(57)【要約】【課題】良好な電気特性を有し、耐スクラッチ性が改善される画像形成部材を提供する。【解決手段】任意選択の支持基材と、光生成層と、少なくとも一つの電荷輸送成分と少なくとも一つの式、2007334352.tif 000025（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、およびハロゲンから成る群から独立に選択され、ｎプラスｍ（ｎ＋ｍ）の合計は約１〜約１０である。）で表されるＣ−エーテルとを含む少なくとも一層の電荷輸送層と、を備える可撓性画像形成部材である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意選択の支持基材と、
光生成層と、
少なくとも一つの電荷輸送成分と少なくとも一つの式、
【化１】
2007334352.tif 000022
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、およびハロゲンから成る群から独立に選択され、ｎプラスｍ（ｎ＋ｍ）の合計は約１〜約１０である。）で表されるＣ−エーテルとを含む少なくとも一層の電荷輸送層と、
を備えることを特徴とする可撓性画像形成部材。
【請求項２】
請求項１に記載の画像形成部材において、
前記Ｃ−エーテルが、１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、および任意選択にこれらの混合物から成る群から選択されることを特徴とする画像形成部材。
【請求項３】
請求項１に記載の画像形成部材において、
前記ｎが、３〜約７の数であることを特徴とする画像形成部材。
【請求項４】
請求項１に記載の画像形成部材において、
前記電荷輸送成分が、アリールアミン分子を含み、このアリールアミンが、次式、
【化２】
2007334352.tif 000023
（式中、Ｘはアルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンから成る群から選択される。）で表されることを特徴とする画像形成部材。
【請求項５】
請求項１に記載の画像形成部材において、
前記電荷輸送成分が、アリールアミン分子を含み、このアリールアミンが、次式、
【化３】
2007334352.tif 000024
（式中、ＸとＹはアルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンから成る群から独立に選択される。）で表されることを特徴とする画像形成部材。
【請求項６】
請求項１に記載の画像形成部材において、
前記光生成層が、チタニルフタロシアニンまたはヒドロキシガリウムフタロシアニンを含むことを特徴とする画像形成部材。
【請求項７】
請求項１に記載の画像形成部材において、
前記少なくとも一層の電荷輸送層が底部層と頂部層とを含み、前記Ｃ−エーテルが、約０．１〜約３０重量％の量で存在し、そして前記底部層が、前記光生成層と前記頂部電荷輸送層との間に位置していることを特徴とする画像形成部材。
【請求項８】
支持基材と、その上の光生成層と、複数の電荷輸送層とを含む可撓性光導電体において、
前記電荷輸送層の少なくとも一層が、１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、またはトリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼンの内の少なくとも一つのエーテルを含むことを特徴とする可撓性光導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に、層構造の画像形成部材、光受容体、光導電体などに関する。具体的には、本開示は、多層構造の可撓性ベルト式画像形成部材、すなわち、基材のような任意選択の支持媒体と、光生成層（photogenerating layer）と、電荷輸送層、特に第一電荷輸送層と第二電荷輸送層とのような複数の電荷輸送層と、任意選択の接着層と、任意選択のホール阻止層またはアンダーコート層と、任意選択のオーバーコート層とから構成されるデバイスに関する。同デバイスでは、電荷輸送層の内の少なくとも一層が、少なくとも一種の電荷輸送成分と、ポリマまたは樹脂のバインダと、Ｃ−エーテルやポリフェニルエーテルやポリフェニルチオエーテルのような好適なエーテルと、任意選択の酸化防止剤とを含有する。さらに、光生成層と、電荷輸送層の内の少なくとも一層は、実施の形態でチオホスフェートを含有し得る。本明細書に記載の光受容体は、実施の形態では、優れた耐摩耗性と長寿命を備えると共に、部材の表面層（複数を含む）上に生じ易いスクラッチの防止または最小限化が可能である。スクラッチがあると、望ましくないプリント欠陥が生じるおそれがあり、例えば、作成された最終プリントにスクラッチが目視される。さらに、実施の形態では、本明細書に開示の画像形成部材は、多くの場合Ｖｒ（残留ポテンシャル）が優れて低く、適切に行えばＶｒサイクルアップを顕著に防止可能であり、感度が高く、画像ゴースト特性が低く許容可能であり、望ましいトナークリーニング性を備える。特に、本明細書の実施の形態に示されるのは、画像形成部材に好適なエーテル類を含有させると、耐スクラッチ特性が向上するということであり、さらに任意選択で好適なチオホスフェート類を含有させると、優れた電気特性が画像形成部材に得られるということである。
【背景技術】
【０００２】
従来、多くの層構造の光応答性画像形成部材が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第４，２６５，９９０号明細書
【特許文献２】米国特許第３，１２１，００６号明細書
【特許文献３】米国特許第３，８７１，８８２号明細書
【特許文献４】米国特許第４，５５５，４６３号明細書
【特許文献５】米国特許第４，５８７，１８９号明細書
【特許文献６】米国特許第４，９２１，７６９号明細書
【特許文献７】米国特許第６，２５５，０２７号明細書
【特許文献８】米国特許第６，１７７，２１９号明細書
【特許文献９】米国特許第６，１５６，４６８号明細書
【特許文献１０】米国特許第５，５２１，３０６号明細書
【特許文献１１】米国特許第５，４８２，８１１号明細書
【特許文献１２】米国特許第５，４７３，０６４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
良好な電気特性を有し、耐スクラッチ性が改善される画像形成部材が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、任意選択の支持基材と、光生成層と、少なくとも一つの電荷輸送成分と少なくとも一つの式、
【化１】
2007334352.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、およびハロゲンから成る群から独立に選択され、ｎプラスｍ（ｎ＋ｍ）の合計は約１〜約１０である。）で表されるＣ−エーテルとを含む少なくとも一層の電荷輸送層と、を備える可撓性画像形成部材である。
【０００６】
また、前記画像形成部材において、前記Ｃ−エーテルが、１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、および任意選択にこれらの混合物から成る群から選択されることが好ましい。
【０００７】
また、前記画像形成部材において、前記ｎが、２〜約９の数であることが好ましい。また、前記画像形成部材において、前記ｍが、３〜約８の数であることが好ましい。また、前記画像形成部材において、前記ｎが、３〜約７の数であることが好ましい。
【０００８】
また、前記画像形成部材において、前記電荷輸送成分が、アリールアミン分子を含み、このアリールアミンが、次式、
【化２】
2007334352.tif 000003
（式中、Ｘはアルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンから成る群から選択される。）で表されることが好ましい。
【０００９】
また、前記画像形成部材において、前記電荷輸送成分が、アリールアミン分子を含み、このアリールアミンが、次式、
【化３】
2007334352.tif 000004
（式中、ＸとＹはアルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンから成る群から独立に選択される。）で表されることが好ましい。
【００１０】
また、前記画像形成部材において、前記光生成層が、チタニルフタロシアニンまたはヒドロキシガリウムフタロシアニンを含むことが好ましい。
【００１１】
また、前記画像形成部材において、前記少なくとも一層の電荷輸送層が底部層と頂部層とを含み、前記Ｃ−エーテルが、約０．１〜約３０重量％の量で存在し、そして前記底部層が、前記光生成層と前記頂部電荷輸送層との間に位置していることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、支持基材と、その上の光生成層と、複数の電荷輸送層とを含む可撓性光導電体において、前記電荷輸送層の少なくとも一層が、１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、またはトリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼンの内の少なくとも一つのエーテルを含む可撓性光導電体である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
開示されるのは、本明細書に記載の多くの利点を有する画像形成部材である。得られる利点としては、例えば約３，５００，０００回を超える画像形成サイクルを可能とする長寿命、優秀な電子特性、安定な電気特性、低い画像ゴースト発生、ある種の溶媒蒸気に対する電荷輸送層の耐亀裂性、優秀な表面特性、改良された耐摩耗性、多くのトナー組成物との相溶性（compatibility）、画像処理部材スクラッチの防止または最小限化、一貫性あるＶｒ（残留ポテンシャル）特性などが挙げられる。示されるＶｒは、多数回の画像形成サイクルに対して変化が実質的にフラットもしくは皆無であり、このことは既知のＰＩＤＣ（光誘導放電曲線）の作成で示される。
【００１４】
さらに、開示されるのは、機械的に堅牢で、溶剤に耐性のある電荷輸送層を備える積層ベルト式感光性または光導電性画像形成部材である。
【００１５】
また、開示されるのは、耐摩耗性と耐スクラッチ性を有する層（複数を含む）から構成される積層可撓ベルト式光受容体であり、好適なエーテル類とチオホスフェート類の添加によって部材の表面硬度が高められ、多数回の画像形成サイクルによる光導電体老化を主原因とするＶｒサイクルアップが防止される。
【００１６】
本開示の光導電体を選択し得る静電式電子写真撮像装置では、複写対象のオリジナル光像が感光性部材の上に静電潜像の形で記録され、この潜像が以降の工程で電子写真用熱可塑性樹脂粒子を適用して可視化される。この電子写真用熱可塑性樹脂粒子は、一般にトナーと称される。具体的には、光受容体の表面が帯電器で帯電される。帯電器には電源から電圧が印加される。光受容体は、光学系、すなわち、画像入力装置、例えば、レーザや発光ダイオードからの光で画像の形に露光され、その上に静電潜像が形成される。一般に、静電潜像はトナーとキャリア粒子とを混合した現像剤で現像される。現像は、既知のプロセス、例えば、磁気ブラシ、パウダークラウド、高撹拌ゾーン現像、または他の既知の現像プロセスで行われる。
【００１７】
本開示の態様は、任意選択の支持基材と、光生成層（電荷発生層）と、少なくとも一つの電荷輸送層成分と式、
【化４】
2007334352.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、およびハロゲン、およびこれらの混合物から成る群から独立に選択され、ｎプラスｍ（ｎ＋ｍ）の合計は約１〜約１０である。）で表される少なくとも一つのＣ−エーテルとを含む少なくとも一層の電荷輸送層と、を備える可撓性画像形成部材に関する。
【００１８】
アルキルは、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、ノニル等であり、アルコキシは、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、ノノキシ等であり、アリールは、例えばフェニル、ナフチル等である。
【００１９】
また、支持基材と、その上の光生成層と、複数の電荷輸送層とを順次に備える可撓性画像形成部材であって、前記電荷輸送層の少なくとも一層が少なくとも一つの電荷輸送成分と式／構造、
【化５】
2007334352.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、およびハロゲン、およびこれらの混合物から成る群から独立に選択され、ｎとｍとは各々好適な数を示す。）で表される少なくとも一つのエーテルとを含む可撓性画像形成部材に関する。
【００２０】
また、支持基材と、その上の光生成層と、複数の電荷輸送層とを順次に備える可撓性画像形成部材であって、前記電荷輸送層の少なくとも一層が、１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、またはトリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼンの内の少なくとも一つのエーテルを含む可撓性画像形成部材に関する。
【００２１】
また、任意選択の支持基材と、光生成層と、少なくとも一つの電荷輸送層成分と式、
【化６】
2007334352.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、およびハロゲン、およびこれらの混合物から成る群から独立に選択され、ｎプラスｍ（ｎ＋ｍ）の合計は約１〜約１０である。）で表される少なくとも一つのＣ−エーテルとチオホスフェートとを含む少なくとも一層の電荷輸送層と、を備える画像形成部材に関する。
【００２２】
また、基材と、光生成層と、少なくとも一つの電荷輸送成分と式、
【化７】
2007334352.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、およびハロゲン、およびこれらの混合物から成る群から独立に選択され、ｎとｍとは各々好適な数を示す。）で表される少なくとも一つのＣ−エーテルと式、
【化８】
2007334352.tif 000009
【化９】
2007334352.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は各々水素原子、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキルアリール、またはアリールアルキル、またはこれらの混合物を独立に示す。）で表される少なくとも一つのチオホスフェートとを含む少なくとも一層の電荷輸送層と、を備える光導電体に関する。
【００２３】
また、基材と、光生成層と、少なくとも一つの電荷輸送成分と式、
【化１０】
2007334352.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、およびハロゲンから成る群から独立に選択され、ｎとｍとは各々好適な数を示す。）で表される少なくとも一つのエーテルとを含む少なくとも一層の電荷輸送層とを備える光導電体であって、前記電荷輸送層の少なくとも一層がジアルキルジチオホスフェートを含有する光導電体に関する。
【００２４】
基材層の厚さは、多くの因子、例えば、経済的考慮、電気特性などに依存し、従って、この層は、相当程度の厚さ、例えば、３，０００μｍ超とし得るし、例えば、約３００〜約７００μｍ、または最小の厚さともし得る。実施の形態では、この層の厚さは、約７５μｍ〜約３００μｍ、または約１００〜約１５０μｍである。
【００２５】
基材は不透明でも実質的に透明でも差し支えなく、所要の機械特性を有するどのような好適な材料からも構成し得る。従って、基材は、無機または有機の組成物のような電気不導体または電気良導体の層で構成し得る。電気不導体の材料としては、ポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリアミド類、ポリウレタン類などの、この目的のために既知の多岐にわたる樹脂を採用し得る。これらは薄膜のように可撓性を有する。電気良導体基材は、どのような好適な金属、例えば、アルミニウム、ニッケル、鋼、銅など、あるいは上記のようなポリマ素材で、炭素、金属粉などの導電性物質を充填したもの、または有機導電性材料でよい。電気絶縁性にしろ、導電性にしろ、基材は、エンドレス可撓性ベルト、ウェブ、硬質シリンダ、シートなどの形で用い得る。基材層の厚さは、所望の強度や経済的考慮を含む極めて多くの因子に依存する。ドラムに対しては、この層は、相当程度の厚さ、例えば、最大数ｃｍ、または１ｍｍ未満の最小厚さとし得る。同様に、可撓性ベルトも相当程度の厚さ、例えば、約２５０μｍ、または約５０μｍ未満の最小厚さとし得る。もっとも、これらは、最終的な電子写真装置に悪影響がない場合であるが。
【００２６】
基材層が導電性を有しない実施の形態では、その表面を、導電性コーティングで導電性に変え得る。導電性コーティングの厚さは、相当広い範囲に変化し、光学的透明性、所望の可撓性、および経済的因子に依存する。
【００２７】
基材の説明的実施例は、本明細書に記載の通りで、具体的には本開示の画像形成部材に選択される層である。前記基材は、不透明でも実質的に透明でも差し支えなく、無機または有機のポリマ材料を含む絶縁材の層、例えば、市販のポリマであるＭＹＬＡＲ（商標）や含ＭＹＬＡＲ（登録商標）チタン、インジウム錫酸化物のような半導体表面層を有する有機または無機の材料の層、またはアルミニウムを表面処理したもの、またはアルミニウム、クロム、ニッケル、真鍮などを含む導電性材料から構成される。基材は、可撓性でも、シームレスでも、あるいは硬質のものでも差し支えなく、多くの相異なる構成、例えば、板、円筒形ドラム、巻物、エンドレス可撓性ベルトなどの構成を取り得る。実施の形態では、基材はシームレス可撓性ベルトの形状である。幾つかの状況では、特に基材が可撓性有機ポリマ材であるときは、基材の裏側にカール防止層、例えば、ＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）として市販のポリカーボネート材料をコーティングするのが望ましいことがある。
【００２８】
実施の形態の光生成層は、例えば、タイプＶヒドロキシガリウムフタロシアニンまたはクロロガリウムフタロシアニン約６０重量％と、ポリ（塩化ビニル／酢酸ビニル）コーポリマ、例えば、ＶＭＣＨ（ダウ・ケミカル社（Dow Chemical）から市販）のような樹脂バインダ約４０重量％と、を含む。一般に、光生成層は、既知の感光性顔料、例えば、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、アルキルヒドロキシガリウムフタロシアニン類、ヒドロキシガリウムフタロシアニン類、クロロガリウムフタロシアニン類等のハロガリウムフタロシアニン類、ペリレン類、特にビス（ベンズイミドアゾ）ペリレン、チタニルフタロシアニン類など、そして特に、バナジルフタロシアニン類、タイプＶヒドロキシガリウムフタロシアニン類、そして無機成分、例えば、セレン、セレン合金、および三方晶系セレンなどを含み得る。感光性顔料は、電荷輸送層用に選択された樹脂バインダと同様な樹脂バインダに分散可能であるが、別法としては、樹脂バインダがなくて済むこともある。一般に、光生成層の厚さは、他の層の厚さや光生成層に含有の感光性材料の量を含む多くの因子に依存する。従って、この層は、例えば、約０．０５μｍ〜約１０μｍ、より具体的には約０．２５μｍ〜約２μｍで、そのとき感光性組成物は、例えば、約３０〜約７５容量％の量で存在する。実施の形態でのこの層の最大厚さは、主に感光性、電気特性、機械的考慮のような因子に依存する。光生成層バインダ樹脂は、多岐にわたる好適な量、例えば、約１〜約５０重量％、特には約１〜約１０重量％の量で存在し、樹脂の種類としては多くの既知のポリマから選択し得る。該ポリマの例としては、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリ塩化ビニル、ポリアクリレート類とポリメタクリレート類、塩化ビニルと酢酸ビニルとのコーポリマ類、フェノール樹脂、ポリウレタン類、ポリ（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、ポリスチレンなどが挙げられる。コーティング溶媒の選択に当たって望ましいことは、デバイスにすでにコーティングされている他の層に実質的に妨害を加えないこと、あるいは悪影響を及ぼさないことである。光生成層に使用されるコーティング溶媒の例としては、ケトン類、アルコール類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化脂肪族炭化水素類、エーテル類、アミン類、アミド類、エステル類などが挙げられる。具体的な溶媒の例として、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、テトラハイドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、メトキシエチルアセテートなどが挙げられる。
【００２９】
実施の形態では、光生成層と電荷輸送層に対するマトリクスとして選択し得るポリマ系バインダ材料の例は、既知であり、例えば、米国特許第３，１２１，００６号に記載されている。バインダの例として、熱可塑性と熱硬化性の樹脂があり、例えば、ポリカーボネート類、ポリエステル類、ポリアミド類、ポリウレタン類、ポリスチレン類、ポリアリールエーテル類、ポリアリールスルホン類、ポリブタジエン類、ポリスルホン類、ポリエーテルスルホン類、ポリエチレン類などが挙げられる。
【００３０】
感光性組成物または顔料は、様々な量で樹脂バインダ組成物に存在する。しかし、一般に、感光性顔料約容量５％〜約９０容量％が、樹脂バインダ約９５容量％〜約１０容量％に分散される。あるいは、感光性顔料約２０容量％〜約３０容量％が、樹脂バインダ組成物約８０容量％〜約７０容量％に分散される。実施の形態の一つでは、感光性顔料約８容量％が、樹脂バインダ組成物約９２容量％に分散される。
【００３１】
。
本開示の実施の形態における光生成層のコーティングは、噴霧、浸漬、またはワイヤバー法で行うことができ、光生成層の最終乾燥厚さは、本明細書に記載の通りで、例えば、約０．０１〜約３０μｍを、例えば、約１５〜約９０分間に約４０℃〜約１５０℃で乾燥した後に得ることができる。具体的には、例えば、約０．１〜約３０μｍ、または約０．５〜約２μｍの厚さの光生成層が、基材上や基材と電荷輸送層との間の他の表面上などに塗布または堆積される。電荷ブロック層またはホール阻止層を、光生成層を成膜する前に導電性表面に任意選択に成膜することができる。所望の場合、接着層を、電荷ブロックまたはホール阻止層または中間層と光生成層との間に備えることができる。通常、光生成層がブロック層の上に成膜され、一層の電荷輸送層または複数層の電荷輸送層が光生成層上に形成される。この構造では、光生成層を電荷輸送層の上に設けることも、あるいはその下に設けることも可能である。
【００３２】
実施の形態では、好適な既知の接着層を、本発明の光導電体に備え得る。典型的な接着層の材料としては、例えば、ポリエステル類、ポリウレタン類などが挙げられる。接着層厚さは、変わり得るが、実施の形態では、例えば、約０．０５μｍ（５００Å）〜約０．３μｍ（３，０００Å）である。接着層は、ホール阻止層に噴霧、浸漬コーティング、ロールコーティング、ワイヤ巻きロッドコーティング、グラビアコーティング、バードアプリケータコーティングなどで堆積可能である。堆積された塗膜の乾燥は、例えば、オーブン乾燥、赤外線輻射乾燥、空気乾燥などで行い得る。
【００３３】
ホール阻止層と光生成層とに通常接触される、またはそれらの間に設置される任意選択の接着層として多岐にわたる既知の物質を選択可能で、例としてコポリエステル類、ポリアミド類、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、およびポリアクリロニトルなどがある。この層は、例えば、約０．００１μｍ〜約１μｍ、または約０．１μｍ〜約０．５μｍの厚さである。任意選択であるが、この層は、好適な効果的量、例えば、約１〜約１０重量％の導電性または非導電性の粒子、例えば、酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコン、カーボンブラックなどを含有し、例えば、本開示の実施の形態において、さらに望ましい電気特性や光学特性が得られる。
【００３４】
本開示の画像形成部材に使用される任意選択のホール阻止またはアンダーコート層は、既知のホール阻止成分を含む多くの成分を含み得る。例としては、アミノシラン類、ドープ処理金属酸化物類、ＴｉＳｉ、さらにはチタン、クロム、亜鉛、すずなどの金属の酸化物、フェノール化合物とフェノール樹脂との混合物または２種のフェノール樹脂の混合物、任意選択のＳｉＯ２のようなドーパントなどが挙げられる。前記フェノール化合物は、通常、少なくとも２個のフェノール基を含み、例えば、ビスフェノールＡ（４，４’−イソプロピリデンジフェノール）、ビスフェノールＥ（４，４’−エチリデンビスフェノール）、ビスフェノールＦ（ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン）、ビスフェノールＭ（４，４’−（１，３−フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、ビスフェノールＰ（４，４’−（１，４−フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、ビスフェノールＳ（４，４’スルホニルジフェノール）、およびビスフェノールＺ（４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール）、さらにヘキサフルオロビスフェノールＡ（４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール）、レゾルシノール、ヒドロキシキノン、カテキンなどが例として挙げられる。
【００３５】
ホール阻止層は、金属酸化物のような好適な成分、例えば、ＴｉＯ２が約２０重量％〜約８０重量％、より特定的には約５５重量％〜約６５重量％、フェノール樹脂が約２０重量％〜約７０重量％、より特定的には約２５重量％〜約５０重量％、少なくとも２個のフェノール基を含んでいるフェノール化合物、例えば、ビスフェノールＳが約２重量％〜約２０重量％、より特定的には約５重量％〜約１５重量％、およびプライウッド抑制ドーパント、例えば、ＳｉＯ２が約２重量％〜約１５重量％、より特定的には約４重量％〜約１０重量％を含む。ホール阻止層コーティング分散物は、例えば、次のように調製し得る。金属酸化物／フェノール樹脂分散物の調製が、先ず、ボールミルまたはダイノーミルなどで微粉砕し、分散物中の金属酸化物の平均粒子径が約１０ｎｍ未満、例えば、約５〜約９ｎｍとなるようにすることによって行われる。上記分散物に、フェノール化合物とドーパントを添加し、その後に良く撹拌する。ホール阻止層コーティング分散物は、浸漬コーティングまたはウェブコーティングによって塗布可能で、層はコーティング後に熱硬化し得る。得られたホール阻止層は、例えば、約０．０１μｍ〜約３０μｍ、より特定的には約０．１μｍ〜約８μｍの厚さである。フェノール樹脂の例としては、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、クレゾールとのホルムアルデヒド系ポリマ、例えば、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９１５９と２９１０１（オキシケム社（OxyChem Company）から市販）やＤＵＲＩＴＥ（商標）９７（ボルデンケミカル社（Borden Chemistry）から市販）、アンモニア、クレゾール、およびフェノールとのホルムアルデヒド系ポリマ、例えば、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９１１２（オキシケム社（OxyChem Company）から市販）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノールとのホルムアルデヒド系ポリマ、例えば、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９１０８と２９１１６（オキシケム社（OxyChem Company）から市販）、クレゾール及びフェノールとのホルムアルデヒド系ポリマ、例えば、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９４５７（オキシケム社（OxyChem Company）から市販）やＤＵＲＩＴＥ（商標）ＳＤ−４２３Ａ、ＳＤ−４２２Ａ（ボルデンケミカル社（Borden Chemistry）から市販）、またはフェノール及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとのホルムアルデヒド系ポリマ、例えば、ＤＵＲＩＴＥ（商標）ＥＳＤ５５６Ｃ（ボルデンケミカル社（Border Chemical）から市販）などが挙げられる。
【００３６】
電荷、特にホールの輸送層に選択されるアリールアミン類は、本明細書に記載の通りで、その層は、一般に、約５μｍ〜約７５μｍの厚さ、より特定的には約１０μｍ〜約４０μｍの厚さを有するが、以下の式、
【化１１】
2007334352.tif 000012
で表される分子（式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリールまたはハロゲンであり、特に、Ｃｌ及びＣＨ３から選択される置換基である。）、および以下の式、
【化１２】
2007334352.tif 000013
で表される分子（式中、Ｘ及びＹは、独立にアルキル、アルコキシ、ハロゲンから選択される。）を含む。
【００３７】
上記アルキル、アルコキシは、炭素数１〜約２５、特に炭素数１〜約１２であり、アリールは、炭素数６〜約３６であることが好ましい。
【００３８】
特定のアリールアミン類の例としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン（このアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルなどから成る群から選択される。）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（このハロ置換基はクロロ置換基である。）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−o−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミンなどが挙げられる。
【００３９】
実施の形態では、電気的に不活性なバインダは、約２０，０００〜約１００，０００の分子量、または好ましくは約５０，０００〜約１００，０００の重量平均分子量Ｍｗを有するポリカーボネート樹脂を含む。一般に、輸送層は、電荷輸送材料を約１０〜約７５重量％、より特定的にはこの材料を約３５％〜約５０重量％含有する。
【００４０】
ホールを高効率で光生成層に注入可能で、しかもホールを短い輸送時間で輸送層中を輸送する小分子の電荷輸送化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−o−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミンが挙げられる。所望ならば、電荷輸送層中の電荷輸送材料は、ポリマ系の電荷輸送材料、または小分子の電荷輸送材料とポリマ系の電荷輸送材料とを組み合わせた材料とし得る。
【００４１】
実施の形態の電荷輸送層の各々の厚さは、約１０〜約７０μｍであるが、この範囲の外側の厚さも実施の形態では選択し得る。電荷輸送層は、ホール輸送層に置かれた静電電荷が、その上の静電潜像の形成と保持を防止するに十分なレートの照射が存在しなければ導電されないという程度には絶縁体でなければならない。一般に光生成層に対する電荷輸送層の厚さの比は、約２：１〜２００：１、幾つかの例では４００：１とし得る。電荷輸送層は、使用目的の領域では可視光または放射線に対しては実質的に非吸収性であるが、光で生成されたホールを光導電層、すなわち光生成層から注入が可能で、しかもこれらホールが、層自体を通って輸送され、アクティブ層の表面の表面電荷を選択的に放電し得るという点で電気的には「アクティブ」である。
【００４２】
選択される連続電荷輸送オーバーコート層の厚さは、採用されるシステムにおける帯電器（バイアス帯電ロール）、クリーニング装置（ブレードまたはウェブ）、現像器（ブラシ）、転写器（バイアス転写ロール）などの研磨性に依存し、最大約１０μｍとし得る。実施の形態では、各層に対するこの厚さは、約１μｍ〜約５μｍである。様々な好適な従来方法を使用して混合し、その後オーバーコート層コーティング混合液を光生成層に成膜する。典型的な成膜技法としては、噴霧、浸漬コーティング、ロールコーティング、ワイヤ巻きロッドコーティングなどがある。堆積したコーティングの乾燥は、どのような好適な従来技法、例えば、オーブン乾燥、赤外線輻射乾燥、空気乾燥などで行ってもよい。本開示に記載の乾燥オーバーコート層は、画像形成の際にホールを輸送する機能を有することが必要で、遊離キャリア濃度も過大であってはならない。オーバーコート中の遊離キャリア濃度が高いと、暗減衰が増大する。
【００４３】
オーバーコート層（複数を含む）は、電荷輸送層と同じ成分で構成し得るが、（電荷輸送小分子）／（好適な電気的不活性樹脂バインダ）の重量比は小さくし、例えば、約０／１００〜約６０／４０、または約２０／８０〜約４０／６０とする。
【００４４】
本開示は以下に関する。エーテル成分、例えば、Ｃ−エーテル、ポリフェニルエーテル、ポリフェニルチオエーテル、またはこれらの混合物が、約０．１〜約３０重量％、または約１〜約１０重量％の量で存在する画像形成部材に関する。
【００４５】
また、光生成層が、約５〜約９５重量％の量の感光性顔料を含有する画像形成部材に関する。
【００４６】
また、光生成層の厚さが、約０．１〜約４μｍである画像形成部材に関する。
【００４７】
また、光生成層が、ポリマ系バインダを含有する画像形成部材に関する。
【００４８】
また、バインダが、約５０〜約９０％の量で存在し、層の成分の合計が約１００％である画像形成部材に関する。
【００４９】
また、感光性成分が、約３７０〜約９５０ｎｍの波長の光を吸収するヒドロキシガリウムフタロシアニンである画像形成部材に関する。
【００５０】
また、支持基材が、金属を含む導電性基材を含む画像形成部材に関する。
【００５１】
また、導電性基材が、アルミニウム、アルミニウム処理ポリエチレンテレフタレート、またはチタン処理ポリエチレンテレフタレートである画像形成部材に関する。
【００５２】
また、光生成層に使用の樹脂バインダが、ポリエステル類、ポリビニルブチラール類、ポリカーボネート類、ポリスチレン−ｂ−ポリビニルピリジン、およびポリビニルホルマール類から成る群から選択される画像形成部材に関する。
【００５３】
また、感光顔料が、無金属フタロシアニンである画像形成部材に関する。
【００５４】
また、電荷輸送層各々、または少なくとも一層が、次式、
【化１３】
2007334352.tif 000014
（式中、ＸとＹとは独立にアルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはこれらの混合基である。）を含む画像形成部材に関する。
【００５５】
また、アルキルとアルコキシが、約１〜約１２の炭素数を有する画像形成部材に関する。
【００５６】
また、アルキルが、約１〜約５の炭素数を有する画像形成部材に関する。
【００５７】
また、タイプＶヒドロキシガリウムフタロシアニンが、Ｘ線回折計で測定すると、ブラッグ（Bragg）角（２θ＋／−０．２°）７．４、９．８、１２．４、１６．２、１７．６、１８．４、２１．９、２３．９、２５．０、２８．１度に主ピークを有し、７．４度の箇所に最高ピークを有する画像形成部材に関する。
【００５８】
また、画像形成部材に静電潜像を形成するステップと、該潜像を現像するステップと、現像された静電潜像を好適な基材に転写するステップとを備える画像形成法に関する。
【００５９】
また、画像形成部材が、約３７０〜約９５０ｎｍの波長の光に露光される画像形成法に関する。
【００６０】
また、光生成層が、基材と電荷輸送層との間に設置される画像形成部材に関する。
【００６１】
また、電荷輸送層が、基材と光生成層との間に設置される画像形成部材に関する。
【００６２】
また、光生成層が、約０．１〜約５０μｍの厚さを有する画像形成部材に関する。
【００６３】
また、感光成分の量が、約０．０５重量％〜約２０重量％であり、感光顔料が任意選択でポリマ系バインダの約１０重量％〜約８０重量％の量で分散されている画像形成部材に関する。
【００６４】
また、光生成層の厚さが、約１〜約１２μｍである画像形成部材に関する。
【００６５】
また、バインダが、約５０〜約９０重量％の量で存在し、層の成分の合計が約１００％である画像形成部材に関する。
【００６６】
また、電荷輸送層が、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−o−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’’−ジアミンのホール輸送材料を含む画像形成部材に関する。
【００６７】
また、支持基材と、光生成層と、ホール輸送層と、前記ホール輸送層、または実施の形態では、前記光生成層と接触しているトップオーバーコート層とを含む光導電性画像形成部材であって、実施の形態では、複数層の電荷輸送層が、例えば、１層〜７層、１層〜３層、２層〜約１０層、特に２層から選択し得る光導電性画像形成部材に関する。
【００６８】
および任意選択の支持基材と、光生成層と、第一、第二、第三の電荷輸送層とを含む光導電性画像形成部材に関する。
【００６９】
実施の形態では、Ｃ−エーテル類の例は、本明細書に記載の通りで、例えば、以下の式／構造で表されるエーテルを含む。これらはｎ＋ｍ＋１個のベンゼン環を有する。
【化１４】
2007334352.tif 000015
（式中、ｎは、適切な数、例えば、約１〜約９であり、ｍは、適切な数、例えば、約１〜約９、ｎ＋ｍは、約１〜約１０、または約３〜約６で、チオエーテル結合とエーテルの結合の組み合わせで繋がっている。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、同一でも、相異なってもよく、例えば、Ｈ、ハロゲン、アルキル、アリール、アルコキシ、シクロアルキル、置換アルキル、置換アルコキシで、各々炭素数は、例えば、約１〜約２４、約６〜約２０、または約８〜約１８で、アリールまたは置換アリールは、炭素数が、例えば、約６〜約４２である。）
【００７０】
Ｃ−エーテル類の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【化１５】
2007334352.tif 000016
１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、
【化１６】
2007334352.tif 000017
１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、
１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、モノアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、ジアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼン、トリアルキル化１−フェノキシ−３−［［３−（フェノキシ）フェニル］］チオ］ベンゼンなど、およびこれらの混合物である。電荷輸送層または各層中のＣ−エーテルの重量％は、例えば、約０．１〜約３０重量％、または約５〜約２０重量％である。
【００７１】
実施の形態ではＣ−エーテル類の代わりに、ポリフェニルエーテル類、すなわち、次の式／構造のポリフェニルエーテルが選択される。これらはエーテル結合でリンクされたｎ＋１個のベンゼン環を有する。
【化１７】
2007334352.tif 000018
（式中、ｎは、適切な数、例えば、約１〜約１０、または約３〜約６で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は各々、同一でも、相異なってもよく、例えば、Ｈ、ハロゲン化合物（halide）、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシで、炭素数は、例えば、約１〜約２４、約６〜約２０、または約８〜約１８で、アリールは、炭素数が、約６〜約４２である。炭化水素群Ｒは、芳香族リングのどの位置で結合されていても差し支えない。）
【００７２】
ポリフェニルエーテル類の具体的な例としては、ｍ−ジフェノキシベンゼン、ビス（ｍ−フェノキシフェニル）エーテル、ｍ−フェノキシフェニル  ｐ−フェノキシフェニル  エーテル、ｍ−フェノキシフェニル  ｏ−フェノキシフェニル  エーテル、ビス（ｐ−フェノキシフェニル）エーテル、ｐ−フェノキシフェニル  ｏ−フェノキシフェニル  エーテル、ビス（ｏ−フェノキシフェニル）エーテル、ビス（フェノキシフェニル）エーテル異性体混合物、ｍ−フェノキシフェノキシ  ｍ−ビフェニル、ｍ−ビス（ｍ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、１−（ｍ−フェノキシフェノキシ）−３−（ｐ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、ｐ−ビス（ｍ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、１−（ｍ−フェノキシフェノキシ）−４−（ｐ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、ｍ−ビス（ｐ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、ｐ−ビス（ｐ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、ｏ−ビス（ｍ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、ｍ−ビス（ｏ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、ｐ−ビス（ｏ−フェノキシフェノキシ）ベンゼン、ｏ−ビス（ｏ−フェノキシフェノキシ）ベンゼンおよびビス（フェノキシフェノキシ）ベンゼン異性体混合物、およびビス（フェノキシフェノキシフェニル）エーテル異性体混合物など、およびこれらの混合物が挙げられる。選択可能な商業用ポリフェニルエーテル類としては、ＳＡＮＴＯＶＡＣ  ＯＳ−１２４（商標）（ポリフェニルエーテル）、ＯＳ−１０５（商標）（アルキル化ジフェニルエーテル）およびＯＳ−１３８（商標）（ポリフェニルエーテル）があり、これらはミズーリ州セントチャールズ（St. Charles）のサントバックフルイッヅ社（Santovac Fluids, LLC）から市販されている。電荷輸送層（複数を含む）に含まれるポリフェニルエーテルの重量％は、例えば、約０．１〜約３０重量％、または約５〜約２０重量％である。
【００７３】
Ｃ−エーテル類と本明細書に記載の他のエーテル類に代わって、次の式／構造のポリフェニルチオエーテル類を選択し得る。これらはチオエーテル結合でリンクされたｎ＋１個のベンゼン環を有する。
【化１８】
2007334352.tif 000019
（式中、ｎは、適切な数、例えば、約１〜約１０、または約３〜約６で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、同一でも、相異なってもよく、例えば、Ｈ、ハロゲン化合物（halide）またはハロゲン、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシで、炭素数は、例えば、約１〜約２４、約６〜約２０、または約８〜約１８で、アリールは、炭素数が約６〜約４２である。炭化水素群Ｒは、芳香族リングのどの位置で結合されていても差し支えない。）
【００７４】
ポリフェニルチオエーテル類の具体的な例としては、ジフェニルチオエーテル、ｍ−ビス（フェニルメルカプト）ベンゼン、ｏ−ビス（フェニルメルカプト）ベンゼン、ｐ−ビス（フェニルメルカプト）ベンゼン、ビス（フェニルメルカプト）ベンゼン異性体混合物、ビス（ｍ−フェニルメルカプトフェニル）スルフィド、ビス（ｏ−フェニルメルカプトフェニル）スルフィド、ビス（ｐ−フェニルメルカプトフェニル）スルフィド、ｍ−フェニルメルカプトフェニル  ｐ−フェニルメルカプトフェニル  スルフィド、ｍ−フェニルメルカプトフェニル  ｏ−フェニルメルカプトフェニル  スルフィド、ｐ−フェニルメルカプトフェニル  ｏ−フェニルメルカプトフェニル  スルフィド、ビス（フェニルメルカプトフェニル）スルフィド異性体混合物、ｍ−ビス（ｍ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、１−（ｍ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）−３−（ｐ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、ｐ−ビス（ｍ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、１−（ｍ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）−４−（ｐ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、ｍ−ビス（ｐ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、ｐ−ビス（ｐ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、ｏ−ビス（ｍ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、ｍ−ビス（ｏ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、ｐ−ビス（ｏ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、ｏ−ビス（ｏ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン、混合されたビス（フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼン異性体混合物などが挙げられる。選択可能な商業用ポリフェニルチオエーテル類としては、ＳＡＮＴＯＶＡＣ  ＭＣＳ−２９３（商標）（ポリフェニルチオエーテル）があり、これはミズーリ州セントチャールズ（St. Charles）のサントバックフルイッヅ社（Santovac Fluids, LLC）から市販されている。電荷輸送層または各層に含まれるポリフェニルチオエーテルの重量％は、約０．１〜約３０重量％、または約５〜約２０重量％である。
【００７５】
炭化水素群で置換されたポリフェニルチオエーテル類の例は、約６〜約２０、または約１０〜約１７の炭素数のアルキル基約１〜約３個を結合することによって得られるモノ−、ジ−またはトリ−アルキル化ポリフェニルチオエーテル類から選択し得る。例えば、モノアルキル化ｍ−ビス（フェニルメルカプト）ベンゼン、ジアルキル化ｍ−ビス（フェニルメルカプト）ベンゼン、トリアルキル化ｍ−ビス（フェニルメルカプト）ベンゼンを選択し得るが、ビス（ｍ−フェニルメルカプトフェニル）スルフィド、ｍ−ビス（ｍ−フェニルメルカプトフェニルメルカプト）ベンゼンなどのアルキレーション（alkylation）生成物も、もちろんそれらの例である。
【００７６】
さらなる実施の形態では、チオホスフェート類、特に無金属または含金属ジアルキルジチオホスフェート類のようなジアルキルジチオホスフェート類を、添加成分として電荷輸送層の少なくとも一層に、あるいは任意選択で、また独占的に光生成層に含ませるのに選択可能なことが本明細書に開示される。前記金属は、例えば、亜鉛、モリブデン、鉛、アンチモンなどである。金属ジアルキルジチオホスフェート類の例は、以下の式／構造に含まれ、あるいは表される。
【００７７】
【化１９】
2007334352.tif 000020
【化２０】
2007334352.tif 000021
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は各々、水素原子；炭素数、例えば、１〜約２０のアルキル；炭素数、例えば、６〜約２６のシクロアルキル；炭素数６〜約５０のアリール、アルキルアリール、またはアリールアルキル基；炭素数、例えば、３〜約２０であってエステル、エーテル、アルコールまたはカルボキシル基を含むヒドロカルビル基；および直鎖状でも分岐状でもよいが、炭素数、例えば、約２〜約１８または約４〜約８のアルキル基を独立に示す。アルキル基とアルコキシ基の例としては、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、エチルヘキシルなどやこれらの混合物、および対応するアルコキシドが挙げられる。）
【００７８】
含金属ジアルキルジチオホスフェート類の具体的な例としては、モリブデンジ（２−エチルヘキシル）ジチオホスフェート、亜鉛ジエチルジチオホスフェート、アンチモンジアミルジチオホスフェートなどが挙げられる。商業用の亜鉛ジアルキルジチオホスフェート類は、オハイオ州クリーブランドのエルコ社（Elco Corporation）市販のＥＬＣＯ１０２（商標）、１０３（商標）、１０８（商標）、１１４（商標）、１１（商標）、および１２１（商標）がある。多くのチオホスフェート類は、一定量の石油留分、例えば、テキサス州サンアントニオのヴァレロエナジー社（Valero Energy Corporation）市販のＶａｌＰａｒ５００（商標）のような鉱油を含んでいる。商業用のモリブデンジアルキルジチオホスフェート類には、ＭＯＬＹＶＡＮ  Ｌ（商標）（モリブデンジ（２−エチルヘキシル）ホスホロジチオエート）があり、コネチカット州ノーウォーク（Norwalk）のＲ．Ｔ．バンダービルト社（R.T.Vanderbilt Company,Inc.）から入手可能である。商業用のアンチモンジチオホスフェート類にはＶＡＮＬＵＢＥ６２２（商標）と６４８（商標）（アンチモンジアルキルホスホロジチオエート）があり、コネチカット州ノーウォーク（Norwalk）のＲ．Ｔ．バンダービルト社（R.T.Vanderbilt Company,Inc.）から入手可能である。
【００７９】
ジチオホスフェート類は、実施の形態では、光導電体に優れた電子特性を付与し得るものとして主として機能するものであるが、もっとも、理論的にはジチオホスフェート類とエーテル類のような他の成分との間に相互作用もあり得る。このジチオホスフェート類の多岐にわたる効果的な量を、各電荷輸送層および／または光生成層の成分に添加し得る。具体的には、電荷輸送層（複数を含む）に約０．０１〜約３０重量％、約０．１〜約１０重量％、または０．５〜約５重量％、そして光生成層に約０．１〜約４０重量％、約１〜約２０重量％、または約５〜約１５重量％である。
【００８０】
電荷輸送層に、または電荷輸送層の少なくとも一層に任意選択で含有され、例えば、平行電荷移行（ＬＣＭ）耐性を改良する目的で使用される成分または材料の例としては、立体障害フェノール系酸化防止剤、例えば、テトラキスメチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシナメート）メタン（チバスペシャリティケミカル社（Ciba Specialty Chemical）市販のＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（商標））やブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）や他の既知の立体障害フェノール系酸化防止剤、立体障害アミン系酸化防止剤、さらにはＳＵＭＩＬＩＺＥＲ  ＴＰ−Ｄ（商標）（住友化学（株）市販）のようなチオエーテル系酸化防止剤、ＭＡＲＫ２１１２（商標）、ＰＥＰ−８（商標）、ＰＥＰ−２４Ｇ（商標）、ＰＥＰ−３６（商標）、３２９Ｋ（商標）、ＨＰ−１０（商標）のような亜リン酸塩系酸化防止剤（旭電化（株）市販）、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、ビス［２−メチル−４−（Ｎ−２−ヒドロキシエチル−Ｎ−エチル−アミノフェニル）］−フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）などの他の分子が挙げられる。電荷輸送層の少なくとも一層に含有される酸化防止剤の重量％は、約０〜約２０重量％、約１〜約１０重量％、または約３〜約８重量％である。
【００８１】
実施の形態では、画像形成部材は、電荷輸送層が底部層と頂部層とを含み、電荷輸送層がＣ−エーテルを含み、頂部層が底部層と接触し、底部層が光生成層と接触する。
【００８２】
また、実施の形態では、頂部層は、少なくとも一つの電荷輸送成分、樹脂バインダ、任意選択の酸化防止剤、Ｃ−エーテルを含み、底部層は、少なくとも一つの電荷輸送成分、樹脂バインダ、任意選択の酸化防止剤を含む。
【００８３】
また、実施の形態では、頂部層は、少なくとも一つの電荷輸送成分、樹脂バインダ、任意選択の酸化防止剤を含み、底部層は、少なくとも一つの電荷輸送成分、樹脂バインダ、任意選択の酸化防止剤、Ｃ−エーテルを含む。
【００８４】
また、実施の形態では、頂部層は、少なくとも一つの電荷輸送成分、樹脂バインダ、任意選択の酸化防止剤、Ｃ−エーテルを含み、底部層は、少なくとも一つの電荷輸送成分、樹脂バインダ、任意選択の酸化防止剤、Ｃ−エーテルを含む。
【実施例】
【００８５】
（比較例１）
画像形成部材を以下のように調製した。すなわち、厚さ３．５ミルの二軸配向ポリエチレンナフタレート基材（ＫＡＬＥＤＥＸ（商標）２０００）上に塗工した（塗工機で）０．０２μｍ厚さのチタン層を準備し、この上に、グラビアアプリケータで、５０ｇの３−アミノ−プロピルトリエトキシシランと、４１．２ｇの水と、１５ｇの酢酸と、６８４．８ｇの変性アルコールと、２００ｇのヘプタンとを含む溶液を塗布した。次にこの層を、塗工機の強制空気ドライヤ中で１３５℃にて約５分間乾燥した。得られたホール阻止層は、乾燥厚さ５００Åを有した。次に接着層を、グラビアアプリケータを使用して、前記ホール阻止層に湿式コーティングすることによって調製した。接着剤は、テトラハイドロフラン／モノクロロベンゼン／塩化メチレンを６０／３０／１０の容量比で含む混合物中のエステルコーポリマ接着剤（ＡＲＤＥＬ  Ｄ１００（商標）、Ｔｏｙｏｔａ  Ｈｓｕｔｓｕ社（Toyota Hsutsu Inc．）市販）を全量基準で０．２重量％を含有するものであった。接着層は、次いで、塗工機の強制空気ドライヤ中で１３５℃にて約５分間乾燥した。得られた接着層は、乾燥厚さ２００Åを有した。
【００８６】
光生成層分散物を以下のように調製した。すなわち、先ず０．４５ｇの既知のポリカーボネートＬＵＰＩＬＯＮ２００（商標）（ＰＣＺ−２００）または重量平均分子量２０，０００を有し三菱ガス化学（株）市販のＰＯＬＹＣＡＲＢＯＮＡＴＥ  Ｚ（商標）と５０ｍＬのテトラハイドロフランとを４オンスのガラス瓶に導入した。この溶液に、２．４ｇのヒドロキシガリウムフタロシアニン（タイプＶ）と３００ｇの１／８−インチ（３．２ｍｍ）直径ステンレス球とを加えた。この混合物を次いでボールミルに装入して８時間粉砕にかけた。その後、２．２５ｇのＰＣＺ−２００を４６．１ｇのテトラハイドロフランに溶解し、上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン分散物に添加した。このスラリーを次いで１０分間振盪機に装入し撹拌した。その後、得られた分散液を前記接着面にバードアプリケータで塗布し、湿潤厚さ０．２５ミルを有する光生成層を形成した。ホール阻止層と接着層とを成膜した基材ウェブの一端に沿った約１０ｍｍ幅のストリップ部分は、意図的に光生成層材料を被覆しない状態のままにして置き、後で行われる接地ストリップ層との電気的接触を容易に適切に行えるようにした。電荷生成層は、強制空気オーブン中で１３５℃にて５分間乾燥し、厚さ０．４μｍの乾燥光生成層が形成された。
【００８７】
次いで、得られた画像形成部材ウェブの上に２層の電荷輸送層を被覆した。具体的には、光生成層の上に、これと接触する電荷輸送層を（底部層として）被覆した。電荷輸送層の底部層は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンと、バイエル社（Farbenfabriken Bayer A.G.）市販の重量平均分子量約５０，０００〜約１００，０００の既知のポリカーボネート樹脂であるＭＡＫＲＯＬＯＮ５７０５（登録商標）とを１：１重量比で褐色ガラス瓶に導入することによって調製した。得られた混合物を、次いで塩化メチレンに溶解し、固形物を１５重量％含有する溶液を生成した。この溶液を光生成層に塗布し、底部層皮膜とし、乾燥（１２０℃で１分間）の結果、厚さは１４．５μｍとなった。このコーティング工程の間、湿度は１５％以下であった。
【００８８】
次いで、電荷輸送層の前記底部層の上に頂部層を被覆した。頂部層の電荷輸送層溶液は、底部層について前記した方法と同様な方法で調製した。この溶液を電荷輸送層の底部層に塗布し、乾燥（１２０℃で１分間）により厚さが１４．５μｍとなった皮膜を形成した。このコーティング工程の間、湿度は１５％以下であった。
【００８９】
（実施例１）
画像形成部材を比較例１の工程を繰り返して調製する。違いは、電荷輸送層の頂部層を、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンと、バイエル社（Farbenfabriken Bayer A.G.）市販の重量平均分子量約５０，０００〜約１００，０００のポリカーボネート樹脂であるＭＡＫＲＯＬＯＮ５７０５（登録商標）と、Ｃ−エーテルである１−フェノキシ−３−［［３−（フェニルチオ）フェニル］チオ］ベンゼンとを１：１：０．２の重量比で褐色ガラス瓶に導入することによって調製することである。得られた混合物を塩化メチレンに溶解して、固形分を１５重量％含有する溶液を生成する。
【００９０】
（実施例２）
画像形成部材を比較例１の工程を繰り返して調製する。違いは、電荷輸送層の頂部層を、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンと、バイエル社（Farbenfabriken Bayer A.G.）市販の重量平均分子量約５０，０００〜約１００，０００のポリカーボネート樹脂であるＭＡＫＲＯＬＯＮ５７０５（登録商標）と、１，１−チオビス（３−フェノキシベンゼン）とを１：１：０．２の重量比で褐色ガラス瓶に導入することによって調製することである。得られた混合物を塩化メチレンに溶解して、固形分を１５重量％含有する溶液を生成する。
【００９１】
（電気特性試験）
上記で調製された三種の光受容デバイスを、スキャナ装置で試験し、帯電−消去サイクルとその後の帯電−露光−消去サイクルをシーケンスで行って光誘導放電サイクル特性を取得する。その際、光強度を順次サイクル毎に増して一連の光誘導放電特性曲線を生成し、この曲線から多数の露光強度における光感度と表面ポテンシャルとを測定する。追加的電気特性は、表面ポテンシャルを順次増加する一連の帯電−消去サイクルを行い、幾つかの電圧対電荷密度曲線を作成することによって取得する。前記スキャナには、スコロトロン（scorotron）装置を具備し、多数の値の表面ポテンシャルで一定電圧帯電を行う。上記の光受容デバイスは表面ポテンシャル５００で試験し、露光強度は、一連のＮＤ（ニュートラルデンシティ）フィルタを調節することによって順次増していく。露光源は７８０ｎｍ発光ダイオードである。電子写真シミュレーションは、周囲条件（相対湿度４０％と２２℃）で、環境制御された暗室で完結される。３本の光誘導放電特性（ＰＩＤＣ）曲線を作成する。これらの曲線が示すところによれば、Ｃ−エーテルを電荷輸送層に含有させた場合は、Ｃ−エーテルを含まない比較例の部材に比較して、光感度や暗減衰のような画像形成部材の電気特性に悪影響を与えないということである。しかし、Ｃ−エーテルが存在すると、残留ポテンシャルがわずかに増加する現象が見られる。
【００９２】
（耐スクラッチ性試験）
Ｒｑは、表面の粒状度を示すもので、耐スクラッチ評価用の標準尺度として表面粗さの二乗平均平方根と考え得る。表面プロファイル計で測定するとき、グレード１の耐スクラッチ性は耐スクラッチ性が劣ることを示し、グレード５の耐スクラッチ性は耐スクラッチ性が優れていることを示す。具体的にいえば、Ｒｑ測定値が０．３μｍ超のときは耐スクラッチ性はグレード１で、Ｒｑが０．２μｍ〜０．３μｍではグレード２であり、Ｒｑが０．１５μｍ〜０．２μｍではグレード３であり、Ｒｑが０．１μｍ〜０．１５μｍではグレード４であり、そしてＲｑが０．１μｍ未満のときグレード５で最も優れた耐スクラッチ性となる。
【００９３】
上記のように調製された３本の光導電性ベルトを、幅１インチで長さ１２インチのストリップに切断し、３軸ローラ屈曲システムで曲げ試験を行う。各ベルトの張力は１．１ポンド／インチで、各ローラは直径１／８インチである。ポリウレタン「スポットブレード（spots blade）」を５°〜１５°の角度で各ベルトに接触して設置する。サイズ径約１００μｍのキャリアビーズを、両面テープを使用して、上記スポットブレードに貼り付ける。光導電体が２００模擬画像形成サイクルにわたってスポットブレードと接触するにつれて、これらのビーズは、各ベルトの表面に当たってスクラッチを付ける。次いで、スクラッチされた各領域の表面形態を分析する。
【００９４】
電荷輸送層に上記のＣ−エーテルを含有させると、耐スクラッチ性が約３０％〜約５０％改善される。
【００９５】
例えば、耐スクラッチ試験の後、エーテルを含まない比較例の画像形成部材は０．３μｍのＲｑ値を有した。Ｃ−エーテルを有する画像形成部材は、Ｃ−エーテルのタイプと添加量に依存して、０．１５μｍ〜０．２μｍのＲｑ値を有した。従って、約３０％〜約５０％の耐スクラッチ性改善が、Ｃ−エーテルを電荷輸送層に含有させることによって実現された。