(57)【要約】  【課題】  半導体レーザの放熱効率を高め得る光ピックアップ装置及びその製造方法を提供する。  【解決手段】  光学基台１上に半導体レーザ５が搭載してなる光ピックアップ装置において、互いに対向するように配置された第１の壁部２ａ及び第２の壁部２ｂと、光軸調整機構と、放熱部材６とを備えておく。第１の壁部２ａに切り欠き２ｆを形成する。半導体レーザ５を、壁部２ａと壁部２ｂとの間に、壁部２ｂに出射面５ａを向けて搭載する。光軸調整機構を、壁部２ｂと半導体レーザ５との間に配置する。放熱部材６として、一部分が、半導体レーザ５の出射面５ａ以外の面と面接触でき、他の一部分が、切り欠き２ｆの内部に挿入でき、更に、その状態で光軸調整機構による光軸の調整が可能となるように形成したものを用いる。放熱部材６の他の一部分と切り欠き２ｆとの間に、金属材料７を充填し、金属材料７によって、放熱部材６を壁部２ａに固定する。【選択図】  図１
2007042200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学基台を備え、前記光学基台上に半導体レーザが搭載された光ピックアップ装置であって、
前記光学基台上に設けられた第１の壁部及び第２の壁部と、前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光軸を調整するための光軸調整機構と、放熱部材とを備え、
前記第１の壁部及び前記第２の壁部は、互いに対向するように配置されており、前記第１の壁部には、貫通孔又は切り欠きが形成され、
前記半導体レーザは、前記第１の壁部と前記第２の壁部との間に、前記第２の壁部に出射面を向けて搭載され、
前記光軸調整機構は、前記第２の壁部と前記半導体レーザとの間に配置され、
前記放熱部材は、一部分が、前記半導体レーザの出射面以外の面と面接触でき、他の一部分が、前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入でき、その状態で前記光軸調整機構による前記光軸の調整が可能となるように形成され、
前記放熱部材の前記他の一部分と前記貫通孔又は前記切り欠きとの間には、金属材料が充填され、充填された金属材料によって、前記放熱部材が前記第１の壁部に固定されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記放熱部材が、接触部と、伝熱部とを備え、
前記接触部は、前記半導体レーザの出射面の反対側の面と面接触するように形成され、
前記伝熱部は、前記接触部の面接触する部分の反対側に位置する部分から突出し、且つ、その先端が前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入できるように形成されている請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記伝熱部の先端に、複数のピン部材が設けられている請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記光学基台上に、互いに対向する第３の壁部及び第４の壁部が更に設けられ、
前記第３の壁部及び前記第４の壁部は、前記第１の壁部及び前記第２の壁部と共に、前記半導体レーザを取り囲む枠状の部材を構成するように、配置されている請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記光軸調整機構が、摺動部材とホルダーとを備え、
前記摺動部材は、摺動面と断面が円弧状に形成された凹曲面とを備え、
前記摺動面は、前記摺動部材が、前記第２の壁部の前記半導体レーザ側の面に沿って摺動するように形成され、前記凹曲面は、前記摺動部材の前記摺動面が設けられた部位の反対側の部位に形成され、
前記ホルダーは、断面が円弧状に形成された凸曲面と、前記半導体レーザを収容するための凹部とを備え、
前記凸曲面は、その断面の半径が前記凹曲面の断面の半径と一致するように形成され、前記凹部は、前記ホルダーの前記凸曲面が設けられた部位の反対側の部位に形成され、
前記半導体レーザがその出射面を前記凹部の底面に向けて配置されている請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
下記（Ａ）に記載の光ピックアップ装置の製造方法であって、
（ａ）放熱部材の一部分を、半導体レーザの出射面以外の面と面接触させ、他の一部分を、第１の壁部に形成された貫通孔又は切り欠きの内部に挿入して、前記放熱部材を前記半導体レーザと第１の壁部との間に配置する工程と、
（ｂ）前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光軸を光軸調整機構によって調整する工程と、
（ｃ）前記放熱部材の前記他の一部分と前記貫通孔又は前記切り欠きとの間に、溶融状態の金属材料を充填する工程とを少なくとも有することを特徴とする光ピックアップ装置の製造方法。
（Ａ）光学基台を備え、前記光学基台上に半導体レーザが搭載された光ピックアップ装置であって、前記光学基台上に設けられた第１の壁部及び第２の壁部と、前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光軸を調整するための光軸調整機構と、放熱部材とを備え、前記第１の壁部及び前記第２の壁部は、互いに対向するように配置されており、前記第１の壁部には、貫通孔又は切り欠きが形成され、前記半導体レーザは、前記第１の壁部と前記第２の壁部との間に、前記第２の壁部に出射面を向けて搭載され、前記光軸調整機構は、前記第２の壁部と前記半導体レーザとの間に配置され、前記放熱部材は、一部分が、前記半導体レーザの出射面以外の面と面接触でき、他の一部分が、前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入でき、更に、その状態で前記光軸調整機構による前記光軸の調整が可能となるように形成され、前記放熱部材の前記他の一部分と前記貫通孔又は前記切り欠きとの間には、金属材料が充填され、充填された金属材料によって、前記放熱部材が前記第１の壁部に固定されている光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記（Ａ）記載の光ピックアップ装置において、前記放熱部材が、接触部と、伝熱部とを備え、前記接触部は、前記半導体レーザの出射面の反対側の面と面接触するよう形成され、前記伝熱部は、前記接触部の面接触する部分の反対側に位置する部分から突出し、且つ、その先端が前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入できるように形成され、前記先端には複数のピン部材が設けられており、
前記（ａ）の工程において、前記放熱部材の前記接触部を、前記半導体レーザの出射面の反対側の面に面接触させ、前記伝熱部の先端を前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入して、前記放熱部材を前記半導体レーザと第１の壁部との間に配置する請求項６に記載の光ピックアップ装置の製造方法。
【請求項８】
前記（Ａ）記載の光ピックアップ装置において、前記放熱部材の伝熱部に、溝が形成されており、
前記（ａ）の工程において、前記溝の開口が鉛直方向上向きになるようにして、前記放熱部材を前記半導体レーザと第１の壁部との間に配置し、
前記（ｃ）の工程において、前記溝の内部に液体を充填した状態で、前記溶融状態の金属材料を充填する請求項７に記載の光ピックアップ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの発する熱を放熱するための放熱構造を備えた光ピックアップ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体レーザで発生した熱の放熱効率を高めるため、光ピックアップ装置に放熱構造を取り付けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここで、放熱構造を備えた従来の光ピックアップ装置について、図１０を用いて説明する。
【０００３】
図１０は、従来の光ピックアップ装置の構成を示す平面図である。なお、図１０において、光学メディアについては外形のみを破線で示している。図１０に示すように、光ピックアップ装置１２０は、半導体レーザ１０４、光学系１１０、及び光学基台１１５を主に備えている。半導体レーザ１０４及び光学系１１０は、光学基台１１５上に配置されている。
【０００４】
また、光ピックアップ装置１２０には、ガイドレール１１６及び１１７が取り付けられている。ガイドレール１１６及び１１７は光学メディア１１８の半径方向に平行に配置されている。光ピックアップ装置１２０は、送り装置（図示せず）の送りモータが回転することによって、矢印に示す方向（光学メディア１１８の半径方向）へ移動する。なお、送り装置は、図示されていないが、前述の送りモータの他に、主に送りネジを備えている。
【０００５】
半導体レーザ１０４は、光学系１１０に向けてレーザ光を出射する。半導体レーザ１０４の光軸は、後述する光軸調整機構（図１０において図示せず）によって調整される。１０１は、半導体レーザの位置調整に用いられる枠体であり、光学基台１１５上に配置されている。枠体１０１の構成については図１１を用いて後述する。
【０００６】
光学系１１０は、ビームスプリッター１１１、コリメートレンズ１１２、立ち上げミラー１１３、及び対物レンズ１１４によって構成されている。対物レンズ１１４は、立ち上げミラー１１３の上方に配置されている。対物レンズ１１４は、トラッキング用コイル（図示せず）によって光学メディア１１８の半径方向に移動し、フォーカシング用コイル（図示せず）によって光学メディア１１８のフォーカス方向に移動する。
【０００７】
半導体レーザ１０４から出射されたレーザ光は、ビームスプリッター１１１へと入射し、ビームスプリッター１１１によってコリメートレンズ１１２へ向けて反射される。更に、ビームスプリッター１１１によって反射されたレーザ光は、コリメートレンズ１１２を透過して、立ち上げミラー１１３へ入射し、立ち上げミラー１１３によって、光学メディア１１８のフォーカス方向へ反射される。そして、立ち上げミラー１１３によって反射されたレーザ光は、対物レンズ１１４に入射し、それによって集光された後、光学メディア１１８へ照射される。
【０００８】
光学メディア１１８によって反射された反射光は、対物レンズ１１４を透過して、立ち上げミラー１１３に入射し、コリメートレンズ１１２に向けて反射される。立ち上げミラー１１３によって反射された反射光は、コリメートレンズ１１２を介して、ビームスプリッター１１１へ入射する。このとき、ビームスプリッター１１１へ入射した反射光は、それに反射されずに透過し、光センサ（図示せず）へと集光される。
【０００９】
図１１は、図１０に示した光ピックアップ装置の半導体レーザの周辺を拡大して示す断面図である。なお、図１１に示す断面図は、レーザ光の出射方向に沿って切断した断面を示している。また、図１１において、後述する調整バネ１０６については側面のみを示している。図１１において、Ｙ軸は図１０中の光学メディア１１８の半径方向に平行な軸であり、Ｚ軸は図１０中の光学基台１１５の上面の法線に平行な軸である。Ｘ軸はＹ軸及びＺ軸の両方に垂直な軸である。
【００１０】
図１１に示すように、半導体レーザ１０４は、枠体１０１の内部に配置されている。また、半導体レーザ１０４の光軸（位置）は、摺動部材１０２、ホルダー１０３、及び調整バネ１０６によって構成された光軸調整機構によって調整される。また、枠体１０１の内部には、半導体レーザ１０４の放熱を行なうための放熱板１０５も取り付けられている。また、半導体レーザ１０４の放熱を高めるため、枠体１０１、摺動部材１０２、ホルダー１０３、及び放熱板１０５は、亜鉛合金、アルミ合金等の熱伝導率の高い金属材料によって形成されている。
【００１１】
枠体１０１は、光学基台１１５の上に配置されている。また、枠体１０１は四つの壁部を備え、その断面形状は矩形の枠状に形成されている。枠体１０１の四つの壁部のうち壁部１０１ａには、枠体１０１の内側から外側へと貫通する貫通孔１０１ｂが形成されている。半導体レーザ１０４は、枠体１０１の内側に、出射面１０４ａから出射されたレーザ光が貫通孔１０１ｂを通過するように配置される。半導体レーザ１０４の配置については後述する。
【００１２】
また、枠体１０１において、壁部１０１ａの内側の面（以下「前面」という。）１０１ｃと、壁部１０１ａに対向する壁部１０１ｄの内側の面（以下「後面」という。）１０１ｅとは、互いに平行な平面状に形成されている。
【００１３】
摺動部材１０２は、摺動面１０２ａを備え、枠体１０１の前面１０１ｃに沿って摺動する。また、摺動部材１０２の摺動面１０２ａが形成された部分の反対側には、断面が円弧状に形成された凹曲面１０２ｂが形成されている。更に、摺動部材１０２には、凹曲面１０２ｂの中央から摺動面１０２ａへと貫通する貫通孔１０２ｃも形成されている。
【００１４】
ホルダー１０３は、断面が円弧状に形成された凸曲面１０３ａを備えている。凸曲面１０３ａは、その半径が凹曲面１０２ｂの半径と同一となるように形成されており、摺動部材１０２の凹曲面１０２ｂに沿って摺動可能となっている。また、ホルダー１０３の凸曲面１０３ａが形成された部分の反対側には、凹部１０３ｂが形成されている。凹部１０３ｂは、その内部に半導体レーザ１０４を収容できるよう形成されている。
【００１５】
半導体レーザ１０４は出射面１０４ａを凹部１０３ｂの底面に向けた状態で凹部１０３ｂに収容されている。また、ホルダー１０３には、半導体レーザ１０４の出射面１０４ａから出射されたレーザ光が通過できるように、凹部１０３ｂの底面から凸曲面１０３ａへと貫通する貫通孔１０３ｃが形成されている。
【００１６】
貫通孔１０３ｃは、摺動部材１０２に形成された貫通孔１０２ｃ、及び枠体１０１に形成された貫通孔１０１ｂと連通する。このため、半導体レーザ１０４の出射面１０４ａから出射されたレーザ光は、貫通孔１０３ｃ、更に貫通孔１０２ｃ及び１０１ｂを通過して、枠体１０１の外部の光学系１１０（図１０参照）へと到達する。
【００１７】
また、図１１に示す光軸調整機構によれば、摺動部材１０２が枠体１０１の前面１０１ｃに沿って摺動し、ホルダー１０３が摺動部材１０２の凹曲面１０２ｂに沿って摺動するため、半導体レーザ１０４から出射されたレーザ光の光軸調整が容易に行える。
【００１８】
具体的には、摺動部材１０２を前面１０１ｃに沿って摺動させれば、レーザ光の光軸はＸ軸方向及びＺ軸方向に沿って平行移動し、レーザ光の出射位置が調整される。更に、ホルダー１０３を断面が円弧状に形成された凹曲面１０２ｂに沿って摺動させれば、レーザ光の光軸の傾きが調整される。
【００１９】
このようにして光軸調整が行われた後の、摺動部材１０２及びホルダー１０３の位置を保持するため、調整バネ１０６が半導体レーザ１０４と壁部１０１ｄとの間に配置される。調整バネ１０６は、その伸長方向の弾性力によって、半導体レーザ１０４を前面１０１ｃ側へ押圧し、摺動部材１０２及びホルダー１０３の位置を保持している。なお、調整バネ１０６の一端は後面１０１ｅに固定されている。
【００２０】
放熱板１０５は、半導体レーザ１０４が配置されたホルダー１０３と、枠体１０１の後面１０１ｅとの間に配置されており、半導体レーザ１０４で発生した熱を枠体１０１へと伝達している。図１１の例では、放熱板１０５は中央部分に貫通孔１０５ａを備えている。貫通孔１０５ａは、その内径が調整バネ１０６の外径より大きくなるように形成されており、調整バネ１０６は貫通孔１０５ａを介して半導体レーザ１０４を押圧している。
【００２１】
また、放熱板１０５は、貫通孔１０５ａと一方の端部との間、及び貫通孔１０５ａと他方の端部との間それぞれを２箇所で折り曲げて形成されている。具体的には、各間において、貫通孔１０５ａから近い箇所は、半導体レーザ１０４側から見て山折に折り曲げられ、貫通孔１０５ａから遠い箇所は、半導体レーザ１０４側から見て谷折に折り曲げられている。
【００２２】
なお、貫通孔１０５ａと一方の端部との間において、山折に折り曲げられた箇所を山折部１０５ｂとし、谷折に折り曲げられた箇所を谷折部１０５ｃとする。また、貫通孔１０５ａと他方の端部との間において、山折に折り曲げられた箇所を山折部１０５ｄとし、谷折に折り曲げられた箇所を谷折部１０５ｅとする。
【００２３】
また、放熱板１０５は、山折部１０５ｂと山折部１０５ｃとの間の部分において、半導体レーザ１０４の出射面１０４ａの反対側の面（以下「背面」という。）１０４ｂに対向している。更に、放熱板１０５は、一方の端部と谷折部１０５ｃとの間及び他方の端部と谷折部１０５ｅとの間で、ビス等によって枠体１０１の壁部１０１ｄの後面１０１ｅに固定されている。
【００２４】
図１１に示す光ピックアップ装置において、放熱効率を高めるためには、半導体レーザ１０４の背面１０４ｂと放熱板１０５とを直接接続して、これらの接触面積をできる限り大きくするのが良い。ところが、放熱板１０５は枠体１０１へ固定され、これらの位置関係は変化しないのに対して、放熱板１０５と半導体レーザ１０４との位置関係は、光軸調整によって変化する。このため、半導体レーザ１０４と放熱板１０５とを直接接続することは困難である。よって、図１１に示す光ピックアップ装置では、光軸調整後に、放熱グリス１０７が半導体レーザ１０４の背面１０４ｂと放熱板１０５との間に充填され、放熱効率の向上が図られている。
【特許文献１】特開２０００−１６３７５６号公報（第３〜５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
しかしながら、半導体レーザ１０４と放熱板１０５との間に充填される放熱グリス１０７の熱伝導率は、金属材料で形成された放熱板１０５の熱伝導率に比べて低いため、図１１に示す従来の光ピックアップ装置においては、放熱効率の向上には限界がある。一方、近年の光ディスク装置の高倍速化・大容量化に伴い、半導体レーザで発生した熱の放熱効率の更なる向上が求められている。
【００２６】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、従来に比べて、半導体レーザの放熱効率を高め得る光ピックアップ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記目的を達成するため、本発明における光ピックアップ装置は、光学基台を備え、前記光学基台上に半導体レーザが搭載された光ピックアップ装置であって、前記光学基台上に設けられた第１の壁部及び第２の壁部と、前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光軸を調整するための光軸調整機構と、放熱部材とを備え、前記第１の壁部及び前記第２の壁部は、互いに対向するように配置されており、前記第１の壁部には、貫通孔又は切り欠きが形成され、前記半導体レーザは、前記第１の壁部と前記第２の壁部との間に、前記第２の壁部に出射面を向けて搭載され、前記光軸調整機構は、前記第２の壁部と前記半導体レーザとの間に配置され、前記放熱部材は、一部分が、前記半導体レーザの出射面以外の面と面接触でき、他の一部分が、前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入でき、その状態で前記光軸調整機構による前記光軸の調整が可能となるように形成され、前記放熱部材の前記他の一部分と前記貫通孔又は前記切り欠きとの間には、金属材料が充填され、充填された金属材料によって、前記放熱部材が前記第１の壁部に固定されていることを特徴とする。
【００２８】
上記目的を達成するため、本発明における光ピックアップ装置の製造方法は、下記（Ａ）に記載の光ピックアップ装置の製造方法であって、（ａ）放熱部材の一部分を、半導体レーザの出射面以外の面と面接触させ、他の一部分を、第１の壁部に形成された貫通孔又は切り欠きの内部に挿入して、前記放熱部材を前記半導体レーザと第１の壁部との間に配置する工程と、（ｂ）前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光軸を光軸調整機構によって調整する工程と、（ｃ）前記放熱部材の前記他の一部分と前記貫通孔又は前記切り欠きとの間に、溶融状態の金属材料を充填する工程とを少なくとも有することを特徴とする。
【００２９】
（Ａ）光学基台を備え、前記光学基台上に半導体レーザが搭載された光ピックアップ装置であって、前記光学基台上に設けられた第１の壁部及び第２の壁部と、前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光軸を調整するための光軸調整機構と、放熱部材とを備え、前記第１の壁部及び前記第２の壁部は、互いに対向するように配置されており、前記第１の壁部には、貫通孔又は切り欠きが形成され、前記半導体レーザは、前記第１の壁部と前記第２の壁部との間に、前記第２の壁部に出射面を向けて搭載され、前記光軸調整機構は、前記第２の壁部と前記半導体レーザとの間に配置され、前記放熱部材は、一部分が、前記半導体レーザの出射面以外の面と面接触でき、他の一部分が、前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入でき、更に、その状態で前記光軸調整機構による前記光軸の調整が可能となるように形成され、前記放熱部材の前記他の一部分と前記貫通孔又は前記切り欠きとの間には、金属材料が充填され、充填された金属材料によって、前記放熱部材が前記第１の壁部に固定されている光ピックアップ装置。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の光ピックアップ装置においては、放熱部材は金属材料の充填によって固定される。また、放熱部材を金属材料の充填によって固定していない状態では、放熱部材と半導体レーザとを面接触させつつ、光軸調整機構による光軸調整を行うことができる。更に、光軸調整機構による光軸調整を行った後に、放熱部材と半導体レーザとを面接触させることもできる。つまり、本発明の光ピックアップ装置では、放熱部材と半導体レーザとの接触面積が最大となった状態で、放熱部材の位置を固定することができる。
【００３１】
このため、本発明の光ピックアップ装置によれば、従来と異なり、光軸調整後に半導体レーザと放熱部材とを面接触できないという事態を回避することができ、従来に比べて半導体レーザの放熱効率を高めることが可能となる。また、本発明の光ピックアップ装置の製造方法によれば、充填する金属材料として溶融状態にある金属材料が用いられるため、上述した本発明の光ピックアップ装置を簡単に作製できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明における光ピックアップ装置は、光学基台を備え、前記光学基台上に半導体レーザが搭載された光ピックアップ装置であって、前記光学基台上に設けられた第１の壁部及び第２の壁部と、前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光軸を調整するための光軸調整機構と、放熱部材とを備え、前記第１の壁部及び前記第２の壁部は、互いに対向するように配置されており、前記第１の壁部には、貫通孔又は切り欠きが形成され、前記半導体レーザは、前記第１の壁部と前記第２の壁部との間に、前記第２の壁部に出射面を向けて搭載され、前記光軸調整機構は、前記第２の壁部と前記半導体レーザとの間に配置され、前記放熱部材は、一部分が、前記半導体レーザの出射面以外の面と面接触でき、他の一部分が、前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入でき、その状態で前記光軸調整機構による前記光軸の調整が可能となるように形成され、前記放熱部材の前記他の一部分と前記貫通孔又は前記切り欠きとの間には、金属材料が充填され、充填された金属材料によって、前記放熱部材が前記第１の壁部に固定されていることを特徴とする。
【００３３】
上記本発明における光ピックアップ装置において、前記放熱部材が、接触部と、伝熱部とを備え、前記接触部は、前記半導体レーザの出射面の反対側の面と面接触するように形成され、前記伝熱部は、前記接触部の面接触する部分の反対側に位置する部分から突出し、且つ、その先端が前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入できるように形成されている態様とすることが好ましい。上記態様によれば、半導体レーザと第２の壁部との間に、放熱部材を設置するのが容易となる。
【００３４】
更に、上記態様においては、前記伝熱部の先端に、複数のピン部材が設けられていることが好ましい。例えば金属材料が充填時に溶融状態にある場合は、金属材料を充填する際に、放熱部材に熱歪みが生じ、これによって半導体レーザに位置ずれが生じる可能性があるが、上記態様によれば、この位置ずれの発生を抑制できる。
【００３５】
また、上記本発明における光ピックアップ装置において、前記光学基台上に、互いに対向する第３の壁部及び第４の壁部が更に設けられ、前記第３の壁部及び前記第４の壁部は、前記第１の壁部及び前記第２の壁部と共に、前記半導体レーザを取り囲む枠状の部材を構成するように、配置されている態様とすることが好ましい。上記態様によれば、放熱部材によって第１の壁部に伝達された熱は、第３の壁部及び第４の壁部へと伝達され、更に、第２の壁部にも伝達される。このため、放熱部材によって伝達された熱の放熱効率を高めることができる。
【００３６】
上記本発明における光ピックアップ装置において、前記光軸調整機構が、摺動部材とホルダーとを備え、前記摺動部材は、摺動面と断面が円弧状に形成された凹曲面とを備え、前記摺動面は、前記摺動部材が、前記第２の壁部の前記半導体レーザ側の面に沿って摺動するように形成され、前記凹曲面は、前記摺動部材の前記摺動面が設けられた部位の反対側の部位に形成され、前記ホルダーは、断面が円弧状に形成された凸曲面と、前記半導体レーザを収容するための凹部とを備え、前記凸曲面は、その断面の半径が前記凹曲面の断面の半径と一致するように形成され、前記凹部は、前記ホルダーの前記凸曲面が設けられた部位の反対側の部位に形成され、前記半導体レーザがその出射面を前記凹部の底面に向けて配置されている態様とすることが好ましい。
【００３７】
上記態様においては、摺動部材を摺動させることで、半導体レーザのレーザ光の光軸を第２の壁部の壁面に沿って平行移動することができ、光軸の位置を調整できる。また、ホルダーを凸曲面によって、摺動部材の凹曲面に沿って摺動させることで、光軸の傾きを調整できる。このように、上記態様によれば、光軸調整を容易なものとできる。
【００３８】
また、本発明における光ピックアップ装置の製造方法は、上記（Ａ）に記載の光ピックアップ装置の製造方法であって、（ａ）放熱部材の一部分を、半導体レーザの出射面以外の面と面接触させ、他の一部分を、第１の壁部に形成された貫通孔又は切り欠きの内部に挿入して、前記放熱部材を前記半導体レーザと第１の壁部との間に配置する工程と、（ｂ）前記半導体レーザから出射されるレーザ光の光軸を光軸調整機構によって調整する工程と、（ｃ）前記放熱部材の前記他の一部分と前記貫通孔又は前記切り欠きとの間に、溶融状態の金属材料を充填する工程とを少なくとも有することを特徴とする。
【００３９】
上記本発明における光ピックアップ装置の製造方法では、上記（Ａ）記載の光ピックアップ装置において、前記放熱部材が、接触部と、伝熱部とを備え、前記接触部は、前記半導体レーザの出射面の反対側の面と面接触するよう形成され、前記伝熱部は、前記接触部の面接触する部分の反対側に位置する部分から突出し、且つ、その先端が前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入できるように形成され、前記先端には複数のピン部材が設けられているのが好ましい。また、この場合、前記（ａ）の工程において、前記放熱部材の前記接触部を、前記半導体レーザの出射面の反対側の面に面接触させ、前記伝熱部の先端を前記貫通孔又は前記切り欠きの内部に挿入して、前記放熱部材を前記半導体レーザと第１の壁部との間に配置する態様とすることが好ましい。
【００４０】
上記態様においては、放熱部材として、貫通孔又は切り欠きに挿入される部分（挿入部分）に、複数のピン部材が設けられたものが用いられる。このため、（ｃ）の工程における金属材料の充填時に放熱部材に生じた熱歪みが、半導体レーザの位置、ひいては光軸の位置及び傾きに悪影響を与えるのを抑制できる。
【００４１】
つまり、溶融した金属材料が充填され、挿入部分に熱膨張が生じたときに、この熱膨張が妨げられると、熱ひずみが発生し、半導体レーザに位置ずれが生じる。しかし、挿入部分に複数のピン部材を設けておけば、挿入部分の熱膨張が妨げられるのを抑制できるため、結果、熱ひずみの発生、更には半導体レーザの位置ズレを抑制できる。
【００４２】
また、上記本発明における光ピックアップ装置の製造方法では、上記（Ａ）記載の光ピックアップ装置において、前記放熱部材の伝熱部に、溝が形成されているのが好ましい。この場合、前記（ａ）の工程において、前記溝の開口が鉛直方向上向きになるようにして、前記放熱部材を前記半導体レーザと第１の壁部との間に配置し、前記（ｃ）の工程において、前記溝の内部に液体を充填した状態で、前記溶融状態の金属材料を充填する態様とすることが好ましい。
【００４３】
上記態様によれば、金属材料の充填時に、金属材料から放熱部材に伝えられた熱の一部は、溝に充填された液体に伝えられ、液体が蒸発する際の潜熱として空気中に放散される。このため、半導体レーザに過度な熱が伝わり、熱破壊されるのを抑止できる。
【００４４】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１にかかる光ピックアップ装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。最初に、本実施の形態１における光ピックアップ装置の構成について図１を用いて説明する。
【００４５】
図１は、本発明の実施の形態１における光ピックアップ装置の一部分の構成を示す図であり、図１（ａ）は半導体レーザの周辺を拡大して示す断面図であり、図１（ｂ）は、放熱部材の取り付け位置周辺を拡大して示す斜視図である。なお、図１（ａ）に示す断面図は、レーザ光の出射方向に沿って切断した断面を示している。また、図１（ａ）において、Ｙ軸は、光学メディアの半径方向に平行な軸であり、Ｚ軸は、光学基台の上面の法線に平行な軸である。Ｘ軸は、Ｙ軸及びＺ軸の両方に垂直な軸である。
【００４６】
図１（ａ）に示すように、本実施の形態１における光ピックアップ装置は、背景技術において図１１に示した従来の光ピックアップ装置と同様に、光学基台１を備えており、光学基台１上には半導体レーザ５を搭載している。但し、本実施の形態１における光ピックアップ装置は、放熱構造の点で、従来の光ピックアップ装置と異なっている。以下、具体的に説明する。
【００４７】
図１（ａ）に示すように、実施の形態１における光ピックアップ装置は、光学基台１上に設けられた第１の壁部２ａ及び第２の壁部２ｂと、半導体レーザ５から出射されるレーザ光の光軸を調整するための光軸調整機構（３、４）と、放熱部材６とを備えている。
【００４８】
第１の壁部２ａ及び第２の壁部２ｂは、互いに対向するように配置されている。半導体レーザ５は、第１の壁部２ａと第２の壁部２ｂとの間に、第２の壁部２ｂに出射面５ａを向けて搭載されている。このため、第２の壁部２ｂには、半導体レーザ５から出射されたレーザ光を外部に導くための貫通孔２ｅが形成されている。
【００４９】
本実施の形態１においては、光学基台１上には、更に、互いに対向する第３の壁部２ｃ及び第４の壁部２ｄが設けられている。第３の壁部２ｃ及び第４の壁部２ｄは、第１の壁部２ａ及び第２の壁部２ｂと共に、半導体レーザ５を取り囲むように配置されている。第１の壁部２ａ、第２の壁部２ｂ、第３の壁部２ｃ、及び第４の壁部２ｄは、一体的に形成されており、これらは背景技術において図に示した従来例と同様に、１つの枠体２を構成している。
【００５０】
但し、本実施の形態１においては、従来例と異なり、第１の壁部２ａには、放熱部材６を固定するための切り欠き２ｆが形成されている。なお、本実施の形態１においても、第１の壁部２ａ、第２の壁部２ｂ、第３の壁部２ｃ及び第４の壁部２ｄは、銅、亜鉛、アルミ、これらを含む各種合金等の熱伝導率の高い金属材料によって形成されている。
【００５１】
光軸調整機構は、背景技術において図に示した従来例と同様に、第２の壁部２ｂと半導体レーザ５との間に配置されている。また、光軸調整機構は、摺動部材３及びホルダー４を備えており、これらは、銅、亜鉛、アルミ、これらを含む各種合金等の熱伝導率の高い金属材料によって形成されている。
【００５２】
摺動部材３は、摺動面３ａと断面が円弧状に形成された凹曲面３ｂとを備えている。摺動面３ａは、摺動部材３が、第２の壁部２ｂの半導体レーザ５側の面（以下「前面」という。）２ｇに沿って摺動するように形成されている。また、凹曲面３ｂは、摺動部材３の摺動面３ａが設けられた部位の反対側の部位に形成されている。更に、摺動部材３には、レーザ光を通過させるため、凹曲面３ｂの中央から摺動面３ａへと貫通する貫通孔３ｃが形成されている。
【００５３】
ホルダー４は、断面が円弧状に形成された凸曲面４ａと、半導体レーザ５を収容するための凹部４ｂとを備えている。凸曲面４ａは、その断面の半径が凹曲面３ｂの断面の半径と一致するように形成されている。また、凹部４ｂは、ホルダー４の凸曲面４ａが設けられた部位の反対側の部位に形成されている。半導体レーザ５はその出射面５ａを凹部４ｂの底面に向けて、凹部４ｂ内に配置されている。また、ホルダー４にも、半導体レーザ５の出射面５ａから出射されたレーザ光が通過できるように、凹部４ｂの底面から凸曲面４ａへと貫通する貫通孔４ｃが形成されている。
【００５４】
また、ホルダー４に形成された貫通孔４ｃは、摺動部材３に形成された貫通孔３ｃ、及び第２の壁部２ｂに形成された貫通孔２ｅと連通する。本実施の形態１においても、半導体レーザ５の出射面５ａから出射されたレーザ光（図１中の矢印）は、貫通孔４ｃ、貫通孔３ｃ及び貫通孔２ｅを通過して、外部の光学系（図１０参照）へと到達する。
【００５５】
上記の光軸調整機構の構成により、本実施の形態１においても、摺動部材３を前面２ｇに沿って摺動させることで、レーザ光の光軸をＸ軸方向及びＺ軸方向に沿って平行移動でき、レーザ光の出射位置を調整できる。更に、ホルダー４を摺動部材３の凹曲面３ｂに沿って摺動させることで、レーザ光の光軸の傾きを調整できる。
【００５６】
但し、本実施の形態１においては、背景技術において図１１に示した例と異なり、光軸調整機構は、摺動部材３とホルダー４のみで構成されており、調整バネ（図１１参照）を備えていない。本実施の形態１では、光軸調整後の摺動部材３及びホルダー４の位置は、放熱部材６によって保持される。
【００５７】
ここで、第１の壁部２ａに形成された切り欠き２ｆと放熱部材６とについて説明する。図１（ａ）に示すように、放熱部材６は、一部分が、半導体レーザ５の出射面５ａ以外の面と面接触でき、他の一部分が、切り欠き２ｆの内部に挿入できるように形成されている。更に、放熱部材６は、この状態で光軸調整機構による光軸の調整が可能となるようにも形成されている。
【００５８】
具体的には、本実施の形態１では、放熱部材６は、接触部６ａと伝熱部６ｂとを備えている。接触部６ａは、半導体レーザ５の出射面５ａの反対側の面（以下「背面」という。）５ｂと面接触するように、板状に形成されている。伝熱部６ｂは、接触部６ａの面接触する部分の反対側に位置する部分から垂直に突出する柱状に形成されている。また、伝熱部６ｂの直径は、接触部６ａと半導体レーザ５の背面５ｂとを面接触させた状態で光軸調整ができるように、切り欠き２ｆの幅よりも小さくなるように設定されている。
【００５９】
図１（ｂ）に示すように、放熱部材６における伝熱部６ｂの先端は、切り欠き２ｆの内部に挿入される。更に、伝熱部６ｂの先端と切り欠き２ｆとの間には、金属材料７が充填され、充填された金属材料７によって、放熱部材６は第１の壁部２ａに固定される。本実施の形態１においては、後述するように、金属材料７の充填は、金属材料７を溶融して行なわれる。
【００６０】
また、放熱部材６の形成材料は、半導体レーザ５の発する熱を効率良く伝達できる材料であれば良い。具体的には、銅、亜鉛、アルミ、これらを含む各種合金等の熱伝導率の高い金属材料が挙げられる。放熱部材６を銅によって形成する場合は、放熱部材６の表面には、ニッケルめっき処理を施すのが好ましい。また、放熱部材６は、接触部６ａと伝熱部６ｂとが別々に形成され、これらを組み立てて構成したものであっても良いし、これらを一体成形して構成したものであっても良い。
【００６１】
また、本実施の形態１において、切り欠き２ｆは、光軸調整の際又は光軸調整の後、接触部６ａと半導体レーザ５の背面５ｂとを面接触させたときに、放熱部材６の伝熱部６ｂと干渉しないように形成されていれば良く、この条件を満たす限り、切り欠き２ｆの大きさや形状は特に限定されるものでない。更に、切り欠き２ｆの開口方向も特に限定されるものではない。但し、金属材料７の充填を容易にする点からは、切り欠き２ｆの開口方向は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すようにＺ方向であるのが好ましい。
【００６２】
また、図１（ａ）において、２５ａ及び２５ｂは、金属材料７の充填時に、熱膨張によって、放熱部材６や光軸調整機構（摺動部材３及びホルダー４）の位置ズレが生じるのを抑制するための治具である。治具２５ａ及び２５ｂは、放熱部材６の伝熱部６ｂを挟み込んで、放熱部材６の位置を固定している。
【００６３】
次に、本発明の実施の形態１における光ピックアップ装置の製造方法について図２〜図４を用いて説明する。図２は、本発明の実施の形態１における光ピックアップ装置の製造方法を示す斜視図であり、図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ主な一連の工程を示している。また、図２に示す製造方法を実施することにより、図１に示した本実施の形態１における光ピックアップ装置を得ることができる。図３は、放熱部材の位置決め用の治具を備えた位置決め装置を示す図である。図４は、図２（ｂ）に示す工程を実施するために使用される製造装置を示す図である。
【００６４】
最初に、枠体２の内部に、摺動部材３と、半導体レーザ５が配置されたホルダー４とを配置する（図１参照）。次いで、図２（ａ）に示すように、放熱部材６の伝熱部６ｂの先端を切り欠き２ｆ内に挿入し、更に半導体レーザ５の背面５ｂと放熱部材６の接触部６ａの上面とを面接触させる。次に、この状態で放熱部材６をホルダー４に固定する（図１参照）。本実施の形態１においては、放熱部材６は、接着剤（図示せず）によってホルダー４に固定されている。
【００６５】
次に、半導体レーザ５の光軸調整を行ない、その後、図２（ｂ）に示すように、治具２５ａ及び２５ｂによって、伝熱部６ｂを挟み込み、放熱部材６の位置を一時的に固定する。これにより、熱膨張による半導体レーザ５及び光軸調整機構（摺動部材３及びホルダー４の）の位置ズレが抑制される。
【００６６】
ここで、図３を用いて、治具２５ａ及び２５ｂについて説明する。図３に示すように、位置決め装置２０は、装置台２１に沿って水平方向に移動する水平移動台２２と、上下方向（鉛直方向）に伸縮する伸縮アーム２３と、ユニバーサルジョイント２４と、アーム２７と、治具２５ａ及び２５ｂとを備えている。アーム２７は、ユニバーサルジョイント２４を介して伸縮アーム２３の先端に取り付けられており、自由に回転及び傾斜できるようになっている。また、治具２５ａ及び２５ｂはアーム２７の先端に取り付けられている。光ピックアップ装置２８は、固定治具２６によって固定される。
【００６７】
このような位置決め装置２０を用いることにより、光軸調整後の放熱部材６の位置を確実に固定することができる。また、複数個の光ピックアップ装置を、水平移動台２２の移動方向に沿って一列に配列すれば、連続して位置決めを行なうことができる。
【００６８】
次に、この状態で切り欠き２ｆと伝熱部６ｂの先端との間に、図４に示す製造装置を用いて溶融状態の金属材料７を充填する。本実施の形態１においては、充填する金属材料７としては、すず、銀、銅等の低融点の金属材料を用いるのが好ましい。このうち、環境保護の観点から、環境負荷物質である鉛以外の材料を用いるのが好ましい。図２（ｂ）に示した工程の終了後に、アニール処理等による熱歪み除去処理が行われる。
【００６９】
本実施の形態においては、生産効率の向上を図るため、図４に示すように、充填される金属材料７は線材８で供給される。図４に示す製造装置は、線材８を供給するための供給ローラ９と、線材８を溶融させるための供給プローブ１０とを備えている。供給プローブ１０は、筒状に形成されており、その周囲には加熱コイル１１が巻きつけられている。供給プローブ１０の加熱コイル１１を通電すると、供給ローラ９によって供給された線材８は供給プローブ１０内で溶融状態となる。溶融状態となった金属材料７は、そのまま、切り欠き２ｆへと落下し、切り欠き２ｆと伝熱部６ｂの先端との間に充填される。
【００７０】
このように、図２（ａ）及び（ｂ）に示す工程を実施すると、放熱部材６は伝熱部６ｂの先端部で第１の壁部２ａに固定され、図１に示した実施の形態１における光ピックアップ装置が得られる。本実施の形態１によれば、光軸調整後、半導体レーザ５と放熱部材６との接触面積が最大となった状態で、放熱部材６の位置を固定することができる。よって、背景技術において図１１に示した従来例と異なり、光軸調整後に半導体レーザ５と放熱部材６とを面接触できないという事態を回避することができるため、従来例に比べて半導体レーザ５の放熱効率を高めることができる。
【００７１】
また、本実施の形態１における光ピックアップ装置の製造方法では、金属材料７は溶融した状態で切り欠き２ｆと放熱部材６の先端との間に充填される。このため、本実施の形態１における光ピックアップ装置の製造方法によれば、本実施の形態１における光ピックアップ装置を簡単に作製することができる。
【００７２】
なお、本実施の形態１における枠体２、放熱部材６、及び光軸調整機構（３、４）の構成は、あくまで一例であって、それぞれの構成は、この一例に限定されない。例えば、枠体２は、互いに対向するように配置された第１の壁部２ａ及び第２の壁部２ｂを備えていれば良い。また、放熱部材６は、一部分が半導体レーザ５の出射面５ａ以外の面と面接触でき、他の一部分が切り欠き２ｆの内部に挿入でき、更に、その状態で光軸調整機構による光軸の調整が可能となるように形成されていれば良い。また、光軸調整機構は、レーザ光の光軸の調整を行うことができれば良い。
【００７３】
また、図１及び図２の例では、第１の壁部２ａに切り欠き２ｆが形成される場合について説明したが、本実施の形態１は、この例に限定されるものではない。例えば、第１の壁部２ａに切り欠き２ｆの代わりに貫通孔を形成することもできる。
【００７４】
図５は、本実施形態における光ピックアップ装置の他の例の一部分を示す斜視図である。図５の例では、第１の壁部２ａには貫通孔２ｈが形成されており、放熱部材６の伝熱部６ｂの先端は貫通孔２ｈの内部に挿入されている。
【００７５】
なお、図５に示す光ピックアップ装置は、第１の壁部２ａに貫通孔２ｈが形成される点以外の点については、図１及び図２の例と同様に構成されている。よって、貫通孔２ｈと伝熱部６ｂの先端との間には、金属材料７が充填される。また、図５の例を用いた場合であっても、図１及び図２に示した例と同様の効果を得ることができる。
【００７６】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２における光ピックアップ装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。最初に、本実施の形態２における光ピックアップ装置の構成について図６を用いて説明する。
【００７７】
図６は、本発明の実施の形態２における光ピックアップ装置の一部分の構成を示す図であり、図６（ａ）は、半導体レーザの周辺を拡大して示す断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す放熱部材を示す斜視図である。図６において図１に示した符号が付された部分は、図１において同符号が付された部分と同様の部分である。
【００７８】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態２においては、放熱部材１２の構成が、実施の形態１において図１及び図２に示した放熱部材６の構成と異なっている。本実施の形態２においては、放熱部材１２の伝熱部１２ｂに溝１２ｃが形成されている。また、溝１２ｃは、放熱部材１２を半導体レーザ５に取り付けたときに、溝１２ｃの開口が鉛直方向上向きとなるように形成されている。なお、これ以外の点については、実施の形態２における光ピックアップ装置は、実施の形態１における光ピックアップ装置と同様に構成されている。
【００７９】
本実施の形態２においては、このような溝１２ｃを放熱部材１２に形成することにより、半導体レーザ５の熱破壊を抑制している。この点について、本実施の形態２における光ピックアップ装置の製造方法とともに説明する。
【００８０】
図７は、本発明の実施の形態２における光ピックアップ装置の製造方法を示す斜視図であり、図７（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ主な一連の工程を示している。なお、図７（ａ）〜（ｃ）では、治具２５ｂについては破線で示している。図７に示す製造方法を実施することにより、図６（ａ）に示す本実施の形態２における光ピックアップ装置を得ることができる。
【００８１】
最初に、図７（ａ）に示すように、実施の形態１において図２（ａ）で示した工程と同様に、放熱部材１２の伝熱部１２ｂの先端を切り欠き２ｆの内部に挿入する。但し、本実施の形態２においては、このとき、溝１２ｃの開口が鉛直方向上向きになるように、放熱部材１２とホルダー４（図６（ａ）参照）とを固定する。次に、半導体レーザ５の光軸調整を行った後、治具２５ａ及び２５ｂによって、伝熱部１２ｂを挟み込み、放熱部材１２の位置を固定する。更に、溝１２ｃの内部に蒸留水等の液体１３を充填する。
【００８２】
次に、図７（ｂ）に示すように、実施の形態１において図２（ｂ）に示した工程と同様に、切り欠き２ｆと伝熱部１２ｂの先端との間に、図４に示した製造装置を用いて溶融状態の金属材料７を充填する。
【００８３】
このとき、溶融状態の金属材料７の充填によって、熱が伝熱部１２ｂに伝達されるが、伝えられた熱の一部は、溝１２ｃに充填された液体１３にも伝達され、溝１２ｃに充填された液体１３を蒸発させる。つまり、本実施の形態２では、金属材料７の充填によって伝達される熱の一部は、液体１３の蒸発に用いられ、空気中へ放散される。
【００８４】
また、図１７（ｂ）の工程が終了すると、図７（ｃ）に示した状態となる。この後、実施の形態１と同様に、本実施の形態２においても、アニール処理等による熱歪み除去処理が行われる。
【００８５】
このように、本実施の形態２によれば、実施の形態１に比べ、金属材料７の充填時に伝達される熱によって、半導体レーザ５に過度な熱が伝わり、半導体レーザ５が熱破壊されるのを抑制できる。更に、本実施の形態２によれば、実施の形態１に比べて、放熱部材１２における熱膨張も抑制できる。
【００８６】
また、本実施の形態２においては、放熱部材１２に溝１２ｃが形成されている点以外の点については、実施の形態１と同様である。よって、本実施の形態２は、実施の形態１において述べた効果を得ることもできる。
【００８７】
本実施の形態２において、溝１２ｃの開口形状や断面形状、更に個数は特に限定されるものではない。また、溝１２ｃの開口面積や溝１２ｃの深さは、金属材料７の充填時に与えられる熱量や、液体１３の熱容量に合わせて適宜設定できる。
【００８８】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３における光ピックアップ装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。最初に、本実施の形態３における光ピックアップ装置の構成について図８及び図９を用いて説明する。
【００８９】
図８は、本発明の実施の形態３における光ピックアップ装置の一部分の構成を示す図であり、図８（ａ）は、半導体レーザの周辺を拡大して示す断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す放熱部材を示す斜視図である。図８において図１に示した符号が付された部分は、図１において同符号が付された部分と同様の部分である。
【００９０】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態３においても、放熱部材１４の構成が、実施の形態１において図１及び図２に示した放熱部材６の構成と異なっている。本実施の形態３においては、放熱部材１４の伝熱部１４ｂの先端には、複数のピン部材１４ｃが設けられている。なお、これ以外の点については、実施の形態３における光ピックアップ装置は、実施の形態１における光ピックアップ装置と同様に構成されている。
【００９１】
本実施の形態３においては、このようなピン部材１４ｃを放熱部材１４の先端に設けておくことにより、半導体レーザ５の位置ズレを抑制している。この点について、本実施の形態３における光ピックアップ装置の製造方法とともに説明する。
【００９２】
図９は、本発明の実施の形態３における光ピックアップ装置の製造方法を示す斜視図であり、図９（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ主な一連の工程を示している。図９に示す製造方法を実施することにより、図８（ａ）に示す本実施の形態３における光ピックアップ装置を得ることができる。
【００９３】
最初に、図９（ａ）に示すように、実施の形態１において図２（ａ）で示した工程と同様に、放熱部材１４の伝熱部１４ｂの先端を切り欠き２ｆの内部に挿入する。本実施の形態３においては、複数のピン部材１４ｃが切り欠き２ｆの内部に存在することとなる。
【００９４】
次に、図９（ｂ）に示すように、実施の形態１において図２（ｂ）に示した工程と同様に、切り欠き２ｆと伝熱部１４ｂの先端との間に、図４に示した製造装置を用いて溶融状態の金属材料７を充填する。このとき、本実施の形態３においては、ピン部材１４ｃ間にも、金属材料７が充填される。
【００９５】
このように、本実施の形態３においては、伝熱部１４ｂの先端に複数のピン部材１４ｃが設けられており、溶融した金属材料７の熱は先ず複数のピン部材１４ｃに伝達される。このとき、ピン部材１４ｃは、個々に径方向や長さ方向に熱膨張する。つまり、本実施の形態３によれば、実施の形態１及び２に比べて、伝熱部１４ｂの先端（挿入部分）は自由に熱膨張でき、放熱部材１４全体における熱歪みの発生を抑制できる。
【００９６】
このため、本実施の形態３によれば、実施の形態１及び２に比べて、熱歪みによる半導体レーザ５の位置ズレ、ひいては、熱歪みによる光軸の位置及び傾きのズレの発生を抑制できる。よって、本実施の形態３によれば、アニール処理等による熱歪み除去処理を削減することが可能となる。更に、光軸調整後に、図３に示した位置決め装置２０を用いないで、代わりに光軸調整機構や半導体レーザ５の位置を仮固定しておくだけでも良い。このため、本実施の形態３によれば、組立効率の向上、ひいては組立コストの削減を図ることもできる。なお、本実施の形態３においても、必要に応じて、図３に示した位置決め装置２０を用いることもできる。
【００９７】
本実施の形態３においては、伝熱部１４ｂの先端に複数のピン部材１４ｃが設けられる点以外の点については、実施の形態１と同様である。よって、本実施の形態３は、実施の形態１において述べた効果を得ることもできる。
【００９８】
本実施の形態３において、ピン部材１４ｃの形状や本数は特に限定されるものではない。これらは、充填される金属材料７の溶融温度や、放熱部材１４の熱膨張係数等を考慮して適宜設定することができる。ピン部材１４ｃは、放熱部材１４の他の部分と一体的に形成されていても良いし、別部品で提供されていても良い。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
以上のように、本発明における光ピックアップ装置及びその製造方法によれば、光ピックアップ装置に放熱構造を付与することができる。本発明における光ピックアップ装置及びその製造方法は、発熱量の多い光ピックアップ装置に有効である。本発明における光ピックアップ装置及びその製造方法は、産業上の利用可能性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】図１（ａ）は、本発明の実施形態１における半導体レーザの周辺を拡大して示す断面図であり、図１（ｂ）は、本発明の実施形態１における放熱部材の取り付け位置周辺を拡大して示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１における光ピックアップ装置の製造方法を示す斜視図であり、図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ主な一連の工程を示している。
【図３】図３は、放熱部材の位置決め用の治具を備えた位置決め装置を示す図である。
【図４】図４は、図２（ｂ）に示す工程を実施するために使用される製造装置を示す図である。
【図５】図５は、本実施形態における光ピックアップ装置の他の例の一部分を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態２における光ピックアップ装置の一部分の構成を示す図であり、図６（ａ）は、半導体レーザの周辺を拡大して示す断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す放熱部材を示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態２における光ピックアップ装置の製造方法を示す斜視図であり、図７（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ主な一連の工程を示している。
【図８】図８（ａ）は、半導体レーザの周辺を拡大して示す断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す放熱部材を示す斜視図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態３における光ピックアップ装置の製造方法を示す斜視図であり、図９（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ主な一連の工程を示している。
【図１０】図１０は、従来の光ピックアップ装置の構成を示す平面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示した光ピックアップ装置の半導体レーザの周辺を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１  光学基台
２  枠体
２ａ  第１の壁部
２ｂ  第２の壁部
２ｃ  第３の壁部
２ｄ  第４の壁部
２ｅ  第２の壁部の貫通孔
２ｆ  第１の壁部に設けられた切り欠き
２ｇ  第２の壁部の前面
２ｈ  第１の壁部に設けられた貫通孔
３  摺動部材
３ａ  摺動部材の摺動面
３ｂ  摺動部材の凹曲面
３ｃ  摺動部材の貫通孔
４  ホルダー
４ａ  ホルダーの凸曲面
４ｂ  ホルダーの凹部
４ｃ  ホルダーの貫通孔
５  半導体レーザ
５ａ  半導体レーザの出射面
５ｂ  半導体レーザの背面
６、１２、１４  放熱部材
６ａ、１２ａ、１４ａ  放熱部材の接触部
６ｂ、１２ｂ、１４ｂ  放熱部材の伝熱部
７  金属材料
８  線材
９  供給ローラ
１０  供給プローブ
１１  加熱コイル
１２ｃ  伝熱部に設けられた溝
１３  液体
１４ｃ  伝熱部の先端に設けられたピン部材
２０  位置決め装置
２１  装置台
２２  水平移動台
２３  伸縮アーム
２４  ユニバーサルジョイント
２５ａ、２５ｂ  治具
２６  固定治具
２７  アーム
２８  光ピックアップ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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