(57)【要約】【課題】電荷転送素子の転送用のシフトレジスタにおける情報電荷の不要な混合を防ぐ。【解決手段】２つのシフトレジスタの一方に備わる転送電極に印加する第１の転送クロックφｉを変化させるタイミングと、２つのシフトレジスタの他方に備わる転送電極に印加する第２の転送クロックφｓを変化させるタイミングとを異ならせる電荷転送素子の駆動装置によって上記課題を解決することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された転送電極が前記転送方向に沿って複数配置された２つのシフトレジスタを前記転送方向に沿って連続して配置した電荷転送素子、に対して前記転送電極の電位を制御する電荷転送素子の駆動装置であって、
前記２つのシフトレジスタの一方である第１のシフトレジスタに備わる転送電極のうち少なくとも１つに印加する第１の転送クロックを変化させるタイミングと、前記２つのシフトレジスタの他方である第２のシフトレジスタに備わる転送電極のうち少なくとも１つに印加する第２の転送クロックを変化させるタイミングと、を異ならせることを特徴とする電荷転送素子の駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電荷転送素子の駆動装置において、
前記第１のシフトレジスタと前記第２のシフトレジスタは互いに異なる構造を有することを特徴とする電荷転送素子の駆動装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電荷転送素子の駆動装置において、
前記第２のシフトレジスタは前記第１のシフトレジスタに比べてポテンシャルが低くなるような構造を有することを特徴とする電荷転送素子の駆動装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電荷転送素子の駆動装置において、
前記第２のシフトレジスタの備える転送電極の幅は、前記第１のシフトレジスタの備える転送電極の幅に比べて広いことを特徴とする電荷転送素子の駆動装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の電荷転送素子の駆動装置において、
前記転送方向に沿って前記第１のシフトレジスタ、前記第２のシフトレジスタの順に設けられ、
前記第１の転送クロックがハイレベルからローレベルに変化するタイミングに対して、前記第２の転送クロックがハイレベルからローレベルに変化するタイミングが遅いことを特徴とする電荷転送素子の駆動装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電荷転送素子の駆動装置において、
前記第１の転送クロック及び前記第２の転送クロックの周期を等しくすると共に、位相を異ならせることを特徴とする電荷転送素子の駆動装置。
【請求項７】
電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された転送電極が前記転送方向に沿って複数配置された２つのシフトレジスタを前記転送方向に沿って連続して配置した電荷転送素子、に対して前記転送電極の電位を制御する電荷転送素子の駆動方法であって、
前記２つのシフトレジスタの一方に備わる転送電極に印加する第１の転送クロックを変化させるタイミングと、前記２つのシフトレジスタの他方に備わる転送電極に印加する第２の転送クロックを変化させるタイミングと、を異ならせることを特徴とする電荷転送素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転送電極に印加する電圧を制御することによってポテンシャル井戸に情報電荷を蓄積・転送する電荷転送素子の駆動装置及び駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤ電荷転送素子等の固体撮像素子が組み込まれたデジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置が広く用いられている。固体撮像素子としては、例えば、フレーム転送型のＣＣＤ固体撮像素子がある。
【０００３】
図４は、フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像装置１００の構成図である。ＣＣＤ固体撮像装置１００は、ＣＣＤ固体撮像素子１０及び駆動装置１２を含んで構成される。
【０００４】
ＣＣＤ固体撮像素子１０は、図４に示すように、撮像部１０ｉ、蓄積部１０ｓ、水平転送部１０ｈ及び出力部１０ｄを含んで構成される。駆動装置１２は、ＣＣＤ固体撮像素子１０の撮像部１０ｉへ転送クロックφｉ、蓄積部１０ｓへ転送クロックパルスφｓ、水平転送部１０ｈへ水平転送クロックＨＳ及び出力部１０ｄへリセットパルスφｒをそれぞれ出力する。
【０００５】
撮像部１０ｉは、垂直方向に互いに平行に配置された複数の垂直シフトレジスタを備える。各垂直シフトレジスタの各ビットは受光画素を構成し、撮像時には外部から入射される光の強度に対応して情報電荷を生成する。撮像部１０ｉに設けられた転送電極に電圧を印加することによって情報電荷をポテンシャル井戸に蓄積する。転送時には、転送電極に印加される垂直クロックパルスφｉを受けて、各画素に蓄積された情報電荷を蓄積部１０ｓに向けて転送する。蓄積部１０ｓは、撮像部１０ｉの各垂直シフトレジスタと垂直転送方向に沿って連続するように互いに平行に配置された複数の垂直シフトレジスタを備える。蓄積部１０ｓは、転送電極に印加される垂直クロックパルスφｓを受けて、撮像部１０ｉから転送されてくる情報電荷を蓄積及び垂直方向へ転送する。水平転送部１０ｈは、蓄積部１０ｓの各垂直シフトレジスタの出力側に配置され、蓄積部１０ｓの各垂直シフトレジスタの出力が各ビットに結合された水平シフトレジスタを備える。水平転送部１０ｈは、水平クロックパルスＨＳを受けて、蓄積部１０ｓから転送出力される情報電荷を出力部１０ｄへ順次転送する。出力部１０ｄは、水平転送部１０ｈの出力側に配置され、情報電荷を蓄積して電圧に変換する容量を備える。出力部１０ｄは、水平転送部１０ｈから転送出力される情報電荷を容量に蓄積し、その電荷量に応じた電圧に変換して出力信号として出力する。この出力信号の電圧値が画像信号となる。
【０００６】
撮像部１０ｉ及び蓄積部１０ｓは、図５〜図７に示すように構成することができる。図５は、撮像部１０ｉ及び蓄積部１０ｓの内部構造を示す平面図である。図６は図５のＡ−Ａラインに沿った断面図、図７は図５のＢ−Ｂラインに沿った断面図である。
【０００７】
垂直シフトレジスタは以下のように形成される。Ｎ型半導体基板１４内にＰ型拡散層であるＰウェル（ＰＷ）１５が形成され、その上にＮ型拡散層であるＮウェル１６が形成される。また、垂直シフトレジスタの延伸方向に沿ってＰ型の不純物が添加された分離領域２０が所定の間隔をもって互いに平行に設けられる。Ｎウェルは、隣接する分離領域２０によって電気的に区画される。分離領域２０に挟まれた領域が情報電荷の転送経路であるチャネル領域２２となる。分離領域２０は、隣接するチャネル領域の間にポテンシャル障壁を形成し、各チャネル領域２２を電気的に分離する。さらに、半導体基板の表面上には絶縁膜１７が成膜される。この絶縁膜１７を介してチャネル領域２２と交差するように、ポリシリコン膜からなる複数の転送電極２４−１〜２４−９，２５−１〜２５−３が互いに平行に配置される。
【０００８】
撮像部１０ｉでは連続する９つの転送電極２４−１〜２４−９が組とされ、垂直転送方向に沿って繰り返し配置される。また、蓄積部１０ｓでは連続する３つの転送電極２５−１〜２５−３が組とされ、垂直転送方向に沿って繰り返し配置される。転送電極２４−１〜２４−３，転送電極２４−４〜２４−６，転送電極２４−７〜２４−９のそれぞれが１つの受光画素を構成する。一組の転送電極２４−１〜２４−９に印加される転送クロックφｉ１〜φｉ９を制御することによって半導体基板のチャネル領域２２にポテンシャル井戸を形成することができる。撮像時には、各画素において光電変換によって生成された情報電荷がポテンシャル井戸に蓄積される。転送時には、撮像部１０ｉの転送電極２４−１〜２４−９及び蓄積部１０ｓの転送電極２５−１〜２５−３の各々に対して所定の周期の転送クロックφｉ１〜φｉ９及びφｓ１〜φｓ３をそれぞれ印加することによって撮像部１０ｉで生成された情報電荷が順に垂直転送方向へ送られて蓄積部１０ｓを介して水平転送部１０ｈへと転送される。このとき、３つの画素に対応する転送電極２４−１〜２４−９に印加される転送クロックφｉ１〜φｉ９をそれぞれ独立に制御できるように駆動装置１２を構成することによって、複数の画素に対応する情報電荷を加算合成して蓄積部１０ｓへ転送させるモードを備えることもできる。
【０００９】
撮像部１０ｉと蓄積部１０ｓとでは転送電極２４，２５の幅、不純物濃度、絶縁膜１７の膜厚等を異ならせている場合がある。例えば、撮像部１０ｉにおいて複数の画素分に相当する情報電荷を加算して蓄積部１０ｓに転送するモードを備える場合、蓄積部１０ｓにおける転送電極２５の幅を撮像部１０ｉにおける転送電極２４の幅よりも広くし、撮像部１０ｉと蓄積部１０ｓとの不純物濃度又は絶縁膜の膜厚を異ならせることによって、転送電極２５−１〜２５−３下に形成されるポテンシャル井戸のそれぞれに蓄積可能な情報電荷量を転送電極２４−１〜２４−３下に形成されるポテンシャル井戸に蓄積可能な情報電荷量よりも大きくすることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように、撮像部１０ｉと蓄積部１０ｓとの構成を異ならせた場合、撮像部１０ｉと蓄積部１０ｓとに印加する転送クロックφｉ１〜φｉ３及びφｓ１〜φｓ３を変化させるタイミングを一致させることによって撮像部１０ｉと蓄積部１０ｓとの境界領域において情報電荷の混合が生ずる場合がある。
【００１１】
図８に、φｉ１，φｉ４，φｉ７，φｓ１の組及びφｉ２，φｉ５，φｉ８，φｓ２の組及びφｉ３，φｉ６，φｉ９，φｓ３の組を変化させるタイミングをそれぞれ一致させた場合の転送クロックφｉ１〜φｉ９及びφｓ１〜φｓ３のタイミングチャートを示す。また、図９に、図８の各時刻における転送電極２４−１〜２４−９，２５−１〜２５−３下のポテンシャルの変化を示す。図８では、横軸は時間を示し、縦軸が転送クロックパルスφｉ１〜φｉ９及びφｓ１〜φｓ３がハイレベル（Ｈ：オン）又はローレベル（Ｌ：オフ）であるかを示す。図９では、横軸は時間を示し、縦軸上方が負電位、縦軸下方が正電位を示す。
【００１２】
時刻Ｔ１では、それまでハイレベル（Ｈ）であった転送クロックφｉ２，φｉ５，φｉ８，φｓ２の組が同時にローレベル（Ｌ）に変化させられる。このとき、駆動装置１２の内部回路の影響によって、図１０に示すように、ハイレベル（Ｈ）を維持しているφｉ９の電位を僅かに低下させるノイズが重畳し、ローレベル（Ｌ）を維持しているφｓ１の電位を僅かに上昇させるノイズが重畳することがある。このようなノイズ及び電位変化の過渡期間の影響によって、ポテンシャル井戸の定常状態（図９の実線で表される状態）に安定するまでの間に、撮像部１０ｉと蓄積部１０ｓとの境界部において転送電極２４−９下のポテンシャル井戸が僅かに浅くなり、転送電極２５−１及び２５−２のポテンシャル障壁が僅かに低くなる過渡状態（図９の破線で表される状態）が生ずる場合がある。
【００１３】
同様に、時刻Ｔ５では、それまでハイレベル（Ｈ）であった転送クロックφｉ１，φｉ４，φｉ７，φｓ１の組が同時にローレベル（Ｌ）に変化させられる。このとき、ハイレベル（Ｈ）を維持しているφｉ８の電位を僅かに低下させるノイズが重畳し、ローレベル（Ｌ）を維持しているφｉ９の電位を僅かに上昇させるノイズが重畳することがある。このようなノイズ及び電位変化の過渡期間の影響によって、ポテンシャル井戸の定常状態（図９の実線で表される状態）に安定するまでの間に、転送電極２４−８下のポテンシャル井戸が僅かに浅くなり、転送電極２４−９及び２５−１のポテンシャル障壁が僅かに低くなる過渡状態（図９の破線で表される状態）が生ずる場合がある。
【００１４】
このような過渡状態が生じた場合、時刻Ｔ１では撮像部１０ｉの最終段の転送電極２４−９に蓄積されていた情報電荷が蓄積部１０ｓの転送電極２５−３へ漏れ出し、時刻Ｔ５では撮像部１０ｉの最終段の転送電極２４−８に蓄積されていた情報電荷が蓄積部１０ｓの転送電極２５−２へ漏れ出し、異なる画素に対応する情報電荷が混合してしまう問題が生ずる。カラー撮像に対応した固体撮像素子１０では、異なる色の情報電荷が混合してしまい、画像のリニアリティが低下する問題を生ずる。
【００１５】
特に、撮像部１０ｉと蓄積部１０ｓとにおいて転送電極２４−１〜２４−９，２５−１〜２５−３の幅、不純物濃度、絶縁膜の膜厚等を異ならせることによって、図９に示すように、撮像部１０ｉよりも蓄積部１０ｓのポテンシャル障壁が低くなるように設定している場合に情報電荷の漏れ出しが顕著となる。
【００１６】
本発明は、上記従来技術の課題の少なくとも１つを解決することができる電荷転送素子の駆動装置及び駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、電荷の転送方向と交差する方向に向けて延伸された転送電極が前記転送方向に沿って複数配置された２つのシフトレジスタを前記転送方向に沿って連続して配置した電荷転送素子、に対して前記転送電極の電位を制御する電荷転送素子の駆動装置であって、前記２つのシフトレジスタの一方である第１のシフトレジスタに備わる転送電極のうち少なくとも１つに印加する第１の転送クロックを変化させるタイミングと、前記２つのシフトレジスタの他方である第２のシフトレジスタに備わる転送電極のうち少なくとも１つに印加する第２の転送クロックを変化させるタイミングと、を異ならせることを特徴とする。
【００１８】
特に、前記２つのシフトレジスタが互いに異なる構造を有する場合にその作用・効果が顕著となる。例えば、少なくとも撮像時において外部から遮光されない撮像部のシフトレジスタに前記第１の転送クロックを供給し、外部から遮光されている蓄積部のシフトレジスタに前記第２の転送クロックを供給することが好適である。具体的には、前記第２のシフトレジスタは前記第１のシフトレジスタに比べてポテンシャルが低くなるような構造を有することが好適である。また、前記第２のシフトレジスタの備える転送電極の幅は、前記第１のシフトレジスタの備える転送電極の幅に比べて広いことが好適である。このように、一般的に、撮像部のシフトレジスタと蓄積部のシフトレジスタとでは転送電極の幅、不純物濃度及び酸化膜の膜厚等を異ならせていることが多く、このような場合に本発明の作用・効果は顕著となる。
【００１９】
具体的には、前記第２の転送クロックのうちいずれか１つが変化してから、前記第２の転送クロックのうちいずれか１つが次に変化するまでの間に前記第１の転送クロックのうちいずれか１つを変化させることが好適である。より具体的には、前記転送方向に沿って前記第１のシフトレジスタ、前記第２のシフトレジスタの順に設けられている場合、前記第１の転送クロックがハイレベルからローレベルに変化するタイミングに対して、前記第２の転送クロックがハイレベルからローレベルに変化するタイミングを遅くすることが好適である。
【００２０】
例えば、前記第１の転送クロックが３相のφｉ１〜φｉ３及び前記第２の転送クロックが３相のφＳ１〜φＳ３である場合、前記第２の転送クロックの１つφｓ１が変化してから次にφｓ３が変化する間にφｓ１に対応する前記第１の転送クロックのφｉ１を変化させる。同様に、前記第２の転送クロックの１つφｓ２が変化してから次にφｓ１が変化する間にφｓ２に対応する前記第１の転送クロックのφｉ２を変化させ、前記第２の転送クロックの１つφｓ３が変化してから次にφｓ２が変化する間にφｓ３に対応する前記第１の転送クロックのφｉ３を変化させる。また、前記第１の転送クロックが９相のφｉ１〜φｉ９及び前記第２の転送クロックが３相のφＳ１〜φＳ３である場合、前記第２の転送クロックの１つφｓ１が変化してから次にφｓ３が変化する間にφｓ１に対応する前記第１の転送クロックのφｉ１，φｉ４，φｉ７を変化させる。同様に、前記第２の転送クロックの１つφｓ２が変化してから次にφｓ１が変化する間にφｓ２に対応する前記第１の転送クロックのφｉ２，φｉ５，φｉ８を変化させ、前記第２の転送クロックの１つφｓ３が変化してから次にφｓ２が変化する間にφｓ３に対応する前記第１の転送クロックのφｉ３，φｉ６，φｉ９を変化させる。なお、前記第１の転送クロックと前記第２の転送クロックとを変化させるタイミングを入れ替えてもよい。
【００２１】
例えば、前記第１の転送クロック及び前記第２の転送クロックの周期を等しくすると共に、位相を異ならせることが好適である。これによって、容易かつ簡易に前記第１の転送クロックと前記第２の転送クロックとの変化のタイミングを異ならせることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、固体撮像素子の転送用のシフトレジスタにおける情報電荷の不要な混合を防ぐことができる。例えば、フレームトランスファー方式のＣＣＤ固体撮像素子における撮像部と蓄積部との境界部分のような２種類のシフトレジスタの境界部分における情報電荷の混合を防ぐことができる。これによって、撮像画像の画質を従来よりも向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の実施の形態における撮像装置１０２は、図１に示すように、ＣＣＤ固体撮像素子１０及び駆動装置１３を含んで構成される。ＣＣＤ固体撮像素子１０は、上記従来技術と同様の構造を有する。したがって、ＣＣＤ固体撮像素子１０の構造についての説明は省略する。
【００２４】
駆動装置１３は、システムクロックに基づいて、ＣＣＤ固体撮像素子１０の撮像部１０ｉへ転送クロックφｉ、蓄積部１０ｓへ転送クロックパルスφｓ、水平転送部１０ｈへ水平転送クロックＨＳ、並びに、出力部１０ｄへリセットパルスφｒをそれぞれ出力する。これによって、ＣＣＤ固体撮像素子１０からの画像信号を駆動装置１３は、転送クロックφｉと転送クロックパルスφｓとを変化させるタイミングをずらして供給する点に特徴を有する。
【００２５】
図２に、本実施の形態における駆動装置１３から出力される転送クロックφｉ１〜φｉ９及びφｓ１〜φｓ３のタイミングチャートを示す。また、図３に、図２の各時刻における撮像部１０ｉの転送電極２４−１〜２４−９及び蓄積部１０ｓの転送電極２５−１〜２５−３下のポテンシャルの変化を示す。図２では、横軸は時間を示し、縦軸が転送クロックパルスφｉ１〜φｉ９及びφｓ１〜φｓ３がハイレベル（Ｈ：オン）又はローレベル（Ｌ：オフ）であるかを示す。図３では、横軸は時間を示し、縦軸上方が負電位、縦軸下方が正電位を示す。図２及び図３を参照して、本実施の形態における駆動装置１３によるＣＣＤ固体撮像素子１０の駆動方法について説明する。
【００２６】
時刻Ｔ０では、転送クロックφｉ２，φｉ３，φｉ５，φｉ６，φｉ８，φｉ９，φｓ２，φｓ３がハイレベル（Ｈ）に維持され、転送クロックφｉ１，φｉ４，φｉ７，φｓ１がローレベル（Ｌ）に維持されているものとする。したがって、図３に示すように、転送電極２４−２，２４−３，２４−５，２４−６，２４−８，２４−９，２５−２，２５−３下にポテンシャル井戸を形成されて情報電荷が蓄積される。
【００２７】
時刻Ｔ１では、それまでハイレベル（Ｈ）であった転送クロックφｓ２がまずローレベル（Ｌ）に変更される。このとき、電位変化の過渡期間の影響によって、ポテンシャル井戸の定常状態（図３の実線で表される状態）に安定するまでの間に、転送電極２５−２下のポテンシャル障壁が定常状態より僅かに低くなるが、時刻Ｔ２までには定常状態に安定する。
【００２８】
時刻Ｔ１から所定時間だけ遅れた時刻Ｔ２では、それまでハイレベル（Ｈ）であった転送クロックφｉ２，φｉ５，φｉ８の組が同時にローレベル（Ｌ）に変化させられる。このとき、駆動装置１３の内部回路の影響によって、図１０に示したように、ハイレベル（Ｈ）を維持しているφｉ９の電位を僅かに低下させるノイズが重畳し、ローレベル（Ｌ）を維持しているφｓ１の電位を僅かに上昇させるノイズが重畳することがある。このようなノイズ及び電位変化の過渡期間の影響によって、ポテンシャル井戸の定常状態（図３の実線で表される状態）に安定するまでの間に、転送電極２４−９下のポテンシャル井戸が僅かに浅くなり、転送電極２５−１のポテンシャル障壁が僅かに低くなる過渡状態（図３の破線で表される状態）が生ずる場合がある。
【００２９】
このとき、時刻Ｔ１において予め転送クロックφｓ２をローレベル（Ｌ）にして転送電極２５−２下のポテンシャル障壁を十分に安定状態まで変化させてあるので、時刻Ｔ０からＴ２に移行する際に、撮像部１０ｉの最終段の転送電極２４−９に蓄積されていた情報電荷が蓄積部１０ｓの転送電極２５−３へ漏れ出すことを防ぐことができる。すなわち、転送クロックφｓ２が変化してから、転送クロックφｓ１が次に変化するまでの間に転送クロックφｉ２，φｉ５，φｉ８を変化させることによって異なる画素に対応する情報電荷の混合を防ぐことができる。
【００３０】
時刻Ｔ５では、転送クロックφｉ１，φｉ２，φｉ４，φｉ５，φｉ７，φｉ８，φｓ１，φｓ２がハイレベル（Ｈ）に維持され、転送クロックφｉ３，φｉ６，φｉ９，φｓ３がローレベル（Ｌ）に維持されているものとする。したがって、図３に示すように、転送電極２４−１，２４−２，２４−４，２４−５，２４−７，２４−８，２５−１，２５−２下にポテンシャル井戸を形成されて情報電荷が蓄積された状態となる。
【００３１】
時刻Ｔ６では、それまでハイレベル（Ｈ）であった転送クロックφｓ１がまずローレベル（Ｌ）に変更される。このとき、電位変化の過渡期間の影響によって、転送電極２５−１下のポテンシャル障壁が定常状態より僅かに低くなる過渡状態（図３の破線で表される状態）を経て、転送電極２５−１下のポテンシャル障壁が定常状態（図３の実線で表される状態）に安定する。
【００３２】
時刻Ｔ６から所定時間だけ遅れた時刻Ｔ７では、それまでハイレベル（Ｈ）であった転送クロックφｉ１，φｉ４，φｉ７の組が同時にローレベル（Ｌ）に変化させられる。このとき、駆動装置１３の内部回路の影響によって、ハイレベル（Ｈ）を維持しているφｉ８の電位を僅かに低下させるノイズが重畳し、ローレベル（Ｌ）を維持しているφｉ９の電位を僅かに上昇させるノイズが重畳することがある。このようなノイズ及び電位変化の過渡期間の影響によって、ポテンシャル井戸の定常状態（図３の実線で表される状態）に安定するまでの間に、転送電極２４−８下のポテンシャル井戸が僅かに浅くなり、転送電極２４−９のポテンシャル障壁が僅かに低くなる過渡状態（図３の破線で表される状態）が生ずる場合がある。
【００３３】
このとき、時刻Ｔ６において予め転送クロックφｓ１をローレベル（Ｌ）にして転送電極２５−１下のポテンシャル障壁を十分に安定状態まで変化させてあるので、時刻Ｔ５からＴ７に移行する際に、撮像部１０ｉの最終段の転送電極２４−８に蓄積されていた情報電荷が蓄積部１０ｓの転送電極２５−２へ漏れ出すことを防ぐことができる。すなわち、転送クロックφｓ１が変化してから、転送クロックφｓ３が次に変化するまでの間に転送クロックφｉ１，φｉ４，φｉ７を変化させることによって異なる画素に対応する情報電荷の混合を防ぐことができる。
【００３４】
このとき、転送クロックφｓを変化させた時刻から転送クロックφｉを変化させる時刻までの時間は、転送クロックφｓの変化によるポテンシャルの変化が安定状態となる時間よりも長く設定することが好ましい。
【００３５】
本実施の形態では、転送クロックφｉと転送クロックφｓとを変化させるタイミングをずらすことによって、異なる画素に対応する情報電荷の混合を抑制することができる。カラー撮像に対応した固体撮像素子１０では、異なる色に対応する情報電荷の混合を防ぐことができ、撮像画像の画質を向上させることができる。
【００３６】
なお、本実施の形態では、蓄積部１０ｓに印加される転送クロックφｓを撮像部１０ｉに印加される転送クロックφｉよりも先に変化させるようにタイミングをずらしたが、撮像部１０ｉに印加される転送クロックφｉを蓄積部１０ｓに印加される転送クロックφｓよりも先に変化させるようにタイミングをずらしてもよい。このとき、転送クロックφｉを変化させた時刻から転送クロックφｓを変化させる時刻までの時間は、転送クロックφｉの変化によるポテンシャルの変化が安定状態となる時間よりも長く設定することが好ましい。
【００３７】
なお、本発明の適用範囲はフレームトランスファー型のＣＣＤ固体撮像素子に限定されるものではない。転送電極の幅、不純物濃度、絶縁膜の膜厚等の構造を異ならせることによって、情報電荷の転送方向にそってポテンシャル井戸の深さやポテンシャル障壁の高さが変化させた複数のシフトレジスタが連続して配置された電荷転送素子において特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態における撮像装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における転送クロックの変化を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の実施の形態における転送電極下のポテンシャルの変化を示す図である。
【図４】従来の撮像装置の構成を示す図である。
【図５】ＣＣＤ固体撮像素子における撮像部及び蓄積部の内部構成を示す平面図である。
【図６】ＣＣＤ固体撮像素子における撮像部及び蓄積部の内部構成を示す断面図である。
【図７】ＣＣＤ固体撮像素子における撮像部及び蓄積部の内部構成を示す断面図である。
【図８】従来の転送クロックの変化を示すタイミングチャートである。
【図９】従来の転送電極下のポテンシャルの変化を示す図である。
【図１０】転送クロックに重畳するノイズを示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  固体撮像素子、１０ｉ  撮像部、１０ｓ  蓄積部、１０ｈ  水平転送部、１０ｄ  出力部、１２，１３  駆動装置、１４  半導体基板、１５  Ｐウェル、１６  Ｎウェル、１７  絶縁膜、２０  分離領域、２２  チャネル領域、２４，２５  転送電極、１００，１０２  固体撮像装置。
【図１】
2007043514.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007043514.tif 000005
【図４】
2007043514.tif 000006
【図５】
2007043514.tif 000007
【図６】
2007043514.tif 000008
【図７】
2007043514.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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