(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、チップコイルにおける素体と下地電極層との間の密着性の向上を目的とする。【解決手段】本発明は素体７と、この素体７に接触形成させたコイルパターン８と、このコイルパターン８に接続すると共に素体７の表面に設けた電極９と、コイルパターン８と素体７との接触部に介在させた下地電極層１２とを備え、下地電極層１２は銅塊とニッケル塊とを有し、これらの銅塊とニッケル塊の内少なくともニッケル塊は素体７表面の凹部内に入り込んだチップコイル。【選択図】図２
2007103442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素体と、この素体に接触形成させたコイルパターンと、このコイルパターンに接続すると共に前記素体の表面に設けた電極と、前記コイルパターンと前記素体との接触部に介在させた下地電極層とを備え、前記下地電極層は銅塊とニッケル塊とを有し、これらの銅塊とニッケル塊の内少なくともニッケル塊は前記素体表面の凹部内に入り込んだチップコイル。
【請求項２】
電極が銅からなる請求項１に記載のチップコイル。
【請求項３】
素体は、感光性樹脂硬化物により形成した請求項１または請求項２に記載のチップコイル。
【請求項４】
電極と素体との接触部に、銅とニッケルとにより構成した下地電極層を介在させた請求項１〜３のいずれか一つに記載のチップコイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるチップコイルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のチップコイルは、図１９に示されるように、感光性樹脂硬化物からなる素体１に銅からなるコイルパターン２を埋没し、素体１の表面には銅からなる電極３を、引き出し電極４、ビア５を介してコイルパターン２に接続するように形成している。また、コイルパターン２と素体１との接触部には銅からなる下地電極層６を形成して構成していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−１９１４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のチップコイルは素体１と下地電極層６との間の密着性が悪いことが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成においては、図２０に示すごとく、素体１の表面にある小さな凹みに下地電極層６を構成する銅塊６Ａが入り込むものの、一つの銅塊６Ａの周りを囲むように他の銅塊６Ａが形成されるわけではなく、素体１及び下地電極層６間において十分なアンカー効果を得ることができないため、密着性が悪くなっていた。
【０００６】
そこで本発明は、チップコイルにおける素体１と下地電極層６との間の密着性の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、素体と、この素体に接触形成させたコイルパターンと、このコイルパターンに接続すると共に前記素体の表面に設けた電極と、前記コイルパターンと前記素体との接触部に介在させた下地電極層とを備え、前記下地電極層は銅塊とニッケル塊とを有し、これらの銅塊とニッケル塊の内少なくともニッケル塊は前記素体表面の凹部内に入り込んだチップコイルとしたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のチップコイルは、下地電極層を銅塊とニッケル塊により構成し、粒径の小さなニッケル塊が素体表面の凹部内に入り込み、銅塊で充填し切れない部分が充填されるためアンカー効果が増し、下地電極層と絶縁性樹脂層との密着性を向上させることができる。
【０００９】
さらに、電流がニッケル塊を介さず銅塊のみを通過してコイルパターンと電極間とを行き来することができるため、高い導電率を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１)
以下、本発明の実施の形態１におけるチップコイルについて図面を参照しながら説明する。
【００１１】
本実施の形態におけるチップコイルの斜視図である図１及び断面図である図２において、感光性樹脂硬化物からなる方形状の素体７には、銅などの金属からなる螺旋形状のコイルパターン８を埋没している。また、素体７の下面には電極９を形成し、この電極９は引き出し電極１０、ビア１１を介してコイルパターン８に電気的に接続させ、このようにして、チップコイルを構成している。そして、コイルパターン８、電極９、引き出し電極１０、ビア１１と素体７との界面には、銅とニッケルとの合金からなる下地電極層１２を形成している。
【００１２】
ここで、このチップコイルの製造方法を以下に示す。
【００１３】
まず、図３に示すごとく、シリコンなどの基板１３の上面に、触媒付与処理によりパラジウム層１４を形成し、このパラジウム層１４の上面に、フォトリソグラフィ工法により電極形成部分９Ａを残して絶縁性樹脂層１５を形成する。
【００１４】
次に、図４に示すごとく、パラジウム層１４表面における電極形成部分９Ａ及び、絶縁性樹脂層１５の表面に、下地電極層１２Ｃを形成する。この下地電極層１２Ｃは図１８に示すごとく銅塊１２Ａとニッケル塊１２Ｂとを有し、このニッケル塊１２Ｂが絶縁性樹脂層１５の凹部Ｔ内に入り込んだ構成としている。
【００１５】
形成方法としては、無電解めっき工法により形成すると、この下地電極層１２Ｃの表面に水分の膜（図示せず）が形成されるため、この下地電極層１２Ｃが酸化せず、次の工程で示す金属層（図示せず）と金属結合させることができるので、高い密着性を有すると共に、酸化膜を有さないため高い導電率を得ることができ、望ましい。
【００１６】
このような構成としたため、粒径の小さなニッケル塊１２Ｂが絶縁性樹脂層１５の凹部Ｔ内に入り込み、銅塊１２Ａで充填し切れなかった部分が充填されるためアンカー効果が増し、下地電極層１２Ｃと絶縁性樹脂層１５との密着性を向上させることができる。
【００１７】
さらに、電流がニッケル塊１２Ｂを介すことなく銅塊１２Ａのみを通過してコイルパターンと電極間とを行き来することができる構成としているため、高い導電率を実現することができる。
【００１８】
その後、図５に示すごとく、完成時において電極（図示せず）を構成することになる金属層１６を、下地電極層１２Ｃを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層１６には銅を用いることが望ましい。
【００１９】
次に、図６に示すごとく、金属層１６及び下地電極層１２Ｃを研磨することにより、絶縁性樹脂層１５を上面に露出させる。研磨方法としては、アルミナスラリーを用いたＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）研磨を用いると、エッチングしながら下地電極層１２Ｃ及び金属層１６のみを選択的に研磨するので、高い精度で研磨することができ望ましい。
【００２０】
その後、図７に示すごとく、金属層１６、絶縁性樹脂層１５、下地電極層１２Ｃの上面に、フォトリソグラフィ工法によりコイルパターン形成部分６Ａ及び、ビア形成部分９Ａを残して絶縁性樹脂層１７を形成する。
【００２１】
次に、図８に示すごとく、絶縁性樹脂層１７及び金属層１６の上面に、図１８に示すごとく銅塊１２Ａとニッケル塊１２Ｂとを有し、このニッケル塊が絶縁性樹脂層１５の凹部Ｔ内に入り込んだ下地電極層１２Ｄを形成する。
【００２２】
形成方法としては、無電解めっき工法により形成すると、この下地電極層１２Ｄの表面に水分の膜（図示せず）が形成されるため、この下地電極層１２Ｄが酸化せず、次の工程で示す金属層（図示せず）と金属結合させることができるので、高い密着性を有すると共に、酸化膜を有さないため高い導電率を得ることができ望ましい。
【００２３】
その後、図９に示すごとく、完成時においてコイルパターン（図示せず）及びビア（図示せず）を構成することになる金属層１８、下地電極層１２Ｄを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層１８には銅を用いることが望ましい。
【００２４】
次に、図１０に示すごとく、金属層１８及び下地電極層１２ＤをＣＭＰ研磨することにより、絶縁性樹脂層１７を上面に露出させる。
【００２５】
その後、図１１に示すごとく、金属層１８、絶縁性樹脂層１７、下地電極層１２Ｄの上面に、フォトリソグラフィ工法により引き出し電極形成部分１０Ａを残して絶縁性樹脂層１９を形成する。
【００２６】
次に、図１２に示すごとく、絶縁性樹脂層１９、下地電極層１２Ｄ及び金属層１８の上面に、図１８に示すごとく銅塊１２Ａとニッケル塊１２Ｂとを有し、このニッケル塊が絶縁性樹脂層１５の凹部Ｔ内に入り込んだ下地電極層１２Ｅを形成する。
【００２７】
形成方法としては、無電解めっき工法により形成すると、この下地電極層１２Ｅの表面に水分の膜（図示せず）が形成されるため、この下地電極層１２Ｅが酸化せず、次の工程で示す金属層（図示せず）と金属結合させることができることにより高い密着性を有すると共に、酸化膜を有さないため高い導電率を得ることができ望ましい。
【００２８】
その後、図１３に示すごとく、引き出し電極（図示せず）を構成することになる金属層２０を、下地電極層１２Ｅを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層２０には銅を用いることが望ましい。
【００２９】
次に、図１４に示すごとく、金属層２０及び下地電極層１２ＥをＣＭＰ研磨することにより、絶縁性樹脂層１９を上面に露出させる。
【００３０】
その後、図１５に示すごとく、金属層２０、絶縁性樹脂層１９、下地電極層１２Ｅの上面に、フォトリソグラフィ工法により保護層としての絶縁性樹脂層２１を形成する。
【００３１】
次に、図１６に示すごとく、絶縁性樹脂層２１から下地電極層１２Ｃまで、ダイシング工法などにより裁断する。この裁断は、レーザー照射などによって行ってもかまわないが、ダイシング工法を用いると寸法精度が高く望ましい。
【００３２】
その後、図１７に示すごとく、フッ酸処理により基板１３、パラジウム層１４を取り除くと共に、各チップコイルに個片化することができる。
【００３３】
なお、パラジウム層１４は、面状に形成するのではなく、パラジウムが点在するような形で形成してもかまわない。
【００３４】
このような工程により、図１，２に示すようなチップコイルを得ることができる。
【００３５】
本実施の形態のチップコイルは、図２に示す下地電極層１２を構成する第２の金属を、図１８に示すごとく銅塊１２Ａとニッケル塊１２Ｂにより構成し、粒径の小さなニッケル塊１２Ｂが素体の凹部Ｔ内に入り込み、銅塊１２Ａで充填し切れない部分が充填されるためアンカー効果が増し、図２に示す下地電極層１２と素体７との密着性を向上させることができる。
【００３６】
さらに、図１８に示すごとく電流がニッケル塊１２Ｂを介さず銅塊１２Ａのみを通過してコイルパターンと電極間とを行き来することができるため、高い導電率を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明のチップコイルは、素体と下地電極層との間において高い密着性を有し、携帯電話等、各種電子機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの斜視図
【図２】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの断面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１７】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１８】本発明の実施の形態１における下地電極層と絶縁性樹脂層との断面図
【図１９】従来のチップコイルの断面図
【図２０】従来のチップコイルにおける下地電極層と絶縁性樹脂層との断面図
【符号の説明】
【００３９】
７  素体
８  コイルパターン
９  電極
１０  引き出し電極
１１  ビア
１２  下地電極層
【図１】
2007103442.tif 000003
【図２】
2007103442.tif 000004
【図３】
2007103442.tif 000005
【図４】
2007103442.tif 000006
【図５】
2007103442.tif 000007
【図６】
2007103442.tif 000008
【図７】
2007103442.tif 000009
【図８】
2007103442.tif 000010
【図９】
2007103442.tif 000011
【図１０】
2007103442.tif 000012
【図１１】
2007103442.tif 000013
【図１２】
2007103442.tif 000014
【図１３】
2007103442.tif 000015
【図１４】
2007103442.tif 000016
【図１５】
2007103442.tif 000017
【図１６】
2007103442.tif 000018
【図１７】
2007103442.tif 000019
【図１８】
2007103442.tif 000020
【図１９】
2007103442.tif 000021
【図２０】
2007103442.tif 000022