(57)【要約】【課題】本発明は、選択比が高く、被加工層の加工レートが高く、さらに、シフト量が少ないブラスト加工方法を提供することができる。【解決手段】本発明は、基板又は前記基板に積層された積層膜を被加工層とし、前記被加工層の加工面が一部露出するようにレジスト層を前記加工面に積層させ、エアー噴流により砥粒を前記一部露出した加工面の側に衝突させて前記被加工層を選択的に加工するブラスト加工方法において、前記砥粒は、球状又は楕円体状であることを特徴とするブラスト加工方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板又は前記基板に積層された積層膜を被加工層とし、前記被加工層の加工面が一部露出するようにレジスト層を前記加工面に積層させ、エアー噴流により砥粒を前記一部露出した加工面の側に衝突させて前記被加工層を選択的に加工するブラスト加工方法において、
前記砥粒は、球状又は楕円体状であることを特徴とするブラスト加工方法。
【請求項２】
前記砥粒は、前記被加工層以上の硬度を有することを特徴とする請求項１に記載のブラスト加工方法。
【請求項３】
前記砥粒は、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ又はＺｒＯ２の少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のブラスト加工方法。
【請求項４】
前記被加工層は、光導波路基板、半導体基板若しくはプリント基板又は基板に積層された光導波路層、半導体層若しくは電気回路層であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のブラスト加工方法。
【請求項５】
前記レジスト層は、膜厚が１μｍ以上、４００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のブラスト加工方法。
【請求項６】
前記レジスト層の加工レートに対する前記被加工層の加工レートの比が１０以上、４００以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のブラスト加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エアー噴流により砥粒を基板又は基板に積層された積層膜に衝突させて選択的に加工するブラスト加工方法の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、エアー噴流により微小な砥粒（図６を参照。）を光導波路基板、半導体基板若しくはプリント基板等の基板又は基板に積層された光導波路層、半導体層若しくは電気回路層等の積層膜（以後、「被加工層」を記す。）に衝突させるブラスト加工方法の技術がある（例えば、特許文献１を参照。）。通常、ブラスト加工方法では、被加工層の加工面に積層されたレジスト層を所望のパターンに形成するフォトリソグラフィを行ない、パターン形成後、エアー噴流により砥粒を被加工層の加工面に衝突させ、レジスト層で覆われていない箇所を選択的に加工する。
【特許文献１】特開平１０−０９２７７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ブラスト加工方法において、被加工層を深く加工すること、被加工層を精度良く加工すること、さらに、加工時間を短縮することが課題となっている。しかし、特許文献１をはじめとする従来のブラスト加工方法では、上記全ての課題を解決することは困難である。
【０００４】
図７は、従来のブラスト加工方法を実施する前後の概略図であり、（ａ）はブラスト加工前の状態を示し、（ｂ）は、ブラスト加工後の状態を示す。図７に、被加工層としての基板１０、加工面１０ａ、一部露出した加工面１０ａの側（以後、「加工箇所」と記す。）１０ｂ、加工箇所１０ｂの側面（以後、「加工箇所側面」と記す。）１０ｃ、研削を予定している箇所を示す研削予定箇所１１、レジスト層３０及びレジスト層側面３０ｂを図示した。以後の説明において、加工面１０ａと平行な方向を横方向とし、加工面１０ａに垂直な方向を深さ方向とする。図７（ｂ）に、図７（ａ）のレジスト層３０の一部を加工前レジスト層５０として破線で図示した。また、図７（ｂ）にブラスト加工後のレジスト層３０の横方向の減少量をシフト量（以後、「シフト量」と記す。）Ａとし、被加工層が深さ方向に研削された量を加工深さ（以後、「加工深さ」と記す。）Ｂとし、ブラスト加工後のレジスト層３０の膜厚の減少量を膜厚減少量（以後、「膜厚減少量」と記す。）Ｃとして図示した。
【０００５】
従来のブラスト加工方法では、レジスト層３０の加工レートに対する基板１０の加工レートの比（以後、「選択比」と記す。）を高くすることができず、また、ブラスト加工後にレジスト膜３０の膜厚が減少してしまうので（膜厚減少量Ｃを参照。）、レジスト層３０の膜厚を厚くしなければならない。従来のブラスト加工方法では、選択比の高さの上限が１０に制限され、例えば、１ｍｍの膜厚の被加工層に貫通孔を設ける場合に１１０μｍを越える厚いレジスト層３０を積層させる必要がある。レジスト層３０を厚くすると精度の高いパターンを形成することができず、被加工層を精度良く加工することが困難となる。また、研削予定箇所１１を形成するようにブラスト加工を行なっても加工深さＢを深くするほどシフト量Ａが多くなり、被加工層を深く加工すること及び被加工層を精度良く加工することの両立が困難となる。さらに、加工時間を短縮するには加工レートを高くすれば良いが、加工レートを高くするほどシフト量Ａが多くなり、被加工層を深く加工すること、被加工層を精度良く加工すること及び加工時間を短縮することの両立が困難となる。以上から、従来のブラスト加工方法では、被加工層を深く加工すること、被加工層を精度良く加工すること及び加工時間を短縮することが困難となる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決する為になされたもので、選択比が高く、被加工層の加工レートが高く、さらに、シフト量が少ないブラスト加工方法を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討し、鋭利な突起状の砥粒（以後、「突起状砥粒」と記す。）をエアー噴流により被加工層に衝突させると、レジスト層が深さ方向に削られ、選択比の高さが制限されると推測した。また、本発明者らは、突起状砥粒が加工箇所に衝突した際に破壊され、突起状砥粒の衝突エネルギーが発散して低くなり、被加工層の加工レートが低くなると推測した。また、砥粒が同じ大きさであれば、重量を重くするほど衝突エネルギーが高くなり、加工レートが高くなると推測した。さらに、本発明者らは、レジスト層が深さ方向に削られるのと同様に、レジスト層側面が削られて横方向に後退し、突起状砥粒とレジスト層との関係により加工箇所側面の減少量が増減することによってシフト量が変化すると推測した。以上の推測から、本発明者らは、砥粒を球状又は楕円体状とすることで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
具体的に、本発明は、基板又は前記基板に積層された積層膜を被加工層とし、前記被加工層の加工面が一部露出するようにレジスト層を前記加工面に積層させ、エアー噴流により砥粒を前記一部露出した加工面の側に衝突させて前記被加工層を選択的に加工するブラスト加工方法において、前記砥粒は、球状又は楕円体状であることを特徴とするブラスト加工方法である。
【０００９】
球状又は楕円体状の前記砥粒を加工箇所に衝突させると、選択比を高くすることができ、前記被加工層の加工レートが高くなり、さらに、シフト量を少なくすることができる。このとき、選択比を高くしてシフト量を少なくできるので、前記レジスト層の膜厚を薄くでき、前記被加工層を深く、かつ、精度良く加工することができる。従って、選択比が高く、被加工層の加工レートが高く、さらに、シフト量が少ないブラスト加工方法を提供することができる。
【００１０】
本発明では、前記砥粒は、前記被加工層以上の硬度を有することが好ましい。
【００１１】
前記砥粒が前記被加工層以上の硬度を有することで、前記被加工層を前記砥粒で研削しやすいことから、前記被加工層の加工レートをより高くすることができる。従って、被加工層の加工レートがより高いブラスト加工方法を提供することができる。
【００１２】
本発明では、前記砥粒は、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ又はＺｒＯ２の少なくとも１種類を含むことが好ましい。
【００１３】
上記の材料は高い硬度を有し、前記被加工層を前記砥粒で研削しやすいことから、前記被加工層の加工レートをより高くすることができる。従って、被加工層の加工レートがより高いブラスト加工方法を提供することができる。
【００１４】
本発明では、前記被加工層は、光導波路基板、半導体基板若しくはプリント基板又は基板に積層された光導波路層、半導体層若しくは電気回路層であることが好ましい。
【００１５】
前記光導波路基板、前記半導体基板若しくは前記プリント基板又は基板に積層された前記光導波路層、前記半導体層若しくは前記電気回路層は、特に微細な加工精度が要求される為、選択比の高い本発明に係るブラスト加工方法の適用が有効となる。また、前記光導波路基板、前記半導体基板若しくは前記プリント基板又は基板に積層された前記光導波路層、前記半導体層若しくは前記電気回路層からなる前記被加工層を、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ又はＺｒＯ２の少なくとも１種類を含む砥粒で研削すると、前記被加工層の硬度が前記砥粒の硬度より低く、前記被加工層を前記砥粒で研削しやすいことから、前記被加工層の加工レートをより高くすることができる。
【００１６】
本発明では、前記レジスト層は、膜厚が１μｍ以上、４００μｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
前記レジスト層をより薄くすることで、前記レジスト層の解像度を高めることができ、精度の高い加工が可能になる。また、前記レジスト層を積層させるのに必要なレジスト材の消費を抑えることができる。従って、経済的なブラスト加工方法を提供することができる。
【００１８】
本発明では、前記レジスト層の加工レートに対する前記被加工層の加工レートの比が１０以上、４００以下であることが好ましい。
【００１９】
選択比をより高くすることで、前記被加工層に対して前記レジスト層の上面及び側面の減少が抑えられ、前記加工面に平行な方向ではシフト量が少なくなり、前記加工面に垂直な方向では深く加工できるようになる。従って、被加工層の加工精度が高く、加工深さがより深いブラスト加工方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、選択比が高く、被加工層の加工レートが高く、さらに、シフト量が少ないブラスト加工方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものでない。
【００２２】
（第１実施形態）
第１実施形態は、基板又は前記基板に積層された積層膜を被加工層とし、前記被加工層の加工面が一部露出するようにレジスト層を前記加工面に積層させ、エアー噴流により砥粒を前記一部露出した加工面の側に衝突させて前記被加工層を選択的に加工するブラスト加工方法において、前記砥粒は、球状又は楕円体状であることを特徴とするブラスト加工方法である。
【００２３】
図１を用いて第１実施形態に係るブラスト加工方法について説明する。図１は、第１実施形態に係るブラスト加工方法を説明する概略工程図である。図１には、被加工層としての基板１０、加工面１０ａ、加工箇所１０ｂ、レジスト層３０、パターン３０ａ、光３１、フォトマスク３２、フォトマスクパターン３２ａ及びエアー噴流４０を図示した。
【００２４】
図１（ａ）は、基板１０をブラスト加工する為の準備工程である。準備工程では、基板１０に付着したゴミ、酸化膜、油脂等の汚れを除去する洗浄を行なっても良い。上記の洗浄は、後述する図１（ｂ）のレジスト層積層工程の後、図１（ｃ）のパターン露光工程の後、図１（ｄ）のパターン現像工程の後、図１（ｅ）のブラスト工程の後又は図１（ｆ）のレジスト層除去工程の後に行っても良い。なお、基板１０の詳細については、後述する。
【００２５】
図１（ｂ）は、加工面１０ａにレジスト層３０を積層するレジスト層積層工程である。例えば、レジスト層３０としては、オーディルＢＦ４５Ｚ（東京応化工業株式会社製）、オーディルＢＦ４１０（東京応化工業株式会社製）、５５Ｐ０３６（ニチゴーモートン株式会社製）及び４０Ｐ０３６（ニチゴーモートン株式会社製）等の感光性を有するウレタンゴムをあげることができる。また、塗布法又はスピンコート法を用いてレジスト層３０を加工面１０ａに積層させても良い。
【００２６】
図１（ｃ）は、レジスト層３０にパターン３０ａを形成するパターン露光工程である。フォトマスク３２には、半導体パターン、光導波路パターン又は電気回路パターン等のフォトマスクパターン３２ａが予め描かれている。フォトマスク３２を介してレジスト層３０に光３１を照射すると、レジスト層３０にフォトマスクパターン３２ａの形状に従ってパターン３０ａが形成される。これによって、レジスト層３０に半導体パターン、光導波路パターン又は電気回路パターン等のパターン３０ａを転写することができる。
【００２７】
図１（ｄ）は、パターン３０ａをレジスト層３０から除去するパターン現像工程である。例えば、レジスト層３０に薬品を塗布し、パターン３０ａのみ除去しても良い。上記の薬品は特に制限されないが、レジスト層３０のパターン３０ａが形成された箇所以外及び基板１０と反応しないことが好ましい。これによって、フォトマスク３２のフォトマスクパターン３２ａに従って加工面１０ａの一部を露出させることができる。
【００２８】
図１（ｅ）は、エアー噴流４０により球状又は楕円体状の砥粒（以後、「球状又は楕円体状の砥粒」を「球状砥粒」と略記する。）を加工箇所１０ｂに衝突させるブラスト工程である。例えば、ブラスト装置（図１には図示していない。）が球状砥粒を噴射しても良い。また、例えば、エアー噴流４０として用いることができるキャリアガスとしては、圧縮空気、炭素ガス、窒素ガス、アルゴンガスをあげることができる。上記のキャリアガスは特に制限されないが、基板１０、レジスト層３０及び球状砥粒と反応しないことが好ましい。エアー噴流４０により球状砥粒が加工箇所１０ｂに衝突して加工箇所１０ｂを研削する。また、加工面１０ａにおいてレジスト層３０が残された箇所は球状砥粒で研削され難い。エアー噴流４０の噴射速度を高く、エアー噴流４０内での球状砥粒の密度を高く、球状砥粒の硬度と被加工物の硬度との差を大きく、また、球状砥粒の重量を重くするほど基板１０の加工レートを高くすることができる。当然、ブラスト加工の時間を長くする程、加工深さを深くすることができる。
【００２９】
図１（ｅ）のブラスト工程において、断面が矩形状の溝、深さ方向に基板１０を貫通する角筒状若しくは円筒状の貫通孔（図１には図示していない。）又は底面を有する角筒状若しくは円筒状の凹部（図１には図示していない。）を基板１０に形成しても良い。
【００３０】
図２は、第１実施形態に係るブラスト加工方法で用いる砥粒の拡大画像である。第１実施形態では、前記砥粒は、前記被加工層以上の硬度を有することが好ましい。図１において、球状砥粒が基板１０以上の硬度を有することで、基板１０を球状砥粒で研削しやすいことから、基板１０の加工レートをより高くすることができる。従って、被加工層の加工レートがより高いブラスト加工方法を提供することができる。ここで、硬度とは、ビッカース硬度又は新モース硬度をいい、以後においても同様である。また、球状砥粒の径は、０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。なお、球状砥粒の詳細については、後述する。
【００３１】
図３を用いて第１実施形態に係るブラスト加工の利点について説明する。図３は、第１実施形態に係るブラスト加工方法を実施する前後の概略図であり、（ａ）はブラスト加工前の状態を示し、（ｂ）は、ブラスト加工後の状態を示す。図３に、被加工層としての基板１０、加工面１０ａ、加工箇所１０ｂ、加工箇所側面１０ｃ、レジスト層３０及びレジスト層側面３０ｂを図示した。また、図３（ｂ）に、シフト量Ｘ、加工深さＹ及び膜厚減少量Ｚを図示し、図３（ａ）のレジスト層３０の一部を加工前レジスト層５０として破線で図示した。
【００３２】
以下、推測であるが球状砥粒を用いることの利点について説明する。第１実施形態に係る砥粒が球状又は楕円体状であることから、レジスト層３０に衝突した球状砥粒がレジスト層３０で跳ね返されてもレジスト層３０が深さ方向に削られにくく、選択比を高くすることができると推測される（図３の膜厚減少量Ｚ及び図７の膜厚減少量Ｃを参照。）。また、第１実施形態に係る砥粒が球状又は楕円体状であることから、加工箇所１０ｂに衝突した球状砥粒が破壊されにくく、球状砥粒の衝突エネルギーが発散されずに低くなりにくい為、基板１０の加工レートを高くすることができると推測される。あるいは、砥粒が同じ大きさであれば従来の突起状砥粒の重量より球状砥粒の重量の方が重いので、球状砥粒の衝突エネルギーが高くなり、基板１０の加工レートを高くすることができると推測される。さらに、レジスト層３０が深さ方向に削られにくいのと同様に、レジスト層側面３０ｂが削られにくく、球状砥粒とレジスト層３０との関係により加工箇所側面１０ｃが減少しにくく、シフト量Ｘを少なくすることができると推測される（図３のシフト量Ｘ及び図７のシフト量Ａを参照。）。
【００３３】
以上から、球状砥粒を加工箇所１０ｂに衝突させると、選択比を高くすることができ、加工レートが高くなり、さらに、シフト量Ｘを少なくすることができる。このとき、選択比を高くしてシフト量Ｘを少なくできるので、レジスト層３０の膜厚を薄くでき、基板１０を深く、かつ、精度良く加工することができる。従って、選択比が高く、被加工層の加工レートが高く、さらに、シフト量が少ないブラスト加工方法を提供することができる。
【００３４】
第１実施形態では、前記レジスト層の加工レートに対する前記被加工層の加工レートの比が１０以上、４００以下であることが好ましく、１１０以下であることがより好ましい。選択比をより高くすることで、基板１０に対してレジスト層３０の上面及び側面の減少が抑えられ、加工面１０ａに平行な方向ではシフト量が少なくなり、加工面１０ａに垂直な方向では深く加工できるようになる。従って、被加工層の加工精度が高く、加工深さがより深いブラスト加工方法を提供することができる。
【００３５】
図１（ｆ）は、レジスト層３０を除去するレジスト層除去工程を示す。例えば、レジスト層３０に薬品を塗布し、レジスト層３０を除去しても良い。上記の薬品は特に制限されないが、基板１０と反応しないことが好ましい。上記の工程を経て、基板１０を選択的に加工することができる。
【００３６】
第１実施形態では、前記被加工層は、光導波路基板、半導体基板又はプリント基板であることが好ましい。この点の詳細については後述する。
【００３７】
（第２実施形態）
以下、図４を用いて第２実施形態に係るブラスト加工方法について説明する。図４は、第２実施形態に係るブラスト加工方法を説明する概略工程図である。図４には、基板１０、被加工層としての積層膜２０、加工面２０ａ、加工箇所２０ｂ、レジスト層３０、パターン３０ａ、光３１、フォトマスク３２、フォトマスクパターン３２ａ及びエアー噴流４０を図示した。以後、第１実施形態に係るブラスト加工方法と異なる点について説明する。
【００３８】
図４（ａ）は、基板１０の積層面（図４には図示していない。）に積層膜２０を積層する積層膜積層工程である。積層膜積層工程において、基板１０に積層膜２０が積層される。また、積層膜２０を積層させる方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法又はメッキ法をあげることができる。また、積層膜積層工程において、加工面２０ａの洗浄を行っても良い。
【００３９】
第２実施形態では、前記被加工層は、基板に積層された光導波路層、半導体層又は電気回路層であることが好ましい。基板に積層された光導波路層、半導体層又は電気回路層は、特に微細な加工精度が要求される為、選択比の高い第２施形態に係るブラスト加工方法の適用が有効となる。また、積層膜２０を、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ又はＺｒＯ２の少なくとも１種類を含む球状砥粒で研削すると、積層膜２０及び図１の基板１０の硬度が球状砥粒の硬度より低く、被加工層を球状砥粒で研削しやすいことから、被加工層の加工レートをより高くすることができる。なお、第１実施形態において、前記被加工層が光導波路基板、半導体基板又はプリント基板である場合にも、上記と同様の利点を得ることができる。
【００４０】
ここで、例えば、光導波路基板又は光導波路層としては、ＳｉＯ２、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＫＮｂＯ３、ＫＴｉＯＰＯ４又は（ＬｉＮｂＸＴａ１-Ｘ）Ｏ３等の基板（図１の基板１０を参照。）又は積層膜２０をあげることができる（但し、０≦Ｘ≦１を満たす。）。
【００４１】
また、例えば、半導体基板又は半導体層としては、Ｓｉ、Ｇｅ等の単結晶の基板（図１の基板１０を参照。）若しくは積層膜２０、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ等のＩＩ−ＶＩ族化合物の基板（図１の基板１０を参照。）若しくは積層膜２０又はＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物の基板（図１の基板１０を参照。）若しくは積層膜２０をあげることができる。
【００４２】
さらに、例えば、プリント基板としては、ガラスエポキシ、テフロン（登録商標）、ポリイミド又はセラミックス等の基板（図１の基板１０を参照。）をあげることができる。また、例えば、電気回路層としては、上記のプリント基板に積層された金属層又は絶縁層等の積層膜２０をあげることができる。
【００４３】
図４（ｂ）は、加工面２０ａにレジスト層３０を積層するレジスト層積層工程である。
【００４４】
第２実施形態では、前記レジスト層は、膜厚が１μｍ以上、４００μｍ以下であることが好ましく、１１０μｍ以下であることがより好ましい。レジスト層３０をより薄くすることで、レジスト層３０の解像度を高めることができ、精度の高い加工が可能になる。また、レジスト層３０を積層させるのに必要なレジスト材の消費を抑えることができる。従って、経済的なブラスト加工方法を提供することができる。
【００４５】
図４（ｅ）は、エアー噴流４０により球状砥粒を露出した加工箇所２０ｂに衝突させるブラスト工程である。
【００４６】
第２実施形態では、前記砥粒は、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ又はＺｒＯ２の少なくとも１種類を含むことが好ましい。球状砥粒は、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ又はＺｒＯ２のいずれかを主成分としても良いし、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ又はＺｒＯ２の２種類以上の混合物を主成分としても良い。上記の材料は高い硬度を有し、被加工層を球状砥粒で研削しやすいことから、被加工層の加工レートをより高くすることができる。従って、被加工層の加工レートがより高いブラスト加工方法を提供することができる。ここで、球状砥粒が積層膜２０以上の硬度を有していれば良く、球状砥粒の硬度と基板１０の硬度との関係は問われない。
【００４７】
例えば、ＷＣの球状砥粒を製造する場合、ＷＯ３とカーバーイトの混合物を圧縮成形し、２段式の回転炭化炉で炭化させてＷＣの粉体とする。溶融したＷＣの粉体を霧状に吹き出して、ＷＣの球状砥粒を製造することができる。ＷＣの球状砥粒の成分は、９２％以上をタングステンが占め、残りのほとんどをカーバイドが占める。ＷＣの球状砥粒は、粒径が０．１μｍ以上、６０μｍ以下であり、ビッカース硬度が１６００〜２０００（ＨＶ）であり、新モース硬度が１０〜１２である。
【００４８】
ＺｒＯ２の球状砥粒は、ビッカース硬度が５１３〜９４０（ＨＶ）であり、新モース硬度が５〜８である。また、Ａｌ２Ｏ３の球状砥粒は、ビッカース硬度が１８００〜２２００（ＨＶ）であり、新モース硬度が１２〜１３である。
【００４９】
図５は、第２実施形態に係るブラスト加工方法を実施する前後の概略図であり、（ａ）はブラスト加工前の状態を示し、（ｂ）は、ブラスト加工後の状態を示す。また、図５に、基板１０、被加工層としての積層膜２０、加工面２０ａ、加工箇所２０ｂ、加工箇所側面２０ｃ、レジスト層３０及びレジスト層側面３０ｂを図示した。また、図５（ｂ）に、シフト量Ｘ、加工深さＹ及び膜厚減少量Ｚを図示し、図５（ａ）のレジスト層３０の一部を加工前レジスト層５０として破線で図示した。
【００５０】
第１実施形態と同様に、球状砥粒を加工箇所２０ｂに衝突させると、選択比を高くすることができ、積層膜２０の加工レートが高くなり、さらに、シフト量Ｘを少なくすることができる。このとき、選択比を高くしてシフト量Ｘを少なくできるので、レジスト層３０の膜厚を薄くでき、積層膜２０を深く、かつ、精度良く加工することができる。従って、選択比が高く、被加工層の加工レートが高く、さらに、シフト量が少ないブラスト加工方法を提供することができる。
【００５１】
なお、基板に２以上の積層膜を重ねて積層し、最上層に位置する積層膜を被加工層としてブラスト加工しても良い（図５には図示していない。）。このとき、球状砥粒の硬度が最上層に位置する積層膜の硬度より高い必要がある。また、全ての積層膜を被加工層としてブラスト加工しても良い。このとき、球状砥粒の硬度が全ての積層膜の硬度より高い必要がある。あるいは、全ての積層膜と基板とを被加工層としてブラスト加工しても良い。このとき、球状砥粒の硬度が全ての積層膜及び基板の硬度より高い必要がある。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のブラスト加工方法は、基板又は基板に積層された積層膜にパターンを形成する微細加工に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１実施形態に係るブラスト加工方法を説明する概略工程図である。
【図２】第１実施形態に係るブラスト加工方法で用いる砥粒の拡大画像である。
【図３】第１実施形態に係るブラスト加工方法を実施する前後の概略図であり、（ａ）はブラスト加工前の状態を示し、（ｂ）は、ブラスト加工後の状態を示す。
【図４】第２実施形態に係るブラスト加工方法を説明する概略工程図である。
【図５】第２実施形態に係るブラスト加工方法を実施する前後の概略図であり、（ａ）はブラスト加工前の状態を示し、（ｂ）は、ブラスト加工後の状態を示す。
【図６】従来のブラスト加工方法で用いる砥粒の拡大画像である。
【図７】従来のブラスト加工方法を実施する前後の概略図であり、（ａ）はブラスト加工前の状態を示し、（ｂ）は、ブラスト加工後の状態を示す。
【符号の説明】
【００５４】
１０  基板
１０ａ、２０ａ  加工面
１０ｂ、２０ｂ  加工箇所
１０ｃ、２０ｃ  加工箇所側面
１１  研削予定箇所
２０  積層膜
３０  レジスト層
３０ａ  パターン
３０ｂ  レジスト層側面
３１  光
３２  フォトマスク
３２ａ  フォトマスクパターン
４０  エアー噴流
５０  加工前レジスト層
Ａ、Ｘ  シフト量
Ｂ、Ｙ  加工深さ
Ｃ、Ｚ  膜厚減少量
【図１】
2007283438.tif 000003
【図２】
2007283438.tif 000004
【図３】
2007283438.tif 000005
【図４】
2007283438.tif 000006
【図５】
2007283438.tif 000007
【図６】
2007283438.tif 000008
【図７】
2007283438.tif 000009