(57)【要約】【課題】リードフレームを小型化してクリアランスが小さくなった場合でも、タイバー残りが発生しないリードフレーム、樹脂封止型半導体装置、およびこのような樹脂封止型半導体装置を搭載した電子機器を提供する。【解決手段】リードフレーム１０は、半導体素子が搭載されワイヤボンドで半導体素子と接続される内側リード部１１と、内側リード部１１から延在して外部への接続端子となる外側リード部１２と、隣接する外側リード部１２相互の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置２０の樹脂封止部２１を形成するタイバー部１３とで構成され、タイバー部１３の内側（樹脂封止部２１の側）端辺の中央に切り欠き１４を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載する内側リード部と、該内側リード部から延在して外部への接続端子となる外側リード部と、該外側リード部の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部を形成するタイバー部とを備えるリードフレームにおいて、
前記タイバー部は、前記外側リード部間の中央の前記樹脂封止部側に切り欠きを備えること
を特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記切り欠きは、四角形状であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記切り欠きは、台形状であることを特徴とする請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記切り欠きは、三角形状であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記切り欠きは、円弧状であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記タイバー部は、前記切り欠きを複数有することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記タイバー部は、前記タイバー部の中央の前記樹脂封止部側と反対側に外側切り欠きを備えることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一つに記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記樹脂封止部は、１次樹脂封止部および２次樹脂封止部の２重構造としてあり、前記タイバー部は前記１次樹脂封止部と前記２次樹脂封止部のそれぞれに対応させて２列に配置してあることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一つに記載のリードフレーム。
【請求項９】
半導体素子を搭載した内側リード部と、該内側リード部から延在して外部への接続端子となる外側リード部と、該外側リード部の間に設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止部を形成するタイバー部とを備えるリードフレームを樹脂封止した樹脂封止型半導体装置において、
前記リードフレームは、請求項１ないし請求項８のいずれか一つに記載のリードフレームであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】
前記リードフレームを一対対向させて配置し、一方の前記リードフレームの半導体素子として半導体発光素子を接続し、他方の前記リードフレームの半導体素子として半導体受光素子を接続してあることを特徴とする請求項９に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】
前記樹脂封止部は、１次樹脂封止部および２次樹脂封止部の二重構造としてあり、１次樹脂封止部および２次樹脂封止部それぞれに対応させて１次タイバー部および２次タイバー部を備えたことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１２】
光結合装置としての樹脂封止型半導体装置を搭載してある電子機器において、
前記樹脂封止型半導体装置は、請求項９ないし請求項１１のいずれか一つに記載の樹脂封止半導体装置であることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置に適用するリードフレームおよびそのリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置、およびそのような樹脂封止型半導体装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来例１に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【０００３】
従来例１に係るリードフレーム１１０は、チップとして形成された半導体素子（不図示）が搭載されワイヤボンド（不図示）で半導体素子と接続される内側リード部１１１と、内側リード部１１１から延在して外部への接続端子となる外側リード部１１２と、隣接する外側リード部１１２相互の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置１２０の樹脂封止部１２１を形成するタイバー部１１３とで構成されている。
【０００４】
リードフレーム１１０は、タイバー部１１３の外側（樹脂封止部１２１の側と反対側）で、外側リード部１１２の側縁部に切り欠き１１４を備えている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
例えば、リードフレーム１１０を一対対向させて配置し、一方のリードフレーム１１０の半導体素子として半導体発光素子を接続し、他方のリードフレーム１１０の半導体素子として半導体受光素子を接続して樹脂封止型半導体装置１２０としての光結合装置（不図示）を製造する場合、樹脂封止部１２１を形成する樹脂封止工程としてのトランスファーモールド工程は、モールド金型にてリードフレーム１１０を挟み込み、封止樹脂を樹脂封止部１２１に充填する。
【０００６】
トランスファーモールド工程では、リードフレーム１１０の板厚があることから、樹脂封止部１２１の周囲にはタイバー部１１３まで広がる樹脂バリ部１２２が形成される。タイバー部１１３は最終的には除去する必要があることから、トラスファーモールド工程後のタイバー部１１３を切断するタイバーカット工程では、リード固定用金型を用いてリードフレーム１１０を押圧、固定し、パンチ１３０により樹脂バリ部１２２と共にタイバー部１１３を切断して除去する。
【０００７】
リードフレーム１１０のタイバー部１１３の形状は、切断部となる外側リード部１１２との連結部付近でタイバー部１１３の外側を切り欠いて幅狭とし、タイバー部１１３の中央（中間部）を幅広とすることにより、タイバー部１１３を切断する時に用いるパンチ１３０の側縁部での金型磨耗を軽減するように構成することが一般的である。
【０００８】
また、タイバーカット金型としてのパンチ１３０と樹脂封止部１２１との間にはタイバー部１１３を打ち抜く際のクラックの影響を考慮して、十分なクリアランスを確保する必要がある。
【０００９】
つまり、樹脂封止部１２１とタイバー部１１３との間のクリアランスＣＬ１は、パンチ１３０の樹脂バリ部１２２による磨耗などの影響を考慮して、樹脂封止部１２１とパンチ１３０との間のクリアランスＣＬ２以上に十分な余裕を有する形状のリードフレーム１１０としていた。
【００１０】
したがって、タイバーカット工程でパンチ１３０が、矢符Ａｒｓｎで示す樹脂封止部方向、または、矢符Ａｏｕｔで示す外部方向のいずれの方向にずれても十分な余裕があり、タイバー残りなどが生じることは無かった。
【００１１】
ところが、近年の電気機器の小型化に伴い、その電気機器に使用される電子部品もより小型化することが要請されている。また、低価格化の要請に対応するため、一定時間に対する生産個数を増加させる必要があることから、一つのリードフレーム１１０によるデバイス（樹脂封止型半導体装置１２０）作成数を増加させる必要がある。
【００１２】
つまり、リードフレーム１１０の高密度化が進み、従来確保していた様々な設計余裕度（クリアランス）を縮小していく必要が生じている。したがって、トランスファーモールド工程時の樹脂流出を防止するタイバー部１１３と樹脂封止部１２１とのクリアランスＣＬ１も縮小を図る必要がある。
【００１３】
特に二重トランスファーモールド構造を備える光結合装置（不図示）では二重タイバー構造をとっていることから、１次樹脂封止部と１次タイバー部、１次タイバー部と２次タイバー部、２次タイバー部と２次樹脂封止部それぞれについてクリアランスを縮小する必要がある。
【００１４】
図９は、従来例２に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【００１５】
従来例２に係るリードフレーム２１０の基本構成は、従来例１と同様である。つまり、内側リード部２１１と、外側リード部２１２と、樹脂封止型半導体装置２２０の樹脂封止部２２１を形成するために封止樹脂の樹脂流出を防止するタイバー部２１３とで構成されている。
【００１６】
また、リードフレーム２１０は、タイバー部２１３の外側（樹脂封止部２２１の側と反対側）で、従来例１と同様に外側リード部２１２の側縁部に切り欠き２１４を備えている。
【００１７】
また、トランスファーモールド工程では、従来例１と同様に、樹脂封止部２２１の周囲にはタイバー部２１３まで広がる樹脂バリ部２２２が形成される。トラスファーモールド工程後のタイバー部２１３を切断するタイバーカット工程では、リード固定用金型を用いてリードフレーム２１０を押圧、固定し、パンチ２３０により樹脂バリ部２２２と共にタイバー部２１３を切断して除去する。
【００１８】
従来例２では、リードフレーム２１０の高密度化が進み、樹脂封止部２２１とタイバー部２１３とのクリアランスＣＬ１が小さくなっている。また、樹脂封止部２２１とパンチ２３０とのクリアランスＣＬ２も小さくなり、その結果、パンチ２３０とタイバー部２１３とのクリアランス（ＣＬ１−ＣＬ２）も必然的に小さくなり、樹脂バリ部２２２によるパンチ２３０の磨耗や矢符Ａｏｕｔで示す外部方向へパンチ２３０の位置ずれが発生した場合、タイバー部２１３の樹脂封止部２２１側にタイバー残り２１５が発生してしまう。また、矢符Ａｒｓｎで示す樹脂封止部方向にずれた場合には樹脂封止部２２１に対してストレスを与える恐れや、タイバー部２１３の外側でタイバー残りが生じる恐れがある。
【００１９】
図１０は、従来例３に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【００２０】
従来例３に係るリードフレーム３１０の基本構成は、従来例１と同様である。つまり、内側リード部３１１と、外側リード部３１２と、樹脂封止型半導体装置３２０の樹脂封止部３２１を形成するために封止樹脂の樹脂流出を防止するタイバー部３１３とで構成されている。
【００２１】
また、リードフレーム３１０は、タイバー部３１３の内側（樹脂封止部３２１の側）で、従来例１と反対方向に外側リード部３１２の側縁部に切り欠き３１４を備えている（例えば、特許文献２参照。）。
【００２２】
また、トランスファーモールド工程では、従来例１と同様に、樹脂封止部３２１の周囲にはタイバー部３１３まで広がる樹脂バリ部３２２が形成される。トラスファーモールド工程後のタイバー部３１３を切断するタイバーカット工程では、リード固定用金型を用いてリードフレーム３１０を押圧、固定し、パンチ３３０により樹脂バリ部３２２と共にタイバー部３１３を切断して除去する。
【００２３】
従来例３に係るリードフレーム３１０の形状ではトランスファーモールド工程時に切り欠き３１４から外側リード部３１２への樹脂フラッシュ（樹脂漏出）が発生しやすく、樹脂フラッシュを防ぐ為にモールド金型の形状精度を向上し、また、型締圧を高める必要があった。
【特許文献１】特開平１０−７０２２３号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、リードフレームのタイバー部中央の内側縁辺に切り欠きを設けることにより、リードフレームを小型化してクリアランスが小さくなった場合でも、タイバー残りが発生しないリードフレームを提供することを目的とする。
【００２５】
また、本発明は、樹脂封止型半導体装置に本発明に係るリードフレームを適用することにより、小型化してクリアランスが小さくなった場合でも、タイバー残りが発生しないで歩留まりの高い樹脂封止型半導体装置を提供することを他の目的とする。
【００２６】
また、本発明は、本発明に係る樹脂封止型半導体装置を搭載することにより、小型化した電子機器を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明に係るリードフレームは、半導体素子を搭載する内側リード部と、該内側リード部から延在して外部への接続端子となる外側リード部と、該外側リード部の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部を形成するタイバー部とを備えるリードフレームにおいて、前記タイバー部は、前記外側リード部間の中央の前記樹脂封止部側に切り欠きを備えることを特徴とする。
【００２８】
この構成により、切り欠きがパンチとタイバー部との間のクリアランスを確保することとなるのでタイバー残りの発生を防止することができる。つまり、切り欠きによりクリアランスを確保してタイバー部を確実に切断することが可能となり、タイバー残りの発生を確実に防止することができることから、パンチとタイバー部との間のクリアランスが小さい小型化したリードフレームとすることができ、小型化した樹脂封止型半導体装置を実現することが可能となる。また、外側リード部とタイバー部との連結は維持してあることから封止樹脂フラッシュを防止するために型締圧を特に大きくする必要がない。
【００２９】
本発明に係るリードフレームでは、前記切り欠きは、四角形状であることを特徴とする。
【００３０】
この構成により、タイバー部に切り欠きを容易に形成することが可能となる。
【００３１】
本発明に係るリードフレームでは、前記切り欠きは、台形状であることを特徴とする。
【００３２】
この構成により、台形の下辺を上辺より長くして封止樹脂が注入される部分（切り欠き）での外部リード間距離を確保することができるので、トランスファーモールド工程時の封止樹脂の注入圧力を外部リード方向に分散させることができる。つまり、台形状の切り欠きによりタイバー部の幅が狭くなり封止樹脂の注入圧力に対する耐圧低下が生じても、その影響を防止することができる。
【００３３】
本発明に係るリードフレームでは、前記切り欠きは、三角形状であることを特徴とする。
【００３４】
この構成により、三角形状の底辺に対応して形成された切り欠きがクリアランスを確保することとなりタイバー残りの発生を防止することができる。また、トランスファーモールド工程時の封止樹脂の注入圧力に耐えうるようにタイバー部の内側（樹脂封止部側）から外部方向側へ向けて圧力を開放することが可能となり樹脂フラッシュの発生を防止することができる。
【００３５】
本発明に係るリードフレームでは、前記切り欠きは、円弧状であることを特徴とする。
【００３６】
この構成により、タイバー部にアールを持たせて、リードフレーム作成時のリードフレーム抜き金型の磨耗を低減させることができる。
【００３７】
本発明に係るリードフレームでは、前記タイバー部は、前記切り欠きを複数有することを特徴とする。
【００３８】
この構成により、パンチ磨耗や位置ずれに対する影響をさらに確実に低減することが可能となる。
【００３９】
本発明に係るリードフレームでは、前記タイバー部は、前記タイバー部の中央の前記樹脂封止部側と反対側に外側切り欠きを備えることを特徴とする。
【００４０】
この構成により、タイバー部の樹脂封止部側へパンチが位置ずれした場合にタイバー部の外側でのタイバー残りの発生を防止することができる。
【００４１】
本発明に係るリードフレームでは、前記樹脂封止部は、１次樹脂封止部および２次樹脂封止部の２重構造としてあり、前記タイバー部は前記１次樹脂封止部と前記２次樹脂封止部のそれぞれに対応させて２列に配置してあることを特徴とする。
【００４２】
この構成により、１次樹脂封止部と１次タイバー部との間、１次タイバー部と２次タイバー部との間、２次タイバー部と２次樹脂封止部との間それぞれでのクリアランスを確保することができる。
【００４３】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体素子を搭載した内側リード部と、該内側リード部から延在して外部への接続端子となる外側リード部と、該外側リード部の間に設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止部を形成するタイバー部とを備えるリードフレームを樹脂封止した樹脂封止型半導体装置において、前記リードフレームは、本発明に係るリードフレームであることを特徴とする。
【００４４】
この構成により、タイバー残りの発生を確実に防止することができることから、パンチとタイバー部との間のクリアランスが小さいリードフレームを用いて小型化した樹脂封止型半導体装置とすることが可能となる。また、タイバー残りの発生を防止することから樹脂封止型半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００４５】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置では、前記リードフレームを一対対向させて配置し、一方の前記リードフレームの半導体素子として半導体発光素子を接続し、他方の前記リードフレームの半導体素子として半導体受光素子を接続してあることを特徴とする。
【００４６】
この構成により、小型化した光結合装置としての樹脂封止型半導体装置を歩留まり良く製造することができる。
【００４７】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置では、前記樹脂封止部は、１次樹脂封止部および２次樹脂封止部の二重構造としてあり、１次樹脂封止部および２次樹脂封止部それぞれに対応させて１次タイバー部および２次タイバー部を備えたことを特徴とする。
【００４８】
この構成により、タイバー残りの生じない二重トランスファーモールド構造の樹脂封止型半導体装置を歩留まり良く製造することが可能となる。
【００４９】
本発明に係る電子機器は、光結合装置としての樹脂封止型半導体装置を搭載してある電子機器において、前記樹脂封止型半導体装置は、本発明に係る樹脂封止半導体装置であることを特徴とする。
【００５０】
この構成により、小型化した光結合装置を搭載して小型化した電子機器とすることができる。
【発明の効果】
【００５１】
本発明に係るリードフレームによれば、外側リード部を相互に連結して配置され樹脂流出を防止するタイバー部の中央の樹脂封止部側に切り欠きを備えることから、切り欠きがパンチとタイバー部との間のクリアランスを確保することとなるのでタイバーカット工程でのパンチ磨耗やパンチ位置ずれによるタイバー残りの発生を防止することができるという効果を奏する。
【００５２】
つまり、切り欠きによるクリアランスで確実にタイバー部を切断することが可能となり、タイバー残りの発生を確実に防止することができるので、小型化に伴って樹脂封止部とタイバー部との間のクリアランス（または、パンチとタイバー部との間のクリアランス）が小さい小型化したリードフレームとすることができ、小型化した樹脂封止型半導体装置を実現することが可能となる。また、外側リード部とタイバー部との連結は従来どおり確保してあることから封止樹脂フラッシュを防止するために型締圧を特に大きくする必要が生じない。
【００５３】
本発明に係るリードフレームによれば、タイバー部の切り欠きを四角形状とすることから、タイバー部に切り欠きを容易に形成することが可能となるという効果を奏する。
【００５４】
本発明に係るリードフレームによれば、タイバー部の切り欠きを台形状とし、台形の上辺に対応する部分をタイバー部の内側（樹脂封止部側）端辺に沿うように開口させて配置し、台形の下辺をタイバー部の幅方向の中央にタイバー部の内側端辺にほぼ平行となるように配置することから、タイバー部の中央に切り欠きを設けることができる。
【００５５】
また、台形の下辺を上辺より長くして封止樹脂が注入される部分（切り欠き）での外部リード間距離を確保することから、トランスファーモールド工程時の封止樹脂の注入圧力を外部リード方向に分散させることができる。つまり、台形状の切り欠きによりタイバー部の幅が狭くなり封止樹脂の注入圧力に対する耐圧低下が生じても、その影響を防止することができるという効果を奏する。
【００５６】
本発明に係るリードフレームによれば、タイバー部の切り欠きを三角形状とすることから、三角形状の底辺に対応して形成された切り欠きがクリアランスを確保することとなりタイバー残りの発生を防止することができるという効果を奏する。また、トランスファーモールド工程時の封止樹脂の注入圧力に耐えうるようにタイバー部の内側（樹脂封止部側）から外部方向側へ向けて圧力を開放することが可能となり樹脂フラッシュの発生を防止することができる。
【００５７】
本発明に係るリードフレームによれば、タイバー部の切り欠きの形状を円弧状とすることから、タイバー部にアールを持たせて、リードフレーム作成時のリードフレーム抜き金型の磨耗を低減させることができるという効果を奏する。
【００５８】
本発明に係るリードフレームによれば、タイバー部の切り欠きの個数を複数とすることから、パンチ磨耗や位置ずれに対する影響をさらに確実に低減することが可能となるという効果を奏する。
【００５９】
本発明に係るリードフレームによれば、タイバー部の中央の内側（樹脂封止部側）縁辺に形成した切り欠きに加えてタイバー部の内側縁辺と反対側（外側）に外側切り欠きを形成することから、タイバー部の樹脂封止部側へパンチが位置ずれした場合にタイバー部の外側でのタイバー残りの発生を防止することができるという効果を奏する。
【００６０】
本発明に係るリードフレームおよび樹脂封止型半導体装置によれば、二重構造を有する樹脂封止部の１次樹脂封止部および２次樹脂封止部それぞれに対応させて配置した１次タイバー部および２次タイバー部の２列のタイバー部それぞれに切り欠きを設けたリードフレームおよび樹脂封止型半導体装置とすることから、１次樹脂封止部と１次タイバー部との間、１次タイバー部と２次タイバー部との間、２次タイバー部と２次樹脂封止部との間それぞれでのクリアランスを確保することができるという効果を奏する。
【００６１】
したがって、タイバー残りおよび樹脂フラッシュの発生を低減できることから、二重トランスファーモールド構造に対応するリードフレームの小型化および二重トランスファーモールド構造を備える樹脂封止型半導体装置（特に光結合装置）の小型化が可能となる。また、タイバー残りの発生を防止することから樹脂封止型半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００６２】
つまり、小型化が図られた樹脂封止型半導体装置、特に二重トランスファーモールド構造の光結合装置について、小型化に伴って樹脂封止部とタイバー部との間のクリアランスが小さくなった場合に、外側リード部への樹脂フラッシュの発生を防止でき、タイバーカット工程でのパンチ磨耗やパンチ位置ずれによるタイバー残りを防ぐことができる。
【００６３】
本発明に係る電子機器によれば、光結合装置として本発明に係る樹脂封止型半導体装置を搭載した電子機器とすることから、電子機器を小型化することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００６５】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【００６６】
本実施の形態に係るリードフレーム１０は、チップとして形成された半導体素子（不図示）が搭載されワイヤボンド（不図示）で半導体素子と接続される内側リード部１１と、内側リード部１１から延在して外部への接続端子となる外側リード部１２と、隣接する外側リード部１２相互の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置２０の樹脂封止部２１を形成するタイバー部１３とで構成されている。
【００６７】
リードフレーム１０は、高密度化が進んでいることから、樹脂封止部２１とタイバー部１３とのクリアランスＣＬ１が小さくなっている。また、樹脂封止部２１とパンチ３０とのクリアランスＣＬ２も小さくなり、その結果、パンチ３０とタイバー部１３とのクリアランス（ＣＬ１−ＣＬ２）も必然的に小さくなっている。
【００６８】
また、リードフレーム１０は、タイバー部１３の内側（樹脂封止部２１の側）端辺の中央に切り欠き１４を備えている。なお、中央とは完全に中央である必要は無く中央部付近であれば良い。また、本実施の形態では、切り欠き１４の形状を四角形状としてあることから、容易に形成することが可能である。
【００６９】
樹脂封止部２１を形成する樹脂封止工程としてのトランスファーモールド工程は、モールド金型にてリードフレーム１０を挟み込み、封止樹脂を樹脂封止部２１に充填する。
【００７０】
トランスファーモールド工程では、リードフレーム１０の板厚があることから、樹脂封止部２１の周囲にはタイバー部１３まで広がる樹脂バリ部２２が形成される。タイバー部１３は最終的には除去する必要があることから、トラスファーモールド工程後のタイバー部１３を切断するタイバーカット工程では、リード固定用金型を用いてリードフレーム１０を押圧、固定し、タイバーカット金型としてのパンチ３０により樹脂バリ部２２と共にタイバー部１３を切断して除去する。
【００７１】
本実施の形態では、タイバー部１３は、樹脂封止部２１側に切り欠き１４を設けることにより、パンチ３０とタイバー部１３のクリアランス（ＣＬ１−ＣＬ２）を小さく形成されたリードフレーム１０に対しても、パンチ３０と樹脂バリ部２２との磨耗によるタイバーカット工程でのミスの影響を低減させることができる。
【００７２】
また、タイバー部１３の中央に外側リード部１２から離して切り欠き１４を設けたことから、トランスファーモールド工程時に切り欠き１４から外側リード部１２への樹脂フラッシュ（樹脂漏出）の発生を低減させることが可能となる。
【００７３】
なお、タイバー部１３の中央付近で、樹脂フラッシュが発生する可能性は残るが、タイバー部１３はタイバーカット工程時に除去されるものであることから、最終完成品に対する影響は全く発生しない。
【００７４】
したがって、本実施の形態に係る形状の切り欠き１４を設けることにより、パンチ３０とタイバー部１３のクリアランスが小さくなったリードフレーム１０に対しても、タイバー部１３の中央付近に設けた切り欠き１４の深さ（タイバー１３の幅方向での深さ）に対応してクリアランスが確保されることから、タイバー残りの発生を防ぐことができる。つまり、タイバーカット工程でパンチ３０が、矢符Ａｒｓｎで示す樹脂封止部方向、または、矢符Ａｏｕｔで示す外部方向のいずれの方向にずれても十分な余裕を確保することが可能となる。
【００７５】
＜実施の形態２＞
図２は、本発明の実施の形態２に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【００７６】
本実施の形態に係るリードフレーム１０の基本構成は実施の形態１と同様である。つまり、リードフレーム１０は、内側リード部１１と、内側リード部１１から延在して外部への接続端子となる外側リード部１２と、隣接する外側リード部１２相互の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置２０の樹脂封止部２１を形成するタイバー部１３とで構成されている。
【００７７】
また、リードフレーム１０は、タイバー部１３の内側（樹脂封止部２１の側）端辺の中央に切り欠き１４を備えている。実施の形態１での切り欠き１４は、四角形状としてあるが、本実施の形態での切り欠き１４は、三角形状としてある。つまり、三角形状の底辺をタイバー部１３の内側端辺に沿うように開口させて配置し、三角形状の頂点をタイバー部１３の幅方向の中央に配置している。
【００７８】
したがって、三角形状の開口した底辺により、タイバー残りに対応する十分なクリアランスを確保し、三角形状の頂点を幅方向の中央に配置して外部方向Ａｏｕｔに対してタイバー部１３の幅を確保する形状とすることにより、トランスファーモールド工程時の封止樹脂の注入圧力を開放する構成としてあるので、注入圧力に耐えることが可能となり、樹脂フラッシュの発生を防止することができる。
【００７９】
＜実施の形態３＞
図３は、本発明の実施の形態３に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【００８０】
本実施の形態に係るリードフレーム１０の基本構成は実施の形態１、実施の形態２と同様である。つまり、リードフレーム１０は、内側リード部１１と、内側リード部１１から延在して外部への接続端子となる外側リード部１２と、隣接する外側リード部１２相互の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置２０の樹脂封止部２１を形成するタイバー部１３とで構成されている。
【００８１】
また、リードフレーム１０は、タイバー部１３の内側（樹脂封止部２１の側）端辺の中央に切り欠き１４を備えている。実施の形態１での切り欠き１４は、四角形状としてあるが、本実施の形態での切り欠き１４は、半円形状としてある。つまり、半円形状の直径に対応する部分をタイバー部１３の内側端辺に沿うように開口させて配置し、半円形状の頂点をタイバー部１３の幅方向の中央に配置している。なお、半円形状は適宜の円弧を有して円弧状としてあれば良く、完全な円である必要はない。
【００８２】
したがって、半円形状の開口した直径に対応する部分により、タイバー残りに対応する十分なクリアランスを確保し、半円形状の頂点を幅方向の中央に配置して外部方向Ａｏｕｔに対してタイバー部１３の幅を確保する形状とすることにより、トランスファーモールド工程時の封止樹脂の注入圧力に耐えることが可能な構成としてある。
【００８３】
切り欠き１４にアールを持たせることにより、リードフレーム１０を形成するときのリードフレーム抜き金型の磨耗を軽減させることができる。
【００８４】
＜実施の形態４＞
図４は、本発明の実施の形態４に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【００８５】
本実施の形態に係るリードフレーム１０の基本構成は実施の形態１ないし実施の形態３と同様である。つまり、リードフレーム１０は、内側リード部１１と、内側リード部１１から延在して外部への接続端子となる外側リード部１２と、隣接する外側リード部１２相互の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置２０の樹脂封止部２１を形成するタイバー部１３とで構成されている。
【００８６】
また、リードフレーム１０は、タイバー部１３の内側（樹脂封止部２１の側）端辺の中央に切り欠き１４を備えている。実施の形態１での切り欠き１４は、四角形状としてあるが、本実施の形態での切り欠き１４は、四角形状を変形して台形状としてある。
【００８７】
つまり、台形の上辺に対応する部分をタイバー部１３の内側端辺に沿うように開口させて配置し、台形の下辺をタイバー部１３の幅方向のほぼ中央にタイバー部１３の内側端辺にほぼ平行となるように配置している。なお、上辺をさらに小さくして、ほぼ逆三角形状とすることも可能である。また、台形状は四角形状の特殊な場合として規定することができる。
【００８８】
本実施の形態は、小型パッケージ化の要請が大きく、タイバー部１３の幅（外部方向Ａｏｕｔでの幅）及び長さ（タイバー部１３の外側リード部１２間の距離）をより小さくする必要がある場合などに適用することにより、大きな効果を奏することができる。
【００８９】
つまり、タイバー部１３で隣接する外側リード部１２の間の距離が短くなっても外側リード部１２の側縁部に切り欠き１４が掛らないように台形状の上辺を配置し、台形状の下辺をタイバー部１３の幅方向のほぼ中央に配置することによりタイバー残りが発生しないように構成してある。
【００９０】
また、トランスファーモールド工程時の封止樹脂の注入圧力に対する耐圧の低下を防ぐために、外部方向Ａｏｕｔに対して幅が狭くなっているタイバー部１３の中央で、切り欠き１４での台形の下辺を上辺より長く構成することにより、四角形状、三角形状であれば注入圧力が集中してしまう外部方向Ａｏｕｔに対する注入圧力を外側リード部１２の方向に分散させることができ、小型パッケージ化による各種のクリアランス縮小に対しても適用可能な切り欠き１４とすることが可能となる。
【００９１】
樹脂封止型半導体装置の小型化への要請が大きく、タイバー部の幅およびタイバー部の長さ（外部リード部の間の距離）をより小さくする必要がある場合、つまり、タイバー部の長さが短い場合でもタイバー残りおよび樹脂フラッシュを防止することが可能となるタイバー部とすることができる。
【００９２】
＜実施の形態５＞
図５は、本発明の実施の形態５に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【００９３】
本実施の形態に係るリードフレーム１０の基本構成は実施の形態１ないし実施の形態４と同様である。つまり、リードフレーム１０は、内側リード部１１と、内側リード部１１から延在して外部への接続端子となる外側リード部１２と、隣接する外側リード部１２相互の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置２０の樹脂封止部２１を形成するタイバー部１３とで構成されている。
【００９４】
また、リードフレーム１０は、タイバー部１３の内側（樹脂封止部２１の側）端辺の中央に切り欠き１４を複数備えている。複数の切り欠き１４は、実施の形態１と同様に四角形状としてあるが、他の実施の形態での形状（三角形状、半円状、台形状など）を適用することが可能である。
【００９５】
タイバー部１３で隣接する外側リード部１２の間の距離に余裕がある場合、切り欠き１４を複数（例えば、本実施の形態のように２個）形成することにより、パンチ磨耗や位置ずれに対する影響をさらに確実に低減することが可能となる。切り欠き１４は、外側リード部１２の側縁部に掛らないようにして、さらに多数形成することも可能である。
【００９６】
また、タイバー部１３の外側（樹脂封止部２１の側と反対側）に外側切り欠き１６を加えることにより、パンチ３０（図１参照）が樹脂封止部方向Ａｒｓｎへ位置ずれを発生した場合のタイバー部１３の外側でのタイバー残りの発生を防止することが可能となる。
【００９７】
＜実施の形態６＞
図６および図７は、本発明の実施の形態６に係る樹脂封止型半導体装置およびリードフレームを説明する模式平面図である。
【００９８】
本実施の形態に係るリードフレーム１０の基本構成は実施の形態５と同様である。つまり、リードフレーム１０は、内側リード部１１と、内側リード部１１から延在して外部への接続端子となる外側リード部１２と、隣接する外側リード部１２相互の間に連接して設けられ樹脂封止での樹脂流出を防止して樹脂封止型半導体装置２０の樹脂封止部２１を形成するタイバー部１３とで構成されている。また、実施の形態５の場合と同様に他の実施の形態での形状（三角形状、半円状、台形状など）を適用することが可能である。
【００９９】
なお、本実施の形態での樹脂封止型半導体装置２０は、いわゆる二重トランスファーモールド構造（１次樹脂封止部２１ａおよび２次樹脂封止部２１ｂの二重構造）を備える光結合装置として構成してある。したがって、タイバー部１３も二重タイバー構造（１次タイバー部１３ａおよび２次タイバー部１３ｂの２列に配置）が適用される。
【０１００】
また、光結合装置としてあることから、１次トランスファーモールド工程では、透光性の封止樹脂が適用され、２次トランスファーモールド工程では、遮光性の封止樹脂が適用される。さらに、光結合装置としてあることから、リードフレーム１０は、一対が対向して配置（不図示）され、一方のリードフレーム１０には半導体素子として半導体発光素子が接続され、他方のリードフレーム１０には半導体素子として半導体受光素子が接続される。
【０１０１】
１次トランスファーモールド工程（図６）では、１次タイバー部１３ａ（１３）が適用され、１次タイバー部１３ａの内側に１次樹脂封止部２１ａ（２１）が形成される。なお、１次タイバー部１３ａ（１３）には、実施の形態１ないし実施の形態５と同様に、１次切り欠き１４ａ（１４）および１次外側切り欠き１６ａ（１６）が形成してあり、同様に作用する。また、１次樹脂封止部２１ａと１次タイバー部１３ａの間には１次樹脂バリ部２２ａ（２２）が形成されている。
【０１０２】
１次トランスファーモールド工程の後、１次タイバーカット工程で、１次タイバー部１３ａおよび１次樹脂バリ部２２ａを切断して除去する。１次タイバーカット工程の後、二次トランスファーモールド工程へ進む。
【０１０３】
２次トランスファーモールド工程（図７）では、２次タイバー部１３ｂ（１３）が適用され、２次タイバー部１３ｂの内側に２次樹脂封止部２１ｂ（２１）が形成される。なお、２次タイバー部１３ｂ（１３）には、実施の形態１ないし実施の形態５と同様に、２次切り欠き１４ｂ（１４）および２次外側切り欠き１６ｂ（１６）が形成してあり、同様に作用する。また、２次樹脂封止部２１ｂと２次タイバー部１３ｂの間には２次樹脂バリ部２２ｂ（２２）が形成されている。
【０１０４】
２次トランスファーモールド工程の後、２次タイバーカット工程で、２次タイバー部１３ｂおよび２次樹脂バリ部２２ｂを切断して除去する。以上の工程により二重トランスファーモールド構造を備える樹脂封止型半導体装置２０（光結合装置）が完成する。
【０１０５】
デバイスの小型化への要請が大きくなると、１次樹脂封止部２１ａと１次タイバー部１３ａとの間、１次タイバー部１３ａと２次タイバー部１３ｂとの間、２次タイバー部１３ｂと２次樹脂封止部２１ｂとの間それぞれでのクリアランスを縮小する必要があることから、切り欠き１４（１次切り欠き１４ａ、２次切り欠き１４ｂ）、さらには外側切り欠き１６（１次外側切り欠き１６ａ、２次外側切り欠き１６ｂ）を備えることにより、クリアランスを縮小することが可能となり、より大きな効果を奏する。つまり、樹脂封止型半導体装置２０としての光結合装置を小型化した場合に、タイバー残りおよび樹脂フラッシュの発生を低減できるので歩留まり良く製造することができる。
【０１０６】
＜実施の形態７＞
本実施の形態に係る電子機器は、光結合装置としての樹脂封止型半導体装置を搭載した電子機器（不図示）であり、樹脂封止型半導体装置は実施の形態６に係る樹脂封止型半導体装置である。
【０１０７】
送受信間、入出力間を相互に絶縁して信号伝達を行う光伝送回路は、電源フィードバック、スイッチング素子、ドライバ回路などとして用いられ、具体的な製品群としてＤＶＤ、ＴＶ、ＶＴＲ、ＳＴＢ、ＣＤ、ＭＤ、電源機器、インバータ制御機器などの電子機器に搭載されている。
【０１０８】
光伝送回路は、具体的には光結合装置を用いて構成される。したがって、実施の形態６に係る樹脂封止型半導体装置を光結合装置として電子機器に搭載することができる。
【０１０９】
実施の形態６に係る小型化した光結合装置を電子機器に適用することにより、電子機器をさらに小型化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の実施の形態１に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【図４】本発明の実施の形態４に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【図５】本発明の実施の形態５に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【図６】本発明の実施の形態６に係る樹脂封止型半導体装置およびリードフレームを説明する模式平面図である。
【図７】本発明の実施の形態６に係る樹脂封止型半導体装置およびリードフレームを説明する模式平面図である。
【図８】従来例１に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【図９】従来例２に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【図１０】従来例３に係るリードフレームを説明する模式平面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１０  リードフレーム
１１  内側リード部
１２  外側リード部
１３  タイバー部
１３ａ  １次タイバー部
１３ｂ  ２次タイバー部
１４  切り欠き
１４ａ  １次切り欠き
１４ｂ  ２次切り欠き
１５  タイバー残り
１６  外側切り欠き
１６ａ  １次外側切り欠き
１６ｂ  ２次外側切り欠き
２０  樹脂封止型半導体装置（光結合装置）
２１  樹脂封止部
２１ａ  １次樹脂封止部
２１ｂ  ２次樹脂封止部
２２  樹脂バリ部
３０  パンチ
【図１】
2007103597.tif 000003
【図２】
2007103597.tif 000004
【図３】
2007103597.tif 000005
【図４】
2007103597.tif 000006
【図５】
2007103597.tif 000007
【図６】
2007103597.tif 000008
【図７】
2007103597.tif 000009
【図８】
2007103597.tif 000010
【図９】
2007103597.tif 000011
【図１０】
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