(57)【要約】【課題】  寿命を長寿命化でき、しかも安定な出力画像を継続して得られる放射線検出器を提供する。【解決手段】  この発明の放射線検出器１は、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層１１と、画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板２１とを有し、回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されているものにおいて、画素電極と光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と窒化物、または炭化物、もしくは酸化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板と、この回路基板に接して設けられ、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層とを有し、前記回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されている放射線検出器において、
前記画素電極と前記光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と窒化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板と、この回路基板に接して設けられ、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層とを有し、前記回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されている放射線検出器において、
前記上部電極と前記光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と窒化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする放射線検出器。
【請求項３】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板と、この回路基板に接して設けられ、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層とを有し、前記回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されている放射線検出器において、
前記画素電極と前記光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と炭化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする放射線検出器。
【請求項４】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板と、この回路基板に接して設けられ、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層とを有し、前記回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されている放射線検出器において、
前記上部電極と前記光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と炭化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする放射線検出器。
【請求項５】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板と、この回路基板に接して設けられ、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層とを有し、前記回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されている放射線検出器において、
前記画素電極と前記光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と酸化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする放射線検出器。
【請求項６】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板と、この回路基板に接して設けられ、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層とを有し、前記回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されている放射線検出器において、
前記上部電極と前記光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と酸化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする放射線検出器。
【請求項７】
前記光導電膜は、沃化鉛、沃化水銀、沃化インジウム、沃化ビスマス、臭化タリウムの少なくとも１つを主成分とすることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１に記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、Ｘ線に代表される放射線で撮影された放射線画像を検出する放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
新世代のＸ線診断用検出器としてアクティブマトリックスを用いたＸ線画像検出器が大きな注目を集めている。平面状の検出器にＸ線を当てる事で、Ｘ線撮影像又はリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号とし出力される。固体検出器である事から、画質性能や安定性の面でも極めて期待が大きい。このため、多くの大学やメーカーによる研究開発が推進されている。
【０００３】
実用化の最初の用途として、比較的大きな線量で静止画像を収集する胸部／一般撮影用に開発され、近年商品化されている。より高い技術的なハードルをクリアして、透視線量下で秒３０コマ以上のリアルタイム動画を実現させる必要のある循環器、消化器分野への応用に対しても近い将来に商品化が予想される。この動画用途に対しては、Ｓ／Ｎの改善や微小信号のリアルタイム処理技術等が重要な開発項目となっている。
【０００４】
平面検出器には大きく分けて直接方式と間接方式の２通りがある。直接方式は、Ｘ線をａ−Ｓｅ等の光導電膜により直接電荷信号に変換し、電荷蓄積用のキャパシタに導く方式である。間接方式は、シンチレータ層によりＸ線を受けて一旦可視光に変換し、可視光をａ−ＳｉフォトダイオードやＣＣＤにより信号電荷に変換して、電荷蓄積用キャパシタに導く方式である。直接方式は、入射Ｘ線によりＸ線光導電体内部に発生した光導電電荷を高電界により直接に電荷蓄積用キャパシタに導く方式である。
【０００５】
Ｘ線画像検出器には、先に述べたように直接方式と間接方式の２種類の方式がある。現在主に発表されているものは間接方式が大半を占めているが、将来における高性能化への可能性は直接方式のほうが高いとされている。
【０００６】
直接方式は、入射Ｘ線を直接電荷信号に変換するための「Ｘ線光導電材料」として、検出波長に特徴のある半導体を用いる。平面画像検出器の主な用途としては人体を透過させその情報を医療用として使用する場合が多く、人体を十分にカバーできるだけの大きさを必要とする。そのため通常使用される大きさとしては一辺４０ｃｍほどの検出器が良く用いられている。このときに直接方式のＸ線画像検出器を実現しようとすると、それ以上の大きさを持つＴＦＴ回路基板の上にＸ線光導電膜を均一に形成することが要求される。また、入射Ｘ線を十分に検出するためには、重金属で構成された大きな比重を持つ材料を、数百μｍの厚みに積層して、Ｘ線光導電膜とすることが必要である。このことは、概ね、４０ｃｍ四方の大きさの半導体膜を、ＴＦＴ基板上に形成することを要求する。
【０００７】
Ｘ線光導電材料は半導体の一種なので、その結晶構造や組成によって特性が大きく変化してしまう可能性が非常に高い。また通常の半導体材料の特性は単結晶において最高の特性が得られるが、Ｘ線画像検出器の大きさをカバーできるだけの半導体単結晶材料は実現されていない。そこで直接方式のＸ線画像検出器を実現するにはＴＦＴ基板の上にＸ線光導電材料を直接形成することが必要となる。
【０００８】
なお、直接方式において、検出面に２次元に配列された画素毎に、画素部、電荷蓄積部、ＴＦＴ（読み出しスイッチ）およびツェナダイオードを設け、ツェナダイオードによりＴＦＴの入力側に入力される電圧が、ＴＦＴを破壊する電圧未満の所定の電圧になった時点で電荷蓄積部に電荷を出力することにより、ＴＦＴの破壊を防止する検出器が既に提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−１０２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
通常のＸ線画像検出器のＴＦＴ回路基板は、例えば液晶表示装置の製造プロセスを流用して作られている。そのため、Ｘ線光導電膜と直接接触する画素電極にはアルミニウムまたはＩＴＯが多く用いられ、それら画素電極を取り囲むように酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の絶縁膜も、Ｘ線光導電膜に接触する構造となっている。
【００１０】
多くの場合、ＴＦＴ基板の上に、真空蒸着を用いて、数百μｍにも及ぶＸ線光導電膜が形成される。Ｘ線光導電膜としては、Ｘ線を効率良く電荷信号に変換する特性をもつ沃化鉛（ＰｂＩ２）、沃化水銀（ＨｇＩ２）、沃化ビスマス（ＢｉＩ３）、沃化インジウム（ＩｎＩ）、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）等が用いられる。なお、通常は、Ｘ線光導電膜に電荷を補給する役割を受け持つ上部電極がＸ線光導電膜にさらに積層される。
【００１１】
しかしながら、直接方式のＸ線画像検出器では、Ｘ線光導電膜は、Ｘ線を効率よく吸収するために重金属で構成され、なおかつ十分な性能を出すためにそれらの沃化物や臭化物が主に用いられている。これらの重金属ハロゲン化物の多くは、腐食性が非常に強く、大部分の金属を電極として用いた場合、その金属を腐食しＸ線画像検出器としての性能を大きく損なうことが多い。特に動作中のＸ線画像検出器においては、Ｘ線光導電膜に高電圧（数十Ｖから数百Ｖ）の電界をかける必要があり、従って、極微量のハロゲン成分（沃素、臭素等）がＸ線光導電膜の陽極側に移動し、主に金属からなる画素電極もしくは上部電極との界面を変質する虞がある。このことは、半導体としての性質が強いＸ線光導電膜と電極表面の界面において、Ｘ線画像の品質に大きな影響を及ぼすため、Ｘ線光導電膜中のハロゲン成分による界面の変質は抑制されなければならない問題がある。
【００１２】
この発明の目的は、放射線検出器の寿命を長寿命化でき、しかも安定な出力画像を継続して得られる放射線検出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、平面基板上に画素電極とスイッチング素子とが二次元的に複数配列された回路基板と、この回路基板に接して設けられ、外部から入射した放射線を電気信号に変換するハロゲン化合物を主成分とする光導電層とを有し、前記回路基板と対向する側の前記光導電層の光導電膜表面に上部電極が形成されている放射線検出器において、前記画素電極と前記光導電膜との界面に、タンタル、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、もしくはハフニウムの任意の１つ以上の材質と窒化物とを主成分とする膜を有することを特徴とする放射線検出器を提供するものである。
【発明の効果】
【００１４】
本件出願においては、放射線検出器の寿命を長寿命化でき、しかも安定な出力画像を継続して得られる放射線検出器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態とその効果について詳細に説明する。
【００１６】
図１は、Ｘ線画像検出器の検出器部分のみを示した図である。なお、本発明においてはＸ線，γ線，その他各種放射線の場合に適用可能であるが、以下の一実施の形態においては、放射線の中の代表的なＸ線の場合を例にとり説明する。従って、実施の形態中の「Ｘ線」とする記載を「放射線」に置き換えることにより、本発明が対象とする他の放射線にも適用可能である。
【００１７】
図１に示すＸ線画像検出器１は、入射Ｘ線を電気信号（電子またはホール（正孔））に変換するＸ線光導電層（光導電層）１１、Ｘ線光導電層１１により電子またはホール（正孔）に変換された出力を、Ｘ線光導電層１１に入射した入射Ｘ線の位置に関連付けて取り出すＴＦＴ回路基板２１を有する。
【００１８】
Ｘ線光導電層１１は、図３ないし図５を用いて後段に説明するが、上部電極１２と上部電極１２により大気と接することが抑止されたＸ線光導電膜１３を含む。
【００１９】
ＴＦＴ回路基板２１は、通常、平板のガラスである保持基板２４上に積層されたＴＦＴ回路層２３と画素電極２２とを含む。
【００２０】
ＴＦＴ回路基板２１内部の等価回路を、図２に示す。
【００２１】
図２に示すように、ＴＦＴ回路基板２１は、所定の間隔で配列された制御電極２５と、制御電極２５と直交する方向に所定の間隔で配列された読み出し電極２８により規定されるマトリクス状の出力回路部分と、それぞれの電極の交点（交差部）に、１組ずつ設けられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２６と、ＴＦＴ２６に接続された画素電極２２と、コンデンサ２７を有する。
【００２２】
画素電極２２と、コンデンサ２７は、それぞれ組になりながら格子状に配置され、それぞれの組が、Ｘ線画像の画素に対応する。
【００２３】
制御電極２５は、ＴＦＴ２６のゲート電極に、読み出し電極２９は、ＴＦＴ２６のドレイン電極に、それぞれ接続されている。
【００２４】
このような、回路構成にすることにより、各画素に対応した画素電極２２に流れ込んできた電荷は、それぞれに接続されている薄膜トランジスタ２６のゲート電極がオン状態になるまでそれぞれに接続されたコンデンサ２７に保持され、その状態で、制御電極２５の１つのみがオン状態に切り換えられることで、そのオン状態にある制御電極２５に接続された横一列の薄膜トランジスタ２６がオンとなり、薄膜トランジスタ２６を通じ、個々のＴＦＴ２６に接続されているコンデンサ２７の電荷が読み出し電極２８に流れる。
【００２５】
これにより、特定の行に対応する画像情報（画素電極２２により検出された電荷）が、外部に出力される。
【００２６】
いか、オン状態に切り換える制御電極２５を、順に変化（シフト）することにより、Ｘ線光導電層１１（光導電膜１３）により電気信号に変換された全体の画像情報を、外部に映像信号として出力することが可能となる。
【００２７】
次に、本発明の特徴である部分について図３ないし図５により、説明をする。
【００２８】
図３は、本発明によるＸ線画像検出器の簡易的な断面図である。
【００２９】
ＴＦＴ回路基板２１は、保持基板２４の上にＴＦＴ回路層２３を有し、その回路層２３には、画素電極２２が、ＴＦＴ回路基板表面の大部分を覆うように配置されている。
【００３０】
個々の画素電極２２には、さらに、例えば窒化タンタル（ＴａＮ）を主成分とした保護膜２９が形成されている。保護膜２９は、ＴＦＴ回路基板２１表面に、窒素ガス中による反応性スパッタ蒸着により容易に薄膜形成が可能である。例えば、ＴＦＴ回路基板２１の全面に窒化タンタルによる保護膜２９を形成し、例えばドライエッチングにより画素電極２２以外の領域の保護膜２９を除去することで、保護膜２９の構造を得ることができる。
【００３１】
ＴＦＴ回路層２３および保護膜２９上に、Ｘ線光導電層１１の部分のＸ線光導電膜１３として、例えば沃化鉛（ＰｂＩ２）を真空蒸着法により数百μｍの厚さに形成し、その後に上部電極１２を形成することで、Ｘ線画像検出器１としての主要構造を実現することができる。
【００３２】
Ｘ線光導電膜１３に、Ｘ線光導電物質として、沃化鉛（ＰｂＩ２）を用いた場合、Ｘ線光導電膜１３（Ｘ線光導電層１１）中に外部から入射したＸ線は、Ｘ線光導電膜１３により、そのエネルギーに起因して、内部に電子と正孔（ホール）のペアが、多数発生する。この時、上部電極１２と画素電極１５（ＴＦＴ回路基板２１）間に、数百Ｖの電位差（電圧）を与えることで、発生した電荷すなわち電子とホールは、その電界によって移動し、その一方が画素電極１５に到達し、ＴＦＴ回路層２３の内部に蓄えられる。ＴＦＴ回路層２３により保持された（蓄えられた）電荷を、図２により説明した方法により外部に取り出すことで、入力Ｘ線に対応するＸ線画像が得られる。
【００３３】
なお、腐食性の強いＸ線光導電膜１３に接する画素電極１５と上部電極１２は、耐腐食性の高い物質により構成される必要がある。特に正極側の電極にはＸ線光導電膜１３内部から移動してきたハロゲンイオンが集積し、電極を腐食する可能性があるため、極めて強い耐腐食性が求められる。
【００３４】
一般に、耐腐食性の強い物質としては白金、パラジウムなどが知られている。これらを含む耐腐食性の強い金属は、一般に、仕事関数値が高いことが知られている。例として、白金を画素電極として用いた場合において、Ｘ線光導電膜付近のバンドギャップの模式図を図７に示す。
【００３５】
図７においては、上部電極１２を負極、画素電極２２を正極として、Ｘ線光導電膜１３内部に必要な電界を与えている。この場合、画素電極２２を構成する白金の仕事関数は５．３ｅＶであり、Ｘ線光導電膜１３として多く用いられる沃化鉛（ＰｂＩ２）の仕事関数４．７ｅＶより大きい。
【００３６】
このため、図７に示すように、画素電極２２に接するＸ線光導電膜１３のエネルギーバンド（レベル）１８は、上方に大きな曲がりが発生する（画素電極２２に対して、障壁となる）。
【００３７】
外部から入射したＸ線Ｒにより発生した電子１５は、Ｘ線光導電膜１３の電界により右方向（画素電極側）に移動するが、画素電極２２の界面に発生した導電帯エネルギーレベル（バンド）１８の曲がりによって発生した障壁を越えられず、Ｘ線光導電膜１３の内部に滞留する。
【００３８】
この電子の滞留により、出力されるＸ線画像には、多くの残像現象が発生し、Ｘ線画像としての品質を著しく低下させる。この残像による（出力）Ｘ線画像の品質の低下を防ぐために、例えば正極側となる画素電極２２表面の仕事関数の値（大きさ）を低くすることが有効である。しかし、一般的な元素では、仕事関数値を小さくすると耐腐食性が著しく低下し、Ｘ線画像検出器としての寿命の低下を招く。
【００３９】
上記問題を解決するために、耐食性の高い金属元素を含む化合物を電極材料として使用することで、低い仕事関数値と高い耐腐食性を同時に得ることが可能である。
【００４０】
高い耐腐食性をもつ元素としては、周期律表におけるＩＶ（４）属元素、例えばチタン、ジルコニウムおよびハフニウムや、Ｖ（５）属元素（バナジウム、ニオブあるいはタンタル等が知られている。
【００４１】
これらの元素は、窒化物、炭化物、酸化物を形成することにより更に耐食性が向上し、通常の酸やアルカリに対して、溶解することがなくなることが知られている。
【００４２】
しかも４属と５属の窒化物、炭化物、酸化物の仕事関数は、いずれも低く、    
ＴｉＮ（窒化チタン）  ：２．９ｅＶ、    
ＺｒＮ（窒化ジルコニウム）  ：２．９ｅＶ、    
ＨｆＮ（窒化ハフニウム）  ：３．９ｅＶ、    
ＶＮ（窒化バナジウム）  ：３．６ｅＶ、    
ＮｂＮ（窒化ニオブ）  ：３．９ｅＶ、    
ＴａＮ（窒化タンタル）  ：４．０ｅＶ、    
Ｔａ３Ｎ５（窒化タンタル）：４，２ｅＶ、    
Ｔａ２Ｏ５（酸化タンタル）：４．５ｅＶ、    
ＴａＯＮ（窒酸化タンタル）：４．４ｅＶ、    
ＴｉＣ（炭化チタン）：３．８ｅＶ、    
ＺｒＣ（炭化ジルコニウム）：４．０ｅＶ、    
ＨｆＣ（炭化ハフニウム）：４．５ｅＶ、    
ＮｂＣ（炭化ニオブ）：４．２ｅＶ、    
ＴａＣ（炭化タンタル）：４．３ｅＶ    
である。
【００４３】
これらの中で、低温で容易に形成できる窒化タンタル（Ｔａ３Ｎ５、もしくはＴａＮ）を、図３に示した保護膜２９に用いた。
【００４４】
図６は、図３に示したＸ線画像検出器のバンドギャップ（モデル）である。
【００４５】
図７に示した一般的な構造との違いは、Ｘ線光導電膜１３の正極側である画素電極２２との界面に窒化タンタル膜（保護膜）２９が設けられたことである。
【００４６】
この構造により、画素電極２２表面（保護膜２９との界面）の仕事関数値は、窒化タンタル膜（保護膜）２９の仕事関数値となり、図７に示した比較例である５．３ｅＶに対して、４．０ｅＶとなる。
【００４７】
この結果、Ｘ線光導電膜１２のバンドモデルにおいて、画素電極２２付近のバンドの曲がりが（図７に示した例に比較して）逆転する。
【００４８】
このバンド構造を与えることにより、入射Ｘ線Ｒにより発生した電子１５は、Ｘ線光導電膜１３内部の電荷により画素電極２２方向への移動を妨げることなく、外部に画像信号として出力される。
【００４９】
なお、保護膜２９の材料として、窒素含有量の高い窒化タンタル（Ｔａ３Ｎ５）を利用した場合、窒化タンタルの抵抗率が極めて高いため（５０ＭΩｃｍ以上）、図４に、Ｘ線画像検出器１０１として示すような、保護膜１２９がＴＦＴ回路層３２および画素電極２２の全面を覆う構造とすることができる。
【００５０】
図４に示す構造とすることで、画素電極２２相互間にも、窒化タンタルの保護膜１２９が形成されるが、窒化タンタルの抵抗率が極めて高いため、画素電極２２間の電荷の漏れはほとんど無い。このためコストのかかる（図３に示した例における保護膜（２９））のドライエッチング工程が省略できる利点がある。
【００５１】
図５は、図３および図４により説明した保護膜とは異なる保護膜の実施形態を示す。
【００５２】
図５に示すＸ線画像検出器２０１は、Ｘ線光導電層２１１側に、保護膜２１４を設けたことを特徴とする。
【００５３】
この実施例においては、上部電極１２が正極、画素電極２２が負極であり、Ｘ線光導電膜１３内部の電界方向が、図３または図４により既に説明した例と逆向きである。
【００５４】
図５に示す例では、正極側である上部電極１２とＸ線光導電膜１３との界面における耐食性と仕事関数値が重要であり、図３または図４に示した例と同様の保護膜２１４を上部電極１２とＸ線光導電膜１３との界面に形成している。
【００５５】
以上説明したように、本件出願においては、放射線検出器の寿命を長寿命化でき、しかも安定な出力画像を継続して得られる放射線検出器を得ることができる。
【００５６】
なお、この発明は、前記各実施の形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形もしくは変更が可能である。また、各実施の形態は、可能な限り適宜組み合わせて、もしくは一部を削除して実施されてもよく、その場合は、組み合わせもしくは削除に起因したさまざまな効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】この発明の実施の形態が適用可能なＸ線画像検出器の一例を示す概略図。
【図２】図１に示したＸ線画像検出器の内部の等価回路を示す概略図。
【図３】図１に示したＸ線画像検出器の断面構造の一例を示す概略図。
【図４】図１に示したＸ線画像検出器の断面構造の一例を示す概略図。
【図５】図１に示したＸ線画像検出器の断面構造の一例を示す概略図。
【図６】図３に示したＸ線画像検出器におけるＸ線光導電膜と上部電極および画素電極との間のエネルギーバンドを説明するバンドモデル。
【図７】図６に示した本発明のＸ線画像検出器のバンドモデルと比較される周知の構造のＸ線画像検出器のバンドモデル。
【符号の説明】
【００５８】
１，１０１，２０１…Ｘ線（放射線）検出器、１１，２１１…Ｘ線光導電層（光導電層）、１２…上部電極、１３…Ｘ線光導電膜（光導電膜）、１４…導電帯のエネルギーレベル、１５…電子、１６…荷電子帯のエネルギーレベル、１７…ホール（正孔）、２１，１２１…ＴＦＴ回路基板、データ処理部、２２…画素電極、２３…ＴＦＴ回路層、２４…保護基板、２５…制御電極、２６…薄膜トランジスタ、２７…コンデンサ、２８…読み出し電極、２９（１２９）…保護膜（全面保護膜）、２１４…上部保護膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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