(57)【要約】      （修正有）【課題】部材の剛性を確保することで、他の部材との接合時に位置ずれを起こしにくくして、高精度の液滴吐出ヘッドを製造することを課題とする。【解決手段】圧力室が形成されるシリコン基板７２に、圧力室の一部として凹部７２Ａを形成する。つまり、シリコン基板７２の圧力室となる部分に、開口部を形成せずに、シリコン基板７２の肉を残すように凹部７２Ａを形成する。これにより、シリコン基板７２の剛性を確保した状態で、シリコン基板７２にシリコン基板７８を接合するので、接合位置ずれが防止されて、高精度にシリコン基板７２とシリコン基板７８を接合できる。【選択図】図９−１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出するノズルと連通し液体が充填される圧力室と、
前記圧力室の一部を構成する振動板と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を有する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
シリコン又はガラスからなる第１基板の一方の面に前記圧力室となる凹部を形成し、前記第１基板の一方の面にシリコン又はガラスからなる第２基板を接合して前記凹部を閉塞し、前記第１基板の他方の面に前記振動板と前記圧電素子を設けた後、前記第２基板に前記圧力室への連通路となる開口部を形成して前記凹部を解放し、前記開口部からエッチング液を前記凹部内へ供給して、前記凹部を形成するシリコン又はガラスを除去して前記圧力室を形成することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
液滴を吐出するノズルと連通し液体が充填される圧力室と、
前記圧力室の一部を構成する振動板と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を有する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
シリコン又はガラスからなる第１基板の一方の面に前記圧力室となる凹部を形成し、前記第１基板の一方の面にシリコン又はガラスからなる第２基板を接合して前記凹部を閉塞し、前記第１基板の他方の面を所定の厚みまで研磨し、前記第１基板の研磨した面に前記振動板と前記圧電素子を設けた後、前記第２基板を所定の厚みまで研磨し、前記第２基板に前記圧力室への連通路となる開口部を形成して前記凹部を解放した後、前記開口部からエッチング液を前記凹部内へ供給して、前記凹部を形成するシリコン又はガラスを除去して前記圧力室を形成することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１基板及び前記第２基板はシリコンからなり、前記第１基板に接合される前記第２基板の面に酸化膜を成膜して、前記凹部を形成するシリコン又はガラスを除去する前の工程で前記開口部に面した前記酸化膜を除去することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記凹部は、前記第１基板の表面をエッチングして形成することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記凹部は、前記第１基板の表面に酸化膜を堆積して形成することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インク等の液滴を吐出するノズルと連通し、インク等の液体が充填される圧力室と、圧力室の一部を構成する振動板と、振動板を変位させる圧電素子と、を有する液滴吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、主走査方向に往復移動するインクジェット記録ヘッドや、紙幅を有するインクジェット記録ヘッドの複数のノズルから選択的にインク滴を吐出し、副走査方向に搬送されて来る記録紙等の記録媒体に文字や画像等を印刷するインクジェット記録装置が知られている。
【０００３】
このような構成のインクジェット記録ヘッドにおいて、次世代インクジェットヘッドとして１２００ｄｐｉ、さらには２４００ｄｐｉの高解像度の実現が望まれている。このとき、高解像を得るために、複数列のノズル配列が必要となる。
【０００４】
そこで、面積占有率の高いインクプール室を、振動板を挟んだノズルの上方に配置することで、ヘッド面積を最小限にしたものがある。このような構成によって、インクジェット記録ヘッドの面積（ヘッド面積）の増大が最小限にできると共に、チャンバ毎にインクを供給するのでクロストークが防止できる。また、圧電素子（ＰＺＴ素子等）への配線を個別に行うことができるので、各圧電素子から配線を引き回すことが可能となり、制御素子（Ｓｗ−ＩＣ）への接続が容易となる。これによっても、ヘッド面積の低減や、コスト低減の効果が得られる。
【０００５】
しかし、高精度のインクジェット記録ヘッドを得るために、製造工程のＬＳＩ工程においてドライエッチングを選択する必要がある。ドライエッチングでの製造では高コストとなるため、ヘッド面積を減少させることでコスト低減を見込んだとしても、結果的に低コストのインクジェット記録ヘッドを得ることは難しい。
【０００６】
そこで、コスト低減を見込めるウェットエッチングによって、インクジェット記録ヘッドを製造する方法がある（特許文献１参照）。しかし、次世代インクジェットヘッドが要求するヘッド構造においては、チャンバの厚さが１００μｍ程度であり、この１００μｍ程度の薄い部材に複数の開口を形成すると、部材の剛性が不足する。このため、チャンバ用の開口を形成した部材を、他の部材と接合する際に、位置ずれが発生しやすいという問題がある。
【特許文献１】特開平６−５５７３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記問題を考慮し、部材の剛性を確保することで、他の部材との接合時に位置ずれを起こしにくくして、高精度の液滴吐出ヘッドを製造することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の本発明は、液滴を吐出するノズルと連通し液体が充填される圧力室と、前記圧力室の一部を構成する振動板と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を有する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、シリコン又はガラスからなる第１基板の一方の面に前記圧力室となる凹部を形成し、前記第１基板の一方の面にシリコン又はガラスからなる第２基板を接合して前記凹部を閉塞し、前記第１基板の他方の面に前記振動板と前記圧電素子を設けた後、前記第２基板に前記圧力室への連通路となる開口部を形成して前記凹部を解放し、前記開口部からエッチング液を前記凹部内へ供給して、前記凹部を形成するシリコン又はガラスを除去して前記圧力室を形成することを特徴としている。
【０００９】
請求項１に記載の発明では、圧力室が形成されるシリコン又はガラスからなる第１基板に、圧力室の一部として凹部を形成する。つまり、第１基板の圧力室となる部分に、第１基板の肉を残す。これにより、第１基板の剛性を確保した状態で、第１基板に第２基板を接合するので、接合位置ずれが防止されて、高精度に第１基板と第２基板を接合できる。
【００１０】
そして、この後の工程において、第１基板の一方の面にシリコン又はガラスからなる第２基板を接合する。つまり、第２基板で凹部を閉塞する。その後、第１基板の他方の面に振動板と圧電素子を設け、第２基板に開口部を形成する。この開口部によって凹部が解放され、開口部から凹部内へエッチング液を供給することで、凹部を形成するシリコン又はガラスが除去されて圧力室が形成される。上記方法によって、液滴吐出ヘッドが製造される。
【００１１】
請求項２に記載の本発明は、液滴を吐出するノズルと連通し液体が充填される圧力室と、
前記圧力室の一部を構成する振動板と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を有する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、シリコン又はガラスからなる第１基板の一方の面に前記圧力室となる凹部を形成し、前記第１基板の一方の面にシリコン又はガラスからなる第２基板を接合して前記凹部を閉塞し、前記第１基板の他方の面を所定の厚みまで研磨し、前記第１基板の研磨した面に前記振動板と前記圧電素子を設けた後、前記第２基板を所定の厚みまで研磨し、前記第２基板に前記圧力室への連通路となる開口部を形成して前記凹部を解放した後、前記開口部からエッチング液を前記凹部内へ供給して、前記凹部を形成するシリコン又はガラスを除去して前記圧力室を形成することを特徴としている。
【００１２】
請求項２に記載の発明では、第２基板を接合した後の工程で、圧力室が形成される第１基板の他方の面を研磨して、第１基板を所定の厚みにするので、十分な厚みのある第１基板に第２基板を接合することができる。つまり、第１基板の剛性を可能な限り高めた状態で、第２基板が接合されるので、接合の際に第１基板の反りなどによる接合位置ずれが防止され、高精度に第１基板と第２基板を接合できる。
【００１３】
また、第２基板も第１基板に接合した後の工程で所定の厚みに研磨するので、第１基板及び第２基板は共に、接合前の工程でハンドリングに困難をきたさない。
【００１４】
請求項３に記載の本発明は、前記第１基板及び前記第２基板はシリコンからなり、前記第１基板に接合される前記第２基板の面に酸化膜を成膜して、前記凹部を形成するシリコン又はガラスを除去する前の工程で前記開口部に面した前記酸化膜を除去することを特徴としている。
【００１５】
請求項３に記載の発明では、酸化膜が成膜された第２基板を第１基板に接合して、第１基板と第２基板の間に、酸化膜を介在させる。これにより、第２基板に形成した開口部から酸化膜を除去するエッチング液を供給して、まず開口部に面した酸化膜を除去する。次に、凹部へシリコン又はガラスを除去するエッチング液を供給して、凹部を形成するシリコン又はガラスを除去する。このとき、凹部と面している第２基板は、酸化膜によって保護されるので、第２基板がエッチングされることがない。
【００１６】
請求項４に記載の本発明は、前記凹部は、前記第１基板の表面をエッチングして形成することを特徴としている。
【００１７】
請求項４に記載の発明では、エッチングによって、第１基板に凹部を形成する。これにより、多数の凹部を短時間で形成することができるので、製造時間の短縮に繋がる。
【００１８】
請求項５に記載の本発明は、前記凹部は、前記第１基板の表面に酸化膜を堆積して形成することを特徴としている。
【００１９】
請求項５に記載の発明では、第１基板の表面に酸化膜を堆積することで、第１基板に凹部を形成する。これにより、精度の高い凹部が形成される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は上記構成としたので、部材の剛性を確保することで、他の部材との接合時に位置ずれを起こしにくくして、高精度の液滴吐出ヘッドを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の最良な実施の形態について、図面に示す実施例を基に詳細に説明する。なお、液滴吐出装置としてはインクジェット記録装置１０を例に採って説明する。したがって、液体はインク１１０とし、液滴吐出ヘッドはインクジェット記録ヘッド３２として説明をする。また、記録媒体は記録用紙Ｐとして説明をする。
【００２２】
インクジェット記録装置１０は、図１で示すように、記録用紙Ｐを送り出す用紙供給部１２と、記録用紙Ｐの姿勢を制御するレジ調整部１４と、インク滴を吐出して記録用紙Ｐに画像形成する記録ヘッド部１６及び記録ヘッド部１６のメンテナンスを行うメンテナンス部１８を備える記録部２０と、記録部２０で画像形成された記録用紙Ｐを排出する排出部２２とから基本的に構成されている。
【００２３】
用紙供給部１２は、記録用紙Ｐが積層されてストックされているストッカー２４と、ストッカー２４から１枚ずつ取り出してレジ調整部１４に搬送する搬送装置２６とから構成されている。レジ調整部１４は、ループ形成部２８と、記録用紙Ｐの姿勢を制御するガイド部材２９とを有しており、記録用紙Ｐは、この部分を通過することによって、そのコシを利用してスキューが矯正されるとともに、搬送タイミングが制御されて記録部２０に供給される。そして、排出部２２は、記録部２０で画像が形成された記録用紙Ｐを、排紙ベルト２３を介してトレイ２５に収納する。
【００２４】
記録ヘッド部１６とメンテナンス部１８の間には、記録用紙Ｐが搬送される用紙搬送路２７が構成されている（用紙搬送方向を矢印ＰＦで示す）。用紙搬送路２７は、スターホイール１７と搬送ロール１９とを有し、このスターホイール１７と搬送ロール１９とで記録用紙Ｐを挟持しつつ連続的に（停止することなく）搬送する。そして、この記録用紙Ｐに対して、記録ヘッド部１６からインク滴が吐出され、記録用紙Ｐに画像が形成される。
【００２５】
メンテナンス部１８は、インクジェット記録ユニット３０に対して対向配置されるメンテナンス装置２１を有しており、インクジェット記録ヘッド３２に対するキャッピングや、ワイピング、更には、ダミージェットやバキューム等の処理を行う。
【００２６】
図２で示すように、各インクジェット記録ユニット３０は、矢印ＰＦで示す用紙搬送方向と直交する方向に配置された支持部材３４を備えており、この支持部材３４に複数のインクジェット記録ヘッド３２が取り付けられている。インクジェット記録ヘッド３２には、マトリックス状に複数のノズル５６が形成されており、記録用紙Ｐの幅方向には、インクジェット記録ユニット３０全体として一定のピッチでノズル５６が並設されている。
【００２７】
そして、用紙搬送路２７を連続的に搬送される記録用紙Ｐに対し、ノズル５６からインク滴を吐出することで、記録用紙Ｐ上に画像が記録される。なお、インクジェット記録ユニット３０は、例えば、いわゆるフルカラーの画像を記録するために、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色に対応して、少なくとも４つ配置されている。
【００２８】
図３で示すように、それぞれのインクジェット記録ユニット３０のノズル５６による印字領域幅は、このインクジェット記録装置１０での画像記録が想定される記録用紙Ｐの用紙最大幅ＰＷよりも長くされており、インクジェット記録ユニット３０を紙幅方向に移動させることなく、記録用紙Ｐの全幅にわたる画像記録が可能とされている。つまり、このインクジェット記録ユニット３０は、シングルパス印字が可能なＦｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＦＷＡ）となっている。
【００２９】
ここで、印字領域幅とは、記録用紙Ｐの両端から印字しないマージンを引いた記録領域のうち最大のものが基本となるが、一般的には印字対象となる用紙最大幅ＰＷよりも大きくとっている。これは、記録用紙Ｐが搬送方向に対して所定角度傾斜して（スキューして）搬送されるおそれがあるためと、縁無し印字の要望が高いためである。
【００３０】
以上のような構成のインクジェット記録装置１０において、次にインクジェット記録ヘッド３２について詳細に説明する。図４は第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の構成を示す概略平面図である。すなわち、図４（Ａ）はインクジェット記録ヘッド３２の全体構成を示すものであり、図４（Ｂ）は１つの素子の構成を示すものである。
【００３１】
また、図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）は、それぞれ図４（Ｂ）の各部をＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線の断面にて示すものである。ただし、後述するシリコン基板７２及びプール室部材３９は省略している。更に、図６はインクジェット記録ヘッド３２を部分的に取り出して主要部分が明確になるように示した概略縦断面図である。
【００３２】
このインクジェット記録ヘッド３２には、天板部材４０が配置されている。本実施形態では、天板部材４０を構成するガラス製の天板４１は板状で、かつ配線を有しており、インクジェット記録ヘッド３２全体の天板となっている。天板部材４０には、駆動ＩＣ６０と、駆動ＩＣ６０に通電するための金属配線９０が設けられている。金属配線９０は、樹脂保護膜９２で被覆保護されており、インク１１０による浸食が防止されるようになっている。
【００３３】
また、この駆動ＩＣ６０の下面には、図７で示すように、複数のバンプ６０Ｂがマトリックス状に所定高さ突設されており、天板４１上で、かつプール室部材３９よりも外側の金属配線９０にフリップチップ実装されるようになっている。したがって、圧電素子４６に対する高密度配線と低抵抗化が容易に実現可能であり、これによって、インクジェット記録ヘッド３２の小型化が実現可能となっている。なお、駆動ＩＣ６０の周囲は樹脂材５８で封止されている。
【００３４】
天板部材４０には、耐インク性を有する材料で構成されたプール室部材３９が貼着されており、天板４１との間に、所定の形状及び容積を有するインクプール室３８が形成されている。プール室部材３９には、インクタンク（図示省略）と連通するインク供給ポート３６が所定箇所に穿設されており、インク供給ポート３６から注入されたインク１１０は、インクプール室３８に貯留される。
【００３５】
天板４１には、後述する圧力室１１５と１対１で対応するインク供給用貫通口１１２が形成されており、その内部が第１インク供給路１１４Ａとなっている。また、天板４１には、後述する上部電極５４に対応する位置に、電気接続用貫通口４２が形成されている。天板４１の金属配線９０は電気接続用貫通口４２内にまで延長されて、その電気接続用貫通口４２の内面を覆い、更に上部電極５４に接触している。
【００３６】
これにより、金属配線９０と上部電極５４とが電気的に接続され、後述する圧電素子基板７０の個別配線が不要になっている。なお、電気接続用貫通口４２の下部は金属配線９０によって閉塞された底部４２Ｂ（図１１−１（Ｂ）参照）となっており、電気接続用貫通口４２は、上方にのみ開放された以外は閉じた空間となっている。
【００３７】
流路基板としてのシリコン基板７２には、インクプール室３８から供給されたインク１１０が充填される圧力室１１５が形成され、圧力室１１５と連通路５０によって連通するノズル５６からインク滴が吐出されるようになっている。そして、インクプール室３８と圧力室１１５とが同一水平面上に存在しないように構成されている。したがって、圧力室１１５を互いに接近させた状態に配置することが可能であり、ノズル５６をマトリックス状に高密度に配設することが可能となっている。
【００３８】
シリコン基板７２の下面には、ノズル５６が形成されたノズルプレート７４が貼着され、シリコン基板７２の上面には、圧電素子基板７０が形成（作製）される。圧電素子基板７０は振動板４８を有しており、振動板４８の振動によって圧力室１１５の容積を増減させて圧力波を発生させることで、ノズル５６からのインク滴の吐出が可能になっている。したがって、振動板４８が圧力室１１５の１つの面を構成している。
【００３９】
圧電素子４６は、圧力室１１５毎に振動板４８の上面に接着されている。振動板４８は、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）法で形成されたＳｉＯｘ膜であり、少なくとも上下方向に弾性を有し、圧電素子４６に通電されると（電圧が印加されると）、上下方向に撓み変形する（変位する）構成になっている。なお、振動板４８は金属材料であっても差し支えはない。
【００４０】
また、圧電素子４６の下面には一方の極性となる下部電極５２が配置され、圧電素子４６の上面には他方の極性となる上部電極５４が配置されている。そして、圧電素子４６は、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０で被覆保護されている。圧電素子４６を被覆保護している低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０は、水分透過性が低くなる条件で着膜するため、水分が圧電素子４６の内部に侵入して信頼性不良となること（ＰＺＴ膜内の酸素を還元することにより生ずる圧電特性の劣化）を防止できる。
【００４１】
更に、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０上には、隔壁樹脂層１１９が積層されている。図４（Ｂ）で示すように、隔壁樹脂層１１９は、圧電素子基板７０と天板部材４０との間の空間を区画している。隔壁樹脂層１１９には、天板４１のインク供給用貫通口１１２と連通するインク供給用貫通口４４が形成されており、その内部が第２インク供給路１１４Ｂとなっている。
【００４２】
第２インク供給路１１４Ｂは、第１インク供給路１１４Ａの断面積よりも小さい断面積を有しており、インク供給路１１４全体での流路抵抗が所定の値になるように調整されている。つまり、第１インク供給路１１４Ａの断面積は、第２インク供給路１１４Ｂの断面積よりも充分に大きくされており、第２インク供給路１１４Ｂでの流路抵抗と比べて実質的に無視できる程度とされている。したがって、インクプール室３８から圧力室１１５へのインク供給路１１４の流路抵抗は、第２インク供給路１１４Ｂのみで規定される。
【００４３】
また、このように、隔壁樹脂層１１９に形成したインク供給用貫通口４４によってインク１１０を供給するようにしたことで、供給途中における圧電素子４６領域へのインク漏れが防止されている。なお、隔壁樹脂層１１９には大気連通孔１１６が形成されており、インクジェット記録ヘッド３２の製造時や画像記録時における天板４１と圧電素子基板７０の空間の圧力変動を低減している。
【００４４】
また、電気接続用貫通口４２に対応する位置にも隔壁樹脂層１１８が積層されている。図４（Ｂ）で示すように、隔壁樹脂層１１８には、金属配線９０が貫通する貫通孔１２０が形成されており、金属配線９０の下端を上部電極５４に接触可能としている。なお、図４（Ｂ）では、隔壁樹脂層１１８と隔壁樹脂層１１９が分離された位置での断面としているが、これらは、実際には部分的に繋がっている。
【００４５】
また、隔壁樹脂層１１８、１１９によって、天板部材４０と圧電素子４６（厳密には、圧電素子４６上の低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０）との間に間隙が構成され、空気層となっている。この空気層により、圧電素子４６の駆動や振動板４８の振動に影響を与えないようになっている。
【００４６】
そして、電気接続用貫通口４２の内部には、金属配線９０に接触するようにして、半田８６が充填されている。これにより、実質的に金属配線９０が補強されて、上部電極５４に対する接触状態（電気的な接続状態）が向上されており、例えば、熱ストレスや機械的ストレスなどによって接触状態が低下しそうになった場合でも、半田８６によって、その接触状態が良好に維持される。
【００４７】
したがって、駆動ＩＣ６０からの信号が、天板部材４０の金属配線９０に通電され、更に金属配線９０から上部電極５４に通電される。そして、所定のタイミングで圧電素子４６に電圧が印加され、振動板４８が上下方向に撓み変形することにより、圧力室１１５内に充填されたインク１１０が加圧されて、ノズル５６からインク滴が吐出する。
【００４８】
なお、隔壁樹脂層１１９と隔壁樹脂層１１８は、その上面の高さが一定、即ち面一になるように構成されている。したがって、天板４１から測った隔壁樹脂層１１９と隔壁樹脂層１１８の対向面の高さ（距離）も同一になっている。これにより、天板４１が接触する際の接触性が高くなり、シール性も高くなっている。また、金属配線９０にはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１００も接続される。
【００４９】
以上のような構成のインクジェット記録ヘッド３２の概略構成を、図８に基づいて説明する。
【００５０】
インクジェット記録ヘッド３２は、流路基板の上面に圧電素子及びガラス基板を作製し、その後、流路基板の下面にノズルフィルムを接合（貼着）すると共に、反対側にプール室を形成することで製造される。
【００５１】
ここで、流路基板の製造方法について詳細に説明する。
【００５２】
図９−１（Ａ）で示すように、まず、厚さ０．４ｍｍのシリコン基板７２を用意する。なお、シリコン基板７２の面方位は｛１１０｝とする。そして、図９−１（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングにより、そのシリコン基板７２の圧力室となる領域に、深さ３０μｍの溝部７２Ａを形成する。つまり、ここでは、溝部７２Ａの上方の肉厚が、３７０μｍ確保された状態とされる。
【００５３】
次に、図９−１（Ｃ）で示すように、表面にＳｉＯｘ膜７３が成膜された厚さ０．４ｍｍのシリコン基板７８を、シリコン基板７２の下面に加熱加圧接合する。これにより、溝部７２Ａは、シリコン基板７８によって閉塞された状態となり、シリコン基板７２とシリコン基板７８の間に、圧力室の一部となる空間が形成される。
【００５４】
その後、図９−２（Ｄ）で示すように、シリコン基板７２の上面（表面）を研磨して、シリコン基板７２の厚さを０．１ｍｍにする。これにより、凹部７２Ａの上方の肉厚が７０μｍとされる。この後の工程で、溝部７２Ａの上方の肉がウェットエッチングにより除去される。この段階で、シリコン基板７２の上面を研磨して、溝部７２Ａの上方の肉を薄くしておくことで、ウェットエッチングの時間が短縮され、圧力室の形状精度が確保される。
【００５５】
なお、本実施形態では、シリコン基板７２の上面を研磨して、シリコン基板７２の肉厚を薄くしたが、必ずしもシリコン基板７２の上面を研磨する必要はない。
【００５６】
次に、図９−２（Ｅ）で示すように、この研磨したシリコン基板７２の上面に、振動板４８となる薄膜、例えば、温度３５０℃、ＲＦｐｏｗｅｒ３００Ｗ、周波数４５０ＫＨｚ、圧力１．５ｔｏｒｒ、ガスＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝１５０／４０００ｓｃｃｍのプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯｘ膜８２（膜厚４μｍ）を成膜する。なお、この場合の振動板４８の材料としては、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＣ膜、金属膜等であってもよい。
【００５７】
その後、図９−２（Ｆ）で示すように、スパッタ法により、例えば厚み０．５μｍ程度のＡｕ膜６２、即ち下部電極５２を成膜する。そして、図９−３（Ｇ）で示すように、振動板４８の上面に積層された下部電極５２をパターニングする。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法によるエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。この下部電極５２が接地電位となる。
【００５８】
次に、図９−３（Ｈ）で示すように、下部電極５２の上面に、圧電素子４６の材料であるＰＺＴ膜６４と、上部電極５４となるＡｕ膜６６を順にスパッタ法で積層し、図９−３（Ｉ）で示すように、圧電素子４６（ＰＺＴ膜６４）及び上部電極５４（Ａｕ膜６６）をパターニングする。
【００５９】
具体的には、ＰＺＴ膜スパッタ（膜厚５μｍ）、Ａｕ膜スパッタ（膜厚０．５μｍ）、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（エッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。下部及び上部の電極材料としては、圧電素子４６であるＰＺＴ材料との親和性が高く、耐熱性がある、例えばＡｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｔ等が挙げられる。
【００６０】
その後、図９−４（Ｊ）で示すように、振動板４８（ＳｉＯｘ膜８２）にインク供給路１１４形成用の孔部８２Ａをパターニングする。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（ＨＦエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【００６１】
次に、図９−４（Ｋ）で示すように、上面に露出している下部電極５２と上部電極５４の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を積層する。そして、パターニングにより、上部電極５４と金属配線９０を接続するための開口８４（コンタクト孔）を形成する。
【００６２】
具体的には、ＣＶＤ法にてダングリングボンド密度が高い低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を着膜する、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（ＨＦエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。なお、ここでは低透水性絶縁膜としてＳｉＯｘ膜を用いたが、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘＮｙ膜等であってもよい。
【００６３】
次いで、図９−５（Ｌ）で示すように、隔壁樹脂層１１９及び隔壁樹脂層１１８をパターニングする。具体的には、隔壁樹脂層１１９、隔壁樹脂層１１８を構成する感光性樹脂を塗布し、露光・現像することでパターンを形成し、最後にキュアする。このとき、隔壁樹脂層１１９にインク供給用貫通口４４を形成しておく。
【００６４】
なお、隔壁樹脂層１１９と隔壁樹脂層１１８とは、同一膜であるが、設計パターンが異なっている。また、隔壁樹脂層１１９、隔壁樹脂層１１８を構成する感光性樹脂は、ポリイミド系、ポリアミド系、エポキシ系、ポリウレタン系、シリコン系等、耐インク性を有していればよい。
【００６５】
こうして、シリコン基板７２（流路基板）の上面に圧電素子基板７０が作製され、この圧電素子基板７０の上面に、例えばガラス板を支持体とする天板部材４０が結合（接合）される。天板部材４０の製造においては、図１０（Ａ）で示すように、天板部材４０自体が支持体となる程度の強度を確保できる厚み（０．３ｍｍ〜１．５ｍｍ）の天板４１を含んでいるので、別途支持体を設ける必要がない。この天板４１に、図１０（Ｂ）で示すように、インク供給用貫通口１１２及び電気接続用貫通口４２を形成する。
【００６６】
具体的には、ホトリソグラフィー法で感光性ドライフィルムのレジストをパターニングし、このレジストをマスクとしてサンドブラスト処理を行って開口を形成した後、そのレジストを酸素プラズマにて剥離する。なお、インク供給用貫通口１１２及び電気接続用貫通口４２は、断面視で内面が下方に向かって次第に接近するようなテーパー状（漏斗状）に形成されている。
【００６７】
このようにしてインク供給用貫通口１１２及び電気接続用貫通口４２が形成された天板４１（天板部材４０）を、図１１−１（Ａ）で示すように、圧電素子基板７０に被せて、両者を熱圧着（例えば、３５０℃、２ｋｇ／ｃｍ２で２０分間）により結合（接合）する。このとき、隔壁樹脂層１１９と隔壁樹脂層１１８とは面一（同一高さ）になるように構成されているので、天板４１が接触する際の接触性が高くなり、高いシール性で接合することができる。
【００６８】
そして、図１１−１（Ｂ）で示すように、天板４１の上面に金属配線９０を成膜してパターニングする。具体的には、スパッタ法によるＡｌ膜（厚さ１μｍ）の着膜、ホトリソグラフィー法によるレジストの形成、Ｈ3ＰＯ4薬液を用いたＡｌ膜のウェットエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【００６９】
なお、電気接続用貫通口４２の段差は非常に大きいので、ホトリソグラフィー工程ではレジストのスプレー塗布法と長焦点深度露光法を用いている。このとき、金属配線９０の一部が、電気接続用貫通口４２の内面から、上部電極５４へと達するようにパターニングしておく。
【００７０】
これにより、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂが金属配線９０で閉塞され、電気接続用貫通口４２は、上方にのみ開放された以外は閉じた空間となる。なお、金属配線９０を電気接続用貫通口４２の深部まで厚く成膜したい場合には、スパッタ法よりも段差被覆性の良好なＣＶＤ法を採用すればよい。
【００７１】
そして、このように金属配線９０がパターニングされた電気接続用貫通口４２内（上記空間内）に、図１１−２（Ｃ）で示すように、半田８６を搭載する。この方法としては、半田ボール８６Ｂを電気接続用貫通口４２内に直接搭載する半田ボール法を用いることができる。
【００７２】
なお、半田ボール法以外に、図１３（Ａ）で示すように、インクジェットの原理を応用した加熱溶融半田吐出供給法を用いてもよい。この方法では、天板４１と非接触で、かつ、マスクを用いることなく、半田８６を所定の位置に供給することができる。更に、図１３（Ｂ）で示すように、スクリーン印刷法を用いて半田８６を供給してもよい。何れの供給方法であっても、電気接続用貫通口４２は、断面視で内面が下方に向かって次第に接近するようなテーパー状（漏斗状）に形成されているので、半田８６が電気接続用貫通口４２の内面に付着しやすい。
【００７３】
次に、図１１−２（Ｄ）で示すように、半田８６をリフロー（例えば、２８０℃で１０分間）し、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂにまで行き渡らせる。このとき、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂには、溶融した半田８６が流れ出る経路がないので、高温の環境下で半田８６を充分に溶融させて、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂまで確実に充填することができる。
【００７４】
つまり、この段階で、半田８６の最下部は、天板４１の下面（金属配線９０が形成されていない面）よりも下側の電気接続用貫通口４２内に位置しており、電気接続用貫通口４２内の金属配線９０に確実に接触するようになっている。また、この段階で、溶融した半田８６が、天板４１の上面（厳密には、金属配線９０の上面）よりも上方に位置しないように、充填する半田８６の量は予め所定量に決められている。
【００７５】
ここで、金属配線９０の底部、即ち上部電極５４と接触している部位は、金属配線９０を構成しているＡｌ膜が薄くなることがあり、隔壁樹脂層１１９の熱膨張等で機械的ストレスを受けて、金属配線９０が断線しているおそれがある。しかし、このような場合でも、底部４２Ｂに充填された半田８６が、底部４２Ｂと電気接続用貫通口４２内の金属配線９０を接続しているので、半田８６による導通確保が可能となる。また、溶融した半田８６が流れ出ないので、電気接続用貫通口４２の近傍部分を半田８６が不用意に短絡させてしまうおそれもない。
【００７６】
次に、図１１−３（Ｅ）で示すように、金属配線９０が形成された面に樹脂保護膜９２（例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７３２０）を積層してパターニングする。なお、このとき、第１インク供給路１１４Ａを樹脂保護膜９２が覆わないようにする。また、この樹脂保護膜９２としては、ポリイミド系、ポリアミド系、エポキシ系、ポリウレタン系、シリコーン系等、耐インク性を有していればよい。
【００７７】
次いで、図１１−３（Ｆ）で示すように、樹脂保護膜９２の上面及びインク供給路１１４内に、耐ＨＦ保護用レジスト８８を塗布する。
【００７８】
次に、図１１−４（Ｇ）で示すように、シリコン基板７８の下面を研磨して、シリコン基板７８の厚さを０．２ｍｍにする。
【００７９】
そして、図１１−４（Ｈ）で示すように、シリコン基板７８の下面から、連通路となる開口部７６を、ウェットエッチングにより形成する。このとき、シリコン基板７８の表面に形成されているＳｉＯｘ膜７３が露出する。
【００８０】
次に、開口部７６からＳｉＯｘ膜７３の溶解液、例えばフッ酸水溶液を供給して、図１１−５（Ｉ）で示すように、ＳｉＯｘ膜７３の一部をエッチングして除去する。これにより、供給路５０としての開口部７６と、圧力室としての凹部７２Ａが連通する。この段階で連通路が完成する。
【００８１】
その後、図１１−５（Ｊ）で示すように、シリコン基板７２の溶解液、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を開口部７６から供給して、シリコン基板７２の一部（凹部７２Ａ）をエッチングして除去する。この段階で圧力室が完成する。なお、圧力室及び連通路を形成した部位以外では、シリコン基板７２とシリコン基板７８の間にＳｉＯｘ膜７３が残ったままとなるが、特に問題はない。
【００８２】
こうして、シリコン基板７２の一部をエッチング除去したら、図１１−５（Ｋ）で示すように、耐ＨＦ保護用レジスト８８をアセトンによって除去する。
【００８３】
そして次に、シリコン基板７２の下面にノズルプレート７４を貼着する。すなわち、図１２−１（Ａ）で示すように、ノズル５６となる開口６８Ａが形成されたノズルフィルム６８をシリコン基板７２の下面に貼り付ける。その後、図１２−１（Ｂ）で示すように、金属配線９０に駆動ＩＣ６０をフリップチップ実装する。このとき、駆動ＩＣ６０は、予め半導体ウエハプロセスの終りに実施されるグラインド工程にて、所定の厚さ（７０μｍ〜３００μｍ）に加工されている。
【００８４】
そして、駆動ＩＣ６０の周囲を樹脂材５８で封止し、駆動ＩＣ６０を水分等の外部環境から保護できるようにする。これにより、後工程でのダメージ、例えば、できあがった圧電素子基板７０をダイシングによってインクジェット記録ヘッド３２に分割する際の水や研削片によるダメージを回避することができる。そして、図１２−２（Ｃ）で示すように、金属配線９０にフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１００を接続する。
【００８５】
次に、図１２−２（Ｄ）で示すように、駆動ＩＣ６０よりも内側の天板部材４０（天板４１）の上面にプール室部材３９を装着して、これらの間にインクプール室３８を構成する。これにより、インクジェット記録ヘッド３２が完成し、図１２−３（Ｅ）で示すように、インクプール室３８や圧力室１１５内にインク１１０が充填可能とされる。
【００８６】
以上のようにして製造されるインクジェット記録ヘッド３２を備えたインクジェット記録装置１０において、次に、その作用を説明する。まず、インクジェット記録装置１０に印刷を指令する電気信号が送られると、ストッカー２４から記録用紙Ｐが１枚ピックアップされ、搬送装置２６により搬送される。
【００８７】
一方、インクジェット記録ユニット３０では、すでにインクタンクからインク供給ポートを介してインクジェット記録ヘッド３２のインクプール室３８にインク１１０が注入（充填）され、インクプール室３８に充填されたインク１１０は、インク供給路１１４を経て圧力室１１５へ供給（充填）されている。そして、このとき、ノズル５６の先端（吐出口）では、インク１１０の表面が圧力室１１５側に僅かに凹んだメニスカスが形成されている。
【００８８】
そして、記録用紙Ｐを搬送しながら、複数のノズル５６から選択的にインク滴を吐出することにより、記録用紙Ｐに、画像データに基づく画像の一部を記録する。すなわち、駆動ＩＣ６０により、所定のタイミングで、所定の圧電素子４６に電圧を印加し、振動板４８を上下方向に撓み変形させて（面外振動させて）、圧力室１１５内のインク１１０を加圧し、所定のノズル５６からインク滴として吐出させる。
【００８９】
こうして、記録用紙Ｐに、画像データに基づく画像が完全に記録されたら、排紙ベルト２３により記録用紙Ｐをトレイ２５に排出する。これにより、記録用紙Ｐへの印刷処理（画像記録）が完了する。
【００９０】
このようなインクジェット記録ヘッド３２の製造工程において、まず、圧力室が形成されるシリコン基板７２に、圧力室の一部として凹部７２Ａを形成する。つまり、シリコン基板７２の圧力室となる部分に、開口部を形成せずに、シリコン基板７２の肉を残すように凹部７２Ａを形成する。これにより、シリコン基板７２の剛性を確保した状態で、シリコン基板７２にシリコン基板７８を接合するので、接合位置ずれが防止されて、高精度にシリコン基板７２とシリコン基板７８を接合できる。
【００９１】
また、このシリコン基板７２を、シリコン基板７８を接合した後の工程で、所定の厚みに研磨するので、十分な厚みのあるシリコン基板７２にシリコン基板７８を接合することができる。つまり、シリコン基板７２の剛性を可能な限り高めた状態で、シリコン基板７８が接合されるので、接合の際にシリコン基板７２の反りなどによる接合位置ずれが防止され、高精度にシリコン基板７２とシリコン基板７８を接合できる。
【００９２】
また、シリコン基板７８もシリコン基板７２に接合した後の工程で所定の厚みに研磨するので、シリコン基板７２及びシリコン基板７８は共に、接合前の工程でハンドリングに困難をきたさない。
【００９３】
さらに、ＳｉＯｘ膜７３が成膜されたシリコン基板７８をシリコン基板７２に接合して、シリコン基板７２とリコン基板７８の間に、ＳｉＯｘ膜７３を介在させることで、リコン基板７８に形成した開口部７６からシリコン基板７２の溶解液凹部７２Ａに供給して、凹部７２Ａを振動板４８に到達するまで除去する際に、シリコン基板７８はＳｉＯｘ膜７３によって保護される。これにより、シリコン基板７８がエッチングされないので、エッチング時間によって、圧力室の容積が変動しない。
【００９４】
なお、本実施形態では、シリコン基板７２の下面にシリコン基板７８を接合して形成された流路基板を有するインクジェット記録ヘッド３２について説明したが、流路基板の構成としては、必ずしもシリコン基板とシリコン基板を接合したものに限定されない。つまり、シリコン基板の下面にガラス基板を接合して形成された流路基板、ガラス基板の下面にシリコン基板を接合して形成された流路基板、ガラス基板の下面にガラス基板を接合して形成された流路基板を有するインクジェット記録ヘッドについても、本発明の製造方法が適用されることは言うまでもない。
【００９５】
次に、第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２について説明する。なお、以下において、第１実施形態のインクジェットヘッド３２と同一の構成要素、部材等は同一符号を付して、その詳細な説明（作用を含む）を省略する。また、この第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２では、第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２と異なる製造方法（製造工程）についてのみ、図１４を基に詳細に説明する。
【００９６】
図１４−１（Ａ）で示すように、まず、厚さ０．４ｍｍのシリコン基板７２を用意する。なお、シリコン基板７２の面方位は｛１１０｝とする。そして、図１４−１（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングにより、そのシリコン基板７２の圧力室となる領域に、深さ３０μｍの溝部７２Ａを形成する。
【００９７】
次に、図１４−１（Ｃ）で示すように、厚さ０．４ｍｍのガラス基板７８を、シリコン基板７２の下面に加熱加圧接合する。これにより、溝部７２Ａは、ガラス基板７８によって閉塞された状態となり、シリコン基板７２とガラス基板７８の間に、圧力室の一部となる空間が形成される。
【００９８】
その後、図１４−２（Ｄ）で示すように、シリコン基板７２の上面（表面）を研磨して、シリコン基板７２の厚さを０．１ｍｍにする。これにより、凹部７２Ａの上方の肉厚が７０μｍとされる。
【００９９】
次に、図１４−２（Ｅ）で示すように、この研磨したシリコン基板７２の上面に、振動板４８となる薄膜、例えば、温度３５０℃、ＲＦｐｏｗｅｒ３００Ｗ、周波数４５０ＫＨｚ、圧力１．５ｔｏｒｒ、ガスＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝１５０／４０００ｓｃｃｍのプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯｘ膜８２（膜厚４μｍ）を成膜する。なお、この場合の振動板４８の材料としては、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＣ膜、金属膜等であってもよい。
【０１００】
なお、この後の工程は、上記第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の場合と同様である。すなわち、図９−２（Ｆ）〜図１１−３（Ｆ）までは上記と同様であるため、その説明は省略する。
【０１０１】
次いで、図１４−３（Ｆ）で示すように、ガラス基板７８の下面を研磨して、ガラス基板７８の厚さを０．２ｍｍにする。
【０１０２】
そして、図１４−３（Ｇ）で示すように、ガラス基板７８の下面から、連通路となる開口部７６を、ウェットエッチングにより形成する。この段階で連通路が完成する。
【０１０３】
その後、図１４−３（Ｈ）で示すように、シリコン基板７２の溶解液、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を開口部７６から供給して、シリコン基板７２の一部（凹部７２Ａ）をエッチングして除去する。この段階で圧力室が完成する。
【０１０４】
なお、開口部７６からシリコンを除去する溶解液が供給するとき、ガラス基板７８がエッチングされる恐れがない。このため、第１実施形態のように、シリコン基板７２とガラス基板７８の間にＳｉＯｘ膜を設ける必要はない。
【０１０５】
なお、この後の工程は、上記第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の場合と同様である。すなわち、図１１−５（Ｋ）〜図１２−２（Ｄ）までは上記と同様であるため、その説明は省略する。
【０１０６】
なお、本実施形態では、シリコン基板７２の下側にガラス基板７８を接合して形成されたインクジェット記録ヘッド３２について説明したが、シリコン基板７２をガラス基板に替え、ガラス基板７８をシリコン基板に替えても、本発明の製造方法が適用されることは言うまでもない。
【０１０７】
次に、第３実施形態のインクジェット記録ヘッド３２について説明する。なお、以下において、第１実施形態のインクジェットヘッド３２と同一の構成要素、部材等は同一符号を付して、その詳細な説明（作用を含む）を省略する。また、この第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２では、第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２と異なる製造方法（製造工程）についてのみ、図１５を基に詳細に説明する。
【０１０８】
図１５−１（Ａ）で示すように、まず、厚さ０．４ｍｍのシリコン基板７２を用意する。なお、シリコン基板７２の面方位は｛１１０｝とする。そして、図１５−１（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングにより、そのシリコン基板７２の圧力室となる領域に、深さ２０μｍの溝部７２Ｂを形成する。
【０１０９】
次に、図１５−１（Ｃ）で示すように、厚さ０．４ｍｍのシリコン基板７８を、シリコン基板７２の下面に加熱加圧接合する。これにより、溝部７２Ｂは、シリコン基板７８によって閉塞された状態となり、シリコン基板７２とシリコン基板７８の間に、圧力室の一部となる空間が形成される。
【０１１０】
その後、図１５−２（Ｄ）で示すように、シリコン基板７２の上面（表面）を研磨して、シリコン基板７２の厚さを０．０６ｍｍにする。
【０１１１】
次に、図１５−２（Ｅ）で示すように、この研磨したシリコン基板７２の上面に、振動板４８となる薄膜、例えば、温度３５０℃、ＲＦｐｏｗｅｒ３００Ｗ、周波数４５０ＫＨｚ、圧力１．５ｔｏｒｒ、ガスＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝１５０／４０００ｓｃｃｍのプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯｘ膜８２（膜厚４μｍ）を成膜する。なお、この場合の振動板４８の材料としては、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＣ膜、金属膜等であってもよい。
【０１１２】
なお、この後の工程は、上記第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の場合と同様である。すなわち、図９−２（Ｆ）〜図１１−３（Ｆ）までは上記と同様であるため、その説明は省略する。
【０１１３】
次いで、図１５−３（Ｆ）で示すように、シリコン基板７８の下面を研磨して、シリコン基板７８の厚さを０．２４ｍｍにする。
【０１１４】
そして、図１５−３（Ｇ）で示すように、シリコン基板７８の下面から、連通路となる開口部７６を、ウェットエッチングにより形成する。この段階で連通路が完成する。
【０１１５】
その後、図１５−３（Ｈ）で示すように、シリコン基板７２の溶解液、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を開口部７６から供給して、シリコン基板７２の一部（凹部７２Ｂ）をエッチングして除去する。このとき、シリコン基板７８の上面及び開口部７６とシリコン基板７８の上面で形成されるエッジもエッチングされる。この段階で圧力室が完成する。
【０１１６】
なお、先の工程において、シリコン基板７２の溝部７２Ｂの深さを２０μｍとしているので、この工程でシリコン基板７８の上面がエッチングされても、圧力室が必要以上に大きくならない。また、シリコン基板７８の上面及び開口部７６で形成されるエッジがエッチングされることで、インクの流動抵抗が、エッジによって大きくなる恐れがないので、インクの流動性向上に繋がる。
【０１１７】
なお、この後の工程は、上記第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の場合と同様である。すなわち、図１１−５（Ｋ）〜図１２−２（Ｄ）までは上記と同様であるため、その説明は省略する。
【０１１８】
なお、本実施形態では、シリコン基板７２にシリコン基板７８を接合して形成されたインクジェット記録ヘッド３２について説明したが、シリコン基板７２及びシリコン基板７８を、共にガラス基板に替えても、本発明の製造方法が適用されることは言うまでもない。
【０１１９】
次に、第４実施形態のインクジェット記録ヘッド３２について説明する。なお、以下において、第１実施形態のインクジェットヘッド３２と同一の構成要素、部材等は同一符号を付して、その詳細な説明（作用を含む）を省略する。また、この第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２では、第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２と異なる製造方法（製造工程）についてのみ、図１６を基に詳細に説明する。
【０１２０】
図１６−１（Ａ）で示すように、まず、厚さ０．４ｍｍのシリコン基板７２を用意する。なお、シリコン基板７２の面方位は｛１１０｝とする。そして、図１６−１（Ｂ）に示すように、シリコン基板７２の下面に、例えば、圧力室に相当する部分以外にＳｉＯｘ膜９６（膜厚２０μｍ）を成膜する。これにより、圧力室に相当する部分に溝部９６Ａが形成された状態となる。
【０１２１】
次に、図１６−１（Ｃ）で示すように、厚さ０．４ｍｍのシリコン基板７８を、ＳｉＯｘ膜９６に加熱加圧接合する。これにより、溝部９６Ａは、シリコン基板７８によって閉塞された状態となり、シリコン基板７２、溝部９６Ａ及びシリコン基板７８の間に、圧力室の一部となる空間が形成される。
【０１２２】
その後、図１６−２（Ｄ）で示すように、シリコン基板７２の上面（表面）を研磨して、シリコン基板７２の厚さを０．０４ｍｍにする。
【０１２３】
次に、図１６−２（Ｅ）で示すように、この研磨したシリコン基板７２の上面に、振動板４８となる薄膜、例えば、温度３５０℃、ＲＦｐｏｗｅｒ３００Ｗ、周波数４５０ＫＨｚ、圧力１．５ｔｏｒｒ、ガスＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝１５０／４０００ｓｃｃｍのプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯｘ膜８２（膜厚４μｍ）を成膜する。なお、この場合の振動板４８の材料としては、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＣ膜、金属膜等であってもよい。
【０１２４】
なお、この後の工程は、上記第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の場合と同様である。すなわち、図９−２（Ｆ）〜図１１−３（Ｆ）までは上記と同様であるため、その説明は省略する。
【０１２５】
次いで、図１６−３（Ｆ）で示すように、シリコン基板７８の下面を研磨して、シリコン基板７８の厚さを０．２４ｍｍにする。
【０１２６】
そして、図１６−３（Ｇ）で示すように、シリコン基板７８の下面から、連通となる開口部７６を、ウェットエッチングにより形成する。この段階で連通路が完成する。
【０１２７】
その後、図１６−３（Ｈ）で示すように、シリコン基板７２の溶解液、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を開口部７６から供給して、シリコン基板７２の一部（凹部７２Ｂ）をエッチングして除去する。このとき、シリコン基板７８の上面及び開口部７６とシリコン基板７８の上面で形成されるエッジもエッチングされる。この段階で圧力室が完成する。
【０１２８】
なお、先の工程において、ＳｉＯｘ膜９６の厚さを２０μｍとして、シリコン基板７２の下面にＳｉＯｘ膜９６によって形成された溝部９６Ａの深さを２０μｍとしているので、この工程でシリコン基板７８の上面がエッチングされても、圧力室が必要以上に大きくならない。また、シリコン基板７８の上面及び開口部７６で形成されるエッジがエッチングされることで、インクの流動抵抗が、エッジによって大きくなる恐れがないので、インクの流動性向上に繋がる。
【０１２９】
なお、この後の工程は、上記第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の場合と同様である。すなわち、図１１−５（Ｋ）〜図１２−２（Ｄ）までは上記と同様であるため、その説明は省略する。
【０１３０】
なお、本実施形態では、シリコン基板７２にシリコン基板７８を接合して形成されたインクジェット記録ヘッド３２について説明したが、シリコン基板７２及びシリコン基板７８を、共にガラスからなる所謂ガラス基板に替えても、本発明の製造方法が適用されることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】インクジェット記録装置を示す概略正面図である。
【図２】インクジェット記録ヘッドの配列を示す説明図である。
【図３】記録媒体の幅と印字領域の幅との関係を示す説明図である。
【図４】（Ａ）第１実施形態のインクジェット記録ヘッドの全体構成を示す概略平面図、（Ｂ）第１実施形態のインクジェット記録ヘッドの１素子の構成を示す概略平面図である。
【図５】（Ａ）図４（Ｂ）のＡ−Ａ’線断面図、（Ｂ）図４（Ｂ）のＢ−Ｂ’線断面図、（Ｃ）図４（Ｂ）のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図６】第１実施形態のインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略断面図である。
【図７】インクジェット記録ヘッドの駆動ＩＣのバンプを示す概略平面図である。
【図８】第１実施形態のインクジェット記録ヘッドを製造する全体工程の説明図である。
【図９−１】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｃ）を示す説明図である。
【図９−２】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｄ）〜（Ｆ）を示す説明図である。
【図９−３】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｇ）〜（Ｉ）を示す説明図である。
【図９−４】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｊ）〜（Ｋ）を示す説明図である。
【図９−５】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｌ）を示す説明図である。
【図１０】第１実施形態に係る天板部材を製造する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図１１−１】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図１１−２】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図１１−３】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｅ）〜（Ｆ）を示す説明図である。
【図１１−４】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｇ）〜（Ｈ）を示す説明図である。
【図１１−５】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｉ）〜（Ｋ）を示す説明図である。
【図１２−１】第１実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図１２−２】第１実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図１２−３】第１実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ｅ）を示す説明図
【図１３】（Ａ）半田を搭載する別の方法を示す説明図、（Ｂ）半田を搭載する更に別の方法を示す説明図である。
【図１４−１】第２実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｃ）を示す説明図である。
【図１４−２】第２実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｄ）〜（Ｅ）を示す説明図である。
【図１４−３】第２実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｆ）〜（Ｈ）を示す説明図である。
【図１５−１】第３実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｃ）を示す説明図である。
【図１５−２】第３実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｄ）〜（Ｅ）を示す説明図である。
【図１５−３】第３実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｆ）〜（Ｈ）を示す説明図である。
【図１６−１】第４実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｃ）を示す説明図である。
【図１６−２】第４実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｄ）〜（Ｅ）を示す説明図である。
【図１６−３】第４実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｆ）〜（Ｈ）を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１０  インクジェット記録装置（液滴吐出装置）
３０  インクジェット記録ユニット
３２  インクジェット記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）
４６  圧電素子
４８  振動板
５０  連通路
５６  ノズル
７０  圧電素子基板
７２  シリコン基板（第１基板）
７２Ａ  凹部
７３  ＳｉＯｘ膜（酸化膜）
７６  開口部
７８  シリコン基板（第２基板）
９６  ＳｉＯｘ膜（酸化膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図９−３】
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【図９−４】
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【図９−５】
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【図１０】
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【図１１−１】
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【図１１−２】
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【図１１−３】
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【図１１−４】
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【図１１−５】
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【図１２−１】
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【図１２−２】
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【図１２−３】
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【図１３】
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【図１４−１】
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【図１４−２】
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【図１４−３】
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【図１５−１】
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【図１５−２】
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【図１５−３】
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【図１６−１】
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【図１６−２】
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【図１６−３】
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