(57)【要約】【課題】反応容器内におけるプラズマの均一性を高めることが可能で、プラズマ状態を容易にモニタリングできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。【解決手段】反応容器の少なくとも一部を誘電体部材により構成してこれを介して高周波電力を反応容器内に導入するとともに、さらに誘電体部材の少なくとも一部を材質の異なる透光性の誘電体部材により構成することを特徴とするプラズマ処理装置。【選択図】図１
2007131912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを形成する反応容器と、該反応容器内にガスを供給するためのガス供給部と、該反応容器内に高周波電力を導入するための該反応容器外に配置された電極及び該反応容器内を排気するためのガス排気部とを備え、該反応容器内に基体を配置し該高周波電力によってガスを分解して該基体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
該反応容器の少なくとも一部が誘電体部材により構成され、該誘電体部材を介して該高周波電力が該反応容器内に導入され、さらに該誘電体部材の少なくとも一部が材質の異なる透光性の誘電体部材により構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記反応容器の少なくとも一部が、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素及び酸化ベリリウムマイカ系セラミックスから選ばれる少なくとも一種を含む誘電体部材により構成されたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記透光性の誘電体部材が、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラスから選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記反応容器の外部に、前記反応容器内部のプラズマ状態を、前記透光性の誘電体部材を透過して評価する手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ状態を評価する手段が、光学的センサーであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記反応容器の形状が円筒状であり、少なくとも円筒の側壁部が誘電体部材により構成され、該反応容器外に該誘電体部材に対向して棒状の電極が配置され、該電極の端部に対向する位置の誘電体部材が透光性の誘電体部材であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記高周波電力の周波数が、少なくとも５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の周波数を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いて基体にプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記プラズマ処理方法が、前記反応容器内に配置した円筒状基体上に、非単結晶材料で構成された複数の層を有する電子写真感光体を製造する方法であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ法により、基体上に堆積膜形成、あるいはエッチング処理を行うのに有用なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマ処理を実施する際に、処理速度を向上させ、より広い面積に均一に処理を実施することにより、生産性を高める方法が求められていた。
【０００３】
中でも、電極と基体の間にある反応容器の一部を誘電体部材で構成して、大面積で均質なプラズマを形成し、大面積な基体へのプラズマ処理を均一且つ高速に行うことを可能とするプラズマ処理装置及び方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
さらに、反応容器の一部を複数の誘電体部材を重ねて構成することにより、大面積な基体へのプラズマ処理を均一且つ高速に行うとともに、プラズマ処理装置の構成を柔軟に変更可能で、メンテナンス性にも優れたプラズマ処理を可能とするプラズマ処理装置及び方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平０８−３３９９６３号公報
【特許文献２】特開２００１−３１３２６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、前述したようなプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を用いることにより、大面積な基体へのプラズマ処理を均一且つ高速に行うことが可能にはなるものの、さらに良質な堆積膜や半導体デバイスを安定して得るためには、まだまだ改善すべき点があると考えるに至った。
【０００６】
例えば、近年の電子写真やＴＦＴ等の画像表示分野における基体の大面積化や高画質化等の要求に応じて、反応容器内におけるプラズマの均一性を高め、形成される堆積膜の品質をさらに均一にすることが求められている。
【０００７】
また、長時間にわたって連続的に行われるプラズマ処理の途中において、スパーク等の異常放電が発生すると、堆積膜の品質が低下したり、異常成長部が形成されたりし、歩留まりが悪くなる問題があった。そのため、スパーク等の異常放電の発生を検出し対策を施すために、反応容器内部のプラズマ状態を容易にモニタリングできる装置が求められている。
【０００８】
そこで、本出願に係る第１の発明の目的は、反応容器内におけるプラズマの均一性を高めることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
【０００９】
さらに、本出願に係る第２の発明の目的は、プラズマ状態を容易にモニタリングできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本出願に係る発明は、反応容器の少なくとも一部を誘電体部材により構成してこれを介して高周波電力を反応容器内に導入するとともに、さらに誘電体部材の少なくとも一部を材質の異なる透光性の誘電体部材により構成することを特徴とする。
【００１１】
本発明者らは、反応容器の少なくとも一部を誘電体部材により構成し、さらにその誘電体部材の少なくとも一部を材質の異なる透光性の誘電体部材により構成することで、プラズマの均一性を高めることができ、且つプラズマ状態を容易にモニタリングできることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
本発明者らは、上記構成によりプラズマの均一性を高めることができた理由を以下のように推察している。
【００１３】
プラズマの均一性を阻害する要因の一つとして、電極に供給される高周波電力が反応容器内に作り出す電界強度にむらを生じさせることが挙げられる。電極の形状はとくに電界強度に影響を及ぼしやすく、例えば電極形状が棒状の場合、電極端部の位置で電界強度が強くなる傾向がある。
【００１４】
そこで、このような電界強度のむらに合わせて、高周波電力が透過する誘電体部材の材質を変更することが、プラズマの均一性を高める上で有効となる。
【００１５】
例えば、電極や反応容器の形状を変更して電界強度を均一にすることは、装置改造等の大掛かりな変更を伴うが、電界強度のむらに合わせて誘電体部材の材質を変更する位置を決めることができる本発明の方法であれば、容易にプラズマの均一性を高めることが可能となる。
【００１６】
また、セラミックから成る誘電体部材に、ガラス等の一般に誘電率の低い透光性の誘電体部材を組み合わせて構成することで、電界強度を大きく制御することができ、プラズマの均一性を高めるのに有効となる。
【００１７】
さらに、透光性の誘電体部材を使用することで、反応容器内部のプラズマ状態を容易にモニタリングすることが可能となる。
【００１８】
すなわち、本発明の技術内容は以下の構成を備えることにより前記課題を解決できた。
【００１９】
（１）プラズマを形成する反応容器と、該反応容器内にガスを供給するためのガス供給部と、該反応容器内に高周波電力を導入するための該反応容器外に配置された電極及び該反応容器内を排気するためのガス排気部とを備え、該反応容器内に基体を配置し該高周波電力によってガスを分解して該基体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、該反応容器の少なくとも一部が誘電体部材により構成され、該誘電体部材を介して該高周波電力が該反応容器内に導入され、さらに該誘電体部材の少なくとも一部が材質の異なる透光性の誘電体部材により構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、反応容器内におけるプラズマの均一性を高めることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することができる。
【００２１】
さらに、同時にプラズマ状態を容易にモニタリングできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図１は本発明に適用しうるプラズマ処理装置であり、ＰＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の模式図である。図１（ａ）は概略断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
【００２４】
図１に示すプラズマ処理装置の構成を以下に詳述する。
【００２５】
プラズマ処理装置１００は、誘電体部材で構成される円筒状の反応容器１０２、上蓋１１４、底板１１６で囲まれる空間によりプラズマ処理空間を形成し、底板１１６に排気管１０７が接続され、排気管１０７の他端は不図示の排気装置に接続される。誘電体部材で構成される反応容器１０２は三等分に分割されて構成され、非透光性の誘電体部材から成る反応容器１０２ａ、これとは材質の異なる透光性の誘電体部材から成る反応容器１０２ｂにより構成される。反応容器の分割数及び分割する高さは、これに限定されるものではなく、反応容器内に形成されるプラズマの状態に合わせて決めればよい。さらに反応容器内には複数の円筒状基体１０１が設置される。
【００２６】
高周波電力は、高周波電源１０８、１１８よりマッチングボックス１０９、１１９を経て、高周波電極１０４に供給することが可能である。高周波電極１０４に供給された高周波電力は、誘電体部材で構成される反応容器１０２を通して反応容器１０２内に導入される。この際、回転軸１１０を通してアース電位に維持された円筒状基体１０１、及び上蓋１１４、底板１１６がアノード電極として作用し、反応容器内にプラズマが形成される。
【００２７】
反応容器内に導入される高周波電力は、材質の異なる複数の誘電体部材により電界強度が制御され、プラズマの均一化を実現することができる。本発明においては、材質の異なる透光性の誘電体部材を設置する位置を電界強度に合わせて決めればよい。例えば、円筒状の反応容器外に配置された電極の形状が棒状の場合、棒状の高周波電極の端部に対向する位置が好ましい。
【００２８】
反応容器１０２ａを構成する誘電体部材の材料としては、セラミックス材料として高周波の損失が少ないものが好ましく、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素及び酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。また、これらを単独で用いても良いし、組み合わせて用いても良い。これらのうち、高周波電力の吸収が少ない点からアルミナ、窒化アルミニウム、二酸化チタン、窒化ホウ素が好ましく、強度、耐久性、耐腐食性に優れている点からアルミナが好適である。
【００２９】
反応容器１０２ｂを構成する透光性の誘電体部材の材料としては、ガラス材料として強度、耐久性、耐腐食性に優れているものが好ましく、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス等が挙げられる。中でも、耐腐食性に優れ、誘電率が小さい点から、石英ガラスが好適である。
【００３０】
反応容器１０２の形状にはとくに制限はないが、プラズマ処理特性を均一化するためには、図１に示したような円筒状であることが好ましい。
【００３１】
反応容器１０２の厚みにはとくに制限はないが、コスト、取り扱いの面からは薄いほうが良いが、強度、耐久性の面からある程度の厚みは必要となる。形状、寸法により異なるが、一般的には１ｍｍ以上、好ましくは５ｍｍ以上の厚みがあれば良い。
【００３２】
反応容器１０２の表面は、膜の密着性を向上し、膜剥がれを防止し、成膜中のダストを抑制する目的から、粗面化されていることが望ましい。粗面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基準とする１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５μｍ以上２００μｍ以下の範囲が好ましい。
【００３３】
本発明においては、反応容器内部のプラズマ状態を透光性の誘電体部材を透過して反応容器外部から評価することができる。これにより、スパーク等の異常放電の発生を検出し対策を施すことが容易になる。さらに、反応容器外部に光学的センサー等を設置し、プラズマ状態をモニタリングすることも可能である。堆積膜形成を行う場合、プラズマ状態をモニタリングできる時間は、反応容器内部に堆積される膜の透過性により限定されるが、不安定になりやすい成膜開始直後のプラズマ状態をモニタリングできることから高い効果が得られる。
【００３４】
本発明において、使用される高周波電力は、少なくとも５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の範囲の周波数を含むことが効果的である。その理由は定かではないが、高周波電力の周波数を５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の範囲とすることで、誘電体部材を介して高周波電力を効率良く反応容器内に導入することが可能となり、プラズマ処理を均一且つ高速に行うことができるためと考えられる。また、グロー放電の発生及びマッチング調整を容易に安定して行うことができるためと考えられる。
【００３５】
さらに、本発明では、図１に示すように、２つの異なる周波数の高周波電力を同時に供給できる構成が、プラズマの均一化を実現する上では好ましい。高周波電力は、２つの高周波電源１０８、１１８により、マッチングボックス１０９、１１９を経て、電力分岐部１１３で分配され、６本の棒状の高周波電極１０４に同時に供給することが可能である。高周波電源１０８、１１８は各々の発振周波数の関係が、高周波電源１０８の発振周波数をｆ１、高周波電源１１８の発振周波数をｆ２とした場合、
２５０ＭＨｚ≧ｆ１＞ｆ２≧１０ＭＨｚ
０．９≧ｆ２／ｆ１≧０．１
とすることが可能である電源を用いることが好ましい。
【００３６】
反応容器１０２内には、反応容器１０２の中心部を取り囲むように、６本のＡｌ製の円筒状基体１０１が基体支持体１０６とともに互いに平行になるように配置される。各円筒状基体１０１は基体支持体１０６を介して回転軸１１０によって保持され、内部に設置した発熱体（不図示）によって加熱することができる。モーター１１１を駆動すると、減速ギア１１２を介して回転軸１１０が回転し、円筒状基体１０１が基体支持体１０６とともに中心軸を中心として自転する。
【００３７】
円筒状基体１０１は導電性であっても電気絶縁性であってもよい。導電性の基体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性の基体の少なくとも堆積膜を形成する側の表面を導電処理した基体も用いることができる。
【００３８】
円筒状基体１０１の表面は通常切削加工が施されるが、その表面形状は平滑表面であっても、レーザー光などの可干渉性光により発生する干渉縞模様による画像不良を解消するために意図的に凹凸を設けた表面であっても良い。
【００３９】
また、円筒状基体１０１には、堆積膜形成前に円筒状基体表面に付着するダストの低減、円筒状基体上の堆積膜の密着性アップを目的として、適切な洗浄処理を施すことが好ましい。
【００４０】
原料ガスは、不図示の原料ガス供給装置により、所定のガスが所定の流量で原料ガス導入管１０３を介して供給される。
【００４１】
原料ガス導入管１０３の形状及びガス穴数にはとくに制限はないが、プラズマ処理特性を均一化するためには、反応容器内のガス濃度分布にむらが生じないように適正化されることが好ましい。また、原料ガス導入管１０３の本数及び配置もとくに制限はないが、コスト、取り扱いの面からは少ない本数のほうが良いが、ガス濃度分布にむらが生じないよう対称に配置することが好ましい。
【００４２】
複数の円筒状基体１０１と反応容器１０２と高周波電極１０４の位置関係にはとくに制限はないが、図１に示したように、円筒状基体１０１と反応容器１０２と高周波電極１０４を同心円上に等間隔で配置することが、プラズマ処理を均一化する上で好ましい。
【００４３】
また、高周波電極１０４を取り囲むように円筒状導電性シールド１１５が設置される。円筒状導電性シールド１１５は、中心軸が円筒状基体配置円の中心を通るように設置し、一定電位に維持しておくことが、放出される高周波電力を均一化する上で好適である。この円筒状導電性シールド１１５は反応容器が兼ねる構成としてもよい。
【００４４】
上述した実施形態では円筒状の基体に対して真空処理を施す装置を一例として示したが、本発明は、これに限定されるものではなく、平行平板型のプラズマ処理装置にも適用可能である。
【００４５】
このようなプラズマ処理装置を用いた堆積膜形成は概略以下のような手順により行うことができる。
【００４６】
まず、反応容器１０２内に円筒状基体１０１を設置し、不図示の排気装置により排気管１０７を通して反応容器１０２内を排気する。続いて、不図示の発熱体により円筒状基体１０１を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００４７】
円筒状基体１０１が所定の温度となったところで、原料ガス導入管１０３を介して、原料ガスを反応容器１０２内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０２内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電力供給システム１０５により、高周波電力を高周波電源１０８及び１１８からマッチングボックス１０９及び１１９を介して高周波電極１０４へ所定の電力で供給する。
【００４８】
高周波電力は、誘電体部材で構成される反応容器１０２を通して反応容器１０２内に導入され、グロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体１０１上に堆積膜が形成される。
【００４９】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の堆積膜が形成される。
【００５０】
堆積膜形成中、回転軸１１０を介して円筒状基体１０１をモーター１１１により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体表面全周に渡って均一な堆積膜を形成することができる。
【００５１】
このような本発明を用いることにより、円筒状基体上に非単結晶材料で構成された複数の層を有する電子写真感光体を、高品質に製造することが可能である。
【００５２】
例えば図２に示すような、アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ）系の光導電層を形成した電子写真感光体が形成可能である。
【００５３】
図２（ａ）に示す電子写真感光体２００は、基体２０１の上に、光受容層２０２が設けられている。光受容層２０２は基体２０１側から順にａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層２０５と、光導電性を有するａ−Ｓｉ系光導電層２０３と、ａ−ＳｉＣ系表面層２０４とから構成されている。
【００５４】
図２（ｂ）に示す感光体２００は、同じく基体２０１の上に、光受容層２０２が設けられている。光受容層２０２は基体２０１側から順にａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層２０５と、光導電性を有するａ−Ｓｉ系光導電層２０３と、ａ−ＳｉＣ系表面層２０４とから構成され、光導電層と表面層の界面を連続的に変化させ界面反射を抑制する界面制御が成されている。さらに、光導電層２０３は第１の層領域２０３１と第２の層領域２０３２とから構成され、機能分離が成されている。
【００５５】
図２（ｃ）に示す感光体２００は、同じく基体２０１の上に、光受容層２０２が設けられている。電子写真感光体光受容層２０２は基体２０１側から順にａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層２０５と、光導電性を有するａ−Ｓｉ系光導電層２０３と、ａ−ＳｉＣ系中間層２０６とａ−ＳｉＣ系表面層２０４とから構成され、光導電層と中間層、及び中間層と表面層の界面を連続的に変化させ界面反射を抑制する界面制御が成されている。
【００５６】
また、これら各層にはドーパントとして周期律表第１３族に属する原子、周期律表第１５族に属する原子を適宜選択して含有させることにより、正帯電、負帯電といった帯電極性の制御も可能となる。
【００５７】
＜実験例＞
図１に示すプラズマ処理装置を用い、反応容器１０２ａを非透光性の誘電体部材であるアルミナ、反応容器１０２ｂを反応容器１０２ａとは材質の異なる透光性の誘電体部材である石英ガラスにより構成して、反応容器内部のプラズマ状態のモニタリングを実施した。さらに、反応容器を構成する透光性の誘電体部材の外部に光学的センサーを設置し、反応容器内部のプラズマ状態を光学的センサーによりモニタリングした。
【００５８】
本発明者らが、プラズマ処理装置に供給する高周波電力及び反応容器内の圧力等を適宜変化させてプラズマ状態をモニタリングしたところ、高周波電力を小さくした場合には、プラズマの偏りやちらつき等を観察することができ、反応容器内におけるプラズマの均一性を評価可能であることが分かった。また、反応容器内の圧力を高め、高周波電力を大きくした場合には、反応容器内でのスパークの発生を観察することができ、さらに設置した光学的センサーによりスパーク発生を検出することができた。
【００５９】
従って、本実験例により、反応容器内部のプラズマ状態を容易にモニタリングでき、反応容器内におけるプラズマの偏り及びちらつき、スパークを生じにくい条件を適宜選択できる本発明の有効性が確認された。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明を実施例及び比較例に基づき詳細に説明する。
【００６１】
下記の実施例は、本発明の最良な実施形態の一例であるものの、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
【００６２】
＜実施例１＞
図１に示すプラズマ処理装置を用い、反応容器１０２ａを非透光性の誘電体部材であるアルミナ、反応容器１０２ｂを反応容器１０２ａとは材質の異なる透光性の誘電体部材である石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラスにより構成して、円筒状基体１０１表面に設置したガラス基板上に、それぞれ表１に示す条件でａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。
【００６３】
反応容器１０２はいずれも内径５００ｍｍとし、反応容器１０２ａの高さを４００ｍｍ、反応容器１０２ｂの高さを２００ｍｍとし、組み合わせたときの高さを６００ｍｍとした。
【００６４】
円筒状基体１０１は直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダであり、その表面には堆積膜特性評価用として幅２．５ｃｍ、長さ３．８ｃｍの研磨ガラス（コーニング社製、＃７０５９）を円筒状基体１０１の周方向１箇所に母線方向に９枚並べて設置した。円筒状基体１０１上の研磨ガラス設置個所は円筒状基体１０１と研磨ガラスが密着するように平面化した。円筒状基体１０１は同一円周上に等間隔で６本配置した。
【００６５】
高周波電力は、１５０ＭＨｚ、７０ＭＨｚの２つの異なる周波数を同時に供給した。
【００６６】
【表１】
2007131912.tif 000003
【００６７】
＜比較例１＞
図１の反応容器１０２ｂをアルミナにより構成した以外は実施例１と同様の装置構成により、実施例１と同様な手順及び条件でａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。
【００６８】
実施例１及び比較例１で形成したａ−Ｓｉ堆積膜の光学的エネルギーバンドギャップ（Ｅｇｏｐｔ）、屈折率を評価した。測定には紫外可視分光光度計（日本分光（株）製Ｖ−５７０）を用い、ＥｇｏｐｔはＴａｕｃプロット（ｈνと（αｈν）１／２との関係を求め、ｈν軸の切片の値をＥｇｏｐｔと定義する）によりＥｇｏｐｔを決定した。また、屈折率は波長１２００ｎｍ〜２６００ｎｍの範囲での分光透過率の極小値と大気及びガラス基板の屈折率を基に決定した。
【００６９】
この測定を９枚の基板に対して行うことで、円筒状基体上に形成された堆積膜の母線方向の均一性を評価した。９枚の基板の測定値のうち、最もＥｇｏｐｔが大きい部分と小さい部分との差を、Ｅｇｏｐｔの母線方向むらとして定めた。同様にして、９枚の基板の測定値のうち、最も屈折率が大きい部分と小さい部分との差を、屈折率の母線方向むらとして定めた。
【００７０】
評価結果を表２に示す。評価結果は、比較例１のａ−Ｓｉ堆積膜を基準とし、悪化を×、同等または２０％未満の良化を△、２０％以上４０％未満の良化を△〜○、４０％以上６０％未満の良化を○、６０％以上８０％未満の良化を○〜◎、８０％以上の良化を◎で示している。
【００７１】
表２より、反応容器１０２ｂを反応容器１０２ａとは材質の異なる透光性の誘電体部材、すなわち石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラスにより構成した実施例１−１から実施例１−３のいずれにおいても特性均一化効果が現れることが確認された。
【００７２】
【表２】
2007131912.tif 000004
【００７３】
＜実施例２＞
さらに、図１に示すプラズマ処理装置を用い、反応容器１０２ａを二酸化チタン、反応容器１０２ｂを石英ガラスにより構成し、表３に示す条件で実施例１と同様にａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。
【００７４】
【表３】
2007131912.tif 000005
【００７５】
＜比較例２＞
図１の反応容器１０２ｂを二酸化チタンにより構成した以外は実施例２と同様の装置構成により、実施例２と同様な手順及び条件でａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。
【００７６】
実施例２及び比較例２で作製したａ−Ｓｉ堆積膜について、実施例１と同じく、光Ｅｇｏｐｔむら、屈折率むらの評価を実施した。評価結果を表４に示す。評価結果は、比較例２のａ−Ｓｉ堆積膜を基準とし、悪化を×、同等または２０％未満の良化を△、２０％以上４０％未満の良化を△〜○、４０％以上６０％未満の良化を○、６０％以上８０％未満の良化を○〜◎、８０％以上の良化を◎で示している。
【００７７】
表４より、反応容器１０２ｂを反応容器１０２ａとは材質の異なる透光性の誘電体部材により構成した実施例２の特性均一化効果が現れることが確認された。
【００７８】
【表４】
2007131912.tif 000006
【００７９】
＜実施例３＞
さらに、図１に示すプラズマ処理装置を用い、反応容器１０２ａを窒化アルミニウム、反応容器１０２ｂを石英ガラスにより構成し、表５に示す条件で実施例１と同様にａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。
【００８０】
【表５】
2007131912.tif 000007
【００８１】
＜比較例３＞
図１の反応容器１０２ｂを窒化アルミニウムにより構成した以外は実施例３と同様の装置構成により、実施例３と同様な手順及び条件でａ−Ｓｉ堆積膜を形成した。
【００８２】
実施例３及び比較例３で作製したａ−Ｓｉ堆積膜について、実施例１と同じく、光Ｅｇｏｐｔむら、屈折率むらの評価を実施した。評価結果を表６に示す。評価結果は、比較例３のａ−Ｓｉ堆積膜を基準とし、悪化を×、同等または２０％未満の良化を△、２０％以上４０％未満の良化を△〜○、４０％以上６０％未満の良化を○、６０％以上８０％未満の良化を○〜◎、８０％以上の良化を◎で示している。
【００８３】
表６より、反応容器１０２ｂを反応容器１０２ａとは材質の異なる透光性の誘電体部材により構成した実施例３の特性均一化効果が現れることが確認された。
【００８４】
【表６】
2007131912.tif 000008
【００８５】
＜実施例４＞
実施例１と同じく図１に示すプラズマ処理装置を用い、反応容器１０２ａを非透光性の誘電体部材であるアルミナ、反応容器１０２ｂを反応容器１０２ａとは材質の異なる透光性の誘電体部材である石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、により構成して、表７に示す製造条件で、それぞれ図２（ｂ）に示した電荷注入阻止層、第１及び第２の光導電層、表面層から成るφ８０正帯電ａ−Ｓｉ感光体を作製した。
【００８６】
表７に示す製造条件中の「２００→４０」はガス流量を２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）から４０ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）まで連続的に変化させることを表す。
【００８７】
さらに、本実施例では、反応容器内部のプラズマ状態をモニタリングするため、反応容器外部の透光性の誘電体部材に対向する位置に、光学的センサーを設置した。
【００８８】
【表７】
2007131912.tif 000009
【００８９】
＜比較例４＞
図１の反応容器１０２ｂをアルミナにより構成し、光学的センサーを設置しない以外は実施例４と同様の装置構成により、実施例４と同様な手順及び条件でφ８０正帯電ａ−Ｓｉ感光体を作製した。
【００９０】
実施例４と比較例４で作製したａ−Ｓｉ感光体を、キヤノン製デジタル電子写真装置ｉＲ−６０００（前露光６６０ｎｍＬＥＤアレイ、画像露光６５５ｎｍレーザー、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ）に設置して画出しし、以下の方法で画像濃度むら及び画像欠陥の評価を実施した。
【００９１】
画像濃度むらについては、まず、現像器位置での暗部電位が一定値となるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した。次いで反射濃度が０．３の全面中間調チャートを原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像上全領域における反射濃度の最高値と最低値の差により評価した。従って、数値が小さいほど良好である。
【００９２】
画像欠陥については、全面黒チャートを原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。従って、数値が小さいほど良好である。
【００９３】
評価結果を表８に示す。評価結果は比較例４のａ−Ｓｉ感光体を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜○、１／２以上３／４未満まで良化したものを○、３／４以上までの良化を○〜△、同等を△、悪化を×で示した。画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜○、１／２以上３／４未満まで良化したものを○、３／４以上までの良化を○〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【００９４】
【表８】
2007131912.tif 000010
【００９５】
表８より、反応容器１０２ｂを反応容器１０２ａとは材質の異なる透光性の誘電体部材、すなわち石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラスにより構成した実施例４−１から実施例４−３において、電子写真特性の均一化効果が現れることが確認された。
【００９６】
また、実施例４では反応容器外部に透光性の誘電体部材を透過して評価できるように設置した光学的センサーにより、電荷注入阻止層の成膜開始直後から少なくとも第１の光導電層の成膜開始時まで、反応容器内部のプラズマ状態をモニターし、スパークや放電の偏り等の異常放電の発生が無く安定した放電状況であることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明に係わる電子写真感光体製造装置の一例を示す模式的構成図である。
【図２】本発明に係わる電子写真感光体の層構成を模式的に示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００９８】
１００            プラズマ処理装置
１０１            円筒状基体
１０２            反応容器
１０３            原料ガス導入管
１０４            高周波電極
１０５            高周波電力供給システム
１０６            基体支持体
１０７            排気管
１０８、１１８    高周波電源
１０９、１１９    マッチングボックス
１１０            回転軸
１１１            モーター
１１２            減速ギア
１１３            電力分岐部
１１４            上蓋
１１５            シールド
１１６            底板
１１７            排気メッシュ
２００            電子写真感光体
２０１            導電性基体
２０２            光受容層
２０３            光導電層
２０３１          第１の層領域
２０３２          第２の層領域
２０４            表面層
２０５            下部電荷注入阻止層
２０６            上部電荷注入阻止層
【図１】
2007131912.tif 000011
【図２】
2007131912.tif 000012