(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、チップコイルにおけるＱ値の向上を目的とする。【解決手段】本発明は素体７と、この素体７に接触形成させたコイルパターン８と、このコイルパターン８に接続すると共に素体７の表面に設けた電極９と、コイルパターン８と素体７との接触部に介在させた下地電極層１２とを備え、この下地電極層１２は銅とニッケルとの合金からなるチップコイルとしたものであり、下地電極層における導電率が向上し、Ｑ値を向上させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素体と、この素体に接触形成させたコイルパターンと、このコイルパターンに接続すると共に前記素体の表面に設けた電極と、前記コイルパターンと前記素体との接触部に介在させた下地電極層とを備え、この下地電極層は銅とニッケルとの合金からなるチップコイル。
【請求項２】
電極が銅からなる請求項１に記載のチップコイル。
【請求項３】
素体は、感光性樹脂硬化物により形成した請求項１または請求項２に記載のチップコイル。
【請求項４】
電極と素体との接触部に、銅とニッケルとの合金からなる下地電極層を介在させた請求項１〜３のいずれか一つに記載のチップコイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるチップコイルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のチップコイルは、図１８に示されるように、感光性樹脂硬化物からなる素体１に銅からなるコイルパターン２を埋没し、素体１の表面には銅からなる電極３を、引き出し電極４、ビア５を介してコイルパターン２に接続するように形成している。また、コイルパターン２と素体１との接触部にはニッケルからなる下地電極層６を形成して構成していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−１９１４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のチップコイルはＱ値が低いことが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成においては、電流がコイルパターン２から引き出し電極４、ビア５を介して電極３へと流れるため、その間にニッケルからなる下地電極層６を通過しなければならない。
【０００６】
ニッケルは導電率が銅などに比べると低いため、このようなニッケルからなる下地電極層６を有するチップコイルの抵抗は高くなってしまい、Ｑ値が低くなっていた。
【０００７】
そこで本発明は、チップコイルにおけるＱ値の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして、この目的を達成するために本発明は、素体と、この素体に接触形成させたコイルパターンと、このコイルパターンに接続すると共に前記素体の表面に設けた電極と、前記コイルパターンと前記素体との接触部に介在させた下地電極層とを備え、この下地電極層は銅とニッケルとの合金からなるチップコイルとしたものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のチップコイルは、下地電極層を銅とニッケルとの合金としたため、下地電極層における導電率が向上し、Ｑ値を向上させることができる。
【００１０】
さらに銅とニッケルとの合金は、その塊径が銅のみの塊径に比べて小さいため、素体との密着性も確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１)
以下、本発明の実施の形態１におけるチップコイルについて図面を参照しながら説明する。
【００１２】
本実施の形態におけるチップコイルの斜視図である図１及び断面図である図２において、感光性樹脂硬化物からなる方形状の素体７には、銅などの金属からなる螺旋形状のコイルパターン８を埋没している。また、素体７の下面には電極９を形成し、この電極９は引き出し電極１０、ビア１１を介してコイルパターン８に電気的に接続させ、このようにして、チップコイルを構成している。そして、コイルパターン８、電極９、引き出し電極１０、ビア１１と素体７との界面には、銅とニッケルとの合金からなる下地電極層１２を形成している。
【００１３】
ここで、このチップコイルの製造方法を以下に示す。
【００１４】
まず、図３に示すごとく、シリコンなどの基板１３の上面に、触媒付与処理によりパラジウム層１４を形成し、このパラジウム層１４の上面に、フォトリソグラフィ工法により電極形成部分９Ａを残して絶縁性樹脂層１５を形成する。
【００１５】
次に、図４に示すごとく、パラジウム層１４表面における電極形成部分９Ａ及び、絶縁性樹脂層１５の表面に、銅とニッケルとの合金からなる下地電極層１２Ａを形成する。
【００１６】
形成方法としては、無電解めっき工法により形成するものについて説明する。無電解めっき工法により形成すれば、この下地電極層１２Ａの表面に水分の膜（図示せず）が形成されるため、この下地電極層１２Ａが酸化せず、次の工程で示す金属層（図示せず）と金属結合させることができるので、高い密着性を有すると共に、酸化膜を有さないため高い導電率を得ることができ、望ましい。
【００１７】
このような構成としたため、下地電極層１２Ａにおける導電率が向上し、このチップコイルのＱ値を向上させることができる。さらに、銅のみの塊径に比べて小径となるため、絶縁性樹脂層１５との密着性も確保することができる。
【００１８】
その後、図５に示すごとく、完成時において電極（図示せず）を構成することになる金属層１６を、下地電極層１２Ａを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層１６には銅を用いることが望ましい。
【００１９】
次に、図６に示すごとく、金属層１６及び下地電極層１２Ａを研磨することにより、絶縁性樹脂層１５を上面に露出させる。研磨方法としては、アルミナスラリーを用いたＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）研磨を用いると、エッチングしながら下地電極層１２Ａ及び金属層１６のみを選択的に研磨するので、高い精度で研磨することができ望ましい。
【００２０】
その後、図７に示すごとく、金属層１６、絶縁性樹脂層１５、下地電極層１２Ａの上面に、フォトリソグラフィ工法によりコイルパターン形成部分６Ａ及び、ビア形成部分９Ａを残して絶縁性樹脂層１７を形成する。
【００２１】
次に、図８に示すごとく、絶縁性樹脂層１７及び金属層１６の上面に、銅とニッケルとの合金からなる下地電極層１２Ｂを形成する。
【００２２】
形成方法としては、無電解めっき工法により形成すると、この下地電極層１２Ｂの表面に水分の膜（図示せず）が形成されるため、この下地電極層１２Ｂが酸化せず、次の工程で示す金属層（図示せず）と金属結合させることができるので、高い密着性を有すると共に、酸化膜を有さないため高い導電率を得ることができ、望ましい。
【００２３】
その後、図９に示すごとく、完成時においてコイルパターン（図示せず）及びビア（図示せず）を構成することになる金属層１８、下地電極層１２Ｂを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層１８には銅を用いることが望ましい。
【００２４】
次に、図１０に示すごとく、金属層１８及び下地電極層１２ＢをＣＭＰ研磨することにより、絶縁性樹脂層１７を上面に露出させる。
【００２５】
その後、図１１に示すごとく、金属層１８、絶縁性樹脂層１７、下地電極層１２Ｂの上面に、フォトリソグラフィ工法により引き出し電極形成部分１０Ａを残して絶縁性樹脂層１９を形成する。
【００２６】
次に、図１２に示すごとく、絶縁性樹脂層１９、下地電極層１２Ｂ及び金属層１８の上面に、銅とニッケルとからなる下地電極層１２Ｃを形成する。
【００２７】
形成方法としては、無電解めっき工法により形成すると、この下地電極層１２Ｃの表面に水分の膜（図示せず）が形成されるため、この下地電極層１２Ｃが酸化せず、次の工程で示す金属層（図示せず）と金属結合させることができることにより高い密着性を有すると共に、酸化膜を有さないため高い導電率を得ることができ望ましい。
【００２８】
その後、図１３に示すごとく、引き出し電極（図示せず）を構成することになる金属層２０を、下地電極層１２Ｃを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層２０には銅を用いることが望ましい。
【００２９】
次に、図１４に示すごとく、金属層２０及び下地電極層１２ＣをＣＭＰ研磨することにより、絶縁性樹脂層１９を上面に露出させる。
【００３０】
その後、図１５に示すごとく、金属層２０、絶縁性樹脂層１９、下地電極層１２Ｃの上面に、フォトリソグラフィ工法により保護層としての絶縁性樹脂層２１を形成する。
【００３１】
次に、図１６に示すごとく、絶縁性樹脂層２１から下地電極層１２Ａまで、ダイシング工法などにより裁断する。この裁断は、レーザー照射などによって行ってもかまわないが、ダイシング工法を用いると寸法精度が高く望ましい。
【００３２】
その後、図１７に示すごとく、フッ酸処理により基板１３、パラジウム層１４を取り除くと共に、各チップコイルに個片化することができる。
【００３３】
なお、パラジウム層１４は、面状に形成するのではなく、パラジウムが点在するような形で形成してもかまわない。
【００３４】
このような工程により、図１，２に示すようなチップコイルを得ることができる。
【００３５】
本実施の形態のチップコイルは、図２に示す下地電極層１２を、銅とニッケルとの合金にしたため、下地電極層１２における導電率が向上し、Ｑ値を向上させることができる。
【００３６】
さらに、結晶粒径が小さいため、素体１０との密着性も確保することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明のチップコイルは、高いＱ値を有し、携帯電話等、各種電子機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの斜視図
【図２】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの断面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１７】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１８】従来のチップコイルの断面図
【符号の説明】
【００３９】
７  素体
８  コイルパターン
９  電極
１０  引き出し電極
１１  ビア
１２  下地電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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