(57)【要約】      （修正有）【課題】電極取出し口などのように大きな面積にわたって薄膜が形成される部分の加工方法を改善し、薄膜割れに起因する歩留まり低下を防止できる、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板２ａとＳｉ基板１ａの振動板９とをギャップを介して接合する工程と、ギャップを形成する空間部１０のうち、少なくとも電極端子１３と対応する部分に樹脂５１ａを充填する工程と、ガラス基板２ａと接合されたＳｉ基板１ａにおいて、電極取り出し口となる部分をウェットエッチングにより薄膜化する工程と、ウェットエッチングの終了後、Ｓｉ基板１ａの電極取出し口となる部分に残った薄膜部１３ｃと、薄膜部１３ｃに対応する部分に充填された樹脂とをドライエッチングで除去する工程と有する。【選択図】図６
2007216414.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個別電極となる複数の電極及び前記複数の電極を外部の機器に接続する複数の電極端子が形成された電極基板と、液体を貯えて吐出させる吐出室となる複数の凹部が少なくとも形成されるＳｉ基板とを、前記電極と前記吐出室の底面となる部分をギャップを介して対向させて接合する接合工程と、
前記ギャップを形成する空間部のうち、少なくとも前記電極端子と対応する部分に樹脂を充填する樹脂充填工程と、
前記電極基板と接合された前記Ｓｉ基板に、少なくとも前記凹部を含む液体流路および前記電極端子に対応した電極取出し口となる部分をウェットエッチングにより形成するウェットエッチング工程と、
該ウェットエッチング工程終了後、前記Ｓｉ基板の前記電極取出し口となる部分に残った薄膜部と、該薄膜部に対応する部分に充填された樹脂とをドライエッチングで除去するドライエッチング工程と
を備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記樹脂を充填するための流路が、前記電極基板に形成した注入穴と、該注入穴及び前記空間部に連通し、前記Ｓｉ基板の前記電極基板との間の接合面に形成した溝とからなり、前記注入穴から注入された樹脂が、前記溝を伝わる過程で溝の周囲の前記空間部に広がることで前記電極取り出し口と対応する部分に充填されることを特徴とする請求項１記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記注入穴及び前記溝をヘッドチップ間に形成して、隣接するヘッドチップ同士で共有するようにしたことを特徴とする請求項２記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記樹脂充填工程が、前記空間部を封止するための封止部を形成する工程を兼ねることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して、液滴吐出装置を製造することを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出を実現するヘッドとして、吐出前の液体を貯えて吐出させる吐出室（圧力室ともいう）を設け、吐出室の底面を構成する底壁を振動板とし、この振動板に対向配置した個別電極を利用して該振動板を撓ませて吐出室内の圧力を高め、液体を加圧することで吐出室と連通するノズル孔から液滴を吐出させるものがある。このような液滴吐出ヘッドを製造する方法として、個別電極となる複数の電極が形成されたガラス基板に流路形成前のシリコン基板を接合した後、該シリコン基板を薄板化し、且つ吐出室等の流路を形成する方法が提案されている（例えば特許文献１または特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−８２５７２号公報
【特許文献２】特開２００４−３０６４４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
個別電極となる複数の電極が形成されたガラス基板に流路形成前のシリコン基板を接合した後、該シリコン基板に吐出室等の流路を形成する方法では、それらの電極を外部機器に接続するための電極取出し口もシリコン基板に形成される。この電極取出し口となる部分は、振動板となる個々の吐出室底面よりも面積が大きい。したがって、加工途中で吐出室底面（振動板）と同等の厚さまでエッチングされてしまうと、この部分の剛性が非常に弱くなってしまい、機械的な振動や、個別電極とシリコン基板とのギャップ内に挟まった異物が押し上げる力等によって、その部分が割れる場合がある。このような割れが生じると、割れた際の破片等の異物がギャップに混入したり、後の工程でエッチャント等の液体がギャップに浸入するおそれがある。しかし、電極取出し口のような貫通穴が形成されることになる部分に対して、途中でウェットエッチングを全く行わないのでは、後の工程でそれらの部分を除去するのに時間がかかりすぎてしまう。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、個別電極となる複数の電極が形成されたガラス基板に流路形成前のシリコン基板を接合した後、該シリコン基板を薄板化し、且つ吐出室等の流路及び電極取出し口を形成する方法において、電極取出し口などのように大きな面積にわたって薄膜が形成される部分の加工方法を改善し、薄膜割れに起因する歩留まり低下を防止できる、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法を提案するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、個別電極となる複数の電極及び複数の電極を外部の機器に接続する複数の電極端子が形成された電極基板と、液体を貯えて吐出させる吐出室となる複数の凹部が少なくとも形成されるＳｉ基板とを、電極と吐出室の底面となる部分をギャップを介して対向させて接合する接合工程と、ギャップを形成する空間部のうち、少なくとも電極端子と対応する部分に樹脂を充填する樹脂充填工程と、電極基板と接合されたＳｉ基板に、少なくとも凹部を含む液体流路および電極端子に対応した電極取出し口となる部分をウェットエッチングにより形成するウェットエッチング工程と、ウェットエッチング工程終了後、Ｓｉ基板の電極取出し口となる部分に残った薄膜部と、該薄膜部に対応する部分に充填された樹脂とをドライエッチングで除去するドライエッチング工程とを備えたものである。
これにより、電極取り出し口に対応する部分に残った薄膜部の強度が上がるため、薄膜部の割れを防止することができる。したがって、歩留まり低下を防止できる。
【０００７】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、樹脂を充填するための流路が、電極基板に形成した注入穴と、注入穴及び空間部に連通し、Ｓｉ基板の電極基板との間の接合面に形成した溝とからなり、注入穴から注入された樹脂が、溝を伝わる過程で溝の周囲の空間部に広がることで電極取り出し口と対応する部分に充填されるものである。
このようにして、空間部のうち、電極取り出し口と対応する部分に樹脂を充填することができる。
【０００８】
また、本発明に係る特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法は、注入穴及び溝をヘッドチップ間に形成して、隣接するヘッドチップ同士で共有するようにしたものである。
これにより、樹脂量の低減やスペースの削減等が可能となり、生産性を上げることができる。
【０００９】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、樹脂充填工程が、空間部を封止するための封止部を形成する工程を兼ねるものである。
これにより、樹脂充填工程を行うことによって空間部の封止も行えるため、製造工程を簡略化することができる。
【００１０】
また、本発明に係る液滴吐出装置の製造方法は、上記の何れかの液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して、液滴吐出装置を製造するものである。
これにより、上記効果を奏する液滴吐出装置の製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施形態１．
以下、本発明の製造方法により製造された液滴吐出ヘッドの実施形態を図面に基づいて説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、フェイス吐出型の静電駆動方式のインクジェットヘッドについて図１及び図２を参照して説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造、形状に限定されるものではなく、エッジ吐出型の液滴吐出ヘッドにも同様に適用することができるものである。
【００１２】
図１（ａ）はインクジェットヘッドの裏面図であり、図１（ｂ）はｂ−ｂ線に沿ったインクジェットヘッドの縦断面図、図１（ｃ）はｃ−ｃ線に沿った横断面図である。図２は、図１の一部の概略構成を分解して示すインクジェットヘッドの斜視図である。
図１に示すインクジェットヘッドは、シリコン製のキャビティ基板１を、電極ガラス基板２とシリコン製のノズル基板３が上下から挟む構造となっており、キャビティ基板１、電極ガラス基板２及びノズル基板３は互いに接合されている。なお、ノズル基板３は必ずしもシリコン製である必要はなく、ホウ珪酸ガラス等であってもよい。ノズル基板３の表面には多数のノズル穴４が開口している。ノズル基板３及びキャビティ基板１の間には、リザーバー５と、オリフィス６を介してリザーバー５に連通している吐出室７が設けられており、各吐出室７にはノズル穴４が設けられている。オリフィス６及び吐出室７は、ノズル穴４ごとに個別に設けられている。また、吐出室７となる凹部の底面を構成する底壁は電極ガラス基板２の方向に振動可能な振動板９となっている。なおノズル穴４は、キャビティ基板１又はノズル基板３に溝を設けて横方向（図１（ｂ）の左方向）からインク液滴を吐出できるように設けてもよい。
【００１３】
また、キャビティ基板１の電極ガラス基板２との接合面には、絶縁膜９ｂが形成されている。これは、インクジェットヘッドを駆動させた時の絶縁膜破壊及び短絡を防止するためである。
【００１４】
電極ガラス基板２は、図１で見るとキャビティ基板１の上面に接合される基板である。本実施の形態では、電極ガラス基板２となるガラスとして、ホウ珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いることにする。電極ガラス基板２には、キャビティ基板１に形成される各吐出室７に合わせて凹部１０ａが設けられている。そして、凹部１０ａの内側には、個別電極１１、リード部１２及び電極端子１３からなる複数の電極が設けられており、複数の電極とキャビティ基板１との間にはギャップが形成されている。リード部１２は個別電極１１と電極端子１３を繋ぐ部分であり、電極端子１３は個別電極１１を外部機器（例えば電源）に接続する際などに利用される部分である。なお、特に区別する必要がない場合は、個別電極１１、リード部１２及び電極端子１３を合わせて個別電極（又は電極）１１として説明する。この個別電極１１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｈｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）によって形成されている。
【００１５】
また、凹部１０ａによってキャビティ基板１との間に形成される空間部１０は、封止部５１によって封止されており、空間部１０に塵埃等の異物が入ったり、振動板９や個別電極１１の表面に水分が付着したりするのを防止している。なお、この空間部１０は電極ガラス基板２に凹部１０ａを形成する他に、キャビティ基板１に凹部を形成したり、スペーサーを挟むことによって設けることもできる。
【００１６】
図１及び図２に示すインクジェットヘッドは、振動板９と個別電極１１との間に電圧を与え電位差を生じさせることにより、静電気力を発生させて、振動板９を電極ガラス基板２側に湾曲させ、リザーバー５からオリフィス６を介して吐出室７にインクを供給する。そして振動板９と個別電極１１との間に与えた電圧を除去することにより、振動板９が元の状態に復元するように振動してインク液滴をノズル穴４から吐出するようになっている。
【００１７】
図３は、本発明の実施形態１に係るインクジェットヘッドの製造方法による製造途中の状態を示す図で、図３（ａ）は接合基板（キャビティ基板１となるＳｉ基板１ａと、電極ガラス基板２となるガラス基板２ａとの接合基板）の裏面図であり、図３（ｂ）はｂ−ｂ線に沿ったインクジェットヘッドの縦断面図、図３（ｃ）はｃ−ｃ線に沿った横断面図である。なお、図３において図中の一点鎖線で囲まれる領域はインクジェットヘッドとして切り出されるチップ部分を示している。
【００１８】
図４、図５、図６及び図７は、本発明の実施形態１に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す断面図である。図４はキャビティ基板１の、キャビティ基板１と電極ガラス基板２を接合する前の工程の断面図であり、図５は電極ガラス基板２の、キャビティ基板１と電極ガラス基板２を接合する前の工程の断面図である。また図６及び図７はキャビティ基板１と電極ガラス基板２を接合する工程及び接合した後の工程の断面図である。
【００１９】
本例のインクジェットヘッドの製造方法は、電極取出し口１５となる部分の形成途中で割れが発生するのを防止することを目的としたものであり、特徴部分の詳細は図６及び図７において説明する。
【００２０】
以下に図４から図７において、図１に示すインクジェットヘッドの製造方法を詳細に説明する。
図４はキャビティ基板１の製造工程の途中までを示した図である。インクジェットヘッドのキャビティ基板１となる下面の研磨された厚さ５２５μｍのＳｉ（シリコン）基板１ａを、酸化温度１１００度、酸化時間３時間２０分の条件で、酸素雰囲気中で熱酸化を行い、Ｓｉ基板の表側表面及び裏側表面に厚さ０．２５μｍのＳｉＯ2膜２１を形成する（図４（ａ））。次にＳｉ基板１ａの裏面に、フォトリソグラフィーにより封入溝１４となる部分２２のＳｉＯ2膜２１をパターニングして、エッチングにより封入溝１４となる部分２２のＳｉＯ2膜を除去し（図４（ｂ））、続いてＳｉ基板１ａを、濃度が３２重量％で８０℃の水酸化カリウム水溶液でエッチングして封入溝１４を形成する（図４（ｃ））。この封入溝１４は、図３に示すようにインクジェットヘッドとして切り出される部分よりも外側（電極取出し口１５よりも外側）の位置に、空間部１０と直交する方向に形成する。
【００２１】
そして、Ｓｉ基板１ａのＳｉＯ2膜２１をフッ酸水溶液によってすべて除去した後、Ｓｉ基板１ａの裏側表面に、ボロンを高濃度に拡散し、ボロン拡散層９ａを形成する（図４（ｄ））。ボロン拡散層９ａの形成は、Ｓｉ基板１ａの下面にＢ2Ｏ3を主成分とする拡散源が対峙するように、Ｓｉ基板１ａと拡散源を拡散炉にセットし、拡散温度１０００℃、拡散時間１５時間の条件で行う。ボロン拡散層９ａの表面にはボロン化合物が形成されているが（図示なし）、酸素及び水蒸気雰囲気中、６００℃の条件で１時間３０分酸化し、Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2に化学変化させて、フッ酸水溶液によりエッチング除去する。そして、裏側表面のボロン拡散層９ａに重ねて、プラズマＣＶＤによって絶縁膜９ｂを形成する（図４（ｅ））。
【００２２】
図５は電極ガラス基板２の製造工程の途中までを示した図である。インクジェットヘッドの電極ガラス基板２となるホウ珪酸ガラス製（厚さ１ｍｍ）のガラス基板２ａの表側表面にＣｒ／Ａｕ膜３１（クロム・金合金膜）をスパッタにより形成する（図５（ａ））。次に、空間部１０に対応する形状にフォトリソグラフィーによりＣｒ／Ａｕ膜３１をパターニングし、エッチングによりＣｒ／Ａｕ膜３１の空間部１０に対応する部分を除去する（図５（ｂ））。そして、Ｃｒ／Ａｕ膜３１をエッチングマスクとして、フッ酸水溶液でガラス基板２ａをエッチングして空間部１０となる凹部１０ａを形成する（図５（ｃ））。その後、Ｃｒ／Ａｕ膜３１をエッチングによりすべて除去し（図５（ｄ））、表側表面全体にＩＴＯ膜１１ａをスパッタにより成膜する（図５（ｅ））。次に、フォトリソグラフィーによりＩＴＯ膜１１ａを個別電極１１に対応する形状をパターニングし、個別電極１１の部分以外のＩＴＯ膜１１ａをエッチングにより除去して個別電極１１を形成する（図５（ｆ））。そして、インク供給穴８と封止剤注入穴１６をダイヤモンドドリルで穿孔する（図５（ｇ））。この封止剤注入穴１６は、図３に示すように、Ｓｉ基板１ａに設けられた封入溝１４の両端に対応する位置に２つ形成される。
【００２３】
図６及び図７は、キャビティ基板１となるＳｉ基板１ａと、電極ガラス基板２となるガラス基板２ａを接合する工程及び接合してからインクジェットヘッドの完成までの工程を示した図である。図４の工程で封止剤注入穴１６、ボロン拡散層９ａ及び絶縁膜９ｂを形成したＳｉ基板１ａと、図５の工程で個別電極１１、インク供給穴８及び封止剤注入穴１６を形成したガラス基板２ａを準備し（図６（ａ））、Ｓｉ基板１ａとガラス基板２ａとの間に電圧をかけて陽極接合し、接合基板４１を作成する（図６（ｂ））。次にＳｉ基板１ａの表側表面をグラインダーで研削して厚みを１５０μｍにする（図６（ｃ））。このとき、Ｓｉ基板１ａの表面には中心から放物線を描く研削跡が残り、その表面粗さ（Ｒｍａｘ）は０．１μｍ程度である。続いて、３２重量％、８０℃の水酸化カリウム水溶液でＳｉ基板１ａ表面を全面エッチングし、機械加工で発生した加工変質層を除去する。そして接合基板４１の、Ｓｉ基板１ａの表側表面に、ＣＶＤ装置によって厚さ１μｍのＳｉＯ2膜４２を形成する（図６（ｄ））。
【００２４】
次に、封止剤注入穴１６から封止剤としての樹脂５１ａを注入する（図６（ｅ））。図３に示すように、一方の封止剤注入穴１６からディスペンサ等で圧入された樹脂５１ａは、封入溝１４の内部をもう一方の封止剤注入穴１６に向かって流れる。封入溝１４は、細長い空間部１０と連通しているため、毛細管力によって樹脂５１ａは各空間部１０に入り込む。ここで、各空間部１０に入り込んだ樹脂５１ａは、空間部１０のうち、電極取り出し口１５と対応する部分まで図示左右に広がり充填される。なお、樹脂５１ａは、予め適度な粘度に調節されており、空間部１０内に入り込み過ぎてインク供給穴８の位置まで到達してしまったり、逆に、電極取り出し口１５と対応する部分まで広がらなかったりなどの不都合が起こらないようになっている。
【００２５】
その後、ＳｉＯ2膜４２の吐出室７に対応する部分７ａ、リザーバー５に対応する部分５ａ及び電極取り出し口１５に対応する部分１３ａをフォトリソグラフィーによりパターニングし、この部分のＳｉＯ2膜を除去する（図６（ｆ））。なおこのとき、ＳｉＯ2膜４２のリザーバー５に対応する部分５ａは完全に除去せず、ハーフエッチングするようにする。ここで、空間部１０は、樹脂５１ａによって密閉されるため、図６（ｆ）のフォトリソグラフィー工程での処理液が空間部１０内に入り込むことが無い。
【００２６】
次に、３５重量％、８０℃の水酸化カリウム水溶液に接合基板４１を浸し、吐出室７となる凹部７ｂ、リザーバー５となる凹部５ｂ、電極取り出し口１５となる凹部１３ｂを途中までウェットエッチングする。そして、リザーバー５に対応する部分５ａのＳｉＯ2 膜をフッ酸水溶液で除去し、３５重量％、８０℃の水酸化カリウム水溶液で接合基板４１のエッチングを継続する。ボロン拡散層９ａは、水酸化カリウム水溶液ではほとんどエッチングが進まないため、ボロン拡散層９ａと絶縁膜９ｂはエッチングされずに残り吐出室７となる凹部７ｂの部分がエッチングされて、凹部７ｂの底面のボロン拡散層９ａ及び絶縁膜９ｂが振動板９となる。同様に、電極取り出し口１５となる凹部１３ｂもボロン拡散層９ａの部分でエッチングがストップし、厚み０．８μｍの薄膜部１３ｃとなって残る。一方、Ｓｉ基板１ａのエッチングの開始を遅らせたリザーバー５（図３参照）となる凹部５ｂの底面部分のシリコンは、ボロン拡散層９ａまでエッチングが進まず厚く残ることとなる（図６（ｇ））。
ここで、電極取り出し口１５となる部分に残った薄膜部１３ｃは、電極端子１３との間の空間部１０に充填された樹脂５１ａによって補強され、強度が高くなっているため、エッチング途中や、エッチング後の搬送中などにおいて薄膜部１３ｃが割れることがない。また、Ｓｉ基板１ａとガラス基板２ａとの間の空間部１０は完全に密閉されているため、途中工程の処理液が空間部１０内に侵入することがない。
【００２７】
図７は、図６の製造工程の続きの工程の図であり、インクジェットヘッドの完成までを示したものである。図６（ｇ）までの工程で得られた接合基板４１を準備し、フッ酸水溶液に浸し、Ｓｉ基板１ａの表側表面に形成したＳｉＯ2膜４２をすべて除去する（図７（ａ））。そして、電極取り出し口１５に対応する部分を開口したメタルマスク（図示せず）をＳｉ基板１ａの表面に重ね、薄膜部１３ｃを絶縁膜９ｂとともにドライエッチングで除去する（図７（ｂ））。
【００２８】
更に、電極取り出し口１５に露呈した樹脂５１ａ部分をＯ2 プラズマのドライエッチングで除去する（図７（ｃ））。この状態において、樹脂５１ａは空間部１０を封止しており、封止部５１を形成している。このように、本例では樹脂５１ａが封止部５１の封止剤も兼ねるため、一回の樹脂５１ａの注入作業で封止部５１も形成でき、製造工程を簡略化することができる。
また、ガラス基板２ａのインク供給穴８となる孔部からレーザ加工を施してＳｉ基板１ａの凹部５ｂの底部を貫通させて、インク供給穴８を形成する（図７（ｃ））。
ここまでの工程で、キャビティ基板１と電極ガラス基板２が完成する。
【００２９】
次に、キャビティ基板１の表側に、予めノズル穴４、オリフィス６等が形成されたノズル基板３を接着剤で接着し（図７（ｄ））、ダイシングすることによりインクジェットヘッドを切り出して、インクジェットヘッドが完成する（図７（ｅ））。
【００３０】
このように本実施形態１によれば、ガラス基板２ａとシリコン基板１ａを接合した後に、接合されたシリコン基板１ａに対して吐出室等の各流路を形成するため、取り扱いが容易で、基板の割れも低減することができ、且つ基板の大口径化が可能となる。大口径化が可能となれば、一枚の基板から多くのインクジェットヘッドを取出すことができるため、生産性を向上させることができる。
また、電極取り出し口１５となる部分のような大面積にわたって薄膜が形成される部分とガラス基板２との間の空間に、樹脂５１ａを充填して強度を上げるため、電極取り出し口１５となる部分に残った薄膜部１３ｃの割れを防止することができる。仮に、亀裂等により薄膜部１３ｃが破損したとしても、樹脂５１ａの存在によって空間部１０へのエッチング液の侵入を防止することができる。従って、エッチング液による個別電極１１へのダメージを防止することができる。また、電極ガラス基板２の封止剤注入穴１６及び封入溝１４をヘッドチップ間に形成して隣接するヘッドチップ同士で共用するようにすることで、樹脂量の低減や、スペースの削減等が可能となり、生産性を上げることができる。
【００３１】
なお、本例では、封止剤注入穴１６及び封入溝１４をチップ領域外に設けた例を図示して説明したが、電極取り出し口１５の近傍であれば、チップ内、例えばリザーバー５と電極取り出し口１５との間に設けてもよい。
【００３２】
実施形態２．
図８は、本発明の実施形態２に係るインクジェット記録装置の例を示したものである。図８に示されるインクジェット記録装置１００は、インクジェットプリンタであり、実施形態１のインクジェットヘッドの製造方法で得られたインクジェットヘッドを搭載している。実施形態１のインクジェットヘッドの製造方法は、歩留まりの低下を防止できるため、インクジェット記録装置１００の製造に際しても同様の効果を発揮し、製造コスト低減に寄与する。
【００３３】
図９は、図８に示すインクジェット記録装置の印字部を示した図である。インクジェットヘッド２００は、キャリッジ２０１に設置されている。キャリッジ２０１は、ガイドレール２０２に沿って左右方向に移動可能となっており、記録紙面２０３は、ローラー２０４が回転することによって、ガイドレール２０２に垂直な方向にスライドするようになっている。キャリッジ２０１が左右方向に移動し、ローラー２０４が回転するのに合わせてインクジェットヘッド２００からインク液滴が吐出されることにより文字、画像の印刷が可能となっている。
【００３４】
本発明の実施形態１に係るインクジェットヘッドの製造方法で得られたインクジェットヘッドは、図８に示すようなインクジェットプリンタの他に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造や、液晶表示装置のカラーフィルタの製造、ＤＮＡデバイスの製造等に使用することもできる。
なお、本発明の実施形態１のインクジェットヘッドの製造方法は、静電アクチュエータを用いたミラーデバイス等のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、微小電子機械システム）デバイスの製造にも応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施形態１に係るインクジェットヘッドの一例を示した図。
【図２】図１の一部の概略構成を分解して示すインクジェットヘッドの斜視図。
【図３】実施形態１に係るインクジェットヘッドの製造途中の状態を示す図。
【図４】キャビティ基板の製造工程の途中までの断面図。
【図５】電極ガラス基板の製造工程の途中までの断面図。
【図６】キャビティ基板と電極ガラス基板を接合した後の工程の断面図。
【図７】図６の製造工程の続きの製造工程の断面図。
【図８】実施形態２に係るインクジェット記録装置の例を示した図。
【図９】図８のインクジェット記録装置の印字部を示した図。
【符号の説明】
【００３６】
１  キャビティ基板、２  電極ガラス基板、３  ノズル基板、４  ノズル穴、５  リザーバー、６  オリフィス、７  吐出室、８  インク供給穴、９  振動板、９ｂ  絶縁膜、１０  空間部、１０ａ  凹部、１１  個別電極、１３  電極端子、１３ｃ  薄膜部、１４  封入溝、１５  電極取り出し口、１６  封止剤注入穴、４１  接合基板、５１  封止部、５１ａ  樹脂。
【図１】
2007216414.tif 000003
【図２】
2007216414.tif 000004
【図３】
2007216414.tif 000005
【図４】
2007216414.tif 000006
【図５】
2007216414.tif 000007
【図６】
2007216414.tif 000008
【図７】
2007216414.tif 000009
【図８】
2007216414.tif 000010
【図９】
2007216414.tif 000011