(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコン基板に溝部と溝部よりも幅の狭い幅狭部を有する細溝を形成する際に、細溝の寸法精度、特に幅狭部の長さの寸法精度を向上することができるシリコン基板の加工方法を提供する。【解決手段】シリコン基板１１０上に所定形状の保護膜５２を形成しこの保護膜をマスクとしてシリコン基板を異方性エッチングすることにより幅狭部の長さが所定長さよりも長くなるように細溝を形成する第１のエッチング工程と、溝部の側面よりも細溝の内側に張り出して設けられて幅狭部を形成する張り出し部１６に対応する領域の保護膜に、張り出し部の少なくとも幅狭部側の端面の一部が露出するように切り欠き部５２ａを形成するマスク加工工程と、この切り欠き部を有する保護膜をマスクとしてシリコン基板を異方性エッチングすることにより幅狭部を所定長さとする第２のエッチング工程とを有するようにする。【選択図】図８
2007210176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定幅の溝部とこの溝部の長手方向の一部に設けられて当該溝部よりも幅の狭い所定長さの幅狭部を有する細溝を異方性エッチングによってシリコン基板に形成するシリコン基板の加工方法であって、
前記シリコン基板上に所定形状の保護膜を形成しこの保護膜をマスクとして当該シリコン基板を異方性エッチングすることにより前記幅狭部の長さが前記所定長さよりも長くなるように前記細溝を形成する第１のエッチング工程と、前記溝部の側面よりも前記細溝の内側に張り出して設けられて前記幅狭部を形成する張り出し部に対応する領域の前記保護膜に、前記張り出し部の少なくとも前記幅狭部側の端面の一部が露出するように切り欠き部を形成するマスク加工工程と、この切り欠き部を有する保護膜をマスクとして前記シリコン基板を異方性エッチングすることにより前記幅狭部を前記所定長さとする第２のエッチング工程とを有することを特徴とするシリコン基板の加工方法。
【請求項２】
前記マスク加工工程では、前記溝部側の前記張り出し部の端面の少なくとも一部が露出するように前記切り欠き部を形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板の加工方法。
【請求項３】
前記マスク加工工程では、レーザ加工により前記保護膜に前記切り欠き部を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコン基板の加工方法。
【請求項４】
前記保護膜が窒化シリコン（ＳｉＮ）からなることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のシリコン基板の加工方法。
【請求項５】
前記シリコン基板が、表面が（１１０）面であるシリコン単結晶基板からなることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のシリコン基板の加工方法。
【請求項６】
前記細溝を、（１１０）面に垂直な（１１１）面に沿って形成することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のシリコン基板の加工方法。
【請求項７】
シリコン基板からなりノズルに連通する圧力発生室と該圧力発生室よりも狭い幅を有する供給路とを含む流路を有する流路形成基板と、前記圧力発生室内に液滴を吐出するための圧力を発生させる圧力発生手段とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板に前記流路を形成する工程として、前記流路形成基板上に所定形状の保護膜を形成しこの保護膜をマスクとして当該流路形成基板を異方性エッチングすることにより前記供給路の長さが前記所定長さよりも長くなるように前記流路を形成する第１のエッチング工程と、前記圧力発生室の側面よりも前記流路の内側に張り出して設けられて前記供給路を形成する張り出し部に対応する領域の前記保護膜に、前記張り出し部の少なくとも前記供給路側の端面の一部が露出するように切り欠き部を形成するマスク加工工程と、この切り欠き部を有する保護膜をマスクとして前記流路形成基板を異方性エッチングすることにより前記供給路を前記所定長さとする第２のエッチング工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェットエッチングによりシリコン基板に幅狭部を有する細溝を形成するシリコン基板の加工方法及びこのシリコン基板の加工方法を用いた液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板に細溝等を形成する場合には、例えば、アルカリ性溶液に対するエッチングレートの違いを利用した異方性エッチング加工技術が用いられることが知られている。例えば、面方位（１１０）のシリコン基板を異方性エッチングした場合、（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、この第１（１１１）面と所定角度をなす第２の（１１１）面のエッチングレートが極めて遅い。このため、面方位（１１０）のシリコン基板を異方性エッチングすることによって細溝を形成すると、細溝の内面は、基本的にこれら第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面で形成される。このため、異方性エッチング技術を用いることで細溝を極めて高精度に形成することができる。
【０００３】
このように異方性エッチングを用いてシリコン基板に細溝を形成したものとしては、例えば、インクジェット式記録ヘッドのインク流路を、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなる流路形成基板に異方性エッチングにより形成するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ここで、例えば、特許文献１に記載の構造では、シリコン基板である流路形成基板に所定幅の圧力発生室（溝部）とこの圧力発生室よりも幅の狭いインク供給路（幅狭部）とを含むインク流路（細溝）が形成されている。そして、これらは、流路形成基板を異方性エッチングすることにより同時に形成されている。
【０００５】
上述したように異方性エッチング技術を用いることで、シリコン基板に細溝を高精度に形成することができる。しかしながら、例えば、特許文献１のように、面方位（１１０）のシリコン基板に、圧力発生室と、圧力発生室よりも幅の狭いインク供給路とを異方性エッチングによって同時に形成すると、インク供給路の長さの寸法精度が低く、また寸法にばらつきが生じ易いという問題がある。上記のように圧力発生室とインク供給路とを同時に形成すると、圧力発生室とインク供給路との境界部分に上記第１及び第２の（１１１）面以外の面が形成される。面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を異方性エッチングする場合、第１及び第２の（１１１）面以外の面のエッチングレートは比較的速いため、インク供給路の長さの寸法精度が低くなり、また寸法にばらつきが生じ易いという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−０１４２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上述した事情に鑑み、シリコン基板に溝部と溝部よりも幅の狭い幅狭部を有する細溝を形成する際に、細溝の寸法精度、特に幅狭部の長さの寸法精度を向上することができるシリコン基板の加工方法を提供することを課題とする。また、細溝であるインク流路の寸法精度を向上することで吐出特性を向上するができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、所定幅の溝部とこの溝部の長手方向の一部に設けられて当該溝部よりも幅の狭い所定長さの幅狭部を有する細溝を異方性エッチングによってシリコン基板に形成するシリコン基板の加工方法であって、前記シリコン基板上に所定形状の保護膜を形成しこの保護膜をマスクとして当該シリコン基板を異方性エッチングすることにより前記幅狭部の長さが前記所定長さよりも長くなるように前記細溝を形成する第１のエッチング工程と、前記溝部の側面よりも前記細溝の内側に張り出して設けられて前記幅狭部を形成する張り出し部に対応する領域の前記保護膜に、前記張り出し部の少なくとも前記幅狭部側の端面の一部が露出するように切り欠き部を形成するマスク加工工程と、この切り欠き部を有する保護膜をマスクとして前記シリコン基板を異方性エッチングすることにより前記幅狭部を前記所定長さとする第２のエッチング工程とを有することを特徴とするシリコン基板の加工方法にある。
かかる第１の態様では、第２のエッチング工程において切り欠き部を介してシリコン基板のエッチングが進行することで、第１のエッチング工程で形成された張り出し部の長さに関係なく最終的な張り出し部の長さが決まる。このため、例えば、第１のエッチング工程において、張り出し部の長さにばらつきが生じていた場合でも、最終的な張り出し部を均一な長さで形成することができる。すなわち、本発明の製造方法によれば、細溝の寸法精度、特に、幅狭部の長さの寸法精度を大幅に向上することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、前記マスク加工工程では、前記溝部側の前記張り出し部の端面の少なくとも一部が露出するように前記切り欠き部を形成することを特徴とする第１の態様のシリコン基板の加工方法にある。
かかる第２の態様では、第２のエッチング工程で、切り欠き部を介して張り出し部を良好にエッチングすることができるため、張り出し部の寸法精度がより確実に向上する。
【００１０】
本発明の第３の態様は、前記マスク加工工程では、レーザ加工により前記保護膜に前記切り欠き部を形成することを特徴とする第１又は２の態様のシリコン基板の加工方法にある。
かかる第３の態様では、切り欠き部を高精度に形成することができる。また、これに伴って張り出し部の寸法精度もより確実に向上する。
【００１１】
本発明の第４の態様は、前記保護膜が窒化シリコン（ＳｉＮ）からなることを特徴とする第１〜３の何れかの態様のシリコン基板の加工方法にある。
かかる第４の態様では、保護膜を所定の材料で形成することで、保護膜を所定パターンに高精度に形成することができ、また、切り欠き部も良好に形成することができる。よって、張り出し部の寸法精度がより確実に向上する。
【００１２】
本発明の第５の態様は、前記シリコン基板が、表面が（１１０）面であるシリコン単結晶基板からなることを特徴とする第１〜４の何れかの態様のシリコン基板の加工方法にある。
かかる第５の態様では、所定の面方位のシリコン基板を用いることで、細溝をより高精度に形成することができ、且つ張り出し部の寸法精度がより確実に向上する。
【００１３】
本発明の第６の態様は、前記細溝を、（１１０）面に垂直な（１１１）面に沿って形成することを特徴とする第１〜５の何れかの態様のシリコン基板の加工方法にある。
かかる第６の態様では、細溝をより高精度に形成することができ、且つ張り出し部の寸法精度がより確実に向上する。
【００１４】
本発明の第７の態様は、シリコン基板からなりノズルに連通する圧力発生室と該圧力発生室よりも狭い幅を有する供給路とを含む流路を有する流路形成基板と、前記圧力発生室内に液滴を吐出するための圧力を発生させる圧力発生手段とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板に前記流路を形成する工程として、前記流路形成基板上に所定形状の保護膜を形成しこの保護膜をマスクとして当該流路形成基板を異方性エッチングすることにより前記供給路の長さが前記所定長さよりも長くなるように前記流路を形成する第１のエッチング工程と、前記圧力発生室の側面よりも前記流路の内側に張り出して設けられて前記供給路を形成する張り出し部に対応する領域の前記保護膜に、前記張り出し部の少なくとも前記供給路側の端面の一部が露出するように切り欠き部を形成するマスク加工工程と、この切り欠き部を有する保護膜をマスクとして前記流路形成基板を異方性エッチングすることにより前記供給路を前記所定長さとする第２のエッチング工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第７の態様では、第２のエッチング工程において切り欠き部を介して流路形成基板のエッチングが進行することで、第１のエッチング工程で形成された張り出し部の長さに関係なく最終的な張り出し部の長さが決まる。このため、例えば、第１のエッチング工程において、張り出し部の長さにばらつきが生じていた場合でも、最終的な張り出し部を均一な長さで形成することができる。すなわち、本発明の製造方法によれば、流路の寸法精度、特に、供給路の長さの寸法精度を大幅に向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドの一例を示す分解斜視図であり、図２は、図１の概略平面図及びそのＡ−Ａ’断面図であり、図３は、流路形成基板の平面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、この流路形成基板１０には所定幅の溝部と、この溝部の長手方向の一部に設けられて溝部よりも幅の狭い所定長さの幅狭部を有する細溝を含むインク流路が形成されている。具体的には、流路形成基板１０には、複数の隔壁１１によって区画された溝部に相当する圧力発生室１２が幅方向に並設され、且つその長手方向一端部側には、幅狭部に相当するインク供給路１３が形成され、さらに本実施形態では、このインク供給路１３によって圧力発生室１２と連通する連通路１４と、各圧力発生室１２の共通のインク室であるリザーバの一部を構成する連通部１５とが形成されている。
【００１６】
ここで、インク供給路１３は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい幅を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路１３は、その幅方向の一方の側面は、圧力発生室１２の側面から連続する平面で構成され、他方の側面は、圧力発生室１２の側面よりも内側に位置するように設けられている。例えば、隔壁１１に圧力発生室１２の側面よりも内側に張り出した張り出し部１６が形成され、インク流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室１２の幅より小さい幅で形成されている。なお、本実施形態では、インク流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１３を形成したが、インク流路の幅を両側から絞ることでインク供給路１３を形成してもよい。
【００１７】
また、各連通路１４は、インク供給路１３と圧力発生室１２と連通部１５との間に、圧力発生室１２と略同一幅で形成されている。すなわち、各連通路１４は、圧力発生室１２の幅方向両側の隔壁１１を連通部１５側に延設してインク供給路１３と連通部１５との間の空間を区画することで形成されている。なお、これら圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４、連通部１５等を含むインク流路は、流路形成基板１０を異方性エッチングすることによって形成されている。
【００１８】
ここで、インク供給路１３は、連通部１５から連通路１４を介して圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持する役割を果たしている。そして、インク供給路１３の大きさ（幅及び長さ）、言い換えれば張り出し部１６の大きさは、インク吐出特性に大きく影響するため高い寸法精度が要求される。
【００１９】
例えば、本実施形態では、流路形成基板１０が、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなるため、流路形成基板１０を異方性ウェットエッチングすると、（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、この第１の（１１１）面に対して７０．５３°の角度をなす第２の（１１１）面とが除去され難い。すなわち、これら第１及び第２の（１１１）面は、他の面よりもエッチングレートが遅い。このため、流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることによって形成される圧力発生室１２等のインク流路の内面（側面）は、基本的にこれら第１の（１１１）面と第２の（１１１）面とを含む面で構成される。また、本実施形態では、圧力発生室１２等のインク流路は、この第１の（１１１）面に沿って形成されている。このため、図３に示すように、インク供給路１３を形成する張り出し部１６は、第１の（１１１）面でありインク供給路１３の側面を構成する第１面１６ａと、この第１面１６ａと、第１の（１１１）面である圧力発生室１２の側面１２ａ及び連通路１４の側面１４ａとを繋ぐ第２面１６ｂとで形成されている。
【００２０】
インク供給路１３の幅は、エッチングレートが遅い第１の（１１１）面である張り出し部１６の第１面１６ａによって決まるため、エッチングにより比較的高精度に形成することができる。これに対し、張り出し部１６の第２面１６ｂのエッチングレートは比較的速いため、流路形成基板１０をエッチングして圧力発生室１２等のインク流路を形成すると、深さ方向にエッチング進行するのと同時に張り出し部１６の第２面１６ｂもエッチング（サイドエッチング）されてしまうため、所定長さＬ１の張り出し部１６を高精度に形成するのが難しかった。
【００２１】
しかしながら、本発明の製造方法によれば、インク供給路１３（張り出し部１６）の寸法精度、特に長さ方向の寸法精度を大幅に向上することができる。すなわち、所望の長さＬ１のインク供給路１３（張り出し部１６）を高精度に形成することができる。なお、本発明の製造方法については、詳しく後述する。
【００２２】
このようなインク流路が形成された流路形成基板１０の開口面側には、ノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接合されている。このようなノズルプレート２０は、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００２３】
また、流路形成基板１０の表面の弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、リード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００２４】
さらに、流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、圧電素子３００に対向する領域に圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部３１は、空間が密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。保護基板３０には、流路形成基板１０の連通部１５と連通してリザーバ１００を構成するリザーバ部３２が形成されている。
【００２５】
また、この保護基板３０上には、圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ２００が実装されている。そして、各圧電素子３００から圧電素子保持部３１の外側まで引き出された各リード電極９０の先端部と、駆動ＩＣ２００とが駆動配線２１０を介して電気的に接続されている。
【００２６】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されてリザーバ部３２が封止されている。なお、固定板４２のリザーバ部３２に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっており、リザーバ部３２は、実際には可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２７】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ２００からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、圧電素子３００及び振動板をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインクが吐出する。
【００２８】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図４〜図８を参照して説明する。なお、図４〜図６は、インクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す圧力発生室の長手方向の断面図であり、図７及び図８は、インク流路を形成する工程を説明する概略斜視図である。
【００２９】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、厚さが約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。次に、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。次いで、図４（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。次に、図４（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成し、これら圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。
【００３０】
次いで、図５（ａ）に示すように、リード電極９０を形成する。具体的には、例えば、金（Ａｕ）等からなる配線層９５を全面に形成し、この配線層９５をパターニングすることにより各圧電素子３００から引き出されるリード電極９０を形成する。
【００３１】
次に、図５（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に接着剤３５によって接着する。このように保護基板用ウェハ１３０を流路形成基板用ウェハ１１０に接合した後は、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨し、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより所定の厚さに形成する。
【００３２】
次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる保護膜５２を新たに形成して所定形状にパターニングし、この保護膜５２をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることで圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５等のインク流路を形成する。
【００３３】
このとき本発明では、流路形成基板用ウェハ１１０を複数段階、例えば、２段階に分けてエッチングすることによりインク流路を形成している。具体的には、まず、図７（ａ）に示すように、各インク供給路１３に対向する領域、すなわち、張り出し部１６となる領域の長さＬ２が、最終形状における張り出し部１６の長さＬ１よりも長くなるように保護膜５２をパターニングし、図７（ｂ）に示すように、このような所定パターンの保護膜５２をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を弾性膜５０が露出するまで異方性エッチングすることにより圧力発生室１２等のインク流路を形成する（第１のエッチング工程）。そして、この第１のエッチング工程では、張り出し部１６の長さＬ３が、最終形状における長さＬ１よりも長くなるようにする。
【００３４】
なお、上述したように流路形成基板用ウェハ１１０の第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面が露出されながらエッチングが深さ方向に進行する。また第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面以外が露出している部分では、エッチングが面方向（横方向）にも進行する。すなわち、張り出し部１６の第２面１６ｂは、横方向にエッチング（サイドエッチング）される。そして、第１のエッチング工程では、エッチング時間によりこのサイドエッチング量を調整することで、張り出し部１６の長さＬ３を調整している。
【００３５】
次に、図８（ａ）に示すように、保護膜５２に、張り出し部１６の少なくともインク供給路１３側の端面の少なくとも一部、すなわち、第１面１６ａの少なくとも一部が露出するように切り欠き部５２ａを形成する（マスク加工工程）。本実施形態では、張り出し部１６の第１面１６ａの一部と共に第２面１６ｂが完全に露出するように、保護膜５２に切り欠き部５２ａを形成した。なお、このように保護膜５２に切り欠き部５２ａを形成する方法は、特に限定されないが、例えば、レーザ加工によって保護膜５２に切り欠き部５２ａを形成するのが好ましい。これにより、切り欠き部５２ａを比較的容易、且つ高精度に形成することができる。次いで、図８（ｂ）に示すように、この切り欠き部５２ａを有する保護膜５２をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、張り出し部１６を所定長さＬ１に形成する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０の切り欠き部１６に対向する部分を除去して、張り出し部１６が所定長さＬ１となるようにする（第２のエッチング工程）。
【００３６】
このとき、流路形成基板用ウェハ１１０（張り出し部１６）は、切り欠き部５２ａの端面と張り出し部１６の第１面１６ａとの交点Ｐ１，Ｐ２を起点としてエッチングが進行する（図８（ａ）参照）。したがって、張り出し部１６の長さを極めて高精度に制御することができる。
【００３７】
例えば、第１のエッチング工程では、張り出し部１６の長さＬ３にばらつきが生じ易いため、その後に、第１のエッチング工程で形成された張り出し部１６の第２面１６ｂをさらにエッチング（サイドエッチング）することで、張り出し部１を所定長さＬ１に形成しようとすると、第１のエッチング工程における長さのばらつきが影響して、最終的な張り出し部１６の寸法精度が低下してしまう虞がある。しかしながら、本発明では、第１のエッチング工程後に、上述した第２のエッチング工程を実施するようにしているため、張り出し部１６の寸法精度が大幅に向上する。すなわち、第２のエッチング工程では、交点Ｐ１，Ｐ２を起点としてエッチングが進行するため、第１のエッチング工程における張り出し部１６の長さのばらつきに関係なく、張り出し部１６を所定長さＬ１に高精度に形成することができる。具体的には、長さ１００μｍの張り出し部１６を形成した場合で、寸法誤差は±１０μｍ以内に抑えられる。
【００３８】
なお、本実施形態では、張り出し部１６の第１面１６ａの一部と共に第２面１６ｂが完全に露出する面積の比較的大きい切り欠き部５２ａを保護膜５２に形成するようにしたので、第２のエッチング工程において、流路形成基板用ウェハ１１０（張り出し部１６）を比較的短時間で良好に除去することができる。しかしながら、切り欠き部５２ａは、例えば、図９に示すように、張り出し部１６のインク供給路１３側の端面、すなわち、第１面１６ａの一部が露出されていればよい。この場合でも、第２のエッチング工程におけるエッチングの起点は交点Ｐ３，Ｐ４となるため、上述したように、張り出し部１６を所定長さＬ１に高精度に形成することができる。
【００３９】
なお、図示しないが、その後は、例えば、保護膜５２を除去し、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去し、これら流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
【００４０】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。例えば、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を一例として本発明を説明したが、これに限定されず、本発明は、広く液体噴射ヘッドの製造方法全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００４１】
また、上述した液体噴射ヘッドの製造以外であっても、シリコン基板に溝部とこの溝部よりも幅の狭い幅狭部を有する細溝を異方性エッチングによって形成する場合には、本発明を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの概略平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る流路形成基板の平面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す概略斜視図である。
【図８】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す概略斜視図である。
【図９】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程の変形例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  インク供給路、  １４  連通路、  １５  連通部、  １６  張り出し部、  １６ａ  第１面、  １６ｂ  第２面、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ４０  コンプライアンス基板、  ５２  保護膜、  ５２ａ  切り欠き部、  １１０  流路形成基板用ウェハ、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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