(57)【要約】【課題】画質劣化を抑制しつつ省資源・環境対応に優れた光書き込み装置を提供する。【解決手段】基板Ｓｏ上に３つのグループＧ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａからなる第１の発光ライン列３５Ａと、３つのグループＧ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂからなる第２の発光ライン列３５Ｂとを並設した。そして、各グループＧ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａの最大負荷量の累積値が予め設定された許容累積負荷値以上となった場合、その許容累積負荷値以上となったグループに並設された第２の発光ライン列３５ＢのグループＧ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂに属する有機ＥＬ素子３３を使用するようにした。【選択図】図４
2007210104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子をライン状に配列してなる発光ライン列を備えた光書き込み装置において、
前記複数の発光素子が複数のグループに区分されており、
前記区分されたグループ毎にそのグループに属する発光素子の負荷量の中の最大の負荷量の累積値を記憶する記憶手段を備えたことを特徴とする光書き込み装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光書き込み装置において、
前記発光ライン列は、複数列並設され、
前記複数のグループは、同一の基板上に配置されていることを特徴とする光書き込み装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光書き込み装置において、
前記複数のグループは、各々、異なった基板上に配置されていることを特徴とする光書き込み装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載の光書き込み装置において、
前記記憶手段に記憶された前記累積値と、前記発光素子が予め設定された標準輝度以上の輝度で点灯することが可能な許容累積負荷値とを比較し、前記記憶手段に記憶された前記発光素子の負荷量の累積値が前記許容累積負荷値以上であるか否かを判断する判断手段と、
前記記憶手段に記憶された前記累積値が前記許容累積負荷値以上である場合、その旨を報知する報知するための報知信号を生成する生成手段と
をさらに備えていることを特徴とする光書き込み装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の光書き込み装置において、
前記発光素子は、第１電極、該第１電極に対向する位置に配置された第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に配置された少なくとも発光層を含む機能層を有するエレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする光書き込み装置。
【請求項６】
請求項５に記載の光書き込み装置において、
前記第２電極は、前記グループ毎に分割されていることを特徴とする光書き込み装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の光書き込み装置において、
前記発光層は、有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする光書き込み装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光書き込み装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、小型化・高速化の観点から、複数の発光素子をライン状に配置した光書き込み装置を使用して感光体に潜像を形成する電子写真方式の画像形成装置が知られている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子等に比べて輝度のばらつきが少なく、且つ高密度に形成することができるので光書き込み装置の発光素子として使用されることが注目されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子は、劣化速度が早く、また、その光量劣化は初期状態から均一に発生するわけではなく、初期の劣化度合いが最も激しく、その後、徐々に緩やかになっていく。このため、印字する画像位置に偏りがあるような場合では、各有機ＥＬ素子の劣化が均一にならず、潜像（画像）に濃度ムラが発生することがあった。そこで、発光素子である有機ＥＬ素子の各々の点灯回数を累積し、累積値が最も多い有機ＥＬ素子に対して追加点灯させることにより、全ての発光素子の劣化状態を均一化するようにしたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３４９９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、様々な分野において、省資源・環境対応に優れた製品を実現することが注目されている。上記文献に記載された光書き込み装置は、全ての発光素子の劣化状態を均一化することで画質劣化を抑制することができるが、累積値が最も多い有機ＥＬ素子に対して追加点灯させるので、光書き込み装置の使用寿命が短く、省資源・環境対応に優れた製品を実現する上で問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたもので、画質劣化を抑制しつつ省資源・環境対応に優れた光書き込み装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光書き込み装置は、複数の発光素子をライン状に配列してなる発光ライン列を備えた光書き込み装置において、前記複数の発光素子が複数のグループに区分されており、前記区分されたグループ毎にそのグループに属する発光素子の負荷量の中の最大の負荷量の累積値を記憶する記憶手段を備えた。
【０００７】
これによれば、グループ毎に、そのグループに属する発光素子の負荷量の中の最大の負荷量の累積値が記憶される。従って、記憶手段によってグループ毎の最大の負荷量の累積値が認識できるので、たとえば、その累積値が予め設定された許容累積負荷値以上の場合、その累積値が許容累積負荷値以上のグループに属する発光素子を、許容累積負荷値未満である新たなグループに交換するようにする。このようにすることで、光書き込み装置全体を交換することなく、予め許容累積負荷値を越えた発光不良となると推測される発光素子を交換することができることから光書き込み装置の長寿命化を向上させることができるので、省資源化が図られる。
【０００８】
尚、本明細書において、許容累積負荷値とは、各発光素子が発光することによる劣化により、所定の輝度が得られなくなるまでの発光素子の駆動による劣化を促す負荷の累積値
である。この場合の劣化を促す負荷とは、一定電圧で発光時間を制御して階調を制御する場合は、発光時間そのもの、発光電圧を制御することにより階調を制御する場合は、駆動電圧或いは発光強度×駆動時間等を基準とした量である。
【０００９】
この光書き込み装置において、前記発光ライン列は、複数列並設され、前記複数のグループは、同一の基板上に配置されていてもよい。
これによれば、複数列の発光ライン列が配置されているので、所定のグループの負荷量の累積値が予め設定された最大許容負荷値以上となった場合、その許容累積負荷値以上となったグループに並設された発光ライン列に属するグループに交換するようにする。この結果、光書き込み装置の長寿命化を向上させることができるので、省資源化を図ることができる。
【００１０】
この光書き込み装置において、前記複数のグループは、各々、異なった基板上に配置されていてもよい。
これによれば、許容累積負荷値以上となったグループが発生した場合、その許容累積負荷値以上となったグループだけを新たな許容累積負荷値未満であるグループを備えたものと交換することで、光書き込み装置の長寿命化を図ることができる。
【００１１】
この光書き込み装置において、前記記憶手段に記憶された前記累積値と、前記発光素子が予め設定された標準輝度以上の輝度で点灯することが可能な許容累積負荷値とを比較し、前記記憶手段に記憶された前記発光素子の負荷量の累積値が前記許容累積負荷値以上であるか否かを判断する判断手段と、前記記憶手段に記憶された前記累積値が前記許容累積負荷値以上である場合、その旨を報知する報知するための報知信号を生成する生成手段とをさらに備えていてもよい。
【００１２】
これによれば、発光素子が劣化して標準輝度未満で点灯する前に報知されるので、書き込み不良が生じる前に光書き込み装置を交換することで常時、高画質の画像が表示（印刷）することができる。
【００１３】
この光書き込み装置において、前記発光素子は、第１電極、該第１電極に対向する位置に配置された第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に配置された少なくとも発光層を含む機能層を有するエレクトロルミネッセンス素子であってもよい。
【００１４】
これによれば、発光素子を高輝度で且つ輝度ばらつきが少ないものにすることができる。この結果、画質を向上させることができる。
この光書き込み装置において、前記第２電極は、前記グループ毎に分割されていてもよい。
【００１５】
これによれば、所定のグループに配置された発光ライン列の発光素子が許容累積負荷値以上になった場合、他の発光ライン列に配置された発光ライン列に交換して使用することができる。
【００１６】
この光書き込み装置において、前記発光層は、有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。
これによれば、ＬＥＤ素子を使用した場合と比べて均一で長尺な発光層を形成することができるので、発光素子毎に輝度ばらつきが小さく抑えられた光書き込み装置を実現することがきる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図６に従って説明する。
まず、電子写真方式プリンタについて以下に説明する。図１において、電子写真方式プリンタ（以下単に、プリンタという。）１０は、その筐体１１の内部に、駆動ローラ１２、従動ローラ１３及びテンションローラ１４を備えるとともに、各ローラ１２，１３，１４に対して転写ベルト１５を張設している。そして、駆動ローラ１２を回転すると、転写ベルト１５が図１中反時計回り方向に循環駆動するようになっている。
【００１８】
転写ベルト１５の上方（図１中Ｙ矢印方向）には、４体の感光ドラム１６が、図１中Ｚ矢印方向（紙面手前方向）を回転軸方向として図１中時計回り方向に回転可能に併設されている。各感光ドラム１６の外周面には、光導電性を有する図示しない感光層が形成されている。この感光層は、所定の波長領域の光を照射されることによって、その照射された領域の電荷が消失されるようになっている。
【００１９】
各感光ドラム１６の外周には、その感光層に摺接するように帯電ローラ１７が配設されており、帯電ローラ１７によって感光ドラム１６の感光層全周面に所定の帯電電位が供給されるようになっている。また、各感光ドラム１６の外周には、光書き込み装置としての露光ヘッド２０がそれぞれ配設されている。
【００２０】
各露光ヘッド２０は、対応する感光ドラム１６の回転軸方向（図１中Ｚ矢印方向）に沿って延びる直方体形状に形成され、対応する各感光ドラム１６の感光層に向かって印刷データに基づいた所定の波長領域の光Ｌを出射するようになっている。そして、露光ヘッド２０が光Ｌを出射すると、各感光ドラム１６の感光層は、前記光Ｌに露光されて、露光された部位の電荷を消失する。この結果、各感光ドラム１６の感光層上には、静電的な画像（静電潜像）が形成される。
また、各感光ドラム１６の外周には、現像機２１ａ〜２１ｄがそれぞれ配設されている。各現像機２１ａ〜２１ｄのうち、図１中最左側に配設された現像機２１ａには黒の着色粒子（トナー）Ｔａが収容されている。また、その右側に配設された現像機２１ｂにはシアンの着色粒子（トナー）Ｔｂが、また、その右側に配設された現像機２１ｃにはマゼンタの着色粒子（トナー）Ｔｃが、さらに最右側に配設された現像機２１ｄにはイエロの着色粒子（トナー）Ｔｄがそれぞれ収容されている。各現像機２１ａ〜２１ｄは、帯電させた各色の着色粒子（トナー）Ｔａ〜Ｔｄを対応する感光ドラム１６の感光層にそれぞれ供給するようになっている。
【００２１】
そして、各感光ドラム１６に帯電電位と略等しいバイアス電位を印加して、対応する現像機２１ａ〜２１ｄからトナーＴａ〜Ｔｄを供給すると、供給されたトナーＴａ〜Ｔｄは、感光ドラム１６の感光層の露光された領域にのみ付着する。この結果、各感光ドラム１６の感光層には、それぞれ前記静電潜像に対応した単色の可視像（顕像）が形成される（現像される）。
【００２２】
さらに、各感光ドラム１６の外周には、転写ベルト１５を介して一次転写ローラ２２がそれぞれ配設されている。一次転写ローラ２２は、直流電圧の印加によって静電吸着力を誘起する導電性のローラであって、感光ドラム１６に吸着したトナー（顕像）を吸引して転写ベルト１５に一次転写する。そして、４体の感光ドラム１６に吸着した各黒、シアン、マゼンタ及びイエロのトナーＴａ〜Ｔｄを転写ベルト１５に順次一次転写すると、各色の顕像が転写ベルト１５上で重ねられてフルカラーの画像（トナー像）を形成する。
【００２３】
さらにまた、各感光ドラム１６の外周には、クリーニング手段２３が配設されている。クリーニング手段２３は、ＬＥＤ等の光源とゴムブレードを備えており、感光ドラム１６の感光層を除電して、残留するトナーを機械的に除去する。
【００２４】
転写ベルト１５の下側には、記録紙Ｐを収容可能とした給紙カートリッジ２４が配設されている。給紙カートリッジ２４の一側上部には、給紙ローラ２５が配設されて、記録紙Ｐを転写ベルト１５側に給紙するようになっている。その給紙ローラ２５の上側にあって、駆動ローラ１２と相対向する位置には、転写手段を構成する二次転写ローラ２６が配設されて、転写ベルト１５に形成されたトナー像を静電的に吸着して、記録紙Ｐに順次二次転写するようになっている。
【００２５】
二次転写ローラ２６の上側には、熱源を内蔵する一対のヒートローラ２７と一対の排紙ローラ２８が配設されている。一対のヒートローラ２７は、記録紙Ｐに二次転写されたトナーを加熱によって軟化させて、記録紙Ｐ内に浸透固化させるものである。一対の排紙ローラ２８は、ヒートローラ２７からの記録紙Ｐを筐体１１の排出口２９から筐体１１の外側に排出するようになっている。
【００２６】
また、プリンタ１０は、その筐体１１の図１中左側外壁にディスプレイＨを備えている。本実施形態では、ディスプレイＨは液晶ディスプレイであって、プリンタ１０の運転状態といった各種情報が表示されるようになっている。
【００２７】
次に、各露光ヘッド２０の構成について図２〜図５に従って詳述する。尚、各露光ヘッド２０は、全て同じ構成であるので、以下、説明の便宜上、そのうちの一つの露光ヘッド２０についてのみ説明することとし、他の３つの露光ヘッド２０については、その詳細な説明を省略する。
【００２８】
図２に示すように、露光ヘッド２０は、感光ドラム１６の回転軸方向（Ｚ矢印方向）に沿って延びる直方形状のケース３１を備えている。ケース３１は、その感光ドラム１６側を開口した箱体状に形成され、その内部にはケース３１の長手方向（Ｚ矢印方向）に沿って延びるように配置された発光素子アレイ３２が配設されている。
【００２９】
図３に示すように、発光素子アレイ３２は、Ｚ矢印方向に沿って長手方向を有する略直方形状を成した基板Ｓｏを備え、該基板Ｓｏの長手方向（Ｚ矢印方向）に沿って複数の発光素子としての有機ＥＬ素子３３を備えている。各有機ＥＬ素子３３は、図示しない駆動回路に接続され、各有機ＥＬ素子３３の輝度を決定する駆動信号（パルス信号）が供給されるようになっている。そして、各有機ＥＬ素子３３は、駆動信号に応じた輝度を有した光Ｌを出射するようになっている。
【００３０】
また、図２に示すように、露光ヘッド２０は、その発光素子アレイ３２上にレンズ体３４を備えている。レンズ体３４は、本実施形態では、発光素子アレイ３２の長手方向（Ｚ矢印方向）に沿って配置された円柱状の正立像を結像する屈折率分布レンズが複数本束ねられて構成されている。レンズ体３４は、発光素子アレイ３２上にて公知の光学接着剤Ｆ（図３参照）によって感光ドラム１６に向かって立設するように固設されている。そして、レンズ体３４は、発光素子アレイ３２から出射された光Ｌを感光ドラム１６に導光してその感光層上に露光させる。
【００３１】
図４は、発光素子アレイ３２の上面図である。図４に示すように、基板Ｓｏ上には、ｎ個の有機ＥＬ素子３３が該基板Ｓｏの長手方向（Ｚ矢印方向）に沿ってライン状に配列してなる２本の発光ライン列３５Ａ，３５Ｂを備えている。発光ライン列３５Ａ（３５Ｂ）は、それぞれ、ｍ個（ｍ＜ｎ）の有機ＥＬ素子３３からなる３つのグループＧ１Ａ（Ｇ１Ｂ），Ｇ２Ａ（Ｇ２Ｂ），Ｇ３Ａ（Ｇ３Ｂ）に区分されている。そして、第１の発光ライン列３５Ａは、第２の発光ライン列３５ＢよりもＸ矢印方向側に、即ち、第２の発光ライン列３５Ｂよりも感光ドラム１６に対して先行するように並設されている。
【００３２】
図５（ａ），（ｂ）に示すように、各発光ライン列３５Ａ，３５Ｂに属する有機ＥＬ素子３３は、同じ構成である。つまり、発光素子アレイ３２は、感光ドラム１６方向側（図５（ｂ）中反Ｙ矢印方向側）に、光透過性を有する基板Ｓｏを備えるとともに、該基板Ｓｏの素子形成面Ｓａ上に形成層３６を備えている。本実施形態の基板Ｓｏは、ガラス板である。形成層３６は、非光透過性を有した材料で構成されている。また、形成層３６には、基板Ｓｏに至るまで開口したｎ個の第１の穴Ｈ１及びｎ個の第２の穴Ｈ２が並設されている。
【００３３】
第１の穴Ｈ１には、第１の発光ライン列３５Ａに形成される有機ＥＬ素子３３が形成され、第２の穴Ｈ２には、第２の発光ライン列３５Ｂに形成される有機ＥＬ素子３３が形成される。第１及び第２の発光ライン列３５Ａ，３５Ｂに形成される有機ＥＬ素子３３は、基板Ｓｏ（素子形成面Ｓａ）上に、円形状の第１電極としての画素電極３７を備えている。画素電極３７は、光透過性を有した導電材料で構成されている。本実施形態においては、インジウムー錫化合物（ＩＴＯ）で構成されている。画素電極３７上には、機能層３８が配置されている。機能層３８は、本実施形態では、正孔注入層４０ａ、正孔輸送層４０ｂ、発光層４０ｃ、電子輸送層４０ｄ、電子注入層４０ｅが画素電極３７側から順次積層されることで構成されている。
【００３４】
第１の穴Ｈ１内に形成された電子注入層４０ｅ上には、その各グループＧ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａ毎に独立した第２電極としての共通電極Ｋ１Ａ、Ｋ２Ａ、Ｋ３Ａが、また、第２の穴Ｈ２内に形成された電子注入層４０ｅ上には、その各グループＧ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂ毎に独立した第２電極としての共通電極Ｋ１Ｂ、Ｋ２Ｂ、Ｋ３Ｂが形成されている。
つまり、図４に示すように、共通電極Ｋ１Ａは、第１の発光ライン列３５Ａに属する第１グループＧ１Ａの各有機ＥＬ素子３３の共通電極である。また、共通電極Ｋ２Ａは、第１の発光ライン列３５Ａに属する第２グループＧ２Ａの各有機ＥＬ素子３３の共通電極であり、また、共通電極Ｋ３Ａは、第１の発光ライン列３５Ａに属する第３グループＧ３Ａの各有機ＥＬ素子３３の共通電極である。また、共通電極Ｋ１Ｂは、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第１グループＧ１Ｂの各有機ＥＬ素子３３の共通電極である。また、共通電極Ｋ２Ｂは、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第２グループＧ２Ｂの各有機ＥＬ素子３３の共通電極であり、共通電極Ｋ３Ｂは、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第３グループＧ３Ｂの各有機ＥＬ素子３３の共通電極である。
【００３５】
各共通電極Ｋ１Ａ〜Ｋ３Ａ，Ｋ１Ｂ〜Ｋ３Ｂは、それぞれ各穴Ｈ１，Ｈ２に形成された画素電極３７の対向電極として機能するものであって、機能層３９にキャリア（電子）を供給する。また、各共通電極Ｋ１Ａ〜Ｋ３Ｂは、図示しない前記制御回路によって電源電位との電気的接続が制御されるようになっている。
【００３６】
共通電極Ｋ１Ａ〜Ｋ３Ａ，Ｋ１Ｂ〜Ｋ３Ｂ上には、各共通電極全体を覆うように保護層ＰＢが形成されている。そして、各画素電極３７から画像信号に応じたキャリア密度の正孔が供給されると、それに伴って各共通電極から電子が供給され、機能層３９中の発光層４０ｃにて再結合をし、光Ｌが生成される。そして、その光Ｌは基板Ｓｏを介して素子形成面Ｓａと相対向する面Ｓｂから出射し、レンズ体３４に入射する。即ち、本実施形態の発光素子アレイ３２は、有機ＥＬ素子３３が形成された素子形成面Ｓａと相対向する面Ｓｂを光出射面とする、所謂ボトムエミッション型の発光素子アレイである。
そして、本実施形態では、まず、第１の発光ライン列３５Ａに属する第１グループＧ１Ａ、第２グループＧ２Ａ、第３グループＧ３Ａが使用され、その後、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第１グループＧ１Ｂ、第２グループＧ２Ｂ、第３グループＧ３Ｂが使用されるようになっている。つまり、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第１グループＧ１Ｂは第１の発光ライン列３５Ａに属する第１グループＧ１Ａの次に使用されるようになっている。同様に、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第２グループＧ２Ｂは第１の発光ライ
ン列３５Ａに属する第２グループＧ２Ａの次に使用され、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第３グループＧ３Ｂは第１の発光ライン列３５Ａに属する第３グループＧ１Ａの次に使用されるようになっている。
【００３７】
また、図４に示すように、基板Ｓｏには半導体集積回路（以下、「ＩＣ」という）４２が設けられている。このＩＣ４２には、記憶手段としてのメモリ４２ａと、判断手段としてのＣＰＵ４２ｂと、生成手段としての報知信号生成回路４２ｃとを備えている。
【００３８】
メモリ４２ａは、不揮発性メモリであって、各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂに属する有機ＥＬ素子３３の発光時間（負荷量）の累積値を記憶する。本実施形態では、各有機ＥＬ素子３３の階調制御を前記駆動回路から供給される駆動信号（パルス信号）のパルス幅によって発光時間を制御することで行うようになっている。即ち、駆動信号（パルス信号）のパルス幅が大きければ、発光時間が長くなり露光量が大きくなり、駆動信号（パルス信号）のパルス幅が小さければ、発光時間が短くなり露光量が小さくなる。
【００３９】
そして、一走査期間にて、各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂ毎に、各有機ＥＬ素子３３に加わる負荷、即ち発光時間のうち最大のパルス幅（最大負荷量）の累積値が記憶される。また、メモリ４２ａには、予め許容累積負荷値（許容累積駆動時間）が記憶されている。ここで、許容累積負荷値とは、一つの有機ＥＬ素子３３が予め設定された所望の輝度（標準輝度）以上の輝度で点灯することが可能となる駆動時間（発光時間）の累積値であって、有機ＥＬ素子の劣化特性に基づいて決定される値である。
【００４０】
メモリ４２ａは、各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂに対するフラグＦ１Ａ〜Ｆ３Ａ、Ｆ１Ｂ〜Ｆ３Ｂが設けられ、使用が可能な場合にはフラグＦ１Ａ〜Ｆ３Ａ、Ｆ１Ｂ〜Ｆ３Ｂが「０」に、使用が不能な場合にはフラグＦ１Ａ〜Ｆ３Ａ、Ｆ１Ｂ〜Ｆ３Ｂが「１」に書き換えられるようになっている。
【００４１】
ＣＰＵ４２ｂは、一走査期間にて、各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂ毎に各有機ＥＬ素子３３に加わる負荷量を調査する。そして、ＣＰＵ４２ｂは、各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂにおいて、そのグループの各有機ＥＬ素子３３の中から最大の負荷量を検出し、その最大の負荷量を累積負荷量としてメモリ４２ａの各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ、Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂの負荷の累積値Ｌ１Ａ〜Ｌ３Ａ、Ｌ１Ｂ〜Ｌ３Ｂに加算する。本実施形態では、前記駆動回路から供給される駆動信号（パルス信号）に基づいて、その駆動信号のパルス幅（発光時間）が最大値（最大パルス幅）であるものを最大負荷量として認識するようになっている。
【００４２】
さらに、ＣＰＵ４２ｂは、所定のタイミングでＬ１Ａ〜Ｌ３Ａ、Ｌ１Ｂ〜Ｌ３Ｂと、予め記憶された許容累積負荷値とを比較し、負荷の累積値が累積許容負荷値以上であるか否かを判断する。そして、負荷の累積値が累積許容負荷値以上であると判断した場合、これ以上使用するとそのグループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂから出射される光Ｌの輝度は、所定の輝度より低くなる可能性が大きくなる。
例えば、第１の発光ライン列３５Ａに属する第１グループＧ１Ａの負荷の累積値が許容累積負荷値以上であると判断した場合、ＣＰＵ４２ｂは、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第１グループＧ１Ｂに対して駆動信号を供給する旨の信号を駆動回路に出力する。そして、ＣＰＵ４２ｂは、メモリ４２ａの第１グループＧ１Ａに対応するフラグＦ１Ａを「０」から「１」に書き換える。また、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第１グループＧ１Ｂの負荷の累積値が累積許容負荷値以上であると判断した場合、ＣＰＵ４２ｂは、報知信号生成回路４２ｃに対してオーバーフロー信号を出力するとともに、メモリ４２ａの第１グループＧ１Ｂに対するフラグＦ１Ｂを「０」から「１」に書き換える。
尚、他の第１の発光ライン列３５Ａに属する第２及び第３グループＧ２Ａ，Ｇ３Ａにつ
いても同様であり、その負荷の累積値が許容負荷値以上であると判断した場合、ＣＰＵ４２ｂは、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第２及び第３グループＧ２Ｂ，Ｇ３Ｂに対して駆動信号を供給する旨の信号を駆動回路に出力する。そして、ＣＰＵ４２ｂは、メモリ４２ａの第２及び第３グループＧ２Ａ，Ｇ３Ａに対応するフラグＦ２Ａ、Ｆ３Ａを「０」から「１」に書き換える。
【００４３】
また、第２の発光ライン列３５Ｂに属する第２及び第３グループＧ２Ｂ，Ｇ３Ｂの負荷の累積値が累積許容負荷値以上であると判断した場合、ＣＰＵ４２ｂは、報知信号生成回路４２ｃに対してオーバーフロー信号を出力するとともに、メモリ４２ａの第２及び第３グループＧ２Ｂ，Ｇ３Ｂに対するフラグＦ２Ｂ、Ｆ３Ｂを「０」から「１」に書き換える。
【００４４】
報知信号生成回路４２ｃは、オーバーフロー信号を入力すると、発光素子アレイ３２を新たな発光素子アレイ３２に交換する旨の報知信号を生成しディスプレイＨに出力する。この結果、ディスプレイＨには、発光素子アレイ３２（露光ヘッド２０）を新たな発光素子アレイ３２（露光ヘッド２０）に交換する旨が表示される。
【００４５】
次に、前述した露光ヘッド２０の作用を図６に示すフローチャートに従って説明する。尚、初期条件として、使用される露光ヘッド２０は新規なものであって、まず最初に第１の発光ライン列３５Ａが使用され、第２の発光ライン列３５Ｂは使用されないものとする。
【００４６】
まず、ＣＰＵ４２ｂは、メモリ４２ａのフラグＦ１Ａ〜Ｆ３Ａ、Ｆ１Ｂ〜Ｆ３Ｂの内容を読み出し（ステップＳ１−１）、露光ヘッド２０として使用可能かを判断する（ステップＳ１−２）。つまり、第１の発光ライン列３５ＡのグループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ又は第２の発光ライン列３５ＢのグループＧ１Ｂ〜Ｇ３Ｂの有機ＥＬ素子３３を使って感光ドラム１６を露光できるかどうかを判断する。
【００４７】
この時点では、露光ヘッド２０は新規なものであって、フラグＦ１Ａ〜Ｆ３Ａ、Ｆ１Ｂ〜Ｆ３Ｂの内容は全て「０」であるため、第１の発光ライン列３５Ａに属する各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａが使用可能と判断され（ステップＳ１−２でＹＥＳ）、各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａが選択されてステップＳ１−３に移る。
【００４８】
尚、フラグＦ２Ａ〜Ｆ２Ｃのいずれかが「１」の場合（ステップＳ１−２でＮＯ）、ＣＰＵ４２ｂは、感光ドラム１６を感光できないものとして露光ヘッド２０を使用不可と判断してオーバーフロー信号を報知信号生成回路４２ｃに出力して終了する（ステップＳ１−１２）。即ち、ディスプレイＨに露光ヘッド２０の交換を指示する表示がなされるとともに露光ヘッド２０の駆動が中止される。
【００４９】
ステップＳ１−３において、ＣＰＵ４２ｂは、駆動回路を介して選択したグループ（この時点では、グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ）の各有機ＥＬ素子３３の走査を開始させる。続いて、ＣＰＵ４２ｂは、駆動回路から供給される駆動信号に基づいて各有機ＥＬ素子３３に供給される駆動信号のパルス幅（負荷量）を調査する（ステップＳ１−４）。
【００５０】
各有機ＥＬ素子３３の走査が終了すると、ＣＰＵ４２ｂは、選択したグループ（この時点では、グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ）毎に、そのグループの中で最大パルス幅を検出する（ステップＳ１−５）。続いて、ＣＰＵ４２ｂは、その最大パルス幅をその選択されたグループに対する累積負荷量を先に更新した累積値（この時点では、累積値は０）と加算して新たな累積値としてメモリ４２ａに更新記憶する（ステップＳ１−６）。
【００５１】
ＣＰＵ４２ｂは、選択された各グループに対する累積値を更新すると、その選択された各グループに対する累積値についてメモリ４２ａに記憶された許容累積負荷値と比較する（ステップＳ１−７）。そして、選択された各グループに対する全ての累積値が許容累積負荷値未満の場合（ステップＳ１−７でＹＥＳ）、ＣＰＵ４２ｂはいまだ選択しているグループの有機ＥＬ素子３３は使用可能と判断し、ステップＳ１−３に戻り、選択したグループ（この時点ではグループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ）の各有機ＥＬ素子３３の走査を開始させる。以降、選択したグループの中の１つについてその累積値が許容累積負荷値以上になるまで、ＣＰＵ４２ｂはステップＳ１−３からステップＳ１−７の動作を繰り返す。
【００５２】
やがて、選択された各グループの１つにその累積値が許容累積負荷値以上のものが発生した場合（ステップＳ１−７でＮＯ）、ＣＰＵ４２ｂは、その累積値が許容累積負荷値以上になったグループが、第１の発光ライン列３５Ａに属するグループかどうか判断する（ステップＳ１−８）。そして、第１の発光ライン列３５Ａに属するグループである場合（ステップＳ１−８でＹＥＳ）、そのグループに対応するフラグＦ１Ａ〜Ｆ３Ａの何れかを「０」から「１」に書き換える（ステップＳ１−９）。
続いて、ＣＰＵ４２ｂは、そのフラグが「１」となったグループに対応する第２の発光ライン列３５Ｂのグループを新たに選択した後（ステップＳ１−１０）、ステップＳ１−３に戻る。つまり、この時点では、第１の発光ライン列３５ＡのグループＧ１Ａならば第２の発光ライン列３５ＢのグループＧ１Ｂを選択する。また、第１の発光ライン列３５ＡのグループＧ２Ａならば第２の発光ライン列３５ＢのグループＧ２Ｂを選択し、第１の発光ライン列３５ＡのグループＧ３Ａならば第２の発光ライン列３５ＢのグループＧ３Ｂをそれぞれ選択してステップＳ１−３に戻る。以降、ＣＰＵ４２ｂは、第２の発光ライン列３５Ｂのいずれかのグループの負荷の累積値が、許容累積負荷を超えるまで、第１の発光ライン列３５Ａと第２の発光ライン列３５Ｂから選択されたグループの有機ＥＬ素子３３を使ってステップＳ１−３からステップＳ１−１０の動作を繰り返す。
【００５３】
やがて、第２の発光ライン列３５Ｂに属するグループの１つについてその累積値が許容累積負荷値以上になると（ステップＳ１−８でＮＯ）、ＣＰＵ４２ｂはその第２の発光ライン列３５Ｂのグループに対するフラグを「０」から「１」に書き換える（ステップＳ１−１１）。
【００５４】
続いて、ＣＰＵ４２ｂは、感光ドラム１６を露光できないとして露光ヘッド２０を使用不能と判断してオーバーフロー信号を報知信号生成回路４２ｃに出力して終了する（ステップＳ１−１２）。即ち、ディスプレイＨに、露光ヘッド２０の交換を指示する表示がなされるとともに露光ヘッド２０の駆動が中止される。
【００５５】
上記の様に、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、基板Ｓｏ上に３つのグループＧ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａからなる第１発光ライン列３５Ａと、３つのグループＧ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂからなる第２発光ライン列３５Ｂとを並設した。そして、まず、第１の発光ライン列３５Ａの各グループＧ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａを使って感光ドラム１６を露光する。やがて、第１の発光ライン列３５Ａの各グループＧ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａの少なくとも１つの駆動信号のパルス幅（発光時間）の累積値が、予め設定された許容累積負荷値以上となった場合、そのグループのみを、並設された第２発光ライン列３５ＢのグループＧ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂに属する有機ＥＬ素子３３を使用するようにした。
【００５６】
従って、第１発光ライン列３５Ａの各グループＧ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａのパルス幅（発光時間）の累積値が、予め設定された許容累積負荷値以上となった場合であっても露光ヘッド自体を交換するのではなく、第２発光ライン列３５Ｂの各グループＧ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂを使用することができるので、露光ヘッド２０の長寿命化を向上させることができ
る。この結果、露光ヘッドの省資源化を図ることができる。
（２）本実施形態によれば、露光ヘッド２０は、許容累積負荷値と、各グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂ毎に、その時々の走査期間において、グループの各有機ＥＬ素子３３の中で最も発光時間の長いパルス幅（負荷量）をそのグループの負荷量として先に記憶されたメモリ４２ａに記憶された累積値に加算して更新した。そして、メモリ４２ａに記憶された各グループのパルス幅の累積値と、許容累積負荷値とを比較し、パルス幅の累積値が許容累積負荷値以上である場合、その旨を報知する報知するようにした。つまり、各グループの累積値は、グループに含まれるどの有機ＥＬ素子３３の累積発光時間より大きな値をとるため、有機ＥＬ素子３３が劣化して必要な輝度が得られなくなる前に報知することができる。従って、書き込み不良が生じる前に露光ヘッド２０を交換することができる。また、各グループ内での各走査における最大負荷を負荷の累積値とすることで、簡単な演算処理で有機ＥＬ素子の寿命に応じた、ＥＬ素子のグループの切替を行うことができる。そのため、演算処理に使用するメモリ４２ａやＣＰＵ４２ｂに規模が小さく安価なものを用いることができる。
（３）本実施形態によれば、発光素子として機能層４０が有機材料で構成された有機ＥＬ素子３３を使用した。従って、発光素子は高輝度で且つ輝度ばらつきが少ないものとなることから、感光ドラム１６上に形成される潜像の画質を向上させることができる。
（４）本実施形態によれば、各有機ＥＬ素子３３は、グループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂ毎に独立した共通電極Ｋ１Ａ〜Ｋ３Ａ，Ｋ１Ｂ〜Ｋ３Ｂを備えた。そして、ＣＰＵ４２ｂからの制御信号に従って共通電極Ｋ１Ａ〜Ｋ３Ａ，Ｋ１Ｂ〜Ｋ３Ｂと電源電位との電気的接続が制御できようにした。従って、共通電極ＫＡ１〜Ｋ３Ａ，Ｋ１Ｂ〜Ｋ３Ｂと電源電位との電気的接続を切り替えるだけで使用する有機ＥＬ素子３３のグループＧ１Ａ〜Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ〜Ｇ３Ｂを選択することができる。
【００５７】
尚、本実施形態では階調制御にパルス幅を用い有機ＥＬ素子３３への負荷を、駆動時間を基に算出する方法を記載したが、階調制御に駆動電圧や駆動電流を用い、駆動電圧の駆動時間での積分値、駆動電流の駆動時間での積分値、発光強度の駆動時間での積分値等を基に有機ＥＬ素子３３への負荷を算出する方法を用いても良い。
（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態に係る露光ヘッドを図７に従って説明する。この第２実施形態に係る露光ヘッドは、その発光素子アレイ３２の有機ＥＬ素子３３が同一基板Ｓｏ上に配列されるのではなく、異なった３つの基板上に区分されて配置されるとともに、各基板上には１本の発光ライン列が形成されている他は、第１実施形態に係る露光ヘッド２０と同じである。従って、説明の便宜上、同じ部材については、同じ符号を付しその詳細な説明を省略する。
図７に示すように、本実施形態に係る露光ヘッド５０の発光素子アレイ３２は、３つの基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を備えている。第１基板Ｓ１上にはｍ個の有機ＥＬ素子３３をライン状に配列してなる第１グループＧ１が、また、第２基板Ｓ２上にはｍ個の有機ＥＬ素子３３をライン状に配列してなる第２グループＧ２が、さらに、第３基板Ｓ３上にはｍ個の有機ＥＬ素子３３をライン状に配列してなる第３グループＧ３が、それぞれ形成されている。各基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、感光ドラム１６の回転軸方向に沿って、即ち図７中Ｚ矢印方向に沿って互いに連結・離脱可能になっている。そして、各基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が連結されることによって第１グループＧ１、第２グループＧ２、第３グループＧ３に属する各有機ＥＬ素子３３が等ピッチで配置されて１本の発光ライン列５１が形成されるようになっている。
【００５８】
また、各基板Ｓ１〜Ｓ３には、半導体集積回路（以下、「ＩＣ」という）５２，５３，５４が設けられている。ＩＣ５２は、記憶手段としてのメモリ５２ａと、判断手段としてのＣＰＵ５２ｂと、生成手段としての報知信号生成回路５２ｃとを備え、メモリ５２ａには、第１基板Ｓ１上に配列された第１グループＧ１の最大負荷量の累積値が記憶されるよ
うになっている。また、メモリ５２ａには、第１基板Ｓ１上に配列された第１グループＧ１の有機ＥＬ素子３３の許容累積負荷値が記憶され、ＣＰＵ５２ｂは、該許容累積負荷値と、第１グループＧ１の累積値を比較するようになっている。そして、ＣＰＵ５２ｂは累積値が許容累積負荷値以上である場合、報知信号生成回路５２ｃはその旨を報知する報知するための報知信号を生成し、ディスプレイＨに第１グループＧ１を備えた基板Ｓ１の交換を指示する表示がされるようになっている。
【００５９】
同様に、ＩＣ５３は、記憶手段としてのメモリ５３ａと、判断手段としてのＣＰＵ５３ｂと、生成手段としての報知信号生成回路５３ｃとを備え、メモリ５３ａには、第２基板Ｓ２上に配列された第２グループＧ２の最大負荷量の累積値が記憶されるようになっている。また、メモリ５３ａには、第２基板Ｓ２上に配列された第２グループＧ２の有機ＥＬ素子３３の許容累積負荷値の累積値が記憶され、ＣＰＵ５３ｂは、該許容累積負荷値と、累積値とを比較するようになっている。そして、ＣＰＵ５３ｂは、累積値が許容累積負荷値以上である場合、報知信号生成回路５３ｃはその旨を報知する報知するための制御信号を生成し、ディスプレイＨに第２グループＧ２を備えた基板Ｓ２の交換を指示する表示がされるようになっている。
【００６０】
また、同様に、ＩＣ５４は、記憶手段としてのメモリ５４ａと、判断手段としてのＣＰＵ５４ｂと、生成手段としての報知信号生成回路５４ｃとを備え、メモリ５４ａには、第３基板Ｓ３上に配列された第３グループＧ３の最大負荷量の累積値が記憶されるようになっている。また、メモリ５４ａには、第３基板Ｓ３上に配列された第３グループＧ３の有機ＥＬ素子３３の許容累積負荷値が記憶され、ＣＰＵ５４ｂは、該許容累積負荷値と、第３グループＧ３の累積値とを比較するようになっている。そして、累積値が許容累積負荷値以上である場合、報知信号生成回路５４ｃはその旨を報知する報知するための制御信号を生成し、ディスプレイＨに第３グループＧ３を備えた基板Ｓ３の交換を指示する表示がされるようになっている。
【００６１】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、第１グループＧ１の各有機ＥＬ素子３３を第１基板Ｓ１に、第２グループＧ２の各有機ＥＬ素子３３を第２基板Ｓ２に、第３グループＧ３の各有機ＥＬ素子３３を第３基板Ｓ３に配置し、各基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を、それぞれ連結・離脱可能とした。また、各基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３にＩＣ５２，５３，５４を設けた。従って、各グループＧ１〜Ｇ３毎に、新たな有機ＥＬ素子３３を備えたものに簡単に交換することができる。
（第３実施形態）
以下、本発明を具体化した第３実施形態に係る露光ヘッドを図８に従って説明する。この第３実施形態に係る露光ヘッドは、その発光素子アレイ３２の有機ＥＬ素子３３が同一基板Ｓｏ上に配列されるのではなく、異なった３つの基板上に配列されている他は、第１実施形態に係る露光ヘッド２０と同じである。従って、説明の便宜上、同じ部材については、同じ符号を付しその詳細な説明を省略する。
【００６２】
図８に示すように、本実施形態に係る露光ヘッド６０の発光素子アレイ３２は、３つの基板Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６を備え、その第１基板Ｓ４上には、Ｚ矢印方向に沿ってｍ個の有機ＥＬ素子３３をライン状に配列してなる２本のグループＧ１Ａ，Ｇ２Ｂが並設されている。また、第２基板Ｓ５上には、Ｚ矢印方向に沿ってｍ個の有機ＥＬ素子３３をライン状に配列してなる２本のグループＧ２Ａ，Ｇ２Ｂが並設されている。さらに、第３基板Ｓ３上には、Ｚ矢印方向に沿ってｍ個の有機ＥＬ素子３３をライン状に配列してなる２本のグループＧ３Ａ，Ｇ３Ｂが並設されている。
【００６３】
また、各基板Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６は、感光ドラム１６の回転軸方向に沿って、即ち図８中
Ｚ矢印方向に沿って、互いに連結・離脱可能になっている。そして、各基板Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６が連結されることによって第１グループＧ１Ａ、第２グループＧ２Ａ、第３グループＧ３Ａの各有機ＥＬ素子３３が等ピッチで配置されて１本の第１発光ライン列６１Ａが形成される。また、第１グループＧ１Ｂ、第２グループＧ２Ｂ、第３グループＧ３Ｂの各有機ＥＬ素子３３が等ピッチで配置されて１本の第２発光ライン列６１Ｂが形成されるようになっている。
【００６４】
さらに、各基板Ｓ４〜Ｓ６には、半導体集積回路（以下、「ＩＣ」という）６２，６３，６４が設けられている。ＩＣ６２は、記憶手段としてのメモリ６２ａと、判断手段としてのＣＰＵ６２ｂと、生成手段としての報知信号生成回路６２ｃとを備え、メモリ６２ａには、第１基板Ｓ４上に配列された第１グループＧ１Ａの最大負荷量の累積値と、第２グループＧ１Ｂの最大負荷量の累積値とが記憶されるようになっている。また、メモリ６２ａには、第１基板Ｓ４上に配列される各グループＧ１Ａ，Ｇ１Ｂに対する許容累積負荷値が記憶されている。
【００６５】
そして、ＣＰＵ６２ｂは、該許容累積負荷値と、第１発光ライン列６１Ａに属する第１グループＧ１Ａの累積値が許容累積負荷値以上である場合、第２発光ライン列６１Ｂに属する第１グループＧ１Ｂの各有機ＥＬ素子３３に切り替える。また、ＣＰＵ６２ｂは、該許容累積負荷値と、第２発光ライン列６１Ｂに属する第１グループＧ１Ｂの累積値が許容累積負荷値以上である場合、報知信号生成回路６２ｃにオーバーフロー信号を出力する。報知信号生成回路６２ｃはその旨を報知する報知するための報知信号を生成し、ディスプレイＨに基板Ｓ４の交換を指示する表示がされるようになっている。
【００６６】
同様に、ＩＣ６３は、記憶手段としてのメモリ６３ａと、判断手段としてのＣＰＵ６３ｂと、生成手段としての報知信号生成回路６３ｃとを備え、メモリ６３ａには、第２基板Ｓ５上に配列された第２グループＧ２Ａの最大負荷量の累積値と、第２グループＧ２Ｂの最大負荷量の累積値とが記憶されるようになっている。また、メモリ６３ａには、第２基板Ｓ５上に配列される各グループＧ２Ａ，Ｇ２Ｂに対する許容累積負荷値が記憶されている。
【００６７】
そして、ＣＰＵ６２ｂは、該許容累積負荷値と、第１発光ライン列６１Ａに属する第２グループＧ２Ａの累積値とを比較し、累積値が許容累積負荷値以上である場合、第２発光ライン列６１Ｂに属する第２グループＧ２Ｂの各有機ＥＬ素子３３に切り替える。また、ＣＰＵ６３ｂは、該許容累積負荷値と、第２発光ライン列６１Ｂに属する第２グループＧ２Ｂの累積値とを比較し、累積値が許容累積負荷値以上である場合、報知信号生成回路６３ｃにオーバーフロー信号を出力する。報知信号生成回路６３ｃはその旨を報知する報知するための報知信号を生成し、ディスプレイＨに基板Ｓ５の交換を指示する表示がされるようになっている。
【００６８】
また、同様に、ＩＣ６４は、記憶手段としてのメモリ６４ａと、判断手段としてのＣＰＵ６４ｂと、生成手段としての報知信号生成回路６４ｃとを備え、メモリ６４ａには、第３基板Ｓ６上に配列された第３グループＧ３Ａの最大負荷量の累積値と、第３グループＧ３Ｂの最大負荷量の累積値とが記憶されるようになっている。また、メモリ６３ａには、第３基板Ｓ６上に配列される各グループＧ３Ａ，Ｇ３Ｂに対する許容累積負荷値が記憶されている。
【００６９】
そして、ＣＰＵ６４ｂは、該許容累積負荷値と、第１発光ライン列６１Ａに属する第３グループＧ３Ａの累積値とを比較し、累積値が許容累積負荷値以上である場合、第２発光ライン列６１Ｂに属する第３グループＧ３Ｂの各有機ＥＬ素子３３に切り替える。また、ＣＰＵ６４ｂは、該許容累積負荷値と、第２発光ライン列６１Ｂに属する第３グループＧ
３Ｂの累積値とを比較し、累積値が許容累積負荷値以上である場合、報知信号生成回路６４ｃに制御信号を出力する。報知信号生成回路６４ｃはその旨を報知する報知するための報知信号を生成し、ディスプレイＨに基板Ｓ６の交換を指示する表示がされるようになっている。
【００７０】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、露光ヘッド６０の発光素子アレイ３２を、それぞれｍ個の有機ＥＬ素子３３が配列してなる第１グループＧ１Ａ，Ｇ１Ｂが並設された第１基板Ｓ４と、それぞれｍ個の有機ＥＬ素子３３が配列してなる第２グループＧ２Ａ，Ｇ２Ｂとが並設された第２基板Ｓ５と、それぞれｍ個の有機ＥＬ素子３３が配列してなる第３グループＧ３Ａ，Ｇ３Ｂとが並設された第３基板Ｓ６とから構成した。そして、第１〜第３基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を、それぞれ連結・離脱可能とした。
従って、第１グループＧ１Ｂ、第２グループＧ２Ｂ及び第３グループＧ３Ｂのいずれかの累積値が許容累積負荷値の累積値以上となった場合、その許容累積負荷値の累積値以上となったグループＧ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂを配置した基板Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のみを新たな基板と交換する。このようにすることで、露光ヘッド自体を交換することなく、露光ヘッド２０を使用することができる。この結果、露光ヘッドの長寿命化を向上させることができることから、露光ヘッドの省資源化を図ることができる。
【００７１】
尚、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
・上記各実施形態では、各有機ＥＬ素子３３の階調制御を、駆動信号のパルス幅で行うようにし、各有機ＥＬ素子３３に加わる最大負荷量を、一走査期間にて供給される駆動信号のパルス幅のうち最大のパルス幅としていたが、本発明はこれに限定されるものではない。各有機ＥＬ素子３３の階調制御を、駆動信号の波高で行うようにし、一走査期間にて供給される駆動信号の信号強度と発光時間の積分値のうち最大のものを、各有機ＥＬ素子３３に加わる最大負荷量としてもよい。
【００７２】
・上記各実施形態では、機能層３８は、正孔注入層４０ａ、正孔輸送層４０ｂ、発光層４０ｃ、電子輸送層４０ｄ及び電子注入層４０ｅから構成されていたが、本発明はこれに限定されるものではない。機能層３８は、少なくとも発光層４０ｃを備えていればよい。
【００７３】
・上記各実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子３３を使用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の形態を成した発光素子であってもよい。たとえば、発光ダイオードであってもよい。
【００７４】
・上記各実施形態では、光書き込み装置として電子写真方式プリンタ１０に搭載された露光ヘッド２０に具体化したが、本発明はこれに限定されるものではない。要は、発光素子をライン状に備え、各発光素子から出射される光によって画像や文字等を表示させるものであればどんなものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】プリンタの全体構成を説明するための図。
【図２】露光ヘッド及び感光ドラムの斜視図。
【図３】露光ヘッドの構成を説明するための概略断面図。
【図４】第１実施形態に係る発光素子アレイの上面図。
【図５】第１実施形態に係る発光素子アレイの上面図、（ｂ）は、その断面図。
【図６】第１実施形態に係る発光素子アレイの作用を説明するためのフローチャート。
【図７】第２実施形態に係る発光素子アレイの上面図。
【図８】第３実施形態に係る発光素子アレイの上面図。
【符号の説明】
【００７６】
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａ，Ｇ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂ…グループ、Ｓｏ，Ｓ１〜Ｓ６…基板、２０…光書き込み装置としての露光ヘッド、３３…発光素子及びエレクトロルミネッセンス素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、３５Ａ（３５Ｂ），５１，６１Ａ，６１Ｂ…発光ライン列、３７…第１電極としての画素電極、４１Ａ，４１Ｂ…第２電極としての共通電極、４０ｃ…発光層、４２ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａ…記憶手段としてのメモリ、４２ｂ…判断手段としてのＣＰＵ、４２ｃ…生成手段としての報知信号生成回路。
【図１】
2007210104.tif 000003
【図２】
2007210104.tif 000004
【図３】
2007210104.tif 000005
【図４】
2007210104.tif 000006
【図５】
2007210104.tif 000007
【図６】
2007210104.tif 000008
【図７】
2007210104.tif 000009
【図８】
2007210104.tif 000010