(57)【要約】【課題】電子放出源、その製造方法及びそれを採用した電子放出素子を提供する。【解決手段】１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属またはその化合物から形成された金属炭化物、またはその化合物からなる表面コーティング膜を有するカーボン系物質を含む電子放出源である。これにより、電子放出源は、カーボン系物質とその表面に金属炭化物コーティング膜が形成されるか、またはカーボン系物質と金属コーティング膜との界面に金属炭化物層が形成されているので、電流放出特性の低下なしに電子放出寿命特性が改善された電子放出源を得ることができる。電子放出源を利用すれば、信頼性が向上した電子放出素子を製作できる。【選択図】図３
2007042632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属またはその化合物から形成された金属炭化物、またはその化合物からなる表面コーティング膜を有するカーボン系物質を含む電子放出源。
【請求項２】
前記金属炭化物が、
チタン炭化物、ジルコニウム炭化物、ハフニウム炭化物、タンタル炭化物、ニオブ炭化物、バナジウム炭化物、クロム炭化物、モリブデン炭化物、及びタングステン炭化物からなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子放出源。
【請求項３】
前記金属炭化物の含量は、カーボン系物質１重量部を基準として０．０１ないし１０重量部であることを特徴とする請求項１に記載の電子放出源。
【請求項４】
前記表面コーティング膜の厚さが１ないし１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の電子放出源。
【請求項５】
前記表面コーティング膜上部に、１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属からなる金属コーティング膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子放出源。
【請求項６】
前記表面コーティング膜上部にさらにコーティングされる金属が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ニオブ、バナジウム、クロム、モリブデン、及びタングステンからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項５に記載の電子放出源。
【請求項７】
前記金属コーティング膜の厚さが１ないし１０００ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の電子放出源。
【請求項８】
前記カーボン系物質がカーボンナノチューブ、グラファイト、ダイヤモンド、フラーレン、または炭化ケイ素であることを特徴とする請求項１に記載の電子放出源。
【請求項９】
前記カーボン系物質１重量部を基準として、０．２５ないし１０重量部のフリットがさらに含まれることを特徴とする請求項１に記載の電子放出源。
【請求項１０】
カーボン系物質の表面に１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属をコーティングして、金属表面コーティング膜を有するカーボン系物質を得る段階と、
前記金属コーティング膜を有するカーボン系物質を含む電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する段階と、
前記印刷された電子放出源形成用の組成物を焼成して、請求項１ないし請求項９のうちいずれか一項に記載の電子放出源を形成する段階とを含む電子放出源の製造方法。
【請求項１１】
前記金属のコーティングが、溶液コーティング法、化学的蒸着法、または物理的蒸着法によって実施されることを特徴とする請求項１０に記載の電子放出源の製造方法。
【請求項１２】
前記電子放出源形成用の組成物は、感光性樹脂、光開始剤、フィラー、及びフリットのうち選択された一つ以上をさらに含み、前記電子放出源形成用の組成物の印刷段階は、前記電子放出源形成用の組成物を塗布した後、電子放出源形成領域によって露光及び現像させることによって行うことを特徴とする請求項１０に記載の電子放出源の製造方法。
【請求項１３】
前記焼成段階を３５０ないし５００℃の温度下で行うことを特徴とする請求項１１に記載の電子放出源の製造方法。
【請求項１４】
互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上に形成されたカソード電極と、
前記基板上に形成されたカソード電極と電気的に連結されるように形成された、請求項１ないし請求項９のうちいずれか一項に記載の電子放出源と、
前記第２基板上に形成されたアノード電極と、
前記電子放出源から放出された電子によって発光する蛍光層と、を備えることを特徴とする電子放出素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出源、その製造方法及びそれを採用した電子放出素子に係り、より詳細には、電流密度特性の低下なしに電子放出寿命が改善された電子放出源とその製造方法、及び前記電子放出源を採用して信頼性が向上した電子放出素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子放出素子は、アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加して電界を形成することによって、カソード電極の電子放出源から電子を放出させ、この電子をアノード電極側の蛍光物質に衝突させて発光させるディスプレイ装置である。
【０００３】
電子伝導性が優れた炭素ナノチューブ(Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ：ＣＮＴ)を含むカーボン系物質は、伝導性及び電界集中効果に優れ、仕事関数が小さく、電界放出特性に優れて低電圧駆動が容易であり、大面積化が可能であるため、電子放出素子の理想的な電子放出源として期待されている。
【０００４】
カーボンナノチューブを含む電子放出源の製造方法は、例えば、ＣＶＤ法などを利用するカーボンナノチューブ成長法、カーボンナノチューブを含む電子放出源形成用の組成物を利用するペースト法などを含む。前記ペースト法を利用すれば、製造コストが低く、大面積に電子放出源の形成が可能である。
【０００５】
カーボンナノチューブを含む電子放出源形成用の組成物は、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００６】
ところが、カーボンナノチューブを利用した電子放出源は、電子放出時にジュール加熱によって、カーボンナノチューブの終端温度が１５００Ｋ以上に上昇するので、電子放出素子駆動時に装置内部に存在する酸素と反応して劣化する短所を有し、これは、電子放出素子の寿命に悪影響を及ぼす。
【特許文献１】米国特許第６，４３６，２２１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が達成しようとする技術的課題は、前記問題点を解決して電子放出特性の劣化なしに寿命特性が改善された電子放出源とその製造方法、及びそれを備えて信頼性が向上した電子放出素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を達成するために、本発明では、１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属またはその化合物から形成された金属炭化物、またはその化合物からなる表面コーティング膜を有するカーボン系物質を含む電子放出源を提供する。
【０００９】
本発明の技術的課題は、カーボン系物質の表面に１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属またはその化合物をコーティングして、金属表面コーティング膜を有するカーボン系物質を得る段階と、前記金属コーティング膜を有するカーボン系物質を含む電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する段階と、前記印刷された電子放出源形成用の組成物を焼成して前記電子放出源を形成する段階とを含む電子放出素子の製造方法によって達成される。
【００１０】
前記金属コーティング膜の形成時に加熱するか、または電子放出源で電子の放出時にジュール熱によって温度が上昇すれば、表面コーティング膜とカーボン系物質との界面で金属炭化物層が形成される。
【００１１】
本発明の技術的課題は、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板上に形成されたカソード電極と、前記基板上に形成されたカソード電極と電気的に連結されるように形成され、前述した電子放出源と、前記第２基板上に形成されたアノード電極と、前記電子放出源から放出された電子によって発光する蛍光層とを備えることを特徴とする電子放出素子によって達成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子放出源は、カーボンナノチューブの表面に金属炭化物コーティング膜が形成されるか、または前記金属炭化物表面に金属コーティング膜がさらに形成された構造であるので、電流放出特性の低下なしに電子放出寿命特性が改善された電子放出源を得ることができる。前記電子放出源を利用すれば、信頼性が向上した電子放出素子を製作できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００１４】
カーボンナノチューブのようなカーボン系物質の表面上にコーティング膜を形成して電子放出特性の劣化なしに寿命特性を改善するためには、カーボンナノチューブとコーティング膜との間の界面特性に優れなければならない。
【００１５】
本発明では、カーボンナノチューブとコーティング膜との間の優れた界面特性のために、前記カーボンナノチューブと、１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物の形成反応のギブズ自由エネルギー(Ｇｉｂｂｓ  ｆｒｅｅ  ｅｎｅｒｇｙ)が負の値を持つ金属からなるコーティング膜との界面に、前述した金属炭化物からなる表面コーティング膜を形成させようとした。または、前記カーボンナノチューブの表面に前記金属またはその化合物から形成された金属炭化物、またはその化合物からなる表面コーティング膜を形成したことである。
【００１６】
場合によっては、前記カーボンナノチューブの表面に前記金属またはその化合物からなる表面コーティング膜が形成されうる。このような表面コーティング膜は、加熱過程を経ない場合に得られる。
【００１７】
前記１５００Ｋ以下の温度は、電子ティップ(ｔｉｐ)から電子放出が発生する時、ジュール熱によって約１５００Ｋないし２０００Ｋの温度で加熱されるために設定された温度である。
【００１８】
前記金属炭化物としては、チタン(Ｔｉ)炭化物、ジルコニウム(Ｚｒ)炭化物、ハフニウム(Ｈｆ)炭化物、タンタル(Ｔａ)炭化物、ニオブ(Ｎｂ)炭化物、バナジウム(Ｖ)炭化物、クロム(Ｃｒ)炭化物、モリブデン(Ｍｏ)炭化物、及びタングステン(Ｗ)炭化物からなる群から選択された一つ以上を利用する。一例として、１０００ＫでＴｉ＋Ｃ＝ＴｉＣ反応のギブズ自由エネルギーは、−２０．７ｋｃａｌ／ｇ−ａｔｏｍである。
【００１９】
前記金属炭化物の含量は、カーボンナノチューブ１重量部を基準として０．０１ないし１０重量部であることが望ましい。もし、金属炭化物の含量が０．０１重量部未満であれば、カーボンナノチューブから金属への電子移動が容易でなく、１０重量部を超過すれば、電子放出特性が低下して望ましくない。
【００２０】
前記金属、金属炭化物またはその化合物からなる表面コーティング膜を形成する方法は、特別に制限されるものではないが、溶液コーティング法、化学的蒸着法または物理的蒸着法を使用する。このような方法を使用できるので、コーティング膜が非常に単純で容易に形成されうる。このように形成された表面コーティング膜の厚さは、１ないし１０００ｎｍであることが望ましい。表面コーティング膜の厚さが１ｎｍ未満であれば、金属炭化物界面層の形成が容易でなく、１０００ｎｍを超過すれば、電子放出特性が低下して望ましくない。
【００２１】
また、本発明のカーボン系物質上に形成された金属炭化物またはその化合物からなる表面コーティング膜の上部には、１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属からなる金属コーティング膜がさらに形成されうる。ここで、金属コーティング膜の厚さは、１ないし１０００ｎｍであることが望ましい。両金属コーティング膜の厚さが合せて１ｎｍ未満であれば、金属炭化物界面層の形成が容易でなく、１０００ｎｍを超過すれば、電子放出特性が低下して望ましくない。
【００２２】
本発明の電子放出源形成用の組成物は、また必須構成成分としてカーボン系物質、ビークル及びフリット、望ましくは、無鉛フリットを含有できる。
【００２３】
本発明において、前記フリットの含量は、カーボン系物質１重量部を基準として０．２５ないし１０重量部であることが望ましい。無鉛フリットの含量が０．２５重量部未満であれば、電子放出源の付着性が低下し、１０重量部を超過すれば、電子放出特性が低下するために望ましくない。
【００２４】
本発明で使われるカーボン系物質は、伝導性及び電子放出特性に優れて、電子放出素子の作動時にアノード部の蛍光層に電子を放出させて、蛍光体を励起する役割を果たす。このようなカーボン系物質の非制限的な例としては、カーボンナノチューブ、グラファイト、ダイヤモンド、フラーレン、炭化ケイ素などが使われ、そのうちカーボンナノチューブが最も望ましい。
【００２５】
本発明の電子放出源形成用の組成物に含まれるビークルは、電子放出源形成用の組成物の印刷性及び粘度を調節する役割を果たす。前記ビークルは、樹脂成分及び溶媒成分からなりうる。前記樹脂成分は、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロースのようなセルロース系樹脂と、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート及びウレタンアクリレートのようなアクリル系樹脂と、ポリビニルアセテート、ポリビニルブチラール、ポリビニルエーテルのようなビニール系樹脂のうち少なくとも一つを含みうるが、これに制限されるものではない。前述したような前記樹脂成分の一部は、感光性樹脂の役割を同時に行える。
【００２６】
前記溶媒成分は、例えば、テルピネオール(ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ)、ブチルカルビトール(Ｂｕｔｙｌ  Ｃａｒｂｉｔｏｌ：ＢＣ)、ブチルカルビトールアセテート(Ｂｕｔｙｌ  Ｃａｒｂｉｔｏｌ  Ａｃｅｔａｔｏ：ＢＣＡ)、トルエン及びテキサノールのうち少なくとも一つを含みうる。このうち、テルピネオールを含むことが望ましい。
【００２７】
前記樹脂成分の含量は、カーボン系物質１重量部を基準として１ないし５重量部、さらに望ましくは、２ないし３重量部である。
【００２８】
一方、前記溶媒成分の含量は、カーボン系物質１重量部を基準として５ないし１５重量部、望ましくは８ないし１２重量部である。ここで、前記樹脂成分と溶媒成分とからなるビークルの含量が前記範囲を逸脱する場合には、電子放出源形成用の組成物の印刷性及び流れ性が低下するおそれがある。特に、ビークルの含量が前記範囲を超過する場合には、乾燥時間が過度に長くなるおそれがある。
【００２９】
また、本発明の電子放出源形成用の組成物は、必要によって感光性樹脂、光開始剤、フィラーのうち選択された一つ以上をさらに含みうる。
【００３０】
電子放出源形成用の組成物のうち前記感光性樹脂は、電子放出源のパターニングに使われる物質である。前記感光性樹脂の非制限的な例としては、アクリレート系モノマー、ベンゾフェノン系モノマー、アセトフェノン系モノマー、またはチオキサントン系モノマーなどがあり、より具体的には、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、２，４−ジエチルチオキサントン、または２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンなどを使用できる。前記感光性樹脂の含量は、カーボン系物質１重量部を基準に３ないし１０重量部、望ましくは、５ないし８重量部である。感光性樹脂の含量が３重量部未満である場合には、露光感度が低下し、１０重量部を超過する場合には、現像し難いために望ましくない。
【００３１】
前記光開始剤は、前記感光性樹脂が露光される時に感光性樹脂の架橋結合を開始する役割を行う。前記光開始剤の非制限的な例としては、ベンゾフェノンなどがある。前記光開始剤の含量は、カーボン系物質１重量部を基準として３ないし１０重量部、望ましくは５ないし８重量部である。光開始剤の含量が３重量部未満である場合には、効率的な架橋結合が行われないためパターン形成に問題が生じるおそれがあり、１０重量部を超過すれば、製造コストの上昇の原因となりうる。
【００３２】
前記フィラーは、基板と十分に接着できないナノサイズの無機物の伝導性をさらに向上させる役割を行う物質であって、その非制限的な例としては、Ａｇ、Ａｌなどがある。
【００３３】
以下、前述した電子放出源形成用の組成物を利用して電子放出源を製造する方法を説明する。
【００３４】
まず、カーボン系物質の表面に、１５００Ｋ以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属をコーティングして、金属表面コーティング膜を有するカーボン系物質を得る。ここで、金属コーティング方法は前述した通りである。
【００３５】
次いで、前記過程によって得たカーボン系物質を利用して電子放出源形成用の組成物を前述したような成分及び含量で製造する。前記電子放出源形成用の組成物に関する詳細な説明は、前述したところと同様であるので省略する。
【００３６】
この後、前記提供された電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する。前記“基板”とは、電子放出源が形成される基板であって、形成しようとする電子放出素子によって異なり、これは当業者に容易に認識可能である。例えば、前記“基板”とは、カソードとアノードとの間にゲート電極が備えられた形態の電子放出素子を製造する場合にはカソードとなり、カソードの下部にゲート電極が備えられた形態の電子放出素子を製造する場合には、カソードとゲート電極とを絶縁させる絶縁層となりうる。
【００３７】
電子放出源形成用の組成物を印刷する段階は、感光性樹脂を含む場合と感光性樹脂を含まない場合とによって異なる。まず、電子放出源形成用の組成物が感光性樹脂を含む場合には、別途のフォトレジストパターンが不要である。すなわち、基板上に感光性樹脂を含む電子放出源形成用の組成物を塗布した後、これを所望の電子放出源形成領域によって露光及び現像する。
【００３８】
一方、電子放出源形成用の組成物が感光性樹脂を含まない場合には、別途のフォトレジストパターンを利用したフォトリソグラフィ工程が必要である。すなわち、フォトレジスト膜を利用してフォトレジストパターンをまず形成した後、前記フォトレジストパターンを利用して電子放出源形成用の組成物を印刷で供給する。
【００３９】
前述したしたように印刷された電子放出源形成用の組成物は、窒素ガス雰囲気下で焼成段階を経る。このような焼成段階を通じて、電子放出源形成用の組成物のうちカーボン系物質は基板との接着力が向上し、ビークルは揮発、除去され、他の無機バインダーなどが溶融及び固形化されて電子放出源の耐久性向上に寄与できる。
【００４０】
前記焼成温度は、電子放出源形成用の組成物に含まれたビークルの揮発温度及び時間を考慮して決定されねばならない。通常の焼成温度は、３５０ないし５００℃、望ましくは４５０℃である。焼成温度が３５０℃未満であれば、ビークルなどの揮発が十分になされないという問題点が発生し、焼成温度が５００℃を超過すれば、製造コストが上昇し、基板が損傷しうるという問題点が発生するためである。
【００４１】
このように焼成された焼成結果物は、必要によって活性化段階を経る。前記活性化段階の一具現例によれば、熱処理工程を通じてフィルム形態に硬化できる溶液、例えばポリイミド系高分子を含む電子放出源の表面処理剤を前記焼成結果物上に塗布した後、これを熱処理した後、前記熱処理で形成されたフィルムを剥離する。活性化段階の他の具現例によれば、所定の駆動源で駆動されるローラ表面に接着力を持つ接着部を形成して、前記焼成結果物表面に所定の圧力で加圧することによって活性化工程を行ってもよい。このような活性化段階を通じてナノサイズを有する無機物は、電子放出源の表面に露出されるか、垂直配向されるように制御される。
【００４２】
本発明の電子放出源は、ディスプレイ素子またはバックライトユニットとして使われる電子放出素子に適している。
【００４３】
前述したような本発明の電子放出源を備えた電子放出素子の一具現例は、図１を参照する。
【００４４】
図１は、本発明による多様な電子放出素子のうちでも３極管構造の電子放出素子を概略的に示したものである。図１に示した電子放出素子２００は、上板２０１及び下板２０２を備え、前記上板は、上面基板１９０、前記上面基板の下面１９０ａに配置されたアノード電極１８０、前記アノード電極の下面１８０ａに配置された蛍光体層１７０を備える。
【００４５】
前記下板２０２は、内部空間を有するように所定の間隔をおいて前記上面基板１９０と対向して平行に配置される下面基板１１０、前記下面基板１１０上にストライプ状に配置されたカソード電極１２０、前記カソード電極１２０と交差するようにストライプ状に配置されたゲート電極１４０、前記ゲート電極１４０と前記カソード電極１２０との間に配置された絶縁体層１３０、前記絶縁体層１３０と前記ゲート電極１４０との一部に形成された電子放出源ホール１６９、前記電子放出源ホール１６９内に配置されて前記カソード電極１２０と通電され、前記ゲート電極１４０より低く配置される電子放出源１６０を備える。前記電子放出源１６０についての詳細な説明は前記と同様であるので省略する。
【００４６】
前記上板２０１と下板２０２とは、大気圧より低い圧力の真空に維持され、前記真空により発生する前記上板と下板との間の圧力を支持し、発光空間２１０を区画するようにスペーサ１９２が前記上板と下板との間に配置される。
【００４７】
前記アノード電極１８０は、前記電子放出源１６０から放出された電子の加速に必要な高電圧を印加して、前記電子を前記蛍光体層１７０に高速で衝突させる。前記蛍光体層の蛍光体は、前記電子により励起されて高エネルギーレベルから低エネルギーレベルに落ちつつ可視光などを放出する。
【００４８】
前記ゲート電極１４０は、前記電子放出源１６０から電子を容易に放出させる機能を担当し、前記絶縁体層１３０は、前記電子放出源ホール１６９を区画し、前記電子放出源１６０と前記ゲート電極１４０とを絶縁する機能を担当する。
【００４９】
本発明の電子放出素子は、図１に示すような３極管構造の電子放出素子を例として説明したが、本発明は、３極管構造のみならず、２極管をはじめとする他の構造の電子放出素子も含む。さらに、ゲート電極がカソード電極の下部に配置される電子放出素子、放電現象によって発生すると推定されるアークによるゲート電極及び／またはカソード電極の損傷を防止し、電子放出源から放出される電子の集束を保証するためのグリッド／メッシュを備える電子放出素子にも使われうる。一方、前記電子放出素子の構造をディスプレイ装置に応用することももちろん可能である。
【００５０】
以下、本発明を下記実施例を例として説明するが、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
【００５１】
合成例１
溶液コーティング法を利用してＣＮＴ(ＭＷＮＴ、日進ナノテク社製)にＴｉを約１０ｎｍ厚さに形成した。このようなＴｉコーティング膜を有するＣＮＴのＳＴＥＭ写真を図２に示す。
【００５２】
製造例１
テルピネオール１０ｇに前記合成例１によって得たＣＮＴ１ｇ、ポリエステルアクリレート５ｇ、ベンゾフェノン５ｇを添加した後、攪拌して電子放出源形成用の組成物を製造した。
【００５３】
前記電子放出源形成用の組成物を、Ｃｒゲート電極、絶縁膜、及びＩＴＯ電極が備えられた基板上の電子放出源の形成領域に印刷した後、パターンマスクを利用して２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーで平行露光器を利用して照射した。露光後にアセトンを利用して現像し、４５０℃の温度及び窒素雰囲気で焼成して電子放出源を形成した。
【００５４】
その後、蛍光膜とアノード電極としてＩＴＯを採用した基板とを前記電子放出源が形成された基板と配向されるように配置し、両基板の間には基板間のセルギャップを維持するスペーサを形成して電子放出素子を完成した。
【００５５】
比較例１
電子放出源の形成時、合成例１によって得たＣＮＴの代わりにＣＮＴ(ＭＷＮＴ、日進ナノテク社製)を使用したことを除いては、実施例１と同じ方法によって実施して電子放出素子を完成した。
【００５６】
前記実施例１及び比較例１によって製作された電子放出素子の電流密度を、パルスパワーソース及び電流計を利用して測定し、電子放出寿命を定電圧モード、すなわち、一定の電圧を印加して電流の変化を経時的に測定する方法を利用して評価し、寿命特性を図３に示した。
【００５７】
測定結果、実施例１の電子放出素子は、比較例１の場合と比較して、電流密度の特性が改善されて電子放出特性が向上すると共に、電子放出寿命も向上するということがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、電子放出源関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の電子放出源を備えた電子放出素子の一具現例を示した図面である。
【図２】本発明の合成例１によって製造されたＴｉがコーティングされたカーボンナノチューブのＳＴＥＭイメージを示した図面である。
【図３】本発明の実施例１及び比較例１によって製造された電子放出源において、経時的な電流密度特性変化を示したグラフである。
【符号の説明】
【００６０】
１１０  下面基板
１２０  カソード電極
１３０  絶縁体層
１４０  ゲート電極
１６０  電子放出源
１７０  蛍光体層
１８０  アノード電極
１９０  上面基板
【図１】
2007042632.tif 000003
【図３】
2007042632.tif 000004
【図２】
2007042632.tif 000005