(57)【要約】【課題】構造の簡素化が図れるとともに、遮光羽根を高精度に移動させて安定した駆動を実現できる光学絞り装置を提供する。【解決手段】光学絞り装置５は、移動自在に構成され、移動することで光束を通過可能とする開口面積を変更して光束の光量を調整する遮光羽根５２と、電流が通流される電磁コイル５８１および磁束を発生させ電磁コイル５８１に通流される電流と磁束との相互作用による電磁力によって電磁コイル５８１に対して移動し、遮光羽根５２に接続して遮光羽根５２を移動させる永久磁石５８２を有する電磁アクチュエータ５８と、永久磁石の磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、および所定の補正パラメータを取得し補正パラメータに基づいて磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部を有する位置センサ５９とを備える。【選択図】図３
2007183304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光束の光量を調整する光学絞り装置であって、
移動自在に構成され、移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、
電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し、前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、
前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、および所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部を有する位置検出部とを備えていることを特徴とする光学絞り装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光学絞り装置において、
前記補正パラメータは、前記開口面積が所定の開口面積となる規定位置に前記永久磁石が位置している状態で前記磁気素子が所定の規定電圧値を出力するように前記規定電圧値に対する前記永久磁石の位置をオフセットして出力特性を補正するためのオフセット補正パラメータであることを特徴とする光学絞り装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光学絞り装置において、
前記補正パラメータは、前記開口面積が最小開口面積となる第１の位置から前記開口面積が最大開口面積となる第２の位置の範囲に前記永久磁石が位置付けられている際に、前記磁気素子が前記永久磁石における前記範囲内の各位置に対応して設計上の各設計電圧値を出力するように出力特性を補正するためのゲイン補正パラメータであることを特徴とする光学絞り装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光学絞り装置において、
前記位置検出部は、前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を備え、
前記出力特性補正部は、前記補正パラメータ記憶部に記憶された前記補正パラメータを読み出し、読み出した前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正することを特徴とする光学絞り装置。
【請求項５】
光源装置と、前記光源装置から射出された光束を変調する光変調装置と、前記光変調装置にて変調された光束を拡大投射する投射光学装置とを備えたプロジェクタであって、
前記光源装置から射出され前記光変調装置に至る光束の光路中に配設され、前記光源装置から前記光変調装置に照射される光束の光量を調整する、請求項１から請求項４のいずれかに記載の光学絞り装置と、
前記位置検出部からの出力値に基づいて、前記電磁アクチュエータを駆動制御する制御装置とを備えていることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項６】
請求項５に記載のプロジェクタにおいて、
前記制御装置は、前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を備え、
前記出力特性補正部は、前記補正パラメータ記憶部に記憶された前記補正パラメータを読み出し、読み出した前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正することを特徴とするプロジェクタ。
【請求項７】
光源装置と、前記光源装置から射出された光束を変調する光変調装置と、前記光変調装置にて変調された光束を拡大投射する投射光学装置と、前記光源装置から射出され前記光変調装置に至る光束の光路中に配設され、前記光源装置から前記光変調装置に照射される光束の光量を調整する光学絞り装置と、前記光源装置、前記光変調装置、および前記光学絞り装置を駆動制御するプロジェクタ側制御装置とを備えたプロジェクタに用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置であって、
前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性変更部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、
前記プロジェクタ側制御装置は、前記位置検出部からの出力値に基づいて、前記電磁アクチュエータを駆動制御し、
当該補正パラメータ校正装置は、前記プロジェクタ側制御装置に所定の制御指令を出力して前記プロジェクタを駆動制御する校正側制御装置と、前記プロジェクタから拡大投射された光学像の光量を検出して前記光量に関する検出光量情報を出力する光束検出装置とを備え、
前記校正側制御装置は、
基準となる基準光量に関する基準光量情報を記憶する光量情報記憶部と、
基準となる基準出力値に関する基準出力値情報を記憶する出力値情報記憶部と、
前記プロジェクタ側制御装置に前記光源装置を駆動制御させ、前記光源装置から光束を射出させる光源駆動制御部と、
前記プロジェクタ側制御装置に前記電磁アクチュエータを駆動制御させ、前記位置検出部から前記基準出力値情報に基づく基準出力値が出力される基準位置に前記永久磁石を位置付ける絞り駆動制御部と、
前記光束検出装置から出力される検出光量情報に基づく検出光量が前記基準光量情報に基づく基準光量に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新部とを備えていることを特徴とする補正パラメータ校正装置。
【請求項８】
入射光束の光量を調整する光学絞り装置に用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置であって、
前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、
当該補正パラメータ校正装置は、前記光学絞り装置に向けて光束を射出する補正用光源装置と、前記補正用光源装置から射出され前記光学絞り装置を介した光束の光量を検出する光束検出装置と、前記補正用光源装置および前記電磁アクチュエータを駆動制御する校正側制御装置とを備え、
前記校正側制御装置は、
基準となる基準光量に関する基準光量情報を記憶する光量情報記憶部と、
基準となる基準出力値に関する基準出力値情報を記憶する出力値情報記憶部と、
前記補正用光源装置から光束を射出させる光源駆動制御部と、
前記位置検出部から出力される出力値に基づいて前記電磁アクチュエータを駆動制御し、前記位置検出部から前記基準出力値情報に基づく基準出力値が出力される基準位置に前記永久磁石を位置付ける絞り駆動制御部と、
前記光束検出装置から出力される検出光量情報に基づく検出光量が前記基準光量情報に基づく基準光量に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新部とを備えていることを特徴とする補正パラメータ校正装置。
【請求項９】
請求項８に記載の補正パラメータ校正装置において、
前記補正用光源装置は、固体発光素子で構成されていることを特徴とする補正パラメータ校正装置。
【請求項１０】
入射光束の光量を調整する光学絞り装置に用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置であって、
前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、
当該補正パラメータ校正装置は、前記光学絞り装置に機械的に接続し駆動することで前記遮光羽根を所定位置に位置付ける機械式絞り駆動装置と、前記機械式絞り駆動装置を駆動制御する校正側制御装置とを備え、
前記校正側制御装置は、
基準となる基準出力値に関する基準出力値情報を記憶する出力値情報記憶部と、
前記機械式絞り駆動装置を駆動させ、前記遮光羽根を所定の基準位置に位置付ける機械式絞り駆動制御部と、
前記位置検出部から出力される出力値が前記基準出力値情報に基づく基準出力値に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新部とを備えていることを特徴とする補正パラメータ校正装置。
【請求項１１】
光源装置と、前記光源装置から射出された光束を変調する光変調装置と、前記光変調装置にて変調された光束を拡大投射する投射光学装置と、前記光源装置から射出され前記光変調装置に至る光束の光路中に設けられ、前記光源装置から前記光変調装置に照射される光束の光量を調整する光学絞り装置と、前記光源装置、前記光変調装置、および前記光学絞り装置を駆動制御するプロジェクタ側制御装置とを備えたプロジェクタに用いられ、前記補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法であって、
前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性変更部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、
前記プロジェクタ側制御装置は、前記位置検出部からの出力値に基づいて、前記電磁アクチュエータを駆動制御し、
当該補正パラメータ校正方法は、
前記プロジェクタ側制御装置に前記光源装置を駆動制御させ、前記光源装置から光束を射出させる光束射出ステップと、
前記プロジェクタ側制御装置に前記電磁アクチュエータを駆動制御させ、前記位置検出部から基準となる基準出力値が出力される基準位置に前記永久磁石を位置付ける永久磁石位置決めステップと、
前記プロジェクタから拡大投射される光学像の光量を検出する光束検出ステップと、
前記光束検出ステップにて検出した検出光量が基準となる基準光量に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新ステップとを備えていることを特徴とする補正パラメータ校正方法。
【請求項１２】
入射光束の光量を調整する光学絞り装置に用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法であって、
前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、
当該補正パラメータ校正方法は、
前記光学絞り装置に向けて光束を射出する光束射出ステップと、
前記電磁アクチュエータを駆動制御し、前記位置検出部から基準となる基準出力値が出力される基準位置に前記永久磁石を位置付ける永久磁石位置決めステップと、
前記光学絞り装置を介した光束の光量を検出する光束検出ステップと、
前記光束検出ステップにて検出した検出光量が基準となる基準光量に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新ステップとを備えていることを特徴とする補正パラメータ校正方法。
【請求項１３】
入射光束の光量を調整する光学絞り装置に用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法であって、
前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、
当該補正パラメータ校正方法は、
前記遮光羽根を所定の基準位置に位置付ける遮光羽根位置決めステップと、
前記位置検出部から出力される出力値が基準となる基準出力値に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新ステップとを備えていることを特徴とする補正パラメータ校正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学絞り装置、プロジェクタ、補正パラメータ校正装置、および補正パラメータ校正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光源装置と、光源装置から射出された光束を画像情報に応じて変調して光学像を形成する光変調装置と、光学像を拡大投射する投射光学装置とを備えたプロジェクタが知られている。
このようなプロジェクタにおいて、投影画像のコントラスト向上等を目的として、光源装置から射出され光変調装置に入射する光束の光量を調整するために、光源装置から射出された光束を部分的に遮蔽する開閉遮光部材（光学絞り装置）を備えたプロジェクタが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の光学絞り装置は、回動自在に構成される一対の矩形板状の遮光板（遮光羽根）を有する。そして、光学絞り装置は、パルスモータ等の駆動装置により遮光羽根を所望の位置に精度良く移動させることで、光源装置から射出された光束を段階的に遮蔽する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２６４８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の光学絞り装置では、駆動装置としてパルスモータ等を用いているので、駆動装置自体の大きさで光学絞り装置の小型化が阻害されてしまう。また、駆動装置の駆動時における振動により安定した駆動を実現できない。
このため、光学絞り装置の構造を簡素化させ、遮光羽根を高精度に移動させて安定した駆動を実現できる技術が要望されている。
【０００５】
本発明の目的は、構造の簡素化が図れるとともに、遮光羽根を高精度に移動させて安定した駆動を実現できる光学絞り装置、プロジェクタ、補正パラメータ校正装置、および補正パラメータ校正方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光学絞り装置は、入射した光束の光量を調整する光学絞り装置であって、移動自在に構成され、移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し、前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、および所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部を有する位置検出部とを備えていることを特徴とする。
本発明では、光学絞り装置は、遮光羽根を移動させる駆動装置として電磁アクチュエータを備えている。そして、電磁アクチュエータとしては、以下の特徴がある。
すなわち、低電圧駆動が可能となり、光学絞り装置の低消費電力化を図れる。
また、比較的に小さい大きさの領域で比較的に大きい力を出せ、遮光羽根を円滑に移動させることができる。
さらに、高湿度等の悪い環境下でも使用でき、光学絞り装置の長寿命化を図れる。
さらにまた、駆動応答特性が良好であり、遮光羽根を高速応答させて円滑に回動させることができる。
したがって、駆動装置として電磁アクチュエータを用いることで、従来のように駆動装置としてパルスモータ等を用いる構成と比較して、永久磁石およびコイル等の簡素な構造で駆動装置を構成でき、光学絞り装置の構造の簡素化および小型化が可能となる。また、従来の構成と比較して、駆動時における振動を低減させることができ、光学絞り装置の安定した駆動を実現できる。
【０００７】
ところで、上述した光学絞り装置を駆動制御する制御装置としては、以下に示す処理構造を採用することで、処理負荷を軽減させた制御装置を構成できる。
すなわち、制御装置は、位置検出部（磁気素子）からの出力値（電圧値）に基づいて、電磁アクチュエータを駆動制御する。より具体的には、制御装置は、メモリ等に記憶された開口面積と設計上の設計電圧値とが関連付けられた開口面積−電圧値関連情報に基づいて、所定の開口面積となる位置に遮光羽根を位置付ける際、前記所定の開口面積に関連づけられた設計電圧値を認識する。そして、制御装置は、認識した設計電圧値に位置検出部からの出力値が略同一となるように、電磁アクチュエータを駆動制御し、永久磁石を所定位置に位置付ける。すなわち、永久磁石を前記所定位置に位置付けることで、遮光羽根を移動させ前記所定の開口面積となる位置に位置付ける。
しかしながら、光学絞り装置に製造誤差、例えば、永久磁石の実装位置の製造誤差、永久磁石の着磁位置の製造誤差、位置検出部の実装位置の製造誤差等が生じている場合には、以下の問題がある。
すなわち、所定の開口面積に対応した位置に永久磁石を位置付けた場合であっても、前記所定の開口面積に対応した設計電圧値とは異なる出力値が位置検出部から出力される。このため、上述したように、制御装置が所定の開口面積に対応した設計電圧値に位置検出部からの出力値が略同一となるように電磁アクチュエータを駆動制御した場合には、前記所定の面積に対応した位置に永久磁石を位置付けることができない。すなわち、遮光羽根を前記所定の開口面積となる位置に位置付けることができない。
【０００８】
本実施形態では、位置検出部は、磁気素子および出力特性補正部を備えている。このことにより、補正パラメータを最適な補正パラメータに校正すれば、出力特性補正部が校正された補正パラメータに基づいて磁気素子の出力特性を補正するので、光学絞り装置に上述した製造誤差が生じている場合であっても、所定の開口面積に対応した位置に永久磁石を位置付けた場合に、前記所定の開口面積に対応した設計電圧値を位置検出部（磁気素子）から出力させることができる。このため、上述したように、制御装置が所定の開口面積に対応した設計電圧値に位置検出部からの出力値が略同一となるように電磁アクチュエータを駆動制御した場合に、前記所定の開口面積に対応した位置に永久磁石を位置付けることができ、遮光羽根を前記所定の開口面積となる位置に高精度に位置付けることができる。したがって、光学絞り装置を駆動制御する制御装置の処理負荷を低減させつつ、前記制御装置を用いて遮光羽根を高精度に移動させて安定した駆動を実現できる。
【０００９】
本発明の光学絞り装置では、前記補正パラメータは、前記開口面積が所定の開口面積となる規定位置に前記永久磁石が位置している状態で前記磁気素子が所定の規定電圧値を出力するように前記規定電圧値に対する前記永久磁石の位置をオフセットして出力特性を補正するためのオフセット補正パラメータであることが好ましい。
本発明によれば、補正パラメータがオフセット補正パラメータであるので、出力特性補正部がオフセット補正パラメータを用いて磁気素子の出力特性の補正（オフセット補正）を実施することで、規定電圧値（例えば、オフセット電圧値）に対する永久磁石の位置をオフセットさせて、所定の開口面積となる規定位置に永久磁石が位置している状態で磁気素子に規定電圧値を出力させることができる。したがって、このように、オフセット補正パラメータを用いたオフセット補正を可能とする構成とすることで、磁気素子の出力特性の補正を簡単な回路構成で実現できる。
【００１０】
本発明の光学絞り装置では、前記補正パラメータは、前記開口面積が最小開口面積となる第１の位置から前記開口面積が最大開口面積となる第２の位置の範囲に前記永久磁石が位置付けられている際に、前記磁気素子が前記永久磁石における前記範囲内の各位置に対応して設計上の各設計電圧値を出力するように出力特性を補正するためのゲイン補正パラメータであることが好ましい。
本発明によれば、補正パラメータがゲイン補正パラメータであるので、出力特性補正部がゲイン補正パラメータを用いて磁気素子の出力特性の補正（ゲイン補正）を実施することで、開口面積が最小開口面積となる第１の位置から開口面積が最大開口面積となる第２の位置の範囲に永久磁石が位置付けられている状態で永久磁石における範囲内の各位置に対応して設計上の各設計電圧値を磁気素子に出力させることができる。したがって、このように、ゲイン補正パラメータを用いたゲイン補正を可能とする構成とすることで、磁気素子の出力特性の補正を簡単な回路構成で実現できる。
また、ゲイン補正により、磁気素子が出力する電圧値を全ての範囲（第１の位置から第２の位置）に亘って、各設計電圧値に補正することができるので、遮光羽根をより高精度に移動させて安定した駆動を実現できる。
【００１１】
本発明の光学絞り装置では、前記位置検出部は、前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を備え、前記出力特性補正部は、前記補正パラメータ記憶部に記憶された前記補正パラメータを読み出し、読み出した前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正することが好ましい。
本発明によれば、位置検出部に設けられた補正パラメータ記憶部は、補正パラメータを書き換え可能に記憶するので、補正パラメータを適宜、校正して最適な補正パラメータに更新できる。したがって、出力特性補正部が更新された最適な補正パラメータを用いて磁気素子の出力特性を補正することで、所定の開口面積に対応した位置に永久磁石を位置付けた場合に、前記所定の開口面積に対応した設計電圧値を磁気素子から出力させることができる。
【００１２】
本発明のプロジェクタは、光源装置と、前記光源装置から射出された光束を変調する光変調装置と、前記光変調装置にて変調された光束を拡大投射する投射光学装置とを備えたプロジェクタであって、前記光源装置から射出され前記光変調装置に至る光束の光路中に配設され、前記光源装置から前記光変調装置に照射される光束の光量を調整する、上述した光学絞り装置と、前記位置検出部からの出力値に基づいて、前記電磁アクチュエータを駆動制御する制御装置とを備えていることを特徴とする。
ここで、制御装置としては、上述した処理負荷を軽減させた制御装置の構造を採用できる。
本発明によれば、プロジェクタは、上述した光学絞り装置を備えているので、上述した光学絞り装置と同様の作用・効果を享受できる。
また、光学絞り装置により光源から光変調装置に照射される光束の光量を調整することができるので、例えば、制御装置が画像の輝度に応じて光学絞り装置を制御して全体的に暗い場面の場合には光量を低減し、全体的に明るい場面の場合には光量を増加させることで、高コントラスト比の投影画像を実現できる。
さらに、構造の簡素化および小型化が可能な光学絞り装置を備えているので、プロジェクタ内部において、近接配置された光学部品間に光学絞り装置を容易に配設することができ、プロジェクタのレイアウトの自由度を向上できる。
さらにまた、駆動時において振動を抑制し安定した駆動を実現できる光学絞り装置を備えているので、振動により投影画像に与える影響を抑制し、投影画像を良好に維持できる。
また、制御装置の処理負荷を低減させつつ、制御装置を用いて遮光羽根を高精度に移動させることができるので、光源装置から光変調装置に照射される光束の光量を高精度に調整でき、投影画像の画像品質を向上させることが可能となる。
【００１３】
本発明のプロジェクタでは、前記制御装置は、前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を備え、前記出力特性補正部は、前記補正パラメータ記憶部に記憶された前記補正パラメータを読み出し、読み出した前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正することが好ましい。
本発明によれば、制御装置に設けられた補正パラメータ記憶部は、補正パラメータを書き換え可能に記憶するので、補正パラメータを適宜、校正して最適な補正パラメータに更新できる。したがって、出力特性補正部が更新された最適な補正パラメータを用いて磁気素子の出力特性を補正することで、所定の開口面積に対応した位置に永久磁石を位置付けた場合に、前記所定の開口面積に対応した設計電圧値を磁気素子から出力させることができる。
【００１４】
本発明の補正パラメータ校正装置は、光源装置と、前記光源装置から射出された光束を変調する光変調装置と、前記光変調装置にて変調された光束を拡大投射する投射光学装置と、前記光源装置から射出され前記光変調装置に至る光束の光路中に配設され、前記光源装置から前記光変調装置に照射される光束の光量を調整する光学絞り装置と、前記光源装置、前記光変調装置、および前記光学絞り装置を駆動制御するプロジェクタ側制御装置とを備えたプロジェクタに用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置であって、前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性変更部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、前記プロジェクタ側制御装置は、前記位置検出部からの出力値に基づいて、前記電磁アクチュエータを駆動制御し、当該補正パラメータ校正装置は、前記プロジェクタ側制御装置に所定の制御指令を出力して前記プロジェクタを駆動制御する校正側制御装置と、前記プロジェクタから拡大投射された光学像の光量を検出して前記光量に関する検出光量情報を出力する光束検出装置とを備え、前記校正側制御装置は、基準となる基準光量に関する基準光量情報を記憶する光量情報記憶部と、基準となる基準出力値に関する基準出力値情報を記憶する出力値情報記憶部と、前記プロジェクタ側制御装置に前記光源装置を駆動制御させ、前記光源装置から光束を射出させる光源駆動制御部と、前記プロジェクタ側制御装置に前記電磁アクチュエータを駆動制御させ、前記位置検出部から前記基準出力値情報に基づく基準出力値が出力される基準位置に前記永久磁石を位置付ける絞り駆動制御部と、前記光束検出装置から出力される検出光量情報に基づく検出光量が前記基準光量情報に基づく基準光量に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新部とを備えていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の補正パラメータ校正装置は、上述したプロジェクタに用いられる補正パラメータ校正装置であるので、上述したプロジェクタと同様の作用・効果を享受できる。
また、補正パラメータ校正装置は、校正側制御装置と、光束検出装置とを備えているので、プロジェクタを組み立てた状態で、例えば、以下に示すように、補正パラメータを校正できる。
先ず、校正側制御装置の光源駆動制御部は、プロジェクタ側制御装置に光源装置を駆動制御させ、光源装置から光束を射出させる（光束射出ステップ）。
次に、校正側制御装置の絞り駆動制御部は、プロジェクタ側制御装置に電磁アクチュエータを駆動制御させ、位置検出部（磁気素子）から出力値情報記憶部に記憶された基準出力値情報に基づく基準出力値が出力される基準位置に永久磁石を位置付ける（永久磁石位置決めステップ）。
次に、校正側制御装置は、プロジェクタから拡大投射される光学像の光量を光束検出装置に検出させる（光束検出ステップ）。
次に、校正側制御装置のパラメータ更新部は、光束検出装置にて検出された検出光量が光量情報記憶部に記憶された基準光量情報に基づく基準光量に略同一となるように、補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新する（パラメータ更新ステップ）。
【００１６】
例えば、上述したように光学絞り装置に製造誤差が生じている場合には、永久磁石位置決めステップにてプロジェクタ側制御装置が位置検出部から所定の開口面積に対応した基準出力値（設計電圧値）が出力される基準位置に永久磁石を位置付けた場合であっても、遮光羽根は、前記所定の開口面積となる位置に位置付けられていない。すなわち、光束検出ステップにて検出された検出光量は、前記所定の開口面積に対応した基準光量と同一ではない。そこで、パラメータ更新ステップにて補正パラメータを更新することで、出力特性補正部により磁気素子の出力特性が補正され、磁気素子から出力される出力値が変更される。また、プロジェクタ側制御装置は、位置検出部から前記所定の開口面積に対応した基準出力値が出力される基準位置に永久磁石を位置付けるように制御することで、永久磁石の位置が変更され、遮光羽根による開口面積が変更される。そして、パラメータ更新ステップにて、検出光量が前記所定の開口面積に対応した基準光量と同一となるように補正パラメータを更新することで、前記所定の開口面積に対応した位置に永久磁石を位置付けた場合に、前記所定の開口面積に対応した基準出力値を位置検出部から出力させることができる。
以上のように、補正パラメータ校正装置は、プロジェクタを組み立てた状態で、光源装置から射出され光学絞り装置および光変調装置を介し投射光学装置にて拡大投射される光学像の光量、すなわち、実際に光学絞り装置が光量調整する光束に基づいて、補正パラメータを更新するので、光源装置から光変調装置に照射される光束の光量をより高精度に調整でき、投影画像の画像品質をより向上させることが可能となる。
【００１７】
本発明の補正パラメータ校正装置は、入射光束の光量を調整する光学絞り装置に用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置であって、前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、当該補正パラメータ校正装置は、前記光学絞り装置に向けて光束を射出する補正用光源装置と、前記補正用光源装置から射出され前記光学絞り装置を介した光束の光量を検出する光束検出装置と、前記補正用光源装置および前記電磁アクチュエータを駆動制御する校正側制御装置とを備え、前記校正側制御装置は、基準となる基準光量に関する基準光量情報を記憶する光量情報記憶部と、基準となる基準出力値に関する基準出力値情報を記憶する出力値情報記憶部と、前記補正用光源装置から光束を射出させる光源駆動制御部と、前記位置検出部から出力される出力値に基づいて前記電磁アクチュエータを駆動制御し、前記位置検出部から前記基準出力値情報に基づく基準出力値が出力される基準位置に前記永久磁石を位置付ける絞り駆動制御部と、前記光束検出装置から出力される検出光量情報に基づく検出光量が前記基準光量情報に基づく基準光量に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新部とを備えていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の補正パラメータ校正装置は、上述した光学絞り装置に用いられる補正パラメータ校正装置であるので、上述した光学絞り装置と同様の作用・効果を享受できる。
また、補正パラメータ校正装置は、補正用光源装置と、光束検出装置と、校正側制御装置とを備えているので、光学絞り装置を組み立てた状態で、例えば、以下に示すように、補正パラメータを校正できる。
先ず、校正側制御装置の光源駆動制御部は、補正用光源装置から光学絞り装置に向けて光束を射出させる（光束射出ステップ）。
次に、校正側制御装置の絞り駆動制御部は、電磁アクチュエータを駆動制御し、位置検出部（磁気素子）から出力値情報記憶部に記憶された基準出力値情報に基づく基準出力値が出力される基準位置に永久磁石を位置付ける（永久磁石位置決めステップ）。
次に、校正側制御装置は、補正用光源装置から射出され光学絞り装置を介した光束の光量を光束検出装置に検出させる（光束検出ステップ）。
次に、校正側制御装置のパラメータ更新部は、光束検出装置にて検出された検出光量が光量情報記憶部に記憶された基準光量情報に基づく基準光量に略同一となるように、補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新する（パラメータ更新ステップ）。
【００１９】
例えば、上述したように光学絞り装置に製造誤差が生じている場合には、永久磁石位置決めステップにて絞り駆動制御部が位置検出部から所定の開口面積に対応した基準出力値（設計電圧値）が出力される基準位置に永久磁石を位置付けた場合であっても、遮光羽根は、前記所定の開口面積となる位置に位置付けられていない。すなわち、光束検出ステップにて検出された検出光量は、前記所定の開口面積に対応した基準光量と同一ではない。そこで、パラメータ更新ステップにて補正パラメータを更新することで、出力特性補正部により磁気素子の出力特性が補正され、磁気素子から出力される出力値が変更される。また、絞り駆動制御部は、位置検出部から前記所定の開口面積に対応した基準出力値が出力される基準位置に永久磁石を位置付けるように制御することで、永久磁石の位置が変更され、遮光羽根による開口面積が変更される。そして、パラメータ更新ステップにて、検出光量が前記所定の開口面積に対応した基準光量と同一となるように補正パラメータを更新することで、前記所定の開口面積に対応した位置に永久磁石を位置付けた場合に、前記所定の開口面積に対応した基準出力値を位置検出部から出力させることができる。
以上のように、補正パラメータ校正装置は、光学絞り装置を組み立てた状態で、補正用光源装置から射出され光学絞り装置を介した光束の光量に基づいて、補正パラメータを更新するので、プロジェクタ等の光学機器に光学絞り装置を搭載した状態で補正パラメータを更新する必要がなく、光学絞り装置単体と補正パラメータ校正装置とを用いて補正パラメータを更新でき、補正パラメータを更新する際の作業スペースの効率化が図れる。
【００２０】
本発明の補正パラメータ校正装置では、前記補正用光源装置は、固体発光素子で構成されていることが好ましい。
本発明によれば、補正用光源装置が固体発光素子で構成されているので、例えば、補正用光源装置として放電発光型の光源ランプを採用した構成と比較して、補正パラメータ校正装置の小型・軽量化が図れる。また、補正用光源装置から安定した輝度の光束を射出させることができるので、安定した輝度の光束の光量に基づいて補正パラメータを更新することで、補正パラメータを高精度に校正できる。
【００２１】
本発明の補正パラメータ校正装置は、入射光束の光量を調整する光学絞り装置に用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置であって、前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、当該補正パラメータ校正装置は、前記光学絞り装置に機械的に接続し駆動することで前記遮光羽根を所定位置に位置付ける機械式絞り駆動装置と、前記機械式絞り駆動装置を駆動制御する校正側制御装置とを備え、前記校正側制御装置は、基準となる基準出力値に関する基準出力値情報を記憶する出力値情報記憶部と、
前記機械式絞り駆動装置を駆動させ、前記遮光羽根を所定の基準位置に位置付ける機械式絞り駆動制御部と、前記位置検出部から出力される出力値が前記基準出力値情報に基づく基準出力値に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新部とを備えていることを特徴とする。
【００２２】
本発明の補正パラメータ校正装置は、上述した光学絞り装置に用いられる補正パラメータ校正装置であるので、上述した光学絞り装置と同様の作用・効果を享受できる。
また、補正パラメータ校正装置は、機械式絞り駆動装置と、校正側制御装置とを備えているので、光学絞り装置を組み立てた状態で、例えば、以下に示すように、補正パラメータを校正できる。
先ず、校正側制御装置の機械式絞り駆動制御部は、機械式絞り駆動装置を駆動させ、遮光羽根を所定の基準位置に位置付ける（遮光羽根位置決めステップ）。
次に、校正側制御装置のパラメータ更新部は、位置検出部から出力される出力値が出力値情報記憶部に記憶された基準出力値情報に基づく基準出力値に略同一となるように、補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新する（パラメータ更新ステップ）。
【００２３】
例えば、上述したように光学絞り装置に製造誤差が生じている場合には、遮光羽根位置決めステップにて機械式絞り駆動制御部が遮光羽根を所定の開口面積に対応した基準位置に位置付けた場合であっても、位置検出部から前記所定の開口面積に対応した基準出力値（設計電圧値）とは異なる出力値が出力される。そこで、パラメータ更新ステップにおいて、磁気素子から基準出力値が出力されるように出力特性を補正するための補正パラメータに更新する。
以上のように、補正パラメータ校正装置は、光学絞り装置を組み立てた状態で、機械式絞り駆動装置を用いて遮光羽根を所定の基準位置に位置付け、位置検出部から出力される出力値に基づいて、補正パラメータを更新するので、プロジェクタ等の光学機器に光学絞り装置を搭載した状態で補正パラメータを更新する必要がなく、光学絞り装置単体と補正パラメータ校正装置とを用いて補正パラメータを更新でき、補正パラメータを更新する際の作業スペースの効率化が図れる。また、光学絞り装置に光束を射出し光学絞り装置を介した光束に基づいて補正パラメータを更新する構成と比較して、作業環境に依存せずに、補正パラメータを良好に校正できる。
【００２４】
本発明の補正パラメータ校正方法は、光源装置と、前記光源装置から射出された光束を変調する光変調装置と、前記光変調装置にて変調された光束を拡大投射する投射光学装置と、前記光源装置から射出され前記光変調装置に至る光束の光路中に設けられ、前記光源装置から前記光変調装置に照射される光束の光量を調整する光学絞り装置と、前記光源装置、前記光変調装置、および前記光学絞り装置を駆動制御するプロジェクタ側制御装置とを備えたプロジェクタに用いられ、前記補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法であって、前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性変更部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、前記プロジェクタ側制御装置は、前記位置検出部からの出力値に基づいて、前記電磁アクチュエータを駆動制御し、当該補正パラメータ校正方法は、前記プロジェクタ側制御装置に前記光源装置を駆動制御させ、前記光源装置から光束を射出させる光束射出ステップと、前記プロジェクタ側制御装置に前記電磁アクチュエータを駆動制御させ、前記位置検出部から基準となる基準出力値が出力される基準位置に前記永久磁石を位置付ける永久磁石位置決めステップと、前記プロジェクタから拡大投射される光学像の光量を検出する光束検出ステップと、前記光束検出ステップにて検出した検出光量が基準となる基準光量に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新ステップとを備えていることを特徴とする。
本発明の補正パラメータ校正方法は、上述した補正パラメータ校正装置によって実施されるものであるので、上述した補正パラメータ校正装置と同様の作用・効果を享受できる。
【００２５】
本発明の補正パラメータ校正方法は、入射光束の光量を調整する光学絞り装置に用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法であって、前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、当該補正パラメータ校正方法は、前記光学絞り装置に向けて光束を射出する光束射出ステップと、前記電磁アクチュエータを駆動制御し、前記位置検出部から基準となる基準出力値が出力される基準位置に前記永久磁石を位置付ける永久磁石位置決めステップと、前記光学絞り装置を介した光束の光量を検出する光束検出ステップと、前記光束検出ステップにて検出した検出光量が基準となる基準光量に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新ステップとを備えていることを特徴とする。
本発明の補正パラメータ校正方法は、上述した補正パラメータ校正装置によって実施されるものであるので、上述した補正パラメータ校正装置と同様の作用・効果を享受できる。
【００２６】
本発明の補正パラメータ校正方法は、入射光束の光量を調整する光学絞り装置に用いられ、補正パラメータを校正する補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法であって、前記光学絞り装置は、移動自在に構成され移動することで前記光束を通過可能とする開口面積を変更して前記光束の光量を調整する遮光羽根と、電流が通流されるコイル、および磁束を発生させ前記コイルに通流される電流と前記磁束との相互作用による電磁力によって前記コイルに対して移動し前記遮光羽根に接続して前記遮光羽根を移動させる永久磁石を有する電磁アクチュエータと、前記永久磁石からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する磁気素子、所定の補正パラメータを取得し前記補正パラメータに基づいて前記磁気素子の出力特性を補正する出力特性補正部、および前記補正パラメータを書き換え可能に記憶する補正パラメータ記憶部を有する位置検出部とを備え、当該補正パラメータ校正方法は、前記遮光羽根を所定の基準位置に位置付ける遮光羽根位置決めステップと、前記位置検出部から出力される出力値が基準となる基準出力値に略同一となるように、前記補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを更新するパラメータ更新ステップとを備えていることを特徴とする。
本発明の補正パラメータ校正方法は、上述した補正パラメータ校正装置によって実施されるものであるので、上述した補正パラメータ校正装置と同様の作用・効果を享受できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
[第１実施形態]
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。
〔プロジェクタの構成〕
図１は、プロジェクタ１の概略構成を模式的に示す図である。
プロジェクタ１は、光源から射出される光束を画像情報に応じて変調して光学像を形成し、形成した光学像をスクリーン（図示略）上に拡大投射するものである。このプロジェクタ１は、図１に示すように、外装筺体２と、投射光学装置としての投射レンズ３と、光学ユニット４と、制御装置６（図７参照）等を備える。
なお、図１において、図示は省略するが、外装筺体２内において、投射レンズ３および光学ユニット４以外の空間には、プロジェクタ１内部を冷却する冷却ファン等で構成される冷却ユニット、プロジェクタ１内部の各構成部材に電力を供給する電源ユニット、および制御装置６等が配置されるものとする。
【００２８】
外装筺体２は、合成樹脂等から構成され、図１に示すように、投射レンズ３および光学ユニット４を内部に収納配置する全体略直方体状に形成されている。この外装筺体２は、図示は省略するが、プロジェクタ１の天面、前面、背面、および側面をそれぞれ構成するアッパーケースと、プロジェクタ１の底面、前面、および背面をそれぞれ構成するロアーケースとで構成され、前記アッパーケースおよび前記ロアーケースは互いにねじ等で固定されている。
なお、外装筺体２は、合成樹脂等に限らず、その他の材料にて形成してもよく、例えば、金属等により構成してもよい。
【００２９】
光学ユニット４は、制御装置６による制御の下、光源から射出された光束を、光学的に処理して画像情報に対応した光学像（カラー画像）を形成するユニットである。この光学ユニット４は、図１に示すように、外装筺体２の背面に沿って延出するとともに、外装筺体２の側面に沿って延出する平面視略Ｌ字形状を有している。なお、この光学ユニット４の詳細な構成については、後述する。
投射レンズ３は、光学ユニット４にて形成された光学像（カラー画像）を図示しないスクリーン上に拡大投射する。この投射レンズ３は、筒状の鏡筒内に複数のレンズが収納された組レンズとして構成されている。
【００３０】
〔光学ユニットの詳細な構成〕
光学ユニット４は、図１に示すように、照明光学装置４１と、色分離光学装置４２と、リレー光学装置４３と、光学装置４４と、光学絞り装置５と、これら装置４１〜４４，５を内部に収納配置するとともに、投射レンズ３を所定位置で支持固定する光学部品用筐体４５とを備える。
照明光学装置４１は、光学装置４４を構成する後述する液晶パネルの画像形成領域をほぼ均一に照明するための光学系である。この照明光学装置４１は、図１に示すように、光源装置４１１と、第１レンズアレイ４１２と、第２レンズアレイ４１３と、偏光変換素子４１４と、重畳レンズ４１５とを備える。
【００３１】
光源装置４１１は、図１に示すように、放射状の光線を射出する光源ランプ４１６と、この光源ランプ４１６から射出された放射光を反射し所定位置に収束させるリフレクタ４１７と、リフレクタ４１７にて収束される光束を照明光軸Ａに対して平行化する平行化凹レンズ４１８と、光源ランプ４１６を駆動させるランプドライバ４１６Ａ（図７参照）とを備える。光源ランプ４１６としては、ハロゲンランプやメタルハライドランプ、高圧水銀ランプが多用される。また、リフレクタ４１７としては、回転楕円面を有する楕円面リフレクタで構成されているが、回転放物面を有する放物面リフレクタで構成してもよい。この場合には、平行化凹レンズ４１８を省略した構成とする。
【００３２】
第１レンズアレイ４１２は、光軸方向から見て略矩形状の輪郭を有する小レンズがマトリクス状に配列された構成を有している。各小レンズは、光源装置４１１から射出される光束を、複数の部分光束に分割している。
第２レンズアレイ４１３は、第１レンズアレイ４１２と略同様な構成を有しており、小レンズがマトリクス状に配列された構成を有している。この第２レンズアレイ４１３は、重畳レンズ４１５とともに、第１レンズアレイ４１２の各小レンズの像を光学装置４４の後述する液晶パネルの画像形成領域に結像させる機能を有している。
【００３３】
偏光変換素子４１４は、第２レンズアレイ４１３と重畳レンズ４１５との間に配置され、第２レンズアレイ４１３からの光を略１種類の偏光光に変換するものである。
具体的に、偏光変換素子４１４によって略１種類の偏光光に変換された各部分光は、重畳レンズ４１５によって最終的に光学装置４４の後述する液晶パネルの画像形成領域にほぼ重畳される。偏光光を変調するタイプの液晶パネルを用いたプロジェクタでは、１種類の偏光光しか利用できないため、ランダムな偏光光を発する光源装置４１１からの光の略半分を利用できない。このため、偏光変換素子４１４を用いることで、光源装置４１１からの射出光を略１種類の偏光光に変換し、光学装置４４での光の利用効率を高めている。
【００３４】
色分離光学装置４２は、図１に示すように、２枚のダイクロイックミラー４２１，４２２と、反射ミラー４２３とを備え、ダイクロイックミラー４２１，４２２により照明光学装置４１から射出された複数の部分光束を赤、緑、青の３色の色光に分離する機能を有している。
リレー光学装置４３は、入射側レンズ４３１、リレーレンズ４３３、および反射ミラー４３２，４３４を備え、色分離光学装置４２で分離された色光を赤色光用の液晶パネルまで導く機能を有している。
【００３５】
この際、色分離光学装置４２のダイクロイックミラー４２１では、照明光学装置４１から射出された光束の赤色光成分と緑色光成分とが透過するとともに、青色光成分が反射する。ダイクロイックミラー４２１によって反射した青色光は、反射ミラー４２３で反射し、フィールドレンズ４１９を通って青色光用の液晶パネルに達する。このフィールドレンズ４１９は、第２レンズアレイ４１３から射出された各部分光束をその中心軸（主光線）に対して平行な光束に変換する。他の緑色光および赤色光用の液晶パネルの光入射側に設けられたフィールドレンズ４１９も同様である。
【００３６】
ダイクロイックミラー４２１を透過した赤色光と緑色光のうちで、緑色光はダイクロイックミラー４２２によって反射し、フィールドレンズ４１９を通って緑色光用の液晶パネルに達する。一方、赤色光はダイクロイックミラー４２２を透過してリレー光学装置４３を通り、さらにフィールドレンズ４１９を通って赤色光用の液晶パネルに達する。なお、赤色光にリレー光学装置４３が用いられているのは、赤色光の光路の長さが他の色光の光路の長さよりも長いため、光の拡散等による光の利用効率の低下を防止するためである。すなわち、入射側レンズ４３１に入射した部分光束をそのまま、フィールドレンズ４１９に伝えるためである。なお、リレー光学装置４３には、３つの色光のうち赤色光を通す構成としたが、これに限らず、例えば、青色光を通す構成としてもよい。
【００３７】
光学装置４４は、光変調装置としての３つの液晶パネル４４１（赤色光用の液晶パネルを４４１Ｒ、緑色光用の液晶パネルを４４１Ｇ、青色光用の液晶パネルを４４１Ｂとする）と、３つの入射側偏光板４４２と、３つの射出側偏光板４４３と、クロスダイクロイックプリズム４４４とを備える。
３つの入射側偏光板４４２は、図１に示すように、各フィールドレンズ４１９の光路後段にそれぞれ配置される。これら入射側偏光板４４２は、偏光変換素子４１４で偏光方向が略一方向に揃えられた各色光が入射され、入射された光束のうち、偏光変換素子４１４で揃えられた光束の偏光方位と略同一方向の偏光光のみ透過させ、その他の光束を吸収するものである。これら入射側偏光板４４２は、図示は省略するが、サファイアあるいは水晶等の透光性基板上に偏光膜が貼付された構成を有している。
【００３８】
３つの液晶パネル４４１は、図１に示すように、各入射側偏光板４４２の光路後段にそれぞれ配置される。これら液晶パネル４４１は、図示は省略するが、一対の透明なガラス基板に電気光学物質である液晶が密閉封入された構成を有し、制御装置６から出力される駆動信号に応じて、所定の画素位置の前記液晶の配向状態が制御され、各入射側偏光板４４２から射出された偏光光束の偏光方位をそれぞれ変調する。
３つの射出側偏光板４４３は、図１に示すように、各液晶パネル４４１の光路後段にそれぞれ配置される。これら射出側偏光板４４３は、入射側偏光板４４２と略同様の構成を有し、図示は省略するが、透光性基板上に偏光膜が貼付された構成を有している。なお、射出側偏光板４４３を構成する前記偏光膜は、光束を透過する透過軸が、入射側偏光板４４２にて光束を透過する透過軸に略直交するように配置される。
【００３９】
クロスダイクロイックプリズム４４４は、射出側偏光板４４３の光路後段に配置され、各射出側偏光板４４３から射出された色光毎に変調された光学像を合成してカラー画像を形成する光学素子である。このクロスダイクロイックプリズム４４４は、４つの直角プリズムを貼り合わせた平面視正方形状をなし、直角プリズム同士を貼り合わせた界面には、２つの誘電体多層膜が形成されている。これら誘電体多層膜は、液晶パネル４４１Ｒ，４４１Ｇ，４４１Ｂから射出され各射出側偏光板４４３を介した各色光を反射し、液晶パネル４４１Ｇから射出され射出側偏光板４４３を介した色光を透過する。このようにして、各液晶パネル４４１にて変調された各色光が合成されてカラー画像が形成される。
【００４０】
光学絞り装置５は、図１に示すように、第１レンズアレイ４１２と第２レンズアレイ４１３との間に配設され、制御装置６による制御の下、後述する遮光羽根を移動することで光束を透過可能とする開口面積を変更して光源装置４１１から射出され第１レンズアレイ４１２を介した光束の光量を調整するものである。
なお、光学絞り装置５の具体的な構成については、後述する。
【００４１】
〔光学絞り装置の構成〕
図２および図３は、光学絞り装置５の概略構成の一例を示す図である。具体的に、図２は、光学絞り装置５を光束射出側（第２レンズアレイ４１３側）から見た斜視図である。図３は、光学絞り装置５を光束射出側（第２レンズアレイ４１３側）から見た分解斜視図である。
光学絞り装置５は、図２または図３に示すように、ベース板５１と、４つの遮光羽根５２と、４つの回動軸５３（図３）と、羽根押え部材５４と、４つのコイルばね５５（図３）と、絞りリング５６（図３）と、リング押え部材５７（図３）と、電磁アクチュエータ５８（図３）と、位置検出装置としての位置センサ５９とを備える。
【００４２】
ベース板５１は、光学絞り装置５全体を支持して光学部品用筐体４５内部に固定する部分である。このベース板５１は、図３に示すように、ベース板本体５１１と、固定子接続部５１２とを備える。
図４は、ベース板本体５１１を光束入射側（第１レンズアレイ４１２側）から見た斜視図である。
ベース板本体５１１は、図２ないし図４に示すように、入射する光束の光軸に直交する平面に沿って延出する平面視略矩形形状を有する金属製の板体から構成されている。
このベース板本体５１１において、平面視略中央部分には、図３または図４に示すように、第１レンズアレイ４１２から射出された光束を通過可能とする平面視円形状の開口部５１１１が形成されている。
また、このベース板本体５１１において、光束射出側端面には、図３に示すように、該ベース板５１の四隅位置近傍に平面視円形状の凹部５１１２（光束射出側から見て右上方側の凹部から時計周りに５１１２Ａ，５１１２Ｂ，５１１２Ｃ，５１１２Ｄとする）がそれぞれ形成されている。そして、これら凹部５１１２は、４つの回動軸５３の一方の端部側をそれぞれ固定するとともに、４つの遮光羽根５２の後述する軸受け部を遊嵌状態でそれぞれ配置する。
【００４３】
以下では、説明の便宜上、図３または図４に示すように、ベース板本体５１１において、開口部５１１１周縁の領域を、凹部５１１２Ａを含む上側の第１領域ＲＡ、凹部５１１２Ｂを含む光束射出側から見て右側の第２領域ＲＢ、凹部５１１２Ｃを含む下側の第３領域ＲＣ、および凹部５１１２Ｄを含む光束射出側から見て左側の第４領域ＲＤとする。
【００４４】
さらに、このベース板本体５１１において、光束射出側端面の各領域ＲＡ〜ＲＤには、図３に示すように、各凹部５１１２に近接した位置に、各凹部５１１２（各回動軸５３）を中心とする平面視円弧形状を有する第１突条部５１１３Ａが各凹部５１１２を囲うようにそれぞれ形成されている。これら第１突条部５１１３Ａは、光学絞り装置５を組み立てた状態で、各遮光羽根５２を構成する後述する各羽根板の板面にそれぞれ当接する部分である。
ことで、具体的な図示は省略するが、各第１突条部５１１３Ａのうち、対角位置にある各領域ＲＡ，ＲＣに形成された各第１突条部５１１３Ａの各高さ寸法が同一に設定されている。同様に、対角位置にある各領域ＲＢ，ＲＤに形成された各第１突条部５１１３Ａの各高さ寸法が同一に設定されている。そして、各領域ＲＡ，ＲＣに形成された第１突条部５１１３Ａの各高さ寸法に対して、各領域ＲＢ，ＲＤに形成された第１突条部５１１３Ａの各高さ寸法が所定寸法、大きくなるように設定されている。
【００４５】
さらにまた、このベース板本体５１１において、光束射出側端面の各領域ＲＡ〜ＲＤには、図３に示すように、各凹部５１１２から離間した位置に、各凹部５１１２（各回動軸５３）を中心とする平面視円弧形状を有する第２突条部５１１３Ｂがそれぞれ形成されている。これら第２突条部５１１３Ｂは、光学絞り装置５を組み立てた状態で、上述した第１突条部５１１３Ａと同様に、各遮光羽根５２を構成する後述する各羽根板の板面にそれぞれ当接する部分である。なお、各第２突条部５１１３Ｂの高さ寸法は、上述した各第１突条部５１１３Ａと同様に設定されている。
【００４６】
また、このベース板本体５１１において、各領域ＲＡ〜ＲＤには、図３または図４に示すように、各凹部５１１２に近接した位置に、光束射出側端面および光束入射側端面を貫通し、各凹部５１１２（各回動軸５３）を中心とする平面視円弧形状を有するトラック孔５１１４がそれぞれ形成されている。これらトラック孔５１１４は、光学絞り装置５を組み立てた状態で、各遮光羽根５２の後述するピン状部がそれぞれ挿通され、各ピン状部の移動時に各ピン状部と機械的に干渉しないように形成された逃げ孔である。
【００４７】
さらに、このベース板本体５１１において、光束射出側端面の各領域ＲＡ〜ＲＤには、図３に示すように、羽根押え部材５４を取り付けるための取付用孔５１１５Ａがそれぞれ形成されている。これら取付用孔５１１５Ａは、ベース板本体５１１に各遮光羽根５２が設置され各遮光羽根５２が回動した場合であっても、各遮光羽根５２と機械的に干渉しない位置にそれぞれ形成されている。
【００４８】
さらにまた、このベース板本体５１１において、上方端部側には、図３または図４に示すように、開口部５１１１の中心軸（入射光束の光軸）を中心とする平面視円弧形状の円弧状孔５１１６が形成されている。
この円弧状孔５１１６は、光学絞り装置５を組み立てた状態で、電磁アクチュエータ５８の後述する可動子、および絞りリング５６の後述する可動子接続部の一部を挿通可能とし、絞りリング５６が回動した場合であっても、前記可動子および前記可動子接続部の一部と機械的に干渉しない逃げ孔である。
また、この円弧状孔５１１６の周縁部分の光束射出側端面には、図３に示すように、固定子接続部５１２を取り付けるための２つの位置決め突起５１１５Ｂおよび２つの取付用孔５１１５Ｃが形成されている。
【００４９】
また、このベース板本体５１１において、光束入射側端面には、図４に示すように、開口部５１１１周縁から光束入射側に向けて突出する平面視円形枠状のリング支持部５１１７が形成されている。このリング支持部５１１７は、絞りリング５６の後述する円孔に遊嵌状態で嵌合する部分である。
このリング支持部５１１７の周縁部分には、図４に示すように、平面視円形状の凹部５１１８が形成されている。また、この凹部５１１８は、上方側がベース板本体５１１の上端縁にかけて延出するように形成されている。そして、この凹部５１１８は、絞りリング５６が設置され、開口部５１１１の略中心軸（入射光束の光軸）を中心として絞りリング５６を回動可能に支持する部分であり、絞りリング５６の外形形状に対応した形状を有している。
【００５０】
さらに、このベース板本体５１１において、光束入射側端面の各領域ＲＡ〜ＲＤには、図４に示すように、凹部５１１８の周縁部分に、リング押え部材５７を取り付けるための取付用孔５１１５Ｄがそれぞれ形成されている。これら取付用孔５１１５Ｄは、ベース板本体５１１に絞りリング５６を介してリング押え部材５７が取り付けられ絞りリング５６が回動した場合であっても、絞りリング５６と機械的に干渉しない位置にそれぞれ形成されている。
【００５１】
さらにまた、このベース板本体５１１において、光束射出側端面の下方側、および光束入射側端面の上方側には、該ベース板本体５１１の面外方向に突出し、光学部品用筐体４５内部に固定するための固定部５１１０がそれぞれ形成されている。すなわち、これら固定部５１１０を介してベース板本体５１１を光学部品用筐体４５内部に固定することで、光学絞り装置５全体が光学部品用筐体４５内部に固定される。
【００５２】
固定子接続部５１２は、電磁アクチュエータ５８の後述する固定子をベース板本体５１１に接続する部材である。この固定子接続部５１２は、図３に示すように、平面視略矩形状の板体から構成され、ベース板本体５１１の光束射出側端面に円弧状孔５１１６を覆うように取り付けられる。
この固定子接続部５１２において、光束射出側端面には、具体的な図示は省略するが、電磁アクチュエータ５８の後述する固定子である電磁コイルの形状に対応して平面視略円形状の凹部が形成されている。この凹部は、前記電磁コイルを収納配置する部分である。
また、この固定子接続部５１２には、図３に示すように、前記凹部の略中心に位置し、光束射出側端面および光束入射側端面を貫通する平面視矩形状の貫通孔５１２１が形成されている。
【００５３】
さらに、この固定子接続部５１２において、四隅角部分には、図３に示すように、ベース板本体５１１の２つの位置決め突起５１１５Ｂおよび２つの取付用孔５１１５Ｃに対応して、２つの位置決め用孔５１２２Ａおよび２つの取付用孔５１２２Ｂがそれぞれ形成されている。そして、固定子接続部５１２は、前記電磁コイルを前記凹部に収納配置した状態で、ベース板本体５１１の２つの位置決め突起５１１５Ｂに２つの位置決め用孔５１２２Ａを嵌合させることで位置決めされ、固定ねじ５Ａを２つの取付用孔５１２２Ｂに挿通しベース板本体５１１の２つの取付用孔５１１５Ｃに螺合することで、ベース板本体５１１に固定される。
このように固定子接続部５１２をベース板本体５１１に固定した状態では、固定子接続部５１２の前記凹部に収納配置された前記電磁コイルは、ベース板本体５１１から光束射出側（絞りリング５６から離間する側）にオフセットした位置に配置される。
【００５４】
さらにまた、この固定子接続部５１２において、貫通孔５１２１の周縁部分には、図３に示すように、位置センサ５９を位置決めするための２つの位置決め用突起５１２３と、位置センサ５９を固定するための２つの固定用孔５１２４とが形成されている。
【００５５】
４つの遮光羽根５２は、金属製部材から構成され、図３に示すように、ベース板本体５１１の光束射出側端面における各領域ＲＡ〜ＲＤにおいて、４つの回動軸５３を介して各凹部５１１２に、入射する光束の光軸に直交する平面に沿って回動可能にそれぞれ軸支され、回動することで光束を透過可能とする開口面積を変更して第１レンズアレイ４１２から射出される光束の光量を調整する。なお、以下では、各領域ＲＡ〜ＲＤに配置される遮光羽根５２をそれぞれ、５２Ａ〜５２Ｄとする。
これら遮光羽根５２は、同一形状を有し、図３に示すように、羽根板５２１と、軸受け部５２２と、ピン状部５２３とでそれぞれ構成されている。
【００５６】
羽根板５２１は、図３に示すように、端縁が曲線状に形成された平面視略Ｌ字形状を有し、入射光束を遮光する金属製の板体で構成される。そして、各羽根板５２１は、光学絞り装置５を組み立てた状態では、各羽根板５２１における各Ｌ字形状の内側部分が開口部５１１１内側に向き、開口部５１１１を囲うように配置される。また、各羽根板５２１は、光学絞り装置５を組み立てた状態では、各板面が入射する光束の光軸に直交するように配置される。
【００５７】
軸受け部５２２は、羽根板５２１におけるＬ字形状の一端側に一体的に設けられ、羽根板５２１を回動可能とする回動軸５３の軸受けである。
この軸受け部５２２は、具体的な図示は省略するが、羽根板５２１の光束入射側端面から光束入射側に突出し、回動軸５３を挿通可能とする略円筒形状を有している。すなわち、軸受け部５２２における光束の光軸方向の厚み寸法は、羽根板５２１における光束の光軸方向の厚み寸法よりも大きく形成されている。そして、軸受け部５２２は、回動軸５３が挿通された状態で回動軸５３に対して回動可能とし、回動軸５３に対して回動することで、羽根板５２１を回動させる。このように各羽根板５２１が回動することで、各羽根板５２１における各Ｌ字形状の内側端縁で形成される光束を通過可能とする開口の開口面積が変更される。
【００５８】
そして、光学絞り装置５を組み立てた状態では、軸受け部５２２に回動軸５３が挿通されるとともに、軸受け部５２２の光束入射側端面がベース板本体５１１の凹部５１１２の底部分に当接する。
また、羽根板５２１は、軸受け部５２２に対して略垂直となるように構成され、光学絞り装置５を組み立てた状態では、軸受け部５２２に挿通される回動軸５３に対して略垂直となる。すなわち、各羽根板５２１は、光学絞り装置５を組み立てた状態では、ベース板本体５１１の板面に略平行な状態となる。
なお、各羽根板５２１は、軸受け部５２２に対して略垂直となる構成に限らず、各遮光羽根５２の回動時に各羽根板５２１同士が接触しなければ、軸受け部５２２に対して略垂直以外の角度を有する構成を採用してもよい。すなわち、各遮光羽根５２の回動時に各羽根板５２１同士が接触しなければ、各羽根板５２１がベース板本体５１１の板面に平行な平面に対して所定角度傾斜している構成を採用してもよい。
【００５９】
ここで、軸受け部５２２が当接するベース板本体５１１の各凹部５１１２の底部分の高さ寸法は、具体的な図示は省略するが、光学絞り装置５を組み立てた状態、すなわち、各遮光羽根５２の各軸受け部５２２の光束入射側端面が各凹部５１１２の底部分に当接した状態で、隣接する各羽根板５２１間に所定寸法の隙間が形成されているように設定されている。
具体的に、各凹部５１１２Ａ〜５１１２Ｄのうち、対角位置にある凹部５１１２Ａ，５１１２Ｃの底部分の高さ寸法は、同一寸法で形成されている。対角位置にある凹部５１１２Ｂ，５１１２Ｄの底部分の高さ寸法も同様に、同一寸法で形成されている。そして、各凹部５１１２Ａ，５１１２Ｃの底部分の高さ寸法は、各凹部５１１２Ｂ，５１１２Ｄの底部分の高さ寸法よりも所定寸法、大きく設定されている。このような構成により、光学絞り装置５を組み立てた状態、すなわち、各遮光羽根５２の各軸受け部５２２の光束入射側端面が各凹部５１１２の底部分に当接した状態では、各遮光羽根５２Ａ〜５２Ｄにおいて、ベース板本体５１１からの各羽根板５２１の高さ位置が異なるものとなる。
すなわち、対角位置にある各遮光羽根５２の各羽根板５２１がベース板本体５１１から同一の高さ位置に位置付けられ、隣接する各遮光羽根５２の各羽根板５２１がベース板本体５１１から異なる高さ位置に位置付けられている。このように設定することで、隣接する各羽根板５２１間に所定寸法の隙間を形成し、各羽根板５２１を回動させた際に、各羽根板５２１同士が機械的に干渉することを回避している。
【００６０】
ピン状部５２３は、軸受け部５２２の近傍であって、軸受け部５２２に対して羽根板５２１の他端側に設けられ、絞りリング５６と係合し絞りリング５６からの押圧力を受ける部分である。
このピン状部５２３は、図３に示すように、羽根板５２１の光束入射側端面から光束入射側に突出する。そして、ピン状部５２３は、光学絞り装置５を組み立てた状態では、図３に示すように、ベース板本体５１１のトラック孔５１１４に挿通され、トラック孔５１１４を介してベース板本体５１１の光束入射側端面から突出し、絞りリング５６の後述する長孔と係合する。
【００６１】
４つの回動軸５３は、略円柱形状を有する金属製部材から構成され、ベース板本体５１１および羽根押え部材５４間に固定され、各遮光羽根５２を回動可能に軸支する部分である。
羽根押え部材５４は、図３に示すように、固定子接続部５１２と組み合わせることでベース板本体５１１と略同様の外形形状となり平面視略矩形形状を有し、合成樹脂製の板体から構成され、各遮光羽根５２を回動可能にベース板５１に対して押圧する部分である。
この羽根押え部材５４において、平面視略中央部分には、図２または図３に示すように、ベース板本体５１１の開口部５１１１と同様の、第１レンズアレイ４１２から射出された光束を透過可能とする平面視円形状の開口部５４１が形成されている。
また、この羽根押え部材５４には、図２または図３に示すように、ベース板本体５１１の各凹部５１１２に対応した位置に、光束射出側端面および光束入射側端面を貫通して、回動軸５３の他方の端部を嵌合固定する軸固定孔５４２がそれぞれ形成されている。
【００６２】
さらに、この羽根押え部材５４には、図２または図３に示すように、ベース板本体５１１の各取付用孔５１１５Ａに対応した位置に、光束射出側端面および光束入射側端面を貫通した取付用孔５４３がそれぞれ形成されている。そして、各取付用孔５４３を介して固定ねじ５Ｂを挿通し、固定ねじ５Ｂを各取付用孔５１１５Ａに螺合することで、ベース板本体５１１に対して各遮光羽根５２を押圧した状態で羽根押え部材５４が固定される。
【００６３】
４つのコイルばね５５は、図３に示すように、各回動軸５３を挿通可能とし、各回動軸５３の他方の端部側を挿通した状態で各遮光羽根５２と羽根押え部材５４の間に配設され、一端側が各遮光羽根５２の光束射出側（軸受け部５２２近傍）に当接し、他端側が羽根押え部材５４の光束入射側端面（軸固定孔５４２周縁部分）に当接する。そして、各コイルばね５５は、ベース板本体５１１に対して羽根押え部材５４を取り付けた際に、各遮光羽根５２をベース板本体５１１に向けて付勢し、各遮光羽根５２の各軸受け部５２２をベース板本体５１１の凹部５１１２の底部分に当接させる。
【００６４】
絞りリング５６は、ベース板本体５１１の凹部５１１８に回動可能に設置され、凹部５１１８に設置された状態で各遮光羽根５２の各ピン状部５２３と係合し、回動することで各ピン状部５２３を押圧し、各遮光羽根５２の各羽根板５２１を、各回動軸５３を中心として回動させる。この絞りリング５６は、合成樹脂から構成され、図３に示すように、リング本体５６１と、可動子接続部５６２とが一体的に形成されたものである。
リング本体５６１は、ベース板本体５１１のリング支持部５１１７を挿通可能とする円孔５６１１を有し平面視円形枠状の板体で構成される。
このリング本体５６１には、図３に示すように、ベース板本体５１１の各トラック孔５１１４に対応した位置に、各トラック孔５１１４から突出した各ピン状部５２３を挿通可能とし、開口部５１１１の略中心軸を中心とする円周方向と交差する方向に略直線状に延びる長孔５６１２がそれぞれ形成されている。
【００６５】
可動子接続部５６２は、図３に示すように、リング本体５６１の外周縁からリング本体５６１の板面に沿って外側に延出し、電磁アクチュエータ５８の後述する可動子をリング本体５６１に接続する部分である。そして、可動子接続部５６２は、光学絞り装置５を組み立てた状態では、図３に示すように、ベース板本体５１１の上方端部側に対向するように配置される。
この可動子接続部５６２は、図３に示すように、ベース板本体５１１の円弧状孔５１１６の形状に対応し、光束射出側に向けて突出する平面視略矩形枠形状の突出部５６２１が形成されている。この突出部５６２１は、その内部において、電磁アクチュエータ５８の後述する可動子である永久磁石を収納配置する部分である。そして、光学絞り装置５を組み立てた状態では、突出部５６２１内部に収納配置された前記永久磁石、および突出部５６２１の一部がベース板本体５１１の円弧状孔５１１６に挿通される。
ここで、突出部５６２１における絞りリング５６の回動方向（入射光束の光軸を中心とする回動方向）の長さ寸法は、ベース板本体５１１の円弧状孔５１１６における絞りリング５６の回動方向の長さ寸法よりも小さく設定されている。このため、絞りリング５６を回動させた場合であっても、円弧状孔５１１６と突出部５６２１とが機械的に干渉しないように構成されている。
【００６６】
そして、光学絞り装置５を組み立てた状態で、絞りリング５６が回動することで、リング本体５６１の各長孔５６１２が開口部５１１１の略中心軸を中心とする円周方向と交差する方向に略直線状に延びるように形成されているので、各長孔５６１２の端縁にて各遮光羽根５２の各ピン状部５２３が押圧され、各ピン状部５２３が各長孔５６１２に沿って移動する。また、各ピン状部５２３は、各長孔５６１２に沿って移動する際、ベース板５１の各トラック孔５１１４に機械的に干渉することなく、ベース板５１の各凹部５１１２（各回動軸５３）を中心として回動するように移動する。そして、各ピン状部５２３の移動により、各遮光羽根５２の各羽根板５２１が各回動軸５３を中心として回動する。
【００６７】
リング押え部材５７は、図３に示すように、ベース板本体５１１と略同様の外形形状で平面視略矩形形状を有し、金属製の板体から構成され、絞りリング５６を回動可能にベース板５１に対して押圧する部分である。
このリング押え部材５７において、平面視略中央部分には、図３に示すように、ベース板本体５１１の開口部５１１１と同様の、第１レンズアレイ４１２から射出された光束を透過可能とする平面視円形状の開口部５７１が形成されている。
また、このリング押え部材５７には、図３に示すように、ベース板本体５１１の各トラック孔５１１４に対応した位置に、各トラック孔５１１４と同様のトラック孔５７２が形成されている。これらトラック孔５７２は、各トラック孔５１１４と同様に、光学絞り装置５を組み立てた状態で、各遮光羽根５２の各ピン状部５２３が挿通され、各ピン状部５２３の移動時に各ピン状部５２３と機械的に干渉しないように形成された逃げ孔である。
【００６８】
さらに、このリング押え部材５７には、図３に示すように、ベース板本体５１１の取付用孔５１１５Ｄに対応した位置に、光束射出側端面および光束入射側端面を貫通した取付用孔５７３が形成されている。そして、各取付用孔５７３を介して固定ねじ５Ｃを挿通し、固定ねじ５Ｃを各取付用孔５１１５Ｄに螺合することで、ベース板本体５１１に対して絞りリング５６を押圧した状態でリング押え部材５７が固定される。
【００６９】
図５は、電磁アクチュエータ５８および位置センサ５９の構造を模式的に示す図である。
電磁アクチュエータ５８は、図３または図５に示すように、固定子としての電磁コイル５８１と、可動子としての永久磁石５８２とを備え、制御装置６による制御の下、電気的なエネルギを機械的なエネルギに変換して電磁コイル５８１に対して永久磁石５８２を移動させることで、絞りリング５６を回動させるものである。
電磁コイル５８１は、図３に示すように、リング形状を有し、コイル軸が入射光束の光軸に略平行するように固定子接続部５１２の前記凹部に収納配置される。
【００７０】
永久磁石５８２は、図３または図５に示すように、第１磁石部５８２１（図５）と第２磁石部５８２２（図５）とが一体化された構成を有し、絞りリング５６の可動子接続部５６２の突出部５６２１内側に固定される。
第１磁石部５８２１は、図５に示すように、可動子接続部５６２側をＮ極とし、可動子接続部５６２側と離間する側（電磁コイル５８１と対向する側）をＳ極とするように突出部５６２１内側に嵌合固定される。
第２磁石部５８２２は、図５に示すように、第１磁石部５８２１と逆に、可動子接続部５６２側をＳ極とし、可動子接続部５６２から離間する側（電磁コイル５８１と対向する側）をＮ極とするように突出部５６２１内側に嵌合固定される。
【００７１】
そして、制御装置６は、電磁コイル５８１と電気的に接続され、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施し、永久磁石５８２からの磁束と該磁束に略直交する電磁コイル５８１に通流される電流（図３中、電磁コイル５８１における上下方向に延びる部分に通流される電流）との相互作用による電磁力の方向を変更する。そして、電磁力により、永久磁石５８２を、図５（Ａ）、（Ｃ）に示す終端位置や、図５（Ｂ）に示す中立位置に移動させる。永久磁石５８２の移動に応じて、絞りリング５６が回動し、該絞りリング５６の回動に連動して各遮光羽根５２が回動し、第１レンズアレイ４１２から射出された光束の光量が調整される。なお、本実施形態では、永久磁石５８２が図５（Ａ）に示す終端位置に位置付けられた状態で各遮光羽根５２による開口面積が最小開口面積Ｓminとなり、永久磁石５８２が図５（Ｃ）に示す終端位置に位置付けられた状態で各遮光羽根５２による開口面積が最大開口面積Ｓmaxとなり、永久磁石５８２が図５（Ｂ）に示す中立位置に位置付けられた状態で各遮光羽根５２による開口面積が最大開口面積Ｓmaxおよび最小開口面積Ｓminの中間である中間開口面積Ｓmidとなるものとする。
【００７２】
位置センサ５９は、固定子接続部５１２に取り付けられ、電磁コイル５８１に対する永久磁石５８２の位置を検出する。そして、位置センサ５９は、検出した位置に応じた信号を制御装置６に出力する。制御装置６は、位置センサ５９から出力される信号に基づいて、上述したように電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、所定位置に永久磁石５８２（各遮光羽根５２）を位置付ける。
この位置センサ５９は、図３または図５に示すように、位置センサ本体５９１（図５）と、位置センサ本体５９１が実装される回路基板５９２（図３）とを備える。
位置センサ本体５９１は、図５に示すように、位置センサ５９が固定子接続部５１２に取り付けられた状態で、電磁コイル５８１の内部でコイル軸に略一致する位置に配置される。すなわち、光学絞り装置５を組み立てた状態では、位置センサ本体５９１は、図５に示すように、永久磁石５８２に対向する位置に配設される。そして、この位置センサ本体５９１は、磁気素子としてのホール素子５９１１と、出力特性補正部５９１２と、補正パラメータ記憶部５９１３とを備える（図７参照）。これらホール素子５９１１、出力特性補正部５９１２、および補正パラメータ記憶部５９１３で構成される位置センサ本体５９１は、１チップのＩＣ(Integrated Circuit)で構成される。
【００７３】
ホール素子５９１１は、ホール効果を利用した磁気素子であり、永久磁石５８２からの磁場の強さに応じて所定の電圧を出力する。
出力特性補正部５９１２は、補正パラメータ記憶部５９１３に記憶された補正パラメータ（オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータ）に基づいてホール素子５９１１の出力特性を補正する。
図６は、出力特性補正部５９１２の処理機能の一例を示す図である。具体的に、図６において、縦軸がホール素子５９１１から出力される出力値（電圧値）を示し、横軸が永久磁石５８２の位置（各遮光羽根５２による開口面積）を示している。また、図６において、実線が出力特性補正部５９１２による出力特性の補正前でのホール素子５９１１の出力特性を示し、破線が出力特性補正部５９１２による出力特性の補正後でのホール素子５９１１の出力特性を示している。
出力特性補正部５９１２によるオフセット補正パラメータに基づくホール素子５９１１の出力特性の補正（以下、オフセット補正と記載する）では、例えば、図６（Ａ）に示すように、ホール素子５９１１の出力特性が補正される。
より具体的に、オフセット補正では、各遮光羽根５２による開口面積が中間開口面積Ｓmidとなる規定位置Ｐ１に永久磁石５８２が位置している状態でホール素子５９１１がオフセット電圧値Ｖof（最大出力電圧値Ｖddの半分である電圧値Ｖdd／２）を出力するようにオフセット電圧値Ｖofに対する永久磁石５８２の位置をオフセットして出力特性が補正される。例えば、図６（Ａ）に示すように、オフセット補正前において永久磁石５８２が所定の位置Ｐ２に位置している状態でホール素子５９１１からオフセット電圧値Ｖofが出力されているが、オフセット補正により、規定位置Ｐ１に永久磁石５８２が位置している状態でホール素子５９１１がオフセット電圧値Ｖofを出力するように出力特性が補正される。すなわち、オフセット補正では、図６（Ａ）に示すように、永久磁石５８２の位置に対するホール素子５９１１の出力値の傾きが一定の状態で、永久磁石５８２の位置がオフセットされる。
そして、本実施形態では、後述する補正パラメータ校正装置１００により最適なオフセット補正パラメータに更新され、該オフセット補正パラメータを用いたオフセット補正により、各遮光羽根５２による開口面積が中間開口面積Ｓmidの状態でホール素子５９１１がオフセット電圧値Ｖof（最大出力電圧値Ｖddの半分である電圧値Ｖdd／２）を出力するように補正される。
【００７４】
また、出力特性補正部５９１２によるゲイン補正パラメータに基づくホール素子５９１１の出力特性の補正（以下、ゲイン補正と記載する）では、例えば、図６（Ｂ）に示すように、ホール素子５９１１の出力特性が補正される。
より具体的に、ゲイン補正では、ホール素子５９１１の出力特性は、図６（Ｂ）に示すように、各遮光羽根５２による開口面積が中間開口面積Ｓmidの状態でホール素子５９１１が出力するオフセット電圧値Ｖofを基準として、傾きが補正される。
そして、本実施形態では、後述する補正パラメータ校正装置１００により最適なゲイン補正パラメータに更新され、該ゲイン補正パラメータを用いたゲイン補正により、各遮光羽根５２による開口面積が最小開口面積Ｓminとなる規定位置Ｐ３（第１の位置）に永久磁石５８２が位置している状態でホール素子５９１１が最小出力電圧値０を出力し、各遮光羽根５２による開口面積が最大開口面積Ｓmaxとなる規定位置Ｐ４（第２の位置）に永久磁石５８２が位置している状態でホール素子５９１１が最大出力電圧値Ｖddを出力するように補正される。
すなわち、出力特性補正部５９１２は、図示は省略するが、オフセット補正を実施するオフセット回路部と、ゲイン補正を実施するゲイン回路部とで構成されている。
【００７５】
補正パラメータ記憶部５９１３は、オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータを書換可能に記憶する。より具体的には、補正パラメータ記憶部５９１３は、後述する補正パラメータ校正装置１００により、オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータが適宜、書き換えられる。
すなわち、補正パラメータ記憶部５９１３は、図示は省略するが、オフセット補正パラメータを記憶するオフセット記憶部と、ゲイン補正パラメータを記憶するゲイン記憶部とで構成される。これらオフセット記憶部およびゲイン記憶部としては、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）等を採用できる。
そして、以上説明した位置センサ本体５９１としては、例えば、旭化成電子株式会社製のＣＭ８２０１を採用できる。
【００７６】
〔プロジェクタの制御構造〕
図７は、プロジェクタ１および補正パラメータ校正装置１００の制御構造を模式的に示すブロック図である。
制御装置６は、プロジェクタ１全体を制御する。この制御装置６は、図７に示すように、インターフェース部６１と、制御部本体６２と、フレームメモリ６３と、メモリ６４等を備える。
インターフェース部６１は、外部から信号線を介して入力される信号に対して予め設定されている入力インターフェース処理を実行し、制御部本体６２にて処理可能な信号に変換して出力する。例えば、インターフェース部６１は、各種外部機器から出力される画像信号等を入力し、制御部本体６２にて処理可能な画像信号に変換して出力する。そして、インターフェース部６１から出力された画像信号（デジタル画像信号）は、フレームメモリ６３に一時的に記録される。また、例えば、インターフェース部６１は、補正パラメータ校正装置１００と信号線Ｓｉ１を介して接続し、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御信号を入力し、制御部本体６２にて処理可能な信号に変換して出力する。
【００７７】
制御部本体６２は、例えば、ＣＰＵ(Central Processing Unit)等により構成され、図７に示すように、各液晶パネル４４１、光源装置４１１、および光学絞り装置５等を制御する。この制御部本体６２は、図７に示すように、液晶パネル駆動制御部６２１と、ランプ駆動制御部６２２と、絞り駆動制御部６２３等を備える。
液晶パネル駆動制御部６２１は、所定のプログラムや、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、各液晶パネル４４１を駆動制御する。例えば、液晶パネル駆動制御部６２１は、所定のプログラムにしたがって、インターフェース部６１から出力されフレームメモリ６３に順次記憶されるデジタル画像信号を適宜読み出して、読み出したデジタル画像信号に対して所定の処理を施し、処理を施した画像に対応する画像情報としての駆動信号を各液晶パネル４４１に出力して所定の光学像を形成させる。この液晶パネル駆動制御部６２１における前記所定の処理としては、例えば、拡大・縮小等の画像サイズ調整処理、台形歪補正処理、画質調整処理、ガンマ補正処理等がある。これらの各処理は、周知の技術であるので詳細な説明は省略する。また、液晶パネル駆動制御部６２１は、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、上記同様に、各液晶パネル４４１に所定の光学像を形成させる。
【００７８】
ランプ駆動制御部６２２は、所定のプログラムや、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、所定の駆動周波数で光源ランプ４１６を駆動させる旨の制御指令をランプドライバ４１６Ａに出力し、ランプドライバ４１６Ａに所定の駆動周波数に応じた駆動信号を生成させ、光源ランプ４１６を駆動させる。
【００７９】
絞り駆動制御部６２３は、所定のプログラムや、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、位置センサ５９（ホール素子５９１１）から出力される出力値（電圧値）に基づいて、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、所定位置に各遮光羽根５２を位置付ける。
より具体的に、絞り駆動制御部６２３は、所定のプログラムにしたがって、入力した画像情報を解析して画像情報に対応した画像の明るさ情報を生成する。この明るさ情報としては、例えば、画像情報に対応した画像の各画素に対応する各輝度値において、最大輝度値、最小輝度値、平均輝度値等に関する情報を採用できる。また、絞り駆動制御部６２３は、メモリ６４に記憶された、明るさ情報と各遮光羽根５２による開口面積とが関連付けられた明るさ−開口面積関連情報に基づいて、生成した明るさ情報に対応する開口面積を特定する。さらに、絞り駆動制御部６２３は、メモリ６４に記憶された、開口面積とホール素子５９１１から出力される設計上の設計電圧値とが関連付けられた開口面積−電圧値関連情報に基づいて、特定した開口面積に関連付けられた設計電圧値を特定する。そして、絞り駆動制御部６２３は、位置センサ５９から前記特定した設計電圧値が出力されるまで、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して各遮光羽根５２を前記明るさ情報および前記開口面積に応じた所定位置に位置付ける。
また、絞り駆動制御部６２３は、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、位置センサ５９から前記制御指令に含まれる指令電圧値が出力されるまで、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して各遮光羽根５２を所定位置に位置付ける。
【００８０】
メモリ６４は、絞り駆動制御部６２３にて用いられる上述した明るさ−開口面積関連情報、および開口面積−電圧値関連情報を記憶する。これら明るさ−開口面積関連情報、および開口面積−電圧値関連情報としては、例えば、ＬＵＴ(Look-Up-Table)等で構成されるデータ構造を採用できる。開口面積−電圧値関連情報としては、例えば、上述した最小開口面積Ｓmin、中間開口面積Ｓmid、および最大開口面積Ｓmaxに関しては、最小開口面積Ｓminに対して最小出力電圧値０が関連付けられ、中間開口面積Ｓmidに対してオフセット電圧値Ｖdd／２が関連付けられ、最大開口面積Ｓmaxに対して最大出力電圧値Ｖddが関連付けられている。
【００８１】
ところで、光学絞り装置５を製造するにあたって、永久磁石５８２の着磁位置の製造誤差、永久磁石５８２の実装位置の製造誤差、あるいは、位置センサ５９の実装位置の製造誤差等が生じている場合には、絞り駆動制御部６２３による制御によって、各遮光羽根５２を所望の開口面積に応じた位置に位置付けることができない。
【００８２】
図８は、光学絞り装置５の製造誤差を模式的に示す図である。具体的に、図８（Ａ）は、光学絞り装置５に製造誤差が生じていない場合を示す図である。図８（Ｂ）、（Ｃ）は、光学絞り装置５に製造誤差が生じている場合を示す図である。
光学絞り装置５に製造誤差が生じていない場合では、絞り駆動制御部６２３は、図８（Ａ）に示すように、各遮光羽根５２による開口面積を中間開口面積Ｓmidとなる位置に各遮光羽根５２を位置付ける際、開口面積−電圧値情報に基づいて、位置センサ５９から中間開口面積Ｓmidに対応したオフセット電圧値Ｖdd／２が出力される位置、すなわち、第１磁石部５８２１および第２磁石部５８２２の異極間位置Ｐ０が位置センサ本体５９１に対向するように、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して永久磁石５８２を位置付ける。
【００８３】
また、光学絞り装置５に製造誤差が生じている場合、すなわち、図８（Ｂ）に示すように、突出部５６２１内側に対する永久磁石５８２の実装位置に製造誤差が生じている場合でも上記同様に、絞り駆動制御部６２３は、各遮光羽根５２による開口面積を中間開口面積Ｓmidとなる位置に各遮光羽根５２を位置付ける際、開口面積−電圧値情報に基づいて、位置センサ５９から中間開口面積Ｓmidに対応したオフセット電圧値Ｖdd／２が出力される位置、すなわち、第１磁石部５８２１および第２磁石部５８２２の異極間位置Ｐ０が位置センサ本体５９１に対向するように、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して永久磁石５８２を位置付ける。このため、本来、中間開口面積Ｓmidとなる永久磁石５８２の位置（図８（Ｃ）に示す位置）から、ずれた位置（図８（Ｂ）に示す位置）に永久磁石５８２が位置付けられることとなる。
【００８４】
なお、永久磁石５８２の実装位置に製造誤差が生じている場合には、中間開口面積Ｓmidに限らず、その他の開口面積となる位置に永久磁石５８２を位置付ける場合にも同様に、ずれた位置に永久磁石５８２が位置付けられることとなり、所望の開口面積となる位置に各遮光羽根５２を位置付けることができない。永久磁石５８２のＮＳ極の境界バラツキ等着磁位置に製造誤差が生じている場合や、位置センサ５９の実装位置に製造誤差が生じている場合も同様である。
したがって、光学絞り装置５に製造誤差が生じている場合であっても、絞り駆動制御部６２３による制御において、所望の位置に永久磁石５８２を位置付け、所望の開口面積となる位置に各遮光羽根５２を位置付ける必要がある。
【００８５】
〔補正パラメータ校正装置の構造〕
補正パラメータ校正装置１００は、プロジェクタ１の製造後、所望の開口面積となる位置に永久磁石５８２を位置付けた際に前記開口面積−電圧値情報に基づく前記所望の開口面積に対応する電圧値（設計電圧値）を位置センサ５９が出力するように、補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたオフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータを更新する。この補正パラメータ校正装置１００は、図７に示すように、光束検出装置１１０と、ＣＰＵおよびハードディスクを備えたＰＣ(Personal Computer)で構成される校正装置本体１２０とを備える。
【００８６】
光束検出装置１１０は、校正装置本体１２０の制御の下、校正装置本体１２０からの制御指令によりプロジェクタ１が駆動されプロジェクタ１から拡大投射される光学像の光量を検出する。この光束検出装置１１０としては、例えば、照度計、光センサ、フォトセンサ、ＣＣＤ(Charge Coupled Device)、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)等の撮像素子で構成される二次元光センサ等を採用できる。そして、光束検出装置１１０は、校正装置本体１２０と信号線Ｓｉ２（図７）を介して接続され、検出した光学像の光量に応じた信号を校正装置本体１２０に出力する。
【００８７】
校正装置本体１２０は、図７に示すように、操作部１２１と、表示部１２２と、制御装置１２３とを備える。
操作部１２１は、例えば、キーボードやマウス等で入力操作される各種操作ボタンを有している。この操作ボタンの入力操作を実施することにより、制御装置１２３を適宜、動作させるとともに、例えば、表示部１２２に表示される情報に対して、制御装置１２３の動作内容の設定等が実施される。そして、作業者による操作部１２１の入力操作により、操作部１２１から適宜所定の操作信号を制御装置１２３に出力する。
なお、この操作部１２１としては、操作ボタンの入力操作に限らず、例えば、タッチパネルによる入力操作や、音声による入力操作等により、各種条件を設定入力する構成としてもできる。
【００８８】
表示部１２２は、制御装置１２３に制御され、所定の情報を表示する。例えば、制御装置１２３にて処理された情報の表示、または、操作部１２１の入力操作により、制御装置１２３の後述するメモリに格納する情報を設定入力または更新する際、制御装置１２３から出力されるメモリ内のデータを適宜、表示させる。この表示部１２２は、例えば、液晶や有機ＥＬ(Electroluminescence)、ＰＤＰ(Plasma Display Panel)、ＣＲＴ(Cathode-Ray Tube)等が用いられる。
【００８９】
制御装置１２３は、操作部１２１からの操作信号の入力に応じて、所定のプログラムを実行し、プロジェクタ１に所定の制御指令を出力してプロジェクタ１を駆動させ、オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータを最適な値に更新する。この制御装置１２３は、図７に示すように、インターフェース部１２３１と、制御部本体１２３２と、メモリ１２３３とを備える。
インターフェース部１２３１は、プロジェクタ１のインターフェース部６１と信号線Ｓｉ１を介して接続し、制御部本体１２３２から入力される信号に対して予め設定されている出力インターフェース処理を実行してプロジェクタ１に出力する。
また、インターフェース部１２３１は、光束検出装置１１０と信号線Ｓｉ２を介して接続し、制御部本体１２３２から入力される信号に対して予め設定されている出力インターフェース処理を実行して光束検出装置１１０に出力する。
さらに、インターフェース部１２３１は、光束検出装置１１０から出力される信号を制御部本体１２３２にて処理可能な信号に変換して制御部本体１２３２に出力する。
【００９０】
メモリ１２３３は、制御部本体１２３２にて実行されるプログラムや、制御部本体１２３２にて用いられる基準光量情報および基準出力値情報を記憶する。
具体的に、前記光量情報は、開口面積が中間開口面積Ｓmidである場合にプロジェクタ１から拡大投射され光束検出装置１１０にて検出される設計上の中間光量に関する中間光量情報と、開口面積が最大開口面積Ｓmaxあるいは最小開口面積Ｓminである場合にプロジェクタ１から拡大投射され光束検出装置１１０にて検出される設計上の最大光量あるいは最小光量に関する最大光量情報あるいは最小光量情報とで構成される情報である。また、これら中間光量情報、最大光量情報、最小光量情報は、設計上の中間光量Ｌmid、最大光量Lmax、最小光量Lminに対して所定の許容値Pが加味された所定の範囲に関する情報である。より具体的に、中間光量情報はＬmid−Ｐ〜Ｌmid＋Ｐの範囲に関する情報であり、最大光量情報はＬmax−Ｐ〜Ｌmax＋Ｐの範囲に関する情報であり、最小光量情報はＬmin−Ｐ〜Ｌmin＋Ｐの範囲に関する情報である。
また、前記基準出力値情報は、開口面積が中間開口面積Ｓmidの位置に永久磁石５８２が位置付けられた際に位置センサ５９から出力される設計上のオフセット電圧値Ｖdd／２に関する設計オフセット電圧値情報、開口面積が最大開口面積Ｓmaxの位置に永久磁石５８２が位置付けられた際に位置センサ５９から出力される設計上の最大出力電圧値Ｖddに関する設計最大出力電圧値情報、および、開口面積が最小開口面積Ｓminの位置に永久磁石５８２が位置付けられた際に位置センサ５９から出力される設計上の最小出力電圧値０に関する設計最小出力電圧値情報である。
すなわち、メモリ１２３３は、本発明に係る光量情報記憶部および出力値情報記憶部に相当する。
【００９１】
制御部本体１２３２は、ＣＰＵ等を含んで構成され、作業者による操作部１２１の入力操作に応じて、メモリ１２３３から所定のプログラムを読み出し所定の処理を実行して、プロジェクタ１に所定の制御指令を出力してプロジェクタ１を駆動させるとともに光束検出装置１１０から出力される信号に基づいて、オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータを最適な値に更新する。
そして、制御部本体１２３２は、本発明に係る光源駆動制御部、絞り駆動制御部、およびパラメータ更新部に相当する。
【００９２】
〔補正パラメータ校正装置による補正パラメータ校正方法〕
次に、上述した補正パラメータ校正装置１００を利用した補正パラメータ校正方法を図面に基づいて説明する。
図９は、補正パラメータ校正装置１００を利用した補正パラメータ校正方法を説明するフローチャートである。
なお、以下の補正パラメータ校正方法を実施する前に、プロジェクタ１は、全て組み立てられた状態で、電源がＯＮされ駆動しているものとする。また、補正パラメータ校正装置１００およびプロジェクタ１間を信号線Ｓｉ１にて接続している状態とする。さらに、光束検出装置１１０およびインターフェース部１２３１間を信号線Ｓｉ２にて接続している状態とする。
先ず、作業者は、補正パラメータ校正装置１００の操作部１２１によりプロジェクタ１における補正パラメータ（オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータ）を校正する旨の入力操作を実施する。そして、補正パラメータ校正装置１００の制御部本体１２３２は、操作部１２１から出力される操作信号を入力し、所定のプログラムにしたがって、以下に示すように、補正パラメータを校正する。
【００９３】
すなわち、制御部本体１２３２は、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１に光源ランプ４１６を点灯させる旨の制御指令を出力する。そして、プロジェクタ１のランプ駆動制御部６２２は、前記制御指令にしたがって、ランプドライバ４１６Ａに光源ランプ４１６を点灯させる（ステップＳ１：光束射出ステップ）。
ステップＳ１の後、制御部本体１２３２は、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１に各液晶パネル４４１を白表示させる旨の制御指令を出力する。そして、プロジェクタ１の液晶パネル駆動制御部６２１は、前記制御指令にしたがって、各液晶パネル４４１に白表示の光学像をそれぞれ形成させる（ステップＳ２）。
【００９４】
ステップＳ２の後、制御部本体１２３２は、オフセット補正パラメータを校正する（ステップＳ３）。
具体的に、図１０は、オフセット補正パラメータの校正方法を説明するフローチャートである。
先ず、制御部本体１２３２は、メモリ１２３３に記憶された設計オフセット電圧値情報を読み出し、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１に、設計オフセット電圧値情報に基づくオフセット電圧値Ｖdd／２が位置センサ５９から出力される位置に永久磁石５８２を位置付ける旨の制御指令を出力する。そして、プロジェクタ１の絞り駆動制御部６２３は、前記制御指令にしたがって、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、位置センサ５９からオフセット電圧値Ｖdd／２が出力される基準位置（オフセット基準位置）に永久磁石５８２を位置付ける（ステップＳ３Ａ：永久磁石位置決めステップ）。
【００９５】
ステップＳ３Ａの後、制御部本体１２３２は、信号線Ｓｉ２を介して光束検出装置１１０に所定の制御信号を出力し、光束検出装置１１０にプロジェクタ１から拡大投射される光学像の光量ＬＸを検出させる（ステップＳ３Ｂ：光束検出ステップ）。そして、光束検出装置１１０は、検出した光学像の検出光量ＬＸに応じた信号を制御部本体１２３２に出力する。
ステップＳ３Ｂの後、制御部本体１２３２は、メモリ１２３３に記憶された中間光量情報と、光束検出装置１１０にて検出された検出光量ＬＸとを比較する。
具体的に、先ず、制御部本体１２３２は、検出光量ＬＸが中間光量情報に基づくＬmid−Ｐ以上であるか否かを判定する（ステップＳ３Ｃ）。
【００９６】
ステップＳ３Ｃにおいて、制御部本体１２３２は、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、検出光量ＬＸがＬmid−Ｐ未満であると判定した場合には、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１にオフセット補正パラメータを増加させる旨の制御指令を出力する。そして、プロジェクタ１は、位置センサ５９の補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたオフセット補正パラメータを増加させる（ステップＳ３Ｄ）。そして、補正パラメータ記憶部５９１３は、変更したオフセット補正パラメータを記憶する（ステップＳ３Ｅ）。
【００９７】
より具体的に、ステップＳ３Ｃにおいて、検出光量ＬＸがＬmid−Ｐ未満であると判定された状態としては、光学絞り装置５に生じている上述した製造誤差により、位置センサ５９からオフセット電圧値Ｖdd／２が出力されるオフセット基準位置に永久磁石５８２が位置付けられた場合に、各遮光羽根５２による開口面積が中間開口面積Ｓmidよりも小さい開口面積となる位置に位置付けられた状態である。
そして、ステップＳ３ＤおよびステップＳ３Ｅにおいて、オフセット補正パラメータが増加され書き換えられることで、出力特性補正部５９１２は、書き換えられたオフセット補正パラメータに基づいて上述したオフセット補正を実施する。すなわち、このオフセット補正により、ホール素子５９１１の出力特性が補正され、ホール素子５９１１からオフセット電圧値Ｖdd／２とは異なる電圧値が出力されることとなる。
【００９８】
ステップＳ３Ｅの後、再度、ステップＳ３Ａに戻る。すなわち、絞り駆動制御部６２３は、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、再度、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、位置センサ５９からオフセット電圧値Ｖdd／２が出力されるオフセット基準位置に永久磁石５８２を位置付ける。
そして、制御部本体１２３２は、ステップＳ３Ｃにおいて、「Ｙ」と判定するまで、すなわち、検出光量ＬＸがＬmid−Ｐ以上であると判定されるまで、上述したステップＳ３Ａ〜Ｓ３Ｅを繰り返し実施する。
【００９９】
ステップＳ３Ｃにおいて、制御部本体１２３２は、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、検出光量ＬＸがＬmid−Ｐ以上であると判定した場合には、次に、検出光量ＬＸが中間光量情報に基づくＬmid＋Ｐ以下であるか否かを判定する（ステップＳ３Ｆ）。
ステップＳ３Ｆにおいて、制御部本体１２３２は、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、検出光量ＬＸがＬmid＋Ｐを超えると判定した場合には、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１にオフセット補正パラメータを減少させる旨の制御指令を出力する。そして、プロジェクタ１は、位置センサ５９の補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたオフセット補正パラメータを減少させる（ステップＳ３Ｇ）。そして、補正パラメータ記憶部５９１３は、ステップＳ３Ｅにおいて、変更したオフセット補正パラメータを記憶する。
【０１００】
より具体的に、ステップＳ３Ｆにおいて、検出光量ＬＸがＬmid＋Ｐ未満であると判定された状態としては、光学絞り装置５に生じている上述した製造誤差により、位置センサ５９からオフセット電圧値Ｖdd／２が出力されるオフセット基準位置に永久磁石５８２が位置付けられた場合に、各遮光羽根５２による開口面積が中間開口面積Ｓmidよりも大きい開口面積となる位置に位置付けられた状態である。
そして、ステップＳ３ＧおよびステップＳ３Ｅにおいて、オフセット補正パラメータが減少され書き換えられることで、出力特性補正部５９１２は、書き換えられたオフセット補正パラメータに基づいて上述したオフセット補正を実施する。すなわち、このオフセット補正により、ホール素子５９１１の出力特性が補正され、ホール素子５９１１からオフセット電圧値Ｖdd／２とは異なる電圧値が出力されることとなる。
【０１０１】
ステップＳ３Ｇにおいてオフセット補正パラメータを減少させ、ステップＳ３Ｅにおいてオフセット補正パラメータを書き換えた後、再度、ステップＳ３Ａに戻る。すなわち、絞り駆動制御部６２３は、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、再度、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、位置センサ５９からオフセット電圧値Ｖdd／２が出力されるオフセット基準位置に永久磁石５８２を位置付ける。
そして、制御部本体１２３２は、ステップＳ３Ｆにおいて、「Ｙ」と判定するまで、すなわち、検出光量ＬＸがＬmid＋Ｐ以下であると判定されるまで、上述したステップＳ３Ａ〜Ｓ３Ｇを繰り返し実施する。
【０１０２】
以上のオフセット補正パラメータの校正（ステップＳ３）により、検出光量ＬＸがＬmid−Ｐ以上でありかつＬmid＋Ｐ以下である範囲内に入ることで、光学絞り装置５に上述した製造誤差が生じている場合であっても、位置センサ５９からオフセット電圧値Ｖdd／２が出力されるオフセット基準位置に永久磁石５８２が位置付けられた場合に、各遮光羽根５２による開口面積が略中間開口面積Ｓmidとなる位置に位置付けられた状態となる。
【０１０３】
ステップＳ３の後、制御部本体１２３２は、ゲイン補正パラメータを校正する（ステップＳ４）。
具体的に、図１１は、ゲイン補正パラメータの校正方法を説明するフローチャートである。
先ず、制御部本体１２３２は、メモリ１２３３に記憶された設計最大出力電圧値情報を読み出し、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１に、設計最大出力電圧値情報に基づく最大出力電圧値Ｖddが位置センサ５９から出力される基準位置（ゲイン基準位置）に永久磁石５８２を位置付ける旨の制御指令を出力する。そして、プロジェクタ１の絞り駆動制御部６２３は、前記制御指令にしたがって、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、位置センサ５９から最大出力電圧値Ｖddが出力されるゲイン基準位置に永久磁石５８２を位置付ける（ステップＳ４Ａ：永久磁石位置決めステップ）。
【０１０４】
ステップＳ４Ａの後、制御部本体１２３２は、信号線Ｓｉ２を介して光束検出装置１１０に所定の制御指令を出力し、光束検出装置１１０にプロジェクタ１から拡大投射される光学像の光量ＬＸを検出させる（ステップＳ４Ｂ：光束検出ステップ）。そして、光束検出装置１１０は、検出した光学像の検出光量ＬＸに応じた信号を制御部本体１２３２に出力する。
ステップＳ４Ｂの後、制御部本体１２３２は、メモリ１２３３に記憶された最大光量情報と、光束検出装置１１０にて検出された検出光量ＬＸとを比較する。
具体的に、先ず、制御部本体１２３２は、検出光量ＬＸが最大光量情報に基づくＬmax−Ｐ以上であるか否かを判定する（ステップＳ４Ｃ）。
【０１０５】
ステップＳ４Ｃにおいて、制御部本体１２３２は、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、検出光量ＬＸがＬmax−Ｐ未満であると判定した場合には、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１にゲイン補正パラメータを増加させる旨の制御指令を出力する。そして、プロジェクタ１は、位置センサ５９の補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたゲイン補正パラメータを増加させる（ステップＳ４Ｄ）。そして、補正パラメータ記憶部５９１３は、変更したゲイン補正パラメータを記憶する（ステップＳ４Ｅ）。
【０１０６】
より具体的に、ステップＳ４Ｅにおいて、検出光量ＬＸがＬmax−Ｐ未満であると判定された状態としては、光学絞り装置５に生じている上述した製造誤差により、位置センサ５９から最大出力電圧値Ｖddが出力されるゲイン基準位置に永久磁石５８２が位置付けられた場合に、各遮光羽根５２による開口面積が最大開口面積Ｓmaxよりも小さい開口面積となる位置に位置付けられた状態である。
そして、ステップＳ４ＤおよびステップＳ４Ｅにおいて、ゲイン補正パラメータが増加され書き換えられることで、出力特性補正部５９１２は、書き換えられたゲイン補正パラメータに基づいて上述したゲイン補正を実施する。すなわち、このゲイン補正により、ホール素子５９１１の出力特性が補正され、ホール素子５９１１から最大出力電圧値Ｖddとは異なる電圧値が出力されることとなる。
【０１０７】
ステップＳ４Ｅの後、再度、ステップＳ３Ａに戻る。すなわち、絞り駆動制御部６２３は、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、再度、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、位置センサ５９から最大出力電圧値Ｖddが出力されるゲイン基準位置に永久磁石５８２を位置付ける。
そして、制御部本体１２３２は、ステップＳ４Ｃにおいて、「Ｙ」と判定するまで、すなわち、検出光量ＬＸがＬmax−Ｐ以上であると判定されるまで、上述したステップＳ４Ａ〜Ｓ４Ｅを繰り返し実施する。
【０１０８】
ステップＳ４Ｃにおいて、制御部本体１２３２は、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、検出光量ＬＸがＬmax−Ｐ以上であると判定した場合には、次に、検出光量ＬＸが最大光量情報に基づくＬmax＋Ｐ以下であるか否かを判定する（ステップＳ４Ｆ）。
ステップＳ４Ｆにおいて、制御部本体１２３２は、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、検出光量ＬＸがＬmax＋Ｐを超えると判定した場合には、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１にゲイン補正パラメータを減少させる旨の制御指令を出力する。そして、プロジェクタ１は、位置センサ５９の補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたゲイン補正パラメータを減少させる（ステップＳ４Ｇ）。そして、補正パラメータ記憶部５９１３は、ステップＳ４Ｅにおいて、変更したゲイン補正パラメータを記憶する。
【０１０９】
より具体的に、ステップＳ４Ｆにおいて、検出光量ＬＸがＬmax＋Ｐを超えると判定された状態としては、光学絞り装置５に生じている上述した製造誤差により、位置センサ５９から最大出力電圧値Ｖddが出力されるゲイン基準位置に永久磁石５８２が位置付けられた場合に、各遮光羽根５２による開口面積が最大開口面積Ｓmaxよりも大きい開口面積となる位置に位置付けられた状態である。
そして、ステップＳ４ＧおよびステップＳ４Ｅにおいて、ゲイン補正パラメータが減少され書き換えられることで、出力特性補正部５９１２は、書き換えられたゲイン補正パラメータに基づいて上述したゲイン補正を実施する。すなわち、このゲイン補正により、ホール素子５９１１の出力特性が補正され、ホール素子５９１１から最大出力電圧値Ｖddとは異なる電圧値が出力されることとなる。
【０１１０】
ステップＳ４Ｇにおいてゲイン補正パラメータを減少させ、ステップＳ４Ｅにおいてゲイン補正パラメータを書き換えた後、再度、ステップＳ４Ａに戻る。すなわち、絞り駆動制御部６２３は、補正パラメータ校正装置１００から出力される制御指令にしたがって、再度、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、位置センサ５９から最大出力電圧値Ｖddが出力されるゲイン基準位置に永久磁石５８２を位置付ける。
そして、制御部本体１２３２は、ステップＳ４Ｆにおいて、「Ｙ」と判定するまで、すなわち、検出光量ＬＸがＬmax＋Ｐ以下であると判定されるまで、上述したステップＳ４Ａ〜Ｓ４Ｇを繰り返し実施する。
【０１１１】
以上のゲイン補正パラメータの校正（ステップＳ４）により、検出光量ＬＸがＬmax−Ｐ以上でありかつＬmax＋Ｐ以下である範囲内に入ることで、光学絞り装置５に上述した製造誤差が生じている場合であっても、位置センサ５９から最大出力電圧値Ｖddが出力されるゲイン基準位置に永久磁石５８２が位置付けられた場合に、各遮光羽根５２による開口面積が略最大開口面積Ｓmaxとなる位置に位置付けられた状態となる。また、上述したように、ゲイン補正では、ホール素子５９１１における出力特性の傾きがオフセット電圧値Ｖofを基準として変更されるので、位置センサ５９から最小出力電圧値０が出力される位置に永久磁石５８２が位置付けられた場合に、各遮光羽根５２による開口面積が略最小開口面積Ｓminとなる位置に位置付けられた状態となる。すなわち、ゲイン補正パラメータを校正することにより、ホール素子５９１１における出力特性が、メモリ６４に記憶された開口面積−電圧値関連情報に対応した出力特性に補正されることとなる。
そして、上述したステップＳ３Ｃ〜Ｓ３Ｇ、Ｓ４Ｃ〜Ｓ４Ｇが本発明に係るパラメータ更新ステップに相当する。
【０１１２】
ステップＳ４の後、制御部本体１２３２は、信号線Ｓｉ１を介してプロジェクタ１に補正パラメータの校正が終了した旨の信号を出力する。そして、プロジェクタ１のランプ駆動制御部６２２は、前記制御指令にしたがって、ランプドライバ４１６Ａに光源ランプ４１６を消灯させる（ステップＳ５）。
以上のステップＳ１〜Ｓ５により、補正パラメータの校正が終了する。
【０１１３】
上述した第１実施形態によれば、以下の効果がある。
本実施形態では、光学絞り装置５は、各遮光羽根５２を回動させる駆動装置として電磁アクチュエータ５８を備えているので、以下の効果がある。
すなわち、低電圧駆動が可能となり、光学絞り装置５の低消費電力化を図れる。
また、比較的に小さい大きさの領域で比較的に大きい力を出せ、絞りリング５６を円滑に回動させ、遮光羽根５２を円滑に回動させることができる。
さらに、高湿度等の悪い環境下でも使用でき、光学絞り装置５の長寿命化を図れる。
さらにまた、駆動応答特性が良好であり、遮光羽根５２を高速応答させて円滑に回動させることができる。
したがって、駆動装置として電磁アクチュエータ５８を用いることで、従来のように駆動装置としてパルスモータ等を用いる構成と比較して、電磁コイル５８１および永久磁石５８２の簡素な構造で駆動装置を構成でき、光学絞り装置５の構造の簡素化および小型化が可能となる。また、従来の構成と比較して、駆動時における振動を低減させることができ、光学絞り装置５の安定した駆動を実現できる。
【０１１４】
また、光学絞り装置５を駆動制御する絞り駆動制御部６２３は、メモリ６４に記憶された開口面積−電圧値情報に基づいて、所定の開口面積となる位置に遮光羽根５２を位置付ける際、前記所定の開口面積に関連付けられた設計電圧値を認識する。そして、絞り駆動制御部６２３は、認識した設計電圧値に位置センサ５９から出力される出力値が略同一となるように、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施し、永久磁石５８２を所定位置に位置付ける。このような構成によれば、絞り駆動制御部６２３による処理負荷を軽減させ、制御装置６の制御構造の簡素化が図れる。
【０１１５】
さらに、位置センサ５９は、ホール素子５９１１および出力特性補正部５９１２を備えているので、補正パラメータ（オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータ）を最適な補正パラメータに校正すれば、出力特性補正部５９１２が校正された補正パラメータに基づいてホール素子５９１１の出力特性を補正するので、光学絞り装置５に上述した製造誤差が生じている場合であっても、所定の開口面積に対応した位置に永久磁石５８２を位置付けた場合に、前記所定の開口面積に対応した設計電圧値をホール素子５９１１から出力させることができる。このため、絞り駆動制御部６２３が所定の開口面積に対応した設計電圧値に位置センサ５９からの出力値が略同一となるように電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施した場合に、前記所定の開口面積に対応した位置に永久磁石５８２を位置付けることができ、各遮光羽根５２を前記所定の開口面積となる位置に高精度に位置付けることができる。したがって、絞り駆動制御部６２３の処理負荷を軽減させつつ、絞り駆動制御部６２３により遮光羽根５２を高精度に移動させて安定した駆動を実現できる。
【０１１６】
ここで、補正パラメータがオフセット補正パラメータを含んでいるので、出力特性補正部５９１２がオフセット補正パラメータを用いてオフセット補正を実施することで、オフセット電圧値Ｖdd／２に対する永久磁石５８２の位置をオフセットさせて、中間開口面積Ｓmidとなるオフセット基準位置に永久磁石５８２が位置している状態でホール素子５９１１にオフセット電圧値Ｖdd／２を出力させることができる。したがって、このように、オフセット補正パラメータを用いたオフセット補正を可能とする構成とすることで、ホール素子５９１１の出力特性の補正を簡単な回路構成で実現できる。
さらに、補正パラメータがオフセット補正パラメータの他、ゲイン補正パラメータを含んでいるので、出力特性補正部５９１２がゲイン補正パラメータを用いてゲイン補正を実施することで、最小開口面積Ｓminとなる位置Ｐ３から最大開口面積Ｓmaxとなる位置Ｐ４の範囲に永久磁石５８２が位置付けられている状態で永久磁石５８２における前記範囲内の各位置に対応して設計上の各設計電圧値をホール素子５９１１に出力させることができる。したがって、このように、ゲイン補正パラメータを用いたゲイン補正を可能とする構成とすることで、ホール素子５９１１の出力特性の補正を簡単な回路構成で実現できる。
また、ゲイン補正により、ホール素子５９１１が出力する電圧値を全ての範囲（位置Ｐ３〜Ｐ４）に亘って、各設計電圧値に補正することができるので、各遮光羽根５２をより高精度に移動させて安定した駆動を実現できる。
【０１１７】
さらに、位置センサ５９に設けられた補正パラメータ記憶部５９１３は、補正パラメータを書き換え可能に記憶するので、補正パラメータを適宜、校正して最適な補正パラメータに更新できる。したがって、出力特性補正部５９１２が更新された最適な補正パラメータを用いてホール素子５９１１の出力特性を補正することで、所定の開口面積に対応した位置に永久磁石５８２を位置付けた場合に、前記所定の開口面積に対応した設計電圧値をホール素子５９１１から出力させることができる。
【０１１８】
そして、プロジェクタ１は、光学絞り装置５により光源装置４１１から液晶パネル４４１に照射される光束の光量を調整することができるので、絞り駆動制御部６２３が画像の明るさ情報に応じて光学絞り装置５を制御して全体的に暗い場面の場合には光量を低減し、全体的に明るい場面の場合には光量を増加させることで、高コントラスト比の投影画像を実現できる。
また、プロジェクタ１は、構造の簡素化および小型化が可能な光学絞り装置５を備えているので、プロジェクタ１内部において、近接配置された第１レンズアレイ４１２および第２レンズアレイ４１３の部材間に光学絞り装置５を容易に配設することができ、プロジェクタ１のレイアウトの自由度を向上できる。
さらに、プロジェクタ１は、駆動時において振動を抑制し安定した駆動を実現できる光学絞り装置５を備えているので、振動により投影画像に与える影響を抑制し、投影画像を良好に維持できる。
さらにまた、絞り駆動制御部６２３の処理負荷を低減させつつ、絞り駆動制御部６２３により各遮光羽根５２を高精度に回動させることができるので、光源装置４１１から液晶パネル４４１に照射される光束の光量を高精度に調整でき、投影画像の画像品質を向上させることができる。
【０１１９】
そしてまた、補正パラメータ校正装置１００は、プロジェクタ１を組み立てた状態で、光源装置４１１から射出され光学絞り装置５を介し投射レンズ３にて拡大投射される光学像の光量、すなわち、実際に光学絞り装置５が光量調整する光束に基づいて、補正パラメータを更新するので、光源装置４１１から液晶パネル４４１に照射される光束の光量をより高精度に調整でき、投影画像の画像品質をより向上させることができる。
【０１２０】
[第２実施形態]
次に、本発明の第２実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分については、同一符号を付してその説明を省略する。
前記第１実施形態では、補正パラメータ校正装置１００は、プロジェクタ１を組み立てた後、プロジェクタ１を適宜、駆動させることにより、補正パラメータを校正している。
これに対して第２実施形態では、補正パラメータ校正装置２００は、光学絞り装置５単体を用いて、光学絞り装置５を適宜、駆動させることにより、補正パラメータを校正する。すなわち、本実施形態は、前記第１実施形態に対して、補正パラメータ校正装置２００の構成が異なるのみであり、その他のプロジェクタ１の構成は前記第１実施形態と同様のものである。
【０１２１】
図１２は、第２実施形態における補正パラメータ校正装置２００の制御構造を模式的に示すブロック図である。
補正パラメータ校正装置２００は、図１２に示すように、前記第１実施形態で説明した補正パラメータ校正装置１００に対して、補正用光源装置２３０を備える点、および制御装置１２３に対応する制御装置２２３の制御構造が異なるのみである。
補正用光源装置２３０は、制御装置２２３による制御の下、光学絞り装置５に向けて光束を射出する。この補正用光源装置２３０としては、例えば、ＬＥＤ(Light Emitting Diode)素子、レーザダイオード、有機ＥＬ素子、シリコン発光素子等の各種固体発光素子を採用できる。
【０１２２】
制御装置２２３は、操作部１２１からの操作信号の入力に応じて、所定のプログラムを実行し、光学絞り装置５を駆動させ、オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータを最適な値に更新する。この制御装置２２３は、図１２に示すように、前記第１実施形態で説明したメモリ１２３３の他、インターフェース部２２３１と、制御部本体２２３２とを備える。
【０１２３】
インターフェース部２２３１は、光学絞り装置５と信号線Ｓｉ３を介して接続し、制御部本体２２３２から入力される信号に対して予め設定されている出力インターフェース処理を実行して光学絞り装置５（電磁コイル５８１、位置センサ５９）に出力する。
また、インターフェース部２２３１は、光学絞り装置５（位置センサ５９）から出力される信号を制御部本体２２３２にて処理可能な信号に変換して制御部本体２２３２に出力する。
さらに、インターフェース部２２３１は、光束検出装置１１０と信号線Ｓｉ２を介して接続し、制御部本体２２３２から入力される信号に対して予め設定されている出力インターフェース処理を実行して光束検出装置１１０に出力する。
さらにまた、インターフェース部２２３１は、光束検出装置１１０から出力される信号を制御部本体２２３２にて処理可能な信号に変換して制御部本体２２３２に出力する。
【０１２４】
制御部本体２２３２は、ＣＰＵ等を含んで構成され、作業者による操作部１２１の入力操作に応じて、メモリ１２３３から所定のプログラムを読み出し所定の処理を実行して、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施するとともに光束検出装置１１０から出力される信号に基づいて、オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータを最適な値に更新する。
そして、制御部本体２２３２は、本発明に係る光源駆動制御部、絞り駆動制御部、およびパラメータ更新部に相当する。
【０１２５】
次に、上述した補正パラメータ校正装置２００を利用した補正パラメータ校正方法を図面に基づいて説明する。
図１３は、第２実施形態における補正パラメータ校正装置２００を利用した補正パラメータ校正方法を説明するフローチャートである。
なお、以下の補正パラメータ校正方法を実施する前に、光学絞り装置５は、全て組み立てられた状態で、光学絞り装置５とインターフェース部２２３１とが信号線Ｓｉ３を介して接続されている状態とする。また、光束検出装置１１０とインターフェース部２２３１とが信号線Ｓｉ２と介して接続されている状態とする。
先ず、補正パラメータ校正装置２００の制御部本体２２３２は、操作部１２１に補正パラメータを校正する旨の入力操作が実施されると、所定のプログラムにしたがって、以下に示すように、補正パラメータを校正する。
【０１２６】
すなわち、制御部本体２２３２は、補正用光源装置２３０に所定の制御指令を出力し、補正用光源装置２３０から光束を射出させる（ステップＳ１１：光束射出ステップ）。
ステップＳ１１の後、制御部本体２２３２は、オフセット補正パラメータを校正する（ステップＳ１２）。なお、オフセット補正パラメータの校正方法は、前記第１実施形態で説明したオフセット補正パラメータの校正方法と略同様であるため、以下では、図１０を参照して説明する。
先ず、制御部本体２２３２は、メモリ１２３３に記憶された設計オフセット電圧値情報を読み出して設計オフセット電圧値情報に基づくオフセット電圧値Ｖdd／２を認識する。また、制御部本体２２３２は、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、位置センサ５９からオフセット電圧値Ｖdd／２が出力される基準位置（オフセット基準位置）に永久磁石５８２を位置付ける（ステップＳ１２Ａ：永久磁石位置決めステップ）。
【０１２７】
ステップＳ１２Ａの後、制御部本体２２３２は、信号線Ｓｉ２を介して光束検出装置１１０に所定の制御信号を出力し、補正用光源装置２３０から射出され光学絞り装置５を介した光束の光量ＬＸを光束検出装置１１０に検出させる（ステップＳ１２Ｂ：光束検出ステップ）。そして、光束検出装置１１０は、検出した光束の検出光量ＬＸに応じた信号を制御部本体２２３２に出力する。
ステップＳ１２Ｂの後は、前記第１実施形態で説明したステップＳ３Ｃ〜Ｓ３Ｇと略同様の処理が実施される。すなわち、制御部本体２２３２は、メモリ１２３３に記憶された中間光量情報と光束検出装置１１０にて検出された検出光量ＬＸとを比較し（ステップＳ１２Ｃ，Ｓ１２Ｆ）、比較結果に応じて適宜、オフセット補正パラメータを変更し（ステップＳ１２Ｄ，Ｓ１２Ｇ）、変更したオフセット補正パラメータを補正パラメータ記憶部５９１３に記憶させる（ステップＳ１２Ｅ）。
【０１２８】
ステップＳ１２の後、制御部本体２２３２は、ゲイン補正パラメータを校正する（ステップＳ１３）。なお、ゲイン補正パラメータの校正方法は、前記第１実施形態で説明した現補正パラメータの校正方法と略同様であるため、以下では、図１１を参照して説明する。
先ず、制御部本体２２３２は、メモリ１２３３に記憶された設計最大出力電圧値情報を読み出して設計最大出力電圧値情報に基づく最大出力電圧値Ｖddを認識する。また、制御部本体２２３２は、電磁コイル５８１に正通電あるいは逆通電を実施して、位置センサ５９から最大出力電圧値Ｖddが出力される基準位置（ゲイン基準位置）に永久磁石５８２を位置付ける（ステップＳ１３Ａ：永久磁石位置決めステップ）。
【０１２９】
ステップＳ１３Ａの後、制御部本体２２３２は、信号線Ｓｉ２を介して光束検出装置１１０に所定の制御信号を出力し、補正用光源装置２３０から射出され光学絞り装置５を介した光束の光量ＬＸを光束検出装置１１０に検出させる（ステップＳ１３Ｂ：光束検出ステップ）。そして、光束検出装置１１０は、検出した光束の検出光量ＬＸに応じた信号を制御部本体２２３２に出力する。
ステップＳ１３Ｂの後は、前記第１実施形態で説明したステップＳ４Ｃ〜Ｓ４Ｇと略同様の処理が実施される。すなわち、制御部本体２２３２は、メモリ１２３３に記憶された最大光量情報と光束検出装置１１０にて検出された検出光量ＬＸとを比較し（ステップＳ１３Ｃ，Ｓ１３Ｆ）、比較結果に応じて適宜、ゲイン補正パラメータを変更し（ステップＳ１３Ｄ，Ｓ１３Ｇ）、変更したゲイン補正パラメータを補正パラメータ記憶部５９１３に記憶させる（ステップＳ１３Ｅ）。
そして、上述したステップＳ１２Ｃ〜Ｓ１２Ｇ、Ｓ１３Ｃ〜Ｓ１３Ｇが本発明に係るパラメータ更新ステップに相当する。
以上のステップＳ１１〜Ｓ１３により、補正パラメータの校正が終了する。
【０１３０】
上述した第２実施形態においては、前記第１実施形態と略同様の効果の他、以下の効果がある。
本実施形態の補正パラメータ校正装置２００は、光学絞り装置５を組み立てた状態で、補正用光源装置２３０から射出され光学絞り装置５を介した光束の光量に基づいて、補正パラメータを更新するので、プロジェクタ１に光学絞り装置５を搭載した状態で補正パラメータを更新する必要がなく、光学絞り装置５単体と補正パラメータ校正装置２００とを用いて補正パラメータを更新でき、補正パラメータを更新する際の作業スペースの効率化が図れる。
【０１３１】
また、補正用光源装置２３０が固体発光素子で構成されているので、例えば、補正用光源装置２３０として放電発光型の光源ランプを採用した構成と比較して、補正パラメータ校正装置２００の小型・軽量化が図れる。また、補正用光源装置２３０から安定した輝度の光束を射出させることができるので、安定した輝度の光束の光量に基づいて補正パラメータを更新することで、補正パラメータを高精度に校正できる。
【０１３２】
[第３実施形態]
次に、本発明の第３実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分については、同一符号を付してその説明を省略する。
前記第１実施形態では、補正パラメータ校正装置１００は、プロジェクタ１を組み立てた後、プロジェクタ１を適宜、駆動させることにより、補正パラメータを校正している。また、光束検出装置１１０にて検出した検出光量ＬＸに基づいて、補正パラメータを校正している。
これに対して第３実施形態では、補正パラメータ校正装置３００は、光学絞り装置５単体を用いて、光学絞り装置５を適宜、駆動させることにより、補正パラメータを校正する。また、補正パラメータ校正装置３００は、光学絞り装置５と機械的に接続し、機械的に各遮光羽根５２を所定の開口面積となる位置に位置付ける機械式絞り駆動装置３４０を備える。そして、機械式絞り駆動装置３４０にて所定の開口面積となる位置に各遮光羽根５２を位置付けた状態で、前記所定の開口面積に対応する設計上の出力値を位置センサ５９が出力するように、補正パラメータを校正する。すなわち、本実施形態は、前記第１実施形態に対して、補正パラメータ校正装置３００の構成が異なるのみであり、その他のプロジェクタ１の構成は前記第１実施形態と同様のものである。
【０１３３】
図１４は、第３実施形態における補正パラメータ校正装置３００の制御構造を模式的に示すブロック図である。
補正パラメータ校正装置３００は、図１４に示すように、前記第１実施形態で説明した補正パラメータ校正装置１００に対して、光束検出装置１１０が省略された点、機械式絞り駆動装置３４０を備える点、および制御装置１２３に対応する制御装置３２３の制御構造が異なるのみである。
機械式絞り駆動装置３４０は、例えば、モータ等により構成され、光学絞り装置５における絞りリング５６と機械的に接続し、駆動することで絞りリング５６を回動させる。すなわち、機械式絞り駆動装置３４０を駆動することで、絞りリング５６が回動し、各遮光羽根５２が所定の開口面積となる位置に位置付けられる。
【０１３４】
制御装置３２３は、操作部１２１からの操作信号の入力に応じて所定のプログラムを実行し、機械式絞り駆動装置３４０を適宜、駆動させ、位置センサ５９から出力される出力値に基づいて、オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータを最適な値に更新する。この制御装置３２３は、図１４に示すように、インターフェース部３２３１と、制御部本体３２３２と、メモリ３２３３とを備える。
【０１３５】
インターフェース部３２３１は、光学絞り装置５（位置センサ５９）と信号線Ｓｉ３を介して接続し、制御部本体３２３２から入力される信号に対して予め設定されている出力インターフェース処理を実行して位置センサ５９に出力する。
また、インターフェース部３２３１は、位置センサ５９から出力される信号を制御部本体３２３２にて処理可能な信号に変換して制御部本体３２３２に出力する。
さらに、インターフェース部３２３１は、機械式絞り駆動装置３４０と信号線Ｓｉ４を介して接続し、制御部本体３２３２から入力される信号に対して予め設定されている出力インターフェース処理を実行して機械式絞り駆動装置３４０に出力する。
【０１３６】
メモリ３２３３は、制御部本体３２３２にて実行されるプログラムや、制御部本体３２３２にて用いられる基準出力値情報および駆動値情報を記憶する。
具体的に、前記基準出力値情報は、開口面積が中間開口面積Ｓmidの位置に永久磁石５８２が位置付けられた際に位置センサ５９から出力される設計上のオフセット電圧値に関する設計オフセット電圧値情報、開口面積が最大開口面積Ｓmaxの位置に永久磁石５８２が位置付けられた際に位置センサ５９から出力される設計上の最大出力電圧値に関する設計最大出力電圧値情報、および、開口面積が最小開口面積Ｓminの位置に永久磁石５８２が位置付けられた際に位置センサ５９から出力される設計上の最小出力電圧値に関する設計最小出力電圧値情報である。また、これら設計オフセット電圧値情報、設計最大出力電圧値情報、および設計最小出力電圧値情報は、設計上のオフセット電圧値Ｖdd／２、最大出力電圧値Ｖdd、最小出力電圧値０に対して所定の許容値Ｐが加味された所定の範囲に関する情報である。より具体的に、設計オフセット電圧値情報は、Ｖdd／２−Ｐ〜Ｖdd／２＋Ｐの範囲に関する情報であり、設計最大出力値情報は、Ｖdd−Ｐ〜Ｖdd＋Ｐの範囲に関する情報であり、Ｐ以下の範囲に関する情報である。
すなわち、メモリ３２３３は、本発明に係る出力値情報記憶部に相当する。
【０１３７】
また、前記駆動値情報は、機械式絞り駆動装置３４０を駆動する際の駆動値（機械式絞り駆動装置３４０がパルスモータ等で構成されていればパルス値等）に関する情報である。より具体的に、前記駆動値情報は、開口面積が中間開口面積Ｓmidとなる位置に各遮光羽根５２を位置付けるための機械式絞り駆動装置３４０の中間駆動値に関する中間駆動値情報と、開口面積が最大開口面積Ｓmaxあるいは最小開口面積Ｓminとなる位置に各遮光羽根５２を位置付けるための機械式絞り駆動装置３４０の最大駆動値あるいは最小駆動値に関する最大駆動値情報あるいは最小駆動値情報とで構成される情報である。
【０１３８】
制御部本体３２３２は、ＣＰＵ等を含んで構成され、作業者による操作部１２１の入力操作に応じて、メモリ３２３３から所定のプログラムを読み出し所定の処理を実行して、機械式絞り駆動装置３４０を駆動させて各遮光羽根５２を所定の開口面積となる基準位置に位置付けるとともに、位置センサ５９から出力される信号に基づいて、オフセット補正パラメータおよびゲイン補正パラメータを最適な値に更新する。
そして、制御部本体３２３２は、本発明に係る機械式絞り駆動制御部およびパラメータ更新部に相当する。
【０１３９】
次に、上述した補正パラメータ校正装置３００を利用した補正パラメータ校正方法を図面に基づいて説明する。
図１５は、第３実施形態における補正パラメータ校正装置３００を利用した補正パラメータ校正方法を説明するフローチャートである。
なお、以下の補正パラメータ校正方法を実施する前に、光学絞り装置５は、全て組み立てられた状態で、絞りリング５６と機械式絞り駆動装置３４０とが機械的に接続され、位置センサ５９とインターフェース部３２３１とが信号線Ｓｉ３を介して接続されている状態とする。また、機械式絞り駆動装置３４０とインターフェース部３２３１とが信号線Ｓｉ４を介して接続されている状態とする。さらに、光学絞り装置５における絞りリング５６は所定の回動位置に位置し、各遮光羽根５２が所定の開口面積（例えば、最小開口面積Ｓmin、最大開口面積Ｓmax）となる位置に位置付けられているものとする。
先ず、補正パラメータ校正装置３００の制御部本体３２３２は、操作部１２１に補正パラメータを構成する旨の入力操作が実施されると、所定のプログラムにしたがって、以下に示すように、補正パラメータを校正する。
【０１４０】
すなわち、先ず、制御部本体３２３２は、オフセット補正パラメータを校正する（ステップＳ２１）。
具体的に、図１６は、オフセット補正パラメータの校正方法を説明するフローチャートである。
先ず、制御部本体３２３２は、メモリ３２３３に記憶された中間駆動値情報を読み出し、中間駆動値情報に基づく中間駆動値を機械式絞り駆動装置３４０に出力する。そして、機械式絞り駆動装置３４０は、絞りリング５６を中間駆動値に応じた回動量だけ回動させ、各遮光羽根５２を開口面積が中間開口面積Ｓmidとなる基準位置（オフセット基準位置）に位置付ける（ステップＳ２１Ａ：遮光羽根位置決めステップ）。
【０１４１】
ステップＳ２１Ａの後、制御部本体３２３２は、メモリ３２３３に記憶された設計オフセット電圧値情報と、位置センサ５９から出力される出力値Ｖとを比較する。
具体的に、先ず、制御部本体３２３２は、出力値Ｖが設計オフセット電圧値情報に基づくＶdd／２−Ｐ以上であるか否かを判定する（ステップＳ２１Ｂ）。
【０１４２】
ステップＳ２１Ｂにおいて、制御部本体３２３２は、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、出力値ＶがＶdd／２−Ｐ未満であると判定した場合には、位置センサ５９の補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたオフセット補正パラメータを増加させ（ステップＳ２１Ｃ）、変更したオフセット補正パラメータを補正パラメータ記憶部５９１３に記憶させる（ステップＳ２１Ｄ）。
【０１４３】
より具体的に、ステップＳ２１Ｂにおいて、出力値ＶがＶdd／２−Ｐ未満であると判定された状態としては、光学絞り装置５に生じている上述した製造誤差により、各遮光羽根５２が中間開口面積Ｓmidとなるオフセット基準位置に位置付けられた際、位置センサ５９から設計上のオフセット電圧値Ｖdd／２に許容値Ｐを加味した値よりも小さい出力値が出力されている状態である。
そして、ステップＳ２１Ｄの後、再度、ステップＳ２１Ｂに戻り、ステップＳ２１Ｃにおいて、「Ｙ」と判定されるまで、すなわち、出力値ＶがＶdd／２−Ｐ以上であると判定されるまで、上述したステップＳ２１Ｂ〜Ｓ２１Ｄを繰り返し実施する。すなわち、ステップＳ２１ＣおよびステップＳ２１Ｄにおいて、オフセット補正パラメータが増加され書き換えられることで、出力特性補正部５９１２は、書き換えられたオフセット補正パラメータに基づいて上述したオフセット補正を実施する。そして、このオフセット補正により、ホール素子５９１１の出力特性が補正され、ホール素子５９１１からＶdd／２−Ｐ以上となる出力値Ｖが出力されることとなる。
【０１４４】
ステップＳ２１Ｂにおいて、制御部本体３２３２は、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、出力値ＶがＶdd／２−Ｐ以上であると判定した場合には、次に、出力値Ｖが設計オフセット値情報に基づくＶdd／２＋Ｐ以下であるか否かを判定する（ステップＳ２１Ｅ）。
ステップＳ２１Ｅにおいて、制御部本体３２３２は、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、出力値ＶがＶdd／２＋Ｐを超えると判定した場合には、補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたオフセット補正パラメータを減少させる（ステップＳ２１Ｆ）。そして、ステップＳ２１Ｄにおいて、変更したオフセット補正パラメータを補正パラメータ記憶部５９１３に記憶させる。
【０１４５】
より具体的に、ステップＳ２１Ｅにおいて、出力値ＶがＶdd／２＋Ｐを超えると判定された状態としては、光学絞り装置５に生じている上述した製造誤差により、各遮光羽根５２が中間開口面積Ｓmidとなるオフセット基準位置に位置付けられた際に、位置センサ５９から設計上のオフセット電圧値Ｖdd／２に許容値Ｐを加味した値よりも大きい出力値が出力されている状態である。
ステップＳ２１Ｆにおいてオフセット補正パラメータを減少させ、ステップＳ２１Ｄにおいてオフセット補正パラメータを書き換えた後、再度、ステップＳ２１Ｂに戻り、ステップＳ２１Ｆにおいて、「Ｙ」と判定されるまで、すなわち、出力値ＶがＶdd／２＋Ｐ以下であると判定されるまで、上述したステップＳ２１Ｂ〜Ｓ２１Ｆを繰り返し実施する。すなわち、ステップＳ２１ＦおよびステップＳ２１Ｄにおいて、オフセット補正パラメータが減少され書き換えられることで、出力特性補正部５９１２は、書き換えられたオフセット補正パラメータに基づいて上述したオフセット補正を実施する。そして、このオフセット補正により、ホール素子５９１１の出力特性が補正され、ホール素子５９１１からＶdd／２＋Ｐ以下となる出力値Ｖが出力されることとなる。
【０１４６】
以上のオフセット補正パラメータの校正（ステップＳ２１）により、各遮光羽根５２が中間開口面積Ｓmidとなるオフセット基準位置に位置付けられている際に、ホール素子５９１１からの出力値ＶがＶdd／２−Ｐ以上でありかつＶdd／２＋Ｐ以下である範囲内に入ることとなる。
【０１４７】
ステップＳ２１の後、制御部本体３２３２は、ゲイン補正パラメータを校正する（ステップＳ２２）。
具体的に、図１７は、ゲイン補正パラメータの校正方法を説明するフローチャートである。
先ず、制御部本体３２３２は、メモリ３２３３に記憶された最大駆動値情報を読み出し、最大駆動値情報に基づく最大駆動値を機械式絞り駆動装置３４０に出力する。そして、機械式絞り駆動装置３４０は、絞りリング５６を最大駆動値に応じた回動量だけ回動させ、各遮光羽根５２を開口面積が最大開口面積Ｓmaxとなる基準位置（ゲイン基準位置）に位置付ける（ステップＳ２２Ａ：遮光羽根位置決めステップ）。
【０１４８】
ステップＳ２２Ａの後、制御部本体３２３２は、メモリ３２３３に記憶された設計最大出力電圧値情報と、位置センサ５９から出力される出力値Ｖとを比較する。
具体的に、先ず、制御部本体３２３２は、出力値Ｖが設計オフセット電圧値情報に基づくＶdd−Ｐ以上であるか否かを判定する（ステップＳ２２Ｂ）。
【０１４９】
ステップＳ２２Ｂにおいて、制御部本体３２３２は、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、出力値ＶがＶdd−Ｐ未満であると判定した場合には、位置センサ５９の補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたゲイン補正パラメータを増加させ（ステップＳ２２Ｃ）、変更したゲイン補正パラメータを補正パラメータ記憶部５９１３に記憶させる（ステップＳ２２Ｄ）。
【０１５０】
より具体的に、ステップＳ２２Ｂにおいて、出力値ＶがＶdd−Ｐ未満であると判定された状態としては、光学絞り装置５に生じている上述した製造誤差により、各遮光羽根５２が最大開口面積Ｓmaxとなるゲイン基準位置に位置付けられた際に、ホール素子５９１１から設計上の最大出力電圧値Ｖddに許容値Ｐを加味した値よりも小さい出力値が出力されている状態である。
そして、ステップＳ２２Ｄの後、再度、ステップＳ２２Ｂに戻り、ステップＳ２２Ｃにおいて、「Ｙ」と判定されるまで、すなわち、出力値ＶがＶdd−Ｐ以上であると判定されるまで、上述したステップＳ２２Ｂ〜Ｓ２２Ｄを繰り返し実施する。すなわち、ステップＳ２２ＣおよびステップＳ２２Ｄにおいて、ゲイン補正パラメータが増加され書き換えられることで、出力特性補正部５９１２は、書き換えられたゲイン補正パラメータに基づいて上述したゲイン補正を実施する。そして、このゲイン補正により、ホール素子５９１１の出力特性が補正され、ホール素子５９１１からＶdd−Ｐ以上となる出力値Ｖが出力されることとなる。
【０１５１】
ステップＳ２２Ｂにおいて、制御部本体３２３２は、「Ｙ」と判定した場合、すなわち、出力値ＶがＶdd−Ｐ以上であると判定した場合には、次に、出力値Ｖが設計最大出力電圧値情報に基づくＶdd＋Ｐ以下であるか否かを判定する（ステップＳ２２Ｅ）。
ステップＳ２２Ｅにおいて、制御部本体３２３２は、「Ｎ」と判定した場合、すなわち、出力値ＶがＶdd＋Ｐを超えると判定した場合には、補正パラメータ記憶部５９１３に記憶されたゲイン補正パラメータを減少させる（ステップＳ２２Ｆ）。そして、ステップＳ２２Ｄにおいて、変更したゲイン補正パラメータを補正パラメータ記憶部５９１３に記憶させる。
【０１５２】
より具体的に、ステップＳ２２Ｅにおいて、出力値ＶがＶdd＋Ｐを超えると判定された状態としては、光学絞り装置５に生じている上述した製造誤差により、各遮光羽根５２が最大開口面積Ｓmaxとなるゲイン基準位置に位置付けられた際に、ホール素子５９１１から設計上の最大出力電圧値Ｖddに許容値Ｐを加味した値よりも大きい出力値が出力されている状態である。
ステップＳ２２Ｆにおいてゲイン補正パラメータを減少させ、ステップＳ２２Ｄにおいてゲイン補正パラメータを書き換えた後、再度、ステップＳ２２Ｂに戻り、ステップＳ２２Ｆにおいて、「Ｙ」と判定されるまで、すなわち、出力値ＶがＶdd＋Ｐ以下であると判定されるまで、上述したステップＳ２２Ｂ〜Ｓ２２Ｆを繰り返し実施する。すなわち、ステップＳ２２ＦおよびステップＳ２２Ｄにおいて、ゲイン補正パラメータが減少され書き換えられることで、出力特性補正部５９１２は、書き換えられたゲイン補正パラメータに基づいて上述したゲイン補正を実施する。そして、このゲイン補正により、ホール素子５９１１の出力特性が補正され、ホール素子５９１１からＶdd＋Ｐ以下となる出力値Ｖが出力されることとなる。
【０１５３】
以上のゲイン補正パラメータの校正（ステップＳ２２）により、各遮光羽根５２が最大開口面積Ｓmaxとなるゲイン基準位置に位置付けられた際に、ホール素子５９１１からの出力値ＶがＶdd−Ｐ以上でありかつＶdd＋Ｐ以下である範囲内に入ることとなる。また、上述したように、ゲイン補正では、ホール素子５９１１における出力特性の傾きがオフセット電圧値Ｖofを基準として変更されるので、各遮光羽根５２が最小開口面積Ｓminとなる位置に永久磁石５８２が位置付けられた際に、ホール素子５９１１から設計最小出力電圧値情報に基づくＰ以下の範囲に入る出力値Ｖが出力されることとなる。すなわち、ゲイン補正パラメータを校正することにより、前記第１実施形態と同様に、ホール素子５９１１における出力特性が、メモリ６４に記憶された開口面積−電圧値関連情報に対応した出力特性に補正されることとなる。
そして、上述したステップＳ２１Ｂ〜Ｓ２１Ｆ、Ｓ２２Ｂ〜Ｓ２２Ｆが本発明に係るパラメータ更新ステップに相当する。
以上のステップＳ２１、Ｓ２２により補正パラメータが校正される。
【０１５４】
上述した第３実施形態においては、前記第１実施形態と略同様の効果の他、以下の効果がある。
本実施形態の補正パラメータ校正装置３００は、光学絞り装置５を組み立てた状態で、機械式絞り駆動装置３４０を用いて各遮光羽根５２を所定の基準位置に位置付け、位置センサ５９から出力される出力値に基づいて、補正パラメータを更新するので、プロジェクタ１に光学絞り装置５を搭載した状態で補正パラメータを更新する必要がなく、光学絞り装置５単体と補正パラメータ校正装置３００とを用いて補正パラメータを更新でき、補正パラメータを更新する際の作業スペースの効率化が図れる。また、光学絞り装置５に光束を射出し光学絞り装置５を介した光束に基づいて補正パラメータを更新する構成と比較して、作業環境に依存せずに、補正パラメータを良好に校正できる。
【０１５５】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
前記各実施形態では、位置センサ５９に補正パラメータ記憶部５９１３を設けていたが、これに限らず、例えば、プロジェクタ１の制御装置６に補正パラメータ記憶部５９１３と同様の補正パラメータ記憶部を設けた構成としても構わない。そして、位置センサ５９の出力特性補正部５９１２は、制御装置６に設けられた補正パラメータ記憶部に記憶された補正パラメータを読み出して、オフセット補正またはゲイン補正を実施する。
【０１５６】
前記各実施形態において、光学絞り装置５の構成は、前記各実施形態で説明した構成に限らず、その他の構成の光学絞り装置を採用しても構わない。
前記第１実施形態および前記第２実施形態では、ゲイン補正パラメータを補正する際に、永久磁石位置決めステップＳ４Ａ，Ｓ１３Ａにおいて、最大出力電圧値Ｖddが位置センサ５９から出力されるゲイン基準位置に永久磁石５８２を位置付けている。また、ステップＳ４Ｃ，Ｓ１３Ｃ，Ｓ４Ｆ，Ｓ１３Ｆでは、最大光量情報と検出光量ＬＸとを比較している。この構成に限らず、上記各ステップにおいて、最小出力電圧値０が位置センサ５９から出力されるゲイン基準位置に永久磁石５８２を位置付けるとともに、最小光量情報と検出光量ＬＸとを比較する構成としても構わない。
同様に、前記第３実施形態では、ゲイン補正パラメータを補正する際に、遮光羽根位置決めステップＳ２２Ａにおいて、最大開口面積Ｓmaxとなるゲイン基準位置に各遮光羽根５２を位置付けている。また、ステップＳ２２Ｂ，Ｓ２２Ｅでは、設計最大出力値情報と出力値Ｖとを比較している。この構成に限らず、上記各ステップにおいて、最小開口面積Ｓminとなるゲイン基準位置に各遮光羽根５２を位置付けるとともに、設計最小出力値情報と出力値Ｖとを比較する構成としても構わない。
【０１５７】
前記各実施形態では、光学絞り装置５は、第１レンズアレイ４１２と第２レンズアレイ４１３との間に配設されていたが、これに限らず、光源装置４１１と第１レンズアレイ４１２との間等の光源装置４１１から射出され各液晶パネル４４１に至る光束の光路中であれば、いずれの位置に配設しても構わない。
前記各実施形態では、３つの液晶パネル４４１を用いたプロジェクタ１を説明したが、これに限らない。例えば、１つの液晶パネルのみを用いたプロジェクタ、２つの液晶パネルを用いたプロジェクタ、あるいは、４つ以上の液晶パネルを用いたプロジェクタにも適用可能である。
前記各実施形態では、光学ユニット４は、平面視略Ｌ字状の形状を有していたが、その他の形状を採用してもよく、例えば、平面視略Ｕ字状の形状としてもよい。
前記実施形態では、スクリーンを観察する方向から投射を行うフロントタイプのプロジェクタの例のみを説明したが、本発明では、スクリーンを観察する方向とは反対側から投射を行うリアタイプのプロジェクタにも適用可能である。
【０１５８】
前記各実施形態では、光変調装置として透過型の液晶パネル４４１を採用していたが、これに限らず、反射型の液晶パネル、ディジタル・マイクロミラー・デバイス（テキサス・インスツルメント社の商標）、光の回折現象を利用したＧＬＶ(Grating Light Valve)デバイス（Silicon Light Machines社の商標）等を採用してもよい。
前記各実施形態では、光学絞り装置５をプロジェクタ１に搭載した構成を説明したが、光学絞り装置５は、プロジェクタ１に限らず、その他の光学機器、例えば、カメラ等に搭載した構成を採用しても構わない。また、光学絞り装置５をカメラに搭載した場合には、絞り装置として用いる構成の他、レンズシャッタ等として用いても構わない。
【０１５９】
本発明を実施するための最良の構成などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１６０】
本発明の光学絞り装置は、構造の簡素化が図れるとともに、遮光羽根を高精度に移動させて安定した駆動を実現できるため、プレゼンテーションやホームシアタに用いられるプロジェクタの光学絞り装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】第１実施形態におけるプロジェクタの概略構成を模式的に示す図。
【図２】前記実施形態における光学絞り装置の概略構成の一例を示す図。
【図３】前記実施形態における光学絞り装置の概略構成の一例を示す図。
【図４】前記実施形態におけるベース板本体を光束入射側から見た斜視図。
【図５】前記実施形態における電磁アクチュエータおよび位置センサの構造を模式的に示す図。
【図６】前記実施形態における出力特性補正部の処理機能の一例を示す図。
【図７】前記実施形態におけるプロジェクタおよび補正パラメータ校正装置の制御構造を模式的に示すブロック図。
【図８】前記実施形態における光学絞り装置の製造誤差を模式的に示す図。
【図９】前記実施形態における補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法を説明するフローチャート。
【図１０】前記実施形態におけるオフセット補正パラメータの校正方法を説明するフローチャート。
【図１１】前記実施形態におけるゲイン補正パラメータの校正方法を説明するフローチャート。
【図１２】第２実施形態における補正パラメータ校正装置の制御構造を模式的に示すブロック図。
【図１３】前記実施形態における補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法を説明するフローチャート。
【図１４】第３実施形態における補正パラメータ校正装置の制御構造を模式的に示すブロック図。
【図１５】前記実施形態における補正パラメータ校正装置を利用した補正パラメータ校正方法を説明するフローチャート。
【図１６】前記実施形態におけるオフセット補正パラメータの校正方法を説明するフローチャート。
【図１７】前記実施形態におけるゲイン補正パラメータの校正方法を説明するフローチャート。
【符号の説明】
【０１６２】
１・・・プロジェクタ、３・・・投射レンズ（投射光学装置）、５・・・光学絞り装置、６・・・制御装置（プロジェクタ側制御装置）、５２・・・遮光羽根、５８・・・電磁アクチュエータ、１００，２００，３００・・・補正パラメータ校正装置、１１０・・・光束検出装置、１２３，２２３，３２３・・・制御装置（校正側制御装置）、２３０・・・補正用光源装置、３４０・・・機械式絞り駆動装置、４１１・・・光源装置、４４１・・・液晶パネル（光変調装置）、５８１・・・電磁コイル、５８２・・・永久磁石、１２３２，２２３２・・・制御部本体（光源駆動制御部、絞り駆動制御部、パラメータ更新部）、１２３３・・・メモリ（光量情報記憶部、出力値情報記憶部）、３２３２・・・制御部本体（機械式絞り駆動制御部、パラメータ更新部）、５９１１・・・ホール素子（磁気素子）、５９１２・・・出力特性補正部、５９１３・・・補正パラメータ記憶部。
【図１】
2007183304.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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