(57)【要約】  【課題】    有機ＥＬ表示装置は、パネルごとに画素駆動用ＴＦＴの閾値が異なるため、駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジを広く設定する必要がある。【解決手段】  本発明は、各パネルの駆動ＬＳＩの出力電圧の範囲と、各パネルに共通する駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジとを、駆動ＴＦＴの閾値の小さいパネルの駆動ＬＳＩの出力電圧と同等の範囲に設定することを特徴とする。  画素選択用ＴＦＴがオンする期間、保持容量線の電位ＳＣをＶ１とし、画素選択用ＴＦＴがオフする期間、保持容量線の電位ＳＣをＶ２とする。Ｖ１とＶ２との電位差は、各パネルの画素駆動用ＴＦＴの閾値と同程度の電圧である。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素選択信号に応じて駆動される画素選択用トランジスタと、
前記画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて駆動される画素駆動用トランジスタと、
前記画素選択用トランジスタと前記画素駆動用トランジスタとの間に接続され、前記表示信号を保持する保持容量と、
前記保持容量に接続された保持容量線と、
前記画素駆動用トランジスタを通して供給される電流に応じて駆動される有機エレクトロルミネッセンス素子とからなる表示画素を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法において、
第１の期間に、前記画素選択用トランジスタをオンするとともに、前記保持容量線を第１の電位に設定し、
第２の期間に、前記画素選択用トランジスタをオフするとともに、前記保持容量線の電位を、前記画素駆動用トランジスタのゲート電極とソースとの電位差を第１の電位より拡大させる第２の電位に設定することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。
【請求項２】
前記表示信号は駆動ＬＳＩより出力電圧として出力され、
前記出力電圧の範囲を前記表示信号の振幅と同等の範囲に設定することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。
【請求項３】
前記第１の電位と前記第２の電位との差は、前記画素駆動用ＴＦＴの閾値と同等であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記第１の電位を前記駆動ＬＳＩの電源電位または前記電源線と同じ電位に設定することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記第１の電位は接地電位とすることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を一時的に遮断した後に前記画素選択用トランジスタをオンさせることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。
【請求項７】
画素選択信号に応じて駆動される画素選択用トランジスタと、
前記画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて駆動される画素駆動用トランジスタと、
前記画素選択用トランジスタと前記画素駆動用トランジスタとの間に接続され、前記表示信号を保持する保持容量と、
前記保持容量と接続された保持容量線と、
前記画素駆動用トランジスタを通して供給される電流に応じて駆動される有機エレクトロルミネッセンス素子とからなる表示画素を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記保持容量線は、前記画素選択用トランジスタの動作に同期して印加電位が切り替えられることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
前記保持容量線の印加電位を切り替える保持容量線電位切り替え回路を有することを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を遮断するスイッチトランジスタを有し、前記スイッチトランジスタが一時的にオフされた後に前記画素選択用トランジスタがオンされることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以降「有機ＥＬ素子」と略称する）を用いた有機ＥＬ表示装置が開発されている。有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として、薄膜トランジスタ（以降「ＴＦＴ」と略称する）が用いられている。
【０００３】
以下に、従来の有機ＥＬ表示装置について、図面を参照して説明する。
【０００４】
図８は、従来の有機ＥＬ表示装置の概略図である。
【０００５】
有機ＥＬ表示装置は駆動ＬＳＩ２６と表示パネル２１によって構成され、表示パネル２１には垂直駆動回路２４と水平駆動回路２５と表示信号線２８と保持容量線２９と画素選択信号線３４とが設けられている。複数の画素選択信号線３４は垂直駆動回路２４に接続され、複数の表示信号線２８は水平駆動回路２５に接続される。そして、各保持容量線２９には、一定の電位ＳＣが与えられる。駆動ＬＳＩ２６はビデオ出力アンプ２７を備え、水平駆動回路２５に対して表示信号ＤＬを供給する。なお、表示画素３０が画素選択信号線３４と表示信号線２８とに囲まれた領域に形成される。
【０００６】
表示画素３０について、図９に示す、有機ＥＬ表示装置の一つの表示画素３０の等価回路図を用いて説明する。
【０００７】
一つの表示画素３０において、列方向に延びた表示信号線２８と行方向に延びた画素選択信号線３４との交点の付近に、画素選択用ＴＦＴ３１が接続される。この画素選択用ＴＦＴ３１のゲート電極は画素選択信号線３４に接続され、ドレインは表示信号線２８に接続される。また、画素選択用ＴＦＴ３１のソースは画素駆動用ＴＦＴ３２のゲート電極に接続される。画素駆動用ＴＦＴ３２のドレインは正電源電位ＰＶＤＤを供給する電源線３５に接続され、画素駆動用ＴＦＴ３２のソースは有機ＥＬ素子３３の陽極に接続される。有機ＥＬ素子３３の陰極には負電源電位ＣＶが供給される。また、画素選択用ＴＦＴ３１と画素駆動用ＴＦＴ３２との間には保持容量３６が接続され、保持容量３６の一方の端子は一定電位ＳＣに固定された保持容量線２９と接続される。
【０００８】
従来の有機ＥＬ表示装置では、垂直駆動回路２４より画素選択信号ＳＬが画素選択信号線３４へ出力され、画素選択信号ＳＬがハイレベルの期間に画素選択用ＴＦＴ３１がオンする。水平駆動回路２５より表示信号ＤＬが表示信号線２８へ出力され、表示信号ＤＬは画素選択用ＴＦＴ３１を通して保持容量３６及び画素駆動用ＴＦＴ３２のゲート電極に印加される。画素選択信号ＳＬがハイレベルの期間が終了すると、画素選択用ＴＦＴ３１はオフする。この一連の動作により、表示信号ＤＬが表示画素３０に書き込まれる。
【０００９】
画素駆動用ＴＦＴ３２がオンする場合、表示信号ＤＬに応じた電流が画素駆動用ＴＦＴ３２を通して有機ＥＬ素子３３に供給され、有機ＥＬ素子３３は発光する。上述した動作を全ての行の表示画素３０に対して行うことで、表示パネル全体に所望の表示が得られる。
【００１０】
なお、有機ＥＬ素子３３の発光輝度は画素駆動用ＴＦＴ３２のゲート電極へ印加される
表示信号ＤＬと正電源電位ＰＶＤＤとの電位差によって決まる。
【００１１】
また、有機ＥＬ表示装置のＴＦＴの半導体層はポリシリコン層によって形成される。ポリシリコン層は、基板上にアモルファスシリコン層を形成した後、アモルファスシリコン層をレーザアニールなどで溶融し、溶融したシリコンを再結晶化させることで得られる。
【００１２】
上述した技術は、以下の特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００３-２６３１２８号公報
【特許文献２】特開２００４-３４１２４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
画素駆動用ＴＦＴの半導体層をポリシリコン層によって形成する際、形成条件の僅かな違い（例えば、レーザ強度の違い）により、ポリシリコンの結晶粒径に差が生じる。画素駆動用ＴＦＴの性能はポリシリコンの結晶粒径に依存するため、画素駆動用ＴＦＴの性能を意図的に設定することは困難である。従って、画素駆動用ＴＦＴの閾値はパネルごとに差が生じ、これが画素駆動用ＴＦＴの閾値のバラツキとなる。
【００１４】
このため、有機ＥＬ表示装置において均一な表示を得るには、パネルごとの画素駆動用ＴＦＴの閾値を考慮して駆動ＬＳＩの出力電圧をパネルごとに個別に設定する必要があるため、各パネルに共通して設定される駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジは、表示信号ＤＬの振幅に画素駆動用ＴＦＴの閾値のバラツキを加えた範囲より広く設定しなければならない。
【００１５】
図１０には、表示信号ＤＬの振幅と、画素駆動用ＴＦＴの閾値のバラツキと、駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジとの関係を例示した。
【００１６】
電位Ｖａから電位Ｖｂはパネル１の表示信号の振幅を表し、電位Ｖｃから電位Ｖｄはパネル２の表示信号の振幅を表す。ＶａとＶｃとの差は、パネル１の画素駆動用ＴＦＴとパネル２の画素駆動用ＴＦＴとの閾値のバラツキにあたる。従って、駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジは、表示信号の振幅に、パネル１とパネル２との画素駆動用ＴＦＴの閾値のバラツキを加えた範囲より広く設定する必要があり、また、各パネルの駆動ＬＳＩの出力電圧は表示信号の振幅と駆動ＴＦＴの閾値とを加えた範囲に設定される。
【００１７】
従って、このように駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジが広い場合、駆動ＬＳＩの消費電力は増加する。また、駆動ＬＳＩを中耐圧プロセスで製造する必要があるため、通常のＬＳＩの製造コストと比較してコスト高となる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、画素選択信号ＳＬに応じて駆動される画素選択用ＴＦＴと、前記画素選択用ＴＦＴを通して印加される表示信号ＤＬに応じて駆動される画素駆動用ＴＦＴと、前記画素選択用ＴＦＴと前記画素駆動用ＴＦＴとの間に接続され、前記表示信号ＤＬを保持する保持容量と、前記保持容量に接続された保持容量線と、前記画素駆動用トランジスタを通して供給される電流に応じて駆動される有機ＥＬ素子とからなる表示画素を備えた有機ＥＬ表示装置の駆動方法において、第１の期間に、前記画素選択用ＴＦＴをオンするとともに、前記保持容量線を第１の電位Ｖ１に設定し、第２の期間に、前記画素選択用ＴＦＴをオフするとともに、前記保持容量線の電位を、前記画素駆動用ＴＦＴのゲート電極とソースとの電位差を第１の電位より拡大させる第２の電位Ｖ２に設定することを特徴とする。
【００１９】
前記表示信号ＤＬは駆動ＬＳＩより出力電圧として出力され、前記出力電圧の範囲を前記表示信号ＤＬの振幅と同等の範囲に設定することを特徴とする。
【００２０】
前記第１の電位と前記第２の電位との差は、前記画素駆動用ＴＦＴの閾値と同等であることを特徴とする。
【００２１】
前記第１の電位Ｖ１を前記駆動ＬＳＩの電源電位または前記電源線の電源電位と同じ電位、もしくは、接地電位に設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジを従来品よりも狭く設定することができるため、駆動ＬＳＩの消費電力を低減することができる。また、駆動ＬＳＩを一般的なプロセスにより形成することができるため、製造コストを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の実施例１の有機ＥＬ表示装置について、図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、実施例1の有機ＥＬ表示装置における、マトリクス状に配置された複数の表示画素のうち、一つの表示画素１０の等価回路図を示している。
【００２５】
表示画素１０は、画素選択用ＴＦＴ１１と有機ＥＬ素子１３と画素駆動用ＴＦＴ１２と、保持容量１６とを備える。画素選択用ＴＦＴ１１のゲート電極は画素選択信号ＳＬが与えられる画素選択信号線１４と接続され、ドレインは表示信号ＤＬが与えられる表示信号線８と接続される。画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電極は画素選択用ＴＦＴ１１のソースと接続され、画素駆動用ＴＦＴ１２のドレインは正電源電位ＰＶＤＤが与えられる電源線１５と接続され、画素駆動用ＴＦＴ１２のソースは有機ＥＬ素子１３に接続される。画素選択用ＴＦＴ１１と画素駆動用ＴＦＴ１２との間には保持容量１６が接続され、保持容量１６の一方の端子は保持容量線９と接続される。保持容量線９の一端は、保持容量線９の電位ＳＣを第１の電位Ｖ１と第２の電位Ｖ２とで切り替える切り替えスイッチ２と接続される。
【００２６】
なお、第１の電位Ｖ１と第２の電位Ｖ２との電位差は画素駆動用ＴＦＴ１２の閾値と同等となるように設定することが好ましいが、閾値よりも低い値であっても差障りない。また、第２の電位Ｖ２は、第１の電位Ｖ１と比較して、画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電極とソースとの電位差が拡大するように設定される。例えば、画素駆動用ＴＦＴ１２がｐ型ＴＦＴの場合、Ｖ２はＶ１より低く設定される。一方、画素駆動用ＴＦＴ１２がｎ型ＴＦＴの場合、Ｖ２はＶ１より高く設定される。
【００２７】
次に、実施例１の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について、図２を参照して説明する。図２は、実施例１における有機ＥＬ表示装置の保持容量線９の電位ＳＣの切り替えのタイミングを表した図である。
【００２８】
期間ｔ１において、画素選択信号ＳＬはロウレベルに設定され、保持容量線９の電位ＳＣはＶ２に設定される。このとき、画素選択用ＴＦＴ１１はオフしている。
【００２９】
期間ｔ２は、表示信号ＤＬの書き込み期間にあたり、保持容量線９の電位ＳＣがＶ２からＶ１に切り替えられた後、画素選択信号ＳＬがハイレベルになる。これにより、画素選択用ＴＦＴ１１はオンし、画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電極に表示信号ＤＬが印加される。そして、表示信号ＤＬのレベルが保持容量線９の電位Ｖ１を基準として保持容量１６
に保持される。
【００３０】
期間ｔ３は、有機ＥＬ素子１３の発光期間にあたり、画素選択信号ＳＬがロウレベルになった後、保持容量線９の電位ＳＣはＶ１からＶ２に切り替えられる。これにより、画素選択用ＴＦＴ１１はオフし、画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電極は表示信号線８から電気的に切り離されるが、画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電位は保持容量１６によって保持される。このとき、保持容量１６に保持された電位は保持容量線９の電位Ｖ２を基準とした表示信号ＤＬであり、この表示信号ＤＬが画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電極に印加され、有機ＥＬ素子１３は発光する。
【００３１】
図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置における、表示信号ＤＬの振幅と画素駆動用ＴＦＴの閾値のバラツキと駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジとの関係を例示したものである。なお、図３においてＶ１は接地電位に設定されているが、Ｖ１を駆動ＬＳＩの電源電位または正電源電位ＰＶＤＤと同じ電位に設定することができる。
【００３２】
本発明によれば、画素駆動用ＴＦＴの閾値の大きいパネル２の駆動ＬＳＩの出力電圧の範囲を、画素駆動用ＴＦＴの閾値の小さいパネル１の駆動ＬＳＩの出力電圧の範囲と同等に設定することができる。
【００３３】
加えて、各パネルに共通して設定される駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジも、画素駆動用ＴＦＴの閾値の小さいパネルの出力電圧の範囲と同等に設定することができる。
【００３４】
図４は、本発明における有機ＥＬ表示装置の概略図である。
【００３５】
図４に示す有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１と駆動ＬＳＩ６とによって構成される。表示パネル１には保持容量線電位切り替え回路３と垂直駆動回路４と水平駆動回路５と表示信号線８と保持容量線９と画素選択信号線１４とが設けられている。保持容量線電位切り替え回路３には複数の切り替えスイッチ２が設けられている。駆動ＬＳＩ６にはビデオ出力アンプ７ａとＳＣ用Ｄ／Ａ７ｂとが設けられている。保持容量線９は切り替えスイッチ２に接続され、複数の画素選択信号線１４は垂直駆動回路４に接続され、複数の表示信号線８は水平駆動回路５に接続される。保持容量線電位切り替え回路３は、Ｖ１を接地電位とする場合、接地電位及びＳＣ用Ｄ／Ａ７ｂに接続され、切り替えスイッチ２の選択動作でＶ１またはＶ２を保持容量線９に供給する。ビデオ出力アンプ７ａは水平駆動回路５に表示信号ＤＬを供給する。表示信号線８と画素選択信号線１４とに囲まれた領域には、表示画素１０が形成される。
【００３６】
なお、図４において、保持容量線電位切り替え回路３は垂直駆動回路４と別々に形成されているが、一部の回路を共通に設けることもできる。また、保持容量線電位切り替え回路３を駆動ＬＳＩ６によって制御することもできる。
【００３７】
図５は、複数ある画素選択信号線１４及び保持容量線９のうち、第１ラインから第３ラインに供給される画素選択信号ＳＬ１〜ＳＬ３と、保持容量線の電位ＳＣ１〜ＳＣ３との関係を示している。
【００３８】
各ラインの動作は図２とそれぞれ同一であり、１ラインずれるごとに動作タイミングが１水平期間ずつずれる。
【００３９】
次に、本発明の実施例２の有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００４０】
実施例２は、画素駆動用ＴＦＴ１２と有機ＥＬ素子１３との間にスイッチＴＦＴ１７を接続することで、表示信号ＤＬの書きこみ期間の表示の残像を防止するものである。
【００４１】
図６は、実施例２の有機ＥＬ表示装置において、マトリクス状に配置された複数の表示画素のうち、一つの表示画素１０の等価回路図を示している。なお、図６において、図１と同一の構成部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００４２】
表示画素１０は、画素選択用ＴＦＴ１１と、有機ＥＬ素子１３と、画素駆動用ＴＦＴ１２と、スイッチＴＦＴ１７とを備える。スイッチＴＦＴ１７のドレインは画素駆動用ＴＦＴ１２のソースに接続され、スイッチＴＦＴ１７のソースは有機ＥＬ素子１３に接続され、スイッチＴＦＴ１７のゲート電極はスイッチ信号ＳＷを印加するスイッチ信号線１８に接続される。
【００４３】
次に、実施例２の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について図７を参照して説明する。図７は、実施例２における有機ＥＬ表示装置の保持容量線９の電位ＳＣの切り替えのタイミングを表した図である。
【００４４】
期間ｔ１１において、画素選択信号ＳＬはロウレベルに設定され、保持容量線９の電位ＳＣはＶ２に設定され、スイッチ信号ＳＷはハイレベルに設定される。このとき、画素選択用ＴＦＴ１１はオフし、スイッチＴＦＴ１７はオンしている。
【００４５】
期間ｔ１２は、有機ＥＬ素子１３のリセット期間にあたり、スイッチ信号ＳＷがロウレベルになり、画素選択信号ＳＬ及び保持容量線９の電位ＳＣはｔ１１の状態を保持する。このとき、スイッチＴＦＴ1７はオフし、有機ＥＬ素子１３に流れる電流が遮断される
期間ｔ１３は、表示信号ＤＬの書き込み期間にあたり、保持容量線９の電位ＳＣがＶ２からＶ１に切り替えられた後、画素選択信号ＳＬがハイレベルになる。これにより、画素選択用ＴＦＴ１１はオンし、画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電極に表示信号ＤＬが印加される。そして、表示信号ＤＬのレベルが保持容量線９の電位Ｖ１を基準として保持容量１６に保持される。このとき、スイッチＴＦＴ１７及び有機ＥＬ素子１３はｔ１２の状態を保持する。
【００４６】
期間ｔ１４は、有機ＥＬ素子１３の発光期間にあたり、画素選択信号ＳＬがロウレベルになった後、保持容量線９の電位ＳＣはＶ１からＶ２に切り替えられ、スイッチ信号ＳＷがハイレベルになる。これにより、画素選択用ＴＦＴ１１はオフし、画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電極は表示信号線８から電気的に切り離されるが、画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電位は保持容量１６によって保持される。このとき、保持容量１６に保持された電位は保持容量線９の電位Ｖ２を基準とした表示信号ＤＬが画素駆動用ＴＦＴ１２のゲート電極に印加される。また、スイッチＴＦＴ１７もオンするため、表示信号ＤＬに応じた電流が画素駆動用ＴＦＴ１２及びスイッチＴＦＴ１７を通して有機ＥＬ素子１３に供給され、有機ＥＬ素子１３は発光する。
【００４７】
なお、実施例１および実施例２において画素駆動用ＴＦＴにｐ型ＴＦＴを用いているが、本願は、画素駆動用ＴＦＴとしてｎ型ＴＦＴを用いることもできる。
【００４８】
また、Ｖ１およびＶ２は、パネルごとの画素駆動用ＴＦＴの閾値に基づいて設定するため、パネルごとに画素駆動用ＴＦＴの閾値を調べることで決めることができる。画素駆動用ＴＦＴの閾値の調べ方としては、正電源電位ＰＶＤＤを一定に保ち、保持容量線の電位ＳＣを徐々に変化させることで有機ＥＬ素子が発光を始める電圧を調べる方法と、保持容量線の電位ＳＣを一定に保ち、正電源電位ＰＶＤＤの電位を徐々に変化させることで有機ＥＬ素子が発光を始める電圧を調べる方法とがある。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施例１における有機ＥＬ表示装置の一つの表示画素の等価回路図
【図２】実施例１における有機ＥＬ表示装置の保持容量線の電位ＳＣの切り替えのタイミング図
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置における、表示信号ＤＬの振幅と、画素駆動用ＴＦＴの閾値のバラツキと、駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジとの関係を例示した図
【図４】本発明における有機ＥＬ表示装置の概略図
【図５】複数ある画素選択信号線１４及び保持容量線９のうち、第１ラインから第３ラインに供給される画素選択信号ＳＬ１〜ＳＬ３と、保持容量線の電位ＳＣ１〜ＳＣ３との関係を示した図
【図６】実施例２における有機ＥＬ表示装置の一つの表示画素の等価回路図
【図７】実施例２における有機ＥＬ表示装置の保持容量線の電位ＳＣの切り替えのタイミング図
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の概略図
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の一つの表示画素の等価回路図
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置における、表示信号の振幅と画素駆動用ＴＦＴの閾値のバラツキと駆動ＬＳＩの出力電圧のダイナミックレンジとの関係を例示した図
【符号の説明】
【００５０】
１、２１          パネル
２                切り替えスイッチ
３                保持容量線電位切り替え回路
４、２４          垂直駆動回路
５、２５          水平駆動回路
６、２６          駆動ＬＳＩ
７ａ、２７        出力アンプ
７ｂ              ＳＣ用Ｄ／Ａ
８、２８          表示信号線
９、２９          保持容量線
１０、３０        表示画素
１１、３１        画素選択用ＴＦＴ
１２、３２        画素駆動用ＴＦＴ
１３、３３        有機ＥＬ素子
１４、３４        画素選択信号線
１５、３５        電源線
１６、３６        保持容量
１７              スイッチＴＦＴ
１８              スイッチ信号線
【図１】
2007264464.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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