(57)【要約】    【課題】  イオンを運ぶエアフローだけでなく、カセットステージからも除電が行われる様にし、ウェーハの除電が確実に又効果的に行われる様にするものである。    【解決手段】  基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器３を載置する載置部４と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段１４と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れ１５に関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段１６とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部５を有し、該接触部は体積抵抗が１０16（Ω・ｃｍ）以下である。    【選択図】          図１
2007042703.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器を載置する載置部と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れに関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部を有し、該接触部は体積抵抗が１０16（Ω・ｃｍ）以下であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に酸化膜等の薄膜を生成し、或は不純物の拡散、アニール処理等の処理を行い半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ等の基板（以下ウェーハと称す）は、基板搬送容器（以下カセットと称す）に実装され、外部搬送装置によって基板処理装置に搬送される。
【０００３】
基板処理装置は、外部搬送装置との間でカセットの授受を行うカセット授受手段と、基板処理装置内部でカセットを一時保管するカセット棚と、該カセット棚と前記カセット授受手段との間でカセットを搬送するカセット搬送手段と、ウェーハを水平姿勢で多段に保持するウェーハ保持具（以下ボートと称す）と、前記カセット棚の所定位置のウェーハカセットと前記ボート間でウェーハの移載を行う基板移載手段（以下ウェーハ移載機と称す）と、基板を処理する処理室を具備した処理炉と、該処理炉に前記ボートを装脱するボート昇降手段等を具備しており、外部搬送装置から搬送されたカセットのウェーハ所要の処理を行っている。
【０００４】
カセットに実装されたウェーハは、搬送過程の振動等により静電気で帯電することがあり、ウェーハの帯電により絶縁破壊を引起す虞れがある。この為、従来よりカセット内のウェーハについて除電が実行されている。
【０００５】
従来の除電、特にオープンタイプのカセットが用いられた場合について説明する。
【０００６】
外部搬送装置により搬送されたカセットは一旦前記カセット授受手段のカセットステージに載置される。該カセットステージの上方にはイオナイザ（除電器：イオン発生手段）が設けられ、該イオナイザで発生されたプラスイオン、マイナスイオン（以下イオン）は、エアフローによって前記カセットに運ばれ、帯電したウェーハがイオンにより中和される様になっている。
【０００７】
従来、前記カセットステージはカセット受けコマを有しており、前記カセットは該カセット受けコマを介して前記カセットステージに載置される様になっており、前記カセット受けコマの材質としては、カセットを傷つけない様な材料、例えば絶縁材料であるフッ素樹脂（ＰＴＦＥ［ポリテトラフルオロエチレン］）が用いられている。
【０００８】
従来の基板処理装置では、ウェーハの除電が行われる状態では、カセットは前記カセット受けコマを介して前記カセットステージから電気的に浮いている状態にあり、除電はエアフローによって運ばれるイオンに頼っていた。然し乍ら、物理的な制限もあり、前記イオナイザは必ずしも適切な位置に設けられるとは限らず、該イオナイザの設置と前記カセットステージとは距離があり、イオンの一部は運ばれる途中で中和し、又、エアフローの一部がカセット以外の他の部位を流れる等除電量が変るという不具合が有った。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は斯かる実情に鑑み、イオンを運ぶエアフローだけでなく、カセットステージからも除電が行われる様にし、ウェーハの除電が確実に又効果的に行われる様にするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器を載置する載置部と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れに関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部を有し、該接触部は体積抵抗が１０16（Ω・ｃｍ）以下である基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、装置内部で基板を搬送する搬送手段と、装置外部から搬入された基板が実装された基板搬送容器を載置する載置部と、該載置部に載置された前記基板搬送容器に対してクリーンエアを供給するクリーンエア供給手段と、該クリーンエア供給手段からのクリーンエア流れに関し前記載置部より上流側の位置に設けられたイオン発生手段とを備え、前記載置部は前記基板搬送容器に接触する接触部を有し、該接触部は体積抵抗が１０16（Ω・ｃｍ）以下であるので、前記基板搬送容器内の基板はクリーンエアにより運ばれるイオンによって除電されると共に基板に帯電した電荷は前記接触部を介して前記載置部に流れ、基板の除電が効果的に行われるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１３】
先ず、図１に於いて、本発明が実施される基板処理装置の一例について概略を説明する。
【００１４】
図中、１は密閉構造の筐体であり、該筐体１の前部にカセット授受手段であるカセットステージ２が設けられ、該カセットステージ２は外部搬送装置から搬送されたカセット３が載置される載置部４を有し、該載置部４はカセット受けコマ５を有し、前記カセット３は前記カセット受けコマ５を介して前記載置部４に載置される様になっている。
【００１５】
前記カセット受けコマ５は、合成樹脂製或は少なくともカセットの接触部が合成樹脂製となっており、該合成樹脂の性質は体積抵抗がフッ素樹脂（フッ素樹脂の体積抵抗：１０17〜１０19（Ω・ｃｍ））より小さいもの、好ましくは体積抵抗１０16（Ω・ｃｍ）以下となっており、例えばＭＣナイロン、ピーク材が使用される。
【００１６】
尚、前記カセット受けコマ５は、前記載置部４と別部品として合成樹脂製としても、或は金属の部品に樹脂をコーティングしたものでもよく、或は前記載置部４と一体部品とし、カセットの接触部のみ樹脂コーティングしてもよい。
【００１７】
前記カセットステージ２の後方には、前記カセット３を収納するカセット棚６が設けられ、該カセット棚６と前記カセットステージ２との間には該カセットステージ２と前記カセット棚６との間で前記カセット３の搬送を行うカセットローダ７が設けられている。
【００１８】
前記筐体１の後部には処理室を有する処理炉２０２が設けられ、該処理炉２０２の下方にはボート２１７を前記処理炉２０２に対して装脱するボートエレベータ（図では省略してある）が設けられている。前記ボート２１７は、所定枚数、例えば１５０枚のウェーハを水平姿勢で多段に保持するものであり、処理室２０１（図２参照）内でウェーハは前記ボート２１７に保持された状態で処理される。
【００１９】
前記カセット棚６と前記ボートエレベータ（図示せず）との間には基板移載機１１が設けられ、該基板移載機１１は降下状態の前記ボート２１７と前記カセット棚６の所定位置に収納された前記カセット３との間でウェーハの移載を行う。
【００２０】
前記筐体１の天井面には空気取込み口１３が設けられ、又前記カセットステージ２の上方にはクリーンエアユニット等のクリーンエア供給手段１４が設けられ、該クリーンエア供給手段１４は前記空気取込み口１３から吸引した空気を清浄化して前記カセットステージ２に向けて送出し、該カセットステージ２にクリーンエア流れ１５を流通させる様になっている。
【００２１】
前記カセットステージ２と前記クリーンエア供給手段１４との間で且つ前記クリーンエア流れ１５内に配置される様、イオン発生器であるイオナイザ（イオン発生手段）１６が設けられ、該イオナイザ１６は前記クリーンエア流れ１５にイオンを発生させ、発生したイオンは前記クリーンエア流れ１５と共に前記カセット３内、及び周辺を流下する様になっている。
【００２２】
外部搬送装置により搬送され、前記載置部４に載置された前記カセット３は、前記カセット受けコマ５を介して前記載置部４に接触しており、前記カセット受けコマ５の体積抵抗は体積抵抗１０16（Ω・ｃｍ）以下と小さくなっているので、前記カセット３に収納されたウェーハに帯電した電荷が前記カセット受けコマ５を介して前記載置部４に流れる。
【００２３】
又、前記カセット３の内部、及び周辺をイオンを含む前記クリーンエア流れ１５が流れているので、該クリーンエア流れ１５内のイオンによりウェーハの帯電が中和される。従って、ウェーハに帯電した電荷は、前記カセット受けコマ５を介して前記載置部４に流れ、前記クリーンエア流れ１５によって中和されるので、効果的に除電される。
【００２４】
次に、本発明の実施の形態に於ける、ウェーハ等の基板へのプロセス処理例としてＣＶＤ法の中の１つであるＡＬＤ法を用いた成膜処理について、簡単に説明する。
【００２５】
ＡＬＤ法は、所要の成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（又はそれ以上）の原料となるガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【００２６】
例えば、ＳｉＮ（窒化珪素）膜形成の場合、ＡＬＤ法ではＤＣＳ（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ジクロルシラン）とＮＨ3 （アンモニア）を用いて３００℃〜６００℃の低温で高品質の成膜が可能である。又、ガス供給は、複数種類の反応ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応ガス供給のサイクル数で制御する。（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う。）
【００２７】
以下、前記処理炉２０２について図２、図３を参照して具体的に説明する。
【００２８】
加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウェーハ２００を処理する処理室２０１を画成する反応管２０３が設けられ、該反応管２０３の下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、前記ヒータ２０７、前記反応管２０３、及び前記シールキャップ２１９により前記処理炉２０２を形成している。
【００２９】
前記シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段である前記ボート２１７が立設され、前記石英キャップ２１８は前記ボート２１７を保持する保持体となっている。該ボート２１７はボートエレベータ（図示せず）により前記処理室２０１に装入される。前記ボート２１７にはバッチ処理される複数の前記ウェーハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。前記ヒータ２０７は前記処理室２０１に装入された前記ウェーハ２００を所定の温度に加熱する。
【００３０】
前記処理室２０１へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給管としての２本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂが設けられ、該第１のガス供給管２３２ａからは流量制御手段である第１のマスフローコントローラ２４１ａ及び開閉弁である第１のバルブ２４３ａを介し、更に後述する前記処理室２０１内に形成されたバッファ室２３７を介して前記処理室２０１に反応ガスが供給され、前記第２のガス供給管２３２ｂからは流量制御手段である第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁である第２のバルブ２４３ｂ、ガス溜め２４７、及び開閉弁である第３のバルブ２４３ｃを介し、更に後述するガス供給部２４９を介して前記処理室２０１に反応ガスが供給されている。前記ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、前記マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ等は処理ガス供給系２３０を構成する。
【００３１】
前記処理炉２０２は、ガスを排気するガス排気管２３１により第４のバルブ２４３ｄを介して排気手段である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気される様になっている。前記第４のバルブ２４３ｄは弁を開閉して前記処理室２０１の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。前記ガス排気管２３１、前記真空ポンプ２４６等により排気系２４０が構成される。
【００３２】
前記反応管２０３の内壁と前記ウェーハ２００との間に形成される円弧状の空間には、前記反応管２０３の下部より上部の内壁に管軸方向に沿って、ガス分散空間である前記バッファ室２３７が設けられており、該バッファ室２３７の前記ウェーハ２００に対峙する壁面にはガスを供給する第１のガス供給孔２４８ａが設けられている。該第１のガス供給孔２４８ａは前記反応管２０３の中心へ向けて開口している。前記第１のガス供給孔２４８ａは、下部から上部に亘ってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００３３】
前記バッファ室２３７の前記第１のガス供給孔２４８ａが設けられた端部と反対側の端部には、ノズル２３３が前記反応管２０３の下部より上部に亘り管軸に沿って配設されている。前記ノズル２３３には反応ガスを供給する複数の供給孔である第２のガス供給孔２４８ｂが設けられている。該第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積は、前記バッファ室２３７と前記処理室２０１の差圧が小さい場合には、上流側から下流側迄同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。
【００３４】
前記第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積や開口ピッチを上流側から下流にかけて調節することで、各該第２のガス供給孔２４８ｂよりガスの流速の差はあるが、流量は略同量である反応ガスを噴出させる。そして該各第２のガス供給孔２４８ｂから噴出するガスを前記バッファ室２３７に噴出させて一旦導入し、前記反応ガスの流速差の均一化を行うこととした。
【００３５】
前記バッファ室２３７に於いて、前記各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出した反応ガスは前記バッファ室２３７で各ガスの粒子速度が緩和された後、前記第１のガス供給孔２４８ａより前記処理室２０１に噴出する。前記各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出した反応ガスが、前記各第１のガス供給孔２４８ａより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができた。
【００３６】
前記バッファ室２３７に、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極２６９及び第２の電極である第２の棒状電極２７０が上部より下部に亘って電極を保護する保護管である電極保護管２７５に保護されて配設され、前記第１の棒状電極２６９又は前記第２の棒状電極２７０のいずれか一方は整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。前記第１の棒状電極２６９と前記第２の棒状電極２７０間に高周波電力が印加されることで、該第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。
【００３７】
前記電極保護管２７５は、前記第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれを前記バッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態で該バッファ室２３７に挿入できる構造となっている。前記電極保護管２７５の内部が外気（大気）と同一雰囲気であると、該電極保護管２７５にそれぞれ挿入された前記第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０は前記ヒータ２０７の加熱で酸化されてしまう。従って、前記電極保護管２７５の内部は窒素等の不活性ガスを充填或はパージし、酸素濃度を充分低く抑えて前記第１の棒状電極２６９又は前記第２の棒状電極２７０の酸化を防止する為の不活性ガスパージ機構が設けられる。
【００３８】
前記第１のガス供給孔２４８ａの位置より、前記反応管２０３の内周を１２０°程度回った内壁に、ガス供給部２４９が設けられている。該ガス供給部２４９は、ＡＬＤ法による成膜に於いて前記ウェーハ２００へ複数種類のガスを１種類ずつ交互に供給する際に、前記バッファ室２３７とガス供給種を分担する供給部である。
【００３９】
前記ガス供給部２４９も前記バッファ室２３７と同様に前記ウェーハ２００と隣接する位置に同一ピッチでガスを供給する供給孔である第３のガス供給孔２４８ｃを有し、下部では前記第２のガス供給管２３２ｂに接続されている。
【００４０】
前記第３のガス供給孔２４８ｃの開口面積は前記バッファ室２３７と前記処理室２０１の差圧が小さい場合には、上流側から下流側迄同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか開口ピッチを小さくするとよい。
【００４１】
前記ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、前記電極保護管２７５等、前記反応管２０３に用いられる細管は、内径が８ｍｍ〜１３ｍｍ迄の管が選択される。又前記ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、前記電極保護管２７５、前記ガス排気管２３１が設けられる範囲は、前記反応管２０３の下部、円周略１８０°の範囲に設けられる。
【００４２】
前記反応管２０３内の中央部には前記ボート２１７が収納され、該ボート２１７は前記ボートエレベータにより前記反応管２０３に装脱される様になっている。又、処理の均一性を向上する為に前記ボート２１７を回転する為の回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、該ボート回転機構２６７を駆動することにより、前記ボート２１７を回転する様になっている。
【００４３】
制御手段である制御部１２４は、前記第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ、前記第１〜第４のバルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ、前記ヒータ２０７、前記真空ポンプ２４６、前記ボート回転機構２６７、図中省略のボート昇降機構、前記高周波電源２７３、前記整合器２７２に接続されており、前記第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂの流量調整、前記第１〜第３のバルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃの開閉動作、前記第４のバルブ２４３ｄの開閉及び圧力調整動作、前記ヒータ２０７の温度調節、前記真空ポンプ２４６の起動・停止、前記ボート回転機構２６７の回転速度調節、前記ボート昇降機構の昇降動作制御、前記高周波電源２７３の電力供給制御、前記整合器２７２によるインピーダンス制御が行われる。
【００４４】
次にＡＬＤ法による成膜例について、ＤＣＳ及びＮＨ3 ガスを用いてＳｉＮ膜を成膜する例で説明する。
【００４５】
先ず成膜しようとする前記ウェーハ２００を前記ボート２１７に装填し、前記処理炉２０２に搬入する。搬入後、次の３つのステップを順次実行する。
【００４６】
［ステップ１］
ステップ１では、プラズマ励起の必要なＮＨ3 ガスと、プラズマ励起の必要のないＤＣＳガスとを並行して流す。
【００４７】
先ず前記第１のガス供給管２３２ａに設けた前記第１のバルブ２４３ａ、及び前記ガス排気管２３１に設けた前記第４のバルブ２４３ｄを共に開けて、前記第１のガス供給管２３２ａから前記第１のマスフローコントローラ２４３ａにより流量調整されたＮＨ3 ガスを前記ノズル２３３の前記第２のガス供給孔２４８ｂから前記バッファ室２３７へ噴出し、前記第１の棒状電極２６９及び前記第２の棒状電極２７０間に前記高周波電源２７３から前記整合器２７２を介して高周波電力を印加してＮＨ3 をプラズマ励起し、活性種として前記処理室２０１に供給しつつ前記ガス排気管２３１から排気する。
【００４８】
ＮＨ3 ガスをプラズマ励起することにより活性種として流す時は、前記第４のバルブ２４３ｄを適正に調整して前記処理室２０１内圧力を１０〜１００Ｐａとする。前記第１のマスフローコントローラ２４１ａで制御するＮＨ3 の供給流量は１０００〜１００００ｓｃｃｍである。ＮＨ3 をプラズマ励起することにより得られた活性種に前記ウェーハ２００を晒す時間は２〜１２０秒間である。この時の前記ヒータ２０７の温度は前記ウェーハ２００が３００℃〜６００℃になる様設定してある。ＮＨ3 は反応温度が高い為、上記ウェーハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流す様にしており、ウェーハ温度は設定した低い温度範囲のままで処理を行える。
【００４９】
ＮＨ3 をプラズマ励起することにより活性種として供給している時、前記第２のガス供給管２３２ｂの上流側の前記第２のバルブ２４３ｂを開け、下流側の前記第３のバルブ２４３ｃを閉めて、ＤＣＳも流す様にする。前記第２、第３のバルブ２４３ｂ、２４３ｃ間に設けた前記ガス溜め２４７にＤＣＳを溜める。この時、前記処理室２０１内に流しているガスはＮＨ3 をプラズマ励起することにより得られた活性種であり、ＤＣＳは存在しない。従って、ＮＨ3 は気相反応を起こすことはなく、プラズマにより励起され活性種となったＮＨ3 はウェーハ２００上の下地膜と表面反応する。
【００５０】
［ステップ２］
ステップ２では、前記第１のガス供給管２３２ａの前記第１のバルブ２４３ａを閉めて、ＮＨ3 の供給を止めるが、引続き前記ガス溜め２４７へＤＣＳの供給を継続する。
【００５１】
該ガス溜め２４７に所定圧、所定量のＤＣＳが溜まったら上流側の前記第２のバルブ２４３ｂも閉めて、前記ガス溜め２４７にＤＣＳを閉込めておく。又、前記ガス排気管２３１の前記第４のバルブ２４３ｄは開いたままにして前記真空ポンプ２４６により、前記処理室２０１を２０Ｐａ以下に排気し、残留ＮＨ3 を該処理室２０１から排除する。この時、Ｎ2 等の不活性ガスを該処理室２０１に供給すると、更に残留ＮＨ3 を排除する効果が高まる。
【００５２】
前記ガス溜め２４７内には、圧力が２００００Ｐａ以上になる様にＤＣＳを溜める。該ガス溜め２４７と前記処理室２０１との間のコンダクタンスが１．５×１０-3ｍ3 ／ｓ以上になる様に装置を構成する。前記反応管２０３の容積とこれに対する必要な前記ガス溜め２４７の容積との比として考えると、前記反応管２０３の容積１００ｌ（リットル）の場合に於いては、１００〜３００ｃｃであることが好ましく、容積比としては前記ガス溜め２４７は前記反応室２０３容積の１／１０００〜３／１０００倍とすることが好ましい。
【００５３】
［ステップ３］
ステップ３では、前記処理室２０１の排気が終わったら前記ガス排気管２３１の前記第４のバルブ２４３ｄを閉じて排気を止める。前記第２のガス供給管２３２ｂの下流側の前記第３のバルブ２４３ｃを開く。これにより前記ガス溜め２４７に溜められたＤＣＳが前記処理室２０１に一気に供給される。この時前記ガス排気管２３１の前記第４のバルブ２４３ｄが閉じられているので、前記処理室２０１内の圧力は急激に上昇して約９３１Ｐａ（７Ｔｏｒｒ）迄昇圧される。ＤＣＳを供給する為の時間は２〜４秒設定し、その後前記ウェーハ２００を上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を２〜４秒に設定し、合計６秒とした。この時のウェーハ温度はＮＨ3 の供給時と同じく、３００〜６００℃である。ＤＣＳの供給により、下地膜上のＮＨ3 とＤＣＳとが表面反応して、前記ウェーハ２００上にＳｉＮ膜が成膜される。成膜後、前記第３のバルブ２４３ｃを閉じ、前記第４のバルブ２４３ｄを開けて前記処理室２０１を真空排気し、残留するＤＣＳの成膜に寄与した後のガスを排除する。又、この時にはＮ2 等の不活性ガスを前記処理室２０１に供給すると、更に残留するＤＣＳの成膜に寄与した後のガスを前記処理室２０１から排除する効果が高まる。又前記第２のバルブ２４３ｂを開いて前記ガス溜め２４７へのＤＣＳの供給を開始する。
【００５４】
上記ステップ１〜３を１サイクルとし、該サイクルを複数回繰返すことによりウェーハ２００上に所定膜厚のＳｉＮ膜を成膜する。
【００５５】
ＡＬＤ法では、反応ガスは下地膜表面に吸着する。該反応ガスの吸着量は、ガスの圧力、及びガスの暴露時間に比例する。よって、希望する一定量の反応ガスを、短時間で吸着させる為には、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。本実施の形態では、前記第４のバルブ２４３ｄを閉めた上で、前記ガス溜め２４７内に溜めたＤＣＳを瞬間的に供給しているので、前記処理室２０１内のＤＣＳの圧力を急激に上げることができ、希望する一定量の反応ガスを瞬間的に吸着させることができる。
【００５６】
又、本実施の形態では、前記ガス溜め２４７にＤＣＳを溜めている間に、ＡＬＤ法で必要なステップであるＮＨ3 ガスをプラズマ励起することにより活性種として供給、及び前記処理室２０１の排気をしているので、ＤＣＳを溜める為の特別なステップを必要としない。又、前記処理室２０１内を排気してＮＨ3 ガスを除去してからＤＣＳを流すので、両者は前記ウェーハ２００に向かう途中で反応しない。供給されたＤＣＳは、該ウェーハ２００に吸着しているＮＨ3 とのみ有効に反応させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明が実施される基板処理装置の１例を示す概略斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る縦型の基板処理炉の概略構成図である。
【図３】同前本実施の形態に係る縦型の基板処理炉の概略横断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１              筐体
２              カセットステージ
３              カセット
４              載置部
５              カセット受けコマ
６              カセット棚
１１            基板移載機
１３            空気取込み口
１４            クリーンエア供給手段
１５            クリーンエア流れ
１６            イオナイザ
２０２          処理炉
２１７          ボート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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