(57)【要約】【課題】回路構成を複雑にすることなく、基準電圧や温度の変動に対して安定なバイアス回路を提供する。【解決手段】第１の回路領域は少なくとも１つの抵抗Ｒ１を備え、抵抗Ｒ１の一つの端子は制御端子に接続される。制御端子に基準電圧Ｖｒｅｆが印加されると基準電流Ｉｒｅｆが抵抗Ｒ１に流れ込む。抵抗Ｒ１に電流Ｉｒｅｆが流れることにより電圧降下が生じる。この電圧降下量をΔＶとすると、抵抗Ｒ１の第２の端子の電圧Ｖ１はＶｒｅｆ−ΔＶで表される。電流Ｉｒｅｆの一部は、第１の回路領域で消費され、残りが電流Ｉ１として第１の回路領域の第２の端子に出力される。電流Ｉ１の一部は電流Ｉ２として第２の回路領域に流れ込み、残りの電流はアイドル電流Ｉｏｕｔとして出力端子から出力され、トランジスタに流れ込む。【選択図】図１
2007281930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御端子および出力端子を備えるバイアス回路であって、
前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、少なくとも１つの抵抗を有する第１の回路領域と、
前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、前記制御端子への印加電圧により前記第１の回路領域の抵抗に流れる電流を変化させる機能を有する第２の回路領域と、
を備えるバイアス回路。
【請求項２】
制御端子および出力端子を備えるバイアス回路であって、
前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、少なくとも１つの抵抗を有する第１の回路領域と、
前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、温度により前記第１の回路領域の抵抗に流れる電流を変化させる機能を有する第２の回路領域と、
を備えるバイアス回路。
【請求項３】
前記第１の回路領域の抵抗は、前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、
前記第１の回路領域は、一端が前記出力端子に接続され他端が接地される抵抗をさらに有するものである請求項１または２記載のバイアス回路。
【請求項４】
前記第１の回路領域の抵抗は、前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、
前記第１の回路領域は、一端が前記出力端子に接続され他端が接地されるダイオードを有するものである請求項１または２記載のバイアス回路。
【請求項５】
前記第２の回路領域は、アノードが前記制御端子に接続されるダイオードと、ベースが前記ダイオードのカソードに接続され、コレクタが前記出力端子に接続され、エミッタが接地されるトランジスタと、を有するものである請求項１または２記載のバイアス回路。
【請求項６】
前記ダイオードは、ショットキダイオードであるものである請求項５記載のバイアス回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタのバイアス回路に係り、特に高周波電力増幅用バイポーラトランジスタのベースバイアス回路に使用されるバイアス回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
エミッタ接地バイポーラトランジスタに用いられるベースバイアス回路には、電流供給能力、温度に対する安定性などが求められる。携帯電話機のような電池駆動の端末に対しては、これらの要件に加え低電圧化および電圧変動に対する安定性の要求が高まっている。
【０００３】
低電圧駆動時に用いられる従来のベースバイアス回路の構成について、図を用いて説明する。図２は抵抗分割による従来のバイアス回路の構成図である。抵抗分割によるバイアス回路は二つの抵抗Ｒ１，Ｒ２から構成される。抵抗Ｒ１の一方の端子が制御端子に接続され、他方の端子が抵抗Ｒ２の一方の端子に接続され、抵抗Ｒ２の他方の端子が接地され、二つの抵抗の接続点が出力端子と接続される。
【０００４】
出力端子はトランジスタＴＲ１のベースに接続され、ベース電圧およびベース電流が供給される。制御端子に基準電圧Ｖｒｅｆが印加されると、制御端子から電流Ｉｒｅｆが入力され、抵抗Ｒ１を通る。Ｉｒｅｆの一部は抵抗Ｒ２を流れ、残りが出力電流ＩｏｕｔとしてトランジスタＴＲ１に入力される。
【０００５】
しかしながら、上記構成では基準電圧Ｖｒｅｆの変動で容易にトランジスタＴＲ１の動作電流が変動してしまう。また、温度が変動し、トランジスタＴＲ１のオン電圧が変わったときには大幅にトランジスタＴＲ１の動作電流が変動してしまう。
【０００６】
抵抗分割における問題を改善するために、抵抗−ダイオード分割を用いたバイアス回路が用いられる。図３は抵抗−ダイオード分割を用いた従来のバイアス回路の構成図である。抵抗−ダイオード分割を用いた従来のベースバイアス回路は、抵抗Ｒ１とダイオードＤ１から構成される。抵抗Ｒ１の一方の端子は制御端子と接続され、他方はダイオードＤ１のアノードと接続され、ダイオードＤ１のカソードは接地される。抵抗Ｒ１とダイオードＤ１の接続点が出力端子と接続される。
【０００７】
制御端子に基準電圧が印加されると、制御端子から電流Ｉｒｅｆが入力され、抵抗Ｒ１を通る。Ｉｒｅｆの一部はダイオードＤ１を流れ、残りが出力電流ＩｏｕｔとしてトランジスタＴＲ１に入力される。
【０００８】
上記構成によれば、基準電圧Ｖｒｅｆを大きくしていっても出力電圧Ｖｏｕｔは第一のダイオードＤ１のオン電圧にクリップされるので、基準電圧Ｖｒｅｆの変動に対するトランジスタＴＲ１の動作電流の変動は抑制される。
【０００９】
図４は抵抗分割を用いたバイアス回路と抵抗−ダイオード分割を用いたバイアス回路使用時の基準電圧Ｖｒｅｆに対するトランジスタＴＲ１のアイドル電流Ｉｃｑのシミュレーション結果を示す。ここで、アイドル電流Ｉｃｑは、トランジスタＴＲ１の直流動作電流である。
【００１０】
抵抗分割を用いたバイアス回路に比べ、抵抗−ダイオード分割を用いたバイアス回路の方が、制御電圧の変動に対するアイドル電流の変動が小さい。しかしながら、両回路とも、制御電圧Ｖｒｅｆの増加に対して、アイドル電流が単調に増加する傾向があり、アイドル電流を一定にするためには基準電圧Ｖｒｅｆを安定化する回路が必要になる。
【００１１】
また、図５は従来のバイアス回路使用時の温度に対するトランジスタＴＲ１のアイドル電流Ｉｃｑのシミュレーション結果を示す。高温動作時には、トランジスタＴＲ１のオン電圧が低電圧側にシフトする。このとき、抵抗分割によるバイアス回路ではアイドル電流が大幅に増加している。
【００１２】
抵抗−ダイオード分割によるバイアス回路ではトランジスタと同様にダイオードＤ１のオン電圧も低電圧側にシフトする。出力電圧ＶｏｕｔはダイオードＤ１のオン電圧にクリップされるため、高温動作時には出力電圧Ｖｏｕｔが小さくなり、トランジスタＴＲ１のオン電圧のシフトを打ち消して、アイドル電流Ｉｃｑの増加が抑制される。
【００１３】
逆に低温動作時では、トランジスタのオン電圧が高電圧側にシフトするが、抵抗−ダイオード分割によるバイアス回路では、ダイオードＤ１のオン電圧も高電圧側にシフトするので、高温動作時と同様にトランジスタＴＲ１のオン電圧のシフトを打ち消して、アイドル電流Ｉｃｑの減少が抑制される。
【００１４】
通常、ダイオードＤ１はトランジスタＴＲ１よりもデバイスサイズが小さいためにオン電圧のシフト量が完全には一致しないことや、バイアス回路とトランジスタＴＲ１の間に高周波信号分離用のインダクタや抵抗が挿入されることにより、バイアス回路とトランジスタＴＲ１の間で電圧降下が生じることで、アイドル電流の温度依存が残る。
【００１５】
これを改善するために、温度補償用ダイオードと直列に抵抗を挿入し、かつ温度補償用ダイオードにショットキダイオードやトランジスタとは異なる材料のダイオードを用いた構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−６８４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
以上説明したように、従来のバイアス回路の構成では、基準電圧が大きくなると、トランジスタのアイドル電流が大きくなる。このため、アイドル電流を一定に設定しようとする場合、基準電圧を安定化する回路が必要となる。
【００１７】
また、従来のバイアス回路の構成ではアイドル電流が温度によって変動してしまうという問題があった。アイドル電流の温度依存を改善するためにダイオードをトランジスタと異なる特殊な構成にするなど、プロセスが複雑化し、コストの面で不利である。
【００１８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、回路構成を複雑にすることなく、基準電圧や温度の変動に対して安定なバイアス回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明のバイアス回路は、制御端子および出力端子を備えるバイアス回路であって、前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、少なくとも１つの抵抗を有する第１の回路領域と、前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、前記制御端子への印加電圧により前記第１の回路領域の抵抗に流れる電流を変化させる機能を有する第２の回路領域と、を備える。
【００２０】
上記構成によれば、第２の回路領域が動作する電圧（オン電圧）を適切に設定することにより、第１の回路領域の抵抗に流れる電流を制御し、この抵抗の電圧降下を制御できるため、出力電流を制御することができる。したがって、幅広い基準電圧において安定なバイアス回路を実現することができる。
【００２１】
また、本発明のバイアス回路は、制御端子および出力端子を備えるバイアス回路であって、前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、少なくとも１つの抵抗を有する第１の回路領域と、前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、温度により前記第１の回路領域の抵抗に流れる電流を変化させる機能を有する第２の回路領域と、を備える。
【００２２】
上記構成によれば、第２の回路領域のオン電圧を温度に応じて適切に設定することにより、第１の回路領域の抵抗に流れる電流を制御し、この抵抗の電圧降下を制御できるため、出力電流を制御することができる。したがって、温度の変動に対して安定なバイアス回路を実現することができる。
【００２３】
また、本発明のバイアス回路は、前記第１の回路領域の抵抗が、前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、前記第１の回路領域が、一端が前記出力端子に接続され他端が接地される抵抗をさらに有するものである。
【００２４】
また、本発明のバイアス回路は、前記第１の回路領域の抵抗が、前記制御端子と前記出力端子との間に接続され、前記第１の回路領域が、一端が前記出力端子に接続され他端が接地されるダイオードを有するものである。
【００２５】
また、本発明のバイアス回路は、前記第２の回路領域が、アノードが前記制御端子に接続されるダイオードと、ベースが前記ダイオードのカソードに接続され、コレクタが前記出力端子に接続され、エミッタが接地されるトランジスタと、を有するものである。
【００２６】
さらに、本発明のバイアス回路は、前記ダイオードが、ショットキダイオードであるものである。
【００２７】
上記構成によれば、ショットキダイオードの金属を選択することにより、オン電圧を自由に設定できるので、使用するトランジスタのオン電圧よりも低いオン電圧となるショットキダイオードを用いることにより、より低い電圧で第２の回路領域を動作させることができ、より低い電圧まで出力電流の変動を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明のバイアス回路によれば、基準電圧や温度の変動に対して安定なバイアス回路を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（第一の実施形態）
図１は本発明における第一の実施形態によるバイアス回路の構成図である。本発明のバイアス回路は制御端子および出力端子を備え、第１の回路領域と第２の回路領域から構成される。第１の回路領域の第１の端子は制御端子と接続されており、第２の端子は電気的に出力端子と接続される。
【００３０】
第２の回路領域の第１の端子は制御端子と接続されており、第２の端子は前記出力端子と接続される。また、第１の回路領域は少なくとも１つの抵抗Ｒ１を備え、抵抗Ｒ１の一つの端子は前記制御端子に接続される。
【００３１】
制御端子に基準電圧Ｖｒｅｆが印加されると基準電流Ｉｒｅｆが抵抗Ｒ１に流れ込む。抵抗Ｒ１に電流Ｉｒｅｆが流れることにより電圧降下が生じる。この電圧降下量をΔＶとすると、抵抗Ｒ１の第２の端子の電圧Ｖ１はＶｒｅｆ−ΔＶで表される。
【００３２】
電流Ｉｒｅｆの一部は、第１の回路領域で消費され、残りが電流Ｉ１として第１の回路領域の第２の端子に出力される。電流Ｉ１の一部は電流Ｉ２として第２の回路領域に流れ込み、残りの電流はアイドル電流Ｉｏｕｔとして出力端子から出力され、トランジスタに流れ込む。
【００３３】
第２の回路領域は基準電圧Ｖｒｅｆが一定の値よりも大きくなるとオンになり、基準電圧Ｖｒｅｆの値に応じて電流Ｉ２が変化するように設定されている。電流Ｉ２は電流Ｉｒｅｆから供給されるため、第２の回路領域が動作することによって抵抗Ｒ１に流れる電流Ｉｒｅｆを変化させることができる。電流Ｉｒｅｆを制御することが出来れば、抵抗Ｒ１による電圧降下ΔＶおよび電圧Ｖ１、ひいては出力電圧Ｖｏｕｔおよびアイドル電流Ｉｏｕｔも制御することが可能となる。
【００３４】
第２の回路領域がオンになる電圧を適切に設定することによって、幅広い基準電圧においてトランジスタのアイドル電流の変動を改善することが出来る。また、第２の回路領域がオンになる電圧は温度により変動するように設定されており、アイドル電流の温度依存も改善することができる。
【００３５】
上記バイアス回路の具体的な実現方法として、第１の回路領域が従来の抵抗−ダイオード分割によるバイアス回路であり、第２の回路領域がダイオードおよびトランジスタからなる構成について、従来の抵抗分割および抵抗−ダイオード分割によるバイアス回路と比較しながら説明する。トランジスタは全てＩｎＧａＰ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタを用い、ダイオードはＩｎＧａＰ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース−コレクタをショートしたものとして説明する。
【００３６】
図６は本発明の第一の実施形態に係るバイアス回路のひとつの構成例である。図６のバイアス回路は第１の回路領域および第２の回路領域から構成される。第１の回路領域は抵抗Ｒ１およびダイオードＤ１からなり、抵抗Ｒ１の一方の端子が制御端子に接続され、他方の端子がダイオードＤ１のアノードに接続され、ダイオードＤ１のカソードが接地される。抵抗Ｒ１とダイオードＤ１の接続点が出力端子と接続される。
【００３７】
第２の回路領域は、ダイオードＤ２およびトランジスタＴＲ２から構成される。ダイオードＤ２のアノードは制御端子に接続され、ダイオードＤ２のカソードはトランジスタＴＲ２のベースに接続される。トランジスタＴＲ２のエミッタは接地され、トランジスタＴＲ２のコレクタは回路領域の出力端子に接続される。
【００３８】
制御端子に基準電圧Ｖｒｅｆが印加されると基準電流Ｉｒｅｆが抵抗Ｒ１を介して第１の回路領域を構成する回路に入力される。抵抗Ｒ１に電流Ｉｒｅｆが流れることにより電圧降下が生じる。この電圧降下量をΔＶとすると、出力電圧ＶｏｕｔはＶｒｅｆ−ΔＶで表される。電流Ｉｒｅｆの一部は、ダイオードＤ１に流れ込み、残りが電流Ｉ１として出力端子に出力される。電流Ｉ１の一部は電流Ｉ２として第２の回路領域に流れ込み、残りの電流はアイドル電流Ｉｏｕｔとしてトランジスタに流れ込む。
【００３９】
制御端子に印加される基準電圧ＶｒｅｆがダイオードＤ２のオン電圧とトランジスタＴＲ２のオン電圧を合計した値よりも大きくなると、ダイオードＤ２およびトランジスタＴ２がオンになり、バイアス回路の出力端子からトランジスタＴＲ２のコレクタに電流Ｉ２が流れる。
【００４０】
電流Ｉ２は電流Ｉｒｅｆから供給されるため、電流Ｉｒｅｆが増加し、抵抗Ｒ１による電圧降下ΔＶが大きくなる。出力電圧ＶｏｕｔはＶｒｅｆ−ΔＶで表されるので、基準電圧Ｖｒｅｆが第２の回路領域がオンになる電圧よりも高い場合には、電圧Ｖｒｅｆの増加に対してΔＶも増加し、電圧ＶｒｅｆとΔＶが打ち消しあい、出力電圧Ｖｏｕｔの変動が抑制される。
【００４１】
図７は従来のバイアス回路と、本実施形態のバイアス回路使用時の基準電圧Ｖｒｅｆに対するトランジスタのアイドル電流Ｉｃｑのシミュレーション結果を比較した図である。トランジスタおよびダイオードは全てＩｎＧａＰ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いてシミュレーションを行った。抵抗分割や抵抗―ダイオード分割を用いた従来のバイアス回路に比べて、本実施形態のバイアス回路は第２の回路領域がオンになる基準電圧Ｖｒｅｆ＞２．２Ｖにおいて、基準電圧Ｖｒｅｆに対するアイドル電流の変動が改善している。
【００４２】
次に温度に対するアイドル電流の変動について説明する。高温動作時にはトランジスタＴＲ１のオン電圧が低電圧側にシフトする。バイアス回路の出力電圧ＶｏｕｔはダイオードＤ１のオン電圧にクリップされている。高温動作時にはダイオードＤ１のオン電圧も低電圧側にシフトするが、通常トランジスタＴＲ１よりもダイオードＤ１の方がデバイスサイズが小さいため、温度に対するオン電圧のシフト量がトランジスタＴＲ１と異なり、アイドル電流の温度依存をなくすことができない。図５では温度上昇に伴いアイドル電流が増加している。
【００４３】
本実施形態のバイアス回路では高温動作時に、ダイオードＤ２のオン電圧およびトランジスタＴＲ２のオン電圧が低電圧側にシフトする。このとき、ダイオードＤ２およびトランジスタＴＲ２に流れる電流が増加するため、トランジスタＴＲ２のコレクタに流れ込む電流Ｉ２も増加する。電流Ｉ２は電流Ｉｒｅｆから供給されるため、電流Ｉｒｅｆが増加し、抵抗Ｒ１による電圧降下ΔＶが大きくなる。出力電圧ＶｏｕｔはＶｒｅｆ−ΔＶで表されるので、高温時にはＶｏｕｔが小さくなりアイドル電流の増加を抑制することが出来る。
【００４４】
図８は従来のバイアス回路と、本実施形態のバイアス回路使用時の温度に対するトランジスタのアイドル電流Ｉｃｑのシミュレーション結果を比較した図である。抵抗分割や抵抗―ダイオード分割を用いた従来のバイアス回路に比べて、本実施形態のバイアス回路は高温側において、温度に対するアイドル電流の増加が抑制され、温度に対するアイドル電流の変動が改善している。
【００４５】
（第二の実施形態）
本実施形態のバイアス回路は、第２の回路領域のダイオードとしてショットキダイオードを用いたものである。ｐｎ接合を用いたダイオードはｐ層とｎ層の半導体のバンド構造によりオン電圧が決定されるため、半導体材料の変更をしないとオン電圧を変更することが出来ない。これに対し、ショットキダイオードは金属−半導体のショットキ接合を用いており、金属を選択することにより、オン電圧を自由に設定できる。
【００４６】
使用するトランジスタのオン電圧よりも低いオン電圧を有するショットキダイオードを使うことにより、より低い電圧で第２の回路領域をオンにすることができる。本実施形態によれば、より低い電圧までアイドル電流の変動を抑えることが出来る。
【００４７】
上記実施形態ではトランジスタは全てＩｎＧａＰ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタを用い、ダイオードはＩｎＧａＰ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース−コレクタをショートしたものとして説明したが、ドランジスタおよびダイオードはＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＩｎＰ、のいずれかを用いたバイポーラトランジスタもしくはそれらを組み合わせて作成可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いてもでもよい。
【００４８】
上記実施形態では例として第１の回路領域が抵抗−ダイオード分割によるバイアス回路である場合について動作を説明したが、図９ａのように第１の回路領域は抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗分割であってもよい。また、図９ｂ，図９ｃのように、第１の回路領域のダイオードＤ１に対して抵抗Ｒ２を並列もしくは直列に接続してもよい。さらに、図９ｄのように、ダイオードＤ２のアノードと出力端子間に抵抗Ｒ３を接続してもよい。図９ｂ〜図９ｄのように抵抗を挿入することによって温度特性とＶｒｅｆ値の調整が可能であるが、基本的な動作は上記第一の実施形態で説明した構成と同じである。
【００４９】
第２の回路領域に関しても図１０のように制御端子−ダイオードのアノード間の抵抗Ｒ４、トランジスタのエミッタ−グランド間の抵抗Ｒ５、およびバイアス回路の出力端子−トランジスタのコレクタ間の抵抗Ｒ６のすべて、もしくは一部に抵抗を挿入することで電流Ｉ２を調整することが可能であるが、基本的な動作は上記第一の実施形態で説明した構成と同じである。なお、図１１は、図１０におけるダイオードＤ２（バイポーラトランジスタのベース−コレクタをショートしたもの）をダイオード３に置き換えたものである。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態にかかるバイアス回路によれば、第２の回路領域は、基準電圧Ｖｒｅｆが一定の値よりも大きくなるとオンになり、基準電圧Ｖｒｅｆの値に応じて電流Ｉ２が変化するように設定されているため、第２の回路領域が動作することによって抵抗Ｒ１に流れる電流Ｉｒｅｆを変化させることができ、さらに、抵抗Ｒ１による電圧降下ΔＶおよび電圧Ｖ１、しいては出力電圧Ｖｏｕｔおよびアイドル電流Ｉｏｕｔを制御することができる。これによって、幅広い基準電圧や温度範囲においてトランジスタのアイドル電流の変動を改善したバイアス回路を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明にかかるバイアス回路は、回路構成を複雑にすることなく、基準電圧や温度の変動に対して安定なバイアス回路を提供できるという効果を有し、トランジスタのバイアス回路等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第一の実施形態に係るバイアス回路の構成図（１）
【図２】従来の抵抗分割によるバイアス回路の構成図
【図３】従来の抵抗−ダイオード分割を用いたバイアス回路の構成図
【図４】従来のバイアス回路使用時の基準電圧に対するトランジスタのアイドル電流Ｉｃｑのシミュレーション結果を示す図
【図５】従来のバイアス回路使用時の温度に対するトランジスタのアイドル電流のシミュレーション結果を示す図
【図６】本発明の第一の実施形態に係るバイアス回路の構成図（２）
【図７】従来のバイアス回路と、本発明の第一の実施形態に係るバイアス回路使用時の基準電圧Ｖｒｅｆに対するトランジスタのアイドル電流Ｉｃｑのシミュレーション結果を示す図
【図８】従来のバイアス回路と、本発明の第一の実施形態に係るバイアス回路使用時の温度に対するトランジスタのアイドル電流Ｉｃｑのシミュレーション結果を示す図
【図９ａ】本発明の第二の実施形態に係るバイアス回路の構成図（１）
【図９ｂ】本発明の第二の実施形態に係るバイアス回路の構成図（２）
【図９ｃ】本発明の第二の実施形態に係るバイアス回路の構成図（３）
【図９ｄ】本発明の第二の実施形態に係るバイアス回路の構成図（４）
【図１０】本発明の第二の実施形態に係るバイアス回路の構成図（５）
【図１１】本発明の第二の実施形態に係るバイアス回路の構成図（６）
【符号の説明】
【００５３】
Ｒ１〜Ｒ６  抵抗
Ｄ１〜Ｄ２  ダイオード
Ｄ３  ショットキダイオード
ＴＲ１〜ＴＲ２  トランジスタ
Ｉｒｅｆ  Ｒ１を流れる電流
Ｉ１  第１の回路領域から出力される電流
Ｉ２  第２の回路領域に流れ込む電流
Ｉｏｕｔ  バイアス回路の出力電流
ΔＶ  Ｒ１による電圧降下
Ｖｏｕｔ  バイアス回路の出力電圧
Ｖｒｅｆ  基準電圧
【図１】
2007281930.tif 000003
【図２】
2007281930.tif 000004
【図３】
2007281930.tif 000005
【図４】
2007281930.tif 000006
【図５】
2007281930.tif 000007
【図６】
2007281930.tif 000008
【図７】
2007281930.tif 000009
【図８】
2007281930.tif 000010
【図９ａ】
2007281930.tif 000011
【図９ｂ】
2007281930.tif 000012
【図９ｃ】
2007281930.tif 000013
【図９ｄ】
2007281930.tif 000014
【図１０】
2007281930.tif 000015
【図１１】
2007281930.tif 000016