(57)【要約】【課題】液晶表示装置における白表示時と黒表示時の色度差の低減、黒表示時の着色と輝度の低減、コントラスト比の向上による高画質化と量産性に優れた液晶表示装置【解決手段】一対の基板１０１，１０２に形成された一対の配向制御膜１３１，１３２のうち、観察者側のガラス基板１０２に形成された配向制御膜１３２が、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域（約４００ｎｍ〜７５０ｎｍ）全体に吸収異方性をもつ。【選択図】図１
2007183474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に配置された偏光板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記一対の基板のそれぞれに形成された一対の配向制御膜と、前記一対の基板の外に配置された光源とからなる液晶表示装置において、
前記一対の配向制御膜のうち、観察者側の基板に形成された配向制御膜が、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性をもつことを特徴とする液晶表示装置
【請求項２】
前記一対の配向制御膜のうち、光源側の基板側に形成された配向制御膜が、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性をもつことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置
【請求項３】
前記一対の基板のうち、観察者側の基板に少なくとも一層の有機絶縁膜が形成されており、前記有機絶縁膜のうち少なくとも一層は、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性をもつことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置
【請求項４】
前記一対の基板のうち、光源側の基板に少なくとも一層の有機絶縁膜が形成されており、前記有機絶縁膜のうち少なくとも一層は、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性をもつことを特徴とする請求項１又は２又は３に記載の液晶表示装置
【請求項５】
一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に配置された偏光板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記一対の基板のそれぞれに形成された一対の配向制御膜と、前記一対の基板の外に配置された光源とからなる液晶表示装置において、
前記一対の配向制御膜のうち、光源側の基板に形成された配向制御膜が、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性をもつことを特徴とする液晶表示装置
【請求項６】
前記一対の基板のうち、観察者側の基板に少なくとも一層の有機絶縁膜が形成されており、前記有機絶縁膜のうち少なくとも一層は、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性を持つことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置
【請求項７】
前記一対の基板のうち、光源側の基板に少なくとも一層の有機絶縁膜が形成されており、前記有機絶縁膜のうち少なくとも一層は、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性を持つことを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶表示装置
【請求項８】
一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に配置された偏光板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記一対の基板のそれぞれに形成された一対の配向制御膜と、前記一対の基板の外に配置された光源とからなる液晶表示装置において、
前記一対の基板のうち、観察者側の基板に少なくとも一層の有機絶縁膜が形成されており、前記有機絶縁膜のうち少なくとも一層は、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性をもつことを特徴とする液晶表示装置
【請求項９】
一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に配置された偏光板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記一対の基板のそれぞれに形成された一対の配向制御膜と、前記一対の基板の外に配置された光源とからなる液晶表示装置において、
前記一対の基板のうち、光源側の基板に少なくとも一層の有機絶縁膜が形成されており、前記有機絶縁膜のうち少なくとも一層は、感光性高分子に光異性化化合物を添加した材料から構成され、可視波長域全体に亘って吸収異方性をもつことを特徴とする液晶表示装置
【請求項１０】
前記吸収異方性のうち、観察者側の基板に形成された吸収異方性の吸収軸がほぼ平行であり、かつ、観察者側の基板に配置された偏光板の吸収軸とほぼ平行であることを特徴とする請求項１ないし４、６、８の何れかに記載の液晶表示装置
【請求項１１】
前記吸収異方性のうち、光源側の基板に形成された吸収異方性の吸収軸がほぼ平行であり、かつ、光源側の基板に配置された偏光板の吸収軸とほぼ平行であることを特徴とする請求項２ないし７、９の何れかに記載の液晶表示装置
【請求項１２】
前記一対の基板に形成された吸収異方性の吸収軸がほぼ平行であり、一対の基板のうち、観察者側に配置された偏光板の吸収軸とほぼ平行又は直交していることを特徴とする請求項２ないし５の何れかに記載の液晶表示装置
【請求項１３】
前記配向制御膜を構成する感光性高分子が、シクロブタン環を含む感光性ポリイミド及び／又はポリアミック酸であることを特徴とする請求項１ないし７の何れかに記載の液晶表示装置
【請求項１４】
前記配向制御膜及び有機絶縁層の吸収異方性が、ほぼ直線に偏光した光を照射することにより付与されたことを特徴とする請求項１ないし１３の何れかに記載の液晶表示装置
【請求項１５】
前記液晶層に印加される電界が、一対の基板にほぼ平行な成分をもつことを特徴とする請求項１ないし１４の何れかに記載の液晶表示装置
【請求項１６】
前記吸収異方性のうち、波長域４００ｎｍ〜５００ｎｍの吸収異方性が、波長域５００ｎｍ〜７５０ｎｍの吸収異方性よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし１５の何れかに記載の液晶表示装置
【請求項１７】
前記光異性化化合物は、アゾ系化合物及び／又はスチルベン系化合物からなることを特徴とする請求項１ないし１６の何れかに記載の液晶表示装置
【請求項１８】
一対の基板と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に配置された偏光板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも何れか一方に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記一対の基板のそれぞれに形成された一対の配向制御膜と、前記一対の基板の外に配置された光源とからなる液晶表示装置において、
前記配向制御膜が、シクロブタン環を含む感光性ポリイミド及び／又はポリアミック酸からなり、ほぼ直線に偏光した光を照射して膜厚方向全体に亘って配向制御能及び吸収異方性を付与されたことを特徴とする液晶表示装置
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、吸収異方性を示す部材を有する液晶表示パネル基板及びその基板を用いた液晶表示パネルなどの液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイは、表示品質が高く、薄型で低消費電力などといった特徴から、その用途を広げている。近年、携帯電話用モニター、デジタルスチルカメラ用モニターなどの携帯向けモニターからデスクトップパソコン用モニター、印刷やデザイン向けモニター、医療用モニター、さらには、液晶テレビとしての用途拡大に伴い、良好な色再現性，高いコントラスト比に対する要求が高まっている。特に、液晶テレビにおいては、黒の表現が非常に重視され、かつ、高輝度も強く要求される。
【０００３】
液晶テレビへの画質に対しては、色調に対する好みが大きく影響する。例えば、日本では、液晶テレビの白表示は色彩学上の無彩色ではなく、高い色温度である９３００Ｋ、さらには、１００００Ｋ以上に設定されることもある。
【０００４】
一対の偏光板を用いて表示する液晶表示装置においては、白表示，黒表示は用いる偏光板の直交偏光板，平行偏光板の透過特性に強く支配される。
【０００５】
すなわち、黒は偏光板の直交透過率、白はその平行透過率の特性に影響される。直交透過率が低く、平行透過率が高いことが、高いコントラスト比を得るために必要であるが、延伸したポリビニルアルコール樹脂中にヨウ素が添加された偏光板の場合、短波長領域のコントラスト比が低くなってしまうことが多い。樹脂とヨウ素のオーダーパラメーターを完全に制御することが困難であるためと考えられている。
【０００６】
このことから、短波長領域、すなわち、青の透過光は、長波長領域の透過光に対して、黒表示では高く、白表示では低くなる。白表示で高色温度、すなわち、青みが強い白で設定すると、黒表示の青みが強調され、黒の表現が重視される液晶テレビにおいて問題となる。
【０００７】
上記の偏光板起因による黒と白の色調差を解決する手段として、色調補正偏光板技術が、下記非特許文献１に報告されている。
【０００８】
また、ＰＶＡモードの液晶表示装置において、低階調の色調を補正することが、下記特許文献１に記載されている。
【０００９】
通常、液晶表示装置の表示は、一対の基板間に挟まれた液晶層の液晶分子に電界を印加することにより、液晶分子の配向方向を変化させ、それにより生じた液晶層の光学特性の変化により行われる。従来、画素毎に薄膜トランジスタなどのスイッチング素子を備えた、所謂アクティブ駆動型液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板のそれぞれに電極を設け、液晶層に印加する電界の方向が、基板界面に対してほぼ垂直になるように設定され、液晶層を構成する液晶分子の光旋光性を利用して表示を行うツイステッドネマチック（Twisted Nematic：ＴＮ）表示方式に代表される。このＴＮ方式の液晶表示装置においては視野角が狭いことが最大の課題とされている。
【００１０】
一方、一対の基板の一方に形成した櫛歯電極を用いて発生する電界が、この基板面にほぼ平行な成分を有するようにして、液晶層を構成する液晶分子を、ほぼ基板と平行な面内で回転動作させ、液晶層の複屈折性を用いて表示を行うＩＰＳ方式が開発されている。このＩＰＳ方式は、液晶分子の面内スイッチングに起因して、従来のＴＮ方式に比べて視野角が広く、低負荷容量であるなどの利点があり、ＴＮ方式に代わる新たな液晶表示装置として有望視され近年急速に進歩している。また、液晶層に電界を印加するための電極のうち少なくとも何れか一方を透明導電膜で構成することにより、透過率を向上させたＩＰＳ方式が開発されている。
【００１１】
このような視角特性（輝度コントラスト比、階調・色調反転）に優れ、表示の明るいＩＰＳ方式の液晶表示装置（以下「ＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤ」という。）は、表示領域が大きなモニターやテレビなどへ向けた有力な技術である。液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板において、この液晶層との界面には、液晶配向制御能を付与した配向制御膜が形成される。しかし、今後２０型以上のより大きな画面に対応したＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤを実用化するには、サイズの大きい表示装置（大型パネル）用の新しい構造やプロセスの開発が必要である。
【００１２】
特に、液晶層に対面する表面に段差構造が多いＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、配向制御膜に、大画面に亘って均一な配向処理を施すことは困難である。配向制御膜に配向処理を施す際のマージンは、従来型のＴＮ方式、とりわけ、現在主流のノーマリオープン型ＴＮ方式（低電圧で明表示、高電圧で暗表示）に比べて著しく狭い。マージンが狭い理由を以下（１）〜（３）で説明する。
【００１３】
（１）段差構造について：ＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、原理上数μｍ程度の幅をもつ細長い電極（櫛歯電極（Inter digital electrode）という場合もある。）を、多数配設する必要がある。そのため、微細な段差構造が形成される。段差の大きさは、電極の厚みやその上に形成される各種の膜の形状により決まるが、通常１０ｎｍ以上である。高透過率画素構造では、無機絶縁膜が厚く形成されており、無機絶縁膜の膜厚以下の段差凹凸は、ある程度平坦化されている。したがって、高透過率画素構造の配向制御膜の段差は、主に有機絶縁膜上の電極に起因している。これらの膜の最上層にポリイミドなどの高分子膜からなる配向制御膜（配向膜ともいう。）が形成される。
【００１４】
従来の量産技術においては、この配向制御膜上をラビング処理し、液晶配向能（初期配向）を付与する。一方で、ラビング用の布は、太さが１０〜３０μｍ程度の細い繊維を束ねて構成されており、実質的には、この細い繊維一本一本が、配向膜の局所的な部分に、一定方向の剪断力を与えることで、液晶配向能を付与する処理がなされる。繊維としては、数ミクロン程度の極細繊維も存在するが、ラビング用としては、ある程度の摩擦力を付与するための剛性が要求されることから、このような極細繊維を用いたものは実用化されていない。
【００１５】
ＩＰＳ方式での電極間隔も上記繊維の径と同程度の１０〜３０μｍ程度であるため、段差近傍のラビングは十分になされず、配向が乱れやすい。この配向の乱れは、黒レベルの上昇、これによるコントラスト比の低下や輝度の不均一性といった画質の低下を引き起こす。
【００１６】
（２）配向角について：ＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、初期配向方向は、原理上電極が伸びた方向又はそれと垂直な方向から、ある一定以上の角度をもってずらして設定する必要がある。ここで電極とは、信号配線電極、画素内の共通電極、画素電極を指す。初期配向の方向をラビングで規定するには、前述のように１０〜３０μｍ程度の繊維で、所定角度方向に擦る必要があるが、信号配線電極、画素内の共通電極、画素電極といった一定方向に伸びた配線とその端部の段差により、設定の角度から、段差方向に繊維が引きずられてしまい配向が乱れ、それによる黒レベルの上昇などの画質低下を引き起こす。
【００１７】
（３）暗レベルの沈み込みについて：ＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤの特徴の一つとして、暗レベル（黒表示）の沈み込みが良好である点が挙げられる。そのため、他の方式に比較して、配向の乱れが目立ちやすい。従来のノーマリオープン型ＴＮ方式では暗レベルが、高電圧を印加した状態で得られる。この場合、高電圧では、液晶分子のほとんどが基板面に垂直な一方向である電界方向に揃っており、その液晶分子配列と偏光板の配置との関係で暗レベルが得られている。したがって、暗レベルの均一性は、原理上低電圧時の初期配向状態にはあまり依存しない。さらに、人間の目は、輝度のムラを輝度の相対的な比率として認識し、かつ、対数スケールに近い反応をするため、暗レベルの変動には敏感である。この観点からも高電圧で強制的に一方向に液晶分子を配列させる従来のノーマリオープン型ＴＮ方式では、初期配向状熊に鈍感になり有利である。
【００１８】
一方、ＩＰＳ方式では、低電圧又は電圧ゼロにおいて、暗レベルの表示をするため、初期配向状態の乱れには敏感である。特に、液晶分子配向方向を上下基板上で互いに平行とするホモジニアス配列とし、かつ、一方の偏光板の光透過軸をその液晶分子配向方向に平行、他方の偏光板を直交とした配置（複屈折モードと呼ばれる。）では、液晶層に入射した偏光光は、直線偏光をほとんど乱されずに伝搬する。このことは暗レベルを沈み込ませるのに有効である。複屈折モードの透過率Ｔは、一般に、次の式で表せる。
【００１９】
Ｔ＝Ｔ0・sin2｛２θ(Ｅ)｝・sin2｛(π・deff・Δｎ)／λ｝
【００２０】
ここで、Ｔ0は係数で、主として液晶パネルに使用される偏光板の透過率で決まる数値、θ(Ｅ)は液晶分子の配向方向（液晶層の実効的な光軸）と偏光透過軸のなす角度、Ｅは印加電界強度、deffは液晶層の実効的な厚さ、Δｎは液晶の屈折率異方性、λは光の波長を表す。また、ここで、液晶層の実効的な厚さdeffと液晶の屈折率異方性Δｎの積、すなわち、deff・Δｎをリタデーションという。なお、ここでの液晶層の厚さdeffは液晶層全体の厚さではなく、電圧が印加されたとき、実際に配向方向を変える液晶層の厚さに相当する。何故なら、液晶層の界面近傍の液晶分子は、界面でのアンカリングの影響により、電圧が印加されてもその配向方向を変えないためである。したがって、基板によって挟持された液晶層全体の厚さをｄＬＣとすると、この厚さｄＬＣとdeffの間には、常にdeff＜ｄＬＣの関係があり、その差は、液晶パネルに用いる液晶材料と、液晶層と接する界面、例えば、配向膜材料の種類によって異なるが、概ね２０ｎｍ〜４０ｎｍ程度と見積もることができる。
【００２１】
上記の式から明らかなように、電界強度に依存するのはsin2｛２θ(Ｅ)｝の項であり、角度θを電界強度Ｅに応じて変えることで輝度が調整できる。ノーマリークローズ型にするには電圧無印加時にθ＝０度となるよう偏光板を設定するため、初期配向方向の乱れに敏感になるように作用する。
【００２２】
このようにＩＰＳ方式では、配向均一性が非常に重要な要素であり、現在用いられているラビング法の問題が明らかになってきている。一般的に、ラビング配向処理には、摩擦により発生する静電気によるＴＦＴ破損やラビング布の毛先の乱れや塵による配向乱れによる表示不良、さらには、ラビング布の交換頻度が多いなどラビング処理法に関わる問題が多い。これらのラビング配向処理の問題を解決する目的で、ラビングなしで液晶を配向させる、いわゆる「ラビングレス」配向法が検討され、様々な方法が提案されている。そのなかでも、偏光した紫外線などを高分子膜の表面に照射し、ラビング処理をすることなく液晶分子を配向させる光配向法が提案されている。
【００２３】
その例として、下記非特許文献２に開示された方法は、従来のラビング処理を必要とせず、偏光した光照射により、一定方向に液晶を配向させることが特徴である。この光配向法によれば、ラビング法による膜表面の傷や静電気などの問題がなく、また、工業的な生産を考慮した際の製造プロセスとして、より簡便であることが利点であり、今後のラビング処理を用いない新たな液晶配向処理方法として注目されている。
【００２４】
これまでの報告で使用されている液晶配向膜材料として、偏光した光に対する光化学的感度を得る必要性から、高分子の側鎖に光反応性基を導入した高分子化合物を用いることが提案されている。その代表的な例として、ポリビニルシンナメートが挙げられるが、この場合、光照射による側鎖部分での二量化により高分子膜中に異方性を発現し、液晶を配向させるものと考えられている。また、その他として、特定のポリイミド膜に偏光した紫外線などを照射することによって、液晶分子が配向することが報告されている。この場合、光照射により、一定方向のポリイミド主鎖が分解することにより、液晶配向を発現しているものと考えられる。
【００２５】
また、さらには、高分子材料中に低分子の二色性アゾ色素を分散し、この膜表面に対して、偏光した光を照射することで、一定の方向に液晶分子を配向させうることが提案されている。本技術に関して、下記特許文献２が挙げられる。
【特許文献１】特開２００３−２９７２４号公報
【特許文献２】特開平１１‐１３３４３１号公報
【非特許文献１】ＳＩＤ０３  ｐ.８２４−８２７
【非特許文献２】ギボンズら、「ネイチャー」３５１巻、４９頁（１９９１年）（W.M. Gibbons et al., Nature, 351, 49(1991) ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
上述のように、偏光板を用いている液晶表示装置の表示特性は、主として偏光板の直交透過率と平行透過率の分光特性の差異により、黒表示と白表示の色調が大きく左右される。特に、黒表示は、偏光板の直交時の分光特性に大きく影響され、現在広く用いられているヨウ素延伸型の偏光板は、直交時に４００ｎｍ付近の光を遮蔽しきれず、青みを帯びてしまうという問題がある。
【００２７】
上記特許文献１は、ＲＧＢの３つの画素を独立に制御し、色調を補正するという技術である。しかし、青の透過光に対して、無彩色化を図るためには、緑，赤の透過光を増大させることが必要であり、黒表示において、この方法を取れば、黒表示の輝度を増大させてしまうことになり、コントラスト比低下が避けられない。したがって、黒の表現を重視する液晶テレビにおいては、黒表示の輝度増大、コントラスト比低下を招くことは許容されない。また、ＲＧＢ各画素における液晶分子の配向状態が異なる状態で、黒を表示させることは、視野角特性を悪化させる要因になるため、この点でも好ましくない。
【００２８】
上記非特許文献１では、短波長領域において、二色性を示す色素を、一対の偏光板のそれぞれ外側に配置して、偏光板直交透過率特性の無彩色化を図っている。しかし、無彩色化を図る色調補正偏光板については、偏光層を４層形成するため、それぞれの軸を合わせるプロセスが必要となり、生産プロセスの負荷増大が避けられない。また、偏光板偏光度のばらつきが、表示品質のばらつきを招くことも生産性の点で問題となる。
【００２９】
なお、前述の色調補正偏光板技術は、色素の配向度低下による偏光解消の影響があり、偏光板の内側、つまり、基板に形成することはできない。
【００３０】
一般に、液晶表示装置は、入射側偏光板を透過した直線偏光を、液晶層がその配向方向を変化させることで偏光状態を変化させ、出射側偏光板を透過する光量を制御することによって表示する原理である。理想的には、黒表示時において、液晶層による偏光状態変化は全くなく、直交に配置された出射側偏光板で光源の光が遮断される。
【００３１】
したがって、黒表示は、用いる偏光板の直交分光透過率とカラーフィルター分光透過率の積となる。詳細には、基板や絶縁層、透明電極などの吸収もあるが、偏光板とカラーフィルターが、ほぼ支配的である。また、光を透過させる中間調及び白表示は、液晶層によって発生する複屈折光が出射側偏光板を透過することで表示される。したがって、白表示は、用いる偏光板の平行分光透過率と液晶の複屈折光とカラーフィルター分光透過率が、ほぼ支配的に作用する。
【００３２】
ところが、延伸したポリビニルアルコール樹脂中にヨウ素が添加された偏光板の偏光度は、短波長領域で低下するために、黒表示では青く呈色し、白表示では青の透過率が低下してしまう。一方、黒表示においては、カラーフィルター層を形成する顔料粒子や液晶層による光散乱などで、漏れ光が発生することも、理想的な黒表示から、輝度が増大し、色調が変わる要因になっている。
【００３３】
上記特許文献２は、アゾ色素を含んだポリビニルアルコール薄膜を配向制御膜として形成し、アゾ色素を傾斜配列させ、プレチルト角を得ようとするものである。
【００３４】
しかし、ＩＰＳ方式の場合、液晶分子のプレチルト角は、コントラスト比及び色度変化の視野角依存性において、非対称性を発生させてしまうため、プレチルト角はむしろ無い方が望ましい。また、アゾ色素を含んだポリビニルアルコール薄膜への偏光光照射では、液晶を、目的とする方向に配向させる力、すなわち、配向規制力（アンカリング強度ともいわれる。）が小さい。また、既存の光配向技術で、十分な配向規制力を得るには、かなりの照射光量を必要とし、ラビング法に比べ、長い作業工程時間を必要とするため、生産性という点でも大きな課題が存在する。
【００３５】
そこで、本発明は、液晶表示装置の偏光板以外に、吸収異方性を有する層を導入することによって、上記課題である白表示と黒表示の色度変化を低減し、かつ、黒表示の輝度を低減してコントラスト向上との両立を可能とする。また、本発明は、偏光板の偏光度低下を補償する効果もあるため、画質向上という効果に加え、偏光板偏光度のばらつきに対する生産マージンの拡大も目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
上述の課題を解決するため、本発明では、光源から発せられた、または、取り入れられた光が液晶表示装置の光学系を通り、観察者が認識するまでの光の光路内に、吸収異方性をもつ光学層（吸収異方性層）を少なくとも一層設けることを特徴とする。この吸収異方性層は、偏光板偏光度、黒表示時及び白表示時の色調を補償することを特徴とする。また、吸収異方性は、入射側偏光板又は出射側偏光板の吸収軸と、ほぼ平行又は直交させることにより、偏光板偏光度を補償できるため、黒表示時の輝度を低減、コントラスト比の向上に有効である。
【００３７】
特に、吸収異方性は、可視波長域（約４００ｎｍ〜７５０ｎｍ）全体に亘って高ければ高いほどよく、その分、液晶表示装置のコントラスト比向上に有効である。なお、液晶表示装置の偏光板に、ヨウ素系偏光板を用いる際、ヨウ素系偏光板は、約４００〜４５０ｎｍ周辺の偏光度が、他の可視波長域に比べ低いため、この波長域に、より大きな吸収異方性をもつことが望ましく、これにより、黒表示時の青みを低減できる。
【００３８】
本発明では、吸収異方性を配向制御膜に付与することを特徴とする。具体的には、配向制御膜に、アゾ系化合物又はスチルベン系化合物などの光異性化を起こす二色性化合物を添加する。これに、ほぼ直線に偏光した光を照射することにより光異性化反応を起こし、配向制御膜に吸収異方性を付与する。
【００３９】
ここで、二色性化合物としては、化学構造が長い直線的棒状構造をなすこと、化合物を構成する芳香族環が同一平面性をもつこと、水素結合に関与する基が少ないものが望ましい。代表例として、ポリスアゾ系直接染料、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２，４４、Ｃ．Ｉ．ダイレクトオレンジ３９、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド２３，２８，３１，３７，７９，８１、Ｃ．Ｉ．ダイレクトバイオレット９，１２、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブルー１，２２，７８，９０，１５１、Ｃ．Ｉ．ダイレクトグリーン１、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、メチルオレンジ、ブリリアントイエロー、モダンイエロー１０、アシッドレッド９７などがあり、なかでもベンジジン系、ジフェニル尿素系、スチルベン系、ジナフチルアミン系、Ｊ−酸系、アントラキノン系構造を含む化合物が望ましい。
【００４０】
本発明は、これらの化合物を偏光板の偏光度及び色調を補償するように組み合わせて添加することを特徴とする。
【００４１】
また、本発明では、配向制御膜として、ほぼ直線に偏光した光を照射することにより配向制御能を付与される材料を用いることを特徴とする。上記二色性化合物は光異性化により、照射した偏光光の偏光軸に対して、垂直な方向に液晶配向能をもつため、光反応性配向制御膜も同様の特性をもつものが望ましい。特に、配向制御膜が、シクロブタン環を有する感光性ポリイミド又はポリアミック酸により構成される場合、低照射光量で配向規制力の高い配向制御膜を得ることができ、生産性の点でも有効である。
【００４２】
なお、アゾ系化合物、スチルベン系化合物などの光異性化化合物は、可視域に近い波長で反応し、また、比較的低分子の化合物が多く、反応性も高いため、液晶表示装置の配向制御膜として用いるには製品の長期信頼性が低いという課題がある。
【００４３】
本発明では、これら低分子系化合物を感光性（光反応性）ポリイミド／ポリアミック酸に添加して用いることにより、光異性化化合物の配向状態を固定化し、製品信頼性という点でも有効である。
【００４４】
ここで、液晶表示装置の黒表示時と白表示時の色調を変えるためには、光学的に異方性をもった層を導入することが必要である。本発明では、この光学異方性、特に、吸収異方性を、配向制御膜及び／又は液晶に電界を印加するためのアクティブ素子の絶縁膜及び／又はカラーフィルター層及び／又はカラーフィルター保護絶縁膜などの有機膜に付与することにより、上記課題を解決する。
【００４５】
具体的には、配向制御膜及び／又は液晶に電界を印加するためのアクティブ素子の絶縁膜及び／又はカラーフィルター層及び／又はカラーフィルター保護絶縁膜に、スチルベン系化合物又はアゾ系化合物などの二色性色素を添加し、これらの層に、ほぼ直線に偏光した光を照射することにより達成する。
【００４６】
以上のように、液晶表示装置に吸収異方性をもつ層を導入することにより、偏光板偏光度の補助による偏光度向上と偏光度ばらつきの補償、発生した漏れ光吸収によって、黒表示の輝度低減と青み低減を達成する。
【００４７】
本発明では、二色性化合物をカラーフィルター層に添加し、二色性を付与する際、カラーフィルター層の透過波長域と二色性化合物の吸収波長域とをほぼ一致させることがより有効である。この吸収異方性が、観察者側の基板に形成されている場合、この吸収軸を観察者側に配置された偏光板の吸収軸と、ほぼ平行にすることにより、白表示時の色調を大きく変化させずに黒表示時の色調を補償することができ、本発明が有効に作用する。また、この吸収異方性が、光源側の基板に形成されている場合、この吸収軸を光源側に配置された偏光板の吸収軸と、ほぼ平行にすることにより、長期に亘り配向規制力の安定性を得ることができ、本発明が有効に作用する。
【００４８】
本発明において、光源には、冷陰極管（ＣＣＦＬ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）又は有機エレクトロルミネッセンス（ＯＬＥＤ）などの発光ユニットでもよく、また、太陽光などの自然光を利用するものであってもよい。また、発光ユニットは、赤、青、緑などの複数の異なる波長を発光するものを組み合わせてもよい。光源の位置は、液晶パネルの観測者側に対して直下、側面、前面にあっても、本発明は有効に作用する。
【００４９】
なお、液晶層を形成する液晶分子の長軸方向が、液晶層を挟持する一対の基板に対し平行である場合、本発明により、プレチルト角発生を抑えることができ、コントラスト比及び色度変化の視野角依存性が対称性をもつため、表示品位向上に有効に作用する。
【００５０】
上述のように、本発明は、液晶表示装置の黒表示時の青み低減、視野角まで含めたコントラスト比の向上、製品信頼性の向上及び生産性向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００５１】
以上説明したように、本発明によれば、液晶表示装置における黒表示時の青みという問題を解決し、量産性に優れ、コントラスト比を高めた高品位な画質を有する液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下では薄膜トランジスタなどのアクティブ素子を形成した基板をアクティブマトリクス基板という。また、その対向基板にカラーフィルターを有する場合は、これをカラーフィルター基板ともいう。また、液晶を駆動する電極群は、アクティブマトリクス基板に形成したＩＰＳ方式のもので説明するが、他の方式においては、液晶を狭持する基板の両方に形成してもよい。
【００５３】
また、本発明において、目標として望ましいコントラストは５００：１以上であり、目標とする残像が解消される時間は５分以内が望ましい。なお、残像の解消される時間は、下記の実施の形態において定義される方法にて決定される。
【００５４】
〔第１の実施形態〕
図１は、本発明に係る液晶表示装置の第１の実施形態を説明する一画素付近の模式断面図である。また、図２は、本発明に係る液晶表示装置の第１の実施形態を説明する一画素付近の構成を説明するアクティブマトリクス基板の模式図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ'線に沿った断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿った断面図を示す。また、図１は、図２（ａ）のＡ−Ａ'線に沿った断面の一部に対応する。なお、図２（ｂ）と図２（ｃ）の断面図は、要部構成を強調して模式的に示すもので、図２（ａ）のＡ−Ａ'線、Ｂ−Ｂ'線の切断部に１対１で対応しない。例えば、図２（ｂ）では薄膜トランジスタ１１５は図示せず、図２（ｃ）では共通電極１０３とコモン配線１２０を接続するスルーホール１１８は一箇所のみを代表して示してある。
【００５５】
本実施形態では、アクティブマトリクス基板として、ガラス基板１０１上には、Ｃｒ（クロム）からなる走査配線（ゲート電極）１０４及びコモン配線（共通電極配線）１２０が配置され、このゲート電極１０４及び共通電極配線１２０を覆うように窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１０７が形成されている。
【００５６】
また、ゲート電極１０４上には、ゲート絶縁膜１０７を介してアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体膜１１６が配置され、アクティブ素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１５の能動層として機能するようにされている。
【００５７】
また、半導体膜１１６のパターンの一部に重畳するようにＣｒ・Ｍｏ（クロム／モリブデン）よりなるドレイン電極（信号配線）１０６とソース電極（画素電極）１０５が配置され、これら全てを被覆するように窒化シリコンよりなる保護膜１０８が形成されている。
【００５８】
また、図２（ｃ）に模式的に示したように、ゲート絶縁膜１０７と保護膜１０８を貫通して形成されたスルーホール１１８を介して共通電極配線１２０に接続するコモン電極（共通電極）１０３が有機絶縁膜１３３上に配置されている。また、図２（ａ）から分かるように、平面的には一画素の領域において、その画素電極１０５に対向するように、共通電極配線１２０からスルーホール１１８を介して引き出されている共通電極１０３が形成されている。
【００５９】
したがって、本実施形態においては、画素電極１０５は、有機絶縁膜１３３の下層に形成された保護膜１０８のさらに下層に配置され、有機絶縁膜１３３上に共通電極１０３が配置された構成となっている。これらの複数の画素電極１０５と共通電極１０３とに挟まれた領域で、一画素が構成される構造となっている。また、以上のように構成した単位画素をマトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板の表面、すなわち、共通電極１０３が形成された有機絶縁膜１３３上には配向制御膜１３１が形成されている。
【００６０】
一方、図１に示すように、対向基板を構成するガラス基板１０２には、カラーフィルター層１１１が遮光部（ブラックマトリクス）１１３で、画素毎に区切られて配置され、また、カラーフィルター層１１１及び遮光部１１３上は、透明な絶縁性材料からなる有機保護膜１３４で覆われている。さらに、その有機保護膜１３４上にも配向制御膜１３２が形成されてカラーフィルター基板を構成している。
【００６１】
これらの配向制御膜１３１，１３２は、高圧水銀ランプを光源とし、石英板を積層したパイル偏光子を用いて、取り出される紫外線の直線偏光照射により液晶配向能が付与されている。
【００６２】
アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１とカラーフィルター基板を構成するガラス基板１０２とが、配向制御膜１３１，１３２の面で対向配置され、これらの間に液晶分子１１０で構成される液晶層（液晶組成物層）１１０'が配置されて、液晶表示装置が構成されている。また、アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１とカラーフィルター基板を構成するガラス基板１０２との外側の面のそれぞれには、偏光板１１８，１１９が形成されている。
【００６３】
以上のようにして、ＴＦＴ１１５を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置（すなわち、ＴＦＴ液晶表示装置）が構成される。このＴＦＴ液晶表示装置では、液晶組成物層１１０'を構成する液晶分子１１０は、電界無印加時には対向配置されている基板１０１，１０２面に、ほぼ平行に配向された状態となり、光配向処理で規定された初期配向方向に向いた状態でホモジニアス配向している。
【００６４】
ここで、ゲート電極１０４に電圧を印加してＴＦＴ１１５をオンにすると、画素電極１０５と共通電極１０３との間の電位差により、液晶組成物層１１０'に電界１１７が印加され、液晶組成物がもつ誘電異方性と電界との相互作用により液晶組成物層１１０'を構成する液晶分子１１０は、電界方向にその向きを変える。このとき、液晶組成物層１１０'の屈折異方性と偏光板１１８，１１９の作用により、ＴＦＴ液晶表示装置の光透過率を変化させ表示を行うことができる。
【００６５】
また、有機絶縁膜１３３，１３４は、絶縁性、透明性に優れるアクリル系樹脂、エポキシアクリル系樹脂又はポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を用いればよい。また、有機絶縁膜１３３，１３４として、光硬化性の透明な樹脂を用いてもよいし、ポリシロキサン系の樹脂など無機系の材料を用いてもよい。さらには、有機絶縁膜１３３，１３４が配向制御膜１３２を兼ねるものであってもよい。
【００６６】
以上のように、本実施形態によれば、配向制御膜１３１，１３２の液晶配向制御能をバフ布で直接摩擦するラビング配向処理ではなく、非接触の光配向法を用いることにより、電極近傍に局所的な配向の乱れがなく、表示領域全面に亘り均一な配向を付与することが可能となる。
【００６７】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明に係る液晶表示装置の第２の実施形態を説明する。図３は、本発明に係る液晶表示装置の第２の実施形態を説明する一画素付近の模式断面図である。また、図４は本発明に係る液晶表示装置の第２の実施形態を説明する一画素付近の構成を説明するアクティブマトリクス基板の模式図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ'線に沿った断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿った断面図を示す。また、図３は図４（ａ）のＡ−Ａ'線に沿った断面の一部を示している。なお、図４（ｂ）と図４（ｃ）の断面図は、要部構成を強調して模式的に示すもので、図４（ａ）のＡ−Ａ'線、Ｂ−Ｂ'線の切断部に１対１で対応しない。例えば、図２（ｂ）ではＴＦＴ１１５は図示していない。
【００６８】
本実施形態では、アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１上には、Ｃｒからなるゲート電極１０４及び共通電極配線１２０が配置され、ゲート電極１０４と共通電極配線１２０を覆うように窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１０７が形成されている。
【００６９】
また、ゲート電極１０４上には、ゲート絶縁膜１０７を介してアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体膜１１６が配置され、アクティブ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１５の能動層として機能するようにされている。
【００７０】
また、半導体膜１１６のパターンの一部に重畳するようにクロム・モリブデンからなるドレイン電極１０６、ソース電極（画素電極）１０５が配置され、これら全てを被覆するように窒化シリコンからなる保護膜１０８が形成されている。この保護膜１０８上には、有機絶縁膜１３３が配置されている。この有機絶縁膜１３３は、例えば、アクリル樹脂などの透明な材料から構成する。また、画素電極１０５は、ＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｓｎ）などの透明電極から構成されている。共通電極１０３は、ゲート絶縁膜１０７、保護膜１０８、有機絶縁膜１３３を貫通するスルーホール１１８を介し、共通電極配線１２０に接続している。
【００７１】
液晶を駆動する電界を与える場合に、画素電極１０５と対をなす共通電極１０３は、平面的に一画素の領域を囲うように形成されている。また、この共通電極１０３は、有機絶縁膜１３３上に配置されている。そして、この共通電極１０３は、上部から見たときに下層に配置しているドレイン電極１０６、走査配線１０４及び能動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１５を隠すように配置され、半導体膜１１６を遮光する遮光層を兼ねている。
【００７２】
なお、以上のように構成した単位画素（一画素）をマトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１の表面、すなわち、有機絶縁膜１３３上及びその上に形成された共通電極１０３の上には、配向制御膜１３１が形成されている。一方、カラーフィルター基板を構成するガラス１０２にも、カラーフィルター層１１１上に形成される有機保護膜１３４上には、配向制御膜１３２が形成されている。
【００７３】
また、第１の実施形態と同様に、高圧水銀ランプを光源とし、石英板を積層したパイル偏光子を用いて、取り出される紫外線の直線偏光照射により、これらの配向制御膜１３１，１３２に液晶配向能が付与されている。
【００７４】
そして、ガラス基板１０１と対向するガラス基板１０２とが、配向制御膜１３１，１３２の形成面で対向配置され、これらの間に液晶分子１１０で構成された液晶組成物層１１０'が配置されて、液晶表示装置が構成されている。また、ガラス基板１０１と対向するガラス基板１０２との外側の面のそれぞれには偏光板１１８，１１９が形成されている。
【００７５】
このように、本実施形態においても、先に述べた第１の実施形態と同様に、画素電極１０５は、有機絶縁膜１３３及び保護膜１０８の下層に配置され、画素電極１０５と有機絶縁膜１３３との上に共通電極１０３が配置された構成となっている。また、共通電極１０３の電気抵抗が十分低い場合には、この共通電極１０３は、最下層に形成されている共通電極配線１２０も兼ねることができる。その際には、最下層に配置している共通電極配線１２０の形成及びそれに伴うスルーホールの加工を省くことができる。
【００７６】
本実施形態では、図４（ａ）に示すように格子状に形成された共通電極１０３に囲まれた領域で一画素が構成され、画素電極１０５と合わせて一画素を４つの領域に分割するように配置されている。また、画素電極１０５及びそれと対向する共通電極１０３が、お互いに平行に配置されたジグザグな屈曲構造からなり、一画素が２つ以上の複数の副画素を形成している。これにより面内での色調変化を相殺する構造となっている。
【００７７】
〔第３の実施形態〕
図５は、本発明に係る液晶表示装置の第３の実施形態を説明する一画素付近の模式断面図である。図中、上記した各実施形態の図面と同一符号は同一機能部分に対応する。図５に示すように、本実施形態では、保護膜１０８の下層に配置した画素電極１０５を、スルーホール１１８を介して有機絶縁膜１３３上に引き上げて共通電極１０３と同層に配置した。この構成とした場合には、液晶を駆動する電圧をさらに低減することが可能である。
【００７８】
〔第４の実施形態〕
図６は、本発明に係る液晶表示装置の第４の実施形態を説明する一画素付近の模式断面図である。図中、上記した各実施形態の図面と同一符号は同一機能部分に対応する。本実施形態では、電極などによる段差が大きい構造となっている。
【００７９】
〔第５の実施形態〕
図７は、本発明に係る液晶表示装置の第５の実施形態を説明する一画素付近の模式断面図である。図中、上記した各実施形態の図面と同一符号は同一機能部分に対応する。本実施の形態において、画素電極１０５及び共通電極１０３はＩＴＯにより形成されており、共通電極１０３は画素のほぼ全体を覆うベタ電極で構成されている。この構成により、電極上も透過部として利用することができ、開口率を向上することができる。また、電極間隔を短くすることができ、電界を効率よく液晶に印加できる。
【００８０】
以上のように構成されたＴＦＴ液晶表示装置では、電界無印加時には、液晶組成物層１１０'を構成する液晶分子１１０は、対向配置されているガラス基板１０１と１０２との面に、ほぼ平行な状態となり、光配向処理で規定された初期配向方向に向いた状態でホモジニアス配向している。ここで、ゲート電極１０４に電圧を印加して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１５をオンにすると、画素電極１０５と共通電極１０３との間の電位差により、液晶組成物層１１０'に電界１１７が印加され、液晶組成物がもつ誘電異方性と電界との相互作用により、液晶分子１１０は電界方向にその向きを変える。このとき液晶組成物層１１０'の屈折異方性と偏光板１１８，１１９の作用により液晶表示装置の光透過率を変化させ表示を行うことができる。
【００８１】
また、上記した本発明の各実施形態においては、１つの画素における共通電極と画素電極から構成される表示領域は複数組設けることが可能である。このように複数組設けることによって、１つの画素が大きい場合でも、画素電極と共通電極との間の距離を短くできるので、液晶を駆動させるために印加する電圧を小さくできる。
【００８２】
また、上記した本発明の各実施の形態においては、画素電極と共通電極の少なくとも一方を構成する透明導電膜の材料としては、特に制限はないが、加工の容易さ、信頼性の高さなどを考慮してインジウム−チン−オキサイド（ＩＴＯ）のようなチタン酸化物にイオンドープされた透明導電膜、または、イオンドープされた亜鉛酸化物を用いるのが望ましい。
【００８３】
一般的に、ＩＰＳ方式においては、従来のＴＮ方式に代表される縦電界方式と異なり基板面との界面チルトが原理的に必要なく、界面チルト角が小さいほど視角特性が良いことが知られており、光配向制御膜においても小さい界面チルト角が望ましく、特に１度以下が効果的である。
【００８４】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法としての液晶配向制御膜のラビングレス配向法を用いた配向制御膜の形成について説明する。本発明による配向制御膜の形成工程のフローは以下（１）〜（４）のようになる。すなわち、（１）配向制御膜の塗膜・形成（表示領域全面にわたり均一な塗膜を形成する。）、（２）配向制御膜のイミド化焼成（ワニス溶剤の除去と耐熱性の高いポリイミド化を促進する）、（３）偏光照射による液晶配向能付与（表示領域に均一な配向能を付与する）、（４）（加熱、赤外線照射、遠赤外線照射、電子線照射、放射線照射）による配向能の促進・安定化。
【００８５】
以上の４段階のプロセスを介して配向制御膜を形成するが、（１）〜（４）のプロセスの順番に限定されるものではなく、以下（I）（II）のような場合には、さらなる効果が
期待される。（I）上記（３）（４）を時間的に重なるように処理することにより液晶配
向能付与を加速し架橋反応などを誘起することで、さらに効果的に配向制御膜を形成することが可能となる。また（II）上記（４）の加熱、赤外線照射、遠赤外線照射などを用い
る場合には、上記（２）（３）（４）を時間的にオーバーラップさせることにより、上記（４）のプロセスが上記（２）のイミド化プロセスを兼ねることも可能となり、短時間に配向制御膜の形成が可能となる。
【００８６】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の具体的な実施例について説明する。
【実施例１】
【００８７】
本実施例は、上記した第１の実施形態で説明した液晶表示装置に対応する。以下、本実施例について、図１及び図２を参照して詳細に説明する。
本実施例である液晶表示装置の製造において、アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１と、これと対向するカラーフィルター基板を構成するガラス基板１０２として、厚みが０．７ｍｍで表面を研磨したガラス基板を用いる。また、カラーフィルター基板側に厚さ１．０μｍのアクリル系樹脂有機絶縁膜１３４を形成した。
【００８８】
ガラス基板１０１に形成する薄膜トランジスタ１１５は、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６、ゲート電極１０４及び半導体層１１６としてアモルファスシリコンから構成される。
【００８９】
走査配線１０４、共通電極配線１２０、信号配線１０６及び画素電極１０５は、全てクロム膜をパターニングして形成し、画素電極１０５と共通電極１０３との間隔は７μｍとした。なお、共通電極１０３と画素電極１０５については、低抵抗でパターニングの容易なクロム膜を使用したが、ＩＴＯ膜を使用した透明電極で構成して、より高い輝度特性を達成することも可能である。
【００９０】
ゲート絶縁膜１０７と保護絶縁膜１０８は窒化珪素からなり、膜厚はそれぞれ０．３μｍとした。その上にはアクリル系樹脂を塗布し、２２０°Ｃ、１時間の加熱処理により、透明で絶縁性のある有機絶縁膜１３３を厚さ１．５μｍで形成した。
【００９１】
次に、フォトリソグラフィ、エッチング処理により、図２（ｃ）に示すように、共通電極配線１２０までスルーホール１１８を形成し、共通電極配線１２０と接続する共通電極１０３をパターニングして形成した。
【００９２】
その結果、単位画素（一画素）内では図２（ａ）に示すように、画素電極１０５が３本の共通電極１０３の間に配置されている構成となり、画素数は１０２４×３（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応）本の信号配線１０６と７６８本の走査配線１０４とから構成される１０２４×３×７６８個とするアクティブマトリクス基板を形成した。
【００９３】
次に、配向制御膜１３１として、ジアミン化合物、ｐ−フェニレンジアミンと１，４−ジアミノピリジンをモル比１：１の割合で混合し、酸二無水物が１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物からなるポリアミック酸ワニスを、樹脂分濃度５重量％、ＮＭＰ６０重量％、γブチルラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１５重量％に調整し、上記アクティブマトリクス基板の上に印刷形成して２２０°Ｃで３０分の熱処理によりイミド化し、約８０ｎｍの緻密なポリイミド配向制御膜１３１を形成する。
【００９４】
次に、もう一方のガラス基板１０２の表面には、配向制御膜１３２として、ジアミン化合物、ｐ−フェニレンジアミンと１，４−ジアミノピリジンをモル比１：１の割合で混合し、酸二無水物が１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物からなるポリアミック酸ワニスにＣ．Ｉ．ダイレクトレッド８１及びＣ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２を添加し、樹脂分濃度５重量％、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド８１濃度０．７重量％、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２濃度０．３重量％、ＮＭＰ６０重量％、γブチルラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１４重量％に調整して印刷形成し、２２０°Ｃで３０分の熱処理を行い、約８０ｎｍの緻密なポリイミド膜からなる配向制御膜１３２を形成した。
【００９５】
これら配向制御膜１３１，１３２の表面に、液晶配向能及び吸収異方性を付与するために、偏光ＵＶ（紫外線）光を照射した。光源には、高圧水銀ランプを用い、干渉フィルタを介して、２４０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲のＵＶ光を取り出し、石英基板を積層したパイル偏光子を用いて、偏光比約１０：１の直線偏光とし、約５Ｊ／ｃｍ2の照射エネルギーで照射した。その結果、配向制御膜表面の液晶分子の配向方向は、照射した偏光ＵＶの偏光方向に対し、直交方向であることがわかった。
【００９６】
次に、これらの２枚のガラス基板１０１、１０２を、それぞれの液晶配向能を有する配向制御膜１３１，１３２を有する面を相対向させ、分散させた球形のポリマビ−ズからなるスペ−サを介在させ、周辺部にシ−ル剤を塗布し、液晶表示装置となる液晶表示パネル（セルともいう。）を組み立てた。
【００９７】
２枚のガラス基板の液晶配向方向は、互いにほぼ並行で、かつ、印加電界方向とのなす角度を７５゜とした。このセルに、誘電異方性Δεが正で、その値が１０．２（１ｋＨｚ、２０℃）であり、屈折率異方性Δｎが０．０７５（波長５９０ｎｍ、２０℃）、ねじれ弾性定数Ｋ２が７．０ｐＮ、ネマティック−等方相転移温度Ｔ（Ｎ−Ｉ）が約７６°Ｃのネマテック液晶組成物を真空で注入し、紫外線硬化型樹脂からなる封止材で封止した。液晶層の厚み（ギャップ）は４．２μｍの液晶パネルを製作した。
【００９８】
この液晶表示パネルのリタデーション（Δｎｄ）は、約０．３１μｍとなる。また、このパネルに用いた配向制御膜と液晶組成物と同等のものを用いて、ホモジニアス配向の液晶表示パネルを作製し、クリスタルローテーション法を用いて液晶のプレチルト角を測定したところ約０．２度を示した。この液晶表示パネルを２枚の偏光板１１８，１１９で挾み、一方の偏光板の偏光透過軸を上記の液晶配向方向とほぼ平行とし、他方をそれに直交するように配置した。その際、観察者側のガラス基板１０２に配置する偏光板１１９の吸収軸は、カラーフィルター基板に形成された配向制御膜１３２の吸収軸方向とほぼ平行にして配置した。
【００９９】
その後、駆動回路、光源としてのバックライトなどを接続してモジュール化し、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を得た。本実施例では、低電圧で暗表示、高電圧で明表示となるノーマリークローズ特性とした。
【０１００】
次に、本実施例の液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比５２０対１の高品位の表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角が確認された。また、白表示時と黒表示時の色度座標変化を測定したところ、Δｕ'ｖ'は０．０３８であった。
【０１０１】
また次に、本実施例の液晶表示装置における画像の焼き付け、残像を定量的に測定するため、ホトダイオードを組み合わせたオシロスコープを用いて評価した。まず、画面上に最大輝度でウインドウパターンを３０分間表示し、その後、残像が最も目立つ中間調表示、ここでは、輝度が最大輝度の１０％となるように全面を切り換え、ウインドウパターンのエッジ部のパターンが消えるまでの時間を残像緩和時間として評価した。ただし、ここで許容される残像緩和時間は５分以下である。その結果、使用温度範囲（０℃〜５０℃）において残像の緩和時間は３分以下であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、高い表示特性が得られた。
【０１０２】
従来、光配向では、液晶の配向性を付与することはできるが、アンカリングエネルギー、すなわち、配向した液晶分子を配向膜表面に束縛するエネルギーが、一般のラビング配向に比べ弱いといわれている。このアンカリングエネルギーが弱いと、液晶表示装置の製品としての信頼性が不足するとも言われている。特に、ホモジニアス配向の場合には、極角方向のアンカリングエネルギーよりも方位角方向のアンカリングエネルギーが重要といわれている。
【０１０３】
そこで、この様にして得た液晶表示装置と同一の配向膜材料を用い、同一プロセスでガラス基板上に配向膜を形成、配向処理し、同一の液晶組成物を封入して液晶セルを作製し、トルクバランス法（長谷川ほか、液晶学会討論会講演予行集３Ｂ１２（２００１）ｐ.２５１）により、界面における液晶分子と配向膜表面とのねじれ結合の強さ、方位角方位アンカリングエネルギーＡ２を測定すると、６．０×１０-4Ｎ／ｍであった。
【０１０４】
〔比較例１〕
比較例１では、実施例１の配向制御膜１３２に、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド８１及びＣ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２を添加せず、配向制御膜１３１と同様の配向制御膜、プロセスを用いて作製した他は、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。この比較例１の液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比２７０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０７２であった。次に、実施例１と同様にして、比較例１の液晶表示装置の残像を評価したところ、残像緩和時間は約３分であった。また、方位角アンカリングエネルギーＡ２は４．５×１０-4Ｎ／ｍであった。
【実施例２】
【０１０５】
本実施例では、実施例１のカラーフィルター基板側に形成された有機絶縁膜１３４のアクリル系樹脂組成を変更した以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。有機絶縁膜１３４のアクリル系樹脂組成として、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド８１を濃度０．７重量％で、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２を濃度０．３重量％で添加した。
【０１０６】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比５８０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０３４であった。
【実施例３】
【０１０７】
本実施例では、実施例１のカラーフィルター基板側に形成された有機絶縁膜１３４のアクリル系樹脂組成、カラーフィルター層１１１のレジスト材料組成及びそれらの処理方法を変更した以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。有機絶縁膜１３４のアクリル系樹脂組成として、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド８１を濃度０．７重量％で、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２を濃度０．３重量％で添加した。また、カラーフィルター層１１１の青を表示するレジスト材料には、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー４４を１．５重量％、緑を構成するレジスト材料には、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド８１を１重量％、赤を構成するレジスト材料には、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブルー１５１を１重量％それぞれ添加した。
【０１０８】
ここで、カラーフィルター基板側の配向制御膜１３２を形成する前に、カラーフィルター基板側の有機絶縁膜１３４の表面に吸収異方性を付与するために、偏光ＵＶ（紫外線）光を有機絶縁膜１３４に照射した。光源には高圧水銀ランプを用い、干渉フィルタを介して、３３０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲のＵＶ光を取り出し、石英基板を積層したパイル偏光子を用いて偏光比約１５：１の直線偏光とし、約５Ｊ／ｃｍ2の照射エネルギーで照射した。その結果、カラーフィルター基板は照射した偏光ＵＶの偏光方向と直交方向に吸収軸をもつことがわかった。この場合、ガラス基板１０２上の偏光板１１９を省略することができる。
【０１０９】
その後、実施例１と同様にカラーフィルター基板側の配向制御膜１３２を形成した。このとき、配向制御膜１３２に照射する偏光光の偏光軸は有機絶縁膜１３４に照射した偏光光の偏光軸とほぼ平行にした。
【０１１０】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比６３０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０２７であった。
【実施例４】
【０１１１】
本実施例では、実施例１でカラーフィルター側に用いた配向制御膜１３２をアクティブマトリクス基板側の配向制御膜１３１に、実施例１でアクティブマトリクス基板側に用いた配向制御膜１３１をカラーフィルター側の配向制御膜１３２に用いたこと、及び、実施例１のアクティブマトリクス基板側に形成された有機絶縁膜１３３のアクリル系樹脂組成及びその処理方法を変更した以外は、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。
【０１１２】
まず、有機絶縁膜１３３のアクリル系樹脂組成として、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド８１を濃度０．７重量％で、ブリリアントイエローを濃度０．８重量％で添加したものを実施例１と同様にして形成した。
【０１１３】
次に、アクティブマトリクス基板側の配向制御膜１３１を形成する前に、アクティブマトリクス基板側の有機絶縁膜１３３の表面に吸収異方性を付与するため、偏光ＵＶ（紫外線）光を有機絶縁膜１３３に照射した。光源には高圧水銀ランプを用い、干渉フィルタを介して、３３０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲のＵＶ光を取り出し、石英基板を積層したパイル偏光子を用いて偏光比約１５：１の直線偏光とし、約５Ｊ／ｃｍ2の照射エネルギーで照射した。その結果、アクティブマトリクス基板は、照射した偏光ＵＶの偏光方向と直交方向に吸収軸をもつことがわかった。この場合、ガラス基板１０１上の偏光板１１８を省略することができる。
【０１１４】
その後、実施例１と同様にアクティブマトリクス基板側の配向制御膜１３１を形成した。このとき、配向制御膜１３２に照射する偏光光の偏光軸は有機絶縁膜１３３に照射した偏光光の偏光軸とほぼ平行にした。
【０１１５】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比５５０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０４０であった。
【実施例５】
【０１１６】
本実施例では、実施例４でアクティブマトリクス基板側に用いた配向制御膜１３１をカラーフィルター側の配向制御膜１３２にも用いたこと以外は、実施例４と同様にして液晶表示装置を作製した。
【０１１７】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比５２０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０４２であった。
【実施例６】
【０１１８】
本発明の第５の実施形態である液晶表示装置の具体的構成を実施例６として、図７を用いて説明する。基板１０１としては、厚みが０．７ｍｍで表面を研磨したガラス基板を用いる。基板１０１上には、共通電極１０３と他の電極との短絡を防止するための絶縁膜１０７を形成する。さらに、薄膜トランジスタ１１５を保護する保護膜１０８を形成してＴＦＴ基板とする。
【０１１９】
薄膜トランジスタ１１５は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極と、これらの間に形成されたアモルファスシリコンから構成される。ゲート電極に接続される走査配線には、アルミニウム膜をパターニングし、ドレイン電極に接続される信号配線１０６は、クロム膜をパターニングし、そして、共通電極１０３と画素電極１０５は、ＩＴＯをパターニングして形成する。
【０１２０】
絶縁膜１０７と保護膜１０８は窒化珪素からなり、膜厚はそれぞれ０．２μｍと０．３μｍとした。画素電極１０５と共通電極１０３とで、絶縁膜１０７と保護膜１０８とを挟む構造として、容量素子を形成する。
【０１２１】
画素電極１０５は、ベタ形状の共通電極１０３の上層に重畳する形で配置されている。画素数は１０２４×３(Ｒ，Ｇ，Ｂに対応)本の信号配線と７６８本の走査配線とから構成される１０２４×３×７６８個とする。
【０１２２】
また、基板１０２上に、実施例１と同様の構成のブラックマトリクス１１３付きカラーフィルター１１１を形成して、カラーフィルター基板とした。
【０１２３】
次に、ＴＦＴ基板側の配向制御膜１３１として、ジアミン化合物にｐ−フェニレンジアミンと３，４−ジアミノチオフェンをモル比３：１の割合とし、酸無水物として１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物とピロメリット酸二無水物のモル比１：１からなるポリアミック酸ワニスを、樹脂分濃度５重量％、ＮＭＰ６０重量％、γブチルラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１５重量％に調整し、ＴＦＴ基板上に印刷形成して２２０℃で３０分の熱処理によりイミド化し、約１１０ｎｍの緻密なポリイミド配向制御膜１３１を形成する。
【０１２４】
次に、カラーフィルター基板側の配向制御膜１３２として、同様のポリアミック酸ワニスにＣ．Ｉ．ダイレクトイエロー４４を添加して溶解し、樹脂分濃度５重量％、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー４４濃度１重量％、ＮＭＰ６０重量％、γブチルラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１４重量％に調整して印刷形成し、２２０℃で３０分の熱処理を行い、約１１０ｎｍの緻密なポリイミド膜からなる配向制御膜１３２を形成した。
【０１２５】
これら配向制御膜１３１，１３２の表面に、遠赤外線を照射しながら、偏光ＵＶ（紫外線）光を照射した。光源には高圧水銀ランプを用い、干渉フィルタを介して、２４０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲のＵＶ光を取り出し、石英基板を積層したパイル偏光子を用いて偏光比約１０：１の直線偏光とし、約３Ｊ／ｃｍ2の照射エネルギーで照射した。そのときの配向制御膜の温度は約１７０°Ｃであった。
【０１２６】
ここで同様の配向制御膜を石英基板上に形成し、偏光ＵＶスペクトルを測定した結果、照射した偏光ＵＶ光に対して垂直な方向に吸収軸をもつ吸収異方性を有することが明らかになった。また、配向制御膜表面の液晶分子の配向方向は、照射した偏光ＵＶの偏光方向に対し、直交方向であることがわかった。
【０１２７】
ＴＦＴ基板及びカラーフィルター基板における配向制御膜１３１，１３２の配向方向は互いにほぼ平行とし、かつ印加電界１１７の方向とのなす角度を１５度とした。これらの基板間に平均粒径が４μｍの高分子ビーズをスペーサとして分散し、ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板との間に液晶を挟み込んだ。液晶は、誘電異方性Δεが正でその値が１０．２（１ｋＨｚ、２０℃）であり、屈折率異方性Δｎが０．０７５（波長５９０ｎｍ、２０℃）、ねじれ弾性定数Ｋ２が７．０ｐＮ、ネマティック−等方相転移温度Ｔ（Ｎ−Ｉ）が約７６℃のネマテック液晶組成物を真空で注入し、紫外線硬化型樹脂からなる封止材で封止した。液晶層の厚み（ギャップ）は４．０μｍの液晶パネルを製作した。
【０１２８】
ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板とを挟む２枚の偏光板１１８，１１９は、ヨウ素をポリビニルアルコールに添加し、延伸によって作製したものを用い、クロスニコルに配置した。その際、観察者側のガラス基板１０２に配置する偏光板１１９の吸収軸は、カラーフィルター基板に形成された配向制御膜１３２の吸収軸方向とほぼ平行にして配置した。そして、低電圧で暗状態，高電圧で明状態をとるノーマリークローズ特性を採用した。
【０１２９】
この液晶表示パネルのリタデーション（Δｎｄ）は、約０．３０μｍとなる。また、このパネルに用いた配向制御膜と液晶組成物と同等のものを用いてホモジニアス配向の液晶表示パネルを作製し、クリスタルローテーション法を用いて液晶のプレチルト角を測定したところ約０．２度を示した。
【０１３０】
この液晶パネルのガラス基板１０１側にバックライト光源を配置し、その他、液晶を駆動するための回路を設置し、液晶表示装置を作製した。
【０１３１】
次に、本実施例の表示品位を評価したところ、コントラスト比６２０対１の高品位の表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角が確認された。また、白表示時と黒表示時の色度座標変化を測定したところ、Δｕ'ｖ'は０．０３４であった。
【０１３２】
また、本実施例での画像の焼き付け、残像を定量的に測定するため、ホトダイオードを組み合わせたオシロスコープを用いて評価した。まず、画面上に最大輝度でウインドウパターンを３０分間表示し、その後、残像が最も目立つ中間調表示、ここでは、輝度が最大輝度の１０％となるように全面を切り換え、ウインドウパターンのエッジ部のパターンが消えるまでの時間を残像緩和時間として評価した。ただし、ここで許容される残像緩和時間は５分以下である。その結果、使用温度範囲（０℃〜５０℃）において残像の緩和時間は３分以下であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、高い表示特性が得られた。
【０１３３】
従来、光配向では、液晶の配向性を付与することはできるが、アンカリングエネルギー、すなわち、配向した液晶分子を配向膜表面に束縛するエネルギーが、一般のラビング配向に比べ弱いといわれている。このアンカリングエネルギーが弱いと、液晶表示装置の製品としての信頼性が不足するとも言われている。特に、ホモジニアス配向の場合には、極角方向のアンカリングエネルギーよりも方位角方向のアンカリングエネルギーが重要といわれている。
【０１３４】
そこで、この様にして得た液晶表示装置と同一の配向膜材料を用い、同一プロセスでガラス基板上に配向膜を形成、配向処理し、同一の液晶組成物を封入して液晶セルを作製し、トルクバランス法（長谷川ほか、液晶学会討論会講演予行集３Ｂ１２（２００１）ｐ.２５１）により、界面における液晶分子と配向膜表面とのねじれ結合の強さ、方位角方位アンカリングエネルギーＡ２を測定すると、７．０×１０-4Ｎ／ｍであった。
【０１３５】
〔比較例２〕
比較例２では、実施例６の配向制御膜１３２に、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー４４を添加せず、配向制御膜１３１と同様の配向制御膜、プロセスを用いて作製した他は、実施例６と同様にして液晶表示装置を作製した。
【０１３６】
比較例２の液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比４２０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０６５であった。
【０１３７】
次に、実施例６と同様にして、比較例１の液晶表示装置の残像を評価したところ、残像緩和時間は約５分であった。また、方位角アンカリングエネルギーＡ２は５．０×１０-4Ｎ／ｍであった。
【０１３８】
〔比較例３〕
比較例３では、実施例６の偏光板１１９の吸収軸を配向制御膜１３２と直交に配置し、偏光板１１８と偏光板１１９をクロスにコルで貼り付けた他は、実施例６と同様にして液晶表示装置を作製した。
【０１３９】
比較例３で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比５９０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０４５であった。
【実施例７】
【０１４０】
本実施例では、実施例６でカラーフィルター基板側に用いた配向制御膜１３２をアクティブマトリクス基板側の配向制御膜１３１にも用いた他は、実施例６と同様に液晶表示装置を作製した。
【０１４１】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比６９０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０３５であった。
【０１４２】
次に、実施例６と同様にして本実施例の液晶表示装置の残像を評価したところ、残像緩和時間は約１分であった。また、方位角アンカリングエネルギーＡ２は１．０×１０-3Ｎ／ｍであった。
【０１４３】
〔比較例４〕
比較例４では、配向処理方法をラビング配向法とした他は、実施例７と同様にして液晶表示装置を作製した。
【０１４４】
比較例４の液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比３８０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０９８であった。
【０１４５】
次に、実施例６と同様にして、比較例４の液晶表示装置の残像を評価したところ、残像緩和時間は約２分であった。また、方位角アンカリングエネルギーＡ２は９．０×１０-4Ｎ／ｍであった。
【実施例８】
【０１４６】
本実施例では、実施例６でカラーフィルター基板側に用いた配向制御膜１３２をアクティブマトリクス基板側の配向制御膜１３１に、ＴＦＴ基板側に用いた配向制御膜１３１をカラーフィルター基板側の配向制御膜１３２に用いた他は、実施例６と同様に液晶表示装置を作製した。
【０１４７】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比６１０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０４４であった。
【０１４８】
次に、実施例６と同様にして本実施例の液晶表示装置の残像を評価したところ、残像緩和時間は約１分であった。また、方位角アンカリングエネルギーＡ２は９．０×１０-4Ｎ／ｍであった。
【実施例９】
【０１４９】
実施例９では、実施例６のカラーフィルター基板側に形成された有機絶縁膜１３４のアクリル系樹脂組成、カラーフィルター層１１１のレジスト材料組成及びそれらの処理方法を変更した以外は、実施例６と同様にして液晶表示装置を作製した。
【０１５０】
まず、有機絶縁膜１３４のアクリル系樹脂組成として、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド８１を濃度０．７重量％で、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２を濃度０．３重量％で添加した。また、カラーフィルター層１１１の青を表示するレジスト材料に、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー４４を１．５重量％添加した。
【０１５１】
ここで、カラーフィルター基板側の配向制御膜１３２を形成する前に、カラーフィルター基板側の有機絶縁膜１３４の表面に、吸収異方性を付与するために、偏光ＵＶ（紫外線）光を有機絶縁膜１３４に照射した。光源には高圧水銀ランプを用い、干渉フィルタを介して、３４０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲のＵＶ光を取り出し、石英基板を積層したパイル偏光子を用いて偏光比約１５：１の直線偏光とし、約５Ｊ／ｃｍ2の照射エネルギーで照射した。その結果、カラーフィルター基板は照射した偏光ＵＶの偏光方向と直交方向に吸収軸をもつことがわかった。
【０１５２】
その後、実施例６と同様に、カラーフィルター基板側の配向制御膜１３２を形成した。このとき、配向制御膜１３２に照射する偏光光の偏光軸は、有機絶縁膜１３４に照射した偏光光の偏光軸とほぼ平行にした。
【０１５３】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比７４０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０２９であった。
【実施例１０】
【０１５４】
本実施例では、カラーフィルター基板側の配向制御膜１３２として、実施例６と同様のポリアミック酸ワニスにブリリアントイエローを０．５重量％、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド２８を０．１重量％、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブルー１を０．１重量％添加したものを用いた他は、実施例６と同様に液晶表示装置を作製した。
【０１５５】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比７２０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０３１であった。
【実施例１１】
【０１５６】
実施例１１では、本発明の第４の実施形態に対応する液晶表示装置を作製した。図６は、本実施例を説明する一画素付近の模式断面図である。
【０１５７】
本実施例の液晶表示装置の製造において、ガラス基板１０１と１０２としては、厚みが０．７ｍｍで表面を研磨したガラス基板を用いる。薄膜トランジスタ１１５は、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６、ゲート電極１０４及びアモルファスシリコン１１６から構成される。
【０１５８】
ゲート電極（走査配線）１０４、共通電極１０３に接続される共通電極配線、ドレイン電極（信号配線）１０６、ソース電極（画素電極）１０５及び共通電極１０３は、全てクロム膜をパターニングして形成し、画素電極１０５と共通電極１０３との間隔は７μｍとした。ゲート絶縁膜１０７と保護膜１０８は、窒化珪素からなり、膜厚はそれぞれ０．３μｍとした。配向制御膜１３１，１３２の構成は、実施例１０と同様とし、同様の工程を経て形成した。
【０１５９】
本実施例で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比６３０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０３０であった。
【０１６０】
〔比較例５〕
比較例５では、配向制御膜１３１，１３２の配向処理方法をラビング処理とした他は、実施例１１と同様に液晶表示装置を作製した。比較例５で作製した液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比２９０対１、白表示時と黒表示時の色度差Δｕ'ｖ'は０．０４６であった。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施形態での画素部分の断面図
【図２】第１の実施形態での画素部分の平面図及び断面図
【図３】本発明に係る液晶表示装置の第２の実施形態での画素部分の断面図
【図４】第２の実施形態での画素部分の平面図及び断面図
【図５】本発明に係る液晶表示装置の第３の実施形態での画素部分の断面図
【図６】本発明に係る液晶表示装置の第４の実施形態での画素部分の断面図
【図７】本発明に係る液晶表示装置の第５の実施形態での画素部分の断面図
【符号の説明】
【０１６２】
１０１，１０２…ガラス基板、１０３…共通電極（コモン電極）、１０４…走査配線（ゲ−ト電極）、１０５…画素電極（ソ−ス電極）、１０６…信号配線（ドレイン電極）、１０７…ゲート絶縁膜、１０８…保護膜、１１０…液晶分子、１１０'…液晶層（液晶組成物層）、１１１…カラーフィルター、１１３…遮光膜（ブラックマトリクス）、１１５…薄膜トランジスタ、１１６…半導体膜、１１７…電界方向、１１８，１１９…偏光板、１２０…共通電極配線、１３１，１３２…配向制御膜、１３３，１３４…有機絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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