(57)【要約】【課題】有機薄膜トランジスタの特性を良好に維持したまま、製造工程全体の作業時間の短縮を可能にする有機薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による有機薄膜トランジスタ表示パネルでは、データ線とドレイン電極とが、ＩＴＯまたはＩＺＯを含む第１導電層と、第１導電層より抵抗の低い金属を含む第２導電層とを有し、それぞれの第１導電層で有機半導体に接触している。【選択図】図２
2007043159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されているゲート線、
前記ゲート線を覆っているゲート絶縁膜、
ＩＴＯまたはＩＺＯを含む第１導電層と、前記第１導電層より抵抗の低い金属を含む第２導電層と、を有し、前記ゲート絶縁膜の上に形成されているデータ線とドレイン電極、
前記データ線と前記ドレイン電極との上に形成されている有機半導体、
前記有機半導体を覆っている保護部材、及び、
前記ドレイン電極に接続されている画素電極、
を備えている有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項２】
前記第２導電層が、モリブデン、モリブデン合金、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、銀、または銀合金のいずれかを含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項３】
前記第１導電層が前記第２導電層の上に形成され、前記有機半導体と接触している、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項４】
前記保護部材が、互いに異なる材料から成る第１保護部材及び第２保護部材を有する、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項５】
前記第１保護部材が有機物質を含む、請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項６】
前記第１保護部材がフッ素系重合体またはパリレンを含む、請求項５に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項７】
前記第２保護部材がＩＴＯまたはＩＺＯのいずれかを含む、請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項８】
前記有機半導体、前記第１保護部材、及び前記第２保護部材が実質的に同一形状である、請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項９】
前記有機半導体、前記第１保護部材、及び前記第２保護部材にコンタクトホールが形成され、前記コンタクトホールを介して前記画素電極が前記ドレイン電極に接続されている、請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項１０】
前記データ線を覆う補助データ線をさらに備えている、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項１１】
前記補助データ線が前記画素電極と同じ材料から成る、請求項１０に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項１２】
前記画素電極を覆っている保護膜、をさらに備えている、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネル。
【請求項１３】
基板上にゲート線を形成する段階、
前記ゲート線をゲート絶縁膜で覆う段階、
ＩＴＯまたはＩＺＯを含む第１導電層と、前記第１導電層より抵抗の低い金属を含む第２導電層と、を有するデータ線とドレイン電極とを、前記ゲート絶縁膜の上に形成する段階、
前記データ線と前記ドレイン電極との上に有機半導体を形成する段階、
前記有機半導体の上に保護部材を形成する段階、及び、
前記保護部材と前記ゲート絶縁膜との上に画素電極を形成する段階、
を備えている有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記保護部材を形成する段階が、
有機物質を含む第１保護部材を形成する段階、及び、
ＩＴＯまたはＩＺＯを含む第２保護部材を形成する段階、
を有する、請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記有機半導体及び前記第１保護部材を溶液工程で形成する、請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記第２保護部材を形成する段階が25℃乃至130℃の温度で行われる、請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１７】
前記有機半導体を形成する段階と前記保護部材を形成する段階とが一連の工程に含まれ、その一連の工程が、
有機半導体層、第１保護膜、及び第２保護膜を順番に積層する段階、
前記第２保護膜をエッチングして前記第２保護部材を形成する段階、及び、
前記第２保護部材をエッチングマスクとして利用して前記第１保護膜と前記有機半導体層とをエッチングし、前記第１保護部材と前記有機半導体とを形成する段階、
を有する、請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１８】
前記第１保護部材と前記有機半導体とのエッチングが乾式エッチングで行われる、請求項１７に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１９】
前記第１導電層と前記第２導電層とがエッチング液により一度にエッチングされる、請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項２０】
前記画素電極を形成する段階の後に、保護膜を形成する段階をさらに備えている、請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の表示装置の駆動素子として有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）に対する研究が盛んに行われている。有機薄膜トランジスタは、薄膜トランジスタを構成する活性層を、従来のケイ素（Si）のような無機物質ではなく、有機物質で形成したものである。有機半導体は溶液工程等により比較的低温下で成膜可能であるので、化学気相蒸着により比較的高温下で成膜されるケイ素と比べ、大面積の平板表示装置での利用に適している。有機薄膜トランジスタはさらに、有機物質の特性上、繊維状またはフィルム状に容易に成形できるので、フレキシブル表示装置の核心素子として注目されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
有機薄膜トランジスタを備えている薄膜トランジスタ表示パネル（以下、有機薄膜トランジスタ表示パネルという）は以下に述べるように、無機半導体薄膜トランジスタを備えている従来の薄膜トランジスタ表示パネルと比べ、積層構造及び形成方法に工夫が必要である。有機半導体は既存の無機半導体より、製造時の環境条件から影響を受けやすい。従って、一旦形成された有機半導体から成る薄膜の特性が後続の製造工程で変化しやすく、損傷を受けるおそれさえある。また、有機半導体を無機半導体と同様に、一般の低抵抗性導電体と接触させた場合、有機半導体と低抵抗性導電体との間にショットキーバリアが形成されるので、有機薄膜トランジスタの特性が損なわれる。それらの理由から、有機薄膜トランジスタ表示パネルでは有機薄膜トランジスタの劣化を防止するための新たな層の追加が要求され、それに伴い、有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造工程には種々の付加工程が要求される。その結果、有機薄膜トランジスタ表示パネルの従来の製造工程では、全体の作業時間の更なる短縮が困難である。
本発明の目的は、有機薄膜トランジスタの特性を良好に維持したまま、製造工程全体の作業時間の更なる短縮を可能にする有機薄膜トランジスタ表示パネル、及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明による有機薄膜トランジスタ表示パネルは、
基板上に形成されているゲート線、
ゲート線を覆っているゲート絶縁膜、
ＩＴＯまたはＩＺＯを含む第１導電層と、第１導電層より抵抗の低い金属を含む第２導電層と、を有し、ゲート絶縁膜の上に形成されているデータ線とドレイン電極、
データ線とドレイン電極との上に形成されている有機半導体、
有機半導体を覆っている保護部材、及び、
ドレイン電極に接続されている画素電極、を備えている。
【０００５】
第２導電層は好ましくは、モリブデン、モリブデン合金、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、銀、または銀合金を含む。第１導電層は好ましくは、第２導電層の上に形成され、特に有機半導体に接触している。保護部材は好ましくは、互いに異なる材料から成る第１保護部材及び第２保護部材を有する。第１保護部材は好ましくは、有機物質、特にフッ素系重合体またはパリレンを含む。第２保護部材は好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯを含む。有機半導体、第１保護部材、及び第２保護部材は好ましくは、実質的に同一形状である。
【０００６】
本発明による有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法は、
基板上にゲート線を形成する段階、
ゲート線をゲート絶縁膜で覆う段階、
ＩＴＯまたはＩＺＯを含む第１導電層と、第１導電層より抵抗の低い金属を含む第２導電層と、を有するデータ線とドレイン電極とを、ゲート絶縁膜の上に形成する段階、
データ線とドレイン電極との上に有機半導体を形成する段階、
有機半導体の上に保護部材を形成する段階、及び、
保護部材とゲート絶縁膜との上に画素電極を形成する段階、を備えている。
【０００７】
好ましくは、第１導電層と第２導電層とがエッチング液により一度にエッチングされる。保護部材を形成する段階では好ましくは、有機物質を含む第１保護部材と、ＩＴＯまたはＩＺＯを含む第２保護部材と、が順番に形成される。好ましくは、有機半導体及び第１保護部材が溶液工程で形成される。第２保護部材を形成する段階は好ましくは、25℃乃至130℃の温度で行われる。
【０００８】
好ましくは、有機半導体を形成する段階と保護部材を形成する段階とが一連の工程に含まれ、その一連の工程が、
有機半導体層、第１保護膜、及び第２保護膜を順番に積層する段階、
第２保護膜をエッチングして第２保護部材を形成する段階、及び、
第２保護部材をエッチングマスクとして利用して第１保護膜と有機半導体層とをエッチングし、第１保護部材と有機半導体とを形成する段階、を有する。さらに好ましくは、第１保護部材と有機半導体とのエッチングが乾式エッチングで行われる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による上記の有機薄膜トランジスタ表示パネルでは、データ線とドレイン電極とが第１導電層を含み、その第１導電層で有機半導体に接触している。第１導電層はＩＴＯ又はＩＺＯを含むので、その仕事関数が有機半導体の仕事関数に近い。従って、第１導電層と有機半導体との間ではオーミックコンタクトが形成され、データ線またはドレイン電極から有機半導体内に電荷が効果的に注入される。また、第１導電層は有機半導体に対する接着性に優れている。従って、第１導電層と有機半導体との接触が、有機半導体から成る薄膜の特性を損なわないので、有機薄膜トランジスタの特性が良好に維持される。さらに、第１導電層を第２導電層で覆うことにより、データ線の抵抗が低く維持される。その上、本発明による有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造工程では特に、データ線とドレイン電極とを同じ導電層から形成できるので、その製造工程全体で使用されるマスクの総数、及び全体の工程数を著しく低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。
まず、図１及び図２を参照しながら、本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタ表示パネルについて詳細に説明する。
【００１１】
透明なガラスまたはプラスチックなどの絶縁物から成る基板110の上に、複数のゲート線121、及び複数の維持電極線131が形成されている。
ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に表示パネルの横方向に延びている。各ゲート線121は、表示パネルの縦方向に突出した複数のゲート電極124と、他の層または外部の駆動回路との接続のために広い端部129を有する。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は好ましくは、基板110の上に接着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）の上に実装されている。その他に、ゲート駆動回路が基板110の上に直接実装され、または基板110に集積化されていても良い。ゲート駆動回路が基板110に集積化されている場合、ゲート線121がそれと直結されていても良い。
【００１２】
各維持電極線131は外部から所定の電圧の印加を受け、ゲート線121とほぼ平行に延びている幹線と、その幹線から分岐している複数の維持電極133a、133b、133cとを有する。各維持電極線131は、隣接する二つのゲート線121の間に位置し、その幹線がそれら二つのゲート線121の一方（図１では上側）に近い。維持電極133a、133b、133cのそれぞれは、幹線と接続された二つの縦部133a、133bと、縦部133a、133bの端に接続された横部133cとを有する。尚、維持電極線131の形状及び配置は上記の他にも様々に変更されても良い。
【００１３】
ゲート線121及び維持電極線131は好ましくは、アルミニウム（Al）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ag）や銀合金などの銀系金属、銅（Cu）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Mo）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、またはチタニウム（Ti）から成る。ゲート線121及び維持電極線131はさらに、物理的性質の異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜であっても良い。一つの導電膜は比抵抗の低い金属（好ましくは、アルミニウム系金属、銀系金属、または銅系金属）から成り、信号遅延や電圧降下を減らす。もう一つの導電膜は、特にＩＴＯやＩＺＯとの物理的、化学的、及び電気的な接触特性に優れた物質（好ましくは、モリブデン系金属、クロム、タンタル、またはチタニウム）から成る。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜との組み合わせ、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜との組み合わせがある。尚、ゲート線121及び維持電極線131が上記の他に、種々の金属または導電体から形成されても良い。ゲート線121及び維持電極線131の側面は好ましくは、基板110の表面に対して傾斜しており、その傾斜角は好ましくは約30゜〜約80゜である。
【００１４】
ゲート線121と維持電極線131とはゲート絶縁膜140で覆われている。ゲート絶縁膜140は好ましくは、オクタデシルクロロシラン（ＯＴＳ）で表面処理された酸化シリコン（SiO2）から成る。その他に、ゲート絶縁膜140が、窒化シリコン（SiNx）などの無機物、または、マレイミドスチレン、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、若しくは改質シアノエチルプルラン（ｍ−ＣＥＰ）などの有機物から形成されても良い。ゲート絶縁膜140にはゲート線121の端部129を露出させるコンタクトホール181が形成されている。
【００１５】
ゲート絶縁膜140の上には、複数のデータ線171、複数のドレイン電極175、及び複数の中間部材71が形成されている。データ線171はデータ信号を伝達し、主に表示パネルの縦方向に延びてゲート線121と交差する。また、各データ線171は維持電極線131と交差し、隣接した維持電極133a、133b、133cの間に延びている。各データ線171は、ゲート電極124に向かって延びている複数のソース電極173、及び、他の層または外部の駆動回路との接続のために広い端部179を有する。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は好ましくは、基板110の上に接着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）の上に実装されている。その他に、データ駆動回路が、基板110の上に直接実装され、または基板110に集積化されていても良い。データ駆動回路が基板110に集積化されている場合、データ線171がそれと直結されていても良い。ドレイン電極175はデータ線171と分離されており、ゲート電極124の上方でソース電極173と、所定の距離を隔てて対向している。中間部材71は、コンタクトホール181を介してゲート線121の端部129に接続されており、その端部129の露出した部位を完全に覆っている。
【００１６】
データ線171、ドレイン電極175、及び中間部材71は、互いに異なる物理的特性を示す下部導電層171p、175p、71pと上部導電層171q、175q、71qとを有する。図２では、データ線171、ソース電極173、データ線171の端部179、及び中間部材71のそれぞれで、下部導電層にはpの添え字を付し、上部導電層にはqの添え字を付している。
下部導電層171p、173p、175p、71pは好ましくは、モリブデン（Mo）、モリブデン合金、クロム（Cr）、クロム合金、アルミニウム（Al）、アルミニウム合金、銅（Cu）、銅合金、銀（Ag）、または銀合金などの低抵抗性金属から成る。特にデータ線171が低抵抗の下部導電層171pを含むことによってその抵抗が低減するので、信号遅延または電圧降下が防止される。
【００１７】
上部導電層171q、173q、175q、71qは後述の通り、有機半導体154に接触する。もしソース電極173及びドレイン電極175のそれぞれの上部導電層173q、175qと有機半導体154との間で仕事関数の差が大きければ、両者の間にショットキーバリアが形成されるのでキャリアの注入及び移動がいずれも阻まれる。従って、上部導電層171q、173q、175q、71qは、特にソース電極173とドレイン電極175との両方から有機半導体154にキャリアを効果的に注入できるように、有機半導体154の仕事関数に近い仕事関数を持つ導電体から成る。このような導電体にはＩＴＯまたはＩＺＯがある。ＩＴＯまたはＩＺＯは仕事関数が約4.5eV〜5.0eVである。一方、有機半導体154の仕事関数は通常、約5.0eV〜5.5eVである。従って、両者の仕事関数の間では差が比較的小さい。このため、ソース電極173の上部導電層173qと有機半導体154との間、及びドレイン電極175の上部導電層175qと有機半導体154との間ではいずれも、オーミックコンタクトが形成され、ソース電極173とドレイン電極175との両方から有機半導体154にキャリアが効果的に注入される。ＩＴＯまたはＩＺＯはさらに、有機半導体154との接着性も優れている。
【００１８】
データ線171、ソース電極173、及びドレイン電極175は共通の二層構造（上部導電層と下部導電層）を持つので、同じ一つの層から形成できる。従って、本発明による上記の有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造工程では、使用されるマスクの総数、及び全体の工程数がいずれも削減可能である。
【００１９】
ソース電極173、ドレイン電極175、及びゲート絶縁膜140の上には島状の有機半導体154が複数形成されている。有機半導体154は、スピンコーティング、蒸着、またはフォトエッチングにより形成される。有機半導体154は、水溶液や有機溶媒に溶解可能な高分子物質や低分子物質を含む。この場合、有機半導体154は（好ましくはインクジェットによる）印刷工程で形成される。尚、有機半導体154の形成には、有機半導体154を囲う隔壁（図示せず）が利用されても良い。有機半導体154は好ましくは、テトラセンまたはペンタセン置換基を含む誘導体、を有する。その他に、有機半導体154が、チオフェン環の2、5位置に連結された4〜8個のチオフェンを含むオリゴチオフェン、を有しても良い。また、有機半導体154が、ＰＴＣＤＡ、ＮＴＣＤＡ、または、それらのイミド誘導体を含んでいても良い。さらに、有機半導体154が、金属化フタロシアニンまたはそのハロゲン化誘導体を含んでいても良い。フタロシアニンに添加される金属は好ましくは、銅（Cu）、コバルト（Co）、または亜鉛（Zn）である。有機半導体154が、ペリレン、コロネン、またはそれらの置換基を含む誘導体、を有しても良い。
【００２０】
ゲート電極124、ソース電極173、及びドレイン電極175は、有機半導体154と共に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。その薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極173とドレイン電極175との間に挟まれている有機半導体154の部分に形成される。
【００２１】
有機半導体154の上には複数の保護部材164が形成されている。保護部材164は、有機半導体154と実質的に同じ平面形状であり、下部保護部材164p及び上部保護部材164qを有する。下部保護部材164pは、有機半導体154に対する接着性、及び界面特性に優れた有機物質から成る。また、下部保護部材164pは、低温成膜工程が可能な有機絶縁物質（好ましくは、常温または低温で形成が可能なフッ素系重合体またはパリレン）から成る。下部保護部材164pは、有機薄膜トランジスタ表示パネルの製造工程中での有機半導体154の損傷を防止する。上部保護部材164qは好ましくはＩＴＯまたはＩＺＯから成り、比較的低温（130℃以下）で形成可能であるので、有機半導体154には悪影響を与えない。上部保護部材164qは、感光剤との親和性が弱い下部保護部材164pを形成するときに、エッチングマスクとして利用される。
有機半導体154及び保護部材164には、ドレイン電極175を露出させる複数のコンタクトホール185が形成されている。
【００２２】
保護部材164、ゲート絶縁膜140、データ線171の露出部分、及び中間部材71の上には、複数の画素電極191、複数の補助データ線192、及び接触補助部材81、82が形成されている。画素電極191、補助データ線192、及び接触補助部材81、82は好ましくは、ＩＴＯ若しくはＩＺＯなどの透明な導電体から成り（表示パネルが透過型である場合）、または、銀、アルミニウム、クロム、若しくはそれらの合金などの反射率の高い金属から成る（表示パネルが反射型である場合）。
【００２３】
画素電極191はコンタクトホール185を介してドレイン電極175に接続され、ドレイン電極175からデータ信号の印加を受ける。表示パネルが液晶パネルである場合、画素電極191は液晶層（図示せず）を隔てて共通電極（図示せず）と対向している。ここで、共通電極には一定の電圧（共通電圧）が印加されている。データ電圧が印加された画素電極191と共通電極との間では液晶層に電場が生成され、その液晶層に含まれている液晶分子の配向方向が決定される。表示パネルがＥＬパネルである場合、画素電極191は発光層（図示せず）を隔てて共通電極（図示せず）と対向している。ここで、共通電極には一定の電圧（共通電圧）が印加されている。データ電圧が印加された画素電極191と共通電極との間での電圧の差により、発光層には電流が流れて発光が生じる。画素電極191は好ましくは維持電極133a、133b、133c、及び維持電極線131と重なり、ストレージキャパシタを構成する。
【００２４】
補助データ線192はデータ線171に重なって延びている。補助データ線192はデータ線171より幅が広いので、ソース電極173を除くデータ線171のほとんどが補助データ線192により完全に覆われている。尚、補助データ線192の幅がデータ線171の幅より狭くても良い。その場合、開口率の減少を最小限に抑えるには、補助データ線192と画素電極191との間の距離をできるだけ小さくする。特に表示パネルが液晶パネルである場合、補助データ線192でデータ線171を覆うことにより、データ線171が液晶（図示せず）と直には接触しないので、データ線171が保護される。
【００２５】
接触補助部材81は中間部材71を覆うことにより、中間部材71を通してゲート線の端部129と電気的に接続されている。接触補助部材82はデータ線171の端部179を直に覆い、その端部179と電気的に接続されている。接触補助部材81、82は、各端部129、179と外部の装置（特に駆動集積回路）との間の接着を補完し、各接着部を保護する。
画素電極191及び補助データ線192の上にはさらに、保護膜（図示せず）が形成されていても良い。
【００２６】
次に、図１及び図２に示した本発明の実施形態による有機薄膜トランジスタ表示パネルを製造する方法について、図３乃至図８、図１及び図２を参照しながら詳細に説明する。
第１工程では、図３及び図４に示されているように、透明なガラスまたはプラスチックなどの絶縁物から成る基板110の上に、ゲート電極124と端部129とを有する複数のゲート線121、及び、維持電極133a、133b、133cを有する複数の維持電極線131を形成する。
【００２７】
第２工程では、第１段階として、図６に示されているように、ゲート線121及び維持電極線131の上にゲート絶縁膜140をスピンコーティングで形成する。第２段階では、ゲート絶縁膜140を露光して現像することにより、複数のコンタクトホール181を形成してゲート線121の端部129を露出させる。第３段階では、ゲート絶縁膜140の上に、好ましくはモリブデン合金とＩＴＯとを順番にスパッタリングし、下部導電層と上部導電層とを積層する。第４段階では、下部導電層と上部導電層とを同じエッチング液で一括してエッチングし、図５、６に示されているような、ソース電極173と端部179とを有する複数のデータ線171、複数のドレイン電極175、及び複数の中間部材71を同時に形成する（図６では、データ線171、ソース電極173、ドレイン電極175、端部179、及び中間部材71のそれぞれに含まれている下部導電層にはpの添え字を付し、上部導電層にはqの添え字を付している）。第５段階では、データ線171、ドレイン電極175、中間部材71、及びゲート絶縁膜140の上に有機半導体層を形成する。ここで、有機半導体層は上記の通りペンタセンなどを含み、スピンコーティングで形成される。第６段階では、有機半導体層の上に、パリレンなどを含む絶縁膜を低温でスピンコーティングし、下部保護膜を形成する。第７段階では、下部保護膜の上にＩＴＯまたはＩＺＯをスパッタリングして上部保護膜を形成する。この時、ＩＴＯまたはＩＺＯは、好ましくは約130℃以下の温度下で形成され、さらに好ましくは、常温（約25℃）以上でかつ約130℃以下の温度下で形成される。従って、上部保護膜の形成が下地の有機半導体層には悪影響を与えない。
【００２８】
第３工程では、まず上部保護膜をフォトエッチングし、図７及び図８に示されているような複数の上部保護部材164qを形成する。次に、上部保護部材164qをマスクとして利用しながら、下部保護膜及び有機半導体層を順番に乾式エッチングし、複数の下部保護部材164p及び複数の有機半導体154を形成する。また、上部保護部材164q、下部保護部材164p、及び有機半導体154にコンタクトホール185を形成し、ドレイン電極175を露出させる。このように、上部保護部材をマスクとして利用しながら有機半導体154をパターニングすることにより、有機半導体154の化学的な損傷を防止する。
【００２９】
第４工程では、図１及び図２に示されているように、上部保護部材164q及びゲート絶縁膜140の上に、複数の画素電極191、複数の補助データ線192、及び複数の接触補助部材81、82を形成する。画素電極191、補助データ線192、及び接触補助部材81、82がＩＴＯまたはＩＺＯで形成される場合、それらは比較的低温下で形成可能であり、かつ弱塩基性エッチング液でエッチング可能である。従って、それらの形成は有機半導体154には悪影響を与えない。
【００３０】
データ線171、ドレイン電極175、及び中間部材71の上部導電膜171q、175q、71q、並びに、上部保護部材164qを、画素電極191、接触補助部材81、82、及び補助データ線192とエッチング選択性が異なる材料で形成すれば、画素電極191などの形成時では、上部保護部材164qと上部導電膜171q、175q、71qとのエッチングを防止できる。また、上部導電膜171q、175q、71qと上部保護部材164qとの間にエッチング選択性を与えても良い。好ましくは、上部導電膜171q、175q、71qを多結晶質ＩＴＯで形成し、上部保護部材164qをＩＺＯで形成し、画素電極191を非晶質ＩＴＯで形成しても良い。尚、上部導電膜171q、175q、71q、上部保護部材164q、及び画素電極191の間には、エッチング選択性がなくても良い。その場合、画素電極191などの形成時、上部保護部材164qと上部導電膜171q、175q、71qとの各一部が除去される。
【００３１】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明した。しかし、本発明の技術的範囲は上記の実施形態には限定されない。特許請求の範囲に定義されている本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタ表示パネルの平面図
【図２】図１に示されている折線II−IIに沿った断面の展開図
【図３】図１に示されている有機薄膜トランジスタ表示パネルを製造する方法について、その第１工程を示す平面図
【図４】図３に示されている折線IV−IVに沿った断面の展開図
【図５】図１に示されている有機薄膜トランジスタ表示パネルを製造する方法について、その第２工程を示す平面図
【図６】図５に示されている折線VI−VIに沿った断面の展開図
【図７】図１に示されている有機薄膜トランジスタ表示パネルを製造する方法について、その第３工程を示す平面図
【図８】図７に示されている折線VIII−VIIIに沿った断面の展開図
【符号の説明】
【００３３】
110…基板
121…ゲート線
124…ゲート電極
129…ゲート線の端部
131…維持電極線
133a、133b、133c…維持電極
140…ゲート絶縁膜
154…有機半導体
164…保護部材
164p…下部保護部材
164q…上部保護部材
171…データ線
171p…データ線の下部導電層
171q…データ線の上部導電層
173…ソース電極
173p…ソース電極の下部導電層
173q…ソース電極の上部導電層
175…ドレイン電極
175p…ドレイン電極の下部導電層
175q…ドレイン電極の上部導電層
179…データ線の端部
179p…データ線の端部の下部導電層
179q…データ線の端部の上部導電層
71…中間部材
71p…中間部材の下部導電層
71q…中間部材の上部導電層
81、82…接触補助部材
181、185…コンタクトホール
191…画素電極
192…補助データ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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