(57)【要約】【課題】基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮できる静電容量型圧力センサを提供すること。【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサにおいては、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間に金−シリコン共晶層１６’が介在していることにより、すなわちシリコン基板１３とガラス基板２０の陽極接合時に金−シリコン共晶反応を用いてコンタクト層１５とシリコン基板１３とを電気的に接続することにより、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間の接触抵抗が安定し、これによりセンサのＱ値が安定して、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。【選択図】図１
2007232650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極を有するガラス基板と可動電極を有するシリコン基板とを接合してなる静電容量型圧力センサであって、前記ガラス基板は、可動電極用の引き出し電極形成領域を有しており、前記ガラス基板と前記シリコン基板との間の接合領域から前記引き出し電極形成領域まで延在するコンタクト層と、前記接合領域において、前記コンタクト層と、前記シリコン基板との間に設けられた金−シリコン共晶層と、を具備することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
前記接合領域は凹部を有し、前記凹部に前記コンタクト層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
前記凹部の深さは、前記凹部に前記コンタクト層を形成したときに、前記ガラス基板と前記コンタクト層とが略面一になるように設定されることを特徴とする請求項２記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項４】
前記コンタクト層の前記引き出し電極形成領域上に、前記金−シリコン共晶層と分離した状態で金層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量を用いて圧力を検知する静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量型圧力センサは、可動電極である感圧ダイヤフラムを有する基板と、固定電極を有する基板とを、感圧ダイヤフラムと固定電極との間に所定の間隔（キャビティ）を有するように接合することにより構成されている。この静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラムに圧力が加わると感圧ダイヤフラムが変形し、これにより感圧ダイヤフラムと固定電極との間隔が変わる。この間隔の変化により感圧ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量が変化し、この静電容量の変化を利用して圧力の変化を検出する。
【０００３】
上記静電容量型圧力センサにおいては、例えば、図５に示すように、支持基板１０１上に固定電極１０３を有するガラス基板１０２が配置され、そのガラス基板１０２上にダイヤフラム１０４ａを有するシリコン基板１０４が接合されて構成されている。このような静電容量型圧力センサにおいては、固定電極１０３用の引き出し電極１０５及び可動電極（ダイヤフラム１０４ａ）用の引き出し電極１０６は、ガラス基板１０２上にパターニングされているため、ガラス基板１０２とシリコン基板１０４との間の接合領域に設けられている。
【特許文献１】特開平８−７５５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構造においては、引き出し電極１０５，１０６がガラス基板１０２とシリコン基板１０４との間の接合領域に存在する。このため、引き出し電極１０５，１０６においてガラス基板１０２とシリコン基板１０４とが良好に接合されないと、ガラス基板１０２とシリコン基板１０４との間のキャビティの気密性が十分でなく、ダイヤフラム１０４ａが可動電極として機能せず、結果としてセンサとして働かなくなるという問題がある。また、引き出し電極１０５，１０６においてガラス基板１０２とシリコン基板１０４とが良好に接合されないと、接触抵抗が不安定となり、センサのＱ値がばらつくという問題もある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮できる静電容量型圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の静電容量型圧力センサは、固定電極を有するガラス基板と可動電極を有するシリコン基板とを接合してなる静電容量型圧力センサであって、前記ガラス基板は、可動電極用の引き出し電極形成領域を有しており、前記ガラス基板と前記シリコン基板との間の接合領域から前記引き出し電極形成領域まで延在するコンタクト層と、前記接合領域において、前記コンタクト層と、前記シリコン基板との間に設けられた金−シリコン共晶層と、を具備することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、コンタクト層とシリコン基板との間に金−シリコン共晶層が介在していることにより、すなわちシリコン基板とガラス基板の接合時に金−シリコン共晶反応を用いてコンタクト層とシリコン基板とを電気的に接続することにより、コンタクト層とシリコン基板との間の接触抵抗が安定し、これによりセンサのＱ値が安定して、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層とシリコン基板との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。
【０００８】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記接合領域は凹部を有し、前記凹部に前記コンタクト層が形成されていることが好ましい。この構成によれば、コンタクト層による厚さをガラス基板側で吸収することができるので、シリコン基板とガラス基板との間の接合をより確実に行うことができる。
【０００９】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記凹部の深さは、前記凹部に前記コンタクト層を形成したときに、前記ガラス基板と前記コンタクト層とが略面一になるように設定されることが好ましい。この構成によれば、接合領域においてガラス基板とコンタクト層との間を平坦にすることができ、金−シリコン共晶反応に寄与する金層のみを突出させることができるので、より確実に金−シリコン共晶反応を行わせることができる。その結果、シリコン基板とガラス基板との間の接合強度をより高くすることができる。
【００１０】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記コンタクト層の前記引き出し電極形成領域上に、前記金−シリコン共晶層と分離した状態で金層が形成されていることが好ましい。この構成によれば、接合領域における金−シリコン共晶反応で金層が影響することを防止できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の静電容量型圧力センサによれば、固定電極を有するガラス基板と可動電極を有するシリコン基板とを接合してなる静電容量型圧力センサであって、前記シリコン基板は、可動電極用の引き出し電極形成領域を有しており、前記ガラス基板と前記シリコン基板との間の接合領域から前記引き出し電極形成領域まで延在するコンタクト層と、前記接合領域において、前記コンタクト層と、前記シリコン基板との間に設けられた金−シリコン共晶層と、を具備するので、基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＩｂ−Ｉｂ線に沿う断面図である。
【００１３】
図１（ａ）に示す静電容量型圧力センサ１は、固定電極１１を有するガラス基板２０と可動電極であるダイヤフラムを有するシリコン基板１３とを接合して構成されている。ガラス基板２０とシリコン基板１３との間には、ダイヤフラムの可動領域であるキャビティ１２が形成されている。
【００１４】
キャビティ１２領域外には、可動電極の引き出し電極である電極パッド１７と、固定電極１１の引き出し電極である電極パッド１９とが形成されている。可動電極用の電極パッド１７は、コンタクト層１５を介して可動電極を有するシリコン基板１３と電気的に接続されており、固定電極用の電極パッド１９は、コンタクトピン１４，１８を介して固定電極１１と電気的に接続されている。
【００１５】
図１（ｂ）は、可動電極を有するシリコン基板１３と、可動電極用の電極パッド１７との間の接続状態を説明するための図である。図１（ｂ）から分かるように、ガラス基板２０は、電極パッド１７を形成する電極形成領域２０ａと、シリコン基板１３と接合する接合領域２０ｂとを有する。ここでは、ガラス基板２０に段差を設け、高い位置に接合領域２０ｂを設け、低い位置に電極形成領域２０ａを設けているが、この構成に限定されない。
【００１６】
ガラス基板２０上には、電極形成領域２０ａから接合領域２０ｂにわたってコンタクト層１５が延在して形成されている。したがって、コンタクト層１５は、接合領域２０ｂにおいてシリコン基板１３と接合され、電極形成領域２０ａにおいて上部に電極パッド１７が形成される。このため、可動電極を有するシリコン基板１３がコンタクト層１５を介して電極パッド１７と電気的に接続される。コンタクト層１５としては、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒなどガラスとの密着性が良く、シリコンに拡散する金属を挙げることができる。また、コンタクト層１５の厚さとしては、電気的な導通性、金−シリコン共晶反応、陽極接合性などを考慮して約１００ｎｍ〜約３００ｎｍであることが好ましい。
【００１７】
接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５、すなわちシリコン基板１３とガラス基板２０との間に介在するコンタクト層１５上には、金−シリコン共晶層１６’が形成されている。この金−シリコン共晶層１６’は、シリコン基板１３とガラス基板２０とを接合、例えば陽極接合した際に、コンタクト層１５上に形成した金シード層１６の金とシリコン基板１３のシリコンとで共晶反応することにより得られる。また、この金−シリコン共晶層１６’は、コンタクト層１５の表面の酸化を防止する役割も果たす。
【００１８】
このようにコンタクト層１５とシリコン基板１３との間に金−シリコン共晶層１６’が介在していることにより、すなわちシリコン基板１３とガラス基板２０の陽極接合時に金−シリコン共晶反応を用いてコンタクト層１５とシリコン基板１３とを電気的に接続することにより、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間の接触抵抗が安定し、これによりセンサのＱ値が安定して、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。
【００１９】
電極形成領域２０ａのコンタクト層１５上には、金シード層１６が形成されている。この金シード層１６は、金−シリコン共晶層１６’と分離した状態で形成されている。金シード層１６と金−シリコン共晶層１６’とは、接合領域２０ｂにおける金−シリコン共晶反応に金シード層１６が影響しないために十分な距離Ｗだけ離すことが好ましい。例えば、この距離Ｗは、約１０μｍ〜約２００μｍである。これにより、接合領域２０ｂにおける金−シリコン共晶反応で金シード層１６が影響することを防止できる。この金シード層１６は、メッキシード層として機能する。なお、シード層を構成する材料は、接触抵抗などを考慮して、その上に形成する電極パッドを構成する材料に応じて適宜変更することができる。
【００２０】
金シード層１６上には、電極パッド１７が形成されている。電極パッド１７は、ワイヤボンディングなどの接続手段により外部回路と電気的に接続するようになっている。電極パッド１７を構成する材料としては、シード層を構成する材料に応じて適宜決定する。なお、電極形成領域における構造については、これに限定されず種々変更することができる。
【００２１】
シリコン基板１３とガラス基板２０との間の界面は、高い密着性を有することが好ましい。ガラス基板２０にシリコン基板１３を接合する場合には、ガラス基板２０の接合面上にシリコン基板１３を搭載し、陽極接合処理を施すことにより、両基板１３，２０の密着性を高くすることができる。このようにガラス基板２０とシリコン基板１３との界面で高い密着性を発揮することにより、キャビティ１２内の気密性を高く保つことができる。
【００２２】
ここで、陽極接合処理とは、所定の温度（例えば４００℃以下）で所定の電圧（例えば３００Ｖ〜１ｋＶ）を印加することにより、シリコンとガラスとの間に大きな静電引力が発生して、接触したガラス−シリコン界面で酸素を介した化学結合を形成される、もしくは、酸素の放出による共有結合を形成させる処理をいう。この界面での共有結合は、シリコンのＳｉ原子とガラスに含まれるＳｉ原子との間のＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合である。したがって、このＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合により、シリコンとガラスとが強固に接合して、両者間の界面で非常に高い密着性を発揮する。このような陽極接合を効率良く行うために、ガラス基板２０のガラス材料としては、ナトリウムなどのアルカリ金属を含むガラス材料（例えばパイレックス（登録商標）ガラス）であることが好ましい。
【００２３】
このような構成を有する静電容量型圧力センサにおいては、可動電極であるダイヤフラムと固定電極１１との間に所定の静電容量を有する。この圧力センサに圧力が加わると、ダイヤフラムが圧力に応じて可動する。これにより、ダイヤフラムが変位する。このとき、ダイヤフラムと固定電極１１との間の静電容量が変化する。したがって、この静電容量をパラメータとして、その変化を圧力変化とすることができる。
【００２４】
次に、本実施の形態１の静電容量型圧力センサの製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【００２５】
本実施の形態に係る静電容量型圧力センサを製造する場合、例えばガラス基板にシリコンの導電部を埋め込んだ埋め込み基板を作製し、この埋め込み基板にキャビティ用の凹部を形成し、固定電極を形成する。具体的には、低抵抗化したシリコン基板の一方の主面をエッチングして突出部を形成し、突出部上にガラス基板を置いて、真空下で、このシリコン基板及びガラス基板を加熱し、シリコン基板をガラス基板に押圧して突出部をガラス基板に押し込んで、シリコン基板とガラス基板とを接合する。その後、ガラス基板及びシリコン基板を研磨処理して突出部をガラス基板の両面で露出させてガラス基板に導電部が埋め込まれた埋め込み基板を作製する。その後、埋め込み基板にキャビティ用の凹部を形成し、固定電極を形成する。
【００２６】
次いで、図２（ａ）に示すように、ガラス基板２０の電極形成領域２０ａから接合領域２０ｂにわたって段差に沿ってコンタクト層１５を形成する。この場合、ガラス基板２０上にレジスト膜を形成し、コンタクト層形成領域を開口するようにレジスト膜をパターニングし、コンタクト層１５を構成する材料をスパッタリング法などで成膜し、その後レジスト膜を除去（リフトオフ）する。
【００２７】
次いで、図２（ｂ）に示すように、コンタクト層１５上に分離した状態で金シード層１６を形成する。この場合、コンタクト層１５を含む領域にレジスト膜を形成し、金シード層形成領域を開口するようにレジスト膜をパターニングし、金シード層１６を構成する材料（金）をスパッタリング法などで成膜し、その後レジスト膜を除去（リフトオフ）する。これにより、金シード層１６上にメッキにより電極パッド１７を形成することができるようになる。
【００２８】
次いで、図２（ｃ）に示すように、金シード層１６上に電極パッド１７を形成する。この場合、電極パッド形成領域以外の領域にマスクを設け、電極パッド形成領域のみにメッキを施して電極パッド１７を形成する。なお、メッキの条件は、材料により異なるが通常用いられている条件とする。次いで、全体にレジスト膜を形成し、電極パッド周辺領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとして金シード層１６及びコンタクト層１５をエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００２９】
次いで、あらかじめエッチングや研磨などにより数十μｍ程度の所定の厚さに形成したシリコン基板１３を、可動電極であるダイヤフラムが固定電極１１と所定の間隔をおいて位置するようにして、ガラス基板２０上に接合する。このとき、シリコン基板１３及びガラス基板２０に対して、約４００℃以下の加熱下で約５００Ｖ程度の電圧を印加することにより陽極接合処理を行う。これによりシリコン基板１３とガラス基板２０との間の界面での密着性がより高くなり、キャビティ１２の気密性を向上させることができる。このとき、接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５とシリコン基板１３との間の金シード層１６は、金シード層１６の金がシリコン基板１３のシリコンと金−シリコン共晶反応を起こして、金−シリコン共晶層１６’となる。このようにして静電容量型圧力センサを得る。
【００３０】
このようにして得られた静電容量型圧力センサは、固定電極１１がコンタクトピン１４，１８を介して電極パッド１９と電気的に接続され、ダイヤフラムがコンタクト層１５を介して電極パッド１７と電気的に接続されている。したがって、ダイヤフラムと固定電極１１との間で検知された静電容量の変化の信号は、電極パッド１７，１９から取得することができる。この信号に基づいて測定圧力を算出することができる。
【００３１】
この静電容量型圧力センサにおいては、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間に金−シリコン共晶層１６’が介在していることにより、すなわちシリコン基板１３とガラス基板２０の陽極接合時に金−シリコン共晶反応を用いてコンタクト層１５とシリコン基板１３とを電気的に接続することにより、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間の接触抵抗が安定し、これによりセンサのＱ値が安定して、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。さらに、ダイヤフラムを有するシリコン基板１３と接合領域２０ｂとの間に引き出し電極などが存在しないため、ダイヤフラムとガラス基板２０との間の接合の信頼性が向上し、キャビティ１２の気密性を高めることが可能となる。
【００３２】
このようにして得られた静電容量型圧力センサに対して、１００％ＲＨ、２気圧、１２１℃の条件下で２週間の促進試験（プレッシャクッカー試験）を行ったところ、接合領域における接触抵抗は数Ωであり、十分に低いものであった。
【００３３】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。図３において、図１（ｂ）と同じ部分については図１（ｂ）と同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００３４】
図３に示す静電容量型圧力センサは、接合領域２０ｂが凹部２０ｃを有し、この凹部２０ｃにコンタクト層１５が形成されている。このような構成にすることにより、コンタクト層１５による厚さをガラス基板２０側で許容することができるので、シリコン基板１３とガラス基板２０との間の接合をより確実に行うことができる。特に、凹部２０ｃの深さＤを、凹部２０ｃにコンタクト層１５を形成したときに、ガラス基板２０とコンタクト層１５とが略面一になるように設定することにより、接合領域においてガラス基板２０とコンタクト層１５との間を平坦にすることができ、金−シリコン共晶反応に寄与する金シード層１６のみを突出させることができるので、より確実に金−シリコン共晶反応を行わせることができる。その結果、シリコン基板１３とガラス基板２０との間の接合強度をより高くすることができる。
【００３５】
次に、本実施の形態２の静電容量型圧力センサの製造方法について説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【００３６】
本実施の形態に係る静電容量型圧力センサを製造する場合、実施の形態１と同様にして、埋め込み基板を作製し、埋め込み基板にキャビティ用の凹部を形成し、固定電極を形成する。
【００３７】
次いで、図４（ａ）に示すように、ガラス基板２０の接合領域２０ｂにコンタクト層１５用の凹部２０ｃを形成する。この場合、ガラス基板２０上にレジスト膜を形成し、凹部形成領域以外の領域にレジスト膜が残存するようにレジスト膜をパターニングし、このレジスト膜をマスクとしてガラス基板２０にミリング加工を施す。その後、残存したレジスト膜を除去する。
【００３８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ガラス基板２０の電極形成領域２０ａから接合領域２０ｂの凹部２０ｃにわたって段差に沿ってコンタクト層１５を形成する。この場合、ガラス基板２０上にレジスト膜を形成し、コンタクト層形成領域を開口するようにレジスト膜をパターニングし、コンタクト層１５を構成する材料をスパッタリング法などで成膜し、その後レジスト膜を除去（リフトオフ）する。
【００３９】
次いで、図４（ｃ）に示すように、コンタクト層１５上に分離した状態で金シード層１６を形成する。この場合、コンタクト層１５を含む領域にレジスト膜を形成し、金シード層形成領域を開口するようにレジスト膜をパターニングし、金シード層１６を構成する材料（金）をスパッタリング法などで成膜し、その後レジスト膜を除去（リフトオフ）する。これにより、金シード層１６上にメッキにより電極パッド１７を形成することができるようになる。
【００４０】
次いで、図４（ｄ）に示すように、金シード層１６上に電極パッド１７を形成する。この場合、電極パッド形成領域以外の領域にマスクを設け、電極パッド形成領域のみにメッキを施して電極パッド１７を形成する。なお、メッキの条件は、材料により異なるが通常用いられている条件とする。次いで、全体にレジスト膜を形成し、電極パッド周辺領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとして金シード層１６及びコンタクト層１５をエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００４１】
次いで、あらかじめエッチングや研磨などにより数十μｍ程度の所定の厚さに形成したシリコン基板１３を、可動電極であるダイヤフラムが固定電極１１と所定の間隔をおいて位置するようにして、ガラス基板２０上に接合する。このとき、シリコン基板１３及びガラス基板２０に対して、約４００℃以下の加熱下で約５００Ｖ程度の電圧を印加することにより陽極接合処理を行う。これによりシリコン基板１３とガラス基板２０との間の界面での密着性がより高くなり、キャビティ１２の気密性を向上させることができる。このとき、接合領域２０ｂにおけるコンタクト層１５とシリコン基板１３との間の金シード層１６は、金シード層１６の金がシリコン基板１３のシリコンと金−シリコン共晶反応を起こして、金−シリコン共晶層１６’となる。このようにして静電容量型圧力センサを得る。
【００４２】
このようにして得られた静電容量型圧力センサは、固定電極１１がコンタクトピン１４，１８を介して電極パッド１９と電気的に接続され、ダイヤフラムがコンタクト層１５を介して電極パッド１７と電気的に接続されている。したがって、ダイヤフラムと固定電極１１との間で検知された静電容量の変化の信号は、電極パッド１７，１９から取得することができる。この信号に基づいて測定圧力を算出することができる。
【００４３】
この静電容量型圧力センサにおいては、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間に金−シリコン共晶層１６’が介在していることにより、すなわちシリコン基板１３とガラス基板２０の陽極接合時に金−シリコン共晶反応を用いてコンタクト層１５とシリコン基板１３とを電気的に接続することにより、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間の接触抵抗が安定し、これによりセンサのＱ値が安定して、十分なセンサ特性を発揮させることができる。また、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。特に、コンタクト層１５による厚さをガラス基板２０の凹部２０ｃで許容するので、シリコン基板１３とガラス基板２０との間の接合をより確実に行うことができる。さらに、ダイヤフラムを有するシリコン基板１３と接合領域２０ｂとの間に引き出し電極などが存在しないため、ダイヤフラムとガラス基板２０との間の接合の信頼性が向上し、キャビティ１２の気密性を高めることが可能となる。
【００４４】
本発明は上記実施の形態１，２に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、静電容量型圧力センサの構造、形状については、固定電極を有するガラス基板と可動電極を有するシリコン基板とを接合してなるものであれば、特に制限はない。また、上記実施の形態１，２で説明した数値や材質については特に制限はない。また、上記実施の形態１，２におけるエッチングやミリング加工については通常用いられる条件で行う。また、上記実施の形態１，２で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、例えば大気圧をモニタリングする気圧計やガス圧をモニタリングする静電容量型圧力センサに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＩｂ−Ｉｂ線に沿う断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】従来の静電容量型圧力センサを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  静電容量型圧力センサ
１１  固定電極
１２  キャビティ
１３  シリコン基板
１４，１８  コンタクトピン
１５  コンタクト層
１６  金シード層
１６’  金−シリコン共晶層
１７，１９  電極パッド
２０  ガラス基板
２０ａ  電極形成領域
２０ｂ  接合領域
２０ｃ  凹部
【図１】
2007232650.tif 000003
【図２】
2007232650.tif 000004
【図３】
2007232650.tif 000005
【図４】
2007232650.tif 000006
【図５】
2007232650.tif 000007