(57)【要約】【課題】導電膜の膜拡がりを抑制して、レーザ光の被照射部のみに導電膜を形成する。【解決手段】少なくとも一部に配線が形成された基板に対し、材料ガスの接触を開始する工程と、上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法によって、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とによって、導電膜の形成を行う。【選択図】図１
2007310310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部に配線が形成された基板に対し、材料ガスの接触を開始する工程と、
上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法によって、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする導電膜の形成方法。
【請求項２】
上記被照射部が、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の配線と、の境界を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜の形成方法。
【請求項３】
上記レーザ光の照射を、
上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第１の導電部材と、の境界を含む、第１の被照射部から、
上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第２の導電部材と、の境界を含む、第２の被照射部まで、
上記被照射部を移動させる走査照射によって行う
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜の形成方法。
【請求項４】
上記材料ガスが、有機金属化合物を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜の形成方法。
【請求項５】
上記材料ガスが、タングステンカルボニル、モリブデンカルカルボニル、クロムカルボニルのうち少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜の形成方法。
【請求項６】
上記基板が、少なくとも上記レーザ光の中心波長において透明な基板である
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜の形成方法。
【請求項７】
少なくとも一部に配線が形成された基板に対して、材料ガスの接触を開始する工程と、
上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法により、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とを有する配線基板の製造方法であって、
上記レーザ光の照射を、
上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第１の配線との境界と、を含む、第１の被照射部から、
上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第２の配線との境界と、を含む、第２の被照射部まで、
上記被照射部を移動させる走査照射によって行うことにより、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に連結する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
配線基板を有する表示装置の製造方法であって、
上記配線基板の製造を、
少なくとも一部に配線が形成された基板に対して、材料ガスの接触を開始する工程と、
上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法により、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とによって行い、
上記レーザ光の照射を、
上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第１の配線と、の境界を含む、第１の被照射部から、
上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第２の配線と、の境界を含む、第２の被照射部まで、
上記被照射部が移動する走査照射によって行うことにより、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に連結する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜の形成方法と、この導電膜によって構成される配線を有する配線基板の製造方法と、この配線基板を有する表示装置の製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体分野、化学分野などにおける研究発展に伴い、有機ＥＬ(Electro Luminescence；エレクトロルミネッセンス)ディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置が開発され、広く知られるようになった。
これらの表示装置、所謂ＦＰＤ(Flat Panel Display)の製造においては、画素に対応してＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）などを含む配線基板が製造される。しかし、この配線基板に欠陥が生じると、最終的に得る表示装置においても、対応する画素で所定の発光がなされなくなってしまう。このため、欠陥の生じた配線基板は表示装置の製造ラインから外すことになるが、これに伴って歩留まりの低下という問題が生じてしまう。
【０００３】
また、近年、ディスプレイ面の大型化に伴い、各ディスプレイパネルの製造時に生じる欠陥の箇所（つまり欠陥率）が増加している。特に、前述したＴＦＴによってアクティブマトリクス型の駆動構造が構成される表示装置においては、信号配線や走査配線、場合によっては電位供給配線までもが存在する為、画素内の配線密度の増大化や画素構造の複雑化も著しい。したがって、欠陥修正の重要性は更に高まる傾向にある。
欠陥修正手法としては、レーザ光照射（レーザリペア）によって配線等の導電部材における短絡箇所を切断する手法のほか、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法によって、導電部材の分離箇所（断線してしまっている箇所）に対し、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ）などの材料による導電膜を形成することにより結線する手法が挙げられる。
【０００４】
しかし、実際には、レーザＣＶＤ法によって導電膜を堆積形成すると、膜の形状が所定のサイズよりも膨らんで（例えば幅広になって）しまい、本来連結されるべきでない他の導電部材（隣接配線等）との間で短絡を生じてしまう。
この問題に対して、スリットサイズを実際のサイズよりも縮小することにより、隣接配線との短絡の回避を図る手法が提案されている（例えば特許文献１参照）。また、成膜時のパージガスとしてヘリウムガスを用いることにより、導電膜の堆積形成時に生じる膜広がりを低減させる手法も提案されている（例えば特許文献２参照）。
しかしながら、特許文献１に記載の手法を用いた場合には、配線幅が必要以上に細くなってしまう為、配線抵抗の上昇につながる等の問題がある。また、特許文献２に記載の手法を用いた場合には、ヘリウムガスが高価であることに伴って生じるランニングコストの上昇を招来してしまう。
【特許文献１】特許第3075229号公報
【特許文献２】特許第3479838号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、所定の位置形状に導電膜を形成する導電膜の形成方法と、この導電膜の形成方法による配線基板の製造方法、及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る導電膜の形成方法は、少なくとも一部に配線が形成された基板に対し、材料ガスの接触を開始する工程と、上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法によって、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る配線基板の製造方法は、少なくとも一部に配線が形成された基板に対して、材料ガスの接触を開始する工程と、上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法により、上記レーザ光の被照射部に配線を形成する工程とを有する配線基板の製造方法であって、上記レーザ光の照射を、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第１の配線との境界と、を含む、第１の被照射部から、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第２の配線との境界と、を含む、第２の被照射部まで、上記被照射部を移動させる走査照射によって行うことにより、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に連結することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る表示装置の製造方法は、配線基板を有する表示装置の製造方法であって、  上記配線基板の製造を、少なくとも一部に配線が形成された基板に対して、材料ガスの接触を開始する工程と、上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法により、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とによって行い、上記レーザ光の照射を、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第１の配線と、の境界を含む、第１の被照射部から、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第２の配線と、の境界を含む、第２の被照射部まで、上記被照射部が移動する走査照射によって行うことにより、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に連結することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る導電膜の形成方法によれば、少なくとも一部に配線が形成された基板に対し、材料ガスの接触を開始する工程と、上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法によって、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とを有することから、導電膜の膜拡がりを抑制して、レーザ光の被照射部のみに導電膜を形成することができる。
【００１０】
本発明に係る配線基板の製造方法によれば、少なくとも一部に配線が形成された基板に対して、材料ガスの接触を開始する工程と、上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法により、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とを有する配線基板の製造方法であって、上記レーザ光の照射を、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第１の配線との境界と、を含む、第１の被照射部から、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第２の配線との境界と、を含む、第２の被照射部まで、上記被照射部を移動させる走査照射によって行うことにより、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に連結することから、導電膜の膜拡がりを抑制して、レーザ光の被照射部のみに導電膜を形成することができる。
【００１１】
本発明に係る表示装置の製造方法によれば、配線基板を有する表示装置の製造方法であって、上記配線基板の製造を、少なくとも一部に配線が形成された基板に対して、材料ガスの接触を開始する工程と、上記基板に対して、パルス幅が２００ピコ秒以下のレーザ光を照射し、上記材料ガスを原料とする化学気相成長法により、上記レーザ光の被照射部に導電膜を形成する工程とによって行い、上記レーザ光の照射を、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第１の配線と、の境界を含む、第１の被照射部から、上記基体表面が露出した領域と、上記基板上の第２の配線と、の境界を含む、第２の被照射部まで、上記被照射部が移動する走査照射によって行うことにより、上記第１の配線と上記第２の配線とを電気的に連結することから、導電膜の膜拡がりを抑制して、レーザ光の被照射部のみに導電膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
なお、本実施形態においては、本発明に係る表示装置の製造方法において中心となる配線基板の製造方法の実施の形態を、本発明に係る導電膜の形成方法の一例として説明する。
【００１３】
まず、本実施形態に係る製造方法に用いて好適な、配線基板の製造装置の構成について説明する。
図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、この製造装置の概略構成図と、製造装置を構成する局所排気装置の概略断面図を示す。
【００１４】
本実施形態において、加工装置１は、少なくとも図１Ａに示すように、パルスレーザ光源部２と、レーザ光による主たる被照射部（加工部）となる局所排気部３を規定する局所排気装置４と、局所排気装置４と共通のチャンバー内に設けられ、かつ最終的に配線基板となる被加工基板６の配置部となる支持台５とを有する。
【００１５】
局所排気装置４には、圧縮した窒素を支持台５に向けて噴射することによって局所排気装置４を静圧浮上させる圧縮ガス供給手段９と、支持台５に向けて噴射された圧縮ガスをリング状の排気流路（吸引溝）１５から排気する排気手段１０と、局所排気部３にパージガス流路１６からパージガスを供給するパージガス供給手段１１と、局所排気部３におけるレーザＣＶＤ（化学気相成長）法の材料ガスとなる材料ガスを流路１７から供給する供給手段１２とが設けられる。
圧縮ガス供給手段１１からの圧縮ガスは、供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路１４及びその開口部に配置された多孔質通気膜１３により、局所排気装置４に対向する支持台５に向けて出射され、所謂静圧浮上パッド構成による浮上がなされる。
【００１６】
一方、局所排気部３は、図１Ｂに示すように、排気流路１５の端部を構成する吸引溝によって囲まれた領域内で、透明窓１８と配線基板６の配置部との間に規定される。この局所排気部３は、局所排気装置４内の透明窓１８から支持台５上に載置された配線基板６までの間で、吸引溝１５が形成する同心環に比して内側に、略円筒状空間として形成されると考えられる。
また、局所排気部３には主に、材料ガス供給手段１２による材料ガスのほか、パージガス供給手段１１によるパージガスが導入され、このパージガスを導入する圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、透明窓１８の表面における異物の付着を抑制することが可能となる。
【００１７】
この局所排気装置４は、支持台５上の配線基板６に対して相対的に変位可能とされ、材料ガス供給手段１２と、パージガス供給手段１１と、排気手段１０とによって、浮上剛性の向上が図られる。
なお、ここで浮上剛性とは、局所排気装置４と配線基板６との間の吸着力であり、この浮上剛性が十分でない場合には、局所排気装置４の配線基板６に対する高さ（ギャップ）の安定性が不十分となるとか、局所排気装置４の機械的もしくは力学的な安定性が不十分になるなどの問題が生じることから、配線基板６の短絡修正作業を通じて浮上剛性を十分に確保しておくことが好ましい。
【００１８】
次に、この配線基板の製造装置１を用いる場合を例として、本実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。
【００１９】
まず、支持台５上に、パルスレーザ光源部２からのレーザ光Ｌの照射対象となる被加工基板６を載置した後、局所排気装置４の下へと移動させる。
このとき、予め圧縮ガス供給手段９によって、所要の圧力、例えば０．２ＭＰａの圧縮窒素を圧縮ガス供給路１４及び多孔質通気膜１３を経て噴射するとともに、排気手段１０からの排気を開始して、局所排気装置４を十分安定して静圧浮上させることによって、移動してきた被加工基板６との衝突回避を図ることが好ましい。
なお、本実施形態において、被加工基板６は、最終的にアクティブマトリクス型のＴＦＴ素子を含む配線基板となるもので、かつ一部に断線を生じてしまっている基板である。具体的には、図２Ａに示すように、ガラスによる基体２１上に、多数の配線２２が形成され、この多数の配線２２の一部が、断線によって第１の配線（第１の導電部材）２３と第２の配線（第２の導電部材）２４とに分離してしまっている状態にあるものである。
【００２０】
続いて、パージガス供給手段１１からアルゴンガスを、所要の流量、例えば５０ｓｃｃｍ導入するとともに、排気手段１０と局所排気部４の主たる圧力調整手段となる局所排気手段（図示せず）によって、最終的に行うレーザ光Ｌの照射における被照射部となる配線基板６の所定位置の雰囲気、すなわち局所排気部３の雰囲気を十分減圧する。同時に、局所排気部３以外すなわち周辺部の圧力の調整を行って、局所排気装置４と配線基板６との間の高さ及び剛性を確保する。最適な高さは、配線基板６の厚さにもよるが、例えば１０μｍ程度に選定することができる。
【００２１】
続いて、局所排気装置４の透明窓１８を通してレーザ照射部を観察しながら、支持台５を移動させて、配線基板６を所望の位置に移動させる。その後、レーザＣＶＤ用の材料ガスである気体状態の有機金属化合物を、材料ガス供給手段１２から、アルゴンガスと共に導して、被加工基板と材料ガスとの接触を開始する。そして、局所排気手段による局所排気部３に対する局所排気を継続しつつ、パルスレーザ光源部２から短パルス幅レーザ光Ｌを配線基板６の所望の位置に向けて出射することにより、レーザＣＶＤ法による導電膜の形成を開始する。
【００２２】
具体的には、例えば図２Ａに示すように、パルス幅が２００ピコ秒（２００ｐｓ）以下の短パルス幅レーザ光の、被加工基板に対する照射を、所定のスキャン速度による走査照射として開始し、ＣＶＤによる導電膜の形成を行う。走査照射は、最終的に１つの配線を構成する、第１の配線（第１の導電部材）２３から、第２の配線（第２の導電部材）２４まで、被照射部を移動させる走査照射を所望の回数だけ往復させて行う。このようにして導電膜２７を形成し、図２Ｂに示すように、第１の配線と第２の配線とを導電膜２７によって連結（結線；回路を接続）する。
【００２３】
なお、この走査照射においては、第１の配線上や第２の配線上を必ずしも含んでいなくともよく、基体表面が露出した領域と各配線との境界を含んで、つまり第１の被照射部２５から第２の被照射部２６まで、第１の配線と第２の配線とを電気的に連続とすることができれば良い。また、断線がごく狭い範囲に限って生じている場合などは、必ずしもスキャンさせなくとも良い。
また、レーザ光のエネルギー密度は、０．２Ｊ／ｃｍ２以下であることが好ましい。これよりも高いエネルギー密度であると、膜拡がりが増加するおそれがあるからである。
また、短パルス幅レーザ光の照射を開始する際には、パルスレーザ光源部２から透過孔１９までの光路の一部（例えばパルスレーザ光源部２とミラー７との間）に設けられるスリット（図示せず）の調整を行うことが好ましい。すなわち、スリットサイズを、被照射部の幅が第１の配線２３や第２の配線２４の幅に略等しくなるように、つまり後述するように隣り合う他の配線２２との間で短絡を生じない程度に調整して、照射を行うことが好ましい。
【００２４】
また、有機金属化合物の中で、好ましい材料としては、Ｗ(ＣＯ)６、Ｍｏ(ＣＯ)６、Ｃｒ(ＣＯ)６、Ｆｅ(ＣＯ)６、Ｎｉ(ＣＯ)６等のカルボニル化合物を挙げることができる。これらのカルボニル化合物は、室温で安定な昇華性の粉末であり危険性が低いためである。本実施形態に係る製造方法で用いているような静圧浮上式の製造装置による場合には、従来の大型チャンバーによる装置と異なり、完全な密閉状態でプロセスを行うことが難しいため、発火性や毒性の問題をより確実に回避することが特に好ましい。
更に、これらのカルボニル化合物中では、低抵抗率を有するＷ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）を有するものが好ましい。これらは高融点金属であるため、カルボニル化合物の安定性がより高い。この中で最も好ましいのは、特に融点及び沸点が高く、再分解の可能性が低いタングステンを有するものである。
【００２５】
本実施形態に係る配線基板の製造方法においては、短パルス幅レーザ光を用いてレーザＣＶＤ法による導電膜形成を行うことにより、被照射部において熱拡散が生じるよりも短い間隔でレーザ光の照射と停止を繰り返すことができるため、熱の拡散やこの拡散に伴って生じる過剰に幅広な導電膜の生成が抑制される。
このように、本実施形態に係る配線基板の製造方法において、得られる導電膜の膜拡がりを抑制できるのは、被照射部における熱拡散距離Ｌｄが１／√τに比例する（τはパルス幅）ため、この比例関係に基づき、短パルス幅のレーザ光を選定して用いているためである。
【００２６】
なお、配線基板の基体２１に用いられる代表的な材料である、無アルカリガラスの波長２５０ｎｍ〜８５０ｎｍにおける光吸収率の測定を行ったところ、図３に示すように、波長３９０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲では、吸収率の変化はほとんどなく（短パルス幅レーザ光の中心波長において透明であり）、更に２５０ｎｍ以上３９０ｎｍ以下の範囲では、短波長になるほど吸収率が増加する傾向が確認された。
また、波長３９０ｎｍの短パルス幅レーザ光（吸収率１．２％）においては、この無アルカリガラスによる基体に対してレーザＣＶＤ法による成膜を行えることが確認できている。
したがって、本実施形態に係る配線基板の製造方法においては、最終的に得る配線基板の下地となる基体が無アルカリガラスである場合や、同様の光学特性を示すガラスである場合には、少なくとも、短パルス幅レーザ光の中心波長が２５０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の範囲であれば、レーザＣＶＤ法による導電膜形成によって、本実施形態に係る製造方法を行うことができると考えられる。
【００２７】
＜実施例＞
本発明の実施例について説明する。
【００２８】
＜第１実施例＞
本発明に係る配線基板の製造方法の、第１実施例について説明する。
まず、レーザ照射位置を局所排気装置４の透明窓１８を通して観察しながら、支持台５を操作して、最終的に配線基板となる被加工基板６の断線箇所がレーザ光の被照射部となるように（つまり結線位置に）移動させた。
次に、波長３９０ｎｍの短パルス幅レーザ光を１ｋＨｚ、０．２Ｊ／ｃｍ２の条件で用い、スリットサイズ５μｍ□、スキャン速度１μｍ／ｓｅｃでレーザ光の照射つまりＣＶＤによる導電膜形成を開始した。最終的に１つの配線を構成する、第１の配線（第１の導電部材）２３から、第２の配線（第２の導電部材）２４まで、つまり被照射部を第１の被照射部２５から第２の被照射部２６まで移動させる走査照射を２往復行い、膜厚約２００ｎｍのタングステンによる導電膜２７を形成して、第１の配線と第２の配線とを結線した。
【００２９】
得られたタングステン膜（導電膜）の抵抗率を測定したところ、１５０Ωｃｍ程度の十分に低い抵抗率であることが確認された。
また、図４Ａに示すように、光学顕微鏡でこの結線膜を観察した結果、膜拡がりが殆ど生じていないことが確認できた。より詳細に膜広がりを測定するために、ＳＥＭ観察によって断面を観察したところ、図４Ｂに示すように、レーザ光のスリットサイズ５μｍに対して導電膜の幅は５．０４μｍ（図中ａ）となっており、片側で０．０２μｍ程度しか拡がりが生じていないことが確認された。レーザエネルギーや照射時間、及び走査の往復回数などを選定することにより、更に低減できるものと考えられる。
【００３０】
これに対し、第１比較例として、従来のレーザ光によるレーザＣＶＤとして、短パルス幅レーザ光ではなく、パルス幅２０ナノ秒（２０ｎｓ）のレーザ光（波長３５５ｎｍ）を、２０ｋＨｚ、０．２Ｗの条件で用い、スリットサイズ５μｍ□、スキャン速度１０μｍ／ｓｅｃでレーザ光の走査照射を行った。
得られたタングステン膜（膜厚約２００ｎｍ）抵抗率は１５０Ωｃｍ程度の低いものであったが、図５Ａに光学顕微鏡による観察結果を示すように、前述した本実施例に係る製造方法によって得た配線基板に比べて膜拡がりが大きいことが確認できた。ＳＥＭによって詳細に測定した結果、図５Ｂに示すように、スリットサイズ５μｍに対して導電膜の幅は９．４μｍ（図中ｂ）であり、実施例１における幅（図中ａ´）よりも、片側でそれぞれ２．２μｍ程度の膜広がりが生じていることが確認できた。
【００３１】
この第１実施例の結果より、前述した本実施例に係る配線基板の製造方法によって、つまり短パルス幅レーザ光を用いたレーザＣＶＤ法によって製造した配線基板では、膜拡がりを低減でき、隣接配線等との間での短絡の発生を抑制できることが明らかとなった。
【００３２】
＜第２実施例＞
本発明に係る配線基板の製造方法の、第２実施例について説明する。
本実施例では、図６Ａに示すような、１組のくし型電極とテスターとを有する実験装置を用いて、本実施形態に係る配線基板の製造方法で用いたレーザＣＶＤにおいて実際に配線同士の短絡が発生する配線ピッチの検証を行った。このくし型電極は、隣接配線が短絡した場合、パッド間で導通が確認される。
まず、図６Ｂに示すように、１組のくし型電極の一部（３本の配線）に対して、ＣＶＤガスを導入しない状態で波長３９０ｎｍ、パルス幅３ピコ秒の短パルス幅レーザを用いて、レーザ照射し配線を断線させた。続いて、ＣＶＤ用の材料ガスを導入し、同様の短パルス幅レーザ光をもちいて、１ｋＨｚ、０．２Ｊ／ｃｍ２の条件で、スリットサイズを配線ギャップに合わせるように所定の値に設定し、スキャン速度１０μｍ／ｓｅｃで、第１の配線３３と第２の配線３４との間を、第１の被照射部３５から第２の被照射部３６まで２往復走査照射させてレーザＣＶＤによる導電膜３７（タングステン膜）の成膜を行い、図６Ｃに示すように、膜厚約２００ｎｍの導電膜で配線３本に対する結線を行った。
【００３３】
このような導電膜形成を、配線ギャップが５μｍから０．５μｍまでの複数種類の被加工基板に対して実験を行った。その結果、本実施形態に係る製造方法において用いた短パルス幅レーザ光によるＣＶＤ法では、０．５μｍという特に狭い配線ギャップを有する被加工基板に対する導電膜形成においても、ショートの発生は確認されなかった。
【００３４】
これに対し、第２比較例として、同様に配線を断線させた被加工基板に対して、波長３５５nm、パルス幅２０ナノ秒のレーザ光をもちいて、２０ｋＨｚ、０．２Ｗの条件で、スリットサイズを配線ギャップに合わせるように所定の値に設定し、スキャン速度１０μｍ／ｓｅｃで、同様に２往復させてレーザ光を走査照射し、レーザＣＶＤ法による導電膜形成を行った。
その結果、配線ギャップが２μｍ以下の場合、隣接する配線との短絡が生じてしまうことが確認できた。
【００３５】
これら第２実施例及び第２比較例において得られた結果を、〔表１〕に整理して示す。なお、〔表１〕において、ピコ秒レーザ抵抗率は、第２実施例に係るパルス幅３ピコ秒の短パルス幅レーザ光を用いて結線を行った配線基板における抵抗率を意味し、ナノ秒レーザ抵抗率は、第２比較例に係るパルス幅２０ナノ秒のレーザ光を用いて結線を行った配線基板における抵抗率を意味する。
〔表１〕の結果からも、前述した本実施例に係る配線基板の製造方法により、つまり短パルス幅レーザ光を用いたレーザＣＶＤ法によって配線基板を製造することにより、本来不要である膜拡がりを低減でき、隣接配線等との間での短絡の発生を抑制できることが明らかとなった。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
なお、前述した比例関係と、第１実施例及び第１比較例の結果とに基づいて、レーザ光のパルス幅と膜拡がり幅の関係についてシミュレーションを行った。結果を図７に示す。
現在のＴＦＴ配線基板における配線ギャップ（配線間の間隔）は、最小で２μｍ程度となっている為、隣り合う配線について個々にレーザＣＶＤ法による結線を行った場合にも短絡が生じることを回避するために、レーザＣＶＤ法によって結線を行うための導電膜の膜拡がりは、各配線の片側で１μｍ以下に抑える（つまり各配線の両脇における配線幅に比した膜拡がりの余剰分を合計２μｍ以下に抑える）ことが好ましいことから、図７の結果より、レーザ光のパルス幅は２００ピコ秒以下に選定することが好ましいと考えられる。
【００３８】
以上の実施の形態及び実施例で説明したように、本実施形態に係る導電膜の形成方法及び配線基板の製造方法によれば、膜拡がりを低減して、つまり膜拡がりに伴う短絡の発生を抑制して、所定の位置形状に導電膜を形成することができる。
すなわち、本実施形態に係る導電膜の形成方法、及び配線基板の製造方法によれば、特に狭い配線ピッチ（隣接配線との間隔）を有する配線基板を製造する場合にも、所望の導電膜（例えば配線；回路ライン）を、安定して、つまり隣接配線との不要な短絡を生じることなく形成することができる。
したがって、本発明によれば、所望の特性を有する表示装置の製造における歩留まりの向上も図られる。
【００３９】
また、本実施形態に係る製造方法によれば、被照射部における熱拡散が抑制されるために、所望の位置に集中的に導電膜の成膜を行えるため、従来に比べて高い成膜速度を得ることも可能となる。
また、本実施形態に係る製造方法によれば、従来のように熱が拡散して（所望の位置以外にも蓄熱によって）導電膜が生じてしまった場合に比べて、導電膜の抵抗も低減されると考えられる。短パルス幅レーザ光を用いない従来の製造方法による場合には、所望の位置の周辺にも熱が拡散してしまうため、所望の位置に所定の熱エネルギーを生じさせるためにはより大きなエネルギーをレーザ光で与える必要があったが、本実施形態に係る製造方法においてはその必要がないため、導電膜の結晶性向上や、導電膜の酸化及び再分解の抑制などが図られると考えられる。
【００４０】
また、本実施形態に係る製造方法によれば、被照射部から離れた位置に導電膜材料が散って降り積もることも抑制できるため、製造後に洗浄を行うことが必須でなくなると考えられる。
また、前述したヘリウムガスを用いる従来技術におけるようなランニングコストの上昇を回避でき、歩留まりの向上も図られることから、表示装置の量産における効率上昇も図られる。
更に、前述した第２実施例における断線処理のようなレーザエッチングを行う際にも、レーザＣＶＤ法に用いた短パルス幅レーザ光を用いることができるため、レーザ光源の兼用によって製造装置の簡略化を図ることも可能となる。この装置を用いて製造を行う場合には、レーザエッチングとレーザＣＶＤで光源を切り替えを行う必要がなくなるため、製造（生産）の速度向上も図られる。
【００４１】
なお、以上の実施の形態の説明で挙げた使用材料及びその量、処理時間及び寸法などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００４２】
例えば、前述の実施形態では、レーザＣＶＤとレーザエッチングとの両方に対して共通のレーザ光源となるパルスレーザ光源部を備えた製造装置を用いる場合を例として説明を行ったが、それぞれ個別にパルスレーザ光源部を２つ用意しても良いし、２つ用意したパルスレーザ光源部の一方が、他方の故障時に代替して用いられるスペアとされた構成とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法の一例において用いるのに好適な、製造装置の一例の構成を示す概略構成図と、その要部となる局所排気装置の構成を示す概略底面図である。
【図２】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法の一例における、導電膜形成前の被加工基板と、導電膜形成後の被加工基板とを示す概略上面図である。
【図３】本発明に係る配線基板の製造方法の説明に供する、基体の光吸収率を示す模式図である。
【図４】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法の一例によって製造した配線基板の一例を示す、光学顕微鏡写真とＳＥＭ写真である。
【図５】Ａ，Ｂ  それぞれ、従来の配線基板の製造方法によって製造した配線基板の、光学顕微鏡写真とＳＥＭ写真である。
【図６】Ａ〜Ｃ  それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法の他の例の説明に供する、被加工基板の一例と、その導電膜形成前の要部の拡大図と、導電膜形成後の要部の拡大図である。
【図７】本発明に係る配線基板の製造方法の一例の説明に供する、レーザ光と膜拡がり幅とのシミュレーション結果である。
【図８】Ａ，Ｂ  それぞれ、従来技術による導電膜形成の説明に供する概略上面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１・・・配線基板の製造装置、２・・・パルスレーザ光源部、３・・・局所排気部、４・・・局所排気装置、５・・・支持台、６・・・配線基板（被加工基板）、７・・・ミラー、８・・・レンズ、９・・・圧縮ガス供給手段、１０・・・排気手段、１１・・・パージガス供給手段、１２・・・材料ガス供給手段、１３・・・多孔質通気膜、１４・・・圧縮ガス供給路、１５・・・排気流路（吸引溝）、１６・・・パージガス流路、１７・・・材料ガス流路、１８・・・透明窓、１９・・・透過孔、２１，３１・・・基体、２２・・・配線、２３，３３・・・第１の配線（第１の導電部材）、２４，３４・・・第２の配線（第２の導電部材）、２５，３５・・・第１の被照射部、２６，３６・・・第２の被照射部、２７，３７・・・導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図４】
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【図５】
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