(57)【要約】【課題】  配線間の電気的短絡を回避し、コストを削減することが可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  同電位ライン４０の周りの導電層、すなわち電極を除去する工程を有することとしたので、ＴＦＤアレイ側マザー基板１００の切断線５０を含んだ領域４１で同電位ライン４０と電極とが一部重なって形成される場合でも、電極が基板切断後の同電位ライン４０上に残ることは無い。これにより、走査線３３間の電気的短絡を回避することができ、コストを削減することが可能となる。また、パッド部分３５を形成する工程と、電極を除去する工程とを同時に行うこととしたので、製造工程を増やすことなく、走査線３３間の電気的短絡を回避することができる。【選択図】  図６
2007071959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示領域が形成された基板を前記表示領域ごとに切断して複数の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板のうち少なくとも前記基板の切断線を含む所定の領域に導電層をパターニングする工程と、
前記導電層を陽極酸化する工程と、
陽極酸化された前記導電層上に配線を形成する工程と、
前記配線に接続される同電位ラインを前記基板の切断線を跨いで蛇行し、前記導電層に少なくとも一部が重なるように形成する工程と、
前記表示領域に形成された前記導電層の一部を除去する工程と、
前記切断線に重なる領域の前記導電層を除去する工程と、
前記切断線に沿って前記基板を切断すると共に前記導電位ラインを切断する工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記同電位ラインの周りの導電層を除去する工程を更に具備し、
前記表示領域に形成された前記導電層の一部を除去する工程と、前記同電位ラインの周りの導電層を除去する工程とを同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
二端子型非線形素子を構成する第１電極は前記導電層によって形成し、当該第１電極は前記表示領域に形成された前記導電層の一部を除去する工程で前記導電層の他の部分と切り離すことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
二端子型非線形素子を構成する第２電極は前記配線と同時に形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線を形成する工程と、前記同電位ラインを形成する工程とを同時に行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機ＥＬ装置等の電気光学装置を製造する際には、例えば大判のマザー基板上に複数パネル分の表示領域を形成し、表示領域ごとにマザー基板を切断して複数パネルに分割する多面取りと呼ばれる手法が広く行われている。この製造工程においては、静電気が発生することが多く、静電気によって表示領域に形成される素子や絶縁膜等が損傷される場合があり、動作不良の原因になる。これに対して、配線や素子に電気的に接続された同電位ラインを別途形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この技術では、マザー基板の切断線に沿って同電位ラインが形成されており、静電気が発生しても電荷を当該同電位ラインに分散させることができるようになっている。同電位ラインは、一本のラインが切断線をジグザグに跨ぐように形成されており、これによりマザー基板を切断する位置のマージンが確保されている。また、マザー基板を切断する際に、同電位ラインのうち切断線を跨いでいる部分が切断されるため、パネルの完成段階においては、配線同士の間に電気的短絡が生じないようになっている。
【０００４】
電気光学装置のうち、例えばＴＦＤ（Thin Film Diode）型液晶装置においては、マザー基板上にタンタル等の導電層をパターニングし、当該導電層を陽極酸化することにより配線や素子を形成する。導電層は配線を構成する部分と、陽極酸化の際に幹となる電極とが形成される。
【０００５】
この陽極酸化の際に幹となる電極は、配線等に比べて幅が太いため、基板上の回路や表示領域形成の妨げにならないように、通常マザー基板の切断線に沿って形成される。このため、マザー基板の切断線付近には、同電位ラインと導電層とが一部重なるように形成されることが多い。  
【特許文献１】特開平１１−３２６９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の技術によれば、マザー基板を切断する位置によっては、切断された後の同電位ラインの下層に導電層が残ることがある。同電位ラインと導電層が一部重なっているため、通常は重なっていない領域を切断するため同電位ライン同士が電気的に切り離され、同電位ラインに接続された配線間も電気的に切り離される。しかし、切断する際の位置の誤差で重なっている領域を切断してしまった場合には同電位ラインは切断されるが、切断により導電層の表面の酸化膜が剥がれ、同電位ライン同士が導電層を介して導通し、この同電位ラインに接続された配線間で電気的短絡が生じてしまう。この電気的短絡は、形成されたパネルにドライバ等の回路を実装する前の検査では判明せず、実装後の点灯検査によらなければ判明しないことが多い。したがって、かかる電気的短絡が生じると、コストがかさんでしまう。  
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、配線間の電気的短絡を回避し、コストを削減することが可能な電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、複数の表示領域が形成された基板を前記表示領域ごとに切断して複数の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板のうち少なくとも前記基板の切断線を含む所定の領域に導電層をパターニングする工程と、前記導電層を陽極酸化する工程と、陽極酸化された前記導電層上に配線を形成する工程と、前記配線に接続される同電位ラインを前記基板の切断線を跨いで蛇行し、前記導電層に少なくとも一部が重なるように形成する工程と、前記表示領域に形成された前記導電層の一部を除去する工程と、前記切断線に重なる領域の前記導電層を除去する工程と、前記切断線に沿って前記基板を切断すると共に前記導電位ラインを切断する工程と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、切断線に重なる領域の導電層を除去するので、基板の切断線を含んだ領域で同電位ラインと導電層とが一部重なって形成される場合でも、導電層が基板切断後の同電位ラインの下層に残ることは無い。これにより、配線間の電気的短絡を回避し、コストを削減することが可能となる。
【０００９】
また、前記同電位ラインの周りの導電層を除去する工程を更に具備し、前記表示領域に形成された前記導電層の一部を除去する工程と、前記同電位ラインの周りの導電層を除去する工程とを同時に行うことが好ましい。  
本発明によれば、陽極酸化後、表示領域に形成された導電層の一部を除去する工程と、同電位ラインの周りの導電層を除去する工程とを同時に行うこととしたので、製造工程を増やすことなく、配線間の電気的短絡を回避することができる。
【００１０】
また、二端子型非線形素子を構成する第１電極は前記導電層によって形成し、当該第１電極は前記表示領域に形成された前記導電層の一部を除去する工程で前記導電層の他の部分と切り離すことが好ましい。  
本発明によれば、二端子型非線形素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型の電気光学装置の製造工程において、別途工程を設けること無く、当該二端子型非線形素子（ＴＦＤ素子）の第１電極を形成し、なおかつ同電位ラインの周りの導電層を除去することが可能となる。
【００１１】
また、二端子型非線形素子を構成する第２電極は前記配線と同時に形成することが好ましい。  
本発明によれば、二端子型非線形素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型の電気光学装置の製造工程において、別途工程を設けること無く、当該二端子型非線形素子（ＴＦＤ素子）の第２電極を形成し、なおかつ同電位ラインの周りの導電層を除去することが可能となる。
【００１２】
また、前記配線を形成する工程と、前記同電位ラインを形成する工程とを同時に行うことが好ましい。  
本発明によれば、配線を形成する工程と同電位ラインを形成する工程とを同時に行うことにより、電気光学装置の製造工程の効率化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。本実施形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明する。本実施形態では、一組のマザー基板から複数の液晶パネルを製造する、いわゆる多面取りを行う場合を例に挙げて説明する。  
（液晶装置）  
まず、本実施形態で製造する液晶装置１の構成について簡単に説明する。図１は、本実施形態で製造する液晶装置１の全体構成を示す平面図である。  
液晶装置１は、スイッチング素子として例えばＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型であり、液晶パネル２と、バックライト３とを主体として構成されている。  
液晶パネル２は、ＴＦＤアレイ基板４と、当該ＴＦＤアレイ基板４に対向配置されたカラーフィルタ基板５とが、例えばスペーサを兼ねる導電性粒子（図示しない）の混入されたシール材７によって一定の間隙を保って貼り合わされているとともに、シール材７によって区画された領域に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶６が封入された構成となっている。
【００１４】
シール材７は液晶注入口７ａを有しており、当該液晶注入口７ａは封止材７ｂにより封止されている。シール材７の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）８が形成されている。周辺見切り８の内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域９になっている。表示領域９には、複数のドット領域１０がマトリクス状に設けられている。
【００１５】
ＴＦＤアレイ基板４の図中右辺側及び下辺側は、カラーフィルタ基板５から張り出した張出領域になっている。この張出領域のうち図中右辺側には、ＴＦＤアレイ基板４側に形成された走査線への走査信号を生成する走査線駆動ドライバ１１が設けられている。図中下辺側には、カラーフィルタ基板５側に形成された信号線への電気信号を生成する信号線駆動ドライバ１２と、例えば駆動素子等の外部回路を有するフレキシブル基板２０に接続された端子を有する接続部１４とが設けられている。信号線駆動ドライバ１２からの信号は、例えばシール材７に混入された導電性粒子を介して、信号線に供給される構成になっている。
【００１６】
走査線駆動ドライバ１１と接続部１４との間の領域には、両者を接続する配線１５が形成されている。信号線駆動ドライバ１２と接続部１４とは、配線１８によって接続されている。また、この張出領域の下辺側には、切断された状態の同電位ライン４０が形成されている。
【００１７】
図２は、カラーフィルタ基板５の構成を示す平面図である。  
同図に示すように、カラーフィルタ基板５は、例えばガラスやプラスチック等により形成された矩形の基材５ａを主体として構成されている。当該基材５ａ上には、ドット領域１０を囲むように遮光層２１が設けられている。
【００１８】
ドット領域１０（遮光層２１で囲まれた領域）には、赤色層２２Ｒ、緑色層２２Ｇ及び青色層２２Ｂを有するカラーフィルタ層２２層が設けられている。また、遮光層２１、カラーフィルタ層２２を覆うように平坦化膜（図示せず）が形成されている。平坦化膜は、例えば透明な樹脂等で形成されている。平坦化膜の上には配向膜（図示せず）が形成されている。
【００１９】
平坦化膜の上には信号線２３が複数形成されている。各信号線２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電材料によって形成されている。この信号線２３は、カラーフィルタ層２２を１列ずつ覆うように設けられている。信号線２３上には配向膜が形成されている。配向膜は、例えばポリイミド等から形成されており、表面がラビング処理された水平配向膜である。
【００２０】
図３は、ＴＦＤアレイ基板４の構成を示す平面図である。  
同図に示すように、ＴＦＤアレイ基板４は、カラーフィルタ基板５と同様に例えばガラスや石英等の材料により形成された矩形の基材４ａを主体として構成されている。また、ドット領域１０内には、画素電極３１と、ＴＦＤ素子３２とが設けられており、ドット領域１０の間の領域（ドット間領域）１９には、走査線（配線）３３が設けられている。基材４ａのうち、図３の白地で示した領域、例えばドット領域１０の外側（図３中、上側及び下側）の領域、ＴＦＤ素子３２が設けられる領域等には、例えば酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等で形成された透明な絶縁層である下地層３４が形成されている。
【００２１】
図３の斜線部分３５は、下地層３４が除去されたパッド部分である。パッド部分３５では、基材４ａが下地層３４で覆われていない状態になっている。パッド部分３５は、例えば各ドット領域１０内に１箇所ずつ設けられている。パッド部分３５は画素電極３１にほぼ平面的に重なるように設けられている。
【００２２】
画素電極３１は、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料によって形成されている。画素電極３１とパッド部分３５とを平面的にほぼ重なるように配置することで、画素電極３１を透過する光が下地層３４により吸収されるのを回避することができ、その分高効率で光を利用できるようになっている。
【００２３】
ＴＦＤ素子３２は、画素電極３１に走査信号を選択して供給する２端子型のスイッチング素子であり、上部電極（第２電極）４５、４６と下部電極（第１電極）４７とを主体として構成されている。上部電極４５、４６は、例えばクロムやアルミニウム等の金属によって形成されている。下部電極４７は、例えばタンタル等の金属によって形成されている。
【００２４】
走査線３３は、例えばＴＦＤ素子３２の上部電極４５、４６と同一の材料、すなわち、クロムやアルミニウム等の金属によって形成されており、図１に示す走査線駆動ドライバ１１に接続されている。画素電極３１はＴＦＤ素子の一端子側に接続されており、走査線３３はＴＦＤ素子３２の他端子側に接続されている。
【００２５】
（液晶装置の製造方法）  
次に、上記のように構成された液晶装置１を製造する工程について説明する。当該製造工程では、ＴＦＤ素子３２が形成されるＴＦＤアレイ側マザー基板とカラーフィルタ層２２が形成されるカラーフィルタ側マザー基板とを別個に形成し、形成した両マザー基板を貼り合わせ、貼り合わせた各マザー基板の間に液晶を注入することによって液晶パネル２を製造する、いわゆる多面取りと呼ばれる手法を例に挙げて説明する。以下、各工程について順に説明する。
【００２６】
まず、ＴＦＤアレイ側マザー基板１００の製造工程を説明する。なお、図４〜図７における破線部は、ＴＦＤアレイ側マザー基板１００の切断線５０の位置を示している。  
図４に示すように、例えばＴａ２Ｏ５等からなる下地層３４が形成された大判の基材１００ａ（図７参照）の全面に、例えばタンタル等の金属によって導電層３８を形成し、ＴＦＤ素子３２の位置、走査線３３の位置及び陽極酸化を行うための電極３７を形成する位置に合わせて導電層３８をパターニングする。このとき、電極３７を、例えば図中Ｘ方向に延在する切断線５０を含んだ領域４１に形成する。
【００２７】
次に、導電層３８のパターンを陽極酸化する。陽極酸化された導電層３８の表面は酸化タンタル（ＴａＯｘ）によって覆われる。次に、図５に示すように、陽極酸化された導電層３８のパターンのうち、例えばスパッタリング等の手法により表面全面にクロム等の金属膜を形成し、この金属膜をパターニングして、走査線３３、上部電極４５、４６及び同電位ライン４０を形成する。同電位ライン４０は、切断線５０をジグザグに跨ぐように当該切断線５０に沿って形成される。また、同電位ライン４０は、例えば一本のラインがつながった状態で形成され、電極３７に一部重なるように形成される。
【００２８】
次に、図６に示すように、下地層３４にパッド部分３５を形成すると同時に、ＴＦＤ素子３２の下部電極４７を切り離し、同電位ライン４０の周りの電極３７を除去する。具体的には、除去する部分以外の部分をレジストマスクで覆い、下地層３４、導電層３８及び電極３７を例えばフッ化水素等のエッチングガスを用いてドライエッチングする。図７は、図６におけるＡ−Ａ断面図である。同図に示すように、同電位ライン４０が設けられた領域では、少なくとも同電位ライン４０と重なる周りの電極３７が除去され、電極３７の線幅が当該同電位ライン４０の線幅とほぼ同一になる。
【００２９】
次に、パッド部分３５が形成された領域にＩＴＯ等の透明な導電材料を用いて画素電極３１をパターン形成する。画素電極３１を形成したら、ＴＦＤアレイ側マザー基板１００の表面を覆うように配向膜を形成し、当該配向膜上にシール材７を形成する。このように、ＴＦＤアレイ側マザー基板１００が形成される。
【００３０】
一方、カラーフィルタ基板５となるカラーフィルタ側マザー基板については、ＴＦＤアレイ側マザー基板１００の場合と同様ガラスやプラスチック等の透光性材料からなる大判の基材に、例えばインクジェット法等の手法によってカラーフィルタ層２２を形成し、ＩＴＯ等の透明な導電材料によって信号線２３を形成し、当該カラーフィルタ側マザー基板の表面に配向膜を形成する。
【００３１】
次に、ＴＦＤアレイ側マザー基板１００とカラーフィルタ側マザー基板とを近接させ、両基板を貼り合わせて大判パネルを形成する。ＴＦＤアレイ側マザー基板１００とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせた後、当該大判パネルにスクライブ線を形成し、当該スクライブ線に沿って大判パネルを短冊状に切断する。このとき、同電位ライン４０は、切断線５０において分断され、走査線３３同士が電気的に絶縁される。切断後、シール材７の液晶注入口７ａから液晶６を注入する。
【００３２】
液晶６を注入した後、封止材７ｂにより液晶注入口７ａを封止し、再度スクライブを行って各液晶パネルに分離する。その後、液晶パネル液晶パネルの洗浄を行い、各液晶パネルの外側表面に偏光板を貼着し、各液晶パネルに駆動ドライバ等を実装して、液晶装置１が完成する。
【００３３】
このように、本実施形態によれば、同電位ライン４０の周りの導電層、すなわち電極３７を除去する工程を有することとしたので、ＴＦＤアレイ側マザー基板１００の切断線５０を含んだ領域４１で同電位ライン４０と電極３７とが一部重なって形成される場合でも、電極３７が基板切断後の同電位ライン４０上に残ることは無い。これにより、走査線３３間の電気的短絡を回避することができ、コストを削減することが可能となる。また、パッド部分３５を形成する工程と、電極３７を除去する工程とを同時に行うこととしたので、製造工程を増やすことなく、走査線３３間の電気的短絡を回避することができる。
【００３４】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態においては、同電位ライン４０が一本のラインがつながった状態になっている構成としたが、これに限られることは無く、走査線３３等を同電位に保つことができる形状であれば、他の形状であっても勿論構わない。  
また、上記実施形態においては、２辺実装のＴＦＤアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、有機ＥＬ装置等についても本発明の適用は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶装置の構成を示す斜視図。
【図２】液晶装置のカラーフィルタ基板の構成を示す平面図。
【図３】液晶装置のＴＦＤアレイ基板の構成を示す平面図。
【図４】液晶装置の製造工程の様子を示す図。
【図５】同、工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】同、工程図。
【符号の説明】
【００３６】
１…液晶装置  ３３…走査線  ３７…電極  ３８…導電層  ４０…同電位ライン  ４１…領域  １００…ＴＦＤアレイ側マザー基板
【図１】
2007071959.tif 000003
【図２】
2007071959.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007071959.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007071959.tif 000009