(57)【要約】【課題】半導体装置に関する情報が不特定の者に容易に認識されるということは、セキュリティ対策として逆効果となってしまう。【解決手段】半導体装置１は、パッケージ本体１１と、パッケージ本体１１から当該パッケージ本体１１の外部へ延びる外部リード端子１２と、外部リード端子１２上に記され、当該半導体装置１に関する情報を示すマーク１４と、外部リード端子１２のうち少なくともマーク１４が記された部分を覆うめっき膜１３と、を備えている。【選択図】図１
2007221033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ本体と、前記パッケージ本体から当該パッケージ本体の外部へ延びる外部リード端子とを有する半導体装置であって、
前記外部リード端子上に記され、当該半導体装置に関する情報を示すマークと、
前記外部リード端子のうち少なくとも前記マークが記された部分を覆う被覆膜と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記マークが示す前記情報は、暗号化されている半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記マークは、前記外部リード端子に刻印されている半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記マークの凹部は、前記被覆膜で埋め込まれている半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の半導体装置において、
前記被覆膜は、金属膜または絶縁膜である半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記被覆膜は、金属膜であり、
前記金属膜は、めっき膜、スパッタ膜、ＣＶＤ膜または半田ディッピングである半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記被覆膜は、絶縁膜であり、
前記絶縁膜は、樹脂コーティングまたはＣＶＤ膜である半導体装置。
【請求項８】
パッケージ本体と、前記パッケージ本体から当該パッケージ本体の外部へ延びる外部リード端子とを有する半導体装置を製造する方法であって、
前記外部リード端子上に、当該半導体装置に関する情報を示すマークを記す工程と、
前記外部リード端子のうち少なくとも前記マークが記された部分を被覆膜で覆う工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記マークを記す工程においては、レーザ捺印またはプレス加工により、前記外部リード端子上に前記マークを記す半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置としては、例えば特許文献１，２に記載されたものがある。図５は、特許文献１に記載された半導体装置を示す側面図である。帯状の外部リード端子１０２が、パッケージ本体１０１の側面から外部に引き出され、直ちに下方に曲げられている。外部リード端子１０２の表面には、製造メーカを表わす社標１０３が打刻により刻印されている。
【０００３】
図６は、特許文献１に記載された別の半導体装置を示す平面図である。帯状の外部リード端子１０２が、パッケージ本体１０１の側面から横方向に外部に引き出されている。外部リード端子１０２の表面には、社標１０３が打刻により印字されている。
【０００４】
図７は、特許文献２に記載された半導体装置を示す側面図である。この半導体装置は、パッケージ本体１０１と、パッケージ本体１０１から外部に引き出された外部リード端子１０２と、刻印１０４とで構成されている。リードフレームを形成するプレス加工の際、外部リード端子１０２に、社名および品名等を表わす英字、数字が刻印１０４として刻まれる。この刻印１０４の深さは、５０μｍ程度である。
【０００５】
図８は、特許文献２に記載された別の半導体装置を示す側面図である。この半導体装置は、パッケージ本体１０１と、パッケージ本体１０１から外部に引き出された外部リード端子１０２と、品名等を表示する切込み１０５とで構成されている。リードフレームを形成するプレス加工の際、外部リード端子１０２の一部がＶ字型にカットされ、それにより切込み１０５が形成される。この切込み１０５の深さ（図中左右方向の長さ）は、外部リード端子１０２の幅の３分の１（約０．５ｍｍ）程度である。
【特許文献１】実開平４−１５８５５号公報
【特許文献２】実開平３−９９４４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図５〜図８に示した半導体装置は、当該半導体装置の正当な製造販売者以外の者が、当該半導体装置に記された捺印を消去して別の捺印に書き換えた上で、全く別の製品として販売等するという行為を防ぐものである。すなわち、これらの半導体装置においては、社標１０３、刻印１０４または切込み１０５を外部リード端子１０２に設けることにより、当該半導体装置の製造メーカ等の情報が上記製造販売者以外の者にも容易に認識されるようにし、それにより上記行為の抑止効果を狙っている。
【０００７】
しかしながら、このように半導体装置に関する情報が不特定の者に容易に認識されるということは、当該半導体装置がセキュリティを必要とする機器に搭載される場合に、セキュリティ対策として逆効果となってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体装置は、パッケージ本体と、上記パッケージ本体から当該パッケージ本体の外部へ延びる外部リード端子とを有する半導体装置であって、上記外部リード端子上に記され、当該半導体装置に関する情報を示すマークと、上記外部リード端子のうち少なくとも上記マークが記された部分を覆う被覆膜と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
この半導体装置においては、外部リード端子上に、当該半導体装置に関する情報を示すマークが記されている。ここで、このマークは、被覆膜によって覆われているため、視認することができない。これにより、半導体装置に関する情報が不特定の者に容易に認識されるのを防ぐことができる。
【００１０】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、パッケージ本体と、上記パッケージ本体から当該パッケージ本体の外部へ延びる外部リード端子とを有する半導体装置を製造する方法であって、上記外部リード端子上に、当該半導体装置に関する情報を示すマークを記す工程と、上記外部リード端子のうち少なくとも上記マークが記された部分を被覆膜で覆う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
この製造方法においては、外部リード端子上に、当該半導体装置に関する情報を示すマークが記される。そして、そのマークは、被覆膜で覆われる。このため、製造される半導体装置においては、上記マークを視認することができない。これにより、半導体装置に関する情報が不特定の者に容易に認識されるのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、当該半導体装置に関する情報が不特定の者に容易に認識されるのを防ぐことが可能な半導体装置およびその製造方法が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ、本発明による半導体装置およびその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
図１（ａ）は、本発明による半導体装置の一実施形態を示す平面図である。また、図１（ｂ）は、同半導体装置を示す側面図である。半導体装置１は、パッケージ本体１１と、パッケージ本体１１から当該パッケージ本体１１の外部へ延びる外部リード端子１２と、外部リード端子１２上に記され、当該半導体装置１に関する情報を示すマーク１４と、外部リード端子１２のうち少なくともマーク１４が記された部分を覆うめっき膜１３（被覆膜）と、を備えている。ここで、半導体装置１に関する情報としては、半導体装置１の製造者、型番およびロット番号等が挙げられる。
【００１５】
マーク１４は、外部リード端子１２の表面に刻印されている。このマーク１４は、点線で図示されているが、実際にはめっき膜１３で覆われることにより目で見えない状態となっている。マーク１４が示す上記情報は、半導体装置１に固有な情報、すなわち製品毎に異なる情報である。また、本実施形態において、当該情報は暗号化されている。
【００１６】
図２および図３を参照しつつ、本発明による半導体装置の製造方法の一実施形態として、半導体装置１の製造方法の一例を説明する。概括すると、この製造方法は、外部リード端子１２上にマーク１４を記す工程と、外部リード端子１２のうち少なくともマーク１４が記された部分をめっき膜１３で覆う工程とを含む。
【００１７】
より詳細には、まず、パッケージ本体１１の中に半導体チップ（図示せず）を搭載し組み立てた後、樹脂封止を行う。さらに、外部リード端子１２を所定の形状に成形する（図２（ａ）、図２（ｂ））。続いて、レーザ捺印またはプレス加工等により、外部リード端子１２の表面に、所定の文字、数字、記号または図等をマーク１４として刻印する（図３（ａ）、図３（ｂ））。このときの掘り込む深さは、例えば１〜５０μｍである。
【００１８】
次に、電気めっき等の手法を用い、外部リード端子１２上に、半田めっきまたはニッケルめっき等のめっき膜１３を形成する。このとき、外部リード端子１２のうち少なくともマーク１４が記された部分が覆われるようにする。本例においては特に、外部リード端子１２の全体をめっき膜１３で覆っている。これにより、外部リード端子１２上のマーク１４は見えなくなる。以上により、半導体装置１が得られる。
【００１９】
図４は、半導体装置１の一部を示す断面図である。同図においては、レーザ光線により、外部リード端子１２表面の肩部分に、深さ１〜５０μｍ程度の所定のマーク１４が刻印されている。さらに、その上から、厚さ５〜５０μｍ程度の半田めっきがめっき膜１３として施されている。掘られたマーク１４は、めっき膜１３で埋め込まれ、それによりめっき膜１３の外側からはマーク１４の有無を識別できなくなっている。
【００２０】
本実施形態の効果を説明する。本実施形態においては、外部リード端子１２上に、半導体装置１に関する情報を示すマーク１４が記されている。ここで、マーク１４は、被覆膜（本実施形態ではめっき膜１３）によって覆われているため、視認することができない。これにより、半導体装置１に関する情報が不特定の者に容易に認識されるのを防ぐことができる。よって、セキュリティを必要とする機器への搭載に適した半導体装置１およびその製造方法が実現されている。また、半導体装置１を搭載した機器においては、高いセキュリティ性が確保される。
【００２１】
また、めっき膜１３を剥離することによりマーク１４を認識できるので、半導体装置１の正当な製造販売者は、必要に応じてマーク１４を視認することができる。よって、上記製造販売者は、他者が容易に知り得ない情報によって半導体装置１を識別することができる。
【００２２】
特に本実施形態においてはマーク１４が示す情報が暗号化されている。これにより、めっき膜１３が剥がれた場合であっても、半導体装置１に関する情報が上記製造販売者以外の者に容易に知られてしまうのを防ぐことができる。
【００２３】
マーク１４は外部リード端子１２に刻印されている。このように刻印としてマーク１４を形成することにより、消去あるいは変更されにくいマーク１４を得ることができる。レーザ捺印またはプレス加工によりマーク１４を形成した場合、刻印としてのマーク１４を特に容易に形成することができる。
【００２４】
刻印として形成されたマーク１４の凹部は、めっき膜１３で埋め込まれている。これにより、平坦度の高い表面を有するめっき膜１３が得られる。これにより、めっき膜１３下のマーク１４の存在自体を知られにくくすることができる。
【００２５】
本発明による半導体装置およびその製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態においてはマーク１４が外部リード端子１２の表面に記された例を示したが、マーク１４は、外部リード端子１２の裏面または側面に記されていてもよい。また、マーク１４は、外部リード端子１２の表面、裏面および側面のうちの２つまたは全部に記されていてもよい。
【００２６】
また、上記実施形態においては被覆膜の一例としてめっき膜を示したが、被覆膜としては、めっき膜以外の金属膜、または絶縁膜を用いてもよい。めっき膜以外の金属膜は、例えば、スパッタ膜、ＣＶＤ膜または半田ディッピング等である。また、絶縁膜は、例えば、樹脂コーティングまたはＣＶＤ膜等である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】（ａ）は、本発明による半導体装置の一実施形態を示す平面図である。（ｂ）は、同半導体装置を示す側面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、本発明による半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本発明による半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための図である。
【図４】図１の半導体装置の一部を示す断面図である。
【図５】特許文献１に記載された半導体装置を示す側面図である。
【図６】特許文献１に記載された別の半導体装置を示す平面図である。
【図７】特許文献２に記載された半導体装置を示す側面図である。
【図８】特許文献２に記載された別の半導体装置を示す側面図である。
【符号の説明】
【００２８】
１    半導体装置
１１    パッケージ本体
１２    外部リード端子
１３    めっき膜
１４    マーク
【図１】
2007221033.tif 000003
【図２】
2007221033.tif 000004
【図３】
2007221033.tif 000005
【図４】
2007221033.tif 000006
【図５】
2007221033.tif 000007
【図６】
2007221033.tif 000008
【図７】
2007221033.tif 000009
【図８】
2007221033.tif 000010