(57)【要約】【課題】この発明は、転写が良好に行える微細で且つ緻密な凹凸形状パターンを有する金型の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】この発明の金型の製造方法は、基板上に微細パターンを形成し、その微細パターン先端部分に二酸化シリコン膜３３を形成して先端部に太幅部分を設ける。このパターンが形成された基板３上に金型用金属４を被着させた後、基板３を取り除き、先端部がオーバーハングされた太幅部３３を有する微細パターンを備えた金型を形成する。【選択図】図２
2007098839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に微細パターンを形成し、その微細パターン先端部分に膜を形成して先端部に太幅部分を設け、このパターンが形成された基板上に金型用金属を被着させた後、前記基板を取り除き、先端部がオーバーハングされた微細パターンを有する金型を形成することを特徴とする微細パターンを有する金型の製造方法。
【請求項２】
微細パターンを形成した基板を自転させながら酸化シリコン膜をスパッタ法により成膜することで、前記微細パターン先端部分に膜を形成して先端部に太幅部分を設けることを特徴とする請求項１に記載の微細パターンを有する金型の製造方法。
【請求項３】
微細パターンを形成した基板を傾斜させて自転させながら酸化シリコン膜をスパッタ法により成膜することで、前記微細パターン先端部分に膜を形成して先端部に太幅部分を設けることを特徴とする請求項１に記載の微細パターンを有する金型の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の金型を用い、射出成形により表面に金型の微細パターンが転写された反射防止構造を有する光学素子を形成することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記反射防止構造は、２５０ｎｍピッチ、高さが２５０ｎｍの台形状の凹凸パターンからなり、台形形状の上面面積比率が０．０１ないし０．０５８であることを特徴とする請求項４に記載の光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、反射防止構造などの微細凹凸構造を有する金型を製造する方法並びにこの金型を用いて光学素子を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ガラス、プラスチックなどの透光性材料を用いた回折格子、光学ピックアップ等の光学素子においては、基板の光入射面に反射を防止するための表面処理が施されている。この表面処理としては、薄膜の誘電体膜を重畳させた多層膜を透光性基板表面に真空蒸着等により成膜する方法や、光学素子表面に微細で且つ緻密な凹凸を設ける方法がある。
【０００３】
光学素子表面に微細で且つ緻密な凹凸形状からなる反射防止構造は、金型を用いてプラスチック成形で形成することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
微細で緻密な凹凸形状からなる反射防止構造を有する光学素子を成形するための金型は、石英やシリコンを基材として用いて、この基材に所定の反射防止構造をエッチング加工により形成し、この基材にメッキを施して作成している。
【特許文献１】特開昭６２−９６９０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、射出成形により、微細で且つ緻密な凹凸形状を有する光学素子を作成する場合、パターンサイズが小さくなってくると転写不良が発生する。特に、先端が先細りのような凹凸形状のパターンであれば、樹脂が先端部まで入り難く、転写不良が顕著に表れる。
【０００６】
この発明は、上述した従来の問題点に鑑みなされたものにして、金型形状を改良し、転写が良好に行える微細で且つ緻密な凹凸形状パターンを有する金型の製造方法並びにそれを用いた光学素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の金型の製造方法は、基板上に微細パターンを形成し、その微細パターン先端部分に膜を形成して先端部に太幅部分を設け、このパターンが形成された基板上に金型用金属を被着させた後、前記基板を取り除き、先端部がオーバーハングされた微細パターンを有する金型を形成することを特徴とする。
【０００８】
また、微細パターンを形成した基板を自転させながら酸化シリコン膜をスパッタ法により成膜することで、前記微細パターン先端部分に膜を形成して先端部に太幅部分を設けるように構成することができる。
【０００９】
また、微細パターンを形成した基板を傾斜させて自転させながら酸化シリコン膜をスパッタ法により成膜することで、前記微細パターン先端部分に膜を形成して先端部に太幅部分を設けるように構成することができる。
【００１０】
また、この発明は、上記のいずれかに記載の金型を用い、射出成形により表面に金型の微細パターンが転写された反射防止構造を有する光学素子を形成することを特徴とする。
【００１１】
また、前記反射防止構造は、２５０ｎｍピッチ、高さが２５０ｎｍの台形状の凹凸パターンからなり、台形形状の上面面積比率が０．０１ないし０．０５８であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
上記した構成によれば、金型の溝部の先端部にオーバーハング形状の太幅部分が設けられて空洞領域が形成されるので、溝の奥まで樹脂が充填され、転写率を向上させて反射防止構造を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、説明の重複を避けるためにその説明は繰返さない。
【００１４】
図１及び図２は、この発明の第１の実施形態にかかる金型の製造方法を工程別に示す断面図である。また、図１３は、この発明に用いられる２光束干渉露光装置の概略を示す構成図、図１４は、基板上での干渉露光状態を示す説明図である。
【００１５】
まず、図１３、図１４に従いこの発明に用いられる２光束干渉露光につき説明する。
【００１６】
２光束干渉露光装置は、図１３に示すように、一条のレーザ光２を出射するレーザ装置１と、基板３を支持する基板ステージ４とを有するとともに、レーザ装置１から出射されたレーザ光２を２光束のレーザ光２ａ、２ｂに分岐させた後、基板ステージ４に支持される基板３の主面に再び交差させて干渉露光させる光学系５を有している。
【００１７】
光学系５は、レーザ装置１から出射したレーザ光２の通過または遮蔽を行わせる露光シャッタ５ａと、露光シャッタ５ａを通過したレーザ光２を２光束のレーザ光２ａ、２ｂに分岐する偏光ビームスプリッタ５ｂと、レーザ光を案内する第１から第４の反射ミラー５ｃ〜５ｆ、露光部５０ａ、５０ｂ等からなる。
【００１８】
このレーザ装置１は、ｓ偏光光のレーザ光２を出射する。レーザ装置１から出射したレーザ光２がシャッタ５ａを通過して第１反射ミラー５ｃ、第２反射ミラー５ｄで方向を変え、絞り５ｇで所定のビームに絞られた後、λ／２位相差板５ｈに入射し、ｓ偏光光の偏光面が４５度傾けられる。４５度傾けられたレーザビームが偏光ビームスプリッタ５ｂに与えられ、ｓ偏光成分は反射、ｐ偏光成分は透過してレーザ光２が２光束のレーザ光２ａ、２ｂ分岐される。分岐されたｐ偏光光はλ／２位相差板５ｉにより、ｓ偏光光に偏光される。それぞれのレーザ光２ａ、２ｂは第４反射ミラー５ｅ、第５反射ミラー５ｆにより、露光部５０ａ、５０ｂに案内される。露光部５０ａ、５０ｂは、絞り５１、対物レンズ５２、ピンホール５３、平凸レンズ５４を備える。第４反射ミラー５ｅ、第５反射ミラー５ｆにより案内された２つのレーザ光２ａ、２ｂを露光部５０ａ、５０ｂを介して基板３の主面に再び交差させて干渉露光させる。また、露光部５０ａ、５０ｂからのレーザ光の入射角θは同じになるように露光される。
【００１９】
干渉露光による微細パターンのピッチは、図１４に示すように、ピッチ（Δ）＝λ／２・ｓｉｎθとなる。よって、形成するピッチは前記入射角θを変化させることによって変更することができる。
【００２０】
この発明は、上記した２束露光装置を用いて、基板３上に塗布するレジストに緻密で且つ微細な凹凸パターンを形成する。
【００２１】
図１及び図２を参照して、この発明の第１の実施形態にかかる金型の製造方法につき説明する。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、例えば、合成石英ガラスなどからなる基板３上にレジスト３１を塗布する。このレジスト塗布は、レジストとして、例えば、東京応化株式会社製商品名「ＴＤＵＲ−Ｐ００９」を用いて、回転数４０００ｒｐｍでスピンコート塗布し、レジストの膜厚６００ｎｍになるようにして、レジスト３１を形成した。
【００２３】
続いて、図１（ｂ）に示すように、塗布したレジスト３１に対して露光、現像を行いレジストパターン３２を形成する。この実施形態においては、露光装置として、上述した図１３に示す２光束干渉露光装置（λ＝２６６ｎｍ）を用い、露光パワー７５０ｍＪで１回目の露光を行い、基板を９０度回転させて露光パワー７５０ｍＪで多重露光した。そして、東京応化株式会社製商品名「ＮＭＤ−Ｗ」で現像し、２５０ｎｍピッチ、高さ３００ｎｍから３５０ｎｍで円錐状の突起が多数形成されたレジストパターン３２を形成した。
【００２４】
次に、図１（ｃ）に示すように、基板３を自公転させながら、二酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）３３を２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度成膜する。この実施形態においては、ＳｉＯ2ターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタにより、膜厚２００ｎｍの二酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）３３を成膜した。この時の成膜条件は、ＳｉＯ2ターゲットを用いて、基板温度が２００℃、アルゴン（Ａｒ）ガス流量が２０ｓｃｃｍ、圧力が１．３６Ｐａである。このスパッタ法による二酸化シリコン膜３３の成膜は、レジストパターン３２の溝の奥の方にはスパッタ成分が入り込みにくく、レジストパターン３２の円錐状突起の先端部近傍の堆積量が多くなる。このため、図１（ｃ）に示すように、先端形状が太くなり、マッシュルーム形状に二酸化シリコン膜３３が成膜される。このようにして、微細で且つ緻密な凹凸からなるレジストパターン３２の先端部に二酸化シリコン膜３３からなる太幅部が設けられた凹凸パターン３２０を形成する。
【００２５】
図３は、円錐状の突起が多数形成されたレジストパターン３２上に二酸化シリコン膜３３をＲＦスパッタ法により成膜したときの断面をＳＥＭ観察したの結果をトレースした模式図である。レジストパターン３２は、２５０ｎｍピッチで、高さ３５０ｎｍの円錐状の突起を多数形成している。このレジストパターン３２に酸化シリコン膜を１００ｎｍ、２００ｎｍの厚さでそれぞれＲＦスパッタ法により成膜し、その断面形状を測定した。図３の３２ａが、初期のレジストパターン、３２ｂが１００ｎｍ成膜した状態、３２ｃが２００ｎｍ堆積した状態を示す。図３に示すように、レジストパターン３２上に二酸化シリコン膜３３をＲＦスパッタ法により成膜すると、先端形状が太くなり、先端部が太くなったマッシュルーム形状に成膜されていることが分かる。
【００２６】
図４は、レジストパターン３２の円錐状突起の形状を模式的に示し、８０％の高さ位置、５０％の高さ位置による幅をそれぞれＷ８０、Ｗ５０として表し、スパッタ成膜後の幅並び、その高さを測定した。その測定結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
この表１から分かるように、スパッタする膜厚を厚くすると、突起の高さが高くなるとともに、先端部が太くなり、マッシュルーム形状になることが分かる。この発明は、このようにレジストパターン３２の突起の先端部を太くして、転写率が高くなる金型を製作するものである。
【００２９】
尚、成膜する膜としては、上記した二酸化シリコン膜に限らず、シリコン等後述するニッケルスタンパを作成後に選択エッチングにより除去できる膜であれば良い。
【００３０】
次に、図１（ｄ）に示すように、上記したスパッタ法により、レジストパターン３２の先端部を二酸化シリコン膜３４で太らせた凹凸パターン３２０上にニッケルからなるメッキ下地層３４を形成する。この下地層３４は１００ｎｍの厚さのニッケル層をスパッタ法により形成する。
【００３１】
その後、図１（ｅ）に示すように、メッキ下地層３４が形成された凹凸パターン３２０上に、電界メッキでニッケル層を形成し、裏面を研磨して所定の厚さの金型（スタンパ）となる金属層６を形成する。
【００３２】
続いて、図２（ａ）に示すように、レジストパターン３２部分から剥離し、二酸化シリコン膜３３を含む金属層６を分離する。
【００３３】
そして、図２（ｂ）に示すように、金属層６から二酸化シリコン膜３３を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、除去する。このＲＩＥは、ＲＩＥ装置として、株式会社サムコ製のＲＩＥ−４８０Ｎを使用し、エッチングガスとして、ＣＨＦ3とＡｒを用いた。ＣＨＦ3のガス流量を２０ｓｃｃｍ、Ａｒのガス流量を１００ｓｃｃｍ、圧力を２Ｐａ、ＲＦパワー５７０Ｗに制御し、エッチングレート約２０ｎｍ／ｍｉｎでエッチングを行った。このエッチングにより、二酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）３３を除去して、先端部にオーバーハング形状の太幅部６１が設けられた２５０ｎｍピッチで円錐状の微細且つ緻密な凹凸が形成された反射防止構造を有する金型（金属層）６が得られる。この金型（金属層）６は、先端部のボリュームが増し、転写に有利な形状となっている。
【００３４】
しかる後、図２（ｃ）に示すように、上記した微細な凹凸からなる反射防止構造を形成した金型（金属層）６を用いて射出成形のための樹脂７を充填する。この実施形態では、ポリカーボネート樹脂を充填して光学素子を形成する。この光学素子を形成する射出成形時に、樹脂が高アスペクトの微細パターンに充填されるので、従来の金型では、金型の溝部の奥まで樹脂が充填されずに転写率が悪くなった。しかし、この発明における金型（金属層）６においては、凹凸パターンの溝部の先端部にオーバーハング形状の太幅部６１が設けられ空洞領域が形成されるので、溝の奥まで樹脂が充填され、転写率が向上して、反射防止構造７１が形成される。
【００３５】
最後に、図２（ｄ）に示すように、金型（金属層）６から樹脂を剥離し、緻密で微細な凹凸形状の反射防止構造７１を表面に形成した光学素子７０が得られる。
【００３６】
この発明の第１の実施形態による金型を用いて射出成形により形成した反射防止構造７１は、金型６の先端部は太幅部６１が形成され、オーバーハング状になっているので、樹脂が奥まで充填され転写率が向上するとともに、、凹凸パターンの錘形状の先端部は上面が若干平坦面若しくは曲面に形成されることになる。
【００３７】
次に、この発明の第２の実施形態における金型の製造方法につき、図５乃至図７を参照して説明する。
【００３８】
図５（ａ）に示すように、例えば、合成石英ガラスからなる基板３ａ上にレジスト３１を塗布する。このレジスト塗布は、第１の実施形態と同様にして行った。
【００３９】
次に、図５（ｂ）に示すように、塗布したレジスト３１に対して、第１の実施形態と同様に２光束干渉露光装置を用いて露光し、現像を行いレジストパターン３２を形成する。この露光、現像により、２５０ｎｍピッチ、高さ３００ｎｍから３５０ｎｍで円錐状の突起が多数形成されたレジストパターン３２を形成した。
【００４０】
続いて、図５（ｃ）に示すように、上記レジストパターン３２をマスクとして反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、基板３ａをパターニングする。この実施形態では、ＲＩＥエッチング装置として、株式会社ＵＬＶＡＣ製の商品名「ＮＬＤ−８００」を用い、エッチングガスとして、Ｃ4Ｆ8とＣＨ2Ｆ2の混合ガスを用い、アンテナ電源１５００Ｗ、バイアス電源４００Ｗとして、加工深さ５００ｎｍの円錐状の溝が多数形成された緻密で且つ微細な凹凸パターン３０を基板３ａに形成した。
【００４１】
その後、図６（ａ）に示すように、酸素プラズマアッシングでレジスト３２を除去する。そして、図６（ｂ）に示すように、基板３ａの主面上の凹凸パターン３０上に離型剤層３５を形成する。
【００４２】
続いて、図６（ｃ）に示すように、凹凸パターン３０上に離型剤層３５が形成された基板３ａを所定角度傾斜させた状態で、基板３ａを自公転させながら、二酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）３３をスパッタ法により２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度成膜する。このスパッタ法による二酸化シリコン膜３３の成膜では、凹凸パターン３０の溝の奥の方には堆積成分が入り込みにくく、凹凸パターン３０の突起部の先端部近傍の堆積量が多くなる。このため、図６（ｃ）に示すように、凹凸パターン３０の突起部の先端形状が太くなり、先端部が太くなったマッシュルーム形状に二酸化シリコン膜３３が成膜される。このようにして、微細で且つ緻密な凹凸からなる基板３ａに形成された凹凸パターン３０の突起部の先端部に二酸化シリコン膜３３からなる太幅部が設けられた凹凸パターン３２０ａを形成する。
【００４３】
次に、図６（ｄ）に示すように、上記したスパッタ法により、凹凸パターン３０の突起部の先端部を太らせた凹凸パターン３２０ａ上にニッケルからなるメッキ下地層３４を形成する。この下地層３４は１００ｎｍの厚さのニッケル層をスパッタ法により形成する。
【００４４】
その後、図６（ｅ）に示すように、メッキ下地層３４が形成された凹凸パターン３２０ａ上に電界メッキでニッケル層を形成し、裏面を研磨して所定の厚さの金型となる金属層６を形成する。
【００４５】
続いて、図７（ａ）に示すように、離型剤層３５部分から基板３ａと金属層６とを剥離し、離型剤層３５、二酸化シリコン膜３３を含む金属層６を分離する。
【００４６】
そして、図７（ｂ）に示すように、金属層６から離型剤層、二酸化シリコン膜３３を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により除去する。このＲＩＥは、ＲＩＥ装置として、株式会社サムコ製のＲＩＥ−４８０Ｎを使用し、エッチングガスとして、ＣＨＦ3とＡｒを用いた。ＣＨＦ3のガス流量を２０ｓｃｃｍ、Ａｒのガス流量を１００ｓｃｃｍ、圧力を２Ｐａ、ＲＦパワー５７０Ｗに制御し、エッチングレート約２０ｎｍ／ｍｉｎでエッチングを行った。このエッチングにより、離型剤層３５及び二酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）３３を除去し、先端部にオーバーハング形状の太幅部６１が設けられた２５０ｎｍピッチで円錐状の微細且つ緻密な凹凸が形成された反射防止構造を有する金型（金属層）６が得られる。この金型（金属層）６は、先端部のボリュームが増し、転写に有利な形状となっている。
【００４７】
しかる後、図７（ｃ）に示すように、上記した微細な凹凸からなる反射防止構造を形成した金型６を用いて射出成形のための樹脂７を充填する。この実施形態では、ポリカーボネート樹脂を充填して光学素子を形成する。この光学素子を形成する射出成形時に、樹脂が高アスペクトの微細パターンに充填されるので、従来の金型では、金型の溝部の奥まで樹脂が充填されずに転写率が悪くなった。しかし、この発明における金型（金属層）６においては、凹凸パターンの溝部の先端部にオーバーハング形状の太幅部６１が設けられ空洞領域が形成されるので、溝の奥まで樹脂が充填され、転写率が向上し、反射防止構造７１が形成される。
【００４８】
最後に、図７（ｄ）に示すように、金型６から樹脂を剥離し、緻密で微細な凹凸形状の反射防止構造７１を表面に形成した光学素子７０が得られる。
【００４９】
尚、上記した第２の実施形態においては、基板３ａに形成された凹凸パターン３０と、その上に設けられた離型剤層３５、並びに凹凸パターンの突起部の先端部に設けられた二酸化シリコン膜３３で凹凸パターン３２０ａを形成しているが、基板３ａから金属層６が剥離できる場合には、離型剤層３５を省略することもできる。
【００５０】
次に、金型の形状による転写率の違いにつき検討した。２束干渉露光により形成した円錐状の突起が多数形成されたレジストパターンにおいては、パターン底辺の幅とパターンピッチとがほぼ等しくなる。そして、底辺から錘形状の斜辺とのなす角度θは約７５度であった。このように形成した錘形状に二酸化シリコン膜をスパッタ法により成膜すると、先端部は太くなり、オーバーハング状に形成され、又、奥の方向にはスパッタによる成分が入り込まないので、斜辺と底辺とのなす角度θも大きくなる。
【００５１】
今、図８に示すように、斜辺とのなす角度θが７５度の錘形状（ａ）と、斜辺とのなす角度θが８５度の錘形状（ｂ）の金型を用意し、その転写率を測定した。金型のピッチは２５０ｎｍ、スタンパの深さは３５０ｎｍにした。これら金型にポリカーボネート樹脂を使い、射出成形で作成したパターンの深さを測定した。斜辺とのなす角度θは７５度の錘形状（図８（ａ））の金型による転写高さは１０３ｎｍである。これに対して、斜辺とのなす角度θは８５度の錘形状（図８（ｂ））の金型による転写高さは１４０ｎｍである。
【００５２】
このことから、斜辺とのなす角度θが８５度の場合の方が転写率は良好となる。この発明の実施形態による金型によれば、斜辺とのなす角度θが大きくなるので、この観点からも転写率の向上が期待できる。
【００５３】
また、この発明の実施形態による金型を用いて射出成形により形成した反射防止構造を有する緻密で微細な凹凸パターンは、金型の先端部は太くなり、オーバーハング状に形成されているので、凹凸パターンの錘形状の先端部は上面が若干平坦面若しくは曲面になる。模式的に見れば、図９に示すように、凹凸パターン７１は、台形形状の凸部となる。いま、２５０ｎｍピッチで高さが５００ｎｍの台形形状の凸部を有する凹凸パターンの反射防止膜、２５０ｎｍピッチで高さが２５０ｎｍの台形形状の凸部を有する凹凸パターンの反射防止膜において、台形の上面の面積を変化させて反射率をそれぞれシミュレーションした。図９に示す底面Yの面積は変化させずに、上面Xの面積を変化させてシミュレーションを行った。
【００５４】
図１０は、高さ５００ｎｍの時の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの間の反射率の平均値、図１１は、高さ２５０ｎｍの時の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの間の反射率の平均値を示している。縦軸は反射率、横軸は上面面積比率（上面／底面）である。尚、屈折率は１．５８で固定した。
【００５５】
図１０、図１１より、反射防止構造の凹凸パターン７１の高さが高い（高さ５００ｎｍ）場合には、先端部が細い場合の方が反射率が小さい。一方、反射防止構造の高さが低い（高さ２５０ｎｍ）場合には、先端部が細くて錘形状より、若干太い場合、例えば、上面面積比率０．０５前後の方が反射率が小さいことが分かる。よって、この発明の実施形態にかかる金型を用いて形成した反射防止構造凹凸パターンの錘形状の先端部は、上面が若干平坦面若しくは曲面になるので、反射防止構造の高さが低い場合には、反射率も小さくなるという効果が期待できる。
【００５６】
図１２に、２５０ｎｍピッチで４角錐（先端部が鋭利）のパターンからなる反射防止構造において、高さを変化させて反射率をそれぞれシミュレーションした。図１２は、高さと反射率との関係を波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの間の反射率の平均値を示したものである。尚、屈折率は１．５８で固定した。
【００５７】
図１２から高さが高くなるほど反射率が低くなり、高さが２００ｎｍを超えると、反射率は０．０１以下になり、３００ｎｍ以上では、ほぼ０になった。高さが２００ｎｍを超えると反射防止構造としての機能は十分果たせることが分かる。
【００５８】
このように、この発明の実施形態にかかる金型を用いて射出成形により緻密で微細な凹凸からなる反射防止構造を有する光学素子が製造できる。この発明の金型を用いれば、反射防止構造の凸部は、先端部が若干平坦化された状態で転写効率が良く形成できる。この凹凸のピッチとしては例えば、２５０ｎｍで、高さが２５０ｎｍ、上面面積比率が０．０１〜０．０５８の台形形状に形成するようにパターンを作成すれば、反射率の低い光学素子が得られる。
【００５９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
この発明は、回折格子、光ピックアップなどの光学素子に反射防止構造を設けた素子に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】この発明の第１の実施形態にかかる金型の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態にかかる金型の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図３】円錐状の突起が多数形成されたレジストパターン上に二酸化シリコン膜をＲＦスパッタ法により成膜したときの断面をＳＥＭ観察した結果をトレースした模式図である。
【図４】レジストパターンの円錐状突起の形状を模式的に示した図である。
【図５】この発明の第２の実施形態にかかる金型の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図６】この発明の第２の実施形態にかかる金型の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図７】この発明の第２の実施形態にかかる金型の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図８】反射防止構造を形成するための金型の錘形状の例を示す模式図である。
【図９】反射防止構造の凹凸パターンの錘形状を示す模式図である。
【図１０】反射防止構造の凹凸パターンの高さ５００ｎｍの時の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの間の反射率の平均値を示す図である。
【図１１】反射防止構造の凹凸パターンの高さ２５０ｎｍの時の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの間の反射率の平均値を示す図である。
【図１２】２５０ｎｍピッチで４角錐のパターンからなる反射防止構造において、高さと反射率の関係を示す図である。
【図１３】この発明に用いられる２光束干渉露光装置の概略を示す構成図である。
【図１４】基板上での干渉露光状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
３、３ａ  基板
３１  レジスト
３２  レジストパターン
３３  二酸化シリコン膜
３４  下地層
６  金型
６１  太幅部
【図１】
2007098839.tif 000004
【図２】
2007098839.tif 000005
【図３】
2007098839.tif 000006
【図４】
2007098839.tif 000007
【図５】
2007098839.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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