(57)【要約】【課題】ＦＦＳ技術等の横電界で駆動される液晶表示装置において、焼き付き現象を抑制することである。【解決手段】従来のＦＦＳ技術においては、画素電極層３２は絶縁層３０を介し共通電極層２８の上に積層され、画素電極層３２に複数のスリット状の電極開口部５０が設けられる。したがって、共通電極層２８と画素電極層３２の間に絶縁層３０が存在する。この絶縁層３０は、容量素子として働き、焼き付き現象が生じやすくなる。焼き付き現象を抑制するために、電極開口部５０に対応する部分の絶縁層３０に絶縁層開口部５２が設けられる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記液晶は第１電極と第２電極とで発生する駆動電界により駆動される液晶表示装置であって、
前記第１電極と前記第２電極との間に絶縁層が形成され、前記絶縁層に開口部を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記液晶は第１電極と第２電極とで発生する横電界により駆動される液晶表示装置であって、
前記第１電極と前記第２電極との間に絶縁層が形成され、前記絶縁層に開口部を設けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記液晶は第１電極と第２電極とで発生する横電界により駆動される液晶表示装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方には、
前記第１電極と、
前記第１電極の上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層の上に積層された前記第２電極と、
が配置され、
前記第２電極には、所定開口寸法を有する電極開口部が複数配置され、
前記第１電極は、前記第２電極の前記各電極開口部に対応する箇所の少なくとも一部には配置され、
前記絶縁層は、前記第２電極の前記各電極開口部のそれぞれに対応する箇所の少なくとも一部が開口されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶表示装置において、
前記絶縁層は、前記第２電極の各電極開口部のそれぞれに対応する箇所が前記第１電極との間で短絡しない程度に前記電極開口部の所定開口寸法より小さく開口することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ透明電極であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１電極は複数の画素に共通の共通電極であり、
前記第２電極は前記各画素ごとの画素電極であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置において、
マトリクス状に配置され、それぞれ画素電極を有する複数の画素と、
前記各画素ごとにそれぞれ設けられる複数のスイッチング素子と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、液晶は共通電極と画素電極とで発生する電界により駆動される液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、テレビ、グラフィックディスプレイ等の表示装置を構成する液晶表示装置には、主としてアクティブマトリクス型で、縦電界により駆動される方式が用いられる。すなわち、この方式の液晶表示装置は、透明な一対のガラス基板と、このガラス基板の間に封入された液晶とから構成され、このガラス基板のうち、少なくとも一つのガラス基板には、薄膜トランジスタと画素電極が形成され、他方のガラス基板にはカラーフィルタと共通電極が形成される。そして、液晶は、駆動回路によって、一方側のガラス基板上の画素電極と、他方側のガラス基板上の共通電極との間に発生する電界、すなわち、ガラス基板の面内方向を横方向として、これに垂直な縦方向の電界によって駆動される。
【０００３】
液晶表示装置については、高精細化、小型化、そして広視野角化が要求される。そして、近年、広視野角化を図る手段の１つとして、ガラス基板に対して面内方向の電界、すなわち横電界を発生させ、この横電界で液晶分子を基板に平行な面内で回転させることで透過率を変化させる光スイッチング機能を持たせる方式の技術が実用化されている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、ガラス基板の面に平行な平行場を利用したＩＰＳモード（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｍｏｄｅ）の液晶表示素子について述べられており、また、特許文献２では、ＩＰＳ技術をさらに改良したＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）技術を用いて開口率を向上させる液晶表示装置が述べられている。ここで、ＦＦＳ技術では、共通電極の上に絶縁層を介して画素電極を配置し、画素電極にスリットを設け、そのスリットを利用することで、画素電極から共通電極へ向かう電界を発生させている。この電界は、横方向電界と共に電極の縁の近傍で基板に垂直な方向にも強い電界成分を有しており、このことで、電極上方に位置する液晶分子も駆動することができる。したがって、透明電極を用いれば、電極部分も表示に寄与させることができて、開口率が向上することになる。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−６２７６７号公報
【特許文献２】特開２００２−２９６６１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、横電界方式を用いることは、液晶表示装置において広視野角化等を実現することができるので、有用である。
【０００７】
スイッチング素子を用いて液晶分子を駆動する液晶表示装置においては、スイッチング素子の制御端子と、画素電極に接続される出力端子との間の寄生容量のために、スイッチング素子の制御端子にバイアス電圧が生じることがある。このバイアス電圧は、制御端子に印加される制御電位と、液晶容量成分とそれ以外の保持容量成分に関係する。このバイアス電圧は共通電極電位を最適化することで最小化されるが、表示する画像により異なるので、完全に取り除くことはできず、焼き付き発生の原因となる。
【０００８】
上記のＦＦＳ技術で液晶を駆動するのに用いている電界は、画素電極と共通電極の間を絶縁するための絶縁層を介して画素電極と共通電極との間に印加されている。この絶縁層は、容量成分として働くので、ＦＦＳ技術を用いる液晶表示装置は、それ以外の方式を用いる液晶表示装置よりも、焼き付き現象の問題が強く出ることがある。
【０００９】
本発明の目的は、焼き付き現象を抑制できる液晶表示装置を提供することである。他の目的は、横電界で駆動される場合に、焼き付き現象を抑制できる液晶表示装置を提供することである。さらに他の目的は、ＦＦＳ技術で駆動される場合に、焼き付き現象を抑制できる液晶表示装置を提供することである。以下の手段は、これらの目的の少なくとも１つに貢献する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記液晶は第１電極と第２電極とで発生する駆動電界により駆動される液晶表示装置であって、前記第１電極と前記第２電極との間に絶縁層が形成され、前記絶縁層に開口部を設けることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記液晶は第１電極と第２電極とで発生する横電界により駆動される液晶表示装置であって、前記第１電極と前記第２電極との間に絶縁層が形成され、前記絶縁層に開口部を設けることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記液晶は第１電極と第２電極とで発生する横電界により駆動される液晶表示装置であって、前記一対の基板の少なくとも一方には、前記第１電極と、前記第１電極の上に積層された絶縁層と、前記絶縁層の上に積層された前記第２電極と、が配置され、前記第２電極には、所定開口寸法を有する電極開口部が複数配置され、前記第１電極は、前記第２電極の前記各電極開口部に対応する箇所の少なくとも一部には配置され、前記絶縁層は、前記第２電極の前記各電極開口部のそれぞれに対応する箇所の少なくとも一部が開口されていることを特徴とする。
【００１３】
また、前記絶縁層は、前記第２電極の各電極開口部のそれぞれに対応する箇所が前記第１電極との間で短絡しない程度に前記電極開口部の所定開口寸法より小さく開口することが好ましい。
【００１４】
また、前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ透明電極であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る液晶表示装置において、前記第１電極は複数の画素に共通の共通電極であり、前記第２電極は前記各画素ごとの画素電極であることが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る液晶表示装置において、マトリクス状に配置され、それぞれ画素電極を有する複数の画素と、前記各画素ごとにそれぞれ設けられる複数のスイッチング素子と、を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
上記構成の少なくとも１つにより、第１電極と第２電極との間の駆動電界の経路中に絶縁層が形成されている場合に、駆動電界の経路の部分の絶縁層に開口部が設けられる。したがって、絶縁層による容量成分を抑制できるので、焼き付き現象を抑制できる。
【００１８】
また、上記構成の少なくとも１つにより、横電界方式を用いる液晶表示装置において、第１電極と第２電極との間の駆動電界の経路中に絶縁層が形成されている場合に、駆動電界の経路の部分の絶縁層に開口部が設けられる。したがって、絶縁層による容量成分を抑制できるので、横電界方式の液晶表示装置における焼き付き現象を抑制できる。
【００１９】
また、上記構成の少なくとも１つにより、横電界方式を用いる液晶表示装置の中で、第１電極の上に絶縁層を介して第２電極が配置され、第２電極には所定開口寸法を有する電極開口部が複数配置される方式、すなわちＦＦＳ技術を用いる液晶表示装置において、絶縁層は、第２電極の各電極開口部のそれぞれに対応する箇所の少なくとも一部が開口される。したがって、第１電極と第２電極との間の絶縁層による容量成分を抑制できるので、ＦＦＳ技術を用いる方式の液晶表示装置における焼き付き現象を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に図面を用いて、本発明に係る実施の形態につき、詳細に説明する。以下において、液晶表示装置は、アクティブマトリククス方式で、ＦＦＳ技術を用いるとしてものとして説明するが、ＩＰＳ方式を含む横電界方式の液晶表示装置であってもよい。さらに、液晶が第１電極と第２電極とで発生する駆動電界により駆動され、駆動電界の経路に絶縁層を有する液晶表示装置であれば、以下の実施形態を変形することで一般的に実施することができる。この場合、アクティブマトリクス方式以外の方式、たとえばパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に拡大して以下の実施形態を変形して実施できる。また、スイッチング素子として、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いるものとして説明するが、それ以外のスイッチング素子、例えばダイオード素子等を用いるものであってもよい。また、以下において、各電極は透明電極として説明するが、開口率について実用上問題がなければ、透明電極以外の金属電極であってもよい。反射領域を設ける場合は、反射電極であってもよいし、透明電極と反射膜との積層構造でもよい。また、駆動電界は共通電極と画素電極との間に形成されるものとして説明するが、一般的に２つの電極の間で駆動電界が形成されればよく、電極の種類によらない。また、以下で説明する寸法等は一例であって、それ以外の寸法等であってもよい。
【００２１】
図１は、焼き付き現象を抑制できるＦＦＳ方式液晶表示装置１０の構成模式図である。液晶表示装置１０は、表示制御部１２と、表示パネル１４等から構成される。表示制御部１２は、表示パネル１４に所望の表示をさせるための制御回路及び駆動回路等を含む回路である。なお、表示制御部１２を構成する回路の一部を表示パネル１４に組み込むこともできる。
【００２２】
表示パネル１４は、一対のガラス基板２２，２４の間に液晶１６を挟みこんで封止した形態をとる素子であり、各ガラス基板２２，２４に液晶表示に必要な複数のスイッチング素子や複数の画素がマトリクス状に配置されるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルである。図１において下側のガラス基板２４には、ＴＦＴ形成層２６、共通電極層２８、絶縁層３０、画素電極層３２、配向膜３４等が順次積層される。この積層構造の詳細は後述する。また、上側のガラス基板２２には、カラーフィルタ３６、配向膜３８等が積層される。ここで、液晶１６は、対向する配向膜３４，３８の間に封止されて配置される。この積層形態は、一例であって、それ以外の積層要素を含んでもよく、また積層順序を液晶表示の方式あるいは用途に応じ変更してもよい。ここで、焼き付き現象を抑制するための構造は、下側のガラス基板２４に積層されるＡ部にあるので、以下にその内容を詳細に説明する。
【００２３】
各積層要素が積層された状態の下側ガラス基板２４の詳細な上面図と断面図とをそれぞれ図２（ａ），（ｂ）に示す。なお、図２では、おおよそ１画素分の範囲が図示されている。図１と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００２４】
下側ガラス基板２４は、液晶パネル用に適した成分と温度特性等を有するガラス板である。下側ガラス基板２４とＴＦＴ形成層２６との間のバッファ層２５は、ガラス基板２４上に半導体層を含むＴＦＴ形成層２６を密着性よく形成し、不純物の拡散を防止する等のために設けられる。
【００２５】
ＴＦＴ形成層２６は、画素ごとにＴＦＴ素子４０を作りこむための半導体層及びゲート絶縁膜層等からなる。半導体層は、低温ポリシリコン層、高温ポリシリコン層、アモルファスシリコン層等を用いることができ、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術等の薄膜堆積技術と、レーザアニール等の熱処理技術等を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜層は、ＣＶＤ法等による酸化膜、窒化膜あるいはそれらを組み合わせた複合絶縁膜等を用いることができる。
【００２６】
ＴＦＴ素子４０は、ＴＦＴ形成層２６の半導体層において、ソース、ドレイン、およびその間のチャネル領域が作りこまれ、チャネル領域の上にはゲート絶縁膜を挟んでゲート電極４２が形成されて構成される。ソースからは画素電極層３２に接続されるソース端子が引き出され、ドレインからはデータライン４４に接続されるドレイン端子が引き出される。なお、ドレインとソースは互換性がある構造で、ここでは、画素電極層３２に接続される側をソースとしたが、これをドレインと呼ぶことも構わない。
【００２７】
ＴＦＴ形成層２６と共通電極層２８との間の層間絶縁膜２７は、主として、ＴＦＴ形成層２６を保護し、その上部に積層される電極層との間の分離を図る機能を有する層で、例えば、ＣＶＤ法によって堆積される酸化膜や窒化膜等の無機絶縁膜、あるいは有機絶縁膜を用いることができる。また、層間絶縁膜２７を多層構造として、配線層が中間に設けられ、さらに、ＴＦＴ形成層２６の中のＴＦＴ素子４０の各端子を、配線層や電極層に接続するコンタクトホールが縦方向に設けられる。図２（ｂ）においては、ＴＦＴ素子４０のドレイン端子からのデータライン４４、ソース端子から画素電極層３２へのコンタクトホール４６、コモン配線から共通電極層２８へのコンタクトホール４８等が図示されている。
【００２８】
共通電極層２８は、層間絶縁膜２７の上に配置される透明電極膜で、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｔａｎｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）膜等で形成することができる。共通電極層２８はマトリクス状に配置される複数の画素に共通の電極層である。図２（ｂ）においては、共通電極層２８の上部に配置される画素電極に通じるコンタクトホール４６のために、一部、共通電極層２８に開口が設けられる様子が示されるが、それらの例外を除けば、共通電極層２８は、１つの画素について、画素電極全面に対向される。
【００２９】
絶縁層３０の説明の前に、画素電極層３２等の構成を先に述べる。画素電極層３２は、絶縁層３０を挟んで共通電極層２８の上部に配置される透明電極膜で、ＩＴＯ膜等で形成することができる。画素電極層３２は、コンタクトホール４６によってＴＦＴ素子４０のソース端子に接続される。ここで、ＦＦＳ方式において液晶分子に横方向電界を与えるために、画素電極層３２には複数のスリット状の開口部が設けられる。後に述べる絶縁層３０の開口と区別するために、画素電極層３２における開口部を、電極開口部５０と呼ぶことができる。その様子は図２（ａ）の上面図に示されている。ここでは、１つの画素の画素電極に１１の細長いスリット状の電極開口部５０が設けられる。
【００３０】
画素電極層３２の上部には、図２（ａ）に実線で示すラビング方向５４にラビングされた配向膜３４が全面に配置される。なお、上側のガラス基板２２の配向膜３８のラビング方向５５は、図２（ａ）の破線に示すように、下側のガラス基板２４の配向膜３４のラビング方向５４と逆向きである。これらのラビング方向５４，５５は、電極開口部５０の長手方向と０°より大きく４５°以下の角度を持つことが好ましい。また、図示されていないが、一対の基板の両側には、偏光板が配置されており、各々の偏光板の透過軸は互いに９０°の角度をなし、ラビング方向とは、０°または９０°の角度をなす。
【００３１】
絶縁層３０は、共通電極層２８と、画素電極層３２との間に配置され、これらの間の分離を図る機能と共に、回路的にはこれら２つの電極層に挟まれて構成される容量素子を形成する機能を有する。この容量素子は、回路的に液晶１６の容量成分と並列に配置されるので、いわゆる保持容量として働く。そして、図２（ａ），（ｂ）に示されるように、絶縁層３０には、各電極開口部５０のそれぞれに対応する箇所に、開口部が設けられる。この開口部を電極開口部５０と区別して絶縁層開口部５２と呼ぶ。その様子は、図２（ａ）において破線で示されている。
【００３２】
図３は、下側のガラス基板２４上の積層構造を、共通電極層２８、絶縁層３０、画素電極層３２の部分を抜き出してさらに詳細に示すものである。ここで図３（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図である。断面図においては、各層の厚さ方向の倍率を平面方向のものに比べて拡大してある。このように、絶縁層開口部５２は、電極開口部５０の位置に対応して設けられ、電極開口部５０の開口寸法より小さい。その寸法差は、あまり大きくなく、共通電極層２８と画素電極層３２との間で短絡しない程度で小さくすることができる。換言すれば、絶縁層３０は、画素電極層３２の各電極開口部５０のそれぞれに対応する箇所が、電極開口部５０の所定開口寸法より小さく、共通電極層２８との間で短絡しない程度に大きく開口する。
【００３３】
具体的な寸法例を述べると、共通電極層２８の厚さｔ１が約１００ｎｍ、絶縁層３０の厚さｔ２が約数１００ｎｍ、画素電極層の厚さｔ３が約１００ｎｍとして、隣接する電極開口部５０の間のピッチｐが１０μｍから１５μｍ、電極開口部５０と絶縁層開口部５２の開口寸法差２ｓが４μｍから６μｍである。なお、ここでは、絶縁層開口部５２が、電極開口部５０の開口寸法から一回り小さいものとして、言い換えれば、寸法差２ｓをもって電極開口部５０に対しほぼ全面に開口するものとしたが、絶縁層開口部５２を電極開口部５０の一部に設けるものとしてもよい。例えば、電極開口部５０の部分の絶縁層３０の一部に、円形又は矩形等の開口形状で、より小さな開口を設けることでもよい。絶縁層３０は、ＳｉＮｘやＳｉＯ２の無機膜をフォトリソグラフィーとエッチング工程で加工するか、感光性樹脂をフォトグラフィー工程で加工してもよい。後者のほうがプロセス的には簡単である。感光性樹脂としてはアクリル系の樹脂等がある。
【００３４】
上記構成の液晶表示装置１０の作用、特に絶縁層開口部５２の作用について、図４、図５を用いて説明する。図４は、（ａ）従来技術のＦＦＳ方式による電界の様子を、（ｂ）図２及び図３の構成のＦＦＳ方式による電界の様子を比較した模式図であり、図５は、焼き付き現象が抑制できる原理を示す回路図である。
【００３５】
図１の構成の液晶表示装置１０において、液晶の透過率の相違によって表示を行おうとするときは、表示制御部１２が所望の画素についてゲートライン４３とデータライン４４とを選択し、その画素のスイッチング素子であるＴＦＴ素子４０をオンにする。それによって、共通電極層２８と、その画素の画素電極層３２との間に所定の駆動信号が印加される。その１例として、図４では共通電極層２８にマイナスの電位が印加され、画素電極層３２にプラスの電位が印加される場合が示されている。
【００３６】
従来技術を示す図４（ａ）においても、図２及び図３で説明した技術を示す図４（ｂ）においても、画素電極層３２は、複数のスリット状の電極開口部５０が設けられることは同じである。この電極開口部５０の作用により、周知のＦＦＳ方式の原理により、広い視野角の横電界方式で、開口率を向上させることができる。すなわち、共通電極層２８と画素電極層３２との間で発生する電界６０は、ガラス基板の面に平行な横方向の電界成分とともに、画素電極層３２の縁部、つまり電極開口部５０の縁部においてガラス基板面に垂直の方向にも強い電界成分を有する。これによって液晶分子１７は、画素電極層３２の間に位置するもののみならず、画素電極層３２の上方に位置するものも、この電界６０によって、ガラス基板の面内で回転駆動され、電極の部分の液晶分子も表示に寄与させることができる。
【００３７】
従来技術を示す図４（ａ）では、２つの電極層の間に形成される電界６０の経路中に、絶縁層３０が存在する。これに対し、図２及び図３で説明した技術を示す図４（ｂ）では、２つの電極層の間に形成される電界６０の経路中に、絶縁層３０が存在しない。共通電極層２８と画素電極層３２との間には電位がかけられるので、この部分の絶縁層３０は容量素子として働くことになる。
【００３８】
図５は、液晶層にＤＣ成分が印加されるメカニズムを説明するための図である。液晶は交流駆動されるが、以下のような理由でＤＣ成分が印加される。ゲート電圧をＶＧ、液晶容量をＣＬＣ、保持容量をＣＳＣ、ゲート電極とソース電極で形成される寄生容量をＣＧとすると、液晶層に印加されるＤＣ成分は以下のように示される。
ＶＤＣ＝ＶＧ・｛ＣＧ／（ＣＧ＋ＣＳＣ＋ＣＬＣ）｝
【００３９】
このＤＣ成分を打ち消すように共通電極の電位を調整するが、液晶容量ＣＬＣが表示状態によって変化するため、完全にＤＣ成分を取り去ることはできない。液晶層に長時間ＤＣ成分が印加される場合、従来技術のように全面に絶縁層が存在すると、絶縁層内部に分極が起こり、これが一定時間保持されてしまい、この分極により内部電界が発生し、これにより焼き付きが発生する。
【００４０】
上記実施形態のように絶縁層を除去すればＤＣ成分が印加された場合でも前述のような内部電界を生じることがなく、焼き付きの発生はない。このように、本発明に係る液晶表示装置においては、絶縁層に開口を設けることにより、焼き付きの発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る実施の形態におけるＦＦＳ方式液晶表示装置の構成模式図である。
【図２】本発明に係る実施の形態において、各積層要素が積層された状態の下側ガラス基板の詳細な上面図と断面図である。
【図３】本発明に係る実施の形態において、下側のガラス基板上の積層構造を、共通電極、絶縁層、画素電極の部分を抜き出してさらに詳細に示す上面図と断面図である。
【図４】従来技術と、本発明に係る実施の形態とについて、電界のかかり方を比較して示す図である。
【図５】本発明の実施の形態において、焼き付き現象が抑制できる原理を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０  液晶表示装置、１２  表示制御部、１４  表示パネル、１６  液晶、１７  液晶分子、２２，２４  ガラス基板、２５  バッファ層、２６  ＴＦＴ形成層、２７  層間絶縁膜、２８  共通電極層、３０  絶縁層、３２  画素電極層、３４，３８  配向膜、３６  カラーフィルタ、４０  ＴＦＴ素子、４２  ゲート電極、４３  ゲートライン、４４  データライン、４６，４８  コンタクトホール、５０  電極開口部、５２  絶縁層開口部、５４，５５  ラビング方向、６０  電界。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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