(57)【要約】 【課題】  所定の導電部材に対して非接触の手法により微細パターンを形成するための放電加工用電極型を提供する。【解決手段】  本発明の放電加工用電極型３５は、表面に、線状の凸パターン３４が所定配列で形成されてなる基材３０と、前記基材３０の凸パターン３４上に形成されてなる触媒層３１と、前記触媒層３１上に形成されてなるカーボンナノチューブ電極３２と、を具備することを特徴とする。【選択図】    図８
2007000974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に、線状の凸パターンが所定配列で形成されてなる基材と、
前記基材の凸パターン上に形成されてなる触媒層と、
前記触媒層上に形成されてなるカーボンナノチューブ電極と、を具備することを特徴とする放電加工用電極型。
【請求項２】
基材の表面に対して線状の凸パターンを所定配列で形成する凸パターン形成工程と、
前記形成した凸パターン上に触媒層を形成する触媒層形成工程と、
前記触媒層上にカーボンナノチューブ電極を形成するカーボンナノチューブ電極形成工程と、を具備してなることを特徴とする放電加工用電極型の製造方法。
【請求項３】
前記凸パターン形成工程において、干渉露光法により当該凸パターンを形成することを特徴とする請求項２に記載の放電加工用電極型の製造方法。
【請求項４】
前記凸パターン形成工程において、ナノインプリント法により当該凸パターンを形成することを特徴とする請求項２に記載の放電加工用電極型の製造方法。
【請求項５】
前記触媒層形成工程において、ステージ上に配置された触媒を前記凸パターン上に転写することを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の放電加工用電極型の製造方法。
【請求項６】
前記カーボンナノチューブ電極形成工程において、化学気相成長法により当該カーボンナノチューブを前記触媒層上に成長させることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１項に記載の放電加工用電極型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電加工用電極型とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクタ等の投射型表示装置における光変調装置として、液晶装置が用いられている。このような液晶装置としては、対向配置された一対の基板間に液晶層が挟持された構成のものが知られており、この一対の基板の内側には、液晶層に電圧を印加するための電極が形成されている。また、この電極の内側には、電圧無印加時において液晶分子の配列を制御する配向膜が形成され、配向膜としてはポリイミド膜の表面にラビング処理を施したものが公知である。
【０００３】
一方、一対の基板の外側（液晶層に対向する面とは異なる面側）には偏光板が配設されており、液晶層に対して所定の偏光が入射される構成となっている。偏光板としては、有機化合物の樹脂フィルムを一方向に延伸することによってヨウ素や二色性染料を一定方向に配向させて製造される偏光フィルムの他、ガラス基板上に金属の微細パターンが配設された構成の偏光素子が知られている。ここで、このような微細パターンの形成方法としては、例えば特許文献１に開示されたような方法が公知である。
【特許文献１】特開平５−２９７２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１では、表面に格子形状が形成された型を用いて、ガラスを繰り返しプレス成形することにより、該型と同一形状のガラス格子を作製している。しかしながら、プレス成形を用いて格子を作製する方法では、金属型を用いたプレスの際にガラスを軟化させるために、５００℃以上の高温プロセスが必要であり、型自体の損傷、変形も激しく生産性に欠けるものである。
【０００５】
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、偏光素子や回折格子等として好適に用いることができる微細パターンを備えた光学素子の製造に適した放電加工用電極型であって、所定の導電部材に対して非接触の手法により前記微細パターンを形成するための放電加工用電極型を提供することを目的としている。また、本発明は、そのような放電加工用電極型の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の放電加工用電極型は、表面に、線状の凸パターンが所定配列で形成されてなる基材と、前記基材の凸パターン上に形成されてなる触媒層と、前記触媒層上に形成されてなるカーボンナノチューブ電極と、を具備することを特徴とする。
【０００７】
このような放電加工用電極型によると、所定の被加工体（導電部材）に対して非接触の方式により溝パターンを形成することができる。つまり、カーボンナノチューブ電極と被加工体（導電部材）との間に放電を生じさせ、該放電による加工に基づいて、凸パターンに対応した溝パターンを被加工体（導電部材）に形成することができるのである。そして、当該加工は非接触式であるため、従来のような接触式の加工に比して、型自体の損傷、変形を防ぐことができるのである。
【０００８】
次に、上記課題を解決するために、本発明の放電加工用電極型の製造方法は、基材の表面に対して線状の凸パターンを所定配列で形成する凸パターン形成工程と、前記形成した凸パターン上に触媒層を形成する触媒層形成工程と、前記触媒層上にカーボンナノチューブ電極を形成するカーボンナノチューブ電極形成工程と、を具備してなることを特徴とする。
【０００９】
このような製造方法により、上述した放電加工用電極型を好適に作製することができる。そして、当該作製された型を用いた放電加工により、所定の被加工体（導電部材）に対して非接触の方式により溝パターンを形成することができる。つまり、形成したカーボンナノチューブ電極と被加工体（導電部材）との間に放電を生じさせ、該放電による加工に基づいて、同形成した凸パターンに対応した溝パターンを被加工体（導電部材）に形成することができるのである。そして、当該型による加工は非接触式であるため、従来のような接触式の加工に比して、型自体の損傷、変形を防ぐことができるのである。
【００１０】
前記凸パターン形成工程において、干渉露光法により当該凸パターンを形成することができる。このような干渉露光法により、所定配列を有した微細な線状の凸パターンを簡便に形成することが可能となる。
【００１１】
また、前記凸パターン形成工程において、ナノインプリント法により当該凸パターンを形成することができる。このようなナノインプリント法により、所定配列を有した微細な線状の凸パターンを簡便に形成することが可能となる。
【００１２】
また、前記触媒層形成工程において、ステージ上に配置された触媒を前記凸パターン上に転写して当該触媒層を形成することができる。このような転写法により、触媒層を凸パターン上に簡便に形成することが可能となる。ここで用いる触媒としては、例えばフタロシアニンコバルト等の金属有機化合物を例示することができる。
【００１３】
また、前記カーボンナノチューブ電極形成工程において、化学気相成長法により当該カーボンナノチューブを前記触媒層上に成長させるものとすることができる。このような化学気相成長法により当該カーボンナノチューブ電極を触媒層上に簡便に形成することが可能となる。ここで、形成するカーボンナノチューブは、例えば直径１ｎｍ〜５０ｎｍ程度で、高さが１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度のものである。
【００１４】
以上のような製造方法により得られる放電加工用電極型は、例えば光学素子を製造する際に用いることができる。そのような光学素子の製造方法としては、誘電体からなる基板上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層に対して、前記製造方法により製造された放電加工用電極型を用いた放電加工により線状の溝パターンを所定配列で形成する溝パターン形成工程と、を具備してなることを特徴とする。
【００１５】
このような光学素子の製造方法は、放電加工により金属層に溝パターンを形成して微細構造体からなる光学素子を製造しており、該放電加工は非接触で被加工体を加工できるものであるため、従来のような型による接触式の転写方法に比して当該電極等が磨耗、損傷される惧れがない。つまり、当該型を用いた放電加工による光学素子の製造方法は、非常に高効率で、生産性の高い方法であり、該放電加工の導入により安価で高信頼性の光学素子を提供することが可能となるのである。なお、光学素子としては、例えば偏光素子（偏光板）として用いることができる他、回折素子やＰＢＳ（Polarized Beam Splitter）、位相差板として用いることも可能である。
【００１６】
また、そのような光学素子からなる偏光素子は投射型表示装置に用いることができる。具体的には、光源装置と、該光源装置から射出された光を変調する光変調装置と、該光変調装置により変調された光を投射する投射装置とを備える投射型表示装置であって、前記光変調装置の光入射側と光射出側とに偏光素子が配設されてなり、該偏光素子が上述した方法により製造された光学素子により構成されてなることを特徴とする。このような投射型表示装置は非常に安価なものとなる。つまり、上述した方法により製造された光学素子は、非常に簡便に製造されるためコストが低いものとなるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
［プロジェクタ］
図１は、本発明の放電加工用電極型を用いた放電加工により得られる光学素子を偏光素子（偏光板）として用いたプロジェクタ（投射型表示装置）の一実施形態であり、その要部を示す概略構成図である。本実施形態のプロジェクタは、光変調装置として液晶装置を用いた液晶プロジェクタである。
【００１９】
図１において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶装置からなる光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズ、８３１、８３２、８３３は入射側の偏光板（光学素子）、８３４、８３５、８３６は出射側の偏光板である。
【００２０】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。なお、光源８１０としては、メタルハライド以外にも超高圧水銀ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等を用いることも可能である。
【００２１】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、偏光板８３１を介して赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、偏光板８３２を介して緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が偏光板８３３を介して青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００２２】
各光変調装置８２２〜８２４により変調された３つの色光は、各色偏光板８３４〜８３６を介してクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００２３】
ここで、本実施形態のプロジェクタにおいては、偏光板８３１〜８３６として、無機材料からなるものを採用している。メタルハライドランプ８１１からなる光源８１０は高エネルギーの発光が行われるものであるため、有機材料では当該高エネルギーの光により分解ないし変形が生じる惧れがある。そこで、耐光性及び耐熱性の高い無機材料（金属材料を含む）で偏光板８３１〜８３６を構成している。
【００２４】
図２は偏光板８３１〜８３６（以下、これらを総称して偏光板１とも言う）の概略構成を示す斜視図、図３は偏光板１の平面模式図、図４は偏光板１の断面模式図、図５は偏光板１を光が透過する際の作用を示す説明図である。
【００２５】
偏光板１は、本発明の放電加工用電極型を用いて製造された光学素子に係るもので、光源８１０から射出された各色光を偏光選択して直線偏光のみを透過させるものである。具体的には図２に示すように、ガラス基板等の誘電材料からなる透光性の基材１１Ａ上に、ストライプ状に配置された複数の非有機材料（無機材料及び／又は金属材料、本実施形態ではアルミニウムを用いている）からなる格子（微細構造体）１２を備えて構成されている。
【００２６】
図３に示すように、格子１２のピッチＰは入射光の波長よりも小さい値であり、例えば１４０ｎｍ以下に設定されている。また、格子１２の幅は、例えば７０ｎｍ以下に設定されており、製造上の都合もあるが、入射光の波長の１／１０程度にするとより好ましい。なお、格子１２の隙間に形成される線状の溝パターン１３は空間とされているが、例えば当該格子１２と異なる透光性の材料を挿入するものとしても良い。
【００２７】
なお、格子（微細構造体）１２の高さは１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度となっている。また、格子１２を構成する金属材料としては、アルミニウム以外にも、銀、金、銅、パラジウム、白金、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、インジウム、ビスマス、又はこれらの合金などを用いることができる。
【００２８】
このような偏光板１は、図５に示すように、格子１２の屈折率ｎＡと、格子１２間に介在する空間１１Ｂの屈折率ｎＢとが異なるため、偏光板１に入射した光の偏光方向により、偏光選択が行なわれる。具体的には、格子１２の延在方向と垂直な方向に偏光軸を有する直線偏光Ｘを透過させ、格子１２の延在方向と平行な方向に偏光軸を有する直線偏光Ｙを反射する。したがって、本実施形態の偏光板１は、光反射型偏光子と同じ作用、すなわち光軸（透過軸）と平行な偏光を透過させ、垂直な偏光に対しては反射させる作用を有している。
【００２９】
偏光板１を透過して生成された直線偏光は、光変調手段としての液晶装置８２２〜８２４に入射する。液晶装置８２２〜８２４は、例えば図６に示したような構成を備えている。図６は、液晶装置８２２〜８２４の断面模式図である。
【００３０】
液晶装置８２２〜８２４は、ガラスやプラスチック等の透明基板で構成される２枚の基板（素子基板１０，対向基板２０）を含んで構成され、該一対の基板１０，２０間に液晶層５０が挟持されている。素子基板１０の液晶層５０側にはＩＴＯ等で構成された透明電極９がマトリクス状に形成されており、透明電極９のさらに液晶層５０側には、液晶分子の配向規制を行う配向膜１１が基板全面に形成されている。
【００３１】
一方、対向基板２０の液晶層５０側には、基板全面にベタ状の透明電極２３が形成されており、透明電極２３のさらに液晶層５０側には、液晶分子の配向規制を行う配向膜２１が基板全面にベタ状に形成されている。
【００３２】
図６の構成においては、一対の基板１０，２０が、シール材（図示略）を介して貼り合わせられ、その内部に液晶が封入されている。この場合、液晶層５０の液晶モードとしてＴＮ（Twisted Nematic）モードが採用されているが、その他にもＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モード等を採用することができる。
【００３３】
素子基板１０は、ガラスや石英等の透光性の基板であって、画素電極９に対する電圧印加をスイッチング駆動するＴＦＴ素子（図示略）を備えている。画素電極９はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性且つ導電性の材料にて構成されており、膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度（例えば８５ｎｍ）とされている。また、配向膜１１はＳｉＯ２の斜方蒸着材料から構成されており、液晶分子の配向を規制している。なお、配向膜１１の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍ程度（例えば５ｎｍ）とされている。
【００３４】
一方、対向基板２０は、素子基板１０と同様、ガラスや石英等の透光性の基板から構成されており、その液晶層側にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性且つ導電性の材料にて構成された共通電極２３が、膜厚５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度（例えば１４０ｎｍ）に形成されている。また、共通電極２３のさらに液晶層側には、ＳｉＯ２の斜方蒸着材料から構成される配向膜２１が形成されており、その膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍ程度（例えば５ｎｍ）とされている。
【００３５】
このような液晶装置８２２〜８２４では、図１に示した偏光板８３１，８３２，８３３を介して入射する直線偏光の位相制御が行われる。つまり、電極９，２３に対する印加電圧により液晶層５０の駆動制御を行い、当該入射光の位相を制御するものとしている。位相制御された光は、光射出側に配設された偏光板８３４，８３５，８３６に入射して変調される。
【００３６】
液晶装置８２２〜８２４及び偏光板８３１〜８３６で変調された各色光は、上述した通り、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射して形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００３７】
本実施の形態では、偏光板１（８３１〜８３６）に関して有機材料を用いないものとしている。つまり、メタルハライドランプから供給される高エネルギー光により劣化する惧れのある有機材料を排除して、無機材料及び／又は金属材料から偏光板１（８３１〜８３６）を構成している。また、当該偏光板１（８３１〜８３６）は、以下に示すような方法により製造しているため、製造コストも安価で、非常に信頼性の高いものとなっている。
【００３８】
［偏光板の製造方法］
以下、図２〜図４に示した偏光板１の製造方法の一例について説明する。図７は偏光板１の製造工程において行う放電加工法の概略を示す説明図で、図８は該製造工程で用いる放電加工用電極型の一例を示す断面模式図である。また、図９は放電加工法の一変形例を示す説明図、図１０も同放電加工法の一変形例を示す説明図である。
【００３９】
まず、図７（ａ）に示したように透光性の誘電体材料であるＳｉＯ２からなる基板１１Ａに対して、アルミニウムをスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などにより基板全面に形成し、膜厚が１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度のアルミニウム層を形成する。
【００４０】
次に、図７（ｂ）に示すように、アルミニウム層２の表面に所定の線状溝パターン１３（図２参照）を形成し、アルミニウムからなる格子１２を形成する。ここでは、放電加工法を用いて溝パターン１３を形成するものとしており、具体的には、図８に示すような放電加工用電極型３５を用いている。放電加工用電極型３５は、アルミニウム層２に形成すべき溝パターン１３と同一のパターンで形成されてなる突条部（凸パターン）３４を有したガラス基板３０を基台としてなるもので、該突条部３４上に触媒層３１を介してカーボンナノチューブ電極３２が形成されてなるものである。
【００４１】
このような放電加工用電極型３５を用いて、図７（ｂ）に示すように、カーボンナノチューブ電極３２がアルミニウム層２と対向するように設置し、カーボンナノチューブ電極３２とアルミニウム層２との間に放電ＥＤを生じさせることにより、カーボンナノチューブ電極３２のパターンに対応した溝パターン１３をアルミニウム層２に形成するものとしている。そして、アルミニウム層２への溝パターン１３の形成により、格子１２が基板１１Ａに形成される。このような放電加工は被加工面（アルミニウム層２の表面）と非接触で行われることが最大の特徴で、放電加工用電極型３５は加工時に磨耗や損傷が生じる可能性が極めて低いものとなっている。
【００４２】
なお、放電加工は例えば図９に示すような油浴３３中で行うことができる。このようにカーボンナノチューブ電極３２とアルミニウム層２との間に誘電体である油を介在させることで、カーボンナノチューブ電極３２とアルミニウム層２との間の異常放電を回避することができる。
【００４３】
また、例えば図１０に示すように、一列に並んだ凸状体３７を有するガラス基板３０に対し、カーボンナノチューブ電極３２を一列の凸パターンとしたものを放電加工用電極型として用いることもできる。つまり、カーボンナノチューブ電極３２を、形成する溝パターン１３の配列と同一配列パターンで形成した放電加工用電極型３６を用いて、図２〜図４に示した偏光板１を製造することができる。このような放電加工用電極型３６は、図１０の矢印で示したように、アルミニウム層２に対し、カーボンナノチューブ電極３２の配列方向と交差する方向に当該型３６を相対移動させつつ連続的に放電を行うことで、所望の溝パターン１３を形成することができる。
【００４４】
なお、凸状体３７（すなわちカーボンナノチューブ電極３２）の形状としては、柱状（例えば四角柱）の他、半球状のもの、或いは錐状（例えば四角錐）のものを採用することができる。
【００４５】
以上のような製造方法によると、有機材料を用いない偏光板（光学素子）１を製造することができ、該製造される偏光板１は耐光性及び耐熱性に非常に優れたものとなる。また、放電加工によりアルミニウム層２に溝パターン１３を形成して格子（微細構造体）１２からなる偏光板１を製造しており、該放電加工は非接触で被加工体たるアルミニウム層２を加工できるものであるため、従来のようなプリント型による接触式の転写方法に比して当該型を磨耗ないし損傷する惧れがなく、製造効率が向上することとなる。
【００４６】
なお、本実施の形態では、上記方法で作製された微細構造を有する光学素子を偏光素子（偏光板）として用いる例を示したが、その他にも回折素子やＰＢＳ（Polarized Beam Splitter）、位相差板として用いることも可能である。また、光学素子たる偏光素子は、直視型のプロジェクタにも適用することが可能である。
【００４７】
［放電加工用電極型の製造方法］
以下、図８に示した放電加工用電極型３５の製造方法について説明する。図１１は当該放電加工用電極型３５の製造工程の一例を示す説明図、図１２は形成されたカーボンナノチューブを示す拡大模式図、図１３は当該放電加工用電極型３５の製造工程において用いるカーボンナノチューブ形成装置の一例を示す説明図である。図８に示したように、本実施形態の偏光素子（光学素子）の製造時に用いた放電加工用電極型３５は、線状パターンが所定間隔で配列されてなる突条部（凸パターン）３４を有したガラス基板３０を基台としてなるもので、該突条部３４上に触媒層３１を介してカーボンナノチューブ電極３２が形成されてなるものである。
【００４８】
このような放電加工用電極型３５を製造するに際し、まず図１１（ａ）に示すように、ガラス基板３０に対して突条部３４を形成する。ここでは、図１４に示したようなレーザ光Ｌ１、Ｌ２を利用した２光束干渉露光法により、又は図１５に示したような炭化珪素などの高硬度の型４１をガラス基板３０に接触させ、当該型４１の形状を転写するナノインプリント法等により線状パターンを所定間隔で形成するものとしている。
【００４９】
次に、図１１（ｂ）に示すように、ガラス基板３０の突条部３４上に触媒層３１を形成する。ここでは、ステージ３８上にスピンコート等により塗布されたフタロシアニンコバルト等の金属有機化合物からなる触媒３１を突条部３４上に選択的に転写して、当該触媒層３１を形成するものとしている。そして、図１１（ｃ）に示すように、触媒層３１上に化学気相成長法によりカーボンナノチューブに成長させカーボンナノチューブ電極３２を形成する。
【００５０】
図１３はカーボンナノチューブ作成装置の模式図である。図１３において、反応管１０４は石英製のものであって、反応によって反応管内壁に析出物が付着し変質するのを防ぐため反応管１０４内にライナー管１４１を載置している。このライナー管１４１は反応を行う毎に清浄なものと交換する。原料（フタロシアニンコバルト）１０１は適当な容器１０２に入れライナー管１４１中に設置する。
【００５１】
反応管１０４の温度は電気炉１０６により加熱し、原料１０１の蒸発量を電気炉１０６により制御する。同じライナー管１４１中に設置した基板３０の温度は電気炉１０５により制御している。また、反応管１０４内には高純度アルゴンガスを流量制御器１０７によって供給できるようにされている。反応管１０４の排気側にはパルプ１０８を介して排気装置１０９を接続して、反応管１０４内の圧力を制御できるようにされている。
【００５２】
原料１０１を設置した部分の温度は３８０℃に設定する。この温度は原料１０１を適当な蒸気圧で蒸発させることを目的に設定するものである。また基板設置部の温度を８５０℃に設定する。高純度Ａｒガスを毎分３００ｃｃの割合で流し、１気圧で１時間反応させる。そうすると、図１２に示すように、太さが１ｎｍ〜５０ｎｍで、長さが１０ｎｍ〜２００ｎｍのカーボンナノチューブ３２が触媒層３１上に生成される。なお、突条部３４以外の部分、例えば突条部３４，３４間の溝部分にはカーボンナノチューブが生成することはない。
【００５３】
以上のような方法によりカーボンナノチューブ電極３２を備えた放電加工用電極型３５が作成される。なお、放電加工用電極型３５を使用して光学素子を作製するに伴い、カーボンナノチューブ電極３２は磨耗した場合には、上記のようなカーボンナノチューブの作製フローにしたがって、カーボンナノチューブ電極３２を再生成することができるため、当該放電加工用電極型３５を用いた光学素子の製造方法は量産性に優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本実施形態のプロジェクタの概略構成を示す模式図。
【図２】偏光板の一実施形態を模式的に示す斜視図。
【図３】偏光板の一実施形態を模式的に示す平面図。
【図４】偏光板の一実施形態を模式的に示す断面図。
【図５】偏光板の作用を示す説明図。
【図６】光変調装置として用いた液晶装置の一実施形態を模式的に示す断面図。
【図７】放電加工法の一例を示す説明図。
【図８】放電加工用電極型の一例を示す斜視図。
【図９】放電加工法の一変形例を示す説明図。
【図１０】放電加工法の一変形例を示す説明図。
【図１１】放電加工用電極型の製造工程の一例を示す説明図。
【図１２】カーボンナノチューブの形態を拡大して示す模式図。
【図１３】カーボンナノチューブ作成装置の概略を示す説明図。
【図１４】干渉露光法の概略を示す説明図。
【図１５】ナノインプリント法の概略を示す説明図。
【符号の説明】
【００５５】
１，８３１〜８３６…偏光板、２…アルミニウム層（金属層）、１１Ａ…基板、１２…格子（微細構造体）、１３…溝パターン、３０…ガラス基板（基材）、３１…触媒層、３２…カーボンナノチューブ電極、３４…突条部（凸パターン）、３５…放電加工用電極型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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