(57)【要約】【課題】酸化物を含有する薄膜磁気記録媒体における酸素の非化学量論組成を補償する磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を反応的或いは非反応的にスパッタリングするステップ２０１を含む磁気記録媒体の製造方法の提供であり、スパッタターゲットは、Ｃｏ，Ｐｔ，第１金属と酸素からなる第１金属酸化物及び非反応的にスパッタする場合には第２金属酸化物を含み、第１のデータ記録薄膜層は、Ｃｏ，Ｐｔ及び第１金属と酸素からなる化学量論の第３金属酸化物を含み、スパッタリング中に、第１のデータ記録薄膜層における第３金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、スパッタターゲットの第２金属酸化物の酸素或いは酸素濃度の高いガス雰囲気の酸素を用いて補償する。【選択図】図２
2007004957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を非反応的にスパッタリングするステップを含み、
前記スパッタターゲットが、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、第１金属と酸素（Ｏ）からなる第１金属酸化物及び第２金属酸化物を含み、
前記第１のデータ記録薄膜層が、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び前記第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第３金属酸化物を含み、
スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第３金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、前記スパッタターゲットの前記第２金属酸化物の酸素（Ｏ）を用いて補償するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記第１金属酸化物が、単一成分の金属酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記第１金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記第２金属酸化物が、第２金属と酸素（Ｏ）からなり、前記第２金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記第２金属酸化物が、０より多くかつ１６モル％以下の酸素（Ｏ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記スパッタターゲットが、更に、クロム（Ｃｒ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記スパッタターゲットが、更に、ホウ素（Ｂ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を非反応的にスパッタリングするステップを含み、
前記スパッタターゲットが、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、複数の金属と酸素（Ｏ）からなる第１金属酸化物及び第２金属酸化物を含み、
前記第１のデータ記録薄膜層が、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び前記複数の金属の少なくとも１つと酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第３金属酸化物を含み、
スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第３金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、前記スパッタターゲットの前記第２金属酸化物の酸素（Ｏ）を用いて補償するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属酸化物が、複数成分の金属酸化物であることを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の金属の少なくとも１つは、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記第２金属酸化物が、第２金属と酸素（Ｏ）からなり、前記第２金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記第２金属酸化物が、０より多くかつ１６モル％以下の酸素（Ｏ）を含むことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記スパッタターゲットが、更に、クロム（Ｃｒ）を含むことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記スパッタターゲットが、更に、ホウ素（Ｂ）を含むことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を非反応的にスパッタリングするステップを含み、
前記スパッタターゲットが、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、第１金属、第２金属及び第１金属酸化物を含み、
前記第１のデータ記録薄膜層が、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）並びに前記第１金属、第２金属及び酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第２金属酸化物を含み、
スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第２金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、前記スパッタターゲットの前記第１金属酸化物の酸素（Ｏ）を用いて補償するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記第１金属及び／又は前記第２金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記第１金属酸化物が、第３金属と酸素（Ｏ）からなり、前記第３金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記スパッタターゲットが、更に、クロム（Ｃｒ）を含むことを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記スパッタターゲットが、更に、ホウ素（Ｂ）を含むことを特徴とする請求項１５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
酸素濃度の高いガス雰囲気中でスパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を反応的にスパッタリングするステップを含み、
前記スパッタターゲットが、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び第１金属と酸素（Ｏ）からなる単一成分の第１金属酸化物を含み、
前記第１のデータ記録薄膜層が、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び前記第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第２金属酸化物を含み、
スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第２金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、酸素濃度の高いガス雰囲気の酸素（Ｏ）を用いて補償するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記酸素濃度の高いガス雰囲気は、０より多くかつ５０体積％以下の酸素（Ｏ）を含むことを特徴とする請求項２０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記第１金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
前記第２金属酸化物が、第２金属と酸素（Ｏ）からなり、前記第２金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
前記スパッタターゲットが、更に、クロム（Ｃｒ）を含むことを特徴とする請求項２０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
前記スパッタターゲットが、更に、ホウ素（Ｂ）を含むことを特徴とする請求項２０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
酸素濃度の高いガス雰囲気中でスパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を反応的にスパッタリングするステップを含み、
前記スパッタターゲットが、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）並びに少なくとも第１及び第２金属と酸素（Ｏ）からなる複数成分の第１金属酸化物を含み、
前記第１のデータ記録薄膜層が、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び少なくとも前記第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第２金属酸化物を含み、
スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第２金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、酸素濃度の高いガス雰囲気の酸素（Ｏ）を用いて補償するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２７】
前記酸素濃度の高いガス雰囲気は、０より多くかつ５０体積％以下の酸素（Ｏ）を含むことを特徴とする請求項２６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２８】
前記第１金属及び／又は前記第２金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２９】
前記第２金属酸化物が、第３金属と酸素（Ｏ）からなり、前記第３金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３０】
前記スパッタターゲットが、更に、クロム（Ｃｒ）を含むことを特徴とする請求項２６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３１】
前記スパッタターゲットが、更に、ホウ素（Ｂ）を含むことを特徴とする請求項２６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、より詳しくは、酸化物を含有する薄膜磁気媒体における酸素の非化学量論組成の補償に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＣマグネトロンスパッタリングプロセスは、例えば半導体表面を被覆したり、磁気記録媒体の表面に膜を形成したりするような、精密に制御された厚さ及び狭い原子片の許容差範囲内の物理的な付着物の薄膜を基板上に形成する種々の分野に用いられている。１つの共通の形態において、長円形状の磁場を、ターゲットの背面に磁石を配置することによりスパッタターゲットに与える。電子が、スパッタターゲット近傍で捕捉され、アルゴンイオンの生成を促進し、スパッタリング速度を増加させる。このプラズマ内のイオンはスパッタターゲット表面に衝突してスパッタターゲットがその表面から原子を放出するようにする。陰極のスパッタターゲットと被覆される側の陽極の基板との間の電圧差で、放出された原子が基板表面に所望の膜を形成する。
【０００３】
反応性スパッタリングプロセスにおいては、真空チャンバは、化学的に活性なガス雰囲気にあり、スパッタによりスパッタターゲットから飛び出した物質は、混合ガス内の反応的な試料と化学的に反応して所望の膜を形成する化合物を形成する。
【０００４】
従来の磁気記録媒体の製造時には、夫々が異なる材料の複数のスパッタターゲットにより、複数の薄膜層が順次基板上にスパッタされ、その結果、薄膜の付着物が積層される。図３は、従来の磁気記録媒体の一般的な薄膜積層構造を示す。積層構造の底部に、一般的にアルミニウム或いはガラスの非磁性基板１０１がある。最初の付着層であるシード層１０２は、上層の粒状組織の形態及び方位を規定し、一般的にＮｉＰ或いはＮｉＡｌからなる。次に、しばしば１つから３つの個別の層からなる非磁性の下地層１０４が付着される。下地層１０４は、一般的にＣｒＭｏ或いはＣｒＴｉのようなクロムを主成分とする合金である。１つ或いは２つの分離層からなる中間層１０５は下地層１０４の上に形成され、コバルトを主成分としわずかに磁性を有する。２つ或いは３つの分離層からなる磁気データ記録層１０６は中間層１０５の上に付着され、更に、カーボン潤滑層１０８が磁気データ記録層１０６の上に形成される。
【０００５】
磁気記録媒体の単位面積当たりの記録可能なデータ量は、データ記録層の冶金学的な特性及び組成に直接的に関係し、同様に、データ記録層をスパッタするスパッタターゲット材に関係する。媒体の低いノイズ性能及び高い熱的安定性を達成するために重要な鍵は、垂直磁気異方性Ｋｕと結び付いた良好に隔絶された微細粒状組織を持つ磁気データ記録層１０６を提供することである。
【０００６】
最近のイニシアチブは、酸素含有磁気媒体において隔絶された粒状組織及び大きな垂直磁気異方性Ｋｕ値を達成するいくつかの改善を示している。酸素を含有するＣｏＣｒＰｔ或いはＣｏＰｔを主成分とする媒体は、酸素濃度の高い粒界相によってより良好な粒子間分離を提供するだけでなく、媒体のエピタキシャル成長を妨げることなく垂直磁気異方性Ｋｕの低下を抑制する。媒体中への固溶度がわずかな酸化物は、しばしば粒界領域に析出する。粒子のミクロ組織的、磁気的及び電気的分離は、僅かなクロストーク（cross-talk）と高い信号対雑音比ＳＮＲを有した個別の磁気領域を実現する上で重要なパラメータである。
【０００７】
酸素濃度の高い粒界の存在は磁気的な粒界の分離を助長し、粒子の微細化及び偏析を助けるので、粒界領域の酸素含有量を適切な量及び比率にすることは重要である。酸素含有量が少な過ぎる場合は、粒子の偏析が不十分となり、保磁力Ｈｃの低下と信号対雑音比ＳＮＲ性能の悪化を招く。膜内の適度な酸素結合は、粒界にＣｒ−Ｏの形成を促進し、保磁力Ｈｃと記録特性を著しく改善する。
【０００８】
酸素含有量が高過ぎる場合は、過剰な酸素が粒子の核に付着し、保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓを減少させ、媒体の分解能に悪影響を与える。加えて、粒界領域内に含まれる酸化物に関する何らかの酸素非化学量論組成は、磁気粒子間に導電性を生じさせる。この場合に、化学量論組成は、化学量論の酸化物の化学式に従って、酸化物のモル比率が金属のモル比率と釣り合う場合に達成される。より詳細には、酸素の非化学量論組成では、電子伝導やホール伝導がカチオン／アニオンの空孔分を償い、それは媒体処理中の酸素分圧値の関数でもある。マグネトロンスパッタリング中に与えられた磁界との相互作用によって、この電気的伝導がターゲットのスパッタ性能と同様に媒体の磁気性能に悪影響を与える。
【０００９】
例え金属酸化物がスパッタターゲット内で化学量論組成であるとしても、スパッタリングプロセスの固有の性質によってわずかな酸素の損失が生じるかもしれない。その結果、非化学量論比率で薄膜として付着する金属酸化物を生じさせる。従って、粒状磁気媒体用途用の改善された磁気性能を達成するには、粒界領域に最適な酸素含有量を提供することが望ましいと考えられる。特に、スパッタリングプロセス中に、酸素の非化学量論組成を補償することによって磁気記録媒体の酸化物を含有する粒界内に化学量論の酸素量を提供することが望ましい。
【発明の開示】
【００１０】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、より詳しくは、酸化物を含有する薄膜磁気媒体における酸素の非化学量論組成の補償に関する。
【００１１】
１つの構成によれば、本発明は、スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を非反応的にスパッタするステップを含む磁気記録媒体の製造方法である。前記スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、第１金属と酸素（Ｏ）からなる第１金属酸化物及び第２金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、及び前記第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第３金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第３金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、スパッタターゲットの前記第２金属酸化物の酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００１２】
化学量論組成の酸素量を有する金属酸化物含有記録媒体を製造する本発明方法は、垂直磁気記録（ＰＭＲ）媒体や水平磁気記録媒体のような、多種多様な酸化物含有粒状磁気媒体の製造に適用できる。
【００１３】
前記第１金属酸化物は、単一成分の金属酸化物である。前記第１金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択されるが、その他の金属の使用もまた考えられる。
【００１４】
化学量論比率は、反応的或いは非反応的スパッタリング中にスパッタターゲットから酸素を補うことによりもたらされる。磁気記録媒体の酸素補償された金属酸化物成分は、単一成分金属酸化物或いは複数成分金属酸化物であるので、単一成分或いは複数成分の金属酸化物のいずれかを含有する膜内の化学量論組成金属酸化物は、それらの分子式によって示されるような正確な原子比率で単一金属或いは複数金属と酸素を有する。従って、非化学量論組成の単一或いは複数成分金属酸化物のいずれも、それらの化学量論分子式によって示されるような金属に対する酸素（Ｏ）の過剰或いは不足で特徴付けることができる。
【００１５】
前記第２金属酸化物は、第２金属と酸素（Ｏ）からなる。前記第２金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）から選択されるが、その他の金属もまた望ましい。前記第２金属酸化物は、０より多くかつ１６モル％以下の酸素（Ｏ）を含むが、必要に応じて更に多くの酸素を使用してもよい。スパッタターゲットは、更にクロム（Ｃｒ）及び／又はホウ素（Ｂ）を含むが、これら金属を省いてもよい。
【００１６】
第２の構成によれば、本発明は、スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を非反応的にスパッタするステップを含む磁気記録媒体の製造方法である。前記スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、複数の金属と酸素（Ｏ）からなる第１金属酸化物及び第２金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、及び前記複数の金属の少なくとも１つと酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第３金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第３金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、前記スパッタターゲットの前記第２金属酸化物の酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００１７】
前記第１金属酸化物は、複数成分の金属酸化物である。前記複数の金属の少なくとも１つは、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択される。
【００１８】
第３の構成によれば、本発明は、スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を非反応的にスパッタするステップを含む磁気記録媒体の製造方法である。前記スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、第１金属、第２金属及び第１金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、並びに前記第１金属、前記第２金属及び酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第２金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第２金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、前記スパッタターゲットの前記第１金属酸化物の酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００１９】
前記第１金属及び／又は前記第２金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択される。前記第１金属酸化物は、前記第３金属と酸素（Ｏ）からなり、前記第３金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）から選択される。
【００２０】
第４の構成によれば、本発明は、酸素濃度の高いガス雰囲気中でスパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を反応的にスパッタするステップを含む磁気記録媒体の製造方法である。前記スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び第１金属と酸素（Ｏ）からなる単一成分の第１金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び前記第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第２金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第２金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、酸素濃度の高いガス雰囲気の酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００２１】
前記酸素濃度の高いガス雰囲気は、０より多くかつ５０体積％以下の酸素（Ｏ）を含むが、必要であれば、更に多い量の酸素を反応的スパッタリングプロセスで用いてもよい。
【００２２】
第５の構成によれば、本発明は、酸素濃度の高いガス雰囲気中でスパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層を反応的にスパッタするステップを含む磁気記録媒体の製造方法である。前記スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）並びに少なくとも第１及び第２金属と酸素（Ｏ）からなる複数成分の第１金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び少なくとも前記第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第２金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第２金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、酸素濃度の高いガス雰囲気の酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００２３】
下記の好ましい実施形態の記載においては、同記載の一部をなす添付図面を参照するが、同図面に図示されるものは、本発明を実施する特定の実施形態である。故に、他の諸実施形態を利用することが可能であり、且つ、本発明を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることを理解することが必要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明は、金属酸化物を含有する薄膜磁気記録媒体の製造によって増大されたデータ記録容量を有する磁気記録媒体を提供する。前記金属酸化物は、酸化物を含む粒界領域内に有益な酸素含有量を提供する。適切な酸素レベルは、スパッタターゲット内に付加的な酸素を組込むことによって、或いは、酸素を含む環境又は雰囲気でスパッタターゲットを反応的にスパッタリングすることによって、薄膜媒体内の酸素の非化学量論組成或いは酸素不足を補償することによって達成される。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態による磁気記録媒体の製造方法を示す。簡潔に言えば、この方法は、スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタするステップを含む。
【００２６】
より詳しくは、ステップ２００で、このプロセスが始まり、ステップ２０１で、少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタターゲットから基板上にスパッタし、ステップ２０２で、プロセスを終了する。化学量論量の酸素量を有する金属酸化物含有記録媒体を製造する本実施形態の方法は、垂直磁気記録（ＰＭＲ）媒体や水平磁気記録媒体のような、多種多様な酸化物含有粒状磁気媒体の製造に適用できる。
【００２７】
一般的には、わずかな酸素の損失がスパッタリングプロセス中に生じることがある。その場合、化学量論組成の金属酸化物を含むスパッタターゲットが、非化学量論組成の金属酸化物薄膜を堆積させることになる。一例として、Ｃｏ−１２Ｃｒ−１４Ｐｔ−８ＳｉＯ2の薄膜層を提供することが望ましいが、化学量論組成Ｃｏ−１２Ｃｒ−１４Ｐｔ−８ＳｉＯ2のスパッタターゲットは、Ｃｏ−１２Ｃｒ−１４Ｐｔ−８ＳｉＯ1.8のような非化学量論組成の薄膜を生成することがある。本発明は、非反応的スパッタリング中にスパッタターゲット内の補足金属酸化物で提供された酸素（Ｏ）を用いて、或いは、反応的スパッタリング中に酸素濃度の高い雰囲気によって提供された酸素（Ｏ）を用いて、薄膜の金属酸化物の非化学量論組成を補償する。上述の例では、ＣｏＯ，ＰｔＯ或いはＣｒＯのような補足金属酸化物が、Ｃｏ−１２Ｃｒ−１４Ｐｔ−８ＳｉＯ2に加えられる。堆積された金属酸化物は、補足金属酸化物の酸素（Ｏ）を用いて非化学量論組成を補償されることになる。
【００２８】
ステップ２０１のスパッタリングプロセスは、種々のアプローチを用いて実行される。例えば、いくつかのアプローチでは、第１のデータ記録薄膜層（図２に磁気データ記録層３０６として示される）を、非反応的にスパッタする。１つの実施形態によれば、第１のデータ記録薄膜層を、非反応的にスパッタし、その場合のスパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、第１金属と酸素（Ｏ）からなる第１金属酸化物及び第２金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第３金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における第３金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、スパッタターゲットの第２金属酸化物の酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００２９】
本発明は、媒体の反応的或いは非反応的スパッタリング中に非化学量論組成を補足する付加的酸素を含有するスパッタターゲットを用いて、薄膜磁気媒体の酸素を含む粒界領域内の酸素の非化学量論組成の補償を行う。従って、粒界領域内に化学量論の酸素を含む磁気膜を製造することができ、粒状媒体の磁気的性能をより一層最適化するのに有効である。
【００３０】
一例では、前記金属酸化物としてクロム酸化物があり、Ｃｒ2Ｏ3は代表的なＣｒの化学量論組成酸化物である一方、Ｃｒ2Ｏ2.9やＣｒ2Ｏ3.1は、それぞれ酸素が不足した或いは過剰なＣｒの酸化物である。
【００３１】
単一或いは複数成分の酸化物によって、粒界領域に組込まれる酸素量を制御すると、保持力Ｈｃや飽和磁化Ｍｓに関係した磁気特性に有利になり、粒子の微細性及び分離性を改善する。特に、酸素は、単一或いは複数成分の酸化物を含む磁気薄膜媒体の粒界領域内で、十分に最適化されたモル含有量に酸素の非化学量論組成を補償するために組込まれる。
【００３２】
前記第１金属酸化物は単一成分の金属酸化物である。前記第１金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択されるが、その他の金属の使用もまた考えられる。
【００３３】
前記第２金属酸化物は、第２金属と酸素（Ｏ）からなる。前記第２金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）から選択されるが、その他の金属もまた望ましい。前記第２金属酸化物は、０より多くかつ１６モル％以下の酸素（Ｏ）を含むが、必要に応じて更に多くの酸素を用いてもよい。前記スパッタターゲットは、クロム（Ｃｒ）及び／又はホウ素（Ｂ）を含むが、これら金属を省いてもよい。
【００３４】
金属酸化物を含む粒界内の金属と酸素成分の化学量論的比率は、酸化物の分子式に関連して、媒体内の金属成分に対する酸素の定義された化学的比率によって特徴付けられる。金属酸化物の化学量論組成例としては、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，ＣｏＯ，ＺｒＯ2，Ｃｒ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3及びＴａ2Ｏ5が挙げられる。記録媒体や本発明方法に用いられるその他の種々の酸化物の化学量論組成は、当業者には周知である。
【００３５】
或いは、第２の構成によれば、第１のデータ記録薄膜層は、非反応的にスパッタされ、その場合のスパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、複数の金属と酸素（Ｏ）からなる第１金属酸化物及び第２金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び前記複数の金属の少なくとも１つと酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第３金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における前記第３金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、前記スパッタターゲットの前記第２金属酸化物から酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００３６】
前記第１金属酸化物は、複数成分の金属酸化物である。前記複数の金属の少なくとも１つは、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択される。
【００３７】
化学量論的比率は、反応的或いは非反応的スパッタリング中にスパッタターゲットから酸素を補うことによりもたらされる。磁気記録媒体の酸素補償された金属酸化物成分は、単一成分金属酸化物或いは複数成分金属酸化物であるので、単一成分或いは複数成分の金属酸化物のいずれかの化学量論金属酸化物を含有する膜は、それらの分子式によって示されるような正確な原子比率で単一金属或いは複数金属と酸素を有する。従って、非化学量論組成の単一或いは複数成分金属酸化物のいずれも、それらの化学量論分子式によって示されるような金属に対する酸素（Ｏ）の過剰或いは不足で特徴付けることができる。
【００３８】
第３の別の構成において、第１のデータ記録薄膜層は、非反応的にスパッタされ、その場合のスパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、第１金属、第２金属及び第１金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）並びに前記第１金属、第２金属及び酸素（Ｏ）を含む化学量論組成の第２金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第２金属酸化物における非化学量論組成はことごとく、前記スパッタターゲットの前記第１金属酸化物から酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００３９】
前記第１金属及び／又は前記第２金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択される。前記第１金属酸化物は、前記第３金属と酸素（Ｏ）からなり、前記第３金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）から選択される。
【００４０】
付加的な構成において、第１のデータ記録薄膜層は、酸素濃度の高いガス雰囲気中で反応的にスパッタされる。スパッタリングに関して、反応的或いは非反応的スパッタリング中に同じ所望の成分を含有するスパッタターゲットが、化学量論組成のＭＯに代えて媒体内の酸素不足を示す化学式ＭＯ1-xの金属酸化物を含む薄膜を生成する場合、酸素を含む環境での反応的或いは非反応的スパッタリング中にターゲットに付加的な酸素を提供することにより酸素の不足を補償できる。
【００４１】
１つのそのような構成によれば、第１のデータ記録層は、酸素濃度の高いガス雰囲気中で反応的にスパッタされ、その場合のスパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び第１金属と酸素（Ｏ）からなる単一成分の第１金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び前記第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第２金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における第２金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、酸素濃度の高いガス雰囲気の酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００４２】
前記酸素濃度の高いガス雰囲気は、０より多くかつ５０体積％以下の酸素（Ｏ）を含むが、必要であれば、更に多い量の酸素を反応的スパッタリングプロセスで用いてもよい。
【００４３】
別のそのような構成において、少なくとも第１のデータ記録薄膜層は、酸素濃度の高いガス雰囲気中で反応的にスパッタされ、その場合のスパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）並びに少なくとも第１及び第２金属と酸素（Ｏ）からなる複数成分の第１金属酸化物を含む。前記第１のデータ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、及び少なくとも前記第１金属と酸素（Ｏ）からなる化学量論組成の第２金属酸化物を含む。スパッタリング中に、前記第１のデータ記録薄膜層における第２金属酸化物の非化学量論組成はことごとく、酸素濃度の高いガス雰囲気の酸素（Ｏ）を用いて補償される。
【００４４】
図２は、図１の製造プロセスによって製造された磁気記録媒体３００の薄膜積層構造を示す。簡潔に言えば、積層構造の底部に、非磁性基板１０１があり、最初の付着層であるシード層１０２は、上層の粒状組織の形態及び方位を規定する。非磁性の下地層１０４は、一般的には、ＣｒＭｏ或いはＣｒＴｉのようなクロムを主成分とする合金である。１つ或いは２つの分離層を含む中間層１０５は、下地層１０４の上に形成され、コバルトを主成分としわずかに磁性を有する。少なくとも第１のデータ記録薄膜層３０６は、中間層１０５の上に付着され、そして、カーボン潤滑層１０８が第１データ記録薄膜層３０６の上に形成される。
尚、図中、Ｍは、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択される金属である。また、Ｍｎ−Ｏｘは、酸化物の化学式で示されるような化学量論比率の金属酸化物である。
【００４５】
より詳細には、データ記録薄膜層３０６は、非磁性基板１０１の上方に形成され、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）及び化学量論組成の金属酸化物を含む。前記第１金属酸化物は単一成分の金属酸化物である。第１金属は、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択されるが、その他の金属の使用も考えられる。
【００４６】
第２金属酸化物は、第２金属と酸素（Ｏ）からなる。前記第２金属は、クロム（Ｃｒ），ホウ素（Ｂ），コバルト（Ｃｏ）及び白金（Ｐｔ）から選択されるが、その他の金属もまた望ましい。前記第２金属酸化物は、０より多くかつ１６モル％以下の酸素（Ｏ）を含むが、必要に応じて更に多くの酸素を使用してもよい。スパッタターゲットは、クロム（Ｃｒ）及び／又はホウ素（Ｂ）を含むが、これら金属は省いてもよい。
【００４７】
データ記録薄膜層は、Ｃｏ，０より多くかつ２４原子％以下のＣｒ、０より多くかつ２０原子％以下のＰｔ、０より多くかつ２０原子％以下のＢ及び０より多くかつ１０モル％以下の金属酸化物を含む。
【００４８】
磁気記録媒体の金属酸化物成分が、単一成分の金属酸化物である場合、本発明の単一金属酸化物式の薄膜の金属と酸素間の化学量論組成は、これらの化学式で示されるような化学量論比率にある。これら金属の酸化物式は、例えば、Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，ＨｆＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2，ＳｎＯ2，Ｌａ2Ｏ3，ＷＯ3，ＣｏＯ，Ｙ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｅｕ2Ｏ3，Ｇｄ2Ｏ3，Ｖ2Ｏ5，ＳｍＯ2，Ｐｒ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＩｒＯ2，ＲｅＯ2，ＮｉＯ又はＺｎＯであるが、その他の単一成分の金属酸化物も考えられる。
【００４９】
或いは、第１金属酸化物は複数成分の金属酸化物であり、複数の金属の少なくとも１つは、ホウ素（Ｂ），珪素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ハフニウム（Ｈｆ），ジルコニウム（Ｚｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ），ランタン（Ｌａ），タングステン（Ｗ），コバルト（Ｃｏ），イットリウム（Ｙ），クロム（Ｃｒ），セリウム（Ｃｅ），ユーロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），バナジウム（Ｖ），サマリウム（Ｓｍ），プラセオジム（Ｐｒ），マンガン（Ｍｎ），イリジウム（Ｉｒ），レニウム（Ｒｅ），ニッケル（Ｎｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）から選択される。
【００５０】
磁気記録媒体の金属酸化物成分が複数成分の金属酸化物を含む場合、異なる複数の金属と酸素は、これらそれぞれの酸化物化学式の化学量論比率にある。複数成分の酸化物内の金属の数は少なくとも２つである。複数成分の酸化物の例としては、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5−ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2，ＨｆＯ2−ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5−ＴｉＯ2が挙げられるが、その他の複数成分の酸化物も考えられる。
【００５１】
本発明方法は、薄膜システムのベース金属或いはベース合金に相当する酸化物を含有するスパッタターゲットを用いてスパッタリングすることにより、薄膜内の酸素の非化学量論組成を補償する。例えば、スパッタリングで用いられる酸化物は、合金組成ＣｏＰｔ或いはＣｏＣｒＰｔ内のいかなる金属にも対応する金属酸化物を構成することができ、ＣｏＯ，ＰｔＯ及び／又はＣｒＯを含む。上述のように、本発明の複数成分の金属酸化物の酸素の非化学量論組成もまた、複数成分の薄膜に含まれる１つ以上の金属酸化物に対応する金属酸化物を用いて補償できる。
【００５２】
要約すれば、本発明は、スパッタリング中或いはスパッタターゲットを使用することにより、薄膜磁気媒体の酸素を含む粒界領域内の非化学量論組成の酸素の補償を確実にする。単一成分の酸化物を含有する媒体において、化学量論組成の金属酸化物を含むデータ記録薄膜層を形成するために要求される酸素は、ＣｒＯ，ＣｏＯ，ＰｔＯ及び／又はＢＯと共に金属酸化物を含有するＣｏＰｔターゲットをスパッタリングすることにより、又は、ＡｒＯ2環境で酸素を含有するＣｏＰｔターゲットの反応的スパッタリングにより得られる。
【００５３】
強化されたマトリックス特性用の複数成分の酸化物を含有する媒体において、化学量論組成の複数成分の酸化物を含むデータ記録薄膜層を形成するために要求される酸素は、ＣｒＯ，ＣｏＯ，ＰｔＯ及び／又はＢＯと共に非化学量論組成の複数成分の金属酸化物を含有するＣｏＰｔターゲットをスパッタリングすることにより、或いは、ＡｒＯ2環境で非化学量論組成の酸素を含有するＣｏＰｔ複数成分酸化物含有ターゲットを反応的にスパッタリングすることにより得られる。これらの目的を達成する別の方法としては、ＣｒＯ，ＣｏＯ，ＰｔＯ及び／又はＢＯと共に個々の或いは組み合わせの金属を元素形態で含有するＣｏＰｔターゲットのスパッタリング、ＣｒＯ，ＣｏＯ，ＰｔＯ及び／又はＢＯと共にと共に個々の或いは複数が組み合わされた元素形態の金属及びターゲット内で元素形態として存在しないこれら金属の酸化物を含有するＣｏＰｔターゲットのスパッタリング、或いは、ＡｒＯ2環境で複数金属を含有するＣｏＰｔターゲットの反応的スパッタリングが挙げられる。
【００５４】
本発明を利用すれば、粒界領域に化学量論の酸素を含む磁気膜が生成され、垂直磁気記録ＰＭＲに必要な粒状媒体の磁気特性の実現を助長する。
【００５５】
上記実施形態では、特定な具体的実施形態について記述したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や変形が本発明の精神及び範囲から逸脱することなく当業者によってなされるであろうことは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態による磁気記録媒体の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１の製造プロセスで製造された薄膜積層構造を示す図である。
【図３】従来の磁気記録媒体の一般的な薄膜積層構造を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０１    非磁性基板
１０２    シード層
１０４    下地層
１０５    中間層
１０８    カーボン潤滑層
３００    磁気記録媒体
３０６    データ記録薄膜層
【図１】
2007004957.tif 000003
【図２】
2007004957.tif 000004
【図３】
2007004957.tif 000005