(57)【要約】【課題】  大きな誘電率を示し、更には温度に依存して大きな誘電率変化を示す新規な固体材料を提供する。【解決手段】  微細なポーラス構造を持つ固体であるホスト物質の細孔中に高い誘電率（εｒ  ）を持つ有極性ゲスト分子を封入し、封入された有極性ゲスト分子の誘電特性上の挙動に基づき、前記ホスト物質に対して大きな誘電性と、温度に依存する大きな誘電率変化とを付与する。又、温度に依存する誘電率変化のパターンが異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入することにより、温度に依存する誘電率変化のパターンを任意に制御する【選択図】              図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポーラス構造を持つ固体であるホスト物質に対して、
（１）当該ホスト物質の合成過程で高い誘電率（εｒ  ）を持つ有極性ゲスト分子を混在させることにより、又は、
（２）既に構成されたホスト物質の細孔に対して液体状態の前記有極性ゲスト分子を浸入させることにより、
前記ホスト物質の多数の細孔に有極性ゲスト分子を封入し、封入された有極性ゲスト分子の誘電特性上の挙動に基づき、前記ホスト物質に対して大きな誘電性と、温度に依存する大きな誘電率変化とを付与することを特徴とする固体物質の誘電性制御方法。
【請求項２】
前記ホスト物質の細孔に、温度に依存する誘電率変化のパターンが異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入することにより、温度に依存する誘電率変化のパターンを任意に制御することを特徴とする請求項１に記載の固体物質の誘電性制御方法。
【請求項３】
ポーラス構造を持つ固体ホスト物質に対して請求項１又は請求項２に記載の固体物質の誘電性制御方法を適用することにより、前記ホスト物質における多数の細孔に高い誘電率を持つ有極性ゲスト分子を封入したポーラス誘電性物質を製造することを特徴とするポーラス誘電性物質の製造方法。
【請求項４】
ポーラス構造を持つ固体ホスト物質における多数の細孔に、高い誘電率を持つ１種類の有極性ゲスト分子を封入し、又は高い誘電率を持つと共に温度に依存する誘電率変化のパターンが互いに異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入したことを特徴とするポーラス誘電性物質。
【請求項５】
前記ホスト物質が、非分極性ないしは低分極性の固体物質であることを特徴とする請求項４に記載のポーラス誘電性物質。
【請求項６】
前記ホスト物質の細孔が、結晶構造に内在する細孔であり、又はホスト物質固有の物理的構造に基づく細孔であることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のポーラス誘電性物質。
【請求項７】
前記ホスト物質の細孔径が５〜５００オングストロームの範囲内であることを特徴とする請求項４〜請求項６のいずれかに記載のポーラス誘電性物質。
【請求項８】
前記有極性ゲスト分子が、バルク状態においては常温で液体の性状を示す分子であることを特徴とする請求項４〜請求項７のいずれかに記載のポーラス誘電性物質。
【請求項９】
前記ポーラス誘電性物質の誘電率が１５以上であることを特徴とする請求項４〜請求項８のいずれかに記載のポーラス誘電性物質。
【請求項１０】
前記有極性ゲスト分子が、ホスト物質の各細孔内において占めている体積の合計がホスト物質の体積の１０％以上と言う量的範囲内で封入されていることを特徴とする請求項４〜請求項９のいずれかに記載のポーラス誘電性物質。
【請求項１１】
前記ポーラス誘電性物質が、温度可変キャパシター、高誘電体材料又はメモリーデバイスに用いられるものであることを特徴とする請求項４〜請求項１０のいずれかに記載のポーラス誘電性物質。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細なポーラス構造を持つ固体物質を利用した、新規な誘電特性を持つ分子物質の開発に関する。更に詳しくは、本発明は、ポーラスなホスト物質の細孔中への有極性ゲスト分子の導入により固体物質の誘電性を大幅に増大させ、更には固体物質に大きな誘電率変化を付与する固体物質の誘電性制御方法と、この方法を利用したポーラス誘電性物質の製造方法と、その製造方法により製造されるポーラス誘電性物質とに関する。
【０００２】
本発明によって、デバイス上の加工性や応用性に優れた固体であって、しかも大きな比誘電率を示し、更には温度に依存して大きな誘電率変化を示す新規材料が提供される。これらの材料は、温度可変コンデンサー、高誘電体材料又はメモリー物質材料等の用途に極めて有用である。
【背景技術】
【０００３】
近年、ポーラスな構造を持つ物質を利用して新しい機能性材料を開発する試みが、種々に行われている。
【０００４】
例えば下記の特許文献１においては、メソポーラスな構造を持つホスト物質の細孔中に特定のゲスト分子を封入する技術を開示している。即ち、中心細孔直径が２〜５０ｎｍである多数の細孔を有し、これらの細孔が１ｎｍ以上の間隔で規則的に配列しているシリカ系メソ多孔体における上記メソ孔に、天然色素であるマグネシウムポルフィリンを包含させたマグネシウムポルフィリン複合体を開示している。
【０００５】
この場合、光、酸素、熱、ｐＨ等に対して敏感なマグネシウムポルフィリンが、シリカ系メソ多孔体との複合体の形成によって安定化し、その色素又は光エネルギー変換手段としての有用性を安定的に利用できると言う効果を期待している。又、その他の公知文献には、ポーラスな構造を持つホスト物質の細孔中に、酵素分子等のゲスト分子を包含させる技術も幾つか散見される。それらの場合においても、本来は不安定であるゲスト分子の機能（例えば、酵素活性）を安定的に発揮させる点に主な狙いがある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２９２３４４  一方、下記の特許文献２は、物質の誘電率と関連して、多孔性物質を構成する技術を開示している。即ち、除去可能な特定の粒径のポリマーポロゲン粒子を分散させた誘電物質を硬化させ、その後に上記のポリマーポロゲン粒子を熱分解させて多数のクローズドセルの空胞を形成する。こうして３０％以上の細孔構造を持つ低誘電率化絶縁物質を構成する。
【０００７】
【特許文献２】特開２００３−１４１９５６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、高い誘電率を示す材料はキャパシターやメモリー材料等のデバイスに有用であるし、更に、温度に依存して大きな誘電率変化を示す材料はスイッチング回路やゲート絶縁体等のデバイスに有用である。
【０００９】
しかし、デバイス上の加工性や応用性に優れた固体材料では、材料の結晶構造を構成している原子の位置が固定されているため、分極としては電子分極やイオン分極しか持たないので、強誘電体や反響誘電体のような特殊な例外を除いて、その誘電率（εｒ  ）は、通常は１０以下の小さな値である。又、誘電率の温度変化も非常に小さいものと考えられる。
【００１０】
一方、有極性（分極性）の分子、とりわけバルク状態においては常温で液体の性状を示す分子においては、水分子Ｈ２  Ｏの誘電率が８０であることに例示されるように、大きな誘電率を示すのが一般的である。又、液体状態におけるこれらの有極性分子は、温度に依存する大きな誘電率変化を示す。しかしながら、液体の場合は、本質的に加工性や成形性を期待できない。
【００１１】
以上の理由から、固体物質の誘電性を大幅に増大させ、更には固体物質に大きな誘電率変化を付与する技術が開発されれば、非常に好ましい。上記した特許文献１に記載の発明やその類似技術は、結局、ポーラス構造のホスト物質を、ゲスト分子の保護用シェルターとして利用しているだけである。特許文献２に記載の発明は、単に材料内部に多数の空胞を形成して絶縁性を高めているだけである。即ち、これらの従来技術は、上記の要求に対して参考にならない。
【００１２】
そこで本発明は、デバイス上の加工性や応用性に優れた固体であって、しかも大きな誘電率を示し、更には温度に依存して大きな誘電率変化を示す新規材料を提供することを、解決すべき技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（第１発明の構成）
上記課題を解決するための本願第１発明の構成は、ポーラス構造を持つ固体であるホスト物質に対して、
（１）当該ホスト物質の合成過程で高い誘電率（εｒ  ）を持つ有極性ゲスト分子を混在させることにより、又は、
（２）既に構成されたホスト物質の細孔に対して液体状態の前記有極性ゲスト分子を浸入させることにより、
前記ホスト物質の多数の細孔に有極性ゲスト分子を封入し、封入された有極性ゲスト分子の誘電特性上の挙動に基づき、前記ホスト物質に対して大きな誘電性と、温度に依存する大きな誘電率変化とを付与する、固体物質の誘電性制御方法である。
【００１４】
（第２発明の構成）
上記課題を解決するための本願第２発明の構成は、前記第１発明に係るホスト物質の細孔に、温度に依存する誘電率変化のパターンが異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入することにより、温度に依存する誘電率変化のパターンを任意に制御する、固体物質の誘電性制御方法である。
【００１５】
（第３発明の構成）
上記課題を解決するための本願第３発明の構成は、ポーラス構造を持つ固体ホスト物質に対して第１発明又は第２発明に係る固体物質の誘電性制御方法を適用することにより、前記ホスト物質における多数の細孔に高い誘電率を持つ有極性ゲスト分子を封入したポーラス誘電性物質を製造する、ポーラス誘電性物質の製造方法である。
【００１６】
（第４発明の構成）
上記課題を解決するための本願第４発明の構成は、ポーラス構造を持つ固体ホスト物質における多数の細孔に、高い誘電率を持つ１種類の有極性ゲスト分子を封入し、又は高い誘電率を持つと共に温度に依存する誘電率変化のパターンが互いに異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入した、ポーラス誘電性物質である。
【００１７】
（第５発明の構成）
上記課題を解決するための本願第５発明の構成は、前記第４発明に係るホスト物質が非分極性ないしは低分極性の固体物質である、ポーラス誘電性物質である。
【００１８】
（第６発明の構成）
上記課題を解決するための本願第６発明の構成は、前記第４発明又は第５発明に係るホスト物質の細孔が、結晶構造に内在する細孔であり、又はホスト物質固有の物理的構造に基づく細孔である、ポーラス誘電性物質である。
【００１９】
（第７発明の構成）
上記課題を解決するための本願第７発明の構成は、前記第４発明〜第６発明のいずれかに係るホスト物質の細孔径が５〜５００オングストロームの範囲内である、ポーラス誘電性物質である。
【００２０】
（第８発明の構成）
上記課題を解決するための本願第８発明の構成は、前記第４発明〜第７発明のいずれかに係る有極性ゲスト分子が、バルク状態においては常温で液体の性状を示す分子である、ポーラス誘電性物質である。
【００２１】
（第９発明の構成）
上記課題を解決するための本願第９発明の構成は、前記第４発明〜第８発明のいずれかに係るポーラス誘電性物質の誘電率が１５以上である、ポーラス誘電性物質である。
【００２２】
（第１０発明の構成）
上記課題を解決するための本願第１０発明の構成は、前記第４発明〜第９発明のいずれかに係る有極性ゲスト分子が、ホスト物質の各細孔内において占めている体積の合計がホスト物質の体積の１０％以上と言う量的範囲内で封入されている、ポーラス誘電性物質である。
【００２３】
（第１１発明の構成）
上記課題を解決するための本願第１１発明の構成は、前記第４発明〜第１０発明のいずれかに係るポーラス誘電性物質が温度可変キャパシター、高誘電体材料又はメモリーデバイスに用いられるものである、ポーラス誘電性物質である。
【発明の効果】
【００２４】
（第１発明の効果）
第１発明の固体物質の誘電性制御方法によれば、前記した（１）又は（２）の簡易かつ低コストなプロセスによって、ポーラス構造を持つホスト物質の多数の細孔に有極性ゲスト分子を封入することができる。
【００２５】
ナノサイズ又はこれに準じた微細なサイズの細孔（分子空間）中に封入された有極性ゲスト分子は、その誘電特性上の挙動に基づき、固体材料であるホスト物質に対して次の性質を付与する。即ち、第１に、有極性ゲスト分子は、固体物質のように原子配置が固定されていないので大きな誘電性を示し、結果として固体であるホスト物質に大きな誘電性を付与する。第２に、この有極性ゲスト分子は、配向の自由度が温度によって大きく変化するので、ホスト物質に対して温度に依存する大きな誘電率変化を付与する。
【００２６】
その結果、通常は非分極性ないしは低分極性の固体物質であるホスト物質を、デバイス上の加工性や応用性に優れた固体材料のままで、高い誘電率と、温度に依存した大きな誘電率変化を示す物質に変えることができる。
【００２７】
（第２発明の効果）
第２発明によれば、温度に依存する誘電率変化のパターンが異なる２種類以上の有極性ゲスト分子をホスト物質の細孔に封入することにより、ホスト物質が、これらの有極性ゲスト分子における温度依存性誘電率変化のパターンが折衷された新しい誘電率変化のパターンを示す。従って、ホスト物質における温度依存性誘電率変化のパターンを任意に制御することができる。
【００２８】
（第３発明の効果）
ポーラス構造を持つ固体ホスト物質に対して、上記の第１発明又は第２発明を適用すれば、多数の細孔に高い誘電率を持つ有極性ゲスト分子を封入したポーラス誘電性物質を、容易に製造することができる。
【００２９】
（第４発明の効果）
上記の第３発明によって、ポーラス構造を持つ固体ホスト物質における多数の細孔に、高い誘電率を持つ１種類の有極性ゲスト分子を封入し、又は高い誘電率を持つと共に温度に依存する誘電率変化のパターンが互いに異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入した、新規なポーラス誘電性物質が提供される。
【００３０】
前記したように、温度に依存する誘電率変化のパターンが互いに異なる２種以上の有極性ゲスト分子を封入したポーラス誘電性物質の場合、その温度依存性の誘電率変化のパターンを任意に設計することができる。
【００３１】
（第５発明の効果）
特殊な例外はあるが、一般的に固体材料であるホスト物質の誘電率は小さな値であり、誘電率の温度変化も非常に小さい。ホスト物質として、このように誘電率も誘電率の温度変化も小さいポーラス構造の固体材料を用いた場合、上記した第４発明の効果が特に有効に発揮される。
【００３２】
（第６発明の効果）
固体ホスト物質におけるポーラス構造は、有極性ゲスト分子を有効に封入し得る限りにおいて特段に限定されないが、例えば第６発明のように結晶構造に内在する細孔や、ホスト物質固有の物理的構造に基づく細孔を代表的に例示することができる。
【００３３】
（第７発明の効果）
固体ホスト物質のポーラス構造における細孔径は、封入すべき有極性ゲスト分子の分子サイズや単一細孔当たりの封入分子数等に適している限りにおいて限定されないが、一般的には５〜５００オングストロームの範囲内であることが好ましい。特に、１０〜１００オングストロームの範囲内であることが好ましい。
【００３４】
細孔径が余りに過大であるとポーラス誘電性物質が不安定化すると言う不具合が懸念され、細孔径が余りに過小であると充分な性能を得難いと言う不具合が懸念される。
【００３５】
（第８発明の効果）
有極性ゲスト分子としては、特に、バルク状態において常温で液体の性状を示す分子が好ましい。その理由は、ポーラス誘電性物質の調整が容易であると言う点や、ポーラス誘電性物質の再生が容易であると言う点にある。
【００３６】
（第９発明の効果）
ポーラス誘電性物質の誘電率は、有用である限りにおいて全く限定されないが、例えば、１５以上であるものが、好ましく例示される。
【００３７】
（第１０発明の効果）
ポーラス誘電性物質において、有極性ゲスト分子の単一細孔当たりの封入分子数あるいは封入量は、ポーラス物質としての特性を良好に発揮させる点から、ホスト物質の各細孔内においてゲスト分子が占めている体積の合計がホスト物質の体積の１０％以上と言う量的範囲内であることが好ましい。
【００３８】
（第１１発明の効果）
ポーラス誘電性物質は、例えば第１１発明に示すように、温度可変キャパシター、高誘電体材料又はメモリーデバイス等の用途に好ましく用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
次に、本願の第１発明〜第１１明を実施するための形態を、その最良の形態を含めて説明する。以下において単に「本発明」と言う時は、第１発明〜第１１発明の内の該当する発明群を一括して指している。
【００４０】
〔固体物質の誘電性制御方法、ポーラス誘電性物質の製造方法〕
本発明に係る固体物質の誘電性制御方法は、ナノサイズあるいはこれに準じたメソサイズ等の微細な細孔からなるポーラス構造を持つ固体であるホスト物質に対して、その多数の細孔に高い誘電率（εｒ  ）を持つ有極性ゲスト分子を封入し、封入された有極性ゲスト分子の誘電特性上の挙動を利用して、ホスト物質に大きな誘電性と温度依存性の大きな誘電率変化とを付与する方法である。
【００４１】
細孔に有極性ゲスト分子を封入する方法は限定されないが、多孔性の結晶構造を持つホスト物質の合成過程で有極性ゲスト分子を混在させる、と言う方法を例示できる。例えば、遷移金属配位化合物Ｍｎ（ＣＯＯＨ）２  は、結晶構造に内在する多数のナノサイズの細孔を持ったポーラス構造の結晶であり、比較的簡単なプロセスで合成できる。この結晶は、ｂ軸方向にチャネルを持つフェリ磁性体であり、その合成系に高い誘電率を持つ有極性ゲスト分子（例えば、水分子やメタノール分子）を混在させておけば、これらの有極性ゲスト分子を細孔内に取り込むことができる。
【００４２】
又、細孔に有極性ゲスト分子を封入する他の方法として、例えばゼオライト、セピオライト、又は人工的に合成されたシリカ系の多孔性構造物質等のホスト物質の細孔に対して液体状態の有極性ゲスト分子を浸入させる方法も例示できる。この方法においては、予めホスト物質を真空引きして、その後に有極性ゲスト分子を浸入させることが、高い封入率を確保する上で好ましい。
【００４３】
更に、ホスト物質の細孔に有極性ゲスト分子を封入するに当たり、温度に依存する誘電率変化のパターンが異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入することも好ましい。それによって、前記したように、ユニークな誘電率の温度変化を実現することができる。
【００４４】
以上の誘電性制御方法を、ポーラス構造を持つ固体であるホスト物質に対して適用することにより、種々のポーラス構造のホスト物質に対して種々の有極性ゲスト分子が封入された、任意の種類のポーラス誘電性物質を製造できる。
【００４５】
〔ポーラス誘電性物質〕
本発明に係るポーラス誘電性物質は、ポーラス構造を持つ固体ホスト物質における多数の細孔に、高い誘電率を持つ１種類の有極性ゲスト分子を封入し、又は高い誘電率を持つと共に温度に依存する誘電率変化のパターンが互いに異なる２種類以上の有極性ゲスト分子を封入したものである。
【００４６】
ポーラス誘電性物質自体の誘電率（εｒ  ）は、有極性ゲスト分子の種類や封入量等により、任意に設定することができる。通常の固体材料においては、誘電率が１０程度以下であり、従って、この値を超える誘電率を持ったポーラス誘電性物質は、特に有用であると言える。
【００４７】
ポーラス誘電性物質の実際的な用途としては、温度可変キャパシター、高誘電体材料又はゲート絶縁体等を例示できる。より具体的には、スイッチングデバイス、メモリーデバイス、有機トランジスター等のデバイスに用いることができる。
【００４８】
ホスト物質には、ナノサイズあるいはこれに準じたメソサイズ等の微細な細孔からなるポーラス構造を持つ固体材料が、有機物質／無機物質の区別なく含まれる。代表的なホスト物質としては、多孔性の結晶構造を持つ（結晶構造に内在する細孔を持つ）無機材料や、例えばゼオライトあるいは多孔性の粘度鉱物であるセピオライト等のようにホスト物質固有の物理的構造に基づく細孔を持つ無機材料が例示される。ホスト物質としては、通常は非分極性ないしは低分極性の固体物質が例示されるが、このようなホスト物質に限定される訳ではない。
【００４９】
ホスト物質の細孔径は、有極性ゲスト分子の分子サイズ等との関係もあって、一律には限定されない。好ましくは５〜５００オングストロームの範囲内であり、更に好ましくは１０〜１００オングストロームの範囲内である。
【００５０】
有極性ゲスト分子の種類やサイズ（分子量）は限定されない。但し、有極性ゲスト分子の種類に関しては、バルク状態においては常温で液体の性状を示すものが特に好ましい。そのごく一部の例示として、水、メタノールやエタノール等のアルコール、ギ酸や酢酸等の低分子有機酸、アセトニトリル等のニトリル類等を挙げることができる。
【００５１】
有極性ゲスト分子としては、高い誘電率を持つものが、より好ましい。ここに、「高い誘電率」とは、εｒ  が１５程度、又はそれ以上のものを言う。ホスト物質の各細孔内における有極性ゲスト分子の封入量は、任意に設定することができるが、例えば、ホスト物質の各細孔内においてゲスト分子が占めている体積の合計がホスト物質の体積の１０％以上と言う程度の量的範囲内で封入されていることが好ましい。ホスト物質の各細孔内においてゲスト分子が占めている体積の合計の上限値は、ホスト物質の各細孔の合計容積によって自動的に規定されるため、一律に数値で表現することができない。
【実施例】
【００５２】
次に、本願発明の実施例を説明する。本願発明の技術的範囲は以下の実施例によって限定されるものではない。
【００５３】
〔実施例１：ホスト物質の例示〕
図１に、遷移金属Ｍｎの配位化合物である公知のＭｎ（ＣＯＯＨ）２  の結晶構造モデルを示す。この結晶はｂ軸方向にチャネルを持つナノポーラス構造のフェリ磁性体（ＴＣ  ＝５−１０  Ｋ）であり、空孔（細孔）内の分子が抜けても結晶格子を維持して、その細孔内に水分子やメタノール分子等の有極性ゲスト分子を取り込むことができる。
【００５４】
〔実施例２：有極性ゲスト分子の例示〕
図２にベンゼン（Ｃ６  Ｈ６  ）とアセトニトリル（ＣＨ３  ＣＮ）との誘電率の温度変化を示し、図３にメタノールの誘電率の温度変化を示す。これらの図においては、縦軸の「εｒ  」が誘電率を示し、横軸の「 T/K」又は「 Temperature/k」が温度（絶対温度）を示す。
【００５５】
図２の左側に示すベンゼンは無極性分子であり、誘電率の値及びその温度変化が非常に小さいことが分かる。一方、図２の右側に示すアセトニトリルや、図３に示すメタノールは有極性分子（極性溶媒）であって、ベンゼンとの比較から、高い誘電率を持つこと、誘電率の温度変化が非常に大きいことが分かる。
【００５６】
より具体的には、アセトニトリルやメタノールにおける誘電率の温度変化は、液体状態では温度降下と共に誘電率が大きく上昇し、固化直前の温度では、水に匹敵する大きな誘電率を示す。又、固化した状態では、誘電率が非常に小さくなる。これらの誘電率の温度変化は、ベンゼンと比較して、約２５０倍〜４００倍にも達する。
【００５７】
従って、若し、このような有極性分子を微細なポーラス構造を持つ固体材料中の細孔と言う分子空間に閉じ込めた時、分子配向の自由度がバルク状態に近い温度変化を示せば、分子空間内での有極性分子の擬似的な「液体−固体」間変化に伴い、ホスト物質たる固体材料の誘電率を大幅に上昇させ、かつ、ホスト物質を（温度依存性の）非常に大きな誘電率変化を示す材料に変えることができる。
【００５８】
〔実施例３：ポーラス誘電性物質の製造（１）〕
Ｍｎ２＋イオンとｐＨを調整したギ酸をメタノールに溶かして静置することにより、〔Ｍｎ３  （ＣＯＯＨ）６  〕（ＣＨ３  ＯＨ）（Ｈ２  Ｏ）を調製した。この物質は、本発明に係るポーラス誘電性物質であり、結晶構造体Ｍｎ（ＣＯＯＨ）２  の空孔内に水分子とメタノール分子が入ったものである。このポーラス誘電性物質は、９０°Ｃで真空引きすることにより溶媒分子を抜き、異なる溶媒の雰囲気下に置くことにより、溶媒分子を入れ替えることができる。
【００５９】
このポーラス誘電性物質の単結晶（３×２×１ｍｍ３  ）の誘電率の温度依存性を測定したところ、図４（縦軸と横軸の表記は図１〜図３と同様）に示すように、２００Ｋと１００Ｋの間で誘電率が２段階的に減少し、低温域では誘電率が室温の場合の約４分の１程度の値となった。
【００６０】
ホスト物質におけるこのような大きな変化は、固体であるホスト物質内に一種の液体状態を内包させたことによるものであり、原子や分子が固定された通常の固体物質では考えられないことである。
【００６１】
又、誘電率変化のパターンが互いに異なる２種類の有極性ゲスト分子（水分子とメタノール分子）を封入したことにより、これらの有極性ゲスト分子における誘電率変化のパターンが折衷された新しい誘電率変化のパターンが実現された。即ち、ホスト物質における温度依存性の誘電率変化のパターンを任意に制御することができる可能性が示された。
【００６２】
なお、上記のポーラス誘電性物質の合成プロセスにおいて、Ｍｎ２＋イオンを他のＭ２＋イオン（Ｍは、Ｃｕ、Ｚｎ又はＣｏ）に置き換えることは容易である。
【００６３】
〔実施例４：ポーラス誘電性物質の製造（２）〕
Ｍｎ２＋（Ｍ＝Ｚｎ，Ｃｏ）イオンとテレフタル酸を配位子として、水熱合成法（ジエチルフォルムアミド溶液中、約８０°Ｃで加熱）により、Ｍ３  〔Ｃ６  Ｈ４  （ＣＯＯ）２  〕３  （Ｃ６  Ｈ４  Ｃ２  Ｏ４  Ｈ２  ）５（ＤＥＦ）２（Ｈ２  Ｏ）（Ｍ＝Ｚｎ，Ｃｏ）を合成した。これらの本発明に係るポーラス誘電性物質であるＺｎ錯体とＣｏ錯体は結晶学的に同型であり、Ｚｎ錯体の結晶学データは、 monoclinic, Cc,ａ＝33.52(2)，ｂ＝9.870(5)，ｃ＝18.180(10)Å，β＝92.308(2) °，Ｖ＝ 6016 Å３  ，Ｚ＝４である。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本願発明によって、デバイス上の加工性や応用性に優れた固体であって、しかも大きな誘電率を示し、更には温度に依存して大きな誘電率変化を示す新規材料が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】公知の遷移金属配位化合物の結晶構造モデルを示す図である。
【００６６】
【図２】ベンゼンとアセトニトリルとの誘電率の温度変化を示す図である。
【００６７】
【図３】メタノールの誘電率の温度変化を示す図である。
【００６８】
【図４】実施例に係るポーラス誘電性物質の誘電率の温度変化を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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