(57)【要約】【課題】ＬＳＩチップ上に異物が付着することを回避し、ＬＳＩチップの品質向上に資すること。【解決手段】本発明は、ＬＳＩチップ１８上に異物２０が付着することを回避する装置であって、複数のＬＳＩチップ１８（＃１，＃２，＃３）に対して連続的に処理がなされる場合、当該処理がなされる対象ＬＳＩチップ１８（＃３）以外のＬＳＩチップ１８（＃１、＃２）の表面を覆うカバー４０を備えた異物付着回避装置である。【選択図】図１
2007043021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＳＩチップ上に異物が付着することを回避する方法であって、
複数のＬＳＩチップに対して連続的に処理がなされる場合、当該処理がなされる対象ＬＳＩチップ以外のＬＳＩチップの表面をカバーで覆い、しかる後に前記対象ＬＳＩチップに対して前記処理を行うようにした異物付着回避方法。
【請求項２】
ＬＳＩチップに対してなされる処理の処理位置における異物を除去する方法であって、
複数のＬＳＩチップに対して前記処理がなされる場合、当該処理がなされる直前の前記処理位置を、前記複数のＬＳＩチップが配置されていない方向に向けてブローすることにより、前記処理位置に存在する異物を除去するようにした異物除去方法。
【請求項３】
ＬＳＩチップ上に異物が付着することを回避する装置であって、
複数のＬＳＩチップに対して連続的に処理がなされる場合、当該処理がなされる対象ＬＳＩチップ以外のＬＳＩチップの表面を覆うカバーを備えた異物付着回避装置。
【請求項４】
ＬＳＩチップに対してなされる処理の処理位置における異物を除去する装置であって、
複数のＬＳＩチップに対して前記処理がなされる場合、当該処理がなされる直前の前記処理位置を、前記複数のＬＳＩチップが配置されていない方向に向けてブローすることにより、前記処理位置に存在する異物を除去するブロー手段を備えた異物除去装置。
【請求項５】
請求項４に記載の異物除去装置において、
前記ＬＳＩチップを取り扱う機器を監視する監視手段を更に備えた異物除去装置。
【請求項６】
請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つを備えたＬＳＩチップ実装用のボンディング装置。
【請求項７】
ＬＳＩチップと配線基板とによって挟まれた空間である封止位置を封止する封止装置であって、
請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つ備え、封止処理前の封止位置における異物の付着の回避もしくは異物の除去を行った後に、この封止位置を封止するようにした封止装置。
【請求項８】
請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つを備え、異物の付着の回避もしくは異物の除去を行った後に前記処理がなされたＬＳＩチップが、良品であるか不良品であるかを選別する選別装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばボンディング等の処理がＬＳＩチップに対してなされた場合に発生する異物が、他のＬＳＩチップに付着することを回避する方法及び装置、所定の処理が行われる前に、処理がなされる位置から異物を除去する方法及び装置、このような異物付着回避装置又は異物除去装置を備えたボンディング装置、このような異物除去装置を備えた封止装置及び選別装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶に絵や文字を表示するための電子部品にＣＯＦ(Chip On Film)と呼ばれるものがある。このＣＯＦは、フィルム基板上に形成された微細な配線回路へＬＳＩチップをボンディングして形成される。ボンディングでは、ＬＳＩチップが具備している金バンプと、前記微細な配線回路の表面に形成された錫めっきとが、熱と圧力とによって共晶合金化される現象を利用している。
【０００３】
図６内に示すボンディング装置１０は、その熱と圧力、更には±３μｍ（±３×１０−６ｍ）の位置合わせを実現する装置である。従って、ボンディング装置１０は、ＣＯＦの生産のためには必要不可欠な装置である（特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開平７−１４７３００号公報
【特許文献２】特開２００５−５３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
金バンプを具備したＬＳＩチップと、フィルム基板上の配線回路の表面に形成された錫めっきとのボンディング（接合）は、図６に示すようなボンディング装置１０のボンディングツール１２によって実施される。しかしながら、図７（ａ）に示すように、フィルム基板１４の回路形成面１６が天井へ面しているために、図７（ｂ）に示すように、フィルム基板１４の回路形成面１６上の配線回路とＬＳＩチップ１８（＃３）とのボンディング時に、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すように、ＬＳＩチップ１８（＃３）の材料であるシリコン（Ｓｉ）の微細片からなる異物２０が、フィルム基板１４上の次のＬＳＩチップがボンディングされる場所２２に溜まる恐れがある。
【０００５】
このように異物２０が存在する状態で、図７（ｅ）及び図７（ｆ）に示すようにボンディングツール１２によって次のＬＳＩチップ１８（＃４）がフィルム基板１４上にボンディングされると、ＬＳＩチップ１８（＃４）の表面にアルミ等で幅１μｍ程度に形成された電気回路が異物２０によって破壊され、ＬＳＩチップ１８（＃４）が機能不全になる恐れがある。
【０００６】
また、ダイシング後のＬＳＩチップ１８は、図８に示すように、円盤状のダイシングテープ２４上に、一個ずつ個別に多数のＬＳＩチップ１８が規則的に配置された状態となっている。したがって、図６に示す装置は、このように多数のＬＳＩチップ１８が配置された円盤状のダイシングテープ２４からＬＳＩチップ１８を一個ずつピックアップするためのピックアップ装置３０を備えている。
【０００７】
ピックアップ装置３０では、ウェハをダイシングテープに張り合わせ所定のチップサイズにダイシング（分割）した後、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、ピックアップするＬＳＩチップ１８を突き上げ針３４によって下方から上方に突き上げるとともに、コレット３２と呼ばれる吸着装置を用いて上方に吸い上げることによって、所望のＬＳＩチップ１８を一個ずつピックアップする。
【０００８】
コレット３２は、図１１に示すように、コレットホルダ３３ａとゴムコレット３３ｂとコレット支持体３３ｃからなる。コレットホルダ３３ａは、ステンレス等の金属で形成された突起部３８を有している。また、突起部３８の先端には、ゴムコレット３３ｂを被せている。突起部３８は中心軸に沿って吸引経路３９ａが設けられた形状をしており、ゴムコレット３３ｂは、例えば耐熱性の硫化ゴム等の軟質材料によって形成されている。この吸引経路３９ａは、コレット支持体３３ｃに設けられた吸引経路３９ｂと連通している。
【０００９】
コレット３２は、このようにしてＬＳＩチップ１８をピックアップすると、図９（ｄ）に示すように上下反転した後に、図６中に示す経路Ｐに沿って移動し、図９（ｅ）及び図９（ｆ）に示すようにボンディングツール１２にＬＳＩチップ１８を渡し、吸着動作を停止する。その後は、ピックアップ装置３０からボンディングツール１２に次のＬＳＩチップ１８を移送するために、図９（ｇ）に示すように、図６中に示す経路Ｐを逆行することによって、ピックアップ装置３０側に戻る。
【００１０】
上述したように、ＬＳＩチップ１８は、ピックアップ装置３０のコレット３２によるピックアップを経た後に、ボンディングツール１２に供給される。したがって、異物２０は、ボンディングツール１２によるボンディング時に発生するのみならず、移送時において発生する場合も考えられる。
【００１１】
ＬＳＩチップ１８は例えば図１０に示すような直方体形状をしているが、ピックアップ装置３０によるダイシング時に、隅部３６あるいは稜線部３７からのＳｉ片５０が飛び散り、その飛散片が異物２０となってＬＳＩチップ１８の表面に付着する恐れがある。
【００１２】
また、このように異物２０が付着したＬＳＩチップ１８をコレット３２が吸着することによって、コレット３２のゴムコレット表面３８にもこの異物２０が付着する恐れがある。図１１
特にゴムコレット３３ｂは、前述したような軟質材料のために、ゴムコレット３３ｂの先端面あるいは先端面から浅い部分に異物２０が付着しやすい。
【００１３】
従って、ボンディングツール１２によるボンディング時のみならず、ＬＳＩチップ１８がコレット３２によって吸着され、移送されている間に、既にＬＳＩチップ１８の表面の電気回路が異物２０によって破壊され、ボンディングツール１２によってボンディングされる以前にＬＳＩチップ１８が機能不全になっている恐れもある。
【００１４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、ＬＳＩチップ上の異物の除去、またはその付着の回避を行い、ＬＳＩチップの品質向上に資することが可能な方法及び装置を提供することにある。
【００１５】
また、その第２の目的は、このような装置を備えることによって、ＬＳＩチップの品質の向上を図ることが可能なボンディング装置、封止装置、選別装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明では、以下のような手段を講じる。
【００１７】
すなわち、請求項１の発明は、ＬＳＩチップ上に異物が付着することを回避する方法であって、複数のＬＳＩチップに対して連続的に処理がなされる場合、当該処理がなされる対象ＬＳＩチップ以外のＬＳＩチップの表面をカバーで覆い、しかる後に前記対象ＬＳＩチップに対して前記処理を行うようにした異物付着回避方法である。
【００１８】
従って、請求項１の発明の異物付着回避方法においては、以上のような手段を講じることにより、例えば回路形成面へのＬＳＩチップのボンディング等の処理を行う前に、当該処理がなされる対象ＬＳＩチップ以外のＬＳＩチップの表面をカバーで覆い、しかる後に前記処理を行う。これによって、例えばボンディング処理がなされたときに発生する異物が、他のＬＳＩチップに付着することや、回路形成面に付着することを回避することができる。
【００１９】
また、請求項２の発明は、ＬＳＩチップに対してなされる処理の処理位置における異物を除去する方法であって、複数のＬＳＩチップに対して前記処理がなされる場合、当該処理がなされる直前の前記処理位置を、前記複数のＬＳＩチップが配置されていない方向に向けてブローすることにより、前記処理位置に存在する異物を除去するようにした異物除去方法である。
【００２０】
従って、請求項２の発明の異物除去方法においては、以上のような手段を講じることにより、例えばＬＳＩチップの封止処理を行う場合には、封止処理する位置をブローすることによって、ここから異物を封止処理前に除去することができる。また、例えばボンディングする前の回路形成面をブローすることによって、前のＬＳＩチップのボンディング時に発生した異物をボンディング処理前に除去することができる。このとき異物は、ＬＳＩチップが配置されていない方向に飛散するので、他のＬＳＩチップ上に移動することも阻止することができる。
【００２１】
請求項３の発明は、ＬＳＩチップ上の異物を除去する装置であって、複数のＬＳＩチップに対して連続的に処理がなされる場合、当該処理がなされる対象ＬＳＩチップ以外のＬＳＩチップの表面を覆うカバーを備えた異物付着回避装置である。
【００２２】
従って、請求項３の発明の異物付着回避装置においては、以上のような手段を講じることにより、例えば回路形成面へのＬＳＩチップのボンディング等の処理を行う前に、当該処理がなされる対象ＬＳＩチップ以外のＬＳＩチップの表面をカバーで覆い、しかる後に前記処理を行う。これによって、例えばボンディング処理がなされたときに発生する異物が、他のＬＳＩチップや、回路形成面に付着することを回避することができる。
【００２３】
請求項４の発明は、ＬＳＩチップ上の異物を除去する装置であって、複数のＬＳＩチップに対して連続的に処理がなされる場合、当該処理がなされる直前の処理位置を、前記複数のＬＳＩチップが配置されていない方向に向けてブローすることにより、ＬＳＩチップ上の異物を除去するブロー手段を備えた異物除去装置である。
【００２４】
従って、請求項４の発明の異物除去装置においては、以上のような手段を講じることにより、例えばＬＳＩチップの封止処理を行う場合には、封止処理する位置をブローすることによって、ここから封止処理前に異物を除去することができる。また、例えばボンディングする前の回路形成面をブローすることによって、前のＬＳＩチップのボンディング時に発生した異物をボンディング処理前に除去することができる。このとき異物は、ＬＳＩチップが配置されていない方向に飛散するので、他のＬＳＩチップ上に移動することも阻止することができる。
【００２５】
更に、請求項５の発明は、請求項４に記載の異物除去装置において、ＬＳＩチップを取り扱う機器を監視する監視手段を更に備える。
【００２６】
従って、請求項５の発明の異物除去装置においては、以上のように、カメラや顕微鏡等である監視手段を用いることにより、例えばピックアップ処理の場合、コレット３２や突き上げ針３４のような機器に異物が付着していることを確認することができる。これにより、異物が付着していることが確認された場合には、直ちにこの異物を除去するような対策を講じることができるようになるために、異物によるＬＳＩチップの破損を回避し、もって、ＬＳＩチップの製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００２７】
また、請求項６の発明は、請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つを備えたＬＳＩチップ実装用のボンディング装置である。
【００２８】
従って、請求項６の発明のボンディング装置は、請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つを備えているので、ボンディング時に発生する異物が、ＬＳＩチップを取り扱う機器や、ＬＳＩチップの表面に付着しないようにしたり、付着した異物を除去することができるので、異物によるＬＳＩチップの破損を回避し、もって、ＬＳＩチップの製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００２９】
請求項７の発明は、ＬＳＩチップと配線基板とによって挟まれた空間である封止位置を封止する封止装置であって、請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つ備え、、封止処理前の封止位置における異物の付着の回避もしくは異物の除去を行った後に、この封止位置を封止する。
【００３０】
従って、請求項７の発明の封止装置は、請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つ備えているので、封止処理する前に、封止位置に異物が付着することを回避したり、付着した異物を除去することができるので、異物によるＬＳＩチップの破損を回避し、もって、ＬＳＩチップの製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００３１】
請求項８の発明は、請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つを備え、異物の付着の回避もしくは異物の除去を行った後に前記処理がなされたＬＳＩチップが、良品であるか不良品であるかを選別する選別装置である。
【００３２】
従って、請求項８の発明の選別装置は、請求項３に記載の異物付着回避装置、請求項４に記載の異物除去装置、及び請求項５に記載の異物除去装置のうち少なくとも１つを備えているので、選別処理する前に、ＬＳＩチップの表面への異物の付着の回避、もしくは付着した異物の除去を行うことができるので、異物によるＬＳＩチップの破損を回避し、もって、ＬＳＩチップの製造品質の向上を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、ＬＳＩチップ上の異物の除去、またはその付着の回避を行い、ＬＳＩチップの品質向上に資することが可能な方法及び装置を実現することができる。
【００３４】
また、このような装置を備えることによって、ＬＳＩチップの品質の向上を図ることが可能なボンディング装置、封止装置、選別装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３６】
なお、以下の各形態の説明に用いる図中の符号は、図６乃至図１１と同一部分については同一符号を付して示すことにする。
【００３７】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る異物付着回避方法は、ＬＳＩチップ上に異物が付着することを回避する方法であって、複数のＬＳＩチップに対して、例えばボンディング処理のような処理が連続的になされる場合、処理がなされる対象ＬＳＩチップ以外のＬＳＩチップの表面をカバーで覆い、しかる後に前記対象ＬＳＩチップに対して前記処理を行う。
【００３８】
このような異物付着回避方法を適用した異物付着回避装置の一例を図１の概念図を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る異物付着回避装置をボンディング装置に適用した例を示している。
【００３９】
すなわち、本実施の形態に係る異物付着回避装置をボンディング装置に適用した場合、図１（ａ）に示すように、ボンディング処理を行う前に、少なくとも、ボンディング処理がなされる対象ＬＳＩチップ１８（＃３）以外のＬＳＩチップ１８（＃１，＃２）の表面およびフィルム基板１４上のＬＳＩチップ１８がまだボンディングされていない回路形成面１６の表面をカバー４０で覆っている。
【００４０】
カバー４０は、帯電しない材料が好ましく、制電性のＳＵＳ等の金属や、アクリルなどからなり、厚みは例えば３ｍｍである。
【００４１】
図１（ｂ）に示すように、このようにカバー４０で覆った状態でボンディング処理を行うことによって、図１（ｃ）に示すように、ボンディング処理がなされたときに発生する異物２０が、他のＬＳＩチップ１８（＃１，＃２）や、回路形成面１６に付着しないようにしている。
【００４２】
そして、次のＬＳＩチップ１８をボンディングする場合には、カバー４０の開口部４２を別のＬＳＩチップ１８をボンディングする場所に移動させ、しかる後に図１（ａ）から図１（ｃ）に示す手順と同様にボンディング処理を行う。
【００４３】
これを繰り返してボンディング処理することによって、ボンディング処理がなされたときに発生する異物２０が、他のＬＳＩチップ１８や回路形成面１６へ付着することを回避しながら、フィルム基板１４上にＬＳＩチップ１８をボンディングする。
【００４４】
上述したように、本実施の形態に係る異物付着回避装置によれば、処理が行われる位置以外がカバー４０によって覆われることにより、処理によって発生する異物２０はカバー４０の上に飛散し、処理済のＬＳＩチップ１８や回路形成面１６上に付着することを回避することができる。
【００４５】
例えば、本実施の形態に係る異物付着回避装置を、ボンディング装置１０に備えることによって、このボンディング装置１０が、フィルム基板１４の回路形成面１６にＬＳＩチップ１８をボンディングする場合、未だＬＳＩチップ１８がボンディングされていない回路形成面１６や、既に回路形成面１６にボンディングされたＬＳＩチップ１８（＃１，＃２）の表面は、カバー４０によって遮られている。したがって、ボンディング処理時に発生する異物２０が、未だＬＳＩチップ１８がボンディングされていない回路形成面１６や、既に回路形成面１６にボンディングされたＬＳＩチップ１８（＃１，＃２）の表面に付着することを回避することが可能となる。
【００４６】
その結果、異物２０によるＬＳＩチップ１８の破損を回避し、もって、ＬＳＩチップ１８の製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００４７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る異物除去方法は、ＬＳＩチップ１８に対してなされる処理の処理位置における異物２０を除去する方法であって、複数のＬＳＩチップ１８に対して前記処理がなされる場合、当該処理がなされる直前の前記処理位置を、前記複数のＬＳＩチップが配置されていない方向に向けてブローすることにより、前記処理位置に存在する異物を除去する。このような異物除去方法を適用した異物除去装置の例を説明する。本実施の形態に係る異物除去装置は、空気等の気体をブローするブロー手段４４を備えている。
【００４８】
図２は、このような本実施の形態に係る異物除去装置をボンディング装置１０に適用した例を示している。
【００４９】
このような本実施の形態に係る異物除去装置をボンディング装置１０に適用した場合、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、フィルム基板１４の回路形成面１６にＬＳＩチップ１８（＃３）をボンディングすると、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、ＬＳＩチップ１８（＃３）の材料であるシリコン（Ｓｉ）の微細片からなる異物２０が、フィルム基板１４上の次のＬＳＩチップ１８（＃４）がボンディングされる場所４６に溜まる。
【００５０】
そして、次のＬＳＩチップ１８（＃４）をボンディングする場合には、図２（ｅ）に示すように、ブロー手段４４から空気等の気体をこの場所４６にブローすることによって、この場所４６に溜まっていた異物２０を除去する。このとき、ブロー手段４４は、既にボンディングされたＬＳＩチップ（＃１，＃２，＃３）が配置された側から、まだＬＳＩチップ１８がボンディングされていない側に向けて気体をブローする。これによって、異物２０は、図２（ｅ）中に示す方向Ｆに向かって飛散する。
【００５１】
このようにして異物２０を除去した後に、図２（ｆ）及び図２（ｇ）に示すように、次のＬＳＩチップ１８（＃４）のボンディングを行う。
【００５２】
これを繰り返すことによって、ボンディング処理がなされたときに発生する異物２０が、他のＬＳＩチップ１８へ付着することを回避しながら、フィルム基板１４上にＬＳＩチップ１８をボンディングする。
【００５３】
上述したように、本実施の形態に係る異物除去装置によれば、ＬＳＩチップ１８をボンディングする位置における異物２０を除去してからＬＳＩチップ１８をボンディングすることができるので、ＬＳＩチップ１８を異物２０ともどもボンディングしてしまうようなことを回避することができる。また、除去された異物２０は、既にボンディングされたＬＳＩチップ１８とは逆の方向、すなわちＬＳＩチップ１８が配置されていない方向Ｆに飛散するので、飛散した異物２０が処理済のＬＳＩチップ１８や、回路形成面１６上に付着することを回避することが可能となる。
【００５４】
その結果、異物２０によるＬＳＩチップ１８の破損を回避し、もって、ＬＳＩチップ１８の製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００５５】
上述したような本実施の形態に係る異物除去装置は、ボンディング装置１０に限らず、ＬＳＩチップ１８と、配線基板とによって挟まれて形成された空間である封止位置を封止する封止装置、複数のＬＳＩチップが配置されたダイシングテープ２４あるいはチップトレイからＬＳＩチップ１８を一個ずつ取り出すピックアップ装置３０、または、ピックアップ装置３０によって取り出されたＬＳＩチップ１８の良／不良選別を行う選別装置に適用することも可能である。
【００５６】
本実施の形態に係る異物除去装置を封止装置に適用した場合には、封止位置を、封止前にブロー手段４４によってブローすることによって、封止位置に存在していた異物２０を飛散させ、予め除去してから封止処理を行うようにする。このとき、既に封止処理が行われたＬＳＩチップ１８が配置されている側から、未だに封止処理が行われていないＬＳＩチップ１８側に向けてブローすることによって、飛散した異物２０が封止処理済のＬＳＩチップ１８に付着することを回避することができる。その結果、異物２０によるＬＳＩチップ１８の破損を回避し、もって、ＬＳＩチップ１８の製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００５７】
次に、本実施の形態に係る異物除去装置をピックアップ装置３０に適用した場合について説明する。
【００５８】
図８を用いて説明したように、ダイシング後のＬＳＩチップ１８は、円盤状のダイシングテープ２４上に、一個ずつ個別に多数のＬＳＩチップ１８が規則的に配置された状態となっている。したがって、ダイシングテープ２４からＬＳＩチップ１８を一個ずつピックアップしてボンディング装置１０に供給するピックアップ装置３０が存在する。
【００５９】
ピックアップ装置３０では、ウェハをダイシングテープ２４に張り合わせ、所定のチップサイズにダイシング（分割）した後、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、ピックアップするＬＳＩチップ１８を突き上げ針３４によって下方から上方に突き上げるとともに、コレット３２と呼ばれる吸着装置を用いて上方に吸い上げることによって、所望のＬＳＩチップ１８を一個ずつピックアップする。ＬＳＩチップ１８は例えば図１０に示すような直方体形状をしているが、ピックアップ装置３０によるダイシング時に、隅部３６および稜線部３７からＳｉ片５０が飛び散り、その飛散片が異物２０となってＬＳＩチップ１８の表面に付着する恐れがある。
【００６０】
本実施の形態に係る異物除去装置をピックアップ装置３０に適用した場合には、ダイシング後のＬＳＩチップ１８を、コレット３２によって吸着される前に、ブロー手段４４によってブローすることによって、ダイシングによって発生した異物２０を飛散させる。このとき、図３（ａ）のように、既にＬＳＩチップ１８がピックアップされた側から、未だピックアップされていないＬＳＩチップが配置された側（図中に示す方向ｆ）に向けてブローするのではなく、図３（ｂ）のように、未だピックアップされていないＬＳＩチップ１８が配置された側から、既にＬＳＩチップ１８がピックアップされた側（図中に示す方向Ｆ）に向けてブローする。これによって、飛散した異物２０がＬＳＩチップ１８に付着することを回避することができる。その結果、異物２０によるＬＳＩチップ１８の破損を回避し、もって、ＬＳＩチップ１８の製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００６１】
本実施の形態に係る異物除去装置を選別装置に適用した場合には、ピックアップ装置３０によって取り出されたＬＳＩチップ１８に対して、良／不良選別を行う前に、ブロー手段４４によってブローすることによって、ＬＳＩチップ１８の表面から予め異物２０を除去することができるので、異物２０によるＬＳＩチップ１８の破損を回避し、もって、ＬＳＩチップ１８の製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００６２】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る異物除去装置は、第２の実施の形態に係る異物除去装置に更に、ＬＳＩチップ１８を取り扱う機器を監視するための監視カメラ４８を備えている。監視カメラ４８の代わりに顕微鏡を用いても良い。ここで、ＬＳＩチップ１８を取り扱う機器とは、具体的には、ボンディング装置１０によってなされるボンディング処理の場合にはボンディングツール１２、ピックアップ装置３０によってなされるピックアップ処理の場合には突き上げ針３４やコレット３２が該当する。
【００６３】
図４及び図５は、このような本実施の形態に係る異物除去装置をピックアップ装置３０に適用した例を示している。
【００６４】
ピックアップ装置３０では、ウェハをダイシングテープ２４に張り合わせ、所定のチップサイズにダイシング（分割）した後、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、ピックアップするＬＳＩチップ１８を突き上げ針３４によって下方から上方に突き上げるとともに、コレット３２を用いて上方に吸い上げることによって、所望のＬＳＩチップ１８を一個ずつピックアップする。
【００６５】
コレット３２は、このようにしてＬＳＩチップ１８をピックアップすると、図４（ｄ）に示すように上下反転した後に、経路Ｐに沿って移動し、図５（ａ）に示すようにボンディングツール１２にＬＳＩチップ１８を渡す。これと並行して、監視カメラ４８によって突き上げ針３４の先端面を監視する。これにより、突き上げ針３４の先端面に異物２０が付着していることが確認された場合には、直ちにピックアップ装置３０の動作を停止させる。そして、この異物２０を除去するような対策を講じるようにする。
【００６６】
監視カメラ４８によって、突き上げ針３４に異物２０が付着していないことが確認された場合、あるいは、突き上げ針３４の異物２０が除去された後には、図５（ｂ）に示すように、コレット３２の吸着動作を停止して、コレット３２からＬＳＩチップ１８を解放するとともに、突き上げ針３４を元の高さに戻す。それと共に、監視カメラ４８をコレット３２に接近させる。そして、図５（ｃ）に示すように、監視カメラ４８によってコレット３２の表面を監視する。これにより、コレット３２の先端面又は内部に異物２０が付着していることが確認された場合には、直ちにピックアップ装置３０の動作を停止させる。そして、この異物２０を除去するような対策を講じるようにする。
【００６７】
そして、監視カメラ４８によって、コレット３２の先端面又は内部に異物２０が付着していないことが確認された場合、あるいはコレット３２の先端面又は内部の異物２０が除去された後には、図５（ｄ）に示すように、次のＬＳＩチップ１８を移送するために、コレット３２を、経路Ｐを逆行させることによって、ピックアップ装置３０側に戻す。
【００６８】
上述したように、本実施の形態に係る異物除去装置によれば、監視カメラ４８によって、ＬＳＩチップ１８を取り扱う機器を監視することができるので、機器に異物２０が付着している場合には、装置の動作を停止させて、直ちに除去作業を行うこと等によって、機器からＬＳＩチップ１８に異物２０が移ることを阻止することができる。
【００６９】
以上により、異物２０によるＬＳＩチップ１８の破損を回避し、もって、ＬＳＩチップ１８の製造品質の向上を図ることが可能となる。
【００７０】
なお、上記実施の形態では、監視カメラ４８によって、ピックアップ装置３０のコレット３２及び突き上げ針３４を監視する場合を例に説明したが、ボンディング装置１０のボンディングツール１２の監視にも同様に適用できることは言うまでもない。
【００７１】
以上、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲の発明された技術的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の実施の形態に係る異物付着回避装置をボンディング装置に適用した例を示す概念図。
【図２】第２の実施の形態に係る異物除去装置をボンディング装置に適用した例を示す概念図。
【図３】ブロー手段によるブロー方向の一例を示す概念図。
【図４】第３の実施の形態に係る異物除去装置をピックアップ装置に適用した例を示す概念図（その１）。
【図５】第３の実施の形態に係る異物除去装置をピックアップ装置に適用した例を示す概念図（その２）。
【図６】ボンディング装置及びピックアップ装置を収納した装置の斜視図。
【図７】ボンディング時に異物が発生するメカニズムを示す図。
【図８】多数のＬＳＩチップをダイシング（分割）した一例を示す平面図。
【図９】ピックアップ装置の動作を示す図。
【図１０】ＬＳＩチップの外形を示す斜視図。
【図１１】コレットの構成例を示す断面図。
【符号の説明】
【００７３】
１０…ボンディング装置、１２…ボンディングツール、１４…フィルム基板、１６…回路形成面、１８…ＬＳＩチップ、２０…異物、２２…場所、２４…ダイシングテープ、３０…ピックアップ装置、３２…コレット、３３ａ…コレットホルダ、３３ｂ…ゴムコレット、３３ｃ…コレット支持体、３４…突き上げ針、３６…隅部、３７…稜線部、３８…突起部、３９…吸引経路、４０…カバー、４２…開口部、４４…ブロー手段、４６…場所、４８…監視カメラ、５０…Ｓｉ片
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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