(57)【要約】【課題】  透明導電膜や導電性薄膜等に利用することができる新規なアモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】  アモルファス状又はペロブスカイト型構造の新規なＣｄ３ＴｅＯ６薄膜により、上記課題を解決した。この酸化物薄膜において、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜の金属原子の一部が遷移金属原子又は磁性原子で置換されたものであってもよいし、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜にＬａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉの群から選ばれる１種又は２種以上の原子をドーピングされたものであってもよい。この酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により形成することが好ましい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜であることを特徴とする酸化物薄膜。
【請求項２】
前記Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜の金属原子の一部が、遷移金属原子又は磁性原子で置換されていることを特徴とする請求項１に記載の酸化物薄膜。
【請求項３】
前記Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜に、Ｌａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉの群から選ばれる１種又は２種以上の原子がドーピングされていることを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化物薄膜。
【請求項４】
可視光領域での平均透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物薄膜。
【請求項５】
透明導電膜、熱電変換素子又はｎ型導電性薄膜として用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の酸化物薄膜。
【請求項６】
ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により、アモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄膜の形成方法。
【請求項７】
プラズマイオンプロセスにより、前記ＣｄＴｅ系酸化物薄膜にＬａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉの群から選ばれる１種又は２種以上の原子をドーピングすることを特徴とする請求項６に記載の酸化物薄膜の形成方法。
【請求項８】
前記ペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜が、結晶化しない温度で成膜した後の熱処理によって、又は、結晶化する温度での成膜によって得られることを特徴とする請求項６又は７に記載の酸化物薄膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣｄＴｅ系酸化物薄膜及びその形成方法に関し、更に詳しくは、透明導電膜として又は導電性薄膜として利用することができる新規なアモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜及びその形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般式ＡＢＯ３（Ａ，Ｂ：陽イオン、Ｏ：酸素イオン）で代表されるペロブスカイト型構造を有する酸化物は興味深い特性が種々見出され、例えば圧電セラミックスとして利用されているＢａＴｉＯ３系、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３系、ＰｂＴｉＯ３系等の金属酸化物や、ヒーター材料として利用されているＬａＣｒＯ３等の金属酸化物のように、従来から多方面で研究され、実用化されている。また、近年では、酸化物型燃料電池（ＳＯＦＣ）の酸素極材料としての利用や、巨大な磁気抵抗効果（ＣＭＲ効果）を持つＭＲ素子としての利用が研究されている。
【０００３】
こうしたペロブスカイト型酸化物は、ＡサイトやＢサイトのイオン種により、また、異種原子のドーピング等により、結晶物性や電子物性が変化して様々な機能を発現させることができる。特に近年においては、電子デバイスや光学デバイスへの利用が期待されており、ペロブスカイト型構造を有する機能性酸化物薄膜の開発が期待されている。例えば、下記特許文献１、２には、高誘電率のＳｒＴｉＯ３薄膜やＰｂＴｉＯ３薄膜をＲＦスパッタリング等で成膜する方法が報告されている。また、下記特許文献３には、透明導電性薄膜としてのＬａＮｉＯ３組成のペロブスカイト型酸化物薄膜を塗布・焼成により成膜する方法が報告されている。また、下記特許文献４には、透光性のセラミックバルク体を焼成により形成する方法が報告されている。
【特許文献１】特開平７−７４３５８号公報
【特許文献２】特開平５−１１９３６２号公報
【特許文献３】特開２０００−２２６２１６号公報
【特許文献４】特開２００４−９１２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らは、秩序配列したペロブスカイト型酸化物（以下、秩序ペロブスカイト型酸化物という）であるＣｄ３ＴｅＯ６に着目して研究している過程で、このＣｄ３ＴｅＯ６のバルク体が透明性を有し、電気導電性を有することを見出し、さらに、Ｃｄの部分的置換により大幅に電気導電性が上昇することを見出した。
【０００５】
本発明は，これらの研究成果をさらに発展させ、例えば透明導電膜として又は導電性薄膜として利用することができる新規なアモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜及びその形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明の酸化物薄膜は、アモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜であることを特徴とする。この発明のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜によれば、アモルファス状又はペロブスカイト型構造のいずれであっても、良好な透明性と高い電気導電性を示すので、新たな透明導電膜として利用できる。
【０００７】
本発明の酸化物薄膜においては、前記Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜の金属原子の一部が遷移金属原子又は磁性原子で置換されたものであってもよいし、前記Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜にＬａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉの群から選ばれる１種又は２種以上の原子をドーピングされたものであってもよい。この発明によれば、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜の金属原子を他の原子で置換したり、他の原子をドーピングしたりすることにより、透明性と電気導電性をさらに向上させることができると共に、キャリア密度やホール移動度を高めることも可能であるので、新たな機能を有する酸化物薄膜として利用できる。
【０００８】
本発明の酸化物薄膜は、可視光領域での平均透過率が８０％以上であることが好ましい。この発明によれば、高い透過率を有するので、透明導電薄膜として利用可能である。
【０００９】
こうした本発明の酸化物薄膜は、透明導電膜、熱電変換素子又はｎ型導電性薄膜として用いることができる。
【００１０】
上記目的を達成するための本発明の酸化物薄膜の形成方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により、アモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜を形成することを特徴とする。この発明によれば、良好な透明性と高い電気導電性を示すＣｄＴｅ系酸化物を薄膜として形成することができる。その結果、電子デバイスや光学デバイスへの応用が可能である。
【００１１】
本発明の酸化物薄膜の形成方法においては、プラズマイオンプロセスにより、前記ＣｄＴｅ系酸化物薄膜にＬａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉの群から選ばれる１種又は２種以上の原子をドーピングすることが好ましい。この発明によれば、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜に他の原子をドーピングすることにより、透明性と電気導電性をさらに向上させた酸化物薄膜を形成することができると共に、キャリア密度やホール移動度を高めた酸化物薄膜を形成することもできる。
【００１２】
本発明の酸化物薄膜の形成方法においては、前記ペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜が、結晶化しない温度で成膜した後の熱処理によって、又は、結晶化する温度での成膜によって得られることを特徴とする。この発明によれば、例えばas-depo.の薄膜が結晶化する温度が３００℃であれば、３００℃未満の温度で成膜し、その後に３００℃以上で熱処理することにより、ペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜を形成することができる。また、３００℃以上の温度で成膜することにより、直接、ペロブスカイト型酸化物薄膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の酸化物薄膜によれば、良好な透明性と高い電気導電性を示す新たな透明導電膜として利用できる。また、原子を置換したりドーピングしたりすることにより、透明性と電気導電性をさらに向上させることができると共に、キャリア密度やホール移動度を高めることも可能となる。こうした本発明の酸化物薄膜は、透明導電膜、熱電変換素子又はｎ型導電性薄膜として用いることが可能となり、フラットパネルディスプレイ、太陽電池、光電子デバイス等の透明電極等、種々の分野での応用が可能である。
【００１４】
本発明の酸化物薄膜の形成方法によれば、良好な透明性と高い電気導電性を示すＣｄＴｅ系酸化物を薄膜として形成することができるので、電子デバイスや光学デバイスへの応用が可能であり、また、原子を置換したりドーピングしたりすることにより、透明性と電気導電性をさらに向上させた酸化物薄膜を形成することができると共に、キャリア密度やホール移動度を高めた酸化物薄膜を形成することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の酸化物薄膜及びその形成方法について説明する。
【００１６】
本発明の酸化物薄膜は、アモルファス状のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜と、それを結晶化してペロブスカイト型構造としたＣｄ３ＴｅＯ６薄膜とを包含する。基本的な薄膜組成は、ＣｄとＴｅが３：１のモル比となっている酸化物であればよく、その結晶構造は、非晶質（アモルファス状）であっても、多結晶であっても、単結晶であっても構わない。なお、ペロブスカイト型構造のＣｄ３ＴｅＯ６は、ＢサイトにＣｄ２＋とＴｅ６＋が１：１で秩序配列した構造を持つペロフスカイト型の酸化物である。
【００１７】
本発明の酸化物薄膜は、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜の金属原子の一部が遷移金属原子又は磁性原子で置換されたものであってもよい。遷移金属原子としては、例えば、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＣｕの群から選ばれる１種又は２種以上の原子を挙げることができる。
【００１８】
また、本発明の酸化物薄膜は、Ｌａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉの群から選ばれる１種又は２種以上の原子をドーピングされたものであってもよい。これらの原子をドーピングすることにより、透明性と電気導電性をさらに向上させることができると共に、キャリア密度やホール移動度を高めることもできる。
【００１９】
アモルファス状のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜は、例えばＲＦマグネトロンスパッタリング等により、結晶化しない温度条件で成膜して得ることができる。また、ペロブスカイト型構造のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜は、例えばＲＦマグネトロンスパッタリング等により、結晶化しない温度でアモルファス状のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜を成膜した後の熱処理によって、又は、結晶化する温度での成膜によって得ることができる。例えばas-depo.の薄膜が結晶化する温度が仮に３００℃であれば、３００℃未満の温度で成膜し、その後に３００℃以上で熱処理することにより、ペロブスカイト型構造のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜を形成することができる。また、３００℃以上の温度で成膜することにより、直接、ペロブスカイト型構造のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜を形成することができる。こうして得られたＣｄ３ＴｅＯ６薄膜は電子配置から絶縁体であると考えられが、わずかな酸素欠損により電子キャリアを持ち、半導体として振る舞うことができる。
【００２０】
本発明の酸化物薄膜の成膜方法としては、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法を好ましく適用できるが、同様の構造及び特性を有する薄膜を成膜することが可能な他の成膜方法を適用してもよい。また、Ｌａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉ等に例示される原子をドーピングする方法としては、ターゲット中にドーパントを含有させる方法等を挙げることができる。ドーパントの含有量は、例えば、ターゲット中の含有量を調整すること等により行うことができる。
【００２１】
以下、具体的な実験例を示して本発明の酸化物薄膜について詳細に説明する。
【００２２】
（実験例１）
成膜装置としてＲＦマグネトリオンスパッタリング装置を使用した。ターゲットは、ＣｄＯ（純度９９．９９％）粉末とＴｅＯ２（純度９９．９％）粉末を３：１のモル比で混合したものを用いた。純Ａｒガス中、スパッタ圧力０．５Ｐａ、印加電圧２０Ｗ、スパッタ時間３０分間、室温下でシリカガラス上に厚さ０．２μｍの酸化物薄膜を堆積した。
【００２３】
得られた酸化物薄膜の厚さは原子間力顕微鏡により測定した。その後、得られた酸化物薄膜を空気中で３００℃、５００℃、７００℃の各温度で熱処理を行った。熱処理前の相及び熱処理後の相の同定は、ＣｕＫα線を用い、印加電圧４０ｋＶ、印加電流４０ｍＡの条件下でのＸ線回折（ＸＲＤ）法により行った。化学組成は、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ：Physical Electronics社製）を用い、１２５３．６ｅＶのＭｇＫα線で測定した。また、（結晶性）は反射電子回折（ＲＨＥＥＤ：日本電子社製、電子ビーム２００ｋｅＶ）により観察し、表面粗さは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Digital Instruments社製、DI NanoScopeIIIa）により測定した。また、シート抵抗は４端子法により測定し、ホール効果は、５テスラまでの磁場を印加できる物理特性測定システム（Quantum Design社製）により測定し、光学透過率は、ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲスペクトルメータ（日本分光社製）で測定した結果から得た。
【００２４】
図１は、Ａｒ雰囲気下で作製した酸化物（Ｃｄ３ＴｅＯ６）薄膜の熱処理温度によるＸ線回折パターンの変化を示すグラフである。図１に示したように、室温で堆積させた薄膜はピークを示さずアモルファス相であり、３００℃以上で熱処理することにより結晶化した。この結果より、得られた酸化物薄膜のＸ線回折パターンはＣｄ３ＴｅＯ６のみの反射ピークを示し、Ｃｄ３ＴｅＯ６の単相であることが分かった。また、ピーク幅は熱処理温度の増加に従って小さくなり、得られた酸化物薄膜の粒子サイズが熱処理温度の増加に従って大きくなることが分かった。また、ＡＦＭ測定から、得られた酸化物薄膜の平均表面粗さは、熱処理温度の増加に従って約２．１ｎｍから約４．３ｎｍまで増加することが分かった。
【００２５】
図２は、各温度で熱処理した後のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の室温における電気抵抗率、キャリア密度及びホール移動度を示すグラフである。この結果より、得られたＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の電気抵抗率は熱処理温度の増加に従って１．９×１０−２Ωｃｍ（５００℃での値）まで減少したが、より高い温度（７００℃）で熱処理することにより、電気抵抗率はわずかに増加した。また、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜のキャリア密度及びホール移動度は、熱処理温度の増加に従って増加した。なお、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜の電気抵抗率は、５００℃での熱処理により最も低い値（１．９×１０−２Ωｃｍ）となり、５００℃でのキャリア密度及びホール移動度は、それぞれ５．４×１０１９ｃｍ−３及び６．８ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１であった。
【００２６】
図３は、各温度で熱処理した後のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の可視光領域（４００〜８００ｎｍ）での光学透過率の測定結果である。この結果より、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜の光学透過率は熱処理温度に従って増加した。これは、薄膜表面の粒子サイズに起因している。このＣｄ３ＴｅＯ６薄膜においては、熱処理温度に伴う粒子サイズの増加により粒界が減少し、その結果、光の散乱が減少し、光学透過率は増加した。５００℃以上での熱処理により、Ｃｄ３ＴｅＯ６薄膜の光学透過率は、４００〜８００ｎｍの範囲内でおよそ８０％以上であり、その波長域での平均透過率は８５％以上であった。
【００２７】
一方、上記Ａｒ中で作製した薄膜と同様の方法で、Ａｒ＋２５％Ｏ２雰囲気下で作製した薄膜についても上記同様の熱処理条件で電気抵抗率、光学透過率、ホール移動度及びキャリア濃度を測定した。その結果、電気抵抗率と光学透過率はＡｒ中で作製した薄膜と同じ傾向を示した。また、ホール移動度は熱処理温度の増加に従って増加し、キャリア濃度も熱処理温度の増加に従って増加していることがわかった。
【００２８】
（実験例２）
ＩｎをドープしたＣｄ３ＴｅＯ６薄膜を形成した他は、実験例１と同様の方法により酸化物薄膜を形成した。成膜装置としてＲＦマグネトリオンスパッタリング装置を使用した。ターゲットは、ＣｄＯ（純度９９．９９％）粉末とＴｅＯ２（純度９９．９％）粉末を３：１のモル比で混合したものを用い、さらにその混合物に、Ｉｎ２Ｏ３（純度９９．９９％）粉末を任意の割合（Ｉｎ／（Ｃｄ＋Ｔｅ＋Ｉｎ））で加えたものを用意した。成膜は、Ａｒ又はＡｒ＋２５％Ｏ２のスパッタガス中、スパッタ圧力０．５Ｐａ、印加電圧２０Ｗ、スパッタ時間３０分間、室温から７００℃の基板温度の条件下で、シリカガラス上に厚さ０．２μｍの酸化物薄膜を堆積することにより行った。
【００２９】
なお、酸化物薄膜の厚さ測定、熱処理、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法による相の同定、化学組成の測定、反射電子回折（ＲＨＥＥＤ）測定、表面粗さ測定、シート抵抗、ホール効果、透過率等の各測定又は処理は、上記実験例１と同様であるのでこの実験例２では記載を省略する。
【００３０】
図４は、純Ａｒ（図４（ａ））とＡｒ＋２５％Ｏ２（図４（ｂ））それぞれの雰囲気下で、異なる基板温度で作製したＣｄ３ＴｅＯ６薄膜のＸ線回折パターンを示すグラフである。図４（ａ）（ｂ）に示したように、室温で堆積させた薄膜はアモルファスであったが、基板温度が３００℃のときには、Ｃｄ３ＴｅＯ６の（１１２）、（２１１）、（００４）面の回折ピークを持つ結晶構造を示した。また、図４（ａ）に示したように、純Ａｒ雰囲気下で堆積させた酸化物薄膜は、基板温度の上昇と共に（１１２）面に優先配向を示し、図４（ｂ）に示したように、Ａｒ＋２５％Ｏ２の雰囲気下で堆積させた酸化物薄膜は、基板温度の上昇と共に（２１１）面に優先配向を示した。また、図４（ｃ）のＡＦＭ像（高さレンジ３０ｎｍ、スキャンサイズ１μｍ×１μｍ）に示すように、純Ａｒ雰囲気、室温下で成膜した酸化物薄膜の平均粒径は、３２ｎｍであり、平均表面粗さは、基板温度とは関係なく、いずれの場合も３ｎｍ以下程度であった。
【００３１】
図５は、Ａｒ（図５（ａ））とＡｒ＋２５％Ｏ２（図５（ｂ））のそれぞれの雰囲気下で、異なる基板温度で作製したＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の室温における電気抵抗率（ρ）、キャリア密度（ｎ）及びホール移動度（μ）を示すグラフである。図５（ａ）（ｂ）のいずれの場合においても、基板温度が３００℃以上で、電気抵抗率ρが１０−３Ωｃｍオーダーに低下し、良好な電気伝導性を示した。また、キャリア密度及びホール移動度についても、基板温度が３００℃以上で成膜することにより上昇し、例えば５００℃の基板温度で純Ａｒ雰囲気下において作製した酸化物薄膜については、それぞれ１．９×１０２０ｃｍ−３及び７．８ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１であった。
【００３２】
一方、Ａｒ＋２５％Ｏ２雰囲気下で作製した薄膜のほうが純Ａｒ雰囲気下で作製した薄膜よりもキャリア密度は低いがホール移動度は大きいことが分かった。これは、製膜時にＯ２を導入することで酸素欠損が減少し、結晶性が向上したためである。
【００３３】
図６は、ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶基板上に成膜したＩｎドープＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の、ＸＲＤパターン（図６（ａ））と、ＲＨＥＥＤパターン（図６（ｂ））と、そのシミュレイトスポットパターン（図６（ｃ））とを示している。図６（ａ）に示すＸＲＤパターンには、Ｃｄ３ＴｅＯ６の（００２）反射及び（００４）反射のみが現れている。その（００４）反射のロッキングカーブから見積もられた半値幅は、０．３２°であり、良好な配向性を示していることがわかった。また、図６（ｂ）に示す観測したＲＨＥＥＤパターンは、図６（ｃ）に示すシミュレイトスポットパターンとよく一致しており、ｃ軸方向のエピタキシャル成長が確認できた。また、これらのエピタキシャル薄膜の室温における電気抵抗率は、２．１×１０−３Ωｃｍであり、結晶性の向上により、多結晶性薄膜のものよりもその値がわずかに減少していることがわかった。キャリア密度及びホール移動度は、それぞれ、５．６×１０１９ｃｍ−３及び５３ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１であり、特にホール移動度は結晶性の向上により大幅に増加することが分かった。
【００３４】
図７は、Ａｒ雰囲気下で異なる基板温度で作製したＩｎドープＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の可視光領域（４００〜８００ｎｍ）での光学透過率の測定結果である。この結果より、実験例１で示したＣｄ３ＴｅＯ６薄膜と同様、熱処理温度に従ってＩｎドープＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の光学透過率は増加した。５００℃以上の基板温度で作製したＩｎドープＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の光学透過率は、可視光領域での平均透過率はおよそ８５％以上であった。
【００３５】
以上の実験例１及び実験例２で説明したように、本発明の酸化物薄膜は、３００℃未満の温度条件で成膜することによりアモルファス状となり、そのときの電気抵抗率は、０．１Ωｃｍで４００〜８００ｎｍの範囲内でおよそ８０％以上の平均透過率を示した。一方、本発明の酸化物薄膜は、３００℃以上の温度条件で成膜することにより又は３００℃未満の温度条件で成膜した後に３００℃以上の温度条件で熱処理することにより、ペロブスカイト型構造となり、そのときの電気抵抗率は、１．９×１０−２Ωｃｍで４００〜８００ｎｍの範囲内でおよそ８５％以上の平均透過率を示した。また、本発明の酸化物薄膜にＩｎをドープすることにより、電気抵抗率をより低下させることができた。
【００３６】
こうした特徴を有する本発明の酸化物薄膜は、導電性がよく透明性がよいので、ＩＴＯ等の透明導電膜の代替材料として有望である。また、熱電変換特性がよいので、熱電変換素子としても利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】Ａｒ雰囲気下で作製したＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の熱処理温度によるＸ線回折パターンの変化を示すグラフである。
【図２】各温度で熱処理した後のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の室温における電気抵抗率、キャリア密度及びホール移動度を示すグラフである。
【図３】各温度で熱処理した後のＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の可視光領域（４００〜８００ｎｍ）での光学透過率の測定結果である。
【図４】図４（ａ）は純Ａｒ雰囲気下で、異なる基板温度で作製したＣｄ３ＴｅＯ６薄膜のＸ線回折パターンであり、図４（ｂ）はＡｒ＋２５％Ｏ２雰囲気下で、異なる基板温度で作製したＣｄ３ＴｅＯ６薄膜のＸ線回折パターンであり、図４（ｃ）は純Ａｒ雰囲気、室温下で成膜した酸化物薄膜のＡＦＭ像である。
【図５】ＡｒとＡｒ＋２５％Ｏ２のそれぞれの雰囲気下で、異なる基板温度で作製したＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の室温における電気抵抗率（ρ）、キャリア密度（ｎ）及びホール移動度（μ）を示すグラフである。
【図６】ＳｒＴｉＯ３（１００）単結晶基板上に成膜したＩｎドープＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の、ＸＲＤパターン（図６（ａ））、ＲＨＥＥＤパターン（図６（ｂ））、及びそのシミュレイトスポットパターン（図６（ｃ））である。
【図７】Ａｒ雰囲気下で異なる基板温度で作製したＣｄ３ＴｅＯ６薄膜の可視光領域（４００〜８００ｎｍ）での光学透過率の測定結果である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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