(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザ光を金属表面に照射して、その金属表面から負の電荷を帯びた粒子を放出する現象を利用し、プローブをランドに接触させずに配線パターンの断線や短絡を検査することの可能な基板検査装置を提供する。【解決手段】基板検査装置1は、配線パターン上の第１の検査点に、光電効果現象及びレーザアブレーション現象の両方又はいずれか一方を発生させるレーザ光を照射して荷電粒子を放出させるレーザ光照射手段22と、第１の検査点から放出された荷電粒子を捕捉する捕捉電極14cと、前記捕捉電極と第２の検査点との間に、該捕捉電極が第１の検査点より高電位になるように所定の大きさの電圧を印加する電圧印加手段16と、前記電圧印加手段に直列に接続され、前記捕捉電極と第２の検査点の間を流れる電流の値を検出する電流検出手段18とを備え、前記捕捉電極は、前記レーザ光を変向させる反射機能を有する捕捉電極である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査基板に形成された複数の配線パターンの良否を、該被検査基板に形成される配線パターンの検査点にレーザ光を照射し、前記検査点から放出される荷電粒子を捕捉することにより、該配線パターンの良否を判定する基板検査装置において、
配線パターン上の検査点に、荷電粒子を放出させるためのレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、
前記検査点から放出された荷電粒子を捕捉する捕捉電極と、
前記捕捉電極が前記検査点より高電位又は低電位になるように所定の大きさの電圧を印加する電圧印加手段と、
前記捕捉電極に捕捉される荷電粒子を基に、該荷電粒子による電流の値を検出する電流検出手段とを備え、
前記捕捉電極は、前記レーザ光照射手段からの前記レーザ光を反射させて前記検査点へ照射させる反射機能を有している、基板検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板検査装置において、更に、
前記被検査基板を取り囲み、減圧可能な閉空間を形成するためのハウジングを備える、基板検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板検査装置において、更に、
前記レーザ光照射手段及び前記捕捉電極が、前記ハウジングの内部に配置されている、基板検査装置。
【請求項４】
請求項２に記載の基板検査装置において、更に、
前記レーザ光照射手段が、前記ハウジングの外部に配置され、
前記ハウジングが、前記レーザ光照射手段からのレーザ光を前記ハウジング内部へ通過させるレーザ透過窓を有してなる、基板検査装置。
【請求項５】
請求項２乃至４いずれかに記載の基板検査装置において、更に、
前記被検査基板が、前記ハウジングの一部を形成している、基板検査装置。
【請求項６】
請求項２乃至５いずれかに記載の基板検査装置において、更に、
前記捕捉電極が、前記ハウジングの一部分を形成している、基板検査装置。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載の基板検査装置において、更に、
前記捕捉電極が、前記被検査基板の端部と当接するとともに該被検査基板側へ傾斜して配置されている、基板検査装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板検査装置において、更に、
前記捕捉電極と前記被検査基板が形成する傾斜角が、約45度である、基板検査装置。
【請求項９】
請求項４乃至８いずれかに記載の基板検査装置において、更に、
前記ハウジングが、前記被検査基板、前記レーザ透過窓と前記捕捉電極により形成される、基板検査装置。
【請求項１０】
請求項９記載の基板検査装置において、更に、
前記ハウジングが、側面視に於いて、前記捕捉電極を傾斜辺とする直角三角形状に配置される、基板検査装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれかに記載の基板検査装置において、
前記反射機能を有する捕捉電極は、レーザ光を反射する金属板からなる、基板検査装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板検査装置において、
前記金属板がアルミニウムである、基板検査装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２いずれかに記載の基板検査装置において、
前記レーザ光照射手段から発行されるレーザ光が、波長λが第三高調波の355ｎｍ又は第四高調波の266ｎｍのレーザ光を照射する、基板検査装置。
【請求項１４】
被検査基板の検査点にレーザ光を照射して、該検査点からの放出される電荷を帯びた荷電粒子を捕捉し、該荷電粒子の捕捉量から前記被検査基板の良不良を検査する基板検査装置に於ける電極構造であって、
前記電極構造が、照射されるレーザ光を反射して、所望する検査点へ照射する反射機能を有すると共に該レーザ光の照射により該検査点から放出される荷電粒子を捕捉する捕捉電極として機能する、電極構造。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電極構造において、
前記電極構造は、前記被検査基板を密閉するためのハウジングの一部である、電極構造。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載の電極構造において、
前記電極構造がアルミニウム板からなる、電極構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板検査装置に関し、更に具体的には、例えば、光電効果現象及びレーザアブレーション現象（「レーザアブレージョン現象」ともいう。）のような、レーザ光を金属表面に照射して、その金属表面から負の電荷を帯びた粒子を放出する現象を利用した基板検査を行う基板検査装置に関する。
【０００２】
一般に、基板検査装置は、被検査基板に形成された複数の配線パターンの中から１の配線パターンを順次選択して配線パターンの両端間に流れる電流の値を検出して導通（断線）状態、又は隣接する２つの配線パターンを順次選択して隣接配線パターン間に流れる電流の値を検出して絶縁（短絡）状態の少なくとも一方の検査を行っている。
【０００３】
この出願書類で、「被検査基板」又は単に「基板」とは、プリント配線基板に限らず、例えば、フレキシブル基板、多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板を意味する。
【背景技術】
【０００４】
基板には、種々の基板が存在し、それらの配線パターンが設計通りに製造されているか否かを検査するために、従来から数多くの種類の基板検査装置が提供されている。特に、近年、電子機器の小型化等に伴って基板の配線パターンの微細化が進み、ランドが増加すると共に微小化しているため、基板検査装置のプローブを全ての検査点であるランドに直接接触させて配線パターンの断線や短絡を検査することが困難となる場合があった。
【０００５】
そこで、本出願人は、下記特許文献１として、プローブをランドに接触させずに、配線パターンの断線や短絡を検査する基板検査装置を提案している。
【特許文献１】特開2002-318258「回路基板の検査装置および検査方法」（公開日：2002年10月31日）  前掲特許文献１では、実施例として、紫外線領域のレーザ光を被検査配線パターンの一端に照射して、そこから光電効果によって放出された光電子をプラス電極で捕捉し、それによる電流を利用して基板を検査する装置を開示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前掲特許文献１の方法を用いると、プローブをランドに接触させずに、配線パターンの断線や短絡を検査することが可能となる。
【０００７】
ここで、特許文献１では、光電効果現象により発生した光電子を捕捉するため、被検査基板２の上面を覆うハウジング４４の側壁４２の一部に、光電子を捕捉する電極部４４２ｂを設けた具体例が開示されている。
【０００８】
しかし、本発明者等は、その後の研究・開発を通じて、光電効果現象のみならずレーザアブレーション現象を利用しても基板の検査が出来ることを発見した。更に、本発明者等は、主として光電効果現象及び／又はレーザアブレージョン現象を利用した基板検査装置において、これらの現象を更に十分に利用するために捕捉電極構造の改良に着手した。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本発明は、光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象等のレーザ光を金属表面に照射することで発生する負の電荷を帯びた粒子を捕捉して検査を行う基板検査装置に用いられる捕捉電極に関する構造であって、効果的に負電荷粒子を捕捉することができる、負の電荷を帯びた粒子を捕捉する新規な捕捉電極及びこれを備えた基板検査装置を提供することを目的とする。
【００１０】
上記目的に鑑みて、本発明に係る基板試験装置は、被検査基板に形成された複数の配線パターンの良否を、該被検査基板に形成される配線パターンの検査点にレーザ光を照射し、前記検査点から放出される荷電粒子を捕捉することにより、該配線パターンの良否を判定する基板検査装置であって、配線パターン上の検査点に、荷電粒子を放出させるためのレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、前記検査点から放出された荷電粒子を捕捉する捕捉電極と、前記捕捉電極が前記検査点より高電位又は低電位になるように所定の大きさの電圧を印加する電圧印加手段と、前記捕捉電極に捕捉される荷電粒子を基に、該荷電粒子による電流の値を検出する電流検出手段とを備え、前記捕捉電極は、前記レーザ光照射手段からの前記レーザ光を反射させて前記検査点へ照射させる反射機能を有している。
【００１１】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記被検査基板を取り囲み、減圧可能な閉空間を形成するためのハウジングを備えることもできる。
【００１２】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記レーザ光照射手段及び前記捕捉電極が、前記ハウジングの内部に配置することもできる。
【００１３】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記レーザ光照射手段が、前記ハウジングの外部に配置され、前記ハウジングが、前記レーザ光照射手段からのレーザ光を前記ハウジング内部へ通過させるレーザ透過窓を有することもできる。
【００１４】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記被検査基板が、前記ハウジングの一部を形成することもできる。
【００１５】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記捕捉電極が、前記ハウジングの一部分を形成することもできる。
【００１６】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記捕捉電極が、前記被検査基板の端部と当接するとともに該被検査基板側へ傾斜して配置することもできる。
【００１７】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記捕捉電極と前記被検査基板が形成する傾斜角が、約45度とすることもできる。
【００１８】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記ハウジングが、前記被検査基板、前記レーザ透過窓と前記捕捉電極により形成することもできる。
【００１９】
更に、上記基板試験装置では、更に、前記ハウジングが、側面視に於いて、前記捕捉電極を傾斜辺とする直角三角形状とすることもできる。
【００２０】
更に、上記基板試験装置では、前記反射機能を有する捕捉電極は、レーザ光を反射する金属板からなることもできる。
【００２１】
更に、上記基板試験装置では、前記金属板がアルミニウムとすることもできる。
【００２２】
更に、上記基板試験装置では、前記レーザ光照射手段から発行されるレーザ光が、波長λが第三高調波の355ｎｍ又は第四高調波の266ｎｍのレーザ光を照射することもできる。
【００２３】
更に、本発明に係る電極又は電極構造は、被検査基板の検査点にレーザ光を照射して、該検査点からの放出される電荷を帯びた荷電粒子を捕捉し、該荷電粒子の捕捉量から前記被検査基板の良不良を検査する基板検査装置に於ける電極又は電極構造であって、前記電極構造が、照射されるレーザ光を反射して、所望する検査点へ照射する反射機能を有すると共に該レーザ光の照射により該検査点から放出される荷電粒子を捕捉する捕捉電極として機能する。
【００２４】
更に、上記電極又は電極構造では、前記電極構造は、前記被検査基板を密閉するためのハウジングの一部とすることもできる。
【００２５】
更に、上記電極又は電極構造では、前記電極構造がアルミニウム板からなることもできる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象等のレーザ光を金属表面に照射することで発生する負の電荷を帯びた粒子を捕捉して検査を行う基板検査装置に用いられる、新規な負の電荷を帯びた粒子を捕捉する捕捉電極及びこれを備えた基板検査装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係る基板検査装置の実施形態の一例について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、図面中、同じ要素に対しては同じ符号を付して、重複した説明を省略する。
【００２８】
［光電効果とレーザアブレーション］
最初に、本発明の理解を容易にするため、前掲特許文献１（特開平14-318258）及び本発明で利用する光電効果現象と、本発明で新たに利用するレーザアブレーション現象とに関して簡単に説明する。
【００２９】
光電効果は、金属表面に光を当てたとき光エネルギにより電子（光電子）が飛び出す現象である。光電効果は、例えば、真空のガラス管内に配置された金属製の２枚の平行電極間に直流電圧を印加し、マイナス（−）電極に光を照射すると光電子が飛び出して、プラス（＋）電極に捕捉され、電流が流れることで知られている。
【００３０】
光電効果現象は、次のような特徴を有する。(1)印加電圧を十分に高くした場合、流れる電流はマイナス（−）電極に照射した光の強さに比例する。(2)どのような金属面に対しても、光電効果の起こり得る最小の振動数（「限界波長」に対応する周波数）があり、それ以下の振動数では、どんなに入射光の強度を強くしても光電効果は起こらない。(3)光電子の持つ最大運動エネルギは、入射光の強度に無関係であり、アインシュタインの光電子則E=hν−Wに完全に一致している。ここで、ｈはプランクの常数、νは入射光の振動数、Ｗは金属から電子を放出するために必要なエネルギ（仕事関数）である。従って、hν＞Wを満たす振動数νの光でなければ光電効果は起こらない。そして、この仕事関数Ｗは、金属によって異なる。
【００３１】
一方、レーザアブレーション現象は、その詳細は未だ明らかになっていない面がある。本発明者等の理解する範囲では、レーザアブレーション現象は、エネルギ密度が非常に高いレーザを集光して金属に照射した場合、照射箇所で局所的に急激な温度上昇が起き、金属材料を急激に溶融・気化させ、爆発的な体積膨張に伴って金属材料が原子、分子、クラスタ等となって金属表面より飛び出していく。この飛び出した原子、分子、クラスタ等は、レーザ光に曝されているため急激な温度上昇と共に再励起されて熱プラズマ化し、電子、イオン等の荷電粒子が爆発的に発生する。
【００３２】
このように、光電効果現象は、主として光エネルギを利用した現象であり、一方、レーザアブレーション現象は、主として熱エネルギを利用した現象である。これらは、レーザパワー、印加電圧値、真空のガラス管内の真空度、使用する金属の種類等によって、光電効果現象が起こったり、レーザアブレーション現象が起こったりする。
【００３３】
現象面で見ると、光電効果現象は光電子が放出されるだけなので、ミクロに観察しても金属表面に何等変化はない。一方、レーザアブレーション現象は、金属材料が原子、分子、クラスタ等となって金属表面より飛び出していくため、ミクロに観察した場合（XMA等の測定装置で測定した場合を含む。）には程度の差はあれ、金属表面にスポット状の痕跡（損傷）が残ったり、金属膜厚が薄くなったりする。
【００３４】
本発明者等は、図１Ａ及び図１Ｂに示すような基板検査装置の実験モデルを作成し、光電効果現象を利用した実験と、レーザアブレーション現象を利用した実験とを行った。被検査基板１０には、上面に上面パターン部１１と、下面に下面パターン部１２と、これら両パターン部を電気的に接続する内層パターン部１３とが形成されている。上面パターン部１１の近傍には、荷電粒子捕捉電極１４が配置されている。
【００３５】
下面パターン部１２に対して荷電粒子捕捉電極１４が相対的に高い電位となるように、直流電圧印加手段１６が、荷電粒子捕捉電極１４と下面パターン部１２との間に接続されている。これにより、電粒子捕捉電極１４と上面パターン部１１の間には、前者が後者に対して高電位となる電界が発生する。
【００３６】
直流電圧印加手段１６の負電極と下面パターン部１２との間に、この回路を流れる電流を測定するための電流検出手段１８と、可変抵抗２０とが、直列に接続されている。ここで、可変抵抗１３の抵抗値を変化させることにより、内層パターン部１３の断線又は損傷状態をシミュレートする。少なくとも、被検査基板１０及び荷電粒子捕捉電極１４を含む領域は、真空雰囲気中に配置される。
【００３７】
図１Ａに示すように、レーザ光Ｌを上面パターン部１１に照射して光電効果現象を発生させながら、可変抵抗１３の抵抗値の大きさを変化させたとき、上部パターン１１から荷電粒子（この場合は、光電子）２０が飛び出し、荷電粒子捕捉電極１４に捕捉され、この荷電粒子の移動により抵抗値に影響を受けた電流が流れ、電流検出手段１８で感知される。
【００３８】
同様に、図１Ｂに示すように、レーザ光Ｌを上面パターン部１１に照射してレーザアブレーション現象を発生させながら、可変抵抗１３の抵抗値の大きさを変化させたとき、上部パターン１１は局所的に急激に溶融・気化し、その金属材料が原子、分子、クラスタ等となって金属表面より飛び出し、飛び出した原子、分子、クラスタ等は更にレーザ光Ｌに曝されて熱プラズマ化し、電子、イオン等の荷電粒子２０が発生する。荷電粒子（この場合は、電子、マイナスイオン等）２０が飛び出し、荷電粒子捕捉電極１４に捕捉され、この荷電粒子の移動により抵抗値に影響を受けた電流が流れ、電流検出手段１８で感知される。
【００３９】
本発明は、このような光電効果現象及び／又はレーザアブレージョン現象等のレーザ光を金属表面に照射して、その金属表面から負の電荷を帯びた粒子を放出する現象を利用して、検査点である金属表面へレーザ光を照射することによって、負の電荷を帯びた粒子（負荷電粒子）を発生させることのできる現象であればどのような現象でも利用することができる。
【００４０】
［基板検査装置］
図２は、基板１０を検査する基板検査装置１の構成の要部を示す概念図である。
【００４１】
基板検査装置１は、基板２の第１の検査点１２ｂと捕捉電極１４との間に、捕捉電極１４ｃが第１の検査点１１ｂより高電位になるように所定の電圧を印加する電圧印加手段１６と、第１の検査点１１ｂにレーザ光Ｌを照射して光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象等の現象により負の荷電粒子を放出させるレーザ照射手段２２と、負荷電粒子が捕捉電極１４へ移動することにより発生する電流を検出する電流検出手段１８とを備えている。
【００４２】
基板１０は、例えば、基板ベース１０ａに複数の配線パターンが形成されている。例えば、配線パターン（１１ａ−１３ａ−１２ａ）は、基板ベース１０ａの上面に形成された上面パターン部１１ａと、下面に形成された下面パターン部１２ａと、これら上面パターン部１１ａと下面パターン部１２ａとを電気的に接続するためビアホールを利用して形成された内層パターン部１３ａとで構成されている。他の配線パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ），（１１ｃ−１３ｃ−１２ｃ）等も同様である。ここで、説明の都合上、被検査パターンを配線パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）とし、この上面パターン部１１ｂを「第１の検査点」と呼び、下面パターン部１２ｂを「第２の検査点」と呼ぶこととする。
【００４３】
検査時には、基板１０は、基板位置決め駆動機構（図３の符号４０参照）によって位置決めされ、基板１０の下面側には、下面パターン部１２ｂに対して、検査治具（図３の符号２５参照）に保持された複数本の内の接触子の１本２４ｂが圧接される。
【００４４】
一方、基板１０の上面側には、ハウジング位置決め駆動機構（図３の符号３８参照）によって、被検査基板１０との間にほぼ直角三角形の内部空間を形成するハウジング２６が圧接される。このハウジング２６は、例えばガラスのような透明な材料で形成された垂直壁２６ａと、例えば金属板（好ましくはアルミニウム板）からなる斜辺壁２６ｂと、これら垂直壁２６ａ及び斜辺壁２６ｂの各々の下端に設けられた例えばゴムにて形成された壁端部２６ｃとから形成され、基板１０の上面の所定範囲を覆うように形成されている。
【００４５】
ここで、斜辺壁２６ｂは、レーザ反射ミラーとしての機能と捕捉電極としての機能を奏しているので、以下、反射機能を有する捕捉電極１４ｃとも称する。なお、反射機能を有する捕捉電極１４ｃの構造に関しては、後で図８に関して詳しく説明する。
【００４６】
ハウジング位置決め駆動機構３８によってハウジング２６が基板１０の上面側に圧接されると、壁端部２６ｃが基板上面に当接して押圧されて変形してパッキンとして機能する。その結果、基板１０の上面及びハウジング２６で取り囲まれる気密な閉空間２８が形成される。この閉空間２８内の空気を減圧するべく、減圧ポンプ３０に接続された配管３０ａがハウジング２６の適所を貫通して、閉空間２８と減圧ポンプ３０との間に接続されている。
【００４７】
電圧印加手段１６は、直流電源を有し、反射機能を有する捕捉電極１４ｃと、接触子２４ｂを介して第２の検査点１２ｂとの間に、反射機能を有する捕捉電極１４ｃに対して第２の検査点１２ｂ（これは、第１の検査点１１ｂと同電位である。）が低電位となるよう所定の電圧を印加する。複数本の接触子２４ａ〜２４ｃは、各々、複数個のスイッチ３２ａ〜３２ｃの内の１個の対応するスイッチの一端に接続され、各スイッチ３２の他端は相互に接続されて電流計１８を介して直流電源１６に接続されている。なお、これら複数個のスイッチ３２ａ〜３２ｃは、スキャナ３３を構成し、図３に関連して説明するようにテスターコントローラ３４の制御の下、被検査パターンを順次選択し、これに圧接する接触子（例えば、２４ｂ）に接続するスイッチ（例えば、３２ｂ）を閉じ、他の接触子（例えば、２４ａ，２４ｃ）に接続するスイッチ（例えば、３２ａ，３２ｃ）を開くように動作する。
【００４８】
ここで、直流電源１６は、制御部３６（図３参照）からの指示に従って、スイッチ３２ｂ，接触子２４ｂを介して第２の検査点１２ｂと、ハウジング２６に形成された捕捉電極１４との間に、所定値の電圧を印加する。
【００４９】
レーザ照射手段２２は、発光部２２ａと、レーザ光走査部２２ｂとを有している。発光部２２ａは、制御部３６（図４のレーザ光照射部３６-3ｂ参照）からの動作指令に従ってレーザ光Ｌを射出し、レーザ光走査部２２ｂは、射出されたレーザ光Ｌを制御部３６からの動作指令に従って、透明な垂直壁２６aを通って、反射機能を有する捕捉電極１４ｃで反射して、基板１０上の第１の検査点１１ｂを照射する。
【００５０】
発光部２２ａは、好ましくは、YAGレーザからなり、波長λが第三高調波の355ｎｍ，第四高調波266ｎｍ等のレーザ光を発光するように構成され、且つ、照射された第１の検査点１１ｂにおいて光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象が発生する強度のレーザ光を発光するものである。また、発光部２２ａは、好ましくは、Ｑスイッチ素子等を用いてパルス駆動が可能であるように構成されている。
【００５１】
レーザ光走査部２２ｂは、例えば、ガルバノミラー（ガルバノメータ）を用いて構成されている。ここでは、制御部３６からの動作指令に基づきガルバノミラーを駆動させることにより、発光部２２ａから射出されたレーザ光Ｌを、反射機能を有する捕捉電極１４ｃで反射させて、第１の検査点１１ｂに正確且つ高速に照射することができる。なお、レーザ光走査部２２ｂは、図３に関連して説明するようにテスターコントローラ３４の制御の下、被検査パターンを順次選択し、この被検査パターンの上面パターン部（第１の検査点）１１a，１１ｂ又は１１cに正確且つ高速に照射する。
【００５２】
電流検出手段１８は、第１の検査点１１ｂから放出された荷電粒子が反射ミラー兼捕捉電極１４ｃへ移動することにより発生する電流を検出する。ここでは、電流検出手段１８は、直流電源１６の一方の端子から反射ミラー兼捕捉電極１４ｃ及び被検査配線パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）を介して直流電源１６の他方の端子に戻る導電経路に介挿され、この導電経路を流れる電流値を検出している。具体的には、直流電源１６のプラス（＋）側端子が反射ミラー兼捕捉電極１４ｃと電気的に接続され、直流電源１６のマイナス（−）側端子が電流計１８，スイッチ３２ｂを介して第２の検査点１２ｂに接続されている。
【００５３】
図３は、基板検査装置１０の電気的構成を示す構成図である。基板検査装置１は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，モータドライバ等を有して予めＲＯＭに記憶されているプログラムに従って装置全体を制御する制御部３６と、制御部３６からの指示を受け付けてハウジング位置決め駆動機構３８，基板位置決め駆動機構４０及び検査治具位置決め駆動機構４２に対して駆動指令を夫々出力する駆動部４４と、テスターコントローラ３４と、スキャナ３３とを備えている。
【００５４】
基板搬送駆動機構４０は、駆動部４４からの駆動指令を受けて、基板１０をＸ方向（基板幅方向）駆動及びＹ方向（基板奥行き方向）駆動して搬送し、所定の検査位置に位置決めする。
【００５５】
ハウジング位置決め駆動機構３８は、駆動部４４からの駆動指令を受けて、基板１０に対して、ハウジング２６をＸ方向駆動，Ｙ方向駆動，Ｚ方向（基板厚み方向）を回転軸に角度θだけ回転移動させるθ駆動及びＺ方向駆動して、ハウジング２６を基板１０に対して相対的に位置決めする。
【００５６】
検査治具駆動機構４２は、駆動部４４からの駆動指令を受けて、基板１０に対して、複数本の接触子４２を支持する検査治具４１をＸ方向駆動，Ｙ方向駆動，Ｚ方向を回転軸に角度θだけ回転移動させるθ駆動、及びＺ方向駆動して、検査治具基板１０に対して相対的に位置決めし、接触子４２を基板１０に形成された被検査パターンに対して当接又は離間させる。
【００５７】
テスターコントローラ３４は、制御部３６からの検査開始指令を受け付けて、予め記憶されたプログラムに従って、順次選択された基板１０の被検査パターンの下面パターン部（第２検査点）１２に圧接している接触子２４に接続するスイッチ３２を閉じ、他の接触子２４に接続するスイッチ３２を開くように動作する。また、テスターコントローラ３４は、レーザ照射手段２２の発光部２２ａ及び走査部２２ｂに動作指令を出して、順次選択された被検査パターンの上面パターン部(第１検査点)１１に対してレーザ光が照射されるようにする。
【００５８】
図４は、図３の制御部３６の機能構成を示す図である。制御部３６は、例えば、パーソナルコンピュータ等からなり、ハウジング２６によって形成される閉空間２８内の空気圧を設定する圧力設定部３６-1aと、減圧ポンプ３０に対して設定圧力となるように閉空間２８内を減圧する指示情報を出力する減圧部３６-1ｂと、所定の電圧値を設定する電圧設定部３６-2aと、直流電源１６に対してこの所定電圧値の直流電圧を生成するように指示情報を出力する電圧印加部３６-2ｂと、発光するレーザ光の強度を設定する強度設定部３６-3aと、レーザ光照射手段２２に対して設定強度のレーザ光を発光するべく指示情報を出力するレーザ光照射部３６-3ｂと、電流計１８からの検出信号を受け付けて電流値を取得する電流検出部３６-4と、取得された電流値と所定の閾値とを比較して断線又は短絡状態の判定を行う判定部３６-5とを備えている。
【００５９】
圧力設定部３６-1aによって設定される閉空間２８内の空気圧は、例えば、１０−２気圧程度が望ましい。実験によると、これよりも圧力が高いと光電現象及び／又はレーザアブレーション現象によって発生する荷電粒子の捕捉効率が悪い。一方、圧力を低くすればする程、荷電粒子の捕捉効率は高められるが、減圧に要する時間が増大し、検査時間が長くなる。
【００６０】
減圧部３６-1ｂは、例えば、閉空間２８内に設置する圧力計（図示せず。）から所定時間（例えば、１秒）毎に閉空間２８内の圧力の測定値を取得し、閉空間２８内が設定圧力になるように減圧ポンプ３０に対して減圧指示情報を出力する。
【００６１】
強度設定部３６-3aで設定されるレーザ光の発光強度ＰＷは、光電効果現象を利用する場合には発生条件であるhν＞W（光子エネルギ＞材料固有の仕事関数）を満たす振動数νのレーザ光とする。レーザアブレーション現象を利用する場合、実験によると、例えば、約25〜60ｋＷ／ｃｍ2で発光させることが好ましいことが判明した。レーザ光照射部３６-3ｂは、レーザ光照射手段２２に対して設定強度のレーザ光を発光するよう指示情報を出力する。
【００６２】
電流検出部３６-4は、電流計１８からの検出信号を受け付けて測定電流値ＡＭ（図５参照）を取得する。
【００６３】
判定部３６-5は、取得された測定電流値ＡＭと所定の閾値ＳＨとを比較して断線又は短絡状態の判定を行う。閾値は、短絡検査を行う場合には第１の閾値ＳＨ1に設定され、断線検査を行う場合には第２の閾値ＳＨ2に設定される。即ち、判定部３６-5は、短絡検査を行う場合、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ1より小さい場合（ＡＭ＜ＳＨ1）には非短絡（良好）と判定し、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ1以上である場合（ＡＭ≧ＳＨ1）には短絡（不良）と判定する。また、判定部３６-5は、断線検査を行う場合、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ2以上の場合（ＡＭ≧ＳＨ2）には導通（良好）と判定し、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ2未満である場合（ＡＭ＜ＳＨ2）には非導通（不良）と判定する。
【００６４】
［基板検査方法］
図６Ａ，６Ｂ及び６Ｃを参照しながら、この基板検査装置１を用いた基板検査方法について説明する。ここで、図６Ａは、基板検査方法の全体的なフローチャート、図６Ｂは、断線検査処理（図６ＡのＳ１０９）のフローチャート、図６Ｃは、短絡検査処理（図６ＡのステップＳ１１１）のフローチャートである。
【００６５】
図６Ａに示す基板検査方法では、ステップＳ１０１で、検査員の操作によって基板１０を基板検査装置１に搬入する。搬入されるとステップＳ１０３に進む。
【００６６】
ステップＳ１０３で、基板１０が基板載置部９（図２参照）に適当な手段により固定される。
【００６７】
ステップＳ１０５で、基板位置決め駆動機構４０によって、基板１０が所定の検査位置に移動される。
【００６８】
ステップＳ１０７で、ハウジング位置決め駆動機構３８によって、基板１０に対してハウジング２６が所定の位置に移動され上方から圧接される。同時に、検査治具位置決め駆動機構４２によって、基板１０に対して複数本の接触子２４を持つ検査治具２５が所定の位置に移動され下方から圧接される。ハウジング２６が位置決めされた結果、ハウジング２６と基板１０の上面とで取り囲まれる閉空間２８が形成される（図２参照）。また、検査治具２５が位置決めされた結果、接触子２４ａ，２４ｂ，２４ｃの先端部が配線パターンの対応する下面パターン部１２ａ，１２ｂ，１２ｃに夫々圧接され電気的に接続される。
【００６９】
ステップＳ１０９で、断線検査が実行される。この詳細は、図６Ｂを参照されたい。
【００７０】
ステップＳ１１１で、短絡検査が実行される。この詳細は、図６Ｃを参照されたい。なお、所望により、断線検査と短絡検査はどちらを先に実行してもよく、又はいずれか一方の検査を実行してもよい。
【００７１】
ステップＳ１１３で、検査終了に伴い、基板１０からハウジング２６及び検査治具２５を離間させる。
【００７２】
ステップＳ１１５で、基板１０を基板載置部９から取り外し、基板検査装置１から搬出する。
【００７３】
ステップＳ１１７で、基板１０が基板検査装置１から搬出されたことを確認し、終了する。
【００７４】
図６Ｂに示す断線検査処理は、被検査パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）の上部パターン１２ｂと捕捉電極部１４aとの間に電界を形成し、光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象を利用して上部パターン１１ｂから生じる荷電粒子を反射ミラー兼捕捉電極１４ｃへ移動させることにより、直流電源１６のプラス側端子から反射ミラー兼捕捉電極１４ｃ，被検査パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ），接触子２４ｂ，電流計１８を通って直流電源１６のマイナス側端子へ戻る実質的な閉回路を形成し、電流計１８で測定される電流値で被検査パターンの断線の有無を判定する処理である。
【００７５】
ステップＳ２０１で、１０−２気圧程度まで閉空間２８内の減圧処理が行われる。
【００７６】
ステップＳ２０３で、被検査パターンが選択される。即ち、テスターコントローラ３４の制御の下、スキャナ３３により被検査パターンが順次選択される。テスターコントローラ３４は、選択された基板１０の被検査パターンの下面パターン部（第２検査点）１２ｂに圧接する接触子２４ｂに接続するスイッチ３２ｂを閉じ、他の接触子２４ａ，２４ｃに接続するスイッチ３２ａ，３２ｃを開く。また、テスターコントローラ３４は、レーザ照射手段２２の走査部２２ｂに動作指令を出して、レーザ光Ｌを反射ミラー兼捕捉電極１４ｃで反射させて、順次選択された被検査パターンの上面パターン部(第１検査点)１２ｂに対して照射されるように準備する。
【００７７】
ステップＳ２０５で、被検査パターンの下面パターン部（第２検査点）１２ｂと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間に、直流電源１６によって電圧が印加される。これによって、上面パターン部１１ｂと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間に電界が発生する。
【００７８】
ステップＳ２０７で、テスターコントローラ34はレーザ発行部２２aに動作指令を出して、レーザ照射手段２２により、被検査パターンの上面パターン部（第１検査点）１１ｂに対してレーザ光Ｌが照射される。これにより、第１検査点１１ｂにおいて光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象が発生し、荷電粒子が生成される。
【００７９】
ステップＳ２０９で、電流値ＡＭを測定する。即ち、レーザ光Ｌが照射されている間、電流計１８によって測定電流値ＡＭ（図５参照）が取得される、ここで、被検査パターンが良好な場合（非断線状態）、上面パターン部１１ｂと捕捉電極部１４との間に電界が発生しているので、レーザ光Ｌの照射により生成された荷電粒子の内のマイナスの電荷を帯びたもの（電子を含む。）は反射ミラー兼捕捉電極１４ｃに引き寄せられ捕捉される。この荷電粒子の移動を、電流計１８は電流値ＡＭとして測定することができる。しかし、被検査パターンが不良な場合（断線状態）、上面パターン部１１ｂと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間に電界が発生していないので、荷電粒子の移動はほとんど起こらず、測定電流計１８には僅かな電流値ＡＭしか現れない。
【００８０】
ステップＳ２１１で、判定部３６-5により、被検査パターンの断線の有無が判定される。即ち、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ2以上場合には導通（良好）と判定され、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ2未満である場合には非導通（不良）と判定される。
【００８１】
ステップＳ２１３で、全配線パターンの検査が完了したか否かが判定される。全配線パターンの検査が終了していない場合、ステップ２０３に戻り、テスターコントローラ７３の制御の下、次の被検査パターンが選択される。検査が終了している場合、断線検査は終了する。
【００８２】
図６Ｃに示す短絡検査処理は、２本の被検査パターン（１１ａ−１３ａ−１２ａ），（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）の内の一方のパターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）の上部パターン１１ｂと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間に電界を形成した場合、両パターン間に短絡が有れば他方のパターン（１１ａ−１３ａ−１２ａ）の上部パターン１１ａと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間にも電界が形成されることを利用している。即ち、光電効果及び/又はレーザアブレーション現象を利用して他方のパターンの上部電極１１ａから生じる荷電粒子が反射ミラー兼捕捉電極１４ｃへ移動すれば両パターン間に短絡があり、移動しなければ両パターン間には短絡がないと判定する処理である。
【００８３】
図６Ｃに示す短絡検査処理は、図６Ｂの短絡検査処理とほぼ同様に行われる。相違する点は、次の通りである。
【００８４】
ステップＳ３０１で減圧処理が行われるが、図６Ｂの断線検査で既に減圧処理されている場合は不要である。
【００８５】
ステップＳ３０３で、短絡試験であるため、被検査対象として隣接する２つの被検査パターン、例えば（１１ａ−１３ａ−１２ａ），（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）が選択される。
【００８６】
ステップＳ３０５で、一方の被検査パターン（１１ｂ−１３ｂ−１２ｂ）に関して、下面パターン部（第２検査点）１２ｂと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間に、直流電源１６によって電圧が印加される。これによって、上面パターン部１１ｂと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間に電界が発生する。
【００８７】
ステップＳ３０７で、レーザ照射手段２２により、他方の被検査パターン（１１ａ−１３ａ−１２ａ）の上面パターン部（第１検査点）１１ａに対してレーザ光が照射される。ここで、２つの被検査パターンが正常な場合（非短絡状態）、上面パターン部１１ａと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間には電界が発生していないので、荷電粒子の移動はほとんど起こらず、電流計１８には僅かな電流値ＡＭしか現れない。反対に、２つの被検査パターンが不良な場合（短絡状態）、上面パターン部１１ａと反射ミラー兼捕捉電極１４ｃとの間は電界が発生しているので、荷電粒子の内のマイナスの電荷を帯びたものは反射ミラー兼捕捉電極１４ｃに引き寄せられ捕捉される。この荷電粒子の移動を、電流計１８は電流値ＡＭとして測定することができる。電流計の代わりに、電荷出力をそれに比例した低インピーダンス電圧に変換するチャージアンプを使用してもよい。
【００８８】
ステップＳ３１１で、判定部３６-5は、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ1より小さい場合には非短絡（良好）と判定し、測定電流値ＡＭが閾値ＳＨ1以上である場合には短絡（不良）と判定する。
【００８９】
ステップＳ３１３で、全ての配線パターンの組合せについて検査が完了したか否かが判定される。
【００９０】
その他のステップに関しては、図６Ｂの断線検査処理の同じようなステップの説明を参照されたい。
【００９１】
図５は、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）における電圧の印加、レーザ光Ｌの照射、電流値測定の動作を示すタイミングチャートである。時刻Ｔ０において、反射ミラー兼捕捉電極１４ｃの捕捉電極部１４aと被検査パターン１１ｂとの間に電圧Ｖ０が印加される。時刻Ｔ１から時刻Ｔ２の間（ＴＬの期間）レーザ光照射手段２２からレーザ光Ｌが被検査配線パターンの上面パターン１１ｂに照射される。時刻Ｔ１から光電効果現象及び／又はレーザアブレージョン現象が起りはじめるが、流れる電流が安定するまでに所定の時間を要するため、例えば、時刻Ｔ１から所定時間ＴＬＭ経過後の時刻ＴＭで安定した電流値ＡＭを取得することが好ましい。
【００９２】
図７Ａ，７Ｂは、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）におけるレーザ光の強度ＰＷと、測定電流値ＡＭとの関係を示す図表である。図７Ａにおいて、横軸は、レーザ光の強度ＰＷであり、縦軸は測定電流値ＡＭである。レーザ光ＬはYAGレーザからなり、波長λが第三高調波の355ｎｍ，第四高調波266ｎｍのレーザ光を使用する。３本のグラフＧ１，Ｇ２，Ｇ３は、それぞれ、直流電源７６によって印加される電圧Ｖ０が400，200，100Ｖの場合である。
【００９３】
図７Ａ，７Ｂに示すように、第四高調波の266ｎｍを使用した場合、レーザ光の強度ＰＷが約20ｋＷ／ｃｍ2以下の場合に上面パターン部２１１ａの表面で光電効果現象が発生し、約20ｋＷ／ｃｍ2以上の場合にレーザアブレーション現象が発生する。第三高調波の355ｎｍを使用した場合、レーザ光の強度ＰＷが約20ｋＷ／ｃｍ2以下でも限界波長を超えるため光電効果現象は発生せず、約20ｋＷ／ｃｍ2以上の場合にレーザアブレーション現象が発生する。
【００９４】
これらのデータを元に、レーザ強度，印加電圧を適宜選択して、光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象等のレーザ光を金属表面に照射して、その金属表面から負の電荷を帯びた粒子を放出する現象を利用することができる。
［基板検査装置の電極構造］
次に、図２の基板検査装置１の反射ミラー兼捕捉電極１４ｃの具体的構造に関して説明する。
【００９５】
図８の電極構造は、レーザ光の変向（進行方向を変える）のための反射機能を有する捕捉電極１４ｃとしたことを特徴としており、この電極構造の基本原理は、レーザ照射手段２２から照射されるレーザを反射して、被検査基板１０の所望する検査点１１に照射するとともに、検査点１１から発生する負荷電粒子を捕捉するという２つの機能を有していることである。
【００９６】
この電極構造は、上記の如き２つの機能を有することによって、検査点１１から発生する負荷電粒子を効率良く捕捉する。
【００９７】
また、このハウジングは、レーザ透過窓２６ａと反射機能を有する捕捉電極１４ｃによって、被検査基板１０の検査点１１を覆うように形成されている。このハウジングは、被検査基板１０と、反射機能を有する捕捉電極１４ｃ、レーザ透過窓２６ａの三部材から形成されることが好ましい。このように三部材から形成することによって無駄な部材を用いることなく効率良く形成することができるからである。
【００９８】
このレーザ透過窓２６ａは、レーザ照射手段２２からのレーザ光をハウジング内に導入するためのレーザ光の透過路となる。このレーザ透過窓２６ａは、レーザ光を減衰させることなく透過させる必要があるので、例えば、光透過率の高い素材である石英ガラスを用いることが好ましい。
【００９９】
反射機能を有する捕捉電極１４ｃ、レーザ透過窓２６ａを用いる場合、図２で示す如く、ハウジング２６が、ほぼ直角三角形の断面形状となる気密な閉空間２８を形成し、垂直壁２６ａの一部に透明基材を用いてレーザ透過窓２６ａを形成し、垂直壁２６ａに対して（又は、被検査基板に対して）ほぼ角度45度に位置するレーザ反射ミラー兼用の捕捉電極１４ｃを、垂直壁２６ａの上端と被検査基板１０の間に設けている。このように配置することにより、被検査基板１０に対して、反射機能を有する捕捉電極１４ｃが４５度傾斜して配置されることになる。
【０１００】
このため、この反射機能を有する捕捉電極１４ｃは、ガルバノメータ２２ｂから水平方向に入射するレーザ光Ｌをほぼ角度90度変向して基板１０の被検査パターン（第１の検査点）１１ｂに向かわせる。同時に、反射機能を有する捕捉電極１４ｃは、被検査基板１０の実質的に上方（負荷電粒子が突出する方向を覆う位置）に配置され、第１の検査点１１ｂから発生する負荷電粒子を効率良く捕捉する捕捉電極としても機能することができる。
【０１０１】
この反射機能を有する捕捉電極１４ｃは、レーザ光を所望する方向へ変向することができ且つレーザ光の減衰がない素材を用いて形成される。この反射機能を有する捕捉電極１４ｃを形成するための素材としては、上記の如き条件を有していれば特に限定されるものではないが、金属板が好ましく、更に好ましくはアルミニウム金属板である。。
【０１０２】
このように、ほぼ直角三角形の断面形状の気密な閉空間２８の内の斜辺部分の全面又は一部分を捕捉電極とすることにより、光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象等のレーザ光を金属表面に照射して、その金属表面から負の電荷を帯びた粒子を放出する現象によって上方に向かって飛び出す荷電粒子の捕捉効率を上げることができる。
【０１０３】
なお、この電極構造は、以下の変形例を有する。
【０１０４】
(1)閉空間28の近傍に磁界発生手段を備えて、第1の検査点１１ｂから発生した荷電粒子を反射機能を有する捕捉電極１４ｃに向けて加速する磁場を形成する構成を採ってもよい。この場合、反射機能を有する捕捉電極１４ｃにおける荷電粒子の捕捉効率が向上する。
【０１０５】
(2)ハウジング２６が形成する気密な閉空間２８は、ほぼ直角三角形の断面形状となる例を紹介したが、これに限定されない。照射されたレーザ光を反射機能を有する捕捉電極１４ｃで反射して第1の検査点１１ｂに向かわせることが出来る限り、ハウジング２６が形成する気密な閉空間２８は任意の形状を取り得る。
【０１０６】
(3)反射機能を有する捕捉電極１４ｃがハウジング２６の一部を構成する例を紹介したが、これに限定されない。例えば、ハウジング２６と反射機能を有する捕捉電極１４ｃとを別個に形成した場合、反射機能を有する捕捉電極１４ｃはレーザ反射機能と荷電粒子捕捉機能を奏する限り任意の形状を取ることができ、気密な閉空間２８は反射機能を有する捕捉電極１４ｃを内蔵する限り任意の形状を取り得る。
【０１０７】
(4)水平方向に入射するレーザ光を変向するため側壁２６ａに対してほぼ角度45度に位置する反射機能を有する捕捉電極１４ｃの例を紹介したが、これに限定されない。ガルバノメータ２２ｂから入射するレーザ光Ｌを基板１０の被検査パターン（第１の検査点）１１ｂに向かわせるためであれば、レーザ光の入射角度は任意の角度を取りことができ、このレーザ光の入射角度に対応して反射機能を有する捕捉電極１４ｃの角度も変更することができる。
【０１０８】
(5)反射機能を有する捕捉電極１４ｃは、金属板（好ましくはアルミニウム金属板）の例を紹介したが、これに限定されない。反射機能を有する捕捉電極１４ｃは、レーザ光を変向し且つ捕捉電極として機能する限り、素材も任意の素材で形成することができ、その形状も湾曲した形状，波形形状等任意の形状を取り得る。
【０１０９】
(6)反射機能を有する捕捉電極１４ｃは、ハウジング２６の斜辺壁を構成する例を紹介したが、これに限定されない。ハウジング２６の斜辺壁２６ｂを、例えばガラス，金属又は合成樹脂のような剛体で構成し、この斜辺壁の内面の所定の領域を、例えばめっき、金属板又は薄膜の貼り付け等の適当な方法で金属化してもよい。
［その他］
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらは本発明の技術的範囲を限定するものではない。本発明は、本実施形態に対して当業者が容易になし得る付加・削除・変換・改良を含むものである。
【０１１０】
例えば、本発明は以下の形態をとることができる。
【０１１１】
(A)レーザ光Ｌが被検査パターンに対して光電効果現象及び／又はレーザアブレーション現象等のレーザ光を金属表面に照射することで負の電荷粒子を発生させることが出来る限り、任意の領域（例えば、可視光領域、赤外線領域）のレーザ光Ｌを発光する形態を取り得る。
【０１１２】
(B)実施形態においては、直流電源１６により反射機能を有する捕捉電極１４ｃを下面パターン部１１ｂに圧接される接触子２４より高電位となるように電圧を付与する場合について説明した。しかし、反対に、反射機能を有する捕捉電極１４ｃを下面パターン部１１ｂに圧接される接触子２４より低電位となるように電圧を付与する形態でもよい。この場合には、主としてレーザアブレーション現象によって生成されたプラス荷電粒子が反射機能を有する捕捉電極１４ｃに移動し、この移動を電流検出手段１８が検出する。
【０１１３】
(C)実施形態においては、基板１０の上面の所定箇所を取り囲むハウジング２６によって、気密な閉空間２８を形成しているが、基板検査装置１の全体を減圧された空間内に配置してもよい。この場合には、ハウジング２６によって局所的な気密な閉空間２８を形成する必要はない。
【０１１４】
(D)本実施形態では、表面に第１の検査点を有し且つ裏面に第２の検査点を有する配線パターンが形成される被検査基板を例示して説明を行ったが、表面に２つの検査点を有する配線パターンが形成される被検査基板に対しても、本発明の電極構造を用いることができる。この場合も、レーザ照射される検査点から放出される荷電粒子を効率良く捕捉することができる。
【０１１５】
従って、本発明の技術的範囲は、添付の特許請求の範囲の記載によって定められる。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１Ａ】図１Ａは、光電効果現象を利用した基板検査装置の実験モデルを示す図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、レーザアブレーション現象を利用した基板検査装置の実験モデルを示す図である。
【図２】図２は、基板を検査する基板検査装置の構成の要部を示す概念図である。
【図３】図３は、図２の基板検査装置の電気的構成を示す構成図である。
【図４】図４は、図３の制御部の機能構成を示す図である。
【図５】図５は、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）における電圧の印加、レーザ光Ｌの照射、電流値測定の動作を示すタイミングチャートである。
【図６Ａ】図６Ａは、図２の基板検査装置で行われる基板検査方法の全体的なフローチャートである。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６ＡのステップＳ１０９に示す断線検査処理のフローチャートである。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図６ＡのステップＳ１１１に示す短絡検査処理のフローチャートである。
【図７Ａ】図７Ａは、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）におけるレーザ光の強度ＰＷと測定電流値ＡＭとの関係を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、断線検査（図６Ｂ）及び短絡検査（図６Ｃ）におけるレーザ光の強度ＰＷと測定電流値ＡＭとの関係を示す表である。
【図８】図８は、ハウジングの側壁の全部又は一部を捕捉電極とした電極構造を示す図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１：基板検査装置、  １０：被検査基板，基板、  １０ｂ：基板ベース、  １１ｂ：第１の検査点、  １２ｂ：第２の検査点、  １１ａ−１３ａ−１２ａ，１１ａ−１３ａ−１２ａ，１１ａ−１３ａ−１２ａ：配線パターン、  １１：上面パターン部、  １２：下面パターン部、  １３：内層パターン部、  １３：可変抵抗、  １４：荷電粒子捕捉電極、  １４ａ：透明電極、  １４ｂ：捕捉電極、  １４ｃ：反射機能を有する捕捉電極、  １６：直流電圧印加手段，電圧印加手段，直流電源、  １８：電流検出手段，電流計、  ２０：荷電粒子、  ２２：レーザ照射手段、  ２２ａ：レーザ照射部、  ２２ｂ：レーザ走査部，ガルバノメータ、  ２４，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ：接触子、  ２５：検査治具、  ２６：ハウジング、  ２６ａ：垂直壁（レーザ透過窓）、  ２６ｂ：斜辺壁、  ２６ｃ：壁端部、  ２８：閉空間、  ３０：減圧ポンプ、  ３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ：スイッチ、  ３３：スキャナ、  ３４：テスターコントローラ、  ３６：制御部、  ３６-1ａ：圧力設定部、  ３６-1ｂ：減圧部、  ３６-2ａ：電圧設定部、  ３６-2ｂ：電圧印加部、  ３６-3ａ：強度設定部、  ３６-3ｂ：レーザ光照射部、  ３６-4：電流検出部、  ３６-5：判定部、  ３８：ハウジング位置決め駆動機構、  ４２：検査治具駆動機構、  ４４：駆動部、
ＡＭ：測定電流値、  Ｌ：レーザ光、  ＳＨ，ＳＨ1，ＳＨ2：閾値、  Ｖ0：印加電圧、
【図１Ａ】
2007205884.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２】
2007205884.tif 000005
【図３】
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【図４】
2007205884.tif 000007
【図５】
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【図６Ａ】
2007205884.tif 000009
【図６Ｂ】
2007205884.tif 000010
【図６Ｃ】
2007205884.tif 000011
【図７Ａ】
2007205884.tif 000012
【図７Ｂ】
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【図８】
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