(57)【要約】【課題】撮像素子を良好に収容することができるとともに光学特性に優れた撮像素子収納用パッケージおよび撮像素子搭載用基板ならびに撮像装置を提供すること。【解決手段】固体撮像素子６を収納するための収納部が形成されているとともに上面に固体撮像素子６の受光部に光を導入するための開口部が形成された基体７と、開口部を塞ぐように接着剤１０を介して基体７に取着された透光性基板１とを具備した固体撮像素子収納用パッケージにおいて、透光性基板１の基体７に接合される主面に、高屈折率誘電体層３と低屈折率誘電体層４とを交互に複数層積層して成るとともに最外層１４を酸化珪素から成る最外低屈折率誘電体層とした誘電体多層膜２を形成し、最外低屈折率誘電体層に直接接着剤１０を接触させた。【選択図】図１
2007043063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子を収納するための収納部が形成されているとともに上面に前記固体撮像素子の受光部に光を導入するための開口部が形成された基体と、前記開口部を塞ぐように接着剤を介して前記基体に取着された透光性基板とを具備した固体撮像素子収納用パッケージにおいて、前記透光性基板の前記基体に接合される主面に、高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に複数層積層して成るとともに最外層を酸化珪素から成る最外低屈折率誘電体層とした誘電体多層膜を形成し、前記最外低屈折率誘電体層に直接前記接着剤を接触させたことを特徴とする固体撮像素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記最外低屈折率誘電体層の表面粗さＲａを０．５〜３．０ｎｍとしたことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記透光性基板の表面粗さＲａを０．２０ｎｍ以下としたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の固体撮像素子収納用パッケージ。
【請求項４】
前記誘電体多層膜は、前記高屈折率誘電体層または前記低屈折率誘電体層を１層被着形成した後に、表面に陽イオンのみを所定の時間照射させていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の固体撮像素子収納用パッケージ。
【請求項５】
透光性基板の主面の外周部に配線導体が形成されており、該配線導体に固体撮像素子を電気的に接続するとともに前記固体撮像素子の外周縁部を接着剤で前記透光性基板に接合するための固体撮像素子搭載用基板において、前記主面に高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に複数層積層して成るとともに最外層を酸化珪素から成る最外低屈折率誘電体層とした誘電体多層膜を形成し、前記最外低屈折率誘電体層に直接前記接着剤を接触させたことを特徴とする固体撮像素子搭載用基板。
【請求項６】
前記最外低屈折率誘電体層の表面粗さＲａを０．５〜３．０ｎｍとしたことを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子搭載用基板。
【請求項７】
前記透光性基板の表面粗さＲａを０．２０ｎｍ以下としたことを特徴とする請求項５または請求項６記載の固体撮像素子搭載用基板。
【請求項８】
前記誘電体多層膜は、前記高屈折率誘電体層または前記低屈折率誘電体層を１層被着形成した後に、表面に陽イオンのみを所定の時間照射させていることを特徴とする請求項５乃至請求項８のいずれかに記載の固体撮像素子収納用パッケージ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の固体撮像素子収納用パッケージの前記収納部に固体撮像素子を収納し、前記誘電体多層膜および前記透光性基板を透過した光を前記固体撮像素子に結合させたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項８のいずれかに記載の固体撮像素子搭載用基板の前記配線導体に固体撮像素子を電気的に接続するとともに該固体撮像素子の外周縁部を接着剤で前記透光性基板に接合し、前記誘電体多層膜および前記透光性基板を透過した光を前記固体撮像素子に結合させたことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ，ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子を搭載するための固体撮像素子収納用パッケージおよび固体撮像素子搭載用基板、ならびにこれを用いた固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体撮像素子を搭載する固体撮像装置を含むカメラの軽薄短小化および低価格化が急激に進展し、これに伴って搭載されるカメラモジュールをはじめとする固体撮像装置も軽薄短小化あるいは部品削減が進んでいる。
【０００３】
このような固体撮像装置は、一般に画像を得るために外部からの入射光を集光して固体撮像素子に導くためのガラス材あるいはプラスチック材から成るレンズや、赤外線を遮蔽する部品として例えばホウケイ酸ガラスから成る透光性基板の表面に誘電体多層膜を形成した光学部材などを樹脂製などから成る基体で保持することにより形成された撮像素子収納用パッケージに、撮像素子を収納することにより構成されている（例えば下記の特許文献１参照）。
【０００４】
この光学部材は、透光性基板の片面の全面あるいは画像認識に有効な範囲に五酸化タンタルや酸化チタン，酸化ニオブ，フッ化ランタン，酸化ジルコニウム等の屈折率が１．７以上の誘電体から成る高屈折率誘電体層と、ＳｉＯ２やＭｇＦ２，Ｎａ３ＡｌＦ６等の屈折率が１．６以下の低屈折率誘電体層とを、交互に数十層積層することにより赤外線を遮蔽する誘電体多層膜を形成するものである。
【０００５】
誘電体多層膜は、一般的には、光の干渉効果を用いて、各層におけるλ／４（λは任意の光の設計波長）の整数倍とした光学膜厚を変えることにより、特定波長の反射強度の極大極小を制御することにより光学的フィルタとしての機能を発揮することが可能となる。これは、誘電体多層膜の各層の光学膜厚が１／４波長変わるごとに、その波長での光の位相が同じになったり、反転したりするためである。つまり、誘電体多層膜の各層の光学膜厚を調整することで誘電体多層膜を構成する高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層との界面や誘電体多層膜と透光性基板との界面からの反射光の位相を調整し、誘電体多層膜の表面での反射光と干渉させて、反射強度を増加させたり、減少させたりすることが可能となる。
【０００６】
従って、入射光のうち透過させたくない波長の光に対して、光学膜厚をλ／４の奇数倍とすることによって、入射光に対する反射強度が増加することによって透過光を減少させ、特定の波長帯域に対して遮光効果を有することができる。実際には、誘電体多層膜を形成する高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層の光学膜厚をより詳細に調整することによって、良好な特性を有する光学部材としている。なお、光学膜厚は屈折率ｎと実際の物理的な膜厚ｄの積（ｎ×ｄ）で表わされる。
【０００７】
このような透光性基板は、基体にＵＶ硬化型エポキシ接着剤や熱硬化型エポキシ接着剤を用いて接合される。ＵＶ硬化型エポキシ接着剤を用いる場合は、接合部分にＵＶ硬化型エポキシ接着剤を塗布した後、紫外線を照射して接着剤の硬化反応を促進させることによって、透光性基板と基体との接合を行い、その後、加熱を行うことによって接着剤の硬化反応を十分に進めて完全に接着させる。また、熱硬化型エポキシ接着剤を用いる場合は、透光性基板の接合面にあらかじめ熱硬化型エポキシ接着剤を塗布し、仮硬化状態にしたものを基体と重ね合わせた状態で、加熱を行うことによって仮硬化状態の熱硬化型エポキシ接着剤を再溶融させて透光性基板と基体との接合を行い、更に加熱を行うことによって熱硬化型接着剤の硬化反応を十分に進めて完全に接着させる。
【０００８】
また、従来の固体撮像装置の別の形態として表面に誘電体多層膜が被着された透光性基板の外周部、すなわち撮像領域以外の部位に配線導体を形成し、この配線導体に撮像素子を、この撮像素子の受光部が透光性基板の撮像領域と対向するようにフリップチップ実装した後、撮像素子の外周縁部と透光性基板とを接着剤により接合するという構成も提案されている（下記の特許文献２参照）。
【０００９】
この場合の接着剤としてもＵＶ硬化型エポキシ接着剤や熱硬化型エポキシ接着剤が用いられている。
【特許文献１】特開２００１−２４５１８６号公報
【特許文献２】特許３２０７３１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、基体と透光性基板との接合や撮像素子と透光性基板との接合において良好な接合強度が得られないという問題があった。その結果、撮像素子を良好に収容するのができず、撮像素子を正常に作動させることが困難になるという問題点を有していた。
【００１１】
また、基体と透光性基板とを接合する際、または透光性基板にフリップチップ実装した撮像素子と透光性基板とを接合する際、接着剤が透光性基板上に被着された誘電体多層膜上をぬれ広がり、所定の接合領域を超えて透光性部材の撮像領域にまで達し、良好な光学特性を得られなくなるという問題点もあった。
【００１２】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、撮像素子を良好に収容することができるとともに光学特性に優れた撮像素子収納用パッケージおよび撮像素子搭載用基板ならびに撮像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の固体撮像素子収納用パッケージは、固体撮像素子を収納するための収納部が形成されているとともに上面に前記固体撮像素子の受光部に光を導入するための開口部が形成された基体と、前記開口部を塞ぐように接着剤を介して前記基体に取着された透光性基板とを具備した固体撮像素子収納用パッケージにおいて、前記透光性基板の前記基体に接合される主面に、高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に複数層積層して成るとともに最外層を酸化珪素から成る最外低屈折率誘電体層とした誘電体多層膜を形成し、前記最外低屈折率誘電体層に直接前記接着剤を接触させたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の固体撮像素子収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記最外低屈折率誘電体層の表面粗さＲａを０．５〜３．０ｎｍとしたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の固体撮像素子収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記透光性基板の表面粗さＲａを０．２０ｎｍ以下としたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の固体撮像素子収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記誘電体多層膜が、前記高屈折率誘電体層または前記低屈折率誘電体層を１層被着形成した後に、表面に陽イオンのみを所定の時間照射させていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の固体撮像素子搭載用基板は、透光性基板の主面の外周部に配線導体が形成されており、該配線導体に固体撮像素子を電気的に接続するとともに前記固体撮像素子の外周縁部を接着剤で前記透光性基板に接合するための固体撮像素子搭載用基板において、前記主面に高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に複数層積層して成るとともに最外層を酸化珪素から成る最外低屈折率誘電体層とした誘電体多層膜を形成し、前記最外低屈折率誘電体層に直接前記接着剤を接触させたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の固体撮像素子搭載用基板において、好ましくは、前記最外低屈折率誘電体層の表面粗さＲａを０．５〜３．０ｎｍとしたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の固体撮像素子搭載用基板において、好ましくは、前記透光性基板の表面粗さＲａを０．２０ｎｍ以下としたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の固体撮像素子搭載用基板において、好ましくは、前記誘電体多層膜が、前記高屈折率誘電体層または前記低屈折率誘電体層を１層被着形成した後に、表面に陽イオンのみを所定の時間照射させていることを特徴とする。
【００２１】
本発明の固体撮像装置は、上記本発明の固体撮像素子収納用パッケージの前記収納部に固体撮像素子を収納し、前記誘電体多層膜および前記透光性基板を透過した光を前記固体撮像素子に結合させたことを特徴とする。
【００２２】
本発明の固体撮像装置は、上記本発明の固体撮像素子搭載用基板の前記配線導体に固体撮像素子を電気的に接続するとともに該固体撮像素子の外周縁部を接着剤で前記透光性基板に接合し、前記誘電体多層膜および前記透光性基板を透過した光を前記固体撮像素子に結合させたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の固体撮像素子収納用パッケージは、透光性基板の基体に接合される主面に、高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に複数層積層して成るとともに最外層を酸化珪素から成る最外低屈折率誘電体層とした誘電体多層膜を形成し、最外低屈折率誘電体層に直接前記接着剤を接触させたことから、接着剤と誘電体多層膜の最外層表面の接合において水酸基を介した水素結合を行なうことにより、良好な接着強度を得ることができるとともに、外部環境に対して安定な酸化珪素で誘電多層膜を保護することができるので、透光性基板を、接着剤を介して基体に接合する際に加わる熱や、使用環境下での固体撮像素子の動作の際に発生する熱応力に対しても良好な接合強度を得ることができ、光学特性に優れるとともに、長期信頼性に優れた固体撮像素子収納用パッケージとすることができる。
【００２４】
本発明の固体撮像素子搭載用基板は、透光性基板の主面の外周部に配線導体が形成されており、配線導体に固体撮像素子を電気的に接続するとともに固体撮像素子の外周縁部を接着剤で透光性基板に接合するための固体撮像素子搭載用基板において、主面に高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に複数層積層して成るとともに最外層を酸化珪素から成る最外低屈折率誘電体層とした誘電体多層膜を形成し、最外低屈折率誘電体層に直接接着剤を接触させたことから、接着剤と誘電体多層膜の最外層表面の接合において水酸基を介した水素結合を行なうことにより、接着剤と誘電体多層膜の最外層表面の接合において、良好な接着強度を得ることができるとともに、透光性基板と固体撮像素子との接合において、良好な接合強度を得ることができ、光学特性に優れるとともに、長期信頼性に優れた固体撮像素子搭載用基板とすることができる。
【００２５】
さらに、基体およびボンディングワイヤを省くことができるためにより製品の小型化、薄型化が可能となると共に、配線導体が形成された光学部材に固体撮像素子の電極を、接着剤を介してフリップチップ実装法により接続する際の温度変化や外力により光学部材に加わる応力に対しても良好な接合強度を得ることができ、光学特性に優れるとともに、長期信頼性に優れた固体撮像素子搭載用基板とすることができる。
【００２６】
本発明の固体撮像素子収納用パッケージおよび固体撮像素子搭載用基板は、最外低屈折率誘電体層の表面粗さＲａを０．５〜３．０ｎｍとしたことから、誘電体多層膜の最外層表面の水ヌレ性が接触角測定で１０〜３０度となり、また、基体と透光性基板とを接合する際や固体撮像素子と透光性基板とを接合する際、接着剤が透光性基板上に被着された誘電体多層膜上をぬれ広がり、所定の接合領域を超えて透光性部材の撮像領域にまで達するのを有効に抑制するとともに、基体と透光性基板との接合や固体撮像素子と透光性基板との接合強度をきわめて良好にできる。
【００２７】
本発明の固体撮像装置は、上記本発明の固体撮像素子収納用パッケージの収納部に固体撮像素子を収納し、誘電体多層膜および透光性基板を透過した光を固体撮像素子に結合させたことから、透光性基板を、接着剤を介して基体に接合する際に加わる熱や、使用環境下での固体撮像素子の動作の際に発生する熱応力に対しても良好な接合強度を得ることができ、光学特性に優れるとともに、長期信頼性に優れた固体撮像装置とすることができる。
【００２８】
本発明の固体撮像装置は、上記本発明の固体撮像素子搭載用基板の配線導体に固体撮像素子を電気的に接続するとともに固体撮像素子の外周縁部を接着剤で透光性基板に接合し、誘電体多層膜および透光性基板を透過した光を固体撮像素子に結合させたことから、基体およびボンディングワイヤを省くことができるためにより製品の小型化、薄型化が可能となると共に、配線導体が形成された光学部材に固体撮像素子の電極を、接着剤を介してフリップチップ実装法により接続する際の温度変化や外力により光学部材に加わる応力に対しても良好な接合強度を得ることができ、光学特性に優れるとともに、長期信頼性に優れた固体撮像装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の固体撮像装置を添付の図面に基づき詳細に説明する。
【００３０】
図１は本発明の固体撮像装置の実施の形態の一例を示す断面図である。透光性基板１に誘電体多層膜２を被着形成することにより光学部材５を構成している。
【００３１】
透光性基板１は、ホウケイ酸ガラスから成るガラス材料、もしくはニオブ酸リチウム，水晶，サファイア等の複屈折材料、アクリル樹脂等の高分子材料が用いられる。
【００３２】
ホウケイ酸ガラスは、ガラス原料にホウ酸を加えることで耐熱性や耐薬品性に優れる材料となり、さらに透明で平坦な無孔性の表面を有することから光学的に欠陥の少ない材料として好適に用いられる。このようなホウケイ酸ガラスは、溶融した高純度のガラス原料をダウンドロー法により、無研磨にて板厚のバラツキの少ない透光性基板１とすることができる。
【００３３】
または、溶融させた高純度のガラス原料をガラスの溶融温度よりも融点が高い金属から成る容器内、好ましくは、不純物の溶け込みを効果的に防止できる例えば白金（Ｐｔ）から成る容器内に流し込んだ後、数日に渡って徐冷却し、ブロック状に形成する。しかる後、所定の板厚および外形寸法に切断するとともに、各稜線部を機械的に切削することによりＣ面加工を行なうか、もしくは、バレル加工やケミカルエッチングによりＲ面加工を行なった後、アルミナ等から成る研磨材を用いてラップ研磨を行ない、さらにアルミナ，酸化セリウム等から成る研磨材を用いて光学研磨することにより透光性基板１とすることができる。このようにして作成することで、高純度のガラス原料に固体撮像素子６に悪影響を及ぼすα線を発生する不純物が溶け込むことを防止することができる。
【００３４】
また、ニオブ酸リチウムや水晶、サファイアは高圧高温にした育成炉内で種結晶に人工的に結晶成長させることにより単結晶からなるブロックを得た後、切り出し面が結晶軸に対して所定の角度となるようにワイヤーソーやバンドソー等を用いてウエハーを切り出す。このウエハーを所定の板厚および外形寸法に切断するとともに、各稜線部を機械的に切削することによりＣ面加工を行なった後、アルミナ等から成る研磨材を用いてラップ研磨を行ない、さらに、アルミナ，酸化セリウム等から成る研磨材を用いて光学研磨することにより透光性基板１とすることができる。
【００３５】
このようにして作成した、ニオブ酸リチウムや水晶、サファイア等から成る透光性基板１においては、透光性基板１に光が入射すると、２つの屈折光が現れ、強さの等しい２本の光線に分かれて進み、互いに垂直な振動面を持つ直線偏光となって出力される。 この現象は複屈折と呼ばれ、物質中に偏光の方向に依存する二つの屈折率があり、各々の屈折率における二つの光線のうち、一方の光線は通常の屈折法則に従い常光線と呼ばれ、他方の光線は、方向によって物質中を進行する光の速度が変化するために屈折法則に従わず、異常光線と呼ばれる。ニオブ酸リチウムや水晶，サファイアは、入射光を常光線と異常光線とに分離することから、一つの入射光を固体撮像素子６の画素配置および画素ピッチに対応して常光線と異常光線とに分離して格子縞などを写すと、固体撮像素子６にて発生する色むらや縞模様などの本来存在しない擬似信号を除去する機能を有する。
【００３６】
また、ニオブ酸リチウムや水晶，サファイア等の複屈折材料は複数枚重ねて使用することにより、入射光を固体撮像素子６の画素配置および画素ピッチに対応させた正方形または長方形の隣接する４つの画素に対応した均等な透過光に分離させることで、固体撮像素子６の擬似信号をより良好に除去することができる。
【００３７】
このようにして、さまざまな方法で透光性基板１を作成することができるが、光学研磨を行った透光性基板１の表面状態は、原子間力顕微鏡を用いた表面粗さＲａを０．２０ｎｍ以下とすることが望ましい。透光性基板１の表面粗さＲａが０．２０ｎｍより大きいと、誘電体多層膜表面の表面粗さが大きくなる傾向があり、最外低屈折率誘電体層の表面粗さを０．５〜３．０ｎｍとし難くなる傾向がある。
【００３８】
また、誘電体多層膜２を被着形成する直前に、１０％〜３０％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて洗浄することによって、透光性基板１表面を化学的に研磨すると共に、透光性基板１表面にプラズマを照射するプラズマ洗浄によって透光性基板１表面を活性化することが望ましい。これらの洗浄を行なうことによって、透光性基板１表面と誘電体層の密着性と光学的な透過性、反射性を向上させることができる。
【００３９】
また、透光性基板１の平面視の形状は、正方形や長方形等の四角形状、四隅を面取りした略四角形状、多角形状、円形や楕円形等の略円形状でもよい。
【００４０】
図２に誘電体多層膜２の拡大図を示す。この誘電体多層膜２は、通常は屈折率が１．７以上の誘電体材料から成る高屈折率誘電体層３および、通常は屈折率が１．６以下の誘電体材料から成る低屈折率誘電体層４を、蒸着法やスパッタリング法等を用い特定の条件で、数十層に渡って順次交互に複数層積層することにより形成される。
【００４１】
このようにして作成した誘電体多層膜２は、一般的に近赤外領域の波長の入射波を遮蔽する光学フィルタとして必要な機能である波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの領域において、反射率の最大値が２０％以下であり、波長７００ｎｍ〜１０００ｎｍの領域において、反射率の最小値が９０％以上である機能を有している。
【００４２】
また、光学フィルタの機能を有する誘電体多層膜２が被着形成された一主面と対向する主面に、すくなくとも波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍの領域において、反射率の最大値が２％以下となる反射防止膜を形成してもよい。これにより、所望の入射光の損失を少なくすることができ、更に良好な画像信号を得ることができる。
【００４３】
このような屈折率が１．７以上の絶縁材料としては、例えば五酸化タンタルや酸化チタン，五酸化ニオブ，酸化ランタン，酸化ジルコニウム等が用いられ、屈折率が１．６以下の絶縁材料としては、例えば酸化珪素や酸化アルミニウム，フッ化ランタン，フッ化マグネシウム等がある。硬さや安定性などの機械的特性、および所望の光学フィルタとしての機能を付与するために必要となる屈折率等の光学的特性から、高屈折率誘電体層３としては酸化チタンを、低屈折率誘電体層４としては酸化珪素が望ましい。
【００４４】
高屈折率誘電体層３と低屈折率誘電体層４を被着形成する方法として、イオンビームアシスト法を用いる。イオンビームアシスト法は、製膜プロセスである真空蒸着法に陽イオンの照射を併用する真空蒸着法である。イオンビームアシスト法で使用する陽イオンは、例えばアルゴンからなる不活性ガスと酸素ガスからなる活性ガスの両方を装置のイオン源に導入してプラズマとしたものから生成したものを用いる。
【００４５】
イオンビームアシスト法では、例えば透光性基板１を真空蒸着装置内に設置した坩堝に入れ、光学的に良質な誘電体多層膜２を得るために、酸素欠乏を起こさないように十分に酸素を供給し、そして真空蒸着装置内を１×１０-３Ｐａ程度の真空度に設定された状態で陽イオンの照射を併用しながら真空蒸着が行なわれる。真空蒸着装置内にて誘電体多層膜２が被着形成される際の透光性基板１の表面温度は、熱電対により透光性基板１付近の温度を計測することにより管理され、電熱線ヒーター等を用いて温度範囲３０〜３５０℃程度に保持される。しかる後、透光性基板１の主面の全面あるいはマスキングをして固体撮像素子６と対向する所望の領域に、高屈折率誘電体層３と低屈折率誘電体層４とを陽イオンの照射を併用しながら順次交互に合計１０〜１００層程度誘電体層を被着することにより透光性部材５が形成される。陽イオンが真空中を飛来する蒸着物質が気体分子に衝突することによって、蒸着物質の気体分子が励起されて大きな運動エネルギーを得る。そして、この大きな運動エネルギーを得た蒸着物質の気体分子が被着材である透光性基板１の表面に到達すると、被着材の表面の広い領域を移動するとともに、広い領域の移動に伴って被着材表面のより低いエネルギー状態にある場所を見つけ出す確率が大幅に増大するため、蒸着物質の分子同士が凝集することなく被着材の表面に均一に被着し、周辺に存在する蒸着原子同士が凝集して核を形成することなく膜を形成することができる。
【００４６】
加えて、本発明においては、高屈折率誘電体層３もしくは低屈折率誘電体層４を１層被着形成した後に、表面に陽イオンのみを所定の時間照射させることが好ましい。これにより、被着材の表面でエネルギーを失った蒸着物質の分子に陽イオンが衝突すると、その蒸着物質の分子は薄膜内部に押し込まれ、より緻密なアモルファス状態の薄膜を得ることができるとともに、被着形成された各層の表面が陽イオンが叩きつけられることによって平坦になるため、層と層の間の界面をより平坦にすることができる。
【００４７】
ここで、接着剤１０と誘電体多層膜２の最外層表面１４との接合における接着剤１０の濡れ広がりを良好にするという観点からは誘電体多層膜の最外層表面が原子間力顕微鏡を用いて測定した表面粗さＲａが０．５〜３．０ｎｍとなることがより好ましい。
【００４８】
一般的にイオンビームアシスト法で誘電体層をアモルファスとする場合は蒸着物質を被着形成している間に同時に陽イオンを照射することが行なわれるが、高屈折率誘電体層３および低屈折率誘電体層４のすべての層を被着形成した後に、表面に陽イオンのみを照射しようとすると、表面粗さＲａを０．５〜３．０ｎｍのような低いものとするのに陽イオンを照射する時間が長くなるため、陽イオン中の主成分である酸素イオンが誘電体層に過剰に打ち込まれるため、誘電体層中の酸素の比率が高まり正常な誘電体層とするのが困難である。これに対し、本発明においては誘電体層１層被着毎に陽イオンを照射することによって、酸素の比率を高めず、なおかつ表面を平坦化することができる。
【００４９】
これらにより、誘電体多層膜２の透光性基板１から数えて最外層表面１４を、酸化珪素から成る低屈折率誘電体層４にて終端させることで、誘電体多層膜２の最外層表面１４の原子間力顕微鏡を用いた表面粗さＲａを０．５〜３．０ｎｍのような低いものとすることができる。それによって、誘電体多層膜２の最外層表面１４の水ヌレ性が接触角測定で１０〜３０度程度となり、接着剤１０と誘電体多層膜２の最外層表面１４の接合において、良好な接着強度を得ることができる。
【００５０】
ある物質表面の水ヌレ性は、物質固有の特性とその表面の粗度に起因する。一般的に、接触角測定で９０度以下を示すような水ヌレ性を有する場合、表面の凹凸が多くなるほど、水ヌレ性が増加する。よって、表面の粗さを所定の状態とすることによって、所望とする水ヌレ性を得ることができる。
【００５１】
ここで、アモルファスというのは、構造的には結晶のように構成原子の配列が周期構造を持ち規則的であるのに対して、短距離秩序はあるが、長距離秩序がない固体状態のことである。すなわち、結合の仕方がランダムで構造が幾何学的に均一であるため、均質で粒界がないという特徴を有している。アモルファス状態は、Ｘ線回折法におけるブロードなピークとして観察できる。また、透過型電子顕微鏡観察を用いて観察することができる。透過型電子顕微鏡観察は、電子線を電場あるいは磁場により屈折させる電子レンズを有し、電子線は可視光線やＸ線よりも波長が短いため高い倍率と分解能が得られるため、微細な形態や内部構造を観察でき、結晶粒界の有無を視覚的に確認することができる。更に、電子線回折パターンから構造解析も行うことができ、ハローパターンからアモルファス状態を確認することができる。
【００５２】
通常の真空蒸着においては、基板表面に被着した際に持っているエネルギーが熱エネルギーを源とする比較的小さなエネルギー量であるため、基板表面を十分に拡散することができず、まずはじめに、周辺に存在する蒸着原子同士が凝集して核を形成し、更に被着する原子がその核に結合していくことによって膜を形成する。このため、核が成長していく中で周辺の核同士が結合して連続膜へといたる過程を経て膜を形成する。この結果、柱状構造と呼ばれ多孔質状の膜となり、膜界面の平坦性が損なわれることとなり、最終的な誘電多層膜２の表面においても多孔質状な面が形成されるため、表面が荒れてしまう。これにより、接着剤１０と誘電体多層膜２の最外層表面１４の接合において、接着剤１０が最外層表面１４上をぬれ広がり、所定の接合領域を超えて透光性部材１の撮像領域にまで流れ込んでしまうために、良好な光学特性を得られにくい。
【００５３】
また、最外層表面１４を形成する低屈折率誘電体層４としてフッ化マグネシウムを使用した際には、誘電体多層膜２の最外層表面１４の水ヌレ性が接触角測定で３０度を超えて非常に大きくなり、接着剤１０と誘電体多層膜２の最外層表面１４の接合において、接着剤１０が最外層表面１４の接合領域に十分に塗れ広がらず、良好な密着が得られない。
【００５４】
基体７は、酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体，炭化珪素質焼結体等の無機絶縁材料あるいは、エポキシ樹脂，フェノール樹脂，液晶ポリマー，ポリフェニレンサルファイド，ポリイミド樹脂等の有機絶縁材料等から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウムや酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤および分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形法によりシート状にしてセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打抜き加工を施すとともに複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作される。あるいは、エポキシ樹脂から成る場合であれば、一般的にシリカ粉末を充填した樹脂コンパウンドを射出成形機により、約１８０℃に加熱した金型形状に成形硬化することにより形成される。
【００５５】
また、基体７の上面には、固体撮像素子６を収納するための収納部である凹部が形成されている。また、凹部の底面や内側面から基体７の下面に導出された複数の配線導体８が被着形成されており、この凹部に形成された配線導体８には固体撮像素子６の電極１２がボンディングワイヤ９を介して電気的に接続される。また、基体７の下面に導出された配線導体８の部位（図示せず）は外部電気回路（図示せず）に半田等の電気的接続手段を介して電気的に接続される。
【００５６】
配線導体８は、固体撮像素子６の各電極１２を外部電気回路に電気的に接続する導電路として機能し、例えば基体７が無機絶縁材料から成る場合、タングステンやモリブデン，マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤，溶媒および可塑剤等を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法により基体と成るセラミックグリーンシートにあらかじめ印刷塗布し、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって所定パターンに被着形成される。
【００５７】
なお、配線導体８はその表面にニッケルや金等の導電性や耐蝕性に優れるとともにロウ材との濡れ性が良好な金属を電解めっき法や無電解めっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておくとよい。これにより、配線導体８の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに配線導体８とボンディングワイヤ９との接続および配線導体８と外部電気回路基板の配線導体８との接続をより強固とすることができる。以上のようにして基体７を作製することができる。
【００５８】
そして、基体７の凹部に固体撮像素子６を従来周知のダイボンド樹脂等で接着し、電極１２と配線導体８をボンディングワイヤ９で電気的に接続する。
【００５９】
基体７と光学部材５との接合は、一般的に紫外線硬化型エポキシ樹脂もしくは熱硬化型エポキシ樹脂等から成る接着剤１０を介して行なわれる。例えば接着剤１０として熱硬化型エポキシ樹脂を用いる場合、従来周知のスクリーン印刷法等で接着剤１０を光学部材５の誘電体多層膜２を形成した面に塗布し、基体７に重ねあわせた後、９０〜２５０℃の温度で６０〜９０分間加圧加熱することにより固体撮像装置となる。
【００６０】
なお、基体７と光学部材５との接合の際の部材間の応力を低減するという観点からは、９０〜１１０℃程度の低い温度での加熱が好ましい。なお、接着剤１０は、基体７と光学部材５との接合の際はもちろんのこと、その後の個体撮像装置を外部配線基板（図示せず）に実装する際のリフロー等による熱、さらには固体撮像素子６が作動する際に発生する熱により生ずる部材間の応力を緩和して、光学部材５が破壊されるのを有効に防止するものが選ばれる。このような接着剤１０としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂，フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，特殊ノボラック型エポキシ樹脂，フェノール誘導体エポキシ樹脂，ビフェノール骨格型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にイミダゾール系，アミン系，リン系，ヒドラジン系，イミダゾールアダクト系，アミンアダクト系，カチオン重合系，ジシアンジアミド系等の硬化剤を添加したもので形成されている。なお、２種類以上のエポキシ樹脂を混合して用いてもよい。また、接着剤10に含有される有機材料粉末としては、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂よりも弾性率が低いシリコンゴムやシリコンレジン，ＬＤＰＥ，ＨＤＰＥ，ＰＭＭＡ，架橋ＰＭＭＡ，ポリスチレン，架橋ポリスチレン，エチレン−アクリル共重合，ポリメタクリル酸エチル，ブチルアクリレート，ウレタン等の軟質樹脂が用いられることが好ましい。
【００６１】
図３は本発明の固体撮像装置の実施の形態の他の一例を示す断面図である。光学部材５は、図１の例と同様にして作製する。図３に示すような固体撮像装置は、上面に固体撮像素子６を搭載する搭載部を有する基板７’と、搭載部に搭載された固体撮像素子６と、基板７’の上面の外周部に接合された筐体１８と、筐体１８の上部に鏡筒１６を介して取り付けられた撮像レンズ１７と、筐体１８内側の撮像レンズ１７の下方に配置されるとともに固体撮像素子６の上面で筐体１８の開口を塞ぐように外周部が接着剤１０を介して筐体１８の内面に誘電体多層膜２の最外層表面１４を接着剤１０と接するようにして光学部材５を接合している。
【００６２】
なお、図３の例では、基板７’と筐体１８とで本発明の基体７を構成しており、基板７’と筐体１８とで固体撮像素子６を収納するための収納部を形成している。
【００６３】
また、基板７’には、上面から基板７’の下面や側面に導出された複数の配線導体８が被着形成されており、この上面に形成された配線導体８には固体撮像素子６の電極１２がボンディングワイヤ９を介して電気的に接続される。また、基板７’の下面に導出された配線導体８の部位（図示せず）は外部電気回路（図示せず）に半田等の電気的接続手段を介して電気的に接続される。
【００６４】
筐体１８は、一般にはエポキシ樹脂にシリカ粉末を充填した樹脂コンパウンドを射出成形機により約１８０℃の熱で任意の金型形状に成形し硬化させることによって製作される。筐体１８と光学部材５とを接合する接着剤１０は、紫外線硬化型エポキシ樹脂もしくは熱硬化型エポキシ樹脂等が用いられる。このような筐体１８と光学部材５との接合は、光学部材５の接合部、または筐体１８の接合部に接着剤１０を塗布した後、光学部材５を筐体１８に重ね合わせる。しかる後、熱硬化型エポキシ樹脂を用いる場合は、約８０〜１５０℃の温度で６０〜９０分間加熱することにより硬化させる。紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いる場合は、紫外線を当て固定した後、加熱を行い接着剤１０を完全に硬化させる。
【００６５】
撮像レンズ１７は、鏡筒１６を介して筐体１８の上部に取り付けられており、撮像レンズ１７の焦点が固体撮像素子６の受光面の表面に合うように配置されている。または、撮像レンズ１７は鏡筒１６に固定されており、この鏡筒１６を撮像レンズ１７の焦点が固体撮像素子６の受光面の表面に合うように位置を調整された後に筐体１８に固定されてもよい。
【００６６】
図４は本発明の固体撮像装置の他の発明における実施の形態の一例を示す断面図である。誘電体多層膜２は、図１の例と同様にして透光性基板１上に形成する。
【００６７】
配線導体８は、アルミニウム，クロム，ニッケル，銀，金，チタン等の少なくとも１種類の金属から成り、真空蒸着法やスパッタリング法、メッキ法により透光性基板１上に被着形成された後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法等により不要部を除去して配線導体８が形成される。これら、透光性基板１と配線導体とで配線基板１３が構成される。
【００６８】
または、ステンレススチール（ＳＵＳ）やアルミニウム（Ａｌ）からなる金属板に配線導体８のパターンに対応した抜き加工を施したマスクパターンを透光性基板１の表面に載置し、その上から真空蒸着法やスパッタリング法によりマスクパターンの開口部に金属を堆積させることにより配線導体８のパターンが形成される。
【００６９】
あるいは、配線導体８は、例えばタングステン，モリブデン，マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤，溶媒，可塑剤等を添加混合して得た金属ペーストをスクリーン印刷法等の厚膜手法を用いて透光性基板１にマスクパターンを介して印刷塗布しておき、これを焼成することによって被着形成される。
【００７０】
特に、マスクパターンを用いる方法は、配線導体８以外の透光性基板１の素地表面をエッチングしないことから、その表面がエッチング液により化学的に侵食されることがなく光学鏡面からの劣化を防止することができるので好ましい。配線導体８は、固体撮像素子６の各電極１２と金バンプ１５等を介して接続され、固体撮像素子６の電気信号を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路となる。
【００７１】
なお、配線導体８は、透光性基板１の誘電体多層膜２の上に形成することを避けるのが好ましく、従って、透光性基板１の誘電体多層膜２が被着されていない主面に形成するか、誘電体多層膜２の被着領域を避けて形成するか、または予め配線導体８を形成しない部分に誘電体多層膜２を形成するのが好ましい。誘電体多層膜２の上に配線導体８を形成すると、誘電体多層膜２と配線導体８との熱膨張係数の違いによる熱応力や内部応力の差が配線導体８の周辺に発生し、配線導体８を蒸着等により形成する際の熱や、固体撮像素子６の動作による熱が加わった際に、誘電体多層膜２にクラックが生じやすくなる。
【００７２】
固体撮像素子６と配線基板１３は、電極１２と配線導体８部分を金バンプ１５で電気的に接合するとともに、紫外線硬化樹脂等から成る接着剤１０により機械的に接合される。もしくは固体撮像素子６と配線基板１３は、エポキシ樹脂中に導電性粒子を分散させた異方導電性を有する接着剤１０を用いて電気的かつ機械的に接合してもよい。
【実施例１】
【００７３】
本発明の固体撮像素子収納用パッケージの実施例を以下に説明する。
【００７４】
本実施例では、試料番号１〜９までの各条件で光学部材５を作成し、それを基体７に接合させることで図３の形状の固体撮像素子収納用パッケージを作成し、その気密性と外観の結果で判定を行なった。
【００７５】
板厚０．５ｍｍで外形寸法が９０ｍｍ角であるホウケイ酸ガラスを用いて、透光性基板１を作成した。
【００７６】
まず、全てのホウケイ酸ガラスに光学研磨を行い、表面状態が原子間力顕微鏡を用いた表面粗さＲａが０．１５および０．１０ｎｍとし、１０％〜３０％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて洗浄することによって、表面を化学的に研磨すると共に、プラズマを照射するプラズマ洗浄によって表面を活性化した。
【００７７】
次に、試料番号１〜８まで各条件でホウケイ酸ガラス上に誘電体多層膜２を形成する。
【００７８】
（試料番号１）表面粗さＲａが０．０５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とを、一般の真空蒸着法を用いて交互に４層積層し、最外層をフッ化マグネシウムとした５層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが０．３ｎｍの試料を作製した。
【００７９】
（試料番号２）表面粗さＲａが０．０５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とをイオンビームアシスト法を用いて交互に４層積層し、最外層を酸化珪素とした５層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが０．３ｎｍの試料を作製した。
【００８０】
（試料番号３）表面粗さＲａが０．０５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とを、イオンビームアシスト法を用い、加えて誘電体層１層被着毎に陽イオンだけを各２秒照射して交互に積層し、最外層を酸化珪素とした４１層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが０．５ｎｍの試料を作製した。
【００８１】
（試料番号４）表面粗さＲａが０．１５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とを、イオンビームアシスト法を用い、加えて誘電体層１層被着毎に陽イオンだけを各５秒照射して交互に積層し、最外層を酸化珪素とした５層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが０．５ｎｍの試料を作製した。
【００８２】
（試料番号５）表面粗さＲａが０．１５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とを、イオンビームアシスト法を用い、加えて誘電体層１層被着毎に陽イオンだけを各２秒照射して交互に積層し、最外層を酸化珪素とした５層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが１．０ｎｍの試料を作製した。
【００８３】
（試料番号６）表面粗さＲａが０．１５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とを、イオンビームアシスト法を用い、加えて誘電体層１層被着毎に陽イオンだけを各５秒照射して交互に積層し、最外層を酸化珪素とした４１層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが２．０ｎｍの試料を作製した。
【００８４】
（試料番号７）表面粗さＲａが０．１５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とを、イオンビームアシスト法を用い、加えて誘電体層１層被着毎に陽イオンだけを各２秒照射して交互に積層し、最外層を酸化珪素とした４１層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが３．０ｎｍの試料を作製した。
【００８５】
（試料番号８）表面粗さＲａが０．１５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とを、イオンビームアシスト法を用い最外層を酸化珪素とした４１層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが３．５ｎｍの試料を作製した。
【００８６】
（試料番号９）表面粗さＲａが０．１５ｎｍのホウケイ酸ガラス上に、酸化チタンからなる高屈折率層３と酸化珪素からなる低屈折率層４とを、一般の真空蒸着法を用いて交互に積層し、最外層を酸化珪素とした４１層からなる誘電体多層膜２を被着形成した表面粗さＲａが４．０ｎｍの試料を作製した。
【００８７】
試料番号１〜９の表面粗さは原子間力顕微鏡を用いて測定した値である。
【００８８】
試料番号１〜９全てを、１０ｍｍ×１０ｍｍに切断して光学部材５とした。作製した各光学部材５と、外形寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍ、内寸が８ｍｍ×８ｍｍである凹部を有するアルミナから成る基体７とを、ビスフェノール型エポキシ樹脂を主成分としてアミン系の硬化剤を添加した熱硬化型エポキシ樹脂から成る接着剤１０を介して気密封止を行なうことにより、中空を有する固体撮像素子収納用パッケージとした。気密封止は、基体７に接着剤１０を介して光学部材５の誘電多層膜２が被着形成された面を密着させるとともに、クリップを用いて光学部材５上面と基体７下面とを挟み込むことにより、光学部材５全体に均一に１００ｋＰａの加重を加えるとともに、バッチ式オーブン内にて１２０℃に加熱した状態で２時間放置することにより、熱硬化型エポキシ樹脂からなる接着剤１０を硬化させて行なった。
【００８９】
次に、リークテストを行うことで、初期の気密性が確保されているかどうかを確認した。
【００９０】
リークテストは、ＭＩＬ−Ｓｔａｎｄａｒｄ ８８３に従い、グロスリークテストによって行なった。グロスリークテストでは、封止した試料を５×１０５Ｐａの圧力のヘリウムガス中に１時間放置した後、グロスリークテスター（住友３Ｍ(株)社製）を使用し、１２５℃±５℃のフロリナート（住友３Ｍ(株)社製、ＦＣ−４０）中に浸漬して、目視判定により１分以内に連続気泡の発生しないものを合格とし、浸漬して1分以内に連続気泡の発生したものを不合格とした。
【００９１】
その後外観確認を行なった。外観確認としては、光学部材５と基体７との接着部分を顕微鏡（×１０倍）を用いて剥離や、内部流れ込みの発生の有無を観察した。
【００９２】
剥離や、内部流れ込みの発生の無いものを合格とした。結果を表１に示す。
【表１】
2007043063.tif 000003
【００９３】
本発明の範囲内である試料番号３〜７つまり、最外低屈折率誘電体層が酸化珪素であり、表面粗さが０．５〜３．０ｎｍの場合には、リークテストによる不具合が観察されず、外観観察においても、剥離や接着剤１０の流れ込みも観察されず良好な封止性が確保されていた。
【００９４】
以下、各試料について詳しく説明する。
【００９５】
試料番号１のように最外層がフッ化マグネシウムから形成され、表面粗さが０．３ｎｍとなる場合はリークテストによって不具合が観察され、外観観察においても、剥離が発生し、良好な接合が行なわれていないことが確認された。
【００９６】
試料番号２のように最外層が酸化珪素から形成され、表面粗さが０．３ｎｍとなる場合はリークテストによって不具合が観察され、外観観察においても、剥離が発生し、良好な接合が行なわれていないことが確認された。
【００９７】
試料番号３〜５のように最外層が酸化珪素から形成され、高屈折率層３と低屈折率層４を交互に被着形成する際にイオンビームアシスト法を用い、加えて誘電体層１層被着毎に陽イオンだけを照射して交互に積層し表面粗さが０．５ｎｍ〜１．０ｎｍとなる場合は、リークテストによる不具合が観察されず、外観観察においても、剥離が発生しておらず、接着剤１０の流れ込みが発生していない良好な接合状態であった。
【００９８】
試料番号６、７のように最外層が酸化珪素から形成され、高屈折率層３と低屈折率層４を交互に被着形成する際にイオンビームアシスト法を用い、加えて誘電体層１層被着毎に陽イオンだけを照射して交互に積層し表面粗さが２．０ｎｍ〜３．０ｎｍとなる場合は、リークテストによる不具合が観察されず、外観観察においても、剥離が発生しておらず、接着剤１０が十分に接合部にヌレ広がっているにもかかわらず、接着剤１０の流れ込みが発生していない非常に良好な接合状態が確保されていた。
【００９９】
試料番号８のように最外層が酸化珪素から形成され、高屈折率層３と低屈折率層４を交互に被着形成する際に、イオンビームアシスト法を用い作製し、表面粗さが３．５ｎｍとなる場合は、リークテストによる不具合は観察されなかったが、外観観察において、剥離の発生はないものの接着剤１０の流れ込みが観察され、画像を取り込む際に接着剤１０の流れ込みが画像シミとして、画像に写り込んでしまい光学的な不具合となりやすいことが確認された。
【０１００】
試料番号９のように最外層が酸化珪素から形成され、一般の蒸着法によって高屈折率層３と低屈折率層４を交互に被着形成し、表面粗さが４．０ｎｍとなる場合には、リークテストによる不具合は観察されなかったが、外観観察において、剥離の発生はないものの接着剤１０の大量の流れ込みが観察され、画像を取り込む際に接着剤１０の流れ込みが画像シミとして、画像に写り込んでしまい光学的な不具合が発生しやすいことが確認された。
【０１０１】
上記の結果より、誘電体多層膜２として、陽イオンとして酸素イオンを使用したイオンビームアシスト法を用いて、加えて誘電体層１層被着毎に陽イオンだけを照射して交互に積層し酸化チタンからなる高屈折率誘電体層３と酸化珪素からなる低屈折率誘電体層４とを交互に積層し、最外層を酸化珪素とし、最外層の表面粗さを０．５〜３．０ｎｍとすることによって、良好な接着性を有するとともに、接着剤が流れ込むことによって、画像シミとして、画像に写り込んでしまう不具合を効果的に防止することを確認できた。
【実施例２】
【０１０２】
基体７に接着剤１０を介して光学部材５の誘電多層膜２が被着形成された各面を密着させた固体撮像素子収納用パッケージ（料番号１〜９）を温度１５０℃で１分間加熱した後、冷却することにより、熱応力を加えたものを顕微鏡にて接着剤１０の観察をしたところ、最外層がフッ化マグネシウムの誘電体多層膜２からなる試料番号１において、接着剤１０と誘電体多層膜２との間に剥離が生じているのに対して、他の試料番号２〜９に関しては剥離がないことがわかった。
【０１０３】
以上より、熱応力に対して本発明の最外層を酸化珪素から成る最外低屈折率誘電体層とした誘電体多層膜２に直接接着剤１０を接触させることによって、接着強度を向上できることがわかった。また、実施例１のようにより過酷な条件での評価においては、さらに最外低屈折率誘電体層の表面粗さＲａを０．５〜３．０ｎｍとするのがよいことがわかった。
【０１０４】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の固体撮像装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の誘電体多層膜の要部断面拡大図である。
【図３】本発明の固体撮像装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】本発明の固体撮像装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１：透光性基板
２：誘電体多層膜
３：高屈折率誘電体層
４：低屈折率誘電体層
６：固体撮像素子
７：基体
８：配線導体
１０：接着剤
１４：最外層表面
【図１】
2007043063.tif 000004
【図２】
2007043063.tif 000005
【図３】
2007043063.tif 000006
【図４】
2007043063.tif 000007