(57)【要約】      （修正有）【課題】広い面積の基板に有機物を均一に蒸着して高速に成膜させ、有機材料混合量の微細調整を可能とする。【解決手段】気相有機物の蒸着装置は、母材１０を安着せしめる母材安着部１４０を備え、気相有機物を母材の安着部方向へ噴射する噴射部１１０と、保温ヒーター１３０を含んで構成される蒸着チェンバー１００と、気相有機物を運搬する運搬ガスが引き込まれるよう穴形状に形成された運搬ガス引込ホールと、有機物蒸気及び運搬ガスが引き出されうるよう穴形状に形成された気相有機物の引出ホールを備えており、有機物を貯蔵できるるつぼ２２０と、るつぼ内を加熱する有機物加熱ヒーターを内部に含む有機物チェンバー２００と、有機物チェンバー内に引き込まれる運搬ガス量と流速を制御する流量制御部４００と、有機物チェンバー内の気相有機物が噴射部に移動できる気相有機物の移送管２１０と、真空ポンプ１５０とを含んで構成される。【選択図】  図２ｂ
2007146292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部と隔離される内部空間を備えており、該内部空間の床面に気相有機物を蒸着させる母材を安着せしめる母材安着部を備え、該母材安着部の上端に位置されて気相有機物を前記母材の安着部方向へ噴射する噴射部と、
上端壁面及び側壁面内に熱を発散する１つ以上の保温ヒーターを含んで構成される蒸着チェンバーと、
気相有機物を運搬する運搬ガスが引き込まれるよう穴形状に形成された１つ以上の運搬ガス引込ホールと、
有機物蒸気及び運搬ガスが引き出されうるよう穴形状に形成された１つ以上の気相有機物の引出ホールを備えており、耐熱材の材質で有機物を貯蔵できるよう、内部空間を備える形状に形成されたるつぼと、
該るつぼの外部を囲繞しており、有機物が蒸発される温度まで前記るつぼ内を加熱する有機物加熱ヒーターを内部に含む１つ以上の有機物チェンバーと、
前記運搬ガスの引込ホールに連結されて前記有機物チェンバー内に引き込まれる運搬ガス量と流速を制御する流量制御部と、
前記蒸着チェンバー及び有機物チェンバーを貫通するように形成されており、前記有機物チェンバー内の気相有機物が前記噴射部に移動できるよう管形状からなる気相有機物の移送管と、
前記蒸着チェンバーの内部圧力を低める真空ポンプと
を含んで構成されることを特徴とする気相有機物の蒸着装置。
【請求項２】
前記蒸着チェンバーは、前記噴射部が装着される位置に前記気相有機物の移送管の長手方向へ１つ以上のガイドレールを備え、
前記噴射部は前記ガイドレールに接触される部分に前記ガイドレールと摺動可能な構造で結合されるガイド板を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の気相有機物の蒸着装置。
【請求項３】
前記蒸着チェンバーは、前記噴射部を回転せしめる回転モータ、または前記噴射部を上下に移動せしめる移動モータを備える
ことを特徴とする請求項１または２に記載の気相有機物の蒸着装置。
【請求項４】
前記気相有機物の移送管は、熱を発生する熱線と加熱温度を精密に保持及び調節する定温発熱素子システムを含む定温ヒーターを外側面に備える
ことを特徴とする請求項１に記載の気相有機物の蒸着装置。
【請求項５】
前記気相有機物の移送管は、２つ以上の気相有機物を混合するため、２つ以上の有機物チェンバーに連結されている混合タンクを備える
ことを特徴とする請求項１または４に記載の気相有機物の蒸着装置。
【請求項６】
前記噴射部は、気相有機物を噴射する噴射口が小経で複数個が備えられたシャワーヘッドまたは噴射口が管形状に形成された噴射チューブ中のいずれか１つの構造からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の気相有機物の蒸着装置。
【請求項７】
前記るつぼは、内外部が隔離される多面体、円筒形及び球形中のいずれか１つの形状に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の気相有機物の蒸着装置。
【請求項８】
内部に有機物を含んでいる有機物チェンバーの外面に接触する加熱ヒーターは、熱を発散して前記有機物を蒸発温度以上に加熱する１段階と、
前記加熱ヒーターによって気化された気相有機物は、熱を発散する定温ヒーターに囲繞されている気相有機物の移送管を通して気相有機物を蒸着させる母材が位置している蒸着チェンバーの噴射部に移動する２段階と、
前記噴射部に移動された前記気相有機物は、母材安着部の上端に据置されている前記母材の上端から重力方向へ噴射されて前記母材の上端面に蒸着される３段階とからなる
ことを特徴とする気相有機物の蒸着方法。
【請求項９】
前記３段階の前記噴射部は、前記気相有機物の移送管の長手方向へ水平移動または回転運動をすることを特徴とする請求項８に記載の気相有機物の蒸着方法。
【請求項１０】
前記３段階の前記母材安着部は、前記有機物チェンバーの床面上で水平移動をすることを特徴とする請求項８または９に記載の気相有機物の蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造装置及びその製造方法において、有機物材料を使用した気相有機物の蒸着方法及び気相有機物の蒸着装置に係り、より詳しくは、上部に設置された噴射部によって気相有機物を重力方向へ噴射させることによって、広い面積の基板に均一に薄膜を高速で形成させて、蒸着物質として希釈ガスを使用してスキャンヘッドに小さめの大きさの熱源を継続的に移動させて有機薄膜の広い面積基板を精密、かつ安定的な厚さに調整することのできる広い面積基板の気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気相有機物の蒸着装置およびその方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近に至って、有機化合物、有機金属化合物として機能性高分子化合物による薄膜形成技術は、半導体メモリ−の絶縁層材料以外にも伝導性材料、光電子材料、有機発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子材料等の関心が集まっている。
【０００３】
これまでに開発された有機薄膜形成方法中、代表的な技術の１つとして使用される真空蒸着法は、真空チェンバーの下部に熱蒸発源とその上部に成膜用基板を設置して薄膜を形成するものである。この真空蒸着法を利用した有機薄膜形成装置の概略的な構成を見てみると、真空チェンバーに連結された真空排気系が存在し、これを利用して真空チェンバーの一定の真空を保持させてから、真空チェンバーの下部に配置された１つ以上の有機薄膜材料の熱蒸発源から有機薄膜材料である有機物を蒸発させる。有機薄膜材料の熱蒸発源は円筒形状または方形状の容器であって、その内部に成膜用有機物材料を収容する。容器材料としては、石英、セラミックス等が使用され、容器部の周辺には一定のパタ−ン模様の加熱用ヒーターが囲繞されているため、一定量の電力を加えると容器周辺の温度が上昇するととに、容器も加熱されて一定温度になると有機物の蒸発が始まる。温度は容器の下部または上部に設置された温度調節用熱伝帯によって検測されて有機蒸発材料を一定温度に保持して所望の蒸発速度が得られるようにした。蒸発された有機物は容器の上部から一定距離を離れた部位に配置されたガラスまたはウエハ−材質からなる基板に蒸発移動後に基板の表面に吸着、蒸着、再蒸発等の連続的な過程を経て基板上に固体化されて薄膜を形成せしめる技術である。
【０００４】
ここで、有機薄膜材料の有機化合物は蒸気化される蒸気圧が高く、加熱による熱分解温度が蒸発温度と近接されているため、長時間にわたる安定された有機蒸発速度の制御が容易でないことから、高速薄膜蒸着が難しい。また、真空チェンバー内の熱蒸発源から放出された蒸気化された有機薄膜材料は、熱蒸発源容器の上部のＣＲＵＣＩＢＬＥＨＯＬＥ形状（開口部）に相応する指向性をもつことになり、これは限られた狭い範囲内に局限されて基板に到達するようになることから、大面積基板に形成される均一な有機薄膜を得がたい。さらに、有機薄膜の均一な薄膜を形成するために指向性の補正手段とし基板を一定速度で回転させつつ成膜をすることによって、回転半径が大きくなって蒸着装備がそれに相応する大きさに大型化され、真空装備の不要な有効面積まで有機薄膜が形成されるため、高価の有機材料の使用効率が極めて低下されて生産性の低下をもたらした。
【０００５】
このように、真空蒸着法では有機薄膜を利用した有機発光素子及び機能性薄膜を応用した製品を製造するにあたって、低い成膜速度、低い有機材料の使用効率、有機薄膜層のばらつき性、主材料（Ｈｏｓｔ材料）と発色材料（Ｄｏｐａｎｔ材料）の混合量の微細調整の難しさ、熱蒸発源温度調節、基板の大型化に伴う均一な有機薄膜の形成困難等などのもろもろの問題点があるが、その一例として、添付された図１を参照して従来の真空蒸着装置について述べることにする。
【０００６】
図１は、従来の真空蒸着装置の一例を示す。
図１に示す従来の真空蒸着装置に従えば、まず、モリブデンボート（６）に蒸着させる物質の適当量を予測して載置してから、真空チェンバー（１）内の圧力を１０〜６ｔｏｒｒ程度に下げる。その後、温度調節装置を利用して蒸着物質が金属である場合、その金属の融点近傍まで熱を上げてから、再度微細に調節しつつ気化される時まで温度を上げる。この際、徐々にモリブデンボート（６）上の物質の蒸発が始まると、あらかじめ装着されていたシャッター（５）を開けて蒸発された物質分子を基板に蒸着させる。この際、シャッター（５）はモリブデンボート（６）上にある物質が気化される直前に残存する不純物が基板に蒸着されないように防止する役割を果す。
【０００７】
このような真空蒸着装置は、蒸着させる物質の適確な量を予測しがたいことから、多量の物質をモリブデンボート（６）に装着させなければならず、所望の方向への蒸気（Ｖａｐｏｒ）の誘導が不可能であるため、前記蒸着過程を数回にわたって繰返す場合は、チェンバー内が汚染されて毎度内部をクリーニングをしなければならない煩しさがある。さらに、モリブデンボート（６）上に載置される物質の量、シャッター（４）の開閉時間、さらに、温度調節による気化時間が厚さ調節の変数であり、かかる変数を全体的に微細に調整することが不可能である。
【０００８】
一方で、有機半導体の製作方法には、単位蒸着源を使用する方法と最近プリンストン大学でマックスステイン（Ｍａｘ  Ｓｈｔｅｉｎ）氏らが提案したＯＶＰＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法がある。
【０００９】
単位蒸着ソースタンクを使用する有機半導体製作方法は、有機半導体で使用される各層を蒸着する時間が長くかかるし、各層の蒸着時に使用される物質の使用量が多い上、蒸着された膜の密度と基板に対する接着力が良好でない問題点があることから、有機半導体を量産するための量産歩留まりが落ちる。さらに、量産のための広い面積基板の製造工程に制限がある。つまり、現在は３７０Ｘ４７０ｍｍ大きさの基板を使用するのが限界である。
【００１０】
また、ＯＶＰＤ方法はマックスステイン氏らの提案したＡｘｉｔｒｏｎ方式において、気相有機物を運送ガスを使用して有機半導体に使用される各層を製作する方式である。この方法は、単位蒸着源を使用する方式より有機物質の使用効率を高められるし、広い面積基板の有機半導体の製作が理論的には可能である。ところで、ＯＶＰＤ方式を使用するＡｘｉｔｒｏｎ方法は既存のＣＶＤ方式のスキャンヘッドを使用しており、実際に２００Ｘ２００ｍｍ大きさの基板を試験的に使用してテストをしているが、熱に弱い有機薄膜に問題を起こしうる。
【００１１】
さらに、広い面積基板用として製作するためには、３７０Ｘ４７０ｍｍ以上のシャワーヘッドを製作しなければならないが、この構成自体が難点を有している。なおかつ、Ａｘｉｔｒｏｎ方式の蒸着方法は蒸着ソースタンク（７１４）とスキャンヘッドの高温熱源が固定されている。さらに、有機半導体の製作でのドーピングは２つ以上のスキャンヘッドをシステム内に装着して個別的な温度調整を可能ならしめる。しかしながら、既存のＯＶＰＤ方式は１つのスキャンヘッドだけを使用することから、熱的特性が相対的に異なる２種以上のドーピング物質が使用されてドーピングされる場合、熱的特性が良好でない物質に変質されうる短所がある。
【００１２】
つまり、既存の２種方式は有機半導体物質が広い面積基板の基板に良好に蒸着できない問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そこで、この発明は上記種々の問題点を解決するためになされたものであって、この発明の第一の目的は、広い面積の基板に気相有機物を均一に蒸着させることができるし、有機薄膜を高速に成膜させることができるし、有機材料混合量の微細調整が可能な気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気相有機物の蒸着装置を提供することにある。
【００１４】
さらに、この発明の第二の目的は、有機半導体物質が広い面積基板に蒸着できるよう、蒸着源ソースタンク内で有機物質の粒子を希釈することによって、有機薄膜の基板に対する接着力を増加させつつ精密で、かつ安定的に厚さを調整することができるし、バッファーチェンバーと蒸着チェンバーのゲート弁を利用して、完全に分離されてスキャンヘッドの熱源が広い面積の基板上と蒸着チェンバー内の温度上昇を防止できる広い面積基板の気相気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気相有機物の蒸着装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記のような目的を達成するためになされたこの発明に従う気相有機物の蒸着装置は、外部と隔離される内部空間を備えており、該内部空間の床面に気相有機物を蒸着させる母材を安着せしめる母材安着部を備え、該母材安着部の上端に位置されて気相有機物を前記母材の安着部方向へ噴射する噴射部と、上端壁面及び側壁面内に熱を発散する１つ以上の保温ヒーターを含んで構成される蒸着チェンバーと、気相有機物を運搬する運搬ガスが引き込まれるよう穴形状に形成された１つ以上の運搬ガス引込ホールと、有機物蒸気及び運搬ガスが引き出されうるよう穴形状に形成された１つ以上の気相有機物の引出ホールを備えており、耐熱材の材質で有機物を貯蔵できるよう、内部空間を備える形状に形成されたるつぼと、該るつぼの外部を囲繞しており、有機物が蒸発される温度まで前記るつぼ内を加熱する有機物加熱ヒーターを内部に含む１つ以上の有機物チェンバーと、前記運搬ガスの引込ホールに連結されて前記有機物チェンバー内に引き込まれる運搬ガス量と流速を制御する流量制御部と、前記蒸着チェンバー及び有機物チェンバーを貫通するように形成されており、前記有機物チェンバー内の気相有機物が前記噴射部に移動できるよう管形状からなる気相有機物の移送管と、前記蒸着チェンバーの内部圧力を低める真空ポンプとを含んで構成される。
【００１６】
さらに、この発明に従う気相有機物の蒸着方法は、内部に有機物を含んでいる有機物チェンバーの外面に接触する加熱ヒーターは、熱を発散して前記有機物を蒸発温度以上に加熱する１段階と、前記加熱ヒーターによって気化された気相有機物は、熱を発散する定温ヒーターに囲繞されている気相有機物の移送管を通して気相有機物を蒸着させる母材が位置している蒸着チェンバーの噴射部に移動する２段階と、前記噴射部に移動された前記気相有機物は、母材安着部の上端に据置されている前記母材の上端から重力方向へ噴射されて前記母材の上端面に蒸着される３段階とからなる。
【００１７】
さらに、この発明に従う広い面積基板の気相有機物蒸着装置は、気相有機物蒸着装置において、不活性ガスを保有したガスレザバー及びＭＦＣ（Ｍａｓｓ  Ｆｌｏｗ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）の調整下に流れる不活性ガスを加熱するガスヒーターと、温度保持のために連結管の外部にワインディングされたヒーターパイプと、蒸着されるガス及び有機物質を内装し、前記ガスヒーターによって高温ガスと有機物粒子を希釈した状態で加熱して、希釈された有機物気体状態を発生せしめる少なくとも１つの蒸着ソースタンクと、前記希釈された有機物粒子の移動を監視して調整する蒸着速度調整器を付着したスキャンヘッドと、バッファーチェンバーと前記希釈された有機物粒子の移動を開放及び閉鎖するようにゲーティングするゲート弁と、前記蒸着ソースタンクから流入された前記希釈された粒子を広い面積基板に蒸着する蒸着チェンバーとを備えるが、前記ガスヒーターは、前記蒸着
ソースタンクをガス量が調整されるようガスを加熱して熱源を内部に注入して、前記ゲート弁は前記バッファーチェンバーと前記蒸着チェンバーとの間に設置されて前記スキャンヘッドの熱源による広い面積基板上と蒸着チェンバー内の温度上昇を遮断することを特徴とする。
【００１８】
さらに、この発明に従う気相有機物蒸着方法において、不活性ガスを保有したガスレザバー及びＭＦＣの調整下に蒸着ソースタンクから流れる不活性ガスをガスヒーターであって、ガス量が調整されるようガスを加熱して熱源を内部に注入して加熱する段階と、連結管の外部にワインディングされたヒーターパイプによって温度を保持する段階と、蒸着されるガス及び有機物質を内装し、少なくとも１つの蒸着ソースタンクが前記ガスヒーターによって高温のガスと有機物粒子を希釈した状態で加熱して希釈された有機物気体状態を発生せしめる段階と、前記希釈された有機物粒子の移動を監視して調整し、蒸着速度調整器を付着したスキャンヘッドとバッファーチェンバーと前記希釈された有機物粒子の移動を開放及び閉鎖するようにゲーティングをする段階と、前記ゲート弁と前記蒸着ソースタンクから流入された前記希釈された粒子を蒸着チェンバー内の広い面積基板に蒸着する段階と、前記ゲート弁は前記バッファーチェンバーと前記蒸着チェンバーとの間に設置されて、前記スキャンヘッドの熱源による広い面積基板上と蒸着チェンバー内の温度上昇を遮断する段階と、前記バッファーチェンバー内で前記スキャンヘッドが移動する際に伴って分離された有機物質が再循環するように設置された補助るつぼによって収集する段階とを含む。
【００１９】
さらに、この発明の気相有機物蒸着方法は、有機半導体装置の製造方法において、蒸着装置内で基板を蒸着チェンバー内にローディングする段階（ｓ７１０）と、蒸着ソースタンクを予備的に加熱して高温ガスを２００〜６００℃の温度下で注入する段階（ｓ７１２）と、前記蒸着ソースタンク内での高温ガスと有機物粒子が混合体を形成して温度を加熱すると、ＳＧＨＰ（Ｓｏｌｉｄ  Ｇａｓ  Ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ  Ｐｈａｓｅ）物質が発生する段階（ｓ７１４）と、前記蒸着ソースタンクから連結管を通して多量の気相有機物であるＳＧＨＰ物質をバッファーチェンバーに伝達する段階（ｓ７１６）と、前記バッファーチェンバーで気相有機物センサを使用して気相有機物の流量を測定して、その気相有機物の流量が事前に設定された量に到達すると、バッファーゲート弁を開放する段階（ｓ７１８）と、スキャンヘッドの動作で気相有機物を蒸着する段階（ｓ７２０）と、その後、事前にセッティングされた蒸着時間経過後、スキャンヘッドが移動する段階（ｓ７２２）と、及び前記バッファーゲート弁を閉鎖して基板をアンローディングする段階（ｓ７２４）とを含む。
【発明の効果】
【００２０】
上述のように、この発明に従う気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気相有機物の蒸着装置を利用すると、まず、広い面積の基板に気相有機物を均一に蒸着させることができるし、有機薄膜を高速で成膜させることができ、有機材料混合量の微細調整が可能になる。さらに、気相有機物を蒸着させる部位のみに気相有機物を噴射するため、気相有機物を効果的に蒸着させうるし、有機物材料を節約できる長所がある。
【００２１】
さらに、この発明は有機半導体の製作時に使用される気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気相有機物の蒸着装置に従えば、蒸着源ソースタンク内で有機物質粒子を希釈することによって、有機薄膜の基板に対する接着力を増加させつつ精密で、かつ安定的に厚さを調整できるし、バッファーチェンバーと蒸着チェンバーがゲート弁を利用して完全に分離されて、スキャンヘッドの小さめの大きい熱源が継続的に移動するようにして、スキャンヘッドの熱源の広い面積基板上と蒸着チェンバー内の温度上昇が防止できる。さらに、多量の物質保管が可能な蒸着ソースタンクを採用して、下向式においてマスクによるシャドウ効果が除去されうるため、厚さの厚いシャドウマスクを使用することができる。
つまり、シャドウマスクの整列部分を解決することのできる優れた効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［実施例１］
以下、添付された図に沿ってこの発明の実施例１について述べることにする。
【００２３】
図２ａは、この発明に従う気相有機物の蒸着装置の平面図である。
この実施例の気相有機物の蒸着装置は、有機物を母材に蒸着せしめる実施例１の蒸着チェンバーと、有機物を加熱して気相に状態を変換せしめる有機物チェンバーと、気相有機物を噴射する噴射部の動作を駆動する駆動装置と有機物チェンバーを含む補助チェンバーとからなる。
【００２４】
実施例１の蒸着チェンバー（１００）は、外部と隔離される内部空間を備えており、前記内部空間の床面に気相有機物を蒸着させる母材（１０）を安着させることのできる構造を備える。さらに、蒸着チェンバー（１００）は母材（１０）の上端部に位置されて気相有機物を母材（１０）の上端面に噴射する噴射部（１１０）と、噴射部（１１０）と結合して噴射部（１１０）の摺動を案内するガイド板（図示せず）と、摺動可能に結合される一字型に長めに形成されたガイドレール（１２０）と、ガイドレール（１２０）を固支するガイドレール支持板（１２２）と、上端壁面及び側壁面内部に位置し、熱を発散して蒸着チェンバー（１００）内の温度を一定温度以上に保持せしめる１つ以上の保温ヒーター（１３０）とを含んで構成される。
【００２５】
有機物チェンバー（２００）は、内部に貯蔵された有機物に熱を加えて有機物を気化せしめる構造にてなり、管形状に形成されており、蒸着チェンバー（１００）を貫通して噴射部（１１０）に連結された気相有機物の移送管（２１０）と結合されて気相有機物を噴射部（１１０）に移送させうるように形成されている。
【００２６】
補助チェンバー（３００）は、ガイドレール（１２０）を伝って噴射部（１１０）が移動できるよう、蒸着チェンバー（１００）を貫通してガイドレール（１２０）と平行な方向へ噴射部（１１０）と結合される移動軸（１３０）と、移動軸（１３０）と結合されており、移送部（３１４）と結合されてガイドレール（１２０）と平行な方向へ移動する移動ブロック（３１２）と、気相有機物の移送管（２１０）及び移動軸（１３０）が蒸着チェンバー（１００）を貫通した部分に位置されており、高真空の蒸着チェンバー（１００）と低真空または大気状態の補助チェンバー（３００）間の真空度差を緩衝及び隔離させつつ、両側２つのチェンバーを連結せしめる密封フランジ（３２０）及びベローズ（３２２）と、有機物チェンバー（２００）とを内部に備える。
【００２７】
図２ｂは、図２ａにおけるＡ−Ａ線矢視断面図を示す。
図２ｂから見るように、蒸着チェンバー（１００）内には、上部面と側面に蒸着チェンバー（１００）の内部温度を一定温度に保持する保温ヒーター（１３０）が備えられており、蒸着チェンバー（１００）の床面には有機物を蒸着させる母材（１０）を安着せしめる母材安着部（１４０）が備えられており、母材安着部（１４０）の上部には気相有機物を噴射する噴射部（１１０）が位置する。さらに、蒸着チェンバー（１００）の下端外面には蒸着チェンバー（１００）内を高真空につくる真空ポンプ（１５０）を備える。
【００２８】
補助チェンバー（３００）内の下端には、有機物を気化せしめる有機物チェンバー（２００）が備えられており、有機物チェンバー（２００）から引き出された気相有機物が噴射部（１１０）まで移送されうるよう、移送路の役割を果す気相有機物の移送管（２１０）が有機物チェンバー（２００）の上端に連結されており、有機物チェンバー（２００）と気相有機物の移送管（２１０）との間には、噴射部（１１０）の移動を制御する移送
部（３１４）が位置されている。さらに、補助チェンバー（３００）は不活性ガスを有機物チェンバー（２００）内に注入し、不活性ガスの注入量を制御する流量制御部を外部に備える。有機物チェンバー（２００）に注入される不活性ガスは気相有機物の移動媒体の役割を果し、気相有機物の移送量を微細に制御し、気相有機物を均一に分散せしめる役割を果す。
【００２９】
図２ｃは、図２ａのＢ−Ｂ線矢視断面図を示す。
図２ｃから見るように、噴射部（１１０）と結合されているガイド板（１１２）は、噴射部（１１０）の運動方向を案内するガイドレール（１２０）と摺動可能な構造で結合されており、母材（１０）を安着せしめる母材安着部（１４０）は水平面方向へ微細移動が可能に電磁石（１４２）を利用した電磁石移動装置を備える。
【００３０】
母材安着部（１４０）に適用される電磁石移動装置は、特許出願された”電磁石を利用した有機電界発光素子製作用蒸着装置及びこれ利用した蒸着方法”（韓国の特許出願番号：１０−２００１−００７７７３９）の技術を引用して構成されうるが、これに限定されるのではない。さらに、電磁石移動装置以外の従来の移動装置を採用するのも可能であることはいうまでもない。
【００３１】
ガイドレール（１２０）を伝って噴射部（１１０）の位置を調整して電磁石の移動装置を利用して母材安着部（１４０）の位置を調整することによって、噴射部（１１０）と母材（１０）の位置をより適確に整列できるようになり、これにつれて、より適確で、かつ効果的な気相有機物の噴射が図られることになる。
【００３２】
図２ｄは、図２ｂのＣ部の有機物チェンバーの詳細図である。
有機物チェンバー（２００）は、有機物を貯蔵できるよう、内部空間を備える耐熱材質の密閉型状に形成されており、気相有機物を運搬する運搬ガスが引き込まれるよう、ホール形状に形成された運搬ガス引込ホール（２２２）と有機物蒸気及び運搬ガスが引き出されうるよう、ホール形状に形成された気相有機物の引出ホール（２２４）が形成されているるつぼ（２２０）と、るつぼ（２２０）の外部に囲繞されており、有機物が蒸発される温度まで前記有機物チェンバー内を加熱する有機物加熱ヒーター（２３０）を内部に含む。
【００３３】
管形状に形成されており、図２ｂに示す流量制御部（４００）に連結されている運搬ガス引込管（２４０）は、有機物チェンバー（２００）を貫通してるつぼ（２２０）に形成された運搬ガス引込ホール（２２２）に連結されることによって、流量制御部（４００）から注入される不活性ガスがるつぼ（２２０）内に引き込まれるようにする。
【００３４】
さらに、管形状に形成されており、図２ｂに示す噴射部（１１０）に連結されている気相有機物の移送管（２１０）は、有機物チェンバー（２００）を貫通してるつぼ（２２０）に形成された運搬ガス引出ホール（２２４）に連結されることによって、有機物加熱ヒーター（２３０）によって加熱されて気化された有機物が母材に気相有機物を噴射する噴射部（１１０）に移送されるようにする。
【００３５】
図３は、この発明に従う気相有機物の蒸着装置のさまざまな動作態様を示す。
図３ａは、シャワーヘッド形状の噴射部が移動し、気相有機物を噴射する状態を示す。
【００３６】
気相有機物の（２２）を噴射する噴射部の態様は、気相有機物の（２２）が均一に噴射されうるよう気相有機物の（２２）が噴射される噴射口をさまざまな形状に製作できる。図３ａでは噴射口（図示せず）が小経で複数個を形成されたシャワーヘッド形状の噴射
部を利用して蒸着作業を行う形状を示している。
【００３７】
噴射部が一定位置に固定されて気相有機物を噴射する場合は、気相有機物が母材の全面にわたって均一に噴射されない問題点が生じるが、図３ａから見るように、母材（１０）の上面に気相有機物の（２２）を噴射する噴射部（１１０）がガイドレール方向へ水平移動して気相有機物の（２２）を噴射すると、母材（１０）の全面にわたって気相有機物の（２２）を均一に蒸着される。この場合、母材（１０）に蒸着される気相有機物の（２２）が２種以上の場合は、噴射部（１１０）に気相有機物を移送する以前の気相有機物の移送管（２１０）に異種の気相有機物を混合する混合タンク（２５０）を備えて、２種以上の気相有機物のが均一に混合されうるようにする。さらに、混合タンク（２５０）内には、２種以上の気相有機物のが混合タンク（２５０）内に引き込まれて混合タンク（２５０）外部に引き出される中に均質に混ぜられるようにするために、１つ以上の隔膜を備える。
【００３８】
図３ｂは、シャワーヘッド形状の噴射部が気相有機物を噴射する際、母材を安着させた母材安着部が電磁石を利用した移送方法を通して水平方向へ移動する状態を示す。
【００３９】
噴射部（１１０）が気相有機物の（２２）を噴射する中に噴射部（１１０）を水平方向へ移動する図２ａの場合とは逆に、図３ｂに示すように、噴射部（１１０）が気相有機物の（２２）を噴射する中に母材（１０）を安着させた母材安着部（１４０）を水平方向へ移動させると、母材（１０）の上面に気相有機物（２２）が均一に蒸着される図２ａの場合の効果と同一の効果が得られることになる。さらに、ガイドレールによって噴射部（１１０）が移動する図３ａの場合とは異なり、図３ｂに示すように、噴射部（１１０）が気相有機物の（２２）を噴射する中、母材安着部（１４０）を水平方向へ移動せしめる方法は、電磁石を利用した移送方法を使用するため、より微細に母材安着部（１４０）の移動を制御できるようになる。
【００４０】
図３ｃは、噴射チューブを利用して気相有機物を母材に蒸着せしめる状態を示す。
噴射チューブを利用する蒸着装置は、図３ｃに示すように、２種以上の気相有機物を均一に混合する混合タンク（２５０）を通して蒸着チェンバー（１００）内に移送された気相有機物（２２）を石英、セラミックスまたは金属材質からなり、直径３〜２０ｍｍの管形状に形成された噴射チューブ（１１２）を通して母材（１０）の上面に蒸着せしめる構造をもっている。噴射チューブ（１１２）を利用した気相有機物の蒸着装置は平坦で、かつ迅速な高速成膜の有機薄膜を形成する。
【００４１】
図３ｄは、噴射チューブが回転及び上下に移動をし、母材に気相有機物を蒸着せしめる状態を示す。
図３ｃに示す蒸着装置は、蒸着チェンバー（１００）の上端に噴射チューブ（１１２）を回転せしめる回転モータ（１１４）と、噴射チューブ（１１２）を上下垂直に移動せしめる垂直移動モータ（１１６）を備えて、噴射チューブ（１１２）が回転及び上下移動をしつつ気相有機物の（２２）を母材（１０）の上端に噴射できるように構成されている。さらに、噴射チューブ（１１２）は回転モータ（１１４）によって回転される際、気相有機物の（２２）が噴射される噴射チューブ（１１２）の終端が円運動をできるよう、段付型の屈折をもつように形成される。
【００４２】
回転モータ（１１４）及び垂直移動モータ（１１６）によって噴射チューブ（１１２）の位置を自在に調整できることから、図３ｃに示す蒸着装置は気相有機物をより均一に噴射できるようになる。
【００４３】
図４は、有機物を加熱して発生した気相有機物に運搬ガスを混合する過程を示す。
図４ａは、るつぼ内で気相有機物と運搬ガスとを混合する状態を示す。
図４ａに示すように、有機物加熱ヒーター（２３０）によって加熱されて気化された有機物（２０）は、るつぼ（２２０）内で連結された運搬ガス引込管（２４０）を伝って引き込まれる運搬ガスとるつぼ（２２０）内で混合される。図４ａに示す方法で気相有機物と運搬ガスとを混合すると、有機物が気化されるとともに、運搬ガスと混合されるため、混合が容易になり、２種の気体が均質に混合される長所がある。
【００４４】
図４ｂは、るつぼの外部で気相有機物と運搬ガスとを混合する状態を示す。
図４ｂに示す混合装置は、有機物チェンバー（２００）の外部に位置する気相有機物の移送管（２１０）に運搬ガス引込管（２４０）を結合させた構造に形成されている。有機物加熱ヒーター（２３０）によって加熱されて気化された有機物（２０）は気相有機物の移送管（２１０）を伝って移送される途中に、気相有機物の移送管（２１０）に結合された運搬ガス引込管（２４０）を通して引き込まれる運搬ガスと混合される。かかる混合装置は、るつぼ（２２０）及び有機物チェンバー（２００）に運搬ガス引込管（２４０）を結合させることから、別途に構成する必要がないため、製作が容易になるとの長所がある。
【００４５】
図５は、るつぼ及び気相有機物の引出ホールのさまざまな形状を示す。
図５ａは、直方体形状に形成されており、上端部に１つの気相有機物の引出ホールを備えるるつぼの形状を示す。
【００４６】
図５ａに示すように、直方体形状のるつぼ（２２０）は、るつぼ（２２０）内の有機物を加熱する有機物加熱ヒーター（２３０）で外部が囲繞されており、上端部には気相有機物が引き出される気相有機物の引出ホール（２２２）が備えられている。
【００４７】
図５ｂは、直方体形状に形成されており、上端部に複数の気相有機物の引出ホールを備えるるつぼの形状を示す。
母材に気相有機物を迅速に蒸着せしめる高速成膜のためには、より多い流量の気相有機物を引き出すべきであるが、図５ａに示すように、るつぼ（２２０）の上端に１つの気相有機物の引出ホール（２２２）を備えていては、多い流量の気相有機物が引き出されないという問題点がある。かような問題点を解決するため、図５ｂに示すように、るつぼ（２２０）の上端部に複数の気相有機物の引出ホール（２２２）を備えていると、より多い流量の気相有機物が引き出されうることになる。
【００４８】
図５ｃは、円筒形状に形成されており、上端部に１つの気相有機物の引出ホールを備えるるつぼの形状を示す。
るつぼ（２２０）内の有機物をより効果的に気化させるために、るつぼ（２２０）をさまざまな形状に製作することもできる。るつぼ（２２０）の形状が直方体に製作された場合は、るつぼ（２２０）を囲繞している有機物加熱ヒーター（２３０）から発生する熱がるつぼ（２２０）の外部面の全体に均一に伝達されないことによって、多量の熱損失が発生し、これによって、気相有機物の発生量を適確に調節できないという問題点がある。かかる問題点を解決するため、図５ｃに示すように、るつぼ（２２０）の形状を円筒形に製作して、有機物加熱ヒーター（２３０）から発生する熱がるつぼ（２２０）の外部面全体に均一に伝達されうるようにする。このように、るつぼ（２２０）の形状を変更することによって、有機物加熱ヒーター（２３０）から発生する熱をより効率的に使用できるし、気相有機物の発生量を容易に調節できることになる。さらに、るつぼ（２２０）の形状は図５に示す直方体及び円筒形状に限定されず、多面体及び球形の形状に変形が可能である。
【００４９】
図５ｄは、円筒形形状に形成されており、上端部に複数の気相有機物の引出ホールを
備えるるつぼの形状を示す。
図５ｃに示す円筒形状のるつぼ（２２０）からより多い流量の気相有機物を引き出す必要がある場合は、図５ｂの場合と同様、るつぼ（２２０）の上端面に複数の気相有機物の引出ホールを備えることができる。
【００５０】
図６は、気相有機物の移送管の外部に定温ヒーターを備えた状態を示す。
るつぼ（２２０）から発生された気相有機物が気相有機物の移送管（２１０）を通して移送される際、気相有機物の移送管（２１０）が外部空気と接触して冷却されると、気相有機物の移送管（２１０）内で流動する気相有機物も冷却されるが、かかる場合、気相有機物が蒸着に適切な温度以下に冷却されると、母材への蒸着が不良になるという問題点が生じることになる。かかる問題点を解決するために、図６に示すように、気相有機物の移送管（２１０）の外部には、熱を発生する熱線（２６２）と加熱温度を精密に保持及び調節する定温発熱素子システム（２６４）を含む定温ヒーター（２６０）とを備える。
【００５１】
さらに、定温ヒーター（２６０）は有機物チェンバー（２００）の温度を一定に保持するため、有機物チェンバー（２００）にも備えることができる。
【００５２】
［実施例２］
次に、この発明の目的を達成するために、有機半導体の製作時に使用される広い面積基板を使用可能な実施例２の有機半導体装置の製造装置及びその製造方法を図７に沿って述べることにする。
【００５３】
図７の有機半導体システムにおいて、実施例２の広い面積基板の気相有機物蒸着装置（７００）は、不活性ガスを保有したガスレザバー（７０１）と、該ガスレザバー（７０１）とＭＦＣ（７０２）を介在させて、不活性ガスを加熱するガスヒーター（７０３）と、ヒーターパイプ（７０６）内に連結管（７０７）が設置され、少なくとも１つの蒸着ソースタンク（７１４）と蒸着されるガス及び有機物質を内装した蒸着ソースタンク（７１４）と、蒸着ガスの移動を監視して調整する蒸着速度調整器（７１５）を備えたスキャンヘッド（７０９）と、バッファーチェンバー（７１１）と、前記蒸着ガスの移動をゲーティングまたは開放及び閉鎖するゲート弁（７１１））と、前記少なくとも１つの蒸着ソースタンク（７１４）から流入されたガスを広い面積基板（７１２）に蒸着する蒸着チェンバー（７１３）とを備える。
【００５４】
図７を参照すると、ガスレザバー（７０１）には不活性気体（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２、…）と酸素及び既存のＣＶＤで使用される爆発性のないすべての種類のガスが使用されうるし、このガスがＭＦＣ（７０２）を通して熱蒸着ソースタンク（７１４）内でガス量が調整されつつ注入され、ガスヒーター（７０３）を使用して攝氏２００〜６００℃の高温でガスを加熱して熱源内に注入する。
【００５５】
この発明においては、有機物粒子と高温ガスが共に存在する状態、つまり、固体と気体のばらつく状態をＳｏｌｉｄ  Ｇａｓ  Ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ  Ｐｈａｓｅ（以下、ＳＧＨＰという）といい、希釈された状態の物質を不活性ＳＧＨＰの物質と命名する。さらに、高温ガスは蒸着ソースタンク（７１４）内にある有機物、例えば、Ａｌｑ３のような物質と共に希釈（ｄｉｌｕｔｉｏｎ）されて、蒸着ソースタンク（７１４）内に存在することになる。不活性ＳＧＨＰの物質は、蒸着ソースタンク（７１４）にある熱源によって加熱され、蒸着ソースタンク（７１４）内のＳＧＨＰは対流効果によって加熱されて多量の有機物気体相を発生させることのできる性質をもっている。さらに、有機半導体の蒸着チェンバー（７１３）の連結管（７０７）を通して蒸着チェンバー（７１３）と蒸着ソースタンク（７１４）との間の圧力差を利用して蒸着チェンバー（７１３）内に有機半導体であるＳＧＨＰ物質が注入される。この過程において、連結管（７０７）内での気
相有機物が積るのを防止するために、連結管（７０７）が高温に加熱される。とりわけ、Ａｌｑ３の使用時には３２０℃に加熱することが好ましい。この加熱過程での連結管（７０７）の熱損失を防止し、温度勾配（ｇｒａｄｉａｎｔ）を一定に保持するために二重に管を形成して、連結管（７０７）を真空状態に保持して連結管（７０７）の温度を保持する。さらに、多量の物質保管が可能な蒸着ソースタンクを採用して、下向式においてはマスクによるシャドウ効果が除去されうることから、厚さの厚いシャドウマスクｇａ使用できる。つまり、シャドウマスクの整列部分の整列誤差を減少させて長時間の工程進行が可能となる。
【００５６】
上述のように、連結管（７０７）を絶えず通してスキャンヘッド（７０９）に注入された気相有機物は、基板（７１２）上に蒸着されることになる。この際、スキャンヘッド（７０９）内には気相有機物の蒸着を防止するために、連結管（７０７）のような方式で抵抗性の熱源を使用して加熱されることになる。さらに、実際の基板上にスキャンヘッド（７０９）での蒸着工程が行われない場合は、バッファーチェンバー（７１０）にスキャンヘッド（７０９）を移動させて位置することになる。さらに、バッファーチェンバー（７１０）と蒸着チェンバー（７１３）はゲート弁（７１１）を利用して完全に分離されて、スキャンヘッド（７０９）の熱源の広い面積基板上と蒸着チェンバー（７１３）内の温度上昇を防止する。
【００５７】
バッファーチェンバー（７１０）にスキャンヘッド（７０９）が位置している場合、スキャンヘッド（７０９）から噴射される気相有機物の量をバッファーチェンバー（７１０）内にある速度モニタ−用のクリスタルセンサ（７１５）を使用して、ガスの流量を調整して安定化させる。実際の蒸着チェンバー内には、厚さ測定システムが存在せずに工程での厚さの調整は工程時間の調整を利用して行われる。
【００５８】
図８は、図７の内部のＳＧＨＰ有機物質を効果的に処理できる複数個の蒸着ソースタンクとスキャンヘッドの設置を示す図である。
図８において、複数個、例えば、第１、２、３の蒸着ソースタンク（７４１、７４２、７４３）は、多量の有機物質を供給して、そのタンクのそれぞれに連結されている第１、２、３の連結管（７７１、７７２、７７３）を経て第１、２、３のスキャンヘッド（７９１、７９２、７３９）を通して有機物質を供給する。さらに、前記バッファーチェンバー内には、スキャンヘッドが移動するとともに、これに伴って分離された有機物質が収集されて再循環するよう補助るつぼ（７４５）を含む。
【００５９】
図９は、ＳＧＨＰ有機物質を移動させることのできる蒸着チェンバー内の図７のスキャンヘッドの動作方法について述べる図である。
図９の発明における図７のスキャンヘッド（７０９）を利用する蒸着方法は、ＨＩＶＡＣポンプ（７１４）によって気相有機物自体がラミナフロー（ｌａｍｉｎａｒ  ｆｌｏｗ）ポンピング作動して矢印Ｌ、Ｌ’、Ｌ”、及びＬ’’’方向へ移動して、これにつれてゲート弁（７１１）の開閉動作下で蒸着が行われる。ポンピングポ−ト（７３２）は基板の下に配置させることによって、気相有機物自体のフローが安定的に行えるようにして、広い面積基板にける蒸着された有機物薄膜の厚さの均一度が一定に保持されるようにすることができる。したがって、矢印Ｌ、Ｌ’、Ｌ”、及びＬ’’’方向への蒸着損失がほとんどないため、材料の活用効率が極めて高められる長所がある。
【００６０】
図１０は、図８の内部のＳＧＨＰ有機物質を移動させることのできるスキャンヘッドの移動方法を述べる図である。図１０において、蒸着工程におけるスキャンヘッド（７０９）の長手方向への運動は、モータ（７１７）を利用してピストンロッド（７１８）が一定の速度で符号Ｐ〜Ｐ’の往復運動をしつつ行われる。基板の大きさに応じてスキャンヘッド（７１９）の長さとモータ（７１７）を使用するスキャンヘッド（７０９）の長手方
向への運動の長さが決定される。また、スキャンヘッドは気相有機物の発生量を流速調整器（７１６）によって別に調整する。
【００６１】
図１１は、有機半導体装置の気相有機物の発生方法を述べる図である。図１１において、気相有機物の発生は蒸着ソースタンク（７１４）と、外部熱源ヒーター（７０１）と、蒸着ソースタンク（７１４）内の有機物粒子（７５２）と、蒸着ソースタンク（７１４）内の高温ガス（７５３）と、蒸着ソースタンク（７１４）内の保管された有機物質（７５４）及びガス注入管（７５５）とからなる。次に、この発明の半導体装置の気相有機物の発生方法において気相有機物の発生時に有機半導体に使用される物質は熱伝導度が低いため、一般的なセル方式の熱源を使用することになると、有機物の気相化が難しく、特定部位に熱が集中されるため、蒸着ソースタンク（７１４）内の有機物質の変質が発生されやすい。
【００６２】
図１１でのように、ガス注入管（７５５）を通して高温ガスを蒸着ソースタンク（７１４）内に噴射させて有機物自体が蒸着ソースタンク（７１４）内でガスと有機物が希釈されるようにする。これによって、蒸着ソースタンク（７１４）には、符号７５２、７５３番の有機物粒子と高温ガスが共存状態になる。さらに、蒸着ソースタンク（７１４）外部には、熱源ヒーター（７５１）を使用して蒸着ソースタンク（７１４）の温度を上昇させる。このヒ−ティング部分で共存状態の希釈部分は熱伝導が対流方式で行われるようにして、多量の気相有機物をつくることができる。さらに、既存の方法に比べて低い熱源の外部温度においても多量の気相有機物を発生させることができる。
【００６３】
次に、図１２は図１１から発生された気相有機物の発生に従う蒸着チェンバー内での蒸着方法を述べる図である。図１２の気相有機物の蒸着〜運送方法について述べると、上述のように、蒸着ソースタンク（７１４）内で多量の気相有機物を発生させうることから、蒸着チェンバー（７１３）内の真空圧力と蒸着ソースタンク（７１４）内の真空圧力差が１００〜１００００倍以上の差が生じるように具現する。例えば、システムの真空度が１０４Ｔｏｒｒであれば、蒸着ソースタンク（７１４）の圧力は１０〜１Ｔｏｒｒになるよう圧力差を形成すると、その圧力差を利用して蒸着ソースタンク（７１４）内で蒸着チェンバーへの気相有機物が誘導できる。さらに、連結管は気相有機物が蒸着されないようにするために高温で加熱する。図１２の蒸着チェンバーは、スキャンヘッド（７６１）と基板（７６２）を含むスキャニング方法を概略に述べる。図１２のスキャニング方法で誘導される気相有機物は、実際的に基板上に蒸着すべきである。ところで、広い面積の基板上に一ぺんに気相有機物を蒸着せずに、図１２でのように、スキャンヘッド（７０９）の移動は基板上の一定領域に蒸着が行われるようにして、スキャンヘッド（７０９）が一定速度で移動しつつ広い面積基板の基板上での蒸着工程を進ませる。
【００６４】
次に、図１３は、蒸着装置の運用へのフローについて述べる。蒸着装置内で基板（７１２）を蒸着チェンバー（７１０）内にローディング（ｓ７１０）する。その後、蒸着ソースタンク（７１４）を予備的に加熱して、その蒸着ソースタンク（７１４）に高温ガスを２００〜６００℃の下で注入（ｓ７１２）する。さらに、蒸着ソースタンク（７１４）内での高温ガスと有機物粒子とが混合体を形成して蒸着ソースタンク（７１４）の温度を加熱すると、ＳＧＨＰ物質が発生（ｓ７１４）する。発生されたＳＧＨＰ物質は蒸着ソースタンク（７１４）から連結管（７０７）を通して多量の気相有機物であるＳＧＨＰ物質をバッファーチェンバー（７１０）に伝達（ｓ７１６）する。この際、バッファーチェンバー（７１０）では気相有機物センサを使用して気相有機物の流量を測定して、その気相有機物の流量が事前に設定された量に到達すると、前記バッファーゲート弁を開放（ｓ７１８）する。その後、スキャンヘッド（７０９）の動作によって気相有機物の蒸着工程が進行（ｓ７２０）し、事前にセッティングされた蒸着時間の経過後、スキャンヘッド（７０９）が移動（ｓ７２２）して、バッファーゲート弁（７１１）を閉鎖して基板をアンロ
ーディング（ｓ７２４）する。
【００６５】
この発明に従う広い面積基板の気相有機物蒸着装置及び方法において、実験例を参照して詳細に述べることにする。
【００６６】
図１３の装置を使用する実験例に従えば、使用物質：Ａｌｑ３、基板サイズ：３７０Ｘ４７０ｍｍ、使用ガス：Ａｒ（３４０℃）、蒸着ソースタンク（７１４）温度：３００℃、蒸着ソースタンク（７１４）の均一性（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）：＋−５％の条件の下で実験結果を図７、１０、１５、１６のグラフを参考して述べることにする。
【００６７】
図１４は、希釈されたガス温度と蒸着量との相関関係グラフであり、図１５は希釈ガス量に対する気相有機物のグラフであり、図１６は希釈ガスなしに蒸着ソースタンク自体のみを加熱した場合、蒸着ソースタンク温度対蒸着量を示すグラフである。
【００６８】
図１４のグラフにおいて希釈ガスの温度には蒸着量に対して影響がないことが確認できるし、図１５のグラフにおいて希釈ガス量が増加することにつれて、蒸着ソースタンク（７１４）内のＳＧＨＰ量が増加して蒸着ソースタンク（７１４）の加熱による気体相の有機物量が増加してスキャンヘッド（７０９）を通して出される気相有機物の量が増加することが確認できる。さらに、図１６のグラフで蒸着ソースタンク（７１４）自体のみを加熱した場合、気体相の有機物発生量がごく微細に増加することが見られる。
【００６９】
換言すれば、図１３、１４、１５、１６のグラフは、希釈ガスがない場合、気相有機物の発生量が少ない既存の蒸着ソースタンク（７１４）方式に比べて、希釈ガスの注入によって蒸着ソースタンク（７１４）内のＳＧＨＰ量が増加し、そのＳＧＨＰが対流原理によって蒸着ソースタンク（７１４）内で多量の気相有機物を発生させることが分かる。
【００７０】
したがって、バッファーチェンバー（７１０）と蒸着チェンバー（７１３）は、ゲート弁（７１１）を利用して完全に分離されるため、スキャンヘッド（７０９）の熱源が広い面積基板上と蒸着チェンバー（７１３）内の温度の上昇を防止する。さらに、有機薄膜の基板に対する接着力を増加して、精密で、かつ安定的な厚さに調整が可能であり、蒸着ソースタンク（７１４）を使用して多量の物質保管が可能になる。
【００７１】
以上、この発明の好ましき実施例によって詳細に述べてきたが、この発明の範囲は特定の実施例に限定されるのではなく、添付された特許請求の範囲によって解釈されるべきである。さらに、この技術分野における通常の知識を習得した者であれば、この発明の範囲から逸脱されることなしに、多くの修正と変形が可能となることが理解できることであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来の真空蒸着装置の一例図、
【図２ａ】この発明に従う気相有機物の蒸着装置の平面図、
【図２ｂ】図２ａのＡ−Ａ線矢視断面図、
【図２ｃ】図２ａのＢ−Ｂ線矢視断面図、
【図２ｄ】図２ｂのＣ部である有機物チェンバーの詳細図、
【図３ａ】噴射部が移動して気相有機物を噴射する状態を示す断面図、
【図３ｂ】噴射部が気相有機物を噴射する際、母材を安着させた母材安着部が電磁石を利用した移送方法を通して水平方向へ移動する状態を示す断面図、
【図３ｃ】噴射チューブを利用して気相有機物を母材に蒸着せしめる状態を示す断面図、
【図３ｄ】噴射チューブが回転及び上下移動をして母材に気相有機物を蒸着せしめる状態を示す断面図、
【図４ａ】るつぼ内で気相有機物と運搬ガスとを混合する状態を示す断面図、
【図４ｂ】るつぼの外部で気相有機物と運搬ガスとを混合する状態を示す断面図、
【図５ａ】直方体形状に形成されており、上端部に１つの気相有機物の引出ホールを備えるるつぼの形状を示す断面図、
【図５ｂ】直方体形状に形成されており、上端部に複数の気相有機物の引出ホールを備えるるつぼの形状を示す断面図、
【図５ｃ】円筒形状に形成されており、上端部に１つの気相有機物の引出ホールを備えるるつぼの形状を示す断面図、
【図５ｄ】円筒形状に形成されており、上端部に複数の気相有機物の引出ホールを備えるるつぼの形状を示す断面図、
【図６】気相有機物の移送管外部に定温ヒーターを備えた形状を示す断面図、
【図７】この発明の広い面積基板の気相有機物蒸着装置の断面図、
【図８】複数個の蒸着ソースタンクとスキャンヘッドを設置したことを示す断面図、
【図９】ＳＧＨＰ有機物質を移動させることのできる蒸着チェンバー内のスキャンヘッドの動作方法について述べる図、
【図１０】図８の内部のＳＧＨＰ有機物質を移動させることのできるスキャンヘッドの移動方法について述べる図、
【図１１】有機半導体装置の気相有機物発生方法について述べる図、
【図１２】図１１から発生された気相有機物発生による蒸着チェンバー内での蒸着方法について述べる図、
【図１３】蒸着装置の運用について述べるフロー、
【図１４】希釈されたガスの温度と蒸着量の相関関係グラフ、
【図１５】希釈ガス量に対する気相有機物のグラフ、
【図１６】希釈ガスなしに蒸着ソースタンク自体のみを加熱した場合、蒸着ソースタンク温度対蒸着量との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７３】
１０．．．母材
２０．．．有機物
１００．．．蒸着チェンバー
１１０．．．噴射部
１１２．．．ガイド板
１２０．．．ガイドレール
１２２．．．ガイドレール支持板
１３０．．．保温ヒーター
１４０．．．母材安着部
１５０．．．真空ポンプ
２００．．．有機物チェンバー
２１０．．．気相有機物の移送管
２２０．．．るつぼ
２３０．．．有機物加熱ヒーター
２４０．．．運搬ガス引込管
３００．．．補助チェンバー
３１０．．．移動軸
３１２．．．移動ブロック
３１４．．．移送部
３２０．．．密封フランジ
３２２．．．ベローズ
７００．．．蒸着チェンバー
７０１．．．ガスレザバー
７０２．．．ＭＦＣ
７０３．．．ガスヒーター
７０６．．．ヒーターパイプ
７０７．．．連結管
７０９．．．スキャンヘッド
７１０．．．バッファーチェンバー
７１１．．．ゲート弁
７１２．．．基板
７１３．．．蒸着チェンバー
７１４．．．蒸着ソースタンク
７１５．．．蒸着速度調整器
【図１】
2007146292.tif 000003
【図２ａ】
2007146292.tif 000004
【図２ｂ】
2007146292.tif 000005
【図２ｃ】
2007146292.tif 000006
【図２ｄ】
2007146292.tif 000007
【図３ａ】
2007146292.tif 000008
【図３ｂ】
2007146292.tif 000009
【図３ｃ】
2007146292.tif 000010
【図３ｄ】
2007146292.tif 000011
【図４ａ】
2007146292.tif 000012
【図４ｂ】
2007146292.tif 000013
【図５ａ】
2007146292.tif 000014
【図５ｂ】
2007146292.tif 000015
【図５ｃ】
2007146292.tif 000016
【図５ｄ】
2007146292.tif 000017
【図６】
2007146292.tif 000018
【図７】
2007146292.tif 000019
【図８】
2007146292.tif 000020
【図９】
2007146292.tif 000021
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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