(57)【要約】【課題】所望の付加容量を容易に発生させることが可能なアクティブマトリクス基板を提供すること。【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板(10)と、上記基板の一方面側に配置される第１電極(12)と、上記第１電極上に配置される絶縁膜(14)と、上記絶縁膜を挟んで上記第１電極と対向配置される複数の第２電極(16)と、上記絶縁膜の上側に配置される複数のスイッチング素子(18)と、を含む。複数の第２電極の各々は、複数のスイッチング素子の一つの電気的に接続される。【選択図】図１
2007256914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方面側に配置された第１電極と、
絶縁膜と、
複数の第２電極と、
複数のスイッチング素子と、を含み、
前記絶縁膜は、前記第１電極と前記複数の第２電極との間に配置され、
前記複数の第２電極の各々は、前記複数のスイッチング素子の一つに電気的に接続していること、
を含む、アクティブマトリクス基板。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリクス基板において、
前記複数のスイッチング素子は、前記絶縁膜上に配置されていること、
を特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板において、
前記複数のスイッチング素子の各々は、
前記絶縁膜上に配置されたソース電極と、
前記絶縁膜上に配置されたドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接続された半導体膜と、
前記半導体膜上に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで前記半導体膜上に配置されたゲート電極と、
を含む、アクティブマトリクス基板。
【請求項４】
請求項３に記載のアクティブマトリクス基板において、
前記複数の第２電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極とが同一層に配置された、
アクティブマトリクス基板。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板において、
前記複数のスイッチング素子の各々は、
前記絶縁膜上に配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたソース電極と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接続された半導体膜と、
を含む、アクティブマトリクス基板。
【請求項６】
請求項５に記載のアクティブマトリクス基板において、
前記複数の第２電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極とが同一層に配置された、
アクティブマトリクス基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板において、
前記複数の第２電極の各々は、一つの画素電極であること、
を特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板において、
前記第１電極と前記複数の第２電極との間に静電容量が形成されるように構成されていること、
を特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
請求項３乃至６のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板において、
前記複数の第２電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極とが同一材料により形成されていること、
を特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、
前記複数の第２電極と対向配置された第３電極と、
前記複数の第２電極と前記第３電極との間に配置された電気光学媒体と、
を含む、電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にトランジスタ等の回路素子を設けてなるアクティブマトリクス基板と、これを用いて構成される電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体を用いて形成された有機トランジスタが知られている（例えば、特許文献１参照）。有機半導体は主に分子間力で結合していることから、シリコン結晶のような原子結合の物質よりも柔軟性に富んでいる。このため、有機トランジスタを用いることにより、軽く、薄く、折り曲げ可能なデバイスの実現が可能となる。このような特徴を活かして、有機トランジスタは、例えば液晶表示装置、電気泳動表示装置、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置などの各種ディスプレイへの応用が期待され、技術開発が進められている。有機トランジスタの特徴をより活かすためには、プラスチック基板を使った素子形成が容易かつ低コストであることが重要であり、これに適した素子構造、製造プロセスが必要とされる。
【０００３】
上記のトランジスタを各画素のスイッチング素子として用いた液晶表示装置や電気泳動装置等において表示解像度をより高密度化するためには、個々の画素電極をより小さくする必要がある。しかし、各画素電極の狭小化を進めると共通電極（対向電極）と各画素電極の間の静電容量が小さくなるため、画素電極と共通電極の間に与えられた電圧をその後に保持できる時間が短くなってしまう。この不都合を補うために、付加的な静電容量（付加容量）を発生させるための容量線（容量電極）を設けることが一般的に行われているが、素子構造や製造プロセスの複雑化を招く。特に、スイッチング素子として有機トランジスタを用いる場合には、上記不都合により有機トランジスタの利点が損なわれる可能性がある。またこの不都合は、有機トランジスタ以外のスイッチング素子（例えば、シリコン膜を用いる薄膜トランジスタ等）であっても同様である。また、上記では表示装置を例にして説明したが、指紋センサ等、他の態様のマトリクス型装置においても同様の問題が生じ得る。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２１５６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで本発明は、所望の付加容量を容易に発生させることが可能なアクティブマトリクス基板を提供することを一つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るアクティブマトリクス基板は、基板と、前記基板の一方面側に配置された第１電極と、絶縁膜と、複数の第２電極と、複数のスイッチング素子と、を含み、前記絶縁膜は、前記第１電極と前記複数の第２電極との間に配置され、前記複数の第２電極の各々は、前記複数のスイッチング素子の一つに電気的に接続していること、を含む。
上記のアクティブマトリクス基板において、前記複数のスイッチング素子は、前記絶縁膜上に配置されていてもよい。
また、本発明のアクティブマトリクス基板は、基板と、上記基板の一方面側に配置された第１電極と、上記第１電極上に配置された絶縁膜と、上記絶縁膜を挟んで上記第１電極と対向配置された複数の第２電極と、上記絶縁膜の上側に配置された複数のスイッチング素子と、を含み、上記複数の第２電極の各々は、上記複数のスイッチング素子の一つに電気的に接続していること、を含む。
【０００７】
かかる構成によれば、第１電極と各第２電極との間に絶縁膜が配置されたことにより、静電容量が構成される。この絶縁膜の膜厚、誘電率を自由に選択して、所望の付加容量を発生させることが可能となる。
【０００８】
好ましくは、上記複数のスイッチング素子の各々は、上記絶縁膜上に配置されたソース電極と、上記絶縁膜上に配置されたドレイン電極と、上記ソース電極と上記ドレイン電極とに接続された半導体膜と、上記半導体膜上に配置されたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜を挟んで上記半導体膜上に配置されたゲート電極と、を含む。
【０００９】
これにより、いわゆるトップゲート構造を有するトランジスタを本発明のスイッチング素子をして用いることができる。
【００１０】
好ましくは、上記構成において、上記第２電極と上記ソース電極と上記ドレイン電極とが同一層に配置される。
【００１１】
これにより、第２電極とソース電極とドレイン電極とを一括形成できる。
【００１２】
好ましくは、上記複数のスイッチング素子の各々は、上記絶縁膜上に配置されたゲート電極と、上記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に配置されたソース電極と、上記ゲート絶縁膜上に配置されたドレイン電極と、上記ソース電極と上記ドレイン電極とに接続された半導体膜と、を含む。
【００１３】
これにより、いわゆるボトムゲート構造を有するトランジスタを本発明のスイッチング素子をして用いることができる。
【００１４】
好ましくは、上記構成において、上記第２電極と上記ソース電極と上記ドレイン電極とが同一層に配置される。
【００１５】
これにより、第２電極とソース電極とドレイン電極とを一括形成できる。
上記のアクティブマトリクス基板において、上記複数の第２電極の各々は、一つの画素電極であることが好ましい。
上記のアクティブマトリクス基板において、上記第１電極と上記複数の第２電極との間に静電容量が形成されるように構成されていてもよい。
上記のアクティブマトリクス基板において、上記複数の第２電極と上記ソース電極と上記ドレイン電極とが同一材料により形成されていてもよい。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置は、上記のアクティブマトリクス基板と、上記複数の第２電極と対向配置された第３電極と、上記複数の第２電極と上記第３電極との間に配置された電気光学媒体と、を含む、ここで、「電気光学媒体」とは、例えば液晶分子を含む液晶層や、電気泳動粒子を含む電気泳動層など、外界からの電気信号に応じて光学的作用を変化させ得る媒体をいう。
【００１７】
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備える。ここで、「電子機器」は、例えば電気光学装置を表示部として備えるあらゆる機器を含むもので、ディスプレイ装置、テレビジョン装置、電子ペーパ、時計、電卓、携帯電話、携帯情報端末等を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、一実施形態のアクティブマトリクス基板の構成を示す模式平面図である。図１に示す本実施形態のアクティブマトリクス装置は、基板１０と、この基板１０の一方面側に配置された共通容量電極（第１電極）１２と、共通容量電極１２上に配置された絶縁膜（下地層）１４と、絶縁膜１４を挟んで共通容量電極１２と対向配置された複数の画素電極（第２電極）１６と、画素電極１６に対して一対一に設けられる複数のスイッチング素子１８と、を含んで構成される。画素電極１６の各々は、複数のスイッチング素子の一つに電気的に接続されている。
【００２０】
共通容量電極１２は、図示のように画素電極１６が存在する領域（表示領域）に重なるように設けられている。この共通容量電極１２に対しては、外部から信号供給を行うための引き出し電極を設けることが有用である。図示の例では、基板１０はほぼ全体が絶縁膜１４に覆われているが、一部（図中、左上側）に絶縁膜１４が除去された部位（下地層除去部）２８があり、この部位２８において共通容量電極１２と電気的に接続されている配線の一部が露出している。この配線の露出した部位は、共通容量電極１２へ電圧を印加するための引き出し電極３０として用いられる。
【００２１】
各スイッチング素子１８は、ゲート線２０を通じてゲート線駆動回路２２からゲート信号が供給され、かつデータ線２４を通じてデータ線駆動回路２６からデータ信号が供給される。スイッチング素子１８は、例えば、詳細構造を後述するようにトップゲート型の薄膜トランジスタである。各ゲート線２０と各データ線２４とは略直交して配置されており、これらの各交点に画素電極１６及びスイッチング素子１８が設けられている。なお、図示の例では、各画素電極１６及び各スイッチング素子１８はマトリクス状に配列されているが、各画素電極１６及び各スイッチング素子１８の配列状態はこれに限定されるものではない。例えば、各画素電極１６は、任意の形状を有し、任意位置に配置されるセグメント型のものであってもよい。
【００２２】
ここで、図１に示すアクティブマトリクス基板の動作について説明する。画素電極１６の電位を制御するために、ゲート線２０の電圧を設定することによりスイッチング素子１８をオン状態（導通状態）とオフ状態（非導通状態）との間で制御し、画素電極１６の電圧をデータ線２４の設定電圧と等電位にしたり、この与えられた電圧を保持させたりする。非選択時には、注目しているスイッチング素子１８はオフ状態となっている。選択時には、注目しているスイッチング素子１８がオン状態となり、そのスイッチング素子１８と接続された画素電極１６の電圧はデータ線２４の電圧と等しくなる。多数のゲート線２０の中から、基本的には一本のゲート線２０だけが選択された状態となり、その他のゲート線２０は非選択状態となる。例えば、これらの画素電極１６と対向して電極を配置し（図示せず）、両電極間に液晶やどの表示媒体を介在させる場合を考えると、非選択時には、データ線２４を介して画素電極１６に設定された電圧が保持される必要があるが、リーク電流によってその電位は徐々に変化していく。この変化は、リーク電流の大きさと、画素電極１６に接続された静電容量によって決定される。画素電極１６と対向電極との間には静電容量が発生するが、この大きさは画素電極１６の大きさと、表示媒体の厚さ及び誘電率と、によって決まる。従って、これらを変化させて静電容量を最適化することは難しい。そこで本実施形態では、共通容量電極１２と各画素電極１６との間に静電容量を生じさせ、これを利用している。以下、更に詳細に本実施形態のアクティブマトリクス基板を説明する。
【００２３】
図２は、図１に示すアクティブマトリクス基板を部分的に拡大した模式平面図である。図３は、図２に示すIII−III線方向の断面図である。図４は、図２に示すIV−IV線方向の断面図である。各図に示すように、各スイッチング素子１８は、絶縁膜１４上に配置されるドレイン電極３２、ソース電極３４と、ドレイン電極３２、ソース電極３４の相互間に渡って配置される半導体膜３６と、半導体膜３６上に配置されるゲート絶縁膜３８と、ゲート絶縁膜３８を挟んで半導体膜上に配置されるゲート電極４０と、を含んで構成される。
【００２４】
基板１０は、透光性、非透光性に限定することなく、アクティブマトリクス基板の用途に応じて適宜、その構成材料が選択される。本実施形態では、例えばプラスチック基板を基板１０として用いる。なお、ガラス基板を基板１０として用いてもよい。
【００２５】
共通容量電極１２は、絶縁膜１４を挟んで各画素電極１６と対向配置されるように形成されている。この共通容量電極１２は、例えば、基板１０の上面に導電体膜を成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングすることによって形成される。導電体膜としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＺｕＯ2などからなる透明導電体膜や、金、プラチナ、パラジウム、ニッケル、銅又は銀などの金属からなる導電体膜が適宜採用される。この共通容量電極１２は、基板１０上の比較的広範囲に渡る単純な形状であるため、精密なパターニング方法によらなくても形成可能である。例えば、簡単な密着法によるフォトリソグラフィ、印刷法、シャドーマスク法などを用いて共通容量電極１２を形成することが可能である。
【００２６】
絶縁膜１４は、基板１０の上面の略全体を覆うようにして形成されている。この絶縁膜１４は、例えば酸化硅素（ＳｉＯ2）などの無機絶縁物や、絶縁性の有機物を材料として用いて形成される。絶縁膜１４の形成方法は、材料として選択したものに応じて適宜決定すればよい。例えば、スパッタリング法や蒸着法などの物理気相堆積法や、スピンコート法、その他各種の方法を採用し得る。この絶縁膜１４の膜厚や誘電率は、共通容量電極１２と各画素電極１６との間に構成される静電容量の大きさを設定する際の可変パラメータとして利用できる。これにより、画素電極１６の大きさ等に依存せず、必要な静電容量を容易に確保できるようになる。
【００２７】
画素電極１６とドレイン電極３２は、図２に示すように両者が一体に形成されている。また、データ線２４とソース電極３４は、図２に示すように両者が一体に形成されている。これらの画素電極１６、データ線２４、ドレイン電極３２、ソース電極３４は、例えば、絶縁膜１４の上面に導電体膜を成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングすることによって形成される。これにより、画素電極１６、データ線２４、ドレイン電極３２、ソース電極３４は、同一材料で形成され、同一層に配置されることになる。導電体膜としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＺｕＯ2などからなる透明導電体膜や、金、プラチナ、パラジウム、ニッケル、銅又は銀などの金属からなる導電体膜が適宜採用される。
【００２８】
ここで、本実施形態では、共通容量電極１２が上記のように複雑な構造を有さず、広範囲に形成されているので、各画素電極１６、データ線２４、ドレイン電極３２、ソース電極３４と共通容量電極１２との相互間のアライメント（位置合わせ）は非常に簡易になる。高精度なアライメントが必要な従来例と比較すれば、アライメントが実質的に不要であるとも言える。従って、プラスチック基板のように温度変化等による伸縮が比較的に大きいものを基板１０として採用した場合であっても、各構成要素の形成が容易になる。
【００２９】
半導体膜３６は、図２及び図３に示すように、ドレイン電極３２、ソース電極３４を覆うようにして絶縁膜１４の上面に形成されている。これにより、半導体膜３６は、ドレイン電極３２及びソース電極３４と電気的に接続される。本実施形態では、この半導体膜３６は、有機高分子を用いて形成された有機半導体膜を採用している。例えば、半導体膜３６は、フルオレンとビチオフェンとのコポリマーを用いて形成される。これは共役性高分子であり半導体の特性を示すものであり、トルエン、キシレン又はトリメチルベンゼンなどの有機溶媒を用いて溶解することができる。液滴吐出装置を用いて、この共役性高分子を含む溶液をドレイン電極３２、ソース電極３４を跨ぐように局所的に滴下し、固化させることにより、有機半導体膜からなる半導体膜３６が得られる。
【００３０】
半導体膜３６の材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料を用いるのが好ましい。高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、フルオレン−ビチオフェン共重合体、あるいは、ポリアリールアミンを用いるのが特に好ましい。
【００３１】
なお、半導体膜３６は有機半導体膜に限定されるものではなく、シリコン等の無機物からなる半導体膜が用いられてもよい。例えば、シクロペンタシラン（Ｓｉ5Ｈ10）など、１個以上の環状構造を持ったものに、紫外線を照射することによって光重合させて高次シランとしたものを液体材料として使用することにより、上記と同様な液体プロセスによってシリコン膜からなる半導体膜３６が得られる。あるいは、絶縁膜１４の上面に化学気相堆積法などの成膜法によって半導体膜を成膜し、これをパターニングすることによって半導体膜３６を形成してもよい。
【００３２】
ゲート絶縁膜３８は、絶縁膜１４の上面の略全体を覆うようにして形成されている。このゲート絶縁膜３８は、例えば酸化硅素（ＳｉＯ2）などの無機絶縁物や、絶縁性の有機物を材料として用いて形成される。ゲート絶縁膜３８の形成方法は、材料として選択したものに応じて適宜決定すればよい。例えば、スパッタリング法や蒸着法などの物理気相堆積法や、スピンコート法、その他各種の方法を採用し得る。
【００３３】
ゲート電極４０は、上記のゲート線２０と一体に形成されている。換言すれば、ゲート線２０のうち、半導体膜３６の上側に配置されている領域がゲート電極４０として機能する。このゲート電極４０及びゲート線２０は、例えば、インクジェット印刷法などの印刷法によって形成される。具体的には、液滴吐出装置を用いて、液体材料をゲート絶縁膜３８上にゲート電極４０等の形状パターンに対応して滴下し、固化させることによってゲート電極４０等が形成される。液体材料としては、固化後に導電性を示すものであればよく、例えばＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）の水分散液や、金属コロイドを用いることができる。なお、ゲート電極４０等は、印刷法以外の方法によって形成されてもよい。例えば、ゲート絶縁膜３８の上面に導電体膜を成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングすることによってゲート電極４０等が形成されてもよい。
【００３４】
次に、上述したアクティブマトリクス基板を用いて構成される電気光学装置について説明する。以下では、電気光学装置の一例として、電気泳動表示装置及び液晶表示装置のそれぞれについて説明する。
【００３５】
図５は、電気泳動表示装置の構成例を示す模式断面図である。図示の電気泳動表示装置は、上述したアクティブマトリクス基板と、これに対向して配置される基板５２との間に電気泳動層（電気光学媒体）５０を配置して構成されている。アクティブマトリクス基板の各要素について、上記の説明と共通するものには同一の符号が付されている。なお、スイッチング素子１８としての薄膜トランジスタ（トップゲート型）は簡略化して表現されている。基板５２には対向電極（第３電極）５４が形成されている。この対向電極５２は画素電極１６と対向配置される。対向電極５４は、例えば上記したＩＴＯなどの透明導電膜からなる。電気泳動層５０は、各画素電極１６と対向電極５４の相互間に配置される。スイッチング素子１８の上側には更に絶縁膜４２が設けられている。
【００３６】
図示の例の電気泳動層５０は、マイクロカプセルを複数含んで構成される。このマイクロカプセルは、樹脂皮膜によって形成されており、各マイクロカプセルの大きさは１画素と同程度とされている。マイクロカプセルには、分散媒中に電気泳動粒子を分散させてなる電気泳動分散液が封入されている。分散媒としては、例えば、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の非水系有機溶媒が用いられている。また、分散媒は、スピリトブラック、オイルイエロー、オイルブルー、オイルグリーン、バリファーストブルー、マクロレックスブルー、オイルブラウン、スーダンブラック、ファーストオレンジ等の染料によって染色され、電気泳動粒子とは異なる色相を呈している場合もある。電気泳動粒子としては、例えば、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、ベンガラ、酸化アルミニウム、黒色低次酸化チタン、酸化クロム、ベーマイト、ＦｅＯＯＨ、二酸化硅素、水酸化マグネシウム、水酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化銅等が用いられている。この電気泳動層５０は、各画素電極１６と対向電極５４との間に印加される電圧に応じて、電気泳動粒子がマイクロカプセル内を移動する。
【００３７】
図６は、図５に示す電気泳動表示装置の駆動方法の一例について説明する図である。図示の例では、対向電極５４に電圧Ｖ1が与えられ、共通容量電極１２に電圧Ｖ2が与えられ、ゲート電極４０及びソース電極３４にはそれぞれドライバから所定の電位が与えられる。このとき、共通容量電極１２に与えられる電圧Ｖ2は、対向電極５４に与えられる電圧Ｖ1と等しくしてもよいしグランドレベルに設定することもできるが、電圧Ｖ2を独立に制御することも有用である。図示の例では、共通容量電極１２が半導体膜３６とも重畳するように配置されているので、半導体膜３６に対してゲート電極４０と反対側からも電界を及ぼすことができる。この構成によれば、共通容量電極１２の電圧Ｖ2を可変することにより、スイッチング素子１８としてのトランジスタのオフ電流やしきい電圧を制御することができる。特に、トランジスタの特性に経時変化や、温度、湿度等に対する変化がある場合、これらの情報をデータテーブルとして図示しないメモリ等の記憶させておけば、外界条件によって電圧Ｖ2を可変することにより、トランジスタの特性を調整することができる。
【００３８】
図７は、液晶表示装置の構成例を示す模式断面図である。図示の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、これに対向して配置される基板１５２との間に液晶層（電気光学媒体）１５０を配置して構成されている。基板１５２の一方面（液晶層１５０と接する面）には対向電極１５４が形成されている。対向電極１５４は、例えば上記したＩＴＯなどの透明導電膜からなる。
【００３９】
図７に示すアクティブマトリクス基板は、基板１１０と、基板１１０の一方面側に配置される共通容量電極（第１電極）１１２と、この共通容量電極１１２上に配置される絶縁膜１１４と、絶縁膜１１４（及び後述するゲート絶縁膜１３８）を挟んで共通容量電極１１２と対向配置される画素電極（第２電極）１１６と、画素電極１１６と電気的に接続されるスイッチング素子１１８と、を含んで構成される。なお、図示しないが、図７に示す液晶表示装置は上記図１に示したものと同様の構成を有し、画素電極１１６及びスイッチング素子１１８はそれぞれ複数存在する。
【００４０】
本例のアクティブマトリクス基板は、スイッチング素子１１８としての薄膜トランジスタがボトムゲート型の構造を有している。具体的には、各スイッチング素子１１８は、絶縁膜１１４上に配置されるゲート電極１４０と、このゲート電極１４０上に配置されるゲート絶縁膜１３８と、このゲート絶縁膜１３８上に配置されるドレイン電極１３２、ソース電極１３４と、ゲート電極１４０と対向し、ドレイン電極１３２、ソース電極１３４に渡って配置される半導体膜１３６と、を含んで構成される。ドレイン電極１３２と画素電極１１６とは図示のように一体に形成され、同一層に配置されている。このスイッチング素子１１８の上側には更に絶縁膜１４２が設けられている。
【００４１】
なお、上記では、スイッチング素子としてトップゲート型のトランジスタを備えるアクティブマトリクス基板を用いて電気泳動表示装置を構成した例を説明したが、スイッチング素子としてボトムゲート型のトランジスタを備えるアクティブマトリクス基板を用いて電気泳動表示装置を構成することもできる。同様に上記では、スイッチング素子としてボトムゲート型のトランジスタを備えるアクティブマトリクス基板を用いて液晶表示装置を構成した例を説明したが、スイッチング素子としてトップゲート型のトランジスタを備えるアクティブマトリクス基板を用いて液晶表示装置を構成することもできる。また、液晶表示装置の駆動方法として、上記電気泳動表示装置に関して説明した駆動方法（図６参照）を適用することもできる。
【００４２】
図８は、電気光学装置を備える電子機器を例示する斜視図である。図８（Ａ）は、電子機器の一例である電子ブックを示す斜視図である。この電子ブック１０００は、ブック形状のフレーム１００１と、このフレーム１００１に対して回動自在に設けられた（開閉可能な）カバー１００２と、操作部１００３と、本実施形態に係る電気泳動装置によって構成された表示部１００４と、を備えている。図８（Ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計１１００は、本実施形態に係る電気泳動装置によって構成された表示部１１０１を備えている。図８（Ｃ）は、電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。この電子ペーパー１２００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体部１２０１と、本実施形態に係る電気泳動装置によって構成された表示部１２０２と、を備えている。
【００４３】
以上のように本実施形態によれば、共通容量電極と各画素電極との間に絶縁膜が配置されることにより、静電容量が構成される。この絶縁膜の膜厚、誘電率を自由に選択して、所望の付加容量を発生させることが可能となる。
【００４４】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施することが可能である。例えば、電気光学装置の一例として電気泳動表示装置及び液晶表示装置を説明していたが、電気光学装置はこれらに限定されるものではなく、更には、表示用途の装置に限定されるものでもない。例えば、指紋センサ等のマトリクス型装置においても本発明を適用することができる。また、スイッチング素子は、トランジスタ以外の素子（例えば薄膜ダイオード）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】一実施形態のアクティブマトリクス基板の構成を示す模式平面図である。
【図２】アクティブマトリクス基板を部分的に拡大した模式平面図である。
【図３】図２に示すIII−III線方向の断面図である。
【図４】図２に示すIV−IV線方向の断面図である。
【図５】電気泳動表示装置の構成例を示す模式断面図である。
【図６】電気泳動表示装置の駆動方法の一例について説明する図である。
【図７】液晶表示装置の構成例を示す模式断面図である。
【図８】電気光学装置を備える電子機器を例示する斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０…基板、１２…共通容量電極、１４…絶縁膜、１６…画素電極、１８…スイッチング素子、２０…ゲート線、２２…ゲート線駆動回路、２４…データ線、２６…データ線駆動回路、３２、３４…ソース／ドレイン電極、３６…半導体膜、３８…ゲート絶縁膜、４０…ゲート電極、５０…電気泳動層、５２…基板、５２…対向電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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