(57)【要約】【課題】半導体レーザにおけるノイズの抑制のために駆動信号に高周波信号を重畳する場合、半導体レーザが温度変化した場合に高周波重畳信号の周波数が固定値のためにノイズが増加する。【解決手段】半導体レーザ１と、半導体レーザ１に対して直流電流を供給する直流電流源４と、直流電流に重畳するために所定周波数電流を供給する高周波発振器３と、直流電流に重畳するために所定周波数電流の周波数を可変制御する高周波重畳制御回路６とを備え、高周波重畳制御回路６が可変抵抗８および温度変化に対して電気抵抗の変化するサーミスタ９を有し、半導体レーザ１の温度変化に伴いサーミスタ９の抵抗を変化させることにより、高周波発振器３より重畳される高周波信号の周波数を変化させることによりノイズを改善する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、前記半導体レーザに対して直流電流を供給する直流電流供給源と、前記直流電流に重畳するために所定周波数電流を供給する発振電流源と、前記直流電流に重畳するために所定周波数電流の周波数を可変制御する制御回路とを具備する半導体レーザ駆動装置であって、
前記制御回路は、温度変化に対して電気抵抗の変化する抵抗体を有し、前記半導体レーザの温度変化に伴い前記抵抗体の抵抗を変化させることにより前記発振電流源より重畳される高周波信号の周波数を変化させることを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
【請求項２】
前記抵抗体の抵抗を変化させることにより温度が高くなると発振電流源より重畳される高周波信号の周波数を減少させることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項３】
前記抵抗体の抵抗を変化させることにより温度が高くなると発振電流源より重畳される高周波信号の周波数を増加させることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項４】
前記抵抗体がサーミスタであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置を備えたことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項６】
請求項５記載の光ピックアップを備えたことを特徴とする光情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体からの情報を読み取るための半導体レーザ駆動装置及びこれを用いた光ピックアップや光情報処理装置であって、レーザ駆動電流に高周波電流を重畳してノイズを抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスク装置に用いられる光ヘッドの半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路においては、半導体レーザから出射され、光ディスクにおいて反射された光ビームの反射光のうち、半導体レーザに帰還される成分が半導体レーザの出射する光ビームにノイズを発生させる原因となっていた。
【０００３】
この帰還光によるノイズ（帰還光ノイズ）を抑圧するための方法として、半導体レーザを駆動する直流電流に所定の周波数の高周波電流を重畳する方法が採用されている。
【０００４】
この従来の技術について、図１０を用いて説明する。図１０は従来のレーザ駆動装置の構成を示すブロック図である。
【０００５】
図１０において、１は半導体レーザ、２は光検出器、３は所定の周波数の交流電流を供給する高周波発振器、４は直流電源、５はレーザ駆動電流、５６は所定周波数電流の周波数を可変制御する高周波重畳制御回路、７は固定抵抗器、８は可変抵抗器である。
【０００６】
半導体レーザ１は、カソードを接地している。また半導体レーザ１のアノードは、直流電源４に接続され、またキャパシタＣを介して高周波発振器３に接続されている。
【０００７】
高周波発振器３は、印加される電圧でその発振周波数が制御される電圧制御発振器であり、この高周波発振器３に駆動電圧を供給しているのが高周波重畳制御回路５６の固定抵抗器７と可変抵抗器８である。この固定抵抗器７及び可変抵抗器８は直列に接続されており、この直列回路の一端には定電圧Ｖｃｃが印加されており、その他端は接地されている。
【０００８】
この固定抵抗器７と可変抵抗器８の接続点Ｐに生じる電圧を高周波発振器３に供給され、可変抵抗器８の抵抗器を変化させると接続点Ｐに生じる電圧も変化し、この電圧が高周波発振器３に供給されることによって、高周波発振器３の供給する交流電流の周波数が変化し、この交流電流を直流電源４の供給する直流電流に重畳することにより半導体レーザ１を駆動する駆動電流の周波数が変化することになる。従って、半導体レーザ１はその中心周波数を変化させて光ビームを発振させて出力することができる。
【０００９】
半導体レーザ１は、この駆動電流に従って発光し、光学系を介して光ディスク上に集光される。このように従来のレーザ駆動回路においては、直流電流に所定周波数の交流電流を重畳することによって光ディスクから半導体レーザ１に帰還されるノイズを抑圧していた。このように可変抵抗器８の抵抗を操作することによって、光ディスクに照射する光ビームの発振周波数を可変制御することができる。
【特許文献１】特開２００１−３５２１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら従来の技術では、半導体レーザが温度変化した場合でも高周波重畳信号の周波数が固定値のために、温度変化による半導体レーザの特性変化により、半導体レーザのある一定発光パワーにおいてノイズの劣化が発生することも考えられる。
【００１１】
図１１は従来の技術で半導体レーザの温度を変化させた時の半導体レーザのノイズプロファイルを示す図である。図１１より、ある半導体レーザ１の出力値（たとえば２．５ｍＷ）では、半導体レーザ１の温度が２５℃でのノイズは、破線６１から−１２７ｄＢ／Ｈｚでり、半導体レーザ１の温度が６０℃でのノイズは、実線６２から−１２３ｄＢ／Ｈｚである。よって半導体レーザ１の温度が２５℃から６０℃へ変化した場合には、４ｄＢ／Ｈｚノイズが増加したことになる。
【００１２】
本発明は、上記の問題点を解決するもので温度変化に対して電気抵抗の変化する抵抗体を備え、その温度依存性のある抵抗体により高周波重畳電流の周波数を変化させることによって、半導体レーザの温度変化に依らずに常にノイズを抑制することを可能とする半導体レーザ駆動装置およびその半導体レーザ駆動装置を用いた光ピックアップおよびその光ピックアップ用いた光情報処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザと、前記半導体レーザに対して直流電流を供給する直流電流供給源と、前記直流電流に重畳するために所定周波数電流を供給する発振電流源と、前記直流電流に重畳するために所定周波数電流の周波数を可変制御する制御回路とを具備する半導体レーザ駆動装置であって、前記制御回路は、温度変化に対して電気抵抗の変化する抵抗体を有し、前記半導体レーザの温度変化に伴い前記抵抗体の抵抗を変化させることにより発振電流源より重畳される高周波信号の周波数を変化させることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体レーザ駆動装置は、前記抵抗体の抵抗を変化させることにより温度が高くなると発振電流源より重畳される高周波信号の周波数を減少または増加させることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体レーザ駆動装置は、前記抵抗体がサーミスタであることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の光ピックアップは、前記半導体レーザ駆動装置を備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の光情報処理装置は、前記光ピックアップを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体レーザ駆動装置は、温度変化により電気抵抗の変化する抵抗体で、半導体レーザの温度変化した場合に高周波重畳回路より重畳する信号の周波数を変化させて、ノイズを抑制することが可能であり、高周波電流の周波数を一定値に固定した場合に生じる弊害（温度による特性変化に起因するノイズの増加）を回避することができる。
【００１９】
また、本発明の半導体レーザ駆動装置は、複雑な回路構成を必要とすることなく比較的容易にノイズの制御が可能な半導体レーザ駆動装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図１〜図７を用いて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態１におけるレーザ駆動装置の構成を示すブロック図である。図２は、高周波重畳信号の周波数を変化させた時の半導体レーザのノイズプロファイルを示す図である。図３は、サ−ミスタの抵抗値の温度特性を示す図である。図４は、高周波重畳制御回路の接続点Ｐでの電圧と発振周波数の関係図である。図５は、サ−ミスタの抵抗値の温度特性を示す図である。図６は、高周波重畳制御回路の接続点Ｐでの電圧と発振周波数の関係図である。図７は、高周波重畳制御回路のブロック図である。
【００２２】
図１において、１は半導体レーザ、２は光検出器、３は直流電流に重畳するために所定の周波数の交流電流を供給する高周波発振器、４は直流電流を供給する直流電源、５はレーザ駆動電流、６は所定周波数の交流電流の周波数を可変制御する高周波重畳制御回路、７は固定抵抗器、８は可変抵抗器、９は温度変化に対して電気抵抗の変化の大きい抵抗体であるサーミスタである。
【００２３】
半導体レーザ１は、カソードを接地し、アノードを直流電源４に接続すると共にキャパシタＣを介して高周波発振器３に接続されている。
【００２４】
光検出器２は、半導体レーザ１から出射した光が図示しない光ディスク等の記録再生媒体へ向かう光の一部を検出し、光電変換によって光量に比例した信号を出力する。
【００２５】
高周波発振器３は、印可される電圧でその発振周波数が制御される電圧制御発振器である。この高周波発振器３に駆動電圧を供給しているのが、固定抵抗器７、可変抵抗器８、サーミスタ９等により構成される高周波重畳制御回路６である。３種類の抵抗器である固定抵抗器７、可変抵抗器８、サーミスタ９は直列に接続されており、この直列回路の一端には定電圧Ｖｃｃが印加されており、その他端は接地されている。固定抵抗器７と可変抵抗器８の接続点Ｐに生じる電圧を高周波発振器３に供給され、この接続点Ｐに生じる電圧は可変抵抗器８の変化する抵抗値と温度変化に対して抵抗の変化するサーミスタ９の抵抗値に従って変化する。可変抵抗器８は、常温（２５℃）での発振周波数を調整するために用いられ、サーミスタ９は、半導体レーザ１が温度変化時での発振周波数を変化するために用いられる。
【００２６】
半導体レーザ１は、例えば波長４０５ｎｍのシングルモードレーザである。半導体レーザ１には、直流電源４の直流電流に高周波発振器３の出力する所定周波数の交流電流が重畳されてレーザ駆動電流５として供給される。
【００２７】
半導体レーザ１は、この駆動電流に従って発光し、光学系を介して光ディスク上に集光される。このようにレーザ駆動回路においては、直流電流に所定周波数の交流電流を重畳することによって光ディスクから半導体レーザ１に帰還されるノイズを抑圧する。
【００２８】
高周波重畳されたレーザ駆動電流５は半導体レーザ１に入力され、シングルモードレーザをマルチモード化して発光させるので、光ディスク等の記録媒体からの戻り光に対する影響を減らしノイズを低減できる。
【００２９】
半導体レーザ１から出射したレーザ光のうち大半は記録又は再生のために光ディスク等の記録再生媒体へ向かうが、一部は前記光検出器２で受光され、光電変換によって光量に比例した信号が出力される。
【００３０】
出力された信号は直流電源４に取り込まれ、その信号の時間的平均値すなわち直流成分が一定となるよう直流電源４からの出力電流が制御されるため、半導体レーザ１の出射光のパワーの平均値は一定に保たれ、所望の出力で発光させることができる。
【００３１】
なお、光ディスクへの記録時には光量を増加させて、例えば相変化材料からなる光ディスクの記録層に相変化を与えて記録するが、この場合は直流電源４の働きによりレーザ駆動電流５を増加させて光量を増加させる。
【００３２】
図２は高周波重畳信号の周波数を変化させた時の半導体レーザのノイズプロファイルを示す図である。半導体レーザ１の温度が６０℃の時、高周波信号の周波数を４００ＭＨｚ、３５０ＭＨｚ、３００ＭＨｚと変化させたときのノイズプロファイルをそれぞれ実線６２、破線６３、６４に示している。
【００３３】
図２より、ある半導体レーザ１の出力値（例えば２．５ｍＷ）のとき、高周波信号の周波数４００ＭＨｚにおける半導体レーザ１のノイズは−１２３ｄＢ／Ｈｚ、高周波信号の周波数３００ＭＨｚにおける半導体レーザ１のノイズは−１２７ｄＢ／Ｈｚである。これよりある範囲の半導体レーザ出力において高周波信号の周波数を低くすることによって、半導体レーザのノイズを低減することができる。
【００３４】
本発明の実施の形態１での半導体レーザが温度変化した場合のノイズ劣化を改善する方法について、温度の上昇に対して抵抗が減少する抵抗体でありＮＴＣサーミスタを用いた場合について説明する。ＮＴＣサーミスタは、ニッケル、マンガン、コバルト、鉄などの酸化物を混合して焼結したものである。
【００３５】
図３はＮＴＣサーミスタの温度に対する抵抗値の関係の一例である。温度２５℃、６０℃でのＮＴＣサ−ミスタの抵抗値はそれぞれ２０ｋΩ、１０ｋΩである。
【００３６】
図４は固定抵抗器７と可変抵抗器８の接続点Ｐに生じる電圧に対する高周波発振器３の発振周波数の関係図である。接続点Ｐの電圧が３．３Ｖから３．８Ｖに増加することにより発信周波数は３００ＭＨｚから４００ＭＨｚに増加する。
【００３７】
図１の高周波重畳制御回路６の構成では、基準電圧をＶｃｃ、固定抵抗器７の抵抗値をＲ０、可変抵抗器８の抵抗値をＲＶ、温度依存性抵抗器（サーミスタ９）の抵抗値をＲＴとすると接続点Ｐでの電圧Ｖｐは、次の（式１）で算出される。
【００３８】
Ｖｐ＝（ＲＶ＋ＲＴ）／（Ｒ０＋ＲＶ＋ＲＴ）×Ｖｃｃ        （式１）
例えば、Ｖｃｃ＝５Ｖ、固定抵抗器７の抵抗値Ｒ０＝１０ｋΩ、可変抵抗器８の抵抗値ＲＶ＝１０ｋΩ、の場合での接続点Ｐの電圧Ｖｐは、半導体レーザ１の温度が２５℃の場合には、
Ｖｐ＝（１０ｋΩ＋２０ｋΩ）／(１０ｋΩ＋１０ｋΩ＋２０ｋΩ)×５Ｖ＝３．８Ｖ
となり、図４より高周波発振器３の周波数は３００ＭＨｚに設定される。この場合のＲＩＮノイズは、図１１より−１２７ｄＢ／Ｈｚである。
【００３９】
また、半導体レーザ１の温度が６０℃の場合には、
Ｖｐ＝（１０ｋΩ＋１０ｋΩ）／(１０ｋΩ＋１０ｋΩ＋２０ｋΩ)×５Ｖ＝３．３Ｖ
となり、図４より高周波発振器の周波数は４００ＭＨｚに設定されるため、Ｒｉｎノイズは、図２より従来の技術での−１２３ｄＢ／Ｈｚから−１２７ｄＢ／Ｈｚに改善することができる。
【００４０】
温度変化により電気抵抗の変化するＮＴＣサーミスタを用いて、半導体レーザの温度変化により高周波発振器より重畳される信号の発振周波数を可変制御することにより、２５℃でのＲＩＮノイズに影響を与えることなく、６０℃でのＲＩＮノイズを改善することが可能である。
【００４１】
なお、本実施の形態１では、温度の上昇に対して抵抗が減少する抵抗体でありＮＴＣサーミスタと接続点Ｐの電圧の増加により発振周波数が増加する高周波発振器の組み合わせにいて説明したが、この組み合わせに限定されるものではない。
【００４２】
例えば、温度の上昇に対して抵抗が増加するサーミスタであるＰＴＣサーミスタと接続点Ｐの電圧の減少により発振周周波数が増加する高周波発振器の組み合わせでも同様の効果を得ることができる。
【００４３】
図５はＰＴＣサーミスタの温度に対する抵抗値の関係の一例である。温度２５℃、６０℃でのＰＴＣサ−ミスタの抵抗値はそれぞれ１０ｋΩ、２０ｋΩである。
【００４４】
図６は固定抵抗器７と可変抵抗器８の接続点Ｐに生じる電圧に対する高周波発振器３の発振周波数の関係図の一例である。接続点Ｐの電圧が３．３Ｖから３．８Ｖに増加することにより発信周波数は３００ＭＨｚから４００ＭＨｚに減少する。
【００４５】
半導体レーザ１の温度が２５℃の場合には、
Ｖｐ＝（１０ｋΩ＋２０ｋΩ）／(１０ｋΩ＋１０ｋΩ＋２０ｋΩ)×５Ｖ＝３．８Ｖ
となり、図４より高周波発振器の周波数は３００ＭＨｚに設定される。この場合のＲＩＮノイズは、図１１より−１２７ｄＢ／Ｈｚである。
【００４６】
また、半導体レーザの温度が６０℃の場合には、
Ｖｐ＝（１０ｋΩ＋１０ｋΩ）／(１０ｋΩ＋１０ｋΩ＋２０ｋΩ)×５Ｖ＝３．３Ｖ
となり、図４より高周波発振器の周波数は４００ＭＨｚに設定されるため、Ｒｉｎノイズは、図２より従来の技術での−１２３ｄＢ／Ｈｚから−１２７ｄＢ／Ｈｚに改善することができる。
【００４７】
温度変化により電気抵抗の変化するＰＴＣサーミスタを用いて、半導体レーザの温度変化により高周波発振器より重畳される信号の発振周波数を可変制御することにより、２５℃でのＲＩＮノイズに影響を与えることなく、６０℃でのＲＩＮノイズを改善することが可能である。
【００４８】
図７（ａ）〜（ｃ）は、高周波重畳制御回路の構成例を示すブロック図である。図１の高周波重畳制御回路６と異なる図７の各回路構成でも同様の効果を得ること可能である。
【００４９】
なお、本実施の形態１では、半導体レーザが高温時に高周波信号の周波数を減少する場合に関して説明したがこれに限定されるものではない。半導体レーザのノイズ特性が高温時に高周波信号の周波数が増加する場合に改善される場合には、高温時でのサーミスタの抵抗値と高周波発振器の電圧による発振周波数特性の組み合わせを高温時に周波数が高くなるように選択すれば、高温時のノイズ劣化を抑制することが可能である。
【００５０】
また、本実施の形態１では、半導体レーザが高温時に高周波信号の周波数を減少する場合に関して説明したがこれに限定されるものではない。半導体レーザのノイズ特性が低温時に高周波信号の周波数が減少あるいは増加する場合に改善される場合には、低温でのサーミスタの抵抗値と高周波発振器の電圧による発振周波数特性の組み合わせを低温時に周波数が減少あるいは増加するように選択すれば、低温時のノイズ劣化を抑制することが可能である。
【００５１】
また、本実施の形態１では、高周波重畳制御回路６の構成を図７（ａ）〜（ｃ）の様な回路構成でも同様の効果を得ることができる。
【００５２】
また、本実施の形態１では、温度変化する抵抗体としてＮＴＣサーミスタおよびＰＴＣで説明したが温度変化する抵抗体であれば代替可能である。
【００５３】
（実施の形態２）
以下実施の形態２について、図８を用いて説明する。
【００５４】
図８は、本発明の実施の形態２における光ピックアップを示す構成図である。図８において、図１と同じ機能を有する構成部材については同じ符号を付与する。図８において１は半導体レーザであり、その駆動装置には本発明の実施の形態１で説明したレーザ駆動装置が使用されている。２１は前光モニター用ビームスプリッターで往路光の一部を分離する。２は光検出器である。２７はビームスプリッターで復路光を分離する作用を持っている。２３は集光レンズ、２４は立ち上げミラー、２８は光検出器である。２５は対物レンズ、２６は光ディスクである。
【００５５】
再生時には半導体レーザ１から出射した波長４０５ｎｍのレーザ光２２が集光レンズ２３により平行光となり、立ち上げミラー２４により光路を折り曲げられ、対物レンズ２５に入射する。途中前光モニター用ビームスプリッター２１で分離した一部の光は光検出器２に入る。対物レンズ２５に入射した光は光ディスク２６に集光される。光ディスク２６により反射された光は対物レンズ２５、立ち上げミラー２４、集光レンズ２３を逆に戻り、ビームスプリッター２７で反射されて光検出器２８によって光電変換されて電気信号として検出される。光検出器２８により光電変換され検出された電気信号は光ディスク２６上のピット列のＲＦ信号や、ピット列のトレースを行うためのサーボ信号として用いられる。
【００５６】
記録時においても動作は基本的に同じであるが、半導体レーザ１から出射する光量が大きく、光ディスク２６に記録が行われる。
【００５７】
本実施の形態による光ヘッド装置は、本発明のレーザ駆動装置を用いているので、半導体レーザ１の温度変化に依らずノイズを抑制し、長期にわたって安定した再生を行うことができる光ヘッド装置を提供できる。
【００５８】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３について、図９を用いて説明する。
【００５９】
図９は、本発明の実施の形態３における光情報処理装置の構成図である。
【００６０】
図９において、３１は本発明の実施の形態２で説明した光ヘッド装置であり、２６は光ディスクである。３２はモーターであり、光ディスク２６を支持し、回転させる。３３は回路基板であり、３４は電源装置である。
【００６１】
光ディスク２６はモーター３２によって回転される。光ヘッド装置３１は、光ディスク２６との位置関係に対応する信号を回路基板３３へ送る。回路基板３３はこの信号を演算して、光ヘッド装置３１もしくは光ヘッド装置３１内の対物レンズを微動させるための信号を出力する。光ヘッド装置３１もしくは光ヘッド装置３１内の対物レンズは、図示しない駆動機構によって、光ディスク２６に対してフォーカスサーボとトラッキングサーボを行い、光ディスク２６に対して情報の読み出し、または書き込みもしくは消去を行う。３４は電源または外部電源との接続部であり、ここから回路基板３３、光ヘッド装置３１の駆動機構、モーター３２及び対物レンズ駆動装置へ電気を供給する。なお、電源もしくは外部電源との接続端子は各駆動回路にそれぞれ設けられていても何ら問題ない。
【００６２】
本実施の形態による光情報処理装置は、本発明の光ヘッド装置３１を用いているため、半導体レーザ１の温度変化に依らずノイズを抑制し、長期にわたって安定した再生を行うことができる光情報処理装置を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の半導体レーザ駆動装置は、温度変化に対して電気抵抗の変化する抵抗体を備えることで、半導体レーザの温度変化によって、高周波重畳制御回路より重畳する信号の周波数を変化させノイズを抑制することが可能であり、高周波電流の周波数を一定値に固定した場合に生じる、ノイズの増加の弊害を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態１によるレーザ駆動装置の構成を示すブロック図
【図２】同レーザ駆動装置の高周波重畳信号の周波数を変化させた時の半導体レーザのノイズプロファイルを示す図
【図３】同レーザ駆動装置のサ−ミスタの抵抗値の温度特性の一例を示す図
【図４】同レーザ駆動装置の高周波重畳制御回路の接続点Ｐでの電圧と発振周波数の関係を示す特性図
【図５】同レーザ駆動装置のサ−ミスタの抵抗値の温度特性の一例を示す図
【図６】同レーザ駆動装置の高周波重畳制御回路の接続点Ｐでの電圧と発振周波数の関係を示す特性図
【図７】同レーザ駆動装置の高周波重畳制御回路の他の構成例を示すブロック図
【図８】本発明の実施の形態２における光ピックの構成図
【図９】本発明の実施の形態３における光情報処理装置の構成図
【図１０】従来のレーザ駆動装置の構成を示すブロック図
【図１１】従来の温度を変化させた時の半導体レーザのノイズプロファイルを示す図
【符号の説明】
【００６５】
１    半導体レーザ
２    光検出器
３    高周波発振器
４    直流電源
５    レーザ駆動電流
６、５６    高周波重畳制御装置
７    固定抵抗器
８    可変抵抗器
９    サ−ミスタ
２１    前光モニター用ビームスプリッター
２２    レーザ光
２３    集光レンズ
２４    立ち上げミラー
２５    対物レンズ
２６    光ディスク
２７    ビームスプリッター
２８    光検出器
３１    光ヘッド装置
３２    モーター
３３    回路基板
３４    電源
【図１】
2007310918.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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