(57)【要約】【課題】  磁気記録媒体に用いられるシリコン基板の平坦度を向上できるとともに、製造歩留まりが良好となり、特に直径が１インチ（２５．４ｍｍ）以下で面方位（１００），（１１１）の小径シリコン基板の平坦度が向上する磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法、磁気記録媒体用シリコン基板ならびに磁気記録媒体を提供する。【解決手段】  所定の厚さにラッピング処理されたシリコンディスクの熱処理工程を備え、該熱処理工程は、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ点（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理する方法としている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法において、所定の厚さにラッピング処理されたシリコンディスクの熱処理工程を備え、該熱処理工程は、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ点（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理することを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項２】
単結晶シリコン棒をスライス処理して得られたシリコンディスクをラッピング処理する工程と、
前記シリコンディスクから小径基板を切り出す工程と、
前記小径基板を面取り処理する工程と、
前記小径基板をエッチング処理する工程と、
前記小径基板を熱処理する工程と、
前記小径基板の表面を研磨処理する工程と、
前記小径基板を洗浄処理する工程と、
前記小径基板を検査する工程と、
を順に備えたことを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項３】
前記小径基板を熱処理する工程は、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ点（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理することを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載の製造方法で得られる磁気記録媒体用シリコン基板。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の主表面に、少なくとも磁性層が形成されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報機器等に使用される小型の磁気記録媒体用のシリコン基板の製造方法および磁気記録媒体用シリコン基板ならびに磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の１種であるハ−ドディスク装置（磁気記録再生装置またはＨＤＤ）は、近年、記録密度の向上が著しく、現在では量産されているものでも記録密度が８０Ｇｂｐｓｉ（ギガビット／平方インチ）まで達している。このような磁気記録再生装置においては、磁気ヘッドは磁気記録媒体が回転しているときには、一定の浮上量で飛行するように設計されている。すなわち、磁気ヘッドはリード／ライト時には、磁気記録媒体上を一定の浮上量で飛行しており、磁気ヘッドと磁気記録媒体は直接接触することが無く、このために磁気記録再生装置の信頼性を向上させている。
最近では、記録密度の上昇と共に浮上量は低下してきており、現状では浮上量が１０ｎｍ程度まで下がってきている。
【０００３】
ヘッド浮上量を小さくするためには、磁気記録媒体表面の平滑性（突起物がないこと）が重要である。特にＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドにおいては、その特性から、磁気記録媒体表面の突起物に触れることによって生じる瞬間的な温度上昇によって、信号を読み取ることができなくなる（サーマル・アスピリティー）現象が知られており、サーマル・アスピリティーに対する対策として、磁気記録媒体表面の平滑性が特に重視されている。
【０００４】
このような平滑な磁気記録媒体表面を実現するために、近年では磁気記録媒体用の磁気記録媒体用基板には、アルミニウム合金等に代ってガラス基板が使用され、更にシリコン基板も検討されている。アルミニウム合金は研磨加工等の機械的処理の過程においてその材料特性から塑性変形を伴うので、先に述べたような平滑性を得ることは困難である。
それに対し、シリコン基板やガラス基板は表面の硬度が高く、研磨加工等の処理を施しても塑性変形を伴わないため、平滑な面を得易い利点がある。
【０００５】
磁気記録媒体用として用いるシリコン基板の標準的な製造工程としては、単結晶シリコン棒から以下の工程によって製造する方法が提案されている。
１）単結晶シリコン棒の引き上げ
２）単結晶シリコン棒からシリコンディスクを切り出すスライス処理
３）シリコンディスクを所定の厚さにするラッピング処理
４）シリコンディスクから小径基板への切り出し処理
５）小径基板の内外周の面取り処理
６）小径基板のエッチング処理
７）小径基板表面のポリッシング（研磨）処理
８）小径基板から研磨材を除去する洗浄処理
９）小径基板（シリコン基板）の表面外観検査や平坦度等の検査
【０００６】
上述の製造工程では、基板表面が、３）ラッピング処理において粒径の大きな研磨材を用いることにより１００μｍ程度の取り代にて研磨され、６）エッチング処理の工程においては３０μｍ程度の取り代にて除去される。また、７）研磨処理の工程においては、数μｍ程度の取り代で基板表面が研磨される（例えば、特許文献１）。
【０００７】
また、磁気記録媒体用に用いられるガラス基板を製造する際に、製造工程においてガラス基板を熱処理し、その後、研磨処理を行う方法が提案されている（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特許第２６７８４１６号公報
【特許文献２】特開２００１−２３１５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法は、上述の製造工程によって、シリコンディスクから複数枚の小径基板を切り出して得られるものである。
しかしながら、特許文献１に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法では、以下のような問題点があることを、本発明者らは知見した。
【０００９】
すなわち、上述の製造工程によって得られた小径のシリコン基板の主表面に磁性膜の層を形成して磁気記録媒体を製造する場合、磁性膜の成膜工程においてシリコン基板に数百℃の温度が加えられる。この際、シリコン基板に上述の７）研磨処理より前工程である３）ラッピング処理等の加工ダメージが研磨処理後も潜傷として残っていると、スパッタを用いた成膜プロセス後に上述の加工ダメージの応力が緩和され、基板表面が１０ｎｍ程度の高さで膨らむ現象が起こることを知見した（図５（ａ）〜（ｃ）に示すＧ、Ｈ、Ｉを参照）。
【００１０】
通常、磁気記録媒体の表面は、起伏が０．２〜０．５ｎｍ程度の平坦な状態となっており、上述のような膨らみが生じると、磁気ヘッドが磁気記録媒体の表面に接触する等、磁気記録媒体の記録に不具合を生じさせる原因となる虞がある。このため、表面に膨らみが生じた磁気記録媒体は、磁気記録媒体の製造工程における最終検査において不良と判定され、歩留まりを大きく低下させることがある。
【００１１】
上述の製造工程に示したように、７）研磨処理の工程において基板表面を研磨することにより傷や歪みを除去しているものの、この工程での研磨の取り代は数μｍ程度であり、研磨処理よりも前の工程においてシリコン基板に大きな歪みが生じた場合に、この大きな歪みを取り除くことが出来ず、研磨処理後も潜傷として残ってしまい、磁性膜の成膜工程において膨らみを生じる。
【００１２】
磁気記録媒体用シリコン基板と同様に単結晶シリコンが用いられる半導体デバイス用基板では、１枚のシリコン基板から多数個の半導体デバイスを製造するため、上述の膨らみが発生した部分のみ不良判定とし、それ以外の部分を基板として用いれば良いが、磁気記録媒体用シリコン基板においては、基板全体が不良判定となり、そのままでの転用は不可能であるという問題があった。
【００１３】
特許文献２に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法では、所定の円盤形状に加工されたガラス基板をラッピング処理し、次いでガラス基板を熱処理した後、ポリッシング（研磨）加工を行うことにより、研磨処理後のガラス基板の膨らみを除去する方法としている。
【００１４】
しかしながら、特許文献２に記載の方法のようにガラス基板を研磨する場合、通常は研磨の取り代が５０〜６０μｍであり、シリコン基板を研磨する場合の取り代（数μｍ）に比べて大きい。このため、ラッピング処理等の工程で発生した加工ダメージの多くは通常の研磨処理によって除去されるため、磁性膜の成膜工程において基板表面に膨れが生じる問題は起こりにくい。
しかしながら、シリコン基板を研磨処理する場合、通常の研磨取り代は数μｍであるため、小径のシリコン基板をラッピング処理した際に表面に生じる加工ダメージを除去するのは不可能であることから、シリコン基板に歪みが残り、上述のような基板表面の膨れの問題が生じる虞があった。
【００１５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、磁気記録媒体に用いられるシリコン基板の平坦度を向上できるとともに、製造歩留まりが良好となり、特に直径が１インチ（２５．４ｍｍ）以下で面方位（１００），（１１１）の小径シリコン基板の平坦度が向上する磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法および磁気記録媒体用シリコン基板ならびに磁気記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明者らは鋭意研究した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は以下の発明を提供するものである。
（１）磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法において、所定の厚さにラッピング処理されたシリコンディスクの熱処理工程を備え、該熱処理工程は、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ点（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理することを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
（２）単結晶シリコン棒をスライス処理して得られたシリコンディスクをラッピング処理する工程と、前記シリコンディスクから小径基板を切り出す工程と、前記小径基板を面取り処理する工程と、前記小径基板をエッチング処理する工程と、前記小径基板を熱処理する工程と、前記小径基板の表面を研磨処理する工程と、前記小径基板を洗浄処理する工程と、前記小径基板を検査する工程と、を順に備えたことを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
（３）前記小径基板を熱処理する工程は、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理することを特徴とする（２）に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
（４）（１）〜（３）の何れかに記載の製造方法で得られる磁気記録媒体用シリコン基板。
（５）（４）に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の主表面に、少なくとも磁性層が形成されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１７】
本発明者らは、磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法において、上述のように、研磨処理を行う前に規定した熱処理を行うことにより、研磨前の基板上に存在する応力を予め開放し、次いで研磨処理することで応力開放された欠陥箇所を除去すれば、シリコン基板の膨れ状の欠陥が低減することを見出した。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法によれば、所定の厚さにラッピング処理されたシリコンディスクの熱処理工程を備え、該熱処理工程は、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理する方法としている。
これにより、シリコンディスクをラッピング処理した際にディスク表面に発生する歪みの応力を開放することができ、研磨処理によって欠陥箇所を除去することが可能となる。
従って、磁気記録媒体用シリコン基板の平坦度が向上し、基板上に磁性層を成膜する際に膨らみを生じることがなく歩留まりが向上するとともに、小型で高密度記録が可能な磁気記録媒体用シリコン基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は、本実施形態の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法で備えられた熱処理工程における熱処理時間―熱処理温度の特性を示すグラフであり、図２は、図１のグラフの基のデータを示す一覧である。
本実施形態の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法は、所定の厚さにラッピング処理されたシリコンディスクの熱処理工程を備え、該熱処理工程は、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ点（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理することを特徴としている。
【００２１】
図３は、本実施形態の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法の各プロセスの一例を示す工程表である。
本実施形態の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法では、各工程を、
１）単結晶シリコン棒を引き上げる工程と、
２）前期単結晶シリコン棒をスライス処理してシリコンディスクを切り出す工程と、
３）前記シリコンディスクをラッピング処理する工程と、
４）前記シリコンディスクから小径基板を切り出す工程と、
５）前記小径基板を面取り処理する工程と、
６）前記小径基板をエッチング処理する工程と、
７）前記小径基板を熱処理する工程と、
８）前記小径基板の表面を研磨処理する工程と、
９）前記小径基板を洗浄処理する工程と、
１０）前記小径基板を検査する工程と、
を順に備えた構成とすることができる。
上記工程例では、シリコン基板のエッチング処理の次工程、且つ研磨処理の前工程として熱処理工程を備えていることを特徴としている。
【００２２】
本発明で製造されるシリコン基板は、直径が１インチ（２５．４ｍｍ）以下で、面方位（１００），（１１１）の小径のシリコン基板である。
本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法では、特に小径のシリコン基板を製造する場合に、高い表面平滑性を有するシリコン基板を、高い歩留まりで効率良く得ることができる。
【００２３】
以下、図３を用いて、本実施形態の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法の各プロセスを工程順に説明する。
【００２４】
「単結晶シリコン棒の引き上げ工程」
シリコン単結晶をＣＺ法等によって結晶成長させ、単結晶シリコン棒を引き上げ、製造する。
【００２５】
「スライス処理工程」
引き上げられた単結晶シリコン棒を、スライサー等によって所定の厚さにスライス加工して切り出し、円盤状のシリコンディスクとする。
【００２６】
「ラッピング処理工程」
切り出したシリコンディスクを、両面研磨加工機等を用いて所定の厚さまでラッピング加工することにより、ディスク厚さ、平坦度、面仕上がりの調整を行う。
ラッピング処理における研磨の取り代は、１００μｍ程度の除去量とすることが好ましい。
研磨剤としては、取り代を上述とするため、粒径の大きな研磨剤を用いることが好ましく、例えばアルミナ研磨剤等、各種選択して使用することができる。
なお、ラッピング処理を実施したシリコンディスクの平坦度は、概ね１μｍ以内とすることが好ましい。
【００２７】
「シリコンディスクから小径基板を切り出す工程」
ラッピング処理で調整されたシリコンディスクを、レーザースクライブ装置等を用いて切り出し加工し、例えば直径が１インチ（２５．４ｍｍ）以下の小径基板を切り出す。この際、小径基板の中心部に孔が開いた形状としても良い。
【００２８】
「面取り処理工程」
切り出された小径基板に対し、内外加工装置等を用いて内外周面の面取り加工を行う。
面取り角度としては、小径基板の外周、及び中心部の孔の内周ともに４５度とすることが好ましいが、適宜決定すれば良い。また、面取りのチャンファー長も適宜決定すれば良い。
【００２９】
［エッチング処理工程］
小径基板（シリコン表面）をエッチング処理することにより、ラッピング処理工程においてシリコンディスク（小径基板）の表面に与えられた歪み等のダメージを除去する。
エッチング液としては、フッ酸、硝酸、酢酸の混酸溶液等を用いれば良い。
小径基板をエッチング処理することにより、基板厚み方向において３０μｍ程度の取り代で表面を除去する。
【００３０】
「熱処理工程」
本実施形態では、エッチング処理の次工程、及び後述の研磨処理の前工程として、所定の温度及び時間で小径基板の熱処理を行う熱処理工程を備えている。
シリコンの小径基板の熱処理は、上述したように、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ点（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理する。
例えば、図１のグラフに示す範囲において、熱処理温度を１０００℃とする場合には熱処理時間を５分以上とすれば良く、熱処理温度を１００℃とする場合には熱処理時間を６００分以上とすれば良い。
シリコンの融点等を考慮した場合、熱処理温度は１２００℃程度まで上げることも可能であるが、本実施形態の熱処理温度は、上述の範囲において６５０℃程度とすることが、高温の熱処理を行う特殊装置が不要となることや、生産性向上等の点から好ましい。
【００３１】
本実施形態の熱処理工程により、上述のラッピング処理で受けた歪み等の加工ダメージの内、エッチング処理の取り代の範囲において除去しきれず、小径基板表面に残留した加工ダメージの応力を開放した状態とし、後述の研磨処理で除去することが可能となる。
熱処理工程に用いる加熱装置としては、市販の温度制御機能付き電気オーブンを用いれば良いが、ランプ加熱等の方法を採用することもできる。
【００３２】
上述のような熱処理工程を備えることにより、次いで行われる研磨処理における残留ダメージの除去効率が向上し、小径基板（シリコン基板）の平坦度を著しく向上させることが可能となり、表面欠陥の少ない磁気記録媒体用シリコン基板が得られる。
【００３３】
なお、上述の熱処理工程は、ラッピング処理工程よりも後工程、且つ研磨処理工程よりも前工程に入れることが好ましいが、エッチング処理工程と研磨処理工程との間に入れることがより好ましい。また、シリコン基板製造工程によってはエッチング工程を省略することもあるが、この場合には、ラッピング処理工程よりも後工程、且つ研磨処理工程よりも前工程の間の任意の段階に入れることが好ましい。
また、上述の熱処理は、大気中の雰囲気条件で実施すれば良い。この際、生産性の観点から、ディスク同士を束ねて、バッチで処理することが好ましい。
【００３４】
「研磨処理工程」
熱処理工程によって表面に残留した加工ダメージの応力が開放された状態とされた小径基板を研磨処理する。
研磨処理は、両面研磨加工機等を用いたポリッシュによって行う工程とすれば良く、また、１次ポリッシング加工、２次ポリッシング加工というように、２段階のポリッシュを行う工程としても良い。この場合、例えば、スエード研磨パッド等を用いてポリッシング加工を行い、スラリーにはコロイダルシリカ等を用いることができる。
【００３５】
「洗浄処理工程」
研磨処理後の小径基板を洗浄処理することにより、小径基板表面に残留した研磨剤を除去する。
洗浄処理は、アンモニア化水や塩酸化水等の組み合わせによる、一般的なＲＣＡ洗浄等によって行うことができる。また、洗浄処理後、ＩＰＡ蒸気乾燥等によって乾燥するのが好ましい。
【００３６】
「検査工程」
上述で得られた小径基板（シリコン基板）の検査を行い、研磨工程等に起因するキズ等の外乱を避けるための選別を行う。選別は、暗室集光灯下で、目視確認で行う。
【００３７】
以上の工程により、平坦度が良好な、直径１インチ（２５．４ｍｍ）以下で面方位（１００），（１１１）の磁気記録媒体用シリコン基板が得られる。
【００３８】
本実施形態の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法で得られるシリコン基板を用いて磁気記録媒体を製造する場合には、従来から行われている公知の方法を用いることができる。
例えば、上述の工程で得られた磁気記録媒体用のシリコン基板の両面に、インライン型スパッタリング装置等を用いてＣｒＭｏ下地層、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層、水素化カーボン保護層を順次成膜し、ディップ法によってパーフルオロポリエーテル液体潤滑層を成膜して磁気記録媒体を得ることができる。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法の実施例についてデータを用いて説明し、本発明を立証する。
【００４０】
［シリコン基板の作製］
本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法により、以下のようにしてシリコン基板を作製した。
まず、直径１５０ｍｍのシリコン単結晶をＣＺ法により結晶成長させ、単結晶シリコン棒を引き上げた。
次いで、市販のスライサーに内周刃ブレードを取り付け、単結晶シリコン棒から厚さ５００μｍのシリコンディスクを切り出した。
次いで、鋳鉄定盤を取り付けた市販の９Ｂサイズの両面研磨加工機（ハマイ製）を使用して、アルミナ研磨剤（日本アランダム：ＡＺ１２００）で厚さ４２０μｍまでラッピング加工を実施し、ディスク厚さと平坦度（およそ１μｍ以内）、及び面仕上がりを調整した。
【００４１】
次いで、上記シリコンディスクから、ＹＡＧレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ）を利用した市販のレーザースクライブ装置を用いて、中心に穴の開いた内径４．８ｍｍ、外径２３．５ｍｍの小径基板を切り出した。
次いで、内外加工装置を用いて、ダイアモンド砥石で内外周の面取り加工を実施し、内径６．０１ｍｍ、外径２１．６ｍｍの基板とした。面取り角度は内外周ともに４５度、チャンファー長は０．１ｍｍとした。
次いで、ラッピングダメージ除去のため、エッチング装置を用いてフッ酸、硝酸、酢酸の混酸でシリコン表面をエッチングし、小径基板の厚さを３８５μｍとした。
【００４２】
次いで、市販の電気アニール炉を用いて、表１に示す熱処理温度及び熱処理時間の各条件で熱処理を実施し、小径基板（シリコン）表面に残留する加工ダメージを除去した。
【００４３】
【表１】
2007042216.tif 000003
【００４４】
次いで、小径基板の主表面に、１次ポリッシング加工及び２次ポッシング加工の２段階でポリッシュを実施した。
ポリッシュには、市販の９Bサイズの両面研磨加工機（ハマイ製）を使用した。
１次ポリッシング加工では、スエード研磨パッドを使用し、スラリーはコロイダルシリカを使用した。１次ポリッシング加工の取り代は、およそ３μｍとした。
２次ポリッシング加工でも、スエード研磨パッド、及びコロイダルシリカスラリーを組み合わせて使用した。２次ポリッシング加工の取り代は、およそ１μｍとした。
次いで、一般的なＲＣＡ洗浄を実施して研磨剤を除去した後、ＩＰＡ蒸気乾燥を実施して、磁気記録媒体用の０．８５インチ（２１．６ｍｍ）のシリコン基板とした。
【００４５】
上述の工程で作製したシリコン基板を、暗室集光灯下で目視検査し、研磨工程起因のキズなどの外乱を避けるための選別作業を行った。
以上により、実施例評価用の、直径０．８５インチのシリコン基板を作製した。
【００４６】
［磁気記録媒体の作製］
上述のようにして得られた磁気記録媒体用シリコン基板の両面に、従来公知の方法に従い、インライン型スパッタリング装置を用いてＣｒＭｏ下地層、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層、水素化カーボン保護層を順次成膜し、ディップ法によってパーフルオロポリエーテル液体潤滑層を成膜して磁気記録媒体を得た。
この磁気記録媒体を、表１に示したシリコン基板の熱処理条件毎に１０枚ずつ作成した。
【００４７】
［磁気記録媒体（シリコン基板）の評価］
上述のように、シリコン基板の熱処理条件毎に得られた磁気記録媒体を、従来から用いられている磁気記録媒体欠陥検査装置で検査し、以下に示す基準で評価判定し、不合格となったディスクの欠陥部位を観察して、残留ダメージの緩和、及び欠陥の発生率を調査した。
（１）合格：シリコン基板表面に、膨らみが確認されなかった。
（２）不合格：シリコン基板表面に、膨らみが１箇所以上、または面積が１５０μｍ×１５０μｍ以上、確認された。
表２に、熱処理条件毎の欠陥発生率の結果を示すとともに、図４に、表２のデータをグラフ化して示す。
【００４８】
【表２】
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【００４９】
［評価結果］
表２のデータ及び図４のグラフに示すように、本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法では、上述した所定の熱処理を行うことにより、膨れによる欠陥発生率が低減されているが、この低減率は熱処理時間−熱処理温度に依存する。
熱処理温度を、図１に示すグラフで規定した熱処理条件の範囲外となる５０℃とした場合には、２０〜５０％の欠陥発生率となり、欠陥を撲滅することは出来なかった。
これに対し、熱処理温度を１００℃とした場合には、熱処理時間を６００分とすることにより、欠陥を撲滅することが出来た。
より高温の熱処理温度とした場合には、より短い熱処理時間によって欠陥を低減することが可能である。表２及び図４に示すように、熱処理温度を８００℃とした場合には、５分間の熱処理時間で十分に欠陥を低減できた。
【００５０】
上記結果により、エッチング処理と研磨処理との間に熱処理を行い、この熱処理の工程を、図１に示す熱処理時間―熱処理温度の特性グラフにおいて、Ａ点（５分、１０００℃）、Ｂ点（５分、８００℃）、Ｃ点（１０分、６００℃）、Ｄ点（６０分、２００℃）、Ｅ点（６００分、１００℃）の各点を結ぶ折れ線Ｆよりも高温側、長時間側の範囲内で熱処理することによって、表面欠陥の少ない磁気記録媒体用シリコン基板、及びそれを用いた磁気記録媒体が得られることが実証された。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法の一例を説明する図であり、熱処理条件の範囲を示すグラフである。
【図２】本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法の一例を説明する図であり、図１のグラフの基のデータを示す一覧である。
【図３】本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法の一例を説明する図であり、各工程のプロセスフローを順に示す図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法の実施例を説明する図であり、熱処理条件毎の不良率を示すグラフである。
【図５】従来の磁気記録媒体を説明する図であり、シリコン基板表面の歪みに伴って発生する膨れを示す状態図である。
【符号の説明】
【００５２】
Ｆ・・・折れ線（Ａ点、Ｂ点、Ｃ点、Ｄ点、Ｅ点の各点を結ぶ折れ線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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