(57)【要約】【課題】レーザ素子ウエハバーとスペーサを交互に薄膜処理ホルダに整列作業または分離作業がの作業時間が短縮されるレーザ素子ウエハバーの整列・分離装置を構成する。【解決手段】レーザ素子ウエハバーとスペーサを整列する薄膜処理ホルダと、スペーサを配置するスペーサトレイと、レーザ素子ウエハバーを配置するウエハバートレイと、薄膜処理ホルダ、スペーサトレイ及びウエハバートレイを配置する作業テーブルと、スペーサ吸着口、ウエハバー吸着口を備え、スペーサ吸着口およびウエハバー吸着口の背後にはそれぞれ独立した吸着空間を有し、それぞれの吸着空間はレーザ素子ウエハバーまたはスペーサの吸着時に個別に減圧状態とし、切り放し時には減圧状態を個別に解消するように制御する吸着制御手段を有した吸着コレットとを備え、スペーサは、吸着コレットのウエハバー吸着口に対向する位置に開口部を設けた形状に形成した。【選択図】図４
2007281390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子の薄膜処理前にレーザ素子ウエハバーとスペーサを交互に配列して薄膜処理ホルダに整列配置し、薄膜処理後に上記薄膜処理ホルダから上記レーザ素子ウエハバーと上記スペーサを分離して取り出す半導体レーザ素子の整列・分離装置において、上記レーザ素子ウエハバーと上記スペーサを整列配置する薄膜処理ホルダと、上記スペーサが配置されたスペーサトレイと、上記レーザ素子ウエハバーが配置されたウエハバートレイと、上記薄膜処理ホルダ、上記スペーサトレイおよび上記ウエハバートレイを配置する作業テーブルと、上記スペーサを吸着するスペーサ吸着口、上記レーザ素子ウエハバーを吸着するウエハバー吸着口を有し、上記スペーサ吸着口およびウエハバー吸着口のそれぞれの背後に独立した空間を備え、それぞれの空間はレーザ素子ウエハバーまたはスペーサの吸着時には個別に減圧状態とし、切り放し時には減圧状態を解消するように吸着制御手段により制御される吸着コレットと、該吸着コレットを上記スペーサトレイ、上記ウエハバートレイおよび薄膜処理ホルダの相互間を移動する移動機構を備え、上記スペーサは、上記吸着コレットの上記ウエハバー吸着口に対向する位置に開口部を設けた形状に形成し、  上記半導体レーザ素子の薄膜処理前の整列動作は、上記スペーサトレイから一片のスペーサ、上記ウエハバートレイから一片のレーザ素子ウエハバーを上記吸着コレットにより吸着し、上記薄膜処理ホルダの整列位置に移動して上記スペーサとレーザ素子ウエハバーを同時に切り放すことにより上記薄膜処理ホルダに整列配置し、上記半導体レーザ素子の薄膜処理後には、上記吸着コレットにより、上記薄膜処理ホルダからスペーサおよびレーザ素子ウエハバーの各一片を同時に吸着し、吸着コレットを上記ウエハバートレイの位置に移動してレーザ素子ウエハバーを切り放し、吸着コレットをスペーサトレイの位置に移動してスペーサを切り放してレーザ素子ウエハバーとスペーサを分離することを特徴とする半導体レーザ素子の整列・分離装置。
【請求項２】
上記作業テーブルは、傾斜角度調整機構を備え、適正な傾斜角度に調整するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子の整列・分離装置。
【請求項３】
上記吸着コレットは、上記レーザ素子ウエハバー切り放し時には上記ウエハバー吸着口の背後空間の減圧状態を解消して加圧空気を送気し、上記スペーサの切り放し時には上記スペーサ吸着口の背後空間の減圧状態を解消して加圧空気を送気するように制御することを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体レーザ素子の整列・分離装置。
【請求項４】
上記吸着コレットは、吸着面の片側にウエハバー吸着口、その反対側にスペーサ吸着口を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ素子の整列・分離装置。
【請求項５】
上記吸着コレットは、上記ウエハバー吸着口および上記スペーサ吸着口に、吸着口内側から吸着面より突出するように押出片を装着したことを特徴とする請求項１、請求項２または請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ素子の整列・分離装置。
【請求項６】
上記薄膜処理ホルダは、四角形の一辺が解放されたコの字形のホルダ部材と、該ホルダ部材の開放辺の両外側面に係止し、整列された上記レーザ素子ウエハバーおよび上記スペーサに押圧力を与える押圧部材とで構成したことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ素子の整列・分離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザ素子の製造過程において、半導体レーザ素子の素材のレーザ素子ウエハが複数個連なった状態のレーザ素子ウエハバーを薄膜処理ホルダに整列配置し、薄膜処理後に薄膜処理されたレーザ素子ウエハバーとスペーサとを薄膜処理ホルダから取り出して分離する半導体レーザ素子の整列・分離装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子は、角形に形成されたレーザ素子ウエハの一方の端面（劈開面）には発光薄膜が処理され、これに対向する他方の端面（劈開面）には反射薄膜が処理される。
半導体レーザ素子の素材のレーザ素子ウエハは、例えば、図１０に示すように、半導体ウエハ１の表面に多数のレーザ素子ウエハ１０ａのパターンを格子状に画き、画かれた格子状パターンの１列ごとに劈開し、複数のレーザ素子ウエハ１０ａが一列に連なった短冊状に分離してレーザ素子ウエハバー１０を作製し、レーザ素子ウエハバー１０の一方の劈開面に発光薄膜、対向する反対側の他方の劈開面に反射薄膜を処理する薄膜処理を行い、その後に、半導体レーザ素子に分離する製法が採られる。
【０００３】
レーザ素子ウエハバー１０の薄膜処理前には、レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を交互に配列して、薄膜処理する劈開面が上下に露出する状態で薄膜処理ホルダに整列配置し、レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を整列配置した薄膜処理ホルダを薄膜処理槽にて薄膜処理し、薄膜処理後は、薄膜処理槽から薄膜処理ホルダを取り出し、レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１に分離される。
【０００４】
レーザ素子ウエハバーとスペーサを交互に整列配置する装置は、特許文献１に示されている。この装置は、特許文献１の図１に示された薄膜処理ホルダにレーザ素子ウエハバーとスペーサとを交互に配置する自動整列装置であり、薄膜処理ホルダを配置するテーブルを備えたホルダ装置と、レーザ素子ウエハバーおよびスペーサを整列配置したトレイを配置するトレイ装置と、トレイ装置上のトレイのレーザ素子ウエハバーとスペーサをホルダ装置のテーブル上に配置した薄膜処理ホルダに整列配置するコレット装置を備えている。
【０００５】
この装置では、ホルダ装置のテーブル上に配置された薄膜処理ホルダを水平に対する角度θを２０〜７０度の範囲の適正角度に調整し、トレイ装置のトレイは、ホルダ装置上の薄膜処理ホルダの角度θに対して９０度の方向または同一方向に設定し、コレット装置によりウエハバートレイ上のレーザ素子ウエハバーおよびスペーサトレイ上のスペーサを交互にホルダ装置のテーブル上の薄膜処理ホルダ設置位置に整列配置するものである。
【０００６】
【特許文献１】特許２００１−０７７４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１に開示された半導体レーザ素子とスペーサの整列装置は、コレット装置によりウエハバートレイ上のレーザ素子ウエハバーおよびスペーサトレイ上のスペーサを交互にホルダ装置のテーブル上の薄膜処理ホルダの位置に移動して整列配置するものであり、コレット装置は、ウエハバートレイ上のレーザ素子ウエハバーまたはスペーサトレイ上のスペーサを吸着したときに、ホルダ装置テーブル上の薄膜処理ホルダの傾斜角度に合わせて吸着し、トレイから薄膜処理ホルダ上に移動して切り放すように構成されている。
この装置はレーザ素子ウエハバーまたはスペーサをそれぞれ一片づつ吸着してウエハバートレイまたはスペーサトレイの配置位置に移動し整列するので、吸着コレットの移動距離が長く整列時間が長くなる問題点があった。
また、薄膜処理後にレーザ素子ウエハバーとスペーサを分離する方法は示されていないが、整列する場合の逆動作により分離されるものと推定されるので、分離動作の時間も長くなる問題点がある。
【０００８】
この発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、レーザ素子ウエハバーとスペーサを交互に薄膜処理ホルダに整列する整列動作および薄膜処理後の分離動作が効率よく行える作業時間が短縮されるレーザ素子ウエハバーの整列・分離装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る半導体レーザ素子の整列・分離装置は、レーザ素子ウエハバーとスペーサを整列する薄膜処理ホルダと、スペーサが配置されたスペーサトレイと、レーザ素子ウエハバーが配置されたウエハバートレイと、薄膜処理ホルダ、スペーサトレイおよびウエハバートレイを配置する作業テーブルと、スペーサを吸着するスペーサ吸着口、レーザ素子ウエハバーを吸着するウエハバー吸着口を備え、スペーサ吸着口およびウエハバー吸着口の背後にはそれぞれ独立した吸着空間を有し、それぞれの吸着空間はスペーサまたはレーザ素子ウエハバーの吸着時に個別に減圧状態とし、切り放し時には減圧状態を個別に解消するように制御する吸着制御手段を有した吸着コレットとを備え、スペーサは、吸着コレットのウエハバー吸着口に対向する位置に開口部を設けた形状に形成したものである。
半導体レーザ素子の薄膜処理前の整列動作は、吸着コレットにより、スペーサトレイから一片のスペーサ、ウエハバートレイから一片のレーザ素子ウエハバーをそれぞれ吸着し、スペーサとレーザ素子ウエハバーの各一片が同時に吸着された状態で薄膜処理ホルダの位置に移動し切り放して薄膜処理ホルダに整列配置する。
レーザ素子ウエハバーの薄膜処理後には、レーザ素子ウエハバーおよびスペーサを薄膜処理ホルダを作業テーブル上に設置し、吸着コレットにより、薄膜処理ホルダからスペーサ、レーザ素子ウエハバーの各一片を同時に吸着し、吸着コレットをウエハバートレイの位置に移動してレーザ素子ウエハバーを切り放し、吸着コレットをスペーサトレイの位置に移動してスペーサを切り放すように動作するものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明の係る半導体レーザ素子の薄膜処理前後の整列・分離装置は、半導体レーザ素子の薄膜処理前の整列動作時は、吸着コレットにスペーサとレーザ素子ウエハバーを同時に吸着して薄膜処理ホルダに整列配置し、半導体レーザ素子の薄膜処理後の分離動作時は、薄膜処理ホルダからスペーサおよびレーザ素子ウエハバーの各一片を同時に吸着し、ウエハバートレイにレーザ素子ウエハバーを配置し、スペーサトレイにスペーサを配置するように構成したことにより、整列配置動作は、吸着コレットが薄膜処理ホルダ、スペーサトレイ、ウエハバートレイの各配置位置相互間を移動する動作となり、従来の吸着コレットを薄膜処理ホルダとスペーサトレイとの間および薄膜処理ホルダとウエハバートレイとの間をそれぞれ移動するのに対して、吸着コレットの移動距離が短くなり整列配置の作業時間が短くなる。
薄膜処理後の分離動作は、整列配置動作の逆動作となり、分離動作は整列配置時の逆動作となり、整列配置時と同様に整列配置の作業時間も短くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態１．
半導体レーザ素子は、従来の技術欄で図１０により説明したように、半導体ウエハ１の表面に多数のレーザ素子ウエハ１０ａのパターンを格子状に画き、画かれた格子状パターンの１列ごとに劈開し、複数のレーザ素子ウエハが一列に連なった短冊状に分離して図１０に示すレーザ素子ウエハバー１０を作製し、一方の劈開面に発光薄膜が処理され、対向する他方の劈開面に反射薄膜を処理するものである。
薄膜処理は、図１に示すレーザ素子ウエハバー１０と図２に示すスペーサ１１を交互に整列してレーザ素子ウエハバー１０の劈開面が露出する状態に整列配置する。
スペーサ１１は、材料を例えばステンレス等の薄板を用いてレーザ素子ウエハバー１０と重ねて吸着できるように図２に示すとおり開口部１１ａを設けている。
スペーサ１１の長さＬｓは、レーザ素子ウエハバーの長さＬｕよりも少し長くＬｕ＜Ｌｓとなるように形成し、スペーサ幅Ｗｓはレーザ素子ウエハバー巾Ｗｕよりも小さくＷｕ＞Ｌｓとなるように形成している。
レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を交互にして整列した状態では図３のようにレーザ素子ウエハバー１０がスペーサ１１の端面よりも少し突出した状態になる。
【００１２】
図４はレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を交互にして薄膜処理ホルダに整列配置し、薄膜処理ホルダからレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を分離する半導体レーザ素子の整列・分離装置の構成図である。レーザ素子ウエハバー１０、スペーサバー１１は、図４に示す整列・分離装置により薄膜処理ホルダ枠５１に整列配置する。
図４の整列・分離装置は、作業テーブル２０の上面の所定の位置に、スペーサトレイ３１を配置するスペーサトレイガイド２１ａ、ウエハバートレイ３２を配置するウエハバートレイガイド２１ｂおよび薄膜処理ホルダ５０の薄膜処理ホルダ枠５１を配置する薄膜処理ホルダガイド２１ｃを設け、整列配置時には、スペーサ１１が整列配置されたスペーサトレイ３１、レーザ素子ウエハバー１０が整列配置されたウエハバートレイ３２および薄膜処理ホルダ枠５１をそれぞれ所定に位置に設置する。
【００１３】
作業テーブル２０は、任意の傾斜角度に調整できるように傾斜角度調整機構２２を備え、その傾斜角度は、レーザ素子ウエハバー１０、スペーサバー１１を整列配置するときに、スペーサトレイ３１に整列されたスペーサバー１１あるいはウエハバートレイ３２に整列されたレーザ素子ウエハバー１０が倒れない角度に調整する。
【００１４】
スペーサ１１およびレーザ素子ウエハバー１０の移動は、移動機構６０により行う。移動機構６０は操作アーム６１を備え、操作アーム６１の先端部に吸着コレット４０を装備し、吸着コレット４０でスペーサトレイ３１からスペーサ１１を吸着し、ウエハバートレイ３２からレーザ素子ウエハバー１０を吸着して、薄膜処理ホルダ枠５１の位置に移動して切り放せるように構成されている。
【００１５】
吸着コレット４０は図５に示すように構成している。図５（ａ）は正面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ部の断面図、図５（ｃ）は図５（ｂ）のＢ−Ｂ部の断面図である。吸着コレット４０は箱形に形成された前面が吸着面であり、図５（ａ）に示すように、中心位置にスペーサ吸着口４１ｓ、その両側に所定の間隔を置いて一対のウエハバー吸着口４１ｕを孔設し、スペーサ吸着口４１ｓの背後にスペーサ吸着空間４２ｓを形成して空圧制御ホース接続口４３ｓを設けている。一対のウエハバー吸着口４１ｕの背後に一対のウエハバー吸着空間４２ｕを形成してそれぞれ空圧制御ホース接続口４３ｕを設けている。
吸着コレット４０のウエハバー吸着空間４２ｕおよびスペーサ吸着空間４２ｓの減圧状態にする制御は図示していない吸着制御手段により行う。
【００１６】
レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を整列する薄膜処理ホルダ５０は図６に示す。この構成は、四辺形の一片が開放したコの字型に形成された薄膜処理ホルダ枠５１と、整列されたレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１に押圧力を与えて固定する押圧部材５２からなり、押圧部材５２は、薄膜処理ホルダ枠５１の解放側に係止できるように形成した係止片５２ａと、押圧片５２ｂと、押圧ばね５２ｃ、ねじ込むことにより押圧力を与える加圧ねじ５２ｄとで構成している。
【００１７】
次に、レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を薄膜処理ホルダ５０に整列配置する動作について説明する。
整列配置の準備として、作業テーブル２０上のスペーサトレイガイド２１ａにスペーサ１１が整列配置したスペーサトレイ３１、ウエハトレイガイド２１ｂにレーザ素子ウエハバー１０を整列配置したウエハバートレイ３２、および薄膜処理ホルダガイド２１ｃに薄膜処理ホルダ枠５１をそれぞれ装着する。
【００１８】
吸着コレット４０は、スペーサトレイ３１の位置に移動してスペーサ吸着空間４２ｓ内を減圧状態としてスペーサ１１を吸着し、スペーサ吸着空間４２ｓ内の減圧状態を維持してウエハバートレイ３２の位置に移動し、ウエハバー吸着空間４２ｕ内を減圧状態としてレーザ素子ウエハバー１０を吸着し、ウエハバー吸着空間４２ｕ内およびスペーサ吸着空間４２ｓ内の減圧状態を維持して薄膜処理ホルダ枠５１の整列配置位置に移動し、ウエハバー吸着空間４２ｕ内およびスペーサ吸着空間４２ｓ内の減圧状態を解消すると、レーザウエハバー１０およびスペーサ１１が同時に薄膜処理ホルダ枠５１の所定に位置に整列配置される。この動作を繰り返してレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１の整列配置を行う。薄膜処理ホルダ枠５１に所定数のレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１が整列配置されると、薄膜処理ホルダ枠５１に押圧部材５２を装着してレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を薄膜処理ホルダ５０に固定された状態となる。
【００１９】
次に、薄膜処理後に薄膜処理ホルダ５０からレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を取り出し分離する動作について説明する。
分離動作の準備作業として、薄膜処理ホルダ５０を作業テーブル２０の薄膜処理ホルダガイド２１ｃに装着し、薄膜処理ホルダ５０の押圧部材５２を取り外す。スペーサトレイ３１をスペーサトレイガイド２１ａに、ウエハバートレイ３２をウエハバートレイガイド２１ｂにそれぞれ装着する。
【００２０】
分離動作は、上記整列配置動作の逆手順の動作となる。その動作は、吸着コレット４０を薄膜処理ホルダ枠５１のレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１の位置に移動し、ウエハバー吸着空間４２ｕ内およびスペーサ吸着空間４２ｓ内の減圧状態としてレーザ素子ウエハバー１０およびスペーサ１１を同時に吸着する。吸着コレット４０をウエハトレイ３２の位置に移動してウエハバー吸着空間４２ｕ内の減圧状態を解消してレーザ素子ウエハバー１０をウエハバートレイ３２に整列配置し、続いて吸着コレット４０をスペーサトレイ３１の位置に移動してスペーサ吸着空間４２ｓ内の減圧状態を解消してスペーサ１１をスペーサトレイに整列配置する。この動作を繰り返してレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１の分離動作を行う。
【００２１】
吸着コレットをレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を同時に吸着できるように構成したことにより、整列動作時、分離動作時の吸着コレットの移動距離が短くなり整列配置および分離の作業時間が短くなる。
【００２２】
また、図４のように構成された半導体レーザ素子の整列・分離装置は、作業テーブル２０を傾斜状態としたことにより、薄膜処理ホルダ枠５１、スペーサトレイ３１、ウエハバートレイ３２が傾斜状態となり、整列配置動作時および分離動作時に、薄膜処理ホルダ枠５１、スペーサトレイ３１、ウエハバートレイ３２に残っているレーザ素子ウエハバー１０、スペーサ１１の転倒することがなくなり整列状態が維持されて円滑な整列配置または分離動作を行うことができる。
【００２３】
実施の形態２．
実施の形態１では、吸着コレット４０は、ウエハバー吸着空間４２ｕおよびスペーサ吸着空間４２ｓが減圧状態で吸着し、減圧状態を解消するとレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１は切り放されるとして構成しているが、吸着コレット４０の吸着面とスペーサ１１の表面状態が良好な平面に形成されていると、切り放し時に吸着コレット４０の吸着空間４２ｕ、４３ｓの減圧状態を解消しても、吸着コレット４０の吸着面とスペーサ表面との間に空気が入りにくい状態のため、切り放しのタイミングが遅れる問題点がある。
実施の形態２は、吸着コレット４０からレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１がタイミングよく確実に切り放される構成としたものである。
【００２４】
実施の形態２は、実施の形態１の図５に示す吸着コレット４０のスペーサ吸着口４１ｓにスペーサ１１が吸着され、ウエハバー吸着口４１ｕにスペーサ１１の開口部１１ａを介してレーザ素子ウエハバー１０が吸着された状態で、薄膜処理枠５１の所定の位置においてレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を切り放すときに、吸着コレット４０のスペーサ吸着空間４２ｓおよびウエハバー吸着空間４２ｕ内の減圧状態を解消すると同時に、加圧空気を送気するように図示していない吸着制御手段により制御する。
【００２５】
このように、レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を切り放すときに、吸着空間の減圧状態を解消すると同時に、加圧空気を送気するように制御することにより、薄膜処理枠５１にレーザ素子ウエハバー１０およびスペーサ１１がタイミングよく確実に切り放されて整列配置される。
【００２６】
実施の形態３．
実施の形態１では、吸着コレット４０からレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１を切り放すときにウエハバー吸着空間４２ｕおよびスペーサ吸着空間４２ｓの減圧状態を解消することで切り放す構成としているが、この構成のレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１１切り放しが確実に行われないことがある問題点に対して、実施の形態３は、吸着コレットのウエハバー吸着口およびスペーサ吸着口に、減圧状態でないときには吸着面より突出する押圧片を設けたものである。
【００２７】
実施の形態３の吸着コレットの構成を図７に示す。図７（ａ）は正面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ部の断面図、図７（ｃ）は図７（ｂ）のＤ−Ｄ部の断面図である。吸着コレット７０は箱形に形成された前面が吸着面であり、図７（ａ）に示すように、中心位置にスペーサ吸着口７１ｓ、その両側に所定の間隔を置いて一対のウエハバー吸着口７１ｕを孔設し、スペーサ吸着口７１ｓの背後にスペーサ吸着空間７２ｓを形成して空圧制御ホース接続口７３ｓを設けている。一対のウエハバー吸着口７１ｕの背後には一対のウエハバー吸着空間７２ｕを形成し、それぞれ空圧制御ホース接続口７３ｕを設け、スペーサ吸着口７１ｓおよびウエハ吸着口７１ｕに減圧状態でないときには吸着面より突出する押圧片を７５を設けている。この構成は実施の形態１の図５に示す吸着コレット４０の構成とは押出片７５を設けた以外は同一である。
【００２８】
図７の構成において、ウエハバー吸着口７１ｕおよびスペーサ吸着口７１ｓに設けた押出片７５は、板状ばね材を短冊形として弓状に形成し、吸着空間が大気圧状態では吸着面より突出しており、レーザ素子ウエハバー１０またはスペーサ１１を吸着したときには、押出片７５はウエハバー吸着空間７２ｕ側またはスペーサ吸着空間７２ｓ側に入り込んだ状態となり、ウエハバー吸着空間７２ｕまたはスペーサ吸着空間７２ｓの減圧状態が解消されると、押出片７５が突出してレーザ素子ウエハバー１０またはスペーサ１１を押し出し、確実に切り放しができるものである。
【００２９】
このように構成すると、スペーサ吸着空間７２ｓおよびウエハバー吸着空間７２ｕ内の減圧状態を解消するのみで、レーザ素子ウエハバー１０またはスペーサ１１がタイミングよく確実に切り放されるようになる。
【００３０】
実施の形態４．
実施の形態１〜３では、吸着コレットの構成を中心部にスペーサ吸着口、その両側に間隔を置いて一対のウエハ吸着口を設けた構成としたが、実施の形態４では、吸着コレットの左右にウエハバー吸着口とスペーサ吸着口を設けて吸着コレットを簡素化したものである。実施の形態４の吸着コレットの構成を図８に示す。図８（ａ）は正面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ部の断面図である。吸着コレット８０は箱形に形成された前面が吸着面であり、図８（ａ）に示すように、吸着面の右側にスペーサ吸着口８１ｓ、左側にウエハバー吸着口８１ｕを孔設し、スペーサ吸着口８１ｓの背後にスペーサ吸着空間８２ｓを形成し空圧制御ホース接続口８３ｓを設け、ウエハバー吸着口８１ｕの背後にウエハバー吸着空間８２ｕを形成し空圧制御ホース接続口８３ｕを設けている。
【００３１】
実施の形態４におけるスペーサ１２は、材料は実施の形態１〜３の場合と同様に、例えばステンレス等の薄板を用いてレーザ素子ウエハバー１０と重ねて吸着できるように図９に示すとおり吸着コレット８０のウエハバー吸着口８１ｕに対向する位置に開口部１２ａを設けている。
【００３２】
次に、図８の構成において、レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１２を吸着する場合の動作について説明する。
整列配置する場合は、実施の形態１と同様に、図１の半導体レーザ素子の整列・分離装置の作業テーブル２０上のスペーサトレイガイド２１ａにスペーサ１２を整列配置したスペーサトレイ３１、ウエハトレイガイド２１ｂにレーザ素子ウエハバー１０を整列配置したウエハトレイ３２、および薄膜処理ホルダガイド２１ｃに薄膜処理ホルダ枠５１をそれぞれ装着する。
【００３３】
吸着コレット８０は、スペーサトレイ３１の位置に移動してスペーサ吸着空間８２ｓ内を減圧状態としてスペーサ１２を吸着し、スペーサ吸着空間８２ｓ内の減圧状態を維持してウエハバートレイ３２の位置に移動し、ウエハバー吸着空間８２ｕ内を減圧状態としてレーザ素子ウエハバー１０を吸着し、ウエハバー吸着空間８２ｕ内およびスペーサ吸着空間８２ｓ内の減圧状態を維持して薄膜処理ホルダ枠５１の整列配置位置に移動し、ウエハバー吸着空間８２ｕ内およびスペーサ吸着空間８２ｓ内の減圧状態を解消すると、レーザウエハバー１０およびスペーサ１２が同時に薄膜処理ホルダ枠５１の所定に位置に整列配置される。この動作を繰り返してレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１２の整列配置を行う。薄膜処理ホルダ枠５１に所定数のレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１２が整列配置されると、薄膜処理ホルダ枠５１に押圧部材５２を装着してレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１２を薄膜処理ホルダ５０に固定された状態となる。
【００３４】
薄膜処理されたレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１２とを薄膜処理ホルダ５０からレーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１２を取り出し分離する動作は、レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１２を整列配置する場合の動作の逆動作を行うことにより分離することができる。
【００３５】
このように構成すると、吸着コレット８０は、実施の形態１のコレット４０よりも吸着空間の数が少なくなって構造が簡単になり、スペーサ１２の吸着孔１２ａが１箇所でよくなり、半導体レーザ素子の整列・分離装置の構成が簡素化される。
【００３６】
この構成においても、実施の形態２の場合と同様に、吸着コレット８０のスペーサ吸着空間８２ｓおよびウエハバー吸着空間８２ｕ内の減圧状態を解消すると同時に、加圧空気を送気するように構成すると、レーザ素子ウエハバー１０とスペーサ１２を切り放すときに、タイミングよく確実に切り放されて整列配置時間が短縮され、整列時間または分離時間が短くなる。
【００３７】
また、実施の形態３と同様に、ウエハバー吸着口８１ｕおよびスペーサ吸着口８２ｓに押圧片７５を設けると、ウエハバー吸着空間８２ｕおよびスペーサ吸着空間８２ｓの減圧状態の解消のみで、レーザ素子ウエハバー１０およびスペーサ１２が吸着コレット８０からタイミングよく確実に切り放すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】整列配置するレーザ素子ウエハバーの形状を示す図である。
【図２】整列配置するスペーサの形状を示す図である。
【図３】レーザ素子ウエハバーとスペーサの整列配置した状態を示す図である。
【図４】レーザ素子ウエハバーとスペーサを薄膜処理ホルダに整列し、薄膜処理ホルダから分離する半導体レーザ素子の整列・分離装置の構成図である。
【図５】吸着コレットの構成図である。
【図６】薄膜処理ホルダの構成図である。
【図７】図４とは異なる吸着コレットの構成図である。
【図８】図４、図７とは異なる吸着コレットの構成図である。
【図９】図８の吸着コレットを使用する場合のスペーサの形状を示す図である。
【図１０】半導体ウエハからレーザ素子ウエハバーの切り出し説明図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  レーザ素子ウエハバー、１１  スペーサ、１２  スペーサ、
２０  作業テーブル、２１  作業テーブル架台、２２  傾斜角度調整機構、
３１  スペーサトレイ、３２  ウエハトレイ、４０  吸着コレット、
４１ｕ  ウエハバー吸着口、４１ｓ  スペーサ吸着口、４２ｕ  ウエハバー吸着空間、
４２ｓ  スペーサ吸着空間、５０  薄膜処理ホルダ、５１  薄膜処理ホルダ枠、
５２  押圧部材、６０  移動機構、移動機構アーム、７０  吸着コレット、
７１ｕ  ウエハバー吸着口、７１ｓ  スペーサ吸着口、７２ｕ  ウエハバー吸着空間、
７２ｓ  スペーサ吸着空間、８０  吸着コレット、８１ｕ  ウエハバー吸着口、
８１ｓ  スペーサ吸着口、８２ｕ  ウエハバー吸着空間、８２ｓ  スペーサ吸着空間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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