(57)【要約】【課題】実使用時の耐久性が向上した半導体装置及びその製造方法を容易に且つ低コストで提供する。【解決手段】プリント配線基板１０の電気回路が形成された面に、電極が形成された面を向かいにして第１のシリコンチップ１２が半田バンプ１１によってフリップチップボンディングされている。この第１のシリコンチップ１２の背面１３に、ダイボンディング樹脂１４を介して電極が形成されていない面を向かいにして第２のシリコンチップ１５が設けられている。この第２のシリコンチップ１５の各電極とプリント配線基板１０上に形成された電気回路の配線に対応するそれぞれのパッド１６とがボンディングワイヤ１７で電気接続されている。第１及び第２のシリコンチップ１２、１５はプリント配線基板１０上に形成された封止樹脂１８によって封止されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線基板に半田バンプでフリップチップボンディングされた第１のシリコンチップの背面にダイボンディング樹脂を介して第２のシリコンチップが固着され、この第２のシリコンチップの各電極と前記プリント配線基板上に形成された電気回路の配線とがボンディングワイヤで電気接続された半導体装置において、
前記第１及び第２のシリコンチップが前記プリント配線基板上に形成された封止樹脂によって封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記封止樹脂はシリカ系有機樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
プリント配線基板に第１のシリコンチップを半田バンプでフリップチップボンディングするステップと、
前記第１のシリコンチップの背面にダイボンディング樹脂を介して第２のシリコンチップを固着するステップと、
前記第２のシリコンチップの各電極と前記プリント配線基板上に形成された電気回路の配線とをボンディングワイヤで電気接続するステップと、
充填口が設けられた型を、前記第１及び第２のシリコンチップを覆うように前記プリント配線基板上に設けるステップと、
前記充填口から封止樹脂を充填し、前記第１及び第２のシリコンチップを封止するステップと、
前記封止樹脂が凝固した後に、前記型を前記プリント配線基板から取り外すステップと、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超小型化電子機器に実装するための半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
超小型電子機器に実装するため複数のシリコンチップが高密度実装化された半導体装置の一つとして、図４に示したようなものがある。この半導体装置１は、プリント配線基板１０に半田バンプ１１でフリップチップボンディングされた第１のシリコンチップ１２の背面１３にダイボンディング樹脂１４を介して第２のシリコンチップ１５が固着され、そしてこの第２のシリコンチップ１５の各電極（図示せず）とプリント配線基板１０上に形成された電気回路の配線（図示せず）とがボンディングワイヤ１７で電気接続されることで、面積的に２倍の実装密度が達成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−４７９９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１の半導体装置１は、第１のシリコンチップ１２のプリント配線基板１０への接続が半田バンプ１１のみによって行われているので、接着性に問題がある。また、外的要因からも保護されておらず、実使用時の耐久性に問題がある。
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するためのものであり、高密度に実装されたシリコンチップとプリント配線基板との接着性及び耐久性を高めた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、プリント配線基板に半田バンプでフリップチップボンディングされた第１のシリコンチップの背面にダイボンディング樹脂を介して第２のシリコンチップが固着され、この第２のシリコンチップの各電極とプリント配線基板上に形成された電気回路の配線とがボンディングワイヤで電気接続された半導体装置であって、第１及び第２のシリコンチップがプリント配線基板上に形成された封止樹脂によって封止されていることを特徴とするものである。
【０００６】
なお、封止樹脂はシリカ系有機樹脂であることが好ましい。
【０００７】
また、半導体装置は、プリント配線基板に第１のシリコンチップを半田バンプでフリップチップボンディングするステップと、第１のシリコンチップの背面にダイボンディング樹脂を介して第２のシリコンチップを固着するステップと、第２のシリコンチップの各電極とプリント配線基板上に形成された電気回路の配線とをボンディングワイヤで電気接続するステップと、充填口が設けられた型を、第１及び第２のシリコンチップを覆うようにプリント配線基板上に設けるステップと、充填口から封止樹脂を充填し、第１及び第２のシリコンチップを封止するステップと、封止樹脂が凝固した後に、型をプリント配線基板から取り外すステップと、から製造されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体装置によれば、第１及び第２のシリコンチップがプリント配線基板上に形成された封止樹脂によって封止されていることにより、第１のシリコンチップのプリント配線基板への接着性が向上し、実使用時の耐久性が向上する。
【０００９】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体装置は、充填口が設けられた型を、第１及び第２のシリコンチップを覆うようにプリント配線基板上に設け、充填口から封止樹脂を充填し、第１及び第２のシリコンチップを封止し、封止樹脂が凝固した後に、型をプリント配線基板から取り外すことによって製造されるので、容易に且つ低コストで実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の半導体装置２の構成について図１を参照して説明する。なお、図４で示した構成部品と同じ部品については同一の符号を付して説明する。
【００１１】
半導体装置２は、プリント配線基板１０と、その上に積層された第１及び第２のシリコンチップ１２、１５と、第１及び第２のシリコンチップ１２、１５を封止する封止樹脂１８とからなる。プリント配線基板１０は、表面に電気回路（図示せず）が形成され、その電気回路の配線（図示せず）には電気接続用のパッド１６が設けられている。第１のシリコンチップ１２は、半田バンプ１１によってプリント配線基板１０にフリップチップボンディングされている。第１のシリコンチップ１２の背面１３にダイボンディング樹脂１４を介して固着された第２のシリコンチップ１５は、表面に設けられた各電極（図示せず）がプリント配線基板１０に形成された電気回路の配線に対応するそれぞれのパッド１６とボンディングワイヤ１７で電気接続されている。プリント配線基板１０上に形成された封止樹脂１８は、第１及び第２のシリコンチップ１２、１５を封止している。
【００１２】
本発明の半導体装置２の製造方法について図２（ａ）、図２（ｂ）、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して説明する。
【００１３】
プリント配線基板１０の電気回路が形成された面に、電極が形成された面を向かいにして第１のシリコンチップ１２を半田バンプ１１でフリップチップボンディングする（図２（ａ））。この第１のシリコンチップ１２の背面１３に、ダイボンディング樹脂１４を介して電極が形成されていない面を向かいにして第２のシリコンチップ１５を固着する（図２（ｂ））。この第２のシリコンチップ１５の各電極とプリント配線基板１０上に形成された電気回路の配線に対応するそれぞれのパッド１６とをボンディングワイヤ１７で電気接続する（図３（ａ））。
【００１４】
充填口１９ａが設けられた型１９を、第１及び第２のシリコンチップ１２、１５を覆うようにプリント配線基板１０上に設ける（図３（ｂ））。充填口１９ａから封止樹脂１８（例えば、シリカ系有機樹脂）を充填し、第１及び第２のシリコンチップ１２、１５を封止する。封止樹脂１８が凝固した後に、型１９をプリント配線基板１０から取り外すと、半導体装置２が完成する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の半導体装置の断面図である。
【図２】その製造方法を説明する断面図である。
【図３】その製造方法を説明する断面図である。
【図４】従来技術の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００１６】
１、２  半導体装置
１０  プリント配線基板
１１  半田バンプ
１２  第１のシリコンチップ
１３  背面
１４  ダイボンディング樹脂
１５  第２のシリコンチップ
１６  パッド
１７  ボンディングワイヤ
１８  封止樹脂
１９  型
１９ａ  充填口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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