(57)【要約】【課題】半導体素子の発熱による温度上昇を防ぐことができ、製造コストの大幅な増加が生じず、特性の低下を防ぐことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１のＮＰＮトランジスタ領域１１にはＮＰＮトランジスタ８が設けられ、アモルファスカーボン膜５がＮＰＮトランジスタ８を覆っている。これにより、ＮＰＮトランジスタ８が発熱しても、ＮＰＮトランジスタ８の熱をアモルファスカーボン膜５を介して装置外へ効率よく排出できるから、ＮＰＮトランジスタ８の発熱による温度上昇を防ぐことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱する半導体素子を含む本体と、
上記本体上に設けられ、上記半導体素子を覆う少なくとも１つのアモルファスカーボン膜と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載した半導体装置において、
上記本体上に設けられたボンディングパッドを備え、
上記アモルファスカーボン膜が上記ボンディングパッドに接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記アモルファスカーボン膜が上記本体の上記アモルファスカーボン膜側の表面のほぼ全部を覆って表面保護膜を兼ねていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記アモルファスカーボン膜上に設けられた表面保護膜を備え、
上記アモルファスカーボン膜が層間絶縁膜を兼ねていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記アモルファスカーボン膜は複数設けられていて、
上記複数のアモルファスカーボン膜のうちの一つが、上記本体の上記アモルファスカーボン膜側の表面のほぼ全部を覆って表面保護膜を兼ね、且つ、
上記複数のアモルファスカーボン膜のうちの他の一つが、上記表面保護膜を兼ねる上記アモルファスカーボン膜と上記本体との間に位置して層間絶縁膜を兼ねていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記本体はシリコンから成り、
上記アモルファスカーボン膜は上記本体に接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
上記本体上に設けられたボンディングパッドにワイヤを接続した後、上記アモルファスカーボン膜を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
上記本体を形成するためのダイシング工程を行う前に、エッチングによってスクライブライン上のアモルファスカーボン膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワートランジスタを内蔵するレギュレータ等の半導体装置では、動作時にパワートランジスタから発生する熱量が大きいため、温度が局所的にまたは全体的に上昇し、回路動作の均等性が崩れてデバイス性能が低下したり、一般的なシリコン半導体装置の動作保証値である１２５〜１５０℃を越えてしまって熱暴走を起こしたりする結果、最悪の場合は熱破壊に至ることがある。
【０００３】
このため、上述の現象の発生を防ぐための方策が様々な方法で実施されている。特に安全な対策として、半導体装置内に温度感知回路を設けて、半導体装置がある設定温度まで上昇すると回路動作を安全回路で停止させる手法がとられている。
【０００４】
しかしながら、上記半導体装置はできるだけ安全回路を動作させずに使用できることが利用者にとって望ましい。
【０００５】
従来、半導体装置の回路動作をできるだけ停止させない対策として、下記の（１）〜（３）が提案されている。
【０００６】
（１）熱伝導率が大きな金属を使用している配線層を利用して、半導体装置で局所的に発生した熱を発生源から半導体装置上面を通して半導体装置外へ運ぶ。
【０００７】
（２）半導体装置の表面保護膜としては一般にポリイミド膜が使用されているが、ポリイミド膜は熱伝導率が悪いため、ポリイミド膜の代わりに、熱伝導率がポリイミド膜に対して比較的大きなシリコン酸化膜を表面保護膜として用いる。
【０００８】
（３）半導体装置の裏面を凹凸状に加工してフレームに接着することにより、半導体装置とフレームとの接触面積を増加させて、半導体装置の放熱性を向上させる。
【０００９】
図５に、上記（２）の対策を施した半導体装置の要部の概略断面図を示す（この半導体装置は、上記（２）の対策を具体的に説明するために便宜上提示するもので、公知技術ではない）。
【００１０】
図５において、１０１は半導体基板、１０２は第１の配線層、１０３は層間絶縁膜、１０４は第２の配線層、１０６はボンディングワイヤ、１０７は表面保護膜、１０８はＮＰＮトランジスタ、１１１はＮＰＮトランジスタ領域、１１２はボンディングパッドである。
【００１１】
上記層間絶縁膜１０３および表面保護膜１０７はシリコン酸化膜から成っている。これにより、ＮＰＮトランジスタ領域１１１で発生した熱は表面保護膜１０７を介して装置外に効率よく排出される。
【００１２】
しかしながら、上記（１）〜（３）にはそれぞれ以下に示すような問題がある。
【００１３】
上記（１）では、熱量運搬を主目的に配線層を形成すると、配線のレイアウトが煩雑となるため、半導体装置のサイズが増大する。また、上記（１）では、熱量運搬のためだけに配線層を形成すると、半導体装置が含む層が増加する。
【００１４】
したがって、上記（１）では製造コストが増加するという問題が生じてしまう。
【００１５】
上記（２）では、シリコン酸化膜はポリイミド膜に比べて熱伝導率は高いが、誘電率も約２倍と大きいため、回路素子に対する寄生効果が大きくなり、高速動作が困難になってしまう。つまり、半導体装置の特性が低下してしまうという問題がある。
【００１６】
上記（３）では、半導体装置の裏面に加工を施すと、半導体装置に割れや欠けが生じ易くなるため、その割れや欠けによる歩留りの低下が発生する頻度が高くなると共に、特殊加工による製造コストの増加が生じるという問題がある。
【００１７】
このため、製造コストの大幅な増加が生じず、特性の低下を防ぐことができる半導体装置の温度上昇対策が求められていた。
【特許文献１】特開平０９−０３６２２６号公報
【特許文献２】特開２０００−１７４２４５号公報
【特許文献３】特開平０９−０９７８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
そこで、本発明の課題は、半導体素子の発熱による温度上昇を防ぐことができ、製造コストの大幅な増加が生じず、特性の低下を防ぐことができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置は、
発熱する半導体素子を含む本体と、
上記本体上に設けられ、上記半導体素子を覆う少なくとも１つのアモルファスカーボン膜と
を備えたことを特徴としている。
【００２０】
上記構成の半導体装置によれば、アモルファスカーボンは、絶縁性が高いうえに、例えばシリコン半導体装置の層間膜や表面保護膜として一般に利用されているシリコン酸化膜やポリイミド膜に比べて熱伝導率が大きい。これは、上記アモルファスカーボンの構造がダイヤモンドに近い強固な共有結合で結ばれていることに起因する。
【００２１】
具体的には、上記アモルファスカーボンの熱伝導率は０．３W／ｃｍＫ以上の値であり、この値は、シリコン酸化膜の熱伝導率が約０．０１W／ｃｍＫ、ポリイミド膜の熱伝導率が約０．００２W／ｃｍＫ程度しかないことに比べて非常に大きい。
【００２２】
したがって、上記アモルファスカーボン膜が半導体素子を覆っていることによって、半導体素子が発熱しても、半導体素子の熱をアモルファスカーボン膜を介して装置外へ効率よく排出できるから、半導体素子の発熱による温度上昇を防ぐことができる。
【００２３】
また、上記アモルファスカーボン膜が半導体素子を覆っていることによって、半導体素子の発熱で温度が局所的に上昇しても、半導体素子の熱を全体的かつ均一的に分布させることができるから、アンバランスなデバイス動作を防止することができる。
【００２４】
また、上記半導体素子の発熱による温度上昇をアモルファスカーボン膜で防げるから、本体の裏面（アモルファスカーボン膜側の面とは反対側の面）を凹凸状に加工しなくてもよく、歩留まりの低下を防ぐことができると共に、製造コストの増加を防ぐことができる。
【００２５】
また、上記アモルファスカーボン膜は例えばシリコン酸化膜に比べて誘電率が低いから、半導体素子に対する寄生効果が小さく、特性の低下を防ぐことができる。
【００２６】
また、上記アモルファスカーボン膜は、半導体素子が設けられたデバイス平面において寄生抵抗が高い部分を覆うように設けてもよい。
【００２７】
一実施形態の半導体装置では、
上記本体上に設けられたボンディングパッドを備え、
上記アモルファスカーボン膜が上記ボンディングパッドに接続している。
【００２８】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記アモルファスカーボン膜がボンディングパッドに接続しているから、半導体素子の熱がアモルファスカーボン膜を介してボンディングパッドに至ることが容易となり、半導体素子の熱をボンディングパッドを介して装置外へ効率よく排出できるから、放熱性を高めることができる。
【００２９】
一実施形態の半導体装置では、
上記アモルファスカーボン膜が上記本体の上記アモルファスカーボン膜側の表面のほぼ全部を覆って表面保護膜を兼ねている。
【００３０】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記アモルファスカーボン膜が本体のアモルファスカーボン膜側の表面のほぼ全部を覆って表面保護膜を兼ねているから、アモルファスカーボン膜とは別に表面保護膜を設けなくてもよく、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００３１】
また、上記アモルファスカーボン膜は、硬度が高くて耐食性が良好であるから、表面保護膜として十分機能する。
【００３２】
一実施形態の半導体装置では、
上記アモルファスカーボン膜上に設けられた表面保護膜を備え、
上記アモルファスカーボン膜が層間絶縁膜を兼ねている。
【００３３】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記アモルファスカーボン膜が層間絶縁膜を兼ねているから、アモルファスカーボン膜とは別に層間絶縁膜を設けなくてもよく、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００３４】
一実施形態の半導体装置では、
上記アモルファスカーボン膜は複数設けられていて、
上記複数のアモルファスカーボン膜のうちの一つが、上記本体の上記アモルファスカーボン膜側の表面のほぼ全部を覆って表面保護膜を兼ね、且つ、
上記複数のアモルファスカーボン膜のうちの他の一つが、上記表面保護膜を兼ねる上記アモルファスカーボン膜と上記本体との間に位置して層間絶縁膜を兼ねている。
【００３５】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記アモルファスカーボン膜は複数設けられているから、放熱効果を高めることができる。
【００３６】
また、上記複数のアモルファスカーボン膜のうちの一つが、本体のアモルファスカーボン膜側の表面のほぼ全部を覆って表面保護膜を兼ねているから、アモルファスカーボン膜とは別に表面保護膜を設けなくてもよく、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００３７】
また、上記複数のアモルファスカーボン膜のうちの他の一つが、表面保護膜を兼ねる上記アモルファスカーボン膜と本体との間に位置して層間絶縁膜を兼ねているから、アモルファスカーボン膜とは別に層間絶縁膜を設けなくてもよく、製造コストの上昇をさらに抑えることができる。
【００３８】
一実施形態の半導体装置では、
上記本体はシリコンから成り、
上記アモルファスカーボン膜は上記本体に接触している。
【００３９】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記アモルファスカーボン膜は本体に接触しているから、本体の熱をアモルファスカーボン膜を介して装置外へ効率よく放出することができる。
【００４０】
また、上記本体とアモルファスカーボン膜との間に他の膜がある場合、その他の膜に本体に達する開口部を形成した後、アモルファスカーボン膜を形成すれば、アモルファスカーボン膜を本体に容易に接触させることができる。
【００４１】
本発明の半導体装置の製造方法は、
本発明の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
上記本体上に設けられたボンディングパッドにワイヤを接続した後、上記アモルファスカーボン膜を設けることを特徴としている。
【００４２】
上記構成の半導体装置の製造方法によれば、上記本体上に設けられたボンディングパッドにワイヤボンドを行った後、アモルファスカーボン膜を設けるから、ワイヤのボンディングパッド側の端部をアモルファスカーボン膜で覆って、アモルファスカーボン膜をワイヤに接続することができる。
【００４３】
したがって、上記半導体素子の熱がアモルファスカーボン膜を介してワイヤに至ることが容易となり、半導体素子の熱をワイヤを介して装置外へ効率よく排出できるから、放熱性を高めることができる。
【００４４】
本発明の半導体装置の製造方法は、
本発明の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
上記本体を形成するためのダイシング工程を行う前に、エッチングによってスクライブライン上のアモルファスカーボン膜を除去することを特徴としている。
【００４５】
上記構成の半導体装置の製造方法によれば、上記本体を形成するためのダイシング工程を行う前に、エッチングによってスクライブライン上のアモルファスカーボン膜を除去するから、ダイシング工程においてダイシングブレードが硬いアモルファスカーボン膜を切断することが無くなるから、ダイシングブレードの寿命が短くなるのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明の半導体装置によれば、アモルファスカーボン膜が半導体素子を覆っていることによって、半導体素子が発熱しても、半導体素子の熱をアモルファスカーボン膜を介して装置外へ効率よく排出できるから、半導体素子の発熱による温度上昇を防ぐことができる。
【００４７】
また、上記アモルファスカーボン膜が半導体素子を覆っていることによって、半導体素子の発熱で温度が局所的に上昇しても、半導体素子の熱を全体的かつ均一的に分布させることができるから、アンバランスなデバイス動作を防止することができる。
【００４８】
また、上記半導体素子の発熱による温度上昇をアモルファスカーボン膜で防げるから、本体の裏面（アモルファスカーボン膜側の面とは反対側の面）を凹凸状に加工しなくてもよく、歩留まりの低下を防ぐことができると共に、製造コストの増加を防ぐことができる。
【００４９】
また、本発明の半導体装置の構造を用いることによって、パワーデバイス等を含む回路素子が形成された半導体集積回路においても、内部のデバイスから局所的に発生した熱量をチップに均一に分布させたり、またチップ外に効率よく排出することで温度上昇を低減することが可能となる。これにより、上記半導体集積回路において、回路動作時の発熱によるチップの温度上昇により誤動作等の問題が発生するのを防ぎ、許容電流値が低く制限されるのを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下、本発明の半導体装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００５１】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態の半導体装置の要部の概略断面図を示す。
【００５２】
上記半導体装置は、本体の一例としてのチップ形状の半導体基板１と、この半導体基板１上に設けられた層間絶縁膜３と、この層間絶縁膜３上に設けられたアモルファスカーボン膜５とを備えている。
【００５３】
上記半導体基板１はシリコンから成っている。また、上記半導体基板１には、ＮＰＮトランジスタ領域１１と、このＮＰＮトランジスタ領域１１に隣接するボンディングパッド領域１２とが設けられている。このＮＰＮトランジスタ領域１１には半導体素子の一例としてのＮＰＮトランジスタ８が設けられている。つまり、上記ＮＰＮトランジスタ領域１１がＮＰＮトランジスタ８を含んでいる。
【００５４】
上記ＮＰＮトランジスタ８は、Ｎ型コレクタ補償拡散領域８１、Ｎ型埋込み層８２、Ｎ型エピタキシャル層８３、Ｐ型ベース領域８４およびＮ型エミッタ領域８５から成っている。このＮ型コレクタ補償拡散領域８１、Ｎ型埋込み層８２、Ｎ型エピタキシャル層８３、Ｐ型ベース領域８４およびＮ型エミッタ領域８５の形成は、エピタキシャル成長法とイオン注入法とを用いて行う。
【００５５】
上記層間絶縁膜３は、第１の層間絶縁膜３１と、この第１の層間絶縁膜３１上に設けられた第２の層間絶縁膜３２と、この第２の層間絶縁膜３２上に設けられた第３の層間絶縁膜３３とで構成されている。この第１の層間絶縁膜３１、第２の層間絶縁膜３２および第３の層間絶縁膜３３はシリコン酸化膜から成っている。
【００５６】
上記第１，第２の層間絶縁膜２１，２２には、コレクタ補償拡散領域８１に接続するコンタクトホールと、ベース領域８４に接続するコンタクトホールと、エミッタ領域８５に接続するコンタクトホールとが設けられている。これらのコンタクホールは第１の配線層２の一部が充填されている。これにより、上記ＮＰＮトランジスタ８に対して第１の配線層２が電気的に接続されている。また、上記第１の配線層２は金属から成っている。
【００５７】
上記ボンディングパッド領域１２上には第１の配線層２の一部が位置し、この一部上には第２の配線層４が設けられている。この第２の配線層４の上面（半導体基板１側の面とは反対側の面）にはボンディングワイヤ６が接続され、第２の配線層４の縁部にはアモルファスカーボン膜５が接続されている。また、上記第２の配線層４は金属から成っている。なお、上記第２の配線層４はボンディングパッドの一例である。
【００５８】
上記アモルファスカーボン膜５はＮＰＮトランジスタ８を覆うように設けられている。つまり、上記アモルファスカーボン膜５はＮＰＮトランジスタ８の上方に位置する部分を有している。また、上記アモルファスカーボン膜５は表面保護膜を兼ねている。
【００５９】
上記構成の半導体装置によれば、アモルファスカーボン膜５がＮＰＮトランジスタ８を覆っていることによって、ＮＰＮトランジスタ８が発熱しても、ＮＰＮトランジスタ８の熱をアモルファスカーボン膜５を介して装置外へ効率よく排出できるから、ＮＰＮトランジスタ８の発熱による温度上昇を防ぐことができる。
【００６０】
また、上記アモルファスカーボン膜５がＮＰＮトランジスタ８を覆っていることによって、ＮＰＮトランジスタ８の発熱で温度が局所的に上昇しても、ＮＰＮトランジスタ８の熱を全体的かつ均一的に分布させることができるから、アンバランスなデバイス動作を防止することができる。
【００６１】
また、上記ＮＰＮトランジスタ８の発熱による温度上昇をアモルファスカーボン膜５で防げるから、半導体基板１の裏面（アモルファスカーボン膜５側の面とは反対側の面）を凹凸状に加工しなくてもよく、歩留まりの低下を防ぐことができると共に、製造コストの増加を防ぐことができる。
【００６２】
また、上記アモルファスカーボン膜５は例えばシリコン酸化膜に比べて誘電率が低いから、ＮＰＮトランジスタ８に対する寄生効果が小さく、特性の低下を防ぐことができる。
【００６３】
また、上記アモルファスカーボン膜５が第２の配線層４に接続しているから、ＮＰＮトランジスタ８の熱がアモルファスカーボン膜５を介して第２の配線層４に容易に伝わる結果、第２の配線層４からもＮＰＮトランジスタ８の熱を排出できるから、放熱性を高めることができる。
【００６４】
また、上記第２の配線層４にボンディングワイヤ６が接続されているから、ボンディングワイヤ６によってもＮＰＮトランジスタ８の熱を装置外へ排出できる。
【００６５】
また、上記アモルファスカーボン膜５が表面保護膜を兼ねているから、アモルファスカーボン膜５とは別に表面保護膜を設けなくてもよく、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００６６】
（第２実施形態）
図２に、本発明の第２実施形態の半導体装置の要部の概略断面図を示す。また、図２において、図１に示した上記第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００６７】
上記半導体装置は、層間絶縁膜３および第２の配線層４上に設けられたアモルファスカーボン膜２０５を備えている。
【００６８】
上記アモルファスカーボン膜２０５は第２の配線層４の上面に直接接している。また、上記アモルファスカーボン膜２０５はボンディングワイヤ６６の半導体基板１側の端部に直接広い面積で接している。そして、上記アモルファスカーボン膜２０５は、半導体基板１の表面（ボンディングワイヤ６側の面）のほぼ全部を覆って表面保護膜を兼ねている。このようなアモルファスカーボン膜２０５を形成するために、アモルファスカーボン膜２０５の形成はワイヤボンディング後に行っている。つまり、上記第２の配線層４にボンディングワイヤ６を接続した後、アモルファスカーボン膜２０５を形成している。
【００６９】
上記構成の半導体装置によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、アモルファスカーボン膜２０５がボンディングワイヤ６６の半導体基板１側の端部に直接広い面積で接しているから、ボンディングワイヤ６によってＮＰＮトランジスタ８の熱を効率よく装置外へ排出することができる。
【００７０】
（第３実施形態）
図３に、本発明の第３実施形態の半導体装置の要部の概略断面図を示す。また、図３において、図１に示した上記第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００７１】
上記半導体装置は、第２の層間絶縁膜３２上に設けられたアモルファスカーボン膜３３３と、このアモルファスカーボン膜３３３上に設けられ、シリコン酸化膜から成る表面保護膜３０５とを備えている。
【００７２】
上記アモルファスカーボン膜３３３は、半導体基板１と表面保護膜３０５との間に位置して層間絶縁膜を兼ねている。
【００７３】
上記構成の半導体装置によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、アモルファスカーボン膜３３３が層間絶縁膜を兼ねるから、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００７４】
（第４実施形態）
図４に、本発明の第４実施形態の半導体装置の要部の概略断面図を示す。また、図４において、図３に示した上記第３実施形態の構成部と同一構成部は、図３における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００７５】
上記半導体装置は、第１の層間絶縁膜４３１、第２の層間絶縁膜４３２およびアモルファスカーボン膜４３３で構成された層間絶縁膜４０３を備えている。
【００７６】
上記第１，第２の層間絶縁膜４３１，４３２はシリコン酸化膜で成っている。一方、上記アモルファスカーボン膜４３３は、第１，第２の層間絶縁膜４３１，４３２に設けられた開口部を介して半導体基板１に直接接している。
【００７７】
また、上記アモルファスカーボン膜４３３上には、シリコン酸化膜からなる表面保護膜４０５が設けられている。
【００７８】
上記構成の半導体装置によれば、上記第３実施形態と同様の効果を奏すると共に、
アモルファスカーボン膜４３３が半導体基板１に直接接しているから、半導体基板１の熱をアモルファスカーボン膜４３３を介して装置外へ効率よく放出することができる。
【００７９】
上記第１〜第５実施形態では、アモルファスカーボン膜を１層設けているだけであったが、アモルファスカーボン膜を複数層設けてもよい。
【００８０】
本発明が上記第１〜第５実施形態に限定されるものではないのは言うまでもない。
【００８１】
また、上記第１〜第５実施形態を適宜組み合わせたものを本発明の一実施の形態としてもよい。例えば、上記第１実施形態と上記第３実施形態とを組み合わせてもよい。具体的には、上記第３実施形態において、表面保護膜３０５を上記第１実施形態のアモルファスカーボン膜５に変更してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態の要部の概略断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態の要部の概略断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態の要部の概略断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態の要部の概略断面図である。
【図５】従来技術を説明するための半導体装置の要部の概略断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１・・・半導体基板
２・・・第１の配線層
３・・・層間絶縁膜
４・・・第２の配線層
５・・・アモルファスカーボン膜
６・・・ボンディングワイヤ
７・・・表面保護膜
８・・・ＮＰＮトランジスタ
１１・・・ＮＰＮトランジスタ領域
１２・・・ボンディングパッド領域
２０５・・・アモルファスカーボン膜
３３３・・・アモルファスカーボン膜
４３３・・・アモルファスカーボン膜
【図１】
2007281339.tif 000003
【図２】
2007281339.tif 000004
【図３】
2007281339.tif 000005
【図４】
2007281339.tif 000006
【図５】
2007281339.tif 000007