(57)【要約】【課題】  処理室内に処理ガスを均等に供給できながら、シャワーヘッドの組立てを容易にする。【解決手段】  基板処理装置は、基板を処理する反応室と、反応室内に原料ガス（処理ガス）Ｇ１、ラジカル（処理ガス）Ｇ２をシャワー状に供給するシャワーヘッド２３６とを有する。このシャワーヘッド２３６は、複数のポート（貫通孔）Ｃ１、Ｃ２を有する複数の円板Ａ１、Ａ２、Ａ３を有する。複数の円板Ａ１、Ａ２、Ａ３のうち少なくとも隣り合う円板の複数のポートＣ１又はＣ２の一部同士は、連通孔Ｄを有する少なくとも１つのボルト（管状部材）Ｂで連通される。このボルトＢは、少なくとも一端部がネジ込み可能に形成され、隣り合う円板Ａ１、Ａ２又はＡ２、Ａ３の少なくとも一方の複数のポートＣの一部にネジ込まれている。【選択図】  図１
2007042890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドとを有し、
前記シャワーヘッドは、複数の貫通孔を有する複数の板を有し、前記複数の板のうち少なくとも隣り合う板の複数の貫通孔の一部同士は少なくとも１つの管状部材で連通され、
前記管状部材は、少なくとも一端部がネジ込み可能に形成され、前記隣り合う板の少なくとも一方の複数の貫通孔の一部にネジ込まれていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理ガスを処理室内にシャワー状に供給するシャワーヘッドを備えた基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の一工程において用いられる薄膜成膜方法に、化学反応を利用した化学的気相成長（ＣＶＤ）がある。熱エネルギーを利用したＣＶＤの場合には、気相中での反応が主体的になる場合と基板表面での反応が主体的になる場合がある。基板表面での反応が主体的になるほうが、よりステップカバレジの特性が優れているといえる。
【０００３】
通常のＣＶＤでは、反応を起こしやすい膜を形成する原料となる２種類以上の処理ガスが、シャワーヘッド内で混合されて基板へ供給されるため、気相中での反応が主体的になることが多い。すると、ステップカバレジの特性が劣化したり、気相中での反応による生成物がパーティクル源となって、基板上に成膜された薄膜を汚染することがある。
また、サイクリック手法を利用したＣＶＤ（サイクリックＣＶＤ）では、成膜するための原料ガス（通常、混合原料ガス）と、成膜された薄膜の汚染除去を行う活性酸素とを交互に供給することにより、通常のＣＶＤよりも汚染の少ない薄膜を形成している。
また、ＡＬＤでは、複数の原料ガスを、１種類ずつ交互に供給して、１原子層単位で基板に原料を吸着させ、表面反応を利用して成膜を行っている。このため、ＣＶＤよりもステップカバレジの特性に優れる。
【０００４】
上述したことから、通常のＣＶＤでは、ステップカバレジの特性を向上し、汚染の少ない薄膜を形成するために、シャワーヘッド内でガスを混合させないようにする必要がある。また、サイクリックＣＶＤでも、原料ガスと活性酸素とは反応しやすいため、これらのガスのシャワーヘッド内での混合は回避されるべきである。そして、ＡＬＤの場合でも、先行して供給するガスがシャワーヘッド内に残存している可能性があるため、シャワーヘッド内でのガス混合を回避する必要がある。
【０００５】
このため、従来のシャワーヘッドを用いて成膜を行う基板処理装置では、いずれの薄膜成膜方法をとるにせよ、複数種類のガスをシャワーヘッド内で混合させないように、シャワーヘッド内を仕切るようにしている。ここでの仕切り方は、仕切板によりガスの導入方向と交差する方向（例えば左右方向）にシャワーヘッドを複数に仕切るというものであり、これにより複数種類のガスをシャワーヘッド内で分離して流すようにしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、シャワーヘッドを仕切板によりガス導入方向と交差方向に仕切ると、各ガスがシャワーヘッド内を空間的に遍在して流れるため、シャワーヘッドから処理室内に複数の種類のガスをそれぞれ均等に供給することが困難であった。
【０００７】
そこで、このガスの不均等供給の問題を解消するためには、複数種類のガスがシャワーヘッド内で互いに分離して流れるけれども、互いに遍在することなく流れるようにする必要がある。そのためには、シャワーヘッドを次のように構成することが考えられる。
【０００８】
シャワーヘッド内を、ガスの流れる方向に複数に仕切って複数の室を設ける。例えば、上下２室設ける場合には、シャワーヘッド内をガスが導入される上板、ガスが通過する中板、ガスが導出される下板で仕切って、シャワーヘッド内を上室と下室とに分割する。さらに上板、中板、下板にそれぞれ複数の貫通孔を設ける。各板の貫孔同士は次のように円筒配管で連通する。
上室では、上板と中板との複数の貫通孔のうち、対応する一部の貫通孔同士を１つの円筒配管で連通する。下室では、上室の中板で円筒配管により連通しなかった貫通孔と、この貫通孔に対応する下板の貫通孔同士を複数の円筒配管で連通する。円筒配管には連結手段がないため、隣り合う板同士は、この円筒配管を介して溶接により接続される。
円筒配管に接続されていない上板の貫通孔から上室に入ったガスは、上室内に分散されて中板と下板との貫通孔同士に接続された複数の円筒配管を介して下室をバイパスし、円筒配管に接続された下板の複数の貫通孔から処理室内にシャワー状に供給される。上板の貫通孔に接続された円筒配管から入ったガスは、上室内をバイパスして下室内に入り、下室内に分散されて、円筒配管が接続されていない下板の複数の貫通孔（残りの貫通孔）から、処理室内にシャワー状に供給される。
したがって、２種類の処理ガスは、シャワーヘッド内では混合されることがなく、しかも、各ガスはシャワーヘッド内では空間的に遍在せず、分離されつつ混在して流れるので、各処理ガスをシャワーヘッドから処理室内に均等に供給することが可能になると考えられる。
【０００９】
しかしながら、上述した想定技術では、シャワーヘッドを構成する各板同士を円筒配管で溶接により接続を行う必要があり、シャワーヘッドの組立てに手数がかかるという問題が予想される。
【００１０】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、処理室内に処理ガスを均等に供給できながら、シャワーヘッドの組立てが容易な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドとを有し、前記シャワーヘッドは、複数の貫通孔を有する複数の板を有し、前記複数の板のうち少なくとも隣り合う板の複数の貫通孔の一部同士は少なくとも１つの管状部材で連通され、前記管状部材は、少なくとも一端部がネジ込み可能に形成され、前記隣り合う板の少なくとも一方の複数の貫通孔の一部にネジ込まれていることを特徴とする基板処理装置である。
【００１２】
管状部材で連通されていない貫通孔に導入される処理ガスは、隣り合う板の一方の貫通孔から隣り合う板間に流れ込み、隣り合う板の他方の板の貫通孔を通った後に処理室内に供給される。管状部材で連通されている貫通孔に導入される処理ガスは、管状部材内を通るため、前記管状部材で連通されていない貫通孔を通って隣り合う板間に流れ込んだ処理ガスと分離され、隣り合う板の他方の板の管状部材で連通されている貫通孔を通った後に処理室内に供給される。したがって、隣り合う板間では、管状部材内を通る処理ガスと管状部材内を通らない処理ガスとはシャワーヘッド内では混合されない。
【００１３】
また、隣り合う板の複数の貫通孔の一部同士を管状部材で連通するようにしたので、シャワーヘッド内を遍在的に仕切って処理ガスを分離するものと比べて、処理ガスを空間配置的に分離しつつ混在したまま処理室内に供給することが可能になるので、シャワーヘッドから処理室内に処理ガスを均等に供給できる。
また、管状部材の少なくとも一端を貫通孔にネジ込むことにより板に接続するので、溶接により管状部材の両端を接続する場合と比べて、シャワーヘッドの組立て作業が容易である。
【００１４】
第２の発明は、処理室内に基板を搬入する工程と、複数の貫通孔を有する複数の板を有し、前記複数の板のうち少なくとも隣り合う板の複数の貫通孔の一部同士は少なくとも１つの管状部材により連通され、前記管状部材の一端が前記隣り合う板の少なくとも一方の複数の貫通孔の一部にネジ込まれて構成されるシャワーヘッドを介して前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、処理済基板を前記処理室より搬出する工程と、を有することを特徴とする半導体製造装置の製造方法である。
【００１５】
搬入工程では、基板が処理室内に搬入される。処理工程では、管状部材で連通されていない貫通孔に導入される処理ガスは、隣り合う板の一方の貫通孔から隣り合う板間に流れ込み、隣り合う板の他方の板の貫通孔を通った後に処理室内に供給される。管状部材で連通されている貫通孔に導入される処理ガスは、管状部材内を通るため、前記管状部材で連通されていない貫通孔を通って隣り合う板間に流れ込んだ処理ガスと分離され、隣り合う板の他方の板の管状部材で連通されている貫通孔を通った後に処理室内に供給される。したがって、隣り合う板間では、管状部材内を通る処理ガスと管状部材内を通らない処理ガスとは混合されない。また、処理ガスを空間配置的に分離しつつ混在したまま処理室内に供給することが可能になるので、シャワーヘッドから処理室内に処理ガスを均等に供給できる。シャワー状に供給された処理室内で初めて混合されることとなる。搬出工程では、処理済基板が処理室より搬出される。
シャワーヘッドの組立てに際しては、管状部材の少なくとも一端を貫通孔にネジ込むことにより板に接続するので、溶接により管状部材の両端を接続する場合と比べて、作業が容易である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、処理室内に処理ガスを均等に供給できながら、管状部材を貫通孔にネジ込むことにより板に接続するので、溶接により接続する場合と比べて、シャワーヘッドの組立てが容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明の実施の形態を説明する。
【００１８】
図５および図６において、本発明が適用される基板処理装置の概要を説明する。
【００１９】
なお、本発明が適用される基板処理装置においてはウエハなどの基板を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図５を基準とする。すなわち、図５が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００２０】
図５および図６に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下で基板２００を移載する第一のウエハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウエハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００２１】
筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。
【００２２】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１には基板２００を移載する第二のウエハ移載機１２４が設置されている。第二のウエハ移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００２３】
図５に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。また、図６に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００２４】
図５および図６に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５には、基板２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１３４と、前記ウエハ搬入搬出口を閉塞する蓋１４２と、ポッドオープナ１０８がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２を開閉するキャップ開閉機構１３６とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２をキャップ開閉機構１３６によって開閉することにより、ポッド１００のウエハ出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、前記ＩＯステージ１０５に、供給および排出されるようになっている。
【００２５】
図５に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、ウエハに所望の処理を行う第一の処理炉２０２と、第二の処理炉１３７とがそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉２０２および第二の処理炉１３７はいずれもコールドウオール式の処理炉によってそれぞれ構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一のクーリングユニット１３８と、第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、クーリングユニット１３８、１３９は処理済みの基板２００を冷却するように構成されている。
【００２６】
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程を説明する。
【００２７】
未処理の基板２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図５および図６に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を開閉する蓋１４２がキャップ開閉機構１３６によって取り外され、ポッド１００のウエハ出し入れ口が開放される。
【００２８】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウエハ移載機１２４はポッド１００から基板２００をピックアップし、予備室１２２に搬入し、基板２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３の負圧は維持されている。基板２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２９】
予備室１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４、１３０が開かれ、予備室１２２、第一の搬送室１０３、第一の処理炉２０２が連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２は基板置き台１４０から基板２００をピックアップして第一の処理炉２０２に搬入する。そして、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理が基板２００に行われる。
【００３０】
第一の処理炉２０２で前記処理が完了すると、処理済みの基板２００は第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。
【００３１】
そして、第一のウエハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出した基板２００を第一のクーリングユニット１３８へ搬入し、処理済みのウエハを冷却する。
【００３２】
第一のクーリングユニット１３８に基板２００を移載すると、第一のウエハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０に予め準備された基板２００を第一の処理炉２０２に前述した作動によって移載し、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理が基板２００に行われる。
【００３３】
第一のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みの基板２００は第一のウエハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。
【００３４】
冷却済みの基板２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出されたのち、ゲートバルブ１２７が開かれる。そして、第一のウエハ移載機１１２は第一のクーリングユニット１３８から搬出した基板２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００３５】
予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、前記排出用の予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。前記予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、第二の搬送室１２１の予備室１２３に対応したウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２と、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第二の搬送室１２１の第二のウエハ移載機１２４は基板置き台１４１から基板２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウエハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。処理済みの２５枚の基板２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップとウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２がポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００３６】
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが、順次、処理されて行く。以上の作動は第一の処理炉２０２および第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理炉１３７および第二のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。
【００３７】
なお、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。また、第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第一の処理炉２０２で基板２００にある処理（例えばＨｉｇｈ−ｋ膜等の成膜）を行った後、続けて第二の処理炉１３７で別の処理（例えば、窒化処理等）を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２で基板２００にある処理を行った後、第二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８（又は第二のクーリングユニット１３９）を経由するようにしてもよい。
【００３８】
図４は、前述した第一の処理炉２０２を示す概略図であって、この第一の処理炉２０２は、リモートプラズマユニットとシャワーヘッドとが組み込まれた枚葉式ＭＯＣＶＤ装置の処理炉を例示している。
【００３９】
ここでの第一の処理炉２０２は、その処理室としての反応室２０１が、基板を保持するサセプタ２１７と、サセプタ２１７を加熱するためのヒータ２０７とを有するヒータユニット２０７ａと、そのヒータユニット２０７ａを昇降するエレベータ（図示せず）と、シャワーヘッド２３６と、ガス流を調整するための整流板１１と、排気口２３１ａとを備えて構成される。以下、詳述する。
【００４０】
図に示すように、処理室としての反応室２０１内に、上部開口が基板保持手段としてのサセプタ２１７によって覆われた中空のヒータユニット２０７ａが設けられる。ヒータユニット２０７ａの内部には加熱手段としてのヒータ２０７が設けられ、ヒータ２０７によってサセプタ２１７上に載置される基板２００を加熱するようになっている。ヒータ２０７は基板２００の温度が所定の温度となるよう温度制御手段２５３により制御される。サセプタ２１７上に載置される基板２００は、例えば半導体シリコンウエハ、ガラス基板等である。
【００４１】
反応室２０１外に回転手段としての基板回転ユニット２６７が設けられ、基板回転ユニット２６７によって反応室２０１内のヒータユニット２０７ａを回転して、サセプタ２１７上の基板２００を回転できるようになっている。基板２００を回転させるのは、後述する成膜工程、ＲＰＯ工程における基板への処理を基板面内において素早く均一に行うためである。
【００４２】
また、反応室２０１内のサセプタ２１７の上方に多数の孔２４０を有するシャワーヘッド２３６が設けられる。シャワーヘッド２３６は、成膜シャワーヘッド部２３６ａと、ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂとに上下に分割され、分割された成膜シャワーヘッド部２３６ａ、ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂから、後述するように原料ガス、酸素ラジカル（以下ラジカル）を別々に分離してシャワー状に噴出できるようになっている。
【００４３】
反応室２０１外に、成膜原料としての有機液体原料を供給する成膜原料供給ユニット２５０ｂと、成膜原料の液体供給流量を制御する流量制御手段としての液体流量制御装置２４１ｂと、成膜原料を気化する気化器２５５とが設けられる。また非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給ユニット２５０ａと、不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置２４１ａが設けられる。成膜原料としては有機液体原料ＭＯを用いる。また、不活性ガスとしてはＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2などを用いる。成膜原料供給ユニット２５０ｂに設けられた原料ガス供給管２３２ｂと、不活性ガス供給ユニット２５０ａに設けられた不活性ガス供給管２３２ａとを一本化して、成膜シャワーヘッド部２３６ａに接続される原料供給管２３２ｅが設けられる。原料供給管２３２ｅは、成膜工程で、シャワーヘッド２３６の成膜シャワーヘッド部２３６ａに処理ガスとしての成膜ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給するようになっている。原料ガス供給管２３２ｂ、不活性ガス供給管２３２ａにはそれぞれバルブ２４３ｂ、２４３ａを設け、これらのバルブ２４３ｂ、２４３ａを開閉することにより、成膜ガスと不活性ガスとの混合ガスの供給を制御することが可能となっている。
【００４４】
また、反応室２０１外に、ガスをプラズマにより活性化させる活性化手段としてのリモートプラズマユニット２２２が設けられる。リモートプラズマユニット２２２の上流側には、ガス供給管２３２ｇが設けられる。このガス供給管２３２ｇには、酸素（Ｏ2）を供給する酸素供給ユニット２５０ｄ、及びプラズマを発生させるガス（プラズマ着火用ガス）であるＡｒを供給するＡｒ供給ユニット２５０ｃが供給管２３２ｄ、２３２ｃを介して接続されて、ＲＰＯ工程で使用するＯ2とＡｒをリモートプラズマユニット２２２に対し供給するようになっている。酸素供給ユニット２５０ｄ、Ａｒ供給ユニット２５０ｃには、それぞれのガスの供給流量を制御する流量制御手段としての流量制御装置２４１ｄ、２４１ｃが設けられている。供給管２３２ｄ、２３２ｃにはそれぞれバルブ２４３ｄ、２４３ｃを設け、これらのバルブ２４３ｄ、２４３ｃを開閉することにより、Ｏ2ガスとＡｒガスの供給を制御することが可能となっている。
【００４５】
リモートプラズマユニット２２２の下流側には、ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂに接続されるラジカル供給管２３２ｆが設けられ、ＲＰＯ（remote plasma oxidation）工程で、シャワーヘッド２３６のラジカルシャワーヘッド部２３６ｂに酸素ラジカルを供給するようになっている。また、ラジカル供給管２３２ｆにはバルブ２４３ｅを設け、バルブ２４３ｅを開閉することにより、ラジカルの供給を制御することが可能となっている。
【００４６】
上述した反応室２０１に設けた原料供給管２３２ｅ、ラジカル供給管２３２ｆ等を含む成膜シャワーヘッド部２３６ａとラジカルシャワーヘッド部２３６ｂとで、成膜工程で基板２００に供給する成膜ガスと、ＲＰＯ工程で基板２００に供給するラジカルをそれぞれ供給する別々の供給口が構成される。
【００４７】
反応室２０１に排気口２３１ａが設けられ、その排気口２３１ａは排気装置としての真空ポンプ２４６、除害装置（図示せず）に連通する排気管２３１に接続されている。排気管２３１には、反応室２０１内の圧力を制御する圧力制御手段２５４と、成膜ガス原料を回収するための原料回収トラップ２５１が設置される。この原料回収トラップ２５１は、成膜工程とＲＰＯ工程とに共用で用いられる。前記排気口２３１ａ及び排気管２３１で排気系を構成する。
【００４８】
また、原料ガス供給管２３２ｂ及びラジカル供給管２３２ｆには、排気管２３１に設けた原料回収トラップ２５１に接続される原料ガスバイパス管２５２ａ及びラジカルバイパス管２５２ｂ（これらを単に、バイパス管２５２という）がそれぞれ設けられる。原料ガスバイパス管２５２ａ及びラジカルバイパス管２５２ｂに、それぞれバ
ルブ２４３ｆ、２４３ｇを設ける。これらにより、成膜工程で反応室２０１内の基板２００に成膜ガスを供給する際は、ＲＰＯ工程で使用するラジカルの供給は停止させずに反応室２０１をバイパスするようラジカルバイパス管２５２ｂ、原料回収トラップ２５１を介して排気しておくことが可能となる。また、ＲＰＯ工程で基板２００にラジカルを供給する際は、成膜工程で使用する成膜ガスの供給は停止させずに反応室２０１をバイパスするよう原料ガスバイパス管２５２ａ、原料回収トラップ２５１を介して排気しておくことが可能となる。
【００４９】
そして、成膜工程とＲＰＯ工程とを、前記バルブ２４３ａ〜２４３ｇの開閉等を制御することにより、連続して複数回繰り返すように制御するメインコントローラ２５６が設けられている。なお、メインコントローラ２５６では、各流量制御装置２４１ａ〜２４１ｄ、温度制御手段２５３、圧力制御手段２５４の制御も行う。
【００５０】
次に上述した図４のような構成の基板処理装置の処理炉を用いて、薄膜を堆積するための手順を示す。ここでは、有機金属材料を用いて、サイクリックＣＶＤにより基板上に金属膜や金属酸化膜等の薄膜を形成する場合について説明する。
【００５１】
まず、図４に示す反応室２０１内のサセプタ２１７上に基板２００を載置して、基板２００を基板回転ユニット２６７により回転させながら、ヒータ２０７に電力を供給して基板２００の温度を例えば３００〜５００℃の間の所定の温度となるよう均一に加熱する（昇温工程）。なお、基板２００の搬送時や基板加熱時は、不活性ガス供給管２３２ａに設けたバルブ２４３ａを開けて、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2などの不活性ガスを常に流しておくとパーティクルや金属汚染物の基板２００への付着を防ぐことができる。
【００５２】
昇温工程終了後、成膜工程に入る。成膜工程では、成膜原料供給ユニット２５０ｂから供給した有機液体原料ＭＯを、液体流量制御装置２４１ｂで流量制御し、気化器２５５へ供給して気化させる。原料ガス供給管２３２ｂに設けたバルブ２４３ｂを開くことにより、気化した原料ガスを成膜シャワーヘッド部２３６ａを介して基板２００上へ供給する。このときも、バルブ２４３ａを開いたままにして、不活性ガス供給ユニット２５０ａから不活性ガス（Ｎ2など）を常に流して、成膜ガスを撹拌させるようにする。成膜ガスは不活性ガスで希釈すると撹拌しやすくなる。原料ガス供給管２３２ｂから供給される成膜ガスと、不活性ガス供給管２３２ａから供給される不活性ガスとは原料供給管２３２ｅで混合され、混合ガスとして成膜シャワーヘッド部２３６ａに導びかれ、多数の孔２４０を経由して、サセプタ２１７上の基板２００上へシャワー状に供給される。
【００５３】
この混合ガスの供給を所定時間実施することにより、まず基板２００上に数〜数十オングストローム（数〜数十原子層）程度の薄膜を形成する。この間、基板２００は回転しながらヒータ２０７により所定温度（成膜温度）に保たれているので、基板面内にわたり均一な膜を形成できる。次に、原料ガス供給管２３２ｂに設けたバルブ２４３ｂを閉じて、原料ガスの基板２００への供給を停止する。なお、この際、原料ガスバイパス管２５２ａに設けたバルブ２４３ｆを開き、成膜ガスの供給を原料ガスバイパス管２５２ａで反応室２０１をバイパスして排気し、成膜ガスの供給を停止しないようにするのが好ましい。液体原料を気化して、気化した原料ガスを安定供給するまでには時間がかかるので、成膜ガスの供給を停止させずに、反応室２０１をバイパスするように流しておくと、次の成膜工程では流れを切換えるだけで、直ちに成膜ガスを基板２００へ供給できる。
【００５４】
成膜工程終了後、パージ工程に入る。パージ工程では、反応室２０１内を不活性ガスによりパージして残留ガスを除去する。なお、成膜工程ではバルブ２４３ａは開いたままにしてあり、反応室２０１内には不活性ガス供給ユニット２５０ａから不活性ガス（Ｎ2など）が常に流れているので、バルブ２４３ｂを閉じて原料ガスの基板２００への供給を停止すると同時にパージが行われることとなる。
【００５５】
パージ工程終了後、ＲＰＯ工程に入る。ここでＲＰＯ処理とは、酸素含有ガス（Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ等）をプラズマによって活性化させて発生させた酸素ラジカルを用いて、膜を酸化させるリモートプラズマ酸化処理のことである。ＲＰＯ工程では、供給管２３２ｃに設けたバルブ２４３ｃを開き、Ａｒ供給ユニット２５０ｃから供給したＡｒを液体流量制御装置２４１ｃで流量制御してリモートプラズマユニット２２２へ供給し、Ａｒプラズマを発生させる。Ａｒプラズマを発生させた後、供給管２３２ｄに設けたバルブ２４３ｄを開き、Ｏ2供給ユニット２５０ｄから供給したＯ2を液体流量制御装置２４１ｄで流量制御してＡｒプラズマを発生させているリモートプラズマユニット２２２へ供給し、Ｏ2を活性化する。これにより酸素ラジカルが生成される。ラジカル供給管２３２ｆに設けたバルブ２４３ｅを開き、リモートプラズマユニット２２２から酸素ラジカルを含むガスを、ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂを介して基板２００上へ供給する。この間、基板２００は回転しながらヒータ２０７により所定温度（成膜温度と同一温度）に保たれているので、成膜工程において基板２００上に形成された数〜数十オングストローム（数〜数十原子層）程度の薄膜よりＣ、Ｈ等の不純物を素早く均一に除去できる。
【００５６】
その後、ラジカル供給管２３２ｆに設けたバルブ２４３ｅを閉じて、酸素ラジカルの基板２００への供給を停止する。なお、この際、ラジカルバイパス管２５２ｂに設けたバルブ２４３ｇを開くことにより、酸素ラジカルを含むガスの供給を、ラジカルバイパス管２５２ｂで反応室２０１をバイパスして排気し、酸素ラジカルの供給を停止しないようにするのが好ましい。酸素ラジカルは生成から安定供給するまでに時間がかかるので、酸素ラジカルの供給を停止させずに、反応室２０１をバイパスするように流しておくと、次のＲＰＯ工程では、流れを切換えるだけで、直ちにラジカルを基板２００へ供給できる。
【００５７】
なお、ＲＰＯ工程と成膜工程は、略同一温度で行なうのが好ましい（ヒータ２０７の設定温度は変更せずに一定とするのが好ましい）。これは、温度変動を生じさせないことにより、シャワーヘッド２３６やサセプタ２１７等の周辺部材の熱膨張によるパーティクルが発生しにくくなり、また、金属部品からの金属の飛び出し（金属汚染）を抑制できるからである。
【００５８】
ＲＰＯ工程終了後、再びパージ工程に入る。パージ工程では、反応室２０１内を不活性ガスによりパージして残留ガスを除去する。なお、ＲＰＯ工程でもバルブ２４３ａは開いたままにしてあり、反応室２０１内には不活性ガス供給ユニット２５０ａから不活性ガス（Ｎ2など）が常に流れているので、酸素ラジカルの基板２００への供給を停止すると同時にパージが行われることとなる。
【００５９】
パージ工程終了後、再び成膜工程に入り、原料ガス供給管２３２ｂに設けたバルブ２４３ｂを開くことにより、成膜ガスを成膜シャワーヘッド部２３６ａを介して基板２００上へ供給し、数〜数十オングストローム（数〜数十原子層）程度の薄膜を、前回の成膜工程で形成した薄膜上に堆積する。
【００６０】
以上のような、成膜工程→パージ工程→ＲＰＯ工程→パージ工程を複数回繰り返すというサイクル処理により、ＣＨ、ＯＨの混入が極めて少ない所定膜厚の薄膜を形成することができる。
【００６１】
所定膜厚の薄膜形成後、基板回転ユニット２６７による基板２００の回転を停止し、所定膜厚の薄膜が形成された基板２００を反応室２０１から取り出す。
【００６２】
上述した金属膜や金属酸化膜等の薄膜を形成する場合、複数種類のガスを別々に供給する２経路を有するシャワーヘッド２３６において、一方の経路からは反応が進まない処理ガスを混在させて供給し、他方の経路からは混在させた処理ガスと反応を起こしやすい処理ガスを供給する。
例えば、Ｈｆシリケート膜であるＨｆＳｉＯ膜を形成する場合、Ｈｆ原料とＳｉ原料とをそれぞれ気化させた処理ガスを一方の経路から混在させて供給する。他方の経路から酸素原子を含むガスまたはそれらをプラズマにより励起したラジカルを供給する。
【００６３】
ＨｆＳｉＯ膜を形成する原料の組合わせは様々ある。例えばＨｆ原料としては、Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ3）2ＣＨ2ＯＣＨ3］4（Ｈｆ−ＭＭＰと略す）、Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ3）3］4（Ｈｆ−ＯｔＢｕと略す）、Ｈｆ［Ｏ−Ｓｉ−（ＣＨ3）］4（Ｈｆ−ＯＳｉと略す）などが挙げられる。Ｓｉ原料としては、Ｓｉ［ＯＣ（ＣＨ3）2ＣＨ2ＯＣＨ3］4（Ｓｉ−ＭＭＰと略す）、Ｓｉ［ＯＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2］4（Ｓｉ−ＤＭＡＰと略す）、Ｈ−Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］3（ＴＤＭＡＳと略す）などが挙げられる。ラジカルとしては、酸素Ｏ2をプラズマで励起した酸素ラジカルが挙げられる。
なお、Ｈｆ−ＭＭＰを用いたＣＶＤについては特開２００４−６６９９号公報などで公開されている。
【００６４】
図１は、上述したような処理ガスを供給するシャワーヘッド２３６の構成の概略図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は縦断面図である。
【００６５】
２経路を有するシャワーヘッド２３６は、複数の室（成膜シャワーヘッド部２３６ａ、ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂ）を処理ガスの流れ方向と交差する方向（水平方向）に並列に持つ横並び構造ではなく、複数の室を処理ガスの流れ方向（垂直方向）に直列にもつ段積み構造となっている。
【００６６】
以下にシャワーヘッド２３６を具体的に説明する。
図１に示す実施の形態のシャワーヘッド２３６は、点線で示す原料ガスＧ１と、実線で示すラジカルＧ２とをそれぞれ導入する２つの貫通孔としてのポートＣ（原料ガス用のポートＣ１、ラジカル用のポートＣ２）を、シャワーヘッド２３６のほぼ中央付近に、互いにずらして配置するために、異軸の構造とした例を示す。原料ガスＧ１とラジカルＧ２とで処理ガスを構成する。
【００６７】
シャワーヘッド２３６は、シャワーヘッド２３６の本体を構成する上下が開放した円筒Ｅと、円筒Ｅ内に軸方向（ガス流方向）に複数の室を形成するための上下の仕切板としての複数枚の円板Ａとを有する。ここでは円板Ａは、円筒Ｅの内径と同じ径を有する３枚の円板Ａ１、Ａ２、Ａ３で構成される。第１の円板Ａ１は円筒Ｅの上部開口を塞ぐ蓋板を構成し、第２の円板Ａ２は上下に２室を区画する隔壁を構成し、第３の円板Ａ３は円筒Ｅの下部開口を塞ぐ底板を構成する。これによりシャワーヘッド２３６は、上記室が原料ガスが流れる成膜シャワーヘッド部２３６ａと、ラジカルが流れるラジカルシャワーヘッド部２３６ｂとに分割された２段積み構成をとる。
【００６８】
各円板Ａ１、Ａ２、Ａ３は複数の貫通孔としてのポートＣ（原料ガス用のポートＣ１、ラジカル用のポートＣ２）をそれぞれ有する。円板Ａ１は、原料ガスＧ１を導入する１つのポートＣ１と、ラジカルＧ２を導入する１つのポートＣ２とを有する。ポートＣ２は円板Ａ１の中央に配置され、ポートＣ１はポートＣ２の近傍に配置される。なお、円板Ａ１のポートＣ１、Ｃ２には、原料供給管２３２ｅ、２３２ｆがそれぞれ接続されている。円板Ａ２は、原料ガスＧ１とラジカルＧ２とをそれぞれ通過させる複数のポートＣ１、Ｃ２を有する。円板Ａ３は、原料ガスＧ１とラジカルＧ２とを導出する複数のポートＣ１、Ｃ２を有する。
【００６９】
第２の円板Ａ２に設けた１つのポートＣ２は、第１の円板Ａ１に設けたポートＣ２の中央位置と対応する位置に設けられる。第２の円板Ａ２に設けた複数のポートＣ１は、ポートＣ２と重ならないように分散して設けられる。第３の円板Ａ３に設けた複数のポートＣ１は、第２の円板Ａ２に設けた複数のポートＣ１とそれぞれ対応する位置に設けられる。第３の円板Ａ３に設けた複数のポートＣ２は、第３の円板Ａ３に設けた複数のポートＣ１と重ならないようにポートＣ１に対して分散して設けられる。すなわち、第３の円板Ａ３には複数のポートＣ１、Ｃ２が混在して設けられる。
上述した第３の円板Ａ３は、多数の孔２４０（図４参照）が開けられたシャワープレートを構成して、原料ガスＧ１とラジカルＧ２とをシャワー状に反応室２０１内に供給する。円板Ａ３に設けられた多数のポートＣ１、Ｃ２が多数の孔２４０に相当する。
【００７０】
上段の室の隣り合う円板Ａ１と円板Ａ２とは、中心にポートＣ同士を連通する連通孔Ｄを有する１つの管状部材としてのボルトＢにより接続されている。この１つのボルトＢは、円板Ａ１のポートＣ２と、円板Ａ２のポートＣ２とを連通孔Ｄで連通させ、円板Ａ１のポートＣ２から導入されたラジカルＧ２を、円板Ａ１と円板Ａ２との間に形成される成膜シャワーヘッド部２３６ａ内に導入することなく、原料ガスＧ１とは分離させて円板Ａ２のポートＣ２に導入する。
【００７１】
下段の室の隣り合う円板Ａ２と円板Ａ３とは、中心に連通孔Ｄを有する複数のボルトＢにより接続されている。この複数のボルトＢは、円板Ａ２の複数のポートＣ１と、これらに対応する円板Ａ３の複数のポートＣ１とを、それぞれ連通孔Ｄで連通させ、円板Ａ２の複数のポートＣ１から導入された点線で示す原料ガスＧ１を、円板Ａ２と円板Ａ３との間に形成されるラジカルシャワーヘッド部２３６ｂ内に供給することなく、ラジカルＧ２と分離させて円板Ａ３の複数のポートＣ１に導入する。
【００７２】
原料ガスＧ１とラジカルＧ２は、図示しない供給源から原料供給管２３２ｅ、２３２ｆをそれぞれ介してシャワーヘッド２３６の円板Ａ１に設けられた２つのポートＣ１、Ｃ２に別ルートでそれぞれ導入される。
原料ガスＧ１は、円板Ａ１のポートＣ１から導入され、成膜シャワーヘッド部２３６ａに流入する。成膜シャワーヘッド部２３６ａ内では、点線で示すように原料ガスＧ１は中心から周囲に分散し、その過程で第２の円板Ａ２の複数のポートＣ１から円板Ａ２、Ａ３間を接続したボルトＢの中心に設けた連通孔Ｄに流入する。ボルトＢの連通孔Ｄに流入した原料ガスは、ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂ内でラジカルシャワーヘッド部２３６ｂ内のラジカルＧ２と混合することなく、円板Ａ３の複数のポートＣ１に導入され、これらのポートＣ１から処理室内にシャワー状に均一に供給される。
【００７３】
ラジカルＧ２は、円板Ａ１のポートＣ２から導入され、円板Ａ１、Ａ２間を接続したボルトＢの連通孔Ｄに流入し、成膜シャワーヘッド部２３６ａ内で原料ガスＧ１と混合することなく、円板Ａ２のポートＣ２に導入される。円板Ａ２のポートＣ２から導入されたラジカルＧ２は、ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂ内に流入する。ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂでは、原料ガスＧ１と混合することなくラジカルＧ２は中心から周囲に分散し、その過程で第３の円板Ａ３の複数のポートＣ２に導入され、これらのポートＣ２から処理室内にシャワー状に均一に供給される。
【００７４】
したがって、このような構成のシャワーヘッド２３６を用いることにより、前述した成膜工程において、円板Ａ３のポートＣ１及びＣ２に導入された原料ガスＧ１とラジカルＧ２とを、シャワーヘッド２３６内で混合させることなく、反応室２０１内に別々にシャワー状に噴出することができるうえ、さらに基板２００に対して均等に供給することができる。
【００７５】
次に、図３を用いて、具体的に、ボルトＢによる円板Ａ同士の接続構造を説明する。図３はシャワーヘッドの構成を示す説明図であって、（ａ）はボルトの取付説明図、（ｂ）は円板の要部断面図、（ｃ）はボルトの斜視図、（ｄ）はボルトの断面図である。
図３（ａ）に示すように、円板Ａ（Ａ１とＡ２、Ａ２とＡ３）同士の接続手段は、ナットを用いずに、中心に連通孔Ｄが設けられたボルトＢの両端を円板Ａ１、Ａ２、Ａ３に直接ネジ込むようにしている。このため、図３（ｂ）に示すように、ボルトＢをネジ込む円板ＡのポートＣには、その内壁にボルトＢに対応するネジ山Ｉを切ってある。また、図３（ｃ）に示すように、ボルトＢは全長が同径のスタッドボルト状の部材で構成し、ボルトＢを円板Ａにネジ込んだときのボルトＢの両端は、円板Ａの表面ないし裏面と同じか埋没するように設定される。ボルトＢは、これをネジ込むために、その上端にドライバ溝Ｈを有する。また、図３（ｄ）に示すように、本実施の形態のボルトＢでは、全周にネジ山Ｆを切ってあるが、ボルトＢの両端を円板ＡのポートＣ１、Ｃ２にネジ込む場合には、少なくともネジ山Ｆは両端に切ってあればよい。
【００７６】
上述したような複数の部品からなるシャワーヘッド２３６を組立てるには、円板Ａ２の下方に間隔を開けて円板Ａ３が重なるように配置して、円板Ａ２と円板Ａ３とを複数のボルトＢの両端をポートＣにネジ込むことにより対向接続する。また、円板Ａ２の上方に間隔をあけて円板Ａ１を重なるように配置して、円板Ａ２と円板Ａ１とを１つのボルトＢの両端をポートＣにネジ込むことにより対向接続する。このように対向接続した３枚の円板Ａ１〜Ａ３に対して共通の外壁となる円筒Ｅを被し、３枚の円板Ａ１〜Ａ３をそれぞれ円筒Ｅの所定位置に内接させて固定する。この固定は例えば溶接により行う。これによりシャワーヘッド２３６を構成する。
なお、図示しないが、さらに、真空封止を確保するために、図示するシャワーヘッド２３６の外側に、外円筒を円筒Ｅと同軸に被せるようにしてある。
【００７７】
上述したように成膜シャワーヘッド部２３６ａとラジカルシャワーヘッド部２３６ｂとを形成するための室作りは、円板Ａ１と円板Ａ２、及び円板Ａ２と円板Ａ３同士を単にボルトＢの両端でネジ接続するだけでよいので、円筒配管の両端を板に溶接するものと比べて、接続作業が簡単であり、シャワーヘッド２３６の組立てが容易になる。
また、円板Ａ１〜Ａ３の基本形状は同じであり、円板Ａに設けるポートＣの数を変更するだけで円板Ａ１〜Ａ３を容易に製造することができる。また、円板Ａ同士を接続するボルトＢは、既存のボルトの中心に連通孔を明けるだけで容易に製造できる。したがって、これらの部品を作るうえでの部材の加工性もよい。
【００７８】
なお、上述した実施の形態では、ボルトＢの両端を隣り合う２枚の円板Ａにネジ接続するようにしたが、ボルトＢの一端だけをネジ接続するようにしてもよい。すなわち、ボルトＢは、少なくとも一端にネジ山を有するようにする。隣り合う２枚の円板Ａ同士のうち、いずれか一方の円板ＡのポートＣにボルトＢの一端をネジ込み、他端は他方の円板ＡのポートＣ内に挿入するだけにして、ボルトＢを片持支持させるようにしてもよい。
【００７９】
図２は、そのようなボルトの一端だけをネジ接続するようにした変形接続例（以下、片持接続例）を一部に含むシャワーヘッドの変形例を示す概略図であり、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は縦断面図である。
この変形例のシャワーヘッド２３６は、点線で示す原料ガスＧ１と実線で示すラジカルＧ２とをそれぞれ導入する２つのポートＣ３、Ｃ４を、シャワーヘッド２３６のほぼ中央に重ねて配置するために、同軸の二重管構造としたものである。シャワーヘッド２３６は、第１の円板Ａ１に設けるポートＣの配置構成が異なる点を除いて、図１のものと基本構成は同じである。
【００８０】
具体的には、円板Ａ１の中央に、原料ガス用のポートＣ３を形成する。このポートＣ３の径は、図１のものと比べて大き目に設定する。そのポートＣ３内に、ラジカル用のポートＣ４を構成する連通孔Ｄを有するボルトＢの一端を配置して、外側のポートＣ３と内側のポートＣ４とを同軸構成としている。このボルトＢは、その他端が、円板Ａ２にねじ止めされているだけで片持支持となる。
この変形例では、シャワーヘッド２３６へ原料ガスおよびラジカルのガス導入点を、ともに円板Ａ１の中央に設けることができるので、より均一なガスの分散を実現できる。
【００８１】
なお、上述した実施の形態によれば、シャワーヘッド２３６内において、原料ガスＧ１とラジカルＧ２とをより確実に分離することができるが、そこまで確実な分離を求められていない場合には、図２に示す成膜シャワーヘッド部２３６ａに適用した片持接続方式を、同図に示すラジカルシャワーヘッド部２３６ｂ内のボルトＢにも適用することが可能である。すなわち、ボルトＢの一端を円板Ａ２又はＡ３のいずれか一方のポートＣ３内にネジ込むが、ボルトＢの他端は円板Ａ３又はＡ２のいずれか他方のポートＣ３内に挿入するだけとする。この場合、ボルトＢの他端を挿入するポートＣ３の径は、成膜シャワーヘッド部２３６ａのように大き目に設定するのではなく、ボルトＢの径に合わせて設定する。
この片持接続例の、ラジカルシャワーヘッド部２３６ｂ内のボルトＢへの適用例によれば、ボルトＢの他端側ではポートＣとの間に多少のクリアランスが生じることは避けられないが、この適用例でも、原料ガスＧ１とラジカルＧ２とを有効に分離することができる。また、この適用例によれば、ボルトＢの円板Ａに対する接続は一端のみの接続でよいので、接続作業がより簡単になる。
【００８２】
また、上述した片持接続例では、ボルトの他端をポート内に挿入するようにしたが、ボルトの他端をポート内に挿入させずに、単にポート外周部に接触させるだけとしてもよい。この場合、ボルトの他端と円板との間に隙間が形成されても、昇温工程における昇温時の熱膨張によって、成膜工程中は、その隙間を埋めることができるからである。
【００８３】
また、上述した実施の形態では、円筒Ｅに対する３枚の円板Ａ１〜Ａ３の接続を溶接により行うようにしたが、摺り合わせ接続により行うようにしてもよい。摺り合わせ接続の場合に問題となる真空封止は、前述したように、シャワーヘッド２３６の外周に被せた外円筒によって既に確保されているからである。これによれば、接続作業がより簡単になる。
【００８４】
また、上述した実施の形態によれば、隣り合う２枚の円板同士Ａ１およびＡ２、Ａ２およびＡ３を１つのボルトＢにより接続したが、３枚以上の円板同士を長尺な１つのボルトにより貫通接続してもよい。例えば、３種類の処理ガスを途中で混合させることなく、シャワーヘッドから処理室内に供給する場合、４枚の円板を上下に並べて、上、中、下の３つの室を形成するが、上から３枚の円板を長尺なボルトで貫通接続し、このボルト内の連通孔内に、３種類の処理ガスのうち、１の処理ガスを上室、中室で混合させることなく通過させ、上から３枚目と４枚目との間に形成する下室で分散させ後、４枚目の円板に設けた複数のポートから処理室内にシャワー状に供給させるようにすることも可能である。
【００８５】
また、原料ガスＧ１とラジカルＧ２の導入ポートＣ１、Ｃ２は互いに入れ替えてもよい。
【００８６】
また、シャワーヘッド２３６の本体は円筒で構成した場合について説明したが、円筒に限定されるものではなく、筒状体であれば形状は任意である。ちなみに角筒の場合、仕切板は円板ではなく矩形板で構成する。
【００８７】
また、実施の形態では、サイクリックＣＶＤについて説明したが、本発明の基板処理装置はＡＬＤにも適用可能である。
さらに、膜を形成する反応を起こしやすい原料となる２種類以上の処理ガスを同時に供給する通常のＣＶＤにも適用可能である。通常のＣＶＤに適用すれば、２種類以上の処理ガスは、シャワーヘッド内では混合されず、シャワーヘッドから処理室内に供給された時点、初めて混合されることとなる。したがって、基板表面での反応が主体的になるので、ステップカバレジの特性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の実施の形態における基板処理装置の一部を構成するシャワーヘッドの説明であって、（ａ）は透視斜視図、（ｂ）は縦断面図である。
【図２】実施の形態における変形例を示すシャワーヘッドの説明図であって、（ａ）は透視斜視図、（ｂ）は縦断面図である。
【図３】実施の形態におけるシャワーヘッドの構成を示す説明図であって、（ａ）はボルトの取付説明図、（ｂ）は円板の要部断面図、（ｃ）は斜視図、（ｄ）は断面図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる基板処理装置を構成するリモートプラズマユニットが組込まれた枚葉式ＭＯＣＶＤ装置の処理炉の一例を示す概略図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかる基板処理装置の平面図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかる基板処理装置の縦断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
２３６    シャワーヘッド
２３６ａ  成膜シャワーヘッド部
２３６ｂ  ラジカルシャワーヘッド部
Ａ、Ａ１、Ａ２、Ａ３    円板（板）
Ｂ    ボルト
Ｃ、Ｃ１、Ｃ２    ポート（貫通孔）
Ｄ    連通孔
Ｅ    円筒
Ｇ１    原料ガス（処理ガス）
Ｇ２    ラジカル（処理ガス）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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