(57)【要約】【課題】高速ＩＣの電化供給、ノイズ低減を容易にする固体電解コンデンサ内蔵基板を提供する。【解決手段】表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属箔の一部において、絶縁材料からなる陽陰極分離部を有し、陽陰極分離部によって陽極と陰極が電気的に絶縁され、陰極は多孔質部上に形成された固体電解質層を有し、陽極は弁金属シート体の金属部分と電気的に接続され、かつ固体電解コンデンサを内部に複数個有し、それぞれの固体電解コンデンサ同士が電気的接続を有しない構成であり、個々の固体電解コンデンサは陽極の一部から電流が流入するとともに、他の陽極から電流が流出する電極構成を有する固体電解コンデンサ内蔵基板である。【選択図】図１
2007281110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属箔の一部において、絶縁材料からなる陽陰極分離部を有し、陽陰極分離部によって陽極と陰極が電気的に絶縁され、陰極は多孔質部上に形成された固体電解質層を有し、陽極は弁金属シート体の金属部分と電気的に接続され、かつ固体電解コンデンサを内部に複数個有し、それぞれの固体電解コンデンサ同士が電気的接続を有しない構成であり、個々の固体電解コンデンサは陽極の一部から電流が流入するとともに、他の陽極から電流が流出する電極構成を有する固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項２】
半導体素子の直下に配置されてなる、請求項１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項３】
基板を構成する材料が、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物である、請求項１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項４】
陰極がグランドに接続されるとともに、外部へと電気的に導通するビア電極と接続されている、請求項１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項５】
ビア電極は硬化された導電性樹脂ペーストによって充填されている、請求項４に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項６】
陰極がパターニングされた電極上に搭載されている、請求項１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項７】
陽極の少なくとも一部は、外部とつながる貫通スルーホール内の側面に設けられた電極を介して外部と電気的に導通している、請求項１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項８】
貫通スルーホール内の側面に設けられた電極層は、少なくとも銅を有する、請求項７に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項９】
貫通スルーホール内部にペーストを充填して硬化する、請求項７に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項１０】
陽陰極分離部において貫通スルーホールが形成されている、請求項７に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項１１】
陽陰極分離部は、多孔質部内部と表面及び側面を覆う絶縁樹脂層と、これを覆う無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなる構造によって形成されている、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項１２】
第１の樹脂層は、アクリル、エポキシないし低温硬化型ポリイミド樹脂のいずれかを主剤としている、請求項１１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項１３】
弁金属箔はアルミ、タンタル、ニオブのいずれかよりなる、請求項１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項１４】
形状が同じないし異なる固体電解コンデンサが複数配列されている、請求項１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項１５】
複数配列されている形状が同じないし、異なる固体電解コンデンサ間に長孔を形成し、前記長孔に絶縁性ペーストを充填して、硬化することで、各々の固体電解コンデンサ間を電気的に絶縁する、請求項１に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項１６】
弁金属箔上の一部に第１の孔を形成する工程と、
前記弁金属箔上の一部に第２の孔を形成する工程と、
前記弁金属箔の表裏面に粗面化する工程と、
前記粗面化された前記弁金属箔上の表裏面を酸化することによって、前記弁金属箔と表裏面に誘電体層を形成する工程と、
前記弁金属箔の表裏面の陰極部を形成する部位以外に第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の孔を絶縁性樹脂で埋める工程と、
前記弁金属箔の表裏面に、導電性高分子体を形成する部位を残して、無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなる未硬化状態のシートを積層する工程と、
前記無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなる未硬化状態のシートを硬化させる工程と、
重合法によって固体電解質層を形成する工程と、
固体電解質上に導電性ペーストを塗布・硬化させる工程と、
ビア電極付きの樹脂シートを重ね合わせて圧着して硬化し固体電解コンデンサを内蔵化する工程と、
所定の部位に貫通スルーホールを形成する工程と、
めっきによって貫通スルーホール内壁に弁金属箔と導通する内部電極層を形成する工程とを少なくとも有する、コンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項１７】
弁金属箔上に粗面化する工程と、
弁金属箔上の一部に第１の孔を形成する工程と、
前記弁金属箔上の一部に第２の孔を形成する工程と、
前記粗面化された前記弁金属箔上の表裏面を酸化することによって、前記弁金属箔と表裏面に誘電体層を形成する工程と、
前記弁金属箔の表裏面の陰極部を形成する部位以外に第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の孔を絶縁性樹脂で埋める工程と、
前記弁金属箔の表裏面に、導電性高分子体を形成する部位を残して、無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなる未硬化状態のシートを積層する工程と、
前記無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなる未硬化状態のシートを硬化させる工程と、
重合法によって固体電解質層を形成する工程と、
固体電解質上に導電性ペーストを塗布・硬化させる工程と、
ビア電極付きの樹脂シートを重ね合わせて圧着して硬化し固体電解コンデンサを内蔵化する工程と、
所定の部位に貫通スルーホールを形成する工程と、
めっきによって貫通スルーホール内壁に弁金属箔と導通する内部電極層を形成する工程とを少なくとも有する、コンデンサ内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサを内蔵する基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の固体電解コンデンサ及びその製造方法の代表的なものの１つとしては、シート状の弁金属にます目状に樹脂パターンを形成し、複数箇所において固体電解質層を形成したのち、個片に分割することにより固体電解コンデンサを形成し、その後リードフレームに素子を接合して取り出し電極としていた。
【０００３】
このようなコンデンサをＩＣ周辺に配置することにより、電流量を補償し、かつノイズを低減し、ＩＣの動作の正確性を保つ取り組みがなされている。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２が知られている。
【特許文献１】特開２００４−１３４４６２号公報
【特許文献２】特開２００４−８８７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
コンデンサをＩＣ周辺に配置して動作を確保する際、コンデンサ自身と、コンデンサとＩＣ間の配線のインピーダンス（特にＥＳＬ：等価直列リアクタンス）が問題となり、インピーダンスが大きいと電流供給を瞬時に行うことができず、またＩＣ内部にノイズが発生して正確な信号伝達が阻害されることとなる。こうした課題に対し、コンデンサの低ＥＳＬ化を進めるとともに、ＩＣとコンデンサ間の短配線化のための、基板内部へのコンデンサの内蔵化も進められているが、コンデンサをそのまま基板に埋めた場合には基板の厚みが増し、コンデンサを小型化すれば容量の低下につながる。また低ＥＳＬコンデンサが実現できた場合でも、コンデンサの実装位置とＩＣとの間に距離があれば、そのままＥＳＬの増加につながる。加えて低ＥＳＬ化のために特殊な形状を有するコンデンサは、基板側のパターン設計の制約となる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題を解決するために本発明は、表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属箔の一部において、絶縁材料からなる陽陰極分離部を有し、陽陰極分離部によって陽極と陰極が電気的に絶縁され、陰極は多孔質部上に形成された固体電解質層を有し、陽極は弁金属シート体の金属部分と電気的に接続され、かつ陰極を介して離れた位置に固体電解コンデンサを内部に複数個有し、それぞれの固体電解コンデンサ同士が電気的接続を有しない構成であり、個々の固体電解コンデンサは陽極の一部から電流が流入するとともに、他の陽極から電流が流出する電極構成を有する固体電解コンデンサ内蔵基板であるので、線路素子構造を有する大容量の固体電解コンデンサを、実装体積を増やすことなく他の部品の直近に容易に配置でき、低ＥＳＬ化実現により電流供給の円滑化、ノイズ低減等に寄与する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のコンデンサ内蔵基板によれば、線路素子構造などを有する特殊な構成の固体電解コンデンサを、ＩＣの近傍に短配線で接続でき、コンデンサ及び配線のＥＳＬを極小化することができる。また固体電解コンデンサを内蔵化することによって薄型、大容量を確保できるとともに、基板側の表面パターンに制約を加えることなく、かつコンデンサの実装体積の低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサ内蔵基板について、図面を参照しながら説明する。
【０００９】
図１は本発明の実施の形態１におけるコンデンサ内蔵基板を示す断面図である。
【００１０】
図１において、陽極としての機能を有する弁金属箔１はアルミニウムやタンタル、ニオブなどを材質とし、薬液処理等の手法によって表面に、陽陰極分離部となる誘電体被膜が形成され、多孔質部を有する形態をなしている。さらに、弁金属箔１の重合部以外の部位において、絶縁樹脂層４が形成され、弁金属シート体を形成している。そしてこの弁金属シート体の両面を電気絶縁性樹脂７で覆った形状をなしている。そして弁金属箔１の絶縁樹脂層４が形成されていない部位において、ピロールやチオフェン等からなる固体電解質層２が形成されている。図２にこれらの部位の断面図を示す。弁金属箔１の表面全域に多孔質部１１が形成され、所定の部位にアクリル、エポキシ、低温硬化型ポリイミド樹脂などの液状樹脂を硬化してなる薄層状の絶縁樹脂層４が設けられる。この絶縁樹脂層４は多孔質部１１の内部に充填され、固体電解質層２の広がりを防止するとともに、後ほど述べるスルーホール電極６形成時のめっき薬液等の流入を防止する作用を有する。
【００１１】
加えて、絶縁樹脂層４は、電気絶縁性樹脂７との密着性を確保する作用も有する。電気絶縁性樹脂７は基板としての部材を構成するのみならず、絶縁樹脂層４とともに固体電解質層２を所定の部位に規定する役割を有する。絶縁樹脂層４は液状の樹脂であるので、塗布、硬化の際に周囲の素子を形成する部位に拡散し、特性を劣化させることとなるが、極力薄層化することにより、こうした影響を低減できるとともに、硬化収縮などに起因する変形なども防止できる。ただし薄層化した場合には十分な高さがないため、固体電解質層２がこれを乗り越える現象が見られるが、電気絶縁性樹脂７との積層化によってこれを防止できる。
【００１２】
電気絶縁性樹脂７は無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物であり、硬化前においては半硬化状態で可変性があり、硬化の際、流動してコンデンサ等の部品を被覆するが、液状樹脂と比較して極めて流動性が低いものであるので、素子形成部への拡散といった問題は生じない。逆に流動性がないため多孔質部内へ流入せず、弁金属箔との密着性も低いが、液状樹脂を介することによって高い密着力を確保することができる。
【００１３】
固体電解質層２は前述のように、絶縁樹脂層４及び電気絶縁性樹脂７で部位を規定され、多孔質部１１内部とその表層に形成される。多孔質部の表面は酸化物の薄層（図示せず）が形成されており、これが誘電体層として機能する。固体電解質層２上には陰極としての機能を有する集電体層３が形成され、これは例えばカーボンとＡｇペーストを塗布して硬化するなどして形成される。弁金属箔１の一部に空隙を形成し、その空隙に電気絶縁性の液状の樹脂で充填し、硬化することで、弁金属箔１を分割し、電気的に絶縁化する。そうすることで、固体電解コンデンサの分割が可能となる。
【００１４】
このような固体電解コンデンサは基板材料である電気絶縁性樹脂７によって内蔵化される。電気絶縁性樹脂にはインナービア電極５が複数形成され、インナービア電極５の内部は銀ペーストなどの導体が充填され、固体電解コンデンサの集電体層と接続し、さらに電気絶縁性樹脂７の表層に設けられた表層パターン８と接続する構成となる。また絶縁樹脂層４と電気絶縁性樹脂７の積層部において、電気絶縁性樹脂及び弁金属箔を貫通し、弁金属箔と電気的に導通するスルーホール電極６が形成されている。
【００１５】
このような固体電解コンデンサ内蔵基板は、一般にマザーボード上に実装され、例えば封止樹脂で固定される。このときインナービアと接続する表面パターンはマザーボードのグランド配線に電気的に接続され、スルーホール電極と接続する表面パターンは電源配線に接続され、スルーホール電極は直接電源配線とは接続されない。
【００１６】
またＩＣ素子は接続端子が下面に設けられ、マザーボードと反対側の表面パターンと接続され、このとき集電体層およびインナービア電極が接続された表面パターンはＩＣ素子のグランド端子と、スルーホール電極が接続された表面パターンはＩＣ素子の電源用端子と接続される。またＩＣ素子は例えば封止樹脂により、コンデンサ内蔵基板上に固定される。
【００１７】
このような構成をとることにより、固体電解コンデンサのグランドを通じてＩＣ素子のグランド端子と接続でき、マザーボードの電源配線から供給される電流は固体電解コンデンサの一方の電極から他方の電極を経由して、ＩＣ素子に供給される。
【００１８】
次に、本発明のコンデンサ内蔵基板の製造方法について説明する。図３〜図３６に、本構成のコンデンサ内蔵基板の製造方法を示す。なお、図３〜図１９は断面方向からの図（断面図）であり、図２０〜図３６は表層から見た図（平面図）である。本発明において、実際には図１８、図１９、図３６に示すように、複数のコンデンサ内蔵基板を連ねた形態で製造されるが、ここでは図３〜図１７、図２０〜図３５においては１枚のコンデンサ内蔵基板で説明する。
【００１９】
図３、図２０において、弁金属箔１を示す。
【００２０】
図４、図２１において、弁金属箔に所望の位置に第１の孔１５を加工する。孔の加工方法は、たとえば、パンチング・レーザー・ドリル加工から選ばれる少なくとも一つの方法を用いて行われる。
【００２１】
図５、図２２において、弁金属箔に所望の位置に第２の孔１６を加工する。孔の加工方法は、たとえば、パンチング・レーザー・ドリル加工から選ばれる少なくとも一つの方法を用いて行われる。
【００２２】
次に、加工された弁金属箔表面の粗面化を行う（図では、表面の凹凸表示を省略する）。粗面化の手法は、たとえば、化学エッチング、電解エッチングおよびサンドブラスト処理から選ばれる少なくとも一つの方法を用いて行われる。具体的には、電解直流エッチング法を用いることができる。この方法によれば、多孔質部が形成できるため、粗面度の度合い（表面積）を大きくすることができる。また、塩酸系の水溶液を用いた交流エッチング法で粗面化することによって、粗面化の度合いをさらに大きくできる。これらのエッチング方法では、多孔質部の長さや弁金属箔１の厚さを制御することによって、粗面度の度合いを制御できる。
【００２３】
次に、弁金属箔１の表面を陽極酸化法で酸化することによって、弁金属箔１の表層に誘電体層（図では、誘電体層表示を省略する）を形成する。このとき弁金属箔１の表面は、弁金属箔１の粗面化された表面の形状を反映して均一の厚さで酸化される。
【００２４】
弁金属箔両面および孔加工側面に多孔質部及び誘電体層が形成することになる。
【００２５】
次に図６、図２３において、重合法によって固体電解質層を形成する部位以外に、液状樹脂を、印刷法などを用いて塗布して硬化し、絶縁樹脂層４を形成する。
【００２６】
次に図７、図２４において、第１の孔１５に液状の樹脂ペーストからなる電気絶縁性樹脂９を埋め込む。その後、硬化させる。
【００２７】
次に図８、図２５において、くりぬき部が設けられた半硬化状態のシート状の無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物１２を絶縁樹脂層４上と弁金属箔の外周部を覆うように重ね合わせた状態とする。
【００２８】
次に図９、図２６において、半硬化状態のシート状の無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物１２を加圧しつつ加熱して硬化することで、電気絶縁性樹脂７となり、弁金属箔１と圧着するとともに、外周部を電気絶縁性樹脂７で覆い、１部を残して内蔵化する。この１部は固体電解質層が形成される表面及びその側面部であり、電気絶縁性樹脂７形成後、中空で保持された形状をなす。
【００２９】
続いて図１０、図２７において、重合法により、固体電解質層２が、弁金属箔１の表出部の表面及び側面に形成される。重合法の一例としては、たとえばチオフェンを含有する薬液を塗布して硬化する化学重合後、チオフェンを含有する溶液中で電解を加える電解重合によって固体電解質層を成長させるような方法による。
【００３０】
次に図１１、図２８において、転写法や印刷法等により銀ペースト等を塗布して硬化し、集電体層３を形成する。この集電体層３は固体電解質層の表面及び側面部を覆い、両面で電気的に導通した状態とする。なお、このとき、銀ペーストを塗布する前にカーボンを塗布してもよい。
【００３１】
次に図１２、図２９において、第２の孔１６に絶縁性の液状樹脂９を塗布して硬化する。
【００３２】
次に図１３、図３０において、半硬化状態のシート状の無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物１２を重ね合わせた状態とする。半硬化状態のシート状の無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物１２の集電体層３と当接する部位において、インナービア電極５が設けられ、これは半硬化状態のシート状の無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物１２に貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填することによって得られ、この状態において、導電性ペーストは未硬化あるいは半硬化状態である。加えて半硬化状態のシート状の無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物１２の固体電解コンデンサと反対側の面には銅箔などによる金属箔層１３が重ねられている。
【００３３】
引き続き図１４、図３１において、半硬化状態のシート状の無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物１２を加圧しつつ加熱硬化し、この時の若干の流動により、固体電解コンデンサの段差やコンポジット樹脂層との隙間を埋め、固体電解コンデンサ全体を内蔵化する。同時にインナービア電極５内部の導電性ペーストも集電体層３および金属箔層１３との接続をとりつつ硬化する。加えて金属箔層１３と電気絶縁性樹脂７との密着も実現される。
【００３４】
次に図１５、図３２において、固体電解質層２及び集電体層３の近傍に位置する貫通スルーホール１４を、固体電解質層２及び集電体層３が形成された部位を介して両側に形成する。
【００３５】
次に図１６、図３３において、貫通スルーホール１４の内壁に、弁金属箔の露出部と電気的に導通するスルーホール電極６を、めっき法を用いて形成する。このときの方法としては例えば、アルミニウム表面の酸化層を酸系の薬液で処理して素面出しし、亜鉛層をアルミニウム面上に形成した後、銅層を順次形成するなどの方法による。
【００３６】
次に図１７、図３４において、貫通スルーホール１４に、熱硬化性樹脂１０を印刷・硬化を行い、スルーホールの孔埋めを行う。孔埋め後、研磨することで、孔埋め樹脂およびめっきされた銅箔を研磨してもよい。
【００３７】
次に図１８、図３５において、固体電解コンデンサ内蔵基板表面の金属箔層をパターニングして表層パターン８を形成し、その後図１９、図３６に示すように、コンデンサ内蔵基板間の境界部分を個片に切断することにより、複数の固体電解コンデンサ内蔵基板を完成する。
【００３８】
以上のように、本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属箔の一部において、絶縁材料からなる陽陰極分離部を有し、陽陰極分離部によって陽極と陰極が電気的に絶縁され、陰極は多孔質部上に形成された固体電解質層を有し、陽極は弁金属シート体の金属部分と電気的に接続され、かつ陰極を介して離れた位置に固体電解コンデンサを内部に複数個有し、それぞれの固体電解コンデンサ同士が電気的接続を有しない構成であり、個々の固体電解コンデンサは陽極の一部から電流が流入するとともに、他の陽極から電流が流出する電極構成を有する固体電解コンデンサ内蔵基板であるので、線路素子構造を有する大容量の固体電解コンデンサを、実装体積を増やすことなく他の部品の直近に容易に配置でき、低ＥＳＬ化実現により電流供給の円滑化、ノイズ低減等に寄与する。
【００３９】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、半導体素子の直下に配置されてなる固体電解コンデンサ内蔵基板であるので、特にノイズ低減、電源電流の安定化が求められるＩＣ素子に対し、低ＥＳＬ化によって動作の安定化を図ることができ、加えてコンデンサの基板内蔵化により、ＩＣ周辺部の実装体積が低減でき、機器の小型化に寄与する。
【００４０】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、基板を構成する材料が、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物である固体電解コンデンサ内蔵基板であるので、固体電解コンデンサの基板内蔵化を容易に実現できるとともに、材料組成を適切に組み合わせることにより、所望の熱特性、機械特性を得ることができる。
【００４１】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、陰極がグランドに接続されるとともに、外部へと電気的に導通するビア電極と接続されている固体電解コンデンサ内蔵基板であるので、固体電解コンデンサの陰極を介してＩＣ素子のＧＮＤとの接続が容易にでき、かつ線路の周囲をＧＮＤに接続することによってノイズ低減を図ることができる。
【００４２】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、ビア電極は硬化された導電性樹脂ペーストによって充填されている固体電解コンデンサ内蔵基板であるので、固体電解コンデンサの陰極を容易に、低損失かつ最短経路で外部に引き出すことができ、ＥＳＬの低減が図れる。
【００４３】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、陰極がパターニングされた電極上に搭載されている固体電解コンデンサ内蔵基板であるので、固体電解コンデンサの陰極を容易に外部と接続することができる。
【００４４】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、陽極の少なくとも一部は、外部とつながる貫通スルーホール内の側面に設けられた電極を介して外部と電気的に導通してなる固体電解コンデンサ内蔵基板であり、固体電解の陽極を低損失でかつ最短経路で外部に引き出すことができ、ＥＳＬの低減を図ることができる。
【００４５】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、貫通スルーホール内の側面に設けられた電極層は、少なくとも銅を有する固体電解コンデンサ内蔵基板であるので、低抵抗の引き出しをすることができる。
【００４６】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、貫通スルーホール内部にペーストを充填して硬化する固体電解コンデンサ内蔵基板であり、高信頼性のスルーホール引き出しを実現できる。
【００４７】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、陽陰極分離部において貫通スルーホールが形成されている固体電解コンデンサ内蔵基板であり、陰極とより近い部位から陽極取出しが行えるため低ＥＳＬ化が図れるとともに、陽陰極分離部の樹脂によって絶縁が確保されるので、スルーホール電極形成が容易である。
【００４８】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、陽陰極分離部は、多孔質部内部と表面及び側面を覆う絶縁樹脂層と、これを覆う無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなる構造によって形成されているコンデンサ内蔵基板であり、弁金属表面の凹凸を絶縁樹脂層で覆うことにより高い絶縁性が得られるとともに、コンポジット樹脂層と弁金属との密着性を向上することができる。
【００４９】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、第１の樹脂層は、アクリル、エポキシないし低温硬化型ポリイミド樹脂のいずれかを主剤としている固体電解コンデンサ内蔵基板であり、弁金属の表面の凹凸部を効率よく被覆でき、かつ比較的低温で硬化できるので、熱応力による弁金属の変形を低減でき、弁金属の平坦性を確保できる。
【００５０】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、第１の樹脂層は、弁金属箔はアルミ、タンタル、ニオブのいずれかよりなる固体電解コンデンサ内蔵基板であり、いずれも表面に誘電体層となる酸化層を容易に形成できる。
【００５１】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、形状が同じないし異なる固体電解コンデンサが複数配列されている固体電解コンデンサ内蔵基板であり、容易に形成することができる。
【００５２】
また本実施の形態の固体電解コンデンサ内蔵基板は、複数配列されている形状が同じないし、異なる固体電解コンデンサ間に長孔を形成し、前記長孔に絶縁性ペーストを充填して、硬化することで、各々の固体電解コンデンサ間を電気的に絶縁する固体電解コンデンサ内蔵基板であり、固体電解コンデンサ間の絶縁化が容易にできる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上のように本発明のコンデンサ内蔵基板は、線路素子構造を有する固体電解コンデンサをＩＣ素子直下に短配線でかつ省スペースで実装、接続でき、インピーダンス特性が向上し、映像機器やサーバ用パソコンなど、高速ＩＣを用いた機器の高性能化、小型化に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態１におけるコンデンサ内蔵基板の断面図
【図２】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の断面図
【図３】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図４】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図５】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図６】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図７】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図８】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図９】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１０】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１１】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１２】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１３】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１４】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１５】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１６】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１７】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１８】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図１９】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す工程断面図
【図２０】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２１】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２２】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２３】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２４】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２５】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２６】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２７】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２８】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図２９】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図３０】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図３１】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図３２】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図３３】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図３４】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図３５】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【図３６】同実施の形態における固体電解コンデンサ内蔵回路基板の製造方法を示す平面図
【符号の説明】
【００５５】
１  弁金属箔
２  固体電解質層
３  集電体層
４  絶縁樹脂層
５  インナービア電極
６  スルーホール電極
７  電気絶縁性樹脂
８  表層パターン
９  電気絶縁性樹脂
１０  熱硬化性樹脂
１１  多孔質部
１２  半硬化状態のシート状の無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物
１３  金属箔層
１４  貫通スルーホール
１５  第１の孔
１６  第２の孔
【図１】
2007281110.tif 000003
【図２】
2007281110.tif 000004
【図３】
2007281110.tif 000005
【図４】
2007281110.tif 000006
【図５】
2007281110.tif 000007
【図６】
2007281110.tif 000008
【図７】
2007281110.tif 000009
【図８】
2007281110.tif 000010
【図９】
2007281110.tif 000011
【図１０】
2007281110.tif 000012
【図１１】
2007281110.tif 000013
【図１２】
2007281110.tif 000014
【図１３】
2007281110.tif 000015
【図１４】
2007281110.tif 000016
【図１５】
2007281110.tif 000017
【図１６】
2007281110.tif 000018
【図１７】
2007281110.tif 000019
【図１８】
2007281110.tif 000020
【図１９】
2007281110.tif 000021
【図２０】
2007281110.tif 000022
【図２１】
2007281110.tif 000023
【図２２】
2007281110.tif 000024
【図２３】
2007281110.tif 000025
【図２４】
2007281110.tif 000026
【図２５】
2007281110.tif 000027
【図２６】
2007281110.tif 000028
【図２７】
2007281110.tif 000029
【図２８】
2007281110.tif 000030
【図２９】
2007281110.tif 000031
【図３０】
2007281110.tif 000032
【図３１】
2007281110.tif 000033
【図３２】
2007281110.tif 000034
【図３３】
2007281110.tif 000035
【図３４】
2007281110.tif 000036
【図３５】
2007281110.tif 000037
【図３６】
2007281110.tif 000038