(57)【要約】【課題】効率的に危険パターンを抽出する。【解決手段】設計パターンＳＰにおいて抽出された危険パターン候補ＤＫを含むように設定した密度計算エリアＤＡにおいて、パターンが存在する密度を第１のパターン密度ＰＤ１として計算する。危険パターン候補ＤＫの中心座標位置ＣＰの周囲へ密度計算エリアＤＡを移動し、その移動した密度計算エリアＤＡにおいてパターンが存在する密度を第２のパターン密度ＰＤ２として計算する。そして、その第１のパターン密度ＰＤ１と第２のパターン密度ＰＤ２とのパターン密度比ＰＤＲに基づいて、その危険パターン候補ＤＫが危険パターンＤＰであるか否かを判断する。【選択図】図３
2007286918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出方法であって、
前記パターンの幅と前記スペースの距離とに基づいて、前記危険パターンの候補となる危険パターン候補を前記複数のパターンから抽出する第１工程と、
前記第１工程にて抽出された前記危険パターン候補において中心に対応する座標位置を中心座標位置として算出する第２工程と、
前記設計パターンにおいて前記第１工程にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンを区画することによって密度計算エリアを形成した後に、前記第２工程にて算出された中心座標位置に当該密度計算エリアの中心が対応するように前記設計パターンに当該密度計算エリアを設定する第３工程と、
前記第３工程にて前記設計パターンに設定された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度を第１のパターン密度として計算する第４工程と、
前記第３工程にて設定された前記密度計算エリアの中心が、前記第２工程にて算出された前記危険パターン候補の中心座標位置の周囲であって、前記第３工程にて設定された当該密度計算エリアの中心から当該密度計算エリアの端部までの間にて移動するように、前記第３工程にて設定された前記密度計算エリアを前記設計パターンにおいて複数の位置に移動する第５工程と、
前記第５工程にて複数の位置に移動された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度のそれぞれを第２のパターン密度として計算する第６工程と、
前記第４工程にて計算された前記第１のパターン密度と、前記第６工程にて計算された前記第２のパターン密度との比を、前記第５工程にて移動された前記密度計算エリアの位置ごとにパターン密度比として計算する第７工程と、
前記第７工程にて計算された前記パターン密度比に基づいて、前記危険パターン候補が前記危険パターンであるか否かを判断する第８工程と
を有する
危険パターン抽出方法。
【請求項２】
前記第１工程においては、前記複数のパターンにおいてパターンの幅が基準値以下であって、当該パターンと、当該パターンに隣接する隣接パターンとの間のスペースの距離が変化する部分を、前記危険パターン候補として抽出する
請求項１に記載の危険パターン抽出方法。
【請求項３】
前記第３工程においては、前記複数のパターンにおけるスペースの距離の最小値に対して２倍の幅で区画するように、前記密度計算エリアを前記設計パターンに設定する
請求項２に記載の危険パターン抽出方法。
【請求項４】
前記第５工程においては、前記危険パターン候補が延在する延在方向に沿うように、第１方向と、前記第１方向に対して反対な第２方向とに、前記第３工程にて設定された前記密度計算エリアを移動する
請求項３に記載の危険パターン抽出方法。
【請求項５】
前記第５工程においては、前記複数のパターンにおけるスペースの距離の最小値に対して２倍の距離に対応するように、前記第３工程にて設定された前記密度計算エリアを移動する
請求項４に記載の危険パターン抽出方法。
【請求項６】
前記第８工程においては、前記第７工程にて計算された前記パターン密度比が２以上である場合に、前記危険パターン候補を前記危険パターンであると判断する
請求項５に記載の危険パターン抽出方法。
【請求項７】
複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出装置であって、
前記パターンの幅と前記スペースの距離とに基づいて、前記危険パターンの候補となる危険パターン候補を前記複数のパターンから抽出する危険パターン候補抽出手段と、
前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補において中心に対応する座標位置を中心座標位置として算出する中心座標位置算出手段と、
前記設計パターンにおいて前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンを区画することによって密度計算エリアを形成した後に、前記中心座標位置算出手段によって算出された前記中心座標位置に当該密度計算エリアの中心が対応するように前記設計パターンに当該密度計算エリアを設定する密度計算エリア設定部と、
前記密度計算エリア設定手段にて前記設計パターンに設定された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度を第１のパターン密度として計算する第１のパターン密度計算手段と、
前記密度計算エリア設定手段にて設定された前記密度計算エリアの中心が、前記中心座標位置算出手段にて算出された前記危険パターン候補の中心座標位置の周囲であって、当該密度計算エリアの中心から当該密度計算エリアの端部までの間にて移動するように、前記密度計算エリア設定手段にて設定された前記密度計算エリアを前記設計パターンにおいて複数の位置に移動する密度計算エリア移動手段と、
前記密度計算エリア移動手段にて複数の位置に移動された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度のそれぞれを第２のパターン密度として計算する第２のパターン密度計算手段と、
前記第１のパターン密度計算手段にて計算された前記第１のパターン密度と、前記第２のパターン密度計算手段にて計算された前記第２のパターン密度との比を、前記密度計算エリア移動手段にて移動された前記密度計算エリアの位置ごとにパターン密度比として計算するパターン密度比計算手段と、
前記パターン密度比計算手段にて計算された前記パターン密度比に基づいて、前記危険パターン候補が前記危険パターンであるか否かを判断する危険パターン判断手段と
を有する
危険パターン抽出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置に関する。特に、複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際においては、リソグラフィ技術を用いて、ウエハに微細なパターンを加工している。
【０００３】
ここでは、たとえば、パターン加工を施す面に、感光性材料からなるレジスト膜を形成した後に、設計パターンに基づいてマスクパターンが形成されたフォトマスクを照明し、その照明によって生ずるマスクパターン像をウエハ上に形成されたレジスト膜に露光して転写する。その後、そのマスクパターン像が転写されたレジスト膜を現像し、ウエハの表面にレジストマスクを形成する。そして、このレジストマスクを用いて、エッチング処理を実施することによってパターン加工する。
【０００４】
このリソグラフィ技術においては、設計パターンに対応するようにパターン加工を実施するために、光近接効果補正（ＯＰＣ：  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）をマスクパターンに施している。たとえば、マスクパターンに予め図形を付加することや、パターンの疎密に応じてサイズを変更することなどの補正が施されている。
【０００５】
ＯＰＣは、「ルールベースＯＰＣ」と「モデルベースＯＰＣ」とに分類される。
【０００６】
「ルールベースＯＰＣ」は、カテゴリーごとにＯＰＣパターンの作成ルールを規定し、その規定した作成ルールに従って設計パターンを補正することによって、ＯＰＣパターンを生成する方法である。具体的には、まず、ＯＰＣテストパターンの転写結果に基づいて、そのパターンの幅と、そのパターンに隣接する隣接パターンまでの距離とに応じて変化する光近接効果による歪量を求めた後に、その歪量と、そのパターンの幅と、そのパターンに隣接する隣接パターンまでの距離とを関連付けた相関表を作成する。その後、その相関表に基づいて、設計パターンに変更を加えるルールを作成し、このルールに対応するように補正を実施する。この「ルールベースＯＰＣ」は、近接する図形の光近接効果を一次元的に調べて、補正を実施する場合に好適であって、たとえば、ライン・アンド・スペース・パターンに適用することが好ましい。
【０００７】
一方、「モデルベースＯＰＣ」は、リソグラフィ・シミュレーション結果に基づいて形成したモデルを用いて補正する方法であり、パターン転写結果に基づいてモデルをキャリブレーションすることで、複雑なプロセスに対応することが可能になる。具体的には、加工後の寸法をシミュレーションするモデル式を用いることによって、その加工後の転写パターンの寸法を設計パターンに一致するように補正を実施している。この「モデルベースＯＰＣ」は、近接する図形の光近接効果を二次元的に調べて、補正を実施する場合に好適である。
【０００８】
しかし、半導体装置において高集積化や動作速度の高速化の要求が高まるに伴って、ＯＰＣを適用した場合であっても、十分な精度でパターン加工することが困難な場合が生じてきている。特に、露光工程にて焦点位置などのプロセス条件にバラツキが発生した際には、プロセスマージンが少ないレイアウトで配置されている危険パターンの部分において欠陥が発生するために、上記の要求に対応することが困難な場合がある。たとえば、パターン密度差が狭いレイアウト範囲にて生ずる部分が、プロセス条件のバラツキに影響を大きく受ける危険パターンとなるために、上記の不具合が顕在化する場合がある。このため、半導体装置の製造歩留まりの低下や、装置の信頼性の低下が生ずる場合がある。
【０００９】
この不具合を改善するために、設計パターンから危険パターンを抽出する処理を実施し、その危険パターンが抽出された場合には、設計パターンを修正する方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−１８１５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記の方法においては、ＯＰＣと光学シミュレーションとを実施しなければ、危険パターンを抽出できないために、この危険パターンの有無を設計者にフィードバックするまでに、長い時間を要する場合がある。このため、作業効率が低下する場合がある。
【００１２】
したがって、本発明は、効率的に危険パターンを抽出可能な危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の危険パターン抽出方法は、複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出方法であって、前記パターンの幅と前記スペースの距離とに基づいて、前記危険パターンの候補となる危険パターン候補を前記複数のパターンから抽出する第１工程と、前記第１工程にて抽出された前記危険パターン候補において中心に対応する座標位置を中心座標位置として算出する第２工程と、前記設計パターンにおいて前記第１工程にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンを区画することによって密度計算エリアを形成した後に、前記第２工程にて算出された中心座標位置に当該密度計算エリアの中心が対応するように前記設計パターンに当該密度計算エリアを設定する第３工程と、前記第３工程にて前記設計パターンに設定された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度を第１のパターン密度として計算する第４工程と、前記第３工程にて設定された前記密度計算エリアの中心が、前記第２工程にて算出された前記危険パターン候補の中心座標位置の周囲であって、前記第３工程にて設定された当該密度計算エリアの中心から当該密度計算エリアの端部までの間にて移動するように、前記第３工程にて設定された前記密度計算エリアを前記設計パターンにおいて複数の位置に移動する第５工程と、前記第５工程にて複数の位置に移動された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度のそれぞれを第２のパターン密度として計算する第６工程と、前記第４工程にて計算された前記第１のパターン密度と、前記第６工程にて計算された前記第２のパターン密度との比を、前記第５工程にて移動された前記密度計算エリアの位置ごとにパターン密度比として計算する第７工程と、前記第７工程にて計算された前記パターン密度比に基づいて、前記危険パターン候補が前記危険パターンであるか否かを判断する第８工程とを有する。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の危険パターン抽出装置は、複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出装置であって、前記パターンの幅と前記スペースの距離とに基づいて、前記危険パターンの候補となる危険パターン候補を前記複数のパターンから抽出する危険パターン候補抽出手段と、前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補において中心に対応する座標位置を中心座標位置として算出する中心座標位置算出手段と、前記設計パターンにおいて前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンを区画することによって密度計算エリアを形成した後に、前記中心座標位置算出手段によって算出された前記中心座標位置に当該密度計算エリアの中心が対応するように前記設計パターンに当該密度計算エリアを設定する密度計算エリア設定部と、前記中心座標位置算出手段にて算出された中心座標位置を中心にする密度計算エリアを、前記設計パターンにおいて前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンに設定する密度計算エリア設定手段と、前記密度計算エリア設定手段にて前記設計パターンに設定された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度を第１のパターン密度として計算する第１のパターン密度計算手段と、前記密度計算エリア設定手段にて設定された前記密度計算エリアの中心が、前記中心座標位置算出手段にて算出された前記危険パターン候補の中心座標位置の周囲であって、当該密度計算エリアの中心から当該密度計算エリアの端部までの間にて移動するように、前記密度計算エリア設定手段にて設定された前記密度計算エリアを前記設計パターンにおいて複数の位置に移動する密度計算エリア移動手段と、前記密度計算エリア移動手段にて複数の位置に移動された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度のそれぞれを第２のパターン密度として計算する第２のパターン密度計算手段と、前記第１のパターン密度計算手段にて計算された前記第１のパターン密度と、前記第２のパターン密度計算手段にて計算された前記第２のパターン密度との比を、前記密度計算エリア移動手段にて移動された前記密度計算エリアの位置ごとにパターン密度比として計算するパターン密度比計算手段と、前記パターン密度比計算手段にて計算された前記パターン密度比に基づいて、前記危険パターン候補が前記危険パターンであるか否かを判断する危険パターン判断手段とを有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、効率的に危険パターンを抽出可能な危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン抽出装置１を示すブロック図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態の危険パターン抽出装置１は、入力装置１１と、中央処理装置２１と、表示装置３１とを有しており、複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する。各部について順次説明する。
【００１８】
入力装置１１は、キーボードやポインティングデバイスなどの操作デバイスにより構成されており、オペレータによって操作データが入力され、その操作データを中央処理装置２１に出力する。本実施形態においては、半導体デバイスの設計パターンに関するデータがオペレータによって入力される。
【００１９】
中央処理装置２１は、コンピュータと、そのコンピュータを各種手段として機能させるためのプログラムを記憶している記憶装置とを有している。本実施形態においては、中央処理装置２１は、半導体デバイスの設計パターンに関するデータが入力装置１１から入力される。そして、中央処理装置２１は、その半導体デバイスの設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンである危険パターンを抽出する。そして、その危険パターンの抽出結果を示す画像のデータを生成し、表示装置３１へ出力して表示させる。
【００２０】
図２は、本発明にかかる実施形態において、中央処理装置２１を示すブロック図である。
【００２１】
図２に示すように、中央処理装置２１は、危険パターン候補抽出手段２１１と、中心座標位置算出手段２１２と、密度計算エリア設定手段２１３と、第１のパターン密度計算手段２１４と、密度計算エリア移動手段２１５と、第２のパターン密度計算手段２１６と、パターン密度比計算手段２１７と、危険パターン判断手段２１８とを有し、上記のようにコンピュータがプログラムによって各手段として機能する。各手段についての詳細な動作については後述する。
【００２２】
表示装置３１は、ＣＲＴなどの表示デバイスにより構成されており、表示画面に画像を表示する。ここでは、表示装置３１は、中央処理装置２１にて生成された危険パターンの抽出結果を示す画像のデータに基づいて、その抽出結果を表示画面に表示する。
【００２３】
以下より、本実施形態の危険パターン抽出装置１についての動作を説明する。
【００２４】
図３は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン抽出装置１についての動作を示すフロー図である。
【００２５】
まず、図３に示すように、危険パターン候補ＤＫの抽出を実施する（Ｓ１１）。
【００２６】
ここでは、危険パターンＤＰの候補となる危険パターン候補ＤＫを、入力装置１１から入力された半導体デバイスの設計パターンＳＰを構成する複数のパターンから、危険パターン候補抽出手段２１１が抽出する。本実施形態においては、パターンの幅とスペースの距離とに基づいて、設計パターンＳＰにおいて危険パターンＤＰの候補となる危険パターン候補ＤＫを抽出する。具体的には、設計パターンＳＰを構成する複数のパターンにおいてパターンの幅が、予め定めた基準値以下であって、パターンと、そのパターンに隣接する隣接パターンとの間のスペースの距離が変化する部分を、危険パターン候補ＤＫとして、危険パターン候補抽出手段２１１が抽出する。
【００２７】
図４は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンＳＰにて抽出される危険パターン候補ＤＫを示す平面図である。図４においては、図４（ａ）が設計パターンＳＰの一部を示しており、図４（ｂ）が、設計パターンＳＰの一部にて抽出される危険パターン候補ＤＫを示している。
【００２８】
図４（ａ）に示すように、本実施形態において、設計パターンＳＰは、パターンとして、第１のラインパターンＰ１と、第２のラインパターンＰ２と、第３のラインパターンＰ３と、第４のラインパターンＰ４とを含む。ここでは、第１のラインパターンＰ１と、第２のラインパターンＰ２と、第３のラインパターンＰ３と、第４のラインパターンＰ４とのそれぞれは、最小デザインルールに対応するパターン幅ＷＰになるように形成されている。
【００２９】
そして、第１のラインパターンＰ１と、第２のラインパターンＰ２と、第３のラインパターンＰ３については、ライン状に延在する延在方向ｙに対して直交する幅方向ｘにおいて互いが延在する方向が平行になるように間隔を隔てて並んでいる。ここでは、第１のラインパターンＰ１と第２のラインパターンＰ２との間のスペースＳ１と、第２のラインパターンＰ２と第３のラインパターンＰ３との間のスペースＳ２とのそれぞれが、最小デザインルールに対応するスペース幅ＷＳ１になるように配置されている。そして、第１のラインパターンＰ１と第２のラインパターンＰ２と第３のラインパターンＰ３とにおいては、第２のラインパターンＰ２が、第１のラインパターンＰ１と第３のラインパターンＰ３とが延在する方向の上端部から上方に突き出るように形成されている。また、第４のラインパターンＰ４については、第３のラインパターンＰ３が延在する上方において、第３のラインパターンＰ３からスペース３を隔てるように配置されており、第３のラインパターンＰ３と同様に、第２のラインパターンＰ２が延在する方向に平行になるように、スペースＳ１を隔てて並んでいる。ここでは、第２のラインパターンＰ２と第３のラインパターンＰ３との間のスペース３が、最小デザインルールに対応するスペース幅ＷＳ１になるように配置されている。
【００３０】
この設計パターンＳＰにおいて第２のラインパターンＰ２は、図４（ａ）に示すように、隣接パターンである第１のラインパターンＰ１および第３のラインパターンＰ３との間において、幅方向ｘに小さいスペース幅ＷＳ１のスペースＳ１，Ｓ２が設けられている。そして、第１のラインパターンＰ１および第３のラインパターンＰ３の延在方向における上端部から上方に対応する部分のスペースＳ４については、幅方向ｘに、その小さなスペース幅ＷＳ１よりも大きなスペース幅ＷＳ２の間隔が設けられている。そして、第４のラインパターンＰ４の延在方向における下端部から上方に対応するスペースＳ３については、幅方向ｘに、その小さなスペース幅ＷＳ１の間隔が設けられている。このように、第２のラインパターンＰ２は、小さいスペース幅ＷＳ１と大きなスペース幅ＷＳ２とのスペースＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４が幅方向ｘにて存在する。このように、スペース幅が変化する部分については、パターン密度が変化するために、プロセスマージンが小さくなる場合がある。また、第２のラインパターンＰ２は、最小デザインルールに対応するスペース幅ＷＳ１であるため、プロセスマージンが小さくなる場合がある。
【００３１】
このため、本実施形態においては、図４（ｂ）に示すように、第２のラインパターンＰ２においてスペースＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の距離が変化する部分を区画し、危険パターン候補ＤＫとして危険パターン候補抽出手段２１１が抽出する。たとえば、第１のラインパターンＰ１と第３のラインパターンＰ３との上端部に対応する部分から下方へ、予め定めた所定距離を移動した位置を下端部とし、第４のラインパターンＰ４の下端部に対応する部分から上方へ、その所定距離を移動した位置を上端部とするように、この危険パターン候補ＤＫを、矩形形状に区画して抽出する。
【００３２】
つぎに、図３に示すように、危険パターン候補ＤＫの抽出可否について判断する（Ｓ１３）。
【００３３】
ここでは、上記の工程（Ｓ１１）にて、危険パターン候補抽出手段２１１が危険パターン候補ＤＫを抽出しなかった場合（Ｎｏ）には、図３に示すように、処理を終了する。
【００３４】
一方で、上記の工程（Ｓ１１）にて、危険パターン候補抽出手段２１１が危険パターン候補ＤＫを抽出した場合（Ｙｅｓ）には、図３に示すように、危険パターン候補ＤＫの中心座標位置ＣＰの算出を実施する（Ｓ２１）。
【００３５】
ここでは、上記のように、危険パターン候補抽出手段２１１にて抽出された危険パターン候補ＤＫにおいて中心に対応する座標位置を、中心座標位置算出手段２１２が中心座標位置ＣＰとして算出する。
【００３６】
図５は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン候補ＤＫにて算出される中心座標位置ＣＰを示す平面図である。
【００３７】
本実施形態においては、図５に示すように、危険パターン候補ＤＫにおいて延在方向ｙの中心と幅方向ｘの中心とに対応する座標位置を、中心座標位置ＣＰとして算出する。
【００３８】
つぎに、図３に示すように、密度計算エリアＤＡの設定を実施する（Ｓ３１）。
【００３９】
ここでは、密度計算エリアＤＡを密度計算エリア設定手段２１３が設定する。
【００４０】
図６は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンＳＰにて設定された密度計算エリアＤＡを示す平面図である。
【００４１】
図６に示すように、設計パターンＳＰにおいて危険パターン候補抽出手段２１１にて抽出された危険パターン候補ＤＫを含むと共に、中心座標位置算出手段２１２によって算出された中心座標位置ＣＰに、その密度計算エリアＤＡの中心ＤＣが対応するように、密度計算エリア設定手段２１３が設計パターンＳＰに密度計算エリアＤＡを区画して設定する。たとえば、複数のパターンにおけるスペースの距離の最小値に対して２倍の幅で区画するように、密度計算エリア設定手段２１３が密度計算エリアＤＡを設計パターンＳＰに区画して設定する。つまり、図６に示すように、幅方向ｘの中心から外側へ、最小デザインルールに対応するパターン幅ＷＰの２倍で延在するように、密度計算エリアＤＡを区画して設定する。このように、密度計算エリアＤＡを設定することにより、周辺パターンの影響が少なくなるために、後述するパターン密度の差を効果的に算出することができる。
【００４２】
つぎに、図３に示すように、第１のパターン密度ＰＤ１の計算を実施する（Ｓ４１）。
【００４３】
ここでは、第１のパターン密度を第１のパターン密度計算手段２１４が計算する。具体的には、密度計算エリア設定手段２１３にて設計パターンＳＰに設定された密度計算エリアＤＡにおいて、パターンが存在する密度を、第１のパターン密度計算手段２１４が第１のパターン密度ＰＤ１として計算する。つまり、密度計算エリアＤＡにおいて存在するパターンの面積の割合を計算することで、第１のパターン密度ＰＤ１を求める。
【００４４】
つぎに、図３に示すように、密度計算エリアＤＡの移動を実施する（Ｓ５１）。
【００４５】
ここでは、密度計算エリア移動手段２１５が密度計算エリアＤＡを移動する。具体的には、密度計算エリア設定手段２１３にて設定された密度計算エリアＤＡの中心ＤＣが、中心座標位置算出手段２１２にて算出された危険パターン候補ＤＫの中心座標位置ＣＰの周囲であって、その密度計算エリアＤＡの中心ＤＣから端部までの間にて移動するように、密度計算エリア設定手段２１３にて設定された密度計算エリアＤＡを密度計算エリア移動手段２１５が設計パターンＳＰにおいて複数の位置に移動する。
【００４６】
図７は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンＳＰにて移動された密度計算エリアＤＡを示す平面図である。
【００４７】
本実施形態においては、図７（ａ），図７（ｂ）に示すように、密度計算エリア移動手段２１５は、危険パターン候補ＤＫがライン状に延在する長手方向ｙに沿うように、上方向Ｄ１と、その上方向Ｄ１に対して反対な下方向Ｄ２とに、密度計算エリアＤＡを中心座標位置ＣＰから移動する。また、ここでは、複数のパターンにおけるスペースの距離の最小値に対して２倍の距離に対応するように、密度計算エリア設定手段２１３にて設定された密度計算エリアＤＡを、密度計算エリア移動手段２１５が移動する。つまり、図７（ａ），図７（ｂ）に示すように、延在方向ｙの中心から外側へ、最小デザインルールに対応するパターン幅ＷＰの２倍の距離になるように、密度計算エリアＤＡの中心を移動する。
【００４８】
つぎに、図３に示すように、第２のパターン密度ＰＤ２の計算を実施する（Ｓ６１）。
【００４９】
ここでは、第２のパターン密度計算手段２１６が第２のパターン密度ＰＤ２を計算する。具体的には、密度計算エリア移動手段２１５にて複数の位置に移動された密度計算エリアＤＡにおいて、パターンＰが存在する密度のそれぞれを、第２のパターン密度ＰＤ２として第２のパターン密度計算手段２１６が計算する。つまり、図７（ａ）に示すように、上方へ移動された密度計算エリアＤＡにおいて存在するパターンの面積の割合を計算すると共に、図７（ｂ）に示すように、下方へ移動された密度計算エリアＤＡにおいて存在するパターンの面積の割合を計算することによって、それぞれの位置での第２のパターン密度ＰＤ２を求める。
【００５０】
つぎに、図３に示すように、パターン密度比ＰＤＲの計算を実施する（Ｓ７１）。
【００５１】
ここでは、パターン密度比計算手段２１７がパターン密度比ＰＤＲを計算する。具体的には、第１のパターン密度計算手段２１４にて計算された第１のパターン密度ＰＤ１と、第２のパターン密度計算手段２１６にて計算された第２のパターン密度ＰＤ２との比を、密度計算エリア移動手段２１５にて移動された密度計算エリアＤＡの位置ごとに、パターン密度比ＰＤＲとして、パターン密度比計算手段２１７が計算する。つまり、図７（ａ）に示すように上方へ移動された密度計算エリアＤＡでの第２のパターン密度ＰＤ２とのパターン密度比ＰＤＲを計算すると共に、図７（ｂ）に示すように下方へ移動された密度計算エリアＤＡでの第２のパターン密度ＰＤ２とのパターン密度比ＰＤＲを計算する。
【００５２】
つぎに、図３に示すように、危険パターンＤＰの判断を実施する（Ｓ８１）。
【００５３】
ここでは、危険パターン候補ＤＫが危険パターンＤＰであるか否かを、パターン密度比計算手段２１７にて計算されたパターン密度比ＰＤＲに基づいて、危険パターン判断手段２１８が判断する。たとえば、パターン密度比計算手段２１７にて計算されたパターン密度比ＰＤＲの少なくとも１つが、予め定めた閾値以上である場合に、その危険パターン候補ＤＫを危険パターン判断手段２１８が危険パターンＤＰであると判断する。本実施形態においては、図７（ａ）に示すように上方へ移動された密度計算エリアＤＡでの第２のパターン密度ＰＤ２、または、図７（ｂ）に示すように下方へ移動された密度計算エリアＤＡでの第２のパターン密度ＰＤ２と、第１のパターン密度計算手段２１４にて計算された第１のパターン密度ＰＤ１とのパターン密度比ＰＤＲのいずれかが、たとえば、２以上である場合に、その危険パターン候補ＤＫを危険パターンＤＰとして判断する。すなわち、上方へ移動された密度計算エリアＤＡでの第２のパターン密度ＰＤ２に対して第１のパターン密度ＰＤ１が２倍以上または１／２倍以下である場合や、下方へ移動された密度計算エリアＤＡでの第２のパターン密度ＰＤ２に対して第１のパターン密度ＰＤ１が２倍以上または１／２倍以下である場合には、その危険パターン候補ＤＫを危険パターンＤＰとして判断し抽出する。そして、この危険パターンＤＰの抽出結果を示す画像を生成し、その抽出結果を示す画像を、表示装置３１が画面に表示する。
【００５４】
以上のように、本実施形態は、設計パターンＳＰを構成する複数のパターンにおいてパターンの幅が基準値以下であって、パターン間のスペースの距離が変化する部分を、危険パターン候補ＤＫとして抽出する。その後、設計パターンＳＰにおいて抽出された危険パターン候補ＤＫを含むように設定した密度計算エリアＤＡにおいて、パターンが存在する密度を第１のパターン密度ＰＤ１として計算する。危険パターン候補ＤＫの中心座標位置ＣＰの周囲へ密度計算エリアＤＡを移動し、その移動した密度計算エリアＤＡにおいてパターンが存在する密度を第２のパターン密度ＰＤ２として計算する。そして、その第１のパターン密度ＰＤ１と第２のパターン密度ＰＤ２とのパターン密度比ＰＤＲに基づいて、その危険パターン候補ＤＫが危険パターンＤＰであるか否かを判断する。つまり、危険パターン候補ＤＫを含む領域の第１のパターン密度ＰＤ１と、その周囲における第２のパターン密度ＰＤ２との違いに基づいて、その危険パターン候補ＤＫが、プロセス裕度が低い危険パターンＤＰであるか否かを判断して、危険パターンＤＰを抽出する。このように、本実施形態は、ＯＰＣと光学シミュレーションとを実施せずに、設計パターンＳＰについての情報のみを用いて危険パターンＤＰを抽出するため、危険パターンＤＰの有無を設計者にフィードバックするまでの時間を短縮することができる。したがって、本実施形態は、作業効率を向上させることができる。
【００５５】
また、本実施形態においては、複数のパターンにおけるスペース幅の最小値に対して２倍の幅で区画するように密度計算エリアＤＡを設計パターンに設定すると共に、その密度計算エリアＤＡを、そのスペース幅の最小値に対して２倍の距離に対応するように移動する。このため、本実施形態は、狭い範囲にてパターン密度が大きく変化する危険パターンＤＰを効果的に抽出することができるため、作業効率を向上させることができる。
【００５６】
また、本実施形態においては、危険パターン候補ＤＫが延在する延在方向ｙに沿うように、上方と下方とに、密度計算エリアＤＡの中心ＤＣを、危険パターン候補ＤＫの中心座標位置ＣＰから移動する。そして、各移動位置でのパターン密度比ＰＤＲを算出する。このため、本実施形態は、パターン密度の変化の割合を効果的に求めることができ、また、計算時間を短縮化できるため、作業効率を向上させることができる。
【００５７】
なお、上記の本実施形態において、ステップＳ１１は、本発明の第１工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップＳ２１は、本発明の第２工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップＳ３１は、本発明の第３工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップＳ４１は、本発明の第４工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップＳ５１は、本発明の第５工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップＳ６１は、本発明の第６工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップＳ７１は、本発明の第７工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップＳ８１は、本発明の第８工程に対応する。
【００５８】
また、本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【００５９】
たとえば、上記の実施形態においては、危険パターン候補ＤＫが延在する延在方向ｙに沿うように、上方と下方とに、密度計算エリアＤＡの中心ＤＣを、危険パターン候補ＤＫの中心座標位置ＣＰから移動する場合について示したが、これに限定されない。たとえば、上方と下方との他に、右方向と左方向とに密度計算エリアＤＡの中心ＤＣを、危険パターン候補ＤＫの中心座標位置ＣＰから移動してもよい。また、この延在方向に対して傾斜する方向に移動しても良い。この場合には、より高精度に、危険パターンＤＰを抽出することができる。
【００６０】
また、たとえば、上記の実施形態においては、長手方向が縦方向に延在する危険パターン候補ＤＫの場合について示したが、危険パターン候補ＤＫの長手方向が横方向に延在する場合にも適用可能であり、上記の実施形態と同様に各動作を実施することによって本発明の効果を奏することができる。たとえば、危険パターン候補ＤＫが延在する横方向ｘに沿うように、右側と左側とに、密度計算エリアＤＡの中心ＤＣを、危険パターン候補ＤＫの中心座標位置ＣＰから移動し、各位置に対応するパターン密度比を算出する。
【００６１】
また、本実施形態において抽出された危険パターンのレイアウト情報を記憶し、その記憶した危険パターンのレイアウト情報を用いて、設計パターンから危険パターンを抽出しても良い。また、自動配置配線ツールに組み込むことによって、自動配置配線にて危険パターンが発生することを防止させてもよい。また、その他に、ＯＰＣ処理に組み込み、この抽出された危険パターンについては、プロセスが変動したときのモデルを採用し、他のパターンについては、理想的なプロセス条件のモデルを採用してＯＰＣを実施するように構成してもよい。これにより、プロセス変動の影響を受けにくい補正結果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン抽出装置１を示すブロック図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態において、中央処理装置２１を示すブロック図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン抽出装置１についての動作を示すフロー図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンＳＰにて抽出される危険パターン候補ＤＫを示す平面図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン候補ＤＫにて算出される中心座標位置ＣＰを示す平面図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンＳＰにて設定された密度計算エリアＤＡを示す平面図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンＳＰにて移動された密度計算エリアＤＡを示す平面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…危険パターン抽出装置、
１１…入力装置、
２１…中央処理装置、
３１…表示装置、
２１１…危険パターン候補抽出手段、
２１２…中心座標位置算出手段、
２１３…密度計算エリア設定手段、
２１４…第１のパターン密度計算手段、
２１５…密度計算エリア移動手段、
２１６…第２のパターン密度計算手段、
２１７…パターン密度比計算手段、
２１８…危険パターン判断手段
【図１】
2007286918.tif 000003
【図２】
2007286918.tif 000004
【図３】
2007286918.tif 000005
【図４】
2007286918.tif 000006
【図５】
2007286918.tif 000007
【図６】
2007286918.tif 000008
【図７】
2007286918.tif 000009