(57)【要約】【課題】フィルタ作製後に共振器間結合及び外部Ｑを調整可能なフィルタ回路を提供するにある。【解決手段】マイクロストリップ線路型フィルタ回路においては、誘電体基板一方の面には、導体層６が形成され、他方の面にマイクロストリップで形成された共振素子導体２１、２２、入力部２４及び出力部２５並びに共振素子２１、２２間を結合する伝送線路２３が形成されている。伝送線路２３からは、オープンスタブ２６が分岐され、このオープンスタブ２６の電気長が当該フィルタの中心周波数に相当する波長の半波長の整数倍に定められている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及びこの第１の面に対向される第２の面を有する誘電体基板と、
前記第１の面に形成された導体層と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成された共振素子導体と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成された入力部及び出力部と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成され、前記共振素子導体間を結合する伝送線路と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成され、前記伝送線路から分岐するオープンスタブであって、電気長がフィルタ回路の中心周波数に相当する波長の半波長の整数倍であるオープンスタブと、
を具備することを特徴とするフィルタ回路。
【請求項２】
第１の面及びこの第１の面に対向される第２の面を有する誘電体基板と、
前記第１の面に形成された導体層と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成された共振素子導体と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成された入力部及び出力部と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成され、前記入力部及び前記出力部の一方から分岐するオープンスタブであって、電気長がフィルタ回路の中心周波数に相当する波長の半波長の整数倍であるオープンスタブと、
を具備することを特徴とするフィルタ回路。
【請求項３】
前記オープンスタブがメアンダ部を有することを特徴とする請求項１又は請求項２のフィルタ回路。
【請求項４】
前記オープンスタブは、前記誘電体基板端の前記第２の面に延出された端部を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかの項に記載のフィルタ回路。
【請求項５】
前記マイクロストリップは、超電導体で作られていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかの項に記載のフィルタ回路。
【請求項６】
前記オープンスタブに対向する先端部を有し、当該先端部と前記オープンスタブとの間の距離を調整可能な誘電体を更に具備することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかの項に記載のフィルタ回路。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれかの項に記載のフィルタ回路が前記オープンスタブに対向する先端部を有する誘電体を更に具備し、
当該誘電体先端部と前記オープンスタブとの間の距離を調整して当該フィルタ回路の特性を調整することを特徴とするフィルタ回路の特性調整方法。
【請求項８】
請求項１から請求項４のいずれかの項に記載のフィルタ回路において、前記オープンスタブの先端を削ることによりフィルタ回路の特性を調整することを特徴とするフィルタ回路の特性調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フィルタ回路及びフィルタ回路の特性調整方法に係り、特に、通信機器に用いられる帯域通過フィルタ及び帯域通過フィルタの特性調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線又は有線での情報通信に供される通信機器は、アンプ、ミキサ、フィルタ等の各種の高周波部品から構成されている。この高周波部品の中で、帯域通過フィルタは、共振器を複数個並べて特定の周波数帯の信号のみを通過させる機能を有している。
【０００３】
一般に、フィルタが作製されて所望の特性が得られない場合には、作製後にそのフィルタ特性の調整が必要とされる。フィルタの回路定数には、各共振器の共振周波数fi、共振器間結合、及び外部Qがあり、従来、そのフィルタ特性の調整では、共振周波数fiが調整されている。共振周波数fiを大きくしたい場合には、共振器の先端を削る方法があり、共振周波数fiを小さくしたい場合には、共振器の近傍に誘電体を配置して実効誘電率を大きくする方法がある。しかし、共振周波数fiの調整だけでは、所望の特性に調整できない場合もあり、より柔軟な特性調整を可能にするには、共振周波数fi以外の回路定数の調整が必要とされる。
【０００４】
フィルタ回路における共振器間結合の実現方法は、以下の２種類に大別することができる。第１に、フィルタ回路に共振器以外の結合用素子を付加することなく、共振器同士の位置関係のみで所望の結合を実現するギャップ結合がある。ギャップ結合は、チェビシェフ関数型フィルタのように隣接する共振器間の結合のみで構成されるフィルタ回路に適している。第２に、フィルタ回路に伝送線路を付加して結合を実現する線路結合がある。線路結合は、減衰極によるスカート特性の急峻化或いは群遅延時間平坦化のための飛越結合を有するフィルタ回路に適している。
【０００５】
フィルタ作製後における共振器のギャップ結合の調整は、共振器同士の配置を変更することが必要とされ、現実的には、ギャップ結合調整の実現は困難である。
【０００６】
フィルタ作製後の線路結合の調整は、非特許文献１に記述されるようなギャップを介した線路結合ならばギャップ部の伝送線路先端を削ることにより結合を小さくする調整は可能であるが、結合を大きくする調整は困難である。また、特許文献１に記述されるタップを介した線路結合においては、結合を大きくする調整も小さくする調整も困難である。
【０００７】
また、フィルタ回路における外部Ｑの実現方法には、以下の２種類がある。第１は、非特許文献２に記載されるように、入力線路と共振器とをギャップを介して結合させるギャップ励振がある。第２は、非特許文献３に記載されるように、入力線路と共振器とをタップを介して結合させるタップ励振がある。
【特許文献１】特開２００４−３３６６０５公報
【非特許文献１】IEEE Microwave Theory and Techniques Symposium Digest (1999年) 第1547頁
【非特許文献２】IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques 第20巻 (1972年) 第719頁
【非特許文献２】IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques 第27巻 (1979年) 第44頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ギャップ励振にあっては、フィルタ作製後の外部Ｑの調整では、ギャップ部の励振線を削ることにより外部Ｑを大きくする調整は可能であるが、外部Ｑを小さくする調整は困難である。またタップ励振にあっては、フィルタ作製後の外部Ｑの調整は、外部Ｑを大きくする調整も小さくする調整も困難である。
【０００９】
以上のように、従来フィルタ作製後に共振器間結合及び外部Ｑを調整することは困難とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記問題点を解決するためになされた
ものであり、その目的は、フィルタ作製後に共振器間結合及び外部Ｑを調整可能なフィルタ回路を提供することにある。
【００１１】
この発明によれば、  第１の面及びこの第１の面に対向される第２の面を有する誘電体基板と、
前記第１の面に形成された導体層と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成された共振素子導体と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成された入力部及び出力部と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成され、前記共振素子導体間を結合する伝送線路と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成され、前記伝送線路から分岐するオープンスタブであって、電気長がフィルタ回路の中心周波数に相当する波長の半波長の整数倍であるオープンスタブと、
を具備することを特徴とするフィルタ回路が提供される。
【００１２】
また、この発明によれば、
第１の面及びこの第１の面に対向される第２の面を有する誘電体基板と、
前記第１の面に形成された導体層と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成された共振素子導体と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成された入力部及び出力部と、
前記第２の面にマイクロストリップで形成され、前記入力部及び前記出力部の一方から分岐するオープンスタブであって、電気長がフィルタ回路の中心周波数に相当する波長の半波長の整数倍であるオープンスタブと、
を具備することを特徴とするフィルタ回路が提供される。
【００１３】
更にこの発明によれば、
上記フィルタ回路が前記オープンスタブに対向する先端部を有する誘電体を更に具備し、当該誘電体先端部と前記オープンスタブとの間の距離を調整して当該フィルタ回路の特性を調整することを特徴とするフィルタ回路の特性調整方法が提供される。
【００１４】
更にまた、この発明によれば、
上記フィルタ回路において、前記オープンスタブの先端を削ることによりフィルタ回路の特性を調整することを特徴とするフィルタ回路の特性調整方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、共振器間結合及び外部Ｑを所望の値に調整可能なフィルタ回路を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、必要に応じて図面を参照しながら、この発明の一実施の形態に係るフィルタ回路及びフィルタ回路の特性を調整する方法を説明する。
【００１７】
始めに、この発明の実施の形態に係るフィルタ回路の基本的な構成例を説明する。
【００１８】
図１は、この発明の実施形態に係る超伝導フィルタの基本的な構造を概略的に示す断面図である。
【００１９】
この図１に示される共振器は、超伝導マイクロストリップ線路共振器であって、基板２の上面にその共振器のパターン４及び共振器のパターン４の両側に入力及び出力部としての励振線８−１、８−２が設けられ、この基板２の下面には、薄膜６、例えば、Ｙ系銅酸化物超伝導膜のＹＢＣＯ薄膜が形成されている。この基板２は、例えば、その直径が約５０ｍｍ、その厚さが０．４３ｍｍで、その比誘電率が例えば、約１０のＭｇＯで作られている。
【００２０】
共振器のパターン４は、入力及び出力部間、即ち、励振線８−１、８−２間の領域に配置されている。この共振器のパターン４及び励振線８−１、８−２等も同様に薄膜が形成されている。基板２の下面薄膜６は、接地されている。ここで、マイクロストリップ線路の超伝導体は、例えば、厚さ約５００ｎｍのＹ系銅酸化物高温超伝導薄膜のＹＢＣＯ薄膜で形成されている。ストリップ導体の線路幅は、約０．４ｍｍである。超伝導薄膜は、レーザー蒸着法、スパッタ法あるいは共蒸着法などにより形成することができる。
【００２１】
図１に示される回路パターンを構成する各部は、上述したように基板３上で厚みを有して形成されるが、基板２の厚みに比べて十分に小さいことから、この回路パターンは、実質的には平面的な空間内に実質上平面的に形成されているとみなすことができる。
【００２２】
図２は、図１に示される超伝導フィルタの基本的な回路パターンの一例を示している。この図２に示される回路パターンは、基板２上に形成された入出力用線路２４，２５、共振素子２１，２２及び結合用伝送線路２３から構成されている。結合用伝送線路２３には、更に結合用伝送線路２３から分岐するようにオープンスタブ２６が接続されている。
【００２３】
入出力用線路２４，２５は、夫々Ｌ字型に形成され、その直線部２４Ａ，２５Ａが略平行に配列され、直線部２４Ａ，２５Ａから直線状延出部２４Ｂ，２５Ｂが互いに反対方向に略直角に延出されている。入出力用線路２４，２５の直線部２４Ａ，２５Ａ間にこの直線部２４Ａ，２５Ａに略平行となるように共振器２１及び２２が並列され、直線状延出部２４Ｂ，２５Ｂ側に共振器２１及び２２の開口が向けられている。この共振器２１及び２２は、ヘアピン型半波長共振器で形成され、ヘアピン型半波長共振器２１、２２の閉じた側が同一方向を向くように並列され、その半波長共振器２１、２２の閉じた側のコーナ部が伝送線路２３で接続されて共振器２１及び共振器２２が結合されている。共振器２１及び２２の共振周波数は、１．９３GHzに定められている。入力部２４及び出力部２５は、フィルタ回路外の回路に接続されている。伝送線路３からは、オープンスタブ２６が分岐されている。オープンスタブ２６の電気長は、共振周波数１．９３GHzに相当する波長の半波長或いは半波長の整数倍に定められている。この図２に示される回路は、共振器２１、２２の結合を測定するための回路パターンに相当している。
【００２４】
図３には、図２に示される回路の通過振幅特性を示している。図３に示す出力―周波数との関係を示すグラフには、２つの共振器２１，２２の結合を示す２本のピークＰ１、Ｐ２が周波数ｆ１，ｆ２に現れている。ここで、共振器２１、２２の結合係数Ｍは、
Ｍ＝２（ｆ２−ｆ１）／（ｆ１＋ｆ２）
で与えられる。
【００２５】
図２に示す回路において、オープンスタブ２６のメアンダ部２８の上にサファイア製の棒が配置され、棒先端部がメアンダ部に近づけられる際における結合Ｍの変化が調べられて図４に示すようなグラフが得られている。図４に示すグラフにおいて、横軸は、棒先端部とメアンダ部２８との距離Δsを示し、縦軸は、結合Mを示している。図４のグラフから、棒が遠方からメアンダ部２８に近づけられて、その間の距離Δsが小さくなると、結合Ｍが大きくなることを容易に理解することができる。
【００２６】
図２に示す回路において、オープンスタブ２６の先端部が削られて結合Ｍが変化される様子が調べられて図５に示すようなグラフが得られている。図５に示すグラフおいて、横軸は、オープンスタブ２６の先端部の削る長さΔｌを示し、縦軸は、結合Ｍを示している。図５に示されるグラフから、削る長さΔｌが大きくなると、結合Mが小さくなることを容易に理解することができる。
【００２７】
上述したように、共振素子２１，２２間を結合する伝送線路２３から分岐するオープンスタブ２６が設けられ、オープンスタブ２６の電気長を共振周波数に相当する波長の半波長或いは半波長の整数倍として、オープンスタブ２６の電気長を調整することにより共振器２１，２２間の結合Ｍを大きくするように調整することも小さくするように調整することも可能となる。従って、フィルタ回路にオープンスタブ２６が共振素子２１，２２間を結合する伝送線路２３に接続されている回路構成によって、共振器２１，２２間の結合Ｍが調整可能なフィルタ回路を実現することができる。
【００２８】
また、オープンスタブ２６の電気長は、共振周波数に相当する波長の半波長或いは半波長の整数倍の値に対し±５°程度の範囲とすることができる。この電気長は、誘電体あるいは先端部切除による調整の末に所望の結合を達成することができる。
【００２９】
なお、電気長は、実際にフィルタ回路に用いられているの誘電体基板の材料、マイクロストリップの材料及び幅等を基に、二次元あるいは三次元の電磁界シミュレーションにより測定することが可能である。
【００３０】
図６は、この発明のフィルタの基本的な構成を説明するための第２のパターン図を示している。
【００３１】
図６に示されるフィルタ回路は、厚さ約０．４３ｍｍ、比誘電率約１０のＭｇＯ基板（図示略）上に超伝導マイクロストリップ線路が形成されている。ここで、マイクロストリップ線路の超伝導体は、厚さ約５００ｎｍのＹ系銅酸化物高温超伝導薄膜を用い、ストリップ導体の線路幅は、約０．４ｍｍに定められている。超伝導薄膜は、レーザー蒸着法、スパッタ法或いは共蒸着法などにより形成されている。
【００３２】
図６に示されるフィルタ回路では、Ｌ字形の入力部２４及び出力部２５間に共振器２１が入力部２４及び出力部２５の直線部２４Ａ，２５Ａ間に直線部２４Ａ，２５Ａに略平行となるように配置されている。共振器２１は、ヘアピン型半波長共振器であり、共振周波数は１．９３GHｚに定められている。入力部２４及び出力部２５の延出部２４Ｂ，２５Ｂは、外部に接続されている。入力部２４の延出部２４Ｂは、出力部２５の延出部２５Ｂに比べて長く形成され、その延出部２５Ｂからは、オープンスタブ２６が分岐されている。オープンスタブ２６の電気長は、共振周波数１．９３GHzに相当する波長の半波長或いは半波長の整数倍に定められている。
【００３３】
図６に示すフィルタ回路は、共振器２１に対する外部Ｑ、Ｑｅを測定するための回路であって、直線部２４Ａと共振器２１との間の距離が直線部２５Ａと共振器２１との間の距離に比べて小さく定められ、入力部２４と直線部２４Ａとの間の結合に比べて出力部２５と共振器２１との結合が十分小さく設定されている。入力部４からの励振による外部Ｑｅが測定される。
【００３４】
図７には、図６に示されるフィルタ回路の通過振幅特性が示されている。ここで、図７において、横軸は、周波数をしめし、また、縦軸は、出力レベルを示している。共振器２１に対する外部Ｑｅは、
Ｑｅ＝ｆ０／（ｆ２−ｆ１）
で与えられる。
【００３５】
図６に示されるフィルタ回路において、オープンスタブ２６のメアンダ部２８上にサファイア製の棒が配置され、棒先端部がメアンダ部２８に近づけたときのＱｅの変化が同様に調べられて図８に示すグラフが得られる。図８は、棒先端部とメアンダ部２８との距離Δs並びに外部Ｑｅの関係を示している。棒がメアンダ部２８に遠方から近づけられて、距離ΔＳが小さくされるに従って外部Ｑｅを小さくすることができることを図８から容易に理解することができる。
【００３６】
図６に示されるフィルタ回路において、オープンスタブ２６の先端部が削られる際の外部Ｑｅの変化を調べると図９に示すグラフが得られている。図９は、オープンスタブ２６先端部の削る長さΔlと外部Ｑｅの関係を示している。図９から明らかなように、削る長さΔlが大きくなるに従って、外部Ｑｅが大きくなることを容易に理解することができる。
【００３７】
上述したように、共振素子２１を励振するための入力部２４からオープンスタブ２６が分岐され、オープンスタブ２６の電気長が共振周波数に相当する波長の半波長或いは半波長の整数倍に定められているフィルタ回路においては、オープンスタブ２６の電気長を調整することにより外部Qを大きく調整することも小さく調整することも可能であることが容易に理解される。従って、このようにオープンスタブ２６をフィルタ回路に設けることにより、外部Ｑが調整可能なフィルタ回路を実現することができる。
【００３８】
また、オープンスタブ２６の電気長は、共振周波数に相当する波長の半波長或いは半波長の整数倍の値に対し±５°程度の余裕をもたせることも可能であり、誘電体あるいは先端部切除による調整の末に所望のＱｅを達成することができる。
【００３９】
なお、電気長は電磁界シミュレーションにより測定することが可能である。
【００４０】
実施例１
図１０は、この発明の第１実施例に係るフィルタ回路のパターンを示している。
【００４１】
このフィルタ回路は、厚さ約０．４３ｍｍ、比誘電率約１０のＭｇＯ基板上に超伝導マイクロストリップ線路を形成して作られている。ここで、マイクロストリップ線路の超伝導体は、厚さ約５００ｎｍのＹ系銅酸化物高温超伝導薄膜が用いられ、ストリップ導体の線路幅は、約０．４ｍｍに定められている。超伝導薄膜は、レーザー蒸着法、スパッタ法或いは共蒸着法などにより形成される。
【００４２】
図１０に示されるフィルタ回路は、入力部２４及び出力部２５間に４つのヘアピン型半波長共振器２１、２２、３１、３２が配置された擬似楕円関数型４段フィルタであり、フィルタの中心周波数は、１．９３GHzに定められている。伝送線路２３によって入力部２４及び出力部２５に最も近接して配置された共振器２１、２２が結合されている。入力部２４及び出力部２５は外部に接続されている。共振器２１と共振器２２を結合するための伝送線路２３には、伝送線路２３からオープンスタブ２６が分岐するように設けられている。オープンスタブ２６の電気長は、共振周波数１．９３GHzに相当する波長の半波長或いは半波長の整数倍に定められている。オープンスタブ２６はメアンダ部２８を備え、オープンスタブ２６の先端が基板の端に配置されている。
【００４３】
図１１に示されるように、図１０に示されるフィルタ回路が収納されたケース３８には、サファイア製の棒３４がオープンスタブ２６のメアンダ部２８に対向するように配置され、棒３４の先端部とメアンダ部２８との距離ΔSを調整する機構、例えば、棒３４を支持するネジ構造がケース３８に設けられている。このようなフィルター素子構造では、ネジ構造を調整することによってサファイア製の棒３４の先端部とメアンダ部２８との距離ΔSを調整することができる。距離ΔSの調整によって共振器２１と共振器２２との結合を調整することができ、図１２に示すような所望の特性をフィルタ回路に与えることができる。
【００４４】
尚、オープンスタブ２６の先端が他の素子に接続されても良いことは明らかである。
【００４５】
また、本実施例では特許文献１にあるようなタップを介した線路結合を用いているが、非特許文献１にあるようなギャップを介した線路結合を用いてもよく、その場合でも伝送線路の任意の点から分岐するオープンスタブを同様に設ければ、結合の調整が可能である。即ち、図１０に示したように、フィルタ回路においては、伝送線路２３が共振器２１、２２に直接的に接続されても良く、図１３に示すように伝送線路２３が共振器２１、２２に空間に結合されていても良い。
【００４６】
また、本実施例では共振器にヘアピン型共振器を用いたが、ヘアピン型共振器に限定する必要はなく、マイクロストリップ線路で構成される種々の共振器を用いることができる。
【００４７】
実施例２
図１４は、この発明の第２実施例に係るフィルタ回路のパターンを示している。
【００４８】
図１４に示すフィルタ回路は、厚さ約０．４３ｍｍ、比誘電率約１０のＭｇＯ基板上に超伝導マイクロストリップ線路を形成することによって作成される。ここで、マイクロストリップ線路の超伝導体は、厚さ約５００ｎｍのＹ系銅酸化物高温超伝導薄膜が用いられ、ストリップ導体の線路幅は約０．４ｍｍに定められている。超伝導薄膜は、レーザー蒸着法、スパッタ法或いは共蒸着法などにより形成される。
【００４９】
図１４に示すフィルタ回路においては、Ｌ字形の入力部４及び出力部５間には１７個のヘアピン型半波長共振器２１、２２、３１―１〜３１―１５から構成されるチェビシェフ関数型１７段フィルタに構成され、フィルタの中心周波数は１．９３GHzに定められている。入力部２４及び出力部２５は、外部に接続され、共振器２１を励振するための入力部４からオープンスタブ２６が分岐するようにオープンスタブ２６がフィルタ回路に設けられている。オープンスタブ２６の電気長は、共振周波数１．９３GHzに相当する波長の半波長或いは半波長の整数倍に定められている。オープンスタブ２６は、メアンダ部２８を備え、オープンスタブ２６の先端が基板２の端に延出されている。
【００５０】
図１１に示すと同様にオープンスタブ２６のメアンダ部２８上にサファイア製の棒３４が配置され、棒３４の先端部とメアンダ部との距離ΔＳを調整することにより、外部Ｑを調整することができる。従って、外部Ｑの調整によって、図１５に示されるように所望の特性をフィルタ回路に与えることができる。
【００５１】
尚、図１４に示すフィルタ回路においても、オープンスタブ２６の先端が他の素子に接続されても良いことは明らかである。例えば、オープンスタブ２６の先端が更に他のフィルタ回路に接続されて分波器が構成されても良い。
【００５２】
また、この実施例では、非特許文献２にあるようなギャップ励振を用いているが、非特許文献３にあるようなタップ励振を用いてもよく、その場合でも入力部の任意の点から分岐するオープンスタブを同様に設ければ、外部Ｑを調整することができる。
【００５３】
また、図１４に示すフィルタ回路は、伝送線路による結合を有しないフィルタ回路であるが、図１３に示すフィルタ回路と同様に伝送線路２３による線路結合されるフィルタ回路にすることもできる。伝送線路２３による線路結合されるフィルタ回路にあっては、線路結合調整用のオープンスタブ及び外部Ｑ調整用のオープンスタブをそれぞれ具備させても良いことは明らかである。
【００５４】
また、本実施例では共振器にヘアピン型共振器を用いたが、ヘアピン型共振器に限定する必要はなく、マイクロストリップ線路で構成される種々の共振器を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】この発明の一実施形態に係る超伝導フィルタの基本的な構造を概略的に示す断面図である。
【図２】この発明の一実施形態に係る超伝導フィルタの基本構成を説明するためのパターン例を示す平面図である。
【図３】図２に示されるフィルタ回路における通過振幅特性を示すグラフである。
【図４】図３に示されるパターンを有するフィルタ回路において、オープンスタブのメアンダ部の上にサファイア製の棒を配置し、棒先端部をメアンダ部に近づけたときの結合の変化を示すグラフである。
【図５】図３に示されるパターンを有するフィルタ回路において、オープンスタブの先端部を削ったときの結合の変化を示すグラフである。
【図６】この発明の一実施形態に係る超伝導フィルタの基本構成を説明するための他のパターン例を示す平面図である。
【図７】図６に示されるフィルタ回路における通過振幅特性を示すグラフである。
【図８】図３に示されるパターンを有するフィルタ回路において、オープンスタブのメアンダ部の上にサファイア製の棒を配置し、棒先端部をメアンダ部に近づけたときの外部Qの変化を示すグラフである。
【図９】図３に示されるパターンを有するフィルタ回路において、オープンスタブの先端部を削ったときの結合の外部Qの変化を示すグラフである。
【図１０】この発明の一実施形態に係る超伝導フィルタのパターン例を示す平面図である。
【図１１】図１０に示すフィルタを備えたフィルタ素子の構造を透視して概略的に示す斜視図である。
【図１２】図１１に示すフィルタ素子において実現される通過振幅特性の一例を示すグラフである。
【図１３】図１０に示すフィルタに係るパターンの変形例を示す平面図である。
【図１４】この発明の一実施形態に係る超伝導フィルタのパターンの他の例を示す平面図である。
【図１５】図１４に示すフィルタを備えたフィルタ素子の構造を透視して概略的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
２．．．基板、４．．．共振器パターン、６．．．下面薄膜、８−１、８−２．．．励振線、２１，２２．．．共振素子、２３．．．伝送線路、２４．．．入力部、２５．．．出力部、２６．．．オープンスタブ、２８．．．メアンダ部、３４．．．棒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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