(57)【要約】【課題】  液滴吐出ヘッドの製造過程において、シリコン基板に予期せぬ破損が生じないようにし、さらに、製造に影響を与える異物を生じないような方法等を得る。【解決手段】  液滴として吐出させる液体をためる吐出室５となる凹部が少なくとも形成されるキャビティプレート１となるシリコン基板４１と、電力が供給されると吐出室５を変形させる電極８を内側に設けた凹部９を有するガラス基板２とを、シリコン基板とガラス基板２の凹部９を有する面とを対向させて接合する接合工程と、接合工程の後、シリコン基板に吐出室５となる凹部を形成し、シリコン基板において、電極８と外部の電力供給手段とを電気的に接続するために形成される電極取出し口２５となる部分を所定の厚さだけ残すようなウェットエッチングを行う工程とを少なくとも有する。【選択図】        図４
2007015179.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴として吐出させる液体をためる吐出室となる凹部が少なくとも形成される第１の基板と、電力が供給されると前記吐出室を変形させる電極を内側に設けた凹部を有する第２の基板とを、前記第１の基板と前記第２の基板の前記凹部を有する面とを対向させて接合する接合工程と、
該接合工程の後、前記第１の基板に前記吐出室となる凹部を形成するとともに、前記第１の基板において、前記電極と外部の電力供給手段とを電気的に接続するために形成される電極取出し口となる部分を所定の厚さだけ残すようなウェットエッチングを行う工程と
を少なくとも有することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記所定の厚さを５μｍ以上とすることを特徴とする請求項１記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
ウェットエッチングを用いたすべての工程を終了した後に、前記第１の基板の前記電極取り出し口となる部分の一部又は全部を、ドライエッチングにより除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項１又は２記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記液体から前記吐出室となる凹部を保護する液体保護膜を前記第１の基板に成膜する工程の前に、前記ドライエッチングにより除去することを特徴とする請求項３記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
スパッタ又はＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤにより形成した酸化シリコンの膜を前記液体保護膜とすることを特徴とする請求項４記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記ドライエッチングを行う工程において、前記電極取り出し口となる部分の一部又は全部が開口されたシリコンマスクを、ピンアライメントにより前記第１の基板に取り付けることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第１の基板と前記第２の基板との接合を陽極接合により行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第２の基板の前記凹部と外部とを連通させる大気開放穴をあらかじめ設けておき、前記ウェットエッチングを行う工程の前に、前記大気開放穴を塞ぐ工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記一部を除去した前記第１の基板の前記電極取り出し口となる部分の残りの部分を、前記液体保護膜を成膜する際及び／又は前記吐出室となる凹部と前記電極との間で形成される空間を外気と遮断するために該空間の開口部分を塞ぐ封止材を前記開口部分に堆積させる際のマスクとすることを特徴とする請求項４〜８のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
液滴として吐出させる液体をためる吐出室となる凹部が少なくとも形成される第１の基板と、電力が供給されると前記吐出室を変形させる電極を内側に設けた凹部を表面に有する第２の基板とを、前記第１の基板と前記第２の基板の前記凹部を有する面とを対向させて陽極接合する工程と、
前記第１の基板に前記部材を形成するためのエッチング用マスクをパターニング形成し、さらに前記大気開放穴を塞ぐ工程と、
前記第１の基板に前記吐出室となる凹部を形成するとともに、前記第１の基板において、前記電極と外部の電力供給手段とを電気的に接続するために形成される電極取出し口となる部分の厚さを５μｍ以上残すようなウェットエッチングを行う工程と、
前記接合した基板から前記エッチング用マスクを除去した後、前記電極取出し口の一部又は全部となる部分が開口されたシリコンマスクをピンアライメントにより取り付け、前記シリコン基板の前記電極取出し口に対応する部分の一部又は全部を、ドライエッチングにより開口し、前記電極取出し口を形成する工程と、
スパッタ又はＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによる酸化シリコン膜を、前記部材を前記液体から保護する液体保護膜として成膜する工程と、
前記部材と連通し、前記吐出室の変形により加圧された液体が液滴として吐出されるノズルを有するノズル基板を、前記接合した基板と接合する工程と
を有することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記ドライエッチングを行う代わりにレーザ加工により前記電極取り出し口となる部分の一部又は全部を開口することを特徴とする請求項３〜１０のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかの方法で製造したことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液滴吐出ヘッドを搭載したことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は微細加工素子である液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドを有する液滴吐出ヘッドの製造方法、その方法により製造した液滴吐出ヘッド、そのヘッドを用いた液滴吐出装置に関するものである。特に製造の際、駆動部分への異物混入を防止するためのものである。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出方式（代表的なものとして、インクを吐出して印刷等を行うために用いるインクジェットがある）は、家庭用、工業用を問わず、あらゆる分野の印刷（プリント）等に利用されている。液滴吐出方式は、微細加工素子である、例えば複数のノズルを有する液滴吐出ヘッドを、紙面等の吐出対象物との間で相対移動させ、対象物の所定の位置に液体を吐出するものである。近年では、液晶（Liquid Crystal）を用いた表示装置を作製する際のカラーフィルタ、有機電界発光（Organic ElectroLuminescence ）素子を用いた表示基板（ＯＬＥＤ）、ＤＮＡ等、生体分子のマイクロアレイ等の製造にも利用されている。
【０００３】
液滴吐出方式を実現するヘッドとして、液体を溜めておくための吐出室（吐出液体の流路の一部をなす）を設け、吐出室の少なくとも一面の壁（ここでは底壁とする。この壁は他の壁と一体形成されているが、以下、この壁のことを振動板ということにする）を撓ませて形状を変化させて吐出室内の圧力を高め、液体を加圧することで吐出室と連通するノズル孔から液滴を吐出させるものがある。このような液滴吐出ヘッドを製造する際の材料として、例えば、シリコン基板、ガラス基板が用いられる。例えば、ウェハ状のこれらの各基板に部材形成を行い、積層し、接合して、各液滴吐出ヘッドに切り離しを行って製造をしている。
【０００４】
近年、液滴吐出ヘッドの製造に際し、さらに高密度化、吐出特性の安定化、高歩留まりによる低コスト化等が要求されているが、従来のような、部材形成後のシリコン基板と電極を形成したガラス基板とを接合する方法では、上記の要求を満たすことが困難になってきた。そこで、電極を形成したガラス基板と厚めのシリコン基板とを、シリコン基板を割らずに接合した後、シリコン基板を薄板化し、吐出室等の部材を形成する方法も提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
ここで、接合については、部材形成時のウェットエッチング工程による部材形成時のエッチャント（エッチング液）、異物等の侵入、厚さ方向の精度向上等のため、例えば、陽極接合のような表面活性化結合によってシリコン基板とガラス基板とを原子レベルで接合する。陽極接合は、例えばシリコン基板とガラス基板とを摂氏３６０℃に加熱した後、ガラス基板を負極側と接続し、シリコン基板を正極側と接続して、８００Ｖの電圧を印加することで行われる。
【特許文献１】特開２００４−８２５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のような方法の場合、ガラス基板上に形成された凹部は、シリコン基板がいわゆる蓋となって密閉された状態となる。陽極接合等、基板を加熱することにより、凹部には酸素等が気体となって発生することで、凹部内部は加圧状態となる。この状態で、部材形成等のため、シリコン基板の一部の厚さを薄くすると、特に面積が大きい場合には、薄くした部分の剛性が弱くなり、割れる可能性がある。
【０００７】
ここで、凹部と連通するシリコン基板の一部を開け、大気開放させることもできるが、この場合、不要部分である部分をピンで突く等、機械的手法で貫通させると、発生した破片等の異物が、貫通穴開口不良、ノズルプレート接着不良を引き起こす原因となる。特に上記のようにシリコン基板とガラス基板とを陽極接合した後にウェットエッチングにより部材を形成する場合、電極にエッチャント（エッチング溶液）が侵入しないように、必ず接合した後、すべてのウェットエッチングの工程を終えた後で、不要部分である電極と外部の電源供給手段との接点となる電極取出し口となる部分を取り除くことができない。
【０００８】
そこで、本発明は、液滴吐出ヘッドの製造過程において、シリコン基板に予期せぬ破損が生じないようにし、さらに、製造に影響を与える異物を生じないような方法等を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液滴として吐出させる液体をためる吐出室となる凹部が少なくとも形成される第１の基板と、電力が供給されると吐出室を変形させる電極を内側に設けた凹部を有する第２の基板とを、第１の基板と第２の基板の凹部を有する面とを対向させて接合する接合工程と、接合工程の後、第１の基板に吐出室となる凹部を形成し、第１の基板において、電極と外部の電力供給手段とを電気的に接続するために形成される電極取出し口となる部分を所定の厚さだけ残すようなウェットエッチングを行う工程とを少なくとも有する。
本発明によれば、電極取出し口となる部分をウェットエッチングする際、所定の厚さだけ残すエッチングを行うようにしたので、電極取出し口となる部分の強度が増し、剛性を有するようにすることで、ウェットエッチング工程及び後の工程において行われる基板搬送、エッチング等において加わる衝撃にも耐えることができ、電極取出し口となる部分が不用意に割れるのを防ぐことができる製造を行うことができる。そのため、液体を用いる工程において、凹部によって形成される電極と吐出室との間のギャップ（空隙）に液が流入するのを防ぐことができる。さらに、割れた際の破片が、同じ基板上に同じ工程で形成されている他のヘッドに対し、後の工程で行われるギャップの封止、他の基板との接合の際に邪魔をして封止不良や、接合不良を起こすこともなく、歩留まりを高くして製造を行うことができる。
【００１０】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法では、所定の厚さを５μｍ以上とする。
本発明によれば、電極取出し口となる部分を５μｍ（より好ましくは２０μｍ）以上残しておくことにより、剛性を確実に有することができる。
【００１１】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、ウェットエッチングを用いたすべての工程を終了した後に、第１の基板の電極取り出し口となる部分の一部又は全部を、ドライエッチングにより除去する工程をさらに有する。
本発明によれば、ドライエッチングを用いることで、機械的に割るときのような破片を発生させないので、破片が、後の工程で行われるギャップの封止、他の基板との接合の際に邪魔をして封止不良や、接合不良を起こすこともなく、歩留まりを高くすることができる。同じ基板上に形成されている他のヘッドに対しても邪魔することはない。
【００１２】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液体から吐出室となる凹部を保護する液体保護膜を第１の基板に成膜する工程の前に、ドライエッチングにより除去する。
本発明によれば、常温よりも高く、真空下で処理を行う液体保護膜の成膜工程よりも前の段階で電極取出し口となる部分を除去しておき、成膜工程では電極と吐出室との間のギャップを大気開放するようにしたので、成膜工程において、ギャップと基板外の外気との圧力差により、電極取出し口となる部分の割れを防ぐことができる。
【００１３】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、スパッタ又はＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤにより形成した酸化シリコンの膜を液体保護膜とする。
本発明によれば、スパッタ又はＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤにより液体保護膜を成膜するようにしたので、成膜工程の中でも比較的低温の工程で、質のよい酸化シリコンの膜を成膜することができる。
【００１４】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、ドライエッチングを行う工程において、電極取り出し口となる部分の一部又は全部が開口されたシリコンマスクを、ピンアライメントにより第１の基板に取り付ける。
本発明によれば、ドライエッチングを行う際、開口精度が高く、熱膨張等を起こしにくいシリコンマスクをピンアライメントで第１の基板に取り付けるようにしたので、第１基板のエッチングを位置的に高精度で行うことができる。
【００１５】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、第１の基板と第２の基板との接合を陽極接合により行う。
本発明によれば、第１の基板と第２の基板とを陽極接合で行うようにしたので、特に高い精度管理が必要な電極と吐出室との間のギャップ（幅）を高精度に形成し、かつ基板間を強力に接合することができる。
【００１６】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、第２の基板の凹部と外部とを連通させる大気開放穴をあらかじめ設けておき、ウェットエッチングを行う工程の前に、大気開放穴を塞ぐ工程をさらに有する。
本発明によれば、大気開放穴を設けておき、陽極接合、成膜工程等、電極と吐出室との間のギャップに気体が発生しても逃がす等、ギャップを外気の気圧と同じに保つことができる。ウェットエッチングを行う前に塞ぐことで、液体がギャップに浸入するのを防ぐことができる。
【００１７】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、一部を除去した第１の基板の電極取り出し口となる部分の残りの部分を、液体保護膜を成膜する際及び／又は吐出室となる凹部と電極との間で形成される空間を外気と遮断するために空間の開口部分を塞ぐ封止材を開口部分に堆積させる際のマスクとする。
本発明によれば、電極取り出し口となる部分を一部除去し、残った部分を液体保護膜の成膜、封止材の堆積をする際、電極と外部の電力供給手段とを接合する部分に、成膜材料、封止材が付かないようにするためのマスクとするようにしたので、一部開口により、ギャップを外気と同じ気圧に保ちつつ、完成品には残らない部分についてマスクとして有効利用することができる。
【００１８】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液滴として吐出させる液体をためる吐出室となる凹部が少なくとも形成される第１の基板と、電力が供給されると吐出室を変形させる電極を内側に設けた凹部を表面に有する第２の基板とを、第１の基板と第２の基板の凹部を有する面とを対向させて陽極接合する工程と、第１の基板に部材を形成するためのエッチング用マスクをパターニング形成し、さらに大気開放穴を塞ぐ工程と、第１の基板に吐出室となる凹部を形成するとともに、第１の基板において、電極と外部の電力供給手段とを電気的に接続するために形成される電極取出し口となる部分の厚さを５μｍ以上残すようなウェットエッチングを行う工程と、接合した基板からエッチング用マスクを除去した後、電極取出し口の一部又は全部となる部分が開口されたシリコンマスクをピンアライメントにより取り付け、シリコン基板の電極取出し口となる部分の一部又は全部を、ドライエッチングにより開口し、電極取出し口を形成する工程と、スパッタ又はＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによる酸化シリコン膜を、部材を液体から保護する液体保護膜として成膜する工程と、部材と連通し、吐出室の変形により加圧された液体が液滴として吐出されるノズルを有するノズル基板を、接合した基板と接合する工程とを有する。
本発明によれば、電極取出し口となる部分をウェットエッチングする際、５μｍ以上の厚さだけ残すエッチングを行うようにしたので、電極取出し口となる部分に確実に剛性を有するようにすることで、ウェットエッチング工程及び後の工程において行われる基板搬送、エッチング等において加わる衝撃にも確実に耐えることができ、電極取出し口となる部分が不用意に割れるのを防ぐことができる。
また、凹部により形成される電極と吐出室との間のギャップを大気開放するため、あらかじめ大気開放穴を設けておき、気体発生、加熱等が伴う、陽極接合、エッチング用マスク成膜等の工程を行った後、ウェットエッチングの工程前に大気開放穴を塞ぎ、また、液体保護膜を成膜する工程前に、ドライエッチングにより電極取出し口となる部分を開口してギャップを大気開放するようにしたので、ギャップについては、必要最小限の工程のみを密閉状態にしておくようにすることで、さらに確実に割れを防ぐことができる。また、液体保護膜をスパッタ又はＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤで形成するようにすることで、低温で質のよい成膜をすることができる。また、シリコンマスクをピンアライメントで取り付けることで、電極取出し口となる部分を高精度に開口することができる。
【００１９】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、ドライエッチングを行う代わりにレーザ加工により電極取り出し口となる部分の一部又は全部を開口する。
本発明によれば、ドライエッチングの代わりにレーザ加工で行うようにしても、破片等の発生を防ぎ、歩留まりの高い製造方法を得ることができる。
【００２０】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、上記のいずれか方法で製造したものである。
本発明によれば、上記の方法で製造することにより、質のよい膜が成膜され、吐出性能等がよく、高品質の液滴吐出ヘッドを得ることができる。
【００２１】
また、本発明に係る液滴吐出装置は、上記の液滴吐出ヘッドを搭載したものである。
本発明によれば、上記の液滴吐出ヘッドを搭載しているので、吐出性能等がよく、高品質の液滴吐出装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
実施の形態１．
図１は本発明の第１の実施の形態に係る液滴吐出ヘッドを分解して表した図である。図１はフェイス吐出型の液滴吐出ヘッドを表している。図１において、第１の基板であるシリコン基板を加工して作製されるキャビティプレート１は、例えば厚さ約５０μｍの（１１０）面方位のシリコン単結晶基板（このシリコン基板を含め、以下、単にシリコン基板という）を主たる材料として構成されている。このシリコン基板に異方性ウェットエッチング（以下、ウェットエッチングという）等を行い、キャビティプレート１上の各部材となる、底壁が振動板４となり、一時的に液体をためる吐出室５、各ノズル共通に吐出する液体をためておくためのリザーバ７を形成する。また、キャビティプレート１には、ガラス基板２上の電極８と反対の電荷をシリコン基板（振動板４）に供給するための電極端子１９を有している。
【００２３】
また、キャビティプレート１の下面（ガラス基板２と対向する面）には、絶縁膜となるＴＥＯＳ膜（ここでは、Tetraethyl orthosilicate Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン（珪酸エチル）を用いてできるＳｉＯ2 膜をいう）１４をプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ：ＴＥＯＳ−ＣＶＤともいう）法を用いて、０．１μｍ成膜している。プラズマＣＶＤでＴＥＯＳ膜１４を成膜することにより、比較的低温工程で、緻密な膜を成膜でき、液滴吐出ヘッドを駆動させた時の絶縁膜破壊及び短絡を防止することができる。さらに、キャビティプレート１の上面（ノズルプレート３と対向する面）には、液体保護膜１５となるＳｉＯ2 膜（ＴＥＯＳ膜を含む）を、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法により成膜している。これはインク等の液体によって流路が腐食するのを防ぐためである。また、液体保護膜１５の応力とキャビティプレート１の下面に成膜したＴＥＯＳ膜１４の応力とを相殺させ、振動板４の反りを小さくすることができる効果も期待できる。
【００２４】
第２の基板となるガラス基板２（電極基板）は、厚さ約１ｍｍであり、図１で見るとキャビティプレート１の下面に接合される基板である。本実施の形態では、ガラス基板２となるガラスとして、ホウ珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いることにする。ガラス基板２には、キャビティプレート１に形成される各吐出室５に合わせて、エッチングにより深さ約０．２μｍの凹部９が設けられる。そして、凹部９の内側に、個別の電極８、リード部１０及び端子部１１（以下、特に区別する必要がない場合はこれらを合わせて電極８として説明する）を設ける。電極８形成時に凹部９からのり出さないように、凹部９のパターン形状は電極８形状よりも少し大きめに作製しておく。ここで、本実施の形態では、電極８の材料として酸化錫を不純物としてドープした透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）を用い、例えばスパッタ法を用いて０．１μｍの厚さで凹部９内側に形成するものとする。その際、後述するように、電極８とシリコン基板とを等電位にするための接点（以下、等電位接点という）となるＩＴＯパターン２４も電極８と同時に成膜する。また、ガラス基板２には、他にも、リザーバ７と連通して外部タンク（図示せず）からリザーバ７への流路となるインク供給口１３を設ける。
【００２５】
ここで、振動板４と電極８との間には後述する図２に示すように空隙（ギャップ）ができるが、この幅Ｇは凹部９の深さ、電極８及び振動板４（ＴＥＯＳ膜１４）の厚さにより決まる。ギャップの幅Ｇは液滴吐出ヘッドの吐出特性に大きく影響するため、厳格な精度管理が行われる。電極８の材料はＩＴＯに限定するものではなく、クロム等の金属等を材料に用いてもよい。本実施の形態においては、等電位接点も同時に成膜できる、透明であるので放電したかどうかの確認が行い易い等の理由でＩＴＯを用いることとする。
【００２６】
ノズルプレート３は、例えば厚さ約１８０μｍのシリコン基板で構成され、ガラス基板２とは反対の面（図１の場合には上面）で、キャビティプレート１と接合されている。図１から見てノズルプレート３の上面には、ノズル孔１２を形成し、吐出室５により加圧されたインク等の液体を液滴として吐出する。さらに下面にはオリフィス６を形成し、吐出室５とリザーバ７とを連通させる。ここではノズル孔１２を有するノズルプレート３を上面とし、ガラス基板２を下面として説明するが、実際には、ノズルプレート３の方がガラス基板２よりも下面となって用いられることが多い。また、ノズルプレート３には、振動板４が撓むことでリザーバ７方向に加わる圧力を緩衝するダイヤフラム１８が設けられている。
【００２７】
図２は液滴吐出ヘッドの断面図である。図２（ａ）は全体の断面図、図２（ｂ）は等電位接点部分を拡大した断面図を表している。図２において、吐出室５はノズル孔１２から吐出させる液体を溜めておく。吐出室５の底壁である振動板４を撓ませることにより、吐出室５内の圧力を高め、ノズル孔１２から液滴を吐出させる。ここで、本実施の形態では、電極とすることができ、かつエッチング工程の際に都合がよい高濃度のボロンドープ層をシリコン基板に形成し、振動板４を構成するものとする。アルカリ性水溶液でシリコンの異方性ウェットエッチングを行った場合、高濃度（約５×１０19ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3以上）のボロン（ホウ素）をドーパントとした領域では極端にエッチングレートが小さくなる。そのため、振動板４の厚さに必要な厚さにボロンドープ層を形成しておけば、ウェットエッチング工程において、エッチングされすぎず、所望の厚さの振動板４を精度よく形成することができる。本実施の形態では、吐出室５等を異方性ウェットエッチングで形成する場合に、ボロンドープ層が露出するとエッチングレートが極端に小さくなることを利用した、いわゆるエッチングストップ技術を用いて、振動板４の厚さ、吐出室５の容積を高精度で形成するものとする。エッチングストップとは、エッチング面から発生する気泡が停止した状態と定義し、その状態のときにシリコンのエッチングが終了したものとする。
【００２８】
２２は、ワイヤ、ＦＰＣ（Flexible Print Circuit）等（以下、ワイヤという）２３を介して電気的に端子部１１、電極端子１９と接続され、電極８、キャビティプレート１（振動板４）に電荷（電力）の供給及び停止を制御するヘッド外部に設けられた発振回路である。発振回路２２は例えば２４ｋＨｚで発振し、電極８に０Ｖと３０Ｖのパルス電位を印加して電荷供給を行う。発振回路２２が発振駆動することで、電極８に電荷を供給して正に帯電させ、振動板４を相対的に負に帯電させると、静電気力により電極８に引き寄せられて撓む。これにより吐出室５の容積は広がる。そして電荷供給を止めると振動板４は元に戻るが、そのときの吐出室５の容積も元に戻るから、その圧力により差分の液滴２０が吐出する。この液滴２０が例えば記録対象となる記録紙２１に着弾することによって印刷等の記録が行われる。なお、このような方法は引き打ちと呼ばれるものであるが、バネ等を用いて液滴を吐出する押し打ちと呼ばれる方法もある。端子部１１とワイヤ２３とは電極取出し口２５において接続されている。封止材２６は、異物、水分（水蒸気）等がギャップに浸入しないように、ギャップを外気から遮断し、密閉するために設ける。
【００２９】
図３はガラス基板２を上面から見た図である。通常、液滴吐出ヘッドはウェハ単位で作られ、最終的に各液滴吐出ヘッド（ヘッドチップ）に切り離される。本実施の形態では、等電位接点を各ヘッドチップに独立して設け、陽極接合時にキャビティプレート１と電極８との間を等電位に保つようにする。等電位接点となる部分については、ガラス基板２に凹部９を形成する際、エッチングせず残しておく。そして、その上に、導電性であるＩＴＯ０．１μｍを電極８とともに成膜し、ＩＴＯパターン２４を形成する。したがって、等電位接点は、ガラス基板２表面よりもＩＴＯパターン２４の分だけ０．１μｍ突出していることとなる。一方、キャビティプレート１においては、等電位接点に対応する部分のＴＥＯＳ膜（０．１μｍ）を取り除き、キャビティプレート１の主となる材料であるシリコン基板（ボロンドープ層）を露出する窓を形成する。この窓を介してシリコン基板とＩＴＯパターン２４とを接触させることで、陽極接合時において、ＩＴＯパターン２４と電気的に接続されている電極８とシリコン基板との間を等電位に保つ。
【００３０】
大気開放穴２８はヘッド外部と凹部９とを連通させ、前述したギャップが密閉された状態になるのを防ぎ、陽極接合時等、基板への加熱等による酸素等の気体発生によってギャップ内が正圧になるのを防ぐためのものである。大気開放穴２８は、サンドブラスト法や切削加工等により形成する。大気開放穴２８は、ダイシングにより液滴吐出ヘッドと切り離されるので、完成した液滴吐出ヘッドには残らない。
【００３１】
ダイシングライン２７は、ウェハに一体形成された複数の液滴吐出ヘッドを切り離す際のラインである。したがって、図３においてダイシングライン２７よりも右側及び上側にある部分は、完成した液滴吐出ヘッドには残らない。なお、図３の液滴吐出ヘッドでは、電極８等の部材を５つしか記載していないが、実際には１つの液滴吐出ヘッドには多くのノズル孔１２が存在し、その数に応じた電極８が形成されている。
【００３２】
図４及び図５は第１の実施の形態に係る液滴吐出ヘッドの製造工程を表す図である。図４及び図５に基づいて液滴吐出ヘッド製造工程について説明する。なお、実際には、シリコンウェハから複数個分の液滴吐出ヘッドの部材を同時形成するが、図４及び図５ではその一部分だけを示している。
【００３３】
（ａ）約１ｍｍのガラスの基板の一方の面に対し、電極８の形状パターンに合わせて０．２μｍの深さの凹部９を形成する。等電位接点となる部分については、エッチングを行わずに残しておく。ここで、等電位接点の形状については、キャビティプレート１のシリコン基板と電極８とを接触させて等電位にすることができればその形状は問わない。等電位接点となる部分については、エッチングを行わずに残しておく。凹部９及び等電位接点の形成後、例えばスパッタリング法を用いて、０．１μｍの厚さの電極８及びＩＴＯパターン２４を同時に形成する。最後にインク供給口１３及び大気開放穴２８をサンドブラスト法または切削加工により形成する。これにより、ガラス基板２が作製される。
【００３４】
（ｂ）表面が（１１０）面方位の酸素濃度の低いシリコン基板４１の片面（ガラス基板２との接合面側となる）を鏡面研磨し、２２０μｍの厚みの基板（第１の基板となる）を作製する。次に、シリコン基板４１のボロンドープ層４２を形成する面を、Ｂ2Ｏ3を主成分とする固体の拡散源に対向させて石英ボートにセットする。さらに縦型炉に石英ボートをセットして、炉内を窒素雰囲気にし、温度を１０５０℃に上昇させて７時間保持することで、ボロンをシリコン基板中に拡散させ、ボロンドープ層４２を形成する。ここでボロンドープ層４２の形成工程においては、炉へのシリコン基板４１（石英ボート）の投入温度を８００℃とし、さらにシリコン基板４１の取出し温度も８００℃とする。これにより、シリコン基板４１内の酸素による酸素欠陥の成長速度が速い領域（６００℃から８００℃）をすばやく通過させることができる為、酸素欠陥の発生を抑えることができる。取り出したボロンドープ層４２の表面にはボロン化合物が形成されているが（図示なし）、酸素及び水蒸気雰囲気中、６００℃の条件で１時間３０分酸化することで、ふっ酸水溶液によるエッチングが可能なＢ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 に化学変化させることができる。Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 に化学変化させた状態で、Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 をふっ酸水溶液にてエッチング除去する。
【００３５】
ボロンドープ層４２を形成した面に、プラズマＣＶＤ法により、ＴＥＯＳ膜１４を、成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は２５０Ｗ、圧力は６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で０．１μｍ成膜する。さらに、成膜したＴＥＯＳ膜１４の表面にレジストを塗布し、等電位接点においてシリコンを露出させる窓を作り込む為のレジストパターニングを施す。そして、ふっ酸水溶液でウェットエッチングを行ってＴＥＯＳ膜１４をパターニングし、窓を形成する。パターニングした後レジストを剥離する。
【００３６】
（ｃ）シリコン基板４１とガラス基板２を３６０℃に加熱した後、ガラス基板２に負極、シリコン基板４１に正極を接続して、８００Ｖの電圧を印加して陽極接合を行う。この時、電圧の昇圧レートを速くし過ぎると、等電位接点に大電流が流れ、電極８となるＩＴＯにダメージが加わってしまう為、電流が１０ｍＡを越さないように確認しながら、接合すると良い。この陽極接合時に、シリコン基板４１とガラス基板２の界面において、ガラスが電気化学的に分解され酸素が気体となって発生する場合がある。また加熱によって表面に吸着していたガス（気体）が発生する場合もある。しかしながら、これらの気体が大気開放穴２８から逃げる為、ギャップ内が正圧になることは無い。
【００３７】
（ｄ）陽極接合後の接合済み基板において、シリコン基板４１の厚みが約６０μｍになるまでシリコン基板４１表面の研削加工を行う。その後、加工変質層を除去する為に、３２ｗ％の濃度の水酸化カリウム溶液でシリコン基板４１を約１０μｍウェットエッチングする。これによりシリコン基板４１の厚みを約５０μｍにする。
【００３８】
この研削工程及び加工変質層除去工程において、大気開放穴２８から液体がギャップに入り込まないように、片面保護治具、テープ等を用いて大気開放穴２８を塞ぎ、ギャップを保護する。ここで、次の工程において、再度基板を加熱するため、ギャップに気体が発生する可能性がある。そこで、この工程では大気開放穴２８を完全に塞がないようにし、再度、凹部９と外部とが連通できるようにしておく。
【００３９】
（ｅ）次に、ウェットエッチングを行った面に対し、ＴＥＯＳによるエッチングマスク（以下、ＴＥＯＳエッチングマスクという）４３をプラズマＣＶＤ法により成膜する。成膜条件としては、例えば、成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は７００Ｗ、圧力は３３．３Ｐａ（０．２５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で１．５μｍ成膜する。ＴＥＯＳを用いた成膜は比較的低温で行うことができるので、基板の加熱をできる限り抑えられる点で都合がよい。
【００４０】
（ｆ）ＴＥＯＳエッチングマスク４３を成膜した後、大気開放穴２８に、例えばエポキシ系接着剤等を流し込み、大気開放穴２８を封止する。これによりギャップは密閉状態となるため、以後の工程で大気開放穴２８から液体等が入り込むことが無くなる。次に、吐出室５となる部分のＴＥＯＳエッチングマスク４３をエッチングするため、レジストパターニングを施す。そして、ふっ酸水溶液を用いてＴＥＯＳエッチングマスク４３が無くなるまで、その部分をエッチングしてＴＥＯＳエッチングマスク４３をパターニングし、シリコン基板を露出させる。そして、エッチングした後にレジストを剥離する。
【００４１】
（ｇ）さらに、リザーバ７及び電極取出し口２５となる部分のＴＥＯＳエッチングマスク４３をエッチングするため、レジストパターニングを施す。そして、ふっ酸水溶液でそれらの部分のＴＥＯＳエッチングマスク４３を１．２μｍエッチングしてＴＥＯＳエッチングマスク４３をパターニングする。これによりリザーバ及び電極取出し口となる部分に残っているＴＥＯＳエッチングマスク４３の厚みは０．３μｍとなるがシリコン基板は露出しない。ここでは、残すＴＥＯＳエッチングマスク４３の厚みを０．３μｍとするが、所望するリザーバ７の深さによって、この厚みを調整する必要がある。そして、エッチングした後にレジストを剥離する。
【００４２】
（ｈ）次に、接合済み基板を３５ｗｔ％の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、吐出室５となる部分の厚みが約１０μｍになるまでウェットエッチングを行う。
【００４３】
（ｉ）そしてリザーバ７及び電極取出し口と２５なる部分のＴＥＯＳエッチングマスク４３を除去する為、ふっ酸水溶液に接合済み基板を浸してエッチングを行い、除去する。
【００４４】
（ｊ）さらに、接合済み基板を３ｗｔ％の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、ボロンドープ層４２において、エッチングストップが十分効いたものと判断するまでエッチングを続ける。このように、前記２種類の濃度の異なる水酸化カリウム水溶液を用いたエッチングを行うことによって、形成される振動板４の面荒れを抑制し、厚み精度を０．８０±０．０５μｍ以下にすることができる。その結果、液滴吐出ヘッドの吐出性能を安定化することができる。
【００４５】
ここで、本実施の形態ではリザーバ７及び電極取出し口２５となる部分の厚みが所定の厚さとなるようにウェットエッチングを行う時間を制御する。本実施の形態では、約５μｍ（より好ましくは２０μｍ）又はそれ以上となるようにウェットエッチングを行う時間を制御する。電極取出し口２５となる部分は、吐出室５（振動板４）となる部分に比べ、大きな面積を有する。そのため、ウェットエッチングにより、電極取出し口２５となる部分に振動板４と同じ厚みの薄膜（ボロンドープ層４２）しか残らないようにしてしまうと、この部分の剛性が非常に弱くなってしまい（なくなってしまい）、機械的な振動、ギャップ内に挟まった異物が押し上げる力等によって、割れる場合がある。特にギャップ内に気体が発生すると、成膜等、真空チャンバ内での工程を行う場合には、ギャップ内外の気圧差が大きくなるため割れやすくなる。そのため、割れた際の破片等の異物がギャップに混入したり、後の工程でエッチャント等の液体がギャップに浸入するおそれがある。とはいえ、ウェットエッチングを全く行わずに残したままでは、後の工程で電極取出し口２５となる部分を除去するのに時間がかかることになる。
【００４６】
そこで、電極取出し口２５となる部分にウェットエッチングを行う際に、その工程の後も電極取出し口２５となる部分に対して、例えば、２０μｍ程度所定の厚さを持たせ、剛性を持たせる構造にする。そして、ウェットエッチング工程、またその後の工程において、電極取出し口２５となる部分からシリコン基板４１が割れるのを防ぎ、ギャップ内に異物、薬液等が浸入するのを防ぐ。
【００４７】
一方、リザーバ７となる部分に対して、２０μｍ程度の厚みによる剛性を持たせるのは、リザーバ７の下側（図１等参照）にも位置する電極８（リード部１０）により、静電引力が生じるが、これによりリザーバ７が撓んで変形するのを防ぐためである。ここで、本実施の形態では、前述した（ｇ）の工程において、ＴＥＯＳエッチングマスク４３のパターニングを同時に行って、同じ厚さのＴＥＯＳエッチングマスク４３を残す関係で、リザーバ７及び電極取出し口２５となる部分の厚みが同じになっているが、これに限定されるものではない。その目的に応じた剛性を持たせることができれば、それぞれ異なる厚さにしてもよい。
【００４８】
（ｋ）ウェットエッチングを終了すると、接合済み基板をふっ酸水溶液に浸し、シリコン基板４１表面のＴＥＯＳエッチングマスク４３を剥離する。
【００４９】
（ｌ）次に、シリコン基板４１の電極取出し口２５となる部分のシリコンを除去する為に、電極取出し口２５となる部分が開口したシリコンマスクを接合済み基板のシリコン基板４１側の表面に取り付ける。そして、例えば、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、ＣＦ4 流量３０ｃｍ3 ／ｍｉｎ（３０ｓｃｃｍ）の条件で、ＲＩＥドライエッチング（異方性ドライエッチング）を２時間行い、電極取出し口２５となる部分のみにプラズマを当てて、開口する。開口することでギャップについても大気開放される。
【００５０】
従来は電極取出し口２５となる部分に残った薄膜をピン等で突いて壊し、大気開放させる方法を採っていた。しかしながら、壊した際に異物が周囲に飛び散り、ノズルプレート３とキャビティプレート１との接着不良、ギャップへの異物混入による封止不良を引き起こしていた。このようにドライエッチングにより電極取出し口２５となる部分のシリコンを除去することで、異物を発生させずに大気開放することができる。ここで、本実施の形態では、接合済み基板とシリコンマスクとのアライメント精度を高めるため、シリコンマスクの装着は、接合済み基板とシリコンマスクとにピンを通すピンアライメントにより行うものとする。
【００５１】
（ｍ）キャビティプレート１の上面にプラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ膜による液体保護膜１５を、成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は２５０Ｗ、圧力は６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で０．１μｍ成膜する。液体保護膜１５は、上述したように、プラズマＣＶＤ法以外にもスパッタリング法によって成膜したＳｉＯ2 膜で形成してもよい。
【００５２】
本実施の形態では、電極取出し口２５となる部分を開口した後に液体保護膜１５を成膜している。電極取出し口２５の開口前に液体保護膜１５を成膜するとなると、ギャップ内が密閉状態になっているので、成膜時の処理温度によってギャップ内の気体が膨張して、薄膜部を破壊する可能性があるからである。したがって、このように、まず電極取出し口２５となる部分を開口してギャップ内を大気開放する必要がある。
【００５３】
（ｎ）電極取出し口部２５（端子部１１）に残っている液体保護膜１５を除去する為に、再度、シリコンマスクをシリコン基板４１表面に取り付け、例えば、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、ＣＦ4 流量３０ｃｍ3 ／ｍｉｎ（３０ｓｃｃｍ）の条件でＲＩＥドライエッチングを２０分間行い、電極取出し口部２５のみに、プラズマにより励起されたイオンを当てて、異方性エッチングを行う。ここで、本工程においても、シリコンマスクの装着は、接合済み基板とシリコンマスクとにピンを通して行うピンアライメントにより行う。
【００５４】
（ｏ）そして、例えばエポキシ樹脂からなる封止材２６を、電極取出し口２５の端部（キャビティプレート１とガラス基板２の凹部との間で形成されるギャップの開口部分）に沿って流し込み、ギャップを封止する。これにより、接合済み基板に行う加工処理は完了する。
【００５５】
（ｐ）あらかじめ作製していたノズルプレート３を例えば、エポキシ系接着剤により、接合済み基板のキャビティプレート１側から接着する。
【００５６】
（ｑ）ダイシングライン２７に沿ってダイシングを行い、個々の液滴吐出ヘッドに切断し、液滴吐出ヘッドが完成する。ここで、陽極接合時に、電気的につながっていた各電極８は分断され、ノズル毎に独立する。また、大気開放穴２８及びそこに連通するガラス溝も切断される。
【００５７】
以上のように実施の形態１によれば、吐出室４、リザーバ７等となる部材をシリコン基板４１に形成するためのウェットエッチングを行うと共に、電極取出し口２５となる部分をウェットエッチングする際、所定の厚さ（ここではリザーバ７となる部分と同じ２０μｍ以上）だけ残すエッチングを行うようにしたので、電極取出し口２５となる部分の強度を増して、剛性を有するようにすることで、ウェットエッチング工程及び後の工程において行われる基板搬送、エッチング等において加わる圧力（衝撃）にも耐えることができ、電極取出し口２５となる部分の割れを防ぐことができる。また、液体保護膜１５を成膜する前に、電極取出し口２５となる部分を開口して、電極取出し口２５を形成し、キャビティプレート１となるシリコン基板４１とガラス基板２上の凹部９とで形成されるギャップを大気開放するようにしたので、電極取出し口２５となる部分を残したまま基板を加熱し、ギャップに発生した気体等の圧力で電極取出し口２５となる部分の割れを防ぐことができる。以上のことから、シリコン基板４１の割れがなくなるため、歩留まりを向上することができる。
【００５８】
さらに、電極取出し口２５となる部分を機械的に割るのではなく、ドライエッチング法を用いて電極取出し口２５となる部分の開口を行うようにしたので、破片等の異物が発生することなく、異物付着によるノズルプレート３とキャビティプレート１との接着不良、封止材２６を用いた際のギャップ封止不良等を防ぐことができる。また、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ、スパッタリングにより、液体保護膜１５を成膜するようにしたので、低温で緻密な成膜を行うことができる。そして、電極取出し口２５となる部分をドライエッチングする際、開口位置を高精度に作製することができるシリコンマスクを用い、ずれの少ないピンアライメントにより基板とのアライメントを行うようにしたので、電極取出し口２５となる部分だけを高精度にドライエッチングすることができる。また、本実施の形態では、シリコン基板４１とガラス基板２とを陽極接合するが、あらかじめガラス基板に大気開放穴２８を設け、ギャップの密閉状態を防ぐようにしたので、陽極接合時にギャップ部分に発生した気体によりシリコン基板４１を加圧して、薄膜化した部分から割れるのを防ぐことができる。そして、ウェットエッチングが行われる前に大気開放穴２８を塞ぐようにしたので、大気開放穴２８からのエッチャントの浸入を防ぐことができる。
【００５９】
実施の形態２．
上述の実施の形態では、ドライエッチング（ＲＩＥドライエッチング）により、シリコン基板４１の電極取出し口２５となる部分のシリコンを除去し、全面開口を行ったが、本発明は特に全面開口に限定するものではない。例えば、大気開放をするために一部を除去するようにしてもよい。そして、残りの部分については、例えば、液体保護膜１５及び封止材２６を形成する際、材料を端子部１１上に堆積させないようにするためのマスクとして用いることもできる。
【００６０】
図６は実施の形態２に係る液滴吐出ヘッドの製造工程を表す図である。図６に基づいて本実施の形態における製造工程について説明する。ここで、図５（ｋ）までの工程は、第１の実施の形態で説明したことと同様の工程で行われるので、説明を省略する。
【００６１】
（ｌ’）電極取出し口２５となる部分の一部を開口したシリコンマスクを接合済み基板の表面に取り付け、実施の形態１で説明したことと同様に、例えば、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、ＣＦ4 流量３０ｃｍ3 ／ｍｉｎ（３０ｓｃｃｍ）の条件で、ＲＩＥドライエッチングを２時間行い、電極取出し口２５となる部分の一部を開口する。一部を開口することで、振動板４と電極８の間のギャップについても大気開放される。
【００６２】
（ｍ’）キャビティプレート１の上面にプラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ膜による液体保護膜１５を、成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は２５０Ｗ、圧力は６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で０．１μｍ成膜する。電極取出し口２５となる部分に残されたシリコンがマスクとなって、端子部１１上には液体保護膜１５（酸化シリコン）材料が堆積されない。
【００６３】
（ｎ’）さらに、再度シリコンマスクをシリコン基板４１表面に取り付け、例えば、スパッタ又は蒸着等を行って、封止材２６となる酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を電極取出し口２５の端部に堆積させる。封止をすることができれば、ギャップの開口部分に堆積させる酸化シリコンの厚さについては特に限定しないが、ここでは２〜３μｍであるものとする。ここでも、シリコンマスクに加え、電極取出し口２５となる部分に残されたシリコンがマスクとなって、端子部１１上には酸化シリコンが堆積されない。酸化シリコンは、エポキシ樹脂のように毛細管現象等を伴なわず、ギャップに滲入することなく開口部分に止まるので、リード部１０を短く形成できる。ここでは、酸化シリコンを封止材２６としているが、例えばＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム（アルミナ））、Ｔａ2Ｏ5（五酸化タンタル）等、分子量が比較的小さく、蒸着、スパッタ等により堆積させることができ、水分を通さない物質を用いることができる。
【００６４】
封止材２６を堆積させた後の工程は、実施の形態１で説明した（ｐ）以降と同様の工程を行うので説明を省略する。残された電極取出し口２５となる部分に残されたシリコンは、ダイシング時に切り離されるので完成した液滴吐出ヘッドには残らない。
【００６５】
以上のように、実施の形態２によれば、電極取出し口２５となる部分を一部残した上で、封止材２６を形成する際のマスクとして用いるようにしたので、実施の形態１で説明した効果を保ちつつ、例えば蒸着、スパッタ等により酸化シリコンを堆積させて封止材２６を形成することができる。これにより、最終的には液滴吐出ヘッドに残らない、本来必要のない部分を有効利用することができる。
【００６６】
実施の形態３．
上述の実施の形態では、ドライエッチングにより電極取出し口２５となる部分を開口したが、これに限定するものではない。例えば、レーザ加工によって電極取出し口２５となる部分の一部又は全部を開口することもできる。この場合も、シリコンの破片等の異物の発生を防ぐことができる。
【００６７】
実施の形態４．
図７は上述の実施の形態で製造した液滴吐出ヘッドを用いた液滴吐出装置の外観図である。また、図８は液滴吐出装置の主要な構成手段の一例を表す図である。図７及び図８の液滴吐出装置は液滴吐出方式（インクジェット方式）による印刷を目的とする。また、いわゆるシリアル型の装置である。図８において、被印刷物であるプリント紙１００が支持されるドラム１０１と、プリント紙１００にインクを吐出し、記録を行う液滴吐出ヘッド１０２とで主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド１０２にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙１１０は、ドラム１０１の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ１０３により、ドラム１０１に圧着して保持される。そして、送りネジ１０４がドラム１０１の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド１０２が保持されている。送りネジ１０４が回転することによって液滴吐出ヘッド１０２がドラム１０１の軸方向に移動するようになっている。
【００６８】
一方、ドラム１０１は、ベルト１０５等を介してモータ１０６により回転駆動される。また、プリント制御手段１０７は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ１０４、モータ１０６を駆動させ、また、ここでは図示していないが、発振駆動回路を駆動させて振動板４を振動させ、制御をしながらプリント紙１１０に印刷を行わせる。
【００６９】
ここでは液体をインクとしてプリント紙１１０に吐出するようにしているが、液滴吐出ヘッドから吐出する液体はインクに限定されない。例えば、カラーフィルタとなる基板に吐出させる用途においては、カラーフィルタ用の顔料を含む液体、ＯＬＥＤ等の表示基板に吐出させる用途においては、発光素子となる化合物を含む液体、基板上に配線する用途においては、例えば導電性金属を含む液体を、それぞれの装置において設けられた液滴吐出ヘッドから吐出させるようにしてもよい。また、液滴吐出ヘッドをディスペンサとし、生体分子のマイクロアレイとなる基板に吐出する用途に用いる場合では、ＤＮＡ（Deoxyribo Nucleic Acids ：デオキシリボ核酸）、他の核酸（例えば、Ribo Nucleic Acid：リボ核酸、Peptide Nucleic Acids：ペプチド核酸等）タンパク質等のプローブを含む液体を吐出させるようにしてもよい。その他、布等の染料の吐出等にも利用することができる。
【００７０】
実施の形態５．
上述の実施の形態では、電極８と振動板４との間に静電気力を発生させ、振動板を撓ませて液滴を吐出させる、いわゆる静電駆動方式による液滴吐出ヘッドについて説明した。ただ、これに限定されるものではない。例えば、同じような構造のいわゆるピエゾ方式の液滴吐出ヘッドであっても適用することができる。また、同じような構造のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System ）を利用したアクチュエータ（駆動手段）等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドを分解して表した図である。
【図２】液滴吐出ヘッドの断面図である。
【図３】ガラス基板２を上面から見た図である。
【図４】実施の形態１の液滴吐出ヘッドの製造工程（その１）を表す図である。
【図５】実施の形態１の液滴吐出ヘッドの製造工程（その２）を表す図である。
【図６】実施の形態２に係る液滴吐出ヘッドの製造工程を表す図である。
【図７】液滴吐出ヘッドを用いた液滴吐出装置の外観図である。
【図８】液滴吐出装置の主要な構成手段の一例を表す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  キャビティプレート、２  ガラス基板、３  ノズルプレート、４  振動板、５  吐出室、６  オリフィス、７  リザーバ、８  電極、９  凹部、１０  リード部、１１  端子部、１２  ノズル孔、１３  インク供給口、１４  ＴＥＯＳ膜、１５  液体保護膜、１８  ダイヤフラム、１９  電極端子、２０  液滴、２１  記録紙、２２  発振回路、２３  ワイヤ、２４  ＩＴＯパターン、２５  電極取出し口、２６  封止材、２７  ダイシングライン、２８  大気開放穴、４１  シリコン基板、４２  ボロンドープ層、４３  ＴＥＯＳエッチングマスク、１００  プリンタ、１０１  ドラム、１０２  液滴吐出ヘッド、１０３  紙圧着ローラ、１０４  送りネジ、１０５  ベルト、１０６  モータ、１０７  プリント制御手段、１１０  プリント紙。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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