(57)【要約】【課題】低分子発光材料をインクジェット法により有機ＥＬ表示装置の下部電極上に成膜できるようにした有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機材料層を備えた有機ＥＬ表示装置において、前記有機材料層に、低分子有機材料と特定の有機物の混合物で構成されているものを用いる。具体的には、１，２，３−トリメトキシトルエン、１，２，３，５−テトラメトキシベンゼン、１，２−ジメトキシ−５−ブロモベンゼン、３，４−ジメトキシ−６−ブロモトルエン、１，２，３−トリメトキシ−５−ブロモベンゼン、３−ブロモ−１，２−ベンゾジオキサンの中から選ばれた少なくとも一つの化合物が踏まれるようにする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料層を備えた有機ＥＬ表示装置において、
前記有機材料層が、以下化学式１から4のいずれかを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【化１】
2007281386.tif 000009
【化２】
2007281386.tif 000010
【化３】
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【化４】
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【化５】
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【化６】
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（A：炭素数４以下のノアルキル基の中から選ばれる置換基、B：塩素若しくは臭素、D：電子供与性の置換基のうち、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基の中から選ばれる置換基であって、少なくとも２個がメトキシ基であるものを示す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記有機材料層が蛍光または燐光を発光する材料を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記化学式１乃至４のいずれかが、１,２,３−トリメトキシトルエン、１,２,３,５−テトラメトキシベンゼン、１,２-ジメトキシ-５-ブロモベンゼン、３,４−ジメトキシ−６−ブロモトルエン、１,２,３−トリメトキシ−５−ブロモベンゼン、３−ブロモ−１,２−ベンゾジオキサンの中から選ばれた少なくとも一つの化合物であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記化学式１乃至４のいずれかは、室温で固体芳香族化合物同士を混合して成るものであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記化学式１乃至４のいずれかは、その粘度が８ｍＰａ・ｓ以上であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
蒸留または昇華精製可能な有機材料を、下記一般式で表される少なくとも一つの芳香族化合物に溶解したインク組成物を用い、隔壁層で区画された凹領域にインクジェット法で非晶質薄膜を形成することを特徴とする有機薄膜デバイスの製造方法。
【化１】
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【化２】
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【化３】
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【化４】
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【化５】
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【化６】
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（A：炭素数４以下のノアルキル基の中から選ばれる置換基、B：塩素若しくは臭素、D：電子供与性の置換基のうち、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基の中から選ばれる置換基であって、少なくとも２個がメトキシ基であるものを示す。）
【請求項７】
請求項６において、
前記有機材料が蛍光または燐光を発光する材料であることを特徴とする有機薄膜デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項６において、
前記化学式１乃至４のいずれかが、１,２,３−トリメトキシトルエン、１,２,３,５−テトラメトキシベンゼン、１,２−ジメトキシ−５−ブロモベンゼン、３,４−ジメトキシ−６−ブロモトルエン、１,２,３−トリメトキシ−５−ブロモベンゼン、３−ブロモ−１,２−ベンゾジオキサンの中から選ばれた少なくとも一つの化合物であることを特徴とする有機薄膜デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記インク組成物の溶剤が、室温で固体芳香族化合物同士を混合して成ることを特徴とする有機薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項６において、
前記インク組成物の溶剤粘度が、８ｍＰａ・ｓ以上である溶剤であることを特徴とする有機薄膜デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜素子には、有機ＥＬ表示装置、有機薄膜トランジスタなどがある。有機ＥＬ表示装置の製造方法として、真空蒸着法によって低分子有機材料を成膜する方法（真空蒸着法）、インクジェット法やスクリーン印刷法など湿式法による高分子有機材料を成膜する方法が知られている。真空蒸着法には、マスクの位置合せ精度を向上させるのが難しいため、今の技術では大型EL阻止の製造が困難であるといわれている、また、材料利用効率が低く、製造コストが高いといった欠点がある。
【０００３】
一方、湿式法には、高分子有機材料の高純度化が難しいことから、形成される素子寿命が短い（特に青色）という欠点がある。そのような高分子有機材料を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法が特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開平１１−５４２７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１は共役系高分子有機化合物の前躯体（昇華精製困難）に限定されているため、上述した通り、有機材料の高純度化が難しいことから、素子寿命が短かった。そこで、本発明者らは低分子有機材料を湿式法で成膜することを検討した。
【０００５】
インクジェット法で所望の領域に均一な有機材料薄膜を形成するためには、
（１）インク粘度を最適範囲に調整し、ノズルからの良好なインク吐出性を確保すること、
（2）インク液滴の乾燥過程における有機材料の結晶化や凝集を抑制し、所望の領域のみに薄膜を形成することが必要である。
【０００６】
従来、発光素子や有機半導体における有機材料を溶解する溶剤粘度は５ｍＰａ・ｓ以下であることから、蒸留または昇華精製可能な低分子有機材料を、液滴吐出容量が１０ピコリットル以上のインクジェット装置で、安定して吐出できるインク組成物を得ることが困難となっていた。
【０００７】
本発明の目的は、蒸留または昇華精製可能な低分子有機材料で構成された有機ＥＬ表示装置の有機材料を湿式法で製造できるようにすることにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、蒸留または昇華精製可能な低分子有機材料で構成された有機ＥＬ表示装置の有機材料を湿式法で製造できるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
従来、インクジェット法による有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子の有機層の製作には、高分子有機材を芳香族溶剤に溶解したインク組成物が用いられていた。このインク組成物に好適と考えられており、且つ市販されている溶剤の沸点と粘度との関係の一例を図１に示す。図１から分かるように、高分子有機材に好適な溶剤の粘度は５ｍＰａ・ｓ以下である。高分子有機材の場合、溶剤に溶解すると粘度は数倍増加することから、粘度の低い溶剤を用いてもインクジェットによるインク吐出に必要な最適粘度を得ることが可能である。
【００１０】
一般に、低分子有機材に代表される蒸留又は昇華精製可能である有機材料は、溶媒への溶解性が低く、凝集性も高い。そのため、均一な非晶質薄膜を形成することは困難であるとされていた。特に、低分子有機材の場合は、低分子有機材自体が粘度増加に寄与しないため、安定吐出できるインク組成物を得るには高粘度の溶剤を用いる必要がある。
【００１１】
しかし、インクの安定吐出に必要な粘度が得られるインクジェット用インク組成物は知られていなかった。
そこで、本発明者らは、昇華精製で高純度化できる低分子有機材料のインクに好適な溶剤について詳細に検討を行い、低分子有機材料をインク化して、インクジェット法で低分子系有機EL素子を製造する方法を検討した。その結果、下記化学式１乃至６のいずれかのインク組成物を用いて非晶質膜を形成すれば、均一な非晶質膜をインクジェット法に代表される湿式法で形成できることを見出した。
【００１２】
【化１】
2007281386.tif 000003
【化２】
2007281386.tif 000004
【化３】
2007281386.tif 000005
【化４】
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【化５】
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【化６】
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【００１３】
ここでAは炭素数４以下のアルキリ基を表す。Bは塩素または臭素を表す。また、Dは電子供与基を表し、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基の中から選ばれる置換基である。このインク組成物は、高沸点を有していることから乾燥後に発光層の中により残留し易いという特徴がある。また本発明の芳香族化合物は溶かされる発光材等の有機材分子よりも疎水性が高いという特徴がある。
【００１４】
つまり、上記インク組成物を用いて製造した場合、有機ＥＬ表示装置の有機材料層に、上記化学式１乃至４の化合物を存在させることができ、そして、その有機材料層は、疎水性が高く、有機ＥＬ表示装置の発光層を含む有機層への水分子の進入を抑制するという効果があり、有機ＥＬ表示装置の長寿命化に寄与することができる。
【００１５】
また、化学式1で表される具体的な芳香族化合物として、２−エトキシ−１,３−ジメトキシベンゼン、１−エトキシ−２,３−ジメトキシトルエン、３−エトキシ−１,２−ジメトキシトルエン、１,２,３−トリメトキシトルエン、１,２,３−トリメトキシ−５−エチルベンゼン、１,２,３−トリメトキシ−５−（ｎ−プロピル）ベンゼン、１,２,３−トリメトキシ−５−（ｉｓｏ−プロピル）ベンゼン、１,２,３−トリメトキシ−５−（ｎ−ブチル）ベンゼン、１,２,３−トリメトキシ−５−（ｔｅｒｔ-ブチル）ベンゼン、１,２,３−トリメトキシ−５−（ｉｓｏ-ブチル）ベンゼンを上げることができる。
【００１６】
また、化学式２で表される具体的な芳香族化合物として、１,２,３,５−テトラメトキシベンゼンが上げられる。
【００１７】
また、化学式３で表される芳香族化合物として1,2-ジメトキシ-４-ブロモベンゼン、１,２-ジメトキシ-4-クロロベンゼンがある。
【００１８】
また、化学式４で表される芳香族化合物として、１,２−ジメトキシ−４,５−ジブロモベンゼン、１,２−ジメトキシ−４,５−ジクロロベンゼンを上げることができる。
【００１９】
また、化学式5で表される芳香族化合物としては、６−ブロモ−１,４−ベンゾジオキサン、５−ブロモ−１,４−ベンゾジオキサンがある。
【００２０】
また、化学式６で表される芳香族化合物として、２−（４−ブロモフェニル）−１,３−ジオキソラン、２−（３−ブロモフェニル）−１,３−ジオキソラン、２−（４−ブロモフェニル）−１,３−ジオキソランを上げることができる。
【００２１】
本発明で用いる溶剤の沸点と粘度との関係の一例を、高分子発光材の溶剤に好適とされている芳香族溶剤の沸点と粘度との関係を図２に示す。本発明で用いる溶剤粘度は、高分子発光材の溶剤のものと比較して高く、低分子発光材のインク溶剤として好適であることが分かる。化学式１から化学式６の中には室温で固体である芳香族化合物もあるが、二種以上の化合物を混合して室温で液体状とできることから、本発明の溶剤として適用可能である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、低分子有機層を湿式法で成膜した有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本実施例を説明する。
【実施例１】
【００２４】
図３に、本実施例で採用した層構造を示す。第１基板上は、ガラス製の基板ＳＵＢ、下地層ＵＣ、ポリシリコン層ＦＧ、ゲート絶縁膜ＧＩ、金属ゲート電極層ＳＧ、第１層間絶縁層ＩＬＩ１、ソース・ドレイン金属層ＳＤ、第２層間絶縁層ＩＬＩ２、ＥＬ素子下部電極層ＡＤ、バンクＢＡＮＫ、有機機能層ＯＥＭ（ホール注入層ＨＩＬ、発光層ＯＬＥ、電子輸送層ＥＴＬ）、上部電極ＣＤの順に積層された構造を備えている。基板ＳＵＢは、厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラスである。下地層ＵＣは、プラズマＣＶＤによって形成された厚さ１５０ｎｍの窒化シリコン層と、厚み１００ｎｍの酸化シリコン層で構成されている。ｐ-Ｓｉ層ＦＧは、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）の形成個所及び容量ＣＡＰ形成箇所に、島状に形成されている。詳細な形成箇所は図を用いて後述する。
【００２５】
ゲート絶縁層ＧＩは、一般にＴＥＯＳ膜として称される厚さ１１０ｎｍの酸化シリコン層で構成されている。金属ゲート電極層ＳＧは、ゲート絶縁層ＧＩ上であって、ｐ−Ｓｉ層ＦＧとの重畳領域に、厚さ１５０ｎｍのＭｏＷで構成されている。
【００２６】
第１層間絶縁膜ＩＬＩ１は、金属ゲート電極層ＳＧの上層とゲート絶縁層ＧＩのＴＥＯＳ膜の上にプラズマＣＶＤによって形成された厚さ５００ｎｍのＳｉＯで構成されている。ソース・ドレイン金属層ＳＤは、厚さ３８ｎｍ、５００ｎｍ、７５ｎｍのＭｏＷ/ＡｌＮ/ＭｏＷの積層構造で構成されている。
前述のゲート絶縁膜層ＧＩと第１層間絶縁層ＩＬＩ１には、必要に応じて開口が形成されており、その開口側壁及び底部にも、ソース・ドレイン層が形成され、ＭｏＷ/ＡｌＮ/ＭｏＷの積層構造で接続する第１コンタクトホールが形成されている。
【００２７】
第２層間絶縁膜ＩＬＩ２は、この第１コンタクトホール及び前述の第１層間絶縁膜ＩＬＩ１上にプラズマＣＶＤで形成された厚さ５００ｎｍのＳｉＮ膜で構成されている。なお、この第２層間絶縁膜は、第１コンタクトホールとはずれた位置に開口として、第２コンタクトホールを備えている。下部電極ＡＤは、第２層間絶縁膜の上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さでスパッタで成膜し、フォトリソブラフィー法により一部をエッチング処理してパターニングし、画素毎に分割されている。また、第２コンタクトホールの内部（側壁面と底面）をも被覆している。
【００２８】
バンクＢＡＮＫは、画素部を取り囲むように画素を区画する膜圧２μｍの隔壁層（バンク）である。これはアクリル系高分子樹脂を含む感光性樹脂組成物を用いてフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより、形成する。なお、バンクＢＡＮＫの表面に撥インク性を付与するために、バンクＢＡＮＫ形成後、フッ素プラズマ処理を行った。
【００２９】
ホール注入層ＨＩＬは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液（バイエル）にイソプロピルアルコールを20wt％添加した溶液を０．４５μｍのＰＴＦＥ製フィルターを通して正孔注入材料インクとし、これを基板画素部にインクジェット装置を用いて６０ｎｍの厚さに成膜して正孔注入層を形成し、２００℃のホットプレートで２０分間ベークして形成した。なお、ホール注入層ＨＩＬは、バンクの開口から露出している下部電極上とバンクの斜面に形成されている。
【００３０】
発光層ＯＬＥは、１,３,５−Ｔｒｉｓ［４−（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｅｎｚｅｎｅ, Ｔｒｉｓ［２−（２−ｐｙｒｉｄｉｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ,Ｎ］−ｉｒｉｄｉｕｍ; Ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ （ＩＩＩ） （Ｉｒ（ｐｐｙ）３） ,１,３−ｂｉｓ （５−ｐ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ） −１,３,４−ｏｘａｄｉａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ を１００：８０：６の重量比で混合し、１,２,３−トリメトキシベンゼントと３,４,５−トリメトキシトルエンの１：１混合溶媒に固形分濃度が０．５ｗｔ％となるように溶解して０．２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを通して発光材料インク（インクの粘度は５ｍＰａ・ｓ）とし、ピエゾ式インクジェット装置で上記インクを吐出し、８５℃のホットプレートで１５分間ベークして、画素内の正孔注入層上に50nmの厚さに成膜して形成された非晶質膜である。
【００３１】
この発光層ＯＬＥは、ベーク後も、１,２,３−トリメトキシベンゼントと３,４,５−トリメトキシトルエンが若干検出された。したがって、この発光層は耐水性が高い膜であるといえる。
【００３２】
電子輸送層ＥＴＬは、発光層ＯＬＥを形成した後、１０−６ｔｏｒｒの真空下においてＴｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ）（Ａｌｑ３）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で１０ｎｍ蒸着することにより形成した膜である。図中、符号を付していないが、電子輸送層ＥＴＬを形成後、ＬｉＦを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で０．５ｎｍ蒸着してある。これは上部電極との界面の仕事関数を調整することで、電子注入能力を向上するためである。
【００３３】
上部電極ＣＤは、ＬＩＦを蒸着後、Ａｌを蒸着速度１ｎｍ／秒で１００ｎｍ蒸着することにより形成した電極である。前述の界面での仕事関数の調整は、このＡｌの蒸着エネルギーにより、ＬｉとＦが分離して、隣接するＡｌ蒸着膜又は電子輸送層ＥＴＬと反応することを利用してなされている。
【００３４】
以上のようにして得た有機ＥＬ素子を、酸素濃度１ｐｐｍ以下のグローブボックス中に配置し、下部電極（アノード）であるＩＴＯと上部電極（カソード）であるAｌとの間に直流電圧を印加し発光させた。緑画素では、１０Ｖの印加により輝度１０８０ｃｄ／ｍ2で画素内の輝度が均一な緑色発光を得た。赤画素、青画素は輝度を測定していないが、従来よりも明るい均一な発光を確認できた。
【実施例２】
【００３５】
厚さ１５０μmのポリイミド基板上に１０−６ｔｏｒｒの真空下においてＡｕを蒸着速度０．１ｎｍ/秒で２０ｎｍ蒸着した。これをフォトリソグラフィー法によりパターニングし、ソース・ドレイン電極を形成した。ソース、ドレイン間のチャネル長は１０μｍとした。
【００３６】
次に、１,３,５−Ｔｒｉｓ［４−（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｅｎｚｅｎｅ（ＴＤＡＰＢ,バイエル）を１,２,３−トリメトキシベンゼンと３,４,５−トリメトキシトルエンの１：１混合溶媒に固形濃度が０．５ｗｔ％となるように溶解して、０．２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを通して有機半導体層形成インクとした。
【００３７】
このインクをピエゾ式インクジェット装置で画素内の正孔注入層上に５０ｎｍの厚さに成膜し、85℃のホットプレートで１５分間ベークして非晶質を得た。
【００３８】
続いて大気圧プラズマ放電装置を用い、Ａｒ（９８．２ｖｏｌ％）、デトラメキシシラン（０．３ｖｏｌ％）、Ｈ2ガス（１．５ｖｏｌ％）から成る混合ガスを用いて厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2膜をゲート絶縁膜として形成した。
【００３９】
最後にＡｇペーストを用いてスクリーン印刷により幅２０μｍのゲート電極を形成し、有機薄膜トランジスタを得た。作成された有機薄膜トランジスタのキャリア移動度を測定したところ、１×１０-5ｃｍ2／Ｖｓであった。
【００４０】
さらに、この有機薄膜トランジスタを実施例１のｐ−ｓｉＴＦＴの代わりに有機ＥＬ表示装置に適用すれば、フレキシブルな曲がる有機ＥＬ表示装置の表示品位を向上できる。つまり、この有機薄膜トランジスタで画素回路を構成し、その上に、絶縁膜を介してフッ素プラズマ処理を施したバンクの開口に露出した下部電極を積層して前記画素回路と接続し、絶縁膜と下部電極の最表面にホール注入層ＨＩＬ、ホール輸送層ＨＴＬ、有機機能層ＯＥＭ、電子輸送層ＥＴＬ、ＬｉＦ／Ａｌのべた電極（全表示画素共通電極）を形成するようにすると、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置の能力を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】高分子発光材の溶剤に好適とされている芳香族溶剤の沸点と粘度との関係を示すである。
【図２】本発明で用いる溶剤の沸点と粘度との関係の一例を、高分子発光材の溶剤に好適とされている芳香族溶剤の沸点と粘度との関係を示す図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
ＳＵＢ・・・基板、ＵＣ・・・下地層、ＦＧ・・・ポリシリコン層、ＧＩ・・・ゲート絶縁膜、ＳＧ・・・金属ゲート電極層、ＩＬＩ１・・・第１層間絶縁層、ＳＤ・・・ソース・ドレイン金属層、ＩＬＩ２・・・第２層間絶縁層、ＡＤ・・・ＥＬ素子下部電極層、ＢＡＮＫ・・・バンク、ＯＥＭ・・・有機機能層（ホール注入層ＨＩＬ、発光層ＯＬＥ、電子輸送層ＥＴＬ）、ＣＤ・・・上部電極。
【図１】
2007281386.tif 000021
【図２】
2007281386.tif 000022
【図３】
2007281386.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月14日(2006.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
有機材料層を備えた有機ＥＬ表示装置において、
前記有機材料層が、以下化学式１から６のいずれかを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【化１】
2007281386.tif 000024
【化２】
2007281386.tif 000025
【化３】
2007281386.tif 000026
【化４】
2007281386.tif 000027
【化５】
2007281386.tif 000028
【化６】
2007281386.tif 000029
（A：炭素数４以下のノアルキル基の中から選ばれる置換基、B：塩素若しくは臭素、D：電子供与性の置換基のうち、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基の中から選ばれる置換基であって、少なくとも２個がメトキシ基であるものを示す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１において、
前記化学式１乃至６のいずれかが、１,２,３−トリメトキシトルエン、１,２,３,５−テトラメトキシベンゼン、１,２-ジメトキシ-５-ブロモベンゼン、３,４−ジメトキシ−６−ブロモトルエン、１,２,３−トリメトキシ−５−ブロモベンゼン、３−ブロモ−１,２−ベンゾジオキサンの中から選ばれた少なくとも一つの化合物であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１において、
前記化学式１乃至６のいずれかは、室温で固体芳香族化合物同士を混合して成るものであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１において、
前記化学式１乃至６のいずれかは、その粘度が８ｍＰａ・ｓ以上であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項６において、
前記化学式１乃至６のいずれかが、１,２,３−トリメトキシトルエン、１,２,３,５−テトラメトキシベンゼン、１,２−ジメトキシ−５−ブロモベンゼン、３,４−ジメトキシ−６−ブロモトルエン、１,２,３−トリメトキシ−５−ブロモベンゼン、３−ブロモ−１,２−ベンゾジオキサンの中から選ばれた少なくとも一つの化合物であることを特徴とする有機薄膜デバイスの製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
つまり、上記インク組成物を用いて製造した場合、有機ＥＬ表示装置の有機材料層に、上記化学式１乃至６の化合物を存在させることができ、そして、その有機材料層は、疎水性が高く、有機ＥＬ表示装置の発光層を含む有機層への水分子の進入を抑制するという効果があり、有機ＥＬ表示装置の長寿命化に寄与することができる。