(57)【要約】【課題】面積変調型の画素構造を含む半透過反射型の液晶装置において、マルチギャップ層の形状に起因してざらつきやシミのような表示不良が生じるのを防止する。【解決手段】半透過反射型の液晶装置は、複数の色のサブ画素にて構成される単位画素を備え、マルチギャップ層を有するカラーフィルタ基板と素子基板の間に液晶層を挟持してなる。この液晶装置では、各色のサブ画素は同一の面積に設定され、少なくとも１つのサブ画素は他のサブ画素と異なる形状に形成され、マルチギャップ層は、各色のサブ画素の反射領域と平面的に重なる位置に帯状に形成されている。即ち、各色のサブ画素の透過領域と平面的に重なる位置ではマルチギャップ層が帯状に除去された領域が形成されている。この構成により、透過領域と反射領域の境界付近に配向膜を均一に塗布でき、ざらつきやシミのような表示不良が生じるのを防止できる。【選択図】図２
2007286122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持してなり、
透過領域及び反射領域を有する複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、
前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方の基板の前記液晶層側には、前記透過領域と前記反射領域とで前記液晶層の厚さを異ならせる絶縁層が少なくとも前記サブ画素の各々の前記反射領域と平面的に重なる位置に設けられていると共に、前記第２基板には前記サブ画素毎に単一色からなる複数の色層が設けられており、
前記複数のサブ画素の各々は同一の面積に設定されていると共に、前記複数のサブ画素において、少なくとも１つの前記色層の前記サブ画素は他の前記色層の前記サブ画素と異なる形状に形成され、
前記サブ画素の各々の前記反射領域と平面的に重なる位置に設けられた前記絶縁層は帯状に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
少なくとも前記反射領域に設けられた前記絶縁膜は、前記透過領域における前記液晶層の厚さよりも前記反射領域における前記液晶層の厚さを小さく設定させてなり、前記複数のサブ画素にわたって前記透過領域と前記反射領域とで帯状に前記液晶層の厚さが異なっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記サブ画素の各々において、前記透過領域と前記反射領域とは隣接する位置に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記透過領域と前記反射領域の境界に位置する前記絶縁層の縁は、直線状の形状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記サブ画素の各々は、上底、下底及び高さを有する台形状の平面形状に形成され、
前記上底と前記下底の和及び前記高さの各々は、当該サブ画素の各々で同一の値に規定され、
前記複数の前記サブ画素において、少なくとも１つの前記サブ画素の前記透過領域及び前記反射領域の面積は、他の前記サブ画素の前記透過領域及び前記反射領域の面積と夫々異なっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記複数の色層は、前記単位画素内の前記サブ画素毎に、赤色の色層、緑色の色層及び青色の色層のうちいずれか１つの色層を含み、
前記サブ画素の各々の前記透過領域に配置された前記赤色の色層、前記緑色の色層及び前記青色の色層は、前記サブ画素の各々の前記反射領域に配置された前記赤色の色層、前記緑色の色層及び前記青色の色層より光学濃度が高いことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記複数の色層は、前記単位画素内の前記サブ画素毎に、赤色の色層、緑色の色層及び青色の色層のうちいずれか１つの色層を含み、
前記複数の前記サブ画素において、少なくとも１つの前記サブ画素の前記反射領域に対応する位置には、前記反射領域の輝度を調整する開口又はスリットが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記サブ画素の各々は、画像信号が供給される第１配線と、前記第１配線と交差する方向に延在し且つ走査信号が供給される第２配線の交差位置に対応して設けられ、
前記第１配線の延在方向に相隣接する前記サブ画素の各々は、前記第２配線を基準として夫々対称的な形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
複数の色層を備え、
前記色層の各々は、単位画素を構成する透過領域及び反射領域を有するサブ画素の各々が形成されるべき領域に設けられ、
前記複数の色層の各々は同一の面積に設定されていると共に、前記複数の色層において、少なくとも１つの前記色層は他の前記色層と異なる形状に形成され、
前記サブ画素の各々の前記反射領域に位置する前記色層の各々と平面的に重なる位置には帯状に形成された絶縁膜が設けられていることを特徴とするカラーフィルタ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のカラーフィルタを備え、明所では外光を利用して表示を行う反射型表示モードと、暗所ではバックライトなどの光源を利用して表示を行う透過型表示モードとを有する、カラー方式の半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
かかる液晶装置は、基板と対向基板との間に液晶を挟持してなり、基板には、ゲート線及びソース線、それらの配線に接続されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子、そのＴＦＴ素子に接続された画素電極、ＴＦＴ素子や画素電極等を覆うように設けられた層間絶縁膜、反射型表示が行われる反射領域に対応する層間絶縁膜上に設けられ、画素電極と接続された反射電極、並びに配向層などが設けられている一方、対向基板には、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のカラーフィルタ、ブラックマトリクス、透明電極、及び配向層などが設けられている。この液晶装置では、反射領域の液晶層の厚さ（セル厚）と、透過領域の液晶層の厚さ（セル厚）との関係が１：２となるように層間絶縁膜の厚さが規定されている。これにより、偏光モードにおいて同電位で液晶を駆動する場合、透過モードと反射モードとの位相差（Δｎｄ）を近づけることができ、液晶セルの黒レベルと階調レベルとを一致させることができるとされている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−７２２２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような液晶装置では、透過領域と反射領域の境界付近に対応する層間絶縁膜の形状如何によっては、配向膜を塗布するときに、その境界付近において配向膜の一部が透過領域へ流れ込んだりして、その境界付近の配向膜の塗布状態が不均一となる。このため、これに起因して、その境界付近においてざらつきやシミのような表示不良が生じてしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、複数の色のサブ画素を含み、サブ画素毎に面積の大きさを変えた画素構造を有し、且つ透過領域と反射領域とで液晶層の厚さが異なるマルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置において、形成される層間絶縁膜（又はマルチギャップ層）の形状に起因してざらつきやシミのような表示不良が生じるのを防止することが可能な液晶装置等及びそれを用いた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの観点では、液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持してなり、透過領域及び反射領域を有する複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方の基板の前記液晶層側には、前記透過領域と前記反射領域とで前記液晶層の厚さを異ならせる絶縁層が少なくとも前記サブ画素の各々の前記反射領域と平面的に重なる位置に設けられていると共に、前記第２基板には前記サブ画素毎に単一色からなる複数の色層が設けられており、前記複数のサブ画素の各々は同一の面積に設定されていると共に、前記複数のサブ画素において、少なくとも１つの前記色層の前記サブ画素は他の前記色層の前記サブ画素と異なる形状に形成され、前記サブ画素の各々の前記反射領域と平面的に重なる位置に設けられた前記絶縁層は帯状に形成されている。
【０００８】
上記の液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持してなり、透過型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を有する複数のサブ画素により構成される単位画素を備えている。好適な例では、前記サブ画素の各々において、前記透過領域と前記反射領域とは隣接する位置に設けられているのが好ましい。このため、この液晶装置は、半透過反射型の液晶装置を構成している。そして、第１基板及び第２基板のうち少なくとも一方の基板の液晶層側には、透過領域と反射領域とで液晶層の厚さを異ならせる絶縁層（層間絶縁膜）が少なくともサブ画素の各々の反射領域と平面的に重なる位置に設けられていると共に、第２基板にはサブ画素毎に単一色からなる複数の色層が設けられている。
【０００９】
また、この液晶装置では、複数のサブ画素の各々は同一の面積に設定されているので、サブ画素の各々で液晶容量（画素容量）を同一の大きさに規定することができる。また、複数のサブ画素において、少なくとも１つの色層のサブ画素は他の色層のサブ画素と異なる形状に形成されているので、単位画素内においてサブ画素の色調整を行うことができる。よって、複数の色層のサブ画素の各々において、面積を同一にして画素容量を一定に保持しつつ、少なくとも透過領域の面積を変えることができる。
【００１０】
ここで、絶縁層が、サブ画素の各々の反射領域と平面的に重なる位置に帯状に形成されずに凹凸状に形成されている比較例を想定すると、比較例では、透過領域と反射領域の境界付近が凹凸状の平面形状を有するように形成される。したがって、反射領域に設けられた絶縁膜の上側、及び、透過領域に対応する位置の上側に夫々配向膜を塗布する際に、絶縁膜の上側に塗布された配向膜の一部が透過領域に流れ込んでしまい、透過領域と反射領域の境界付近において配向膜を均一に塗布することができず、これに起因してざらつきやシミのような表示不良が生じてしまうという問題がある。
【００１１】
この点、この液晶装置では、サブ画素の各々の反射領域と平面的に重なる位置に設けられた絶縁層は帯状に形成されている。即ち、サブ画素の各々の透過領域に対応する位置では、絶縁層がスリット状に除去された領域が形成されている。好適な例では、少なくとも前記反射領域に設けられた前記絶縁膜は、前記透過領域における前記液晶層の厚さよりも前記反射領域における前記液晶層の厚さを小さく設定させてなり、前記複数のサブ画素にわたって前記透過領域と前記反射領域とで帯状に前記液晶層の厚さが異なっている。また、前記透過領域と前記反射領域の境界に位置する前記絶縁層の縁は、直線状の形状に形成されている。したがって、この液晶装置において、反射領域に設けられた絶縁膜の上側、及び、透過領域に対応する位置の上側に夫々配向膜を塗布した場合でも、透過領域と反射領域の境界付近に配向膜を均一に塗布することができる。よって、反射領域の上側に塗布された配向膜の一部が透過領域側へ流れ込むのを防止でき、ざらつきやシミのような表示不良が生じてしまうのを防止できる。
【００１２】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記サブ画素の各々は、上底、下底及び高さを有する台形状の平面形状に形成され、前記上底と前記下底の和及び前記高さの各々は、当該サブ画素の各々で同一の値に規定され、前記複数の前記サブ画素において、少なくとも１つの前記サブ画素の前記透過領域及び前記反射領域の面積は、他の前記サブ画素の前記透過領域及び前記反射領域の面積と夫々異なっている。
【００１３】
この態様では、サブ画素の各々は、上底、下底及び高さを有する台形状の平面形状に形成されている。そして、上底と下底の和及び高さの各々は、サブ画素の各々で同一の値に規定されている。これにより、サブ画素の各々の面積は同一に規定される。また、複数のサブ画素において、少なくとも１つのサブ画素の透過領域及び反射領域の面積は、他のサブ画素の透過領域及び反射領域の面積と夫々異なっている。これにより、色調整を行うことができる。よって、サブ画素の各々で面積を同一に規定しつつ、色調整を行うことができる。
【００１４】
上記の液晶装置の他の態様では、前記複数の色層は、前記単位画素内の前記サブ画素毎に、赤色の色層、緑色の色層及び青色の色層のうちいずれか１つの色層を含み、前記サブ画素の各々の前記透過領域に配置された前記赤色の色層、前記緑色の色層及び前記青色の色層は、前記サブ画素の各々の前記反射領域に配置された前記赤色の色層、前記緑色の色層及び前記青色の色層より光学濃度が高い。これにより、透過領域と反射領域とで適切な色調整を行うことができる。
【００１５】
即ち、透過領域の色層の光学濃度を反射領域の色層の光学濃度より濃く設定しているのは次の理由による。即ち、反射型表示を行う場合には、液晶装置内に入射した外光は、まず反射領域に位置する色層を通過して、その下側に位置する反射膜によって反射され、再び色層を通過する、つまり２回通過して、観察側へ至る。これに対して、透過型表示を行う場合は、照明装置によって照明された照明光は透過領域に位置する色層を１回だけ通過して観察側へ至る。したがって、反射型表示の場合は、透過型表示の場合と比較して１回だけ余計に色層を通過することになる。したがって、この液晶装置では、反射領域に対応する各色の色層と、透過領域に対応する各色の色層との色調を揃えるために、透過領域の各色の色層の光学濃度を反射領域の各色の色層の光学濃度より高く設定している。
【００１６】
上記の液晶装置の他の態様では、前記複数の色層は、前記単位画素内の前記サブ画素毎に、赤色の色層、緑色の色層及び青色の色層のうちいずれか１つの色層を含み、前記複数の前記サブ画素において、少なくとも１つの前記サブ画素の前記反射領域に対応する位置には、前記反射領域の輝度を調整する開口又はスリットが設けられている。これにより、各色層のサブ画素の反射領域の色相を、各色層のサブ画素の透過領域の色相よりも淡くしつつ、各色のサブ画素の反射領域において輝度を向上させることができる。
【００１７】
好適な例では、前記サブ画素の各々は、画像信号が供給される第１配線（ソース線又はデータ線）と、前記第１配線と交差する方向に延在し且つ走査信号が供給される第２配線（ゲート線又は走査線）の交差位置に対応して設けられ、前記第１配線の延在方向に相隣接する前記サブ画素の各々は、前記第２配線を基準として夫々対称的な形状に形成されているのが好ましい。
【００１８】
本発明の他の観点では、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【００１９】
本発明の更に他の観点では、カラーフィルタ基板は、複数の色層を備え、前記色層の各々は、単位画素を構成する透過領域及び反射領域を有するサブ画素の各々が形成されるべき領域に設けられ、前記複数の色層の各々は同一の面積に設定されていると共に、前記複数の色層において、少なくとも１つの前記色層は他の前記色層と異なる形状に形成され、前記サブ画素の各々の前記反射領域に位置する前記色層の各々と平面的に重なる位置には帯状に形成された絶縁膜が設けられている。
【００２０】
上記のカラーフィルタ基板は、複数の色層を備え、その色層の各々は、単位画素を構成する透過領域及び反射領域を有するサブ画素の各々が形成されるべき領域に設けられている。そして、このカラーフィルタ基板では、複数の色層の各々は同一の面積に設定されているので、複数の色層に対応する位置に画素電極を有する素子基板と液晶を挟んで対向させたときに、サブ画素の各々で液晶容量（画素容量）を同一の大きさに規定することが可能となる。また、複数の色層において、少なくとも１つの色層は他の色層と異なる形状に形成されているので色調整を行うことができる。よって、複数の色層のサブ画素の各々において、面積を同一にして画素容量を一定に保持しつつ、少なくとも透過領域の面積を変えることができる。
【００２１】
特に、このカラーフィルタ基板では、サブ画素の各々の反射領域に位置する色層の各々と平面的に重なる位置には帯状に形成された絶縁膜が設けられている。即ち、サブ画素の各々の透過領域に対応する位置では、絶縁層がスリット状に除去された領域が形成されている。したがって、このカラーフィルタ基板において、反射領域に位置する色層の各々に設けられた絶縁膜の上側、及び、透過領域に位置する色層の各々の上側に夫々配向膜を塗布した場合でも、透過領域と反射領域の境界付近に配向膜を均一に塗布することができる。よって、反射領域の上側に塗布された配向膜の一部が透過領域側へ流れ込むのを防止でき、ざらつきやシミのような表示不良が生じてしまうのを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶装置に適用したものである。
【００２３】
[液晶装置の構成]
まず、図１を参照して、本発明の実施形態に係る液晶装置１００の構成等について説明する。
【００２４】
図１は、本実施形態に係る液晶装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、観察側としての紙面手前側にカラーフィルタ基板９２が、また、紙面奥側に素子基板９１が夫々配置されている。なお、図１では、紙面縦方向（列方向）をＹ方向と、また、紙面横方向（行方向）をＸ方向と規定する。また、図１において、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、赤色（Ｒ）の３色の各々に対応する台形状の領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示していると共に、それら各色のサブ画素領域ＳＧにより構成される１行３列の画素配列は、１つの画素領域Ｇを示している。以下では、１つのサブ画素領域ＳＧ内に存在する１つの表示領域を「サブ画素ＳＰ」と称し、また、１つの画素領域Ｇ内に対応する表示領域を「単位画素Ｐ」と称する。
【００２５】
液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール材５を介して貼り合わされ、そのシール材５で区画される領域に、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。
【００２６】
液晶装置１００は、Ｇ、Ｂ、Ｒの３色の着色層６を用いて構成されるカラー表示用の液晶装置であると共に、スイッチング素子としてα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。また、液晶装置１００は、明所では外光を利用して表示を行う反射型表示モードと、暗所ではバックライトなどの光源を利用して表示を行う透過型表示モードとを有する半透過反射型の液晶装置である。
【００２７】
まず、素子基板９１の平面構成について説明する。
【００２８】
素子基板９１の内面上には、主として、複数のソース線３２、複数のゲート線３３、複数のα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、複数の画素電極１０、ドライバＩＣ４０、外部接続用配線３５及びＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）４１などが形成若しくは実装されている。
【００２９】
図１に示すように、素子基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側へ張り出してなる張り出し領域３６を有しており、その張り出し領域３６上には、ドライバＩＣ４０が実装されている。ドライバＩＣ４０の入力側の端子（図示略）は、複数の外部接続用配線３５の一端側と電気的に接続されていると共に、複数の外部接続用配線３５の他端側はＦＰＣ４１と電気的に接続されている。ＦＰＣ４１の一端側は、図示しない電子機器と接続されている。
【００３０】
各ソース線３２は、ドライバＩＣ４０側から画像信号が供給される。Ｇの色に対応するサブ画素ＳＰを駆動するソース線３２は、直線状に形成され、Ｙ方向に延在するように設けられている。Ｂ及びＲの各色のサブ画素ＳＰを駆動するソース線３２は、ジクザク状に且つ蛇行するような形状に形成され、Ｙ方向に延在するように設けられている。各ソース線３２の一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。
【００３１】
各ゲート線３３は、ドライバＩＣ４０側から線順次駆動方式により走査信号が供給される。各ゲート線３３は、Ｙ方向に延在するように形成された第１配線３３ａと、その第１配線３３ａの終端部からＸ方向に且つ後述する有効表示領域Ｖ内に延在するように形成された第２配線３３ｂとを備えている。各ゲート線３３の第２配線３３ｂは、各ソース線３２と交差する方向、即ちＹ方向に適宜の間隔をおいてＸ方向に延在するように形成されており、各ゲート線３３の第１配線３３ａの一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。
【００３２】
各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、各ソース線３２と各ゲート線３３の第２配線３３ｂの交差位置に対応して設けられている。そして、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、各ソース線３２、各ゲート線３３及び各画素電極１０等に電気的に接続されている。各画素電極１０は、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料からなり、台形状の平面形状を有し、各サブ画素領域ＳＧ内に設けられている。
【００３３】
１つの画素領域ＧがＸ方向及びＹ方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、有効表示領域Ｖの外側の領域は表示に寄与しない額縁領域３８となっている。
【００３４】
次に、カラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。
【００３５】
カラーフィルタ基板９２は、遮光層（一般に「ブラックマトリクス」と呼ばれ、以下では、単に「ＢＭ」と略記する）、Ｇ、Ｂ、Ｒの３色の着色層６、及び共通電極８（矩形の破線で囲まれる領域）などを備える。
【００３６】
Ｇ、Ｒ、Ｂの３色の着色層６は、各々サブ画素ＳＰに対応して設けられている。ＢＭは、図示を省略するが、各ソース線３２、各ゲート線３３の第２配線３ｂ及び各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１に対応する位置などに形成されている。共通電極８は、画素電極と同様にＩＴＯなどの透明導電材料からなり、シール材５の内側の領域に略一面に亘って形成されている。共通電極８は、シール材５の隅の領域Ｅ１において共通配線１５の一端側と電気的に接続されていると共に、当該共通配線１５の他端側は、ドライバＩＣ４０のＣＯＭに対応する共通電位用出力端子と電気的に接続されている。
【００３７】
以上の構成を有する液晶装置１００では、電子機器等と接続されたＦＰＣ４１側からの信号及び電力等に基づき、ドライバＩＣ４０によって、Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍ−１、Ｇｍ（ｍ：自然数）の順にゲート線３３が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択されたゲート線３３には、選択電圧のゲート信号が供給される一方、他の非選択のゲート線３３には、非選択電圧のゲート信号が供給される。そして、ドライバＩＣ４０は、選択されたゲート線３３に対応する位置に存在する画素電極１０に対し、表示内容に応じたソース信号を、それぞれ対応するＳ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎ−１、Ｓｎ（ｎ：自然数）のソース線３２及び各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を介して供給する。その結果、液晶層４の表示状態が、非表示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層４内の液晶分子の配向状態が制御されることとなる。これにより、有効表示領域Ｖ内において所望の画像を表示することができる。
【００３８】
（画素構成）
次に、図２乃至図５を参照して、本実施形態に係る画素構成について説明する。
【００３９】
まず、図２を参照して、単位画素Ｐの平面構成について説明する。
【００４０】
図２は、本実施形態に係る２画素分に対応する液晶装置１００の平面構成を示す部分平面図である。なお、図２乃至図５において、「Ｅｒ」は反射型表示が行われる反射領域を示していると共に、「Ｅｔ」は透過型表示が行われる透過領域Ｅｔを示している。
【００４１】
本実施形態において、単位画素Ｐは、Ｇ、Ｂ、Ｒの３色を有し、台形状の平面形状に形成されたサブ画素ＳＰを１行３列に配置して構成される。そして、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は、透過領域Ｅｔと、当該透過領域Ｅｔに隣接する位置に反射領域Ｅｒを有する。また、当該各色のサブ画素において、少なくとも１つのサブ画素ＳＰは他のサブ画素ＳＰと異なる形状に形成されている。本例では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は非同一の形状に形成され、Ｇの色のサブ画素ＳＰと、Ｒの色のサブ画素ＳＰとは、Ｂの色のサブ画素ＳＰを基準として略対称的な平面形状を有するように形成されている。また、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は、上底、下底及び高さを有する台形状の平面形状に形成され、上底と下底の和及び高さの各々は、当該サブ画素の各々で同一の値に規定されている。このため、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は同一の面積に設定されている。また、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰにおいて、少なくとも１つのサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒの面積は、他のサブ画素ＳＰの透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒの面積と夫々異なっている。本例では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰにおいて、色調整を行うために、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒの面積が非同一となるように設定されている。また、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は、後述する画像信号が供給されるソース線３２と、そのソース線３２と交差する方向に延在し且つ走査信号が供給される、後述するゲート線３３の第２配線３３ｂの交差位置に対応して設けられ、ソース線３２の延在方向に相隣接するサブ画素ＳＰの各々は、ゲート線３３の第２配線３３ｂを基準として夫々対称的な形状に形成されている。
【００４２】
まず、単位画素Ｐに対応する素子基板９１の主な平面構成は次の通りである。
【００４３】
下側基板１上には、ゲート線３３の第２配線３３ｂがＹ方向に適宜の間隔をおいてＸ方向に延在するように形成されている。また、下側基板１上には、ソース線３２がＸ方向に適宜の間隔をおいてＹ方向に延在するように形成されている。Ｇの色に対応するサブ画素ＳＰを駆動するソース線３２は直線状に形成されている。Ｂ及びＲの各色に対応するサブ画素ＳＰを駆動するソース線３２は蛇行するような形状に且つジグザグ状に形成されている。各ゲート線３３の第２配線３３ｂと、各ソース線３２の交差位置には、スイッチング素子としてのα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１及び画素電極１０が夫々設けられている。ソース線３２、ゲート線３３、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１及び画素電極１０を覆う位置には、アクリル樹脂等の透光性を有する絶縁材料にて形成され、反射領域Ｅｒと透過領域ＥｔのリタデーションΔｎｄ（液晶の屈折率異方性Δｎと液晶層の厚さｄの積）を適切な関係に規定する層間絶縁膜５０が設けられている。層間絶縁膜５０の内面上であって、各サブ画素ＳＰに対応する位置には反射膜５が設けられている。各反射膜５は、サブ画素ＳＰ毎に台形状の平面形状に形成された開口５ａを有する。そして、各サブ画素ＳＰにおいて、各開口５ａが設けられた領域はバックライト１５からの照明光を観察側へ透過させる透過領域Ｅｔとなっている。
【００４４】
各サブ画素ＳＰにおいて、各反射膜５の内面上及び各開口５ａに位置する層間絶縁膜５０の内面上には、画素電極１０が設けられている。各画素電極１０は、上底（第１の辺）１０ａの長さがｄ１、下底（第２の辺）１０ｂの長さがｄ２及び高さ（第３の辺）１０ｃがｄ３に夫々設定された台形状の平面形状に形成されている。そして、上底１０ａと下底１０ｂの和及び高さ１０ｃの各々は、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色に対応する各画素電極１０において同一の値に規定されている。このため、Ｇ、Ｒ、Ｂの各色のサブ画素ＳＰの面積は同一に設定され、それらの各サブ画素ＳＰの液晶容量（画素容量）は同一の大きさに設定されている。また、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色に対応する各画素電極１０は非同一の形状に形成され、Ｇの色に対応する各画素電極１０と、Ｒの色に対応する各画素電極１０とは、Ｂの色に対応する各画素電極１０を基準として略対称的な平面形状を有するように形成されている。また、ソース線３２の延在方向に相隣接するＧ、Ｂ、Ｒの各色に対応する各画素電極１０は、ゲート線３３の第２配線３３ｂを基準として夫々対称的な形状に形成されている。
【００４５】
一方、単位画素Ｐに対応するカラーフィルタ基板９２の主な平面構成は次の通りである。
【００４６】
各サブ画素ＳＰに対応する位置には、Ｇ、Ｂ、Ｒの着色層６のうち、いずれか一つの着色層６が設けられている。即ち、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色の着色層６の各々は、単位画素Ｐを構成する透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒを有するサブ画素ＳＰの各々が形成されるべき領域に設けられている。また、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色の着色層６の各々は、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色に対応する各画素電極１０と同一の台形状の平面形状に形成され、かつ、同一の面積に設定されている。このため、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々で液晶容量（画素容量）を同一の大きさに規定することが可能となると共に、色調整を行うことができる。
【００４７】
その一例として本例では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各サブ画素ＳＰにおいて、後述する各反射膜５に設けられた開口５ａに対応する透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒとでは光学濃度の異なる着色層６が設けられている。具体的には、Ｇのサブ画素ＳＰに着目した場合、透過領域Ｅｒに対応して設けられた着色層６Ｇｔは、反射領域Ｅｒに対応して設けられた着色層６Ｇｒよりも光学濃度が高くなるように設定されている。同様に、Ｂのサブ画素ＳＰに着目した場合、透過領域Ｅｒに対応して設けられた着色層６Ｂｔは、反射領域Ｅｒに対応して設けられた着色層６Ｂｒよりも光学濃度が高くなるように設定されている。同様に、Ｒのサブ画素ＳＰに着目した場合、透過領域Ｅｒに対応して設けられた着色層６Ｒｔは、反射領域Ｅｒに対応して設けられた着色層６Ｒｒよりも光学濃度が高くなるように設定されている。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｇｔ」などと記す。
【００４８】
このように、透過領域Ｅｔの着色層６の光学濃度を反射領域Ｅｒの着色層６の光学濃度より高く設定しているのは次の理由による。即ち、反射型表示を行う場合には、液晶装置１００内に入射した外光は、まず反射領域Ｅｒに位置する着色層６等を通過して、その下側に位置する反射膜５によって反射され、再び着色層６を通過する、つまり２回通過して、観察側へ至る。これに対して、透過型表示を行う場合は、バックライト１５によって照明された照明光は透過領域Ｅｔに位置する着色層６を１回だけ通過して観察側へ至る。したがって、反射型表示の場合は、透過型表示の場合と比較して１回だけ余計に着色層６を通過することになる。したがって、本例では、反射領域Ｅｒに対応する各色の色相と、透過領域Ｅｔに対応する各色の色相との色調を揃えるために、透過領域Ｅｔの着色層６の光学濃度を反射領域Ｅｒの着色層６の光学濃度より高く設定している。
【００４９】
また、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色の反射領域Ｅｒに対応する着色層６の内面上には、アクリル樹脂等の透光性を有する絶縁材料にて形成され、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒとで液晶層４の厚さを異ならせ、反射領域Ｅｒと透過領域ＥｔのリタデーションΔｎｄを適切な関係に規定するマルチギャップ層１６が形成されている。具体的には、マルチギャップ層１６は、着色層６の内面上であって、Ｘ方向に配列されたＧ、Ｂ、Ｒの各色の反射領域Ｅｒと平面的に重なる位置に帯状に且つストライプ状に且つ直線状に形成されている。このため、Ｘ方向に配列されたＧ、Ｂ、Ｒの各色の透過領域Ｅｔと平面的に重なる位置では、帯状に且つストライプ状に且つ直線状にマルチギャップ層１６が除去された領域が形成されている。また、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの境界に位置するマルチギャップ層１６の縁１６ｘは、直線状の形状に且つＸ方向に延在するように形成されている。また、少なくとも反射領域Ｅｒに設けられたマルチギャップ層１６は、透過領域Ｅｔにおける液晶層４の厚さｄｔよりも反射領域Ｅｒにおける液晶層４の厚さｄｒを小さく設定させてなり、複数のサブ画素にわたって透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒとで帯状に液晶層４の厚さが異なっている。
【００５０】
次に、図３及び図４を参照して、単位画素Ｐの断面構成について説明する。
【００５１】
まず、図３を参照して、反射領域Ｅｒに対応する単位画素Ｐの断面構成について説明する。図３は、図２における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った断面図であり、特に単位画素Ｐの反射領域Ｅｒを通る位置で切断した液晶装置１００の部分断面図である。
【００５２】
反射領域Ｅｒに対応する素子基板９１の断面構成は次の通りである。
【００５３】
下側基板１の内面上であって、各サブ画素領域ＳＧの間にはソース線３２が形成されている。ソース線３２の内面上及び下側基板１の一部内面上には、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの相対的な液晶層４の厚さを規定する層間絶縁膜５０が設けられている。層間絶縁膜５０の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に反射膜５が設けられている。反射膜５の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に画素電極１０が設けられている。画素電極１０等の内面上には、所定の方向にラビング処理が施されたポリイミド樹脂等の有機材料からなる配向膜（図示略）が設けられている。下側基板１の外面上には位相差板（１／４波長板）１１が配置され、その位相差板１１の外面上には偏光板１３が配置されている。また、偏光板１３の外面上には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。
【００５４】
一方、反射領域Ｅｒに対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成は次の通りである。
【００５５】
上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、Ｇ、Ｂ、Ｒの着色層６のうち、いずれか一つの着色層６が設けられている。上側基板２の内面上であって、各着色層６を区画する位置にはＢＭが設けられている。ＢＭ及び各色の着色層６の内面上には、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの相対的な液晶層４の厚さを規定するマルチギャップ層１６が設けられている。このマルチギャップ層１６は、カラーフィルタ基板９２の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から着色層６を保護する機能も兼ね備えている。マルチギャップ層１６の内面上には共通電極８が設けられている。共通電極８の内面上には、所定の方向にラビング処理が施されたポリイミド樹脂等の有機材料からなる配向膜（図示略）が設けられている。また、上側基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１２が配置され、その位相差板１２の外面上には偏光板１４が配置されている。
【００５６】
以上に述べた反射領域Ｅｒに対応する画素構成において、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とはシール材５（図１を参照）を介して対向しており、その両基板の間にはＴＮ型の液晶が封入されて液晶層４が形成されている。なお、この液晶装置１００では、素子基板９１に設けられた配向膜（図示略）と、カラーフィルタ基板９２に設けられた配向膜（図示略）との間であって、例えば各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１に対応する位置には図示しないフォトスペーサが設けられている。これにより、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４の厚さはｄｒに設定されている。
【００５７】
以上の構成を有する液晶装置１００において反射型表示がなされる場合、観察側から液晶装置１００内に入射した外光は、図３に示す経路Ｒに沿って進行し、着色層６Ｇｒ、６Ｂｒ、６Ｒｒ等が形成されている領域を通過して、その着色層６の下方に位置する反射膜５により反射され、再び着色層６等を通過して観察側へ出射する。これにより、所定の色相及び明るさを呈する表示画像が観察者により視認される。
【００５８】
次に、図４を参照して、透過領域Ｅｔに対応する単位画素Ｐの断面構成について説明する。図４は、図２における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った断面図であり、特に単位画素Ｐの透過領域Ｅｔを通る位置で切断した液晶装置１００の部分断面図である。
【００５９】
透過領域Ｅｔに対応する素子基板９１の断面構成は次の通りである。
【００６０】
下側基板１の内面上であって、各サブ画素領域ＳＧの間にはソース線３２が形成されている。ソース線３２の内面上及び下側基板１の一部内面上には、層間絶縁膜５０が設けられている。層間絶縁膜５０の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に反射膜５が設けられていると共に、各反射膜５には透過領域Ｅｔを規定する開口５ａが形成されている。各開口５ａに位置する層間絶縁膜５０の内面上及び反射膜５の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に画素電極１０が形成されている。画素電極１０等の内面上には、図示しない配向膜が形成されている。
【００６１】
一方、透過領域Ｅｔに対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成は次の通りである。
【００６２】
下側基板１の内面上であって、各反射膜５に対応する位置には、着色層６Ｇｒ、６Ｂｒ、６Ｒｒのうち、いずれか１つの着色層６が形成されていると共に、各反射膜５の開口５ａに対応する位置には、着色層６Ｇｔ、６Ｂｔ、６Ｒｔのうち、いずれか１つの着色層６が形成されている。下側基板１の内面上であって、各着色層６を区画する位置にはＢＭが形成されている。ＢＭ及び各着色層６の内面上には、マルチギャップ層１６が設けられておらず、共通電極８が設けられている。共通電極８の内面上には、図示しない配向膜が形成されている。
【００６３】
以上に述べた透過領域Ｅｔに対応する画素構成において、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とはシール材５（図１を参照）を介して対向しており、その両基板の間にはＴＮ型の液晶が封入されて液晶層４が形成されている。また、この液晶装置１００では、素子基板９１に設けられた配向膜（図示略）と、カラーフィルタ基板９２に設けられた配向膜（図示略）との間であって、例えば各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１に対応する位置に設けられた図示しないフォトスペーサにより、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４の厚さがｄｔ（＞ｄｒ）に設定されている。
【００６４】
以上の構成を有する液晶装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図４に示す経路Ｔに沿って進行し、着色層６Ｇｔ、６Ｂｔ、６Ｒｔ等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、その各着色層６を通過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００６５】
次に、図５を参照して、サブ画素ＳＰの断面構成について説明する。
【００６６】
図５は、図２における切断線Ｘ５−Ｘ６に沿った断面図であり、特にα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、反射領域Ｅｒ及び透過領域Ｅｔを含む位置で切断した１つのサブ画素ＳＰの断面図を示している。
【００６７】
図５のサブ画素ＳＰに示されるように、反射領域Ｅｒと透過領域Ｅｔとは相隣接する位置に設けられている。そして、反射領域Ｅｒに対応する位置にはマルチギャップ層１６が設けられているのに対して、透過領域Ｅｔに対応する位置には、マルチギャップ層１６が設けられていない。即ち、図５に示すように、この液晶装置１００において、透過領域Ｅｒに対応する位置では、マルチギャップ層１６がスリット状に除去された領域１６ａが形成されている。このため、このマルチギャップ層１６により、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４の厚さと透過領域Ｅｔに対応する液晶層４の厚さとはｄｒ＜ｄｔの関係に規定され、この液晶装置１００では、反射領域Ｅｒと透過領域Ｅｔとで最適なリタデーションΔｎｄの関係となるように規定されている。なお、反射領域Ｅｒ及び透過領域Ｅｔの断面構成は、上記した断面構成の通りであり、その説明は省略する。
【００６８】
ここで、サブ画素ＳＰ毎に対応して設けられたα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１付近の断面構成について説明する。
【００６９】
α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、素子基板９１側の下側基板１の内面上に形成され、ゲート線３３の一部をなすゲート電極３３ｘと、ゲート電極３３ｘを覆うように設けられたゲート絶縁膜５１と、ゲート絶縁膜５１の内面上に島状に設けられたα−Ｓｉ層３６と、ソース線３２から折れ曲がり、ゲート絶縁膜５１及びα−Ｓｉ層３６の内面上に形成されたソース電極３２ｘと、α−Ｓｉ層３６等の内面上に形成され、ソース電極３２ｘと離間する位置に設けられたドレイン電極３７と、ソース電極３２ｘ、α−Ｓｉ層３６及びドレイン電極３７を覆う位置に設けられた保護層５２と、を有して構成される。
【００７０】
α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、層間絶縁膜５０により覆われている。層間絶縁膜５０は、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のドレイン電極３７の一端側に対応する位置にコンタクトホール５０ａを有する。α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１に位置する層間絶縁膜５０の内面上には反射膜５が設けられている。反射膜５は、コンタクトホール５０ａに対応する位置に開口５ｂを有する。反射膜５の内面上には画素電極１０が設けられ、画素電極１０の一部は、反射膜５ｂ及びコンタクトホール５０ａ内まで入り込むように形成され、当該画素電極１０はドレイン電極３７と電気的に接続されている。これにより、画素電極１０には、ソース線３２側からα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を通じて画像信号が供給されるようになっている。  一方、カラーフィルタ基板９２側の上側基板２上には、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１及び層間絶縁膜５０のコンタクトホール５０ａに対応する位置にＢＭが設けられている。ＢＭの内面上にはマルチギャップ層１６が設けられていると共に、マルチギャップ層１６の内面上には共通電極８が設けられている。
【００７１】
以上の構成によりサブ画素ＳＰが構成されている。
【００７２】
次に、第１乃至第３比較例と比較した、本発明の実施形態に係る特有の作用効果について説明する。
【００７３】
まず、図６（ａ）を参照して、第１比較例の構成について説明する。図６（ａ）は、第１比較例に係る単位画素Ｐの画素構造を示す部分平面図である。なお、第１比較例では、本実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。  第１比較例は、素子基板９１ｘとカラーフィルタ基板９２ｘの間に液晶層４を挟持してなり、本実施形態と同様の断面構成を有する。第１比較例は、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色を有し、１行３列に配置された複数のサブ画素ＳＰにより構成された単位画素Ｐを備えている。各サブ画素ＳＰは、矩形状の形状を有し、同一の面積に設定され、反射膜５の開口５ａに対応する位置に透過領域Ｅｔと、反射膜５に対応する位置に反射領域Ｅｒとを有する。また、第１比較例では、カラーフィルタ基板９２側において、反射領域Ｅｒに対応する位置にＸ方向に延在するように且つ帯状に且つ直線状の形状を有するようにマルチギャップ層１６が形成され、反射領域Ｅｒの液晶層４の厚さは、透過領域Ｅｔの液晶層４の厚さより薄く規定されている。
【００７４】
このような画素構造を有する第１比較例では、カラーフィルタ基板９２側において、反射領域Ｅｒに対応する位置にＸ方向に延在するように且つ帯状に且つ直線状の形状を有するようにマルチギャップ層１６が形成されているので、マルチギャップ層１６上に設けられた共通電極８上に均一に配向膜を形成することが可能である。そのため、第１比較例では、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの境界に位置するマルチギャップ層１６の縁１６ｘ付近に配向膜を均一に塗布することができる。したがって、第１比較例では、その配向膜の塗布状態に起因して、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの境界に位置するマルチギャップ層１６の縁１６ｘ付近において、ざらつきやシミなどの表示不良が生じるのを防止できるという利点がある。
【００７５】
しかしながら、第１比較例では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各サブ画素ＳＰが同一の面積を有するように形成されているので、設計仕様に応じて、微妙な色調整を行うことができないという問題がある。
【００７６】
したがって、上記した第１比較例の利点を維持しつつ、微妙な色調整（特に、透過領域Ｅｔの色調整）を行う為には、Ｇ、Ｂ、Ｒの各サブ画素ＳＰのうち、少なくとも１つのサブ画素ＳＰの面積を変える必要がある。このような考え方を取り入れた画素構造を有する第２比較例が図６（ｂ）に示されている。
【００７７】
即ち、第２比較例は、素子基板９１ｙとカラーフィルタ基板９２ｙの間に液晶層４を挟持してなり、第１比較例と同様の画素構造を有するが、例えばＲのサブ画素ＳＰの色相が不足している場合に、当該Ｒのサブ画素ＳＰのＸ方向（行方向）の長さを、Ｇ及びＢの各色のサブ画素ＳＰのＸ方向（行方向）の長さより相対的に大きくして、当該Ｒのサブ画素ＳＰの面積を、Ｇ及びＢの各色のサブ画素ＳＰの面積よりも相対的に大きくしている。これにより、上記した第１比較例の利点を維持しつつ、所望のＲの色相を得ることができ、微妙な色調整（特に、透過領域Ｅｔの色調整）を行うことができるという利点がある。
【００７８】
しかしながら、第２比較例では、例えばＲのサブ画素ＳＰの面積を、Ｇ及びＢの各色のサブ画素ＳＰの面積よりも相対的に大きくしているので、Ｒのサブ画素ＳＰに対応する液晶容量（画素容量）が、Ｇ及びＢの各色のサブ画素ＳＰの液晶容量（画素容量）よりも相対的に大きくなってしまい、適切な表示品位が得られなくなる可能性がある。
【００７９】
したがって、第２比較例の課題を解消するためには、Ｇ、Ｂ及びＲの各色のサブ画素ＳＰ内の面積を同一に設定して、Ｇ、Ｂ及びＲの各色のサブ画素ＳＰ内の画素容量を同一にしつつ、その各色のサブ画素ＳＰ内において反射領域Ｅｒと透過領域Ｅｔの相対的な面積を変えることで微妙な色調整（特に、透過領域Ｅｔの色調整）を行うことが考えられる。このような考えを取り入れた画素構造を有する第３比較例が図７に示されている。
【００８０】
第３比較例の画素構造は、素子基板９１ｚとカラーフィルタ基板９２ｚの間に液晶層４を挟持してなり、基本的には第１比較例と同様である。ここで、第３比較例では、例えばＢの色の明るさが不足している場合、Ｂのサブ画素ＳＰ内の透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒの各面積が、Ｒ及びＧのサブ画素ＳＰ内の透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒの各面積より相対的に大きくなるようにして色調整（特に、透過領域Ｅｔの色調整）を行っている。これにより、Ｂの色の輝度を向上させることができる。
【００８１】
しかしながら、第３比較例では、そのような画素構造にすることで、単位画素Ｐを平面的に見たときに、反射領域Ｅｒと透過領域Ｅｔの境界付近（破線領域Ｅ１０の部分）に位置するマルチギャップ層１６が凹凸状に形成されてしまう。そして、第３比較例では、この凹凸形状により、その境界付近において配向膜を均一に塗布できず、その配向膜の塗布状態に起因して、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの境界に位置するマルチギャップ層１６の縁１６ｘ付近（破線領域Ｅ１０の部分）において、ざらつきやシミなどの表示不良が生じてしまうという問題がある。
【００８２】
この点、本実施形態では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は、上底、下底及び高さを有する台形状の平面形状に形成され、上底と下底の和及び高さの各々は、当該サブ画素の各々で同一の値に規定されている。このため、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は同一の面積に設定されている。これにより、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々で液晶容量（画素容量）を同一の大きさに規定することができる。
【００８３】
また、本実施形態では、Ｇ、Ｂ及びＲの各色のサブ画素ＳＰにおいて、少なくとも１つのサブ画素ＳＰは他のサブ画素ＳＰと異なる形状に形成されている。本例では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は非同一の形状に形成され、Ｇの色のサブ画素ＳＰと、Ｒの色のサブ画素ＳＰとは、Ｂの色のサブ画素ＳＰを基準として略対称的な平面形状を有するように形成されている。これにより、単位画素Ｐ内においてサブ画素Ｐの色調整を行うことができる。よって、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々において、面積を同一にして画素容量を一定に保持しつつ、少なくとも透過領域Ｅｔの面積を変えることができる。
【００８４】
また、本実施形態では、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒとで液晶層４の厚さを異ならせ、反射領域Ｅｒと透過領域ＥｔのリタデーションΔｎｄを適切な関係に規定するマルチギャップ層１６が形成されており、このマルチギャップ層１６は、着色層６の内面上であって、Ｘ方向に配列されたＧ、Ｂ、Ｒの各色の反射領域Ｅｒと平面的に重なる位置に帯状に且つストライプ状に且つ直線状に形成されている。即ち、透過領域Ｅｒに対応する位置では、マルチギャップ層１６がスリット状に除去された領域１６ａが形成されている。また、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの境界に位置するマルチギャップ層１６の縁１６ｘは、直線状の形状に且つＸ方向に延在するように形成されている。また、少なくとも反射領域Ｅｒに設けられたマルチギャップ層１６は、透過領域Ｅｔにおける液晶層４の厚さｄｔよりも反射領域Ｅｒにおける液晶層４の厚さｄｒを小さく設定させてなり、複数のサブ画素にわたって透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒとで帯状に液晶層４の厚さが異なっている。
【００８５】
したがって、この液晶装置１００において、反射領域Ｅｒに設けられたマルチギャップ層１６に位置する共通電極８上、及び、透過領域Ｅｔに対応する共通電極８上に夫々配向膜を塗布した場合でも、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの境界付近に配向膜を均一に塗布することができる。よって、反射領域Ｅｒに設けられたマルチギャップ層１６に位置する共通電極８上に塗布された配向膜の一部が透過領域Ｅｒ側へ流れ込むのを防止でき、ざらつきやシミのような表示不良が生じるのを防止できる。
【００８６】
また、本実施形態では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰにおいて、少なくとも１つのサブ画素ＳＰは他のサブ画素ＳＰと異なる形状に形成されている。具体的には、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒの面積が非同一となるように設定されている。これにより、色調整（特に、透過領域Ｅｔの色調整）を行うことができる。
【００８７】
好適な例では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰの各々は、ソース線３２とゲート線３３の第２配線３３ｂの交差位置に対応して設けられ、ソース線３２の延在方向に相隣接するサブ画素ＳＰの各々は、ゲート線３３の第２配線３３ｂを基準として夫々対称的な形状に形成されているのが好ましい。
【００８８】
[変形例]
図２に戻り、上記の実施形態では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰにおいて、各反射膜５に開口５ａを形成して、各開口５ａが設けられている領域を透過領域Ｅｔに規定する一方、各反射膜５が設けられている領域を反射領域Ｅｒに規定するように構成した。これに限らず、本発明では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰ内において、形成する反射膜５の面積を当該各色のサブ画素ＳＰの面積よりも小さくすることにより、或いは、各反射膜５にスリットを形成することにより、各反射膜５が設けられていない領域を透過領域Ｅｔと規定する一方、各反射膜５が設けられている領域を反射領域Ｅｒに規定するように構成しても構わない。
【００８９】
また、本発明では、図８に示すように、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰ内の反射領域Ｅｒに設けられた着色層６に、反射領域Ｅｒの輝度を調整する開口６ａやスリット６ｘを形成するように構成しても構わない。なお、この変形例では、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰ内には、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色の着色層６のうち、いずれか１つの色の着色層６が設けられている。また、本発明では、開口６ａ及びスリット６ｘの形状は、図８に示される円形や矩形の形状に限定されるものではなく、それらの各形状は周知の種々の形状を採用することができる。これにより、Ｇ、Ｂ、Ｒの各色のサブ画素ＳＰ内の反射領域Ｅｒにおいて、それらの各色の色相を透過領域Ｅｔの色相よりも淡くしつつ輝度を向上させることができる。
【００９０】
また、上記の実施形態では、カラーフィルタ基板９２側に設けられるマルチギャップ層１６の形状を工夫して、ザラツキやシミのような表示不良の発生を防止するように構成した。即ち、上記の実施形態では、マルチギャップ層１６は、着色層６の内面上において、Ｘ方向に配列されたＧ、Ｂ、Ｒの各色の反射領域Ｅｒと平面的に重なる位置に帯状に且つストライプ状に且つ直線状となるように形成されていた。即ち、Ｘ方向に配列されたＧ、Ｂ、Ｒの各色の透過領域Ｅｔと平面的に重なる位置では、帯状に且つストライプ状に且つ直線状にマルチギャップ層１６が除去された領域が形成されていたが、本発明は、かかる構成には限定されない。
【００９１】
即ち、本発明では、素子基板９１側に設けられる層間絶縁膜５０の形状を工夫して、ザラツキやシミのような表示不良の発生を防止するように構成しても構わない。この構成を採用したサブ画素ＳＰの断面構成を図９に示す。図９は、図５に対応する変形例に係るサブ画素ＳＰの断面構成を示す。なお、図９の変形例に係る単位画素Ｐの平面構成は、上記の実施形態と略同様である。
【００９２】
変形例では、層間絶縁膜５０は、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を含む反射領域Ｅｒに対応する下側基板１の内面上に設けられ、透過領域Ｅｔに対応する下側基板１の内面上には設けられていない。即ち、この変形例において、透過領域Ｅｒに対応する位置では、層間絶縁膜５０がスリット状に除去された領域５０ｘが形成されている。また、この変形例では、図示を省略するが、層間絶縁膜５０は、下側基板１の内面上において、Ｘ方向に配列されたＧ、Ｂ、Ｒの各色の反射領域Ｅｒと平面的に重なる位置に帯状に且つストライプ状に且つ直線状となるように形成されている。即ち、Ｘ方向に配列されたＧ、Ｂ、Ｒの各色の透過領域Ｅｔと平面的に重なる位置では、帯状に且つストライプ状に且つ直線状に層間絶縁膜５０が除去された領域が形成されている。これにより、ザラツキやシミのような表示不良の発生を防止できる。
【００９３】
また、上記の実施形態では、スイッチング素子としてα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子２１を用いた液晶装置に本発明を適用したが、これに限らず、スイッチング素子として、三端子型素子の他の例としてのＰ−Ｓｉ型のＴＦＴ素子等や、二端子型非線形素子の一例としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いた液晶装置に本発明を適用しても構わない。
【００９４】
その他、本発明は、上記の各実施形態及び変形例の構成に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形をすることが可能である。
【００９５】
[電子機器]
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１００及び各種の変形例を適用可能な電子機器の具体例について図１０を参照して説明する。
【００９６】
まず、本実施形態に係る液晶装置１００等を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１０（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶装置１００等を適用した表示部７１３とを備えている。
【００９７】
続いて、本実施形態に係る液晶装置１００等を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１０（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶装置１００等を適用した表示部７２４を備える。
【００９８】
なお、本実施形態に係る液晶装置１００等を適用可能な電子機器としては、図１０（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１０（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の構成を模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係る画素構成を示す平面図。
【図３】反射領域を通る位置で切断した画素の断面構成を示す部分断面図。
【図４】透過領域を通る位置で切断した画素の断面構成を示す部分断面図。
【図５】透過領域及び反射領域を含む位置で切断したサブ画素の部分断面図。
【図６】第１及び第２比較例に係る画素構成を示す平面図。
【図７】第３比較例に係る画素構成を示す平面図。
【図８】変形例に係る画素構成を示す平面図。
【図９】図５に対応する変形例に係るサブ画素の部分断面図。
【図１０】本発明の液晶装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１００】
４  液晶層、  ５  反射膜、  ５ａ  開口、  ６  着色層、  ６ａ  開口、  ６ｘ  スリット、  ８  共通電極、  １０  画素電極、  １０ａ  上底、  １０ｂ  下底、  １０ｃ  高さ、  １６  オーバーコート層、  ２１  α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子、  １６  マルチギャップ層、  １６ｘ  縁、  ３２  ソース線、  ３３  ゲート線、  ５０  層間絶縁膜、  ９１  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００  液晶装置、  ＳＰ  サブ画素、  Ｇ  単位画素、  Ｅｔ  透過領域、  Ｅｒ  反射領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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