(57)【要約】【課題】描画データに基づいて基板上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、基板に対して相対的に移動させるとともに、その移動に応じて複数の描画点形成領域により描画点群を基板上に順次形成して画像を描画する際の、画像のエッジの位置を高精度に制御する。【解決手段】画像の元の画像データとその画像データ上における描画点形成領域の位置とを対応付けて画像データから描画点形成領域の描画データをサンプリングする際、画像のエッジ近傍を描画する描画点形成領域の画像データ上におけるサンプリングの軌跡を、画像のエッジに対応する画像データのエッジが延びる方向に直交する方向に振動させて描画データをサンプリングする。【選択図】図７
2007264574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画データに基づいて描画対象上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、前記描画対象に対して相対的に移動させるとともに、該移動に応じて前記複数の描画点形成領域により描画点群を前記描画対象上に順次形成して画像を描画する際に用いられる前記描画データの取得方法であって、前記画像の元の画像データと該画像データ上における前記描画点形成領域の位置とを対応付けて前記画像データから前記描画点形成領域の前記描画データをサンプリングする描画データ取得方法において、
前記画像のエッジ近傍を描画する描画点形成領域の前記画像データ上における前記サンプリングの軌跡を、前記画像のエッジに対応する前記画像データのエッジが延びる方向に直交する方向に振動させて前記描画データをサンプリングすることを特徴とする描画データ取得方法。
【請求項２】
前記サンプリングの軌跡の振幅が、前記画像のエッジに直交する方向の前記描画点形成領域の解像度以上であることを特徴とする請求項１記載の描画データ取得方法。
【請求項３】
描画データに基づいて描画対象上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、前記描画対象に対して相対的に移動させるとともに、該移動に応じて前記複数の描画点形成領域により描画点群を前記描画対象上に順次形成して画像を描画する際に用いられる前記描画データの取得方法であって、前記画像の元の画像データと該画像データ上における前記描画点形成領域の位置とを対応付けて前記画像データから前記描画データをサンプリングする描画データ取得方法において、
前記画像のエッジを描画する描画点形成領域の前記描画データのサンプリングのピッチを、前記画像のエッジに対応する前記画像データのエッジ近傍で変化させて前記描画データをサンプリングすることを特徴とする描画データ取得方法。
【請求項４】
請求項１から３いずれか１項記載の描画データ取得方法を用いて前記描画データをサンプリングし、該サンプリングした描画点データに基づいて前記描画対象上に画像を描画することを特徴とする描画方法。
【請求項５】
描画データに基づいて描画対象上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、前記描画対象に対して相対的に移動させるとともに、該移動に応じて前記複数の描画点形成領域により描画点群を前記描画対象上に順次形成して画像を描画する際に用いられる前記描画データの取得装置であって、前記画像の元の画像データと該画像データ上における前記描画点形成領域の位置とを対応付けて前記画像データから前記描画データをサンプリングする描画データ取得装置において、
前記画像のエッジ近傍を描画する描画点形成領域の前記画像データ上における前記サンプリングの軌跡を、前記画像のエッジに対応する前記画像データのエッジが延びる方向に直交する方向に振動させて前記描画データをサンプリングするサンプリング部を備えたことを特徴とする描画データ取得装置。
【請求項６】
前記サンプリングの軌跡の振幅が、前記画像のエッジに直交する方向の、前記描画点形成領域の解像度以上であることを特徴とする請求項５記載の描画データ取得装置。
【請求項７】
描画データに基づいて描画対象上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、前記描画対象に対して相対的に移動させるとともに、該移動に応じて前記複数の描画点形成領域により描画点群を前記描画対象上に順次形成して画像を描画する際に用いられる前記描画データの取得装置であって、前記画像の元の画像データと該画像データ上における前記描画点形成領域の位置とを対応付けて前記画像データから前記描画データをサンプリングする描画データ取得装置において、
前記画像のエッジを描画する描画点形成領域の前記描画データのサンプリングのピッチを、前記画像のエッジに対応する前記画像データのエッジ近傍で変化させて前記描画データをサンプリングするサンプリング部を備えたことを特徴とする描画データ取得装置。
【請求項８】
請求項５から７いずれか１項記載の描画データ取得装置と、
該描画データ取得装置を用いてサンプリングされた描画データに基づいて前記描画対象上に画像を描画する描画手段とを備えたことを特徴とする描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画データに基づいて描画点を形成する複数の描画点形成領域を、描画対象に対して相対的に移動させて描画点群を順次形成して画像を描画する際に用いられる描画データの取得方法および装置並びに描画方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線板や液晶ディスプレイの基板に所定の配線パターンを記録する装置として、フォトリソグラフの技術を利用した露光装置が種々提案されている。
【０００３】
上記のような露光装置としては、たとえば、フォトレジストが塗布された基板上に光ビームを主走査および副走査方向に走査させるとともに、その光ビームを、配線パターンを表す露光画像データに基づいて変調することによって所望の配線パターンを形成する露光装置が提案されている。
【０００４】
上記のような露光装置として、たとえば、デジタル・マイクロミラー・デバイス（以下、ＤＭＤという）等の空間光変調素子を利用し、画像データに応じて空間光変調素子により光ビームを変調して露光を行う露光装置が種々提案されている。
【０００５】
そして、上記のようなＤＭＤを用いた露光装置としては、たとえば、ＤＭＤを露光面に対して相対的に移動させるとともに、その移動に応じてＤＭＤの多数のマイクロミラーに対応した多数の露光点データを入力し、ＤＭＤのマイクロミラーに対応した露光点群を時系列に順次形成することにより所望の露光画像を露光面に形成する露光装置が提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２３３７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のようなＤＭＤを用いて露光装置においては、ＤＭＤにおけるマイクロミラーのピッチにより基板上におけるマイクロミラーのビームの軌跡の解像度が制限される。
【０００８】
したがって、たとえば、予め作成された露光画像データとビームの軌跡とを図７（Ａ）に示すように対応付けて各マイクロミラーの露光点データを取得して露光を行った場合、露光画像データ上におけるエッジと、実際に露光されるエッジとが一致しない場合がある。なお、図７（Ａ）における矢印がマイクロミラーのビーム軌跡を示している。
【０００９】
そして、たとえば、液晶ディスプレイにけるブラックマトリクスを基板上に露光する場合、このブラックマトリクスのエッジが実際のエッジと一致せずにムラとなる場合があり、このムラによってＲ，Ｇ，Ｂのフィルタ部分の開口率が十分に確保できない場合がある。
【００１０】
また、ビーム軌跡の解像度は、光学系を変更することによって向上させることが可能であるが、そのような光学系は大変高価でありコストアップになる。
【００１１】
また、設計上は、露光画像データ上におけるエッジと、実際に露光されるエッジとが一致していても、実際には光学系などの影響によってシェーディングが発生し、露光画像データ上におけるエッジと、実際に露光されるエッジとが一致しない場合があり、そのような場合には、実際に露光されるエッジの位置をビーム軌跡の解像度以上に細かく制御する必要がある。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑み、基板上に描画される画像のエッジの位置を高精度に制御することができる描画データの取得方法および装置並びに描画方法および装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の描画データ取得方法は、描画データに基づいて描画対象上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、描画対象に対して相対的に移動させるとともに、その移動に応じて複数の描画点形成領域により描画点群を描画対象上に順次形成して画像を描画する際に用いられる描画データの取得方法であって、画像の元の画像データとその画像データ上における描画点形成領域の位置とを対応付けて画像データから描画点形成領域の描画データをサンプリングする描画データ取得方法において、画像のエッジ近傍を描画する描画点形成領域の画像データ上におけるサンプリングの軌跡を、画像のエッジに対応する画像データのエッジが延びる方向に直交する方向に振動させて描画データをサンプリングすることを特徴とする。
【００１４】
また、上記本発明の第１の描画データ取得方法においては、サンプリングの軌跡の振幅を、画像のエッジに直交する方向の描画点形成領域の解像度以上とすることができる。
【００１５】
本発明の第２の描画データ取得方法は、描画データに基づいて描画対象上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、描画対象に対して相対的に移動させるとともに、その移動に応じて複数の描画点形成領域により描画点群を描画対象上に順次形成して画像を描画する際に用いられる描画データの取得方法であって、画像の元の画像データとその画像データ上における描画点形成領域の位置とを対応付けて画像データから描画データをサンプリングする描画データ取得方法において、画像のエッジを描画する描画点形成領域の描画データのサンプリングのピッチを、画像のエッジに対応する画像データのエッジ近傍で変化させて描画データをサンプリングすることを特徴とする。
【００１６】
本発明の描画方法は、上記本発明の第１および第２の描画データ取得方法を用いて描画データをサンプリングし、そのサンプリングした描画点データに基づいて描画対象上に画像を描画することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第１の描画データ取得装置は、描画データに基づいて描画対象上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、描画対象に対して相対的に移動させるとともに、その移動に応じて複数の描画点形成領域により描画点群を描画対象上に順次形成して画像を描画する際に用いられる描画データの取得装置であって、画像の元の画像データとその画像データ上における描画点形成領域の位置とを対応付けて画像データから描画データをサンプリングする描画データ取得装置において、画像のエッジ近傍を描画する描画点形成領域の画像データ上におけるサンプリングの軌跡を、画像のエッジに対応する画像データのエッジが延びる方向に直交する方向に振動させて描画データをサンプリングするサンプリング部を備えたことを特徴とする。
【００１８】
また、上記本発明の第１の描画データ取得装置においては、サンプリングの軌跡の振幅を、画像のエッジに直交する方向の描画点形成領域の解像度以上とすることができる。
【００１９】
本発明の第２の描画データ取得装置は、描画データに基づいて描画対象上に描画点を形成する複数の描画点形成領域を、描画対象に対して相対的に移動させるとともに、その移動に応じて複数の描画点形成領域により描画点群を描画対象上に順次形成して画像を描画する際に用いられる描画データの取得装置であって、画像の元の画像データとその画像データ上における描画点形成領域の位置とを対応付けて画像データから描画データをサンプリングする描画データ取得装置において、画像のエッジを描画する描画点形成領域の描画データのサンプリングのピッチを、画像のエッジに対応する画像データのエッジ近傍で変化させて描画データをサンプリングするサンプリング部を備えたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の描画装置は、上記本発明の第１および第２の描画データ取得装置と、描画データ取得装置を用いてサンプリングされた描画データに基づいて描画対象上に画像を描画する描画手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の第１の描画データ取得方法および装置によれば、画像の元の画像データとその画像データ上における描画点形成領域の位置とを対応付けて画像データから描画点形成領域の描画データをサンプリングする描画データ取得方法において、画像のエッジ近傍を描画する描画点形成領域の画像データ上におけるサンプリングの軌跡を、画像のエッジに対応する画像データのエッジが延びる方向に直交する方向に振動させて描画データをサンプリングするようにしたので、画像のエッジ近傍を描画する描画点形成領域の描画状態を上記振動に合わせて変化させることができ、より高精度に画像のエッジの位置を制御することができる。
【００２２】
本発明の第２の描画データ取得方法および装置によれば、画像の元の画像データとその画像データ上における描画点形成領域の位置とを対応付けて画像データから描画データをサンプリングする描画データ取得方法において、画像のエッジを描画する描画点形成領域の描画データのサンプリングのピッチを、画像のエッジに対応する画像データのエッジ近傍で変化させて描画データをサンプリングするようにしたので、画像のエッジ近傍を描画する描画点形成領域の描画状態を上記サンプリングピッチに合わせて変化させることができ、より高精度に画像のエッジの位置を制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の描画データ取得方法および装置の一実施形態を用いた露光装置について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態を用いた露光装置の概略構成を示す斜視図である。本発明の一実施形態を用いた露光装置は、所定の配線パターンを露光する装置であって、その配線パターンのエッジの配置の制御に特徴を有するものであるが、まずは、露光装置の概略構成について説明する。
【００２４】
露光装置１０は、図１に示すように、基板１２を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ１４を備えている。そして、４本の脚部１６に支持された厚い板状の設置台１８の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド２０が設置されている。移動ステージ１４は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド２０によってステージ移動方向に往復移動可能に支持されている。
【００２５】
設置台１８の中央部には、移動ステージ１４の移動経路を跨ぐようにコの字状のゲート２２が設けられている。コの字状のゲート２２の端部の各々は、設置台１８の両側面に固定されている。このゲート２２を挟んで一方の側にはスキャナ２４が設けられ、他方の側には基板１２の先端および後端とを検知するための複数のカメラ２６が設けられている。
【００２６】
スキャナ２４およびカメラ２６はゲート２２に各々取り付けられて、移動ステージ１４の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ２４およびカメラ２６は、これらを制御する、後述するコントローラに接続されている。
【００２７】
スキャナ２４は、図２および図３（Ｂ）に示すように、２行５列の略マトリックス状に配列された１０個の露光ヘッド３０（３０Ａ〜３０Ｊ）を備えている。
【００２８】
各露光ヘッド３０の内部には、図４に示すように入射された光ビームを空間変調する空間光変調素子（ＳＬＭ）であるデジタル・マイクロミラー・デバイス（以下「ＤＭＤ」という。）３６が設けられている。ＤＭＤ３６は、マイクロミラー３８が直交する方向に２次元状に多数配列されたものであり、そのマイクロミラー３８の列方向が走査方向と所定の設定傾斜角度θをなすように取り付けられている。したがって、各露光ヘッド３０による露光エリア３２は、走査方向に対して傾斜した矩形状のエリアとなる。移動ステージ１４の移動に伴い、基板１２には露光ヘッド３０毎の帯状の露光済み領域３４が形成される（図２および図３（Ａ）参照）。
【００２９】
また、各露光ヘッド３０には、図５に示すように、ＤＭＤ３６の光入射側に、光ファイバの出射端部（発光点）が露光エリア３２の長辺方向と一致する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源３１、ファイバアレイ光源３１から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系４１、このレンズ系４１を透過したレーザ光をＤＭＤ３６に向けて反射するミラー４２がこの順に配置されている。上記レンズ系４１は、入射されたレーザ光を平行光化し、その平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正し、その光量分布が補正されたレーザ光をＤＭＤ３６上に集光するものである。
【００３０】
また、ＤＭＤ３６の光反射側には、ＤＭＤ３６で反射されたレーザ光を感光材料１２の露光面上に結像するレンズ系５１が配置されている。
【００３１】
本実施形態では、ＤＭＤ３６の各マイクロミラー３８から射出されたビームによって基板１２上に結像される露光点の径が約３μｍになるように、上記レンズ系４１およびレンズ系５１が設定されている。
【００３２】
露光ヘッド３０の各々に設けられたＤＭＤ３６は、マイクロミラー３８単位でオン/オフ制御され、基板１２には、ＤＭＤ３６のマイクロミラー３８に対応した露光点群（黒/白）が露光される。前述した帯状の露光済み領域３４は、図４に示すマイクロミラー３８に対応した２次元配列された露光点によって形成される。また、上記のようにＤＭＤ３６を走査方向に対して傾斜することによって、上記走査方向に直交する方向に並ぶ露光点の間隔をより狭くすることができ、高解像度化を図ることができる。本実施形態では、走査方向に直交する方向に並ぶ露光点の間隔が約０．１６μｍになるように、上記傾斜角度θが設定されている。なお、傾斜角度の調整のバラツキによって、利用しないドットが存在する場合もあり、たとえば、図４では、斜線としたドットは利用しないドットとなり、このドットに対応するＤＭＤ３６におけるマイクロミラー３８は常にオフ状態となる。
【００３３】
また、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、帯状の露光済み領域３４のそれぞれが、隣接する露光済み領域３４と部分的に重なるように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド３０の各々は、その配列方向に所定間隔ずらして配置されている。このため、たとえば、１行目の最も左側に位置する露光エリア３２Ａ、露光エリア３２Ａの右隣に位置する露光エリア３２Ｃとの間の露光できない部分は、２行目の最も左側に位置する露光エリア３２Ｂにより露光される。同様に、露光エリア３２Ｂと、露光エリア３２Ｂの右隣に位置する露光エリア３２Ｄとの間の露光できない部分は、露光エリア３２Ｃにより露光される。
【００３４】
次に、露光装置１０の電気的構成について説明する。
【００３５】
露光装置１０は、図６に示すように、ＣＡＭ（Computer Aided Manufacturing）ステーションを有するデータ作成装置４０から出力された、基板１２に露光すべき露光画像を表わすベクトル形式の露光画像データを取得し、その取得したベクトル形式の露光画像データをラスター形式の露光画像データに変換するラスター変換処理部５０、ラスター変換処理部５０によりラスター変換された露光画像データから、各マイクロミラー３８毎の露光点データ群を取得する露光点データ取得部５２と、露光点データ取得部５２において取得された各マイクロミラー３８の露光点データに基づいて露光ヘッド３０のＤＭＤ３６の各マイクロミラー３８を制御する露光ヘッド制御部５４と、本露光装置全体を制御するコントローラ５６とを備えている。そして、コントローラ５６には、移動ステージ１４を移動させる移動機構６０が接続されている。なお、上記各マイクロミラー３８毎の露光点データ群の取得方法ついては後で詳述する。
【００３６】
次に、露光装置１０の作用について図面を参照しながら説明する。
【００３７】
まず、データ作成装置４０において、基板１２に露光すべき露光画像の元のベクトル形式の露光画像データが作成される。
【００３８】
そして、そのベクトル形式の露光画像データはラスター変換処理部５０に入力され、ラスター変換処理部５０においてラスター形式の露光画像データに変換される。そして、そのラスター形式の露光画像データは、露光点データ取得部５２に入力され、露光点データ取得部５２におけるメモリ（図示省略）に一時記憶される。
【００３９】
そして、露光点データ取得部５２において、露光画像データの座標系とＤＭＤ３６の各マイクロミラー３８の露光軌跡の座標系とが対応付けられ、各マイクロミラー３８毎について、上記露光軌跡に対応する露光画像データが所定のサンプリングピッチでサンプリングされ、各マイクロミラー３８毎についての露光点データが取得される。
【００４０】
ここで、たとえば、各マイクロミラー３８の露光軌跡をそのままサンプリング軌跡とし、そのサンプリング軌跡上の露光点データをサンプリングし、そのサンプリングした露光点データに基づいて露光画像を露光した場合、各マイクロミラー３８の露光点の走査方向に直交する方向の間隔は０．１６μｍとなる。つまり、露光画像のビーム解像度は０．１６μｍとなるので、露光画像のエッジの位置の制御は上記ビーム解像度に制約をうけることになる。
【００４１】
たとえば、図７（Ａ）に示すように、露光画像データとサンプリング軌跡とが対応づけられた場合、露光画像データ上のエッジと基板１２上に実際に描かれるエッジとが異なる位置となってしまう場合がある。なお、図７（Ａ）においては、説明の都合上、マイクロミラー３８の露光軌跡とサンプリング軌跡とを同じ矢印で示している。そして、矢印実線部分はマイクロミラー３８がＯＮ状態であることを示し、矢印破線部分はマイクロミラー３８がＯＦＦ状態であることを示している。
【００４２】
また、たとえ、設計上、露光画像データのエッジと基板１２上に描かれるエッジとを合わせたとしても、実際に露光してみると光学系の影響などにより、露光画像データのエッジと基板１２上に実際に描かれるエッジとが異なる位置となる場合があり、このような場合においても上記ビーム解像度の制約があるため、０．１６μｍよりも細かいエッジの位置制御をすることができない。
【００４３】
そこで、本実施形態の露光装置においては、図７（Ｂ）に示すように、各マイクロミラー３８の露光軌跡に対応するサンプリング軌跡を振動させ、その振動させたサンプリング軌跡上の露光画像データをサンプリングして露光点データを取得する。なお、図７（Ｂ）における矢印は露光軌跡ではなく、サンプリング軌跡を示している。そして、矢印実線部分はＯＮデータをサンプリングすることを示し、矢印破線部分はＯＦＦデータをサンプリングすることを示している。
【００４４】
なお、全てのマクロミラー３８のサンプリング軌跡を上記のように振動させてもよいし、露光画像データのエッジ近傍のサンプリング軌跡のみを振動させるようにしてもよい。
【００４５】
また、サンプリング軌跡の振幅は、露光画像のエッジに直交する方向のビーム解像度以上であることが望ましい。つまり、本実施形態の場合、サンプリング軌跡の振幅は０．１６μｍ以上であることが望ましい。
【００４６】
そして、上記のようにしてサンプリング軌跡を振動させて露光点データを取得し、その露光点データに基づいて露光した場合における各マイクロミラー３８の露光軌跡を図７（Ｃ）に示す。図７（Ｃ）における矢印実線部分はマイクロミラー３８がＯＮ状態であることを示し、矢印破線部分はマイクロミラー３８がＯＦＦ状態であることを示している。
【００４７】
図７（Ｂ）で説明したように、本実施形態においては、サンプリング軌跡を振動させるようにしたので、図７（Ａ）においてはＯＦＦ状態であったエッジ近傍の露光軌跡が、図７（Ｃ）に示すように点滅状態となる。
【００４８】
そして、上記のように点滅状態とすることによって、実際に描かれるエッジを露光画像データ上のエッジに近づけることができる。
【００４９】
点滅状態とした場合でも、露光点の径が数μｍの多重露光とすることによって、実際の露光画像には点滅は現れず、滑らかなエッジが形成されることになる。
【００５０】
また、このため後述の周波数に関しては、波長が露光点の径以下であることが望ましい。
【００５１】
なお、サンプリング軌跡を振動させる周波数（周期）については、露光画像のエッジの位置の制御量に応じて設定するようにすればよい。エッジの位置の制御量については、たとえば、設計値から取得してもよいし、実際に基板１２上に実際に露光された露光画像のエッジのずれを所定の計測手段により計測するようにしてもよい。
【００５２】
以下、上記のようにしてサンプリング軌跡を振動させて各マイクロミラー３８毎の露光点データを取得した後の処理について詳述する。
【００５３】
上記のようにして各マイクロミラー３８毎に取得された露光点データは、図８に示すような、各マイクロミラー３８毎のミラーデータとして取得される。
【００５４】
そして、上記のようにして取得されたミラーデータに対し、９０度回転処理または行列による転置処理が施され、図９に示すようなフレームデータが取得される。
【００５５】
そして、上記のようにして取得されたフレームデータは、フレーム番号の順番で露光ヘッド制御６０に順次出力される。
【００５６】
一方、上記のようにしてフレームデータが露光ヘッド制御部６０に出力されるとともに、移動ステージ１４が、上流側に所望の速度で移動させられる。なお、上記上流側とは、図１における右側、つまりゲート２２に対してスキャナ２４が設置されている側のことであり、上記下流側とは、図１における左側、つまりゲート２２に対してカメラ２６が設置されている側のことである。
【００５７】
そして、基板１２の先端がカメラ２６により検出されると露光処理が開始される。具体的には、移動ステージ１４の移動に伴って、露光ヘッド制御部６０から各露光ヘッド３０のＤＭＤ３６に上記フレームデータに基づいた制御信号が出力され、露光ヘッド３０は入力された制御信号に基づいてＤＭＤ３６のマイクロミラーをオン・オフさせて基板１２を露光する。
【００５８】
そして、移動ステージ１４の移動にともなって順次各露光ヘッド３０に制御信号が出力されて露光が行われ、基板１２の後端がカメラ２６により検出されると露光処理が終了する。
【００５９】
なお、露光ヘッド制御部６０から各露光ヘッド３０へ制御信号が出力される際には、基板１２に対する各露光ヘッド３０の各位置に対応した制御信号が、移動ステージ１４の移動にともなって順次露光ヘッド制御部６０から各露光ヘッド３０に出力されるが、このとき、本実施形態のように、フレームデータに基づいて露光ヘッド制御部６０から各露光ヘッド３０に制御信号を順次出力するようにしてもよいし、たとえば、本実施形態のようにフレームデータを作成するのではなく、各マイクロミラー３８毎に取得された各ミラーデータから、各露光ヘッド３０の各位置に応じた露光点データを１つずつ順次読み出して各露光ヘッド３０に出力するようにしてもよい。
【００６０】
なお、上記実施形態の露光装置においては、各マイクロミラー３８のサンプリング軌跡に沿って各マイクロミラー３８のミラーデータを取得する方法について説明したが、たとえば、図１０に示すように、所定位置のＤＭＤ３６の各マイクロミラー３８の位置と露光画像データとを対応付け、各マイクロミラー３８の露光点データをＤＭＤ３６の各位置毎に取得することによって各フレームデータを取得するようにしてもよい。
【００６１】
そして、上記のようにフレームデータを順次取得する場合には、露光画像データの座標系とＤＭＤ３６の原点座標（図１０の×印）およびその原点座標に対する各マイクロミラー３８の位置を示す相対座標とが対応付けられて取得されるが、上記原点座標を、図１０に示すように走査方向および走査方向に直交する方向に振動させながら、各フレームデータを取得する。上記のようにしてフレームデータを取得することによって各マイクロミラー３８の露光点データのサンプリングの軌跡を間接的に振動させたことになり、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
また、上記実施形態においては、走査方向に平行に延びるエッジを露光する際のそのエッジの位置制御について説明したが、図１１に示すように、走査方向に直交する方向に延びるエッジの位置についても制御するようにしてもよい。
【００６３】
具体的には、図１１に示すように、露光画像のエッジを露光するマイクロミラー３８の露光点データのサンプリングのピッチを、露光画像データのエッジ近傍で変化させて露光画像データをサンプリングするようにすればよい。なお、図１１における白丸がサンプリング点を示している。より具体的には、基準のサンプリングピッチＰに対して変動ｄＰ１、ｄＰ２、・・・、ｄＰｎを加える。このとき、ｄＰ１＋ｄＰ２＋・・・＋ｄＰｎ＝０であり、露光点の径≧ｎ×Ｐであることが望ましい。つまり、変動の波長が露光点の径以下におさまることが望ましい。
【００６４】
また、上記実施形態では、空間光変調素子としてＤＭＤを備えた露光装置について説明したが、このような反射型空間光変調素子の他に、透過型空間光変調素子を使用することもできる。
【００６５】
また、露光する配線パターンとしては、たとえば、液晶パネルのブラックマトリクスやその他プリント配線基板の配線パターンなどがあるが如何なる配線パターンでもよい。
【００６６】
また、本発明における描画方法および装置は、インクジェット方式などのプリンタにおける描画にも適用することができる。たとえば、インクの吐出による描画点を、本発明と同様に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の描画データ取得方法および装置の一実施形態を用いた露光装置の概略構成を示す斜視図
【図２】図１の露光装置のスキャナの構成を示す斜視図
【図３】（Ａ）は基板の露光面上に形成される露光済み領域を示す平面図、（Ｂ）は各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す平面図
【図４】露光ヘッドにおけるＤＭＤを示す図
【図５】露光ヘッドにおける光学系を示す図
【図６】本発明の第１の実施形態を用いた露光装置の電気的構成を示すブロック図
【図７】（Ａ）従来の各マイクロミラーの露光点データの取得方法を説明するための図、（Ｂ）本発明による各マイクロミラーの露光点データの取得方法を説明するための図、（Ｃ）図７（Ｂ）に示すサンプリング軌跡によって取得された露光点データに基づいて露光した際の作用を説明するための図
【図８】ミラーデータを示す図
【図９】フレームデータを示す図
【図１０】本発明の描画データ取得方法のその他の実施形態を説明するための図
【図１１】本発明の描画データ取得方法のその他の実施形態を説明するための図
【符号の説明】
【００６８】
１０    露光装置
１２    基板
１４    移動ステージ
１８    設置台
２０    ガイド
２２    ゲート
２４    スキャナ
２６    カメラ
３０    露光ヘッド
３１    ファイバアレイ光源
４１，５１    レンズ系
５２    露光点データ取得部（サンプリング部）
５４    露光ヘッド制御部
３２    露光エリア
３６    ＤＭＤ
３８    マイクロミラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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