(57)【要約】【課題】記録層が所定の凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されて面記録密度が高く、且つ、磁気ヘッドのクラッシュが生じにくく信頼性が高い磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】磁気記録媒体１２は、基板の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層２４の凸部として形成された記録要素２５と、記録要素２５の間の凹部２６に充填された充填材２８と、を含み、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さが記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きい。【選択図】図３
2007004921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層の凸部として形成された記録要素と、該記録要素の間の凹部に充填された充填材と、を含み、表面における前記充填材の上の部分の表面粗さが前記記録要素の上の部分の表面粗さよりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記表面における前記充填材の上の部分の算術平均粗さが前記記録要素の上の部分の算術平均粗さよりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記記録要素の上面の表面粗さが、前記表面における前記充填材の上の部分の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記充填材の上に該充填材の上面を部分的に被覆する被覆材が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記充填材の上に該充填材の上面を被覆する被覆材が設けられ、該被覆材及び前記記録要素の上に保護層が形成されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記充填材は、アモルファス構造を有する材料及び微結晶状態の材料のいずれかであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対してデータの記録／再生を行うために該磁気記録媒体の表面に近接して浮上可能であるように設置された磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項８】
基板の上に所定の凹凸パターンで形成され、該凹凸パターンの凸部として記録要素が形成された記録層の上に充填材を成膜して前記記録要素の間の凹部を前記充填材で充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に該充填材と材料が異なる被覆材を成膜する被覆材成膜工程と、前記充填材及び前記被覆材における前記記録要素の上面よりも上の余剰の部分をエッチングにより除去し、且つ、表面における前記凹部の上の部分の表面粗さが前記記録要素の上の部分の表面粗さよりも大きくなるように前記表面を平坦化する平坦化工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記平坦化工程において前記充填材のエッチングレートが前記被覆材のエッチングレートよりも高いエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記平坦化工程において前記記録層のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項８又は９において、
前記充填材成膜工程の前に、前記記録層の上にストップ膜を成膜するストップ膜成膜工程が設けられ、前記平坦化工程において前記ストップ膜のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれかにおいて、
前記平坦化工程において前記凹部を充填する前記充填材の上に前記被覆材が部分的に残存するように前記充填材及び前記被覆材の余剰の部分を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録層が所定の凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成された磁気記録媒体、これを備えた磁気記録再生装置及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合う他のトラックへの誤った情報の記録や、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。
【０００３】
これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されたディスクリートトラック媒体や、パターンド媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。尚、面記録密度が高い程、磁気ヘッドと磁気記録媒体との磁気的スペースが小さく、ディスクリートトラック媒体やパターンド媒体のような２００Ｇｂｐｓｉ以上の面記録密度が想定される磁気記録媒体の場合、磁気ヘッドとの磁気的スペースを１５ｎｍ以下とする指針が示されている。
【０００４】
又、ハードディスク等の磁気記録媒体では磁気ヘッドとのクラッシュを抑制するために表面の平坦性が重視されるが、面記録密度が高く、磁気的スペースが小さいディスクリートトラック媒体やパターンド媒体の場合、特に表面の平坦性が重要である。このため、凹凸パターンの記録層の上に充填材を成膜して記録要素の間の凹部を非磁性の充填材で充填し、余剰の充填材を除去して記録要素及び充填材の上面を平坦化することが好ましい。凹部を充填材で充填する手法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の成膜手法を利用できる。又、平坦化の手法としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法やドライエッチング等の加工手法を利用しうる（例えば、特許文献２、３参照）。
【０００５】
一方、表面が過度に平坦であると、磁気記録媒体の表面に磁気ヘッドが吸着しやすくなり、却って磁気ヘッドとのクラッシュが発生しやすくなる。これに対し従来、基板の表面にテクスチャ処理を施し、この上に記録層等を順次成膜していくことで、基板のテクスチャ処理のパターンに倣う微細な凹凸を表面に形成し、吸着による磁気ヘッドのクラッシュを防止していた。尚、ディスクリートトラック媒体やパターンド媒体の場合、表面における記録要素の上の部分と充填材の上の部分とに段差を設けるようにした構成も知られており（例えば、特許文献４参照）、この段差によりテクスチャ効果を付与するという手法も考えられる。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開平１２−１９５０４２号公報
【特許文献３】特表平１４−５１５６４７号公報
【特許文献４】特開平１−２７９４２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、基板にテクスチャ処理を施す手法で表面に凹凸を形成すると、表面は１００ｎｍ〜２μｍ程度の周期のうねり状の歪んだ形状となる。磁気ヘッドが１００ｎｍ〜２μｍ程度の周期のうねり状の歪みに追従して飛行することは困難であり、このうねり状の歪みがそのまま磁気的スペースの変動となる。磁気的スペースが２５ｎｍ以上であった世代では、このような磁気的スペースの変動は実用上問題とならなかったが、磁気的スペースが１５ｎｍ以下となると、このような磁気的スペースの変動が実用上許容できない影響を及ぼすという問題がある。
【０００８】
更に、基板の表面にテクスチャ処理を施しても、凹凸パターンの記録層の上に充填材を成膜して記録要素の間の凹部を充填材で充填し、余剰の充填材を除去して記録要素及び充填材の上面を平坦化する場合には、基板のテクスチャ処理に倣った微細な凹凸が除去されてしまうため、この手法を用いて表面に所望の微細な凹凸を形成すること自体が困難であるという問題がある。
【０００９】
又、表面における記録要素の上の部分と充填材の上の部分とに段差を設ける手法の場合、磁気ヘッドと磁気記録媒体の表面との間の空気膜剛性が過度に小さくなり、磁気ヘッドの浮上が不安定となるため、外乱により磁気ヘッドの浮上高さが大きく変動しやすくなり、充分な信頼性が得られないという問題がある。
【００１０】
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであって、記録層が所定の凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されて面記録密度が高く、且つ、磁気ヘッドのクラッシュが生じにくく信頼性が高い磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、表面における充填材の上の部分の表面粗さが記録要素の上の部分の表面粗さよりも大きい磁気記録媒体により上記目的を達成するものである。
【００１２】
表面における充填材の上の部分の表面粗さを大きくすることで、吸着による磁気ヘッドのクラッシュの発生を抑制できる。
【００１３】
尚、表面における充填材の上の部分の表面粗さを大きくすることでテクスチャ効果を付与しているので、表面における記録要素の上の部分と充填材の上の部分との段差によりテクスチャ効果を付与する構成よりも磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間の空気膜剛性が高く、磁気ヘッドの浮上高さの変動が抑制される。又、表面における記録要素の上の部分の表面粗さを小さくすることでも、磁気ヘッドの浮上高さの変動が抑制され、良好な磁気特性が得られる。
【００１４】
又、記録要素の上面の表面粗さを小さくすることで、記録要素と磁気ヘッドとの間の磁気的スペースの変動が抑制されるので、この点でも良好な磁気特性が得られる。
【００１５】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００１６】
（１）基板の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層の凸部として形成された記録要素と、該記録要素の間の凹部に充填された充填材と、を含み、表面における前記充填材の上の部分の表面粗さが前記記録要素の上の部分の表面粗さよりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１７】
（２）  （１）において、前記表面における前記充填材の上の部分の算術平均粗さが前記記録要素の上の部分の算術平均粗さよりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
（３）  （１）又は（２）において、前記記録要素の上面の表面粗さが、前記表面における前記充填材の上の部分の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１９】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記充填材の上に該充填材の上面を部分的に被覆する被覆材が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２０】
（５）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記充填材の上に該充填材の上面を被覆する被覆材が設けられ、該被覆材及び前記記録要素の上に保護層が形成されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２１】
（６）  （４）又は（５）において、前記充填材は、アモルファス構造を有する材料及び微結晶状態の材料のいずれかであることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２２】
（７）  （１）乃至（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対してデータの記録／再生を行うために該磁気記録媒体の表面に近接して浮上可能であるように設置された磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【００２３】
（８）基板の上に所定の凹凸パターンで形成され、該凹凸パターンの凸部として記録要素が形成された記録層の上に充填材を成膜して前記記録要素の間の凹部を前記充填材で充填する充填材成膜工程と、前記充填材の上に該充填材と材料が異なる被覆材を成膜する被覆材成膜工程と、前記充填材及び前記被覆材における前記記録要素の上面よりも上の余剰の部分をエッチングにより除去し、且つ、表面における前記凹部の上の部分の表面粗さが前記記録要素の上の部分の表面粗さよりも大きくなるように前記表面を平坦化する平坦化工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２４】
（９）  （８）において、前記平坦化工程において前記充填材のエッチングレートが前記被覆材のエッチングレートよりも高いエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２５】
（１０）  （８）又は（９）において、前記平坦化工程において前記記録層のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２６】
（１１）  （８）又は（９）において、前記充填材成膜工程の前に、前記記録層の上にストップ膜を成膜するストップ膜成膜工程が設けられ、前記平坦化工程において前記ストップ膜のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２７】
（１２）  （８）乃至（１１）のいずれかにおいて、前記平坦化工程において前記凹部を充填する前記充填材の上に前記被覆材が部分的に残存するように前記充填材及び前記被覆材の余剰の部分を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２８】
尚、本出願において、「基板の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで多数の記録要素に分割された記録層の他、連続記録層が所定のパターンで部分的に分割され、一部が連続する記録要素で構成される記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように、基板上の一部に連続して形成される記録層、凸部及び凹部双方が形成された連続した記録層、凸部の上部及び凹部の底部に分割されて形成された記録層も含む意義で用いることとする。
【００２９】
又、本出願において「表面における記録要素の上の部分」とは、図２２に示されるように記録要素１０２における基板１０４と反対側の上面が他の層で完全に被覆されている場合には、記録要素１０２の上の最表面の層１０６の上面、記録要素の上面の一部が露出し、他の部分は他の層で被覆されている場合には、露出した記録要素の上面及び最表面の層の上面、記録要素の上面が完全に露出している場合には記録要素の上面という意義で用いることとする。「表面における充填材の上の部分」についても同様である。尚、図２２において符号１０８が充填材を示す。又、図２２に示されるように、記録要素１０２の上にストップ膜１１０が形成され、更に、ストップ膜１１０が記録要素１０２の側面にも形成されている場合、記録要素１０２の側面と充填材１０８の側面との間のストップ膜１１０の上の部分は、本出願では「表面における記録要素の上の部分」に含めるものとする。
【００３０】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【００３１】
又、本出願において「算術平均粗さ」という用語は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１−２００１で定義される算術平均粗さという意義で用いることとする。
【００３２】
又、本出願において「エッチングレート」という用語は、単位時間当たりの厚さ方向の加工量という意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、記録層が凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されて面記録密度が高く、且つ、磁気ヘッドのクラッシュが生じにくく信頼性が高い磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】
図１に示されるように、本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置１０は、磁気記録媒体１２と、磁気記録媒体１２に対してデータの記録／再生を行うために磁気記録媒体１２の表面に近接して浮上可能であるように設置された磁気ヘッド１４と、を備え、磁気記録媒体１２の構成に特徴を有している。他の構成については、本第１実施形態の理解のために特に必要とは思われないため、説明を適宜省略することとする。
【００３６】
尚、磁気記録媒体１２はチャック１６に固定され、該チャック１６と共に回転自在とされている。又、磁気ヘッド１４は、アーム１８の先端近傍に装着され、アーム１８はベース２０に回動自在に取付けられている。これにより、磁気ヘッド１４は磁気記録媒体１２の径方向に沿う円弧軌道で磁気記録媒体１２の表面上で浮上して可動とされている。
【００３７】
磁気記録媒体１２は、円板形状の垂直記録型のディスクリートトラック媒体で、図２に示されるように、基板２２の上に所定の凹凸パターンで形成された記録層２４の凸部として形成された記録要素２５と、記録要素２５の間の凹部２６に充填された非磁性の充填材２８と、を含み、図３及び図４に拡大して示されるように、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さが記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きい（表面がより粗い）ことを特徴としている。尚、図２〜図４では、理解を容易にするため、記録層２４を他の層と比較して実際よりも厚く描いている。前述の図２２、後述する図６〜図１７についても同様である。
【００３８】
基板２２は、記録層２４側の面が鏡面研磨されている。基板２２の材料としては、ガラス、ＮｉＰで被覆したＡｌ合金、Ｓｉ、Ａｌ２Ｏ３等の非磁性材料を用いることができる。
【００３９】
記録層２４は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層２４の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＣｒ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料の中にＣｏＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。
【００４０】
記録要素２５は、データ領域において径方向に微細な間隔の同心円状のトラックの形状で形成されており、図２〜図４はこれを図示したものである。又、記録要素２５は、サーボ領域において所定のサーボ情報のパターンで形成されている（図示省略）。記録要素２５の上面２５Ａの表面粗さは、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さよりも小さい。
【００４１】
記録要素２５の上には、ストップ膜３４が形成されている。ストップ膜３４は、記録要素２５の側面及び凹部２６の底面にも形成されている。ストップ膜３４の材料としては、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、ＴａＳｉやこれらの酸化物、窒化物等を用いることができる。
【００４２】
充填材２８の材料としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、フェライト等の酸化物、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＣｕやＣｒのような非磁性の金属等を用いることができる。
【００４３】
充填材２８の上には充填材２８の上面２８Ａを部分的に被覆する被覆材３５が設けられている。被覆材３５及び充填材２８における被覆材３５で被覆されていない部分の上面の表面粗さは記録要素２５の上のストップ膜３４の上面の表面粗さよりも大きい。被覆材３５の具体的な材料としては、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｚｒ等を挙げることができる。
【００４４】
（記録要素２５の上の）ストップ膜３４、充填材２８及び被覆材３５の上には保護層３６、潤滑層３８がこの順で形成されている。前記表面３２は潤滑層３８の上面である。これら保護層３６、潤滑層３８は、ストップ膜３４の上面、充填材２８の上面２８Ａにおける被覆材３５に被覆されていない部分及び被覆材３５の上面の形状に倣って形成されている。これにより、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さが記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくなっている。
【００４５】
保護層３６は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層３６の材料としては、例えば、ダイヤモンドライクカーボンと呼称される硬質炭素膜等を用いることができる。尚、本出願において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２×１０９〜８×１０１０Ｐａ程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。又、潤滑層３８は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層３８の材料としては、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）等を用いることができる。
【００４６】
又、基板２２及び記録層２４の間には、下地層４０、反強磁性層４２、軟磁性層４４、記録層２４に厚さ方向（表面に垂直な方向）の磁気異方性を付与するための配向層４６が形成されている。下地層４０は、厚さが２〜４０ｎｍである。下地層４０の材料としてはＴａ等を用いることができる。反強磁性層４２は、厚さが５〜５０ｎｍである。反強磁性層４２の材料としてはＰｔＭｎ合金、ＲｕＭｎ合金等を用いることができる。軟磁性層４４は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層４４の材料としては、Ｆｅ（鉄）合金、Ｃｏ（コバルト）アモルファス合金、フェライト等を用いることができる。尚、軟磁性層４４は、軟磁性を有する層と、非磁性層と、の積層構造であってもよい。配向層４６は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層４６の具体的な材料としては、非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。
【００４７】
次に、磁気記録再生装置１０の作用について説明する。
【００４８】
磁気記録再生装置１０は、磁気記録媒体１２の表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さが大きいので、吸着による磁気ヘッド１４のクラッシュが発生しにくい。
【００４９】
又、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さを大きくすることでテクスチャ効果を付与しているので、表面における記録要素の上の部分と充填材の上の部分との段差によりテクスチャ効果を付与する構成よりも磁気記録媒体１２と磁気ヘッド１４との間の空気膜剛性が高く、磁気ヘッド１４の浮上高さの変動が抑制される。又、表面３２における記録要素２５の上の部分の表面粗さは小さいので、この点でも磁気ヘッド１４の浮上高さの変動が抑制され、良好な磁気特性が得られる。
【００５０】
又、記録要素２５の上面２５Ａの表面粗さが小さいので、記録要素２５と磁気ヘッド１４との間の磁気的スペースの変動が抑制され、この点でも良好な磁気特性が得られる。
【００５１】
又、磁気記録媒体１２は、記録要素２５が、データ領域においてトラック形状で形成されているので面記録密度が高くても記録対象のトラックに隣り合う他のトラックへの誤った記録や再生時のクロストーク等の問題が生じにくい。
【００５２】
更に、磁気記録媒体１２は、記録要素２５同士が分割され、記録要素２５間の凹部２６には記録層２４が存在しないので凹部２６からノイズが発生することがなく、この点でも良好な記録／再生特性が得られる。
【００５３】
次に、図５に示されるフローチャートに沿って磁気記録媒体１２の製造方法について説明する。
【００５４】
まず、基板２２の上に、下地層４０、反強磁性層４２、軟磁性層４４、配向層４６、連続記録層（未加工の記録層２４）、第１のマスク層、第２のマスク層をこの順でスパッタリング法等により形成し、更にレジスト層をスピンコート法で塗布してなる被加工体の加工出発体を用意する。尚、第１のマスク層の材料としては例えばＴａＳｉを用いることができる。又、第２のマスク層の材料としては例えばＮｉを用いることができる。又、レジスト層の材料としては、例えばＮＥＢ２２Ａ（住友化学工業株式会社製）を用いることができる。
【００５５】
このレジスト層に転写装置（図示省略）を用いて、サーボ領域のサーボパターン及びデータ領域のトラックパターンに相当する凹凸パターンをナノ・インプリント法により転写し、Ｏ２ガスを用いた反応性イオンビームエッチングにより、凹部の底部のレジスト層を除去する（Ｓ１０２）。次に、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、凹部の底部の第２のマスク層を除去し（Ｓ１０４）、更に、ＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部の底部の第１のマスク層を除去（Ｓ１０６）してから、ＣＯガス及びＮＨ３ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部の底部の連続記録層を除去し、連続記録層を多数の記録要素２５に分割し、凹凸パターンの記録層２４を形成する（Ｓ１０８）。尚、ＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、記録要素２５上に残存する第１のマスク層を完全に除去する。
【００５６】
次に、スパッタリング法により、記録要素２５の上にストップ膜３４を成膜する（Ｓ１１０）。ストップ膜３４は、記録要素２５の側面及び凹部２６の底面にも成膜される。
【００５７】
次に、図６に示されるように、被加工体５０のストップ膜３４の上に、バイアススパッタリング法により充填材２８を成膜し、記録要素２５の間の凹部２６を充填材２８で充填する。（Ｓ１１２）。充填材２８の材料としては、凹部２６の側面や底面に隙間が形成されにくくなり、ストップ膜３４への密着性が良好となるという点でアモルファス構造を有する材料及び微結晶状態の材料のいずれかを用いることが好ましい。尚、本出願において、「微結晶状態の材料」とは、Ｘ線回折において結晶性ピークを有していない材料という意義で用いることとする。ＳｉＯ２は、粒成長が抑制された微結晶であり、又、成膜条件を選択することでアモルファス構造にもなりうるので充填材２８としてＳｉＯ２を用いることが好ましい。充填材２８は、表面の凹凸がある程度抑制された形状で記録要素２５を覆うように被加工体５０上に成膜される。凹部２６において充填材２８が記録要素２５の上のストップ膜３４の上面近傍の位置まで充填されたところで充填材２８の成膜を停止する。尚、図６は本第１実施形態の理解のため、充填材２８の上面の凹凸形状を実際よりも強調して描いている。
【００５８】
次に、図７に示されるように、スパッタリング法により、充填材２８上に被覆材３５を成膜する（Ｓ１１４）。
【００５９】
次に、被加工体５０を回転させながらＡｒガスを用いたイオンビームエッチングにより図８に示されるように被加工体５０の表面の被覆材３５及び充填材２８を除去し、平坦化する（Ｓ１１６）。イオンビームエッチングでは図８中に矢印で示されるように加工用ガス（Ａｒガス）の入射角を被加工体５０の表面に対して垂直な方向から傾斜させることにより、凹部におけるエッチングレートよりも凸部におけるエッチングレートが高い傾向が顕著となる。特に加工用ガスとしてＡｒ等の不活性ガスを用いると、異方性エッチング効果が高くなるため、凹部におけるエッチングレートよりも凸部におけるエッチングレートが高い傾向が顕著となる。記録要素２５の上の被覆材３５は凸部を形成しているので、凹部２６の上の被覆材３５よりも速く除去され、記録要素２５の上の充填材２８が被覆材３５から露出する。更にエッチングが進行すると、記録要素２５の上の充填材２８が除去される。記録要素２５の上の充填材２８も凸部を形成しているので、凹部２６を充填する充填材２８やその上の被覆材３５よりも速く除去される。充填材２８における凹部２６を充填する部分は被覆材３５で被覆されているので、充填材２８における記録要素２５の上の部分を選択的に速く除去するためには、充填材２８のエッチングレートが被覆材３５のエッチングレートよりも高いエッチング法を用いることが好ましい。Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングでは、ＳｉＯ２のエッチングレートがＭｏのエッチングレートよりも高いので、充填材２８としてＳｉＯ２を用い、被覆材３５としてＭｏを用いればこの条件が満たされる。
【００６０】
図９に示されるように、記録要素２５の上において被覆材３５及び充填材２８が完全に除去されてストップ膜３４が露出し、且つ、凹部２６を充填する充填材２８の上の被覆材３５が部分的に除去されて凹部２６を充填する充填材２８及び残存する被覆材３５の上面の高さと記録要素２５の上のストップ膜３４の上面の高さとがほぼ等しくなったところで、平坦化を停止する。このように凹部２６を充填する充填材２８の上に被覆材３５を部分的に残存させることで、被覆材３５及び充填材２８における被覆材３５で被覆されていない部分の上面の表面粗さを記録要素２５の上のストップ膜３４の上面の表面粗さよりも大きくすることができる。尚、この工程では一時的に被覆材３５から部分的に露出した充填材２８が被覆材３５をマスクとしてエッチングされることになるので、充填材２８のエッチングレートが被覆材３５のエッチングレートよりも高いエッチング法を用いることで、被覆材３５及び充填材２８における被覆材３５で被覆されていない部分の上面の表面粗さを大きくする効果を高めることができ、好ましい。前述のようにＡｒガスを用いたイオンビームエッチングは、ＳｉＯ２のエッチングレートがＭｏのエッチングレートよりも高いので、充填材２８としてＳｉＯ２を用い、被覆材３５としてＭｏを用いればこの条件が満たされる。尚、ストップ膜３４が露出する直前においてストップ膜３４の上の充填材２８の上面に一定の凹凸があっても、ストップ膜３４のエッチングレートが充填材２８のエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることで、充填材２８の上面の凹凸に基づいてストップ膜３４の上面に形成される凹凸をエッチングレートの差だけ小さく抑制できる。Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングでは、ＴａのエッチングレートがＳｉＯ２のエッチングレートよりも低いので、ストップ膜３４の材料としてＴａを用い、充填材２８としてＳｉＯ２を用いればこの条件が満たされる。
【００６１】
次に、ＣＶＤ法により（記録要素２５の上の）ストップ膜３４及び充填材２８の上面に約２ｎｍの厚さでＤＬＣの保護層３６を形成し（Ｓ１１８）、更に、ディッピング法により保護層３６の上に１〜２ｎｍの厚さでＰＦＰＥの潤滑層３８を塗布する（Ｓ１２０）。保護層３６、潤滑層３８は、（記録要素２５の上の）ストップ膜３４、被覆材３５及び充填材２８における被覆材３５に被覆されていない部分の上面の形状に倣って成膜され、前記図３及び図４に示されるように、潤滑層３８の上面である表面３２は、記録要素２５の上の部分の表面粗さが充填材２８の上の部分の表面粗さよりも大きくなる。
【００６２】
このように、記録層２４の上に充填材２８を成膜して凹部２６を充填し、平坦化する工程を利用して表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さを記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくできるので、基板にテクスチャ加工を施して表面にテクスチャパターンを形成する手法よりも生産性が良い。又、基板の上面よりも表面３２に近い被覆材３５及び充填材２８における被覆材３５に被覆されていない部分の上面を表面粗さが大きい形状に加工し、これに倣って保護層３６、潤滑層３８を形成することで、表面３２における充填材２８の上の部分をそれだけ所望の形状に近い凹凸形状に成形できる。
【００６３】
尚、本第１実施形態において、磁気記録媒体１２は、充填材２８の上に充填材２８の上面２８Ａを部分的に被覆する被覆材３５が設けられ、これにより、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さが記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくなっているが、図１０に示される本発明の第２実施形態のように、上面の表面粗さが記録要素２５の上のストップ膜３４の上面の表面粗さよりも大きい被覆材３５が充填材２８の上面２８Ａを完全に被覆し、これにより、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さが記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくなる構成としてもよい。このように被覆材３５が充填材２８の上面２８Ａを完全に被覆する場合、充填材２８の上面２８Ａの表面粗さが小さくても、被覆材３５の上面の表面粗さを充填材２８の上面２８Ａの表面粗さよりも大きくすることで、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さを記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくすることが可能である。
【００６４】
尚、このような構成の磁気記録媒体を製造する場合、平坦化工程（Ｓ１１６）において、凹部２６を充填する充填材２８の上面２８Ａが露出する前にエッチングを停止すればよい。この場合も、ストップ膜３４のエッチングレートが充填材２８のエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることで、ストップ膜３４が露出する直前においてストップ膜３４の上の充填材２８の上面に一定の凹凸があっても、充填材２８の上面の凹凸に基づいてストップ膜３４の上面に形成される凹凸をエッチングレートの差だけ小さく抑制できるので、被覆材３５の上面の表面粗さを記録要素２５の上のストップ膜３４の上面の表面粗さよりも大きくすることができる。前述のようにＡｒガスを用いたイオンビームエッチングでは、ＴａのエッチングレートがＳｉＯ２のエッチングレートよりも低いので、ストップ膜３４の材料としてＴａを用い、充填材２８としてＳｉＯ２を用いればこの条件が満たされる。又、被覆材３５の上面の表面粗さを大きくするためには、被覆材３５の材料としてＣｕ、Ｃｒのようにエッチングにより結晶粒界に沿って表面が粗くなりやすい材料を用いることが好ましい。
【００６５】
又、上記第１及び第２実施形態において、凹部２６を充填する充填材２８の上に被覆材３５を残存させ、これにより表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さを記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくしているが、図１１に示される本発明の第３実施形態のように、凹部２６を充填する充填材２８の上の被覆材３５を完全に除去し、凹部２６を充填する充填材２８の上面２８Ａの表面粗さを記録要素２５の上のストップ膜３４の上面の表面粗さよりも大きくすることにより表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さを記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくしてもよい。
【００６６】
この場合、平坦化工程（Ｓ１１６）において、一時的に被覆材３５から部分的に露出した充填材２８が被覆材３５をマスクとしてエッチングされることになるので、充填材２８のエッチングレートが被覆材３５のエッチングレートよりも高いエッチング法を用いることで、充填材２８の上の被覆材３５を完全に除去しても、凹部２６を充填する充填材２８の上面２８Ａの表面粗さを記録要素２５の上のストップ膜３４の上面の表面粗さよりも大きくすることができる。。前述のようにＡｒガスを用いたイオンビームエッチングは、ＳｉＯ２のエッチングレートがＭｏのエッチングレートよりも高いので、充填材２８としてＳｉＯ２を用い、被覆材３５としてＭｏを用いればこの条件が満たされる。又、この場合も、平坦化工程（Ｓ１１６）において、ストップ膜３４のエッチングレートが充填材２８のエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることで、ストップ膜３４が露出する直前においてストップ膜３４の上の充填材２８の上面に一定の凹凸があっても、充填材２８の上面の凹凸に基づいてストップ膜３４の上面に形成される凹凸をエッチングレートの差だけ小さく抑制できる。
【００６７】
又、被覆材成膜工程（Ｓ１１４）を省略し、充填材２８の材料としてＣｕ、Ｃｒのようにエッチングにより結晶粒界に沿って表面が粗くなりやすい材料を用いることで、凹部２６を充填する充填材２８の上面２８Ａの表面粗さを記録要素２５の上のストップ膜３４の上面の表面粗さよりも大きくし、これにより表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さを記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくしてもよい。
【００６８】
又、上記第１〜第３実施形態において、磁気記録媒体１２は、記録要素２５の上のストップ膜３４が記録要素２５の上だけでなく、記録要素２５の側面及び凹部２６の底面にも形成されているが、図１２に示される本発明の第４実施形態、図１３に示される本発明の第５実施形態及び図１４に示される本発明の第６実施形態のように、記録要素２５の上だけにストップ膜３４を形成してもよい。
【００６９】
尚、記録要素２５の上だけにストップ膜３４を形成するには、予め連続記録層と第１のマスク層との間にストップ膜を形成しておいて、連続記録層と共にストップ膜３４を加工して分割すればよい。この場合も、凹部２６の側面や底面に隙間が形成されにくくなり、記録要素２５の側面への密着性が良好となるという点で、充填材２８として、アモルファス構造を有する材料及び微結晶状態の材料のいずれかを用いることが好ましい。このように、充填材２８として、アモルファス構造を有する材料及び微結晶状態の材料のいずれかを用いる場合、表面における充填材２８の上の部分の表面粗さを大きくする効果を高めるためには、上記第４及び第５実施形態のように充填材２８の上面２８Ａを被覆材３５が部分的に又は完全に被覆する構成とすることが好ましい。
【００７０】
又、上記第１〜第６実施形態において、磁気記録媒体１２は、記録要素２５の上にストップ膜３４が形成されているが、平坦化工程（Ｓ１１６）のエッチングによる記録要素２５のダメージが問題とされない場合には、図１５に示される本発明の第７実施形態、図１６に示される本発明の第８実施形態及び図１７に示される本発明の第９実施形態のように、ストップ膜３４を省略してもよい。この場合も、凹部２６の側面や底面に隙間が形成されにくくなり、記録要素２５の側面への密着性が良好となるという点で、充填材２８の材料として、アモルファス構造を有する材料及び微結晶状態の材料のいずれかを用いることが好ましい。又、この場合も表面における充填材２８の上の部分の表面粗さを大きくする効果を高めるためには、上記第７及び第８実施形態のように充填材２８の上面２８Ａを被覆材３５が部分的に又は完全に被覆する構成とすることが好ましい。
【００７１】
尚、この場合、平坦化工程（Ｓ１１６）において記録要素２５が露出する直前において記録要素２５の上の充填材２８の上面に一定の凹凸があっても、記録要素２５のエッチングレートが充填材２８のエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることで、充填材２８の上面の凹凸に基づいて記録要素２５の上面に形成される凹凸をエッチングレートの差だけ小さく抑制できる。Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングは、ＣｏＣｒ系合金やＦｅＰｔ系合金のエッチングレートがＳｉＯ２のエッチングレートよりも低いので、記録層２４の材料としてＣｏＣｒ系合金やＦｅＰｔ系合金を用い、充填材２８としてＳｉＯ２を用いればこの条件が満たされる。
【００７２】
又、上記第１〜第９実施形態において、表面３２における記録要素２５の上の部分の高さと充填材２８の上の部分の（最も高い部位の）高さとがほぼ等しいが、磁気ヘッド１４との間に充分な空気膜剛性を保持できれば、表面３２における記録要素２５の上の部分と充填材２８の上の部分との間に例えば２．５ｎｍ以下の微小な段差がある構成としてもよい。尚、この場合、磁気ヘッド１４の吸着を防止する効果を高めることができ、更に、磁気ヘッド１４との接触から記録要素２５を保護できるという点で、表面３２における記録要素２５の上の部分よりも充填材２８の上の部分が高い構成とすることが好ましい。一方、磁気ヘッド１４と記録要素２５との間の磁気的スペースを小さく保持するという点では、記録要素２５の上の部分が、充填要素２８の上の部分よりも高い構成とすることが好ましい。この場合も、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さを記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくすることで、吸着による磁気ヘッドのクラッシュの発生を抑制する一定の効果が得られる。
【００７３】
又、上記第１〜第６実施形態において、（記録要素２５）の上のストップ膜３４及び充填材２８の上に保護層３６、潤滑層３８が形成されているが、ストップ膜３４及び充填材２８の上面が露出する構成としてもよい。同様に、上記第７〜第９実施形態において、記録要素２５及び充填材２８の上に保護層３６、潤滑層３８が形成されているが、記録要素２５及び充填材２８の上面が露出する構成としてもよい。
【００７４】
又、上記第１〜第９実施形態において、基板２２と、記録層２４と、の間に下地層４０、反強磁性層４２、軟磁性層４４、配向層４６が形成されているが、基板２２と、記録層２４と、の間の層の構成は、磁気記録媒体の種類やニーズに応じて適宜変更すればよい。又、下地層４０、反強磁性層４２、軟磁性層４４、配向層４６を省略し、基板２２上に記録層２４を直接形成してもよい。
【００７５】
又、上記第１実施形態において、連続記録層の上に第１のマスク層、第２のマスク層、レジスト層を形成し、３段階のドライエッチングで連続記録層を分割しているが、連続記録層を高精度で分割できれば、レジスト層、マスク層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。
【００７６】
又、上記第１〜第９実施形態において、平坦化工程（Ｓ１１６）のエッチング法としてＡｒガスを用いたイオンビームエッチングが例示されているが、表面における（凹部２６を充填する）充填材２８の上の部分の表面粗さが記録要素２５の上の部分の表面粗さよりも大きくなるように表面を平坦化できれば、平坦化工程（Ｓ１１６）のエッチング法は特に限定されない。平坦化工程のエッチング法、充填材、被覆材の材料の好ましい組合わせを表１に示す。
【００７７】
【表１】
2007004921.tif 000003
【００７８】
又、上記第１〜第９実施形態において、磁気記録媒体１２は、垂直記録型の磁気ディスクであるが、面内記録型の磁気ディスクについても本発明は適用可能である。
【００７９】
又、上記第１〜第９実施形態において、磁気記録媒体１２は、基板２２の片面に記録層２４等が形成されているが、基板の両面に記録層等が形成された両面記録式の磁気記録媒体についても本発明は適用可能である。
【００８０】
又、上記第１〜第９実施形態において、磁気記録媒体１２はディスクリートトラック媒体であるが、例えば、パターンド媒体や、トラックが螺旋形状をなす磁気ディスクについても本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の凹凸パターンの記録層を有する他の磁気記録媒体に対しても本発明は適用可能である。
【実施例１】
【００８１】
上記第１実施形態（図２〜図４参照）と同様の構成を有する１０枚の磁気記録媒体１２を作製した。作製した磁気記録媒体１２の主な構成を以下に示す。
【００８２】
基板２２は直径が約６５ｍｍで材料はガラスである。記録層２４は、厚さが約２０ｎｍで、材料はＣｏＣｒＰｔ合金である。充填材２８の材料はＳｉＯ２である。ストップ膜３４は、厚さが約３ｎｍで、材料はＴａである。保護層３６は、厚さが約２ｎｍで、材料はＤＬＣである。潤滑層３８は、厚さが約１ｎｍで、材料はＰＦＰＥである。又、データ領域におけるトラックピッチ（記録要素２５同士のトラック幅方向のピッチ）は約２００ｎｍ、記録要素２５の上面の幅（トラック幅）が約１００ｎｍである。
【００８３】
尚、ストップ膜成膜工程（Ｓ１１０）においてスパッタリングの条件として、成膜パワー（ターゲットに印加するパワー）を５００Ｗ、真空チャンバ内圧力を０．３Ｐａに設定した。
【００８４】
又、充填材成膜工程（Ｓ１１２）においてバイアススパッタリングの条件として、成膜パワーを５００Ｗ、被加工体５０に印加するバイアスパワーを２９０Ｗ、真空チャンバ内圧力を０．３Ｐａに設定した。又、充填材２８の成膜厚さは、凹部２６の深さ２０ｎｍよりも１ｎｍ薄い１９ｎｍとし、凹部２６内の充填材２８の上面が記録要素２５の上のストップ膜３４の上面よりも１ｎｍ低くなるように充填材２８を成膜した。
【００８５】
又、被覆材成膜工程（Ｓ１１４）においてスパッタリングの条件として、成膜パワーを５００Ｗ、真空チャンバ内圧力を０．３Ｐａに設定し、被覆材３５としてＭｏを３ｎｍ成膜した。
【００８６】
又、平坦化工程（Ｓ１１６）においてイオンビームエッチングの条件として、ビーム電圧を７００Ｖ、ビーム電流を１１００ｍＡ、真空チャンバ内圧力を０．０４Ｐａ、Ａｒガスの照射角を被加工体５０の表面に対して約２°に設定し、凹部２６を充填する充填材２８の上の被覆材３５が部分的に除去され、該被覆材３５の上面及び該被覆材３５に被覆されていない充填材２８の上面と記録要素２５の上のストップ膜３４の上面とがほぼ一致したところでエッチングを停止した。次に、ＣＶＤ法により保護層３６を形成し、更に、ディッピング法により保護層３６の上に潤滑層３８を形成した。
【００８７】
このようにして得られた磁気記録媒体１２の表面３２における充填材２８の上の部分の算術平均粗さ（表面粗さ）、表面３２における記録要素２５の上の部分の算術平均粗さ、表面３２全体の算術平均粗さをＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて測定したところ表２に示されるような結果であった。尚、表２に記載された算術平均粗さの値はいずれも１０枚の磁気記録媒体１２の平均値である。
【００８８】
図１８は、これらの磁気記録媒体１２のうちの１枚の磁気記録媒体１２のＡＦＭ像であり、色の濃淡が表面の凹凸の程度を示す。具体的には、色が淡い程厚さ方向に突出し、色が濃い程凹んでいることを示す。図１８において、濃淡が異なる部分が混在し表面粗さが大きい直線状の領域と、濃淡がほぼ一定で表面粗さが小さい直線状の領域と、が交互に並んでいるが、前者は凹部２６を充填する充填材２６の上の部分であり、後者は記録要素２５の上の部分である。
【００８９】
又、これら１０枚の磁気記録媒体１２に対し、中心から半径方向に１８〜２０ｍｍの２ｍｍの幅の領域において、１０万回の磁気ヘッド１４のシーク試験を行った。この際、磁気ヘッド１４は、浮上高さが１０ｎｍとなるようにサスペンション荷重を調節した。又、平均シーク時間は１２ｍｓとした。シーク試験後、磁気ヘッド１４のクラッシュ痕を調べた。クラッシュ痕の測定結果を、磁気ヘッド１４にクラッシュ痕を生じさせた磁気記録媒体１２の枚数として表２に示す。
【００９０】
更に、磁気記録媒体１２の中心から半径方向に２０ｍｍの位置に磁気ヘッド１４のスライダの浮上位置を保持し、ＬＤＶ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｏｐｐｌｅｒ  Ｖｉｂｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて磁気ヘッド１４の浮上高さの変動量を測定した。図１９は、これらの磁気記録媒体１２のうちの１枚の磁気記録媒体１２の磁気ヘッド１４の浮上高さの変動を示すグラフである。尚、図１９中の縦軸の１目盛りは２．５ｎｍである。又、図１９において磁気ヘッド１４の浮上高さの変動を示す曲線の上方の２本の縦線は、これらの間の範囲のデータが磁気記録媒体１２の１周分のデータであることを示す。
【実施例２】
【００９１】
上記第３実施形態（図１１参照）と同様の構成を有する１０枚の磁気記録媒体１２を作製した。具体的には、上記実施例１に対し、充填材成膜工程（Ｓ１１２）において充填材２８を、凹部２６の深さ２０ｎｍよりも１ｎｍ厚い２１ｎｍの厚さで成膜した。即ち、凹部２６内の充填材２８の上面が記録要素２５の上のストップ膜３４の上面よりも１ｎｍ高くなるように充填材２８を成膜した。
【００９２】
又、被覆材成膜工程（Ｓ１１４）において、実施例１と同様に被覆材３５としてＭｏを３ｎｍ成膜した。
【００９３】
又、平坦化工程（Ｓ１１６）において被覆材３５を完全に除去した。他の条件は総て上記実施例１と等しくした。
【００９４】
これらの磁気記録媒体１２について、実施例１と同様に表面３２における充填材２８の上の部分の算術平均粗さ、表面３２における記録要素２５の上の部分の算術平均粗さ、表面３２全体の算術平均粗さをＡＦＭを用いて測定したところ表２に示されるような結果であった。
【００９５】
又、これらの磁気記録媒体１２について、実施例１と同様に磁気ヘッド１４のシーク試験を行い、シーク試験後、磁気ヘッド１４のクラッシュ痕を調べた。クラッシュ痕の測定結果を、磁気ヘッド１４にクラッシュ痕を生じさせた磁気記録媒体１２の枚数として表２に示す。
【実施例３】
【００９６】
上記実施例１に対し、表面３２における充填材２８の上の部分と記録要素２５の上の部分とに約２．５ｎｍの段差を設けた。具体的には、充填材成膜工程（Ｓ１１２）において充填材２８を、凹部２６の深さ２０ｎｍよりも３ｎｍ薄い１７ｎｍの厚さで成膜した。即ち、凹部２６内の充填材２８の上面が記録要素２５の上のストップ膜３４の上面よりも３ｎｍ低くなるように充填材２８を成膜した。
【００９７】
又、平坦化工程（Ｓ１１６）において、被覆材３５が部分的に除去され、該被覆材３５の上面及び該被覆材３５に被覆されていない充填材２８の上面と記録要素２５の上のストップ膜３４の上面との段差が約２．５ｎｍとなったところでエッチングを停止した。他の条件は総て上記実施例１と等しくして、上記第１実施形態と同様の構成を有する１０枚の磁気記録媒体１２を作製した。
【００９８】
これらの磁気記録媒体１２について、実施例１と同様に表面３２における充填材２８の上の部分の算術平均粗さ、表面３２における記録要素２５の上の部分の算術平均粗さ、表面３２全体の算術平均粗さをＡＦＭを用いて測定したところ表２に示されるような結果であった。
【００９９】
又、これらの磁気記録媒体１２について、実施例１と同様に磁気ヘッド１４のシーク試験を行い、シーク試験後、磁気ヘッド１４のクラッシュ痕を調べた。クラッシュ痕の測定結果を、磁気ヘッド１４にクラッシュ痕を生じさせた磁気記録媒体１２の枚数として表２に示す。
【０１００】
更に、これらの磁気記録媒体１２について、実施例１と同様に磁気ヘッド１４の浮上高さの変動量を測定した。図２０は、これらの磁気記録媒体１２のうちの１枚の磁気記録媒体１２における磁気ヘッド１４の浮上高さの変動を示すグラフである。
【０１０１】
[比較例]
上記実施例１に対し、鏡面研磨された１０枚の基板を用意し、これらの基板の上に保護層３６、潤滑層３８を形成した。尚、保護層３６、潤滑層３８の材料、厚さは実施例１と同じである。これらの基板について、表面全体の算術平均粗さをＡＦＭを用いて測定したところ表２に示されるような結果であった。又、これらの基板について、実施例１と同様に磁気ヘッド１４のシーク試験を行い、シーク試験後、磁気ヘッド１４のクラッシュ痕を調べた。クラッシュ痕の測定結果を、磁気ヘッド１４にクラッシュ痕を生じさせた基板の枚数として示す。
【０１０２】
更に、これらの基板について、実施例１と同様に磁気ヘッド１４の浮上高さの変動量を測定した。図２１は、これらの基板のうちの１枚の基板における磁気ヘッド１４の浮上高さの変動を示すグラフである。
【０１０３】
【表２】
2007004921.tif 000004
【０１０４】
表２に示されるように、比較例では１０枚の基板のうち、６枚の基板でクラッシュが発生していたのに対し、実施例１、実施例２及び実施例３では、いずれも１０枚の総ての磁気記録媒体１２においてクラッシュは全く発生していなかった。即ち、実施例１、実施例２及び実施例３は比較例に対しクラッシュの発生を抑制する効果が著しく高いことが確認された。比較例は、鏡面研磨された基板の上に保護層３６、潤滑層３８が形成されているために、磁気ヘッドが吸着されることによるクラッシュが生じやすくなっているのに対し、実施例１、実施例２及び実施例３は、表面３２における充填材２８の上の部分の表面粗さが大きいため、磁気ヘッド１４の吸着によるクラッシュが抑制されたものと考えられる。
【０１０５】
一方、図１９〜図２１に示されるように、実施例１及び実施例３は鏡面研磨された基板の上に保護層３６、潤滑層３８が形成された比較例と磁気ヘッド１４の浮上高さの変動がほぼ同等であった。実施例１及び実施例３は磁気記録媒体１２の表面３２における記録要素２５の上の部分の表面粗さが小さいため、磁気ヘッド１４の浮上高さの変動が比較例とほぼ同等に抑制されたと考えられる。又、実施例３は表面３２における充填材２８の上の部分と記録要素２５の上の部分とに約２．５ｎｍの段差が設けられているにも拘わらず、鏡面研磨された基板の上に保護層３６、潤滑層３８が形成された比較例と磁気ヘッド１４の浮上高さの変動がほぼ同等であることから、表面３２における充填材２８の上の部分と記録要素２５の上の部分とに段差があっても、段差の大きさが２．５ｎｍ以下であれば、磁気ヘッド１４の良好な浮上特性が得られることがわかる。尚、図１９〜図２１において磁気ヘッド１４の浮上高さが突発的に著しく大きくなっている部位があるが、これは塵芥等の異物によるものであり、磁気記録媒体１２の表面３２の形状によるものではない。
【０１０６】
以上の実施例１、実施例２、実施例３及び比較例は、磁気記録媒体の表面における充填材の上の部分の算術平均粗さが記録要素の上の部分の算術平均粗さよりも大きい場合に、磁気ヘッドの吸着によるクラッシュを抑制する効果が得られることを示しているが、例えば、平均高さＲｃ、最大山高さＲｐ、二乗平均平方根高さＲｑ、最大谷深さＲｖ、最大高さＲｙ、十点平均粗さＲｚ等の他の表面粗さの値が表面における充填材の上の部分において記録要素の上の部分よりも大きい場合も、磁気ヘッドの吸着によるクラッシュを抑制する効果が得られると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、例えば、ディスクリートトラック媒体、パターンド媒体等の、記録層が所定の凹凸パターンで形成された磁気記録媒体に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置の要部の概略構造を模式的に示す斜視図
【図２】同磁気記録再生装置の磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図３】同磁気記録媒体の表面近傍の構造を拡大して模式的に示す側断面図
【図４】同磁気記録媒体の表面近傍の構造を更に拡大して模式的に示す側断面図
【図５】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図６】同磁気記録媒体の製造工程において凹凸パターンの記録層の上に充填材が成膜された被加工体を示す側断面図
【図７】同充填材の上に被覆材が成膜された同被加工体を示す側断面図
【図８】平坦化工程において同被覆材における記録要素の上の部分が除去された同被加工体を示す側断面図
【図９】同平坦化工程において前記充填材における記録要素の上の部分が除去された同被加工体を示す側断面図
【図１０】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の表面近傍の構造を拡大して模式的に示す側断面図
【図１１】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の表面近傍の構造を拡大して模式的に示す側断面図
【図１２】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の表面近傍の構造を拡大して模式的に示す側断面図
【図１３】本発明の第５実施形態に係る磁気記録媒体の表面近傍の構造を拡大して模式的に示す側断面図
【図１４】本発明の第６実施形態に係る磁気記録媒体の表面近傍の構造を拡大して模式的に示す側断面図
【図１５】本発明の第７実施形態に係る磁気記録媒体の表面近傍の構造を拡大して模式的に示す側断面図
【図１６】本発明の第８実施形態に係る磁気記録媒体の表面近傍の形状を拡大して模式的に示す平面図
【図１７】本発明の第９実施形態に係る磁気記録媒体の表面近傍の形状を拡大して模式的に示す平面図
【図１８】本発明の実施例１に係る磁気記録媒体の表面の凹凸を示すＡＦＭ像
【図１９】同実施例１に係る磁気記録媒体における磁気ヘッドの浮上高さの変動を示すグラフ
【図２０】本発明の実施例３に係る磁気記録媒体における磁気ヘッドの浮上高さの変動を示すグラフ
【図２１】比較例に係る磁気記録媒体における磁気ヘッドの浮上高さの変動を示すグラフ
【図２２】本出願における記録要素の上の表面及び充填材の上の表面を模式的に示す側断面図
【符号の説明】
【０１０９】
１０…磁気記録再生装置
１２…磁気記録媒体
１４…磁気ヘッド
１６…チャック
１８…アーム
２０…ベース
２２、１０４…基板
２４…記録層
２５、１０２…記録要素
２５Ａ、２８Ａ…上面
２６…凹部
２８、１０８…充填材
３２…表面
３４、１１０…ストップ膜
３５…被覆材
３６…保護層
３８…潤滑層
４０…下地層
４２…反強磁性層
４４…軟磁性層
４６…配向層
５０…被加工体
Ｓ１０２…レジスト層加工工程
Ｓ１０４…第２のマスク層加工工程
Ｓ１０６…第１のマスク層加工工程
Ｓ１０８…記録層加工工程
Ｓ１１０…ストップ膜成膜工程
Ｓ１１２…充填材成膜工程
Ｓ１１４…被覆材成膜工程
Ｓ１１６…平坦化工程
Ｓ１１８…保護層成膜工程
Ｓ１２０…潤滑層成膜工程
【図１】
2007004921.tif 000005
【図２】
2007004921.tif 000006
【図３】
2007004921.tif 000007
【図４】
2007004921.tif 000008
【図５】
2007004921.tif 000009
【図６】
2007004921.tif 000010
【図７】
2007004921.tif 000011
【図８】
2007004921.tif 000012
【図９】
2007004921.tif 000013
【図１０】
2007004921.tif 000014
【図１１】
2007004921.tif 000015
【図１２】
2007004921.tif 000016
【図１３】
2007004921.tif 000017
【図１４】
2007004921.tif 000018
【図１５】
2007004921.tif 000019
【図１６】
2007004921.tif 000020
【図１７】
2007004921.tif 000021
【図１９】
2007004921.tif 000022
【図２０】
2007004921.tif 000023
【図２１】
2007004921.tif 000024
【図２２】
2007004921.tif 000025
【図１８】
2007004921.tif 000026