(57)【要約】【課題】無機水平配向膜の表面と液晶分子との反応を抑制するとともに、液晶分子に対する配向規制力を向上して、長期間に亘って高画質の画像表示を行うことができる液晶装置を提供する。【解決手段】配向膜１６の表面をエポキシシランカップリング剤で処理しておくことにより、液晶装置１の動作時に、液晶分子５０ａと光化学反応するシラノール基を減少させる。同時に、エポキシシランカップリング剤で形成された反応層３１の親和性により、配向膜１６による液晶分子５０ａの配向規制力を向上させる。【選択図】図４
2007256730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料によって形成され、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板表面の水平方向
に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機水平配向膜を備えた液晶装置であって
、
前記無機水平配向膜の表面が、エポキシシランカップリング剤によって処理されている
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
無機材料によって形成され、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板表面の水平方向
に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機水平配向膜を備えた液晶装置であって
、
前記無機水平配向膜の表面が、アミノシランカップリング剤によって処理されているこ
とを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
無機材料によって形成され、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板表面の水平方向
に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機水平配向膜を備えた液晶装置の製造方
法であって、
前記無機水平配向膜を形成する工程と、
前記無機水平配向膜の表面をエポキシシランカップリング剤によって処理する表面処理
工程とを備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
無機材料によって形成され、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板表面の水平方向
に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機水平配向膜を備えた液晶装置の製造方
法であって、
前記無機水平配向膜を形成する工程と、
前記無機水平配向膜の表面をアミノシランカップリング剤によって処理する表面処理工
程とを備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の液晶装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜が無機材料を用いて形成された液晶装置及びその製造方法、並びに電
子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、液晶プロジェクタ等の電子機器においては、高精細化、高輝度化、及び
低価格化に伴うライトバルブの小型化を求める要請等によって、ライトバルブに入射させ
る光の強度が強くなってきている。そのため、特に、液晶プロジェクタのライトバルブ等
に用いられる液晶装置の配向膜として、ポリイミド等の有機材料を用いた有機配向膜に代
えて、耐光性や耐熱性に優れた無機配向膜が注目されてる。
【０００３】
垂直配向に用いられる無機配向膜としては、シリカ（ＳｉＯ２）等の無機酸化物を用い
た斜方蒸着膜が知られている。例えば、ＳｉＯ２を用いた斜方蒸着膜は、基板面に対して
３０°以上の角度でＳｉＯ２を斜方蒸着することによって得られ、負の誘電率異方性を有
する液晶分子を所定のプレチルトを持たせて垂直配向させることができる。
【０００４】
その一方で、ＳｉＯ２等の無機材料は、外部の水分と反応しやすく、典型的には、その
表面にシラノール基（−Ｓｉ−ＯＨ）を有する。シラノール基は、反応性が高く、仮に何
らの対策も施さねば、基板間に挟持された液晶層の液晶分子と反応してしまう虞がある。
特に、例えば液晶装置をプロジェクタ装置等のライトバルブとして使用する場合、液晶装
置には強い光が照射されるため、シラノール基と液晶との間で光化学反応が発生し易い。
そして、このような光化学反応が液晶装置の動作の度に繰り返されると、配向膜による液
晶分子の配向規制力が低下し、液晶装置の表示性能が除々に低下する。これにより、結果
的に液晶装置の寿命、すなわち高品質な画像表示が可能な期間が短縮されてしまう。これ
に対し、例えば、特許文献１には、ＳｉＯ２等の無機配向膜の表面を、高級アルコールを
用いて処理する技術が開示されている。このような技術によれば、配向膜表面のＯＨ基が
高級アルコールで置換されるので、配向膜表面での光化学反応等の抑制が期待できる。
【０００５】
ところで、無機酸化物を用いた斜方蒸着膜からなる配向膜としては、上述の無機垂直配
向膜の他に、正の誘電率異方性を有する液晶分子を所定のプレチルトを持たせて基板の水
平配向に配向制御する無機水平配向膜が知られておいる。この種の配向膜においても、高
級アルコールを用いた表面処理によって、液晶分子の配向膜表面での光化学反応を抑制す
ることが期待できる。
【特許文献１】特開２０００−４７２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、一般に、無機水平配向膜は、無機垂直配向膜に比べて配向規制力が弱く
、液晶分子を安定的に配向させることが困難であるため、配向膜表面についての更なる改
善が求められていた。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、無機水平配向膜の表面と液晶分子との反応
を抑制するとともに、液晶分子に対する配向規制力を向上して、長期間に亘って高画質の
画像表示を行うことができる液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供すること
を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶装置は、無機材料によって形成され、正の誘電率異方性を有する液晶分子
を基板表面の水平方向に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機水平配向膜を備
えた液晶装置であって、前記無機水平配向膜の表面が、エポキシシランカップリング剤に
よって処理されていることを特徴とする。
【０００９】
このような構成によれば、エポキシシランカップリング剤によって無機水平配向膜の表
面に反応層が形成されることにより、無機水平配向膜の表面の反応活性を低減して液晶分
子との反応が抑制されるとともに、反応層の液晶親和性によって液晶分子に対する配向規
制力が向上する。従って、長期に亘って高画質の画像表示を行うことができる。
【００１０】
本発明の液晶装置は、無機材料によって形成され、正の誘電率異方性を有する液晶分子
を基板表面の水平方向に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機水平配向膜を備
えた液晶装置であって、前記無機水平配向膜の表面が、アミノシランカップリング剤によ
って処理されていることを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、アミノシランカップリング剤によって無機水平配向膜の表面
に反応層が形成されることにより、上述のエポキシシランカップリング剤による効果と同
等の効果を実現できる。
【００１２】
本発明の液晶装置の製造方法は、無機材料によって形成され、正の誘電率異方性を有す
る液晶分子を表面の水平方向に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機水平配向
膜を備えた液晶装置の製造方法であって、前記無機水平配向膜を形成する工程と、前記無
機水平配向膜の表面をエポキシシランカップリング剤によって処理する表面処理工程とを
備えたことを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、エポキシシランカップリング剤によって無機水平配向膜の表
面に反応層が形成されることにより、無機水平配向膜の表面の反応活性を低減して液晶分
子との反応が抑制されるとともに、反応層の液晶親和性によって液晶分子に対する配向規
制力が向上する。従って、長期に亘って高画質の画像表示を行うことができる。
【００１４】
本発明の液晶装置の製造方法は、無機材料によって形成され、正の誘電率異方性を有す
る液晶分子を基板表面の水平方向に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機水平
配向膜を備えた液晶装置の製造方法であって、前記無機水平配向膜を形成する工程と、前
記無機水平配向膜の表面をアミノシシランカップリング剤によって処理する表面処理工程
とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、アミノシランカップリング剤によって無機水平配向膜の表面
に反応層が形成されることにより、上述のエポキシシランカップリング剤による効果と同
等の効果を実現できる。
【００１６】
また、本発明の電子機器は、前記液晶装置を具備してなることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、長期に亘って高画質の画像表示を行うことが可能な電子機器
を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下図面を参照しながら、本実施形態の液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器を
説明する。以下の実施形態では、本発明の液晶装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴ
アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００１９】
（液晶装置の構成）
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説
明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向
基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。尚、以下で参照
する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００２０】
図１及び図２において、本実施形態の液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基
板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５
０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの
周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、
又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０
上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。
【００２２】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域
１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられてい
る。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵
遮光膜として設けられてもよい。
【００２３】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額
縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、こ
の一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにし
て設けられている。
【００２４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域
に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている
。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとること
ができる。
【００２５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形
成される。この積層構造の詳細な構成については図２には図示を省略してあるが、この積
層構造の最上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、
画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。そして、画素電極９ａ上には、例えば
シリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜１６が設けられている。
【００２６】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成
されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子
状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され
、遮光膜２３によって区切られた領域が開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状
に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成
要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００２７】
そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極
９ａと対向して形成される。また、遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー
表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカ
ラーフィルタが形成されるようにしてもよい。
【００２８】
対向基板２０の対向面上における、これら各種の構成要素が作り込まれた積層構造上に
は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜２２が形成されている。対向
電極２１は、対向基板２０上の積層構造の最上層に配置されると共に、対向電極２１上に
配向膜２２が形成されている。
【００２９】
尚、液晶装置１が備える配向膜１６及び２２は、寿命を延ばすために無機材料で形成さ
れている。加えて、配向膜１６及び２２は、液晶分子を水平配向モードで配向制御するよ
うに、基板面に対して所定の角度で結晶成長させた柱状結晶からなる無機水平配向膜であ
る。より具体的には、配向膜１６及び２２は、液晶分子を基板１０，２０の水平方向に対
して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機傾斜水平配向膜である。液晶層５０は、例
えば一種又は数種類の正の誘電率異方性を有する液晶分子を混合した液晶からなり、画素
電極９ａからの電界が印加されていない状態で、一対の配向膜１６及び２２間で、所定の
配向状態をとる。
【００３０】
後に詳述するように、配向膜１６及び２２の表面は、液晶５０が注入される前に予めカ
ップリング剤を用いて表面処理されている。
【００３１】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデ
ータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信
号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光
学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３２】
次に、以上の如く構成された液晶装置１における回路構成及び動作について、図３を参
照して説明する。ここに図３は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００３３】
図３において、本実施形態における液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリ
クス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイ
ッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線
６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像
信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する
複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３４】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミ
ングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇ
ｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０の
ドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３５】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画
像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一
定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化す
ることにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば
、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブ
ラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が
増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射
する。
【００３６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１
との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走
査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容
量電極３００を含んでいる。
【００３７】
（配向膜の表面における化学的な構造）
本実施形態の液晶装置１は、配向膜１６及び２２の表面全面が、一般式（１）で表され
るシランカップリング剤によって処理されている。
【化１】
2007256730.tif 000003
【００３８】
（式中のＡは置換基であり、ｌは１〜３の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは０〜２の整数で
ある。）
ここで、置換基Ａとしては、一般式（２−１）〜（２−３）で表されるものが好適に用
いられる。
【化２】
2007256730.tif 000004
【００３９】
すなわち、反応活性サイトとなるシラノール基のうち配向膜１６及び２２の表面に存在
する水酸基（−ＯＨ基）に、一般式（１）中の置換基Ａを一般式（２−１）で表されるエ
ポキシシクロヘキシル基或いは（２−２）で表されるグリシドキシプロピル基で置換した
エポキシシランカップリング剤、或いは、一般式（２−３）で表されるフェニルアミノ基
で置換したアミノカップリング剤が反応することにより、配向膜１６及び２２の表面に反
応層３１が形成されている。これにより、配向膜１６及び２２の表面において、液晶分子
と光化学反応するシラノール基が低減される。
【００４０】
また、この種のエポキシシランカップリング剤及びアミノシランカップリング剤で形成
された反応層３１は、液晶親和性が高いため、配向膜の配向規制力を向上させる。
【００４１】
ここで、図４には、図２に対応する断面の構成について、特に、ＴＦＴアレイ基板１０
上に形成された配向膜１６の表面にシランカップリング剤を用いて反応層３１を形成した
場合について模式的に示してある。
【００４２】
なお、図４において、ＴＦＴアレイ基板１０において液晶層５０と対向する側の基板面
上に、ＴＦＴ等の各種構成要素が作りまれた積層構造９０が形成されており、積層構造９
０の最上層に画素電極９ａが画素毎に形成されている。そして、画素電極９ａ上に、無機
材料の柱状構造物がＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して所定の角度をなして配列する
ことにより、無機材料が堆積して、配向膜１６が形成されている。このように形成された
配向膜１６は、表面形状効果により、液晶分子５０ａの配向状態を規制することができる
。すなわち、図示のように、液晶分子５０ａは、基板１０の表面の水平方向に対して所定
角度傾斜する方向に配向制御（傾斜水平配向制御）される。尚、液晶分子５０ａの配向に
ついては、対向基板２０上に形成された配向膜２２についても同様である。
【００４３】
（実施例）
上述の一般式（１）及び（２−１）で表されるエポキシシランカップリング剤としては
、例えば、化学式（３）で表される２−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン等を好適に用いることができる。また、一般式（１）及び（２−２）で表さ
れるエポキシシランカップリング剤としては、例えば、化学式（４）〜（６）で表される
、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエ
トキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等を好適に用いることがで
きる。また、一般式（１）及び（２−３）で表されるアミノシランカップリング剤として
は、例えば、化学式（７）〜（９）で表される、３−アミノプロピルトリメトキシシラン
、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン等を好適に用いることができる。
【化３】
2007256730.tif 000005
【化４】
2007256730.tif 000006
【化５】
2007256730.tif 000007
【化６】
2007256730.tif 000008
【化７】
2007256730.tif 000009
【化８】
2007256730.tif 000010
【化９】
2007256730.tif 000011
【化１０】
2007256730.tif 000012
【００４４】
ここで、配向膜１６及び２２の表面処理は、例えば、上述のシランカップリング剤を所
定濃度で有機溶剤に溶解することによってカップリング剤溶液を作製し、無機水平配向膜
を成膜した基板をカップリング剤溶液に浸漬して加熱することにより実現される。なお、
配向膜の表面処理は、これに限定されるものではなく、例えば、カップリング剤溶液を用
いたスピンコート等によっても実現可能である。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、エポキシシランカップリング剤
或いはアミノシランカップリング剤を用いて無機水平配向膜の表面を処理し、シラノール
基をカップリング剤で置換することにより、配向膜表面からシラノール基を減少させるこ
とができ、液晶分子と配向膜間の光化学反応を抑制できる。加えて、反応層は液晶親和性
が高い。従って、液晶分子と無機水平配向膜間の光化学反応を低減するとともに、液晶分
子に対する配向規制力を向上することができ、長期に亘って高画質な画像を表示できる。
【００４６】
（液晶装置の製造方法）
次に図５を参照しながら、上述した液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法を説
明する。図５は、本実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフ
ローチャートである。
【００４７】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、例えば蒸着やスパッタリング等による成膜
、エッチングやフォトグラフィ等によるパターンニング、熱処理などによって、データ線
６ａや走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等が作り込まれた積層構造９０（図４参照）の最上層に
、例えばスパッタリングによりＩＴＯから画素電極９ａを形成する（ステップＳ１１）。
【００４８】
続いて、配向膜形成工程によって、例えば斜方蒸着法を、ＴＦＴアレイ基板１０に対し
て施すことで、ＴＦＴアレイ基板１０における画素電極９ａが形成された基板面上にシリ
カ（ＳｉＯ２）からなる配向膜１６を例えば約４０ｎｍの膜厚で形成する（ステップＳ１
２）。尚、配向膜１６は、異方性スパッタリングや例えばインクジェット法等の塗布法に
よって形成してもよい。この際、蒸着源から発生されたシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料
の蒸気流が、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上において、積層構造９０の最表面と接触す
ることにより、積層構造９０上に無機材料が蒸着する。基板面上に蒸着した無機材料の柱
状構造物が基板面に対して所定の角度をなして配列することで、無機材料が基板面上に堆
積する。
【００４９】
次に、例えば上述のシランカップリング剤を溶剤に溶解させたカップリング剤溶液を用
いてＴＦＴアレイ基板１０が備える配向膜１６の液晶層５０に面する側の表面を処理する
（ステップＳ１３）。
【００５０】
次に、シラン化合物及びその他の不純物を含まない純粋な溶剤を用いて、表面処理され
た無機水平配向膜を洗浄する（ステップ１４）。次に、無機水平配向膜を乾燥させる（ス
テップ１５）。尚、対向基板２０には、ステップ１１乃至１５と相前後して遮光膜及び対
向電極が形成される（ステップ２１）と共に、無機水平配向膜が形成される（ステップ２
２）。そして、ＴＦＴアレイ基板１０の場合と同様に、対向基板２０に形成された無機水
平配向膜も、シランカップリング剤を含むカップリング剤溶液で表面処理される（ステッ
プ２３）。そして、対向基板２０に形成された無機水平配向膜は、洗浄（ステップ２４）
及び乾燥（Ｓ２５）される。
【００５１】
その後、乾燥工程まで夫々終了したＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、ＴＦＴ
アレイ基板１０において配向膜１６が形成された側と、対向基板２０において配向膜２２
が形成された側とをシール材５２を介して貼り合わせる（ステップＳ３１）。
【００５２】
続いて、互いに貼り合わされた状態のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶
を注入する（ステップＳ３２）。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、上述した液晶装置を
製造することができる。ここで特に、配向膜１６及び２２の液晶層５０に面する側の表面
がエポキシシランカップリング剤或いはアミノシランカップリング剤を用いて表面処理さ
れているため、耐光性の高い液晶装置を製造することが可能であるとともに、液晶分子に
対する配向規制力を向上することが可能である。
【００５４】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した液晶装置１をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる
投射型カラー表示装置の例について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する
。ここに、図６は、投射型カラー表示装置の説明図である。
【００５５】
図６において、本実施の形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェク
タ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板１０上に搭載された液晶装置１を含む液晶モ
ジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００
Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メ
タルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、
３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色
に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１０
０Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際、特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を
防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からな
るリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ
及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズ
ム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０に
カラー画像として投射される。そして、投射されたカラー画像は、配向不良の少ない液晶
装置によって形成されるので、画質のよいカラー画像となる。
【００５６】
なお、本実施の形態に係る電気光学装置が適用できる電子機器としては、投射型カラー
表示装置（プロジェクタ）の他に、携帯電話、PDA(Personal Digital Assistants(携帯情
報端末))、携帯型パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、車載用モニタ、デジタルビ
デオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型もしくは直視型ビデオテープレコーダ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーシ
ョン、テレビ電話機、POS端末機等がある。
【００５７】
また、本発明の電気光学装置は、ＴＦＴを利用したアクティブマトリクス型の液晶表示
装置だけでなく、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パ
ネル、さらに、パッシブマトリクス型の液晶表示装置等の各種の電気光学装置においても
本発明を同様に適用することが可能である。
【００５８】
さらに、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変
えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】液晶装置の全体構成を示す平面図
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図
【図３】複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図
【図４】表面処理が施された配向膜の表面を示す模式図
【図５】液晶装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャート
【図６】液晶装置を適用した投写型カラー表示装置の説明図
【符号の説明】
【００６０】
１…液晶装置、１０…ＴＦＴアレイ基板（基板）、１０ａ…画像表示領域、１６…配向
膜（無機水平配向膜）、２０…対向基板（基板）、２１…対向電極、２２…配向膜（無機
水平配向膜）、２３…遮光膜、３１…反応層、５０…液晶層、５０ａ…液晶分子、５２…
シール材、１１００…液晶プロジェクタ（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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