(57)【要約】【課題】  深さ方向元素分析方法に関し、３ｎｍ以下の極表面領域の元素分布を高精度で取得する。【解決手段】  イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオン４を検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射して、試料１の極表面での元素分布評価を行う。【選択図】          図１
2007256200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料表面から放出される二次イオンを検出する深さ方向元素分析方法において、前記試料を酸素雰囲気に曝した状態でイオンビームを照射して、前記試料の極表面での元素分布評価を行うことを特徴とする深さ方向元素分析方法。
【請求項２】
上記試料を酸素雰囲気に曝した状態で、二次イオンを励起するための一次イオンとして、アルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンのいずれかを用いることを特徴とする請求項１記載の深さ方向元素分析方法。
【請求項３】
上記試料を酸素雰囲気に曝した状態でアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンを照射したのち、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオンを一次イオンとして用いて二次イオンを励起することを特徴とする請求項１記載の深さ方向元素分析方法。
【請求項４】
上記酸素雰囲気を構成する酸素の上記試料表面への供給量が、前記試料を構成する主構成元素の酸化物の化学量論比に対して、化学量論比を満たす量或いは化学量論比より酸素リッチの状態を実現する供給量であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の深さ方向元素分析法。
【請求項５】
上記酸素雰囲気を構成する酸素を供給する手段が、リークバルブ、イオンガン、或いは、プラズマ発生機構のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の深さ方向元素分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は深さ方向元素分析方法に関するものであり、特に、二次イオン質量分析方法（ＳＩＭＳ法）を用いて微小領域における深さ方向の元素の分布を測定する際に試料の極表面のｔｒａｎｓｉｅｎｔ領域における元素分布を高精度で得るための構成に特徴のある深さ方向元素分析方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、ウエル領域やチャネルドープ領域等における不純物濃度及びその分布がデバイス特性に大きな影響を与えるが、近年の微細化、薄層化の進展に伴って半導体基板や堆積させた薄膜の表面から浅い領域における不純物濃度分布を精度良く形成することが求められている。
【０００３】
この様な要請に応えるためには、測定対象領域における不純物濃度分布を高精度に把握する必要があり、そのために、半導体基板や堆積させた薄膜の表面から深さ方向の不純物等の元素分布の測定のための代表的手段である二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）が主に用いられているので、ここで、図５を参照して従来のＳＩＭＳ法を説明する。
【０００４】
図５参照  
図５は、従来のＳＩＭＳ装置の概略的構成図であり、測定対象となる試料４１を固定保持するとともに、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向への移動と傾斜及び回転が可能な試料ホルダー４２、一次イオン源となる酸素イオン銃４３及びセシウムイオン銃４４、二次イオンを質量分析する四重極型質量分析器４５、分析したイオンの量を測定する検出器４６、イオン照射による帯電を補正する電子銃４７によって構成される。
【０００５】
なお、正の二次イオンを発生させる場合には酸素イオン銃４３を用い、負の二次イオンを発生させる場合にはセシウムイオン銃４４を用いる。
また、微小領域の分析には，一次イオンに収束性の高い液体金属、例えば、Ｇａ（ガリウム）を用いることでその対応がなされている。
【０００６】
この二次イオン質量分析法は、試料表面にイオンを照射して発生する二次イオンの質量分析を行うことによって組成分析を行うもので、スパッタエッチング現象を利用しているため深さ方向の組成分析が可能になるものである。
【０００７】
近年のデバイスの微細化や薄層化の進行にともなって、デバイス表面のデータの取得が重要になっているが、二次イオン質量分析法においてはスパッタリング初期にスパッタリングが平衡状態で行われないので、試料の極表面の元素分布を精度良く得るために、一次イオンの照射エネルギを低くしたり或いは入射角度を変化させることでスパッタリングレートを遅くし、スパッタリングの定常状態に達するまでにエッチングされる量を減らすことで対応していた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３１０９６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、一次イオンの加速エネルギーや入射角度を変化させると、試料内でのスパッタリング速度が変化し、それによって二次イオンの深さプロファイルが変化するため、元素分布を正確に評価するためには、多くの測定データとデータ解析が必要になるという問題がある。
【０００９】
また、スパッタリングが定常に達する前のｔｒａｎｓｉｅｎｔ領域では，表面に形成された自然酸化膜の影響を受け、真の元素分布をに対応した信号強度が得られず，極表面領域（約３ｎｍ以下）の評価が困難であるという問題もある。
【００１０】
したがって、本発明は、３ｎｍ以下の極表面領域の元素分布を高精度で取得することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図面における符号５は、二次イオン検出手段である。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオン４を検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する深さ方向元素分析方法において、試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射して、試料１の極表面での元素分布評価を行うことを特徴とする。
【００１２】
このように、常に試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射することによって、常に表面に自然酸化膜が形成された状態でスパッタリングが行われるため、自然酸化膜が形成されている極表面と同じ状態での二次イオン４検出が可能になり、測定が困難とされていた極表面の元素分布を高精度に測定することが可能になる。
【００１３】
この場合に用いる二次イオン４を励起するための一次イオン３としては、アルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンのいずれかを用いることが好適であり、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃａ等が挙げられるが、液体金属であるためビームを絞り易いＣｓが望ましい。
【００１４】
また、試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンを照射したのち、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオンを一次イオン３として用いて二次イオン４を励起しても良く、それによって、イオン源の特性により一次イオン３をより細く絞ることができるので、より微小領域の分析が可能になる。
【００１５】
なお、この場合のアルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオンとしては、液体金属であるＧａイオン、溶融が容易なＡｕイオン、Ｂｉイオン、Ｉｎイオン、或いは、Ｓｎイオンのいずれかが好適である。
【００１６】
また、酸素雰囲気２を構成する酸素の試料１の表面への供給量は、試料１を構成する主構成元素の酸化物の化学量論比に対して、化学量論比を満たす量或いは化学量論比より酸素リッチの状態を実現する供給量であることが望ましく、それによって、試料１の表面には化学量論比を満たす酸化物が形成されるので、常に極表面と同じ状態を実現することができる。
【００１７】
なお、この場合の酸素供給量は、試料１の一部に一次イオン３を照射して得られた二次イオン４の強度がいったん上昇した後下がり始めた酸素導入量を酸素供給量として決定しても良い。
【００１８】
あるいは、酸素分圧が１×１０-7Ｔｏｒｒ以下の低真空度を酸素供給量として機械的に定めて測定を行っても良いものであり、いずれにしても、飽和もしくは過飽和状態を実現することができる。
【００１９】
また、酸素雰囲気２を構成する酸素を供給する手段としては、リークバルブ、イオンガン、或いは、プラズマ発生機構のいずれでも良いが、イオンガンを用いる場合には、イオンによるスパッタが実効的に起こらない程度の低加速エネルギーで照射することが必要になる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、測定中の試料は自然酸化膜が形成されている極表面と常に同じ状態でスパッタリングが行われるので、３ｎｍ以下の極表面に分布する元素の分布を高精度で測定することが可能になり、ひいては、デバイスの製造プロセスの確認や故障解析が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明は、半導体ウェハ等の試料を過飽和状態の酸素雰囲気、例えば、酸素分圧が１×１０-7Ｔｏｒｒ以下の低真空度の酸素雰囲気に曝した状態で一次イオンとしてアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオン、例えば、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃａ等のイオンビームを照射して、イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料の表面から放出される二次イオンを検出し試料の極表面での元素分布評価を行うものである。
【００２２】
或いは、試料を過飽和状態の酸素雰囲気、例えば、酸素分圧が１×１０-7Ｔｏｒｒ以下の低真空度の酸素雰囲気に曝した状態で一次イオンとしてアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンを照射したのち、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオン、例えば、液体金属であるＧａイオン、溶融が容易なＡｕイオン、Ｂｉイオン、Ｉｎイオン、或いは、Ｓｎイオンのいずれかを一次イオンとして用いて二次イオンを励起して試料の極表面での元素分布評価を行っての良い。
【実施例１】
【００２３】
ここで、図２を参照して、本発明の実施例１の深さ方向元素分析方法を説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施例１の深さ方向元素分析方法に用いる二次イオン質量分析装置の概念的構成図であり、排気口１２及びガス導入口１３を有する測定チャンバー１１、試料１５を載置・駆動するゴニオステージ１４、一次イオンとしてのＣｓ+ イオン１７を照射するＣｓイオン銃１６、試料１５から発生した二次イオン１８を質量分析する四重極型質量分析器１９、質量分析したイオンの量（数）を測定する検出器２０、試料１５の表面近傍に酸素ガス２２を供給するノズル２１、ノズル２１の開閉を制御するリークバルブ２３によって構成される。
なお、ここでは、試料１５としてＡｓをドープしたシリコン基板を用いた。
【００２４】
まず、１×１０-9Ｔｏｒｒのベース圧力まで真空排気した測定チャンバー１１内にリークバルブ２３を開にしてノズル２１から酸素ガス２２を導入して１×１０-7Ｔｏｒｒ以下の低真空度、例えば、２．０×１０-6Ｔｏｒｒの酸素雰囲気になった状態で、０．５ｋｅＶのＣｓ+ イオン１７を照射して四重極型質量分析器１９及び検出器２０によって発生した二次イオン１８の検出・分析を行う。
【００２５】
この場合、酸素ガス２２を試料１５の表面に過飽和の状態に、即ち、試料を構成する主構成元素の酸化物の化学量論比に対して、化学量論比、試料１５がシリコン基板の場合にはＳｉ：Ｏ＝１：２のＳｉＯ2 を満たす量或いは化学量論比より酸素リッチの状態を実現する供給量を供給しているので、試料の表面に酸素が過飽和の状態となって常に極表面と同様に自然酸化膜が形成される状態で一次イオンが照射される。
【００２６】
この本発明の実施例１においては、試料の表面に常に極表面と同様に自然酸化膜を形成される状態で一次イオンを照射しているので、試料の極表面も内部と同じ条件ですることができ、それによって、より精度の高い元素分布を得ることができる。
【００２７】
このように、試料の極表面の不純物分布を精度良く取得することによって、デバイスの微細化或いは薄層化に伴って発生する故障の解析や、デバイスの製造プロセスの確認が可能になる。
【実施例２】
【００２８】
次に、図３及び図４を参照して、本発明の実施例２の深さ方向元素分析方法を説明する。
図３参照  
図３は、本発明の実施例２の深さ方向元素分析方法に用いる二次イオン質量分析装置の概念的構成図であり、排気口１２及びガス導入口１３を有する測定チャンバー１１、試料１５を載置・駆動するゴニオステージ１４、Ｃｓ+ イオン１７を照射するＣｓイオン銃１６、一次イオンとしてのＧａ+ イオン２５を照射するＧａイオン銃２４、試料１５から発生した二次イオン１８を質量分析する四重極型質量分析器１９、質量分析したイオンの量（数）を測定する検出器２０、試料１５の表面近傍に酸素ガス２２を供給するノズル２１、ノズル２１の開閉を制御するリークバルブ２３によって構成される。
なお、ここでは、試料１５としてＡｓを３ｋｅＶの加速エネルギーで１×１０15ｃｍ-2ドープしたシリコン基板を用いた。
【００２９】
まず、１×１０-9Ｔｏｒｒのベース圧力まで真空排気した測定チャンバー１１内にリークバルブ２３を開にしてノズル２１から酸素ガス２２を導入して１×１０-7Ｔｏｒｒ以下の低真空度、例えば、２．０×１０-6Ｔｏｒｒの酸素雰囲気にした状態で、例えば、０．５ｋｅＶのＣｓ+ イオン１７を約３００μｍ×３００μｍの領域に３０ｎＡで５０μ秒照射したのち、１５ｋｅＶのＧａ+ イオン２５を約１５０μｍ×１５０μｍの領域に１ｐＡで１０ｎ秒照射しこの交互の照射を数回、例えば、７回繰り返し、四重極型質量分析器１９及び検出器２０によって発生した二次イオン１８の検出・分析を行う。
【００３０】
この場合、酸素ガス２２とともにＣｓ+ イオン１７を試料１５の表面に供給しているので、単独では二次イオン発生効率の低いＧａ+ イオンを照射しても、上記の実施例１と同程度の感度でＡｓを検出することができるとともに、イオン源の特性により一次イオンをより細く絞ることができるので、より微小領域の分析ができる。
【００３１】
図４参照  
図４は、本発明の実施例２による分析結果を示すＡｓ濃度分布図であり、従来のように単に１×１０-9Ｔｏｒｒの高真空度で測定した場合と比べて、常に酸化状態の試料の表面を測定しているので、二次イオン放出率が低下するため、半桁程度の低い検出感度となる。
【００３２】
また、この測定結果を、より測定精度の高いラザフォード後方散乱法によって求めた３ｎｍ以下の極表面での元素分布と比較したところ、図に示すように近似しているので、本発明の手法の有効性が分かる。
【００３３】
このように、本発明の実施例２においては、より狭い領域の分析を行うためにイオンビームを絞り易いＧａ+ イオンを一次イオンとして用いる際に、試料の表面に予め酸素ガスを供給するとともに、Ｃｓ+ イオンを供給しているので、高感度で極表面の元素分布の評価が可能になる。
【００３４】
なお、この実施例２において、四重極型質量分析器１９及び検出器２０による検出タイミングを調整することによって、Ｃｓ+ イオンの照射時の二次イオンを検出することもできるし、或いは、Ｇａ+ イオンの照射時の二次イオンを検出することもでき、さらには、両方の照射時の二次イオンを連続して検出することもできる。
【実施例３】
【００３５】
次に、本発明の実施例３の深さ方向元素分析方法を説明するが、使用する装置は図３に示した二次イオン質量分析装置と全く同様である。
まず、１×１０-9Ｔｏｒｒのベース圧力まで真空排気した測定チャンバー１１内にリークバルブ２３を開にしてノズル２１から酸素ガス２２を徐々に導入して、試料１５の一部を用いて二次イオンの検出強度を測定する。
【００３６】
この場合の二次イオンの検出強度は、酸素ガス２２の導入量とともに仕事関数が低下し二次イオン強度が増大して極大になったのち、表面近傍の未反応の酸素ガス分子が増加してきた二次イオンの検出を阻害して低下していく。
即ち、この極大値において、試料１５に対して酸素が過飽和になった状態となるので、この極大となる酸素ガス２２の導入量或いはそれ以上の酸素ガス２２を導入する。
この場合の導入量は、上記の実施例２と同様に、１×１０-7Ｔｏｒｒ以下の低真空度、例えば、２．０×１０-6Ｔｏｒｒの酸素雰囲気となる。
【００３７】
このような酸素ガス２２の導入量を予め決定したのち、上記の実施例２と同様に、決定した供給量の酸素ガス２２を供給した状態で、例えば、０．５ｋｅＶのＣｓ+ イオン１７を約３００μｍ×３００μｍの領域に３０ｎＡで５０μ秒照射したのち、１５ｋｅＶのＧａ+ イオン２５を約１５０μｍ×１５０μｍの領域に１ｐＡで１０ｎ秒照射しこの交互の照射を数回、例えば、７回繰り返し、四重極型質量分析器１９及び検出器２０によって発生した二次イオン１８の検出・分析を行う。
【００３８】
この本発明の実施例３においては、測定対象となる試料の一部を用いて酸素が過飽和になる条件、即ち、試料の表面に化学量論比を満たす酸化膜が常に形成される条件を各試料毎に確認した上でＳＩＭＳ測定を行っているので、より精度の高い測定を確実に行うことが可能になる。
【００３９】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、一次イオンとして電気陰性度の高いアルカリ金属のＣｓを用いているが、Ｃｓに限られるものではなく、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂの他のアルカリ金属或いは、アルカリ金属と同様に電気陰性度の高いアルカリ土類金属、例えば、Ｃａを用いても良いものである。
なお、取扱容易性の観点からは、Ｃｓ以外の元素としては、Ｌｉ或いはＮａが好適である。
【００４０】
また、上記の各実施例においては、酸素ガスをリークバルブを介してノズルから供給しているが、酸素ガスに限られるものではなく、酸素イオン銃を用いて酸素イオンとして供給しても良いものである。
但し、この場合、酸素イオンによるスパッタエッチングが生ずることは望ましくないので、スパッタエッチングが生じないように、０．２ｋｅＶ以下の加速エネルギーで照射する必要がある。
【００４１】
さらには、酸素をプラズマの形で供給して良いものであり、測定チャンバー内に酸素プラズマを発生させる機構を設けるダイレクトプラズマでも良いし、或いは、測定チャンバーの外で発生させた酸素プラズマを測定チャンバー内に導入するリモートプラズマでも良い。
【００４２】
また、上記の実施例２或いは実施例３においては、一次イオンとして液体金属であるＧａを用いているが、Ｇａ+ イオンに限られるものではなく、Ａｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、或いは、Ｓｎ等の溶融が容易な金属が望ましい。
即ち、これらの金属は液体金属或いは溶融が容易な金属であるので、イオン銃内において溶融して点状のイオン源とすることができるので、レンズで収束させる場合の収束性が高くなる。
なお、ＨｇやＰｂでも原理的には問題はないが、環境汚染等が問題になる。
【００４３】
また、上記の実施例３では、実施例２と同様に酸素ガスとアルカリ金属或いはアルカリ土類金属を供給した状態で一次イオンとしてＧａ+ イオンを照射して二次イオンを励起しているが、実施例１のように、酸素ガスを供給した状態で一次イオンとしてＣｓ+ イオンを照射して二次イオンを励起する場合にも、酸素の供給量を予め測定することにより決定するようにしても良いものである。
【００４４】
また、上記の各実施例においては、二次イオン検出手段として四重極型質量分析器を用いているが、四重極型質量分析器に限られるものではなく、磁場（セクター）型質量分析器或いは飛行時間（ＴＯＦ）型質量分析器等の他の構成の質量分析器を用いても良いことは言うまでもない。
【００４５】
また、上記の各実施例においては言及を省略しているが、図５に示した従来例と同様に、イオン照射に伴う帯電を補正するために電子銃を設けることが望ましい。
【００４６】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオン４を検出する深さ方向元素分析方法において、前記試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する深さ方向元素分析方法において、前記試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射して、前記試料１の極表面での元素分布評価を行うことを特徴とする深さ方向元素分析方法。
（付記２）  上記試料１を酸素雰囲気２に曝した状態で、二次イオン４を励起するための一次イオン３として、アルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンのいずれかを用いることを特徴とする付記１記載の深さ方向元素分析方法。
（付記３）  上記試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンを照射したのち、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオンを一次イオン３として用いて二次イオン４を励起することを特徴とする付記１記載の深さ方向元素分析方法。
（付記４）  上記アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオンが、Ｇａイオン、Ａｕイオン、Ｂｉイオン、Ｉｎイオン、或いは、Ｓｎイオンのいずれかであることを特徴とする付記３記載の深さ方向元素分析方法。
（付記５）  上記酸素雰囲気２を構成する酸素の上記試料１の表面への供給量が、前記試料１を構成する主構成元素の酸化物の化学量論比に対して、化学量論比を満たす量或いは化学量論比より酸素リッチの状態を実現する供給量であることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載の深さ方向元素分析法。
（付記６）  上記酸素雰囲気２を構成する酸素の上記試料１の表面への供給量を、前記試料１の一部に一次イオン３を照射して得られた二次イオン４の強度がいったん上昇した後下がり始めた時点の酸素導入量とすることを特徴とする付記５記載の深さ方向元素分析方法。
（付記７）  上記酸素雰囲気２が、酸素分圧が１×１０-7Ｔｏｒｒ以下の低真空度であることを特徴とする付記５記載の深さ方向元素分析方法。
（付記８）  上記酸素雰囲気２を構成する酸素を供給する手段が、リークバルブ、イオンガン、或いは、プラズマ発生機構のいずれかであることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１に記載の深さ方向元素分析方法。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の活用例としては、半導体集積回路装置における不純物元素の分析が典型的なものであるが、成膜した絶縁膜或いはシリサイド膜等における成膜方向の組成分布の測定にも適用されるものであり、さらには、薄膜磁気ヘッド等の金属膜を含む多層構造膜の成膜方向の組成分布の測定にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の深さ方向元素分析方法に用いる二次イオン質量分析装置の概念的構成図である。
【図３】本発明の実施例２の深さ方向元素分析方法に用いる二次イオン質量分析装置の概念的構成図である。
【図４】本発明の実施例２による分析結果を示すＡｓ濃度分布図である。
【図５】従来のＳＩＭＳ装置の概略的構成図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  試料
２  酸素雰囲気
３  一次イオン
４  二次イオン
５  二次イオン検出手段
１１  測定チャンバー
１２  排気口
１３  ガス導入口
１４  ゴニオステージ
１５  試料
１６  Ｃｓイオン銃
１７  Ｃｓ+ イオン
１８  二次イオン
１９  四重極型質量分析器
２０  検出器
２１  ノズル
２２  酸素ガス
２３  リークバルブ
２４  Ｇａイオン銃
２５  Ｇａ+ イオン
４１  試料
４２  試料ホルダー
４３  酸素イオン銃
４４  セシウムイオン銃
４５  四重極型質量分析器
４６  検出器
４７  電子銃
【図１】
2007256200.tif 000003
【図２】
2007256200.tif 000004
【図３】
2007256200.tif 000005
【図４】
2007256200.tif 000006
【図５】
2007256200.tif 000007