(57)【要約】【課題】  狭ギャップ化（狭ピッチ化）が可能で接続信頼性が高く、さらに端子間の接続については高価な異方性導電膜を用いることなく行うことができ、しかも接続信頼性の検査も容易に行えるようにした半導体装置を提供する。【解決手段】  本発明の半導体装置は、基板１上に形成された電極２と、同じく前記基板１上であって前記電極２とは異なる位置に、該電極２よりも突出して形成され、且つ樹脂から構成されてなる突起体４と、前記電極２から前記突起体４まで延在してなり、且つ前記突起体４上を横切る形で形成されてなる配線部５とを有し、前記突起体４は、前記延在する配線部５の少なくとも一側部において、当該配線部５に覆われていない非被覆部４ａを具備してなることを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された電極と、
同じく前記基板上であって前記電極とは異なる位置に、該電極よりも突出して形成され、且つ樹脂から構成されてなる突起体と、
前記電極から前記突起体まで延在してなり、且つ前記突起体上を横切る形で形成されてなる配線部とを有し、
前記突起体は、前記延在する配線部の少なくとも一側部において、当該配線部に覆われていない非被覆部を具備してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記突起体は、前記延在する配線部の両側部において、当該配線部に覆われていない非被覆部をそれぞれ具備してなり、
前記突起体の最大幅Ｗ１と、前記突起体を覆う前記配線部の幅Ｗ２とは、（Ｗ２／Ｗ１）×１００（％）が、６０（％）以上、１００（％）以下を満たすことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
基板上に電極を形成する工程と、
同じく前記基板上であって前記電極とは異なる位置に、該電極よりも厚膜の感光性絶縁樹脂層を形成し、該感光性絶縁樹脂層に露光処理、現像処理を施してパターニングするとともに、前記感光性絶縁樹脂層の上面が凸形状の曲面となるパターンの突起体を形成する工程と、
前記電極から前記突起体まで延在し、且つ前記突起体上を横切る形で配線部を形成する工程と、を具備し、
前記配線部を形成する工程において、当該形成する配線部の少なくとも一側部において、前記突起体を覆わずに当該配線部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体装置が実装されたことを特徴とする回路基板。
【請求項５】
請求項４に記載の回路基板が実装されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法、回路基板、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示体装置の基板上に駆動用ＩＣを実装するための接続方法としては、例えばＣＯＧ（Chip On Glass）接続が知られている。このＣＯＧ接続では、例えばＡｕメッキバンプを駆動用ＩＣに形成し、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を用いて駆動用ＩＣを実装するといった方法が採られている。このような方法において、Ａｕメッキバンプの形成については、半導体素子上にＴｉＷ／Ａｕなどのシード層をスパッタし、レジストをパターニングした後に、高さ２０μｍ程度の電解Ａｕメッキを施すことで行っている。
【０００３】
ところが、近年では前記駆動用ＩＣの電極が狭ギャップ化（狭ピッチ化）するのに伴い、高アスペクトのレジスト形成、あるいはシード層のエッチングなど、安定したバンプ形成が困難になってきている。また、電極ギャップ寸法が異方性導電膜（ＡＣＦ）中の導電性微粒子の寸法に近くなり、したがってこの導電性微粒子によってショートが起こる可能性も生じている。そこで、樹脂により突起体を形成し、そこに電極から配線を設けた突起電極構造が発明されている。
【特許文献１】特許第２７３１４７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１には、電極上に樹脂製の突起部を設け、該突起部の表面を覆って電極に接続する配線を設けることにより、突起体を形成する技術が開示されている。この技術によれば、基板に突起体を押し付けて、突起体自体を樹脂の弾性で変形させることで、導通を図るものとしている。しかし、樹脂と配線を構成する金属材料の弾性率の相違から、樹脂の変形に配線が追従できず、当該配線が断線する等の問題が生じ易い。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、狭ギャップ化（狭ピッチ化）が可能で接続信頼性が高く、さらに端子間の接続については高価な異方性導電膜を用いることなく行うことができ、しかも接続信頼性の検査も容易に行えるようにした半導体装置と、その製造方法、及び回路基板、電気光学装置、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、基板上に形成された電極と、同じく前記基板上であって前記電極とは異なる位置に、該電極よりも突出して形成され、且つ樹脂から構成されてなる突起体と、前記電極から前記突起体まで延在してなり、且つ前記突起体上を横切る形で形成されてなる配線部とを有し、前記突起体は、前記延在する配線部の少なくとも一側部において、当該配線部に覆われていない非被覆部を具備してなることを特徴とする。
【０００７】
この半導体装置によれば、突起体を横切るように配線部を設けることで、いわゆる突起電極を構成することができ、この場合、配線部として薄膜の金属膜を採用し得ることなどから、狭ギャップ化（狭ピッチ化）が可能になり、また、電極と他の端子間の接続については、上記突起電極を介して行うことができるため、高価な異方性導電膜を用いることも必要なく、さらには接続信頼性の検査を容易に行うことが可能となる。また、上記半導体装置によれば、配線部は突起体を横切るように構成されているため、電極及び下地の基板との密着性が高いものとなる。つまり、配線部の終端が突起体の頂部に位置するように当該配線部を形成した場合に比して、該配線部が突起体を介した両端で下地の基板に確実に密着するため、配線部の剥がれ等を防止することができるようになるのである。さらに、突起体は配線部の少なくとも一側部に非被覆部を具備するように構成されているため、突起体を構成する樹脂が変形した場合にも配線部において断線が生じ難いものとなっている。つまり、配線部が突起体を全て覆うような形態（突起体の外周部で全て基板と接地して固定されている状態）に比べて、非被覆部を設けることで、突起体の変形による歪みを緩和することができ、配線部のクラック発生を防止することができるようになるのである。その結果、配線接続時の歩留り向上と接続抵抗値の安定化、高い接続信頼性を確保することが可能となる。
【０００８】
ここで、前記突起体は、前記延在する配線部の両側部において、当該配線部に覆われていない非被覆部をそれぞれ具備してなり、前記突起体の最大幅Ｗ１と、前記突起体を覆う前記配線部の幅Ｗ２とは、（Ｗ２／Ｗ１）×１００（％）が６０（％）以上１００（％）以下を満たすものとすることができる。（Ｗ２／Ｗ１）が６０％未満の場合、配線が微細化し過ぎて安定した接続抵抗値で接続するために必要な接触面積が確保できず導通性の確保が困難となる場合があり得、一方、１００％を超えると、配線の自由度が低下して突起体の変形時に当該配線部が断線する不具合が生じ易くなる場合があり得る。
【０００９】
また、前記突起体を構成する樹脂としては、特に露光条件により形状制御が可能であるアクリル樹脂を用いるのが好ましい。この場合、露光条件の調整により、突起体を容易に所望形状にパターニングすることが可能となる。
【００１０】
さらに、前記突起体は略半球状に構成することができる。このようにすれば、この突起体を例えばガラス基板上の端子に接合させた際に、無荷重のときの配線部の接触部分がほぼ点になり、したがって、接続時の加熱加圧による接触面積の変化が大となり、その測定が容易になる。
【００１１】
次に、上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に電極を形成する工程と、同じく前記基板上であって前記電極とは異なる位置に、該電極よりも厚膜の感光性絶縁樹脂層を形成し、該感光性絶縁樹脂層に露光処理、現像処理を施してパターニングするとともに、前記感光性絶縁樹脂層の上面が凸形状の曲面となるパターンの突起体を形成する工程と、前記電極から前記突起体まで延在し、且つ前記突起体上を横切る形で配線部を形成する工程と、を具備し、前記配線部を形成する工程において、当該形成する配線部の少なくとも一側部において、前記突起体を覆わずに当該配線部を形成することを特徴とする。
【００１２】
このような製造方法により、上述した本発明の半導体装置を好適に製造することが可能となる。なお、感光性絶縁樹脂層を形成する場合には例えばスピンコート法を用いることができる。また、感光性絶縁樹脂層の上面を凸形状の曲面とするには、樹脂層の材質や厚さに対して、標準的な露光量より十分に少ない量で露光する、いわゆるアンダー露光を採用することができる。また、配線部の形成方法としては、例えば公知のフォトリソグラフィ法等を採用することができる。
【００１３】
次に、本発明の回路基板は、前記の半導体装置が実装されたことを特徴としている。
この回路基板によれば、前述したように狭ギャップ化（狭ピッチ化）が可能な半導体装置を実装しているので、高密度実装が可能になる。また、接続信頼性の検査が容易なことから接続信頼性が高いものとなり、さらにコストの低減化が図られたものとなる。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、前記の半導体装置、又は前記の回路基板が実装されたことを特徴としている。
この電気光学装置によれば、前述したように高密度実装が可能になり、また接続信頼性が高いものとなって、さらにコストの低減化が図られたものとなる。
【００１５】
本発明の電子機器は、前記の回路基板、又は前記の電気光学装置を有することを特徴としている。
この電子機器によれば、前述したように高密度実装が可能になり、また接続信頼性が高いものとなって、さらにコストの低減化が図られたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１７】
まず、本発明の半導体装置の一例について説明する。
図１は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す平面部（ａ）及び断面図（ｂ）、（ｃ）である。具体的には、図１（ａ）は、半導体素子を形成した基板（半導体基板）の部分平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視断面図である。なお、本実施形態における基板としては、多数の半導体チップを形成した状態のシリコンウエハ等の半導体基板であってもよく、また、個々の半導体チップからなるものであってもよい。また、半導体チップの場合には、一般的には直方体（立方体を含む）であるが、その形状は限定されず、球状であってもよい。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｃ）中、符号１は半導体素子（図示せず）を形成した基板（半導体基板）、符号２は基板１上に電気信号の入出力を行うために設けられた電極、符号３は基板１の能動面を保護するために設けられた保護膜（パッシベーション膜）、符号４は感光性絶縁樹脂で形成され電極２とほぼ同一ピッチに配置された突起体、符号５は電極２及び突起体４の表面（頂面）を覆うように形成された配線部である。
【００１９】
電極２は、例えばスパッタリングによって導電材料を成膜した後、さらにレジスト等を用いて所定の形状（例えば、矩形形状）にパターニングしたものである。このような電極２は、基板１の端縁近傍に所定のピッチで複数形成されている。なお、この電極２は、本実施形態ではＡｌ（アルミニウム）で形成されているものとするが、Ａｌ以外にも、例えばＴｉ（チタン）層、ＴｉＮ（窒化チタン）層、ＡｌＣｕ（アルミニウム／銅）層、及びＴｉＮ層（キャップ層）を順に積層した構造であってもよい。さらに、電極２は、前記の構成に限られず、必要とされる電気的特性、物理的特性、及び化学的特性に応じて適宜変更してもよい。
【００２０】
保護膜３は、電極２の周辺部を覆い、その開口から電極２を露出させたもので、ＳｉＯ２（酸化珪素）、ＳｉＮ（窒化珪素）、ポリイミド樹脂等によって形成されたものであり、厚みが例えば１μｍ程度に形成されたものである。ここで、電極２を露出させる開口については、従来の半導体装置における開口より十分小さくしてもよく、具体的には１辺を５〜１０μｍ程度とする正方形（または矩形）とすることができる。このように開口を小さくすることにより、通常の電極形成部分の面積に後述する突起電極８を十分な大きさで形成することができるようになる。なお、その場合に電極２の大きさについては、従来通りの大きさにしておいてもよく、また保護膜３の開口に合わせて小さくしてもよい。
【００２１】
突起体４は、基板１の能動面側に、電極２より例えば１０〜２０μｍ程度突出する高さに形成されたもので、図１（ａ）に示すように平面視したときの直径が２０〜５０μｍ程度の半球状のものである。このような突起体４は、電極２と同じ方向に複数配列してなるもので、電極２とほぼ同一ピッチに配置されたものである。また、これら突起体４は、感光性絶縁樹脂によって形成されてなり、具体的にはアクリル樹脂やフェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などによって形成されたものである。なお、これら感光性絶縁樹脂の中では、特に露光条件によって形状制御が可能であるアクリル樹脂が、露光条件の調整によって所望形状へのパターニングが容易になることから好適とされ、したがって本実施形態では、感光性絶縁樹脂として特に露光条件によって形状制御が可能であるアクリル樹脂を用いている。
【００２２】
配線部５は、電極２に接続されてなり、且つ突起部４を横切る形で延在して形成されている。つまり、本実施形態の配線部５は、電極２側から突起体４を覆う形で電極２の反対側に延びており、特に突起体４と、この上に形成された配線部５とにより突起電極８が形成されている。
【００２３】
また、突起体４と配線部５とは、突起体４が配線部５に完全に覆われないように相対配置されている。具体的には、突起体４が、延在する配線部５の少なくとも一側部（本実施形態では両側部）において、当該配線部５に覆われていない非被覆部４ａ，４ａを具備して構成されている。なお、配線部５は本実施形態では、Ａｌにより構成されているが、例えばＡｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ等や鉛フリーはんだ等を用いることも可能である。
【００２４】
なお、図１（ａ）に示したように、突起体４の最大幅Ｗ１と、突起体４を覆う配線部５の幅Ｗ２とは、（Ｗ２／Ｗ１）×１００（％）＝６０（％）以上１００（％）以下の関係を有しており、本実施形態では、Ｗ１＝３０μｍに対して、Ｗ２＝２０μｍとされている。また、突起体４の高さは１０μｍ〜１５μｍとされているのに対して、配線部５の厚さは０．３μｍ〜１μｍとされている。
【００２５】
このような図１に示す半導体装置によれば、突起体４を横切るように配線部５を設けることで、いわゆる突起電極８を構成することができ、この場合、配線部５として薄膜の金属膜を採用し得ることなどから、狭ギャップ化（狭ピッチ化）が可能になる。
【００２６】
また、配線部５は突起体４を横切るように構成されているため、電極２及び下地の基板（ここでは保護膜３）との密着性が高いものとなる。つまり、配線部５の終端が突起体４の頂部に位置するように当該配線部５を形成した場合に比して、該配線部５が突起体４を介した両端で保護膜３に確実に密着するため、配線部５の剥がれ等を防止することができるようになるのである。
【００２７】
さらに、突起体４は配線部５の少なくとも一側部に非被覆部４ａを具備するように構成されているため、突起体４を構成する樹脂が変形した場合にも配線部５において断線が生じ難いものとなっている。つまり、配線部５が突起体４を全て覆うような形態（突起体４の外周部で全て保護膜３と接地して固定されている状態）に比べて、非被覆部４ａを設けることで、突起体４の変形による歪みを緩和することができ、配線部５のクラック発生を防止することができるようになるのである。その結果、配線接続時の歩留り向上と接続抵抗値の安定化、高い接続信頼性を確保することが可能となる。
【００２８】
次に、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態について、特に前記構成の基板１に突起体４を形成する工程を中心にして、図２〜図８を参照して説明する。なお、図２〜図８は、図１（ｃ）に対応した断面図、すなわち図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視断面に対応する断面図である。
【００２９】
まず、図２に示すように、基板１の能動面上の所定位置に複数の電極２を配列した状態に形成し、さらにこれら電極２を露出させた状態に保護膜３を形成する。
この保護膜３の形成については、まず、ＳｉＯ２（酸化珪素）やＳｉＮ（窒化珪素）等による成膜を行い、続いてこれの上にスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によってレジスト層を形成し、さらに所定のパターンが形成されたマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理を施し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。その後、このレジストパターンをマスクにして前記膜のエッチングを行い、電極２を露出させる開口を形成し、保護膜３を得る。ここで、エッチングにはドライエッチングを用いるのが好ましく、ドライエッチングとしては反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）が好適に用いられる。ただし、エッチングとしてウエットエッチングを用いることもできる。なお、このようにして開口を形成した後には、剥離液等を用いてレジストパターンを除去する。
【００３０】
次に、図３に示すように保護膜３上に突起体４を構成する樹脂、すなわちポジ型レジストとなるアクリル樹脂を、例えば１０〜２０μｍ程度に塗布し、さらにプリベークすることによって樹脂層４ｂを形成する。
そして、図４に示すように樹脂層４ｂ上に、マスク９を所定位置に位置決めしてこれを配置する。マスク９としては、例えばＣｒ等の遮光膜を形成したガラス板からなるもので、形成する半球状の突起体４の、平面形状に対応した円形の開口９ａを有したものが用いられる。なお、マスク９の位置決めについては、その開口９ａが前記突起体４の形成箇所に位置するように行う。
【００３１】
次いで、このマスク９上に紫外光を照射し、開口９ａから露出する前記樹脂層４ｂを露光する。ただし、この露光に際しては、その露光条件を調整することにより、現像後に得られる樹脂層４ｂからなるパターンを、その上面が凸形状の曲面となるパターンにする。具体的には、樹脂層４ｂの材質や厚さに対して、標準的な露光量より十分に少ない量で露光する、いわゆるアンダー露光を行う。なお、実際に行う露光（アンダー露光）としては、例えば標準的な露光量の半分程度で行う。
【００３２】
このようにして露光を行うと、マスク９の開口９ａから露出する樹脂層４ｂでは、開口９ａの中心から周辺部に行くに連れて漸次露光量が少なくなる。したがって、このようにして露光処理を行った後、現像処理を行うと、開口９ａから露出した樹脂層４ｂにおいても、露光量が少なくなったことで生じた未露光部分が現像され、除去される。すなわち、樹脂層４ｂは開口９ａの中心から周辺部に行くに連れてその表層側の露光の度合いが漸次少なくなることから、この露光の度合いが少なくなって未露光部分となった樹脂が現像・除去される。その結果、樹脂層４ｂは図５に示すように上面が凸形状の曲面となるパターン、つまり半球状の突起体４となるのである。
【００３３】
このようにして樹脂層４ｂから突起体４を形成し、他の部分の樹脂層４ｂを除去した後、図６に示すように、電極２及び突起体４の上面を含む基板１の表面全面に、スパッタリング（スパッタ法）によってＡｌを成膜し、配線部５を形成する。
【００３４】
次いで、導電層５ａの上にレジストをスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によって塗布し、レジスト層を形成する。そして、形成する配線部５のパターンに対応したマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理を施し、これを所定形状にパターニングすることにより、図７に示すように形成する配線部５のパターンに対応する形状を有したレジストパターン１０を形成する。
【００３５】
次いで、導電層５ａのレジストパターン１０に覆われない部分、すなわち露出した導電層５ａをエッチング液により除去して、図１（ｃ）に示した構成の半導体装置を得る。なお、場合によって最後に配線部５で覆われていない保護膜３をプラズマ処理によりエッチングして除去するものとしても良い。
【００３６】
このようにして得られた半導体装置にあっては、例えばこれを表示体装置のガラス基板上に実装する場合、その接続方法としてＣＯＧ（Chip On Glass）接続が好適に用いられる。その際、本発明に係る半導体装置では、端子間の接続信頼性を評価する検査方法として、以下のような方法を採用することができる。
まず、図９（ａ）、（ｂ）に示すように突起体４と配線部５とからなる突起電極８上に、前記ガラス基板１１をその透明電極（端子）１２が突起電極８上に当接するようにして載せる。すると、この状態では、突起電極８に対してほとんど荷重がかからないほぼ無荷重の状態となるので、透明電極１２に接触する突起電極８の接触部分Ｃ１は、図９（ｂ）に示したようにほとんど点となり、その接触面積が十分に小となる。
【００３７】
次いで、この状態から熱硬化性封止樹脂を用いて基板１とガラス基板１１との間に熱硬化性封止樹脂を充填し、その状態で図１０（ａ）、（ｂ）に示すように接続のための加熱加圧を行う。すると、突起電極８はその芯部が比較的軟質な樹脂による突起体４によって形成されていることから、この加熱加圧によって突起電極８はその接触部分Ｃ２が潰れるようにして広がり、図１０（ｂ）に示したように面となって接触面積が大きくなる。
したがって、例えば光学顕微鏡を用いて透明基板１２側から突起電極８の接触部分Ｃ１、Ｃ２をそれぞれ観察し、その接触面積の変化を測定することにより、端子間、すなわち透明電極１２と突起電極８との間の接続状態が分かるようになる。よって、このように接続信頼性の検査を容易に行うことができることから、この検査工程を経て得られた端子間接続構造は、高い接続信頼性を有するものとなる。
【００３８】
このような半導体装置の製造方法にあっては、突起体４を形成してこれの上に配線部５を設け、突起電極８を形成しているので、配線部５として薄い金属膜のパターニングを行えばよいことなどから、狭ギャップ化（狭ピッチ化）を可能にすることができる。
また、突起体４を、その上面が凸形状の曲面となる半球状に形成するので、前述したような端子間の接続信頼性を評価する検査方法を好適に採用することができ、したがってこの検査工程を経て得られた端子間接続構造の接続信頼性を高めることができる。
さらに、従来のような導電性微粒子の変形を測定する必要なく、前記検査を行うことができることから、端子間の接続に異方性導電膜や異方性導電ペーストを用いる必要がなくなり、したがって端子間接続のためのコストを低減することができる。
【００３９】
次に、半導体装置の製造方法の第２の実施形態について説明する。
この第２の実施形態が第１の実施形態と異なるところは、配線部５を第１の配線部６と第２の配線部７との積層パターンによって形成する点にある（図１８参照）。
すなわち、この第２の実施形態では、図５に示したように突起体４を形成した後、図１５に示すように例えばスパッタ法で基板１の全面にＣｒ、Ａｕをこの順に成膜・積層し、第１導電層６ａを形成する。次いで、第１導電層６ａ上の全面にレジストをスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によって塗布し、レジスト層を形成する。そして、第２導電層７ａ（図１５参照）の平面形状（平面パターン）に対応したマスクを用いてレジスト層に露光処理及び現像処理を施し、これを所定形状にパターニングすることにより、図１５に示すように形成する第２導電層７ａのパターン、すなわち配線部５のパターン形状に対応する開口形状を有したレジストパターン１０を形成する。
【００４０】
次いで、前記第１導電層６ａのレジストパターン１０に覆われない部分、すなわち露出した第１導電層６ａをシード層として、電解メッキ処理を施し、図１６に示すようにこのメッキ層によって所望パターン、すなわち電極２上から突起体４を横切る形で延びる配線部５のパターンの第２導電層７ａを形成する。ここで、電解メッキ処理としては、第１導電層６ａより厚いＡｕメッキ層を形成する処理、例えば厚さ２μｍ程度の厚さのＡｕメッキ層を形成する処理が採用される。続いて、図１７に示すように第１導電層６ａ上に残留したレジストパターン７を除去する。
【００４１】
その後、前記第２導電層７ａに覆われていない部分、すなわち非配線部となる部分の第１導電層６ａをエッチングによって除去し、図１８に示したように第１配線部６と第２配線部７とからなる積層パターンを形成する。そして、これによって電極２上から突起体４を横切る形で延びて形成された、積層パターンからなる配線部５を形成するとともに、特に突起体４とこれの上に形成された配線部５とから突起電極８を形成する。
その後、必要に応じてダイシングによって個片化することにより、本発明の半導体装置を得る。
【００４２】
なお、第１導電層６ａのエッチングについては、第２導電層７ａをマスクにしてこれに覆われない部分の第１導電層６ａを選択的にエッチングするのが望ましく、その場合のエッチングとしては、ドライエッチング、ウエットエッチングのいずれも採用可能である。
また、レジストパターンによるマスクを形成し、これを用いてエッチングを行うようにしてもよい。
【００４３】
図１１は、本発明の回路基板及び電気光学装置の一実施形態としての、液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。図１１に示す液晶表示装置は、電気光学パネルとしてのカラーの液晶パネル５１と、この液晶パネル５１に接続されたＣＯＦ（Chip On Film）式の回路基板１００とを備えて構成されたものであり、回路基板１００は、前記半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置１０１を備えて構成されたものである。このような構成のもとに、回路基板１００は本発明の回路基板の一実施形態となっており、また液晶表示装置は本発明の電気光学装置の一実施形態となっている。なお、前記液晶表示装置においては、バックライト等の照明装置やその他の付帯機器が、必要に応じて液晶パネル５１に付設されるようになっている。また、回路基板１００としては、ＣＯＦ式のものに限定されることなく、ＣＯＢ（Chip On Board）のものを用いることもできる。
【００４４】
また、本発明は、前記ＣＯＦ式のものやＣＯＢ式のもの以外にも、表示体パネル（液晶パネル）上に直接ドライバーＩＣ等を実装するＣＯＧ（Chip On Glass）式の電気光学装置にも適用可能である。図１２に、ＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す。
この図において、電気光学装置としての液晶表示装置５０は、金属板から成る枠状のシールドケース６８と、電気光学パネルとしての液晶パネル５２と、液晶駆動用ＬＳＩ５８と、液晶パネル５２と液晶駆動用ＬＳＩ５８の能動面に形成されたバンプとをＣＯＧ実装方式によって互いに電気的に接続するための図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film ：異方性導電膜）と、全体の強度を保つための保持部材１７２とを有して構成されている。
【００４５】
この液晶パネル５２は、一方の面に第１透明電極層を設けた０．７ｍｍ厚のソーダガラスからなる第１基板５３と、一方の面に第２の透明電極層を設けた０．７ｍｍ厚のソーダガラスからなる第２基板５４とが、第１透明電極層と第２透明電極層とが相対向するようにして貼り合わされ、さらに、これらの基板間に液晶組成物が封入されたことにより、形成されている。そして、ＣＯＧ用ＡＣＦによって液晶駆動用ＬＳＩ５８が一方の基板５４上に直接、電気的に接続されており、このようにして、ＣＯＧ型の液晶パネル５２が形成されている。ここで、前記液晶駆動用ＬＳＩ５８は、前記半導体装置の製造方法によって製造されている。
【００４６】
なお、電気光学装置としては、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ表示装置に用いることができる。図１３は、本発明による電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置に設けられる有機ＥＬパネルの断面図である。有機ＥＬパネル（電気光学パネル）３０は、基板３１上にマトリクス状にＴＦＴ（Thin Film Transistor）３２を形成し、さらにその上に複数の積層体３３を形成して概略構成されたものである。ＴＦＴ３２は、ソース電極、ゲート電極、及びドレイン電極を有したもので、ゲート電極及びソース電極は、例えば図１に示した突起電極８の何れかと電気的に接続されている。前記積層体３３は、陽極層３４、正孔注入層３５、発光層３６、及び陰極層３７を含んで構成されたものである。前記陽極層３４は、ＴＦＴ３２のドレイン電極と接続されており、ＴＦＴ３２がオン状態にあるときに電流が、ＴＦＴ３２のソース電極及びドレイン電極を介して陽極層３４に供給されるようになっている。
【００４７】
以上の構成の有機ＥＬパネル３０において、陽極層３４から正孔注入層３５を介して発光層３６に注入された正孔（ホール）と、陰極層３７から発光層３６に注入された電子とが発光層３６内において再結合して生ずる光は、基板３１側から射出される。
【００４８】
次に、本実施形態の電気光学装置が搭載される電子機器について説明する。以上に説明した電気光学装置としての液晶表示装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１４に示すノート型のパーソナルコンピュータ６０（電子機器）が製造される。
【００４９】
図１４は、本発明の一実施形態による電子機器としてのノート型コンピュータを示す外観図である。図１４において６１は筐体であり、６２は液晶表示装置（電気光学装置）であり、６３はキーボードである。なお、図１４においては、液晶表示装置を備えるノート形コンピュータを示しているが、液晶表示装置に代えて有機ＥＬ表示装置を備えていても良い。
【００５０】
また、前記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータを例に挙げて説明したが、これらに限らず、携帯電話、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００５１】
以上、本発明の実施形態による半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器について説明したが、本発明は前記実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。
例えば前述した実施の形態の「半導体チップ」や「半導体素子」を「電子素子」に置き換えて、電子部品を製造することもできる。このような電子素子を使用して製造される電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る半導体装置の概略構成図である。
【図２】図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図３】図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図４】図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図５】図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図６】図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図７】図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図８】図１に示した半導体装置の製造工程図である。
【図９】検査方法説明図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図１０】検査方法説明図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図１１】本発明に係る液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１２】ＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す分解斜視図である。
【図１３】本発明に係る有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１４】本発明の電子機器を示す外観図である。
【図１５】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図１６】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図１７】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【図１８】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…基板（半導体基板）、２…電極、４…突起体、４ａ…非被覆部、５…配線部、８…突起電極、３０…有機ＥＬパネル（電気光学パネル）、６０…パーソナルコンピュータ（電子機器）、６２…液晶表示装置（電気光学装置）、１００…回路基板、１０１…半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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