(57)【要約】【課題】絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の順方向特性を損なわずに、ＩＧＢＴの内蔵ダイオードのリカバリー特性を向上する。【解決手段】ＩＧＢＴは、Ｎ＋型延長領域(9)をＰ＋型コレクタ領域(1)内に選択的に形成して、Ｎ型ベース領域(2)と共にＰ型ベース領域(3)とダイオードを形成する。Ｎ型ベース領域(2)は、Ｐ型ベース領域(3)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)を備え、再結合領域(21)は、Ｎ型ベース領域(2)内で再結合領域(21)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲し、ダイオードのリカバリー特性を改善する。しかしながら、再結合領域(21)は、電流通路となるＮ型ベース領域(2)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方には達しないため、ＩＧＢＴの順方向電圧を増加させない。【選択図】図１
2007103770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型を有するコレクタ領域、第１導電型とは反対の第２導電型を有し且つ前記コレクタ領域の一方の主面に形成された第１のベース領域、第１導電型を有し且つ前記第１のベース領域に隣接して形成された第２のベース領域、第２導電型を有し且つ前記第２のベース領域に隣接して形成されたエミッタ領域を備える半導体基体と、
絶縁体を介して前記第２のベース領域から離間して形成されたゲート電極と、
前記第２のベース領域及びエミッタ領域の各一方の主面に形成されたエミッタ電極と、
前記第１のベース領域とは反対側の前記コレクタ領域の他方の主面に形成されたコレクタ電極とを備えた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、
前記第１のベース領域と同一の導電型により前記コレクタ領域内に選択的に延長領域を形成して、前記第２のベース領域、第１のベース領域及び延長領域によりダイオードを形成し、
前記第１のベース領域は、前記第２のベース領域と前記コレクタ電極との間に形成された再結合領域を備え、
該再結合領域は、前記第１のベース領域内の隣接する前記第２のベース領域の間及びその下方には達しないことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
【請求項２】
第１導電型を有するコレクタ領域、第１導電型とは反対の第２導電型を有し且つ前記コレクタ領域の一方の主面に形成されたバッファ領域、第２導電型を有し且つ前記バッファ領域の一方の主面に形成された第１のベース領域、第１導電型を有し且つ前記第１のベース領域に隣接して形成された第２のベース領域、第２導電型を有し且つ前記第２のベース領域に隣接して形成されたエミッタ領域を備える半導体基体と、
絶縁体を介して前記第２のベース領域から離間して形成されたゲート電極と、
前記第２のベース領域及びエミッタ領域の各一方の主面に形成されたエミッタ電極と、
前記バッファ領域とは反対側の前記コレクタ領域の他方の主面に形成されたコレクタ電極とを備えた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、
前記第１のベース領域及びバッファ領域と同一の導電型により前記コレクタ領域内に選択的に延長領域を形成して、前記第２のベース領域、第１のベース領域、バッファ領域及び延長領域によりダイオードを形成し、
前記第１のベース領域は、前記第２のベース領域と前記バッファ領域との間に形成された再結合領域を備え、
該再結合領域は、前記第１のベース領域内の隣接する前記第２のベース領域の間及びその下方には達せず、
前記バッファ領域は、前記ゲート電極と前記コレクタ電極との間に形成された第２の再結合領域を有することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
【請求項３】
前記再結合領域は、前記エミッタ電極と前記第２のベース領域及びエミッタ領域とを接続するエミッタ接続部と、前記コレクタ電極との間に形成される請求項１又は２に記載の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、特にダイオードを内蔵した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は、Ｐ＋型コレクタ領域、Ｐ＋型コレクタ領域の上面に形成されたＮ型ベース領域、Ｎ型ベース領域の上面に形成されたＰ型ベース領域、Ｐ型ベース領域の上面に形成されたＮ＋型エミッタ領域を備える半導体基板と、ゲート絶縁膜を介してＰ型ベース領域から離間して形成されたゲート電極と、層間絶縁膜を介してゲート電極から離間して且つＰ型ベース領域及びＮ＋型エミッタ領域の上面に形成されたエミッタ電極と、Ｐ＋型コレクタ領域の下面に形成されたコレクタ電極とを備える。Ｎ＋型エミッタ領域とＮ型ベース領域との間に挟まれたＰ型ベース領域の一部は、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向し、チャネル領域として機能する。
【０００３】
下記特許文献１は、Ｐ＋型コレクタ領域内にＮ＋型導電型を有するカソード領域を形成すると共に、カソード領域の上方にＰ＋型導電型を有するアノード領域を形成し、これによりアノード領域とＮ型ベース領域及びカソード領域とにより形成されたダイオードを内蔵したＩＧＢＴを開示する。特許文献１によれば、外付けダイオードを不要とすることができる。
【０００４】
ＩＧＢＴに内蔵されるダイオードには、ＩＧＢＴを組み込む電子回路の電気的特性に適合する様々なリカバリー特性（逆回復特性）が要求される。例えば、逆方向電流の変化率が小さいソフトリカバリー化が要求される場合には、ＩＧＢＴ及びダイオードを形成した半導体基板にライフタイムキラーとして軽イオン又は電子線等の放射線を照射するライフタイム制御法が用いられている。ダイオードを形成するＮ型ベース領域に放射線を照射することにより形成された半導体基板中の結晶欠陥は、再結合中心としてＮ型ベース領域内で結晶欠陥の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲して、少数キャリアを速やかに消滅させるため、ダイオードのリカバリー特性を改善することができる。
【０００５】
しかしながら、従来では、ＩＧＢＴ及びダイオードを形成した半導体基体の全体に対して、一様に放射線を照射していたため、ＩＧＢＴの主たる電流通路として機能するゲート電極とＰ＋型コレクタ領域との間のＮ型ベース領域内にも結晶欠陥が形成されていた。よって、ダイオードのソフトリカバリー特性を得ると同時に、ＩＧＢＴの動作電圧である順方向電圧が増加する不具合があった。
【０００６】
これに対し、下記特許文献２には、軽イオンを半導体基体の深さ方向の異なる位置に照射したＩＧＢＴが開示される。特許文献２によれば、コレクタ電極にアルミニウムから成る第１のマスクを固着し、第１のマスクにステンレスから成り且つ開口部を有する第２のマスクを固着して、軽イオンを照射することにより、第２のマスクの開口部を通過したイオン線をＮ型ベース領域に照射し、第２のマスクを通過したイオン線をＰ＋型コレクタ領域に照射することができる。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１９１１１０号公報
【特許文献２】特許第２８１８９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２は、ＩＧＢＴを形成する半導体基板内にダイオードを内蔵せず、ＩＧＢＴのオフ時に発生するテール電流を減少させて、ＩＧＢＴのスイッチング特性を向上させた従来技術を開示するに過ぎない。
【０００９】
よって、本発明は、順方向特性を損なわずに、内蔵するダイオードのリカバリー特性を向上できる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、第１導電型(P)を有するコレクタ領域(1)、第１導電型(P)とは反対の第２導電型(N)を有し且つコレクタ領域(1)の一方の主面(1a)に形成された第１のベース領域(2)、第１導電型(P)を有し且つ第１のベース領域(2)に隣接して形成された第２のベース領域(3)、第２導電型(N)を有し且つ第２のベース領域(3)に隣接して形成されたエミッタ領域(4)を備える半導体基体(10)と、絶縁体(5)を介して第２のベース領域(3)から離間して形成されたゲート電極(6)と、第２のベース領域(3)及びエミッタ領域(4)の各一方の主面(3a,4a)に形成されたエミッタ電極(7)と、第１のベース領域(2)とは反対側のコレクタ領域(1)の他方の主面(1b)に形成されたコレクタ電極(8)とを備える。第１のベース領域(2)と同一の導電型(N)によりコレクタ領域(1)内に選択的に延長領域(9)を形成して、第２のベース領域(3)、第１のベース領域(2)及び延長領域(9)によりダイオードを形成する。第１のベース領域(2)は、第２のベース領域(3)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)を備えるが、再結合領域(21)は、第１のベース領域(2)内の隣接する第２のベース領域(3)の間及びその下方には達しない。
【００１１】
エミッタ電極(7)とコレクタ電極(8)との間にエミッタ電極(7)側の電位を高くする電圧が印加されたとき、第２のベース領域(3)と第１のベース領域(2)及び延長領域(9)とにより形成されるダイオードがオンして、ダイオードに電流が流れる。次に、ダイオードがオフされると、半導体基体(10)内に軽イオン又は電子線等の放射線を照射して結晶欠陥を形成することにより設けられた再結合領域(21)は、第１のベース領域(2)内で再結合領域(21)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲して、少数キャリアを速やかに消滅させる。よって、ダイオードのターンオフ時間が短縮され、ダイオードのリカバリー特性（スイッチング特性）を改善することができる。また、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのオン時に、順方向電流が第１のベース領域(2)内でゲート電極(6)とコレクタ電極(8)との間又はその周辺を流れるが、再結合領域(21)は、第１のベース領域(2)内の隣接する第２のベース領域(3)の間及びその下方には達しないため、再結合領域(21)により順方向電圧が増加するのを防止できる。即ち、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの順方向特性を損なわずに、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに内蔵するダイオードのリカバリー特性を向上することができる。
【００１２】
また、本発明の別の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、第１導電型(P)を有するコレクタ領域(1)、第１導電型(P)とは反対の第２導電型(N)を有し且つコレクタ領域(1)の一方の主面(1a)に形成されたバッファ領域(11)、第２導電型(N)を有し且つバッファ領域(11)の一方の主面(11a)に形成された第１のベース領域(2)、第１導電型(P)を有し且つ第１のベース領域(2)に隣接して形成された第２のベース領域(3)、第２導電型(N)を有し且つ第２のベース領域(3)に隣接して形成されたエミッタ領域(4)を備える半導体基体(10)と、絶縁体(5)を介して第２のベース領域(3)から離間して形成されたゲート電極(6)と、第２のベース領域(3)及びエミッタ領域(4)の各一方の主面(3a,4a)に形成されたエミッタ電極(7)と、バッファ領域(11)とは反対側のコレクタ領域(1)の他方の主面(1b)に形成されたコレクタ電極(8)とを備える。第１のベース領域(2)及びバッファ領域(11)と同一の導電型(N)によりコレクタ領域(1)内に選択的に延長領域(9)を形成して、第２のベース領域(3)、第１のベース領域(2)、バッファ領域(11)及び延長領域(9)によりダイオードを形成する。第１のベース領域(2)は、第２のベース領域(3)とバッファ領域(11)との間に形成された再結合領域(21)を備えるが、再結合領域(21)は、第１のベース領域(2)内の隣接する第２のベース領域(3)の間及びその下方には達しない。また、バッファ領域(11)は、ゲート電極(6)とコレクタ電極(8)との間に形成された第２の再結合領域(23)を有する。
【００１３】
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタがオンからオフに切り換えられたとき、第２の再結合領域(23)は、バッファ領域(11)内で第２の再結合領域(23)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲して、少数キャリアを速やかに消滅させて、テール電流を効果的に減少させるので、前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと比較して、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのスイッチング特性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、順方向特性を損なわずに、内蔵するダイオードのリカバリー特性を向上して、信頼性が高く且つ高性能の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明による絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの実施の形態を図１〜図７について説明する。
図１に示すように、本実施の形態のＩＧＢＴ(20)は、例えばシリコン単結晶から成る半導体基板（半導体基体）(10)を備え、半導体基板(10)は、Ｐ＋型コレクタ領域（コレクタ領域）(1)と、Ｐ＋型コレクタ領域(1)の上面（一方の主面）(1a)に形成されたＮ型ベース領域（第１のベース領域）(2)と、Ｎ型ベース領域(2)に隣接して形成されたＰ型ベース領域（第２のベース領域）(3)と、Ｐ型ベース領域(3)に隣接して形成されたＮ＋型エミッタ領域（エミッタ領域）(4)とを有する。また、ＩＧＢＴ(20)は、ゲート絶縁膜（絶縁体）(5)を介してＰ型ベース領域(3)から離間して形成されたゲート電極(6)と、層間絶縁膜(15)を介してゲート電極(6)から離間して且つＰ型ベース領域(3)及びＮ＋型エミッタ領域(4)の各上面（一方の主面）(3a,4a)に形成されたエミッタ電極(7)と、Ｎ型ベース領域(2)とは反対側のＰ＋型コレクタ領域(1)の下面（他方の主面）(1b)に形成されたコレクタ電極(8)とを備える。ゲート絶縁膜(5)は、例えば二酸化シリコンにより形成され、ゲート絶縁膜(5)の上面に例えばポリシリコンから成るゲート電極(6)が形成される。また、層間絶縁膜(15)は、例えば二酸化シリコンにより形成され、ゲート電極(6)の周囲に配置され、ゲート電極(6)とエミッタ電極(7)とを電気的に絶縁する。エミッタ電極(7)及びコレクタ電極(8)は、例えばアルミニウム又はアルミニウムとニッケルとを積層した積層体により形成される。
【００１６】
Ｐ＋型コレクタ領域(1)内には、Ｎ型ベース領域(2)と同一のＮ型導電型により複数のＮ＋型延長領域（延長領域）(9)が選択的に形成され、Ｎ型ベース領域(2)と共にＰ型ベース領域(3)とＰＮ接合のダイオードを形成する。各Ｎ＋型延長領域(9)は、平面的に見て、Ｐ＋型コレクタ領域(1)内に円形断面又は帯状等のその他の平面形状に形成され、Ｐ＋型コレクタ領域(1)内でＮ型ベース領域(2)とコレクタ電極(8)とに接続される。図１に示すＮ＋型延長領域(9)は、各Ｐ型ベース領域(3)の下方に形成されるが、図示の形態に限定されない。エミッタ電極(7)とコレクタ電極(8)との間にエミッタ電極(7)側の電位を高くする電圧が印加されたとき、Ｐ型ベース領域(3)とＮ型ベース領域(2)及びＮ＋型延長領域(9)とにより形成されるダイオードがオンして、ダイオードに順方向電流が流れる。
【００１７】
Ｎ型ベース領域(2)は、Ｐ型ベース領域(3)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)を備える。再結合領域(21)は、電子線、γ線、中性子線又はイオン線等の放射線を半導体基板(10)に照射し、半導体基板(10)の所定の領域に結晶欠陥を形成して設けられた再結合中心であり、半導体基板(10)のキャリアのライフタイム（寿命）を制御する。しかしながら、再結合領域(21)は、Ｎ型ベース領域(2)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方、好ましくは、ゲート電極(6)とコレクタ電極(8)との間には達しない。Ｎ型ベース領域(2)中のＰ型ベース領域(3)の下方に放射線が照射され、Ｎ型ベース領域(2)中の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方の領域には、放射線が照射されていない。本実施の形態では、図１に示すように、放射線が照射されない非照射領域(22)をＮ型ベース領域(2)内で再結合領域(21)の間に備える。
【００１８】
次に、例えば、エミッタ電極(7)とコレクタ電極(8)との間にコレクタ電極(8)側の電位を高くする電圧が印加され、Ｐ型ベース領域(3)とＮ型ベース領域(2)及びＮ＋型延長領域(9)とにより形成されるダイオードがオフされると、再結合領域(21)は、第１のベース領域(2)内で再結合領域(21)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲して、少数キャリアを速やかに消滅させる。よって、ダイオードのターンオフ時間を短縮して、ダイオードのスイッチング速度を高速化できる。また、ＩＧＢＴ(20)のオン時には、順方向電流がＰ＋型コレクタ領域(1)からＮ型ベース領域(2)内の主に非照射領域(22)及びチャネルを介して、Ｎ＋型エミッタ領域(4)に流れる。再結合領域(21)は、Ｎ型ベース領域(2)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方には達せず、順方向電流がＮ型ベース領域(2)内で主に非照射領域(22)を流れるため、再結合領域(21)により順方向電圧が増加して、大きな通電損失が生じるのを防止できる。
【００１９】
より好ましくは、再結合領域(21)は、エミッタ電極(7)とＰ型ベース領域(3)及びＮ＋型エミッタ領域(4)とを接続するエミッタ接続部(17)と、コレクタ電極(8)との間に形成される。エミッタ接続部(17)を通じて、エミッタ電極(7)からＰ型ベース領域(3)へと流れたダイオード電流は、エミッタ接続部(17)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)又はその周辺を通過して、Ｎ＋型延長領域(9)からコレクタ電極(8)へと流れる。本実施の形態のＩＧＢＴ(20)では、図１に示すように、再結合領域(21)は、Ｎ型ベース領域(2)内でエミッタ接続部(17)とＰ＋型コレクタ領域(1)又はＮ＋型延長領域(9)との間に形成され、平面的に見て、非照射領域(22)がエミッタ接続部(17)までのより広範囲に形成される。よって、ＩＧＢＴ(20)の順方向電流の電流通路及びその周辺に結晶欠陥が形成されず、順方向電圧が増加するのをより信頼性高く防止することができる。
【００２０】
図１のＩＧＢＴ(20)を製造する際に、図２に示すように、Ｐ＋型コレクタ領域(1)内に複数のＮ＋型延長領域(9)を形成したＩＧＢＴ(20)を用意する。ＩＧＢＴ(20)の製法は公知であり、説明を省略する。Ｎ＋型延長領域(9)は、例えば、Ｎ−型基板の一面にＰ型不純物を拡散してＰ＋型コレクタ領域(1)を形成した後、Ｐ＋型コレクタ領域(1)に高濃度のＮ型不純物を選択的に拡散して、Ｎ＋型延長領域(9)を形成する。その後、Ｐ＋型コレクタ領域(1)及びＮ＋型延長領域(9)の下面(1b,9a)にコレクタ電極(8)を固着する。Ｎ＋型延長領域(9)は、コレクタ電極(8)の接触する表面からＮ型ベース領域(2)に達する例えば円柱形に形成され、Ｐ＋型コレクタ領域(1)の面方向に均一又は不均一に分散される。Ｎ＋型延長領域(9)を平面的に見て、縞状等のその他の形状に分散させてもよい。また、上記製法に限定されず、Ｎ＋型延長領域(9)を特許文献１により開示される製法等、他の公知の製法により形成してもよい。
【００２１】
次に、図３に示すように、コレクタ電極(8)の下面(8a)に開口部(32)を有する金属製又はその他の放射線遮蔽材料から成るマスク(31)が固定され、マスク(31)に向けて例えば軽イオン線(18)が照射される。マスク(31)により被覆されたＩＧＢＴ(20)の被覆領域(18a)は、軽イオン線(18)がマスク(31)によって遮蔽又は軽減され、半導体基板(10)に達しないが、マスク(31)の開口部(32)により開放されたＩＧＢＴ(20)の開放領域(18b)は、軽イオン線(18)が半導体基板(10)のＮ型ベース領域(2)まで到達して、再結合領域(21)と成る結晶欠陥が形成される。軽イオン線(18)の強度又はマスク(31)の厚さ等の条件を適宜に変更して、半導体基板(10)の厚さ方向の所定の領域に結晶欠陥を形成できる。開口部(32)の代わりにマスク(31)の厚さを部分的に薄く形成した切欠部（図示せず）をマスク(31)に形成してもよい。軽イオン線(18)の遮蔽率の低いマスク(31)の切欠部を通じて、半導体基板(10)のＮ型ベース領域(2)に結晶欠陥を形成できる。コレクタ電極(8)からマスク(31)が除去され、図１のＩＧＢＴ(20)が完成する。
【００２２】
図４は、本発明による絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの別の実施形態を示す。図４に示すように、本実施の形態のＩＧＢＴ(30)では、半導体基板(10)は、Ｐ＋型コレクタ領域(1)と、Ｐ＋型コレクタ領域(1)の上面(1a)に形成されたＮ−型バッファ領域（バッファ領域）(11)と、Ｎ−型バッファ領域(11)の上面(11a)に形成されたＮ型ベース領域(2)と、Ｎ型ベース領域(2)に隣接して形成されたＰ型ベース領域(3)と、Ｐ型ベース領域(3)に隣接して形成されたＮ＋型エミッタ領域(4)とを有する。また、ＩＧＢＴ(30)は、図１のＩＧＢＴ(20)と同様に、ゲート絶縁膜(5)、ゲート電極(6)、層間絶縁膜(15)、エミッタ電極(7)及びコレクタ電極(8)を備え、コレクタ電極(8)は、Ｎ−型バッファ領域(11)とは反対側のＰ＋型コレクタ領域(1)の下面(1b)に形成される。Ｎ−型バッファ領域(11)は、ダイオードのカソード領域として機能すると共に、Ｐ＋型コレクタ領域(1)からＮ型ベース領域(2)内に注入されるホール（正孔）の量を最適化し、ＩＧＢＴ(20)に所望の伝導度変調を与える働きを有する。バッファ領域を有するＩＧＢＴ及びその伝導度変調は公知であり、詳細な説明を省略する。
【００２３】
図１のＩＧＢＴ(20)と同様に、ＩＧＢＴ(30)は、複数のＮ＋型延長領域(9)をＰ＋型コレクタ領域(1)内に選択的に形成し、Ｎ型ベース領域(2)及びＮ−型バッファ領域(11)と共にＰ型ベース領域(3)とＰＮ接合のダイオードを形成する。また、Ｎ型ベース領域(2)は、Ｐ型ベース領域(3)とＮ−型バッファ領域(11)との間、好ましくは、エミッタ接続部(17)とＮ−型バッファ領域(11)との間に形成された再結合領域(21)を備え、再結合領域(21)は、Ｎ型ベース領域(2)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方には達しない。この構造により、図４のＩＧＢＴ(30)は、図１のＩＧＢＴ(20)と同様の効果を有するが、更に、ゲート電極(6)とコレクタ電極(8)との間に形成された第２の再結合領域(23)をＮ−型バッファ領域(11)内に有する点で図１のＩＧＢＴ(20)と異なる。図４に示すように、本実施の形態では、Ｎ型ベース領域(2)内のＰ型ベース領域(3)の下方と共に、Ｎ−型バッファ領域(11)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間で且つＮ型ベース領域(2)の非照射領域(22)の下方に放射線が照射され、第２の再結合領域(23)が形成される。Ｎ型ベース領域(2)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方の領域には、放射線が照射されていない。
【００２４】
ＩＧＢＴ(30)のオン時に、順方向電流がＰ＋型コレクタ領域(1)からＮ−型バッファ領域(11)、Ｎ型ベース領域(2)内の主に非照射領域(22)及びチャネルを通じて、Ｎ＋型エミッタ領域(4)に流れる。第２の再結合領域(23)は、コレクタ電極(8)側から再結合領域(21)を形成する放射線よりも短い照射距離で放射線を半導体基板(10)に照射し、半導体基板(10)の所定の領域に結晶欠陥を形成して設けられた再結合中心であり、半導体基板(10)のキャリアのライフタイムを制御する。ＩＧＢＴ(30)がオンからオフに切り換えられたとき、第２の再結合領域(23)は、Ｎ−型バッファ領域(11)内で第２の再結合領域(23)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲して、少数キャリアを速やかに消滅させて、テール電流を効果的に減少させるので、ＩＧＢＴ(30)のスイッチング特性を向上することができる。
【００２５】
図４のＩＧＢＴ(30)を製造する際に、図５に示すように、例えば、共にシリコン単結晶により形成される一方及び他方の半導体基板(33,34)を用意する。一方の半導体基板(33)は、Ｎ型ベース領域(2)、Ｐ型ベース領域(3)、Ｎ＋型エミッタ領域(4)及びＮ−型バッファ領域(11)を備え、Ｎ型ベース領域(2)及びＰ型ベース領域(3)が形成された上面(33a)と、Ｎ−型バッファ領域(11)が形成された下面(33b)とを有する。一方の半導体基板(33)は、例えばエピタキシャル成長によりＮ−型基板の一面にＮ型ベース領域(2)を形成した後、Ｎ型ベース領域(2)に順次に不純物を選択的に拡散して、Ｐ型ベース領域(3)及びＮ＋型エミッタ領域(4)を形成する。他方の半導体基板(34)は、Ｐ＋型コレクタ領域(1)、Ｎ＋型延長領域(9)及び照射距離制御部(35)を備え、Ｐ＋型コレクタ領域(1)及びＮ＋型延長領域(9)が形成された上面(34a)と、照射距離制御部(35)が形成された下面(34b)とを有する。照射距離制御部(35)は、他方の半導体基板(34)の厚さ方向に形成された深い切欠部(36)と浅い切欠部(37)とを有する。他方の半導体基板(34)は、例えば、照射距離制御部(35)が形成された基板の一面にＰ型不純物を拡散してＰ＋型コレクタ領域(1)を形成した後、Ｐ＋型コレクタ領域(1)に高濃度のＮ型不純物を選択的に拡散して、Ｎ＋型延長領域(9)を形成する。
【００２６】
次に、一方の半導体基板(33)の下面(33b)と他方の半導体基板(34)の上面(34a)とを固着する。例えば、一方の半導体基板(33)の下面(33b)と他方の半導体基板(34)の上面(34a)とを鏡面状に研磨した後、接触させて熱することにより容易に固着することができるが、他の固着法を用いてもよい。続いて、図６に示すように、照射距離制御部(35)から離間して、他方の半導体基板(34)の下面(34b)側に、アルミニウム等の金属又はその他の放射線遮蔽材料から成る放射線減衰マスク(38)を配置し、放射線減衰マスク(38)に向けて例えば軽イオン線(18)が照射される。深い切欠部(36)及び浅い切欠部(37)を有さない照射距離制御部(35)により被覆されたＩＧＢＴ(30)の強遮蔽領域(30a)は、軽イオン線(18)が照射距離制御部(35)によって遮蔽又は軽減され、一方の半導体基板(33)に達しないが、深い切欠部(36)を有する照射距離制御部(35)により被覆されたＩＧＢＴ(30)の弱遮蔽領域(30b)は、軽イオン線(18)が一方の半導体基板(33)のＮ型ベース領域(2)に到達して、再結合領域(21)と成る結晶欠陥を形成する。また、浅い切欠部(37)を有する照射距離制御部(35)により被覆されたＩＧＢＴ(30)の中間遮蔽領域(30c)は、軽イオン線(18)が一方の半導体基板(33)のＮ−型バッファ領域(11)に到達して、第２の再結合領域(23)と成る結晶欠陥を形成する。
【００２７】
軽イオン線(18)の強度、照射距離制御部(35)の厚さ又は深い切欠部(36)及び浅い切欠部(37)の深さ等の条件を適宜に変更して、一方の半導体基板(33)の厚さ方向の所定の領域に結晶欠陥を形成することができる。特に、シリコン基板の厚さの違いにより放射線の照射距離を制御する本実施の形態の方法は、厚さの異なるマスク(31)を使用する図２及び図３に示す方法とは異なり、半導体基板(10)に照射される放射線の照射量を精密に制御することができる。図７に示すように、接合された一方の半導体基板(33)及び他方の半導体基板(34)から照射距離制御部(35)が除去された後、ゲート絶縁膜(5)、ゲート電極(6)、層間絶縁膜(15)、エミッタ電極(7)及びコレクタ電極(8)を形成して、図４のＩＧＢＴ(30)が完成する。軽イオン線(18)を照射する前に、コレクタ電極(8)を除くゲート絶縁膜(5)、ゲート電極(6)、層間絶縁膜(15)及びエミッタ電極(7)を一方の半導体基板(33)に形成してもよい。また、軽イオン線(18)の強度又は照射距離制御部(35)の厚さによっては、放射線減衰マスク(38)を省略してもよい。
【００２８】
本発明は、図１〜図７に示す実施の形態に限定されず、他の形態により実施可能である。例えば、図１のＩＧＢＴ(20)を図５〜図７に示す製法により形成してもよく、図４のＩＧＢＴ(30)を図２及び図３に示す製法により形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、パワースイッチング素子として種々の電子機器に良好に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明による絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの一実施の形態を示す断面図
【図２】再結合領域が形成される前の図１の断面図
【図３】マスクを介して軽イオン線が照射される図２の断面図
【図４】本発明による絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの他の実施の形態を示す断面図
【図５】一方及び他方の半導体基板の断面図
【図６】軽イオン線が照射される図５の断面図
【図７】照射距離制御部を除去した図６の断面図
【符号の説明】
【００３１】
(1)・・Ｐ＋型コレクタ領域（コレクタ領域）、  (1a)・・上面（一方の主面）、  (1b)・・下面（他方の主面）、  (2)・・Ｎ型ベース領域（第１のベース領域）、  (3)・・Ｐ型ベース領域（第２のベース領域）、  (3a)・・上面（一方の主面）、  (4)・・Ｎ＋型エミッタ領域（エミッタ領域）、  (4a)・・上面（一方の主面）、  (5)・・ゲート絶縁膜（絶縁体）、  (6)・・ゲート電極、  (7)・・エミッタ電極、  (8)・・コレクタ電極、  (9)・・Ｎ＋型延長領域（延長領域）、  (10)・・半導体基板（半導体基体）、  (11)・・Ｎ−型バッファ領域（バッファ領域）、  (11a)・・上面（一方の主面）、  (17)・・エミッタ接続部、  (21)・・再結合領域、  (23)・・第２の再結合領域、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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