(57)【要約】【課題】ダンパケースとラジエータケースとの間に挟むパッキンの劣化を防止する。【解決手段】バッチ式ホットウオール形ＣＶＤ装置１０のプロセスチューブ１１とプロセスチューブ１１を取り囲むヒータユニット４０との間に形成された冷却エア通路６１に、排気フード７０と排気ダクト７６とダンパケース９０とラジエータケース１００とを接続し、ダンパケース９０とラジエータケース１００との間にパッキン９９を挟み込む。パッキン９９の排気経路側である内周面を保護カバー９７で被覆することで、熱せられた冷却エアによってパッキン９９が劣化されるのを防止する。パッキン９９の外周に落下防止カバー９８を配置することで、パッキン９９を挟んだダンパケース９０とラジエータケース１００との連結作業に際して、パッキン９９の作業中の落下を防止できるので、その連結する作業を容易かつ適正に施工できる。【選択図】図４
2007221019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
この処理室内を加熱する加熱手段と、
前記処理室と前記加熱手段との間に形成される空間と、
この空間のガスを排気するように前記加熱手段を貫通して設けられる排気経路と、
この排気経路に設けられる冷却手段と、
前記排気経路の前記加熱手段と前記冷却手段との間に設けられる密閉部材とを備えており、
前記排気経路には、前記空間から排気された前記ガスが前記排気経路に流通する際に、前記密閉部材の劣化を抑制するための密閉部材保護カバーが設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、急冷熱排気ダクトの連結技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法に使用されるＣＶＤ装置や拡散装置、酸化装置およびアニール装置等の熱処理装置（furnace ）に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や酸化シリコンおよびポリシリコン等のＣＶＤ膜を形成するのに、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室の炉口を開閉するシールキャップと、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウエハを保持するボートとを備えている。
そして、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入（ボートローディング）され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積される。
【０００３】
従来のこの種のＣＶＤ装置においては、排気ダクトがヒータユニットとプロセスチューブとの間の空間を排気する排気口に接続されているのが、一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１１０５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、排気ダクトの接続部にパッキンを挟み込むと、パッキンにおける排気ダクト内を流れる熱排気に晒される側が排気ダクト内に吸い込まれる現象が発生するために、排気ダクトの接続部に漏洩が発生してブロアの排気効率が低下し、降温レート（降温速度）が悪くなるという問題点がある。
【０００５】
本発明の目的は、排気ダクトの接続部に設けられる密閉部材の劣化による降温レートの悪化を防止することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、
この処理室内を加熱する加熱手段と、
前記処理室と前記加熱手段との間に形成される空間と、
この空間のガスを排気するように前記加熱手段を貫通して設けられる排気経路と、
この排気経路に設けられる冷却手段と、
前記排気経路の前記加熱装置と前記冷却手段との間に設けられる密閉部材とを備えており、
前記排気経路には、前記空間から排気された前記ガスが前記排気経路に流通する際に、前記密閉部材の劣化を抑制するための密閉部材保護カバーが設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記密閉部材保護カバーは前記密閉部材より前記排気経路内側に設けられており、前記密閉部材の外周側には、前記密閉部材の落下を防止する前記密閉部材落下防止カバーが設けられていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、密閉部材保護カバーによって密閉部材の劣化を防止することができるので、降温レートの悪化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、図１および図２に示されているように、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法における成膜工程を実施するＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置）１０として構成されている。
【００１０】
図１および図２に示されたＣＶＤ装置１０は、中心線が垂直になるように縦に配されて支持された縦形のプロセスチューブ１１を備えており、プロセスチューブ１１は互いに同心円に配置されたアウタチューブ１２とインナチューブ１３とから構成されている。
アウタチューブ１２は石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。
インナチューブ１３は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１３の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１４を実質的に形成している。インナチューブ１３の下端開口はウエハを出し入れするための炉口１５を実質的に構成している。したがって、インナチューブ１３の内径は取り扱うウエハの最大外径（例えば、直径３００ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。
【００１１】
アウタチューブ１２とインナチューブ１３との間の下端部は、略円筒形状に構築されたマニホールド１６によって気密封止されている。アウタチューブ１２およびインナチューブ１３の交換等のために、マニホールド１６はアウタチューブ１２およびインナチューブ１３にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。
マニホールド１６がＣＶＤ装置の筐体２に支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１２】
アウタチューブ１２とインナチューブ１３との隙間によって排気路１７が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。
図１に示されているように、マニホールド１６の側壁の上部には排気管１８の一端が接続されており、排気管１８は排気路１７の最下端部に連通した状態になっている。排気管１８の他端には圧力コントローラ２１によって制御される排気装置１９が接続されており、排気管１８の途中には圧力センサ２０が接続されている。
圧力コントローラ２１は圧力センサ２０からの測定結果に基づいて排気装置１９をフィードバック制御するように構成されている。
【００１３】
マニホールド１６の下方にはガス導入管２２がインナチューブ１３の炉口１５に連通するように配設されており、ガス導入管２２にはガス流量コントローラ２４によって制御される原料ガス供給装置および不活性ガス供給装置（以下、ガス供給装置という。）２３が接続されている。
ガス導入管２２によって炉口１５に導入されたガスは、インナチューブ１３の処理室１４内を流通して排気路１７を通って排気管１８によって排気される。
【００１４】
マニホールド１６には下端開口を閉塞するシールキャップ２５が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２５はマニホールド１６の外径と略等しい円盤形状に構築されており、筐体２の待機室３に設備されたボートエレベータ２６によって垂直方向に昇降されるように構成されている。
ボートエレベータ２６はモータ駆動の送りねじ軸装置およびベローズ等によって構成されており、ボートエレベータ２６のモータ２７は駆動コントローラ２８によって制御されるように構成されている。
シールキャップ２５の中心線上には回転軸３０が挿通されて回転自在に支承されており、回転軸３０は駆動コントローラ２８によって制御されるモータ２９によって回転駆動されるように構成されている。
回転軸３０の上端にはボート３１が垂直に立脚されて支持されている。
【００１５】
ボート３１は上下で一対の端板３２、３３と、これらの間に架設されて垂直に配設された三本の保持部材３４とを備えており、三本の保持部材３４には多数の保持溝３５が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート３１は三本の保持部材３４の保持溝３５間にウエハ１を挿入されることにより、複数枚のウエハ１を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。
ボート３１と回転軸３０との間には断熱キャップ部３６が配置されている。
回転軸３０はボート３１をシールキャップ２５の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート３１の下端を炉口１５の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。断熱キャップ部３６は炉口１５の近傍を断熱するようになっている。
【００１６】
プロセスチューブ１１の外側には、処理室内を加熱する加熱手段としてのヒータユニット４０が同心円に配置されて、筐体２に支持された状態で設置されている。
ヒータユニット４０はステンレス鋼（ＳＵＳ）が使用されて上端閉塞で下端開口の円筒形状に形成されたケース４１を備えている。ケース４１の内径および全長はアウタチューブ１２の外径および全長よりも大きく設定されている。ケース４１の内側にはケース４１よりも小径の円筒形状に構築された断熱槽４２が同心円に設置されている。断熱槽４２の内側には断熱槽４２よりも小径の円筒形状に形成された断熱側壁４３が、アウタチューブ１２との間に間隙をとって同心円に設置されている。
断熱側壁４３は短尺の円筒形状に形成された断熱ブロック４４が複数個、垂直方向に積み重ねられて一本の筒体に構築されている。断熱ブロック４４は短尺の円筒形状であるドーナツ形状に、繊維状または球状のアルミナやシリカ等の断熱材が使用されて、例えばバキュームフォーム法の成形型によって一体成形されている。
断熱側壁４３の上には断熱天井壁４５が断熱側壁４３の上端開口を閉塞するように被せられている。断熱天井壁４５はケース４１の内径と等しい外径を有する円板形状に形成された断熱プレート４６が複数枚、垂直方向に積み重ねられて一枚の円盤に構築されている。断熱プレート４６は繊維状または球状のアルミナやシリカ等の断熱材が使用されて、例えばバキュームフォーム法の成形型によって成形されている。
【００１７】
断熱側壁４３の内周面には発熱体（以下、側壁発熱体という。）４７が、各断熱ブロック４４にそれぞれ敷設されている。
側壁発熱体４７はＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金やＭＯＳｉ2 およびＳｉＣ等の抵抗発熱材料が使用されて、波形の平板形状にプレス加工やレーザ切断加工等によって一体成形されており、断熱ブロック４４の内径よりも若干だけ小径の円形リング形状に丸められている。
【００１８】
ヒータユニット４０の天井面である断熱天井壁４５の下面の中央部には、サブヒータユニット４８が水平に設置されている。
サブヒータユニット４８は発熱体（以下、天井発熱体という。）４９とホルダ５０とを備えており、天井発熱体４９を保持したホルダ５０が断熱天井壁４５の下面に吊持されている。天井発熱体４９はＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金やＭＯＳｉ2 およびＳｉＣ等の抵抗発熱材料が使用されて、渦巻き形の平板形状にプレス加工やレーザ切断加工等によって一体成形されている。
なお、ボート３１の断熱キャップ部３６の上側には下側サブヒータユニット３７が設置されている。
【００１９】
図１に示されているように、側壁発熱体４７、天井発熱体４９および下側サブヒータユニット３７の発熱体は、発熱体駆動装置５２に接続されており、発熱体駆動装置５２は温度コントローラ５３によって制御されるように構成されている。
ヒータユニット４０の側壁部には複数本の熱電対５４が上下方向に間隔を置いて配されて、それぞれ径方向に挿通されており、熱電対５４は計測結果を温度コントローラ５３に送信するようになっている。
温度コントローラ５３は熱電対５４からの計測温度によって発熱体駆動装置５２をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ５３は発熱体駆動装置５２の目標温度と熱電対５４の計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
さらに、温度コントローラ５３は側壁発熱体４７をゾーン制御するように構成されている。
【００２０】
ヒータユニット４０とプロセスチューブ１１との間には、処理室とヒータユニット（加熱手段）との間に形成される空間としての冷却エア通路６１が形成されている。冷却エア通路６１は冷却ガスとしての冷却エアを全体的に流通させるように形成されている。
ヒータユニット４０の断熱側壁４３の下端部には給気ダクト６２が環状に敷設されており、給気ダクト６２および断熱側壁４３には吹出口６３が複数個、周方向に略等間隔に配されて径方向および上下方向にも複数個ずつ開設されている。
給気ダクト６２の外周側には冷却エアを供給する給気管６４が接続されており、給気管６４に供給された冷却エアは給気ダクト６２および吹出口６３を通じて冷却エア通路６１の全体に拡散するようになっている。
【００２１】
断熱天井壁４５には冷却エア通路６１の雰囲気を排気する排気経路の一部としての排気孔６５が四本（図３参照）、同一円形線上で周方向に略等間隔に配置されて上下方向に貫通するように開設されている。
各排気孔６５の冷却エア通路６１に連通した上流側開口端６５ａは、サブヒータユニット４８の長手方向の外周よりも外側において冷却エア通路６１の略直上にそれぞれ配置されている。
各排気孔６５は天井面（開口面）から離れるに従ってヒータユニット４０の中心軸から離れて行くように形成されている。
【００２２】
断熱天井壁４５の上には排気孔６５と共に排気経路の一部を構成する排気フード７０が被せられている。
図３に示されているように、排気フード７０はステンレス鋼板が使用されて多角形（八角形）の箱形状に組み立てられた筐体７１を備えている。筐体７１の底板７２は多角形（八角形）の枠形状に形成されており、枠形状の内形によって大きな開口７３が相対的に形成されている。開口７３の四隅には四本の排気孔６５の下流側開口がそれぞれ位置するようになっている。
筐体７１の一枚の側板７４には横長の四角形孔形状の排気接続口７５が開設されており、側板７４の外面には排気孔６５および排気フード７０と共に排気経路の一部を構成する排気ダクト７６が排気接続口７５と連通するように突設されている。
【００２３】
筐体７１の内部における排気接続口７５の左右両脇には左右で一対の隔壁７７、７８がそれぞれ立設されており、左右の隔壁７７、７８の後方には後側隔壁７９が立設されている。左右の隔壁７７、７８および後側隔壁７９により、筐体７１の内部には四本の排気孔６５と排気接続口７５とを連絡する連絡路８０が形成されている。
図３（ａ）に示されているように、連絡路８０は左側両隅の排気孔６５、６５に連通する左側連絡路部８１と、右側両隅の排気孔６５、６５に連通する右側連絡路部８２と、左側連絡路部８１と右側連絡路部８２とを連絡する中央連絡路部８３と、中央連絡路部８３と排気接続口７５とを連絡する終端連絡路部８４とから構成されている。
【００２４】
左側連絡路部８１における前後の排気孔６５、６５が集合する部位である前後方向の中央には、左側整流板８５が左右方向に延在するように立設されている。
右側連絡路部８２における前後の排気孔６５、６５が集合する部位である前後方向の中央には、右側整流板８６が左右方向に延在するように立設されている。
中央連絡路部８３における左側連絡路部８１と右側連絡路部８２とが集合する部位である左右方向の中央には、中央整流板８７が前後方向に延在するように立設されており、中央整流板８７は終端連絡路部８４を通って排気ダクト７６の内部まで延長されている。
【００２５】
図４および図５に示されているように、排気ダクト７６の排気フード７０と反対側端（下流側端）には、排気ダクト７６や排気フード７０等と共に排気経路の一部を構成するダンパケース９０が排気接続口７５に連通するように接続されている。
ダンパケース９０は平面視の形状が略正方形の直方体の箱形状に形成されている。ダンパケース９０内には流量制御弁であるダンパ９１が設置されており、ダンパケース９０の外部にはダンパ９１を開閉操作するためのエアシリンダ装置９２が設置されている。
エアシリンダ装置９２のピストンロッド９３はリンク装置９４を介してダンパ９１に連結されている。すなわち、ダンパ９１はエアシリンダ装置９２のピストンロッド９３の往復作動により、リンク装置９４を介して開閉操作されるようになっている。
【００２６】
図４、図５および図６に示されているように、ダンパケース９０の排気ダクト７６との接続側端（上流側端）とは反対側の接続側端である反対側端（下流側端）には、長方形の枠形状のフランジ９５が形成されている。フランジ９５の両方の短辺には一対の挿通孔９６、９６がそれぞれ開設されている。
フランジ９５の端面における開口縁辺（内側縁辺）には、密閉部材保護カバーとしての保護カバー９７が形成されている。保護カバー９７はフランジ９５の枠の端面における内側縁辺に沿って長方形の枠形状に形成されており、フランジ９５の開口端面に直角に延在するように突設されている。
フランジ９５の端面における外側縁辺のうち左右および下辺には、密閉部材落下防止カバーとしての落下防止カバー９８がそれぞれ形成されている。各落下防止カバー９８はフランジ９５の枠の端面における外側縁辺のうち左右および下辺において端面に直角に突設されている。したがって、３枚の落下防止カバー９８、９８、９８はフランジ９５の端面における外側縁辺のうち上辺だけを開放している。
フランジ９５の端面には密閉部材としてのパッキン９９が当接されている。すなわち、パッキン９９はフランジ９５の端面形状に対応した長方形の枠形状に形成されており、枠の内周が保護カバー９７に嵌合されているとともに、枠の外周が３枚の落下防止カバー９８、９８、９８にそれぞれ嵌合されている。
この状態で、パッキン９９に開設された各挿通孔９９ａがフランジ９５の各挿通孔９６にそれぞれ整合している。
【００２７】
図４、図５および図６に示されているように、ダンパケース９０のフランジ９５には、排気ダクト７６やダンパケース９０等と共に排気経路の一部を構成するラジエータケース１００がパッキン９９を挟んで接続されている。
ラジエータケース１００は平面視の形状が略長方形の直方体の箱形状に形成されており、ラジエータケース１００内には冷却手段としてのラジエータ（図示せず）が設置されている。ラジエータケース１００の内部はダンパケース９０の内部に連通されている。
ラジエータケース１００のダンパケース９０との接続側端（上流側端）とは反対側の接続側端である反対側端（下流側端）は、ブロア１０４（排気手段、ポンプやエゼクタでもよい。）に接続される。
ラジエータケース１００のダンパケース９０との接続側端（上流側端）には、ダンパケース９０のフランジ（以下、ダンパ側フランジという）９５に対応した長方形の枠形状のフランジ（以下、ラジエータ側フランジという。）１０１が形成されている。
ラジエータ側フランジ１０１の両方の短辺には一対の挿通孔１０２、１０２がそれぞれ開設されている。各挿通孔１０２はダンパ側フランジ９５の各挿通孔９６およびパッキン９９の各挿通孔９９ａにそれぞれ対応している。
複数本の締結具１０３がラジエータ側フランジ１０１の各挿通孔１０２とダンパ側フランジ９５の各挿通孔９６とパッキン９９の各挿通孔９９ａとにそれぞれ挿通されて締結されることにより、ダンパケース９０とラジエータケース１００とはパッキン９９を挟み込んだ状態で、連結される。
【００２８】
以上の連結作業に際して、パッキン９９の四方のうち三方が３枚の落下防止カバー９８、９８、９８に当接されることにより、作業中の落下が確実に防止されているので、ダンパケース９０とラジエータケース１００とはパッキン９９を挟み込んだ状態で連結する作業は、容易かつ安全に実施することができる。
また、ダンパ側フランジ９５の四方のうち上方の落下防止カバー９８が省略されていることにより、連結作業中に、パッキン９９を看取することができるので、より一層、容易かつ適正に連結作業を施工することができる。
【００２９】
前記構成に係るＣＶＤ装置によるＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。
【００３０】
図１に示されているように、予め指定された枚数のウエハ１がボート３１に装填されると、ウエハ１群を保持したボート３１はシールキャップ２５がボートエレベータ２６によって上昇されることにより、インナチューブ１３の処理室１４に搬入（ボートローディング）されて行く。
上限に達したシールキャップ２５はマニホールド１６に押接することにより、プロセスチューブ１１の内部をシールした状態になる。ボート３１はシールキャップ２５に支持されたままの状態で処理室１４に存置される。
【００３１】
続いて、プロセスチューブ１１の内部が排気管１８によって排気されるとともに、側壁発熱体４７および天井発熱体４９によって温度コントローラ５３のシーケンス制御の目標温度に加熱される。
側壁発熱体４７および天井発熱体４９の加熱によるプロセスチューブ１１の内部の実際の上昇温度と、側壁発熱体４７および天井発熱体４９のシーケンス制御の目標温度との誤差は、熱電対５４の計測結果に基づくフィードバック制御によって補正される。
また、ボート３１がモータ２９によって回転される。
【００３２】
プロセスチューブ１１の内圧および温度、ボート３１の回転が全体的に一定の安定した状態になると、プロセスチューブ１１の処理室１４には原料ガスがガス供給装置２３によってガス導入管２２から導入される。
ガス導入管２２によって導入された原料ガスは、インナチューブ１３の処理室１４内を流通して排気路１７を通って排気管１８によって排気される。処理室１４を流通する際に、原料ガスが所定の処理温度に加熱されたウエハ１に接触することによる熱ＣＶＤ反応により、ウエハ１にはＣＶＤ膜が形成される。
【００３３】
所定の処理時間が経過すると、処理ガスの導入が停止された後に、窒素ガス等のパージガスがプロセスチューブ１１の内部にガス導入管２２から導入される。
同時に、冷却エア６６が給気管６４から供給されて吹出口６３から冷却エア通路６１に吹き出し、各排気孔６５、連絡路８０、排気接続口７５、排気ダクト７６、ダンパケース９０、ラジエータケース１００およびブロア１０４によって排気されることにより、排気経路全体に流通される。
冷却エア通路６１における冷却エア６６の流通により、ヒータユニット４０の全体が強制的に冷却されるために、プロセスチューブ１１の温度は大きいレート（速度）をもって急速に下降することになる。
なお、冷却エア通路６１は処理室１４から隔離されているために、冷媒として冷却エア６６を使用することができるが、冷却効果をより一層高めるためや、エア内の不純物による高温下での腐蝕を防止するために、窒素ガス等の不活性ガスを冷媒ガスとして使用してもよい。
【００３４】
処理室１４の温度が所定の温度に下降すると、シールキャップ２５に支持されたボート３１はボートエレベータ２６によって下降されることにより、処理室１４から搬出（ボートアンローディング）される。
【００３５】
以降、前記作用が繰り返されることにより、ＣＶＤ装置１０によってウエハ１に対する成膜処理が実施されて行く。
【００３６】
なお、アウタチューブ１２およびヒータユニット４０の温度は処理温度以上に維持する必要がないばかりでなく、処理温度未満に下げることがかえって好ましいために、前述した成膜ステップにおいては、冷却エア６６が冷却エア通路６１に流通されることにより、アウタチューブ１２およびヒータユニット４０を強制的に冷却される。
この冷却により、例えば、シリコン窒化膜であればＮＨ4 Ｃｌの付着を防止することができる１５０℃程度にアウタチューブ１２の温度を維持することができる。
【００３７】
ところで、ダンパケース９０とラジエータケース１００との間に挟み込まれたパッキン９９が排気経路の一部であるダンパケース９０およびラジエータケース１００を流れるヒータユニット４０によって熱せられた冷却エア６６に晒されると、晒された側の部分が熱影響を受けて脆弱化してしまい、この脆弱化してしまった部分がもげ、ダンパケース９０およびラジエータケース１００の内部に吸い込まれてしまうパッキン９９の劣化現象が発生する。
さらに、ブロア１０４の吸引力が強ければ強いほど熱影響を受けてパッキン９９の脆弱化した部分がもげや劣化が生じ易くなる。
パッキン９９の一部が吸い込まれて劣化すると、この部分において漏洩が発生するために、排気効率が低下して降温レート（降温速度）が悪くなるという問題点がある。
【００３８】
しかし、本実施の形態においては、パッキン９９の排気経路側である内周面は保護カバー９７によって全体にわたって被覆されているので、熱せられた冷却エア６６に晒されることはなく、ダンパケース９０およびラジエータケース１００の内部に吸い込まれる現象は発生しない。
したがって、パッキン９９の一部が吸い込まれることによって発生するパッキン９９の劣化を防止することができるので、降温レートの悪化を未然に防止することができる。
【００３９】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４０】
1)  ダンパケースとラジエータケースとの間に挟み込まれたパッキンの排気経路側である内周面を保護カバーによって全体にわたって被覆することにより、パッキンが熱せられた冷却エアに晒されるのを回避することができるので、パッキンがダンパケースおよびラジエータケースの内部に吸い込まれて劣化する現象を防止することができる。
【００４１】
2)  パッキンがダンパケースおよびラジエータケースの内部に吸い込まれて劣化する現象を防止することにより、パッキンの劣化した部分からの漏洩の発生を防止することができるので、降温レートの悪化を未然に防止することができる。
【００４２】
3)  パッキンの外周に落下防止カバーを配置することにより、ダンパケースとラジエータケースとの連結作業中にパッキンの落下を防止することができるので、ダンパケース、ラジエータケースをそれぞれ個別に組立てした後で、高所での排気ダクトとダンパケースおよびラジエータケースとの連結作業を容易かつ安全に施工することができる。
【００４３】
4)  ダンパ側フランジの四方のうち上方の落下防止カバーを省略することにより、パッキンを挟んだダンパケースとラジエータケースとの連結作業中に、パッキンを看取することができるので、より一層、容易かつ適正に連結作業を施工することができる。
【００４４】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４５】
例えば、図７に示されているように、落下防止カバー９８の内径をラジエータ側フランジ１０１の外径より大きく、保護カバー９７の外径をラジエータ側フランジ１０１の内径より小さく設定してもよい。
本実施の形態によれば、ダンパ側フランジ９５とラジエータ側フランジ１０１とを締結具１０３によって締め込むことで、パッキン９９の厚みが落下防止カバー９８および保護カバー９７の長さより小さくなるまで収縮しても、保護カバー９７および落下防止カバー９８とラジエータ側フランジ１０１とが干渉するのを防止することができる。
また、ダンパ側フランジ９５と保護カバー９７とは隙間なく一体形成することで、上流側から来る熱せられた冷却エア６６からパッキン９９をカバーすることができる。
なお、この場合には、ラジエータケース１００にブロア１０４の吸引力が作用しているので、保護カバー９７とラジエータ側フランジ１０１との隙間に熱せられた冷却エア６６が逆流し難い。
【００４６】
保護カバーおよび落下防止カバーは、ダンパケースとラジエータケースとの接続部に設けるに限らず、ダンパケースと排気ダクトとの接続部に設けてもよいし、ダンパケースとラジエータケースとの接続部およびダンパケースと排気ダクトとの接続部の両方の接続部に設けてもよい。
特に、ダンパケースと排気ダクト７６との接続部に設けると、ダンパ９１が閉じたときに、ヒータユニット４０によって熱せられた冷却エア６６がダンパ９１の上流側で熱こもりが起こるために、パッキンをより一層脆弱化させ、脆弱化した部分がもげることで劣化させてしまう。
また、その後に、ダンパ９１を開けたときにブロアからの吸込み力により脆弱した部分がさらにもげ易く、パッキンの劣化現象が生じ易い。
さらに、排気ダクト７６との接続は高所での連結作業が必要であるため、保護カバーおよび落下防止カバーを設けることが有効となる。
【００４７】
前記実施の形態においては、ＣＶＤ装置について説明したが、酸化・拡散装置やアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００４８】
被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す一部切断正面図である。
【図２】主要部を示す正面断面図である
【図３】排気フードを示しており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は正面図である。
【図４】排気経路の主要部を示す一部切断平面図である。
【図５】同じく一部切断側面図である。
【図６】ダンパケースとラジエータケースとの接続部を示す分解斜視図である。
【図７】本発明の他の実施の形態であるＣＶＤ装置の排気経路の主要部を示す一部切断平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…ウエハ（基板）、２…筐体、３…待機室、１０…ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…プロセスチューブ、１２…アウタチューブ、１３…インナチューブ、１４…処理室、１５…炉口、１６…マニホールド、１７…排気路、１８…排気管、１９…排気装置、２０…圧力センサ、２１…圧力コントローラ、２２…ガス導入管、２３…ガス供給装置、２４…ガス流量コントローラ、２５…シールキャップ、２６…ボートエレベータ、２７…モータ、２８…駆動コントローラ、２９…モータ、３０…回転軸、３１…ボート、３２、３３…端板、３４…保持部材、３５…保持溝、３６…断熱キャップ部、３７…下側サブヒータユニット、４０…ヒータユニット、４１…ケース、４２…断熱槽、４３…断熱側壁、４４…断熱ブロック、４５…断熱天井壁、４６…断熱プレート、４７…側壁発熱体、４８…サブヒータユニット、４９…天井発熱体、５０…ホルダ、５２…発熱体駆動装置、５３…温度コントローラ、５４…熱電対、６１…冷却エア通路（空間）、６２…給気ダクト、６３…吹出口、６４…給気管、６５…排気孔（排気口）、６５ａ…上流側開口端、６６…冷却エア、７０…排気フード、７１…筐体、７２…底板、７３…開口、７４…側板、７５…排気接続口、７６…排気ダクト、７７、７８…左右の隔壁、７９…後側隔壁、８０…連絡路、８１…左側連絡路部、８２…右側連絡路部、８３…中央連絡路部、８４…終端連絡路部、８５…左側整流板、８６…右側整流板、８７…中央整流板、９０…ダンパケース、９１…ダンパ、９２…エアシリンダ装置、９３…ピストンロッド、９４…リンク装置、９５…ダンパ側フランジ、９６…挿通孔、９７…保護カバー（密閉部材保護カバー）、９８…落下防止カバー（密閉部材落下防止カバー）、９９…パッキン（密閉部材）、１００…ラジエータケース、１０１…ラジエータ側フランジ、１０２…挿通孔、１０３…締結具、１０４…ブロア。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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