(57)【要約】      （修正有）【課題】リードフレームの構造を提案し、加工方法の改善を行って、半導体装置のさらなる他品種多端子化に対応し、生産性が高く、品質の良い樹脂封止型半導体装置に適したリードフレームを提供する。【解決手段】インナーリード部、ダイパット部に施された凹部９の端点と端点の中心となる箇所に切り欠き部７を入れてから、切断用ポンチ６で切断することにより、絶縁領域切断後の切断面が、略同一形状に成り、バリレス、金属片が発生しなくなる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板のフレーム枠部からなり、半導体素子搭載部であるダイパッド部が領域内に配置され、ダイパッド部の周囲に複数のインナーリード部が配置され、インナーリード部とダイパッド部の下面をリード保持材により保持されており、前記複数のインナーリード部の少なくとも一部は絶縁されており、絶縁されたインナーリード部の先端の分断面は、インナーリードの頂面を越えない程度に下面と垂直方向に延びる突起部が形成されており、下面へ垂直に伸びる突起部の底面側の一部側面が破断されている。また、その突起部と向い合う突起部、及びその断面は、頂面を超えない程度の範囲で略同一形状を有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
フレーム枠部領域内に前記リードフレームが配置され、インナーリードの一部がフレーム枠部と連結されており、残部インナーリード部がダイパッド部、フレーム枠から絶縁されて配置されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記インナーリード部はリード枠部から連結されたインナーリード部と、前記インナーリード部から絶縁されたインナーリード部と、前記リード部の先端から前記ダイパッド側に延在し、前記インナーリード部の他端部が隣接するインナーリード部と連結して構成されたことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
フレーム枠部と接続したインナーリード部の先端部底面が電極となるインナーリード部と、前記リード部のダイパッド部、フレーム枠から絶縁されたインナーリード部の底面が電極となるインナーリード部と、前記リード部の先端から前期ダイパット側に延在し、インナーリード部の他端部が隣接するインナーリード部と連結して配置されたインナーリード部の底面の一部が電極となることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項５】
フレーム枠領域内のダイパット部において、リードフレーム枠と連結されておらず、底面をリード保持材により保持されることにより支持されており、インナーリード部と対峙するダイパット部の一部が略同一形状であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項６】
板状の金属部材から前記フレーム枠部と、リード枠部から連結されたインナーリード部と、前記インナーリード部の延在上に、前記ダイパッド部が配置され、ダイパッド部の上面である半導体素子搭載面の反対側の面を底面とした場合、底面側のインナーリード部、ダイパッド部の一部がハーフエッチングされており、また、インナーリード部と連結して構成されたリードフレームと、前記ダイパッド部とを一体に形成する第一の工程と、ダイパッド部の反対面側の一部に半切断を行い、ダイパッド部の上面側に凸部を形成する。また、ダイパッド部の反対側のインナーリード、及びダイパッド部の一部にハーフエンッチングを施し、凹部の中心部に切り欠きを入れる第二の工程と、リード枠部から連結されたインナーリード部と、インナーリード部の延在上に配置されているダイパッド部の半導体素子搭載面の反対面側にリード保持材により保持する第三の工程と、インナーリード部の電極部間と、ダイパッド部とインナーリード部の接続領域を分断する第四の工程とを備えていることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記第一のリードフレームの製造工程は、前記フレーム枠部と、前記インナーリード部の電極部とフレーム枠部から絶縁されているインナーリード部の電極部との接続領域と、前記インナーリード部の電極部とリード枠部と連結している前記インナーリード部の電極部の接続領域と、前記ダイパッド部の接続領域は、半導体素子搭載面の反対面側をハーフエッチングにより凹状に形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記第一の工程において、前記インナーリード部の電極部とフレーム枠部から絶縁されているインナーリード部の電極部との接続領域と、前記インナーリード部の電極部とリード枠部と連結している前記インナーリード部の電極部と、前記ダイパッド部の接続領域は、略同一形状に形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載のリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載し、搭載した面を封止樹脂で封止し、パッケージに配置され電極部を露出させ、外部端子である複数のランドを有するＬａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ（以下、ＬＧＡと称す）用のリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、薄型化への要求がますます強くなってきている。それに伴い、小型化及び薄型化を図りながら、更なる多ピン化、生産品質向上のために種々の工夫がなされ、単層金属板から多列構成のランドを有するリードフレームを小型に形成しているものがあった（例えば、特許文献１）。
【０００３】
図４、図５（ａ）〜（ｄ）は、前記特許文献１に記載された従来のリードフレームとその製造方法を示すものである。図５は従来のリードフレームを示した正面図である。図４において、リードフレーム１１０は、フレーム枠部１１２と、その上面に半導体素子を保持するダイパッド部１１３と、それぞれがダイパッド部１１３の周辺部に支持され、ダイパッド部１１３の底面に凸部１１４ａを有する複数のリード部１１４Ａを備え、ダイパッド部１１３の底面の中央部分には凹部１１４ｂが形成されている。さらに、フレーム枠部１１２とリード部１１４Ａがそれらの底面をリード保持材としての粘着性テープ材１２０により保持されている。
【０００４】
図５（ａ）〜（ｄ）は従来のリードフレームの製造方法の工程フローに沿った断面図である。図５（ａ）〜（ｄ）において、銅を主成分とする合金又は鉄−ニッケルの合金からなるリードフレーム形成用の板状の金属部材から、フレーム枠部と、フレーム枠部内に位置するダイパッド部１１３と、ダイパッド部１１３の周縁部と接続されたリード部１１４Ａとを一体成形してリードフレーム１１０を形成する。
【０００５】
リード部１１４Ａの底面における凸部形成領域以外の領域に対して凹部１１４ｂを形成し、ランドとなる凸部１１４ａを形成する（図５（ａ））。凸部１１４ａは、リードフレーム１１０の底面側であって、ダイパッド部１１３とリード部１１４Ａとの間の領域に対して、金型によるプレス又はハーフエッチングを行なって凹部１１４ｂを形成し、リード部１１４Ａに凸部１１４ａをそれぞれ形成している。
【０００６】
つぎに、リード部１１４Ａ及びフレーム枠部１１２の底面側に粘着性テープ材１２０を貼付する（図５（ｂ））。
【０００７】
つぎに、切断手段としての切断用ポンチ１０６を用いて、リードフレーム１１０における各凹部１１４ｂの上方、すなわち、ダイパッド部１１３とリード部１１４Ａとの間の領域を打ち抜いて、ダイパッド部１１３と凸部１１４ａとの間の領域、インナリード部１１４Ａとの間の領域を除去する（図５（ｃ））。
【０００８】
ダイパッド部１１３と内側インナリード部１１４Ａとを絶縁状態としたリードフレーム１１０を構成していた（図５（ｄ））。
【特許文献１】特開２００２−２３１８７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前記従来の構成では、ダイパッド部１１３とリード部１１４Ａとの間の領域を打ち抜いて、ダイパッド部１１３と凸部１１４ａとの間の領域を除去する際に、切断用ポンチ１０６により、バリやカエリと称される金属片が発生する。さらに、後工程の樹脂封止の時に、金属片がリードフレームから分離して金属屑となり、絶縁状態のリード間を短絡するという問題があり、今後の小型化や電極端子数の増加によるリード同士の間隔が狭くなるに従い、この問題が顕著になる。
【００１０】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、リードフレームの構造を提案し、加工方法の改善を行い、半導体装置のさらなる多品種多端子化に対応し、生産性が高く、品質の良い半導体装置用リードフレームとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
リードフレームと連結したインナーリード部、及びインナーリード部と連結したダイパッド部とを分断する際、凹部中心の切断箇所に切り込みを入れることにより、分断時にフレームにかかる力が分断領域で分散することなく、切り込みを入れた箇所の中心を通り分断される。これにより、分断箇所が凹部切断領域で定まらずにいたが、分断箇所の位置が一定となり、また、ハーフエッチングではフレームの厚みにバラつきがあったが、一定の深さに定めた切り欠き部を入れることにより、分断部分のフレーム厚を一定にすることが出来る。さらに、分断時に金属片の発生を防ぐことが出来る。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るリードフレームおよびその製造方法によると、絶縁加工時の切断金属片の発生がなく、高い生産性を確保し、高品質のＬＧＡ用リードフレームを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置用リードフレームを示す正面図である。図１において、リードフレーム１は、フレーム枠部２と、その上面に半導体素子を保持するダイパッド部３と、それぞれがダイパッド部３の周辺部に支持され、ダイパッド部３の底面に凸部４ａを有する複数のリード部４Ａを備え、ダイパッド部３の底面の中央部分には凹部４ｂが形成されている。さらに、フレーム枠部２と複数のリード部４Ａとがそれらの底面をリード保持材としての粘着性テープ材５により保持されている。
【００１５】
このとき、インナーリードの頂面を越えない程度に下面と垂直方向に延びる突起部が形成されており、凹部中心から、下面へ垂直に伸びる突起部は、向かい合う突起部と線対称な形状をしている。また、下面へ垂直に伸びる突起部の一部側面が破断する様形成されている。このように、切断する箇所にかかる力を集中させることにより、切断時に発生する金属片が減少する効果があり、また、設計通りの切断位置を保つことが可能となる。
【００１６】
（実施の形態２）
図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２における半導体装置用リードフレームの工程フローに沿った断面図である。図２（ａ）〜（ｄ）において、図１と同じ構成要素は説明を省略する。図２（ａ）〜（ｄ）において、銅を主成分とする合金又は鉄−ニッケルの合金からなるリードフレーム形成用の板状の金属部材から、フレーム枠部と、フレーム枠部内に位置するダイパッド部３と、ダイパッド部３の周縁部と接続されたリード部４Ａとを一体成形してリードフレーム１を形成する。
【００１７】
リード部４Ａの底面における凸部形成領域以外の領域に対して凹部４ｂをハーフエッチングにより形成し、リード部４Ａにランドとなる凸部４ａを形成する（図２（ａ））。ハーフエッチングにより形成した凹部４ｂの中央部に、プレスによる切り欠け部７を形成する（図２（ｂ））。このとき、切り欠け部７は凹部４ｂの中心線に対して、線対象な形状に形成する。さらに、切り欠け部７の深さは凹部４ｂの中心位置から板状金属部材の１０％程度とする様に形成する。
【００１８】
これによれば、ハーフエッチングにより形成する凹部４ｂの深さにバラツキが生じている場合であっても、均等な深さに切断箇所を位置決めすることが可能であり、これにより、切断部の位置も略同一性を保つことが出来る。
【００１９】
図３（ａ）〜（ｃ）は、切り欠け部７の断面形状の一例であり、凹部の中心から線対称の形状を取ることにより、切断されたリードフレームはそれぞれ、切断時に発生する金属片等の発生をふせぐ。また、正確なせん断位置を決めることが出来る。
【００２０】
図１のリード部４Ａ及びフレーム枠部２の底面側に粘着性テープ材５を貼付する（図２（ｃ））。切断手段としての切断用ポンチ６を用いて、リードフレーム１における各凹部４ｂの上方の切り欠け７を形成した位置、すなわち、ダイパッド部３とリード部４Ａとの間の領域を打ち抜いて、ダイパッド部３と凸部４ａとの間の領域を破断除去する（図２（ｄ））。
【００２１】
これによれば、インナーリードの頂面を越えない程度に下面と垂直方向に延びる突起部が形成されており、凹部中心から、下面へ垂直に伸びる突起部は、向かい合う突起部と線対称な形状をしている。また、下面へ垂直に伸びる突起部の一部側面が破断していることを特徴としている。このような形状を取ることにより、切断する位置を正確に決定することが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
半導体搭載装置を製造するにあたり、不良発生の原因となる、金属片の発生を防ぐことが出来れば、生産品質の向上につながる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置用リードフレームの正面図
【図２】本発明の実施の形態２における半導体装置用リードフレームの製造方法の工程フローに沿った断面図
【図３】本発明の実施の形態２の切り欠け部の断面図
【図４】従来の半導体装置用リードフレームの正面図
【図５】従来の半導体装置用リードフレームの製造方法の工程フローに沿った断面図
【符号の説明】
【００２４】
１  リードフレーム
２  フレーム枠部
３  ダイパッド部
４Ａ  リード部
４ａ  凸部
４ｂ  凹部
５  粘着性テープ材
６  切断用ポンチ
７  切り欠け
１１０  リードフレーム
１１２  フレーム枠部
１１３  ダイパッド部
１１４ａ  凸部
１１４Ａ  リード部
１２０  粘着性テープ材
１０６  切断用ポンチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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