(57)【要約】【課題】簡易な構成であり、画素領域のエッジ部で発生するリバースチルトドメインに起因する光漏れを防止することが可能な液晶装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素領域がマトリクス状に配置された液晶装置であって、一対の基板４，５のうち少なくともいずれか一方の基板４，５の液晶層８側の面における隣接する画素領域Ａの間の画素間領域Ｂに、表面に複数の微細孔を有する金属酸化物を含む配向膜２０が設けられるとともに、画素領域Ａには配向膜１３と異なる他の配向膜１９が設けられ、画素間領域Ｂでの電圧無印加状態における液晶層８の配向状態と画素領域Ａでの電圧無印加状態における液晶層８の配向状態とが異なることを特徴とする。【選択図】図３
2007183386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素領域がマトリクス状に配置された液晶装置であって、
前記一対の基板のうち少なくともいずれか一方の基板の前記液晶層側の面における隣接する前記画素領域の間の画素間領域に、表面に複数の微細孔を有する金属酸化物を含む配向膜が設けられるとともに、前記画素領域には前記配向膜と異なる他の配向膜が設けられ、前記画素間領域での電圧無印加状態における液晶層の配向状態と前記画素領域での電圧無印加状態における液晶層の配向状態とが異なることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記画素間領域の配向膜は、金属膜の表面を陽極酸化させることにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記金属膜が、アルミニウム、マグネシウム、タングステン、チタンまたはこれらのいずれかの合金からなることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記液晶層の液晶が、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記画素間領域の配向膜が、前記一対の基板のうちいずれか一方に設けられるとともに、膜厚方向に陽極酸化された金属酸化物と、陽極酸化されず残存した金属膜とを有することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記画素間領域の配向膜が、前記一対の基板の双方に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記画素間領域の配向膜が、前記一対の基板のうちいずれか一方に設けられ、
前記配向膜と平面的に重なる位置に遮光膜が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記一対の基板のうちいずれか一方の前記液晶層側に、異なる色の複数の着色部を有するカラーフィルタが設けられ、
隣接する前記着色部間に前記配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、携帯電話等の表示部として搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置され、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板から構成されている。液晶装置としては、一方の基板側から入射した光が、液晶層を透過し、他方の基板側から出射された光を視認する透過型液晶装置が知られている。透過型液晶装置においては、一対の基板の外側に、特定の偏光のみを透過する偏光子を設けることにより、電圧無印加時、電圧印加時における液晶層内の液晶分子の配列を光学的に識別し、表示を行う構成になっている。 
【０００３】
ここで、液晶装置の中で画素ごとに薄膜トランジスタを配置したアクティブマトリクス型液晶パネルを用いた表示素子がある。このアクティブマトリクス型液晶パネルにおいて、良好な表示を行うには、一対の基板の法線方向の電界（縦電界）に対して、対向電極と画素電極との間の液晶分子が一様に応答することが重要である。しかしながら、画素電極のエッジ付近においては、対向電極から横方向の電界成分が加わるため、画素電極のエッジ付近で、液晶分子のリバースチルトドメイン（液晶分子の傾倒方向の異なる領域）が発生してしまう。その結果、光漏れやコントラストの低下が生じていた。このため、リバースチルトドメインが発生する画素電極のエッジ付近をブラックマトリックス（ＢＭ）で覆うことにより隠しているが、この構成では画素領域を狭くすることになり、画素領域の開口率が低下してしまう。
【０００４】
そこで、画素領域の開口率を低下させることなく、液晶分子のリバースチルトドメインの発生を抑えることが可能な液晶パネルが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１に記載の液晶パネルは、画素領域内にポリイミド配向膜を印刷した後、画素領域間の液晶分子が垂直配向となるように有機配向膜を塗布，ラビング処理により形成する。このようにして、画素領域内と画素領域間との液晶分子の配向状態を異ならせ、画素領域間の液晶分子の配向を規制することにより、リバースチルトドメインの発生を抑えている。
【特許文献１】特開平５−１４２５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献１に記載の液晶パネルでは、特にアクティブマトリクス型液晶パネルは、一方の基板上の電極間にスイッチング素子が形成されているため、基板上には段差部が生じる。そして、この表面に配向膜を形成しているので、段差部上をラビング処理する際、所望の配向状態にならず、配向膜としての信頼性低下につながり、例えば、液晶装置を表示装置として用いた場合、表示不良を生じさせる原因となる。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、簡易な構成であり、画素領域のエッジ部で発生するリバースチルトドメインに起因する光漏れを防止することが可能な液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。00210021
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素領域がマトリクス状に配置された液晶装置であって、前記一対の基板のうち少なくともいずれか一方の基板の前記液晶層側の面における隣接する前記画素領域の間の画素間領域に、表面に複数の微細孔を有する金属酸化物を含む配向膜が設けられるとともに、前記画素領域には前記配向膜と異なる他の配向膜が設けられ、前記画素間領域での電圧無印加状態における液晶層の配向状態と前記画素領域での電圧無印加状態における液晶層の配向状態とが異なることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る液晶装置では、画素間領域に、画素領域での液晶層の配向状態と異なる配向膜が設けられているため、この配向膜により、画素間領域の液晶分子を配向させることができる。すなわち、画素間領域の液晶分子は、上記配向膜の近傍では、安定した状態で規制されることになるため、従来では、一対の基板の一方に設けられた画素電極のエッジ部分に、液晶分子のリバースチルトドメイン（液晶分子の傾倒方向の異なる領域）が発生していたが、これを抑えることが可能となる。したがって、複数の微細孔が形成された金属酸化物を含む配向膜を用いることにより、簡易な構成であるとともに、画素間領域の配向の乱れ（ディスクリネーション）の発生を抑えることが可能となる。このため、光漏れを抑制することができ、高コントラストな液晶装置を得ることができる。
さらに、ラビング処理を施す配向膜では基板上に段差がある場合、所定の方向に液晶分子を配向させる配向膜を形成するのは困難であるが、本発明の配向膜は、ラビング処理が不要であり、基板上に段差がある場合でも高い配向能力を有するものとなる。
【０００９】
また、本発明の液晶装置において、前記画素間領域の配向膜は、金属膜の表面を陽極酸化させることにより形成されることが好ましい。
一般に、金属膜を陽極酸化した場合、その陽極酸化の条件を変えることによって緻密で欠陥のない膜から多孔質な膜まで様々な膜を形成することができる。例えば大きな電流で短時間陽極酸化を行った場合には、多数の微細孔がランダムに開孔した多孔質膜が形成され、逆に小さな電流で長時間陽極酸化を行った場合には、緻密で欠陥のない膜が形成される。また、その中間の条件をとった場合には、多数の微細孔が規則的に配列した２次元配列構造を有する多孔質膜が形成されるようになる。このように、陽極酸化により金属膜の表面に多孔質の陽極酸化膜を形成し、この陽極酸化膜の表面に形成された多数の微細孔によって液晶の配向を垂直方向に制御することができる。
本発明によれば、液晶が微細孔の内周面に沿って確実に配向されるため、高い配向能力を実現することができる。また、この配向膜は無機材料からなるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて耐光性や耐溶剤性に優れており、又、微細孔で垂直配向を実現している（即ち、形状配向膜の一種である）ので、安定した配向が得られる。
【００１０】
また、本発明の液晶装置は、前記金属膜が、アルミニウム、マグネシウム、タングステン、チタンまたはこれらのいずれかの合金からなることが好ましい。
本発明に係る液晶装置では、金属膜としては、上記のようないわゆるバルブ金属と呼ばれるものやその合金を使用することができる。この中でも特にアルミニウムは、微細孔を形成し易いため好適である。
また、従来で用いられているポリイミド等の有機膜に比べ、無機膜を用いることにより、長期信頼性に優れており、さらには、基板上に段差があっても容易に配向膜を形成することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の液晶装置は、前記液晶層の液晶が、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶であることが好ましい。
本発明に係る液晶装置では、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶は、画素電極のエッジ部分に液晶分子のリバースチルトドメインが発生し易いため、好適である。
【００１２】
また、本発明の液晶装置は、前記画素間領域の配向膜が、前記一対の基板のうちいずれか一方に設けられるとともに、膜厚方向に陽極酸化された金属酸化物と、陽極酸化されず残存した金属膜とを有することが好ましい。
【００１３】
本発明に係る液晶装置では、例えば、配向膜が形成された基板側の液晶分子を垂直配向にし、本発明の配向膜が形成されていない基板側の液晶分子を水平配向にするこができる。したがって、一対の基板の一方に設けられた画素電極のエッジ部分に発生する液晶分子のリバースチルトドメインを抑えることができる。また、画素間領域の配向膜は、すべてが金属酸化物であると、種類によっては光透過性を有することになるが、陽極酸化されず残存した金属膜を有しているため、光を遮断する機能を有することになり、簡易な構成により、各画素領域を区画する遮光膜の機能を有したものとなる。したがって、従来のようにリバースチルトドメインが発生する領域、すなわち、画素電極のエッジ部分を遮光膜で覆う必要がなくなる。このため、金属膜の幅を狭くすることで、画素領域が広くなり、画素領域の高開口率化を実現することが可能となる。
【００１４】
また、本発明の液晶装置は、前記画素間領域の配向膜が、前記一対の基板の双方に形成されていることが好ましい。
本発明に係る液晶装置では、配向膜が、一対の基板のいずれにも形成されているため、画素電極間の液晶分子を、垂直配向にすることができる。ここで、画素領域内の液晶分子を初期状態（電圧無印加状態）において水平配向となるようにすると、画素電極の間から射出される光を遮光することができるため、各画素領域を区画する遮光膜の機能を有したものとなる。したがって、従来のようにリバースチルトドメインが発生する領域、すなわち、画素電極のエッジ部分を覆う必要がなくなる。このため、画素間領域の配向膜の幅を狭くすることで、画素領域が広くなり、画素領域の高開口率化を実現することが可能となる。
【００１５】
また、本発明の液晶装置は、前記画素間領域の配向膜が、前記一対の基板のうちいずれか一方に設けられ、前記配向膜と平面的に重なる位置に遮光膜が設けられていることが好ましい。
【００１６】
本発明に係る液晶装置では、配向膜が、一対の基板のうちいずれか一方に形成されているため、より簡易な構成で、画素電極のエッジ部分に生じる液晶分子のリバースチルトドメインの発生を抑えることが可能である。このように、配向膜により、リバースチルトドメインの発生を抑えているため、従来のようにリバースチルトドメインが発生する領域、すなわち、画素間領域を覆うように遮光膜により隠す必要がない。したがって、遮光膜を細くすることができるため、画素領域の高開口率化を実現することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の液晶装置は、前記一対の基板のうちいずれか一方の前記液晶層側に、異なる色の複数の着色部を有するカラーフィルタが設けられ、隣接する前記着色部間に前記配向膜が設けられていることが好ましい。
本発明に係る液晶装置では、隣接する着色部間に配向膜が設けられているため、隣接した色が混色することがないので、鮮明なカラー画像を得ることが可能となる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。
本発明に係る電子機器では、高画質な表示を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２０】
［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。図１（ａ）は、同液晶装置の平面構成図、（ｂ）は（ａ）図のＨ−Ｈ’線に沿う断面構成図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１は、一対の基板，ＴＦＴアレイ基板４と、カラーフィルタ基板５とからなる液晶パネル１０が平面視略矩形枠状のシール材７を介して貼り合わされ、このシール材７に囲まれた領域内に、正の誘電率異方性を有するＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶層８が封入された構成になっている。シール材７内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り９が形成され、この周辺見切りの内側の領域が表示領域１００となっている。また、液晶装置１は、図３に示すように、液晶パネル１０にバックライトとして光を照射させる光源ユニット３０を備えている。
【００２１】
画素表示領域１００内には、画素領域Ａがマトリクス状に設けられている。当該画素領域Ａは、画素表示領域１００の最小表示単位となる１サブ画素を構成している。シール材７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板４の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００２２】
ＴＦＴアレイ基板４の残る１辺（図示上辺）には、表示領域１００の両側の走査線駆動回路１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、カラーフィルタ基板５の各角部においては、ＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。本実施形態の液晶装置１は、透過型の液晶装置として構成され、ＴＦＴアレイ基板４側に配置された光源（図示略）からの光を変調し、カラーフィルタ基板５側から表示光として射出するようになっている。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板４の内面側（液晶層側）に、複数の画素電極１１が配列形成されており、これら画素電極１１を覆うように配向膜１３が形成されている。カラーフィルタ基板５の内面側には、周辺見切り９が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極１８が形成されている。そして、共通電極１８を覆うように配向膜１９が形成されている。
【００２４】
図２は、上記の液晶装置の等価回路図である。  
同図に示すように、液晶装置の表示領域１００には、複数の画素領域Ａがマトリクス状に配置されており、これら画素領域Ａには、それぞれ画素電極１１が配置されている。また、その画素電極１１の側方にはＴＦＴ素子１２が形成されている。ＴＦＴ素子１２は、該画素電極１１への通電制御を行うスイッチング素子である。このＴＦＴ素子１２のソース側にはデータ線６ａが接続されている。各データ線６ａには、例えばデータ線駆動素子から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００２５】
また、ＴＦＴ素子１２のゲート側には走査線３ａが接続されている。走査線３ａには、例えば走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子１２のドレイン側には画素電極１１が接続されている。
【００２６】
走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２が一定期間だけオンにされると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極１１を介して画素領域Ａに所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００２７】
画素領域Ａに書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極１１と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１１と容量線３ｂとの間に蓄積容量１４が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００２８】
次に、液晶パネル１０の詳細について説明する。
ＴＦＴアレイ基板４の液晶層８側の面には、図３に示すように、マトリクス状に複数の走査線（図示略）と複数のデータ線とが形成され、これら走査線とデータ線とに囲まれた画素領域Ａ毎に画素電極１１が設けられている。この走査線とデータ線とが交差する位置にＴＦＴ素子１２が設けられ、ＴＦＴ素子１２を介して各画素電極１１がデータ線に接続されている。これにより、走査線とデータ線に対して信号を印加すると、ＴＦＴ素子１２がオン・オフして画素電極１１の信号の書き込みが行われるようになっている。これらのＴＦＴ素子１２及び画素電極１１等上の全面にはラビング処理が施された配向膜（他の配向膜）１３が形成されている。
【００２９】
カラーフィルタ基板５の液晶層８側の面には、カラーフィルタ１６と、オーバーコート層１７，共通電極１８，配向膜（他の配向膜）１９とがこの順に積層されて形成されている。また、カラーフィルタ１６は、赤色，緑色，青色の各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂから構成されている。
なお、画素電極１１及び共通電極１８は、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されており、配向膜１３，１９は、ポリイミド等によって形成されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板４及びカラーフィルタ基板５は、例えば、ガラスなどの透明材料からなる光透過性基板である。
また、ＴＦＴアレイ基板４の外面４ａ側には、入射側偏光板２６が貼着され、カラーフィルタ基板５の外面５ａ側には、射出側偏光板２７が貼着されている。また、配向膜１３，１９は、液晶層８の液晶分子が初期配向状態において水平配向となるように、ラビング処理が施されており、偏光方向が直交するように配置した２枚の入射側偏光板２６及び射出側偏光板２７により、液晶パネル１０を挟むことで、電圧が印加されていない状態において白表示、電圧が印加された状態で黒表示を行うことが可能となっている。
【００３０】
液晶表示装置１は、配向膜１９上に、隣接する各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ間を覆うとともに、隣接する画素領域Ａの間の画素間領域Ｂに画素間配向膜（配向膜）２０が形成されている。この画素間配向膜２０は、膜厚方向に陽極酸化された金属酸化物２０ａと、陽極酸化されずに残存した金属膜２０ｂとを有している。これにより、画素電極１１及び共通電極１８に電圧が印加されていない状態（初期配向状態）において、画素間配向膜２０，配向膜１３の配向規制力により、画素間配向膜２０と配向膜１３との間の液晶分子は、カラーフィルタ基板５側の液晶分子がカラーフィルタ基板５に対して垂直方向に配向し、ＴＦＴアレイ基板４側の液晶分子がＴＦＴアレイ基板４に対して水平方向、いわゆるハイブリッド配向されている。さらに、画素間配向膜２０の金属膜２０ｂが、各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを区画するようにしてマトリクス状に形成されているため、隣接する各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの遮光膜の機能を有することになる。
【００３１】
［液晶表示装置の製造方法］
次に、画素間配向膜２０の詳細及び液晶表示装置１の製造方法について説明する。
図４は、カラーフィルタ基板５に画素間配向膜２０を形成する工程の一例を示す模式図であり、図５は、陽極酸化膜の構造を示す模式図である。
まず、ガラス基板４０上に、カラーフィルタ１６，オーバーコート層１７，共通電極１８，配向膜１９を形成し、配向膜１９にはラビング処理を施す。そして、この配向膜１９上に、Ａｌ（アルミ）膜（金属膜）４１を形成する。Ａｌ膜４１を、例えば、純度９９．９％のアルミニウムをスパッタ法で２００ｎｍの厚みで形成する。その後、レジストを用いたフォトリソ工程によって、画素間領域ＢにＡｌ膜４１をパターニングし、ガラス基板４０をアセトン等で脱脂処理を行った後、図４に示すように、所定の電解液Ｅを用いてＡｌ膜４１を陽極酸化する。
陽極酸化は、例えば次の条件で行う。電解液Ｅの液温：２０℃、印加電圧：直流１０ｍＡ／ｄｍ２を流す電圧Ｖ、陰極Ｍ１：白金（Ｐｔ）、陽極酸化時間：３０分。このような陽極酸化処理を行うと、Ａｌ膜４１の表面には、電気分解反応によって微細な孔がＡｌ膜４１の面に垂直に形成されていく。そして、反応の進行に伴って、Ａｌ膜４１の表面にナノメートルスケールの小さな孔（ナノホール）が規則的に配列した酸化アルミニウムの薄い陽極酸化膜、すなわち、画素間配向膜２０が形成される。これは、酸化によって画素間配向膜２０の体積が増加し、これによって生じた膜中のストレスを緩和するように、孔が自己組織的に再配列される。そして、さらに反応を進めていくと、孔は孔径を広げながら下層側に延びていき、最終的にはＡｌ膜４１の半分までナノホールアレイが形成される。すなわち、Ａｌ膜４１を液晶層８側の１００ｎｍのみ陽極酸化することにより、厚みが１００ｎｍの金属酸化物２０ａ及び厚みが１００ｎｍの金属膜２０ｂが形成される。
【００３２】
画素間配向膜２０は、具体的には、図５に示すように、セルと呼ばれる一定サイズの円柱状のアルミナ層Ｃが細密充填した構造からなる。各セルＣの中心には均一な径の微細孔（ポア）Ｐが開孔しており、この微細孔ＰがＡｌ膜面に垂直に配向して配列するという特異な幾何学構造となっている。各微細孔Ｐのピッチ（即ち、セルＣのサイズ）、サイズ、深さ、金属膜２０ｂの残存率は、電解液Ｅの濃度、温度、陽極酸化時の電圧、電流密度、時間を変えることによって制御することができる。
【００３３】
一方、ＴＦＴアレイ基板４は、ＴＦＴ素子１２を形成した後、配向膜１３を形成しラビング処理を施す。そして、一対の基板４，５間に、正の誘電性異方性を有するＴＮ型液晶層８を真空中で注入し、液晶パネル１０を作製する。
これにより、画素領域Ａ内では、液晶層８の液晶分子は９０度ツイスト（ＴＮ）配向をし、画素間配向膜２０が形成された領域Ｂでは、液晶層８の液晶分子はカラーフィルタ基板５に対して垂直方向に配向し、ＴＦＴアレイ基板４側の液晶分子がＴＦＴアレイ基板４に対して水平方向に配向され、液晶パネル１０全体ではいわゆる、ハイブリッド配向をしている。
【００３４】
本実施形態に係る液晶表示装置１では、ポーラスアルミナ陽極酸化膜は無機膜であるため、従来技術の液晶装置で用いられているポリイミド有機膜よりも耐溶剤性、耐光性などの信頼性が優れており、さらに異方的形状と微細孔で液晶配向を実現しているので（微細な形状で液晶配向を実現）、画素間領域Ｂ内の液晶分子の大部分は高いチルト配向を示し安定している。したがって、画素間領域Ｂの液晶分子は、安定した状態で規制されることになるため、画素電極１１のエッジ部分に発生する液晶分子のリバースチルトドメイン（液晶分子の傾倒方向の異なる領域）を抑えることが可能となる。すなわち、画素間配向膜２０により、画素間領域Ｂの配向の乱れ（ディスクリネーション）の発生を抑えることが可能となる。このため、簡易な構成で、光漏れを抑制することができ、高コントラストな液晶装置を得ることができる。さらに、従来のようにリバースチルトドメインが発生する領域、すなわち、画素電極１１のエッジ部分を覆う必要がなくなる。このため、画素間配向膜２０の幅を狭くすることで、画素領域Ａが広くなり、画素領域Ａの高開口率化を実現することが可能となる。
【００３５】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について、図６を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る液晶表示装置１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る液晶表示装置５０において、隣接する画素領域Ａの間の画素間領域ＢのＴＦＴアレイ基板４上及びカラーフィルタ基板５上に、第１画素間配向膜５１及び第２画素間配向膜５２が設けられている点において、第１実施形態と異なる。
【００３６】
液晶表示装置５０は、画素電極１１及び共通電極１８に電圧が印加されていない状態（初期配向状態）において、第１画素間配向膜５１，第２画素間配向膜５２の配向規制力により、第１画素間配向膜５１と第２画素間配向膜５２との間の液晶分子は、垂直方向に配向されている。
さらに、第１画素間配向膜５１及び第２画素間配向膜５２が、各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを区画するようにしてマトリクス状に形成されているため、隣接する各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの遮光膜の機能を有することになる。
【００３７】
［液晶表示装置の製造方法］
まず、第１実施形態の陽極酸化時間を１時間に変更し、他の条件は同じにして、カラーフィルタ基板５を作製する。次に、配向膜１３を形成し、ラビング処理を施したＴＦＴアレイ基板４にＡｌ膜をスパッタ形成し、レジストを用いたフォトリソ工程によって、画素間領域ＢのみにＡｌ膜をパターニングする。その後、カラーフィルタ基板５と同様に、陽極酸化を行うことによって、酸化アルミニウムの薄い陽極酸化膜が形成される。
【００３８】
本実施形態に係る液晶表示装置５０では、第１実施形態と同様に、ポリイミド有機膜よりも耐溶剤性、耐光性などの信頼性が優れており、さらに異方的形状と微細孔で液晶配向を実現しているので、画素間領域Ｂ内の液晶分子の大部分は高いチルト配向を示し安定している。また、ＴＦＴアレイ基板４及びカラーフィルタ基板５に、第１画素間配向膜５１及び第２画素間配向膜を設けることにより、画素間領域Ｂの液晶分子は、第１実施形態に比べ、より安定した状態で規制されることになるため、画素電極１１のエッジ部分に発生する液晶分子のリバースチルトドメイン（液晶分子の傾倒方向の異なる領域）を抑えることが可能となる。すなわち、第１画素間配向膜５１及び第２画素間配向膜５２により、画素間領域Ｂの配向の乱れ（ディスクリネーション）の発生を抑えることが可能となる。このため、光漏れを抑制することができ、高コントラストな液晶装置を得ることができる。さらに、従来のようにリバースチルトドメインが発生する領域、すなわち、画素電極１１のエッジ部分を覆う必要がなくなる。このため、第１，第２画素間配向膜５１，５２の幅を狭くすることで、画素領域Ａが広くなり、画素領域Ａの高開口率化を実現することが可能となる。
【００３９】
［第３実施形態］
次に、本発明に係る第３実施形態について、図７を参照して説明する。
本実施形態に係る液晶表示装置６０において、カラーフィルタ１６が各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを区画する遮光部（遮光膜）１６ａを備えている点において第１実施形態と異なる。
【００４０】
画素間配向膜６１は、遮光部１６ａと平面的に重なるとともに、隣接する画素領域Ａの間の画素間領域Ｂに設けられている。この画素間配向膜６１は、本実施形態では、配向膜１９まで陽極酸化されている。
また、画素電極１１及び共通電極１８に電圧が印加されていない状態（初期配向状態）において、画素間配向膜６１と配向膜１３との間の液晶分子は、第１実施形態と同様に、カラーフィルタ基板５側の液晶分子がカラーフィルタ基板５に対して垂直方向に配向し、ＴＦＴアレイ基板４側の液晶分子がＴＦＴアレイ基板４に対して水平方向に配向されている。
なお、第１画素間配向膜５１及び第２画素間配向膜５２の形成方法は、第１実施形態の陽極酸化時間を１時間に変更し、他の条件は同じである。
【００４１】
本実施形態に係る液晶表示装置６０では、遮光部１６ａを有するカラーフィルタ１６を用いた場合でも、カラーフィルタ基板５上に形成された画素間配向膜６１により、より簡易な構成で、画素電極１１のエッジ部分に生じる液晶分子のリバースチルトドメインの発生を抑えることが可能である。このように、画素間配向膜６１により、リバースチルトドメインの発生を抑えているため、従来のようにリバースチルトドメインが発生する領域を遮光部１６ａにより隠す必要がない。したがって、遮光膜１６ａを細くすることができるため、画素領域Ａの高開口率化を実現することが可能となる。
【００４２】
［電子機器］
図８は、上記第１，第２，第３実施形態の液晶装置１，５０，６０を搭載した電子機器の一例を示す図である。図８に示す携帯電話２００は、上記実施形態の液晶装置１，２，３のいずれかを表示部２０１として備えて構成されている。このような構成により、高画質かつ寿命の長い液晶表示部を備えた電子機器を提供することができる。すなわち、本発明の実施形態に係る液晶装置及び電子機器は、複数の微細孔を有する配向膜を採用しているので、ディスクリネーションを抑え、高画質な表示装置を実現することができる。
【００４３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。例えば、前記各実施形態の液晶装置は、前述した例に限らず、その他の種々の電子機器に搭載することができる。この電子機器としては例えば、電子ブック、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等があり、前記液晶装置はこれらの画像表示手段として好適に用いることができる。
【００４４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、第１，第３実施形態において、画素間配向膜２０，６１をカラーフィルタ基板５に形成したが、ＴＦＴアレイ基板４に形成しても良いが、カラーフィルタ基板５の方が、ＴＦＴアレイ基板４に比べ簡易な構成であるため、画素間配向膜２０，６１を形成し易い。
また、画素配向膜２０，５１としてアルミニウムを陽極酸化させたが、これに限らず、マグネシウム、タングステン、チタンまたはこれらのいずれかの合金からなる金属膜を陽極酸化しても良い。
また、カラーフィルタ１６を用いないで、３板式のプロジェクタに用いても良い。この構成の場合、各着色部１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを区画する画素間配向膜２０，５１，５２，６１あるいは遮光膜１６ａを細くすることができるので、高画質な表示を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す図である。
【図２】図１の液晶表示装置の等価回路図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図４】図３の液晶表示装置の多孔質処理の工程を示す図である。
【図５】図３の液晶表示装置の配向膜（陽極酸化膜）の構造を模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
Ａ…画素領域、Ｂ…画素間領域、Ｐ…微細孔、１，５０…液晶表示装置（液晶装置）、８…液晶層、１３，１９…配向膜（他の配向膜）、２０，６１…画素間配向（酸化膜）、２０ａ…金属酸化物、２０ｂ…金属膜、４１…Ａｌ膜（金属膜）、５１…第１画素間配向膜（配向膜）、５２…第２画素間配向膜（配向膜）、２００…電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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