(57)【要約】【課題】無機垂直配向膜の表面と液晶分子との反応を抑制して、長期間に亘って高画質の画像表示を行うことができる液晶装置を提供する。【解決手段】配向膜１６の表面をチタネート系のカップリング剤で処理しておくことにより、液晶装置１の動作時に、液晶分子５０ａと光化学反応するシラノール基を減少させる。同時に、チタネート系のカップリング剤で形成された反応層３１は液晶分子５０ａとの親和力が強いため、仮に配向膜表面にシラノール基等が残存していたとしても、当該シラノール基が液晶分子に近づく作用を相対的に弱めることができる。さらに、反応層と無機配向膜の親和力が強いため、外部から侵入する水分や、液晶層中に含有される水分が配向膜表面に到達してシラノール基が再形成されることを抑制できる。従って、長期に亘って高画質な画像を表示できる。【選択図】図４
2007256731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料によって形成され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板表面の垂直方向
に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機垂直配向膜を備えた液晶装置であって
、
前記無機垂直配向膜の表面が、チタネート系のカップリング剤によって処理されている
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記チタネート系のカップリング剤は、イソプロピルロリイソステアロイルチタネート
、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、ジイソステアロイ
ルエチレンチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート
、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、イソプロピルトリス（
ジオクチルピロホスフェート）チタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）オキシ
アセテートチタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）エチレンチタネート、イソ
プロピルトリ（Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）チタネート、イソプロピルトリクミル
フェニルチタネート、或いは、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネートの何れか一
であることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
無機材料によって形成され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板表面の垂直方向
に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機垂直配向膜を備えた液晶装置の製造方
法であって、
前記無機垂直配向膜を形成する工程と、
前記無機垂直配向膜の表面をチタネート系のカップリング剤によって処理する表面処理
工程とを備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜が無機材料を用いて形成された液晶装置及びその製造方法、並びに電
子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、液晶プロジェクタ等の電子機器においては、高精細化、高輝度化、及び
低価格化に伴うライトバルブの小型化を求める要請等によって、ライトバルブに入射させ
る光の強度が強くなってきている。そのため、特に、液晶プロジェクタのライトバルブ等
に用いられる液晶装置の配向膜として、ポリイミド等の有機材料を用いた有機配向膜に代
えて、耐光性や耐熱性に優れた無機配向膜が注目されてる。
【０００３】
垂直配向に用いられる無機配向膜としては、シリカ（ＳｉＯ２）等の無機酸化物を用い
た斜方蒸着膜が知られている。例えば、ＳｉＯ２を用いた斜方蒸着膜は、基板面に対して
３０°以上の角度でＳｉＯ２を斜方蒸着することによって得られ、負の誘電率異方性を有
する液晶分子を所定のプレチルトを持たせて垂直配向させることができる。
【０００４】
その一方で、ＳｉＯ２等の無機材料は、外部の水分と反応しやすく、典型的には、その
表面にシラノール基（−Ｓｉ−ＯＨ）を有する。シラノール基は、反応性が高く、仮に何
らの対策も施さねば、基板間に挟持された液晶層の液晶分子と反応してしまう虞がある。
特に、例えば液晶装置をプロジェクタ装置等のライトバルブとして使用する場合、液晶装
置には強い光が照射されるため、シラノール基と液晶との間で光化学反応が発生し易い。
そして、このような光化学反応が液晶装置の動作の度に繰り返されると、配向膜による液
晶分子の配向規制力が低下し、液晶装置の表示性能が除々に低下する。これにより、結果
的に液晶装置の寿命、すなわち高品質な画像表示が可能な期間が短縮されてしまう。
【０００５】
これに対し、例えば、特許文献１には、ＳｉＯ２等の無機配向膜の表面を、高級アルコ
ールを用いて処理する技術が開示されている。このような技術によれば、配向膜表面のＯ
Ｈ基が高級アルコールで置換されるので、配向膜表面での光化学反応等の抑制が期待でき
る。
【特許文献１】特開２０００−４７２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、一般に、配向膜表面でのアルコールの結合力は弱いため、上述の特許文
献１に開示された技術のように配向膜の表面をアルコールで処理した場合、液晶層に含ま
れる水分が配向膜の界面に到達してアルコールを分離し、再度、シラノール基を形成する
虞がある。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、無機垂直配向膜の表面と液晶分子との反応
を抑制して、長期間に亘って高画質の画像表示を行うことができる液晶装置及びその製造
方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶装置は、無機材料によって形成され、負の誘電率異方性を有する液晶分子
を基板表面の垂直方向に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機垂直配向膜を備
えた液晶装置であって、前記無機垂直配向膜の表面が、チタネート系のカップリング剤に
よって処理されていることを特徴とする。
【０００９】
このような構成によれば、チタネート系のカップリング剤によって無機垂直配向膜の表
面に反応層が形成されることにより、無機垂直配向膜の表面の反応活性を低減して液晶分
子との反応が抑制される。加えて、チタネート系カップリング剤の反応層は液晶分子との
親和力が強いため、仮に配向膜表面にシラノール基等が残存していたとしても、当該シラ
ノール基が液晶分子に近づく作用を相対的に弱めることができる。さらに、反応層と無機
配向膜の親和力が強いため、外部から侵入する水分や、液晶層中に含有される水分が配向
膜表面に到達してシラノール基が再形成されることを抑制できる。従って、長期に亘って
高画質な画像を表示できる。
【００１０】
前記チタネート系のカップリング剤は、イソプロピルロリイソステアロイルチタネート
、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、ジイソステアロイ
ルエチレンチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート
、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、イソプロピルトリス（
ジオクチルピロホスフェート）チタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）オキシ
アセテートチタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）エチレンチタネート、イソ
プロピルトリ（Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）チタネート、イソプロピルトリクミル
フェニルチタネート、或いは、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネートの何れか一
であることを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、上述の効果を効果的に実現することができる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、無機材料によって形成され、負の誘電率異方性
を有する液晶分子を基板表面の垂直方向に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無
機垂直配向膜を備えた液晶装置の製造方法であって、前記無機垂直配向膜を形成する工程
と、前記無機垂直配向膜の表面をチタネート系のカップリング剤によって処理する表面処
理工程とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、チタネート系のカップリング剤によって無機垂直配向膜の表
面に反応層が形成されることにより、無機垂直配向膜の表面の反応活性を低減して液晶分
子との反応が抑制される。加えて、チタネート系カップリング剤の反応層は液晶分子との
親和力が強いため、仮に配向膜表面にシラノール基等が残存していたとしても、当該シラ
ノール基が液晶分子に近づく作用を相対的に弱めることができる。さらに、反応層と無機
配向膜の親和力が強いため、外部から侵入する水分や、液晶層中に含有される水分が配向
膜表面に到達してシラノール基が再形成されることを抑制できる。従って、長期に亘って
高画質な画像を表示できる。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、前記液晶装置を具備してなることを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、長期に亘って高画質の画像表示を行うことが可能な電子機器
を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下図面を参照しながら、本実施形態の液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器を
説明する。以下の実施形態では、本発明の液晶装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴ
アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００１７】
（液晶装置の構成）
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説
明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向
基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。尚、以下で参照
する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００１８】
図１及び図２において、本実施形態の液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基
板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５
０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの
周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００１９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、
又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０
上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。
【００２０】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域
１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられてい
る。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵
遮光膜として設けられてもよい。
【００２１】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額
縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、こ
の一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにし
て設けられている。
【００２２】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域
に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている
。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとること
ができる。
【００２３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形
成される。この積層構造の詳細な構成については図２には図示を省略してあるが、この積
層構造の最上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、
画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。そして、画素電極９ａ上には、例えば
シリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜１６が設けられている。
【００２４】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成
されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子
状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され
、遮光膜２３によって区切られた領域が開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状
に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成
要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００２５】
そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極
９ａと対向して形成される。また、遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー
表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカ
ラーフィルタが形成されるようにしてもよい。
【００２６】
対向基板２０の対向面上における、これら各種の構成要素が作り込まれた積層構造上に
は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜２２が形成されている。対向
電極２１は、対向基板２０上の積層構造の最上層に配置されると共に、対向電極２１上に
配向膜２２が形成されている。
【００２７】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれか一方の対向面上に配向膜を形成
するようにしてもよい。但し、液晶装置１が備える配向膜１６及び２２は、寿命を延ばす
ために無機材料で形成されている。加えて、配向膜１６及び２２は、液晶分子を垂直配向
モードで配向制御するように、基板面に対して所定の角度で結晶成長させた柱状結晶から
なる無機垂直配向膜である。より具体的には、配向膜１６及び２２は、液晶分子を基板１
０，２０の表面の垂直方向に対して所定角度傾斜する方向に配向制御する無機傾斜垂直配
向膜である。液晶層５０は、例えば一種又は数種類の負の誘電率異方性を有する液晶分子
を混合した液晶からなり、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、一対の配
向膜１６及び２２間で、所定の配向状態をとる。
【００２８】
後に詳述するように、配向膜１６及び２２の表面は、液晶５０が注入される前に予めカ
ップリング剤を用いて表面処理されている。
【００２９】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデ
ータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信
号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光
学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３０】
次に、以上の如く構成された液晶装置１における回路構成及び動作について、図３を参
照して説明する。ここに図３は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００３１】
図３において、本実施形態における液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリ
クス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイ
ッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線
６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像
信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する
複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３２】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミ
ングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇ
ｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０の
ドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３３】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画
像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一
定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化す
ることにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば
、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブ
ラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が
増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射
する。
【００３４】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１
との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走
査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容
量電極３００を含んでいる。
【００３５】
（配向膜の表面における化学的な構造）
本実施形態の液晶装置１は、配向膜１６及び２２の表面全面が、一般式（１）で表され
るチタネート系のカップリング剤によって処理されている。すなわち、反応活性サイトと
なるシラノール基のうち配向膜１６及び２２の表面に存在する水酸基（−ＯＨ基）にチタ
ネート系カップリング剤が反応することにより、配向膜１６及び２２の表面に反応層３１
が形成されている。これにより、配向膜１６及び２２の表面において、液晶分子と光化学
反応するシラノール基が低減される。
【００３６】
また、この種のチタネート系のカップリング剤は、一方に親水性の基を具備しているた
め、チタネート系のカップリング剤で形成された反応層３１は、もともと親水性である無
機配向膜（配向膜１６及び２２）との親和力が強い。従って、外部から侵入する水分や、
液晶中に含有される水分が配向膜１６及び２２の表面に到達してシラノール基が再形成さ
れることが抑制される。
【００３７】
さらに、この種のチタネート系のカップリング剤は、他方に親油性の基を具備している
ため、チタネート系のカップリグ剤で形成された反応層３１は、油性成分を含有する液晶
分子との親和力が強い。従って、仮に配向膜１６及び２２の表面にシラノール基が残存し
ていたとしても、当該シラノール基が液晶分子がに近づく作用を相対的に弱めることがで
き、液晶分子の光化学反応を的確が抑制される。
【化１】
2007256731.tif 000003
【００３８】
（式中のＲ１は、炭素数１〜６のアルキル基を示す。ＸはＣ、Ｎ、Ｐ、Ｓ、Ｏ、Ｈからな
る有機基の中から選択される基である。式中Ｒ２、Ｒ３は、炭素数１〜２０の有機基であ
り、酸素原子を含んでいてもよく、これらは互いに結合してもよい。式中Ｒ４は炭素数１
〜２０の有機基であり、酸素原子を含んでいてもよい。式中Ｒ５は炭素数１〜２０のアル
キル基を示す。）
ここで、反応層３１は、配向膜１６及び２２の厚さに比べて極めて薄い層であるため、
配向膜１６及び２２による液晶分子の配向規制力が阻害されることがない。
【００３９】
（実施例）
上述の一般式（１）で表されるチタネート系のカップリング剤としては、カルボキシ基
を有機官能基として有するカップリング剤として、例えば、化学式（２）〜（６）で表さ
れる、イソプロピルロリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチ
タネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソス
テアロイルジアクリルチタネート、或いは、ジイソステアロイルエチレンチタネート等を
好適に用いることができる。また、ホスファイト基を有機官能基として有するカップリン
グ剤として、例えば、化学式（７）、（８）で表される、テトライソプロピルビス（ジオ
クチルホスファイト）チタネート、或いは、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファ
イト）チタネート等を好適に用いることができる。また、ピロホスフェート基を有機官能
基として有するカップリング剤として、例えば、化学式（９）〜（１１）で表される、イ
ソプロピルトリス（ジオクチルピロホスフェート）チタネート、ビス（ジオクチルピロホ
スフェート）オキシアセテートチタネート、或いは、ビス（ジオクチルピロホスフェート
）エチレンチタネート等を好適に用いることができる。また、アミノ基を有機官能基とし
て有するカップリング剤として、例えば、化学式（１２）で表されるイソプロピルトリ（
Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）チタネート等を好適に用いることができる。さらに、
その他の有機官能基を有するカップリング剤として、例えば、化学式（１３）、（１４）
で表される、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、或いは、ジクミルフェニルオ
キシアセテートチタネート等を好適に用いることができる。
【化２】
2007256731.tif 000004
【化３】
2007256731.tif 000005
【化４】
2007256731.tif 000006
【化５】
2007256731.tif 000007
【化６】
2007256731.tif 000008
【化７】
2007256731.tif 000009
【化８】
2007256731.tif 000010
【化９】
2007256731.tif 000011
【化１０】
2007256731.tif 000012
【化１１】
2007256731.tif 000013
【化１２】
2007256731.tif 000014
【化１３】
2007256731.tif 000015
【化１４】
2007256731.tif 000016
【００４０】
ここで、図４には、図２に対応する断面の構成の一例として、ＴＦＴアレイ基板１０上
に形成された配向膜１６の表面に化学式（２）で示すイソプロピルトリイソステアロイル
チタネートを用いて反応層３１を形成した場合について模式的に示してある。
【００４１】
なお、図４において、ＴＦＴアレイ基板１０において液晶層５０と対向する側の基板面
上に、ＴＦＴ等の各種構成要素が作りまれた積層構造９０が形成されており、積層構造９
０の最上層に画素電極９ａが画素毎に形成されている。そして、画素電極９ａ上に、無機
材料の柱状構造物１６ａがＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して所定の角度をなして配
列することにより、無機材料が堆積して、配向膜１６が形成されている。このように形成
された配向膜１６は、表面形状効果により、液晶分子５０ａの配向状態を規制することが
できる。すなわち、図示のように、液晶分子５０ａは、基板１０の表面の垂直方向に対し
て所定角度傾斜する方向に配向制御（傾斜垂直配向制御）される。尚、液晶分子５０ａの
配向については、対向基板２０上に形成された配向膜２２についても同様である。
【００４２】
ここで、配向膜１６及び２２の表面処理は、例えば、チタネート系のカップリング剤を
所定濃度で有機溶剤に溶解することによってカップリング剤溶液を作製し、無機垂直配向
膜を成膜した基板をカップリング剤溶液に浸漬して加熱することにより実現される。なお
、配向膜の表面処理は、これに限定されるものではなく、例えば、カップリング剤溶液を
用いたスピンコート等によっても実現可能である。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、チタネート系のカップリング剤
によって無機垂直配向膜の表面に反応層が形成されることにより、無機垂直配向膜の表面
の反応活性を低減して液晶分子との反応を抑制できる。さらに、チタネート系カップリン
グ剤の反応層の親和力によって液晶分子が配向膜表面に強く引き寄せられるため、液晶層
中に含有される水分が配向膜表面に到達してシラノール基が再形成されることを抑制でき
る。従って、液晶分子と無機垂直配向膜間の光化学反応を低減でき、長期に亘って高画質
な画像を表示できる。
【００４４】
（液晶装置の製造方法）
次に図５を参照しながら、上述した液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法を説
明する。図５は、本実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフ
ローチャートである。
【００４５】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、例えば蒸着やスパッタリング等による成膜
、エッチングやフォトグラフィ等によるパターンニング、熱処理などによって、データ線
６ａや走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等が作り込まれた積層構造９０（図４参照）の最上層に
、例えばスパッタリングによりＩＴＯから画素電極９ａを形成する（ステップＳ１１）。
【００４６】
続いて、配向膜形成工程によって、例えば斜方蒸着法を、ＴＦＴアレイ基板１０に対し
て施すことで、ＴＦＴアレイ基板１０における画素電極９ａが形成された基板面上にシリ
カ（ＳｉＯ２）からなる配向膜１６を例えば約４０ｎｍの膜厚で形成する（ステップＳ１
２）。尚、配向膜１６は、異方性スパッタリングや例えばインクジェット法等の塗布法に
よって形成してもよい。この際、蒸着源から発生されたシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料
の蒸気流が、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上において、積層構造９０の最表面と接触す
ることにより、積層構造９０上に無機材料が蒸着する。基板面上に蒸着した無機材料の柱
状構造物１６ａが基板面に対して所定の角度をなして配列することで、無機材料が基板面
上に堆積する。
【００４７】
次に、例えば上述のチタネート系のカップリング剤を溶剤に溶解させたカップリング剤
溶液を用いてＴＦＴアレイ基板１０が備える配向膜１６の液晶層５０に面する側の表面を
処理する（ステップＳ１３）。
【００４８】
次に、シラン化合物及びその他の不純物を含まない純粋な溶剤を用いて、表面処理され
た無機垂直配向膜を洗浄する（ステップ１４）。次に、無機垂直配向膜を乾燥させる（ス
テップ１５）。尚、対向基板２０には、ステップ１１乃至１５と相前後して遮光膜及び対
向電極が形成される（ステップ２１）と共に、無機垂直配向膜が形成される（ステップ２
２）。そして、ＴＦＴアレイ基板１０の場合と同様に、対向基板２０に形成された無機垂
直配向膜も、チタネート系のカップリング剤を含むカップリング剤溶液で表面処理される
（ステップ２３）。そして、対向基板２０に形成された無機垂直配向膜は、洗浄（ステッ
プ２４）及び乾燥（Ｓ２５）される。
【００４９】
その後、乾燥工程まで夫々終了したＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、ＴＦＴ
アレイ基板１０において配向膜１６が形成された側と、対向基板２０において配向膜２２
が形成された側とをシール材５２を介して貼り合わせる（ステップＳ３１）。
【００５０】
続いて、互いに貼り合わされた状態のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶
を注入する（ステップＳ３２）。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、上述した液晶装置を
製造することができる。ここで特に、配向膜１６及び２２の液晶層５０に面する側の表面
がチタネート系のカップリング剤を用いて表面処理されているため、耐光性の高い液晶装
置を製造することが可能である。
【００５２】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した液晶装置１をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる
投射型カラー表示装置の例について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する
。ここに、図６は、投射型カラー表示装置の説明図である。
【００５３】
図６において、本実施の形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェク
タ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板１０上に搭載された液晶装置１を含む液晶モ
ジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトパルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００
Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メ
タルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、
３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色
に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１０
０Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際、特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を
防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からな
るリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ
及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズ
ム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０に
カラー画像として投射される。そして、投射されたカラー画像は、配向不良の少ない液晶
装置によって形成されるので、画質のよいカラー画像となる。
【００５４】
なお、本実施の形態に係る電気光学装置が適用できる電子機器としては、投射型カラー
表示装置（プロジェクタ）の他に、携帯電話、PDA(Personal Digital Assistants(携帯情
報端末))、携帯型パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、車載用モニタ、デジタルビ
デオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型もしくは直視型ビデオテープレコーダ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーシ
ョン、テレビ電話機、POS端末機等がある。
【００５５】
また、本発明の電気光学装置は、ＴＦＴを利用したアクティブマトリクス型の液晶表示
装置だけでなく、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パ
ネル、さらに、パッシブマトリクス型の液晶表示装置等の各種の電気光学装置においても
本発明を同様に適用することが可能である。
【００５６】
さらに、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変
えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】液晶装置の全体構成を示す平面図
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図
【図３】複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図
【図４】表面処理が施された配向膜の表面を示す模式図
【図５】液晶装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャート
【図６】液晶装置を適用した投写型カラー表示装置の説明図
【符号の説明】
【００５８】
１…液晶装置、１０…ＴＦＴアレイ基板（基板）、１０ａ…画像表示領域、１６…配向
膜（無機水平配向膜）、２０…対向基板（基板）、２１…対向電極、２２…配向膜（無機
水平配向膜）、２３…遮光膜、３１…反応層、５０…液晶層、５０ａ…液晶分子、５２…
シール材、１１００…液晶プロジェクタ（電子機器）
【図１】
2007256731.tif 000017
【図２】
2007256731.tif 000018
【図３】
2007256731.tif 000019
【図４】
2007256731.tif 000020
【図５】
2007256731.tif 000021
【図６】
2007256731.tif 000022