(57)【要約】      （修正有）【解決手段】シングルカソードパルススパッタリング法による二酸化チタン薄膜の成膜方法において、ターゲット電極に印加する印加電力のデューティ比を６０％以下としたこと、又はデュアルカソードパルススパッタリング法による二酸化チタン薄膜の成膜方法において、２つのターゲット電極にそれぞれ印加する印加電力のデューティ比を４０％以下としたことを特徴とする結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。【効果】本発明により、低温あるいは無加熱基板への結晶性二酸化チタン薄膜の形成が可能となり、耐熱性の低い基板、例えば高分子フィルム上にも３００℃以下の低温基板加熱あるいは全くの基板無加熱にて結晶性二酸化チタンを形成することができる。フィルムへのＲｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ連続成膜も容易で、これにより光触媒フィルムを容易に作製できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シングルカソードパルススパッタリング法による二酸化チタン薄膜の成膜方法において、ターゲット電極に印加する印加電力のデューティ比を６０％以下としたことを特徴とする結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項２】
１パルスに対応するピーク電流が、同一印加電力密度におけるデューティ比８０％の場合のピーク電流値の１．５倍以上であることを特徴とする請求項１記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項３】
ターゲット電極に印加する印加電力の周波数が１〜２００ｋＨｚであることを特徴とする請求項１又は２記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項４】
２つのターゲット電極に交互に電力を印加するデュアルカソードパルススパッタリング法による二酸化チタン薄膜の成膜方法において、前記２つのターゲット電極にそれぞれ印加する印加電力のデューティ比を４０％以下としたことを特徴とする結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項５】
１パルスに対応するピーク電流が、同一印加電力密度におけるデューティ比４５％の場合のピーク電流値の１．３倍以上であることを特徴とする請求項４記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項６】
ターゲットに印加する印加電力の周波数が１〜２００ｋＨｚであることを特徴とする請求項４又は５記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項７】
ターゲットとしてＴｉ金属又はＴｉを主成分とする合金を使用し、酸素ガスを導入して反応性スパッタリングにより成膜することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項８】
Ｔｉを主成分とした合金が、ＴｉとＴａ、Ｎｂ又はＶとの合金であることを特徴とする請求項７記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項９】
ターゲットとして導電性ＴｉＯx（但し、ｘは１．６０〜１．９５）の焼結体ターゲットを用いた請求項１乃至６のいずれか１項記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項１０】
基板上に二酸化チタン薄膜を成膜するに際し、基板を３００℃以下で加熱するか又は無加熱でスパッタリングを行うことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項１１】
基板がプラスチックフィルムである請求項１０記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項記載の成膜方法により得られる結晶性二酸化チタン薄膜からなる光触媒薄膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シングルカソードパルススパッタリング法、又はデュアルカソードパルススパッタリング法により、低温あるいは無加熱の基板上へ結晶性二酸化チタン薄膜を形成する成膜方法及びそれによって得られる結晶性二酸化チタン薄膜からなる光触媒薄膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、スパッタリング法は、薄膜形成手段として広く用いられており、真空蒸着法やＣＶＤ法等の他の成膜手段に対して、緻密で平滑な薄膜が比較的低温のプロセスで得られるという長所がある。一方、スパッタリング法で形成した薄膜はアモルファスとなることが多く、結晶性膜を得るには、一般に基板を高温に加熱しながらスパッタリングすることが必要である。このため、高分子フィルムなど耐熱性の低い基板を用いる場合や、基板に耐熱性の低い材料が使用される場合、その上から成膜する際、それぞれの耐熱温度を上回る加熱ができず、結果として結晶性の高い薄膜を形成することが困難であった。
【０００３】
特にＤＣスパッタリング法に対して、放電をより安定に長時間維持することを目的に、パルススパッタリング法が開発され、広く用いられるようになった。パルススパッタリング法は、一定の周期でターゲットに印加する印加電力のオン／オフを繰り返すもので、１周期中のオンの時間の比率であるデューティ比は７０％以上で使用されることが多い。この場合、アーキングの回避など放電安定性が増し、成膜時のピンホールが低減されるが、その他の薄膜物性としては、ＤＣスパッタリング法で成膜した場合と大きく変わらず、特に低温或いは無加熱の基板上への成膜では結晶性の高い薄膜は得られないものであった。
【０００４】
また、従来より２つのカソードを配置し、これらカソードに交互に電力を印加し、この際、電力としてパルス電力を付加するデュアルカソードパルススパッタリング法も知られているが、従来の方法では同様に結晶性薄膜は得られないものであった。
【０００５】
ところで、従来より二酸化チタンは光触媒として使用されているが、光触媒として有効な結晶性二酸化チタン薄膜をスパッタリングによって得るためには、通常３００℃を超える温度での基板加熱が必要であるが、高分子フィルムなどの耐熱性の低い基板には適用できない場合があり、このため低温において結晶性の二酸化チタン薄膜を形成し得るスパッタリング法が要望されていた。
【０００６】
なお、本発明に関連する先行文献としては次のものが挙げられる。
【特許文献１】特開２００３−１１７４０４号公報
【特許文献２】特開２００４−１４３５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、シングルカソードパルススパッタリング法、又はデュアルカソードパルススパッタリング法において、低温あるいは無加熱の基板上へ結晶性二酸化チタン薄膜を形成する成膜方法及びそれによって得られる結晶性二酸化チタン薄膜からなる光触媒薄膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、結晶性の高い二酸化チタン薄膜を得るには、プラズマ密度を高め、プラズマ中の活性な粒子密度を上げることが重要であること、この場合、デューティ比を低下させることにより、瞬間的に大きな放電電流が流れ、それに伴いプラズマ中の活性粒子密度が向上し、結晶性の高い酸化チタン薄膜が得られること、このようにデューティ比を低下させたパルススパッタリングは低温で行うことができ、低温あるいは無加熱基板への結晶性酸化チタン薄膜の形成が可能となることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００９】
即ち、本発明は下記結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法及び光触媒薄膜を提供する。
［１］シングルカソードパルススパッタリング法による二酸化チタン薄膜の成膜方法において、ターゲット電極に印加する印加電力のデューティ比を６０％以下としたことを特徴とする結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［２］１パルスに対応するピーク電流が、同一印加電力密度におけるデューティ比８０％の場合のピーク電流値の１．５倍以上であることを特徴とする［１］記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［３］ターゲット電極に印加する印加電力の周波数が１〜２００ｋＨｚであることを特徴とする［１］又は［２］記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［４］２つのターゲット電極に交互に電力を印加するデュアルカソードパルススパッタリング法による二酸化チタン薄膜の成膜方法において、前記２つのターゲット電極にそれぞれ印加する印加電力のデューティ比を４０％以下としたことを特徴とする結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［５］１パルスに対応するピーク電流が、同一印加電力密度におけるデューティ比４５％の場合のピーク電流値の１．３倍以上であることを特徴とする［４］記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［６］ターゲットに印加する印加電力の周波数が１〜２００ｋＨｚであることを特徴とする［４］又は［５］記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［７］ターゲットとしてＴｉ金属又はＴｉを主成分とする合金を使用し、酸素ガスを導入して反応性スパッタリングにより成膜することを特徴とする［１］乃至［６］のいずれか１項記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［８］Ｔｉを主成分とした合金が、ＴｉとＴａ、Ｎｂ又はＶとの合金であることを特徴とする［７］記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［９］ターゲットとして導電性ＴｉＯx（但し、ｘは１．６０〜１．９５）の焼結体ターゲットを用いた［１］乃至［６］のいずれか１項記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［１０］基板上に二酸化チタン薄膜を成膜するに際し、基板を３００℃以下で加熱するか又は無加熱でスパッタリングを行うことを特徴とする［１］乃至［９］のいずれか１項記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［１１］基板がプラスチックフィルムである［１０］記載の結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
［１２］［１］乃至［１１］のいずれか１項記載の成膜方法により得られる結晶性二酸化チタン薄膜からなる光触媒薄膜。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、低温あるいは無加熱基板への結晶性二酸化チタン薄膜の形成が可能となり、耐熱性の低い基板、例えば高分子フィルム上にも３００℃以下の低温基板加熱あるいは全くの基板無加熱にて結晶性二酸化チタンを形成することができる。フィルムへのＲｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ連続成膜も容易で、これにより光触媒フィルムを容易に作製できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のスパッタリングによる結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法は、シングルカソードパルススパッタリング法又はデュアルカソードスパッタリング法によって行うものである。パルススパッタリングは、図１に示したように、ＤＣスパッタリングが一定の電力を印加し、一定の電圧・電流にてスパッタリングを行う（図４参照）ものであるのに対し、パルス電圧（パルス電力）を与えてスパッタリングを行うもので、シングルカソードパルススパッタリングの場合、電流をオン／オフする１周期の時間に対する電流をオンにしている時間の割合をデューティ比とすると、
デューティ比＝［オン時間／（オン時間＋オフ時間）］×１００（％）
と表され、このデューティ比を６０％以下にすることで、結晶性の薄膜を形成し得るものである。
【００１２】
一方、デュアルカソードパルススパッタリングは、図２に示したように、２つのカソードＡ，Ｂを配置し、これらカソードＡ，Ｂに交互にパルス電圧（パルス電力）を印加するもので、この場合、一方がカソード（陰極）として放電している時、他方はアノード（陽極）として作用するものであり、通常はデポレート（成膜速度）を稼ぐためにカソードＡ，Ｂのデューティ比を合わせると１００％に近い設定をするものであるが、図３（ａ），（ｂ）に示すカソードＡ，Ｂにおけるそれぞれの１周期の時間に対するオン時間の割合であるデューティ比、即ち、
デューティ比（Ａ）＝［Ｘa／（Ｘa＋Ｙa）］×１００（％）
デューティ比（Ｂ）＝［Ｘb／（Ｘb＋Ｙb）］×１００（％）
（Ｘa：カソードＡのオン時間、Ｙa：カソードＡのオフ時間）
（Ｘb：カソードＢのオン時間、Ｙb：カソードＢのオフ時間）
において、それぞれのカソードでのデューティ比を４０％以下とすることにより、結晶性薄膜が形成されるものである。
【００１３】
更に詳述すると、本発明の結晶性薄膜の成膜方法は、上述した通り、ターゲット電極（カソード）に印加する電力を間欠的に変化させるパルススパッタリング法、更に、このパルススパッタリング法に複数のカソード配置を基本構成としたデュアルカソードパルススパッタリング法が用いられる。これらのスパッタリング法は、よりよい真空度でのプラズマ放電にも対応させるため、マグネトロンスパッタリング法を用いることが好ましく、また安定したパルス電流の発生と条件設定の自由度をもたせるため、パルス発生ユニットにはバイポーラ型又はユニポーラ型を用いることが好ましい。
【００１４】
図５は本発明に従って基板上に結晶性二酸化チタン薄膜を形成した状態の一例を示す断面図である。
図５において、１１は基板であり、その上に結晶性二酸化チタン薄膜層１２が設けられている。なお、図には示さないが、光触媒による分解が懸念されるプラスチックなどの基板１１を使用する際は、この影響を抑制するため、基板１１と結晶性二酸化チタン薄膜層１２の間に下地層を設け、両者を隔絶してもよい。
【００１５】
本発明によれば、基板の加熱温度を３００℃以下、好ましくは１５０℃以下又は無加熱として成膜することが可能であるため、ガラスは言うまでもなく、プラスチックフィルムなど低融点のものまで幅広い基板材料を用いることが可能である。
【００１６】
この場合、プラスチックフィルムとしては、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に強度面でＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥＳ、ＰＣ、ＴＡＣが好ましい。
【００１７】
なお、上記基板１１の厚さは、２５μｍ〜５ｍｍが一般的であり、２５μｍ〜３ｍｍが好適に用いられる。
【００１８】
上記本発明の結晶性二酸化チタン薄膜層１２は、シングルカソードパルススパッタリング法、又はデュアルカソードパルススパッタリング法を用いてターゲットをスパッタリングすることにより形成される。
これらのスパッタリング法は、不活性ガスの存在下で行うか、又は不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスの存在下で行うことができる。
その際、１周期中のオンの時間の比率であるデューティ比を低下させることにより、瞬間的に大きな放電電流が流れ、それに伴いプラズマ中の活性粒子密度が向上し、結晶性の高い薄膜層が得られる。
【００１９】
この大電流放電誘発と活性粒子密度向上の効果は、シングルカソードパルススパッタリング法では、デューティ比６０％以下で現れ、このときのピーク電流は、同一印加電力密度（通常２〜１０Ｗ／ｃｍ2の範囲）において、通常同方法で用いられているデューティ比８０％のときのピーク電流の１．５倍以上となる。従って、同方法においては、デューティ比６０％以下で、同一印加電力密度（通常２〜１０Ｗ／ｃｍ2の範囲）において、通常同方法で用いられているデューティ比８０％のときのピーク電流の１．５倍以上となるように実施することが好ましい。
【００２０】
一方、この大電流放電誘発と活性粒子密度向上の効果は、デュアルカソードパルススパッタリング法では、デューティ比４０％以下で現れ、このときのピーク電流は、同一印加電力密度（通常２〜２５Ｗ／ｃｍ2の範囲）において、通常同方法で用いられているデューティ比４５％のときのピーク電流の１．３倍以上となる。従って、同方法においては、デューティ比４０％以下で、同一印加電力密度（通常２〜２５Ｗ／ｃｍ2の範囲）において、通常同方法で用いられているデューティ比４５％のときのピーク電流の１．３倍以上となるように実施することが好ましい。
【００２１】
しかし、一方で過度にデューティ比を低下させることは、放電の不安定化を招き、また成膜速度の低下も招くおそれがあり、このため、本発明のデューティ比としては、シングルカソードパルススパッタリング法の場合、６０〜１５％、より好ましくは５５〜２０％であり、デュアルカソードパルススパッタリング法の場合、４０〜１０％、より好ましくは３５〜１５％である。
【００２２】
なお、デュアルカソードパルススパッタリング法ではアーキングが極めて生じにくく、ターゲットへ大電力を投入できるため、成膜速度を大きくできると共に、ターゲットを複数用いて交互に放電することで、このデューティ比下限値をより低く設定でき、好適である。
【００２３】
シングルカソードパルススパッタリング法、デュアルカソードパルススパッタリング法のいずれの場合も、ターゲット電極に印加するパルスの周波数は１〜２００ｋＨｚ、更に好ましくは２０〜８０ｋＨｚである。１ｋＨｚ未満では、パルス化によるアーキング防止などの効果が低くなるおそれがあり、２００ｋＨｚを超えても通常それ以上の効果が得られない。
【００２４】
本発明におけるターゲットとしては、Ｔｉ金属又はＴｉを主成分とし他の元素を添加した合金を使用し、特に不活性ガス及び酸素ガス等を併用する反応性スパッタリングにより成膜することができる。ここで、Ｔｉを主成分とした合金の他の添加元素としては、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖなどが挙げられる。また、ターゲットとして、酸化チタン、特に導電性ＴｉＯx（但し、ｘは１．６０〜１．９５）を使用してもよい。
【００２５】
更にまた、デュアルカソードパルススパッタリング法は、不活性ガス及び酸素ガス等を併用する反応性スパッタリングで結晶性二酸化チタン薄膜を形成する際に有用である。即ち、該反応性スパッタリングを高速で行うことができ、且つスパッタリング中にターゲットの縁部に形成される酸化物絶縁膜のチャージアップが抑えられるため、安定した放電が得られることから、形成される結晶性二酸化チタン薄膜の品質が向上する。（例えばピンホールフリーな高密度薄膜が得られる。）
【００２６】
上記スパッタリングを行う際、成膜圧力は０．１〜５Ｐａ、特に０．２〜３Ｐａが好ましく、不活性ガスに加えて所望により酸素ガスを導入することが好ましい。
【００２７】
投入電力も適宜選定されるが、高い投入電力とすることが好ましく、この場合、ターゲットへの投入電力密度を一般に２Ｗ／ｃｍ2以上、特に３Ｗ／ｃｍ2以上とすることが好ましい。この場合、投入電力密度が２Ｗ／ｃｍ2未満であると、結晶性が高く、均質な膜を得ることができなくなる場合がある。
【００２８】
なお、形成される結晶性二酸化チタン薄膜の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが一般的であり、本発明によれば、低温、高速で結晶性二酸化チタン薄膜を得ることができることから、例えば、基板として連続フィルムを用いて巻き取りながら、薄膜を形成することも可能である。
【００２９】
本発明によって得られる結晶性二酸化チタン薄膜は光触媒として好適に用いられるが、その使用方法としては公知の光触媒の使用法に準じることができる。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００３１】
［実施例１］
デュアルカソードスパッタリング装置の２つのカソードにそれぞれＴｉターゲット（放電面積２７０ｃｍ2／１個）を設置し、基板として１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、一旦、５×１０-4Ｐａまで真空引きした後に、装置内にＡｒガスを導入して、０．５Ｐａとし、電力３ｋＷ、デューティ比２０％のパルス電力を５０ｋＨｚの周波数でそれぞれ交互に各ターゲット電極に印加し、反応性ガスとして酸素ガスを用いて反応性パルススパッタリングを行った。反応性ガスはプラズマの発光をモニタリングし、５００ｎｍの発光強度がＡｒのみでスパッタした場合の約２０％の強度となるようにフィードバック制御して酸素を導入し、二酸化チタン薄膜を無加熱の基板上に２００ｎｍになるまで成膜させた。この薄膜を公知のＸ線回折法に基づき分析した結果、アナターゼ型二酸化チタン結晶に帰属する回折ピークが認められたことから、結晶性薄膜であることを確認した。
【００３２】
［比較例１］
デュアルカソードスパッタリング装置の２つのカソードにそれぞれＴｉターゲット（放電面積２７０ｃｍ2／１個）を設置し、基板として１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、一旦、５×１０-4Ｐａまで真空引きした後に、装置内にＡｒガスを導入して、０．５Ｐａとし、電力３ｋＷ、デューティ比４５％のパルス電力を５０ｋＨｚの周波数でそれぞれ交互に各ターゲット電極に印加し、反応性ガスとして酸素ガスを用いて反応性パルススパッタリングを行った。反応性ガスはプラズマの発光をモニタリングし、５００ｎｍの発光強度がＡｒのみでスパッタした場合の約２０％の強度となるようにフィードバック制御して酸素を導入し、二酸化チタン薄膜を無加熱の基板上に２００ｎｍになるまで成膜させた。この薄膜を公知のＸ線回折法に基づき分析した結果、ブロードパターンのみが認められたことから、アモルファス薄膜であることを確認した。
【００３３】
［実施例２］
シングルカソードスパッタリング装置のカソードにＴｉターゲット（放電面積２７０ｃｍ2）を設置し、基板として１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、一旦、５×１０-4Ｐａまで真空引きした後に、装置内にＡｒガスを導入して、０．５Ｐａとし、電力２ｋＷ、デューティ比４０％のパルス電力を８０ｋＨｚの周波数でターゲット電極に印加し、反応性ガスとして酸素ガスを用いて反応性パルススパッタリングを行った。反応性ガスはプラズマの発光をモニタリングし、５００ｎｍの発光強度がＡｒのみでスパッタした場合の約２０％の強度となるようにフィードバック制御して酸素を導入し、二酸化チタン薄膜を無加熱の基板上に２００ｎｍになるまで成膜させた。この薄膜を公知のＸ線回折法に基づき分析した結果、アナターゼ型二酸化チタン結晶に帰属する回折ピークが認められたことから、結晶性薄膜であることを確認した。
【００３４】
［比較例２］
シングルカソードスパッタリング装置のカソードにＴｉターゲット（放電面積２７０ｃｍ2）を設置し、基板として１８８μｍのＰＥＴフィルムをセットし、一旦、５×１０-4Ｐａまで真空引きした後に、装置内にＡｒガスを導入して、０．５Ｐａとし、電力２ｋＷ、デューティ比８０％のパルス電力を８０ｋＨｚの周波数でターゲット電極に印加し、反応性ガスとして酸素ガスを用いて反応性パルススパッタリングを行った。反応性ガスはプラズマの発光をモニタリングし、５００ｎｍの発光強度がＡｒのみでスパッタした場合の約２０％の強度となるようにフィードバック制御して酸素を導入し、二酸化チタン薄膜を無加熱の基板上に２００ｎｍになるまで成膜させた。この薄膜を公知のＸ線回折法に基づき分析した結果、ブロードパターンのみが認められたことから、アモルファス薄膜であることを確認した。
【００３５】
更に、上記実施例１，２、比較例１，２で得られた酸化チタン薄膜が形成されたフィルムを用いて光触媒性能を評価した。
【００３６】
［光触媒性能評価］
上記実施例１，２、比較例１，２の各々の酸化チタン薄膜形成フィルムを２２ｍｌアマランス（赤色顔料）溶液（３ｍｇ／ｌ）中に浸し、該溶液液面に向けて２５０Ｗの超高圧水銀灯を２０分間照射し、該溶液の濃度をＵＶ−可視光度計で測定するとともに下記式に基づきアマランスの分解率を求めた。結果を表１に示す。
アマランス分解率（％）＝（Ｔ20−Ｔ0）／（Ｔr−Ｔ0）×１００
（但し、Ｔ20：２０分後の透過率、Ｔ0：最初のアマランス溶液の透過率、Ｔr：アマランスを含まない溶液の透過率）
【００３７】
【表１】
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【００３８】
以上より、実施例は光触媒活性の高い光触媒フィルムであることが認められた。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】パルススパッタリング法における電圧と時間との関係の説明図である。
【図２】デュアルカソードパルススパッタリング法の説明図である。
【図３】デュアルカソードパルススパッタリング法における電圧と時間との関係を示し、（ａ）は一方のカソードＡの電圧と時間との関係の説明図、（ｂ）は他方のカソードＢの電圧と時間との関係の説明図である。
【図４】従来のＤＣスパッタリング法における電圧と時間との関係の説明図である。
【図５】本発明に従って得られる結晶性薄膜の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１１  基板
１２  結晶性二酸化チタン薄膜層
【図１】
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【図２】
2007308729.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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