(57)【要約】      （修正有）【課題】ガラス基板の端面研削の精度を向上し、端面からの発塵を抑え、かつ砥石を長期間良好な状態に保つことのできる技術を提供する。【解決手段】砥粒２３を埋設した研削手段２１と、研削位置に冷却液を供給する冷却液供給手段２６とを用いてガラス基板１０の端面１２、１３を研削する方法であって、前記冷却液２５の温度を２８℃以下に調節する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒を埋設しガラス基板の端面を研削する研削手段と、研削位置に冷却液を供給する冷却液供給手段とを用いてガラス基板の端面を研削する方法であって、
前記冷却液の温度を２８℃以下に調節することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記冷却液の温度を２５℃以下に調節することを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記冷却液の温度を２３℃以上２５℃以下に調節することを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記砥粒はダイヤモンド砥粒であって、前記研削手段の基材に対し、接着剤としてのニッケルに埋設されたものであることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記研削手段は、前記板状ガラスの端面を面取り加工するものであることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記ガラス基板は、アルミノシリケートガラスからなることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により得られた磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項８】
砥粒を埋設した研削手段と、
研削位置に冷却液を供給する冷却液供給手段と、
前記冷却液の温度を調節する温度調節手段とを備えたことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の端面研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体用のガラス基板および磁気ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化技術の高度化に伴い、情報記録技術、特に磁気記録技術は著しく進歩している。磁気記録媒体のひとつであるＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気記録媒体用基板としては、アルミニウム基板が広く用いられてきた。しかし磁気ディスクの小型化、薄板化、および高密度記録化に伴い、アルミニウム基板に比べ基板表面の平坦性及び基板強度に優れたガラス基板に徐々に置き換わりつつある。
【０００３】
また、磁気記録技術の高密度化に伴い、磁気ヘッドの方も薄膜ヘッドから、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）、大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）へと推移してきており、磁気ヘッドの基板からの浮上量が１０ｎｍ程度にまで狭くなってきている。このような磁気抵抗効果型素子を搭載した磁気ヘッドには固有の障害としてサーマルアスペリティ障害を引き起こす場合がある。サーマルアスペリティ障害とは、磁気ディスク面上の微小な凸或いは凹形状上を磁気ヘッドが浮上飛行しながら通過するときに、空気の断熱圧縮または接触により磁気抵抗効果型素子が加熱されることにより、読み出しエラーを生じる障害である。従って磁気抵抗効果型素子を搭載した磁気ヘッドに対しては、磁気ディスク表面は極めて高度な平滑度および平坦度が求められる。また塵埃や異物が付着したまま磁性層を形成すると凸部が形成されてしまうため、ガラス基板には、凹凸をなくすことによる発塵の防止、異物の除去する高度な洗浄が求められている。
【０００４】
さらに近年は、携帯機器に大容量の磁気記録媒体を搭載すべく、基板のサイズは縮小化の傾向がある。このため従来の３．５インチ基板や２．５インチ基板から、１．８インチ基板、１インチ基板、もしくはさらに小さな基板が求められるようになってきている。基板が小さくなれば許容される寸法誤差も小さくなり、さらに精密な外形加工が求められている。
【０００５】
上記のような状況において、従来からも、ガラス基板の面取り加工に関し、特許文献１（特開平１１−２６７９７５号公報）に記載されているように、プーリー状の回転砥石を用いてガラス基板の端面を研削する構成が記載されている。特許文献１では、ガラス基板の表面に対する砥石入射角を特定し、また研削面に微細な冷却水吐出穴を複数配置することにより、ガラス基板端部のチッピングあるいはクラックの進行を抑制し、さらに砥石の寿命を延長することができるとしている。
【０００６】
ガラス基板に面取り加工を行うのは、基板端部を平滑にすることにより、欠けや異物の発生を防止するためである。ガラス基板の端面の表面状態が平滑でないと、この端面が樹脂製ケースの壁面と擦過して発生する樹脂やガラスのパーティクルや、ガラス基板の内周端面及び外周端面部に捕捉されるその他のパーティクルが、後に基板の主表面に付着するおそれがある。パーティクルがガラス基板の主表面に付着したまま磁性層を形成すると、膜欠陥の原因となったり、磁気ディスク表面に凸部が形成されて適正なグライド・ハイトが得られず、またサーマルアスペリティを引き起こす原因となる。
【０００７】
また端部が欠けることにより、ガラス基板の強度が低下したり、同心度の精度が低下してしまうおそれがある。すなわち基板端部の研削は、欠けの発生率を低下させて生産効率を向上し、製造コストを低下させるために、大きな課題となっている。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２６７９７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ガラス基板の端面を研削する砥石（研削手段）は摩耗または消耗する。消耗した砥石を使用しつづけていると、ガラス基板に欠けが生じることが多くなる。このため、砥石は状態に応じて交換または再調整（形状の修復）をする必要がある。
【００１０】
砥石を交換、再調整する基準は、ガラス基板の真円度や端面のプロファイル、１００枚研削するごとに行う目視検査（ハロゲンランプを当てて、ルーペで端面を観察する）により、欠け、ひび、割れなどの外観不良を確認することによって行っている。なお、砥石の再調整は、サファイアを当てることで行っている。この交換や再調整は必要であるが、頻繁であると生産性が低下し、製造コストの上昇を招いてしまう。
【００１１】
発明者らは、砥石を交換したり、再調整したりすることでガラス基板の欠けが減ることから、このときの砥石の状態を調べ、欠けの原因を追及した。
【００１２】
図５は従来の回転砥石の研削面の拡大図である。図５（ａ）に示すように、砥石は、基材５０にダイヤモンド砥粒５１がニッケル５２によって接着された構成となっている。そして交換を要する状態となった砥石を観察すると、図５（ｂ）に示すように、砥粒５１が抜け、砥石に窪み５３ができていることがわかった。また、この窪み５３の中には、ゴミや研磨材が付着していることがわかった。すなわち、砥粒５１が抜けた砥石で研削を行うと研削が良好にできなくなり、加工表面が不均一になり、表面が粗くなる。このため、ガラス基板の端面に欠けやひびなどの不良が発生するものと考えられる。
【００１３】
さらに発明者らは、砥石の砥粒５１が抜ける原因について研究した。すると、研削時の温度が高い場合に、砥粒５１が抜け落ちやすいことが判明した。一方、従来から研削時には冷却液によって冷却を行っているが、冷却液は循環使用しているため、連続的に研削を行うことにより温度が上昇していることが判明した。ここで接着剤としてのニッケルを耐熱性の高いものに代えることも考えられる。しかし、砥粒を保持する機械的強度、ダイヤモンド砥粒を燃やさずに溶融する低融点、研磨による連続的な負荷に対する耐性など、要求される条件が多いために代替素材を開発することは容易ではない。
【００１４】
そこで本発明は、ガラス基板の端面研削の精度を向上し、端面からの発塵を抑え、かつ砥石を長期間良好な状態に保つことのできる技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の代表的な構成は、砥粒を埋設した研削手段と、研削位置に冷却液を供給する冷却液供給手段とを用いてガラス基板の端面を研削する方法であって、前記冷却液の温度を２８℃以下に調節することを特徴とする。冷却液の温度は、さらに２５℃以下、ないしは２３℃以上２５℃以下に調節することが好ましい。これにより研削手段の温度を下げ、砥粒の抜けを防止することができる。このため、ガラス基板の寸法精度を向上させることができ、またガラス基板の端面からの発塵を防止してサーマルアスペリティを防止することができる。また研削手段の長寿命化を図ることができ、生産性を向上させることができる。
【００１６】
前記砥粒はダイヤモンド砥粒であって、前記研削手段の基材に対し、接着剤としてのニッケルに埋設されたものであってもよい。かかる場合に特に有効に砥粒の抜けを防止することができる。
【００１７】
前記研削手段は、前記板状ガラスの端面を面取り加工するものであってもよい。かかる場合に砥粒を埋設した研削手段が好適に用いられる。
【００１８】
前記板状ガラスは、アルミノシリケートガラスからなることでもよい。かかる場合に磁気ディスク用として良好なガラス基板を得ることができる。
【００１９】
また本発明に係る磁気ディスクの製造方法の代表的な構成は、上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により得られた磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする。これにより極めて高度な平滑度および平坦度を備えた磁気ディスクを製造することができる。
【００２０】
また本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の端面研削装置の代表的な構成は、砥粒を埋設した研削手段と、研削位置に冷却液を供給する冷却液供給手段と、前記冷却液の温度を調節する温度調節手段とを備えたことを特徴とする。これによりガラス基板の端部を高い寸法精度で研削することができ、かつ研削手段を長時間に亘って良好な状態で使用することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ガラス基板の端面研削の精度を向上し、同時に発塵を抑えてガラス基板および磁気ディスクの生産効率を向上させることができる。また端面研削のための研削手段を長期に亘って良好な状態に保つことができるため、生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスクの製造方法および端面研削装置の実施形態について、図を用いて説明する。図１はガラス基板の端面に面取り加工を施すフォーミング工程を説明する図、図２は研削位置の要部拡大図、図３は端面研削装置の全体構成図、図４は冷却液の温度調節による欠けの発生率の変化を説明する図である。
【００２３】
ガラス基板の端面に面取り加工を施すフォーミング工程は、図１（ａ）に示すように、円盤状のガラス基板の中心に円孔１１を形成した円環状のガラス基板１０に対して施される。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、円孔１１に研削手段の例としての内側砥石２０を挿通し、ガラス基板１０の外側にも研削手段の例としての外側砥石２１を配置している。内側砥石２０と外側砥石２１は、不図示の加圧手段によりガラス基板１０を半径方向に挟み込むように加圧される。内側砥石２０および外側砥石２１はプーリー状の回転砥石であって、外周面に後述する研削面を備えている。ガラス基板１０、内側砥石２０および外側砥石２１はそれぞれ不図示の駆動手段によって回転駆動され、その回転方向はそれぞれの接点で対向する方向となるように設定している。なお、図においてガラス基板１０の支持機構および回転駆動機構は省略している。
【００２５】
そしてガラス基板１０の内周端面１２および外周端面１３を研削することにより、図１（ｃ）に示すように、それぞれに面取部１２ａ、１３ａを形成する。
【００２６】
図２は研削位置の要部拡大図であるが、内側砥石２０と外側砥石２１とでは説明が重複するため、ここでは外側砥石２１のみについて説明する。外側砥石２１の基材２１ａの外周面は、外周端面１３の厚み方向の中央部に平坦部を形成するための中央平坦部２２ａと、面取部１３ａを形成するための傾斜部２２ｂとが形成されている。これら中央平坦部２２ａおよび傾斜部２２ｂの表層には、砥粒の例としてのダイヤモンド砥粒２３がニッケル２４に埋設された構成となっている。この砥粒２３によって、ガラス基板１０の表面が研削される。研削によって高熱が発生するため、研削位置近傍には冷却液供給手段の例としての冷却液ノズル２６が配置されており、冷却液２５を研削位置に向かって吐出している。
【００２７】
図３に示すように、端面研削装置において、冷却液２５は循環使用している。すなわち研削位置に吐出された冷却液は回収槽２７に落下して回収され、第１タンク２８へと溜められる。そしてポンプにより分離装置２９へと送られて研削粉などの異物を除去された後に、第２タンク３０へと溜められる。そして、再び研削位置へと供給されて吐出される。
【００２８】
ここで本実施形態においては、研削位置へ供給する直前のタンクである第２タンク３０に、温度調節手段の例としての冷却機３１に接続された冷却コイル３２（蒸発器）が配置されており、研削位置の冷却液ノズル２６から吐出される冷却液２５の温度を下げることができる。冷却機３１の動力の制御は既知のもので良く、たとえば感温筒内の冷媒圧力によって膨張弁の開閉を制御したり、サーモスタットを用いて圧縮機の動作を制御したりすることでよい。
【００２９】
上述の如くして冷却液２５の温度を下げることにより、内側砥石２０および外側砥石２１の温度を下げることができ、ニッケル２４からの砥粒２３の抜けを防止することができる。このため、ガラス基板の端面研削の寸法精度を向上させることができる。また精度が向上することから、ガラス基板の端面からの発塵を防止することができ、サーマルアスペリティを防止することができるため、ガラス基板および磁気ディスクの生産効率を向上させることができる。また端面研削のための研削手段を長期に亘って良好な状態に保つことができるため、頻繁な砥石の交換や再調整を回避することができ、生産性を向上し、製造コストの低減化を図ることができる。
【００３０】
冷却機３１の制御による冷却液２５の調節温度は、ダイヤモンド砥粒２３をニッケル２４に埋設している場合には、２８℃以下であればよい。ただし冷却機３１の動作によっては冷却液２５の温度に変動があることから、目標温度は２５℃程度であることが好ましい。また、あまり温度を下げても効果は変わらないため、エネルギー効率の観点から２３℃〜２５℃の範囲に設定することが好ましい。
【００３１】
［実施例］
以下に、本発明を適用した磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスクの製造方法について実施例を説明する。
【００３２】
（１）形状加工工程及び第１ラッピング工程
まず、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、化学強化用のガラスを使用した。得られたディスク状の板状ガラスは、直径が９６ｍｍ、板厚が１．８ｍｍであった。この場合、ダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスから研削砥石で切り出して円盤状の磁気ディスク用ガラス基板を得てもよい。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１３重量％を主成分として含有する化学強化ガラスを使用した。
【００３３】
次に、この板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス母材とした。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、板状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行った。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス母材を得た。また、このラッピング加工により、ガラス母材の板厚は、板状ガラスよりも削減され、０．６ｍｍとなった。
【００３４】
（２）切り出し工程（コアリング、フォーミング）
次に、ダイヤモンドカッタを用いてガラス母材を切断し、このガラス母材から、直径２９ｍｍのガラス基板を切り出した。ガラス母材の直径は９６ｍｍであり、１枚のガラス母材から、６枚のガラス基板を採取することができた。
【００３５】
次に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に円孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（フォーミング）。
【００３６】
ここで、フォーミング工程においては、上述した如く冷却液２５を冷却機３１によって温度を調節してから、研削位置に吐出している。本実施例では、冷却液２５の設定温度を２５℃とした。
【００３７】
図４は冷却液の温度調節による欠けの発生率の変化を説明する図である。図４において、第６週の途中までは従来の方法でフォーミング工程を行っており、冷却液２５の温度は概ね３１℃であった。第６週の途中から冷却液２５の温度調節を行い、２５℃となるように冷却した。縦軸はガラス基板の検査における欠けの発生率、すなわち不良品の率を示している。
【００３８】
図４からわかるように、第１、第３、第６週では欠け発生率が徐々に増加して３％にまで到っており、ここで砥石を交換している。また新しい砥石を用いた場合にも、平均的に１％程度の欠けが発生していることがわかる。一方、温度調節を開始した後は、平均的に０．３％程度、多くても０．５％程度の欠け発生率となり、生産性が大幅に改善され、また砥石が長期に亘って良好な状態に保たれていることがわかる。
【００３９】
（３）端面研磨工程
次に、ガラス基板の端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。次に、内周側端面については、磁気研磨法により鏡面研磨を行った。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、パーティクル等の発塵を防止できる鏡面状態に加工された。これによりガラス基板の直径は２７．４ｍｍとなり、１インチ型磁気ディスクに用いる基板とすることができる。
【００４０】
なお、この端面研磨工程においては、ガラス基板を重ね合わせて端面をポリッシングするが、この際に、ガラス基板の主表面にキズ等が付くことを避けるため、後述する第１研磨工程よりも前、あるいは、第２研磨工程の前後に行うことでもよい。
【００４１】
（４）第２ラッピング工程
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行った。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。
【００４２】
（５）主表面研磨工程
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。
【００４３】
この第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水(1)、純水(2)、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００４４】
次に、主表面研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。この第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒を用いた。
【００４５】
この第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤(1)、中性洗剤(2)、純水(1)、純水(2)、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には、超音波を印加した。
【００４６】
（６）化学強化工程
次に、前述のラッピング工程及び研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００°Ｃに加熱しておくとともに、洗浄済みのガラス基板を３００°Ｃに予熱し、化学強化溶液中に約３時間浸漬することによって行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダーに収納した状態で行った。
【００４７】
このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００μｍ乃至２００μｍであった。
【００４８】
化学強化処理を終えたガラス基板を、２０°Ｃの水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０°Ｃに加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った（脱アルカリ処理）。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を、純水(1)、純水(2)、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。なお、各洗浄槽には超音波を印加した。
【００４９】
上記の如く、第１ラッピング工程、切り出し工程、端面研磨工程、第２ラッピング工程、第１及び第２研磨工程、精密洗浄、化学強化工程を施すことにより、平坦、かつ、平滑な、高剛性の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
【００５０】
（７）テクスチャー処理工程
テープ式のテクスチャー装置を用いて、研磨、及び円周状テクスチャー処理を施した。テープには織物タイプのテープを、硬質研磨剤には平均粒径０．１２５μｍの多結晶ダイヤモンドが分散剤・潤滑剤（グリセリン）に溶かしてあるスラリーを用いて行った。
【００５１】
（８）磁気ディスク製造工程
上述した工程を経てテクスチャーを施されたガラス基板の両面に、枚葉式のスパッタリング装置を用いて、シード層、Ｃｒ下地層、ＣｒＭｏ下地層、ＣｏＰｔＣｒＴａ磁性層、水素化カーボン保護層を成膜し、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を形成して磁気ディスクを作製した。
【００５２】
得られた磁気ディスクについて異物により磁性層等の膜に欠陥が発生していないことを確認した。また、グライドテストを実施したところ、ヒット（ヘッドが磁気ディスク表面の突起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気ディスク表面の突起に衝突すること）は認められなかった。さらに、磁気抵抗型ヘッドで再生試験を行ったところ、サーマルアスペリティによる再生の誤動作は認められなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、磁気記録媒体用のガラス基板および磁気ディスクの製造方法として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】ガラス基板の端面に面取り加工を施すフォーミング工程を説明する図である。
【図２】研削位置の要部拡大図である。
【図３】端面研削装置の全体構成図である。
【図４】冷却液の温度調節による欠けの発生率の変化を説明する図である。
【図５】従来の回転砥石の研削面の拡大図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０   …ガラス基板
１１   …円孔
１２   …内周端面
１２ａ  …面取部
１３   …外周端面
１３ａ  …面取部
２０   …内側砥石
２１   …外側砥石
２１ａ  …基材
２２ａ  …中央平坦部
２２ｂ  …傾斜部
２３   …砥粒
２４   …ニッケル
２５   …冷却液
２６   …冷却液ノズル
２７   …回収槽
２８   …第１タンク
２９   …分離装置
３０   …第２タンク
３１   …冷却機
３２   …冷却コイル
５０   …基材
５１   …砥粒
５２   …ニッケル
５３   …窪み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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