(57)【要約】【課題】はんだを使用することなく部品の表面実装が可能な回路基板、それを用いたモジュール、多層回路基板、コネクタ構造を提供する。【解決手段】絶縁基材１と、絶縁基材１の所望する位置の厚み方向に形成されている少なくとも１個の貫通孔２と、少なくとも貫通孔２の開口部を閉鎖した状態で絶縁基材１の片面に接着された導電性とばね弾性を有する金属箔を加工して形成された導体回路３とを備え、貫通孔２に線状導体４を挿入して導体回路３との導体構造が形成される。【選択図】図２
2007281253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、
前記絶縁基材の所望する位置の厚み方向に形成されている少なくとも１個の貫通孔と、
少なくとも前記貫通孔の開口部を閉鎖した状態で前記絶縁基材の片面に接着された導電性とばね弾性を有する金属箔を加工して形成された導体回路とを備えていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
絶縁基材と、
前記絶縁基材の所望する位置の厚み方向に形成されている少なくとも１個の貫通孔と、
前記貫通孔の両開口部を閉鎖した状態で前記絶縁基材の両面に接着された導電性とばね弾性を有する金属箔を加工して形成された導体回路と、
前記貫通孔の両開口部を閉鎖する金属箔部分を貫通して前記貫通孔に挿入されて、前記金属箔部分と圧接状態にある線状導体とを備えていることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
前記貫通孔の開口部を閉鎖する金属箔部分には、スリット孔が形成されている請求項１または２の回路基板。
【請求項４】
前記金属箔は、厚みが５０μｍ以下であり、かつ厚み０．１mm以上の箔の状態でJIS H3130で規定するばね限界値を測定したときの値が３５０Ｎ／mm2以上の値を示す合金の箔である請求項１〜３のいずれかの回路基板。
【請求項５】
前記合金が銅合金である請求項４の回路基板。
【請求項６】
前記銅合金が、Ｃ２６００（黄銅）、Ｃ７７０１（洋白）、Ｃ７０２５（コルソン合金）、Ｃ５２１２（リン青銅）、Ｃ１７００（ベリリウム銅）、Ｃ１８０４０、Ｃ６４７７０、Ｃ１９４００、Ｃ６４７１０、Ｃ４２５００、Ｃ６４７２５、Ｃ６４７４０、Ｃ４４２５０、Ｃ１９０２０またはＣ１９０２５のいずれかである請求項４の回路基板。
【請求項７】
前記銅合金の箔の少なくとも片面には、銅または銀のめっきが施されている請求項５または６の回路基板。
【請求項８】
前記金属箔が圧延銅箔または電解銅箔であり、それら銅箔の少なくとも前記貫通孔の開口部を閉鎖すべき箇所には、厚み０.１mm以上の箔の状態でJIS H3130で規定するばね限界値を測定したときの値が３５０Ｎ／mm2以上の値を示す金属または合金のめっきが施されており、かつ、全体の厚みが５０μｍ以下である請求項１〜３のいずれかの回路基板。
【請求項９】
請求項１または２の回路基板における前記貫通孔の開口部を閉鎖する金属箔部分に、底部に突設する線状または球状の接続端子を有する実装部品の前記接続端子が圧入されて、前記実装部品と前記回路基板の導体回路との間で導通構造が形成されていることを特徴とするモジュール。
【請求項１０】
各回路基板における所望する貫通孔を同軸的に位置合せして請求項１の回路基板の複数枚が積層されて成る多層構造を有し、
前記多層構造における共通の前記貫通孔には、各回路基板における前記貫通孔を閉鎖する金属箔部分を着脱自在に貫通する状態で線状導体が挿入されており、
前記線状導体を介して各回路基板間の電気的な層間接続構造が形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１１】
片面に突設する雄型接続端子を有するテープケーブルの前記雄型接続端子が、請求項１もしくは２の回路基板、または請求項１０の多層回路基板の最上層の回路基板における前記貫通孔を閉鎖する金属箔部分に圧入されていることを特徴とするコネクタ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、それを用いた多層回路基板、実装部品を組込んだモジュール、インターポーザおよびコネクタ構造に関し、更に詳しくは、はんだを用いることなく各種の実装部品を表面実装することができる新規構造の回路基板や、それを用いることにより、各層の回路基板のリペア処理が可能である多層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体部品を回路基板に表面実装するに際しては、概ね、はんだを用いたリフロー処理が行なわれている。このリフロー処理では、実装部品の接続端子を例えばはんだボールを介して回路基板の所定箇所に配置した状態で、全体を所定温度のリフロー炉内に導入してはんだを溶融したのち、全体をリフロー炉から取出し、溶融はんだを冷却・固化することにより実装部品を回路基板に固定し、あわせて両者の導通関係がとられている。
【０００３】
その場合、Ｐｂ−Ｓｎ共晶はんだの融点は１８３℃程度であるため、このリフロー処理時に回路基板や実装部品は２２０〜２３０℃の高温に曝されることになる。そのため例えば、回路基板の絶縁基材を構成する樹脂としては、このような高温に耐える材料であることが必要となる。
例えば、最近注目を集めている大容量の光配線モジュールに組込む光・電気ハイブリッド基板の場合、耐熱度が６０〜８０℃程度のアクリル系樹脂で光導波路を構成し、そしてここに各種の半導体素子を搭載した構造になっているのであるが、この光・電気ハイブリッド基板の製造に際しては、半導体素子をはんだリフロー処理で実装することはできない。アクリル系樹脂で構成されている光配線が損壊するからである。
【０００４】
しかも、Ｐｂ−Ｓｎ共晶はんだに関しては、Ｐｂの人体・環境への悪影響が問題視されているため使用が忌避され、代わってＳｎを主体として鉛フリーのはんだの開発が進められている。しかしながら、鉛フリーのはんだは一般にＰｂ−Ｓｎ共晶はんだよりも高融点であるため、上記したような問題にとっては無意味であるとともに、Ｓｎが主体であるということからして、溶融接続部にウィスカーが成長しやすく、そのため短絡事故が起こりやすいという問題がある。
【０００５】
また、回路基板への部品実装に関しては、回路基板側に例えば雌コネクタ部を形成し、実装部品側に雄コネクタ部を形成し、両コネクタ部を機械的に結合して導通関係をとるコネクタ構造で部品実装することも行なわれている。
このコネクタ構造を用いた部品実装の場合、はんだを用いることなく、そして回路基板と実装部品の間は着脱自在な関係にあるので、例えば実装部品に故障が発生した場合でも、その実装部品を取り外して新たな良品部品に取り替える、すなわちリペア処理も可能であるという利点を備えている。
【０００６】
しかしながら、従来のコネクタ構造の場合、各コネクタ部はいずれも金型で形成されているため、全体の形状が大きくなり、組立てたモジュールの小型化、薄型化という最近の強い要望に対応することができないという問題がある。
はんだを用いることなく回路基板に部品を実装する方法としては更に、例えば、紙を絶縁材とするプリント配線板に、実装部品の外部リードを銅箔パターンの方から突き刺し、銅箔パターンのばね弾性でその返り部と外部リードの間を電気的に接続する実装方法が提案されている（特許文献１を参照）。
【０００７】
一方、携帯電話やパソコンに代表されるように各種の電気・電子機器の小型化、薄型化、多機能化の要望に対処するために、これら機器に組込まれる回路基板としては多層回路基板が多用されている。
この多層回路基板は、それぞれの表面には所定パターンの導体回路が形成されている単位回路基板の複数枚を積層して一体化した多層構造になっていて、これは、例えばスルーホール積層法やビルドアップ工法で製造されている。
【０００８】
この多層回路基板の場合、一般に、基板の所定位置に厚み方向に貫通するスルーホールを穿設し、そして形成されたスルーホールの壁面に無電解めっきなどを施すことにより、電気的な層間接続をとっている。
また、銅箔と熱可塑性フィルムをラミネートし、銅箔を所定の回路パターンにし、回路パターンの所定箇所の裏面の熱可塑性フィルムにレーザビアを形成し、このレーザビアの中に導電ペーストを埋込んで単位回路基板を製造したのち、同様の単位回路基板の複数枚を積層プレスして一体化した構造の多層回路基板も知られているが、この基板の場合は、レーザビアに充填された導電ペーストで層間接続がとられている（非特許文献１を参照）。
【０００９】
しかしながら、これらの多層回路基板の場合、各単位回路基板が互いに接着して一体化した構造になっているので、仮にある層の回路基板に故障が発生したとしても、全体を分解してその故障した回路基板だけを良品と代替するということができない。すなわち、リペア処理は可能ではない。
【特許文献１】特開平１１−２５１７１１号公報
【非特許文献１】電気材料、vol.42, No.10, P.9 (2004)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来の回路基板や多層回路基板における上記した問題を解消して、はんだを用いることなく実装部品の表面実装が可能である回路基板と、その回路基板を用いることにより、各回路基板のリペア処理が可能である多層回路基板、実装部品が着脱自在に実装されているモジュール、インターポーザ、端子間のファインピッチ化を可能にするコネクタ構造の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記した目的を達成するために、本発明においては、
絶縁基材と、前記絶縁基材の所望する位置の厚み方向に形成されている少なくとも１個の貫通孔と、少なくとも前記貫通孔の開口部を閉鎖した状態で前記絶縁基材の片面に接着された導電性とばね弾性を有する金属箔を加工して形成された導体回路とを備えていることを特徴とする回路基板（以下、回路基板Ａという）が提供される。
【００１２】
また、本発明においては、
絶縁基材と、前記絶縁基材の所望する位置の厚み方向に形成されている少なくとも１個の貫通孔と、前記貫通孔の両開口部を閉鎖した状態で前記絶縁基材の両面に接着された導電性とばね弾性を有する金属箔を加工して形成された導体回路と、前記貫通孔の両開口部を閉鎖する金属箔部分を貫通して前記貫通孔に挿入されて、前記金属箔部分と圧接状態にある線状導体とを備えていることを特徴とする回路基板（以下、回路基板Ｂという）が提供される。
【００１３】
その場合、前記貫通孔の開口部を閉鎖する金属箔部分にはスリット孔が形成されていることが好ましく、また、金属箔としては、厚みが５０μｍ以下であり、かつ、厚み０.１mm以上の箔の状態でJIS H3130で規定するばね限界値を測定したときの値が３５０Ｎ／mm2以上である金属の箔を用いることが好ましい。
また、本発明においては、
回路基板Ａまたは回路基板Ｂにおける前記貫通孔の開口部を閉鎖する金属箔部分に、底部に突設する線状または球状の接続端子を有する実装部品の前記接続端子が圧入されて、前記実装部品と前記回路基板の導体回路との間で導通構造が形成されていることを特徴とするモジュールが提供される。
【００１４】
さらに本発明においては、
各回路基板における所望する貫通孔を同軸的に位置合せして回路基板Ａの複数枚が積層されて成る多層構造を有し、前記多層構造における共通の前記貫通孔には、各回路基板における前記貫通孔を閉鎖する金属箔部分を着脱自在に貫通する状態で線状導体が挿入されており、前記線状導体を介して各回路基板間の電気的な層間接続構造が形成されていることを特徴とする多層回路基板が提供される。
【００１５】
また、本発明においては、
片面に突設する雄型接続端子を有するテープケーブルの前記雄型接続端子が、回路基板Ａもしくは回路基板Ｂ、または前記した多層回路基板の最上層の回路基板における前記貫通孔を開閉する金属箔部分に圧入されていることを特徴とするコネクタ構造が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の回路基板に部品実装する場合は、実装部品の底部に線状またはＢＧＡのボールを小さくしたような球状の接続端子を配設し、この接続端子を回路基板に形成された貫通孔を閉鎖する金属箔の部分に貫通されればよい。金属箔はばね限界値が３５０Ｎ／mm2以上の導電性材料で構成されているので、この金属箔のばね弾性で実装部品の接続端子が機械的に確保されて、ここに実装部品と回路基板の導通構造が実現する。
【００１７】
したがって、本発明の回路基板ははんだを用いることなく、具体的にはリフロー処理を行うことなく実装部品を表面実装することができる。そのため、低融点のアクリル系樹脂を主体とする光・電気ハイブリッド基板を製造する場合においても、実装部品との接続部を本発明の回路基板のような金属箔部分で形成することにより、対処することができる。
また、この回路基板を、それぞれの貫通孔を同軸的に一致させた状態で重ね合わせ、共通する貫通孔の部分に線状導体を挿入すれば、互いの回路基板間の層間接続が実現している多層回路基板を製造することができる。
【００１８】
従来の多層回路基板の場合、スルーホールを穿設し、その壁面にめっきを施して層間接続をとっていたのであるが、本発明の多層回路基板では、貫通孔への線状導体の挿入という作業だけで層間接続をとることができる。
また、この多層回路基板の場合、線状導体を貫通孔から抜きとれば各回路基板に分解できるので、例えば、多層回路基板におけるある層の回路基板に故障が発生した場合であっても、全体を分解して故障した回路基板を良品の回路基板に代替することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
最初に回路基板Ａの１例を断面図として図１に示す。
図１において、回路基板Ａは、絶縁基材１と、この絶縁基材１の所定位置に一方の表面１ａから他方の表面１ｂにかけて垂直に当該絶縁基材を穿設して形成された貫通孔２と、絶縁基材１の一方の表面（片面）１ａに、貫通孔２の上部開口部を閉鎖する状態で接着された後述の金属箔を加工して形成された所定の導体回路３とを備えた構造になっている。
【００２０】
この回路基板Ａは、貫通孔２に後述する線状導体を挿入し、この線状導体が貫通孔２の上部開口部を閉鎖する金属箔の部分（以下、金属箔部分３ａという）を貫通した状態で実使用に供される。その状態を図２と図３に示す。
図２と図３において、金属箔部分３ａを貫通して貫通孔２に挿入されている線状導体４の腹部４ａは、金属箔部分３ａの後述するばね弾性によって機械的に把持され、両者は相互に圧接した状態にある。そして、金属箔部分３ａは導体回路３の接続端になっているので、線状導体４と導体回路３の間には導通構造が形成されている。したがって、入・出力信号は、線状導体４−金属箔部分３ａ−導体回路３の経路で伝送されていく。
【００２１】
このようなことから、回路基板Ａの金属箔部分３ａは、当該回路基板Ａの電気的接続部として機能する。
図１の回路基板Ａにおいて、金属箔部分３ａは、図４で示したように、貫通孔２の上部開口部を完全に封口した状態で形成されていてもよく、また図５と図６で示したように、金属箔部分３ａの中心部に例えば十文字形状のスリット孔３ｃが形成されていてもよい。
【００２２】
金属箔部分３ａが図４で示したような状態になっている回路基板Ａを実使用すると、図７で示したように、貫通孔２を封口する金属箔部分３ａは貫通孔２に下方から上方に向かって挿入された線状導体４の先端部４ｂで突き破られる。そして、その結果、金属箔部分３ａには湾曲（図では上方へ）した複雑な形状をした複数の破裂片３ｂが発生し、これら破裂片３ｂがそれぞればね弾性を発揮して線状導体４の腹部４ａと圧接し、この線状導体４を把持することにより両者間の導通構造が形成される。
【００２３】
金属箔部分３ａに図６で示したようなスリット孔３ｃが形成されている回路基板Ａを実使用すると、図８で示したように、貫通孔２に下方から上方に向かって挿入された線状導体４は、スリット孔３ｃを拡径し、スリット孔３ｃの４つの舌片部３ｄを上方に湾曲させて金属箔部分３ａを貫通する。その結果、舌片部３ｄはばね弾性を発揮して線状導体４の腹部４ａと圧接し、この線状導体４を把持することにより両者間の導通構造が形成される。
【００２４】
これら両者の導通構造を対比すると、後者の場合は、スリット孔３ｃをガイドにして線状導体４が金属箔部分３ａと接触するので、両者の圧接状態は安定化し、形成された導通構造の信頼性が高くなるので好適である。
このような効果を発揮するスリット孔３ｃの平面視形状は、貫通孔の径や挿入される線状導体の断面形状との関係で適宜に設計される。このスリット孔３ｃは、図６で示した平面視形状の外に、例えば図９、図１０で示したような形状のものであってもよい。
【００２５】
なお、用いる線状導体としては、その直径が２０〜２００μｍ程度であることが実用的であり、またその断面形状は格別限定されることはないが、金属箔部分３ａとの抵触抵抗が小さい形状であることが好ましい。
線状導体４の材料としては、例えば、Ｃｕ，リン青銅、Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｐ，Ｃｕ−Ｐ，Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｓｎ，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇ，Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ，Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｂｅなどをあげることができる。
【００２６】
この回路基板Ａは次のようにして製造することができる。
まず図１１で示したように、絶縁基材１を用意し、その片面１ａに接着剤を用いて金属箔３Ａを接着して中間体Ａ１を製造する。または、半硬化もしくは前駆体の絶縁基材１と金属箔３Ａを熱プレスすることにより中間体Ａ１を製造する。
絶縁基材１としては、従来から回路基板に使用されているものであれば何であってもよく、例えば、ガラス繊維−エポキシ樹脂から成るＦＲ−４やＦＲ−５、あるいはＣＥＭ−３などのリジッドな基材や、例えばポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムなどのフレキシブルな基材を使用することができる。
【００２７】
金属箔３Ａとしては、これが導体回路３に転化し、また同時に貫通孔の開口部を閉鎖する金属箔部分で線状導体をそのばね弾性で圧接して当該線状導体を確保しなければならないという点からして、エッチングなどで導体回路の加工を容易に行なうことができ、良好な導電性と後述する高いばね限界値を備えた金属材料から成ることが好ましい。
ばね弾性の点でいえば、厚み０.１mmの箔にした状態でJIS H3130で規定する方法で測定したときのばね限界値が３５０Ｎ／mm2以上の値を示す材料であることが好ましい。
【００２８】
このばね限界値が３５０Ｎ／mm2より低い値の材料を用いると、それが仮に高い導電性を示す材料であったとしても、永久変形量が大きく、ばねとしての復元力がないという問題が発生して、線状導体と導体回路との導通構造の信頼性が低下してしまう。
このような点、更に導電性の問題を考えると、金属箔としては銅合金箔が好適であり、具体的には、Ｃ２６００（黄銅）、Ｃ７７０１（洋白）、Ｃ７０２５（コルソン合金）、Ｃ５２１２（リン青銅）、Ｃ１７００（ベリリウム銅）、Ｃ１８０４０、Ｃ６４７７０、Ｃ１９４００、Ｃ６４７１０、Ｃ４２５００、Ｃ６４７２５、Ｃ６４７４０、Ｃ４４２５０、Ｃ１９０２０、Ｃ１９０２５などをあげることができる。
【００２９】
なお、上記した銅合金箔はばね弾性の点では好適であるが、ＩＡＣＳが１０〜８０％程度であり、導電性の点では、純銅に比べて劣る。しかしながら、この銅合金箔の片面または両面に、あるいは必要とされる部分のみに例えばめっきを施してＣｕやＡｕ、Ａｇを好適とする高導電性の金属材料の層を形成することにより、良好な導電性も確保することができる。
【００３０】
従来から回路基板の導体回路の材料として使用されてきた圧延銅箔や電解銅箔は、それ単独では本発明の金属箔として使用することができない。これらの銅箔は、いずれもばね限界値が３００Ｎ／mm2以下と低いからである。
しかしながら、これら圧延銅箔や電解銅箔であっても、その片面や両面、または少なくとも線状導体と圧接する部分にＣｕ-Ｃｏ，Ｃｕ−Ｆｅ，Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｓｎ，Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｆｅ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ，Ｃｕ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｃｕ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎなどの銅合金やＮｉ−Ｐなどの合金、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどの金属のめっきを施してその部分の実質的なばね限界値を高めることにより、本発明の金属箔として使用することができる。
【００３１】
用いる金属箔３Ａは、その厚みが５０μｍ以下に設定される。厚みを５０μｍよりも厚くすると、当該金属箔にエッチング処理を行なって導体回路を形成するときに、信頼性が高く、ファインな導体回路を得ることが困難になるからである。好ましい厚みは、３〜５０μｍ、より好ましくは９〜１８μｍ程度に設定する。
このような金属箔３Ａを絶縁基材１に接着する場合、相互間の接着力を高めるために、金属箔の接着面側に、例えば脱脂したのち銅などの金属微粒子を電析して当該接着面を粗面化する処理、シランカップリング剤のような接着促進剤を付与する処理、またはそれら処理の併用などの表面処理を施すことが好ましい。
【００３２】
ついで、図１２で示したように、中間体Ａ１の絶縁基材１の裏面から例えば炭酸ガスレーザを照射して絶縁基材のみを除去し、金属箔３Ａの裏面が表出している孔（貫通孔）２を穿設して中間体Ａ２を製造する。この貫通孔２の孔径は５０μｍ〜１mm程度に設定され、また貫通孔２の形成箇所は、製造する回路基板において、前記した導通構造を形成すべき箇所に設定される。なお、中間体Ａ２の製造に際しては、絶縁基材１にまず貫通孔２を穿設し、その後、絶縁基材に金属箔３Ａを接着してもよい。
【００３３】
ついで、図１２の中間体Ａ２の金属箔３Ａに、フォトリソグラフィーとエッチング技術を適用して所望するパターンの導体回路３と貫通孔２の箇所には金属箔部分３ａを形成して、図１で示した回路基板Ａにする。
この過程で、同時に、金属箔部分３ａに図１３で示したように前記したスリット孔３ｃを形成してもよい。
【００３４】
次に回路基板Ｂについて説明する。
回路基板Ｂでは、図１４で示したように、絶縁基材１の両面に導体回路３.３が形成され、貫通孔２の上部開口部と下部開口部のいずれも閉鎖して金属箔部分３ａ,３ａが形成されていて、貫通孔２に線状導体４を挿入することにより、線状導体４は、下部の金属箔部分３ａ、上部の金属箔部分３ａのいずれとも導通構造を形成している。このことにより、回路基板Ｂでは、上面の導体回路３と下面の導体回路３の間における層間接続がとられている。
【００３５】
この回路基板Ｂを製造する場合には、一旦、図１で示した回路基板Ａを製造したのち、回路基板Ａの絶縁基材１の下面に金属箔を接着し、ついで回路基板Ａの場合と同様にしてその金属箔に導体回路３と金属箔部分３ａを形成すればよい。あるいは、絶縁基材１に貫通孔２を形成したのち両面に金属箔３Ａを接着し、各金属箔のそれぞれに導体回路３と金属箔部分３ａを形成してもよい。
【００３６】
次に本発明のモジュールについて説明する。
このモジュールは、回路基板Ａまたは回路基板Ｂに所定の実装部品を表面実装して組立てられる。
実装部品５には、図１５で示したように、例えばＬＳＩのインターポーザの底部に線状の接続端子５ａが下方に突設した状態で所定の配列パターンをなして設けられている。なお、この接続端子としては、ＢＧＡのボールを小さくしたような球状のものであってもよい。
【００３７】
一方、回路基板Ａ（またはＢ）の実装面には、同じく図１５で示したように、上記した接続端子５ａの配列パターンに対応する配列で、既に説明した金属箔部分３ａが形成されている。
そして、仮想線で示したように、これら各金属箔部分３ａの上に実装部品５の接続端子５ａを裁置し、ついで全体を下方に押圧して接続端子５ａを金属箔部分３ａの下方に位置する貫通孔の中に圧入する。
【００３８】
金属箔部分３ａのばね弾性により各接続端子５ａは固定され、ここに、実装部品と回路基板Ａ（またはＢ）との導通構造が実現して、１個のモジュールが組立てられる。
このモジュールの場合、接続端子５ａと回路基板Ａの導体回路３ははんだ接続されていないので、実装部品５は回路基板Ａ（またはＢ）から着脱自在になっている。そのため、仮に実装部品５が故障を起こした場合でも、それを回路基板Ａ（またはＢ）から取り外し、新たな良品を実装することができる。
【００３９】
次に本発明の多層回路基板について説明する。
多層回路基板の製造に際しては、単位回路基板として回路基板Ａが使用される。
まず、図１６で示したように、例えば４枚の回路基板Ａを重ね合わせて４層構造の積層体を組立てる。この回路基板Ａは、金属箔部分３ａにスリット孔３ｃが形成されている。このとき、各回路基板の層間接続をとるべき箇所では、各回路基板Ａの貫通孔２を同軸的に位置合せする。
【００４０】
ついで、図１７で示したように、この多層構造における共通孔となっている貫通孔２に線状導体４を挿入する。各回路基板Ａの導体回路と線状導体との間で導通構造が形成されるので、各回路基板Ａの間で層間接続が実現している４層構造の多層回路基板が得られる。
なお、この構造においては、回路基板Ａにおけるスリット孔の形状や大きさを適宜に設定することにより、金属箔部分３ａと線状導体４の圧接状態を変化させることができる。すなわち、線状導体４を貫通孔２から抜けにくくしたり、逆に容易に抜けるようにすることもできる。
【００４１】
また、例えば、２層目（上から）の回路基板Ａと線状導体４の導通構造を形成しない設計仕様の場合には、図１８で示したように、２層目の回路基板として、貫通孔２を閉鎖する金属箔部が形成されていない回路基板を用いればよい。
この多層回路基板の場合、従来のようにスルーホールめっきで層間接続をとる構造ではない。したがって、製造時にあっては、従来のような湿式めっきとそれに伴う前処理や洗浄などの工程が不要になる。このことによって、多層回路基板の製造時のコストを大幅に低減することが可能になる。
【００４２】
また、この多層回路基板は、線状導体を抜けば個別の回路基板に解体することができるので、不良の回路基板を良品に交換することができる。
次に本発明のコネクタ構造を説明する。
図１９で示したように、例えば銅張りポリイミドフィルムを用いて製造されたフレキシブルケーブル６を用意する。このケーブル６の先端部には、線状の接続端子６ａが所定のパターンで配列している雄型コネクタ部が形成されている。そして、回路基板Ａ（またはＢ）の所定の箇所には、前記した接続端子６ａの配列パターンに対応した配列パターンで、既に説明した金属箔部分３ａが配列されて雌型コネクタ部を形成している。
【００４３】
そして、雌型コネクタ部に雄型コネクタ部を圧接して接続端子６ａを金属箔部分３ａを介して貫通孔の中に挿入することにより、接続端子６ａと回路基板Ａの導体回路３との導通構造が形成され、ここにコネクタ構造が実現する。
【００４４】
本発明によれば、回路基板Ａ（またはＢ）を用いることにより、はんだを使用することなく実装部品を表面実装することができる。また、湿式めっきを適用しなくても、複数枚の回路基板Ａの金属箔部分を線状導体で機械的に結合することにより、各層の層間接続がとれていて、かつ個々の回路基板に分解できる多層回路基板をローコストで組立てることができる。また、回路基板Ａ（またはＢ）を雌型コネクタ部として機能させることにより、コネクタ構造を組立てることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の回路基板Ａの１例を示す断面図である。
【図２】回路基板Ａに線状導体を配置して実使用に供した状態を示す断面図である。
【図３】図２の状態にある回路基板Ａの一部切欠斜視図である。
【図４】貫通孔の上部開口部を完全に封口して金属箔部分が形成された状態を示す断面図である。
【図５】金属箔部分にスリット孔を形成した状態を示す断面図である。
【図６】スリット孔の１例を示す平面図である。
【図７】図４の金属箔部分を線状導体が貫通した状態を示す斜視図である。
【図８】スリット孔を有する金属箔部分を線状導体が貫通した状態を示す斜視図である。
【図９】スリット孔の別の例を示す平面図である。
【図１０】別のスリット孔を示す平面図である。
【図１１】中間体Ａ１を示す断面図である。
【図１２】中間体Ａ２を示す断面図である。
【図１３】金属箔部分にスリット孔を形成した回路基板Ａを示す断面図である。
【図１４】本発明の回路基板Ｂを示す断面図である。
【図１５】本発明のモジュールを説明するための斜視図である。
【図１６】回路基板Ａを重ね合わせた状態を示す断面図である。
【図１７】組立てられた本発明の多層回路基板を示す断面図である。
【図１８】他の多層回路基板を示す断面図である。
【図１９】本発明のコネクタ構造を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
１    絶縁基材
１ａ  絶縁基材１の一方の表面
１ｂ  絶縁基材１の他方の表面
２    貫通孔
３    導体回路
３Ａ  金属箔
３ａ  金属箔部分
３ｂ  破裂片
３ｃ  スリット孔
３ｄ  舌片部
４    線状導体
４ａ  線状導体４の腹部
４ｂ  線状導体４の先端部
５    実装部品
５ａ  接続端子
６    テープケーブル
６ａ  接続端子
【図１】
2007281253.tif 000003
【図２】
2007281253.tif 000004
【図３】
2007281253.tif 000005
【図４】
2007281253.tif 000006
【図５】
2007281253.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007281253.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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