(57)【要約】【課題】半導体装置のＩＣトレイ収納時、輸送等の振動によるＩＣトレイ受け台の磨耗を抑制し、安定した基板実装を可能にする。【解決手段】半導体装置を構成する配線基板の絶縁基材２がトレイ５の受け台６に載置される。電子部品接続用基板に接続する接続端子３が主面の外周部に配設される。受け台６に載置されるダミー端子９が、配線基板の主面の接続端子３の内側に突設されている。これにより、配線基板のＩＣトレイ収納時、輸送等の振動による絶縁基材２の表面への受け台６の樹脂カスの付着を抑制する。半導体装置の電子部品接続用基板実装後の半導体装置と金属板の接着剤による接着が安定した状態で実現できる。【選択図】図２
2007042714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレイの受け台に載置される配線基板であって、前記受け台に載置される主面の外周部に配置されて電子部品接続用基板に接続する接続端子と、前記主面の前記接続端子の内側に突設されて前記受け台に載置されるダミー端子とを備えた配線基板。
【請求項２】
ダミー端子および接続端子はメタライズ導体により形成されている請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
トレイの受け台に載置される配線基板であって、前記受け台に載置される主面の外周部に配置されて電子部品接続用基板に接続する接続端子と、前記主面の前記接続端子の内側に積層されて前記受け台に載置される追加絶縁基材とを備えた配線基板。
【請求項４】
追加絶縁基材は凹部を有する請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
トレイの受け台に載置される配線基板であって、前記受け台に載置される主面の外周部に配置されて電子部品接続用基板に接続する接続端子を備え、前記主面の前記接続端子の内側の前記受け台に載置される部分に前記受け台よりも小さい形状の凸部または凹部を形成したことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５記載の配線基板と、前記配線基板の接続端子と反対側の主面に実装された半導体素子とを備えた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として半導体素子搭載用の配線基板および半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、絶縁基材の一主面に接続端子が配置され、この接続端子が電子部品接続用基板に導電性接合部材を介して接続、実装される。
【０００３】
すなわち、半導体素子等の電子部品が搭載されている配線基板は、一般にセラミックスと呼ばれる酸化アルミニウム質焼結体等からなり、表面および内部に配線層が形成された板状の絶縁基材と、絶縁基材の一主面に配線層と接続された外部との接続用の接続端子とを有している。その中でも、セラミックスで構成された配線基板はＣＬＣＣ（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）と呼ばれる半導体装置に多く用いられ、絶縁基材上の接続端子は主に絶縁基材の４辺の外周部に配置されている。
【０００４】
また、接続端子を形成した絶縁基材の一主面と反対側の主面に半導体素子を搭載するとともに、半導体素子の電極と配線層とを金ボンディングワイヤを介して接続し、その上にガラス等を封着することで半導体装置として完成している。次に完成した半導体装置はＩＣトレイと呼ばれる専用トレイの収納部に収納され、輸送や試験等が行われ、次に電子部品接続用基板に導電性接合部材を介して接続、実装している。さらに半導体装置を一般にフレキシブル基板と呼ばれるフィルム状の基板に実装した場合には、半導体装置の固定および動作時の放熱用に金属板と絶縁基材表面を接着剤にて固定する場合が多い。
【０００５】
ところが、ＩＣトレイの収納部に収納して輸送した際の振動等により、絶縁基材のセラミックが収納部半導体装置受け台にこすれることにより、一般的にＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）やＰＰ（ポリプロピレン）等のプラスチックからなるＩＣトレイの一部である受け台が削れ、樹脂カスとなって接続端子が配置された基材表面に付着する。さらに、この状態で半導体装置を電子部品接続用基板に導電性接合部材を介して接続した後、半導体装置の固定および動作時の放熱用に金属板と絶縁基材の表面を接着剤にて固定すると、樹脂カスにより絶縁基材の表面と接着剤の接着力が阻害され、放熱性にも影響をおよぼすという課題があった。
【０００６】
このため、接着剤で固定する絶縁基材の表面とＩＣトレイの収納部の受け台がこすれて表面全面に樹脂カスが発生しないように、受け台に突起等を設け絶縁基材表面との接触エリアを限定している。
【０００７】
図１０は従来の配線基板を用いてガラス封着により形成された半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は半導体装置のガラス封着材側を上にみた平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は半導体装置の接続端子側となる底面図である。図１０に示すように、半導体装置は、絶縁基材２および接続端子３より構成された配線基板４と、配線基板４に半導体素子を封着したガラス封着材１により構成されている。
【０００８】
図１１は、従来の半導体装置収納用の収納部５で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図１１に示すように収納部５は半導体装置を収納する大きさを有し、その底面中央に受け台６を突設し、その４隅に突起７を設けている。
【０００９】
図１２は従来の配線基板を用いたガラス封着により形成された半導体装置を収納部５に収納した状態の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【００１０】
図１３は従来の配線基板を用いたガラス封着により形成された半導体装置をＩＣトレイの収納部５に収納した後、輸送等の振動を与えた後の半導体装置の平面図である。図１３に示すように配線基板の一主面の絶縁基材２の表面に接触したＩＣトレイの収納部５の受け台６の４隅の突起７の先端が削り取られ、樹脂カス８が絶縁基材２の表面に付着している。
【特許文献１】特開２００３−１９２０８５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の配線基板により形成された半導体装置において、ＩＣトレイの収納部５に収納して輸送した際の振動等により絶縁基材のセラミックが収納部５の半導体装置の受け台６にこすれることにより、ＩＣトレイの一部である受け台６の４隅の突起７が磨耗し、トレイ収納時の半導体装置の搭載高さの変異や半導体装置の傾きが発生し、実装時のピックアップ不良を誘発するという課題があった。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来の課題を解決し、半導体装置の高さの変位や傾きを防止するとともに、樹脂カスの磨耗および樹脂カスの配線基板への付着を抑制できる配線基板および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の配線基板は、トレイの受け台に載置される配線基板であって、前記受け台に載置される主面の外周部に配置されて電子部品接続用基板に接続する接続端子と、前記主面の前記接続端子の内側に突設されて前記受け台に載置されるダミー端子とを備えたものである。
【００１４】
上記構成において、ダミー端子および接続端子はメタライズ導体により形成されている。
【００１５】
本発明の別の配線基板は、トレイの受け台に載置される配線基板であって、前記受け台に載置される主面の外周部に配置されて電子部品接続用基板に接続する接続端子と、前記主面の前記接続端子の内側に積層されて前記受け台に載置される追加絶縁基材とを備えたものである。
【００１６】
上記構成において、追加絶縁基材は凹部を有する。
【００１７】
本発明の別の配線基板は、トレイの受け台に載置される配線基板であって、前記受け台に載置される主面の外周部に配置されて電子部品接続用基板に接続する接続端子を備え、前記主面の前記接続端子の内側の前記受け台に載置される部分に前記受け台よりも小さい形状の凸部または凹部を形成したことを特徴とする。
【００１８】
本発明の半導体装置は、上記構成の配線基板と、前記配線基板の接続端子と反対側の主面に実装された半導体素子とを備えている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る配線基板および半導体装置によれば、配線基板の、トレイの受け台に対向する部分に受け台に接触しない部分を設けたため、トレイに収納して輸送した際の振動等により発生する樹脂カスの付着範囲を小さく抑制することができる。このため、例えば実装時のピックアップ不良を発生させないようにＩＣトレイの収納部の受け台は平坦なままで、半導体装置を電子部品接続用基板に導電性接合部材を介して接続した後、配線基板や半導体装置の固定および動作時の放熱用の金属板と配線基板の表面の接着を、安定した状態で行うことができる。
【００２０】
以上のことから、半導体装置の実装後の半導体装置の固定や放熱性の確保が実現でき、半導体装置を搭載したセットの歩留まり向上や信頼性向上が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。（第１実施形態）
図１（ａ）、（ｂ）、図２および図３は本発明の第１の実施形態に係る配線基板を用い、ガラス封着材１により半導体素子がガラス封着された半導体装置の構成を示す図であり、図１（ａ）は半導体装置の接続端子側を上からみた平面図、図１（ｂ）は側面図、図２は半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した断面図、図３は半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した後、輸送等の振動を与えた後の半導体装置の平面図である。
【００２２】
図１（ａ）、（ｂ）、図２および図３に示すように、配線基板の絶縁基材２の一主面の外周部に配置された、電子部品接続用基板と接続用の接続端子３の内側にダミー端子９が複数配置されている。ダミー端子９は接続端子３と同じ、メタライズ導体により形成され接着されており、絶縁基材２の表面より約２０μｍ程度突出しており、ＩＣトレイの収納部５の受け台６とは絶縁基材２の表面が接触しない。
【００２３】
よって、半導体装置をＩＣトレイに収納後に輸送等の振動を与えても、樹脂カス８はダミー端子９の表面にしか付着しないため、絶縁基材２の表面に樹脂カス８が付着しないエリアが確保できる。
【００２４】
なお、第１の実施形態ではダミー端子９を受け台６のコーナ部に４箇所設けたが、これに限定するものではなく、例えば受け台６に搭載する半導体装置が水平に保たれれればリング状等の形状でもかまわない。
（第２実施形態）
図４（ａ）、（ｂ）、図５および図６は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板を用い、ガラス封着材１により半導体素子がガラス封着された半導体装置の構成を示す図であり、図４（ａ）は半導体装置の接続端子側を上から見た平面図、図４（ｂ）は側面図、図５は半導体装置をＩＣトレイの収納部５に収納した断面図、図６は半導体装置をＩＣトレイの収納部５に収納した後、輸送等の振動を与えた後の半導体装置の平面図である。
【００２５】
図４（ａ）、（ｂ）、図５および図６に示すように、配線基板の絶縁基材２の一主面の外周部に配置された、電子部品接続用基板と接続用の接続端子３の内側に追加絶縁基材１０が積層されている。また、追加絶縁基材１０は中央に凹部を有するリング状であり、接続端子３が形成された絶縁基材２の表面より約１００μｍ程度突出しており、ＩＣトレイの収納部５の受け台６とは絶縁基材２の表面が接触しない。
【００２６】
よって、第１の実施形態と同様に半導体装置をＩＣトレイに収納後に輸送等の振動を与えても、樹脂カスは追加絶縁基材１０の表面にしか付着しないため、絶縁基材２の表面に樹脂カス８が付着しないエリアが確保できる。
【００２７】
また、第２の実施形態では追加絶縁基材１０をリング状に設けたが、これに限られるものではなく、受け台６に搭載する半導体装置が水平に保たれれば複数の柱状形状でもかまわない。
（第３実施形態）
図７（ａ）、（ｂ）、図８および図９は本発明の第３の実施形態に係る配線基板を用い、ガラス封着材１により半導体素子がガラス封着された半導体装置の構成を示す図であり、図７（ａ）は半導体装置の接続端子側を上からにみた平面図、図７（ｂ）は側面図、図８は半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した断面図、図９は半導体装置をＩＣトレイの収納部５に収納した後、輸送等の振動を与えた後の半導体装置の平面図である。
【００２８】
図７（ａ）、（ｂ）、図８および図９に示すように、配線基板の絶縁基材の一主面の外周部に配置された、電子部品接続用基板と接続用の接続端子３の内側の絶縁基材２の表面が例えばＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ等のレーザを照射することなどにより凹部１１を加工している。また、このレーザ加工エリアとなる凹部１１は平坦化され、約５μｍ程度周囲より凹形状になっており、ＩＣトレイの収納部５の受け台６とは接触しない大きさで、凹部１１の外周において接触する。
【００２９】
よって、第１の実施形態と同様に半導体装置をＩＣトレイに収納後に輸送等の振動を与えても、樹脂カス８はレーザ加工エリアの外周にしか付着しないため、絶縁基板表面に樹脂カス８が付着しないエリアが確保できる。
【００３０】
なお、受け台６に当接するものとして、絶縁基材２にダミー端子９や追加絶縁基材１０に限らず、凸部であればよい。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明に係る配線基板および半導体装置は、半導体装置の高さの変位や傾きを防止するとともに樹脂カス付着を抑制できる等の効果があり、配線基板および半導体装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る配線基板を用いたガラス封着により形成された半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は半導体装置の接続端子側を上からみた平面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した断面図である。
【図３】半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した後、輸送等の振動を与えた後の半導体装置の平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る配線基板を用いたガラス封着により形成された半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は半導体装置の接続端子側を上からみた平面図、（ｂ）は側面図である。
【図５】半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した状態の断面図である。
【図６】半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した後、輸送等の振動を与えた後の半導体装置の平面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る配線基板を用いたガラス封着により形成された半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は半導体装置の接続端子側からみた平面図、（ｂ）は側面図である。
【図８】半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した状態の断面図である。
【図９】半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した後、輸送等の振動を与えた後の半導体装置の平面図である。
【図１０】従来例の配線基板を用いたガラス封着により形成された半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は半導体装置のガラス封着側からみた平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は半導体装置の接続端子側をみた平面図である。
【図１１】半導体装置収納用のＩＣトレイの収納部で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１２】従来の配線基板を用いたガラス封着により形成された半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した状態の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１３】従来例の半導体装置をＩＣトレイの収納部に収納した後、輸送等の振動を与えた後の半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１    ガラス封着材
２    絶縁基材
３    接続端子
４    配線基板
５    ＩＣトレイ収納部
６    受け台
７    突起
８    樹脂カス
９    ダミー端子
１０  追加絶縁基材
１１  凹部
【図１】
2007042714.tif 000003
【図２】
2007042714.tif 000004
【図３】
2007042714.tif 000005
【図４】
2007042714.tif 000006
【図５】
2007042714.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007042714.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007042714.tif 000011
【図１０】
2007042714.tif 000012
【図１１】
2007042714.tif 000013
【図１２】
2007042714.tif 000014
【図１３】
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