(57)【要約】【課題】  製品外観及び剥離強度を損なわず、寸法安定性が良好であり、微細配線パターンを形成でき、線間絶縁抵抗低下がない高密度回路基板材料に適するフレキシブル銅張積層板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムからなり、極薄銅箔の厚みが１μｍ以上５μｍ以下であり、２０℃，６０％ＲＨで９６時間放置後の線間絶縁抵抗が１０10Ω以上であるキャリア付きフレキシブル銅張積層板、及びキャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムを、前記熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃以上の高い温度且つ４００℃以下の温度で加熱圧着し、その後、冷却してキャリアを剥がすときの温度が１５℃以上１００℃以下であるフレキシブル銅張積層板の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムからなり、極薄銅箔の厚みが１μｍ以上５μｍ以下であり、２０℃，６０％ＲＨで９６時間放置後の線間絶縁抵抗が１０10Ω以上であることを特徴とするキャリア付きフレキシブル銅張積層板。
【請求項２】
極薄銅箔とポリイミドフィルムとの剥離強度が０．５Ｎ／ｍｍ以上であり、キャリアと極薄銅箔との剥離強度が０．０１Ｎ／ｍｍ以上０．３Ｎ／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のキャリア付きフレキシブル銅張積層板。
【請求項３】
寸法変化率が±０．２０％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のキャリア付きフレキシブル銅張積層板。
【請求項４】
キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムを、前記熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃以上の高い温度且つ４００℃以下の温度で加熱圧着し、その後、冷却してキャリアを剥がすときの温度が１５℃以上１００℃以下であることを特徴とするフレキシブル銅張積層板の製造方法。
【請求項５】
キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムを加熱圧着する方法が、少なくとも１対の加熱金属ロールにより連続で行うことを特徴とする請求項４に記載のフレキシブル銅張積層板の製造方法。
【請求項６】
キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムとの加熱圧着後の冷却温度が、２５℃〜前記熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃低い温度の範囲であることを特徴とする請求項４又は５に記載のフレキシブル銅張積層板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品として利用されているプリント基板やフレキシブルプリント基板に使用されるフレキシブル銅張積層板であって、特にキャリア付き極薄銅箔を備えたフレキシブル銅張積層板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス技術の急速な進歩は、近年、電子機器の高性能化、高機能化及び小型化を進めている。これに伴い、半導体素子などの電子部品の高密度実装が可能なフレキシブル銅張積層板が求められている。特に、配線幅が１０μｍ〜４０μｍとなる微細配線パターン加工に適するフレキシブル銅張積層板で、銅箔の厚みが９μｍ未満のものが求められている。
【０００３】
これには、例えばエッチング法がある。この方法では、９μｍ以上の銅箔を貼り合わせた銅張積層板の銅箔をエッチングにより、例えば厚み５μｍ程度にする。なお、９μｍ未満の銅箔の張り合わせは難しく、皺などの外観不良が発生しやすい。更に、良好に張り合わせたとしても、この方法はエッチング環境管理、即ち液成分組成や液温度、処理時間の管理が難しく、エッチング量に偏りが生じやすい。このような不均一なエッチングでは、通電不良が起こるために正確な回路が形成できない場合もある。
【０００４】
更には、メタライジング法がある。この方法では、ポリイミドフィルム上にスパッタリングで２００ｎｍ程度の非常に薄い銅層を形成して、これに電気めっきにより銅を堆積して極薄銅層として銅張積層板を得る。この方法は、スパッタリングや電気めっきを行うための処理が必要となり、製造コストが非常に高くなる。また、スパッタリング時に薄い銅層にピンホールなどの欠陥ができやすく、これがメッキ不良となることが多い。更に、均一なメッキ層形成が難しく、不均一な形成の場合には銅層の剥離強度が低くなる。
【０００５】
エッチング法、メタライジング法の上記欠点を改善する方法として、ポリイミドフィルムに接着剤層を設けて、これにキャリア付き極薄銅箔を貼り合わせてなるフレキシブル銅張積層板の製造方法が提案されている。この方法で得られるフレキシブル銅張積層板は、貼り合わせ時に皺や発泡など外観不良が発生しやすく、たとえ外観が良好であっても、微細配線パターンの形成不良があり、線間絶縁抵抗低下を招きやすい。
【０００６】
なお、本発明に関連する公知文献としては、下記のものがある。
【特許文献１】特開２００４−０４２５７９号公報
【特許文献２】特開２００３−３４０９６３号公報
【特許文献３】特開２００２−３１６３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、製品外観及び剥離強度を損なわず、寸法安定性が良好であり、微細配線パターンを形成でき、線間絶縁抵抗低下がない高密度回路基板材料に適するフレキシブル銅張積層板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、ポリイミドフィルムに接着剤層を設けて、これにキャリア付き極薄銅箔を貼り合わせてなるフレキシブル銅張積層板の製造方法において、キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムを所定の範囲内の温度で加熱圧着し、冷却後に所定の温度範囲内でキャリアを剥がすことにより、製品外観及び剥離強度を損なわず、寸法安定性が良好であり、微細配線パターンを形成でき、線間絶縁抵抗低下がない高密度回路基板材料となり得るフレキシブル銅張積層板が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、
〔１〕キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムからなり、極薄銅箔の厚みが１μｍ以上５μｍ以下であり、２０℃，６０％ＲＨで９６時間放置後の線間絶縁抵抗が１０10Ω以上であることを特徴とするキャリア付きフレキシブル銅張積層板、
〔２〕キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムを、前記熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃以上の高い温度且つ４００℃以下の温度で加熱圧着し、加熱圧着後に冷却し、キャリアを剥がすときの温度が１５℃以上１００℃以下であることを特徴とするフレキシブル銅張積層板の製造方法
を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の製造方法によれば、皺の発生やキャリア剥離などによる外観不具合がなく、極薄銅箔とポリイミドフィルムの剥離強度が高く、寸法変化率が良好なフレキシブル銅張積層板を得ることができる。
また、キャリアと極薄銅箔との剥離強度が適当であるために、不具合なくキャリアを剥離して外観良好な極薄銅箔を有するフレキシブル銅張積層板を得ることができる。
また、線間絶縁抵抗値が１０10Ω以上であるために、配線幅が１０μｍ〜４０μｍとなる微細配線パターン加工に適するフレキシブル銅張積層板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のフレキシブル銅張積層板は、キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムからなるものである。本発明で使用するキャリア付き極薄銅箔には、キャリア用銅箔と極薄銅箔の間に剥離層が設けられている。
【００１２】
極薄銅箔の厚みは１μｍ〜５μｍであり、好ましくは３μｍ〜５μｍである。銅箔の厚みが１μｍ未満であると、回路形成不良が発生し、電気特性低下となり、ひどい場合には断線してしまう。また、銅箔の厚みが５μｍより大きいと、微細回路形成はできない。
【００１３】
また、キャリア部分の厚みとしては１５μｍ〜３５μｍ程度が好ましい。キャリア部分の厚さが１５μｍ未満であると、いわゆるコシがなく、熱ラミネートする際に皺が生じやすいなどの不都合が生じるおそれがある。また、キャリア部分の厚さが３５μｍを超えると、ラミネート前後で走行中に剥がれてしまうなどの不都合が生じるおそれがある。
【００１４】
このようなキャリア付き極薄銅箔としては、例えば、三井金属鉱業（株）製のＭｉｃｒｏｔｈｉｎ、古河電気工業（株）製のＦ−ＤＰ等がある。
【００１５】
本発明で使用する熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムは、好ましくはガラス転移温度が３５０℃以上であるポリイミドの両面に、ガラス転移温度が３００℃以下である熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムである。
【００１６】
中心層となるポリイミドはフレキシブル銅張積層板の耐熱性を高めるため、ガラス転移温度が３５０℃以上であることが好ましく、更に好ましくは４００℃以上である。
【００１７】
また、中心層のポリイミドフィルムの両面に形成されている熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度は３００℃以下、特に２８０℃以下であることが好ましく、半田耐熱などの面から好ましくは２００℃以上、より好ましくは２２０℃以上である。ガラス転移温度が３００℃を超えると加熱圧着時に圧着温度が高温となるために皺などの外観不良となる場合がある。
【００１８】
熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムの全体の厚さは、取り扱いの点から５μｍ以上５０μｍ以下、特に１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。なお、熱圧着性ポリイミド層の厚みは、銅箔との貼り合わせを目的とするために５μｍ以下で十分である。
【００１９】
本発明で使用するポリイミドフィルムは、前記中心層のポリイミドの両面に熱圧着性ポリイミド層が形成されているポリイミドフィルムであるが、これらを形成する方法は、特に制限なく、通常用いられている方法を用いればよい。例えば、中心層のポリイミドをフィルムに成型後、その両面に熱圧着性ポリイミドを塗布もしくは張り合わせてもよいし、中心層のポリイミドフィルム層と両面の熱圧着性ポリイミド層を同時にフィルム成型してもよい。成型法は、いわゆる一般的な通常のポリイミド成型方法でよく、キャスティング法や押し出し法などが利用できる。
【００２０】
本発明で使用されるポリイミドフィルムの中心層のポリイミドは、適当な酸無水物とジアミンから合成されるポリアミック酸をイミド化することにより作られたものでよく、製造方法は特に限定されずに既存の製造方法でよい。また、一般に市販されているポリイミドフィルムを使用することも可能である。例えば、鐘淵化学工業（株）製のアピカル、東レ・デュポン（株）製のカプトン、宇部興産（株）製のユーピレックスなどがある。
【００２１】
なお、本発明のポリイミド製造時に使用される酸無水物としては、テトラカルボン酸無水物並びにその誘導体等が挙げられる。なお、ここではテトラカルボン酸として例示するが、これらのエステル化物、酸無水物、酸塩化物も勿論使用できる。ピロメリット酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸等が挙げられる。また、トリメリット酸及びその誘導体等も挙げられる。
また、反応性官能基を有する化合物で変成し、架橋構造やラダー構造を導入することもできる。
【００２２】
更に、本発明のポリイミドフィルム製造時に使用されるジアミンとしては、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、２’−メトキシ−４，４’−ジアミノベンズアニリド、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノトルエン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，２−ビス（アニリノ）エタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノベンゾエード、ジアミノジフェニルスルフィド、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，５−ジアミノナフタレン、ジアミノトルエン、ジアミノベンゾトリフルオライド、１，４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、ジアミノアントラキノン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニルスルホン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオロプロパン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロプロパン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（２−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジトリフルオロメチルフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４’−ビス（４−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ベンジジン、３，３’，５，５’−テトラメチルベンジジン、オクタフルオロベンジジン、３，３’−メトキシベンジジン、ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、２，２’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロトリジン、４，４’’−ジアミノターフェニル、４，４’’’−ジアミノクォーターフェニル等のジアミン類、並びにこれらのジアミンとホスゲン等の反応によって得られるジイソシアネート類、更にジアミノシロキサン類等が挙げられる。
【００２３】
本発明のフレキシブル銅張積層板の製造方法としては、まず、キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムを、前記熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃以上高い温度〜４００℃以下の温度で加熱圧着する。
【００２４】
加熱圧着する方法としては一般的な通常の方法でよく、例えば、ポリイミドフィルムの両面にキャリア付き極薄銅箔となる構成組をプレス板間に挟み、加熱圧着する単板プレス法や、ポリイミドフィルムの両面にキャリア付き極薄銅箔となる構成組を、内側に加圧機構を持つ一組のエンドレスベルトで挟み、加熱圧着するダブルベルトプレス法、ポリイミドフィルムの両面にキャリア付き極薄銅箔となる構成組を１組以上の加熱金属ロールで挟み、圧着するロールラミネート法などが挙げられる。
特には、キャリアと極薄銅箔の接着度が小さく加熱圧着時にキャリアが極薄銅箔より剥がれ易いために、ポリイミドフィルムの両面にキャリア付き極薄銅箔となる構成組を１組以上の加熱金属ロールで挟み、圧着するロールラミネート法が好ましい。
【００２５】
加熱圧着の温度は、両面の熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃以上高い温度で、且つ４００℃以下の温度であり、好ましくは熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より４０℃以上高い温度で、且つ３７５℃以下の温度である。ガラス転移温度より１５℃以上高い温度より低い場合は、キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性ポリイミド層を備えたポリイミドフィルムが接着しない。４００℃より高い場合は、皺などの外形不良となる。
加熱圧着の圧力は、用いるポリイミドのフロー性によって異なるが、好ましくは線圧で５０Ｎ／ｃｍ以上、更に好ましくは１００Ｎ／ｃｍ以上である。
【００２６】
また、本発明の加熱圧着では、金属箔の酸化防止のために真空もしくは不活性ガス雰囲気の中で連続的に行うことが好ましい。真空度は、好ましくは５ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３ｔｏｒｒ以下である。これより大きいと金属箔が酸化する場合がある。また、不活性ガスとしては、Ｎ2、Ａｒ、Ｈｅなどで、この場合の酸素濃度は０．５質量％以下、特に０．３質量％以下が好ましい。酸素濃度が０．５質量％より大きいと金属箔が酸化する場合がある。真空や不活性ガス雰囲気とする方法としては、巻きだしロールから巻き取りロールまで含めた装置全体を、真空もしくは不活性ガス雰囲気内に置くことが考えられるが、本発明はこれに限定されず、加熱圧着部分のみを真空もしくは不活性ガス雰囲気として、加熱圧着部分への出入り接続部に真空保持もしくは不活性ガス雰囲気保持のシール部を設けることもできる。
【００２７】
本発明ではキャリア付き極薄銅箔をポリイミドフィルムに加熱圧着した後、冷却することが必須である。冷却温度としては、２５℃〜前記熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃低い温度の範囲にあること、特に５０℃〜前記熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃低い温度の範囲にあることが好ましい。ガラス転移温度より１５℃低い温度より高いと十分に冷却されず、そのまま搬送すると皺などの外観不良となる場合があり、２５℃より低いとキャリア付き銅箔がポリイミドフィルムより剥がれてしまう場合がある。
【００２８】
本発明は、冷却後にキャリアを剥がすことを特徴とし、キャリアを剥がすときの温度は１５℃以上１００℃以下、好ましくは２５℃以上９０℃以下である。上述した加熱圧着では、熱圧着性ポリイミド層のガラス転移温度より１５℃以上高い温度で且つ４００℃以下の温度により行われる為に、その後に加熱圧着部分から出てきたキャリア付き極薄銅箔積層板は１００℃以上の高温となる。従って、この高温状態でキャリアを剥がすと、キャリア下の極薄銅箔表面が酸化してしまう。また、１５℃よりも低温でキャリアを剥がすと、移送時などで室温に曝した場合に表面に水分が吸着しやすく、これにより酸化や錆が発生してしまう。これらの酸化により、表面形状が崩れて表面粗さが増大すると、プリント配線板の絶縁抵抗や回路導電率が低下したり、パターンエッチング時に基板への残銅現象あるいは回路部のアンダーカット現象を引起し、微細回路基板として種々の性能を劣化させてしまう場合がある。
【００２９】
このようにして得られた本発明のフレキシブル銅張積層板は、極薄銅箔とポリイミドフィルムの剥離強度が０．５Ｎ／ｍｍ以上であることが好ましく、０．７Ｎ／ｍｍ以上であることがより好ましい。剥離強度が０．５Ｎ／ｍｍより小さいと、微細配線パターン加工時に銅箔剥がれが起こりやすい。
【００３０】
また、本発明のキャリア付きフレキシブル銅張積層板は、キャリアと極薄銅箔との剥離強度が０．０１Ｎ／ｍｍ以上０．３Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましい。剥離強度が０．０１Ｎ／ｍｍより小さいとキャリアの動きに耐え切れずに剥離して、皺などの外観不良となる。また、０．３Ｎ／ｍｍより大きいと、キャリア剥離時に極薄銅箔に応力が掛かり、銅張積層板に反りや皺などの外観不良が生じてしまう。なお、キャリアと極薄銅箔との剥離強度が０．０３Ｎ／ｍｍ以上０．２Ｎ／ｍｍ以下であることが更に好ましい。
【００３１】
本発明の製造方法により、寸法安定性が良好なフレキシブル銅張積層板を作ることができ、寸法変化率が±０．２０％以下のフレキシブル銅張積層板を得ることができる。寸法変化率が±０．２０％より大きいと、配線形成後の寸法変化が大きくなり、配線形成後の部品搭載位置が設計段階の位置からずれて、実装部品と基板とが良好に接続されなくなるおそれがある。
【００３２】
本発明のフレキシブル銅張積層板は、２０℃，６０％ＲＨで９６時間放置後の線間絶縁抵抗が１０10Ω以上である。線間絶縁抵抗が１０10Ωより低いと、通電不良が起こり、使用状況によっては短絡する。この線間絶縁抵抗は、回路信頼性の向上を考えると１０12Ω以上であることが好ましい。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００３４】
［実施例１］
厚み２５μｍの熱圧着性ポリイミド層（ガラス転移温度２４２℃）を備えたポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製、商品名：ユーピレックスＶＴ、中心のポリイミドはガラス転移温度４００℃以上）の両面に、厚み５μｍの極薄銅箔（厚み３５μｍのキャリア銅箔付き、三井金属鉱山株式会社製、商品名：ＭｉｃｒｏＴｈｉｎ）を積層して、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて５．０ｍ／ｍｉｎで連続的に送り、３００℃、２０ｋｇｆ／ｃｍで加熱圧着して貼り合わせて、冷却（温度１２５℃）後にキャリアを剥離してフレキシブルプリント銅張積層板を得た。なお、キャリアを剥がすときの温度は、２５℃であった。
得られた積層板で、外観観察を行い、極薄銅箔とポリイミドフィルムの剥離強度、キャリアと極薄銅箔との剥離強度及び寸法変化率を測定した。実験条件と測定データを表１に示した。以下、実施例や比較例の実験条件と測定データも表１〜３に示した。
【００３５】
［実施例２］
厚さ３μｍの銅箔（厚さ３５μｍのキャリア銅箔付き、三井金属鉱山株式会社製、商品名：ＭｉｃｒｏＴｈｉｎ）を使用したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、３２℃であった。
【００３６】
［実施例３］
厚さ５μｍの銅箔（厚さ３５μｍのキャリア銅箔付き、古河電気工業株式会社製、商品名：Ｆ−ＤＰ）を使用したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、２８℃であった。
【００３７】
［実施例４］
厚さ３μｍの銅箔（厚さ３５μｍのキャリア銅箔付き、古河電気工業株式会社製、商品名：Ｆ−ＤＰ）を使用したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、３５℃であった。
【００３８】
［実施例５］
加熱圧着時の温度を２８０℃にして、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて加熱圧着し、冷却（温度１００℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、１６℃であった。
【００３９】
［実施例６］
加熱圧着時の温度を２６０℃にして、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて加熱圧着し、冷却（温度１００℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、８２℃であった。
【００４０】
［実施例７］
加熱圧着時の温度を３５０℃にして、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて加熱圧着し、冷却（温度１５０℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、９５℃であった。
【００４１】
［実施例８］
加熱圧着時の温度を４００℃にして、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて加熱圧着し、冷却（温度２２５℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、４０℃であった。
【００４２】
［実施例９］
加熱圧着時の温度を３００℃にして、単板プレス機（株式会社ショージ製）にて、２０分間加熱圧着し、３０分間冷却（温度２５℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、６５℃であった。
【００４３】
［実施例１０］
加熱圧着時の温度を３００℃にして、ダブルベルトプレス機（三菱レイヨン社製）にて４．０ｍ／ｍｉｎで連続的に送り、加熱圧着し、冷却（温度１２５℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、５８℃であった。
【００４４】
［比較例１］
加熱圧着時の温度を２４０℃にして、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて加熱圧着し、冷却（温度１００℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、２６℃であった。
表３にあるように、加熱温度がガラス転移温度より低いために、キャリア付き極薄銅箔とポリイミドフィルムが接着しなかった。
【００４５】
［比較例２］
加熱圧着時の温度を２５５℃にして、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて加熱圧着し、冷却（温度１２０℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、２６℃であった。
表３にあるように、加熱温度が、ガラス転移温度から１５℃高い温度より若干低いために、貼り合わせ時にキャリア付き極薄銅箔とポリイミドフィルムで部分的に接着しない部分があった。更に、接着した部分の剥離強度は、０．４０ｋｇｆ／ｃｍと非常に低く、回路形成加工が不可能であった。
【００４６】
［比較例３］
加熱圧着時の温度を４２０℃にして、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて加熱圧着し、冷却（温度２００℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、９０℃であった。
表３にあるように、加熱温度が４００℃以上であるために、発泡や皺などの外観不良が起こった。また、貼り合わせ時にキャリアと極薄銅箔が一部で剥がれたり、キャリアが接着している部分では、キャリアと極薄銅箔の剥離強度が０．７ｋｇｆ／ｃｍと非常に高くなった。そのために、キャリアの剥がし時に銅張積層板に皺などの外観不良が発生した。
【００４７】
［比較例４］
加熱圧着時の温度を３００℃にして、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて加熱圧着し、冷却（温度２３０℃）後にキャリアを剥離したほかは、実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、７６℃であった。
表３にあるように、冷却時の温度が高く冷却不足となり、皺などの外観不良が発生した。皺がある部分の測定では、皺のために測定値が安定せず全域で物性分布不良となり、製品としては使用できなかった。
【００４８】
［比較例５］
厚み２５μｍの熱圧着性ポリイミド層（ガラス転移温度２４２℃）を備えたポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製、商品名：ユーピレックスＶＴ、中心のポリイミドはガラス転移温度４００℃以上）の両面に、厚み９μｍの銅箔（三井金属鉱山株式会社製、商品名：ＮＳ−ＶＬＰ）を積層して、ロールラミネート機（西村マシナリー社製）にて３００℃、２０ｋｇｆ／ｃｍで加熱圧着して貼り合わせ、その後、エッチング法により銅箔を削り、厚さ５μｍの極薄銅箔が設けられたフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得た。キャリアを剥がすときの温度は、５５℃であった。
表３にあるように、皺が発生する部分があり、測定結果は安定測定可能な部分の値を示した。また、測定値は記載していないが、外観上は皺のない部分で剥離強度や寸法安定性で不安定な部分があった。更に、この銅張積層板に回路形成加工を行ったところ、エッチング不良によると思われる回路不良が発生する場合が多かった。また、線間絶縁抵抗値は、１０8［Ω］となり、電気信頼性の低い結果となった。
【００４９】
［比較例６］
実施例１と同様にしてフレキシブルプリント配線板用銅張積層板を得たが、キャリアを剥がすときの温度は、１２０℃であった。
表３にあるように、高温で剥がしたために極薄銅箔の表面が酸化した。酸化した部分は色むらとして観察された。この銅張積層板に回路形成加工を行い、線間絶縁抵抗を測定したところ、１０5［Ω］となり、電気信頼性の非常に低い結果となった。
【００５０】
剥離強度の測定
ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して、１ｍｍ巾の回路を作製したサンプルを、引張速度５０ｍｍ／分、引き剥がし角度１８０°で測定した。
【００５１】
寸法変化率の測定
ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して、加熱前の積層板寸法に対する１５０℃×３０分間の加熱処理後の積層板の寸法変化を測定して、％で表示した。
【００５２】
線間絶縁抵抗の測定
ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に準拠して、ＩＰＣ  ＦＣ  ２４１のテストパターンを形成したサンプルを、２０℃、相対湿度６０％雰囲気中に９６時間放置後に、直流電圧５００Ｖ印加して印加１分後の抵抗値を測定した。
【００５３】
張り合わせ観察
積層板の表面を観察した。
【００５４】
ガラス転移温度の測定
熱分析計（レオメトリックサイエンス社製：分析装置名  ＲＳＡ−ＩＩＩ）を用いてガラス転移点を測定した。
【００５５】
【表１】
2007055165.tif 000002
【００５６】
【表２】
2007055165.tif 000003
【００５７】
【表３】
2007055165.tif 000004