(57)【要約】【課題】鉛の不足がないチタン酸ジルコン酸鉛膜を安定して製造するためのチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法を提供する。【解決手段】ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、チタン酸ジルコン酸鉛を原料とするターゲットを用いて、基板の上にチタン酸ジルコン酸鉛の膜を製造するチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記基板加熱工程で加熱した基板温度を維持し、前記ＲＦマグネトロンスパッタリング法により前記基板の上に成膜するためのスパッタ成膜工程と、を有し、前記スパッタ成膜工程では、雰囲気ガスの中に鉛を含むガスを導入する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、チタン酸ジルコン酸鉛を原料とするターゲットを用いて、基板の上にチタン酸ジルコン酸鉛の膜を製造するチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法において、
前記基板を加熱するための基板加熱工程と、
前記基板加熱工程で加熱した基板温度を維持し、前記ＲＦマグネトロンスパッタリング法により前記基板の上に成膜するためのスパッタ成膜工程と、を有し、
前記スパッタ成膜工程では、雰囲気ガスの中に鉛を含むガスを導入することを特徴とするチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。
【請求項２】
前記ターゲットの面の上に前記鉛を含むガスを噴射することで前記雰囲気ガスの中に前記鉛を含むガスを導入することを特徴とする請求項１に記載のチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。
【請求項３】
前記鉛を含むガスは、鉛ジピバロイルメタンであることを特徴とする請求項１又は２に記載のチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。
【請求項４】
前記基板加熱工程の加熱された前記基板の温度は、５００℃以上６７０℃以下とすることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インクジェット記録ヘッドの液滴吐出用やマイクロマシン用のアクチュエーターを構成する圧電材料として強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が広く使用されている。
【０００３】
ＰＺＴの厚膜を形成する場合、セラミックス研磨法を用いてセラミック板より製造することが出来るが、歩留まりが悪く低コストで製造することが困難であることから、量産には対応し難く実用的でない。また、例えば、高融点材料での成膜が可能で膜厚の均一性が良いと考えられるスパッタリング法を用いて成膜を試みると、成膜温度が高く、基板到達後の鉛（Ｐｂ）の再蒸発により鉛が欠乏するという問題がある。これを解決する手段として、例えば、ＰｂXＬａ1-XＴｉ1-X／４Ｏ3なる組成（０≦Ｘ≦０．２５）の強誘電体薄膜を高周波マグネトロンスパッタ法を用いて成膜するに際し、ターゲットとしてＰｂＯ、ＬａＯ3、ＴｉＯ2の粉末を配合し、７５０℃で４時間仮焼したのち粉砕し、鉛の不足を防止するために、２０モル％過剰のＰｂＯ粉末を更に混合して作製している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−２６００１８号公報（３−４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示されている強誘電体膜の組成に必要な量より鉛の量を過剰としたターゲットは、スパッタリング中に鉛が蒸発することで徐々に鉛の含有量が減少して組成が変わるため、定期的に新しいターゲットに交換しなければ組成の安定した強誘電体膜を製造することができないという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記の問題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、鉛の不足がないチタン酸ジルコン酸鉛膜を安定して製造するためのチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【０００７】
１．  ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、チタン酸ジルコン酸鉛を原料とするターゲットを用いて、基板の上にチタン酸ジルコン酸鉛の膜を製造するチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法において、
前記基板を加熱するための基板加熱工程と、
前記基板加熱工程で加熱した基板温度を維持し、前記ＲＦマグネトロンスパッタリング法により前記基板の上に成膜するためのスパッタ成膜工程と、を有し、
前記スパッタ成膜工程では、雰囲気ガスの中に鉛を含むガスを導入することを特徴とするチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。
【０００８】
２．  前記ターゲットの面の上に前記鉛を含むガスを噴射することで前記雰囲気ガスの中に前記鉛を含むガスを導入することを特徴とする１に記載のチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。
【０００９】
３．  前記鉛を含むガスは、鉛ジピバロイルメタンであることを特徴とする１又は２に記載のチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。
【００１０】
４．  前記基板加熱工程の加熱された前記基板の温度は、５００℃以上６７０℃以下とすることを特徴とする１乃至３の何れか一つに記載のチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板に成膜されるチタン酸ジルコン酸鉛の鉛の量をターゲットの原料が含む鉛の量だけではなく、雰囲気ガスの中に導入される鉛を含むガスの導入量により調整することができる。
【００１２】
よって、ターゲットの通常使用での蒸発等で生じるＰｂ含有量の減少や成膜時に基板に堆積した膜からの鉛の再蒸発によるチタン酸ジルコン酸鉛膜のＰｂの不足を、鉛を含むガスを導入しＲＦマグネトロンスパッタリングによる放電時のプラズマによって鉛を含むガスを分解しイオン化した鉛として膜となるスパッタリングされた原料に混入させることで補うことができる。また、鉛を補う量は、鉛を含むガスの雰囲気ガスの中への導入量により容易に行うことができる。
【００１３】
従って、Ｐｂの不足がないチタン酸ジルコン酸鉛膜を安定して製造するためのチタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明に係わる実施の形態に関して図を用いながら以下に説明する。図１に示す鉛（Ｐｂ）ガス噴射部を設けたＲＦマグネトロンスパッタリング成膜装置（以下、成膜装置と称する。）を用いてチタン酸ジルコン酸鉛Ｐｂ（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3（０．３≦Ｘ０．６、以下、ＰＺＴと称する。）膜を製造することに関して説明する。
【００１５】
図１に示す成膜装置１００において、１はチャンバー、２はマグネトロン・カソード、３はＰＺＴの原料を有するターゲット、４は基板ホルダー（アノード電極）、５は成膜される基板、６は基板５を加熱するためのヒーター、７はＰｂ（鉛）ガス噴射部、８はシャッター、９はマグネトロン・カソード２に印加する高周波（ＲＦ）電力を供給するための高周波（ＲＦ）電源を示している。また、Ａはスパッタリングガスとして、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスの導入口、Ｂはチャンバー１の中を真空排気するための真空ポンプ（図示しない）に接続される排気口、ＣはＰｂを含むガスの供給路をそれぞれ示している。
【００１６】
基板ホルダー４は、円板状の基板５を４枚取り付け可能とする断面の様子を示している。また、基板ホルダー４は、基板面により均一な膜厚を得る上で、回転導入機構（図示しない）を設けて成膜時に成膜面内で回転できる様にするのが好ましい。
【００１７】
Ｐｂガス噴射部７は、室温で液体である鉛ジピバロイルメタンを加熱して鉛を含むガス（Ｐｂガス）として供給するタンク１０に接続されている。
【００１８】
タンク１０の設けてあるヒーター１１によりタンク１０を１００℃から２３０℃程度に加熱し、タンク１０内の鉛ジピバロイルメタン液を気化させてＰｂガスとして鉛ジピバロイルメタンガスを発生させ、このＰｂガスをＰｂガス供給路Ｃ、噴射部導入路１２を通じてＰｂガス噴射部７に導いている。
【００１９】
Ｐｂガス噴射部７は、スパッタリング中に発生するターゲットに近い領域の高密度のプラズマに対してＰｂガスを噴射できるように、ターゲット面の上部、ターゲット表面から基板に向かって１０ｍｍから５０ｍｍ程度の範囲に設け、その噴射口７ａは、ターゲット面に向けるのが好ましい。具体的なＰｂガス噴射部７の配置及び噴射口７ａの向きは、噴射されるＰｂガスがマグネトロンの効果によるが、例えば、４インチターゲットの場合、概ねターゲット表面から３０ｍｍ程度の範囲内に発生する高密度のプラズマに十分に供給できるようにするのが好ましい。上記の様に高密度のプラズマ領域に十分に供給できるようにＰｂガス噴射部７を設けることで、導入したＰｂガスが十分にプラズマにより分解されてＰｂをイオン化して基板に堆積することができることで、基板に堆積したＰＺＴ膜における再蒸発によるＰｂの不足を効果的に補うことができる。
【００２０】
スパッタガスとＰｂガスとを混合してチャンバー内に導入する場合は、Ｐｂガスが効率よく分解しないため、上記のＰｂの不足の補填を行うためには大量のＰｂガスが必要となり、またＰｂガスの分解が不十分になることで、有機Ｐｂ化合物としてＰＺＴ膜に含まれて膜の純度が劣ってしまうので好ましくない。
【００２１】
噴射口７ａは、上記の高密度のプラズマに対して均一に噴射できるように複数設けるのが好ましい。例えば、図２（図１において、基板５側からターゲット側を俯瞰的に見た図）に示すリング形状のＰｂガス噴射部７の場合、リングの内側を均等に分割した位置にターゲット３の方向に向いた噴射口７ａを設けるのが好ましい。また、リング形状のＰｂガス噴射部７にＰｂガスを導入する噴射部導入路１２は、Ｐｂガス噴射部７に供給されるＰｂガスを均一な圧力で噴射できるようにＰｂガス噴射部７内の圧力差が大きくならないように複数とするのが好ましい。例えば、タンク１０からのＰｂガス供給路Ｃ、例えばパイプ、を途中で２つに分岐させ、図２に示すようにリング形状のＰｂガス噴射部７にそれぞれが対峙するように設けた噴射部導入路１２−１及び１２−２に接続してＰｂガスを供給することができるようにするのが好ましい。また、より効率良くプラズマ領域にＰｂガスを噴射することができるように、このリング形状のＰｂガス噴射部７を複数個重ねた構成とすることもできる。
【００２２】
また、Ｐｂガス噴射部の例として、図２で示したリング形状のＰｂガス噴射部７に替わって、図３に示すように、２つのリング形状のパイプ７−１、７−２を複数の円筒形状のパイプ７−３で連結したものを基板ホルダー４に設けた基板５とターゲット３との間に設けることができる。尚、図３においては、チャンバー等の成膜装置の周辺は図示していない。この円筒形状のパイプ７−３のターゲット３側に複数の穴を設け、これを噴射口７ａとしている。よって、噴射部導入路１２−１、１２−２からリングパイプ７−１に導かれたＰｂガスは、円筒形状のパイプ７−３を通ってリングパイプ７−２に達する間に、円筒形状のパイプに設けられた噴射口７ａより、ターゲット３の近傍に発生している高密度のプラズマに対して噴射されることになる。この場合、円筒形状のパイプ７−３を複数設けて、その円筒形状のパイプに複数の噴射口７ａを設けておくことで、高密度のプラズマに対して均一に鉛を含むガスを噴射して供給することができる。円筒形状のパイプに設けられた噴射口７ａの向きは、よりプラズマ密度の高いターゲット面の方向（図３に示す矢印方向）とするのが好ましい。
【００２３】
Ｐｂガス噴射部７を非磁性体材料で構成すると、マグネトロン・カソード２から発生する磁場によるの磁気結合がなく、スパッタリングの不安定な動作を生じることがないため好ましい。Ｐｂガス噴射部７を構成する具体的な材料としては、上記の非磁性であることに加えて、耐熱性、耐腐食性、加工性や安価であることから、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３０４が好ましく、また金属と比較して破損しやすいことが難であるが製造が容易な石英等のガラスとすることができる。
【００２４】
Ｐｂガスは、鉛ジピバロイルメタンＰｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2を１００℃から２３０℃の範囲で加熱して気化させたガスが好ましい。このＰｂガスを不活性ガス、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスをスパッタガスとして導入しているチャンバー内の雰囲気ガスに導入するのが好ましい。鉛ガス導入後の雰囲気ガス圧は、効率良く放電が容易である０．１３Ｐａから１．３Ｐａの範囲とし、雰囲気ガスにおける鉛ジピバロイルメタンガスの供給量の割合は５体積％から３０体積％が好ましい。鉛ジピバロイルメタンガスの割合が４０体積％以上であるとスパッタリングガスの不足やプラズマの不安定により成膜レートが遅くなってしまい、５体積％未満であるとＰｂの組成補填および膜応力緩和作用が弱くなる。
【００２５】
このように混合ガスに導入されたＰｂガスは、プラズマからエネルギーを得ることで分解され、鉛ジピバロイルメタンＰｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2が含む炭素（Ｃ）は、ＣＯまたはＣＯ2として、水素（Ｈ2）及び酸素（Ｏ2）は水又は水蒸気（Ｈ2Ｏ）として、排気され、鉛（Ｐｂ）はイオン化してスパッタリングされたＰＺＴの粒子とともに基板５に堆積することができる。
【００２６】
Ｐｂガスの供給量は、ヒーター１１によるタンク１０の加熱温度制御やＰｂガスの供給路Ｃにガス流量調節を行うことで容易に調整することできる。従って、混合ガスにおけるＰｂガスの量を適宜容易に調整することができることになり、基板５に形成するＰＺＴ膜のＰｂの量を容易に適切にすることができる。
【００２７】
基板５に到達したＰＺＴ粒子やＰｂイオンが堆積して成す膜は若干のＰｂ過剰な状態であるが、高い基板温度により再蒸発して化学量論的に合致したチタン酸ジルコン酸鉛膜が得られる。また、Ｐｂがガスで供給される原料であることから、スパッタリングの負荷を軽減できることから成膜レートが改善され、またＰｂガスが適宜供給されることでＰＺＴ膜のＰｂが不足することがないことから膜応力が緩和された膜を得ることができる。
【００２８】
成膜レートは、５０Å／ｍｉｎから２００Å／ｍｉｎの範囲、成膜時の基板温度は、５００℃以上６７０℃以下の範囲が好ましい。成膜レートを５０Å／ｍｉｎ以上とすると、成膜効率の観点から好ましい。また、２００Ａ／ｍｉｎ以下とすると、基板上の膜が帯電して異常放電を起こしピンホールが存在する荒れた膜とならないで、圧電膜として良好とすることができる。
【００２９】
基板に堆積されるＰＺＴ膜が、化学量論的にＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3とする膜で且つ結晶化して圧電機能を持つ優先配向したペロブスカイト構造を有するには、基板温度を５００℃以上６７０℃以下とするのが好ましく、更に５５０℃以上６００℃以下とするとより好ましい優先配向とすることができる。基板温度を５００℃未満とすると、堆積されるＰＺＴ膜からのＰｂの再蒸発が発生し難く、化学量論的にＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3に合致したターゲットを用いてＰｂガスを供給することなくＰＺＴ膜を形成することができるが、優先配向がし難く圧電機能を有することができなくなってしまう。また、基板温度を６７０℃より高くすると、優先配向しやすくなるが、Ｐｂの再蒸発の量が多くなって、堆積したＰＺＴ膜が化学量論的にＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3に合致し難くなり、この再蒸発によるＰｂの欠乏を補うためＰｂガスの供給量を増加させると混合ガスに占めるＰｂガスの量が多くなり過ぎ、また混合ガス圧が高くなることでプラズマが安定しなくなって成膜すること自体が困難となってしまう。
【００３０】
従って、成膜時の基板温度は、５００℃以上６７０℃以下とするのが好ましく、５５０℃以上６００℃以下とするのがより好ましく、この温度範囲にすることで、ＰＺＴ膜は化学量論的にＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3のペロブスカイト構造の膜が得られる。Ｐｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3は、チタン酸ジルコン酸鉛でもっとも圧電定数が大きい組成であって、圧電材料としてアクチュエーター等に用いることが好ましい材料である。圧電材料としてアクチュエーター等に用いる場合、膜厚は０．５μｍがら１００μｍ程度とするのが好ましいが、ＲＦマグネトロンスパッタ法で作製する場合、膜厚を１０μｍ以上とすると膜応力による基板変形の発生や製造に長時間を要する点から、実用的な膜厚は０．５μｍから１０μｍ程度とするのが好ましい。
【００３１】
上記の実施の形態では、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛Ｐｂ（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3（０．３≦Ｘ０．６））膜としているが、本発明に係わる製造方法は、例えばＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3：Ｌａ（ランタン）を添加したチタン酸ジルコン酸鉛）のように、ＰＺＴに添加物を含んでも良く、添加物としては、Ｌａ（ランタン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｇ、Ｎｉが挙げられ、また、チタン酸ジルコン酸鉛ではないが、ＰＬＴ（Ｐｂ1-XＬａXＴｉ1-X／４Ｏ3）及びＰＴ（ＰｂＴｉＯ3）の製造に適用することができる。
【００３２】
また、Ｐｂを含むガスの原料としては、室温から容易に加熱することができる２００℃程度の温度範囲で気化し、チャンバーの中の圧力にもよるが、１０-3Ｐａから１０Ｐａ程度の蒸気圧となるものが好ましく、上記の鉛ジピバロイルメタン以外では、テトラメチル鉛（（Ｐｂ（ＣＨ3））4）、テトラエチル鉛（（Ｐｂ（Ｃ2Ｈ5））4）、ベータージケトン系化合物（例えば、ジピパロイル・メタネイト鉛（Ｐｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2）、アセチル・アセネイト鉛（Ｐｂ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2）、ジメチル・ヘプタフルオロ・アセチル・アセネイト鉛（Ｐｂ（Ｃ10Ｈ10Ｆ7Ｏ2）2）等）が好ましい材料として挙げられる。
【００３３】
ベータージケトン系化合物のジピパロイル・メタネイト鉛のように室温で固体の場合であっても、図１で示す鉛ジピバロイルメタン液の場合と同じようにタンク内に貯蔵しヒーターで加熱することで気化させることでＰｂガスとして使用することができる。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
図１に示す、鉛ガス噴射部７を設けたＲＦマグネトロンスパッタ法による成膜装置１００を用いて、チタン酸ジルコン酸鉛からなる鉛を含む強誘電体膜を作製した。図４は、作製した膜を模式的に示している。強誘電体膜を作製した基板５（図１）は、予め基板２１（図４）の上にＳｉに熱酸化ＳｉＯ2２２を１μｍ形成し、その上にＲＦマグネトロンスパッタ法でＴｉ膜２３を０．０３μｍ、Ｐｔ膜２４を０．３μｍ形成したものを用いた。
【００３５】
ターゲット３は、チタン酸ジルコン酸鉛Ｐｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3の微粉末を焼結したものを用いた。
【００３６】
スパッタガスをＡｒとした雰囲気ガスに、鉛ジピバロイルメタンＰｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2を導入した。鉛ジピバロイルメタンガスは、供給用タンク１０に入れた鉛ジピバロイルメタン液をヒーター１１で約２００℃に加熱して気化させ、このガスをＰｂガス噴射部７に導入し、ターゲット３の面に噴射させた。
【００３７】
チャンバー１の内部のＡｒと鉛ジピバロイルメタンとからなる雰囲気ガス圧は０．６７Ｐａとし、鉛ジピバロイルメタンの供給量の割合は１５体積％とした。基板の温度を６００℃に加熱・維持した状態で成膜を行った。成膜レートは、１００Å／ｍｉｎとし、厚み５μｍで膜応力による反りのない良好なＰＺＴ膜を得た。
【００３８】
得られたＰＺＴ膜２５の組成分析を行うと化学量論的にＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3であることが確認され、Ｐｂ不足は認められず、Ｘ線回折の結果は図５に示すＸ線回折パターンの通りペロブスカイト構造の膜であった。
【００３９】
得られたＰＺＴ膜２５に更に重ねてＲＦマグネトロンスパッタ法でＡｌ膜２６を０．３μｍ形成して電極として、比誘電率を測定した。
【００４０】
図４で示す様に、静電容量計２７（日置電機（株）製  デジタルＨｉテスター、型式３２３３）をＰｔ膜（電極）２４とＡｌ膜（電極）２６とに接続して室温にて静電容量Ｃを測定した。測定した静電容量Ｃの値を用いて、比誘電率εｒを次式（１）より求めた。
εｒ＝Ｃ／（εｏ×電極面積／誘電体の膜厚）・・・・・・（１）
εｏ：真空の誘電率（８．８５４×１０-12  Ｆ／ｍ）
比誘電率は、１２６０となりＰＺＴ膜として十分な値であった。
【００４１】
（比較例１）
雰囲気ガスにＰｂガスの導入をしなかった以外は実施例１と同じ条件の成膜を行った。得られた膜の組成分析を行った結果、Ｐｂ0.9（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3であって、明らかにＰｂ不足状態であった。さらに得られた膜は、微小なひび割れが見られ、比誘電率は測定できなかった。
【００４２】
（実施例２）
基板５の加熱温度を４５０℃、５００℃、５５０℃、６００℃（実施例１）、６５０℃、７００℃となるようにした以外は実施例１と同じ設定として、ＰＺＴ膜を製造した。また、加熱温度を７００℃とした場合、Ｐｂ不足となったため、他の膜と同じ組成となるようにＰｂガスの供給量を増加した。また、Ｐｂガスの供給量を増加したことにより成膜時のプラズマ放電が安定しない徴候が時折観察された。製造したそれぞれの膜について、ＳＥＭによる膜の表面観察及び実施例１と同じ比誘電率の測定を行った。この結果を表１に示す。尚、ＰＺＴ膜の組成は全て同じＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3であった。
【００４３】
【表１】
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【００４４】
表に示す◎、○、△、×は、それぞれ以下を表している。
ＳＥＭ観察においては、次の通りとした
○：膜が緻密で表面が滑らかである
×：膜が緻密でなく表面が荒れている
比誘電率においては、次の通りとした
◎：１０００以上
○：５００以上１０００未満
△：測定可能であり５００未満
×：測定出来なかった
Ｐｂガス供給量においては、実施例１における鉛ジピバロイルメタンの供給量の割合は１５体積％を基準（１とする。）として比率を示した。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】鉛を含むガスを噴射するＰｂガス噴射部を設けたＲＦスパッタリング成膜装置を模式的に示す図である。
【図２】Ｐｂガス噴射部の一例を示す図である。
【図３】Ｐｂガス噴射部の一例を示す図である。
【図４】実施例にて製造した強誘電体膜における静電容量を測定する様子を模式的に示す図である。
【図５】実施例１において製造したＰＺＴ膜のＸ線回折パターンの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  チャンバー
２  マグネトロン・カソード
３  ターゲット
４  基板ホルダー
５  基板
６  ヒーター
７  鉛ガス噴射部
７ａ  噴射口
８  シャッター
９  ＲＦ電源
１０  Ｐｂガス用原料の供給タンク
１１  気化用ヒーター
１２  噴射部導入路
１３  鉛ジピバロイルメタン液
１００  Ｐｂガス噴射部を設けたＲＦスパッタリング成膜装置
Ａ  スパッタリングガス導入路
Ｂ  排気路
Ｃ  Ｐｂガス供給路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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