(57)【要約】【課題】段差部を良好に形成でき、吐出不良を防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】リザーバ形成基板３０上にマスクパターン１４０を形成すると共に、このマスクパターン１４０の開口部１４２，１４９からリザーバ形成基板３０を異方性エッチングすることによってリザーバ部３１を形成し、段差部３３を形成する際、マスクパターン１４０の開口部１４９の周縁に段差部３３の壁面３９を構成する補正パターン１４４を設けると共に、開口部１４９内にそれぞれ独立する複数のマスク部１４５からなるダミーマスクパターン１４６を設け、これらマスクパターン１４０及びダミーマスクパターン１４６を介してリザーバ形成基板３０を異方性エッチングする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室が複数形成されると共に一方面側に当該圧力発生室内に液滴を吐出させるための圧力を付与する圧力発生手段が設けられた流路形成基板と、シリコン単結晶基板からなり複数の前記圧力発生室に連通するリザーバ部が形成されたリザーバ形成基板とを有し、前記リザーバ部が当該リザーバ形成基板を貫通する貫通部と前記リザーバ形成基板の一方面側に設けられて前記貫通部が開口する段差部とで形成される液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記リザーバ形成基板上に所定形状のマスクパターンを形成すると共に、このマスクパターンの開口部から前記リザーバ形成基板を異方性エッチングすることによって前記リザーバ部を形成し、
前記リザーバ部の前記段差部を形成する際、前記マスクパターンの前記開口部の周縁に前記段差部の壁面を構成する所定の結晶面を露出させるための補正パターンを設けると共に、前記開口部内にそれぞれ独立する複数のマスク部からなり前記補正パターンに対向する領域の前記リザーバ形成基板のエッチングレートと前記開口部内の前記リザーバ形成基板のエッチングレートとを実質的に一致させるダミーマスクパターンを設け、これらマスクパターン及びダミーマスクパターンを介して前記リザーバ形成基板を異方性エッチングすることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記ダミーマスクパターンの各マスク部は、前記リザーバ形成基板のエッチングレートを速くするパターンで配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記ダミーマスクパターンの各マスク部を、その長手方向端部の位置が隣接するマスク部の長手方向端部の位置とは異なるように配置したことを特徴とする請求項２に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記リザーバ形成基板が、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなると共に、前記リザーバ部の壁面が（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、この第１の（１１１）面と７０．５３°の角度で交差する第２の（１１１）とで構成されており、前記補正パターンを構成する各マスク部が、前記第１の（１１１）面に沿って形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記補正パターンは、前記第２の（１１１）面に沿って前記開口部の内側に突出する複数の突出部で構成されており、前記ダミーマスクパターンのマスク部の長さを前記突出部の長さの２倍未満としたことを特徴とする請求項４に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記マスクパターン及び前記ダミーマスクパターンを、酸化シリコン膜又は、窒化シリコン膜で形成したことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特に、液体としてインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室とこの圧力発生室に連通する連通部が形成されると共に、その一方面側に圧電素子が設けられた流路形成基板と、流路形成基板の連通部と共にリザーバの一部を構成するリザーバ部が形成されたリザーバ形成基板（封止基板）とを具備するものがある。そして、このリザーバ形成基板としては、例えば、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板が用いられ、リザーバ部は、マスクパターン等を介してこのリザーバ形成基板を異方性エッチングすることによって形成されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、このリザーバ部（リザーバ）は、基本的にはリザーバ形成基板（流路基板）を貫通して設けられるが、その一部にリザーバ形成基板の一部を除去した段差部（隙間）が設けられたものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
そして、このような段差部を、上述したようにリザーバ形成基板を異方性エッチングすることによって形成すると、その底面部に凹凸が形成されてしまうという問題がある。段差部の底面に凹凸が形成されてしまうと凹部内に気泡が停滞し、この気泡によってインク滴が吐出されない等の問題が生じる虞がある。特に、インクの初期充填時に気泡が溜まりやすく、また排出し難いという問題がある。
【０００５】
なお、このような問題は、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法だけでなく、勿論、インク以外の液体を吐出する他の液体噴射ヘッドの製造方法においても同様に存在する。
【０００６】
【特許文献１】国際公開２００４／００７２０６号公報（第１２図、第２４〜２５頁等）
【特許文献２】特開平２００１−１２１６９０号公報（第２図等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑み、段差部を良好に形成でき、吐出不良を防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室が複数形成されると共に一方面側に当該圧力発生室内に液滴を吐出させるための圧力を付与する圧力発生手段が設けられた流路形成基板と、シリコン単結晶基板からなり複数の前記圧力発生室に連通するリザーバ部が形成されたリザーバ形成基板とを有し、前記リザーバ部が当該リザーバ形成基板を貫通する貫通部と前記リザーバ形成基板の一方面側に設けられて前記貫通部が開口する段差部とで形成される液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記リザーバ形成基板上に所定形状のマスクパターンを形成すると共に、このマスクパターンの開口部から前記リザーバ形成基板を異方性エッチングすることによって前記リザーバ部を形成し、前記リザーバ部の前記段差部を形成する際、前記マスクパターンの前記開口部の周縁に前記段差部の壁面を構成する所定の結晶面を露出させるための補正パターンを設けると共に、前記開口部内にそれぞれ独立する複数のマスク部からなり前記補正パターンに対向する領域の前記リザーバ形成基板のエッチングレートと前記開口部内の前記リザーバ形成基板のエッチングレートとを実質的に一致させるダミーマスクパターンを設け、これらマスクパターン及びダミーマスクパターンを介して前記リザーバ形成基板を異方性エッチングすることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第１の態様では、段差部の底面が略平面となり、リザーバ部内に液体が供給された際に気泡が停滞することがなく、気泡による吐出不良等の問題の発生が防止される。
【０００９】
本発明の第２の態様は、前記ダミーマスクパターンの各マスク部は、前記リザーバ形成基板のエッチングレートを速くするパターンで配置されていることを特徴とする第１の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第２の態様では、段差部の周縁部と、周縁部の他の部分とのエッチングレートをより確実に同一となる。
【００１０】
本発明の第３の態様は、前記ダミーマスクパターンの各マスク部を、その長手方向端部の位置が隣接するマスク部の長手方向端部の位置とは異なるように配置したことを特徴とする第２の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第３の態様では、ダミーマスクパターンに対向する領域のリザーバ形成基板全体を、均一に除去することができる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、前記リザーバ形成基板が、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなると共に、前記リザーバ部の壁面が（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、この第１の（１１１）面と７０．５３°の角度で交差する第２の（１１１）とで構成されており、前記補正パターンを構成する各マスク部が、前記第１の（１１１）面に沿って形成されていることを特徴とする第１〜３の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第４の態様では、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなるリザーバ形成基板に、段差部の底面が略平坦であるリザーバ部をさらに高精度に形成することができる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、前記補正パターンは、前記第２の（１１１）面に沿って前記開口部の内側に突出する複数の突出部で構成されており、前記ダミーマスクパターンのマスク部の長さを前記突出部の長さの２倍未満としたことを特徴とする第４の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第５の態様では、シリコン単結晶基板からなるリザーバ形成基板をエッチングする際に、ダミーマスクパターン及びダミーマスクパターンも徐々にエッチングされ、その結果、リザーバ部が所望の形状に形成される。
【００１３】
本発明の第６の態様は、前記マスクパターン及び前記ダミーマスクパターンを、酸化シリコン膜又は、窒化シリコン膜で形成したことを特徴とする第１〜５の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第６の態様では、シリコン単結晶基板からなるリザーバ形成基板をエッチングする際に、エッチングレートはリザーバ形成基板よりも遅いがマスクパターン及びダミーマスクパターンも確実にエッチングされ、その結果、リザーバ部が所望の形状に形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図、図３は図２の部分詳細図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００１５】
流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。連通部１３は、後述するリザーバ形成基板３０のリザーバ部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００の一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１６】
流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００１７】
一方、このような流路形成基板１０のノズルプレート２０とは反対側の面には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５１が形成されている。さらに、この絶縁体膜５１上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
【００１８】
また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等の金属材料からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００１９】
さらに、流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、複数の圧力発生室１２にインクを供給するためのリザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３１を有するリザーバ形成基板３０が、接着剤等からなる接着層を介して接合されている。本実施形態に係るリザーバ部３１は、リザーバ形成基板３０を貫通する貫通部３２と、リザーバ形成基板３０の流路形成基板１０とは反対面側に設けられて、貫通部３２が開口する段差部３３とで構成されている。また、リザーバ部３１は、本実施形態では、圧力発生室１２の並設方向に沿って形成されており、貫通部３２の長手方向両端部には、それぞれ外側に向かって幅が漸小する漸小部３４が設けられている。このため、本実施形態に係る貫通部３２の開口は略台形形状となっている。また、段差部３３の長手方向両端部にも、中央部よりも幅の狭い幅狭部３５が形成されている。そして、このようなリザーバ部３１が、流路形成基板１０に設けられた連通部１３と連通され、これらリザーバ部３１及び連通部１３によってリザーバ１００が形成されている。なお、漸小部３４及び幅狭部３５は、各圧力発生室１２近傍のリザーバ１００の流速を一定以上に保ち、気泡排出性を向上させるために設けられている。
【００２０】
このようなリザーバ部３１を有するリザーバ形成基板３０は、流路形成基板１０と同一材料である面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、リザーバ部３１を構成する貫通部３２及び段差部３３は、詳しくは後述するが、リザーバ形成基板３０をその両面から異方性エッチングすることによって形成されている。その結果、図３に示すように、リザーバ部３１（貫通部３２及び段差部３３）の圧力発生室の長手方向に沿った壁面３６は（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面で構成され、他の壁面はこの第１の（１１１）面（壁面３６）と７０．５３°の角度をなす第２の（１１１）面３７を含む面で構成されている。
【００２１】
なお、リザーバ形成基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子保持部３８が設けられている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３８内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部３８は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。また、リザーバ形成基板３０上には圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ２１０が実装されている。そして、各圧電素子３００から圧電素子保持部３８の外側まで引き出された各リード電極９０の先端部と、駆動ＩＣ２１０とが駆動配線２２０を介して電気的に接続されている。
【００２２】
さらに、リザーバ形成基板３０のリザーバ部３１に対応する領域上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。さらに、コンプライアンス基板４０の段差部に対向する領域には、インクカートリッジからのインクをリザーバ内に導入するためのインク導入口４４が設けられている。このように段差部３３に対向する領域にインク導入口４４を設けることでインクの流れがスムーズになり、気泡の停滞等を防止してインク吐出特性を向上することができる。
【００２３】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ２１０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、圧電素子３００及び振動板をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインクが吐出する。
【００２４】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法、具体的には、インクジェット式記録ヘッドを構成するリザーバ形成基板３０の形成方法について、図４及び図５を参照して説明する。まず、図４（ａ）に示すように、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板であるリザーバ形成基板３０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に二酸化シリコン膜１３０を形成する。なお、リザーバ形成基板３０の厚さは、特に限定されないが、本実施形態では、リザーバ形成基板３０として、厚さが４００μｍ程度のシリコン単結晶基板（シリコンウェハ）を用いている。
【００２５】
次に、図４（ｂ）に示すように、二酸化シリコン膜１３０を、レジスト膜（図示なし）等を介してエッチングすることにより、リザーバ部３１をエッチングにより形成する際のマスクとなるマスクパターン１４０を形成する。すなわち、リザーバ部３１の貫通部３２が形成される領域の二酸化シリコン膜１３０に、複数の開口部１４２を有する補正マスク１４１を形成する。この補正マスク１４１は、図５に示すように、貫通部３２に対向する領域（ハッチングを施した領域）に形成され、詳しくは図示しないが、この貫通部３２に対向する領域内に、多数の開口部１４２が近接して設けられている。また、段差部３３の縁部に対向する領域のマスクパターン１４０（二酸化シリコン膜１３０）には、段差部３３に対向する領域内に突出する複数の突出部１４３からなり段差部３３の壁面３９を構成する所定の結晶面、本実施形態では第２の（１１１）面、を露出させるための補正パターン１４４を設けると共に、この補正パターン１４４の内側の領域に、他の部分よりも膜厚の厚い複数のマスク部１４５からなるダミーマスクパターン１４６を形成する。
【００２６】
なお、段差部３３に対向する領域内の各突出部１４３及びマスク部１４５以外の部分のマスクパターン１４０（二酸化シリコン膜１３０）は、この段階では、ハーフエッチングにより一部が除去された凹部１４７となっている（図４（ｂ））。すなわち、リザーバ形成基板３０の段差部３３に対応する部分は、この段階では、二酸化シリコン膜１３０で完全に覆われた状態となっている。またこのとき、マスクパターン１４０（二酸化シリコン膜１３０）の圧電素子保持部３８に対向する領域にも二酸化シリコン膜１３０をハーフエッチングして凹部１４８を形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、このようなマスクパターン１４０を介してリザーバ形成基板３０を両面側からエッチングすることによって貫通部３２を形成する。
【００２７】
次に、図４（ｄ）に示すように、マスクパターン１４０（二酸化シリコン膜１３０）をエッチングすることにより、二酸化シリコン膜１３０全体の膜厚を薄くする。具体的には、凹部１４７，１４８に対応する部分が開口するまで、二酸化シリコン膜全体をエッチングにより除去する。これにより、段差部３３に対向する領域の二酸化シリコン膜１３０には、周縁に複数の突出部１４３からなる補正パターン１４４を有する開口部１４９が形成されると共に、開口部１４９内には、それぞれ独立する複数のマスク部１４５からなるダミーマスクパターン１４６が形成される。また、リザーバ形成基板３０の流路形成基板１０との接合面側のマスクパターン１４０には、圧電素子保持部３８が形成される領域に開口部１５０が形成される。
【００２８】
ここで、上記補正パターン１４４を設けると、補正パターン１４４に対向する領域のリザーバ形成基板３０のエッチング時間、すなわち、リザーバ形成基板３０のエッチングレートは実質的に速くなり、例えば、ＫＯＨ等のエッチング液の濃度が２０％程度と比較的低いと、特に速くなりやすい。このため、本発明では、開口部１４９内にダミーマスクパターン１４６を設け、補正パターン１４４に対向する領域のリザーバ形成基板３０のエッチングレートと、開口部１４９内のリザーバ形成基板３０のエッチングレートとを実質的に一致させている。
【００２９】
本実施形態に係る補正パターン１４４は、上述したように、段差部３３の壁面３９を構成する第２の（１１１）面を露出させるために設けられ、各突出部１４３は、第２の（１１１）面に沿って開口部１４９の内側に突出するように形成される。そして、ダミーマスクパターン１４６の各マスク部１４５は、リザーバ形成基板３０のエッチングレートを速くするパターンで配置されていることが好ましい。具体的には、ダミーマスクパターン１４６の各マスク部１４５を、その長手方向端部の位置が、隣接するマスク部１４５の長手方向端部の位置とは異なるように配置することが好ましい。例えば、本実施形態では、各マスク部１４５を、第１の（１１１）面に沿って形成し、その長手方向端部の位置が隣接するマスク部１４５の長手方向端部の位置とは異なるように形成した。
【００３０】
これにより、開口部１４９に対向する領域のリザーバ形成基板３０のエッチング時間を確実に短縮することができる。すなわち、開口部１４９に対向する領域のリザーバ形成基板３０のエッチングレートを実質的に速くすることができる。また、このような各マスク部１４５の長さＬ１は、特に限定されないが、補正パターン１４４の突出部１４３の長さＬ２の２倍未満とすることが好ましい。これにより、開口部１４９に対向する領域のリザーバ形成基板３０のエッチングレートと、補正パターン１４４に対向する領域のリザーバ形成基板３０のエッチングレートとをより確実に一致させることができる。
【００３１】
なお、本実施形態では、ダミーマスクパターン１４６を構成する各マスク部１４５を、第１の（１１１）面に沿って形成するようにしたが、例えば、第２の（１１１）面に沿って形成するようにしても、開口部１４９に対向する領域のリザーバ形成基板３０のエッチングレートと、補正パターン１４４に対向する領域のリザーバ形成基板３０のエッチングレートとを一致させることができる。
【００３２】
そして、図４（ｅ）に示すように、このようなマスクパターン１４０及びダミーマスクパターン１４６を介して、リザーバ形成基板３０をその両面側からさらに異方性エッチングすることにより、リザーバ形成基板３０には、貫通部３２及び段差部３３からなるリザーバ部３１が良好に形成され、また同時に、圧電素子保持部３８が形成される。なお、補正パターン１４４及びダミーマスクパターン１４６は、このようにエッチングにより段差部３３を形成する際に同時にエッチングされて消滅する。
【００３３】
以上のようにリザーバ部３１を形成することで、段差部３３を極めて良好に形成することができる。すなわち、段差部３３の底面は、凹凸が形成されることがなく極めて平坦になる。これにより、リザーバ部３１内のインクの流れがスムーズになり、例えば、気泡の停滞等による吐出不良の発生が防止され、印刷品質が大幅に向上する。
【００３４】
なお、このようなリザーバ部３１等を有するリザーバ形成基板３０は、実際には、シリコンウェハに複数一体的に形成される。すなわち、リザーバ部３１等が、上述したような工程によりシリコンウェハに複数形成された後、このシリコンウェハを最終的に分割することでリザーバ形成基板３０が形成される。
【００３５】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、ダミーマスクパターンの各マスク部を、リザーバ形成基板のエッチングレートを速くするパターンで配置するようにしているが、マスク部の配置は特に限定されるものではない。すなわち、各マスク部の配置は、補正パターンに対向する部分のリザーバ形成基板のエッチングレートと、開口部内のリザーバ形成基板のエッチングレートとが一致するように、適宜決定されればよい。
【００３６】
また、上述の実施形態では、インク滴を吐出するための圧力発生手段として薄膜からなる圧電素子を例示したが、この圧力発生手段は、特に限定されず、例えば、発熱素子等であってもよい。
【００３７】
また、上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係るリザーバ部の部分詳細図である。
【図４】実施形態１に係るリザーバ形成基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】マスクパターン及びダミーマスクパターンを説明する概略図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  リザーバ形成基板、  ３１  リザーバ部、  ３２  貫通部、  ３３  段差部、  ３４  漸小部、  ３５  幅狭部、  ３８  圧電素子保持部、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５１  絶縁体膜、  ５２  貫通部、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバ、  １３０  二酸化シリコン膜、  １４０  マスクパターン、  １４１  補正マスク、  １４２  開口部、  １４３  突出部、  １４４  補正パターン、  １４５  マスク部、  １４６  ダミーマスクパターン、  １４７，１４８  凹部、  １４９  開口部、  ２１０  駆動ＩＣ、  ２２０  駆動配線、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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