(57)【要約】【課題】Ｓｎ−Ｚｎ系はんだを用いてのフローはんだ付けにおいてディウェッティング及びブリッジの発生を抑制できるはんだ付け方法を提供する。【解決手段】搬送されるプリント配線基板１の搬送方向と逆方向に、ＳｎとＺｎを主成分とする溶融したＳｎ−Ｚｎ系はんだの噴流波を、配線基板１の搬送方向と直交する方向に延びるスリット状をなし幅が一定の吹き口１４を有しかつ回転により配線基板１に対する吹き口１４の位置を調整可能な吹き口体８から噴出させ、この噴流波に配線基板１の下面を接触させてはんだ付けをする。この場合、吹き口体８の回転中心を通る鉛直線Ｙ及び配線基板１の搬送方向下流側に位置する吹き口１４の開口縁（上端縁）１２ａと前記回転中心を通る直線Ｘとが挟む角度αを、鉛直線Ｙを基準に０度から配線基板１の搬送方向上流側へ５度以下に調整した状態で、吹き口１４から噴出させた噴流波によりフローはんだ付けをすることを特徴としている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送されるはんだ付けワークの搬送方向と逆方向に、ＳｎとＺｎを主成分とする溶融したＳｎ−Ｚｎ系はんだの噴流波を、前記ワークの搬送方向と直交する方向に延びるスリット状をなし幅が一定の吹き口を有しかつ回転により前記ワークに対する前記吹き口の位置を調整可能な吹き口体から噴出させ、この噴流波に前記ワークの下面を接触させてはんだ付けをする方法であって、
前記吹き口体の回転中心及び前記ワークの搬送方向下流側に位置する前記吹き口の開口縁を通る直線と前記回転中心を通る鉛直線とが挟む角度を、前記鉛直線を基準に０度から前記ワークの搬送方向上流側へ５度以下に調整した状態で、前記吹き口から噴出させた噴流波によりフローはんだ付けをすることを特徴とするはんだ付け方法。
【請求項２】
前記ワークの搬送方向に沿う前記吹き口の幅が３．０ｍｍ以上で４.０ｍｍ以下に設定された吹き口体を用いてフローはんだ付けをすることを特徴とする請求項１に記載のはんだ付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｓｎ（錫）とＺｎ（亜鉛）を主成分とするＳｎ−Ｚｎ系はんだを用いてフローはんだ付けを行なう方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、不純物程度の鉛含有は許容するが、鉛を主成分として含まない、いわゆる鉛フリーはんだとして、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ及びＳｎ−Ｚｎ系はんだが知られている。Ｓｎ−Ａｇ系はんだの溶融温度が２１７℃〜２２１℃（共晶点温度）と高いのに比べて、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだは、その共晶点温度が１９９℃程度であるのに伴い、フローはんだ付けの際のはんだ付け温度を２３０℃前後に低く設定できるので、プリント配線基板及びその上の電子部品に熱損傷を与える可能性が低い点で好ましい。
【０００３】
このＳｎ−Ｚｎ系はんだを用いたフローはんだ付けにおいて、はんだ付け不良の一つであるブリッジ現象を抑制することを目的として、低酸素濃度の不活性ガス雰囲気中でプリント配線基板の搬送方向と逆の方向に流れる逆方向はんだ噴流波を用い、この噴流波の流速を１８ｃｍ／ｓｅｃ以上とする技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
又、フローはんだ付けにおいて、吹き口から噴出される噴流波を、プリント配線基板の搬送方向と同方向（順方向）と、逆方向に切換えられるようにした技術も知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
この特許文献２の技術では、プリント配線基板の搬送方向と直交する方向の回動軸を中心にして回転可能な一対の噴流体を噴流槽に設け、これら一対の噴流体を回転させてその位置を個々に変えることにより、一対の噴流体間に形成される吹き口の幅と、この吹き口から噴射される噴流波を順方向又は逆方向に向ける調整を可能としている。この他に、特許文献２の技術では、プリント配線基板の搬送方向と直交する方向の回動軸を中心にして回転可能な単一の噴流体を噴流槽に設け、この噴流体を回転させてその位置を変えることにより、これと噴流槽の前側固定部分と間に形成される吹き口の幅と、この吹き口から噴射される噴流波を順方向又は逆方向に向ける吹き口位置の調整を可能としている。そして、逆方向の噴流波は、前記前側固定部分が回動軸を通る鉛直線と交差して設けられているので、前記鉛直線に対して順方向側（つまり、プリント配線基板の搬送方向下流側）に寄った位置を基点として噴出されるようになっている。
【特許文献１】特開２００１−２９８２６７号公報（段落0006−0044、図１−図８）
【特許文献２】特公平４−６９５０９号公報（第４欄２３行〜第５欄２行、第２図ａ〜ｃ、第３図ａ〜ｃ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
はんだ濡れ不良の中にはディウェッティングがある。ディウェッティングは、プリント配線基板のＣｕ電極表面等のはんだ付け部から溶融はんだが離れる際に、一度濡れたはんだの一部が離される溶融はんだによって引き戻され、後に取り残されたＣｕ電極表面がはんだめっきされたようになる現象である。ディウェッティングは、Ｃｕ電極表面が完全にはんだに濡れないで元のベース金属そのものの色をしている現象である不濡れとは違う現象であるが、はんだ付け品質としては不濡れと同じ外観不良と評価される。
【０００７】
このディウェッティングは、はんだにＳｎ−Ｚｎ系はんだを用いると、顕著に発生する傾向が高いことが本発明者の研究により見出された。したがって、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだを用いてフローはんだ付けをするにあたっては、ディウェッティングを抑制することが求められている。
【０００８】
これに対して、ブリッジを抑制する技術を開示した特許文献１、及び噴流波の向き等を選択できる技術を開示した特許文献２には，ディウェッティングについては一切記載がなく、これらの技術でディウェッティングを十分に抑制できるかどうかは不明である。
【０００９】
しかも、本発明者の研究によれば、フローはんだ付けでのブリッジの発生とディウェッティングの発生とは相反性の関係にあることが見出された。このため、ブリッジの発生防止を目的とした特許文献１の技術で、ディウェッティングの発生を効果的に防止することは困難である。
【００１０】
本発明の目的は、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだを用いてのフローはんだ付けにおいてディウェッティング及びブリッジの発生を抑制できるはんだ付け方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、搬送されるはんだ付けワークの搬送方向と逆方向に、ＳｎとＺｎを主成分とする溶融したＳｎ−Ｚｎ系はんだの噴流波を、前記ワークの搬送方向と直交する方向に延びるスリット状をなし幅が一定の吹き口を有しかつ回転により前記ワークに対する前記吹き口の位置を調整可能な吹き口体から噴出させ、この噴流波に前記ワークの下面を接触させてはんだ付けをする方法であって、前記吹き口体の回転中心及び前記ワークの搬送方向下流側に位置する前記吹き口の開口縁を通る直線と前記回転中心を通る鉛直線とが挟む角度を、前記鉛直線を基準に０度から前記ワークの搬送方向上流側へ５度以下に調整した状態で、前記吹き口から噴出させた噴流波によりフローはんだ付けをすることを特徴としている。
【００１２】
本発明において、前記ワークの搬送方向に沿う前記吹き口の幅が３．０ｍｍ以上で４.０ｍｍ以下に設定された吹き口体を用いてフローはんだ付けをすることが好ましい。
【００１３】
本発明で用いられる錫と亜鉛を主成分とする錫・亜鉛系はんだの合金組成は、錫及び亜鉛の含有量について特に限定されるものではなく、いわゆる鉛フリーはんだとしての適正な特性を有するものであればよい。また、錫及び亜鉛以外の他の金属（銀、銅、アルミニウム、ビスマス、インジウム、ニッケル等）を適宜添加してもよく、その種類及び量についても、何ら限定されるものではない。例えば、錫−亜鉛二元合金、錫−亜鉛−ビスマス合金、錫−亜鉛−アルミニウム合金等の三元合金、錫−亜鉛−ビスマス−インジウム合金等の四元合金を好適に使用できる。これらの錫・亜鉛系はんだの中でも、錫−亜鉛共晶はんだ（９１ｗｔ％錫−９ｗｔ％亜鉛はんだを指し、このはんだを錫−９亜鉛はんだと略称する。）合金は、二元合金のためはんだ槽内のはんだ合金組成を管理し易いため、特に好ましい。
【００１４】
本発明で、搬送されるはんだ付けワークとしてははんだ付けされる電子部品が配置されたプリント配線基板を挙げることができる。ワークの搬送迎角は水平線に対して５度から７度に設定することが好ましい。又、プリント配線基板等のはんだ付けワークの搬送速度は０．６〜１．２ｍ／ｍｉｎの範囲であることが好ましいが、製造性やはんだ付け性を考慮して適宜設定することができる。
【００１５】
本発明で、プリント配線基板の搬送方向と逆方向の噴流波は、プリント配線基板の搬送方向と同じ方向（順方向）のはんだ噴流波よりも、プリント配線基板のはんだ付け面へのはんだ付着量を多くすることができ、それによって、ディウェッティングの発生を抑制できる。
【００１６】
そして、角度αを０度未満とした場合、つまり、吹き口体の回転中心及びワークの搬送方向下流側に位置する吹き口の開口縁を通る直線が、前記回転中心を通る鉛直線Ｙをプリント配線基板１の搬送方向下流側に超えた状態に第２の吹き口体が配置された場合には、溶融はんだの噴流波がプリント配線基板に当たる角度が大きすぎて、はんだ過剰になりブリッジやツノ引きはんだを発生しやすくなることが確かめられた。この逆に、吹き口体の回転中心及びワークの搬送方向下流側に位置する吹き口の開口縁を通る直線上に位置した下流側壁の開口縁がプリント配線基板の搬送方向上流側に鉛直線を超えて、しかも直線と鉛直線とがなす角度αが５度を超えると、プリント配線基板に対する噴流波の当たりが弱くなり、ディウェッティングを発生しやすくなることが確かめられた。
【００１７】
本発明で、吹き口の幅が３．０ｍｍ未満ではプリント配線基板へのはんだ付着量が少ないため、ディウェッティングが発生しやすくなることが確かめられた。一方、吹き口の幅が４．０ｍｍを超えると逆方向の噴流波のはんだ吐出量は多くなるが、吹き口１４の開口面積が大きくなるため、噴流波の高さが低下し、ディウェッティングが発生しやすくなることが確かめられた。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだを用いてのフローはんだ付けにおいてディウェッティング及びはんだブリッジの発生を抑制できるはんだ付け方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は本発明のはんだ付け方法を実施するフローはんだ付け装置を概念的に示した図であって、この装置により、はんだ付けワーク例えばプリント配線基板１に対して多数の電子部品（図１には２個のみ代表して図示）が、フラックス塗布工程、予備加熱工程、第１次及び第２次のはんだ付け工程を順次経て実装される電子部品としては、端子ピンを有してこのピンをプリント配線基板に貫通させてセットされる電子部品２、及びチップ部品等の面実装される電子部品３を挙げることができる。フローはんだ付けとの関係では、電子部品２はプリント配線基板１のはんだ付け面とは反対の面にセットされ、電子部品３はプリント配線基板１のはんだ付け面に主としてセットされる。
【００２０】
プリント配線基板１は図１のフローはんだ付け装置において、フローはんだ付け装置を貫通しかつ傾斜して配設された搬送コンベア４により所定の搬送迎角θを水平線との間に作って搬送される。搬送方向を図１〜図３中矢印Ａで示す。搬送迎角θは例えば５度に設定される。プリント配線基板１の搬送速度は０．６〜１．２ｍ／ｍｉｎの範囲であることが好ましいが、製造性やはんだ付け性を考慮して適宜設定できる。
【００２１】
フラックス塗布工程は、フローはんだ付け装置に搬入されたプリント配線基板１の下面すなわち、はんだ付け面に、フラックス塗布装置５によってフラックスの塗布を行なう工程である。フラックスの塗布は、スプレー法や発泡などの方法で行なわれる。フラックスには、必要に応じて艶消し剤、界面活性剤、酸化防止剤、防錆剤、難燃剤、あるいはプリント配線基板１に黴の発生を防止するための防黴剤等を配合しても差し支えない。
【００２２】
フラックスがはんだ付け面に塗布された後、プリント配線基板１は予備加熱工程部へ搬送コンベア４により搬送される。予備加熱工程では、フラックスが塗布されたプリント配線基板１をはんだ付け面側からヒーター６により予備加熱を行ない、フラックスの前置的活性化とプリント配線基板１およびこの基板に搭載した電子部品２．３に与える熱衝撃を軽減する。この予備加熱工程におけるプリント配線基板１のはんだ付け面の温度は９０℃〜１３０℃の範囲であることが好ましい。更に、フローはんだ付けを良好な濡れ性で行なわせるために、予備加熱工程は、低酸素濃度の不活性ガス例えば窒素ガス雰囲気中で作業を行なうように構成されていて、その酸素濃度は１０００ｐｐｍ以下にすることが好ましい。
【００２３】
予備加熱されたプリント配線基板１は搬送コンベア４によりはんだ付け工程部へ搬送される。Ｓｎ−Ｚｎ系の溶融はんだとプリント配線基板１とを接触させるはんだ付け工程は、プリント配線基板１のはんだ付け面にＳｎ−Ｚｎ系の溶融はんだをはんだ噴流波の状態で供給してはんだ付けをする工程である。このはんだ付け工程も、低酸素濃度の不活性ガス例えば窒素ガス雰囲気中で作業を行なうように構成されていて、その酸素濃度は、フローはんだ付けを良好な濡れ性で行なわせるために、５００ｐｐｍ以下にすることが好ましい。
【００２４】
はんだ付け工程部には、ヒーターにより加熱されて溶融状態になったＳｎ−Ｚｎ系はんだを収容したはんだ槽があり、このはんだ槽には、はんだ噴流波を形成するための第１の吹き口体７及び第２の吹き口体８が設置されている。はんだ付け工程におけるＳｎ−Ｚｎ系はんだの溶融はんだの温度は２２０℃〜２４５℃の範囲であることが好ましい。
【００２５】
第２の吹き口体８に対して搬送コンベア４の搬送方向上流側に配設された第１の吹き口体７は、それが有した上向きの吹き口を通して溶融はんだを鉛直方向に噴出してはんだ噴流波（第１の噴流波Ｗ１）を形成する。この第１の噴流波Ｗ１によってはんだ付けにおけるオープン不良を抑制できる。なお、フローはんだ付け装置での半田付け工程では、第１の吹き口体７の使用を停止した状態で、第２の吹き口体８のみを使用してフローはんだ付けが実施されることもある。
【００２６】
第１の吹き口体７に対して搬送コンベア４の搬送方向下流側に配設された第２の吹き口体８は、溶融はんだを後述のように噴出してはんだ付けの仕上げを行うはんだ噴流波（第２の噴流波Ｗ２）を形成する。仕上げ用の第２の噴流波Ｗ２として、プリント配線基板１の搬送方向と逆方向に噴出されるはんだ噴流波を用いる。なお、はんだ付け工程にてはんだ付けが完了したプリント配線基板１はフローはんだ付け装置から搬出される。
【００２７】
はんだ付け工程の第２の噴流波Ｗ２としてプリント配線基板１の搬送方向と逆方向に噴流するはんだ噴流波を形成する第２の吹き口体８は、前記搬送迎角θ等に応じて第２の噴流波Ｗ２の噴出方向を微調整するために回転可能であり、その回転角の調節により幅が一定のスリット状吹き口の位置を変更できるよう一体型の構成となっている。
【００２８】
すなわち、図２の断面図に示すように第２の吹き口体８は、プリント配線基板１の搬送方向（矢印Ａで示す。）を基準に上流側壁１１と、これに対向する下流側壁１２と、これらを長手方向両端において夫々接続した図示しない一対の端板と、これらの端板の中央部に突設された支持軸１３（一方のみ図示）とを備えている。
【００２９】
上流側壁１１はプリント配線基板１の搬送方向上流側に向けて凸となる断面円弧状をなし、下流側壁１２はプリント配線基板１の搬送方向下流側に向けて凸となる断面円弧状をなしている。これら上流側壁１１と下流側壁１２の下端縁は、相互間に入口用空隙８ａを形成して大きく隔てられ、この空隙８ａを通って溶融はんだが第２の吹き口体８内に満たされるようになっている。上流側壁１１と下流側壁１２の上端縁相互間にスリット状の吹き口１４が形成されている。この吹き口１４の搬送方向上流側の開口縁をなす上流側壁１１の上端縁１１ａに対して、吹き口１４の搬送方向下流側の開口縁をなす下流側壁１２の上端縁１２ａは上方にずれている。
【００３０】
第２の吹き口体８はその一対の支持軸１３をはんだ槽の壁を回転可能に貫通して支持されている。それにより、第２の吹き口体８の軸方向（一対の支持軸１３を直線で結ぶ方向）及び吹き口１４がプリント配線基板１の搬送方向と直交する方向に延びる状態に、第２の吹き口体８がはんだ槽に支持されている。
【００３１】
図２中符号１５はスカート状の吹き口ベースを示している。この吹き口ベース１５の上部間に第２の吹き口体８が回転可能に挟まれている。この吹き口ベース１５は省略可能である。はんだ槽には、図示しないが吹き口ベース１５の内側に溶融はんだを供給しこのはんだに吹き口１４から噴出するエネルギーを与える供給手段、例えばポンプ等が設けられている。はんだ噴流波を形成するためのポンプの回転数は、特に限定しないが、プリント配線基板１のはんだ付け面に第２の噴流波Ｗ２が丁度良く当たる高さを保つように調整される。第２の噴流波Ｗ２の高さが高すぎるとはんだ過剰になり、ブリッジやツノ引きはんだが発生しやすくなり、この逆に、第２の噴流波Ｗ２の高さが低すぎるとはんだ量が不足し、ディウェッティングが発生しやすくなる。
【００３２】
第２の吹き口体８は、その回転中心をなした支持軸１３の中心、及びプリント配線基板１の搬送方向下流側に位置する吹き口１４の開口縁（つまり前記上端縁１２ａ）を通る直線Ｘと、前記回転中心を通る鉛直線Ｙとが挟む角度αを、０度以上５度以下に調整した状態で、第２の噴流波Ｗ２をプリント配線基板１の搬送方向と逆向きに吹き口１４から噴出する。この場合、角度αは、鉛直線Ｙを基準としてプリント配線基板１の搬送方向上流側（プラス側）に５度以下に調整される。したがって、直線Ｘと鉛直線Ｙとが一致して鉛直線Ｙ上に上端縁１２ａが位置されたときの角度αは０度である。
【００３３】
なお、図２は、第２の吹き口体８を回転させて直線Ｘがプリント配線基板１に対して直角となる位置に吹き口１４が配置された状態を示しており、このプラス側に最大に調整された状態での角度αはプリント配線基板１の搬送迎角θに等しい。このため、プリント配線基板１の搬送迎角θとの関係で述べれば、角度αは、０度からプラス側に最大で搬送迎角θに達するまでの範囲で調整すればよい。
【００３４】
角度αの調整は、はんだ槽外でいずれか一方の支持軸１３に取付けた調整レバー（図示しない）を操作し目盛りに合せて第２の吹き口体８全体を回転させることで実施する。このようなはんだ付け装置の外部での調整レバーの操作により、はんだ付け部の窒素雰囲気を開放しないでも調整を実施することが可能であり、連続してはんだ付け作業を行なう場合の作業性に優れる。なお、第２の吹き口体８の回転は前記角度αの範囲以外は回転しないように適当な手段で回転角を規制することが好ましい。この場合、第２の吹き口体８は、その吹き口１４を通してプリント配線基板１の搬送方向と逆方向の第２の噴流波Ｗ２しか噴出させることができない。
【００３５】
第２の吹き口体８のスリットをなした吹き口１４の幅Ｌは固定され可変不能である。ここに幅Ｌとは、吹き口１４を形成する上流側壁１１の上端縁１１ａ及び下流側壁１２の上端縁１２ａ間の最短距離を指している。吹き口１４の幅Ｌが一定に固定されていることにより、第２の吹き口体８の回転による前記角度αの調整に拘わらず、吹き口１４の幅が変化せず、この吹き口１４の再現性を確保できる。言い換えれば、目標とする第２の噴流波Ｗ２を噴出させる条件の一つである吹き口１４の幅が、角度αの調整に依存して変化することがない。それにより、第２の吹き口体８全体を回転させると言う簡単な作業で角度αの調整をできる。
【００３６】
そして、既述のように上端縁１１ａ，１２ａは上下にずれているので、図２に示すように吹き口１４は、搬送されるプリント配線基板１に対して斜めに向いて設けられている。
【００３７】
このように第２の吹き口体８はその吹き口１４が上下にずれた前記上端縁１１ａ，１２ａとの間に形成したので、この吹き口１４から噴出される第２の噴流波Ｗ２の噴出方向を、より確実にプリント配線基板１の搬送方向と逆方向に指向させることができる点で優れているが、これに代えて図３に示した第２の吹き口体８を使用することもできる。図３のものでは、上流側壁１１の上端縁１１ａと下流側壁１２の上端縁１２ａとが略同じである点で、図２に示した第２の吹き口体８とは異なっており、その他の部位や角度αは図２に示した第２の吹き口体８と同じである。
【００３８】
この吹き口１４の幅Ｌを変更する場合には、幅Ｌが異なる吹き口１４を有した数種類の第２の吹き口体８を予め用意して置いて、その中からはんだ付け条件に適した第２の吹き口体８を選択して、はんだ付け装置に付け替えればよい。吹き口１４の幅Ｌは３．０ｍｍ以上で４．０ｍｍ以下に設定するのが好ましい。
【実施例１】
【００３９】
図１に示したフローはんだ付け装置において図２に示した第２の吹き口体８を用いて、以下の条件で試験をした結果を図４に示す。
【００４０】
この試験で使用したプリント配線基板１は、それにセットされた端子ピンを有した電子部品２と面実装型の電子部品３とに対するはんだ付けランド（Ｃｕ電極）の数が１０００箇所である。この試験では、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだとして前記錫−９亜鉛はんだを使用した。第２の吹き口体８には吹き口１４の幅Ｌが３.２５ｍｍで一定のものを使用した。プリント配線基板１の搬送速度は０．８ｍ／ｍｉｎとした。予備加熱温度は１１０℃とし、はんだ付け雰囲気の酸素濃度は２００ｐｐｍ、溶融はんだの温度は２３０℃とした。
【００４１】
この条件において、第２の吹き口体８を回転操作して、角度αを−５.０度〜＋８.０度の範囲で主に２.５度ごとに変化させ、夫々の角度でのディウェッティングの発生数と、はんだブリッジの発生数とを評価した。
【００４２】
この場合、ディウェッティングはプリント配線基板１の接合部のはんだ付け状態を観察し、はんだのはじき具合により「○」、「×」で評価を行った。又、ブリッジ発生数はプリント配線基板１枚あたりの平均の発生数を示す。なお、角度αが−（マイナス）とは、前記支持軸１３の鉛直線Ｙを基準に、下流側壁１２の上端縁１２ａがプリント配線基板１の搬送方向下流側(図２では右側)にずれて吹き口１４が配置された場合であり、この逆に角度αが＋（プラス）とはプリント配線基板１の搬送方向上流側（図２では左側）に下流側壁１２の上端縁１２ａがずれて吹き口１４が配置された場合である。
【００４３】
図４からわかるように、吹き口１４の角度αを０度〜５度の範囲で設定することにより、ディウェッティングが抑制できるとともに、ブリッジも少なく、良好なはんだ付け性が得られることが判明した。角度αがマイナス５度以下の設定では、ディウェッティングは抑制されるが、マイナス角度が大きくなるほどブリッジの発生が増えることが判明した。吹き口１４の角度がプラス５度を超えた設定では、ブリッジの発生は抑制されるが、ディウェッティングが発生することが判明した。
【実施例２】
【００４４】
図１に示したフローはんだ付け装置において図２に示した第２の吹き口体８を用いて、以下の条件で試験をした結果を図５に示す。
【００４５】
吹き口１４の幅Ｌを２.７５ｍｍ〜４.５０ｍｍの範囲で０．２５ｍｍごとに異ならせた多数の第２の吹き口体８を用意し、それらを個々に吹き口１４の角度αが２.５度となるようにはんだ槽に配設して、夫々の幅Ｌでのディウェッティングの発生数を評価した。この場合、ディウェッティングはプリント配線基板１の接合部のはんだ付け状態を観察し、はんだのはじき具合により「○」、「×」で評価を行った。その他の条件は実施例１で説明した条件と同じとした。
【００４６】
図５から分かるように吹き口１４の幅Ｌを３．０ｍｍ〜４．０ｍｍの範囲とした設定では、ディウェッティングが抑制されたことが判明した。吹き口１４の幅Ｌが３．０ｍｍ未満になる設定でも、吹き口１４の幅Ｌが４．０ｍｍを超える設定でも、ディウェッティングが発生することが判明した。つまり、吹き口１４の幅Ｌは狭すぎても、広すぎてもプリント配線基板１に対するはんだ量が不足し、ディウェッティングが発生しやすくなることが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明のはんだ付け方法を実施するフローはんだ付け装置を概念的に示した図。
【図２】図２のフローはんだ付け装置において本発明のはんだ付け方法の実施に使用される吹き口体の一例を示す断面図。
【図３】本発明のはんだ付け方法の実施に使用される吹き口体の他の例を示す断面図。
【図４】図２の吹き口体を用いて行ったはんだ付けでの吹き口の角度とディウェッティング及びブリッジの発生数との関係を示す図。
【図５】図２の吹き口体を用いて行ったはんだ付けでの吹き口の幅とディウェッティングの発生数との関係を示す図。
【符号の説明】
【００４８】
１…プリント配線基板（はんだ付けワーク）、２，３…電子部品、４…搬送コンベア、８…第２の吹き口体、１１…吹き口体の上流側壁、１１ａ…上流側壁の上端縁（開口縁）、１２…吹き口体の下流側壁、１２ａ…下流側壁の上端縁（開口縁）、１３…吹き口体の支持軸、１４…吹き口、Ｘ…上端縁（開口縁）１２ａと支持軸の中心とを通る直線、Ｙ…支持軸の中心を通る鉛直線、α…直線Ｘと鉛直線Ｙとが挟む角度、Ｗ２…ワーク搬送方向と逆方向の第２の噴流波
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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