(57)【要約】【課題】簡単な製造プロセスで配線を形成し、信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】本発明にかかる配線基板１００の製造方法は、（ａ）界面活性剤を含む界面活性剤層１６を、基板上の第１の領域２８および第２の領域２９に設ける工程と、（ｂ）前記第２の領域に設けられた前記界面活性剤層の一部を除去する工程と、（ｃ）触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって、前記第１の領域に触媒層３２を設ける工程と、（ｄ）前記触媒層上に金属を析出させることによって第１の金属層３６を設ける工程と、（ｅ）前記第２の領域に残存した前記界面活性剤層２６を除去する工程と、を含む。【選択図】図１１
2007103394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）界面活性剤を含む界面活性剤層を、基板上の第１の領域および第２の領域に設ける工程と、
（ｂ）前記第２の領域に設けられた前記界面活性剤層の一部を除去する工程と、
（ｃ）触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって、前記第１の領域に触媒層を設ける工程と、
（ｄ）前記触媒層上に金属を析出させることによって第１の金属層を設ける工程と、
（ｅ）前記第２の領域に残存した前記界面活性剤層を除去する工程と、
を含む、配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ｅ）の後に、
（ｆ）前記第１の領域に金属を析出させることによって第２の金属層を設ける工程を、さらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記工程（ｂ）は、
前記第２の領域に真空紫外放射を照射し、前記界面活性剤層を分解することにより、前記界面活性剤層の一部を除去する、配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記工程（ｅ）は、
前記第２の領域に真空紫外放射を照射し、前記界面活性剤層を分解することにより、前記第２の領域に残存した界面活性剤層を除去する、配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記工程（ｅ）では、
前記第１の金属層をマスクとして用いることにより、前記第１の領域以外の領域に真空紫外放射を照射する、配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記工程（ｃ）において、前記触媒を含む溶液は、さらに他の界面活性剤を含む、配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記界面活性剤層に含まれる前記界面活性剤のイオン価の符号は、前記他の界面活性剤のイオン価の符号と異なる、配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記界面活性剤層に含まれる前記界面活性剤は、カチオン系界面活性剤であり、
前記他の界面活性剤は、アニオン系界面活性剤であり、
前記触媒は、パラジウムを含む、配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記工程（ｂ）において除去される前記界面活性剤層の一部は、前記界面活性剤層の上部である、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル基板に配線を形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、フレキシブル基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをバリヤとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、フレキシブル基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストからの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。
【０００３】
これらの方法によれば、フォトレジストを最終的に除去する点、さらにサブトラクティブ法では金属層の一部を除去する点において、資源及び材料の消費が課題となっていた。また、フォトレジストの形成及び除去工程が必要となるので、製造工程数が多いことが課題となっていた。さらに、配線の寸法精度がフォトレジストの解像度に依存するため、より高精度の配線を形成するには限界があった。
【特許文献１】特開平１０−６５３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、簡単な製造プロセスで配線を形成し、信頼性の高い配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかる配線基板の製造方法は、
（ａ）界面活性剤を含む界面活性剤層を、基板上の第１の領域および第２の領域に設ける工程と、
（ｂ）前記第２の領域に設けられた前記界面活性剤層の一部を除去する工程と、
（ｃ）触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって、前記第１の領域に触媒層を設ける工程と、
（ｄ）前記触媒層上に金属を析出させることによって第１の金属層を設ける工程と、
（ｅ）前記第２の領域に残存した前記界面活性剤層を除去する工程と、
を含む。
【０００６】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｅ）の後に、
（ｆ）前記第１の領域に金属を析出させることによって第２の金属層を設ける工程を、さらに含むことができる。
【０００７】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｂ）は、
前記第２の領域に真空紫外放射を照射し、前記界面活性剤層を分解することにより、前記界面活性剤層の一部を除去することができる。
【０００８】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｅ）は、
前記第２の領域に真空紫外放射を照射し、前記界面活性剤層を分解することにより、前記第２の領域に残存した界面活性剤層を除去することができる。
【０００９】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｅ）では、
前記第１の金属層をマスクとして用いることにより、前記第２の領域（第１の領域以外の領域）に真空紫外放射を照射することができる。
【００１０】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｃ）において、前記触媒を含む溶液は、さらに他の界面活性剤を含むことができる。
【００１１】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記界面活性剤層に含まれる前記界面活性剤のイオン価の符号は、前記他の界面活性剤のイオン価の符号と異なることができる。
【００１２】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記界面活性剤層に含まれる前記界面活性剤は、カチオン系界面活性剤であり、
前記他の界面活性剤は、アニオン系界面活性剤であり、
前記触媒は、パラジウムを含むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
１．配線基板の製造方法
図１〜図１１は、本実施の形態にかかる配線基板１００（図１１参照）の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。
【００１５】
（１）まず、基板１０を用意する。基板１０は、図１に示すように絶縁基板であってもよい。基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。あるいは、基板１０は、光透過性基板（例えば透明基板）であってもよい。基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、基板１０上に金属層を形成する。
【００１６】
次に、基板１０を洗浄する。基板１０の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、図１に示すようにウエット洗浄でもよい。ウエット洗浄は、例えば、基板１０をオゾン水１２（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３００分程度浸漬することで行うことができる。またドライ洗浄は、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板１０の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板１０の液中表面電位が負電位であれば、基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。
【００１７】
（２）次に、図２に示すように、基板１０を界面活性剤溶液１４に浸漬する。界面活性剤溶液１４は、第１の界面活性剤を含む。第１の界面活性剤としては、カチオン系界面活性剤またはアニオン系界面活性剤を含む。基板１０の表面の液中表面電位が負電位の場合には、第１の界面活性剤として、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて基板１０に吸着しやすいからである。一方、基板１０の表面の液中表面電位が正電位の場合には、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤として、アニオン系界面活性剤を適用することが好ましい。
【００１８】
界面活性剤溶液１４としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）の溶液や、アルキルアンモニウム系の溶液（例えば、セチルトリメチルアンンモニウムクロリド等）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。
【００１９】
次に、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、６０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図３に示すように、界面活性剤層１６を基板１０に設けることができる。界面活性剤層１６は、基板１０上の第１の領域２８および第２の領域２９に設けられる。第１の領域２８は、後述する工程で配線が形成される領域である。
【００２０】
このとき、第１の界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、基板１０の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。
【００２１】
（３）次に、第２の領域２９に設けられた界面活性剤層１６の一部を除去する。本実施の形態では、図４に示すように、第２の領域２９の界面活性剤層１６の一部を光分解することにより、除去する。
【００２２】
ここで除去される「第２の領域２９に設けられた界面活性剤層１６の一部」とは、図５に示すように、第２の領域２９に設けられた界面活性剤層１６の上部であってもよい。また、界面活性剤層１６は、第２の領域２９の全面において除去される部分と除去されない部分を有することが望ましい。言い換えれば、第２の領域２９の全面において界面活性剤層１６は、低分解の状態であることが望ましい。
【００２３】
第２の領域２９に照射する光２０としては、例えば真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いることができる。光２０の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。これにより、第２の領域２９の界面活性剤層１６を光分解させることができる。光２０は、第２の領域２９の全面に照射される。これにより、第２の領域２９の界面活性剤層１６を光分解することができる。
【００２４】
また、この波長帯域の光２０を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。
【００２５】
光２０の照射は、具体的には、例えば、光源１８として真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素ガスのような不活性ガス雰囲気下もしくは１０００Pa以下の真空状態において、３０秒〜３分間行うことができる。光２０の照射時間および強度は、第２の領域２９に設けられた界面活性剤層の全部が分解されないように適宜調整される。光源１８は、例えばＸｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。なお、光２０の波長は、界面活性剤層１６を光分解することができるものであれば、特に限定されない。
【００２６】
光２０は、マスク２２（例えばフォトマスク）を介して基板１０に照射される。詳しくは、光源１８と基板１０の間にマスク２２を配置し、光２０をマスク２２の遮光部２４（例えばクロムなどの金属パターン部）以外の領域に透過させる。遮光部２４は、第１の領域２８に形成される。マスク２２は、基板１０に接して配置されていてもよい。また、窒素雰囲気中で光照射処理を行えば、光２０が減衰しにくいので好ましい。
【００２７】
こうして、図５に示すように、第２の領域２９の界面活性剤層１６の一部が除去されることにより、界面活性剤層２６を形成することができる。
【００２８】
（４）次に、図６に示すように、触媒溶液３０に基板１０を浸漬する。触媒溶液３０は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。
（４ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。
（４ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水と過酸化水素水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。
（４ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。
【００２９】
このように作製された触媒溶液３０に基板１０を浸漬すると、図７に示すように、第１の領域２８に触媒層３２が形成される。また、第２の領域第２９にも界面活性剤層２６が形成されているため、触媒層３４が形成される。
【００３０】
触媒溶液３０に浸漬した後、基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電界めっき液に混入するのを防止することができる。
【００３１】
触媒層３２が形成されるメカニズムについて、以下のように想定することができる。ここでは、界面活性剤層２６がカチオン系界面活性剤を含む場合について説明する。
【００３２】
まず、触媒溶液３０に含まれる触媒のパラジウムは、液中においてコロイド状態になっており、負電位を示す。一方、第１の領域２８の界面活性剤層２６は、触媒のパラジウムと比較して正電位を示す。したがって、第１の領域２８の界面活性剤層２６は、この電位差により、触媒溶液中でパラジウムを引き寄せることができ、引き寄せたパラジウムを界面活性剤層２６が持つ結合子により捕らえる。第２の領域２９では界面活性剤層２６の一部が除去されているため、第１の領域２８と比較して負電位側になり、触媒を引き寄せる効果は劣り、触媒との結合子の量も少ない状態にある。したがって、パラジウムは、電位差から第２の領域２９よりも第１の領域２８に引き寄せられやすく、かつ第1の領域２８の界面活性剤層２６が結合子を多数有するためパラジウムを吸着しやすく、その結果、第１の領域２８の界面活性剤層２６上に触媒層３２が形成される。
【００３３】
このとき、第２の領域２９も完全に分解されてはいないため、触媒よりは正電位を有し、かつ結合子もある程度残るため、触媒溶液の触媒濃度等の条件によっては、触媒層３４が形成されることがあるが、後に第２の領域２９の界面活性剤層２６が除去される際に、除去可能な量の触媒層に止めることができる。
【００３４】
（５）次に、図８に示すように、触媒層３２上に第１の金属層３６を析出させる。具体的には、基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層３２上に第１の金属層３６を析出させることができる。第１の金属層３６としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度６５〜８０℃）に１０秒〜１分程度浸漬することによって、２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度５５〜７５℃）に３０秒〜１０分程度浸漬することによって、２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。ここでは、第１の領域のパターンサイズや面積に応じて、無電解めっき液の温度や浸漬時間を適切に調整することにより、第１の領域２８にのみ第１の金属層３６を形成し、かつ第２の領域２９に第１の金属層３６を形成しないようにすることができる。なお、第１の金属層３６の材料は触媒によってめっき反応が起こる材料であれば特に限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。こうして、基板１０上の第１の領域２８に第１の金属層３６を形成することができる。
【００３５】
（６）次に、第２の領域２９に残存した界面活性剤層２６を除去する。本実施の形態では、図９に示すように、第２の領域２９の界面活性剤層２６を光分解することにより、除去する。
【００３６】
第２の領域２９に照射する光２０としては、上述した真空紫外線を用いることができる。これにより、第２の領域２９の界面活性剤層２６を光分解させることができる。光２０は、基板１０上の全面に照射される。これにより、第２の領域２９の界面活性剤層１６を光分解することができる。基板１０上の第１の金属層３６がマスクとして機能するため、第１の金属層３６の形成されていない第２の領域２９にのみ光２０は透過する。
【００３７】
光２０の照射は、例えば、光源１８として真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、６０秒〜５分間行うことができる。光源１８は、例えばＸｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。なお、光２０の波長は、界面活性剤層１６を光分解することができるものであれば、特に限定されない。
【００３８】
こうして、図１０に示すように、第２の領域２９に残存している界面活性剤層２６を除去することができる。
【００３９】
（７）次に、図１１に示すように、第１の金属層３６上に第２の金属層３７を析出させる。具体的には、基板１０を無電解めっき液に再度浸漬させることによって、第２の金属層３７を析出させることができる。第２の金属層３７の析出方法、材質および無電解めっき液の成分としては、第１の金属層３６と同様のものを用いることができる。
【００４０】
第２の金属層３７を析出させた後、超純水によるリンス洗浄を行い、自然乾燥および圧縮空気を吹きかけることによって水滴を除去してもよい。
【００４１】
以上の工程により、配線基板１００を形成することができる。本実施の形態にかかる配線基板１００の製造方法では、第２の領域２９に設けられた界面活性剤層１６の一部を除去する際、第２の領域２９の界面活性剤層１６の一部を残存させるため、界面活性剤層１６の過分解を防止することができる。即ち、第２の領域２９に設けられた第１の界面活性剤層１６の全部を分解してしまうと、第１の領域２８に設けられた界面活性剤層１６まで分解してしまう場合がある。この分解によって、形成された配線基板の配線パターンが所望のパターンと異なってしまうことがある。
【００４２】
そこで、第２の領域２９に設けられた第１の界面活性剤層１６の一部のみを分解することにより、第１の領域２８に設けられた第１の界面活性剤層１６を分解することを防止することができ、所望の形状（マスク２２の遮光部２４の形状）により近い形状の触媒層３２を形成することができる。従って、配線パターンの形状を精度良く形成することができ、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【００４３】
また、本実施の形態にかかる配線基板１００の製造方法では、第２の領域２９の界面活性剤層２６を残存させた状態で、第１の金属層３６を析出させた後に、第２の領域２９の界面活性剤層２６を完全に除去した上で、再度第２の金属層３７を析出させる。これにより、十分な厚みを有する金属層（配線）を形成することができるため配線の電気抵抗を低減することができ、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００４４】
また、本実施の形態にかかる配線基板１００の製造方法では、第１の金属層３６をマスクとして第２の領域２９の界面活性剤層２６を除去している。これにより、工程数を減少させることができ、簡単な製造プロセスで信頼性の高い配線基板を製造することができる。
【００４５】
２．配線基板および電子デバイス
図１２は、第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法によって製造される配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す。電子デバイス１０００は、配線基板１００と、集積回路チップ９０と、他の基板９２とを含む。
【００４６】
配線基板１００に形成された配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。配線基板１００は、上述した製造方法によって製造される。図９に示す例では、配線基板１００には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、配線基板１００の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。
【００４７】
３．変形例
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、変形が可能である。たとえば、上述した触媒溶液３０がさらに界面活性剤を含んでもよい。他の界面活性剤としては、たとえば、界面活性剤層１６に含まれる界面活性剤のイオン価の符号と異なるイオン価の符号を有する界面活性剤を用いることができる。具体的には、界面活性剤層１６に含まれる界面活性剤がカチオン系界面活性剤である場合には、他の界面活性剤は、アニオン系界面活性剤であることが好ましい。一方、界面活性剤層１６に含まれる界面活性剤がアニオン系界面活性剤である場合には、他の界面活性剤は、アニオン系界面活性剤であることが好ましい。
【００４８】
カチオン系界面活性剤としては、上述したものを用いることができる。アニオン性界面活性剤としては、たとえばドデシル硫酸ナトリウム等のアルキルサルフェート系界面活性剤を用いることができる。
【００４９】
たとえば、以下の手順によりアニオン系界面活性剤および触媒を含む触媒溶液３０を作製することができる。
【００５０】
純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。次に、上述した塩化パラジウム溶液をさらに水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。次に、水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。次に、ドデシル硫酸ナトリウムを塩化パラジウム溶液に添加し、ドデシル硫酸ナトリウムの濃度を０．３〜１０ｍｍｏｌ／ｌとする。
【００５１】
このように、触媒溶液３０が界面活性剤を含むことによって、界面活性剤層１６の一部が除去された第２の領域２９と、界面活性剤層１６の全てが残っている第１の領域２８との間で選択性を高め、より確実に第１の領域のみに触媒層３２を形成することができる。
【００５２】
この選択的に吸着されるメカニズムについて次のように想定している。アニオン系界面活性剤が第１の領域２８の界面活性剤層と第２の領域２９の界面活性剤層のそれぞれに吸着して液中表面電位を変化させる作用と、触媒の表面に吸着して液中表面電位を変化させる作用の相乗効果として選択性が発現すると考えている。触媒であるパラジウムのコロイド状態、アニオン系界面活性剤の種類による液中表面電位を変化させる量やそれ自体の添加濃度、基板上のカチオン性界面活性剤の非分解部と低分解部のそれぞれの液中表面電位が要因となっていると考えている。
【００５３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図２】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図３】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図４】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図５】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図６】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図７】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図８】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図９】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１０】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１１】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１２】第１の実施の形態にかかる配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す図。
【符号の説明】
【００５５】
１０  基板、１２  オゾン水、１４  界面活性剤溶液、１６、２６  界面活性剤層、１８  光源、２０  光、２２  マスク、２４  遮光部、３０  触媒溶液、３２  触媒層、３６  第１の金属層、３７  第２の金属層、２８  第１の領域、２９  第２の領域、９０  集積回路チップ、９２  他の基板、１００  配線基板、１０００  電子デバイス
【図１】
2007103394.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007103394.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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