(57)【要約】【課題】  共通の露光、現像、及び焼成によって樹脂膜の異なる位置に個別に必要な形状を設ける場合に、熱変形させたい形状と熱変形させたくない形状とを個別に熱変形させることができる電気光学装置を提供する。【解決手段】  液晶層１２と、ガラス転移温度Ｇ１を有する感光性樹脂膜２２ａと、感光性樹脂膜２２ａの上に形成されたガラス転移温度Ｇ１よりも低いガラス転移温度Ｇ２を有する感光性樹脂膜２２ｂとを有する液晶装置である。露光処理及び焼成処理によって感光性樹脂膜２２ａと感光性樹脂膜２２ｂのそれぞれに必要な形状が正確に設けられる。必要な形状としては、反射光散乱用の凹凸パターンや、コンタクトホール２５や、液晶層１２の膜厚調整用の凹部２７等がある。樹脂膜２２ｂ上の凹凸パターンは比較的大きく平坦化し、樹脂膜２２ａ内のコンタクトホール２５の平坦化を少なくできる。【選択図】        図３
2007041186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
電気光学物質の層と、
前記基板の上に配置された所定のガラス転移温度を有する第１感光性樹脂膜と、
該第１感光性樹脂膜の上に形成された前記所定のガラス転移温度よりも低いガラス転移温度を有する第２感光性樹脂膜と、を有し、
露光処理及び焼成処理によって前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜のそれぞれが所定の形状で設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、
前記第２感光性樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンと、
前記第２感光性樹脂膜の表面上に配置された第２導電膜と、
前記第１感光性樹脂膜と前記基板との間に配置された第１導電膜と、
前記第１感光性樹脂膜及び前記第２感光性樹脂膜を貫通して設けられ、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを導通させるコンタクトホールと、を有し、
露光処理及び焼成処理によって設けられる前記所定の形状は、前記第１感光性樹脂膜に関しては前記コンタクトホールであり、前記第２感光性樹脂膜に関しては前記凹凸パターンである
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２記載の電気光学装置において、
前記基板上に設けられたスイッチング素子をさらに有し、
前記第１導電膜は前記スイッチング素子の電極であり、前記第２導電膜は前記電気光学物質の層に電圧を印加する電極である
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１記載の電気光学装置において、
反射光を用いて表示を行う反射表示領域と、
透過光を用いて表示を行う透過表示領域と、が設けられ、
前記第２感光性樹脂膜の表面には凹凸パターンが設けられ、
前記反射表示領域における前記電気光学物質の層の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学物質の層の層厚よりも薄くする絶縁膜が少なくとも前記第１感光性樹脂膜によって構成されるとともに、前記第１感光性樹脂膜には前記透過表示領域に対応した凹部が設けられてなり
露光処理及び焼成処理によって形成される前記所定の形状は、前記第１感光性樹脂膜に関しては前記凹部であり、前記第２感光性樹脂膜に関しては前記凹凸パターンである
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記第２感光性樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンの上に光反射膜が設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記第２感光性樹脂膜の膜厚は前記第１感光性樹脂膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
所定のガラス転移温度を有する第１感光性樹脂材料の層を基板上に形成する工程と、
前記所定のガラス転移温度よりも低いガラス転移温度を有する第２感光性樹脂材料の層を前記第１感光性樹脂材料の層の上に形成する工程と、
前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を露光する工程と、
露光された前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を現像する工程と、
現像によって前記第１感光性樹脂材料の層から得られた第１感光性樹脂膜及び現像によって前記第２感光性樹脂材料の層から得られた第２感光性樹脂膜を焼成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を露光する工程では、前記第２感光性樹脂材料の層の表面に凹凸パターンの露光像を形成する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の電気光学装置の製造方法において、前記焼成する工程は、前記第２感光性樹脂材料のガラス転移温度よりも高い温度で焼成を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７から請求項９のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２感光性樹脂膜の上に配置された第２導電膜と、
前記第１感光性樹脂膜と前記基板との間に配置された第１導電膜と、
前記第１感光性樹脂膜及び前記第２感光性樹脂膜を貫通して設けられ、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを導通させるコンタクトホールと、を有する電気光学装置を製造する製造方法において、
前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を露光する工程では、前記コンタクトホールの露光像が形成される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法であって、
反射光を用いて表示を行う反射表示領域と、
透過光を用いて表示を行う透過表示領域と、
前記反射領域内で前記第２感光性樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンと、
前記透過表示領域内で前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜とにわたって設けられて、前記透過表示領域内の前記電気光学物質の層の層厚を大きくする凹部と、
を有する電気光学装置を製造する製造方法において、
前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を露光する工程では、前記凹部の露光像が前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜とにわたって形成される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７から請求項１１のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、前記第２感光性樹脂材料の層の厚さは前記第１感光性樹脂材料の層の厚さよりも薄いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、ＥＬ（Electro Luminescence）装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶装置等といった電気光学装置は基板を有し、その基板上に種々の樹脂膜が設けられる。そして、それら種々の樹脂膜によって液晶装置の内部に種々の形状が形成される。例えば、電気光学装置として液晶装置を考えたとき、その液晶装置によって反射型表示を行う際に光反射膜で鏡面反射が生じることを防止するために、光反射膜の下層の樹脂膜の表面に凹凸パターンを必要な形状として設けることがある。
【０００３】
また、層間絶縁膜の上面に配置された導電膜と、その層間絶縁膜の下面に配置された他の導電膜とを電気的に導通させるために、その層間絶縁膜の適所に貫通穴であるコンタクトホールを必要な形状として設けることがある。
【０００４】
また、電気光学装置として液晶装置を考えるとき、その液晶装置は一般に、一対の基板と、それらの基板の間に配置された電気光学物質の層としての液晶層とを有する。また、ドットマトリクス方式の液晶装置では、表示の最小単位であるサブ画素が複数個、平面内でマトリクス状に配列されて表示領域が形成され、その表示領域内に文字、数字、図形等といった像が形成される。また、いわゆる半透過反射型の液晶装置では、表示の最小単位であるサブ画素の中に反射表示領域と透過表示領域の２つの領域が設けられる。
【０００５】
反射表示領域は、サブ画素内の一部の領域に光反射膜を設けることによって形成される領域である。反射型表示を行う場合には、太陽光、室内光等といった外部光を液晶装置の内部において上記の光反射膜で反射させ、その反射光を用いて表示が行われる。また、透過表示領域は、サブ画素内の一部の領域に光反射膜を設けることなく、その領域内で光の透過を許容することによって形成される領域である。透過型表示を行う場合には、バックライト等といった照明装置から供給される光が上記の透過表示領域を透過し、その透過光を用いて表示が行われる。
【０００６】
サブ画素内に反射表示領域と透過表示領域とを設けた液晶装置においては、反射表示領域に対応する液晶層の厚さと、透過表示領域に対応する液晶層の厚さを異ならせることがある。具体的には、反射表示領域に対応する液晶層の厚さを透過表示領域に対応する液晶層の厚さよりも薄くすることがある。より具体的には、反射表示領域に対応する液晶層の厚さを透過表示領域に対応する液晶層の厚さの１／２に設定することがある。
【０００７】
上記のように反射表示領域と透過表示領域とで液晶層の層厚を異ならせるのは、反射表示領域内で光が液晶層を２回通過する反射型表示の場合と、透過表示領域内で光が液晶層を１回しか通過しない透過型表示の場合とで、液晶層のリタデーション（Δｎ・ｄ）を均一にして鮮明な表示を得るためである。
【０００８】
上記のような半透過反射型の液晶装置であって、反射型表示と透過型表示とで液晶層の層厚を異ならせる構造の液晶装置においては、反射表示領域で厚く、透過表示領域で薄い樹脂膜を基板上に設けることにより、液晶層の層厚を異ならせることが多い。この構成の場合には、樹脂膜の透過表示領域に対応する部分には凹部が必要な形状として設けられる。
【０００９】
従来から、樹脂膜の適所に必要な形状としてのコンタクトホールを形成するようにした電気光学装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１の図４に開示された液晶装置では、平坦化層と四分の一波長板層との２層にわたって貫通穴であるコンタクトホールが形成されている。
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−１６０５０７号公報（第５頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１に開示された液晶装置では、四分の一波長板層として１軸配向した高分子液晶膜が用いられており、その液晶膜と樹脂膜である平坦化膜との２層構造にわたってコンタクトホールが形成されているが、このような２層構造は、コンタクトホールの周辺にコンタクトホール以外の何等かの形状を併せて形成するための構造ではなく、コンタクトホールそれ自体は単独の形状として形成されているものである。また、高分子液晶膜は樹脂膜ではないので、コンタクトホールを形成している樹脂膜は単一であると考えられる。
【００１２】
ところで、液晶装置で用いられる樹脂膜の中には、図１０（ａ）に示すように、樹脂膜１０１の適所に貫通穴であるスルーホール１０２を必要な形状として設けると共に、樹脂膜１０１の表面に凹凸パターン１０３を他の必要な形状として設ける構造のものがある。例えば、スルーホール１０２は樹脂膜１０１の上層に設ける導電膜と樹脂膜１０１の下層に設ける導電膜とを導通させるために用いられる。また、凹凸パターン１０３は樹脂膜１０１の上層に設ける何等かの膜（例えば、光反射膜）に凹凸パターンを付与するために用いられる。
【００１３】
図１０（ａ）に示すように樹脂膜１０１に複数の異なった形状を設ける場合、従来の液晶装置では、樹脂膜１０１が単一の感光性樹脂材料によって形成されていたわけであるが、この構成の場合には、凹凸パターン１０３とコンタクトホール１０２との両者を共に所望の形状に形成することが難しかった。例えば、樹脂膜１０１を熱ダレし易い材料、すなわち高温で流れ易い材料、すなわち高温で平坦化し易い材料によって形成する場合を考えると、露光及び現像によって図１０（ａ）の必要な形状を形成した後、焼成処理を行うと、図１０（ｂ）に示すように、凹凸パターン１０３は適切に熱ダレ、すなわち平坦化して、所望の形状が得られるものの、コンタクトホール１０２は熱ダレの程度、すなわち平坦化の程度が大き過ぎて、コンタクトホール１０２の上端では大径に広がり過ぎ、しかしコンタクトホール１０２の下端では大きくすぼみ過ぎてコンタクト面積が小さくなり過ぎて所望のコンタクト性が得られないという不都合が発生する。
【００１４】
また、逆に、樹脂膜１０１を熱ダレし難い材料、すなわち高温でも流れ難い材料、すなわち高温でも平坦化し難い材料によって形成する場合を考えると、露光及び現像によって図１０（ａ）の形状を形成した後、焼成処理を行うと、図１０（ｃ）に示すように、コンタクトホール１０２は適切に熱ダレ、すなわち平坦化して、所望の形状及び所望のコンタクト性が得られるものの、凹凸パターン１０３は熱ダレの程度、すなわち平坦化の程度が小さ過ぎて、切立った状態になり過ぎる事態が生じてしまう。こうなると、凹凸パターン１０３の上に光反射膜を形成して、その光反射膜に同様の凹凸パターンを付与したとき、その光反射膜で反射した光の散乱特性が広くなり過ぎて、観察者にとって表示が暗くなり過ぎるという不都合が発生する。
【００１５】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、共通の露光、現像、及び焼成によって樹脂膜の異なる位置に個別に必要な形状を設ける場合に、熱変形させたい形状と熱変形させたくない形状とを個別に熱変形させることができる電気光学装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る電気光学装置は、基板と、電気光学物質の層と、前記基板の上に配置された所定のガラス転移温度を有する第１感光性樹脂膜と、該第１感光性樹脂膜の上に形成された前記所定のガラス転移温度よりも低いガラス転移温度を有する第２感光性樹脂膜とを有し、露光、現像、及び焼成によって前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜のそれぞれが所定の形状で設けられることを特徴とする。
【００１７】
上記構成において、「所定の形状」とは、特定の形状に限定されるものではないが、樹脂膜の表面に設けられる散乱光形成用の凹凸パターンや、樹脂膜内に設けられるコンタクトホールや、半透過反射型の液晶装置において透過表示領域を形成するために樹脂膜に設けられる凹部（樹脂膜を貫通する開口部も含む）等が考えられる。
【００１８】
上記構成の本発明に係る電気光学装置によれば、１つの樹脂膜が下層である第１感光性樹脂膜と、上層である第２感光性樹脂膜との少なくとも２つの層によって形成され、さらに、上層である第２感光性樹脂膜のガラス転移温度が、下層である第１感光性樹脂膜のガラス転移温度よりも低く設定されるので、樹脂膜の上層は熱ダレし易く（すなわち、熱によって平坦化し易く）、樹脂膜の下層は熱ダレし難い（すなわち、熱によって平坦化し難い）という熱変形特性を得ることができる。このため、共通の露光、現像、及び焼成によって樹脂膜の異なる位置に個別に必要な形状を設ける場合に、熱変形させたい形状と熱変形させたくない形状とを個別に熱変形させることができる。例えば、樹脂膜の表面では焼成によって大きく熱変形した形状が得られ、同時に、樹脂膜の下部では焼成されても大きく熱変形しない形状が得られる。
【００１９】
次に、本発明に係る電気光学装置は、前記第２感光性樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンと、前記第２感光性樹脂膜の表面上に配置された第２導電膜と、前記第１感光性樹脂膜と前記基板との間に配置された第１導電膜と、前記第１感光性樹脂膜及び前記第２感光性樹脂膜を貫通して設けられ、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを導通させるコンタクトホールとを有することができる。そして、この場合、露光処理及び焼成処理によって設けられる前記所定の形状は、前記第１感光性樹脂膜に関しては前記コンタクトホールであり、前記第２感光性樹脂膜に関しては前記凹凸パターンであるとすることができる。この構成によれば、コンタクトホールの上に在る凹凸パターンは熱によって平坦化した適度な曲率を持った形状とすることができ、一方、コンタクトホールは熱によって平坦化することの無い鋭い起立状態とすることができる。
【００２０】
なお、樹脂膜内にコンタクトホールを有する構造の本発明に係る電気光学装置は、前記基板上に設けられたスイッチング素子をさらに有することができ、この場合には、前記第１導電膜は前記電気光学物質の層に電圧を印加する電極とすることができ、さらに、前記第２導電膜は前記スイッチング素子の電極とすることができる。この構成によれば、スイッチング素子と電極とを導通するコンタクトホールを樹脂膜の内部に所望の起立形状で正確に形成した上で、その樹脂膜の表面には、熱によって平坦化することが望ましい形状（例えば、散乱光作成用の凹凸パターン）を正確に形成できる。
【００２１】
次に、本発明に係る電気光学装置においては、反射光を用いて表示を行う反射表示領域と、透過光を用いて表示を行う透過表示領域とが設けられ、前記第２感光性樹脂膜の表面には凹凸パターンが設けられ、前記反射表示領域における前記電気光学物質の層の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学物質の層の層厚よりも薄くする絶縁膜が少なくとも前記第１感光性樹脂膜によって構成されるとともに、前記第１感光性樹脂膜には前記透過表示領域に対応した凹部が設けられてなり、露光処理及び焼成処理によって形成される前記所定の形状は、前記第１感光性樹脂膜に関しては前記凹部であり、前記第２感光性樹脂膜に関しては前記凹凸パターンであることが望ましい。
【００２２】
この構成によれば、透過表示領域を形成する樹脂膜の凹部の壁を平坦化することの無い起立状態に形成した上で、その樹脂膜の表面には、熱によって平坦化することが望ましい形状（例えば、散乱光作成用の凹凸パターン）を正確に形成できる。
【００２３】
次に、本発明に係る電気光学装置は、前記第２感光性樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンの上に光反射膜を有することが望ましい。この構成によれば、適切な曲率に形成された凹凸パターンによって光反射膜に適切な凹凸パターンを付与でき、それ故、反射光に関して所望の散乱特性及び指向特性を得ることができる。
【００２４】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記第２感光性樹脂膜の膜厚は前記第１感光性樹脂膜の膜厚よりも薄いことが望ましい。本発明において、第２感光性樹脂膜はガラス転移温度が低い材料（すなわち、溶融し易い材料）であり、第１感光性樹脂膜はガラス転移温度が高い材料（すなわち、溶融し難い材料）であるので、上層である第２感光性樹脂膜は下層である第１感光性樹脂膜へ流れ込み易いと考えられる。しかしながら、第２感光性樹脂膜の膜厚を前記第１感光性樹脂膜の膜厚よりも薄くしておけば、第２感光性樹脂材料が第１感光性樹脂材料へ向けて多量に流動することを防止できる。
【００２５】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、（１）所定のガラス転移温度を有する第１感光性樹脂材料の層を基板上に形成する工程と、（２）前記所定のガラス転移温度よりも低いガラス転移温度を有する第２感光性樹脂材料の層を前記第１感光性樹脂材料の層の上に形成する工程と、（３）前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を露光する工程と、（４）露光された前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を現像する工程と、（５）現像によって前記第１感光性樹脂材料の層から得られた第１感光性樹脂膜及び現像によって前記第２感光性樹脂材料の層から得られた第２感光性樹脂膜を焼成する工程とを有することを特徴とする。
【００２６】
上記構成の本発明に係る電気光学装置製造方法によれば、下層である第１感光性樹脂膜と、上層である第２感光性樹脂膜との少なくとも２つの層によって１つの樹脂膜が形成され、さらに、上層である第２感光性樹脂膜のガラス転移温度が、下層である第１感光性樹脂膜のガラス転移温度よりも低く設定されるので、樹脂膜の上層は熱ダレし易く（すなわち、熱によって平坦化し易く）、樹脂膜の下層は熱ダレし難い（すなわち、熱によって平坦化し難い）という熱変形特性を１つの樹脂膜内に得ることができる。このため、１回の焼成処理によって樹脂膜に複数の異なった形状を、いずれの形状に関しても所望の形状で形成することが可能となる。例えば、樹脂膜の表面では焼成によって大きく熱変形した形状が得られ、同時に、樹脂膜の下部では焼成されても大きく熱変形しない形状が得られる。
【００２７】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を露光する工程では、前記第２感光性樹脂材料の層の表面に凹凸パターンの露光像を形成することが望ましい。この構成によれば、第１感光性樹脂膜と第２感光性樹脂膜とにわたって設けられる形状（例えば、コンタクトホール）をあまり平坦化させないで正確に形成した上で、第２感光性樹脂膜の表面に凹凸パターン（すなわち、適度に平坦化させることによって所望の形状となる形状）を所望の形状に正確に形成できる。
【００２８】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記焼成する工程は、前記第２感光性樹脂材料のガラス転移温度よりも高い温度で焼成を行うことが望ましい。こうすれば、第２感光性樹脂材料の層を適度に平坦化させて所望の形状を得ることができる。
【００２９】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、（１）前記第２感光性樹脂膜の上に配置された第２導電膜と、（２）前記第１感光性樹脂膜と前記基板との間に配置された第１導電膜と、（３）前記第１感光性樹脂膜及び前記第２感光性樹脂膜を貫通して設けられ、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを導通させるコンタクトホールと、を有する電気光学装置を製造する製造方法において、（４）前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を露光する工程では、前記コンタクトホールの露光像が形成されることが望ましい。
【００３０】
この構成によれば、樹脂膜の内部にコンタクトホールをしっかりとした起立状態で正確に形成した上で、樹脂膜の上部又はその表面には、熱で大きく平坦化させた方が良い形状（例えば、凹凸パターン）を形成することができる。
【００３１】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、反射光を用いて表示を行う反射表示領域と、透過光を用いて表示を行う透過表示領域と、前記反射領域内で前記第２感光性樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンと、前記透過表示領域内で前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜とにわたって設けられて、前記透過表示領域内の前記電気光学物質の層の層厚を大きくする凹部とを有する電気光学装置を製造する製造方法において、前記第１感光性樹脂材料の層及び前記第２感光性樹脂材料の層を露光する工程では、前記凹部の露光像が前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜とにわたって形成されることが望ましい。
【００３２】
この構成によれば、平坦化することなく急峻な起立状態に在る樹脂膜の凹部の壁によって透過表示領域を正確に区画することができ、その上で、その樹脂膜の上部又はその表面には、熱で大きく平坦化させた方が良い形状（例えば、凹凸パターン）を形成することができる。
【００３３】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２感光性樹脂材料の層の厚さは前記第１感光性樹脂材料の層の厚さよりも薄いことが望ましい。本発明において、第２感光性樹脂膜はガラス転移温度が低い材料（すなわち、溶融し易い材料）であり、第１感光性樹脂膜はガラス転移温度が高い材料（すなわち、溶融し難い材料）であるので、上層である第２感光性樹脂膜は下層である第１感光性樹脂膜へ流れ込み易いと考えられる。しかしながら、第２感光性樹脂膜の厚さを前記第１感光性樹脂膜の厚さよりも薄くしておけば、第２感光性樹脂材料が第１感光性樹脂材料へ向けて多量に流動するということを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（電気光学装置の実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置をその一実施形態である液晶装置を例に挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態は、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。
【００３５】
図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態の側面構造を示している。図２は、図１の液晶装置における１つの画素部分を拡大して示す図であって、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＺ１−Ｚ１線に従ってサブ画素の短手側の断面構造を示している。図３は、図２（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図１の矢印Ｚ３で示す部分を示している。
【００３６】
図１において、電気光学装置としての液晶装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００３７】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。
【００３８】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００３９】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００４０】
素子基板７は、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ３で示す部分の拡大図である図３にも示すように、ソース電極線１９が列方向Ｙ（すなわち、紙面左右方向）に延びている。また、ゲート電極線２１が行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子３１がソース電極線１９及びゲート電極線２１に接続して形成されている。
【００４１】
それらのＴＦＤ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１の上に、それらを覆う樹脂膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００４２】
層間絶縁膜２２は、第１感光性樹脂膜２２ａに第２感光性樹脂膜２２ｂを積層して成る積層構造を有している。各樹脂膜２２ａ，２２ｂは、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。第２感光性樹脂膜２２ｂは、ガラス転移温度が第１感光性樹脂膜２２ａのガラス転移温度よりも低い材料によって形成されている。換言すれば、第２感光性樹脂膜２２ｂは、第１感光性樹脂膜２２ａよりも、熱ダレし易い材料、すなわち高温で流れ易い材料、すなわち高温で平坦化し易い材料によって形成されている。具体的には、これらの樹脂膜の焼成温度が２２０℃であるとき、第１感光性樹脂膜２２ａとしてはガラス転移温度が２５０℃の樹脂材料を用い、第２感光性樹脂膜としてはガラス転移温度が２１０℃の樹脂材料を用いるものとする。つまり、第１感光性樹脂膜２２ａは焼成温度よりも高いガラス転移温度を有する材料によって形成され、第２感光性樹脂２２ｂは焼成温度よりも低いガラス転移温度を有する材料によって形成されている。
【００４３】
また、光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００４４】
光反射膜２３及び画素電極２４は、図１の素子基板７上に矢印Ａ方向から見てドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、各ソース電極線１９と各ゲート電極線２１とが交差する位置に設けられていて、個々のＴＦＴ素子３１に接続されている。
【００４５】
図３において、層間絶縁膜２２には、光反射膜２３とＴＦＴ素子３１とを電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール２５が形成されている。このコンタクトホール２５は、平面的に見てすなわち平面視で、ＴＦＴ素子３１の素子本体部分に重ならない位置であって、光反射膜２３と重なる位置に形成される。
【００４６】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子３１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子３１は、図２（ｂ）において、ゲート電極３２、ゲート絶縁層３３、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層３４、ソース電極３５、そしてドレイン電極３６を有する。ドレイン電極３６は、その一端が半導体層３４に接続し、その他端がコンタクトホール２５を介して光反射膜２３及び画素電極２４に接続する。ソース電極３５は図２（ｂ）の紙面垂直方向（列方向Ｙ）に延びるソース電極線１９の一部として形成されている。また、ゲート電極３２は、ソース電極線１９と直角の方向すなわち図２（ｂ）の左右方向（行方向Ｘ）に延びるゲート電極線２１から延びている。
【００４７】
本実施形態では、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＴ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶装置１において鮮明な表示を行うことができる。
【００４８】
図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００４９】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図３にも示すように、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に共通電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００５０】
個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ（図３の紙面垂直方向）及び列方向Ｙ（図３の左右方向）にマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形成されている。すなわち、遮光膜４２は図３に示すように行方向Ｘに延びるとものと、図２（ｂ）に示すように列方向Ｙに延びるものとが直交する状態に形成されている。
【００５１】
図３において、着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。
【００５２】
なお、着色膜４１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜４２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）等といった遮光性の材料が考えられる。なお、本明細書において、複数色の着色膜を重ねて形成された遮光膜は、重ね遮光膜と呼ばれることがある。
【００５３】
着色膜４１及び遮光膜４２の上に形成されたオーバーコート層４３は、着色膜４１及び遮光膜４２の表面を平坦化するものであり、共通電極４４はこうして平坦化されたオーバーコート層４３の上に形成される。共通電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。共通電極４４の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００５４】
図１において、共通電極４４は、カラーフィルタ基板８の表面の全面に設けられている。一方、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２４とカラーフィルタ基板８上に設けられた共通電極４４とは、矢印Ａ方向から平面的に見てドット状に重なっている。このように重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５５】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図２（ａ）に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。
【００５６】
図２（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従った断面図である図３において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図２（ａ）に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域であり、領域Ｔはサブ画素Ｄ内の残りの長方形状の領域である。
【００５７】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図３において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒで反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図３の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００５８】
層間絶縁膜２２の表面、具体的には第２感光性樹脂膜２２ｂの表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。
【００５９】
層間絶縁膜２２は反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００６０】
次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４６を有している。この張出し部４６の表面には、配線４７がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４７は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４６の辺端には複数の外部接続用端子４８が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４８が設けられた張出し部４６の辺端には、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板（図示せず）が接続される。
【００６１】
複数の配線４７は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４７の一部は、素子基板７上のソース電極線１９（図３参照）に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４７の他の一部は、シール材６に囲まれた領域内において素子基板７の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるように形成されている。これらの配線４７は、素子基板７上のゲート電極線２１（図３参照）に直接に繋がって走査線として機能する。
【００６２】
図１の張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５１を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５２が実装されている。駆動用ＩＣ５２は、ソース電極線１９へデータ信号を伝送し、ゲート電極線２１へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ５２は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ５２を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４６上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。
【００６３】
以上のように構成された液晶装置１によれば、図１において、液晶装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６４】
上記の反射型表示を行う場合、図３において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図３の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００６５】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の共通電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６６】
次に、図２（ｂ）及び図３において、層間絶縁膜２２は第１感光性樹脂膜２２ａに第２感光性樹脂膜２２ｂを積層して成る積層構造を有している。そして、第２感光性樹脂膜２２ａの表面にはフォトリソグラフィ処理によってランダムな凹凸パターンが形成されている。また、第１感光性樹脂膜２２ａと第２感光性樹脂膜２２ｂの両方に共通してコンタクトホール２５が形成されている。また、第１感光性樹脂膜２２ａと第２感光性樹脂膜２２ｂの両方に共通して、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１を厚くするための凹部２７が形成されている。凹部２７は、層間絶縁膜２２が全く無い状態の開口部をも含む意味である。
【００６７】
本実施形態によれば、１つの樹脂膜である層間絶縁膜２２が、下層である第１感光性樹脂膜２２ａと、上層である第２感光性樹脂膜２２ｂとの２つの層によって形成され、さらに、上層である第２感光性樹脂膜２２ｂのガラス転移温度が、下層である第１感光性樹脂膜２２ａのガラス転移温度よりも低く設定されるので、樹脂膜２２の上層は熱ダレし易く（すなわち、熱によって平坦化し易く）、樹脂膜２２の下層は熱ダレし難い（すなわち、熱によって平坦化し難い）という熱変形特性を得ることができる。このため、１回の焼成処理によって樹脂膜２２に複数の形状を、いずれの形状に関しても所望の形状で形成することが可能となる。例えば、樹脂膜２２の表面では、焼成によって適度に熱変形して適度の曲率を持った形状、すなわち凹凸パターンが得られる。そして同時に、樹脂膜２２の下部では焼成されても大きく熱変形しない形状、例えばコンタクトホール３１及び液晶層厚調整用の凹部２７の壁がしっかりとした起立状態で得られる。
【００６８】
次に、第２感光性樹脂膜２２ｂの膜厚Ｈ２は第１感光性樹脂膜２２ａの膜厚Ｈ１よりも薄いことが望ましい。第２感光性樹脂膜２２ｂはガラス転移温度が低い材料（すなわち、溶融し易い材料）であり、第１感光性樹脂膜２ａはガラス転移温度が高い材料（すなわち、溶融し難い材料）であるので、上層である第２感光性樹脂膜３３ｂは下層である第１感光性樹脂膜２２ａへ流れ込み易いと考えられる。しかしながら、本実施形態のように、第２感光性樹脂膜２２ｂの膜厚Ｈ２を第１感光性樹脂膜２２ａの膜厚Ｈ１よりも薄くしておけば、第２感光性樹脂膜２２ｂの材料が第１感光性樹脂膜２２ａの材料へ向けて多量に流動することを防止できる。
【００６９】
（電気光学装置の製造方法の第１実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法について、図１〜図３に示した液晶装置を製造する場合を例に挙げて説明する。図４は本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示している。図４の工程Ｐ１〜工程Ｐ６に至る工程は図１の素子基板７を形成する工程である。また、工程Ｐ１１〜工程Ｐ１６に至る工程は図１のカラーフィルタ基板８を形成する工程である。また、工程Ｐ２１〜工程Ｐ２７に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。
【００７０】
なお、本実施形態では、図１に示す素子基板７及びカラーフィルタ基板８を１つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板８に関しては、複数のカラーフィルタ基板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板及びカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００７１】
まず、図４の工程Ｐ１において、素子側マザー透光性基板の表面にスイッチング素子である図２（ａ）、図２（ｂ）及び図３のＴＦＴ素子３１をフォトエッチング処理等を用いて所定の積層構造、すなわち図２（ｂ）に示す積層構造に形成する。また同時に、図３のソース電極線１９及びゲート電極線２１を所定のパターンに形成する。
【００７２】
次に、工程Ｐ２において、樹脂膜である図３の層間絶縁膜２２が、第１感光性樹脂膜２２ａと第２感光性樹脂膜２２ｂとの積層構造として基板７ａ上に形成される。そしてこのとき、次のような各種の形状が層間絶縁膜２２に形成される。すなわち、層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンが形成され、さらにその内部に開口部又は貫通穴であるコンタクトホール２５が形成され、さらに液晶層厚調整用の凹部２７が形成される。この工程についての詳細は後述する。
【００７３】
次に、工程Ｐ３において、図３の光反射膜２３をＡｌ又はＡｌ合金を材料としてフォトエッチング処理によって所定のドット形状に形成する。光反射膜２３はサブ画素Ｄの一部に形成され、残りの一部には光反射膜２３は形成されない。光反射膜２３が形成された領域が反射表示領域Ｒとなり、光反射膜２３が形成されない領域が透過表示領域Ｔとなる。
【００７４】
次に、工程Ｐ４において、図３の画素電極２４をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって所定のドット形状に形成する。このとき、画素電極２４は光反射膜２３の直上に該光反射膜２３を覆うように形成される。画素電極２４が形成された領域に基づいてサブ画素Ｄが規定される。なお、画素電極２４と光反射膜２３は、導電性及び光反射性の両方を有する金属材料、例えばＡｌ、Ａｌ合金の単層によって形成することもできる。光反射膜２３上に画素電極２４を形成したとき、その画素電極２４はコンタクトホール２５の内部にも配置されて、スイッチング素子３１のドレイン電極３６に接続される。
【００７５】
次に、工程Ｐ５において、図４の配向膜２６ａが、例えばポリイミドを印刷することによって形成される。次に、工程Ｐ６において、配向膜２６ａにラビング処理が施される。以上により、素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素が形成されて大面積の素子側マザー基板が形成される。
【００７６】
次に、図４の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー透光性基板の表面上に、図３の着色膜４１を形成し、同時に各色の着色膜４１を重ねることによって遮光部材、すなわちブラックマスク（ＢＭ）４２を形成する。遮光部材４２は、例えば、個々の表示ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターンに形成される。着色膜４１については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１２において、図４のオーバーコート層４３を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００７７】
次に、工程Ｐ１３において、図３の共通電極４４をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１４において図３の配向膜２６ｂを形成し、さらに工程Ｐ１５において、配向処理としてのラビング処理を行う。さらにその後、工程Ｐ１６において、図１のシール材６が、例えばエポキシ系樹脂を印刷することによって長方形又は正方形の環状に形成される。以上により、カラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素が形成されて大面積のカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００７８】
その後、図４の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶パネルの領域において図１のシール材６を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００７９】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材６を、工程Ｐ２２において熱硬化又は紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材６に設けた液晶注入用の開口は、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されたときに外部に露出する。
【００８０】
次に、図４の工程Ｐ２４において、上記のシール材６の液晶注入用開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その液晶注入用開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００８１】
次に、図４の工程Ｐ２６において、図１の基板張出し部４６の表面に駆動用ＩＣ５２を実装し、さらに、図１の偏光板１８ａ及び１８ｂを液晶パネル２に接着する。そしてさらに、工程Ｐ２７において、図１の照明装置３を液晶パネル２に取付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【００８２】
（絶縁膜形成工程）
以下、図４の工程Ｐ２の絶縁膜形成工程について、図５及び図６を参照して詳細に説明する。なお、図６（ａ）は図４の素子形成工程Ｐ１において基板７ａ上にＴＦＴ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１が形成された状態を示している。
【００８３】
絶縁膜形成工程が始まると、まず、図５の工程Ｐ３１において図６（ａ）の基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図５の工程Ｐ３２において、図６（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの上にＴＦＴ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１を覆うように、第１感光性樹脂膜２２ａの材料２２ａ’、例えばポジ型レジストである感光性樹脂をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。そして次に、第１感光性樹脂膜２２ｂの材料２２ｂ’、例えばポジ型レジストである感光性樹脂をスピンコートによって第１感光性樹脂材料２２ａ’の上に一様な厚さに塗布する。
【００８４】
なお、第２感光性樹脂材料２２ｂ’の膜厚Ｈ２は、第１感光性樹脂材料２２ａ’の膜厚Ｈ１よりも薄くする。また、第２感光性樹脂材料２２ｂ’のガラス転移温度は、第１感光性樹脂材料２２ａ’のガラス転移温度よりも小さいものが選択される。例えば、後の工程で行われる焼成処理の温度を２２０℃とするならば、第１感光性樹脂材料２２ａ’はガラス転移温度が２５０℃のものを選択し、第２感光性樹脂材料２２ｂ’はガラス転移温度が２１０℃のものを選択する。
【００８５】
次に、工程Ｐ３３において、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂材料２２ａ’及び２２ｂ’内の溶媒を除去する。次に、工程Ｐ３４において露光処理を実行する。具体的には、図６（ｃ）に示すように、素子基板７ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、ハーフトーンマスク、すなわちハーフトーン型の多階調露光マスク５６Ａを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。ハーフトーンマスク５６Ａは、光透過性がそれぞれ異なる４つの領域を有するハーフトーンマスクであり、より具体的には、完全光透過領域Ａ０、部分光透過領域Ａ１、及び完全遮光領域Ａ２を有するハーフトーンマスクである。
【００８６】
本実施形態では、層間絶縁膜２２に形成するパターンの違いに応じて露光量を異ならせている。具体的には、
（１）凹凸パターンのうちの凸部を形成すべき部分に完全遮光領域Ａ２を合わせ、
（２）凹凸パターンのうちの凹部を形成すべき部分に部分光透過領域Ａ１を合わせ、
（３）コンタクトホール２５を形成すべき部分に完全光透過領域Ａ０を合わせる。なお、コンタクトホール２５と同様に層間絶縁膜材料２２’の液晶パネル１個分の周辺部分にも完全光透過領域Ａ０を合わせる。
【００８７】
凸部に対応する完全遮光領域Ａ２の光透過率をＴ２とし、凹部に対応する部分光透過領域Ａ１の光透過率をＴ１とし、コンタクトホールに対応する完全光透過領域Ａ０の光透過率をＴ０とするとき、本実施形態では、
Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔ０
に設定する。また、
Ｔ２＝０％、  Ｔ０＝１００％
に設定する。なお、必ずしもＴ２＝０％、Ｔ０＝１００％に限定しなくても良い場合もある。
【００８８】
このように光透過率に変化を持たせることは、例えば、光透過率の異なる材料を領域ごとに設けることによって実現できる。例えば、完全光透過領域Ａ０はマスク基板上に遮光材料を何も載せないことによって実現できる。また、部分光透過領域Ａ１は、光を減衰して透過させる材料、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ又はＭｏＳｉ２）をマスク基板上に載せることによって実現できる。光透過率をいくつに設定するかは、マスク基板上に載せる膜の膜厚によって決めることができる。また、完全遮光領域Ａ２は、光を完全に透過させない材料、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯＸ（酸化クロム）の２層構造を有する積層クロムをマスク基板上に載せることによって実現できる。
【００８９】
以上の構成を有するハーフトーンマスク５６Ａを通して感光性樹脂２２’、従って第１感光性樹脂材料２２ａ’及び第２感光性樹脂材料２２ｂ’へ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。具体的には、光透過率Ｔ２＝０％（領域Ａ２）で露光された部分は露光量が少ないので凹凸パターンの凸部に対応する露光像が形成される。また、中間の光透過率Ｔ１（領域Ａ１）で露光された部分は露光量が比較的少ないので凹凸パターンの凹部に対応する露光像が形成される。
【００９０】
また、光透過率Ｔ０＝１００％（領域Ａ０）で露光された部分は露光量が多いので、感光性樹脂２２’の膜を貫通する露光像が形成される。以上により、感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンに対応する露光像が形成され、さらに感光性樹脂２２’の内部にコンタクトホール２５に対応する露光像が形成され、さらに感光性樹脂２２’の内部に液晶層厚調整用の凹部２７に対応する露光像が形成され、それらの露光像よりも上の部分が可溶化する。
【００９１】
次に、図５の工程Ｐ３５において現像処理を行う。具体的には、図６（ｃ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図６（ｃ）において可溶化した部分の感光性樹脂２２’が除去されて、図６（ｄ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、内部の必要な領域にコンタクトホール２５及び液晶層厚調整用の凹部２７を有する層間絶縁膜２２が形成される。
【００９２】
層間絶縁膜２２の材料である感光性樹脂材料２２’はその性質上、未反応の感光性基に由来する黄色の光を多く通過させる傾向にある。図５の工程Ｐ３６では、図６（ｄ）の層間絶縁膜２２に適宜の光量の紫外線を照射し反応を完結する処理、いわゆるブリーチ露光を行う。これにより、層間絶縁膜２２の黄色化を抑制し、透過率を向上させる。次に、図５の工程Ｐ３７において、図６（ｄ）の基板７ａ及び層間絶縁膜２２を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、層間絶縁膜２２の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図４の工程Ｐ２が終了し、その後、既述した光反射膜工程Ｐ３以降の工程が実行される。
【００９３】
本実施形態において、凹凸パターンが形成された第２感光性樹脂膜２２ｂはガラス転移温度が低い材料によって形成されているので、図５の焼成工程Ｐ３７において焼成処理を行ったとき、焼成時の熱による平坦化の程度が大きく、それ故、凹凸パターンは適度の曲率を持つように変形し、最終的に好ましい散乱特性及び指向特性を発揮できる形状となる。一方、コンタクトホール２５及び凹部２７が形成された第１感光性樹脂膜２２ａはガラス転移温度が高い材料によって形成されているので、同じ焼成処理を受けた場合でも、凹凸パターンが形成された部分に比べて平坦化の程度が小さく、それ故、輪郭がなだらかになることなく、起立状態を維持できる。このように、１つの層間絶縁膜２２に対して１回の露光、現像、及び焼成の各処理を行うだけで、１つの層間絶縁膜２２の異なる部分に異なる形状をそれぞれに正確に形成することができる。
【００９４】
（電気光学装置の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は図４に示した第１の実施形態に係る製造方法と同じである。図７はその製造方法を工程図によって示している。図５に示した先の実施形態では、露光工程Ｐ３４において、図６（ｃ）の３階調のハーフトーンマスク５６Ａを用いることにより、図６（ｄ）の層間絶縁膜２２に凹凸パターンやコンタクトホール２５や凹部２７を１回の露光処理及び１回の現像処理によって形成した。これに対し、図７に示す本実施形態では、ハーフトーンマスクを用いることなく、２回の露光処理及びその後の１回の現像処理によって層間絶縁膜を形成するものである。以下、図３に示す層間絶縁膜２２を形成する場合を例に挙げて、その２回露光を利用した手法を説明する。なお、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する構成については説明を省略する。
【００９５】
絶縁膜形成工程が始まると、まず、図７の工程Ｐ４１において図８（ａ）の基板７ａ、すなわちＴＦＴ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１が形成されている基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図７の工程Ｐ４２において、図８（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの上にＴＦＴ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１を覆うように、第１感光性樹脂膜２２ａの材料２２ａ’、例えばポジ型レジストである感光性樹脂をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。そして次に、第１感光性樹脂膜２２ｂの材料２２ｂ’、例えばポジ型レジストである感光性樹脂をスピンコートによって第１感光性樹脂材料２２ａ’の上に一様な厚さに塗布する。
【００９６】
なお、第２感光性樹脂材料２２ｂ’の膜厚Ｈ２は、第１感光性樹脂材料２２ａ’の膜厚Ｈ１よりも薄くする。また、第２感光性樹脂材料２２ｂ’のガラス転移温度は、第１感光性樹脂材料２２ａ’のガラス転移温度よりも小さいものが選択される。例えば、後の工程で行われる焼成処理の温度を２２０℃とするならば、第１感光性樹脂材料２２ａ’はガラス転移温度が２５０℃のものを選択し、第２感光性樹脂材料２２ｂ’はガラス転移温度が２１０℃のものを選択する。次に、工程Ｐ４３において、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂２２’内の溶媒を除去する。
【００９７】
次に、工程Ｐ４４において１次露光処理を実行する。この１次露光処理は、反射表示領域Ｒ（図４参照）に対応する領域の感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンの露光像を形成するための工程である。具体的には、図８（ｃ）に示すように、素子基板７ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えばステッパの所定位置に設置し、さらに、露光マスク５６Ｂを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５６Ｂは、完全光透過領域と完全遮光領域の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。
【００９８】
１次露光工程Ｐ４４では、露光マスク５６Ｂを通して露光光Ｌ４で感光性樹脂２２’を露光する。この露光により、破線で示す露光像（すなわち、凹凸パターンの露光像）よりも上の部分の樹脂部分が可溶化する。
【００９９】
次に、図７の工程Ｐ４５において２次露光処理を実行する。この２次露光処理は、コンタクトホール２５及び層間絶縁膜２２の液晶パネル１個分の周辺部分を形成するための工程である。具体的には、図９（ｄ）に示すように、素子基板７ａを露光装置、例えば一括露光機の所定位置に設置し、さらに露光マスク５６Ｃを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５６Ｃは、完全光透過領域と完全遮光領域の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。
【０１００】
２次露光工程Ｐ４５では、露光マスク５６Ｃを通して露光光Ｌ５で感光性樹脂２２’を露光する。この露光により、破線で示すコンタクトホール２５及び液晶層厚調整用の凹部２７の内部が可溶化する。また、層間絶縁膜２２（図２参照）の液晶パネル１個分の周辺部分に対応する露光像が形成される。
【０１０１】
次に、図７の工程Ｐ４６において現像処理を行う。具体的には、図９（ｄ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図８（ｃ）及び図９（ｄ）において可溶化した部分の感光性樹脂２２’が除去されて、図９（ｅ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、内部の必要な領域にコンタクトホール２５及び液晶層厚調整用の凹部２７を有し、さらに図２に示すように周辺領域が除去された形状の層間絶縁膜２２が形成される。
【０１０２】
次に、図８の工程Ｐ４７において、図９（ｅ）の層間絶縁膜２２に適宜の光量の紫外線を照射することによって、いわゆるブリーチ露光を行って、層間絶縁膜２２の黄ばみを除去する。そして次に、図７の工程Ｐ４８において、図９（ｅ）の基板７ａ及び層間絶縁膜２２を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、層間絶縁膜２２の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図４の工程Ｐ２が終了し、その後、既述した光反射膜工程Ｐ３以降の工程が実行される。
【０１０３】
本実施形態において、凹凸パターンが形成された第２感光性樹脂膜２２ｂはガラス転移温度が低い材料によって形成されているので、図７の焼成工程Ｐ４８において焼成処理を行ったとき、焼成時の熱による平坦化の程度が大きく、それ故、凹凸パターンは適度の曲率を持つように変形し、最終的に好ましい散乱特性及び指向特性を発揮できる形状となる。一方、コンタクトホール２５及び凹部２７が形成された第１感光性樹脂膜２２ａはガラス転移温度が高い材料によって形成されているので、同じ焼成処理を受けた場合でも、凹凸パターンが形成された部分に比べて平坦化の程度が小さく、それ故、輪郭がなだらかになることなく、起立状態を維持できる。このように、１つの層間絶縁膜２２に対して１周期分の露光、現像、及び焼成の各処理を行うだけで、すなわち、２回の露光、１回の現像、１回の焼成を行うだけで、１つの層間絶縁膜２２の異なる部分に異なる形状をそれぞれに正確に形成することができる。
【０１０４】
（電気光学装置の製造方法のその他の実施形態）
以上の実施形態では、図１〜図３に示す液晶装置１を製造するものとした。しかしながら、本発明は、その他の液晶装置を製造する場合にも適用できる。
【０１０５】
また、以上に説明した実施形態では、樹脂膜としてポジ型の感光性樹脂を用いたが、これに代えて、ネガ型の（すなわち、光を受けた部分が固化する性質を有する）感光性樹脂を用いることができる。また、本発明は、液晶装置以外の電気光学装置を製造する場合にも用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置の断面図である。
【図２】図１の液晶装置の１つの画素部分を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ１−Ｚ１線に従った画素の短手側の断面図である。
【図３】図２（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従って画素の長手側断面を示す断面図である。
【図４】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程フロー図である。
【図５】図４の工程フロー図の主要工程を示す工程フロー図である。
【図６】図５の工程フロー図に対応した樹脂膜の構造変遷図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を示す工程フロー図である。
【図８】図７の工程フロー図に対応した樹脂膜の構造変遷図である。
【図９】図８に引き続く構造変遷図である。
【図１０】従来の電気光学装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１．液晶装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ６．シール材、
７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、
８ａ．第２透光性基板、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、
１８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．ソース電極線、  ２１．ゲート電極線、
２２．層間絶縁膜（樹脂膜）、  ２２ａ．第１感光性樹脂膜、
２２ｂ．第２感光性樹脂膜、  ２３．光反射膜、  ２４．画素電極、
２５．コンタクトホール、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．液晶層厚調整用の凹部、
３１．ＴＦＴ素子、  ３２．ゲート電極、  ３３．ゲート絶縁層、  ３４．半導体層、
３５．ソース電極、  ４１．着色膜、  ４２．遮光膜、  ４３．オーバーコート層、
４４．共通電極、  ４６．張出し部、  ５２．駆動用ＩＣ、
５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ．露光マスク、  Ｄ．サブ画素、  Ｇ．セルギャップ、
Ｌ０．外部光、  Ｌ１．透過光、  Ｌ２，Ｌ４，Ｌ５．露光光、  Ｒ．反射表示領域、
Ｔ．透過表示領域、  Ｈ１，Ｈ２．膜厚、  Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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