(57)【要約】【課題】  画素部を形成する前のＴＦＴ基板におけるゲート配線の断線及びショートを検出する。【解決手段】  検査対象となる複数のゲート配線２と、ゲート配線２との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数のＣＯＭ配線３と、を有するＴＦＴ基板１におけるゲート配線２の不良を検査する検査装置である。ゲート配線１に電圧を印加するパルス発生部と、ゲート配線２とＣＯＭ配線３との間の配線間容量を検出する容量検出器５０と、ＣＯＭ配線３と容量検出器５０との間に接続されたキャパシタンスを備える。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象となる複数の第１の配線と、前記第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線と、を有する基板における前記第１の配線の不良を検査する方法において、
前記第１の配線に電圧を印加する第１の過程と、
前記第１の過程を行いながら、前記第１の配線と前記第２の配線との間の配線間容量を検出する第２の過程と、
を備えることを特徴とする配線不良検査方法。
【請求項２】
前記第２の過程は、前記第２の配線に接続された容量検出手段により行うことを特徴とする請求項１に記載の配線不良検査方法。
【請求項３】
前記第２の配線と前記容量検出手段との間にキャパシタンスを接続した状態で、前記第２の過程を行うことを特徴とする請求項２に記載の配線不良検査方法。
【請求項４】
検査対象となる複数の第１の配線と、前記第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線と、を有する基板における前記第１の配線の不良を検査する方法において、
前記第２の配線に電圧を印加する第１の過程と、
前記第１の過程を行いながら、前記第１の配線と前記第２の配線との間の配線間容量を検出する第２の過程と、
を備えることを特徴とする配線不良検査方法。
【請求項５】
前記第２の過程は、前記第１の配線に接続された容量検出手段により行うことを特徴とする請求項４に記載の配線不良検査方法。
【請求項６】
前記第１の配線と前記容量検出手段との間にキャパシタンスを接続した状態で、前記第２の過程を行うことを特徴とする請求項５に記載の配線不良検査方法。
【請求項７】
前記第１の配線と前記第２の配線は、互いに略平行に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線不良検査方法。
【請求項８】
前記第１の配線と前記第２の配線は同層に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の配線不良検査方法。
【請求項９】
複数の前記第２の配線は、１つの端子に集束されていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の配線不良検査方法。
【請求項１０】
検査対象となる複数の第１の配線と、前記第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線と、を有する基板における前記第１の配線の不良を検査する装置において、
前記第１の配線に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第１の配線と前記第２の配線との間の配線間容量を検出する容量検出手段と、
を備えることを特徴とする配線不良検査装置。
【請求項１１】
前記容量検出手段は、前記第２の配線に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の配線不良検査装置。
【請求項１２】
前記第２の配線と前記容量検出手段との間に接続されたキャパシタンスを更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の配線不良検査装置。
【請求項１３】
前記第２の配線と前記容量検出手段との間に接続可能なキャパシタンスと、
前記第２の配線を、前記キャパシタンスを介して前記容量検出手段に対して接続する状態と、前記キャパシタンスを介さずに前記容量検出手段に対して接続する状態と、に切り替えるためのスイッチと、
を更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の配線不良検査装置。
【請求項１４】
検査対象となる複数の第１の配線と、前記第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線と、を有する基板における前記第１の配線の不良を検査する装置において、
前記第２の配線に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第１の配線と前記第２の配線との間の配線間容量を検出する容量検出手段と、
を備えることを特徴とする配線不良検査装置。
【請求項１５】
前記容量検出手段は、前記第１の配線に接続されることを特徴とする請求項１４に記載の配線不良検査装置。
【請求項１６】
前記第１の配線と前記容量検出手段との間に接続されたキャパシタンスを更に備えることを特徴とする請求項１５に記載の配線不良検査装置。
【請求項１７】
前記第１の配線と前記容量検出手段との間に接続可能なキャパシタンスと、
前記第１の配線を、前記キャパシタンスを介して前記容量検出手段に対して接続する状態と、前記キャパシタンスを介さずに前記容量検出手段に対して接続する状態と、に切り替えるためのスイッチと、
を備えることを特徴とする請求項１５に記載の配線不良検査装置。
【請求項１８】
前記第１の配線と前記第２の配線は、互いに略平行に形成されていることを特徴とする請求項１０乃至１７の何れか一項に記載の配線不良検査装置。
【請求項１９】
前記第１の配線と前記第２の配線は同層に形成されていることを特徴とする請求項１０乃至１８の何れか一項に記載の配線不良検査装置。
【請求項２０】
複数の前記第２の配線は、１つの端子に集束されていることを特徴とする請求項１０乃至１９の何れか一項に記載の配線不良検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線不良検査方法及び配線不良検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７に示すように、ＴＦＴ基板１０００の点欠陥及び線欠陥を検査するには、ＴＦＴ基板に形成されたドレイン配線１００１及びゲート配線１００２の端子部（ドレイン端子１００１Ａ、ゲート端子１００２Ａ）に測定プローブ１００３、１００４を接触させることによりＴＦＴ基板１０００を図示しないテスタ（容量検出器及び制御装置を備えて構成される）に接続する。この状態で、テスタからＴＦＴ基板１０００に所定の電圧を印加し、ＴＦＴ基板１０００上に形成された画素容量に対し電荷の書き込み、読み出しを行う。これにより、不良箇所を検出する。このような検出方式は、画素保持容量検出方式という。
【０００３】
また、図８に示すように、画素やトランジスタを形成する前（例えばゲート配線までを形成した段階）のＴＦＴ基板２０００では、ゲート配線１００２とＣＯＭ配線１００５との間のショートの有無の検査を、ゲート端子１００２Ａに所定の電圧を加えＣＯＭ端子１００５Ａより流れ込む電流を図示しない電流検出器により検出することにより実施している。ショートが発生していないゲート配線１００２では、電流検出器に対する電流の流れ込みが生じないが、ゲート配線−ＣＯＭ配線間にショートが発生しているラインでは電流検出器に対する電流の流れ込みが生じるため、ショート有りと判断できる。
【０００４】
しかしながら、従来の画素保持容量検出方式の検査では、ＴＦＴ基板１０００上の画素部１００７の保持容量を検出して点欠陥・線欠陥を検出しているため、画素部１００７が形成されていない状態でのゲート配線１００２の断線は検出できないという問題がある。
【０００５】
このような問題に鑑みなされた従来の技術が、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００６】
特許文献１の技術は、プローブユニットに搭載したトランジスタ及び容量で構成するゲート線テスト用基板及びデータ線テスト用基板を用いることにより、画素部形成前のアクティブマトリクス基板の線欠陥を検出可能とするものである。
【特許文献１】特開２００２−４００７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の特許文献１の技術では、ゲート線テスト用基板やデータ線テスト用基板を用いなければならず、検査装置が簡便でないという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、より簡便に基板上の配線の不良を検出することが可能な配線不良検査方法及び配線不良検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の配線不良検査方法は、検査対象となる複数の第１の配線と、前記第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線と、を有する基板における前記第１の配線の不良を検査する方法において、前記第１の配線に電圧を印加する第１の過程と、前記第１の過程を行いながら、前記第１の配線と前記第２の配線との間の配線間容量を検出する第２の過程と、を備えることを特徴としている。
【００１０】
本発明の配線不良検査方法においては、前記第２の過程は、前記第２の配線に接続された容量検出手段により行うことが好ましい。
【００１１】
本発明の配線不良検査方法においては、前記第２の配線と前記容量検出手段との間にキャパシタンスを接続した状態で、前記第２の過程を行うことが好ましい。
【００１２】
また、本発明の配線不良検査方法は、検査対象となる複数の第１の配線と、前記第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線と、を有する基板における前記第１の配線の不良を検査する方法において、前記第２の配線に電圧を印加する第１の過程と、前記第１の過程を行いながら、前記第１の配線と前記第２の配線との間の配線間容量を検出する第２の過程と、を備えることを特徴としている。
【００１３】
本発明の配線不良検査方法においては、前記第２の過程は、前記第１の配線に接続された容量検出手段により行うことが好ましい。
【００１４】
本発明の配線不良検査方法においては、前記第１の配線と前記容量検出手段との間にキャパシタンスを接続した状態で、前記第２の過程を行うことが好ましい。
【００１５】
本発明の配線不良検査方法においては、前記第１の配線と前記第２の配線は、互いに略平行に形成されていることが好ましい。
【００１６】
本発明の配線不良検査方法においては、前記第１の配線と前記第２の配線は同層に形成されていることが好ましい。
【００１７】
本発明の配線不良検査方法においては、複数の前記第２の配線は、１つの端子に集束されていることが好ましい。
【００１８】
また、本発明の配線不良検査装置は、検査対象となる複数の第１の配線と、前記第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線と、を有する基板における前記第１の配線の不良を検査する装置において、前記第１の配線に電圧を印加する電圧印加手段と、前記第１の配線と前記第２の配線との間の配線間容量を検出する容量検出手段と、を備えることを特徴としている。
【００１９】
本発明の配線不良検査装置においては、前記容量検出手段は、前記第２の配線に接続されることが好ましい。
【００２０】
本発明の配線不良検査装置においては、前記第２の配線と前記容量検出手段との間に接続されたキャパシタンスを更に備えることが好ましい。
【００２１】
本発明の配線不良検査装置においては、前記第２の配線と前記容量検出手段との間に接続可能なキャパシタンスと、前記第２の配線を、前記キャパシタンスを介して前記容量検出手段に対して接続する状態と、前記キャパシタンスを介さずに前記容量検出手段に対して接続する状態と、に切り替えるためのスイッチと、
を更に備えることが好ましい。
【００２２】
また、本発明の配線不良検査装置は、検査対象となる複数の第１の配線と、前記第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線と、を有する基板における前記第１の配線の不良を検査する装置において、前記第２の配線に電圧を印加する電圧印加手段と、前記第１の配線と前記第２の配線との間の配線間容量を検出する容量検出手段と、を備えることを特徴としている。
【００２３】
本発明の配線不良検査装置においては、前記容量検出手段は、前記第１の配線に接続されることが好ましい。
【００２４】
本発明の配線不良検査装置においては、前記第１の配線と前記容量検出手段との間に接続されたキャパシタンスを更に備えることが好ましい。
【００２５】
本発明の配線不良検査装置においては、前記第１の配線と前記容量検出手段との間に接続可能なキャパシタンスと、前記第１の配線を、前記キャパシタンスを介して前記容量検出手段に対して接続する状態と、前記キャパシタンスを介さずに前記容量検出手段に対して接続する状態と、に切り替えるためのスイッチと、
を備えることが好ましい。
【００２６】
本発明の配線不良検査装置においては、前記第１の配線と前記第２の配線は、互いに略平行に形成されていることが好ましい。
【００２７】
本発明の配線不良検査装置においては、前記第１の配線と前記第２の配線は同層に形成されていることが好ましい。
【００２８】
本発明の配線不良検査装置においては、複数の前記第２の配線は、１つの端子に集束されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、第１の配線又は第２の配線に電圧を印加しながら、第１の配線と第２の配線との間の配線間容量を容量検出手段により検出するので、例えば、画素部やトランジスタを形成する前のＴＦＴ基板のゲート配線などにおける断線を簡便な装置を用いて好適に検査することができる。
【００３０】
また、第２の配線又は第１の配線と容量検出手段との間にキャパシタンスを接続した状態で、第１の配線と第２の配線との間の配線間容量を容量検出手段により検出することにより、第１の配線の断線とショートとが共に存在する場合にも、断線及びショートを簡便な装置を用いて好適に検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
【００３２】
本実施形態では、ＴＦＴ基板に形成されたゲート配線の断線及びショートを検出する検査装置及び検査方法について説明する。
【００３３】
先ず、検査対象であるゲート配線を有するＴＦＴ基板の構造を説明する。
【００３４】
図１はゲート配線及びＣＯＭ配線が形成されたＴＦＴ基板の構造を示す模式的な平面図である。
【００３５】
図１に示すように、ＴＦＴ基板１には、複数のＣＯＭ配線（第２の配線）３と、検査対象である複数のゲート配線（第１の配線）２と、が形成されている。
【００３６】
各ゲート配線２は、直線状に延在し、互いに平行に、且つ、等間隔に配列されている。
【００３７】
また、各ＣＯＭ配線３も、直線状に延在し、互いに平行に、且つ、等間隔に配列されている。
【００３８】
更に、ゲート配線２とＣＯＭ配線３とは互いに平行に形成されているとともに、ゲート配線２とＣＯＭ配線３とは、１本ずつ交互に配置されている。
【００３９】
また、各ゲート配線２と各ＣＯＭ配線３とはＴＦＴ基板１における同一の層（同層）に形成されている。
【００４０】
各ゲート配線２の一端部には、後述する印加用プローブ１１が接触されるゲート端子２Ａが形成されている。
【００４１】
また、各ＣＯＭ配線３は、各ゲート端子２Ａの反対側において１本に集束され、ＣＯＭ端子３Ａに導かれている。このＣＯＭ端子３Ａには、後述する検出用プローブ２１が接触される。
【００４２】
次に、検査装置の構成について説明する。
【００４３】
図２は本実施形態に係る検査装置１００の構成を示すブロック図である。
【００４４】
図２に示すように、検査装置１００は、検査対象の配線（例えば、ゲート配線２）の端子（例えば、ゲート端子２Ａ）に接触される印加用プローブ１１と、この印加用プローブ１１に供給する電圧パルスを発生するパルス発生部（電圧印加手段）１０と、検査対象の配線との間で配線間容量を構成する配線（例えば、ＣＯＭ配線３）の端子（例えば、ＣＯＭ端子３Ａ）に接触される検出用プローブ２１と、スイッチ３０と、キャパシタンス４０と、容量を検出する容量検出器（容量検出手段）５０と、制御動作を行う制御部６０と、表示動作を行う表示部７０と、を備えて構成されている。
【００４５】
スイッチ３０は、制御部６０の制御下で、検出用プローブ２１を容量検出器５０に対して直接（キャパシタンス４０を介さずに）接続させるか、或いは、検出用プローブ２１をキャパシタンス４０を介して容量検出器５０に接続させるかを切り替える。
【００４６】
次に、検査方法について説明する。
【００４７】
図１に示すように、各ゲート端子２Ａに印加用プローブ１１を接触させる一方で、ＣＯＭ端子３Ａに検出用プローブ２１を接触させる。
【００４８】
また、制御部６０の制御下で、スイッチ３０は検出用プローブ２１を容量検出器５０に直接（キャパシタンス４０を介さずに）接続した状態とする。
【００４９】
この状態で、制御部６０の制御下でパルス発生部１０がパルス電圧を発生し、該パルス電圧を各印加用プローブ１１を介して各ゲート端子２Ａに順次に印加する。
【００５０】
ここで、ゲート配線２及びＣＯＭ配線３は、具体的には、例えば、１つのＴＦＴ基板１に約１６００本形成され、各ゲート配線２には、便宜的に番号が付されている。すなわち、各ゲート配線２には、例えば、１番から約１６００番までのゲート番号が付されている。そして、それらゲート配線２（ゲート端子２Ａ）に対し、例えば、ゲート番号が若いものから順にパルス電圧を順次に印加するものとする。なお、このパルス電圧は、例えば、矩形波であることが挙げられる。
【００５１】
また、このようにゲート配線２に対しパルス電圧を印加する際に、容量検出器５０は、検出用プローブ２１及びスイッチ３０を介して入力される容量値を検出する。この容量値は、各ゲート配線２と隣り合うＣＯＭ配線３との間に形成される容量（以下、ゲート−ＣＯＭ配線間容量）である（図１参照）。
【００５２】
ここで、ゲート配線２及びＣＯＭ配線３の配線長に比べ、隣り合うゲート配線２−ＣＯＭ配線３間の距離は十分に短い。
【００５３】
このため、ゲート−ＣＯＭ配線間容量は、容量検出器５０が画素保持容量を検出可能な検出器（例えば積分回路）であれば十分に検出可能な値となる。つまり、容量検出器５０としては、従来の画素保持容量検出方式の検査装置が備える容量検出器を好適に適用することができる。
【００５４】
ここで、図１に示すように、断線の発生しているゲート配線２を特にゲート配線２０１とすると、このゲート配線２０１が構成するゲート−ＣＯＭ配線間容量は、正常な（断線のない）ゲート配線２が構成するゲート−ＣＯＭ配線間容量に比べて値が小さくなる。
【００５５】
このため、正常なゲート配線２にパルス電圧を印加した際に容量検出器５０により検出される容量値よりも小さい容量値が検出される場合には、断線が発生していると判断することができる。
【００５６】
ただし、上記のように検出用プローブ２１を容量検出器５０に直接接続して断線を検出するのでは、何れかのゲート配線２と該ゲート配線２と隣り合うＣＯＭ配線３との間にショートが発生していると、容量検出器５０に対して常にパルス電圧のＬｏ電圧が印加されるため、常に容量検出器５０に対する電流の流れ込みが生じ、正常なゲート−ＣＯＭ配線間容量の検出ができなくなる結果、断線を正確に検出することができなくなってしまう。
【００５７】
そこで、制御部６０の制御下でスイッチ３０を切り替えて、図３に示すように検出用プローブ２１をキャパシタンス４０を介して容量検出器５０に接続した状態とすることにより、ショート発生箇所から容量検出器５０への電流の流れ込みを抑止し、ゲート配線２の断線を確実に検出することができる。
【００５８】
ここで、図３に示すように検出用プローブ２１をキャパシタンス４０を介して容量検出器５０に接続した場合のゲート−ＣＯＭ配線間容量Ｃは、検出用プローブ２１を容量検出器５０に対して直接接続した場合（図１）と比べて小さくなるが、断線／ショートを検出するには十分な容量が得られ、キャパシタンス４０を介することによりＳ／Ｎ比も良くなる。
【００５９】
また、検出用プローブ２１を容量検出器５０に対して直接接続した場合（図１）には、ゲート配線２の末端付近での断線は、ゲート配線−ＣＯＭ配線間の容量差が正常な配線と比べて小さくなるため検出が困難になるが、キャパシタンス４０を介して検出用プローブ２１を容量検出器５０に接続した場合（図３）には、ゲート配線２の末端での断線も好適に検出することができる。
【００６０】
次に、実際の実験例について説明する。
【００６１】
図４は検出用プローブ２１を容量検出器５０に対して直接接続した場合（図１）において、横軸にゲート配線番号、縦軸にゲート−ＣＯＭ配線間容量をとったグラフを示す図である。
【００６２】
ここで、約１６００本のゲート配線２のうち、ゲート番号１００番のゲート配線２から２００番おきに断線を形成している。また、ゲート番号が大きいほどゲート端子２Ａに近い場所で断線を作成している。
【００６３】
なお、パルス電圧としては、例えば、電圧２５Ｖ、印加時間２５５マイクロ秒の矩形波を用いた。なお、パルス電圧の電圧値が大きいほど、又、印加時間が長いほど、検出精度の向上が期待できるため、配線の耐圧性が許容する範囲内で、パルス電圧の電圧値を大きくし、その印加時間を長くすることが好ましい。
【００６４】
図４に示すように、断線のあるゲート配線２のうち、断線箇所がゲート端子２Ａに近いもの程、ゲート−ＣＯＭ配線間容量が小さくなり、断線の検出が容易であることが分かる。
【００６５】
ここで、ゲート−ＣＯＭ配線間容量と、ゲート端子２Ａと断線箇所との距離との間には相関関係があるため、断線が検出されたゲート配線２の何れの箇所に断線が発生しているかの特定も可能になる。
【００６６】
なお、図４に示す例では、ゲート番号１００番と３００番のゲート配線２の場合、配線の末端付近に断線が形成されているため、断線の生じていないゲート配線２のゲート−ＣＯＭ配線間容量との容量差が小さすぎるため断線が検出しづらくなっている（条件によっては検出可能）。
【００６７】
また、何れかのゲート配線２とＣＯＭ配線３との間にショートが発生しているＴＦＴ基板１では、図１の検査方法ではゲート−ＣＯＭ配線間容量が全く検出できないため、ショートがある事は判定できるが、断線しているかどうかを判定することはできないため、図３の検査方法、すなわち、キャパシタンス４０を介して検出用プローブ２１を容量検出器５０に接続した状態で行う検査を適用する。
【００６８】
図５は検出用プローブ２１をキャパシタンス４０を介して容量検出器５０に接続した場合（図３）において、横軸にゲート配線番号、縦軸にゲート−ＣＯＭ配線間容量をとったグラフを示す図である。
【００６９】
キャパシタンス４０を介して接続した場合は、図５に示すように、断線及びショートが存在するＴＦＴ基板１を検査したときに、断線・ショートとも検出可能であり、ゲート配線末端部でもゲート−ＣＯＭ配線間容量が正常配線に比べて小さくなり、断線を検出できることがわかる。
【００７０】
なお、容量検出器５０による検出結果のデータは、制御部６０に入力され、制御部６０は、このデータに基づき、図４及び図５に示すようなグラフを生成し、このグラフを表示部７０に表示させたりすることが可能となっている。
【００７１】
以上のような実施形態によれば、ゲート配線２に電圧を印加しながら、ＣＯＭ配線３に接続した容量検出器５０によりゲート−ＣＯＭ配線間容量を検出するので、画素部やトランジスタを形成する前のＴＦＴ基板１のゲート配線２における断線を、簡便な検査装置１００を用いて好適に検査することができる。
【００７２】
よって、早期に線欠陥を発見することにより製品の歩留まりを向上させることができる。なぜなら、ＴＦＴ基板の完成後では修正できないような欠陥でも、リペアや再工事により修正することが可能となるためである。
【００７３】
また、図３に示すように、検出用プローブ２１をキャパシタンス４０を介して容量検出器５０に接続した状態で検査を行うことにより、断線とショートとが存在するＴＦＴ基板１のゲート配線２における断線並びにショートを、簡便な検査装置１００を用いて好適に検査することができる。
【００７４】
なお、上記の実施形態では、検査対象となる配線がゲート配線２、このゲート配線２との間で配線間容量を構成する配線がＣＯＭ配線３である例を説明したが、互いに平行に形成された配線であれば、ゲート配線２とＣＯＭ配線３以外の組み合わせであっても、同様に、不良を検出することができる。
【００７５】
また、上記の実施形態では、検査対象となる配線（ゲート配線２）と、この配線との間で配線間容量を構成する配線（ＣＯＭ配線３）と、が基板（ＴＦＴ基板１）における同一の層に形成されている例を説明したが、これら配線が互いに平行であれば、基板において互いに異なる層に形成されていても、同様に、不良を検出することができる。
【００７６】
更に、上記の実施形態では、検査対象となる配線（ゲート配線２）と、この配線との間で配線間容量を構成する配線（ＣＯＭ配線３）と、が互いに平行である例を説明したが、これら配線は、互いに平行でなくても、原理的には、上記と同様に不良を検出することができる。このことについて、以下、図６を参照して説明する。
【００７７】
図６はドレイン配線とＣＯＭ配線とが形成されたＴＦＴ基板を示す模式的な平面図である。図６に示すように、複数のドレイン配線２０１と複数のＣＯＭ配線３とは、互いに直交するように形成され、各ドレイン配線２０１の端部にはドレイン端子２０１Ａが形成されている。この場合にも、ドレイン配線２０１とＣＯＭ配線３との交差部において、配線間容量が構成されるため、上記と同様に、不良を検出することが可能である。
【００７８】
また、上記の実施形態では、ＣＯＭ配線３と容量検出器５０との間にキャパシタンス４０を接続する状態と接続しない状態とに切り替えるスイッチ３０を備える例を説明したが、このスイッチ３０を備えず、キャパシタンス４０が常に接続された状態としても良い。
【００７９】
また、上記の実施形態では、ＣＯＭ配線３と容量検出器５０との間に接続可能なキャパシタンス４０を備える例を説明したが、このキャパシタンス４０は備えていなくても良い。
【００８０】
更に、上記の実施形態では、ゲート配線２側がパルス電圧の入力側であり、ＣＯＭ配線３側が容量検出器５０側である構成を例示したが、この例とは逆に、ＣＯＭ配線３側がパルス電圧の入力側であり、ゲート配線２側が容量検出器５０側であっても良い。すなわち、検査対象となる複数の第１の配線（例えば、ゲート配線２）と、第１の配線との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数の第２の配線（例えば、ＣＯＭ配線３）と、を有する基板における第１の配線の不良を検査する装置において、第２の配線に電圧を印加する電圧印加手段（パルス発生部１０）と、第１の配線と第２の配線との間の配線間容量を検出する容量検出手段（容量検出器５０）と、を備える構成としても良い。この場合、容量検出器５０はゲート配線２に接続され、ゲート配線２と容量検出器５０との間に接続されたキャパシタンス４０を更に備えることが好ましい。或いは、ゲート配線２と容量検出器５０との間に接続可能なキャパシタンス４０と、ゲート配線２を、キャパシタンス４０を介して容量検出器５０に対して接続する状態と、キャパシタンス４０を介さずに容量検出器５０に対して接続する状態と、に切り替えるためのスイッチ３０と、を備えることも好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】ゲート配線及びＣＯＭ配線が形成されたＴＦＴ基板の構造を示す模式的な平面図である。
【図２】実施形態に係る検査装置の構成を示すブロック図である。
【図３】ゲート配線及びＣＯＭ配線が形成されたＴＦＴ基板の構造を示す模式的な平面図である。
【図４】検出用プローブを容量検出器に直接接続した場合において、横軸にゲート配線番号、縦軸にゲート−ＣＯＭ配線間容量をとったグラフを示す図である
【図５】検出用プローブをキャパシタンスを介して容量検出器に接続した場合において、横軸にゲート配線番号、縦軸にゲート−ＣＯＭ配線間容量をとったグラフを示す図である。
【図６】ドレイン配線及びＣＯＭ配線が形成されたＴＦＴ基板の構造を示す模式的な平面図である。
【図７】従来の断線の検査方法を説明するためのＴＦＴ基板の模式的な平面図である。
【図８】従来のショートの検査方法を説明するためのＴＦＴ基板の模式的な平面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１      ＴＦＴ基板
２      ゲート配線（第１の配線）
３      ＣＯＭ配線（第２の配線）
３Ａ    ＣＯＭ端子（端子）
１０    パルス発生部（パルス発生手段）
３０    スイッチ
４０    キャパシタンス
５０    容量検出器（容量検出手段）
１００  検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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