(57)【要約】【課題】有機ＥＬパネル用ドライバＩＣの電源電圧を比較的低く抑える。【解決手段】  表示パネル４０には、有機ＥＬ素子を備える画素がマトリクス状に配置され、各有機ＥＬ素子に対応してその発光を制御する駆動用薄膜トランジスタがそれぞれ設けられている。表示パネル４０にはＤＣ−ＤＣコンバータ１４から電源電圧ＰＶｄｄが供給される。この電源電圧ＰＶｄｄは、駆動用薄膜トランジスタの平均的なしきい値電圧によって設定される。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子を備える画素がマトリクス状に配置され、各有機ＥＬ素子に対応してその発光を制御する駆動用薄膜トランジスタがそれぞれ設けられる表示パネルと、
この表示パネルに各有機ＥＬ素子を駆動するための電源電圧を供給する駆動電源と、
この駆動電源から前記表示パネルに供給される電源電圧を前記表示パネル内の駆動用薄膜トランジスタの平均的な特性及び有機ＥＬ素子の平均的な特性のいずれか又は両方に基づいて変更する電圧変更手段と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記電圧変更手段は、前記駆動用薄膜トランジスタの平均的なしきい値電圧に基づいて、前記駆動用薄膜トランジスタのソース側の電源電圧を変更することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記電圧変更手段は、必要な信号振幅と有機ＥＬ素子の特性に基づいて、有機ＥＬ素子のカソード側の電圧を変更することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１〜３に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記表示パネルに供給される電源電圧の設定値を記憶しておくメモリを有し、
前記電圧変更手段は、表示装置の電源投入時に前記設定値をメモリから読み出し、読み出した設定値に応じた電源電圧を前記表示パネルに印加することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１，２又は４のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記駆動用薄膜トランジスタの平均的なしきい値電圧を測定する測定手段を有し、
前記電圧変更手段は、この測定手段によって測定された平均的なしきい値電圧に基づいて前記電源電圧を変更することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記測定手段は、前記表示パネルに流れる電流を検出する電流検出手段を含み、
前記薄膜トランジスタのゲートに黒レベル表示用の電圧を印加し、その状態において、前記電圧変更手段によって前記電源電圧を変更し、そのときの前記電流検出手段における検出電流に基づいて平均的なしきい値電圧を測定することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
有機ＥＬ素子を備える画素がマトリクス状に配置され、各有機ＥＬ素子に対応して、その発光を制御する駆動用薄膜トランジスタがそれぞれ設けられる表示パネルを製造し、
製造された表示パネル内の駆動用薄膜トランジスタの平均的なしきい値電圧の値を測定し、
測定された平均的なしきい値電圧の値及び必要な信号振幅と有機ＥＬ素子の特性に基づいて表示パネルにおける電源電圧を設定することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備える画素がマトリクス状に配置され、各有機ＥＬ素子に対応して、その発光を制御する駆動用薄膜トランジスタがそれぞれ設けられるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１にアクティブ型の有機ＥＬ表示装置における１画素分の回路（画素回路）の構成を示す。
【０００３】
ｐチャネルの薄膜トランジスタである駆動ＴＦＴ１のソースは、電源ＰＶｄｄに接続され、ドレインは有機ＥＬ素子３のアノードに接続されている。また、有機ＥＬ素子３のカソードは、電源ＣＶに接続されている。
【０００４】
駆動ＴＦＴ１のゲートには、ｎチャネル薄膜トランジスタである選択ＴＦＴ２のソースまたはドレインが接続され、この選択ＴＦＴ２のドレインまたはソースはデータラインＤａｔａ、ゲートはゲートラインＧａｔｅに接続されている。さらに、駆動ＴＦＴ１のゲート・ソース（電源ＰＶｄｄ）間には保持容量Ｃが接続されている。
【０００５】
このような画素回路において、水平方向に伸びるゲートラインＧａｔｅをＨレベルにして、選択ＴＦＴ２をオンし、その状態で垂直方向に伸びるデータライン（Ｄａｔａ）に表示輝度に応じた電圧を有するデータ信号を載せることで、データ信号が保持容量Ｃに蓄積される。これによって、駆動ＴＦＴ１がデータ信号に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子３に供給して、有機ＥＬ素子３が発光する。
【０００６】
ここで、有機ＥＬ素子３の発光量とそこに流れる電流は、ほぼ比例関係にある。通常、駆動ＴＦＴ１のゲート−ＰＶｄｄ間には画像の黒レベル付近でドレイン電流が流れ始めるような電圧（Ｖｔｈ）を与える。また、画像信号の振幅としては、白レベル付近で所定の輝度となるような振幅を与える。
【０００７】
図２は、駆動ＴＦＴ１の入力データ電圧（データラインＤａｔａの電圧）に対する有機ＥＬ素子３に流れる電流ＣＶ電流（輝度に対応する）の関係を示している。そして、黒レベル電圧として、Ｖｔｈ（しきい値電圧）を与え、白レベル電圧として、Ｖｗを与えるように、データ信号を決定することで、有機ＥＬ素子３における適切な階調制御を行うことができる。
【０００８】
すなわち、画素をある電圧でドライブした時の輝度は駆動ＴＦＴ１のＶｔｈによって異なり、このＶｔｈ付近の入力電圧が、黒を表示する時のデータ電圧に対応する。また、ＴＦＴのＶ−Ｉカーブの傾き（μ）も同様にばらつくことがあり、この場合は図３に示すように、同じ輝度を出すための入力振幅も異なる。
【０００９】
表示パネル内の駆動ＴＦＴ１のＶｔｈがばらつくと、通常は輝度ムラとなる。また、製造ロットによりプロセス条件などが変化した場合はロットごとに表示パネル内の駆動ＴＦＴ１のＶｔｈの平均値が変化することがあり、この場合は、表示パネル間の輝度のばらつきとなる（特許文献１，２参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２６４７９３号公報
【特許文献２】特開２００５−２８４１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ここで、表示パネル内の各画素のＴＦＴのばらつきは無いものと仮定し、表示パネル間のＴＦＴ特性のばらつきだけを考える。
【００１２】
表示パネル間のＶｔｈのばらつきに対処するため、通常は黒に対応する駆動データ電圧を表示パネルのＶｔｈに合わせて調整し、黒浮きや暗部のつぶれなどが無いようにする。また、駆動信号の振幅Ｖｐ−ｐも白が所定の輝度になるように調整する。この場合、Ｖｔｈ及びＶ−Ｉカーブのばらつきの最大値と最小値を考慮する必要があるので、データ電圧を表示パネルに供給するドライバＩＣの出力電圧（通常はＤ／Ａ（デジタルアナログコンバータ）出力電圧）は、以下に説明するように十分余裕をみて設計する必要がある。
【００１３】
まず、（Ｖｐ−ｐ＋Ｖｔｈ）のばらつきの最大値及びＤ／Ａが出力可能な最小電圧値（Ｖｄａｍｉｎ）から表示パネルの正側電源電圧（ＰＶｄｄ）が決定される。
［式１］
ＰＶｄｄ＝（Ｖｐ−ｐ＋Ｖｔｈ）ｍａｘ＋Ｖｄａｍｉｎ
ここに、（Ｖｐ−ｐ＋Ｖｔｈ）ｍａｘは、（Ｖｐ−ｐ＋Ｖｔｈ）のばらつきの最大値である。
【００１４】
次に、最も高い黒データ電圧が必要とされるのはＶｔｈが最も小さい表示パネルなので、このＶｔｈをＶｔｈｍｉｎとすると、必要とされるドライバＩＣの最大Ｄ／Ａ出力電圧（Ｖｄａｍａｘ）は、
［式２］
Ｖｄａｍａｘ＞ＰＶｄｄ−Ｖｔｈｍｉｎ
＝（Ｖｐ−ｐ＋Ｖｔｈ）ｍａｘ＋Ｖｄａｍｉｎ−Ｖｔｈｍｉｎ
となる（図４）。
【００１５】
もしも、Ｖｐ−ｐとＶｔｈのばらつきに相関がなく独立であるとすれば、Ｖｐ−ｐが最大でかつＶｔｈも最大の表示パネルが存在する可能性があるので、条件は厳しくなり、
［式３］
Ｖｄａｍａｘ＞Ｖｐ−ｐｍａｘ＋Ｖｔｈｍａｘ＋Ｖｄａｍｉｎ−Ｖｔｈｍｉｎ
となる（図５）。ここに、Ｖｐ−ｐｍａｘをとるＴＦＴはＶ−Ｉカーブの傾き（μ）が最も小さいＴＦＴである。
【００１６】
例えば、図６に示すように、Ｄ／Ａ出力の最小電圧（Ｖｄａｍｉｎ）が０．５Ｖで、ＴＦＴカーブの傾きが最小の表示パネルに必要な最大入力信号振幅を３．５Ｖｐ−ｐとすると、黒電圧（Ｖｂ）として設定できる最小電圧は４．０Ｖとなる。ＶｔｈｍａｘおよびＶｔｈｍｉｎをそれぞれ３．０Ｖ、０．５Ｖとすれば、Ｖｔｈｍａｘの表示パネルでこのＶｂが確保できるように、ＰＶｄｄは７．０Ｖ以上とする必要がある。このとき、ＶｄａｍａｘはＶｔｈｍｉｎの表示パネルのＶｂが出力できるように、このＰＶｄｄに対して０．５Ｖだけ低い６．５Ｖ以上必要である。
【００１７】
このように、駆動用ＴＦＴのしきい値電圧ＶｔｈとＶ−Ｉ特性の傾きμのばらつきを考慮すると、ドライバＩＣのＤ／Ａ出力及び電源電圧ＰＶｄｄに高電圧が要求され、表示装置の消費電力が増加する。Ｄ／Ａ出力電圧はドライバＩＣの電源電圧を決定する要因となり、この電圧に応じて生産時の半導体プロセスを選択する必要がある。できるだけ低い耐圧のプロセスが使用できた方がコスト面その他で有利である。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、有機ＥＬ素子を備える画素がマトリクス状に配置され、各有機ＥＬ素子に対応してその発光を制御する駆動用薄膜トランジスタがそれぞれ設けられる表示パネルと、この表示パネルに各有機ＥＬ素子を駆動するための電源電圧を供給する駆動電源と、この駆動電源から前記表示パネルに供給される電源電圧を前記表示パネル内の駆動用薄膜トランジスタの平均的な特性及び有機ＥＬ素子の平均的な特性のいずれか又は両方に基づいて変更する電圧変更手段と、を有することを特徴とする。
【００１９】
また、前記電圧変更手段は、前記駆動用薄膜トランジスタの平均的なしきい値電圧に基づいて、前記駆動用薄膜トランジスタのソース側の電源電圧を変更することが好適である。
【００２０】
また、前記電圧変更手段は、必要な信号振幅と有機ＥＬ素子の特性に基づいて、有機ＥＬ素子のカソード側の電圧を変更することが好適である。
【００２１】
また、前記表示パネルに供給される電源電圧の設定値を記憶しておくメモリを有し、前記電圧変更手段は、表示装置の電源投入時に前記設定値をメモリから読み出し、読み出した設定値に応じた電源電圧を前記表示パネルに印加することが好適である。
【００２２】
また、前記駆動用薄膜トランジスタの平均的なしきい値電圧を測定する測定手段を有し、前記電圧変更手段は、この測定手段によって測定された平均的なしきい値電圧に基づいて前記電源電圧を変更することが好適である。
【００２３】
また、前記測定手段は、前記表示パネルに流れる電流を検出する電流検出手段を含み、前記薄膜トランジスタのゲートに黒レベル表示用の電圧を印加し、その状態において、前記電圧変更手段によって前記電源電圧を変更し、そのときの前記電流検出手段における検出電流に基づいて平均的なしきい値電圧を測定することが好適である。
【００２４】
また、本発明は、有機ＥＬ素子を備える画素がマトリクス状に配置され、各有機ＥＬ素子に対応してその発光を制御する駆動用薄膜トランジスタがそれぞれ設けられる表示パネルを製造し、製造された表示パネル内の駆動用薄膜トランジスタの平均的なしきい値電圧の値を測定し、測定された平均的なしきい値電圧の値及び必要な信号振幅と有機ＥＬ素子の特性に基づいて表示パネルにおける電源電圧を設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、駆動電源から前記表示パネルに供給される電源電圧を前記表示パネル内の駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の平均的なしきい値電圧の値に基づいて変更する。これによって、各画素に供給するデータ電圧については、駆動用ＴＦＴのしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきを考慮する必要がなくなり、従って薄膜トランジスタ表示パネルに供給する電源電圧を比較的低くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００２７】
図９に、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す。ディスプレイ駆動部１０からの各種信号は、フレキシブルケーブル２０、ドライバＩＣ３０を介し、表示パネル４０に供給される。
【００２８】
ディスプレイ駆動部１０は、各種応用機器における表示用の画像データを出力する部分であり、ＲＧＢの各信号、ＲＧＢ信号のドット毎の出力タイミングを示すドットクロック、１水平期間毎のタイミングを示す水平同期信号、１垂直期間毎のタイミングを示す垂直同期信号、その他表示パネルの駆動に必要な駆動信号を出力する。また、本実施形態における電源電圧制御を行うマイクロコントローラ１２、マイクロコントローラ１２からの制御信号に応じて表示パネル４０に供給する電源電圧を出力するＤＣ−ＤＣコンバータ１４を有している。
【００２９】
ディスプレイ駆動部１０からの各信号はフレキシブルケーブル２０を介しドライバＩＣ３０に供給される。なお、フレキシブルケーブル２０には、マイクロコントローラ１２とドライバＩＣ３０を接続するラインに接続された後述する不揮発性メモリ２２が搭載されている。
【００３０】
ドライバＩＣ３０は、表示パネル４０にデータ電圧を供給するものであり、内部にデータラッチ３２、Ｄ／Ａコンバータ３４、ゲートドライバ３６を有している。データラッチ３２は、ディスプレイ駆動部１０からフレキシブルケーブル２０を介し入力されてくる１行分の各画素の画素データを順次記憶し、各データラインＤａｔａに対応したデジタルデータを出力をする。データラッチ３２の出力は、Ｄ／Ａコンバータ３４に供給され、このＤ／Ａコンバータ３４がデータラッチ３２からの各画素のデジタルデータをアナログのデータ電圧に変換して表示パネル４０の対応するデータラインＤａｔａに供給する。
【００３１】
また、ゲートドライバ３６は、水平同期信号、垂直同期信号に基づいて、ゲートラインＧａｔｅを１水平期間毎に順次活性化する。
【００３２】
表示パネル４０は、例えば透明基板（ガラス基板）上に図１に示したような画素回路がマトリクス状に形成されたものであり、画素の各列に対応してデータラインＤａｔａが設けられ、各行に対応してゲートラインＧａｔｅが設けられている。また、通常は電源ラインが例えば各列に対応して設けられ、この電源ラインが電源ＰＶｄｄとなり、さらに、有機ＥＬ素子３のカソードは全画素共通に形成されてこのカソードが電源ＣＶとなる。なお、ＴＦＴは、基板上に形成されたアモルファスシリコンや、ポリシリコンを能動層として形成される。
【００３３】
データラッチ３２から、その一行分のデータ電圧がデータラインＤａｔａに供給されている状態で、該当する行のゲートラインＧａｔｅが活性化され、データラインＤａｔａのデータ電圧が対応する各画素に書き込まれる。従って、各画素において、その画素の画像データに基づいた表示が行われ、これが各画素について行われるため、表示パネル４０において画像データに応じた表示が行われる。
【００３４】
図１０には、フレキシブルケーブル２０、ドライバＩＣ３０、および表示パネル４０の外観が示されている。このように、フレキシブルケーブル２０の一端には、ディスプレイ駆動部１０に設けられた端子部と接続される接続端子部２４が形成されおり、他端がドライバＩＣ３０及び表示パネル４０に接続される。ドライバＩＣ３０は表示パネル４０のガラス基板上にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）として実装される。なお、表示パネル４０は、画素がマトリクス状に配置される有効画素領域の周辺に周辺領域を有しており、ここにドライバＩＣ３０が実装される。また、実装されたドライバＩＣ３０からの各種信号を有効画素領域にまで導く配線も周辺領域に配置される。
【００３５】
また、表示パネル４０に最適なＰＶｄｄとＣＶの電圧は、フレキシブルケーブル２０に実装された不揮発性メモリ２２に工場出荷時にあらかじめ書き込んでおく。この不揮発性メモリ２２には、ガンマ設定や色補正値などの表示パネルに固有な値も同時に書き込んでおいても良い。ディスプレイ駆動部１０のマイクロコントローラ１２は機器の電源立ち上げ時に、この不揮発性メモリ２２の内容を読み込み、ＤＣ−ＤＣコンバータ１４の出力電圧（電源電圧ＰＶｄｄ、ＣＶ）をＤＣ−ＤＣコンバータ１４内のレジスタ１４ａに設定する。従って、表示パネル４０の電源電圧は、不揮発性メモリ２２に記憶されている適切な値に立ち上げ時に毎回セットされる。
【００３６】
次に、このＤＣ−ＤＣコンバータ１４の出力電圧について、説明する。
【００３７】
まず、ドライバＩＣ３０のＤ／Ａコンバータ３４の最大出力電圧（Ｖｄａｍａｘ）は、Ｄ／Ａコンバータ３４が出力可能な最小電圧（Ｖｄａｍｉｎ）及び、必要な信号振幅のばらつきの最大値（Ｖｐ−ｐｍａｘ）に対して、
［式４］
Ｖｄａｍａｘ＞Ｖｐ−ｐｍａｘ＋Ｖｄａｍｉｎ
とする（図７）。ここで、Ｖｄａｍｉｎは、ＴＦＴのＶ−Ｉカーブの傾きが最も小さい表示パネルの特性における白レベルの電流が流れるデータ電圧に対応する。Ｖｄａｍａｘは、ＴＦＴのＶ−Ｉカーブの傾きが最も小さい表示パネルの特性における黒レベルの電流が流れるデータ電圧Ｖｂに対応する。
【００３８】
そして、表示パネル４０に供給する正側の電源電圧ＰＶｄｄを表示パネル４０における駆動ＴＦＴのしきい値電圧Ｖｔｈの値によって個々に調整する。すなわち、Ｖｂ＋Ｖｔｈ＝ＰＶｄｄとなるように、Ｄ／Ａコンバータ３４の出力における黒レベル電圧Ｖｂと電源電圧ＰＶｄｄを調整する。
【００３９】
これにより、本実施形態におけるＶｄａｍａｘは、Ｖｐ−ｐとＶｔｈのばらつきに相関が無いと仮定し、固定のＰＶｄｄを用いた場合のＶｄａｍａｘよりも（Ｖｔｈｍａｘ−Ｖｔｈｍｉｎ）だけ低くすることできる。
【００４０】
また、黒レベル電圧Ｖｂをあらかじめある値に固定しておく場合は、電源電圧ＰＶｄｄのみを調整すればよい。このときは、Ｖｂ−Ｖｐ−ｐｍａｘがＤ／Ａコンバータ３４が出力可能な最小電圧（Ｖｄａｍｉｎ）以下とならないように注意する必要がある。
【００４１】
例えば、図８に示すように、Ｄ／Ａ出力の最小電圧（Ｖｄａｍｉｎ）が０．５Ｖで、ＴＦＴカーブの傾きが最小の表示パネルに必要な最大入力信号振幅を３．５Ｖｐ−ｐとすると、黒電圧（Ｖｂ）として設定できる最小電圧は４．０Ｖとなる。この４．０Ｖ以上の黒電圧が必要となる表示パネル４０はないはずであり、従ってＤ／Ａコンバータ３４の最大出力（Ｖｄａｍａｘ）は４．０Ｖ以上であればよいことになる。
【００４２】
駆動用ＴＦＴのソース側電源であるＰＶｄｄは、個々の表示パネルにおける駆動用ＴＦＴの平均的しきい値電圧Ｖｔｈに応じて変更する。
【００４３】
例えば、Ｖｔｈが１．５Ｖの表示パネルであれば、
［式５］
ＰＶｄｄ＝Ｖｂ＋Ｖｔｈ＝４．０Ｖ＋１．５Ｖ＝５．５Ｖ
に設定する。
【００４４】
設定する電源電圧ＰＶｄｄの最大値は、Ｖｔｈの最大値（Ｖｔｈｍａｘ）で決定され、Ｖｂ＋Ｖｔｈｍａｘとなる。
【００４５】
ここで、表示パネル４０における駆動ＴＦＴのしきい値Ｖｔｈは、駆動ＴＦＴがオンする駆動ＴＦＴのゲート電圧とソース電圧の差Ｖｇｓである。そこで、電源電圧ＰＶｄｄを所定の高電圧に設定しておき、全画素に供給するデータ電圧を変更して、表示パネル４０全体に流れる電流（表示パネル電流）が、流れ始める電圧値を計測すればよい。また、全画素のデータ電圧を一定値（例えば黒レベル電圧Ｖｂ）にセットしておき、電源電圧ＰＶｄｄを変更して、表示パネル電流が流れ始める電圧値を計測してもよい。
【００４６】
このようにして、平均的なＶｔｈが計測できた場合には、その値またはその値に応じたＰＶｄｄなどを不揮発性メモリ２２に書き込む。そして、表示装置の立ち上がり時にマイクロコントローラ１２が実行するプログラムに、不揮発性メモリ２２内のデータを読み出し、読み出したデータに従って、ＤＣ−ＤＣコンバータ１４の出力電圧をセットするジョブを記載しておくことで、上述のような表示パネル４０内の駆動ＴＦＴの平均的なＶｔｈに従ったＰＶｄｄの設定が行われる。
【００４７】
「その他の構成」
（ｉ）通常、有機ＥＬ素子のカソード電圧ＣＶは、最大輝度を出力した時にも画素駆動用ＴＦＴが飽和領域からはずれないように設定される。一般的に、ＰＶｄｄとＣＶ間の電圧（ＰＶｄｄ−ＣＶ）はＶｐ−ｐと有機ＥＬ素子の特性によって決定される。したがって、ＣＶ電圧が固定の場合、全ての表示パネルで画素駆動用ＴＦＴが飽和領域で動作するようにするには、Ｖｐ−ｐが最大の表示パネルに合わせてＣＶを決める必要がある。
【００４８】
これに対し、個々の表示パネルのＶｐ−ｐの値に応じて（ＰＶｄｄ−ＣＶ）を変えることにより、ＣＶ電圧を必要かつ最小の値にすることが可能である。例えば、前述の方法により決定したＰＶｄｄの値に対し、Ｖ０を有機ＥＬ素子の特性に依存する一定の値として、ＣＶを、
［式６］
ＣＶ  ＝  ＰＶｄｄ−Ｖｐ−ｐ−Ｖ０
とする。これにより、表示パネル毎に消費電力を最小にすることが可能である。
（ｉｉ）また、ＴＦＴに長時間電流を流しつづけるとＶｔｈが徐々に変化していくことがある。特に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を能動層として利用するＴＦＴではこの変化は顕著であり、表示パネルを長く使用するとＶｔｈの上昇により表示パネルの輝度が低下する。これを避けるため、定期的に表示パネルの平均Ｖｔｈを測定し、その時点のＶｔｈに対して最適な黒レベルとなるようにＰＶｄｄを調整することもできる。
【００４９】
例えば、図１１に示す構成によって、上記のような調整が行える。ＤＣ−ＤＣコンバータ１４のＣＶ電圧出力と表示パネル４０のＣＶ端の接続ラインに電流検出回路５０を設ける。これによって、電流検出回路５０により、表示パネル４０における全電流を検出することができる。電流検出回路５０の検出結果は、Ａ／Ｄコンバータ５２に供給され、ここでデジタルデータに変換されて、マイクロコントローラ１２に供給される。マイクロコントローラ１２は、検出された電流に応じて、ＤＣ−ＤＣコンバータ１４の出力電圧を設定するが、この設定は次のようにして行う。
【００５０】
まず、ディスプレイ駆動部１０からのＲＧＢ信号を黒レベルとすることによって、表示パネル４０の全ての画素に電圧Ｖｂを与える。この状態で、電源電圧ＰＶｄｄの値を徐々に変化させ、表示パネル電流（ＣＶ電流）が流れ始める電圧を検出する。この表示パネル電流が流れ始める電圧が黒レベルを与えるデータ電圧であり、この値に応じて不揮発性メモリ２２内のデータを書き換える。また、不揮発性メモリ２２内のデータはそのままにしておき、その補正データをディスプレイ駆動部１０側における不揮発性メモリに保持しておいてもよい。
【００５１】
本実施形態では、電流検出回路５０およびＡ／Ｄコンバータ５２をディスプレイ駆動部１０内に設けてある。従って、外部の機器内において、表示パネル４０におけるＴＦＴの特性変化に対する自動補正が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】画素回路の構成を示す図である。
【図２】データ電圧とＣＶ電流との関係を示す図である。
【図３】特性の異なる２つのＴＦＴにおけるデータ電圧とＣＶ電流との関係を示す図である。
【図４】ＰＶｄｄが固定の場合のＶｄａｍａｘの最小値を示す図である。
【図５】ＰＶｄｄが固定の場合のＶｄａｍａｘの最小値を示す別の例を説明する図である。
【図６】具体的な値を用いてＰＶｄｄが固定の場合のＶｄａｍａｘの最小値をを示す図である。
【図７】ＰＶｄｄ電圧をパネル毎に調整する場合のＶｄａｍａｘの最小値を示す図である。
【図８】具体的な値を用いて、ＰＶｄｄ電圧をパネル毎に調整する場合のＶｄａｍａｘの最小値を示す図である。
【図９】実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図１０】表示パネルおよびフレキシブルケーブルの外観を示す図である。
【図１１】他の実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  ディスプレイ駆動部、１２  マイクロコントローラ、１４ａ  レジスタ、２０  フレキシブルケーブル、２２  不揮発性メモリ、２４  接続端子部、３２  データラッチ、３４  コンバータ、３６  ゲートドライバ、４０  表示パネル、５０  電流検出回路、５２  Ａ／Ｄコンバータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2007310033.tif 000006
【図５】
2007310033.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007310033.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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