(57)【要約】【課題】  大きな床面積を必要とせずにレーザ加工装置の小型化に寄与すると共に、加工能率を向上させ、且つ他の光源を併用することにより効果的な複合加工を可能とするレーザ加工方法とレーザ加工装置を提供する。【解決手段】  レーザビームの光路上に、従来から用いられるＸ方向及びＹ方向走査用の１対のミラーレンズ７−１，８−１を備えたガルバノモータ７，８とｆ・θレンズ９を配置し、被加工物１１はＸ軸方向に移動するコンベヤ又はＸステージ上に配置する。そして、被加工物１１の移動と同期して、ガルバノモータ７，８を制御してレーザビームによる加工を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームを使用して被加工物を加工するレーザ加工方法において、被加工物をＸ軸方向に移動させながら、レーザビームを被加工物の移動に同期させて次に加工する位置の方向に、レーザビームの進路を偏向させて加工を行うことを特徴するレーザ加工方法。
【請求項２】
レーザビームを使用して被加工物を加工するレーザ加工装置において、コンベヤまたはＸステージ上の被加工物をＸ軸方向に移動させながら、レーザビームを被加工物の移動に同期させて次に加工する位置の方向にレーザビームの進路を偏向させて加工を行うことを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項３】
被加工物の移動時間内に加工位置の移動に基因する加工寸法が変化するのを見込んでレーザビームを被加工物を固定してレーザ加工を行う場合よりもレーザビームの集光寸法を小さくしたことを特徴とする請求項２記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
レーザビームの断面形状をアパーチャを用いて円形または円形以外の形に整形することを特徴とする請求項２記載または請求項３記載のレーザ加工装置。
【請求項５】
周辺部を露光する光源を併用することを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の液晶基板露光マーキング用レーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザ加工方法と、そのレーザ加工方法を適用したレーザ露光マーキング装置やパターン加工装置等のレーザ加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザビームを用いたレーザ加工装置には、従来、レーザビームを動かさずにＸ−Ｙテーブル上の被加工物をＸ−Ｙ方向に移動させることにより、被加工物を加工する方式のものと、被加工物を固定してレーザビームをガルバノスキャナ等を使用してレーザビームを偏向させ、f・θレンズでレーザビームを集光して被加工物を加工する方式のものがあった。
【０００３】
又、一般的にはレーザはパルスレーザであれ、連続発光レーザであれ、加工する時間で見れば、ほとんど連続発光しているため、レーザビームの発光、遮断の高速コントロールはＡＯＭと呼ばれる音響素子を使用した露光シャッタ装置を制御して加工面に到達するレーザビームをＯＮ−ＯＦＦすることによってレーザ加工を行うようにしている。
【特許文献１】実用新案登録３０９５８７４号公報
【特許文献２】特開平１１−２７１９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記前者の方式は、被加工物をＸ−Ｙ方向に移動させて加工を行うものであるため、大きな床面積を必要とし、レーザ加工装置の小型化には向いていない。
【０００５】
又、上記後者の方式は、被加工物を固定してレーザビームを動かして加工するため、加工部分の加工が終了するまでの加工時間がかかるという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、大きな床面積を必要とせずにレーザ加工装置の小型化に寄与すると共に、加工能率を向上させかつ、他の光源を併用することにより複合加工を可能とするレーザ加工方法とレーザ加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、本発明の第１の手段は、レーザビームを使用して被加工物を加工するレーザ加工方法において、被加工物をＸ軸方向に移動させながら、レーザビームを被加工物の移動に同期させて次に加工する位置の方向にレーザビームの進路を偏向させて加工を行うことを特徴するレーザ加工方法である。
【０００８】
また、本発明の第２の手段は、レーザビームを使用して被加工物を加工するレーザ加工装置において、コンベヤまたはＸステージ上の被加工物をＸ軸方向に移動させながら、レーザビームを被加工物の移動に同期させて次に加工する位置の方向にレーザビームの進路を偏向させて加工を行うことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第３の手段は、被加工物の移動時間内に加工位置の移動に基因する加工寸法が変化するのを見込んでレーザビームを被加工物を固定してレーザ加工を行う場合よりもレーザビームを小さな集光寸法にしたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の第４の手段は、レーザビームの断面形状をアパーチャを用いて円形または円形以外の形に整形することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の第５の手段は、本発明を液晶基板露光マーキング用のレーザ加工装置に適用する場合、周辺部を露光する他の光源を併用することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の第１の手段によれば，液晶基板露光マーキング用のレーザビーム加工を行う場合のように，従来別工程で行っていたＩＤ部と周辺部の露光を同時に行うことが可能となりレーザビーム加工のタクトタイムを著しく短縮することができるようになる。
【００１３】
本発明の第２の手段によれば、レーザビーム加工時間を短縮でき、能率のよい液晶基板露光マーキング用レーザビーム加工装置等のレーザ加工装置を提供することが可能となる。
【００１４】
本発明の第３又は第４の手段によれば、適正な断面寸法のレーザビームによる露光ができる。
【００１５】
本発明の第５の手段によれば、従来別工程で行っていたＩＤ部と周辺部の露光を同時に行うことが可能となり、レーザ加工のタクトタイムを著しく短縮することができるレーザビーム加工装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の基本的実施の形態とレーザ加工方法について図面に基づき説明する。
【００１７】
図１は固体レーザ発生装置又は気体レーザ発生装置１(以下、レーザ発生装置という)を用いた場合のレーザ加工装置の基本構成を示す斜視図で、レーザ発生装置１から出射したレーザビームは音響素子を用いたＡＯＭと呼ばれる露光シャッタ装置２の入射側アパーチャ２−１に入射し、露光シャッタ装置２の出射側アパーチャ２−２より出射したレーザビームは全反射ミラー３で進路を変更し、入射側エキスパンダーレンズ４と出射側エキスパンダーレンズ５によってレーザビームの径を拡大し、アパーチャ６により整形した後、ガルバノスキャナのＸ軸方向用のガルバノ７のミラーレンズ７−１と、Ｙ軸方向用のガルバノ８のミラーレンズ８−１により垂直下面側にレーザビームは曲げられ、ｆ・θレンズ９によって集光され、Ｘステージ１０上の定位置に設置された被加工物１１の露光面にレーザビームが照射されるように構成されている。
【００１８】
本発明は、例えば２Ｄコード等をマーキングする場合、被加工物１１(例えば液晶基板)をＸ方向と反対方向に被加工物１１を移動させながら、この移動に同期してガルバノスキャナを構成するガルバノモータ７，８の各ミラーレンズ７−１，８−１を制御してレーザビームを偏向させ、レーザビームを照射する位置を走査する共に、露光シャッタ装置２を制御してレーザビームを断続させてレーザビームによる露光マーキングを行うものである。
【００１９】
本発明にかかる上記レーザ加工方法の効果は、Ｘ軸方向は被加工物１１の流れの方向であるためＹ方向には特別余分の床面積を必要とせず、移動時間だけ加工時間の短縮を達成し得ることである。
【００２０】
そして、本発明における被加工物をＸ軸方向に移動させるという方式は、次のような複合加工を行うことを可能にするという効果がある。即ち、例えば、液晶基板１１(被加工物)にＩＤとして２次元コードをマーキングする場合、従来方式による場合は全ての２次元コードのマーキングを完了してから、周辺部の不要なレジストを露光するというＩＤ部露光と周辺部露光の２つの工程が必要であったため、液晶基板を搭載するＸステージのＸ軸方向寸法が大きくなるという問題と、加工時間がかかるという問題があったが、後記実施例のように周辺部露光用の他の光源を併設してＩＤ部露光と周辺部露光を同時に行うことにより、全体の露光マーキング処理時間を著しく短縮することができる。
【００２１】
図２は２次元コードの１８×１８のセルを露光する場合の従来のレーザ加工方法によるタイミングチャートを示し、ガルバノ位置信号１５００μｓの間にガルバノミラーが偏向してレーザ発振中のレーザ発生装置１から出射されるレーザビームが露光シャッタ装置２が３００μｓＯＮする事により液晶基板１１に３００μｓの間到達して１個のセルを露光マーキングする。
【００２２】
次のセルも同様にガルバノ位置信号が与えられている１５００μｓの間にガルバノミラーが偏向してレーザ発振中露光シャッタ装置２が３００μｓＯＮする事によりレーザビームが液晶基板１１に３００μｓの間到達して１個のセルを露光マーキングする。
【００２３】
一つの２次元コードの全てのセルの露光マーキングが終了すると、次の２次元コードも同様に露光され、液晶基板１１にマーキングすべき全ての２次元コードが露光されてから液晶基板１１がＸ軸方向に移動して次工程に渡され、そこで周辺部露光が行われる。
【００２４】
この従来の加工方法に対し、本発明によるレーザ加工方法では、液晶基板１１が２０ｍｍ／ｓｅｃのスピードでＸ軸方向に移動している場合、３００μｓｅｃの間、図３に示すように断面が円形１２のレーザビームで露光している間に液晶基板１１は２０ｍｍ／ｓ×０．３ｍｓ＝０．００６ｍｍ、即ち６μｍ元の位置より円形１３の位置に動いている事になるので、レーザビームをそのまま集光して、丸い形状で露光する場合、図４に示すように露光する径が１００μｍの場合、Y方向の径は６％小さな露光径として露光すればよい。かくすればＸ軸方向は３００μｓの間に移動しても１００μｍの大きさとなる。Ｙ方向は６％小さい径のままであるが、2次元コードとしての機能には支障を来さない。
【００２５】
そして次にセルを露光する場合、最初のセルを露光してから１５００μｓのガルバノミラー偏向待ち時間と、レーザ露光時間３００μｓの１８００μｓの時間分移動した事になるので、液晶基板移動速度を２０ｍｍ／ｓとすると、２０ｍｍ／ｓ×１．８ｍｓ＝０．０３６ｍｍ、即ち３６μｍ液晶基板が固定されている場合の位置より動いているので、次に露光する位置にレーザ集光点を持って行く様にガルバノミラーの偏向角度をその分調整して動かせば液晶基板の正しい位置に露光できる。以下同様に露光する事により１８×１８のセルを露光できる。
【００２６】
例えば図６で液晶基板がＸ方向に移動している場合、Ｘ方向７，Ｙ方向５の１６の位置に露光後、Ｘ軸方向５，Ｙ方向５の１７の位置に露光する場合、液晶基板が２０ｍｍ／ｓでＸ軸方向と反対方向に移動している場合には、１６と１７の間隔は２００μｍであるが、１６を露光後、１７を露光するまでガルバノミラー待ち時間として１５００μｓ、露光時間３００μｓであるので、その合計時間を見込んで２００μｍから３６μｍ引いた１６４μｍ反Ｘ方向にレーザビームを集光するようにガルバノミラーを偏向させることにより目的位置に露光させることができる。
【００２７】
Ｙ方向に露光する場合も同様であり、又、ＸＹ両方向に離れている箇所に露光する場合も同様である。
【００２８】
図７はそのようにして露光してマーキングした２次元コードの例である。なお、１８は２次元コードの横線、１９は２次元コードの縦線である。
【００２９】
本例ではレーザビームを広域に振って露光する為、ｆ・θレンズ９とＸ方向とＹ方向にレーザビームを振る２個のガルバノミラーを使用しているので、レンズのデイストーション特性と２次元走査するガルバノミラーの図形歪の関係で、図８に示すように本来×で示した箇所に集光される光線が、●で示した箇所に集光するという現象が起こる為、先にその装置でこの図形歪分を予め測定してその歪分を補正した位置にレーザビームを集光するように制御することによってより正確な位置に露光でき、綺麗なセルをマーキングする事が出来る。
【００３０】
図５は、露光マーキング形状を丸い形ではなく、四角形にする場合の露光である。レーザビームの断面形状は丸いので、そのまま集光すると丸い形になるので四角い穴を開けたアパーチャを設置して露光面に集光する際の形状をＹ方向に長い長四角形状とする。この場合、液晶基板が移動すると長四角が１４から１５まで移動する。即ち長四角の短辺側が伸びる形となり四角形状となり四角形の露光がなされることになる。
【００３１】
以上の説明から明らかなように本発明のレーザ加工方法では、液晶基板１１の露光面で２Ｄコード等をマーキングする際、Ｘ方向と反対方向に液晶基板を流しながら２Ｄコード等をマーキングする為、図６で説明した様に液晶基板の流れる速さから次に露光すべき位置を液晶基板１１の移動量をロータリ・エンコーダ等の位置検出センサ(図示せず)で検出し、図形歪補正量等を勘案計算して、その場所にレーザビームが集光する様にガルバノミラーを偏向させレーザ加工を行うものである。
【００３２】
図１には、図示してないが、従来別々の工程で行なっていた、液晶基板の周辺部分の露光を、超高圧水銀灯やＵＶ−ＬＥＤを使用した周辺露光装置を併設して露光する事により、液晶基板の移動中ＩＤ部分と共に周辺部分を同時に加工することが可能となり、タクトタイムの短縮に大きな効果がある。またＹ方向には移動させない方式のため装置面積を小さくする事が出来る。
【００３３】
図１では、レーザビーム発生装置１として固体レーザや気体レーザを使用した場合であるため、露光シャッタ装置２により１次光を利用して高速スイッチングするようになっているが、レーザ発生装置１として半導体レーザであるＬＤ（レーザダイオード）を使用する場合は、ＬＤの立ち上がりが早い為、スイッチングをレーザ電源の制御により行う事が出来るので露光シャッタ装置２は不要であることは勿論である。
【００３４】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００３５】
図９はレーザ発生装置２１として固体レーザ発生装置又は気体レーザ発生装置を用いた場合の２次元コードマーキング用レーザ加工装置におけるＩＤ部を露光するための構成を示す斜視図であり、説明の便宜上周辺部を露光するための構成と、発明の本質に関わらない部分は図示を省略してある。
【００３６】
図９において、２２はＣＰＵを内蔵したメインコントローラ、２３はキーボード、２４はモニターで、メインコントローラ２２はキーボード２４による指示に基づきスキャナ制御装置２５に制御信号を与え、スキャナ制御装置２５はレーザ電源２６を起動してレーザ発生装置２１を動作させてレーザビームを出射させると共に、ガルバノスキャナ２７を駆動させる。
【００３７】
レーザ発生装置２１から出射されたレーザビームはＡＯＭと呼ばれる露光シャッタ装置２８、全反射ミラー２９、入射側エキスパンダーレンズ３０、出射側エキスパンダーレンズ３１、レーザビーム整形用アパーチャ３２、ガルバノスキャナ２７とｆ・θレンズ３３を通ってＸステージ３４上の定位置に設置された液晶基板３５上に照射される。
【００３８】
露光シャッタ装置２８はメインコントローラ２２からの制御信号によって、スキャナ制御装置２５及びＡＯＭ制御装置３６を介してＯＮ・ＯＦＦ動作してレーザビームを断続させるように構成されている。
【００３９】
３７は液晶基板３５のエッジセンサとしてのＣＣＤカメラで、液晶基板３５が正しい位置にあるか否かを検出するものである。ＣＣＤカメラ３７の検出信号はイメージチェッカー３８を介してメインコントローラ２２に伝達され、モニター２４で液晶基板の状態を監視することもできる。
【００４０】
ＣＣＤカメラ３７，３７の検出信号により液晶基板３５がＸステージ３４上の正しい位置にないことが検出された場合は、その検出信号に基づき図示しない機構が動作して正しい位置に移動せしめられ、正しい位置にあることが検出されたとき、公知の吸着装置(図示せず)によってＸステージ３４上に固定されるように構成されている。
【００４１】
レーザビームの走査開始位置と終了位置は、レーザビーム位置検出センサ３９，３９によって検出され、その検出信号は、スキャナ制御装置２５と、このスキャナ制御装置２５を介してメインコントローラ２２へ伝送される。
【００４２】
一方Ｘステージ３４は、メインコントローラ２２の指令信号によりＰＬＣ(プログラマブル・ロジック・コントローラ)４０及びモータドライバ４１を介してＸ軸方向駆動モータ４２によりＸ軸方向に駆動制御され、Ｘステージ３４のＸ軸方向の移動速度又は移動量は、ロータリ・エンコーダ、フォトセンサ等を用いた位置検出センサ４３によって検出され、その検出信号はＰＬＣ４０と、ＰＬＣ４０を介してメインコントローラ２２に伝送され、レーザビームを次にどの方向及びどの位置に移動させるかを演算するための情報として用いられる。
【００４３】
図中４４はレーザパワーセンサで、その検出信号はスキャン制御装置２５を介してメインコントローラ２２に伝送され、実際のレーザビームの光量がキーボード２３で設定した光量となっていない場合は、スキャナ制御装置２５を介してレーザ光源２６を制御してレーザビームの光量が設定光量となるように制御されるように構成されている。
【００４４】
以上説明した本発明にかかるＩＤ部を露光するための装置は、従来装置のように液晶基板３５を固定した状態でガルバノスキャナ２７でマーキングを行う方式ではなく、液晶基板３５をＸ軸方向に移動しながらマーキングを行う方式であるので、レーザビームで次の位置をマーキングするために、液晶基盤の移動速度又は移動量と段落[００３１]記載の図形歪分補正情報等から次にレーザビームでマーキング位置をメインコントローラ２２で演算してガルバノスキャナ２７を駆動させるものである。
【００４５】
そして、このようなＸステージ移動方式を採った効果は、次に説明するように、周辺部露光装置を併用することにより、従来、次工程で行っていた２次元コード等をマーキングした液晶基板３５の周辺部の同時露光（同時加工）が可能となり、そのマーキング時間を著しく短縮できるようになり、生産性の向上に大いに役立つものである。
【００４６】
図１０は理解を容易にするため実施例１の周辺部露光用装置を主として描いた斜視図で、４５ａ及び４５ｂはリードスクリュー等によりＹ方向の配置を調整可能の周辺部露光装置用のＵＶランプ４６ａ,４６ｂ（ＬＥＤでもよい）を搭載したＹステージ、４７−１,４７−２はＵＶ光量センサ、４８はＵＶランプ４６ａ,４６ｂの位置制御と、ＵＶランプ４６ａ,４６ｂの光量を検出して各ＵＶランプの光量を適正の値に制御する周辺部露光制御用のコントローラである。
【００４７】
周辺部露光制御用コントローラ４８はメインコントローラ２２に接続されていて、ＵＶランプ４６ａ,４６ｂのＹステージ４５ａ及び４５ｂ上の位置制御並びにＵＶランプ４６ａ,４６ｂの光量及び点灯制御はメインコントローラ２２によって行われているよう構成されている
【００４８】
従って、図１０に示すように液晶基板３５周辺部の両側ライン３５ａ、３５ｂのマーキングは液晶基板３５の移動中ＩＤ部のマーキングと同時に行うことができる。
【００４９】
従来、例えば、図１１に示すように、液晶基板３５にＩＤ部分Ｐと周辺部のライン３５ａ，３５ｂをマーキングするような場合、Ｘステージ３４又はコンベヤ上に固定した液晶基板３５に先ずＩＤ部Ｐをレーザビームでマーキングし、次にＸステージ３４又はコンベヤを移動させて固定されたＵＶランプ４６ａ，４６ｂ又はＬＥＤによって周辺部のライン３５ａ、３５ｂをマーキングするという別々の工程を採っていた。
【００５０】
その為、ＩＤ部Ｐと周辺部のライン３５ａ、３５ｂを分けてマーキングするという従来方式では、液晶基盤が大きくなればなるほど周辺部のマーキングのための露光時間が長くなるので、タクトタイムが長くなるという問題があった。
【００５１】
本発明では、液晶基板３５を移動させながら、ＩＤ部Ｐをマーキングする方法であるため、ガルバノスキャナ２７の制御は従来より複雑となるが、前述のように移動する液晶基板３５の移動速度又は移動量を検出して、その情報に基づき、ガルバノスキャナ２７を制御してレーザビームをスキャニングさせる方法を採り、図１０に示したようにＵＶランプ又はＬＥＤによる周辺露光用ＵＶランプ４６ａ，４６ｂを併用し、ＩＤ部Ｐのマーキングと周辺部のライン３５ａ、３５ｂのマーキングを同時に行うことにより、タクトタイムの大幅な短縮が達成される。
【００５２】
図１２はレーザ発生装置２１として固体レーザ発生装置又は気体レーザ発生装置を使った場合の本発明に係る実施例１の制御系の接続を示すブロック図である。
【実施例２】
【００５３】
図１３は図１１に示して液晶基板３５のマーキングにおいて、図９及び図１０に示したマーキング装置によりＩＤ部ＰとＸ方向の周辺部のライン３５ａ及び３５ｂのマーキングを行った後、Ｙ方向の周辺部のライン３５ｃ及び３５ｄのマーキングを行うことが出来るように構成した異なる実施例の構成を示す斜視図で、説明の便宜上ＩＤ部Ｐをマーキングするための詳細な構成については図示を省略してある。
【００５４】
４５ｃ及び４５ｄはリードスクリュー等によりＹ方向の配置を調節可能の周辺露光装置用のＵＶランプ４６ｃ，４６ｄ(ＬＥＤでもよい)を搭載したＹステージ、４３−３，４３−４は位置検出センサ、４７−３，４７−４はＵＶ光量センサで、それぞれコントローラ４８’を介してメインコントローラ２２に接続されている。
【００５５】
Ｙ方向の周辺部のライン３５ｃと３５ｄは、前記したＩＤ部Ｐと周辺部のライン３５ａと３５ｄのマーキングを終了してから、液晶基板３５を図示の位置に移動させた後、ＵＶランプ４６ｃ，４６ｄをＹ方向に移動させてＹ方向の周辺部３５ｃと３５ｄのマーキングを行うものである。
【００５６】
従って、この実施例によれば、図１１に例示した液晶基板３５の露光マーキングは、Ｘステージ３４上に設定された液晶基板３５のＸ軸方向の移動により、先ずＩＤ部Ｐと両側周辺部のライン３５ａと３５ｂのマーキングを同時に行い、そのマーキングが完了してから，Ｙ方向の周辺部のライン３５ｃと３５ｄのマーキングが行われるもので、従来方式を採った場合よりも能率的に液晶基板のマーキングを行うことが出来、生産性を向上することが出来るものである。
【００５７】
図１４はレーザ発生装置として固体レーザ発生装置又は気体レーザ発生装置を使用した場合の本発明に係る実施例２の制御系の接続を示すブロック図である。
【実施例３】
【００５８】
レーザ発生装置２１として半導体レーザであるＬＤを使用する場合は、段落[００３５]で説明したように、ＬＤの立ち上がりが早いため、スイッチングをレーザ電源の制御により行うことができるので、図９、図１０及び図１３中の露光シャッタ装置２８及びＡＯＭ制御装置３６は不要で省略することができる。
【００５９】
以上、ここでは液晶基板の２次元コードマーキング装置に関連して説明したが、本発明はプリント基板穴あけ等のレーザ加工装置に適用し得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明に係るレーザ加工装置の基本構成を示す斜視図。
【図２】１８×１８のセルを露光する場合の従来のレーザ加工方法によるタイミングチャート。
【図３】本発明における断面円形のレーザビームの変化を示す説明図。
【図４】本発明においてレーザビームのＸ軸方向の露光する径を１μｍとした場合のＹ方向の径との関係を示す図。
【図５】本発明において、１辺１００μｍの正方形の露光に必要なレーザビームの断面形状の説明図。
【図６】本発明におけるレーザビームの偏向についての説明図。
【図７】２次元コードの一例を示す図。
【図８】２次元コードをマーキングする場合のガルバノスキャナの動作に伴うｆ・θレンズのディストーション特性を示す図。
【図９】本発明の実施例１におけるＩＤ部を露光するための構成を示す斜視図。
【図１０】本発明の実施例１における周辺部露光用装置を主として描いた斜視図。
【図１１】液晶基板のマーキング例を示す図。
【図１２】本発明に係る実施例１の制御系の接続を示すブロック図。
【図１３】本発明に係る実施例２の周辺部露光装置を主として描いた斜視図。
【図１４】本発明に係る実施例２の制御系の接続を示すブロック図。
【符号の説明】
【００６１】
１，２１             レーザ発生装置
２，２８             露光シャッタ装置
３，２９             全反射ミラー
４，３０             入射側エキスパンダレンズ
５，３１             出射側エキスパンダレンズ
６，３２             アパーチャ
７,８                ガルバノモータ
９，３３             ｆ・θレンズ
１０，３４           Ｘステージ
１１                 被加工物
１２，１３           円形レーザビームの断面
１４，１５           矩形レーザビームの断面
１６，１７           レーザビームの露光位置
１８                 ２次元コードの横線
１９                 ２次元コードの縦線
２２                 メインコントローラ
２３                 キーボード
２４                 モニター
２５                 スキャナ制御装置
２６                 レーザ電源
２７                 ガルバノスキャナ
３５                 液晶基板
３６                 ＡＯＭ制御装置
３７                 ＣＣＤカメラ
３８                 イメージチェッカー
３９                 レーザビーム位置検出センサ
４０                 ＰＬＣ
４１                 モータドライバ
４２                 Ｘ軸方向駆動モータ
４３                 位置検出センサ
４４                 レーザパワーセンサ
４５ａ〜４５ｄ       Ｙステージ
４６ａ〜４６ｄ       ＵＶランプ
４７−１〜４７−４   ＵＶ光量センサ
４８                 コントローラ
Ｐ                   ＩＤ部
【図１】
2007301610.tif 000003
【図２】
2007301610.tif 000004
【図３】
2007301610.tif 000005
【図４】
2007301610.tif 000006
【図５】
2007301610.tif 000007
【図６】
2007301610.tif 000008
【図７】
2007301610.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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