(57)【要約】      （修正有）【課題】物理的に同一特性を有するが変調方式の異なる２種類の光ディスクが再生可能な光ディスク再生装置を得る。【解決手段】光ディスク再生装置おいて、再生信号における変調方式の差異を検出する回路と、差異から変調方式を判定する回路を有することで変調方式を判定し、物理的に同一特性を有するが変調方式の異なる２種類の光ディスクが再生可能な光ディスク再生装置を得る。【選択図】図１
2007334992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最小ランレングスの繰り返し回数の制限値がｍである第１の変調方式の光ディスクと、
記録膜の反射率と、記録トラックのトラックピッチと、基板厚さと、が共通し、最小ランレングスの繰り返し回数の制限値がｎである第２の変調方式の光ディスクと、を再生する光ディスク再生装置であって、
光ディスクにレーザー光を照射するピックアップと、
前記光ディスクからの反射光を電気信号に変換するアナログフロントエンドと、
該アナログフロントエンドの出力である電気信号を二値化する二値化回路と、
該二値化回路の出力である二値化信号を第１の変調方式に従い復調する第１の復調回路と、
前記二値化回路の出力である二値化信号を第２の変調方式に従い復調する第２の復調回路と、
前記第１の復調回路または第２の復調回路の出力を選択して出力するスイッチと、
再生する光ディスクが前記第１の光ディスクであるときには前記第１の復調回路の出力を選択して出力するよう前記スイッチを制御し、再生する光ディスクが前記第２の光ディスクであるときには前記第２の復調回路の出力を選択して出力するよう前記スイッチを制御する変調方式判定回路と、
を具備することを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項２】
最小ランレングスがｍである第１の変調方式の光ディスクと、
記録膜の反射率と、記録トラックのトラックピッチと、基板厚さと、が共通し、最小ランレングスがｎである第２の変調方式の光ディスクと、を再生する光ディスク再生装置であって、
光ディスクにレーザー光を照射するピックアップと、
前記光ディスクからの反射光を電気信号に変換するアナログフロントエンドと、
該アナログフロントエンドの出力である電気信号を二値化する二値化回路と、
該二値化回路の出力である二値化信号を第１の変調方式に従い復調する第１の復調回路と、
前記二値化回路の出力である二値化信号を第２の変調方式に従い復調する第２の復調回路と、
前記第１の復調回路または第２の復調回路の出力を選択して出力するスイッチと、
再生する光ディスクが前記第１の光ディスクであるときには前記第１の復調回路の出力を選択して出力するよう前記スイッチを制御し、再生する光ディスクが前記第２の光ディスクであるときには前記第２の復調回路の出力を選択して出力するよう前記スイッチを制御する変調方式判定回路と、
を具備することを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項３】
最大ランレングスがｍである第１の変調方式の光ディスクと、
記録膜の反射率と、記録トラックのトラックピッチと、基板厚さと、が共通し、最大ランレングスがｎである第２の変調方式の光ディスクと、を再生する光ディスク再生装置であって、
光ディスクにレーザー光を照射するピックアップと、
前記光ディスクからの反射光を電気信号に変換するアナログフロントエンドと、
該アナログフロントエンドの出力である電気信号を二値化する二値化回路と、
該二値化回路の出力である二値化信号を第１の変調方式に従い復調する第１の復調回路と、
前記二値化回路の出力である二値化信号を第２の変調方式に従い復調する第２の復調回路と、
前記第１の復調回路または第２の復調回路の出力を選択して出力するスイッチと、
再生する光ディスクが前記第１の光ディスクであるときには前記第１の復調回路の出力を選択して出力するよう前記スイッチを制御し、再生する光ディスクが前記第２の光ディスクであるときには前記第２の復調回路の出力を選択して出力するよう前記スイッチを制御する変調方式判定回路と、
を具備することを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項４】
請求項１〜３何れか一項に記載の光ディスク再生装置において、
さらに、前記二値化回路の出力である二値化信号のランレングスを測定するランレングス測定回路を具備しており、前記変調方式判定回路は前記ランレングス測定回路の測定結果に基づいて前記スイッチを制御することを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項５】
請求項１に記載の光ディスク再生装置において、
さらに、前記二値化回路の出力である二値化信号を微分する微分回路を具備しており、前記変調方式判定回路は前記微分回路の出力に基づいて前記スイッチを制御することを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項６】
請求項１に記載の光ディスク再生装置において、
さらに、前記二値化回路の出力である二値化信号のデジタルサムバリュー（ＤＳＶ）の変動量を算出するＤＳＶ変動量算出回路を具備しており、前記変調方式判定回路は前記ＤＳＶ変動量算出回路の出力に基づいて前記スイッチを制御することを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項７】
請求項１に記載の光ディスク再生装置において、
さらに、前記二値化回路の出力である二値化信号の低周波成分（ＤＣ）の変動量を算出するＤＣ変動量算出回路を具備しており、前記変調方式判定回路は前記ＤＣ変動量算出回路の出力に基づいて前記スイッチを制御することを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項８】
請求項１に記載の光ディスク再生装置において、
前記第１の変調方式における最小ランレングスの繰り返し回数の制限値ｍは５であり、
前記第２の変調方式における最小ランレングスの繰り返し回数の制限値ｎは６であることを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項９】
最小ランレングスの繰り返し回数の制限値がｍである第１の変調方式の光ディスクと、
記録膜の反射率と、記録トラックのトラックピッチと、基板厚さと、が共通し、最小ランレングスの繰り返し回数の制限値がｎである第２の変調方式の光ディスクと、を再生する光ディスク再生方法であって、
再生する光ディスクが前記第１の光ディスクであるときには前記第１の変調方式に従い復調処理を行い、
再生する光ディスクが前記第２の光ディスクであるときには前記第２の変調方式に従い復調処理を行うことを特徴とする光ディスク再生方法。
【請求項１０】
最小ランレングスがｍである第１の変調方式の光ディスクと、
記録膜の反射率と、記録トラックのトラックピッチと、基板厚さと、が共通し、最小ランレングスがｎである第２の変調方式の光ディスクと、を再生する光ディスク再生方法であって、
再生する光ディスクが前記第１の光ディスクであるときには前記第１の変調方式に従い復調処理を行い、
再生する光ディスクが前記第２の光ディスクであるときには前記第２の変調方式に従い復調処理を行うことを特徴とする光ディスク再生方法。
【請求項１１】
最大ランレングスがｍである第１の変調方式の光ディスクと、
記録膜の反射率と、記録トラックのトラックピッチと、基板厚さと、が共通し、最大ランレングスがｎである第２の変調方式の光ディスクと、を再生する光ディスク再生方法であって、
再生する光ディスクが前記第１の光ディスクであるときには前記第１の変調方式に従い復調処理を行い、
再生する光ディスクが前記第２の光ディスクであるときには前記第２の変調方式に従い復調処理を行うことを特徴とする光ディスク再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクからデータを再生する光ディスク再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ランレングス制限ＲＬＬ（１，１０）を用いてデータを光ディスクに記録するときに、００１６段落に記載の「ランレングスの最小値が１、最大値が１０であり、しかもランレングス１が続く回数が５回以下に制限されたチャネルビット列」という変調方式を用いて００３８段落に記載の「ランレングスの最小値が１、最大値が１０で、しかもランレングス１が６回以上続くようなパターンが現れず、低周波成分が十分に小さくなるような、高密度記録に適したチャネルビット列を得ることができる」という効果を達成している。
【０００３】
また、特許文献２は、００１１段落に記載のように「光ディスクの反射光を検出して複数の光ディスクの種類を判別する様に成された光ディスク判別装置に於いて、レーザ源６０から光ディスク２１又は２２に照射されるレーザ光量をモニタするための第１の検出手段６８と、光ディスク２１又は２２に照射されて反射された反射光量を検出する第２の検出手段７２と、第１及び第２の検出手段６８及び７２からの検出電圧の比率を求める演算手段４５とを具備し、演算手段４５で得られた検出電圧の比率を予め求めた複数の種類の異なる光ディスク２１又は２２の反射率の電圧比率と比較して、光ディスクを判別」する光ディスク判別装置を開示しており、この光ディスク判別装置は００１２段落に記載のように「レーザ源からの出射光量と光ディスク２１又は２２に照射された戻り光とを測定して、これら両出射光量を電圧変換した比率を求め、複数の異なる光ディスクによって定まる反射率の基準値と比較して複数の異なる光ディスクを判別する様にしたのでレーザ源の出射光量のバラツキによる反射率の影響を受けないで正確に異なる光ディスク判別の出来る」という効果を得ることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２１３８６３号公報
【特許文献２】特開平５−１０１４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２は、「レーザ源からの出射光量と光ディスク２１又は２２に照射された戻り光とを測定して、これら両出射光量を電圧変換した比率を求め、複数の異なる光ディスクによって定まる反射率の基準値と比較して複数の異なる光ディスクを判別する」ものであるため、物理特性の異なる光ディスクの判別をすることは可能であるが、物理特性が共通する異なる種類の光ディスクの場合は戻り光の量が同じになるため判別をすることができず、各々の光ディスクに応じた適切な再生制御に対応することができない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題を解決するため、本発明の光ディスク再生装置では、物理特性を共通する光ディスクに記録されたデータ構造等の相違に基づき光ディスクの判別を行い、判別結果に応じた再生処理を行うことで物理特性を共通する複数種類の光ディスクの正常な再生を実現する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の光ディスク再生装置により、物理特性を共通する複数種類の光ディスクであっても正常に種類を判断することができ、各々の光ディスクの種類に応じた適切な再生制御を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
【０００９】
図１に本発明の第１の実施例である光ディスク再生装置および光ディスク再生装置外部に設けられたホストを示す。本実施例は、データ信号処理方式での変調方式に於いて、例えばランレングスを制限して変調する方式であるＲＬＬ（Ｒｕｎ  Ｌｅｎｇｔｈ  Ｌｉｍｉｔｅｄ）が同じで最小ランレングスの繰り返し回数が５回と６回のように異なる第１および第２の変調方式で記録され、記録膜の反射率、記録トラックのトラックピッチ、基板厚さといったディスクの物理特性が同じである２種類の光ディスクが存在する場合に適応できる実施例である。
【００１０】
ここで、ランレングスとは読み出したデータのビット列中の“０”または“１”の連続回数のことである。また、ＲＬＬ（ａ，ｂ）とはランレングスの最小値をａ、ランレングスの最大値をｂに制限して変調する方式のことである。
【００１１】
１０１は第１の変調方式（例えば、ＲＬＬ（１，１０）で最小ランレングスの繰返し回数が５回の制約で変調）または第２の変調方式（例えば、ＲＬＬ（１，１０）で最小ランレングスの繰返し回数が６回の制約で変調）を用いて変調したデータが記録された光ディスク、１０２は光ディスク１０１のデータの再生を行うピックアップ、１０３は光ディスク１０１を回転させるスピンドルモータ、１０４は光ディスク１０１より読み取られた再生データにおけるアナログ処理を行うアナログ・フロント・エンド（Ａｎａｌｏｇ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ：以下、ＡＦＥ）、１０５はＡＦＥ１０４からのアナログ信号をデジタル信号に変換し二値化する二値化回路である。二値化回路１０５は、ＡＦＥ１０４からのアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータ１０６、所望の特性に等化する処理を行なう等化回路１０７、波形から最も確からしい符号を選択する最尤復号回路１０８を内蔵している。１１８はＡ／Ｄコンバータ１０６の出力をレベルスライス等により二値化した出力と、等化回路１０７の出力をレベルスライス等により二値化した出力と、最尤復号回路１０８で二値化した出力を選択する信号選択回路であり、以降のランレングス測定において、測定に適した出力を状況によって選択可能にするためのものである。１１９は信号選択回路１１８で選択された信号のパルス幅であるランレングスを測定するランレングス測定回路、１２０はランレングスの特徴から変調方式を判定する変調方式判定回路、１０９は第１の変調方式に従いデータを復調する第１の復調回路、１１０は第２の変調方式に従いデータを復調する第２の復調回路、１１１は復調回路１０９，１１０から出力された信号を切り替える切り替えスイッチ、１１２はデータを格納するメモリ、１１３はメモリ１１２へのアクセスを制御するメモリ制御回路、１１４は誤り訂正演算を行う誤り訂正回路、１１５はデスクランブル処理を行い外部へのデータの出力を制御する出力回路、１１６は光ディスク再生装置の外部に設けられたホスト、１１７はシステムを統括するマイコンである。
【００１２】
尚、上記でＲＬＬ（ａ，ｂ）の方式や、最小ランレングスの繰り返し回数について述べているが、この方式や回数は記述された値に制限されるものではない。
【００１３】
本実施例の光ディスク再生装置における再生動作について、図８を用いて説明する。
【００１４】
初めに、光ディスク再生装置に光ディスク１０１が挿入されると（ステップＳ８０１）、サーボを引き込んだ後に光ディスク１０１の内周側に設けられたリードイン領域にアクセスする（ステップＳ８０２）。
【００１５】
変調方式判定及び決定のステップ（ステップＳ８０３）で、光ディスク１０１よりピックアップ１０２を介して読み取られた信号は、ＡＦＥ１０４でアナログ処理が行なわれ、二値化回路１０５で二値化される。二値化回路１０５からの出力データは第１の復調回路１０９と、第２の復調回路１１０に入力される。第１の復調回路１０９は第１の変調方式に従い復調処理を施し、第２の復調回路１１０は第２の変調方式に従い復調処理を施す。一方、信号選択回路１１８で選択された二値化信号はランレングス測定回路１１９に入力され、ランレングス測定回路１１９で二値化信号のランレングスを測定した結果が変調方式判定回路１２０に入力される。変調方式判定回路１２０には、各変調方式に対応した最小ランレングス繰り返し回数が予め記録されており、ランレングス測定回路１１９において測定された最小ランレングスの繰り返し回数と記録されている繰り返し回数を比較し何れの変調方式の光ディスクかを判定する。この判定結果に基づいて、適切な復調データが出力できるように切り替えスイッチ１１１を切り替える。
【００１６】
リードイン領域のデータアクセスにおいて復調回路を決定し、その決定された復調回路でデータ領域のデータの再生を開始する（ステップＳ８０４）。
【００１７】
再生動作において、切り替えスイッチ１１１から出力された復調データは、単位ブロック毎にメモリ制御回路１１３を介してメモリ１１２に記録され、誤り訂正回路１１４によりメモリ１１２上のデータの誤り訂正が行われ（ステップＳ８０５）、正しく訂正が出来れば出力回路１１５でデスクランブル処理を施され、外部のホスト１１６に転送される（ステップＳ８０7）。
【００１８】
また、複数ブロックを処理する場合は所望のブロック全てを処理完了するまで同様に処理を繰り返す（ステップＳ８０８、Ｓ８０９）。再生する全ブロックの処理が完了した時は再生処理を終了する。
【００１９】
但し、単位ブロックデータ処理（ステップＳ８０５）中に誤り訂正不能を検出した場合は（ステップＳ８０６）、当該ブロックデータの再処理を行なうリトライを実行するかを選択する（ステップＳ８１０）。次にリトライ方式選択（ステップＳ８１１）で通常リトライを選択し、サーボやＰＬＬやイコライザの再生パラメータを変更（ステップＳ８１２）後、現在処理しているブロックのデータを再読出しする（ステップＳ８１３）。
【００２０】
通常リトライで訂正不能が改善しない場合にはリトライ方式選択（ステップＳ８１１）で変調方式再判定を選択し、リードイン領域にアクセスする（ステップＳ８０２）。この時、復調回路を現在選択されているものと異なる方に決定し（ステップＳ８０３）、その復調回路でデータ領域のデータの再生を再度実行する（ステップＳ８０４、Ｓ８０５）。
【００２１】
これらのリトライによっても訂正不能となる場合には、この光ディスクは傷や欠陥、若しくは変調方式が未知のために本再生装置で読むことが出来ないと判断し、異常終了させる。
【００２２】
ステップＳ８０２でリードイン領域にアクセスする例を示したのは、データ領域の前に復調回路を決定した方が復調回路が誤っていた場合に再読込みをする必要がないことから都合が良く、データ領域よりも先に読まれるのはリードイン領域だからである。さらにリードインの信号は光ディスクにエンボスで記録されているため、記録時に生じる時間軸方向の揺れであるジッタがなく判定を誤ることが少ないと考えられるからである。よって、復調回路が誤っていた場合に再読込みしても問題ない場合や、判定に誤りが少ない場合であれば、データ領域やリードアウト領域にアクセスして判定を行う構成としても良い。なお、この光ディスク再生動作は本実施例だけではなく、以降の実施例についても同様に実施可能である。
【００２３】
本実施例において、ＲＬＬが同じで最小ランレングスの繰り返し回数が異なる第１および第２の変調方式で記録され、物理特性が同じである２種類の光ディスクが存在する場合について説明したが、２種類の光ディスクの差異が最小・最大ランレングスにある場合にも同様に適応可能である。
【００２４】
この場合、変調方式判定回路１２０に予め、各変調方式に対応した最小・最大ランレングスが記録されており、ランレングス測定回路１１９において測定されたランレングスから最小・最大ランレングスを検出し、記録された最小ランレングスまたは最大ランレングスと比較し何れの変調方式を用いた光ディスクであるかを判定する。
【００２５】
以上で説明した最小ランレングスの繰り返し回数、最小・最大ランレングスに基づく変調方式の判別方法によれば、ランレングス測定で判定できるため回路規模が小さくでき、また、判定回路が誤り訂正回路よりも前段にあるため演算も早くすることができる。
【００２６】
以上のように本実施例において、第１の変調方式で記録された光ディスクと第２の変調方式で記録された光ディスクにおいて、第１および第２の変調方式の差異が、最小ランレングスの繰り返し回数または、最小ランレングス若しくは最大ランレングスの少なくとも一つにある場合、変調方式判定回路１２０により変調方式を判定することにより、物理的に同一特性を有するが変調方式の異なる２種類の光ディスクを判別し、各々の光ディスクを正常に再生することができる光ディスク再生装置を得ることができる。
【００２７】
図９に第１の実施例の変形例である光ディスク装置の変調方式判定及び決定方法を示す。本変形例は、選択されない復調回路を停止させることで回路の消費電力を抑制することを目的とする実施例である。第１の実施例の光ディスク再生装置である図１と相違するのは、切り替えスイッチ９０１である。切り替えスイッチ９０１は切り替えスイッチ１１１と連動して動作するものである。同一符号のものは図１と同等であるため説明を省略する。
【００２８】
図９の光ディスク再生装置では、第１の復調回路１０９と第２の復調回路１１０の前段にも切り替えスイッチ９０１を設けている。切り替えスイッチ９０１は切り替えスイッチ１１１と同じ復調回路を選択するように連動して動作する。この動作により一方の復調回路が選択された場合、もう一方の選択されない復調回路には信号が入力されなくなり、この復調回路を停止させることで回路の消費電力を抑えることを可能にしている。
【００２９】
なお、図９で説明した消費電力の抑制方法は第１の実施例の光ディスク再生装置への適用に限定されることは無く、以降の実施例においても適応が可能である。
【００３０】
図２に第１の実施例の別の変形例である光ディスク装置の変調方式判定及び決定方法を示す。本変形例は、図８の変調方式判定及び決定（ステップＳ８０３）において、誤り検出結果を用いて他の判定方式による判定結果の信頼性を高める例である。
【００３１】
初めに、変調方式判定回路１２０でランレングスによる変調方式の判定を行ない（ステップＳ２０１）、変調方式判定回路１２０の判定結果に基づいて切り替えスイッチ１１１で復調回路出力を仮に決定する（ステップＳ２０２）。この仮決定はランレングスの誤検出等により誤っている可能性があり、誤った復調回路が選択される可能性がある。
【００３２】
もし再生信号を誤った復調回路で復調した場合、変調時の変調方式と異なる変調方式で復調することになるため復調したデータの誤り検出数は多くなる。つまり、データの誤り検出数を変調方式の選択の正否を判定する基準として用いることができる。
【００３３】
復調したデータの誤り検出数にはこのような性格があるため、ステップＳ２０３からステップＳ２０９に示されるように誤り訂正結果を用いて他の判定方式による結果の信頼性を高めることができる。具体的には、ステップＳ２０２により決定した復調回路１０９または１１０の出力から、誤り訂正の基準単位である１ＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏｄｅ）ブロック分の誤り訂正を誤り訂正回路１１４で行ない（ステップＳ２０３）、誤り訂正過程で得られた誤り検出数を出力し、変調方式判定回路１２０でこの誤り検出数と、予め設定された誤り数の基準値を比較し（ステップＳ２０４）、誤り検出数が基準値未満ならばランレングスによる判定が正しいと判断する（ステップＳ２０９）。
【００３４】
一方、誤り検出数が基準値以上であれば、他方の復調回路の出力の誤り検出数も求め、両復調回路の各々を用いたときの誤り検出数を比較することで何れの変調方式を用いた光ディスクであるかの判定を行なう。具体的には、ステップＳ２０３で仮決定した復調回路を用いたときの誤り検出数を変調方式判定回路１２０に記憶しておき（ステップＳ２０５）、切り替えスイッチ１１１を他方に切り替える（ステップＳ２０６）。この状態で１ＥＣＣブロック分の誤り訂正を行い（ステップＳ２０７）、他方の復調回路を用いたときに得られる誤り検出数と、ステップＳ２０５で記憶した誤り検出数を変調方式判定回路１２０で比較して（ステップＳ２０８）、誤り検出数の少ない復調回路を再生動作に用いる復調回路として決定する（ステップＳ２０９）。
【００３５】
なお、本変形例では誤り検出数を測定するデータ量を１ＥＣＣブロックとしているが、このデータ量は1ＥＣＣに限られず適時変更して本変形例を適用することが可能である。また、図２で説明した判定結果の保護は第１の実施例の光ディスク再生装置への適用に限定されることは無く、以降の実施例においても適応が可能である。さらに、本実施例の誤り訂正結果による判定は、他の判定方式による判定結果の信頼性を高める目的だけでなく独立して使用することも可能である。
【００３６】
また、誤り訂正結果を用いることで、第１の実施例の光ディスク再生装置により得られる効果に加え、ランレングスによる判定結果を保護し、判定結果の信頼性を高めることがが可能となる。
【００３７】
図３に本発明の第２の実施例である光ディスク再生装置の構成図を示す。本実施例は、ランレングスの測定を行なうにあたり、微分回路を挿入することで誤検出を抑制する実施例である。第１の実施例の光ディスク再生装置である図１と相違するのは、信号選択回路３０１、微分回路３０２である。信号選択回路３０１はＡ／Ｄコンバータ１０６、等化回路１０７からの出力を選択する信号選択回路であり、微分回路３０２は波形を微分処理し二値化して出力する微分回路である。同一符号のものは図１と同等であるため説明を省略する。
【００３８】
図３の光ディスク再生装置では、信号選択回路３０１でＡ／Ｄコンバータ１０６の出力と、等化回路１０７の出力を選択し出力する。この信号選択回路３０１は以降のランレングス測定において、測定に適した出力を状況によって選択可能にするためのものである。信号選択回路３０１で選択した出力を微分回路３０２で微分し二値化した信号を、ランレングス測定回路１１９に入力する。
【００３９】
ここで、微分回路３０２の効果を説明する。図４に光ディスクに記録されたマーク４０１と、この記録マーク再生時のＡＦＥ１０４の出力波形４０２と、出力波形4０２をゼロレベルでレベルスライスし二値化した二値化信号４０３と、出力波形４０２を反転し二階微分した波形４０４と、波形４０４をゼロレベルでレベルスライスし二値化した二値化信号４０５を示す。
【００４０】
図４に示すように、ＡＦＥ１０４の出力波形４０２では短いランレングスの信号（例えば、Ａ点の部分）は振幅が小さく、ゼロクロスしないためランレングスが誤検出される。しかし、微分処理した波形４０４では波形の変化点を抽出することで、例えゼロクロスしなくとも、元の信号のランレングスを算出できることから（例えば、Ａ’点の部分）誤検出の防止や、更に小振幅の信号をゼロレベルでレベルスライスすることで生じるジッタ（再生デジタル信号の時間軸方向の揺れ）を低減することも可能となる。また、微分波形を用いることで直流成分の変動にも効果がある。
【００４１】
このように、変調方式の判断に微分した信号を用いることで、第１の実施例で得られる効果に加え、図４に示したようにランレングスの誤検出を抑制し第１の実施例の変調方式の判断方法より確かな変調方式判断を行なうことができる。
【００４２】
図５に本発明の第３の実施例である光ディスク再生装置の構成図を示す。本実施例は、第１の変調方式で記録された光ディスクと第２の変調方式で記録された光ディスクにおいて、行エラー数検出回路５０１，５０２と行エラー数比較回路５０３により変調方式を判定する実施例である。第１の実施例の光ディスク再生装置である図１と相違するのは、行エラー数検出回路５０１、５０２、行エラー数比較回路５０３である。行エラー数検出回路５０１，５０２は復調結果から得られるＥＣＣブロック単位データにおける行方向のエラー数を測定する回路であり、行エラー数比較回路５０３は行エラー数から変調方式を判定する回路である。同一符号のものは図1と同等であるため説明を省略する。
【００４３】
ここで行エラーとは、ＥＣＣブロックに於いて１行分の誤り検出を行った時に検出された誤り数のことを呼ぶ。
【００４４】
図５の光ディスク再生装置では、第１の復調回路１０９で復調した結果から行エラー数を行エラー数検出回路５０１で測定し、第２の復調回路１１０で復調した結果から行エラー数を行エラー数検出回路５０２で測定する。エラー数測定回路５０１，５０２で測定したエラー数を行エラー数比較回路５０３で比較し、行エラー数がより小さくなる方の復調回路を選択することで変調方式を判定する。
【００４５】
この行エラー数検出回路５０１、５０２、行エラー数比較回路５０３を詳細に説明する。再生信号を誤った変調方式の復調テーブルで復調した場合、変調時の符号化テーブルと相関がないので復調したデータにおけるエラー数は多くなってしまう。このエラー数は、行エラー数検出回路５０１、５０２において、行方向の誤り訂正符号を用いてＥＣＣブロックにおける行方向の誤り訂正演算を行ない誤り訂正箇所を検出することで得ることができる。よって、各復調回路１０９、１１０の復調データから行エラー数を取得し、行エラー数比較回路５０３で比較した結果から変調方式判定回路１２０で光ディスクの変調方式を判定し、適切な復調回路を選択することが可能となる。
【００４６】
本実施例は２つの復調回路で復調されたデータのエラー数を測定して比較するため、確実に変調方式を判定することができる。また、復調回路での演算は行方向で行われることから、特にメモリによってデータを保持する必要がなく、第１の実施例の変形例で説明した誤り訂正回路１１４の結果を用いる方法より判定が早い。さらに、第１の実施例の変形例では誤り訂正回路１１４の結果を用いるため、第１の復調回路と第２の復調回路を時間的に切り替える必要があるが、本実施例では行エラー数検出回路５０１、５０２で同時に演算することが可能となる。
【００４７】
また、本実施例は、第１の実施例で説明したランレングスによる判定方式と組み合わせることも可能である。勿論、この組み合わせはランレングスによる判定方式に制限されるものではなく、後述するような別の方式と組み合わせることも可能である。なお、本実施例において行方向のエラーを測定することで説明したが、他にも列方向のエラーを用いることや、予め再生データが判明している場合にはそのデータを期待値として、再生したビット列とその期待値を比較することでも同様に実施が可能である。
【００４８】
本実施例の光ディスク再生装置によれば、第１の実施例の光ディスク再生装置により得られる効果に加え、行エラー数を用いた変調方式判定によっても判定を行ない、第１の実施例で説明した判定判定を組み合わせることで、変調方式の判定をより確実なものとすることが可能となる。
【００４９】
図６に本発明の第４の実施例である光ディスク再生装置の構成図を示す。本実施例は、ＤＳＶ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｕｍ Ｖａｌｕｅ）制御能力の差から再生信号におけるＤＳＶの変動量、変動周期の少なくとも一つが異なる第１および第２の変調方式で記録された、物理的に同一特性を有する２種類の光ディスクが存在する場合に適応可能な実施例である。第１の実施例の光ディスク再生装置である図１と相違するのは、ＤＳＶ変動量算出回路６０１とＤＳＶ変動量判定回路６０２である。ＤＳＶ変動量算出回路６０１はＤＳＶの変動量を算出する回路であり、ＤＳＶ変動量判定回路６０２は変調方式を判定する回路である。同一符号のものは図１と同等であるため説明を省略する。
【００５０】
ここで、ＤＳＶについて説明する。ＤＳＶはビット列中に存在する１を＋１、０を−１とみなした累積値であり、ＤＳＶの絶対値が小さく０を多く含んでいる程、直流成分、低周波数成分が少ないことを示す。このＤＳＶは変調時に直流成分、低周波数成分が少なくなるように用いられる。
【００５１】
図６の光ディスク再生装置では、信号選択回路１１８で選択された信号をＤＳＶ変動量算出回路６０１に入力しＤＳＶを測定し変動量を算出する。ＤＳＶ変動量判定回路６０２では、２種類の光ディスクにおける各々のＤＳＶ変動量の基準値を設定しておき、算出されたＤＳＶ変動量と基準値を比較して、その結果により光ディスクの変調方式を判定する。
【００５２】
このＤＳＶの変動量、変動周期の違いは、データ信号処理方式での変調方式における符号化テーブルや変調則が異なることによりＤＳＶ制御能力に差がある場合に生じる。よってＤＳＶ変動量判定回路６０２にＤＳＶの変動量として２種類の光ディスクにおける各々の基準値を予め設定し、算出したＤＳＶ変動量と基準値を比較することにより光ディスクの変調方式を判定することが可能となる。本実施例では変動量の例を示しているが、ＤＳＶ変動量算出回路６０１とＤＳＶ変動量判定回路６０２に代えてＤＳＶ変動周期算出回路とＤＳＶ変動周期判定回路を設けＤＳＶ変動周期判定回路に予めＤＳＶの変動周期として２種類の光ディスクにおける各々のＤＳＶ変動周期の基準値を設定しておき、ＤＳＶの変動周期を測定することでも光ディスクの変調方式の判定が可能となる。
【００５３】
以上のように本実施例において、第１の変調方式で記録された光ディスクと第２の変調方式で記録された光ディスクにおいて、第１および第２の変調方式の差異が、ＤＳＶの変動量、変動周期の少なくとも一つに現れる場合、ＤＳＶ変動量算出回路６０１とＤＳＶ変動量判定回路６０２により変調方式を判定することにより、物理的に同一特性を有するが変調方式の異なる２種類の光ディスクが再生可能な光ディスク再生装置を得ることができる。
【００５４】
図７に本発明の第５の実施例である光ディスク再生装置の構成図を示す。本実施例は、再生信号における低周波数成分の変動量、変動周期の少なくとも一つが異なる第１および第２の変調方式で記録された、物理的に同一特性を有する２種類の光ディスクが存在する場合に適応可能な実施例である。第１の実施例の光ディスク再生装置である図１と相違するのは、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）変動量測定回路７０１とＤＣ変動量判定回路７０２である。ＤＣ変動量測定回路７０１は低周波数成分の変動量を測定する回路であり、ＤＣ変動量判定回路７０２は変調方式を判定する回路である。同一符号のものは図１と同等であるため説明を省略する。
【００５５】
ここでＤＣとは、再生信号の直流成分、低周波数成分のことを指している。
【００５６】
図７の光ディスク再生装置では、ＡＦＥ１０４のアナログ出力をＤＣ変動量測定回路７０１に入力し低周波数成分を測定し変動量を算出する。ＤＣ変動量判定回路７０２で予め設定された２種類の光ディスクにおける各々のＤＣ変動量の基準値と、算出した低周波数成分の変動量を比較し、その結果により光ディスクの変調方式を判定する。
【００５７】
この低周波数成分の変動量、変動周期の違いは、データ信号処理方式での変調方式における符号化テーブルや変調則が異なることにより、低周波数成分抑制能力に差がある場合に生じる。よってＤＣ変動量判定回路７０２に低周波数成分の変動量として２種類の光ディスクにおける各々のＤＣ変動量の基準値を予め設定し、算出した低周波数成分の変動量と基準値を比較することにより光ディスクの変調方式を判定することが可能となる。本実施例では変動量の例を示しているが、ＤＣ変動量算出回路７０１とＤＣ変動量判定回路７０２に代えてＤＣ変動周期算出回路とＤＣ変動周期判定回路を設けＤＣ変動周期判定回路に予めＤＣの変動周期として２種類の光ディスクにおける各々のＤＣ変動周期の基準値を設定しておき、ＤＣの変動周期を測定することでも光ディスクの変調方式の判定が可能となる。
【００５８】
以上のように本実施例において、第１の変調方式で記録された光ディスクと第２の変調方式で記録された光ディスクにおいて、第１および第２の変調方式の差異が、低周波数成分の変動量、変動周期の少なくとも一つに現れる場合、ＤＣ変動量算出回路７０１とＤＣ変動量判定回路７０２により変調方式を判定することにより、物理的に同一特性を有するが変調方式の異なる２種類の光ディスクが再生可能な光ディスク再生装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１の実施例である光ディスク再生装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施例の別の変形例の処理の手順を表すフロー図である。
【図３】本発明の第２の実施例である光ディスク再生装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第２の実施例を用いた時に生成される波形の例を示した図である。
【図５】本発明の第３の実施例である光ディスク再生装置の構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の第４の実施例である光ディスク再生装置の構成を示すブロック図である。
【図７】本発明の第５の実施例である光ディスク再生装置の構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の光ディスク再生装置の動作手順を表すフロー図である。
【図９】本発明の第１の実施例の変形例である光ディスク再生装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０１…光ディスク、１０２…ピックアップ、１０３…スピンドルモータ、１０４…ＡＦＥ、１０５…二値化回路、１０６…Ａ／Ｄコンバータ、１０７…等化回路、１０８…最尤復号回路、１０９・・・第１の復調回路、１１０・・・第２の復調回路、１１１…切り替えスイッチ、１１２…メモリ、１１３…メモリ制御回路、１１４…誤り訂正回路、１１５…出力回路、１１６…ホスト、１１７…マイコン、１１８…信号選択回路、１１９…ランレングス測定回路、１２０…変調方式判定回路、３０１…信号選択回路、３０２…微分回路、５０１，５０２…行エラー数検出回路、５０３…行エラー数比較回路、６０１…ＤＳＶ変動量算出回路、６０２…ＤＳＶ変動量判定回路、７０１…ＤＣ変動量測定回路、７０２…ＤＣ変動量判定回路、９０２…切り替えスイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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