(57)【要約】【課題】安定な放電特性を有して寿命特性に優れ、表示品質を改善できるプラズマディスプレイパネルを提供すること。【解決手段】平行に配置された第１基板１及び第２基板１１と、第１基板上に形成された複数のアドレス電極３と、前記第２基板１１に対向する前記第１基板１の一面に形成された第１誘電層５と、所定間隔で区画された放電空間を形成する複数の隔壁７と、放電空間内に形成された蛍光層９と、第１基板に対向する第２基板の一面にアドレス電極と交差する方向に配置された複数の放電維持電極１３と、第２基板の一面に形成された第２誘電層１５と、第２誘電層を覆うＭｇＯと、ＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素とを含有する保護膜１７と、を含み、保護膜は、放電空間に面する保護膜の表面からの深さ応じて増加する元素の濃度勾配を有することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルが提供される。【選択図】図３
2007042654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意の間隔をおいて平行に配置された第１基板及び第２基板と；
前記第１基板上に形成された複数のアドレス電極と；
前記アドレス電極を覆い、前記第２基板に対向する前記第１基板の一面に形成された第１誘電層と；
前記第１誘電層上に所定の高さで形成され、前記第１基板と前記第２基板との間の空間に配置され、所定間隔で区画された放電空間を形成する複数の隔壁と；
前記放電空間内に形成された蛍光層と；
前記第１基板に対向する前記第２基板の一面に、前記アドレス電極と交差する方向に配置された複数の放電維持電極と；
前記放電維持電極を覆い、前記第２基板の前記一面に形成された第２誘電層と；
前記第２誘電層を覆いながら形成され、ＭｇＯと、ＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素とを含有する保護膜と；
を含み、
前記保護膜は、放電空間に面する前記保護膜の表面からの深さに応じて増加する前記元素の濃度勾配を有することを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記元素がＣａである時、前記元素の含量と前記保護膜内の前記保護膜の表面からの測定深さとの関係は、下記数式１で示されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
（数式１）
ｙ=ａ１ｘ+ｂ１
前記数式１において、ｙは、前記元素の含量であり、ｘは、前記測定深さ/５０であり、ａ１は、１１〜１４の範囲内であり、ｂ１は、１４５〜１６０の範囲内である。
【請求項３】
前記元素がＦｅである時、前記元素の含量と前記保護膜内の前記保護膜の表面からの測定深さとの関係は、下記数式２で示されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
（数式２）
ｙ=ａ２ｘ+ｂ２
前記数式２において、ｙは、前記元素の含量であり、ｘは、前記測定深さ/１００であり、ａ２は、０．９〜１.７の範囲内であり、ｂ２は、２０〜３０の範囲内である。
【請求項４】
前記元素の含量は、前記保護膜の全重量に対して２０〜４００ｐｐｍであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記Ｃａの含量は、前記保護膜の全重量に対して１５０〜４００ｐｐｍであることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記Ｃａの含量は、前記保護膜の全重量に対して１５０〜２５０ｐｐｍであることを特徴とする、請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記Ｆｅの含量は、前記保護膜の全重量に対して２０〜４５ｐｐｍであることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記Ｆｅの含量は、前記保護膜の全重量に対して２０〜３０ｐｐｍであることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記保護膜の厚さは、５００〜９００ｎｍであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記保護膜は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ及びＮａからなる群より選択された少なくとも１つの元素を含む層をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記保護膜は、柱状結晶構造を有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記保護膜は、Ａ−Ｙ放電によるイオン衝撃スパッタによって研削されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記ＭｇＯは、焼結方法で製造された多結晶であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、‘ＰＤＰ'と言う）は、放電セル内で起こる気体放電による真空紫外線で蛍光体を励起させて画像を実現する表示装置である。また、ＰＤＰは、高解像度の大画面構成が可能であることから、次世代薄形表示装置として注目されている。
【０００３】
ＰＤＰは、気体放電時に生じるプラズマから出る光を利用して、文字または図形を示す装置である。また、ＰＤＰは、パネルに配置された複数の放電空間に各々設けられた二つの電極に対して所定の電圧を印加して、これらの間でプラズマ放電を起こし、このプラズマ放電時に発生する紫外線によって所定のパターンで形成された蛍光体層を励起させて可視光の画像を形成する。
【０００４】
このようなＰＤＰは、大別して交流型（ＡＣ  ｔｙｐｅ）、直流型（ＤＣ  ｔｙｐｅ）及び混合型（Ｈｙｂｒｉｄ  ｔｙｐｅ）に分けられ、この中で交流型が最も多く使用されている。
【０００５】
交流型プラズマ表示素子は、放電気体が充填された両基板間の空間に、電極を交差するよう対向配列して、隔壁で区画した基本的な構造を有する。また、一方の電極上に壁電荷を形成する誘電層が被覆され、対向層の電極に近接して蛍光層が形成される。
【０００６】
これらの電極、隔壁、誘電層などは、経済的な面を考慮して、一般に印刷法で形成される。よって、膜が厚く形成され、その結果、薄膜形成工程に比べて成膜状態が劣る。
【０００７】
また、放電によって発生した電子及びイオンのスパッタリング作用によって、誘電層などの空間壁が損傷して、交流型プラズマディスプレイ素子の寿命を短縮させる問題が、発生する。
【０００８】
これを解決するため、放電時のイオン衝撃の影響を減少させる目的で、放電空間壁の一部の誘電層上に、数百ｎｍ程度の薄い保護膜が形成される。
【０００９】
ＰＤＰの保護膜材料は、ＭｇＯ原料の焼結体を製造して使用している。ＭｇＯを焼結体として使用することにより、放電特性向上のために必要な特定成分の定量ドーピングが可能になり、その固溶限界内で自由に調節できるため便利である。ＭｇＯからなる保護膜は、放電開始電圧を下げ、放電空間壁のスパッタリングを弱めて誘電層を保護する。よって、ＭｇＯからなる保護膜は、交流型プラズマディスプレイ素子の寿命を延長することができる。したがって、応答速度が単結晶材料に比べて速いという長所を高め、高精細プラズマ表示装置に適用するため、特定成分のドーピングに関する研究が活発に進められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、従来のＰＤＰによれば、保護膜の加熱蒸着など、成膜条件によって特性が激しく変化するので、一定の表示品質を維持することが難しいという問題点がある。また、保護膜を使用すると、アドレス放電遅延によるブラックノイズ、つまり、発光するように選択されたセルが発光しない放電ミスが発生しやすいく、表示品質が低下するという問題点がある。このようなミスは、ブラックノイズと呼ばれ、パネル内の発光領域と非発光領域との境界などで起こり易く、特定場所に現れる。この放電ミスは、アドレス放電がなかったり、あるいは、走査放電が行われたときの２次電子放出量が低いことから引き起こされる。
【００１１】
したがって、プラズマディスプレイパネルの特性を向上させるドーパントを保護膜に添加する方法に関する研究が活発に行われている。
【００１２】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、安定な放電特性を有して寿命特性に優れ、表示品質の改善が可能な、新規かつ改良されたプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、任意の間隔をおいて平行に配置された第１基板及び第２基板と、第１基板上に形成された複数のアドレス電極と、アドレス電極を覆い、前記第２基板に対向する前記第１基板の一面に形成された第１誘電層と、第１誘電層上に所定の高さで形成され、第１基板と第２基板との間の空間に配置され、所定間隔で区画された放電空間を形成する複数の隔壁と、放電空間内に形成された蛍光層と、第１基板に対向する第２基板の一面に、アドレス電極と交差する方向に配置された複数の放電維持電極と、放電維持電極を覆い、第２基板の一面に形成された第２誘電層と、第２誘電層を覆いながら形成され、ＭｇＯと、ＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素とを含有する保護膜と、を含み、保護膜は、放電空間に面する保護膜の表面からの深さ応じて増加する元素の濃度勾配を有することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルが提供される。
【００１４】
かかる構成によれば、保護膜がＭｇＯと、ＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素とを含み、元素の濃度が、保護膜の厚みのうちで、表面から深さ方向に、表面からの深さ（測定深さ）に応じて増加する。よって、保護層は、２次電子放出率を高めることができ、使用初期と長時間使用後での輝度の変化を抑えることができる。よって、ブラックノイズ等の放電ミスを防ぐことができ、寿命を延長することができる。
【００１５】
また、元素がＣａである時、元素の含量と保護膜内の保護膜の表面からの測定深さとの関係は、下記数式１で示されてもよい。（数式１）ｙ=ａ１ｘ+ｂ１。数式１において、ｙは前記元素の含量であり、ｘは測定深さ/５０であり、ａ１は１１〜１４の範囲内であり、ｂ１は１４５〜１６０の範囲内であってもよい。
【００１６】
また、元素がＦｅである時、元素の含量と保護膜内の保護膜の表面からの測定深さとの関係は、下記数式２で示されてもよい。（数式２）ｙ=ａ２ｘ+ｂ２。数式２において、ｙは、ドーパント元素の含量であり、ｘは、測定深さ/１００であり、ａ２は、０．９〜１.７の範囲にあり、ｂ２は、２０〜３０の範囲にあってもよい。
【００１７】
また、元素の含量は、保護膜の全重量に対して２０〜４００ｐｐｍであってもよい。
【００１８】
また、Ｃａの含量は、保護膜の全体重量に対して１５０〜４００ｐｐｍであってもよい。
【００１９】
また、Ｃａの含量は、保護膜の全重量に対して１５０〜２５０ｐｐｍであってもよい。
【００２０】
また、Ｆｅの含量は、保護膜の全重量に対して２０〜４５ｐｐｍであってもよい。
【００２１】
また、Ｆｅの含量は、保護膜の全重量に対して２０〜３０ｐｐｍであってもよい。
【００２２】
また、保護膜の厚さは、５００〜９００ｎｍであってもよい。
【００２３】
また、保護膜は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ及びＮａからなる群より選択された少なくとも１つの元素を含む第２の保護膜層をさらに含んでもよい。
【００２４】
また、保護膜は、柱状結晶構造を有してもよい。
【００２５】
また、保護膜は、Ａ−Ｙ放電によるイオン衝撃スパッタによって研削されてもよい。
【００２６】
また、ＭｇＯは、焼結方法で製造された多結晶であってもよい。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように、本発明によれば、安定な放電特性を有して寿命特性に優れ、表示品質を改善できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２９】
以下では、本発明の実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルについて説明する。また、このプラズマディスプレイは、高精細な画像表示が可能であり、放電空間用誘電体壁保護膜（以下“保護膜”という。）を備える。この保護膜は、放電空間壁の保護膜表面から深さ方向に特定元素の含量を調節して形成される。この保護膜を備えたプラズマディスプレイによれば、放電ミスによるブラックノイズ発生を抑制して安定な駆動を行うことができ、表示品質を改善できる。また、放電特性と寿命特性を安定させ、表示品質もまた改善できる。
【００３０】
よって、ここでは、まず、本発明の実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルに備えられた保護膜（ＭｇＯ保護膜）について詳細に説明する。
【００３１】
本実施形態にかかるＭｇＯ保護膜の表面は、プラズマ放電（特に、Ａ−Ｙ放電：第１基板・第２基板間のアドレス電極Ａと走査電極Ｙとの間で発生させる放電）によるイオン衝撃でスパッタされ、表面研削されて保護膜層が薄くなる変化を有する。
【００３２】
この保護膜は、誘電体層の表面を覆い、放電期間中に放電ガスのイオン衝撃から誘電体層を保護する役割を果たす。
【００３３】
本実施形態によれば、保護膜は、基本材料として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分として含み、ここに特定ドーパント成分としてＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つのドーパント元素を含む。
【００３４】
本実施形態によれば、ドーパント元素の含量は、放電空間に接する表面から膜の深さ方向に、その深さに対応して、増加する特徴がある。即ち、放電空間に接する表面から基底面（第２誘電層に接する面）に向かう方向、換言すれば、膜の深さ方向に、その深さに応じて元素の含量が増加する濃度勾配を有するように形成される。本実施形態の保護膜でドーパント元素がＣａである場合には、下記数式１のような濃度勾配で存在することが好ましい。
【００３５】
（数式１）
ｙ=ａ１ｘ+ｂ１
【００３６】
上記式において、ｙは、ドーパント元素の含量であり、ｘは、測定深さ/５０であり、ａ１は、１１〜１４、好ましくは１１．５〜１３．８の範囲にあり、ｂ１は、１４５〜１６０の範囲にある。ここで、測定深さとは、保護膜の厚み内で、表面から基底面に向かう方向（膜の深さ方向）への、表面からの距離のことである。すなわち、表面を０ｎｍとし、表面からの距離が１００ｎｍの位置にある層は、測定深さ１００ｎｍの層となる。
【００３７】
また、本実施形態の保護膜でドーパント元素がＦｅである場合には、下記数式２のような濃度勾配で存在することが好ましい。
【００３８】
（数式２）
ｙ=ａ２ｘ+ｂ２
【００３９】
上記式において、ｙは、ドーパント元素の含量であり、ｘは、測定深さ/１００であり、ａ２は、０．９〜１.７の範囲にあり、ｂ２は、２０〜３０の範囲にある。
【００４０】
本実施形態によれば、ドーパント元素の含量は、ＭｇＯ保護膜全重量に対して２０〜４００ｐｐｍの範囲にあり、２０〜２５０ｐｐｍで存在することが好ましい。ドーパント元素の含量が、範囲を外れる場合、応答速度の低下を招いて放電ミスを招くおそれがある。
【００４１】
より具体的に、ドーパント元素としてＣａを含む場合、Ｃａの含量は、ＭｇＯ保護膜全重量に対して１５０〜４００ｐｐｍの範囲内であり、さらに、１５０〜２５０ｐｐｍとしてもよい。
【００４２】
また、ドーパント元素としてＦｅを含む場合、Ｆｅの含量は、ＭｇＯ保護膜全重量に対して２０〜４０ｐｐｍの範囲内であり、さらに、２０〜３０ｐｐｍとしてもよい。
【００４３】
本実施形態の保護膜（ＭｇＯ保護膜）の厚さは、５００ｎｍ〜９００ｎｍであることが好ましい。また、ＭｇＯ保護膜は、電子放出特性を有する薄膜として形成される。また、このようなＭｇＯ保護膜の透過率は、９０％以上、好ましくは９０％〜９７％であり、屈折率は、６４０ｎｍで１．４５〜１．７４であることが好ましい。
【００４４】
この保護膜は、基本材料として耐スパッタリング特性と大きい２次電子放出係数とを有するＭｇＯを使用する。また、ＭｇＯ材料は、単結晶または焼結体形態のものを用いることができるが、焼結方法で製造された多結晶を用いるのが、単結晶に比べてドーパントを一定量に固溶させることができるので好ましい。本実施形態では、焼結体ＭｇＯ材料を製造するとき、または原料物質を製造するときに、ドーパント元素を定量的に添加してプラズマを利用した蒸着法でＭｇＯ保護膜を製造する。
【００４５】
この保護膜は、蒸着法またはペーストを利用した厚膜印刷法によって形成することが可能である。蒸着法で形成された膜がイオン衝撃によるスパッタリングに強く、２次電子放出による放電維持電圧と放電開始電圧の減少を期待できるので好ましい。保護膜は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンビーム支援堆積法（ＩＢＡＤ：ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、物理気相蒸着法、プラズマ強化化学気相蒸着法、熱蒸着法、真空蒸着法などを利用して形成することができる。この中で、イオンプレーティング工法で製造された膜は、特に優れた特性を有することができる。
【００４６】
また、ＡＣ−ＰＤＰで採用するＭｇＯ保護膜は、一般に柱状結晶構造（Ｃｏｌｕｍｎａｒ  Ｃｒｙｓｔａｌｉｎｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有するが、その成長方向による差はあり得るが、柱状結晶構造は、非結晶質に比べて放電特性や耐スパッタ性が優れている。したがって、本実施形態では、結晶成長を誘導して製造した保護膜を使用する。
【００４７】
本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルは、前述したようにＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素の含量を変化させて第１保護膜を形成する。すまた、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ及びＮａからなる群より選択された少なくとも１つ元素をドーパントとして含む第２保護膜を形成することもできる。第２保護膜に含まれるドーパントも放電空間に接する表面から深さ方向に、深さに対応して含量が増加するように形成することができる。
【００４８】
好ましくは、保護膜は、ＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素の含量を変化させた第１保護膜（上記の保護膜）と、第１保護膜の表面上に、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｒ及びＮａからなる群より選択された少なくとも１つドーパント元素を含み形成される第２保護膜（請求項９の層）とを含んでもよい。第１保護膜と第２保護膜とは、柱状結晶構造を有し、Ａ−Ｙ放電によるイオン衝撃でスパッタされた保護膜であるのが好ましい。
【００４９】
本実施形態の保護膜は、Ａ−Ｙ放電によってスパッタされる場合、放電空間に接する表面から膜の深さ方向に、測定深さに応じてＣａの含量が増加する濃度勾配を有する。よって、表面の２次電子放出特性の変化が少なくて安定な放電特性を得ることができ、一定のＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素の含量の維持によって、寿命特性の低下も防止することができる。
【００５０】
次に、以下では、図１及び図２を参照して、上記保護膜を有する本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの構成および作用について詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの一例を示しす部分分解斜視図である。しかし、本発明は、図１の構成に限定されるものではない。
【００５１】
図１に示すように、本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルには、一方向（図面のＹ方向）に沿って第１基板１上にアドレス電極３が形成され、第１基板１の前面にアドレス電極３を覆う第１誘電層５が形成される。また、この誘電体層５の上に隔壁７が形成され、それぞれの隔壁７の間は、放電セルとなる。また、放電セルの底面５ａと隔壁の側面７ａとに赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層９が形成される。そして、第１基板１に対向して第２基板１１が配置される。第２基板１１の一面にはアドレス電極３と直交する方向（図面のＸ方向）に沿って維持放電電極（走査電極と維持電極の対）１３が形成される。この維持放電電極のそれぞれは、一対の透明電極１３ａとバス電極１３ｂで構成される。第２基板１１の背面（第１基板１との対向面）の全体に放電維持電極１３を覆う第２誘電層１５と保護膜１７とが形成される。その結果、アドレス電極３と放電維持電極１３の交差地点が放電セルを構成する。ここで、第２誘電層１５は、透明誘電体層であってもよい。
【００５２】
かかる構成により、本実施形態にかかるＰＤＰは、まず、アドレス電極３と走査電極（いずれか一つの放電維持電極１３）との間にアドレス電圧Ｖａを印加してアドレス放電を行う。次に、ＰＤＰは、一対の放電維持電極１３（走査電極と維持電極）の間に維持電圧Ｖｓを印加して維持放電を行う。そして、ＰＤＰは、この維持放電時に発生する真空紫外線により当該蛍光体層９を励起させて、透明な前面基板１１を通じて可視光を放出する。
【００５３】
図２は、本実施形態にかかる上記保護膜を含むプラズマディスプレイパネルの第２基板（上部基板）１１を示す斜視図である。図２中には、説明の便宜上、理解しやすいように本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの第２基板１１を、１８０度反対にして示す。すなわち、図２中の第２基板１１の上面は、図１中の第２基板１１（上部基板）の下面（第１基板１と対向する面）であり、図２中の第２基板１１の下面は、図１中の第２基板１１（上部基板）の上面である。
【００５４】
図２に示すように、第２基板１１の上面（図２のｚ軸正の方向に位置する面）に、複数の放電維持電極１３と、第２誘電層１５と、保護膜１７とが順次形成される。また、保護膜１７は、前述した保護膜であり、保護膜１７は、ＭｇＯと、ＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素とを含む。
【００５５】
すなわち、第２基板１１の上面には、上記アドレス電極３と互いに交差する方向に複数の放電維持電極１３が形成される。そして、その上に、第２基板１１の上面と放電維持電極１３とを覆う第２誘電層１５が形成される。そして、第２誘電層１５の上には、第２誘電層１５を覆う保護膜１７が形成される。また、この保護膜１７は、ＭｇＯと、ＣａまたはＦｅのうち少なくとも１つの元素と素を含む。
【００５６】
かかる構成を有するプラズマディスプレイパネルの第１基板１と第２基板１１との間のの周縁には、フリット（図示せず）が塗布されている。このフリットは、両基板を封着し、密封する。そして、プラズマディスプレイパネルには、第１基板１と第２基板１１とフリットとで密封された空間に、ＮｅやＸｅなどの放電ガスが注入されている。
【００５７】
かかる構成を有する本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルは、各電極３、１３から駆動電圧Ｖａを印加し、これら電極３、１３の間にアドレス放電を起こして各誘電層５、１５に壁電荷を形成する。そして、アドレス放電によって選択された放電セルで第２基板に形成した一対の電極（放電維持電極１３の、走査電極と維持電極）に交互に交流信号を供給し、これら電極の間に維持放電を起こす。この維持放電によって、放電セルを形成する放電空間に充填された放電ガスを励起し、遷移させることで、紫外線を発生させる。よって、プラズマディスプレイパネルは、この紫外線によって蛍光体を励起させ、可視光線を発生させることで、画像を表示することができる。
【００５８】
また、図２に示すように、本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルは、保護膜形成領域の内側に複数の電極を互いに交差して配置し、この交差地点によってピクセルを構成する。このピクセルが集まって表示領域を形成し、その周辺部には非表示領域を形成する。基板１１上に形成された複数の電極１３は、回路ボードアセンブリー（図示せず）に連結できるように、その端子部を誘電層１５の左右に引出されている。
【００５９】
かかる構成を有する本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、当該分野で広く知られたものであり、当業者であれば十分に理解できる内容であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００６０】
以下、本実施形態の好ましい実施例及び比較例を記載する。しかし、下記の実施例は、本実施形態の一例に過ぎず、本発明は、下記の実施例によって制限されるわけではない。ただし、以下では、第２基板１１を上部基板といい、各構成部位の符号は前述と同様なので省略する。また、以下は、上記で詳しく説明した保護膜についての実施例を説明する。
【００６１】
（実施例１〜３）
ここで、実施例１〜３について説明する。実施例１〜３では、まず、ソーダ石灰ガラスで製造された上部基板上に、酸化インジウムスズ導電体材料を利用して放電維持電極を通常の方法で帯状に形成した。
【００６２】
次で、放電維持電極が形成された上部基板の全面に、鉛系ガラスのペーストをコーティングし、焼成して第２誘電層を形成した。
【００６３】
その後、第２誘電層の上にスパッタリング法でＭｇＯ及びＣａを含む保護膜を形成して上部基板を製造した。このとき、表１（単位:ｐｐｍ）に示すように、Ｃａの含量は、表面の約１５０ｐｐｍから基底面の約４００ｐｐｍまで増加させた。保護膜の深さに対するＣａ含量の変化に関するグラフを図３に示した。なお、深さは、保護膜の表面を基準（深さ＝０nm）とし、基底面に向かう方向に沿って測定した。
【００６４】
ここで、図３は、本実施形態の実施例１〜３にかかるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜の測定深さに対するＣａの含量を示すグラフである。また、表面とは、図２の上部基板（第２基板１１）の上面（図２のｚ軸正の方向に位置する面）のことであり、放電空間に接する面（０ｎｍ）である。また、基底面とは、上部基板の下面（図２のｚ軸負の方向に位置する面）であり、誘電体層に接する面である。そして、測定深さとは、上部基板の厚みの間で、表面からの距離をいう。
【００６５】
【表１】
2007042654.tif 000003
【００６６】
（実施例４）
次に、実施例４について説明する。実施例４は、上記実施例１〜３で使用した測定深さに対するＣａ含量の最適傾きを数式化したものである。この実施例４を図４に示す。図４は、本実施形態のＭｇＯ保護膜において、測定深さ（測定深さ／５０）に対するＣａの含量を数式化して示したグラフである。図４に示すように、実施例４で計算されたＣａの含量に対する表面と基底面の最適含量は、次の表２の通りである。なお、図４において、各数式とそれに対応した直線は、実施例１〜３をもとに、直線近似によって求めたものである。
【００６７】
【表２】
2007042654.tif 000004
【００６８】
（比較例１）
比較例１について説明する。比較例１の保護膜は、第２誘電層の上にＭｇＯのみをスパッタリングして形成した。また、比較例１の他の構成についての説明は、実施例１〜３と同様な方法で実施したので、ここでは省略する。
【００６９】
（比較例２）
比較例２について説明する。比較例２の保護膜は、ＣａをＭｇＯ保護膜全体に一定の含量になるように蒸着して形成した。また、比較例２の他の構成についての説明は、実施例１〜３と同様な方法で実施したので、ここでは省略する。
【００７０】
（測定例１）
次に、実施例１、２と比較例１、２とを比較するために行った測定例１について説明する。本測定例１では、実施例１、２及び比較例１、２によって製造したＭｇＯ保護膜に対して、寿命特性と２次電子放出特性（２次電子放出係数）とを測定した。この測定結果をそれぞれ図５及び表３（寿命：輝度劣化）と、図６及び表４（２次電子放出係数）とに示した。なお、２次電子放出係数は、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）ガンマ測定器によって測定したものである。
【００７１】
また、図５は、本実施形態の実施例１、２及び比較例１、２のプラズマディスプレイパネルの寿命特性を表したグラフであり、図６は、同実施形態の実施例１、２及び比較例１、２のプラズマディスプレイパネルの放電特性を表したグラフである。また、評価時間０ｈｒでのプラズマディスプレイの輝度を１００％として、時間経過にともなう輝度の減少を測定することで、寿命特性を測定した。また、加速電圧（印加電圧）に対する２次電子放出係数を測定することで、２次電子放出特性を測定した。
【００７２】
【表３】
2007042654.tif 000005
【００７３】
【表４】
2007042654.tif 000006
【００７４】
上記測定結果に示すように、実施例１、２は、比較例１、２よりも時間変化に対する輝度の減少が少なく、寿命特性に優れている。また、実施例１、２は、加速電圧にたいして、比較例１、２よりも多くの２次電子を放出するので、２次電子放出特性（放電特性）に優れている。よって、本実施形態の実施例１、２は、ＭｇＯ保護膜を形成する際、深さ方向に表面からＣａの量を増加させることによって、比較例１及び２に比べて寿命特性と放電特性が優れていることがわかる。
【００７５】
（実施例５〜７）
次に、実施例１〜３について説明する。実施例１〜３では、まず、ソーダ石灰ガラスで製造された上部基板上に、酸化インジウムスズ導電体材料を利用して放電維持電極を通常の方法で帯状に形成した。
【００７６】
次で、放電維持電極が形成された上部基板の全面に、鉛系ガラスのペーストをコーティングし、焼成して第２誘電層を形成した。
【００７７】
その後、第２誘電層の上にスパッタリング法を利用してＭｇＯ及びＦｅを含む保護膜を形成して上部基板を製造した。このとき、表５（単位:ｐｐｍ）に示すように、Ｆｅの含量は、表面の２０〜３０ｐｐｍから基底面の３０〜４０ｐｐｍまで増加させた。保護膜の深さに対するＦｅ含量の変化を示すグラフを図７に示した。
【００７８】
【表５】
2007042654.tif 000007
【００７９】
（実施例８）
次に、実施例８について説明する。実施例８は、上記実施例５〜７で使用した測定深さに対するＦｅ含量の最適傾きを数式化したものである。この実施例８を図８に示す。図８は、本実施形態のＭｇＯ保護膜において、測定深さ（測定深さ／１００）に対するＦｅの含量を数式化して示したグラフである。図８に示すように、実施例８で計算されたＦｅの含量に対する表面と基底面の最適含量は、次の表６の通りである。表面は、放電空間に接する面（０ｎｍ）を意味し、基底面は第２誘電層に接する面を意味する。なお、図８において、各数式とそれに対応した直線は、実施例５〜７をもとに、直線近似によって求めたものである。
【００８０】
【表６】
2007042654.tif 000008
【００８１】
（比較例３）
比較例３について説明する。比較例３の保護膜は、ＦｅをＭｇＯ保護膜全体に一定の含量になるように蒸着して形成した。また、比較例２の他の構成についての説明は、実施例１〜３と同様な方法で実施したので、ここでは省略する。
【００８２】
（測定例２）
次に、実施例５、６と比較例１、３とを比較するために行った測定例２について説明する。本測定例２では、実施例５、６及び比較例１、３によって製造したＭｇＯ保護膜に対して、寿命特性と２次電子放出係数とを測定した。この測定結果をそれぞれ図９及び表７（寿命:輝度劣化）と、図１０及び表８（２次電子放出係数）とに示した。
【００８３】
また、図９は、本実施形態の実施例５、６及び比較例１、３のプラズマディスプレイパネルの寿命特性を表したグラフであり、図１０は、同実施形態の実施例５、６及び比較例１、３のプラズマディスプレイパネルの放電特性を表したグラフである。また、評価時間０ｈｒでのプラズマディスプレイの輝度を１００％として、時間経過にともなう輝度の減少を測定することで、寿命特性を測定した。また、加速電圧（印加電圧）に対する２次電子放出係数を測定することで、２次電子放出特性を測定した。
【００８４】
【表７】
2007042654.tif 000009
【００８５】
【表８】
2007042654.tif 000010
【００８６】
上記測定結果に示すように、実施例５、６は、比較例１、３よりも時間変化に対する輝度の減少が少なく、寿命特性に優れている。また、実施例５、６は、加速電圧にたいして、比較例１、３よりも多くの２次電子を放出するので、２次電子放出特性（放電特性）に優れている。よって、本実施形態の実施例１、２は、ＭｇＯ保護膜を形成する際、深さ方向に表面からＣａの量を増加させることによって、比較例１及び２に比べて寿命特性と放電特性が優れていることがわかる。
【００８７】
以上説明したように、本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルは、Ｃａ又はＦｅのうち少なくとも１つの元素とＭｇＯとを含む保護膜を有する。また、この保護膜において、当該元素の含有量（含量または濃度）は、保護膜の表面からの深さ（測定深さ）に応じて、増加する。
【００８８】
上記各実験例等に示すように、かかる構成を有する本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルによれば、２次電子放出特性（放電特性）に優れいるので、点灯させるべき放電セルが点灯されないというブラックノイズ等を防ぐことができる。よって、放電不能状態を制御することができ、表示品質を改善することができる。また、使用時間に対する輝度の低下を抑えることができ、寿命を延長することができる（寿命特性）。
【００８９】
すなわち、本実施形態によれば、放電空間を区画する誘電体層の内面（放電面）にＭｇＯを主成分とし、若干のＣaおよび/またはＦeをドーパントとして混合させた放電空間用誘電体壁保護膜（保護膜）を堆積・成膜する。また、保護膜を、誘電体壁に接する基底面と、ドーパント濃度傾斜層と、放電気体に露出される表面とに別けると、ドーパント濃度は、基底面で最も濃く、表面で最も淡く、傾斜部では基底面の濃度と表面の濃度を繋ぐ線上を線形に変化する濃度分布を有する。かかる構成をゆうする本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルは、耐スパッタ性能に優れ、使用初期と長時間使用後との表示輝度や２次電子放出係数などの特性変化が少なく、安定に長時間使用できる。
【００９０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの一例を示した部分分解斜視図である。
【図２】同実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの第２基板を示した斜視図である。
【図３】同実施形態の実施例１〜３にかかるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜において、測定深さに対するＣａの含量を示したグラフである。
【図４】同実施形態のＭｇＯ保護膜において、測定深さに対するＣａの含量を数式化して示したグラフである。
【図５】同実施形態の実施例１、２及び比較例１、２のプラズマディスプレイパネルの寿命特性を表したグラフである。
【図６】同実施形態の実施例１、２及び比較例１、２のプラズマディスプレイパネルの放電特性を表したグラフである。
【図７】同実施形態の実施例５〜７にかかるプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜において、測定深さに対するＦｅの含量を示したグラフである。
【図８】同実施形態のＭｇＯ保護膜において、測定深さに対するＦｅの含量を数式化して示したグラフである。
【図９】同実施形態の実施例５、６及び比較例１、３のプラズマディスプレイパネルの放電特性を表したグラフである。
【図１０】同実施形態の実施例５、６と比較例１、３のプラズマディスプレイパネルの寿命特性を表したグラフである。
【符号の説明】
【００９３】
１      第１基板
３      アドレス電極
５      第１誘電層
７      隔壁
７ａ    隔壁側面
９      蛍光層
１１    第２基板
１３    放電維持電極（走査電極と維持電極の対）
１３ａ  透明電極
１３ｂ  バス電極
１５    第２誘電層
１７    保護膜
Ｖａ    アドレス電圧
【図１】
2007042654.tif 000011
【図２】
2007042654.tif 000012
【図３】
2007042654.tif 000013
【図４】
2007042654.tif 000014
【図５】
2007042654.tif 000015
【図６】
2007042654.tif 000016
【図７】
2007042654.tif 000017
【図８】
2007042654.tif 000018
【図９】
2007042654.tif 000019
【図１０】
2007042654.tif 000020