(57)【要約】【課題】表示品位も良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】マトリクス状の画素ＰＸによって構成されたアクティブエリアＤＳＰ及びアクティブエリアＤＳＰを囲む遮光エリアＳＬＤを有する液晶表示装置であって、各画素に配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、各画素に対応して配置されたカラーフィルタ３４及びカラーフィルタ３４を覆うように配置されアクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極ＥＴと、を備えた対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、アクティブエリア端部に配置された画素ＰＥ（Ｅ）の画素電極ＥＰ（Ｅ）及びカラーフィルタ３４（Ｅ）は、アクティブエリアＤＳＰと遮光エリアＳＬＤとの境界Ｂよりも遮光エリア側に延在していることを特徴とする。【選択図】          図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状の画素によって構成されたアクティブエリア及びアクティブエリアを囲む遮光エリアを有する液晶表示装置であって、
各画素に配置された画素電極を備えた第１基板と、
各画素に対応して配置されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆うように配置されアクティブエリアから遮光エリアの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
アクティブエリアの端部に配置された画素の前記画素電極及び前記カラーフィルタは、アクティブエリアと遮光エリアとの境界よりも遮光エリア側に延在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
アクティブエリアの端部に配置された画素の前記画素電極は、画素の幅をＬとしたとき、３×Ｌ／２以下に設定されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
マトリクス状の画素によって構成されたアクティブエリア及びアクティブエリアを囲む遮光エリアを有する液晶表示装置であって、
各画素に配置された画素電極と、遮光エリアに配置されたダミー画素電極と、を備えた第１基板と、
各画素に対応して配置されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆うように配置されアクティブエリアの前記画素電極及び遮光エリアの前記ダミー画素電極に対向する対向電極と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に係り、特に、バックライト光を選択的に透過することによって画像を表示する透過表示機能を備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
透過表示機能を備えた液晶表示装置は、透過型の液晶表示パネル及び液晶表示パネルを背面から照明するバックライトユニットを備えている。液晶表示パネルは、一対の基板間に液晶層を保持した構成であり、画像を表示するアクティブエリア及びこのアクティブエリアを囲む遮光エリアを有している。
【０００３】
アクティブエリアを構成する各画素は、画素電極を備えており、また、カラー表示タイプの液晶表示装置においてはカラーフィルタも備えている。各画素のカラーフィルタは、重なることによる液晶層のギャップムラの発生を防止するなどの目的により、互いに離間して配置されている。このため、アクティブエリアの画素間には、遮光エリアと同様に遮光層（ブラックマトリクス）が配置されている。また、遮光エリアにおいては、アクティブエリアと同等のギャップを確保するなどの目的により、カラーフィルタが配置されている。対向電極は、カラーフィルタを覆うように配置され、基板同士の貼り合わせのズレを考慮してアクティブエリアのみならず、アクティブエリア外（つまり遮光エリア）まで延在している。
【０００４】
このような構成の液晶表示装置において、液晶層の電圧を印加した際には、各画素の画素電極と対向電極との間でほぼ液晶表示パネルの法線方向に沿った縦電界が形成される。このとき、アクティブエリアの端部に配置された画素については、縦電界の他に形成される斜め電界の影響を受ける。すなわち、遮光エリアに配置されたカラーフィルタのアクティブエリア側の端面を覆う対向電極と、アクティブエリア端部に配置された画素電極との間で液晶表示パネルの法線に対して傾いた斜め電界が形成される。
【０００５】
このような斜め電界と縦電界との相互作用により、アクティブエリア端部の画素では、液晶層に含まれる液晶分子の配向不良が発生するおそれがある。このような配向不良は、透過型の液晶表示パネルにおいては、液晶層に印加される電圧にかかわらずバックライト光が液晶層を通過するといったいわゆる光抜けを生じさせ、表示品位の劣化の原因となる。
【０００６】
液晶分子の配向不良（あるいは配向異常）を改善するために、基板の各画素内の表面段差を１．９μｍ未満に設定する、あるいは、基板の各画素内の表面段差の傾斜部の表示領域表面となす角度を１０度以下に設定する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３５７８２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したような特許文献１によれば、カラーフィルタ・オン・アレイ（ＣＯＡ）構成の液晶表示装置において、隣接する画素のカラーフィルタを互いに重ね合わせたときに形成される表面段差を考慮しており、依然として、アクティブエリア端部の画素における配向不良による光抜けを防止することは困難である。
【０００８】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示品位も良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の第１の態様による液晶表示装置は、
マトリクス状の画素によって構成されたアクティブエリア及びアクティブエリアを囲む遮光エリアを有する液晶表示装置であって、
各画素に配置された画素電極を備えた第１基板と、
各画素に対応して配置されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆うように配置されアクティブエリアから遮光エリアの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、
アクティブエリアの端部に配置された画素の前記画素電極及び前記カラーフィルタは、アクティブエリアと遮光エリアとの境界よりも遮光エリア側に延在していることを特徴とする。
【００１０】
この発明の第２の態様による液晶表示装置は、
マトリクス状の画素によって構成されたアクティブエリア及びアクティブエリアを囲む遮光エリアを有する液晶表示装置であって、
各画素に配置された画素電極と、遮光エリアに配置されたダミー画素電極と、を備えた第１基板と、
各画素に対応して配置されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆うように配置されアクティブエリアの前記画素電極及び遮光エリアの前記ダミー画素電極に対向する対向電極と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、表示品位も良好な液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。
【００１３】
図１及び図２に示すように、カラー表示タイプの液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、透過型の液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲと互いに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。
【００１４】
また、この液晶表示装置は、アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱを保持する面とは反対の外面に設けられた第１光学素子ＯＤ１、及び、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱを保持する面とは反対の外面に設けられた第２光学素子ＯＤ２を備えている。さらに、この液晶表示装置は、第１光学素子ＯＤ１側から液晶表示パネルＬＰＮを照明するバックライトユニットＢＬを備えている。
【００１５】
液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＤＳＰ及びアクティブエリアＤＳＰを囲む遮光エリアＳＬＤを備えている。アクティブエリアＤＳＰは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１６】
アレイ基板ＡＲは、ガラス板などの光透過性を有する絶縁基板１０を用いて形成されている。すなわち、このアレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＤＳＰにおいて、各画素に配置されたｍ×ｎ個の画素電極ＥＰ、これら画素電極ＥＰの行に沿ってそれぞれ形成されたｎ本の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、これら画素電極ＥＰの列に沿って形成されたｍ本の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各々対応走査線Ｙ及び対応信号線Ｘの交差位置近傍に画素毎に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子Ｗなどを有している。
【００１７】
ｎ本の走査線Ｙは、アレイ基板ＡＲ上または外部回路基板上に配置された走査線ドライバＹＤに接続されている。ｍ本の信号線Ｘは、アレイ基板ＡＲ上または外部回路基板上に配置された信号線ドライバＸＤに接続されている。走査線ドライバＹＤは、ｎ本の走査線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。信号線ドライバＸＤは、各行のスイッチング素子Ｗが走査信号によってオンする毎にｍ本の信号線Ｘに映像信号（駆動信号）を供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰは、対応するスイッチング素子Ｗを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。このような走査線ドライバＹＤ及び信号線ドライバＸＤは、画素電極ＥＰに対して電圧を印加する電圧印加機構に対応する。
【００１８】
アレイ基板ＡＲにおいて、各スイッチング素子Ｗは、例えばＮチャネル型薄膜トランジスタであり、絶縁基板１０上に配置されたポリシリコンからなる半導体層１２により形成されている。ここで、本実施の形態においては、半導体層１２をポリシリコンとしているが、アモルファスシリコンによりスイッチング素子Ｗを形成しても良い。ポリシリコン半導体層１２は、チャネル領域１２Ｃを挟んだ両側にそれぞれソース領域１２Ｓ及びドレイン領域１２Ｄを有している。このポリシリコン半導体層１２は、ゲート絶縁膜１４によって覆われている。
【００１９】
スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、走査線Ｙに接続されている（あるいは走査線Ｙと一体的に形成されている）。ゲート電極ＷＧ及び走査線Ｙは、ともにゲート絶縁膜１４上に配置されている。これらのゲート電極ＷＧ及び走査線Ｙは、層間絶縁膜１６によって覆われている。
【００２０】
スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、層間絶縁膜１６上においてゲート電極ＷＧの両側に配置されている。ソース電極ＷＳは、信号線Ｘに接続される（あるいは信号線Ｘと一体的に形成される）とともに、ポリシリコン半導体層１２のソース領域１２Ｓにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、画素電極ＥＰに接続されるとともに、ポリシリコン半導体層１２のドレイン領域１２Ｄにコンタクトしている。これらのソース電極ＷＳ、ドレイン電極ＷＤ、及び、信号線Ｘは、有機絶縁膜１８によって覆われている。
【００２１】
画素電極ＥＰは、層間絶縁膜１６上に配置され、ドレイン電極ＷＤと電気的に接続されている。この画素電極ＥＰは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する導電性部材によって形成される。すべての画素ＰＸに対応した画素電極ＥＰは、配向膜２０によって覆われている。
【００２２】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。すなわち、この対向基板ＣＴは、アクティブエリアＤＳＰにおいて、各画素に対応して配置されたカラーフィルタ層３４を備えている。カラーフィルタ層３４は、互いに異なる色に着色された着色樹脂によって形成され、アクティブエリアＤＳＰの赤色画素に配置された赤色カラーフィルタ３４Ｒ、緑色画素に配置された緑色カラーフィルタ３４Ｇ、及び、青色画素に配置された青色カラーフィルタ３４Ｂを含んでいる。
【００２３】
また、対向基板ＣＴは、アクティブエリアＤＳＰにおいて、カラーフィルタ層３４を覆うように配置された対向電極ＥＴを備えている。この対向電極ＥＴは、複数の画素ＰＸに対応して画素電極ＥＰに対向するように配置されている。この対向電極ＥＴは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する導電性部材によって形成されている。また、この対向電極ＥＴは、配向膜３６によって覆われている。
【００２４】
このような対向基板ＣＴと、上述したようなアレイ基板ＡＲとをそれぞれの配向膜２０及び３６を対向して配置したとき、両者の間に配置された図示しないスペーサにより、所定のギャップが形成される。液晶層ＬＱは、これらアレイ基板ＡＲの配向膜２０と対向基板ＣＴの配向膜３６との間に形成されたギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物で構成さていれる。
【００２５】
一対の配向膜２０及び３６には、ラビング処理が施されており、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態では、液晶分子は、これらの配向膜のラビング方向に依存して配列する。ここでは、一対の配向膜２０及び３６のラビング方向は互いにほぼ直交しており、液晶層ＬＱにおけるミッドプレーンの液晶分子は、信号線Ｘに対してほぼ垂直に配向している。なお、液晶分子の配向方向は、この例に限らず、３０°以上９０°以下の範囲であれば良い。
【００２６】
第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、これらを通過する光の偏光状態を制御するものである。すなわち、第１光学素子ＯＤ１は、その主面内で所定方位に透過軸を有するとともに透過軸に直交する方位に吸収軸を有する偏光板を含んでいる。第２光学素子ＯＤ２は、その主面内で所定方位に透過軸を有するとともに透過軸に直交する方位に吸収軸を有する偏光板を含んでいる。これらの偏光板は、例えば、それぞれの透過軸が互いにほぼ直交するように配置されている。
【００２７】
ところで、図３に示すように、異なる色の画素ＰＸにそれぞれ配置されたカラーフィルタ３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、重なることによる液晶層ＬＱのギャップムラの発生を防止するなどの目的により、互いに離間して配置されている。このため、アクティブエリアＤＳＰの画素ＰＸ間には、遮光エリアＳＬＤと同様に遮光層（ブラックマトリクス）ＳＬが配置されている。
【００２８】
また、遮光エリアＳＬＤにおいては、アクティブエリアＤＳＰと同等のギャップを確保するなどの目的により、カラーフィルタ３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）が配置されている。図３に示した例では、遮光エリアＳＬＤにおいては、各画素ＰＸに配置されるカラーフィルタと同ピッチで複数のカラーフィルタ３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）が配置されている。
【００２９】
対向電極ＥＴは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合わせ際の合わせズレを考慮して、アクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤの少なくとも一部のエリアにわたって延在している。
【００３０】
このような構成の液晶表示装置において、図４に示すように、アクティブエリアＤＳＰの端部に配置された画素ＰＸ（Ｅ）については、液晶表示パネルＬＰＮの法線方向に沿った縦電界の他に形成される斜め電界の影響を受ける。すなわち、遮光エリアＳＬＤにおいて、アクティブエリアＤＳＰに隣接したカラーフィルタ（図３及び図４においては赤色カラーフィルタ３４Ｒ）は、対向電極ＥＴによって覆われている。当然のことながら、カラーフィルタ３４Ｒのアクティブエリア側の端面も対向電極ＥＴによって覆われている。
【００３１】
このように、遮光エリアＳＬＤに配置されたカラーフィルタ３４Ｒを覆う対向電極ＥＴと、アクティブエリア端部に配置された画素ＰＸ（Ｅ）の画素電極ＥＰとの間で液晶表示パネルＬＰＮの法線に対して傾いた斜め電界が形成される。このような斜め電界と縦電界との相互作用により、アクティブエリア端部の画素ＰＸ（Ｅ）では、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の配向不良が発生する（リバースチルトドメインが形成される）。
【００３２】
そこで、この実施の形態では、図５及び図６に示すように、アクティブエリアＤＳＰの端部に配置された画素ＰＸ（Ｅ）の画素電極ＥＰ（Ｅ）及びカラーフィルタ３４（Ｅ）は、アクティブエリアＤＳＰと遮光エリアＳＬＤとの境界Ｂよりも遮光エリア側に延在している。
【００３３】
すなわち、信号線Ｘが延びる行方向Ｃについては、同一色の画素が並んでおり、これらの画素からなる画素列に対応してストライプ状のカラーフィルタが配置されている。図５に示した例では、アクティブエリアＤＳＰの一端部に配置された画素ＰＸ（Ｅ）は、青色画素であり、これらの青色画素からなる画素列に対応して、行方向Ｃに延びるストライプ状の青色カラーフィルタ３４Ｂ（３４（Ｅ））が配置されている。
【００３４】
このような画素ＰＸ（Ｅ）に対応して配置された画素電極ＥＰ（Ｅ）は、他の画素ＰＸに対応して配置された画素電極ＥＰとは大きさ、特に列方向Ｒに沿った幅が異なり、画素の幅Ｌよりも大きく形成されている。このため、画素電極ＥＰ（Ｅ）は、アクティブエリアＤＳＰから境界Ｂを越えて遮光エリアＳＬＤまで延在している。
【００３５】
同様に、画素ＰＸ（Ｅ）に対応して配置されたカラーフィルタ３４（Ｅ）は、他の画素ＰＸに対応して配置されたカラーフィルタとは大きさ、特に列方向Ｒに沿った幅が異なり、画素の幅Ｌよりも大きく形成されている。このため、カラーフィルタ３４（Ｅ）は、アクティブエリアＤＳＰから境界Ｂを越えて遮光エリアＳＬＤまで延在している。
【００３６】
なお、ここで示した例では、アクティブエリアＤＳＰにおいては、列方向Ｒに沿って、赤色画素列、緑色画素列、青色画素列がその順に並んで配置されており、アクティブエリアＤＳＰの他端部に配置された赤色画素列の各画素についても、画素電極及びカラーフィルタは、アクティブエリアＤＳＰと遮光エリアＳＬＤとの境界よりも遮光エリア側に延在している。
【００３７】
このような構成により、アクティブエリア端部の画素において配向不良を生じさせるような斜め電界の発生を抑制することができる。また、画素電極が遮光エリアまで延在しているため、斜め電界が発生したとしても、その影響は遮光エリア内で留まり、アクティブエリアへの影響は軽減できる。このため、アクティブエリア端部における光り抜けの発生を防止することが可能となり、良好な表示品位を得ることが可能となる。
【００３８】
上述した実施の形態において、画素ＰＸ（Ｅ）に対応して配置された画素電極ＥＰ（Ｅ）は、その列方向Ｒに沿った幅を大きくするほど斜め電界の影響を軽減する効果が高まるが、画素幅Ｌの１．５倍を超えると、他の画素に配置された画素電極との容量差が大きくなりすぎて表示不良を生ずるおそれがある。このため、画素ＰＸ（Ｅ）に対応して配置された画素電極ＥＰ（Ｅ）は、その列方向Ｒに沿った幅が３×Ｌ／２以下に設定されることが望ましい。なお、発明者の検討によれば、画素電極ＥＰ（Ｅ）の列方向Ｒに沿った幅は、５×Ｌ／４以上であれば、斜め電界の影響を十分に軽減する効果が得られることが確認されている。
【００３９】
一方、画素ＰＸ（Ｅ）に対応して配置されたカラーフィルタ３４（Ｅ）は、その列方向Ｒに沿った幅を大きくするほど斜め電界の影響を軽減する効果が高まるが、画素幅Ｌの３倍程度に設定されている。
【００４０】
次に、他の実施の形態について説明する。
【００４１】
すなわち、図７に示すように、アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＤＳＰの各画素に配置された画素電極ＥＰの他に、遮光エリアＳＬＤに配置されたダミー画素電極ＤＥＰを備えている。このダミー画素電極ＤＥＰは、遮光エリアＳＬＤにおいて、少なくともアクティブエリアＤＳＰに近接した１画素分の領域に対応して配置されている。
【００４２】
対向基板ＣＴは、アクティブエリアＤＳＰ及び遮光エリアＳＬＤにおいて、それぞれ行方向に延びるストライプ状のカラーフィルタ３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を備えており、また、これらのカラーフィルタ３４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を覆うように配置された対向電極ＥＴを備えている。この対向電極ＥＴは、少なくとも画素電極ＥＰ及びダミー画素電極ＤＥＰに対向に対向するように配置されている。
【００４３】
このダミー画素電極ＤＥＰは、通常の画素に配置された画素電極ＥＰと同様に電圧が印加される。すなわち、図８に示すように、ダミー画素電極ＤＥＰは、通常の画素と同様にダミースイッチング素子ＤＷに接続されている。このダミースイッチング素子ＤＷは、スイッチング素子Ｗと同一構造であり、そのゲート電極ＷＧは走査線Ｙに接続されており、また、そのソース電極ＷＳはダミー信号線ＤＸに接続されている。ダミー信号線ＤＸは、通常の信号線Ｘと同様に信号線ドライバＸＤに接続されている。
【００４４】
このような構成において、走査線ドライバＹＤがｎ本の走査線Ｙに順次走査信号を供給し、一方で、信号線ドライバＸＤが各行のスイッチング素子Ｗ及びダミースイッチング素子ＤＷが走査信号によってオンする毎にｍ本の信号線Ｘ及び少なくとも１本のダミー信号線ＤＸに対して映像信号（駆動信号）を供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰ及びダミー画素電極ＤＥＰは、供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００４５】
つまり、遮光エリアＳＬＤに配置されたダミー画素電極ＤＥＰもアクティブエリアＤＳＰの画素電極ＥＰと同様に電圧が印加されるため、アクティブエリア端部の画素ＰＸ（Ｅ）については、画素電極ＥＰ（Ｅ）と対向電極ＥＴとの間で斜め電界は発生しにくい。また、ダミー画素電極ＤＥＰと対向電極ＥＴとの間に斜め電界が形成されたとしても、アクティブエリアＤＳＰの画素については、端部の画素ＰＸ（Ｅ）であっても斜め電界の影響を受けにくい。このため、アクティブエリア端部における光り抜けの発生を防止することが可能となり、良好な表示品位を得ることが可能となる。
【００４６】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示装置の断面構造を概略的に示す図である。
【図３】図３は、図１に示した液晶表示装置においてアクティブエリア周辺での光り抜けが発生する場合の構成例を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示した液晶表示装置における光抜けの発生メカニズムを説明するための図である。
【図５】図５は、この発明の実施の形態に係る液晶表示装置の構成例を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、図５に示した構成例におけるカラーフィルタのレイアウト例を示す平面図である。
【図７】図７は、この発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の構成例を概略的に示す断面図である。
【図８】図８は、図７に示した構成例における回路構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
ＬＰＮ…液晶表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層  ＢＬ…バックライトユニット  ＤＳＰ…アクティブエリア  ＳＬＤ…遮光エリア  ＰＸ…画素  ＥＰ…画素電極  Ｙ…走査線  Ｘ…信号線  Ｗ…スイッチング素子  ＹＤ…走査線ドライバ  ＸＤ…信号線ドライバ  ＥＴ…対向電極  ＳＬ…遮光層  Ｂ…境界  ＤＥＰ…ダミー画素電極  ＤＷ…ダミースイッチング素子  ＤＸ…ダミー信号線  ＯＤ１…第１光学素子  ＯＤ２…第２光学素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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