(57)【要約】      （修正有）【課題】新規な画像形成材料、赤外線感熱型記録材料、光記録素子および光学フイルム材料等として有用なフタロシアニン類の温和かつ簡便で高収率な製造方法を提供する。【解決手段】下記一般式（Ｉ）または下記一般式（II）で表される化合物（成分Ａ）と、金属塩（成分Ｂ）と、下記一般式（III）で表されるジシラザン化合物（成分Ｃ）とを反応させるフタロシアニン類の製造方法である。2007039378.tif 000021一般式（III）ＨＮ（ＳｉＲ31Ｒ32Ｒ33）2［式中、Ｒ1は置換基を表し、ｎ1は０又は１以上の整数を表し、Ｑ1はベンゼン環と縮合して環を形成する非金属原子群を表す。Ｒ2は置換基を表し、ｎ2は０又は１以上の整数を表し、Ｑ2はベンゼン環と縮合して環を形成する非金属原子群を表す。Ａ21、Ａ22、及びＡ23は各々独立に酸素原子又はＮＨを表す。Ｒ31、Ｒ32、及びＲ33は各々独立に脂肪族基または芳香族基を表す。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）または下記一般式（II）で表される化合物（成分Ａ）と、金属塩（成分Ｂ）と、下記一般式（III）で表されるジシラザン化合物（成分Ｃ）とを反応させることを特徴とするフタロシアニン類の製造方法。
【化１】
2007039378.tif 000015
［一般式（Ｉ）中、Ｒ1は置換基を表し、ｎ1は０または１以上の整数を表し、Ｑ1はベンゼン環と縮合して環を形成する非金属原子群を表す。ｎ1が２以上の場合、複数のＲ1は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。ただし、Ｑ1によってベンゼン環と縮合して形成される環がナフタレン環の場合、ｎ1は１以上の整数を表す。］
【化２】
2007039378.tif 000016
［一般式（II）中、Ｒ2は置換基を表し、ｎ2は０または１以上の整数を表し、Ｑ2はベンゼン環と縮合して環を形成する非金属原子群を表す。ｎ2が２以上の場合、複数のＲ2は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。Ａ21、Ａ22、及びＡ23は各々独立に酸素原子またはＮＨを表す。ただし、Ｑ2によってベンゼン環と縮合して形成される環がナフタレン環の場合、ｎ2は１以上の整数を表す。］
一般式（III）
ＨＮ（ＳｉＲ31Ｒ32Ｒ33）2
［一般式（III）中、Ｒ31、Ｒ32、及びＲ33は各々独立に脂肪族基または芳香族基を表す。］
【請求項２】
前記成分（Ａ）が、下記一般式（IV）または下記一般式（Ｖ）で表される化合物である
ことを特徴とする請求項１に記載のフタロシアニン類の製造方法。
【化３】
2007039378.tif 000017
［一般式（IV）中、Ｒ4は置換基を表し、ｎ4は１〜６の整数を表す。ｎ4が２以上の場合、複数のＲ4は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。］
【化４】
2007039378.tif 000018
［一般式（Ｖ）中、Ｒ5は置換基を表し、ｎ5は１〜６の整数を表す。ｎ5が２以上の場
合、複数のＲ5は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。Ａ51、Ａ52、及びＡ53は各々独立に酸素原子またはＮＨを表す。］
【請求項３】
前記成分（Ａ）が、下記一般式（VI）または下記一般式（VII）で表される化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載のフタロシアニン類の製造方法。
【化５】
2007039378.tif 000019
［一般式（VI）中、Ｒ61及びＲ62は各々独立に置換基を表す。］
【化６】
2007039378.tif 000020
［一般式（VII）中、Ｒ71及びＲ72は各々独立に置換基を表し、Ａ71、Ａ72、及びＡ73は各々独立に酸素原子またはＮＨを表す。］
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）、（II）、（IV）〜（VII）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ61、Ｒ62、Ｒ71、及びＲ72が下記一般式（VIII−１）〜（VIII−３）で表される基からなる群から選択される基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のフタロシアニン類の製造方法。
一般式（VIII−１）
−ＮＲ81Ｒ82
一般式（VIII−２）
−Ｏ−Ｒ83
一般式（VIII−３）
−Ｓ−Ｒ84
［一般式（VIII−１）〜（VIII−３）中、Ｒ81〜Ｒ84は各々独立に水素原子、脂肪族基または芳香族基を表す。］
【請求項５】
前記一般式（III）で表されるジシラザン化合物が１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のフタロシアニン類の製造方法。
【請求項６】
前記反応が５０〜２５０℃で行われることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のフタロシアニン類の製造方法。
【請求項７】
前記反応の反応温度が、６５〜１３０℃であって、反応の途中で反応温度を変更することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のフタロシアニン類の製造方法。
【請求項８】
前記反応の反応溶媒がアミド系溶媒であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のフタロシアニン類の製造方法。
【請求項９】
前記反応の反応溶媒が１−ブタノールもしくはペンタノールであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のフタロシアニン類の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規な画像形成材料、赤外線感熱型記録材料、光記録素子および光学フイルム材料等として有用なフタロシアニン類の製造方法に関するものであり、更に詳細には温和、簡便な条件で高収率に縮合環を有するフタロシアニン類を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フタロシアニン類は広く顔料として使用されるが、その中でも特に縮合環を有するフタロシアニン類は近赤外吸収色素として盛んに研究されてきた。
【０００３】
従来、フタロシアニン類を製造する方法としては無水フタル酸やフタルイミドを尿素の存在下に２００〜３００℃で加熱する方法、フタロニトリルをアンモニアや触媒とともに１５０〜２５０℃で加熱する方法等が広く知られている（例えば、非特許文献１参照）。これらの改良法として添加方法等を改良したものがある（例えば特許文献１、非特許文献２参照）。更にシラザン誘導体を共存させる方法が知られていた（例えば特許文献２、非特許文献３、４参照）。
【０００４】
しかしながら、ベンゼン環以外の縮合環を有するフタロシアニン類および１、４位に置換基を有するナフタロシアニン類の製造方法に関しては有効な知見がなく、これらを温和、簡便な条件で高収率に製造する方法が求められていた。
【特許文献１】特開平６−２２８４４９号公報
【特許文献２】特開２００２−２２６４８２号公報
【非特許文献１】ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサエティ，パーキン・トランザクション，Ｉ，２４５３−２４５８ページ（１９８８年発行）
【非特許文献２】ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー，５５巻，２１５５−２１５９ページ（１９９０年発行）
【非特許文献３】ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー，６８巻，８７３６−８７３８ページ（２００３年発行）
【非特許文献４】シンレット，１６４９ページ（２００２年発行）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。すなわち、
本発明の目的は、新規な画像形成材料、赤外線感熱型記録材料、光記録素子および光学フイルム材料等として有用なフタロシアニン類の温和かつ簡便で高収率な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは鋭意検討の結果、下記手段により本発明の上記目的が達成されることを見出した。
【０００７】
（１）下記一般式（Ｉ）または下記一般式（II）で表される化合物（成分Ａ）と、金属塩（成分Ｂ）と、下記一般式（III）で表されるジシラザン化合物（成分Ｃ）とを反応させることを特徴とするフタロシアニン類の製造方法である。
【０００８】
【化１】
2007039378.tif 000002
［一般式（Ｉ）中、Ｒ1は置換基を表し、ｎ1は０または１以上の整数を表し、Ｑ1はベンゼン環と縮合して環を形成する非金属原子群を表す。ｎ1が２以上の場合、複数のＲ1は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。ただし、Ｑ1によってベンゼン環と縮合して形成される環がナフタレン環の場合、ｎ1は１以上の整数を表す。］
【０００９】
【化２】
2007039378.tif 000003
［一般式（II）中、Ｒ2は置換基を表し、ｎ2は０または１以上の整数を表し、Ｑ2はベンゼン環と縮合して環を形成する非金属原子群を表す。ｎ2が２以上の場合、複数のＲ2は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。Ａ21、Ａ22、及びＡ23は各々独立に酸素原子またはＮＨを表す。ただし、Ｑ2によってベンゼン環と縮合して形成される環がナフタレン環の場合、ｎ2は１以上の整数を表す。］
【００１０】
一般式（III）
ＨＮ（ＳｉＲ31Ｒ32Ｒ33）2
［一般式（III）中、Ｒ31、Ｒ32、及びＲ33は各々独立に脂肪族基または芳香族基を表す。］
【００１１】
（２）前記成分（Ａ）が、下記一般式（IV）または下記一般式（Ｖ）で表される化合物で
あることを特徴とする前記（１）に記載のフタロシアニン類の製造方法である。
【００１２】
【化３】
2007039378.tif 000004
［一般式（IV）中、Ｒ4は置換基を表し、ｎ4は１〜６の整数を表す。ｎ4が２以上の場合、複数のＲ4は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。］
【００１３】
【化４】
2007039378.tif 000005
［一般式（Ｖ）中、Ｒ5は置換基を表し、ｎ5は１〜６の整数を表す。ｎ5が２以上の場
合、複数のＲ5は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。Ａ51、Ａ52、及びＡ53は各々独立に酸素原子またはＮＨを表す。］
【００１４】
（３）前記成分（Ａ）が、下記一般式（VI）または下記一般式（VII）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）または（２）に記載のフタロシアニン類の製造方法である。
【００１５】
【化５】
2007039378.tif 000006
［一般式（VI）中、Ｒ61及びＲ62は各々独立に置換基を表す。］
【００１６】
【化６】
2007039378.tif 000007
［一般式（VII）中、Ｒ71、及びＲ72は各々独立に置換基を表し、Ａ71、Ａ72、及びＡ73は各々独立に酸素原子またはＮＨを表す。］
【００１７】
（４）前記一般式（Ｉ）、（II）、（IV）〜（VII）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ61、Ｒ62、Ｒ71、及びＲ72が下記一般式（VIII−１）〜（VIII−３）で表される基からなる群から選択される基であることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載のフタロシアニン類の製造方法である。
一般式（VIII−１）
−ＮＲ81Ｒ82
一般式（VIII−２）
−Ｏ−Ｒ83
一般式（VIII−３）
−Ｓ−Ｒ84
［一般式（VIII−１）〜（VIII−３）中、Ｒ81〜Ｒ84は各々独立に水素原子、脂肪族基または芳香族基を表す。］
【００１８】
（５）前記一般式（III）で表されるジシラザン化合物が１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれかに記載のフタロシアニン類の製造方法である。
【００１９】
（６）前記反応が５０〜２５０℃で行われることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれかに記載のフタロシアニン類の製造方法である。
【００２０】
（７）前記反応の反応温度が、６５〜１３０℃であって、反応の途中で反応温度を変更することを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれか１項に記載のフタロシアニン類の製造方法である。
【００２１】
（８）前記反応の反応溶媒がアミド系溶媒であることを特徴とする前記（１）〜（７）のいずれかに記載のフタロシアニン類の製造方法である。
【００２２】
（９）前記反応の反応溶媒が１−ブタノールもしくはペンタノールであることを特徴とする前記（１）〜（７）のいずれかに記載のフタロシアニン類の製造方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、新規な画像形成材料、赤外線感熱型記録材料、光記録素子および光学フイルム材料等として有用なフタロシアニン類が温和かつ簡便で高収率に製造できる製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に本発明の実施の形態について詳しく説明する。
本明細書において、まず、脂肪族基はアルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アラルキル基および置換アラルキル基を意味する。アルキル基は直鎖、分岐、また環状（例えばシクロアルキル基）のアルキル基を意味し、炭素原子数は１〜２０であることが好ましく、１〜１８であることが更に好ましい。置換アルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アルケニル基は直鎖、分岐、また環状（例えばシクロアルケニル基）のアルケニル基を意味し、炭素原子数は２〜２０であることが好ましく、２〜１８であることが更に好ましい。置換アルケニル基のアルケニル部分は、上記アルケニル基と同様である。アルキニル基は直鎖、分岐、また環状（例えばシクロアルキニル基）のアルキニル基を意味し、炭素原子数は２〜２０であることが好ましく、２〜１８であることが更に好ましい。置換アルキニル基のアルキニル部分は、上記アルキニル基と同様である。アラルキル基および置換アラルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アラルキル基および置換アラルキル基のアリール部分は下記アリール基と同様である。
【００２５】
置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）；アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕；
【００２６】
アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］；アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）；アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）；ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）；
【００２７】
シアノ基；ヒドロキシル基；ニトロ基；カルボキシル基；アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）；アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）；シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）；ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）；アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）；カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）；アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）；アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）；
【００２８】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）；アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）；アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）；アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）；アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）；スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）；アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）；
【００２９】
メルカプト基；アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）；アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）；ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）；スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）；スルホ基；アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）；アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）；アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）；
【００３０】
アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）；アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）；カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）；アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）；イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）；ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）；ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）；ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）；ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）；シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）；が挙げられる。
【００３１】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その具体例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００３２】
置換アラルキル基のアリール部分の置換基としては、下記の置換アリール基の置換基と同様の基が挙げられる。
【００３３】
本明細書において芳香族基は、アリール基および置換アリール基を意味する。またこれらの芳香族基は脂肪族環、他の芳香族環または複素環が縮合していてもよい。芳香族基の炭素原子数は６〜４０が好ましく、６〜３０が更に好ましく、６〜２０が更に好ましい。またその中でもアリール基としてはフェニルまたはナフチルであることが好ましく、フェニルが特に好ましい。
【００３４】
置換アリール基のアリール部分は、上記アリール基と同様である。置換アリール基の置換基の例としては、先に置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル部分の置換基として挙げたものが挙げられる。
【００３５】
次に一般式（Ｉ）〜（VIII）で表される化合物について説明する。
一般式（Ｉ）においてＲ1は置換基を表し、置換基の例としては前述の置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基および置換アラルキル基のアルキル部分の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Ｒ1として好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルもしくはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基であり、更に好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、イミド基、ホスフィノ基、シリル基であり、更に好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基であり、より好ましくは塩素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０シリルオキシ基、炭素数２〜２０のアミノ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数６〜２０のアリールチオ基およびヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリールオキシ基、炭素数２〜１０のアミノ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリールチオ基である。また更に好ましいＲ1は炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアミノ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基である。最も好ましいＲ1は炭素数１〜５のアルコキシ基である。
【００３６】
ｎ1は０または１以上の整数を表す。ｎ1が２以上の整数である場合、複数のＲ1は互いに同一でも異なってもよい。ｎ1は、好ましくは０〜４の整数であり、更に好ましくは１〜３であり、最も好ましくは２である。また、ｎ1が２となり、２つのシアノ基のオルト位の２箇所にＲ1が置換するのが好ましい。ただし、Ｑ1によってベンゼン環と縮合して形成される環がナフタレン環の場合、ｎ1は１以上の整数を表す。
【００３７】
Ｑ1はベンゼン環と縮合して環を形成する非金属原子群を表し、好ましいＱ1としては下記のものが挙げられる。
【００３８】
【化７】
2007039378.tif 000008
［式中、＊および＊＊はベンゼン環との結合位置を表す。なお、上記は基本の原子連結を示したものであり、結合の不足している原子には水素原子または置換基が置換するものである。］
【００３９】
より好ましいＱ1は上記のうち（Ａ）、（Ｂ）、（Ｎ）、（Ｑ）、（Ｒ）、（Ｓ）、（Ｔ）、（Ｙ）、（Ｚ）および（ＡＡ）であり、更に好ましくは（Ａ）、（Ｎ）、（Ｑ）、（Ｒ）、（Ｓ）、（Ｔ）、（Ｙ）、及び（Ｚ）であり、更に好ましくは（Ａ）、（Ｎ）、（Ｑ）、及び（Ｙ）であり、更に好ましくはＱ1上に置換基を有さない（Ａ）、（Ｎ）、（Ｑ）、及び（Ｙ）であり、最も好ましいＱ1はＱ1上に置換基を有さない（Ａ）である。
【００４０】
一般式（II）においてＲ2、ｎ2およびＱ2は各々Ｒ1、ｎ1およびＱ1と同義であり、好ましい範囲も同一である。また、ｎ2が２となりＡ21〜Ａ23を含む５員環と縮合する炭素原子のオルト位の２箇所にＲ2が置換するのが好ましい。 Ａ21〜Ａ23はそれぞれ独立に酸素原子またはＮＨを表し、Ａ21とＡ22とが同一になるのが好ましい。
【００４１】
一般式（III）においてＲ31〜Ｒ33は各々独立に脂肪族基または芳香族基を表す。これらの脂肪族基および芳香族基は前述の通りであり、Ｒ31〜Ｒ33として好ましくは炭素数１〜６の脂肪族基および炭素数６〜８の芳香族基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基および炭素数６〜８のアリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基および無置換のフェニル基であり、更に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基であり、最も好ましくはメチル基である。
【００４２】
一般式（IV）においてＲ4は一般式（Ｉ）におけるＲ1と同義であり、好ましい範囲も同一である。ｎ4は１〜６の整数を表し、好ましくは１〜４の整数であり、更に好ましくは１〜３であり、最も好ましいｎ4は２である。また、ｎ4が２となり、２つのシアノ基のオルト位の２箇所にＲ4が置換するのが好ましい。
【００４３】
一般式（Ｖ）においてＲ5、ｎ5は各々Ｒ4、ｎ4と同義であり、好ましい範囲も同一
である。また、ｎ5が２となり、Ａ51〜Ａ53を含む５員環と縮合する炭素原子のオルト位の２箇所にＲ5が置換するのが好ましい。Ａ51〜Ａ53はＡ21〜Ａ23と同義であり、好ましい範囲も同一である。
【００４４】
一般式（VI）および（VII）において、Ｒ61、Ｒ62、Ｒ71、及びＲ72はＲ1と同義であり、好ましい範囲も同一である。Ａ71〜Ａ73はＡ21〜Ａ23と同義であり、好ましい範囲も同一である。
【００４５】
なお、前記一般式（Ｉ）、（II）、（IV）〜（VII）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ61、Ｒ62、Ｒ71、及びＲ72が下記一般式（VIII−１）〜（VIII−３）で表される基から選択される基であることが好ましい。
一般式（VIII−１）
−ＮＲ81Ｒ82
一般式（VIII−２）
−Ｏ−Ｒ83
一般式（VIII−３）
−Ｓ−Ｒ84
［一般式（VIII−１）〜（VIII−３）中、Ｒ81〜Ｒ84は各々独立に水素原子、脂肪族基または芳香族基を表す。］
【００４６】
Ｒ81〜Ｒ84は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基であり、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基または無置換フェニル基である。最も好ましいＲ81〜Ｒ84は炭素数１〜５のアルキル基である。
【００４７】
本発明の製造方法において用いられる金属塩（成分Ｂ）は、１〜１５族およびランタノイド系の金属が含まれる有機または無機の化合物が好ましく、ここで、金属について、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｓｃ，Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｒｕ，Ｓｎ、及びＰｂであり、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎであり、更に好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎである。金属塩を形成する金属以外の成分は好ましくはハロゲンイオン（例えばＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-）、ＣＮ-、ＳＯ42-、ＨＯ-、ＮＯ3-、ＣＯ32-、カルボン酸イオン（例えば酢酸イオン、シュウ酸イオン）、スルホン酸イオン（例えばメタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン）、リン酸イオン、アルコキシイオン（例えばメトキシイオン、エトキシイオン、イソプロポキシイオン、フェノキシイオン）等が挙げられる。更に好ましくはＣｌ-、ＣＮ-、ＳＯ42-、ＨＯ-、 ＣＯ32-、酢酸イオン、アルコキシイオンであり、更に好ましくはＣｌ-、ＣＮ-、ＳＯ42-、ＨＯ-、酢酸イオン、アルコキシイオンである。
【００４８】
次に本発明の一般式（Ｉ）、（II）、（IV）〜（VII）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４９】
【化８】
2007039378.tif 000009
【００５０】
【化９】
2007039378.tif 000010
【００５１】
【化１０】
2007039378.tif 000011
【００５２】
【化１１】
2007039378.tif 000012
【００５３】
【化１２】
2007039378.tif 000013
【００５４】
次に本発明の一般式（III）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
【化１３】
2007039378.tif 000014
【００５６】
反応に用いる原料の比率は１モルの成分Ａに対して、好ましい成分Ｂの量は０．０１〜１０モルであり、より好ましくは０．１〜５モルであり、更に好ましくは０．２〜２モルであり、最も好ましくは０．２５〜１モルである。また１モルの成分Ａに対して好ましい成分Ｃの量は０．１〜５０モルであり、より好ましくは０．５〜２０モルであり、更に好ましくは１．０〜１０モルであり、更に好ましくは１．５〜５モルであり、最も好ましくは１．７５〜３モルである。
【００５７】
反応に用いる成分Ｃは、一括添加、分割添加、滴下もしくはこれらの添加方法を組み合わせて実施してもよい。
【００５８】
反応に用いる溶媒としては例えばジシラザン溶媒、アミド系溶媒（例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、１−メチルー２−ピロリドン）、スルホン系溶媒（例えばスルホラン）スルホキシド系溶媒（例えばジメチルスルホキシド）、ウレイド系溶媒（例えばテトラメチルウレア）、エーテル系溶媒（例えばジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル）、ケトン系溶媒（例えばアセトン、シクロヘキサノン）、炭化水素系溶媒（例えばトルエン、キシレン）、ハロゲン系溶媒（例えばテトラクロロエタン，クロロベンゼン）、アルコール系溶媒（例えば１−ブタノール、ペンタノール、エチレングリコール、シクロヘキサノール）、ピリジン系溶媒（例えばピリジン、γ−ピコリン、２，６−ルチジン）を単独或いは混合して用いる。好ましくはアミド系溶媒、スルホン系溶媒、ウレイド系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、ピリジン系溶媒であり、更に好ましくはアミド系溶媒、スルホン系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒であり、更に好ましくはアミド系溶媒（好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、アルコール系溶媒（好ましくは１−ブタノール、ペンタノールでより好ましくは１−ブタノール）であり最も好ましい溶媒はアミド系溶媒である。
【００５９】
反応温度は好ましくは０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２５０℃、更に好ましくは５０〜１５０℃であり、最も好ましくは６５〜１３０℃の範囲であり、反応時間は５分〜３０時間の範囲であることが好ましい。なお、反応の途中で反応温度を変更するとは、成分Ａ、成分Ｂおよび成分Ｃが加えられた後であって、かつ目的とする反応温度に達した以降から反応終了（具体的には溶媒留去操作前）までの間の反応系の温度を変更することである。
【００６０】
本発明においては、反応の途中で反応温度を変更することが好ましい（例えば前半５０℃、後半１２０℃）。例えば、反応系で分解し易い原料を分解し難い中間体に変換するまでは比較的低温で反応させることが好ましく、この点で反応温度を途中で変更することが好ましい。また、反応温度を変更するタイミングとしては、比較的分解し易い原料及び中間体が消失した段階が好ましい。そして、反応の略後半が略前半より高いことが好ましい。反応の略前半と略後半の温度差は１０〜５０℃が好ましい。特にアミド系溶媒を単独もしくは併用で使用する際に効果的であリ、略前半が６５〜８０℃、略後半が８０〜１３０℃である場合が好ましい。
【００６１】
反応中、副生する水やその他の還流し得る成分が副生してくる場合には系外に除きながら反応することも好ましく、減圧下あるいは常圧にて単独或いは溶媒とともに留去する方法、あるいはモレキュラーシーブ等の吸収剤を用いる方法、無水酢酸、オルトエステル等の脱水縮合剤を用いる方法等が好ましく用いられる。また、本反応は密閉系で行うことも好ましい。
【実施例】
【００６２】
以下に本発明を実施例により、更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６３】
（実施例１）
３ツ口フラスコに前記例示化合物（Ｓ−１）３８．７ｇ、塩化銅８．１ｇ、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン５８．１ｇとＤＭＦ３００ｍｌを入れ、内温７０℃にて３時間加熱攪拌の後、９０℃にて２時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に硫酸２０ｍｌを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（中心金属：銅）を３０．９ｇ得た（収率７６％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝９４５ｎｍであった。
【００６４】
（実施例２）
３ツ口フラスコに前記例示化合物（Ｓ−１）３８．７ｇ、リチウムブトキシド５７．６ｇ、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン５８．１ｇと１−ブタノール１５０ｍｌ、ＤＭＦ１５０ｍｌを入れ、内温７０℃にて３時間加熱攪拌の後、９０℃にて２時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に酢酸１３０ｇを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（無金属体）を３１．８ｇ得た（収率８２％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝８６０ｎｍであった。
【００６５】
（実施例３）
例示化合物（Ｓ−２）を用いて、リチウムブトキシドと１−ブタノールを等量のリチウムペントキシドとペンタノールに変更する以外は、上記（実施例２）と全く同様の操作で目的のナフタロシアニン化合物（無金属体）を２５．６ｇ得た（収率６６％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝８６０ｎｍであった。
【００６６】
（実施例４）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−１）３８．７ｇ、バナジウムオキシトリクロリド１０．４ｇ、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン９６．８ｇとＤＭＦ３００ｍｌを入れ、内温７０℃にて３時間加熱攪拌の後、９０℃にて２時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に硫酸２０ｍｌを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（中心金属：ＶＯ）を２８．５ｇ得た（収率７０％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝９０６ｎｍであった。
【００６７】
（実施例５）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−２１）４０．７ｇ、塩化銅８．１ｇ、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン４８．４ｇとＤＭＡｃ２００ｍｌを入れ、内温８５℃にて８時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に硫酸２０ｍｌを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（中心金属：銅）を３２．５ｇ得た（収率８０％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝９４５ｎｍであった。
【００６８】
（実施例６）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−２２）４４．０ｇ、リチウムブトキシド７６．８ｇ、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン５８．１ｇと１−ブタノール１５０ｍｌ、ＤＭＦ１５０ｍｌを入れ、内温７０℃にて３時間加熱攪拌の後、９０℃にて２時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に酢酸１７３ｇを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（無金属体）を３８．６ｇ得た（収率８５％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝８６１ｎｍであった。
【００６９】
（実施例７）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−４１）４１．０ｇ、リチウムブトキシド５７．６ｇ、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン５８．１ｇと１−ブタノール１．５ｌ、を入れ、内温７０℃にて３時間加熱攪拌の後、内温を上げて沸騰させ、ブタノールを留去しながら２時間加熱攪拌した。留出したブタノールの総量は１ｌであった。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に酢酸１３０ｇを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（無金属体）を２９．８ｇ得た（収率７７％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝８６０ｎｍであった。
【００７０】
（実施例８）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−４２）４１．１ｇ、リチウムブトキシド５７．６ｇ、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン５８．１ｇ、３Åモレキュラーシーブ５０ｇと１−ブタノール１．５ｌを入れ、内温８５℃にて９時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に酢酸１３０ｇを添加して濾過した後、抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（無金属体）を２２．５ｇ得た（収率５８％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝８６０ｎｍであった。
【００７１】
（比較例１）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−１）３８．７ｇ、塩化銅８．１ｇとＤＭＦ３００ｍｌを入れ、内温７０℃にて３時間加熱攪拌の後、９０℃にて２時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に硫酸２０ｍｌを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００Ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（中心金属：銅）を１１．４ｇ得た（収率２８％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝９４５ｎｍであった。
【００７２】
（比較例２）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−１）３８．７ｇ、リチウムブトキシド５７．６ｇと１−ブタノール１５０ｍｌ、ＤＭＦ１５０ｍｌを入れ、内温７０℃にて３時間加熱攪拌の後、９０℃にて２時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に酢酸１３０ｇを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（無金属体）を６．２ｇ得た（収率１６％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝８６０ｎｍであった。
【００７３】
（比較例３）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−４１）４１．０ｇ、リチウムブトキシド５７．６ｇと１−ブタノール１．５ｌ、を入れ、内温７０℃にて３時間加熱攪拌の後、内温を上げて沸騰させ、１−ブタノールを留去しながら２時間加熱攪拌した。留出した１−ブタノールの総量は１ｌであった。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に酢酸１３０ｇを添加して抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（無金属体）を３．５ｇ得た（収率９％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝８６０ｎｍであった。
【００７４】
（比較例４）
３ツ口フラスコに例示化合物（Ｓ−４２）４１．１ｇ、リチウムブトキシド５７．６ｇ、３Åモレキュラーシーブ５０ｇと１−ブタノール１．５ｌを入れ、内温８５℃にて９時間加熱攪拌した。このものを減圧下にて溶媒を留去した後、クロロホルム４ｌを添加し、水３ｌを添加し、更に酢酸１３０ｇを添加して濾過した後、抽出した。得られたクロロホルム溶液に水３ｌを添加して洗浄する操作を３回行った後、ロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた残留物にメタノールを５００ｍｌ添加して、得られた結晶を吸引濾過し、乾燥して目的の対応するナフタロシアニン化合物（無金属体）を７．３ｇ得た（収率１９％）。このもののＴＨＦ中における希薄溶液の分光吸収を測定したところλmax＝８６０ｎｍであった。
【００７５】
以上の実施例及び比較例の結果から、本発明のフタロシアニン類の製造方法によると、温和かつ簡便で高収率でフタロシアニン類を製造することができたことが分かる。