(57)【要約】【課題】  導電性に優れた光硬化性組成物を提供すること。【解決手段】  上記課題を解決するための組成物として、本発明は、（Ａ）熱硬化性成分、（Ｂ）導電性粉末、（Ｃ）有機バインダー、（Ｄ）光重合性モノマー、及び（Ｅ）光重合開始剤を含有する光硬化性組成物であって、（Ａ）熱硬化性成分の配合量が（Ｃ）有機バインダー１００質量部に対して０．１〜１００質量部であることを特徴とする焼成用光硬化性組成物を提供する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）熱硬化性成分、（Ｂ）導電性粉末、（Ｃ）有機バインダー、（Ｄ）光重合性モノマー、及び（Ｅ）光重合開始剤を含有する焼成用光硬化性組成物であって、（Ａ）熱硬化性成分の配合量が（Ｃ）有機バインダー１００質量部に対して０．１〜１００質量部であることを特徴とする光硬化性導電組成物。
【請求項２】
前記熱硬化性成分（Ａ）が、オキシラン環を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記導電性粉末（Ｂ）が、銀粉末であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光硬化性導電組成物を用いて形成した電極。
【請求項５】
前記請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光硬化性導電組成物を用いて電気回路を形成した焼成物パターン。
【請求項６】
前記請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光硬化性導電組成物を用いて電極又は電気回路を形成した焼成物パターンを有するプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと略称する）のガラス基板や、電気回路配線基板用のセラミクス基板等に精細な電極回路を形成するのに有用なアルカリ現像型の光硬化性導電組成物、それを用いて形成した電極、電気回路を形成した焼成物パターン、及びその焼成物パターンを有するプラズマディスプレイパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上に導電体のパターン層を形成する方法として、非感光性の有機バインダーに金属粉末を混合したペースト材料、例えば乾燥型の導電性ペーストを、スクリーン印刷等の印刷技術を用いて基板上にパターン化させる方法がある。
【０００３】
しかしながら、かかる印刷技術を用いてパターン化させる方法では、低コストで作業性は良くなるものの工業的に安定して１００μｍ以下の線幅を有する導電体パターンを形成することは困難であった。  
そのため最近では、光硬化性導電組成物を用いフォトリソグラフィー技術を利用した導電体パターンの形成方法が提案されている（特許文献１参照）。
しかしながら、光硬化性導電組成物の場合、導電性粉末を焼成により焼結させて導電性を得るため、焼成後に得られる焼成物の導電性は、用いられる導電性金属の真の抵抗値から考えると２倍以上の高い抵抗値となってしまうという問題があった。
【特許文献１】特開２００３−１６２０４９号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、このような従来技術が抱える課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、焼成物の導電性に優れる光硬化性導電組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前記光硬化性導電組成物を用いて形成した電極、及び電気回路を形成した導電性に優れた焼成物パターンを提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、前記光硬化性導電組成物を用いて形成した電極、及び電気回路を形成した導電性に優れた焼成物パターンを有するプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するために、本発明の光硬化性導電組成物の基本的な第一の態様は、（Ａ）熱硬化性成分、（Ｂ）導電性粉末、（Ｃ）有機バインダー、（Ｄ）光重合性モノマー、及び（Ｅ）光重合開始剤を含有する焼成用光硬化性導電組成物であって、（Ａ）熱硬化性成分の配合量が（Ｃ）有機バインダー１００質量部に対して０．１〜１００質量部であることを特徴としている。
このような本発明の光硬化性導電組成物は、ペースト状形態であってもよく、また予めフィルム状に製膜したドライフィルムの形態であってもよい。
また、本発明によれば、このような光硬化性導電組成物を用いて形成した電極、及び電気回路を形成した焼成物パターンが提供される。
さらに、本発明によれば、このような光硬化性組成物を用いて形成した電極、及び電気回路を形成した焼成物パターンを有するプラズマディスプレイパネルが提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の光硬化性導電組成物によれば、比抵抗値の低い焼成物パターンの形成が可能となり、パターンの膜厚を薄くしても抵抗値の上昇を低く抑えることができる。その結果、本発明によれば、導電体パターンの薄膜化が可能となり、導電体パターンを有する部材の製造コスト削減にとって極めて有用である。
また、導電体の薄膜化が可能となる結果、深部硬化性の悪い光硬化性導電組成物にとっては、解像性の面で極めて有利となり更なる高精細パターンの形成が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
発明者は、前記目的の実現に向けて鋭意研究した結果、光硬化性導電組成物に熱硬化性成分を添加すると、抵抗値が低く導電性に優れた焼成物パターンを形成しうることを見出した。
通常、焼成タイプの導電組成物には、焼成性の観点から焼成性の悪い熱硬化性成分は配合しないことが常識である。しかし、発明者は、組成物中の熱硬化性成分の配合量を限定することにより、焼成性の悪さに起因するブリスターの発生や抵抗値の上昇が抑えられることを見出した。
抵抗値が低く導電性に優れた焼成物パターンを形成しうる理由として、（１）熱硬化性成分の熱硬化収縮、（２）硬化物の焼失して行く過程での焼成収縮、及び（３）焼失温度の変化、が導電粉末の焼結に何らかの影響をあたえるためと思われる。その結果、本発明によれば、抵抗値が低く導電性に優れた焼成物パターンを形成しうる光硬化性導電組成物を提供することができる。
しかも、このような本発明の光硬化性導電組成物を用いた焼成物パターンは、高精細でかつ低電気抵抗であり極めて有用なものである。
【０００８】
このような本発明の光硬化性導電組成物において、前記熱硬化性成分（Ａ）としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オキセタン化合物、及びそれらの変性樹脂が挙げられ、これらを単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０００９】
これらの熱硬化性成分のなかでも、特にオキシラン環を有する化合物を好適に用いることができ、例えば、ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ビスフェノールＡのノボラック型、ビフェノール型、ビキシレノール型、トリスフェノールメタン型、Ｎ−グリシジル型、αートリグリシジルイソシアネート、βートリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシなど、公知慣用のエポキシ樹脂が挙げられるが、特定のものに限定されるものではなく、これらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１０】
これらの熱硬化性成分（Ａ）の配合割合は、前記有機バインダー１００質量部当り０．１〜１００質量部が適当であり、好ましくは、１０〜９０質量部である。これら熱硬化性成分の配合量が０．１質量部未満では充分に低い比抵抗値が得られ難く、一方、１００質量部を超えると、焼成工程でブリスターの発生や抵抗値の上昇を招きやすくなり好ましくない。
尚、本明細書において、ブリスターとは、焼成工程において塗膜中の有機成分がガス化して塗膜を持ち上げ、焼成塗膜にふくれができる現象をいう。
【００１１】
導電性粉末（Ｂ）は、組成物において導電性を付与するものであればいかなるものでも用いることができる。このような導電性粉末としては、ＡｇやＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ等の単体とその合金の他、その酸化物、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などを用いることができる。導電性粉末の形状としては、球状、フレーク状、デントライト状など種々のものを用いることができ、特に光特性や分散性を考慮すると球状のものを用いるのが好ましい。
【００１２】
このような導電性粉末は、その平均粒径が０．０５〜４μｍ、好ましくは０．１〜２μｍであることが好ましい。この理由は、平均粒径が０．０５μｍ未満では、光の透過性が悪くなりパターン形成が困難になる。一方、平均粒径が４μｍを超えると、ラインの直線性が得られなくなるからである。
このような導電性粉末の配合量は、溶剤を除く組成物中に５０〜９０質量％の割合とする。導電性粉末の配合量が上記範囲よりも少ない場合、導電体パターンの充分な導電性が得られず、一方、上記範囲を超えて多量になると、基材との密着性が悪くなるので好ましくない。
【００１３】
次に、有機バインダー（Ｃ）としては、カルボキシル基を有する樹脂、具体的にはそれ自体がエチレン性不飽和二重結合を有するカルボキシル基含有感光性樹脂及びエチレン性不飽和二重結合を有さないカルボキシル基含有樹脂のいずれも使用可能である。
このカルボキシル基含有感光性樹脂及びカルボキシル基含有樹脂は、単独でまたは混合して用いてもよいが、いずれの場合でもこれらは合計で組成物全量の１〜２０質量％の割合で配合することが好ましい。これらのポリマーの配合量が上記範囲より少ない場合、形成する皮膜中の上記樹脂の分布が不均一になり易く、充分な光硬化性および光硬化深度が得られ難く、選択的露光、現像によるパターニングが困難となる。一方、上記範囲よりも多い場合、焼成時のパターンのよれや線幅収縮を生じ易くなるので好ましくない。
【００１４】
また、上記カルボキシル基含有感光性樹脂及びカルボキシル基含有樹脂としては、それぞれ重量平均分子量が１，０００〜１００，０００、好ましくは５，０００〜７０，０００であり、かつ酸価が５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましい。さらに、カルボキシル基含有感光性樹脂の場合、その二重結合当量が３５０〜２，０００ｇ／当量、好ましくは４００〜１，５００ｇ／当量のものが好適に用いることができる。上記樹脂の重量平均分子量が１，０００未満の場合、現像時の皮膜の密着性に悪影響を与え、一方、１００，０００を超えた場合、現像不良を生じ易いので好ましくない。また、酸価が５０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満の場合、アルカリ水溶液に対する溶解性が不充分で現像不良を生じ易く、一方、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えた場合、現像時に皮膜の密着性の劣化や光硬化部（露光部）の溶解が生じるので好ましくない。さらに、カルボキシル基含有感光性樹脂の場合、感光性樹脂の二重結合当量が３５０ｇ／当量未満の場合、焼成時に残渣が残り易くなり、一方、２，０００ｇ／当量を超えた場合、現像時の作業余裕度が狭く、また光硬化時に高露光量を必要とするので好ましくない。
【００１５】
本発明において光重合性モノマー（Ｄ）は、組成物の光硬化性の促進及び現像性を向上させるために用いる。光重合性モノマー（Ｄ）としては、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート，２−ヒドロキシプロピルアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリウレタンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート及び上記アクリレートに対応する各メタクリレート類；フタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、こはく酸、トリメリット酸、テレフタル酸等の多塩基酸とヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートとのモノ−、ジ−、トリ−又はそれ以上のポリエステルなどが挙げられるが、特定のものに限定されるものではなく、またこれらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの光重合性モノマーの中でも、１分子中に２個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有する多官能モノマーが好ましい。
【００１６】
このような光重合性モノマー（Ｄ）の配合量は、前記有機バインダー（カルボキシル基含有感光性樹脂及び／又はカルボキシル基含有樹脂）（Ｃ）１００質量部当り、２０〜１２０質量部が適当である。光重合性モノマー（Ｄ）の配合量が上記範囲よりも少ない場合、組成物の充分な光硬化性が得られ難くなり、一方、上記範囲を超えて多量になると、皮膜の深部に比べて表面部の光硬化が早くなるため硬化むらを生じ易くなる。
【００１７】
前記光重合開始剤（Ｅ）の具体例としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインとベンゾインアルキルエーテル類；アセトフェノン、２，２−ジメトキシー２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシー２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン類；２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン等のアミノアセトフェノン類；２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン等のアントラキノン類；２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール類；ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類；又はキサントン類；（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−ペンチルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、エチル−２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィネイト等のフォスフィンオキサイド類；各種パーオキサイド類などが挙げられ、これら公知慣用の光重合開始剤を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの光重合開始剤（Ｅ）の配合割合は、前記有機バインダー（カルボキシル基含有感光性樹脂及び／又はカルボキシル基含有樹脂）（Ｂ）１００質量部当り、１〜３０質量部が適当であり、好ましくは、５〜２０質量部である。
【００１８】
また、上記のような光重合開始剤（Ｅ）は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の三級アミン類のような光増感剤の１種あるいは２種以上と組み合わせて用いることができる。
さらに、より深い光硬化深度を要求される場合、必要に応じて、可視領域でラジカル重合を開始するチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製イルガキュアー７８４等のチタノセン系光重合開始剤、ロイコ染料等を硬化助剤として組み合わせて用いることができる。
【００１９】
本発明の光硬化性導電組成物は、必要に応じて軟化点４００〜６００℃のガラス粉末（Ｆ）を、本発明の光硬化性導電組成物の特性を損なわない量的割合で配合することができる。
ガラス粉末は、焼成後の導体回路との密着性向上のために、導電性粉末（Ｂ）１００質量部当り、５０質量部以下、好ましくは１０質量部以下の割合で配合することができる。この理由は、その配合量が上記範囲よりも多いと焼成後に充分な導通が得られず、好ましくない。このガラス粉末としては、そのガラス転移点（Ｔｇ）が３００〜５００℃で、ガラス軟化点（Ｔｓ）が４００〜６００℃のものが好ましい。ガラス粉末の軟化点が４００℃より低いと、有機バインダーを包み込み易くなり、残存する有機バインダーが分解することによって組成物中にブリスターが生じ易くなるので好ましくない。また、解像度の点からは、平均粒径１０μｍ以下、好ましくは３μｍ以下のガラス粉末を用いることが好ましい。
【００２０】
上記ガラス粉末としては、酸化鉛、酸化ビスマス、又は酸化亜鉛などを主成分とする非結晶性フリットが好適に使用できる。
【００２１】
本発明においては、光硬化性導電組成物に多量の無機粉末を配合した場合、得られる組成物の保存安定性が悪く、ゲル化や流動性の低下により塗布作業性が悪くなる傾向がある。従って、本発明の組成物では、組成物の保存安定性向上のため、無機粉末の成分である金属あるいは酸化物粉末との錯体化あるいは塩形成などの効果のある化合物を、安定剤として添加することができる。安定剤としては、硝酸、硫酸、塩酸、ホウ酸等の各種無機酸；ギ酸、酢酸、アセト酢酸、クエン酸、ステアリン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、ベンゼンスルホン酸、スルファミン酸等の各種有機酸；リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、リン酸メチル、リン酸エチル、リン酸ブチル、リン酸フェニル、亜リン酸エチル、亜リン酸ジフェニル、モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）アシッドホスフェート等の各種リン酸化合物（無機リン酸、有機リン酸）などの酸が挙げられ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２２】
本発明においては、組成物を希釈することによりペースト化し、容易に塗布工程を可能とし、次いで乾燥させて造膜し、接触露光を可能とさせるために、適宜の量の有機溶剤を配合することができる。具体的には、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；セロソルブ、メチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレートなどのエステル類；エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、テルピネオールなどのアルコール類；オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素；石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサなどの石油系溶剤、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート等が挙げられ、これらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２３】
本発明の光硬化性導電組成物は、上記成分以外に、エポキシ樹脂等の熱硬化触媒を配合することができる。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体；２−エチルイミダゾリンなどのイミダゾリン誘導体；ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、４−（ジメチルアミノ）−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、４−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン等のアミン化合物、アジピン酸ヒドラジド、セバシン酸ヒドラジド等のヒドラジン化合物；トリフェニルホスフィン等のリン化合物などが挙げられるが、これらに限られるものではなく、熱硬化性成分の硬化反応を促進するものであればよく、単独で又は２種以上を混合して使用してもかまわない。
【００２４】
また、密着性付与剤としても機能するグアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、メラミン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−Ｓ−トリアジン、２−ビニル−４，６−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２−ビニル−４，６−ジアミノ−Ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−Ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等のＳ−トリアジン誘導体を用いることもでき、好ましくはこれら密着性付与剤としても機能する化合物を前記熱硬化触媒と併用することができる。
【００２５】
本発明の光硬化性導電組成物は、  また、密着性、硬度等の特性を上げる目的で、必要に応じて、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、無定形シリカ、タルク、クレー、カオリン、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、ガラス繊維、炭素繊維、雲母粉などの公知慣用の無機フィラーを配合できる。
【００２６】
さらに、必要に応じて、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、ピロガロール、フェノチアジンなどの公知慣用の熱重合禁止剤、微粉シリカ、有機ベントナイト、モンモリロナイトなどの公知慣用の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系などの消泡剤及び／又はレベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シランカップリング剤などの公知慣用の密着性付与剤、分散助剤のような添加剤類を配合することができる。
【００２７】
本発明の光硬化性導電組成物は、予めフィルム状に成膜されている場合には基板上にラミネートすればよいが、ペースト状組成物の場合、スクリーン印刷法、バーコーター、ブレードコーターなど適宜の塗布方法で基板、例えばＰＤＰの前面基板となるガラス基板に塗布し、次いで指触乾燥性を得るために熱風循環式乾燥炉、遠赤外線乾燥炉等で例えば約６０〜１２０℃で５〜４０分程度乾燥させて有機溶剤を蒸発させ、タックフリーの塗膜を得る。その後、選択的露光、現像、焼成を行なって所定のパターンの電極回路を形成する。
【００２８】
露光工程としては、所定の露光パターンを有するネガマスクを用いた接触露光及び非接触露光が可能である。露光光源としては、ハロゲンランプ、高圧水銀灯、レーザー光、メタルハライドランプ、無電極ランプなどが使用される。露光量としては５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２程度が好ましい。
【００２９】
現像工程としてはスプレー法、浸漬法等が用いられる。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、珪酸ナトリウムなどの金属アルカリ水溶液や、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアミン水溶液、特に約１．５質量％以下の濃度の希アルカリ水溶液が好適に用いられるが、組成物中のカルボキシル基含有樹脂のカルボキシル基がケン化され、未硬化部（未露光部）が除去されればよく、上記のような現像液に限定されるものではない。また、現像後に不要な現像液の除去のため、水洗を行なうことが好ましい。
【００３０】
焼成工程においては、現像後の基板を空気中又は窒素雰囲気下で約５００〜６２０℃の加熱処理を行ない、所望のパターンを形成する。
焼成後のパターンの膜厚は、１〜６μｍであることが好ましく、焼成膜厚が上記範囲よりも薄くなるとパターンの断線、ピンホールなどが起こりやすく充分な導通を得ることが難しく、焼成膜厚が上記範囲を超えて厚くなるとパターン形成が難しくなり好ましくない。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明が下記実施例に限定されるものでないことはもとよりである。なお、以下において「部」は、特に断りのない限りすべて質量部であるものとする。
【００３２】
下記の表１に示す熱硬化性成分、有機バインダー、及び導電性粉末を用いて、組成物例１〜８並びに比較組成物例１〜２を以下に示す組成比にて配合し、攪拌機により攪拌後、３本ロールミルにより練肉してペースト化を行なった。
【００３３】
【表１】
2007264270.tif 000002
有機バインダーとしては、三菱レイヨン社製のカルボキシル基含有樹脂ＰＢ−３８３（Ｔｇ＝６３℃、酸価＝１７６ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量＝２６、０００）を２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレートに溶解し、固形分４０ｗｔ％としたものを用いた。
導電性粉末としては、平均粒径＝１．７μｍの銀粉末を使用した。
【００３４】
（組成物例１）
有機バインダー                                    ２５０．０部
トリメチロールプロパントリアクリレート              ９０．０部
２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−
２−モルフォリノプロパン−１−オン            １５．０部
銀粉                                              ５００．０部
熱硬化性成分（Ａ−１）                              １６．０部
リン酸エステル                                        ２．０部
消泡・レベリング剤（ＸＬ４９０−５０：伊藤製油社製）  ６．０部
【００３５】
（組成物例２）
熱硬化性成分（Ａ−１）の配合量を４０．０部としたこと以外は組成物例１と同様の成分組成とした。
【００３６】
（組成物例３）
熱硬化性成分（Ａ−１）の配合量を８０．０部としたこと以外は組成物例１と同様の成分組成とした。
【００３７】
（組成物例４）
熱硬化性成分（Ａ−１）を熱硬化性成分（Ａ−２）に置き換えたこと以外は、組成物例２と同様の成分組成とした。
【００３８】
（組成物例５）
熱硬化性成分（Ａ−１）を熱硬化性成分（Ａ−３）に置き換えたこと以外は、組成物例２と同様の成分組成とした。
【００３９】
（組成物例６）
熱硬化性成分（Ａ−１）を熱硬化性成分（Ａ−４）に置き換えたこと以外は、組成物例２と同様の成分組成とした。
【００４０】
（組成物例７）
熱硬化性成分（Ａ−１）を熱硬化性成分（Ａ−５）に置き換えたこと以外は、組成物例２と同様の成分組成とした。
【００４１】
（組成物例８）
熱硬化性成分（Ａ−１）を熱硬化性成分（Ａ−６）に置き換えたこと以外は、組成物例２と同様の成分組成とした。
【００４２】
（比較組成物例１）
熱硬化性成分（Ａ−１）を除くこと以外は、組成物例１と同様の成分組成とした。
【００４３】
（比較組成物例２）
熱硬化性成分（Ａ−１）の配合量を１２０部としたこと以外は組成物例１と同様の成分組成とした。
【００４４】
このようにして得られた組成物例１〜８及び比較組成物例１〜２の各ペーストについて、焼成後膜厚、抵抗値の測定、比抵抗値、ブリスターの評価を行った。  その評価方法は、以下の通りである。
【００４５】
ガラス基板上に、評価用ペーストを１００メッシュのポリエステルスクリーンを用いて全面に塗布し、次いで、熱風循環式乾燥炉にて９０℃で２５分間乾燥して指触乾燥性の良好な皮膜を形成した。その後、パターン寸法４ｍｍ×１００ｍｍのラインが形成できるネガマスクを用いて、組成物上の積算光量が８００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した後、液温３０℃の０．５ｗｔ％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を用いて現像を行ない、水洗した。最後に空気雰囲気下にて５℃／分で昇温し、５６０℃で５分間焼成して試験片を作製した。
【００４６】
膜厚：
上記試験片を用いて表面粗さ計（小坂研究所社製  ＳＥ−３０Ｈ）により膜厚を測定した。
【００４７】
抵抗値：
上記試験片を用いてテスター（ＨＩＯＫＩ  ３５４０  ｍΩ  ＨＩＴＥＳＴＥＲ）により抵抗値を測定した。
【００４８】
比抵抗値：
得られた膜厚、抵抗値の値から下記計算式に従い比抵抗値を算出した。
比抵抗値ρ（Ω・ｃｍ）＝
膜厚（ｃｍ）×パターン幅（ｃｍ）×抵抗値Ｒ（Ω）／厚さｌ（ｃｍ）
【００４９】
ブリスター：
焼成物パターンについてブリスターの有無を目視評価した。
【００５０】
これらの評価結果を、表２に示す。
【表２】
2007264270.tif 000003
【００５１】
【表３】
2007264270.tif 000004
【００５２】
表２及び表３に示す結果から明らかなように、本発明の組成物に係るペーストによれば、比較組成物例のペーストに比べて充分に比抵抗値の低いパターンを形成できることが判った。従って、本発明によれば、導電体パターンの薄膜化が可能となる。また、熱硬化性成分が多くなるとブリスターが発生し、熱硬化性成分がないと比抵抗値が高いという傾向であった。
【００５３】
なお、上記評価用ペーストについて、現像後のライン形状、焼成後のライン形状、ライン抵抗を評価したが、いずれも問題はなかった。これらの評価に使用する基板は、ガラス基板上に評価用ペーストを２００メッシュのポリエステルスクリーンを用いて全面に塗布し、次いで、熱風循環式乾燥炉にて９０℃で２５分間乾燥して指触乾燥性の良好な皮膜を形成した。その後、ライン／スペース＝１００／１００μｍとなるネガフィルムを用いて組成物上の積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した後、液温３０℃の０．５ｗｔ％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を用いて現像を行ない、水洗した。最後に空気雰囲気下にて５℃／分で昇温し、６００℃で５分間焼成して基板を作製した。
【００５４】
これらの基板ついて、現像まで終了したパターンを顕微鏡観察し、ラインに不規則なばらつきがなく、よれ等がないかどうかで評価し、焼成後のライン形状については、焼成まで終了したパターンを顕微鏡観察し、ラインに不規則なばらつきがなく、よれ等がないかどうかで評価したがいずれも問題なかった。