(57)【要約】【課題】全体的な大きさを減少させることのできるバランを開示する。【解決手段】バランは、不均衡信号の受信される入力ライン、入力ラインから不均衡信号を受信し平衡信号を出力する出力ライン、および接地部を備える。ここで、入力ラインおよび出力ラインは同一層に形成され、接地部は入力ラインおよび出力ラインと相異なる層に形成される。接地部は第１出力ライン側と第２出力ライン側との間の電位差を形成するよう一部が除去された開口部を有し、入力ラインと電気的に接続される。これにより、出力ラインの長さが入力波長のλ/４を満足しなくとも第１および第２出力信号間の位相差をおよそ１８０°形成することができるので、バランの全体の大きさを減少させることができる。【選択図】図３
2007221776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、入力信号を伝送する第１信号ラインと、
前記基板上において前記第１信号ラインと同一層に備えられ、前記第１信号ラインから前記入力信号を受信し位相の相異なる第１及び第２出力信号を出力する第２信号ラインと、
前記基板上において前記第１及び第２信号ラインと異なる層に備えられ、前記第２信号ラインの前記第１出力信号が伝送される経路と、前記第２信号ラインの前記第２出力信号が伝送される経路との間の電位差を形成するように一部分が除去され形成された開口部を有し、前記第１信号ラインと電気的に接続された接地部と、
前記第１及び第２信号ラインと前記接地部との間に介在された第１誘電体と、
を含むことを特徴とするバラン。
【請求項２】
前記第１信号ラインが、
外部から前記入力信号を受信する第１ポートと、
前記第１ポートと向かい合って備えられ、前記第１ポートを介して受信された前記入力信号を前記第２信号ラインに出力する第２ポートと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のバラン。
【請求項３】
前記第１ポート及び前記接地部を互いに電気的に接続する第１導電部を更に含み、
前記誘電体は前記第２ポートと前記接地部とが相互重畳される領域で一部分が除去され形成された第１ビアホールを有し、
前記第１導電部は前記第１ビアホールを介して前記第１ポート及び前記接地部と電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載のバラン。
【請求項４】
前記接地部が、
前記基板の周辺領域に位置し、閉ループ状の第１メタル部と、
前記第１メタル部から延長され、前記第１及び第２信号ラインと向い合う第２メタル部と、
前記第１メタル部から延長され、前記第１ポート及び前記入力ポートと対応する領域で前記第２メタル部と所定の距離離隔して位置し、前記第１信号ラインと向い合う第３メタル部と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載のバラン。
【請求項５】
前記第２メタル部は、前記第１導電部を介して前記第２ポートと電気的に接続されることを特徴とする請求項４に記載のバラン。
【請求項６】
前記第２メタル部及び第３メタル部は、前記第１メタル部から延長され形成された少なくとも１つのブランチを有することを特徴とする請求項４に記載のバラン。
【請求項７】
前記接地部が、
前記第１導電部を介して前記第２ポートと電気的に接続される第１接地部と、
前記第１接地部の上部に離隔配置される第２接地部と、
前記第１及び第２接地部を電気的に接続し、前記第２接地部が前記第１接地部の上部に離隔配置されるよう支持する導電部材と、
を有することを特徴とする請求項３に記載のバラン。
【請求項８】
前記第１信号ラインは、前記第１ポートの形成された領域幅が第１ポートを除いた領域の幅より厚いことを特徴とする請求項２に記載のバラン。
【請求項９】
前記第２信号ラインが、
前記第２ポートと相互隣接して位置し、前記入力信号を受信する入力ポートと、
前記入力ポートから延長され、前記第１信号ラインと隣接に位置し、前記第１出力信号を出力する第１出力ラインと、
前記入力ポートから前記第１出力ラインと相異なる方向に延長され、前記第２出力信号を出力する第２出力ラインと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のバラン。
【請求項１０】
前記入力ポートは、前記第２信号ラインの中央部に位置することを特徴とする請求項９に記載のバラン。
【請求項１１】
前記第１信号ラインの長さは、前記入力ポート及び前記第１出力ラインの長さの和と同一であることを特徴とする請求項９に記載のバラン。
【請求項１２】
前記第１出力信号と前記第２出力信号の間の位相差は、約１８０°であることを特徴とする請求項１に記載のバラン。
【請求項１３】
前記接地部の上部に備えられ、前記接地部と電気的に接続された少なくとも１つのコンデンサを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のバラン。
【請求項１４】
前記コンデンサが、
前記接地部の上部に備えられ、前記第２領域で前記接地部と電気的に接続された第１電極部と、
前記第１電極部の上部に備えられ、前記第１領域で前記接地部と電気的に接続された第２電極部と、
を含むことを特徴とする請求項１３に記載のバラン。
【請求項１５】
前記接地部と前記第１電極部との間に介在された第２誘電体と、
前記第１電極部と前記第２電極部との間に介在された第３誘電体と、
を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載のバラン。
【請求項１６】
前記第２誘電体は、前記第２領域において前記接地部を部分的に露出するよう一部が除去され形成された第２ビアホールを有し、
前記第３誘電体は、前記第１領域において前記接地部を部分的に露出するよう一部分が除去され形成された第３ビアホールを有し、
前記第１電極部は前記第２ビアホールを介して前記接地部と電気的に接続し、前記第２電極部は前記第３ビアホールを介して前記接地部と電気的に接続することを特徴とする請求項１５に記載のバラン。
【請求項１７】
前記第２ビアホールに備えられて前記第１電極部及び前記接地部を電気的に接続する第２導電部と、
前記第３ビアホールに備えられて前記第２電極部及び前記接地部を電気的に接続する第３導電部と、
を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載のバラン。
【請求項１８】
前記第１電極部は、前記第３導電部と対応する領域が取除かれ、前記第３導電部と絶縁されて位置することを特徴とする請求項１７に記載のバラン。
【請求項１９】
前記コンデンサは、
前記接地部の上部から前記第１及び第２領域にかけて形成された第３電極部と、
前記第３電極部から前記第３電極部と直交している方向に延長されて、前記第１領域に位置し、前記接地部と接続され前記接地部及び前記第３電極部を電気的に接続する第４電極部と、
を含むことを特徴とする請求項１３に記載のバラン。
【請求項２０】
前記第４電極部は、前記第３電極部と一体に形成されたことを特徴とする請求項１９に記載のバラン。
【請求項２１】
前記第３電極部と前記接地部との間に介在された第４誘電体を更に含むことを特徴とする請求項２０に記載のバラン。
【請求項２２】
基板と、
第１端部に形成され入力信号を受信する第１ポート、及び前記第１端部と対向する第２端部に形成され前記第１ポートから受信された前記入力信号を出力する第２ポートを有し、前記基板上に形成され前記入力信号を伝送する第１信号ラインと、
前記基板上で前記第１信号ラインと隣接に位置し、前記基板の中央部を横切り、前記第２ポートと隣接した領域に形成されて前記第２ポートから前記入力信号を受信する入力ポートを有し、両端部は前記入力信号に対応して相異なる位相を有する第１及び第２出力信号をそれぞれ出力する第２信号ラインと、
前記基板の周辺領域に位置し、閉ループ状の第１メタル部、前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第１及び第２信号ラインと向い合う第２メタル部、及び前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長されて、前記第２信号ラインと向い合い、前記入力端子及び前記第２ポートが備えられた領域で第２メタル部と所定の距離離隔され、前記第２ポートと電気的に接続された第３メタル部を含む接地部と、
前記第１及び第２信号ラインと前記接地部との間に介在された誘電体と、
を含むことを特徴とするバラン。
【請求項２３】
基板と、
第１端部に形成され入力信号を受信する第１ポート、及び前記第１端部と対向する第２端部に形成されて前記第１ポートから受信された前記入力信号を出力する第２ポートを有し、前記基板上に形成され前記入力信号を伝送する第１信号ラインと、
前記基板上で前記第１信号ラインと隣接に位置し、前記基板の中央を横切り、前記第２ポートと隣接した領域に形成され前記第２ポートから前記入力信号を受信する入力ポートを有し、両端部は前記入力信号に対応して相異なる位相を有する第１及び第２出力信号をそれぞれ出力する第２信号ラインと、
前記基板の周辺領域に位置し、閉ループ状の第１メタル部、前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第１及び第２信号ラインと向い合う第２メタル部、及び前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第２信号ラインと向い合い、前記入力端子及び前記第２ポートが備えられた領域で第２メタル部と所定の距離離隔され、前記第２ポートと電気的に接続された第３メタル部とを含む接地部と、
前記第１及び第２信号ラインと前記接地部との間に介在された誘電体と、
前記接地部の上部に備えられ、前記第３メタル部と電気的に接続された第１電極部、及び前記第１電極部の上部で前記第１電極部から所定の距離離隔して位置し、前記第２メタル部と電気的に接続された第２電極部を有するコンデンサと、
を含むことを特徴とするバラン。
【請求項２４】
基板と、
第１端部に形成され入力信号を受信する第１ポート、及び前記第１端部と対向する第２端部に形成されて前記第１ポートから受信された前記入力信号を出力する第２ポートを有し、前記基板上に形成されて前記入力信号を伝送する第１信号ラインと、
前記基板上で前記第１信号ラインと隣接に位置し、前記基板の中央を横切り、前記第２ポートと隣接した領域に形成されて前記第２ポートから前記入力信号を受信する入力ポートを有し、両端部は前記入力信号に対応して相異なる位相を有する第１及び第２出力信号をそれぞれ出力する第２信号ラインと、
前記基板の周辺領域に位置し、閉ループ状の第１メタル部、前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第１及び第２信号ラインと向い合う第２メタル部、及び前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第２信号ラインと向い合い、前記入力端子及び前記第２ポートが備えられた領域で第２メタル部と所定の距離離隔され、前記第２ポートと電気的に接続された第３メタル部を含む接地部と、
前記第１及び第２信号ラインと前記接地部との間に介在された誘電体と、
前記接地部の上部に備えられ、前記第３メタル部から所定の距離離隔して位置する第３電極部、及び前記第３電極部から延長され、前記第２メタル部と接続されて前記第２メタル部及び前記第３電極部を電気的に接続する第４電極部を有するコンデンサと、
を含むことを特徴とするバラン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバランに関し、詳細には、全体の大きさの減少及び使用帯域幅を向上させることのできるバランに関する。
【背景技術】
【０００２】
バラン(Balunce to unbalance : Balun)は、不平衡信号(Unbalanced signal)を平衡信号(Balanced signal)に変換したり、反対に平衡信号を不平衡信号に変換する回路である。
図１は従来のバランを示した斜視図であり、図２は図１の切断線I-I'に沿った断面図である。
図１及び図２を参照すれば、従来のバラン９０は、ベース基板１０、接地電極２０、第１及び第２出力ライン３０、４０、第１及び第２導電部５０、６０、入力ライン７０、及び誘電層８０を含む。
具体的に、ベース基板１０の下部面には接地電極２０が備えられ、ベース基板１０の上部面には第１及び第２出力ライン３０、４０と入力ライン７０が備えられる。接地電極２０はベース基板１０の下部面の全体をカバーする。
【０００３】
第１及び第２出力ライン３０、４０は、互いに所定の距離離隔して位置し、ベース基板１０を横切る中心線を基準にして向い合っている。第１及び第２出力ライン３０、４０は「¬」形状でパターニングされる。
第１出力ライン３０の一端部には入力ライン７０から受信された入力信号に対応して第１出力信号を出力する第１出力端子ＯＰ１が備えられる。第２出力ライン４０の一端部には入力ライン７０から受信された入力信号に対応して第２出力信号を出力する第２出力端子ＯＰ２が備えられる。ここで、第１及び第２出力端子ＯＰ１、ＯＰ２は互い隣接に位置する。
【０００４】
第１及び第２導電部５０、６０は、第１及び第２出力ライン３０、４０と接地電極２０とを電気的に接続する。
すなわち、第１導電部５０は、接地電極２０と第１出力ライン３０との間に介在される。なお、ベース基板１０は一部が除去され形成された第１ビアホールを有し、第１導電部５０は第１ビアホールに備えられ接地電極２０及び第１出力ライン３０と電気的に接続される。これで、第１出力ライン３０は接地電極２０と電気的に接続される。
第２導電部６０は接地電極２０と第２出力ライン４０との間に介在される。ここで、ベース基板１０は、一部が除去され形成された第２ビアホールを有し、第２導電部６０は第２ビアホールに備えられ接地電極２０及び第２出力ライン４０と電気的に接続される。これで、第２出力ライン４０は接地電極２０と電気的に接続される。
【０００５】
一方、入力ライン７０は第１及び第２出力ライン３０、４０の上部に備えられる。入力ライン７０は、第１出力ライン３０と隣接した端部に外部からの入力信号を受信する入力端子(ＩＰ)が備えられている。
第１及び第２出力ライン３０、４０の形成されたベース基板１０の上部面には誘電層８０が備えられる。誘電層８０は、第１及び第２出力ライン３０、４０と入力ライン７０との間に介在される。
【０００６】
入力端子(ＩＰ)に不平衡信号が入力されれば、不平衡信号は第１及び第２出力ライン３０、４０に入力され、第１及び第２出力端子ＯＰ１、ＯＰ２は不平衡信号を平衡信号に切替えて第１及び第２出力信号を出力する。ここで、第１及び第２出力ライン３０、４０は入力信号が１/２ずつそれぞれ分離された信号を出力する。
【０００７】
このように、入力信号がそれぞれ１/２ずつ同一に分離して出力され、第１及び第２出力信号の位相差は約１８０°となる。このために、第１出力ライン３０の上部に位置する入力ライン７０の長さは入力波長のおよそλ/４を満足し、第２出力ライン４０の上部に位置する入力ライン７０の長さも入力波長のおよそλ/４を満足しなければならない。また、これと同様に、第１及び第２出力ライン３０、４０は入力ライン７０と向い合う部分の長さが入力波長のおよそλ/４を満足しなければならない。
このように、バラン９０は、不平衡信号の入力を受けて第１及び第２出力端子ＯＰ１、ＯＰ２でそれぞれ平衡信号を出力するために入力ライン７０及び第１及び第２出力ライン３０、４０は互いに向い合う部分の長さがそれぞれおよそλ/４を満足しなければならない。
さらに、バラン９０は、マッチングする周波数帯域の拡張のために入力ライン７０及び第１及び第２出力ライン３０、４０の長さをそれぞれ延ばさなければならない。このことから、バラン９０は全体の大きさを減らすのに限界がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上述した問題点を解決するために案出され、本発明の目的は、伝送線路の長さを減らし全体の大きさを減少させるとともに広帯域マッチングが可能なバランを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した目的を達成するための１つの特徴に係るバランは、基板と、前記基板上に形成され、入力信号を伝送する第１信号ラインと、前記基板上において前記第１信号ラインと同一層に備えられ、前記第１信号ラインから前記入力信号を受信し位相の相異なる第１及び第２出力信号を出力する第２信号ラインと、前記基板上において前記第１及び第２信号ラインと異なる層に備えられ、前記第２信号ラインの前記第１出力信号が伝送される経路と、前記第２信号ラインの前記第２出力信号が伝送される経路との間の電位差を形成するように一部分が除去され形成された開口部を有し、前記第１信号ラインと電気的に接続された接地部と、前記第１及び第２信号ラインと前記接地部との間に介在された第１誘電体と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
好ましくは、前記第１信号ラインが、外部から前記入力信号を受信する第１ポートと、前記第１ポートと向かい合って備えられ、前記第１ポートを介して受信された前記入力信号を前記第２信号ラインに出力する第２ポートと、を含む。
さらに好ましくは、前記第１ポート及び前記接地部を互いに電気的に接続する第１導電部を更に含む。ここで、前記誘電体は前記第２ポートと前記接地部とが相互重畳される領域で一部分が除去され形成された第１ビアホールを有する。前記第１導電部は前記第１ビアホールを介して前記第１ポート及び前記接地部と電気的に接続される。
一方、前記接地部が、前記基板の周辺領域に位置し、閉ループ状の第１メタル部と、前記第１メタル部から延長され、前記第１及び第２信号ラインと向い合う第２メタル部と、前記第１メタル部から延長され、前記第１ポート及び前記入力ポートと対応する領域で前記第２メタル部と所定の距離離隔して位置し、前記第１信号ラインと向い合う第３メタル部と、を含む。
好ましくは、前記第２メタル部は、前記第１導電部を介して前記第２ポートと電気的に接続される。
なお、前記第２メタル部及び第３メタル部は、前記第１メタル部から延長され形成された少なくとも１つのブランチを有することができる。
さらに、前記接地部が、前記第１導電部を介して前記第２ポートと電気的に接続される第１接地部と、前記第１接地部の上部に離隔配置される第２接地部と、前記第１及び第２接地部を電気的に接続し、前記第２接地部が前記第１接地部の上部に離隔配置されるよう支持する導電部材と、を有して形成することもできる。
一方、前記第１信号ラインは、前記第１ポートの形成された領域幅が第１ポートを除いた領域の幅より厚く形成される。
好ましくは、前記第２信号ラインが、前記第２ポートと相互隣接して位置し、前記入力信号を受信する入力ポートと、前記入力ポートから延長され、前記第１信号ラインと隣接に位置し、前記第１出力信号を出力する第１出力ラインと、前記入力ポートから前記第１出力ラインと相異なる方向に延長され、前記第２出力信号を出力する第２出力ラインと、を含む。
より好ましくは、前記入力ポートは、前記第２信号ラインの中央部に位置し、前記第１信号ラインの長さは、前記入力ポート及び前記第１出力ラインの長さの和と同一であることがよい。
前記第１出力信号と前記第２出力信号の間の位相差は、約１８０°で形成される。
【００１１】
さらに、バランは、前記接地部の上部に備えられ、前記接地部と電気的に接続された少なくとも１つのコンデンサを更に含むことができる。
好ましくは、前記コンデンサが、前記接地部の上部に備えられ、前記第２領域で前記接地部と電気的に接続された第１電極部と、前記第１電極部の上部に備えられ、前記第１領域で前記接地部と電気的に接続された第２電極部と、を含む。
より好ましくは、バランは、前記接地部と前記第１電極部との間に介在された第２誘電体と、前記第１電極部と前記第２電極部との間に介在された第３誘電体と、を更に含むことができる。
なお、前記第２誘電体は、前記第２領域において前記接地部を部分的に露出するよう一部が除去され形成された第２ビアホールを有し、前記第３誘電体は、前記第１領域において前記接地部を部分的に露出するよう一部分が除去され形成された第３ビアホールを有し、前記第１電極部は前記第２ビアホールを介して前記接地部と電気的に接続し、前記第２電極部は前記第３ビアホールを介して前記接地部と電気的に接続する。
より好ましくは、バランは、前記第２ビアホールに備えられて前記第１電極部及び前記接地部を電気的に接続する第２導電部と、前記第３ビアホールに備えられて前記第２電極部及び前記接地部を電気的に接続する第３導電部と、を更に含むことができる。
さらに、前記第１電極部は、前記第３導電部と対応する領域が取除かれ、前記第３導電部と絶縁されて位置することが好ましい。
一方、前記コンデンサは、前記接地部の上部から前記第１及び第２領域にかけて形成された第３電極部と、前記第３電極部から前記第３電極部と直交している方向に延長されて、前記第１領域に位置し、前記接地部と接続され前記接地部及び前記第３電極部を電気的に接続する第４電極部と、を含むことを特徴とする。ここで、前記第４電極部は、前記第３電極部と一体に形成される。
好ましくは、バランは、前記第３電極部と前記接地部との間に介在された第４誘電体を更に含むことができる。
【００１２】
さらに、前述した本発明の目的を実現するための１つの特徴に係るバランは、基板と、第１端部に形成され入力信号を受信する第１ポート、及び前記第１端部と対向する第２端部に形成され前記第１ポートから受信された前記入力信号を出力する第２ポートを有し、前記基板上に形成され前記入力信号を伝送する第１信号ラインと、前記基板上で前記第１信号ラインと隣接に位置し、前記基板の中央部を横切り、前記第２ポートと隣接した領域に形成されて前記第２ポートから前記入力信号を受信する入力ポートを有し、両端部は前記入力信号に対応して相異なる位相を有する第１及び第２出力信号をそれぞれ出力する第２信号ラインと、前記基板の周辺領域に位置し、閉ループ状の第１メタル部、前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第１及び第２信号ラインと向い合う第２メタル部、及び前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長されて、前記第２信号ラインと向い合い、前記入力端子及び前記第２ポートが備えられた領域で第２メタル部と所定の距離離隔され、前記第２ポートと電気的に接続された第３メタル部を含む接地部と、前記第１及び第２信号ラインと前記接地部との間に介在された誘電体と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
さらに、前述した目的を実現するための１つの特徴に係るバランは、基板と、第１端部に形成され入力信号を受信する第１ポート、及び前記第１端部と対向する第２端部に形成されて前記第１ポートから受信された前記入力信号を出力する第２ポートを有し、前記基板上に形成され前記入力信号を伝送する第１信号ラインと、前記基板上で前記第１信号ラインと隣接に位置し、前記基板の中央を横切り、前記第２ポートと隣接した領域に形成され前記第２ポートから前記入力信号を受信する入力ポートを有し、両端部は前記入力信号に対応して相異なる位相を有する第１及び第２出力信号をそれぞれ出力する第２信号ラインと、前記基板の周辺領域に位置し、閉ループ状の第１メタル部、前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第１及び第２信号ラインと向い合う第２メタル部、及び前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第２信号ラインと向い合い、前記入力端子及び前記第２ポートが備えられた領域で第２メタル部と所定の距離離隔され、前記第２ポートと電気的に接続された第３メタル部とを含む接地部と、前記第１及び第２信号ラインと前記接地部との間に介在された誘電体と、前記接地部の上部に備えられ、前記第３メタル部と電気的に接続された第１電極部、及び前記第１電極部の上部で前記第１電極部から所定の距離離隔して位置し、前記第２メタル部と電気的に接続された第２電極部を有するコンデンサと、を含む。
【００１４】
さらに、本発明の目的を実現するための１つの特徴に係るバランは、基板と、第１端部に形成され入力信号を受信する第１ポート、及び前記第１端部と対向する第２端部に形成されて前記第１ポートから受信された前記入力信号を出力する第２ポートを有し、前記基板上に形成されて前記入力信号を伝送する第１信号ラインと、前記基板上で前記第１信号ラインと隣接に位置し、前記基板の中央を横切り、前記第２ポートと隣接した領域に形成されて前記第２ポートから前記入力信号を受信する入力ポートを有し、両端部は前記入力信号に対応して相異なる位相を有する第１及び第２出力信号をそれぞれ出力する第２信号ラインと、前記基板の周辺領域に位置し、閉ループ状の第１メタル部、前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第１及び第２信号ラインと向い合う第２メタル部、及び前記第１メタル部から前記基板の中心側に延長され、前記第２信号ラインと向い合い、前記入力端子及び前記第２ポートが備えられた領域で第２メタル部と所定の距離離隔され、前記第２ポートと電気的に接続された第３メタル部を含む接地部と、前記第１及び第２信号ラインと前記接地部との間に介在された誘電体と、前記接地部の上部に備えられ、前記第３メタル部から所定の距離離隔して位置する第３電極部、及び前記第３電極部から延長され、前記第２メタル部と接続されて前記第２メタル部及び前記第３電極部を電気的に接続する第４電極部を有するコンデンサと、を含むことを特徴とする。
【００１５】
かかるバランによると、接地部をパターニングして第１出力信号側と第２出力信号側との間の電位差を形成することによって、出力ラインの長さが入力波長のλ/４を満足しなくても、第１および第２出力信号間の位相差を約１８０°に形成することができることから、バランの全体サイズを減少させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、バランは入力ライン及び出力ラインを同一層に形成して、入力ライン及び出力ラインの上部層に開口された形状の第２パターン部を有する接地部を形成する。接地部の第１パターン部は第１出力ラインの上部に位置する第２メタル部、及び第２出力ラインの上部に位置する第３メタル部を含む。第３メタル部は入力ラインと電気的に接続され、第２メタル部と電位差が所定の間隔離隔される。これによって、第２及び第３メタル部の間の電位差が発生する。よって、第１及び第２出力ラインの長さが入力波長のλ/４より小さく形成されても、第１及び第２出力信号の位相差を約１８０°で形成することができるので、バランの全体の大きさが減少され得る。
また、バランは接地部の上部に形成されたコンデンサを利用し全体のキャパシタンス値を調節することができる。これによって、バランはコンデンサの大きさを増加させ中心周波数を減少させることができることから、全体の大きさが減少され得る。
さらに、バランは接地部の第２パターン部の大きさを調節しバランのインダクタンスサイズを増大させてマッチングされる周波数範囲の拡張を図ることができると共に、接地部を積層構造で形成することで接地部の第２パターン部のサイズ増加によるバランの全体サイズ増加の不都合を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付した図面を参照して、本発明について詳説する。
＜実施形態＞
図３は本発明の第１の実施形態に係るバランを示した斜視図であり、図４は図３に図示されたバランの平面図である。
図３及び図４に示すように、バラン１００は、ベース基板１１０、入力ライン１２０、出力ライン１３０、接地部１４０、及び第１誘電層１５０を含んでなる。
詳細に、ベース基板１１０は、シリコンなどのような絶縁物質で形成される。
ベース基板１１０上には入力ライン１２０が具備される。入力ライン１２０はベース基板１１０の中央部を横切り、外部からの入力信号を受信して出力ライン１３０に提供する。入力ライン１２０の第１端部には第１ポート(Ｐ１)が備えられ、第１端部と対向する第２端部には第２ポート(Ｐ２)が備えられる。
第１ポート(Ｐ１)は外部からの入力信号を受信し、第２ポート(Ｐ２)は入力信号を出力して出力ライン１３０に提供する。ここで、第２ポート(Ｐ２)の幅は入力ライン１２０の他の領域より広く形成される。
【００１８】
一方、出力ライン１３０はベース基板１１０上に備えられ、入力ライン１２０から所定の距離離隔して位置する。出力ライン１３０は、入力ライン１２０の第２ポート(Ｐ２)と隣接に位置する入力ポート(Ｐ３)、及び入力ポート(Ｐ３)の両側にそれぞれ位置する第１及び第２出力ライン１３１、１３３を含む。
入力ポート(Ｐ３)は出力ライン１３０の中央部に位置し、入力ポート(Ｐ３)の幅は第１及び第２出力ライン１３１、１３３の幅より広く形成される。入力ポート(Ｐ３)は、第２ポート(Ｐ２)からの入力信号を受信して第１及び第２出力ライン１３１、１３３に提供する。
第１出力ライン１３１は入力ライン１２０と隣接に位置し、入力ポート(Ｐ３)から入力ライン１２０の長手方向に延長されるよう形成される。第１出力ライン１３１は入力ライン１２０と平行に配置され、入力ライン１２０から所定の間隔離隔して位置する。第１出力ライン１３１の端部には第１出力ポート(Ｐ４)が具備される。第１出力ポート(Ｐ４)は第１ポート(Ｐ１)と隣接に位置し、入力信号に対応する第１出力信号を出力する。
第２出力ライン１３３は入力ポート(Ｐ３)から延長されるよう形成され、入力ポート(Ｐ３)を挟んで第１出力ライン１３１と向い合うよう位置する。第２出力ライン１３３の端部には第２出力ポート(Ｐ５)が備えられる。第２出力ポート(Ｐ５)は入力信号に対応する第２出力信号を出力する。
【００１９】
第１及び第２出力信号の出力過程に対しては、まず、第１ポート(Ｐ１)から入力された入力信号は入力ライン１２０に沿って伝送され、第２ポート(Ｐ２)を介して出力される。第２ポート(Ｐ２)から出力された入力信号は第２ポート(Ｐ２)と出力ライン１３０の入力ポート(Ｐ３)との間に形成された離隔空間を介して入力ポート(Ｐ３)に入力される。なお、第１及び第２出力信号間の位相差は約１８０°程度である。これによって、第１及び第２出力ライン１３１、１３３は入力ポート(Ｐ３)から受信された入力信号を１/２ずつ分離して第１及び第２出力信号を出力する。
【００２０】
図５は図４の切断線ＩＩ−ＩＩ’に沿った断面図である。
図４及び図５に示すように、接地部１４０は入力ライン１２０及び出力ライン１３０の上部に具備される。接地部１４０は入力ライン１２０と電気的に接続される第１パターン部、及び一部が除去され形成された第２パターン部を有する。ここで、特許請求の範囲に記載された開口部は第２パターン部を意味する。
接地部１４０の第１パターン部は、ベース基板１１０の周辺領域に形成された第１メタル部１４１、この第１メタル部１４１から延長された第２メタル部１４３、及び第１メタル部１４１から延長された第３メタル部１４５を含む。
第１メタル部１４１は閉ループ状に形成される。
第２メタル部１４３は第１メタル部１４１からベース基板１１０の中心側に延長されて形成される。第２メタル部１４３は入力ライン１２０及び第１出力ライン１３１の上部に位置する。
第３メタル部１４５は、第１メタル部１４１からベース基板１１０の中心側に延長されて形成され、第２出力ライン１３３の上部に位置する。
【００２１】
図６は図３に図示されたＡ部分を拡大した斜視図である。
図４及び図６に示すように、第３メタル部１４５は、第２メタル部１４３と向い合い、第２メタル部１４３から所定の間隔離隔して位置する。これで、第２メタル部１４３及び第３メタル部１４５間の電位差が発生し、これによって第１出力ポート(Ｐ４)と第２出力ポート(Ｐ５)との間の位相差が発生し、入力信号が第１及び第２出力ライン１３１、１３３にそれぞれ半分ずつ分離して入力される。
第２及び第３メタル部１４３、１４５が離隔された空間を介して第２ポート(Ｐ２)及び入力ポート(Ｐ３)が一部露出する。第３メタル部１４５の端部は第２ポート(Ｐ２)と電気的に接続され、接地部１４０が入力ライン１２０と電気的に接続されるようになる。ここで、接地部１４０が入力ライン１２０と電気的に接続されても第２メタル部１４３と第３メタル部１４５が相互離隔して位置していることから、入力信号がすべて接地部１４０へ誘導されない。ここで、第２メタル部１４３及び第３メタル部１４５間の距離はバラン１００のキャパシタンス(Capacitance)値を決定付ける。
第２パターン部(ＯＰ)は第１ないし第３メタル部１４１、１４３、１４５によって定義される。第２パターン部(ＯＰ)の大きさはバラン１００のインダクタンス値を決定付ける。
この実施形態において、第２パターン部(ＯＰ)の形状は「Ｉ」状を有するが、第１ないし第３メタル部１４１、１４３、１４５の形状によってダンベル形状、螺旋形状などといった様々な形状で形成され得る。
【００２２】
図４及び図５に示すように、入力ライン１２０及び出力ライン１３０が形成されたベース基板１１０上には第１誘電層１５０が形成される。第１誘電層１５０は、入力ライン１２０及び出力ライン１３０と接地部１４０との間に介在される。第１誘電層１５０は窒化アルミニウム(Aluminum Nitride : AlN)や酸化シリコン(ＳｉＯ２)のような絶縁物質からなる。
一方、バラン１００は入力ライン１２０と接地部１４０を電気的に接続する第１導電部１６０を更に含む。
図６に図示されたように、第１導電部１６０は第２ポート(Ｐ２)と第３メタル部１４５との間に介在されて、第２ポート(Ｐ２)と第３メタル部１４５を電気的に導電させる。ここで、第１誘電層１５０は、第２ポート(Ｐ２)を一部露出するよう部分的に除去されるよう形成された第１ビアホール(ＶＨ１)を有し、第１導電部１６０は第１ビアホール(ＶＨ１)に形成される。
このように、第２ポート(Ｐ２)及び第３メタル部１４５は、第１導電部１６０によって相互ショート(short)されることから、入力ライン１２０に入力された入力信号が第１ポート(Ｐ１)側に再度出力されず、第２ポート(Ｐ２)を介して出力ライン１３０に入力されるようになる。
【００２３】
上述したように、本発明に係るバラン１００は、入力ライン１２０と出力ライン１３０とが同一層に備えられ、入力ライン１２０及び出力ライン１３０の上部層に形成された接地部１４０は第１出力ライン１３１側と第２出力ライン１３３側の間の電位差を形成するように所定の形状でパターニングされる。これによって、出力ライン１３０は第１出力ポート(Ｐ４)で出力される第１出力信号と第２出力ポート(Ｐ５)で出力される第２出力信号との間の約１８０°程度の位相差が発生する。従って、第１及び第２出力ライン１３１、１３３の長さがそれぞれ入力波長のλ/４より小さく形成されても、入力信号が同一に分離した第１及び第２出力信号を出力できることから、バラン１００の全体サイズの減少を図ることができる。
【００２４】
図７は、図４における第１及び第２出力端子からそれぞれ出力された出力信号の位相を示したグラフであり、図８は図４に図示された第１及び第２出力端子で出力された出力信号の大きさを示したグラフである。
図４、図７及び図８に示すように、第１出力信号(Ｓ４１)は、第１ポート(Ｐ１)から入力されて第１出力ポート(Ｐ４)を介して出力される。第２出力信号(Ｓ５１)は、第１ポート(Ｐ１)から入力され第２出力ポート(Ｐ５)を介して出力される。
周波数が約２ＧＨｚである時、第１出力信号(Ｓ４１)の位相は約０°であり、第２出力信号(Ｓ５１)の位相は約１８０°であり、また、第１及び第２出力信号(Ｓ４１、Ｓ５１)の大きさ(magnitude)はそれぞれ約−３ｄＢ程度である。すなわち、第１及び第２出力信号(Ｓ４１、Ｓ５１)は、位相差が約１８０°であり、入力信号の半分が第１出力信号(Ｓ４１)に出力されるし、残り半分が第２出力信号(Ｓ５１)に出力される。
このように、バラン１００は、不平衡信号(Unbalanced signal)である入力信号を平衡信号である第１及び第２出力信号(Ｓ４１、Ｓ５１)に変更して出力する。
【００２５】
図９は本発明の第２の実施形態に係るバランを示した平面図であり、図１０は図９の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩ'に沿った断面図である。
図９及び図１０に示すように、本発明によるバラン２００は、コンデンサ２１０、第２誘電層２２０、第３誘電層２３０、第２導電部２４０、及び第３導電部２５０以外は図３に図示されたバラン１００の構造と同一である。従って、以下のバラン２００の構成要素に対する説明において、図３に図示されたバラン１００と同一機能をする構成要素に対しては参照番号を併記すると共にそれに対する詳説は省略する。
【００２６】
バラン２００は、ベース基板１１０、入力ライン１２０、出力ライン１３０、接地部１４０、第１ないし第３誘電層１５０、２２０、２３０、コンデンサ２１０、及び第１ないし第３導電部１６０、２４０、２５０を含む。
具体的に、ベース基板１１０上には入力ライン１２０及び出力ライン１３０が形成される。入力ライン１２０は外部から入力信号を受信して出力ライン１３０に提供し、出力ライン１３０は入力信号に応じて第１及び第２出力信号を出力する。
入力ライン１２０及び出力ライン１３０の形成されたベース基板１１０上には第１誘電層１５０が形成され、第１誘電層１５０上には接地部１４０が形成される。誘電層１５０は部分的に除去され形成された第１ビアホール(ＶＨ１)を有し、この第１ビアホール(ＶＨ１)には第１導電部１６０が形成されている。第１導電部１６０は入力ライン１２０と接地部１４０との間に介在されて入力ライン１２０と接地部１４０を電気的に接続させる。
【００２７】
以下、図面に基づいて、コンデンサ２１０の構成について具体的に説明する。
図１１は、図９に図示されたＢ部分の拡大斜視図である。
図１０及び図１１を参照すると、接地部１４０の上部にはコンデンサ２１０が形成されている。コンデンサ２１０はベース基板１１０の中央部に位置し、接地部１４０と電気的に接続される。
コンデンサ２１０は、第２及び第３メタル部１４３、１４５の上部に位置する第１電極部２１１、及びこの第１電極部２１１の上部に位置する第２電極部２１３を備えてなる。
接地部１４０と第１電極部２１１との間には第２誘電層２２０が形成され、第１電極部２１１と第２電極部２１３との間には第３誘電層２３０が形成されている。ここで、第１ないし第３誘電層１５０、２２０、２３０はベース基板１１０の全領域にわたって蒸着され、窒化アルミニウム(Aluminum Nitride : AlN)や酸化シリコン(ＳｉＯ２)のような絶縁物質からなる。
第２誘電層２２０は、第３メタル部１４５を部分的に露出すべく一部が除去されることにより形成された第２ビアホール(ＶＨ２)を有する。第２ビアホール(ＶＨ２)には第２導電部２４０が形成される。第２導電部２４０は第３メタル部１４５及び第１電極部２１１を互い電気的に接続する。
第１電極部２１１、第２及び第３誘電層２２０，２３０は、第２メタル部１４３を部分的に露出するよう一部が除去された第３ビアホール(ＶＨ３)を有する。第３ビアホール(ＶＨ３)には第３導電部２５０が形成される。第３導電部２５０は、第２メタル部１４３及び第２電極部２１３を相互電気的に接続させる。ここで、第１電極部２１１に形成された第３ビアホール(ＶＨ３)の幅は第３導電部２５０の幅より広く形成される。これにより、第１電極部２１１は第３導電部２５０と相互接触されず、これによって第１電極部２１１及び第３導電部２５０は互いに絶縁されている。
【００２８】
コンデンサ２１０は、第１及び第２電極部２１１，２１３の大きさに応じてキャパシタンス値が決定され、これによりバラン２００のキャパシタンス値が決定される。すなわち、コンデンサ２１０は、第１及び第２電極部２１１，２１３の大きさが増大するほどキャパシタンス値が大きくなり、これによってバラン２００のキャパシタンス値が大きくなる。
バラン２００は、キャパシタンス値が増加すれば共振周波数は減少することから、全体の大きさの減少を図ることができる。
このように、バラン２００は、キャパシタンス値に応じて中心周波数を調節することができるので、コンデンサ２１０の大きさを調節しバラン２００の中心周波数または全体の大きさを調節することができる。
【００２９】
図１２は、本発明の第３実施形態に係るバランを示した斜視図であり、図１３は図１２の切断線IV―IV'に沿った断面図である。
図１２及び図１３に基づくと、本発明に係るバラン３００はコンデンサ３１０及び第４誘電層３２０以外は図３に示されたバラン１００と同一構造を有する。従って、以下のバラン３００の構成要素に対する説明において、図３に図示されたバラン１００と同一機能を行なう構成要素に対して参照番号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。
バラン３００は、ベース基板１１０、入力ライン１２０、出力ライン１３０、接地部１４０、第１及び第４誘電層１５０、３２０、第１導電部１６０及びコンデンサ３１０を含む。
具体的に、ベース基板１１０上には入力ライン１２０及び出力ライン１３０が形成されている。入力ライン１２０は外部から入力信号を受信して出力ライン１３０に提供し、出力ライン１３０は入力信号に対応して第１及び第２出力信号を出力する。
入力ライン１２０及び出力ライン１３０の形成されたベース基板１１０ 上には第１誘電層１５０が形成され、第１誘電層１５０の上部には接地部１４０が形成されている。誘電層１５０は、部分的に除去されて形成された第１ビアホール(ＶＨ１)を有し、第１ビアホール(ＶＨ１)には第１導電部１６０が形成されている。第１導電部１６０は、入力ライン１２０と接地部１４０との間に介在され、入力ライン１２０と接地部１４０を電気的に接続する。
【００３０】
以下、図面に基づいてコンデンサ３１０の構成に対して詳説する。
図１４は、図１２に示されたＣ部分の拡大斜視図である。
図１３及び図１４に基づくと、接地部１４０の上部にはコンデンサ３１０が形成されている。コンデンサ３１０は、接地部１４０の第３メタル部１４５上に位置する第３電極部３１１及びこの第３電極部３１１と第２メタル部１４３を電気的に接続する第４電極部３１３を含んでなる。第４電極部３１３は第３電極部３１１から延長形成され、第２メタル部１４３と接続される。接地部１４０と第３電極部３１１との間には第４誘電層３２０が備えられている。第４誘電層３２０は、第２メタル部１４３の端部を露出するよう一部が除去された第４ビアホール(ＶＨ４)を有する。第４電極部３１３は第４ビアホール(ＶＨ４)に形成されて、第２メタル部１４３と電気的に接続される。これによって、第３メタル部１４５と第３電極部３１１との間にキャパシタンスが形成される。ここで、コンデンサ３１０のキャパシタンス値は第３電極部３１１の大きさに応じて決定される。すなわち、コンデンサ３１０は第３電極部３１１の大きさが増大するほどキャパシタンス値が大きくなり、これによってバラン３００のキャパシタンス値が増加される。
バラン３００は、キャパシタンス値が増加すれば共振周波数が減少するので、全体の大きさを減少させ得る。
このように、バラン３００はキャパシタンス値に応じて中心周波数を調節することができることから、コンデンサ３１０の大きさを調節しバラン３００の中心周波数または全体の大きさを調節することができる。
【００３１】
図１５は本発明の第４実施形態に係るバランを示した斜視図であり、図１６は図１５に図示された出力端子で出力された出力信号の大きさを示したグラフである。
図１５を参照すれば、本発明によるバラン４００は、接地部１４０の形状以外は図３に示したバラン１００と同一構造を有する。よって、以下はバラン４００の構成要素に対する説明において、図３に図示されたバラン１００と同一機能を行なう構成要素に対しては同一参照番号を与え、また、それに対する詳説は省略する。
バラン４００は、ベース基板１１０、入力ライン１２０、出力ライン１３０、接地部１４０、及び第１誘電層１５０を含む。
詳細には、ベース基板１１０上には入力ライン１２０及び出力ライン１３０が形成される。入力ライン１２０は外部から入力信号を受信して出力ライン１３０に提供し、出力ライン１３０は入力信号に対応して第１及び第２出力信号を出力する。
入力ライン１２０及び出力ライン１３０の形成されたベース基板１１０上には第１誘電層１５０が形成されており、第１誘電層１５０の上部には接地部１４０が形成されている。誘電層１５０は部分的に除去された第１ビアホール(ＶＨ１)を有し、第１ビアホール(ＶＨ１)には第１導電部１６０が形成されている。第１導電部１６０は、入力ライン１２０と接地部１４０との間に介在されて入力ライン１２０と接地部１４０を電気的に接続する。
【００３２】
接地部１４０は、入力ライン１２０と電気的に接続される第１パターン部、及び一部分が除去形成された第２パターン部を有する。接地部１４０の第１パターン部は、ベース基板１１０の周辺領域に形成された第１メタル部１４１、この第１メタル部１４１から延長された少なくとも１つのブランチ(branch)１４３a,．．．,１４３eから構成された第２メタル部、及び第１メタル部１４１から延長された少なくとも１つのブランチ１４５a,．．．,１４５eで構成された第３メタル部を含む。
第１メタル部１４１は閉ループ状に形成されている。
第２メタル部の各ブランチ１４３a,．．．,１４３eは、第１メタル部１４１からベース基板１１０の中心側に延びて形成されている。
第３メタル部の各ブランチ１４５a,．．．,１４５eは第１メタル部１４１からベース基板１１０の中心側に延びて形成され、第２メタル部の各ブランチ１４３a,．．．,１４３eとそれぞれ向かい合って形成される。
詳細には、第３メタル部のブランチ１４５a,．．．,１４５eは、第２メタル部の各ブランチ１４３a,．．．,１４３eと向い合い、第２メタル部の各ブランチ１４３a,．．．,１４３eから所定の間隔離隔して位置する。例えば、１つの第３メタル部の第１ブランチ１４５aは第２メタル部の第１ブランチ１４３aと所定の間隔離隔し向かい合っている。
また、第２及び第３メタル部における所定のブランチ、例えば、第２及び第３メタル部の第３ブランチ１４３c、１４５cは入力ライン１２０と第１出力ライン１３１及び第２出力ライン１３３の上部にそれぞれ位置するように形成される。これで、第２メタル部の各ブランチ１４３a,．．．,１４３e及び第３メタル部の各ブランチ１４５a,．．．,１４５eの間の電位差が発生するようになり、これによって第１出力ポート(Ｐ４) 及び第２出力ポート(Ｐ５)の間の位相差が発生して入力信号が第１及び第２出力ライン１３１、１３３へそれぞれ半分ずつ分離入力される。
【００３３】
図面に図示されたＤ部分は、図３におけるＡ部分と実際に同一に形成される。図３のＡ部分を拡大した図６および図１５を参照すれば、第２及び第３メタル部１４３、１４５が離隔された空間を介して第２ポート(Ｐ２)及び入力ポート(Ｐ３)が一部露出されている。第３メタル部１４５の端部は第２ポート(Ｐ２)と第１導電部１６０を介して電気的に接続され、これによって接地部１４０は入力ライン１２０と電気的に接続される。なお、接地部１４０が入力ライン１２０と電気的に接続しても第２メタル部１４３と第３メタル部１４５が相互離隔して位置していることから、入力信号の全部が接地部１４０に誘導されない。ここで、第２メタル部１４３及び第３メタル部１４５の間の距離はバラン４００のキャパシタンス値を決定付ける。
第２パターン部(ＯＰ)は、第１ないし第３メタル部１４１、１４３、１４５によって定義され、第２パターン部(ＯＰ)の大きさはバラン１００のインダクタンス値を決定付ける。
この実施形態において、開口部(ＯＰ)は Ｉ形状の繰り返し形成された形を有するか、各メタル部１４１、１４３、１４５の形状によりダンベル形状、螺旋形状など様々な形で形成され得る。
また、この実施形態において、接地部１４０が、図３に示したバランの接地部１４０の形状が繰り返された形状を有し、接地部１４０の第２パターン部(ＯＰ)の大きさを増加させる。このような第２パターン部(ＯＰ)の大きさの増加はバラン４００のインダクタンス値を増加させることとなる。
すなわち、この実施形態によると、バラン４００はキャパシタンス値が第２及び第３メタル部のブランチ１４３a,．．．,１４３e、１４５a,．．．,１４５eの間の距離に応じてキャパシタンス値を増加させることができ、これによって共振周波数が減少することで全体的な大きさが減少される。また、接地部１４０の第２パターン部(ＯＰ)の大きさを増加させバラン４００のインダクタンス値を増加させることで、図１６に示されたように使用周波数帯域(ｆ０)が１.９ＧＨｚに至る広帯域幅を有することができる。従って、バラン１４０の大きさを減少させると同時に広帯域マッチングが可能になる。
【００３４】
図１７は本発明の第５の実施形態に係るバランを示した斜視図であり、図１８は図１７の切断線Ｖ-Ｖ'に沿った断面図であり、図１９は図１７の切断線VI-VI'に沿った断面図である。
図１７ないし図１９に基づくと、本発明に係るバラン５００は、接地部１４０の形状以外は図３に示されたバラン１００と同一構造を有する。以下、バラン５００の構成要素に対する説明において、図３に図示されたバラン１００と同一機能を行なう構成要素に対しては同一参照番号を与え、それに対する詳説は省略する。
バラン５００は、ベース基板１１０、入力ライン１２０、出力ライン１３０、接地部１４０、及び第１誘電層１５０を含んでなる。
具体的に、ベース基板１１０上には入力ライン１２０及び出力ライン１３０が形成される。入力ライン１２０は外部から入力信号を受信して出力ライン１３０に提供し、出力ライン１３０は入力信号に対応して第１及び第２出力信号を出力する。
入力ライン１２０及び出力ライン１３０が形成されたベース基板１１０上には第１誘電層１５０が形成されており、第１誘電層１５０の上部には接地部１４０が形成されている。誘電層１５０は部分的に除去された第１ビアホール(ＶＨ１)を有し、第１ビアホール(ＶＨ１)には第１導電部１６０が形成されている。第１導電部１６０は入力ライン１２０と接地部１４０との間に介在されて入力ライン１２０と接地部１４０を電気的に接続する。
【００３５】
接地部１４０は、第１接地部１４０a、第２接地部１４０b、及び第４導電部１４０cを含む。第１接地部１４０aは入力ライン１２０と第１導電部１６０によって電気的に接続される。第２接地部１４０bは第１接地部１４０aの上部に離隔配置される。第４導電部１４０cは第１及び第２接地部１４０a、１４０bを電気的に接続すると同時に第１接地部１４０a上部に第２接地部１４０bが離隔配置されるように支持する。
また、第１及び第２接地部１４０a、１４０bは、図１５に図示された接地部１４０と実質的に同一形状で形成される。すなわち、第１ないし第３メタル部１４１、１４３、１４５から構成された第１パターン部と第１パターン部によって定義される第２パターン部(ＯＰ)を有し、第２及び第３メタル部１４３、１４５は第１メタル部１４１からベース基板１１０の中心側に延長され形成されたブランチ１４３a,．．．,１４３e、１４５a,．．．,１４５eをそれぞれ有する。
この時、図１７に示されたように、第１接地部１４０aには第２メタル部１４３の第２ないし第４ブランチ１４３b,．．．,１４３dと第３メタル部１４５の第２ないし第４ブランチ１４５b,．．．,１４５dを形成し、第２接地部１４０bには第２メタル部１４３の第１及び第５ブランチ１４３a、１４３eと第３メタル部１４５の第１及び第５ブランチ１４５a、１４５eが形成される。
係る構造で接地部１４０を形成する場合、接地部１４０の第２パターン部(ＯＰ)は図１５に示された接地部１４０の第２パターン部と実質的に同一の大きさを持つようになる。よって、図３に示されたバラン１００の接地部１４０の繰り返された形状によって接地部１４０の第２パターン部(ＯＰ)の大きさが増加され、バラン５００のインダクタンス値が増加されるようになる。
【００３６】
従って、この実施形態によると、バラン５００はキャパシタンス値が第２及び第３メタル部のブランチ１４３a,．．．,１４３e、１４５a,．．．,１４５eの間の距離に応じてキャパシタンス値を増加させ得るとともに、これによって共振周波数が減少することから全体の大きさが減少されるようになる。また、接地部１４０の第２パターン部(ＯＰ)の大きさを増加させてインダクタンス値を増加させることにより、図１６に示されたように使用周波数帯域が１.９ＧＨｚに至る広帯域幅を有することができる。
特に、この実施形態によれば、接地部１４０が図１５に示されたバラン４００の接地部１４０と実際に同一の大きさの第２パターン部を有し、同一インダクタンス値を有することで、図１６に図示されたグラフのように実質的に同一周波数範囲のマッチングが可能となり、接地部１４０が第１接地部１４０aと第２接地部１４０bに積層された構造を有することから、接地部１４０の大きさの増加、すなわち、第２パターン部の大きさの増加によるバラン４００の大きさが増加することを防止する。
さらに、同一の大きさのバランでインダクタンスを可変的に形成することから同一使用周波数帯域を有するバランでその大きさをさらに減少させることができる。
【００３７】
以上で説明した本発明の実施形態は例示的なことに過ぎない。すなわち、他の変形であっても、本発明の技術的な思想を利用しそのまま適用することにより同一効果が獲得できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来のバランを示した斜視図である。
【図２】図１の切断線I-I'に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るバランを示した斜視図である。
【図４】図３に示されたバランを示した平面図である。
【図５】図４の切断線ＩＩ-ＩＩ'に沿った断面図である。
【図６】図３に示されたＡ部分を拡大した斜視図である。
【図７】図４における第１及び第２出力端子からそれぞれ出力された出力信号の位相を示したグラフである。
【図８】図４に示された第１及び第２出力端子から出力された出力信号の大きさを示したグラフである。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るバランを示した平面図である。
【図１０】図９の切断線ＩＩＩ-ＩＩＩ'に沿った断面図である。
【図１１】図９に図示されたＢ部分を拡大した斜視図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るバランを示した斜視図である。
【図１３】図１２の切断線IV-IV'に沿った断面図である。
【図１４】図１２に示されたＣ部分を拡大した斜視図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態に係るバランを示した斜視図である。
【図１６】図１５に示された出力端子から出力された出力信号の大きさを示したグラフである。
【図１７】本発明の第５の実施形態に係るバランを示した斜視図である。
【図１８】図１７の切断線V-V'に沿った断面図である。
【図１９】図１７の切断線VI-VI'に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１００、２００、３００  バラン
１１０  ベース基板
１２０  入力ライン
１３０  出力ライン
１４０  接地部
１５０、２２０、２３０、３２０  誘電層
１６０、２４０、２５０  導電部
２１０、３１０  コンデンサ
【図１】
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【図２】
2007221776.tif 000004
【図３】
2007221776.tif 000005
【図４】
2007221776.tif 000006
【図５】
2007221776.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007221776.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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