(57)【要約】【課題】  使用されたＣＭＰ研磨用パッドを運転可能な状態に回復させる。【解決手段】  非金属基層及び非金属接合用媒体により基層に接合された砥粒の単層を備えてなる非金属ＣＭＰコンディショニングパッド及びその製造方法である。好ましい基層は酸化アルミニウム及びグラファイトを含む。適切な接着材と混合された微粉体の酸化アルミニウム粒子を使用する接合システムが、研磨層を酸化アルミニウム基層に接合するために使用される。ポリマー組成を含む同種の接着材キャリヤーに混合された炭化ケイ素粒子が、砥粒層をグラファイト又はカーバイドの基層に接合するために好ましい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用されたＣＭＰ研磨用パッドを運転可能な状態に回復させるためのコンディショニングツールであって：
（ａ）平坦な加工面を有する非金属基層；及び
（ｂ）酸性の研磨用スラリーに耐える非金属接合用組成の層により、前記基層の平坦な
面に接合された超砥粒の単層
を組み合わせて備えるコンディショニングツール。
【請求項２】
前記非金属接合用組成が酸化アルミニウムを含み、かつ基層が酸化アルミニウムよりなる請求項１に定められたコンディショニングツール。
【請求項３】
前記接合用組成が炭化ケイ素よりなり、かつ前記基層がグラファイトよりなる請求項１に定められたコンディショニングツール。
【請求項４】
前記接合用組成が炭化ケイ素よりなり、かつ前記基層が酸化アルミニウムよりなる請求項１に定められたコンディショニングツール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に半導体ウエハーのような加工物の研磨に関する方法及び装置に関し、特にかかる方法に使用される研磨用パッドのコンディショニング用及び復元用の改良されたパッド又はディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の生産には高品質半導体ウエハーの製造が含まれる。本産業においてよく知られるように、適切な性能の目的を確実に達成するためには、ウエハーの少なくも一方の面における高精度の平面又は平坦面が要求される。回路要素の大きさが小さくなりかつ組み込まれる微細構造の複雑さが大きくなると、ウエハーの高精度の表面品質に対する要求も増大する。
【０００３】
この要求に適合するためにこの産業において典型的に使用される研磨用パッドは、ウエハーの希望の表面を提供するためにパッド使用し続けることができるように、ある期間の使用後に、その最初の形状を回復するように再コンディショニングすることが必要である。化学的、機械的な平坦化又は研磨の方法及び使用される装置はよく知られている。ホルツァプフェル（Ｈｏｌｚａｐｆｅｌ）他の１９８９年２月の特許文献１、アライ（Ａｒａｉ）他の１９９２年３月の特許文献２、カールスラッド（Ｋａｒｌｓｒｕｄ）他の１９９４年７月の特許文献３、カールスラッド（Ｋａｒｌｓｒｕｄ）他の１９９６年３月の特許文献４、カールスラッド（Ｋａｒｌｓｒｕｄ）他の１９９６年３月の特許文献５、セスナ（Ｃｅｓｎａ）他の１９９６年１月の特許文献６、ホルツァプフェル（Ｈｏｌｚａｐｆｅｌ）他の１９９８年１２月１日の特許文献７は、ここに参照し、かつ産業においてＣＭＰプロセスと呼ばれる化学的、機械的な平坦化を提供する。
【０００４】
半導体ウエハーの研磨又は平坦化の過程中に、研磨用パッドは研摩材スラリーの存在中でウエハーに対して回転される。一般に使用される研摩用パッドは、アリゾナ州スコッツデイル（Ｓｃｏｔｔｓｄａｌｅ，  Ａｒｉｚｏｎａ）のローダル・プロダクツ・コーポレーション（Ｒｏｄａｌ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）より入手可能なＩＣアンドＧＳシリーズのパッドのようなブロー成型されたポリウレタンベースの材料を含む。研摩用パッドの硬さと密度とは、研磨される加工物の材料に依存する。
【０００５】
ＣＭＰプロセス中、研磨材スラリーの化学組成は、研磨されているウエハー上の１種以上の特別な材料と反応するため及び表面からこの材料の部分を取り除くようにスラリー中の研磨材を支援するために使用される。このプロセスにおいて研磨用パッドの連続使用中に、単位時間当たりウエハーからの材料の除去量は、この分野で「パッドのガラス化（ｐａｄ  ｇｌａｚｉｎｇ）」と呼ばれるもののため徐々に減少する。加えて、連続使用のため、研磨用パッドに表面が不均一に摩耗し、これが望ましくない表面の不規則をもたらす。このため、適切な切削要素を有するパッドコンディショニングディスクにパッドを暴露することによりパッドを希望の作業状態に回復させるように研磨用パッドを調整（正確さと見かけ）することが必要であると考えられる。パッドのこの正確さと見かけとは、カールスラッド（Ｋａｒｌｓｒｕｄ）の１９９６年１０月２９日付け特許文献８に説明されたようなウエハー研磨方法（本来のコンディショニング）中に達成することができる。しかし、かかるコンディショニングは、セスナ（Ｃｅｓｎａ）他の１９９６年１月２３日付け特許文献６において説明されたように研磨段階間（本来でないコンディショニング）に行うこともできる。これら両特許文献は、参考文献としてここに取り入れられる。
【０００６】
研磨用パッドの適切なコンディショニングは、研磨されている半導体ウエハーの表面の
最も効果的かつ正確な平坦化を得るために、パッド表面の適切な摩擦係数を回復し、ウエハー表面への研磨用スラリーの効果的な輸送を許すことが本質である。
【０００７】
典型的に使用されるパッドコンディショナーは、単層の砥粒で被覆されたステンレス鋼のディスクを備える。典型的に、ダイヤモンド粒子又は立方晶窒化ホウ素粒子が好ましい。これら超砥粒は、電気メッキ又は鑞付けによりコンディショニングディスクに固定することができる。鑞付けは、ダイヤモンド粒子の緩み及び脱落が電気メッキコンディショニングディスクに匹敵するほどほとんどないようなガラス粒子と基層との間の強力な結合を形成するためより好まれた。かかる緩んだ粒子が、研磨中のウエハーに暴露される研磨用パッド又はその他に埋まるならば、ウエハーの表面に重大な変形が生じてウエハーが使用不可能となり、何千ドル分もの時間及び労力の損失を示すことが有り得る。
【特許文献１】米国特許第４，８０５，３４８号  明細書
【特許文献２】米国特許第５，０９９，６１４号  明細書
【特許文献３】米国特許第５，３２９，７３２号  明細書
【特許文献４】米国特許第５，４９８，１９６号  明細書
【特許文献５】米国特許第５，４９８，１９９号  明細書
【特許文献６】米国特許第５，４８６，１３１号  明細書
【特許文献７】米国特許第５，４８２，９１２号  明細書
【特許文献８】米国特許第５，５６９，０６２号  明細書
【特許文献９】米国特許第６，５２７，４２４号  明細書
【特許文献１０】米国特許第６，５１７，４２４号  明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
オハイオ州ルイズセンター（Ｌｅｗｉｓ  Ｃｅｎｔｅｒ，  Ｏｈｉｏ）のアブラシブ・テクノロジイ・インク（Ａｂｒａｓｉｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，  Ｉｎｃ．）製のような鑞付けされた単層のダイヤモンド粒子を使用してるコンディショニングディスクは、特にダイヤモンド砥粒の過早損失に対する抵抗の点で、極めて効率的であり別の結合媒体を使用した従来技術のコンディショニングディスクに勝る改良であると認識されている。しかし、現在使用されている研磨用スラリーの腐食性及びＣＭＰプロセスにとってより望ましいと考え得るより攻撃的な腐食性スラリー組成の性質のため、鑞付けされたコンディショニングディスクでも有効寿命を短縮させ易い問題がある。これら高度に酸性の研磨用スラリーは金属の接合用媒体及び金属基層を攻撃する。この作用が超砥粒の早期損失及びこれにより望ましくない効果を生ずる傾向がある。この傾向のため、本技術熟練者は、超砥粒の粒子及び金属性の接合用媒体及び／又は基層の上に種々のコーティングの使用を行ってきた。この種の従来の試みの幾つかが特許文献９及びここに言及された引用文献に明らかにされている。これらの各は参考文献として組み込まれる。しかし、ＣＭＰ産業はこの解を完全に受け入れたわけではなく、より満足な解は本技術の通常の熟練者に発見されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、改良されたＣＭＰ研磨用パッドコンディショニングディスク及びこれを製造する方法に関し、これは、集積回路の製造に使用される高品質ウエハーのＣＭＰプロセスに現在使用されている腐食性の大きい酸性スラリーに耐える改良された特徴を持つ。
【００１０】
本発明により構成される研磨用パッドのコンディショニングディスクは、非金属の基層、基層の表面上の構成されたパターン又は不規則なパターンで配置された天然又は人工の超砥粒の単層を備える。
【００１１】
非金属ディスク用のプラスチック又はその他適切な非金属材料のホルダーが備えられ、かつこれが通常の方法でＣＭＰ研磨機械に適合するようにされることが好ましい。
【００１２】
一般に、本発明の方法は、例えば、セラミック、カーボン又はカーボン複合物、或いは適切なポリマー又はこれらに組み合わせのような非金属材料の円盤状基層を形成する段階を含む。研磨材の単層を受け入れるディスクの表面が清浄にされ、そしてセラミック接合用システムが使用されるときは液体状の複合接着剤で覆われる。次いで、ディスクの表面がセラミック接合用組成で覆われる。適宜の公知の通常技術を使用して、接合用材料の層の上に構造パターン又は不規則なパターンで超砥粒の単層が適用される。次に、コーティングされたディスクは、空気オーブン内でその燃焼温度で焼かれる。焼いた後、ディスク上にセラミック接合用組成の薄い上塗りが、ダイヤモンド層を覆っている過剰分をダイヤモンド粒子の表面上に吸収性のシート材料を置くことにより除去するようにして選択的に適用される。
【００１３】
本発明の別の実施例においては、希望の大きさのグラファイトディスクが提供される。炭化ケイ素及び接着性を有するポリマーの市場で入手可能な混合物のコーティングが、グラファイトディスクの表面上に適用され、表面を、炭化ケイ素及びゲル又は粘性流体を形成する適切なポリマーの接合用混合物のコーティングを受け入れるように整える。接合用混合物の適用前に、ディスク及び最初のコーティングが一連の段階で真空デシケーター内に置かれる。
【００１４】
次に、接着用混合物の第２のコーティングが接合用混合物の表面上に適用され、そして超砥粒の単層が表面上に適用される。接着用混合物は空気乾燥することができ、次に組立体が水素又は不活性雰囲気を有する炉の中に置かれ、そして約８１６℃（１５００゜Ｆ）までの連続した段階で固化される。
【００１５】
従って、ＣＭＰ研磨用パッドを回復させるに有用な改良されたコンディショニングディスクであって、非金属接合用システムにより非金属基層に取り付けられた超砥粒の単層を確実に保持するコンディショニングディスクを提供することが本発明の目的である。
【００１６】
説明された形式のコンディショニングディスクであって、従来及び現在のＣＭＰ研磨プロセスにおいて現在使用されているような高度に酸性の研磨用スラリーによる腐食に耐える改良された能力を有するコンディショニングディスクを提供することが本発明の別の目的である。
【００１７】
金属基層及び金属性の接合用システムを使用する従来技術のＣＭＰコンディショニングディスクと少なくも等しいか又はより少ない費用で、効果的な方法で説明された形式のＣＭＰコンディショニングディスクを製造する方法を提供することが本発明の更なる目的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図面に示された本発明の好ましい実施例の説明において、明瞭にするために特別の用語によるであろう。しかし、特別な用語の各は、本発明を選ばれた特別の用語に限定しようとするものではなく、同様な目的を達成するために同様な方法で機能する全ての技術的同等なものを含むことを理解すべきである。
【００１９】
図１−３に示されるように、本発明により作られ一般に１０で示されるＣＭＰ研磨用ディスクは、円盤状の基層２０、非金属の接合層２２、及び円盤状基層２０の表面上に分布され接合された２４のような超砥粒の単層を備える。
【００２０】
適切なホルダー２６が、基層２０を支持された状態で受け入れかつ通常の方法で通常のＣＭＰ研磨機に適合するようにされる。ホルダー２６は、例えば適切なプラスチックのような非金属材料よりなることが好ましい。ディスク２０は、ホルダー２６の凹所２８内に密に適合する関係で受け入れられ、そして多くの適切な接着材料の一つを公知の方法で使用してホルダー２６に固定接着される。
【００２１】
接合された研磨層とは反対側のホルダー２６の面３０に、ホルダー２６を通常のＣＭＰ研磨手段に普通に取り付けるための適切な手段を備えることができる。かかる手段は複数のネジ穴（図示せず）であることが多いが、この特定の取付け手段は本発明の一部を形成せず、ウエハー製造に使用される特定のＣＭＰ研磨機械に適合する適宜の通常の形式のものとすることができる。
【００２２】
更に、図示されたこのコンディショニングディスクの特定の形式は、ここに前述された特許の幾つかに説明されたような公知のＣＭＰ研磨装置及び方法に普通に使用されるものとすることができる。しかし、種々の形式の通常のＣＭＰ研磨装置に有用な別の通常設計のコンディショニングディスクにも、本発明の教示を使って使用することができる。本発明は、基本的に、基層に使用される材料及びディスクの作業面上にダイヤモンド又はその他の超砥粒を固定するために使用される接合用媒体に関する。基層表面の一般形状又は形式及び砥粒により覆われる部分のパターンは、本発明の精神から離れることなく使用者により望ましいと考えられたように連続させ又は中断させることができる。ディスクのかかる種々の形式の例が、参考文献としてここに組み入れられた特許文献１０に示される。
【００２３】
本発明の好ましい一実施例においては、基層２０は、平坦な表面を有し普通に加熱加工され又は焼結された酸化アルミニウムセラミック組成よりなり、その表面上に好ましいダイヤモンド砥粒２４が希望のアレイに配置され、接合層２２により基層表面に固着される。この実施例における接合層２２用の一つの好ましい組成は、酸化アルミニウム粉と結合材とよりなる。商業的に入手可能な組成の一形式は、ニューヨーク州バレイ・コッテイジ（Ｖａｌｌｅｙ  Ｃｏｔｔａｇｅ，  Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ）のアレムコ・プロダクツ・インク（Ａｒｅｍｃｏ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，  Ｉｎｃ．）より入手可能なアレムコ５０３−ＶＦＧである。酸化アルミニウム粉は、直径が１−５ミクロンの範囲の大きさを持つ。この接合用組成は、商標名アレムコ６１８−Ｎシンナーで別売される専売の組成の接着材を使用する。
【００２４】
発売されているアレムコ５０３−ＶＦＧ、セラミック接合用組成が基層２０の表面上に適用される。表面上に展着、ハケ塗り、又は吹付け、或いは同等作業により結合用組成を適用するために、結合用組成の原液を最も望ましいと考えられるように希釈するようにアレムコ６１８−Ｎシンナーが加えられる。
【００２５】
典型的にサイズ範囲が約２０−６００Ｕ．Ｓ．メッシュのダイヤモンド砥粒が、通常の技術者によく知られた適宜の通常の方法で表面上に分布される。砥粒の適用は、層２２の選定された作業区域上に砥粒の単層を作るように行われる。示された実施例においては、
全面積が覆われる。しかし、砥粒のその他のパターン化された形式又はアレイを使用することができる。
【００２６】
次いで、基層表面上の砥粒の高さを比較的均一にするために、平坦な板材又は同等品を使用して砥粒を接合層２２内に押し込む。次いで、形成された組立体を空気乾燥し、段階的に約５３８℃（１０００゜Ｆ）の温度まで空気オーブン中で焼く。この温度又はこれ以上の温度において、層２２の接合用組成の全強度が得られることが確認された。
【００２７】
高温焼結（約１０９３℃（２０００゜Ｆ）以上）により、層２２の結合用組成の最大密度が得られるであろう。しかし、この高温は避けるべきである。かかる温度においては、ダイヤモンド粒子に欠陥が生じ、割れ及び／又は分解が始まるであろう。この実施例において説明されるセラミック接合層の最大強度は約５３８℃（１０００゜Ｆ）において達成されるため、十分に確りした接合を得るためには、現在のＣＭＰ応用のための基層、接合層、及びダイヤモンド粒子の間の空気環境下で行われる焼結は必須ではない。
【００２８】
別の好ましい実施例においては、炭化ケイ素接合組成をグラファイト又は炭化ケイ素基層と共に使用することができる。使用される基本的な諸段階及び手順は上述の酸化アルミニウムの実施例で使用されたものと同様である。炭化ケイ素組成の異なった特性の点から固化手順が困難である。
【００２９】
この実施例のための有用な組成はニューヨーク州マルタ（Ｍａｌｔａ，  Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ）のスターファイヤー・システムズ・インク（Ｓｔａｒｆｉｒｅ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，
Ｉｎｃ．）より購入することができ、そして商標名ＳＰマトリックス・ポリマー及びＭＳ４２Ｂ及びＭＳ１０として発売される製品のシリーズを含む。炭化ケイ素材料がキャリヤー材料から分離するためＭＳ１０及びＭＳ４２Ｂ材料をよく混合し、そしてこの混合物を速やかに使用することが重要である。また、この材料を取り扱うためには、スターファイヤー・システムズ・インクの安全指示書に従うことが大きく推奨される。グラファイト基層の表面上にＭＳ１０の最初のコーティングが適用されることが好ましい。このコーティングは、ＭＳ１０材料の濡れた薄膜を残して細い硬毛のハケでブラシされる。次いで、基層及びコーティングが真空デシケーター内に置かれる。デシケーターから空気が抜かれ、そして数分間真空に保たれる。この間に、コーティング及びカーボン表面に捕捉されていた空気がこれらから解放される。次いで、デシケーターが大気圧に加圧される。この処置の目的は、ポリマー液を表面の孔の中に強制することである。好ましくは、この工程は、総計３回のサイクルに対して２サイクル以上繰り返される。塗装された基層は、先行の繰り返し処理に続いて乾燥されるであろう。次に、ＭＳ４２Ｂのような粉末の炭化ケイ素ポリマー組成の十分なコーティングが、ＭＳ１０で先に濡らされた同じ表面上に適用される。この段階の直後に、ダイヤモンド砥粒の単層が、標準的な公知の技法を用いて適用される。次いで、ダイヤモンド及びＭＳ４２Ｂを有する基層が少なくも１から２時間、空気乾燥される。空隙を満たすためにＭＳ１０の別のコーティングがダイヤモンド上にハケ塗りされる。次いで、組立体は、固化のためにスターファイヤーシステムズの印刷物に従った一連の温度上昇段階で水素雰囲気の炉の中で固化される。最高温度は約８１６℃（１５００゜Ｆ）である。次いで、組立体を冷却することができる。冷却サイクルは、冷却速度が早すぎて接合システムに割れの生ずることを許すほど早くすべきではない。冷却後、組立体が取り出され室温に冷却され、固化が完了する。酸化アルミニウムの実施例において注意されたように、典型的なＣＭＰコンディショニングサイクル中の砥粒の早すぎる損失を避けるためにダイヤモンド粒子の単層を基層に十分に強く固定する固化炭化ケイ素接合を得るためには、炭化ケイ素組成の完全焼結は不必要であることが見いだされた。
【００３０】
本発明に有用な同等の炭化ケイ素組成は、多くの中で、ペンシルバニア州ハンチントン・バレイ（Ｈｕｎｔｉｎｇｔｏｎ  Ｖａｌｌｅｙ，  Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）のＫＩＯＮ社（ＫＩＯＮ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）より購入することができる。適切な酸化アルミニウム接合用組成のその他の販売者も本技術熟練者によく知られている。
【実施例１】
【００３１】
非金属ＣＭＰ研磨用ディスクは酸化アルミニウムよりなるディスクを使用して作られた。外周の縁から内向きにほぼ２．５４ｍｍ（０．１００インチ）伸びているテープによりディスクの外側部分を遮蔽してディスクの一方の大きい平坦な表面が作られた。次いで、この大きい表面にシンナーが適用された後、アームコ５０３−ＶＦＧ酸化アルミニウムセメントの豊富な層を提供し、次いで、このセメントは、ディスクのこの表面上に比較的均一なセメント層を作るためにヘラで均される。
【００３２】
酸化アルミニウムセメントのこの層の上に砥粒の良好な接着を確保するために、次いで、水６０％とアームコ６１８−Ｎシンナー４０％とよりなる混合物の薄い層が、セメント層の上にエヤーブラッシュされる。
【００３３】
次に、ダイヤモンド砥粒の単層の希望の被覆を確実に達成するために、標準のよく知られた技法を使用し、酸化アルミニウム層で覆われたディスクの表面上に単層が適用される。この例においては、ダイヤモンド粒子の大きさは約１３９から１５１ミクロンの間の範囲内にあった。次いで、組立体は水でエヤーブラッシュされ、そしてディスクの外側面から狭いストリップが除去された。次いで、組立体は、ダイヤモンド粒子がセメント層内に下向きに部分的に押し込まれるより前に空気乾燥される。接合層の上方のダイヤモンド粒子の高さが極めて等しくなるようにダイヤモンド粒子をセメント内に押し込むために鋼板の平坦な基礎面が使用された。
【００３４】
希釈されたアームコシンナー（６０％水／４０％アームコ６１８−Ｎシンナー）の別の薄い層が適用され、そして組立体をすっかり乾燥させることができる。望ましいと判断した場合は、この乾燥段階は、組立体を約１９０度のオーブン内に１時間から２時間置くことにより支援することができる。
【００３５】
乾燥が達成された後、組立体は通常の炉の中で最高温度約５３８℃（１０００゜Ｆ）で１時間加熱される。
【００３６】
得られた非金属のディスクは、通常の化学・機械式の研磨用パッドの除去速度及び不均一性を判定するために、外部の商業的試験会社エントロピックス・インク（Ｅｎｔｒｅｐｉｘ，  Ｉｎｃ．）により、標準化された一連のウエハーについて、標準ＣＭＰツールプラットホームを使用して試験される。試験結果は、この非金属ディスクが、通常の商業的に入手可能な金属ＣＭＰコンディショニングディスクを使用し決定された標準を満たすことを示した。
【００３７】
出願人自身の組織内で示されたディスクの極めて満足な性能は、砥粒の保持、並びにＣＭＰコンディショニングプロセスに使用される高度に腐食性の酸性スラリー内における非金属基層及び接合用媒体の両者の抵抗に関して上述されたものに匹敵する。
【００３８】
例１による酸化アルミニウム接合システムで接合されたダイヤモンドを有する酸化アルミニウム基層が、耐化学薬品の効果について試験された。試験は、非金属ＣＭＰディスクの化学薬品に対する耐久性を確立するために行われた。ニッケル電気メッキにより接合された金属ニッケル鑞付けのダイヤモンド製品及びＣＭＰディスクを含んだ種々のディスクの浸漬試験用の薬品溶液として酸化セリウムスラリー（キャボット・マイクロエレクトロニクス（Ｃａｂｏｔ  Ｍｉｃｒｉｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）のＳｉ  Ｌｅｃｔ６０００）が使用された。ディスクはこの溶液内に７２時間浸漬された。この試験の結果は、非金属
ＣＭＰディスクが酸化セリウム材料により影響を受けなかったこと及び金属接合のディスクは一般に許容不可能な程度に劣化されたことを示した。
【００３９】
これまでここに説明された酸化アルミニウム接合プロセスを使用したダイヤモンド接合のＣＭＰディスクを有する酸化アルミニウム基層は、ＣＭＰプロセスにおける実際の使用を模擬するために通常のポリマーのコンディショニングパッドに対して非金属ＣＭＰディスクに接合されたダイヤモンドを回転させるプラットフォームで試験された。
【００４０】
かかるコンディショニング試験が全部で２７時間行われ、この際、非金属ＣＭＰディスクのダイヤモンド面が全部で２７時間、ポリマーパッドに対して摩耗するように強制された。接合材料又はダイヤモンド粒子のいずれもいかなる有意量の失敗もないことが認められ、かつ従来技術の金属接合のＣＭＰコンディショニングパッドに関して実質的に少なくも同等であることが明白であった。
【００４１】
本発明の幾つかの好ましい実施例が詳細に説明されたが、本発明の精神又は特許請求の範囲から離れることなく種々の変更を採り得ることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明により作られたＣＭＰコンディショニングディスクの断面の側面図である。
【図２】図１に示されたディスク組立体の平面図である。
【図３】図１に示されたディスク組立体の構成要素を示している側面分解図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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