(57)【要約】【課題】被試験デバイスと絶縁して、当該被試験デバイスの出力信号のスイッチング時間を高精度に測定する。【解決手段】被試験デバイスが出力する出力信号のスイッチング時間の少なくとも１つを測定する測定装置であって、出力信号の電圧が第１しきい電圧以上となった場合に発光する第１発光部と、出力信号の電圧が第１しきい電圧より高い第２しきい電圧以上となった場合に発光する第２発光部と、第１発光部からの光を受光する第１受光部と、第２発光部からの光を受光する第２受光部と、第１発光部および第２発光部の発光タイミングおよび消光タイミングの少なくとも１つの差に基づいて、第１しきい電圧および第２しきい電圧の間のスイッチング時間を測定する測定部とを備える測定装置を提供する。【選択図】図２
2007218805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験デバイスが出力する出力信号のスイッチング時間の少なくとも１つを測定する測定装置であって、
前記出力信号の電圧が第１しきい電圧以上となった場合に発光する第１発光部と、
前記出力信号の電圧が前記第１しきい電圧より高い第２しきい電圧以上となった場合に発光する第２発光部と、
前記第１発光部からの光を受光する第１受光部と、
前記第２発光部からの光を受光する第２受光部と、
前記第１発光部および前記第２発光部の発光タイミングおよび消光タイミングの少なくとも１つの差に基づいて、前記第１しきい電圧および前記第２しきい電圧の間のスイッチング時間を測定する測定部と
を備える測定装置。
【請求項２】
前記測定部は、前記第１発光部が発光してから前記第２発光部が発光するまでの時間を前記第１しきい電圧から前記第２しきい電圧までの立上り時間として測定する請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記測定部は、前記第２発光部が消光してから前記第１発光部が消光するまでの時間を前記第２しきい電圧から前記第１しきい電圧までの立下り時間として測定する請求項１に記載の測定装置。
【請求項４】
前記第１発光部は、
前記被試験デバイスの出力端子と基準電位との間に接続され、第１しきい電流以上の電流が流れた場合にレーザー光を出力する第１レーザー出力部と、
前記被試験デバイスの出力端子と基準電位との間に前記第１レーザー出力部と直列に接続され、前記出力端子の電圧が前記第１しきい電圧となった場合に前記第１レーザー出力部に前記第１しきい電流を流す抵抗値を有する第１抵抗と
を有し、
前記第２発光部は、
前記被試験デバイスの出力端子と基準電位との間に接続され、第２しきい電流以上の電流が流れた場合にレーザー光を出力する第２レーザー出力部と、
前記被試験デバイスの出力端子と基準電位との間に前記第２レーザー出力部と直列に接続され、前記出力端子の電圧が前記第２しきい電圧となった場合に前記第２レーザー出力部に前記第２しきい電流を流す抵抗値を有する第２抵抗と
を有する
請求項１に記載の測定装置。
【請求項５】
前記第１受光部および前記第２受光部は、光を受光していない場合にＬ論理の信号を出力し、光を受光している場合にＨ論理の信号を出力し、
前記測定部は、
前記第１受光部および前記第２受光部からの信号の排他的論理和をとる排他的論理和ゲートと、
前記排他的論理和ゲートの出力がＨ論理の時間を前記スイッチング時間として測定するＨ論理測定部と
を有する請求項１に記載の測定装置。
【請求項６】
前記被試験デバイスの基準電位は、前記第１受光部および前記第２受光部が出力する電圧の最大値と比較し高い請求項１に記載の測定装置。
【請求項７】
当該測定装置は、前記被試験デバイスを試験する試験装置として機能するものであり、
前記測定部が測定した前記スイッチング時間が規格値の範囲外であることを条件として、前記被試験デバイスが不良であると判定する判定部を更に備える
請求項１に記載の測定装置。
【請求項８】
被試験デバイスが出力する出力信号のスイッチング時間の少なくとも１つを測定する測定方法であって、
前記出力信号の電圧が第１しきい電圧以上となった場合に第１発光部が発光する第１発光段階と、
前記出力信号の電圧が前記第１しきい電圧より高い第２しきい電圧以上となった場合に第２発光部が発光する第２発光段階と、
前記第１発光部からの光を受光する第１受光段階と、
前記第２発光部からの光を受光する第２受光段階と、
前記第１発光部および前記第２発光部の発光タイミングおよび消光タイミングの少なくとも１つの差に基づいて、前記第１しきい電圧および前記第２しきい電圧の間のスイッチング時間を測定する測定段階と
を備える測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定装置および測定方法に関する。特に本発明は、被試験デバイスが出力する出力信号のスイッチング時間を測定する測定装置および測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば電気自動車のモータ制御用および交流ファンモータの制御用等のデバイスとして、高耐圧の半導体デバイスが知られている。高耐圧の半導体デバイスは、ＳｉＯ２等の絶縁部によりＰＮ接合部分が分離されるので、低電圧で動作する回路と高電圧で動作する回路とを１チップ上に組み込むことができる。なお、現時点で先行技術文献の存在を認識していないので、先行技術文献に関する記載を省略する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで、高電圧で動作する回路を試験する場合、試験装置は、当該高電圧で動作する回路と絶縁して出力信号を取得して、当該出力信号の良否を判定することが考えられる。しかしながら、高電圧で動作する回路と絶縁して出力信号を取得した場合、応答速度が遅くなることから、当該出力信号の立上り時間または立下り時間を測定することは困難であった。
【０００４】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる測定装置および測定方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の第１形態においては、被試験デバイスが出力する出力信号のスイッチング時間の少なくとも１つを測定する測定装置であって、出力信号の電圧が第１しきい電圧以上となった場合に発光する第１発光部と、出力信号の電圧が第１しきい電圧より高い第２しきい電圧以上となった場合に発光する第２発光部と、第１発光部からの光を受光する第１受光部と、第２発光部からの光を受光する第２受光部と、第１発光部および第２発光部の発光タイミングおよび消光タイミングの少なくとも１つの差に基づいて、第１しきい電圧および第２しきい電圧の間のスイッチング時間を測定する測定部とを備える測定装置を提供する。
【０００６】
測定部は、第１発光部が発光してから第２発光部が発光するまでの時間を第１しきい電圧から第２しきい電圧までの立上り時間として測定してよい。測定部は、第２発光部が消光してから第１発光部が消光するまでの時間を第２しきい電圧から第１しきい電圧までの立下り時間として測定してよい。
【０００７】
第１発光部は、被試験デバイスの出力端子と基準電位との間に接続され、第１しきい電流以上の電流が流れた場合にレーザー光を出力する第１レーザー出力部と、被試験デバイスの出力端子と基準電位との間に第１レーザー出力部と直列に接続され、出力端子の電圧が第１しきい電圧となった場合に第１レーザー出力部に第１しきい電流を流す抵抗値を有する第１抵抗とを有し、第２発光部は、被試験デバイスの出力端子と基準電位との間に接続され、第２しきい電流以上の電流が流れた場合にレーザー光を出力する第２レーザー出力部と、被試験デバイスの出力端子と基準電位との間に第２レーザー出力部と直列に接続され、出力端子の電圧が第２しきい電圧となった場合に第２レーザー出力部に第２しきい電流を流す抵抗値を有する第２抵抗とを有してよい。
【０００８】
第１受光部および第２受光部は、光を受光していない場合にＬ論理の信号を出力し、光を受光している場合にＨ論理の信号を出力し、測定部は、第１受光部および第２受光部からの信号の排他的論理和をとる排他的論理和ゲートと、排他的論理和ゲートの出力がＨ論理の時間をスイッチング時間として測定するＨ論理測定部とを有してよい。
【０００９】
被試験デバイスの基準電位は、第１受光部および第２受光部が出力する電圧の最大値と比較し高くてよい。当該測定装置は、被試験デバイスを試験する試験装置として機能するものであり、測定部が測定したスイッチング時間が規格値の範囲外であることを条件として、被試験デバイスが不良であると判定する判定部を更に備えてよい。
【００１０】
本発明の第２形態においては、被試験デバイスが出力する出力信号のスイッチング時間の少なくとも１つを測定する測定方法であって、出力信号の電圧が第１しきい電圧以上となった場合に第１発光部が発光する第１発光段階と、出力信号の電圧が第１しきい電圧より高い第２しきい電圧以上となった場合に第２発光部が発光する第２発光段階と、第１発光部からの光を受光する第１受光段階と、第２発光部からの光を受光する第２受光段階と、第１発光部および第２発光部の発光タイミングおよび消光タイミングの少なくとも１つの差に基づいて、第１しきい電圧および第２しきい電圧の間のスイッチング時間を測定する測定段階とを備える測定方法を提供する。
【００１１】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被試験デバイスと絶縁して、当該被試験デバイスの出力信号のスイッチング時間を高精度に測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る試験装置１０を、被試験デバイス（以下、ＤＵＴ１００と称する。）とともに示す。ＤＵＴ１００は、一例として、低電圧側論理回路１１０と、高電圧側論理回路１２０とを有してよい。低電圧側論理回路１１０と高電圧側論理回路１２０とは、互いに異なる電位を基準に動作する。例えば、低電圧側論理回路１１０が０ボルトを基準に動作し、高電圧側論理回路１２０が数１０ボルトから数１Ｋボルトを基準に動作してよい。なおここでは、低電圧側論理回路１１０は、高電圧側論理回路１２０に対して基準の電位が相対的に低く、試験装置１０が備える回路と同一の基準の電位で動作してよい。
【００１５】
また、低電圧側論理回路１１０および高電圧側論理回路１２０は、互いに異なる電位を基準とした異なる電源電圧が印加される。例えば、低電圧側論理回路１１０は、０ボルトを基準電圧として、当該基準電圧に対して例えば数ボルトから数十ボルト等の電源電圧が印加されてよい。一方、高電圧側論理回路１２０は、例えば１Ｋボルトを基準電圧として、例えば数ボルトから数十ボルト等の電源電圧が印加されてよい。
【００１６】
試験装置１０は、本発明の測定装置の一例であり、ＤＵＴ１００を試験する装置として機能する。より具体的には、試験装置１０は、ＤＵＴ１００が出力する出力信号のスイッチング時間の少なくとも１つを測定して、ＤＵＴ１００の良否を判定する。試験装置１０は、基準電圧供給部１２と、低電圧側電源部１４と、高電圧側電源部１６と、試験信号生成部１８と、駆動部２０と、検出部２２と、判定部２４とを備える。
【００１７】
基準電圧供給部１２は、ＤＵＴ１００に対して基準電圧を供給する。基準電圧供給部１２は、一例として、正側端子と負側端子との間に基準電圧を発生してよい。ＤＵＴ１００が低電圧側論理回路１１０と高電圧側論理回路１２０とを有する場合であれば、基準電圧供給部１２の負側端子は、一例として、グランド端子と共通とされた低電圧側論理回路１１０のシンク側電源端子Ｖｓｓと接続し、基準電圧供給部１２の正側端子は、高電圧側論理回路１２０のシンク側電源端子Ｖｓと接続してよい。これにより、低電圧側論理回路１１０は、試験装置１０のグランド電位を基準に動作し、高電圧側論理回路１２０は、試験装置１０のグランド電位から基準電圧分だけ高い電位を基準に動作することができる。
【００１８】
低電圧側電源部１４は、低電圧側論理回路１１０を駆動することを目的とした電源電圧を低電圧側論理回路１１０の基準電位を基準として発生する。そして、低電圧側電源部１４は、発生した電源電圧を低電圧側論理回路１１０に対して供給する。一例として、基準電圧供給部１２の負側端子が低電圧側論理回路１１０のシンク側電源端子Ｖｓｓに接続している場合であれば、低電圧側電源部１４は、当該シンク側電源端子Ｖｓｓを基準として例えば＋１５ボルト等の電圧を発生して、発生した電源電圧を低電圧側論理回路１１０のソース側電源端子Ｖｄｄに印加してよい。
【００１９】
高電圧側電源部１６は、高電圧側論理回路１２０を駆動することを目的とした電源電圧を高電圧側論理回路１２０の基準電位を基準として発生する。そして、低電圧側電源部１４は、発生した電源電圧を高電圧側論理回路１２０に対して供給する。一例として、基準電圧供給部１２の正側端子が高電圧側論理回路１２０のシンク側電源端子Ｖｓに接続している場合であれば、高電圧側電源部１６は、当該シンク側電源端子Ｖｓを基準として例えば＋１５ボルト等の電圧を発生して、発生した電源電圧を高電圧側論理回路１２０のソース側電源端子Ｖｂに印加してよい。
【００２０】
試験信号生成部１８は、ＤＵＴ１００に供給する試験信号を出力する。駆動部２０は、試験信号生成部１８が出力した試験信号を、ＤＵＴ１００に供給する。駆動部２０は、一例として、入出力間を絶縁して、試験信号を高電圧側論理回路１２０に供給してよい。
【００２１】
検出部２２は、ＤＵＴ１００が出力する出力信号のスイッチング時間を検出する。より具体的には、検出部２２は、出力信号が第１しきい電圧から第１しきい電圧より高い第２しきい電圧まで立ち上がる時間（Ｔｒ）、または、出力信号が第２しきい電圧から第１しきい電圧まで立ち下がる時間（Ｔｆ）の少なくとも一方の時間を、スイッチング時間として検出する。検出部２２は、一例として、ＤＵＴ１００の高電圧側論理回路１２０から出力された出力信号Ｈｏのスイッチング時間を、高電圧側論理回路１２０と絶縁して検出する。
【００２２】
判定部２４は、検出部２２が検出したスイッチング時間が規格値の範囲外であることを条件として、ＤＵＴ１００が不良であると判定する。このような試験装置１０によれば、ＤＵＴ１００が出力する出力信号のスイッチング時間を測定することができ、さらに、当該スイッチング時間に基づきＤＵＴ１００の良否を判定することができる。
【００２３】
図２は、本実施形態に係る検出部２２の構成を示す。検出部２２は、第１発光部３２と、第２発光部３４と、第１受光部３６と、第２受光部３８と、測定部４０とを有する。第１発光部３２は、ＤＵＴ１００が出力する出力信号の電圧が、第１しきい電圧以上となった場合に発光する。第１発光部３２は、一例として、高電圧側論理回路１２０が出力する出力信号Ｈｏの電圧が、第１しきい電圧Ｖｔ１以上となった場合に発光してよい。
【００２４】
第１発光部３２は、一例として、第１レーザー出力部５２と、第１抵抗５４とを含んでよい。第１レーザー出力部５２は、ＤＵＴ１００の出力端子と、基準電位との間に接続される。第１レーザー出力部５２は、一例として半導体レーザーであってよい。そして、第１レーザー出力部５２は、第１しきい電流以上の電流が流れた場合にレーザー光を出力する。第１抵抗５４は、ＤＵＴ１００の出力端子と、基準電位との間に第１レーザー出力部５２と直列に接続される。第１抵抗５４は、ＤＵＴ１００の出力端子の電圧が第１しきい電圧となった場合に、第１レーザー出力部５２に第１しきい電流を流す抵抗値を有する。
【００２５】
第１レーザー出力部５２と第１抵抗５４とが直列に接続されていることにより、出力信号が第１しきい電圧以上となったことを条件として、第１しきい電流以上の電流が第１レーザー出力部５２に流れる。従って、第１レーザー出力部５２は、出力信号が第１しきい電圧以上となったことを条件として、発光することができる。なお、直列に接続された第１レーザー出力部５２および第１抵抗５４は、一例として、高電圧側論理回路１２０が出力する出力信号Ｈｏの出力端子と、高電圧側論理回路１２０の基準電位となるシンク側電源端子Ｖｓとの間に接続されてよい。
【００２６】
第２発光部３４は、出力信号の電圧が第１しきい電圧より高い第２しきい電圧以上となった場合に発光する。第２発光部３４は、一例として、第２レーザー出力部５６と、第２抵抗５８とを含んでよい。第２レーザー出力部５６は、ＤＵＴ１００の出力端子と、基準電位との間に接続される。第２レーザー出力部５６は、一例として、半導体レーザーであってよい。そして、第２レーザー出力部５６は、第２しきい電流以上の電流が流れた場合にレーザー光を出力する。第２抵抗５８は、ＤＵＴ１００の出力端子と、基準電位との間に第２レーザー出力部５６と直列に接続される。第２抵抗５８は、ＤＵＴ１００の出力端子の電圧が第２しきい電圧となった場合に、第２レーザー出力部５６に第２しきい電流を流す抵抗値を有する。
【００２７】
第２レーザー出力部５６と第２抵抗５８とが直列に接続されていることにより、出力信号が第２しきい電圧以上となったことを条件として、第２しきい電流以上の電流が第２レーザー出力部５６に流れる。従って、第２レーザー出力部５６は、出力信号が第２しきい電圧以上となったことを条件として、発光することができる。なお、直列に接続された第２レーザー出力部５６および第２抵抗５８は、一例として、高電圧側論理回路１２０が出力する出力信号Ｈｏの出力端子と、高電圧側論理回路１２０の基準電位となるシンク側電源端子Ｖｓとの間に接続されてよい。
【００２８】
第１受光部３６は、第１発光部３２からの光を受光する。第２受光部３８は、第２発光部３４からの光を受光する。ここで、第１受光部３６および第２受光部３８は、ＤＵＴ１００の基準電位とは異なる基準電位に基づき動作して、第１発光部３２および第２発光部３４とは電気的に絶縁してよい。従って、出力信号を出力するＤＵＴ１００の基準電位は、第１受光部３６および第２受光部３８が出力する電圧の最大値と比較し高くてよい。これにより、第１受光部３６および第２受光部３８によれば、高電圧側論理回路１２０の基準電位（例えば１Ｋボルト）で動作する第１発光部３２および第２発光部３４から出力された光を、低電圧側論理回路１１０の基準電位（例えば０ボルト）で動作する回路により受光することができる。
【００２９】
また、第１受光部３６および第２受光部３８は、一例として、第１発光部３２または第２発光部３４から光を受光していない場合にＬ論理の信号を出力し、第１発光部３２または第２発光部３４から光を受光している場合にＨ論理の信号を出力してよい。この場合において、第１受光部３６および第２受光部３８のそれぞれは、一例として、フォトトランジスタ６２と、バイアス抵抗６４と、コンパレータ６６とを含んでよい。
【００３０】
フォトトランジスタ６２は、コレクタ端子がバイアス抵抗６４を介してソース側電源端子Ｖｄｄに接続し、エミッタ端子がシンク側電源端子Ｖｓｓに接続する。フォトトランジスタ６２は、第１発光部３２または第２発光部３４から出力された光を受光した時にはオンとなり、コレクタ端子をシンク側電源端子Ｖｓｓの電位とする。また、フォトトランジスタ６２は、光を受光しない時にはオフとなり、コレクタ端子をソース側電源端子Ｖｄｄの電位とする。
【００３１】
コンパレータ６６は、フォトトランジスタ６２のコレクタ端子電圧が比較電圧Ｖａ以上となるとＬ論理を出力し、フォトトランジスタ６２のコレクタ端子電圧が比較電圧Ｖａより小さくなるとＨ論理を出力する。比較電圧Ｖａは、ソース側電源端子Ｖｄｄの電位とシンク側電源端子Ｖｓｓの電位との間の任意値に設定されている。これにより、コンパレータ６６によれば、フォトトランジスタ６２が光を受光していない場合にＬ論理の信号を出力し、フォトトランジスタ６２が光を受光している場合にＨ論理の信号を出力することができる。
【００３２】
測定部４０は、第１発光部３２および第２発光部３４の発光タイミングおよび消光タイミングの少なくとも１つの差に基づいて、第１しきい電圧および第２しきい電圧の間のスイッチング時間を測定する。第１しきい電圧より第２しきい電圧の方が大きいので、ＤＵＴ１００の出力信号の立上り時においては、まず第１発光部３２が発光して、続いて、第２発光部３４が発光する。従って、測定部４０は、第１発光部３２が発光してから第２発光部３４が発光するまでの時間を第１しきい電圧から第２しきい電圧までの立上り時間として測定してよい。また、ＤＵＴ１００の出力信号の立下り時においては、まず第２発光部３４が消光して、続いて、第１発光部３２が消光する。従って、測定部４０は、第２発光部３４が消光してから第１発光部３２が消光するまでの時間を第２しきい電圧から第１しきい電圧までの立下り時間として測定してよい。
【００３３】
また、測定部４０は、一例として、排他的論理和ゲート７２と、Ｈ論理測定部７４とを含んでよい。排他的論理和ゲート７２は、第１受光部３６および第２受光部３８からの信号の排他的論理和をとる。これにより、第１受光部３６および第２受光部３８が、光を受光していない場合にＬ論理の信号を出力し、光を受光している場合にＨ論理の信号を出力する場合において、排他的論理和ゲート７２は、第１発光部３２が発光してから第２発光部３４が発光するまでの期間、および、第２発光部３４が消光してから第１発光部３２が消光するまでの期間を、Ｈ論理を出力することができる。Ｈ論理測定部７４は、排他的論理和ゲート７２の出力がＨ論理の時間をスイッチング時間として測定する。このように排他的論理和ゲート７２とＨ論理測定部７４を含んだ測定部４０によれば、第１発光部３２および第２発光部３４の発光タイミングおよび消光タイミングの差を測定することができる。
【００３４】
図３は、ＤＵＴ１００の高電圧側論理回路１２０から出力される出力信号Ｈｏの立上り時の信号波形、および、本実施形態に係る第１受光部３６、第２受光部３８及び測定部４０から出力される信号の一例を示す。
【００３５】
図３（Ａ）は、高電圧側論理回路１２０から出力される出力信号Ｈｏの立上り時の信号波形を示す。高電圧側論理回路１２０は、時刻ｔ１より前においては、出力信号Ｈｏをシンク側電源端子の端子電圧Ｖｓとする。高電圧側論理回路１２０は、時刻ｔ１において出力信号Ｈｏの増加を開始する。出力信号Ｈｏは、続く時刻ｔ２において第１しきい電圧Ｖｔ１に達し、続く時刻ｔ３において第２しきい電圧Ｖｔ２に達する。高電圧側論理回路１２０は、続く時刻ｔ４において出力信号Ｈｏをソース側電源端子の端子電圧Ｖｂとすると、出力信号Ｈｏの増加を停止する。高電圧側論理回路１２０は、時刻ｔ４より後においては、出力信号Ｈｏをソース側電源端子の端子電圧Ｖｂとする。
【００３６】
図３（Ｂ）は、第１受光部３６から出力される信号を示す。図３（Ａ）に示すような出力信号Ｈｏが高電圧側論理回路１２０から出力された場合、第１発光部３２は、出力信号Ｈｏがしきい電圧Ｖｔ１に達する時刻ｔ２から発光する。この場合において、第１受光部３６は、第１発光部３２から出力された光を受光するので、時刻ｔ２より前においてはＬ論理を出力し、時刻ｔ２以後においてはＨ論理を出力する。
【００３７】
図３（Ｃ）は、第２受光部３８から出力される信号を示す。図３（Ａ）に示すような出力信号Ｈｏが高電圧側論理回路１２０から出力された場合、第２発光部３４は、出力信号Ｈｏがしきい電圧Ｖｔ２に達する時刻ｔ３から発光する。この場合において、第２受光部３８は、第２発光部３４から出力された光を受光するので、時刻ｔ３より前においてはＬ論理を出力し、時刻ｔ３以後においてはＨ論理を出力する。
【００３８】
図３（Ｄ）は、測定部４０から出力される信号を示す。測定部４０は、第１発光部３２の発光タイミングから第２発光部３４の発光タイミングまでの時間差に基づき、出力信号Ｈｏが第１しきい電圧Ｖｔ１から第２しきい電圧Ｖｔ２まで変化する時間を測定する。測定部４０は、一例として、第１受光部３６がＨ論理を出力し、かつ、第２受光部３８がＬ論理を出力する期間Ｔ１を排他的論理和ゲート７２によって検出して、当該期間Ｔ１を測定する。
【００３９】
以上のように、第１発光部３２は、出力信号Ｈｏが相対的に低い電圧（第１しきい電圧Ｖｔ１）から発光を開始し、第２発光部３４は、出力信号Ｈｏが相対的に高い電圧（第２しきい電圧Ｖｔ２）から発光を開始する。従って、出力信号Ｈｏの立上り時においては、第１発光部３２が先に発光して、続いて、第２発光部３４が発光するので、検出部２２は、第１発光部３２と第２発光部３４との発光タイミングの時間差を検出すれば、出力信号Ｈｏが第１しきい電圧Ｖｔ１から第２しきい電圧Ｖｔ２までスイッチングする時間を測定することができる。
【００４０】
図４は、ＤＵＴ１００の高電圧側論理回路１２０から出力される出力信号Ｈｏの立下り時の信号波形、および、本実施形態に係る第１受光部３６、第２受光部３８及び測定部４０から出力される信号の一例を示す。
【００４１】
図４（Ａ）は、高電圧側論理回路１２０から出力される出力信号Ｈｏの立下り時の信号波形を示す。高電圧側論理回路１２０は、時刻ｔ６より前においては、出力信号Ｈｏをソース側電源端子の端子電圧Ｖｂとする。高電圧側論理回路１２０は、時刻ｔ６において出力信号Ｈｏの減少を開始する。出力信号Ｈｏは、続く時刻ｔ７において第２しきい電圧Ｖｔ２に達し、続く時刻ｔ８において第１しきい電圧Ｖｔ１に達する。高電圧側論理回路１２０は、続く時刻ｔ９において出力信号Ｈｏをシンク側電源端子の端子電圧Ｖｓとすると、出力信号Ｈｏの減少を停止する。高電圧側論理回路１２０は、時刻ｔ９より後においては、出力信号Ｈｏをシンク側電源端子の端子電圧Ｖｓとする。
【００４２】
図４（Ｂ）は、第１受光部３６から出力される信号を示す。図４（Ａ）に示すような出力信号Ｈｏが高電圧側論理回路１２０から出力された場合、第１発光部３２は、出力信号Ｈｏがしきい電圧Ｖｔ１に達する時刻ｔ８から消光する。この場合において、第１受光部３６は、第１発光部３２から出力された光を受光するので、時刻ｔ８より前においてはＨ論理を出力し、時刻ｔ８以後においてはＬ論理を出力する。
【００４３】
図４（Ｃ）は、第２受光部３８から出力される信号を示す。図４（Ａ）に示すような出力信号Ｈｏが高電圧側論理回路１２０から出力された場合、第２発光部３４は、出力信号Ｈｏがしきい電圧Ｖｔ２に達する時刻ｔ７から消光する。この場合において、第２受光部３８は、第２発光部３４から出力された光を受光するので、時刻ｔ７より前においてはＨ論理を出力し、時刻ｔ７以後においてはＬ論理を出力する。
【００４４】
図４（Ｄ）は、測定部４０から出力される信号を示す。測定部４０は、第２発光部３４の消光タイミングから第１発光部３２の消光タイミングまでの時間差に基づき、出力信号Ｈｏが第２しきい電圧Ｖｔ２から第１しきい電圧Ｖｔ１まで変化する時間を測定する。測定部４０は、一例として、第１受光部３６がＨ論理を出力し、かつ、第２受光部３８がＬ論理を出力する期間Ｔ２を排他的論理和ゲート７２によって検出して、当該期間Ｔ２を測定する。
【００４５】
以上のように、第２発光部３４は、出力信号Ｈｏが相対的に高い電圧（第２しきい電圧Ｖｔ２）から消光を開始し、第１発光部３２は、出力信号Ｈｏが相対的に低い電圧（第１しきい電圧Ｖｔ１）から消光を開始する。従って、出力信号Ｈｏの立下り時においては、第２発光部３４が先に消光して、続いて、第１発光部３２が消光するので、検出部２２は、第２発光部３４と第１発光部３２との消光タイミングの時間差を検出すれば、出力信号Ｈｏが第２しきい電圧Ｖｔ２から第１しきい電圧Ｖｔ１までスイッチングする時間を測定することができる。
【００４６】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本実施形態に係る試験装置１０をＤＵＴ１００とともに示す。
【図２】本実施形態に係る検出部２２の構成を示す。
【図３】ＤＵＴ１００の高電圧側論理回路１２０から出力される出力信号Ｈｏの立上り時の信号波形、および、本実施形態に係る第１受光部３６、第２受光部３８及び測定部４０から出力される信号の一例を示す。
【図４】ＤＵＴ１００の高電圧側論理回路１２０から出力される出力信号Ｈｏの立下り時の信号波形、および、本実施形態に係る第１受光部３６、第２受光部３８及び測定部４０から出力される信号の一例を示す。
【符号の説明】
【００４８】
１０  試験装置
１２  基準電圧供給部
１４  低電圧側電源部
１６  高電圧側電源部
１８  試験信号生成部
２０  駆動部
２２  検出部
２４  判定部
３２  第１発光部
３４  第２発光部
３６  第１受光部
３８  第２受光部
４０  測定部
５２  第１レーザー出力部
５４  第１抵抗
５６  第２レーザー出力部
５８  第２抵抗
６２  フォトトランジスタ
６４  バイアス抵抗
６６  コンパレータ
７２  排他的論理和ゲート
７４  Ｈ論理測定部
１００  ＤＵＴ
１１０  低電圧側論理回路
１２０  高電圧側論理回路
【図１】
2007218805.tif 000003
【図２】
2007218805.tif 000004
【図３】
2007218805.tif 000005
【図４】
2007218805.tif 000006