(57)【要約】【課題】半導体装置の反り量を小さくし、基板実装性の上げるためアウターリードのコプラナリティが悪化しない半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止した半導体素子２０であって、封止形状において封止表面に溝６１を設けることで半導体素子の反り発生領域を細分化し反り量の緩和を実現する。【選択図】図１
2007281380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止パッケージした半導体素子であって、
半導体チップ、半導体チップと前記リードフレームのインナーリードとを接続する金属細線、前記金属細線とインナーリードの接続部を含む第１の封止エリアの周囲に、第１の封止エリアよりも樹脂封止厚さが薄い封止エリアを設けた
半導体素子。
【請求項２】
リードフレームのアイランド上に取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止した樹脂封止形の半導体素子において、半導体素子封止形状を、半導体チップ、半導体チップと前記リードフレームのインナーリードとを接続する金属細線、前記金属細線とインナーリードの接続部を含むエリアと、それ以外のエリアに分け、その境界に半導体素子表面より一段下げた溝を設けた
半導体素子。
【請求項３】
リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止するとともに封止パッケージの表面に溝を設けた半導体素子を、基板に実装した半導体装置であって、前記半導体素子が前記溝で湾曲し、前記基板も前記湾曲に倣って湾曲している半導体素子。
【請求項４】
リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止するとともに封止パッケージの表面に溝を設けた半導体素子を製造するに際し、
半導体素子を個片化する工程においてアウターリードの折り曲げを行う加工金型のパッケージ受け形状を凸または凸形状にすることでパッケージ後の半導体素子の反りを任意の方向へ修正する
半導体素子の製造方法。
【請求項５】
リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止するとともに封止パッケージの表面に溝を設けた半導体素子を、前記溝を基点として曲面に内接する面に沿うように折り曲げる
半導体素子の製造方法。
【請求項６】
リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止するとともに封止パッケージの表面に溝を設け、前記溝を基点として曲面に内接する面に沿うように折り曲げた半導体素子を、基板の曲面部に実装した半導体装置。
【請求項７】
リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止パッケージした半導体素子であって、
半導体チップ、半導体チップと前記リードフレームのインナーリードとを接続する金属細線、前記金属細線とインナーリードの接続部を含む第１の封止エリアと、
第１の封止エリアに連なって周囲に形成され樹脂封止厚さが第１の封止エリアよりも薄い第２の封止エリアと、
第２の封止エリアに連なって周囲に形成され樹脂封止厚さが第２の封止エリアよりも厚い第３の封止エリアと
を設けた半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に半導体素子の反りと反り量の変化が少なく、アウターリードのコプラナリティ（平坦度）が悪化しない半導体素子とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体素子２０の製造方法は、図８に示すステップに沿って実施されている。ここではＱＦＰ（Quad Flat Package）パッケージの場合を例に挙げて図９〜図１７に各工程の状態を例に挙げて説明する。
【０００３】
図８に示すステップＳ１のダイスボンド工程では、図９に示すリードフレーム１０のアイランド１３に、図１０に示すように半導体チップ１１を接着剤などにより取り付ける。１４はインナーリード、１５はアウターリード、１５ａはリード保持部、１６は吊りリード、１７はリード接続部、１９はダイバーである。
【０００４】
ステップＳ２のワイヤーボンド工程では、図１０に示すように半導体チップ１１上の電極パッド１２とインナーリード１４とを金属細線２１で接続する。
ステップＳ３の封止工程では、図１１に示すように半導体チップ１１，アイランド１３，金属細線２１およびインナーリード１４を封止樹脂１８で樹脂封入する。この際、図示するように封止樹脂１８は、その周囲を囲むタイバー１９によって封止領域１８ａ内に塞き止められている。
【０００５】
ステップＳ４のアフターキュア工程では、樹脂封止された半導体素子２０を１６０〜１８０℃前後の高温槽内にて２〜８時間程度放置し、封止樹脂１８の完全硬化を行う。
ステップＳ５のタイバー切断工程では、図１２に示すようにタイバー１９の各アウターリード１５との間Ａと、アウターリード１５と吊りリード１６との間Ｂとを、それぞれ切断装置を用いて切断し、各アウターリード１５を電気的に独立させる。
【０００６】
ステップＳ６のリード加工工程では、図１３（ａ）（ｂ）に示すように、各アウターリード１５の先端部を連結するリード保持部１５ａとリードフレーム１０とを連結するリード接続部１７を位置Ｃで切断して切り離し、次にアウターリード１５をガルウイング形状などに折り曲げ加工する。図１３（ａ）のｘ−ｘ線に沿う断面を図１３（ｂ）に示す。
【０００７】
ステップＳ７の個片化工程では、図１４（ａ）（ｂ）および図１５に示すように、個片化装置２５の個片化金型２５ｕ，２５ｄにより、半導体素子２０のアウターリード１５を規定のリード長さに切断するとともに、吊りリード１６を切断してリードフレーム１０から半導体素子２０を分離する。図１４（ａ）のｘ−ｘ線に沿う断面を図１４（ｂ）に示す。
【０００８】
ステップＳ８の検査工程では、半導体素子２０の電気的検査を実施する。
ステップＳ９の基板実装工程では、半導体素子２０を基板に実装する。この際、リフロー（２２０〜２５０℃前後）により半田等の接合材を溶融させ、基板の電極と半導体素子２０のアウターリード１５とを接続する。
【０００９】
図８に示した従来の各工程はそれぞれ独立しており、特にステップＳ３の封止工程と、ステップＳ４のアフターキュア工程とでは、半導体素子２０の温度変化が激しい。すなわち、ステップＳ３の封止工程では封止樹脂１８より封止を実施し、ステップＳ４のアフターキュア工程では、樹脂封止済の半導体素子２０を高温状態でマガジン等の収納ボックスに収納し、収納ボックスごと高温槽に入れて、規定の時間経過後に常温環境下にさらして冷却する。そしてステップＳ５のタイバー切断工程では、常温状態でタイバー１９、アウターリード１５の切断、アウターリード１５の曲げ加工が実施される。
【００１０】
このステップＳ３の封止工程後の高温状態（１６０〜１８０℃）から常温状態（２０〜３５℃の温度）への温度変化や、封止樹脂１８の硬化時の収縮過程で内包する半導体チップ１１を挟んだ上面と下面との樹脂厚の差による収縮率の差による応力により半導体素子２０に反りが発生する。その反りの影響を受けたままステップＳ６のリード加工工程において半導体素子２０のアウターリード１５の加工が実施される。
【００１１】
ステップＳ６のリード加工工程において半導体素子２０に既に反りがある場合、このリード加工時発生する外力（外部接続端子を曲げるために必要な１ピンあたり発生する力は０．７Ｎ程度必要。従って仮に２１６ピンの半導体素子２０では１５０Ｎが必要）により一時的に半導体素子２０の反りは、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、リード加工金型６２内の平坦な受け面６３に押さえ付けられることで反りが矯正され、その状態でリード加工を実施される。しかし、リード加工後では半導体素子に発生していた受け面６３に押しつけて反りをなくしていたリード加工時の外力が無くなり、半導体素子２０の反りは図１６（ｃ）に示すように元の反り状態に戻る。これは半導体素子２０がエポキシ樹脂を主成分にするため、弾性特性を有するためにおこる現象である。
【００１２】
この半導体素子２０の反り量（例えば６０μｍ）とリード加工時の成型精度（例えば１５μｍ）をプラスしたものがコプラナリティの実力となり６０μｍ+１５μｍ＝７５μｍとなり金型は数μｍの精度で作成されており、これ以上のリード成形精度の向上は見込めない。そのため、半導体素子２０の反りがコプラナリティを決める大きな因子であることがわかる。
【００１３】
従って、反り量が大きくなる薄厚の半導体素子においては、コプラナリティを良くするためには半導体素子の反り量を低減させることでコプラナリティ精度を改善することが可能となる。特に、２０ｍｍ角以上の半導体素子２０ではこの問題は多く発生し、昨今の薄型で多ピンのサイズの大型な半導体素子、たとえばＱＦＰ（Quad Flat Package）パッケージと呼ばれ大きさが２４ｍｍ×２４ｍｍ角以上、もしくは半導体素子の厚さが１．４ｍｍ以下の時に発生し、通常必要なコプラナリティは６０μｍ程度であるが、半導体素子自身の反りが６０μｍ以上になる場合があり、反り量のみで既に規格外に外れてしまい、半田付け不良となるという問題がある。図１７（ａ）（ｂ）（ｃ）はこの様子を示しており、図１７（ａ）は常温で基板２２の電極２３に半導体素子２０が実装された状態、図１７（ｂ）は高温でのリフロー状態、図１７（ｃ）は基板リフロー後の常温状態であり、半田付け不良Ｄが発生している。
【００１４】
この問題に対処するために、特許文献１に提案された半導体素子がある。これを図１８（ａ）（ｂ）に示す。これでは半導体素子２０の裏面の隙間に、封止材からなる凸部２ａを、アウターリード１５の基端から半導体素子２０の裏面の中央に向かって形成し、凸部２ａを半導体素子２０の反りを緩和する補強のリブとしている。
【特許文献１】特開２０００−１５０７２３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
特許文献１では凸部２ａを設けているが、例えばＱＦＰの半導体素子２０のＬＱＦＰタイプでは半導体素子２０厚さが１．４ｍｍ、半導体素子２０の下面とアウターリード１５の基端までの距離（スタンドオフ）が０．１ｍｍ±０．０５ｍｍであり、その隙間に凸部２ａを設けた場合、取り付け時の隙間を考慮しても最大０．０５ｍｍ程度しか設けることができない。
【００１６】
これは半導体素子２０の厚さと比較し３．６％しかなく、補強としての効果が非常に少ない。そのため、半導体素子２０自身が６０μｍ沿った場合の改善効果が薄いことは容易に判断できる。
【００１７】
そこで本発明は、反りの発生の原因となる半導体素子の封止樹脂とリードフレームの線膨張係数の差による応力の緩和を実現することでアウターリードのコプラナリティの精度を向上させる。また半導体素子の反り量を小さくすることで、半導体素子を基板へ実装して半導体装置を構成する場合に、半導体素子と基板との半田の密着性がよく実装による歩留の向上を図ることができる半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の請求項１記載の半導体素子は、リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止パッケージした半導体素子であって、半導体チップ、半導体チップと前記リードフレームのインナーリードとを接続する金属細線、前記金属細線とインナーリードの接続部を含む第１の封止エリアの周囲に、第１の封止エリアよりも樹脂封止厚さが薄い封止エリアを設けたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項２記載の半導体素子は、リードフレームのアイランド上に取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止した樹脂封止形の半導体素子において、半導体素子封止形状を、半導体チップ、半導体チップと前記リードフレームのインナーリードとを接続する金属細線、前記金属細線とインナーリードの接続部を含むエリアと、それ以外のエリアに分け、その境界に半導体素子表面より一段下げた溝を設けたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項３記載の半導体素子は、リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止するとともに封止パッケージの表面に溝を設けた半導体素子を、基板に実装した半導体装置であって、前記半導体素子が前記溝で湾曲し、前記基板も前記湾曲に倣って湾曲していることを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項４記載の半導体素子の製造方法は、リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止するとともに封止パッケージの表面に溝を設けた半導体素子を製造するに際し、半導体素子を個片化する工程においてアウターリードの折り曲げを行う加工金型のパッケージ受け形状を凸または凸形状にすることでパッケージ後の半導体素子の反りを任意の方向へ修正することを特徴とする。
【００２２】
本発明の請求項５記載の半導体素子の製造方法は、リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止するとともに封止パッケージの表面に溝を設けた半導体素子を、前記溝を基点として曲面に内接する面に沿うように折り曲げることを特徴とする。
【００２３】
本発明の請求項６記載の半導体装置は、リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止するとともに封止パッケージの表面に溝を設け、前記溝を基点として曲面に内接する面に沿うように折り曲げた半導体素子を、基板の曲面部に実装したことを特徴とする。
【００２４】
本発明の請求項７記載の半導体素子は、リードフレームに取り付けられた半導体チップを封止樹脂により封止パッケージした半導体素子であって、半導体チップ、半導体チップと前記リードフレームのインナーリードとを接続する金属細線、前記金属細線とインナーリードの接続部を含む第１の封止エリアと、第１の封止エリアに連なって周囲に形成され樹脂封止厚さが第１の封止エリアよりも薄い第２の封止エリアと、第２の封止エリアに連なって周囲に形成され樹脂封止厚さが第２の封止エリアよりも厚い第３の封止エリアとを設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
この構成によると、半導体チップ、半導体チップと前記リードフレームのインナーリードとを接続する金属細線、前記金属細線とインナーリードの接続部を含む第１の封止エリアの周囲に、第１の封止エリアよりも樹脂封止厚さが薄い封止エリアを設けてパッケージの反りを緩和することによって、前記溝で囲まれたエリアは小サイズ半導体素子に酷似した封止環境となり、ＱＦＰ半導体素子の品質を満たす。また、溝を設けることで、反りが発生する辺が細分化される。そのため、封止樹脂とリードフレームの線膨張係数の差による応力の発生や封止樹脂の硬化時の収縮過程で内包する半導体チップ１１を挟んだ上面と下面との樹脂厚の差による収縮率の差による応力により発生する反り量が、溝により細分された個々辺に発生する反り量は小さくなる。結果としてトータルの反り量も小さくなる。
【００２６】
また、前記半導体素子が前記溝で湾曲し、前記基板も前記湾曲に倣って湾曲しているので、実装状態での接続不良を低減できる。このように湾曲した半導体素子は、半導体素子を個片化する工程においてアウターリードの折り曲げを行う加工金型のパッケージ受け形状を凸または凸形状にすることでパッケージ後の半導体素子の反りを任意の方向へ修正して作成できる。また、前記溝を基点として曲面に内接する面に沿うように折り曲げることに寄っても作成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図１〜図７に基づいて説明する。
なお、従来例の形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略し、また従来例と同一となる図８〜図１８を参照して説明する。
【００２８】
図１は本発明による半導体素子２０を示す。図２（ａ）は封止面のｘ−ｘ線に沿う溝部６１の断面図、比較のために図２（ｂ）には封止面のｘ−ｘ線に沿う従来の半導体素子の断面図を示す。図３は本発明の半導体素子２０を基板２２へ実装したときの状態を示しており、図３（ａ）は本発明の半導体素子２０の封止部の反りを示す側面図であり、図３（ｂ）は図１に示す半導体素子２０の実装部材への実装状態を示している。
【００２９】
本実施の形態の半導体素子２０は半導体チップ１１を有するものであり、かつこの半導体チップ１１を樹脂封止した樹脂封止形のものである。なお本実施の形態の半導体素子２０は、半導体チップ１１の支持部材であるアイランド１３に搭載した面実装タイプの、多ピンで薄形、かつ比較的大きな表面積を有するものであり、本実施の形態では、前記半導体素子２０の一例として、図１に示すＱＦＰパッケージを例に挙げて説明する。
【００３０】
図１に示すＱＦＰの構成は、半導体チップ１１をリードフレーム１０のアイランド１３に接着し、かつ半導体チップ１１の電極パッドとこれに対応する半導体チップ１１の周囲に延在して配置されたインナーリード１４を電気的に接続する金属細線２１にて接続されるとともに、封止本体部６０から突出した複数のアウターリード１５とからなり、この実施の形態では、半導体チップ１１、インナーリード１４とを接続する金属細線２１、前記金属細線２１とインナーリード１４の接続部を含む封止エリアの周囲に、この封止エリアよりも樹脂封止厚さが薄い封止エリアを設けるために、半導体素子２０パッケージの表面部位と裏面部位に溝６１が形成されている。
【００３１】
具体的には、半導体チップ１１と金属細線２１とインナーリード１４を樹脂封止して形成した封止本体部６０と、封止本体部６０（半導体チップ１１と金属細線２１とインナーリード１４の接続部を含むエリア）の外周より外側の部位でリードフレーム１０に対して表面部位と裏面部位に、封止表面より低くい高さの段差と任意の幅を設けた溝６１を設けており、この溝６１により半導体素子２０の樹脂封止構成エリアを、第１の封止エリアとしての封止本体部６０と、図２（ａ）に示すように溝６１を形成することによって樹脂封止厚さが封止本体部６０の樹脂封止厚さよりも薄くなった第２の封止エリア６４と、第２の封止エリア６４に連なり樹脂封止厚さが第２の封止エリア６４の樹脂封止厚さよりも厚く、ここでは封止本体部６０の樹脂封止厚さと同じ厚さの第３の封止エリア６５とに細分化することで半導体素子２０の反り量を低減することができ、反り量プラスアウターリード１５のリード加工精度の合計であるコプラナリティ精度を向上することができる。
【００３２】
説明すると、ＱＦＰパッケージの半導体素子２０はリードフレーム１０を中心として上下を樹脂封止することで構成されているが、内包する金属細線２１、半導体チップ１１の有無により、上面（半導体チップ１１の有る面）とその反対下面の封止樹脂量のバランスが崩れることによる封止樹脂収縮率の差から発生している。また反りの曲率半径が同じであれば反りが発生している対象部の距離が長ければ長いほど高低差が大きくなる。
【００３３】
そこでこの実施の形態では、まず半導体チップ１１、金属配線２１、インナーリード１４を含むエリアを封止本体部６０としてひとつのブロックとしその他の領域を封止リード部としリードフレーム面と封止表面の中間の高さの段差と任意の幅を設けた溝６１を境に分けている。
【００３４】
本構成により、まずもっとも反りの発生する半導体チップ１１、金属配線２１を包括する封止本体部６０の対象エリアの面積が小さくなることで、溝６１の無い従来の半導体素子２０と比較し同一の曲率半径の反りが発生したとしても反り量（高低差）を小さくすることができる。
【００３５】
また、さらに溝６１よりアウターリード１５の側の封止リード部は、リードフレーム１０を中心として上下面で同一の封止材料量、形状となり反りそのものが発生しにくい構造を有することとなる。
【００３６】
図５に本発明である封止面に溝６１を有する半導体素子２０のリード加工工程を示す。
図５（ａ）はリード加工金型６２が半導体素子２０をクランプする直前を示し、図５（ｂ）はリード加工金型６２でクランプしている状態、図５（ｃ）はリード加工金型６２のクランプを開いたときの半導体素子２０の反り状態を示している。
【００３７】
またリード加工工程においてリード加工時に半導体素子２０の外周部を受けて加工されるが、比較のために、従来の半導体素子２０のリード加工工程は図１６に示したように、図１６（ａ）はリード加工金型６２が半導体素子２０をクランプする直前を示し、図１６（ｂ）はリード加工金型６２でクランプしている状態、図１６（ｃ）はリード加工金型６２のクランプを開いたときの半導体素子２０の反り状態を示している。リード加工によりまずアウターリード１５はリード加工金型６２により押えられる。この圧力で一度封止の各辺は反りを強制的に伸ばされている。従来であればリード加工後にリード加工圧力が開放されると一般的にエポキシ樹脂を主成分としている半導体素子２０は弾性体であるため元の各辺の反りに戻るが、この実施の形態では、図２，図３，図４を用いて説明すると、図２に示すように半導体素子２０の封止面に溝６１を構成することで溝６１の部分の断面積の面積構成においてリードフレーム１０を構成する金属の占める割合が増えている。これにより本発明である封止面に設けた溝６１の部分が金属性質である塑性変形の性質を有することになる。
【００３８】
そこで図４に示すようにリード加工時に半導体素子２０の各辺を受ける形状を封止後の半導体素子２０の反りに対して反対へ曲がるように構成する。図４では凸状態に沿っている半導体素子２０を凹状態の受け面６３Ａにて受けている。これによりリード加工時の外力で半導体素子２０が受け面６３Ａに押し付けられたときに溝６１の部分へ強制的に塑性変形を誘発させ半導体素子２０の反り量の凸状態が溝６１部を基点として、図４の場合、各辺の中心を基点として各辺の外へ行くほど上へ半導体素子２０の各辺を持ち上げる受け形状で、意図的に変化させることができる。また、このときの半導体素子２０の受け面６３Ａは辺全体を受けても良く、また溝６１の部分に塑性変形を発生させる目的であれば形状に制約は無く、ピン形状のもので受けても良い。
【００３９】
溝６１を基点として次のような効果もある。
封止面に設けた溝６１の断面には、リードフレーム１０とエポキシ樹脂のみで構成されているため、溝６１を基点として半導体素子２０を折り曲げても半導体素子２０の機能、品質に問題が無い。なぜなら、溝６１の部分に求められる性能は半導体素子２０の電気信号を外部のアウターリード１５を介して電気的伝達するだけの機能であるからである。
【００４０】
従って、図６に示すように半導体素子２０の各辺に対して平行になるように溝６１を設ける。まず、実装曲面に内接する３平面を求め、その３平面を構成する各々の角度に合うように半導体素子２０に設けた溝６１を基点として半導体素子２０を折り曲げる。このとき対象となる基板２２の実装面は一定の曲率半径と直線からなる４辺となる。半導体素子２０の各辺は直線にて構成されている。従って、直線部同士の基板２２と半導体素子２０のアウターリード１５との接続は従来と同等のコプラナリティで良いが、基板２２の曲面と半導体素子２０の外部接続端子の直線を接続するためには曲面に沿った状態で半導体素子２０のリード面を折り曲げかつ各辺のコプラナリティを従来以上に精度が必要となる。そこで本発明では各辺を図６に示すように溝６１を半導体素子２０に平行に設け。かつ一辺の長さを小さくする。この効果で反り量を低減させることが可能となり、かつ曲面とアウターリード１５の浮きを小さくすることで実装の安定化を図ることができる。つまり本発明により曲面を有する基板２２に直接実装することが可能な半導体素子２０を提供することができるようになる。
【００４１】
また図７に示す半導体素子２０では、半導体チップ１１、インナーリード１４とを接続する金属細線２１、前記金属細線２１とインナーリード１４の接続部を含む第１の封止エリアとしての封止本体部６０Ａの周囲に、この封止エリアよりも樹脂封止厚さが薄い封止エリアを設けるために、封止本体部６０Ａに連なって周囲に形成され樹脂封止厚さが封止本体部６０Ａよりも薄い第２の封止エリア６４Ａと、第２の封止エリア６４Ａに連なって周囲に形成され樹脂封止厚さが第２の封止エリアよりも厚い第３の封止エリア６５Ａとが形成されている。
【００４２】
具体的には、封止本体部６０Ａの周りには、インナーリード１４の相互間のみ封止樹脂１８で封止を行ってインナーリード１４の表面が露出した第２の封止エリア６４Ａが形成されている。第２の封止エリア６４Ａに連なって外周側には封止本体部６０Ａを取り囲むように樹脂封止厚さが封止本体部６０Ａと同じ第３の封止エリア６５Ａが形成されている。半導体チップ１１をリードフレーム１０のアイランド１３に接着し、かつ半導体チップ１１の電極パッドとこれに対応する半導体チップ１１の周囲に延在して配置されたインナーリード１４を電気的に接続する金属細線２１にて接続されるとともに、封止最外部から突出した複数のアウターリード１５とからなる点については、先の実施の形態と同じである。
【００４３】
この構成によれによれば、封止本体部６０Ａのエリアが小さくなることにより、反り自身を小さくすることが可能となり、つまり半導体素子２０のコプラナリティが向上する。その結果、基板２２の接続端子とアウターリード１５の接続時の浮きが小さくなり、基板２２への実装性が向上する。またインナーリード１４の表面が外気に直接に触れることにより半導体素子２０が発生した熱が金属細線２１を経由しインナーリード１４に伝達し外気に触れることで放熱板としての機能も併せ持つことができる。また外周の各辺に枠型の第３の封止エリア６５Ａを設けているため、アウターリード１５を従来のＱＦＰと同等に構成でき、そのため従来のＱＦＰ半導体素子２０と同様なガルウイング形状の曲げも問題なく形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、半導体素子ならびにこの半導体素子を基板に実装した半導体装置の信頼性の向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る半導体素子の平面図
【図２】本発明に係る半導体素子の溝部の断面図と従来の半導体素子の断面図
【図３】本発明に係る半導体素子の封止部の反りを示した図と基板へ実装した半導体装置の側面図
【図４】本発明に係る半導体素子のリード加工金型の半導体装置の受け面の平面図とリード加工工程のリード加工金型の半導体装置の説明図
【図５】本発明に係る半導体素子のリード加工工程にてクランプする直前の状態とクランプした状態およびリード加工工程終了後の封止部の反りの状態を示す図
【図６】本発明に係る半導体素子の平面図と曲面を有する基板へ実装した半導体装置の側面図
【図７】本発明のインナーリード部の間のみ封止し、インナーリードの一部を封止しない半導体素子の平面図と断面図
【図８】従来の半導体装置の製造方法を示すフロー図
【図９】従来のリードフレームを示す平面図
【図１０】従来のダイスボンド工程を説明する半導体チップとリードフレームの平面図
【図１１】従来の封止工程後の半導体装置とリードフレームの平面図
【図１２】従来のタイバー切断工程後の半導体装置とリードフレームの平面図
【図１３】従来のリード加工工程後の半導体素子とリードフレームの平面図とｘ−ｘ矢視図
【図１４】従来の個片化工程後の半導体素子とリードフレームの平面図とｘ−ｘ矢視図
【図１５】従来の個片化工程に使用する個片化装置の説明図
【図１６】従来の半導体装置のリード加工工程にてリード加工金型でクランプする直前の状態とクランプした状態およびリード加工工程終了後の封止部の反りの状態を示す図
【図１７】従来の製造方法による半導体装置の基板実装の工程図
【図１８】従来の半導体装置の側面図と底面図
【符号の説明】
【００４６】
１１    半導体チップ
１３    アイランド
１４    インナーリード
１５    アウターリード
１８    封止樹脂
２０    半導体素子
２１    金属細線
２２    基板
６１    溝
６２    リード加工金型
６３Ａ    受け面
６０    封止本体部（第１の封止エリア）
６４    第２の封止エリア
６５    第３の封止エリア
６０Ａ    封止本体部（第１の封止エリア）
６４Ａ    第２の封止エリア
６５Ａ    第３の封止エリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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