(57)【要約】【課題】  Ａｇ配線電極間のＡＣＦ中に発生成長するＡｇマイグレーションを抑制する。【解決手段】  発生成長しにくい封止樹脂で配線間を埋める。【選択図】  図１
2007281080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を接着した装置において、
第1の配線が配置された第1の基板と、
第2の配線が配置された第2の基板と、
前記第1の配線間に配置する被覆材と、
前記第1の基板と前記第2の基板とを接着する接着材と、
を有しており、
前記被覆材が、前記第1の配線間を被覆していることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第１の配線が配置された前記第１の基板において、前記第１の配線間に被覆材を配置するステップと、
前記第1の配線が配置された第1の基板と第2の配線が配置された第2の基板との間の領域に、接着剤が位置するように、前記第1の基板、前記第2の基板、及び前記接着剤を配置するステップと、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に前記接着剤が位置する状態で、前記第1の基板と前記第2の基板とを接近させるステップと、
を有しており、
前記接着剤の一部が前記第1の配線を被覆した前記被覆材を被覆することを特徴とする
基板の接着方法。
【請求項３】
前記接近させるステップにおいて、前記第1の配線と前記第2の配線とが電気的に接続可能になるまで前記第1の基板と第2の基板とを接近させることを特徴とする請求項２に記載の基板の接着方法。
【請求項４】
隣接する２つの前記第１の配線間における、該２つの第１の配線間の短絡が生じる割合である短絡率において、前記接着剤が第１の配線間に配置されている場合の短絡率が、前記被覆材が第１の配線間に配置されている場合の短絡率より高い
ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板の接着方法。
【請求項５】
隣接する２つの前記第１の配線間における、該２つの第１の配線間の導通不良が生じる割合である導通不良率において、前記接着材が第１の配線間に配置されている場合の導通不良率が、前記接着剤が第１の配線間に配置されている場合の導通不良率より高い
ことを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の基板の接着方法。
【請求項６】
前記接着剤は、
前記接着剤によって形成された接着材が単位体積あたりに含有するClの量が、前記被覆材が単位体積あたりに含有するClの量よりも多い、
という条件を満たすことを特徴とする請求項２〜請求項５のいずれかに記載の基板の接着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板を接着した装置、また基板の接着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、厚さの厚い配線パターンを有する回路基板同士の接続部において、一方の基板の凹部に絶縁性樹脂を充填して凹部の体積を小さくし、薄い異方性導電性接着フィルムでの接続方法が開示されている。
【特許文献１】特開平６−６１６４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本願に係わる発明の一つは、複数基板の有用な接着装置と基板の接着方法を実現することを課題とする。
【０００４】
更に具体的な課題の例としては、以下で実施形態の項で説明しているような、配線間の電気的短絡を抑制すること、配線の導通不良を抑制すること、を挙げることができる。
【０００５】
図１１に背景技術を示す。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願に係わる発明の一つは、
複数の基板を接着した装置であって、
第1の配線が配置された第1の基板と、
第2の配線が配置された第2の基板と、
前記第1の配線間に配置する被覆材と、
前記第1の基板と前記第2の基板とを接着する接着材と、
を有しており、
前記被覆材が、前記第1の配線間を被覆している装置である。
【０００７】
また、第１の配線が配置された第１の基板において、前記第１の配線間に被覆材を配置するステップと、
前記第1の配線が配置された第1の基板と第2の配線が配置された第2の基板との間の所定の領域に、接着剤が位置するように、前記第1の基板、前記第2の基板、及び前記接着剤を配置するステップと、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に前記接着剤が位置する状態で、前記第1の基板と前記第2の基板とを接近させるステップと、
を有しており、
前記接着剤の一部が前記第1の配線を被覆した前記被覆材を被覆する、
基板の接着方法、である。
【０００８】
ここで、前記接近させるステップにおいて、前記第1の配線と前記第2の配線とが電気的に接続可能になるまで前記第1の基板と第2の基板とを接近させるようにする構成を好適に採用できる。
【０００９】
また、隣接する２つの前記第１の配線間における、該２つの第１の配線間の短絡が生じる割合である短絡率において、前記接着剤が第１の配線間に配置されている場合の短絡率が、前記被覆材が第１の配線間に配置されている場合の短絡率より高い、
ものである構成を好適に採用できる。
【００１０】
また、隣接する２つの前記第１の配線間における、該２つの第１の配線間の導通不良が生じる割合である導通不良率において、前記接着材が第１の配線間に配置されている場合の導通不良率が、前記接着剤が第１の配線間に配置されている場合の導通不良率より高い、
ものである構成を好適に採用できる。
【００１１】
また前記接着剤は、
前記接着剤によって形成された接着材が単位体積あたりに含有するClの量が、前記被覆材が単位体積あたりに含有するClの量よりも多い、
という条件を満たすものである構成を好適に採用できる。
【発明の効果】
【００１２】
配線を有する複数の基板の絶縁性に優れた接着装置の実現と基板間の接着を好適に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本願発明の最良の実施の形態を実現するにあたって、以下の検討を行った。
【００１４】
近年、電気製品に搭載される電気実装部品等の電気回路装置は電気信号の高速化と共に高密度集積と小型化が進み、信号配線の微細化（ファインピッチ）と多ピン化が著しくなってきている。
【００１５】
それに伴い、ガラス基板とフレキシブルプリント基板など回路基板同士の電気的接合も搭載位置精度と共にファインピッチ及び多ピン化に対応した接続信頼性を得ることがますます厳しくなっている。ファインピッチ及び多ピンになるに従い、位置合わせが難しくなってきたり、また電極間が近いことよりマイグレーションが起きやすくなってきている。
【００１６】
現在、微細パターン用セラミック基板やシリコン基板、また液晶用やＰＤＰ用ガラス基板の上に形成された配線電極とフレキシブルプリント基板とを電気的接合する方法として、異方性導電接着剤を用いる方法が多く行われている。
【００１７】
異方性導電接着剤とは、導電性フィラーが含有されており、接着された状態で該導電性フィラーを介して複数の電極間を電気的に接続できるものである。異方性導電接着剤は、その供給形態によって異方性導電性フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ））と異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）に大別される。
【００１８】
異方性導電接着剤ではない非導電性の接着剤を用いる方法もあり、非導電性の接着剤もその供給形態によって、非導電性膜（ＮＣＦ：Ｎｏｎ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、非導電性ペースト（ＮＣＰ：Ｎｏｎ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）とに大別される。
【００１９】
液晶やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）などのフラットパネルディスプレイ用ガラス基板では、配線にＡｇ（銀）等の金属を用いることが多く、隣り合う配線間に電位差あるいは極性の異なる電圧が印加されると、配線金属がイオン化されて一方の配線から他方の配線へ移動する現象、すなわちイオンマイグレーションの発生が知られている。イオンマイグレーションがさらに進むと本来絶縁状態の２本の配線間に導通路が形成されて配線同士が短絡したり、Ａｇ配線が塩化銀（ＡｇＣｌ）やＡｇイオンが拡散した状態となり導電体ではなく絶縁物になってしまう不良が発生する。
【００２０】
このイオンマイグレーション現象の程度は、高温高湿環境であったり、接着剤によって形成された接着材である接合部材に含まれるＣｌなどのハロゲンイオン濃度が高い場合、部材間の密着性が悪く水分が進入しやすい場合、材料自体の吸水率や透湿度が高い場合、電位差を生じている配線間の幅が狭い場合、電位差が大きい場合ほど特に顕著になる。
【００２１】
また、イオンマイグレーション程度は、ＡＣＦ接合端部ほど著しく悪く、ＡＣＦ接合内部にいくに従い程度が軽くなる。高電圧側から成長し低電圧側に到達している塩化銀やＡｇと推定されるデンドライトが観察されることより、電気的短絡の原因と考えられる。
【００２２】
マイグレーションの発生メカニズムは明らかになっていないが、配線材料のＡｇとＡＣＦ中のイオン性不純物Ｃｌとが反応してＡｇＣｌを生成し、成長したＡｇＣｌとＡｇデンドライトがリークに関与していると推察される。
【００２３】
はみ出し部の構造を観察すると、ＡＣＦはみ出し部は接合部のように接合相手が無いため、配線材料の上により多くの量のＡＣＦが存在していた。従ってＡＣＦ中に含まれるＣｌの絶対量も多くなる。さらに、マイグレーションはＡＣＦを媒体としてＡＣＦ中を成長する。
【００２４】
結果としてＡＣＦはみ出し部にＡｇＣｌのマイグレーションが多く発生すると推測される。
【００２５】
また、加熱圧着時において、ＡＣＦはみ出し部は、接合部よりもツールが当たりにくい為に、加熱熱量が少なくなり硬化不足となる場合がある。硬化不足のＡＣＦ部でもマイグレーションが起きやすいことがわかっている。
【００２６】
さらに、水分はマイグレーションを加速することがわかっており、はみ出し部でのマイグレーションも水分の侵入が発生要因の一つと考えられる。
【００２７】
一方、Ａｇ配線のみの箇所は露出しておくと、結露やコンタミなどが付着しやすく、それが原因でリークに至ることがある。そこで配線露出部は封止樹脂を被覆材として用いている。
【００２８】
この封止樹脂で直接覆われているＡｇ配線からは高温高湿バイアステスト後もマイグレーションが発生していない。
【００２９】
これらを勘案して最良の実施形態として以下の構成を採用した。本実施形態の回路基板の樹脂接合構造は、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、ＳＥＤなどのフラットパネルディスプレイ、高密度実装基板、ICパッケージ実装基板などを包含しており、特にＳＥＤやプラズマディスプレイの多くでは、配線電極材料にＡｇペーストを用いている点から本発明が適用される好ましい形態である。
【００３０】
本発明の実施の形態について、図１を用いて以下に具体的に説明する。
【００３１】
ここでは画像表示装置に本願に係わる発明を適用した例を示している。図1に示す構成は、画像表示装置において画素を形成するための表示素子が配列された第1の基板であるガラス基板5と、ガラス基板5に配置された第1の配線である配線電極４と、配線電極間を被覆する被覆材である封止樹脂3（液状樹脂３’）と、異方性導電接着剤によって形成された接着材1と、第2の基板であるフレキシブルプリント基板ベースフィルム７と、フレキシブルプリント基板ベースフィルム7に配置された第2の配線であるフレキシブルプリント基板電極６と、を有している。接着材１は導電性フィラー2を有しており、導電性フィラー2を介して配線電極4とフレキシブルプリント基板電極6とが電気的に接続される。
【００３２】
図１において、接着材1を形成するために用いる異方性導電接着剤は、導電性フィラー２を含有するエポキシ樹脂系接着剤が望ましい。形態は、フィルム状半硬化状態のＡＣＦの方が扱いやすく望ましいが、使用ロスが少なくコストダウン可能なペースト状のＡＣＰでも良い。また、電気的接続信頼性が確保できるので有れば導電性フィラー２を含有しないエポキシ樹脂系接着剤でも良い。形態は、フィルム状半硬化状態のＮＣＦの方が扱いやすく望ましいが、使用ロスが少なくコストダウン可能なペースト状のＮＣＰでも良い。また、ＮＣＦ及びＮＣＰは、導電性フィラーを含まないためコストダウンの効果がある。
【００３３】
樹脂材料は、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、ウレタン系、などの樹脂で有り、特に異方性導電接着剤１がエポキシ系樹脂であることは、接着強度の点から好ましい。
【００３４】
導電性フィラー２は、構成材料が樹脂粒子表面にＮｉやＡｕメッキした樹脂フィラータイプやＮｉ金属単体粒子やＮｉ粒子にＡｕメッキした金属フィラーのタイプがあり、形状は、球状や毬栗状、鱗片状などがある。また、大きさは、３μm程度から２０μm程度まであり、粒子数は、５〜５０万個／ｍｍ３程度である。
【００３５】
特に、導電性フィラー２が樹脂粒子にＮｉ／Ａｕメッキしたタイプであることは、熱サイクルなどの温度変形による接合距離の変化に対しても、樹脂はある程度の変形に対して戻る点で好ましい。また球状であることは、接触状態のバラツキが少ない点や流動性という点でも好ましい。金属フィラーは塑性変形して戻らない。さらに、粒子系がφ５μm、粒子数が２５万個／ｍｍ３であることは、接続信頼性という点で好ましい。
【００３６】
ここでは異方性導電接着剤を硬化させることで接着材1を形成している。
【００３７】
封止樹脂３を形成するための液状樹脂は、シリコン系、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、ウレタン系、などであって、特に空気中の水分と反応硬化する常温硬化タイプのシリコン樹脂を好適に採用できる。特に空気中の水分と反応硬化する常温硬化タイプのシリコン樹脂を硬化させて得た封止樹脂3が異方性導電接着剤を硬化させて得た接着材１よりマイグレーション程度及び電気的短絡が著しく少なく、かつ導通不良も著しく少ないので好適に採用できる。
【００３８】
すなわち、この接着材１は、隣接する２つの配線間において接着材１が該2つの配線と直接接している場合の、該2つの配線間の短絡が生じる割合である短絡率が、隣接する2つの配線間において被覆材である封止樹脂3が該2つの配線と直接接している場合の、該2つの配線間の短絡が生じる割合である短絡率よりも高い、ものであり、かつ、接着材１が配線と直接接している場合に、配線に導通不良が生じる割合である導通不良率が、被覆材である封止樹脂3が配線と直接接している場合に、配線に導通不良が生じる割合である導通不良率よりも高い、ものである。
【００３９】
この短絡率、及び導通不良率は、以下の測定を１０回繰り返して、短絡が発生した割合、及び導通不良が発生した割合として得ることができる。すなわち、Ａｇ配線電極を串歯状に形成した同じ２枚のガラス基板を準備する。一方のガラス基板上に、その電極を覆うように一方は常温硬化タイプ・シリコン系の液状樹脂を塗布し、硬化させることで封止樹脂３と同じものを形成する。他方のガラス基板には加熱硬化タイプ・エポキシ系の異方性導電接着剤１をそれぞれ塗布し、硬化させることで接着材1と同じものを形成する。８５℃／８５％の高温高湿雰囲気中で、串歯状電極に交互に１０Ｖ、０Ｖを掛け１０００ｈテストを行う。
【００４０】
本実施形態で採用した封止樹脂３を用いた測定ではいずれの回に於いてもマイグレーション及び電気的短絡、及び導通不良は発生しなかった。一方接着材１を直接配線に接触させた構成ではマイグレーション及び電気的短絡及び導通不良が発生した。
【００４１】
なお、封止樹脂3を形成するための液状樹脂の粘度は、接合微細部分に侵入することが望ましいので低粘度のタイプが望ましい。封止樹脂３を形成するための液状樹脂は、スクリーン印刷や転写法、ポッティングなどによって供給することが出来る。
【００４２】
また、接着材1は封止樹脂3よりも接着力が大きいものである。ここで接着力とは、２つの基板の間に所定量の接着材1のみを形成した場合と、前記所定量の封止樹脂3のみを形成した場合のそれぞれにおいて、２つの基板を引き剥がすのに必要な力のことを言う。
【００４３】
Ａｇ配線電極４の材料としては、シリカフィラーやＡｇフィラーなどを混ぜ合わせ高温で焼成するタイプや、樹脂とＡｇフィラーなどを混ぜ合わせた加熱硬化タイプなどがあるが、電気的特性（低抵抗）の点からシリカフィラーやＡｇフィラーなどを混ぜ合わせたタイプが好ましい。Ａｇ配線電極の形成方法は、Ａｇペースト材料をガラス基板上に塗布、プリベイク後、所望のパターンに露光、現像を行うフォトリソプロセスで作製するか、Ａｇペースト材料をスクリーン版を用いてガラス基板上にスクリーン印刷することによってパターンニングし、その後焼成することによって形成することができる。
【００４４】
フレキシブルプリント基板電極６は、Ｃｕ素材にＮｉ／Ａｕメッキを施したもの、Ｃｕ素材にＳｎメッキを施したもの、Ｓｎのみ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ａｕのみなど、その他金属や合金にメッキを施したものがある。
【００４５】
フレキシブルプリント基板・ベースフィルム７は、ポリイミドからなる。
【００４６】
フレキシブルプリント基板は、基板電極層６とベースフィルム７の間に接着層を有するタイプと接着層が無いタイプとがあるが、マイグレーション信頼性の点からは、不純物要因が少ない接着層が無いタイプが望ましい。
【００４７】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳しく説明する。
【実施例１】
【００４８】
本実施例は、一方の回路基板がフラットパネルディスプレイのガラス（リジッド）基板、他方の回路基板がフレキシブルプリント基板であり、ガラス基板上に形成されたＡｇ配線電極とフレキシブルプリント基板の配線電極とを異方性導電接着剤を用いて樹脂接合した実施例である。
【００４９】
図１は、ガラス基板５上のＡｇ配線電極４とフレキシブルプリント基板電極６を異方性導電接着剤によって形成した接着材１で樹脂接合した状態を示した模式断面図である。
【００５０】
ここで、本実施例でのフレキシブルプリント基板電極６、フレキシブルプリント基板・ベースフィルム７を総称して、ＴＣＰとする。
【００５１】
図２から図７まで順を追って説明する。
【００５２】
図２は、ガラス基板５上にＡｇ配線電極４を形成した状態を示す模式断面図である。
【００５３】
Ａｇ配線電極４の形成方法について述べる。
【００５４】
高融点ガラス基板５の片側表面に形成したＳｉＯ２膜上に、フォトリソプロセス又はスクリーン印刷でAｇペーストをパターンニング、その後約５００℃で焼成することによって所望配線電極を有するガラス基板５が得られる。本実施例では、１６０μmピッチ、ライン／スペース＝８０μm／８０μm、厚み３〜１０μmで形成した。
【００５５】
図３は、ガラス基板５上に形成したＡｇ配線電極４とＡｇ配線電極４の間に被覆材となる封止樹脂３をスクリーン印刷法で埋め込むため、封止樹脂３を含んだスクリーン印刷版８を位置合わせした状態を示す模式断面図である。
【００５６】
封止樹脂３を含む量は、Ａｇ配線電極４の高さ、封止樹脂３の粘度、スクリーン印刷版８の種類、印刷条件などに応じて最適量を決定する。
【００５７】
本実施例では、Ａｇ配線電極ピッチが１６０μmと狭いうえ、Ａｇ配線電極４の高さが７〜８μmと薄く、封止樹脂３の粘度も１Ｐａ・ｓと低粘度であったため、スクリーン印刷版は薄膜形成に適したプレート状のメタルスクリーンやポリエステルなどの樹脂スクリーン版を用いた。
【００５８】
また、８０μmのスペースに低粘度の封止樹脂３を供給するために、スクリーン印刷版８の開口径（幅）は、表面張力で保持可能な４０μm以下が望ましく、本実施例では３０μmで行った。
【００５９】
ここでＡｇ配線電極４間に埋め込まれる封止樹脂３の最も望ましい高さはＡｇ配線電極側面と同じ高さであり、その目的はＡｇ配線電極４の側面を封止樹脂３で被覆することである。被覆することによって、高電圧側のＡｇ電極側面で発生し、ＡＣＦを媒体としてＡＣＦ中を低電圧側に成長するＡｇマイグレーションを防ぐことが可能となる。
【００６０】
図４は、Ａｇ配線電極４の配線間に、スクリーン印刷版８の開口部に保持された封止樹脂３を供給している状態を示す模式断面図である。
【００６１】
ガラス基板５上に形成されたＡｇ配線電極４に位置合わせされた、封止樹脂３を有するスクリーン印刷版８にスキージ９を設定印刷圧で押しつけ、矢印１０方向に移動させることで、封止樹脂３をＡｇ配線間に埋め込む。
【００６２】
印刷圧は０．０５〜０．３ＭＰａ、印刷スピードは５〜５０ｍｍ／ｓｅｃで行った。
【００６３】
封止樹脂３の粘度調整も行った。
【００６４】
その後、封止樹脂３は自然硬化させることが望ましいが、次工程までのタクトタイム短縮化が必要な場合は、封止樹脂３を加熱することで表面を硬化させることが可能であり、また、そのまま次工程を実施することも可能である。そのまま次工程を実施した場合であっても、Ａｇ配線電極４表面に封止樹脂３が一度触れたことによって、Ａｇ配線電極４表面には少なくとも薄膜層は形成されている。
【００６５】
図５は、封止樹脂３をＡｇ配線電極４間に埋め込んだ後のＡｇ配線電極４上に異方性導電接着剤１を貼り付けた状態を示す模式断面図である。
【００６６】
ここでは、異方性導電接着剤１にハンドリングし易いフィルム状の異方性導電接着剤であるＡＣＦを用いた。
【００６７】
ＡＣＦは、ソニーケミカル社製のＣＰ９７３１を用いた。
【００６８】
ＴＣＰ基板を接合する位置に異方性導電接着剤１を貼り付け約８０℃で仮圧着する。
【００６９】
図６は、Ａｇ配線電極４にＴＣＰ７の配線電極６を位置合わせ固定した模式断面図である。
【００７０】
ＴＣＰの電極配線６をＡｇ配線電極４に位置合わせした後、ＴＣＰを真空吸着で位置を固定する。これによってガラス基板5とフレキシブル基板ベースフィルム７との間の所定領域に接着剤が位置する状態が実現される。
【００７１】
図７は、加熱加圧圧着時の模式断面図である。
【００７２】
加圧によってはみ出した異方性導電接着剤１’が圧着ツール１１に付着することを防止するため、テフロン（登録商標）シート１２をサンプル加圧部上に置き、加熱加圧ツールでテフロン（登録商標）シート１２の上からサンプルを加圧する。圧着ツール１１及びバックアップツール１３は、余熱１００℃とした。
【００７３】
プロセスシーケンスは、２〜５ＭＰａで加圧しつつ、サンプル接合部が１８５℃になるまで昇温し、１８５℃×４０秒維持する。その後圧着ツールが１３０℃まで冷却した後、除荷し、接合が完成する。これによって異方性導電接着剤１’を硬化させて接着材1を形成することができ、また液状樹脂3’を硬化させて封止樹脂3を形成することができる。なお、液状樹脂3’を予め硬化させて封止樹脂3を形成した後、接着材1を形成するようにしてもよい。
【００７４】
以上のように製造された図１に示される回路基板の樹脂接合部の信頼性を高温高湿バイアステスト（８５℃／８５％／ＤＣ１０Ｖバイアステスト）を行って確認したところ、１０００ｈ以上  絶縁抵抗を維持することが出来た。図８にデータを示す。
【００７５】
また、接合部を観察してもマイグレーションは観察されなかった。
【実施例２】
【００７６】
本実施例が実施例１と異なる点は、封止樹脂３を形成するための液状樹脂3’の塗布方法にディスペンサー１４を用いていること、異方性導電接着剤１’の代わりに導電性フィラー２を含有しない接着剤（ＮＣＦ、ＮＣＰ）１５を用いていること、ＴＣＰに接着剤層を有するタイプを用いている点である。
【００７７】
図９、図１０について説明する。
【００７８】
図２のＡｇ配線電極４を形成する工程までは、実施例１と同様である。
【００７９】
図９は、実施例１の図３、図４の工程の代わりに封止樹脂３を多穴ディスペンサーからＡｇ配線電極４の配線間に供給している状態を示す模式断面図である。
【００８０】
ディスペンサーからの微少量塗布を多穴化することによってタクトタイムの短縮を図る。
【００８１】
図１０は、封止樹脂３を形成した後、導電性フィラー２を含有しない接着剤（ＮＣＦ、ＮＣＰ）１５を用いて、接着層１６を有するＴＣＰ電極を位置合わせ加熱加圧圧着している状態を示す模式断面図である。
【００８２】
加熱圧着条件は、実施例１と同様に行った。
【００８３】
Ａｇ配線電極４とＴＣＰ基板電極６は、導電性フィラー２が無いため、電極同士が直接接触することによって電気的接続を行っている。
【００８４】
以上のように製造された回路基板の樹脂接合部の信頼性を高温高湿バイアステスト（６０℃／９０％／ＤＣ１０Ｖバイアステスト）を行って接続抵抗値を確認したところ、１０００ｈ以上安定した導通状態を維持することが出来た。
【００８５】
本実施例では、ＮＣＦを用いたがコストの安いＮＣＰでも良い。
【００８６】
封止樹脂３の塗布方法の違いである、実施例１と実施例２との使い分けは、Ａｇ配線電極４の配線間距離や、封止樹脂３の物性値等によると考えられます。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の代表的な接合構造を示す。
【図２】本発明の実施例１を示す。
【図３】本発明の実施例１を示す。
【図４】本発明の実施例１を示す。
【図５】本発明の実施例１を示す。
【図６】本発明の実施例１を示す。
【図７】本発明の実施例１を示す。
【図８】本発明の実施例１を示す。
【図９】本発明の実施例２を示す。
【図１０】本発明の実施例２を示す。
【図１１】背景技術を示す。
【符号の説明】
【００８８】
１’  異方性導電接着剤（ＡＣＦ、ＡＣＰ）
１  接着材
２  導電性フィラー
３  封止樹脂
３’  液状樹脂
４  Ａｇ配線電極
５  ガラス基板
６  フレキシブルプリント基板電極
７  フレキシブルプリント基板・ベースフィルム
８  スクリーン印刷版
９  スキージ
１０  スキージ移動方向
１１  圧着ツール
１２  テフロン（登録商標）シート
１３  バックアップツール
１４  多穴ディスペンサー
１５  接着剤（ＮＣＦ、ＮＣＰ）
１６  ＴＣＰ接着層
１７  イオンマイグレーション
【図１】
2007281080.tif 000003
【図２】
2007281080.tif 000004
【図３】
2007281080.tif 000005
【図４】
2007281080.tif 000006
【図５】
2007281080.tif 000007
【図６】
2007281080.tif 000008
【図７】
2007281080.tif 000009
【図８】
2007281080.tif 000010
【図９】
2007281080.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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