(57)【要約】【課題】  チップ抵抗器の製造に際して、側面電極を正確に形成することができるチップ抵抗器の製造方法を提供する。【解決手段】  基板の下面には、二次スリットのみをレーザースクライブにより形成し（Ｓ１２）、側面電極の形成に際しては、ネガタイプのレジストを使用してフォトリソ法によりマスクを形成し（Ｓ１８〜Ｓ２１）、スパッタ法により金属薄膜を形成して（Ｓ２３）、残存したレジストを剥離する。また、ポジタイプのレジストを使用する場合には、フォトリソ法によりマスクを形成した後に、上面側の一次スリットを形成する。【選択図】        図４
2007103849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、
基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、
基板素体の上面に、レーザースクライブにより一次スリットと二次スリットとを形成する上面側スリット形成工程と、
基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、
基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程と、
基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、
短冊状基板に対して側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
残存しているレジストを除去するレジスト除去工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
上記マスク形成工程においては、ネガタイプのレジストを用いてマスクを形成することを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、
基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、
基板素体の上面に、レーザースクライブにより二次スリットを形成する上面側二次スリット形成工程と、
基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、
基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程と、
基板素体の上面側からレーザースクライブにより一次スリットを形成する上面側一次スリット形成工程と、
基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、
短冊状基板に対して側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
レジストを除去するレジスト除去工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
上記マスク形成工程においては、ポジタイプのレジストを用いてマスクを形成することを特徴とする請求項３に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項５】
上記マスク形成工程においては、フォトリソ法によりマスクを形成することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項６】
上記金属薄膜形成工程においては、スパッタ法により金属薄膜を形成することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項７】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、
基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、
基板素体の上面に、レーザースクライブにより一次スリットと二次スリットとを形成する上面側スリット形成工程と、
基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、
基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程で、ネガタイプのレジストを用いてフォトリソ法によってマスクを形成するマスク形成工程と、
基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、
短冊状基板に対してスパッタ法により側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
残存しているレジストを除去するレジスト除去工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項８】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、
基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、
基板素体の上面に、レーザースクライブにより二次スリットを形成する上面側二次スリット形成工程と、
基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、
基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程で、ポジタイプのレジストを用いてフォトリソ法によってマスクを形成するマスク形成工程と、
基板素体の上面側からレーザースクライブにより一次スリットを形成する上面側一次スリット形成工程と、
基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、
短冊状基板に対してスパッタ法により側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
レジストを除去するレジスト除去工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来における小型チップ抵抗器の製造方法においては、表面と裏面に一次方向と二次方向に分割スリットが入った絶縁基板を用いるものがある（特許文献１）。そして、表面と裏面に一次方向と二次方向に分割スリットが入った絶縁基板を得る方法として、スリットの形成されていない無垢の絶縁基板にレーザーによりスリットを形成する方法が従来行われている。
【０００３】
一方、小型チップ抵抗器の側面電極を形成する方法として、一次分割後の短冊を積み重ねた後にスパッタ製法により側面電極を形成する際に、保護膜へのスパッタの回り込みを防止するためにマスキングレジストを塗布する方法が行われている（特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
このようなマスキングレジストを塗布する方法においては、マスキングレジストを印刷により塗布するので、側面電極の端部の電極パターンを直線状にできないという問題がある。
【０００５】
側面電極の端部の電極パターンを直線状にできないという問題を解決する方法として、フォトリソ法によりマスキングレジストを形成する方法がある（特許文献３）。この方法においては、ポジタイプのレジストを均一に塗布した後に露光し現像することにより、マスキングレジストを形成するので、側面電極の端部の電極パターンを直線状にすることができる。
【特許文献１】特開２００２−２３１５０３号公報
【特許文献２】特開２００４−１２８２１８号公報
【特許文献３】特開平８−７８２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、このようにスリットの形成をレーザーにより行う場合には、スリットの開口部に突堤部が発生しバリが形成されてしまうという問題がある。すなわち、レーザースクライブによりスリットを形成すると、図１９に示すように、突堤部Ｕが形成され、スリットに沿って基板を分割した際に、突堤部がバリとなる。特に、下面電極を形成した後にレーザースクライブにより一次スリットを形成すると、この突堤部によるバリによって側面電極を正確に形成することができず、側面電極と下面電極の電気的接続を阻害する要因となっていた。
【０００７】
また、上記特許文献３のように、ポジタイプのレジストを用いたフォトリソ法の場合には、ネガタイプよりも鮮明なパターン形成が可能であるが、現像に際して露光した部分のレジストを除去するので、一次スリットの奧まで露光できないことから、レジストが残存してしまい、側面電極形成後にレジストを除去すると、その部分に側面電極が形成されないという問題が発生する。特に、一次スリットが形成されたアルミナ基板に一次スリットを跨ぐように上面電極を形成するので、上面電極を形成する際に、一次スリット内の奧にまで上面電極ペーストが至らず空間が生じた場合には、該空間内にレジストが入り込むと（特に、一次スリットにおいて上面電極が形成されない部分からレジストが回り込んで該空間内にレジストが入り込むことがある）、露光しても上面電極に遮られて露光されず、結果としてレジストが残存してしまう。そして、スパッタ法により金属薄膜を形成した後にレジストを剥離すると、残存したレジストが剥離して側面電極が部分的に形成されないことになってしまう。
【０００８】
そこで、本発明が解決しようとする問題点は、チップ抵抗器の製造に際して、側面電極を正確に形成することができるチップ抵抗器の製造方法を提供することであり、特に、基板の下面側の一次スリットに沿ったバリの発生を防止することができるチップ抵抗器の製造方法を提供し、さらに、基板の下面側の一次スリットに沿ったバリの発生を防止するとともに、側面電極の形成に際して、レジストを用いる場合の問題点を防止して、側面電極を正確に形成することができるチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、基板素体の上面に、レーザースクライブにより一次スリットと二次スリットとを形成する上面側スリット形成工程と、基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対して側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、残存しているレジストを除去するレジスト除去工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この第１の構成においては、基板素体の下面においては、二次スリットのみを形成し、一次スリットを形成しないので、基板素体の下面の一次側には突堤部が形成されないため、チップ抵抗器の下面の一次側にバリが発生せず、側面電極を正確に形成することが可能となる。
【００１１】
また、第２には、上記第１の構成において、上記マスク形成工程においては、ネガタイプのレジストを用いてマスクを形成することを特徴とする。よって、ネガタイプのレジストを使用して、露光に際して光の照射されない部分を除去するので、側面電極を形成する領域におけるレジスト残りが発生せず、良好に側面電極を形成することができる。
【００１２】
また、第３には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、基板素体の上面に、レーザースクライブにより二次スリットを形成する上面側二次スリット形成工程と、基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程と、基板素体の上面側からレーザースクライブにより一次スリットを形成する上面側一次スリット形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対して側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、レジストを除去するレジスト除去工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
この第３の構成においては、基板素体の下面においては、二次スリットのみを形成し、一次スリットを形成しないので、基板素体の下面の一次側には突堤部が形成されないため、チップ抵抗器の下面の一次側にバリが発生せず、側面電極を正確に形成することが可能となる。
【００１４】
また、第４には、上記第３の構成において、上記マスク形成工程においては、ポジタイプのレジストを用いてマスクを形成することを特徴とする。よって、ポジタイプのレジストを使用するが、一次分割前に基板素体の上面側に一次スリットを形成するので、レジスト残りが発生せず、良好に側面電極を形成することができる。つまり、レジストを塗布する際には、一次スリットは形成されていないので、一次スリットの空間内にレジストが残存することがなく、金属薄膜を形成した後に残ったレジストを除去しても、側面電極が部分的に未形成となることがなく、良好に側面電極を形成することができる。
【００１５】
また、第５には、上記第１から第４までのいずれかの構成において、上記マスク形成工程においては、フォトリソ法によりマスクを形成することを特徴とする。
【００１６】
また、第６には、上記第１から第５までのいずれかの構成において、上記金属薄膜形成工程においては、スパッタ法により金属薄膜を形成することを特徴とする。
【００１７】
また、第７には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、基板素体の上面に、レーザースクライブにより一次スリットと二次スリットとを形成する上面側スリット形成工程と、基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程で、ネガタイプのレジストを用いてフォトリソ法によってマスクを形成するマスク形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対してスパッタ法により側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、残存しているレジストを除去するレジスト除去工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
この第７の構成においては、基板素体の下面においては、二次スリットのみを形成し、一次スリットを形成しないので、基板素体の下面の一次側には突堤部が形成されないため、チップ抵抗器の下面の一次側にバリが発生せず、側面電極を正確に形成することが可能となる。また、マスク形成工程においては、ネガタイプのレジストを使用して、露光に際して光の照射されない部分を除去するので、側面電極を形成する領域におけるレジスト残りが発生せず、良好に側面電極を形成することができる。
【００１９】
また、第８には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、基板素体の上面に、レーザースクライブにより二次スリットを形成する上面側二次スリット形成工程と、基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極と保護膜の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程で、ポジタイプのレジストを用いてフォトリソ法によってマスクを形成するマスク形成工程と、基板素体の上面側からレーザースクライブにより一次スリットを形成する上面側一次スリット形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対してスパッタ法により側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、レジストを除去するレジスト除去工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
この第８の構成においては、基板素体の下面においては、二次スリットのみを形成し、一次スリットを形成しないので、基板素体の下面の一次側には突堤部が形成されないため、チップ抵抗器の下面の一次側にバリが発生せず、側面電極を正確に形成することが可能となる。また、マスク形成工程においては、ポジタイプのレジストを使用するが、一次分割前に基板素体の上面側に一次スリットを形成するので、レジスト残りが発生せず、良好に側面電極を形成することができる。つまり、レジストを塗布する際には、一次スリットは形成されていないので、一次スリットの空間内にレジストが残存することがなく、金属薄膜を形成した後に残ったレジストを除去しても、側面電極が部分的に未形成となることがなく、良好に側面電極を形成することができる。
【００２１】
また、第９の構成として、以下の構成としてもよい。すなわち、上記第１から第８までのいずれかの構成において、基板素体の上面側においては、一次スリットを二次スリットよりも深く形成することを特徴とする。よって、基板素体の下面側には一次スリットが形成されないため、基板素体の上面側の一次スリットを深くすることにより、一次分割を良好に行うことができる。
【００２２】
また、第１０の構成として以下の構成としてもよい。すなわち、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、基板素体の上面に、レーザースクライブにより一次スリットと二次スリットとを形成する上面側スリット形成工程と、基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、抵抗体と一部が重なるように上面電極を形成する上面電極形成工程と、抵抗体を保護するための保護膜を形成する保護膜形成工程と、基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程で、ネガタイプのレジストを用いてフォトリソ法によってマスクを形成するマスク形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対してスパッタ法により側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、短冊状基板を二次スリットに沿って分割して個々のチップ片を形成する二次分割工程と、チップ片に残存しているレジストを除去するレジスト除去工程と、チップ片にメッキを行なうメッキ工程と、を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法とする。
【００２３】
この第１０の構成においては、基板素体の下面においては、二次スリットのみを形成し、一次スリットを形成しないので、基板素体の下面の一次側には突堤部が形成されないため、チップ抵抗器の下面の一次側にバリが発生せず、側面電極を正確に形成することが可能となる。また、マスク形成工程においては、ネガタイプのレジストを使用して、露光に際して光の照射されない部分を除去するので、側面電極を形成する領域におけるレジスト残りが発生せず、良好に側面電極を形成することができる。
【００２４】
また、第１１の構成として、上記第２又は第７又は第１０の構成において、上記マスク形成工程が、基板素体の上面側にネガタイプのレジストを塗布するレジスト形成工程と、基板素体の上面側の側面電極形成領域を被覆して露光する露光工程と、現像によりレジストにおける光が照射されない部分を除去する現像工程と、を有することを特徴とするものとしてもよい。
【００２５】
また、第１２の構成として以下の構成としてもよい。すなわち、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、基板素体の下面に、一次スリットを形成せず、レーザースクライブにより二次スリットのみを形成する下面側スリット形成工程と、基板素体の上面に、レーザースクライブにより二次スリットを形成する上面側二次スリット形成工程と、基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、抵抗体と一部が重なるように上面電極を形成する上面電極形成工程と、抵抗体を保護するための保護膜を形成する保護膜形成工程と、基板素体の上面側にマスクを形成するマスク形成工程で、ポジタイプのレジストを用いてフォトリソ法によってマスクを形成するマスク形成工程と、基板素体の上面側からレーザースクライブにより一次スリットを形成する上面側一次スリット形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対してスパッタ法により側面電極用の金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、短冊状基板を二次スリットに沿って分割して個々のチップ片を形成する二次分割工程と、チップ片に残存しているレジストを除去するレジスト除去工程と、チップ片にメッキを行なうメッキ工程と、を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法とする。
【００２６】
また、第１３の構成として、上記第４又は第８又は第１２の構成において、上記マスク形成工程が、基板素体の上面側にポジタイプのレジストを塗布するレジスト形成工程と、基板素体の上面側の側面電極形成領域以外の領域を被覆して露光する露光工程と、現像によりレジストにおける光が照射された部分を除去する現像工程と、を有することを特徴とするものとしてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に基づくチップ抵抗器の製造方法によれば、基板素体の下面においては、二次スリットのみを形成し、一次スリットを形成しないので、基板素体の下面の一次側には突堤部が形成されないため、チップ抵抗器の下面の一次側にバリが発生せず、側面電極を正確に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明においては、チップ抵抗器の製造に際して、側面電極を正確に形成することができるチップ抵抗器の製造方法を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【実施例１】
【００２９】
すなわち、本発明に基づく実施例におけるチップ抵抗器Ａ１は、図１に示されるように、絶縁基板１０と、抵抗体（「抵抗体層」としてもよい）（機能素子）１２と、上面電極（「上面電極層」としてもよい）１４と、保護膜（「保護層」としてもよい）２０と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６と、を有している。
【００３０】
ここで、チップ抵抗器Ａ１についてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａ１の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００３１】
なお、この絶縁基板１０にはレーザースクライブによりスリットが形成されるので、レーザースクライブして形成したスリットを分割することにより形成された切欠部が絶縁基板１０の角部に形成されていることになる。すなわち、本発明においては、絶縁基板の上面側には、一次スリットと二次スリットとを形成し、裏面側には、二次スリットのみを形成することから、図１に示す断面図においては、絶縁基板１０の上面側の角部に切欠部が形成されていることになる。また、二次スリットは、上面側も下面側も形成されるので、図３におけるＹ１側の側面とＹ２側の側面においては、上面側と下面側に切欠部が形成されている。なお、絶縁基板の上面側においては、一次スリットの深さは、二次スリットの深さよりも深く形成するので、絶縁基板１０の上面側の切欠部も一次スリット側の方が深くなっている。
【００３２】
また、抵抗体１２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０上面に設けられている。つまり、抵抗体１２は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））に帯状に形成され、具体的には、絶縁基板１０のＸ１側の端部からＸ２側の端部にまで帯状に形成されている。この抵抗体１２は、具体的には、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）である。この抵抗体１２は、上記チップ抵抗器Ａ１として電気的特性を担う機能素子である。
【００３３】
また、上面電極１４は、図１に示すように、主に、上記抵抗体１２の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、上面電極１４は、抵抗体１２の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、上面電極１４は、抵抗体１２の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この上面電極１４は、具体的には、銀系厚膜（銀パラジウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。また、上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向（このＹ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直角な方向である。また、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。）の幅は、抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも若干大きく形成されていて、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。これにより、上面電極１４は基本的には抵抗体１２の上面に積層して形成されているが、上面電極１４の一部（すなわち、幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の両側）は絶縁基板１０の上面に積層している。なお、この上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向の幅を抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅と同一としてもよい。
【００３４】
また、保護膜２０は、図１に示すように、主に、抵抗体１２と上面電極１４の一部の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体１２の露出部分と、両端に形成されている上記一対の上面電極１４の一部を被覆するように設けられている。つまり、保護膜２０は、図２のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この保護膜２０は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。なお、ほう珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。
【００３５】
また、下面電極２２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。なお、下面電極２２のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。すなわち、下面電極２２は、図３のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この下面電極２２は、金系薄膜により形成されている。なお、下面電極２２を銀系厚膜（例えば、銀系メタルグレーズ厚膜）により形成してもよい。
【００３６】
また、側面電極２４は、上面電極１４の一部と、下面電極２２の一部と、絶縁基板１０の側面や下面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極２４は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極２４は、薄膜により形成されている。この側面電極２４の上面部分は、図２のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられており、また、側面電極２４の下面部分は、図３のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。なお、この側面電極２４は、具体的には、金属薄膜により形成されている。
【００３７】
また、メッキ２６は、ニッケルメッキ２８と、錫メッキ３０とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。ニッケルメッキ２８は、保護層２０の一部と、上面電極１４の一部と、側面電極２４と、下面電極２２の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極１４と側面電極２４と下面電極２２の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ２８は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケルにて形成されており、上面電極１４等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００３８】
また、錫メッキ３０は、ニッケルメッキ２８の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ３０は、上記チップ抵抗器Ａ１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ３０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。
【００３９】
なお、上記上面電極１４と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６とで電極部４０が形成されるが、この電極部４０において絶縁基板１０の下面側に位置する部分が下面側電極部４２となる。
【００４０】
なお、上記の構成において、保護膜２０と抵抗体１２の間にカバーコートを設けるようにしてもよい。つまり、抵抗体１２の露出部分を被覆するようにカバーコートを設けてもよい。このカバーコートは、抵抗体へのトリミング時の熱衝撃を和らげてトリミング溝先端のマイクロクラックを防止するために形成され、ガラス、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成される。
【００４１】
なお、図２は、チップ抵抗器Ａ１を上面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、抵抗体１２、上面電極１４、保護膜２０、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。同様に、図３は、チップ抵抗器Ａ１を下面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、下面電極２２、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。
【００４２】
上記構成のチップ抵抗器Ａ１の製造方法について、図４〜図１１等を使用して説明する。まず、一次スリットや二次スリットが設けられていない無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）（基板素体）５を用意し、このアルミナ基板５の下面（裏面、底面としてもよい）に下面電極Ｇ２２を形成する（図４のＳ１１、図５のＷ１参照、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用の金レジネートペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。なお、図５に示すように、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極Ｇ２２を形成する。つまり、Ｘ方向（このＸ方向は二次スリットの方向である）に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）となる位置を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向（このＹ方向は一次スリットの方向であり、Ｘ方向とは直角の方向である）には、帯状に連続して下面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に下面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの下面電極については、その２つの下面電極をまとめて形成する。この下面電極Ｇ２２は、複数分の下面電極２２であるといえる。なお、図５のＷ１は、アルミナ基板を下面側から見た状態を示す図である。
【００４３】
次に、アルミナ基板５の下面にレーザースクライブによって二次スリットを形成する（図４のＳ１２、図５のＷ２参照、下面側スリット形成工程）。つまり、複数の二次スリットをＸ方向に溝状に形成する。この場合、アルミナ基板５の下面に溝状のスリットを形成するので、二次スリットを形成する際には、当然下面電極Ｇ２２も切断されることになる。なお、このステップＳ１２においては、二次スリットのみ形成し、一次スリットは形成しない。なお、アルミナ基板５の下面に形成する二次スリットは通常の深さとする。なお、図５のＷ２における二点鎖線は、アルミナ基板５の表側の面に形成される一次スリットＪ１に対応する位置を仮想的に示すものである。
【００４４】
次に、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）にレーザースクライブによって一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とを形成する（図４のＳ１３、図６のＷ３参照、上面側スリット形成工程）。つまり、複数の一次スリットＪ１をＹ方向に溝状に形成するとともに、複数の二次スリットＪ２をＸ方向に溝状に形成する。二次スリットＪ２は、当然下面に形成された二次スリットＪ２に対応する位置に形成されることになる。また、一次スリットＪ１は、当然、複数のチップ抵抗器に分割した際にＸ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に形成する。なお、このアルミナ基板５の表側に形成する一次スリットＪ１と二次スリットＪ２については、二次スリットＪ２は通常の深さとするが、一次スリットＪ１の深さを二次スリットＪ２の深さよりも深く形成する。つまり、アルミナ基板５の下面には、一次スリットを形成しないため、一次スリットに沿ってアルミナ基板５を分割しやすくするため、二次スリットＪ２よりも一次スリットＪ１を深く形成する。
【００４５】
次に、該アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に抵抗体を形成する（図４のＳ１４、図６のＷ４参照、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成（８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）して抵抗体Ｇ１２を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト）である。この抵抗体Ｇ１２は、Ｘ方向の複数の抵抗体１２分の抵抗体であり、抵抗体ペーストの印刷の際、アルミナ基板においてＸ方向（上面電極間方向）に抵抗体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、アルミナ基板において、最終的に個々のチップ抵抗器となった場合のＸ方向に連なる一連の絶縁基板１０の領域（これを「集合領域」とする。この集合領域は、基板素体における個々のチップ抵抗器形成領域が直線状に複数連なる領域であるともいえる）において、該集合領域の一方の端部から他方の端部にまで１本の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。また、Ｙ方向には、抵抗体ペーストは、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に形成する。なお、図６のＷ４に示すように、一次スリットＪ１の位置においては、抵抗体に切欠き部を設けることにより、抵抗体ペーストが二次スリットＪ２側になるべく流れないようにするのが好ましい。このように切欠き部を設けずに単に帯状に形成してもよい。なお、図６においては、抵抗体Ｇ１２については見やすくするためにハッチングを付して示してある。また、図６、図７、図８は、アルミナ基板を上面側から見た状態を示す図である。
【００４６】
なお、この抵抗体の形成に際して、上記の説明では、抵抗体Ｇ１２を帯状に連続して形成するとしたが、図１８のＷ４’の状態に示すように、各チップ抵抗器ごとに抵抗体を長方形状に形成するようにしてもよい。つまり、抵抗体のＸ方向の長さを一次スリットＪ１間の距離よりも短く形成して、抵抗体が一次スリットに至らないようにする。その場合には、当然、抵抗体のＸ方向の端部は、絶縁基板１０のＸ方向の端部にまで至らないことになる。
【００４７】
次に、抵抗体Ｇ１２の上に上面電極（電極）Ｇ１４を形成する（図４のＳ１５、図６のＷ５参照、上面電極形成工程）。すなわち、個々のチップ抵抗器となった場合に抵抗体１２となる領域の端部領域に上面電極を形成する。つまり、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。この場合の上面電極ペーストは、銀パラジウム系メタルグレーズペーストである。なお、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）により形成してもよい。なお、図６において、上面電極Ｇ１４は、チップ抵抗器Ａ１における上面電極１４の２つ分の上面電極である。つまり、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。また、上面電極Ｇ１４は、Ｙ方向には、抵抗体Ｇ１２の幅よりも若干大きく形成する。
【００４８】
次に、抵抗体Ｇ１２をトリミングして抵抗値を調整する（図４のＳ１６、図７のＷ６参照）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体Ｇ１２にトリミング溝を形成する。
【００４９】
次に、抵抗体Ｇ１２の露出部分を覆うように保護膜Ｇ２０を形成する（図４のＳ１７、図７のＷ７参照、保護膜形成工程）。つまり、Ｙ方向に帯状に樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化（１９０〜２１０℃（好適には２００℃）による硬化）させる。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に保護膜を形成する。なお、保護膜Ｇ２０は、Ｘ方向には、抵抗体Ｇ１２の露出部分の幅よりも若干大きくする。この保護膜Ｇ２０は、保護膜２０の複数分であるといえる。
【００５０】
なお、カバーコートを形成する場合には、保護膜Ｇ２０を形成する前にカバーコートを形成する。つまり、Ｙ方向に帯状にホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷し、乾燥・焼成（５９０〜６１０℃（好適には６００℃）による焼成）する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状にカバーコートを形成する。なお、Ｘ方向には、抵抗体Ｇ１２の露出部分の幅よりも若干大きくする。このように形成するカバーコートは、各チップ抵抗器におけるカバーコートの複数分であるといえる。
【００５１】
なお、上記ステップＳ１４〜Ｓ１７は、全体で上記形成部材形成工程に当たる。つまり、形成される抵抗体や上面電極や保護膜等は上記形成部材に当たる。
【００５２】
保護膜Ｇ２０を形成したら、次に、ネガタイプのレジスト５０を塗布する（図４のＳ１８、図７のＷ８参照）。つまり、アルミナ基板５の表側の全面にネガタイプのレジスト５０を塗布する。
【００５３】
次に、塗布したレジストを乾燥した（図４のＳ１９）後に、露光を行う（図４のＳ２０、図８のＷ９、図９のＷ９参照）。つまり、フォトマスク６０を使用して露光を行う。このフォトマスク６０は、透明なガラス６２の下面にクロムによる薄膜６４が形成されたものであり、この薄膜６４は、図８に示すように、Ｙ方向に帯状（具体的には、細長長方形状）に複数平行に設けられ、各チップ抵抗器において側面電極を形成すべき領域の上方に設けられる。つまり、平面視において、この薄膜６４によりマスキングされた領域に側面電極における上面側が形成されることになる。つまり、平面視において、保護膜Ｇ２０間の領域で、両側の一部を除いた領域の上方に薄膜６４が配置される。フォトマスク６０を上記の位置に配置したら、露光を行う。露光を行うことにより、レジスト５０において光が照射された部分のみが硬化する。なお、図８のＷ９においては、平面視では実際にはガラス６２が存在するが、ガラス６２を省略して薄膜６４の位置のみ示している。
【００５４】
次に、現像を行う（図４のＳ２１、図８のＷ１０、図９のＷ１０）。つまり、レジスト５０において露光により光が照射されず未硬化の部分を薬品で溶解して除去する。すると、図８のＷ１０や図９のＷ１０に示すように、フォトマスク６０の薄膜６４で被覆された領域のレジストが除去される。
【００５５】
以上のように、ネガタイプのレジストを使用してフォトリソ法によりマスクを形成する。つまり、図８のＷ１０や図９のＷ１０に示すように、現像後に残ったレジスト５０によりマスクが形成される。なお、上記ステップＳ１８〜Ｓ２１は、上記マスク形成工程に当たる。
【００５６】
次に、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図４のＳ２２参照、一次分割工程）。この分割に際しては、例えば、下面側を基点として、アルミナ基板を折り曲げるようにして分割する。つまり、１つのチップ抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を隣接する短冊状基板に対して折り曲げるように上面側から下方に折曲させて分割する。
【００５７】
次に、該短冊状基板に対して、金属薄膜を形成する（図４のＳ２３、図１０、図１１参照、金属薄膜形成工程）。つまり、一次分割した短冊状基板を図１０に示すように積層して、スパッタ法により金属薄膜を形成する。この金属薄膜の形成は、側面電極の形成のために行われる。金属薄膜を形成した状態は、図１１に示すようになり、レジストの表面にも金属薄膜Ｇ２４が形成されるが、各短冊状基板の下面における側面電極を形成しない領域は、短冊状基板を積層することによりレジストに保護されているため、金属薄膜Ｇ２４は形成されない。なお、図１０、図１１において、５’は、一次分割したアルミナ基板を示している。
【００５８】
次に、二次スリットＪ２に沿って二次分割して個々のチップ片とする（図４のＳ２４参照、二次分割工程）。そして、チップ片において残ったレジストを薬品により剥離する（図４のＳ２５、レジスト除去工程）。つまり、主として、保護膜２０の上面に残存していたレジストを薬品により剥離する。その後は、チップ片にメッキを形成して（メッキ工程）チップ抵抗器とする（図４のＳ２６参照）。
【００５９】
以上のように、本実施例のチップ抵抗器の製造方法においては、アルミナ基板５の下面側においては、二次スリットのみ形成し、一次スリットを形成しないので、突堤部が形成されず、チップ抵抗器Ａ１における絶縁基板１０の下面の一次側の端部にはバリが発生しない。また、アルミナ基板５の下面に一次スリットは形成しないが、アルミナ基板５の上面の一次スリットを通常よりも深く形成するので、一次分割を良好に行うことができる。
【００６０】
また、側面電極の形成に際して、ネガタイプのレジストを使用して、露光に際して光の照射されない部分を除去するので、側面電極を形成する領域におけるレジスト残りが発生せず、良好に側面電極を形成することができる。つまり、露光に際して光の照射されない部分を除去するので、一次スリット内の奧にまで上面電極ペーストが至らず空間が生じた場合に、該空間内にレジストが入り込んでも、現像に際して該レジストが除去され、レジスト残りは発生せず、金属薄膜を形成した後に残ったレジストを除去しても、側面電極が部分的に未形成となることがなく、良好に側面電極を形成することができる。
【００６１】
以上のようにして、本実施例のチップ抵抗器の製造方法においては、チップ抵抗器の製造に際して、側面電極を良好に形成することが可能となる。
【実施例２】
【００６２】
次に、実施例２について説明する。この実施例２のチップ抵抗器は、完成状態においては、実施例１と同様の構成であるが、その製造方法が異なる。
【００６３】
すなわち、実施例２におけるチップ抵抗器Ａ２は、上記実施例１のチップ抵抗器Ａ１と同様の構成であり、絶縁基板１０と、抵抗体１２と、上面電極１４と、保護膜２０と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６と、を有している。チップ抵抗器Ａ２を構成する各部材の構成は、実施例１の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００６４】
次に上記構成のチップ抵抗器Ａ２の製造方法について、図１２〜図１７等を使用して説明する。この実施例２においては、実施例１と比べると、側面電極の形成に際して、ポジタイプのレジストを用いる点と、アルミナ基板の表面側において一次スリットを形成する時期が一次分割の直前である点が異なる。
【００６５】
すなわち、まず、一次スリットや二次スリットが設けられていない無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）５を用意し、このアルミナ基板５の下面に下面電極Ｇ２２を形成する（図１２のＳ３１、図１３のＷ１１参照、下面電極形成工程）。このステップＳ３１の構成は、実施例１におけるステップＳ１１と同様であるので詳しい説明を省略する。
【００６６】
次に、アルミナ基板５の下面にレーザースクライブによって二次スリットを形成する（図１２のＳ３２、図１３のＷ１２参照）。つまり、複数の二次スリットをＸ方向に溝状に形成する。この場合、アルミナ基板５の下面に溝状のスリットを形成するので、二次スリットを形成する際には、当然下面電極Ｇ２２も切断されることになる。なお、このステップＳ３２においては、二次スリットのみ形成し、一次スリットは形成しない。なお、アルミナ基板５の下面に形成する二次スリットは通常の深さとする。なお、図１３のＷ１２における二点鎖線は、アルミナ基板５の表側の面に形成される一次スリットＪ１に対応する位置を仮想的に示すものである。
【００６７】
次に、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）にレーザースクライブによって二次スリットＪ２を形成する（図１２のＳ３３、図１４のＷ１３参照、上面側二次スリット形成工程）。つまり、複数の二次スリットＪ２をＸ方向に溝状に形成する。二次スリットＪ２は、当然下面に形成された二次スリットＪ２に対応する位置に形成されることになる。なお、このステップＳ３３においては、アルミナ基板５の表側の面には一次スリットは形成しない。なお、図１４のＷ１３における二点鎖線は、アルミナ基板５の表側の面にステップＳ４２において形成される一次スリットＪ１の位置を仮想的に示すものである。
【００６８】
次に、該アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に抵抗体を形成する（図１２のＳ３４、図１４のＷ１４参照、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体Ｇ１２を形成する。このステップＳ３４の工程は、実施例１におけるステップＳ１４と同様であるので、詳しい説明は省略する。なお、実施例１と同様に、抵抗体Ｇ１２を帯状に一連に形成するのではなく、各チップ抵抗器ごとに抵抗体を長方形状に形成するようにしてもよい（図１８参照）。ただし、図１８とは異なり、この段階では、一次スリットＪ１は形成されていない。
【００６９】
次に、抵抗体Ｇ１２の上に上面電極（電極）Ｇ１４を形成する（図１２のＳ３５、図１４のＷ１５参照、上面電極形成工程）。すなわち、個々のチップ抵抗器となった場合に抵抗体１２となる領域の端部領域に上面電極を形成する。つまり、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。このステップＳ３５の工程は、実施例１におけるステップＳ１５と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【００７０】
次に、抵抗体Ｇ１２をトリミングして抵抗値を調整する（図１２のＳ３６、図１５のＷ１６参照）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体Ｇ１２にトリミング溝を形成する。
【００７１】
次に、抵抗体Ｇ１２の露出部分を覆うように保護膜Ｇ２０を形成する（図１２のＳ３７、図１５のＷ１７参照、保護膜形成工程）。つまり、Ｙ方向に帯状に樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化させる。このステップＳ３７の工程は、実施例１におけるステップＳ１７と同様であるので、詳しい説明は省略する。なお、カバーコートを形成する場合には、保護膜Ｇ２０を形成する前にカバーコートを形成する点も実施例１と同様である。
【００７２】
なお、上記ステップＳ３４〜Ｓ３７は、全体で上記形成部材形成工程に当たる。つまり、形成される抵抗体や上面電極や保護膜等は上記形成部材に当たる。
【００７３】
保護膜Ｇ２０を形成したら、次に、ポジタイプのレジスト７０を塗布する（図１２のＳ３８、図１５のＷ１８参照）。つまり、アルミナ基板５の表側の全面にポジタイプのレジスト７０を塗布する。
【００７４】
次に、塗布したレジスト７０を乾燥させ（図１２のＳ３９）、レジスト７０を硬化させる。
【００７５】
次に、露光を行う（図１２のＳ４０、図１６のＷ１９、図１７のＷ１９参照）。つまり、図１６、図１７に示すように、フォトマスク８０を使用して露光を行う。このフォトマスク８０は、透明なガラス８２の下面にクロムによる薄膜８４が形成されたものであり、この薄膜８４は、図１６に示すように、Ｙ方向に帯状（具体的には、細長長方形状）に複数平行に設けられ、各チップ抵抗器において側面電極を形成すべき領域以外の領域の上方に設けられる。つまり、平面視において、この薄膜８４によりマスキングされた領域以外の領域に側面電極における上面側が形成されることになる。つまり、平面視において、保護膜Ｇ２０間の領域で、両側の一部を除いた領域以外の領域の上方に薄膜８４が配置される。フォトマスク８０を上記の位置に配置したら、露光を行う。なお、図１６のＷ１９においては、平面視では実際にはガラス８２が存在するが、ガラス８２を省略して薄膜８４の位置のみ示している。
【００７６】
次に、現像を行う（図１２のＳ４１、図１６のＷ２０、図１７のＷ２０）。つまり、レジスト７０において露光により光が照射された部分を薬品で溶解して除去する。すると、図１６のＷ２０や図１７のＷ２０に示すように、フォトマスク８０の薄膜８４で被覆された領域以外の領域のレジストが除去される。
【００７７】
以上のように、ポジタイプのレジストを使用してフォトリソ法によりマスクを形成する。つまり、図１６のＷ２０や図１７のＷ２０に示すように、現像後に残ったレジスト７０によりマスクが形成される。なお、上記ステップＳ３８〜Ｓ４１は、上記マスク形成工程に当たる。
【００７８】
次に、アルミナ基板５の表面側からレーザースクライブによって一次スリットＪ１を形成する（図１２のＳ４２、図１６のＷ２１、図１７のＷ２１参照、上面側一次スリット形成工程）。つまり、複数の一次スリットＪ１をＹ方向に溝状に形成する。つまり、複数のチップ抵抗器に分割した際にＸ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に一次スリットＪ１を形成する。なお、このアルミナ基板５の表側に形成する一次スリットＪ１と二次スリットＪ２については、二次スリットＪ２は通常の深さとするが、一次スリットＪ１の深さを二次スリットＪ２の深さよりも深く形成する。つまり、アルミナ基板５の下面には、一次スリットを形成しないため、一次スリットに沿ってアルミナ基板５を分割しやすくするため、二次スリットＪ２よりも一次スリットＪ１を深く形成する。
【００７９】
次に、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図１２のＳ４３参照、一次分割工程）。この分割に際しては、例えば、下面側を基点として、アルミナ基板を折り曲げるようにして分割する。つまり、１つのチップ抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を隣接する短冊状基板に対して折り曲げるように上面側から下方に折曲させて分割する。
【００８０】
次に、該短冊状基板に対して、金属薄膜を形成する（図１２のＳ４４、図１０、図１１参照、金属薄膜形成工程）。つまり、一次分割した短冊状基板を図１０に示すように積層して、スパッタ法により金属薄膜を形成する。この金属薄膜の形成は、側面電極の形成のために行われる。金属薄膜を形成した状態は、図１１に示すようになり、レジストの表面にも金属薄膜Ｇ２４が形成されるが、各短冊状基板の下面における側面電極を形成しない領域は、短冊状基板を積層することによりレジストに保護されているため、金属薄膜Ｇ２４は形成されない。
【００８１】
次に、二次スリットＪ２に沿って二次分割して個々のチップ片とする（図１２のＳ４５参照、二次分割工程）。そして、チップ片において残ったレジストを薬品により剥離する（図１２のＳ４６、レジスト除去工程）。つまり、主として、保護膜２０の上面に残存していたレジストを薬品により剥離する。その後は、チップ片にメッキを形成して（メッキ工程）チップ抵抗器とする（図１２のＳ４７参照）。
【００８２】
以上のように、本実施例のチップ抵抗器の製造方法においては、アルミナ基板５の下面側においては、二次スリットのみ形成し、一次スリットとを形成しないので、突堤部が形成されず、チップ抵抗器Ａ２における絶縁基板１０の下面の一次側の端部にはバリが発生しない。また、アルミナ基板５の下面に一次スリットは形成しないが、アルミナ基板５の上面の一次スリットを通常よりも深く形成するので、一次分割を良好に行うことができる。
【００８３】
また、側面電極の形成に際して、ポジタイプのレジストを使用するが、一次分割前にアルミナ基板５の表面側に一次スリットを形成するので、レジスト残りが発生せず、良好に側面電極を形成することができる。つまり、従来のポジタイプのレジストを用いたフォトリソ法の場合には、一次スリットが形成されたアルミナ基板に一次スリットを跨ぐように上面電極を形成するので、上面電極を形成する際に、一次スリット内の奧にまで上面電極ペーストが至らず空間が生じた場合には、該空間内にレジストが入り込むと、露光しても上面電極に遮られて露光されず、結果としてレジストが残存してしまうが、本実施例の場合には、レジストを塗布する際には、一次スリットは形成されていないので、一次スリットの空間内にレジストが残存することがなく、金属薄膜を形成した後に残ったレジストを除去しても、側面電極が部分的に未形成となることがなく、良好に側面電極を形成することができる。
【００８４】
以上のようにして、本実施例のチップ抵抗器の製造方法においては、チップ抵抗器の製造に際して、側面電極を良好に形成することが可能となる。
【００８５】
なお、上記実施例１及び実施例２においては、マスク部分以外のレジストの除去をフォトリソ法により行ったが、これに限られず、レーザー加工によってマスク部分以外のレジストを除去してもよい。この場合には、ＵＶレーザーによる非熱加工が望ましい。これによれば、現像液や剥離液の廃棄物をなくすことができる。
【００８６】
また、上記実施例１及び実施例２において、アルミナ基板５の上面の二次スリットＪ２の形成工程を抵抗体形成前としたが、これに限られず、アルミナ基板５の下面の二次スリット形成工程の後で一次分割工程前であればいずれのステップでもよい。
【００８７】
また、上記実施例１及び実施例２においては、抵抗体の形成後に上面電極を形成して、抵抗体の上に上面電極が積層するものとして説明したが、アルミナ基板の上面に上面電極を形成し、その後に抵抗体を形成して、上面電極の上に抵抗体が積層するものとしてもよい。
【００８８】
なお、上記の説明において、図５〜図８、図１３〜図１６は、チップ抵抗器の製造工程を平面視した状態を用いて説明するものであり、図９〜図１１、図１７は、チップ抵抗器の製造工程を断面状態を用いて説明するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の実施例１及び実施例２に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例１及び実施例２に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図３】本発明の実施例１及び実施例２に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャート図である。
【図５】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図７】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図８】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図９】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施例１及び実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施例１及び実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャート図である。
【図１３】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１４】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１５】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１７】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１８】本発明において、抵抗体の形成する際の他の例を示す説明図である。
【図１９】レーザースクライブによりスリットを形成した場合に、突堤部が形成された状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
Ａ１、Ａ２  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
１２、Ｇ１２  抵抗体
１４、Ｇ１４  上面電極
２０、Ｇ２０  保護膜
２２、Ｇ２２  下面電極
２４  側面電極
２６  メッキ
２８  ニッケルメッキ
３０  錫メッキ
４０  電極部
４２  下面側電極部
【図１】
2007103849.tif 000003
【図２】
2007103849.tif 000004
【図３】
2007103849.tif 000005
【図４】
2007103849.tif 000006
【図５】
2007103849.tif 000007
【図６】
2007103849.tif 000008
【図７】
2007103849.tif 000009
【図８】
2007103849.tif 000010
【図９】
2007103849.tif 000011
【図１０】
2007103849.tif 000012
【図１１】
2007103849.tif 000013
【図１２】
2007103849.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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