(57)【要約】【課題】リードに表面処理を施す際、表面処理によってリード間の樹脂部分に付着する異物を残さないようにする。【解決手段】ダムバー８１で連結された複数のリード４０を備えて構成されるリードフレーム８０に半導体チップを実装し、少なくとも半導体チップおよびリード４０の一部をモールド樹脂６０で封止したものを用意する。続いて、リードフレーム８０のうち各リード４０を連結するダムバー８１以外の不要な部分をカットし、モールド樹脂６０から露出した複数のリード４０にはんだコート４１を形成する。この後、隣り合うリード４０をそれぞれ連結するダムバー８１をカットする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（２０）と、前記半導体チップが外部との電気的接続を行うための複数のリード（４０）と、前記半導体チップと前記リードの一部とをモールド樹脂（６０）で封止し、前記リードのうち前記モールド樹脂から露出した部分に表面処理を施してなる半導体装置の製造方法であって、
ダムバー（８１）で連結された前記複数のリードを備えて構成されるリードフレーム（８０）に前記半導体チップを実装し、少なくとも前記半導体チップおよび前記リードの一部を前記モールド樹脂で封止したものを用意する工程と、
前記モールド樹脂から露出した前記複数のリードに表面処理を行う工程と、
前記リードに表面処理を行った後、前記隣り合うリードをそれぞれ連結する前記ダムバーをカットする工程と、を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記表面処理を行う工程では、前記リードフレームのうち、前記ダムバー以外の部分をカットする工程を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体チップ（２０）と、前記半導体チップが外部との電気的接続を行うための複数のリード（４０）と、前記半導体チップと前記リードの一部とをモールド樹脂（６０）で封止し、前記リードのうち前記モールド樹脂から露出した部分にはんだコート（４１）を形成してなる半導体装置の製造方法であって、
ダムバー（８１）で連結された前記複数のリードを備えて構成されるリードフレーム（８０）に前記半導体チップを実装し、少なくとも前記半導体チップおよび前記リードの一部を前記モールド樹脂で封止したものを用意する工程と、
前記モールド樹脂から露出した前記複数のリードそれぞれに前記はんだコートを形成する工程と、
前記リードに前記はんだコートを形成した後、前記隣り合うリードをそれぞれ連結する前記ダムバーをカットする工程と、を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記はんだコートを形成する工程では、前記リードフレームのうち、前記ダムバー以外の部分をカットする工程を含んでいることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ダムバーをカットする工程では、前記モールド樹脂と前記ダムバーとの間に形成されたバリ（６１）を前記ダムバーと共に除去することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ダムバーをカットする工程では、
前記モールド樹脂の壁面に形成されたバリを除去するバリ取り工程と、
前記リードの形状を矯正するリード矯正工程と、を含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを樹脂でモールドし、樹脂から露出したリードの先端部分に表面処理を施してなる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＧＢＴなどの縦型のパワー素子としての半導体チップの表裏面にヒートシンクが電気的、熱的に接続されると共に、半導体チップを外部と電気的に接続するためのリードが樹脂でモールドされたものが知られている。
【０００３】
図５は、従来の半導体装置の製造方法を示した図である。なお、図５（ｂ）、（ｃ）では、（ａ）に示すリード１４０部分の拡大図を示している。
【０００４】
図５（ａ）に示す工程では、リードフレーム１８０に図示しない半導体チップを実装したものを用意する。すなわち、リード１４０や端子部１５１等で構成されるリードフレーム１８０および上側ヒートシンク１１３や端子部１５２等で構成されるリードフレーム１８５を用意し、そのリードフレーム１８０に設けられた図示しない下側ヒートシンク上に半導体チップを実装する。また、半導体チップとリード１４０とをワイヤボンディングすると共に、半導体チップの表面に上側ヒートシンク１１３を接続する。そして、上側ヒートシンク１１３および下側ヒートシンクの片面、リード１４０や端子部１５１、１５２の一部が露出するようにモールド樹脂１６０でモールドし、図５（ａ）に示されるものを用意する。
【０００５】
図５（ｂ）に示す工程では、リードフレーム１８０の不要な部分をカットする。具体的には、リードカットのための金型を用意し、この金型をリードフレーム１８０に押し付けることでリードフレーム１８０の不要な部分をカットする。この際、隣り合うリード１４０を連結するダムバー１８１もカットする。こうしてリードフレーム１８０の不要な部分を取り除く。
【０００６】
図５（ｃ）に示す工程では、リード１４０に対する表面処理として、リード１４０の先端部分にはんだコート１４１を形成する。このため、まず、リード１４０を除く部分にマスク１９０を設置する。このマスク１９０は、モールド樹脂１６０にはんだが付着してしまうことを防止するためのものであり、例えばリード１４０を挿入する開口部分が設けられたものが用いられる。なお、図５（ｃ）では、マスク１９０がリード１４０を除いた部分のみに設置されているように描かれているが、実際には、リード１４０の表裏面にもマスク１９０が配置されている。
【０００７】
従来では、リード１４０の先端部分にはんだをコートする場合、はんだディップやはんだめっきなどの方法がある。また、はんだディップの方法には例えば超音波の方法がある。この超音波の方法では、まず、溶融させたはんだのはんだ液にリード１４０の先端部分を浸ける。そして、はんだ液を超音波振動させる。これにより、はんだ液に浸けたリード１４０の先端を超音波によって洗浄しつつ、リード１４０の先端部分にはんだコート１４１を形成する。このようにして、半導体装置が完成する。
【０００８】
なお、フラックスの方法では、はんだ液の表面にリード１４０の表面を洗浄するためのフラックス溶液を積層しておく。そして、フラックス溶液を介してリード１４０をはんだ液に浸ける。これにより、まず、リード１４０の先端部分をフラックス溶液によって洗浄し、フラックス溶液を通過したリード１４０をそのままはんだ液に浸ける。こうしてリード１４０の先端部分にはんだコート１４１を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来の技術では、はんだコート１４１を形成する際、隣り合うリード１４０の間のモールド樹脂１６０に異物が残ってしまう。具体的には、超音波の方法ではんだコート１４１を形成する際、超音波振動するはんだ液の表面からはんだの霧が上昇することが発明者らの実験等により明らかとなっている。つまり、この霧状のはんだがはんだ液面から舞い上がる。
【００１０】
このため、図５（ｃ）に示されるように、リード１４０を除いた場所にマスク１９０を設置しているが、各リード１４０間を繋いでいたダムバー１８１がすでにカットされているため、霧状になって舞い上がったはんだの粉が隣り合うリード１４０間のモールド樹脂１６０に異物２００として付着してしまう。なお、マスク１９０の状態によっては、リード１４０の根元にも異物２００が付着する可能性がある。
【００１１】
この異物２００は、隣り合うリード１４０を電気的に接続させてしまうことや、半導体装置が長く使用されたときに信頼性の低下を引き起こす可能性がある。したがって、ブラシ等によってこの異物２００を掻き取らなければならず、その工程が必要になってしまう。また、異物２００を掻き取る際、リード１４０を曲げてしまって形状精度を損なう可能性もある。
【００１２】
なお、フラックスの方法では、リード１４０の先端部分をはんだ液に浸けると、リード１４０の根元がフラックス溶液に浸かった状態になる。このため、隣り合うリード１４０間のモールド樹脂１６０にフラックス溶液が付着する可能性がある。このため、フラックス溶液が異物となり、超音波の方法と同様に、洗浄工程によって異物を取り除かなければならない。さらに、はんだめっきの方法においても、ダムバー１８１を切断した後にめっき工程を実施することで、リード１４０間のモールド樹脂１６０にめっきによる異物が付着してしまう可能性がある。
【００１３】
以上のように、リード１４０に対して表面処理を行うことで、隣り合うリード１４０間のモールド樹脂１６０に異物２００を残してしまうという問題がある。
【００１４】
本発明は、上記点に鑑み、リードに表面処理を施す際、表面処理によってリード間の樹脂部分に付着する異物を残さないようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明では、ダムバー（８１）で連結された複数のリード（４０）を備えて構成されるリードフレーム（８０）に半導体チップ（２０）を実装し、少なくとも半導体チップおよびリードの一部をモールド樹脂（６０）で封止したものを用意する。続いて、モールド樹脂から露出した複数のリードに表面処理を行い、この後、隣り合うリードをそれぞれ連結するダムバーをカットすることを特徴とする。
【００１６】
このように、各リードに対して表面処理を施した後、各リードを連結するダムバーをカットする。これにより、表面処理によって異物が生じ、この異物がダムバーに付着したとしても、表面処理後にダムバーをカットしているため、ダムバーと共に異物を取り除くことができる。したがって、モールド樹脂から露出する隣り合うリード間の樹脂部分に異物を残さないようにすることができる。
【００１７】
本発明では、表面処理を行う際、リードフレームのうち、ダムバー以外の部分をカットすることを特徴とする。
【００１８】
このように、リードフレームのうち、不要な部分をカットする。これにより、リードフレームをカットする前よりもワークサイズを小さくすることができ、ハンドリングの向上や収納マガジンの省スペース化の向上を実現できる。
【００１９】
本発明では、ダムバー（８１）で連結された複数のリード（４０）を備えて構成されるリードフレーム（８０）に半導体チップ（２０）を実装し、少なくとも半導体チップおよびリードの一部をモールド樹脂（６０）で封止したものを用意する。続いて、モールド樹脂から露出した複数のリードにはんだコート（４１）を形成し、この後、隣り合うリードをそれぞれ連結するダムバーをカットすることを特徴とする。
【００２０】
このように、各リードにはんだコートを形成した後、各リードを連結するダムバーをカットする。これにより、はんだコートの際にはんだやはんだをコートするために用いられた液剤などの異物がダムバーに付着したとしても、はんだコートを形成した後にダムバーをカットしているため、ダムバーと共に異物を取り除くことができる。したがって、モールド樹脂から露出する隣り合うリード間の樹脂部分に異物を残さないようにすることができる。
【００２１】
本発明では、はんだコートを形成する際、リードフレームのうち、ダムバー以外の部分をカットすることを特徴とする。
【００２２】
このように、リードフレームのうち、不要な部分をカットする。これにより、リードフレームをカットする前よりもワークサイズを小さくすることができ、ハンドリングの向上や収納マガジンの省スペース化の向上を実現できる。
【００２３】
本発明では、ダムバーをカットする工程では、モールド樹脂とダムバーとの間に形成されたバリ（６１）をダムバーと共に除去することを特徴とする。
【００２４】
このように、ダムバーと共に、ダムバーでせき止められたバリも除去する。これにより、ダムバーやバリに付着した異物を除去することができる。また、バリは隣り合うリード間に形成されて除去されるため、隣り合うリード間の樹脂部分に異物を確実に残さないようにすることができる。
【００２５】
本発明では、ダムバーをカットする工程では、モールド樹脂の壁面に形成されたバリを除去するバリ取り工程と、リードの形状を矯正するリード矯正工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００２６】
このように、バリ取り工程やリード矯正工程を行う。これにより、製品としての外観を整えることができる。
【００２７】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される半導体装置は、例えばハイブリッド車のインバータ制御に用いられるものである。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の平面図である。また、図２は、図１
のＡ−Ａ断面図である。図２に示されるように、本実施形態に係る半導体装置Ｓ１では、下側ヒートシンク１１上に半導体チップ２０が搭載され、半導体チップ２０上にヒートシンクブロック１２を介して上側ヒートシンク１３が設置されている。
【００３０】
下側ヒートシンク１１および上側ヒートシンク１３は、半導体チップ２０から発せられる熱を放出するための放熱板としても機能するため、熱伝導性が良く、電気抵抗が低いＣｕなどで構成される。ヒートシンクブロック１２は半導体チップ２０から発せられる熱を上側ヒートシンク１３側へ逃がすためのものであり、例えばＣｕなどで構成される。
【００３１】
これにより、上記した構成においては、半導体チップ２０の上面では、ヒートシンクブロック１２および上側ヒートシンク１３を介して放熱が行われ、半導体チップ２０の下面では、下側ヒートシンク１１を介して放熱が行われる構成となっている。
【００３２】
本実施形態では、矩形状で薄板状の２つの半導体チップ２０が用いられ、図２において紙面垂直方向にそれぞれ配置されている。２つの半導体チップ２０のうち、図２に示される一方には例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やサイリスタ等のパワー半導体素子が採用され、図示しない他方には例えばＦＷＤ（フリーホイールダイオード）等からなる半導体素子が採用される。
【００３３】
また、図２に示される半導体チップ２０のゲート電極には、ゲートワイヤ３０を介してリード４０が接続され、上側ヒートシンク１３および下側ヒートシンク１１には、それぞれ図１に示される端子部５１、５２が接続された状態になっている。そして、下側ヒートシンク１１の片面、上側ヒートシンク１３の片面、リード４０の一部、端子部５１、５２の一部がそれぞれ露出するように、モールド樹脂６０にて封止した構成となっている（図１参照）。
【００３４】
なお、上側ヒートシンク１３に接続された端子部５２は、モールド樹脂６０内で折り曲げられている。そして、端子部５１、５２およびリード４０は同一平面上に配置された状態とされている。また、下側ヒートシンク１１と半導体チップ２０との間、半導体チップ２０とヒートシンクブロック１２との間、ヒートシンクブロック１２と上側ヒートシンク１３との間は、それぞれはんだ７０により接合されている。
【００３５】
以上が、本実施形態に係る半導体装置Ｓ１の構成である。
【００３６】
上記半導体装置Ｓ１において、モールド樹脂６０から露出したリード４０の先端部分にはんだコート４１が形成されている（図１に示される斜線部分）。本実施形態では、このはんだコート４１は、例えばはんだディップの方法のうち超音波によってリード４０の先端部分の表面に形成されている。また、はんだとしてＳｎ（すず）系はんだが用いられている。
【００３７】
このようにリード４０の先端部分にはんだコート４１を形成しておくことで、半導体装置Ｓ１を電気回路が形成された基板等に実装する際の搭載性を向上できる。
【００３８】
次に、上記半導体装置Ｓ１の製造方法について図を参照して説明する。図３は、図１に示される半導体装置Ｓ１の製造工程を示したものである。なお、図３（ｂ）〜（ｄ）は、図３（ａ）に示されるリード４０近傍を拡大した図である。
【００３９】
図３（ａ）に示す工程では、半導体チップ２０をリードフレーム８０に実装したものを用意する。具体的に、まず、下側ヒートシンク１１、リード４０、端子部５１等がパターン化され、それぞれがダムバーで接合された状態のリードフレーム８０を例えばプレス加工や切削等によって形成する。また同様に、上側ヒートシンク１３、端子部５２等もパターン化され、リードフレーム８５が形成される。
【００４０】
そして、このリードフレーム８０に半導体チップ２０、ヒートシンクブロック１２、リードフレーム８５を実装し、半導体チップ２０のゲート電極とリード４０とをゲートワイヤ３０で接続する。この後、上側ヒートシンク１３、下側ヒートシンク１１、リード４０、そして端子部５１、５２が露出するようにモールド樹脂６０にてリードフレーム８０を封止する。こうして図３（ａ）に示されるものを用意する。
【００４１】
図３（ｂ）に示す工程では、リードフレーム８０のうち隣り合うリード４０を連結するダムバー８１を除いた部分をカットする。すなわち、リードフレーム８０をカットする際、各リード４０をそれぞれ繋ぐダムバー８１が残されるように、リードフレーム８０のうちダムバー８１以外の不要な部分を切除する。したがって、リードフレーム８０をカットする際、ダムバー８１が残されるような金型を用意し、この金型をリードフレーム８０にプレスすることでリードフレーム８０の不要な部分をカットする。これにより、図３（ｂ）に示されるように、隣り合うリード４０がそれぞれダムバー８１で繋がれたものが得られる。
【００４２】
このように、リードフレーム８０のうち、不要な部分をカットすることで、リードフレーム８０をカットする前よりもワークサイズを小さくすることができ、ハンドリングの向上や収納マガジンの省スペース化の向上を実現できる。
【００４３】
図３（ｃ）に示す工程では、リード４０に対する表面処理として、モールド樹脂６０から露出するリード４０の先端部分にはんだコート４１を形成する。このように、はんだコート４１を形成するため、はんだディップの方法を採用すると共に、はんだディップのうち超音波を用いた方法によって各リード４０にはんだをコートする。
【００４４】
本実施形態では、モールド樹脂６０にはんだが付着することを防止するために、リード４０を除く部分にマスク９０を設置する。このようなマスク９０として、リード４０を配置させる開口部分が設けられたものや、２枚のゴムでリード４０を挟み込むものが採用される。また、溶融したはんだの熱に耐えられる素材のマスク９０を用いることが好ましい。
【００４５】
なお、図３（ｃ）では、マスク９０がリード４０を除いた部分のみに設置されているように描かれているが、実際には、リード４０の表裏面にもマスク９０が配置されている。
【００４６】
続いて、はんだを溶融させたはんだ液を用意し、マスク９０でモールド樹脂６０を遮断した状態で、リード４０の先端部分をはんだ液に浸ける。そして、はんだ液を超音波振動させる。なお、はんだ液を超音波振動させる方法として、はんだ液中で振動子を超音波振動させる方法や、はんだ液が入れられた容器そのものを超音波振動させる方法などが採用される。
【００４７】
はんだ液の超音波振動によってリード４０の表面の酸化膜を破壊して除去し、リード４０の表面にはんだに対する濡れ性を確保する。このように、リード４０の先端部分を超音波によって洗浄しつつ、リード４０の先端部分にはんだをコートしてはんだコート４１を形成する。
【００４８】
このようにしてはんだコート４１を形成する際、上述のように、超音波振動に応じてはんだ液の表面から霧状のはんだが舞い、はんだの粉がリード４０のうちはんだ液に浸かっていない部分に付着する。しかしながら、このはんだの粉は、上記マスク９０によって遮断され、モールド樹脂６０に付着しないようになっている。また、リード４０においては、隣接するリード４０がそれぞれダムバー８１で接続されている。このため、はんだ液面からモールド樹脂６０側に上昇するはんだの粉をダムバー８１でブロックすることができる。
【００４９】
なお、上述のように、マスク９０はモールド樹脂６０にはんだの粉が異物として付着してしまうことを防止するためのものである。このため、ダムバー８１およびダムバー８１よりもモールド樹脂６０側にはんだの粉が付着する可能性があるが、後で説明する工程で除去できるようになっている。
【００５０】
はんだコート４１を形成した後、バリ取り工程を行う。すなわち、図３（ａ）に示す工程において、リードフレーム８０を樹脂封止した際、モールド樹脂６０を形作る型から樹脂が漏れてバリとなる。したがって、モールド樹脂６０から突出したバリを取り除く。
【００５１】
そして、図３（ｄ）に示す工程では、ダムバー８１を除去する。具体的には、ダムバー８１を切除する金型を用意し、この金型をダムバー８１に押し付けることで、各リード４０を連結するダムバー８１を切断除去する。
【００５２】
このようにダムバー８１を除去する際、モールド樹脂６０とダムバー８１との間に形成されたバリも一緒に除去する。このことについて、図４を参照して説明する。図４は、図３（ｃ）のＢ−Ｂ断面図である。なお、図４では、モールド樹脂６０に封止された部品や部材を省略してある。
【００５３】
図３（ａ）に示す工程において、リードフレーム８０を樹脂封止した際、モールド樹脂６０の型から樹脂が漏れ、図４に示されるように、モールド樹脂６０とダムバー８１との間にバリ６１が形成されている。そして、図３（ｄ）に示す工程では、ダムバー８１を切除する際、ダムバー８１と共にこのバリ６１も除去する。
【００５４】
これにより、はんだコート４１を形成する際に霧状になってダムバー８１およびバリ６１の表面に付着したはんだの粉は、ダムバー８１のカットの際にダムバー８１およびバリ６１と共に除去されることとなる。したがって、超音波振動によって発生したはんだの粉がはんだコート４１の形成の際に各リード４０の表面やダムバー８１、そしてバリ６１に付着したとしても、少なくともダムバー８１およびバリ６１に付着したはんだの粉は除去される。このため、隣り合うリード４０間に異物を残さないようにすることができ、隣り合うリード４０がはんだの粉によって電気的に接続された状態となることを防止することができる。
【００５５】
また、本実施形態では、モールド樹脂６０にはんだの粉が付着することを防止するためにマスク９０を用いているため、はんだ液から霧状のはんだが舞ったとしても、マスク９０の厚さによってモールド樹脂６０とバリ６１との接続部分にまではんだの粉が付着することはない。したがって。図３（ｄ）に示されるダムバー８１の除去の工程により、モールド樹脂６０から露出する各リード４０の間に異物を残さないようにすることができる。
【００５６】
この後、図示しないが、リード矯正工程を行って、各リード４０の形状矯正を行い、最終検査工程にて、外観や電気的特性の検査を行う。以上のようにして、図１および図２に示される半導体装置Ｓ１が完成する。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態では、各リード４０にはんだコート４１を形成した後、隣り合うリード４０をそれぞれ連結するダムバー８１をカットする。これにより、はんだコート４１を形成する際に発生するはんだの粉などの異物がダムバー８１に付着したとしても、はんだコート４１を形成した後にダムバー８１をカットしているため、ダムバー８１と共にダムバー８１に付着したはんだの粉を取り除くことができる。したがって、モールド樹脂６０から露出する隣り合うリード４０間の樹脂部分に異物であるはんだの粉を残さないようにすることができる。
【００５８】
また、ダムバー８１と共に、ダムバー８１でせき止められたバリ６１も除去しているため、ダムバー８１と共にバリ６１を除去することにより、隣り合うリード４０間の樹脂部分に異物を確実に残さないようにすることができる。
【００５９】
（他の実施形態）
上記実施形態では、表面処理として、リード４０にはんだをコートする処理を例に説明したが、隣り合うリード４０間に異物が付着する他の表面処理においても、上記実施形態で示された方法を適用することができる。
【００６０】
上記実施形態で示された半導体装置の構成は一例を示すものであって、半導体装置の構成は図１および図２に限定されるものではない。すなわち、用いる半導体チップ２０は１つでも良いし、ヒートシンクブロック１２を用いないなど、設計に応じて構成を変更しても構わない。
【００６１】
上記実施形態では、はんだコート４１を形成した後、バリ取り工程を行うようにしているが、このバリ取り工程は、図３（ａ）に示す樹脂封止されたリードフレーム８０を用意した後、どの時点で行うようにしても構わない。
【００６２】
上記実施形態において、図３（ｃ）に示す工程では、はんだコート４１を形成する際、マスク９０を用いてモールド樹脂６０にはんだの粉が付着してしまうことを防止しているが、このマスク９０を用いずに表面処理を施しても構わない。すなわち、表面処理を施した後、バリ６１と共にダムバー８１をカットするようにしているため、隣り合うリード４０間の樹脂部分にはんだの粉などの異物を残さないようにすることができる。
【００６３】
また、図３（ｄ）に示す工程において、ダムバー８１をカットすると共に、製品としての形状バリエーションに応じたカットを行うようにしても構わない。これにより、カット工程を統合することができ、工程数を削減できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１に示される半導体装置の製造工程を示した図である。
【図４】図３（ｃ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示した図である。
【符号の説明】
【００６５】
２０…半導体チップ、４０…リード、４１…はんだコート、６０…モールド樹脂、
６１…バリ、８１…ダムバー。
【図１】
2007103643.tif 000003
【図２】
2007103643.tif 000004
【図３】
2007103643.tif 000005
【図４】
2007103643.tif 000006
【図５】
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