(57)【要約】【課題】高周波まで低い信号損失特性と高いノイズ遮断特性を有し、高速伝送に対応したノイズ対策部品を提供する。【解決手段】絶縁層を介して対向して配置された第１の導体線路と第２の導体線路と、前記第１の導体線路と前記第２の導体線路の間において前記第１の導体線路と前記第２の導体線路に対向して配置された第３の導体線路と、前記第１の導体線路と前記第２の導体線路の対向する側とは反対の側にそれぞれ配置された磁性層を備え、前記第１の導体線路の一端と前記第２の導体線路の一端が電気的に接続されるとともに、前記第１の導体線路の他端と前記第２の導体線路の他端が電気的に接続されることを特徴とする。【選択図】図２
2007281313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して対向して配置された第１の導体線路と第２の導体線路と、前記第１の導体線路と前記第２の導体線路の間において前記第１の導体線路と前記第２の導体線路に対向して配置された第３の導体線路と、前記第１の導体線路と前記第２の導体線路の対向する側とは反対の側にそれぞれ配置された磁性層を備え、前記第１の導体線路の一端と前記第２の導体線路の一端が電気的に接続されるとともに、前記第１の導体線路の他端と前記第２の導体線路の他端が電気的に接続される電子部品。
【請求項２】
前記第１の導体線路の直流抵抗と前記第２の導体線路の直流抵抗が略同一であり、かつ前記第１の導体線路と前記第３の導体線路との間隔と前記第２の導体線路と前記第３の導体線路との間隔が略同一であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
絶縁層を介して対向して配置された第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路と、前記第１の平面スパイラル線路と前記第２の平面スパイラル線路の間において前記第１の平面スパイラル線路と前記第２の平面スパイラル線路に対向して配置された第３の平面スパイラル線路と、前記第１の平面スパイラル線路と前記第２の平面スパイラル線路の対向する側とは反対の側にそれぞれ配置された磁性層を備え、前記第１の平面スパイラル線路の一端と前記第２の平面スパイラル線路の一端が電気的に接続されるととも、前記第１の平面スパイラル線路の他端と前記第２の平面スパイラル線路の他端が電気的に接続される電子部品。
【請求項４】
前記第１の平面スパイラル線路の直流抵抗と前記第２の平面スパイラル線路の直流抵抗が略同一であり、かつ前記第１の平面スパイラル線路と前記第３の平面スパイラル線路との間隔と前記第２の平面スパイラル線路と前記第３の平面スパイラル線路との間隔が略同一であることを特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１の平面スパイラル線路のスパイラル中心側の一端に接続して引き出された第１の引き出し線路と、前記第２の平面スパイラル線路のスパイラル中心側の一端に接続して引き出された第２の引き出し線路と、前記第３の平面スパイラル線路のスパイラル中心側の一端に接続して引き出された第３の引き出し線路とを有し、前記第３の引き出し線路は、前記第１の引き出し線路または前記第２の引き出し線路とともに、それぞれ前記第１の平面スパイラル線路と前記第３の平面スパイラル線路との間または前記第２の平面スパイラル線路と前記第３の平面スパイラル線路との間に配置されていることを特徴とする請求項３または４に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体線路を有する電子部品に係わり、より具体的にはノイズ対策用電子部品等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＵＳＢやＩＥＥＥ１３９４などの高速伝送線路におけるノイズ対策電子部品には、外部接続ケーブルの外周に取り付けるフェライトコアや、基板上に実装し伝送線路に接続するチップビーズインダクタやコモンモードフィルタ等がある。フェライトコアやチップビーズインダクタはノイズの周波数帯でフェライトの高い透磁率により高インピーダンスとなりノイズを遮断する働きをする。コモンモードフィルタは、差動伝送において同相モードのノイズに対しフェライトの高い透磁率により高インピーダンスとなりノイズを遮断する働きをする。このような部品は主にパーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、携帯機器などに使用されるが、これらの機器の小型化に伴う部品のいっそうの小型化の要求に対し、積層技術を用いた構造が開示されている（例えば特許文献１、２）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２６０６２１号公報
【特許文献２】特開２００５−３４０６１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ＣＰＵの高速化に伴い、ＨＤＭＩやＰＣＩ−Ｅｘｐｒｅｓｓなどのさらなる高速伝送に対応したノイズ対策電子部品が求められている。従来、例えばコモンモードフィルタでは２つのコイルを形成する導体線路を対向配置することにより差動モードの特性インピーダンスを整合させ信号損失の低減がはかられてきた。これは特許文献１に開示されている。さらに、導体線路を非磁性層に形成することにより信号に対する磁気損失を低減させ一層の信号損失の低減が図られてきた。これは特許文献２に開示されている。しかしながら、この構造においてもまだ差動信号に対して伝送線路から高周波電磁界の漏洩があり、高周波においてはこの影響によりインピーダンスのミスマッチや磁気損失の増加が顕著になり高周波化の障害となっていた。本発明は、かかる実情に鑑みてなされたもので、高速伝送に対応したノイズ対策電子部品の技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子部品は、絶縁層を介して対向して配置された第１の導体線路と第２の導体線路と、前記第１の導体線路と前記第２の導体線路の間において前記第１の導体線路と前記第２の導体線路に対向して配置された第３の導体線路と、前記第１の導体線路と前記第２の導体線路の対向する側とは反対の側にそれぞれ配置された磁性層を備え、前記第１の導体線路の一端と前記第２の導体線路の一端が電気的に接続されるとともに、前記第１の導体線路の他端と前記第２の導体線路の他端が電気的に接続されることを特徴とする。これにより、電子部品に差動伝送信号を入力した場合、第１の導体線路と第２の導体線路に同位相の高周波電流が流れ、第３の導体線路には逆位相の高周波電流が流れるため、第１の導体線路と第２の導体線路に流れる電流が外側の磁性層に作る磁界は第３の導体線路に流れる電流が作る磁界により打ち消される。従って第１、第２および第３の導体線路からなる伝送線路から磁性層へ漏洩する電磁界が低減されるため、磁性層の特性の影響によるインピーダンスのミスマッチは低減され、また磁性層による磁気損失も低減される。これにより高周波まで信号損失が低減され高速伝送に適した伝送特性を得る。
【０００６】
さらに、前記電子部品において、前記第１の導体線路の直流抵抗と前記第２の導体線路の直流抵抗が略同一であり、かつ前記第１の導体線路と前記第３の導体線路との間隔と前記第２の導体線路と前記第３の導体線路との間隔が略同一であることが好ましい。これにより、電子部品に差動伝送信号を入力した場合、第１の導体線路と第２の導体線路に同位相の略同一の大きさの高周波電流が流れ、第３の導体線路との間隔が略同一であるため、第１の導体線路と第２の導体線路に流れる電流が外側の磁性層に作る磁界は第３の導体線路に流れる電流が作る磁界により均等に打ち消される。従って第１、第２および第３の導体線路からなる伝送線路から磁性層へ漏洩する電磁界は一層低減される。これにより高周波まで信号損失は一層低減されることになり、高速伝送に適した伝送特性を得る。
【０００７】
また、本発明の別の電子部品は、絶縁層を介して対向して配置された第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路と、前記第１の平面スパイラル線路と前記第２の平面スパイラル線路の間において前記第１の平面スパイラル線路と前記第２の平面スパイラル線路に対向して配置された第３の平面スパイラル線路と、前記第１の平面スパイラル線路と前記第２の平面スパイラル線路の対向する側とは反対の側にそれぞれ配置された磁性層を備え、前記第１の平面スパイラル線路の一端と前記第２の平面スパイラル線路の一端が電気的に接続されるとともに、前記第１の平面スパイラル線路の他端と前記第２の平面スパイラル線路の他端が電気的に接続されることを特徴とする。これにより、電子部品に差動伝送信号を入力した場合、第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路に同位相の高周波電流が流れ、第３の平面スパイラル線路には逆位相の高周波電流が流れるため、第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路に流れる電流が外側の磁性層に作る磁界は第３の平面スパイラル線路に流れる電流が作る磁界により打ち消される。従って第１、第２および第３の平面スパイラル線路からなる伝送線路から磁性層へ漏洩する電磁界は低減されるため、磁性層の特性の影響によるインピーダンスのミスマッチは低減され、また磁性層による磁気損失も低減される。これにより高周波まで信号損失が低減され高速伝送に適した伝送特性を得る。
【０００８】
さらに、前記電子部品において、前記第１の平面スパイラル線路の直流抵抗と前記第２の平面スパイラル線路の直流抵抗が略同一であり、かつ前記第１の平面スパイラル線路と前記第３の平面スパイラル線路との間隔と前記第２の平面スパイラル線路と前記第３の平面スパイラル線路との間隔が略同一であることが好ましい。これにより、電子部品に差動伝送信号を入力した場合、第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路に同位相の略同一の大きさの高周波電流が流れ、第３の平面スパイラル線路との間隔が略同一であるため、第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路に流れる電流が外側の磁性層に作る磁界は第３の平面スパイラル線路に流れる電流が作る磁界により均等に打ち消される。従って第１、第２および第３の平面スパイラル線路からなる伝送線路から磁性層へ漏洩する電磁磁界は一層低減されるため、高周波まで信号損失は一層低減されることになり、高速伝送に適した伝送特性を得る。
【０００９】
さらに、前記電子部品において、前記第１の平面スパイラル線路のスパイラル中心側の一端に接続して引き出された第１の引き出し線路と、前記第２の平面スパイラル線路のスパイラル中心側の一端に接続して引き出された第２の引き出し線路と、前記第３の平面スパイラル線路のスパイラル中心側の一端に接続して引き出された第３の引き出し線路とを有し、前記第３の引き出し線路は、前記第１の引き出し線路または前記第２の引き出し線路とともに、それぞれ前記第１の平面スパイラル線路と前記第３の平面スパイラル線路との間または前記第２の平面スパイラル線路と前記第３の平面スパイラル線路との間に配置されていることが好ましい。これにより第１の引き出し線路と第２の引き出し線路の差動モードのインピーダンスをマッチングさせ、かつ磁性層からの距離が大きくなるため磁気損失を低減することができ、高周波まで信号の伝送損失を低減し、高速伝送に適したコモンモードフィルタを得る。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る電子部品によれば、高周波まで低い信号損失特性と高いノイズ遮断特性を維持する上で好適な構成を有し、高速伝送に対応したノイズ対策部品を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明するが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。本発明の電子部品の第１の実施形態を図１、図２および図３を用いて説明する。なお、同一部材は同一符号で示してある。図１は導体線路を有する電子部品の一例としてコモンモードフィルタの外観を示している。図２は内部の層構成と電極構造を示す分解斜視図である。なお、絶縁層の厚さは誇張して表現してある。第１の導体線路４は絶縁層３ｂ上に形成され、第２の導体線路６は絶縁層３ｄ上に形成されており、絶縁層３ｂおよび３ｃを介して第１の導体線路４と第２の導体線路６が対向して配置されている。第３の導体線路５は絶縁層３ｃ上に形成されており、第１の導体線路４と第２の導体線路６の間において、該第１の導体線路４と第２の導体線路６に対向して配置されている。第１の導体線路４は、絶縁層の面内のＹ方向の中心においてＸ方向に延出した直線部分を有し、該直線部分の両端、すなわち絶縁層の端部付近でＹ方向に屈曲し、さらにＸ方向に屈曲して電子部品端面まで到達している。なお、図２に示すように、導体線路が形成されている矩形の絶縁層の面内方向をＸＹ方向、ＸＹ方向に垂直な方向をＺ方向とし、矩形の一辺の方向をＸ方向、それに垂直な辺方向をＹ方向としてある。また、第２の導体線路６も、絶縁層のＹ方向の中心においてＸ方向に延出した直線部分を有し、該直線部分の両端、すなわち絶縁層の端部付近でＹ方向（第１の導体線路の場合と同じ方向）に屈曲し、さらにＸ方向に屈曲して電子部品端面まで到達している。さらに、第３の導体線路も、絶縁層のＹ方向の中心においてＸ方向に延出した直線部分を有し、該直線部分の両端、すなわち絶縁層の端部付近でＹ方向（第１および第２の導体線路の場合とは逆方向）に屈曲し、さらにＸ方向に屈曲して電子部品端面まで到達している。図２に示す構成では、第１の導体線路４の直線部分、第２の導体線路６の直線部分および第３の導体線路５の直線部分は、Ｚ方向すなわち導体線路を形成する絶縁層の面に垂直な方向から見て重なるようにしてあるため、第１の導体線路４、第２の導体線路６および第３の導体線路５は、少なくとも一部で重なり部分を有する。第１の導体線路４と第２の導体線路６の対向する側とは反対の側にそれぞれ磁性層１と磁性層２が配置される。図２に示す構成では、導体線路の対向する部分を、直線形状としているが、直線形状に限らず、曲線形状、ミアンダ形状、スパイラル形状でもよいし、ヘリカル形状としてもよい。ヘリカル形状の場合は、上述の第１の導体線路、第２の導体線路および第３の導体線路の構成を維持した状態で、図２のＺ方向に導体パターンを積層して、該方向を軸とするヘリカル構造とすればよい。また、電子部品としては、本発明に係る導体線路構成を一つのチップの中に複数形成して、電子部品の機能がアレイ化されたものであってもよい。
【００１２】
図１に示す構成では、絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄからなる絶縁層３は磁性層１および磁性層２に挟まれる状態で密着して固定してある。絶縁層３は非磁性層である。第１の導体線路４の一端と第２の導体線路６の一端は外部電極８によって電気的に接続されている。一方、第１の導体線路４の他端と第２の導体線路６の他端は外部電極７によって電気的に接続されている。また、第３の導体線路５の一端は外部電極１０に接続され、他端は外部電極９に接続されている。すなわち、本実施形態は、コモンモードフィルタの信号ラインの一方を分岐して並列にしていることになる。なお、第１の導体線路４の一端または他端と第２の導体線路６の一端または他端の接続は電子部品の側面等に設けた外部電極に限らず、ビア等で行ってもよい。また、前記の電気的な接続自体は電子部品の外、例えばハンダ付け部、基板上等で行うこともできる。
【００１３】
図２に示す構成では、第１の導体線路４と第２の導体線路６の線路パターンを同一にしてあるため、第１の導体線路４の直流抵抗と第２の導体線路６の直流抵抗は略同一となっている。また、絶縁層３ｂの厚さと絶縁層３ｃの厚さが等しくなるようにしておけば、第１の導体線路４と第３の導体線路５との間隔と、第２の導体線路６と第３の導体線路５との間隔とが略同一となる。すなわち、かかる構成は第１の導体線路と第２の導体線路の形状および位置関係が、第３の導体線路に対して対称的である構成と言える。該構成は、第１の導体線路と第２の導体線路に流れる電流が外側の磁性層に作る磁界は第３の導体線路に流れる電流が作る磁界により均等に打ち消され、第１、第２および第３の導体線路からなる伝送線路から磁性層へ漏洩する電磁磁界が一層低減される点で好ましい。なお、第１の導体線路４の直流抵抗と第２の導体線路６の直流抵抗が同一であるとともに、第１の導体線路４と第３の導体線路５との間隔と、第２の導体線路６と第３の導体線路５との間隔とが同一であることが好ましい。
【００１４】
図３（Ａ）は図１および図２に示す構造のＡ−Ａ’断面を示し、図３（Ｂ）は従来構造を比較して示す。図３（Ｂ）に示す従来構造では、信号が伝送される差動モードにおいて、導体線路１１と導体線路１２には互いに逆向きの高周波電磁界が発生するため大部分はキャンセルするが、キャンセルしない成分が上下の磁性層にも進入し、インピーダンスのミスマッチや磁気損失の原因となる。一方、図３（Ａ）の本発明の実施形態の構造では、信号が伝送する差動モードにおいて、導体線路５に発生する高周波電磁界に対し、上下の導体線路４、６で逆向きの高周波電磁界が発生するため上下の磁性層に進入する電磁界成分が従来構造より高い効率でキャンセルされる。従って、高周波までインピーダンスのミスマッチや磁気損失を低減し信号損失を低減する。また、導体線路４と６は並列接続のため導体損失も低減される。
【００１５】
本発明の第２の実施形態を図１および図４を用いて説明する。図１は導体線路を有する電子部品の一例としてコモンモードフィルタの外観を示す。図４は内部の層構成と電極構造を示し分解斜視図である。図４に示す構成は、導体線路として平面スパイラル線路を用いた場合の例である。平面スパイラル線路はコモンモードフィルタの低背化に好適である。第１の平面スパイラル線路１６は絶縁層３ｇ上に形成され、第２の平面スパイラル線路１８は絶縁層３ｊ上に形成されており、絶縁層３ｇ、３ｈおよび３ｉを介して第１の平面スパイラル線路１６と第２の平面スパイラル線路１８が対向して配置されている。第３の平面スパイラル線路１７は絶縁層３ｉ上に形成されており、第１の平面スパイラル線路１６と第２の平面スパイラル線路１８の間において、該第１の平面スパイラル線路１６と第２の平面スパイラル線路１８に対向して配置されている。第１の引き出し線路１９は絶縁層３ｆ上に形成されており、第１の平面スパイラル線路１６のスパイラル中心側の一端とは絶縁層３ｆに形成されたビアを通じて電気的に接続されている。また、第２の引き出し線路２１は絶縁層３ｋ上に形成されており、第２の平面スパイラル線路１８のスパイラル中心側の一端とは絶縁層３ｊに形成されたビアを通じて電気的に接続されている。さらに、第３の引き出し線路２０は絶縁層３ｈ上に形成されており、第３の平面スパイラル線路１７のスパイラル中心側の一端とは絶縁層３ｈに形成されたビアを通じて電気的に接続されている。第１の引き出し線路１９と第２の引き出し線路２１とは外部電極８に接続されており、これにより第１の平面スパイラル線路１６の一端と第２の平面スパイラル線路１８の一端が電気的に接続されている。また、第１の平面スパイラル線路１６の他端と第２の平面スパイラル線路１８の他端は外部電極７に接続されており、これにより第１の平面スパイラル線路１６の他端と第２の平面スパイラル線路１８の他端が電気的に接続されている。一方、第３の引き出し線路２０は外部電極１０に接続されており、第３の平面スパイラル線路１７の他端は、外部電極９に接続されている。すなわち、本実施形態は、コモンモードフィルタの信号ラインの一方を分岐して並列にしていることになる。図４に示す構成では、第１の平面スパイラル線路１６、第２の平面スパイラル線路１８及び第３の平面スパイラル線路１７は、Ｚ方向すなわちスパイラル線路の面に垂直方向から見て引き出し部分以外のスパイラル部分が重なっている。
【００１６】
第１の平面スパイラル線路１６と第２の平面スパイラル線路１８の対向する側とは反対の側にそれぞれ磁性層１と磁性層２が配置される。図１に示す構成では、絶縁層３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈ、３ｉ、３ｊおよび３ｋからなる絶縁層３は磁性層１および磁性層２に挟まれる状態で密着して固定してある。絶縁層３は非磁性層である。本実施形態の構造においても、上記第１の実施形態の場合と同様の効果を示す。すなわち、信号が伝送する差動モードにおいて、平面スパイラル線路１７に発生する高周波電磁界に対し、上下の平面スパイラル線路１６、１８で逆向きの高周波電磁界が発生するため上下の磁性層に進入する電磁界成分が従来構造より高い効率でキャンセルされる。従って、高周波までインピーダンスのミスマッチや磁気損失を低減し信号損失を低減する。また、平面スパイラル線路１６と１８は並列接続のため導体損失も低減される。
【００１７】
図４に示す構成では、第１の平面スパイラル線路１６と第２の平面スパイラル線路１８の線路パターンを同一にしてあるため、第１の平面スパイラル線路１６の直流抵抗と第２の平面スパイラル線路１８の直流抵抗は略同一となっている。また、絶縁層３ｉの厚さを絶縁層３ｇと絶縁層３ｈとの和に等しくなるようにしておけば、第１の平面スパイラル線路１６と第３の平面スパイラル線路１７との間隔と、第２の平面スパイラル線路１８と第３の平面スパイラル線路１７との間隔とが略同一となる。すなわち、第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路の形状および位置関係が、第３の平面スパイラル線路に対して対称的である構成と言える。かかる構成は、第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路に流れる電流が外側の磁性層に作る磁界は第３の平面スパイラル線路に流れる電流が作る磁界により均等に打ち消され、第１、第２および第３の平面スパイラル線路からなる伝送線路から磁性層へ漏洩する電磁界は一層低減される点で好ましい。なお、第１の平面スパイラル線路１６の直流抵抗と第２の平面スパイラル線路１８の直流抵抗が同一であるとともに、第１の平面スパイラル線路１６と第３の平面スパイラル線路１７との間隔と、第２の平面スパイラル線路１８と第３の平面スパイラル線路１７との間隔とが同一であることが好ましい。
【００１８】
次に、本発明の第３の実施形態を図５を用いて説明する。図５に示す構成は、第１の引き出し線路１９と第３の引き出し線路２０との位置関係を変えた実施形態である。具体的には、第１の平面スパイラル線路１６と第１の引き出し線路１９の上下の位置関係を逆にした以外は図４に示す実施形態と同じである。図５は、第３の実施形態であるコモンモードフィルタの内部の層構成と電極構造を示す分解斜視図である。第１の引き出し線路１９および第２の引き出し線路２０は第１の平面スパイラル線路１６と第３の平面スパイラル線路１７の間に配置されていて、コイル間を通ってスパイラルの面方向に引き出されているため、その間には平面スパイラル線路がない。これにより差動モードに対する引き出し線の特性インピーダンスの整合を取ることができ、高周波まで信号の伝送損失を低減できる。なお、上記構成の他に、第２の引き出し線路２１と第３の引き出し線路２０が、第２の平面スパイラル線路１８と第３の平面スパイラル線路１７の間に配置されている構成としてもよい。図５に示す構成では、第１の引き出し線路１９、第２の引き出し線路２１および第３の引き出し線路２０は、電子部品の端面方向（Ｘ方向）に延出する直線部分を有し、該直線部分において平面スパイラル線路の面に垂直な方向すなわちＺ方向からみて重なるようになっている。該直線部分は平面スパイラル線路の外縁を超えて延出している。また、該直線部分は互いに平行になっている。第1の引き出し線路と第２の引き出し線路の差動モードのインピーダンスマッチングを単純な線路構造で取るという観点からはかかる構成が好ましいが、各引き出し線路は必ずしも、平行であったり、重なったりしている必要はない。
【００１９】
第１の平面スパイラル線路と第２の平面スパイラル線路を挟むように配置される磁性層は、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトに代表されるスピネルフェライトや、Ｚ型やＹ型に代表される六方晶フェライトなどのソフトフェライトを用いればよい。このうち磁気異方性が高い六方晶フェライトは、スピネルフェライトのスネークの限界と呼ばれる透磁率の周波数限界を超えて高周波まで透磁率が維持される。したがって、六方晶フェライトは、高周波まで高い同相モードインピーダンスを得ることができ、高周波まで高いノイズ減衰特性を得ることができる点で好ましい。
【００２０】
次に、図１および図４を用いて本発明の構造の作製工程の一例を説明する。磁性層１、２には、フェライトの焼結板基板を所定の厚さと寸法に加工して供する。磁性層２であるフェライト基板の上にフォトリソグラフィにより、ポリイミド等の耐熱性樹脂からなる絶縁層３と銀または銅からなる平面スパイラル線路１６、１７、１８および引き出し線路１９、２０、２１とを積層する。引き出し線路と平面スパイラル線路はビア等により電気的接続を取る。その上に磁性層１としてフェライト基板を接合する。接合は例えば接着剤を用いて行う。切断後、外部電極７、８、９、１０をメッキまたはスパッタによりチップ外部に形成する。絶縁層３と平面スパイラル線路１６，１７および１８、引き出し線路１９，２０および２１は、セラミックグリーンシート上に銀ペーストを印刷して積層し、焼成するＬＴＣＣプロセスを適用してもよい。また、本発明に係る電子部品は、電極パターンを形成したポリイミド等の薄シートを貼り合せて積層した多層フレキシブル基板により作製してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の電子部品の一実施形態の外観を示すものである。
【図２】本発明の電子部品の一実施形態の内部構造を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の電子部品の一実施形態の断面（Ａ）と従来構造の断面（Ｂ）を比較して示すものである。
【図４】本発明の電子部品の別の実施形態の内部構造を示す分解斜視図である。
【図５】本発明の電子部品の別の実施形態の内部構造を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００２２】
１、２：磁性層
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈ、３ｉ、３ｊ、３ｋ：絶縁層
４、５、６、１１、１２：導体線路
７、８、９、１０：外部電極
１６、１７、１８：平面スパイラル線路
１９、２０、２１：引き出し線路
【図１】
2007281313.tif 000003
【図２】
2007281313.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007281313.tif 000007