(57)【要約】【課題】微分干渉装置を介した観察によって、光透過性の基板とＩＣチップとの間に混入された異物の検出を行う際において、異物が検出できない事態を従来に比べて回避し得る表示パネル用基板を提供する。【解決手段】ＩＣチップ（例えば、ゲートドライバＩＣ４又はソースドライバＩＣ５）が実装されるアクティブマトリクス基板（表示パネル用基板）１であって、それを構成する光透過性のベース基板（例えば、ガラス基板１１）上に、ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃと、第２の金属配線層１２とを形成する。このとき、第２の金属配線層１２は、ベース基板の厚み方向において、ＩＣチップの実装面の全部又は一部と重なるように形成する。第２の金属配線層１２は、アクティブマトリクス基板１の機能に貢献しない配線層であるのが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップが実装される表示パネル用基板であって、
光透過性のベース基板と、前記ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層と、第２の金属配線層とを備え、
前記第２の金属配線層は、前記ベース基板上に、前記ベース基板の厚み方向において前記ＩＣチップの実装面の全部又は一部と重なるように形成されていることを特徴とする表示パネル用基板。
【請求項２】
前記第２の金属配線層が、当該表示パネル用基板の機能に貢献しない配線層である請求項１に記載の表示パネル用基板。
【請求項３】
前記第２の金属配線層が、前記厚み方向において前記ＩＣチップの実装面と重なる領域中の、少なくとも前記厚み方向において前記第１の金属配線層と重ならない領域に形成されている請求項１に記載の表示パネル用基板。
【請求項４】
前記第２の金属配線層を被覆するように絶縁膜が形成され、
前記第１の金属配線層が、前記絶縁膜の上に形成されている請求項１に記載の表示パネル用基板。
【請求項５】
マトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタを更に備え、
前記複数の薄膜トランジスタそれぞれは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極を備え、
前記ＩＣチップが、前記複数の薄膜トランジスタが配置されている領域の周辺の領域に、実装され、
前記第２の金属配線層が、前記ゲート電極と同一の材料によって形成され、
前記第２の金属配線層を被覆する絶縁膜が、前記ゲート絶縁膜と同一の材料によって形成され、
前記第１の金属配線層が、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一の材料によって形成されている請求項４に記載の表示パネル用基板。
【請求項６】
上記請求項１〜５のいずれかに記載の表示パネル用基板を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタとＩＣチップ実装部とが設けられ、前記ＩＣチップ実装部は、前記ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層と、第２の金属配線層とを備えている表示パネル用基板の製造方法であって、
（ａ）光透過性のベース基板上への金属膜の形成と前記金属膜へのエッチッグンとによって、前記ベース基板の厚み方向において前記ＩＣチップの実装面の全部又は一部と重なるように前記第２の金属配線層を形成し、更に同時に前記薄膜トランジスタのゲート電極を形成する工程と、
（ｂ）前記第２の金属配線層及び前記ゲート電極の上層に、これらを覆う絶縁膜を形成して、前記第２の金属配線層を絶縁する絶縁膜と薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを同時に形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁層の上層に、前記（ａ）の工程で形成された金属膜とは別の金属膜を形成し、これにエッチングを施して、前記第１の金属配線層と前記薄膜トランジスタのソース電極及び前記ドレイン電極とを同時に形成する工程とを備えていることを特徴とする表示パネル用基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の金属配線層が、当該表示パネル用基板の機能に貢献しない配線層である請求項７に記載の表示パネル用基板の製造方法。
【請求項９】
前記（ａ）の工程において、前記第２の金属配線層が、前記厚み方向において前記ＩＣチップの実装面と重なる領域中の、少なくとも前記厚み方向において前記第１の金属配線層と重ならない領域に形成される請求項７に記載の表示パネル用基板の製造方法。
【請求項１０】
上記請求項１〜５のいずれかに記載の表示パネル用基板を、その裏面から、微分干渉装置を備えた顕微鏡によって観察することを特徴とする表示パネル用基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに代表される各種の表示パネルに用いられる基板であって、ＩＣチップが実装されるものに関し、更には、それを用いた表示装置、表示パネル用基板の製造方法及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示パネルは、複数個の画素がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、対向電極や各画素に対応したカラーフィルタが設けられた対向基板と、これらの間に挟み込まれた液晶層とを備えている。アクティブマトリクス基板において、各画素は、主に、アクティブ素子として機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、画素電極とで構成されている。また、アクティブマトリクス基板には、薄膜トランジスタを駆動するために、ゲートドライバＩＣやソースドライバＩＣといったＩＣチップが実装される。
【０００３】
ＩＣチップの実装方式としては、アクティブマトリクス基板に接続されたフレキシブルプリント基板にＩＣチップを実装するＴＣＰ（tape carrier package）実装と、ＩＣチップをアクティブマトリクス基板に直接実装するＣＯＧ（chip on glass）実装とが知られている。このうち、近年では、工数の削減、ファインピッチ化、液晶表示パネルの薄型化の点から、ＣＯＧ実装の採用が増加している。
【０００４】
図４は、従来のアクティブマトリクス基板のＩＣチップ実装部の構成を示す断面図である。図５は、図４に示したアクティブマトリクス基板を裏面から観察した状態を示す平面図である。なお、アクティブマトリクス基板の裏面とは、回路や配線が形成されていない面をいう。また、図４においては、異方導電膜を除く導電性の部材にのみハッチングを施している。
【０００５】
図４に示すように、ＩＣチップ３６は、アクティブマトリクス基板のＩＣチップ実装部にＣＯＧ実装される。具体的には、ＩＣチップ３６の端子（図示せず）は、バンプ３５及び異方導電性膜（ＡＣＦ）３６を介して、ＩＴＯ膜で形成された実装用のパッド３４に接続される。パッド３４は、信号が供給される金属配線層３２ａ〜３２ｃのいずれかに接続されている。
【０００６】
また、金属配線層３２ａ〜３２ｃは、パッド３４との接続箇所を除き、絶縁膜３３によって被覆されている。更に、金属配線層３２ａ〜３２ｃそれぞれには異なる信号が供給されるため、金属配線層３２ａと３２ｂとの間、及び３２ｂと３２ｃとの間は絶縁膜３３によって絶縁されている。金属配線層３２ａ〜３２ｃの例としては、ベース基板（ガラス基板）３１上に、アルミニウム等の金属によって形成されたゲート線やソース線等が挙げられる。また、バンプ３５とパッド３４とをＡＣＦ３６中の導電粒子によって電気的に接続するため、ＣＯＧ実装ではＩＣチップ３６に対して加熱及び加圧が行われる。
【０００７】
このようなＣＯＧ実装が採用された液晶表示パネルにおいては、微分干渉装置が組み込まれた顕微鏡を用いて、外観検査が行われる場合がある（例えば、非特許文献１及び２参照。）。微分干渉装置は、通常、ヒトの目やカメラではコントラスト良く観察できない微小な凹凸を、微分干渉によって可視化する装置である。微分干渉装置を通して得られた画像では、微小な凹凸が高いコントラストで表現される。
【０００８】
例えば、図４に示すように、ＩＣチップ３６とアクティブマトリクス基板との間に微小な異物３７が混入されると、金属配線層３２ｂには微小な凹凸が発生する。このとき、図５に示すように、アクティブマトリクス基板の実装領域を裏面側から微分干渉装置を通して観察すると、異物３７の存在による微小な凹凸が高いコントラストで表現される。
【０００９】
また、ＡＣＦ３６に含まれる導電粒子によってパッド３４に生じた圧痕（図示せず）も、微分干渉装置を通すことで、高いコントラストで表現される。よって、微分干渉装置が組み込まれた顕微鏡によって外観検査を行えば、微小な異物３７が混入していないかどうかや、ＡＣＦ３６による接続に異常が生じていないかどうかを確認することができる。
【００１０】
なお、液晶表示パネルにおいては、通常、電気的な検査が行われるため、異物の混入やＡＣＦの接続不良は、これらが電流のリークやショートを発生させる程のものである場合は、電気的な検査によって発見される。但し、現時点において電気的な異常を生じさせない異物であっても、将来、金属配線層やＩＣチップを損傷させて電気的な異常を生じさせる可能性を備えている。よって、微分干渉装置が組み込まれた顕微鏡による外観検査によれば、このような将来異常を引き起こす可能性がある異物を発見できることから、液晶表示パネルの信頼性をより一層向上させることができる。
【非特許文献１】株式会社ニコン、“工業用顕微鏡  ＬＶ１５０／ＬＶ１５０Ａ／ＬＶ１００Ｄ”、日本、２００５年４月、ｐ．６，９，１２−１３
【非特許文献２】ダイエレクトロン株式会社、製品情報“ウェーハ外観検査システム簡易型ＶＩＭ−１５０”、［online］、２００４年、［２００５年１０月１４日検索］、インターネット < URL :  HYPERLINK "http://www.daitron.co.jp/item/DE000030.html" http://www.daitron.co.jp/item/DE000030.html>
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述の外観検査においては、異物３７が、金属配線層３２ａ〜３２ｃの設けられていない領域、即ち、金属配線層３２ａと３２ｂとの間や、３２ｂと３２ｃとの間に位置していると、その存在の確認が困難になるという問題がある。これは、例えば、異物３７が領域Ｘや領域Ｙ（図４及び図５参照）に位置すると、異物３７とガラス基板３１との間には透明な絶縁膜３３しか存在しないため、微分干渉装置を通しても、異物３７が存在している部分のコントラストが高くならないからである。この場合は、異物３７の色彩が周囲の色彩と大きく異ならない限り、異物３７の検出は困難である。
【００１２】
本発明の目的は、上記問題を解消し、微分干渉装置を介した観察によって、光透過性の基板とＩＣチップとの間に混入された異物の検出を行う際において、異物が検出できない事態を従来に比べて回避し得る表示パネル用基板、それを用いた表示装置、表示パネル用基板の製造方法及び検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明における表示パネル用基板は、ＩＣチップが実装される表示パネル用基板であって、光透過性のベース基板と、前記ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層と、第２の金属配線層とを備え、前記第２の金属配線層は、前記ベース基板上に、前記ベース基板の厚み方向において前記ＩＣチップの実装面の全部又は一部と重なるように形成されていることを特徴とする。また、本発明における表示装置は、上記本発明における表示パネル用基板を有することを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するために、本発明における表示パネル用基板の製造方法は、マトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタとＩＣチップ実装部とが設けられ、前記ＩＣチップ実装部は、前記ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層と、第２の金属配線層とを備えている表示パネル用基板の製造方法であって、（ａ）光透過性のベース基板上への金属膜の形成と前記金属膜へのエッチッグンとによって、前記ベース基板の厚み方向において前記ＩＣチップの実装面の全部又は一部と重なるように前記第２の金属配線層を形成し、更に同時に前記薄膜トランジスタのゲート電極を形成する工程と、（ｂ）前記第２の金属配線層及び前記ゲート電極の上層に、これらを覆う絶縁膜を形成して、前記第２の金属配線層を絶縁する絶縁膜と薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを同時に形成する工程と、（ｃ）前記絶縁層の上層に、前記（ａ）の工程で形成された金属膜とは別の金属膜を形成し、これにエッチングを施して、前記第１の金属配線層と前記薄膜トランジスタのソース電極及び前記ドレイン電極とを同時に形成する工程とを備えていることを特徴とする。
【００１５】
更に、上記本発明における表示パネル用基板の検査方法は、上記本発明における表示パネル用基板を、その裏面から、微分干渉装置を備えた顕微鏡によって観察することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明においては、ＩＣチップの端子に接続される第１の金属配線層とは別に、第２の金属配線層が形成される。また、第２の金属配線層は、表示パネル用基板を裏面（ＩＣチップが実装される面の反対面）から見たときにＩＣチップの実装面の全部又は一部と重なっている。このため、本発明によれば、従来に比べて、ベース基板とＩＣチップとの間に透明な絶縁膜しか存在していない事態を少なくでき、微分干渉装置を介した観察によって異物が検出できない事態を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明における表示パネル用基板は、ＩＣチップが実装される表示パネル用基板であって、光透過性のベース基板と、前記ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層と、第２の金属配線層とを備え、前記第２の金属配線層は、前記ベース基板上に、前記ベース基板の厚み方向において前記ＩＣチップの実装面の全部又は一部と重なるように形成されていることを特徴とする。
【００１８】
上記本発明における表示パネル用基板においては、前記第２の金属配線層は、当該表示パネル用基板の機能に貢献しない配線層であっても良い。また、上記本発明における表示パネル用基板は、前記第２の金属配線層が、前記厚み方向において前記ＩＣチップの実装面と重なる領域中の、少なくとも前記厚み方向において前記第１の金属配線層と重ならない領域に形成されている態様であるのが好ましい。この態様によれば、表示パネル用基板を構成しているベース基板とＩＣチップとの間には、必ず何らかの金属配線層が存在し、ＩＣチップの実装時に混入した異物の位置に拘わらず、いずれかの金属配線層に微小な凹凸が生じる。従って、この態様であれば、微分干渉装置を介した観察によって、簡単に異物を検出することができる。
【００１９】
上記本発明における表示パネル用基板においては、前記第２の金属配線層を被覆するように絶縁膜が形成され、前記第１の金属配線層が、前記絶縁膜の上に形成されていても良い。また、上記本発明における表示パネル用基板は、マトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタを更に備え、前記複数の薄膜トランジスタそれぞれは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極を備え、前記ＩＣチップが、前記複数の薄膜トランジスタが配置されている領域の周辺の領域に、実装され、前記第２の金属配線層が、前記ゲート電極と同一の材料によって形成され、前記第２の金属配線層を被覆する絶縁膜が、前記ゲート絶縁膜と同一の材料によって形成され、前記第１の金属配線層が、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一の材料によって形成されている態様であるのが好ましい。この場合は、コストの削減を図ることができる。
【００２０】
また、本発明における表示パネル用基板の製造方法は、マトリクス状に配置された複数の薄膜トランジスタとＩＣチップ実装部とが設けられ、前記ＩＣチップ実装部は、前記ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層と、第２の金属配線層とを備えている表示パネル用基板の製造方法であって、（ａ）光透過性のベース基板上への金属膜の形成と前記金属膜へのエッチッグンとによって、前記ベース基板の厚み方向において前記ＩＣチップの実装面の全部又は一部と重なるように前記第２の金属配線層を形成し、更に同時に前記薄膜トランジスタのゲート電極を形成する工程と、（ｂ）前記第２の金属配線層及び前記ゲート電極の上層に、これらを覆う絶縁膜を形成して、前記第２の金属配線層を絶縁する絶縁膜と薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを同時に形成する工程と、（ｃ）前記絶縁層の上層に、前記（ａ）の工程で形成された金属膜とは別の金属膜を形成し、これにエッチングを施して、前記第１の金属配線層と前記薄膜トランジスタのソース電極及び前記ドレイン電極とを同時に形成する工程とを備えていることを特徴とする。本発明における表示パネル用基板の製造方法によれば、製造工程を増加することなく、ＩＣチップ実装部を作製できるため、コストの増加を抑制することができる。
【００２１】
上記本発明における表示パネル用基板の製造方法においては、前記第２の金属配線は、当該表示パネル用基板の機能に貢献しない配線層であっても良い。また、上記本発明における表示パネル用基板の製造方法は、前記（ａ）の工程において、前記第２の金属配線層が、前記厚み方向において前記ＩＣチップの実装面と重なる領域中の、少なくとも前記厚み方向において前記第１の金属配線層と重ならない領域に形成される態様とすることができる。この態様であれば、製造された表示パネル用基板に対して、微分干渉装置を介した観察によって異物検査を行う際に、簡単に異物を検出することができる。
【００２２】
更に、上記本発明における表示パネル用基板の検査方法は、上記本発明における表示パネル用基板を、その裏面から、微分干渉装置を備えた顕微鏡によって観察することを特徴とする。この場合、ＩＣチップと表示パネル用基板との間に混入された異物は、高いコントラストでその存在が表現されるため、確実の異物の存在を検出できる。
【００２３】
（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態における表示パネル用基板、表示装置、表示パネル用基板の製造方法について、図１〜図３を参照しながら説明する。最初に、本実施の形態における表示装置の全体構成について図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態における表示装置を示す斜視図である。
【００２４】
図１に示すように、本実施の形態において、表示装置は透過型の液晶表示装置であり、表示パネル１０は液晶表示パネルである。表示装置は、表示パネル１０に加え、それを照明するバックライト装置９も備えている。バックライト装置９は、本実施の形態では、エッジライト型のバックライト装置であり、導光板６と、光源となる蛍光ランプ７と、ランプリフレクタ８とを備えている。なお、バックライト装置９の構成は、図１に示した例に限定されるものではない。また、表示装置は、バックライト装置９を備える必要がない反射型の液晶表示装置であっても良い。
【００２５】
表示パネル１０は、アクティブマトリクス基板１と、液晶層２と、対向基板３とを備えている。アクティブマトリクス基板１の液晶層２と接触している領域（表示領域）には、マトリクス状に配置された複数の画素部が設けられている（図２参照）。また、アクティブマトリクス基板１において、表示領域の周辺の領域（周辺領域）には、複数のＩＣチップ実装部（図２参照）が設けられている。
【００２６】
ＩＣチップ実装部には、画素部を駆動するためのＩＣチップ、例えば、ゲートドライバＩＣ４や、ソースドライバＩＣ５が実装されている。図１の例では、ＩＣチップ実装部とは、アクティブマトリクス基板１においてＩＣチップを実装できるように構成された部分をいい、ゲートドライバＩＣ４の直下とソースドライバＩＣ５の直下とに設けられている（図２参照）。
【００２７】
また、図１においては図示していないが、アクティブマトリクス基板の表示領域には、ゲートドライバＩＣ４からの信号を画素部に送るためのゲート配線や、ソースドライバＩＣ５からの信号を画素部に送るためのソース配線も設けられている。これらの配線は、従来と同様に、アルミニウム等の金属で形成されている。対向基板３には、共通電極や、カラーフィルタが設けられている。
【００２８】
次に、本実施の形態における表示パネル用基板（アクティブマトリクス基板１）のＩＣチップ実装部について図２及び図３を用いて説明する。図２は、図１に示した表示パネル用基板のＩＣチップ実装部の構成を示す断面図である。図３は、図２に示したＩＣチップ実装部を表示パネルの裏面から観察した状態を示す平面図である。なお、図２及び図３においては、表示パネル１０の構成要素のうち（図１参照）、アクティブマトリクス基板１のみを図示している。また、図２においては、異方導電膜を除く導電性の部材にのみハッチングを施している。
【００２９】
図２に示すように、ＩＣチップ実装部には、ゲートドライバＩＣ４又はソースドライバＩＣ５（以下、「ＩＣチップ」とする。）が実装される。ＩＣチップ実装部は、ガラス基板１１上に設けられた第２の金属配線層１２と、その上に絶縁膜１３を介して設けられた第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃとを備えている。ガラス基板１１は、アクティブマトリクス基板１のベース基板である。
【００３０】
第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃは、表示パネル用基板の機能に貢献する配線層であり、ＩＣチップの端子（図示せず）を、例えば、画素部を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極２５やゲート電極２５等に接続するのに用いられる。また、第１の金属配線層１４ａ〜１４ｂには、ＩＴＯ膜で形成されたＩＣチップ実装用のパッド１５が接続されている。第１の金属配線層１４ａ〜１４ｂは、パッド１５を介して、ＩＣチップの端子（図示せず）に電気的に接続される。
【００３１】
本実施の形態においても、ＩＣチップの端子とパッド１５とは、図４に示した従来例と同様に、バンプ１８及び異方導電性膜（ＡＣＦ）１７を介して接続される。また、第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃは、パッド１５との接続箇所を除き、絶縁性の保護膜１６によって被覆されている。更に、金属配線層１４ａ〜１４ｃそれぞれには異なる信号が供給されるため、金属配線層１４ａと１４ｂとの間、１４ｂと１４ｃとの間は、保護膜１６によって絶縁されている。
【００３２】
一方、第２の金属配線層１２は、表示パネル用基板の機能、例えばＴＦＴのスイッチング等に貢献しない配線層である。本実施の形態では、第２の金属配線層１２は、絶縁膜１３によって被覆されており、第１の金属配線層１４ａ〜１４ｂを含む周囲から絶縁されている。なお、第２の金属配線層１２は、本実施の形態の例に限定されるものではなく、周囲から完全に絶縁されていない態様であっても良い。例えば、第２の金属配線層１２は、ＩＣチップのグランド端子や、表示パネル用基板のグランド配線等に電気的に接続されていても良い。
【００３３】
また、本実施の形態では、第２の金属配線層１２は、ガラス基板１１の厚み方向（以下、単に「厚み方向」という。）においてＩＣチップの実装面の全部と重なるように、ガラス基板１１上に形成されている。言い換えると、第２の金属配線層１２は、アクティブマトリクス基板１を裏面から観察したときに、ＩＣチップが第２の金属配線層１２で隠れるように形成されている（図３）。
【００３４】
このため、本実施の形態においては、アクティブマトリクス基板１のＩＣチップ実装部において、ベース基板（ガラス基板１１）とＩＣチップとの間には、必ず第２の金属配線層１２が存在する。よって、ＩＣチップの実装時に混入した異物がどの位置に存在していても、異物の混入により、第２の金属配線層１２には微小な凹凸が生じる。
【００３５】
例えば、図２の例では、異物１９は、第１の金属配線層１４ｂと１４ｃとの間に存在しており、第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃには微小な凹凸は生じないが、第２の金属配線層１２には微小な凹凸が生じている。このため、従来例であれば、微分干渉装置を介した観察によって検出できない位置にある異物１９であっても、図３に示すように、簡単に検出できる。
【００３６】
なお、図２及び図３に示した本実施の形態では、第２の金属配線層１２は、厚み方向においてＩＣチップの実装面の全部と重なるように形成されているが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明においては、第２の金属配線層１２は、厚み方向において、ＩＣチップの実装面の一部と重なるように形成されているだけでも良い。この場合であっても、従来例に比べて、異物の検出は容易なものとなる。
【００３７】
但し、異物検出の確実性の点から、第２の金属配線層１２は、厚み方向においてＩＣチップの実装面と重なる領域中の、少なくとも厚み方向において第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃと重ならない領域に形成されているのが良い。つまり、第２の金属配線層１２は、少なくとも、図３に示す第１の金属配線層１４ａと１４ｂとの間や、１４ｂと１４ｃとの間に、第１の金属配線層の隙間を埋めるように形成されているのが良い。この場合は、ガラス基板１１とＩＣチップとの間には、必ず何らかの金属配線層が存在し、異物１９の位置に拘わらず、いずれかの金属配線層に微小な凹凸が生じるからである。
【００３８】
また、第２の金属配線層１２の形成位置は、特に限定されるものではなく、ガラス基板１１と第２の金属配線層１２との間には、他の層が介在していても良い。但し、微分干渉による微小な凹凸の観察を容易にするため、図２に示すように、第２の金属層１２は、ガラス基板１１の一方の主面上に形成されているのが好ましい。また、本実施の形態において混入される異物１９の例としては、ガラス基板の破片（ガラス片）、ＩＣチップの破片（シリコン片）、更には作業者の衣類の繊維片（糸くず）等が挙げられる。
【００３９】
また、本実施の形態においては、図２に示すＩＣチップ実装部の形成は、画素部の形成工程を利用して行われている。この点について説明する。先ず、画素部の構成について説明すると、図２中の右側の部分に示すように、画素部は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と画素電極２７とを主に備えている。ＴＦＴは、ガラス基板１１上に設けられたゲート電極２１、それを覆うように形成されたゲート絶縁膜２２、半導体層２３、ｎ＋層２４、ソース電極２５、及びドレイン電極２６を備えている。また、ＴＦＴは、絶縁性の保護膜２８によって被覆されている。更に、画素電極２７は、ＩＴＯ膜によって形成されており、ＴＦＴのドレイン電極２６に接続されている。
【００４０】
次に、図２に示すＩＣチップ実装部と画素部との形成工程について説明する。最初に、ベース基板１１上に第２の金属配線層１２とＴＦＴのゲート電極２１とが同一の材料によって同時に形成される。具体的には、ベース基板１１の一方の主面への金属膜の形成、レジストパターンの形成、及びエッチングが順に行われる。
【００４１】
次いで、ＩＣチップ実装部の絶縁膜１３とＴＦＴのゲート絶縁膜２２とが同一の材料によって同時に形成される。具体的には、ＣＶＤ法等によってシリコン窒化膜が形成され、それが、所定の形状にパターニングされて絶縁膜１３及びゲート絶縁膜２２となる。
【００４２】
そして、半導体層２３及びｎ＋層２４の形成後、第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃとＴＦＴのソース電極２５及びドレイン電極２６とが同一の材料によって同時に形成される。具体的には、金属膜の形成、レジストパターンの形成、及びエッチングが順に行われる。その後、ＩＴＯ膜の形成、レジストパターンの形成、及びエッチングが順に行われて、パッド１５と、画素電極２７とが同時に形成される。更に、絶縁膜が形成され、これによって、保護膜１６と保護膜２８とが同時に形成される。
【００４３】
このように、本実施の形態においては、図２に示すＩＣチップ実装部の形成は、画素部の形成工程を利用して行われるため、アクティブマトリクス基板１の形成工程の増加によるコストアップが抑制される。なお、ＩＣチップ実装部の形成は、画素部の形成工程を利用しないで行っても良い。また、本実施の形態では、アクティブマトリクス基板のベース基板として、ガラス基板が利用されているが、本発明はこれに限定されるものではない。ベース基板は、光透過性を有するのであれば良く、樹脂性の基板であっても良い。また、ベース基板は、可撓性を有していても良い。
【００４４】
更に、本実施の形態は、本発明を液晶表示パネルに利用した例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、ＩＣチップが実装される可能性がある表示パネルであれば適用でき、例えば、ＥＬ表示パネル、ＦＥＤパネル、プラズマ表示パネル等にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、ＩＣチップが実装される表示パネル、例えば、液晶表示パネルに有用であり、産業上の利用可能性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態における表示装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示した表示パネル用基板のＩＣチップ実装部の構成を示す断面図である。
【図３】図２に示したＩＣチップ実装部を表示パネルの裏面から観察した状態を示す平面図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス基板のＩＣチップ実装部の構成を示す断面図である。
【図５】図４に示したアクティブマトリクス基板を裏面から観察した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  アクティブマトリクス基板
２  液晶層
３  対向基板
４  ゲートドライバＩＣ（ＩＣチップ）
５  ソースドライバＩＣ（ＩＣチップ）
６  導光板
７  蛍光ランプ（光源）
８  ランプリフレクタ
９  バックライト装置
１０  表示パネル
１１  ガラス基板（ベース基板）
１２  第２の金属配線層
１３  絶縁膜
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ  第１の金属配線層
１５  パッド
１６  保護膜
１７  異方導電性膜
１８  バンプ
１９  異物
２１  ゲート電極
２２  ゲート絶縁膜
２３  半導体層
２４  ｎ＋層
２５  ソース電極
２６  ドレイン電極
２７  画素電極
２８  ＴＦＴの保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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