(57)【要約】【課題】被加工基板を割断する際に発生する応力を、割断予定線に対して略対称にして、ソゲ量を抑えること。【解決手段】本発明の割断装置は、脆性材料からなり、一方の面に金属膜４が形成された被加工基板６０を、割断予定線７１に沿って局部的に加熱し、その際に生じる応力によって当該被加工基板６０に亀裂を生じさせて割断するものである。割断装置は、被加工基板６０を保持する基板ホルダ５０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０の割断予定線７１にレーザ光ＬＢ２を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部３０とを備えている。割断装置は、金属膜４が形成された被加工基板６０の一方の面側であって、少なくとも割断予定線に対して金属膜とは反対側の領域に、駆動部１０によって駆動される伝熱体６を配置し、この伝熱体６は駆動部１０によって被加工基板６０の一方の面を接触自在となっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料からなり、一方の面に金属膜が形成された被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断装置において、
被加工基板を保持する基板ホルダと、
基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線にレーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部とを備え、
金属膜が形成された被加工基板の一方の面側であって、少なくとも割断予定線に対して金属膜とは反対側の領域に、駆動部によって駆動される伝熱体を配置し、この伝熱体は駆動部によって被加工基板の一方の面に接触自在となることを特徴とする割断装置。
【請求項２】
駆動部は、ステージと、ステージに連結され、ステージから被加工基板に向かう方向に移動自在の移動部と、移動部の先端に連結され、前記伝熱体を保持する保持部とを有することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項３】
基板ホルダは、被加工基板の一方の面を保持し、
駆動部は、当該基板ホルダ上に配置されるとともに、基板ホルダから被加工基板に向かう方向に移動自在の移動部と、移動部の先端に連結され、前記伝熱体を保持する保持部とを有することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項４】
伝熱体は、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ又はＣｕを主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項５】
駆動部は、伝熱体を加熱及び／又は冷却する温度調整手段を有することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項６】
脆性材料からなり、一方の面に金属膜が形成された被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断方法において、
被加工基板を保持する保持工程と、
金属膜が形成された被加工基板の一方の面であって、少なくとも割断予定線に対して金属膜とは反対側の領域に、伝熱体を駆動部により駆動して接触させる接触工程と、
基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線にレーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱工程と、
を備えたことを特徴とする割断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工基板にレーザ光を照射して応力によって割断する割断装置及び割断方法に係り、とりわけ、被加工基板を割断する際に発生するソゲ量を抑えて割断する割断装置及び割断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、脆性材料からなる被加工基板に対して割断加工を行う方法として、レーザ光を用いて脆性材料からなる被加工基板を、局部的に加熱するとともに水霧等により局部的に冷却し、その応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
このような被加工基板の割断方法において、被加工基板の割断面の品位の良否は実用上非常に重要である。一般的に、液晶パネル等で用いられる長方形のガラス基板等において、その割断面の品位は、直線性とソゲ量とによって評価される。図８に示すように、「直線性」とは、被加工基板６０の表面における割断線６８の直線性（割断予定線７１からの割断線６８のずれδｗ１）をいい、「ソゲ量」とは、被加工基板６０の表面に対する割断面６９の厚さ方向の直角度（割断予定線７１に対応する垂直な面からの割断面６９のずれδｗ２）をいう。なお、実際の製品では、これらの直線性及びソゲ量に関して上限値が決められており、具体的には、直線性に関して±数十μｍ以下（±数百μｍ以下）、ソゲ量に関して±数十μｍ以下（±数百μｍ以下）程度である。これらの数値は、メーカーや製品に応じて異なるものであるが、例えば、直線性に関して±５０μｍ以下、ソゲ量に関して±７０μｍ以下程度であることが好ましい。
【特許文献１】特表平８−５０９９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このようなソゲ量を抑え、割断面６９の品位を向上させることは比較的難しく、現状の被加工基板６０の割断方法にとっての実用化の大きな障壁になっている。特に、割断対象となる被加工基板６０は理想的な平面形状をなしておらず、うねり等の要因により波打っている場合が多いので、このような被加工基板６０を適切に支持しながら、高品位で割断することが困難であるという問題がある。
【０００５】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被加工基板を割断する際に発生する応力を、割断予定線に対して略対称にして、ソゲ量を抑えることができる割断装置及び割断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、脆性材料からなり、一方の面に金属膜が形成された被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断装置において、被加工基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線にレーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部とを備え、金属膜が形成された被加工基板の一方の面側であって、少なくとも割断予定線に対して金属膜とは反対側の領域に、駆動部によって駆動される伝熱体を配置し、この伝熱体が駆動部によって被加工基板の一方の面に接触自在となることを特徴とする割断装置である。
【０００７】
このような構成により、被加工基板を割断する際に発生する応力を、割断予定線に対して略対称にし、ソゲ量を抑えることができる。
【０００８】
本発明は、駆動部が、ステージと、ステージに連結され、ステージから被加工基板に向かう方向に移動自在の移動部と、移動部の先端に連結され、前記伝熱体を保持する保持部とを有することを特徴とする割断装置である。
【０００９】
本発明は、基板ホルダが、被加工基板の一方の面を保持し、駆動部が、当該基板ホルダ上に配置されるとともに、基板ホルダから被加工基板に向かう方向に移動自在の移動部と、移動部の先端に連結され、前記伝熱体を保持する保持部とを有することを特徴とする割断装置である。
【００１０】
本発明は、伝熱体が、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ又はＣｕを主成分とする材料からなることを特徴とする割断装置である。
【００１１】
このような構成により、被加工基板内で発生する熱を、割断予定線に対して、より効率よく対称的に伝達することができる。
【００１２】
本発明は、駆動部が、伝熱体を加熱及び／又は冷却する温度調整手段を有することを特徴とする割断装置である。
【００１３】
このような構成により、被加工基板に応じて、被加工基板から伝熱体への熱の伝導量を調整することができ、ソゲ量を、確実に小さくすることができる。
【００１４】
本発明は、脆性材料からなり、一方の面に金属膜が形成された被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断方法において、被加工基板を保持する保持工程と、金属膜が形成された被加工基板の一方の面であって、少なくとも割断予定線に対して金属膜とは反対側の領域に、伝熱体を駆動部により駆動して接触させる接触工程と、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線にレーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱工程と、を備えたことを特徴とする割断方法である。
【００１５】
このような構成により、被加工基板を割断する際に発生する応力を、割断予定線に対して略対称にし、ソゲ量を抑えることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、金属膜が形成された被加工基板の一方の面側であって、割断予定線に対して金属膜とは反対側に、駆動部によって伝熱体を接触させることによって、被加工基板を割断する際に発生する応力を、割断予定線に対して略対称にし、ソゲ量を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
実施の形態
以下、本発明に係る割断装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図６は本発明の実施の形態を示す図である。
【００１８】
本実施の形態の割断装置は、脆性材料からなり、裏面（一方の面）６０ａに複数の配線からなる金属膜４が形成された被加工基板６０を、割断予定線７１に沿って局部的に加熱し、その際に生じる応力によって当該被加工基板６０に亀裂を生じさせて割断するものである（図２及び図３参照）。
【００１９】
図１に示すように、割断装置は、被加工基板６０を裏面６０ａから保持する基板保持部５１を有する基板ホルダ５０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０の割断予定線７１にレーザ光ＬＢ１を照射して、被加工基板６０の割断予定線７１上を予熱するレーザ予熱部２０と、レーザ予熱部２０によって予熱された被加工基板６０の割断予定線７１上にレーザ光ＬＢ２を照射して、局部的に加熱するレーザ加熱部３０とを備えている。なお、このうち、レーザ予熱部２０は必ずしも設ける必要はない。
【００２０】
なお、図１において、被加工基板６０内に延在する割断予定線７１の方向をＸ方向とし、被加工基板６０内であって、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とし、被加工基板６０の法線方向（Ｘ方向及びＺ方向に直交する方向）をＺ方向とする。
【００２１】
また、図１に示すように、レーザ加熱部３０の下流側には、基板ホルダ５０の基板保持部５１で保持された被加工基板６０に対して相対的に移動するとともに、レーザ加熱部３０によって局部的に加熱された割断予定線７１を、局部的に冷却する冷却部４０が設けられている。
【００２２】
なお、これらレーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０の各々は、被加工基板６０の割断予定線７１に沿って相対的に移動するように構成されている。
【００２３】
また、図１に示すように、基板ホルダ５０は、レーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０に対して、ＸＹ平面内で相対的に移動する移動ステージ５５上に設けられている。
【００２４】
図１乃至図３に示すように、基板ホルダ５０は、定盤５３と、この定盤５３上に設けられ被加工基板６０の割断予定線７１に沿って略平行に延びる複数（本実施の形態では、２つ）の保持バー５４ａ，５４ｂと、保持バー５４ａ，５４ｂ上に設けられた被加工基板６０を保持する前述した基板保持部５１とを有している。なお、図２は、基板ホルダ５０上に被加工基板６０を配置した割断装置の一部を示した斜視図であり、図３は、図２の割断装置をIII−IIIから見た側方図である。
【００２５】
また、図２及び図３に示すように、被加工基板６０の裏面（一方の面）６０ａに金属膜４が形成されており、この被加工基板６０の裏面６０ａ側には、被加工基板６０の割断予定線７１に対して金属膜４とは反対側に後述する駆動部１０によって駆動されて被加工基板６０の裏面６０ａに接触自在となる伝熱体６が設けられている。
【００２６】
すなわち駆動部１０は、被加工基板６０の割断予定線７１に対して金属膜４とは反対側に設けられており、伝熱体６を、金属膜４が形成された被加工基板６０の裏面６０ａであって、割断予定線７１に対して金属膜４とは反対側の領域に接触自在に配置することができる。
【００２７】
なお、被加工基板６０の裏面６０ａに形成された金属膜４としては、被加工基板６０が、例えば、ガラス基板からなる場合、ガラス基板上に設けられたＡｌからなる電極、配線等が考えられる。
【００２８】
次に、駆動部１０について説明する。駆動部１０は、図２及び図３に示すように、定盤５３上であって、保持バー５４ａと保持バー５４ｂとの間に配置されている。この駆動部１０は、基板ホルダ５０から被加工基板６０の裏面６０ａに向かう方向（本実施の形態では、Ｚ方向）に移動自在の移動部７と、移動部７の先端に連結され、伝熱体６を保持する保持部５とを有している。また、図２及び図３に示すように、駆動部１０は、伝熱体６を加熱及び／又は冷却する温度調整手段３を有している。
【００２９】
次に、上述したレーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０について以下、詳細に説明する。
【００３０】
（レーザ予熱部）
図１に示すレーザ予熱部２０は、被加工基板６０上にレーザ光ＬＢ１を照射して被加工基板６０を局部的に予熱するためのものである。図１に示すように、レーザ予熱部２０は、２００Ｗ程度のＣＯ２レーザ光ＬＢ１を出射するレーザ発振器２１と、レーザ発振器２１により出射されたレーザ光ＬＢ１を反射する反射ミラー２２と、反射ミラー２２により反射されたレーザ光ＬＢ１を被加工基板６０上で走査するポリゴンミラー２３とを有している。そして、レーザ発振器２１から出射したレーザ光ＬＢ１は、反射ミラー２２を経てポリゴンミラー２３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線７１に沿った領域Ｌ１で、繰り返し走査される。
【００３１】
（レーザ加熱部）
図１に示すレーザ加熱部３０は、被加工基板６０上にレーザ光ＬＢ２を照射して被加工基板６０を局部的に加熱して、被加工基板６０に亀裂を生じさせるためのものである。図１に示すように、レーザ加熱部３０は、数十Ｗ〜百数十Ｗ程度のＣＯ２レーザ光ＬＢ２を出射するレーザ発振器３１と、レーザ発振器３１により出射されたレーザ光ＬＢ２を反射する反射ミラー３２と、反射ミラー３２により反射されたレーザ光ＬＢ２を被加工基板６０上で走査するポリゴンミラー３３とを有している。そして、レーザ発振器３１から出射したレーザ光ＬＢ２は、反射ミラー３２を経てポリゴンミラー３３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線７１に沿った領域Ｌ２、で繰り返し走査される。
【００３２】
（冷却部）
図１に示す冷却部４０は、局部的に加熱された被加工基板６０上の割断予定線７１に冷却剤Ｃを吹き付けて冷却するためのものである。このような冷却剤Ｃとしては、水や霧（水と気体との混合物）、ヘリウム、窒素等の気体、二酸化炭素粒子（ドライアイス）等の微粒子固体、アルコール等の液体、霧状のアルコール、雪状のドライアイス等を用いることができる。
【００３３】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。
【００３４】
最初に、図１乃至図４を参照として、被加工基板６０を割断する方法について説明する。
【００３５】
割断対象となる被加工基板６０を移動ステージ５５上に設けられた基板ホルダ５０の各保持バー５４ａ，５４ｂ上に位置決めした後、基板ホルダ５０の基板保持部５１によって、被加工基板６０を保持する（保持工程８１）（図１乃至図４参照）。なお、被加工基板６０の裏面６０ａ側には、予めＡｌ等からなる金属膜４が形成されている。
【００３６】
次に、移動ステージ５５により基板ホルダ５０を移動させ、被加工基板６０の割断予定線７１上にレーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０を位置付ける（位置付け工程８２）（図１及び図４参照）。なお、レーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０は、被加工基板６０の割断予定線７１上に位置付けられた後、当該割断予定線７１に沿って適切な間隔で一直線状に配置されるように予めアライメント調整される。
【００３７】
次に、金属膜４が形成された被加工基板６０の裏面６０ａであって、割断予定線７１に対して金属膜４とは反対側に、伝熱体６を駆動部１０により駆動して接触させる（接触工程８３）（図１乃至図４参照）。
【００３８】
次に、レーザ予熱部２０が、被加工基板６０の割断予定線７１上に線状のレーザ光ＬＢ１を照射し、被加工基板６０の割断予定線７１上の領域を所定の温度（３０℃〜２００℃程度）で局部的に予熱する（レーザ予熱工程８４）（図１及び図４参照）。なお、レーザ予熱部２０は、レーザ発振器２１により出射されたレーザ光ＬＢ１を、反射ミラー２２で反射した後、ポリゴンミラー２３で反射し、被加工基板６０上の割断予定線７１に沿った領域Ｌ１で、繰り返し走査する。
【００３９】
この場合、被加工基板６０の裏面６０ａ側であって、割断予定線７１に対して金属膜４とは反対側に、伝熱体６が接触されている。このため、レーザ光ＬＢ１によって被加工基板６０に加えられる熱を、金属膜４だけでなく伝熱体６へも伝達することができる。この結果、被加工基板６０内の温度分布を、割断予定線７１に対して略対称にすることができる。
【００４０】
次に、レーザ予熱部２０により被加工基板６０上で局部的に予熱された領域よりも幅の狭い線状の領域に、線状のレーザ光ＬＢ２を照射することにより、被加工基板６０の割断予定線７１上の領域を所定の温度（１００℃〜４００℃程度）で局部的に加熱する（レーザ加熱工程８５）（図１及び図４参照）。なおこのとき、レーザ加熱部３０は、レーザ発振器３１により出射されたレーザ光ＬＢ２を、反射ミラー３２反射した後、ポリゴンミラー３３で反射し、被加工基板６０上で割断予定線７１に沿った領域Ｌ２で、繰り返し走査する。このように、被加工基板６０の割断予定線７１上の領域で加熱することによって、応力が発生する。
【００４１】
この場合、上述したレーザ予熱工程８４における場合と同様、被加工基板６０の裏面６０ａ側であって、割断予定線７１に対して金属膜４とは反対側に、伝熱体６が接触されている。このため、レーザ光ＬＢ２によって被加工基板６０に加えられる熱を、やはり、金属膜４だけでなく伝熱体６へも伝達することができる。この結果、被加工基板６０内の温度分布を、割断予定線７１に対して略対称にすることができる。
【００４２】
その後、レーザ加熱部３０により局部的に加熱が行われた領域よりも幅の広い円形状の領域に、冷却部４０によって冷却剤Ｃを吹き付けることにより、被加工基板６０を局部的に冷却する（冷却工程８６）（図１及び図４参照）。このように冷却することによって、被加工基板６０の表面が収縮し、引張応力が発生する。このため、レーザ光ＬＢ２で誘起された応力を拡大させることができ、被加工基板６０を割断予定線７１で、効率よく割断することができる。
【００４３】
このとき、上述のように内部の温度分布が割断予定線７１に対して略対称になっている被加工基板６０を冷却し割断するので、割断面６９（図８参照）のソゲ量を抑えることができる。
【００４４】
（ソゲ量を抑制できる理由）
次に、上述の割断方法で、被加工基板６０の裏面６０ａに伝熱体６を接触させることによって、ソゲ量を抑えることができる理由について、図５及び図６を参照として以下詳細に説明する。なお、図５は、従来の割断装置で被加工基板６０を割断する際に、被加工基板６０内で発生する温度分布のシミュレーション結果を概略的に示したものであり、図６は、本発明の割断装置で被加工基板６０を割断する際に、被加工基板６０内で発生する温度分布のシミュレーション結果を概略的に示したものである。
【００４５】
まず、従来の割断装置を用いて、裏面６０ａ側に金属膜４が形成された被加工基板６０を割断する場合について説明する。
【００４６】
レーザ予熱工程８４及びレーザ加熱工程８５において、割断予定線７１上にレーザ予熱部２０から照射されるレーザ光ＬＢ１、及びレーザ加熱部３０から照射されるレーザ光ＬＢ２によって被加工基板６０内に熱が発生するが、この熱は金属膜４に向かって伝達される。このため、割断対象である被加工基板６０内の温度分布は、割断予定線７１に対して非対称となる（図５参照）。
【００４７】
このように、内部の温度分布が割断予定線７１に対して非対称となっている被加工基板６０を、冷却工程８６で冷却すると、被加工基板６０の割断予定線７１に対して非対称に応力が発生する。この結果、被加工基板６０は、被加工基板６０に対して垂直な方向からは大きくずれて、斜めに曲がって割断され、そのソゲ量が大きくなる。
【００４８】
これに対して、本発明の割断装置によれば、被加工基板６０の裏面６０ａ側であって、割断予定線７１に対して金属膜４と反対側に、駆動部１０を用いて伝熱体６を接触することができる。このため、レーザ予熱工程８４及びレーザ加熱工程８５において、被加工基板６０内で発生する熱を金属膜４だけでなく伝熱体６へも伝達することができる。この結果、割断予定線７１に対して対称的に熱を伝達することができ、被加工基板６０内の温度分布を割断予定線７１に対して、略対称にすることができる（図６参照）。このように、内部の温度分布が割断予定線７１に対して略対称となっている被加工基板６０を、冷却工程８６で冷却すると、被加工基板６０の割断予定線７１に対して略対称に応力を発生させることができる。このため、被加工基板６０を、割断予定線７１上の割断面６９で割断することができる（ソゲ量を抑えることができる）。
【００４９】
なお、レーザ予熱部２０から照射されるレーザ光ＬＢ１、及びレーザ加熱部３０から照射されるレーザ光ＬＢ２によって被加工基板６０内で発生する熱を、割断予定線７１に対して、より効率よく対称的に伝達するため、伝熱体６は、配線からなる金属膜４と同程度の熱伝導性を有する材料からなることが好ましい。従って、伝熱体６は、金属膜４がＡｌからなる場合、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ又はＣｕを主成分とする材料からなることが好ましい。
【００５０】
ところで、一般的に、被加工基板６０に応じて、被加工基板６０に発生するソゲ量は変化する。この点、本判明による割断装置は、図２、図３及び図６に示すように、その駆動部１０が伝熱体６を加熱及び／又は冷却する温度調整手段３を有している。このため、被加工基板６０の厚みや材料、金属膜４を構成する配線の太さや材料などに応じて、伝熱体６の温度を自在に調整することができ、被加工基板６０から伝熱体６への熱の伝導量を調整することができる。この結果、被加工基板６０を割断する際に発生するソゲ量を、確実に小さくすることができる。
【００５１】
また、図２、図３及び図６に示すように、駆動部１０は、移動部７をＺ方向に移動させることによって、伝熱体６を被加工基板６０の裏面６０ａに接触させたり、離間させたり自在に行うことができる。このため、大きなソゲが発生する原因となる金属膜４が形成されている被加工基板６０を割断する場合にのみ、被加工基板６０の裏面６０ａに放熱体６を接触させることができる。
【００５２】
なお、上記では、保持ホルダ５０の定盤５３上に駆動部１０が設けられ、駆動部１０と保持ホルダ５０とが一体となった態様を用いて説明したが、これに限らず、図７に示すように、保持ホルダ５０とは別体を構成する駆動部１０を設けても良い。すなわち、図７に示すように、基板ホルダ５０とは別体のステージ２と、このステージ２上に設けられ、Ｚ方向に移動自在の移動部７と、移動部７の先端に連結され、伝熱体６を保持する保持部５とからなる駆動部１０を用いてもよい。
【００５３】
また、上記では、伝熱体６を、金属膜４が形成された被加工基板６０の裏面６０ａであって、割断予定線７１に対して金属膜４とは反対側の領域に接触自在に配置する態様を用いて説明した（図２，図３，図６及び図７参照）が、これに限らず、図９に示すように、金属膜４を覆うことができ、かつ割断予定線７１に対して金属膜４とは反対側まで延びている伝熱体６を、被加工基板６０の裏面６０ａに接触自在に配置してもよい。このような構成によって、伝熱体６を被加工基板６０の裏面６０ａに均一に接触させることができる。このため、被加工基板６０内の温度分布をさらに均一にすることができ、ソゲ量をさらに効率よく抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明による割断装置の実施の形態を示す縦断面図。
【図２】本発明の実施の形態による割断装置の一部を示す斜視図。
【図３】図２の割断装置をIII−IIIから見た側方図。
【図４】本発明による割断方法の実施の形態を示すフロー図。
【図５】従来の割断装置で割断する際に、被加工基板内で発生する温度分布のシミュレーション結果を概略的に示した図。
【図６】本発明の実施の形態による割断装置で割断する際に、被加工基板内で発生する温度分布のシミュレーション結果を概略的に示した図。
【図７】本発明の実施の形態の変形例による割断装置の一部を示す斜視図。
【図８】被加工基板の割断線の直線性と、割断面の直角性（ソゲ量）を説明するための斜視図。
【図９】本発明の実施の形態の第２の変形例による割断装置の一部を示す斜視図。
【符号の説明】
【００５５】
２    ステージ
３    温度調整手段
４    金属膜
５    保持部
６    伝熱体
７    移動部
１０  駆動部
３０  レーザ加熱部
５０  基板ホルダ
６０  被加工基板
８１  保持工程
８３  接触工程
８５  レーザ加熱工程
ＬＢ１，ＬＢ２  レーザ光
【図１】
2007301631.tif 000003
【図２】
2007301631.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007301631.tif 000006
【図５】
2007301631.tif 000007
【図６】
2007301631.tif 000008
【図７】
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【図８】
2007301631.tif 000010
【図９】
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