(57)【要約】【課題】  シリコン単結晶の抵抗率分布および格子間酸素濃度分布の均一性を向上させシリコンウェーハの低コスト化を容易にする。【解決手段】  メインチャンバ１１内に希ガスを流入させる。そして、原料シリコン融液１２を石英るつぼ１３内に形成し、種結晶を着液し、引上げ軸１９を一方向に回転させ所定の引き上げ速度でシリコン単結晶１５を引き上げる。ここで、支持軸１７は回転し上方駆動して原料シリコン融液１２の融液面を一定の高さに維持する。このシリコン単結晶１５の引き上げ育成において、輻射シールド１６の下端と原料シリコン融液１２の融液面との離間距離Ｌを６０ｍｍ以上にする。更には、上記引き上げ速度Ｖは、０．５５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ＜０．７５ｍｍ／ｍｉｎを満たすようにする。【選択図】  図１
2007210820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料シリコン融液が充填されるるつぼと、該るつぼを周囲から加熱するヒータと、前記るつぼから引き上げられるシリコン単結晶に対する前記ヒータからの輻射熱を遮蔽する輻射シールドとを備えたＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、
前記輻射シールド下端と前記原料シリコン融液面との距離が６０ｍｍ未満にならないようにし、
前記原料シリコン融液と前記シリコン単結晶との固液界面における引き上げ方向の温度勾配をＧとし、前記温度勾配Ｇの前記固液界面の径方向での最大値をＧmax、前記温度勾配Ｇの前記径方向での最小値をＧminとしたとき、
（Ｇmax−Ｇmin）／Ｇminの値が０．１８未満になるようにシリコン単結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン単結晶の引き上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とするとき、０．５５≦Ｖ＜０．７５を満たすようにシリコン単結晶を成長させることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン単結晶中の八面体状ボイド欠陥の面密度を１５０個／ｃｍ２以下にすることを特徴とする請求項1又は２に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン単結晶を加工したシリコンウェーハにおいて、前記シリコンウェーハ面内の抵抗率の最大値をρmax、前記面内の抵抗率の最小値をρmin、同様にシリコンウェーハ面内の格子間酸素の濃度の最大値を［Ｏi］max、前記面内の格子間酸素の濃度の最小値を［Ｏi］minとするとき、
（ρmax−ρmin）／ρminおよび（［Ｏi］max−［Ｏi］min）／［Ｏi］minの値がそれぞれ０．０５未満になるように前記シリコン単結晶を成長させることを特徴とする請求項１，２又は３に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項５】
前記シリコンウェーハの熱酸化において、熱酸化誘起の積層欠陥が発生しないことを特徴とする請求項４に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＺ法（Czochralski Method）によるシリコン単結晶の製造方法に関し、詳しくはシリコン単結晶中の不純物、格子間酸素の均一性を向上させ、シリコンウェーハの低コスト化を容易にするシリコン単結晶の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、シリコンウェーハとして半導体デバイスに使用されるシリコン単結晶の多くは、いわゆるＣＺ法といわれる引き上げ方法により育成される。このように育成されたシリコン単結晶インゴットは、種々の加工を通してスライス状のシリコンウェーハにされ半導体デバイスの基板として用いられる。
【０００３】
上記ＣＺ法では、単結晶製造装置の石英るつぼに充填した多結晶シリコンが、石英るつぼの周囲に設けたヒータにより加熱溶融されシリコン融液にされる。そして、シードチャックに取り付けた種結晶が上記溶融したシリコン融液に着液され、例えばワイヤのような引上げ軸により上記シードチャックが所定の速度で引き上げられて所要の直径および長さのシリコン単結晶が育成される。ここで、シードチャックおよび石英るつぼは互いに同方向または逆方向に回転される。
【０００４】
このシリコン単結晶の育成においては、結晶欠陥となる空孔（Vacancy）、格子間シリコン（Interstitial Silicon）、および異物原子の酸素、炭素等が単結晶中に取り込まれる。そして、これ等を元にしてシリコンウェーハに発生する結晶欠陥が、半導体デバイス特性、信頼性あるいはその製造歩留まり等に大きな影響を及ぼす。
【０００５】
例えば、上記空孔はシリコン結晶中で凝集して微細なボイド状の例えば八面体状ボイド欠陥（以下、ＬＳＴＤという）として半導体デバイスの酸化膜耐圧を劣化させるようになる（例えば、特許文献１参照）。また、格子間シリコンも凝集すると積層欠陥（Stacking Fault）を伴う転位ループ等の結晶欠陥となり、半導体デバイスを構成するｐｎ接合におけるリーク電流あるいは接合深さ異常等の劣化原因になる。
【０００６】
そして、主に石英るつぼからシリコン融液に混入する酸素は、例えばシリコン単結晶の格子間酸素（Ｏi）として可成り多量に取り込まれ（１０１８原子／ｃｍ３レベル）、シリコンウェーハに加工した後の熱処理により微小なＳｉＯ２析出物を形成する。このような析出物を以後ＢＭＤ（Bulk Micro Defect）という。このＢＭＤは熱処理を受けてその周りに例えば転位ループのような結晶欠陥を伴う。このＢＭＤが半導体デバイスの活性層に形成されるとデバイスの製造歩留まりを大きく低下させるようになる。一方、活性層以外の領域たとえばシリコンウェーハ内部に形成するように制御して重金属ゲッタリングに用いることにより、逆に製造歩留まりを向上させることができるようになる。そこで、通常においては、上記ゲッタリング効果およびシリコンウェーハの機械的強度を考慮して、適度な格子間酸素の濃度［Ｏi］がシリコン単結晶に取り込まれるように育成する。
【０００７】
また、シリコンウェーハの熱酸化において生じる、いわゆる熱酸化誘起の積層欠陥であるＯＳＦ（Oxidation
Induced Stacking Fault）が、シリコンウェーハ面にリング状に形成される（以下、Ｒ−ＯＳＦという）。このＲ−ＯＳＦは、上記熱酸化により生じた格子間型の転位ループであり、半導体デバイスの活性層において上述したｐｎ接合の劣化原因になる。
【０００８】
そこで、上述したような結晶欠陥の発生を制御し低減するために、これまで上記シリコン単結晶の育成条件と、上記空孔、格子間シリコン、格子間酸素等の関係について多くの検討がなされている。そして、経験的に種々の知見が得られている。
【０００９】
例えば、上記空孔および格子間シリコンの取り込み量は上記シリコン単結晶の引き上げ速度と強い相関を有し、上記引き上げ速度が大きくなると結晶中に空孔が多く取り込まれ、逆に引き上げ速度が小さくなると結晶中に格子間シリコンが多く取り込まれるようになる。そして、これに対応して、上述したような空孔あるいは格子間シリコン起因の結晶欠陥がシリコンウェーハに発生するようになる。
また、上記Ｒ−ＯＳＦは、引き上げ速度が大きくなるに従いリング半径が増大する。そして、引き上げ速度がある程度以上になるとＲ−ＯＳＦは、半導体デバイスで使用されないシリコンウェーハ外周部に分布するようになる。逆に、引き上げ速度が小さくなるとＲ−ＯＳＦのリング半径が減少する。そして、上記空孔型のＬＳＴＤは、Ｒ−ＯＳＦの内側に発生する傾向があることから、その発生が低減するようになる。
【００１０】
このように、結晶欠陥の発生を低減させるためのシリコン単結晶の育成条件は、例えば上記空孔起因の欠陥、格子間シリコン起因の欠陥あるいはＲ−ＯＳＦ欠陥等の間で基本的に相反してくる。このために、全ての結晶欠陥を皆無にすることができる育成方法はない。
【００１１】
このようなことから、シリコン単結晶の製造では、従来から、半導体デバイスの製造工程における熱処理も考慮に入れ、半導体デバイス側から出されるシリコンウェーハ品質を保証するように、デバイスによって異なるシリコン単結晶の育成条件が種々にとられている。ここで、シリコンウェーハ品質は、半導体デバイスの最終的な製造歩留まりおよびその長期信頼性等に基づき決められる。
【００１２】
あるいは、シリコン単結晶の育成後シリコンウェーハに加工し、希ガス（ヘリウム、アルゴン）、水素ガス、あるいはこれらの混合ガスを雰囲気ガスとする熱処理（以下、高性能アニールという）を、シリコンウェーハに付与し高品質にする方法がとられる。例えば、シリコン単結晶の引き上げ速度を相対的に大きくして、たとえ空孔型のＬＳＴＤが相対的に増加しても格子間シリコン型の転位欠陥およびＲ−ＯＳＦが低減するように育成させる。そして、上記育成条件において発生するＬＳＴＤは、上記付与する高性能アニールにより低減させる。このような方法は、上記高性能アニールが結晶中のボイドを効果的に消滅させることを利用したものである。
【特許文献１】特開平１０−１５２３９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記高性能アニールをシリコンウェーハに付与する方法は、１２００℃程度の高温度を必要とする。そして、上記高性能アニールにおいて使用する希ガスは窒素ガスあるいは酸素ガスに比べて高価になり、また、水素ガスはその厳重な安全性対策を要することから、シリコンウェーハの製造コストが増加するという問題があった。
一方、上記半導体デバイス側から出されるシリコンウェーハ品質に適宜に対応する方法には、シリコン単結晶の育成において、抵抗率分布（不純物分布に等価）あるいは格子間酸素の濃度分布の均一性を充分に高くできれば、シリコンウェーハの加工後に窒素ガスあるいは酸素ガス中での低温度（例えば６００℃以下）の適度な熱処理を付与することにより、シリコンウェーハ品質を充分に保証できるようになるものがある。ここで、この低温熱処理は、上記高性能アニールと比較して極めて低コストなものである。しかし、これまで、シリコン単結晶の引き上げにおいて上記高い均一性を確保し、シリコンウェーハ品質を保証できるようにするシリコン単結晶の製造方法は提案されていない。
【００１４】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、シリコン単結晶あるいはそれが加工されたシリコンウェーハにおける抵抗率分布および格子間酸素の濃度分布の均一性に優れ、シリコンウェーハの低コスト化が容易になるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明にかかるシリコン単結晶の製造方法は、原料シリコン融液が充填されるるつぼと、該るつぼを周囲から加熱するヒータと、前記るつぼから引き上げられるシリコン単結晶に対する前記ヒータからの輻射熱を遮蔽する輻射シールドとを備えたＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、前記輻射シールド下端と前記原料シリコン融液面との距離が６０ｍｍ未満にならないようにし、前記原料シリコン融液と前記シリコン単結晶との固液界面における引き上げ方向の温度勾配をＧとし、前記温度勾配Ｇの前記固液界面の径方向での最大値をＧmax、前記温度勾配Ｇの前記径方向での最小値をＧminとしたとき、（Ｇmax−Ｇmin）／Ｇminの値が０．１８未満になるようにシリコン単結晶を成長させる、という構成になっている。
【００１６】
上記発明により、シリコン単結晶の育成において、ｐ導電型不純物、ｎ導電型不純物および格子間酸素が均一にシリコン単結晶中に取り込まれるようになる。そして、as-grownシリコン単結晶あるいはそれを加工したシリコンウェーハの抵抗率および格子間酸素濃度の均一性が極めて簡便に向上する。
【００１７】
上記発明の好適な態様では、更に、前記シリコン単結晶の引き上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とするとき、０．５５≦Ｖ＜０．７５を満たすようにシリコン単結晶を成長させる。
【００１８】
このようにすることにより、前記シリコン単結晶あるいはそれを加工したシリコンウェーハにおいて、空孔型の結晶欠陥であるＬＳＴＤが低減し、同時に、Ｒ−ＯＳＦの発生がなくなる。また、上記シリコン単結晶をシリコンウェーハに加工した後に、例えば６００℃以下で窒素あるいは酸素の雰囲気の低温熱処理を行う。このようにして、半導体デバイスに対する品質が保証され低コスト化が容易になるシリコンウェーハが供給できるようになる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の構成により、シリコン単結晶あるいはそれが加工されたシリコンウェーハにおける抵抗率分布および格子間酸素の濃度分布の均一性に優れ、シリコンウェーハの低コスト化が容易になるシリコン単結晶の製造方法を提供することできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態のシリコン単結晶の製造方法に係る単結晶製造装置内の状態を概略的に示した模式的な縦断面図である。
【００２１】
本実施形態に係るシリコン単結晶の製造方法においては、円筒形状のメインチャンバ１１内に原料シリコン融液１２を充填する石英るつぼ１３と、該石英るつぼ１３を周囲から加熱するヒータ１４と、該ヒータ１４から引き上げられるシリコン単結晶１５への輻射熱を遮蔽する輻射シールド１６とを主要構成として備えたＣＺ法による単結晶製造装置を用いる。
【００２２】
この単結晶製造装置には、その他に、石英るつぼ１３の外側に二重構造に配設される黒鉛るつぼ１３ａ、石英るつぼ１３の回転および昇降を行うための支持軸１７が備えられている。また、ヒータ１４の外側に位置しメインチャンバ１１との間に断熱部材１８が備えられる。そして、ワイヤから成る引上げ軸１９が、図１におけるシリコン単結晶１５のネック上部の種結晶を保持するシードチャック（不図示）と連結しており、プルチャンバ２０からメインチャンバ１１内に垂下してシリコン単結晶を所定の速度で引き上げるようになっている。
【００２３】
本実施形態のシリコン単結晶の製造方法では、先ずメインチャンバ１１内に希ガスを流入させ、多結晶シリコンを溶融して原料シリコン融液１２を石英るつぼ１３内に形成する。次いで、シードチャックに取り付けた種結晶を原料シリコン融液１２に着液する。そして、引上げ軸１９を一方向に回転させながら所定の速度で引き上げ、同時に支持軸１７により石英るつぼ１３を同方向又は逆方向に回転させて、シリコン単結晶１５を育成させる。ここで、支持軸１７は上方駆動され原料シリコン融液１２の融液面が一定の高さに維持される。このようにして、シリコン単結晶１５は、いわゆるネック部、ショルダー部、ボディ部およびテール部の順に育成される。
【００２４】
上記シリコン単結晶１５の引き上げ育成においては、図1に示した輻射シールド１６の下端と原料シリコン融液１２の融液面との離間距離Ｌを６０ｍｍ以上にする。ここで、上記輻射シールド１６は、プルチャンバ２０上部から上記流入する希ガスの流れを、円柱状になるシリコン単結晶１５の表面との間で整流する。また、輻射シールド１６は、主にヒータ１４からの輻射熱を遮蔽し、引き上げられているシリコン単結晶１５への熱反射を抑制する機能を有する。更には、原料シリコン融液１２、石英るつぼ１３および黒鉛るつぼ１３ａからの輻射熱を制御する。
【００２５】
次に、図２を参照して、縦軸に示したところの、原料シリコン融液１２とシリコン単結晶１５の固液界面における引上げ軸方向の温度勾配Ｇの面内分布と、横軸に示した上記離間距離Ｌとの関係について説明する。ここで、上記温度勾配Ｇは、原料シリコン融液１２とシリコン単結晶１５の固液界面を温度計で計測し、上記界面における引上げ軸方向の温度差から算出して求めた。そして、温度勾配Ｇの面内分布は、上記温度勾配Ｇの径方向での最大値をＧmax、温度勾配Ｇのその最小値をＧminとし（Ｇmax−Ｇmin）／Ｇminの値で示している。
【００２６】
図２に示すように、輻射シールド１６の下端と原料シリコン融液１２の融液面との離間距離Ｌが１００ｍｍ〜６０ｍｍまでは、温度勾配Ｇの面内分布（Ｇmax−Ｇmin）／Ｇminの値は０．１８未満でそれほどの変化がない。これに対して、離間距離Ｌが６０ｍｍより小さくなると、離間距離Ｌの減少と共に上記温度勾配Ｇの面内分布はほぼ直線的に増大するようになる。
【００２７】
これは、以下のようなことから生じる。すなわち、離間距離Lを６０ｍｍ以上にすると、ヒータ１４、原料シリコン融液１２、石英るつぼ１３および黒鉛るつぼ１３ａからの輻射熱により、原料シリコン融液１２とシリコン単結晶１５の固液界面が保温され易くなる。そして、上記固液界面における温度勾配Ｇの面内分布が小さくなる。これに対して、上記離間距離Lを６０ｍｍ未満にすると、輻射シールド１６の上記輻射熱の遮蔽効果が効いてきて離間距離Ｌの減少と共に冷却が起こり易くなる。そして、上記固液界面における温度勾配Ｇの面内分布が離間距離Ｌの減少と共に大きくなる。
【００２８】
そして、シリコン単結晶１５の上記育成において、上記温度勾配Ｇの面内分布（Ｇmax−Ｇmin）／Ｇminが０．１８未満になると、引き上げられたas-grownシリコン単結晶の径方向あるいは加工後のシリコンウェーハの面内における抵抗率および格子間酸素（Ｏi）の均一性が安定して向上するようになる。上記径方向あるいは面内の抵抗率の最大値をρmax、上記抵抗率の最小値をρmin、同様に上記径方向あるいは面内の格子間酸素の濃度の最大値を［Ｏi］max、上記格子間酸素の濃度の最小値を［Ｏi］minとすると、（ρmax−ρmin）／ρminおよび（［Ｏi］max−［Ｏi］min）／［Ｏi］minの値がそれぞれ０．０５未満となる。このように上記均一性が向上する。
【００２９】
ここで、上記抵抗率における均一性は、比抵抗にして、１〜１０Ω・ｃｍのｐ導電型、ｎ導電型のシリコンウェーハにおいて充分に保証される。また、上記格子間酸素の濃度における均一性は、具体的な濃度［Ｏi］にして、１２〜１４×１０１７原子／ｃｍ３で充分に保証される。
【００３０】
これに対して、上記温度勾配Ｇの面内分布（Ｇmax−Ｇmin）／Ｇminが０．１８以上になると、その他のシリコン単結晶の育成条件に無関係に上記抵抗率および格子間酸素（Ｏi）の均一性は不安定になり低下するようになる。
【００３１】
更に、上記シリコン単結晶１５の引き上げ育成においては、その引き上げ速度Ｖは、０．５５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ＜０．７５ｍｍ／ｍｉｎを満たすようにするとよい。これについて図３を参照して説明する。図３は、縦軸に上記温度勾配Ｇの面内分布をとり、横軸にシリコン単結晶１５の引き上げ速度Ｖをとっている。そして、シリコン単結晶における温度勾配Ｇの面内分布および引き上げ速度Ｖと、Ｒ−ＯＳＦ、ＬＳＴＤ、上記抵抗率および格子間酸素の濃度の均一性（Δ）との相関図となっている。
【００３２】
図３において、Ｒ−ＯＳＦは、引き上げられたシリコン単結晶で作製したシリコンウェーハの熱酸化で発生するものである。２００ｍｍφのシリコンウェーハにおいて、Ｒ−ＯＳＦ無しの場合をＯＫ、Ｒ−ＯＳＦ有りの場合をＮＧで記す。シリコン単結晶におけるＬＳＴＤの面密度が１５０個／ｃｍ２以下の場合をＯＫ、１５０個／ｃｍ２を超える場合をＮＧで記す。そして、上記抵抗率および格子間酸素の濃度の均一性（Δ）が、上述した０．０５未満となる場合をＯＫ、均一性（Δ）が０．０５以上になる場合をＮＧで記す。
【００３３】
図３のような相関図から以下のことが判る。すなわち、上記温度勾配Ｇの面内分布が０．１８未満の条件下では、（１）引き上げ速度Ｖが０．５５ｍｍ／ｍｉｎ未満であると、Ｒ−ＯＳＦはＮＧ、ＬＳＴＤはＮＧ、均一性（Δ）はＯＫ、となる。同様に、（２）引き上げ速度Ｖが０．５５ｍｍ／ｍｉｎ以上で０．７５ｍｍ／ｍｉｎ未満であると、Ｒ−ＯＳＦはＯＫ、ＬＳＴＤはＯＫ、均一性（Δ）はＯＫ、であり極めて好適となる。同様に、（３）引き上げ速度Ｖが０．７５ｍｍ／ｍｉｎ以上であると、Ｒ−ＯＳＦはＯＫ、ＬＳＴＤはＯＫ、均一性（Δ）は不安定、となる。
ここで、（３）の場合、シリコン単結晶の引き上げにおいて１１５０〜１０８０℃の通過時間が短くなり、ＬＳＴＤの密度が増大するがそのサイズが小さくなる。そして、引き上げ方向の上側に凸状の固液界面により上記均一性（Δ）が少し不安定になる。
【００３４】
そして、上記温度勾配Ｇの面内分布が０．１８以上の条件下では、（４）引き上げ速度Ｖが０．５５ｍｍ／ｍｉｎ未満であると、Ｒ−ＯＳＦはＮＧ、ＬＳＴＤはＮＧ、均一性（Δ）はＮＧ、となる。同様に、（５）引き上げ速度Ｖが０．５５ｍｍ／ｍｉｎ以上で０．７５ｍｍ／ｍｉｎ未満であると、Ｒ−ＯＳＦはＯＫ、ＬＳＴＤはＯＫ、均一性（Δ）はＮＧ、となる。同様に、（６）引き上げ速度Ｖが０．７５ｍｍ／ｍｉｎ以上であると、Ｒ−ＯＳＦはＯＫ、ＬＳＴＤはＯＫ、均一性（Δ）はＮＧ、となる。
【００３５】
以上の結果から、全般的に、温度勾配Ｇの面内分布（Ｇmax−Ｇmin）／Ｇminが０．１８未満であると、引き上げられえたシリコン単結晶の抵抗率および格子間酸素（Ｏi）の均一性が良好になる。更に、引き上げ速度Ｖが０．５５ｍｍ／ｍｉｎ以上で０．７５ｍｍ／ｍｉｎ未満であると、上記均一性が良好になると共にＲ−ＯＳＦおよびＬＳＴＤ発生が抑制され最も好適な育成条件となることがわかる。
【００３６】
なお、上記シリコン単結晶の引き上げにおいて、シリコンの融点から１３００℃程度までの温度範囲における引上げ軸方向の温度勾配をＧｅ（℃／ｍｍ）とするとき、Ｖ／Ｇｅを０．２３ｍｍ２／℃ｍｉｎ以上にすることが好ましい。また、上記離間距離Ｌは上限があり、上述したようにメインチャンバ１１中の希ガスの流れに対する整流の機能、および輻射熱の遮蔽の機能を損なわないようにする必要がある。
【００３７】
上記実施形態では、上述したようにシリコン単結晶の引き上げ育成において、原料シリコン融液とシリコン単結晶の固液界面における引上げ軸方向の温度勾配Ｇを制御する。この制御は、輻射シールド下端と原料シリコン融液面の離間距離を調整することで容易に行える。そして、上記制御によりas-grownシリコン単結晶の抵抗率および格子間酸素濃度の均一性を極めて簡便に向上させることができる。更に、シリコン単結晶の引き上げ速度Ｖを特定の範囲にすることにより、空孔型の結晶欠陥であるＬＳＴＤを低減させ、Ｒ−ＯＳＦの発生をなくすることができる。
【００３８】
そして、このように育成したas-grownシリコン単結晶をシリコンウェーハに加工した後に、上述したように例えば６００℃以下で窒素あるいは酸素の雰囲気において低温熱処理を行い、上述したＢＭＤの低温核形成を行う。このようにして、本実施形態により製造したシリコン単結晶を用い、半導体デバイスに極めて好適でシリコンウェーハ品質を保証するシリコンウェーハが低コストで供給できるようになる。上記低温熱処理では、ｐ導電型あるいはｎ導電型の不純物の再分布は生じない。また、格子間酸素の再分布も生じない。
【００３９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では、主にその口径が２００ｍｍφシリコンウェーハ用のシリコン単結晶の場合について説明しているが、その他の口径であっても構わない。例えば３００ｍｍφシリコンウェーハ用のシリコン単結晶の場合でも同様になる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施形態のシリコン単結晶の製造方法にかかる単結晶製造装置内の状態を概略的に示した縦断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる原料シリコン融液とシリコン単結晶の固液界面における引上げ軸方向の温度勾配Ｇの面内分布と、上記融液面および輻射シールド下端の離間距離Ｌとの関係を示すグラフである。
【図３】本発明の実施形態にかかるシリコン単結晶の固液界面における引上げ軸方向の温度勾配Ｇの面内分布および引き上げ速度Ｖと、Ｒ−ＯＳＦ発生、ＬＳＴＤ発生、抵抗率および格子間酸素の濃度の均一性（Δ）との相関図である。
【符号の説明】
【００４１】
１１  メインチャンバ
１２  原料シリコン融液
１３  石英るつぼ
１３ａ  黒鉛るつぼ
１４  ヒータ
１５  シリコン単結晶
１６  輻射シールド
１７  支持軸
１８  断熱部材
１９  引上げ軸
２０  プルチャンバ
【図１】
2007210820.tif 000003
【図２】
2007210820.tif 000004
【図３】
2007210820.tif 000005