(57)【要約】【課題】  ゴースト滞留分の抑制を目的として、電荷発生層中の滞留電荷を軽減させる。【解決手段】  ヒンダードアミン構造をもつ、ナフチルイミド、多環芳香族電子輸送物質を電荷発生層中に含有させる。【選択図】  図１
2007256792.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層が少なくとも電荷発生材料、ヒンダードアミン構造を有する下記構造式（１）乃至（４）のいずれかである電子輸送物質を含有する電子写真感光体。
【化１】
2007256792.tif 000031
（式中、Ｘ11、Ｘ12、Ｘ13、Ｘ14、Ｘ15、Ｘ16の少なくとも1つ、Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23、Ｘ24、Ｘ25、Ｘ26、Ｘ27、Ｘ28の少なくとも1つ、Ｘ31、Ｘ32、Ｘ33、Ｘ34、Ｘ35、Ｘ36の少なくとも1つ、Ｘ41、Ｘ42、Ｘ43、Ｘ44、Ｘ45、Ｘ46の少なくとも1つはヒンダードアミン構造を有する置換基を示し、前記置換基以外は独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、トリフルオロアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。Ｚ2１及びＺ22、Ｚ31、Ｚ32、Ｚ41、Ｚ42はそれぞれ独立に酸素、又はC(CN)2、N-R、C(CN)COR、C(CN)COOR、C(CN)R、C(COOR)2（Rは置換基を有しても良いアリール基、アルキル基）を示す。）
【請求項２】
構造式（１）乃至（４）中のＸ11、Ｘ12、Ｘ13、Ｘ14、Ｘ15、Ｘ16の少なくとも1つ、Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23、Ｘ24、Ｘ25、Ｘ26、Ｘ27、Ｘ28の少なくとも1つ、Ｘ31、Ｘ32、Ｘ33、Ｘ34、Ｘ35、Ｘ36の少なくとも1つ、Ｘ41、Ｘ42、Ｘ43、Ｘ44、Ｘ45、Ｘ46の少なくとも1つの置換基が下記構造式（５）で示されるヒンダードアミン構造を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化２】
2007256792.tif 000032
(式中、Ｒ1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基を示し、Ａは二価の結合基を示す。ｋは、０または１である。)
【請求項３】
構造式（１）乃至（４）中のＸ11、Ｘ12、Ｘ13、Ｘ14、Ｘ15、Ｘ16の少なくとも1つ、Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23、Ｘ24、Ｘ25、Ｘ26、Ｘ27、Ｘ28の少なくとも1つ、Ｘ31、Ｘ32、Ｘ33、Ｘ34、Ｘ35、Ｘ36の少なくとも1つ、Ｘ41、Ｘ42、Ｘ43、Ｘ44、Ｘ45、Ｘ46の少なくとも1つの置換基が下記構造式（６）で示されるヒンダードアミン構造であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化３】
2007256792.tif 000033
(式中、R2はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、アルキル基を示し、Yは二価の結合基を示す。ｍは、０または１である。)
【請求項４】
前記電荷発生層中の電子輸送物質が電荷発生材料に対して１０％以上６０％以下であることを特徴とする請求項１乃至３いずれか記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記電荷発生層中の電子輸送物質が電荷発生材料に対して２１％以上４０％以下であることを特徴とする請求項４記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記電荷発生層中の電荷発生材料がヒドロキシガリウムフタロシアニンであることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか記載の電子写真感光体を備えた電子写真装置。
【請求項８】
請求項７記載の電子写真感光体を備えた、帯電、露光、現像、転写を行った後に除電手段を設けることなく次帯電を行う電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複写機やプリンターなどの電子写真装置には、有機の電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体（有機電子写真感光体）が広く用いられている。感光層の層構成としては、耐久性の観点から、支持体側から電荷発生物質を含有する電荷発生層、電荷輸送物質（正孔輸送物質）を含有する電荷輸送層（正孔輸送層）の順に積層してなる積層型（順層型）のものが主流となっている。
【０００３】
電荷発生物質のうち、赤または赤外領域に感度を有する電荷発生物質は、近年進歩の著しいレーザービームプリンターなどに搭載される電子写真感光体に使用され、その需要頻度は高くなってきている。赤外領域に高い感度を有する電荷発生物質としては、オキシチタニウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、モノアゾ、ビスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料が知られている。
【０００４】
しかしながら、高感度な電荷発生物質を用いた場合、電荷の発生量が多く、正孔が正孔輸送層中に注入した後の電子が電荷発生層中に滞留しやすく、メモリーが引き起こされやすいという問題があった。具体的には、出力画像中、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が濃くなる、いわゆるポジゴーストや、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が薄くなる、いわゆるネガゴーストが見られる。
【０００５】
このようなゴースト現象を抑制する従来技術として、特開平１１−１７２１４２号公報（特許文献１）や特開２００２−０９１０３９号公報（特許文献２）には、電荷発生物質としてＩＩ型クロロガリウムフタロシアニンを用いる技術が開示されており、特開平０７−１０４４９５号公報（特許文献３）には、オキシチタニウムフタロシアニンを用いた電荷発生層にアクセプター化合物を含有させる技術が開示されており、特開２０００−２９２９４６号公報（特許文献４）や特開２００２−２９６８１７号公報（特許文献５）には、フタロシアニンを用いた電荷発生層にジチオベンジル化合物を含有させる技術が開示されており、特開２００５−２０８６１８号公報（特許文献６）や特開２００５−２０８６１９号公報（特許文献７）には、電荷発生層に電子輸送物質であるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物、フェナントレン化合物、フェナントロリン化合物、アセナフトキノン化合物を含有させる技術が開示されている。その他、特開平０４−２４６４３号公報（特許文献８）や特開平０４−１８２６５２号公報（特許文献９）には、電荷発生層にヒンダードアミン構造を有した酸化防止剤を含有させる技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１７２１４２号公報
【特許文献２】特開２００２−０９１０３９号公報
【特許文献３】特開平０７−１０４４９５号公報
【特許文献４】特開２０００−２９２９４６号公報
【特許文献５】特開２００２−２９６８１７号公報
【特許文献６】特開２００５−２０８６１８号公報
【特許文献７】特開２００５−２０８６１９号公報
【特許文献８】特開平０４−２４６４３号公報
【特許文献９】特開平０４−１８２６５２号公報
【特許文献１０】特開２００３−３２７５８７号公報
【特許文献１１】特開２００３−３３０２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
今日の電子写真技術の発展は著しく、電子写真感光体にも、より優れた特性が要求されている。
【０００７】
例えば、従来、文字などの白黒画像が中心であったが、近年、写真などのカラー画像の需要が高まってきており、それらの画質に対する要求は年々高まっている。
【０００８】
上述のゴースト現象は、ハーフトーン画像に特に現れやすく、ハーフトーン画像の重ね合わせであることが多いカラー画像では、特に重要な問題となる。
【０００９】
また、カラー画像の場合、１色１色ではゴーストレベルが白黒画像のそれと同等であっても、複数の色を重ね合わせることで、ゴースト現象が顕在化しやすい。
【００１０】
また、ゴースト現象を抑制する方法として、電子写真装置に前露光などの除電手段を設ける方法もあるが、電子写真装置本体の低コスト化や小型化の観点から、除電手段が省略されることが多くなってきている。
【００１１】
また、高速化によりプロセススピードが益々速くなり、更に小型化にむけドラム径も小さくなることでサイクルスピードも早くなり耐久によるゴーストの悪化が一段と大きくなってきている。
【００１２】
上記の従来技術は、ゴーストに対して効果がみられているものの、近年のゴースト現象に厳しい状況に対して十分に効果があるとはいえなかった。
【００１３】
本発明の目的は、ゴースト抑制効果に優れ、カラーや除電手段レスの電子写真装置に搭載してもゴースト現象が生じにくい電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層が少なくとも電荷発生材料、ヒンダードアミン構造を有する下記構造式（１）〜（４）のいずれかの電子輸送物質を含有する電子写真感光体が前述の課題を解決するものであることを見出した。
【００１５】
また、本発明は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子写真感光体は、キャリアトラップの影響が小さく、前回転時に光が当たった部分が次回転時に他の部分より濃くなる現象、所謂ポジゴーストや、逆にその部分が薄くなる現象、所謂ネガゴーストを解消し、優れた画像を継続して形成し得る。
【００１７】
また、該電子写真感光体の効果は、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置においても当然に発揮される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の、ヒンダードアミン構造を有する下記構造式（１）〜（４）で示される電子輸送物質について説明する。
【００１９】
【化１】
2007256792.tif 000003
【００２０】
（式中、Ｘ11〜Ｘ16の少なくとも1つ、Ｘ21〜Ｘ28の少なくとも1つ、Ｘ31〜Ｘ36の少なくとも1つ、Ｘ41〜Ｘ46の少なくとも1つはヒンダードアミン構造を有する置換基を示し、前記置換基以外は独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、トリフルオロアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。Ｚ2１及びＺ22、Ｚ31、Ｚ32、Ｚ41、Ｚ42はそれぞれ独立に酸素、又はC(CN)2、N-R、C(CN)COR、C(CN)COOR、C(CN)R、C(COOR)2（Rは置換基を有しても良いアリール基、アルキル基）を示す。）
上記のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。上記のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。上記のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などの鎖状のアルキル基や、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などの環状のアルキル基が挙げられる。上記のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基などが挙げられる。
【００２１】
上記各基が有してもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などのアルキル基や、ビニル基、アリル基などのアルケニル基や、ニトロ基や、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子や、パーフルオロアルキル基などのハロゲン化アルキル基や、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基などのアリール基や、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基や、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ基などが挙げられる。
【００２２】
電子輸送物質の（飽和カルメル電極による）還元電位は、０．３〜０．５５（Ｖ）が好ましく、０．３５〜０．５０（Ｖ）がより好ましい。
【００２３】
ここでいうヒンダードアミン構造とは、アミノ基の両隣に置換基を有し、窒素原子近傍に嵩高い原子団が存在する構造を示す。
【００２４】
ヒンダードアミン構造でも、特に下記構造式（５）、（６）で示されるものが好ましい。
【００２５】
【化２】
2007256792.tif 000004
【００２６】
(式中、R１〜R４はそれぞれ独立にアルキル基を示し、R５はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基を示し、Aは二価の結合基を示す。ｋは、０または１である。)
【００２７】
【化３】
2007256792.tif 000005
【００２８】
(式中、R６〜R９はそれぞれ独立にアルキル基を示し、R１０はそれぞれ独立に水素原子、水酸基を示し、Yは二価の結合基を示す。ｍは、０または１である。)
【００２９】
ヒンダードアミン構造を有した構造式（１）〜（４）で示される電子輸送物質は、例えば前記特許文献６、７に示されているナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物、フェナントレン化合物、フェナントロリン化合物、アセナフトキノン化合物、もしくは特開２００３−３２７５８７号公報（特許文献１０）、特開２００３−３３０２０９号公報（特許文献１１）に示されている方法により、重合性官能基を有したナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物、フェナントレン化合物、フェナントロリン化合物、アセナフトキノン化合物に、置換基有した2,2,6,6−テトラメチルピペリジンを公知の反応を利用して、合成することができる。
【００３０】
ヒンダードアミン構造を有した構造式（１）〜（４）で示される電子輸送物質の代表例を表１〜４にあげるがこれに限られるものではない。
【００３１】
【表１】
2007256792.tif 000006
【００３２】
【表２】
2007256792.tif 000007
【００３３】
【表３】
2007256792.tif 000008
【００３４】
【表４】
2007256792.tif 000009
【００３５】
【表５】
2007256792.tif 000010
【００３６】
【表６】
2007256792.tif 000011
【００３７】
【表７】
2007256792.tif 000012
【００３８】
ゴーストは像露光による電荷のトラップが原因と考えられているが、そのトラップがどのように作用しているか、はっきりしたことはわかっていないが以下のように推測している。像露光があたった部分ではホールがＣＴＬに注入しエレクトロンが基盤へぬけていくが、ＣＧＬ中、下地中及びＣＧＬ/下地界面にエレクトロンが残留し、次帯電に基盤からのホールのバリアー性が低下する。これはポジゴーストの原因となる。
【００３９】
このポジゴーストを軽減させるためには、次帯電の前にCGL中、下地中およびCGL/下地界面のエレクトロンを滞らせず基盤へ流す、または失活されることが有効であり、このことはCGL中に特定の電子輸送性物質を含有させることでゴーストが軽減したことからも推測できる。一方、一般的なヒンダードアミン酸化防止剤を電荷発生層に含有させても、ゴースト軽減の効果は薄い。それに対し、電子輸送性物質であるヒンダードアミン構造を含む前記構造式（１）〜（４）がゴーストに著しい効果がある機構は定かではないが、ヒンダードアミン構造を分子内有することにより、そもそもの電子輸送能力が向上したか、または、電荷発生層からエレクトロンを引き抜きた後に失活させる作用が新たに付与したことによるものではないかと推測している。
【００４０】
次に、本発明の電子写真感光体について詳細に説明する。
【００４１】
本発明に用いられる導電性支持体としてはアルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄等の金属または合金、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金等の金属あるいは酸化インジウム、酸化スズ等の導電材料の薄膜を形成したもの、カーボンや導電性フィラーを樹脂中に分散し導電性を付与したもの等が例示できる。これらの支持体表面は電気的特性改善あるいは密着性改善のために、陽極酸化等の電気化学的な処理を行った支持体や、導電性支持体表面をアルカリリン酸塩あるいはリン酸やタンニン酸を主成分とする酸性水溶液に金属塩の化合物またはフッ素化合物の金属塩を溶解してなる溶液で化学処理を施したものを用いることもできる。
【００４２】
また、単一波長のレーザー光などを用いたプリンターに本感光体を用いる場合には、干渉縞を抑制するために導電性支持体はその表面を適度に荒らしておくことが必要である。具体的には上記支持体表面をホーニング、ブラスト、切削、電界研磨等の処理をした支持体もしくはアルミニウム及びアルミニウム合金上に導電性金属酸化物及び結着樹脂からなる導電性皮膜を有する支持体を用いることが必要である。
【００４３】
ホーニング処理としては、乾式及び湿式での処理方法があるがいずれを用いてもよい。湿式ホーニング処理は、水等の液体に粉末状の研磨剤を懸濁させ、高速度で基体表面に吹き付けて粗面化する方法であり、表面粗さは吹き付け圧力、速度、研磨剤の量、種類、形状、大きさ、硬度、比重及び懸濁温度等により制御することができる。同様に、乾式ホーニング処理は、研磨剤をエアーにより、高速度で導電性基体表面に吹き付けて粗面化する方法であり、湿式ホーニング処理と同じように表面粗さを制御することができる。これら湿式または乾式ホーニング処理に用いる研磨剤としては、炭化ケイ素、アルミナ、鉄、ガラスビーズ等の粒子が挙げられる。
【００４４】
支持体と感光層または中間層との間には、レーザー光などの散乱による干渉縞の防止や、支持体の傷の被覆を目的とした導電層を設けてもよい。
【００４５】
導電層は、カーボンブラック、金属粒子、金属酸化物粒子などの導電性粒子を結着樹脂に分散させて形成することができる。好適な金属酸化物粒子としては、酸化亜鉛や酸化チタンの粒子が挙げられる。また、導電性粒子として、硫酸バリウムの粒子を用いることもできる。導電性粒子には、被覆層を設けてもよい。
【００４６】
導電層に用いられる結着樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂これらは、支持体に対する接着性が良好であるとともに、導電性粒子の分散性を向上させ、かつ、成膜後の耐溶剤性が良好である。これらの中でも、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド酸樹脂が好ましい。
【００４７】
また、導電層には、必要に応じてフッ素あるいはアンチモンを含有させてもよいし、導電層の表面性を高めるために、レベリング剤を添加してもよい。
【００４８】
本発明に用いられる電荷発生物質としては、（１）モノアゾ、ジスアゾ、トリスアゾ等のアゾ系顔料、（２）金属フタロシアニン、非金属フタロシアニン等のフタロシアニン系顔料、（３）インジゴ、チオインジゴ等のインジゴ系顔料、（４）ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレン系顔料、（５）アンスラキノン、ピレンキノン等の多環キノン系顔料、（６）スクワリリウム色素、（７）ピリリウム塩、チアピリリウム塩類、（８）トリフェニルメタン系色素、（９）セレン、セレンーテルル、アモルファスシリコン等の無機物質、（１０）キナクリドン顔料、（１１）アズレニウム塩顔料、（１２）シアニン染料、（１３）キサンテン色素、（１４）キノンイミン色素、（１５）スチリル色素、（１６）硫化カドミウム及び（１７）酸化亜鉛等が挙げられる。特に、金属フタロシアニン顔料が好ましく、その中でも、オキシチタニウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ジクロロスズフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましく、更に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が特に好ましい。オキシチタニウムフタロシアニン顔料としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折において、ブラッグ角度（２θ±0.2°）の9.0°、14.2°、23.9°及び27.1°に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン顔料、ブラッグ角度（２θ±0.2°）の9.5°、9.7°、11.7°、15.0°、23.5°、24.1°及び27.3°に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン顔料が好ましい。クロロガリウムフタロシアニン結晶としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折において、ブラッグ角度（２θ±0.２°）の7.4°、16.6°、25.5及び28.2°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、ブラッグ角度（２θ±0.２°）の6.8°、17.3°、23.6°及び26.9°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、及びブラッグ角度（２θ±0.２°）の8.7〜9.2°、17.6°、24.0°、27.4°及び28.8°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。ジクロロスズフタロシアニン結晶としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折において、ブラッグ角度（２θ±0.２°）の8.3°、12.2°、13.7°、15.9°、18.9°及び28.2°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶、ブラッグ角度（２θ±0.２°）の8.５、11.2°、14.5°及び27.2°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶、ブラッグ角度（２θ±0.２°）の8.７°、9.9°、10.9°、13.1°、15.2°、16.3°、17.4°、21.9°及び25.5°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶、及びブラッグ角度（２θ±0.２°）の9.2°、12.2°、13.4°、14.6°、17.0°及び25.3°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン結晶が好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折において、ブラッグ角度（２θ±0.２°）の7.3°、24.9°及び28.1°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ブラッグ角度（２θ±0.２°）の7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°及び28.3°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。
【００４９】
本発明の電子写真感光体の電荷発生層においては、上記電子輸送物質を２種類以上有してもよい。
【００５０】
結着樹脂としては、ブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルメタクリレート樹脂、ポリビニルアクリレート樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、セルロース樹脂、メラミン樹脂など挙げられるが、これらに限定されるものではない。特に、ブチラール樹脂が好ましい。
【００５１】
電荷発生層中の電荷発生材料の分散粒径は、０．５μｍ以下、更に０．３μｍ以下が好ましい。０．０１〜０．２μｍの範囲がより好ましい。電荷発生層の膜厚は、０．０１〜２μｍが好ましく、更に０．０５〜０．３μｍがより好ましい。電荷発生層中の電子輸送物質の割合は、電荷発生層中の電荷発生物質に対して１０〜６０質量％であることが好ましく、特には２１〜４０質量％であることがより好ましい。
【００５２】
電荷発生層は、電荷発生物質、必要に応じて電子輸送物質を結着樹脂および溶剤と共に分散して得られる電荷発生層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。分散方法としては、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ロールミル、振動ミル、アトライター、液衝突型高速分散機などを用いた方法が挙げられる。電荷発生物質と結着樹脂との割合は、１：０．５〜１：４（質量比）の範囲が好ましい。
【００５３】
電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、使用する結着樹脂や電荷発生物質の溶解性や分散安定性から選択されるが、有機溶剤としてはアルコール、スルホキシド、ケトン、エーテル、エステル、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族化合物などが挙げられる。
【００５４】
また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。
【００５５】
電荷輸送層は適当な電荷輸送物質、例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリスチリルアントラセンなどの複素環や縮合多環芳香族を有する高分子化合物や、ピラゾリン、イミダゾール、オキサゾール、トリアゾール、カルバゾールなどの複素環化合物、トリフェニルメタンなどのトリアリールアルカン誘導体、トリフェニルアミンなどのトリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体、スチルベン誘導体、ヒドラゾン誘導体などの低分子化合物などを適当な結着樹脂（前述の電荷発生層用樹脂の中から選択できる）と共に溶剤に分散／溶解した溶液を前述の公知の方法によって塗布し、乾燥して形成することができる。この場合の電荷輸送物質と結着樹脂の比率は、両者の全質量を１００とした場合に電荷輸送物質の質量が好ましくは２０〜１００、より好ましくは３０〜１００の範囲である。電荷輸送物質の量がそれより少ないと、電荷輸送能が低下し、感度低下及び残留電位の上昇などの問題点が生ずる。この場合の電荷輸送層の膜厚は好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは３〜３０μｍの範囲で調整される。
【００５６】
更に、電荷輸送層上に表面保護層を形成してもよい。
【００５７】
表面保護層は樹脂単体でもよいし、残留電位を低下する目的で前述したような電荷輸送物質や、導電性粉体などの導電性物質を添加してもよい。導電性粉体としては、アルミニウム、銅、ニッケル、銀等の金属粉体、燐片状金属粉体及び金属短繊維、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化スズ等の導電性金属酸化物、ポリピロール、ポリアニリン、高分子電解質等の高分子導電剤、カーボンブラック、カーボンファイバー、グラファイト粉体、有機及び無機の電解質、またはこれらの導電性物質で表面を被覆した導電性粉体などが挙げられる。
【００５８】
図１に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成例を示す。図において、１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いでスリット露光やレーザービーム走査露光などの像露光手段（不図示）からの画像露光４を受ける。こうして感光体１の周面に静電潜像が順次形成されていく。形成された静電潜像は、次いで現像手段５によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体１の回転と同期取り出されて給紙された転写材７に、転写手段６により順次転写されていく。像転写を受けた転写材７は、感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウトされる。像転写後の感光体１は、場合によってはクリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受け、更に場合によっては前露光手段からの前露光により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。本発明においては、上述の電子写真感光体１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成しこのプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。例えば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９の少なくとも一つを感光体１と共に一体に支持してカートリッジ化して、装置本体のレール１１などの案内手段を用いて装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１０とすることができる。また、画像露光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光、あるいはセンサーで原稿を読みとり、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動及び液晶シャッターアレイの駆動などにより照射される光である。
【００５９】
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター及びレーザー製版などの電子写真応用分野にも広く用いることができる。
【００６０】
［合成例］
以下に前記構造式（１）〜（４）で示される電子輸送物質の合成例を示す。
【００６１】
（例示化合物（１−１）の合成例）
3-[1,3,6,8-Tetraoxo-7-(2-p-tolyl-ethyl)-3,6,7,8-tetrahydro-1H-benzo[lmn][3,8]phenanthrolin-2-yl]-propionic acid１０部、2,2,6,6-Tetramethyl-4-piperidinol１０部、硫酸１部をジメチルホルムアミド１５０質量部に混合し、この反応液を６０℃に加熱し、３時間反応を行い、反応終了後トルエンに溶解し、水洗浄後、ＴＨＦ／メタノールを用いて再結晶を行い、目的物を濃褐色粉末として得た。収率は３５質量％であった。
【００６２】
【化４】
2007256792.tif 000013
【００６３】
粉末を、逆相ＨＰＬＣ（カラム：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）Ｃ１８−５Ｂ（昭和電工（株）製、溶媒：メタノール／水＝８０／２０）およびＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）（カラム：ＴＯＳＯＨＴＳＫガードカラムＨＸＬ、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬ×２、ＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬ×１連結（東ソー（株）製、溶媒：ＴＨＦ）によって純度を測定した。含有率は８８％であった。
【００６４】
また、質量分析を行った所、（MALDI−TOF MS：ブルカー・ダルトニクス（株）製 ultraflex）（加速電圧：20ｋV、モード：Reflector、分子量標準品：フラーレンＣ60）で、分子量を測定した所、ピークトップ値として６１０が得られ、上記構造と同一である事を確認した。
【００６５】
（例示化合物（１-４）の合成例）
2-Methyl-acrylicacid2-[7-(2-ethyl-6-methyl-phenyl)-1,3,6,8-tetraoxo-3,6,7,8-tetrahydro-1H-benzo[lmn][3,8]phenanthrolin-2-yl]-ethyl ester１０部、2-Methyl-acrylic acid 2,2,6,6-tetramethyl-piperidin-4-yl ester１０部、ジメチルホルムアミド１５０質量部に混合し、この反応液をオイルバス中で窒素をバブリングしながら６０℃まで攪拌しながら加熱した。その後、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）（ＡＩＢＮ）０．２部を加え、６０℃に保ち、攪拌しながら１５時間反応をおこない、反応終了後ジメチルホルムアミドを留去して生成物を晶析させた。得られた沈殿を水洗後、ＴＨＦ／メタノールを用いて再結晶を行い、目的物を濃褐色粉末として得た。収率は５０質量％であった。
【００６６】
【化５】
2007256792.tif 000014
【００６７】
粉末を、逆相ＨＰＬＣ（カラム：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）Ｃ１８−５Ｂ（昭和電工（株）製、溶媒：メタノール／水＝８０／２０）およびＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）（カラム：ＴＯＳＯＨＴＳＫガードカラムＨＸＬ、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬ×２、ＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬ×１連結（東ソー（株）製、溶媒：ＴＨＦ）によって純度を測定した。含有率は８５％であった。
【００６８】
また、質量分析を行った所、（MALDI−TOF MS：ブルカー・ダルトニクス（株）製 ultraflex）（加速電圧：20ｋV、モード：Reflector、分子量標準品：フラーレンＣ60）で、分子量を測定した所、ピークトップ値として７２３が得られ、上記構造と同一である事を確認した。
【００６９】
（例示化合物（１-５）の合成例）
Isochromeno[6,5,4-def]isochromene-1,3,6,8-tetraone１０部、2,2,6,6-Tetramethyl-4-piperidinamine２０部をジメチルホルムアミド１５０質量部に混合し、この反応液を１５０℃に加熱し、１０時間反応を行い、反応終了後ジメチルホルムアミドを留去して生成物を晶析させた。得られた沈殿を水洗後、ＴＨＦ／メタノールを用いて再結晶を行い、目的物を濃褐色粉末として得た。収率は４０質量％であった。
【００７０】
【化６】
2007256792.tif 000015
【００７１】
粉末を、逆相ＨＰＬＣ（カラム：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）Ｃ１８−５Ｂ（昭和電工（株）製、溶媒：メタノール／水＝８０／２０）およびＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）（カラム：ＴＯＳＯＨＴＳＫガードカラムＨＸＬ、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬ×２、ＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬ×１連結（東ソー（株）製、溶媒：ＴＨＦ）によって純度を測定した。含有率は８８％であった。
【００７２】
また、質量分析を行った所、（MALDI−TOF MS：ブルカー・ダルトニクス（株）製 ultraflex）（加速電圧：20ｋV、モード：Reflector、分子量標準品：フラーレンＣ60）で、分子量を測定した所、ピークトップ値として５４５が得られ、上記構造と同一である事を確認した。
【００７３】
（例示化合物（２-１）の合成例）
5-(9,10-Dioxo-9,10-dihydro-phenanthren-1-yl)-pentanoic acid１０部、塩化チオニル１５部をジメチルホルムアミド１５０質量部に混合し、この反応液を５０℃に加熱し、５時間反応を行い、反応終了後硫酸水溶液中に投入して中和し生成物を晶析させた。得られた沈殿を水洗後、メタノール／ジメチルホルムアミドを用いて再結晶を行い、目的物を濃褐色粉末として得た。収率は２５質量％であった。
【００７４】
【化７】
2007256792.tif 000016
【００７５】
粉末を、逆相ＨＰＬＣ（カラム：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）Ｃ１８−５Ｂ（昭和電工（株）製、溶媒：メタノール／水＝８０／２０）およびＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）（カラム：ＴＯＳＯＨＴＳＫガードカラムＨＸＬ、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬ×２、ＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬ×１連結（東ソー（株）製、溶媒：ＴＨＦ）によって純度を測定した。テトラヒドロキシメチル体の含有率は８８％であった。
【００７６】
また、質量分析を行った所、（MALDI−TOF MS：ブルカー・ダルトニクス（株）製 ultraflex）（加速電圧：20ｋV、モード：Reflector、分子量標準品：フラーレンＣ60）で、分子量を測定した所、ピークトップ値として４６２が得られ、上記構造と同一である事を確認した。
【００７７】
（例示化合物（３−３）の合成例）
3-(5-Dicyanomethylene-6-oxo-5,6-dihydro-[1,10]phenanthrolin-3-yl)-propionic acid１０部、硫酸１部をジメチルホルムアミド１５０質量部に混合し、この反応液を６０℃に加熱し、３時間反応を行い、反応終了後トルエンに溶解し、水洗浄後、ＴＨＦ／メタノールを用いて再結晶を行い、目的物を濃褐色粉末として得た。収率は２５質量％であった。
【００７８】
【化８】
2007256792.tif 000017
【００７９】
粉末を、逆相ＨＰＬＣ（カラム：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）Ｃ１８−５Ｂ（昭和電工（株）製、溶媒：メタノール／水＝８０／２０）およびＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）（カラム：ＴＯＳＯＨＴＳＫガードカラムＨＸＬ、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬ×２、ＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬ×１連結（東ソー（株）製、溶媒：ＴＨＦ）によって純度を測定した。テトラヒドロキシメチル体の含有率は９０％であった。
【００８０】
また、質量分析を行った所、（MALDI−TOF MS：ブルカー・ダルトニクス（株）製 ultraflex）（加速電圧：20ｋV、モード：Reflector、分子量標準品：フラーレンＣ60）で、分子量を測定した所、ピークトップ値として５１４が得られ、上記構造と同一である事を確認した。
【００８１】
（例示化合物（４-４）の合成例）
1-Dicyanomethylene-2-oxo-acenaphthene-3-carboxylic acid１０部、硫酸１部をジメチルホルムアミド１５０質量部に混合し、この反応液を６０℃に加熱し、３時間反応を行い、反応終了後トルエンに溶解し、水洗浄後、ＴＨＦ／メタノールを用いて再結晶を行い、目的物を濃褐色粉末として得た。収率は３５質量％であった。
【００８２】
【化９】
2007256792.tif 000018
【００８３】
粉末を、逆相ＨＰＬＣ（カラム：Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）Ｃ１８−５Ｂ（昭和電工（株）製、溶媒：メタノール／水＝８０／２０）およびＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）（カラム：ＴＯＳＯＨＴＳＫガードカラムＨＸＬ、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬ×２、ＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬ×１連結（東ソー（株）製、溶媒：ＴＨＦ）によって純度を測定した。含有率は７８％であった。
【００８４】
また、質量分析を行った所、（MALDI−TOF MS：ブルカー・ダルトニクス（株）製 ultraflex）（加速電圧：20ｋV、モード：Reflector、分子量標準品：フラーレンＣ60）で、分子量を測定した所、ピークトップ値として４１３が得られ、上記構造と同一である事を確認した。
【００８５】
以下、本発明を実施例により説明する。実施例中、「部」は質量部を表す。
【００８６】
実施例に用いられる本発明の化合物は前記合成例またはこれと類似の方法により合成を行ったものである。
【００８７】
（実施例１）
直径２４ｍｍ、長さ２７６ｍｍのアルミニウムシリンダーの表面を湿式ホーニング処理し、超音波水洗浄したものを支持体とした。
【００８８】
次に、Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン５部をメタノール９５部中に溶解し、下引き層用塗料を調整した。この塗料を前記の導電性支持体上に浸漬コーティング法によって塗布し、１００度で２０分間乾燥して、０．５μｍの下引き層を形成した。
【００８９】
次に、電荷発生層用塗料として、ＣｕＫα特性Ｘ線回折（使用測定機：マック・サイエンス社製、全自動Ｘ線回折装置ＭＸＰ１８）におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン１０部と、下記構造式（２）０．１部およびポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレック（登録商標）ＢＸ−１、積水化学工業社製）５部をシクロヘキサノン２５０部に添加し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで４時間分散し、その後例示化合物Ｎｏ．１−１を３部を加え溶解し、これに２５０部の酢酸エチルを加えて希釈した。これを下引き層上に塗布した後、１００℃で１０分間乾燥して膜厚が０．１６μｍの電荷発生層を形成した。
【００９０】
次いで下記構造式（７）で示される化合物を１０部
【００９１】
【化１０】
2007256792.tif 000019
【００９２】
及び下記構造式（８）の繰り返し単位を有するポリアリレート樹脂（重量平均分子量１１５０００）１０部を
【００９３】
【化１１】
2007256792.tif 000020
【００９４】
モノクロロベンゼン５０部及びジクロロメタン３０部の混合溶媒中に溶解し、電荷輸送層用塗布液を調製した。この塗布液を前記の電荷発生層上に浸漬コーティング法によって塗布し、１２０℃で１時間乾燥することによって、膜厚が１７μｍの電荷輸送層を形成した。
【００９５】
このようにして作成した電子写真感光体を、常温常湿下（２３℃５０％）および高温高湿下（１３０．０℃８０％）において画像評価を行った。
【００９６】
画像評価は、除電手段を有さないヒューレットパッカード製ＬＢＰ「レーザージェット３８００」（プロセススピード１１７ｍｍ／ｓｅｃ、DC接触帯電）を改造した装置に装着し以下のプロセス条件を設定して評価を行った。
【００９７】
改造としては、帯電手段の上流側かつ転写手段の下流側の位置にある除電手段を除き、露光光（画像露光光）の光量が可変となるようにした。
【００９８】
暗部電位    −５００Ｖ
明部電位    −１５０Ｖ
画像の評価は以下のように行った。
【００９９】
ゴースト画像は、図２に示すように、画像の先頭部に黒い四角の画像を出した後、１ドット桂馬パターン（図３参照）で印字したハーフトーン画像を作成した。画像は、１枚目にベタ白画像をとり、その後上記ゴースト画像を連続１０枚とって評価した。ゴースト画像の評価は、分光濃度計X-Rite５０４/５０８（X-Rite（株）製）を用いて、１ドット桂馬パターンで印字した画像のゴースト部の画像濃度からゴースト部ではない画像濃度を引いた濃度を測定し、１枚のゴースト画像で１０点測定し、それら１０点の平均をとり１枚の結果とし、前述の１０枚のゴースト画像すべてを同様に測定した。それらの平均を求めた。
【０１００】
その後画像濃度１０％画像において１００００枚耐久後直後、同様なゴースト画像の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１０１】
（実施例２〜１５）
実施例１において、例示化合物NO．１−１をNO．１−４、NO．１−５、NO．１−１０、NO．１−１１、NO．１−１２、NO．２−３、NO．２−７、NO．２−１２、NO．３−１、NO．３−３、NO．３−９、NO．４−３、NO．４−４、NO．４−９に代えた以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作成し、評価を行なった。結果を表５に示す。
【０１０２】
（実施例１６〜２０）
実施例９の電荷発生層中の電子輸送物質ＮＯ．２−１２の添加量を０．５部、１部、２部、４部、５部に変えた以外は実施例９と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表５に示す。
【０１０３】
【表８】
2007256792.tif 000021
【０１０４】
（実施例２１）
実施例１０において電荷輸送層を以下のように作成した以外は実施例１０と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表６に示す。
【０１０５】
電荷輸送層の作成
次いで下記構造式（９）で示される化合物７部、
【０１０６】
【化１２】
2007256792.tif 000022
【０１０７】
前記構造式（７）で示される化合物を１部
及び下記構造式（１０）の繰り返し単位を有するポリカーボレート樹脂（重量平均分子量２０，０００）１０部を
【０１０８】
【化１３】
2007256792.tif 000023
【０１０９】
モノクロロベンゼン５０部及びジクロロメタン３０部の混合溶媒中に溶解し、電荷輸送層用塗布液を調製した。この塗布液を前記の電荷発生層上に浸漬コーティング法によって塗布し、１２０℃で１時間乾燥することによって、膜厚が１７μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１１０】
（実施例２２）
実施例２１の電荷輸送層の膜厚を１３μｍに変えた以外は実施例２１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表６に示す。
【０１１１】
（実施例２３〜２６）
直径２４ｍｍ、長さ２７６ｍｍのアルミニウムシリンダーを超音波水洗浄したものを支持体とした。
【０１１２】
次に１０質量％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メトキシプロパノール３０部、メタノール３０部及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、重量平均分子量３０００）０．００２部を、１ｍｍφガラスビーズを用いてサンドミル装置で２時間分散して導電層用の塗布液を調製し、この塗布液を直径３０ｍｍアルミニウムシリンダー上に浸漬コーティング法によって塗布し、１４０℃で３０分間加熱させ、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。この上に実施例１、８、１１、１４の中間層、電荷発生層、電荷輸送層を形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表６に示す。
【０１１３】
【表９】
2007256792.tif 000024
【０１１４】
（比較例１）
実施例１の電荷発生層中の電子輸送物質ＮＯ．１−１を添加しない以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表７に示す。
【０１１５】
（比較例２）
実施例１の電荷発生層中の電子輸送物質ＮＯ．１−１を添加せずに、下記構造式（１１）の酸化防止剤を０．２部添加した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表７に示す。
【０１１６】
【化１４】
2007256792.tif 000025
【０１１７】
（比較例３）
実施例１の電荷発生層中の例示化合物ＮＯ．１−１を添加せずに、下記構造式（１２）の酸化防止剤を０．２部添加した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表７に示す。
【０１１８】
【化１５】
2007256792.tif 000026
【０１１９】
（比較例４）
実施例１の電荷発生層中の例示化合物ＮＯ．１−１を添加せずに、下記構造式（１３）を０．２部添加した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表７に示す。
【０１２０】
【化１６】
2007256792.tif 000027
【０１２１】
（比較例５，６）
比較例２、４の前記構造式（１１）、（１３）の添加量を０．２部から３部に変えた以外は比較例２、４と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表７に示す。
【０１２２】
（比較例７〜１０）
実施例１の例示化合物ＮＯ．１−１を、下記構造式（１４）、（１５）、（１６）、（１７）に変えた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表７に示す。
【０１２３】
【化１７】
2007256792.tif 000028
【０１２４】
（比較例１１）
実施例１の電荷発生層中の電子輸送物質ＮＯ．１−１を添加せずに、前記構造式（１１）の酸化防止剤を０．２部、前記構造式（１４）の電子輸送物質３部添加した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表７に示す。
【０１２５】
（比較例１２）
実施例１の電荷発生層中の電子輸送物質ＮＯ．１−１を添加せずに、前記構造式（１３）の酸化防止剤を１．５部、下記構造式（１８）の電子輸送物質１．５部添加した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し評価した。結果を表７に示す。
【０１２６】
【化１８】
2007256792.tif 000029
【０１２７】
【表１０】
2007256792.tif 000030
【０１２８】
表７に示されているように、比較例２〜６はヒンダードアミン構造を分子内に有していても、ゴースト現象がほとんど抑制されていなく、比較例７〜１０はナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物、フェナントレン化合物、フェナントロリン化合物、アセナフトキノン化合物のいずれかであり、初期画像に対しては目立たないレベルであるが、高温高湿の厳しい繰り返し耐久に対しては十分な効果が得られていなかったのに対し、表５、６に示されているように、本発明の実施例は高温高湿の厳しい繰り返し耐久においても良好なゴースト画像を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】評価用の画像パターンである。
【図３】実施例および比較例で用いた１ドット桂馬パターン画像である。
【符号の説明】
【０１３０】
１  電子写真感光体
２  回転軸
３  一次帯電器（接触帯電、非接触帯電（コロナなど））
４  像露光（レーザー光、LEDなど）
５  現像器（接触系、非接触系など）
６  転写帯電器（接触系、非接触系など）
７  紙などの転写材
８  定着器
９  クリーナー（ない場合もある）
１０  カートリッジ枠
１１  カートリッジ挿入ガイド
【図１】
2007256792.tif 000034
【図２】
2007256792.tif 000035
【図３】
2007256792.tif 000036