(57)【要約】【課題】  セラミック基板１製造の歩留まりを向上させ、セラミック基板１の品質を向上させ、セラミック基板１の製造コストを低減することができるセラミック基板１等の分割方法を提供する。【解決手段】  レーザー３照射による熱応力と曲げによる応力を利用したセラミック基板１の分割方法において、分割予定線１０上に形成したＶ字溝１１に沿って分割する。又、セラミック基板１の表面側の分割予定線１０１上にＶ字溝１１を形成し、鋭利な直線部２３１を有するブレード２３の直線部２３１を前記Ｖ字溝１１の奥端に圧接し、セラミック基板１の裏面側の分割予定線１０２の両側部において二つのブレード２１、２２の直線部２１１、２２１で支持することによりセラミック基板１に曲げ応力を与えると共に、レーザー３を裏面側の分割予定線１０２に沿って照射することで熱応力を与えて分割する。【選択図】図１
2007083693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー照射による熱応力と曲げによる応力を利用したセラミック基板の分割方法において、分割予定線上に形成したＶ字溝に沿って分割することを特徴とするセラミック基板の分割方法。
【請求項２】
セラミック基板の表面側の分割予定線上にＶ字溝を形成し、鋭利な直線部を有するブレードの直線部を前記Ｖ字溝の奥端に圧接し、セラミック基板の裏面側の分割予定線の両側部において二つのブレードの直線部で支持することによりセラミック基板に曲げ応力を与えると共に、レーザーを裏面側の分割予定線に沿って照射することで熱応力を与えて分割することを特徴とする請求項１記載のセラミック基板の分割方法。
【請求項３】
セラミック基板には薄肉部を形成し、Ｖ字溝は前記セラミック基板の薄肉部に形成することを特徴とする請求項１記載のセラミック基板の分割方法。
【請求項４】
セラミック基板はＶ字溝を形成してから焼結されて成型されることを特徴とする請求項１記載のセラミック基板の分割方法。
【請求項５】
セラミック基板の裏面側の分割予定線上に分割補助溝を形成した後に分割補助溝にレーザーを照射することを特徴とする請求項２記載のセラミック基板の分割方法。
【請求項６】
Ｖ字溝に圧接されるブレードは振動させられることを特徴とする請求項２記載のセラミック基板の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、立体回路基板等の製造過程に必要な、セラミック基板の分割方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、特開平１０−７１４８３号に示される如く、セラミック基板などの脆性材料を分割する場合に、レーザー照射による熱応力と応力とを分割対象である脆性材料に加えるような、脆性材料の分割方法（すなわち、セラミック基板の分割方法）は知られている。この種のセラミック基板の分割方法では、一般に、同公報でも説明されるように、セラミック基板などの脆性材料を分割する場合に、セラミック基板を分割する切取線となる分割予定線にレーザー照射の熱応力と曲げ応力とを集中させて分割するものであった。この方法は、多数個取りのためシート状に形成された複数個のセラミック基板を分割することによってセラミック基板を取り出す、セラミック基板の製造方法にも応用が可能である。
【０００３】
例えば、図８に示す如く、セラミック基板１を表面側の分割予定線１０１、裏面側の分割予定線１０２にそって分割する場合において、表面側の分割予定線１０１に鋭利な直線部２３１を有するブレード２３の直線部２３１を圧接し、セラミック基板１の裏面側には、裏面側の分割予定線１０２と両側に平行して、ブレード２１の直線部２１１、ブレード２２の直線部２２１を圧接して、分割予定線１０１、１０２上に曲げ応力を発生させる。同時に、裏面側の分割予定線１０２にはレーザー３を照射して、分割予定線１０２に熱応力を発生させる。分割予定線１０１、１０２に加えられた曲げ応力とレーザー照射による熱応力とによって、セラミック基板１を分割することが出来る。
【０００４】
しかしながら、この場合には、曲げ応力を正確に分割予定線１０に加えるのが困難であり、表面側の分割予定線１０にブレード２３を正確に圧接するのが困難であるという問題があった。そのため、セラミック基板１を正確に分割するには、セラミック基板１の製造設備が複雑になり、それに従って製造コストが高くなるといった問題点がある。
【０００５】
また、セラミック基板１の分割精度が低ければ、セラミック基板１の歩留まりが悪くなり、製造コストが高くなる。また、分割の精度が低ければ、セラミック基板１に意図しないクラックが発生するなど、セラミック基板１の品質低下を招く、といった問題点がある。
【特許文献１】特開平１０−７１４８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明は、上記背景技術に鑑みて発明されたものであり、その課題は、セラミック基板製造の歩留まりを向上させ、セラミック基板の品質を向上させ、セラミック基板の製造コストを低減することができるセラミック基板の分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本願発明は、レーザー照射による熱応力と曲げによる応力を利用したセラミック基板の分割方法において、分割予定線上に形成したＶ字溝に沿って分割する。又、セラミック基板の表面側の分割予定線上にＶ字溝を形成し、鋭利な直線部を有するブレードの直線部を前記Ｖ字溝の奥端に圧接し、セラミック基板の裏面側の分割予定線の両側部において二つのブレードの直線部で支持することによりセラミック基板に曲げ応力を与えると共に、レーザーを裏面側の分割予定線に沿って照射することで熱応力を与えて分割する。又、セラミック基板には薄肉部を形成し、Ｖ字溝は前記セラミック基板の薄肉部に形成する。又、セラミック基板はＶ字溝を形成してから焼結されて成型される。又、セラミック基板の裏面側の分割予定線上に分割補助溝を形成した後に分割補助溝にレーザーを照射する。又、Ｖ字溝に圧接されるブレードは振動させられる。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明のセラミック基板の分割方法においては、分割予定線上に形成したＶ字溝に沿って分割するようになしたことから、セラミック基板は分割予定線に沿って分割されるようになるため、セラミック基板の分割精度が向上する。また、Ｖ字溝を形成することによって、セラミック基板の分割する肉厚が薄くなることから、分割の精度が向上すると共に、分割するための曲げ応力が小さくなるという効果があり、これらはいずれも、セラミック基板の製造設備簡略化による製造コスト低減の効果がある。さらにセラミック基板を分割する肉厚が薄くなれば、分割の速度が向上するため、単位時間当たりの生産数が向上することによる製造コストの低減が可能となるという効果がある。
【０００９】
又、セラミック基板の表面側の分割予定線に１本のブレードの直線部を圧接し、セラミック基板の裏面側の分割予定線に両側部に平行な方向にブレードを２本圧接することによる三点曲げによって、セラミック基板に曲げ応力を与えると共に、レーザーをセラミック基板の裏面側の分割予定線に沿って照射することで熱応力を与えて分割することから、セラミック基板の表面側に圧接したブレードはＶ字溝によって位置決めがされるため、圧接位置の精度を高めることが可能となり、セラミック基板の分割精度が向上して品質が向上すると共に、不良が減少することによってセラミック基板製造の歩留まりが向上することによる、更なる製造コスト低減が可能となる。
【００１０】
このとき、セラミック基板の製造設備から、セラミック基板の表面側に圧接したブレードの位置決め精度を高める機構を省略することが可能となることにより、更なる製造コスト低減が可能となる。
【００１１】
ここで、特に、曲げ応力を加えるために鋭利な直線部を有するブレードを用いた三点曲げを行っていることから、曲げ応力を分割予定線に集中させることが可能となる。さらに、曲げ応力が集中する分割予定線にレーザーを照射して熱応力を与えることから、セラミック基板の分割に必要な曲げ応力が軽減されることとなり、セラミック基板の製造設備簡略化が可能となることから更なる製造コスト低減が可能となる。
【００１２】
又、セラミック基板には薄肉部を形成し、Ｖ字溝は前記セラミック基板の薄肉部に形成することから、セラミック基板を分割する肉厚が薄くなることにより、セラミック基板の分割に必要な曲げ応力が軽減され、分割の精度向上、分割の速度向上が可能となり、更なる製造コスト低減が可能となると共に、セラミック基板の品質がより向上される。
【００１３】
又、セラミック基板はＶ字溝を形成してから焼結されて成型されることから、セラミック基板の焼結時には、Ｖ字溝の奥端部にクラックを生じやすくなる。クラックが発生したセラミック基板は、セラミック板上に分割するための余分に設けられた部分、すなわち分割代の範囲内において、Ｖ字溝の奥端部の強度を下げる効果があることから、セラミック基板の分割に必要な曲げ応力が軽減されてセラミック基板の製造設備が簡略化されて、より製造コストが低減される。また分割の速度が向上して単位時間当たりの製造量が増加し、更に製造コストが低減される。
【００１４】
又、セラミック基板の裏面側の分割予定線上に分割補助溝を形成した後に分割補助溝にレーザーを照射することから、セラミック基板を分割する肉厚が薄くなるとともに、セラミック基板は表面側のＶ字溝と裏面側の分割補助溝に沿って分割されるため、セラミック基板の分割に必要な曲げ応力軽減、分割の精度向上、分割の速度向上が可能となり、更なる製造コストの低減やセラミック基板の品質向上が可能となる。
【００１５】
又、Ｖ字溝に圧接されるブレードは振動させられることから、セラミック基板の分割速度が向上して更なる製造コストの低減を実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１〜４は、本願の請求項１、２に対応した第一実施形態であるセラミック基板の分割方法を示している。この実施形態のセラミック基板の分割方法は、図１に示す如く、レーザー３照射による熱応力と曲げによる応力を利用したセラミック基板１の分割方法において、分割予定線１０上に形成したＶ字溝１１に沿って分割する。又、セラミック基板１の表面側の分割予定線１０１上にＶ字溝１１を形成し、鋭利な直線部２３１を有するブレード２３の直線部２３１を前記Ｖ字溝１１の奥端に圧接し、セラミック基板１の裏面側の分割予定線１０２の両側部において二つのブレード２１、２２の直線部２１１、２２１で支持することによりセラミック基板１に曲げ応力を与えると共に、レーザー３を裏面側の分割予定線１０２に沿って照射することで熱応力を与えて分割する。
【００１７】
以下、第一実施形態のセラミック基板の分割方法を、より具体的詳細に説明する。図１において、セラミック基板１を三点曲げによる曲げ応力とレーザー３照射による熱応力で分割する様子を示す。多数個取りのため複数のセラミック基板１がシート状に形成されている。セラミック基板１は分割予定線１０に沿って分割されて製造される。
【００１８】
最初に、セラミック基板１の表面側の分割予定線１０１に、レーザー３を照射し、表面側の分割予定線１０１に沿って、Ｖ字溝１１を形成する。次に、セラミック基板１表面のＶ字溝１１に鋭利な直線部２３１を有するブレード２３を圧接する。このとき、直線部２３１はＶ字溝１１の奥端部に圧接されているため、ブレード２３は正確にセラミック基板１表面の分割予定線１０１に力を加えている。これと同時に、Ｖ字溝１１の形成されている側の反対側であるセラミック基板１裏面側には、裏面側の分割予定線１０２と平行に、かつ裏面側の分割予定線１０２の両側に、ブレード２１の直線部２１１とブレード２２の直線部２２１が圧接されている。これにより、３本のブレード２１、２２、２３によって、三点曲げによる曲げ応力がセラミック基板１の分割予定線１０に加えられている。
【００１９】
三点曲げによる曲げ応力をセラミック基板１に加えるのと同時に、先ほどＶ字溝１１を形成するために表面側に照射したレーザー３を、裏面側の分割予定線１０２に照射する。これによりセラミック基板１に熱応力が加えられ、セラミック基板１の分割予定線１０には、三点曲げによる曲げ応力と、レーザー３照射による熱応力が加えられて、セラミック基板１は分割される。
【００２０】
図２はセラミック基板１がＶ字溝１１の近傍に凹部１４を有する場合を示す。この場合には、Ｖ字溝１１の深さＴ２と、凹部１４の深さＴ３との間には、Ｔ２＞Ｔ３の関係が満たされることが好ましい。すなわち、Ｖ字溝１１の深さＴ２は、凹部１４の深さＴ３よりも深くすることが好ましい。
【００２１】
図２（ａ）は、Ｔ２＜Ｔ３の場合の、すなわち好ましくないＶ字溝１１の深さＴ２を有するセラミック基板１を分割した様子を示す。このような場合には、セラミック基板１を分割した分割面は、セラミック基板１の表面側の分割予定線１０１と、裏面側の分割予定線１０２とを結んだ面にならず、図２（ａ）の不良分割面Ｙの如く、凹部１４と裏面側の分割予定線１０２を結んだ面などになる可能性がある。このような場合、セラミック基板１は不良品となる。
【００２２】
このような事態を防ぐためには、図２（ｂ）に示す如く、Ｔ２＞Ｔ３として、Ｖ字溝１１の深さを凹部１４よりも深くすることが好ましい。この場合には、セラミック基板１の分割面は、図２（ｂ）の正しい分割面Ｘのように、表面側の分割予定線１０１と裏面側の分割予定線１０２を結んだ面になる。
【００２３】
図３は、セラミック基板１に対する曲げ応力について示す。三点曲げによって、曲げ応力を分割予定線１０に加えるためには、セラミック基板１の分割面Ｘに、ブレード２１、２２による曲げ応力が均等に加えられる（均等にモーメントが発生する）ようになすことが好ましい。そのために、ブレード２１を圧接してセラミック基板１に加わる力Ｐ１、ブレード２２を圧接してセラミック基板に加わる力Ｐ２、及びブレード２１の有する直線部２１１とセラミック基板１の分割面Ｘとの距離Ｌ１、ブレード２２の有する直線部２２１とセラミック基板１の分割面Ｘとの距離Ｌ２との間に、Ｐ１×Ｌ１＝Ｐ２×Ｌ２の関係を満たすようになすことが好ましい。
【００２４】
図４は、セラミック基板１表面にレーザー３を照射して、Ｖ字溝１１の深さＴ２を形成する方法を示す。Ｖ字溝１１は、熱応力を加えるレーザー３によって形成が可能であるから、ケミカルドライエッチング等の複雑な工程を必要とせず、セラミック基板１の製造工程が複雑になることは無い。図４（ａ）に示すように、レーザー３を照射してＶ字溝１１を形成する場合、レーザー３の照射角θと、セラミック基板１の表面とレーザー３の焦点との距離Ｒを調整することにより、Ｖ字溝１１の幅Ｌ３と深さＴ２を決定する。
【００２５】
Ｖ字溝１１を形成する場合には、まず図４（ｂ）に示すようにレーザー３の照射角をθ１、焦点距離をＲ１としてレーザー３を照射した後、図４（ｃ）に示すようにレーザー３の照射角をθ２、焦点距離をＲ２と設定してレーザー３を照射する。そして、このとき照射角θ１、θ２、と焦点距離Ｒ１、Ｒ２との間には、それぞれθ１＞θ２、Ｒ１＜Ｒ２の関係を満たすようになせば、照射角θと焦点距離Ｒを変更しない場合と比較して、希望のＶ字溝１１の深さＴ２に速く到達可能となる。
【００２６】
本実施形態においては、分割予定線１０上に形成したＶ字溝１１に沿ってセラミック基板１を分割するようになしたことから、セラミック基板１は分割予定線１０に沿って分割されるようになるため、セラミック基板１の分割精度が向上する。また、Ｖ字溝１１を形成することによって、セラミック基板１の分割する肉厚が薄くなることから、分割の精度が向上すると共に、分割するための曲げ応力が小さくなるという効果があり、これらはいずれも、セラミック基板１の製造設備簡略化が可能となり、製造コストを低減させる効果がある。さらにセラミック基板１を分割する肉厚が薄くなれば、分割の速度が向上するため、単位時間当たりの生産数が向上することによって、製造コストの低減が可能となるという効果がある。
【００２７】
また、セラミック基板１の表面側の分割予定線１０１に１本のブレード２３の直線部２３１を圧接し、セラミック基板１の裏面側の分割予定線１０２に両側部に平行な方向にブレード２１、２２を２本圧接することによる三点曲げによって、セラミック基板１に曲げ応力を与えると共に、レーザー３をセラミック基板１の裏面側の分割予定線１０２に沿って照射することで熱応力を与えて分割することから、セラミック基板１の表面側に圧接したブレード２３はＶ字溝１１によって位置決めがされるため、圧接位置の精度を高めることが可能となり、セラミック基板１の分割精度が向上して品質が向上する。また、セラミック基板１製造の歩留まりが向上して製造コストを低減可能となる。
【００２８】
このとき、セラミック基板１の製造設備から、セラミック基板１の表面側に圧接したブレード２３の位置決め精度を高める機構を省略することが可能となり、製造コストが低減される。
【００２９】
ここで、特に、曲げ応力を加えるために鋭利な直線部２１１、２２１、２３１を有するブレード２１、２２、２３を用いた三点曲げを行っていることから、曲げ応力を分割予定線１０に集中させることが可能となる。さらに、曲げ応力が集中する分割予定線１０にレーザー３を照射して熱応力を与えることから、セラミック基板１の分割に必要な曲げ応力が軽減されることとなり、セラミック基板１の製造設備簡略化が可能となり、製造コストが低減される。
【００３０】
第一実施形態に加えて、セラミック基板１には薄肉部１３を形成し、Ｖ字溝１１は前記セラミック基板１の薄肉部１３に形成してもよい。すなわち、図５は、本願の請求項１〜３に対応する第二実施形態であるセラミック基板の分割方法を示している。この実施形態のセラミック基板の分割方法は、図５に示す如く、セラミック基板１には薄肉部１３を形成し、Ｖ字溝１１は前記セラミック基板１の薄肉部１３に形成される。
【００３１】
以下、第二実施形態のセラミック基板の分割方法を、より具体的詳細に説明する。第一実施形態と異なる点は、分割の対象となるセラミック基板１には、セラミック形成時に、薄肉部１３が形成されている点である。薄肉部１３の厚さＴ４は、セラミック基板１の厚さＴ１よりも薄くなされており、Ｔ１＞Ｔ４の関係がある。また、セラミック基板１の分割予定線１０は、薄肉部１３にある。以下、セラミック基板１の分割方法として、セラミック基板１の薄肉部１３にある表面側の分割予定線１０１に、レーザー３を照射してＶ字溝１１を形成する工程以降は、第一実施形態と同じであるため説明を省略する。
【００３２】
第二実施形態においては、セラミック基板１には薄肉部１３を形成し、Ｖ字溝１１は前記セラミック基板１の薄肉部１３に形成することから、セラミック基板１を分割する肉厚が薄くなることにより、セラミック基板１の分割に必要な曲げ応力が軽減され、分割の精度向上、分割の速度向上が可能となり、製造コストが低減されてセラミック基板１の品質が向上される。
【００３３】
第一実施形態に加えて、セラミック基板はＶ字溝を形成してから焼結されて成型されてもよい。すなわち、図６は、本願の請求項１、２、４に対応する第三実施形態であるセラミック基板の分割方法を示している。この実施形態のセラミック基板の分割方法においては、図６に示す如く、セラミック基板１はＶ字溝１１を形成してから焼結されて成型される。
【００３４】
以下、第三実施形態のセラミック基板の分割方法を、より具体的詳細に説明する。セラミック基板１の分割工程において、最初に、セラミック基板１の形成時において、焼結前にセラミック基板１の表面にＶ字溝１１を形成する。具体的には、セラミック基板１はその製造方法において、材料となるセラミック粉体をバインダと混ぜて受け側の金型に入れ、上側から別の金型で押さえて成型して焼結するが、その上側からの別の金型はＶ字の凸状部を有しており、Ｖ字の凸状部がバインダと混ぜられたセラミック粉体を圧縮するため、焼結が完了後にはＶ字溝１１を有するセラミック基板１が形成されている。前記手順により作成されたセラミック基板１のＶ字溝１１は、その奥端部の先端にクラック１１１が発生しやすくなり、この作用でセラミック基板１の強度が低下し、分割が容易となる。
【００３５】
セラミック基板１の分割方法としては、セラミック基板１の焼結時に予めＶ字溝１１を形成しておく。以下、セラミック基板１表面のＶ字溝１１に鋭利な直線部２３１を有するブレード２３を圧接する工程以降は、第一実施形態と同じであるため説明を省略する。
【００３６】
この実施形態においては、セラミック基板１はＶ字溝１１を形成してから焼結されて成型されることから、セラミック基板１の焼結時には、Ｖ字溝１１の奥端部にクラック１１１を生じやすくなる。クラック１１１が発生したセラミック基板１は、セラミック板上に分割するための余分に設けられた部分、すなわち分割代の範囲内において、Ｖ字溝１１の奥端部の強度を下げる効果があることから、セラミック基板１の分割に必要な曲げ応力が軽減されてセラミック基板１の製造設備が簡略化される。また分割の速度が向上して単位時間当たりの製造量が増加し、製造コストの低減を実現する。
【００３７】
第一実施形態に加えて、セラミック基板１の裏面側の分割予定線１０２上に分割補助溝１２を形成した後に分割補助溝１２にレーザー３を照射してもよい。すなわち、図７は、本願の請求項１、２、５に対応する第四実施形態であるセラミック基板の分割方法を示している。この実施形態のセラミック基板の分割方法においては、図７に示す如く、セラミック基板１の裏面側の分割予定線１０２上に分割補助溝１２を形成した後に分割補助溝１２にレーザー３を照射する。
【００３８】
以下、第四実施形態のセラミック基板の分割方法を、より具体的詳細に説明する。セラミック基板１の分割方法として、図７（ａ）に、セラミック基板１を三点曲げによる曲げ応力とレーザー３照射による熱応力で分割する様子を示す。セラミック基板１は、多数個取りのためにシート状に複数個形成されている。セラミック基板１は分割予定線１０に沿って分割されて製造される。
【００３９】
最初に、セラミック基板１の表面側の分割予定線１０１に、レーザー３を照射し、表面側の分割予定線１０１に沿って、Ｖ字溝１１を形成する。次に、レーザー３をセラミック基板１の裏面の分割予定線１０２に沿って動かしながら照射する、すなわちスキャン照射を行うが、この照射は、熱応力によってセラミック基板が分割されないように行い、裏面の分割予定線１０２に分割補助溝１２が形成されるようにレーザー３の照射強度や、スキャンの速度、すなわちレーザー３を裏面の分割予定線１０２に沿って動かす速度を調節して行う。レーザー３の照射強度を、第一実施形態における熱応力をかけるための照射強度と同等にする場合には、レーザー３を裏面の分割予定線１０２に沿って動かす速度を、第一実施形態における熱応力をかけるための照射よりも速くして、高速スキャンを行う。
【００４０】
上記工程により、Ｖ字溝１１と分割補助線１２を形成した後の、セラミック基板１表面のＶ字溝１１に鋭利な直線部２３１を有するブレード２３を圧接する以降の工程は、第一実施形態と同様のため省略する。
【００４１】
この実施形態においては、セラミック基板１の裏面側の分割予定線１０２上に分割補助溝１２を形成した後に分割補助溝１２にレーザー３を照射することから、セラミック基板１を分割する肉厚が薄くなるとともに、セラミック基板１は表面側のＶ字溝１１と裏面側の分割補助溝１２に沿って分割されるため、セラミック基板１の分割に必要な曲げ応力軽減、分割の精度向上、分割の速度向上が可能となり、製造コストの低減やセラミック基板の品質が向上する。
【００４２】
第一実施形態に加えて、Ｖ字溝１１に圧接されるブレード２３を振動させてもよい。この実施形態（図示せず）は、本願の請求項１、２、６に対応する第五実施形態であるセラミック基板の分割方法である。この実施形態のセラミック基板の分割方法においては、図１におけるＶ字溝１１に圧接されるブレード２３は振動させられる。本実施形態のセラミック基板の分割方法では、図１に示す第一実施形態において、セラミック基板１の表面に形成されたＶ字溝１１にブレード２３を圧接する際、ブレード２３を振動させる。その他の工程は第一実施形態と同様につき説明を省略する。本実施形態においては、Ｖ字溝１１に圧接されるブレード２３は振動させられることから、セラミック基板１の分割速度が向上して製造コストの低減を実現する。
【００４３】
なお、本願発明は、上記実施形態に限定されない。例えば、図１に示す第一実施形態において、セラミック基板１の表面に形成されたＶ字溝１１に圧接するブレード２３の温度を低下させても良い。この場合、ブレード２３を通じて、セラミック基板１の温度が低下させられることから、レーザー３照射による熱応力の効果が増大する効果がある。また、別の例として、図１に示す第一実施形態において、セラミック基板１の表面に生成されたＶ字溝１１の奥端にブレード２３を圧接して応力を加えると同時に、ブレード２３の鋭利な直線部２３１からＶ字溝１１の奥端に向かってレーザー３を照射して熱応力を加えても良い。この場合、セラミック基板１の表面の分割予定線１０１には、ブレード２３圧接による力、３本のブレード２１、２２、２３による三点曲げの曲げ応力の他、レーザー３照射による熱応力が加えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本願発明に係る第一実施形態を示すセラミック基板の斜視図。
【図２】同セラミック基板に設けたＶ字溝の深さを説明する（ａ）（ｂ）はセラミック基板の斜視図。
【図３】同曲げ応力について説明するセラミック基板の斜視図。
【図４】同レーザーにてＶ字溝を形成する際の注意点を示す（ａ）〜（ｃ）はセラミック基板の斜視図。
【図５】本願発明に係る第二実施形態を示すセラミック基板の斜視図。
【図６】本願発明に係る第三実施形態を示すセラミック基板の斜視図。
【図７】本願発明に係る第四実施形態を示すセラミック基板の斜視図。
【図８】本願発明の先行事例であるセラミック基板の分割方法を示すセラミック基板の斜視図。
【符号の説明】
【００４５】
１  セラミック基板
10  分割予定線（セラミック基板の切取線である分割予定線）
101  表面側の分割予定線（セラミック基板の表面側の分割予定線）
102  裏面側の分割予定線（セラミック基板の裏面側の分割予定線）
11  Ｖ字溝（セラミック表面に形成されたＶ字溝）
111  クラック
12  分割補助溝
13  薄肉部（セラミック基板に形成された薄肉部）
14  凹部（セラミック基板上のＶ字溝近傍に設けられた凹部）
２  ブレード
21、22  裏面を支持するブレード（セラミック基板の裏面を支持するブレード）
23  表面を支持するブレード（セラミック基板の表面を支持するブレード）
211、221、231  ブレードの有する直線部
３  レーザー
Ｔ１  セラミック基板厚さ
Ｔ２  Ｖ字溝深さ
Ｔ３  凹部深さ（Ｖ字溝付近に設けられた凹部深さ）
Ｔ４  薄肉部厚さ（セラミック基板に形成された薄肉部厚さ）
Ｘ  分割面（セラミック基板の分割面）
Ｙ  不良分割面（セラミック基板の不良分割面）
Ｐ１  ブレード２１を圧接してセラミック基板に加わる力
Ｐ２  ブレード２２を圧接してセラミック基板に加わる力
Ｌ１  ブレード２１の有する直線部２１１とセラミック基板の分割面Ｘとの距離
Ｌ２  ブレード２２の有する直線部２２１とセラミック基板の分割面Ｘとの距離
θ、θ１、θ２  レーザーの照射角
Ｒ、Ｒ１、  セラミック基板表面とレーザー焦点間の距離
【図１】
2007083693.tif 000003
【図２】
2007083693.tif 000004
【図３】
2007083693.tif 000005
【図４】
2007083693.tif 000006
【図５】
2007083693.tif 000007
【図６】
2007083693.tif 000008
【図７】
2007083693.tif 000009
【図８】
2007083693.tif 000010