(57)【要約】【課題】成膜粒子の入射エネルギー及び相分離の度合いの制御性を向上させることが可能な、相分離膜の製造方法を提供する。【解決手段】陰極アーク放電により陰極材料のアークプラズマ２４を発生させる工程と、前記アークプラズマ中のイオンを基板２３に照射する工程と、該イオンにより該基板２３上に相分離する組成の材料から成る膜を形成する工程を含む相分離膜の製造方法。前記相分離する組成の材料が、ＡｌX（ＳｉYＧｅ1-Y）1-X（０．３≦Ｘ≦０．８、０≦Ｙ≦１）の組成を有するアルミニウム及びシリコン、アルミニウム及びゲルマニウム、またはアルミニウム及びシリコン及びゲルマニウムからなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極アーク放電によりアークプラズマを発生させる工程と、該アークプラズマ中の第１及び第２のイオンを基板に照射し、該基板上に、該第１のイオンを含む領域と該第２のイオンを含む領域とに相分離する膜を形成する工程を有することを特徴とする相分離膜の製造方法。
【請求項２】
前記陰極アーク放電により、陰極材料のアークプラズマが発生することを特徴とする請求項１記載の相分離膜の製造方法。
【請求項３】
前記基板に入射するイオンのエネルギーが２０ｅＶ以上２００ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項４】
前記基板に入射するイオンのエネルギーを制御する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項５】
前記膜の成長レートが１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項６】
前記相分離した構造の一方の相部分の短軸方向の平均直径が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項７】
前記相分離した構造の一方の相部分を選択的に除去する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの項に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項８】
前記相分離する組成の材料が共晶点を有する材料であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかの項に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項９】
前記相分離する組成の材料がシリコン、ゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムを含む材料であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかの項に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項１０】
前記相分離する組成の材料が、ＡｌX（ＳｉYＧｅ1-Y）1-X（０．３≦Ｘ≦０．８、０≦Ｙ≦１）の組成を有するアルミニウム及びシリコン、アルミニウム及びゲルマニウム、またはアルミニウム及びシリコン及びゲルマニウムからなることを特徴とする請求項９に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項１１】
前記相分離したアルミニウム部分を選択的に除去する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の相分離膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法により相分離膜を得る工程と、該膜の相分離した構造の一方の相部分を選択的に除去する工程と、除去した相部分の少なくとも一部に材料を堆積させる工程を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相分離膜及び構造体の製造方法に関するものである。特に共晶材料を利用して形成される、相分離膜を製造する方法に関するものである。また、上記相分離膜を用いて構造体を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体プロセスを上回る微細な構造を大面積に簡易に形成する方法として、自然に構造が形成される方法、すなわち物質の自己組織化現象を利用した方法が注目されている。自己組織化現象を利用して作製されるナノ構造体の例として、例えばアルミニウムの陽極酸化やシリコンの陽極化成により作製された多孔質皮膜が挙げられる。
【０００３】
アルミニウムの陽極酸化では、アルミニウム基板を硫酸、シュウ酸、リン酸などの酸性電解液中で陽極酸化することで、多孔質陽極酸化皮膜を得ることができる（例えば、非特許文献１参照）。この多孔質陽極酸化皮膜の特徴は、孔径が数ｎｍ〜数１００ｎｍの極めて微細な円柱状細孔が、アルミナの隔壁により数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの間隔で分断され、平行に配列するという特異的な幾何学的構造を有することにある。この円柱状の細孔は、高いアスペクト比を有し、深さ及び断面の径の一様性にも優れている。また、多孔質陽極酸化皮膜の構造は陽極酸化の条件を変えることにより、ある程度の制御が可能である。例えば、陽極酸化電圧で細孔間隔を、陽極酸化時間で細孔の深さを、リン酸などを利用して隔壁のアルミナをエッチング処理することにより細孔径をある程度制御可能であることが知られている。
【０００４】
シリコンの陽極化成では、ｐ型シリコン基板を陽極としてフッ酸水溶液中で電圧印加すると、多孔質シリコンが形成される（例えば、非特許文献２参照）。この多孔質シリコンには孔径１ｎｍ〜数１０ｎｍの無数の細孔が存在し、陽極化成の条件によって、孔径や細孔の形状及び密度を変化させることが可能である。
【０００５】
これらのような微細な細孔中に、金属や半導体などを充填させることで、磁気記録媒体、磁気センサ、ＥＬ発光素子、エレクトロクロミック素子、光学素子、太陽電池、ガスセンサなど様々なナノデバイスへの応用が期待されている。
【０００６】
また、基板１０上に共晶点を有する材料組成から成る薄膜、例えばアルミニウムシリコン混合膜１１をスパッタリングにより非平衡状態で成膜することが知られている（図８参照）。アルミニウムを主成分とするナノスケールのシリンダー状のアルミニウム部分１２と、それを取り囲むマトリックス状のシリコンを主成分とする隔壁１３に相分離した構造を有する薄膜が成長する。更に隔壁１３により互いに分断されたシリンダー状のアルミニウム部分１２を陽極酸化、又はエッチングすることで孔径、細孔間隔ともに陽極酸化アルミナを上回る極めて微細な細孔を有するナノ構造体を提供できる（特許文献１参照）。
【０００７】
また、シリンダー状のアルミニウム部分１２の直径や形状、隔壁１３の厚みは基板表面上でのスパッタ粒子の拡散に依存し、拡散を促進することで相分離が促進される（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２６６４００号公報
【特許文献２】特開２００５−０６８５５８号公報
【非特許文献１】Ｒ．Ｃ．Ｆｕｒｎｅａｕｘ，Ｗ．Ｒ．Ｒｉｇｂｙ＆Ａ．Ｐ．Ｄａｖｉｄｏｓｏｎ“ＮＡＴＵＲＥ”Ｖｏｌ．３３７、ｐ１４７、１９８９年
【非特許文献２】Ｄ．Ｒ．Ｔｕｒｎｅｒ“Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ”１０５，４０２、１９８５年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記特許文献２ではスパッタリング時に基板バイアスを印加して、スパッタプラズマ中のアルゴンイオンで基板表面を衝撃している。すなわち、スパッタ粒子自体は大半が電気的に中性であり、基板バイアスにより入射エネルギーを制御することができない。そのため、アルゴンイオンを介して基板上に飛来したスパッタ粒子にエネルギーを与えてやることで、基板表面上でのスパッタ粒子の拡散を間接的に促進している。
【０００９】
このため成膜粒子自体の入射エネルギーを向上させることが可能であれば、より相分離が促進したナノ構造を有する薄膜を得ることが可能と考えられる。また、基板上での成膜粒子の拡散を直接的に促進することが可能となれば、すなわち基板に入射する成膜粒子の入射エネルギーを直接制御することが可能となれば、相分離膜において、相分離の度合いや構造などに対する制御性がより一層向上するものと考えられる。
【００１０】
本発明は上記を鑑みて、成膜粒子の入射エネルギー及び相分離の度合いの制御性を向上させることが可能な、相分離膜の製造方法を提供する。また本発明は、上記相分離膜を用いて形成される構造体の製造方法も提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題は本発明の以下の手段により解決される。
すなわち、陰極アーク放電によりアークプラズマを発生させる工程と、該アークプラズマ中の第１及び第２のイオンを基板に照射し、該基板上に、該第１のイオンを含む領域と該第２のイオンを含む領域とに相分離する膜を形成する工程を有することを特徴とする相分離膜の製造方法である。
【００１２】
前記陰極アーク放電により、陰極材料のアークプラズマが発生することが好ましい。
前記基板に入射するイオンのエネルギーが２０ｅＶ以上２００ｅＶ以下であることが好ましい。
【００１３】
前記基板に入射するイオンのエネルギーを制御する工程を含むことが好ましい。
前記膜の成長レートが１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
前記相分離した構造の一方の相部分の短軸方向の平均直径が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
前記相分離した構造の一方の相部分を選択的に除去する工程を含むことが好ましい。
前記相分離する組成の材料が共晶点を有する材料であることが好ましい。
前記相分離する組成の材料がシリコン、ゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムを含む材料であることが好ましい。
【００１５】
前記相分離する組成の材料が、ＡｌX（ＳｉYＧｅ1-Y）1-X（０．３≦Ｘ≦０．８、０≦Ｙ≦１）の組成を有するアルミニウム及びシリコン、アルミニウム及びゲルマニウム、またはアルミニウム及びシリコン及びゲルマニウムからなることが好ましい。
【００１６】
前記相分離したアルミニウム部分を選択的に除去する工程を含むことことが好ましい。
また、構造体の製造方法は、上記の方法により相分離膜を得る工程と、該膜の相分離した構造の一方の相部分を選択的に除去する工程と、除去した相部分の少なくとも一部に材料を堆積させる工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、成膜粒子の入射エネルギー及び相分離の度合いの制御性を向上させることが可能な、相分離膜の製造方法を提供できる。また本発明は、上記相分離膜を用いて形成される構造体の製造方法も提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明の実施の形態を述べる。
図１は本発明の相分離膜の製造方法の実施の形態の一例を示す模式図である。まず、真空排気された容器２０内に、相分離する組成の材料から成る陰極２１、陽極２２、基板２３をそれぞれ配置して、陰極アーク放電により陰極２１を蒸発させる。蒸発した陰極材料はプラズマ化して、真空容器内に配置した基板２３にアークプラズマ２４中のイオンが照射され、陰極材料の膜が基板２３上に形成される。このような陰極アーク方式により発生させたアークプラズマ中のイオンは２０〜数十ｅＶの高いエネルギーを有しているため、基板に対しての密着性が非常に良く、緻密な膜が得られる特徴がある。またスパッタリングと比較して陰極材料のイオン化率が非常に高いため、バイアス用電源２５を配置して基板にバイアスを印加することにより、基板に入射するイオン（成膜粒子）の入射エネルギーを直接制御することが可能となる。すなわち高エネルギーで成膜粒子が入射するため、基板上での成膜粒子の拡散が促進されて、成長初期層から良好な相分離膜が得られると共に、バイアスによる制御性がより一層向上する利点がある。尚、使用する基板バイアスについては、ＤＣバイアス、ＲＦバイアス、ＤＣパルスバイアスなど特に限定はない。
【００１９】
前記基板に入射するイオンのエネルギーが２０ｅＶ以上２００ｅＶ以下、好ましくは４０ｅＶ以上１００ｅＶ以下であることが望ましい。
この際、膜の成長レートが極端に早い場合は相分離が十分に行われず、成長レートを１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下、好ましくは１００ｎｍ／ｍｉｎとすることで十分に相分離膜が得られる。生産性の面からは、成長レートの下限は、０．１ｎｍ／ｍｉｎ以上、より好ましくは０．５ｎｍ／ｍｉｎ以上である。
【００２０】
更に材料や成膜条件により、得られる構造の形状や大きさ変化させてやることが可能であり、円柱状の一方の材料を他方の材料が取り囲む図８のような構造をとる場合や、円柱の断面形状が歪んだ柱状構造３０を有する図２のような構造をとる場合がある。ここに、大きさとは図８や図２で示されている柱状部分の短軸方向の平均直径と定義する。平均直径は使用する材料系によっても異なるが、概ねサブミクロン以下、材料系によっては１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲で変化させることが可能である。また、図２が更に歪んだことにより、ラメラ状（層状）の構造となった場合は層の短い方の幅を短軸方向の平均直径であると定義する。
【００２１】
上記のような陰極アーク放電では、陰極点で発生した陰極材料の粗大粒子（ドロップレット）が基板に飛来して、膜表面のラフネスや特性を悪化させる場合がある。それを防ぐ必要がある場合には、発生したドロップレットが基板に飛来する前に磁場やシールド板でフィルタリングする方法や、ドロップレットの発生自体を抑制する放電方法などを採用するのがよい。図１においては特に図示していないが、本発明においてもこれらの公知の方法を用いてドロップレットの除去、低減を行うことが良質な膜を形成するという観点から望ましい。また、図１で示した実施形態にドロップレットの除去、低減を行う公知のあらゆる手段を組み込んでも構わない。
【００２２】
また、基板上に陰極アーク方式により相分離する組成の混合膜を形成する方法も特に上記の方法に限定されるものでなく、異なる陰極材料から成る複数の蒸発源を使用して、同一の基板上にアークプラズマ中のイオンを照射する方法などでも構わない。
【００２３】
また、上記のように陰極アーク方式により形成した相分離する組成の混合膜について、相分離した一方の部分を除去することで円柱状やラメラ状の細孔を形成することも可能である。更に形成した細孔内に材料を堆積することにより形成される構造体は、堆積する材料によって機能性を有した構造体とすることも可能である。すなわち、磁性体や半導体など堆積する材料の種類によって、磁気記録媒体や磁気センサ、ＥＬ発光素子やエレクトロクロミック素子など様々なデバイスへの応用が考えられる構造体とすることが可能である。細孔内に材料を堆積させる工程は、例えばめっきなどが考えられるが、特にこれに限定されるものではなくＣＶＤ（化学気相成長法）やＰＶＤ（物理気相成長法）などの方法であってもよい。
【００２４】
なお、アークプラズマ中に含まれる第１のイオンと第２のイオンとが、基板上に堆積し、該第１のイオンで主として構成される第１の領域と、該第２のイオンで主として構成される第２の領域が相分離することになる。
【００２５】
ここで、第１の領域と第２の領域との境界は厳密に別れている必要は無い。電子顕微鏡による観察により２つの領域があることが確認できたり、化学処理により、第１あるいは第２の領域を選択的にエッチング等に除去できるのであれば、本発明にいう相分離膜に該当する。
【００２６】
なお、第１の領域に含まれる第２のイオンは、１０ａｔｏｍｉｃ％以下、より好ましくは５ａｔｏｍｉｃ％以下、更に好ましくは、３ａｔｏｍｉｃ％以下である。また、第２の領域に含まれる第１のイオンは、１０ａｔｏｍｉｃ％以下、より好ましくは５ａｔｏｍｉｃ％以下、更に好ましくは、３ａｔｏｍｉｃ％以下である。
【００２７】
また、アークプラズマ中に含まれるイオンは２種以上（例えば、３種類、４種類）であってもよい。
【実施例】
【００２８】
以下に本発明の実施例について述べる。本発明において使用可能な材料系は、共晶点を有する組成の材料系で相分離するものであれば良いが、実施例ではそのような材料系の一つとしてアルミニウムシリコン混合膜についてのみ述べる。
【００２９】
尚、本実施例中には相分離する構造の膜としてアルミニウムシリコン混合膜について述べているが、アルミニウムゲルマニウム混合膜、アルミニウムシリコンゲルマニウム混合膜についても同様の結果を得ることができる。
【００３０】
実施例１
本実施例はアルミニウムシリコン混合膜を陰極アーク方式で成膜した。
本実施例で使用した陰極アーク放電発生装置は、コンデンサの充電と放電を間欠的に繰り返すことで陰極と陽極の間でパルス型のアーク放電を発生させるものであり、陰極と陽極を同軸型に配置することでドロップレットの減少を図っている。
【００３１】
前記の陰極アーク放電発生装置にアルミニウムシリコン合金を陰極材料として取り付け、陰極アーク方式によるアルミニウムシリコン混合膜の成膜を行った。成膜条件はコンデンサ容量２２００μＦ、アーク電圧６０Ｖ、放電間隔１秒間、陰極と基板間の距離７０ｍｍ、真空度５．０×１０-5Ｐａにて行った。膜の成長レートは１ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００３２】
まず、陰極材料から成膜されたアルミニウムシリコン混合膜の組成比をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析法）により定量分析したところ、膜中のシリコンの割合は３５ａｔｏｍｉｃ％であった。ここに、ａｔｏｍｉｃ％とは、膜中に含有される原子の割合のことである。
【００３３】
次に、Ｓｉ（１００）基板上にアルミニウムシリコン混合膜の膜厚が１００ｎｍとなるように陰極アーク方式により成膜を行った。成膜終了後、膜表面に形成された相分離したナノ構造の観察を行った。この際、相分離の様子を明瞭に観察するため、２２℃の２．８ｗｔ％アンモニア水溶液を使用したウェットエッチングで、アルミニウムシリンダーを溶解して図３に示すような細孔４１を形成した後、試料の表面をＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）で観察した。
【００３４】
また、比較例として同じ組成比、膜厚のアルミニウムシリコン混合膜をバイアス無しのスパッタリングで作製した場合の試料を作製し、同様にウェットエッチングを行いＦＥ−ＳＥＭにて試料表面の観察を行った。
【００３５】
両者を比較したところ、いずれの試料も図３に示すような孔径５〜１０ｎｍ程の基板に垂直な無数の細孔４１がランダムに形成されていた。両者の表面を観察したＳＥＭ像を画像処理ソフトで処理して、孔径のばらつきについてヒストグラムを作製したところ、その半値幅が陰極アーク方式で成膜した試料が２ｎｍであったのに対して、スパッタリングで作製したものは４ｎｍであった。つまり陰極アーク方式で成膜した試料の方が入射粒子のエネルギーが高く、基板上での拡散が促進されているため孔径の均一性が優れていたと考えられる。
【００３６】
また、陰極アーク方式で成膜した試料では、図４で示すように約１００ｎｍ四方と極めて微小な領域内ではあるが細孔５０がハニカム状に規則配列しているドメイン５１が幾つか見られ、スパッタリングで作製した試料よりも基板上での拡散が促進されていることによる効果が現れていると考えられる。
【００３７】
以上のように、陰極アーク方式でアルミニウムシリコン混合膜を成膜することにより、基板上でのアルミニウム及びシリコンの拡散が促進され、バイアスを印加しない場合のスパッタリングと比較してアルミニウムとシリコンの相分離をより促進させることが可能である。
【００３８】
実施例２
本実施例はアルミニウムシリコン混合膜を陰極アーク方式で成膜した。特に陰極アーク方式で成膜したアルミニウムシリコン混合膜の成長初期層の相分離について検討を行った。
【００３９】
実施例１と同様の条件で、Ｓｉ（１００）基板上にアルミニウムシリコン混合膜を５ｎｍの膜厚になるように、陰極アーク方式及びバイアス無しのスパッタリングによって成膜した。
【００４０】
更に実施例１と同様にウェットエッチングでアルミニウムシリンダーを溶解した後、ＦＥ−ＳＥＭで試料表面を観察した。陰極アーク方式で成膜した試料では、実施例１で観察した状態とほぼ同様の構造を有していた。一方スパッタリングで作製した試料では、実施例１で観察したように明瞭な細孔が見られず、アルミニウムとシリコンの拡散長が短く、成長初期段階では相分離が十分に進んでいないものと考えられる。
【００４１】
以上のように、陰極アーク方式でアルミニウムシリコン混合膜を成膜することにより、基板上でのアルミニウム及びシリコンの拡散が促進されるため、アルミニウムシリコン混合膜の成長初期段階から良好な相分離構造が得られることが確認された。
【００４２】
実施例３
本実施例はアルミニウムシリコン混合膜を陰極アーク方式で成膜したことに関するものである。特に陰極アーク方式で成膜を行う際に、基板に対してバイアスを印加することで、基板に入射するイオンのエネルギーの制御を行った。
【００４３】
実施例１と同様に、Ｓｉ（１００）基板上にアルミニウムシリコン混合膜を１００ｎｍの膜厚になるように、陰極アーク方式で成膜した。この際、基板の電位がアース対して負の電位となるように基板にＤＣバイアスを印加した。成膜後、実施例１と同様にウェットエッチングでアルミニウムシリンダーを溶解した後、ＦＥ−ＳＥＭで試料表面を観察した後、ＳＥＭ像の画像処理を行った。
【００４４】
バイアスが−４０Ｖの試料では孔径１０〜１３ｎｍ程度と実施例１のバイアス無しの場合よりも孔径が大きく、半値幅が１．５ｎｍと孔径の均一性が改善されており、バイアスにより基板上での拡散が促進されていることが確認された。
【００４５】
しかし更に大きな負のバイアスを印加していくと、孔径が大きくなっていくと同時に高エネルギーイオンによる堆積物のスパッタが発生し、−２００Ｖでは基板に膜が形成されなくなった。このため、バイアス電位としては−２００Ｖ以下とすることが好ましいと確認された。また、陰極アーク方式では材料によるものの、イオンは概ね２０ｅＶ以上のエネルギーを有しているとされているので、基板に入射するイオンのエネルギーとしては２０ｅＶ以上２００ｅＶ以下が好ましいと考えられる。
【００４６】
以上のように、陰極アーク方式でアルミニウムシリコン混合膜を成膜する際に、基板にバイアスを印加することで、基板に入射するイオンのエネルギーを制御して、基板上でのアルミニウム及びシリコンの拡散を制御することが可能であり、より良好な相分離構造が得られることが確認された。
【００４７】
実施例４
本実施例は陰極アーク方式で成膜したアルミニウムシリコン混合膜を用いて形成される構造体に関する。特にアルミニウム部分を除去して形成された細孔内に材料を堆積して形成される構造体に関する。
【００４８】
Ｓｉ（１００）基板上にＴｉを５ｎｍ、その上にＣｕを２０ｎｍの膜厚になるようにスパッタリングによってそれぞれ成膜をした後、更にＣｕ上に実施例１と同様の条件でアルミニウムシリコン混合膜を５０ｎｍの膜厚になるように、陰極アーク方式によって成膜した。
【００４９】
次に、実施例１と同様にウェットエッチングでアルミニウムシリンダーを溶解することで、図５に示すような下地層であるＣｕ６０に貫通した細孔６１を有する試料を作製した。
【００５０】
引き続き、下地層であるＣｕを陰極とすることで、作製した試料の細孔内にＣｏを電気めっきにて堆積させた。Ｃｏめっきは硫酸コバルト（ＩＩ）７水和物０．３ｍｏｌ／Ｌとホウ酸０．３ｍｏｌ／Ｌの混合溶液を２４℃で使用し、参照極はＡｇ／ＡｇＣｌを、対極は白金を使用して電着電位を−１．０Ｖとして行った。図６に示すように細孔内にＣｏ７０が堆積し、細孔からＣｏが溢れた状態になるまでめっきを行った。そして試料表面をダイヤモンドスラリーを使用して研磨することで細孔から溢れたＣｏ７１を取り除き、図７に示すような状態の構造体が形成された。
【００５１】
図７で示される構造体は、細孔内に堆積した磁性材料であるＣｏ８０の磁化を利用することで、例えば磁気記録媒体などに利用できる。すなわち、陰極アーク方式で成膜したアルミニウムシリコン混合膜のアルミニウム部分を除去して形成された細孔内に材料を堆積することで得られる構造体において、磁性材料を堆積することで構造体に機能性を付与することが可能である。
【００５２】
尚、本実施例では機能性を付与する材料として磁性材料についてのみ述べているが、本発明において堆積する材料は特に磁性材料に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、成膜粒子の入射エネルギー及び相分離の度合いの制御性を向上させることが可能な、相分離膜を得ることができるので、膜の細孔に磁性体や半導体などを堆積することにより、磁気記録媒体や磁気センサ、ＥＬ発光素子やエレクトロクロミック素子などのデバイスなどの構造体の製造方法に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の相分離膜の製造方法の実施の形態の一例を示す模式図である。
【図２】円柱の断面形状が歪んだ柱状構造を有する相分離した膜の模式図である。
【図３】相分離膜の一部を除去して細孔を形成した模式図である。
【図４】相分離膜の一部を除去して細孔を形成した模式図である。
【図５】下地層に貫通する細孔を有した試料の模式図である。
【図６】細孔からＣｏが溢れた状態になるまでめっきを行った試料の模式図である。
【図７】表面研磨で溢れたＣｏを除去した試料の模式図である。
【図８】相分離膜の模式図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  基板
１１  アルミニウムシリコン混合膜
１２  シリンダー状のアルミニウム部分
１３  シリコンの隔壁
２０  容器
２１  陰極
２２  陽極
２３  基板
２４  アークプラズマ
２５  バイアス用電源
３０  柱状構造
４０  基板
４１  細孔
４２  隔壁
５０  細孔
５１  規則配列しているドメイン
６０  Ｃｕ
６１  細孔
７０  Ｃｏ
７１  溢れたＣｏ
８０  Ｃｏ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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