(57)【要約】【課題】有機層間膜ないしはＳｉＮからなる絶縁層とＩＴＯ層との間の密着性を改善するとともに電蝕が生じないようにした、端面が順テーパ状のＩＴＯ層からなる透明導電層を有する半透過型液晶表示装置を提供すること。【解決手段】半透過型液晶表示装置１０の有機層間膜１９又は窒化珪素からなる絶縁層２２の表面にＩＴＯからなる透明導電層３１を形成する際に、予め有機層間膜１９の反射部に反射板を形成した後、有機層間膜１９又は窒化珪素からなる絶縁層２２の表面に変性層３４ないし３５を形成し、この変性層３４ないし３５上にアモルファスＩＴＯからなる透明導電層３１を形成した後に所定のパターンにエッチングして端部が順テーパ状態となるようにし、その後アモルファスＩＴＯを多結晶ＩＴＯ化する。前記変性層３４ないし３５の形成には、Ｈｅによるプラズマ処理ないしはプラズマＣＶＤ法を採用することができる。【選択図】図１
2007183452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの画素毎に有機層間膜の表面の一部に直接反射板が設けられているとともに、
前記有機層間膜及び反射板の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電層が設
けられている半透過型液晶表示装置において、前記有機層間膜とＩＴＯからなる透明導電
層との間には前記有機層間膜の変性層が設けられ、前記変性層上のＩＴＯからなる透明導
電層の端部が順テーパ状態となっていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
前記変性層は、前記有機層間膜上に前記反射板を形成した後に、前記有機層間膜表面を
不活性ガスによってプラズマ処理することにより形成されたものであることを特徴とする
請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項３】
前記変性層は、前記反射板を形成した後に、不活性ガスをキャリアガスとしたプラズマ
ＣＶＤ法により前記有機層間膜上に形成されたものであることを特徴とする請求項１に記
載の半透過型液晶表示装置。
【請求項４】
前記ＩＴＯからなる透明導電層は、アモルファスＩＴＯからなる透明導電層を形成した
後に所定のパターンにエッチングされ、その後多結晶ＩＴＯ化されたものであることを特
徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射板の下部の前記有機層間膜の表面は凹凸形状を有することを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項６】
それぞれの画素毎に有機層間膜の表面の一部に直接反射板が設けられているとともに、
前記有機層間膜及び反射板の表面にＩＴＯからなる透明導電層が設けられており、更に窒
化硅素からなる絶縁層の表面にもＩＴＯからなる透明導電層が設けられている半透過型液
晶表示装置において、前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層とＩＴＯからなる透明
導電層との間にはそれぞれ前記有機層間膜又は窒化珪素の変性層が設けられ、前記変性層
上のＩＴＯからなる透明導電層の端部が順テーパ状態となっていることを特徴とする半透
過型液晶表示装置。
【請求項７】
前記変性層は、前記有機層間膜上に前記反射板を形成した後に、前記有機層間膜及び窒
化珪素からなる絶縁層を不活性ガスによってプラズマ処理することにより形成されたもの
であることを特徴とする請求項６に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項８】
前記変性層は、前記反射板を形成した後に、不活性ガスをキャリアガスとしたプラズマ
ＣＶＤ法により前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層上に形成されたものであるこ
とを特徴とする請求項６に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項９】
前記ＩＴＯからなる透明導電層は、アモルファスＩＴＯからなる透明導電層を形成した
後に所定のパターンにエッチングされ、その後多結晶ＩＴＯ化されたものであることを特
徴とする請求項６に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記反射板の下部の前記有機層間膜の表面は凹凸形状を有することを特徴とする請求項
６〜９のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示装置に関し、特に有機層間膜ないし窒化珪素からなる絶縁
層とＩＴＯからなる透明導電性膜との間の接着強度が強固で剥離し難く、しかも製造工程
において電蝕が発生し難い半透過型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
まず、従来例の半透過型表示装置としてアクティブマトリクス型の半透過型液晶表示装
置を例にとり、その数画素部分の平面図である図３及び図３のＡ−Ａ断面図である図４を
参照して簡単に説明する。
【０００３】
従来の半透過型液晶表示装置１０は、第１の透光性基板１１上にマトリクス状に設けら
れた走査線Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・と信号線Ｙｍ、Ｙｍ+1・・・で囲まれた領域毎に画素電極
１２が設けられているとともに、この画素電極１２の反射部の下部にはアルミニウム又は
銀等の金属からなる反射板２４が形成されている。また、画素電極１２は駆動用の薄膜ト
ランジスタ（Thin Film Transistor）ＴＦＴからなる画素トランジスタ１４に接続されて
いる。
【０００４】
ＴＦＴは絶縁ゲート型電界効果トランジスタからからなり、そのソース電極Ｓは信号線
Ｙｍ、Ｙｍ+1・・・に接続されて画像信号Ｖsの供給を受け、また、ドレイン電極Ｄはコ
ンタクトホール１７を経て画素電極１２に接続されている。更に、ＴＦＴのゲート電極Ｇ
は走査線Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・に接続されて所定の電圧を有するゲートパルスＶgが印加さ
れるようになされている。
【０００５】
なお、ここに示した液晶表示装置１０においては、図４に示したように、各ＴＦＴ、走
査線Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・及び信号線Ｙｍ、Ｙｍ+1・・・を覆うように、第１の透光性基板
１１の表示領域全体に窒化硅素層（以下、ＳｉＮ層という。）からなる絶縁層２２を介し
て層間膜１９が所定の高さとなるように設けられており、それぞれの画素毎に反射部の層
間膜１９上には反射板２４を介して画素電極１２が設けられているとともに透過部領域に
は層間膜１９の表面に直接画素電極１２が設けられている。なお、反射部の層間膜１９の
表面は反射光を拡散光とするために表面が僅かに凹凸状態となるようになされているが、
この凹凸状態は図示省略した。
【０００６】
更に、第２の透光性基板１５にはカラーフィルタ層ＣＦを介して共通電極１６が設けら
れているとともに、反射部のセルギャップを透過部領域のセルギャップの半分となるよう
にするためのトップコート層２３が設けられている。そして、画素電極１２と共通電極１
６との間には液晶２０が封入されている。
【０００７】
この画素電極１２及び共通電極１６は、通常は透明なＩＴＯ層から形成されている。こ
のＩＴＯ層は、高温雰囲気でスパッタリング方法によって成膜することで多結晶状態の膜
とすることができ、得られた多結晶ＩＴＯ層は、透過率が高くかつ低抵抗であるため、透
明電極として優れている。しかしながら、液晶表示装置においては、成膜したＩＴＯ層を
個別の電極形状にエッチングしてパターニングする必要があるが、透明電極として優れた
上述の多結晶状態のＩＴＯ層はエッチングレートが低いためエッチングに時間がかかる。
【０００８】
一方、アモルファス状態のＩＴＯ層はエッチングレートが高いため、これを採用するこ
とでエッチング時間を短縮することが可能となるが、アモルファスＩＴＯ層は、高抵抗か
つ低透過率であり、電極としての特性が劣るという問題がある。
【０００９】
そこで、下記特許文献１には、ＩＴＯ層を常温かつ水添加雰囲気で成膜し、成膜後、１
８０℃程度以上、１時間程度以上の熱処理を施すことにより、アモルファス状態のＩＴＯ
層を作製し、この状態で高いエッチングレートにて所望パターンを形成し、その後、１８
０℃程度以上（例えば、２２０℃程度）の温度で１時間程度以上（例えば１時間程度〜３
時間程度）の熱処理を施すことで、ＩＴＯ層を多結晶化し、かつ膜の抵抗を低下させ、透
過率を高めるＩＴＯ層の製造方法の発明が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−０１６８５８号公報
【特許文献２】特開２００１−２５５５４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、一般に層間膜１９はポリイミド等の絶縁性の有機樹脂膜から作製される
が、この層間膜１９上にアモルファスＩＴＯ層を設ける場合は、層間膜形成時及びアモル
ファスＩＴＯ層形成時に焼成工程があるため、有機樹脂膜からガスが発生するので、アモ
ルファスＩＴＯ層との密着性が悪くなる。また、アモルファスＩＴＯ層の形成時には基板
表面にＳｉＮ層からなる絶縁層が露出している部分が存在するが、この部分においてもア
モルファスＩＴＯ層の付着性が良好でない。そのため、アモルファスＩＴＯ層をウェット
エッチングする場合、有機層間膜又はＳｉＮからなる絶縁層上のアモルファスＩＴＯ層が
逆テーパ形状にエッチングされてしまうことが確認された。
【００１１】
この状態を図５及び図６を用いて説明する。なお、図５はポリイミドからなる層間膜の
表面に設けたアモルファスＩＴＯ層のエッチング状態を示す断面図であり、図６はＳｉＮ
からなる絶縁層の表面に設けたアモルファスＩＴＯ層のエッチング状態を示す断面図であ
る。
【００１２】
まず、層間膜１９の表面に上記特許文献１に開示されている方法と同様の方法でアモル
ファスＩＴＯ層３１を成膜し、このアモルファスＩＴＯ層３１の表面に所定のパターンと
なるようにフォトレジスト膜３２を設け、塩酸と硝酸の混合エッチング液によりアモルフ
ァスＩＴＯ層３１の露出面を湿式エッチングすると、図５に示すように、アモルファスＩ
ＴＯ層３１には端面が逆テーパ状となっているサイドエッチング部ｄ１が形成される。同
様にして、ＳｉＮ層２２の表面にアモルファスＩＴＯ層３１を成膜した後にフォトレジス
ト膜３２を設け、湿式エッチングすると、図６に示すように、アモルファスＩＴＯ層３１
には端面が逆テーパ状となっているサイドエッチング部ｄ２が形成される。
【００１３】
このようにアモルファスＩＴＯ層３１の端面に逆テーパ状態が形成されると、アモルフ
ァスＩＴＯ層３１の多結晶ＩＴＯ層化、フォトレジスト膜３２の除去、その他の製造段階
を順に経るに従い、製品として出荷される頃には、多結晶ＩＴＯからなる透明導電層と有
機層間膜ないしはＳｉＮからなる絶縁膜との間の付着強度の低下及び電蝕（上記特許文献
２参照）という不都合が発生することが知られている。
【００１４】
本願の発明者等は、上記のような付着強度低下及び電蝕という問題点は有機層間膜ない
しはＳｉＮからなる絶縁膜上に設けられたアモルファスＩＴＯ層の湿式エッチングの際に
生じる端面が順テーパ状にエッチングされれば生じないことから、このような順テーパ状
にエッチングできる条件を得るべく種々実験を重ねた結果、有機層間膜ないしはＳｉＮか
らなる絶縁膜の表面に変性層を形成させると順テーパ状にエッチングできること、及び、
反射板を層間絶縁膜の変性層上に設けると却って反射板の付着強度が弱くなることから、
反射板自体は層間絶縁膜の表面に直接設ければよいことを見出し、本発明を完成するに至
ったのである。
【００１５】
すなわち、本発明は、有機層間膜と反射板との間の付着強度が高い状態を維持しながら
、有機層間膜ないしはＳｉＮからなる絶縁膜とＩＴＯ層との間の密着性を改善するととも
に電蝕が生じないようにした、端面が順テーパ状のＩＴＯ層からなる透明導電層を有する
半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、請求項１に係る半透過型液晶表示装置の発明は、それぞれの
画素毎に有機層間膜の表面の一部に直接反射板が設けられているとともに、前記有機層間
膜及び反射板の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電層が設けられている
半透過型液晶表示装置において、前記有機層間膜とＩＴＯからなる透明導電層との間には
前記有機層間膜の変性層が設けられ、前記変性層上のＩＴＯからなる透明導電層の端部が
順テーパ状態となっていることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置において、前記変性
層は、前記有機層間膜上に前記反射板を形成した後に、前記有機層間膜表面を不活性ガス
によってプラズマ処理することにより形成されたものであることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置において、前記変性
層は、前記反射板を形成した後に、不活性ガスをキャリアガスとしたプラズマＣＶＤ法に
より前記有機層間膜上に形成されたものであることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置において、前記ＩＴ
Ｏからなる透明導電層は、アモルファスＩＴＯからなる透明導電層を形成した後に所定の
パターンにエッチングされ、その後多結晶ＩＴＯ化されたものであることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置にお
いて、前記反射板の下部の前記有機層間膜の表面は凹凸形状を有することを特徴とする。
【００２１】
更に、請求項６に係る半透過型液晶表示装置の発明は、それぞれの画素毎に有機層間膜
の表面の一部に直接反射板が設けられているとともに、前記有機層間膜及び反射板の表面
にＩＴＯからなる透明導電層が設けられており、更に窒化硅素からなる絶縁層の表面にも
ＩＴＯからなる透明導電層が設けられている半透過型液晶表示装置において、前記有機層
間膜及び窒化珪素からなる絶縁層とＩＴＯからなる透明導電層との間にはそれぞれ前記有
機層間膜又は窒化珪素の変性層が設けられ、前記変性層上のＩＴＯからなる透明導電層の
端部が順テーパ状態となっていることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項７に係る発明は、請求項６に記載の半透過型液晶表示装置において、前記
変性層は、前記有機層間膜上に前記反射板を形成した後に、前記有機層間膜及び窒化珪素
からなる絶縁層を不活性ガスによってプラズマ処理することにより形成されたものである
ことを特徴とする。
【００２３】
また、請求項８に係る発明は、請求項６に記載の半透過型液晶表示装置において、前記
変性層は、前記反射板を形成した後に、不活性ガスをキャリアガスとしたプラズマＣＶＤ
法により前記有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層上に形成されたものであることを特
徴とする。
【００２４】
また、請求項９に係る発明は、請求項６に記載の半透過型液晶表示装置において、前記
ＩＴＯからなる透明導電層は、アモルファスＩＴＯからなる透明導電層を形成した後に所
定のパターンにエッチングされ、その後多結晶ＩＴＯ化されたものであることを特徴とす
る。
【００２５】
また、請求項１０に係る発明は、請求項６〜９のいずれかに記載の半透過型液晶表示装
置において、前記反射板の下部の前記有機層間膜の表面は凹凸形状を有することを特徴と
する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は上記の構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏する。す
なわち、請求項１に係る発明によれば、ＩＴＯからなる透明電極は有機層間膜の表面に設
けられた変性層上に設けられているとともに端部が順テーパ状態となっているから、ＩＴ
Ｏからなる透明電極と有機層間膜との間の付着強度が大きく、電蝕が生じない半透過型液
晶表示装置が得られる。加えて、反射板は、有機層間膜の表面に直接設けられているので
、付着強度が低下することがない。なお、請求項１に係る発明における透明導電層は、そ
れぞれの画素毎に設けられる画素電極以外に、透明な導電性配線として設けられている部
分も含む。
【００２７】
また、請求項２及び３に係る発明によれば、反射板と有機層間膜との間の付着強度が大
きい状態を維持することができるとともに、有機層間膜の表面を変性させること（請求項
２）、ないしは、有機層間膜の表面に変性層を積層することができ（請求項３）るため、
熱的に安定しているとともにＩＴＯとの付着強度の強い変性層が得られる。
【００２８】
また、請求項４の発明によれば、アモルファスＩＴＯ層は多結晶ＩＴＯよりもエッチン
グレートが高いため、エッチング時間を短縮することが可能となり、また、多結晶ＩＴＯ
層はアモルファスＩＴＯ層よりも低抵抗でかつ高透過率であるため、製造時間を短縮でき
、しかも、光学特性及び電気特性に優れた半透過型液晶表示装置が得られる。
【００２９】
また、請求項５の発明によれば、反射板で反射される光が凹凸によって拡散されるため
、反射部の視野角が広く、明るい表示の半透過型液晶表示装置が得られる。
【００３０】
更に、請求項６に係る発明によれば、ＩＴＯからなる透明電極は有機層間膜もしくは窒
化珪素からなる絶縁層の表面に設けられた変性層上に設けられているとともに端部が順テ
ーパ状態となっているから、ＩＴＯからなる透明電極と有機層間膜又は窒化珪素からなる
絶縁層との間の付着強度が大きく、電蝕が生じない表示装置が得られる。加えて、反射板
は、有機層間膜の表面に直接設けられているので、付着強度が低下することがない。なお
、請求項６に係る発明における透明導電層は、それぞれの画素毎に設けられる画素電極以
外に、透明な導電性配線として設けられている部分も含む。
【００３１】
また、請求項７及び８に係る発明によれば、反射板と有機層間膜との間の付着強度が大
きい状態を維持することができるとともに、有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層の表
面を変性させること（請求項７）、ないしは、有機層間膜及び窒化珪素からなる絶縁層の
表面に変性層を積層することができ（請求項８）るため、熱的に安定しているとともにＩ
ＴＯとの付着強度の強い変性層が得られる。
【００３２】
また、請求項９の発明によれば、アモルファスＩＴＯ層は多結晶ＩＴＯよりもエッチン
グレートが高いため、エッチング時間を短縮することが可能となるので、また、多結晶Ｉ
ＴＯ層はアモルファスＩＴＯ層よりも低抵抗でかつ高透過率であるため、製造時間を短縮
でき、しかも、光学特性及び電気特性に優れた半透過型液晶表示装置が得られる。
【００３３】
また、請求項１０の発明によれば、反射板で反射される光が凹凸によって拡散されるた
め、反射部の視野角が広く、明るい表示の半透過型の表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明に係る半透過型液晶表示装置の実施例を図１及び図２を参照して詳細に説
明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための有機層間膜
又は窒化珪素からなる絶縁層へのＩＴＯからなる透明電極を形成した例を液晶表示装置を
例にとり説明するものであって、本発明をこれに特定することを意図するものではなく、
本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものに
も均しく適用し得るものである。
【００３５】
なお、図１は実施例におけるポリイミドからなる層間膜の表面に設けたアモルファスＩ
ＴＯのエッチング状態を示す断面図であり、図２は実施例におけるＳｉＮからなる絶縁膜
の表面に設けたアモルファスＩＴＯのエッチング状態を示す断面図であり、図５及び図６
における構成部分と同一の構成には同じ参照符号を付与して説明する。また、この層間膜
上へのＩＴＯからなる透明電極を形成した液晶表示装置の基本的構成及び動作原理は、図
３及び図４に示した従来例の半透過型液晶表示装置５０と同様であるので、必要に応じて
図３及び図４を引用して説明することとする。
【実施例】
【００３６】
本実施例にかかる液晶表示装置１０は、以下の工程により製造される。まず、図３及び
図４に示すように、第１の透光性基板１１の表面に直接ないしは絶縁膜（図示せず）を介
して、所定パターンに走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎを形成する。このとき、ゲート電極Ｇが
走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎと同時に形成されると共に、補助容量電極１３もこの走査線Ｘ
１、・・・、Ｘｎと同時に形成される。この走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎ、ゲート電極Ｇ及
び補助容量電極１３はＭｏ／Ａｌ又はアルミニウム合金等の遮光性導電性部材からなる。
【００３７】
次にこの第１の透光性基板１１表面をＳｉＮからなるゲート絶縁膜１８により被覆し、
このゲート絶縁膜１８を介してゲート電極Ｇと対向するようにアモルファス−Ｓｉ層２１
を形成し、次いで、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏからなる金属層を表示領域全面に設けた後にエッチ
ングすることにより、信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍを前記走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎに直交
する方向に形成するとともに、アモルファス−Ｓｉ層２１上に部分的に重なるように信号
線Ｙ１、・・・、Ｙｍから延設されたソース電極Ｓと、ドレイン電極Ｄを設ける。これに
よりＴＦＴ構造の画素トランジスタ１４が形成される。
【００３８】
この画素トランジスタ１４のドレイン電極Ｄはゲート絶縁膜１８を介して補助容量電極
１３に対向配置され、これにより補助容量Ｃｓが形成される。その後、各画素トランジス
タ１４、走査線Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・及び信号線Ｙｍ、Ｙｍ+1・・・を覆うようにＳｉＮか
らなる絶縁層２２を形成し、次いで第１の透光性基板１１の表示領域全体を被覆するよう
に例えばポリイミドからなる層間膜１９を所定高さとなるように設け、反射部の層間膜１
９の表面に常法により微細な凹凸を設ける。この微細な凹凸は、この後に設けられる反射
板２４の表面が凹凸状になるようにし、反射板２４により反射された反射光を拡散させる
ことにより反射部での視野角を広くするとともに反射部の表示が明るくなるようにするた
めのものである。なお、図面においては微小な凹凸は省略されている。
【００３９】
その後、層間膜１９の表面全体に例えばアルミニウム金属を被覆し、フォトリソグラフ
ィー法により所定パターンにフォトレジストを設けた後、エッチングすることによりそれ
ぞれの画素毎に所定のパターンの反射板２４を形成する。そして、露出している層間膜１
９の表面を変性化する。
【００４０】
次いで、反射板２４及び層間膜１９にコンタクトホール１７を形成した後、表示領域全
体にわたってアモルファスＩＴＯからなる透明導電性材料で被覆する。このとき、アモル
ファスＩＴＯからなる画素電極１２部分とドレイン電極Ｄはコンタクトホール１７の部分
で電気的に接続される。次いで、フォトリソグラフィー法により所定パターンにフォトレ
ジストを設けた後、塩酸と硝酸の混合エッチング液によりアモルファスＩＴＯ層の露出面
を湿式エッチングし、それぞれの画素毎に反射板２４の表面及び層間膜１９の表面にアモ
ルファスＩＴＯからなる画素電極１２を形成する。その後、熱処理を施して、アモルファ
スＩＴＯ層を多結晶化し、かつ膜の抵抗を低下させて多結晶ＩＴＯからなる画素電極１２
を得る。なお、この変性化工程及び画素電極１２の具体的な製造工程については後述する
。
【００４１】
そして、別途第２の透光性基板１５の表面にカラーフィルタ層ＣＦ、ＩＴＯからなる透
明な共通電極１６、及び反射部に対応する位置にのみトップコート層２３を形成したカラ
ーフィルタ基板を第１の透光性基板１１と対向させ、この間に液晶２０を封入することに
より本実施例の半透過型液晶表示装置１０が完成される。なお、トップコート層２３は、
反射部のセルギャップが透過部のセルギャップの１／２となるようにするために設けられ
るものである。
【００４２】
ここで、この実施例における層間膜１９の表面の変性化工程及び画素電極１２の具体的
な製造工程を、図１を参照しながら説明する。なお、図１は実施例におけるポリイミドか
らなる層間膜の表面に設けたアモルファスＩＴＯのエッチング状態を示す断面図である。
【００４３】
まず、層間膜１９及び反射板２４を形成した第１の透光性基板１１の表面に常法により
Ｈｅガスのプラズマ処理を行う。このとき、Ｈｅガスのプラズマはポリイミドからなる層
間膜１９の表面に接触し、これによりポリイミドの一部が熱分解及びスパッタリングされ
、変性されて変性層３４が形成される。
【００４４】
その後、上述の特許文献１に開示されている方法と同様にして、変性層３４上にアモル
ファスＩＴＯ層を常温かつ水添加雰囲気でプラズマＣＶＤ法により成膜し、成膜後に１８
０℃程度以上、１時間程度以上の熱処理を施すことにより、アモルファスＩＴＯ層３１に
変換する。
【００４５】
次いで、アモルファスＩＴＯ層３１の表面に所定のパターンとなるようにフォトレジス
ト膜３２を設け、塩酸と硝酸の混合エッチング液によりアモルファスＩＴＯ層３１の露出
面を湿式エッチングする。そうすると、層間膜１９の変性層３４上のアモルファスＩＴＯ
層３１は、図１に示したように、端面が順テーパ状となったサイドエッチング部Ｄ１が形
成された状態となる。
【００４６】
したがって、この工程後のアモルファスＩＴＯ層３１の多結晶ＩＴＯ層化、フォトレジ
スト膜３２の除去、その他の製造段階を順に経ても、製品として出荷される多結晶ＩＴＯ
からなる画素電極１２を含む透明導電層と有機層間膜１９との間の付着強度の低下及び電
蝕が生じることがなくなり、安定な品質の半透過型液晶表示装置が得られる。
【００４７】
このような有機層間膜１９上に変性層３４を設けることによって上述のような作用・効
果が生じることの理由は次のような理由によるものと推測される。すなわち、Ｈｅガスの
プラズマは、超高温であるため、ポリイミドからなる層間膜１９の表面に接触した際にポ
リイミドの一部を熱分解及びスパッタリングさせるが、同時にポリイミドの表面の一部を
溶融する。この溶融したポリイミドはその後に固まって硬化した変性層３４が得られる。
この硬化した変性層３４は、表面が熱的に安定しているとともに、以降の高温処理工程で
たとえ層間膜１９からガスが発生することがあってもこのガスの透過を抑制し、変性層３
４の表面から上部へのガスの流出が抑えられるため、ＩＴＯ層と変性層３４との間の密着
性が改善されるものと推測される。
【００４８】
なお、本実施例における半透過型液晶表示装置１０においては、一般的にＳｉＮからな
る絶縁層２２が露出することはなく、したがってＳｉＮからなる絶縁層２２の表面にＩＴ
Ｏを設けることはない。しかしながら、半透過型液晶表示装置の額縁部での各種接続配線
を複層構造とする場合あるいは検査用端子を設ける場合などにおいては、ＳｉＮからなる
絶縁層２２の表面にＩＴＯ層を設ける場合がある。このような場合においても、ＳｉＮか
らなる絶縁層２２の表面に変性層３５を設けることは有効である。
【００４９】
すなわち、図２に示すように、ＳｉＮからなる絶縁膜２２の表面に上述の場合と同様に
してＨｅガスのプラズマにより変性層３５を形成し、この変性層３５上にアモルファスＩ
ＴＯ層を常温かつ水添加雰囲気でプラズマＣＶＤ法により成膜し、成膜後に１８０℃程度
以上、１時間程度以上の熱処理を施すことにより、アモルファスＩＴＯ層３１に変換する
。
【００５０】
次いで、アモルファスＩＴＯ層３１の表面に所定のパターンとなるようにフォトレジス
ト膜３２を設け、塩酸と硝酸の混合エッチング液によりアモルファスＩＴＯ層３１の露出
面を湿式エッチングする。そうすると、ＳｉＮからなる絶縁膜２２の変性層３５上のアモ
ルファスＩＴＯ層３１は、図２に示したように、端面が順テーパ状となったサイドエッチ
ング部Ｄ２が形成された状態となる。
【００５１】
したがって、この場合においても、その他の製造段階を順に経ても、製品として出荷さ
れる多結晶ＩＴＯとＳｉＮからなる絶縁膜２２との間の付着強度の低下及び電蝕が生じる
ことがなくなり、安定な品質の半透過型液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例におけるポリイミドからなる層間膜の表面に設けたアモルファスＩＴＯのエッチング状態を示す断面図である。
【図２】実施例におけるＳｉＮからなる絶縁膜の表面に設けたアモルファスＩＴＯのエッチング状態を示す断面図である。
【図３】従来例の液晶表示装置の数画素分の平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】ポリイミドからなる層間膜の表面に設けたアモルファスＩＴＯのエッチング状態を示す断面図である。
【図６】ＳｉＮからなる絶縁膜の表面に設けたアモルファスＩＴＯのエッチング状態を示す断面図である
【符号の説明】
【００５３】
１０、５０    液晶表示装置
１１    第１の透光性基板
１２    画素電極
１３    補助容量電極
１４    画素トランジスタ
１５    透光性基板
１６    共通電極
１７    コンタクトホール
１８    ゲート絶縁膜
１９    層間膜
２０    液晶
２１    アモルファス−Ｓｉ層
２２    ＳｉＮからなる絶縁層
２３    トップコート層
２４    反射板
３１    アモルファスＩＴＯ層
３２    フォトレジスト膜
３４、３５    変性層
ＣＦ    カラーフィルタ層
ｄ１、ｄ２    逆テーパ状のサイドエッチング部
Ｄ１、Ｄ２    順テーパ状のサイドエッチング部
【図１】
2007183452.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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