(57)【要約】【課題】配向分割されたＶＡＴＮモードの液晶表示装置について、高開口率化及び表示特性の向上を実現する。【解決手段】第１基板及び第２基板と、上記基板間に設けられた液晶層と、上記第１基板の液晶層側の表面に設けられた第１配向膜と、上記第２基板の液晶層側の表面に設けられた第２配向膜とを備える液晶表示装置であって、上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、上記第１配向膜及び第２配向膜は、その近傍の液晶分子を配向膜表面に対して略垂直かつ互いに直交する方位に配向させるものであり、更に、その近傍の液晶分子の配向方位が異なる領域を一画素に２以上有し、上記液晶表示装置は、暗線幅の経時変化抑制手段を備える液晶表示装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び第２基板と、該基板間に設けられた液晶層と、該第１基板の液晶層側の表面に設けられた第１配向膜と、該第２基板の液晶層側の表面に設けられた第２配向膜とを備える液晶表示装置であって、
該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、
該第１配向膜及び第２配向膜は、その近傍の液晶分子を配向膜表面に対して略垂直かつ互いに直交する方位に配向させるものであり、更に、その近傍の液晶分子の配向方位が異なる領域を一画素に２以上有し、
該液晶表示装置は、暗線幅の経時変化抑制手段を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記暗線幅の経時変化抑制手段は、電圧印加から１５ミリ秒後の透過率をＴ（１５）とし、１００ミリ秒後の透過率をＴ（１００）としたときに、Ｔ（１５）−Ｔ（１００）で規定される透過率減少を、該透過率減少と第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角との関係における変換点以下とすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記暗線幅の経時変化抑制手段は、第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を８９．５度以下とすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶表示装置は、液晶分子のプレチルト角の差が第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とで１．０度未満であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶表示装置は、第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角が８９度以下であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１配向膜及び／又は第２配向膜は、４−カルコン基、４’−カルコン基、クマリン基、及び、シンナモイル基からなる群より選ばれる少なくとも一つの感光性基又はその結合構造を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法であって、
該製造方法は、Ｔ（１５）−Ｔ（１００）で規定される透過率減少を、該透過率減少と第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角との関係における変換点以下とするために、配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角が８９．５度以下となる第１配向膜及び第２配向膜を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。より詳しくは、広視野角及び高速応答性を得ることができ、テレビ、パーソナルコンピュータ用モニタ等に広く適用することができる高表示品位の液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ；ＶＡ）モードの液晶表示パネルは、近年、広視野角特性を有することから、パソコンモニタ、テレビ等の液晶表示装置に用いられている。なかでも、配向制御構造として、一方の基板に電極スリット、他方の基板に突起構造物を設けて画素分割（配向分割）を行うＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、両方の基板に電極スリットを設けて画素分割（配向分割）を行うＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード等の配向分割が行われたＶＡモードの液晶表示装置が実用化されている。
【０００３】
しかしながら、ＭＶＡモード及びＰＶＡモードの液晶表示装置においては、応答速度が遅いという点で改善の余地があった。すなわち、黒状態から白状態へ応答させるために高電圧を印加しても、瞬時に応答し始めるのは、電極スリット及び突起構造物付近の液晶分子のみであり、これらの配向制御構造から遠い距離にある液晶分子は応答が遅れてしまう。
【０００４】
この応答速度の改善に関しては、基板の液晶層側表面に配向膜を設けて配向処理を行い、液晶分子に予めプレチルト角を付与しておくことが有効である。ＶＡモードにおいても、液晶分子を予め垂直配向膜に対してわずかに傾斜させておくことで、液晶層への電圧印加時に液晶分子を傾斜させることが容易となるため、応答速度を速くすることができる。液晶分子にプレチルト角を付与するための配向処理方法としては、例えば、ラビング法、ＳｉＯＸを斜方蒸着させる方法、光配向法等が挙げられる。
【０００５】
また、ＭＶＡモード及びＰＶＡモードにおいては、広視野角を得るための手段として配向分割が行われるが、配向分割を行う場合には、配向膜への配向処理工程が多くなるという点で改善の余地があった。例えば、ラビング法では、ラビング領域と非ラビング領域とをレジストによるパターニングで分離して行う方法が提案されている。また、光配向法では、フォトマスクを介した露光を複数回行うことにより配向分割を行う方法が提案されている。これらの配向処理を施す回数は、製造工程簡略化の観点からは少ない方が望ましい。しかしながら、広視野角を確保するためには、一画素のドメイン数は、２以上が望ましく、特に望ましいのは４以上である。したがって、少ない配向処理回数で多くのドメイン数を確保することができる方法が求められていた。
【０００６】
配向分割が行われるＶＡモードとしては、図１５、１６−１及び１６−２に示すように、任意のドメインについて、配向処理方向が互いの基板で反平行となった垂直配向膜を用いるＶＡモード（以下、ＶＡＥＣＢ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードともいう）が提案されている。なお、ＶＡＥＣＢモードでは、図１６−１に示すように、第１基板側に設けられる第１偏光板５の吸収軸方向及び第２基板側に設けられる第２偏光板６の吸収軸方向と、第１配向膜１ａ及び第２配向膜２ａの配向方位とは４５度ずれている。ＶＡＥＣＢモードの場合、特に視野角に優れる一画素を４つのドメインに分割するタイプでは、図１６−２に示すように、４５度、１３５度、２２５度及び３１５度の４方向に配向処理を行うため、量産時のスループットが低下してしまう。例えば、光配向法により配向処理を行ってＶＡＥＣＢモードを形成する場合には、配向膜の露光工程が合計８回必要となる。
一方、片方の基板には、垂直配向膜を形成するものの配向処理は施さないＶＡＨＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｈｙｂｒｉｄ−ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの場合、配向処理回数を減らすことができるが、片方の基板側では、液晶分子のプレチルト角が９０度のままであることから、応答速度の向上の余地があった。
【０００７】
これに対し、互いの基板で配向処理方向が直交する垂直配向膜を用いることにより、液晶分子がツイスト構造となるＶＡモード（以下、ＶＡＴＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードともいう）が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。なお、ＶＡＴＮモードでは、第１偏光板の吸収軸方向と第１配向膜の配向方位とが同じであり、第２偏光板の吸収軸方向と第２配向膜の配向方位とが同じとなる。また、第１偏光板の吸収軸方向と第２配向膜の配向方向とが同じであり、第２偏光板の吸収軸方向と第１配向膜の配向方向とが同じであってもよい。ＶＡＴＮモードの場合、図７に示すように、一画素を４つのドメインに分割するモード（以下、４ＶＡＴＮモードともいう。）では、４ＶＡＥＣＢモードの配向処理数の半分である４回の配向処理ですむ。
【０００８】
このようなＶＡＴＮモードは、少ないプロセス回数で、広視野角及び高速応答性を実現することができる点で原理的に優れているが、未だ製造技術が確立された段階には至っておらず、実用レベルの表示特性を実現する等の点において未だ改善の余地があり、例えば、４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置について、映像の焼きつきを防止する技術があった（例えば、特許文献１参照。）。また、特に近年の液晶表示装置における高開口率化に対する強い要望により、４ＶＡＴＮモード等の配向分割されたＶＡＴＮモードの液晶表示装置においては、ドメイン境界に生じる暗線を隠すための遮光膜の面積をできる限り小さくし、高開口率を達成するという点で更に改善の余地があった。更に、ＶＡＴＮモードの液晶表示装置においては、表示画面上に残像が見えることがあり、表示特性を更に向上するという点で工夫の余地があった。
【特許文献１】特開平１１−１３３４２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、配向分割されたＶＡＴＮモードの液晶表示装置について、高開口率化及び表示特性の向上を実現することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、高開口率化及び表示特性の向上が可能である液晶表示装置について種々検討したところ、配向分割されたＶＡＴＮモードに着目した。そして、検討の結果、配向分割されたＶＡＴＮモードにおいては、ドメイン境界に発生する暗線の幅は経時変化し、時間とともに徐々に暗線の幅が太くなること見いだした。そこで、更に検討を進めた結果、配向分割されたＶＡＴＮモードにおいては、プレチルト角の制御等により経時変化にともなう暗線の幅の増加を小さくすることが可能であることを見出した。そして、配向分割されたＶＡＴＮモードの液晶表示装置が暗線幅の経時変化抑制手段を備えることによって、高開口率及び優れた表示特性を有する液晶表示装置を実現することができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【００１１】
すなわち、本発明は、第１基板及び第２基板と、上記基板間に設けられた液晶層と、上記第１基板の液晶層側の表面に設けられた第１配向膜と、上記第２基板の液晶層側の表面に設けられた第２配向膜とを備える液晶表示装置であって、上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、上記第１配向膜及び第２配向膜は、その近傍の液晶分子を配向膜表面に対して略垂直かつ互いに直交する方位に配向させるものであり、更に、その近傍の液晶分子の配向方位が異なる領域を一画素に２以上有し、上記液晶表示装置は、暗線幅の経時変化抑制手段を備える液晶表示装置である。
以下に、本発明を詳述する。
【００１２】
本発明の液晶表示装置は、液晶表示装置の基本構成として、第１基板及び第２基板と、上記基板間に設けられた液晶層と、上記第１基板の液晶層側の表面に設けられた第１配向膜と、上記第２基板の液晶層側の表面に設けられた第２配向膜とを備える。本発明の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではないが、通常、第１及び第２基板の液晶層とは反対側の面に第１偏光板及び第２偏光板を備える。なお、第１及び第２偏光板の吸収軸方向は、通常、互いに直交するように配置され、かつ、第１配向膜の配向処理方向と第２配向膜の配向処理方向とに対して略直交又は略平行となるように配置される。
【００１３】
本発明の液晶表示装置はまた、配向分割されたＶＡＴＮモードの基本構成として、上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成され、上記第１配向膜及び第２配向膜は、その近傍の液晶分子を配向膜表面に対して略垂直かつ互いに直交する方位に配向させるものであり、更に、その近傍の液晶分子の配向方位が異なる領域を一画素に２以上有する。このような液晶層及び配向膜を用いることにより、液晶分子が基板面に対して略垂直に配向し、かつ基板間でツイスト構造を有する広視野角のＶＡＴＮモードの液晶表示装置が形成される。なお、本明細書において、配向方位とは、液晶分子の傾斜方向を基板面に投影したときに示す方位を意味する。
【００１４】
また、ＶＡＴＮモードにおいては、例えば、第１配向膜及び第２配向膜のそれぞれに、その近傍の液晶分子の配向方位が略１８０度異なる２つの領域を形成し、第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子の配向方位が互いに直交させるように配向膜同士を対向させることにより、第１配向膜の各領域が第２の配向膜の各領域によって配向分割され、一画素に４つのドメインを形成することができる。その結果、一画素を４つのドメインに分割する場合、配向分割のために行う配向処理工程が第１配向膜及び第２配向膜にそれぞれ２回ずつ、計４回ですみ、第１配向膜及び第２配向膜にそれぞれ４回ずつ、計８回必要なＶＡＥＣＢモードよりも少なくすることができる。したがって、それぞれの配向膜において、一画素に２以上の配向方位が異なる領域を設けることで、一画素を４以上のドメインに分割することができ、充分な視野角を得ることができる。
【００１５】
本発明の液晶表示装置は、暗線幅の経時変化抑制手段（経時変化にともなう暗線の幅の増加を抑制する手段）を備える。これにより、ドメイン境界に発生する暗線の幅の経時変化を小さくし、遮光膜の占有面積を小さくすることができるので、配向分割されたＶＡＴＮモードの液晶表示装置において、高開口率を実現することができる。また、暗線の幅の経時変化が小さいことから、画素内における平均の透過率の経時変化を小さくし、表示画面上に残像が発生する等の不具合を抑制することができるので、ＶＡＴＮモードの液晶表示装置の表示特性を向上することができる。
【００１６】
なお、本明細書において、暗線とは、バスライン、遮光膜等の遮光体によってバックライトからの光が遮られる領域とは異なり、液晶分子の配向方位と偏光板の吸収軸方向とが同一になる又は直交することによって表示画面上に生じる輝度が低い、暗い線のことである。配向分割された画素の各ドメイン内において電圧印加時に液晶分子の倒れる方向は同じであっても、異なるドメイン間においては液晶分子の倒れる方向は互いに異なっている。また、液晶分子は連続弾性体であるため、異なるドメイン間においては、異なる方向に倒れた液晶分子同士を連続的に繋ぐように液晶分子が配向する。したがって、例えば４ドメイン配向における異なるドメイン間においては、液晶分子の配向方位は、液晶表示装置に通常備えられる偏光板の吸収軸方向と同一になる又は直交する。この偏光板の吸収軸方向と同一又は直交に配向した部分における偏光には、液晶分子によるリターデーション（位相差）が発生せず、バックライト側に設置された偏光板を透過してきた偏光は、液晶層で何ら影響を受けずに表示画面側に設置された偏光板でカットされ、その結果、輝度の低い、暗い線（本明細書において暗線）となる。
【００１７】
また、本明細書において、暗線の幅は、暗線に対して略垂直な直線上における最大透過率に対して９０％となる位置間の長さとする。
本発明の液晶表示装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。
【００１８】
上記暗線幅の経時変化抑制手段としては特に限定されないが、（ａ）電圧印加から１５ミリ秒後の透過率をＴ（１５）とし、１００ミリ秒後の透過率をＴ（１００）としたときに、Ｔ（１５）−Ｔ（１００）で規定される透過率減少を、上記透過率減少と第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角との関係における変換点以下とする手段、（ｂ）第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を８９．５度以下とする手段が好適である。なお、Ｔ（１５）及びＴ（１００）は、それぞれ電圧印加１５ミリ秒及び１００ミリ秒後における１画素の平均透過率である。また、本明細書において、変換点とは、透過率減少とプレチルト角との関係を示す曲線の微分曲線における変曲点を意味する。
【００１９】
上記（ａ）のパラメータの技術的意義については、以下に示すとおりである。すなわち、Ｔ（１５）−Ｔ（１００）で規定される透過率減少の意義は、透過率減少とプレチルト角との関係において、後述する実施例のように例えば透過率減少が８％のところに臨界点（変換点）を有することを見出したことである。より詳細には、プレチルト角が９０度から小さくなるにしたがって、透過率減少も小さくなるが、この両者の関係においては変換点（例えば、透過率減少８％及びプレチルト角８９．５度における点）が存在することを見出した。そして、この透過率減少が変換点以下である液晶表示装置は、従来のプレチルト角がほぼ全くない液晶表示装置、例えばプレチルト角が８９．５度よりも大きく９０度以下である液晶表示装置と比べて、透過率減少の抑制効果と、その結果としての暗線幅の経時変化の抑制効果とにおいて際立った差異を有することは、後述する実施例を見れば明らかである。
【００２０】
このように透過率減少とプレチルト角との関係を考慮すると、暗線幅の経時変化の抑制効果を発揮するためには、第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を、透過率減少と第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角との関係における変換点以下とすることが好ましく、より具体的には、本発明の液晶表示装置は、上記（ｂ）に示すように、第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角が８９．５度以下であるものが好適である。これにより、高開口率かつ優れた表示特性を有する配向分割されたＶＡＴＮモードの液晶表示装置を容易に実現することができる。
【００２１】
また、暗線幅の経時変化の抑制効果を充分に発揮するための他の具体的な形態としては、電圧印加１００ｍｓｅｃ後における暗線の幅が１１．５μｍ未満であることが好ましく、１１．０μｍ以下であることがより好ましく、１０．５μｍ以下であることが更に好ましい。
【００２２】
上記液晶表示装置は、液晶分子のプレチルト角の差が第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とで１．０度未満であることが好ましく、０．５度以下であることが更に好ましい。このように第１配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角と第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角とを高精度に制御することで、ＶＡＴＮモードの液晶表示装置において、プレチルト角のばらつきによる透過率の低下を抑制し、安定した透過率を得ることが可能となり、表示輝度特性を向上させることができる。
【００２３】
上記液晶表示装置は、第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角が８９度以下であることが好ましい。これにより、ＶＡＴＮモードにおいても、ＶＡＥＣＢモードと同等の高い透過率を有する液晶表示装置を提供することができる。
【００２４】
上記第１配向膜及び／又は第２配向膜の材質としては特に限定されないが、光配向膜であることが好ましく、なかでも、上記第１配向膜及び／又は第２配向膜は、４−カルコン基（下記化学式（１））、４’−カルコン基（下記化学式（２））、クマリン基（下記化学式（３））、及び、シンナモイル基（下記化学式（４）、シンナメート基ともいう）からなる群より選ばれる少なくとも一つの感光性基又はその結合構造を含むことが好ましい。
【００２５】
【化１】
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【００２６】
【化２】
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【００２７】
【化３】
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【００２８】
【化４】
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【００２９】
なお、本明細書において、光配向膜とは、光照射により配向規制力が変化する材料で形成された膜を意味し、感光性基の結合構造を含むとは、構成分子に含まれる感光性の官能基同士が結合した構造（架橋構造）を含むことを意味する。上記感光性基又はその結合構造配向膜を用い、波長、光量、照射角度、偏光方向等を制御して光照射による配向処理を行えば、液晶分子のプレチルト角を高精度に制御して安定したプレチルト角を得ることができ、液晶表示装置において所望の透過率に制御することが可能である。
【００３０】
上記感光性基は、二量化反応の他に、異性化反応、再配向を生じるものであり、これによれば、プレチルト角のばらつきを効果的に抑制することができ、所望のプレチルト角及び透過率を有するＶＡＴＮモードの液晶表示装置を容易に提供することができる。また、上記感光性基を含む配向膜は、光分解反応を生じないことが好ましく、これにより、光分解反応により配向規制力が変化する光分解型の配向膜よりもより効果的にプレチルト角のばらつきを抑制することができる。例えば、シンナモイル基を有する配向膜材料は、下記化学式（５）及び（６）に示すように二量化反応を行い、下記化学式（７）に示すようにトランス体からシス体への異性化反応を行う。なお、再配向とは、光による励起状態を経て、構成分子の方向が変化することを意味する。
【００３１】
【化５】
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【００３２】
【化６】
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【００３３】
【化７】
2007264037.tif 000009
【００３４】
また、上記感光性基の結合構造としては、プレチルト角のばらつきを効果的に抑制する観点から、二量化反応により形成されたものであることが好ましく、この場合、例えば波長２５０〜４００ｎｍの光を照射することで結合構造を形成させることができる。
【００３５】
本発明はまた、本発明の液晶表示装置の製造方法であって、上記製造方法は、Ｔ（１５）−Ｔ（１００）で規定される透過率減少を、上記透過率減少と第１配向膜及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角との関係における変換点以下とするために、配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角が８９．５度以下となる第１配向膜及び第２配向膜を形成する工程を含む液晶表示装置の製造方法でもある。これにより、高開口率かつ優れた表示特性を有する配向分割されたＶＡＴＮモードの液晶表示装置を容易に作製することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の液晶表示装置によれば、互いの基板で配向処理方向が直交する垂直配向膜を用いるＶＡＴＮモードについて、高開口率化及び表示特性の向上を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に実施例を掲げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００３８】
（実施例１）
図１は、実施例１のＶＡＴＮモードの液晶表示装置の駆動原理を説明する概念図であり、（ａ）は、オフ状態を示し、（ｂ）は、オン状態を示している。
本実施例のＶＡＴＮモードの液晶表示装置は、図１（ａ）に示すように、対向する基板（図示せず）と、基板間に設けられた液晶層７と、一方の基板（第１基板）の液晶層側の表面に設けられた第１配向膜１と、他方の基板（第２基板）の液晶層側の表面に設けられた第２配向膜２とを備え、また、液晶層７は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んで構成されている。そして、本実施例のＶＡＴＮモードの液晶表示装置は、基板間に印加される電圧が閾値電圧未満のオフ状態（電圧オフ状態）においては、第１配向膜及び第２配向膜は、その近傍の液晶分子を配向膜表面（通常、基板と略同一の面）に対して略垂直かつ互いに直交する方位に配向させている。すなわち、第１配向膜及び第２配向膜は、電圧オフ状態において、その近傍の液晶分子を配向膜表面に対して略垂直に配向させ、かつその近傍の液晶分子を互いに直交する方位に配向させている。なお、本明細書において、「第１配向膜及び第２配向膜は、その近傍の液晶分子を互いに直交する方位に配向させる」とは、第１配向膜近傍の液晶分子の配向方位と、第２配向膜近傍の液晶分子の配向方位とが互いに直交することを意味する。また、「その近傍の液晶分子を互いに直交する方位に配向させる」とは、ＶＡＴＮモードにおける液晶表示が可能な程度に、第１及び第２配向膜近傍の液晶分子を実質的に互いに直交する方位に配向させるものであれば、第１及び第２配向膜近傍の液晶分子を完全には直交させなくてもよく、第１及び第２配向膜近傍の液晶分子の配向方位が８５〜９５度で交わることが好ましい。一方、図１（ｂ）に示すように、基板間に印加される電圧が閾値電圧を超えたオン状態（電圧オン状態）においては、本実施例のＶＡＴＮモードの液晶表示装置は、負の誘電率異方性を有する液晶分子が印加電圧に応じて、基板面に対して平行方向に配向し、液晶表示パネルの透過光に対して複屈折性を示すことになる。
【００３９】
以下、実施例１のＶＡＴＮモードの液晶表示装置の製造方法について説明する。
本実施例においては、まず通常の方法にて配向膜形成前の一対の基板を準備する。
一方の基板である第１基板としては、（１）スパッタ、プラズマ化学気相成長（ＰＣＶＤ）、真空蒸着等を用いた薄膜形成工程、（２）スピン塗布、ロール塗布等の後にベーキングを行うレジスト塗布工程、（３）レンズプロジェクション（ステッパ）、ミラープロジェクション、プロキシミティ等の露光法による露光工程、（４）現像工程、（５）ドライエッチング、ウエットエッチング等によるエッチング工程、（６）プラズマ（ドライ）アッシング、ウェット剥離等によるレジスト剥離工程を繰り返し行って薄膜の積層形成及びパターニングを行うことで、ガラス基板上に、走査信号線及びデータ信号線が絶縁膜を介して碁盤目状に交差するように形成され、その交点毎に薄膜トランジスタ及び画素電極が形成された薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）を作製する。
また、他方の基板である第２基板としては、ガラス基板上に、（１）ブラックマトリクス、（２）ＲＧＢの着色パターン、（３）保護膜、（４）透明電極膜が順次形成されたカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）を作製する。
【００４０】
次に、第１基板及び第２基板に対して、配向膜材料の溶液をスピンキャスト法により塗布した後、例えば１８０℃で６０分間焼成して配向膜を形成する。なお、本実施例においては、配向膜材料として、４−カルコン基を有する材料を用いる。
【００４１】
続いて、所望のプレチルト角を得るために、図２−１に示す配向方位に沿って、配向膜に対し、光照射角度、光照射強度、光照射時間等を適宜設定し、光照射による配向処理を実施する。例えば、配向膜に対し入射角４０度で波長３６５ｎｍのＰ偏光を３ｍＷ／ｃｍ２の強度で４００秒照射すると、第１及び第２配向膜近傍における液晶分子のプレチルト角はともに８８．５度となった。配向膜の構成分子は、高分子鎖の側鎖に光官能基（感光性基）を有するが、この配向処理により、光官能基が二量化反応により二量体を形成し、結合構造が形成されることになる。また、配向膜の構成分子の一部は、配向処理により、異性化反応によりシス−トランス体の異性化を起こし、更に、その他の一部は、再配向することになる。
なお、本実施例においては、第１基板の各画素内を２つの配向処理領域に分け、互いに反対方向から光照射を行う。また、第２基板の各画素内も同様に、２つの配向処理領域に分け、互いに反対方向から光照射を行う。
そして、シール形成、スペーサ散布等を行った後、基板貼り合わせ工程において、図２−２に示すように、第１基板と第２基板とを配向処理方向が直交するように貼り合わせる。これにより、各画素内に液晶分子のツイスト方向の異なる４つのドメインを形成させることが可能であり、すなわち本実施例のＶＡＴＮモードの液晶表示装置は、４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置となる。
【００４２】
次に、貼り合わせた第１基板と第２基板との間に負の誘電異方性を有する液晶分子を注入する。続いて、配向膜の配向方位と偏光板の吸収軸との位置関係が、図２−１（ａ）又は（ｂ）に示す関係となるように、偏光板を貼り付け、ＶＡＴＮモードの液晶表示パネルを完成する。更に、実装工程を行うことで本実施例のＶＡＴＮモード（４ＶＡＴＮモード）の液晶表示装置を作製することができる。
【００４３】
（暗線の経時変化）
ここで、上述の４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置について、暗線の経時変化を調べた結果について説明する。
【００４４】
図３−１〜図３−４は、４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置の一画素における配向シミュレーションの結果を示す図であり、図３−１は、プレチルト角が８７．５度である場合、図３−２は、プレチルト角が８８．０度である場合、図３−３は、プレチルト角が８９．０度である場合、図３−４は、プレチルト角が８９．９度である場合を示し、また、各図において（ａ）は、電圧印加後１７．５ｍｓｅｃ後の状態、各図において（ｂ）は、電圧印加後２５．０ｍｓｅｃ後の状態、各図において（ｃ）は、電圧印加後１００ｍｓｅｃ後の状態を示す。なお、配向シミュレーションは、ネガ型液晶材料（メルク社製、商品名：ＭＬＣ２０３９）を用い、セル厚４μｍの条件で計算した。
【００４５】
図３−１〜図３−４の（ａ）に示すように、いずれのプレチルト角を有する４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置においても、十字状に暗線が確認された。この暗線で区切られた４つの領域においては、液晶分子の配向方位が略９０度づつ異なり、これにより液晶表示装置の広視野角化が可能となっている。また、図３−１〜図３−４において、（ａ）から（ｃ）と時間が変化していくと、徐々に暗線の幅が太くなることがわかった。これはプレチルト角が大きい（８９．９°等）と、暗線近傍における配向膜の配向規制力が不充分なためであると考えられる。しかしながら、プレチルト角が小さいほど、経時変化にともなう暗線の幅の増加、すなわち発光部の面積の減少は、抑制されることが確認できた。
【００４６】
次に、シミュレーション結果を基に、透過率の変化を調べた結果を示す。図４は、図３−１〜図３−４の（ｃ）におけるＡ−Ａ’線（すなわち電圧印加後１００ｍｓｅｃ後）での輝度プロファイル（Ａ−Ａ’線における透過率の変化）を示す。なお、Ａ点及びＡ’点は、暗線の略中央部からそれぞれ同一直線上に１５μｍ離れた点であり、また、各点の透過率は、Ａ点及びＡ’点における透過率で規格化した値を示す。図４に示すように、プレチルト角が充分でないと（プレチルト角が小さいほど）、透過率が小さくなり、暗線の幅（透過率が０．９である２点間の距離）が広くなることが確認できた。より具体的には、プレチルト角が８７．０度のとき、暗線の幅は、１０．０μｍであり、プレチルト角が８８．０度のとき、暗線の幅は、１０．５μｍであり、プレチルト角が８９．０度のとき、暗線の幅は、１１．０μｍであり、プレチルト角が８９．９度のとき、暗線の幅は、１１．５μｍであった。これは、プレチルト角が大きいほど液晶分子が平行方向に配向するためのエネルギーは大きくなり、異なるプレチルト角を有する液晶表示装置に同じ電圧を印加したときには、プレチルト角が大きい液晶表示装置ほど液晶分子の平行方向への傾きが小さい、すなわち、液晶層を透過する光に対して示す複屈折性が小さいためであると考えられる。なお、暗線の幅は、ここでは、図４の輝度プロファイルおけるＡ点又はＡ’点の透過率に対して９０％となる位置間の長さとした。
【００４７】
また、図５に、上記配向シミュレーションの結果から算出した透過率の経時変化を示す。図５に示すように、いずれのプレチルト角を有する液晶表示装置においても、透過率は、電圧印加後およそ１５ｍｓｅｃ後にピークを迎えた後、時間経過とともに徐々に減少することが分かった。この結果、大きなプレチルト角を有する液晶表示装置においては、透過率の減少に起因して表示画面上に残像が見えてしまうことが考えられる。
更に、図６にＴ（１５）−Ｔ（１００）で規定される透過率減少の変化を示す。図６は、図５と同様に算出した透過率の経時変化における電圧印加後１５ｍｓｅｃ（ｔ）後の透過率Ｔ（１５）及び電圧印加後１００ｍｓｅｃ（ｔ’）後の透過率Ｔ（１００）の差（透過率減少、％表示）と、プレチルト角（８７．０〜８９．９°）との関係を示す。図６に示すように、プレチルト角が小さくなるに従い、透過率減少が解消されることが分かった。そして、プレチルト角が８９．５度よりも大きくなると透過率が急激に減少することから、特にプレチルト角が８９．５度以下であると透過率減少が大幅に抑制されることが分かった。このように、透過率減少とプレチルト角との関係において、例えば透過率減少が８％（プレチルト角が８９．５度）のときに、臨界点（変換点）が存在することが明らかとなり、これにより、液晶表示装置の表示性能に大きく影響する透過率減少の値を容易に制御できることが見出された。なお、変換点は、図６の透過率減少とプレチルト角との関係を示す曲線を微分し、その微分曲線における変曲点から求めた。
【００４８】
以上説明したように、本実施例においては、透過率減少が８％であるときに、また、プレチルト角が８９．５度であるときに変換点が存在することから、暗線幅の経時変化抑制手段として、透過率減少を８％以下、また、プレチルト角を８９．５度以下とすることによって、透過率の減少と暗線の幅の広がりとを容易に抑制することができるので、ＶＡＴＮモードの液晶表示装置において、残像等の表示不具合の発生を抑制しつつ、高開口率化を実現することができる。
【００４９】
（プレチルト角のばらつき）
配向膜材料として、光分解型の配向膜材料を用い、光照射による配向処理として、波長２５４ｎｍのＰ偏光を２ｍＷ／ｃｍ２の強度で５００秒間照射し、配光膜の構成分子を光分解反応させたこと以外は、実施例１と同様にして光照射による配向処理を行い、比較サンプル用のＶＡＴＮモード（４ＶＡＴＮモード）の液晶表示パネル（以下、「比較サンプル」ともいう。）を製造した。
【００５０】
上述の実施例１又は比較サンプルの方法により作製した複数の液晶表示パネルについて、プレチルト角を測定した。なお、プレチルト角の測定には、市販のチルト角測定装置（シンテックス社製、商品名；オプチプロ）を用いた。上記測定の結果、実施例１の方法で作製した光結合（二量化）型の配向膜を有する液晶表示パネルでは、プレチルト角が８８．５±０．５度であった。一方、比較サンプルの方法で作製した光分解型の配向膜を有する液晶表示パネルでは、プレチルト角が８８．５±１．０度であった。上記測定装置によれば、第１配向膜近傍のプレチルト角と第２配向膜近傍のプレチルト角とが平均化された値が得られたが、複数の液晶表示パネルで測定されたプレチルト角の平均値のばらつきから、光結合（二量化）型の配向膜を用いた場合（実施例１の場合）には、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とで、プレチルト角の差が±０．５度以内となることが分かった。一方、光分解型の配向膜を用いた場合（比較サンプルの場合）には、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とで、プレチルト角の差が±１．０度程度となることが分かった。
なお、本明細書において、プレチルト角とは、電圧オフ状態において、図７に示すように、配向膜表面と、配向膜近傍の液晶分子の長軸方向とがなす角度である。また、電圧オフ状態か電圧オン状態かに関わらず、配向膜表面と、配向膜近傍の液晶分子の長軸方向とがなす角度を表すときは、チルト角又は極角という。
【００５１】
上述したように、光照射により感光性基の結合反応（二量化反応）による構造（コンフォメーション）変化を生じる材料を用いて、液晶分子のプレチルト角の制御を行った場合には、プレチルト角のばらつきが±０．５度と比較サンプルに比べ小さく、安定したプレチルト角を得ることができた。これは、光照射量に対して感光性基の結合反応が飽和特性を有するためであると考えられる。
一方、比較サンプルでは、光照射により分解反応を生じる材料を用いて、液晶分子のプレチルト角の制御を行ったことから、プレチルト角のばらつきが±１．０度と実施例１に比べ大きかった。これは、光分解反応タイプの光配向膜においては、光照射量が多くなるほどプレチルトが傾斜する傾向にあり、飽和特性を示さないため、光照射量のばらつきがプレチルト角のばらつきに直結してしまうためであると考えられる。
【００５２】
次に、実施例１及び比較サンプルで作製された液晶表示パネルの透過率を測定したところ、比較サンプルで作製された光分解型の配向膜を有する液晶表示パネルにおいて、透過率のばらつきが大きいことが判明した。その原因を調査するために、互いの偏光板は直交させたままで、パネルだけ方位を回転させると、比較サンプルで作製された光分解型の配向膜を有する液晶表示パネルでは、最大透過率を与える方位がずれていることが判明した。この現象について更に検討した結果、後述する図１３等から分かるように、ＶＡＴＮモードの液晶表示装置では、プレチルト角のばらつきが大きい場合には、電圧印加時のパネル中央部の液晶分子の配向方位が、０度方位から大きくずれることが分かった。
【００５３】
したがって、実施例１及び比較サンプルの結果から、プレチルト角のばらつきの抑制は、ＶＡＴＮモードの表示均一性にとって重要であり、第１基板と第２基板とでプレチルト角の非対称性が大きくなるにつれ、透過率の低下が大きくなることが分かった。そして、その対策として、光結合（二量化）型の配向膜を用いることが有効であることが分かった。
特に、テレビ用の液晶表示パネルを製造する際においては、液晶テレビの大型化及び製造効率の向上のため、通常、１ｍ以上の大きさの基板上に配向膜を形成し、これに配向処理を行っている。このため、基板面内での露光の照度ムラを完全に防止することは困難であり、照度変動に対するプレチルトのばらつきを効果的に抑制することが望まれる。
【００５４】
（評価サンプルの作製）
実施例１における光照射による配向処理において、光照射強度及び光照射時間を変更して配向膜を形成することで、第１配向膜及び第２配向膜近傍における液晶分子のプレチルト角を８５〜９０度に設定してＶＡＴＮモードの液晶表示装置を製造した。
なお、本発明では、配向膜材料、光照射角度等を調整することによってもプレチルト角を制御することが可能である。配向膜材料の場合、側鎖の成分及び数、極性基等を調整することによってプレチルト角を制御することができる。光照射角度の場合、照射角度を大きくすると、プレチルト角を大きくすることができる。
また、比較用として、第１配向膜及び第２配向膜近傍における液晶分子のプレチルト角を８５〜９０度に設定したＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置を製造した。
【００５５】
（プレチルト角とコントラスト比との関係）
上述のＶＡＴＮモードの液晶表示装置、及び、ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置について、プレチルト角とコントラスト比との関係を図４に示した。なお、図８では、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とで液晶分子のプレチルト角が等しい場合について示している。
図８に示すように、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とで液晶分子のプレチルト角が等しい場合、ＶＡＴＮモードは、ＶＡＥＣＢモードよりも高いコントラスト比を得るのに有利である。すなわち、ＶＡＴＮモードでは、プレチルト角を小さくした際のコントラスト比の低下がＶＡＥＣＢモードよりも小さく、プレチルト角が８６．５度以上であれば、最大コントラスト比に対してコントラスト比の低下を１０％以下に抑制することができる。これは、ＶＡＥＣＢモードでは、液晶分子のプレチルト角を小さくすることによって生じるリターデーションの微小変化が黒表示（オフ状態）での光漏れを生じさせるが、ＶＡＴＮモードでは、第１配向膜と第２配向膜の配向方位が直交するため、リターデーションの微小変化が互いにキャンセルされるためであると考えられる。
したがって、一般的にＶＡモードにおいては、液晶分子のプレチルト角を小さくする（傾斜角を大きくする）と、オフ状態からオン状態への応答速度を向上させることができることが知られているが、ＶＡＴＮモードでは、プレチルト角を小さくしてもコントラスト比の低下が小さいので、応答速度向上の点で、ＶＡＥＣＢモードよりも有利であるといえる。
【００５６】
（プレチルト角と電圧−透過率曲線との関係）
上述のＶＡＴＮモードの液晶表示装置、及び、ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置について、プレチルト角を変化させたときに電圧−透過率曲線が変化する様子を図９に示した。なお、図９では、第１配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を８８．５度に固定した場合について示している。また、上述のＶＡＴＮモードの液晶表示装置、及び、ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置について、第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を変化させたときに６．２Ｖでの透過率が変化する様子を図１０に示した。なお、図１０では、第１配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を８８．５度に固定した場合について示している。
ＶＡＴＮモードでは、第１配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を８８．５度に固定した状態で、第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を変化させた場合、図９（ａ）に示すように、８８．５度のときに、電圧変化に対する透過率の立ち上がり特性に優れており、図１０に示すように、特に９０度に近づくと急激に立ち上がり特性が低下している。
一方、ＶＡＥＣＢモードでは、第１配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を８８．５度に固定した状態で、第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を変化させた場合において、図９（ｂ）及び図１０に示すように、電圧変化に対する透過率の立ち上がり特性はほとんど変化していない。
このように、ＶＡＴＮモードにおいては、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とでプレチルト角の差が大きくなると、ＶＡＥＣＢモードに比べ透過率の低下が大きく、プレチルト角の制御が表示特性を向上させるうえで極めて重要であることが分かる。図１０によれば、ＶＡＴＮモードでは、第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角が８７．５〜８９．０度のときに、高い透過率が安定的に得られている。このことから、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍での液晶分子のプレチルト角の差を１．０度以下にするとともに、第１配向膜近傍及び第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を８９度以下にすることが好ましいことが分かる。
【００５７】
（プレチルト角と液晶分子の挙動との関係）
上述のＶＡＴＮモードの液晶表示装置、及び、ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置について、オフ状態（液晶層印加電圧：１．５Ｖ）における液晶分子の配向と、オン状態（液晶層印加電圧：６．２Ｖ）における液晶分子の配向について、図１１〜１４に示した。
【００５８】
図１１は、ＶＡＴＮモードで、第１配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度、第２配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度の場合を示しており、（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態を示している。図１１（ａ）に示すように、液晶層を挟持する基板間に印加される電圧が閾値電圧未満のオフ状態においては、液晶分子の極角（基板面に対する液晶分子の傾斜角）は、８８．５度で一定であり、液晶分子の方位角は、第１基板から第２基板に向かって、−４５度から＋４５度まで一定の割合で変化している。一方、図１１（ｂ）に示すように、液晶層を挟持する基板間に印加される電圧が閾値電圧を超えたオン状態においては、液晶分子の極角は、第１配向膜近傍及び第２配向膜近傍では、配向膜により略垂直配向に維持されるものの、配向膜から遠い中央部分では、液晶層に印加された電圧により略水平配向に変化する。このとき、液晶分子の方位角は、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍で、ほぼ同じ割合で大きく変化し、配向膜から遠い中央部分では、第１基板から第２基板に向かって一定の割合で小さな変化を示す。これは、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍では略垂直配向が維持されるため、液晶分子がねじれることで、配向膜から遠い中央部分よりも小さなエネルギーで方位角を変化させることができるためであると考えられる。また、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とでプレチルト角が等しいため、方位角の変化（液晶分子のツイスト）が第１基板側と第２基板側とで対称となっていることから、高い透過率を得ることが可能となっている。
【００５９】
図１２及び１３は、ＶＡＴＮモードで、第１配向膜近傍のプレチルト角が８９．０度又は８９．５度、第２配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度の場合を示しており、（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態を示している。図１２（ａ）及び１３（ａ）に示すように、オフ状態においては、液晶分子の極角は、第１基板から第２基板に向かって、８９．０度又は８９．５度から８８．５度までほぼ一定の割合で変化している。また、液晶分子の方位角は、第１基板から第２基板に向かって、若干第１基板側の変化が大きくなって、−４５度から＋４５度まで変化している。一方、図１２（ｂ）及び１３（ｂ）に示すように、オン状態においては、液晶分子の極角は、第１配向膜近傍及び第２配向膜近傍では、配向膜により略垂直配向に維持されるものの、配向膜から遠い中央部分では、液晶層に印加された電圧により略水平配向に変化する。このとき、液晶分子の方位角は、極角の大きい第１配向膜近傍で、第２配向膜近傍よりも大きな割合で変化する。このように、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍とでプレチルト角が異なる場合には、方位角の変化（液晶分子のツイスト）が第１基板側と第２基板側とで対称とならず、透過率が低下することになる。
【００６０】
図１４は、ＶＡＥＣＢモードで、第１配向膜近傍のプレチルト角が８９．５度、第２配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度の場合を示しており、（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態を示している。図１４（ａ）に示すように、オフ状態においては、液晶分子の極角は、第１基板から第２基板に向かって、８９．５度から８８．５度までほぼ一定の割合で変化している。一方、図１４（ｂ）に示すように、オン状態においては、液晶分子の極角は、第１配向膜近傍及び第２配向膜近傍では、配向膜により略垂直配向に維持されるものの、配向膜から遠い中央部分では、液晶層に印加された電圧により略水平配向に変化する。液晶分子の方位角は、オフ状態及びオン状態ともに、０度で一定である。このため、ＶＡＥＣＢモードの場合は、第１配向膜近傍と第２配向膜近傍との液晶分子のプレチルト角の差によって、液晶分子の挙動は基本的に変化せず、図１４に示すように、透過率はほとんど変化しない。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施例１のＶＡＴＮモードの液晶表示装置の駆動原理を説明する概念図であり、（ａ）は、オフ状態を示し、（ｂ）は、オン状態を示している。
【図２−１】実施例１のＶＡＴＮモードの液晶表示装置に含まれる１つのドメインにおける配向膜の配向方位と偏光板の吸収軸との位置関係を示す概念図であり、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ位置関係の一例を示している。
【図２−２】実施例１のＶＡＴＮモードの液晶表示装置に含まれる一画素における４つのドメインと配向膜の配向方位との関係を示す概念図である。
【図３−１】プレチルト角が８７．５度である４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置の一画素における配向シミュレーションの結果を示す図であり、（ａ）は、電圧印加後１７．５ｍｓｅｃ後の状態、（ｂ）は、電圧印加後２５．０ｍｓｅｃ後の状態、（ｃ）は、電圧印加後１００ｍｓｅｃ後の状態を示す。
【図３−２】プレチルト角が８８．０度である４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置の一画素における配向シミュレーションの結果を示す図であり、（ａ）は、電圧印加後１７．５ｍｓｅｃ後の状態、（ｂ）は、電圧印加後２５．０ｍｓｅｃ後の状態、（ｃ）は、電圧印加後１００ｍｓｅｃ後の状態を示す。
【図３−３】プレチルト角が８９．０度である４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置の一画素における配向シミュレーションの結果を示す図であり、（ａ）は、電圧印加後１７．５ｍｓｅｃ後の状態、（ｂ）は、電圧印加後２５．０ｍｓｅｃ後の状態、（ｃ）は、電圧印加後１００ｍｓｅｃ後の状態を示す。
【図３−４】プレチルト角が８９．９度である４ＶＡＴＮモードの液晶表示装置の一画素における配向シミュレーションの結果を示す図であり、（ａ）は、電圧印加後１７．５ｍｓｅｃ後の状態、（ｂ）は、電圧印加後２５．０ｍｓｅｃ後の状態、（ｃ）は、電圧印加後１００ｍｓｅｃ後の状態を示す。
【図４】図３−１〜図３−４の（ｃ）におけるＡ−Ａ’線（すなわち電圧印加後１００ｍｓｅｃ後）での輝度プロファイル（Ａ−Ａ’線における透過率の変化）を示す図である。なお、Ａ点及びＡ’点は、暗線の略中央部からそれぞれ同一直線上に１５μｍ離れた点であり、また、透過率は、Ａ点及びＡ’点における透過率で規格化した値を示す。
【図５】配向シミュレーションの結果から算出した透過率の経時変化を示す図である。
【図６】図５と同様に算出した透過率の経時変化における電圧印加後１５ｍｓｅｃ（ｔ）後の透過率及び電圧印加後１００ｍｓｅｃ（ｔ’）後の透過率の差（透過率減少）と、プレチルト角（８７．０〜８９．９°）との関係を示す図である。
【図７】液晶分子のプレチルト角を説明するための概念図である。
【図８】ＶＡＴＮモードの液晶表示装置、及び、ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置について、プレチルト角とコントラスト比との関係を示すグラフである。
【図９】ＶＡＴＮモードの液晶表示装置、及び、ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置について、プレチルト角を変化させたときに電圧−透過率曲線が変化する様子を示すグラフであり、（ａ）がＶＡＴＮモード、（ｂ）がＶＡＥＣＢモードを示す。
【図１０】ＶＡＴＮモードの液晶表示装置、及び、ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置について、第２配向膜近傍の液晶分子のプレチルト角を変化させたときに６．２Ｖでの透過率が変化する様子を示すグラフである。
【図１１】ＶＡＴＮモードの液晶表示装置について、第１配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度、第２配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度の場合の液晶分子の配向を示しており、（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態を示している。
【図１２】ＶＡＴＮモードの液晶表示装置について、第１配向膜近傍のプレチルト角が８９．０度、第２配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度の場合の液晶分子の配向を示しており、（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態を示している。
【図１３】ＶＡＴＮモードの液晶表示装置について、第１配向膜近傍のプレチルト角が８９．５度、第２配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度の場合の液晶分子の配向を示しており、（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態を示している。
【図１４】ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置について、第１配向膜近傍のプレチルト角が８９．５度、第２配向膜近傍のプレチルト角が８８．５度の場合の液晶分子の配向を示しており、（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態を示している。
【図１５】ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置の駆動原理を説明する概念図であり、（ａ）は、オフ状態を示し、（ｂ）は、オン状態を示している。
【図１６−１】ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置に含まれる１つのドメインにおける配向膜の配向方位と偏光板の吸収軸との位置関係を示す概念図である。
【図１６−２】ＶＡＥＣＢモードの液晶表示装置に含まれる一画素における４つのドメインと配向膜の配向方位との関係を示す概念図である。
【符号の説明】
【００６２】
１：第１配向膜
１ａ：第１配向膜の配向方位
２：第２配向膜
２ａ：第２配向膜の配向方位
３：液晶分子
４：プレチルト角
５：第１偏光板吸収軸
６：第２偏光板吸収軸
７：液晶層
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６−１】
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【図１６−２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図３−４】
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