(57)【要約】【課題】  実使用に近い状態で出力信号の周波数を測定可能な高周波モジュールの親基板，その周波数調整方法及びその製造方法を提供する。【解決手段】  親基板１は切断ラインＬ１〜Ｌ４で切断可能な複数の子基板２を有する。各高周波モジュール２０は、各子基板２毎に構成され、発振器２１と増幅器２２とを有する。各高周波モジュール２０の信号出力端子２７には、接地されたチップ抵抗器４が接続されている。チップ抵抗器４の入力インピーダンスは各子基板２が実装されるマザーボードの負荷インピーダンスとほぼ同値に設定されている。かかる構成により、各高周波モジュール２０を動作させると、その出力信号Ｓがチップ抵抗器４から電波となって放射される。この電波を測定器で受信して周波数を測定し、その測定値に基づいて、高周波モジュール２０の出力信号Ｓの周波数を調整することができる。【選択図】図１
2007042888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも発振器を有する高周波モジュールが各子基板毎に構成され、これら複数の子基板同士が切断可能に連結されて成る高周波モジュールの親基板であって、
上記各高周波モジュールの信号出力端子に、各子基板が実装されるマザーボードの負荷インピーダンスとほぼ同値の入力インピーダンスを有した終端素子を備える、
ことを特徴とする高周波モジュールの親基板。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波モジュールの親基板において、
上記終端素子は、上記信号出力端子とグランドとの間に接続された抵抗部材である、
ことを特徴とする高周波モジュールの親基板。
【請求項３】
請求項１に記載の高周波モジュールの親基板において、
上記終端素子は、上記信号出力端子と接続するようにパターン形成された放射電極である、
ことを特徴とする高周波モジュールの親基板。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板において、
上記終端素子は、当該終端素子が接続される上記信号出力端子を有した子基板の切断ラインよりも外側に配されている、
ことを特徴とする高周波モジュールの親基板。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板において、
上記各高周波モジュールは、シールドケースで覆われている、
ことを特徴とする高周波モジュールの親基板。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板が有する複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールを動作させて、当該高周波モジュールの出力信号を上記終端素子から電波で放射させる動作過程と、
上記動作過程で放射された電波を所定のアンテナで受信して、当該電波の周波数を測定する測定過程と、
上記測定過程で測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合に、当該周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、上記高周波モジュールを調整する調整過程と
を具備することを特徴とする高周波モジュールの周波数調整方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板を形成する親基板形成工程と、
上記親基板形成工程で形成した親基板が有する複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールを動作させて、当該高周波モジュールの出力信号を上記終端素子から電波で放射させる動作過程，この動作過程で放射された電波を所定のアンテナで受信して、当該電波の周波数を測定する測定過程，及びこの測定過程で測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合に、当該周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、上記高周波モジュールを調整する調整過程を備える周波数調整工程と、
上記周波数調整工程を経た上記各高周波モジュールを、シールドケースで覆うシールドケース取付工程と、
上記シールドケース取付工程を経た親基板を、各子基板毎に上記切断ラインで切断する子基板分割工程と
を具備することを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板を形成する親基板形成工程と、
上記親基板形成工程で形成された親基板が有する各高周波モジュールを、シールドケースで覆うシールドケース取付工程と、
上記シールドケース取付工程を経た複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールを動作させて、当該高周波モジュールの出力信号を上記終端素子から電波で放射させる動作過程，この動作過程で放射された電波を所定のアンテナで受信して、当該電波の周波数を測定する測定過程，及びこの測定過程で測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合に、当該周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、上記高周波モジュールを調整する調整過程を備える周波数調整工程と、
上周波数調整工程を経た親基板を、各子基板毎に上記切断ラインで切断する子基板分割工程と
を具備することを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、主に１０ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ帯で使用される高周波モジュールの親基板，その周波数調整方法及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator）等の高周波モジュールの周波数を調整する方法としては、例えば特許文献１に開示の技術がある。
この技術は、同一配線パターンを有した子基板が複数連結されて成る親基板に、部品を実装して、ＶＣＯ等の高周波モジュールを各子基板毎に構成し、この親基板毎に、周波数測定及び調整を行って、測定及び調整作業の効率化を図っている。具体的には、複数の検査ピンを、親基板の所定個所に設けられた孔状の信号端子に挿通接触させて、各子基板毎に高周波モジュールの周波数測定と調整を行う。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３１３２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した調整方法では、複数の検査ピンを、親基板の所定個所に設けられた信号端子に挿通接触させて、周波数の測定と調整を行うため、検査ピンと信号端子との接触部に寄生リアクタンスが発生してしまう。このため、高周波を扱うモジュールにおいて、実際の出力信号を再現性良く測定することは困難であった。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、実使用に近い状態で出力信号の周波数を測定可能な高周波モジュールの親基板，その周波数調整方法及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、少なくとも発振器を有する高周波モジュールが各子基板毎に構成され、これら複数の子基板同士が切断可能に連結されて成る高周波モジュールの親基板であって、各高周波モジュールの信号出力端子に、各子基板が実装されるマザーボードの負荷インピーダンスとほぼ同値の入力インピーダンスを有した終端素子を備える構成とした。
かかる構成により、親基板の各高周波モジュールを動作させると、発振器の周波数に対応した周波数の信号が信号出力端子から出力され、終端素子から電波として放射される。このとき、信号出力端子に設けられた終端素子の入力インピーダンスが、各子基板が実装されるマザーボードの負荷インピーダンスとほぼ同値に設定されているので、当該高周波モジュールは、子基板をマザーボードに実装した状態に近い状態で動作する。しかも、マザーボード実装時の信号に近い出力信号が終端素子から電波として放射されるので、この電波の周波数を測定することにより、機器などを信号出力端子に接触させることなく、出力信号の周波数測定を行うことができる。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の高周波モジュールの親基板において、終端素子は、信号出力端子とグランドとの間に接続された抵抗部材である構成とした。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１に記載の高周波モジュールの親基板において、終端素子は、信号出力端子と接続するようにパターン形成された放射電極である構成とした。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板において、終端素子は、当該終端素子が接続される信号出力端子を有した子基板の切断ラインよりも外側に配されている構成とした。
かかる構成により、子基板を切断ラインで切断することにより、終端素子が当該子基板に構成された高周波モジュールの信号出力端子から切り離される。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板において、各高周波モジュールは、シールドケースで覆われている構成とした。
【００１１】
請求項６の発明に係る高周波モジュールの周波数調整方法は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板が有する複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールを動作させて、当該高周波モジュールの出力信号を終端素子から電波で放射させる動作過程と、動作過程で放射された電波を所定のアンテナで受信して、当該電波の周波数を測定する測定過程と、測定過程で測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合に、当該周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、高周波モジュールを調整する調整過程とを具備する構成とした。
かかる構成により、動作過程において、親基板が有する複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールが動作され、出力信号が終端素子から電波で放射させられる。そして、測定過程において、放射された電波が所定のアンテナで受信され、当該電波の周波数が測定される。しかる後、測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合には、調整過程において、周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、高周波モジュールが調整される。
【００１２】
請求項７の発明に係る高周波モジュールの製造方法は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板を形成する親基板形成工程と、親基板形成工程で形成した親基板が有する複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールを動作させて、当該高周波モジュールの出力信号を終端素子から電波で放射させる動作過程，この動作過程で放射された電波を所定のアンテナで受信して、当該電波の周波数を測定する測定過程，及びこの測定過程で測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合に、当該周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、高周波モジュールを調整する調整過程を備える周波数調整工程と、周波数調整工程を経た各高周波モジュールを、シールドケースで覆うシールドケース取付工程と、シールドケース取付工程を経た親基板を、各子基板毎に切断ラインで切断する子基板分割工程とを具備する構成とした。
かかる構成により、親基板形成工程によって、高周波モジュールの親基板が形成されると、周波数調整工程が実行され、動作過程において、親基板が有する複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールが動作され、出力信号が終端素子から電波で放射させられる。そして、測定過程において、放射された電波が所定のアンテナで受信され、電波の周波数が測定される。しかる後、測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合には、調整過程において、周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、高周波モジュールが調整される。そして、シールドケース取付工程が実行されて、各高周波モジュールが、シールドケースで覆われた後、子基板分割工程において、親基板が各子基板毎に切断ラインで切断され、複数の高周波モジュールが製造される。
【００１３】
請求項８の発明に係る高周波モジュールの製造方法は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波モジュールの親基板を形成する親基板形成工程と、親基板形成工程で形成された親基板が有する各高周波モジュールを、シールドケースで覆うシールドケース取付工程と、シールドケース取付工程を経た複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールを動作させて、当該高周波モジュールの出力信号を終端素子から電波で放射させる動作過程，この動作過程で放射された電波を所定のアンテナで受信して、当該電波の周波数を測定する測定過程，及びこの測定過程で測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合に、当該周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、高周波モジュールを調整する調整過程を備える周波数調整工程と、上周波数調整工程を経た親基板を、各子基板毎に切断ラインで切断する子基板分割工程とを具備する構成とした。
かかる構成により、親基板形成工程によって、高周波モジュールの親基板が形成されると、シールドケース取付工程が実行され、各高周波モジュールがシールドケースで覆われる。しかる後、周波数調整工程が実行され、動作過程において、親基板が有する複数の高周波モジュールのうち、所定の高周波モジュールが動作され、出力信号が終端素子から電波で放射させられる。そして、測定過程において、放射された電波が所定のアンテナで受信され、電波の周波数が測定される。しかる後、測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合には、調整過程において、周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、高周波モジュールが調整される。そして、子基板分割工程において、親基板が各子基板毎に切断ラインで切断され、複数の高周波モジュールが製造される。
【発明の効果】
【００１４】
以上詳しく説明したように、請求項１ないし請求項５の発明に係る高周波モジュールの親基板によれば、各高周波モジュールの信号出力端子に設けらた終端素子の入力インピーダンスを、各子基板が実装されるマザーボードの負荷インピーダンスとほぼ同値に設定しているので、子基板をマザーボードに実装した状態に近い状態で、当該高周波モジュールの動作確認をすることができる。しかも、出力信号が終端素子から電波として放射されるので、この電波の周波数を測定することにより、信号出力端子に非接触な状態で、出力信号の周波数測定を行うことができる。すなわち、信号出力端子に検査ピンなどを接触させる必要がないので、寄生リアクタンスの発生等、接触による悪影響を回避することができ、この結果、高精度の周波数測定を行うことができるという優れた効果がある。
【００１５】
また、請求項３の発明に係る高周波モジュールの親基板によれば、放射電極から電波を放射するので、電波の放射量を多くすることができる。しかも、放射電極を子基板にパターン形成するので、終端素子の設計の自由度の増大と子基板の小型化とを図ることができる。
【００１６】
請求項６の発明に係る高周波モジュールの周波数調整方法によれば、動作過程で、子基板をマザーボードに実装した状態に近い状態で、高周波モジュールの動作確認をすることができ、測定過程で、終端素子から放射される電波の周波数を測定することにより、信号出力端子に非接触で出力信号の周波数測定を行うことができる。すなわち、信号出力端子に検査ピンなどを接触させる必要がないので、寄生リアクタンスの発生等、接触による悪影響を回避して、測定過程において、高精度の周波数測定を行うことができ、この結果、周波数測定と周波数調整の効率の向上を図ることができるという効果がある。
特に、請求項３に記載の高周波モジュールの親基板を用いることにより、放射電極から多量の電波が放射されるので、測定過程時おける電波検出感度が高くなり、高精度な周波数測定を行うことができる。
【００１７】
請求項７及び請求項８の発明に係る高周波モジュールの製造方法によれば、周波数のバラツキがない周波数特性に優れた高周波モジュールを製造することができるという優れた効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、この発明の第１実施例に係る高周波モジュールの親基板を示す概略平面図である。なお、図１において、各高周波モジュールの発振器と増幅器とを模式的に表示し、これらを覆うシールドケースは表示していない。
図１に示すように、この高周波モジュールの親基板１は、複数の子基板２同士を切断ラインＬ１〜Ｌ４で切断可能に連結して成る。
各高周波モジュール２０は、各子基板２毎に構成されており、この実施例では、高周波モジュール２０は、発振器２１と増幅器２２とを有する。
【００２０】
図２は、各高周波モジュール２０の一例を示す概略断面図である。
図２に示すように、この実施例の高周波モジュール２０は、多層構造の子基板２上に発振器２１と増幅器２２とを構築した構造を成す。具体的には、セラミックやプリント配線板等の子基板２上に、発振器２１や増幅器２２を構成する半導体素子や共振素子等の電子部品が搭載され、これらの電子部品がワイヤ２３ａ，パターン２３ｂ，スルーホール２３ｃ等で、相互接続されている。そして、これらの発振器２１及び増幅器２２が、二点鎖線で示すように、シールドケース２６で覆われて、電磁遮蔽されている。なお、図２において、符号２４ａ，２４ｂは、動作用の直流電圧を入力するための入力端子である。また、図２は、高周波モジュールの一例を示すものであり、高周波モジュールの構造はこれに限定されるものではなく、多種多様に存在する。すなわち、発振器２１を少なくとも備えている限りにおいて、あらゆる構造の高周波モジュールをこの発明に適用することができることは勿論である。
【００２１】
上記のような高周波モジュール２０が構成されている各子基板２には、図１に示すように、終端素子としてのチップ抵抗器４が設けられている。
図３は、チップ抵抗器４の取付状態を示す部分拡大図である。
図３に示すように、各子基板２は、親基板１に穿設された複数の孔１０によって区分けされており、発振器２１及び増幅器２２は、各子基板２の領域Ａに搭載されている。そして、チップ抵抗器４は、この領域Ａに隣接する領域Ｂに設けられている。
具体的には、増幅器２２の出力端２２ａと領域Ｂ内の端子２７とが、破線で示すように、子基板２内に形成されたパターン２２ｂによって導通されており、これにより、端子２７が高周波モジュール２０の信号出力端子を成す。
チップ抵抗器４は、この信号出力端子２７とグランドＧとの間に接続されている。詳しくは、信号出力端子２７から引き出された線路２７ａの先端に、パッド２７ｂが形成され、チップ抵抗器４の一方の外部電極４１がこのパッド２７ｂ上に接続され、他方の外部電極４２がグランドＧ上に接続されている。また、このチップ抵抗器４は、孔１０上の切断ラインＬ１よりも右側、即ち、このチップ抵抗器４が接続された信号出力端子２７を有する子基板２（図２では真ん中の子基板２）の切断ラインＬ１よりも外側に配されており、子基板２とチップ抵抗器４とをこの切断ラインＬ１で分離することができるようになっている。
チップ抵抗器４は、高周波モジュール２０の負荷として機能するもので、このチップ抵抗器４と線路２７ａとパッド２７ｂとを含めた負荷の入力インピーダンスが、各子基板２が実装される図示省略のマザーボードの負荷インピーダンスとほぼ同値になるように設定されている。特に、１０ＧＨｚ以上の高周波を出力する高周波モジュール２０では、信号出力端子２７側の寄生リアクタンスが顕著に現れるため、線路２７ａ，パッド２７ｂの長さや幅を正確且つ適切に選んで、これらのインピーダンスを整合させる必要がある。
【００２２】
次に、この実施例の親基板１が示す作用及び効果について説明する。
図４は、親基板１の作用及び効果を説明するための概略断面図である。
親基板１のうちの所定の子基板２に構成した高周波モジュール２０の測定を行う場合には、図４に示すように、所定の子基板２の入力端子２４ａ，２４ｂにプローブ１０１，１０２を接触させて、直流電源１００を印加する。すると、高周波モジュール２０が動作し、発振器２１の周波数に対応した高周波の信号Ｓが、信号出力端子２７から出力され、チップ抵抗器４からから電波として放射する。このとき、信号出力端子２７後段の線路２７ａ，パッド２７ｂ及びチップ抵抗器４を含む負荷の入力インピーダンスが、この子基板２が実装されるマザーボードの負荷インピーダンスとほぼ同値に設定されているので、この子基板２に構成された高周波モジュール２０は、当該子基板２をマザーボードに実装した状態に近い状態で動作する。しかも、マザーボード実装時の信号に近い出力信号Ｓがチップ抵抗器４から電波として放射されるので、この電波の周波数を周波数カウンタやスペクトラムアナライザ等の測定器２００で受信測定することにより、信号出力端子２７に非接触な状態で、出力信号Ｓの周波数測定を行うことができる。
【００２３】
また、親基板１を切断ラインＬ１〜Ｌ４で切断することにより、複数の子基板２が分離されると共に、チップ抵抗器４が高周波モジュール２０の信号出力端子２７から切り離される。この結果、図５に示すように、半分に分割された信号出力端子２７が、マザーボードとのインターフェースとなる。
【００２４】
なお、この実施例では、マザーボードとのインターフェースとなる信号出力端子２７を、子基板２の側面（図５に示す子基板２の右側面）に形成したが、これに限定されるものでなく、信号出力端子２７を子基板２の裏面などに設けても良いことは勿論である。
また、図２に示すように、この実施例では、線路２７ａを領域Ｂの表面に形成したが、線路２７ａを領域Ｂの内層にパターン形成して、表面のチップ抵抗器４と電気的に接続するような構成とすることもできる。
さらに、この実施例では、終端素子として、チップ抵抗器４を適用したが、領域Ｂに抵抗膜を形成して、終端素子とすることもできる。
【実施例２】
【００２５】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図６は、この発明の第２実施例に係る高周波モジュールの周波数調整方法を示す過程図であり、図７は、周波数調整方法の説明図である。
図６に示すように、この実施例の高周波モジュールの周波数調整方法は、上記第１実施例の親基板１の高周波モジュール２０の周波数を調整する方法であり、動作過程Ｓ１と測定過程Ｓ２と調整過程Ｓ３とを備えて成る。
【００２６】
動作過程Ｓ１は、親基板１が有する複数の高周波モジュール２０のうち、所定の高周波モジュール２０を動作させて、出力信号Ｓをチップ抵抗器４から電波で放射させる過程である。
この過程は、図７に示すように、親基板１を、直流電源１００に切替器１１０を介して接続されたソケット１２０に接続することにより実行される。具体的には、親基板１の下面に露出している複数対の入力端子２４ａ，２４ｂを、ソケット１２０に設けられた複数対の電極対１２１，１２２に接触させるように、親基板１をソケット１２０に取り付ける。そして、切替器１１０を用いて、所定の高周波モジュール２０の入力端子２４ａ，２４ｂに接触した電極対１２１，１２２と直流電源１００とを電気的に接続させて、給電する。例えば、図７に示すように、子基板２−１〜２−ｎのうち、子基板２−３の高周波モジュール２０に直流電源を供給して、この高周波モジュール２０を動作させ、高周波モジュール２０の出力信号Ｓをチップ抵抗器４から電波として放射させる。これにより、実使用動作(マザーボードに搭載した場合の動作)に近い状態で、子基板２−３の高周波モジュール２０を動作させることができる。
【００２７】
測定過程Ｓ２は、子基板２−３のチップ抵抗器４から放射された電波の周波数を測定する過程である。
具体的には、周波数カウンタやスペクトラムアナライザ等の測定器２００のアンテナ２０１によって、電波の高周波信号Ｓを受信して周波数を測定する。これにより、高周波モジュール２０の信号出力端子２７に非接触で出力信号Ｓの周波数測定を行うことができる。すなわち、信号出力端子２７に検査ピンなどを接触させる必要がないので、寄生リアクタンスの発生等、接触による悪影響を回避することができ、この結果、正確な測定が可能である。
なお、図７では、アンテナ２０１として固定式のものを示しているが、アンテナ２０１を可動式にしてチップ抵抗器４に近接させることで、より高精度な測定を行うことができる。また、測定器２００側の受信電力が不足する場合には、ＲＦ増幅器を測定器２００に付加したり、アンテナ利得が高いホーンアンテナ等をアンテナ２０１として適用することもできる。
【００２８】
調整過程Ｓ３は、測定過程Ｓ２で測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合に、当該周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、高周波モジュール２０を調整する過程である。
例えば、１０ＧＨｚの帯域の信号を高周波モジュール２０から出力させたいにもかかわらず、測定器２００において、受信した電波の周波数が９．８ＧＨｚ程度であると測定された場合には、高周波モジュール２０の発振器２１を構成する共振素子（図示省略）や子基板２−３に形成されている回路パターン等（図示省略）をレーザ等でトリミングすることにより、高周波モジュール２０の出力信号Ｓの周波数調整を行う。勿論、周波数調整はこれに限るものでなく、子基板２−３の誘電体を削ったり、誘電体を付加したりすることでも可能である。
【００２９】
切替器１１０を切り替えることにより、上記のような動作過程Ｓ１，測定過程Ｓ２及び調整過程Ｓ３を順次子基板２−１〜２−ｎの高周波モジュール２０に対して実行することで、親基板１全体の調整作業を終了することができる。
このように、この実施例の高周波モジュールの周波数調整方法によれば、信号出力端子２７に検査ピンなどを接触させる必要がないので、寄生リアクタンスの発生等、接触による悪影響を回避した状態で、測定過程Ｓ２を実行することができ、この結果、正確且つ高精度な周波数測定と周波数調整を実行することができる。
【００３０】
なお、この実施例では、高周波モジュール２０をシールドケース２６で覆わずに、動作過程Ｓ１及び測定過程Ｓ２を実行したが、高周波モジュール２０をシールドケース２６で覆った場合でも、動作過程Ｓ１及び測定過程Ｓ２を実行することができ、同様の電波放射及び受信効果を得ることができる。そして、かかる場合における調整過程Ｓ３は、シールドケース２６を変形させる等することで、実行することができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００３１】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図８は、この発明の第３実施例に係る高周波モジュールの製造方法を示す工程図であり、図９は、子基板分割工程を示す概略斜視図である。
図８に示すように、この実施例の高周波モジュールの製造方法は、親基板形成工程Ｐ１と周波数調整工程Ｐ２とシールドケース取付工程Ｐ３と子基板分割工程Ｐ４とを備えて成る。
【００３２】
親基板形成工程Ｐ１は、第１実施例の親基板１を形成する工程である。但し、この工程では、図２で示したシールドケース２６を各高周波モジュール２０に取り付けない。
周波数調整工程Ｐ２は、第２実施例の周波数調整方法を実行する工程であり、動作過程Ｓ１と差動信号Ｓ２と調整過程Ｓ３とを有する。
シールドケース取付工程Ｐ３は、周波数調整工程Ｐ２で周波数調整された各高周波モジュール２０にシールドケース２６を取り付ける工程である。
子基板分割工程Ｐ４は、シールドケース取付工程Ｐ３を経た親基板１を、各子基板２毎に切断ラインで切断する工程である。
【００３３】
かかる構成により、親基板形成工程Ｐ１において、図１に示した親基板１が形成され、シールドケース２６が取り付けられていない親基板１に対して、周波数調整工程Ｐ２が実行される。すなわち、図６及び図７で示したように、動作過程Ｓ１により、ソケット１２０に接続した親基板１の複数の高周波モジュール２０のうち、所定の高周波モジュール２０を直流電源１００で動作させて、出力信号Ｓをチップ抵抗器４から電波で放射させ、測定過程Ｓ２で、出力信号Ｓの周波数を測定器２００を用いて測定する。そして、測定過程Ｓ２で測定された周波数が所望の周波数帯域にない場合には、調整過程Ｓ３が実行されて、当該周波数帯域内の周波数の電波が放射されるように、高周波モジュール２０が調整される。
しかる後、シールドケース取付工程Ｐ３が実行され、図２で示したように、シールドケース２６が、周波数調整済みの各高周波モジュール２０に被せられ、子基板分割工程Ｐ４が実行される。
【００３４】
子基板分割工程Ｐ４では、図９に示すように、ダイシングソウ３００を用いて、親基板１を切断ラインＬ１〜Ｌ４に沿って切断し、親基板１が複数の子基板２に分割される。このとき、高周波モジュール２０の信号出力端子２７と、線路２７ａ，パッド２７ｂ及びチップ抵抗器４が、切断ラインＬ１を境に分離されるので、各２の高周波モジュール２０は、線路２７ａ，パッド２７ｂ及びチップ抵抗器４による寄生リアクタンスの影響から解放される。なお、分割方法には、ダイシングだけでなく、ブレイク(切断線に沿って予め溝を形成しておき、基板を機械的に割る)等の方法を利用することができる。
【００３５】
以上のように、この実施例の高周波モジュールの製造方法によれば、周波数のバラツキがない周波数特性に優れた高周波モジュール２０を効率よく製造することができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１及び第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例４】
【００３６】
次に、この発明の第４実施例について説明する。
図１０は、この発明の第４実施例に係る高周波モジュールの親基板を示す概略平面図であり、図１１は、放射電極５の形成状態を示す部分拡大図である。
この実施例の親基板１′は、図１０に示すように、終端素子を放射電極５で形成した点が、上記第１実施例と異なる。
すなわち、図１１に示すように、放射電極５は、親基板１′の領域Ｂにパターン形成され、各高周波モジュール２０の信号出力端子２７から延出した線路２７ａを介して信号出力端子２７に接続されている。この放射電極５は、高周波モジュール２０からの出力信号Ｓを電波として飛ばすためのアンテナとして機能する共振電極であり、両端オープンの半波長アンテナである。つまり、放射電極５の両端５１，５２は開放され、そのアンテナ長さＷ１は、出力信号Ｓの波長の２分の１の長さに設定されている。
この放射電極５も、チップ抵抗器４と同様に、高周波モジュール２０の負荷として機能するもので、この放射電極５と線路２７ａとを含めた負荷の入力インピーダンスが、各子基板２が実装される図示省略のマザーボードの負荷インピーダンスとほぼ同値になるように設定されている。
【００３７】
かかる構成により、この実施例の親基板１′を用いて、上記第２実施例に示したような高周波モジュールの周波数調整方法を実行すると、動作過程Ｓ１において、各高周波モジュール２０からの出力信号Ｓが放射電極５から電波として放射される。このとき、出力信号Ｓがアンテナとしての放射電極５から放射されるので、電波の放射量は、上記チップ抵抗器４からの電波放射量に比べて非常に高くなる。このため、測定過程Ｓ２の実行時において、測定器２００による電波検出感度が高くなり、正確な周波数測定を行うことができ、この結果、高精度な調整過程Ｓ３を実行することができる。
また、放射電極５を子基板２の領域Ｂに形成するので、放射電極５の設計の自由度の増大と子基板２の小型化とを図ることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第３実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例５】
【００３８】
次に、この発明の第４実施例について説明する。
図１２は、この発明の第４実施例に係る高周波モジュールの親基板の要部を示す部分拡大図である。
この実施例では、図１２に示すように、終端素子である放射電極５′の長さを短く設定した点が、上記第４実施例と異なる。
すなわち、図１２に示すように、領域Ｂにパターン形成され線路２７ａを介して信号出力端子２７に接続された放射電極５′は、一端ショートの４分の１波長アンテナである。つまり、放射電極５の一方端５１を開放し、他方端５２をグランドＧに接続することで、放射電極５′のアンテナ長さＷ２を、出力信号Ｓの波長の４分の１の長さに縮めた。
【００３９】
かかる構成により、放射電極５′の小型化により、子基板２のさらなる小型化を図ることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第４実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００４０】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、図１に示すように、切断ラインＬ１，Ｌ２を設定し、図９に示したように、終端素子であるチップ抵抗器４（放射電極５，５′）を子基板２から完全に分離するようにしている。しかし、図１３に示すように、チップ抵抗器４（放射電極５，５′）を隣の子基板２内に位置させ、切断ラインＬ１で切断すると、図１４に示すように、チップ抵抗器４（放射電極５，５′）が隣の子基板２内に残るようにしても良い。これにより、切断作業と部品破棄作業を減らし、作業時間の短縮化を図ることができる。
【００４１】
また、上記第３実施例の製造方法では、工程順を、親基板形成工程Ｐ１、周波数調整工程Ｐ２、シールドケース取付工程Ｐ３、子基板分割工程Ｐ４に設定したが、工程順を、親基板形成工程Ｐ１、シールドケース取付工程Ｐ３、周波数調整工程Ｐ２、子基板分割工程Ｐ４の設定することもできる。
かかる周波数調整工程Ｐ２では、シールドケース２６が取り付けられた高周波モジュール２０の周波数調整を行うことになるが、かかる場合には、シールドケース２６を変形させるなどして、周波数調整を行うことができる。
【００４２】
さらに、上記第４及び第５実施例では、終端素子として、領域Ｂにパターン形成したマイクロストリップ型の放射電極５，５′を例示したが、スロット型の放射電極も、終端素子として用いることができることは勿論である。
また、放射電極５，５′への給電方法は、放射電極５，５′の端面から直接給電する方法だけでなく、子基板２の裏面から容量結合させたり、電磁結合させたりして給電する方法や、子基板２の裏面からスルーホール・ビアホールなどを通じて給電させる方法も考えられる。
また、放射電極５，５′の周囲に電波吸収体を配置して、電波の反射波の影響を低減させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の第１実施例に係る高周波モジュールの親基板を示す概略平面図である。
【図２】各高周波モジュールの一例を示す概略断面図である。
【図３】チップ抵抗器の取付状態を示す部分拡大図である。
【図４】親基板の作用及び効果を説明するための概略断面図である。
【図５】信号出力端子が単体の子基板の側面に取り付けられている状態を示す概略断面図である。
【図６】この発明の第２実施例に係る高周波モジュールの周波数調整方法を示す過程図である。
【図７】周波数調整方法の説明図である。
【図８】この発明の第３実施例に係る高周波モジュールの製造方法を示す工程図である。
【図９】子基板分割工程を示す概略斜視図である。
【図１０】この発明の第４実施例に係る高周波モジュールの親基板を示す概略平面図である。
【図１１】放射電極の形成状態を示す部分拡大図である。
【図１２】この発明の第４実施例に係る高周波モジュールの親基板の要部を示す部分拡大図である。
【図１３】一変形例に係る親基板の概略平面図である。
【図１４】図１３の子基板を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…親基板、  ２…子基板、  ４…チップ抵抗器、  ５，５′…放射電極、  ２０…高周波モジュール、  ２１…発振器、  ２２…増幅器、  ２６…シールドケース、  ２７…信号出力端子、  ２７ａ…線路、  ２７ｂ…パッド、  １００…直流電源、  ２００…測定器、  ２０１…アンテナ、  ３００…ダイシングソウ、  Ａ，Ｂ…領域、  Ｇ…グランド、  Ｌ１〜Ｌ４…切断ライン、  Ｐ１…親基板形成工程、  Ｐ２…周波数調整工程、  Ｐ３…シールドケース取付工程、  Ｐ４…子基板分割工程、  Ｓ…出力信号、  Ｓ１…動作過程、  Ｓ２…測定過程、  Ｓ３…調整過程、  Ｗ１，Ｗ２…アンテナ長さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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