(57)【要約】【課題】  装置状態の通知に要する負荷を軽減することができるとともにデータ管理を容易に行うことができるオブジェクトデータのデータ構造等を提供する。【解決手段】  プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１は１ロット分のウェハに対する処理を行うための処理単位であるジョブ毎に生成され、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２は１ロットに含まれるウェハの枚数分生成されるオブジェクトデータである。プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１には一意に定まるプロセス・ジョブＩＤが付され、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の各々には一意に定まるサブストレートＩＤが付される。これらオブジェクトデータに対して、ウェハに対して行う露光条件（処理条件）ＥＣが関連付けられている。また、これらのオブジェクトにはウェハに対して行った露光処理の露光結果も関連付けられる。【選択図】  図３
2007103752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジョブとして定められる基板処理情報を基板処理装置に対して与えることにより基板に対する所定処理を実行する基板処理方法において、前記基板処理の処理条件又は処理結果に関する情報の情報処理のために用いられるオブジェクトデータのデータ構造であって、
前記ジョブを特定するためのジョブ特定変数値、前記所定処理を受ける基板を特定するための基板特定変数値、前記基板上に形成される複数区画の１つを特定するショット特定変数値の少なくとも１つを設定可能な特定変数領域と、
前記基板処理の処理条件情報又は処理結果情報を設定可能であり、前記特定変数領域と対応付けられた処理条件／処理結果情報領域と
を含むことを特徴とするオブジェクトデータのデータ構造。
【請求項２】
前記オブジェクトデータは、前記特定変数領域に設定された前記特定変数値の種類に応じた階層を有する階層構造であることを特徴とする請求項１記載のデータ構造。
【請求項３】
ジョブとして定められる基板処理情報を基板処理装置に対して与えることにより基板に対する所定処理を実行する基板処理方法において、前記基板処理の処理条件又は処理結果に関する情報の情報処理を行う情報処理方法であって、
以下の、（ａ）から（ｄ）の少なくとも何れか１つを実行することによって、前記情報処理のために用いられるオブジェクトデータを生成する工程を含むことを特徴とする情報処理方法：
（ａ）前記基板処理装置に対して設定される処理条件に関する処理条件情報と、設定された前記処理条件に対応するジョブ変数値とを対応付ける、
（ｂ）前記基板処理装置に対して設定される処理条件に関する処理条件情報と、設定された前記処理条件の下で処理される基板を特定する基板変数値とを対応付ける、
（ｃ）前記基板処理装置での処理結果に関する処理結果情報と、前記処理結果に対応するジョブ変数値とを対応付ける、
（ｄ）前記基板処理装置での処理結果に関する処理結果情報と、前記処理結果に対応する基板変数値とを対応付ける。
【請求項４】
請求項３記載の情報処理方法で生成されるオブジェクトデータに基づいて、前記基板処理装置又は前記基板処理装置とは異なる基板処理装置を制御することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
コンピュータシステムに請求項３記載の情報処理方法又は請求項４記載の基板処理方法を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項６】
請求項２記載の情報処理方法で生成されるオブジェクトデータに基づいて、前記基板処理を実行することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
前記基板処理装置は、レジスト塗布／現像装置、熱処理装置、露光装置、検査／計測装置の何れかの装置であることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
ジョブとして定められる基板処理情報を与えられることにより基板に対する所定処理を実行する基板処理装置であって、
以下の、（ａ）又は（ｂ）を実行する出力装置を含むことを特徴とする基板処理装置：
（ａ）前記基板処理装置に対して設定される処理条件に関する情報を、前記処理条件に対応するジョブ変数値、又は、前記処理条件の下で処理される基板を特定する基板変数値と対応付けられる処理条件情報として出力する、
（ｂ）前記基板処理装置での処理結果に関する情報を、前記処理結果に対応するジョブ変数値、又は、前記処理結果に対応する基板変数値と対応付けられる処理結果情報として出力する。
【請求項９】
前記基板処理装置は、レジスト塗布／現像装置、熱処理装置、露光装置、検査／計測装置の何れかの装置であることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板処理に関する情報を表示する表示方法であって、
基板の処理条件又は前記処理結果に関する情報と関連付け可能であり、ジョブを特定するためのジョブ変数値を設定可能なジョブ変数、或いは、前記処理条件又は前記処理結果に関する情報と関連付け可能であり、基板を特定するための基板変数値を設定可能な基板変数を、選択可能な状態で複数表示することを特徴とする表示方法。
【請求項１１】
選択された前記ジョブ変数又は基板変数を、前記処理条件又は前記処理結果に関する情報と関連付けて表示することを特徴とする請求項１０記載の表示方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１記載の表示方法をコンピュータシステムに実行させることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理で用いられる情報の情報処理のために用いられるオブジェクトデータのデータ構造、並びに、当該情報の情報処理方法、基板処理方法及び装置、表示方法、並びに当該方法をコンピュータシステムに実行させるプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスは、基板処理装置を用いて基板に対して各種の処理を施すことにより製造される。基板処理装置が基板に対して施す処理は、例えばフォトレジスト等の感光剤を塗布する塗布処理、感光剤が塗布された基板上にマスクのパターンの像を投影露光する露光処理、露光処理が施された基板を現像する現像処理、及び熱処理等の処理であり、またこれらの処理を経た基板に形成された回路を検査・計測する処理もある。上記の露光処理は基板処理装置に設けられた露光装置により行われ、上記塗布処理及び現像処理は、露光装置に対してインライン化された所謂コータ・デベロッパといわれるレジスト塗布／現像装置により行われる。更に、回路の検査・計測は、検査装置を用いて行われる。
【０００３】
上記の基板処理装置は、制御装置（ホスト）によって制御されており、何らかの処理が終了したタイミングで基板処理装置で生じた事象をイベント通知という形でホストに通知している。例えば、１ロット分（例えば、基板２５枚）の基板処理が開始される「ロット開始時」、１ロット分の基板処理が終了した「ロット終了時」、１枚の基板に対する基板処理が開始される「基板処理開始時」、及び１枚の基板に対する基板処理が終了した「基板処理終了時」に基板処理装置からホストへイベント通知がなされる。このように、従来は基板処理装置が主となってホストに対するイベント通知が行われ、また通知される内容は基板処理装置の製造メーカが予め決めたもののみである。
【０００４】
基板処理装置からのイベント通知を受けたホストは、その内容に応じた制御信号を基板処理装置に出力する。これによって、基板処理装置の装置状態に応じた制御がホストによって行われる。以下の特許文献１には、複数の基板処理装置としての露光装置から、各々の露光装置の稼働状況を示す稼働情報をホストコンピュータが収集する技術が開示されている。
【特許文献１】特許第３３３６４３６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年においてはデバイスの高集積化等に伴って、基板処理自体が複雑化している。このため、基板処理装置からホストに通知する情報量が肥大化しており、イベント通知のための通信負荷及びシステム負荷が大きくなっている。これらの負荷が大きくなってしまうと、基板処理装置の処理がそれらによって一時的に占有される虞があり、本来の基板処理に悪影響を及ぼす可能性が考えられる。
【０００６】
また、上記のイベント通知により基板処理装置からホストに出力されるデータは基板処理装置の製造メーカが定めており、基板処理装置のユーザがこれらのデータを管理することを考慮したものとはなっていない。また、上述した通り、イベント通知は基板処理装置が主となって行われるものである。このため、基板処理装置のユーザがイベント通知により得られる情報を、例えばロット単位、基板単位等の意味のある単位で管理しようとすると極めて手間を要するという問題があった。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、装置状態の通知に要する負荷を軽減することができるとともにデータ管理を容易に行うことができるオブジェクトデータのデータ構造、並びに、当該情報の情報処理方法、基板処理方法及び装置、表示方法、並びに当該方法をコンピュータシステムに実行させるプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明のデータ構造は、ジョブとして定められる基板処理情報を基板処理装置（１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ）に対して与えることにより基板に対する所定処理を実行する基板処理方法において、前記基板処理の処理条件又は処理結果に関する情報の情報処理のために用いられるオブジェクトデータ（ＯＢＪ１〜ＯＢＪ３）のデータ構造であって、前記ジョブを特定するためのジョブ特定変数値、前記所定処理を受ける基板を特定するための基板特定変数値、前記基板上に形成される複数区画の１つを特定するショット特定変数値の少なくとも１つを設定可能な特定変数領域（ＭＲ１１、ＭＲ２１、ＭＲ３１）と、前記基板処理の処理条件情報（ＥＣ）又は処理結果情報（ＥＲ）を設定可能であり、前記特定変数領域と対応付けられた処理条件／処理結果情報領域（ＭＲ１２、ＭＲ１３、ＭＲ２２、ＭＲ２３、ＭＲ３２、ＭＲ３３）とを含むことを特徴としている。
この発明によると、ジョブを特定するためのジョブ特定変数値、所定処理を受ける基板を特定するための基板特定変数値、基板上に形成される複数区画の１つを特定するショット特定変数値の少なくとも１つが特定変数領域に設定され、基板処理の処理条件情報又は処理結果情報が特定変数領域と対応付けられた処理条件／処理結果情報領域に設定される。
上記課題を解決するために、本発明の情報処理方法は、ジョブとして定められる基板処理情報を基板処理装置（１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ）に対して与えることにより基板に対する所定処理を実行する基板処理方法において、前記基板処理の処理条件又は処理結果に関する情報の情報処理を行う情報処理方法であって、以下の、（ａ）から（ｄ）の少なくとも何れか１つを実行することによって、前記情報処理のために用いられるオブジェクトデータを生成する工程を含むことを特徴とする情報処理方法：
（ａ）前記基板処理装置に対して設定される処理条件に関する処理条件情報と、設定された前記処理条件に対応するジョブ変数値とを対応付ける、
（ｂ）前記基板処理装置に対して設定される処理条件に関する処理条件情報と、設定された前記処理条件の下で処理される基板を特定する基板変数値とを対応付ける、
（ｃ）前記基板処理装置での処理結果に関する処理結果情報と、前記処理結果に対応するジョブ変数値とを対応付ける、
（ｄ）前記基板処理装置での処理結果に関する処理結果情報と、前記処理結果に対応する基板変数値とを対応付ける。
この発明によると、基板処理装置に対して設定される処理条件に関する処理条件情報がジョブ変数値若しくは基板変数値と対応付けられ、又は、基板処理装置での処理結果に関する処理結果情報がジョブ変数値若しくは基板変数値と対応付けられる。
本発明の基板処理方法は、上記の情報処理方法で生成されるオブジェクトデータに基づいて、前記基板処理装置又は前記基板処理装置とは異なる基板処理装置を制御することを特徴としている。
本発明の第１の観点によるプログラムは、コンピュータシステムに上記の情報処理方法又は上記の基板処理方法を実行させることを特徴としている。
本発明の第１の観点による基板処理装置は、上記の情報処理方法で生成されるオブジェクトデータに基づいて、前記基板処理を実行することを特徴としている。
本発明の第２の観点による基板処理装置は、ジョブとして定められる基板処理情報を与えられることにより基板に対する所定処理を実行する基板処理装置（１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ）であって、以下の、（ａ）又は（ｂ）を実行する出力装置を含むことを特徴とする基板処理装置：
（ａ）前記基板処理装置に対して設定される処理条件に関する情報を、前記処理条件に対応するジョブ変数値、又は、前記処理条件の下で処理される基板を特定する基板変数値と対応付けられる処理条件情報として出力する、
（ｂ）前記基板処理装置での処理結果に関する情報を、前記処理結果に対応するジョブ変数値、又は、前記処理結果に対応する基板変数値と対応付けられる処理結果情報として出力する。
この発明によると、基板処理装置に対して設定される処理条件に関する情報が、処理条件に対応するジョブ変数値、若しくは、処理条件の下で処理される基板を特定する基板変数値と対応付けられる処理条件情報として出力され、又は、基板処理装置での処理結果に関する情報が、処理結果に対応するジョブ変数値、若しくは、処理結果に対応する基板変数値と対応付けられる処理結果情報として出力される。
本発明の表示方法は、基板処理に関する情報を表示する表示方法であって、基板の処理条件又は前記処理結果に関する情報と関連付け可能であり、ジョブを特定するためのジョブ変数値を設定可能なジョブ変数、或いは、前記処理条件又は前記処理結果に関する情報と関連付け可能であり、基板を特定するための基板変数値を設定可能な基板変数を、選択可能な状態で複数表示することを特徴としている。
本発明の第２の観点によるプログラムは、上記の表示方法をコンピュータシステムに実行させることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板処理の処理条件情報又は処理結果情報が、ジョブ特定変数値、基板特定変数値、及びショット特定変数値の少なくとも１つに対応付けられた構造であるため、基板処理の処理条件情報及び処理結果情報を、ジョブ単位、基板単位、又はショット単位で扱うことができる。このため、装置状態として基板処理の処理条件情報及び処理結果情報を通知する場合には、通知先に対してこれらの情報をまとめて通知することができ、通知先に対する情報の通知に要する負荷を軽減することができるとともに、データ管理を容易に行うことができる。
本発明によれば、処理条件情報とジョブ変数値若しくは基板変数値とが対応付けられ、処理結果情報とジョブ変数値若しくは基板変数値とが対応付けられるため、処理条件情報及び処理結果情報を、ジョブ単位又は基板単位で扱うことができる。このため、データ管理を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態によるオブジェクトデータのデータ構造、情報処理方法、基板処理方法及び装置、表示方法、並びにプログラムについて詳細に説明する。
【００１１】
〔基板処理システム〕
図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置を備える基板処理システムの全体構成を簡略化して示すブロック図である。図１に示す基板処理システムは、例えば半導体製造工場等のデバイス製造工場内に設けられる。図１に示す通り、基板処理システムは、メインホスト１０、装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…、露光装置１２ａ，１２ｂ，…、及びコータ・デベロッパ１３ａ，１３ｂ，…を含んで構成される。
【００１２】
メインホスト１０は、デバイス製造工場内に設けられた全ての露光装置１２ａ，１２ｂ，…及びコータ・デベロッパ１３ａ，１３ｂ，…の処理状況を装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…を介してそれぞれ統轄管理するものである。メインホスト１０にはネットワークＮ１１，Ｎ１２，…を介して下位に位置づけられる装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…がそれぞれ接続されている。
【００１３】
装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…は、ネットワークＮ２１，Ｎ２２，…を介して露光装置１２ａ，１２ｂ，…とそれぞれ接続されており、また、ネットワークＮ３１，Ｎ３２，…を介してコータデベロッパ１３ａ，１３ｂ，…とそれぞれ接続されている。これらの装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…は、露光装置１２ａ，１２ｂ，…及びコータ・デベロッパ１３ａ，１３ｂ，…の各々を個別に管理制御するものである。装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…各々の内部にはハードディスク等の記録装置が設けられており、露光装置１２ａ，１２ｂ，…から送信されるイベント通知の内容等が記録装置に記録される構成になっている。また、装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…は、ユーザによって操作されるキーボード等の入力装置及びディスプレイ等の表示装置等からなる端末装置を備えており、入力装置から入力されるユーザの指示に応じて記録装置から必要な情報を読み出し、その情報を端末装置に出力する。これにより、ユーザが必要とする情報が端末装置の表示装置に表示される。
【００１４】
露光装置１２ａ，１２ｂ，…は、基板処理装置の一種であり、マスクに形成されたパターンを基板上に露光する装置である。また、コータ・デベロッパ１３ａ，１３ｂ，…も基板処理装置の一種である。このコータ・デベロッパ１３ａ，１３ｂ，…は、それぞれ露光装置１２ａ，１２ｂ，…にインライン化されており、露光装置１２ａ，１２ｂ，…で露光処理する基板に対してフォトレジスト等の感光剤を塗布するとともに、露光装置１２ａ，１２ｂ，…で露光処理が行われた基板の現像を行う。
【００１５】
尚、デバイス製造工場が大規模な場合には、複数の露光装置及びコータ・デベロッパを備える製造ラインを複数設けた構成とするのが望ましい。かかる構成の場合には、製造ラインを制御するライン制御ホストを製造ライン毎に設けるのが好ましい。尚、ライン制御ホストを設ける場合には、ライン制御ホストは図１においてメインホスト１０と装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…との間に接続される。
【００１６】
上記構成において、装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…は、ネットワークＮ２１，Ｎ２２，…を介して露光装置１２ａ，１２ｂ，…及びコータ・デベロッパ１３ａ，１３ｂ，…に基板処理情報としてのジョブを与えて露光処理を実行させる。また、露光装置１２ａ，１２ｂ，…及びコータ・デベロッパ１３ａ，１３ｂ，…は、ジョブに従った所定の処理を実行して得られた処理結果（例えば、露光処理結果）が得られると、これらを一時的に記憶して管理し、所定のタイミング又はユーザからの指示があった時に装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…にイベント通知する。
【００１７】
本実施形態では、露光装置１２ａ，１２ｂ，…等で扱われるデータはオブジェクト化されており、装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…からのジョブが与えられた後に、露光装置１２ａ，１２ｂ，…等は、ジョブに含まれる露光条件に従って実際に設定された露光条件、又は露光処理を行って得られた露光処理結果を、後述するプロセス・ジョブＩＤ、サブストレートＩＤ、ショットＩＤ等と関連付けたオブジェクトデータを生成する。オブジェクトデータに関連付けられた露光条件及び露光処理結果は、所定のタイミング又はユーザからの指示があった時に露光装置１２ａ，１２ｂ，…から装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…に送信される。尚、露光条件又は露光処理結果と上記のプロセス・ジョブＩＤ、サブストレートＩＤ、ショットＩＤ等とを関連付けるための情報は露光装置１２ａ，１２ｂ，…内のみで管理され、装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…と露光装置１２ａ，１２ｂ，…との間で、この情報の送受信が行われている訳ではない点に注意されたい。
【００１８】
本実施形態では、上記のジョブを特定するためのジョブ特定変数値としてプロセス・ジョブ・オブジェクトを用い、基板処理を受ける基板を特定するための基板特定変数値としてサブストレート・オブジェクトを用いている。また、基板処理を受ける基板上に設定された区画（ショット領域：以下、ショット領域又はショットともいう）の１つを特定するためのショット特定変数値としてショット・オブジェクトを用いている。
【００１９】
上記のプロセス・ジョブ・オブジェクトは、オブジェクトの種類を示す情報、オブジェクトの識別子を示す情報、及びジョブの状態を示す情報等の各種情報を有している。また、サブストレート・オブジェクトは、オブジェクトの種類を示す情報、オブジェクトの識別子を示す情報、基板の取り扱いを示す情報、及び基板の状態を示す情報等の各種情報を有している。同様に、ショット・オブジェクトは、オブジェクトの種類を示す情報、オブジェクトの識別子を示す情報、ショット領域の取り扱いを示す情報、及びショット領域の状態を示す情報等の各種情報を有している。尚、これらオブジェクト化されたデータの詳細については後述する。
【００２０】
〔露光装置〕
次に、基板処理システムに設けられる露光装置の構成について説明する。図２は、露光装置の概略構成を示す図である。尚、図１に示す露光装置１２ａ，１２ｂ，…は同様の構成であるため、以下では露光装置１２ａを例に挙げて説明し、他の露光装置１２ｂ，１２ｃ，…の説明は省略する。図２に示す露光装置１２ａは、半導体素子を製造するための露光装置であり、マスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを同期移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンを逐次ウェハＷ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置である。
【００２１】
尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図２中のＸＹＺ座標系は、ＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、露光時におけるレチクルＲ及びウェハＷの同期移動方向（走査方向）はＹ方向に設定されているものとする。
【００２２】
図２に示す露光装置１２ａは、レチクルＲ上のスリット状（矩形状又は円弧状）の照明領域を均一な照度を有する露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬＳと、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターンの像をフォトレジストが塗布されたウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬと、基板としてのウェハＷを保持するウェハステージＷＳＴと、これらの制御系とを含んで構成されている。
【００２３】
照明光学系ＩＬＳは、光源ユニット、オプティカル・インテグレータを含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レンズ系等（何れも不図示）を含んで構成されている。この照明光学系ＩＬＳの構成等については、例えば特開平９−３２０９５６に開示されている。ここで、上記の光源ユニットとしては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、若しくはＦ２レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ光源（波長１２６ｎｍ）等の紫外レーザ光源、銅蒸気レーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）等も使用することができる。
【００２４】
レチクルステージＲＳＴは、照明光学系ＩＬＳの下方（−Ｚ方向）に水平に配置されたレチクル支持台（定盤）２１の上面上を走査方向（Ｙ方向）に所定ストロークで移動可能なレチクル走査ステージ２２と、このレチクル走査ステージ２２上に載置され、レチクル走査ステージ２２に対してＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＺ方向）にそれぞれ微小駆動可能なレチクル微動ステージ２３とを備えている。このレチクル微動ステージ２３上にレチクルＲが真空吸着又は静電吸着等により保持される。尚、図示は省略しているが、複数のレチクルＲを収納するレチクルライブラリ、及びレチクルライブラリからレチクルステージＲＳＴ上に搬送されるレチクルＲに埃塵等の異物の付着の有無を検査する異物検査装置も設けられている。
【００２５】
上記レチクル微動ステージ２３上の一端には移動鏡２４が設けられており、レチクル支持台２１上にはレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）２５が配置されている。レチクル干渉計２５から射出されたレーザ光は移動鏡２４の鏡面に照射され、その反射光と参照光との干渉光をレチクル干渉計２５が受光することによって、レチクル微動ステージ２３のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＸ，θＹ，θＺ方向）の位置が検出される。実際のレチクル微動ステージ２３上には、Ｘ軸用の反射鏡、２個のＹ軸用の反射鏡が固定され、これに対応してレチクル干渉計２５も複数設けられているが、図２ではこれらを代表して移動鏡２４、レチクル干渉計２５として図示している。尚、レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを保持するレチクルテーブルの微動機構（ボイスコイルモータ等のアクチュエータ）が組み込まれた可動体を、例えばリニアモータで走査方向（Ｙ方向）に一次元駆動する構成でもよい。また、レチクル微動ステージ２３（又はレチクルテーブル）の端面を鏡面加工して上記の移動鏡２４の鏡面の代わりに用いても良い。
【００２６】
上述のレチクル干渉計２５により検出されたレチクル微動ステージ２３の位置情報（又は速度情報）は、装置全体の動作を統轄制御する主制御系４０に供給される。主制御系４０は、レチクル走査ステージ２２駆動用のリニアモータ、レチクル微動ステージ２３駆動用のボイスコイルモータ等を含むレチクル駆動装置２６を介してレチクル走査ステージ２２及びレチクル微動ステージ２３の動作を制御する。
【００２７】
上述した投影光学系ＰＬは、複数の屈折光学素子（レンズ素子）を含んで構成され、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウェハＷ）側の両方がテレセントリックで所定の縮小倍率β（βは例えば１／４，１／５等）を有する屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向は、ＸＹ平面に直交するＺ方向とされている。尚、投影光学系ＰＬが備える複数のレンズ素子の硝材は、露光光ＥＬの波長に応じて、例えば石英又は蛍石が用いられる。また、本実施形態では、レチクルＲに形成されたパターンの倒立像をウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬを例に挙げて説明するが、勿論パターンの正立像を投影するものであっても良い。
【００２８】
ウェハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方（−Ｚ方向）に配置されており、ウェハＸＹ駆動ステージ２８、支点２９ａ〜２９ｃ、及びウェハテーブル３０を含んで構成されている。ウェハＸＹ駆動ステージ２８は、ウェハ支持台（定盤）２７の上面（基準平面）上をＸ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、このウェハＸＹ駆動ステージ２８上にＺ方向に伸縮自在な３個の支点２９ａ〜２９ｃが設けられている。これら３つの支点２９ａ〜２９ｃは、例えばウェハウェハテーブル３０の中心に関して各々が互いに１２０°の角度をなすように配置されている。支点２９ａ〜２９ｃは、例えばロータリーモータ及びカムを使用する方式、積層型圧電素子（ピエゾ素子）、又はボイスコイルモータ（ここではボイスコイルモータとする）等を使用して構成される。
【００２９】
ウェハテーブル３０は、支点２９ａ〜２９ｃ上に載置されており、支点２９ａ〜２９ｃの伸縮量を制御することでＺ方向の微動（Ｘ軸回りの回転及びＹ軸回りの回転を含む）が可能である。ウェハテーブル３０上に設けられたウェハホルダ（図示省略）上にウェハＷが真空吸着又は静電吸着等により保持される。３個の支点２９ａ〜２９ｃは主制御系４０により制御される。支点２９ａ〜２９ｃを均等に伸縮させることにより、ウェハテーブル３０のＺ方向の位置を調整することができ、３個の支点２９ａ〜２９ｃの伸縮量を個別に調整することにより、ウェハテーブル３０のＸ軸及びＹ軸の回りの傾斜角を調整することができる。
【００３０】
ウェハテーブル３０上の一端には移動鏡３２が設けられており、ウェハステージＷＳＴの外部にはレーザ光を移動鏡３２の鏡面（反射面）に照射するレーザ干渉計（以下、ウェハ干渉計という）３３が設けられている。このウェハ干渉計３３は、移動鏡３２の鏡面にレーザ光を照射して得られる反射光と参照光との干渉光を受光することによって、ウェハテーブル３０のＸ方向及びＹ方向の位置、並びに姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸周りの回転θＸ，θＹ，θＺ）が検出される。実際の移動鏡３２はＸ軸に交差してＹ方向に沿って延びる鏡面を有するＸ軸用の移動鏡とＹ軸に交差してＸ方向に沿って延びる鏡面を有するＹ軸用の移動鏡とを含んで構成され、ウェハ干渉計３３はＸ軸用の移動鏡に対してレーザ光を照射するウェハ干渉計と、Ｙ軸用の移動鏡に対してレーザ光を照射するウェハ干渉計とを含んで構成される。ウェハ干渉計３３の検出結果は主制御系４０に供給される。主制御系４０は、ウェハ干渉計３３の検出結果に基づいてウェハ駆動装置３４を介してウェハテーブル３０の位置及び姿勢を制御するとともに、装置全体の動作を制御する。
【００３１】
また、ウェハテーブル３０上の一端には、投影光学系ＰＬを介してウェハＷ上に照射される露光光ＥＬの照度ムラを測定するための照度センサ３５が固定されている。この照度センサ３５は、例えばウェハＷの上面とほぼ同一の高さ位置に形成されたピンホール又はスリット等の開口部と光電変換素子とを含んで構成され、開口部を透過した露光光ＥＬを光電変換素子で受光して電気信号に変換する。この照度センサ３５の検出信号は主制御系４０に供給されている。
【００３２】
また、投影光学系ＰＬのＹ方向の側面部には、ウェハＷ上に設定されたショット領域に付設されたアライメントマーク（ウェハアライメントマーク）を観察するための画像処理方式のオフ・アクシス・アライメントセンサ（以下、ウェハアライメントセンサという）３９が配置されている。ウェハアライメントセンサ３９の観察結果（計測結果）は、主制御系４０に供給される。ウェハアライメントセンサ３９の光学系の光軸は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行とされている。かかるウェハアライメントセンサ３９の詳細な構成は、例えば特開平９−２１９３５４号公報及びこれに対応する米国特許第５，８５９，７０７号等に開示されている。
【００３３】
更に、本実施形態の露光装置１２ａは、送光系４１ａ及び受光系４１ｂから構成され、投影光学系ＰＬに関してレチクルＲ上の照明領域と共役なウェハＷ上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点でそれぞれウェハＷの表面のＺ方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出する多点ＡＦセンサ４１を投影光学系ＰＬの側方に備える。多点ＡＦセンサ４１は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置及び姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸周りの回転θＸ，θＹ：レベリング）を検出するものである。
【００３４】
露光装置１２ａは、図１に示す通り、ネットワークＮ２１を介して装置コントローラ１１ａに接続されている。このため、主制御系４０は、装置コントローラ１１ａからネットワークＮ２１を介して与えられるジョブに応じて露光装置１２ａの各部を制御し、レチクルＲに形成されたパターンをウェハＷに転写する露光処理を行う。尚、上記のジョブは、露光処理が開始されてから１ロット分（例えば、ウェハ２５枚）のウェハＷの露光処理を終えるまでの一連の処理を単位としたものである。
【００３５】
具体的に、主制御系４０は露光処理において、レチクルＲとウェハステージＷＳＴとの相対的な位置合わせ制御を行う。また、主制御系４０は、ウェハアライメントセンサ３９でウェハＷ上に形成されたアライメントマークのうちの代表的なアライメントマーク数個（３〜９個程度）を計測した結果結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算を行い、ウェハＷ上の全ショット領域の配列座標を求める。そして、ウェハＷを露光する際には、レチクル駆動装置２６及びウェハ駆動装置３４を介してレチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴの同期移動を制御するとともに露光光ＥＬの露光量を制御し、更には多点ＡＦセンサ４１の検出結果に基づいてウェハＷのＺ方向における位置及び姿勢を制御する。
【００３６】
更に、主制御系４０は、図１に示す装置コントローラ１１ａから送信される露光条件（処理条件）及び露光条件に基づいて行った露光処理の結果に関する露光結果（処理結果）を示すデータを一時的に記憶する記憶装置４０ａを備えている。主制御系４０は、これらのデータのうちの所定のデータを所定のタイミングで、又は装置コントローラ１１ａからの要求があったときに装置コントローラ１１ａに送信する。ここで、露光時における露光結果を示すデータは、例えば、ウェハアライメントセンサ３９を用いたアライメントマークの計測結果を示すデータ、上述したＥＧＡ演算結果、レチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとの同期精度を示すデータ、露光光ＥＬの露光量むらを示すデータ等がある。
【００３７】
本実施形態では露光装置１２ａで取り扱われるデータ（装置コントローラ１１ａから送信されるデータも含む）の管理を容易にするため、これらのデータはオブジェクト（プロセス・ジョブ・オブジェクト、サブストレート・オブジェクト、及びショット・オブジェクト）に関連付けられている。主制御系４０は、各オブジェクトに付された識別子（オブジェクトＩＤ）を用いて各種情報（露光条件、露光結果）を管理する。尚、主制御系４０にはユーザによって操作される端末装置４２が接続されている。次に、露光装置１２ａで取り扱われるデータのデータ構造について説明する。
【００３８】
〔オブジェクトデータのデータ構造〕
まず、露光装置１２ａの露光処理において、露光条件はジョブ毎に決定され、必要であれば露光するウェハＷ毎、又はショット毎に変更される。また、露光結果はショット毎に求められ、１つのウェハＷ上に設定された全ショット領域の露光結果を総合することにより、そのウェハＷに対する露光結果が確定する。あるいは、１ロットに含まれるウェハＷに設定された全ショットの露光結果を総合することにより、そのジョブの処理結果が確定する。このため、本実施形態では、露光条件を示すデータと露光結果を示すデータとを、前述したプロセスジョブ・オブジェクト、サブストレート・オブジェクト、及びショット・オブジェクトの少なくとも１つに関連づけ、各々のオブジェクトの属性データとして管理している。
【００３９】
図３は、本発明の一実施形態によるオブジェクトデータの露光条件に関するデータのデータ構造を示す図である。図３に示す通り、露光条件に関するデータのデータ構造は、ジョブを特定するジョブ特定変数値としてのプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、及び露光処理を受けるウェハＷを特定する基板特定変数値としてのサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の少なくとも１つに露光条件ＥＣを関連付けた構造である。かかる関連づけを行うことにより、露光条件ＥＣを各オブジェクトの属性データとして管理することができる。尚、ここにいう露光条件ＥＣとは、装置コントローラ１１ａから投入されるジョブに含まれる露光条件そのものではなく、ジョブに含まれる露光条件に従って露光装置１２ａで実際に設定される露光条件である点に注意されたい。
【００４０】
ここで、露光条件ＥＣには、ジョブ情報Ｃ１、ウェハデータＣ２、レチクルデータＣ３、シーケンス条件Ｃ４、露光量Ｃ５、フォーカス条件Ｃ６、レベリング条件Ｃ７、及びアライメント条件Ｃ８等が含まれる。ジョブ情報Ｃ１は、露光条件毎に決定されるジョブを特定する情報である。また、ウェハデータＣ２は、ウェハＷに関するデータであり、具体的には露光を制限する露光制限領域、ウェハＷの外形的特徴部分であるオリエンテーションフラット（以下、オリフラという）が形成された方向、オリフラの長さ、ウェハＷのサイズ（大きさ）、ウェハＷのタイプ（種類）、及びウェハＷの外形形状等を示すデータである。
【００４１】
また、レチクルデータＣ３は、レチクルＲに関するデータであり、具体的にはレチクルＲの名称、レチクルＲのタイプ（種類）、レチクルＲをプリアライメントする際のプリアライメント方法、レチクルＲを識別する際の識別検査モード、レチクルＲに付着する異物を検査する際の検査条件、及び露光に用いるレチクルの識別子（ＩＤ）等を示すデータである。シーケンス条件Ｃ４は、ウェハＷの露光時の露光手順（露光シーケンス）に関するデータである。
【００４２】
露光量Ｃ５は、ウェハＷの露光時における露光量の補正量を示すデータである。フォーカス条件Ｃ６は、ウェハＷの露光時における投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷのＺ方向における位置ずれを補正する条件を示すデータである。レベリング条件Ｃ７は、ウェハＷの露光時における、投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷ表面の傾斜（姿勢）を補正する条件を示すデータである。アライメント条件Ｃ８は、レチクルＲとウェハＷとの相対的な位置誤差を補正するための条件を示すデータである。
【００４３】
ジョブ毎に決定される露光条件ＥＣは、各々のジョブで露光処理する全てのウェハ（１ロット分のウェハ）に共通して適用されるものもあれば、１ロット内の特定のウェハのみに適用されるものもある。また、１枚のウェハ内においてショット領域毎に異なるものが適用されることもある。図４は、露光条件の一例を示す図である。図４に示す通り、露光条件ＥＣは、ジョブ処理条件ＥＣ１とウェハ毎葉補正条件ＥＣ２とに大別される。
【００４４】
ジョブ処理条件ＥＣ１は１つのジョブに対して（即ち、１ロット分のウェハ全てに共通して）適用される露光条件であり、ウェハ毎葉補正条件ＥＣ２は１ロット内の特定のウェハのみに適用される露光条件である。ここで、ジョブ処理条件ＥＣ１は、全ショット領域に共通して適用される露光条件（以下、共通ショット露光条件ｇ１という）と、特定のショット領域のみに適用される露光条件（以下、特定ショット露光条件ｇ２という）とを含んでいる。
【００４５】
共通ショット露光条件ｇ１は、１ロットに含まれるウェハＷ上に設定されたショット領域の全てに共通して適用される代表的な露光条件である。これに対し、特定ショット露光条件ｇ２は、ウェハ内の特定のショット領域のみに適用される露光条件である。尚、この特定ショット露光条件ｇ２は、１ロット内の全てのウェハにおける特定のショット領域（ショット番号が同一のショット領域）に適用される。また、ウェハ毎葉補正条件ＥＣ２は、特定のウェハのショット領域毎に適用される補正条件（以下、特定ショット補正条件ｇ３という）を含んでいる。この特定ショット補正条件ｇ３は、上記の特定ショット露光条件ｇ２とは異なり、特定ウェハの全てのショット領域又は特定ウェハの特定のショット領域に適用される。
【００４６】
図４を参照すると、ジョブ処理条件ＥＣ１に含まれる共通ショット露光条件ｇ１には、図３に示すジョブ情報Ｃ１、ウェハデータＣ２、レチクルデータＣ３、シーケンス条件Ｃ４、露光量Ｃ５、フォーカス条件Ｃ６、レベリング条件Ｃ７、及びアライメント条件Ｃ８の全てが含まれる。これに対し、ジョブ処理条件ＥＣ１に含まれる特定ショット露光条件ｇ２にはレチクルデータＣ３、露光量Ｃ５、フォーカス条件Ｃ６、レベリング条件Ｃ７、及びアライメント条件Ｃ８が含まれる。また、ウェハ毎葉補正条件ＥＣ２の特定ショット補正条件ｇ３には、露光量Ｃ５、フォーカス条件Ｃ６、レベリング条件Ｃ７、及びアライメント条件Ｃ８が含まれる。
【００４７】
ここで、フォーカス条件Ｃ６を例に挙げると、これは共通ショット露光条件ｇ１、特定ショット露光条件ｇ２、及び特定ショット補正条件ｇ３の全てに含まれているが、各々異なる条件に設定される場合が考えられる。例えば、共通ショット露光条件ｇ１では投影光学系ＰＬの最良結像位置（ベストフォーカス位置）で露光するよう条件設定され、特定ショット露光条件ｇ２及び特定ショット補正条件ｇ３ではベストフォーカス位置からデフォーカスした状態で露光するよう条件設定されている場合である。かかる場合には、フォーカス条件Ｃ６に対して複数の条件設定がなされることになる。
【００４８】
図３に示す通り、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、及びサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の少なくとも１つに露光条件を関連付けることにより、複数の条件設定がなされた露光条件を意味のある単位で管理できるようになる。例えば、上記のフォーカス条件Ｃ６をプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１及びサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２に関連付けた場合には、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に関連付けられたフォーカス条件を参照すれば共通ショット露光条件ｇ１に含まれるフォーカス条件が得られ、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２に関連付けられたフォーカス条件を参照すれば特定ショット補正条件ｇ３に含まれるフォーカス条件が得られる。尚、図３においては、露光条件ＥＣがプロセスジョブ・オブジェクトＯＢＪ１とサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２とに関連付けられている例を説明しているが、更にショット・オブジェクトに関連付けても良い。
【００４９】
図５は、本発明の一実施形態によるオブジェクトデータの露光結果に関するデータのデータ構造を示す図である。図５に示す通り露光結果に関するデータのデータ構造は、図３に示す露光条件に関するデータのデータ構造と同様の構造であり、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３の少なくとも１つに露光結果ＥＲを関連付けた構造である。かかる関連づけを行うことにより、露光結果ＥＲを各オブジェクトの属性データとして管理することができる。
【００５０】
ここで、露光結果ＥＲには、ステージ制御Ｒ１、同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２、同期精度の移動標準偏差（同期精度ＭＳＤ）Ｒ３、フォーカス追従誤差の移動平均（フォーカス追従ＭＥＡＮ）Ｒ４、フォーカス追従誤差の移動標準偏差（フォーカス追従ＭＳＤ）Ｒ５、露光量誤差の移動平均（露光制御ＭＥＡＮ）Ｒ６、処理時間Ｒ７、サーチサマリＲ８、ＥＧＡ処理結果Ｒ９、及びＥＧＡ制御リストＲ１０等が含まれる。
【００５１】
ステージ制御Ｒ１は、露光時のステージ制御の種類を示す情報である。同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２は、露光時におけるレチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとの露光スリット領域の幅（走査方向における幅）での同期精度の移動平均を示すデータである。この移動平均には、レチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとのＸ方向における同期精度の移動平均（Ｘ ＭＥＡＮ）、Ｙ方向における同期精度の移動平均（Ｙ ＭＥＡＮ）、及び回転方法（Ｚ軸周りの回転）における同期精度の移動平均（θ ＭＥＡＮ）がある。
【００５２】
また、同期精度の移動標準偏差（同期精度ＭＳＤ）Ｒ３は、露光時におけるレチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとの露光スリット領域の幅（走査方向における幅）での同期精度の移動標準偏差を示すデータである。この移動標準偏差には、レチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとのＸ方向における同期精度の移動標準偏差（Ｘ ＭＳＤ）、Ｙ方向における同期精度の移動標準偏差（Ｙ ＭＳＤ）、及び回転方法（Ｚ軸周りの回転）における同期精度の移動標準偏差（θ ＭＳＤ）がある。
【００５３】
露光量誤差の移動平均（露光制御ＭＥＡＮ）Ｒ６は、露光時における露光量（ＤＯＳＥ）の誤差の移動平均を示すデータである。処理時間Ｒ７は、１つのショット、１枚のウェハ、又は１ロットを露光するのに要した時間を示すデータである。サーチサマリＲ８は、ウェハＷに形成された大まかな位置検出用のマーク（サーチマーク）をウェハアライメントセンサ３９で検出した検出結果の特徴量を示すデータである。ＥＧＡ処理結果Ｒ９は、前述したＥＧＡ演算結果を示すデータであり、ＥＧＡ制御リストＲ１０はＥＧＡ演算を行う際に用いた各種パラメータを示すデータである。
【００５４】
図６は、露光結果の一例を示す図である。図６に示す通り、露光結果ＥＲは、サーチ結果ＥＲ１、ＥＧＡ結果ＥＲ２、ショット毎結果ＥＲ３、ウェハ毎結果ＥＲ４、及びロット毎結果ＥＲ５に大別される。サーチ結果ＥＲ１は、上述のサーチマークの検出結果であり、ＥＧＡ結果ＥＲ２はＥＧＡ演算結果である。また、ショット毎結果ＥＲ３はショット領域毎に得られる露光結果であり、ウェハ毎結果ＥＲ４はウェハ毎に得られる露光結果であり、ロット毎結果ＥＲ５はロット毎に得られる露光結果である。尚、ウェハ毎結果ＥＲ４及びロット毎結果ＥＲ５にはショット毎結果ＥＲ３に対して所定の演算を行うことにより得られるものがあり、ロット毎結果ＥＲ５にはウェハ毎結果ＥＲ４に対して所定の演算を行うことにより得られるものもある。
【００５５】
上記のサーチ結果ＥＲ１はウェハ毎に得られるサーチサマリｇ４を含んでおり、ＥＧＡ結果ＥＲ２はＥＧＡ処理毎のＥＧＡ処理結果（演算結果）ｇ５を含んでいる。尚、これらサーチ結果ＥＲ１及びＥＧＡ結果ＥＲ２はウェハ毎に得られるものである。ショット毎結果ＥＲ３はショット領域毎に得られる露光結果ｇ６を含んでおり、ウェハ毎結果ＥＲ４はウェハ毎に得られる露光結果ｇ７を含んでいる。ここで、露光結果ｇ７は、１つのウェハＷに設定される全ショット領域についての露光結果の特徴量（サマリ）を示すものである。また、ロット毎結果ＥＲ５は、１ロット内の全てのウェハにおける特定のショット領域（ショット番号が同一のショット領域）について、ショット番号が同一のショット領域についての露光結果の特徴量（サマリ）を示す露光結果ｇ８と、１ロット内の全てのウェハＷに設定された全ショット領域についての露光結果の特徴量（サマリ）を示す露光結果ｇ９とを含んでいる。
【００５６】
図６を参照すると、ショット毎結果ＥＲ３に含まれる露光結果ｇ６には、図５に示すステージ制御Ｒ１、同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２、同期精度の移動標準偏差（同期精度ＭＳＤ）Ｒ３、フォーカス追従誤差の移動平均（フォーカス追従ＭＥＡＮ）Ｒ４、フォーカス追従誤差の移動標準偏差（フォーカス追従ＭＳＤ）Ｒ５、及び露光量誤差の移動平均（露光制御ＭＥＡＮ）Ｒ６が含まれる。これに対し、ウェハ毎結果ＥＲ４に含まれる露光結果ｇ７には、ステージ制御Ｒ１〜露光量誤差の移動平均（露光制御ＭＥＡＮ）Ｒ６に加え、処理時間Ｒ７、サーチサマリＲ８、及びＥＧＡ制御リストＲ１０が含まれる。また、ロット毎結果ＥＲ５に含まれる露光結果ｇ８にはショット毎結果ＥＲ３の露光結果ｇ６と同様のものが含まれ、ロット毎結果ＥＲ５に含まれる露光結果ｇ９にはウェハ毎結果ＥＲ４の露光結果ｇ７と同様のものが含まれる。
【００５７】
ここで、同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２を例に挙げると、これは露光結果ｇ６〜ｇ９に含まれているが、各々に含まれる同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２は相互に異なるものである。例えば、露光結果ｇ６の同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２は、１つのショット領域を露光したときの同期精度の移動平均であるのに対し、露光結果ｇ７〜ｇ９の露光結果ｇ６の同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２は複数のショット領域を露光して得られる同期精度の移動平均の特徴量（サマリ）を示すものである。
【００５８】
図５に示す通り、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３の少なくとも１つに露光結果を関連付けることにより、露光結果を意味のある単位で管理できるようになる。例えば、上記の同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２をプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３に関連付けた場合には、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に関連付けられた同期精度の移動平均を参照すれば露光結果ｇ８又は露光結果ｇ９に含まれる同期精度の移動平均が得られ、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２に関連付けられたフォーカス条件を参照すれば露光結果ｇ７に含まれる同期精度の移動平均が得られ、ショット・オブジェクトＯＢＪ３に関連付けられた同期精度の移動平均を参照すれば露光結果ｇ６に含まれる同期精度の移動平均が得られる。
【００５９】
以上の通り、本実施形態のデータ構造は、露光条件及び露光結果をプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３の少なくとも１つに関連付けた構造であるため、露光装置１２ａ内で管理されているデータの関連性等を把握した上でデータ管理を行うことができる。具体的には、上述の通り、ロット、ウェハ、及びショット領域毎に分けてデータを管理することができる。また、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１及びサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２は、露光装置で標準化されているため（SEMI standard）、この標準化されたオブジェクトを用いて露光条件及び露光結果を管理することが可能となる。その他、ショット・オブジェクトＯＢＪ３を用いて更なる管理を行うことも可能である。
【００６０】
図７は、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３の基本構成を示す図である。図７に示す通り、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１は１つのジョブに対して１つ生成され、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２は１ロットに含まれるウェハＷの枚数分の数だけ生成され、ショット・オブジェクトＯＢＪ３は１ロットに含まれるウェハＷ上に設定されたショット領域の数だけ生成される。プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１には１ロットに含まれるウェハＷの枚数分のサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２が関連付けられ、各々のサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２にはそのウェハＷ上に設定されるショット領域分のショットオブジェクトＯＢＪ３が関連付けられている。このように、露光装置１２ａ内で管理されるデータは、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１が上位層に位置し、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２が中位層に位置し、ショット・オブジェクトＯＢＪ３が下位層に位置する階層構造である。尚、生成されたオブジェクトは、主制御系４０内の記憶装置４０ａに記憶される。
【００６１】
プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１には、プロセス・ジョブＩＤを記憶する記憶領域ＭＲ１１、露光条件の格納位置を記憶する記憶領域ＭＲ１２、露光結果の格納位置を記憶する記憶領域ＭＲ１３、及びサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２各々の格納領域を記憶する記憶領域ＭＲ１４が設けられている。プロセス・ジョブＩＤは、ジョブを特定するためのジョブ毎に一意に定まる識別子であり、装置コントローラ１１ａから露光装置１２ａに与えられるものである。
【００６２】
また、装置コントローラ１１ａから与えられるジョブには露光条件が含まれており、この露光条件は図２に示す主制御系４０の記憶装置４０ａに記憶される。記憶領域ＭＲ１２には記憶装置４０ａ内に格納されている露光条件の格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶され、これにより、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１と露光条件とが関連付けられる。具体的に、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に関連付けられる露光条件は、１ロット分のウェハ全てに共通して適用される露光条件であるジョブ処理条件ＥＣ１（図４参照）であり、この格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶領域ＭＲ１２に記憶される。
【００６３】
また、前述した通り、図２に示す主制御系４０の記憶装置４０ａには露光処理を行って得られる露光結果も記憶される。記憶領域ＭＲ１３には記憶装置４０ａ内に格納されている露光結果の格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶され、これにより、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１と露光結果とが関連付けられる。具体的に、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に関連付けられる露光結果は、ロット毎結果ＥＲ５（図６参照）であり、この格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶領域ＭＲ１３に記憶される。
【００６４】
記憶領域ＭＲ１４には、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に関連付けられる複数のサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の格納位置を指し示す情報（ポインタ）のリスト（サブストレートＩＤリスト）が記憶される。換言すると、記憶領域ＭＲ１４にサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の格納位置を指し示す情報（ポインタ）を記憶することにより、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１とサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２とが関連付けられる。尚、ここでは、記憶領域ＭＲ１４にポインタが記憶される場合を例に挙げて説明しているが、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２を特定するサブストレートＩＤそのものを記憶領域ＭＲ１４に記憶しても良い。
【００６５】
サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２には、サブストレートＩＤを記憶する記憶領域ＭＲ２１、露光条件の格納位置を記憶する記憶領域ＭＲ２２、露光結果の格納位置を記憶する記憶領域ＭＲ２３、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３各々の格納領域を記憶する記憶領域ＭＲ２４が設けられている。ここで、サブストレートＩＤは、１つのプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に対して複数生成されるサブストレート・オブジェクトを特定するための識別子であり、ウェハＷ毎に一意に定まる値が設定される。このサブストレートＩＤは、装置コントローラ１１ａが設定しても良く、露光装置１２ａが独自に設定しても良い。
【００６６】
記憶領域ＭＲ２２には記憶装置４０ａ内に格納されている露光条件の格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶され、これにより、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２と露光条件とが関連付けられる。具体的に、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２に関連付けられる露光条件は、ウェハＷ毎に個別に適用される露光条件であるウェハ毎葉補正条件ＥＣ２（図４参照）であり、この格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶領域ＭＲ２２に記憶される。記憶領域ＭＲ２３には記憶装置４０ａ内に格納されている露光結果の格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶され、これにより、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２と露光結果とが関連付けられる。具体的に、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ３に関連付けられる露光結果は、ウェハ毎結果ＥＲ４（図６参照）であり、この格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶領域ＭＲ２３に記憶される。
【００６７】
記憶領域ＭＲ２４にはサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２に関連付けられる複数のショット・オブジェクトＯＢＪ３の格納位置を指し示す情報（ポインタ）のリスト（ショットＩＤリスト）が記憶される。換言すると、記憶領域ＭＲ２４にショット・オブジェクトＯＢＪ３の格納位置を指し示す情報（ポインタ）を記憶することにより、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２とショット・オブジェクトＯＢＪ３とが関連付けられる。尚、ここでは、記憶領域ＭＲ２４にポインタが記憶される場合を例に挙げて説明しているが、ショット・オブジェクトＯＢＪ３を特定するショットＩＤそのものを記憶領域ＭＲ１４に記憶しても良い。
【００６８】
ショット・オブジェクトＯＢＪ３には、ショットＩＤを記憶する記憶領域ＭＲ３１、露光条件の格納位置を記憶する記憶領域ＭＲ３２、及び露光結果の格納位置を記憶する記憶領域ＭＲ３３が設けられている。ここで、ショットＩＤは、複数生成されるサブストレート・オブジェクトを特定するための識別子であり、ショット領域毎に一意に定まる値が設定される。このショットＩＤは、装置コントローラ１１ａが設定しても良く、露光装置１２ａが独自に設定しても良いのは、サブストレートＩＤと同様である。
【００６９】
記憶領域ＭＲ３２には記憶装置４０ａ内に格納されている露光条件の格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶され、これにより、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２と露光条件とが関連付けられる。尚、図３に示す通り、本実施形態では露光条件ＥＣに対してプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１とサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２が関連付けられる場合を例に挙げて説明しているため、この場合においては記憶領域ＭＲ３２は用いられない。記憶領域ＭＲ３３には記憶装置４０ａ内に格納されている露光結果の格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶され、これにより、ショット・オブジェクトＯＢＪ３と露光結果とが関連付けられる。具体的に、ショット・オブジェクトＯＢＪ３に関連付けられる露光結果は、ショット毎結果ＥＲ３（図６参照）であり、この格納位置を指し示す情報（ポインタ）が記憶領域ＭＲ３３に記憶される。
【００７０】
尚、図７に示す例では、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１にはプロセス・ジョブＩＤを記憶する記憶領域ＭＲ１１が設けられ、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２にはサブストレートＩＤを記憶する記憶領域ＭＲ２１が設けられ、ショット・オブジェクトＯＢＪ３にはショットＩＤを記憶する記憶領域ＭＲ３１が設けられている例を挙げた。しかしながら、関連付けられているプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１のプロセス・ジョブＩＤを記憶する記憶領域をサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２及びショット・オブジェクトＯＢＪ３に設けたり、関連付けられているサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２のサブストレートＩＤを記憶する記憶領域をショット・オブジェクトＯＢＪ３に設けてもよい。
【００７１】
〔情報処理方法及び基板処理方法〕
次に、本発明の一実施形態による情報処理方法及び基板処理方法について説明する。図８は、本発明の一実施形態による情報処理方法及び基板処理方法を示すフローチャートである。尚、以下の説明では、露光装置１２ａで行われる処理を例に挙げて説明する。図８に示すフローチャートの処理は、装置コントローラ１１ａから露光装置１２ａにジョブが投入されると開始される。
【００７２】
装置コントローラ１１ａからのジョブがネットワークＮ２１を介して露光装置１２ａに投入されると、露光装置１２ａの主制御系４０は、投入されたジョブの内容を記憶装置４０ａに記憶するとともに、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１を生成して記憶装置４０ａに記憶させる。このとき、投入されたジョブに含まれるプロセス・ジョブＩＤを、生成したプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１の記憶領域ＭＲ１１に記憶させる。また、主制御系４０は、投入されたジョブの内容の一つである露光条件（ジョブ処理条件ＥＣ１）に従って露光装置１２ａの各部を制御して実際の露光条件を設定し、実際に設定された露光条件を記憶装置４０ａに記憶する。そして、実際に設定された露光条件の記憶装置４０ａ内における格納位置を指し示す情報（ポインタ）を記憶領域ＭＲ１２に記憶させることにより、生成したプロセス・ジョブ・オブジェクトとジョブ処理条件ＥＣ１とを関連付ける（ステップＳ１１）。尚、この処理により、プロセス・ジョブＩＤ（ジョブ変数値）と露光条件（ジョブ処理条件ＥＣ１：処理条件情報）とが対応付けられる。
【００７３】
次に、主制御系４０は、不図示のウェハローダを制御して露光装置１２ａ内にフォトレジストが塗布されたウェハＷを搬入させる（ステップＳ１２）。露光装置１２ａ内にウェハＷが搬入されると、主制御系４０は、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２を生成して記憶装置４０ａに記憶させる。このとき、主制御系４０は、投入されて記憶装置４０ａに記憶されているジョブの内容に基づいて１ロットに含まれるウェハＷの枚数分のサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２を生成するとともに、生成したサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の記憶装置４０ａ内における格納位置を指し示す情報（ポインタ）をプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１の記憶領域ＭＲ１４に記憶させることにより、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１と生成したサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２とを関連付ける。また、生成したサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の各々に設けられた記憶領域ＭＲ２１に、ウェハＷ毎に一意に定まるサブストレートＩＤを記憶させる（ステップＳ１３）。
【００７４】
次いで、主制御系４０は、記憶装置４０ａに格納されているジョブの内容にウェハ毎葉補正条件があるか否かを判断する（ステップＳ１４）。尚、ウェハ毎葉補正条件がある場合には、装置コントローラ１１ａから投入されるジョブとは別に（ジョブの投入後に）装置コントローラ１１ａから送信されて記憶装置４０ａに記憶される。主制御系４０は、この記憶装置４０ａに記憶されているウェハ毎葉補正条件の有無を判断し、ウェハ毎葉補正条件があると判断した場合（判断結果が「ＹＥＳ」である場合）には、露光装置１２ａで実際に設定された露光条件（ジョブ処理条件ＥＣ１）の一部（ウェハ毎葉補正条件で指定されるウェハＷに関する露光条件）をウェハ毎葉補正条件で補正する。そして、補正した露光条件の記憶装置４０ａ内における格納位置を指し示す情報（ポインタ）を、ウェハ毎葉補正条件で指定されるウェハＷに関するサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の記憶領域ＭＲ２２に記憶させることにより、そのサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２と補正した露光条件とを関連付ける（ステップＳ１５）。この処理により、サブストレートＩＤ（基板変数値）と補正した露光条件（処理条件情報）とが対応付けられる。尚、ステップＳ１４の判断結果が「ＮＯ」である場合には、ステップＳ１５の処理は省略される。
【００７５】
以上の処理が終了すると、各オブジェクトに関するデータ（各オブジェクトに関連付けられた露光条件も含む）に基づいてウェハＷの露光処理が開始される（ステップＳ１６）。露光処理が開始されると、ウェハステージＷＳＴ上に保持されたウェハＷにパターンが形成されていない場合には、主制御系４０はレチクル干渉計２５の検出結果をモニタしつつレチクル駆動装置２６を駆動して所定のレチクルＲが保持されたレチクルステージＲＳＴを走査開始位置に移動させる。また、これと同時に、ウェハ駆動装置３４を介してウェハステージＷＳＴを駆動し、最初に露光すべきショット領域が走査開始位置に配置されるようウェハステージＷＳＴをＸＹ面内で移動させる。
【００７６】
他方、ウェハホルダ上に保持されたウェハＷ上に既に他のパターンが形成されている場合には、主制御系４０はウェハステージＷＳＴを駆動してウェハＷをウェハアライメントセンサ３９の下方（−Ｚ方向）に配置し、ウェハアライメントセンサ３９を用いて、サーチマークの位置計測を行ってウェハＷの大まかな位置情報を得る。次に、ウェハＷ上の代表的なアライメントマーク（ＥＧＡマーク）数個（３〜９個程度）の位置計測を行う。この計測を終えると、主制御系４０は、これらの計測結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算を行い、ウェハＷ上の全ショット領域の配列座標を求める。尚、ＥＧＡ演算は、露光条件に含まれるアライメント条件（図４参照）に従って行われる。
【００７７】
上記のＥＧＡ演算によって得られたウェハＷ上におけるショット領域の座標値をベースライン量（投影光学系ＰＬを介した投影像の投影中心と、ウェハアライメントセンサ３９の計測視野中心との距離）で補正した座標値を求め、この補正した座標値を用いてウェハステージＷＳＴを駆動すればウェハＷ上の各ショット領域を投影光学系ＰＬの露光スリット領域に位置合わせすることができる。このため、主制御系４０は、まずＥＧＡ演算により得られたショット領域の座標値をベースライン量で補正した座標値を求め、この座標時に基づいてウェハステージＷＳＴを駆動して、最初に露光すべきショット領域を走査開始位置に配置する。また、ウェハステージＷＳＴとともに、レチクルステージＲＳＴも走査開始位置に配置する。
【００７８】
レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの走査開始位置への移動が完了すると、主制御系４０はレチクル駆動装置２６及びウェハ駆動装置３４を介してこれらのステージを加速させ、各々のステージが所定の速度に達して同期がとれてから、光源ユニットから露光光ＥＬを射出させてレチクルＲを照明し、レチクルＲのパターンの像を投影光学系ＰＬを介してウェハＷ上に投影する。走査時には、露光スリット領域にレチクルＲの一部のパターン像が投影され、投影光学系ＰＬに対して、レチクルＲが−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、ウェハＷが＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動させる。
【００７９】
最初に露光すべきショット領域を露光している間、主制御系４０は多点ＡＦセンサ４１の計測結果に基づいて光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置制御（オートフォーカス制御）及びウェハＷの姿勢制御（レベリング制御）を行う。このとき、主制御系４０は、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に関連付けられている露光条件（ジョブ処理条件ＥＣ１）、又は露光処理を行っているウェハＷについてのサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２に関連付けられている露光条件に含まれるフォーカス条件（図４参照）に従ってオートフォーカス制御を行い、レベリング条件（図４参照）に従ってレベリング制御を行う。尚、主制御系４０は、各ショット領域に対する露光処理の露光結果（例えば、図５に示すステージ制御Ｒ１、同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２、同期精度の移動標準偏差（同期精度ＭＳＤ）Ｒ３、フォーカス追従誤差の移動平均（フォーカス追従ＭＥＡＮ）Ｒ４、フォーカス追従誤差の移動標準偏差（フォーカス追従ＭＳＤ）Ｒ５、及び露光量誤差の移動平均（露光制御ＭＥＡＮ）Ｒ６）を記憶装置４０ａに記憶する。
【００８０】
ウェハステージＷＳＴ上のウェハＷ上に設定された全ショットの露光処理が終了すると、主制御系４０は不図示のウェハアンローダを制御して露光処理を終えたウェハＷを搬出させるとともに、不図示のウェハローダを制御して新たなウェハＷを搬入させる。そして、搬入したウェハＷに対して上述したＥＧＡ演算等を行ってから露光処理を実行する。以下同様に、１ロット分（例えば、２５枚）のウェハＷに対する露光処理を行う。
【００８１】
主制御系４０は、ショット単位の露光処理完了のタイミング毎に、ショット・オブジェクトＯＢＪ３を生成して記憶装置４０ａに記憶させる。このとき、主制御系４０は、ウェハＷ上に設定されたショット領域と同数のショット・オブジェクトＯＢＪ３をウェハＷ毎に生成する。そして、生成したショット・オブジェクトＯＢＪ３の記憶装置４０ａ内における格納位置を指し示す情報（ポインタ）を、ウェハＷ毎のサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の記憶領域ＭＲ２４に記憶させることにより、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２と生成したショット・オブジェクトＯＢＪ３とを関連付ける。
【００８２】
また、生成したショット・オブジェクトＯＢＪ３の各々に設けられた記憶領域ＭＲ３１に、ショット領域毎に一意に定まるショットＩＤを記憶させる。次いで、主制御系４０は、記憶装置４０ａ内におけるショット領域毎の露光結果の格納位置を指し示す情報（ポインタ）を、各ショット・オブジェクトＯＢＪ３の記憶領域ＭＲ３３に記憶させることにより、ショット・オブジェクトＯＢＪ３と露光結果とをそれぞれ関連付ける（ステップＳ１７）。尚、ここでは、１ロット分のウェハＷに対する露光処理が終了した後で、一括してショット・オブジェクトＯＢＪ３を生成する場合を例に挙げて説明しているが、１枚のウェハＷに対する露光を終えた時点で、そのウェハＷ上に設定されたショット領域に対応するショット・オブジェクトＯＢＪ３を生成しても良い。
【００８３】
次に、主制御系４０は、露光処理で得られたショット領域毎の露光結果をウェハＷ毎に分類し、各ウェハＷ上に設定される全ショット領域についての露光結果に対して所定の演算を行い、ウェハ毎結果を算出して記憶装置４０ａに記憶させる（ステップＳ１８）。ここで算出されるウェハ毎結果は、例えば図６に示すウェハ毎結果ＥＲ４であり、図５に示すステージ制御Ｒ１、同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）Ｒ２、同期精度の移動標準偏差（同期精度ＭＳＤ）Ｒ３、フォーカス追従誤差の移動平均（フォーカス追従ＭＥＡＮ）Ｒ４、フォーカス追従誤差の移動標準偏差（フォーカス追従ＭＳＤ）Ｒ５、露光量誤差の移動平均（露光制御ＭＥＡＮ）Ｒ６、処理時間Ｒ７、サーチサマリＲ８、及びＥＧＡ制御リストＲ１０が含まれる。
【００８４】
次いで、主制御系４０は、記憶装置４０ａ内におけるウェハ毎結果の格納位置を指し示す情報（ポインタ）を、各サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２の記憶領域ＭＲ２３に記憶させることにより、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２とウェハ毎結果とをそれぞれ関連付ける（ステップＳ１９）。この処理により、サブストレートＩＤ（基板変数値）とウェハ毎結果（処理結果情報）とが対応付けられる。尚、ここでは、ステップＳ１８で１ロットに含まれるウェハＷ毎のウェハ毎結果を一括して算出し、ステップＳ１８でウェハ毎結果を各サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２に一括して関連付ける場合を例に挙げて説明しているが、１枚のウェハＷに対する露光を終えた時点で、そのウェハＷについてのウェハ毎結果を算出し、この算出したウェハ毎結果をそのウェハＷについてのサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２に関連付けても良い。
【００８５】
次に、主制御系４０は、ステップＳ１８で算出したウェハ毎結果の各々に対して処理の演算を行い、ロット毎結果を算出して記憶装置４０ａに記憶させる（ステップＳ２０）。ここで算出されるロット毎結果は、例えば図６に示す通り、１ロット内の全てのウェハにおける特定のショット領域（ショット番号が同一のショット領域）について、ショット番号が同一のショット領域についての露光結果の特徴量（サマリ）を示す露光結果ｇ８と、１ロット内の全てのウェハＷに設定された全ショット領域についての露光結果の特徴量（サマリ）を示す露光結果ｇ９とを含むものである。
【００８６】
次いで、主制御系４０は、記憶装置４０ａ内におけるロット毎結果の格納位置を指し示す情報（ポインタ）を、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１の記憶領域ＭＲ１３に記憶させることにより、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１とロット毎結果とを関連付ける（ステップＳ２１）。尚、この処理により、プロセス・ジョブＩＤ（ジョブ変数値）とロット毎結果（処理結果情報）とが対応付けられる。以上の処理によって、露光条件及び露光結果がプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３の少なくとも１つと関連付けられる。
【００８７】
以上の処理によってプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３の少なくとも１つに関連付けられた露光条件及び露光結果は、所定のタイミングで露光装置１２ａからネットワークＮ２１を介して装置コントローラ１１ａにイベント通知される。ここで、イベント通知が行われるタイミングは、例えば１ロット分のウェハＷに対する露光処理を終えてジョブが終了した時点、即ち図８に示す処理が終了した時点である。装置コントローラ１１ａに対するイベント通知は、例えばプロセス・ジョブＩＤと露光条件及び露光結果とを対応付けたデータを送信することにより行われる。
【００８８】
従来は、露光装置１２ａでイベントが発生する度に露光装置１２ａから装置コントローラ１１ａに対してイベント通知が行われていたが、本実施形態では露光処理で得られた情報（露光条件、露光結果）が所定のタイミングでまとめてイベント通知することが可能である。このため、装置コントローラ１１ａと露光装置１２ａとのトータルの通信量を削減することができ、この結果として露光装置１２ａのイベント通知に要する負荷を軽減することができる。
【００８９】
〔表示方法〕
次に、本発明の一実施形態による表示方法について説明する。ここでは、装置コントローラ１１ａを用いて露光装置１２ａから必要な情報を取得し、その取得した情報を表示する表示方法を例に挙げて説明する。ユーザが装置コントローラ１１ａに設けられている不図示の端末装置の入力装置を操作して表示プログラムを起動させると、端末装置の表示画面に図９に示す表示がなされる。図９は、装置コントローラ１１ａに設けられる端末装置の表示例を示す図である。
【００９０】
図９に示す通り、端末装置の表示装置には、２つの表示領域ＤＰ１，ＤＰ２を有するウィンドウＷＤが表示される。ウィンドウＷＤの表示領域ＤＰ１はプロセス・ジョブＩＤやサブストレートＩＤが表示される表示領域であり、表示領域ＤＰ２は露光装置１２ａから取得した各種情報が表示される領域である。図９に示す例では、表示領域ＤＰ１にプロセス・ジョブＩＤとして「ＪＯＢ１」，「ＪＯＢ２」が表示されている。また、「ＪＯＢ１」に関連したサブストレートＩＤ「Ｓｕｂｓｔ−Ａ」，「Ｓｕｂｓｔ−Ｂ」と、「ＪＯＢ２」に関連したサブストレートＩＤ「Ｓｕｂｓｔ−Ｃ」とがそれぞれツリー形式で表示される。
【００９１】
いま、ユーザが装置コントローラ１１ａに設けられた端末装置の入力装置を操作して、表示領域ＤＰ１に表示されたプロセス・ジョブＩＤ「ＪＯＢ１」，「ＪＯＢ２」を選択し、これらのジョブで処理した全ウェハＷの処理状態を示す情報を取得する指示をしたとすると、装置コントローラ１１ａから露光装置１２ａに対して情報取得要求が送信される。図１０は、装置コントローラ１１ａから露光装置１２ａに送信される情報取得要求の内容の一例を示す図である。図１０に示す情報取得要求は複数のメッセージからなるものである。
【００９２】
メッセージｍ１１はオブジェクトの種類を指定するメッセージであり、メッセージｍ１２，ｍ１３はユーザに選択されたプロセス・ジョブＩＤを示すメッセージである。図９に示す表示画面において、ユーザがプロセス・ジョブＩＤ「ＪＯＢ１」，「ＪＯＢ２」を選択しているため、メッセージｍ１１はプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１を意味する“ProcessJob”が指定され、メッセージｍ１２，ｍ１３は“JOB1”，“JOB2”が指定されている。
【００９３】
また、メッセージｍ１４は、必要な情報を得るために利用する情報を特定するメッセージである。図１０に示す例では、サブストレートＩＤリスト（図７中の記憶領域ＭＲ１４に記憶された内容）を意味する“SubstIdList”が指定されている。更に、メッセージｍ１５はオブジェクトの種類を指定するメッセージであり、メッセージｍ１６は、要求する情報を指定するメッセージである。図１０に示す例では、メッセージｍ１５はサブストレート・オブジェクトＯＢＪ２を意味する“Substrate”が指定され、メッセージｍ１６は全ウェハＷの処理状態を示す情報の取得を意味する“SubstProcState”が指定されている。つまり、図１０に示す情報取得要求は、プロセス・ジョブＩＤ“JOB1”，“JOB2”について、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に記憶されているサブストレートＩＤリストを用いて、全ウェハＷの処理状態を示す情報を取得せよという内容である。
【００９４】
図１１は、図１０の情報取得要求に対して返信される返信情報の一例を示す図である。図１１に示す通り、返信情報も複数のメッセージからなるものである。図１１に示す例では、まずメッセージ群Ｇ１，Ｇ２によって、ユーザに指定されたプロセス・ジョブＩＤ「ＪＯＢ１」，「ＪＯＢ２」が付されたプロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１に記憶されているサブストレートＩＤの内容が返信される。具体的に、メッセージｍ２１によりプロセス・ジョブＩＤ“JOB1”が特定され、メッセージｍ２２により返信される情報がサブストレートＩＤリストである旨を意味する“SubstIdList”が特定され、これらのメッセージに続くメッセージｍ２３，ｍ２４によってサブストレートＩＤリストの内容“Subst-A”，“Subst-B”が返信されている。同様に、メッセージｍ２５によりプロセス・ジョブＩＤ“JOB2”が特定され、メッセージｍ２６により返信される情報がサブストレートＩＤリストである旨を意味する“SubstIdList”が特定され、これらのメッセージに続くメッセージｍ２７によってサブストレートＩＤリストの内容“Subst-C”が返信されている。
【００９５】
図１１に示す例では、次にメッセージ群Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５によって、ウェハＷの処理状態を示す情報が返信される。具体的に、メッセージｍ３１によりサブストレートＩＤ“Subst-A”が特定され、メッセージｍ３２により返信される情報がウェハＷの処理状態を示す情報である旨を意味する“SubstProcState”が特定され、これらのメッセージに続くメッセージｍ３３によってウェハＷの処理状態の内容「２」が返信されている。また、メッセージｍ３４によりサブストレートＩＤ“Subst-B”が特定され、メッセージｍ３５により返信される情報がウェハＷの処理状態を示す情報である旨を意味する“SubstProcState”が特定され、これらのメッセージに続くメッセージｍ３６によってウェハＷの処理状態の内容「２」が返信されている。同様に、メッセージｍ３７によりサブストレートＩＤ“Subst-C”が特定され、メッセージｍ３８により返信される情報がウェハＷの処理状態を示す情報である旨を意味する“SubstProcState”が特定され、これらのメッセージに続くメッセージｍ３９によってウェハＷの処理状態の内容「３」が返信されている。
【００９６】
図１１に示すメッセージが装置コントローラ１１ａに返信されると、得られたサブストレートＩＤが端末装置に表示されているウィンドウＷＤの表示領域ＤＰ１にツリー形式で表示されるとともに、得られた処理状態を示す情報が表示領域ＤＰ２に表示される。図９に示す例では、表示領域ＤＰ１に表示されたサブストレートＩＤに対応して各々のウェハＷを露光したときの露光量（ＤＯＳＥ）が表示されている。このように、サブストレートＩＤに関連付けて処理状態を示す情報を表示することにより、表示された情報の内容を容易に把握することができる。
【００９７】
以上の通り、本実施形態では、露光装置で扱われてるデータがオブジェクト化されており、各々のオブジェクトに露光条件又は露光結果が関連付けられているとともに、各オブジェクトも階層化されて関連付けられている。これにより、例えばロット単位、基板単位等の意味のある単位での情報管理を行うことができ、情報の管理が容易となる。尚、図９に示す表示例はあくまでも一例であって、プロセス・ジョブＩＤ、サブストレートＩＤ、及び処理状態を示す情報の表示形態は任意の表示形態にすることができる。
【００９８】
尚、以上説明した実施形態では、プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３の少なくとも１つと露光条件とが関連付けられたデータを用いて露光装置１２ａにより露光処理を行い、また露光結果をこれらのオブジェクトに関連付けていた。しかしながら、このデータを用いて露光装置１２ａ以外の基板処理装置（例えば、コータ・デベロッパ１３ａ）を制御しても良い。例えば、露光処理によって得られた同期精度の移動平均（同期精度ＭＥＡＮ）や同期精度の移動標準偏差（同期精度ＭＳＤ）が所定値よりも大きな場合には、コータ・デベロッパ１３ａを制御して現像することなくウェハＷに塗布されているフォトレジストを剥離し、新たなフォトレジストを再塗布して再度露光処理を行う等の処理である。
【００９９】
〔他の基板処理装置〕
また、以上説明したデータ構造は、露光装置に限られず、コータ・デベロッパ、熱処理装置、検査／計測装置、その他の基板処理装置にも用いることができる。更に、これらの基板処理装置においては、オブジェクトに関連付けられた処理条件に関する情報又は処理結果に関する情報を、プロセス・ジョブＩＤ等のジョブ変数値、サブストレートＩＤ等の基板変数値と対応付けた上で外部に出力するよう構成するのが望ましい。例えば、検査／計測装置で得られた処理結果（検査結果及び計測結果）をジョブ変数値と対応付けて露光装置に出力すれば、露光処理を行ったウェハＷの検査結果及び計測結果を露光装置にフィードバックすることができ、不良の発生を効果的に抑えることができる。
【０１００】
〔プログラム〕
図１に示す装置コントローラ１１ａ，１１ｂ，…及び露光装置１２ａ，１２ｂ，…に設けられる主制御系４０は、ハードウェア的には計算機システムとして構成し、上述した各機能をプログラムによって実現することも可能である。また、上述した各機能を実現するプログラムを記録している記録媒体からプログラム内容を読み出して、内部にインストール可能にすることが望ましい。ここで、記録媒体は、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、半導体記憶装置、その他のコンピュータ読み取り可能な記録媒体を用いることができる。
【０１０１】
更に、ネットワークＮ１１，Ｎ１２，…やネットワークＮ２１，Ｎ２２，…を介してメインホスト１０から装置コントローラ１１ａや主制御系４０の内部にプログラムをインストール可能にすることも望ましい。このように、機能を実現するためのプログラム内容を記録した記録媒体を使用したり、インストールしたりすることが可能なように構成することにより、後におけるプログラム内容の修正や、性能向上のためのバージョンアップ等を容易に行うことができるようになる。
【０１０２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態における露光装置は、国際公開第９９／４９５０４号公報に開示されているような液浸法を用いる露光装置であってもよく、液浸法を用いない露光装置であってもよい。液浸法を用いる露光装置は、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間を局所的に液体で満たす液浸露光装置、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置、特開平１０−３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置の何れの露光装置であっても良い。
【０１０３】
また、上記の露光装置は、半導体素子の製造に用いられてデバイスパターンを半導体ウェハ上へ転写する露光装置、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等の何れであっても良い。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハ等に回路パターンを転写する露光装置であっても良い。
【０１０４】
次に、マイクロデバイスの製造方法について説明する。図１２は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造工程の一例を示すフローチャートである。図１２に示すように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウェハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
【０１０５】
次に、ステップＳ１３（ウェハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１０６】
図１３は、半導体デバイスの場合における、図１２のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。図１３において、ステップＳ２１（酸化ステップ）においてはウェハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１０７】
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウェハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を備える基板処理システムの全体構成を簡略化して示すブロック図である。
【図２】露光装置の概略構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態によるオブジェクトデータの露光条件に関するデータのデータ構造を示す図である。
【図４】露光条件の一例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態によるオブジェクトデータの露光結果に関するデータのデータ構造を示す図である。
【図６】露光結果の一例を示す図である。
【図７】プロセス・ジョブ・オブジェクトＯＢＪ１、サブストレート・オブジェクトＯＢＪ２、及びショット・オブジェクトＯＢＪ３の基本構成を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態による情報処理方法及び基板処理方法を示すフローチャートである。
【図９】装置コントローラ１１ａに設けられる端末装置の表示例を示す図である。
【図１０】装置コントローラ１１ａから露光装置１２ａに送信される情報取得要求の内容の一例を示す図である。
【図１１】図１０の情報取得要求に対して返信される返信情報の一例を示す図である。
【図１２】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１３】半導体デバイスの場合における、図１２のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１２ａ，１２ｂ        露光装置（基板処理装置）
１３ａ，１３ｂ        コータ・デベロッパ（基板処理装置）
ＥＣ                  露光条件（処理条件情報）
ＥＲ                  露光結果（処理結果情報）
ＭＲ１１              特定変数領域（記憶領域）
ＭＲ１２，ＭＲ１３    処理条件／処理結果情報領域（記憶領域）
ＭＲ２１              特定変数領域（記憶領域）
ＭＲ２２，ＭＲ２３    処理条件／処理結果情報領域（記憶領域）
ＭＲ３１              特定変数領域（記憶領域）
ＭＲ３２，ＭＲ３３    処理条件／処理結果情報領域（記憶領域）
ＯＢＪ１              プロセス・ジョブ・オブジェクト（オブジェクトデータ）
ＯＢＪ２              サブストレート・オブジェクト（オブジェクトデータ）
ＯＢＪ３              ショット・オブジェクト（オブジェクトデータ）
【図１】
2007103752.tif 000003
【図２】
2007103752.tif 000004
【図３】
2007103752.tif 000005
【図４】
2007103752.tif 000006
【図５】
2007103752.tif 000007
【図６】
2007103752.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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