(57)【要約】【課題】基板に形成する電極の角部を所望の形状に形成すること、１枚のメタルマスクよりも微細な電極を形成する。【解決手段】微細電極５０の形成方法は、メタルマスクを用いて水晶基板の表面に微細電極を形成する方法であって、水晶基板１０の表面１１に第１メタルマスク２０と第２メタルマスク３０とを積層配設し、第１メタルマスク２０と第２メタルマスク３０それぞれの電極形成開口部２１，３１を組み合わせて所定の形状の電極形成開口部４０を形成する。電極形成開口部４０は、電極形成開口部２１の直線部２２，２３と、電極形成開口部３１の直線部３２，３３とを交差させることで、エッチング残りがない角部４０ａ〜４０ｄが形成されている。そして、蒸着法により電極形成開口部４０の位置に、エッチング残りの影響がない微細電極５０を形成する。【選択図】図１
2007281554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタルマスクを用いて基板の表面に微細電極を形成する方法であって、
前記基板の主面に複数のメタルマスクを積層配設し、
前記複数のメタルマスクのうち、下層のメタルマスクと、上層のメタルマスクのそれぞれの電極形成開口部を組み合わせて所定の形状の微細電極を形成することを特徴とする微細電極の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の微細電極の形成方法において、
前記下層のメタルマスクの電極形成開口部を構成する辺と、前記上層のメタルマスクの電極形成開口部を構成する辺と、を交差させて配設し、前記微細電極の角部を形成することを特徴とする微細電極の形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の微細電極の形成方法において、
前記下層のメタルマスクの電極形成開口部と、前記上層のメタルマスクの電極形成開口部と、を交差させて配設し、それぞれ単独に形成される電極形成開口部よりも幅が狭い電極を形成することを特徴とする微細電極の形成方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の微細電極の形成方法において、
前記下層のメタルマスクの電極形成開口部と、前記上層のメタルマスクの電極形成開口部と、を組み合わせて配設し、それぞれの電極形成開口部よりも幅が狭い微細電極を形成し、
さらに、他のメタルマスクを積層し、前記上層のメタルマスクまたは前記下層のメタルマスクの電極形成開口部を構成する辺と、前記他のメタルマスクの電極形成開口部を構成する辺と、を交差させて配設し、前記微細電極の角部を形成することを特徴とする微細電極の形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の微細電極の形成方法において、
少なくとも、前記下層のメタルマスクと前記上層のメタルマスクと、が積層接合されていることを特徴とする微細電極の形成方法。
【請求項６】
メタルマスクを用いて基板の表面に微細電極を形成する方法であって、
基板の主面にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜の表面に下層のメタルマスクを積層配設し、
前記下層のメタルマスクの表面に上層のメタルマスクをさらに積層配設し、
前記上層のメタルマスクの電極形成開口部の形状に対応した電極を形成することを特徴とする微細電極の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メタルマスクを用いて基板表面に微細電極を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水晶基板に微細な電極を正確に形成する方法として、電極形成用のマスクに水晶基板と同じ材料、すなわち水晶を用いて熱膨張率を同じにすることで、電極形成工程時の熱上昇による水晶基板と電極形成用マスクとの間に隙間やずれの発生を低減するという成膜治具及び成膜方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、水晶基板の外周を保持する第２ホルダーと、電極形成用のマスクと水晶基板とを厚さ方向に所定寸法離間する離間手段と、離間手段の上面に電極形成用のマスクを配設し、この電極形成用の成膜マスクを上面から保持する第１ホルダーからなる成膜治具を用いて、水晶基板の表面に電極を形成する電極形成方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
さらに、電極形成に用いるメタルマスクを強磁性マグネットの磁力により、水晶基板に吸引固定し、蒸着法やスパッタリング法を用いて電極を形成する方法も知られている（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２５４１７４号公報（第３頁、図３）
【特許文献２】特開平１０−２０４６１５号公報（第３頁、図２）
【特許文献３】特開平５−４３３８７号公報（第２頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような特許文献１〜特許文献３では、電極形成用マスク（以降、単にマスクと表すことがある）の材質や電極形成用治具等を工夫して、水晶基板マスクとの位置ずれを防止し、あるいは密着性を向上させることで正確な電極を実現しようとしている。
【０００７】
しかしながら、マスク材料として水晶を用いる場合には、水晶が脆性を有することから破壊されやすく取り扱いが困難である。また、マスク形成には一般にエッチングが用いられており、メタルマスクの場合には電極形成開口部には、エッチング特性から電極の角部にマスクの厚さとほぼ同等の大きさの半径を有するエッチング残りが生じることが知られている。このエッチング残りは、小型の水晶振動子においては電極間容量等の特性に無視できない影響を与えるという課題を有している。
【０００８】
また、電極形状はマスクの電極形成開口部によって律せられるが、エッチング特性から、マスクの厚さよりも小さい電極形成開口部や、幅が狭いスリット状の電極形成開口部の形成は困難であるとされている。従って、マスクの厚さよりも小さい電極や幅が狭い電極を形成することはできないという課題も有している。
【０００９】
上述の課題を解決するために、マスクの厚さを薄くすることも考えられるが、扱いにくく、またマスクが折れ曲がりやすくなることから、繰り返し使用ができないという課題がある。
【００１０】
また、微細な電極を形成するためにレジスト膜とメタルマスクを併用して微細電極を形成する方法も考えられる。つまり、レジスト膜により保護された水晶基板に電極を形成する場合には、蒸着法またはスパッタリング法等の電極形成手段において、レジスト膜とマスクとが加熱され溶着されてしまうということがあり、マスクを取り替える際にレジスト膜が剥がれ、再度レジスト膜を形成しなおす必要があり工数が増加してしまうという課題がある。
【００１１】
さらに、マスクにレジスト膜が付着していることから、マスクの再使用ができないことが考えられ、コストが高くなるという課題もある。
【００１２】
本発明の目的は、前述した課題を解決することを要旨とし、基板に形成する電極の角部を所望の形状に形成すること、マスクよりも幅が狭い電極を形成すること、作業性がよい微細電極の形成方法を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の微細電極の形成方法は、メタルマスクを用いて基板の表面に微細電極を形成する方法であって、前記基板の主面に複数のメタルマスクを積層配設し、前記複数のメタルマスクのうち、下層のメタルマスクと、上層のメタルマスクのそれぞれの電極形成開口部を組み合わせて所定の形状の微細電極を形成することを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、所定の形状の電極を形成する際において、下層のメタルマスクと上層のメタルマスクのそれぞれの電極形成開口部を組み合わせることで、１枚のメタルマスクでは形成できない形状の微細電極を形成することができる。
【００１５】
また、前記下層のメタルマスクの電極形成開口部を構成する辺と、前記上層のメタルマスクの電極形成開口部を構成する辺と、を交差させて配設し、前記微細電極の角部を形成することが好ましい。
ここで辺とは、例えば、電極形成開口部を構成する直線や曲線を含む。
【００１６】
メタルマスク１枚で、仮に四角形の電極を形成する場合、電極形成開口部も四角形で形成される。この電極形成開口部はエッチングで形成されるが、エッチング特性から、角部にはメタルマスクの厚さに相当する半径のエッチング残りが発生することが知られている。このエッチング残りは、基板が小型の水晶振動子を形成する水晶基板においては、電極間容量等の特性に無視できない影響を与える。
【００１７】
しかし、電極形成開口部の角部を下層のメタルマスクと上層のメタルマスクとを組み合わせて形成すれば、エッチング特性の影響を受けずに角部にエッチング残りがないマスク、つまり、所望の角部形状を有する電極を形成することができる。
【００１８】
また、前記下層のメタルマスクの電極形成開口部と、前記上層のメタルマスクの電極形成開口部と、を交差させて配設し、それぞれ単独に形成される電極形成開口部よりも幅が狭い電極を形成することが好ましい。
【００１９】
電極形状は、マスクの電極形成開口部によって律せられるが、エッチング特性から、マスクの厚さよりも小さい電極形成開口部や、細いスリット状の電極形成開口部の形成は困難であるとされている。従って、マスクの厚さよりも小さい電極や細い電極を形成することはできない。しかしながら、形成可能な下層のメタルマスクと上層のメタルマスクそれぞれの電極形成開口部を交差させることで、１枚のメタルマスクの電極形成開口部よりも小さい電極または幅が狭い電極を形成することができる。
【００２０】
また、前記下層のメタルマスクの電極形成開口部と、前記上層のメタルマスクの電極形成開口部と、を組み合わせて配設し、それぞれの電極形成開口部よりも幅が狭い微細電極を形成し、さらに、他のメタルマスクを積層し、前記上層のメタルマスクまたは前記下層のメタルマスクの電極形成開口部を構成する辺と、前記他のメタルマスクの電極形成開口部を構成する辺と、を交差させて配設し、前記微細電極の角部を形成することが好ましい。
【００２１】
このように、上層のメタルマスクと、下層のメタルマスクとを組み合わせることにより、１枚のメタルマスクでは成し得ない幅や、角部の形状を有する微細電極を形成することができる。
【００２２】
従って、特別に厚さが薄いメタルマスクを用いなくても、上述したような角部形状や、幅が狭い電極を形成することができるので、メタルマスクの耐用回数を高めることができる。
【００２３】
さらに、少なくとも前記下層のメタルマスクと、前記上層のメタルマスクと、が積層接合されていることが望ましい。
【００２４】
電極形成開口部を組み合わせる複数のメタルマスクは、それぞれ１枚ずつ積層しても本発明の目的を達成することは可能である。しかし、メタルマスクを所定の位置にて積層し接合しておくことで、基板とメタルマスクと組立ての作業性を格段に向上させることができる。
【００２５】
また、本発明の微細電極の形成方法は、メタルマスクを用いて基板の表面に微細電極を形成する方法であって、基板の主面にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜の表面に下層のメタルマスクを積層配設し、前記下層のメタルマスクの表面に上層のメタルマスクをさらに積層配設し、前記上層のメタルマスクの電極形成開口部の形状に対応した電極を形成することを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、レジスト膜と直接接触する下層のメタルマスクの表面に、さらに電極形成開口部を有する上層のメタルマスクを備えることにより、電極形成開口部を有する上層のメタルマスクにはレジスト膜が溶着しないので、再度レジスト膜を形成しなおす必要はなく、上層のメタルマスクの再利用を可能にし、コストの低減に寄与する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１，２は、本発明の実施形態１に係る微細電極の形成方法を示し、図３，４は実施形態２、図５，６は実施形態３、図７は実施形態４に係る微細電極の形成方法を示している。
なお、以降説明する実施形態では、基板として水晶基板を例示して説明する。
（実施形態１）
【００２８】
図１は、実施形態１に係る水晶基板への微細電極の形成方法を模式的に示す部分平面図、図２は、図１のＡ−Ａ切断面を模式的に示す断面図である。図１、図２において、微細電極５０は、水晶基板１０の一方の主面１１（以降、単に表面１１と表す）に下層のメタルマスクとしての第１メタルマスク２０と上層のメタルマスクとしての第２メタルマスク３０とを積層配設し、それぞれの電極形成開口部２１，３１とが交差して形成される電極形成開口部４０に形成されている。
【００２９】
まず、水晶基板１０の表面１１に第１メタルマスク２０を所定の平面位置に配設する。第１メタルマスク２０には、電極形成開口部２１が開設されている。この電極形成開口部２１は、直線部２２と直線部２３とが対向して設けられる四角形である。
【００３０】
次に、第１メタルマスク２０の上面に第２メタルマスク３０を所定の平面位置に配設する。第２メタルマスク３０には、電極形成開口部３１が開設されている。この電極形成開口部３１は、直線部３２と直線部３３とが対向して設けられる四角形である。
【００３１】
第１メタルマスク２０の電極形成開口部２１と、第２メタルマスク３０の電極形成開口部３１とは、それぞれの直線部２２，２３と直線部３２，３３とが相互に垂直に交差するように配置されている。従って、これら直線部２２，２３，３２，３３にて囲まれた領域が電極形成開口部４０である（図１、参照）。
【００３２】
第１メタルマスク２０と第２メタルマスク３０それぞれの電極形成開口部２１，３１とはエッチングによって形成されるが、電極形成開口部４０の角部４０ａ〜４０ｄは、第１メタルマスク２０または第２メタルマスク３０それぞれ単独にて形成した場合には、メタルマスクのエッチング特性から、メタルマスクの厚さとほぼ同等の大きさの半径を有する円弧状のエッチング残りが発生することが知られている。つまり、メタルマスクの厚さが１００μｍのときには、概ね１００μｍの半径を有するエッチング残りが発生することになる。
【００３３】
しかしながら、本実施形態により形成される電極形成開口部４０は、２枚のメタルマスクそれぞれの直線部２２，２３，３２，３３が交差することによって形成される。従って、角部４０ａ〜４０ｄは、エッチング特性に影響されない直線部によって形成されるため、角部の隅までクリアに形成され、隅部が直角な微細電極５０を形成することを可能にする。
【００３４】
なお、上述した実施形態１では、第１メタルマスク２０及び第２メタルマスク３０それぞれの電極形成開口部２１，３１の辺が直交しているが、直交しない組み合わせとしてもよい。また、本実施形態では電極形成開口部２１，３１の形状が四角形の場合を例示したが、四角形には限定されない。例えば、電極形成開口部２１及び電極形成開口部３１が円弧で形成される場合においても、それら円弧が交差する角部は、エッチング特性に影響されない角部を形成することができ、任意の電極パターンに応用可能である。
【００３５】
また、第１メタルマスク２０と第２メタルマスク３０とを所定の平面位置において積層し、溶着等の接合手段を用いて１体のメタルマスクを形成することができる。
【００３６】
従って、前述した実施形態１によれば、微細電極５０を形成する際において、第１メタルマスク２０と第２メタルマスク３０それぞれの電極形成開口部２１，３１を組み合わせることで、角部にエッチング残りがない電極形成開口部４０を有するメタルマスクを形成することができる。
【００３７】
このように形成された電極形成開口部２１，３１を有するメタルマスクを用いて電極形成することにより、角部の隅まで電極形成開口部２１，３１に倣った正確な微細電極を形成することができ、小型の水晶振動子を形成する水晶基板においては、電極間容量等の特性に影響を与えない、周波数特性のばらつきが少ない水晶振動子を実現できるという効果を有する。
【００３８】
また、第１メタルマスク２０及び第２メタルマスク３０は、それぞれ１枚ずつ積層しても本発明の目的を達成することは可能である。しかし、第１メタルマスク２０及び第２メタルマスク３０を重ねて接合しておくことで、水晶基板１０とメタルマスクの組立ての作業性を格段に向上させることができる。
【００３９】
なお、メタルマスクの厚さを５０μｍ程度まで薄くし、電極形成部のエッチング残りの大きさを半径５０μｍ程度まで小さくすることも可能であるが、このようなメタルマスクは折れ曲がりやすく取り扱いが困難となる。しかし、本実施形態によれば、一般的なメタルマスクの厚さである１００μｍ程度でも本発明の目的を達成することができる。
（実施形態２）
【００４０】
続いて、本発明の実施形態２について図面を参照して説明する。実施形態２は、１枚のメタルマスクでは形成不可能な小さい電極や幅が狭い電極を形成することを目的としている。
図３は、実施形態２に係る水晶基板への微細電極の形成方法を模式的に示す部分平面図、図４は、図３のＡ−Ａ切断面を模式的に示す断面図である。図３、図４において、微細電極５０は、水晶基板１０の表面１１に第１メタルマスク２０と第２メタルマスク３０とを積層配設してそれぞれの電極形成開口部２１，３１とが交差して形成される電極形成開口部４０に形成されている。
【００４１】
まず、水晶基板１０の表面１１に第１メタルマスク２０を所定の平面位置に配設する。第１メタルマスク２０には、電極形成開口部２１が開設されている。この電極形成開口部２１は、直線部２２，２３と直線部２４，２５がそれぞれ対向して設けられている四角形である。
【００４２】
次に、第１メタルマスク２０の上面に第２メタルマスク３０を所定の平面位置に配設する。第２メタルマスク３０には、電極形成開口部３１が開設されている。この電極形成開口部３１は、直線部３２と直線部３３とが対向して設けられる四角形である。
【００４３】
第１メタルマスク２０の電極形成開口部２１と、第２メタルマスク３０の電極形成開口部３１とは、図３に示すようにＡ−Ａ方向に位置をずらして配設される。従って、直線部２２，２４，３２，２５によって囲まれた領域に電極形成開口部４０が形成される。
【００４４】
第１メタルマスク２０または第２メタルマスク３０それぞれの電極形成開口部２１，３１をエッチングによって形成する場合、エッチング特性によって、電極形成開口部の最小幅をメタルマスクの厚さより小さくすることは困難であるとされている。
【００４５】
しかしながら、本実施形態により形成される電極形成開口部４０は、２枚のメタルマスクそれぞれの直線部２２，２４，３２，２５によって形成される。従って、この電極形成開口部４０の幅は、メタルマスクの厚さに限定されずに形成することができる。つまり、メタルマスクそれぞれ単独に形成する電極形成開口部よりも小さい電極、幅が狭い電極を形成することができる。
【００４６】
なお、本実施形態においても、前述した実施形態１と同様に、電極形成開口部４０は四角形に限らず曲線を含む任意の形状にて形成することができる。
（実施形態３）
【００４７】
次に、本発明の実施形態３について図面を参照して説明する。実施形態３は、前述した実施形態１と実施形態２とを組み合わせた微細電極の形成方法であり、１枚のメタルマスクでは不可能な小さい電極や細い電極、角部にエッチング残りの影響がない電極を形成することを目的としている。実施形態１及び実施形態２との相違個所を中心に説明する。
【００４８】
図５は、実施形態３に係る水晶基板への微細電極の形成方法を模式的に示す部分平面図、図６は、図５のＡ−Ａ切断面を模式的に示す断面図である。図５、図６において、微細電極５０は、水晶基板１０の表面１１に第１メタルマスク２０と第２メタルマスク３０と第３メタルマスク６０を積層配設し、それぞれの電極形成開口部２１，３１，６１とが交差して形成される電極形成開口部４０の範囲内に形成される。
【００４９】
つまり、実施形態２（図３，４、参照）に示す電極形成開口部４０上面に第３メタルマスク６０を配設し、蒸着法を用いて微細電極５０を形成する。
【００５０】
実施形態２（図３、参照）に示す電極形成開口部４０は、第１メタルマスク２０と第２メタルマスク３０それぞれの電極形成開口部２１，３１を交差させて形成している。この際、電極形成開口部４０の角部４０ａ，４０ｂは、第１メタルマスク２０によって形成されている。従って、この角部４０ａ，４０ｂにはエッチング残りが発生する。
【００５１】
本実施形態においては、図５に示すように第３メタルマスク６０の電極形成開口部６１によって、電極形成開口部４０の長手方向の形状を形成する。つまり、電極形成開口部６１を構成する直線部６２，６３それぞれが、第１メタルマスク２０の直線部２２と第２メタルマスク３０の直線部３２とを垂直に交差する。従って、電極形成開口部４０は、直線部２２，３２，６２，６３で囲まれて形成されるので、角部４０ｅ、４０ｆは、角部の隅にエッチング残りがない。
【００５２】
なお、実施形態３においても、実施形態１，２と同様に、電極形成開口部４０は曲線の組み合わせで形成することもできる。また、第１メタルマスク２０、第２メタルマスク３０、第３メタルマスク６０とを所定の平面位置にて積層し、接合して１体化することができる。
【００５３】
従って、上述した実施形態３によれば、第３メタルマスク６０を用いることにより、微細幅の電極や、エッチング残りの影響がない電極の角部を形成することができる。
また、特別に薄いメタルマスクを用いなくても、上述したような角部形状や、幅の狭い電極を形成することができるので、メタルマスクの耐用回数を高めることができる。
（実施形態４）
【００５４】
次に、本発明の実施形態４に係る水晶基板への電極の形成方法について図面を参照して説明する。実施形態４は、水晶基板１０にレジスト膜を用いた電極形成後に、さらにメタルマスクを用いた電極形成を行うことを特徴としている。
図７は、本実施形態に係る水晶基板への微細電極の形成方法を模式的に示す断面図である。
【００５５】
図７（ａ）に示すように、まず、水晶基板１０の表裏の主面１１，１２（以降、単に表面１１、裏面１２と表す）に金属膜を蒸着法あるいはスパッタリング法を用いて形成し、金属膜の表面にレジスト膜７０，７５を形成する。そして、露光、現像、エッチングにより第１電極８０，８２を所定のパターンに形成する。この際、後述する第２電極１００，１０１（図７（ｃ）、参照）を形成するための十分な大きさの開口部８５，８６が形成される。
【００５６】
続いて、図７（ｂ）に示すように、レジスト膜７０，７５の表面に第１メタルマスク９０，９２と第２メタルマスク９５，９７とを積層配設する。第１メタルマスク９０，９２には、開口部８５，８６と略同じ形状の開口部９１，９３が開設されている。
また、第２メタルマスク９５，９７それぞれには、第２電極１００，１０１を形成するための電極形成開口部９６，９８とが開設されている。
【００５７】
続いて、図７（ｃ）に示すように、蒸着法を用いて第２電極１００，１０１を形成する。第２電極１００，１０１は、電極形成開口部９６，９８の形状に倣って形成される。
【００５８】
次に、第２メタルマスク９５，９７を取り外し、続いて、第１メタルマスク９０，９２を取り外した後、レジスト膜７０，７５を除去する。このような工程を経て、図７（ｄ）に示すように、水晶基板１０の表面１１及び裏面１２に第１電極８０，８２と第２電極１００，１０１とが形成される。
【００５９】
上述したように、レジスト膜とメタルマスクを用いて微細電極を形成する方法は、第１電極８０，８２に対して、第２電極１００，１０１の電極材質が異なる場合や、厚さを変える場合、複雑な電極を形成する場合等に採用される。
【００６０】
第２メタルマスク９５，９７を用いて第２電極１００，１０１を形成する際には、蒸着源の加熱により、レジスト膜７０，７５及び第１メタルマスク９０，９２も温度上昇し、レジスト膜７０，７５と第１メタルマスク９０，９２とが溶着されることがある。このことから、第１メタルマスク９０，９２を取り外す際に、レジスト膜７０，７５が剥がれてしまい、第２電極１００，１０１を形成する際に、保護層としてのレジスト膜の再形成が必要になることが考えられる。
【００６１】
しかしながら、上述した実施形態４によれば、レジスト膜７０，７５と直接接触する第１メタルマスク９０，９２の上面に、さらに電極形成開口部９６，９８を有する第２メタルマスク９５，９７を配設しているため、第２メタルマスク９５，９７にはレジスト膜７０，７５が溶着することがない。よって、第２電極１００，１０１を形成するまでに、再度レジスト膜を形成しなおす必要はなく、上層のメタルマスクの再利用を可能にし、コストを低減できるという効果がある。
【００６２】
また、上述した微細電極の形成方法に対して、第１電極８０，８２を形成する方法としてリフトオフを採用することができる。図示は省略するが、水晶基板１０の表面１１と裏面１２に金属膜を形成した後、この金属膜の表面にレジスト膜７０，７５を全面に形成する。
【００６３】
このレジスト膜７０，７５それぞれの表面に第１メタルマスク９０，９２を配設する。第１メタルマスク９０，９２には、第１電極８０，８２のパターンの周囲に開口部を開設してあり、リフトオフにより開口部の下部の金属膜を除去することで第１電極８０，８２のパターンを形成する。
【００６４】
この際、レジスト膜７０，７５には、リフトオフを行うために、エッチング液が浸透する開口部と、第２電極１００，１０１を形成するための開口部８５，８６（図７（ａ）、参照）を開設してある。
【００６５】
なお、上述の実施形態４では、水晶基板１０の表面１１、裏面１２それぞれに電極を形成する例をあげ説明したが、電極の形成面は表裏どちらか一方であっても実施できる。
【００６６】
なお、本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前述の実施形態１〜実施形態４では、電極を形成する対象基板として水晶基板１０を例示して説明したが、基板としては、水晶基板以外の圧電基板や、微細電極を必要とする配線基板等に応用することができる。
【００６７】
また、実施形態４の構成に、実施形態１〜実施形態３に記載のメタルマスクの組み合わせを用いて微細な電極を形成することもできる。
【００６８】
さらに、実施形態１〜４では、メタルマスクの数が２枚または３枚の場合を例示しているが、もっと多くの数のメタルマスクを組み合わせ、複雑な微細電極を形成することができる。
【００６９】
従って、実施形態１〜実施形態３によれば、水晶基板に形成する電極の角部を所望の形状に形成すること、１枚のメタルマスクの電極形成開口部よりも幅が狭い（または小さい）電極を形成することができる。
また、実施形態４によれば、レジスト膜の再形成をする必要がなく、第２メタルマスクの再使用を可能にし、コスト低減を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態１に係る水晶基板への微細電極の形成方法を模式的に示す部分平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ切断面を模式的に示す断面図。
【図３】本発明の実施形態２に係る水晶基板への微細電極の形成方法を模式的に示す部分平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ切断面を模式的に示す断面図。
【図５】本発明の実施形態３に係る水晶基板への微細電極の形成方法を模式的に示す部分平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ切断面を模式的に示す断面図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施形態４に係る水晶基板への微細電極の形成方法を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００７１】
１０…基板としての水晶基板、２０…第１メタルマスク、２１…電極形成開口部、２２，２３…直線部、３０…第２メタルマスク、３１…電極形成開口部、３２，３３…直線部、４０…電極形成開口部、４０ａ〜４０ｄ…角部、５０…微細電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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