(57)【要約】    【課題】  再生出力波形歪を改善したＭＲ素子、薄膜磁気ヘッドを提供すること。    【解決手段】  第１のシールド層３１と、第２のシールド層３３と、ＭＲ膜３０と、収縮部４１、４２とを含んでいる。ＭＲ膜３０は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の間に設けられている。収縮部４１、４２は、ＭＲ膜３０に対し、膜面と平行となる方向の引張力Ｔ１、Ｔ２を与える。【選択図】      図１
2007004901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシールド層と、第２のシールド層と、磁気抵抗効果膜と、収縮部とを含む磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層の間に設けられており、
前記収縮部は、前記磁気抵抗効果膜に対し、その膜面と平行となる方向の引張力を与える、
磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
請求項１に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層と一体化された剛性の支持体を有しており、
前記収縮部は、前記磁気抵抗効果膜の膜面と平行となる方向において、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層の側部に存在する前記支持体に埋め込まれている、
磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜は、膜面に対して垂直方向にセンス電流を流す構造を有する磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
再生素子を含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記再生素子は、請求項１乃至３の何れかに記載された磁気抵抗効果素子でなる、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項４に記載された薄膜磁気ヘッドであって、記録素子を含んでおり、記録素子は、垂直記録素子である薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
薄膜磁気ヘッドと、サスペンションとを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項４又は５に記載されたものでなり、
前記サスペンションは、前記薄膜磁気ヘッドを支持する、
磁気ヘッド装置。
【請求項７】
磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項６に記載されたものでなり、前記磁気ディスクとの間で磁気記録、及び、再生を行なう、
磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果（以下、ＭＲと称する）素子は、磁気記憶素子、磁気センサまたは薄膜磁気ヘッドに用いられる。これらの用途のうちでも、薄膜磁気ヘッドへの適用が特に重要である。薄膜磁気ヘッドにおいては、ハードディスクドライブ(ＨＤＤ)の大容量及び小型化に対応すべく、高感度、高出力のものが要求されている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドにおいて、高感度、高出力への対応として、記録素子は、磁気記録媒体の記録層を長手方向に磁化する面内記録素子から、記録層を膜面に対して垂直方向に磁化する垂直記録素子に移行しつつあり、これに対応して、再生素子として、巨大磁気抵抗効果膜（以下、ＧＭＲ膜と称する）や、強磁性トンネル接合膜（以下、ＴＭＲ膜と称する）を適用したものが検討されている。
【０００４】
ＧＭＲ膜やＴＭＲ膜を用いた再生素子として、膜面に対して垂直にセンス電流を流すＣＰＰ(Current Perpendicular to Plane)構造(特許文献１参照)のものが知られている。ＣＰＰ構造をとる場合、ＭＲ素子を、膜厚の両面側から挟み込むように、第１のシールド層及び第２のシールド層を配置し、第１のシールド層及び第２のシールド層を、シールドのみならず、センス電流を供給するための電極としても兼用する。
【０００５】
ところが、ＣＰＰ構造の薄膜磁気ヘッドにおいては、出力波形の線形性が著しく悪化する場合があることがわかった。このような出力波形の線形性の悪化は、高密度記録された磁気記録媒体（磁気ディスク）のデータを、高速度で、忠実に読み取らなければならないこの種の薄膜磁気ヘッドにおいて、致命的な欠点となりかねない。
【特許文献１】特開平５−２７５７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、再生出力波形歪を改善したＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１．ＭＲ素子
上述した課題を解決するため、本発明に係るＭＲ素子は、第１のシールド層と、第２のシールド層と、ＭＲ膜と、収縮部とを含んでいる。前記ＭＲ膜は、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層の間に設けられている。前記収縮部は、前記ＭＲ膜に対し、膜面と平行となる方向の引張力を与える。
【０００８】
上述したように、収縮部により、第１のシールド層及び第２のシールド層を介して、ＭＲ膜に対し、膜面と平行となる方向の引張力を与えると、再生出力波形の歪が解消できることが分かった。
【０００９】
その理由は、次のように考えられる。即ち、ＧＭＲ膜やTＭＲ膜は、ｎｍオーダの膜を積層した多層膜構造を持っており、その成膜工程や熱処理工程において、膜に圧縮応力が蓄積されるため、蓄積された圧縮応力の影響を受け、印加磁界と出力との間の線形性が失われ、出力波形に歪が生じるというものである。本発明では、収縮部により、ＭＲ膜に対し、膜面と平行となる方向の引張力を与えるので、ＧＭＲ膜やＴＭＲ膜に蓄積された圧縮応力が開放され、その結果、出力波形歪が解消したと考えられる。
【００１０】
ＭＲ膜は、第１のシールド層及び第２のシールド層の間に設けられているから、ＭＲ膜に対し、膜面と平行となる方向の引張力を与えるのに合理的で有効な手段の一つは、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層と一体化された剛性の支持体を有する構造とし、前記収縮部を、前記ＭＲ膜の膜面と平行となる方向において、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層の側方に存在する前記支持体に埋め込むことである。
【００１１】
支持体は、典型的には、セラミックなどの無機絶縁材料で構成される。このような無機絶縁材料は、薄膜磁気ヘッドなどでは、ごく一般的に用いられている。
【００１２】
更に望ましい形態は、収縮部を、第１のシールド層及び第２のシールド層と、横並び、つまり同一階層を共有するように配置することである。こうすることにより、収縮部の収縮力を、剛性の支持体を介して、第１のシールド層及び第２のシールド層に確実に、かつ、効率よく作用させ、収縮部の収縮力に基づく引張力を、面積、体積の大きな第１のシールド層及び第２のシールド層から、面積、体積の小さなＭＲ膜に、効果的に作用させることができる。ＭＲ膜としては、膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すＣＰＰ構造のものが基本であるが、ＣＩＰ構造のＭＲ膜を排除する趣旨ではない。
【００１３】
なお、引張力を発生させる手段として、圧電素子を利用する構成も考えられるが、この場合は、別途圧電素子を形成することになるので、積層工程が増加し、コストアップにつながる。これに対して、本発明は、収縮方向にのみ応力をかければよく、圧電素子のような通電機構等を設ける必要がないため、プロセス的にメリットがある。
【００１４】
２．薄膜磁気ヘッド
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、再生素子として、上述したＭＲ素子を用いる。これにより、上述したＭＲ素子の有する利点、即ち、再生出力波形歪の改善効果を有する薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００１５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、その一般的な構成として、記録素子を含んでいる。記録素子としては、面内記録素子のほか、高密度記録に適した垂直記録素子を用いることができる。
【００１６】
本発明は、更に、上述した薄膜磁気ヘッドと、サスペンションとを含む磁気ヘッド装置、この磁気ヘッドと磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置をも開示する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
１．ＭＲ素子
図１は本発明に係るＭＲ素子の構造を模式的に示す図、図２は図１に示したＭＲ素子を、印加磁界が入る感磁面から見た図である。図示のＭＲ素子は、磁気記憶素子または磁気センサとしても利用できるほか、後述するように薄膜磁気ヘッドの再生素子としても利用できる。図１及び図２において、各構成部分を明確に表示するため、誤解を招かないであろう範囲で、通常の図面表示によれば、点線によって表示すべき部分を実線によって表示してあること、及び、ハッチング表示とすべきでない部分をハッチング表示してあることに注意されたい。図１、図２に図示されたＭＲ素子は、第１のシールド層３１と、絶縁層３２と、第２のシールド層３３と、ＭＲ膜３０とを含む。
【００１８】
第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３は、例えばＮｉＦｅ膜によって構成され、絶縁層３２は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの金属酸化物絶縁材料で構成される。第１のシールド層３１、絶縁層３２、第２のシールド層３３及びＭＲ膜３０は、剛性を有する支持体１によって覆われ、かつ、支持されている。支持体１は、例えばＡｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料によって構成されている。
【００１９】
ＭＲ膜３０は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の間に設けられ、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３を電極層として、センス電流の供給を受ける。ＭＲ膜３０の周囲は、絶縁層３２によって埋められている。ＭＲ膜３０は、感磁面１０から入る印加磁界に応答する。
【００２０】
収縮部４１、４２は、ＭＲ膜３０に対し、膜面と平行となる方向W1の引張力Ｔ１、Ｔ２を与える。収縮部４１、４２は、それ自体で、例えば、矢印Ｓ１、Ｓ２で示すように収縮する特性を有する。図示の実施例では、収縮部４１、４２は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３から離れた位置で、剛性の支持体１の面内に埋め込まれている。
【００２１】
従って、収縮部４１、４２が矢印Ｓ１、Ｓ２で示すように収縮した場合、剛性の支持体１を介して、第１のシールド層３１、絶縁層３２及びＭＲ膜３０に対し、膜面と平行となる方向W1の引張力Ｔ１、Ｔ２が与えられる。
【００２２】
収縮部４１、４２を構成する材料としては、収縮性があり、伸びにくく、しかも、周りの層、即ち、剛性の支持体１に対する密着性、接着性の高いものが用いられる。上述した要求特性を満たすものであれば、金属／合金系材料、無機材料または有機材料の何れでも用いることができる。金属／合金系材料の例としては、形状記憶合金の一種であるＮｉＴｉや、ＣｕＺｎＡｌなどを挙げることができる。
【００２３】
有機材料としては、ポリエチレンやエチレン酢酸ビニル共重合体のようなエチレン系の共重合体、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴムもしくはフッ素ゴムのような合成ゴム、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル樹脂、１２−ナイロンのようなポリアミド樹脂、又は、ポリ塩化ビニル樹脂又はフッ素樹脂などを例示できる。これらは、単独で用いてもよいし、そのいくつかをブレンドして用いてもよい。
【００２４】
また、収縮部４１、４１は、支持体１の内部に完全に埋設（図２参照）してあってもよいし、少なくとも一部が外部に露出（図３参照）していてもよい。
【００２５】
更に、収縮部４１、４２は、図１の円形状のほか、楕円形状（図４参照）、角形状（図５参照）、又は、トラック形状（図６参照）など、任意の形態を採ることができる。図示は省略するが、収納部４１、４２のそれぞれを、複数に分割して設けてもよいし、収納部４１、４２の一方を省略してもよい。更に、収縮部４１、４２は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の中に設けてもよい。なお、図３〜図６においても、図の表示方式（ハッチング表示等）は図１、図２に準じている。
【００２６】
ＭＲ膜３０に対し、膜面と平行となる方向W1の引張力Ｔ１、Ｔ２を与えるのに合理的で有効な手段の一つは、図１〜図６に図示するように、収縮部４１、４２を、ＭＲ膜３０の膜面と平行となる方向Ｗ１の両側において、支持体１の内部に設けることである。
【００２７】
特に好ましい形態は、図２、図３に図示するように、収縮部４１、４２を、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３に対して、横並びに配置することである。こうすることにより、収縮部４１、４２の収縮力を、剛性を有する支持体１を介して、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３に確実に、かつ、効率よく作用させ、更に、面積、体積の大きな第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３から、面積、体積の小さなＭＲ膜３０に効果的に作用させることができる。
【００２８】
上述したように、収縮部４１、４２により、ＭＲ膜３０に対し、膜面と平行となる方向Ｗ１の引張力Ｔ１、Ｔ２を与えると、再生出力波形の歪が解消できる。その理由は、既に述べたとおりである。
【００２９】
図７は、ＣＰＰ型ＭＲ素子の具体的な層構造を示す断面図である。ＭＲ膜３０は、ＴＭＲ膜であって、フリー層３０２を含み、フリー層３０２の一面に、Ａｌ2Ｏ3層などでなる絶縁層３０３の一面が隣接し、絶縁層３０３の他面に、ピンド層３０４の一面が隣接している。ピンド層３０４の他面には反強磁性層３０５の一面が隣接している。ピンド層３０４は、反強磁性層３０５との交換結合により、磁化方向が、一方向に固定される。
【００３０】
フリー層３０２、絶縁層３０３、ピンド層３０４及び反強磁性層３０５の層構造及び組成材料等については、既に知られている技術を任意に適用できる。一例をあげると、フリー層３０２及びピンド層３０４は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層３０５はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔなどによって構成される。
【００３１】
第１のシールド層３１は、めっき下地層３０６を介して、ＭＲ膜３０の一面に隣接し、第２のシールド層３３は、めっき下地層３０１を介して、ＭＲ膜３０の他面に隣接している。したがって、ＭＲ膜３０の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すＣＰＰ型のＭＲ素子を得ることができる。
【００３２】
ＭＲ膜３０の幅方向の両側部には、フリー層３０２の磁区を制御する磁区制御層２０１、２０２が配置されている。磁区制御層２０１と、ＭＲ膜３０及びめっき下地膜３０６との間には、絶縁膜２０３が介在しており、磁区制御層２０２と、ＭＲ膜３０とめっき下地膜３０６との間には絶縁膜２０４が介在している。
【００３３】
収縮部４１、４２は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３に対して、横並びとなる関係で、支持体１の内部に配置されている。これにより、収縮部４１、４２の収縮力を、剛性を有する支持体１を介して、面積、体積の大きな第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３に作用させ、更に、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３からＭＲ膜３０に効果的に作用させることができる。
【００３４】
図８は、図７に示した構造において、収縮部４１、４２を持たない従来のＭＲ素子について、外部から印加される印加磁界と再生素子の再生出力電圧との関係を示すグラフ、図９は図７に示した本発明に係るＭＲ素子について、印加磁界と、再生素子の再生出力電圧との関係を示すグラフである。図において、横軸に印加磁界（×７９Ａ/ｍ)をとり、縦軸に再生出力電圧（μV)をとってある。
【００３５】
図８を参照すると、印加磁界（−３００）〜（−１５０）（×７９Ａ/ｍ)の範囲で、印加磁界に対する再生出力電圧の線形性が著しく損なわれており、再生出力波形に大きな歪が生じていることが分かる。
【００３６】
これに対して、本発明に係るＭＲ素子では、図９に図示するように、印加磁界（−３００）〜（−１５０）（×７９Ａ/ｍ)の範囲のみならず、全体として、印加磁界に対する再生出力電圧の線形性が良好に保たれており、従って、再生出力波形の歪が緩和されている。
【００３７】
２．薄膜磁気ヘッド
図１０は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図、図１１は図１０に示した薄膜磁気ヘッドを、図１〜図７の感磁面１０に相当する空気ベアリング面（ＡＢＳ）側から見た図である。図において、各構成部分の寸法比等は、図示の都合を優先し、実際とは異ならせてある。また、先に掲示された図面に現れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付してある。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ基体１１と、記録素子２と、再生素子３とを含む複合型ヘッドである。矢印F1は、磁気ディスクと組み合わせた場合に生じる空気の流れ方向を示している。
【００３８】
スライダ基体１１は、耐摩耗性に優れたアルティック等からなる。アルティックでなるスライダ基体１１は、Ａｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料と比較して、耐磨耗性及び潤滑性に優れているが、導電性が高い。そこで、スライダ基体１１の素子形成面には、通常、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの絶縁層（図示しない）が付着されている。
【００３９】
記録素子２は、下部磁性層２１と、第２の磁性層２２と、薄膜コイル２３１、２３２と、記録ギャップ層２４とを含み、その全体が、保護膜１２によって覆われている。下部磁性層２１は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅなどのめっき層で構成されており、第１の磁極層２１０と、第１の磁極２１１とを有し、第２のシールド層３３に隣接する第３の絶縁層３４の上に形成されている。第３の絶縁層３４は、例えばＡｌ2Ｏ3（アルミナ）などでなる。
【００４０】
第１の磁極２１１は、記録媒体に対向する側、即ち、ＡＢＳの側において、第１の磁極層２１０の端部に備えられている。第２の磁性層２２は、第２の磁極層２２１と、第２の磁極２２２とを有している。第２の磁極層２２１は、第１の磁極層２１０から間隔を隔て形成され、後方に位置する後方結合部２５により、第１の磁極層２１０と磁気的に結合されている。第２の磁極層２２１は、前端が第２の磁極２２２に隣接しており、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅなどの磁性材料によって構成されている。第２の磁極２２２は、記録ギャップ層２４を介して、第１の磁極２１１と、同一トラック幅を持って対向している。
【００４１】
薄膜コイル２３１、２３２は、Ｃｕなどのめっき層として構成され、後方結合部２５の周りを周回している。絶縁層２６１〜２６５は、薄膜コイル２３１、２３２に対する電気絶縁を担う。
【００４２】
再生素子３は、図１〜図７に示したＭＲ素子によって構成されている。ＭＲ素子は、既に詳説したように、第１のシールド層３１と、第２のシールド層３３と、ＭＲ膜３０とを含む。もっとも、薄膜磁気ヘッドへの適用において、それに適した設計的変形を伴うことは当然であり、例えば、図７に示した構造との対比において、各構成部分の寸法比、及び、具体的な層構造等は異なる。
【００４３】
ＭＲ膜３０は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の間に設けられ、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３を電極層として、センス電流の供給を受ける。ＭＲ膜３０の周囲は、絶縁層３２によって埋められている。
【００４４】
収縮部４１、４２は、それ自体の収縮により、ＭＲ膜３０に対して、膜面と平行となる方向W1の引張力Ｔ１、Ｔ２を与える（図１１参照）。図１０、図１１では、図１〜図７に示した剛性の支持体１が、スライダ基体１１、第３の絶縁膜３４及び保護膜１２によって構成されている。収縮部４１、４２は、ＭＲ膜３０の膜面と平行となる方向W1において、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の両側に存在する保護膜１２に埋め込まれている。従って、収縮部４１、４２は、保護膜１２、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３を介して、間接的に、ＭＲ膜３０に引張力を与える。図１０及び図１１は面内記録素子を示しているが、記録層を膜面に対して垂直方向に磁化する垂直記録素子であってもよい。
【００４５】
図１０、図１１に示した薄膜磁気ヘッドは、再生素子３として、図１〜図７に示したＭＲ素子を用いているので、再生素子３に関しは、図１〜図７を参照して説明した全ての事項が当てはまる。
【００４６】
３．磁気ヘッド装置
本発明において、磁気ヘッド装置とは、薄膜磁気ヘッドをジンバルに取り付けたヘッド・ジンバル・組立体（Head Gimbal Assembly 以下、ＨＧＡと称する）、ＨＧＡをアームに取り付けたヘッド・アーム組立体（Head Arm Assembly  以下、ＨＡＡと称する）及び複数のＨＡＡをスタックしたヘッド・スタック組立体（Head Stack Assembly 以下、ＨＳＡと称する）を含む概念である。
【００４７】
図１２は磁気ヘッド装置の一部を示す正面図である。図示の磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る薄膜磁気ヘッド４と、ヘッド支持装置５とを含む。
【００４８】
ヘッド支持装置５は、一端部で薄膜磁気ヘッド４を支持している。ヘッド支持装置５は、金属薄板でなる支持体５１の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体５２を取付け、この可撓体５２の下面に薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。具体的には、可撓体５２は、支持体５１の先端を自由端とした舌状片５２１を有する。支持体５１の下面には、例えば半球状の荷重用突起５２２が設けられている。この荷重用突起５２２により、支持体５１の自由端から舌状片５２１へ荷重力が伝えられる。
【００４９】
薄膜磁気ヘッド４は、舌状片５２１の下面に接着等の手段によって取付けられ、荷重用突起５２２を支点として、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
【００５０】
本発明に適用可能なヘッド支持装置５は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるものを、広く適用できる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。
【００５１】
４．磁気ディスク装置
本発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む。前記磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る磁気ヘッド装置である。前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置と協働して、磁気記録の書込み及び読出しに供される。
【００５２】
図１３は、図１２に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気ディスク装置の斜視図である。図示された磁気ディスク装置は、軸７０の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク７１と、薄膜磁気ヘッド４と、薄膜磁気ヘッド４を磁気ディスク７１のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置とを備えている。
【００５３】
アセンブリキャリッジ装置は、軸７４を中心にして回動可能なキャリッジ７５と、このキャリッジ７５を回動駆動する例えばボイスコイルモータ(ＶＣＭ)からなるアクチュエータ７６とから主として構成されている。
【００５４】
キャリッジ７５には、軸７４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７７の先端部には、薄膜磁気ヘッド４を搭載したヘッド支持装置５が固着されている。各ヘッド支持装置５は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド４が、各磁気ディスク７１の表面に対して対向するように駆動アーム７７の先端部に設けられている。
【００５５】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係るＭＲ素子の構造を模式的に示す平面図である。
【図２】図１に示したＭＲ素子を感磁面側から見た図である。
【図３】本発明に係るＭＲ素子を感磁面側から見た図である。
【図４】本発明に係るＭＲ素子の別の例を模式的に示す平面図である。
【図５】本発明に係るＭＲ素子の更に別の例を模式的に示す平面図である。
【図６】本発明に係るＭＲ素子の更に別の例を模式的に示す平面図である。
【図７】ＣＰＰ型ＭＲ素子の具体的な層構造を示す断面図である。
【図８】図７に示した構造において、収縮部を持たない従来のＭＲ素子について、印加磁界と再生素子の再生出力電圧との関係を示すグラフである。
【図９】図７に示した本発明に係るＭＲ素子について、印加磁界と、再生素子の再生出力電圧との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１１】図１０に示した薄膜磁気ヘッドをABS側から見た図である。
【図１２】磁気ヘッド装置の一部を示す正面図である。
【図１３】図１２に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気ディスク装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００５７】
３０                      ＭＲ膜
３１                      第１のシールド層
３２                      第２の絶縁層
３３                      第２のシールド層
３４                      第３の絶縁層
４１、４２                収縮部
１                        剛性の支持体
【図１】
2007004901.tif 000003
【図２】
2007004901.tif 000004
【図３】
2007004901.tif 000005
【図４】
2007004901.tif 000006
【図５】
2007004901.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007004901.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007004901.tif 000011
【図１０】
2007004901.tif 000012
【図１１】
2007004901.tif 000013
【図１２】
2007004901.tif 000014
【図１３】
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