(57)【要約】【課題】コンタクト配線間でショートを引き起こしている不良の半導体基板を迅速かつ簡単に検査する。【解決手段】隣接するコンタクト配線ＣＷの一方がＰウェル２に接地され、隣接するコンタクト配線ＣＷの他方がＰウェル２から絶縁されるように、交互に繰り返し形成されたコンタクト配線ＣＷを含むＴＥＧを備える半導体基板Ｓから電位コントラスト画像を取得し、得られた画像の明暗の差異により良否を判定する。【選択図】図７
2007281136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層の表面のテスト用領域内に任意の間隔で配設された第１の絶縁膜と、
前記テスト用領域内の前記半導体層と前記第１の絶縁膜とを覆うように形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜に形成され、前記半導体層および前記第１の絶縁膜が交互に露出するように繰り返し形成されたコンタクトホールまたはビアホールと、
前記コンタクトホールまたはビアホールを埋め込むように導電材料で形成されたコンタクト配線と、
を含むＴＥＧ（Test Element Group）を備える半導体基板。
【請求項２】
荷電ビームを生成し、表面にコンタクト配線が形成された半導体基板に照射する工程と、
前記半導体基板の表面から発生する二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出して信号を取得する工程と、
前記信号から前記半導体基板の表面の状態を表す検査画像を生成する工程と、
前記検査画像に基づいて前記半導体基板の良否を判定する工程と、
を備える、半導体基板の検査方法であって、
前記半導体基板の前記コンタクト配線は、隣接するコンタクト配線の一方が前記半導体基板に接地され、隣接するコンタクト配線の他方が前記半導体基板から絶縁されるように、平面視において交互に繰り返すように設計され、
前記半導体基板の良否は、隣接するコンタクト配線の表面から得られた検査画像における明暗の差異から判定されることを特徴とする、半導体基板の検査方法。
【請求項３】
前記コンタクト配線の他方は、前記半導体基板の表面に形成された第１の絶縁膜にその底面で接することにより、前記半導体基板から絶縁されることを特徴とする請求項１または２に記載の検査方法。
【請求項４】
前記コンタクト配線の一方は、その底面で前記半導体基板に直接接続され、または前記半導体基板の表面に形成された不純物拡散層を介して前記半導体基板に接続されることにより、接地されることを特徴とする請求項２または３に記載の検査方法。
【請求項５】
前記コンタクト配線は、前記半導体基板および前記第１の絶縁膜を覆うように前記半導体基板上に形成された第２の絶縁膜内に形成されたコンタクトホールまたはビアホールを埋め込むように形成される、ことを特徴とする請求項３または４に記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板および基板検査方法に関し、例えば配線のコンタクト／ビアホール間の電気的ショートの検査を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造途中のホール形成工程での欠陥検査において、ウェーハ面内の特定の１チップに存在する配線の表面の電位コントラスト画像を取得し、隣接するセル同士または隣接するダイ同士で上記配線に対応する配線の表面の電位コントラスト画像の比較を行うことにより配線の欠陥を検出する欠陥検査方法が用いられている（例えば非特許文献１）。
【０００３】
一般的にこのような欠陥検査方式は、セル・トゥ・セル画像比較検査方式、および、ダイ・トゥ・ダイ画像比較検査方式と呼ばれている。セル・トゥ・セル画像比較検査方式は、メモリデバイスのように、繰り返し配線が存在するダイを検査する場合に用いられ、ダイ・トゥ・ダイ画像比較検査方式はロジックデバイスのように、繰り返し配線が無いダイを検査する場合に用いられている。従来は、このような半導体基板の表面へ電子ビームを照射して電位コントラスト画像を取得し、その画像から配線表面における電位コントラストの差異に着目することにより、配線下層に存在する致命欠陥（断線及び配線短絡）を検出していた。
【０００４】
しかしながら、上述した検査方法は、例えば隣接するコンタクトホールとコンタクトホールとの間の絶縁膜中にボイドが存在するために互いに短絡している（以下、「コンタクト配線間ショート」という。）ようなリーク電流値の大きい（リーク電流値：〜Ｅ−５Ａ）不良品の場合、その画像と良品の画像との間で信号強度の差異が無く、信号強度の差の値から欠陥として判断することができなかったので、検査が困難であった。これは、不良品（コンタクト配線間ショート）であってもコンタクトホールの底でコンタクト配線が基板と直接または間接的に電気的導通がとれており（例えば抵抗値：１０Ω以下）、また比較する良品についてもコンタクトホール底でコンタクト配線が基板と直接または間接的に電気的導通がとれている（例えば抵抗値：１０Ω以下）ために、良品および不良品のいずれについてもコンタクト配線表面の帯電電荷量が等しいからである。その結果、従来の技術では、検査精度が落ちてしまうという問題があった。
【非特許文献１】日本学術振興会 第１３２委員会 第２４回ＬＳＩテスティングシンポジウム／２００４”電位コントラスト欠陥検出によるラインモニタリング手法Ｐ７７−８３”，Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．５７５２（２００４）ｐｐ．９９７−１００８／ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｃｏｎｔｒａｓｔ  ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｆｏｒ  ｌｉｎｅ ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ  ３００ｍｍ ＵＬＳＩ  ｈｐ９０  ｌｏｇｉｃｃｏｎｔａｃｔ  ｌａｙｅｒ”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、隣接するコンタクト／ビアホール間の絶縁膜中にボイドが存在するためにコンタクト配線間でショートを引き起こしている不良品を迅速かつ簡単に検査できる、半導体基板および基板検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
半導体層と、
前記半導体層の表面のテスト用領域内に任意の間隔で配設された第１の絶縁膜と、
前記テスト用領域内の前記半導体層と前記第１の絶縁膜とを覆うように形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜に形成され、前記半導体層および前記第１の絶縁膜が交互に露出するように繰り返し形成されたコンタクトホールまたはビアホールと、
前記コンタクトホールまたはビアホールを埋め込むように導電材料で形成されたコンタクト配線と、
を含むＴＥＧ（Test Element Group）を備える半導体基板が提供される。
【０００７】
また、本発明によれば、
荷電ビームを生成し、表面にコンタクト配線が形成された半導体基板に照射する工程と、
前記半導体基板の表面から発生する二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出して信号を取得する工程と、
前記信号から前記半導体基板の表面の状態を表す検査画像を生成する工程と、
前記検査画像に基づいて前記半導体基板の良否を判定する工程と、
を備える、半導体基板の検査方法であって、
前記半導体基板の前記コンタクト配線は、隣接するコンタクト配線の一方が前記半導体基板に接地され、隣接するコンタクト配線の他方が前記半導体基板から絶縁されるように、平面視において交互に繰り返すように設計され、
前記半導体基板の良否は、隣接するコンタクト配線の表面から得られた検査画像における明暗の差異から判定されることを特徴とする、半導体基板の検査方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、コンタクト配線間でショートを引き起こしている不良品を迅速かつ簡単に検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（１）半導体基板
図１は、本発明にかかる半導体基板の実施の一形態の概略構成を示す断面図である。同図に示す半導体基板は、半導体層と第１の絶縁膜とが交互に露出するように繰り返し形成されたコンタクトホールまたはビアホールと、これらのコンタクトホールまたはビアホールを埋め込むように金属材料、例えばＷ（タングステン）で形成されたコンタクト配線と、を含む、コンタクト配線間ショート解析用ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）を備えるように設計され、かつ、製作された点に特徴がある。以下、より詳細に説明する。
【００１０】
図１に示す半導体基板Ｓは、Ｐ型半導体基板の表面層に形成されたＰウェル２と、Ｐウェル２の表面層に所定の間隔Ｐ１で設けられた絶縁膜６と、絶縁膜６の間のＰウェル２の表面層に形成されたＮ＋型不純物拡散層４と、Ｐウェル２、Ｎ＋型不純物拡散層４および絶縁膜６を覆うように形成された絶縁膜（例えばＳｉＯ２）２２と、間隔Ｐ２で絶縁膜２２内に設けられたコンタクトホールＣＨと、コンタクトホールＣＨを埋め込むように形成されたコンタクト配線ＣＷとを含むＴＥＧを備える。コンタクトホールＣＨの間隔Ｐ２は、絶縁膜６の間隔Ｐ１の半分であり、隣り合うコンタクトホールＣＨは、一方でＮ＋型不純物拡散層４がその底面に露出し、他方で絶縁膜６がその底面に露出するように配置される。これにより、コンタクト配線ＣＷは、隣接するコンタクト配線ＣＷの一方がＮ＋型不純物拡散層４およびＰウェル２を介して半導体基板に接地され、隣接するコンタクト配線ＣＷの他方が半導体基板から絶縁されるように、平面視において交互に繰り返すように形成される。本実施形態において、Ｐウェル２は例えば半導体層に対応し、絶縁膜６は、例えば第１の絶縁膜に対応し、絶縁膜２２は、例えば第２の絶縁膜に対応する。また、本実施形態では、Ｐ型半導体基板の表面層に形成されたＰウェル２を半導体層の一例として説明したが、これに限ることなく、例えばＮ型半導体基板を半導体層の一例として使用しても勿論良い。
【００１１】
図１に示すＴＥＧを用いた半導体基板の検査方法について図２乃至図１０を参照しながら説明する。
【００１２】
（２）半導体基板の検査方法
本発明にかかる半導体基板の検査方法の実施形態について説明する前に、この検査方法の実施に使用する検査装置の概略構成を説明する。
【００１３】
図２は、本発明にかかる基板検査方法の実施の一形態に用いる検査装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す検査装置は、電子銃５１、サプレッサ（Suppressor）電極５３、引き出し電極５５、コンデンサレンズ５７、ウィーンフィルタ（Ｗｉｅｎ Ｆｉｌｔｅｒ）（上部）５９、アパーチャ６１、ビーム走査用偏向器６３、ウィーンフィルタ（下部）６５、対物レンズ６７、頂部（ＧＮＤ電位）電極６９、チャージ制御電極７１、フォーカス制御用電極７３、基板ステージ７９、二次電子検出器８１、信号処理装置８３、制御コンピュータ８５、メモリ８６、表示装置（ＣＲＴ）８７、および直流電源８９を備える。電子銃５１は、電子ビームを生成し、一次電子ビームＥＢとして半導体基板Ｓに照射する。サプレッサ電極５３、引き出し電極５５、コンデンサレンズ５７、ウィーンフィルタ５９，６５、アパーチャ６１、ビーム走査用偏向器６３、対物レンズ６７、頂部（ＧＮＤ電位）電極６９、チャージ制御電極７１、およびフォーカス制御用電極７３は、電子光学系を構成し、一次電子ビームＥＢのビーム束の大きさ、軌道および焦点位置等を制御する。制御コンピュータ８５は、メモリ８６に格納されたレシピファイルから検査対象に応じたファイルを読み出し、図示しない各種制御部を介して電子銃５１および電子光学系を制御することにより検査を実行する。直流電源８９は、フォーカス制御用電極７３へ直流電圧を印加して一次電子ビームＥＢのフォーカスを制御する。また、直流電源89は、チャージ制御電極７１へ直流電圧(正および負)を印加し、半導体基板Ｓの表面から得られる二次電子、反射電子および後方散乱電子（以下、単に二次電子等Ｅｓという）を半導体基板Ｓの表面から引き出したり、半導体基板Ｓへ押し戻したりすることで半導体基板Ｓの表面の帯電状態(正帯電および負帯電)を制御する。
【００１４】
板ステージ７９は、図１に示すＴＥＧを含む半導体基板Ｓを載置する。
【００１５】
電子銃５１から放射された一次電子ビームＥＢは、サプレッサ電極５３、引き出し電極５５、およびコンデンサレンズ５７によって集束され、ウィーンフィルタ５９に入射する。ウィーンフィルタ５９は、入射した一次電子ビームＥＢを偏向させることなく直進させて対物レンズ６７に入射させる。対物レンズ６７は、一次電子ビームＥＢが基板Ｓの表面で結像するように集束させる。集束された一次電子ビームＥＢは、ビーム走査用偏向器６３により半導体基板Ｓ上で偏向走査される。
【００１６】
一次電子ビームＥＢの走査により、半導体基板Ｓに形成された配線の表面から二次電子等Ｅｓが放出され、これらの二次電子等Ｅｓは、半導体基板Ｓと対物レンズ６７との間に形成された電界によって加速されてウィーンフィルタ６５に入射し、このウィーンフィルタ６５により偏向されて二次電子検出器８１に引き込まれる。二次電子検出器８１は、検出した二次電子等Ｅｓの量を表わす信号を出力し、信号処理装置８３は、受け取った信号を画像信号に変換して制御コンピュータ８５に供給する。制御コンピュータ８５は、信号処理装置８３から受け取った画像信号に所定の処理を実行するとともに、表示装置（ＣＲＴ）８７により半導体基板Ｓの表面の状態を表す画像を表示する。この画像は、ＴＥＧ表面の電位分布に応じたコントラストを有するため、電位コントラスト画像と呼ばれる。このようにして得られた電位コントラスト画像中の信号強度から半導体基板Ｓの不良品を検査する方法が依拠する原理を以下に説明する。
【００１７】
ＴＥＧを含む半導体基板Ｓの絶縁膜２２の表面へ一次電子ビームＥＢを照射すると、絶縁膜２２の表面が帯電する。入射電圧約９００ｅＶの電子ビーム照射によるシリコン酸化膜の二次電子放出効率δsは１よりも大きく、このため正の電荷(ＥＢδsα)が帯電される。ここで、αは、絶縁膜２２上へ押し戻される二次電子の係数である。絶縁膜２２の内部においてもリーク電流として電子が基板へ流れ込むことで、絶縁膜２２の帯電電荷の中和と蓄積が平行状態に保たれると考えられる。図３は、良品の電荷移動モデルを示す。良品では、コンタクト配線ＣＷ１がＮ＋型不純物拡散層４およびＰウェル２を介してＰ型半導体基板に接続された構造（図１のＣＳＳを参照）と、コンタクト配線ＣＷ２の底に絶縁膜６が存在する構造（図１のＣＳＩを参照）とが繰り返し配置している。良品のコンタクト配線ＣＷ１の表面へ、図３に示す等価回路(ダイオード)Ｄの電気抵抗が低くなる(順方向)ように負帯電となる電子ビームＥＢを照射すると、負の電荷は基板へ移動できるものと考えられる。また、良品のコンタクト配線ＣＷ２の表面へ負帯電となる電子ビームＥＢを照射した場合、基板に対するコンタクト抵抗値は隣接するコンタクトＣＷ１の抵抗値と比較すると極めて大きくなる。その結果、図３に示すように、負の帯電蓄積量が増大するものと予想される。この負の電荷の移動がチャージアップ量の違いとなって良品のコンタクト配線表面ＣＷ１は、暗いコントラスト像として観察され（図４の画像ＧＣ１の左半分を参照）、この一方、良品のコンタクト配線ＣＷ２の表面は、明るいコントラスト（図４の画像ＧＣ１の右半分を参照）として観察される。このように良品では、図４に示す様に、暗いコントラストと明るいコントラストとが繰り返し観察される。
【００１８】
図５に不良品の電荷移動モデルを示す。不良品では、隣接するコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６間の絶縁膜２２中にボイドが存在し、コンタクト配線間でショートＳＴを引き起こしている。不良品のコンタクト配線ＣＷ５の表面へ、前述した等価回路(ダイオード)Ｄの電気抵抗が低くなる(順方向)ように負帯電となる電子ビームＥＢを照射すると、負の電荷は基板へ移動できるものと考えられる。また、不良品のコンタクト配線ＣＷ６の表面へ負帯電となる電子ビームを照射した場合、ショートＳＴを介して負の電荷は基板へ移動できると考えられる。この負の電荷の移動がチャージアップ量の違いとなり不良品のコンタクト配線表面ＣＷ５は暗いコントラスト像(図６の画像ＧＣ５の左半分を参照)として観察され、不良品のコンタクト配線ＣＷ６の表面も同様に暗いコントラスト(図６の画像ＧＣ５の右半分を参照)として観察される。このように不良品では、図６に示すように、双方のコンタクト配線ＣＷ５，ＣＷ６ともに暗いコントラスト像として観察される。このように、良品(図４のＣＷ２の領域)と不良品(図６のＣＷ６の領域)との配線表面から得られる電位コントラスト像の差画像から不良品を判断することが可能となる。
【００１９】
即ち、下地の半導体層との間で、接地−絶縁−接地…という関係が反復して繰り返されるように形成されたＴＥＧを用意し、このようなＴＥＧを含む半導体基板を一次電子ビームで走査して電位コントラスト画像を取得すれば、ＴＥＧが良品である場合、図４の電位コントラスト画像ＧＣ１に示すように、明るいコントラストを有するコンタクト配線に隣接するコンタクト配線表面は暗いコントラストを有するように、目視によっても異なるコントラストで観察される。これとは反対に、例えば図５に示すように、隣接するコンタクトホールとコンタクトホールとの間の絶縁膜２２中にボイド等が存在してコンタクト配線ＣＷ５，ＣＷ６間でショートを起こしている不良品（例えばリーク電流値：〜Ｅ−５Ａ）の場合は、コンタクト配線ＣＷ５，ＣＷ６の表面に帯電する電荷（負）は短絡部分ＳＴを介してＰウェル２へ移動することができるので、これらのコンタクト配線ＣＷ５，ＣＷ６の表面において帯電電荷量に違いは無く、その結果、図６に示すように、電位コントラスト画像ＧＣ５上で同じコントラストで目視にて観察される。
【００２０】
このように、本実施形態の半導体基板によれば、電位コントラスト画像中の対応する領域間において良品と不良品との間で信号強度に差が発生するので、これらの信号強度の差の値から欠陥として判断することができる。これにより、不良欠陥を容易に検査することが可能になる。
【００２１】
図７および図８も参照しながら、本発明にかかる半導体基板の検査方法の実施の一形態をより具体的に説明する。
【００２２】
図７は、本実施形態の基板検査方法の概略手順を示すフローチャートである。まず、図２の基板検査装置の基板ステージ７９に検査対象となる半導体基板Ｓを設置する（ステップＳ１）。半導体基板Ｓは、図１に示すように、コンタクトホールＣＨの底に半導体層２が存在する構造ＣＳＳと隣接するコンタクトホールの底に絶縁膜６が存在する構造ＣＳＩとを繰り返し配置したコンタクト配線間ショート解析用ＴＥＧを備える。
【００２３】
次に、電子ビームの条件を半導体基板の構造に対応させて設定する（ステップＳ２）。本実施形態で使用した半導体基板ＳはＮ＋型不純物拡散層４、Ｐウェル２、Ｐ型半導体基板の構造を有するため、コンタクト配線間ショートに対する電荷移動モデルを考慮すると、コンタクト配線の表面へ照射された電荷がＰ型半導体基板へ移動可能な負帯電となる電子ビーム条件、例えば入射電圧＝９００ｅＶ、プローブ電流＝６０ｎＡ、チャージ制御電圧＝−４０Ｖを採用する。
【００２４】
続いて、予め作成しておいた検査対象領域の情報と欠陥検査に必要な情報とを含むレシピファイルをメモリ８６から制御コンピュータ８５が選択し、ウェーハアライメントを経て検査を開始する。基板ステージ７９を動作させながら、半導体基板Ｓの検査対象となるコンタクト配線表面へ一次電子ビームＥＢを走査し（ステップＳ３）、そのコンタクト配線表面から得られる二次電子等を検出して電位コントラスト画像を取得する（ステップＳ４）。取得した電位コントラスト画像をセル・トゥ・セル画像比較検査方式またはダイ・トゥ・ダイ画像比較検査方式により処理し、差画像から欠陥位置座標を抽出する。図７に示すフローは、セル・トゥ・セル画像比較検査方式を採用している。本実施形態では、良品であるセルＡの画像の輝度（階調）と不良品であるセルＢの画像の輝度（階調）とを、二次元ヒストグラムにプロットし、このヒストグラム中に欠陥と判断する基準値（しきい値）を設定することで欠陥位置を抽出する（ステップＳ５〜Ｓ７）。
【００２５】
例えば図４の画像ＧＣ１をセルＡの画像とし、また、図６の画像ＧＣ５をセルＢの画像とする。また、二次元ヒストグラムは、例えば図８に示すように、縦軸をセルＢ（不良品）画像の輝度（階調）とし、横軸をセルＡ（良品）画像の輝度（階調）で表す。
【００２６】
その場合、図３に示す良品のコンタクト配線ＣＷ１の表面は暗いコントラストとして観察され（図４参照）、その輝度値は例えば１０階調であった。一方、図５の不良品のコンタクト配線ＣＷ５の表面は暗いコントラストとして観察され、その輝度値も１０階調である。これらの輝度値を二次元ヒストグラムへプロットする（図８の点Ｐａ、ステップＳ５）。
【００２７】
また、図４に示すセルＡ（良品）のコンタクト配線ＣＨ２の表面は明るいコントラストとして観察され、その輝度値は１２０階調である。この一方、図５のセルＢ（不良品）のコンタクト配線ＣＷ６の表面は暗いコントラストとして観察され、その輝度値は１０階調である。同様にしてこれらの輝度値を図８の二次元ヒストグラムへプロットする（図８の点Ｐｂ、ステップＳ５）。
【００２８】
さらに、上記二次元ヒストグラム上で欠陥と判断する基準値（しきい値）を、例えば０階調を原点とする２直線Ｌ１，Ｌ２で設定すれば（ステップＳ６）、点Ｐｂがこれらの直線Ｌ１，Ｌ２の外部に位置する点群に含まれることから、セルＢが、欠陥（ショート）を含む不良品のコンタクト配線であることを抽出することができ、また、上記輝度値に位置座標を持たせることにより、欠陥位置座標を特定することも可能となる（ステップＳ７）。このようにして特定された欠陥位置座標の情報に従い、セルＢに対して断面解析を行った例を図９に示す。同図に示すように、コンタクト配線ＣＷ４〜ＣＷ６の間でボイドが発生しており、この結果、同図の符号ＳＴで示すように、配線間ショートによる欠陥が存在していることが確認できた。
【００２９】
本実施形態によれば、上述したとおり高い精度で欠陥検査を実現することができる上、不良解析サイクル期間（ＴＡＴ：Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）を大幅に短縮することもできる。
【００３０】
図１０は、半導体装置製造途中のホール形成工程でのＴＡＴを従来の技術による方法と、本実施形態の検査方法とで対比した結果を示す。同図に示すように、本実施形態の検査方法によれば、ＴＡＴを従来の技術よりも約１ヶ月（２６日間）も短くすることができる。
【００３１】
（３）半導体装置の製造方法
上述した本発明にかかる半導体基板を用いて、上述した本発明にかかる半導体基板の検査方法を半導体装置の製造工程に使用することにより、高い精度で、かつ、短いＴＡＴで欠陥検査を実現することができるので、より高い歩留まりおよびスループットで半導体装置を製造することができる。
【００３２】
より具体的には、製造ロット単位で半導体基板を抜き出し、抜き出された半導体基板のＴＥＧを上述した検査方法により検査する。検査の結果、良品と判定されると、検査された半導体基板が属する製造ロット全体について、引き続き残余の製造プロセスを実行する。この一方、検査の結果不良品と判定された場合でリワーク処理が可能な場合には、不良品と判定された半導体基板が属する製造ロットに対してリワーク処理を実行する。リワーク処理が終了すると、その製造ロットから半導体基板を抜き取って再度欠陥検査を行う。抜き取られた半導体基板が再検査により良品と判定されると、リワーク処理を終えたその製造ロットに対し残余の製造プロセスを実行する。また、リワーク処理が不可能な場合には、不良品と判定された半導体基板が属する製造ロットは廃棄し、不良発生原因が解析可能な場合はその解析結果を設計担当や上流のプロセス担当等へフィードバックする。
【００３３】
以上、本発明の実施の形態のいくつかについて説明したが、本発明は上記形態に限るものではなく、その技術的範囲内で種々変更して実施できることは勿論である。上記実施形態では、荷電ビームとして電子ビームを用いる場合について説明したが、これに限ることなく、例えばイオンビームを荷電ビームとして使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明にかかる半導体基板の実施の一形態の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明にかかる基板検査方法の実施の一形態に用いる検査装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】本発明にかかる基板検査方法が依拠する検査原理の説明図である。
【図４】本発明にかかる基板検査方法が依拠する検査原理の説明図である。
【図５】本発明にかかる基板検査方法が依拠する検査原理の説明図である。
【図６】本発明にかかる基板検査方法が依拠する検査原理の説明図である。
【図７】本発明にかかる基板検査方法の実施の一形態の概略手順を示すフローチャートである。
【図８】図７に示す基板検査方法に用いられる二次元ヒストグラムの一例を示す図である。
【図９】図７に示す基板検査方法により検出されたコンタクト配線間ショートの断面ＴＥＭ像の一例を示す図である。
【図１０】図７に示す基板検査方法の効果を従来の技術による方法との対比で示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
２：Ｐ型ウェル領域を含む基板
６，２２：絶縁膜
ＥＢ：電子ビーム
Ｅｓ：二次電子等
ＣＨ：コンタクトホール
ＧＣ１，ＧＣ５：検査画像
ＧＷ：コンタクト配線
【図１】
2007281136.tif 000003
【図２】
2007281136.tif 000004
【図７】
2007281136.tif 000005
【図８】
2007281136.tif 000006
【図１０】
2007281136.tif 000007
【図３】
2007281136.tif 000008
【図４】
2007281136.tif 000009
【図５】
2007281136.tif 000010
【図６】
2007281136.tif 000011
【図９】
2007281136.tif 000012