(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、電気的接続信頼性に優れる半導体装置の製造方法の簡略化を図ることにある。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に、第１の樹脂層３０と、第１の樹脂層３０よりも小さい幅を有する複数の第２の樹脂層３２と、を形成する工程と、第１の樹脂層３０及び複数の第２の樹脂層３２をキュアすることにより、第１の樹脂層３０により樹脂突起４０を形成し、複数の第２の樹脂層３２を一体化させることにより樹脂突起４０を超えない高さを有する樹脂部４２を形成する工程と、電極パッド１６と電気的に接続する導電層５０を、電極パッド１６の上方から樹脂突起４０の上方を通り、さらに樹脂部４２の上方に至るように形成する工程と、を含む。【選択図】      図５
2007042735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層よりも小さい幅を有する複数の第２の樹脂層と、を形成する工程と、
前記第１の樹脂層及び前記複数の第２の樹脂層をキュアすることにより、前記第１の樹脂層により樹脂突起を形成し、前記複数の第２の樹脂層を一体化させることにより前記樹脂突起を超えない高さを有する樹脂部を形成する工程と、
前記電極パッドと電気的に接続する導電層を、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに前記樹脂部の上方に至るように形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の第２の樹脂層を、前記導電層の延出方向に小さい幅を有し、かつ前記導電層の延出方向に個々が配列されるように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記複数の第２の樹脂層を、フォトリソグラフィ工程により形成する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記複数の第２の樹脂層を、同一マスクにより形成する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的接続信頼性の向上を図るため、樹脂突起上に導電層が形成された樹脂コアバンプを外部端子とする半導体装置が開発されている（特許文献１参照）。この場合、電気的検査工程は、樹脂コアバンプに検査用プローブを接触させることにより行われるが、樹脂は軟らかいため、本工程により樹脂コアバンプが損傷することが考えられる。他方、電気的検査工程においては、半導体基板の内部のトランジスタ等にダメージを与えないことも重要である。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、電気的接続信頼性に優れる半導体装置の製造方法の簡略化を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板の上方に、第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層よりも小さい幅を有する複数の第２の樹脂層と、を形成する工程と、
前記第１の樹脂層及び前記複数の第２の樹脂層をキュアすることにより、前記第１の樹脂層により樹脂突起を形成し、前記複数の第２の樹脂層を一体化させることにより前記樹脂突起を超えない高さを有する樹脂部を形成する工程と、
前記電極パッドと電気的に接続する導電層を、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに前記樹脂部の上方に至るように形成する工程と、
を含む。
【０００５】
本発明によれば、複数の第２の樹脂層をキュア工程により一体化させることによって、樹脂突起を超えない高さを有する樹脂部を容易に形成することができる。これによれば、樹脂部上の導電層に検査用プローブを接触させることにより、樹脂突起を損傷することなく、電気的検査工程を行うことができる。また、導電層の下地には樹脂部が設けられているので、樹脂の弾力性により検査用プローブの接触による衝撃を緩和して、例えば半導体基板の内部のトランジスタ等にダメージを与えるのを防止することができる。
【０００６】
なお、本発明において、特定のＡの上方にＢが設けられているとは、Ａ上に直接Ｂが設けられている場合と、Ａ上に他の層等を介してＢが設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
【０００７】
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記複数の第２の樹脂層を、前記導電層の延出方向に小さい幅を有し、かつ前記導電層の延出方向に個々が配列されるように形成してもよい。
【０００８】
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記複数の第２の樹脂層を、フォトリソグラフィ工程により形成してもよい。
【０００９】
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記複数の第２の樹脂層を、同一マスクにより形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
（半導体装置の製造方法）
図１〜図８は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【００１２】
（１）まず、図１及び図２に示すように、半導体基板１０を用意する。半導体基板１０は、例えば半導体ウエハである（図１参照）。その場合、半導体基板１０は、半導体チップとなる複数のチップ領域１２を有し、それぞれのチップ領域１２の内部に集積回路１４が形成されている。すなわち、半導体基板１０を複数の半導体チップに分割する場合、個々の半導体チップが個々の集積回路１４を有することになる。集積回路１４は、少なくともトランジスタ等の能動素子を含む。チップ領域１２は、例えば平面視が矩形形状（例えば長方形）をなしている。それぞれのチップ領域１２には、複数の電極パッド（例えばアルミパッド）１６が形成されている。複数の電極パッド１６は、チップ領域１２の対向する２辺（例えば長辺側の２辺）又は４辺に沿って配列されていてもよい。その場合、各辺に１列又は複数列の電極パッド１６が配列されている。電極パッド１６がチップ領域１２の端部に配列している場合、集積回路１４は、複数の電極パッド１６により囲まれた中央部に形成されていてもよい。あるいは、電極パッド１６は、集積回路１４と平面視において重なる領域に形成されていてもよい。電極パッド１６は、内部配線（図示しない）により集積回路１４と電気的に接続されている。
【００１３】
半導体基板１０の表面（集積回路１４の形成面）には、パッシベーション膜（保護膜）１８が形成されている。パッシベーション膜１８は、無機系又は有機系のいずれから形成してもよく、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の少なくとも１層により形成することができる。パッシベーション膜１８には、電極パッド１６を開口する開口部が形成されている。開口部により、電極パッド１６の少なくとも一部（例えば中央部のみ）が露出している。
【００１４】
（２）次に、図３〜図５に示すように、第１の樹脂層３０及び複数の第２の樹脂層３２を形成する。第１の樹脂層３０から樹脂突起４０を形成することができ、複数の第２の樹脂層３２から樹脂部４２を形成することができる（図６参照）。
【００１５】
以下に示す例では、フォトリソグラフィ工程により、第１及び第２の樹脂層３０，３２をパターニングする例を説明する。
【００１６】
具体的には、まず、図３に示すように、感光性の樹脂材料２０を例えばスピンコート法により半導体基板１０上に塗布する。その後、図４に示すように、開口部２４，２５を有するマスク２２を半導体基板１０上に配置し、光エネルギー２６を照射して露光を行う。すなわち、第１及び第２の樹脂層３０，３２を同一マスクにより露光して形成することができる。これによれば、同一のパターニングプロセスにより第１及び第２の樹脂層３０，３２を形成することができるので、製造プロセスの簡略化を図ることができる。樹脂材料２０として、光エネルギー２６の照射部分において現像液の溶解性が減少するネガ型を使用した場合には、マスク２２の開口部２４，２５から露出する領域のみに樹脂を残すことができる。あるいは、逆に、樹脂材料２０として、光エネルギー２６の照射部分において現像液の溶解性が増加するポジ型を使用した場合には、マスク２２により覆われた領域のみに樹脂を残すことができる。その後、現像工程を行うことにより、図５に示すように、第１の樹脂層３０及び複数の第２の樹脂層３２を所定形状にパターニングすることができる。詳しくは、大きい幅の開口部２４から第１の樹脂層３０を形成し、複数の小さい幅の開口部２５から複数の第２の樹脂層３２を形成することができる。
【００１７】
変形例として、第１及び第２の樹脂層３０，３２の形成方法としては、例えば印刷法（例えばスクリーン印刷法）を適用することができる。その場合、同一マスク（メタルマスク）により第１及び第２の樹脂層３０，３２をパターニングしてもよい。あるいは、第１及び第２の樹脂層３０，３２を液滴吐出法（例えばインクジェット法）により形成することもできる。これによれば、樹脂材料を必要な領域のみに直接吐出することができる。特に、インクジェット法によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することによって、高速かつインク（樹脂材料）を無駄なく経済的に設けることができる。
【００１８】
図５に示すように、半導体基板１０の主面に垂直な面で切った断面視において、第２の樹脂層３２の幅は、第１の樹脂層３０の幅よりも小さい。複数の第２の樹脂部３２は、個々が同一の幅を有していてもよいし、異なる幅を有していてもよい。第１及び第２の樹脂層３０，３２のパターニング形状は限定されるものではない。第１の樹脂層３０は、例えば所定の幅を有する直線状に形成することができる。その場合、半導体基板１０のチップ領域１２の境界（例えば長辺方向）に沿って（例えば平行に）延出するように形成することができる。また、複数の第２の樹脂層３２は、例えば、第１の樹脂層３０よりも小さい幅を有する直線状であって個々がその幅方向（例えば導電層５０の延出方向）に配列されるように形成することができる。複数の第２の樹脂層３２は、個々が互いに非接触となるように所定の間隔をあけて設けられている。それらの間隔は、キュア後の樹脂部４２の高さ及び形状等に応じて適宜調整することができる。
【００１９】
上述したように、第１及び第２の樹脂層３０，３２を同一マスクにより形成した場合には、第１及び第２の樹脂層３０，３２は同一高さを有する。そして、本実施の形態では、同一高さの第１及び第２の樹脂層３０，３２から、それぞれ異なる高さの樹脂突起４０及び樹脂部４２を形成することができる。また、図５に示すように、複数の第２の樹脂層３２は、第１の樹脂層３０の電極パッド１６とは反対側に形成する。こうすることにより、樹脂部４２を電極パッド１６から樹脂突起４０をさらに超えた位置に設けることができる。
【００２０】
なお、第１及び第２の樹脂層３０，３２は、同一材料を使用することができる。その材料の一例としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等の弾性樹脂材料が挙げられる。
【００２１】
（３）次に、図６に示すように、第１及び第２の樹脂層３０，３２をキュアする。こうして、第１の樹脂層３０により樹脂突起４０を形成し、複数の第２の樹脂層３２により樹脂部４２を形成する。樹脂部４２は、複数の第２の樹脂層３２を一体化させることにより形成する。
【００２２】
キュア工程では、第１及び第２の樹脂層３０，３２を加熱することにより、溶融させ、その後に硬化させる。キュア工程により、第１の樹脂層３０は溶融したのち硬化し、例えば表面が曲面となる樹脂突起４０を形成することができる。樹脂突起４０は、半導体基板１０の主面に垂直方向に突起している。また、キュア工程により、複数の第２の樹脂層３２は溶融し、隣同士が一体化する。詳しくは、個々の第２の樹脂層３２は、隣同士の間隔に樹脂が流れ込むことにより薄く広がり、樹脂突起４０を超えない高さの樹脂部４２が形成される。例えば、樹脂部４２は、樹脂突起４０よりも低くなるように形成することができる。
【００２３】
（４）その後、図７及び図８に示すように、電極パッド１６と電気的に接続する導電層５０を形成する。図７は、本実施の形態に係る方法により製造された半導体装置の平面図であり、図８は、図７のＶIII−ＶIII線断面図である。
【００２４】
導電層５０は、スパッタ法又は蒸着法により導電箔を成膜し、その後、導電箔をパターニングすることにより形成することができる。導電層５０は、例えば、下地となる第１の層（例えばＴｉＷ層）５２と、その上の第２の層（例えばＡｕ層）５４とからなる複数層により形成することができる。その場合、導電箔を第１及び第２の層５２，５４により形成し、レジストをマスクとしてドライエッチングにより第２の層５４をパターニングし、パターニング後の第２の層５４をマスクとして第１の層５２をパターニングしてもよい。下地となる第１の層５２は、金属拡散防止、密着性向上又はメッキ層として利用することができる。変形例として、下地となる第１の層５２をスパッタ法又は蒸着法により形成し、その上の第２の層５４を無電解メッキ又は電気メッキにより形成することもできる。これにより、第２の層５４を容易に厚く形成することができる。あるいは、導電層５０は、単一層（例えばＡｕ層）により形成することもできる。なお、導電層５０の材質は上述に限られず、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｃｒ等を使用することができる。
【００２５】
導電層５０は、電極パッド１６上から樹脂突起４０上を通り、さらに樹脂部４２上に至るように形成する。また、図７に示すように、導電層５０は、樹脂部４２を乗り越えて、さらにパッシベーション膜１８上に延出して形成されていてもよい。導電層５０のうち樹脂突起４０を被覆する部分を電気的接続部５６ということができる。図７に示す例では、複数の導電層５０が樹脂突起４０及び樹脂部４２のそれぞれの長さ方向と交差するように延出して形成され、樹脂突起４０上では、その長さ方向に複数の電気的接続部５６が所定間隔をあけて配列して形成されている。
【００２６】
必要があれば、導電層５０を形成した後、その導電層５０をマスクとして樹脂突起４０を部分的に除去してもよい。これにより、例えば、半導体装置１００を他の基板に実装したときに、両者間に設けられる接着剤の排出性を向上させることができる。図７に示すように、樹脂突起４０が所定の幅を有する直線状に形成され、樹脂突起４０の長さ方向に複数の電気的接続部５６が所定間隔をあけて配列されている場合、隣接する電気的接続部５６同士の間から露出する部分を異方性のエッチャント（例えばＯ２プラズマ）によりエッチングして除去する。その場合、パッシベーション膜１８の損傷を防止するため、隣接する電気的接続部５６同士の間に樹脂の残渣を設けるようにエッチングすることができる。また、同様に、導電層５０をマスクとして樹脂部４２を部分的に除去してもよい。
【００２７】
その後、半導体基板１０を複数のチップ領域１２に分割することにより、複数の半導体基板（例えば半導体チップ）１１を得ることができる。図８に示すように、半導体基板１１上には、樹脂突起４０上に導電層５０の一部（電気的接続部５６）が被覆して形成された外部端子６０と、樹脂部４２上に導電層５０の一部が被覆して形成された検査用パッド６２と、が形成されている。外部端子６０及び検査用パッド６２は、半導体基板１０の一方の面（集積回路１２及び電極パッド１６の形成面）に形成されている。外部端子６０は、弾力性を有する樹脂がコアとなっており、実装時における応力緩和機能を果たすので電気的接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２８】
本実施の形態によれば、複数の第２の樹脂層３２をキュア工程により一体化させることによって、樹脂突起４０を超えない高さを有する樹脂部４２を容易に形成することができる。これによれば、樹脂部４２上の導電層５０に検査用プローブを接触させることにより、樹脂突起４０を損傷することなく、電気的検査工程を行うことができる。また、導電層５０の下地には樹脂部４２が設けられているので、樹脂の弾力性により検査用プローブの接触による衝撃を緩和して、例えば半導体基板１０の内部のトランジスタ等にダメージを与えるのを防止することができる。
【００２９】
また、図８に示すように、検査用パッド６２が外部端子６０の電極パッド１６とは反対側に形成されているので、少なくとも電極パッド１６及び外部端子６０の間の電気的接続の合否を検査できるとともに、仮に検査用プローブの接触により導電層５０が断線したとしても、外部端子６０と電極パッド１６の間の電気的導通は維持されるので、電気的検査工程により製品不良を発生させることもない。したがって、電気的接続信頼性に優れる半導体装置を提供することができる。なお、電気的検査工程は、半導体基板１０を分割する前後のいずれかに行うことができる。
【００３０】
なお、本実施の形態に係る半導体装置は、上述した半導体装置の製造方法の内容から導き出せる構成を有する。
【００３１】
（電子機器）
図９は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。電子デバイス（例えば表示デバイス）１０００は、半導体装置１００を含む。図９に示す例では、電子デバイス１０００は、半導体装置１００と、樹脂フィルム等からなる第１の基板２００と、ガラス等からなる第２の基板３００と、を含む。半導体装置１００は、例えば第１の基板２００にフェースダウン実装され、詳しくは、第１の基板２００に形成された配線パターンと、半導体装置１００の外部端子６０とが電気的に接続されている。半導体装置１００と第１の基板２００の間には、図示しない絶縁性接着剤（例えばＮＣＦ(Non Conductive Film)又はＮＣＰ(Non Conductive Paste)）が設けられている。あるいは、第１の基板２００を省略して、半導体装置１００を第２の基板３００にフェースダウン実装することもできる。電子デバイス１０００の例としては、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬ（Electrical Luminescence）ディスプレイなどが挙げられる。なお、図１０には本発明の実施の形態に係る電子機器の一例としてノート型パーソナルコンピュータが示され、図１１には携帯電話が示されている。
【００３２】
（変形例）
図１２は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本変形例では、樹脂突起１４０（外部端子１６０）の形態が上述と異なる。
【００３３】
図１２に示す例では、複数の樹脂突起１４０を個々が互いに非接触となるように所定の間隔をあけて形成する。このような樹脂突起１４０は、例えば、複数の略円柱状の樹脂層をパターニングして形成した後、キュア工程を行うことにより形成することができる。キュア後の樹脂突起１４０は、略半球状をなしていてもよい。
【００３４】
導電層５０は、少なくとも、いずれか１つの電極パッド１６といずれか１つの樹脂突起１４０の間を電気的に接続する。その場合、導電層５０は、１つの樹脂突起１４０の一部のみを覆うように形成してもよいし、その全部を覆うように形成してもよい。前者の場合、樹脂突起１４０の一部が露出することにより、応力が開放されるので、実装時の外部端子１６０のクラックを防止することができる。
【００３５】
なお、本変形例においては、樹脂突起１４０をあらかじめ個々に分離して形成するので、上述した例のように、導電層５０を形成した後の樹脂突起の部分的な除去工程を省略することができる。
【００３６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図８】図７のＶIII−ＶIII線断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０…半導体基板  １６…電極パッド  １８…パッシベーション膜
３０…第１の樹脂層  ３２…第２の樹脂層  ４０…樹脂突起
４２…樹脂部  ５０…導電層  １４０…樹脂突起
【図１】
2007042735.tif 000003
【図２】
2007042735.tif 000004
【図３】
2007042735.tif 000005
【図４】
2007042735.tif 000006
【図５】
2007042735.tif 000007
【図６】
2007042735.tif 000008
【図７】
2007042735.tif 000009
【図８】
2007042735.tif 000010
【図９】
2007042735.tif 000011
【図１０】
2007042735.tif 000012
【図１１】
2007042735.tif 000013
【図１２】
2007042735.tif 000014