(57)【要約】【課題】良好な保護層の形成により安定した特性のプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】蒸着またはスパッタリングにより薄膜ＭｇＯ層を形成した基板Ｋを面状ヒータを備えた支持台５４１上に載置して加熱しつつ、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液５０１をスプレー塗布し、単結晶ＭｇＯ粉体層を形成する。次工程で単結晶ＭｇＯ粉体層を焼成し、結晶ＭｇＯ層を形成する。塗布後に直ちに溶剤が揮発して残留せず、ＭｇＯが潮解したり不純物が吸着したりするなどの特性変化を生じず、十分な厚さで良好な特性の保護層を形成できる。【選択図】図５
2007103296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層を形成する保護層形成工程は、
前記誘電体層上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の薄膜を形成する下地ＭｇＯ層形成工程と、
この下地ＭｇＯ層形成工程で形成された少なくとも前記薄膜を加熱し、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液を前記薄膜上に塗布してＭｇＯ粉体層を形成するＭｇＯ粉体層形成工程と、を有した
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ＭｇＯ粉体層形成工程は、前記塗工液をスプレー塗布する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ＭｇＯ粉体層形成工程は、前記薄膜が形成された基板全体を加熱する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ＭｇＯ粉体層形成工程は、面状ヒータにより前記基板を加熱する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ＭｇＯ粉体層形成工程は、前記塗工液の溶剤の沸点以下の温度に加熱する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ＭｇＯ粉体層形成工程は、前記塗工液の溶剤の沸点より１０℃以下の温度に加熱する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ＭｇＯ粉体層形成工程は、大気圧に対して負圧となる雰囲気で前記塗工液を塗布する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜のＭｇＯ層上にＭｇＯ粉体の層を設けて保護層を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。
【０００３】
このようなプラズマディスプレイパネルの前面基板の内面側には、放電ギャップを介して対向する複数の透明電極およびこれら透明電極の一端部に積層するバス電極を備えた複数の表示電極対と、これら表示電極対間に設けられた複数のブラックストライプと、これら表示電極対およびブラックストライプ上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層と、などがそれぞれ設けられている。
上記保護層は、誘電体層が放電によりスパッタリングされることを防ぐとともに、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層としての役割も持っている。また、発光は保護層を通して前面基板側から観察されるため可視光に対する透明性も必要とされる。このため、保護層の材料としては、低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性により酸化マグネシウム（以下、ＭｇＯと記す）の層が広く用いられている。
【０００４】
従来、このようなＭｇＯによる保護層の形成方法として、スプレーガンを用いたスプレー法により、ＭｇＯの微結晶粉末を溶剤に分散させた塗工液を基板に対して吹き付けるものが知られている（例えば、特許文献１または特許文献２参照）。
【０００５】
特許文献１に記載の構成では、マグネシウムカーボオキシレートをキシレンに溶解させたＭＯＤ溶液を調製する。そして、窒素ガスをキャリアとしてＭＯＤ溶液のミストを発生させて、ヒータ内蔵の支持台上に設置された前面板となる基板上に散布し、基板上に金属酸化物前駆体有機金属の堆積膜を形成する。この後、基板を赤外線で加熱して堆積膜から保護膜となるＭｇＯ膜を形成する構成が採られている。
【０００６】
また、特許文献２に記載の構成では、直径が１〜２μｍのＭｇＯの微結晶粉末をエチルアルコールを分散溶媒として分散させ、吹き付けに用いる懸濁液としている。そして、スプレーガンに懸濁液と霧化用の高圧エアを供給し、懸濁液をガラス基板上にスプレー塗布した後、ガラス基板を２００℃に加熱しエチルアルコールを充分に蒸発させ、ＭｇＯ微結晶が積層したＭｇＯ膜を得る構成が採用されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３６２４４号公報
【特許文献２】特開平７−２９６７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、プラズマディスプレイパネルにおいては、所定の量のＭｇＯが保護層として充分な厚さをもって堆積していない場合、放電遅れが大きくなり、選択不良などの問題を引き起こすおそれがある。また、局所的にＭｇＯの塗布量にバラツキが生じた場合、輝度ムラなどの特性不良を引き起こすおそれがあるなどの問題点が一例として挙げられる。
【０００９】
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、良好な保護層の形成により安定した特性のプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層を形成する保護層形成工程は、前記誘電体層上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の薄膜を形成する下地ＭｇＯ層形成工程と、この下地ＭｇＯ層形成工程で形成された少なくとも前記薄膜を加熱し、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液を前記薄膜上に塗布してＭｇＯ粉体層を形成するＭｇＯ粉体層形成工程と、を有したことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態について図面に基づいて説明する。
【００１２】
〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
まず、製造するプラズマディスプレイパネルの構成について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。図２は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図３は、図２のIII−III線における断面図である。図４は、図２のIV−IV線における断面図である。
【００１３】
本実施形態において、図１に示すように、１はプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）であり、このＰＤＰ１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、画像表示領域を構成する放電空間Ｈを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板２および前面基板３を備えている。
【００１４】
これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、当該空間にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００１５】
背面基板２は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、図１に示すように、複数の直線状のアドレス電極２１と、これらアドレス電極２１上を覆うアドレス電極保護層２２と、このアドレス電極保護層２２上に一体的に設けられた隔壁２３と、この隔壁２３の放電セル２３１内部に充填された蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）と、などがそれぞれ設けられている。
【００１６】
具体的には、アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などにて形成され、図１および図２に示すように、背面基板２の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極２１の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極２１に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
【００１７】
アドレス電極保護層２２は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図１、図３および図４に示すように、背面基板２の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層２２の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
【００１８】
隔壁２３は、図１および図３に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層２２上において、アドレス電極２１と略直交する複数の直線状の隙間Ｓ（図３参照）をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。そして、隔壁２３は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板２と前面基板３との間隙寸法を規定する。
【００１９】
蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、図１、図３および図４に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストが放電セル２３１内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００２０】
前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、例えば背面基板２と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、図１に示すように、アドレス電極２１と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対３１と、これら表示電極対３１間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ３２と、これら表示電極対３１およびブラックストライプ３２上を覆う誘電体層３３と、この誘電体層３３を覆う保護層３４と、などがそれぞれ設けられている。
【００２１】
具体的には、表示電極対３１は、図２および図３に示すように、放電ギャップＧ（図２参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
【００２２】
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図２に示すように、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００２３】
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図２参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極３１２ａ，３１２ｂのそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極３１１ａ，３１１ｂに図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極３１２ａ，３１２ｂは、図３に示すように、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと、これらバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂに積層して設けられたＡｇ（銀）などを主成分とする金属材料からなる主導電層３１４ａ，３１４ｂとを備えた２層構造となっている。
【００２４】
ブラックストライプ３２は、図２および図３に示すように、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ３２およびバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂにて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２５】
誘電体層３３は、図３および図４に示すように、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２のアドレス電極保護層２２と対向して設けられている。この誘電体層３３は、パネル駆動時において、放電による表示電極対３１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
【００２６】
保護層３４は、図１、図３および図４に示すように、誘電体層３３の内周面の全面を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）からなるＭｇＯの薄膜としての薄膜ＭｇＯ層３４１と、この薄膜ＭｇＯ層３４１を被覆するＭｇＯ粉体層としての結晶ＭｇＯ層３４２とを備えた２層構造となっている。
【００２７】
薄膜ＭｇＯ層３４１は、例えば蒸着法やスパッタリング法などの既存の薄膜形成方法により形成される。結晶ＭｇＯ層３４２は、後述する塗工装置５００を用いたスプレー法にて形成される。
このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐとともに、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。
【００２８】
〔塗工装置の構成〕
以下、上述したプラズマディスプレイパネルにおける結晶ＭｇＯ層を形成するための塗工装置の構成について、図面を参照して説明する。
図５は、塗工装置の概略構成を示す概念図である。
【００２９】
｛塗工装置の構成｝
図５において、５００は塗工装置で、この塗工装置５００は、スプレー法すなわち基板Ｋの上述した薄膜ＭｇＯ層３４１上に詳細は後述する所定の組成の塗工液５０１をスプレー塗布し、焼成によりＰＤＰ１の結晶ＭｇＯ層３４２となる単結晶ＭｇＯ粉体層を形成する装置である。そして、塗工装置５００は、塗工液５０１を貯溜する塗工液タンク５１０と、この塗工液タンク５１０に貯溜する塗工液５０１を流通する流通経路５２０と、この流通経路５２０を流通する塗工液５０１をスプレー塗布するスプレーガン５３０と、加熱装置５４０と、を備えている。
【００３０】
塗工液タンク５１０は、詳細は後述する塗工液５０１を貯溜するタンクである。なお、この塗工液タンク５１０は、例えば外面側に冷却液などの流通により貯溜する塗工液５０１を冷却する冷却装置や、貯溜する塗工液５０１を攪拌する攪拌装置などを備えた構成とすることが好ましい。
【００３１】
流通経路５２０は、一端が塗工液タンク５１０に接続され他端がスプレーガン５３０に接続された流通管５２１を有している。この流通管５２１には、塗工液タンク５１０に貯溜する塗工液５０１をスプレーガン５３０へ流通管５２１内を流通させる液送ポンプ５２２が設けられている。この液送ポンプは、ギヤポンプ、チューブポンプ、プランジャーポンプなどの定量ポンプや、インベラポンプなどの定圧ポンプなど、各種ポンプが利用できる。
さらに、流通管５２１には、液送ポンプ５２２より下流側に位置して、三方弁５２３が設けられている。この三方弁５２３には、塗工液タンク５１０に接続する返送管５２４が連結されている。そして、三方弁５２３は、液送ポンプ５２２の駆動により流通管５２１内を流通する塗工液５０１が、スプレーガン５３０へ流通させる状態と、返送管５２４を流通して塗工液タンク５１０へ返送して循環させる状態と、に切り替える。この三方弁５２３は、ベローズ式三方弁、ピストン式三方弁、さらには二方弁を組み合わせて流路制御できる構成など、各種構成が適用できる。
なお、三方弁５２３の切り替えは、例えば作業者の操作による手動切替、タイマなどによる自動切替など、いずれの方法が適用できる。
【００３２】
スプレーガン５３０は、塗工液５０１と空気とを２液化状態に霧化して吐出する、いわゆる２流体エア霧化方式のものが用いられる。なお、これに限らず、ベル方式、塗工液５０１の圧力のみで霧化する方式の１流体方式など、各種構成が適用できる。
【００３３】
加熱装置５４０は、例えば略密閉空間を区画成形する塗布室内に移動可能に配設されたスプレーガン５３０とともに配設され、スプレーガン５３０が対向し薄膜ＭｇＯ層３４１が設けられた基板Ｋを載置する平面の載置面５４１Ａを有する支持台５４１を有している。この支持台５４１内には、載置面５４１Ａの略全面を略均一な温度に加熱する図示しない面状ヒータが配設されている。この加熱装置５４０は、支持台５４１に載置された基板Ｋの全体が、所定温度、例えば塗工液５０１の溶剤の沸点以下、特に溶剤の沸点より１０℃低い温度に加熱可能に温度を可変設定可能となっている。
なお、塗布室は、外部の大気圧より若干負圧となる減圧雰囲気を形成して溶剤が塗布室外に漏洩することを防止する減圧装置を設けることが好ましい。さらに、塗布室は、薄膜ＭｇＯ層３４１に吸着して潮解させてしまうおそれのある水分の存在を低減させるため、基板Ｋの加熱装置５４０による加熱を補助するためなどの観点で、塗布室内をプレヒートするための温風循環炉などを設けておくことが好ましい。
【００３４】
｛塗工液の組成｝
そして、上述の塗工装置５００で塗布する塗工液５０１は、以下の組成となっている。
塗工液５０１は、無機粉粒物であるＭｇＯ粉体を含有する無機物含有スラリである。この塗工液５０１は、溶剤にＭｇＯ粉体を分散して調製される。なお、分散剤を適宜添加することが好ましい。
【００３５】
（ＭｇＯ粉体の構成）
ＭｇＯ粉体には、例えば、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００Å以上（好ましくは２０００Å以上）の気相法酸化マグネシウム単結晶粉体（以下、単結晶ＭｇＯ粉体と称す）が用いられる。なお、ＭｇＯ粉体としては、これに限らない。
このような単結晶ＭｇＯ粉体を用いて結晶ＭｇＯ層３４２を形成することにより、ＰＤＰ１の放電特性が改善（放電遅れの減少、放電確率の向上）されることになる。すなわち、放電によって発生する電子線の照射によって、結晶ＭｇＯ層３４２に含まれる粒径の大きな単結晶ＭｇＯ粒から、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ（特に、２３５ｎｍ付近、２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起される。そして、当該単結晶ＭｇＯ粒は、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができる。この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られ、結果として、放電遅れが減少し、放電確率が向上する。
【００３６】
（溶剤の構成）
ＭｇＯ粉体を分散させる溶剤は、極性が強いものほど分散に対して有利に働くため、強い分散を示すものが好ましい。強い分散を示す溶液としては、グリコールやＩＰＡ（２−プロパノール）などのアルコールなどが挙げられる。スプレー法においては、早く揮発することが条件となるために、沸点が低く分散させやすいアルコールが特に好ましい。
また、酢酸エチル、酢酸イソプロピルなどのエステル化合物、ジメチルスルホキシドなどの硫黄化合物、ジメチルホルムアミドなどの窒素化合物においても分散が可能である。無極性の溶剤（炭化水素系）ではＭｇＯ粉体を分散させることはできない。
ＭｇＯ粉体の溶剤に対する分散は、ＭｇＯの酸素またはマグネシウムと親水基（水酸基、カルボキシル基、スルホン基、アミン基など）とによる水素結合もしくは静電引力（極性によるもの）により行なわれる。
【００３７】
（分散剤の構成）
分散剤は、親水基および疎水基を有したものである。すなわち、疎水基ならびに親水基を有する分散剤を用いることにより、ＭｇＯ粉体の分散性の向上が可能である。これは、親水基とＭｇＯとが引き付け合うことと、分子量の大きい疎水基が存在することによる見掛け比重の低下により、分散性の向上が図れる。
そして、分散剤の塗工液５０１中における濃度は、０．１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下であることが好ましい。このような分散剤濃度とすれば、ＭｇＯ粉体の沈降が発生することを防止でき、好適にＭｇＯ粉体を分散させることができる。
親水基としては、水酸基（−ＯＨ）が特に強い分散性を示す。アルデヒド基、アミン基、スルホン基などでも分散は可能であるが、分散剤機能としては弱いので、分散性の観点から水酸基が好ましい。なお、カルボキシル基（カルボン酸）を持つもの（酢酸など）ではＭｇＯを溶解させてしまうので好ましくない。
【００３８】
特に分散剤は、水酸基を溶剤と同数以上の価数分含有することが好ましい。また、分散剤は、水酸基が１価の場合は分子量が１００以上であり、水酸基が２価の場合は分子量が６２以上であり、水酸基が３価の場合は分子量が６４以上であることが好ましい。水酸基を持つ分散剤として効果が高いものは、グリセリン、エチレングリコール、アセチレングリコール、アセチレンアルコールなどが挙げられる。水酸基の場合では水酸基の価数が多い程、分散性が良好となる。そのため、水酸基が３価のグリセリンがこの中では最も分散性能が高い。
このようなグリセリン、エチレングリコール、アセチレングリコールを分散剤として使用した場合では、配管などの液流路の表面を分散剤がコーティングする作用があり、それによりＭｇＯ粉体の液経路内での付着を減少させ、液経路での圧損が低減することで、安定した吐出が可能となる。
疎水基としてはアルカン、アルケン、脂肪酸などが挙げられ、水酸基と疎水基を組み合わせた分散剤を用いることにより、ＭｇＯ粉体の分散性が向上する。
【００３９】
以上を踏まえ、分散剤としては、例えば、アセチレンアルコール、１−ヘプタノール（ヘプチルアルコール）、１−オクタノール（オクチルアルコール）、１−ノナノール（ノニルアルコール）、１−デカノール（デシルアルコール）、１−ウンデカノール（ウンデシルアルコール）、１−ドデカノール（ドデシルアルコール）、１，２−プロパンジオール（プロピレングリコール）、１，２−エタンジオール（エチレングリコール）、アセチレングリコール、グリセリンのいずれかを適宜採用できる。
【００４０】
また、親水基および疎水基を有する分散剤として、アニオン界面活性剤およびアニオンポリマの少なくともいずれか一方を用いてもよい。
すなわち、アニオン界面活性剤およびアニオンポリマは、負電荷を発生するため、ＭｇＯ（Ｍｇ２＋）の静電引力によりＭｇＯに吸着する。そして、コロイドを形成し、見かけ比重を下げるとともに、アニオン界面活性剤またはアニオンポリマ同士でのクーロン斥力により粒子間の距離が離れる。これによりＭｇＯ粉体の凝集・沈降が発生し難く、ＭｇＯ粉体の分散性が向上する。
また、アニオン界面活性剤およびアニオンポリマを混合して用いることで、見掛け比重をさらに大きく下げることができるために、分散性がより一層向上する。
なお、強い負電荷を発生するアニオンポリマを使用すると、ＭｇＯとポリマの結合が強くなり、ポリマが凝集剤の役割を果たしてしまうことで、ＭｇＯが凝集し沈降を促進してしまい、分散が行われないおそれがあるので好ましくない。
そして、アニオン界面活性剤としては、例えば、カルボン酸系、硫酸エステル系、スルホン酸系、アクリル酸系などのアニオン界面活性剤が挙げられる。
【００４１】
カルボン酸系のアニオン界面活性剤としては、例えば、アルキルエーテルカルボン酸ナトリウム（R-O(CH2CH2O)nCH2COONa）が挙げられる。構造式中のＲはアルキル基である。特に、Ｒ部分の炭素数が１２のラウリルエーテルカルボン酸ナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１４のミリスチル酸エーテルカルボン酸ナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１６のバルミチルエーテルカルボン酸ナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１８のステアリルエーテルカルボン酸ナトリウムが好ましい。
この他にもカルボン酸系のアニオン界面活性剤としては、アクリル酸塩、脂肪酸塩、多価カルボン酸塩、ロジン酸塩、ダイマ酸塩、ポリマ酸塩などが挙げられ、中でもカルボン酸塩（アクリル酸塩を含む）は好ましい。
【００４２】
硫酸エステル系のアニオン界面活性剤としては、例えば、アルキルエーテル硫酸エステルナトリウム（R-O(CH2CH2O)nSO3Na）が挙げられる。構造式中のＲはアルキル基である。特に、Ｒ部分の炭素数が１２のラウリルエーテル硫酸エステルナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１４のミリスチルエーテル硫酸エステルナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１６のバルミチルエーテル硫酸エステルナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１８のステアリルエーテル硫酸エステルナトリウムが好ましい。
この他にも硫酸エステル系のアニオン界面活性剤としては、アルキル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、トリスチレン化フェノール硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンジスチレン化フェノール硫酸エステル塩などが挙げられる。
【００４３】
スルホン酸系のアニオン界面活性剤としては、例えば、アルキルスルホン酸ナトリウム（R-SO3Na）が挙げられる。構造式中のＲはアルキル基である。特に、Ｒ部分の炭素数が１２のラウリルスルホン酸ナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１４のミリスチルスルホン酸ナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１６のバルミチルスルホン酸ナトリウム、Ｒ部分の炭素数が１８のステアミルスルホン酸ナトリウムが好ましい。
この他にもスルホン酸系のアニオン界面活性剤としては、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、ジフェニルエーテルスルホン酸塩などが挙げられる。
【００４４】
アニオンポリマとしては、カルボン酸系のポリアクリルアミド・アクリル酸塩が挙げられ、特にアクリルアミド・アクリル酸ナトリウム（-(CH2CHCONH2)m-(CH2-CH-COONa)n-）が好適である。構造式中のｍはアクリルアミドであり、ｎはアクリル酸ナトリウムである。
【００４５】
〔ＰＤＰの製造方法〕
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法における製造動作について説明する。
図６は、スプレー法による単結晶ＭｇＯ粉体層の形成工程を示した模式図である。
【００４６】
ＰＤＰ１の製造に際して、ＰＤＰ１の背面基板２の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に金属薄膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極２１のパターンを形成する。このアドレス電極２１上にガラスペーストを塗布して、当該ガラスペーストを成形・焼成することによりアドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。そして、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を形成する。これにより、ＰＤＰ１の背面基板２が完成する。
【００４７】
一方、ＰＤＰ１の前面基板３の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。この透明電極対上にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを積層形成し、更にこのパターン上にＡｇペーストのパターンを積層形成する。そして、これらのパターンを焼成して、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂおよび主導電層３１４ａ，３１４ｂからなる２層構造のバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。この後、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂ間にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを塗布して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂ、バス電極３１２ａ，３１２ｂおよびブラックストライプ３２を被覆する状態にダイコータなどによりガラスペーストを塗布して誘電体層３３を形成する。そして、この誘電体層３３の上に蒸着法やスパッタリング法などにより薄膜ＭｇＯ層３４１を成膜形成する下地ＭｇＯ層形成工程を実施する。さらに、図６に示すように、下地ＭｇＯ層形成工程で形成した薄膜ＭｇＯ層３４１上に、図５に示す塗工装置５００を用いたスプレー法にてＭｇＯ粉体層としての単結晶ＭｇＯ粉体層を形成するＭｇＯ粉体層形成工程を実施し（以下に詳述）、このＭｇＯ粉体層形成工程で形成した単結晶ＭｇＯ粉体層を焼成して結晶ＭｇＯ層３４２を形成する。これにより、ＰＤＰ１の前面基板３が完成する。
【００４８】
すなわち、塗工装置５００による塗布工程としては、液送ポンプ５２２は常に駆動させ、塗工液タンク５１０内の塗工液５０１が流通管５２１、三方弁５２３および返送管５２４を介して循環する待機状態とする。そして、下地ＭｇＯ層形成工程で薄膜ＭｇＯ層３４１が成膜形成された基板Ｋを、塗布室内に搬入して加熱装置５４０の支持台５４１の載置面５４１Ａに載置させる。
なお、塗布室内はあらかじめ加熱しておくとともに支持台５４１の載置面５４１Ａを所定の温度に加熱しておく。
この基板Ｋの載置により、基板Ｋは全体的に所定の温度、例えば塗工液５０１の溶剤の沸点より１０℃低い温度に加熱される。
【００４９】
そして、基板Ｋを支持台５４１上に載置して所定時間経過後、すなわち基板Ｋの全体が塗工液５０１の溶剤の沸点より１０℃低い温度に達した後、三方弁５２３を切り替えて、循環している塗工液５０１をスプレーガン５３０から霧化状に吐出させて薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗布させる。この塗布は、スプレーガン５３０が基板Ｋの平面に沿って移動され、基板Ｋの略全面に塗工液５０１が塗布される。この加熱された基板Ｋへ塗布された塗工液５０１は、溶剤が直ちに気化し、図６に示すように、ＭｇＯ粉末が層状に薄膜ＭｇＯ層３４１上に付着する状態となる。なお、時間管理により塗工液５０１を塗布する動作について説明したが、例えばサーモセンサなどにより基板Ｋの温度を測定して塗布するなどしてもよい。
このＭｇＯ粉体層形成工程で単結晶ＭｇＯ粉体層が形成された基板Ｋは、次工程で焼成され、単結晶ＭｇＯ粉体層が結晶ＭｇＯ層３４２として薄膜ＭｇＯ層３４１上に固着する状態となり、保護層３４が形成される。
【００５０】
〔製造工程の作用効果〕
｛実験｝
次に、上記本実施の形態におけるＰＤＰ１の製造におけるＭｇＯ粉体層形成工程の効果を確認するための実験について、図面を参照して説明する。
【００５１】
（実験装置の構成）
確認実験における本実施の形態の塗工装置５００としては、上記図５に示す構成における塗工液タンク５１０に、直径寸法が５０ｍｍの４枚の攪拌翼を有し３００ｒｐｍの回転速度で攪拌翼を回転させる攪拌装置を設けた。
液送ポンプ５２２としては、ギヤポンプを用い、インバータ周波数を変化させてギヤポンプに接続されているモータ回転数を変化する構成とした。
また、三方弁５２３としては、ピストン式のものを用いた。
【００５２】
（実験方法）
実験方法としては、塗布状況確認実験と、ＭｇＯ粉体の特性変化確認実験と、加熱温度の確認実験と、ＰＤＰ特性の確認実験と、を実施した。
塗工液５０１を塗布する被塗布物として、ＰＤＰ１の製造途中で形成された薄膜ＭｇＯ層３４１を有する基板Ｋをそのまま用いた。
そして、塗工液５０１の塗布条件としては、２０ｍｌ／分の流量で循環および塗布する状態で液送ポンプ５２２を駆動させた。
さらに、スプレーガン５３０は、塗工液５０１の塗布時に、エア霧化圧を０．２ＭＰａとした。
【００５３】
（１）塗布状況確認実験
塗工液５０１として、平均粒径が１μｍでフォトルミネセンス強度が基準値以上となる気相合成したＭｇＯ粉体を用い、溶剤として、メタノール、エタノール、イソプロパノール（２−プロパノール：ＩＰＡ）をそれぞれ用い、５ｗｔ％の濃度にＭｇＯ粉体を分散させて調製したものを用いた。なお、塗工液５０１の調製に際して、ＭｇＯの分散は、超音波分散機を利用した。
基板Ｋを８０℃に加熱して各溶剤での塗工液５０１をそれぞれスプレー塗布した後、光電子のエネルギとその数を測定して表面近傍に存在する元素の量やその元素の化学結合状態を特定するＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により、基板Ｋの表面における不純物などの吸着状態や表面状態を調べた。なお、比較例として、塗工液５０１を塗布しない基板Ｋ、および加熱を行わずに塗工液５０１を塗布した基板Ｋについても表面の状態を調べた。
そして、基板Ｋの表面の状態としてＸ線光電子分光法により測定した酸素、炭素およびマグネシウムのピーク強度について比較した。
その結果を図７ないし図９に示す。なお、図７は、酸素のピーク強度に関するグラフで、図８は炭素のピーク強度に関するグラフで、図９はマグネシウムのピーク強度に関するグラフである。
【００５４】
（２）ＭｇＯ粉体の特性変化確認実験
（１）の塗布状況確認実験で調製した塗工液５０１のうち、溶剤がメタノールのものとＩＰＡのものとを用いた。
そして、これら塗工液５０１を８０℃に加熱した基板Ｋと加熱しない基板Ｋにそれぞれ塗布し、各塗工液５０１を塗布した基板Ｋから、それぞれ単結晶ＭｇＯ粉体層のＭｇＯを採取し、フォトルミネセンス強度を測定した。そして、塗工液５０１に用いた調製前の原料となるＭｇＯ粉体のフォトルミネセンス強度を１として、各フォトルミネセンス強度について比較した。
その結果を、図１０に示す。
【００５５】
（３）加熱温度の確認実験
基板Ｋを適宜所定の温度に加熱し、（１）の塗布状況確認実験で調製した各塗工液５０１をそれぞれ塗布し、塗布後の基板Ｋの表面状態を観察した。
その結果を図１１に示す。
なお、表面状態として、以下に示す三段階評価とした、
○：問題なし（均一）
△：分散性（塗工状態）が多少悪化
×：分散性が悪化（塗工液の突沸）
【００５６】
（４）ＰＤＰ特性の確認実験
（１）の塗布状況確認実験で調製した塗工液５０１のうち、溶剤がメタノールのものとＩＰＡのものとを用いた。
そして、基板Ｋを適宜加熱して各塗工液５０１を塗布して単結晶ＭｇＯ粉体層を形成した後、焼成して結晶ＭｇＯ層３４２を形成した基板Ｋをそれぞれ用い、ＰＤＰ１を製造し、ＰＤＰ１における輝度の経時劣化を調べた。
なお、溶剤がメタノールの塗工液５０１を用いる場合、６０℃に加熱した基板Ｋと加熱しない基板Ｋにそれぞれ塗布し、ＰＤＰ１を製造した。また、溶剤がＩＰＡの塗工液５０１を用いる場合、８０℃に加熱した基板Ｋと加熱しない基板Ｋにそれぞれ塗布し、ＰＤＰ１を製造した。
【００５７】
（実験結果）
（１）塗布状況確認実験
図７および図８に示す結果から、基板Ｋを加熱した状態で塗工液５０１を塗布した場合、加熱せずに塗布した場合に比して、酸素および炭素のピーク強度が小さく、かつ塗工液５０１を塗布しない比較例のものと近似したピーク強度であることが認められた。これは、溶剤や不純物が加熱によりＭｇＯ、特に薄膜ＭｇＯ層３４１に吸着しないためと考えられる。
また、基板Ｋを加熱せずに塗工液５０１を塗布した場合、溶剤がメタノール、エタノール、ＩＰＡの順にピーク強度が増大していることが認められた。これは、溶剤の沸点が高くなるに従って溶剤が除去されずに残留する量が増大するためと考えられる。
さらに、図９に示す結果から、基板Ｋを加熱して塗布した場合、ピーク強度が小さく、かつ塗工液５０１を塗布しない比較例のものと近似したピーク強度であることが認められた。これは、基板Ｋの加熱処理により、薄膜ＭｇＯ層３４１のマグネシウムへの潮解や不純物の吸着などを防いだ結果であると考えられる。
そして、加熱せずに塗布した場合では溶剤によって悪影響を示す一方、基板Ｋを加熱した状態で塗工液５０１を塗布した場合では、塗工処理を施さない比較例と同等であるということから、加熱した状態で塗布することによって、薄膜ＭｇＯ層３４１に対する溶剤の影響を除去していることが、この実験結果より分かる。
【００５８】
（２）ＭｇＯ粉体の特性変化確認実験
図１０に示す結果から、基板Ｋを加熱して塗布した場合、塗工液５０１の調製前のＭｇＯのフォトルミネセンス強度とほとんど変わらなかった。一方、基板Ｋを加熱せずに塗布した場合、若干のフォトルミネセンス強度の低下が認められた。
【００５９】
（３）加熱温度の確認実験
図１１に示す結果から、基板Ｋを加熱する温度がある程度高くなると、基板Ｋに塗布した際にクレータ状に突沸が生じ、ＭｇＯの分散性が悪くなることが認められた。そして、分散性が悪化する温度は、塗工液５０１の溶剤の沸点と略同一、すなわちメタノールを溶剤としたものが６５℃、エタノールを溶剤としたものが７８℃、ＩＰＡを溶剤としたものが８２℃であった。特に、沸点に対して１０℃以下の温度範囲で加熱を行った場合では良好な分散性が認められた。
このように、基板Ｋの加熱温度は、塗工液５０１の溶剤の沸点以下、特に溶剤の沸点より約１０℃以下とすることが好ましいことが認められた。
【００６０】
（４）ＰＤＰ特性の確認実験
基板Ｋを加熱して塗布した場合の方が、加熱せずに塗布した場合に比して、輝度の経時劣化の状態が小さかった。また、塗工液５０１の溶剤がＩＰＡよりメタノールの方が輝度の経時劣化が小さかった。これは、メタノールの方が沸点が低く、揮発性が高いために基板Ｋ上に残留する量が少なくなったためと考えられる。
【００６１】
｛作用効果｝
上述したように、上記実施の形態では、ＰＤＰ１の保護層３４の形成として、誘電体層３３上に蒸着またはスパッタリングによりＭｇＯの薄膜である薄膜ＭｇＯ層３４１を形成する下地ＭｇＯ層形成工程を実施した後、基板Ｋを加熱し、この基板Ｋの加熱により加熱された薄膜ＭｇＯ層３４１上に、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液５０１を塗布して結晶ＭｇＯ層３４２となる単結晶ＭｇＯ粉体層を形成するＭｇＯ粉体層形成工程を実施している。
このため、十分な低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性を向上させるべく結晶ＭｇＯ層３４２を薄膜ＭｇＯ層３４１に積層形成する際に、薄膜形成が比較的に容易なスプレー法を利用し、スプレー塗布する塗工液５０１の溶剤による悪影響が生じないように、基板Ｋを加熱して溶剤の残留を防止し、良好な単結晶ＭｇＯ粉体層を形成しているので、特に、略均一な厚さで形成することができるがある程度の厚さで形成しにくく、柱状結晶構造で溶剤が侵入しやすくかつ抜けにくい蒸着やスパッタリングにより形成される薄膜ＭｇＯ層３４１のＭｇＯが潮解したり不純物が吸着するなどの特性変化を生じず、十分な厚さで良好な特性の保護層３４を形成できる。したがって、輝度の経時劣化が小さく、長期間安定した特性のＰＤＰ１を容易に製造できる。
【００６２】
そして、ＭｇＯ粉体層形成工程において、塗工液５０１をスプレー塗布して単結晶ＭｇＯ粉体層の形成している。
このため、良好にＭｇＯ粉体を分散して均一に付着させるための塗布が容易にでき、製造性を容易に向上できるとともに、加熱による溶剤の除去も迅速で容易にでき、良好な単結晶ＭｇＯ粉体層を容易に形成できる。
【００６３】
また、塗工液５０１の塗布面となる薄膜ＭｇＯ層３４１の加熱として、この薄膜ＭｇＯ層３４１を形成した基板Ｋ全体を加熱している。
このため、溶剤を残留させず良好な分散性で単結晶ＭｇＯ粉体層を形成するための薄膜ＭｇＯ層３４１の加熱が容易で、かつ均一的に加熱でき、より良好な単結晶ＭｇＯ粉体層の形成ができる。
【００６４】
さらに、基板Ｋの加熱として、面状ヒータを備えた支持台５４１上に載置して加熱している。
このため、基板Ｋ全体を略均一に加熱することが容易にでき、良好な単結晶ＭｇＯ粉体層の形成が容易にできる。また、平面の載置面５４１Ａを有した支持台５４１上に載置する構成であることから、スプレー塗布することも容易にでき、簡単な構成で、良好な単結晶ＭｇＯ粉体層の形成が容易にできる。
【００６５】
そして、基板Ｋの加熱として、塗工液５０１の溶剤の沸点以下の温度で加熱している。
このため、塗布した塗工液５０１が突沸して分散性が悪くなることを防止でき、良好な単結晶ＭｇＯ粉体層を形成できる。
さらに、溶剤の沸点より１０℃以下の温度に加熱することで、ＭｇＯが良好に分散し、溶剤も比較的に良好に揮発させることができ、溶剤が残留せず分散性が良好な単結晶ＭｇＯ粉体層を確実に形成できる。
【００６６】
また、外部の大気圧に対して若干負圧となる減圧雰囲気の塗工室内で塗工液をスプレー塗布している。
このため、揮発した溶剤が外部に漏洩することなく適切に回収することができ、減圧によるさらなる溶剤の揮発が進行して、より溶剤の残留を防止でき、より良好な単結晶ＭｇＯ粉体層の形成ができる。
【００６７】
〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述した一実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
【００６８】
すなわち、製造するＰＤＰ１の構成として、上述した構成に限らず、各種構成が適用できる。
例えば、上記実施の形態のＰＤＰ１を、前面基板３に表示電極対３１を形成し誘電体層３３によって被覆しかつ背面基板２側に蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）とアドレス電極２１を形成した反射型交流ＰＤＰとするとしたが、これに限らない。すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面基板に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面基板側に蛍光体層を形成し背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ、放電空間の表示電極対とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ、放電空間の表示電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することができる。さらには、プラズマディスプレイパネルに限らず、液晶パネルや有機ＥＬパネルなど、各種表示装置の製造における各種材料を塗布する構成にも適用できる。
さらには、上記実施の形態では隔壁２３を梯子状に形成するとしたが、これに限らず、井桁状やストライプ状の隔壁としてもよい。
また、上記実施の形態では、薄膜ＭｇＯ層３４１は、薄膜ＭｇＯ層３４１の全面を被覆するとしたが、これに限らず、例えば、透明電極３１１ａ，３１１ｂに対向する部分や逆に透明電極３１１ａ，３１１ｂに対向する部分以外の部分などのように、部分的にパターン化して形成するようにしてもよい。
【００６９】
そして塗工液５０１の塗布としては、スプレー塗布に限らず、各種塗布方法を適用できる。
なお、上述した作用効果により、スプレー法が好ましい。
【００７０】
また、塗工液５０１を循環させ、適宜流路を切り替えて塗布する塗工装置５００を利用して説明したが、この構成に限られない。例えば、塗布時にポンプを駆動させて流通させる構成としてもよい。なお、循環させることにより、凝集や沈降分離などを防止できるので好ましい。
また、洗浄液を流通させて流路内を洗浄する構成を設けてもよい。この構成により、流路内にＭｇＯが凝集・固着して閉塞するなどを防止でき、安定した吐出量で塗布でき、良好な単結晶ＭｇＯ粉体層の形成ができることから、洗浄する構成を設けることが好ましい。なお、洗浄液としては、塗工液５０１の溶剤と同質の溶剤を主要成分とするものが好ましい。特に同一とすることで、仮に混合しても特性の変化が小さく、安定した単結晶ＭｇＯ粉体層の形成ができるので好ましい。
【００７１】
そして、基板Ｋの全体を加熱して説明したが、少なくとも塗布面となる薄膜ＭｇＯ層３４１を加熱する構成としてもよい。
この加熱としては、例えば面状ヒータを用いる構成に限らず、シーズヒータなどの各種ヒータによる加熱の他、熱風による加熱、塗工室内全体の加熱による間接的な加熱、電磁波やマイクロ波による加熱など、各種加熱方法を利用できる。なお、電磁波を利用する場合には、溶剤が電磁波を吸収してより揮発性が向上し、溶剤の残留を良好に防止できる。
また、支持台５４１を利用する構成に限らず、各種方法で基板Ｋを保持して加熱させればよい。
【００７２】
さらに、あらかじめ加熱しておく場合に限らず、塗布しつつ加熱するなどしてもよい。
なお、あらかじめ加熱しておくことで、塗布して付着した時点から直ちに溶剤が揮発されて除去され、薄膜ＭｇＯ層３４１により悪影響を及ぼすことを防止できるので好ましい。
【００７３】
また、塗工室を設けて塗布する構成で説明したが、この限りではない。
例えば、塗布面の近傍から周辺空気を吸気するダクトを設けるなど揮発した溶剤を回収する構成があればよい。
また、減圧せずに大気圧下で塗布してもよい。なお、大きく減圧した減圧雰囲気下を形成して、実質的に加熱した状態と同様の状態として塗布してもよい。
【００７４】
本発明は、上述した一実施の形態および実施形態の変形のみに限ることなく、その他、本発明の目的を逸脱しない範囲で様々な応用が可能である。
【００７５】
〔実施の形態の作用効果〕
上述したように、上記実施の形態では、ＰＤＰ１の保護層３４の形成として、誘電体層３３上に蒸着またはスパッタリングによりＭｇＯの薄膜である薄膜ＭｇＯ層３４１を形成する下地ＭｇＯ層形成工程を実施した後、基板Ｋを加熱し、この基板Ｋの加熱により加熱された薄膜ＭｇＯ層３４１上に、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液５０１を塗布して結晶ＭｇＯ層３４２となる単結晶ＭｇＯ粉体層を形成するＭｇＯ粉体層形成工程を実施している。
このため、十分な低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性を向上させるべく結晶ＭｇＯ層３４２を薄膜ＭｇＯ層３４１に積層形成する際に、薄膜形成が比較的に容易なスプレー法を利用し、スプレー塗布する塗工液５０１の溶剤による悪影響が生じないように、基板Ｋを加熱して溶剤の残留を防止し、良好な単結晶ＭｇＯ粉体層を形成しているので、特に、略均一な厚さで形成することができるがある程度の厚さで形成しにくく、柱状結晶構造で溶剤が侵入しやすくかつ抜けにくい蒸着やスパッタリングにより形成される薄膜ＭｇＯ層３４１のＭｇＯが潮解したり不純物が吸着したりするなどの特性変化を生じず、十分な厚さで良好な特性の保護層３４を形成できる。したがって、輝度の経時劣化が小さく、長期間安定した特性のＰＤＰ１を容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。
【図２】前記実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。
【図３】図２のIII−III線における断面図である。
【図４】図２のIV−IV線における断面図である。
【図５】前記実施の形態における塗工装置の概略構成を示す概念図である。
【図６】前記実施の形態におけるスプレー法による単結晶ＭｇＯ粉体層の形成工程を示した模式図である。
【図７】前記実施の形態における塗布状況確認実験のＸ線光電子分光法による酸素に係わる測定結果を示すグラフである。
【図８】前記実施の形態における塗布状況確認実験のＸ線光電子分光法による炭素に係わる測定結果を示すグラフである。
【図９】前記実施の形態における塗布状況確認実験のＸ線光電子分光法によるマグネシウムに係わる測定結果を示すグラフである。
【図１０】前記実施の形態におけるＭｇＯ粉体の特性変化確認実験でのＭｇＯ粉体のフォトルミネセンス強度の測定結果を表形式で示す比較図である。
【図１１】前記実施の形態における加熱温度の確認実験での基板表面状態の観察結果を表形式で示す比較図である。
【符号の説明】
【００７７】
１……プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
２……背面基板
３……前面基板
３１……表示電極対
３３……誘電体層
３４……保護層
３４１……薄膜である薄膜ＭｇＯ層
３４２……ＭｇＯ粉体層としての結晶ＭｇＯ層
５００……塗工装置
５０１……塗工液
５４０……加熱装置
Ｋ……基板
【図１】
2007103296.tif 000003
【図２】
2007103296.tif 000004
【図３】
2007103296.tif 000005
【図４】
2007103296.tif 000006
【図５】
2007103296.tif 000007
【図６】
2007103296.tif 000008
【図７】
2007103296.tif 000009
【図８】
2007103296.tif 000010
【図９】
2007103296.tif 000011
【図１０】
2007103296.tif 000012
【図１１】
2007103296.tif 000013