(57)【要約】【課題】光の伝搬損失を抑えることができる光接続構造の製造方法を提供することにある。【解決手段】傾斜面６以外のパラジウム７が付着したコア３の表面を露光し、エッチングした後、パラジウム７の触媒作用を利用して、上記傾斜面６に無電解めっきを施す。【選択図】図３Ｈ
2007264164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線の照射によって可溶性に変化する樹脂の表面に、無電解めっき用触媒を付着する工程と、
所定パターンを形成したマスクを通して上記樹脂の表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記樹脂の照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記樹脂を無電解めっき液中に浸漬して、上記樹脂の表面に付着された上記触媒の作用によって、上記樹脂の表面に金属めっき膜を形成する工程と
を備えることを特徴とする金属パターンの形成方法。
【請求項２】
透光性の樹脂からなるクラッドを基板上に形成する工程と、
紫外線の照射によって可溶性に変化する透光性の樹脂からなるコアを上記クラッド上に形成する工程と、
上記コアの一部に、両端面を有すると共に光導波路としての島部を形成し、かつ、この島部の各端面に対向する上記コアの他の一部の端部に、上記基板に対して傾斜する傾斜面を形成する工程と、
上記コアの表面に無電解めっき用触媒を付着する工程と、
上記傾斜面を除いた上記コアの表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記コアの照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記コアを無電解めっき液中に浸漬して、上記コアの傾斜面に付着された上記触媒の作用によって、上記コアの傾斜面に金属めっき膜を形成する工程と
を備える光接続構造の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の光接続構造の製造方法において、
上記クラッドの樹脂および上記コアの樹脂は、ポリシランであることを特徴とする光接続構造の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の光接続構造の製造方法において、
上記金属めっき膜は、銅である最下層と、金または銀である最上層とを有することを特徴とする光接続構造の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の光接続構造の製造方法において、
上記金属めっき膜は、ニッケル−リンである最下層と、金または銀である最上層とを有することを特徴とする光接続構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、光配線と電気配線とが形成されている光電気回路モジュールにおいて、金属パターンの形成方法、および、光電変換素子と光導波路との間の入出光を精度よく接続するための光接続構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２１世紀の高度情報化社会では、情報ニーズの高度化、多様化およびデジタル化が進み、ネットワークを介して流通する情報量は、現在とは比較にならないほど増大すると予測されている。この膨大な情報を円滑に伝送および処理するためには、通信装置やコンピュータの処理能力を飛躍的に向上させる必要がある。半導体集積回路（LSI）などの電気素子の性能は着実に向上しているが、信号高速化に伴うクロストーク、電磁輻射およびノイズ等の電気配線に係る問題が、ボトルネックになっている。
【０００３】
この解決のため、電気配線の一部を光導波路による光配線に置き換え、電気信号の代わりに光信号を利用することが考えられている。当初、光配線として石英製の光ファイバーが用いられていたが、配線数が増加すると接続が困難になることから、最近では高分子系の光導波路が検討されており、高分子系の光導波路の材料としては、ポリメチルメタクリレート（PMMA）、エポキシ樹脂、ポリイミドまたはポリシランなどが用いられている。上記光導波路は、コア層とクラッド層とからなり、コア層の屈折率をクラッド層より大きくすることにより、光は、コア層とクラッド層との界面で全反射しながらコア層を伝搬する。
【０００４】
光配線と電気配線とが形成されている光電気回路基板に、発光素子や受光素子等の光電変換素子と、これら光電変換素子を制御するための電子部品とを、搭載する際、従来から電気回路基板実装に用いられている表面実装技術を適用できることが望ましい。
【０００５】
そのためには、光電気回路基板面と平行に配線されている光配線と、基板表面に実装された光電変換素子とを、光結合させる必要があり、光配線上に光路を９０°変換するためのミラー等を形成する必要がある。
【０００６】
例えば、基板上に実装された面受光型フォトダイオードの下面の受光面に、光導波路のコア層を伝搬してきた光を入射させるために、光導波路の端部に対向する位置に、反射面として４５°面を持つミラーを形成し、このミラーで光をフォトダイオードの下面の受光面に入射させる方法がある。
【０００７】
このミラーの形成方法として様々な提案がなされており、例えば、半導体用ダイサーを用いて光配線に４５°端面を形成し、この端面に金属蒸着してミラーを形成する方法や、基板を傾斜させてドライエッチングを行って４５°端面を形成し、この端面に金属蒸着してミラーを形成する方法などがある。
【０００８】
一方、高分子系の光導波路の材料の中で、紫外線露光により屈折率変化を生じることから、近年，ポリシランが注目されている。
【０００９】
そして、従来、ポリシラン膜に金属パターンを形成する方法として、以下の、第１の金属パターンの形成方法または第２の金属パターンの形成方法がある（特開２０００−１３８４４２号公報：特許文献１参照）。
【００１０】
上記第１の金属パターンの形成方法は、ポリシラン膜を形成後にパラジウム塩溶液で処理して、ポリシラン表面にパラジウムコロイドを析出させる工程と、このパラジウムコロイド上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂に露光および現像を行ってパターンを形成する工程と、無電界めっきを行って金属パターンを形成する工程とを備える。
【００１１】
上記第２の金属パターンの形成方法は、ポリシラン膜を形成後に光照射し、その上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂に露光および現像を行ってパターンを形成する工程と、パラジウム塩溶液で処理して、露出したポリシラン表面にパラジウムコロイドを析出させる工程と、無電界めっきを行って金属パターンを形成する工程とを備える。
【００１２】
しかしながら、上記第１の金属パターンの形成方法または上記第２の金属パターンの形成方法を電気配線パターンの形成などに適用した場合、金属パターンを形成した後に感光性樹脂を除去する工程は、煩雑であると共に、多量の感光性樹脂および剥離溶剤を必要として、コストが高くなるという問題があった。
【００１３】
一方、上記第１の金属パターンの形成方法または上記第２の金属パターンの形成方法を光路変換用ミラーの形成に適用した場合、コア上面と、コア端面および４５°の傾斜面との間には段差があるため、感光性樹脂をこの上に塗布した場合、４５°の傾斜面上の感光性樹脂厚が厚くなって、感光性樹脂の露光および現像によるパターン形状が悪くなり、傾斜面以外の部分も露出して、傾斜面以外にもめっき膜が析出してしまう問題があった。この不要箇所のめっき膜は、めっき膜の剥離の起点となる可能性が高く、ミラーの剥離やミラー上への付着などが起こり、散乱を引き起こす可能性がある。
【００１４】
さらに、金属パターンを形成した後に感光性樹脂を除去する工程は、煩雑であると共に、多量の感光性樹脂および剥離溶剤を必要として、コストが高くなるという問題があった。
【００１５】
さらに、金属パターンを形成した後に感光性樹脂を有機溶剤で除去する必要があるが、この際、ポリシラン膜が有機溶剤で浸食され、導波路表面および導波路端面が荒れてしまって、散乱などにより伝搬損失が大きくなってしまうという問題があった。
【特許文献１】特開２０００−１３８４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
そこで、この発明の課題は、プロセスが簡単な金属パターンの形成方法、および、光の伝搬損失を抑えることができる光接続構造の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、この発明の金属パターンの形成方法は、
紫外線の照射によって可溶性に変化する樹脂の表面に、無電解めっき用触媒を付着する工程と、
所定パターンを形成したマスクを通して上記樹脂の表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記樹脂の照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記樹脂を無電解めっき液中に浸漬して、上記樹脂の表面に付着された上記触媒の作用によって、上記樹脂の表面に金属めっき膜を形成する工程と
を備えることを特徴としている。
【００１８】
この発明の金属パターンの形成方法によれば、金属パターンを必要とする場所以外の無電解めっき用触媒が付着した樹脂の表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して無電解めっきを施す。このように、工程が簡単で、感光性樹脂や剥離溶剤を削減することができて、コストを低減することができる。
【００１９】
また、この発明の光接続構造の製造方法は、
透光性の樹脂からなるクラッドを基板上に形成する工程と、
紫外線の照射によって可溶性に変化する透光性の樹脂からなるコアを上記クラッド上に形成する工程と、
上記コアの一部に、両端面を有すると共に光導波路としての島部を形成し、かつ、この島部の各端面に対向する上記コアの他の一部の端部に、上記基板に対して傾斜する傾斜面を形成する工程と、
上記コアの表面に無電解めっき用触媒を付着する工程と、
上記傾斜面を除いた上記コアの表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された上記コアの照射部を、この照射部に付着された上記触媒と共に、除去する工程と、
上記コアを無電解めっき液中に浸漬して、上記コアの傾斜面に付着された上記触媒の作用によって、上記コアの傾斜面に金属めっき膜を形成する工程と
を備えることを特徴としている。
【００２０】
この発明の光接続構造の製造方法によれば、傾斜面以外の無電解めっき用触媒が付着したコアの表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して傾斜面に無電解めっきを施す。このように、工程が簡単で、感光性樹脂や剥離溶剤を削減することができて、コストを低減することができる。さらに、傾斜面以外の不要な場所にめっき膜が析出することがなく、ミラーの剥離やミラー上への異物付着などによる散乱を防ぐことができる。さらに、コア（光導波路）の表面荒れが生じず、散乱などによる光導波路の伝搬損失の増加を防ぐことができる。
【００２１】
また、一実施形態の光接続構造の製造方法では、上記クラッドの樹脂および上記コアの樹脂は、ポリシランである。
【００２２】
この一実施形態の光接続構造の製造方法によれば、ポリシランは、紫外線の露光によって、屈折率を変化できる（屈折率を低下できる）ので、光導波路の形成が容易になる。
【００２３】
また、一実施形態の光接続構造の製造方法では、上記金属めっき膜は、銅である最下層と、金または銀である最上層とを有する。
【００２４】
この一実施形態の光接続構造の製造方法によれば、上記金属めっき膜の最上層（ミラーの最表面）は、金または銀であるので、反射率が高くて、光の伝搬損失を一層抑えることができる。例えば、上記無電解めっき液は、無電解銅めっき液であり、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、金、ニッケルおよび銅を有し、または、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、銀、ニッケルおよび銅を有し、または、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、銀および銅を有する。
【００２５】
また、一実施形態の光接続構造の製造方法では、上記金属めっき膜は、ニッケル−リンである最下層と、金または銀である最上層とを有する。
【００２６】
この一実施形態の光接続構造の製造方法によれば、上記金属めっき膜の最上層（ミラーの最表面）は、金または銀であるので、反射率が高くて、光の伝搬損失を一層抑えることができる。例えば、上記無電解めっき液は、無電解ニッケルめっき液であり、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、金およびニッケル−リン、または、上記金属めっき膜は、上層から下層へ順に、銀およびニッケル−リンを有する。
【００２７】
また、一実施形態の光接続構造の製造方法では、上記無電解めっき用触媒の溶液は、パラジウム−スズコロイドを含む溶液、または、パラジウムイオンを含む溶液である。
【発明の効果】
【００２８】
この発明の金属パターンの形成方法によれば、金属パターンを必要とする場所以外の無電解めっき用触媒が付着した樹脂の表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して無電解めっきを施すので、工程が簡単で、コストを低減できる。
【００２９】
また、この発明の光接続構造の製造方法によれば、傾斜面以外の無電解めっき用触媒が付着したコアの表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して傾斜面に無電解めっきを施すので、工程が簡単で、コストを低減でき、光の伝搬損失を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３１】
図９は、この発明の光接続構造の一実施形態である概略図を示している。図９に示すように、この光接続構造１００は、基板１と、この基板１上に形成された第１のクラッド２と、この第１のクラッド２上に形成されたコア３と、このコア３上に形成された第２のクラッド４とを備える。すなわち、この光接続構造１００は、光導波路基板である。なお、図９では、部材間を判別し易くするために、ハッチングを用いている。
【００３２】
上記コア３の一部に、上記基板１に対して平行な水平方向の光導波路５ａが形成されている。上記水平方向の光導波路５ａは、両端面を有する。上記水平方向の光導波路５ａの各端面に対向する上記コア３の他の一部の端部に、上記基板１に対して傾斜する共に上記基板１と反対側を向く傾斜面６が形成されている。この傾斜面６の上記基板１に対する内角は、約４５°である。
【００３３】
上記傾斜面６上の上記第２のクラッド４の部位に、上記基板１に対して垂直な垂直方向の光導波路５ｂが形成されている。この垂直方向の光導波路５ｂは、上記第２クラッド４の表面まで延びている。
【００３４】
上記傾斜面６の表面には、無電解めっき膜によるミラー（金属めっき膜）１４が形成されている。上記第２クラッド４の表面には、上記垂直方向の光導波路５ｂを中心に電極２９が形成されている。上記傾斜面６、上記ミラー１４、上記垂直方向の光導波路５ｂおよび上記電極２９は、上記水平方向の光導波路５ａを挟んだ両側のそれぞれにある。
【００３５】
この光接続構造１００には、上記各電極２９を介して、面発光レーザー２６および光検出器２７が搭載されている。すなわち、上記面発光レーザー２６は、一方の上記垂直方向の光導波路５ｂ（以下、入射側の光導波路５ｂという。）の上側に配置される。上記光検出器２７は、他方の上記垂直方向の光導波路５ｂ（以下、出射側の光導波路５ｂという。）の上側に配置される。
【００３６】
そして、上記面発光レーザー２６は、上記入射側の光導波路５ｂの端部へ、レーザー光を出射し、この光導波路５ｂへ入射したレーザー光は、この光導波路５ｂ内を伝搬して、上記傾斜面６の表面に形成された上記ミラー１４に到達する。
【００３７】
このミラー１４で反射したレーザー光は、光路を９０°変換されて、上記水平方向の光導波路５ａに入射し、この光導波路５ａ内を伝搬して、この光導波路５ａに関して上記入射側の傾斜面６と反対側の出射側の傾斜面６の表面に形成されたミラー１４に到達する。
【００３８】
この出射側のミラー１４に到達したレーザー光は、進行方向を再び９０°曲げられて、上記出射側の光導波路５ｂに入射し、この光導波路５ｂ内を伝搬して、この光導波路５ｂの端部から出射されて、上記光検出器２７に入射し、電気信号に変換される。
【００３９】
次に、この発明の光接続構造の製造方法を、図１Ａ〜図８Ｓを用いて、説明する。なお、図１Ａ〜図８Ｓでは、部材間を判別し易くするために、ハッチングを用いている。
【００４０】
まず、図１Ａに示すように、石英からなる基板１上に、ポリシランを主成分とする溶液（例えば、日本ペイント製のグラシアＷＧ−３０２）を、膜厚１０μｍとなるようにスピンナーを用いてスピンコートし、１５０℃で予備乾燥し、さらに３５０℃で焼成し、屈折率が１．５８（波長６３３ｎｍ）の第１のクラッド２を形成する。
【００４１】
次に、図１Ｂに示すように、上記第１のクラッド２より高屈折率用のポリシランを主成分とする溶液（例えば、日本ペイント製のグラシアＷＧ−３０１）を、上記第１のクラッド２上に膜厚約２０μｍになるようにスピンコートし、約１５０℃で予備乾燥しコア３を形成する。
【００４２】
次に、図１Ｃに示すように、上記コア３上にフォトマスク３０を配置し、図２Ｄに示すように、上記フォトマスク３０を通して紫外光Ｌを上記コア３に照射して、上記コア３に選択的に露光部３１を形成する。
【００４３】
このフォトマスク３０は、傾斜面６の潜像を形成するために、この傾斜面６と対応する箇所において、光透過率が１００〜０％へ漸減するグレーマスクパターンの光透過部３２を有している。
【００４４】
このため、上記光透過部３２のうち、光透過率が高い部分を介して露光された部分は、上記コア３の深くまで露光が進み、光透過率が低い部分を介して露光された部分は、上記コア３の表層近傍のみ露光され、結果として、上記コア３に傾斜面６の潜像を有する上記露光部３１が形成される。
【００４５】
このとき、光源は、５００ＷのディープＵＶ用ランプを用いて、波長３００〜４００ｎｍの紫外線の照射光量が、ポリシラン膜厚１μm当り２００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光する。
【００４６】
次に、上記コア３をアルカリ水溶液（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムの１０〜２０％水溶液）に浸漬し、上記露光部３１をエッチング除去して、図２Ｅに示すように、上記傾斜面６を形成する。
【００４７】
すなわち、上記コア３の一部に、両端面３ｂ，３ｂを有すると共に上記基板１に対して平行な水平方向の島部３ａを形成する。同時に、上記島部３ａの各端面３ｂに対向する上記コア３の他の一部の端部に、上記基板１に対して傾斜すると共に上記基板１と反対側を向く傾斜面６を形成する。要するに、上記島部３ａの端面３ｂと上記傾斜面６との間に奥程幅が狭くなる溝８を形成する。
【００４８】
次に、塩化パラジウムが約０．０３％、塩化第１スズが約２％、塩酸が約２０％の触媒液に、約２５℃で約５分間、基板１を浸漬する。この基板１を水洗後、約１０％の塩酸水溶液に約２分間浸漬し、再度水洗を行う。これにより、図３Ｆに示すように、上記コア３の表面の全体に、パラジウム７が析出する。なお、図３Ｆでは、わかりやすくするために、上記パラジウム７を大きく描いている。
【００４９】
次に、図３Ｇに示すように、上記傾斜面６に対応する遮光部４２を有するフォトマスク４０を介して、上記コア３に紫外光Ｌを約１０秒程度照射する。この際、上記パラジウム７は、上記コア３の表面に点在しているため、光をさえぎることはなく、上記コア３の露光部４１には、シラノール基が形成され、アルカリ溶液に可溶となる。
【００５０】
このようにして得られた基板１をアルカリ水溶液（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムの１０〜２０％水溶液）に浸漬して、上記露光部４１をエッチング除去して、図３Ｈに示すように、上記傾斜面６上にのみ上記パラジウム７を残存させる。すなわち、紫外線が照射された上記コア３の照射部（露光部４１）を、この照射部に付着された上記パラジウム７と共に、除去する。
【００５１】
次に、図４Ｉに示すように、上記島部３ａに対応する形状の遮光部５２を有するフォトマスク５０を介して、上記コア３に紫外光Ｌを照射する。これにより、図４Ｊに示すように、照射部位の屈折率が低下して、非照射部位の屈折率が相対的に高められる。結果として、上記島部３ａに，屈折率１．６（波長６３３ｎｍ）の光導波路５ａが形成される。
【００５２】
次に、得られた上記基板１を３５０℃で３０分間焼成し、上記コア３（上記光導波路５ａ）を化学的に安定させる。この際、上記コア３（上記光導波路５ａ）は、収縮するが、上記傾斜面６に残存している上記パラジウム７は、上記傾斜面６の表面にまばらに点在しているだけなので、収縮による影響は受けない。
【００５３】
次に、得られた上記基板１を水洗し、硫酸銅１％、ロシェル塩４％、ホルムアルデヒド１％、水酸化ナトリウム１％を含む無電解銅めっき液（液温２５℃）に１５分間浸漬する。
【００５４】
これにより、上記傾斜面６に析出していたパラジウム７の触媒作用によって、無電解銅めっき液中の銅が傾斜面６に析出し、その後、銅の自己触媒作用によって、めっき膜が成長し、図５Ｋに示すように、上記傾斜面６に、膜厚０．２μｍの銅めっき膜１１が形成される。
【００５５】
次に、得られた基板を水洗し、１０％の硫酸水溶液で洗浄し、再度水洗し、塩化パラジウム０．０２％を含む触媒液（液温２５℃）に５分間浸漬する。これにより、先の工程で形成された銅めっき膜１１とパラジウムイオンとの置換反応が起こり、銅めっき膜１１上にパラジウム７が析出する。
【００５６】
次に、得られた基板１を水洗し、硫酸ニッケル２％、ホスフィン酸ナトリウム１．５％、クエン酸ナトリウム３％を含む無電解ニッケルめっき液（液温８０℃）に５分間浸漬する。これにより、図５Ｌに示すように、上記銅めっき膜１１上に、膜厚２μｍのニッケル−リンめっき膜１２が形成される。
【００５７】
さらに、得られた基板１を水洗し、シアン化金カリウム０．１％、シアン化ナトリウム１％を含む金めっき液（液温８５℃）に１０分間浸漬し、次いで、亜硫酸金ナトリウム１％、ジメチルアミンボラン２％を含む無電解めっき液（液温６０℃）に６０分間浸漬することにより、ニッケル−リンめっき膜１２上に、膜厚０．５μｍの金めっき膜１３が形成される。
【００５８】
このように、上記傾斜面６の表面には、上記傾斜面６の表面から順に配置された銅めっき膜１１、ニッケル−リンめっき膜１２および金めっき膜１３の３層構造からなるミラー１４が形成される。なお、図５Ｌでは、わかりやすくするために、上記ミラー１４を大きく描いている。
【００５９】
その後、図５Ｍに示すように、上記コア３（上記光導波路５ａ）および上記ミラー１４上に、上記コア３を構成するポリシランと同じポリシランを主成分とする溶液（例えば、日本ペイント製のグラシアＷＧ−３０１）を、膜厚３０μｍとなるようにスピンナーを用いてスピンコートし、１５０℃で予備乾燥し、第２のクラッド４を形成する。
【００６０】
次に、塩化パラジウムが約０．０３％、塩化第１スズが約２％、塩酸が約２０％の触媒液に、約２５℃で約５分間、上記基板１を浸漬する。この基板１を水洗後、約１０％の塩酸水溶液に約２分間浸漬し、再度水洗を行う。これにより、図６Ｎに示すように、第２のクラッド４の表面に、上記パラジウム７が析出する。
【００６１】
次に、図６Ｏに示すように、上記第２のクラッド４の電極パターン部２８に対応する遮光部６２を有するフォトマスク６０を介して、上記第２のクラッド４に紫外光Ｌを約１０秒程度照射する。この際、上記パラジウム７は、上記第２のクラッド４の表面に点在しているため、光をさえぎることはなく、上記第２のクラッド４の露光部６１には、シラノール基が形成され、アルカリ溶液に可溶となる。
【００６２】
このようにして得られた基板１をアルカリ水溶液（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムの１０〜２０％水溶液）に浸漬して、上記露光部６１をエッチング除去して、図７Ｐに示すように、上記電極パターン部２８にのみ上記パラジウム７を残存させる。すなわち、紫外線が照射された上記第２のクラッド４の照射部（露光部６１）を、この照射部に付着された上記パラジウム７と共に、除去する。
【００６３】
次に、図７Ｑに示すように、上記ミラー１４上に対向する遮光部７２を有するフォトマスク７０を通して、紫外光Ｌを第２のクラッド４に照射して、上記ミラー１４上以外を露光する。
【００６４】
このとき、光源は、５００ＷのディープＵＶ用ランプを用いて、波長３００〜４００ｎｍの紫外線の照射光量が、ポリシラン膜厚１μm当り２００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光する。
【００６５】
次に、上記基板１を約３５０℃で焼成し、図８Ｒに示すように、上記第２のクラッド４に、屈折率が１．５８（波長６３３ｎｍ）の低屈折率部を形成すると共に、上記第２のクラッド４の上記ミラー１４上部に、周囲より屈折率の高い光導波路５ｂを形成する。
【００６６】
すなわち、この光導波路５ｂは、上記基板１に対して垂直な方向に延びている。この垂直方向の光導波路５ｂは、上記水平方向の光導波路５ａを挟んだ両側のそれぞれに形成される。
【００６７】
この際、上記コア３は、既に焼成工程を経ているので、上記第２のクラッド４の焼成により、上記ミラー１４に剥離や皺などが生じることはない。
【００６８】
次に、得られた基板１を水洗し、硫酸銅２％、ロシェル塩４％、ホルムアルデヒド２％、水酸化ナトリウム１％を含む無電解銅めっき液（液温６０℃）に３０分間浸漬する。
【００６９】
これにより、上記電極パターン部２８に析出していたパラジウム７の触媒作用によって、無電解銅めっき液中の銅が析出し始め、その後、銅の自己触媒作用によって、めっき膜が成長し、図８Ｓに示すように、膜厚約２μｍの銅めっきによる電極２９が形成される。なお、この銅めっき上に、さらに、ニッケル−リンめっき、および、金めっきを、順に、施してもよい。
【００７０】
このようにして、上記第１のクラッド２と上記第２のクラッド４に挟まれた上記水平方向の光導波路５ａの両端の近傍にミラー１４を備え、この各ミラー１４の上側に上記垂直方向の光導波路５ｂを備え、この各光導波路５ｂを中心に上記第２のクラッド２上に電極２９を備えた上記光接続構造（光導波路基板）１００が完成する。
【００７１】
その後、図９に示すように、上記光接続構造１００の一方の上記垂直方向の光導波路５ｂの上側に、上記電極２９を介して、上記面発光レーザー２６を搭載する。上記光接続構造１００の他方の上記垂直方向の光導波路５ｂの上側に、上記電極２９を介して、上記光検出器２７を搭載する。
【００７２】
上記光接続構造１００の製造方法によれば、上記傾斜面６以外の無電解めっき用触媒（上記パラジウム７）が付着した上記コア３の表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して上記傾斜面６に無電解めっきを施す。このように、工程が簡単で、感光性樹脂や剥離溶剤を削減することができて、コストを低減することができる。さらに、上記傾斜面６以外の不要な場所にめっき膜が析出することがなく、上記ミラー１４の剥離や上記ミラー１４上への異物付着などによる散乱を防ぐことができる。さらに、上記コア３（上記光導波路５ａ，５ｂ）の表面荒れが生じず、散乱などによる上記光導波路５ａ，５ｂの伝搬損失の増加を防ぐことができる。
【００７３】
また、上記電極２９（金属パターン）の形成方法によれば、金属パターンを必要とする場所以外の無電解めっき用触媒（上記パラジウム７）が付着した樹脂（上記第２のクラッド４）の表面を露光し、エッチングした後、無電解めっき用触媒の触媒作用を利用して無電解めっきを施す。このように、工程が簡単で、感光性樹脂や剥離溶剤を削減することができて、コストを低減することができる。
【００７４】
また、上記クラッド２，４の樹脂および上記コア３の樹脂は、ポリシランであるので、ポリシランは、紫外線の露光によって、屈折率を変化できて（屈折率を低下できて）、上記光導波路５ａ，５ｂの形成が容易になる。
【００７５】
また、上記ミラー１４の最表面は、金または銀であるので、反射率が高くて、光の伝搬損失を一層抑えることができる。
【００７６】
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、上記パラジウム触媒液を用いる代わりに、塩化パラジウムを約０．１％含む触媒液に約２５℃で約５分間浸漬し、水洗後、ジメチルアミンボランを約５％含む還元剤液に約３０℃で約３分浸漬して、ポリシラン表面にパラジウムを析出させるようにしてもよい。
【００７７】
また、上記ミラー形成用めっき液として、厚膜用の無電解銅めっきを用いて約２〜３μｍの銅めっき膜を形成し、硝酸銀約１％、水酸化アンモニウム約７％、亜硫酸ナトリウム約１０％等を含む銀めっき液に浸漬して、銅めっき上に銀めっきを施すことも可能である。また、金めっきの代わりに銀めっき液を用いて、ニッケル−リンめっき上に銀めっきを施すことも可能である。
【００７８】
また、上記ミラー形成時の工程において、パラジウムを析出させた後、焼成し、無電解めっき液に浸漬する場合、無電解ニッケル−リンめっき液を用いることもできる。
【００７９】
その際、基板を水洗後、硫酸ニッケル約２％、ホスフィン酸ナトリウム約１．５％、クエン酸ナトリウム約３％等を含む無電解ニッケルめっき液に、約８０℃で５分間浸漬する。パラジウムの触媒作用により無電解ニッケルが析出し、その後はニッケルの自己触媒作用によりめっき膜が成長する。この結果、上記傾斜面６に約２μｍ厚のニッケル−リンめっきが形成される。
【００８０】
そして、基板水洗後、シアン化金カリウム約０．１％、シアン化ナトリウム約１％等を含む約８５℃の金めっき液に基板を約１０分間浸漬し、次いで、亜硫酸金ナトリウム約１％、ジメチルアミンボラン約２％等を含む約６０℃の無電解金めっき液に約６０分浸漬する。この結果、ニッケル−リンめっき上に約０．５μｍ厚の金めっきが形成され、上記傾斜面６に金表面を持つミラーが形成される。なお、このミラーは、上層から下層へ順に、銀およびニッケル−リンを有するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１Ａ】本発明の光接続構造の製造方法の第１の工程を示す概略図である。
【図１Ｂ】本発明の光接続構造の製造方法の第２の工程を示す概略図である。
【図１Ｃ】本発明の光接続構造の製造方法の第３の工程を示す概略図である。
【図２Ｄ】本発明の光接続構造の製造方法の第４の工程を示す概略図である。
【図２Ｅ】本発明の光接続構造の製造方法の第５の工程を示す概略図である。
【図３Ｆ】本発明の光接続構造の製造方法の第６の工程を示す概略図である。
【図３Ｇ】本発明の光接続構造の製造方法の第７の工程を示す概略図である。
【図３Ｈ】本発明の光接続構造の製造方法の第８の工程を示す概略図である。
【図４Ｉ】本発明の光接続構造の製造方法の第９の工程を示す概略図である。
【図４Ｊ】本発明の光接続構造の製造方法の第１０の工程を示す概略図である。
【図５Ｋ】本発明の光接続構造の製造方法の第１１の工程を示す概略図である。
【図５Ｌ】本発明の光接続構造の製造方法の第１２の工程を示す概略図である。
【図５Ｍ】本発明の光接続構造の製造方法の第１３の工程を示す概略図である。
【図６Ｎ】本発明の光接続構造の製造方法の第１４の工程を示す概略図である。
【図６Ｏ】本発明の光接続構造の製造方法の第１５の工程を示す概略図である。
【図７Ｐ】本発明の光接続構造の製造方法の第１６の工程を示す概略図である。
【図７Ｑ】本発明の光接続構造の製造方法の第１７の工程を示す概略図である。
【図８Ｒ】本発明の光接続構造の製造方法の第１８の工程を示す概略図である。
【図８Ｓ】本発明の光接続構造の製造方法の第１９の工程を示す概略図である。
【図９】本発明の光接続構造を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８２】
１    基板
２    第１のクラッド
３    コア
３ａ    島部
３ｂ    端面
４    第２のクラッド
５ａ    （水平方向の）光導波路
５ｂ    （垂直方向の）光導波路
６    傾斜面
７    パラジウム（無電解めっき用触媒）
８    溝
１１    銅めっき膜
１２    ニッケル−リンめっき膜
１３    金めっき膜
１４    ミラー（金属めっき膜）
２６    面発光レーザー（光電変換素子）
２７    光検出器（光電変換素子）
２８    電極パターン部
２９    電極
３０，４０，５０、６０、７０    フォトマスク
３１、４１、６１    露光部（照射部）
３２    光透過部
４２，５２、６２、７２    遮光部
１００    光接続構造（光導波路基板）
Ｌ    紫外光
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
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【図５Ｋ】
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【図５Ｌ】
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【図５Ｍ】
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【図６Ｎ】
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【図６Ｏ】
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【図７Ｐ】
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【図７Ｑ】
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【図８Ｒ】
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【図８Ｓ】
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【図９】
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