(57)【要約】【課題】  発光色の色ムラを低減することができる発光装置とこれを用いた表示装置及び照明装置、並びに発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】  基板１０と、基板１０に実装された発光素子１３と、発光素子１３を覆う蛍光体層１４とを含み、蛍光体層１４は、基板１０に対向する上面部１５と、基板１０から立ち上がる側面部１６とを備え、上面部１５の外周端部は、段差部１７を有する発光装置１とする。段差部１７は、少なくとも１段以上の階段状に形成されていることが好ましい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に実装された発光素子と、前記発光素子を覆う蛍光体層とを含む発光装置であって、
前記蛍光体層は、前記基板に対向する上面部と、前記基板から立ち上がる側面部とを備え、
前記上面部の外周端部は、段差部を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記段差部は、少なくとも１段以上の階段状に形成されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記蛍光体層の外形は、前記発光素子の外形にそくした形状である請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記上面部は、前記基板に対して平行に形成されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記側面部は、前記基板に対して垂直に形成されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置を含むことを特徴とする照明装置。
【請求項８】
基板の上に発光素子を実装する第１の工程と、
前記発光素子を覆うように蛍光体を含むペーストを塗布して、前記基板に対向する上面部と、前記基板から立ち上がる側面部とを備えた蛍光体層を形成する第２の工程と、
前記上面部の外周端部に段差部を形成する第３の工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記第３の工程において、前記段差部を少なくとも１段以上の階段状に形成する請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程において、前記上面部を前記基板に対して平行に形成する請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程において、前記側面部を前記基板に対して垂直に形成する請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体層を含む発光素子を用いた発光装置とこれを用いた表示装置及び照明装置、並びに発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体多層膜を含む発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ）が知られている。このうち、ＧａＮ系ＬＥＤ等の青色光を発するＬＥＤは、青色光により励起して黄色光を発する蛍光体と組み合わせることによって、白色光を発する発光装置に適用することができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１６は、従来の発光装置の断面図である。図１６に示すように、発光装置１００は、基板１０１と、基板１０１上に形成された導体パターン１０２と、導体パターン１０２上にフリップチップ実装されたＬＥＤチップ１０３と、ＬＥＤチップ１０３を覆って形成された蛍光体層１０４とを含む。また、ＬＥＤチップ１０３は、サファイア基板１１０と、サファイア基板１１０上に順次積層されたｎ型半導体層１１１、発光層１１２及びｐ型半導体層１１３とを含む。ｎ型半導体層１１１の基板１０１側の主面の一部１１１ａには、発光層１１２が接触しておらず、ｎ側電極１１４ａが設けられている。そして、ｎ型半導体層１１１は、ｎ側電極１１４ａと金バンプ１１５とを介して導体パターン１０２と電気的に接続されている。ｐ型半導体層１１３は、ｐ側電極１１４ｂと金バンプ１１５とを介して導体パターン１０２と電気的に接続されている。
【特許文献１】特開２００１−１５８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した構成を有する発光装置１００を発光させた際、蛍光体層１０４の外周端部１０４ａから発せられる光は、白色光にならずに黄色光として取り出される。これは、蛍光体層１０４の外周端部１０４ａを通過する青色光（斜め方向の光）の光路長が、蛍光体層１０４の上面部１０４ｂと側面部１０４ｃを通過する青色光の光路長より長くなるため、この青色光により蛍光体が励起され易くなり、結果としてこの領域から発せられる黄色光成分が多くなるからである。そのため、発光装置１００では、発光色に色ムラが生じ、照明装置や表示装置への適用が困難となるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、発光色の色ムラを低減することができる発光装置とこれを用いた表示装置及び照明装置、並びに発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置は、基板と、前記基板に実装された発光素子と、前記発光素子を覆う蛍光体層とを含む発光装置であって、前記蛍光体層は、前記基板に対向する上面部と、前記基板から立ち上がる側面部とを備え、前記上面部の外周端部は、段差部を有することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の表示装置及び照明装置は、いずれも上記本発明の発光装置を含む。
【０００８】
また、本発明の発光装置の製造方法は、基板の上に発光素子を実装する第１の工程と、前記発光素子を覆うように蛍光体を含むペーストを塗布して、前記基板に対向する上面部と、前記基板から立ち上がる側面部とを備えた蛍光体層を形成する第２の工程と、前記上
面部の外周端部に段差部を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の発光装置によれば、蛍光体層の上面部の外周端部に段差部を有することにより、この外周端部から発せられる光の発光色を、蛍光体層の他の部分から発せられる光の発光色に合わせることができる。これにより、発光色の色ムラを低減することができる。また、本発明の表示装置及び照明装置によれば、上記本発明の発光装置を含むため、発光色の色ムラが低減された表示装置及び照明装置を提供することができる。また、本発明の発光装置の製造方法によれば、上記本発明の発光装置を合理的に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の発光装置は、基板と、基板に実装された発光素子と、発光素子を覆う蛍光体層とを含む。また、蛍光体層は、基板に対向する上面部と、基板から立ち上がる側面部とを備え、上面部の外周端部は、段差部を有している。
【００１１】
蛍光体層の上面部の外周端部に段差部を設けることにより、発光素子から放射された発光において、蛍光体層の外周端部を通過する発光の光路長と、蛍光体層の他の部分を通過する発光の光路長とがほぼ等しくなるため、蛍光体層の外周端部から発せられる光の発光色を、蛍光体層の他の部分から発せられる光の発光色に合わせることができる。これにより、発光色の色ムラを低減することができる。なお、上記段差部は、上面部の外周端部の少なくとも一部に形成されていればよい。
【００１２】
また、上記段差部は、少なくとも１段以上の階段状に形成されていることが好ましい。これにより、より精密に上記光路長を制御できるからである。
【００１３】
上記蛍光体層の外形は、発光素子の外形にそくした形状であることが好ましい。発光素子の外面と蛍光体層の外面との距離を一定にして、発光色の色ムラを低減することができるからである。
【００１４】
上記蛍光体層の上面部は、基板に対して平行に形成されていることが好ましい。これにより、基板に対して垂直方向の発光の光路長を一定にできるため、蛍光体層の上面部における発光色の色ムラを低減することができるからである。
【００１５】
上記蛍光体層の側面部は、基板に対して垂直に形成されていることが好ましい。これにより、基板に対して平行方向の発光の光路長を一定にできるため、蛍光体層の側面部における発光色の色ムラを低減することができるからである。
【００１６】
また、本発明の表示装置は、上記本発明の発光装置を含む。これにより、発光色の色ムラが低減された表示装置を提供できる。
【００１７】
また、本発明の照明装置は、上記本発明の発光装置を含む。これにより、発光色の色ムラが低減された照明装置を提供できる。
【００１８】
また、本発明の発光装置の製造方法は、基板の上に発光素子を実装する第１の工程と、発光素子を覆うように蛍光体を含むペーストを塗布して、基板に対向する上面部と、基板から立ち上がる側面部とを備えた蛍光体層を形成する第２の工程と、上面部の外周端部に段差部を形成する第３の工程とを含む。
【００１９】
これにより、上記本発明の発光装置を合理的に製造することができる。また、前述の理由により、上記第３の工程において、段差部を少なくとも１段以上の階段状に形成するこ
とが好ましく、上記第２の工程において、上面部を基板に対して平行に形成することが好ましく、上記第２の工程において、側面部を基板に対して垂直に形成することが好ましい。
【００２０】
次に、図面に基づき本発明の実施形態を説明する。
【００２１】
＜発光装置の実施形態＞
先ず、本発明の発光装置の実施形態について説明する。図１は、本発明の発光装置の一例を示す断面図である。図１において、発光装置１は、基板１０と、基板１０の上に形成された導体パターン１１と、導体パターン１１の上にバンプ１２を介してフリップチップ実装された発光素子１３と、発光素子１３を覆う蛍光体層１４とを備えている。蛍光体層１４は、基板１０に対向する上面部１５と、基板１０から立ち上がる側面部１６とを備え、上面部１５の外周端部には、段差部１７が設けられている。本実施形態の段差部１７は、段差が１段の階段状に形成されている。また、上面部１５は、基板１０に対して平行に形成され、側面部１６は、基板１０に対して垂直に形成されている。蛍光体層１４の上面部１５の外周端部に段差部１７を設けることにより、蛍光体層１４の外周端部を通過する発光の光路長と、蛍光体層１４の他の部分を通過する発光の光路長とをほぼ等しくできる。
【００２２】
上記基板１０を構成する基材は、特に限定されず、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ等からなるセラミック基材や、Ｓｉ等からなる半導体基材、あるいは金属層上に電気絶縁材層を積層させた積層基材等が使用できる。上記電気絶縁材層としては、例えば無機フィラー７０〜９５質量％と、熱硬化樹脂組成物５〜３０質量％とを含むコンポジット材が使用できる。なお、上記基板１０を構成する基材の厚みは、例えば０．１〜１ｍｍとすればよい。
【００２３】
上記発光素子１３としては、例えば青色ＬＥＤを構成するダイオード構造を有するものが使用できる。具体的には、第１導電型層と発光層と第２導電型層とがこの順に積層された半導体多層膜を含むＬＥＤチップが好適に使用できる。ここで、「第１導電型」とは、ｐ型又はｎ型の導電型のことであり、「第２導電型」とは、第１導電型と逆の導電型のことである。例えば、第１導電型層がｐ型半導体層の場合、第２導電型層はｎ型半導体層となる。第１導電型層としては、例えば、ｐ型半導体層であるｐ−ＧａＮ層や、ｎ型半導体層であるｎ−ＧａＮ層等を使用することができる。第２導電型層としては、第１導電型層と同様に、例えば、ｐ型半導体層であるｐ−ＧａＮ層や、ｎ型半導体層であるｎ−ＧａＮ層等を使用することができる。発光層の材料としては、４５０〜４７０ｎｍの光を発することができる材料が好ましい。発光層の具体例としては、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井戸発光層等が挙げられる。なお、発光層の材料として、４１０ｎｍ以下の光を発することができる材料を用いてもよい。また、ｐ型半導体層、発光層及びｎ型半導体層の厚みは、例えばそれぞれ０．１〜０．５μｍ、０．０１〜０．１μｍ及び０．５〜３μｍとすればよい。また、上記発光素子１３は、上記半導体多層膜を結晶成長させる際に使用したサファイア基板等の単結晶基板（厚み：例えば０．０１〜０．５ｍｍ程度）を含んでいてもよい。
【００２４】
上記蛍光体層１４は、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の透明樹脂に蛍光体と無機フィラーとを分散させたものが使用できる。上記蛍光体としては、例えば、ガーネット構造系Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12:Ｃｅ3+、シリケート系（Ｂａ，Ｓｒ）2ＳｉＯ4:Ｅｕ2+等の緑色光を発する蛍光体や、サイアロン系Ｃａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ:Ｅｕ2+、シリケート系（Ｓｒ，Ｃａ）2ＳｉＯ4:Ｅｕ2+、ガーネット構造系（Ｙ，Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12:Ｃｅ3+等の黄色光を発する蛍光体や、ニトリドシリケート系Ｓｒ2Ｓｉ5Ｎ8:Ｅｕ2+、ニトリドアルミノシリケート系ＣａＡｌＳｉＮ3:Ｅｕ2+、オクソニトリドアルミノシリケート系Ｓｒ2Ｓｉ4ＡｌＯＮ7:Ｅｕ2+、硫化物系ＣａＳ:Ｅｕ2+等の赤色光を発する蛍光体等が使用できる
。特に、黄色光を発する蛍光体を含む場合は、照明装置として好適な白色光が得られる発光装置を提供できる。また、上記無機フィラーとしては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等が使用できる。
【００２５】
なお、バンプ１２は金等で形成でき、導体パターン１１はアルミニウム、金等で形成できるが、これらの材質に限定されない。
【００２６】
図２は、本発明の発光装置の他の一例を示す断面図である。図２の発光装置１は、段差部１７が３段の階段状に形成されている以外は、図１の発光装置と同様である。図２において、図１と同一の部分には同一の符号つ付けて、その説明は省略する。
【００２７】
図３は、本発明の発光装置の他の一例を示す断面図である。図３の発光装置１は、段差部１７が２段の階段状に形成され、発光素子１３の下部と基板１０の導体パターン１１ａとを直接接続し、発光素子１３の上部の電極と基板１０の導体パターン１１ｂとを１本のワイヤ１８を用いて接続している以外は、図１の発光装置と同様である。図３において、図１と同一の部分には同一の符号つ付けて、その説明は省略する。
【００２８】
図４は、本発明の発光装置の他の一例を示す断面図である。図４の発光装置１は、発光素子１３の下部と基板１０の導体パターン１１ａとを直接接続し、発光素子１３の上部の電極と基板１０の導体パターン１１ｂとを２本のワイヤ１８を用いて接続している以外は、図３の発光装置と同様である。図４において、図３と同一の部分には同一の符号つ付けて、その説明は省略する。
【００２９】
図５は、本発明の発光装置の一例を示す斜視図である。図５の発光装置１は、基板１０の主面の面積と、蛍光体層１４の下面の面積とを同一にした以外は、図１の発光装置とほぼ同様である。図５において、図１と同一の部分には同一の符号を付けて、その説明は省略する。
【００３０】
図６は、本発明の発光装置の他の一例を示す斜視図である。図６の発光装置１は、発光素子（図示せず。）の形状を六角形状にした場合であり、それに合わせて基板１０の形状及び蛍光体層１４の形状を六角形状とした以外は、図５の発光装置とほぼ同様である。図６において、図５と同一の部分には同一の符号を付けて、その説明は省略する。
【００３１】
図７は、上記段差部１７の他の実施形態を示す部分断面図である。図７Ａに示した形態は、段差部１７の側面部を傾斜させた例であり、図７Ｂに示した形態は、段差部１７を鋭角状に形成した例であり、図７Ｃは、段差部１７を微細に多数形成して外観的には曲面状に形成した例である。
【００３２】
＜発光装置の製造方法の実施形態＞
次に、本発明の製造方法の実施形態を説明する。図８及び図９は、本発明の発光装置の製造方法の一例を説明する工程断面図である。なお、図８及び図９において、図１〜図７と同一の部分には同一の符号を付けて、その説明は省略する。
【００３３】
先ず、図８Ａに示すように、基板１０の上に形成された導体パターン１１の上にバンプ１２を形成する。次に、図８Ｂに示すように、発光素子１３をバンプ１２を介して基板１０の導体パターン１１の上に配置し、加熱及び超音波接合することでフリップチップ実装する。次に、図８Ｃに示すように、基板１０の上の発光素子１３を囲うようにスクリーン版２０を配置する。次に、図８Ｄに示すように、印刷スキージ２１を用いて、発光素子１３を覆うように蛍光体を含むペースト２２をスクリーン印刷法により塗布する。次に、スクリーン板２０を除去した後、加熱等によりペースト２２を硬化させて、図８Ｅに示すよ
うに、グラインダーブレード２３を用いて蛍光体層１４の上面部１５を研磨し、蛍光体層１４の高さを調整する。なお、図８Ｅに示した研磨工程は、省略することができる。以上の工程により、基板１０に対向する上面部１５と、基板１０から立ち上がる側面部１６とを備えた立方体状の蛍光体層１４が、基板１０の上に形成される。
【００３４】
続いて、図９Ａ、Ｂに示すように、蛍光体層１４の上面部１５の外周端部を、ダイシングブレード２４を用いて階段状に切削する。これにより、図９Ｃに示すように、上面部１５の外周端部に段差部１７を備えた蛍光体層１４が得られる。さらに、必要に応じて、図９Ｄに示すように、基板１０の端部と蛍光体層１４の側面部１６とをダイシングブレード２４で研磨することもできる。これにより、図８Ｅに示すように、蛍光体層１４の側面部１６が基板１０の端部と面一となった発光素子１を形成できる。
【００３５】
ペースト２２は、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等からなる液状の樹脂に前述した蛍光体を分散させたものが使用できる。その粘度は、通常５０〜５０００Ｐａ・ｓ程度であり、好ましくは１００〜２０００Ｐａ・ｓ程度である。
【００３６】
本実施形態では、ペースト２２を塗布する方法としてスクリーン印刷法を採用したが、これには特に限定されずインクジェット印刷法を使用することもできる。また、本実施形態では、基板１０の上に発光素子１３を含む蛍光体層１４を１個形成する例を示したが、基板１０の上に複数の蛍光体層１４を形成し、その後にダイシングにより個片化することもできる。
【００３７】
＜発光モジュールの実施形態＞
次に、上述した実施形態に係る発光装置１を用いた発光モジュールの実施形態について説明する。図１０は、上記発光モジュールの一例を示す断面図である。
【００３８】
図１０に示すように、発光モジュール３は、実装基板３０と、実装基板３０上に形成された導体パターン３１と、導体パターン３１上に金ワイヤ３２を介して実装された複数の発光装置１（図１０では１つのみ図示）と、実装基板３０上に設けられた反射板３３と、反射板３３の孔部３３ａ内に充填された、発光装置１を封止するための封止樹脂層３４と、封止樹脂層３４上に形成されたレンズ３５とを含む。レンズ３５により、配光角を狭めて集光性を高めることができる。実装基板３０は、アルミニウム等からなる金属層３０ａと、金属層３０ａ上に積層された電気絶縁層３０ｂとからなる。電気絶縁層３０ｂとしては、例えば、無機フィラー７０〜９５質量％と、熱硬化樹脂組成物５〜３０質量％とを含むコンポジット材等が使用できる。
【００３９】
以上のように構成された発光モジュール３は、本発明の発光装置１を含むため、レンズ３５により配光角を狭めても発光色の色ムラを抑えることができる。なお、発光モジュール３において、封止樹脂層３４及びレンズ３５は、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の透明な樹脂やガラス等で構成することができる。また、反射板３３の構成材料としては、アルミニウム等の反射率の高い金属、アルミナ等の反射率の高いセラミック材料、液晶ポリマー等の反射率の高い白色樹脂等が使用できる。
【００４０】
＜表示装置の実施形態＞
次に、本発明の表示装置の実施形態について説明する。図１１は、本発明の表示装置の一例である画像表示装置を示す斜視図である。
【００４１】
図１１に示すように、本実施形態の画像表示装置４は、パネル４０を有しており、このパネル４０の一主面４０ａには、光源として、上述した発光モジュール３がマトリクス状に複数配置されている。このように構成された画像表示装置４は、本発明の発光装置１（
図１０参照）を含む発光モジュール３を光源とするため、発光色の色ムラを抑えることができる。
【００４２】
＜照明装置の実施形態＞
次に、本発明の照明装置の実施形態について説明する。図１２は、本発明の照明装置の一例であるスタンド型照明装置の斜視図である。
【００４３】
図１２に示すように、本実施形態のスタンド型照明装置５は、胴部５０と、胴部５０の一端に固定された、胴部５０を支える基部５１と、胴部５０の他端に固定された照明部５２とを含む。そして、照明部５２の一主面５２ａには、光源として、上述した発光モジュール３がマトリクス状に複数配置されている。このように構成されたスタンド型照明装置５は、本発明の発光装置１（図１０参照）を含む発光モジュール３を光源とするため、発光色の色ムラを抑えることができる。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明の実施例について説明する。但し、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００４５】
本実施例の発光装置を前述の本発明の実施形態で説明した製造方法により作製した。本実施例の発光装置について図面を参照して詳細に説明する。参照する図１３は、本実施例の発光装置の詳細断面図である。図１３に示すように、発光装置１は、厚さ０．１５ｍｍのセラミック基板１０と、基板１０上に形成された導体パターン１１と、導体パターン１１上にフリップチップ実装された発光素子（ＬＥＤチップ）１３と、ＬＥＤチップ１３を覆って形成された、蛍光体を含む蛍光体層１４とを有する。蛍光体層１４の上面部１５の外周端部には、２段の段差を有する段差部１７が形成されている。上面部１５は基板１０に対して平行に形成され、蛍光体層１４の側面部１６は基板１０に対して垂直に形成されている。
【００４６】
ＬＥＤチップ１３は、０．３２ｍｍ角のサファイア基板１３ａと、サファイア基板１３ａ上に順次積層されたｎ−ＧａＮ層からなるｎ型半導体層１３ｂ、発光層１３ｃ及びｐ−ＧａＮ層からなるｐ型半導体層１３ｄとを含み、４６０ｎｍに発光ピークを有する青色ＬＥＤである。ｎ型半導体層１３ｂの基板１０側の主面の一部には、発光層１３ｃが接触しておらず、第１電極１９ａが設けられている。また、ｎ型半導体層１３ｂは、第１電極１９ａと金バンプ１２とを介して導体パターン１１と電気的に接続されている。そして、ｐ型半導体層１３ｄは、第２電極１９ｂと金バンプ１２とを介して導体パターン１１と電気的に接続されている。
【００４７】
蛍光体層１４は、シリコーン樹脂２９質量％に、黄色蛍光体７０質量％及びＳｉＯ2（シリカ）粉末１質量％を分散させて形成した。黄色蛍光体としては、（Ｙ，Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+蛍光体を使用した。また、蛍光体層１４の幅Ｗは０．５５ｍｍ、高さＨは０．２２ｍｍとし、段差部１７の幅ａは０．０４ｍｍ、高さｂは０．０３ｍｍとした。
【００４８】
また、比較例として、蛍光体層１４の上面部１５の外周端部に段差部１７を設けなかった以外は、上記実施例と同様にして発光装置を作製した。
【００４９】
（発光色の色ムラの評価）
上述の実施例及び比較例の発光装置について、それぞれ下記に示す方法により発光色の色ムラの評価を行った。
【００５０】
図１４は、発光色の色ムラの評価方法を示す模式図である。図１４に示すように、実施
例又は比較例の発光装置にレンズを取り付けた光源６０に対し電流（３０ｍＡ）を印加して、光源６０を発光させた。この際のビーム角は、２０度とした。そして、光源６０から５０ｃｍ離れた箇所を通り、かつ光源６０の光軸と直交する平面を仮想照射面として、この仮想照射面内にプローブ（図示せず。）を設置し、光源６０からの光のスペクトルを測定した。この際のスペクトルの測定箇所は、蛍光体層の上面部から発せられた光の照射領域である領域６１と、蛍光体層の上面部の外周端部から発せられた光の照射領域である領域６２の２箇所とした。なお、スペクトルの測定には、大塚電子株式会社製ＭＣＰＤ３０００を用いた。
【００５１】
図１５は、光源６０からの光のスペクトルを示すグラフである。図１５において、実線Ａが実施例及び比較例の領域６１（図１４参照）における光のスペクトル形状を示し、実施例と比較例とで同様の形状を示した。実線Ｂが実施例の領域６２（図１４参照）における光のスペクトル形状を示し、実線Ｃが比較例の領域６２における光のスペクトル形状を示す。なお、図１５では、いずれも比較しやすくするため、波長が４６０ｎｍの光（青色光）の強度を１として規格化している。
【００５２】
図１５から明らかなように、比較例では、領域６１における光のスペクトル形状（実線Ａ）と、領域６２における光のスペクトル形状（実線Ｃ）とが大きく異なる。比較例では、蛍光体層の上面部の外周端部から発せられる光の青色光成分（波長が４６０ｎｍ付近の光）が、上記光の黄色光成分（波長が５７０ｎｍ付近の光）に比べ少ない。よって、上記光が領域６２において黄色光として取り出されるため、図１５に示すように光のスペクトル形状に相違が生じている。
【００５３】
一方、実施例では、領域６１における光のスペクトル形状（実線Ａ）と、領域６２における光のスペクトル形状（実線Ｂ）とがほぼ一致している。このことから、本発明の実施例によれば、発光色の色ムラを低減できることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の発光装置は、例えば、一般照明、演出照明（サイン灯等）、自動車用照明（特に前照灯）等に使用される照明装置や、街頭用大型ディスプレイ、バックライト、プロジェクタ等に使用される表示装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の発光装置の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の発光装置の他の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の発光装置の他の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の発光装置の他の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の発光装置の一例を示す斜視図である。
【図６】本発明の発光装置の他の一例を示す斜視図である。
【図７】蛍光体層の段差部の他の実施形態を示す部分断面図である。
【図８】本発明の発光装置の製造方法の一例を説明する工程断面図である。
【図９】本発明の発光装置の製造方法の一例を説明する工程断面図である。
【図１０】本発明の発光装置を用いた発光モジュールの一例を示す断面図である。
【図１１】本発明の表示装置の一例である画像表示装置を示す斜視図である。
【図１２】本発明の照明装置の一例であるスタンド型照明装置の斜視図である。
【図１３】実施例の発光装置の詳細断面図である。
【図１４】発光色の色ムラの評価方法を示す模式図である。
【図１５】光源からの光のスペクトルを示すグラフである。
【図１６】従来の発光装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  発光装置
３  発光モジュール
４  画像表示装置（表示装置）
５  スタンド型照明装置（照明装置）
１０  基板
１１  導体パターン
１２  バンプ
１３  発光素子（ＬＥＤチップ）
１３ａ  サファイア基板
１３ｂ  ｎ型半導体層
１３ｃ  発光層
１３ｄ  ｐ型半導体層
１４  蛍光体層
１５  上面部
１６  側面部
１７  段差部
１８  ワイヤ
１９ａ  第１電極
１９ｂ  第２電極
２０  スクリーン板
２１  印刷スキージ
２２  ペースト
２３  グラインダーブレード
２４  ダイシングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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