】
また、本発明においては、蛍光体層を形成する輝尽性蛍光体として、各種のものが利用可能であるが、例えば、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
例えば、米国特許第３８５９５２７号の明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ２：Ｅｒ」、および「Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。
【００３３】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭＩＩＯ・ｘＳｉＯ２：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭＩＩは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００３４】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３５】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−ｘ、Ｍ２＋ｘ）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ２＋は、Ｍｇ、Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００３６】
特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ３（ＰＯ４）２・ＮＸ２：ｙＡ」または「Ｍ３（ＰＯ４）２・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００３７】
一般式「ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−４＜ｘ＜３×１０−１であり、１×１０−４＜ｙ＜１×１０−１であり、さらに、１×１０−３＜ｎ／ｍ＜７×１０−１である。
【００３８】
特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭＩＸ・ａＭＩＩＸ’２・ｂＭＩＩＩＸ''３：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭＩＩＩは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ，Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。
【００３９】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−Ｘ、ＭＩＩＸ）Ｆ２・ａＢａＸ２：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０−６≦ｙ≦２×１０−１であり、０＜ｚ≦１×１０−２である。）
【００４０】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭＩＩＩＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、ＭＩＩＩは、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００４１】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ１−ｘＭａＬａＦＸ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−２≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。
【００４２】
特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭＩＩＦＸ・ａＭＩＸ’・ｂＭ’ＩＩＸ''２・ｃＭＩＩＩＸ３・ｘＡ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。
上記式においてＭＩＩは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭＩは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’ＩＩは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭＩＩＩは、Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ，Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０−２であり、０≦ｃ≦１×１０−２であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０−６であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００４３】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５９−３８２７８号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭＩが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００４４】
本実施形態において、真空チャンバ１２は、鉄，ステンレス，アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー，真空槽）である。
真空チャンバ１２の一方の側面１２ｂには、真空ポンプ１８がディフューザ１８ａを介して接続されている。この真空ポンプ１８は、例えば、油拡散ポンプが用いられる。なお、真空ポンプ１８は、特に限定されるものではなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、クライオポンプ，ターボモレキュラポンプ等を利用することができ、さらに補助として、クライオコイル等を併用してもよい。なお、蛍光体層を成膜する製造装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、８．０×１０−４Ｐａより高い真空度が得られるものであることが好ましい。
【００４５】
また、真空チャンバ１２の上記側面１２ｂに対向する他方の側面１２ｃには、扉１３が開閉自在に設けられている。
本実施形態においては、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内に基板７０の搬入、および成膜材料の搬入などが行われる。また、扉１３を閉じ、真空チャンバ１２を閉塞して真空蒸着などが行われる。
【００４６】
ガス導入ノズル１９も、ボンベとの接続手段およびガス流量の調整手段等を有する（もしくは、これらに接続される）、真空蒸着装置またはスパッタリング装置等で用いられている公知のガス導入手段であり、前記中真空での真空蒸着による蛍光体層の成膜を行うために、アルゴン（Ａｒ）ガス，窒素ガスまたはその他の希ガス等の不活性ガスを真空チャンバ１２内に導入する。この不活性ガスとは、真空蒸着の際に、基板７０および蛍光体層と反応しないガスのことである。
このガス導入ノズル１９の開口部（ガス導入口）１９ａを介して、不活性ガスが真空チャンバ１２内に導入される。ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）は、例えば、加熱蒸発部１６の近傍、かつ真空チャンバ１２の底面１２ａに設けられている。
【００４７】
基板保持搬送機構１４は、基板７０を基板ホルダ３９ごと保持して、直線搬送するものであり、図２に模式的に示すように、駆動手段２２と、リニアモータガイド２４と、基板保持手段２６とから構成される。なお、図２（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図、同（ｂ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図、同（ｃ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【００４８】
駆動手段２２は、基板保持手段２６を基板７０の搬送方向Ｍに移動（往復動）させるもので、基板７０の搬送方向Ｍに延在して保持部材３０によって回転自在に軸支されるネジ軸３２ａと、このネジ軸３２ａに螺合するナット部３２ｂからなるボールネジ３２と、前記ネジ軸３２ａを回転するモータ３４とからなる、ボールネジを用いる公知の直線状の移動機構である。
【００４９】
なお、本発明において、駆動手段はボールネジ３２とモータ３４とを利用するものに限定はされず、シリンダを利用する搬送手段，モータとモータによって回転されるリング状のチェーンを用いる搬送手段など、必要な耐熱性を有するものであれば、公知の直線状の移動（搬送）手段が、各種利用可能である。
【００５０】
リニアモータガイド（以下、ＬＭガイドという）２４は、駆動手段２２による基板保持手段２６（すなわち、基板７０）の直線搬送を補助するもので、ガイドレール２４ａと、長手方向に移動自在に上記ガイドレール２４ａに係合する係合部材２４ｂとからなる、公知のリニアモータガイドである。
ガイドレール２４ａは、基板７０の搬送方向Ｍに延在して、前記ネジ軸３２ａを中心とする対象位置に離間して２本が配置され、共に、真空チャンバ１２の天井面に固定される。一方、係合部材２４ｂは、各ガイドレール２４ａに２つずつ係合するように、合計４つが基板保持手段２６（後述する基台３６の上面）に固定される。
【００５１】
基板保持手段（以下、単に保持手段ともいう）２６は、基板ホルダ３９ごと基板７０を保持して、前記ＬＭガイド２４によって案内されつつ前記駆動手段２２によって直線状で移動されるものであり、基台３６と、保持機構３８と、防熱部材４０とから構成される。
【００５２】
基台３６は、製造装置１０が適正に設置された状態で水平となる長方形状の平板状部材である。
基台３６の上面の中心には、前記ボールネジ３２のナット部３２ｂが固定され、また、基台３６の上面の２本の対角線上の対称位置には、２本のガイドレール２４ａの間隔に応じて前記ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂが固定される。
【００５３】
保持機構３８は、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとから構成され、基台３６の角部に４つが配置される。
取付部材３８ａは、矩形の断面略Ｃ字状の形状を有するものである。この取付部材３８ａは、Ｃ字開放部を内側に向けて、搬送方向Ｍと直交方向の外方からＣ字天井面の一部を基台３６の角部に載置して、基台３６に垂下するようにして固定される。従って、保持手段２６は、基台３６の下部には、基台３６の面積よりも広い空間を有している。
【００５４】
保持部材３８ｂは、下端に基板ホルダ３９（基板７０）の保持手段を有するものであり、取付部材３８ａに垂下して固定される。すなわち、基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持機構３８は、基台３６に角部近傍で垂下される。
【００５５】
本実施形態において、保持部材３８ｂによる基板ホルダ３９（基板７０）の保持方法には特に限定はなく、治具等を用いる方法、静電気を利用する方法、吸着を利用する方法等、上面から板状物を保持する公知の方法が各種利用可能である。また、基板７０への蛍光体層の蒸着領域等に応じて可能であれば、治具等を用いて、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四隅を押さえる保持手段、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四辺を押さえる保持手段等を利用してもよい。
また、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとの間にスペーサを入れる、ネジによる調整手段を設ける、シリンダによる昇降手段を設ける等の方法で、保持部材３８ｂの下端位置すなわち基板７０を保持／搬送する高さを調整可能にしてもよい。
【００５６】
前述のように、基台３６は、駆動手段２２によって直線搬送される。従って、基板保持搬送機構１４は、保持機構３８によって例えば、基板ホルダ３９（基板７０）の四隅近傍を保持し、保持手段２６を駆動手段２２によって搬送することにより、基板７０を基板ホルダ３９ごと直線搬送する。
【００５７】
ラインセンサ等による放射線画像の読み取りが想定される放射線像変換パネルの蛍光体層には、±３％以内、好ましくは±２％以内の高い膜厚分布均一性が要求される。
本実施形態においては、上述このように基板７０を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空の真空蒸着によって蛍光体層を形成することにより、結晶性が良好で、膜厚分布均一性の高い蛍光体層の形成を実現している。
【００５８】
ここで、本発明に係る製造方法で好適に形成される前記各種の蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を、真空蒸着によって形成（成膜）する際には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、排気を維持した状態でＡｒガスまたは窒素ガス等の不活性ガスを系内に導入して、０．１〜１０Ｐａ、特に０．５〜３Ｐａ程度の中真空度として蛍光体層を形成するのが好ましい。
これにより、良好な柱状の結晶構造を有する蛍光体層を形成することができ、輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた放射線像変換パネルを製造することができる。
【００５９】
本実施形態に係る製造装置１０は、基本的に、このような中真空での蛍光体層の形成を行うものであり、ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）から真空チャンバ１２内に不活性ガスを導入しつつ中真空で抵抗加熱によって真空蒸着を行う。
本実施形態に係る製造装置１０においては、基板ホルダ３９ごと基板７０を直線搬送しつつ真空蒸着によって蛍光体層の形成を行うことにより、基板７０表面における移動速度を全面的に均一にできる。
具体的には、搬送方向Ｍと直交する方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にするだけで、基板７０の全面的に均一に成膜材料の蒸気を暴露することができ、簡易な蒸発源の位置設定でも、膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成できる。しかも、直線搬送の往復搬送を行って成膜を行うことにより、微量成分であるユーロピウム（付活剤）の蛍光体層中における分散状態も、好適にできる。
【００６０】
なお、本発明において、必要な膜厚の蛍光体層を形成できれば、成膜中における基板７０の直線搬送は、１回の直線搬送でも、１回の往復動（往復搬送）でも、往復動を複数回行ってもよい。また、基板の搬送経路は、おおむね直線状であれば、多少、ジグザグ状であっても、波打つような経路であってもよい。
一般的に、同じ膜厚であれば、加熱蒸発部１６の上部の通過回数が多い程、膜厚分布均一性を高くできるので、複数回の往復動を行って蛍光体層を形成するのが好ましい。また、往復動の回数は、蛍光体層の目的膜厚または目的とする膜厚分布均一性等に応じて、適宜、決定すればよく、最後の搬送は一方向でもよい。直線搬送の搬送速度にも、特に限定はなく、ＬＭガイド２４の速度限界、往復動の回数、目的とする蛍光体層の膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。
【００６１】
基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持手段２６において、上面にボールネジ３２のナット部３２ｂおよびＬＭガイド２４の係合部材２４ｂ等が固定される基台３６の直下には、防熱部材４０が配置される。ここで、前述のように、図示例の製造装置１０においては、略Ｃ字状の取付部材３８ａを用いて保持部材３８ｂを基台３６から垂下した状態で固定することにより、基台３６の下部に基台３６よりも広い空間を有している。これを利用して、図示例においては、防熱部材４０の面積を基台３６の面積より大きくして、充分な余裕を持って基台３６の下面全面を防熱部材４０で覆っている。
防熱部材４０は、後述する加熱蒸発部１６（蒸発源）に対して基台３６を覆うことにより、加熱蒸発部１６からの輻射熱等によって、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが加熱されるのを防止するものである。
【００６２】
先の説明から明らかなように、高い輝尽発光特性および画像鮮鋭性を実現可能な優れた結晶構造を有し、かつラインセンサによる高精度な放射線画像の読み取りが可能な膜厚均一性に優れた放射線像変換パネルを製造するためには、基板ホルダ３９（基板７０）を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空での真空蒸着を行う必要がある。
【００６３】
ここで、周知のように、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂには、円滑な移動を可能にするためにボールが組み込まれ、また、ボールの円滑な回転を可能にするために、グリス等の潤滑剤が注入される。また、ボールを有さなくても、円滑な駆動を可能にするために、通常、駆動手段および搬送ガイド手段の摺動部にはグリス等の潤滑剤が注入される。
【００６４】
防熱部材４０には、特に限定はなく、加熱蒸発部１６からの輻射熱を遮蔽して、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂ、またさらに基台３６が加熱されることを防止できれば、各種のものが利用可能である。一例として、ステンレス板，鋼板，アルミニウム板，モリブデン板等が例示される。なお、固定方法は、防熱部材４０に応じて、適宜、決定すればよい。
また、必要に応じて、防熱部材４０に接触するパイプに冷水を流す、板材（防熱部材４０）の内部をくり抜いて水を流す等の手段によって、防熱部材４０の冷却手段を設けてもよい。
【００６５】
前述のように、図示例においては、好ましい態様として、防熱部材４０は基台３６よりも大きな面積を有し、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが固定される基台３６の下面全面を覆って配置される。しかしながら、本発明は、これに限定はされず、例えば、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂに対応する領域、あるいはさらにボールネジ３２のナット部３２ｂに対応する領域のみを、加熱蒸発部１６に対して防熱部材で覆ってもよい。
但し、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂの加熱をより好適に防止するためには、図示例のように、これらに熱を伝達する可能性のある部材は、加熱蒸発部１６に対して可能な限り防熱部材４０で覆うのが好ましい。
【００６６】
図１に戻って、説明を続ける。
真空チャンバ１２の下方には、加熱蒸発部１６が配置される。
加熱蒸発部１６は、抵抗加熱によって蛍光体層を形成するための成膜材料である臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを蒸発させる部位である。この加熱蒸発部１６により成膜材料を加熱・蒸発させることにより、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムの蒸気（成膜材料蒸気）からなる蒸着場が形成される。
【００６７】
前述のように、製造装置１０は、好ましい態様として、蛍光体成分である臭化セシウムと、付活剤成分である臭化ユーロピウムとを、独立して加熱蒸発する、二元の真空蒸着を行うものである。従って、加熱蒸発部１６には、臭化セシウム用（蛍光体用）の蒸発源となるルツボ（容器）５０、および、臭化ユーロピウム用（付活剤用）の蒸発源となるルツボ（容器）５２が配置される。
【００６８】
このようなルツボ５０および５２は、真空蒸着における抵抗加熱蒸発源用のルツボと同様、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属で形成され、電極（図示省略）から通電されることにより自身が発熱し、充填された成膜材料を加熱／溶融して、蒸発させるものである。
また、本発明において、抵抗加熱用の電源（加熱制御手段）には、特に限定はなく、サイリスタ方式，ＤＣ方式，熱電対フィードバック方式等、抵抗加熱装置で用いられる各種の方式が利用可能である。また、抵抗加熱を行う際の出力にも特に限定はなく、使用する成膜材料，ルツボの形成材料の抵抗値または発熱量等に応じて、適宜、設定すればよい。
【００６９】
蓄積性蛍光体において、付活剤と蛍光体とは、例えばモル濃度比で０．０００５／１〜０．０１／１程度と、蛍光体層の大部分が蛍光体である。
そのため、図示例においては、蒸発量（消費量）の多い臭化セシウム（蛍光体用）のルツボ５０は、円筒状（ドラム型）の大型のルツボを用いている。このルツボ５０は、ドラムの側面に、ドラムの軸線方向に延在するスリット状の開口を有し、この開口に一致して、開口と同形状の上下開口面を有する四角筒状のチムニー５０ａを蒸気排出部として設けている。
【００７０】
他方、蒸発量（消費量）の少ない臭化ユーロピウム用（付活剤用）のルツボ５２は、ここでは、日本バックスメタルクルーシブルタイプ真空蒸着用蒸発源ＣＥ−２を用いている。このルツボは素材としてＴａを用いており、その周囲をヒータで覆い、さらにその周囲を断熱材であるアルミナで覆った構造を有している。また、ルツボは、間接加熱方式で加熱される。
【００７１】
このようなスリット状のチムニーを有するルツボを用いることにより、ルツボ内における局所加熱または異状加熱によって突沸が生じた際に、成膜材料が不意にルツボから飛び出して周囲または基板７０に付着して、汚染することを防止できる。特に、抵抗加熱を利用する中真空の蒸着では、前述のように、基板７０と蒸着源とを近接して配置する必要があるので、その効果は大きい。
【００７２】
ここで、製造装置１０においては、ルツボ５０および５２を、基板７０の搬送方向Ｍと直交する方向Ｈ（以下、配列方向Ｈという）に複数配列することにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にして、直線搬送される基板７０の全面に均一に成膜材料蒸気を供給して、例えば、膜厚分布均一性が±３％以下の蛍光体層を形成している。なお、各ルツボは、離間させるか、または絶縁材の挿入等によって、互いに熱絶縁状態にある。
【００７３】
加熱蒸発部１６の模式的平面図である図３に示すように、図示例においては、一例として、臭化セシウム用のルツボ５０は、円筒（ドラム）の軸線方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列されている。ルツボ５０において、電極は円筒の端面に形成されており、個々のルツボ５０で独立して電源に接続される。また、各ルツボ５０に対応して、臭化セシウムの蒸発量を測定するための水晶振動子センサ５４が配置され（図１（ａ）および（ｂ）では、装置の全体構成を明瞭にするために省略）、この蒸発量の測定結果に応じて、ルツボ５０への通電量が制御される。なお、蒸発量の制御は、温度センサによって行ってもよい。
【００７４】
他方、ボート型のルツボである臭化ユーロピウム用のルツボ５２も、長手方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列される。ルツボ５２も、配列方向Ｈの両端に電極が形成され、個々に独立した電源が接続される。
【００７５】
図示例においては、好ましい態様として、１つのルツボ５０とルツボ５２とを対として、すなわち、蛍光体の成膜材料である臭化セシウムの１つの蒸発源と付活剤の成膜材料である臭化ユーロピウムの１つの蒸発源を対として、両者が基板７０の直線搬送方向Ｍに並ぶように配置し、さらに、より好ましい態様として、両者を装置およびルツボの構成上、可能な限り近接して配置している。
このような構成とすることにより、母体となる臭化セシウム蒸気中に、臭化ユーロピウム蒸気を充分に分散して、微量成分であるユーロピウム（付活剤）を蛍光体層中に均一に分散し、輝尽発光特性等の良好な蛍光体層を形成できる。
【００７６】
また、ルツボ５０の列およびルツボ５２の列においては、共に、配列されるルツボは、装置およびルツボの構成上、可能な限り配列方向Ｈに近接して配置され、かつルツボの列は、基板７０の配列方向Ｈのサイズを充分に包含する長さとするのが好ましい。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００７７】
このような配列方向Ｈへのルツボの列は、１つであってもよく、図示例のように２列であってもよく、さらに、３列以上であってもよい。
ここで、複数列のルツボの列を有する場合には、各ルツボの列は、基板７０の搬送方向Ｍから見た際に、他のルツボの列の成膜材料蒸気の排出口（前記スリット状のチムニー）の配列方向Ｈの間隙を、互いに埋めるように配置するのが好ましく、さらに、異なる列で成膜材料蒸気の排出口が搬送方向Ｍに重ならないように配置するのがより好ましい。いい換えれば、搬送方向Ｍから見た際に、各ルツボの列で、成膜材料蒸気の排出口が互い違いとなるようにするのが好ましい。図示例においては、配列方向Ｈへの２列のルツボの列において、搬送方向Ｍから見た際に、一方のルツボ列の電極位置に他方のルツボ列の蒸気排出口が位置するように、各ルツボの列を配列している。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。
【００７８】
さらに、配列方向Ｈへのルツボの列を複数有する場合には、搬送方向Ｍの外側に蒸発量の多い臭化セシウム（付活剤）用のルツボ５０の列を位置するのが好ましい。
このような構成とすることにより、蒸発量の多い臭化セシウムの蒸発量センサを、搬送方向Ｍに対してルツボの列の外側の開いている空間に配置することができ、すなわち、蒸発量センサの選択自由度、製造装置１０の設計自由度を向上することができる。
【００７９】
なお、図示は省略するが、製造装置１０の加熱蒸発部１６は、全ルツボを水平方向の４方で囲む、ルツボの最上部よりも高い四角筒状の防熱板が配置され、かつ、この防熱板の上部開放面を閉塞／開放自在に、成膜材料蒸気を遮蔽するためのシャッタ（図示せず）が配置される。
【００８０】
また、本実施形態においては、基板７０の表面（蛍光体層の形成面）７０ｄに付着しているゴミ，埃などの異物、さらには基板７０の表面７０ｄに生じている傷（広義には、凹凸等の損傷を含む）等の有無を検査するための表面状態確認手段としての面検査装置１００、並びにこの面検査装置１００により基板７０の表面７０ｄにゴミ，埃などの異物が付着していることが検出された場合にこれを除去する除塵部９０、および各種のセンサ（図示せず）を備えている。
【００８１】
なお、ここでは、説明をわかりやすくするために、面検査装置１００と除塵部９０とを別々の位置に配置した例を示すが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらを一体的に構成してもよいことはいうまでもない。
上述の面検査装置１００と除塵部９０の詳細については以下に個別に説明するが、これらの面検査装置１００と除塵部９０は、前述の制御部２０により、予め定められた処理手順に従って制御されるものである。
【００８２】
面検査装置１００は、基本的には、撮像手段によって被検査面を撮像し、画像処理手段によって被検査面の欠陥部分（ゴミ，埃などの異物、もしくは損傷部分）を検出する装置であって、図４にその一構成例を示すように、光源１０２，集光光学系１０４，撮像手段としてのＣＣＤカメラ１０６，これら各部を保持する上下方向並びに基板７０の直線搬送方向Ｍと直交する方向への移動が可能な移動機構１０８、並びにこれらを収納する筐体１１０から構成される。なお、これらの各部の動作は、制御部２０により、予め定められた処理手順に従って制御される。
【００８３】
面検査装置１００は、例えば、基板７０の直線搬送方向Ｍへの移動と、これと直交する方向への移動機構１０８による走査により、基板７０の表面７０ｄを二次元的に走査して、そこに存在する欠陥部分（ゴミ，埃などの異物、もしくは損傷部分）をＣＣＤカメラ１０６により撮像し、このデータを図示されていない画像処理部に送って、画像処理部における画像処理により欠陥部分（ゴミ，埃などの異物、もしくは損傷部分）として検出するものである。
なお、後述するように、この面検査装置１００は、基板ホルダ３９への基板７０の装填後、蒸着開始前に、基板７０の表面７０ｄを検査するものであり、検査終了後に蒸着を開始する際には、面検査装置１００の各部に蒸着が及ばないようにするため、筐体１１０内に収納されるように構成されている。
【００８４】
本実施形態の除塵部９０は、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７２の形成面）を除塵するものであり、真空チャンバ１２内の真空ポンプ１８の設置側に設けられている。この除塵部９０は、クリーニングローラ部９４を有する。このクリーニングローラ部９４は、垂直方向に対して昇降自在であり、基板７０の表面７０ｄに対して接離可能である。また、クリーニングローラ部９４は、支持部９４ａと、この支持部９４ａに回転自在に軸支されたローラ９４ｂとを有する。
【００８５】
クリーニングローラ部９４を構成するローラ９４ｂは、図５に示すように、対をなす折曲部６２ａと、各折曲部６２ａに接続された基部６２ｂとからなるコの字形状のフレーム６２を有する支持部９４ａにより、回転可能に指示されている。すなわち、このフレーム６２の折曲部６２ａに回転軸６４が軸支されており、この回転軸６４にはローラ９４ｂが嵌挿されている。また、クリーニングローラ部９４の支持部９４ａは、除塵部９０内に設けられている上下動装置（図示せず）に結合されている。
【００８６】
クリーニングローラ部９４のローラ９４ｂは、例えば、ブチルゴム，シリコンおよびウレタンゴムのうち、少なくとも１種を主成分とするものからなるものである。
また、クリーニングローラ部９４のローラ９４ｂが、例えば、ブチルゴムを用いたものである場合、宮川ローラー（株）製の粘着ローラ（商品名：ミモザ Ｂ）を用いることが好ましい。
さらに、ローラ９４ｂの硬度（Ｈｓ ＪＩＳ−Ａ）は、３０°程度が好ましく、ＪＩＳ Ｚ０２３７で規定される、粘着力は９１ｈＰａ程度であることが好ましい。
【００８７】
本実施形態の製造装置１０においては、除塵を行う際には、除塵部９０のクリーニングローラ部９４を上方に突出させ、基板７０を真空ポンプ１８の設置側に移動（図１中で、右→左）させることにより、ローラ９４ｂが基板７０の表面７０ｄに接触して、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７２の形成面）を除塵する。この除塵部９０のクリーニングローラ部９４の昇降は制御部２０により制御される。すなわち、制御部２０により、除塵が制御される。
【００８８】
本実施形態の製造装置１０は、上述のように、中真空での真空蒸着を行うものであり、蒸発した成膜材料を確実に基板７０に到達させるためには、通常に比して、加熱蒸発部１６（蒸発源）と基板７０との距離を、例えば、１００ｍｍ程度に短くする必要がある。このため、基板７０と蒸発源との間に洗浄装置を設けることが困難である。また、真空チャンバ１２内に洗浄装置を設けた場合、装置が大型化し、コストも嵩む。
【００８９】
さらに、蒸着対象となる基板は、十分な管理の下で容易されるものであるが、傷や汚れが絶対にないという保証は、必ずしもない。
そこで、本実施形態においては、基板への蒸着を開始する前に、面検査装置１００を用いて基板７０の表面７０ｄを検査し、この面検査装置１００により基板７０の表面７０ｄにゴミ，埃などの異物が付着していることが検出された場合にこれを除去する除塵部９０を設けるとともに、基板７０の表面７０ｄに損傷が見られた場合についても、適切な処置を取ることができるようにしているものである。
【００９０】
ここでは、面検査装置１００としては、画像処理により、基板７０の表面７０ｄに存在する異物のみならず、損傷についても検査を行うようにして、検出された異物については除塵手段としての除塵部９０のクリーニング用ローラ９４ｂを用いることにより、安価にかつ確実に、基板７０の表面７０ｄを除塵することができるとともに、損傷が検出された場合には基板７０を交換するようにとの指示を行うことができる構成としている。
【００９１】
すなわち、本実施形態においては、基板７０を基板保持搬送機構１４に保持させて真空チャンバ１２内にセットし、蛍光体層を形成するための成膜材料を充填した後、扉１３を閉めて真空チャンバ１２を閉塞し、真空排気手段（真空ポンプ１８）を駆動して真空チャンバ１２を排気し、真空チャンバ１２内が８×１０−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ真空チャンバ１２内にＡｒガスを導入し、真空チャンバ１２内圧力を１Ｐａに調整する。
【００９２】
そして、この状態で、前述の面検査装置１００を用いて基板７０の表面７０ｄの面検査を実施する。この検査で、基板７０の表面７０ｄに異物が検出された場合には、前述のクリーニング用ローラ９４ｂにより、基板７０の表面７０ｄの除塵を行う。また、基板７０の表面７０ｄに損傷がある場合には、オペレータに異常を知らせる。これに従って、オペレータは、例えば真空排気を中止して、真空チャンバ１２内を大気圧に戻し、基板７０を新しいものに交換する。
さらに、オペレータは、基板７０を新しいものに交換後、再度真空引きを行って、前述の処理と同様に、面検査装置１００を用いて基板７０の表面７０ｄの面検査を実施する。この検査の結果に基づく処置に関しては、前述の通りである。
【００９３】
本実施形態においては、基板７０は、例えば、金属または合金からなるものであり、薄い板状部材またはシート部材である。また、基板７０は、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼、銅、クロムまたはニッケルなどを用いることができる。なお、本実施形態においては、基板７０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されることが好ましい。
また、基板７０としては、ガラス、セラミックス、カーボン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ポリイミド等、放射線像変換パネルで利用されている各種のシート状の基板を全て利用することができる。
【００９４】
上述のように構成される本実施形態の製造装置１０においては、蛍光体層７２の形成時には、異常核結晶の発生が抑制され、ヒロックなどの発生を抑制することができる。このため、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７２を得ることができる。最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル８０を製造することができる。
【００９５】
次に、製造装置１０を用いた本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法について詳細にその動作を説明する。
本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、図７に示すような基板７０と、この基板７０上に形成された蛍光体層７２と、この蛍光体層７２上に形成され、蛍光体層７２を封止する防湿保護層７４とを有する放射線像変換パネル８０を製造する。
【００９６】
予め、基板７０を基板ホルダ３９（図１（ａ）参照）にセットしておく。
次に、基板７０を基板ホル３９ごと、プラズマ洗浄装置（図示せず）にセットし、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７２の形成面）をプラズマ洗浄する。
次に、真空チャンバ１２の扉１３を開き、真空チャンバ１２を大気開放状態にし、基板保持搬送機構１４の保持手段２６（図２（ｂ）参照）の保持部材３８ｂに基板ホルダ３９ごと基板７０を保持する。
【００９７】
次に、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後、すなわち、成膜材料を真空チャンバ１２内にセットした後、シャッタ（図示せず）を閉じる。
次に、真空チャンバ１２内を排気して、所定の真空度に達した時点で、前述の面検査装置１００により、基板７０の表面７０ｄを検査する。
この検査では、基板７０の表面７０ｄにゴミ，埃などの異物が付着していないか、また、損傷がないかを、ＣＣＤカメラによる撮像結果を画像処理した結果から判断する。
【００９８】
ここで、基板７０の表面７０ｄにゴミ，埃などの異物が付着していると判断された場合には、前述のように、制御部２０による制御の下、基板７０を移動させながら、除塵部９０のクリーニングローラ部９４を作動させて、ローラ９４ｂにより基板７０の表面７０ｄをくまなく清掃し、基板７０の表面７０ｄの除塵を行う。
【００９９】
また、上述の検査において、基板７０の表面７０ｄに何らかの損傷が見出された場合には、これも前述のように、制御部２０による制御の下、オペレータに対し異常を知らせる通知を発する等により、基板の交換を行う等の対応を示唆する。
オペレータにより基板交換等の対応が取られた後は、再度、面検査装置１００による基板７０の表面７０ｄの検査を実行し、異常がなければ、真空チャンバ１２の扉１３を閉めて、真空チャンバ１２を閉塞する。
【０１００】
次いで、真空ポンプ１８を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９によって開口部１９ａを経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整し、さらに、抵抗加熱用の電源を駆動して全てのルツボ５０およびルツボ５２に通電して成膜材料を加熱する。
その後、予め設定した所定時間（例えば、６０分）が経過したら、シャッタを開放し、次いで、モータ３４を駆動して、所定速度での基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面７０ｄへの蛍光体層７２の形成を開始する。
【０１０１】
形成する蛍光体層７２の膜厚等に応じて設定された所定回数の直線搬送の往復動が終了したら、基板７０の直線搬送を停止し、シャッタを閉塞し、抵抗加熱用の電源を切り、ガス導入ノズル１９によるＡｒガスの導入を止める。
次に、窒素ガスまたは乾燥空気を真空チャンバ１２内に導入して、真空チャンバ１２内を大気圧とする。すなわち、大気開放状態とする。
【０１０２】
次いで、真空チャンバ１２の扉１３を開き、蛍光体層７２を形成した基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出し、作業台に運ぶ。
次の工程としては、蛍光体層７２に輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、熱処理装置により加熱処理（アニール）を施す。
【０１０３】
次に、加熱処理終了後、搬送機により、基板７０を次工程の防湿保護層７４（図６参照）を形成する防湿保護層形成装置（図示せず）まで搬送する。
そして、蛍光体層７２の上に、例えばディスペンサー等を用いて接着剤を塗布し、接着層７６を形成する。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルム（図示せず）を引き出し、熱ラミネーション法により、上記接着層７６の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板７０の溝７０ｂに植設した枠７０ｃの上縁部に密着させて防湿保護層７４（図６参照）を形成する。このようにして、図６に示す放射線像変換パネル８０を製造することができる。
なお、防湿保護層７４としては、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。
【０１０４】
また、防湿保護層７４を構成する防湿保護フィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ２膜とＳｉＯ２とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ２膜との３層を形成してなる防湿保護層７４が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム），ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。
【０１０５】
なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ２膜／ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ２膜の３層を形成した防湿保護層７４において、例えば、ＳｉＯ２膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ２の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。
また、防湿保護層７４は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））であることが好ましい。
【０１０６】
本実施形態の放射線像変換パネルの製造方法においては、基板７０を真空チャンバ１２内にセットし、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後に（すなわち、蒸着を開始することができる状況下で）、真空チャンバ１２内を真空引きした状態で、面検査装置１００による基板７０の表面７０ｄの検査を行うことが好ましい。
【０１０７】
これは、真空チャンバ１２内を真空引きする過程で、基板７０のセットおよび臭化セシウム，臭化ユーロピウムの成膜材料の充填の際等に発生したゴミ，埃などが、真空チャンバ１２内に舞い上がって、基板７０の表面７０ｄの付着する可能性があるので、そのような自体を回避するために有効な方法である。
従って、真空チャンバ１２内を真空引きした状態で、面検査装置１００による基板７０の表面７０ｄの検査を行う基板７０の表面７０ｄの除塵を行うことにより、このような状況で付着したゴミ，埃が基板７０の蛍光体層７２の形成面に付着した場合であっても、取り除くことができる。
【０１０８】
これにより、蛍光体層７２は、基板７０の表面７０ｄに異常核成長の起点となるゴミ、埃が極めて少ない状態で形成される。このため、蛍光体層７２の形成時には、異常核結晶の発生が抑制され、ヒロックなどの発生が抑制される。よって、膜厚分布均一性が高く、かつ良好な結晶性の輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた蛍光体層７２を得ることができる。最終的に、点欠陥が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネル８０を製造することができる。
【０１０９】
本実施形態の製造装置１０においては、例えば、基板ホルダ３９が基板保持手段２６に保持されたことを示す検知信号が制御部２０に出力された後、制御部２０が、除塵部９０からクリーニングローラ部９４を上方に突出させ、さらには、基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵する。このようなセンサを設けることにより、基板７０をセットした後に確実に除塵することができる。
【０１１０】
また、本実施形態の製造装置１０においては、上記センサに代えて、ルツボ（容器）５０，５２内に成膜材料（臭化セシウム，臭化ユーロピウム）が収納（充填）されたことを検知するセンサ（図示せず）等を設けてもよい。
このセンサは制御部２０に接続されており、ルツボ（容器）５０，５２内に上記成膜材料が収納（充填）された場合には、検知信号を制御部２０に出力する。このようなセンサとしては、例えば、ルツボ（容器）５０，５２の底部にセラミックスなどの耐熱体を介して設けられた歪みゲージを用いることができる。
【０１１１】
また、本実施形態の製造装置１０においては、センサとして、真空チャンバ１２に設けられている真空計を用いてもよい。この場合、真空計で測定された圧力が圧力信号として制御部２０に出力される。真空チャンバ１２内の圧力が所定の圧力以下になった場合、制御部２０が、除塵部９０からクリーニングローラ部９４を上方に突出させ、さらに基板７０を真空ポンプ１８側に移動させて除塵するという制御も可能である。
【０１１２】
本実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０は、先に説明した実施形態の放射線像変換パネルの製造装置１０に比して、除塵部９０の構成が異なり、除塵部９０として、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７２の形成面）に気体を吹付けるブロア（気体吹付手段：図示せず）を備えるものである。
本実施形態の製造装置１０においては、基板７０を除塵部９０と対向する位置に移動させ、除塵部９０により、基板７０の表面７０ｄに気体を吹付けることによりゴミ，埃などを取り除く。
【０１１３】
また、本実施形態の製造装置１０においては、除塵部９０として、基板７０を除電することにより、基板７０の表面７０ｄのゴミ、埃を取り除く、除電装置を有するものを用いてもよい。
この場合、本実施形態の製造装置１０においては、除塵部９０には、除電装置として、例えば、クリンエアバリア除電装置（ＳＪ−Ｖシリーズ（株）キーエンス製）を用いることができる。
【０１１４】
さらに、除塵部９０は、ブロア（気体吹付手段）と、除電装置またはイオンエアー発生装置とを組み合わせたものでもよい。この場合、基板７０の表面７０ｄの除塵は、ブロアで気体Ｆを吹き付け、さらにイオンエアーの吹き付けを併用して除塵を行う。
さらにまた、除塵部９６は、イオンエアー発生装置と除電装置とを組み合わせたものでもよい。
【０１１５】
以上、本発明の放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネル製造装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定はされず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいことはいうまでもない。
【実施例】
【０１１６】
以下、具体的な実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではないのはいうまでもない。
ここでは、図１に示した実施形態に係る製造装置（放射線像変換パネル製造装置）を用いて、以下の３種類の方法で放射線像変換パネルを作製した。
【０１１７】
すなわち、基板をセット後、
（１）面検査装置による基板表面の検査を行わず、蒸着工程を行ったもの：これを比較例１とする
（２）真空チャンバ内を真空引きせず、大気圧下で面検査装置による基板表面の検査を行った上で蒸着工程を行ったもの：これを比較例２とする
（３）真空チャンバ内を真空引きした後に、中真空下で面検査装置による基板表面の検査を行った上で蒸着工程を行ったもの：これを実施例１とする
の３種類の処理手順による蛍光体シート（蛍光体層を有する基板）を、各１０枚ずつ製造した。
【０１１８】
本実施例においては、上述の比較例１、比較例２および実施例１の放射線像変換パネルについて、均一な放射線露光を行った際に得られた画像の点欠陥数をそれぞれ調べた。
なお、各放射線像変換パネルの構成は、図６に示すように、基板７０に蛍光体層７２が設けられ、この蛍光体層７２を封止する防湿保護層７４が設けられた構成とした。
また、基板には、アルミニウム合金基板（ＹＨ７５（白銅（株）製）を用いた。また、基板の大きさは、４５０ｍｍ×４５０ｍｍ×１０ｍｍとした。
【０１１９】
比較例１，比較例２および実施例１の放射線像変換パネルは、上述の、基板をセット後における、蒸着開始前の基板に対する処理が異なるのみで、その他の工程に関しては、先に説明した製造方法によっている。この概要は、以下の通りである。
【０１２０】
基板７０を基板ホルダ３９にセットした状態で、基板ホルダ３９ごと基板７０をプラズマ洗浄装置にセットした。そして、プラズマ洗浄装置により、圧力が１ＰａのＡｒガス雰囲気下、電力が５００Ｗ、時間が６０秒の条件でＡｒプラズマを発生させて基板７０表面の洗浄を行った後、基板ホルダ３９ごと基板７０を真空チャンバ１２内の基板保持搬送機構１４の基板保持手段２６にセットした。
【０１２１】
次に、ＣｓＢｒ蒸発源（成膜材料）およびＥｕＢｒ２蒸発源（成膜材料）を真空チャンバ１２内の加熱蒸発部１６の抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した。
ここでは、蒸発源（成膜材料）として、純度が４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度が３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）の溶融品を用意した。ＥｕＢｒ２溶融品は、酸化を防ぐため十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて、白金製ルツボに粉体を入れ、温度８００℃に加熱して溶融、冷却後、炉から取り出して作製したものを用いている。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）はそれぞれ１０質量ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）などの他の元素は、２質量ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０質量ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０質量ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので、露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
なお、ここでは、基板７０と加熱蒸発部１６との距離は１００ｍｍとし、基板７０を直線搬送しながら、蛍光体層７２を形成した。
【０１２２】
ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ２蒸発源（成膜材料）を抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した後に、真空チャンバ１２の、扉１３を閉じて真空チャンバ１２を閉塞し、真空ポンプ１８を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９によって開口部１９ａを経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整した。
【０１２３】
そして、ここで、比較例１，比較例２および実施例１に対応する、基板７０の表面７０ｄについての処理を行う。この工程は、それぞれが全く異なるものなので、各態様当たり１０枚の基板についての処理が完了するまで、一つの態様に係る蛍光体層７４の形成工程を繰り返す方法で実施した。
なお、この過程で、基板７０の表面７０ｄに損傷が見られたものは見出されなかったので、基板が交換されたケースは存在しなかった。
【０１２４】
従って、ここでは、面検査装置による基板表面の検査を行わず、蒸着工程を行ったもの（比較例１）を１０枚繰り返して作製し、次に、大気圧下で面検査装置による基板表面の検査を行った上で蒸着工程を行ったもの（比較例２）を１０枚繰り返して作製し、最後に、真空チャンバ１２内を真空引きした後に、中真空下で面検査装置による基板表面の検査を行った上で蒸着工程を行ったもの（実施例１）を１０枚繰り返して作製した。
上で得られた各基板については、その都度、前述の方法に従ってこれを放射線像変換パネル８０に加工し、性能比較に備えた。
【０１２５】
なお、ここで用いた蒸着工程の諸条件の詳細は、以下の通りである。
前述の３種類の基板の処理のそれぞれが終了した後に、真空チャンバ１２内を８×１０−４Ｐａの真空度まで排気後、Ａｒガスを所定量導入して１．０Ｐａの真空度とした。
そして、基板７０と加熱蒸発部１６（ルツボ５０およびルツボ５２）との間に設けられたシャッタを閉じた状態で、各蒸発源（ＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ２）をそれぞれ抵抗加熱装置で加熱溶融させた。加熱開始から６０分経過後、まず、ルツボ５０側のシャッタだけを開いて、基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。
【０１２６】
次いで、ルツボ５０側のシャッタを開いてから所定時間が経過した後に、ルツボ５２側のシャッタも開いて、ＣｓＢｒ蛍光体母体の上へのＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体の堆積を開始した。
なお、堆積速度は６μｍ／分とした。また、加熱蒸発部１６の各々の抵抗加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が、０．００３／１となるように制御した。
【０１２７】
蒸着終了後、抵抗加熱装置の電源を切り、Ａｒガスの導入を停止した。
次に、真空チャンバ１２内に窒素ガスまたは乾燥空気を導入し、真空チャンバ１２内を大気圧にした。そして、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内から基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出した。
【０１２８】
これにより、基板７０の表面７０ｄには、蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に延びて密に林立した構造の蛍光体層７２が形成された。なお、蛍光体層７２の厚さは７００μｍであり、蛍光体層７２が形成されている面積は４００ｍｍ×４００ｍｍであった。
【０１２９】
次に、蛍光体層７２が形成された基板７０について、感度を上げるために、温度２００℃で２時間、熱処理を行った。
熱処理工程においては、まず、蛍光体層７２が形成された基板７０をガス導入可能な真空加熱装置の中に入れ、ロータリーポンプにより真空加熱装置内を約１Ｐａまで減圧し、蛍光体層７２が形成された基板７０に吸着している水分等の除去を行った。
次に、真空加熱装置内を加熱し、そして、Ｎ２（窒素）ガスを真空加熱容器内に流して、Ｎ２ガスフロー雰囲気とした。上述の如く、温度２００℃、時間２時間の熱処理条件で熱処理を行った。熱処理後、真空加熱装置から蛍光体層７２が形成された基板７０を取り出し、大気中で冷却した。
【０１３０】
次に、蛍光体層７２および基板７０の表面７０ｄの蛍光体層７２が形成されていない領域に、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布した。
次いで、ロール状に巻回された防湿保護フィルムを引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層７２の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板の表面に密着させて防湿保護層７４を形成した。
このようにして、各放射線像変換パネルを作製した。
【０１３１】
本実施例においては、上述のように作製した比較例１，比較例２および実施例１に係る各放射線像変換パネルについて、放射線画像として、一様画像を取得し、この放射線画像（一様画像）における点欠陥を調べた。
【０１３２】
ここでの、各放射線像変換パネルにより得られた放射線画像（一様画像）の点欠陥の測定方法について説明する。
先ず、放射線像変換パネルの表面全面に、タングステン管球を用い、管電圧が８０ｋＶのＸ線を線量１０ｍＲ（２．５８×１０−６Ｃ／ｋｇ）で照射した後、ラインスキャナ方式の画像読取装置（波長が６６０ｎｍの半導体レーザ光を照射し、放射線像変換パネルの表面から放射された輝尽発光光を、ライン状に受光素子が配置されたＣＣＤで受光するもの）で読み取り、読み取った光（受光した光）を電気信号に変換して、放射線画像として一様画像を得た。この放射線画像（一様画像）をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。
【０１３３】
次に、各放射線像変換パネルについて、得られたフィルムに記録された放射線画像（一様画像）について、シャウカステンを用いて放射線画像（一様画像）の中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲（１０ｃｍ□：１００ｃｍ２）において、白く抜けた点を点欠陥としてその個数を目視により数えた。このようにして、点欠陥の個数を測定した。
下記の表１に、この結果である各放射線像変換パネルの点欠陥の個数を示す。
【０１３４】
【表１】
2007308760.tif 000003
【０１３５】
上記表１に示すように、実施例１に係る放射線像変換パネルは、比較例１，比較例２に係る放射線像変換パネルに比して、点欠陥の個数が大幅に減少しており、実施例１に係る放射線像変換パネルの優秀性、すなわち本発明の効果が顕著であることが確認された。
このように、本発明の放射線像変換パネルの製造方法においては、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができた。
【０１３６】
繰り返しになるが、本発明は上記実施形態並びに実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の一実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）はその模式的側断面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。
【図３】図１（ａ）に示す蛍光体シート製造装置の加熱蒸発部を示す模式的平面図である。
【図４】一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法に用いられる面検査装置を示す模式図である。
【図５】一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法に用いられるクリーニングローラを示す模式図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図７】放射線像変換パネルにおける点欠陥を説明する模式図である。
【符号の説明】
【０１３８】
１０  放射線像変換パネル製造装置（製造装置）
１２  真空チャンバ
１４  基板保持搬送手段
１６  加熱蒸発部
１８  真空ポンプ
１９  ガス導入ノズル
２０  制御部
２２  駆動手段
２４  ＬＭガイド
２６  （基板）保持手段
３０  保持部材
３２  ボールネジ
３４  モータ
３６  基台
３８  保持機構
４０  防熱部材
５０，５２  ルツボ
７０  基板
７０ｂ  基板の溝
７０ｃ  枠
７０ｄ  基板の表面
７２  輝尽性蛍光体層（蛍光体層）
７４  防湿保護層
７６  接着層
８０  放射線像変換パネル
９０  除塵部
９４  クリーニングローラ部
９４ａ  支持部
９４ｂ  ローラ
１００  面検査装置
１０６  ＣＣＤカメラ
Ｈ  ヒロック
【図１】
2007308760.tif 000004
【図２】
2007308760.tif 000005
【図３】
2007308760.tif 000006
【図４】
2007308760.tif 000007
【図５】
2007308760.tif 000008
【図６】
2007308760.tif 000009
【図７】
2007308760.tif 000010