(57)【要約】【課題】本発明は、チップコイルにおける磁気特性の向上を目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、素体５と、この素体５に接触形成させたコイルパターン６と、このコイルパターン６に接続すると共に素体５の表面に設けた電極７と、コイルパターン６と素体５との接触部に介在させた下地電極層１０とを備え、下地電極層１０は複数の銅塊と複数のニッケル塊とにより構成し、複数の銅塊の間には複数のニッケル塊を介在させたチップコイルとしたものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素体と、この素体に接触形成させたコイルパターンと、このコイルパターンに接続すると共に前記素体の表面に設けた電極と、前記コイルパターンと前記素体との接触部に介在させた下地電極層とを備え、前記下地電極層は複数の銅塊と複数のニッケル塊とにより構成し、前記複数の銅塊の間には前記複数のニッケル塊を介在させたチップコイル。
【請求項２】
銅塊と素体との間にはニッケル塊を介在させた請求項１に記載のチップコイル。
【請求項３】
電極が銅からなる請求項１に記載のチップコイル。
【請求項４】
素体は、感光性樹脂硬化物により形成した請求項１〜請求項３のいずれかに記載のチップコイル。
【請求項５】
電極と素体との接触部に、銅とニッケルとにより構成した下地電極層を介在させた請求項１〜４のいずれか一つに記載のチップコイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるチップコイルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のチップコイルは、図１９に示されるように、感光性樹脂硬化物からなる素体１に銅からなるコイルパターン２を埋没し、素体１の表面には銅からなる電極３をコイルパターン２に接続するように形成している。また、コイルパターン２と素体１との接触部にはニッケル塊からなる下地電極層４を形成して構成していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−１９１４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のチップコイルは磁気特性が悪いことが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成においては、下地電極層４を構成するニッケル塊が磁性を有するため、コイルパターン２が発生させる磁束に対して影響を与え、所望の磁気特性を得ることができなくなっていた。
【０００６】
そこで本発明は、チップコイルにおける磁気特性の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、素体と、この素体に接触形成させたコイルパターンと、このコイルパターンに接続すると共に前記素体の表面に設けた電極と、前記コイルパターンと前記素体との接触部に介在させた下地電極層とを備え、前記下地電極層は複数の銅塊と複数のニッケル塊とにより構成し、前記複数の銅塊の間には前記複数のニッケル塊を介在させたチップコイルとしたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のチップコイルは、下地電極層を複数の銅塊と複数のニッケル塊とにより構成し、複数の銅塊の間に前記複数のニッケル塊を介在させたことにより、コイルパターンが発生させる磁束に対してニッケル塊が与える影響を、非磁性体である銅塊の存在により低減することができるため、磁気特性を向上させることができる。
【０００９】
また、銅塊と素体との間にニッケル塊を介在させることで、下地電極層と素体との密着性を保つことができる。
【００１０】
さらに、ニッケル塊を介在させつつも、銅塊と銅塊とが直に接触するため、下地電極層において高い導電率を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
(実施の形態１)
以下、本発明の実施の形態１におけるチップコイルについて図面を参照しながら説明する。
【００１２】
本実施の形態におけるチップコイルの斜視図である図１及び断面図である図２において、感光性樹脂硬化物からなる方形状の素体５には、銅などの金属からなる螺旋形状のコイルパターン６を埋没している。また、素体５の下面には電極７を形成し、この電極７は引き出し電極８、ビア９を介してコイルパターン６に電気的に接続させ、このようにして、チップコイルを構成している。そして、コイルパターン６、電極７、引き出し電極８、ビア９と素体５との接触部には、銅とニッケルとからなる下地電極層１０を形成している。
【００１３】
ここで、このチップコイルの製造方法を以下に示す。
【００１４】
まず、図３に示すごとく、シリコンなどの基板１１の上面に、触媒付与処理によりパラジウム層１２を形成し、このパラジウム層１２の上面に、フォトリソグラフィ工法により電極形成部分７Ａを残して絶縁性樹脂層１３を形成する。
【００１５】
次に、図４に示すごとく、パラジウム層１２表面における電極形成部分７Ａ及び、絶縁性樹脂層１３の表面に、図１８に示すごとく、複数の銅塊１０Ａと複数のニッケル塊１０Ｂとによりなる下地電極層１０Ｃを形成する。
【００１６】
複数の銅塊１０Ａの間には複数のニッケル塊１０Ｂを介在させることにより、得ようとする磁束に対してニッケル塊１０Ｂが与える影響を、銅塊１０Ａの壁により低減することができるため、磁気特性を向上させることができる。
【００１７】
また、銅塊１０Ａと絶縁性樹脂層１３との間にニッケル塊１０Ｂを介在させることで、下地電極層１０Ｃと素体（図示せず）との密着性を保つことができる。
【００１８】
さらに、ニッケル塊１０Ｂを介在させつつも、複数の銅塊１０Ａが直に接触し合うため、下地電極層１０Ｃにおいて高い導電率を得ることができる。
【００１９】
この様な下地電極層１０Ｃは無電解めっき工法により形成することができる。無電解めっき工法により形成するものについて説明する。無電解めっき工法により形成すれば、この下地電極層１０Ｃの表面に水分の膜（図示せず）が形成されるため、この下地電極層１０Ｃが酸化せず、次の工程で示す金属層（図示せず）と金属結合させることができるので、高い密着性を有すると共に、酸化膜を有さないため高い導電率を得ることができるという利点がある。
【００２０】
その後、図５に示すごとく、完成時において電極（図示せず）を構成することになる金属層１４を、下地電極層１０Ｃを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層１４には銅を用いることが望ましい。
【００２１】
次に、図６に示すごとく、金属層１４及び下地電極層１０Ｃを研磨することにより、絶縁性樹脂層１３を上面に露出させる。研磨方法としては、アルミナスラリーを用いたＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）研磨を用いると、エッチングしながら下地電極層１０Ｃ及び金属層１４のみを選択的に研磨するので、高い精度で研磨することができ望ましい。
【００２２】
その後、図７に示すごとく、金属層１４、絶縁性樹脂層１３、下地電極層１０Ｃの上面に、フォトリソグラフィ工法によりコイルパターン形成部分６Ａ及び、ビア形成部分９Ａを残して絶縁性樹脂層１５を形成する。
【００２３】
次に、図８に示すごとく、絶縁性樹脂層１５及び金属層１４の上面に、図１８に示すごとく、複数の銅塊１０Ａと複数のニッケル塊１０Ｂとによりなる下地電極層１０Ｄを形成する。
【００２４】
形成方法としては無電解めっき工法により形成する。
【００２５】
その後、図９に示すごとく、完成時においてコイルパターン（図示せず）及びビア（図示せず）を構成することになる金属層１６を、下地電極層１０Ｄを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層１６には銅を用いることが望ましい。
【００２６】
次に、図１０に示すごとく、金属層１６及び下地電極層１０ＤをＣＭＰ研磨することにより、絶縁性樹脂層１５を上面に露出させる。
【００２７】
その後、図１１に示すごとく、金属層１６、絶縁性樹脂層１５、下地電極層１０Ｂの上面にフォトリソグラフィ工法により引き出し電極形成部分８Ａを残して絶縁性樹脂層１７を形成する。
【００２８】
次に、図１２に示すごとく、絶縁性樹脂層１７、下地電極層１０Ｄ及び金属層１６の上面に、図１８に示すごとく、複数の銅塊１０Ａと複数のニッケル塊１０Ｂとによりなる下地電極層１０Ｅを形成する。形成方法としては無電解めっき工法により形成する。
【００２９】
その後、図１３に示すごとく、引き出し電極（図示せず）を構成することになる金属層１８を、下地電極層１０Ｅを下地電極として電解めっき工法により形成する。金属層１８には銅を用いることが望ましい。
【００３０】
次に、図１４に示すごとく、金属層１８及び下地電極層１０ＥをＣＭＰ研磨することにより、絶縁性樹脂層１７を上面に露出させる。
【００３１】
その後、図１５に示すごとく、金属層１８、絶縁性樹脂層１７、下地電極層１０Ｅの上面に、フォトリソグラフィ工法により保護層としての絶縁性樹脂層１９を形成する。
【００３２】
次に、図１６に示すごとく、絶縁性樹脂層１９から下地電極層１０Ｃまで、ダイシング工法などにより裁断する。この裁断は、レーザー照射などによって行ってもかまわないが、ダイシング工法を用いると寸法精度が高く望ましい。
【００３３】
その後、図１７に示すごとく、フッ酸処理により基板１１、パラジウム層１２を取り除くと共に、各チップコイルに個片化することができる。
【００３４】
なお、パラジウム層１２は、面状に形成するのではなく、パラジウムが点在するような形で形成してもかまわない。
【００３５】
このような工程により、図１，２に示すようなチップコイルを得ることができる。
【００３６】
本実施の形態のチップコイルは、図２に示す下地電極層１０を、図１８に示すごとく複数の銅塊１０Ａと複数のニッケル塊１０Ｂとにより構成し、複数の銅塊１０Ａの間に複数のニッケル塊１０Ｂを介在させたことにより、図２におけるコイルパターン６が発生させる磁束に対してニッケル塊１０Ｂが与える影響を、銅塊１０Ａの壁により低減することができるため、磁気特性を向上させることができる。
【００３７】
また、銅塊１０Ａと絶縁性樹脂層１３，１５，１７との間にニッケル塊１０Ｂを介在させることで、図２における下地電極層１０と素体５との密着性を保つことができる。
【００３８】
さらに、ニッケル塊１０Ｂを介在させつつも、複数の銅塊１０Ａ同士が接触し合うため、下地電極層１０において高い導電率を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明のチップコイルは、高い磁気特性を有し、携帯電話等、各種電子機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの斜視図
【図２】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの断面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１７】本発明の実施の形態１におけるチップコイルの製造工程を示す断面図
【図１８】本発明の実施の形態１における下地電極層の断面図
【図１９】従来のチップコイルの断面図
【符号の説明】
【００４１】
５  素体
６  コイルパターン
７  電極
８  引き出し電極
９  ビア
１０  下地電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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