(57)【要約】【課題】実質的にアルカリ金属を含まず、再付着防止性に優れる界面活性剤を提供する。【解決手段】式（１）又は（２）で表されるカルボキシベタイン（Ａ）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるアミン（Ｂ）とを含有してなることを特徴とする界面活性剤。2007146024.tif 000011Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜２２の有機基、Ｒ2は炭素数１〜５の有機基、Ｒ3は炭素数１〜４の有機基、Ｒ4は炭素数１〜８の有機基を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）又は（２）で表されるカルボキシベタイン（Ａ）と、
プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるアミン（Ｂ）とを含有してなることを特徴とする界面活性剤。
【化１】
2007146024.tif 000010
Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜２２の有機基、Ｒ2は炭素数１〜５の有機基、Ｒ3は炭素数１〜４の有機基、Ｒ4は炭素数１〜８の有機基を表す。
【請求項２】
アミン（Ｂ）の分子体積（ｎｍ3）が０．０２５〜０．７である請求項１に記載の界面活性剤。
【請求項３】
アミン（Ｂ）が、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７及び１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１又は２に記載の界面活性剤。
【請求項４】
さらに、水溶性有機溶剤（Ｃ）及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有してなる請求項１〜３のいずれかに記載の界面活性剤。
【請求項５】
さらに、３〜２，０００価の多価アルコール（Ｄ）を含有してなる請求項１〜４のいずれかに記載の界面活性剤。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の界面活性剤を含んでなる洗浄剤。
【請求項７】
電子材料・電子部品の製造工程中、洗浄工程における洗浄剤として使用される請求項６に記載の洗浄剤。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種によって洗浄する工程を含む電子材料・電子部品の製造方法。
【請求項９】
電子材料・電子部品が液晶パネル用基板又は半導体素子である請求項８に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、界面活性剤に関するものである。さらに詳しくは、電子材料・電子部品等の製造工程中、洗浄工程において使用される洗浄剤用として好適な界面活性剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、超ＬＳＩ等に代表される微細加工技術の進歩につれて、基板上に残存する微量の不純物（金属イオン、金属等の無機物、又はレジスト樹脂等の有機物から構成されるパーティクル）がデバイスの性能や歩留まりに大きく影響するため、不純物の管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象であるパーティクル自体が、より微粒子化することでさらに界面へ付着しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため従来から、このパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤（非イオン界面活性剤とアルコールまたはアミノアルコールとの組合せ等：特許文献１、アニオン界面活性剤又は非イオン界面活性剤：特許文献２）を添加してパーティクル表面のゼータ電位を下げ、パーティクルの付着を低減する方法が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１３８１４２号公報
【特許文献２】特開平６−４１７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の界面活性剤では、再付着防止性が不十分であるという問題がある。
一方、特許文献２の界面活性剤は、再付着防止効果が不十分である上に、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンが含まれているため、洗浄後の残存アルカリ金属イオンが引き起こす基板表面の潜傷やヤケ、基板内部へのアルカリ金属イオンの拡散によるデバイスの信頼性低下が発生するという問題がある。
本発明の目的は、実質的にアルカリ金属を含まず、再付着防止性に優れる界面活性剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の界面活性剤の特徴は、式（１）又は（２）で表されるカルボキシベタイン（Ａ）と、
プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるアミン（Ｂ）とを含有してなる点を要旨とする。
【化１】
2007146024.tif 000002
Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜２２の有機基、Ｒ2は炭素数１〜５の有機基、Ｒ3は炭素数１〜４の有機基、Ｒ4は炭素数１〜８の有機基を表す。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の界面活性剤は、従来の課題であった洗浄工程時におけるパーティクル粒子の基板への再付着を効果的に防ぐことができる。また、実質的にアルカリ金属を含まないため、洗浄後に基板表面にアルカリ金属が残存することが無く、デバイスの信頼性や歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
＜カルボキシベタイン（Ａ）について＞
Ｒ1のうち、炭素数１〜２２の有機基としては、アルキル、アルケニル、アリール及びアリールアルキル等が含まれる。
アルキルとしては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、２−エチルヘキシル、オクチル、デシル、ウンデシル、イソオクタデシル、シクロヘキシル及びエイコシル等が挙げられる。
アルケニルとしては、１−プロペニル、２−プロペニル、３−ブテニル、４−イソヘキセニル、９−デセニル、オレイル、オクタデカンジエニル、シクロヘキセニル及びエイコセニル等が挙げられる。
アリールとしては、フェニル、トルイル、キシレニル、クメニル、メシチル、フェニルフェニル（ビフェニリル）、ビニルフェニル、プロペニルフェニル、オクチルフェニル、ノナニルフェニル、ジオクチルフェニル、ナフチル、ピリジニル及びアントリル等が挙げられる。
アリールアルキルとしては、ベンジル、フェニルエチル、フェニルプロピル、フェニルヘキシル、トルイルエチル、オクチルフェニルメチル、ビニルフェニルエチル及びプロペニルフェニルメチル等が挙げられる。
これらの他に、炭素数１〜２２の有機基としては、Ｎ−アシルアミノアルキル（アシルの炭素数４〜２０、アルキルの炭素数１〜６）等も含まれる。
Ｒ1のうち、アルキル、アルケニル及びアリールアルキルが好ましく、さらに好ましくはアルキル及びアリールアルキル、特に好ましくはアルキルである。２個のＲ1は、同じでも、異なってもよい。
【０００８】
炭素数１〜５の有機基（Ｒ2）としては、アルキレン及びアルケニレン等が含まれる。
アルキレンとしては、メチレン、エチレン、１−メチルエチレン、プロピレン、２−メチルプロピレン、２，２−ジメチルプロピレン、ブチレン及びシクロペンチレン等が挙げられる。
アルケニレンとしては、エテニレン（ビニレン）、プロペニレン、２−メチルプロペニレン及びイソペンテニレン等が挙げられる。
これらの他に、炭素数１〜４の有機基（Ｒ2）としては、３−オキサペンテン（−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−）、３，５−ジオキサペプテン（−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−）等も含まれる。
Ｒ2のうち、アルキレンが好ましい。２個のＲ2は、同じでも、異なってもよい。
【０００９】
炭素数１〜４の有機基（Ｒ3）としては、アルキル及びアルケニル等が含まれる。
アルキルとしては、メチル、エチル、プロピル、ブチル及びイソブチル等が挙げられる。
アルケニルとしては、１−プロペニル、２−プロペニル、イソプロペニル及び３−ブテニル等が挙げられる。
これらのうち、アルキルが好ましく、さらに好ましくはメチル及びエチルである。４個のＲ3は、すべて同じでも、一部同じでも、すべて異なってもよい。
【００１０】
炭素数１〜８の有機基（Ｒ4）としては、アルキレン、アルケニレン、アリレン及びアリレンアルキレン等が含まれる。
アルキレンとしては、メチレン、エチレン、１−メチルエチレン、１−フェニルエチレン、プロピレン、２−メチルプロピレン、ブチレン、２，２−ジメチルプロピレン、ヘキシレン、シクロへキシレン及び２，２−ジエチルプロピレン等が挙げられる。
アルケニレンとしては、エテニレン（ビニレン）、プロペニレン、２−メチルプロペニレン、ヘキセニレン及びシクロヘキセニレン等が挙げられる。
アリレンとしては、フェニレン、メチルフェニレン、ジメチルフェニレン、フランジイル、オキサゾールジイル、ピリジンジイル及びエチルフェニレン等が挙げられる。
アリレンアルキレンとしては、トルエン−４，α−ジイル、トルエン−３，α−ジイル、ジメチルベンゼン−α、α’−ジイル、３−メチルピリジン−６，α−ジイル及びジメチルイミダゾール−α、α’−ジイル等が挙げられる。
これらの他に、炭素数１〜８の有機基（Ｒ4）としては、３−オキサペンテン（−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−）、３，５−ジオキサペプテン（−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−）等も含まれる。
Ｒ4のうち、アルキレン、アルケニレン及びアリレンが好ましく、さらに好ましくはアルキレンである。
【００１１】
式（１）又は（２）で表されるカルボキシベタイン（Ａ）は、公知の方法を組み合わせて容易に合成できる。たとえば、ジカルボン酸とジアミンとを反応させて式（３）又は（４）で表されるアミドを得る工程（１）、及び式（３）又は（４）で表されるアミドとハロゲン化カルボン酸塩とを反応させてカルボキシベタインを得る工程（２）とを含む製造方法等が適用できる。
【００１２】
＜ジカルボン酸＞
ジカルボン酸としては、炭素数２〜１０のジカルボン酸及びこのジカルボン酸のジエステル等が含まれる。
ジカルボン酸としては、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸及び芳香脂肪族ジカルボン酸等が含まれる。
脂肪族ジカルボン酸としては、シュウ酸、プロパンジカルボン酸、ブタンジカルボン酸、２−メチルブタンジカルボン酸、２−フェニルブタンジカルボン酸、ペンタンジカルボン酸、３−メチルペンタンジカルボン酸、ヘキサンジカルボン酸、３，３−ジメチルペンタンジカルボン酸、オクタンジカルボン酸、シクロへキサン−１，４−ジカルボン酸、デカンジカルボン酸、３，３−ジエチルペンタンジカルボン酸、ショウノウ酸、マレイン酸、フマル酸、ペンテンジカルボン酸、３−メチルペンテンジカルボン酸、オクテンジカルボン酸、シクロヘキ−２−セン−１，４−ジカルボン酸、イタコン酸、メサコン酸及びイタコン酸等が挙げられる。
【００１３】
芳香族ジカルボン酸としては、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、２−メチルベンゼン−１，４−ジカルボン酸、２，５−ジメチルベンゼン−１，４−ジカルボン酸、フラン−３，４−ジカルボン酸、オキサゾール−２，４−ジカルボン酸、ピリジン−３，５−ジカルボン酸及び５−エチルベンゼン−１，３−ジカルボン酸等が挙げらる。
芳香脂肪族ジカルボン酸としては、４−カルボキシメチル安息香酸、１，４−ビス（カルボキシメチル）ベンゼン、３−カルボキシメチル−５−カルボキシピリジン及び２，４−ビス（カルボキシメチル）イミダゾール等が挙げられる。
【００１４】
ジカルボン酸ジエステルとしては、上記のジカルボン酸のアルキルエステル（アルキル基の炭素数１〜４）等が含まれ、脂肪族ジカルボン酸ジアルキルエステル、芳香族ジカルボン酸ジアルキルエステル及び芳香脂肪族ジカルボン酸ジアルキルエステル等が使用できる。
脂肪族ジカルボン酸ジアルキルエステルとしては、シュウ酸ジメチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジイソプロピル、シュウ酸ジｔ−ブチル、プロパンジカルボン酸ジメチル、ブタンジカルボン酸ジエチル、２−メチルブタンジカルボン酸ジイソプロピル、３，３−ジメチルペンタンジカルボン酸ジメチル、マレイン酸ジメチル及びフマル酸ジエチル等が挙げられる。
芳香族ジカルボン酸ジアルキルエステルとしては、フタル酸ジメチル、イソフタル酸ジｔ−ブチル、テレフタル酸ジプロピル、フラン−３，４−ジカルボン酸ジメチル及びオキサゾール−２，４−ジカルボン酸ジメチル等が挙げられる。
芳香脂肪族ジカルボン酸ジアルキルエステルとしては、４−メチルカルボキシメチル安息香酸メチル、１，４−ビス（メチルカルボキシメチル）ベンゼン及び２，４−ビス（メチルカルボキシメチル）イミダゾール等が挙げられる。
【００１５】
＜ジアミン＞
ジアミンとしては、炭素数３〜１３のＮ，Ｎ−ジアルキルジアミン、炭素数５〜１３のＮ，Ｎ−ジアルケニルジアミン及び炭素数４〜３５のＮ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルジアミン等が含まれる。
Ｎ，Ｎ−ジアルキルジアミンとしては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアルキレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアルケニレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアリレンジアミン及びＮ，Ｎ−ジアルキルアリレンアルキレンジアミン等が含まれる。
Ｎ，Ｎ−ジアルキルアルキレンジアミンとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−１−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−１−フェニルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−メチルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルブチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−メチルエチルブチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２，２−ジメチルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルヘキシレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルシクロへキシレンジアミン及びＮ，Ｎ−ジエチル２，２−ジエチルプロピレンジアミン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ−ジアルキルアルケニレンジアミンとしては、１−ジメチルアミノ−６−アミノヘキセン及び１−ジエチルアミノ−４−アミノシクロヘキセン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ−ジアルキルアリレンジアミンとしては、１−ジメチルアミノ−４−アミノベンゼン、１−ジエチルアミノ−４−アミノ−２−メチルベンゼン、１−ジプロピルアミノ−２−アミノ−４，５−ジメチルベンゼン、３−ジメチルアミノ−４−アミノフラン、２−ジブチルアミノ−４−アミノオキサゾール、３−ジメチルアミノ−５−アミノピリジン及び１−ジイソブチルアミノ−３−アミノ−４−エチルベンゼン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ−ジアルキルアリレンアルキレンとしては、４−（ジメチルアミノメチル）アニリン、１−（ジメチルアミノメチル）−４−（アミノメチル）ベンゼン、２−（ジエチルアミノメチル）−５−（アミノメチル）ピリジン及び２−（ジイソプロピルアミノメチル）−４−（アミノメチル）イミダゾール等が挙げられる。
【００１６】
Ｎ，Ｎ−ジアルケニルジアミンとしては、Ｎ，Ｎ−ジアルケニルアルキレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジアルケニルアルケニレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジアルケニルアリレンジアミン及びＮ，Ｎ−ジアルケニルアリレンアルキレンジアミン等が含まれる。
Ｎ，Ｎ−ジアルケニルアルキレンジアミンとしては、Ｎ，Ｎ−ジビニルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジビニルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロペニルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロペニル−１−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブテニル−１−フェニルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロペニルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロペニル−２−メチルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブテニルブチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブテニルシクロへキシレンジアミン及びＮ，Ｎ−ジビニル−２，２−ジエチルプロピレンジアミン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ−ジアルケニルアルケニレンジアミンとしては、１−ジプロペニルアミノ−６−アミノヘキセン及び１−ジビニルアミノ−４−アミノシクロヘキセン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ−アルケニルアリレンジアミンとしては、４−ジビニルアミノアニリン、１−ジプロペニルアミノ−４−アミノ−２−メチルベンゼン、１−ジプロペニルアミノ−２−アミノ−４，５−ジメチルベンゼン及び３−ジプロペニルアミノ−５−アミノピリジン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ−ジアルケニルアリレンアルキレンとしては、４−（ジプロペニルアミノメチル）アニリン、１−（ジプロペニルアミノメチル）−４−（アミノメチル）ベンゼン、２−（ジプロペニルアミノメチル）−５−アミノピリジン及び２−（ジプロペニルアミノメチル）−４−（アミノメチル）イミダゾール等が挙げられる。
【００１７】
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルジアミンとしては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルアルキレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルアルケニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルアリレンジアミン及びＮ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルアリレンアルキレンジアミン等が含まれる。
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルアルキレンジアミンとしては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−ブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ’−へキシルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−Ｎ’−デシル−１−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ’−イソデシル−１−フェニルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−オクタデカニルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ’−ドデシル−２−メチルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−ドデシルブチレンジアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ’−ヘキサデカニルブチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−ドデシル−２，２−ジメチルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−Ｎ’−ドデシルヘキシレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ’−エイコシルシクロへキシレンジアミン及びＮ，Ｎ−ジエチル−Ｎ’−へキシル−２，２−ジエチルプロピレンジアミン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルアルケニレンジアミンとしては、１−ジメチルアミノ−６−ドデシルアミノヘキ−３−セン及び１−ジエチルアミノ−４−オクタデカニルアミノシクロヘキ−２−セン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルアリレンジアミンとしては、１−ジメチルアミノ−４−ドデシルアミノベンゼン、１−ジエチルアミノ−４−デシルアミノ−２−メチルベンゼン、１−ジプロピルアミノ−２−へキシルアミノ−４，５−ジメチルベンゼン、３−ジメチルアミノ−４−ドデシルアミノフラン、２−ジブチルアミノ−４−オクタデカニルアミノオキサゾール、３−ジメチルアミノ−５−デシルアミノピリジン及び１−ジイソブチルアミノ−３−オクチルアミノ−４−エチルベンゼン等が挙げられる。
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリアルキルアリレンアルキレンとしては、４−（ジメチルアミノメチル）−Ｎ−デシルアニリン、１−（ジメチルアミノメチル）−４−（ドデシルアミノメチル）ベンゼン、２−（ジエチルアミノメチル）−５−（ヘキサデカニルアミノメチル）ピリジン及び２−（ジイソプロピルアミノメチル）−４−（デシルアミノメチル）イミダゾール等が挙げられる。
【００１８】
ジカルボン酸とジアミンとの反応との反応には、脱水剤｛無水酢酸、五塩化リン及びＤＣＣ（Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド）等｝、反応触媒（水酸化カリウム、トリエチルアミン、酢酸ナトリウム、四塩化チタン、塩化アンモニウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムアミド、ブチルリチウム及び水素化ナトリウム）及び／又は反応溶媒｛ジエチルエーテル、ＴＨＦ（テトラハイドロフラン）、無水酢酸、ベンゼン、キシレン、アセトニトリル、塩化メチレン、ピリジン、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）及びＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）等｝等を用いてもよい。
【００１９】
＜式（３）又は（４）で表されるアミド＞
【化２】
2007146024.tif 000003
Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜２２の有機基、Ｒ2は炭素数１〜５の有機基、Ｒ3は炭素数１〜４の有機基、Ｒ4は炭素数１〜８の有機基を表す。
【００２０】
＜ハロゲン化カルボン酸塩＞
ハロゲン化カルボン酸塩としては、２−クロロ酢酸塩及び２−ブロモ酢酸塩等が挙げられる。塩としては、アルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等が挙げられる。
工程（２）の反応には、反応溶媒（水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジメチルホルミアミド及びジメチルスルホキシド等）を用いることができる。
工程（２）の反応温度は、３０〜１００℃程度であり、好ましくは４０〜９０℃である。
【００２１】
＜アミン（Ｂ）について＞
アミン（Ｂ）のプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ）（ｋｃａｌ／ｍｏｌ、２５℃）は、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、１０〜１５２が好ましく、さらに好ましくは３０〜１４８、次に好ましくは４０〜１４５、より好ましくは５０〜１４３、特に好ましくは９０〜１４０、最も好ましくは１００〜１３８ある。
【００２２】
本発明において、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ）とは、式（５）及び（６）に示すように、アミン（Ｂ）のプロトン付加反応におけるアミン（Ｂ）の生成熱とアンモニウムカチオン（Ｈ+Ｂ）の生成熱との差を意味する。
【化３】
2007146024.tif 000004
Ｂはアミン（Ｂ）、Ｈ+はプロトン、Ｈ+Ｂはアンモニウムカチオン（Ｈ+Ｂ）を表す。
【００２３】
【数１】
2007146024.tif 000005
Ｑはプロトン付加反応における生成熱変化、ΔfＨoH+B、ΔfＨoBは、それぞれ順に、Ｈ+Ｂ、Ｂについての真空中における生成熱を表す。
【００２４】
生成熱（ΔfＨo）の値は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ  Ｔｒａｎｓ．２，ｐ．９２３（１９９５）に記載の半経験的分子軌道法（ＭＯＰＡＣ  ＰＭ３法）を用いて計算することができる。
この生成熱の値は、たとえば、富士通株式会社製「ＣＡＣｈｅ  Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１」を用いて真空中における生成熱（２５℃）として計算できる。すなわち、この生成熱の値は、計算したい分子構造を「Ｗｏｒｋ  Ｓｐａｃｅ」上で書き、分子力場法である「ＭＭ２  ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法である「ＰＭ３  ｇｅｏｍｅｔｙ」で計算することにより得られる。
なお、Ｈ+Ｂの生成熱を計算する際のＨ+を付加させる位置は、アミン（Ｂ）に含まれる窒素原子上である。また窒素原子が複数個存在する場合、各窒素原子ごとに生成熱を計算し、アミン（Ｂ）の生成熱とアンモニウムカチオン（Ｈ+Ｂ）の生成熱との差が最小になる時の値を生成熱変化（Ｑ）とする。
【００２５】
アミン（Ｂ）は、上記のプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ）の範囲にあれば制限なく、例えば、分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物（Ｂ１）、分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物（Ｂ２）、分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格を有する化合物（Ｂ３）及びプロトンスポンジ誘導体（Ｂ４）等が含まれる。
【００２６】
アミン（Ｂ）の分子体積（ｎｍ3）は、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、０．０２５〜０．７が好ましく、さらに好ましくは０．０５０〜０．５、特に好ましくは０．１２〜０．３６である。
ここで分子体積とは、分子の等電子密度面でできる空間の体積を指し、分子力場法であるＭＭ２｛Ａｌｌｉｎｇｅｒ，Ｎ．Ｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９９，８１２７（１９７７）｝及び半経験的分子軌道法であるＰＭ３｛Ｓｔｅｗａｒｔ，Ｊ．Ｊ．Ｐ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０，２２１（１９８９）｝を用いて計算した最適化構造から得ることができる。たとえば、前記の富士通株式会社製「ＣＡＣｈｅ  Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１」を用いて、同様に構造最適化した後、「Ｐｒｏｊｅｃｔ  Ｌｅａｄｅｒ」上で半経験的分子軌道法である「ＰＭ３  ｇｅｏｍｅｔｙ」により、計算することができる。なお、計算の結果、分子体積の値が複数個得られた場合については、最大値を用いる。
【００２７】
化合物（Ｂ１）〜誘導体（Ｂ４）について、以下、具体例を示す。なお、｛  ｝内の数字は順に、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ：ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、分子体積（ｎｍ3）を示す。
＜分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物（Ｂ１）＞
（１）グアニジン
グアニジン（１４７、０．０６２）、メチルグアニジン（１４４、０．０８４）、テトラメチルグアニジン（１４５、０．１４７）、エチルグアニジン（１４２、０．１０４）、フェニルグアニジン（１４１、０．１３９）等
【００２８】
（２）単環式グアニジン
２−アミノ−イミダゾール｛２−アミノ−１Ｈ−イミダゾール（１４６、０．０８０）、２−ジメチルアミノ−１Ｈ−イミダゾール（１３８、０．１１３）、２−アミノ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（１４７、０．１１３）、２−ジメチルアミノ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（１４３、０．１３３）等｝、
２−アミノ−テトラヒドロピリミジン｛２−アミノ−１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン（１４５、０．１１３）、２−ジメチルアミノ−１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン（１４０、０．１５２）等｝、
２−アミノ−ジヒドロピリミジン｛２−アミノ−１，６（４）−ジヒドロピリミジン（１４７、０．１１３）、２−ジメチルアミノ−１，６（４）−ジヒドロピリミジン（１４３、０．１４２）等｝等
【００２９】
（３）多環式グアニジン
１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（ＴＢＤ）（１４７、０．１５９）、１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（ＭＴＢＤ）（１３９、０．１８０）等
【００３０】
＜分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物（Ｂ２）＞
（４）イミダゾール
１Ｈ−イミダゾール（１４７、０．０６７）、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール（１４４、０．１１３）、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール（１４３、０．１１３）、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（１４７、０．１１３）、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（１４７、０．１１３）、２−エチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（１４５、０．１１９）等｝
【００３１】
（５）テトラヒドロピリミジン
１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン（１５１、０．１１３）、２−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン（１４８、０．１１９）等｝
【００３２】
（６）ジヒドロピリミジン
１，６（４）−ジヒドロピリミジン（１４７、０．０８８）、２−メチル−１，６（４）−ジヒドロピリミジン（１４３、０．１１３）等｝
【００３３】
（７）下記一般式（７）で表される２環式アミジン等
【化４】
2007146024.tif 000006
Ｒ5及びＲ6は、互いに独立して水素原子、炭素数１〜２２のアルキル、炭素数２〜２２のアルケニル、炭素数２〜２２のアルキニル、炭素数６〜２２のアリール、炭素数７〜２２のアリールアルキルを表し、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール及びアリールアルキル中の水素原子の一部又は全部が水酸基、アミノ基、（ジ）アルキル（炭素数１〜１６）アミノ基、（ジ）ヒドロキシアルキル（炭素数２〜４）アミノ基、メルカプト基又はハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。また２つのＲ5及び２つのＲ6は、同一であってもよいし異なっていてもよく、互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１６の環を形成してもよい。ｍ及びｎは互いに独立して１〜１２の整数を表す。
【００３４】
炭素数１〜２２のアルキル基又は炭素数２〜２２のアルケニル基としては、炭素数１〜２２の有機基（Ｒ1）で例示したアルキル又はアルケニルと同様である。
炭素数２〜２２のアルキニルとしては、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−又は２−ドデシニル、１−又は２−トリデシニル、１−又は２−テトラデシニル、１−又は２−ヘキサデシニル、１−又は２−ステアリニル及び１−又は２−ノナデシニル、１−又は２−エイコシニル等が挙げられる。
【００３５】
炭素数６〜２２のアリール基としては、炭素数６〜２０の有機基（Ｒ1）で例示したアリールと同様である。
【００３６】
炭素数７〜２２のアリールアルキルとしては、ベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシル、７−フェニルヘプチル、８−フェニルオクチル、１０−フェニルデシル、１２−フェニルドデシル、ナフチルメチル及びナフチルエチル等が挙げられる。
【００３７】
２つのＲ5又は２つのＲ6が互いに結合して炭素数４〜１６の環を形成する場合、２つのＲ5又は２つのＲ6は、２価の有機基を形成する。
２価の有機基としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子及び／又はハロゲン原子等を含んでもよい２価の有機基等が含まれる。
このような２価の有機基としては、炭素数１〜１６のアルキレン、炭素数２〜１６のアルケニレン及び炭素数６〜１６のアリーレン等が含まれる。
【００３８】
アルキレンとしては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、２，２−ジメチルプロピレン、２，２−ジエチルプロピレン、オクチレン、デシレン、ドデシレン及びヘキサデシレン等が挙げられる。
アルケニレンとしては、エテニレン、プロペニレン、ブテニレン、２，２−ジメチルプロペニレン、２，２−ジエチルプロペニレン、４−オクテニレン、５−デセニレン、６−ドデセニレン及び８−ヘキサデセニレン等が挙げられる。
アリーレンとしては、１，４−フェニレン、１，２−フェニレン、１，３−フェニレン、２−メチル−１，４−フェニレン、２，５−ジメチル−１，４−フェニレン、１，４−ナフチレン及び２−デシル−１，４−フェニレン等が挙げられる。
【００３９】
一般式（７）で表されるアミンの具体例としては、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（ＤＢＵ：ＤＢＵはサンアプロ（株）の登録商標である。）｛１３７、０．１８５｝、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（ＤＢＮ）｛１４１、０．１４６｝、１，８−ジアザビシクロ［５．３．０］デセン−７｛１４２、０．１６６｝、１，４−ジアザビシクロ［３．３．０］オクテン−４｛１４６、０．１２６｝、１，５−ジアザビシクロ［４．４．０］デセン−５｛１４３、０．１６６｝、６−ジメチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７｛１３３、０．２３８｝、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７｛１３７、０．３５５｝、６−（２−ヒドロキシエチル）−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン｛１３９、０．２２９｝、６−（２−ヒドロキシプロピル）−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン｛１３８、０．２５０｝、７−（２−ヒドロキシエチル）−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン｛１４２、０．１９２｝、７−（２−ヒドロキシプロピル）−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン｛１４２、０．２１１｝、６−ジ（２−ヒドロキシエチル）アミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン｛１３７、０．２８７｝等が挙げられる。
【００４０】
＜分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格を有する化合物（Ｂ３）＞
一般式（８）で表されるホスファゼン化合物等
【化５】
2007146024.tif 000007
【００４１】
Ｒ7、Ｒ8は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜２２のアルキル、炭素数２〜２２のアルケニル、炭素数６〜２２のアリール及び炭素数７〜２２のアリールアルキルを表す。また、Ｒ7、Ｒ8中の水素原子は水酸基、アミノ基、メルカプト基又はハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。また、複数のＲ8は同一であってもよいし異なっていてもよく、隣接するＲ8は互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１２の環を形成してもよい。ｋは１〜４の整数を表す。
【００４２】
一般式（８）中の炭素数１〜２２のアルキル、炭素数２〜２２のアルケニル、炭素数６〜２２のアリール及び炭素数７〜２２のアリールアルキルとしては、Ｒ5、Ｒ6と同様である。
隣接するＲ8が環を形成する場合、２つのＲ8は前記のＲ5、Ｒ6と同様に２価の有機基を形成する。
【００４３】
一般式（８）で示されるアミンの具体例としては、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2｛１２２、０．２１７｝、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2｛１２８、０．２３７｝、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2｛１２５、０．２６０｝、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2｛１０７、０．２９８｝、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2｛１２９、０．２９４｝、ＣＨ3ＣＨ＝ＣＨ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2｛１２３、０．２７０｝、４−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2｛１２６、０．３１１｝、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）｛１２１、０．２９３｝、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）｛１２５、０．３１４｝、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）｛１２３、０．３３９｝、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）｛１２２、０．３７３｝、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）｛１２３、０．３７０｝、４−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）｛１２２、０．３９０｝等が挙げられる。なお、Ｍｅはメチル、Ｅｔはエチル、Ｐｈはフェニル、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル、（ｄｍａ）はジメチルアミノ、（ｐｙｒｒ）は１−ピロリジニリルを表す。
【００４４】
＜プロトンスポンジ誘導体（Ｂ４）＞
１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン｛１３８、０．２４９｝、１−ジメチルアミノ−８−メチルアミノ−キノリジン｛１２６、０．２２１｝、１−ジメチルアミノ−７−メチル−８−メチルアミノ−キノリジン｛１３２、０．２４０｝、１−ジメチルアミノ−７−メチル−８−メチルアミノ−イソキノリン｛１２８、０．２４２｝、７−メチル−１，８−メチルアミノ−２，７−ナフチリジン｛１１８、０．２１１｝、２，７−ジメチル−１，８−メチルアミノ−２，７−ナフチリジン｛１２０、０．２３０｝等
【００４５】
アミン（Ｂ）は、単独で用いてもよく、２種以上の混合物として用いてもよい。
これらのアミン（Ｂ）のうち、化合物（Ｂ１）｛グアニジン、メチルグアニジン、エチルグアニジン、ＴＢＤ、ＭＴＢＤ｝、化合物（Ｂ２）｛ＤＢＵ、ＤＢＮ｝、化合物（Ｂ３）｛Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］2Ｎ（ＣＨ3）2、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）｝及び誘導体（Ｂ４）｛１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン、１−ジメチルアミノ−８−メチルアミノ−キノリジン、１−ジメチルアミノ−７−メチル−８−メチルアミノ−イソキノリン及び７−メチル−１，８−メチルアミノ−２，７−ナフチリジン｝が好ましく、さらに好ましくはグアニジン、メチルグアニジン、エチルグアニジン、ＴＢＤ、ＭＴＢＤ、ＤＢＵ及びＤＢＮ、特に好ましくはＴＢＤ、ＭＴＢＤ、ＤＢＵ及びＤＢＮ、最も好ましくはＤＢＵ及びＤＢＮである。
【００４６】
アミン（Ｂ）のｐＫａは、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、１１〜４０が好ましく、さらに好ましくは１１．５〜３０、特に好ましくは１２〜２５である。
なお、ｐＫａは、公知の方法｛例えば、Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．６５，６２６（１９８７）｝等により得られる。
なお、ｐＫａは、公知の方法｛例えば、Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．６５，６２６（１９８７）｝等により得られる。
【００４７】
アミン（Ｂ）の含有量（モル％）は、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、カルボキシベタイン（Ａ）のモル数に基づいて、１０〜２００が好ましく、さらに好ましくは３０〜１５０、特に好ましくは５０〜１１０、最も好ましくは８０〜１００である。
【００４８】
本発明の界面活性剤の製品形状は、粉末状、液状（溶液状、エマルジョン状、懸濁液状）など公知の任意の形状で使用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリングの観点から液状が好ましく、さらに好ましくは溶液状である。
これら溶液にするための溶剤については、水溶性有機溶剤（Ｃ）及び／又は水が使用できる。
水溶性有機溶剤（Ｃ）とは、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ2Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤である。
【００４９】
このような水溶性有機溶剤（Ｃ）としては、スルホキシド｛ジメチルスルホキシド、スルホラン、ブチルスルホン、３−メチルスルホラン及び２，４−ジメチルスルホラン等｝；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホン及びビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン等｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド等｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン及びＮ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン等｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン及びδ−バレロラクトン等｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ル及びイソプロパノ−ル等｝；グリコール及びグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールジエチルエーテル等｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン及び３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン等）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリル及びベンゾニトリル等）；カーボネート（エチレンカーボネート及びプロピオンカーボネート等）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン及びジアセトンアルコール等）；及び環状エーテル（テトラヒドロフラン及びテトラヒドロピラン等）等が挙げられる。水溶性有機溶剤（Ｄ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。
【００５０】
水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水及び超純水などが挙げられる。これらのうち、イオン交換水、超純水が好ましい。
【００５１】
水溶性有機溶剤（Ｃ）を使用する場合、（Ｃ）の含有量（重量％）は、アミノカルボン酸（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて、１０〜９０が好ましく、さらに好ましくは２０〜７０、特に好ましくは３０〜５０である。また水を使用する場合、水の含有量（重量％）は、アミノカルボン酸（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて、１０〜９０が好ましく、さらに好ましくは３０〜８０、特に好ましくは４０〜７０である。
水溶性有機溶剤（Ｃ）及び水を使用する場合、これらの含有量比率には特に制限がない。
【００５２】
さらに本発明の界面活性剤には、特に金属（アルミ配線など）が施された電子部品を洗浄する際に金属腐食を防止する観点等から、３〜２，０００価の多価アルコール（Ｄ）を添加してもよい。
多価アルコール（Ｄ）としては、（Ｄ１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン及びペンタエリスリトール等）；（Ｄ２）（Ｄ１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン及びジペンタエリスリトール等）；（Ｄ３）糖［（Ｄ３１）単糖｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース及びリブロース等）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース及びタガトース等）、ヘプトース（セドヘプツロース等）等｝、（Ｄ３２）二糖類｛トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等｝、（Ｄ３３）三糖類（ラフィノース及びマルトトリオース等）等］；（Ｄ４）単糖類からなる多糖類及びこの誘導体｛セルロース化合物（メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース及びこれらのケン化物等）、ゼラチン、デンプン、デキストリン、キチン及びキトサン等｝；（Ｄ５）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール及びズルシトール等）；（Ｄ６）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡ等）；（Ｄ７）ノボラック樹脂（重量平均分子量：１，０００〜１００，０００）（フェノールノボラック、クレゾールノボラック等）；（Ｄ８）ポリフェノール；（Ｄ９）その他の水酸基を有するポリマー（重量平均分子量：１，０００〜１，０００，０００）［ポリビニルアルコール、アクリルポリオール｛ポリヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートと他のビニルモノマーとの共重合物等｝等］；並びにこれらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）等が挙げられる。多価アルコール（Ｄ）は単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５３】
多価アルコール（Ｄ）のうち、金属腐食の防止効果の観点等から、（Ｄ１）脂肪族多価アルコール、（Ｄ２）（Ｄ１）の脱水縮合物、（Ｄ３）糖及び（Ｄ５）糖アルコールが好ましく、さらに好ましくはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。
【００５４】
多価アルコール（Ｄ）を使用する場合、（Ｄ）の含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて、１〜２０が好ましく、さらに好ましくは２〜１０、特に好ましくは３〜７である。
本発明の界面活性剤に、水及び多価アルコール（Ｄ）が含有されている場合、多価アルコール（Ｄ）は、金属腐食の著しい防止効果を発揮することができる。
【００５５】
本発明の界面活性剤は、パーティクルや基板のゼータ電位を効果的に下げることができ、従来の界面活性剤で達成不可能であったパーティクルの再付着を防止することができる。
本発明の界面活性剤を用いると、パーティクル表面のゼータ電位は、−８０ｍＶ以下にすることができ、特に−９０ｍＶ以下、さらに−１００ｍＶ以下、特にさらに−１０５ｍＶ以下にすることができる。
本発明の界面活性剤は、再付着防止機能以外にも界面活性機能（表面張力低下能、乳化力、低泡性、可溶化力、分散力、洗浄力など）を発揮することができる。例えば、湿潤剤、浸透剤、起泡剤、消泡剤、乳化剤、分散剤、可溶化剤、洗浄剤、平滑剤、帯電防止剤、潤滑剤、防錆剤、均染剤、染料固着剤、疎水化剤、殺菌剤、凝集剤などの用途に適しており、特に洗浄剤として好適である。
【００５６】
本発明の界面活性剤を洗浄剤として用いる場合、本発明の界面活性剤の他に、水を含んでいることが好ましい。水を含むことにより、次式のように水のイオン解離が助長されると考えられ、以下のような化学構造となることにより、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性がさらに良好になると考えられる。この際に使用する水としては、上記と同様であるが、イオン交換水及び超純水が好ましい。
なお、式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は一般式（１）及び（２）と同じであり、Ｂはプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるアミン（Ｂ）を意味する。
【化６】
2007146024.tif 000008
【００５７】
このような洗浄剤には、本発明の効果に影響を及ぼさない範囲で、公知の分散剤及び／又は他の界面活性剤（本発明の界面活性剤を含まない）を含有してもよい。
公知の分散剤としては、ポリ（メタ）アクリル酸の塩｛アンモニウム塩、アルキルアミン塩（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びトリエチルアミン等）又はアルカノールアミン塩（トリエタノールアミン塩等）｝；多糖類（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等）、ポバール、縮合リン酸（メタリン酸及びピロリン酸等）、リン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸及びトリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸等｝及びこれらの混合物等が挙げられる。
公知の分散剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて、０．０００１〜１０程度が好ましい。
【００５８】
他の界面活性剤としては、ノニオン性、アニオン性、カチオン性、両性及びこれらの混合物のいずれでもよいが、これらのうち、ノニオン性界面活性剤又はアニオン性界面活性剤が好ましい。
ノニオン性界面活性剤としては、エーテル型界面活性剤｛アルキルエーテル型、アルキルアリルエーテル型及びアルキルチオエーテル型等｝；エステル型界面活性剤｛アルキルエステル型及びソルビタンアルキルエステル型等｝；アミン縮合型界面活性剤｛ポリオキシアルキレンアルキルアミン等｝；アミド縮合型界面活性剤｛ポリオキシアルキレンアルキルアマイド等｝；及びプルロニック又はテトロニック型界面活性剤｛ポリオキシエチレンとポリオキシプロピレンをランダム又はブロック付加させた界面活性剤｝等が挙げられる。
アニオン界面活性剤としては、スルホン酸型界面活性剤、硫酸エステル型界面活性剤、リン酸エステル型界面活性剤、脂肪酸型界面活性剤及びポリカルボン酸型界面活性剤等が挙げられる。
カチオン界面活性剤としては、アミン型界面活性剤及び４級アンモニウム塩型界面活性剤が挙げられる。
両性界面活性剤としては、アミノ酸型界面活性剤及びベタイン型界面活性剤等が挙げられる。
他の界面活性剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて、０．０００１〜１０程度が好ましい。
【００５９】
本発明における洗浄剤には、本発明の効果を妨げない範囲で、その他の添加剤（酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤及び還元剤等）の１種以上を含有してもよい。
【００６０】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール及び２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール等｝；アミン系酸化防止剤｛モノアルキルジフェニルアミン（モノオクチルジフェニルアミン及びモノノニルジフェニルアミン等）；ジアルキルジフェニルアミン（４，４’−ジブチルジフェニルアミン及び４，４’−ジペンチルジフェニルアミン等）；ポリアルキルジフェニルアミン（テトラブチルジフェニルアミン及びテトラヘキシルジフェニルアミン等）；ナフチルアミン（α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等）｝；硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）及びビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド等｝；リン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等｝等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
酸化防止剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて、０．００１〜１０程度が好ましい。
【００６１】
キレート剤としては、アミノポリカルボン酸塩｛エチレンジアミンテトラ酢酸塩（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸塩（ＤＨＥＤＤＡ）、ニトリロ酸酢酸塩（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩（ＨＩＤＡ）、β−アラニンジ酢酸塩、アスパラギン酸ジ酢酸塩、メチルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、ヒドロキシイミノジコハク酸塩、ジヒドロキシエチルグリシン塩、アスパラギン酸塩及びグルタミン酸塩等｝；ヒドロキシカルボン酸塩｛ヒドロキシ酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩及びグルコン酸塩等｝；シクロカルボン酸塩｛ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩及びシクロペンタンテトラカルボン酸塩等｝；エーテルカルボン酸塩｛カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート等｝；その他カルボン酸塩｛マレイン酸塩及びシュウ酸塩等｝；有機カルボン酸（塩）ポリマー｛（メタ）アクリル酸（共）重合体（アクリル酸−アリルアルコール共重合体、アクリル酸−マレイン酸共重合体、ヒドロキシアクリル酸重合体及び多糖類−アクリル酸共重合体等）；多価カルボン酸（共）重合体（マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、テトラメチレン−１，２−ジカルボン酸、コハク酸、アスパラギン酸、グルタミン酸等のモノマーを構成単位としてなる（共）重合体等）；グリオキシル酸重合体｝；多糖類｛デンプン、セルロース、アミロース、ペクチン及びカルボキシメチルセルロース等｝；ホスホン酸塩｛メチルジホスホン酸塩、アミノトリスメチレンホスホン酸塩、エチリデンジホスホン酸塩、エチルアミノビスメチレンホスホン酸塩及びエチレンジアミンビスメチレンホスホン酸塩等｝等が挙げられる。
なお、塩としては、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム及びカリウム等）塩、アンモニウム塩、アミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン及びｉ−プロピルアミン等）アルカノールアミン（モノエタノールアミン及びトリエタノールアミン等）塩等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
キレート剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて０．０００１〜１０程度が好ましい。
【００６２】
防錆剤としては、含窒素有機防錆剤｛ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール及び２−メルカプトベンゾチアゾール等｝；アルキル又はアルケニルコハク酸｛ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等｝；多価アルコール部分エステル｛ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等｝等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
防錆剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて０．０１〜１０程度が好ましい。
【００６３】
ｐＨ調整剤としては、鉱酸｛塩酸、硫酸及び硝酸等｝；アルカノールアミン｛モノエタノールアミン及びトリエタノールアミン等｝；水溶性アミン｛アンモニア、トリメチルアミン及びトリエチルアミン等｝等が挙げられる（金属イオンを実質的に含まないものが好ましい）。これらの１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ｐＨ調整剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて、０．００１〜１０程度が好ましい。
【００６４】
緩衝剤としては、緩衝作用を有する酸（有機酸又は無機酸）及び／又はこれらの塩等を用いられる。
有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸及びマンデル酸等を挙げられる。
無機酸としては、リン酸及びホウ酸等が挙げられる。
塩としては、アンモニウム塩やアルカノールアミン塩（トリエタノールアミン塩等）等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
緩衝剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて０．１〜１０程度が好ましい。
【００６５】
消泡剤としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロアルキル変性シリコーン及びポリエーテル変性シリコーン等を構成成分とする消泡剤等｝等が挙げられる。
消泡剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて０．０００１〜１程度が好ましい。
【００６６】
還元剤としては、亜硫酸塩（亜硫酸ナトリウム及び亜硫酸アンモニウム等）；チオ硫酸塩（チオ硫酸ナトリウム及びチオ硫酸アンモニウム等）；アルデヒド（ホルムアルデヒド及びアセトアルデヒド等）；リン系還元剤（トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）；及びその他の有機系還元剤（ギ酸、シュウ酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、ピルビン酸、クエン酸、１，４−ナフトキノン−２−スルホン酸、アスコルビン酸及びイソアスコルビン酸等）が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
還元剤を使用する場合、この含有量（重量％）は、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の重量に基づいて０．１〜１０程度が好ましい。
【００６７】
本発明の洗浄剤の表面張力（２５℃）（ｄｙｎ／ｃｍ）は、パーティクル又は油汚れに対する洗浄性の観点等から、１０〜６５が好ましく、さらに好ましくは１２〜５０、特に好ましくは１５〜４０である。
表面張力は、ＪＩＳ  Ｋ３３６２：１９９８の輪環法：対応国際規格ＩＳＯ  ３０４に従って測定できる。
【００６８】
本発明の洗浄剤中のアルカリ金属及びアルカリ土類金属（原子及びイオンを含む）の合計含有量（重量％）は、洗浄剤の重量に基づいて、０．００００００１〜０．１が好ましく、さらに好ましくは０．０００００１〜０．０１、特に好ましくは０．００００１〜０．００１である。本発明の洗浄剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属を全く含まないものが最も好ましいが、製造しやすさの観点等から、上記の範囲が好ましい。
アルカリ金属及びアルカリ土類金属の合計含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ法、ＩＣＰ質量分析法が利用できるが、分析精度の観点等から、ＩＣＰ質量分析法が好ましい。
【００６９】
本発明の洗浄剤の用途には特に限定はないが、電子材料・電子部品を製造する工程中、洗浄工程における洗浄剤として適している。
電子材料・電子部品としては、半導体素子；シリコンウェハ；カラーフィルター；電子デバイス用基板｛フラットパネルディスプレイ（液晶パネル、プラズマ及び有機ＥＬ等）、光・磁気ディスク、ＣＣＤ等｝；光学レンズ；プリント配線基板；光通信用ケーブル；ＬＥＤ等等が挙げられる。これらのうち、液晶パネル用基板又は半導体素子の製造用として好適である。
なお、本発明の洗浄剤で洗浄される洗浄対象物（汚れ）としては、有機物｛油分、指紋、樹脂及び有機パーティクル等｝、無機物｛ガラス粉、砥粒、セラミック粉及び金属粉等｝が挙げられる。
【００７０】
本発明の洗浄剤を用いた電子材料・電子部品の洗浄方法としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種が適用できる。特に、超音波洗浄法を適用することによって、さらに優れた洗浄効果が発揮できる。
【００７１】
本発明の洗浄剤は、必要によりさらに水で希釈して使用してもよい。その際に使用する水としては、上記と同様であるが、イオン交換水及び超純水が好ましい。
特に、本発明の洗浄剤を電子材料・電子部品の洗浄工程に使用する場合、カルボキシベタイン（Ａ）及びアミン（Ｂ）の合計濃度が１〜５００ｐｐｍとなるように水で希釈することが好ましい。
【００７２】
本発明の洗浄剤を原液または水で希釈して使用する際のｐＨは、使用する添加剤の種類や量等によっても異なってくるが、１〜１２が好ましく、さらに好ましくは２〜１１、特に好ましくは４〜８である。なお、本発明の界面活性剤は、中性領域でも優れたゼータ電位低下能を有するため、中性下で洗浄する用途（電子部品等の金属腐食が懸念される用途等）においても、特に優れた効果を発揮する。
【実施例】
【００７３】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、特に限定がない限り％は重量％、部は重量部を示す。また、生成熱変化（Ｑ）は、富士通株式会社製ＣＡＣｈｅ  Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１を用いて計算した。すなわち、分子力場法である「ＭＭ２  ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法であるＰＭ３  ｇｅｏｍｅｔｙにより、ΔfＨoH+B、ΔfＨoB、ΔfＨoHX、ΔfＨoX-を計算し、上述した計算式に従って（Ｑ）を求めた。
【００７４】
＜実施例１＞
シュウ酸９０部（１モル部）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−ドデシルエチレンジアミン｛Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミンとドデカンアルデヒドとを反応させた後、水素化ホウ素ナトリウムで還元して得た｝５１２部（２モル部）及び水酸化カリウム３部をキシレン１０００部中、１００℃で１５時間反応させた後、溶媒留去してＮ，Ｎ’−ジドデシル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノエチル）シュウ酸ジアミドを得た。
次いで、このＮ，Ｎ’−ジドデシル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノエチル）シュウ酸ジアミド５６６部（１モル部）、水６００部及びクロル酢酸ソーダ２８０．３部（２．４モル部）の混合物を５０℃で撹拌して反応させた後、イオン交換クロマトグラフィ（イオン交換樹脂：バイオラッド社製ＡＧ５０１Ｘ８）により精製し、溶媒留去して、カルボキシベタイン（ａ１）を得た。
次いで、このカルボキシベタイン（ａ１）６８２部（１モル部）、水１０００部及びアミン（ｂ１）｛ＤＢＵ｝３０４部（２モル部）を均一混合して、本発明の界面活性剤（１）を得た。
なお、水は、超純水（オルガノ株式会社製「ＰＵＲＩＣ−ＭＸ２」で得られる比抵抗値が１８ＭΩ以上の水）を用いた（以下、同様である）。また、質量分析（ＦＡＢイオン化法）及び1Ｈ−ＮＭＲにより、各化学構造を確認した（以下、同様である）。
【００７５】
＜実施例２＞
シュウ酸９０部（１モル部）をコハク酸１１８部（１モル部）に変更したこと以外、実施例１と同様にして、カルボキシベタイン（ａ２）を得た。
次いで、このカルボキシベタイン（ａ２）７１０部（１モル部）、水１０００部及びアミン（ｂ１）｛ＤＢＵ｝３０４部（１モル部）を均一混合して、本発明の界面活性剤（２）を得た。
【００７６】
＜実施例３＞
シュウ酸９０部（１モル部）をオクタン二酸１７４部（１モル部）に変更したこと、及びＮ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−ドデシルエチレンジアミン５１２部（２モル部）をＮ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−（２−エチルヘキシル）エチレンジアミン｛Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミンと２−エチルへキシルアルデヒドとを反応させた後、水素化ホウ素ナトリウムで還元して得た｝４００部（２モル部）に変更したこと以外、実施例１と同様にして、カルボキシベタイン（ａ３）を得た。
次いで、このカルボキシベタイン（ａ３）６５４部（１モル部）、水１０００部及びアミン（ｂ１）｛ＤＢＵ｝３０４部（１モル部）を均一混合して、本発明の界面活性剤（３）を得た。
【００７７】
＜実施例４＞
シュウ酸９０部（１モル部）をテレフタル酸１６６部（１モル部）に変更したこと、及びＮ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−ドデシルエチレンジアミン５１２部（２モル部）をＮ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−ヘキサドデシルエチレンジアミン｛Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミンとヘキサンアルデヒドとを反応させた後、水素化ホウ素ナトリウムで還元して得た｝６２４部（２モル部）に変更したこと以外、実施例１と同様にして、カルボキシベタイン（ａ４）を得た。
次いで、このカルボキシベタイン（ａ４）８７０部（１モル部）、水１０００部及びアミン（ｂ１）｛ＤＢＵ｝３０４部（１モル部）を均一混合して、本発明の界面活性剤（４）を得た。
【００７８】
＜実施例５＞
実施例１で得たカルボキシベタイン（ａ１）６８２部（１モル部）、水１０００部及びアミン（ｂ２）｛ＤＢＮ｝２４８部（２モル部）を均一混合して、本発明の界面活性剤（５）を得た。
【００７９】
＜実施例６＞
実施例２で得たカルボキシベタイン（ａ２）７１０部（１モル部）、水１０００部及びアミン（ｂ２）｛ＤＢＮ｝２４８部（１モル部）を均一混合して、本発明の界面活性剤（６）を得た。
【００８０】
＜実施例７＞
実施例３で得たカルボキシベタイン（ａ３）６５４部（１モル部）、水１０００部及びアミン（ｂ２）｛ＤＢＮ｝２４８部（１モル部）を均一混合して、本発明の界面活性剤（７）を得た。
【００８１】
＜実施例８＞
実施例４で得たカルボキシベタイン（ａ４）８７０部（１モル部）、水１０００部及びアミン（ｂ２）｛ＤＢＮ｝２４８部（１モル部）を均一混合して、本発明の界面活性剤（８）を得た。
【００８２】
＜実施例９＞
実施例１で得た界面活性剤（１）１９８６部に、サッカロース３０部を添加混合して、本発明の界面活性剤（９）を得た。
【００８３】
＜実施例１０＞
実施例２で得た界面活性剤（２）２０１４部に、ソルビトール７０部を添加混合して、本発明の界面活性剤（１０）を得た。
【００８４】
＜実施例１１＞
実施例１で得た界面活性剤（１）１９８６部に、グリセリン６９部を添加混合して、本発明の界面活性剤（１１）を得た。
【００８５】
＜比較例１＞
５０％オレイン酸アンモニウム水溶液を比較用の界面活性剤（１２）とした。
【００８６】
＜比較例２＞
実施例１で得たカルボキシベタイン（ａ１）
部に、ジエタノールアミン１０５部（１モル部）を添加混合して、比較用の界面活性剤（１３）を得た。
【００８７】
＜比較例３＞
５０％Ｎ−ドデシル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニオアセテート水溶液を比較用の界面活性剤（１４）とした。
【００８８】
界面活性剤（１）〜（１４）について、以下のようにして、微粒子付着数を評価し、結果を表１に示した。また、超純水のみ（ブランク）についても同様に評価し、併せて表１に示した。
【００８９】
＜微粒子付着数＞
４インチシリコンウェハを０．５％ＨＦ水溶液１リットルが入った１リットル容のビーカーに２０℃、１５分間浸漬して自然酸化膜を除去し、超純水１リットルが入った１リットルのビーカーに３０℃、１分間浸漬しリンスした。
次に、界面活性剤（１）〜（１４）について、濃度が５０ｐｐｍとなるように超純水で希釈して評価試料を調製した。そして、１リットルのビーカー中でポリスチレンラテックス｛体積平均粒径２．０μｍ、Ｄｕｋｅ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、Ｃａｔａｌｏｇ Ｎｏ．４２０２、０．５重量％、ＣＶ  １．１％｝１ｍＬに評価試料９９９ｍＬを配合して混合液（１，０００ｍＬ）を得た。
この混合液に、上記の洗浄（酸化膜除去及びリンス）したシリコンウェハを３０℃で１０分間浸漬した。その後、超純水１リットルが入った１リットルのビーカーに１分間浸漬、取り出し、自然乾燥した後、レーザー表面検査装置（トプコン株式会社製、ＷＭ−２５００）を使ってシリコンウェハ表面に付着したパーティクル数を測定した。
【００９０】
【表１】
2007146024.tif 000009
【００９１】
以上のように、本発明の界面活性剤（実施例１〜１１）は、比較用の界面活性剤に比べて、シリコンウエハ１枚当たりの微粒子付着数を著しく減少させることができた。
このことから、ａ）本発明の界面活性剤がシリコンウェハへのパーティクルの再付着防止に著しく高い効果をもつことがわかった。また、ｂ）本発明の界面活性剤がパーティクルのゼータ電位を著しく効果的に低下させたものと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明の界面活性剤は、被洗浄物から剥がれた汚れの再付着防止効果に優れているため、半導体素子、シリコンウェハ、カラーフィルター、電子デバイス用基板（液晶パネル、プラズマ、有機ＥＬなどのフラットパネルディスプレイ、光・磁気ディスク、ＣＣＤ）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤなどの電子部品を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。