(57)【要約】【課題】  半導体基板上に形成された配線に密の領域と疎の領域とがあったとしても、研磨によって、配線上に形成された層間絶縁膜上における各領域上の段差を少なくすることができる、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、半導体基板１２上の、アルミ配線１４が密集して形成された第１領域１６とアルミ配線１４が形成されていない第２領域１７と、の上に形成された第１層間絶縁膜１３上に、第２層間絶縁膜１５を形成する工程と、第２層間絶縁膜１５上における第１領域１６の上方の凸状の部分１５ｂに、研磨速度を上げるべく不純物２３の注入及び拡散を行う工程と、凸状の部分１５ｂを含む第２層間絶縁膜１５の上面をＣＭＰ研磨によって平坦化する工程と、を有する。【選択図】      図３
2007042713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された層間絶縁膜上における凸の部分に、研磨速度を増進させるための不純物を注入する注入工程と、
前記凸の部分に注入された前記不純物を、前記凸の部分全体に拡散させる拡散工程と、
前記層間絶縁膜上を平坦化すべく、前記凸の部分を含む前記層間絶縁膜上を研磨する研磨工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上の複数の配線が密の状態に隣り合って形成された第１領域及びその他の領域である第２領域上に形成された層間絶縁膜上における前記第１領域上の凸の部分に、研磨速度を増進させるための不純物を注入する注入工程と、
前記凸の部分に注入された前記不純物を、前記凸の部分全体に拡散させる拡散工程と、
前記層間絶縁膜上を平坦化すべく、前記凸の部分を含む前記層間絶縁膜上を研磨する研磨工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２領域は、配線が形成されていない領域、又は、配線が疎の状態に形成された領域であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記研磨工程は、ＣＭＰ法によって前記層間絶縁膜上を研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線は、一定の間隔で形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記不純物は、フッ素であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記拡散工程は、前記半導体装置に熱を加えることによって前記不純物を拡散させる熱拡散であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、層間絶縁膜上の凸凹を平坦化する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した半導体装置の製造方法は、図５に示すように、まず工程１０１では、半導体基板１０１上に第１層間絶縁膜１０２を形成し、そのあと、第１層間絶縁膜１０２上に、公知の方法によってアルミ配線１０３を形成する。第１層間絶縁膜１０２上には、例えば、アルミ配線１０３が密集して形成された第１領域１０４と、アルミ配線１０３が形成されていない（疎の状態を含む）第２領域１０５とを有する。
【０００３】
次に工程１０２では、アルミ配線１０３上及び半導体基板１０１上全体に、例えば、シリコン酸化膜からなる第２層間絶縁膜１０６を形成する。第２層間絶縁膜１０６は、第１層間絶縁膜１０２上に形成されたアルミ配線１０３の厚みが反映されて、第２層間絶縁膜１０６の上面１０６ａが凸凹状になっている。そのあと、工程１０３では、凸凹状になった第２層間絶縁膜１０６の上面１０６ａを平坦化するために、例えば、特許文献１に記載のように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて研磨を行う。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１５４６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、第２層間絶縁膜１０６の上面１０６ａにおける第１領域１０４上の部分１０４ａは、アルミ配線１０３の厚みが反映されて凸凹になっているものの、アルミ配線１０３が密集して形成されていることから、ＣＭＰ法によって研磨したとき、圧力を凸の部分のみにかける（集中させる）ことができず、部分１０４ａにかかる圧力と、部分１０５ａにかかる圧力とが略同等になっている。これにより、部分１０４ａと部分１０５ａとの研磨量が略同等になり、工程１０３において、部分１０４ａの範囲内や部分１０５ａの範囲内では平坦になるものの、部分１０４ａと部分１０５ａとに段差Ａが生じるという問題があった。
段差Ａが生じることにより、フォトリソグラフィ法によって、第２層間絶縁膜１０６上に新たなアルミ配線を形成するときに、アルミ配線の元である膜に焦点が合うところと合わないところとが生じ（焦点深度の範囲外になる）、その結果、例えば、形成されたアルミ配線の幅にバラツキが生じるという問題があった。
【０００６】
本発明は、半導体基板上に形成された配線に密の領域と疎の領域とがあったとしても、研磨によって、配線上に形成された層間絶縁膜上における各領域上の段差を少なくすることができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された層間絶縁膜上における凸の部分に、研磨速度を増進させるための不純物を注入する注入工程と、前記凸の部分に注入された前記不純物を、前記凸の部分全体に拡散させる拡散工程と、前記層間絶縁膜上を平坦化すべく、前記凸の部分を含む前記層間絶縁膜上を研磨する研磨工程と、を有する。
【０００８】
この方法によれば、注入工程で層間絶縁膜上における凸の部分に注入された不純物を、拡散工程で凸の部分全体に拡散させるので、凸の部分の研磨速度を速くすることが可能となり、これにより、研磨工程によって層間絶縁膜上を研磨したとき、凸の部分を早く研磨することができ、凸の部分と他の部分との段差を少なくすることができる。その結果、層間絶縁膜上に新しい配線を形成するべく、フォトリソグラフィ法を用いてエッチング処理するときに、配線の元となる膜にピントを合わせること（焦点深度の範囲内にすること）が可能となり、正規の配線を形成することができる。加えて、凸の部分の研磨速度を早くすることができることから、研磨時間を短縮することができる。
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上の複数の配線が密の状態に隣り合って形成された第１領域及びその他の領域である第２領域上に形成された層間絶縁膜上における前記第１領域上の凸の部分に、研磨速度を増進させるための不純物を注入する注入工程と、前記凸の部分に注入された前記不純物を、前記凸の部分全体に拡散させる拡散工程と、前記層間絶縁膜上を平坦化すべく、前記凸の部分を含む前記層間絶縁膜上を研磨する研磨工程と、を有する。
【００１０】
この方法によれば、注入工程で層間絶縁膜上における第１領域上の凸の部分に注入された不純物を、拡散工程で凸の部分全体に拡散させるので、凸の部分の研磨速度を速くすることが可能となり、これにより、配線が密の状態で隣接することに起因して凸の部分の上面の面積が広くなることによる、凸の部分の研磨量が減少することを緩和できる。よって、研磨工程によって層間絶縁膜上を研磨したとき、凸の部分を早く研磨することができ、第１領域上の凸の部分と、第２領域上の凸でない部分との段差を少なくすることができる。その結果、層間絶縁膜上の段差が少なくなることから、層間絶縁膜上に新しい配線を形成するべく、フォトリソグラフィ法を用いてエッチング処理するときに、配線の元となる膜にピントを合わせること（焦点深度の範囲内にすること）が可能となり、正規の配線を形成することができる。加えて、凸の部分の研磨速度を早くすることができることから、研磨時間を短縮することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記第２領域は、配線が形成されていない領域、又は、配線が疎の状態に形成された領域であることが望ましい。
【００１２】
この方法によれば、第２領域が、配線が形成されていない領域、又は、配線が隣り合わない疎の状態に形成された領域であることから、凸状の第１領域との段差が大きくなる条件であったとしても、上記したように、凸の部分に不純物の注入及び拡散を行い、凸の部分の研磨速度を早くさせているので、凸の部分と、その他の領域上との段差を少なくすることができる。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記研磨工程は、ＣＭＰ法によって前記層間絶縁膜上を研磨することが望ましい。
【００１４】
この方法によれば、ＣＭＰ法によって機械的に層間絶縁膜上を研磨するので、凸の部分に注入及び拡散した不純物によって研磨速度を早めることが可能となり、その結果、凸の部分とそれ以外の部分との段差を少なくすることができる。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記配線は、一定の間隔で形成されていることが望ましい。
【００１６】
この方法によれば、一定の間隔をあけて配線が形成されているので、層間絶縁膜上における間隔が少ない密の領域上の範囲内や、間隔が大きい疎の領域上の範囲内では、研磨量に差があるものの、その範囲内で平坦化することができる。よって、密の領域上と疎の領域上との段差が生じたとしても、略平行に段差ができることから、不純物の注入をし易い状態にすることが可能となる。これにより、凸の部分に不純物を注入及び拡散することができ、研磨によって段差を少なくすることができる。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記不純物は、フッ素であることが望ましい。
【００１８】
この方法によれば、フッ素であるので、凸の部分に比較的注入及び拡散させやすくすることが可能となり、凸の部分の研磨速度を上昇させることができる。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記拡散工程は、前記半導体装置に熱を加えることによって前記不純物を拡散させる熱拡散であることが望ましい。
【００２０】
この方法によれば、熱拡散によって注入した不純物を拡散させているので、凸の部分に注入した不純物を、比較的簡単に拡散させることが可能となり、凸の部分の研磨速度を上昇させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１は、半導体装置の構造を示す模式断面図である。以下、半導体装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００２３】
図１に示すように、半導体装置１１は、半導体基板１２と、第１層間絶縁膜１３と、配線であるアルミ配線１４と、層間絶縁膜である第２層間絶縁膜１５とを有する。
【００２４】
半導体基板１２は、例えば、シリコン基板である。半導体基板１２には、例えば、図示しないトランジスタ素子が形成されている。
【００２５】
第１層間絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなり、半導体基板１２上に形成されている。第１層間絶縁膜１３は、例えば、半導体基板１２に形成されたトランジスタ素子間や配線間などを絶縁するために、半導体基板１２上全体を覆うように形成されている。
【００２６】
アルミ配線１４は、例えば、アルミ（Ａｌ）からなり、第１層間絶縁膜１３上に複数形成されている。複数のアルミ配線１４は、例えば、密の状態（密集した状態）で形成されている。アルミ配線１４は、例えば、半導体基板１２に形成された、図示しないトランジスタ素子と、タングステン（Ｗ）からなるコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。
【００２７】
第２層間絶縁膜１５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなり、アルミ配線１４を覆うように、第１層間絶縁膜１３上全体に形成されている。第２層間絶縁膜１５は、例えば、それぞれのアルミ配線１４同士を電気的に導通させないようにするために用いられる。また、第２層間絶縁膜１５は、第１領域１６と、第２領域１７とを有する。
【００２８】
第１領域１６は、複数のアルミ配線１４が、密集した状態で形成されている部分である。複数のアルミ配線１４は、例えば、それぞれ一定の間隔をあけて形成されている。第２領域１７は、第１層間絶縁膜１３上に、アルミ配線１４が形成されていない部分である。
【００２９】
また、第２層間絶縁膜１５の上面は、例えば、ＣＭＰ（科学的機械研磨）法による研磨によって平坦化されている。ＣＭＰ法は、例えば、スラリーと呼ばれる研磨剤と、研磨パッドと呼ばれる研磨布で主に構成されており、半導体装置１１上にスラリーを塗布しつつ、半導体装置１１と研磨パッドとを回転させて、例えば、第２層間絶縁膜１５上を研磨するものである。
【００３０】
図２〜図４は、半導体装置の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、半導体装置の製造方法を、図２〜図４を参照しながら説明する。
【００３１】
図２に示すように、工程１１では、第１層間絶縁膜１３上に、アルミ配線１４を形成する。まず、半導体基板１２に、例えば、公知の方法によって、図示しないトランジスタ素子を形成する。次に、半導体基板１２上全体に、公知の方法によって、第１層間絶縁膜１３を形成する。そのあと、第１層間絶縁膜１３に、トランジスタ素子とアルミ配線１４とを接続すべく、図示しないコンタクトプラグを形成する。
コンタクトプラグを形成したあと、第１層間絶縁膜１３上に、アルミ配線１４の元である、図示しないアルミ膜を形成する。このアルミ膜に、公知の方法を用いてエッチング処理を施すことにより、第１層間絶縁膜１３上にアルミ配線１４が形成される。
【００３２】
なお、第１層間絶縁膜１３上は、アルミ配線１４が密集した状態（密の状態）で形成された第１領域１６と、アルミ配線１４が形成されていない第２領域１７とを有する。
以上により、第１層間絶縁膜１３上にアルミ配線１４が形成されるとともに、第１領域１６のアルミ配線１４が、図示しないコンタクトプラグを介してトランジスタ素子と接続される。
【００３３】
工程１２では、アルミ配線１４及び第１層間絶縁膜１３上全体に、第２層間絶縁膜１５を形成する。第２層間絶縁膜１５は、上記したように、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなり、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成される。
【００３４】
プラズマＣＶＤ法によって、アルミ配線１４及び第１層間絶縁膜１３上に、シリコン酸化膜を堆積していくことにより、第２層間絶縁膜１５の上面１５ａには、アルミ配線１４の厚みが反映されて盛り上がった凸状の部分１５ｂ（凸の部分）である第３領域２１（第１領域１６の上方）と、アルミ配線１４の厚みが反映されない凹状の部分１５ｃである第４領域２２（第２領域１７の上方）が形成される。
【００３５】
工程１３では、第２層間絶縁膜１５上にレジスト膜２４を形成する。レジスト膜２４は、凸状の部分１５ｂのみに所定の深さで不純物２３を注入するために用いられる。不純物２３は、例えば、フッ素（Ｆ）である。
【００３６】
第２層間絶縁膜１５上の凹凸が表面に露出した状態で不純物を注入すると、不純物２３が、凹凸のある第２層間絶縁膜１５の上面１５ａから所定の深さに注入されることから、凸状の部分１５ｂのみに不純物２３を注入することができない。よって、第２層間絶縁膜１５上を平坦にするためのレジスト膜２４を形成する。
【００３７】
まず、凹凸のある第２層間絶縁膜１５上の全面に、例えば、スピンコート法を用いて、レジスト膜２４を塗布する。レジスト膜２４は、例えば、有機溶剤である。以上により、第２層間絶縁膜１５上が平らになり、レジスト膜２４の上面２４ａから所定の深さに（水平状に）不純物２３を注入することが可能となる。
【００３８】
図３に示すように、工程１４（注入工程）では、第２層間絶縁膜１５における凸状の部分１５ｂに、不純物２３を注入する。まず、レジスト膜２４の上面２４ａから所定の深さに、公知の方法によって、不純物２３であるフッ素を注入する。フッ素を注入する深さは、例えば、凸状の部分１５ｂの略中心部分である。レジスト膜２４の上面２４ａからのフッ素の注入深さは、例えば、打ち込むエネルギーや角度によって調整可能になっている。
【００３９】
なお、シリコン酸化膜からなる凸状の部分１５ｂと、有機溶剤からなるレジスト膜２４とは、材質が異なるため、フッ素の注入深さに差が生じる可能性がある。しかしながら、凸状の部分１５ｂに不純物２３を拡散させることが目的であることから、凸状の部分１５ｂに不純物２３を注入することが可能な注入条件で行うことが望ましい。
以上のことから、不純物２３（フッ素）は、第２層間絶縁膜１５の中では凸状の部分１５ｂ（略中央部）に注入し、それ以外では、レジスト膜２４の中に注入するようにする。
【００４０】
工程１５では、第２層間絶縁膜１５上のレジスト膜２４を除去する。レジスト膜２４を公知の方法によって除去（剥離）することにより、第１層間絶縁膜１３上には、不純物２３（フッ素）が注入された凸状の部分１５ｂを有する第２層間絶縁膜１５が形成される。
【００４１】
工程１６（拡散工程）では、凸状の部分１５ｂに注入された不純物２３（フッ素）を拡散させる。まず、凸状の部分１５ｂを有する第２層間絶縁膜１５が形成された半導体基板１２全体に熱処理（熱拡散処理）を施す。これにより、凸状の部分１５ｂの中のフッ素が拡散され、これにより、凸状の部分１５ｂが、シリコン酸化膜からＦＳＧ（フッ素化シリコン酸化）膜（「ＳｉＯＦ膜」ともいう。）となる。
【００４２】
以上のように、凸状の部分１５ｂがＦＳＧ膜となったことにより、凸状の部分１５ｂの研磨速度を、シリコン酸化膜からなる凹状の部分１５ｃと比較して速くすることができる。これにより、凸状の部分１５ｂと凹状の部分１５ｃとの研磨速度に差をつけることが可能となり、その結果、凹状の部分１５ｃより早く凸状の部分１５ｂを削ることができる。
【００４３】
なお、後述する工程１７でＣＭＰ研磨を行ったあと、第２層間絶縁膜１５にＦＳＧ膜が残ることによって、ＦＳＧ膜に含まれるフッ素と、ＣＭＰ研磨の時に使用した純水とが反応して、シリコン酸化膜からなる第２層間絶縁膜１５を腐食することがある。よって、ＦＳＧ膜は、研磨によって除去される凸状の部分１５ｂのみに形成することが望ましい。
【００４４】
図４に示すように、工程１７（研磨工程）では、第２層間絶縁膜１５の上面１５ａを平坦化する。まず、図示しない研磨パッドを、第２層間絶縁膜１５の上面１５ａに接触させる。研磨パッドは、第２層間絶縁膜１５の上面１５ａに凹凸があるものの、全体（第３領域２１、第４領域２２）と接触することが可能となっている。これにより、第２層間絶縁膜１５の全体が研磨される。
【００４５】
しかしながら、第３領域２１の凸状の部分１５ｂ（工程１６参照）は、フッ素が拡散されたＦＳＧ膜になっていることから、凹状の部分１５ｃより早く削ることが可能となっている。凸状の部分１５ｂを研磨する量は、例えば、凸状の部分１５ｂの上面から１μｍ程度である。
以上により、研磨する前にあった第３領域２１と第４領域２２との段差Ｘ（図３、工程１６参照）が、段差Ｙに小さくなる。段差が小さくなったことにより、第２層間絶縁膜１５上に、フォトリソグラフィ法を用いて新たなアルミ配線を形成するときの、焦点深度を許容の範囲内にすることができる。
【００４６】
以上詳述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、注入工程（工程１４）で第２層間絶縁膜１５上の凸状の部分１５ｂに注入された不純物２３を、拡散工程（工程１６）で凸状の部分１５ｂ全体に拡散させるので、凸状の部分１５ｂの研磨速度を速くすることが可能となり、これにより、アルミ配線１４が隣接することに起因して凸状の部分１５ｂの上面の面積が広くなることによる、凸の部分１５ｂの研磨量が減少することを緩和できる。よって、研磨工程（工程１７）によって、第２層間絶縁膜１５の上面１５ａを研磨したとき、凹状の部分１５ｃと比較して凸状の部分１５ｂを早く研磨することができ、これにより、第１領域１６上の凸状の部分１５ｂ（第３領域２１）と、第２領域１７上の凹状の部分１５ｃ（第４領域２２）との段差を少なくすることができる。その結果、第２層間絶縁膜１５上に新しい配線を形成するべく、フォトリソグラフィ法を用いてエッチング処理するときに、アルミ配線の元となるアルミ膜にピントを合わせること（焦点深度の許容範囲内にすること）が可能となり、例えば、正規の幅の配線を形成することができる。
【００４７】
（２）本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、凸状の部分１５ｂに不純物２３（フッ素）を注入及び拡散したことにより、凸状の部分１５ｂの研磨速度を上げることが可能となるので、ＣＭＰ研磨による第２層間絶縁膜１５上を平坦化するための研磨時間を短縮することができる。
【００４８】
（３）本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、凸状の部分１５ｂの研磨速度を上げることにより、比較的に高価な研磨パッドやスラリーへの負担を軽減することが可能となるので、研磨パッドやスラリーの消費量を少なくすることができる。これにより、かかるコストを抑えることができる。
【００４９】
なお、本実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００５０】
（変形例１）上記したように、凸状の部分１５ｂに注入する不純物２３として、フッ素を用いていたことに限定されず、凸状の部分１５ｂの研磨速度を上げることができるものであればよく、例えば、ボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）などであってもよい。
【００５１】
（変形例２）上記したように、第２層間絶縁膜１５における段差が生じ易い部分として、アルミ配線１４が密の状態（密集状態）の第１領域１６上と、アルミ配線１４が無い状態の第２領域１７上とを比較していたことに代えて、アルミ配線１４が密の状態の第１領域１６上と、アルミ配線１４が疎の状態の領域とを比較するようにしてもよい。
【００５２】
詳しくは、第２層間絶縁膜１５上におけるアルミ配線１４が疎の状態の領域上は、凸状になるものの、凸状の上面の面積が少ないことから、研磨パッドによって凸状の部分に圧力を集中させることが可能となり、比較的研磨がし易い状態になっている。これにより、第２層間絶縁膜１５上における第１領域１６の上方と、疎の状態の領域の上方とは、上記した内容と同様に、段差が生じ易くなる。よって、第１領域１６と、疎の状態の領域とを有する場合においても、上記した製造方法を用いることで、第２層間絶縁膜１５上の段差を少なくすることができる。
なお、本変形例２の場合、不純物２３を注入する部分は、凸状の部分１５ｂであるとともに、第２層間絶縁膜１５における疎の状態の領域上の凸状の部分の両方であってもよいし、凸状の部分１５ｂのみであってもよい。
【００５３】
（変形例３）上記したように、第２層間絶縁膜１５上における凸状の部分１５ｂのみに不純物２３を拡散させてＦＳＧ膜を形成していたことに代えて、ＣＭＰ研磨を行った後に、第２層間絶縁膜１５にＦＳＧ膜が残らなければよく、例えば、第２層間絶縁膜１５の上層まで不純物２３を拡散させてＦＳＧ膜を形成するようにしてもよい。これによれば、ＣＭＰ研磨のときに使用する純水とＦＳＧ膜に含まれるフッ素とが反応し、第２層間絶縁膜１５が腐食することが回避できるとともに、第２層間絶縁膜１５上の段差を少なくすることができる。
【００５４】
（変形例４）上記したような本発明の半導体装置の製造方法を、第２領域１７に何も形成されていない（アルミ配線１４など）半導体装置１１に適用することに限定されず、例えば、第２領域１７に模擬的なダミーパターンが配置された半導体装置に適用するようにしてもよい。
【００５５】
（変形例５）上記したように、第２層間絶縁膜１５上に形成された凹凸を平坦化していることに限定されず、例えば、その他の層間絶縁膜上の凹凸を平坦化するときに、上記した本発明の製造方法を適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】一実施形態における、半導体装置の構造を示す模式断面図。
【図２】半導体装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図３】半導体装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図４】半導体装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１１…半導体装置、１２…半導体基板、１３…第１層間絶縁膜、１４…配線であるアルミ配線、１５…層間絶縁膜である第２層間絶縁膜、１５ａ…上面、１５ｂ…凸の部分である凸状の部分、１５ｃ…凹状の部分、１６…第１領域、１７…第２領域、２１…第３領域、２２…第４領域、２３…不純物、２４…レジスト膜、２４ａ…上面、１０１…半導体基板、１０２…第１層間絶縁膜、１０３…アルミ配線、１０４…第１領域、１０４ａ…部分、１０５…第２領域、１０５ａ…部分、１０６…第２層間絶縁膜、１０６ａ…上面。
【図１】
2007042713.tif 000003
【図２】
2007042713.tif 000004
【図３】
2007042713.tif 000005
【図４】
2007042713.tif 000006
【図５】
2007042713.tif 000007