(57)【要約】【課題】装置全体のサイズの大型化を招くことなく、発光面積を拡大することができる、半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置１では、複数個のトランジスタ６が２列に並べて形成されている。各トランジスタ６は、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。配線１６により、一方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、他方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。また、配線１７により、他方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、一方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。【選択図】図１
2007281081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に複数列に並べて形成され、第１導電型領域およびその列方向の両側に第２導電型領域を有し、かつ、各第２導電型領域の前記基板側に活性層を有する、複数個のトランジスタと、
互いに隣接する２列間において、一方の列に配置される前記トランジスタの列方向の一方側の前記第２導電型領域と、当該トランジスタに対して列方向の前記一方側に隣接する前記トランジスタの列方向の他方側の前記第２導電型領域と、前記他方の列に配置される前記トランジスタの前記第１導電型領域とを電気的に接続する、第１の配線と、
前記２列間において、前記他方の列に配置される前記トランジスタの列方向の前記一方側の前記第２導電型領域と、当該トランジスタに対して列方向の前記一方側に隣接する前記トランジスタの列方向の他方側の前記第２導電型領域と、前記一方の列に配置される前記トランジスタの前記第１導電型領域とを電気的に接続する、第２の配線とを含むことを特徴とする、半導体発光装置。
【請求項２】
前記トランジスタは、前記一方の列の前記第１導電型領域が、前記他方の列で互いに隣接するトランジスタ間に対して列方向と直交する方向に対向し、前記他方の列の前記第１導電型領域が、前記一方の列で互いに隣接するトランジスタ間に対して列方向と直交する方向に対向するように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記基板上に複数の窒化ガリウム系半導体層を積層して形成された半導体積層部をさらに含み、
前記トランジスタは、前記半導体積層部の表面からその積層方向に掘り下げて形成された分離溝により、各列において、他の前記トランジスタと電気的に分離されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記トランジスタは、２列に並べて形成されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、交流駆動型の半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイのバックライトや照明灯などに、交流駆動型の半導体発光装置が用いられてきている。
図５は、従来の交流駆動型の半導体発光装置の構成を図解的に示す平面図である。
この半導体発光装置９１は、サファイア基板上に、多数のＬＥＤ９２を２列に並べて配置した構成を有している。各列において、互いに隣り合うＬＥＤ９２は、分離領域９３により分離されている。
【０００３】
各ＬＥＤ９２は、ｐ型領域９４およびｎ型領域９５を備えている。一方の列（図５における右側の列）をなすＬＥＤ９２と他方の列（図５における左側の列）をなすＬＥＤ９２とは、ｐ型領域９４とｎ型領域９５との並び順が逆になっている。したがって、列方向の一方側（図５における下側）に向かって、一方の列では、ｐ型領域９４、ｎ型領域９５、分離領域９３、ｐ型領域９４、ｎ型領域９５、・・・、分離領域９３、ｐ型領域９４およびｎ型領域９５と並び、他方の列では、ｎ型領域９５、ｐ型領域９４、分離領域９３、ｎ型領域９５、ｐ型領域９４、・・・、分離領域９３、ｎ型領域９５およびｐ型領域９４と並んでいる。
【０００４】
各列において、分離領域９３を挟んで隣り合うｐ型領域９４およびｎ型領域９５は、その分離領域９３を跨いで配設される配線９６により接続されている。また、一方の列の端のｐ型領域９４および他方の列の端のｎ型領域９５は、配線９７により、ワイヤボンディング領域９８に接続されている。さらに、一方の列の端のｎ型領域９５および他方の列の端のｐ型領域９４は、配線９９により、ワイヤボンディング領域１００に接続されている。
【０００５】
ワイヤボンディング領域９８，１００は、ボンディングワイヤにより、半導体発光装置９１が実装される基板上の配線と接続される。そして、ワイヤボンディング領域９８，１００には、その配線からボンディングワイヤを介して、たとえば、１００Ｖの交流電圧が印加される。ワイヤボンディング領域９８，１００に交流電圧が印加されると、各ＬＥＤ９２のｐ型領域９４とｎ型領域９５との間に電位差が生じ、各ＬＥＤ９２が発光する。
【特許文献１】特開２００５−２１６８１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
各ＬＥＤ９２で光を発生させるのは、ｐ型領域９４の下方に設けられる活性層である。そのため、前述した構成の半導体発光装置９１では、ｐ型領域９４のみが発光領域となり、このｐ型領域９４に挟まれるｎ型領域９５および分離領域９３は発光せず、発光領域の面積（発光面積）が小さい。ｐ型領域９４の列方向および／または列方向と直交する方向の幅を大きくすることにより、ｐ型領域９４の面積を大きくすることができ、発光領域の面積を大きくすることができるが、この手法では、半導体発光装置のサイズの大型化を招いてしまう。
【０００７】
この発明の目的は、装置全体のサイズの大型化を招くことなく、発光面積を拡大することができる、半導体発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上に複数列に並べて形成され、第１導電型領域およびその列方向の両側に第２導電型領域を有し、かつ、各第２導電型領域の前記基板側に活性層を有する、複数個のトランジスタと、互いに隣接する２列間において、一方の列に配置される前記トランジスタの列方向の一方側の前記第２導電型領域と、当該トランジスタに対して列方向の前記一方側に隣接する前記トランジスタの列方向の他方側の前記第２導電型領域と、前記他方の列に配置される前記トランジスタの前記第１導電型領域とを電気的に接続する、第１の配線と、前記２列間において、前記他方の列に配置される前記トランジスタの列方向の前記一方側の前記第２導電型領域と、当該トランジスタに対して列方向の前記一方側に隣接する前記トランジスタの列方向の他方側の前記第２導電型領域と、前記一方の列に配置される前記トランジスタの前記第１導電型領域とを電気的に接続する、第２の配線とを含むことを特徴とする、半導体発光装置である。
【０００９】
すなわち、請求項１に記載の半導体発光装置では、基板上に、複数個のトランジスタが複数列に並べて形成されている。各トランジスタは、第１導電型領域およびその列方向の両側に第２導電型領域を有している。また、各トランジスタは、各第２導電型領域の基板側に活性層を有している。そして、互いに隣接する２列間において、第１の配線により、一方の列に配置されるトランジスタの列方向の一方側の第２導電型領域および当該トランジスタに対して列方向の一方側に隣接するトランジスタの列方向の他方側の第２導電型領域と、他方の列に配置されるトランジスタの第１導電型領域とが接続されている。また、第２の配線により、他方の列に配置されるトランジスタの列方向の一方側の第２導電型領域および当該トランジスタに対して列方向の一方側に隣接するトランジスタの列方向の他方側の第２導電型領域と、一方の列に配置されるトランジスタの第１導電型領域とが接続されている。
【００１０】
この構成によれば、第１導電型領域および第２導電型領域を有するＬＥＤを直列に並べた構成と比べて、装置全体のサイズの大型化を招くことなく、電圧印加時に発光領域となる第２導電型領域の面積を拡大することができる。
たとえば、第１導電型領域の列方向の幅が２０μｍであり、第２導電型領域の列方向の幅が１００μｍである場合、１個のトランジスタの列方向の幅は２２０μｍであり、その幅２２０μｍの領域のうち、２つの第２導電型領域を合わせた幅２００μｍの領域が発光領域となる。一方、図５に示す構成のように、第１導電型領域および第２導電型領域を有するＬＥＤを直列に並べた構成では、第１導電型領域の列方向の幅が２０μｍであり、第２導電型領域の列方向の幅が７０μｍであり、各ＬＥＤを分離する分離溝の列方向の幅が４０μｍである場合、列方向に隣接する２個のＬＥＤを含む領域の列方向の幅（一方のＬＥＤの第１導電型領域から他方のＬＥＤの第２導電型領域までの幅）が２２０μｍとなるが、この幅２２０μｍの領域のうち、２つの第２導電型領域を合わせた幅１４０μｍの領域のみが発光領域となる。このように、前記の構成では、装置全体のサイズの大型化を招くことなく、電圧印加時に発光領域となる第２導電型領域の面積を拡大することができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記トランジスタは、前記一方の列の前記第１導電型領域が、前記他方の列で互いに隣接するトランジスタ間に対して列方向と直交する方向に対向し、前記他方の列の前記第１導電型領域が、前記一方の列で互いに隣接するトランジスタ間に対して列方向と直交する方向に対向するように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光装置である。
【００１２】
この構成によれば、第１の配線および第２の配線を、基板に垂直な方向から見た平面視で互いに交差しないように配設することができる。そのため、第１の配線と第２の配線との間での短絡を防止するための構造（たとえば、第１の配線と第２の配線とを異なる階層に形成し、それらの間に絶縁層を介在させる構造）を不要とすることができ、装置の構成を簡素化することができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記基板上に複数の窒化ガリウム系半導体層を積層して形成された半導体積層部をさらに含み、前記トランジスタは、前記半導体積層部の表面からその積層方向に掘り下げて形成された分離溝により、各列において、他の前記トランジスタと電気的に分離されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体発光装置である。
【００１４】
この構成によれば、半導体積層部に分離溝を形成することにより、互いに電気的に分離された複数個のトランジスタを形成することができる。
請求項４に記載の発明は、前記トランジスタは、２列に並べて形成されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置である。
この構成のように、複数個のトランジスタは、基板上で２列に並べて形成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体発光装置の構成を図解的に示す平面図である。また、図２は、図１に示す切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
この半導体発光装置１は、たとえば、商用交流電源（ＡＣ１００Ｖ）に接続されて、照明灯などに好適に用いることができる交流駆動型の半導体発光装置である。半導体発光装置１は、図２に示すように、サファイア（Ａｌ2Ｏ3単結晶）基板２と、このサファイア基板２上に形成された半導体積層部３とを備えている。
【００１６】
半導体積層部３には、図１に示すように、その表面から掘り下げて形成された列間分離溝４および素子間分離溝５により、複数個のトランジスタ６が、互いに電気的に分離して形成されている。複数個のトランジスタ６は、２列に並び、各列においてその列方向に複数並んでいる。
より具体的には、半導体積層部３は、図２に示すように、サファイア基板２上に、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる低温バッファ層７と、この低温バッファ層７よりも高温下で成膜され、ｎ型不純物（たとえば、Ｓｉ）がドープされたＧａＮからなる高温バッファ層８と、ｎ型不純物（たとえば、Ｓｉ）がドープされたＧａＮからなるｎ型クラッド層９と、Ｉｎ（インジウム）が混入されたＧａＮからなる活性層１０と、ｐ型不純物（たとえば、Ｍｇ）がドープされたＧａＮからなるｐ型クラッド層１１とを、この順に積層した構造を有している。列間分離溝４および素子間分離溝５（図２では、素子間分離溝５のみが図示されている。）は、ｐ型クラッド層１１の表面からサファイア基板２の表面に達する深さに形成されている。これにより、半導体積層部３は、複数のトランジスタ６に分離されている。
【００１７】
各トランジスタ６において、列方向の中央部は、ｎ型クラッド層９、活性層１０およびｐ型クラッド層１１が除去されている。すなわち、ｎ型クラッド層９、活性層１０およびｐ型クラッド層１１は、各トランジスタ６の列方向の両端部のみに形成され、各トランジスタ６の列方向の中央部には、両端のｐ型クラッド層１１の間から、第１導電型領域としての高温バッファ層８が露出している。そして、両端のｐ型クラッド層１１の表面上には、たとえば、Ｎｉ（ニッケル）−Ａｕ（金）合金からなるｐ側電極１２ａ，１２ｂが形成されている。また、中央部の高温バッファ層８の表面上には、たとえば、Ｔｉ（チタン）−Ａｌ（アルミニウム）合金からなるｎ側電極１３が形成されている。これにより、各トランジスタ６は、１つのｎ側電極１３と、その列方向の両側にｐ側電極１２ａ，１２ｂを有している。
【００１８】
半導体積層部３の表面は、たとえば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜１４により覆われている。この絶縁膜１４は、列間分離溝４および素子間分離溝５を埋め尽くしている。また、絶縁膜１４には、ｐ側電極１２ａ，１２ｂおよびｎ側電極１３をそれぞれ露出させるための開口１５が形成されている。
なお、以下では、各トランジスタ６の列方向の一方側端部（図１における上側端部）に配置された第２導電型領域としてのｐ型クラッド層１１を「ｐ型クラッド層１１ａ」といい、他方側端部（図１における下側端部）に配置された第２導電型領域としてのｐ型クラッド層１１を「ｐ型クラッド層１１ｂ」という。また、高温バッファ層８においてｐ型クラッド層１１ａとｐ型クラッド層１１ｂとの間に臨む部分を、単に「高温バッファ層８」という。
【００１９】
この半導体発光装置１では、図１に示すように、各列のトランジスタ６は、一方の列（図１における左側の列）の高温バッファ層８が他方の列（図１における右側の列）の素子間分離溝５に対して列方向と直交する方向に対向し、他方の列の高温バッファ層８が一方の列の素子間分離溝５に対して列方向と直交する方向に対向するように配置されている。
そして、絶縁膜１４上には、トランジスタ６の各列間でｐ側電極１２ａ，１２ｂとｎ側電極１３とを接続する配線１６，１７が、列方向に交互に形成されている。
【００２０】
配線１６は、一方の列のトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａ上のｐ側電極１２ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側（図１における上側）に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂ上のｐ側電極１２ｂと、他方の列の高温バッファ層８上のｎ側電極１３とを接続している。これにより、それらのｐ型クラッド層１１ａ、ｐ型クラッド層１１ｂおよび高温バッファ層８は、配線１６を介して、電気的に接続されている。
【００２１】
配線１７は、他方の列のトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａ上のｐ側電極１２ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂ上のｐ側電極１２ｂと、列方向の一方側のｐ側電極１２ａおよびそのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６の列方向の他方側のｐ側電極１２ｂと、一方の列の高温バッファ層８上のｎ側電極１３とを接続している。これにより、それらのｐ型クラッド層１１ａ、ｐ型クラッド層１１ｂおよび高温バッファ層８は、配線１７を介して、電気的に接続されている。
【００２２】
また、この半導体発光装置１は、２つのワイヤボンディング領域１８，１９を備えている。
一方の列の一方側端部に配置されるトランジスタ６は、その高温バッファ層８上のｎ側電極１３が、配線２０により、ワイヤボンディング領域１８に接続されている。また、他方の列の一方側端部に配置されるトランジスタ６は、そのｐ型クラッド層１１ａ上のｐ側電極１２ａが、配線２１により、ワイヤボンディング領域１８に接続されている。
【００２３】
一方の列の他方側端部に配置されるトランジスタ６は、そのｐ型クラッド層１１ｂ上のｐ側電極１２ｂが、配線２２により、ワイヤボンディング領域１９に接続されている。また、他方の列の他方側端部に配置されるトランジスタ６は、その高温バッファ層８上のｎ側電極１３が、配線２３により、ワイヤボンディング領域１９に接続されている。
ワイヤボンディング領域１８，１９には、半導体発光装置１が実装される基板（図示せず）との電気接続のためのワイヤ（図示せず）がボンディングされる。そして、ワイヤボンディング領域１８，１９には、その基板からワイヤを介して、たとえば、１００Ｖの交流電圧が印加される。ワイヤボンディング領域１８，１９に交流電圧が印加されると、各トランジスタ６のｐ側電極１２ａとｎ側電極１３との間、および、ｐ側電極１２ｂとｎ側電極１３との間に、それぞれ電位差が生じ、各トランジスタ６の活性層１０が発光する。
【００２４】
以上のように、この半導体発光装置１では、サファイア基板２上に、複数個のトランジスタ６が２列に並べて形成されている。各トランジスタ６は、平面視において、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。また、各トランジスタ６は、各ｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂの下方に活性層１０を有している。そして、２列間において、配線１６により、一方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、他方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが電気的に接続されている。また、配線１７により、他方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、一方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが電気的に接続されている。
【００２５】
この構成により、ｎ型領域およびｐ型領域を有するＬＥＤを直列に並べた構成と比べて、装置全体のサイズの大型化を招くことなく、電圧印加時の発光領域の面積を拡大することができる。
たとえば、高温バッファ層８の列方向の幅が２０μｍであり、ｐ型クラッド層１１のの列方向の幅が１００μｍである場合、１個のトランジスタ６の列方向の幅は２２０μｍであり、その幅２２０μｍの領域のうち、２つのｐ型クラッド層１１を合わせた幅２００μｍの領域が発光領域となる。一方、図５に示す構成のように、ｐ型領域９４およびｎ型領域９５を有するＬＥＤ９２を直列に並べた構成では、ｎ型領域９５の列方向の幅が２０μｍであり、ｐ型領域９４の列方向の幅が７０μｍであり、各ＬＥＤ９２を分離する分離溝９３の列方向の幅が４０μｍである場合、列方向に隣接する２個のＬＥＤ９２を含む領域の列方向の幅（一方のＬＥＤ９２のｎ型領域９５から他方のＬＥＤ９２のｐ型領域９６までの幅）が２２０μｍとなるが、この幅２２０μｍの領域のうち、２つのｐ型領域９６を合わせた幅１４０μｍの領域のみが発光領域となる。このように、この実施形態の構成では、装置全体のサイズの大型化を招くことなく、電圧印加時の発光領域の面積を拡大することができる。
【００２６】
また、この半導体発光装置１では、各列のトランジスタ６は、一方の列の高温バッファ層８が他方の列の素子間分離溝５に対して列方向と直交する方向に対向し、他方の列の高温バッファ層８が一方の列の素子間分離溝５に対して列方向と直交する方向に対向するように配置されている。このような配置により、図１に示すように、配線１６，１７を、平面視で互いに交差しないように配設することができる。そのため、配線１６，１７との間での短絡を防止するための構造（たとえば、配線１６，１７を互いに異なる階層に形成し、それらの間に絶縁層を介在させる構造）を不要とすることができ、装置の構成を簡素化することができる。
【００２７】
なお、この実施形態では、複数個のトランジスタ６が２列に並べられた構成を例にとったが、複数個のトランジスタ６が３列以上に並べられた構成が採用されてもよい。
図３は、複数個のトランジスタ６が３列に並べて形成された構成を図解的に示す平面図である。この図３において、図１に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号に付した部分についての詳細な説明は省略する。
【００２８】
図３に示す半導体発光装置３１では、複数個のトランジスタ６が３列に並べて形成されており、２列に並べて形成される構成と同様に、各列のトランジスタ６は、互いに隣接する２列（図３における左側の列と中央の列との２列、および、中央の列と右側の列との２列）において、一方の列の高温バッファ層８が他方の列の素子間分離溝５に対して列方向と直交する方向に対向し、他方の列の高温バッファ層８が一方の列の素子間分離溝５に対して列方向と直交する方向に対向するように配置されている。
【００２９】
そして、図３における左側の列と中央の列との２列において、左側の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、中央の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが、配線１６により、電気的に接続されている。また、中央の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、左側の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが、配線１７により、電気的に接続されている。
【００３０】
また、図３における右側の列と中央の列との２列において、右側の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、中央の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが、配線１６により、電気的に接続されている。また、中央の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、右側の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが、配線１７により、電気的に接続されている。
【００３１】
両端の２列の各一方側端部に配置されるトランジスタ６は、その高温バッファ層８上のｎ側電極１３が、配線３２により、ワイヤボンディング領域１８に接続されている。一方、中央の列の一方側端部に配置されるトランジスタ６は、そのｐ型クラッド層１１ａ上のｐ側電極１２ａが、配線３３により、ワイヤボンディング領域１８に接続されている。
さらに、両端の２列の各他方側端部に配置されるトランジスタ６は、そのｐ型クラッド層１１ｂ上のｐ側電極１２ｂが、配線３４により、ワイヤボンディング領域１９に接続されている。一方、中央の列の他方側端部に配置されるトランジスタ６は、その高温バッファ層８上のｎ側電極１３が、配線３５により、ワイヤボンディング領域１９に接続されている。
【００３２】
このような構成によっても、複数個のトランジスタが２列に並べて形成された構成と同様な効果を達成することができる。
なお、両端の列の各一方側端部に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８上のｎ側電極１３と、中央の列の一方側端部に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａ上のｐ側電極１２ａとを、配線により接続すれば、それらのｐ側電極１２ａおよびｎ側電極１３のいずれか１つがワイヤボンディング領域１８に接続されるとよく、配線３２，３３のうちの２本を省略することができる。また、両端の列の各他方側端部に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂ上のｐ側電極１２ｂと、中央の列の一方側端部に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８上のｎ側電極１３とを、配線により接続すれば、それらのｐ側電極１２ｂおよびｎ側電極１３のいずれか１つがワイヤボンディング領域１９に接続されるとよく、配線３４，３５のうちの２本を省略することができる。
【００３３】
図４は、複数個のトランジスタ６が４列に並べて形成された構成を図解的に示す平面図である。この図４において、図１に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号に付した部分についての詳細な説明は省略する。
図４に示す半導体発光装置４１では、複数個のトランジスタ６が４列に並べて形成されている。
【００３４】
中央の２列において、各列のトランジスタ６は、一方の列の高温バッファ層８が他方の列の素子間分離溝５に対して列方向と直交する方向に対向し、他方の列の高温バッファ層８が一方の列の素子間分離溝５に対して列方向と直交する方向に対向するように配置されている。そして、一方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、他方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが、配線１６により、電気的に接続されている。また、他方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、一方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが、配線１７により、電気的に接続されている。
【００３５】
図４における最左側の列のトランジスタ６は、ｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂおよび高温バッファ層８が、その列に隣接する列（図４における左から２番目の列）のトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂおよび高温バッファ層８に対して、それぞれ列方向と直交する方向に対向するように配置されている。そして、最左側の列とこれに隣接する列との間において、互いに対向するｐ型クラッド層１１ａ同士が配線４２により接続され、互いに対向するｐ型クラッド層１１ｂ同士が配線４３により接続され、互いに対向するｎ側電極１３同士が配線４４により接続されている。
【００３６】
また、図４における最右側の列のトランジスタ６は、ｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂおよび高温バッファ層８が、その列に隣接する列（図４における右から２番目の列）のトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂおよび高温バッファ層８に対して、それぞれ列方向と直交する方向に対向するように配置されている。そして、最右側の列とこれに隣接する列との間において、互いに対向するｐ型クラッド層１１ａ同士が配線４５により接続され、互いに対向するｐ型クラッド層１１ｂ同士が配線４６により接続され、互いに対向するｎ側電極１３同士が配線４７により接続されている。
【００３７】
このような構成によっても、複数個のトランジスタが２列に並べて形成された構成と同様な効果を達成することができる。
以上、この発明のいくつかの実施形態を説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、複数個のトランジスタ６を４列以上に並べる場合、図１に示す半導体発光装置１を複数設けて、これらを交流電源に対して並列に接続するようにしてもよい。
【００３８】
また、前述の実施形態では、サファイア基板２上に、窒化ガリウム系半導体層である低温バッファ層７、高温バッファ層８、ｎ型クラッド層９、活性層１０およびｐ型クラッド層１１が積層された構成を例にとったが、この発明は、絶縁性基板上にガリウムヒ素（ＧａＡｓ）系半導体層を積層した構成の半導体発光装置や、絶縁性基板上にインジウムガリウムアルミニウムリン（ＩｎＧａＡｌＰ）系半導体層を積層した構成の半導体発光装置に適用されてもよい。
【００３９】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体発光装置の構成を図解的に示す平面図である。
【図２】図１に示す切断線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図３】複数個のトランジスタが３列に並べて形成された構成を図解的に示す平面図である。
【図４】複数個のトランジスタが４列に並べて形成された構成を図解的に示す平面図である。
【図５】従来の交流駆動型の半導体発光装置の構成を図解的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１      半導体発光装置
２      サファイア基板
３      半導体積層部
６      トランジスタ
７      低温バッファ層（窒化ガリウム系半導体層）
８      高温バッファ層（窒化ガリウム系半導体層）
９      ｎ型クラッド層（窒化ガリウム系半導体層）
１０    活性層（窒化ガリウム系半導体層）
１１    ｐ型クラッド層（窒化ガリウム系半導体層）
１１ａ  ｐ型クラッド層
１１ｂ  ｐ型クラッド層
１６    配線（第１の配線）
１７    配線（第２の配線）
３１    半導体発光装置
４１    半導体発光装置
【図１】
2007281081.tif 000003
【図２】
2007281081.tif 000004
【図３】
2007281081.tif 000005
【図４】
2007281081.tif 000006
【図５】
2007281081.tif 000007