(57)【要約】      （修正有）【課題】配向膜に含まれた水分を除去することにより、表示ムラが改善された液晶パネルを提供する。【解決手段】表面に無機配向膜を成膜した基板１３を処理チャンバー６に搬送し、ガス導入装置８及びガス導入口３より処理ガスとして水素及び重水素を用いたプラズマ処理を施すか、或いは、配向膜を重水素水に浸漬するなどの表面処理を行うことにより、配向膜に含まれる水分を除去するとともに水の再吸着を抑え、表示ムラの発現を抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルの製造方法において、
少なくとも一方の表面に配向膜が形成された一対の基板を用意する工程、
前記一対の基板間に液晶を配する工程、
を含み、
前記配向膜を、重水素、重水素化水素、トリチウムから選択される少なくとも一種を含む雰囲気に晒す表面処理工程を含み、
前記表面処理工程の後、前記液晶を前記配向膜に接触させることを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記表面処理工程が、５０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の圧力下で行われる請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記配向膜が、斜方蒸着法によって成膜された無機配向膜である請求項１又は２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
液晶パネルの製造方法において、
少なくとも一方の表面に配向膜が形成された一対の基板を用意する工程、
前記一対の基板間に液晶を配する工程、
を含み、
前記配向膜を重水素水に晒す表面処理工程を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記配向膜の下方にはトランジスタが作製されている請求項１及至４のいずれか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
配向膜の表面処理方法であって、配向膜を重水素、重水素化水素、トリチウムから選択される少なくとも一種を含む雰囲気に晒す表面処理工程を含むことを特徴とする配向膜の表面処理方法。
【請求項７】
配向膜の表面処理方法であって、前記配向膜を重水素水に晒す表面処理工程を含むことを特徴とする配向膜の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルの製造方法及び配向膜の処理方法に関し、特に、液晶表示装置での表示ムラの原因となる配向欠陥を低減できる表面処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＯＳと呼ばれるアクティブマトリクス液晶表示パネルに代表される電子デバイスは、一般に、酸化物、Ｓｉ、サファイア及びガラスなどの基板に多くの処理プロセスを順次施すことによって製造される。係る処理プロセスは、クリーニング、薄膜形成、多孔質膜形成、配向膜形成、液晶封止シール剤塗布、液晶注入及びその他の処理工程などを含む。
【０００３】
これらの各処理プロセスに使用されるプロセスは、クリーンルーム内に配置される各装置を用い、クリーンルーム内で全処理プロセスが行われるのが一般的である。その処理プロセスにおいて、あるプロセスから次のプロセスヘ半導体基板を搬送する際、基板は、クリーンルーム内の雰囲気にさらされることになる。
【０００４】
一方、半導体装置の製造工程においては、水分を除去する方法として希ガス又は水素活性種を照射する方法が特許文献１に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２６０９１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の液晶パネルの製造方法によって製造した液晶パネルでは表示ムラを生じることがあった。特に液晶プロジェクター用途のように、強い光が照射され続ける用途の液晶パネルにおいては、長時間の使用後に顕著に表示ムラが現れることがあった。
【０００７】
本発明者等の多くの実験と考察の結果によれば、以下に詳述するように、液晶パネルの表示ムラの原因の一つは、液晶分子の並びを揃えるための配向膜に吸着した水分に因るものであろうと推測される。
【０００８】
例えば、固体をクリーンルーム内の雰囲気にさらすと、雰囲気中の水分を表面に瞬時に吸着する。液晶パネルにおいては、酸化シリコンのような酸化物を斜方蒸着によって形成し、無機配向膜として用いる場合がある。このような場合に、無機配向膜は、蒸着用真空チャンバーから大気中に取り出された瞬間に大気から水分を吸着する。特に、斜方蒸着膜は、無機物が基板面に対し斜めに成長した構造体からなる膜であることから、このような水分の吸着の影響が大きい。そして、この吸着した水分自体が後の工程において水蒸気として脱離し、液晶中に拡散し、表示ムラ、光耐久性などの低下をもたらす。
【０００９】
このように、無機配向膜の吸着水分は様々な液晶デバイスの特性に悪影響を与え、表示特性のムラの原因の一つになっていることが判った。そして、この配向膜作製のプロセス完了後に、水分の吸着を抑制することが必要であることが判明した。
【００１０】
本発明の目的は斜方蒸着で作製される無機膜などの配向膜に含まれる水分を効率的に除去すると共に、水分の再吸着を防止することができる液晶パネルの製造方法及び配向膜の表面処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１は、液晶パネルの製造方法において、少なくとも一方の表面に配向膜が形成された一対の基板を用意する工程、前記一対の基板間に液晶を配する工程、を含み、前記配向膜を、重水素、重水素化水素、トリチウムから選択される少なくとも一種を含む雰囲気に晒す表面処理工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２は、液晶パネルの製造方法において、少なくとも一方の表面に配向膜が形成された一対の基板を用意する工程、前記一対の基板間に液晶を配する工程、を含み、前記配向膜を重水素水に晒す表面処理工程を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第３は、配向膜の表面処理方法であって、配向膜を重水素、重水素化水素、トリチウムから選択される少なくとも一種を含む雰囲気に晒す表面処理工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第４は、配向膜の表面処理方法であって、前記配向膜を重水素水に晒す表面処理工程を含むことを特徴とする。
【００１５】
上記本発明の表面処理工程においては、５０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の圧力下で行われることが好ましい。
【００１６】
また、前記配向膜が、斜方蒸着法によって成膜された無機配向膜であることが好ましい。なぜなら、この配向膜は水を吸着し易く且つ本発明の方法にて水を除去しやすいからである。更に、前記配向膜の下方にはトランジスタが作製されていることが好ましい。本発明の表面処理工程によれば、水の除去と同時に、トランジスタのゲート絶縁膜界面や半導体層表面のダングリングボンドの終端を行うことができるからである。
【００１７】
上記本発明の方法においては、下記の構成を好ましい態様として含む。
前記無機配向膜が、斜方蒸着法によって成膜されている。
前記無機配向膜が、酸化ケイ素膜である。
前記無機配向膜が、ガラス基板上に成膜された透明導電膜上に積層されている。
前記無機配向膜が、少なくともＳｉ基板上に形成された金属原子層から成る反射層の上に積層されている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一実施態様によれば、配向膜に含まれる水分を効率的に除去すると共に、該配向膜に少なくとも重水素、重水素化水素、トリチウムの少なくともいずれか一種を含有させることで、水分の再吸着を防止することができる。よって、水分含量が少なく、水分を再吸着しにくい配向膜が提供され、該配向膜を用いた電子デバイス、液晶パネルにおいて、表示ムラや耐久性能を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００２０】
図１は、本発明第１の処理方法を実施するための処理装置の一例を示す概略断面図である。処理装置１２は、基板１３を収納する処理チャンバ６と、処理チャンバ６の前段側に設置されるロードロック室１１との２つの気密室から構成される。
【００２１】
処理チャンバ６とロードロック室１１との間には、ゲートバルブ１０が設けられている。
【００２２】
表面に無機配向膜を成膜した基板１３は、不図示の搬送手段によって、大気圧雰囲気下でロードロック室１１に搬送される。係る搬送の際、キャリアカセットなどから不図示のゲートバルブなどのアクセス手段１４を経由する。又、搬送の間、ゲートバルブ１０は閉じられているため、処理チャンバ６は略真空状態に維持されている。
【００２３】
その後、基板１３を収納したロードロック室１１は密閉され、減圧手段１５によって所定の圧力まで減圧される。その後、基板１３は、不図示の真空搬送手段により、ゲートバルブ１０を経由して処理チャンバ６に搬送される。
【００２４】
処理チャンバ６は、ガス導入装置８と、ガス導入口３と、排気ライン４と、排気装置９と、ヒーターステージ５と、マイクロ波発生器７と、マイクロ波導波管１と、マイクロ波透過窓２とを有する。
【００２５】
ガス導入装置８及びガス導入口３は、処理チャンバ６に処理ガスを所望の流量に制御及び供給する。処理ガスとしては重水素（Ｄ2）、重水素化水素（ＨＤ）、トリチウムが用いられ、これらはいずれか単一で用いても、また、三者の内少なくとも二者を混合して用いても良い。特に、重水素又は重水素化水素が好ましく用いられる。さらに、これらの処理ガスはネオンやキセノンといった不活性ガスにより１０ｖｏｌ％まで希釈して用いることも可能である。
【００２６】
排気ライン４は、処理チャンバ６に導入された処理ガスを処理チャンバ６の外へ排気する。
【００２７】
排気装置９は、不図示の圧力センサーの計測値に基づいて、処理チャンバ６内の圧力を所望の値に制御する。ここで、排気装置９は、コンダクタンスバルブ、真空ポンプ、及び、シャット弁などを内包する。
【００２８】
ヒーターステージ５は、基板１３を処理する際、基板１３を設置及び加熱するために設けられ、基板１３を所望の温度に保持することができる。ヒーターステージ５は、本発明では、基板１３の温度が、室温以上４００℃以下、好ましくは、室温以上３００℃以下となるように制御する。
【００２９】
マイクロ波発生器７は、処理ガスを励起して、プラズマ化するためのマイクロ波を発生する。尚、本実施形態では、処理ガスをプラズマ化するが、別の手段で励起される処理ガスの雰囲気で処理を行っても同様の効果を得ることができる。
【００３０】
マイクロ波導波管１及びマイクロ波透過窓２は、マイクロ波を前記処理チャンバ６内へ導入する。尚、マイクロ波透過窓２は、石英ガラス、アルミナ、窒化アルミなどの誘電体で構成される。
【００３１】
処理チャンバ６内に搬送された基板１３は、ヒーターステージ５上で所定の温度に加熱される。更に、マイクロ波によって励起される水素及び／又は重水素を含む処理ガスのプラズマによって、所定の圧力下で処理される。係る圧力は、５０Ｐａ以上４００Ｐａ以下であることが好ましい。処理圧力が５０Ｐａ未満であると、プラズマ中の高いエネルギーを持った水素、重水素イオンが基板１３に到達しやすくなる。又、４００Ｐａより高い圧力では、水素、重水素の活性種が基板１３へ到達しにくくなり、水分除去の効率が著しく低下する。
【００３２】
本発明におけるプラズマ処理においては、マイクロ波によって形成される表面波プラズマを用いることが望ましい。これにより、高密度のプラズマが得られ、高密度の水素、又は、重水素活性種が供給されるため、効率の良い水分除去処理を行うことができる。
【００３３】
本発明では、基板１３を収納する密閉可能なチャンバを備え、半導体製造プロセスで使用される各プラズマ処理装置が適用できる。例えば、薄膜形成工程で使用されるプラズマＣＶＤ装置が適用できる。或いは、エッチング工程で使用されるプラズマエッチング装置が適用できる。
【００３４】
尚、本実施形態では、ロードロック室１１を備えた枚葉の処理装置を使用しているが、係る装置構成に限られるものではない。例えば、ロードロック室１１を備えず、処理チャンバ６が直接大気圧と略真空の間を往復する構成でもよい。或いは、処理チャンバ６は、複数枚の基板１３を同時に処理する構成であってもよい。
【００３５】
本発明によれば、斜方蒸着の酸化膜を、処理温度が室温であっても効率的に脱水処理を行うことができる。
【００３６】
図２は、本発明第２の処理方法を実施する装置の概略図である。当該装置は重水素水（Ｄ2Ｏ）の浴槽３１を有し、該浴槽３１内には、適宜浴槽の温度を制御できるヒーターステージ３２が備えられている。これは不図示の電源、温度制御回路により所望の温度に制御可能な機構を有している。尚、ヒーターステージ３２は、不図示の超音波振動などの機能を設けるなどして、基板３３にエネルギーを付加して重水素水（Ｄ2Ｏ）の浸漬の効率を上げることも可能である。
【００３７】
表面に脱水処理を施す無機配向膜を備えた基板３３は、浴槽３１内に満たされた重水素水（Ｄ2Ｏ）溶液３４内に浸漬される。浸漬される時間及びＤ2Ｏ溶液３４の温度は適宜選択される。大気圧環境下で浸漬の好ましい溶液の温度は０℃から１００℃であり、より好ましくは、２０℃から９５℃である。浸漬時間は０．１秒から４８時間の範囲が好ましく、より好ましくは、２秒から２４時間である。濃度は純水に対し１ｖｏｌ％から１００ｖｏｌ％で浸漬することが好ましく、より好ましくは、２０ｖｏｌ％から１００ｖｏｌ％である。そして重水素水への浸漬の後、無機配向膜表面に窒素ガスを吹き付けるＮ2ブローをすることで液滴を除去する。
【００３８】
このようにして無機配向膜を重水素水の溶液に浸漬させても、前記のプラズマ処理を施した無機配向膜と同様に脱水処理を行うことができる。
【００３９】
図３に、本発明の第１の処理（プラズマ処理）及び第２の処理（Ｄ2Ｏ浸漬）を施した場合と、未処理の場合とを比較した結果を示す。
【００４０】
一般に、ＴＤＳの分析においては、真空下でサンプルを一定速度で昇温し、脱離するガスを質量分析装置で測定する。これにより、指定した分子量のガス種について、脱離量（相対値）の温度依存を測定することができる。図３では、水分子（分子量＝１８）について測定している。
【００４１】
一般的に、斜方蒸着で作製した酸化シリコンを対象に水分子（分子量＝１８）の脱離データを測定すると、室温から３００℃近傍で表面吸着水の情報が得られる。
【００４２】
図３を参照するに、未処理の酸化シリコン膜に比べ、重水素プラズマ処理、及びＤ2Ｏ水浸漬処理を施した酸化シリコン膜は、室温から３００℃付近まで、全く水の脱離が観測されていない。このことから、重水素プラズマ処理、Ｄ2Ｏ浸漬処理（これも表面処理の一つである）の各表面処理が、効率的に酸化膜表面の吸着水を除去することが明らかである。
【００４３】
特に、重水素で処理したシリコン酸化膜を備えた基板を処理後２ケ月に渡ってクリーンルーム環境に放置してもＴＤＳのスペクトルは全く同じ傾向を示した。このことにより、上述の水分吸着の防止効果は、極めて長期に渡って持続することも見出された。よって、大量生産時の配向膜の表面処理としては、重水素による処理が好ましいものである。
【００４４】
本発明の無機配向膜は、前記した本発明の第１の処理または第２の処理のいずれかの処理を施すことにより、当該配向膜を構成する主成分元素の他に、少なくとも重水素を含有している。係る重水素の含有量は１×１０12（ｃｍ-3）から１×１０22（ｃｍ-3）の範囲で無機配向膜の形状によって含有量は大きく変化しうる。係る重水素は、無機配向膜の水分が吸着する表面、表面近傍、欠陥内部、空隙に発生する主成分元素の未結合手に対し、水素結合及び／又は重水素結合により終端処理されていてもかまわない。
【００４５】
また、本発明の無機配向膜としては、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコンなどが挙げられ、特に、Ｓｉと、少なくともＯ（酸素原子）を含有していることが好ましい。
【００４６】
本発明の無機配向膜は、カラム構造（柱状構造）の膜であって、カラム成長方向は基板に対し垂直であっても、斜めに傾斜していてもかまわない。又、プレーン（平板状）の構造体が重なり合い配列する構造体の膜であって、プレーンが、基板に対し垂直、又は傾斜しているものであってもよい。
【００４７】
本発明の無機配向膜の表面構造は、これらの断面の構造を受けて凸凹形状になっていてもかまわない。又凸凹を低減するために、研磨処理をして平滑にしてもかまわない。
【００４８】
本発明の無機配向膜は多孔質膜で複数の細孔を有する構造体の膜であってもかまわない。本発明の多孔質膜は、その細孔のサイズで分類され２ｎｍ未満はミクロポーラス物質膜、２ｎｍから５０ｎｍの範囲はメソポーラス物質膜、５０ｎｍを超えるとマクロポーラス物質膜と分類称される。
【００４９】
このメソポーラス物質膜を構成する細孔は、ＩＵＰＡＣにより定義された、先に述べたように、直径２ｎｍから５０ｎｍのメソ領域の径を有する細孔を指す。又、ガス吸着法により得られる吸着等温線からＢｅｒｒｅｔ−Ｊｏｙｎｅｒ−Ｈａｌｅｎｄａ（ＢＪＨ）法により評価される細孔径分布において、６０％以上の細孔が１０ｎｍの幅を持つ範囲に含まれる。１０ｎｍの幅を持つ範囲とは、例えば、５ｎｍから１５ｎｍのように、最小値と最大値の差が１０ｎｍである範囲を示す。
【００５０】
本発明の無機配向膜を用いたデバイスについて具体的に説明する。
【００５１】
図４は本発明の無機配向膜を斜方蒸着法で作製した液晶パネルの模式的断面図である。基板の周囲にある封止部材（シール材）は省略して描かれている。
【００５２】
同図において、無機配向膜４３はカラム構造を有し、ＳＥＭ断面観察からカラムの成長角度を評価することが可能である。このように作製される無機配向膜４３に対して、本発明の処理を施すことで、ＳＩＭＳ分析から重水素原子の存在が示される。
【００５３】
図４において、ガラス基板４１は石英ガラス、無アルカリガラス、安価な青板ガラスなど液晶デバイスの仕様に合わせて、所望の光学的特性に合わせて適宜選択すればよい。
【００５４】
ＩＴＯ膜４２は表面性、電気特性の観点から、膜厚は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でより好適には１５ｎｍ以上１００ｎｍの範囲で適宜選ぶことができる。
【００５５】
ここで、ガラス基板４１とＳｉ基板４４とは一対の基板を構成している。
【００５６】
本発明の無機配向膜４３は、酸化シリコンを真空蒸着で基板を斜めに配置させてカラム構造の酸化シリコンの斜方蒸着膜を形成することができる。斜方蒸着膜の膜構造は入射角で制御できる。
【００５７】
図５に斜方蒸着装置の概略構成図を示す。入射角は基板５２の法線から蒸着源（ソース）５５の斜入射の角度で定義される。
【００５８】
本発明の無機配向膜を斜方蒸着膜で構成する場合、入射角は３０°から８５°で、より好ましくは４０°から８０°の範囲で、液晶配向特性に必要な諸特性に合わせて、選択可能である。特に、入射角は液晶配向のプレチルト角と強い相関があり、これは液晶パネルの素子特性を設計する上で重要である。
【００５９】
Ｓｉ基板４４は例えば、液晶パネル駆動用半導体回路が形成されるものである。つまり、Ｓｉ基板４４はその表面側に単結晶シリコントランジスタがマトリクス状に配された半導体基板でありうる。或いは、Ｓｉ基板４４に替えて、ガラス基板上に非単結晶トランジスタがマトリクス状に配された基板を用いることもできる。これらの場合、配向膜の下方にトランジスタが配された状態となる。反射膜４５は電極を兼ねており、ここでは、アルミニウム又はアルミニウム合金のような金属層が用いられる。液晶ＬＣは垂直配向モードの場合、誘電異方性が負の液晶材料が用いられる。本発明においては、垂直配向モードの液晶パネルに限定されることはなく、ＩＰＳ又はＴＮと呼ばれる配向モードの液晶であってもよい。
【００６０】
液晶パネルの製造工程において、無機配向膜として酸化シリコンなどの斜方蒸着膜作製後に、上述した表面処理を施すことで、無機配向膜の水分による汚染で液晶デバイスの光耐久性が悪化するのが著しく改善される。図６は通常の液晶パネルの作製プロセスを示すフローである。以下、各プロセスを図４の液晶パネルを作製する工程を例に挙げて説明する。
【００６１】
先ず、基板４１，４４を洗浄（工程６１）後、一方の基板４１表面に透明導電膜としてＩＴＯ膜４２を、他方の基板４４表面に反射膜４５をそれぞれ成膜する（工程６２）。次いで図５に示す真空容器５１にて無機配向膜４３としてＳｉＯ2を斜方蒸着法にて約１００層形成する。同真空容器５１より窒素導入機構（不図示）で窒素を真空容器５１に導入し、真空容器５１内を大気圧に戻す。しかる後に、斜方蒸着膜がついた基板４１，４４を取り出す。
【００６２】
上記工程は、一般にはクリーンルームなどの温度、湿度管理される清浄環境下で行われることがデバイスの特性安定上から好ましい。この後、図１に示す、マイクロ波プラズマ発生装置１２に基板４１，４４をセットし、Ｄ2プラズマ処理を行なう。或いは、図３に示す重水素水の浴槽３１内に基板４１，４４を浸漬させ無機配向膜の表面処理を行う。このようにして、配向膜成膜工程６３の後であって、液晶注入工程６７の前の適当なタイミングで、本発明の表面処理を行い、無機配向膜４３の脱水処理（本発明の表面処理工程）を行う。
【００６３】
次いで、一方の基板の周縁部にシール剤を塗布し（工程６４）、基板４１，４４を無機配向膜４３を内側に向けて所定の間隙を介して対向配置させる（工程６５）。次いで、シール剤の硬化工程、例えば、紫外線硬化剤の場合、所望の紫外線を照射し、熱硬化型のシール剤では熱硬化のプロセスを経て、シール剤を硬化させ（工程６６）、貼り合わせを完了する。シール剤は一部を開口して封口を設けており、液晶は該封口から真空液晶注入機で注入する（工程６７）。ここでは一対の基板間に液晶が配され、配向膜４３と液晶が接触する。液晶の注入が完了したら、該封口にシール封口剤を塗布し（工程６８）、工程６９にて紫外線硬化等の硬化プロセスにより硬化させて液晶パネルを完成させる。
【００６４】
本発明においては、無機配向膜の表面処理を行った後、液晶を一方の基板上に滴下した後、他方の基板で液晶を挟み込み、周囲を封止める、いわゆる液晶の滴下注入方式であってもよい。
【００６５】
また、本発明においては、無機配向膜の表面処理を行ってから液晶を挟み込むまで、表面処理された無機配向膜に紫外線及びそれより短い波長の光線を照射しないことが、望ましい。即ち、無機配向膜の表面処理工程後であって液晶に無機配向膜を触れさせるまでの間は、少なくとも無機配向膜の表面を紫外線及びそれより短い波長の光線から遮光することが好ましいものである。
【実施例】
【００６６】
（実施例１）
前記した図６のフローに従って液晶パネルを作製し、得られた液晶パネルの光耐久試験を行った。無機配向膜の表面処理条件及び光耐久試験の結果は表１の通りである。
【００６７】
比較例として、斜方蒸着膜作製の後に、当該斜方蒸着膜の表面をプラズマ処理しないものを用意する。
【００６８】
液晶パネルの光耐久試験は通常製品の使用環境よりも光強度の高い環境下で実施し、液晶パネルの表示むらは顕微鏡観察で目視で確認することができる。
【００６９】
本実施例の光耐久試験ではパネルの温度を７０℃に保持し、１０Ｗ／ｃｍ2の白色光を連続照射した。連続照射時間に対し表示ムラが発生しない時間を、１０００時間以上の耐久試験の評価を◎、８００時間以上を〇、以下を×と記す。
【００７０】
この結果、本実施例の処理方法で作製される液晶パネルの光耐久性が高く、液晶デバイスの特性安定性が高いことがわかる。
【００７１】
この結果は、Ｄ2に代わりＨＤを導入しプラズマ処理するものも同様の結果が得られる。このようにして、光耐久試験の結果から本発明の処理方法を用いて作製する本発明の液晶パネルの耐久性は著しく高くなる。
【００７２】
【表１】
2007264624.tif 000003
【００７３】
（実施例２）
無機配向膜の脱水処理として、プラズマ処理に代えて、重水素水への浸漬を用いた以外は実施例１と同様にして液晶パネルを作製した。表２に処理条件及び光耐久試験の結果を示す。
【００７４】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の第１の処理方法を実施する処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第２の処理方法を実施する処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図３】各種処理方法による脱水効果を示すグラフである。
【図４】本発明の無機配向膜を用いた液晶パネルの一例の概略断面図である。
【図５】斜方蒸着装置の概略断面図である。
【図６】液晶パネルの作製プロセスを説明するためのフローチャートを示す図である。
【符号の説明】
【００７６】
１  マイクロ波導波管
２  マイクロ波透過窓
３  ガス導入口
４  排気ライン
５  ヒーターステージ
６  処理チャンバ
７  マイクロ波発生器
８  ガス導入装置
９  排気装置
１０  ゲートバルブ
１１  ロードロック室
１２  処理装置
１３  基板
１４  アクセス手段
１５  減圧手段
３１  Ｄ2Ｏ浴槽
３２  ヒーターステージ
３３  基板
３４  Ｄ2Ｏ溶液
４１  ガラス基板
４２  ＩＴＯ基板
４３  無機配向膜
４４  Ｓｉ基板
４５  反射膜
５１  真空容器
５２  基板
５３  基板ホルダー
５４  電子銃
５５  ソース
５６  ハース
６１  基板洗浄
６２  ＩＴＯ膜・反射膜成膜
６３  配向膜成膜
６４  シール剤塗布
６５  基板貼り合わせ
６６  シール剤硬化
６７  液晶注入
６８  シール封口剤塗布
６９  シール封口剤硬化
【図１】
2007264624.tif 000005
【図２】
2007264624.tif 000006
【図３】
2007264624.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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