(57)【要約】【課題】信号線の画素領域外に配置された各信号引き出し配線群において、両端部の出力とその内側の出力に大きな出力段差が生じない電磁波検出装置を提供する。【解決手段】絶縁基板上に、電磁波を電気信号に変換する変換素子と、変換素子に接続されたスイッチ素子から成る画素が２次元状に配列され、変換素子にて変換された電気信号を読み出す信号線を有する電磁波検出装置において、信号線の画素領域外に配置された信号引き出し配線１６は、絶縁基板端部で複数の配線群を形成し、各配線群の両端部の信号引き出し配線の外側に、少なくとも信号読み出し時に定電位となる定電位配線が配設され、定電位配線と各配線群の両端部の信号引き出し配線との間隔が、全ての信号引き出し配線間の間隔と略等しくされている。定電位配線はバイアス引き出し配線１７である。【選択図】図３
2007103577.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、電磁波を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に接続されたスイッチ素子から成る画素が２次元状に配列され、前記変換素子にて変換された電気信号を読み出す信号線を有する電磁波検出装置において、
前記信号線の画素領域外に配置された信号引き出し配線は、絶縁基板端部で複数の配線群を形成し、前記各配線群の両端部の信号引き出し配線の外側に、少なくとも信号読み出し時に定電位となる定電位配線が配設され、前記定電位配線と前記各配線群の両端部の信号引き出し配線との間隔が、前記全ての信号引き出し配線間の間隔と略等しくされていることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項２】
前記信号引き出し配線の各配線群は、前記絶縁基板上の画素領域と前記絶縁基板外の回路を接続する複数のテープキャリアパッケージの各々に対応して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項３】
前記信号引き出し配線は、前記信号線と接続された前記画素と同ピッチの信号電極と、前記絶縁基板の端部に画素ピッチより小さいピッチで配設された接続用電極と、前記２つの電極を接続する直線電極から成ることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の電磁波検出装置。
【請求項４】
前記信号引き出し配線と前記定電位配線の間隔をＬ、信号引き出し配線幅をｄ、各信号引き出し配線間の間隔をＳ、とすると、前記定電位配線は、以下の関係を満たすように配置されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波検出装置。
Ｓ−０．１ｄ≦Ｌ≦Ｓ＋０．１ｄ
【請求項５】
前記絶縁基板上に、前記変換素子にバイアスを印加するバイアス線を有し、前記定電位配線は、該バイアス線の画素領域外に配置されたバイアス引き出し配線であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電磁波検出装置。
【請求項６】
前記絶縁基板上に、前記変換素子にバイアスを印加するバイアス線を有し、前記定電位配線は、前記各配線群の両端部の信号引き出し配線と前記バイアス線の画素領域外に配置されたバイアス引き出し配線の間に配置された基準電位線であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電磁波検出装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の電磁波検出装置において、入射する電磁波は放射線であって、前記変換素子上に、該放射線を前記変換素子が感知可能な波長帯域の電磁波に変換する波長変換体を更に有することを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の電磁波検出装置において、入射する電磁波は放射線であって、前記変換素子は該放射線を電気信号に変換する素子であることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の電磁波検出装置と、
前記電磁波検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可視光、赤外線等の光、Ｘ線、α線、β線、γ線等の放射線を含む電磁波を電気信号に変換する電磁波検出装置、及び該電磁波検出装置を用いた放射線撮像システムに関する。特に、放射線を検出する放射線検出装置に好適に用いられ、医療用画像診断装置、非破壊検査装置、放射線を用いた分析装置等に応用される。
【背景技術】
【０００２】
従来の放射線検出装置は、入射する放射線を光電変換可能な波長領域の光に変換する波長変換体と光電変換装置、又は入射する放射線を半導体変換素子が直接電気信号に変換する装置を組み合わせた装置である。光電変換装置は、１画素に半導体変換素子である光電変換素子とスイッチ素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を有し、各画素を２次元状に配列したものである。
【０００３】
従来の光電変換装置は、絶縁基板上に光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたスイッチ素子から成る画素が２次元状に配列されている。更に、絶縁基板上に光電変換素子にバイアスを印加するバイアス線と、スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線と、光電変換素子にて変換された電気信号を読み出す信号線を有する。
【０００４】
下記特許文献１，２に示されているように、絶縁基板上の画素領域と絶縁基板外の信号読み出し回路は、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）を介して接続される。信号線は、画素領域外の引き出し配線によりＴＣＰに接続される。一方、光電変換装置ではないが、絶縁基板上の画素領域と絶縁基板外の回路をＴＣＰを介して接続する際、引き出し配線を用いる点では類似の技術分野として液晶表示装置がある。
【０００５】
下記特許文献３の液晶表示装置（液晶ディスプレイ）において、引き出し配線の構成について提案がなされている。
【０００６】
図６は、従来の液晶表示装置の平面図であり、図７は、従来の液晶表示素子を構成する電極基板の平面図である。
【０００７】
図６において、液晶駆動用ＰＣＢ（プリント回路基板）１０２と、駆動用半導体ＩＣチップ１０３を搭載したＴＣＰ１０４と、液晶表示素子１０１との接続状態を示している。
【０００８】
図７において、電極基板に実装される１個のＴＣＰに対応する端子群の中心線から右側の引き出し配線の一部を示している。なお、駆動素子である１個のＴＣＰの電極数は、通常、８０〜１６０本程度あるが、ここでは８本に省略した。
【０００９】
１１１は、透明絶縁基板上の一方の面に電極を形成した電極基板であり、液晶表示素子を構成する。２１〜２８は画素を構成する表示用電極で、透明導電膜からなり、電極基板１１１の面上に平行に形成されている。また、３１〜３８はＴＣＰの電極と接続される端子（接続用電極）、１１〜１８は表示用電極２と端子３とを接続する引き出し配線の一部である斜め直線配線である。１１２はＴＣＰをこの電極基板１１１上に実装する際のＴＣＰの位置合せ用マーク、１１３は電極基板１１１に実装される１個のＴＣＰに対応する端子群の中心線、１１４はシール材が設けられる部分である。
【００１０】
電極基板１１１上にそれぞれ平行に配線された複数本の表示用電極２ｎのピッチよりも、電極基板１１１の端部に引き出され、ＴＣＰに接続される端子３ｎのピッチの方が狭くなる。したがって、両者を接続する引き出し配線１が必要となる。引き出し配線は、表示用電極２ｎからそのまま延長した部分と、端子３ｎからそのまま延長した部分と、この２つの延長した部分をそれぞれ接続する平行な斜め直線配線１ｎとから成る。また、斜め直線配線１ｎは、表示用電極２ｎ及び端子３ｎに対する角度θが等しい。この特許文献３では、引き出し配線の配線抵抗がそれぞれ等しくなるように、２つの延長した部分の長さと、斜め直線配線１ｎの幅を調整している。また、斜め直線配線１ｎどうしの間隔をほぼ等しくしている。
【特許文献１】特開２００１−２７４４２０号公報
【特許文献２】特開２００４−９６０００号公報
【特許文献３】特開平８−７６１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年、ＴＦＴを用いた液晶パネルの製造技術の進展により、パネルの大型化と共に表示部の大画面化が進んでいる。このため、特許文献３のように、ＴＣＰに接続される電極と表示電極とを接続する、引き出し配線のパネル内における面積使用効率を向上させる提案がなされている。引き出し配線の長さが長くなると、引き出し配線の面積が大きくなるため、面積使用効率が低くなる。また、引き出し配線の配線抵抗も大きくなる。このため、特許文献３では、短くて低抵抗の引き出し配線を実現するために、引き出し配線の長さと幅を調整している。また、引き出し配線の斜め直線配線間の間隔が不均一な場合、本来均一な黒となるべき、シール材より内側で液晶が存在する部分（額縁部）で不均一な濃淡ムラが発生する。これを防止するために斜め直線配線間の間隔をほぼ等しくしている。そしてこの引き出し配線は、ＴＣＰ単位で一つの配線群を形成し、ＴＣＰ単位毎に繰り返し配置されている。
【００１２】
一方、液晶パネルの製造技術は、光電変換素子とＴＦＴを有するエリアセンサに応用され、例えばＸ線撮像装置のような放射線撮像装置等の各分野で利用されている。しかしながらＸ線撮像装置は、液晶ディスプレイとは異なり、微小信号をディジタル変換して画像出力するという特徴を持っている。このため、特許文献３の技術を応用し、信号読み出し用の引き出し配線において、斜め直線配線間の間隔をほぼ等しくしても、各ＴＣＰ両端部の引き出し配線と、その内側の引き出し配線では、配線の寄生容量が異なる。つまり、ＴＣＰ両端より内側の引き出し配線にはその他の引き出し配線が両端に隣接するのに対して、ＴＣＰ両端部の引き出し配線においては、ＴＣＰの内側にしか隣接する引き出し配線が存在しないためである。これにより、ＴＣＰ両端部の出力と、その内側の出力に大きな出力段差が生じるといった課題がある。
【００１３】
本発明では、信号線の画素領域外に配置された各信号引き出し配線群において、両端部の出力とその内側の出力に大きな出力段差が生じない電磁波検出装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明の電磁波検出装置は、絶縁基板上に、電磁波を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に接続されたスイッチ素子から成る画素が２次元状に配列され、前記変換素子にて変換された電気信号を読み出す信号線を有する電磁波検出装置において、
前記信号線の画素領域外に配置された信号引き出し配線は、絶縁基板端部で複数の配線群を形成し、前記各配線群の両端部の信号引き出し配線の外側に、少なくとも信号読み出し時に定電位となる定電位配線が配設される。そして、前記定電位配線と前記各配線群の両端部の信号引き出し配線との間隔が、前記全ての信号引き出し配線間の間隔と略等しくされていることを特徴とする。
【００１５】
なお、本明細書において、電磁波を電気信号に変換する変換素子とは、可視光、赤外光等の光から、Ｘ線、α線、β線、γ線等の放射線までの波長領域の電磁波を受け、この電磁波を電気信号に変換する素子を示す。また、本発明における変換素子は、可視光、赤外光等の光を電気信号に変換する光電変換素子、アモルファスセレン等を半導体層として有するＸ線等の放射線を電気信号に変換する素子を含むものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明において、信号線の画素領域外に配置された各信号引き出し配線群において、各配線群の両端部の信号引き出し配線の外側に定電位配線が配設され、定電位配線と信号引き出し配線の各配線間の間隔が等しくされている。このことにより、信号引き出し配線のカップリング容量を同じにして両端部の出力とその内側の出力に大きな出力段差が生じないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を、実施例とともに図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態は放射線検出装置を構成した場合について説明するが、本発明の電磁波検出装置は、放射線を電気信号に変換する放射線検出装置に限定されず、可視光、赤外光等の光を電気信号に変換する光電変換装置としても適用することができる。なお、放射線撮像装置とは、放射線検出装置として捉えられるセンサ基板と周辺回路を含む装置である。
【００１８】
［実施形態１］
以下、本発明の第１の実施形態である放射線撮像装置について、図面を用いて説明する。
【００１９】
図１は本発明の放射線撮像装置の概略図、図２は等価回路図、図３は図１中の絶縁基板端部におけるＡ部分の拡大平面図である。
【００２０】
図１において、光電変換装置である光電変換基板１１は、放射線を可視光に変換するための波長変換体（シンチレータ）の代表的なものである蛍光体１５を組み合わせて放射線検出装置を構成する。放射線撮像装置は、この放射線検出装置、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）１４、プリント回路基板（ＰＣＢ）であるゲート駆動装置１２、及び読み出し装置１３から構成される。
【００２１】
光電変換基板１１は、絶縁基板上に、光を電気信号に変換する変換素子である光電変換素子と、光電変換素子に接続されたスイッチ素子であるＴＦＴから成る画素が２次元状（マトリクス状）に配列されている。光電変換素子は、例えば、水素化アモルファスシリコンを用いた半導体変換素子である。更に、光電変換基板１１は、絶縁基板上に、光電変換素子にバイアスを印加するバイアス線と、スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線と、光電変換素子にて変換された電気信号を読み出す信号線を有する。光電変換基板１１は、所定の切断部で切断され、ＴＣＰ１４を介して、信号線及びバイアス線は読み出し装置１３に、ゲート線はゲート駆動装置１２にそれぞれ接続される。蛍光体１５は接着層を介して光電変換基板１１に接続される。
【００２２】
図２において、Ｐ１１〜Ｐ３３は光電変換素子、Ｔ１１〜Ｔ３３はＴＦＴである。各光電変換素子は共通のバイアス線Ｖｓ１〜Ｖｓ３に接続されており、読み出し装置１３から一定バイアスが印加される。各ＴＦＴのゲート電極は、共通のゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ３に接続されており、ゲート駆動装置１２からＴＦＴのゲートのＯＮ、ＯＦＦを制御する。また、各ＴＦＴのソースもしくはドレイン電極は、共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３に接続されており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３は、読み出し装置１３に接続されている。１つの光電変換素子、ＴＦＴが、１画素を構成している。なお、図２には画素エリアに３×３画素を示しているが、実際には例えば２０００×２０００画素が絶縁基板に配置され、光電変換基板を構成している。
【００２３】
被検体に向けて曝射されたＸ線は、被検体により減衰を受けて透過し、図１に示す蛍光体１５で可視光に変換され、この可視光が光電変換素子に入射し、電荷（電気信号）に変換される。この電荷は、ゲート駆動装置１２により印加されるゲート駆動パルスによりＴＦＴを介して信号線に転送され、読み出し装置１３により外部に読み出される。この期間、バイアス線の電位は一定電位に固定されている。その後、バイアス線の電位を切替えることにより、もしくはＴＦＴを介して光電変換素子の残留電荷をリセットする。
【００２４】
光電変換基板１１の端部には、各配線（Ｖｓ、Ｖｇ、Ｓｉｇ）とＴＣＰを接続するための引き出し配線が配置されている。図３において、読み出し装置１３側に信号線Ｓｉｇ及びバイアス線Ｖｓの引き出し配線が配置され、基板に実装される１個のＴＣＰに対応する配線群の中心線から右側の引き出し配線の一部が示されている。１６は、画素領域内の信号線に接続される信号引き出し配線を示している。図示するように信号引き出し配線１６は、画素領域外に配置されている。そして、信号引き出し配線１６は、信号線と接続された画素と同ピッチの信号電極１６ａと、光電変換基板１１の端部に画素ピッチより小さいピッチで配設されたＴＣＰ１４を接続するための接続用電極１６ｂと、２つの電極を接続する直線電極１６ｃから構成される。ここで、各信号電極１６ａの間隔をＬ１、各接続用電極１６ｂの間隔をＬ２、各直線電極１６ｃの間隔をＬ３とする。
【００２５】
また、ＴＣＰ１４の最端部に配置された信号引き出し配線１６の外側には、バイアス線Ｖｓの引き出し配線である、バイアス引き出し配線１７が配置されている。バイアス引き出し配線１７は、信号引き出し配線１６と同様の構成で、バイアス線Ｖｓと接続されたバイアス電極１７ａと、ＴＣＰを接続するための接続用電極１８ｂと、２つの電極を接続する直線電極１７ｃからなる。バイアス引き出し配線１７と両端部の信号引き出し配線との間隔が、全ての信号引き出し配線間の間隔と略等しくされている。すなわち、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の各々は略一定とする。
【００２６】
これらのＬ１、Ｌ２、Ｌ３の各々の間隔は、一定であることが理想である。しかしながら、光電変換基板は大面積であるため、製造工程において基板内に様々な製造上の分布が発生してしまう。例えば、配線のパターニングに用いるフォトレジストの塗布時の膜厚分布、例えば配線となる金属層の成膜時の膜厚分布などである。これにより、配線幅に違いが生じ、すなわち、配線間の間隔に違いが生じる。
【００２７】
具体的には、一般的な製造装置のばらつきの仕様が、平均値に対して±１０％であるため、配線幅には基板内において最大２０％の違いが生じる。そのため、信号引き出し配線と定電位配線の間隔を、各信号引き出し配線間の間隔と完全に等しくできない場合が生ずる。その場合には、信号引き出し配線と定電位配線の間隔をＬ、信号引き出し配線幅ｄ、各信号引き出し配線間の間隔をＳ、とすると、以下の関係を満たすように定電位配線を配置することが望ましい。
【００２８】
Ｓ−０．１ｄ≦Ｌ≦Ｓ＋０．１ｄ
以上のような各配線の配置により、ＴＣＰ１４の最端部に配置された信号引き出し配線１６においても、その内側に配置された隣接する他の信号引き出し配線１６とほぼ等しいカップリング容量を形成する。特に、引き出し配線１６の中でも直線電極１６ｃは他の電極よりはるかに配線長が長くなる場合があるため、間隔Ｌ３を等しくすることは重要である。また、信号引き出し配線１６の外側のバイアス引き出し配線１７は、信号読み出し時は定電位であるため、信号引き出し配線１６は、周辺からのノイズの影響も受けにくく、ＴＣＰ単位でシールドされることになる。つまり、本実施形態の光電変換基板の構成は、各ＴＣＰ両端部の出力と、その内側の出力に大きな出力段差が生じない効果をもつ。また、信号引き出し配線間の各電極間の間隔Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が全て等しく（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３）、更に信号引出きし配線１７とバイアス引き出し配線２１の間隔も、これら全てと等しければなお良い。
【００２９】
本実施形態では、変換素子を光電変換素子とし、蛍光体と組み合わせた間接型の放射線検出装置を示したが、変換素子にアモルファスセレン等を用いて、放射線を直接電気信号に変換する直接型の放射線検出装置においても同様の効果が得られる。また、間接型の放射線撮像装置の光電変換素子は、ＭＩＳ型、ＰＩＮ型のどちらであっても構わない。また、画素の構造に関しては、変換素子とスイッチ素子が同一層で構成されている平面型でも、スイッチ素子が形成されている層上に変換素子が形成されている積層型でも構わない。
【００３０】
［実施形態２］
以下、本発明の第２の実施形態である放射線撮像装置について、図面を用いて説明する。
【００３１】
図４は、放射線撮像装置の絶縁基板端部における拡大平面図である。
【００３２】
本実施形態における放射線撮像装置は、その構成、接続形態、等価回路、駆動方法等は、実施形態１と同様であり、図１、図２の説明で既に述べたとおりである。
【００３３】
光電変換基板１１の端部には、各配線（Ｖｓ、Ｖｇ、Ｓｉｇ）とＴＣＰを接続するための引き出し配線が配置されている。図４において、読み出し装置１３側に信号線Ｓｉｇ及びバイアス線Ｖｓの引き出し配線が配置され、基板に実装される１個のＴＣＰに対応する配線群の中心線から右側の引き出し配線の一部が示されている。１６は、画素領域内の信号線に接続される信号引き出し配線を示している。図示するように信号引き出し配線１６は、画素領域外に配置されている。そして、信号引き出し配線１６は、信号線と接続された画素と同ピッチの信号電極１６ａと、光電変換基板１１の端部に画素ピッチより小さいピッチで配設されたＴＣＰ１４を接続するための接続用電極１６ｂと、２つの電極を接続する直線電極１６ｃから構成される。ここで、各信号電極１６ａの間隔をＬ１、各接続用電極１６ｂの間隔をＬ２、各直線電極１６ｃの間隔をＬ３、とする。
【００３４】
また、ＴＣＰ１４の最端部に配置された信号引き出し配線１６の外側には、基準電位配線１８と、バイアス線Ｖｓの引き出し配線である、バイアス引き出し配線１７が配置されている。基準電位配線１８は、ＴＣＰ１４を接続するための接続用電極１８ｂと、直線電極１８ｃからなり、画素付近まで配置されている。バイアス引き出し配線１７は、信号引き出し配線１６と同様の構成で、バイアス線と接続されたバイアス電極１７ａと、ＴＣＰ１４を接続するための接続用電極１７ｂと、２つの電極を接続する直線電極１７ｃからなる。基準電位配線１８と両端部の信号引き出し配線との間隔が、全ての信号引き出し配線間の間隔と等しくされている。すなわち、Ｌ２、Ｌ３の各々は一定である。また、Ｌ１も一定である。
【００３５】
以上のような各配線の配置により、ＴＣＰ１４の最端部に配置された信号引き出し配線１６においても、その内側に配置された隣接する他の信号引き出し配線とほぼ等しいカップリング容量を形成する。特に、引き出し配線の中でも直線電極１６ｃは、他の電極よりはるかに配線長が長くなる場合があるため、間隔Ｌ３を等しくすることは重要である。また、信号引き出し配線１６の外側の基準電位配線１８は、常に基準電位であるため、信号引き出し配線１６は周辺からのノイズの影響も受けにくく、ＴＣＰ単位でシールドされることになる。つまり、本実施形態の光電変換基板の構成は、各ＴＣＰ両端部の出力と、その内側の出力に大きな出力段差が生じない効果をもつ。また、信号引き出し配線間の各電極間の間隔Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が全て等しく（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３）、更に信号引出きし配線１６と基準電位配線１８の間隔が、これら全てと等しければなお良い。
【００３６】
以上、本発明の第１〜第２の実施形態について説明したが、以下、本発明による放射線撮像システムへの応用例について説明する。
【００３７】
図５は、本発明の電磁波検出装置を用いた放射線撮像装置の放射線撮像システムへの応用例を示した図である。
【００３８】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレータ（蛍光体層）を上部に実装した放射線撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理されコントロールルームに有る表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００３９】
また、この情報は、電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ６０８１に表示又は光ディスク等の記録手段に保存することができ。これにより、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、医療用や非破壊検査用のＸ線等の放射線の検出装置に適用できる。また、可視光等の光を電気信号に変換する光電変換装置、特に大面積な光電変換領域を有する装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態である放射線撮像装置を説明する概略図
【図２】本発明の第１の実施形態である放射線撮像装置の等価回路図
【図３】図１中の絶縁基板端部におけるＡ部分の拡大平面図
【図４】本発明の第２の実施形態である放射線撮像装置の絶縁基板端部における拡大平面図
【図５】本発明の放射線撮像装置の放射線撮像システムへの応用例を説明する概略図
【図６】従来の液晶表示装置の平面図
【図７】従来の液晶表示装置の電極基板端部の平面図
【符号の説明】
【００４２】
１１…光電変換基板
１２…ゲート駆動装置
１３…読み出し装置
１４…ＴＣＰ
１５…蛍光体
１６…信号引き出し配線
１７…バイアス引き出し配線
１８…基準電位配線
Ｖｇ…ゲート線
Ｓｉｇ…信号線
Ｖｓ…バイアス線
Ｐ１１〜Ｐ３３…光電変換素子
Ｔ１１〜Ｔ３３…ＴＦＴ
Ｌ１…各信号電極の間隔
Ｌ２…各接続用電極の間隔
Ｌ３…各直線電極の間隔
【図１】
2007103577.tif 000003
【図２】
2007103577.tif 000004
【図３】
2007103577.tif 000005
【図４】
2007103577.tif 000006
【図５】
2007103577.tif 000007
【図６】
2007103577.tif 000008
【図７】
2007103577.tif 000009