(57)【要約】      （修正有）【課題】高感度及び高解像度であり、保存安定性が良好で、かつ要求される諸性質が良好で高精細な永久パターンを形成可能な、感光性組成物、感光性フィルム、前記感光性組成物を用いた永久パターン形成方法、及び該永久パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板の提供。【解決手段】バインダー、重合性化合物、光重合開始系化合物、及び熱架橋剤を含み、光重合開始系化合物が、中性のＯ−アシルオキシム化合物と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを含む感光性組成物、及び感光性フィルムである。また、前記感光層に対し、露光を行うことを含む永久パターン形成方法、及び該永久パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー、重合性化合物、光重合開始系化合物、及び熱架橋剤を含み、光重合開始系化合物が、中性のＯ−アシルオキシム化合物と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを含むことを特徴とする感光性組成物。
【請求項２】
中性のＯ−アシルオキシム化合物が下記一般式(Ｉ−１)〜（Ｉ−４）のいずれかで表され、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかが下記一般式（ＩＩ）で表される請求項１に記載の感光性組成物。
【化１】
2007256845.tif 000067
【化２】
2007256845.tif 000068
【化３】
2007256845.tif 000069
【化４】
2007256845.tif 000070
ただし、前記一般式(Ｉ−１)〜（Ｉ−４）中、Ｒ１はフェニル基、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルカノイル基、ベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＣＯＮＲ１４Ｒ１５、ＣＮ、ＮＯ２、アリール基、及びジフェニルホスフィノイル基のいずれかを表す。Ｒ２はアルカノイル基、アルケノイル基、ベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、及びフェノキシカルボニル基のいずれかを表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＯＲ１２、ＳＲ１３、ＳＯＲ１３、及びＳＯ２Ｒ１３のいずれかを表す。Ｒ８はアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、シクロアルキル基、ＣＯＮＲ１４Ｒ１５、ＣＮ、フェニル基、及びアルキル基のいずれかを表す。Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＯＲ１２、ＳＲ１３、ＳＯＲ１３、及びＳＯ２Ｒ１３のいずれかを表す。Ｒ１２は水素原子、アルキル基、（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ、アルカノイル基、アルケニル基、炭素原子数３〜６のアルケノイル基、及びフェニル基を表し、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｒ１３はアルキル基、及びフェニル基のいずれかを表す。Ｒ１４及びＲ１５はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、フェニル基、アルカノイル基、アルケノイル基、及びベンゾイル基のいずれかを表す。
【化５】
2007256845.tif 000071
ただし、前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ１６〜Ｒ１９は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、水酸基、又はアルコキシ基を表す。また、Ｒ１６〜Ｒ１９はそれらが各々結合できる炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成していてもよい。
また、Ｒ２０は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ芳香族基、シアノ基、アルコキシ基、カルボキシ基又はアルケニル基を表す。Ｒ２１は、Ｒ２０で表される基又はＺ−Ｒ２０であり、Ｚはカルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基又はアリーレンジカルボニル基を表す。またＲ２０及びＲ２１は共に非金属原子からなる環を形成してもよい。
また、Ａは酸素原子、又は硫黄原子を表す。
また、Ｂは、酸素原子、又は下記式で示される基であり、下記式において、Ｇ１、Ｇ２は同一でも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はフルオロスルホニル基を表す。
ただし、Ｇ１とＧ２は同時に水素原子となることはない。またＧ１及びＧ２は炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成していてもよい。
【化６】
2007256845.tif 000072
【請求項３】
中性のＯ−アシルオキシム化合物が、（１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート、及び（２−アセチルオキシイミノメチル）チオキサンテン−９−オンのいずれかである請求項１から２のいずれかに記載の感光性組成物。
【請求項４】
中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかが、２−（２−ベンゾピラニリデン）−１，３−インダンジオン、７−メトキシ−２−ベンゾチオピラニリデンマロノニトリル、４−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニル−３−メチル−５−ピラゾロン、５−（３−スチリル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−メチル−３−エチル−２−チオヒダントイン、１−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニルスルホニルアセトフェノン、５−（４−ｎ−ブチル−７−クロロ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸、３−（４−メトキシシンナモイル）−７−メトキシクマリン、及び３，３’−カルボニルビス（７−メトキシクマリン）のいずれかである請求項１から３のいずれかに記載の感光性組成物。
【請求項５】
光重合開始系化合物が、水素供与体化合物を含む請求項１から４のいずれかに記載の感光性組成物。
【請求項６】
水素供与体化合物が、１−フェニル−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、Ｎ−フェニルグリシン、及びテトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ブチルトリフェニルボラートの少なくともいずれかである請求項５に記載の感光性組成物。
【請求項７】
中性のＯ−アシルオキシム化合物の含有量と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかの含有量との質量比が、
（中性のＯ−アシルオキシム化合物／中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれか）＝１０：９０〜９０：１０である請求項１から６のいずれかに記載の感光性組成物。
【請求項８】
支持体と、該支持体上に請求項１から７のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層とを少なくとも有することを特徴とする感光性フィルム。
【請求項９】
請求項１から７のいずれかに記載の感光性組成物により形成された感光層に対し、露光を行うことを含むことを特徴とする永久パターンの形成方法。
【請求項１０】
感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するｎ個（ただし、ｎは２以上の自然数）の２次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光（ただし、Ｎは２以上の自然数）に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行われる請求項９に記載の永久パターンの形成方法。
【請求項１１】
請求項９から１０のいずれかに記載の永久パターン形成方法により、永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高精細な永久パターン（保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストパターンなど）の形成に好適な、感光性組成物、感光性フィルム、永久パターン形成方法、及びプリント基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板製造用フォトレジストは、液状レジストからドライフィルムへの切り替えが進んでいるが、その理由として、高感度及び高解像度が得られやすい、取り扱い性が優れることなどが考えられる。一方、ソルダーレジストなどの永久パターンの形成については、現在でも、液状レジストがほとんどであって、ドライフィルム化が遅れている。
【０００３】
その原因の一つとして、ソルダーレジストが、カルボン酸基含有樹脂とエポキシ樹脂とを含むことが挙げられる。
より具体的には、前記ソルダーレジストの製造では、アルカリ現像システムが一般化しており、前記カルボン酸基含有樹脂はアルカリ現像処理のために必須の成分であり、エポキシ樹脂は得られるソルダーレジスト硬化膜の耐熱性、硬度、基板密着性などを実現するには必須の成分である。
【０００４】
すなわち、ソルダーレジスト中には、元来反応性のあるエポキシ基とカルボキシル基とが共存する必要があり、これがソルダーレジストフィルムの保存安定性を限られたものにしている。特に、黄色安全灯下での光安定性に優れ、マスクレス露光が可能な青紫色レーザ（波長４０５±５ｎｍ）露光システムを適用するにあたり、高感度のソルダーレジストを実現するためには、保存安定性の向上が大きな課題の一つである。
また、永久パターンとしてのソルダーレジストには、鉛筆硬度、密着性、電気絶縁性、耐酸性、耐アルカリ性、無電解金メッキ耐性、ＰＣＴ耐性等の諸性質が良好であることが求められる。
【０００５】
ここで、高感度な光重合開始系化合物として、アシルオキシム（特許文献１参照）が提案されている。また、ソルダーレジスト用途として、クマリン化合物と、特定の過酸化物ラジカル発生剤と、酸化還元触媒とを組み合わせた可視光感光性樹脂組成物（特許文献２参照）、クマリン化合物とチタノセンとを組み合わせた光重合性組成物（特許文献３参照）、オキシムエーテルとエポキシアクリレートオリゴマーとを組み合わせて用いた硬化性組成物(特許文献４参照)、オキシムエーテルを用いた硬化性組成物（特許文献５参照）が提案されている。
しかしながら、ソルダーレジスト用途として、Ｏ−アシルオキシム化合物と、ベンゾピラン誘導体、及びベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを組み合わせて用いた感光性組成物は未だ提案されていない。
【０００６】
したがって、ソルダーレジスト用途として、Ｏ−アシル化合物とベンゾピラン誘導体、及びベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを組み合わせて用い、高感度及び高解像度であり、保存安定性が良好で、かつ要求される諸性質が良好で高精細な永久パターンを形成可能な感光性組成物及び感光性フィルム、感光性組成物、前記感光性組成物を用いた永久パターン形成方法、及び該永久パターン形成方法によりパターンが形成されるプリント基板は未だ提供されておらず、更なる改良開発が望まれているのが現状である。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−８００６８号公報
【特許文献２】特開平４−１５２０１号公報
【特許文献３】特開平８−３３４８９７号公報
【特許文献４】特開２００１−３０２８７１号公報
【特許文献５】国際公開０２／９６９６９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、ソルダーレジスト用途として、Ｏ−アシル化合物と、ベンゾピラン誘導体、及びベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを組み合わせて用い、高感度及び高解像度であり、保存安定性が良好で、かつ要求される諸性質が良好で高精細な永久パターンを形成可能な、感光性組成物及び感光性フィルム、感光性組成物、前記感光性組成物を用いた永久パターン形成方法、及び該永久パターン形成方法によりパターンが形成されるプリント基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明者が鋭意検討を行った結果、バインダー、重合性化合物、光重合開始系化合物、及び熱架橋剤を含む感光性組成物であって、中性のＯ−アシルオキシム化合物と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを前記光重合開始系化合物に含む感光性組成物が、高感度及び高解像度であり、保存安定性が良好で、かつ要求される諸性質が良好で高精細な永久パターンを形成可能であることを知見した。ここで、前記感光性組成物では、前記中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかが増感色素（増感剤）として光吸収し、共存する前記中性のＯ−アシルオキシム化合物からの開始ラジカル発生を促進するものと考えられる。
【００１０】
本発明は、本発明者の前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  バインダー、重合性化合物、光重合開始系化合物、及び熱架橋剤を含み、光重合開始系化合物が、中性のＯ−アシルオキシム化合物と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを含むことを特徴とする感光性組成物である。
＜２＞  中性のＯ−アシルオキシム化合物が下記一般式(Ｉ−１)〜（Ｉ−４）のいずれかで表される前記＜１＞に記載の感光性組成物である。
【化７】
2007256845.tif 000002
【化８】
2007256845.tif 000003
【化９】
2007256845.tif 000004
【化１０】
2007256845.tif 000005
ただし、前記一般式(Ｉ−１)〜（Ｉ−４）中、Ｒ１はフェニル基、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルカノイル基、ベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＣＯＮＲ１４Ｒ１５、ＣＮ、ＮＯ２、アリール基、及びジフェニルホスフィノイル基のいずれかを表す。Ｒ２はアルカノイル基、アルケノイル基、ベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、及びフェノキシカルボニル基のいずれかを表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＯＲ１２、ＳＲ１３、ＳＯＲ１３、及びＳＯ２Ｒ１３のいずれかを表す。Ｒ８はアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、シクロアルキル基、ＣＯＮＲ１４Ｒ１５、ＣＮ、フェニル基、及びアルキル基のいずれかを表す。Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＯＲ１２、ＳＲ１３、ＳＯＲ１３、及びＳＯ２Ｒ１３のいずれかを表す。Ｒ１２は水素原子、アルキル基、（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ、アルカノイル基、アルケニル基、炭素原子数３〜６のアルケノイル基、及びフェニル基を表し、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｒ１３はアルキル基、及びフェニル基のいずれかを表す。Ｒ１４及びＲ１５はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、フェニル基、アルカノイル基、アルケノイル基、及びベンゾイル基のいずれかを表す。
＜３＞  中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかが下記一般式（ＩＩ）で表される前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
【化１１】
2007256845.tif 000006
ただし、前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ１６〜Ｒ１９は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、水酸基、又はアルコキシ基を表す。また、Ｒ１６〜Ｒ１９はそれらが各々結合できる炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成していてもよい。Ｒ２０は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ芳香族基、シアノ基、アルコキシ基、カルボキシ基又はアルケニル基を表す。Ｒ２１は、Ｒ２０で表される基又はＺ−Ｒ２０であり、Ｚはカルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基又はアリーレンジカルボニル基を表す。またＲ２０及びＲ２１は共に非金属原子からなる環を形成してもよい。また、Ａは酸素原子、又は硫黄原子を表す。
また、Ｂは、酸素原子、又は下記式で示される基であり、下記式において、Ｇ１、Ｇ２は同一でも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はフルオロスルホニル基を表す。
ただし、Ｇ１とＧ２は同時に水素原子となることはない。またＧ１及びＧ２は炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成していてもよい。
【化１２】
2007256845.tif 000007
＜４＞  中性のＯ−アシルオキシム化合物が、（１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート及び（２−アセチルオキシイミノメチル）チオキサンテン−９−オンのいずれかである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜５＞  中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかが、２−（２−ベンゾピラニリデン）−１，３−インダンジオン、７−メトキシ−２−ベンゾチオピラニリデンマロノニトリル、４−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニル−３−メチル−５−ピラゾロン、５−（３−スチリル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−メチル−３−エチル−２−チオヒダントイン、１−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニルスルホニルアセトフェノン、５−（４−ｎ−ブチル−７−クロロ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸、３−（４−メトキシシンナモイル）−７−メトキシクマリン、及び３，３’−カルボニルビス（７−メトキシクマリン）のいずれかである前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜６＞  光重合開始系化合物が、水素供与体化合物を含む前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜７＞  水素供与体化合物が、１−フェニル−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、Ｎ−フェニルグリシン、及びテトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ブチルトリフェニルボラートの少なくともいずれかである前記＜６＞に記載の感光性組成物である。
＜８＞中性のＯ−アシルオキシム化合物の含有量と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかの含有量との質量比が、（中性のＯ−アシルオキシム化合物：中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれか）＝（１０：９０〜９０：１０）である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜９＞中性のＯ−アシルオキシム化合物の含有量と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかの含有量との質量比が、（中性のＯ−アシルオキシム化合物：中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれか）＝（２０：８０〜８０：２０）である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜１０＞中性のＯ−アシルオキシム化合物の含有量と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかの含有量との質量比が、（中性のＯ−アシルオキシム化合物：中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれか）＝（３０：７０〜７０：３０）である前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
【００１１】
＜１１＞  バインダーが、アルカリ可溶性架橋性樹脂である前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜１２＞  重合性化合物が、（メタ）アクリル基を有するモノマーを含む前記＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜１３＞  熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される少なくとも１種である前記＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜１４＞  熱架橋促進剤を含む前記＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜１５＞  無機充填剤を含む前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
【００１２】
＜１６＞  支持体と、該支持体上に前記＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層とを有することを特徴とする感光性フィルムである。
＜１７＞  支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である前記＜１６＞に記載の感光性フィルムである。
＜１８＞  支持体が、長尺状である前記＜１６＞から＜１７＞のいずれかに記載の感光性フィルムである。
＜１９＞  長尺状であり、ロール状に巻かれてなる前記＜１６＞から＜１８＞のいずれかに記載の感光性フィルムである。
＜２０＞  感光層上に保護フィルムを有する前記＜１６＞から＜１９＞のいずれかに記載の感光性フィルムである。
＜２１＞  感光層の厚みが１〜１００μｍである前記＜１６＞から＜２０＞のいずれかに記載の感光性フィルムである。
【００１３】
＜２２＞  光を照射可能な光照射手段と、該光照射手段からの光を変調し、前記＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の感光性組成物により形成された感光層に対して露光を行う光変調手段とを少なくとも有することを特徴とするパターン形成装置である。該＜２０＞に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が、前記光変調手段に向けて光を照射する。前記光変調手段が、前記光照射手段から受けた光を変調する。前記光変調手段により変調した光が前記感光層に対して露光させる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、高精細なパターンが形成される。
＜２３＞  光変調手段が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を更に有してなり、光照射手段から照射される光を該パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて変調させる前記＜２２＞に記載のパターン形成装置である。該＜２３＞に記載のパターン形成装置においては、前記光変調手段が前記パターン信号生成手段を有することにより、前記光照射手段から照射される光が該パターン信号生成手段により生成した制御信号に応じて変調される。
＜２４＞  光変調手段が、ｎ個の描素部を有してなり、該ｎ個の描素部の中から連続的に配置された任意のｎ個未満の前記描素部を、形成するパターン情報に応じて制御可能である前記＜２２＞から＜２３＞のいずれかに記載のパターン形成装置である。該＜２４＞に記載のパターン形成装置においては、前記光変調手段におけるｎ個の描素部の中から連続的に配置された任意のｎ個未満の描素部をパターン情報に応じて制御することにより、前記光照射手段からの光が高速で変調される。
＜２５＞  光変調手段が、空間光変調素子である前記＜２２＞から＜２４＞のいずれかに記載のパターン形成装置である。
＜２６＞  空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）である前記＜２５＞に記載のパターン形成装置である。
＜２７＞  描素部が、マイクロミラーである前記＜２４＞から＜２６＞のいずれかに記載のパターン形成装置である。
＜２８＞  光照射手段が、２以上の光を合成して照射可能である前記＜２２＞から＜２７＞のいずれかに記載のパターン形成装置である。該＜２８＞に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が２以上の光を合成して照射可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光によって行われる。この結果、前記感光層への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
＜２９＞  光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する前記＜２２＞から＜２８＞のいずれかに記載のパターン形成装置である。該＜２９＞に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が、前記複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光が前記集合光学系により集光され、前記マルチモード光ファイバに結合可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光で行われる。この結果、前記感光層への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
【００１４】
＜３０＞  前記＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の感光性組成物により形成された感光層に対して露光を行うことを含むことを特徴とする永久パターン形成方法である。
＜３１＞  感光層が、前記＜１６＞から＜２１＞のいずれかに記載の感光性フィルムにより形成された前記＜３０＞に記載の永久パターン形成方法である。
＜３２＞  露光が、３５０〜４１５ｎｍの波長のレーザ光を用いて行われる前記＜３０＞に記載の永久パターン形成方法である。
＜３３＞  露光が、形成するパターン情報に基づいて像様に行われる前記＜３０＞から＜３２＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
【００１５】
＜３４＞  感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するｎ個（ただし、ｎは２以上の自然数）の２次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光（ただし、Ｎは２以上の自然数）に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行われる前記＜３０＞から＜３３＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該＜３４＞に記載の永久パターン形成方法においては、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光（ただし、Ｎは２以上の自然数）に使用する前記描素部が指定され、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部が制御される。前記露光ヘッドを、前記感光層に対し走査方向に相対的に移動させて露光が行われることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
＜３５＞  露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する前記＜３４＞に記載の永久パターン形成方法である。該＜３５＞に記載の永久パターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
＜３６＞  露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する前記＜３５＞に記載の永久パターン形成方法である。該＜３６＞に記載の永久パターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域以外に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
＜３７＞  設定傾斜角度θが、Ｎ重露光数のＮ、描素部の列方向の個数ｓ、前記描素部の列方向の間隔ｐ、及び露光ヘッドを傾斜させた状態において該露光ヘッドの走査方向と直交する方向に沿った描素部の列方向のピッチδに対し、次式、ｓｐsinθideal≧Ｎδを満たすθidealに対し、θ≧θidealの関係を満たすように設定される前記＜３４＞から＜３６＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜３８＞  Ｎ重露光のＮが、３以上の自然数である前記＜３４＞から＜３７＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該＜３８＞に記載の永久パターン形成方法においては、Ｎ重露光のＮが、３以上の自然数であることにより、多重描画が行われる。この結果、埋め合わせの効果により、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが、より精密に均される。
【００１６】
＜３９＞  使用描素部指定手段が、
描素部により生成されて被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点位置を、被露光面上において検出する光点位置検出手段と、
前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、Ｎ重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段と
を備える前記＜３４＞から＜３８＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜４０＞  使用描素部指定手段が、Ｎ重露光を実現するために使用する使用描素部を、行単位で指定する前記＜３４＞から＜３９＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
【００１７】
＜４１＞  光点位置検出手段が、検出した少なくとも２つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす実傾斜角度θ´を特定し、描素部選択手段が、前記実傾斜角度θ´と設定傾斜角度θとの誤差を吸収するように使用描素部を選択する前記＜３９＞から＜４０＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜４２＞  実傾斜角度θ´が、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度の平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかである前記＜４１＞に記載の永久パターン形成方法である。
＜４３＞  描素部選択手段が、実傾斜角度θ´に基づき、ｔtanθ´＝Ｎ（ただし、ＮはＮ重露光数のＮを表す）の関係を満たすｔに近い自然数Ｔを導出し、ｍ行（ただし、ｍは２以上の自然数を表す）配列された描素部における１行目から前記Ｔ行目の前記描素部を、使用描素部として選択する前記＜３９＞から＜４２＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜４４＞  描素部選択手段が、実傾斜角度θ´に基づき、ｔtanθ´＝Ｎ（ただし、ＮはＮ重露光数のＮを表す）の関係を満たすｔに近い自然数Ｔを導出し、ｍ行（ただし、ｍは２以上の自然数を表す）配列された描素部における、（Ｔ＋１）行目からｍ行目の前記描素部を、不使用描素部として特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する前記＜３９＞から＜４２＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
【００１８】
＜４５＞  描素部選択手段が、複数の描素部列により形成される被露光面上の重複露光領域を少なくとも含む領域において、
（１）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、使用描素部を選択する手段、
（２）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、使用描素部を選択する手段、
（３）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段、及び
（４）理想的なＮ重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段
のいずれかである前記＜３９＞から＜４４＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜４６＞  描素部選択手段が、複数の露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、
（１）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
（２）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
（３）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、及び、
（４）理想的なＮ重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
のいずれかである前記＜３９＞から＜４５＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜４７＞  不使用描素部が、行単位で特定される前記＜４６＞に記載の永久パターン形成方法である。
【００１９】
＜４８＞  使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光のＮに対し、（Ｎ−１）列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行う前記＜３４＞から＜４７＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該＜４８＞に記載の永久パターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光のＮに対し、（Ｎ−１）列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略１重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。
＜４９＞  使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光のＮに対し、１／Ｎ行毎の描素部行を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行う前記＜３４＞から＜４８＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該＜４９＞に記載の永久パターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光のＮに対し、１／Ｎ行毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略１重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。
【００２０】
＜５０＞  使用描素部指定手段が、光点位置検出手段としてスリット及び光検出器、並びに描素部選択手段として前記光検出器と接続された演算装置を有する前記＜３４＞から＜４９＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜５１＞  Ｎ重露光のＮが、３以上７以下の自然数である前記＜３４＞から＜５０＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜５２＞  パターン情報が表すパターンの所定部分の寸法が、指定された使用描素部により実現できる対応部分の寸法と一致するように前記パターン情報を変換する前記＜３４＞から＜５１＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
【００２１】
＜５３＞  露光が行われた後、感光層の現像を行う前記＜３０＞から＜５２＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜５４＞  現像が行われた後、感光層に対して硬化処理を行う前記＜５３＞に記載の永久パターン形成方法である。
＜５５＞  硬化処理が、全面露光処理及び１２０〜２００℃で行われる全面加熱処理の少なくともいずれかである前記＜５４＞に記載の永久パターン形成方法である。該＜５５＞に記載の永久パターン形成方法においては、前記全面露光処理において、前記感光性組成物中の樹脂の硬化が促進される。また、前記温度条件で行われる全面加熱処理において、硬化膜の膜強度が高められる。
＜５６＞  ソルダーレジストパターン形成する前記＜５５＞に記載の永久パターン形成方法である。
【００２２】
＜５７＞  前記＜３０＞から＜５６＞のいずれかに記載のパターン形成方法により形成されることを特徴とする永久パターンである。該＜５７＞に記載の永久パターンは、前記パターン形成方法により形成されるので、優れた耐薬品性、表面硬度、耐熱性などを有し、かつ高精細であり、半導体や部品の多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの高密度実装に有用である。
＜５８＞  保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかである前記＜５７＞に記載のパターンである。該＜５８＞に記載の永久パターンは、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかであるので、該膜の有する絶縁性、耐熱性などにより、配線が外部からの衝撃や曲げなどから保護される。
【００２３】
＜５９＞  前記＜３０＞から＜５８＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法により永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、ソルダーレジスト用途としてＯ−アシルオキシム化合物とベンゾピラン誘導体、又はベンゾチオピラン誘導体とを組み合わせて用い、高感度及び高解像度であり、保存安定性が良好で、かつ要求される諸性質が良好で高精細な永久パターンを形成可能な、感光性組成物及び感光性フィルム、感光性組成物、前記感光性組成物を用いた永久パターン形成方法、及び該永久パターン形成方法によりパターンが形成されるプリント基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明は、感光性組成物、該感光性組成物からなる感光層を積層してなる感光性フィルム、並びにパターン形成方法であり、以下順に説明する。
【００２６】
（感光性組成物）
本発明の感光性組成物は、バインダー、重合性化合物、光重合開始系化合物、及び熱架橋剤を少なくとも含み、必要に応じて、適宜選択されたその他の成分を含む。
【００２７】
＜光重合開始系化合物＞
前記光重合開始系化合物は、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを含み、更に、水素供与体化合物を含むことが好ましい。
【００２８】
＜＜Ｏ−アシルオキシム化合物＞＞
本発明の中性Ｏ−アシルオキシム化合物とは、該化合物を、水又は水と混和性の溶剤の溶液に溶解したときに中性（ｐＨ＝６．４〜７．４）を示すものを表す。
前記中性Ｏ−アシルオキシム化合物は、分子中にアミノ基等の塩基性基、カルボン酸基、スルホン酸基などの酸性基を含有しないもの、及びそれらが存在しても、それぞれ分子内の酸性基や塩基性基との結合により、又は他の酸性分子や塩基性分子との結合により、中和しているものから適宜選択される。
【化１３】
2007256845.tif 000008
【化１４】
2007256845.tif 000009
【化１５】
2007256845.tif 000010
【化１６】
2007256845.tif 000011
ただし、一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）中、Ｒ１はフェニル基、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルカノイル基、ベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＣＯＮＲ１４Ｒ１５、ＣＮ、ＮＯ２、アリール基、及びジフェニルホスフィノイル基のいずれかを表す。Ｒ２はアルカノイル基、アルケノイル基、ベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、及びフェノキシカルボニル基のいずれかを表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ６、及びＲ７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＯＲ１２、ＳＲ１３、ＳＯＲ１３、及びＳＯ２Ｒ１３のいずれかを表す。Ｒ８はアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、シクロアルキル基、ＣＯＮＲ１４Ｒ１５、ＣＮ、フェニル基、及びアルキル基のいずれかを表す。Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ＯＲ１２、ＳＲ１３、ＳＯＲ１３、及びＳＯ２Ｒ１３のいずれかを表す。Ｒ１２は水素原子、アルキル基、（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ、アルカノイル基、アルケニル基、炭素原子数３〜６のアルケノイル基、及びフェニル基を表し、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｒ１３はアルキル基、及びフェニル基のいずれかを表す。Ｒ１４及びＲ１５はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、フェニル基、アルカノイル基、アルケノイル基、及びベンゾイル基のいずれかを表す。
【００２９】
前記Ｒ１におけるフェニル基としては、例えば、無置換のフェニル基、置換基として、炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子、ＯＲ１２、及びＳＲ１３の１個以上を有する基が挙げられる。
前記Ｒ１におけるアルキル基としては、炭素原子数１〜２０のアルキル基、１以上の酸素原子により中断、及び１以上のヒドロキシル基により置換の少なくともいずれかがされていてもよい炭素原子数２〜２０のアルキル基、Ｓ（Ｏ)ｍ（ｍは１又は２の整数を表す。以下同じ）を有する炭素原子数１〜６のアルキル基、並びにＳＯ２Ｏを有する炭素原子数１〜１０のアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１におけるシクロアルキル基としては、炭素原子数５〜８のシクロアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１におけるハロアルキル基としては、炭素原子数１〜４のハロアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１におけるアルカノイル基としては、炭素原子数２〜２０のシクロアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１におけるベンゾイル基としては、無置換のベンゾイル基、置換基として、炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ１２、及びＳＲ１３の１個以上を有する基が挙げられる。
前記Ｒ１におけるアルコキシカルボニル基としては、１以上の酸素原子により中断、及び１以上のヒドロキシル基により置換の少なくともいずれかがされていてもよい炭素原子数２〜１２のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
前記Ｒ１におけるフェノキシカルボニル基としては、無置換のフェノキシカルボニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子、及びＯＲ１２の１個以上を有する基が挙げられる。
前記Ｒ１におけるアリール基としては、無置換のアリール基、Ｃ１−Ｃ１２アルキル−置換Ｓ（Ｏ)ｍ−Ｃ６−Ｃ１２アリール基、及びＳＯ２Ｏ−Ｃ６−Ｃ１０アリール基が挙げられる。
【００３０】
前記Ｒ２におけるアルカノイル基としては、ハロゲン原子及びＣＮのいずれかを有してもよい炭素原子数２〜１２のアルカノイル基が挙げられる。
前記Ｒ２におけるアルケノイル基としては、二重結合がカルボニル基と共役しない炭素原子数４〜６のアルケノイル基が挙げられる。
前記Ｒ２におけるベンゾイル基としては、無置換のベンゾイル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子、ＣＮ、ＯＲ１２、及びＳＲ１３の１個以上により置換されている基が挙げられる。
前記Ｒ２におけるアルコキシカルボニル基としては、炭素原子数２〜６のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
前記Ｒ２におけるフェノキシカルボニル基としては、炭素原子数１〜６のアルキル基及びハロゲン原子のいずれかを有してもよいフェノキシカルボニル基が挙げられる。
【００３１】
前記Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７におけるアルキル基としては、炭素原子数１〜１２のアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７におけるフェニル基としては、無置換のフェニル基、ＯＲ１２、及びＳＲ１３の１個以上を有する基が挙げられる。
前記Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７におけるアルカノイル基としては、炭素原子数２〜１２のアルカノイル基が挙げられる。
前記Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７におけるアルコキシカルボニル基としては、１以上の酸素原子により中断、及び１以上のヒドロキシル基により置換の少なくともいずれかがされていてもよい炭素原子数２〜１２のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
前記Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、及びＲ７の少なくとも一つはＯＲ１２及びＳＲ１３のいずれかを表し、前記ＯＲ１２及びＳＲ１３は、フェニル環の更なる置換基又はフェニル環の炭素原子の一つと、基Ｒ１２、Ｒ１３を介して５又は６員環を形成してもよい。
【００３２】
前記Ｒ８におけるアルコキシカルボニル基としては、無置換の１以上の酸素原子により中断、及び１以上のヒドロキシル基により置換の少なくともいずれかがされていてもよい炭素原子数２〜１２のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
前記Ｒ８におけるフェノキシカルボニル基としては、無置換のフェノキシカルボニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子、及びＯＲ１２の１個以上を有する基が挙げられる。
前記Ｒ８におけるシクロアルキル基としては、炭素原子数５〜８のシクロアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ８におけるフェニル基としては、ＳＲ１３により置換され、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１を有するフェニル環の炭素原子への結合を構築することによりＲ１３を介して５又は６員環が形成されてもよい。
前記Ｒ８におけるアルキル基としては、Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１の少なくともいずれかがＳＲ１３であれば、ハロゲン原子、ＯＨ、ＯＲ２、フェニル基、ハロゲン化フェニル基、及びＳＲ１３置換フェニル基の１個以上により置換され、かつ、酸素原子又はＮＨ（ＣＯ）により中断されてもよい炭素原子数２〜１２のアルキル基が挙げられる。
【００３３】
前記Ｒ１１におけるアルキル基としては、炭素原子数１〜１２のアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１１におけるフェニル基としては、ＯＲ１２及びＳＲ１３のいずれかを有してもよいフェニル基が挙げられる。
前記Ｒ１１におけるアルカノイル基としては、炭素原子数２〜１２のアルカノイル基が挙げられる。
前記Ｒ１１におけるアルコキシカルボニル基としては、１以上の酸素原子により中断、及び１以上のヒドロキシル基により置換の少なくともいずれかがされていてもよい炭素原子数２〜１２のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
前記Ｒ１１におけるＯＲ１２及びＳＲ１３は、フェニル環の更なる置換基又はフェニル環の炭素原子の一つと、基Ｒ１２、Ｒ１３を介して５又は６員環を形成してもよい。
Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１の少なくとも一つはＯＲ１２及びＳＲ１３のいずれかである。
前記Ｒ１０がメトキシ基であり、Ｒ９及びＲ１１が水素原子であり、Ｒ８がＣＮであれば、Ｒ２は、ベンゾイル又は４−（Ｃ１−Ｃ１０アルキル）ベンゾイルではない。
【００３４】
前記Ｒ１２におけるアルキル基の有する置換基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、炭素原子数１〜４のアルコキシ基、炭素原子数３〜６のアルケンオキシ基、−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＮ、−ＯＣＨ２ＣＨ２(ＣＯ）Ｏ（Ｃ１−Ｃ４アルキル）、−Ｏ（ＣＯ）−Ｃ１−Ｃ４アルキル、−Ｏ（ＣＯ）−フェニル、−（ＣＯ）ＯＨ、及び−（ＣＯ）Ｏ（Ｃ１−Ｃ４アルキル）が挙げられる。
また、前記Ｒ１２におけるアルキル基は、１個以上の酸素原子により中断されてもよい。
前記Ｒ１２におけるアルカノイル基としては、炭素原子数２〜８のアルカノイル基が挙げられる。
前記Ｒ１２におけるアルケニル基としては、炭素原子数３〜１２のアルケニル基が挙げられる。
前記Ｒ１２におけるアルケノイル基としては、炭素原子数３〜６のアルケノイル基が挙げられる。
前記Ｒ１２におけるフェニル基としては、無置換のフェニル基、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のアルキル基、及び炭素原子数１〜４のアルコキシ基のいずれかで置換されたフェニル基、フェニル−Ｃ1−Ｃ3アルキル、Ｓｉ（Ｃ1−Ｃ8アルキル)ｒ(フェニル)３−ｒ、及び下記式で表される基が挙げられる。
【化１７】
2007256845.tif 000012
【化１８】
2007256845.tif 000013
【００３５】
前記Ｒ１３におけるアルキル基としては、１個以上の酸素原子又は硫黄原子により中断されている基が挙げられる。
前記Ｒ１３におけるフェニル基の有する置換基としては、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のアルキル基、又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基、フェニル−Ｃ１−Ｃ３アルキル、及び下記式で表される基が挙げられる。
【化１９】
2007256845.tif 000014
【化２０】
2007256845.tif 000015
【００３６】
前記Ｒ１４及びＲ１５におけるアルキル基としては、炭素原子数１〜１２のアルキル基、１〜３の炭素原子を介してフェニル基を有するアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１４及びＲ１５におけるヒドロキシアルキル基としては、炭素原子数２〜４のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１４及びＲ１５におけるアルコキシアルキル基としては、炭素原子数２〜１０のアルコキシアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１４及びＲ１５におけるアルケニル基としては、炭素原子数３〜５のアルケニル基が挙げられる。
前記Ｒ１４及びＲ１５におけるシクロアルキル基としては、炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基が挙げられる。
前記Ｒ１４及びＲ１５におけるアルカノイル基としては、炭素原子数２〜３のアルカノイル基が挙げられる。
前記Ｒ１４及びＲ１５におけるアルケノイル基としては、炭素原子数３〜６のアルケノイル基が挙げられる。
前記Ｒ１４及びＲ１５は互いに結合して酸素原子を介したり置換基を有してもよいアルキレン基を形成してもよい。
前記Ｒ１４及びＲ１５におけるフェニル基としては、無置換のフェニル基、炭素原子数１〜１２のアルキル基、及び炭素原子数１〜４のアルコキシ基のいずれかで置換された基が挙げられ、また、Ｒ１４が水素原子であれば、下記式で表される基が挙げられる。
【化２１】
2007256845.tif 000016
【化２２】
2007256845.tif 000017
【００３７】
Ｍ１、Ｍ２、及びＭ３はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜１２のアルキレン基、シクロヘキシレン基、フェニレン基、−（ＣＯ）Ｏ−（Ｃ２−Ｃ１２アルキレン）−Ｏ（ＣＯ）−、−（ＣＯ）Ｏ−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ)ｎ−（ＣＯ）−、又は−（ＣＯ）−（Ｃ２−Ｃ１２−アルキレン）−（ＣＯ）−を表す。更に、Ｍ１は、直接結合であるか、１〜５個の酸素原子及び硫黄原子の少なくともいずれかにより中断されている炭素原子数１〜１２のアルキレンオキシ基を表し、Ｍ２は、直接結合であるか、１〜５個の酸素原子及び硫黄原子の少なくともいずれかにより中断されている炭素原子数１〜１２のアルキレン−Ｓ−を表す。また、Ｍ３は直接結合であるが、（ｉ）Ｒ５がメトキシ基であり、Ｒ２がベンゾイル基又はアセチル基であるならば、Ｒ１はフェニル基ではなく、
（ii）Ｒ５がメトキシ基であり、Ｒ２がエトキシカルボニル基であるならば、Ｒ１はベンゾイル基又はエトキシカルボニル基ではなく、
（iii）Ｒ５がメトキシ基であり、Ｒ１が４−メトキシベンゾイル基であるならば、Ｒ２はエトキシカルボニル基ではなく、
（iv）Ｒ５がメタクリロイルアミノ基であり、Ｒ１がメチル基であるならば、Ｒ２はベンゾイル基ではなく、
（ｖ）Ｒ５及びＲ４、又は、Ｒ５及びＲ６がＯＲ１２基であり、それらのＯＲ１２基が一緒になってＲ３を介して環を形成し、それにより−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−を与え、Ｒ１がメチル基であるならば、Ｒ２はアセチル基ではなく、
（vi）Ｒ６４、Ｒ７５、及びＲ８６が、同時にメトキシ基であり、Ｒ３１がエトキシカルボニル基であるならば、Ｒ４２はアセチル基ではなく、
（vii）Ｒ５がメトキシ基であり、同時にＲ４又はＲ６がアセトキシ基であり、Ｒ１がエチル基であるならば、Ｒ２はアセチル基ではなく、
（viii）一般式（II−３）において、Ｒ８がメチル基であり、Ｒ１０がフェニルチオ基であり、Ｒ９及びＲ１０が水素原子であるならば、Ｒ２は４−クロロベンゾイルではない。
【００３８】
前記一般式（II−１）〜（II−４）で表される化合物について、更に説明すると、前記化合物は、オキシム官能基に結合するフェニル基又はベンゾイル基に直接結合している、アルコキシ置換基、アリールオキシ置換基、アルキルチオ置換基、又はアリールチオ置換基の少なくとも１個を含むことで特徴づけられている。
置換されたフェニル基は、１〜４個置換されており、例えば、１、２又は３個が好ましく、２個が特に好ましい。フェニル環の置換基は、該フェニル環の４位又は３，４−位、３，４，５−位、２，６−位、２，４−位若しくは２，４，６−位が好ましく、４−位又は３，４−位が特に好ましい。
【００３９】
前記アルキル基としては、炭素原子数１〜２０のアルキル基として、直鎖又は分岐であり、例えば、Ｃ１−Ｃ１８−、Ｃ１−Ｃ１４−、Ｃ１−Ｃ１２−、Ｃ１−Ｃ８−、Ｃ１−Ｃ６−若しくはＣ１−Ｃ４アルキル、Ｃ４−Ｃ１２−、及びＣ４−Ｃ８アルキルが挙げられる。
具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、及びイコシル基が挙げられる。
【００４０】
また、炭素原子数２〜２０のアルキル基として、１個以上の酸素原子、例えば、１〜９、１〜５、１〜３、１、又は２個の酸素原子により中断されており、二つの酸素原子は、少なくとも２個のメチレン基、すなわちエチレン基により分離されており、直鎖又は分岐である基が挙げられる。
具体的には、−ＣＨ２−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ３、−〔ＣＨ２ＣＨ２Ｏ〕ｙ−ＣＨ３（ここで、ｙ＝１〜９である）、−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ)７−ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、及び−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ３が挙げられる。
また、炭素原子数２〜６のアルキル基として、１又は２個の酸素原子により中断されている基、例えば、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ３、及び−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ３が挙げられる。
【００４１】
前記ヒドロキシアルキル基としては、１個又は２個の酸素原子で置換されている炭素原子数２〜４の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。
具体的には、例えば、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、２，３−ジヒドロキシプロピル基、及び２，４−ジヒドロキシブチル基が挙げられる。
【００４２】
前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、及びシクロドデシルが挙げられ、シクロペンチル及びシクロヘキシルが好ましく、シクロヘキシルがより好ましい。
前記アルコキシ基としては、直鎖又は分岐であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、及びｔｅｒｔ−ブチルオキシ基が挙げられる。
【００４３】
前記炭素原子数２〜１０のアルコキシアルキル基としては、酸素原子により中断されている炭素原子数２〜１０のアルキル基が挙げられる。
具体的には、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、プロポキシメチル基、プロポキシエチル基、及びプロポキシプロピルが挙げられる。
【００４４】
前記アルカノイル基としては、直鎖又は分岐であり、例えば、Ｃ２−Ｃ１８−、Ｃ２−Ｃ１４−、Ｃ２−Ｃ１２−、Ｃ２−Ｃ８−、Ｃ２−Ｃ６−、Ｃ２−Ｃ４アルカノイルＣ４−Ｃ１２−、及びＣ４−Ｃ８アルカノイルが挙げられる。
具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、イソブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ノナノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、テトラデカノイル基、ペンタデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基、及びイコサノイル基が挙げられ、これらの中でもアセチル基が好ましい。
炭素原子数２〜４のアルカノイルオキシ基としては、直鎖又は分岐であり、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブタノイルオキシ基、及びイソブタノイルオキシ基が挙げられ、これらの中でもアセチルオキシ基が好ましい。
【００４５】
前記炭素原子数２〜１２のアルコキシカルボニル基としては、直鎖又は分岐であり、１個以上の酸素原子により中断され、２個の酸素原子は、少なくとも２個のメチル基、すなわち、エチレン基で分離されている基が挙げられる。
前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシオカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、１，１−ジメチルプロポキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、及びデオシルオキシカルボニルが挙げられ、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、及びイソブチルオキシカルボニルが好ましく、メトキシカルボニル基がより好ましい。
【００４６】
前記フェノキシカルボニル基は、下記式で表される基である。
【化２３】
2007256845.tif 000018
置換フェノキシカルボニル基は、１〜４個置換されており、例えば、１、２又は３個が好ましく、２又は３個が特に好ましい。フフェニル環の置換基は、該フェニル環の４位又は３，４−位、３，４，５−位、２，６−位、２，４−位若しくは２，４，６−位が好ましく、４−位又は３，４−位が特に好ましい。
【００４７】
前記フェニル−Ｃ１−Ｃ３アルキルとしては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、α−メチルベンジル基、又はα，α−ジメチルベンジル基が挙げられ、特にベンジル基が好ましい。
前記炭素原子数３〜１２のアルケニル基としては、モノ−若しくはポリ置換であってもよく、例えば、アリル基、メタリル基、１，１−ジメチルアリル基、１−ブテニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、１，３−ペンタジエニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、７−オクテニル基、又はドデシル基が挙げられ、特にアリル基が好ましい。
炭素原子数３〜６のアルケンオキシ基は、モノ−若しくはポリ置換であってよく、例えば、アリルオキシ基、メタリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテンオキシ基、１，３−ペンタジエニルオキシ基、及び５−ヘキセニルオキシ基が挙げられる。
前記炭素原子数３〜６のアルケノイル基としては、モノ−若しくはポリ置換であってよく、例えば、プロペノイル基、２−メチル−プロペノイル基、ブテノイル基、ペンテノイル基、１，３−ペンタジエノイル基、５−ヘキセノイル基が挙げられる。
メチルスルファニル基は、−ＳＣＨ３である。前記ハロゲン原子としては、フルオロ、クロロ、ブロモ、及びヨードが挙げられ、フルオロ、クロロ、及びブロモが好ましく、フルオロ及びクロロがより好ましい。
前記炭素原子数６〜１２のアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、及び２−ナフチル基が挙げられ、これらの中でもフェニル基が好ましい。
【００４８】
フェニル環上の、置換基ＯＲ１２及びＳＲ１３が、フェニル環の別の置換基又はフェニル環の炭素原子の１個と、Ｒ１２及びＲ１３のいずれかを介して５又は６員環を形成するならば、例えば、下記式で表されるような、２個又は４個の環（フェニル環を含めて）を含む構造が得られる。
【化２４】
2007256845.tif 000019
【００４９】
Ｒ８がＳＲ１３により置換されているフェニル基であり、５又は６員環が、Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１を有するフェニル環の炭素原子への結合を構築することによりＲ１３を介して形成されるならば、下記式の構造を形成することができる。
【化２５】
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【００５０】
Ｒ１３が、フェニル基であり、Ｒ２が、ハロゲン置換ベンゾイル基である一般式（II−３）の化合物は、好適には、上記の定義から除外される。
好適な化合物としては、例えば、
i)Ｒ１が置換であるか又はＣ1−Ｃ6アルキル、フェニル、ハロゲン、ＯＲ１２、又はＳＲ１３により置換されているフェニル基か、
ii)Ｒ１が酸素原子の１個以上により中断、及びヒドロキシ基の１個以上により置換のいずれかがされていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基か、
iii)Ｒ１が炭素原子数１〜４のハロアルキル基であり、Ｒ８が炭素原子数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ＯＲ１２、又はＳＲ１３の１個以上により置換されてもよいフェノキシカルボニル基か、
iv)Ｒ８が−ＣＯＮＲ１４Ｒ１５か、
ｖ）Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも一つが−ＳＲ１３であれば、Ｒ８が、更にハロゲン原子、ＯＨ基、ＯＲ２基、フェニル基、ハロゲン化フェニル基、又はＳＲ１３で置換されたフェニル基の１個以上により置換されていたり、酸素原子又は−ＮＨ（ＣＯ）−により中断されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基であり、Ｒ２がハロゲン原子により置換されてもよい炭素原子数２〜１２のアルカノイル基か、
vi)Ｒ２が炭素原子数４〜６のアルケノイル基であるが、二重結合はカルボニル基と共役していないか、
vii)Ｒ２が炭素原子数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子により置換されてもよいベンゾイル基であり、
Ｒ５及びＲ７が水素であり、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ９、及びＲ１１が互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のアルキル基、ＯＲ１２、又はＳＲ１３であり、Ｒ５及びＲ６がＯＲ１２又はＳＲ１３である、式（II−１）及び（II−３）のいずれかの化合物が挙げられる。
特に好適なものは、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６若しくはＲ７又はＲ９、Ｒ１０若しくはＲ１１が、ＳＲ１３である、一般式（II−１）及び（II−３）の化合物である。
他の好適な化合物としては、Ｒ３及びＲ７が、水素原子であり、Ｒ４及びＲ５がＯＲ１２である、一般式（II−１）の化合物が挙げられる。
特に好適な一般式（II−１）及び（II−３）の化合物において、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ７、又は、Ｒ９及びＲ１０は、水素原子であり、Ｒ５及びＲ１０は、ＳＲ１３である。特に好適には、Ｒ１３が、フェニル基、すなわちＲ５又はＲ１０が、下記式の化合物である。
【化２６】
2007256845.tif 000021
また、Ｒ８が炭素原子数１〜１２のアルキル基（これは、非置換であるか、又はハロゲン若しくはフェニルにより置換されている）である、式（II−３）の化合物が好適であり、特にＲ１１が、ＳＲ１３、下記式で表される化合物が好適である。
【化２７】
2007256845.tif 000022
【００５１】
更に、他の好適な化合物としては、Ｒ１が、フェニル基又はＣ１−Ｃ１２−アルキル基であり、Ｒ８がＣ２−Ｃ４アルコキシカルボニル基、又はフェニル基（これは、ＳＲ１３により置換されており、場合により、Ｒ１３を介して、Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１を有するフェニル環の炭素原子への結合を構築することによりＲ１３を介して５又は６員環が形成される）であるか、Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１の少なくとも１個が、−ＳＲ１３であるならば、Ｒ８が、更に炭素原子数１〜１２のアルキル基（これは、非置換であるか、又はフルオロの１個以上により置換されている）であり、Ｒ２が、炭素原子数２〜４のアルカノイル基、又はベンゾイル基（これは、非置換であるか、又は炭素原子数１〜４のアルキル基若しくはハロゲン原子により置換されている）であり、Ｒ３、Ｒ６、及びＲ７が、水素であり、Ｒ４及びＲ５が、互いに独立して、水素原子、ＯＲ１２、又はＳＲ１３であり、Ｒ９及びＲ１０が、互いに独立して、水素原子、ＯＲ１２、又はＳＲ１３であり、Ｒ１１が、水素原子であり、Ｒ１２及びＲ１３が、炭素原子数１〜４のアルキル基、フェニル基、及び下記式のいずれかの基であり、Ｒ１４及びＲ１５が、メチル基若しくはエチル基であるか、互いに結合して炭素原子数２〜６のアルキレン基（これは、−Ｏ−により中断されている）であり；Ｍが、Ｃ1−Ｃ１２アルキレンであり；そしてＭ２が、直接結合である、一般式（II−１）、一般式（II−２）、一般式（II−３）、又は一般式（II−４）の化合物が挙げられる。特に有効な化合物としては、Ｒ９及びＲ１１が水素であり、そしてＲ１０がＳＲ１３である、式（II−３）の化合物が挙げられる。
【化２８】
2007256845.tif 000023
【化２９】
2007256845.tif 000024
【００５２】
Ｒ１は、好適にはフェニル（これは、非置換であるか、炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子、ＯＲ１２、又はＳＲ１３の１個以上により置換されている）であるか、又は炭素原子数１〜２０のアルキル基（これは、非置換であるか、又は炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、ＯＲ１２、又はＳＲ１３の１個以上により置換されている）である。
特に好適なものとしては、Ｒ３〜Ｒ７の少なくとも一つが、ＳＲ１３、又はＯＲ１２であり、特にＲ３〜Ｒ７の少なくとも一つがＳＲ１３である基が好適に挙げられる。Ｒ５は、好適にはＳＲ１３又はＯＲ１２であり、特にＳＲ１３が好適に挙げられる。
前記一般式（II−１）〜（II−４）で表される化合物の中では、式（II−１）及び（II−３）の化合物が好適である。また、Ｒ３及びＲ７が水素原子である化合物は更に好適である。
Ｒ１としては、炭素原子数１〜１２のアルキル基が好ましい。Ｒ２としては、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基、ジメチルベンゾイル基、又はアセチルが好ましい。Ｒ１１としては、水素原子が好ましい。Ｒ１０としては、炭素原子数１〜１２のアルキル基又は４−（Ｃ1−Ｃ4アルキルチオ）フェニル基が好ましい。Ｒ１０としては、炭素原子数１〜４のアルキルチオ基、又はフェニルチオ基が好ましい。
【００５３】
本発明の好適な中性のＯ−アシルオキシム化合物は以下のとおりである。
ＯＥ１：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ２：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ３：１−（３，４−ジメトキシフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ４：１−（３，４−ジメトキシフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ５：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−３−フェニルエタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ６：１−（４−メトキシフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ７：１−（４−メトキシフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ８：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ９：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−２，４，６−トリメチルベンゾアート
ＯＥ１０：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−プロパン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ１１：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−オクタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ１２：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−オクタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ１３：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−オクタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ１４：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−４，６，６−トリメチルヘキサン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ１５：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−４，６，６−トリメチルヘキサン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ１６：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−オクタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ｐ−メチルベンゾアート
ＯＥ１７：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−オクタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ｐ−クロロベンゾアート
ＯＥ１８：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−オクタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ｍ−メチルベンゾアート
ＯＥ１９：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−ブタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ２０：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ２１：ヒドロキシイミノ−（４−メチルスルファニルフェニル）−酢酸エチルエステル−Ｏ−アセタート
ＯＥ２２：ヒドロキシイミノ−（４−メチルスルファニルフェニル）−酢酸エチルエステル−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ２３：ヒドロキシイミノ−（３，４−ジメトキシフェニル）−酢酸エチルエステル−Ｏ−アセタート
ＯＥ２４：エチル２−（３，４−ジメトキシフェニル）−２−ベンゾイルオキシイミノ−ベンゾアート
ＯＥ２５：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−ブタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ２６：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−オクタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ２７：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−オクタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ２８：２，２，２−トリフルオロ−１−（４−メチルスルファニルフェニル）−エタノンオキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ２９：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−エタノンオキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ３０：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−デカン−１−オンオキシム−Ｏ−ペンタフルオロベンゾアート
ＯＥ３１：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−プロパン−１−オンオキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ３２：１−（４−メチルスルファニルフェニル）−エタノンオキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ３３：１，９−ビス−（４−メチルスルファニルフェニル）−ノナン−１，２，８，９−テトラオン−２，８−ジオキシムジ（Ｏ−アセタート）
ＯＥ３４：１，９−ビス−（４−メチルスルファニルフェニル）−ノナン−１，９−ブタンジオキシムジ（Ｏ−アセタート）
ＯＥ３５：１−｛４−［４−（２−アセトキシイミノブチリル）−フェニルスルファニル］−フェニル｝−ブタン−１．２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ３６：１−｛４−［４−（２−ベンゾキシイミノブチリル）−フェニルスルファニル］−フェニル｝−ブタン−１．２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ３７：１−｛４−［４−（２−アセトキシイミノブチル）−フェニルスルファニル］−フェニル｝−ブタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセタート
ＯＥ３８：２，４−ジエチルチオキサンテン−９−オンオキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ３９：（２−アセチルオキシイミノメチル）−チオキサンテン−９−オン
【００５４】
これら、ＯＥ１〜ＯＥ３９の中でも、ＯＥ１：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート、及びＯＥ３９：（２−アセチルオキシイミノメチル）−チオキサンテン−９−オンが本発明における中性のＯ−アシルオキシムとして特に好ましい。
【００５５】
前記Ｏ−アシルオキシム化合物の感光性組成物固形分中の含有量は、特に制限はないが、例えば、０．１〜２０質量％が好ましく、０．３〜１５質量％がより好ましく、０．５〜１０質量％が特に好ましい。
【００５６】
＜＜ベンゾピラン誘導体＞＞
本発明に係る感光性組成物に含まれる、増感剤（増感色素）としてのベンゾピラン誘導体は、以下の一般式（ＩＩ）で示す化合物である。
【化３０】
2007256845.tif 000025
ただし、一般式（ＩＩ）中、Ｒ１６〜Ｒ１９はお互いに独立して、各々水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、水酸基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アミノ基、置換アミノ基を表す。また、Ｒ１６〜Ｒ１９はそれが結合できる炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成していてもよい。
Ｒ２０は互いに独立して、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、ヘテロ芳香族基、置換ヘテロ芳香族基、シアノ基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、カルボキシ基、アルケニル基、置換アルケニル基を表す。Ｒ２１はＲ２０で表される基又はＺ−Ｒ２０であり、Ｚはカルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、又はアリーレンジカルボニル基を表す。またＲ５、Ｒ６は共に非金属原子からなる環を形成してもよい。
また、一般式（ＩＩ）中、Ａは、酸素原子を表す。Ｂは、酸素原子、又は、下記式で示される基であり、下記式において、Ｇ１、Ｇ２は同一でも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アシル基、置換アシル基、アリールカルボニル基、置換アリールカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、フルオロスルホニル基を表す。但しＧ１とＧ２は共に水素原子になることはない。
また、Ｇ１、Ｇ２はそれが形成できる炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成していてもよい。
【化３１】
2007256845.tif 000026
【００５７】
Ｒ１６〜Ｒ２０のアルキル基としてはメチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等Ｃ１−Ｃ２０までのものを使用でき、アリール基としてはフェニル等Ｃ１−Ｃ１０までのものを用いることができる。アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシ、ブトキシ等Ｃ１−Ｃ６までのものを使用できる。
またＲ１６〜Ｒ１９の置換アミノ基としては、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ピペリジノ、モルホリノ等、炭素数１〜２０個を有するアルキルアミノ、アリールアミノ基を用いることができる。
【００５８】
これらのアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基は置換基を有していてもよく、例えば、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、フェニル等のアリール基、シアノ基等がある。Ｒ１６〜Ｒ１９がそれと結合できる炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成する場合、環を含む構造としては下記式に示すものが挙げられる。
【化３２】
2007256845.tif 000027
Ｒ２０のアルケニル基としては、スチリル基等Ｃ２−Ｃ１０のものを、ヘテロ芳香族基の場合下記の構造式に示すものを用いることができる。
【化３３】
2007256845.tif 000028
これらのヘテロ芳香族基も置換基を有してもよい。置換基としては、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルコキシ基等がある。またＲ２０、Ｒ２１は共にそれと結合できる炭素原子と共に環を形成してもよい。例としては、下記の式に示される構造が挙げられる。
【化３４】
2007256845.tif 000029
【００５９】
ここで、Ｂは、酸素原子、又は、下記式で示される基であり、下記式において、Ｇ１、Ｇ２は各々同一又は異なる水素原子、シアノ基、エトキシカルボニル基等のＣ１−Ｃ１０のアルキル基を有するアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のＣ６−Ｃ１０のアリール基を有するアリールオキシカルボニル基、アセチル基、プロピオニル基等のＣ１−Ｃ６のアシル基、ベンゾイル基等のＣ７−Ｃ１１のアリールカルボニル基、メチルチオ基、エチルチオ基等のＣ１−Ｃ６のアルキルチオ基、フェニルチオ基等のＣ６−Ｃ１０のアリールチオ基、フェニルスルホニル基等のＣ６−Ｃ１０のアリールスルホニル基、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基等のＣ１−Ｃ６のアルキルスルホニル基又はフルオロスルホニル基を表わす。
これらのアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基は置換基を有していてもよい。また置換基としては、塩素等のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基を有するアルコキシカルボニル基、カルボキシ基、Ｃ６−Ｃ１０のアリール基、Ｃ１−Ｃ６のアルコキシ基、シアノ基が挙げられる。さらにアリールオキシカルボニル基、アリールカルボニル基、アリールチオ基、アリールスルホニル基の場合、上記の置換基の外にメチル基等のＣ１−Ｃ６のアルキル基も用いることができる。
【化３５】
2007256845.tif 000030
【００６０】
また、Ｇ１とＧ２はそれが結合する炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成する場合、環としては通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるもので、以下のものを挙げることができる。
（ａ）  １，３−ジカルボニル核、例えば１，３−インダンジオン、１，３−シクロヘキサンジオン、５，５−ジメチル−１，３−シクロヘキサンジオン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。
（ｂ）  ピラゾリノン核、例えば３−メチル−１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、１−（２−ベンゾチアゾイル）−３−メチル−２−ピラゾリン−５−オンである。
（ｃ）  イソオキサゾリノン核、例えば３−フェニル−２−イソオキサゾリン−５−オン、３−メチル−２−イソオキサゾリン−５−オンである。
（ｄ）  オキシインドール核、例えば１−アルキル−２，３−ジヒドロ−２−オキシインドールである。
（ｅ）  ２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核、例えばバルビツル酸又は２−チオバルビツル酸及びその誘導体である。誘導体としては１−メチル、１−エチル等の１−アルキル体、１，３−ジエチル、１，３−ジブチル等の１，３−ジアルキル体、１，３−ジフェニル、１，３−ジ（ｐ−クロロフェニル）、１，３−ジ（ｐ−エトキシカルボニルフェニル）等の１，３−ジアリール体、１−エチル−３−フェニル等の１−アルキル−３−アリール体等が挙げられる。
（ｆ）  ２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核、例えばローダニン及びその誘導体である。誘導体としては３−エチルローダニン、３−アリルローダニン等の３−アルキルローダニン、３−フェニルローダニン等の３−アリールローダニン等が挙げられる。
（ｇ）  ２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン（２−チオ−２，４−（３Ｈ，５Ｈ）−オキサゾールジオン）核、例えば２−エチル−２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオンである。
（ｈ）  チアナフテノン核、例えば３（２Ｈ）−チアナフテノン及び３（２Ｈ）−チアナフテノン−１，１−ジオキサイドである。
【００６１】
（ｉ）  ２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン核、例えば３−エチル−２−チオ−２，５−チアゾリジンジオンである。
（ｊ）  ２，４−チアゾリジンジオン核、例えば２，４−チアゾリジンジオン、３−エチル−２，４−チアゾリジンジオン、３−フェニル−２，４−チアゾリジンジオンである。
（ｋ）  チアゾリジオン核、例えば４−チアゾリジノン、３−エチル−４−チアゾリジノンである。
（ｌ）  ４−チアゾリジノン核、例えば２−エチルメルカプト−５−チアゾリン−４−オン、２−アルキルフェニルアミノ−５−チアゾリン−４−オンである。
（ｍ）  ２−イミノ−２−オキソゾリン−４−オン（凝ヒダントイン）核である。
（ｎ）  ２，４−イミダゾリジンジオン（ヒダントイン）核、例えば、２，４−イミダゾリジンジオン、３−エチル−２，４−イミダゾリジンジオンである。
（ｏ）  ２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン（２−チオヒダントイン）核、例えば２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン、３−エチル−２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオンである。
（ｐ）  ２−イミダゾリン−５−オン核、例として２−ｎ−プロピル−メルカプト−２−イミダゾリン−５−オンである。
（ｑ）  フラン−５−オンである。
【００６２】
本発明で用いられる一般式（ＩＩ）で表されるベンゾピラン誘導体の具体例を下記（Ｄ１）〜（Ｄ４２）に示す。
Ｄ１：エチル−２−（２−ベンゾピラニリデン）−シアノアセテート
Ｄ２：２−（２−ベンゾピラニリデン）−１，３−インダンジオン
Ｄ３：４−（７−メチル−２−ベンゾピラニリデン）−３−フェニル−５−イソオキサゾロン
Ｄ４：フラノ［２，３−ｇ］−２−ベンゾピラニリデンアセトフェノン
Ｄ５：３−（４−エトキシシンナモイル）−７−メトキシクマリン
Ｄ６：５−（４−メチル−７−エトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチルバルビツル酸
Ｄ７：５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル−７−エトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−アセトフェノン
Ｄ８：エチル−４−フェニル−７−エトキシ−２−ベンゾピラニリデンシアノアセテート
Ｄ９：４−エトキシカルボニルメチル−７−ヒドロキシ−２−ベンゾピラニリデンマロノニトリル
Ｄ１０：５−（４−メチル−７，８−ジメトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸
Ｄ１１：５−（３−エトキシカルボニル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸
Ｄ１２：４−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニル−３−メチル−５−ピラゾロン
Ｄ１３：５−（３−スチリル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−メチル−３−エチル−２−チオヒダントイン
Ｄ１４：４−トリフルオロメチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデンマロノニトリル
Ｄ１５：エチル−４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデンメチルスルホニルアセテート
Ｄ１６：エチル−４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデンメチルチオアセテート
Ｄ１７：１−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニルスルホニルアセトフェノン
Ｄ１８：５−（４−ｎ−ブチル−７−ベンジルオキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸
Ｄ１９：５−（４−ｎ−ブチル−７−クロロ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸
Ｄ２０：エチル−４−メトキシ−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデンシアノアセテート
Ｄ２１：３−（４−メトキシシンナモイル）−７−メトキシクマリン
Ｄ２２：３，３’−カルボニルビス（７−メトキシクマリン）
Ｄ２３：３−ベンゾイル−７−メトキシクマリン
Ｄ２４：７−メトキシ−３−（４−ニトロベンゾイル）クマリン、
Ｄ２５：３−（４−フルオロスルホニルベンゾイル）−７−メトキシクマリン
Ｄ２６：５，７−ジエトキシ−３−（２−チエノイル）クマリン
Ｄ２７：３−ベンゾイル−５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン
Ｄ２８：３−（２−ベンゾフロイル）−５，７−ジエトキシクマリン
Ｄ２９：３−（４−シアノベンゾイル）−５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン
Ｄ３０：３−（４−メトキシベンゾイル）−５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン
Ｄ３１：３−（４−ニトロベンゾイル）−５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン
Ｄ３２：７−メトキシ−３−（３−ピリジルカルボニル）クマリン
Ｄ３３：３−（３−トリフルオロメチルベンゾイル）−５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン
Ｄ３４：３−ベンゾイル−５，７−ジメトキシクマリン
Ｄ３５：３−ベンゾイル−７−ヒドロキシクマリン
Ｄ３６：３−ベンゾイル−５，７−ジエトキシクマリン
Ｄ３７：３−（４−エトキシベンゾイル）−７−メトキシクマリン
Ｄ３８：３−ベンゾイル−６−メトキシクマリン
Ｄ３９：７−アセトキシ−３−ベンゾイルクマリン
Ｄ４０：３−ベンゾイル−８−エトキシクマリン
Ｄ４１：７−メトキシ−３−（４−メトキシベンゾイル）−クマリン
【００６３】
これら、Ｄ１〜Ｄ４１の中でも、Ｄ２：２−（２−ベンゾピラニリデン）−１，３−インダンジオン、Ｄ１２：４−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニル−３−メチル−５−ピラゾロン、Ｄ１３：５−（３−スチリル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−メチル−３−エチル−２−チオヒダントイン、Ｄ１７：１−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニルスルホニルアセトフェノン、Ｄ１９：５−（４−ｎ−ブチル−７−クロロ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸、Ｄ２１：３−（４−メトキシシンナモイル）−７−メトキシクマリン、及びＤ２２：３，３’−カルボニルビス（７−メトキシクマリン）が本発明における中性のベンゾピラン誘導体として特に好ましい。
【００６４】
前記ベンゾピラン誘導体の感光性組成物固形分中の含有量は、特に制限はないが、例えば、０．１〜２０質量％が好ましく、０．３〜１５質量％がより好ましく、０．５〜１０質量％が特に好ましい。
【００６５】
＜＜ベンゾチオピラン誘導体＞＞
本発明に係る感光性組成物に含まれる、増感剤（増感色素）としてのベンゾチオピラン誘導体は、以下の一般式（ＩＩ）で示す化合物である。
【化３６】
2007256845.tif 000031
ただし、一般式（ＩＩ）中、Ｒ１６〜Ｒ１９はお互いに独立して、各々水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、水酸基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アミノ基、置換アミノ基を表す。また、Ｒ１６〜Ｒ１９はそれが結合できる炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成していてもよい。
Ｒ２０は互いに独立して、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、ヘテロ芳香族基、置換ヘテロ芳香族基、シアノ基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、カルボキシ基、アルケニル基、置換アルケニル基を表す。Ｒ２１はＲ２０で表される基又はＺ−Ｒ２０であり、Ｚはカルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、又はアリーレンジカルボニル基を表す。またＲ５、Ｒ６は共に非金属原子からなる環を形成してもよい。
【００６６】
また、一般式（ＩＩ）中、Ａは、硫黄原子を表す。Ｂは、酸素原子、又は、下記式で示される基であり、下記式において、Ｇ１、Ｇ２は同一でも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アシル基、置換アシル基、アリールカルボニル基、置換アリールカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、フルオロスルホニル基を表す。但しＧ１とＧ２は共に水素原子になることはない。
また、Ｇ１、Ｇ２はそれが形成できる炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成していてもよい。
【化３７】
2007256845.tif 000032
【００６７】
Ｒ１６〜Ｒ２０のアルキル基としてはメチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等Ｃ１−Ｃ２０までのものを使用でき、アリール基としてはフェニル等Ｃ１−Ｃ１０までのものを用いることができる。アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシ、ブトキシ等Ｃ１−Ｃ６までのものを使用できる。
またＲ１６〜Ｒ１９の置換アミノ基としては、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ピペリジノ、モルホリノ等、炭素数１〜２０個を有するアルキルアミノ、アリールアミノ基を用いることができる。
【００６８】
これらのアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基は置換基を有していてもよく、例えば、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、フェニル等のアリール基、シアノ基等がある。Ｒ１６〜Ｒ１９がそれと結合できる炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成する場合、環を含む構造としては下記式に示すものが挙げられる。
【化３８】
2007256845.tif 000033
Ｒ２０のアルケニル基としては、スチリル基等Ｃ２−Ｃ１０のものを、ヘテロ芳香族基の場合下記の構造式に示すものを用いることができる。
【化３９】
2007256845.tif 000034
これらのヘテロ芳香族基も置換基を有してもよい。置換基としては、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルコキシ基等がある。またＲ２０、Ｒ２１は共にそれと結合できる炭素原子と共に環を形成してもよい。例としては、下記の式に示される構造が挙げられる。
【化４０】
2007256845.tif 000035
【００６９】
ここで、Ｂは、酸素原子、又は、下記式で示される基であり、下記式において、Ｇ１、Ｇ２は各々同一又は異なる水素原子、シアノ基、エトキシカルボニル基等のＣ１−Ｃ１０のアルキル基を有するアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のＣ６−Ｃ１０のアリール基を有するアリールオキシカルボニル基、アセチル基、プロピオニル基等のＣ１−Ｃ６のアシル基、ベンゾイル基等のＣ７−Ｃ１１のアリールカルボニル基、メチルチオ基、エチルチオ基等のＣ１−Ｃ６のアルキルチオ基、フェニルチオ基等のＣ６−Ｃ１０のアリールチオ基、フェニルスルホニル基等のＣ６−Ｃ１０のアリールスルホニル基、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基等のＣ１−Ｃ６のアルキルスルホニル基又はフルオロスルホニル基を表わす。
これらのアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールスルホニル基、アルキルスルホニル基は置換基を有していてもよい。また置換基としては、塩素等のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基を有するアルコキシカルボニル基、カルボキシ基、Ｃ６−Ｃ１０のアリール基、Ｃ１−Ｃ６のアルコキシ基、シアノ基が挙げられる。さらにアリールオキシカルボニル基、アリールカルボニル基、アリールチオ基、アリールスルホニル基の場合、上記の置換基の外にメチル基等のＣ１−Ｃ６のアルキル基も用いることができる。
【化４１】
2007256845.tif 000036
【００７０】
また、Ｇ１とＧ２はそれが結合する炭素原子と共に非金属原子からなる環を形成する場合、環としては通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるもので、以下のものを挙げることができる。
（ａ）  １，３−ジカルボニル核、例えば１，３−インダンジオン、１，３−シクロヘキサンジオン、５，５−ジメチル−１，３−シクロヘキサンジオン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。
（ｂ）  ピラゾリノン核、例えば３−メチル−１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、１−（２−ベンゾチアゾイル）−３−メチル−２−ピラゾリン−５−オンである。
（ｃ）  イソオキサゾリノン核、例えば３−フェニル−２−イソオキサゾリン−５−オン、３−メチル−２−イソオキサゾリン−５−オンである。
（ｄ）  オキシインドール核、例えば１−アルキル−２，３−ジヒドロ−２−オキシインドールである。
（ｅ）  ２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核、例えばバルビツル酸又は２−チオバルビツル酸及びその誘導体である。誘導体としては１−メチル、１−エチル等の１−アルキル体、１，３−ジエチル、１，３−ジブチル等の１，３−ジアルキル体、１，３−ジフェニル、１，３−ジ（ｐ−クロロフェニル）、１，３−ジ（ｐ−エトキシカルボニルフェニル）等の１，３−ジアリール体、１−エチル−３−フェニル等の１−アルキル−３−アリール体等が挙げられる。
（ｆ）  ２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核、例えばローダニン及びその誘導体である。誘導体としては３−エチルローダニン、３−アリルローダニン等の３−アルキルローダニン、３−フェニルローダニン等の３−アリールローダニン等が挙げられる。
（ｇ）  ２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン（２−チオ−２，４−（３Ｈ，５Ｈ）−オキサゾールジオン）核、例えば２−エチル−２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオンである。
（ｈ）  チアナフテノン核、例えば３（２Ｈ）−チアナフテノン及び３（２Ｈ）−チアナフテノン−１，１−ジオキサイドである。
【００７１】
（ｉ）  ２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン核、例えば３−エチル−２−チオ−２，５−チアゾリジンジオンである。
（ｊ）  ２，４−チアゾリジンジオン核、例えば２，４−チアゾリジンジオン、３−エチル−２，４−チアゾリジンジオン、３−フェニル−２，４−チアゾリジンジオンである。
（ｋ）  チアゾリジオン核、例えば４−チアゾリジノン、３−エチル−４−チアゾリジノンである。
（ｌ）  ４−チアゾリジノン核、例えば２−エチルメルカプト−５−チアゾリン−４−オン、２−アルキルフェニルアミノ−５−チアゾリン−４−オンである。
（ｍ）  ２−イミノ−２−オキソゾリン−４−オン（凝ヒダントイン）核である。
（ｎ）  ２，４−イミダゾリジンジオン（ヒダントイン）核、例えば、２，４−イミダゾリジンジオン、３−エチル−２，４−イミダゾリジンジオンである。
（ｏ）  ２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン（２−チオヒダントイン）核、例えば２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン、３−エチル−２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオンである。
（ｐ）  ２−イミダゾリン−５−オン核、例として２−ｎ−プロピル−メルカプト−２−イミダゾリン−５−オンである。
（ｑ）  フラン−５−オンである。
【００７２】
本発明で用いられる一般式（ＩＩ）で表されるベンゾチオピラン誘導体の具体例を下記（Ｄ４２）〜（Ｄ５０）に示す。
Ｄ４２：７−メトキシ−２−ベンゾチオピラニリデンマロノニトリル
Ｄ４３：エチル−２−（２−ベンゾチオピラニリデン）−シアノアセテート
Ｄ４４：２−（２−ベンゾチオピラニリデン）−１，３−インダンジオン
Ｄ４５：４−（７−メチル−２−ベンゾチオピラニリデン）−３−フェニル−５−イソオキサゾロン
Ｄ４６：５−（４−メチル−７−エトキシ−２−ベンゾチオピラニリデン）−１，３−ジエチルバルビツル酸
Ｄ４７：５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル−７−エトキシ−２−ベンゾチオピラニリデン）−アセトフェノン
Ｄ４８：エチル−４−フェニル−７−エトキシ−２−ベンゾチオピラニリデンシアノアセテート
Ｄ４９：４−エトキシカルボニルメチル−７−ヒドロキシ−２−ベンゾチオピラニリデンマロノニトリル
Ｄ５０：５−（３−エトキシカルボニル−７−メトキシ−２−ベンゾチオピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸
【００７３】
これら、（Ｄ４２）〜（Ｄ５０）の中でも、Ｄ４２：７−メトキシ−２−ベンゾチオピラニリデンマロノニトリルが、本発明における中性のベンゾチオピラン誘導体として特に好ましい。
【００７４】
前記ベンゾチオピラン誘導体の感光性組成物固形分中の含有量は、特に制限はないが、例えば、０．１〜２０質量％が好ましく、０．３〜１５質量％がより好ましく、０．５〜１０質量％が特に好ましい。
【００７５】
本発明の感光性組成物に用いられる、一般式（ＩＩ）で表されるベンゾピラン誘導体又はベンゾチオピラン誘導体は、単独で又は２種以上を併用して好適に使用することができる。その場合、ベンゾピラン誘導体とベンゾチオピラン誘導体との含有量比は、例えば、１０：９０〜９０：１０が好ましく、２０：８０〜８０：２０がより好ましく、３０：７０〜７０：３０が特に好ましい。
【００７６】
前記中性のＯ−アシルオキシム化合物と中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかとの含有量比は、例えば、１０：９０〜９０：１０が好ましく、２０：８０〜８０：２０がより好ましく、３０：７０〜７０：３０が特に好ましい。
【００７７】
＜＜水素供与体化合物＞＞
前記光重合開始系化合物としては、前記Ｏ−アシルオキシム化合物及びベンゾピラン誘導体又はベンゾチオピラン誘導体の他に、水素供与体化合物を含むことが好ましい。前記水素供与体化合物の添加によりさらに高感度化を図れることがある。
前記水素供与体化合物としては、活性エネルギー線により励起状態となり、前記Ｏ−アシルオキシム化合物及びベンゾピラン誘導体又はベンゾチオピラン誘導体と相互作用することにより、水素（電子）を供与することが可能な化合物であり、これらの内、中性の化合物であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メルカプト化合物、アミノ酸、リン化合物、活性水素含有炭化水素化合物、ボレート化合物、などが挙げられ、さらに中性であることが好ましい。
【００７８】
前記メルカプト化合物としては、例えば、下記一般式（ＩＩＩ−１ａ）、（ＩＩＩ−１ｂ）で表されるメルカプト化合物、下記一般式（ＩＩＩ−２）で表されるチオエーテル化合物、下記一般式（ＩＩＩ−３）で表される化合物、下記一般式（ＩＩＩ−４）で表される化合物などが挙げられる。
【化４２】
2007256845.tif 000037
【化４３】
2007256845.tif 000038
ただし、前記一般式（ＩＩＩ−１ａ）及び一般式（ＩＩＩ−１ｂ）中、前記Ｒ２１は、アルキル基及びアリール基のいずれかを表し、Ｒ２２は水素原子及びアルキル基のいずれかを表す。
前記Ｒ２１、Ｒ２２のアルキル基としては、Ｃ１−Ｃ４のものが好ましい。また、Ｒ２１のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等のＣ６−Ｃ１０のものが好ましく、置換アリール基としては、上記のようなアリール基に塩素原子等のハロゲン原子、メチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基で置換されたものが含まれる。Ｒ２１とＲ２２とは結合して炭素原子又は窒素原子とともに縮合環を有していてもよい複素環を完成するのに必要な原子群であってもよい。前記縮合環としてはベンゼン環等が挙げられる。
【化４４】
2007256845.tif 000039
【化４５】
2007256845.tif 000040
【化４６】
2007256845.tif 000041
ただし、前記一般式（ＩＩＩ−２）中、Ｒ２３はアルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、及びアルケニル基のいずれかを表し、Ｒ２４及びＲ２５はＲ２３と同じ意、又はハメットσｐ値が正である基を表す。
「前記一般式（ＩＩＩ−３）中、Ｒ２６はアルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、アルケニル基、及びＹ１−ＣＳ−Ｓ−のいずれかを表す。Ｙ１は、−ＯＲ２９、又は−ＮＲ３０Ｒ３１を表す。Ｒ２９、Ｒ３０、及びＲ３１は、互いに独立して水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、フェニル基、アルカノイル基、アルケノイル基、及びベンゾイル基のいずれかを表し、Ｒ３０とＲ３１とは結合して環を形成してもよい。
前記（ＩＩＩ−４）中、ＺはＲ２９−ＳＯ２−、Ｒ２９−Ｏ−ＳＯ２−を表し、Ｒ２９は前記Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７と同じ意を表し、Ｒ２７及びＲ２８はＲ２３、Ｒ２９、及びＺと同じ意を表すか、水素原子、ハメットσｐ値が正である基、−ＯＲ２３、及び−ＳＲ２３のいずれかを表す。Ｒ２３は前記のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、及びアルケニル基のいずれかを表す。
【００７９】
前記一般式（ＩＩＩ−１ａ）、（ＩＩＩ−１ｂ）で表される化合物としては、例えば、チオホルムアミド、チオアセトアミド、Ｎ−メチルチオホルムアミド、Ｎ−メチルチオアセトアミド、Ｎ−フェニルチオプロピオン酸アミド、Ｎ−フェニルチオカプロン酸アミド、Ｎ−ｏ−クロロ−フェニルチオアセトアミド、Ｎ−ｏ−クロロフェニルチオカプロン酸アミド、Ｎ−ｐ−トリルチオカプロン酸アミド、Ｎ−ｍ−メトキシフェニルチオアセトアミド、Ｎ−ｍ−メチトキシフェニルチオプロピオン酸アミド、Ｎ−ｐ−エトキシフェニルチオアセトアミド、Ｎ−ｐ−エトキシフェニルチオプロピオン酸アミド、Ｎ−ｏ−メトキシフェニルチオカプロン酸アミド、２−メルカプト−４，５−ジヒドロ−２−チアゾール、２−メルカプト−４−メチル−４，５−ジヒドロ−２−チアゾール、２−メルカプト−５−メチル−４，５−ジヒドロ−２−チアゾール、２−メルカプト−４，４−ジメチル−４，５−ジヒドロ−２−チアゾール、２−メルカプト−５，５−ジメチル−４，５−ジヒドロ−２−チアゾール、２−メルカプト−４，５−ジヒドロ−２−オキサゾール、２−メルカプト−４−メチル−４，５−ジヒドロ−２−オキサゾール、２−メルカプト−４，４−ジメチル−４，５−ジヒドロ−２−オキサゾール、１−メチル−２−メルカプト−１，３−イミダゾール、２−メルカプト−４，５−ジヒドロ−１，３−チアジン、２−メルカプト−６−メチル−４，５−ジヒドロ−１，３−チアジン、２−メルカプト−４，５−ジヒドロ−１，３−オキサジン、２−メルカプト−テトラヒドロ−１−ピリジン、１−［ｐ−（ｎ−ヘキシルアミノカルボニル）フェニル｝−２−メルカプトイミダゾール、１−（ｐ−トリル）−２−メルカプト−４，５，６，７−テトラヒドロ−１，３−ベンズイミダゾール、２−メルカプト−５−メチルチオ−１，３，４−オキサジアゾール、２−メルカプト−３，４，５，６−テトラヒドロ−１−アゼピン、２−メルカプト−１，３−ベンズオキサゾール、３−メルカプト−５−クロロ−１，２−ベンズイソオキサゾール、２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、２−メルカプト−６−メトキシ−１，３−ベンズイミダゾール、１−メチル−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、２−メルカプト−６−メチル−１，３−ベンズイミダゾール、２−メルカプト−５，６−ジメチル−１，３−ベンズイミダゾール、２−メルカプト−６−メトキシ−１，３−ベンズイミダゾール、２−メルカプト−５−カプロイルアミノ−１，３−ベンズイミダゾール、１−（ｎ−プロピル）−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、１−イソプロピル−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、２−メルカプト−６−クロロ−１，３−ベンズイミダゾール、１−（ｎ−ヘプチル）−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、１−（ｎ−ヘキシル）−２−メルカプト−５−クロル−１，３−ベンズイミダゾール、２−メルカプト−６−クロロ−１，３−ベンズイミダゾール、１−（ｎ−オクチル）−２−メルカプト−５−メトキシ−１，３−ベンズイミダゾール、１−（ｎ−ヘキシル）−２−メルカプト−５−エトキシカルボニル−１，３−ベンズイミダゾール、１−（２−メトキシエチル）−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、３−メルカプト−６−メチル−１，２−ベンゾチアゾール、１−フェニル−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、１−フェニル−２−メルカプト−５−メチルスルホニル−１，３−ベンズイミダゾール、１−（ｐ−スルホナトメチルフェニル）−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール・ナトリウム塩、３−メルカプト−１，２−ベンゾチアゾール、３−メルカプト−６−カプロイルアミノ−１，２−ベンゾチアゾール、３−メルカプト−６−クロロ−１，２−ベンゾチアゾール、３−メルカプト−６−メチル−１，２−ベンゾチアゾール、２−メルカプト−ナフト［２，１］−１，３−イミダゾール、１−（ｎ−ブチル）−２−メルカプト−ナフト［２，１］−１，３−イミダゾール、１−（ｎ−オクチル）−２−メルカプト−イミダゾ［４，５−ｂ］ピリジン、１−（ｎ−オクチル）−２−メルカプト−イミダゾ［４，５−ｂ］ピラジン、１−（ｎ−ブチル）−２−メルカプト−１，３−イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、１−（ｎ−ヘキシル）−２−メルカプト−６−クロル−１，３−イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、１，５−ジエチル−３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、４−（ｎ−ヘキシル）−３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、４−フェニル−３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、４−フェニル−３−メルカプト−５−メチルチオ−１，２，４−トリアゾール、１−（ｎ−ヘキシル）−５−メルカプトテトラゾール、１−（ｎ−オクチル）−５−メルカプトテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２−（ｎ−ヘキシル）−３−メルカプト−１，２，４−オキサジアジン、２−フェニル−３−メルカプト−５−メチル−１，２，４−チアジアジン、３−フェニル−４−メルカプト−６−フェニル−１，２，３，６−テトラヒドロ−１，３，５−チアジアジンなどが挙げられる。これらの中でも１−フェニル−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾールが好ましい。
【００８０】
前記一般式（ＩＩＩ−２）で表されるチオエーテル化合物としては、例えば、ジ−ｎ−ブチルスルフィド、ジ−ｎ−オクチルスルフィド、トリフェニルチオメタン、ジフェニルチオメタン、フェニルメチルスルフィド、ｐ−メチルチオ安息香酸、ｐ−メチルチオベンズアルデヒド、ｐ−メチルチオベンゾニトリル、１−フェニルチオエチルメチルケトン、１−フェニルチオプロピオニトリル、１−クロロメチルフェニルスルフィド、１，３，５−トリチアン、２−メチル−４−メトキシフェニルメチルスルフィド、チオクロマン、４−オキソチオクロマンなどが挙げられる。
【００８１】
前記一般式（ＩＩＩ−３）で表される化合物としては、例えば、ジチオ炭酸Ｏ−イソブチルＳ−ｎ−ブチル、ジチオ炭酸Ｏ−イソブチルＳ−ベンジル、ジエチルジチオカルバミン酸ｎ−ブチル、ジエチルジチオカルバミン酸ベンジル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルチウラムジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｎ−ブチルチウラムジスルフィド、１，２，３−トリ（ジエチルジチオカルバモイルチオ）プロパン、などが挙げられる。
【００８２】
前記一般式（ＩＩＩ−４）で表される化合物としては、例えば、ジ−ｎ−ブチルスルホン、エチルｐ−トリルスルホン、ｐ−トリルメチルチオメチルスルホン、アセチルメチルｐ−トリルスルホン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）メタン、シアノメチルｐ−トリルスルホン、ｐ−トルエンスルホン酸ｎ−ブチル、メタンスルホン酸エチル、アセチルメタンスルホン酸フェニル、メタンジスルホン酸ジフェニル、シアノメタンスルホン酸フェニルスルホラン３−スルホレン、などが挙げられる。
【００８３】
前記アミノ酸としては、例えば下記一般式（ＩＶ）で表されるＮ−フェニルアミノ酸誘導体が挙げられる。
【化４７】
2007256845.tif 000042
ただし、前記一般式（ＶＩ）中、Ｘ３は、水素原子、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルコキシ基、アリール基、アラルキル基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、及びカルボキシル基のいずれかを表し、ｎは１〜５の整数である。また、Ｒ２９は、水素原子、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ３−Ｃ６のシクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表し、Ｒ３０は、水素原子、ヒドロキシ基、メチルチオ基、−ＣＯＯＲ３１基で置換されてもよいＣ１−Ｃ４のアルキル、ベンジル基を表し、また、Ｒ２９とＲ３０はＮ原子及び隣接炭素原子とともに６員環を形成していてもよい。またＲ３１はＣ１−Ｃ４のアルキル、ベンジル基を表わす。
【００８４】
前記一般式（ＩＶ）で表されるＮ−フェニルアミノ酸誘導体としては、特に制限はないが、例えば、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−（ｐ−アセチルフェニル）グリシン、Ｎ−（ｍ−トリフルオロメチルフェニル）グリシン、Ｎ−（ｍ−アセチルフェニル）グリシン、Ｎ−（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）グリシン、Ｎ−フェニルアラニン、Ｎ−フェニルセリン、Ｎ−フェニルスレオニン、Ｎ−フェニルシステイン、Ｎ−フェニルプロリン、Ｎ−フェニルグルタミン酸などが挙げられる。なお、グリシン誘導体としては、アミノカチオンと、カルボン酸アニオンを構造中に含む双極イオン化合物であってもよい。これらの中でも、Ｎ−フェニルグリシンが特に好ましい。
【００８５】
前記リン化合物としては、例えば、下記一般式（Ｖ−１）で表されるホスホン酸ジエステル、下記一般式（Ｖ−２）で表される亜リン酸トリエステルなどが挙げられる。
【化４８】
2007256845.tif 000043
【化４９】
2007256845.tif 000044
ただし、前記一般式（Ｖ−１）中、Ｒ３２は、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、及びアルケニル基のいずれかを表し、Ｒ３３はＲ３２と同じ意を表すか、ハメットσｐ値が正である基を表す。
また、前記一般式（Ｖ−２）中、Ｒ３４はアルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、及びアルケニル基のいずれかを表し、Ｒ３５及びＲ３６はＲ３４と同じ意を表すか、ハメットσｐ値が正である基を表す。
【００８６】
前記一般式（Ｖ−１）で表されるホスホン酸ジエステルとしては、例えば、ホスホン酸ジメチル、ホスホン酸ジエチル、ホスホン酸ジ（ｎ−ブチル）、ホスホン酸ジ（２−エチルヘキシル）、ホスホン酸エチルメチル、ホスホン酸ジフェニル、ホスホン酸エチルフェニル、ホスホン酸ジ（ｐ−ジメチルアミノフェニル）、ホスホン酸ジ（ｐ−シアノフェニル）、ホスホン酸ジ（ｐ−アセチルフェニル）、ホスホン酸ジ（ｐ−メトキシフェニル）、ホスホン酸ジ（ｐ−トリル）、ホスホン酸ジ（ｏ−メトキシフェニル）、ホスホン酸ジ（ｏ−クロロフェニル）、ホスホン酸ジ（ｍ−ブロモフェニル）、ホスホン酸（ｏ−クロロフェニル）（ｐ−メトキシフェニル）、ホスホン酸メチルフェニル、ホスホン酸β−ナフチルフェニル、ホスホン酸エチレン、ホスホン酸プロピレンジ、ホスホン酸トリメチレン、ホスホン酸オキシジエチレン、などが挙げられる。
【００８７】
前記一般式（Ｖ−２）で表される亜リン酸トリエステルとしては、亜リン酸ジエチル、亜リン酸ジ−ｎ−ブチル、亜リン酸ジ（２−エチルヘキシル）、亜リン酸エチルメチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸ジフェニル、亜リン酸トリ（ｐ−ジメチルアミノフェニル）、亜リン酸トリ（ｐ−シアノフェニル）、亜リン酸ジ（ｐ−シアノフェニル）、亜リン酸トリ（ｐ−メトキシフェニル）、亜リン酸ジ（ｐ−メトキシフェニル）、亜リン酸トリ（ｏ−クロロフェニル）、亜リン酸ジ（ｏ−クロロフェニル）、亜リン酸トリ（ｍ−ブロモフェニル）、亜リン酸フェニルジメチル、亜リン酸ジフェニルメチル、亜リン酸フェニルメチル、亜リン酸ジメチル（α−ナフチル）、亜リン酸エチレンメチル、亜リン酸エチレンフェニル、亜リン酸オルト蟻酸エチレン、亜リン酸トリエチレン、などが挙げられる。
【００８８】
前記活性水素含有炭化水素化合物としては、下記一般式（ＶＩ）で表される環状β−ジカルボニル化合物などが挙げられる。
【化５０】
2007256845.tif 000045
ただし、前記一般式（ＶＩ）中、Ｒ３７は、置換又は非置換のアルキル基、及びアラルキル基のいずれかを表し、Ｇは二価の有機基であって、基の鎖中にヘテロ原子を含有していてもよく、炭素及びヘテロ原子の少なくともいずれかに置換基を有してもよい。
【００８９】
前記一般式（ＶＩ）で表される環状β−ジカルボニル化合物としては、例えば、２，４−ジエチル−１，３−シクロブタンジオン、２−メチル−１，３−シクロヘプタンジオン、５−メチル−２−チオバルビツル酸、３−エチルテトロン酸、２，４−ジメチル−３−オキソ−５−ヒドロキシ−５−メトキシペンテン酸δ−ラクトン、１，３，５−トリメチルバルビツール酸、１，３−ジメチル−５−エチルバルビツル酸、２−メチル−１，３−シクロペンタンジオン、５−メチルバルビツール酸、１，５−ジメチルバルビツル酸、２−メチルジメドン、２−メチル−１，３−インダンジオン、１，３−ジメチル−５−ベンジルバルビツル酸。ビス−［５−（１，３−ジメチルバルビツリル））−メタン、１，５−ジフェニル−３−［２−（フェニルチオ）エチル］−２，４−ピロリジンジオン、１−フェニル−３，５−ジケト−４−ｎ−ブチル−テトラヒドロピラゾール、などが挙げられる。
前記ボレート化合物としては、例えば、下記一般式（ＶＩＩ）で表される有機ホウ素化合物などが挙げられる。
【化５１】
2007256845.tif 000046
ただし、前記一般式（ＶＩＩ）中Ｒ３８は、脂肪族基を表す。Ｒ３９、Ｒ４０、及びＲ４１は、それぞれ独立して、脂肪族基、芳香族基、複素環基、及び−ＳｉＲ４２Ｒ４３Ｒ４４のいずれかを表す。Ｒ４２、Ｒ４３及びＲ３４は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表す。Ｙ＋は陽イオンを形成する基を表す。
【００９０】
前記一般式（ＶＩ）で表される有機ホウ素化合物としては、例えば、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ブチルトリフェニルボラート、テトラエチルアンモニウム  ジフェニルメチルシリルトリフェニルボラート、テトラメチルアンモニウム−ジフェニルメチルシリルトリフェニルボラート、テトラ（ｎ−ヘキシル）アンモニウム−ｎ−ヘキシルトリフェニルボラート、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ブチルジ（ｐ−フルオロフェニル）フェニルボラート、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ブチルトリ（ｐ−フルオロフェニル）ボラート、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ヘキシルトリ（ｐ−クロロフェニル）ボラート、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ヘキシルジ（ｐ−クロロフェニル）フェニルボラート、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ジ（ｎ−ヘキシル）ジ（ｍ−フルオロフェニル）ボラート、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ヘキシルトリ（２−メチル−５−フルオロフェニル）ボラート、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−メチルジメシチルフェニルボラートなどが挙げられる。
【００９１】
これらの水素供与体の中でも、１−フェニル−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール、Ｎ−フェニルグリシン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ロイコクリスタルバイオレット、２−ジメチルアミノ−２−メチル−１−（４−メトキシフェニル）プロパン−１−オン−Ｏ−アリルオキシム、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム−ｎ−ブチルトリフェニルボラートが特に好ましい。
【００９２】
前記（Ａ）光重合開始系化合物における前記（Ａ３）水素供与体化合物の配合量は、０．０１〜１５．０質量％が好ましく、０．０５〜１０．０質量％がより好ましく、０．１〜５．０質量％が特に好ましい。
【００９３】
＜バインダー＞
前記感光性組成物における前記バインダーとしては、例えば、アルカリ性水溶液に対して膨潤性であるのが好ましく、アルカリ性水溶液に対して可溶性であるのがより好ましい。また、架橋性を有することが好ましい。
前記アルカリ可溶性とは、それを含むソルダーレジスト用感光性組成物がアルカリ性現像液によって溶解する性質をいい、具体的には、目的とする現像処理が遂行される程度に溶解性を有していればよい。
アルカリ性現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物や、ヒドロキシエチルアミン、トリエチルアミンのようなアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドのような４級アンモニウムヒドロキシド類の水溶液やそれらと混和性の有機溶剤との混合物が用いられる。ｐＨは、８〜１４であり、これらアルカリ剤の０．０１〜１０質量％水溶液が好ましい。これらのアルカリ性現像液のうち、プリント配線板業界では、一般的に、０．２〜２質量％の炭酸ナトリウム水溶液が用いられ、１質量％炭酸ナトリウム水溶液が最も一般的である。
【００９４】
現像方法の一例を示すと、表面を整面し、乾燥した銅張積層板の表面に、感光性フィルムの保護フィルムを剥がしながら、感光層を、ラミネーターを用いて圧着して、銅張り積層板、感光層、そして支持体フィルムからなる積層体を作製する。圧着条件は、積層板温度７０℃、圧着ロール温度１０５℃、圧着ロール圧力３ｋｇ／ｃｍ２そして圧着速度１．２ｍ／分とする。
積層体から支持体フィルムを剥がし取り、銅張り積層板上の感光層の全面に３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１ＭＰａの圧力にてスプレーする。少なくとも６０秒間のスプレーの後で銅張り積層板上の感光層が除去された場合、現像されことになる。
このようなアルカリ可溶性を示す樹脂としては、例えば、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液中に１質量％以上の溶解度を示すものから、好適に選ぶことができる。
前記架橋性とは、光化学反応により、線状のポリマー分子を網状の三次元構造となる分子に変わる性質をいい、具体的には、光重合開始系化合物の光分解により、発生する遊離ラジカルの作用により、重合反応をして網状化しうるポリマーをいう。
このようなアルカリ可溶性を示す樹脂としては、例えば、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液中に１質量％以上の溶解度を示すものから、好適に選ぶことができる。
前記架橋性とは、光化学反応により、線状のポリマー分子を網状の三次元構造となる分子に変わる性質をいい、具体的には、光重合開始系化合物の光分解により、発生する遊離ラジカルの作用により、重合反応をして網状化しうるポリマーをいう。
【００９５】
前記バインダー（以下、アルカリ可溶性架橋性樹脂とも称する。）は、分子中にアルカリ可溶基と光重合に関与する架橋性基を含有する１％炭酸ソーダ水溶液（ｐＨ＝１０）に可溶性の樹脂である。
前記アルカリ可溶性架橋性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂、エポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂などが挙げられる。
【００９６】
−ビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂−
前記ビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂としては、下記タイプ（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）に分類され、少なくともいずれかのタイプから選ばれる。
タイプ（Ａ−１）：（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂と、（ｂ）エポキシ基含有不飽和化合物との反応により製造される。
タイプ（Ａ−２）：（ｃ）エポキシ基含有共重合樹脂と、（ｄ）カルボキシル基含有不飽和化合物を付加反応し更に得られる生成物のヒドロキシル基への（ｅ）多塩基酸無水物の付加反応により製造される。
タイプ（Ａ−３）：（ｆ）酸無水物基含有共重合樹脂と、（ｇ）分子中に１個のヒドロキシル基及び少なくとも１個の（メタ）アクリロイル基を有する化合物の付加反応により製造される。
なお、本明細書中において、（メタ）アクリレートとは、アクリレート、メタアクリレート及びそれらの混合物を総称する用語であり、他の類似の表現についても同様である。
【００９７】
−タイプ（Ａ−１）−
前記タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂の製造に用いられる、（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂は、１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物と、（メタ）アクリル酸エステル及びスチレン類の少なくともいずれかとを共重合させて得られる。
【００９８】
前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂を構成単位とする１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物とは、（メタ）アクリル酸、更にはマレイン酸、イタコン酸等のカルボキシル基を分子中に２個以上含むものが挙げられる。また、マレイン酸、イタコン酸のモノエステル、又はモノアミドも含まれる。また、ヒドロキシル基含有（メタ）アクリレートと飽和あるいは不飽和二塩基酸無水物との反応生成物である半エステル化合物が挙げられる。これら半エステル化合物は、ヒドロキシル基含有（メタ）アクリレートと飽和あるいは不飽和二塩基酸無水物とを等モル比で反応させることで得られる。
【００９９】
前記半エステル化合物の合成に用いられるヒドロキシル基含有アクリレートとしては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンダエリスルトールトリ（メタ）アクリレート、ジベンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【０１００】
前記半エステル化合物の合成に用いられる飽和あるいは不飽和二塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、メチルナドラヒドロ無水フタル酸、エチルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水イタコン酸等が挙げられる。これらの中で、（メタ）アクリル酸が好ましい。
これら１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１０１】
前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂の構成単位となる（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｔ−オクチル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、アセトキシエチル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、β−フェノキシエトキシエチルアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、オクタフロロペンチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレート、トリブロモフェニル（メタ）アクリレート、トリブロモフェニルオキシエチル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【０１０２】
また、前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂の構成単位となるスチレン類としては、例えば、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヒドロキシスチレン、メトキシスチレン、ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレン、酸性物質により脱保護可能な基（例えば、ｔ−Ｂｏｃ等）で保護されたヒドロキシスチレン、ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレンなどが挙げられる。
前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂は、これら１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基、又は、酸無水物基を有する化合物と（メタ）アクリル酸エステルモノマーとスチレン類の少なくともいずれかとの通常の共重合法、例えば、溶液重合法により共重合して得られる。
また、前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂に包含される、マレイン酸モノエステル／スチレン類共重合体、マレイン酸モノアミド／スチレン類共重合体、イタコン酸モノエステル／スチレン類共重合体やイタコン酸モノアミド／スチレン類共重合体の場合は、それぞれ無水マレイン酸／スチレン類共重合体や無水イタコン酸／スチレン類共重合体のアルコール類又は一級又は二級アミン類との高分子反応により得ることができる。
【０１０３】
前記マレイン酸無水物との高分子反応に使用する前記アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール、メトキシプロパノール、エトキシプロパノールなどを好適に挙げることができる。
また、前記一級アミン類としては、例えば、ベンジルアミン、フェネチルアミン、３−フェニル−１−プロピルアミン、４−フェニル−１−ブチルアミン、５−フェニル−１−ペンチルアミン、６−フェニル−１−ヘキシルアミン、α−メチルベンジルアミン、２−メチルベンジルアミン、３−メチルベンジルアミン、４−メチルベンジルアミン、２−（ｐ−トリル）エチルアミン、β―メチルフェネチルアミン、１−メチル−３−フェニルプロピルアミン、２−クロロベンジルアミン、３−クロロベンジルアミン、４−クロロベンジルアミン、２−フロロベンジルアミン、３−フロロベンジルアミン、４−フロロベンジルアミン、４−ブロモフェネチルアミン、２−（２−クロロフェニル）エチルアミン、２−（３−クロロフェニル）エチルアミン、２−（４−クロロフェニル）エチルアミン、２−（２−フロロフェニル）エチルアミン、２−（３−フロロフェニル）エチルアミン、２−（４−フロロフェニル）エチルアミン、４−フロロ−α，α−ジメチルフェネチルアミン、２−メトキシベンジルアミン、３−メトキシベンジルアミン、４−メトキシベンジルアミン、２−エトキシベンジルアミン、２−メトキシフェネチルアミン、３−メトキシフェネチルアミン、４−メトキシフェネチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ラウリルアミン、フェニルアミン、１−ナフチルアミン、メトキシメチルアミン、２−メトキシエチルアミン、２−エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、２−ブトキシエチルアミン、２−シクロへキシルオキシエチルアミン、３−エトキシプロピルアミン、３−プロポキシプロピルアミン、３−イソプロポキシプロピルアミンなどが好適に挙げられる。
更に、前記二級アミン類としては、例えば、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルエチルアミン、メチルプロピルアミン、ジエチルアミン、エチルプロピルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、Ｎ，Ｎ−メチルベンジルアミンなどを好適に挙げることができる。
【０１０４】
−（ｂ）エポキシ基含有不飽和化合物−
前記タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂の製造に用いられる（ｂ）エポキシ基含有不飽和化合物としては、１分子中に１個のラジカル重合性の不飽和基とエポキシ基とを有する化合物であればよく、例えば、下記一般式（ＶＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−１４）で示される化合物などが挙げられる。
【化５２】
2007256845.tif 000047
【化５３】
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【化５４】
2007256845.tif 000049
【化５５】
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【化５６】
2007256845.tif 000051
【化５７】
2007256845.tif 000052
【化５８】
2007256845.tif 000053
【０１０５】
【化５９】
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【化６０】
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【０１０６】
【化６１】
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【化６２】
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【化６３】
2007256845.tif 000058
【０１０７】
【化６４】
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【化６５】
2007256845.tif 000060
【０１０８】
ただし、一般式（ＶＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−１４）において、Ｒ４５は水素原子又はメチル基、Ｒ４６はＣ１−Ｃ１０のアルキレン基、Ｒ１６はＣ１−Ｃ１０の炭化水素基、ｐは０又は１−１０の整数を表す。
【０１０９】
これら（ｂ）エポキシ基含有不飽和化合物は、単独で用いても２種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、グリシジル（メタ）アクリレートや３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレートが好ましい。
【０１１０】
−タイプ（Ａ−２）−
前記タイプ（Ａ−２）のビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂の製造に用いられるエポキシ基含有共重合樹脂（ｃ）は、エポキシ基含有モノマーとそれ以外のエポキシ基と非反応性の（メタ）アクリルエステル及び／又はスチレン類との共重合により得られる。
エポキシ基含有モノマーとしては、前記タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂の説明において既述の化合物が好適に用いられる。
エポキシ基と非反応性の（メタ）アクリル酸エステル及びスチレン類の少なくともいずれかは、前記タイプ（Ａ−１）のアルカリ可溶性架橋性樹脂において既述のもののうち、カルボキシル基、アルコール性ヒドロキシル基、フェノール性ヒドロキシル基、アミノ基などを含まないものが好適に用いられる。
製造法としては、エポキシ基含有モノマーとそれ以外のエポキシ基と非反応性の（メタ）アクリル酸エステル、スチレン類を常法、例えば溶液重合法等により共重合して得られる。
ここでエポキシ基含有モノマーとそれ以外のエポキシ基と非反応性の（メタ）アクリルエステル及びはスチレン類の少なくともいずれかとのモル比は６０：４０〜２０：８０が好適である。なお、エポキシ基含有モノマーの配合量が少な過ぎてこのモル比が２０：８０より大きいと、次の不飽和カルボン酸、更に多塩基酸無水物の前記共重合体への付加量が少なくなる結果、紫外線硬化性及び希アルカリ水溶液による現像性が悪くなり、また逆にエポキシ基含有モノマーの配合量が多過ぎて前記モル比が６０：４０より小さいと、軟化点が低くなり過ぎる傾向がある。
また、カルボキシル基含有不飽和化合物（ｄ）は、タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂の説明中で１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物として既述の各化合物が好適に使用できる。
また、多塩基酸無水物（ｅ）としては、マレイン酸無水物、コハク酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、３−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、４−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、３−エチルヘキサヒドロフタル酸無水物、４−エチルヘキサヒドロフタル酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、３−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、４−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、３−エチルテトラヒドロフタル酸無水物、４−エチルテトラヒドロフタル酸無水物、フタル酸無水物などの、分子中に１つの酸無水物基を有する飽和又は不飽和の脂肪族、脂環族又は芳香族化合物が好ましい。これらの中でも、テトラヒドロフタル酸無水物が特に好ましい。
前記エポキシ基含有共重合体とカルボキシル基含有不飽和化合物と引き続く多塩基酸無水物との反応は次のように実施するのが好ましい。前記エポキシ基含有モノマーの共重合体に対し、この共重合体の１エポキシ基当量当り０．８〜１．２モルの不飽和カルボン酸を付加反応した後、更に得られる生成物のヒドロキシル基に多塩基酸無水物を付加反応する。
【０１１１】
−タイプ（Ａ−３）−
前記タイプ（Ａ−３）のビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂の製造に用いられる酸無水物基含有樹脂（ｆ）は、マレイン酸無水物とスチレン類の共重合又はイタコン酸無水物とスチレン類の共重合により得られる。
共重合成分であるスチレン類は、前記タイプ（Ａ−１）のアルカリ可溶性架橋性樹脂の説明中で既述のものが好適に用いられる。マレイン酸無水物又はイタコン酸無水物とスチレン類の共重合組成比は９０：１０〜１０：９０が好ましく、８０：２０〜２０：８０が更に好ましく、７０：３０〜３０：７０が特に好ましい。９０：１０以上では硬化部の耐現像性が劣り、１０：９０以下では現像性が劣る。
前記無水マレイン酸１モルに対してスチレンを１モルから３モルの割合で共重合させて得られる質量平均分子量が、１，０００から５，０００程度の共重合体が好ましく、例えば、ＡＲＣＯ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製ＳＭＡレンジ１０００、２０００、３０００などが挙げられる。
【０１１２】
分子中に１個のヒドロキシル基及び少なくとも１個の（メタ）アクリロイル基を有する化合物（ｇ）としては、例えば２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、ペンダエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールモノ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）アシッドホスフェート、ジ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）アシッドホスフェート、グリセロールジ（メタ）アクリレートが挙げられる。
【０１１３】
前記酸無水物共重合体と、分子中に１個のヒドロキシル基及び少なくとも１個の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの開環付加反応は、活性水素を含まない有機溶剤中で行うという公知の方法で製造できる。溶剤として好ましいものは、酢酸エチル、メトキシプロピルアセテート、メチルエチルケトン等が好ましい。その際の前記モノマー中ヒドロキシル基／前記共重合体中酸無水物基のモル比は０．８〜１．２が好ましい。
上記開環付加反応は通常５０℃から２００℃で行なうがジエステルの生成及びゲル化を防止するために８０℃から１５０℃程度が好ましい。なお、反応促進剤としてトリエチルアミン、トリエタノールアミン、モリホリン、ペンダメチルジエチレントリアミンなどの第三級アミン類又は第四級アンモニウム塩などを使用することができる。一方反応中に重合物が生成するのを防止するためにヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ｔ−ブチルヒドロキノン、ｔ−ブチルカテコール、ベンゾキノン、フェノチアジンなどの公知の重合禁止剤を添加使用することもできる。
【０１１４】
以上のように、得られた前記タイプ（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）の少なくともいずれかからなるビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂は、その酸価が、５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲にあることが必要である。
前記酸価は、７０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、９０〜１８０ｍｇＫＯＨ／ｇが特に好ましい。前記酸価が、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、弱アルカリ水溶液である現像液での未露光部の除去が難しく、一方、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、硬化被膜の耐水性、電気特性が劣るなどの弊害がある。また、ビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性ポリマー（Ａ）は、質量平均分子量が５，０００〜２００，０００の範囲にあるものが好ましい。また、質量平均分子量は１０，０００〜１００，０００がより好ましく、３０，０００〜８０，０００が特に好ましい。質量平均分子量が５，０００未満であると、指触乾燥性が著しく劣り、支持体との剥離性が劣る。一方、質量平均分子量が２００，０００を超えると、アルカリ現像液による未露光部の除去性、貯蔵安定性が著しく悪くなる等の問題を生じるので好ましくない。
感光性ソルダーレジスト層の全固形分中のアルカリ可溶性架橋性樹脂の固形分含有量は１５〜７０質量％が好ましい。１５質量％未満であると、硬化膜の強靱性が劣り、７０質量％を越えると信頼性の低下など、性能バランスが劣化する。
特に前記タイプ（Ａ−１）〜（Ａ−３）からの１種と後述のエポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性オリゴマーからの１種の混合物はバランスのとれた性能を付与することができるので好ましい。その場合の混合比は質量で１０：９０〜９０：１０である。２０：８０〜８０：２０がより好ましく、３０：７０〜７０：３０が殊に好ましい。
【０１１５】
−エポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂−
前記エポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｈ）エポキシ樹脂と（ｉ）１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物とのエステル化反応生成物に、更に（ｊ）多塩基酸無水物を反応することにより生成する。
前記エポキシ樹脂（ｈ）としては、東都化成（株）製ＹＤＣＮ−７０１，ＹＤＣＮ−７０４；大日本インキ化学工業（株）製Ｎ−６６５，Ｎ−６８０，Ｎ−６９５；日本化薬（株）製ＥＯＣＮ−１０２，ＥＯＣＮ−１０４；旭化成工業（株）製ＥＣＮ−２６５，ＥＣＮ−２９３，ＥＣＮ−２８５，ＥＣＮ−２９９などのクレゾールノボラック型エポキシ樹脂や、東都化成（株）製ＹＤＰＮ−６３８，ＹＤＰＮ−６０２；ダウ・ケミカル日本（株）製  ＤＥＮ−４３１，ＤＥＮ−４３８，ＤＥＮ−４３９；チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製  ＥＰＮ−１１３８，ＥＰＮ−１２３５，ＥＰＮ−１２９９；大日本インキ化学工業（株）製  Ｎ−７３０，Ｎ−７７０などのフェノールノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、ノボラック型エポキシ樹脂の一部を、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂も有利に使用できる。
【０１１６】
次に、１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物（ｉ）は、前記タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂の説明中で既述の各化合物が好適に使用できる。
また、前記多塩基酸無水物（ｊ）は同様にタイプ前記（Ａ−２）のビニルポリマー型アルカリ可溶性架橋性樹脂の説明中で成分（ｅ）として既述の化合物を使用することができる。
【０１１７】
−−エポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂の製造方法−−
前記エポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、製造の際のエポキシ樹脂（ｈ）と１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物（ｉ）との反応において、エポキシ樹脂（ｈ）のエポキシ基１当量に対して、１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物（ｉ）が０．８〜１．０５当量となる比率で反応させることが好ましく、０．９〜１．０当量がより好ましい。
前記エポキシ樹脂（ｈ）と１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物（ｉ）は有機溶剤に溶かして反応させられ、有機溶剤としては、例えば、エチルメチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等のエステル類、オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素類、石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサ等の石油系溶剤などが挙げられる。
【０１１８】
更に、反応を促進させるために触媒を用いるのが好ましい。用いられる触媒としては、例えば、トリエチルアミン、ベンジルメチルアミン、メチルトリエチルアンモニウムクロライト、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライト、ベンジルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリメチルメチルアンモニウムアイオタイド、トリフェニルホスフィンなどが挙げられる。触媒の使用量は、エポキシ樹脂とビニル基含有モノカルボン酸（ｂ）の合計１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。
また、反応中の重合を防止する日的で、重合防止剤を使用するのが好ましい。重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、カテコール、ピロガロール等が挙げられ、その使用量は、エポキシ樹脂（ａ）とビニル基含有モノカルボン酸（ｂ）の合計１００質量部に対して、０．０１〜１質量部が好ましい。反応温度は、６０〜１５０℃が好ましく、８０〜１２０℃がより好ましい。
【０１１９】
前記のエポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂は、こうして得られた反応生成物に多塩基酸無水物（ｊ）を反応させて得られる。前記反応生成物と多塩基酸無水物（ｃ）との反応温度は、６０〜１２０℃が好ましい。
【０１２０】
前記反応生成物中のヒドロキシル基１当量に対して、多塩基酸無水物（ｊ）を０．１〜１．０当量反応させることで、前記エポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂の酸価を調整できる。前記エポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂の酸価は３０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、５０〜１２０ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましい。酸価が３０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、光硬化性樹脂組成物の希アルカリ溶液への溶解性が低下し、１５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると硬化膜の電気特性が低下する傾向がある。
前記エポキシ樹脂エステル型アルカリ可溶性架橋性樹脂の質量平均分子量は５００〜５，０００が好ましく、１，０００〜４，０００がより好ましく、１，５００〜３，５００が特に好ましい。５００以下であると、粘着性が高すぎ保護フィルムの剥離が困難になり、５，０００を越えると該樹脂の製造が困難になる。
【０１２１】
＜重合性化合物＞
前記重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、分子中に少なくとも１個の付加重合可能な基を有し、沸点が常圧で１００℃以上である化合物が好ましく、例えば、（メタ）アクリル基を有するモノマーから選択される少なくとも１種が好適に挙げられる。
【０１２２】
前記（メタ）アクリル基を有するモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレートなどの単官能アクリレートや単官能メタクリレート；ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリ（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、トリ（アクリロイルオキシエチル）シアヌレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンやグリセリン、ビスフェノールなどの多官能アルコールに、エチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加反応した後で（メタ）アクリレート化したもの、特公昭４８−４１７０８号公報、特公昭５０−６０３４号公報、特開昭５１−３７１９３号公報などの各公報に記載されているウレタンアクリレート類；特開昭４８−６４１８３号公報、特公昭４９−４３１９１号公報、特公昭５２−３０４９０号公報などの各公報に記載されているポリエステルアクリレート類；エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸の反応生成物であるエポキシアクリレート類などの多官能アクリレートやメタクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレートが特に好ましい。
【０１２３】
前記重合性化合物の前記ソルダーレジスト用感光性組成物固形分中の固形分含有量は、５〜７５質量％が好ましく、１０〜４０質量％がより好ましい。該固形分含有量が５質量％未満であると、現像性の悪化、露光感度の低下などの問題を生ずることがあり、７５質量％を超えると、感光性ソルダーレジスト層の粘着性が強くなりすぎることがあり、好ましくない。
【０１２４】
＜熱架橋剤＞
前記熱架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ樹脂及び多官能オキセタン化合物などが好適に挙げられる。
前記エポキシ樹脂及び多官能オキセタン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記ソルダーレジスト用感光性組成物を用いて形成される感光性ソルダーレジスト層の硬化後の膜強度を改良するために、現像性などに悪影響を与えない範囲で、１分子内に少なくとも２つのオキシラン基を有するエポキシ樹脂化合物、１分子内に少なくとも２つのオキセタニル基を有するオキセタン化合物などを用いることができる。
【０１２５】
前記エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビキシレノール型若しくはビフェノール型エポキシ樹脂（「ＹＸ４０００；ジャパンエポキシレジン社製」など）又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格などを有する複素環式エポキシ樹脂（「ＴＥＰＩＣ；日産化学工業社製」、「アラルダイトＰＴ８１０；チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」など）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂（「ＥＳＮ−１９０，ＥＳＮ−３６０；新日鉄化学社製」、「ＨＰ−４０３２，ＥＸＡ−４７５０，ＥＸＡ−４７００；大日本インキ化学工業社製」など）、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（「ＨＰ−７２００，ＨＰ−７２００Ｈ；大日本インキ化学工業社製」など）、グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂（「ＣＰ−５０Ｓ，ＣＰ−５０Ｍ；日本油脂社製」など）、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１２６】
前記多官能オキセタン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビス［（３−メチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エーテル、ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エーテル、１，４−ビス［（３−メチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、１，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、（３−メチル−３−オキセタニル）メチルアクリレート、（３−エチル−３−オキセタニル）メチルアクリレート、（３−メチル−３−オキセタニル）メチルメタクリレート、（３−エチル−３−オキセタニル）メチルメタクリレート又はこれらのオリゴマーあるいは共重合体などの多官能オキセタン類の他、オキセタン基と、ノボラック樹脂、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、カルド型ビスフェノール類、カリックスアレーン類、カリックスレゾルシンアレーン類、シルセスキオキサンなどの水酸基を有する樹脂など、とのエーテル化合物が挙げられ、この他、オキセタン環を有する不飽和モノマーとアルキル（メタ）アクリレートとの共重合体なども挙げられる。
【０１２７】
前記エポキシ樹脂又は多官能オキセタン化合物の前記ソルダーレジスト用感光性組成物溶液の固形分中の固形分含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、２〜５０質量％が好ましく、３〜３０質量％がより好ましい。該固形分含有量が２質量％未満であると、硬化膜の吸湿性が高くなり、絶縁性の劣化を生ずる、あるいは、半田耐熱性や耐無電解メッキ性などが低下することがあり、５０質量％を超えると、現像性の悪化や露光感度の低下が生ずることがあり、好ましくない。
【０１２８】
−その他の熱架橋剤―
前記その他の熱架橋剤は、前記エポキシ樹脂や多官能オキセタン化合物とは別に添加することができる。前記熱架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開平５−９４０７号公報記載のポリイソシアネート化合物を用いることができ、該ポリイソシアネート化合物としては、少なくとも２つのイソシアネート基を含む脂肪族、環式脂肪族又は芳香族基置換脂肪族化合物から誘導されていてもよい。
具体的には、１，３−フェニレンジイソシアネートと１，４−フェニレンジイソシアネートとの混合物、２，４−及び２，６−トルエンジイソシアネート、１，３−及び１，４−キシリレンジイソシアネート、ビス（４−イソシアネート−フェニル）メタン、ビス（４−イソシアネートシクロヘキシル）メタン、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートなどの２官能イソシアネート；該２官能イソシアネートと、トリメチロールプロパン、ペンタリスルトール、グリセリンなどとの多官能アルコール；該多官能アルコールのアルキレンオキサイド付加体と、前記２官能イソシアネートとの付加体；ヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート及びその誘導体などの環式三量体などが挙げられる。
【０１２９】
更に、前記ソルダーレジスト用感光性組成物、あるいは、感光層（以下、感光性ソルダーレジストフィルムともいう。）の保存性を向上させることを目的として、前記ポリイソシアネート及びその誘導体のイソシアネート基にブロック剤を反応させて得られる化合物を用いてもよい。
前記イソシアネート基ブロック剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノールなどのアルコール類；ε−カプロラクタムなどのラクタム類；フェノール、クレゾール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェノール、ｐ−ｓｅｃ−アミルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノールなどのフェノール類；３−ヒドロキシピリジン、８−ヒドロキシキノリンなどの複素環式ヒドロキシル化合物；ジアルキルマロネート、メチルエチルケトキシム、アセチルアセトン、アルキルアセトアセテートオキシム、アセトオキシム、シクロヘキサノンオキシムなどの活性メチレン化合物；などが挙げられる。これらの他に、特開平６−２９５０６０号公報記載の分子内に少なくとも１つの重合可能な二重結合及び少なくとも１つのブロックイソシアネート基のいずれかを有する化合物などを用いることができる。
【０１３０】
また、アルデヒド縮合生成物、樹脂前駆体などを用いることができる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ジメチロール尿素、Ｎ，Ｎ’−ジメチロールマロンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチロールスクシンイミド、トリメチロールメラミン、テトラメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミン、１，３−Ｎ，Ｎ’−ジメチロールテレフタルアミド、２，４，６−トリメチロールフェノール、２，６−ジメチロール−４−メチロアニソール、１，３−ジメチロール−４，６−ジイソプロピルベンゼンなどが挙げられる。なお、これらのメチロール化合物の代わりに、対応するエチル若しくはブチルエーテル、又は酢酸あるいはプロピオン酸のエステルを使用してもよい。また、メラミンと尿素とのホルムアルデヒド縮合生成物とからなるヘキサメチル化メチロールメラミンや、メラミンとホルムアルデヒド縮合生成物のブチルエーテルなどを使用してもよい。
【０１３１】
＜熱架橋促進剤＞
前記熱架橋促進剤は、前記エポキシ樹脂化合物や前記多官能オキセタン化合物の熱架橋を促進する機能があり、前記感光性樹脂に好適に添加される。
前記熱架橋促進剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、４−（ジメチルアミノ）−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、４−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミンなどのアミン化合物；トリエチルベンジルアンモニウムクロリドなどの４級アンモニウム塩化合物；ジメチルアミンなどのブロックイソシアネート化合物；イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール誘導体二環式アミジン化合物及びその塩；トリフェニルホスフィンなどのリン化合物；メラミン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミンなどのグアナミン化合物；２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−Ｓ−トリアジン、２−ビニル−２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２−ビニル−４，６−ジアミノ−Ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−Ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物などのＳ−トリアジン誘導体、三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス、有機ヒドラジド累、無水フタル酸、無水トリメリット酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などの芳香族酸無水物、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸などの脂肪族酸無水物類、ポリビニルフェノール、ポリビニルフェノール臭素化物、フェノールノボラック、アルキルフェノールノボラックなどのポリフェノール類などなどを用いることができる。これらは１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。なお、前記エポキシ樹脂化合物や前記多官能オキセタン化合物の硬化触媒、あるいは、これらとカルボキシル基の反応を促進することができるものであれば、特に制限はなく、上記以外の熱架橋を促進可能な化合物を用いてもよい。
前記エポキシ樹脂、前記多官能オキセタン化合物、及びこれらとカルボン酸との熱架橋を促進可能な化合物の前記ソルダーレジスト用感光性組成物溶液の固形分中の固形分含有量は、通常０．０１〜２０質量％である。
【０１３２】
＜その他の成分＞
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機充填剤、着色剤、溶剤、界面活性剤、密着促進剤、熱重合禁止剤、可塑剤及びその他の添加剤などが挙げられ、更に基体表面への密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）を併用してもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、目的とするソルダーレジスト用感光性組成物あるいは感光性ソルダーレジストフィルムの安定性、写真性、膜物性などの性質を調整することができる。
【０１３３】
＜無機充填剤＞
前記無機充填剤は、永久パターンの表面硬度を向上でき、線膨張係数を低く抑えることができ、硬化層自体の誘電率や誘電正接を低く抑えることができる機能があるので、本発明のソルダーレジスト用感光性組成物に好適に用いることができる。
前記無機充填剤としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカなどが挙げられる。
【０１３４】
前記無機充填剤の平均粒径は、３μｍ未満が好ましく、０．１〜２μｍがより好ましい。該平均粒径が３μｍ以上であると、光錯乱により解像度が劣化することがある。
前記無機充填剤の添加量は、５〜７５質量％が好ましく、８〜７０質量％がより好ましく、１０〜６５質量％が特に好ましい。該添加量が５質量％未満であると、十分に線膨張係数を低下させることができないことがあり、９０質量％を超えると、感光性ソルダーレジスト層表面に硬化膜を形成した場合に、該硬化膜の膜質が脆くなり、永久パターンを用いて配線を形成する場合において、配線の保護膜としての機能が損なわれることがある。
【０１３５】
更に必要に応じて有機微粒子を添加することも可能である。好適な有機微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂などが挙げられる。また、平均粒径０．１〜２μｍ、吸油量１００〜２００ｍ２／ｇ程度のシリカ、架橋樹脂からなる球状多孔質微粒子などを用いることができる。
【０１３６】
前記無機充填剤に、平均粒径が０．１〜２μｍの粒子を含有していることから、永久パターンをプリント配線基板の薄型化にともなって、厚み５〜２０μｍに薄層化したとしても、無機充填剤粒子が永久パターンの表裏両面を架橋することはなく、その結果、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてもイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱性、耐湿性に優れた永久パターンとすることができる。
【０１３７】
＜着色剤＞
前記着色剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、公知の染料の中から、適宜選択した着色顔料などの染料を使用することができる。
【０１３８】
−着色顔料−
【０１３９】
前記着色顔料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビクトリア・ピュアーブルーＢＯ（Ｃ．Ｉ．４２５９５）、オーラミン（Ｃ．Ｉ．４１０００）、ファット・ブラックＨＢ（Ｃ．Ｉ．２６１５０）、モノライト・エローＧＴ（Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１２）、パーマネントイエローＧＲ（Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１７）、パーマネント・エローＨＲ（Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー８３）、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１８５、パーマネント・カーミンＦＢＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１４６）、ホスターバームレッドＥＳＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット１９）、パーマネント・ルビーＦＢＨ（Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１１）ファステル・ピンクＢスプラ（Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド８１）モナストラル・ファースト・ブルー（Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５）、モノライト・ファースト・ブラックＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１）、カーボン、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド９７、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１２２、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１４９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１６８、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１７７、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１８０、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１９２、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２１５、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン３６、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：１、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：４、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：６、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー２２、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー６４などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１４０】
前記着色顔料の前記ソルダーレジスト用感光性組成物溶液の固形分中の固形分含有量は、永久パターン形成の際の感光性ソルダーレジスト層の露光感度、解像性などを考慮して決めることができ、前記着色顔料の種類により異なるが、一般的には０．１〜１０質量％が好ましく、０．５〜８質量％がより好ましい。
【０１４１】
−溶剤−
前記溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類；トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノールなどのエーテル類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。
【０１４２】
−界面活性剤−
前記感光性組成物は、本発明の感光性フィルムを製造する際に発生する面状ムラを改善させるために、公知の界面活性剤を添加することができる。
前記界面活性剤としては、例えば、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素含有界面活性剤などから適宜選択できる。
【０１４３】
前記界面活性剤の含有量は、感光性フィルム用感光性組成物の固形分に対し、０．００１〜１０質量％が好ましい。
前記含有量が、０．００１質量％未満になると、面状改良の効果が得られなくことがあり、１０質量％を超えると、密着性が低下することがある。
【０１４４】
前記界面活性剤としては、上述の界面活性剤の他、フッ素系の界面活性剤として、炭素鎖３〜２０でフッ素原子を４０質量％以上含み、かつ、非結合末端から数えて少なくとも３個の炭素原子に結合した水素原子がフッ素置換されているフルオロ脂肪族基を有するアクリレート又はメタクリレートを共重合成分として有する高分子界面活性剤も好適に挙げられる。
【０１４５】
−密着促進剤−
前記密着促進剤は、各層間の密着性、又は感光性ソルダーレジスト層と基体との密着性、電食性を向上させる機能がある。
前記密着促進剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアテミン、メラミン−フェノールホルマリン樹脂、エチルジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−キシリル−Ｓ−トリアジンなどのトリアジン化合物が挙げられる。市販されているトリアジン化合物としては、下記構造式（Ｅ）〜（Ｇ）に示す四国化成工業社製；２ＭＺ−ＡＺＩＮＥ（構造式（Ｅ）），２Ｅ４ＭＺ−ＡＺＩＮＥ（構造式（Ｆ）），ＣｌｌＺ−ＡＺＩＮＥ（構造式（Ｇ））などが挙げられる。
【０１４６】
【化６６】
2007256845.tif 000061
【化６７】
2007256845.tif 000062
【化６８】
2007256845.tif 000063
これらの化合物は、銅回路との密着性を高め、耐ＰＣＴ性を向上させ、電食性にも効果がある。これらは単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。密着促進剤の含有量は、ソルダーレジスト用感光性組成物固形分に対して０．１〜４０質量％が好ましく、０．１〜２０質量％がより好ましい。
【０１４７】
−熱重合禁止剤−
前記熱重合禁止剤は、前記重合性化合物の熱的な重合又は経時的な重合を防止し、保存安定性を向上させるために添加することが好ましい。
前記熱重合禁止剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、４−メトキシフェノール、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、アルキル又はアリール置換ハイドロキノン、ｔ−ブチルカテコール、ピロガロール、２−ヒドロキシベンゾフェノン、４−メトキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナフチルアミン、β−ナフトール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−クレゾール、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、ピクリン酸、４−トルイジン、メチレンブルー、銅と有機キレート剤反応物、サリチル酸メチル、及びフェノチアジン、ニトロソ化合物、ニトロソ化合物とＡｌとのキレートなどが挙げられる。
【０１４８】
前記熱重合禁止剤の含有量としては、前記重合性化合物に対して０．００１〜５質量％が好ましく、０．００５〜２質量％がより好ましく、０．０１〜１質量％が特に好ましい。該含有量が、０．００１質量％未満であると、保存時の安定性が低下することがあり、５質量％を超えると、活性エネルギー線に対する感度が低下することがある。
【０１４９】
（感光性フィルム）
前記感光性フィルムは、支持体と、該支持体上に本発明の前記感光性組成物からなる感光層を少なくとも有し、目的に応じて、クッション層等の適宜選択されるその他の層を積層してなる。
前記感光性組成物としては、エッチングレジスト用感光性組成物及びソルダーレジスト用感光性組成物のいずれかが含まれる。
【０１５０】
＜支持体＞
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるのが好ましく、更に表面の平滑性が良好であるのがより好ましい。
【０１５１】
前記支持体の材料としては、合成樹脂製で、かつ透明であるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ポリ（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
なお、前記支持体としては、例えば、特開平４−２０８９４０号公報、特開平５−８０５０３号公報、特開平５−１７３３２０号公報、特開平５−７２７２４号公報などに記載の支持体を用いることもできる。
【０１５２】
前記支持体の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、４〜３００μｍが好ましく、５〜１７５μｍがより好ましい。
【０１５３】
前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。前記長尺状の感光性フィルムの長さとしては、特に制限はなく、例えば、１０〜２０，０００ｍの範囲から適宜選択することができる。
また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、１００〜１，０００ｍの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。
また、前記ロール状の感光性フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター（特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの）を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。
【０１５４】
＜感光層＞
前記感光層は、前記感光性組成物により形成される。前記感光層の前記感光性フィルムにおいて設けられる箇所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、前記支持体上に積層される。前記感光層としては、単層であってもよく、複数層であってもよい。
【０１５５】
＜その他の層＞
前記感光性フィルムにおけるその他の層としては、例えば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クッション層、酸素遮断層（ＰＣ層）、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層などの層を有してもよい。これらの層を１種単独で有していてもよく、２種以上を有していてもよい。また、前記感光層上に保護フィルムを有していてもよい。
【０１５６】
−クッション層−
前記クッション層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、アルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性であってもよく、不溶性であってもよい。
【０１５７】
前記クッション層がアルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性である場合には、前記熱可塑性樹脂としては、例えば、エチレンとアクリル酸エステル共重合体のケン化物、スチレンと（メタ）アクリル酸エステル共重合体のケン化物、ビニルトルエンと（メタ）アクリル酸エステル共重合体のケン化物、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸ブチルと酢酸ビニル等の（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のケン化物、（メタ）アクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸との共重合体、スチレンと（メタ）アクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸との共重合体などが挙げられる。
【０１５８】
この場合の熱可塑性樹脂の軟化点（Ｖｉｃａｔ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、８０℃以下が好ましい。
前記軟化点が８０℃以下の熱可塑性樹脂としては、上述した熱可塑性樹脂の他、「プラスチック性能便覧」（日本プラスチック工業連盟、全日本プラスチック成形工業連合会編著、工業調査会発行、１９６８年１０月２５日発行）による軟化点が約８０℃以下の有機高分子の内、アルカリ性液に可溶なものが挙げられる。また、軟化点が８０℃以上の有機高分子物質においても、該有機高分子物質中に該有機高分子物質と相溶性のある各種の可塑剤を添加して実質的な軟化点を８０℃以下に下げることも可能である。
【０１５９】
また、前記クッション層がアルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性である場合には、前記感光性フィルムの層間接着力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、各層の層間接着力の中で、前記支持体と前記クッション層との間の層間接着力が、最も小さいことが好ましい。このような層間接着力とすることにより、前記積層体から前記支持体のみを剥離し、前記クッション層を介して前記感光層を露光した後、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することができる。また、前記支持体を残したまま、前記感光層を露光した後、前記積層体から前記支持体のみを剥離し、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することもできる。
【０１６０】
前記層間接着力の調整方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記熱可塑性樹脂中に公知のポリマー、過冷却物質、密着改良剤、界面活性剤、離型剤などを添加する方法が挙げられる。
【０１６１】
前記可塑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ジオクチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジブチルフタレート、トリクレジルフォスフェート、クレジルジフェニルフォスフェート、ビフェニルジフェニルフォスフェート等のアルコール類やエステル類；トルエンスルホンアミド等のアミド類、などが挙げられる。
【０１６２】
前記クッション層がアルカリ性液に対して不溶性である場合には、前記熱可塑性樹脂としては、例えば、主成分がエチレンを必須の共重合成分とする共重合体が挙げられる。
前記エチレンを必須の共重合成分とする共重合体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−エチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）などが挙げられる。
【０１６３】
前記クッション層がアルカリ性液に対して不溶性である場合には、前記感光性フィルムの層間接着力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、各層の層間接着力の中で、前記感光層と前記クッション層との接着力が、最も小さいことが好ましい。このような層間接着力とすることにより、前記積層体から前記支持体及びクッション層を剥離し、前記感光層を露光した後、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することができる。また、前記支持体を残したまま、前記感光層を露光した後、前記積層体から前記支持体と前記クッション層を剥離し、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することもできる。
【０１６４】
前記層間接着力の調整方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記熱可塑性樹脂中に各種のポリマー、過冷却物質、密着改良剤、界面活性剤、離型剤などを添加する方法、以下に説明するエチレン共重合比を調整する方法などが挙げられる。
【０１６５】
前記エチレンを必須の共重合成分とする共重合体におけるエチレン共重合比としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、６０〜９０質量％が好ましく、６０〜８０質量％がより好ましく、６５〜８０質量％が特に好ましい。
前記エチレンの共重合比が、６０質量％未満になると、前記クッション層と前記感光層との層間接着力が高くなり、該クッション層と該感光層との界面で剥離することが困難となることがあり、９０質量％を超えると、前記クッション層と前記感光層との層間接着力が小さくなりすぎるため、該クッション層と該感光層との間で非常に剥離しやすく、前記クッション層を含む感光性フィルムの製造が困難となることがある。
【０１６６】
前記クッション層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、５〜５０μｍが好ましく、１０〜５０μｍがより好ましく、１５〜４０μｍが特に好ましい。
前記厚みが、５μｍ未満になると、基体の表面における凹凸や、気泡等への凹凸追従性が低下し、高精細な永久パターンを形成できないことがあり、５０μｍを超えると、製造上の乾燥負荷増大等の不具合が生じることがある。
【０１６７】
−酸素遮断層（ＰＣ層）−
前記酸素遮断層は、通常ポリビニルアルコールを主成分として形成されることが好ましく、厚みが０．５〜５μｍ程度の被膜であることが好ましい。
【０１６８】
−保護フィルム−
前記保護フィルムは、前記感光層の汚れや損傷を防止し、保護する機能を有する。
前記保護フィルムの前記感光性フィルムにおいて設けられる箇所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、前記感光層上に設けられる。
前記保護フィルムとしては、例えば、前記支持体に使用されるもの、シリコーン紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、ポリオレフィン又はポリテトラフルオルエチレンシート、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
前記保護フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５〜１００μｍが好ましく、８〜３０μｍがより好ましい。
前記保護フィルムを用いる場合、前記感光層及び前記支持体の接着力Ａと、前記感光層及び保護フィルムの接着力Ｂとが、接着力Ａ＞接着力Ｂの関係であることが好ましい。
前記支持体と保護フィルムとの組合せ（支持体／保護フィルム）としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート／ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレン、ポリ塩化ビニル／セロフアン、ポリイミド／ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、上述のような接着力の関係を満たすことができる。前記支持体の表面処理は、前記感光層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。
【０１６９】
また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数としては、０．３〜１．４が好ましく、０．５〜１．２がより好ましい。
前記静摩擦係数が、０．３未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、１．４を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。
【０１７０】
前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、３０〜１５０℃で１〜３０分間乾燥させることにより形成させることができる。前記乾燥の温度は、５０〜１２０℃が特に好ましい。
【０１７１】
〔感光性フィルムの製造方法〕
前記感光性フィルムは、例えば、次のようにして製造することができる。
まず、前記感光性組成物に含まれる材料を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて、感光性フィルム用の感光性組成物溶液を調製する。
【０１７２】
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類；トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノールなどのエーテル類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。
【０１７３】
次に、前記基体上又は前記支持体上に前記感光性組成物溶液を塗布し、乾燥させて感光層を形成し、感光性フィルムを製造することができる。
【０１７４】
前記感光性組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常６０〜１１０℃の温度で３０秒間〜１５分間程度である。
【０１７５】
（感光性積層体）
前記感光性積層体は、前記基体上に、本発明の感光性組成物からなる感光層、及び目的に応じて適宜選択されるその他の層を積層してなる。
前記感光性組成物にはエッチングレジスト用感光性組成物及びソルダーレジスト用感光性組成物が含まれる。
【０１７６】
＜基体＞
前記基体は、感光層が形成される被処理基体、又は本発明の感光性フィルムの少なくとも感光層が転写される被転写体となるもので、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を持つものまで任意に選択できる。板状の基体が好ましく、いわゆる基板が使用される。具体的には、公知のプリント配線板製造用の基板（プリント基板）、ガラス板（ソーダガラス板など）、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。
【０１７７】
〔感光性積層体の製造方法〕
前記感光性積層体の製造方法として、第１の態様として、前記感光性組成物を前記基体の表面に塗布し乾燥する方法が挙げられ、第２の態様として、本発明の感光性フィルムにおける少なくとも感光層を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら転写して積層する方法が挙げられる。
【０１７８】
前記第１の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体上に、前記感光性組成物を塗布及び乾燥して感光層を形成する。
前記塗布及び乾燥の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記基体の表面に、前記感光性組成物を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性組成物溶液を調製し、該溶液を直接塗布し、乾燥させることにより積層する方法が挙げられる。
【０１７９】
前記感光性組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性フィルムに用いたものと同じ溶剤が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。
【０１８０】
前記塗布方法及び乾燥条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性フィルムに用いたものと同じ方法及び条件で行う。
【０１８１】
前記第２の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体の表面に本発明の感光性フィルムを加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層する。なお、前記感光性フィルムが前記保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離し、前記基体に前記感光層が重なるようにして積層するのが好ましい。
前記加熱温度及び加圧としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１５〜１８０℃が好ましく、６０〜１４０℃がより好ましい。
前記加圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．１〜１．０ＭＰａが好ましく、０．２〜０．８ＭＰａがより好ましい。
【０１８２】
前記加熱の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター（例えば、大成ラミネーター社製、ＶＰ−ＩＩ、ニチゴーモートン（株）製  ＶＰ１３０）などが好適に挙げられる。
【０１８３】
（パターン形成装置及びパターン形成方法）
本発明のパターン形成装置は、本発明の前記感光性積層体を備えており、光照射手段と光変調手段とを少なくとも有する。
【０１８４】
本発明のパターン形成方法は、露光工程を少なくとも含み、適宜選択した現像工程等のその他の工程を含む。
なお、本発明の前記パターン形成装置は、本発明の前記パターン形成方法の説明を通じて明らかにする。
【０１８５】
［露光工程］
前記露光工程は、本発明の感光性積層体における前記感光層に対し、露光を行う工程である。本発明の感光性積層体における前記感光層としては、本発明の前記感光性組成物により形成されてなる感光層、及び前記感光性フィルムから転写されてなる感光層が挙げられる。
【０１８６】
前記露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、デジタル露光、アナログ露光等が挙げられるが、これらの中でもデジタル露光が好ましい。
【０１８７】
前記デジタル露光の手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、光を照射する光照射手段、形成するパターン情報に基づいて該光照射手段から照射される光を変調させる光変調手段などが挙げられる。
【０１８８】
前記デジタル露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、形成するパターン形成情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行うことが好ましく、例えば、前記感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するｎ個（ただし、ｎは２以上の自然数）の２次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光（ただし、Ｎは２以上の自然数）に使用する前記描素部を指定し、前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行う方法が好ましい。
【０１８９】
本発明において「Ｎ重露光」とは、前記感光層の被露光面上の露光領域の略すべての領域において、前記露光ヘッドの走査方向に平行な直線が、前記被露光面上に照射されたＮ本の光点列（画素列）と交わるような設定による露光を指す。ここで、「光点列（画素列）」とは、前記描素部により生成された描素単位としての光点（画素）の並びうち、前記露光ヘッドの走査方向となす角度がより小さい方向の並びを指すものとする。なお、前記描素部の配置は、必ずしも矩形格子状でなくてもよく、たとえば平行四辺形状の配置等であってもよい。  ここで、露光領域の「略すべての領域」と述べたのは、各描素部の両側縁部では、描素部列を傾斜させたことにより、前記露光ヘッドの走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数が減るため、かかる場合に複数の露光ヘッドをつなぎ合わせるように使用したとしても、該露光ヘッドの取付角度や配置等の誤差により、走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数がわずかに増減することがあるため、また、各使用描素部の描素部列間のつなぎの、解像度分以下のごくわずかな部分では、取付角度や描素部配置等の誤差により、走査方向と直交する方向に沿った描素部のピッチが他の部分の描素部のピッチと厳密に一致せず、走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数が±１の範囲で増減することがあるためである。なお、以下の説明では、Ｎが２以上の自然数であるＮ重露光を総称して「多重露光」という。さらに、以下の説明では、本発明の露光装置又は露光方法を、描画装置又は描画方法として実施した形態について、「Ｎ重露光」及び「多重露光」に対応する用語として、「Ｎ重描画」及び「多重描画」という用語を用いるものとする。
前記Ｎ重露光のＮとしては、２以上の自然数であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、３以上の自然数が好ましく、３以上７以下の自然数がより好ましい。
【０１９０】
＜パターン形成装置＞
本発明のパターン形成方法に係るパターン形成装置の一例について図面を参照しながら説明する。
前記パターン形成装置としては、いわゆるフラットベッドタイプの露光装置とされており、図１に示すように、前記感光性フィルムにおける少なくとも前記感光層が積層されてなるシート状の感光材料１２（以下、「感光層１２」ということがある）を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ１４を備えている。４本の脚部１６に支持された厚い板状の設置台１８の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド２０が設置されている。ステージ１４は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド２０によって往復移動可能に支持されている。なお、このパターン形成装置１０には、ステージ１４をガイド２０に沿って駆動するステージ駆動装置（図示せず）が設けられている。
【０１９１】
設置台１８の中央部には、ステージ１４の移動経路を跨ぐようにコの字状のゲート２２が設けられている。コの字状のゲート２２の端部の各々は、設置台１８の両側面に固定されている。このゲート２２を挟んで一方の側にはスキャナ２４が設けられ、他方の側には感光材料１２の先端及び後端を検知する複数（たとえば２個）のセンサ２６が設けられている。スキャナ２４及びセンサ２６はゲート２２に各々取り付けられて、ステージ１４の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ２４及びセンサ２６は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。
【０１９２】
ここで、説明のため、ステージ１４の表面と平行な平面内に、図１に示すように、互いに直交するＸ軸及びＹ軸を規定する。
【０１９３】
ステージ１４の走査方向に沿って上流側（以下、単に「上流側」ということがある。）の端縁部には、Ｘ軸の方向に向かって開く「く」の字型に形成されたスリット２８が、等間隔で１０本形成されている。各スリット２８は、上流側に位置するスリット２８ａと下流側に位置するスリット２８ｂとからなっている。スリット２８ａとスリット２８ｂとは互いに直交するとともに、Ｘ軸に対してスリット２８ａは−４５度、スリット２８ｂは＋４５度の角度を有している。
【０１９４】
スリット２８の位置は、前記露光ヘッド３０の中心と略一致させられている。また、各スリット２８の大きさは、対応する露光ヘッド３０による露光エリア３２の幅を十分覆う大きさとされている。また、スリット２８の位置としては、隣接する露光済み領域３４間の重複部分の中心位置と略一致させてもよい。この場合、各スリット２８の大きさは、露光済み領域３４間の重複部分の幅を十分覆う大きさとする。
【０１９５】
ステージ１４内部の各スリット２８の下方の位置には、それぞれ、後述する使用描素部指定処理において、描素単位としての光点を検出する光点位置検出手段としての単一セル型の光検出器（図示せず）が組み込まれている。また、各光検出器は、後述する使用描素部指定処理において、前記描素部の選択を行う描素部選択手段としての演算装置（図示せず）に接続されている。
【０１９６】
露光時における前記パターン形成装置の動作形態としては、露光ヘッドを常に移動させながら連続的に露光を行う形態であってもよいし、露光ヘッドを段階的に移動させながら、各移動先の位置で露光ヘッドを静止させて露光動作を行う形態であってもよい。
【０１９７】
＜＜露光ヘッド＞＞
各露光ヘッド３０は、後述する内部のデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）３６の各描素部（マイクロミラー）列方向が、走査方向と所定の設定傾斜角度θをなすように、スキャナ２４に取り付けられている。このため、各露光ヘッド３０による露光エリア３２は、走査方向に対して傾斜した矩形状のエリアとなる。ステージ１４の移動に伴い、感光層１２には露光ヘッド３０ごとに帯状の露光済み領域３４が形成される。図２及び図３Ｂに示す例では、２行５列の略マトリックス状に配列された１０個の露光ヘッドが、スキャナ２４に備えられている。
なお、以下において、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド３０ｍｎと表記し、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア３２ｍｎと表記する。
【０１９８】
また、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、帯状の露光済み領域３４のそれぞれが、隣接する露光済み領域３４と部分的に重なるように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド３０の各々は、その配列方向に所定間隔（露光エリアの長辺の自然数倍、本実施形態では２倍）ずらして配置されている。このため、１行目の露光エリア３２１１と露光エリア３２１２との間の露光できない部分は、２行目の露光エリア３２２１により露光することができる。
【０１９９】
露光ヘッド３０の各々は、図４及び図５に示すように、入射された光を画像データに応じて描素部ごとに変調する光変調手段（描素部ごとに変調する空間光変調素子）として、ＤＭＤ３６（米国テキサス・インスツルメンツ社製）を備えている。このＤＭＤ３６は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた描素部制御手段としてのコントローラに接続されている。このコントローラのデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、露光ヘッド３０ごとに、ＤＭＤ３６上の使用領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、露光ヘッド３０ごとに、ＤＭＤ３６の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。
【０２００】
図４に示すように、ＤＭＤ３６の光入射側には、光ファイバの出射端部（発光点）が露光エリア３２の長辺方向と一致する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源３８、ファイバアレイ光源３８から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系４０、このレンズ系４０を透過したレーザ光をＤＭＤ３６に向けて反射するミラー４２がこの順に配置されている。なお図４では、レンズ系４０を概略的に示してある。
【０２０１】
上記レンズ系４０は、図５に詳しく示すように、ファイバアレイ光源３８から出射されたレーザ光を平行光化する１対の組合せレンズ４４、平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正する１対の組合せレンズ４６、及び光量分布が補正されたレーザ光をＤＭＤ３６上に集光する集光レンズ４８で構成されている。
【０２０２】
また、ＤＭＤ３６の光反射側には、ＤＭＤ３６で反射されたレーザ光を感光層１２の被露光面上に結像するレンズ系５０が配置されている。レンズ系５０は、ＤＭＤ３６と感光層１２の被露光面とが共役な関係となるように配置された、２枚のレンズ５２及び５４からなる。
【０２０３】
本実施形態では、ファイバアレイ光源３８から出射されたレーザ光は、実質的に５倍に拡大された後、ＤＭＤ３６上の各マイクロミラーからの光線が上記のレンズ系５０によって約５μｍに絞られるように設定されている。
【０２０４】
‐光変調手段‐
前記光変調手段としては、ｎ個（ただし、ｎは２以上の自然数）の２次元状に配列された前記描素部を有し、前記パターン情報に応じて前記描素部を制御可能なものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、空間光変調素子が好ましい。
【０２０５】
前記空間光変調素子としては、例えば、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）タイプの空間光変調素子（ＳＬＭ；Ｓｐａｔｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）、液晶光シャッタ（ＦＬＣ）などが挙げられ、これらの中でもＤＭＤが好適に挙げられる。
【０２０６】
また、前記光変調手段は、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を有することが好ましい。この場合、前記光変調手段は、前記パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて光を変調させる。
前記制御信号としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デジタル信号が好適に挙げられる。
【０２０７】
以下、前記光変調手段の一例について図面を参照しながら説明する。
ＤＭＤ３６は図６に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）５６上に、各々描素（ピクセル）を構成する描素部として、多数のマイクロミラー５８が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。本実施形態では、１０２４列×７６８行のマイクロミラー５８が配されてなるＤＭＤ３６を使用するが、このうちＤＭＤ３６に接続されたコントローラにより駆動可能すなわち使用可能なマイクロミラー５８は、１０２４列×２５６行のみであるとする。ＤＭＤ３６のデータ処理速度には限界があり、使用するマイクロミラー数に比例して１ライン当りの変調速度が決定されるので、このように一部のマイクロミラーのみを使用することにより１ライン当りの変調速度が速くなる。各マイクロミラー５８は支柱に支えられており、その表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、本実施形態では、各マイクロミラー５８の反射率は９０％以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向ともに１３．７μｍである。ＳＲＡＭセル５６は、ヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳのものであり、全体はモノリシック（一体型）に構成されている。
【０２０８】
ＤＭＤ３６のＳＲＡＭセル（メモリセル）５６に、所望の２次元パターンを構成する各点の濃度を２値で表した画像信号が書き込まれると、支柱に支えられた各マイクロミラー５８が、対角線を中心としてＤＭＤ３６が配置された基板側に対して±α度（たとえば±１０度）のいずれかに傾く。図７Ａは、マイクロミラー５８がオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図７Ｂは、マイクロミラー５８がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。このように、画像信号に応じて、ＤＭＤ３６の各ピクセルにおけるマイクロミラー５８の傾きを、図６に示すように制御することによって、ＤＭＤ３６に入射したレーザ光Ｂはそれぞれのマイクロミラー５８の傾き方向へ反射される。
【０２０９】
図６には、ＤＭＤ３６の一部を拡大し、各マイクロミラー５８が＋α度又はα度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー５８のオンオフ制御は、ＤＭＤ３６に接続された上記のコントローラによって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー５８で反射したレーザ光Ｂが進行する方向には、光吸収体（図示せず）が配置されている。
【０２１０】
‐光照射手段‐
前記光照射手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（超）高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、ハロゲンランプ、複写機用などの蛍光管、ＬＥＤ、半導体レーザ等の公知光源、又は２以上の光を合成して照射可能な手段が挙げられ、これらの中でも２以上の光を合成して照射可能な手段が好ましい。
前記光照射手段から照射される光としては、例えば、支持体を介して光照射を行う場合には、該支持体を透過し、かつ用いられる光重合開始系化合物や増感剤を活性化する電磁波、紫外から可視光線、電子線、Ｘ線、レーザ光などが挙げられ、これらの中でもレーザ光が好ましく、２以上の光を合成したレーザ（以下、「合波レーザ」と称することがある）がより好ましい。また支持体を剥離してから光照射を行う場合でも、同様の光を用いることができる。
【０２１１】
前記紫外から可視光線の波長としては、例えば、３００〜１，５００ｎｍが好ましく、３２０〜８００ｎｍがより好ましく、３３０〜６５０ｎｍが特に好ましい。
前記レーザ光の波長としては、例えば、２００〜１，５００ｎｍが好ましく、３００〜８００ｎｍがより好ましく、３３０〜５００ｎｍが更に好ましく、４００〜４５０ｎｍが特に好ましい。
【０２１２】
前記合波レーザを照射可能な手段としては、例えば、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射したレーザビームを集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する手段が好ましい。
【０２１３】
以下、前記合波レーザを照射可能な手段（ファイバアレイ光源）について図を参照しながら説明する。
ファイバアレイ光源３８は、図８に示すように、複数（たとえば１４個）のレーザモジュール６０を備えており、各レーザモジュール６０には、マルチモード光ファイバ６２の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ６２の他端には、マルチモード光ファイバ６２より小さいクラッド径を有する光ファイバ６４が結合されている。図９に詳しく示すように、光ファイバ６４のマルチモード光ファイバ６２と反対側の端部は走査方向と直交する方向に沿って７個並べられ、それが２列に配列されてレーザ出射部６６が構成されている。
【０２１４】
光ファイバ６４の端部で構成されるレーザ出射部６６は、図９に示すように、表面が平坦な２枚の支持板６８に挟み込まれて固定されている。また、光ファイバ６４の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。光ファイバ６４の光出射端面は、光密度が高いため集塵しやすく劣化しやすいが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。
【０２１５】
このような光ファイバは、例えば、図２５に示すように、クラッド径が大きいマルチモード光ファイバ６２のレーザ光出射側の先端部分に、長さ１〜３０ｃｍのクラッド径が小さい光ファイバ６４を同軸的に結合することにより得ることができる。２本の光ファイバは、光ファイバ６４の入射端面が、マルチモード光ファイバ６２の出射端面に、両光ファイバの中心軸が一致するように融着されて結合されている。上述した通り、光ファイバ６４のコア６４ａの径は、マルチモード光ファイバ６２のコア６２ａの径と同じ大きさである。
【０２１６】
また、長さが短くクラッド径が大きい光ファイバにクラッド径が小さい光ファイバを融着させた短尺光ファイバを、フェルールや光コネクタ等を介してマルチモード光ファイバ６２の出射端に結合してもよい。コネクタ等を用いて着脱可能に結合することで、クラッド径が小さい光ファイバが破損した場合等に先端部分の交換が容易になり、露光ヘッドのメンテナンスに要するコストを低減できる。なお、以下では、光ファイバ６４を、マルチモード光ファイバ６２の出射端部と称する場合がある。
【０２１７】
マルチモード光ファイバ６２及び光ファイバ６４としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス型光ファイバ、及び複合型光ファイバの何れでもよい。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。本実施の形態では、マルチモード光ファイバ６２及び光ファイバ６４は、ステップインデックス型光ファイバであり、マルチモード光ファイバ６２は、クラッド径＝１２５μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２、入射端面コートの透過率＝９９．５％以上であり、光ファイバ６４は、クラッド径＝６０μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２である。
【０２１８】
一般に、赤外領域のレーザ光では、光ファイバのクラッド径を小さくすると伝搬損失が増加する。このため、レーザ光の波長帯域に応じて好適なクラッド径が決定されている。しかしながら、波長が短いほど伝搬損失は少なくなり、ＧａＮ系半導体レーザから出射された波長４０５ｎｍのレーザ光では、クラッドの厚み｛（クラッド径−コア径）／２｝を８００ｎｍの波長帯域の赤外光を伝搬させる場合の１／２程度、通信用の１．５μｍの波長帯域の赤外光を伝搬させる場合の約１／４にしても、伝搬損失は殆ど増加しない。従って、クラッド径を６０μｍと小さくすることができる。
【０２１９】
但し、光ファイバのクラッド径は６０μｍには限定されない。従来のファイバアレイ光源に使用されている光ファイバのクラッド径は１２５μｍであるが、クラッド径が小さくなるほど焦点深度がより深くなるので、光ファイバのクラッド径は８０μｍ以下が好ましく、６０μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下が更に好ましい。一方、コア径は少なくとも３〜４μｍ必要であることから、光ファイバ６４のクラッド径は１０μｍ以上が好ましい。
【０２２０】
レーザモジュール６０は、図２６に示す合波レーザ光源（ファイバアレイ光源）によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック１１０上に配列固定された複数（例えば、７個）のチップ状の横マルチモード、又はシングルモードのＧａＮ系半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、及びＬＤ７と、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々に対応して設けられたコリメータレンズＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６及びＬ７と、１つの集光レンズ２００と、１本のマルチモード光ファイバ６２と、から構成されている。なお、半導体レーザの個数は７個には限定されない。例えば、クラッド径＝６０μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２のマルチモード光ファイバには、２０個もの半導体レーザ光を入射することが可能であり、露光ヘッドの必要光量を実現して、且つ光ファイバ本数をより減らすことができる。
【０２２１】
ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、発振波長が総て共通（例えば、４０５ｎｍ）であり、最大出力も総て共通（例えば、マルチモードレーザでは１００ｍＷ、シングルモードレーザでは３０ｍＷ）である。なお、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、３５０〜４５０ｎｍの波長範囲で、上記の４０５ｎｍ以外の発振波長を備えるレーザを用いてもよい。
【０２２２】
前記合波レーザ光源は、図２７及び図２８に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ４００内に収納されている。パッケージ４００は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋４１０を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ４００の開口をパッケージ蓋４１０で閉じることにより、パッケージ４００とパッケージ蓋４１０とにより形成される閉空間（封止空間）内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。
【０２２３】
パッケージ４００の底面にはベース板４２０が固定されており、このベース板４２０の上面には、前記ヒートブロック１１０と、集光レンズ２００を保持する集光レンズホルダー４５０と、マルチモード光ファイバ６２の入射端部を保持するファイバホルダー４６０とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ６２の出射端部は、パッケージ４００の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。
【０２２４】
また、ヒートブロック１１０の側面にはコリメータレンズホルダー４４０が取り付けられており、コリメータレンズＬ１〜Ｌ７が保持されている。パッケージ４００の横壁面には開口が形成され、この開口を通してＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７に駆動電流を供給する配線４７０がパッケージ外に引き出されている。
【０２２５】
なお、図２８においては、図の煩雑化を避けるために、複数のＧａＮ系半導体レーザのうちＧａＮ系半導体レーザＬＤ７にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズＬ７にのみ番号を付している。
【０２２６】
図２９は、前記コリメータレンズＬ１〜Ｌ７の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメータレンズＬ１〜Ｌ７の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズＬ１〜Ｌ７は、長さ方向がＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の発光点の配列方向（図２９の左右方向）と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。
【０２２７】
一方、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、発光幅が２μｍの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば１０°、３０°の状態で各々レーザビームＢ１〜Ｂ７を発するレーザが用いられている。これらＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、活性層と平行な方向に発光点が１列に並ぶように配設されている。
【０２２８】
したがって、各発光点から発せられたレーザビームＢ１〜Ｂ７は、上述のように細長形状の各コリメータレンズＬ１〜Ｌ７に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向（長さ方向と直交する方向）と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズＬ１〜Ｌ７の幅が１．１ｍｍ、長さが４．６ｍｍであり、それらに入射するレーザビームＢ１〜Ｂ７の水平方向、垂直方向のビーム径は各々０．９ｍｍ、２．６ｍｍである。また、コリメータレンズＬ１〜Ｌ７の各々は、焦点距離ｆ１＝３ｍｍ、ＮＡ＝０．６、レンズ配置ピッチ＝１．２５ｍｍである。
【０２２９】
集光レンズ２００は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズＬ１〜Ｌ７の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ２００は、焦点距離ｆ２＝２３ｍｍ、ＮＡ＝０．２である。この集光レンズ２００も、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。
【０２３０】
また、ＤＭＤを照明する光照射手段に、合波レーザ光源の光ファイバの出射端部をアレイ状に配列した高輝度のファイバアレイ光源を用いているので、高出力で且つ深い焦点深度を備えたパターン形成装置を実現することができる。更に、各ファイバアレイ光源の出力が大きくなることで、所望の出力を得るために必要なファイバアレイ光源数が少なくなり、パターン形成装置の低コスト化が図られる。
【０２３１】
また、光ファイバの出射端のクラッド径を入射端のクラッド径よりも小さくしているので、発光部径がより小さくなり、ファイバアレイ光源の高輝度化が図られる。これにより、より深い焦点深度を備えたパターン形成装置を実現することができる。例えば、ビーム径１μｍ以下、解像度０．１μｍ以下の超高解像度露光の場合にも、深い焦点深度を得ることができ、高速且つ高精細な露光が可能となる。したがって、高解像度が必要とされる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の露光工程に好適である。
【０２３２】
また、前記光照射手段としては、前記合波レーザ光源を複数備えたファイバアレイ光源に限定されず、例えば、１個の発光点を有する単一の半導体レーザから入射されたレーザ光を出射する１本の光ファイバを備えたファイバ光源をアレイ化したファイバアレイ光源を用いることができる。
【０２３３】
また、複数の発光点を備えた光照射手段としては、例えば、図３０に示すように、ヒートブロック１１０上に、複数（例えば、７個）のチップ状の半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７を配列したレーザアレイを用いることができる。また、図３１Ａに示す、複数（例えば、５個）の発光点１１１ａが所定方向に配列されたチップ状のマルチキャビティレーザ１１０が知られている。マルチキャビティレーザ１１１は、チップ状の半導体レーザを配列する場合と比べ、発光点を位置精度よく配列できるので、各発光点から出射されるレーザビームを合波し易い。但し、発光点が多くなるとレーザ製造時にマルチキャビティレーザ１１１に撓みが発生し易くなるため、発光点１１１ａの個数は５個以下とするのが好ましい。
【０２３４】
前記光照射手段としては、このマルチキャビティレーザ１１１や、図３１Ｂに示すように、ヒートブロック１１０上に、複数のマルチキャビティレーザ１１１が各チップの発光点１１１ａの配列方向と同じ方向に配列されたマルチキャビティレーザアレイを、レーザ光源として用いることができる。
【０２３５】
また、合波レーザ光源は、複数のチップ状の半導体レーザから出射されたレーザ光を合波するものには限定されない。例えば、図３２に示すように、複数（例えば、３個）の発光点１１１ａを有するチップ状のマルチキャビティレーザ１１１を備えた合波レーザ光源を用いることができる。この合波レーザ光源は、マルチキャビティレーザ１１１と、１本のマルチモード光ファイバ６２と、集光レンズ２００と、を備えて構成されている。マルチキャビティレーザ１１１は、例えば、発振波長が４０５ｎｍのＧａＮ系レーザダイオードで構成することができる。
【０２３６】
前記構成では、マルチキャビティレーザ１１１の複数の発光点１１１ａの各々から出射したレーザビームＢの各々は、集光レンズ２００によって集光され、マルチモード光ファイバ６２のコア６２ａに入射する。コア６２ａに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、１本に合波されて出射する。
【０２３７】
マルチキャビティレーザ１１１の複数の発光点１１１ａを、上記マルチモード光ファイバ６２のコア径と略等しい幅内に並設すると共に、集光レンズ２００として、マルチモード光ファイバ６２のコア径と略等しい焦点距離の凸レンズや、マルチキャビティレーザ１１１からの出射ビームをその活性層に垂直な面内のみでコリメートするロッドレンズを用いることにより、レーザビームＢのマルチモード光ファイバ６２への結合効率を上げることができる。
【０２３８】
また、図３３に示すように、複数（例えば、３個）の発光点を備えたマルチキャビティレーザ１１１を用い、ヒートブロック１１０上に複数（例えば、９個）のマルチキャビティレーザ１１１が互いに等間隔で配列されたレーザアレイ１４０を備えた合波レーザ光源を用いることができる。複数のマルチキャビティレーザ１１１は、各チップの発光点１１１ａの配列方向と同じ方向に配列されて固定されている。
【０２３９】
この合波レーザ光源は、レーザアレイ１４０と、各マルチキャビティレーザ１１１に対応させて配置した複数のレンズアレイ１１４と、レーザアレイ１４０と複数のレンズアレイ１１４との間に配置された１本のロッドレンズ１１３と、１本のマルチモード光ファイバ１３０と、集光レンズ１２０と、を備えて構成されている。レンズアレイ１１４は、マルチキャビティレーザ１１０の発光点に対応した複数のマイクロレンズを備えている。
【０２４０】
上記の構成では、複数のマルチキャビティレーザ１１１の複数の発光点１１１ａの各々から出射したレーザビームＢの各々は、ロッドレンズ１１３により所定方向に集光された後、レンズアレイ１１４の各マイクロレンズにより平行光化される。平行光化されたレーザビームＬは、集光レンズ２００によって集光され、マルチモード光ファイバ６２のコア６２ａに入射する。コア６２ａに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、１本に合波されて出射する。
【０２４１】
更に他の合波レーザ光源の例を示す。この合波レーザ光源は、図３４Ａ及び図３４Ｂに示すように、略矩形状のヒートブロック１８０上に光軸方向の断面がＬ字状のヒートブロック１８２が搭載され、２つのヒートブロック間に収納空間が形成されている。Ｌ字状のヒートブロック１８２の上面には、複数の発光点（例えば、５個）がアレイ状に配列された複数（例えば、２個）のマルチキャビティレーザ１１１が、各チップの発光点１１１ａの配列方向と同じ方向に等間隔で配列されて固定されている。
【０２４２】
略矩形状のヒートブロック１８０には凹部が形成されており、ヒートブロック１８０の空間側上面には、複数の発光点（例えば、５個）がアレイ状に配列された複数（例えば、２個）のマルチキャビティレーザ１１０が、その発光点がヒートブロック１８２の上面に配置されたレーザチップの発光点と同じ鉛直面上に位置するように配置されている。
【０２４３】
マルチキャビティレーザ１１１のレーザ光出射側には、各チップの発光点１１１ａに対応してコリメートレンズが配列されたコリメートレンズアレイ１８４が配置されている。コリメートレンズアレイ１８４は、各コリメートレンズの長さ方向とレーザビームの拡がり角が大きい方向（速軸方向）とが一致し、各コリメートレンズの幅方向が拡がり角が小さい方向（遅軸方向）と一致するように配置されている。このように、コリメートレンズをアレイ化して一体化することで、レーザ光の空間利用効率が向上し合波レーザ光源の高出力化が図られると共に、部品点数が減少し低コスト化することができる。
【０２４４】
また、コリメートレンズアレイ１８４のレーザ光出射側には、１本のマルチモード光ファイバ６２と、このマルチモード光ファイバ６２の入射端にレーザビームを集光して結合する集光レンズ２００と、が配置されている。
【０２４５】
前記構成では、レーザブロック１８０、１８２上に配置された複数のマルチキヤビティレーザ１１１の複数の発光点１１１ａの各々から出射したレーザビームＢの各々は、コリメートレンズアレイ１８４により平行光化され、集光レンズ２００によって集光されて、マルチモード光フアイバ６２のコア６２ａに入射する。コア６２ａに入射したレーザ光は、光フアイバ内を伝搬し、１本に合波されて出射する。
【０２４６】
前記合波レーザ光源は、上記の通り、マルチキャビティレーザの多段配置とコリメートレンズのアレイ化とにより、特に高出力化を図ることができる。この合波レーザ光源を用いることにより、より高輝度なファイバアレイ光源やバンドルファイバ光源を構成することができるので、本発明のパターン形成装置のレーザ光源を構成するファイバ光源として特に好適である。
【０２４７】
なお、前記各合波レーザ光源をケーシング内に収納し、マルチモード光ファイバ６２の出射端部をそのケーシングから引き出したレーザモジュールを構成することができる。
【０２４８】
また、合波レーザ光源のマルチモード光ファイバの出射端に、コア径がマルチモード光ファイバと同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバより小さい他の光ファイバを結合してファイバアレイ光源の高輝度化を図る例について説明したが、例えば、クラッド径が１２５μｍ、８０μｍ、６０μｍ等のマルチモード光ファイバを、出射端に他の光ファイバを結合せずに使用してもよい。
【０２４９】
＜＜使用描素部指定手段＞＞
前記使用描素部指定手段としては、描素単位としての光点の位置を被露光面上において検出する光点位置検出手段と、前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、Ｎ重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段とを少なくとも備えることが好ましい。
以下、前記使用描素部指定手段による、Ｎ重露光に使用する描素部の指定方法の例について説明する。
【０２５０】
（１）単一露光ヘッド内における使用描素部の指定方法
本実施形態（１）では、パターン形成装置１０により、感光材料１２に対して２重露光を行う場合であって、各露光ヘッド３０の取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な２重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
【０２５１】
露光ヘッド３０の走査方向に対する描素部（マイクロミラー５８）の列方向の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド３０の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な１０２４列×２５６行の描素部を使用してちょうど２重露光となる角度θｉｄｅａｌよりも、若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θｉｄｅａｌは、Ｎ重露光の数Ｎ、使用可能なマイクロミラー５８の列方向の個数ｓ、使用可能なマイクロミラー５８の列方向の間隔ｐ、及び露光ヘッド３０を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式１、
ｓｐｓｉｎθｉｄｅａｌ≧Ｎδ（式１）
により与えられる。本実施形態におけるＤＭＤ３６は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー５８が矩形格子状に配されたものであるので、
ｐｃｏｓθｉｄｅａｌ＝δ（式２）
であり、上記式１は、
ｓｔａｎθｉｄｅａｌ＝Ｎ（式３）
となる。本実施形態（１）では、上記のとおりｓ＝２５６、Ｎ＝２であるので、前記式３より、角度θｉｄｅａｌは約０．４５度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば０．５０度程度の角度を採用するとよい。パターン形成装置１０は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
【０２５２】
図１０は、上記のように初期調整されたパターン形成装置１０において、１つの露光ヘッド３０の取付角度誤差、及びパターン歪みの影響により、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。以下の図面及び説明においては、各描素部（マイクロミラー）により生成され、被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点について、第ｍ行目の光点をｒ（ｍ）、第ｎ列目の光点をｃ（ｎ）、第ｍ行第ｎ列の光点をＰ（ｍ，ｎ）とそれぞれ表記するものとする。
【０２５３】
図１０の上段部分は、ステージ１４を静止させた状態で感光材料１２の被露光面上に投影される、使用可能なマイクロミラー５８からの光点群のパターンを示し、下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ１４を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を示したものである。
なお、図１０では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー５８の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンを分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら２つの露光パターンを重ね合わせたものである。
【０２５４】
図１０の例では、設定傾斜角度θを上記の角度θｉｄｅａｌよりも若干大きい角度を採用した結果として、また露光ヘッド３０の取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度と上記の設定傾斜角度θとが誤差を有する結果として、被露光面上のいずれの領域においても濃度むらが生じている。具体的には、奇数列のマイクロミラーによる露光パターン及び偶数列のマイクロミラーによる露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となり、描画が冗長となる領域が生じ、濃度むらが生じている。
【０２５５】
さらに、図１０の例では、被露光面上に現れるパターン歪みの一例であって、被露光面上に投影された各画素列の傾斜角度が均一ではなくなる「角度歪み」が生じている。このような角度歪みが生じる原因としては、ＤＭＤ３６と被露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれ、及びＤＭＤ３６自体の歪みやマイクロミラーの配置誤差等が挙げられる。
図１０の例に現れている角度歪みは、走査方向に対する傾斜角度が、図の左方の列ほど小さく、図の右方の列ほど大きくなっている形態の歪みである。この角度歪みの結果として、露光過多となっている領域は、図の左方に示した被露光面上ほど小さく、図の右方に示した被露光面上ほど大きくなっている。
【０２５６】
上記したような、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域における濃度むらを軽減するために、前記光点位置検出手段としてスリット２８及び光検出器の組を用い、露光ヘッド３０ごとに実傾斜角度θ´を特定し、該実傾斜角度θ´に基づき、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された前記演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
実傾斜角度θ´は、光点位置検出手段が検出した少なくとも２つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす角度により特定される。
以下、図１１及び１２を用いて、前記実傾斜角度θ´の特定、及び使用画素選択処理について説明する。
【０２５７】
−実傾斜角度θ´の特定−
図１１は、１つのＤＭＤ３６による露光エリア３２と、対応するスリット２８との位置関係を示した上面図である。スリット２８の大きさは、露光エリア３２の幅を十分覆う大きさとされている。
本実施形態（１）の例では、露光エリア３２の略中心に位置する第５１２列目の光点列と露光ヘッド３０の走査方向とがなす角度を、上記の実傾斜角度θ´として測定する。具体的には、ＤＭＤ３６上の第１行目第５１２列目のマイクロミラー５８、及び第２５６行目第５１２列目のマイクロミラー５８をオン状態とし、それぞれに対応する被露光面上の光点Ｐ（１，５１２）及びＰ（２５６，５１２）の位置を検出し、それらを結ぶ直線と露光ヘッドの走査方向とがなす角度を実傾斜角度θ´として特定する。
【０２５８】
図１２は、光点Ｐ（２５６，５１２）の位置の検出手法を説明した上面図である。
まず、第２５６行目第５１２列目のマイクロミラー５８を点灯させた状態で、ステージ１４をゆっくり移動させてスリット２８をＹ軸方向に沿って相対移動させ、光点Ｐ（２５６，５１２）が上流側のスリット２８ａと下流側のスリット２８ｂの間に来るような任意の位置に、スリット２８を位置させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標を（Ｘ０，Ｙ０）とする。この座標（Ｘ０，Ｙ０）の値は、ステージ１４に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ１４の移動距離、及び、既知であるスリット２８のＸ方向位置から決定され、記録される。
【０２５９】
次に、ステージ１４を移動させ、スリット２８をＹ軸に沿って図１２における右方に相対移動させる。そして、図１２において二点鎖線で示すように、光点Ｐ（２５６，５１２）の光が左側のスリット２８ｂを通過して光検出器で検出されたところでステージ１４を停止させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標（Ｘ０，Ｙ１）を、光点Ｐ（２５６，５１２）の位置として記録する。
【０２６０】
次いで、ステージ１４を反対方向に移動させ、スリット２８をＹ軸に沿って図１２における左方に相対移動させる。そして、図１２において二点鎖線で示すように、光点Ｐ（２５６，５１２）の光が右側のスリット２８ａを通過して光検出器で検出されたところでステージ１４を停止させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標（Ｘ０，Ｙ２）を光点Ｐ（２５６，５１２）の位置として記録する。
【０２６１】
以上の測定結果から、光点Ｐ（２５６，５１２）の被露光面上における位置を示す座標（Ｘ，Ｙ）を、Ｘ＝Ｘ０＋（Ｙ１−Ｙ２）／２、Ｙ＝（Ｙ１＋Ｙ２）／２の計算により決定する。同様の測定により、Ｐ（１，５１２）の位置を示す座標も決定し、それぞれの座標を結ぶ直線と、露光ヘッド３０の走査方向とがなす傾斜角度を導出し、これを実傾斜角度θ´として特定する。
【０２６２】
‐使用描素部の選択‐
このようにして特定された実傾斜角度θ´を用い、前記光検出器に接続された前記演算装置は、下記式４
ｔｔａｎθ´＝Ｎ（式４）
の関係を満たす値ｔに最も近い自然数Ｔを導出し、ＤＭＤ３６上の１行目からＴ行目のマイクロミラーを、本露光時に実際に使用するマイクロミラーとして選択する処理を行う。これにより、第５１２列目付近の露光領域において、理想的な２重露光に対して、露光過多となる領域と、露光不足となる領域との面積合計が最小となるようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
【０２６３】
ここで、上記の値ｔに最も近い自然数を導出することに代えて、値ｔ以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第５１２列目付近の露光領域において、理想的な２重露光に対して、露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、値ｔ以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第５１２列目付近の露光領域において、理想的な２重露光に対して、露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
【０２６４】
図１３は、上記のようにして実際に使用するマイクロミラーとして選択されたマイクロミラーが生成した光点のみを用いて行った露光において、図１０に示した被露光面上のむらがどのように改善されるかを示した説明図である。
この例では、上記の自然数ＴとしてＴ＝２５３が導出され、第１行目から第２５３行目のマイクロミラーが選択されたものとする。選択されなかった第２５４行目から第２５６行目のマイクロミラーに対しては、前記描素部制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。図１３に示すとおり、第５１２列目付近の露光領域では、露光過多及び露光不足は、ほぼ完全に解消され、理想的な２重露光に極めて近い均一な露光が実現される。
【０２６５】
一方、図１３の左方の領域（図中のｃ（１）付近）では、前記角度歪みにより、被露光面上における光点列の傾斜角度が中央付近（図中のｃ（５１２）付近）の領域における光線列の傾斜角度よりも小さくなっている。したがって、ｃ（５１２）を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーのみによる露光では、偶数列による露光パターン及び奇数列による露光パターンのそれぞれにおいて、理想的な２重露光に対して露光不足となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光量不足となる領域が互いに補完され、前記角度歪みによる露光むらを、２重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。
【０２６６】
また、図１３の右方の領域（図中のｃ（１０２４）付近）では、前記角度歪みにより、被露光面上における光線列の傾斜角度が、中央付近（図中のｃ（５１２）付近）の領域における光線列の傾斜角度よりも大きくなっている。したがって、ｃ（５１２）を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーによる露光では、図に示すように、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光過多となる領域が互いに補完され、前記角度歪による濃度むらを、２重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。
【０２６７】
本実施形態（１）では、上述のとおり、第５１２列目の光線列の実傾斜角度θ´が測定され、該実傾斜角度θ´を用い、前記式（４）により導出されたＴに基づいて使用するマイクロミラー５８を選択したが、前記実傾斜角度θ´の特定方法としては、複数の描素部の列方向（光点列）と、前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度をそれぞれ測定し、それらの平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかを実傾斜角度θ´として特定し、前記式４等によって実際の露光時に実際に使用するマイクロミラーを選択する形態としてもよい。
前記平均値又は前記中央値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なＮ重露光に対して露光過多となる領域と露光不足となる領域とのバランスがよい露光を実現することができる。例えば、露光過多となる領域と、露光量不足となる領域との合計面積が最小に抑えられ、かつ、露光過多となる領域の描素単位数（光点数）と、露光不足となる領域の描素単位数（光点数）とが等しくなるような露光を実現することが可能である。
また、前記最大値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なＮ重露光に対して露光過多となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光不足となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光過多となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
さらに、前記最小値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なＮ重露光に対して露光不足となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光過多となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光不足となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
【０２６８】
一方、前記実傾斜角度θ´の特定は、同一の描素部の列（光点列）中の少なくとも２つの光点の位置に基づく方法に限定されない。例えば、同一描素部列ｃ（ｎ）中の１つ又は複数の光点の位置と、該ｃ（ｎ）近傍の列中の１つ又は複数の光点の位置とから求めた角度を、実傾斜角度θ´として特定してもよい。
具体的には、ｃ（ｎ）中の１つの光点位置と、露光ヘッドの走査方向に沿って直線上かつ近傍の光点列に含まれる１つ又は複数の光点位置とを検出し、これらの位置情報から、実傾斜角度θ´を求めることができる。さらに、ｃ（ｎ）列近傍の光点列中の少なくとも２つの光点（たとえば、ｃ（ｎ）を跨ぐように配置された２つの光点）の位置に基づいて求めた角度を、実傾斜角度θ´として特定してもよい。
【０２６９】
以上のように、パターン形成装置１０を用いた本実施形態（１）の使用描素部の指定方法によれば、各露光ヘッドの取付角度誤差やパターン歪みの影響による解像度のばらつきや濃度のむらを軽減し、理想的なＮ重露光を実現することができる。
【０２７０】
（２）複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法＜１＞
本実施形態（２）では、パターン形成装置１０により、感光材料１２に対して２重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド３０により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）のＸ軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な２重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
【０２７１】
各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド３０の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な１０２４列×２５６行の描素部マイクロミラー５８を使用してちょうど２重露光となる角度θｉｄｅａｌを採用するものとする。
この角度θｉｄｅａｌは、上記の実施形態（１）と同様にして前記式１〜３から求められる。本実施形態（２）において、パターン形成装置１０は、各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の取付角度がこの角度θｉｄｅａｌとなるように、初期調整されているものとする。
【０２７２】
図１４は、上記のように初期調整されたパターン形成装置１０において、２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）のＸ軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれの影響により、被露光面上のパターンに生じる濃度むらの例を示した説明図である。各露光ヘッドのＸ軸方向に関する相対位置のずれは、露光ヘッド間の相対位置の微調整が困難であるために生じ得るものである。
【０２７３】
図１４の上段部分は、ステージ１４を静止させた状態で感光材料１２の被露光面上に投影される、露光ヘッド３０１２と３０２１が有するＤＭＤ３６の使用可能なマイクロミラー５８からの光点群のパターンを示した図である。図１４の下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ１４を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア３２１２と３２２１について示したものである。
なお、図１４では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー５８の１列おきの露光パターンを、画素列群Ａによる露光パターンと画素列群Ｂによる露光パターンとに分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら２つの露光パターンを重ね合わせたものである。
【０２７４】
図１４の例では、上記したＸ軸方向に関する露光ヘッド３０１２と３０２１との間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Ａによる露光パターンと画素列群Ｂによる露光パターンとの双方で、露光エリア３２１２と３２２１の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重露光の状態よりも露光量過多な部分が生じてしまっている。
【０２７５】
上記したような、複数の前記露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域に現れる濃度むらを軽減するために、本実施形態（２）では、前記光点位置検出手段としてスリット２８及び光検出器の組を用い、露光ヘッド３０１２と３０２１からの光点群のうち、被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を構成する光点のいくつかについて、その位置（座標）を検出する。該位置（座標）に基づいて、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
【０２７６】
−位置（座標）の検出−
図１５は、図１４と同様の露光エリア３２１２及び３２２１と、対応するスリット２８との位置関係を示した上面図である。スリット２８の大きさは、露光ヘッド３０１２と３０２１による露光済み領域３４間の重複部分の幅を十分覆う大きさ、すなわち、露光ヘッド３０１２と３０２１により被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を十分覆う大きさとされている。
【０２７７】
図１６は、一例として露光エリア３２２１の光点Ｐ（２５６，１０２４）の位置を検出する際の検出手法を説明した上面図である。
まず、第２５６行目第１０２４列目のマイクロミラーを点灯させた状態で、ステージ１４をゆっくり移動させてスリット２８をＹ軸方向に沿って相対移動させ、光点Ｐ（２５６，１０２４）が上流側のスリット２８ａと下流側のスリット２８ｂの間に来るような任意の位置に、スリット２８を位置させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標を（Ｘ０，Ｙ０）とする。この座標（Ｘ０，Ｙ０）の値は、ステージ１４に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ１４の移動距離、及び、既知であるスリット２８のＸ方向位置から決定され、記録される。
【０２７８】
次に、ステージ１４を移動させ、スリット２８をＹ軸に沿って図１６における右方に相対移動させる。そして、図１６において二点鎖線で示すように、光点Ｐ（２５６，１０２４）の光が左側のスリット２８ｂを通過して光検出器で検出されたところでステージ１４を停止させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標（Ｘ０，Ｙ１）を、光点Ｐ（２５６，１０２４）の位置として記録する。
【０２７９】
次いで、ステージ１４を反対方向に移動させ、スリット２８をＹ軸に沿って図１６における左方に相対移動させる。そして、図１６において二点鎖線で示すように、光点Ｐ（２５６，１０２４）の光が右側のスリット２８ａを通過して光検出器で検出されたところでステージ１４を停止させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標（Ｘ０，Ｙ２）を、光点Ｐ（２５６，１０２４）として記録する。
【０２８０】
以上の測定結果から、光点Ｐ（２５６，１０２４）の被露光面における位置を示す座標（Ｘ，Ｙ）を、Ｘ＝Ｘ０＋（Ｙ１−Ｙ２）／２、Ｙ＝（Ｙ１＋Ｙ２）／２の計算により決定する。
【０２８１】
−不使用描素部の特定−
図１４の例では、まず、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，１）の位置を、上記の光点位置検出手段としてスリット２８と光検出器の組により検出する。続いて、露光エリア３２２１の第２５６行目の光点行ｒ（２５６）上の各光点の位置を、Ｐ（２５６，１０２４）、Ｐ（２５６，１０２３）・・・と順番に検出していき、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，１）よりも大きいＸ座標を示す露光エリア３２２１の光点Ｐ（２５６，ｎ）が検出されたところで、検出動作を終了する。そして、露光エリア３２２１の光点列ｃ（ｎ＋１）からｃ（１０２４）を構成する光点に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラー（不使用描素部）として特定する。
例えば、図１４において、露光エリア３２２１の光点Ｐ（２５６，１０２０）が、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，１）よりも大きいＸ座標を示し、その露光エリア３２２１の光点Ｐ（２５６，１０２０）が検出されたところで検出動作が終了したとすると、図１７において斜線で覆われた部分７０に相当する露光エリア３２２１の第１０２１行から第１０２４行を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
【０２８２】
次に、Ｎ重露光の数Ｎに対して、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，Ｎ）の位置が検出される。本実施形態（２）では、Ｎ＝２であるので、光点Ｐ（２５６，２）の位置が検出される。
続いて、露光エリア３２２１の光点列のうち、上記で本露光時に使用しないマイクロミラーに対応する光点列として特定されたものを除き、最も右側の第１０２０列を構成する光点の位置を、Ｐ（１，１０２０）から順番にＰ（１，１０２０）、Ｐ（２，１０２０）・・・と検出していき、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）よりも大きいＸ座標を示す光点Ｐ（ｍ，１０２０）が検出されたところで、検出動作を終了する。
その後、前記光検出器に接続された演算装置において、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）のＸ座標と、露光エリア３２２１の光点Ｐ（ｍ，１０２０）及びＰ（ｍ−１，１０２０）のＸ座標とが比較され、露光エリア３２２１の光点Ｐ（ｍ，１０２０）のＸ座標の方が露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）のＸ座標に近い場合は、露光エリア３２２１の光点Ｐ（１，１０２０）からＰ（ｍ−１，１０２０）に対応するマイクロミラーが本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
また、露光エリア３２２１の光点Ｐ（ｍ−１，１０２０）のＸ座標の方が露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）のＸ座標に近い場合は、露光エリア３２２１の光点Ｐ（１，１０２０）からＰ（ｍ−２，１０２０）に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。
さらに、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，Ｎ−１）すなわち光点Ｐ（２５６，１）の位置と、露光エリア３２２１の次列である第１０１９列を構成する各光点の位置についても、同様の検出処理及び使用しないマイクロミラーの特定が行われる。
【０２８３】
その結果、たとえば、図１７において網掛けで覆われた領域７２を構成する光点に対応するマイクロミラーが、実際の露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。これらのマイクロミラーには、常時、そのマイクロミラーの角度をオフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に使用されない。
【０２８４】
このように、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定し、該使用しないマイクロミラーを除いたものを、実際の露光時に使用するマイクロミラーとして選択することにより、露光エリア３２１２と３２２１の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができ、図１７の下段に示すように、理想的な２重露光に極めて近い均一な露光を実現することができる。
【０２８５】
なお、上記の例においては、図１７において網掛けで覆われた領域７２を構成する光点の特定に際し、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）のＸ座標と、露光エリア３２２１の光点Ｐ（ｍ，１０２０）及びＰ（ｍ−１，１０２０）のＸ座標との比較を行わずに、ただちに、露光エリア３２２１の光点Ｐ（１，１０２０）からＰ（ｍ−２，１０２０）に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、露光エリア３２２１の光点Ｐ（１，１０２０）からＰ（ｍ−１，１０２０）に対応するマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
さらに、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重描画に対して露光過多となる領域の描素単位数（光点数）と、露光不足となる領域の描素単位数（光点数）とが等しくなるように、実際に使用するマイクロミラーを選択することとしてもよい。
【０２８６】
以上のように、パターン形成装置１０を用いた本実施形態（２）の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのＸ軸方向に関する相対位置のずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なＮ重露光を実現することができる。
【０２８７】
（３）複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法＜２＞
本実施形態（３）では、パターン形成装置１０により、感光材料１２に対して２重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド３０により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）のＸ軸方向に関する相対位置の理想的な状態からのずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び２つの露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な２重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
【０２８８】
各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の設定傾斜角度としては、露光ヘッド３０の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な１０２４列×２５６行の描素部（マイクロミラー５８）を使用してちょうど２重露光となる角度θｉｄｅａｌよりも若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θｉｄｅａｌは、前記式１〜３を用いて上記（１）の実施形態と同様にして求められる値であり、本実施形態では、上記のとおりｓ＝２５６、Ｎ＝２であるので、角度θｉｄｅａｌは約０．４５度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば０．５０度程度の角度を採用するとよい。パターン形成装置１０は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
【０２８９】
図１８は、上記のように各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の取付角度が初期調整されたパターン形成装置１０において、２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）の取付角度誤差、並びに各露光ヘッド３０１２と３０２１間の相対取付角度誤差及び相対位置のずれの影響により、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。
【０２９０】
図１８の例では、図１４の例と同様の、Ｘ軸方向に関する露光ヘッド３０１２と３０２１の相対位置のずれの結果として、一列おきの光点群（画素列群Ａ及びＢ）による露光パターンの双方で、露光エリア３２１２と３２２１の被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な２重露光の状態よりも露光量過多な領域７４が生じ、これが濃度むらを引き起こしている。
さらに、図１８の例では、各露光ヘッドの設定傾斜角度θを前記式（１）を満たす角度θｉｄｅａｌよりも若干大きくしたことによる結果、及び各露光ヘッドの取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度が上記の設定傾斜角度θからずれてしまったことの結果として、被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域以外の領域でも、一列おきの光点群（画素列群Ａ及びＢ）による露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域である描素部列間つなぎ領域において、理想的な２重露光の状態よりも露光過多となる領域７６が生じ、これがさらなる濃度むらを引き起こしている。
【０２９１】
本実施形態（３）では、まず、各露光ヘッド３０１２と３０２１の取付角度誤差及び相対取付角度のずれの影響による濃度むらを軽減するための使用画素選択処理を行う。
具体的には、前記光点位置検出手段としてスリット２８及び光検出器の組を用い、露光ヘッド３０１２と３０２１のそれぞれについて、実傾斜角度θ´を特定し、該実傾斜角度θ´に基づき、前記描素部選択手段として光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
【０２９２】
−実傾斜角度θ´の特定−
実傾斜角度θ´の特定は、露光ヘッド３０１２ついては露光エリア３２１２内の光点Ｐ（１，１）とＰ（２５６，１）の位置を、露光ヘッド３０２１については露光エリア３２２１内の光点Ｐ（１，１０２４）とＰ（２５６，１０２４）の位置を、それぞれ上述した実施形態（２）で用いたスリット２８と光検出器の組により検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定することにより行われる。
【０２９３】
−不使用描素部の特定−
そのようにして特定された実傾斜角度θ´を用いて、光検出器に接続された演算装置は、上述した実施形態（１）における演算装置と同様、下記式４
ｔｔａｎθ´＝Ｎ（式４）
の関係を満たす値ｔに最も近い自然数Ｔを、露光ヘッド３０１２と３０２１のそれぞれについて導出し、ＤＭＤ３６上の第（Ｔ＋１）行目から第２５６行目のマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定する処理を行う。
例えば、露光ヘッド３０１２についてはＴ＝２５４、露光ヘッド３０２１についてはＴ＝２５５が導出されたとすると、図１９において斜線で覆われた部分７８及び８０を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。これにより、露光エリア３２１２と３２２１のうちヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。
【０２９４】
ここで、上記の値ｔに最も近い自然数を導出することに代えて、値ｔ以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア３２１２と３２２１の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して露光量過多となる面積が最小になり、かつ露光量不足となる面積が生じないようになすことができる。
あるいは、値ｔ以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア３２１２と３２２１の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようになすことができる。
複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して、露光過多となる領域の描素単位数（光点数）と、露光不足となる領域の描素単位数（光点数）とが等しくなるように、本露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
【０２９５】
その後、図１９において斜線で覆われた領域７８及び８０を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、図１４から１７を用いて説明した本実施形態（３）と同様の処理がなされ、図１９において斜線で覆われた領域８２及び網掛けで覆われた領域８４を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。
【０２９６】
以上のように、パターン形成装置１０を用いた本実施形態（３）の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのＸ軸方向に関する相対位置のずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なＮ重露光を実現することができる。
【０２９７】
以上、パターン形成装置１０による使用描素部指定方法ついて詳細に説明したが、上記実施形態（１）〜（３）は一例に過ぎず、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が可能である。
【０２９８】
また、上記の実施形態（１）〜（３）では、被露光面上の光点の位置を検出するための手段として、スリット２８と単一セル型の光検出器の組を用いたが、これに限られずいかなる形態のものを用いてもよく、たとえば２次元検出器等を用いてもよい。
【０２９９】
さらに、上記の実施形態（１）〜（３）では、スリット２８と光検出器の組による被露光面上の光点の位置検出結果から実傾斜角度θ´を求め、その実傾斜角度θ´に基づいて使用するマイクロミラーを選択したが、実傾斜角度θ´の導出を介さずに使用可能なマイクロミラーを選択する形態としてもよい。さらには、たとえばすべての使用可能なマイクロミラーを用いた参照露光を行い、参照露光結果の目視による解像度や濃度のむらの確認等により、操作者が使用するマイクロミラーを手動で指定する形態も、本発明の範囲に含まれるものである。
【０３００】
なお、被露光面上に生じ得るパターン歪みには、上記の例で説明した角度歪みの他にも、種々の形態が存在する。
一例としては、図２０Ａに示すように、ＤＭＤ３６上の各マイクロミラー５８からの光線が、異なる倍率で露光面上の露光エリア３２に到達してしまう倍率歪みの形態がある。
また、別の例として、図２０Ｂに示すように、ＤＭＤ３６上の各マイクロミラー５８からの光線が、異なるビーム径で被露光面上の露光エリア３２に到達してしまうビーム径歪みの形態もある。これらの倍率歪み及びビーム径歪みは、主として、ＤＭＤ３６と被露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれに起因して生じる。
さらに別の例として、ＤＭＤ３６上の各マイクロミラー５８からの光線が、異なる光量で被露光面上の露光エリア３２に到達してしまう光量歪みの形態もある。この光量歪みは、各種収差やアラインメントずれのほか、ＤＭＤ３６と被露光面間の光学要素（たとえば１枚レンズである図５のレンズ５２及び５４）の透過率の位置依存性や、ＤＭＤ３６自体による光量むらに起因して生じる。これらの形態のパターン歪みも、被露光面上に形成されるパターンに解像度や濃度のむらを生じさせる。
【０３０１】
上記の実施形態（１）〜（３）によれば、本露光に実際に使用するマイクロミラーを選択した後の、これらの形態のパターン歪みの残留要素も、上記の角度歪みの残留要素と同様、多重露光による埋め合わせの効果で均すことができ、解像度や濃度のむらを、各露光ヘッドの露光領域全体にわたって軽減することができる。
【０３０２】
＜＜参照露光＞＞
上記の実施形態（１）〜（３）の変更例として、使用可能なマイクロミラーのうち、（Ｎ−１）列おきのマイクロミラー列、又は全光点行のうち１／Ｎ行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行い、均一な露光を実現できるように、前記参照露光に使用されたマイクロミラー中、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
前記参照露光手段による参照露光の結果をサンプル出力し、該出力された参照露光結果に対し、解像度のばらつきや濃度のむらを確認し、実傾斜角度を推定するなどの分析を行う。前記参照露光の結果の分析は、操作者の目視による分析であってもよい。
【０３０３】
図２１Ａ及び図２１Ｂは、単一露光ヘッドを用い、（Ｎ−１）列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は２重露光とするものとし、したがってＮ＝２である。まず、図２１Ａに実線で示した奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図２１Ｂに斜線で覆って示す光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点列を構成するマイクロミラー中、本露光において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列の光点列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な２重露光に近い状態が実現できる。
【０３０４】
図２２は、複数の露光ヘッドを用い、（Ｎ−１）列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は２重露光とするものとし、したがってＮ＝２である。まず、図２２に実線で示した、Ｘ軸方向に関して隣接する２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）の奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記出力された参照露光結果に基づき、２つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図２２に斜線で覆って示す領域８６及び網掛けで示す領域８８内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点を構成するマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列目の画素列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に実際に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、２つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において、理想的な２重露光に近い状態が実現できる。
【０３０５】
図２３Ａ及び図２３Ｂは、単一露光ヘッドを用い、全光点行数の１／Ｎ行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は２重露光とするものとし、したがってＮ＝２である。まず、図２３Ａに実線で示した１行目から１２８（＝２５６／２）行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図２３Ｂに斜線で覆って示す光点群に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第１行目から第１２８行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定され得る。第１２９行目から第２５６行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第１行目から第１２８行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、全体のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な２重露光に近い状態が実現できる。
【０３０６】
図２４は、複数の露光ヘッドを用い、Ｘ軸方向に関して隣接する２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）について、それぞれ全光点行数の１／Ｎ行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は２重露光とするものとし、したがってＮ＝２である。まず、図２４に実線で示した第１行目から第１２８（＝２５６／２）行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、２つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを最小限に抑えた本露光が実現できるように、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図２４に斜線で覆って示す領域９０及び網掛けで示す領域９２内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第１行目から第１２８行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。第１２９行目から第２５６行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第１行目から第１２８行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、２つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において理想的な２重露光に近い状態が実現できる。
【０３０７】
以上の実施形態（１）〜（３）及び変更例においては、いずれも本露光を２重露光とする場合について説明したが、これに限定されず、２重露光以上のいかなる多重露光としてもよい。特に３重露光から７重露光程度とすることにより、高解像度を確保し、解像度のばらつき及び濃度むらが軽減された露光を実現することができる。
【０３０８】
また、上記の実施形態及び変更例に係る露光装置には、さらに、画像データが表す２次元パターンの所定部分の寸法が、選択された使用画素により実現できる対応部分の寸法と一致するように、画像データを変換する機構が設けられていることが好ましい。そのように画像データを変換することによって、所望の２次元パターンどおりの高精細なパターンを被露光面上に形成することができる。
【０３０９】
［その他の工程］
前記その他の工程としては、特に制限はなく、公知のパターン形成における工程の中から適宜選択することが挙げられるが、例えば、現像工程、エッチング工程、メッキ工程、及び硬化処理工程などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記現像工程は、前記露光工程により前記感光性フィルムにおける感光層を露光し、該感光層の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより現像し、パターンを形成する工程である。
【０３１０】
−現像工程−
前記現像工程は、例えば、現像手段により好適に実施することができる。
前記現像手段としては、現像液を用いて現像することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記現像液を噴霧する手段、前記現像液を塗布する手段、前記現像液に浸漬させる手段などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
また、前記現像手段は、前記現像液を交換する現像液交換手段、前記現像液を供給する現像液供給手段などを有していてもよい。
【０３１１】
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ性液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ性液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。
【０３１２】
前記弱アルカリ性の水溶液のｐＨとしては、例えば、約８〜１２が好ましく、約９〜１１がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、０．１〜５質量％の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。
前記現像液の温度としては、前記感光層の現像性に合わせて適宜選択することができ、例えば、約２５〜４０℃が好ましい。
【０３１３】
前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基（例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等）や、現像を促進させるため有機溶剤（例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等）などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。
【０３１４】
−エッチング工程−
前記エッチング工程としては、公知のエッチング処理方法の中から適宜選択した方法により行うことができる。
前記エッチング処理に用いられるエッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。
前記エッチング工程によりエッチング処理した後に前記パターンを除去することにより、前記基体の表面にエッチングパターンを形成することができる。
前記エッチングパターンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、配線パターンなどが好適に挙げられる。
【０３１５】
−メッキ工程−
前記メッキ工程としては、公知のメッキ処理の中から適宜選択した適宜選択した方法により行うことができる。
前記メッキ処理としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイスローはんだメッキ等のはんだメッキ、ワット浴（硫酸ニッケル−塩化ニッケル）メッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなど処理が挙げられる。
前記メッキ工程によりメッキ処理した後に前記パターンを除去することにより、また更に必要に応じて不要部をエッチング処理等で除去することにより、前記基体の表面にエッチングパターンを形成することができる。
【０３１６】
−硬化処理工程−
前記硬化処理工程は、前記ソルダーレジスト用感光性組成物からなる前記感光層に対し、前記現像工程が行われた後、形成されたパターンに対して硬化処理を行う工程である。
【０３１７】
前記硬化処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。
【０３１８】
前記全面露光処理の方法としては、例えば、前記現像工程の後に、前記永久パターンが形成された前記感光性積層体上の全面を露光する方法が挙げられる。該全面露光により、前記感光層を形成する感光性組成物中の樹脂の硬化が促進され、前記永久パターンの表面が硬化される。
前記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、超高圧水銀灯などのＵＶ露光機が好適に挙げられる。
【０３１９】
前記全面加熱処理の方法としては、前記現像工程の後に、前記永久パターンが形成された前記感光性積層体上の全面を加熱する方法が挙げられる。該全面加熱により、前記永久パターンの表面の膜強度が高められる。
前記全面加熱における加熱温度としては、１２０〜２５０℃が好ましく、１２０〜２００℃がより好ましい。該加熱温度が１２０℃未満であると、加熱処理による膜強度の向上が得られないことがあり、２５０℃を超えると、前記感光性組成物中の樹脂の分解が生じ、膜質が弱く脆くなることがある。
前記全面加熱における加熱時間としては、１０〜１２０分が好ましく、１５〜６０分がより好ましい。
前記全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、ＩＲヒーターなどが挙げられる。
【０３２０】
なお、前記基材が多層配線基板などのプリント配線板である場合には、該プリント配線板上に本発明の永久パターンを形成し、更に、以下のように半田付けを行うことができる。
即ち、前記現像工程により、前記永久パターンである硬化層が形成され、前記プリント配線板の表面に金属層が露出される。該プリント配線板の表面に露出した金属層の部位に対して金メッキを行った後、半田付けを行う。そして、半田付けを行った部位に、半導体や部品などを実装する。このとき、前記硬化層による永久パターンが、保護膜あるいは絶縁膜（層間絶縁膜）としての機能を発揮し、外部からの衝撃や隣同士の電極の導通が防止される。
【実施例】
【０３２１】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【０３２２】
（実施例１）
−顔料分散液の調製−
下記成分を、ミル型分散機：モーターミルＭ−２００（アイガー社製商品名）で、直径１．０ｍｍのジルコニアビーズを用いて、周速９ｍ／ｓにて３時間分散して調製した。
【０３２３】
［顔料分散液組成］                                                              
・着色顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７）・・・・・・・・・・・・０．２３質量部
・無機充填剤（硫酸バリウム（堺化学（株）製、Ｂ３０）分散液）・・・３０．０質量部
・ジシアンジアミド・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．９２質量部
・２ＭＡ−ＯＫ（四国化成工業（株）製商品名、２，４−ジアミノ−６−｛２’−メチルイミダゾール−（１’）｝−エチル−ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．５６質量部
・リポキシＰＲ３００Ｐ−ＣＰ＊１）（昭和高分子（株）製）・・・・・・１０．０質量部
・酢酸プロピル・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３６．６質量部
＊１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂にアクリル酸を開環付加後、生成するヒドロキシ基にテトラヒドロ無水フタル酸を付加して得られる樹脂の６７．３％プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液である。
【０３２４】
＜感光性組成物溶液の調製＞
下記の各成分を混合し感光性組成物溶液（塗布液）を調製した。
【０３２５】
［感光性樹脂組成物溶液組成］                                                    
・前記顔料分散液・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８２．９質量部
・サイクロマーＰ−ＡＣＡ２００＊２）（ダイセル（株）製）・・・・・・５３．９質量部
・エピコート１００４（ジャパンエポキシレジン（株）製商品名：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１４．３質量部
・ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１８．９質量部
・５−（４−ｎ−ブチル−７−クロロ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸（前記構造式Ｄ１９）・・・・・・・・・・・・・・・・２．１質量部
・ＣＧＩ３２５（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、前記構造式ＯＥ３９）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１．５質量部
・Ｆ７８０Ｆ（ＤＩＣ社製商品名：フッ素形界面活性剤、３０質量％メチルエチルケトン溶液・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．５７質量部
・ハイドロキノンモノメチルエーテル・・・・・・・・・・・・・・・・０．０４質量部
＊２）メチルメタクリレート／メタクリル酸／２−ヒドロキシ−４−アクリロイルオキシメチルシクロヘキシルメタクリレート共重合体、モル組成比＝３０／３５／３５臭素価＝３６ｇＢｒ２／１００ｇ、酸価＝１１８ｍｇＫＯＨ／ｇ、質量平均分子量＝１５，０００の固形分濃度＝４５質量％プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液である。
【０３２６】
−感光性フィルムの作製−
支持体として、厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、ルミラー１６ＱＳ５２）を用い、該支持体上に前記感光性組成物塗布液をバーコーターにより、乾燥後の感光層の厚みが約３０μｍになるように塗布し、８０℃、３０分間熱風循環式乾燥機中で乾燥させ、次いで、前記感光層の上に、前記保護フィルムとして厚み１２μｍのポリプロピレンフィルムをラミネートで積層し、感光性フィルムを作製した。
【０３２７】
−ソルダーレジストパターンの形成−
−−感光性積層体の調製−−
前記基体として、配線形成済みの銅張積層板（スルーホールなし、銅厚み１２μｍのプリント配線板）の表面に化学研磨処理を施して調製した。該銅張積層板上に、前記感光性フィルムの感光層が前記銅張積層板に接するようにして前記感光性フィルムにおける保護フィルムを剥がしながら、真空ラミネータ（ニチゴーモートン（株）製、ＶＰ１３０）を用いて積層させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
圧着条件は、真空引きの時間４０秒、圧着温度７０℃、圧着圧力０．２ＭＰａ、加圧時間１０秒とした。
【０３２８】
−−露光工程−−
前記調製した感光性積層体における感光層に対し、ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）側から、所定のパターンを有する青紫色レーザ露光によるパターン形成装置を用いて、４０５ｎｍのレーザ光を、所定のパターンが得られるようにエネルギー量４０ｍＪ／ｃｍ２を照射し露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。
【０３２９】
−−現像工程−−
前記露光後の積層体を室温にて１０分間静置した後、前記感光性積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取り、銅張積層板上の感光層の全面に、アルカリ現像液として、１質量％炭酸ナトリウム水溶液を用い、３０℃にて６０秒間、０．１８ＭＰａ（１．８ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力でスプレー現像し、未露光の領域を溶解除去した。その後、水洗し、乾燥させ、永久パターンとしてのソルダーレジストパターンを形成した。
【０３３０】
−−硬化処理工程−−
前記ソルダーレジストパターンが形成された積層体の全面に対して、１５０℃で１時間、加熱処理を施し、ソルダーレジストパターンの表面を硬化し、膜強度を高めた。
【０３３１】
［評価］
前記感光性フィルム及び前記感光性積層体について、以下の条件で、感度、解像度、最短現像時間、エッジラフネス及び保存安定性の評価を行った。結果を表２に示す。
また、前記ソルダーレジストパターンについて、以下の条件で、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表３に示す。
＜＜最短現像時間＞＞
前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取り、銅張積層板上の前記感光層の全面に３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１５ＭＰａの圧力にてスプレーし、炭酸ナトリウム水溶液のスプレー開始から銅張積層板上の感光層が溶解除去されるまでに要した時間を測定し、これを最短現像時間とした。
【０３３２】
＜＜感度＞＞
前記積層体における感光性フィルムの感光層に対し、ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）側から、前記光照射手段としての４０５ｎｍのレーザ光源を有するパターン形成装置を用いて、０．１ｍＪ／ｃｍ２から２１／２倍間隔で１００ｍＪ／ｃｍ２までの光エネルギー量の異なる光を照射して露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。
室温にて１０分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取り、銅張積層板上の感光層の全面に、炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、１質量％）をスプレー圧０．１５ＭＰａにて前記で求めた最短現像時間の２倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、現像により除去された部分以外の部分（硬化領域）の厚みを測定した。
次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得る。こうして得た感度曲線から硬化領域の厚さが１５μｍとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量（感度）とした。
【０３３３】
＜＜解像度＞＞
前記の最短現像時間の評価方法と同じ方法及び条件で前記積層体を作成し、室温（２３℃、５５％ＲＨ）にて１０分間静置した。得られた積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）上から、前記パターン形成装置を用いて、ライン／スペース＝１／１でライン幅５〜２０μｍまで１μｍ刻みで各線幅の露光を行い、ライン幅２０〜５０μｍまで５μｍ刻みで各線幅の露光を行った。
この際の露光量は、前記（２）で測定した前記感光性フィルムの感光層を硬化させるために必要な最小の光エネルギー量である。室温にて１０分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取った。
銅張積層板上の感光層の全面に、前記現像液として炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、１質量％）をスプレー圧０．１５ＭＰａにて前記（１）で求めた最短現像時間の２倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去した。
この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常のない最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。
【０３３４】
＜＜保存安定性＞＞
得られた感光性ソルダーレジストフィルムのシートを、黒ビニールとアルミ箔積層構造の遮光性防湿袋にいれ、４０℃のドライオーブン中で３日間保存した。
その後、該フィルムシートを取り出し、基板に積層してから前述の最短現像時間試験をおこない、その最短現像時間（ｔ１）を測定した。
現像に要する時間を感光性ソルダーレジストフィルム作成当日の最短現像時間（ｔ０）を比較した。
得られたｔ１／ｔ０比の値で、保存安定性を下記のように評価した。
−判定基準−
○：１．０〜１．３
△：１．３〜１．８
×：１．８以上
【０３３５】
＜＜鉛筆硬度＞＞
前記永久パターン形成済みのプリント配線基板に対して、常法に従い金メッキを行った後、水溶性フラックス処理を行った。
次いで、２６０℃に設定された半田槽に５秒間にわたって、３回浸漬し、フラックスを水洗で除去した。そして、該フラックス除去後の永久パターンについて、ＪＩＳ  Ｋ−５４００に基づいて、鉛筆硬度を測定した。その結果、鉛筆硬度は３Ｈ〜４Ｈであった。
【０３３６】
＜＜密着性＞＞
ＪＩＳＫ５４００に準じて、硬化後の試験片に１ｍｍ碁盤目を１００個作製して、セロハンテープにより剥離試験を行った。碁盤目の剥離状態を観察し、以下の基準で評価した。
−判定基準−  
○：９０／１００以上で剥離無し
△：５０／１００以上９０／１００未満で剥離無し
×：０／１００〜５０／１００未満で剥離無し
【０３３７】
＜＜耐溶剤性＞＞
硬化後の試験片をイソプロピルアルコールに室温で３０分問浸漬し、外観に異常がないかを確認後、セロハンテープにより剥離試験を行った。
【０３３８】
［判定基準］  
○：塗膜外観に異常がなく、剥離のないもの
×：塗膜外観に異常があるか、あるいは剥離するもの
【０３３９】
＜＜耐酸性＞＞
硬化後試験片を１０質量％塩酸水溶液に室温で３０分問浸漬し、外観に異常がないかを確認後、セロハンテープにより剥離試験を行った。
−判定基準−  
○：塗膜外観に異常がなく、剥離のないもの
×：塗膜外観に異常があるか、あるいは剥離するもの
【０３４０】
＜＜耐アルカリ性＞＞
硬化後の試験片を５質量％水酸化ナトリウム水溶液に室温で３０分問浸漬し、外観に異常がないかを確認後、セロハンテープにより剥離試験を行った。
−判定基準−  
○：塗膜外観に異常が無く、剥離の無いもの
×：塗膜外観に異常が有るか、あるいは剥離するもの
【０３４１】
＜＜はんだ耐熱性＞＞
試験片にロジン系フラックスあるいは水溶性フラックスを塗布し、２６０℃のはんだ槽に１０秒間浸漬した。これを１サイクルとして、６サイクル繰り返した後、塗膜外観を目視観察した。
−判定基準−  
○：塗膜外観に異常（剥離、フクレ）が無く、はんだのもぐりの無いもの
△：稀に異常（剥離、フクレ）が発生するもの。
×：塗膜外観に異常（剥離、フクレ）が有るか、あるいははんだのもぐりの有るもの
【０３４２】
＜＜絶縁抵抗＞＞
ＩＰＣ−Ｂ−２５の櫛型テストパターンＢを用い、パターンＢ用のフォトマスクをかけて、前記レーザ装置で４０ｍＪ／ｃｍ２で全面露光し、３０℃６０秒間、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像、水洗、乾燥し、１５０℃１時間の後加熱処理により試験基板を作成した。ＩＰＣ−ＳＭ−８４０Ｂの試験方法に従って、常態での絶縁抵抗を測定した。
−判定基準−  
○：絶縁抵抗値が１０１０  Ω以上
×：絶縁抵抗値が１０１０  Ω未満
【０３４３】
＜＜耐金メッキ性＞＞
基板上にソルダーレジストパターンを形成したプリント基板としての試験基板を、３０℃の酸性脱脂液（日本マクダーミット（株）製、Ｍｅｔｅｘ  Ｌ−５Ｂの２０容量％水溶液）に３分間浸漬した後、水洗し、次いで、１４．４質量％過硫酸アンモニウム水溶液に室温で３分間浸漬した後、水洗し、更に１０容量％硫酸水溶液に室温で試験基板を１分間浸漬した後水洗した。
次に、この基板を３０℃の触媒液（メルテックス製、メタルプレートアクチベーター３５０の１０容量％水溶液）に７分間浸漬し、水洗し、８５℃のニッケルメッキ液（メルテックス製、メルプレートＮｉ−８後、１０容量％硫酸水溶液に室温で１分間浸漬し、水洗した。
次いで、試験基板を９５℃の金メッキ液（メルテックス製、オウロレクトロレスＵＰ１５容量％とシアン化金カリウム３容量％の水溶液、ｐＨ６）に１０分間浸漬し、無電解金メッキを行った後、水洗し、更に６０℃の温水で３分間浸漬し、水洗し、乾燥した。
得られた無電解金メッキ評価基板を観察し、メッキの付着不良やメッキモグリの有無について観察した。
−判定基準−
○：全く異常が無いもの。
×：メッキ付着不良又はメッキモグリが観られたもの。
【０３４４】
＜＜耐熱衝撃性＞＞
信頼性試験項目として、温度サイクル試験（ＴＣＴ）によりクラックや剥れ等の外観と抵抗値変化率を評価した。
ＴＣＴは気相冷熱試験機を用い、電子部品モジュールを温度が−５５℃及び１２５℃の気相中に各３０分間放置し、これを１サイクルとして１，０００サイクルの条件で行った。
−判定基準−
○：クラック発生無し
△：浅いクラック発生有り
×：深いクラック発生有り
【０３４５】
（実施例２〜８）
実施例１において、増感色素（ベンゾピラン誘導体、又はベンゾチオピラン誘導体）の種類及び含有量を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３４６】
（実施例９）
実施例１において、ラジカル発生剤（Ｏ−アシルオキシム化合物）の種類及び含有量を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３４７】
（実施例１０〜１１）
実施例１において、水素供与体化合物を表１に示すように添加した以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３４８】
（実施例１２）
実施例１において、下記に説明するパターン形成装置を用いて露光を行った以外は、実施例１と同様にして、感光性フィルム、及び感光性積層体を製造し、前記感光層の感度、解像度、及びレジストパターンの線幅の評価を行い、前記感光性フィルムについて保存安定性を評価した。その評価結果を表２及び表３に示す。
【０３４９】
＜＜パターン形成装置＞＞
前記光照射手段として図８〜９及び図２５〜２９に示した合波レーザ光源と、前記光変調手段として図６に概略図を示した主走査方向にマイクロミラー５８が１０２４個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に７６８組配列された内、１０２４個×２５６列のみを駆動するように制御したＤＭＤ３６と、図５に示した光を前記感光性フィルムに結像する光学系とを有する露光ヘッド３０を備えたパターン形成装置１０を用いた。
【０３５０】
各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の設定傾斜角度としては、使用可能な１０２４列×２５６行のマイクロミラー５８を使用してちょうど２重露光となる角度θｉｄｅａｌよりも若干大きい角度を採用した。この角度θｉｄｅａｌは、Ｎ重露光の数Ｎ、使用可能なマイクロミラー５８の列方向の個数ｓ、使用可能なマイクロミラー５８の列方向の間隔ｐ、及び露光ヘッド３０を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式１、
ｓｐｓｉｎθｉｄｅａｌ≧Ｎδ（式１）
により与えられる。本実施形態におけるＤＭＤ３６は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー５８が矩形格子状に配されたものであるので、
ｐｃｏｓθｉｄｅａｌ＝δ（式２）
であり、上記式１は、
ｓｔａｎθｉｄｅａｌ＝Ｎ（式３）
であり、ｓ＝２５６、Ｎ＝２であるので、角度θｉｄｅａｌは約０．４５度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば０．５０度を採用した。
【０３５１】
まず、２重露光における解像度のばらつきと露光むらを補正するため、被露光面の露光パターンの状態を調べた。結果を図１８に示した。図１８においては、ステージ１４を静止させた状態で感光性フィルム１２の被露光面上に投影される、露光ヘッド３０１２と３０２１が有するＤＭＤ３６の使用可能なマイクロミラー５８からの光点群のパターンを示した。また、下段部分に、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ１４を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア３２１２と３２２１について示した。なお、図１８では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー５８の１列おきの露光パターンを、画素列群Ａによる露光パターンと画素列群Ｂによる露光パターンとに分けて示したが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら２つの露光パターンを重ね合わせたものである。
【０３５２】
図１８に示したとおり、露光ヘッド３０１２と３０２１の間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Ａによる露光パターンと画素列群Ｂによる露光パターンとの双方で、露光エリア３２１２と３２２１の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な２重露光の状態よりも露光過多な領域が生じていることが判る。
【０３５３】
前記光点位置検出手段としてスリット２８及び光検出器の組を用い、露光ヘッド３０１２ついては露光エリア３２１２内の光点Ｐ（１，１）とＰ（２５６，１）の位置を、露光ヘッド３０２１については露光エリア３２２１内の光点Ｐ（１，１０２４）とＰ（２５６，１０２４）の位置を検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定した。
【０３５４】
実傾斜角度θ´を用いて、下記（式４）
ｔｔａｎθ´＝Ｎ（式４）
の関係を満たす値ｔに最も近い自然数Ｔを、露光ヘッド３０１２と３０２１のそれぞれについて導出した。露光ヘッド３０１２についてはＴ＝２５４、露光ヘッド３０２１についてはＴ＝２５５がそれぞれ導出された。その結果、図１９において斜線で覆われた部分７８及び８０を構成するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定された。
【０３５５】
その後、図１９において斜線で覆われた領域７８及び８０を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、同様にして図１９において斜線で覆われた領域８２及び網掛けで覆われた領域８４を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加された。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しないように制御した。
これにより、露光エリア３２１２と３２２１のうち、複数の前記露光ヘッドで形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。
【０３５６】
（実施例１３〜１４）
実施例１において、ラジカル発生剤（Ｏ−アシルオキシム化合物）の種類及び含有量を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３５７】
（実施例１５〜１７）
実施例１において、増感色素（ベンゾピラン誘導体、又はベンゾチオピラン誘導体）の種類及び含有量を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３５８】
（実施例１８〜２１）
実施例１において、増感色素（ベンゾピラン誘導体、又はベンゾチオピラン誘導体）の含有量と、ラジカル発生剤（Ｏ−アシルオキシム化合物）の含有量との比を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３５９】
（実施例２２〜２５）
実施例１において、水素供与体化合物を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６０】
（比較例１〜２）
実施例１において、ラジカル発生剤の種類及び含有量を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６１】
（比較例３）
実施例９において、ラジカル発生剤の含有量と、増感色素の種類及び含有量とを表１に示すように変えた以外は、実施例９と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６２】
（比較例４）
実施例１１において、ラジカル発生剤の種類及び含有量と、増感色素の種類及び含有量とを表１に示すように変えた以外は、実施例１１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６３】
（比較例５）
実施例１において、増感色素を含まない以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６４】
（比較例６）
実施例１において、ラジカル発生剤を含まない以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６５】
（比較例７）
実施例１において、増感色素として、中性のベンゾピラン誘導体の代わりに、酸性のベンゾピラン誘導体を用いた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６６】
（比較例８〜９）
実施例１において、増感色素として、中性のベンゾピラン誘導体の代わりに、塩基性のベンゾピラン誘導体を用いた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６７】
（比較例１０）
実施例１において、ラジカル発生剤として、中性のＯ−アシルオキシム化合物の代わりに、塩基性のＯ−アシルオキシム化合物を用いた以外は、実施例１と同様にして、感度、解像度、エッジラフネス、最短現像時間、保存安定性、鉛筆硬度、密着性、耐溶剤性、耐酸性、耐アルカリ性、はんだ耐熱性、絶縁抵抗、耐金メッキ性、及び耐熱衝撃性の評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０３６８】
【表１】
2007256845.tif 000064
【０３６９】
表１において略称で記載した成分の正式名称は以下の通りである。なお、下記成分中、Ｄ５１は、酸性のベンゾピラン化合物であり、Ｄ５２及びＤ５３は、塩基性のベンゾピラン化合物であり、ＯＥ４０は、塩基性のアシルオキシム化合物である。
Ｄ２：２−（２−ベンゾピラニリデン）−１，３−インダンジオン
Ｄ１２：４−（４−メチル−７メトキシ−ベンゾピラニリデン）−１−フェニル−３−メチル−５−ピラゾロン              
Ｄ１３：５−（３−スチリル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−メチル−３−エチル−２−チオヒダントイン
Ｄ１７：１−（４−メチル−７−メトキシ−２−ベンゾピラニリデン）−１−フェニルスルホニルアセトフェノン
Ｄ１９：５−（４−ｎ−ブチル−７−クロロ−２−ベンゾピラニリデン）−１，３−ジエチル−チオバルビツル酸
Ｄ２１：３−（４−メトキシシンナモイル）−７−メトキシクマリン
Ｄ２２：３、３’−カルボニルビス（７−メトキシクマリン）
Ｄ４２：７−メトキシ−２−ベンゾチオピラニリデンマロノニトリル
Ｄ５１：２−（２−ベンゾピラニリデン）シアノ酢酸
Ｄ５２：２−（３−メチル−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−２−ベンゾピラニリデン）マロノニトリル
Ｄ５３：３，３’−カルボニルビス（７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン）
ＤＥＴＸ−Ｓ  ２，４−ジエチルチオキサントン
ＯＥ１：１−（４−フェニルスルファニルフェニル）−ブタン−１，２−ジオン  ２−オキシム−Ｏ−ベンゾアート
ＯＥ３９：（２−アセチルオキシイミノメチル）チオキサンテン−９−オン
ＯＥ４０：ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン−Ｏ−アセチルオキシム
ＥＡＢ：４，４’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベンゾフェノン
Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９：ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド
Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９：２−ベンジル−２−（ジメチルアミノ）−１−（４−モルホリノフェニル）−２−ブタン−１−オン
Ｈ１：Ｎ−フェニルグリシン
Ｈ２：４−ベンゾイル−４‘−メチルジフェニルスルフィド
Ｈ３：１−フェニル−２−メルカプト−１，３−ベンズイミダゾール
Ｈ４：テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムｎ−ブチルトリフェニルボラート
Ｈ５：ジメドン
Ｈ６：Ｎ−エチル−Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチルアミン
また、表１中、「含有量（質量部）」は、感光層全固形分中の含有量を意味する。
【０３７０】
【表２】
2007256845.tif 000065
【０３７１】
【表３】
2007256845.tif 000066
【０３７２】
表２及び表３の結果により、光重合開始系化合物が、中性のＯ−アシルオキシム化合物と、中性のベンゾピラン誘導体、及び中性のベンゾチオピラン誘導体のいずれかとを含む感光性組成物を用いた実施例１〜２５は、高感度及び高解像度であり、保存安定性が良好で、かつソルダーレジストに要求される諸性質が良好で高精細な永久パターンを形成可能なことが判った。特に、光重合開始系化合物が、好ましい水素供与体化合物を含む実施例１０及び実施例１１では、極めて高感度であることが判った。
また、実施例１２では、２重露光によって解像度のばらつきと露光むらを補正したため、エッジラフネスが小さく、高精細であることが判った。
【産業上の利用可能性】
【０３７３】
本発明の感光性組成物及び感光性フィルムは、高感度及び高解像度であり、保存安定性が良好で、かつ要求される諸性質が良好で高精細な永久パターンを形成可能である。このため、ソルダーレジストなどの永久パターン形成用として特に好適に用いることができる。
本発明の永久パターン形成方法は、本発明の前記感光性フィルムを備えているため、特に高精細なソルダーレジストパターンの形成に好適に用いることができ、特に、プリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０３７４】
【図１】図１は、パターン形成装置の一例の外観を示す斜視図である。
【図２】図２は、パターン形成装置のスキャナの構成の一例を示す斜視図である。
【図３Ａ】図３Ａは、感光層の被露光面上に形成される露光済み領域を示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す平面図である。
【図４】図４は、露光ヘッドの概略構成の一例を示す斜視図である。
【図５Ａ】図５Ａは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す上面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す側面図である。
【図６】図６は、図１のパターン形成装置のＤＭＤの一例を示す部分拡大図である。
【図７Ａ】図７Ａは、ＤＭＤの動作を説明するための斜視図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、ＤＭＤの動作を説明するための斜視図である。
【図８】図８は、ファイバアレイ光源の構成の一例を示す斜視図である。
【図９】図９は、ファイバアレイ光源のレーザ出射部における発光点の配列の一例を示す正面図である。
【図１０】図１０は、露光ヘッドの取付角度誤差及びパターン歪みがある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。
【図１１】図１１は、１つのＤＭＤによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。
【図１２】図１２は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。
【図１３】図１３は、選択されたマイクロミラーのみが露光に使用された結果、被露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。
【図１４】図１４は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれがある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。
【図１５】図１５は、隣接する２つの露光ヘッドによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。
【図１６】図１６は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。
【図１７】図１７は、図１４の例において選択された使用画素のみが実動され、被露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。
【図１８】図１８は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれ及び取付角度誤差がある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。
【図１９】図１９は、図１８の例において選択された使用描素部のみを用いた露光を示す説明図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、倍率歪みの例を示した説明図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、ビーム径歪みの例を示した説明図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。
【図２２】図２２は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。
【図２３Ａ】図２３Ａは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。
【図２４】図２４は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。
【図２５】図２５は、マルチモード光ファイバの構成を示す図の一例である。
【図２６】図２６は、合波レーザ光源の構成を示す平面図の一例である。
【図２７】図２７は、レーザモジュールの構成を示す平面図の一例である。
【図２８】図２８は、図２７に示すレーザモジュールの構成を示す側面図の一例である。
【図２９】図２９は、図２７に示すレーザモジュールの構成を示す部分側面図である。
【図３０】図３０は、レーザアレイの構成を示す斜視図の一例である。
【図３１Ａ】図３１Ａは、マルチキャビティレーザの構成を示す斜視図の一例である。
【図３１Ｂ】図３１Ｂは、図３１Ａに示すマルチキャビティレーザをアレイ状に配列したマルチキャビティレーザアレイの斜視図の一例である。
【図３２】図３２は、合波レーザ光源の他の構成を示す平面図の一例である。
【図３３】図３３は、合波レーザ光源の他の構成を示す平面図の一例である。
【図３４Ａ】図３４Ａは、合波レーザ光源の他の構成を示す平面図の一例である。
【図３４Ｂ】図３４Ｂは、図３４Ａの光軸に沿った断面図の一例である。
【符号の説明】
【０３７５】
Ｂ１〜Ｂ７            レーザビーム
Ｌ１〜Ｌ７            コリメータレンズ
ＬＤ１〜ＬＤ７        ＧａＮ系半導体レーザ
１０                  パターン形成装置
１２                  感光層（感光材料）
１４                  移動ステージ
１８                  設置台
２０                  ガイド
２２                  ゲート
２４                  スキャナ
２６                  センサ
２８                  スリット
３０                  露光ヘッド
３２                  露光エリア
３６                  デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
３８                  ファイバアレイ光源
５８                  マイクロミラー（描素部）
６０                  レーザモジュール
６２                  マルチモード光ファイバ
６４                  光ファイバ
６６                  レーザ出射部
１１０                ヒートブロック
１１１                マルチキャビティレーザ
１１３                ロッドレンズ
１１４                レンズアレイ
１４０                レーザアレイ
２００                集光レンズ
【図２６】
2007256845.tif 000073
【図２７】
2007256845.tif 000074
【図２８】
2007256845.tif 000075
【図２９】
2007256845.tif 000076
【図３０】
2007256845.tif 000077
【図３２】
2007256845.tif 000078
【図３３】
2007256845.tif 000079
【図１】
2007256845.tif 000080
【図２】
2007256845.tif 000081
【図３Ａ】
2007256845.tif 000082
【図３Ｂ】
2007256845.tif 000083
【図４】
2007256845.tif 000084
【図５Ａ】
2007256845.tif 000085
【図５Ｂ】
2007256845.tif 000086
【図６】
2007256845.tif 000087
【図７Ａ】
2007256845.tif 000088
【図７Ｂ】
2007256845.tif 000089
【図８】
2007256845.tif 000090
【図９】
2007256845.tif 000091
【図１０】
2007256845.tif 000092
【図１１】
2007256845.tif 000093
【図１２】
2007256845.tif 000094
【図１３】
2007256845.tif 000095
【図１４】
2007256845.tif 000096
【図１５】
2007256845.tif 000097
【図１６】
2007256845.tif 000098
【図１７】
2007256845.tif 000099
【図１８】
2007256845.tif 000100
【図１９】
2007256845.tif 000101
【図２０Ａ】
2007256845.tif 000102
【図２０Ｂ】
2007256845.tif 000103
【図２１Ａ】
2007256845.tif 000104
【図２１Ｂ】
2007256845.tif 000105
【図２２】
2007256845.tif 000106
【図２３Ａ】
2007256845.tif 000107
【図２３Ｂ】
2007256845.tif 000108
【図２４】
2007256845.tif 000109
【図２５】
2007256845.tif 000110
【図３１Ａ】
2007256845.tif 000111
【図３１Ｂ】
2007256845.tif 000112
【図３４Ａ】
2007256845.tif 000113
【図３４Ｂ】
2007256845.tif 000114