(57)【要約】【課題】光の利用効率を向上させることが可能な電気光学装置及びプロジェクタを提供すること。【解決手段】溝４０の幅Ｔ１の範囲としては、Ｔ３≦Ｔ１≦Ｔ３＋２ｔとすることが好ましいといえる。本実施形態のプリズム素子３０の溝４０の幅Ｔ１は、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔとなっており、上記範囲内（上記範囲の最大値）に設定されているため、対向基板２の画素領域を透過した光が遮光部２３、遮光部３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ１１４に光を最大限に入射させることが可能になっている。これにより、光の利用効率の向上を図ることができる。【選択図】図４
2007256460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部と、
前記一方の基板の前記電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板と
を具備し、
前記透明基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第１の遮光部が配設され、
前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第２の遮光部が配設され、
前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記透明基板の厚さをＤ２、前記透明基板の光屈折率をｎ２、前記プリズム部の開口部の幅をＴ１、前記第１の遮光部の所定の幅をＴ２、前記第２の遮光部の所定の幅をＴ３とし、
ｔ１＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とし、
ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、
Ｔ３＋２ｔ１≧Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ３＋２（ｔ１＋ｔ２）となり、
Ｔ３＋２ｔ１＜Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２となるように、前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部と、
前記一方の基板の前記電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板と
を具備し、
前記透明基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、
前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されておらず、
前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記透明基板の厚さをＤ２、前記透明基板の光屈折率をｎ２、前記プリズム部の開口部の幅をＴ１、前記遮光部の所定の幅をＴ２とし、
ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、
Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２となるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部と、
前記一方の基板の前記電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板と
を具備し、
前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、
前記透明基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されておらず、
前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記透明基板の厚さをＤ２、前記透明基板の光屈折率をｎ２、前記プリズム部の開口部の幅をＴ１、前記遮光部の所定の幅をＴ３とし、
ｔ１＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とし、
ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、
Ｔ１≧Ｔ３＋２（ｔ１＋ｔ２）となるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部を具備し、
前記一方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第１の遮光部が配設され、
前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第２の遮光部が配設され、
前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記プリズムの開口部の幅をＴ１、前記第１の遮光部の幅をＴ２、前記第２の遮光部の幅をＴ３とし、
ｔ＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とすると、
Ｔ３＋２ｔ≧Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔとなり、
Ｔ３＋２ｔ＜Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ２となるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部を具備し、
前記一方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が設けられ、
前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されておらず、
前記プリズムの開口部の幅をＴ１、前記遮光部の幅をＴ２とすると、
Ｔ１≧Ｔ２となるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部を具備し、
前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側上には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、
前記一方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されておらず、
前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記プリズムの開口部の幅をＴ１、前記遮光部の幅をＴ３とし、
ｔ＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とすると、
Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔとなるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
所定の呑み込み角θｆを有する前記投射部と
を具備することを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及びプロジェクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばプロジェクタなどの投射型表示装置は、光源と、光源からの光を変調するライトバルブと、ライトバルブで変調された光をスクリーンなどに投射する投射レンズとを主体として構成されている。ライトバルブとしては、液晶装置が用いられることが多い。投射レンズは固有の呑み込み角（投射レンズに入射可能な光の角度）を有しており、ライトバルブから所定の範囲の角度で射出される光が入射され、その範囲外の角度で射出される光は入射されないようになっている。
【０００３】
ライトバルブとして用いられる液晶装置は、一対の基板が液晶を挟持する構成になっている。このような液晶装置は、光源からの光をできるだけ表示に寄与させるため、高い光利用効率が求められている。光の利用効率を高める手法として、例えば当該一対の基板にマイクロレンズを形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この技術では、一対の基板のそれぞれにマイクロレンズを形成することによって、光を画素領域内に集光する作用が強く働き、これにより光の利用効率を高めることができるようになっている。
【０００４】
一方、この技術では、一対の基板にそれぞれ形成されたマイクロレンズの焦点をあわせるためのアライメントが困難であること、光が複数のレンズを透過することによって損失（フレネルロス）が生じること、一対の基板のそれぞれにマイクロレンズを形成するためコストが高くなってしまうこと、などの問題がある。
【０００５】
これに対して、一対の基板のうち一方の基板に、画素領域間に溝状のプリズム素子を形成したプリズム基板を貼り付けることにより、基板内を透過する光を当該プリズム素子の溝において画素領域内に反射させる技術が知られている。この技術によれば、光を画素領域に集光することができ、光の利用効率を向上させることができると共に、上記の問題が発生することも無い。
【０００６】
また、このような液晶装置には画素領域がマトリクス状に形成されており、画素領域間には配線や駆動素子などが配置されている。この配線や駆動素子に光が照射されると電気的に不具合が生じるため、画素領域間は通常は遮光部で覆われている。プリズム基板においては、一般的には当該プリズム素子が形成されている面に対向基板が貼り付けられており、この対向基板上にプリズム素子に平面視で重なるように遮光部が配置されている。
【特許文献１】特開２０００−３３０１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、基板にプリズム素子を設ける場合、プリズム素子と遮光部との間には対向基板の厚み分だけ間隔が設けられるため、画素領域（プリズム素子間）を基板の法線方向に対して傾いて通過した光や、プリズム素子によって反射され画素領域を通過した光の一部が、遮光部によって吸収されることがある。これらの光は本来液晶装置から射出され表示に寄与する光であるため、遮光部に吸収された分だけ光の利用効率が低下してしまうことになる。
【０００８】
また、遮光部で吸収されずに液晶装置を透過した光の角度が、投射レンズの呑み込み角の範囲に納まらず、投射レンズに入射されない虞もある。このため、ライトバルブにおいて光の利用効率が低下してしまうという問題がある。これらの点については、液晶装置に限らず、他の電気光学装置にも同様の問題である。  
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、光の利用効率を向上させることが可能な電気光学装置及びプロジェクタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部と、前記一方の基板の前記電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板とを具備し、前記透明基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第１の遮光部が配設され、前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第２の遮光部が配設され、前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記透明基板の厚さをＤ２、前記透明基板の光屈折率をｎ２、前記プリズム部の開口部の幅をＴ１、前記第１の遮光部の所定の幅をＴ２、前記第２の遮光部の所定の幅をＴ３とし、ｔ１＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とし、ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、Ｔ３＋２ｔ１≧Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ３＋２（ｔ１＋ｔ２）となり、Ｔ３＋２ｔ１＜Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２となるように、前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
ここで、「電気光学装置」とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【００１１】
また、「溝幅」とは、溝の延在方向に対して直交する方向の寸法をいうものとする。同様に遮光部の「所定の幅」とは、遮光部の延在方向に対して直交する方向の寸法をいうものとする。なお、所定の幅Ｔ２については、遮光部が一方の基板のみに設けられている場合には当該基板に設けられた遮光部の幅の値であり、遮光部が両方の基板に設けられている場合には、原則として幅寸法の大きい方の幅の値である。ただし、上記一方の基板に設けられた遮光部の幅よりも他方の基板に設けられた遮光部の幅が小さい場合は、光の入射角度によって幅の小さい方の遮光部の幅を「所定の幅」とする場合もある。
【００１２】
本発明では、一方の基板の電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板を具備し、この透明基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第１の遮光部が配設され、一対の基板のうち他方の基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第２の遮光部が配設された構成、すなわち、透明基板が設けられており、一対の基板のうち両方の基板に遮光部が設けられた（一方の基板には第１の遮光部、他方の基板には第２の遮光部が設けられた）構成に関するものである。
【００１３】
この構成において、電気光学物質層の厚さをＤ１、電気光学物質層の光屈折率をｎ１、透明基板の厚さをＤ２、透明基板の光屈折率をｎ２、プリズム部の開口部の幅をＴ１、第１の遮光部の所定の幅をＴ２、第２の遮光部の所定の幅をＴ３とし、ｔ１＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とし、ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、Ｔ３＋２ｔ１≧Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ３＋２（ｔ１＋ｔ２）となり、Ｔ３＋２ｔ１＜Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２となるように、プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられているので、投射部に呑み込まれる光を最大限にすることができると共に、遮光部によって吸収される光を減少させることができる。これにより、光の利用効率の向上を図ることができる。
【００１４】
上記ｔ１、ｔ２についての式から、当該ｔ１及びｔ２と投射部の呑み込み角度θｆの関係を明らかにした。例えばこの射出される光の角度が投射部の呑み込み角θｆを超えてしまうと、当該光は投射部に入射されないため、その分は表示に寄与しない光となる。そこで、本実施形態では、投射部に光が最大限に入射されるように、ｔ１及びｔ２を設定している。
【００１５】
また、本発明では、一方の基板の電気光学物質層側の表面を覆うように透明基板が設けられているため、その厚み分だけプリズム部と遮光部との間に間隔が設けられる。このため、画素領域を通過した光のうち、例えば基板の法線方向に対して傾いて通過した光の一部が、画素領域を透過した後、遮光部によって吸収されることがある。
【００１６】
ここで、本発明の構成においては、第１の遮光部には吸収されないものの第２の遮光部に吸収される場合と、第１の遮光部に吸収される場合とが考えられる。前者の場合（Ｔ３＋２ｔ１≧Ｔ２の場合）、溝の幅Ｔ１がＴ３＋２（ｔ１＋ｔ２）を満たせば、従来では第２の遮光部に吸収されていた光についても、表示に寄与させることができる。後者の場合（Ｔ３＋２ｔ１＜Ｔ２の場合）、溝の幅Ｔ１がＴ１≧Ｔ２＋２ｔ２を満たせば、従来では第１の遮光部に吸収されていた光についても、表示に寄与させることができる。
【００１７】
このように溝幅Ｔ１を設定することにより、画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収される光を減少させることができ、かつ、投射部に光を最大限に入射させることが可能になっている。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部と、前記一方の基板の前記電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板とを具備し、前記透明基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されておらず、前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記透明基板の厚さをＤ２、前記透明基板の光屈折率をｎ２、前記プリズム部の開口部の幅をＴ１、前記遮光部の所定の幅をＴ２とし、ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２となるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられていることを特徴とする。
【００１９】
本発明では、一方の基板の電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板を具備し、透明基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、一対の基板のうち他方の基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されていない構成、すなわち、透明基板が設けられており、一対の基板のうち一方の基板にのみ遮光部が設けられており、他方の基板には遮光部が設けられていない構成に関するものである。
【００２０】
この構成において、電気光学物質層の厚さをＤ１、電気光学物質層の光屈折率をｎ１、透明基板の厚さをＤ２、透明基板の光屈折率をｎ２、プリズム部の開口部の幅をＴ１、遮光部の所定の幅をＴ２とし、ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２となるようにプリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられているので、画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収される光を減少させることができ、かつ、投射部に光を最大限に入射させることが可能になっている。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部と、前記一方の基板の前記電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板とを具備し、前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、前記透明基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されておらず、前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記透明基板の厚さをＤ２、前記透明基板の光屈折率をｎ２、前記プリズム部の開口部の幅をＴ１、前記遮光部の所定の幅をＴ３とし、ｔ１＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とし、ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、Ｔ１≧Ｔ３＋２（ｔ１＋ｔ２）となるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられていることを特徴とする。
【００２２】
本発明では、一方の基板の電気光学物質層側の表面を覆うように設けられた透明基板を具備し、一対の基板のうち他方の基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、透明基板の前記電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されていない構成、すなわち、透明基板が設けられており、一対の基板のうち他方の基板にのみ遮光部が設けられており、一方の基板には遮光部が設けられていない構成に関するものである。
【００２３】
この構成において、電気光学物質層の厚さをＤ１、電気光学物質層の光屈折率をｎ１、透明基板の厚さをＤ２、透明基板の光屈折率をｎ２、プリズム部の開口部の幅をＴ１、遮光部の所定の幅をＴ３とし、ｔ１＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とし、ｔ２＝Ｄ２×ｔａｎ（ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））｝とすると、Ｔ１≧Ｔ３＋２（ｔ１＋ｔ２）となるようにプリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられているので、画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収される光を減少させることができ、かつ、投射部に光を最大限に入射させることが可能になっている。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部を具備し、前記一方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第１の遮光部が配設され、前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第２の遮光部が配設され、前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記プリズムの開口部の幅をＴ１、前記第１の遮光部の幅をＴ２、前記第２の遮光部の幅をＴ３とし、ｔ＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とすると、Ｔ３＋２ｔ≧Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔとなり、Ｔ３＋２ｔ＜Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ２となるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられていることを特徴とする。
【００２５】
本発明では、一方の基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第１の遮光部が配設され、一対の基板のうち他方の基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する第２の遮光部が配設された構成、すなわち、透明基板が設けられておらず、一対の基板のうち両方の基板に遮光部が設けられた（一方の基板には第１の遮光部、他方の基板には第２の遮光部が設けられた）構成に関するものである。
【００２６】
本発明によれば、プリズム部が形成された一方の基板の電気光学物質側表面に透明基板を設けない構成であるため、プリズム部と遮光部との間に間隔がその分狭くなる。このため、透明基板を設けた場合に画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収されていた光の一部については、本発明では、吸収されずに済むことになる。
【００２７】
これに加えて、電気光学物質層の厚さをＤ１、電気光学物質層の光屈折率をｎ１、プリズムの開口部の幅をＴ１、第１の遮光部の幅をＴ２、第２の遮光部の幅をＴ３とし、ｔ＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とすると、Ｔ３＋２ｔ≧Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔとなりＴ３＋２ｔ＜Ｔ２の場合は、Ｔ１≧Ｔ２となるようにプリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられているため、画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収される光を減少させることができ、かつ、投射部に光を最大限に入射させることが可能になっている。これにより、光の利用効率の一層の向上を図ることができる。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部を具備し、前記一方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が設けられ、前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されておらず、前記プリズムの開口部の幅をＴ１、前記遮光部の幅をＴ２とすると、Ｔ１≧Ｔ２となるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられていることを特徴とする。
【００２９】
本発明では、一方の基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が設けられ、一対の基板のうち他方の基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されていない構成、すなわち、透明基板が設けられておらず、一対の基板のうち一方の基板にのみ遮光部が設けられており、他方の基板には遮光部が設けられていない構成に関するものである。この構成では、プリズム部が形成された一方の基板の電気光学物質側表面に透明基板を設けない構成である。上記同様、プリズム部と遮光部との間に間隔がその分狭くなるため、透明基板を設けた場合に画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収されていた光の一部については吸収されずに済むことになる。
【００３０】
また、この構成において、プリズムの開口部の幅をＴ１、遮光部の幅をＴ２とすると、Ｔ１≧Ｔ２となるようにプリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられているので、画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収される光を減少させることができ、かつ、投射部に光を最大限に入射させることが可能になっている。
【００３１】
本発明に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質層を保持してなり、所定の呑み込み角θｆを有する投射部へ向けて光を射出する電気光学装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面に溝状に設けられ、開口部を有し前記基板に入射した光を集光するプリズム部を具備し、前記一対の基板のうち他方の基板の前記電気光学物質層側上には、前記プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、前記一方の基板の前記電気光学物質層側には、前記プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されておらず、前記電気光学物質層の厚さをＤ１、前記電気光学物質層の光屈折率をｎ１、前記プリズムの開口部の幅をＴ１、前記遮光部の幅をＴ３とし、ｔ＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とすると、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔとなるように前記プリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられていることを特徴とする。
【００３２】
本発明では、一対の基板のうち他方の基板の電気光学物質層側上には、プリズム部に平面視で重なるように所定の幅に設けられ、光を遮光する遮光部が配設され、一方の基板の電気光学物質層側には、プリズム部に平面視で重なる遮光部が配設されていない構成、すなわち、透明基板が設けられておらず、一対の基板のうち他方の基板にのみ遮光部が設けられており、一方の基板には遮光部が設けられていない構成に関するものである。この構成では、プリズム部が形成された一方の基板の電気光学物質側表面に透明基板を設けない構成である。上記同様、プリズム部と遮光部との間に間隔がその分狭くなるため、透明基板を設けた場合に画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収されていた光の一部については吸収されずに済むことになる。
【００３３】
また、この構成において、電気光学物質層の厚さをＤ１、電気光学物質層の光屈折率をｎ１、プリズムの開口部の幅をＴ１、遮光部の幅をＴ３とし、ｔ＝Ｄ１×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎ（θｆ）／ｎ１））とすると、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔとなるようにプリズム部の開口部の幅Ｔ１が設けられているので、画素領域を通過した光のうち遮光部によって吸収される光を減少させることができ、かつ、投射部に光を最大限に入射させることが可能になっている。
【００３４】
本発明に係るプロジェクタは、上記の電気光学装置と、所定の呑み込み角θｆを有する前記投射部とを具備することを特徴とする。  
本発明によれば、光の利用効率の向上を図ることができる電気光学装置を備えているので、明るく、コントラストの高い画像を表示可能なプロジェクタを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
［第１実施形態］  
（プロジェクタ）  
まず、本発明の第１実施形態に係るプロジェクタの概略構成を説明する。  
図１に示すように、光源部である超高圧水銀ランプ１０１は、第１色光である赤色光（以下、「Ｒ光」という。）、第２色光である緑色光（以下、「Ｇ光」という。）、及び第３色光である青色光（以下、「Ｂ光」という。）を含む光を供給する。インテグレータ１０４は、超高圧水銀ランプ１０１からの光の照度分布を均一化する。照度分布を均一化された光は、偏光変換素子１０５にて特定の振動方向を有する偏光光、例えばｓ偏光光に変換される。ｓ偏光光に変換された光は、色分離光学系を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒに入射する。以下、Ｒ光について説明する。Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒは、Ｒ光を透過し、Ｇ光、Ｂ光を反射する。Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒを透過したＲ光は、反射ミラー１０７に入射する。反射ミラー１０７は、Ｒ光の光路を９０度折り曲げる。光路を折り曲げられたＲ光は、第１色光であるＲ光を画像信号に応じて変調する第１色光用空間光変調装置１１０Ｒに入射する。第１色光用空間光変調装置１１０Ｒは、Ｒ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。なお、ダイクロイックミラーを透過しても、光の偏光方向は変化しないため、第１色光用空間光変調装置１１０Ｒに入射するＲ光は、ｓ偏光光のままの状態である。
【００３６】
第１色光用空間光変調装置１１０Ｒは、λ／２位相差板１２３Ｒ、ガラス板１２４Ｒ、第１偏光板１２１Ｒ、液晶パネル１２０Ｒ、及び第２偏光板１２２Ｒを有する。液晶パネル１２０Ｒの詳細な構成については後述する。λ／２位相差板１２３Ｒ及び第１偏光板１２１Ｒは、偏光方向を変換させない透光性のガラス板１２４Ｒに接する状態で配置される。これにより、第１偏光板１２１Ｒ及びλ／２位相差板１２３Ｒが、発熱により歪んでしまうという問題を回避できる。なお、図１において、第２偏光板１２２Ｒは独立して設けられているが、液晶パネル１２０Ｒの射出面や、クロスダイクロイックプリズム１１２の入射面に接する状態で配置しても良い。
【００３７】
第１色光用空間光変調装置１１０Ｒに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板１２３Ｒによりｐ偏光光に変換される。ｐ偏光光に変換されたＲ光は、ガラス板１２４Ｒ及び第１偏光板１２１Ｒをそのまま透過し、液晶パネル１２０Ｒに入射する。液晶パネル１２０Ｒに入射したｐ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｒ光がｓ偏光光に変換される。液晶パネル１２０Ｒの変調により、ｓ偏光光に変換されたＲ光が、第２偏光板１２２Ｒから射出される。このようにして、第１色光用空間光変調装置１１０Ｒで変調されたＲ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２に入射する。
【００３８】
次に、Ｇ光について説明する。Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒで反射された、Ｇ光とＢ光とは光路を９０度折り曲げられる。光路を折り曲げられたＧ光とＢ光とは、Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇに入射する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇは、Ｇ光を反射し、Ｂ光を透過する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇで反射されたＧ光は、第２色光であるＧ光を画像信号に応じて変調する第２色光用空間光変調装置１１０Ｇに入射する。第２色光用空間光変調装置１１０ＧはＧ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。第２色光用空間光変調装置１１０Ｇは、液晶パネル１２０Ｇ、第１偏光板１２１Ｇ及び第２偏光板１２２Ｇを有する。液晶パネル１２０Ｇの詳細に関しては後述する。
【００３９】
第２色光用空間光変調装置１１０Ｇに入射するＧ光は、ｓ偏光光に変換されている。第２色光用空間光変調装置１１０Ｇに入射したｓ偏光光は、第１偏光板１２１Ｇをそのまま透過し、液晶パネル１２０Ｇに入射する。液晶パネル１２０Ｇに入射したｓ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｇ光がｐ偏光光に変換される。液晶パネル１２０Ｇの変調により、ｐ偏光光に変換されたＧ光が、第２偏光板１２２Ｇから射出される。このようにして、第２色光用空間光変調装置１１０Ｇで変調されたＧ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２に入射する。
【００４０】
次に、Ｂ光について説明する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇを透過したＢ光は、２枚のリレーレンズ１０８と、２枚の反射ミラー１０７とを経由して、第３色光であるＢ光を画像信号に応じて変調する第３色光用空間光変調装置１１０Ｂに入射する。第３色光用空間光変調装置１１０Ｂは、Ｂ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。
【００４１】
なお、Ｂ光にリレーレンズ１０８を経由させるのは、Ｂ光の光路の長さがＲ光及びＧ光の光路の長さよりも長いためである。リレーレンズ１０８を用いることにより、Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇを透過したＢ光を、そのまま第３色光用空間光変調装置１１０Ｂに導くことができる。第３色光用空間光変調装置１１０Ｂは、λ／２位相差板１２３Ｂ、ガラス板１２４Ｂ、第１偏光板１２１Ｂ、液晶パネル１２０Ｂ、及び第２偏光板１２２Ｂを有する。なお、第３色光用空間光変調装置１１０Ｂの構成は、上述した第１色光用空間光変調装置１１０Ｒの構成と同様なので、詳細な説明は省略する。
【００４２】
第３色光用空間光変調装置１１０Ｂに入射するＢ光は、ｓ偏光光に変換されている。第３色光用空間光変調装置１１０Ｂに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板１２３Ｂによりｐ偏光光に変換される。ｐ偏光光に変換されたＢ光は、ガラス板１２４Ｂ及び第１偏光板１２１Ｂをそのまま透過し、液晶パネル１２０Ｂに入射する。液晶パネル１２０Ｂに入射したｐ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｂ光がｓ偏光光に変換される。液晶パネル１２０Ｂの変調により、ｓ偏光光に変換されたＢ光が、第２偏光板１２２Ｂから射出される。第３色光用空間光変調装置１１０Ｂで変調されたＢ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２に入射する。このように、色分離光学系を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー１０６ＲとＢ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇとは、超高圧水銀ランプ１０１から供給される光を、第１色光であるＲ光と、第２色光であるＧ光と、第３色光であるＢ光とに分離する。
【００４３】
色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２は、２つのダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂをＸ字型に直交して配置して構成されている。ダイクロイック膜１１２ａは、Ｂ光を反射し、Ｇ光を透過する。ダイクロイック膜１１２ｂは、Ｒ光を反射し、Ｇ光を透過する。このように、クロスダイクロイックプリズム１１２は、第１色光用空間光変調装置１１０Ｒ、第２色光用空間光変調装置１１０Ｇ、及び第３色光用空間光変調装置１１０Ｂでそれぞれ変調されたＲ光、Ｇ光及びＢ光を合成する。
【００４４】
投射レンズ１１４は、クロスダイクロイックプリズム１１２で合成された光をスクリーン１１６に投射する。これにより、スクリーン１１６上でフルカラー画像を得ることができる。
【００４５】
上述のように、第１色光用空間光変調装置１１０Ｒ及び第３色光用空間光変調装置１１０Ｂからクロスダイクロイックプリズム１１２に入射される光は、ｓ偏光光となるように設定される。また、第２色光用空間光変調装置１１０Ｇからクロスダイクロイックプリズム１１２に入射される光は、ｐ偏光光となるように設定される。このようにクロスダイクロイックプリズム１１２に入射される光の偏光方向を異ならせることで、クロスダイクロイックプリズム１１２において各色光用空間光変調装置から射出される光を有効に合成できる。ダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂは、通常、ｓ偏光光の反射特性に優れる。このため、ダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂで反射されるＲ光及びＢ光をｓ偏光光とし、ダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂを透過するＧ光をｐ偏光光としている。
【００４６】
（液晶パネル）  
次に、図２及び図３を参照して液晶パネル（電気光学装置）の詳細について説明する。図１で説明したプロジェクタ１００は、３枚の液晶パネル１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂを備えている。これら３枚の液晶パネル１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂは変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本構成は同一である。このため、液晶パネル１２０Ｒを例に挙げて以下に説明する。図２は、液晶パネル１２０Ｒの構成を示す平面図であり、図３は、液晶パネル１２０Ｒの断面図である。図２、図３のＸ方向が液晶パネル１２０Ｒの短手方向であり、Ｙ方向が液晶パネル１２０Ｒの長手方向である。
【００４７】
図２に示すように、液晶パネル１２０Ｒは、例えばガラスなどの透明な材料からなるＴＦＴアレイ基板２とプリズム基板３とを重ね合わせるとともに、両者の間に設けられたシール材４により貼り合わせた構成になっている。シール材４によって囲まれた領域内には液晶層５が封入されている。
【００４８】
シール材４の内側には、遮光性材料からなる周辺見切り６が形成されている。周辺見切り６によって囲まれた領域は、上述した超高圧水銀ランプ１０１からの光が変調される光変調領域１２になっている。光変調領域１２内には、超高圧水銀ランプ１０１からの光が透過可能な画素領域１３が、マトリクス状に配列されている。画素領域１３の間の領域は、超高圧水銀ランプ１０１からの光が遮光される画素間領域１４である。
【００４９】
シール材４の外側の領域には、データ線駆動回路７および外部回路実装端子８がＴＦＴアレイ基板２の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路９が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路９の間を接続するための複数の配線１０が設けられている。また、プリズム基板３の角部においては、ＴＦＴアレイ基板２とプリズム基板３との間で電気的導通をとるための基板間導通材１１が配設されている。
【００５０】
なお、データ線駆動回路７および走査線駆動回路９をＴＦＴアレイ基板２の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板２の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【００５１】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２の内側表面２ａには、画素領域１３に設けられ例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明な導電材料からなる画素電極２４と、画素間領域１４に設けられ当該画素電極２４に電気信号を供給するスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）２１と、画素電極２４及びＴＦＴ２１を覆うように内側表面２ａのほぼ全面に設けられ透明な樹脂材料などからなる平坦化膜２６と、当該平坦化膜２６上の画素間領域１４に配置された遮光部２３と、当該遮光部２３を覆うように平坦化膜２６上に積層された配向膜２５とが設けられている。
【００５２】
また、プリズム基板３の内側表面３ａには、接着層３１を介して対向基板３２が貼り付けられている。対向基板３２上には、画素間領域１４に設けられた遮光部３３と、当該遮光部３３を覆うと共に対向基板３２上のほぼ全面に設けられた共通電極３４とが形成されており、共通電極３４の表面上には配向膜３５が形成されている。
【００５３】
また、プリズム基板３の画素間領域１４には、プリズム素子３０が形成されている。プリズム素子３０は、プリズム基板３の内側表面３ａに形成された溝４０を主体とする光路偏向部である。プリズム素子３０の断面は、二等辺三角形になっている。プリズム素子３０は、画素間領域１４のＸ方向及びＹ方向に延在するように格子状に設けられており、遮光部２３及び遮光部３３に平面視で重なるように配置されている。溝４０内は斜面４０ａ、対向基板３２（接着層３１）で囲まれた中空部分である。
【００５４】
ここでプリズム素子３０の断面は、二等辺三角形と記述したが、これに限るものではなく、図１９のような反射面となる面を有し、入射した光を投射レンズ１１４へと射出される形状となっていれば良い。
【００５５】
また対向基板３２は中空に限られたものでなく、プリズム基板の屈折率より低い樹脂、もしくは斜面４０ａにＣｒ、Ａｌ等の反射膜を成膜し、プリズム部には無機材料を入れ込んでも良い。  
樹脂については、アクリル系樹脂の他に、例えばエポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、ポリイミド系樹脂などの透明な樹脂材料から構成されていても良い。アクリル系樹脂は、前駆体や感光剤（光重合開始剤）を利用することで、光の照射によって短時間に容易に硬化するため、好適に用いられる。また、紫外線硬化系樹脂は硬化収縮が少なく、プリズム素子３０の信頼性確保、形状安定性確保に有効である。アクリル系樹脂の基本構成の具体例としては、プレポリマー又はオリゴマー、モノマー、光重合開始剤を挙げることができる。
【００５６】
プレポリマー又はオリゴマーとしては、例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレート類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアクリレート類、スピロアセタール系アクリレート類などのアクリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメタクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリエーテルメタクリレート類などのメタクリレート類などを利用することができる。
【００５７】
モノマーとしては、例えば、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシメチルメタクリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、カルピトールアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、１，３−ブタンジオールアクリレートなどの単官能性モノマー、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレートなどの二官能性モノマー、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどの多官能性モノマーなどを利用することができる。
【００５８】
光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、ｐ−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノンなどのブチルフェノン類、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、α，α−ジクロル−４−フェノキシアセトフェノンなどのハロゲン化アセトフェノン類、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−テトラエチル−４，４−ジアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類、ベンジル、ベンジルメチルメチルケタールなどのベンジル類、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテルなどのベンゾイン類、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどのオキシム類、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントンなどのキサントン類、ミヒラーケトン、ベンジルメチルケタールなどのラジカル発生化合物などを利用することができる。
また、流動性材料としてゾルゲルガラス材料を用いる方法や、微小樹脂粉末、微小金属粉末、微小ガラス材料粉末、微小セラミック粉末や、微小鉱物、これらの粉末材料を樹脂材料に添加したものが同様の作成方法の中で使用可能である。
【００５９】
なお、必要に応じて、酸素による硬化阻害を防止する目的でアミン類などの化合物を添加したり、塗布を容易にする目的で溶剤成分を添加しても良い。溶剤成分としては、特に限定されるものではなく、種々の有機溶剤、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネート、エチルラクテート、エチルピルピネート、メチルアミルケトンなどを利用することができる。  
反射膜の材質としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｃｄ，Ｎｉ等の金属材質をスパッタ法などによって成膜すればよい。
【００６０】
また、ＴＦＴアレイ基板２とプリズム基板３との間、具体的には、配向膜２５と配向膜３５との間には、光変調のための液晶層５が封入されている。
【００６１】
超高圧水銀ランプ１０１からの光Ｌ１は、図３の上側から液晶パネル１２０Ｒに入射する。入射した光は、プリズム基板側（プリズム基板３、接着層３１、対向基板３２、共通電極３４、配向膜３５）を透過し、液晶層５によって変調されて、ＴＦＴアレイ基板側（配向膜２５、平坦化膜２６、画素電極２４、ＴＦＴアレイ基板２）へと透過する。ＴＦＴアレイ基板２を透過した光は、投射レンズ１１４へと射出されるようになっている。
【００６２】
また、光Ｌ１とは異なる位置に入射する光Ｌ２は、光Ｌ１と同様にプリズム基板３に入射する。プリズム基板３内を進行する光Ｌ２は、溝４０の斜面４０ａに向けて進行する。溝４０内は中空部分であるため、プリズム基板３よりも光屈折率が小さくなっている。したがって、光Ｌ２は、斜面４０ａにおいて画素領域１３側へと全反射され、光路を偏向される。斜面４０ａで反射された光Ｌ２は、上述の光Ｌ１と同様に進行してＴＦＴアレイ基板２を透過し、投射レンズ１１４へと射出されるようになっている。
【００６３】
図４は、液晶パネル１２０Ｒの断面図であり、図３における断面の一部を拡大して示す図である。同図では、液晶パネル１２０Ｒを構成する要素の寸法、特に、プリズム素子３０、遮光部２３、遮光部３３の寸法及び位置関係を示している。また、同図では、液晶層５の層厚（配向膜２５と配向膜３５との間の距離）をＤ１、当該液晶層５の光屈折率をｎ１とし、プリズム基板３側の接着層３１と対向基板３２との合計の厚さをＤ２とし、接着層３１と対向基板３２との平均の光屈折率をｎ２としている。
【００６４】
同図に示すように、遮光部２３の幅（延在方向に直交する方向の寸法）Ｔ３と遮光部３３の幅Ｔ２とは等しくなっており、平面視で同一領域に重なるように設けられている。プリズム素子３０の溝４０の幅Ｔ１は、溝４０の幅方向の中央が、遮光部２３及び遮光部３３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されており、遮光部２３及び遮光部３３の幅方向の両側にはみ出すように設けられている。このはみ出した部分の寸法をｔとすると、溝４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔと表すことができる。
【００６５】
ここで、この寸法ｔについて説明する。  
図４において、プリズム素子３０の溝４０の端部Ｐを通って接着層３１、対向基板３２へ入射する仮想の光Ｌ３を考える。この光Ｌ３は、光屈折率がｎ２である接着層３１、対向基板３２を透過し、光屈折率ｎ１の液晶層５に入射する。このときの入射角をθ２とする。液晶層５に入射した光Ｌ３は、液晶層５内を透過して、遮光部２３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【００６６】
ＴＦＴアレイ基板２に入射した光Ｌ３は、当該ＴＦＴアレイ基板２を透過して、投射レンズ１１４に入射する。ここで、投射レンズ１１４に入射可能な範囲の角度の最大値（呑み込み角）をθｆとすると、この光Ｌ３は、ちょうど投射レンズ１１４の呑み込み角θｆで投射レンズ１１４に入射するものとする。
【００６７】
光Ｌ３が液晶層５内を透過するときの幅方向の移動距離をｔ１とし、光Ｌ３が接着層３１及び対向基板３２内を透過するときの幅方向の移動距離をｔ２とすると、上述した寸法ｔの値は［数１］で表される。
【００６８】
【数１】
2007256460.tif 000003
【００６９】
ｔ１については［数２］で表され、ｔ２については［数３］で表される。
【００７０】
【数２】
2007256460.tif 000004
【００７１】
【数３】
2007256460.tif 000005
【００７２】
スネルの法則によって、θ１は［数４］のように表され、θ２は［数５］のように表される。
【００７３】
【数４】
2007256460.tif 000006
【００７４】
【数５】
2007256460.tif 000007
【００７５】
θ２については、［数５］に［数４］を代入して、［数６］を得る。
【００７６】
【数６】
2007256460.tif 000008
【００７７】
ここで、［数１］、［数２］、［数３］、［数４］、［数６］より、液晶層５の層厚Ｄ１、液晶層５の光屈折率ｎ２、接着層３１と対向基板３２との合計の厚さＤ２、接着層３１と対向基板３２との平均の光屈折率ｎ２及び投射レンズ１１４の呑み込み角θｆによってｔの値を示すと、［数７］を得る。
【００７８】
【数７】
2007256460.tif 000009
【００７９】
上記［数７］で表されたｔに関する式によれば、ｔの値を大きくしようとするほど、ＴＦＴアレイ基板２から投射レンズ１１４に射出される光の角度が大きくなっていくといえる。例えばこの射出される光の角度が投射レンズ１１４の呑み込み角θｆを超えてしまうと、当該光は投射レンズ１１４に入射されないため、その分は表示に寄与しない光となる。そこで、本実施形態では、投射レンズ１１４に光が最大限に入射されるように、仮想の光Ｌ３が呑み込み角θｆで投射レンズ１１４に投射されるものとしてｔの値の最大値を設定している。
【００８０】
また、プリズム素子３０と遮光部２３との間に対向基板が設けられているため、その厚み分だけプリズム素子３０と遮光部２３、遮光部３３との間に間隔が設けられる。このため、上述した光Ｌ１や光Ｌ２の一部が、画素領域１３を透過した後、遮光部２３や遮光部３３によって吸収されることがある。  
これに対して、遮光部３３の幅Ｔ２、遮光部２３の幅Ｔ３よりも溝４０の幅Ｔ１が少しでも大きければ、その分プリズム素子３０によって反射可能な領域が広がるため、従来では遮光部２３、３３に吸収されていた光を反射し、画素領域１３側へと変更することができる。このため、プリズム基板２の画素領域１３を透過した光３が遮光部２３、遮光部３３によって吸収されるのを減少することができる。
【００８１】
以上のことから、溝４０の幅Ｔ１の範囲としては、Ｔ３≦Ｔ１≦Ｔ３＋２ｔとすることが好ましいといえる。本実施形態のプリズム素子３０の溝４０の幅Ｔ１は、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔとなっており、上記範囲内（上記範囲の最大値）に設定されているため、プリズム基板２の画素領域１３を透過した光が遮光部２３、遮光部３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ１１４に光を最大限に入射させることが可能になっている。これにより、光の利用効率の向上を図ることができる。
【００８２】
［第２実施形態］  
次に、本発明に係る第２実施形態を説明する。本実施形態では、対向基板がプリズム基板を兼用する構成になっている点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【００８３】
図５は、液晶パネル２２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図３に対応している。  
図５に示すように、液晶パネル２２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板２０２と対向基板２０３とが対向して設けられ、液晶層２０５を挟持する構成になっている。
【００８４】
ＴＦＴアレイ基板２０２には、画素電極２２４と、ＴＦＴ２２１と、平坦化膜２２６と、遮光部２２３と、配向膜２２５とが設けられている。また、対向基板２０３には、遮光部２３３と、共通電極２３４と、配向膜２３５とが形成されており、対向基板２０３の画素間領域２１４には、プリズム素子２３０が形成されている。
【００８５】
プリズム素子２３０は、第１実施形態と同様、対向基板２０３の内側表面２０３ａに形成された溝２４０を主体とする光路偏向部であり、断面が二等辺三角形になっている。また、プリズム素子２３０は、画素間領域２１４のＸ方向及びＹ方向に延在するように格子状に設けられており、遮光部２２３及び遮光部２３３に平面視で重なるように配置されている。本実施形態では、対向基板２０３がプリズム基板を兼用する構成になっており、遮光部２２３が対向基板２０３の内側表面２０３ａに直接設けられた構成になっている。  
ここでプリズム素子３０の断面は、二等辺三角形と記述したが、これに限るものではなく、図１９のような反射面となる面を有し、入射した光を投射レンズ２１４へと射出される形状となっていれば良い。
【００８６】
図６は、液晶パネル２２０Ｒの断面図であり、図５における断面の一部を拡大して示す図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図では、液晶パネル２２０Ｒを構成する要素の寸法、特に、プリズム素子２３０、遮光部２２３、遮光部２３３の寸法及び位置関係を示している。また、同図では、液晶層２０５の層厚（配向膜２２５と配向膜２３５との間の距離）をＤ１、当該液晶層２０５の光屈折率をｎ１としている。
【００８７】
同図に示すように、第１実施形態と同様、遮光部２２３の幅Ｔ３と遮光部２３３の幅Ｔ２とが等しくなっており、平面視で同一領域に重なるように設けられている。また、溝２４０は、平面視で遮光部２２３及び遮光部２３３の幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝２４０の幅方向の中央が、遮光部２２３及び遮光部２３３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。このはみ出した部分の寸法をｔとすると、溝２４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔと表すことができる。
【００８８】
図６において、プリズム素子２３０の溝２４０の端部Ｐを通って液晶層２０５へ入射する仮想の光Ｌ４を考える。この光Ｌ４は、光屈折率がｎ１である液晶層２０５に入射し、液晶層２０５内を透過して、遮光部２２３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板２０２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【００８９】
ＴＦＴアレイ基板２０２に入射した光Ｌ４は、当該ＴＦＴアレイ基板２０２を透過して、投射レンズ２１４に入射する。ここで、投射レンズ２１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ４は、ちょうど投射レンズ２１４の呑み込み角θｆで投射レンズ２１４に入射するものとする。
【００９０】
本実施形態では接着層及び対向基板が設けられていない構成であるため、第１実施形態の［数７］において、接着層・対向基板の厚さＤ２が０の場合に相当する。したがって、［数７］にＤ２＝０を代入すると、本実施形態におけるｔの値は、［数８］のようになる。
【００９１】
【数８】
2007256460.tif 000010
【００９２】
このように、本実施形態では、対向基板を設けない構成であるため、プリズム素子２３０と遮光部２２３、２２３との間に間隔がその分狭くなる。このため、対向基板を設けた場合に画素領域２１３を通過した光のうち遮光部２２３、２３３によって吸収されていた光の一部については、本実施形態では、吸収されずに済むことになる。
【００９３】
これに加えて、プリズム素子２３０の溝２４０の幅Ｔ１をＴ１≧Ｔ３＋２ｔとすることによって、プリズム基板２０２の画素領域２１３を透過した光が遮光部２３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ２１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の一層の向上を図ることができる。
【００９４】
［第３実施形態］  
次に、本発明に係る第３実施形態を説明する。本実施形態では、プリズム基板側に遮光部が設けられておらず、ＴＦＴアレイ基板側のみに遮光部が設けられた構成になっている点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【００９５】
図７は、液晶パネル３２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図３に対応している。  
図７に示すように、液晶パネル３２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板３０２とプリズム基板３０３とが対向して設けられ、液晶層３０５を挟持する構成になっている。
【００９６】
ＴＦＴアレイ基板３０２には、画素電極３２４と、ＴＦＴ３２１と、平坦化膜３２６と、遮光部３２３と、配向膜３２５とが設けられている。プリズム基板３０３の内側表面３０３ａにはプリズム素子３３０が形成されている。また、当該内側表面３０３ａには接着層３３１を介して対向基板３３２が貼り付けられている。対向基板３３２上には、共通電極３３４と、配向膜３３５とが形成されており、プリズム基板３０３の画素間領域３１４には、プリズム素子３３０が形成されている。本実施形態では、プリズム基板３０３側には遮光部が設けられていない構成になっている。
【００９７】
プリズム素子３３０は、第１実施形態と同様、プリズム基板３０３の内側表面３０３ａに形成された溝３４０を主体とする光路偏向部であり、断面が二等辺三角形になっている。また、プリズム素子３３０は、画素間領域３１４のＸ方向及びＹ方向に延在するように格子状に設けられており、遮光部３２３に平面視で重なるように配置されている。  
ここでプリズム素子３０の断面は、二等辺三角形と記述したが、これに限るものではなく、図１９のような反射面となる面を有し、入射した光を投射レンズ３１４へと射出される形状となっていれば良い。
【００９８】
図８は、液晶パネル３２０Ｒの断面図であり、図７における断面の一部を拡大して示す図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図では、液晶パネル３２０Ｒを構成する要素の寸法、特に、プリズム素子３３０、遮光部３２３の寸法及び位置関係を示している。また、同図では、液晶層３０５の層厚（配向膜３２５と配向膜３３５との間の距離）をＤ１、当該液晶層３０５の光屈折率をｎ１としており、投射レンズ３１４の呑み込み角をθｆとしている。
【００９９】
同図に示すように、第１実施形態と同様、溝３４０は、平面視で遮光部３２３よりも幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝３４０の幅方向の中央が、遮光部３２３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。このはみ出した部分の寸法をｔ、遮光部３２３の幅をＴ３とすると、溝３４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔと表すことができる。
【０１００】
図８において、プリズム素子３３０の溝３４０の端部Ｐを通って接着層３３１、対向基板３３２へ入射する仮想の光Ｌ５を考える。この光Ｌ５は、光屈折率がｎ２である接着層３３１、対向基板３３２を透過し、光屈折率ｎ１の液晶層３０５に入射する。このときの入射角をθ２とする。液晶層３０５に入射した光Ｌ５は、液晶層３０５内を透過して、遮光部３２３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板３０２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【０１０１】
ＴＦＴアレイ基板３０２に入射した光Ｌ５は、当該ＴＦＴアレイ基板３０２を透過して、投射レンズ３１４に入射する。ここで、投射レンズ３１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ５は、ちょうど投射レンズ３１４の呑み込み角θｆで投射レンズ３１４に入射するものとする。
【０１０２】
このように、プリズム基板３０３側に遮光部が設けられない構成であっても、仮想の光Ｌ５は、第１実施形態における仮想の光Ｌ３と同様の光路でＴＦＴアレイ基板３０２から射出され、投射レンズ３１４に入射する。したがって、ｔについては、第１実施形態と同様、［数７］によって表すことができる。
【０１０３】
本実施形態によれば、プリズム基板３０３側に遮光部が設けられない構成においても、プリズム素子３３０の溝３４０の幅Ｔ１をＴ１≧Ｔ３＋２ｔとすることによって、プリズム基板３０２の画素領域３１３を透過した光が遮光部３２３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ３１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の向上を図ることができる。
【０１０４】
［第４実施形態］  
次に、本発明に係る第４実施形態を説明する。本実施形態では、対向基板がプリズム基板を兼用する構成になっている点、及び、対向基板側に遮光部が設けられておらずＴＦＴアレイ基板側のみに遮光部が設けられた構成になっている点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【０１０５】
図９は、液晶パネル４２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図３に対応している。  
図９に示すように、液晶パネル４２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板４０２と対向基板４０３とが対向して設けられ、液晶層４０５を挟持する構成になっている。
【０１０６】
ＴＦＴアレイ基板４０２には、画素電極４２４と、ＴＦＴ４２１と、平坦化膜４２６と、遮光部４２３と、配向膜４２５とが設けられている。対向基板４０３の内側表面４０３ａにはプリズム素子４３０が形成されている。また、当該内側表面４０３ａには共通電極４３４と、配向膜４３５とが形成されている。本実施形態では、対向基板４０３が上記実施形態におけるプリズム基板を兼用する構成になっており、かつ、対向基板４０３側に遮光部が設けられていない構成になっている。
【０１０７】
プリズム素子４３０は、第１実施形態と同様、対向基板４０３の内側表面４０３ａに形成された溝４４０を主体とする光路偏向部であり、断面が二等辺三角形になっている。また、プリズム素子４３０は、画素間領域４１４のＸ方向及びＹ方向に延在するように格子状に設けられており、遮光部４２３に平面視で重なるように配置されている。  
ここでプリズム素子３０の断面は、二等辺三角形と記述したが、これに限るものではなく、図１９のような反射面となる面を有し、入射した光を投射レンズ４１４へと射出される形状となっていれば良い。
【０１０８】
図１０は、液晶パネル４２０Ｒの断面図であり、図９における断面の一部を拡大して示す図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図では、液晶パネル４２０Ｒを構成する要素の寸法、特に、プリズム素子４３０、遮光部４２３の寸法及び位置関係を示している。また、同図では、液晶層４０５の層厚（配向膜４２５と配向膜４３５との間の距離）をＤ１、当該液晶層４０５の光屈折率をｎ１としている。
【０１０９】
同図に示すように、第１実施形態と同様、溝４４０は、平面視で遮光部４２３の幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝４４０の幅方向の中央が、遮光部４２３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。このはみ出した部分の寸法をｔとし、遮光部４２３の幅をＴ３とすると、溝４４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔと表すことができる。
【０１１０】
図１０において、プリズム素子４３０の溝４４０の端部Ｐを通って液晶層４０５へ入射する仮想の光Ｌ６を考える。この光Ｌ６は、光屈折率がｎ１である液晶層４０５に入射し、液晶層４０５内を透過して、遮光部４２３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板４０２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【０１１１】
ＴＦＴアレイ基板４０２に入射した光Ｌ６は、当該ＴＦＴアレイ基板４０２を透過して、投射レンズ４１４に入射する。ここで、投射レンズ４１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ６は、ちょうど投射レンズ４１４の呑み込み角θｆで投射レンズ４１４に入射するものとする。
【０１１２】
このように、対向基板４０３側に遮光部が設けられない構成であっても、仮想の光Ｌ６は、第２実施形態における仮想の光Ｌ４と同様の光路でＴＦＴアレイ基板４０２から射出され、投射レンズ４１４に入射する。したがって、ｔについては、第２実施形態と同様、［数８］によって表すことができる。
【０１１３】
本実施形態のように対向基板４０３側に遮光部が設けられない構成であっても、対向基板を設けない構成であるため、プリズム素子４３０と遮光部４２３との間に間隔がその分狭くなる。このため、対向基板を設けた場合に画素領域４１３を通過した光のうち遮光部４２３によって吸収されていた光の一部については、本実施形態では、吸収されずに済むことになる。
【０１１４】
これに加えて、プリズム素子４３０の溝４４０の幅Ｔ１をＴ１≧Ｔ３＋２ｔとすることによって、プリズム基板４０２の画素領域４１３を透過した光が遮光部４２３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ４１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の一層の向上を図ることができる。
【０１１５】
［第５実施形態］  
次に、本発明に係る第５実施形態を説明する。本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板側に遮光部が設けられておらず、プリズム基板側のみに遮光部が設けられた構成になっている点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【０１１６】
図１１は、液晶パネル５２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図３に対応している。  
図１１に示すように、液晶パネル５２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板５０２とプリズム基板５０３とが対向して設けられ、液晶層５０５を挟持する構成になっている。
【０１１７】
ＴＦＴアレイ基板５０２には、画素電極５２４と、ＴＦＴ５２１と、配向膜５２５とが設けられている。本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板５０２側には平坦化膜及び遮光部が設けられていない構成になっている。また、プリズム基板５０３の構成は、第１実施形態と同様であり、内側表面５０３ａにはプリズム素子５３０が形成されている。また、当該内側表面５０３ａには接着層５３１を介して対向基板５３２が貼り付けられている。対向基板５３２上には、共通電極５３４と、遮光部５３３と、配向膜５３５とが形成されている。
【０１１８】
プリズム素子５３０は、第１実施形態と同様、プリズム基板５０３の内側表面５０３ａに形成された溝５４０を主体とする光路偏向部であり、断面が二等辺三角形になっている。また、プリズム素子５３０は、画素間領域５１４のＸ方向及びＹ方向に延在するように格子状に設けられており、遮光部５３３に平面視で重なるように配置されている。
【０１１９】
ここでプリズム素子３０の断面は、二等辺三角形と記述したが、これに限るものではなく、図１９のような反射面となる面を有し、入射した光を投射レンズ５１４へと射出される形状となっていれば良い。
【０１２０】
図１２は、液晶パネル５２０Ｒの断面図であり、図１２における断面の一部を拡大して示す図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図では、液晶パネル５２０Ｒを構成する要素の寸法、特に、プリズム素子５３０、遮光部５３３の寸法及び位置関係を示している。また、同図では、液晶層５０５の層厚（配向膜５２５と配向膜５３５との間の距離）をＤ１、当該液晶層５０５の光屈折率をｎ１としている。
【０１２１】
同図に示すように、第１実施形態と同様、溝５４０は、平面視で遮光部５３３の幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝５４０の幅方向の中央が、遮光部５３３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。
【０１２２】
図１２において、プリズム素子５３０の溝５４０の端部Ｐを通って接着層５３１、対向基板５３２へ入射する仮想の光Ｌ７を考える。この光Ｌ７は、光屈折率がｎ２である接着層５３１、対向基板５３２を透過し、光屈折率ｎ１の液晶層５０５に入射する。このときの入射角をθ２とする。液晶層５０５に入射した光Ｌ５は、液晶層５０５内を透過して、遮光部５３３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板５０２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【０１２３】
ＴＦＴアレイ基板５０２に入射した光Ｌ５は、当該ＴＦＴアレイ基板５０２を透過して、投射レンズ５１４に入射する。ここで、投射レンズ５１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ７は、ちょうど投射レンズ５１４の呑み込み角θｆで投射レンズ５１４に入射するものとする。
【０１２４】
本実施形態では、液晶層５０５内を透過する光Ｌ７の基板面方向の移動距離をｔ１とし、接着層５３１、対向基板５３２を透過する光Ｌ７の基板面方向の移動距離をｔ２とし、遮光部５３３の幅をＴ２とすると、溝５４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２と表すことができる。
【０１２５】
このように、ＴＦＴアレイ基板５０２側に遮光部が設けられない構成であっても、仮想の光Ｌ７は、第１実施形態における仮想の光Ｌ３と同様の光路でＴＦＴアレイ基板５０２から射出され、投射レンズ５１４に入射する。したがって、ｔについては、第１実施形態と同様、［数７］によって表すことができる。
【０１２６】
本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板５０２側に遮光部が設けられておらず、プリズム基板５０３側のみに遮光部５３３が設けられた構成においても、プリズム素子５３０の溝５４０の幅Ｔ１をＴ１≧Ｔ２＋２ｔ２とすることによって、プリズム基板５０２の画素領域５１３を透過した光が遮光部５３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ５１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の向上を図ることができる。
【０１２７】
［第６実施形態］  
次に、本発明に係る第６実施形態を説明する。本実施形態では、対向基板がプリズム基板を兼用する構成になっている点、及び、ＴＦＴアレイ基板側に遮光部が設けられておらず対向基板側のみに遮光部が設けられた構成になっている点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【０１２８】
図１３は、液晶パネル６２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図３に対応している。  
図１３に示すように、液晶パネル６２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板６０２と対向基板６０３とが対向して設けられ、液晶層６０５を挟持する構成になっている。
【０１２９】
ＴＦＴアレイ基板６０２には、画素電極６２４と、ＴＦＴ６２１と、配向膜６２５とが設けられている。本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板６０２側には平坦化膜及び遮光部が設けられていない構成になっている。対向基板６０３の内側表面６０３ａにはプリズム素子６３０が形成されている。このように、対向基板６０３がプリズム基板を兼用した構成になっている。当該内側表面６０３ａには、共通電極６３４と、配向膜６３５と、遮光部６３３とが形成されている。
【０１３０】
プリズム素子６３０は、第１実施形態と同様、対向基板６０３の内側表面６０３ａに形成された溝６４０を主体とする光路偏向部であり、断面が二等辺三角形になっている。また、プリズム素子６３０は、画素間領域６１４のＸ方向及びＹ方向に延在するように格子状に設けられている。
【０１３１】
ここでプリズム素子３０の断面は、二等辺三角形と記述したが、これに限るものではなく、図１９のような反射面となる面を有し、入射した光を投射レンズ６１４へと射出される形状となっていれば良い。
【０１３２】
図１４は、液晶パネル６２０Ｒの断面図であり、図１３における断面の一部を拡大して示す図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図では、液晶パネル６２０Ｒを構成する要素の寸法、特に、プリズム素子６３０、遮光部６３３の寸法及び位置関係を示している。また、同図では、液晶層６０５の層厚（配向膜６２５と配向膜６３５との間の距離）をＤ１、当該液晶層６０５の光屈折率をｎ１としている。
【０１３３】
同図に示すように、第１実施形態と同様、溝６４０は、平面視で遮光部６３３の幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝６４０の幅方向の中央が、遮光部６３３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。遮光部６３３の幅をＴ２とすると、溝６４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ２と表すことができる。
【０１３４】
図１４において、プリズム素子６３０の溝６４０の端部Ｐを通って液晶層６０５へ入射する仮想の光Ｌ８を考える。この光Ｌ８は、光屈折率がｎ１である液晶層６０５に入射し、液晶層６０５内を透過して、遮光部６３３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板６０２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【０１３５】
ＴＦＴアレイ基板６０２に入射した光Ｌ８は、当該ＴＦＴアレイ基板６０２を透過して、投射レンズ６１４に入射する。ここで、投射レンズ６１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ８は、ちょうど投射レンズ６１４の呑み込み角θｆで投射レンズ６１４に入射するものとする。
【０１３６】
このように、ＴＦＴアレイ基板６０２側に遮光部が設けられない構成であっても、仮想の光Ｌ８は、第２実施形態における仮想の光Ｌ４と同様の光路でＴＦＴアレイ基板６０２から射出され、投射レンズ６１４に入射する。したがって、ｔについては、第２実施形態と同様、［数８］によって表すことができる。
【０１３７】
本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板６０２側に遮光部が設けられておらず、対向基板６０３側のみに遮光部６３３が設けられた構成においても、対向基板を設けない構成であるため、プリズム素子６３０と遮光部６３３との間に間隔がその分狭くなる。このため、対向基板を設けた場合に画素領域６１３を通過した光のうち遮光部６３３によって吸収されていた光の一部については、本実施形態では、吸収されずに済むことになる。
【０１３８】
これに加えて、プリズム素子６３０の溝６４０の幅Ｔ１をＴ１≧Ｔ２とすることによって、プリズム基板６０２の画素領域６１３を透過した光が遮光部６３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ６１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の一層の向上を図ることができる。
【０１３９】
［第７実施形態］  
次に、本発明に係る第７実施形態を説明する。本実施形態では、プリズム基板側の遮光部の幅とＴＦＴアレイ基板側の遮光部の幅とが異なる幅になっている点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【０１４０】
図１５は、液晶パネル７２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図に示すように、液晶パネル７２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板７０２とプリズム基板７０３とが対向して設けられ、液晶層７０５を挟持する構成になっている。また、同図に示すように、プリズム基板７０３側に設けられた遮光部７３３の幅Ｔ２が、ＴＦＴアレイ基板７０２側に設けられた遮光部７２３の幅Ｔ３よりも狭くなっている。その他の構成は、第１実施形態と同様になっている。
【０１４１】
図１５に示すように、遮光部７２３と遮光部７３３とは平面視で重なるように設けられている。また、プリズム素子７３０の溝７４０は、平面視で遮光部７２３及び遮光部７３３の幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝７４０の幅方向の中央が、遮光部７２３及び遮光部７３３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。
【０１４２】
ここで、プリズム素子７３０の溝７４０の端部Ｐを通って接着層７３１、対向基板７３２へ入射する仮想の光Ｌ９を考える。この光Ｌ９は、光屈折率がｎ２である接着層７３１、対向基板７３２を透過し、光屈折率ｎ１の液晶層７０５に入射する。このときの入射角をθ２とする。液晶層７０５に入射した光Ｌ９は、液晶層７０５内を透過して、遮光部７２３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板７０２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【０１４３】
ＴＦＴアレイ基板７０２に入射した光Ｌ９は、当該ＴＦＴアレイ基板７０２を透過して、投射レンズ７１４に入射する。ここで、投射レンズ７１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ９は、ちょうど投射レンズ７１４の呑み込み角θｆで投射レンズ７１４に入射するものとする。
【０１４４】
液晶層７０５を透過する光Ｌ９の基板面方向の移動距離をｔ１とし、接着層７３１、対向基板７３２を透過する光Ｌ９の基板面方向の移動距離をｔ２とすると、本実施形態では、Ｔ３＋２ｔ１≧Ｔ２となっている。したがって、溝７４０の幅Ｔ１については、ｔ１＋ｔ２＝ｔとして、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔと表される。
【０１４５】
このように、プリズム基板７０３側の遮光部７３３の幅Ｔ２よりもＴＦＴアレイ基板７０２側の遮光部７２３の幅Ｔ３の方が幅が大きくなっている構成であっても、仮想の光Ｌ９は、第１実施形態における仮想の光Ｌ３と同様の光路でＴＦＴアレイ基板７０２から射出され、投射レンズ７１４に入射する。したがって、ｔについては、第１実施形態と同様、［数７］によって表すことができる。
【０１４６】
本実施形態によれば、プリズム基板７０３側の遮光部７３３の幅Ｔ３よりもＴＦＴアレイ基板７０２側の遮光部７２３の幅Ｔ２の方が幅が大きくなっている構成の場合に、仮想の光Ｌ９が遮光部７２３の端部Ｑを通るように光路設定することによって、プリズム基板７０２の画素領域７１３を透過した光が遮光部７２３及び遮光部７３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ７１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の向上を図ることができる。
【０１４７】
［第８実施形態］  
次に、本発明に係る第８実施形態を説明する。本実施形態では、プリズム基板側の遮光部の幅とＴＦＴアレイ基板側の遮光部の幅とが異なる幅になっている点、及び、対向基板がプリズム基板を兼用する点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【０１４８】
図１６は、液晶パネル８２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図に示すように、液晶パネル８２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板８０２と対向基板８０３とが対向して設けられ、液晶層８０５を挟持する構成になっている。また、同図に示すように、対向基板８０３側に設けられた遮光部８３３の幅Ｔ２が、ＴＦＴアレイ基板８０２側に設けられた遮光部８２３の幅Ｔ３よりも狭くなっている。また、本実施形態では、対向基板が設けられておらず、遮光部８２３が対向基板８０３の内側表面８０３ａに直接設けられた構成になっている。その他の構成は、第１実施形態と同様になっている。
【０１４９】
図１６に示すように、遮光部８２３と遮光部８３３とは平面視で重なるように設けられている。また、プリズム素子８３０の溝８４０は、平面視で遮光部８２３及び遮光部８３３に対して幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝８４０の幅方向の中央が、遮光部８２３及び遮光部８３３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。
【０１５０】
ここで、プリズム素子８３０の溝８４０の端部Ｐを通って液晶層８０５へ入射する仮想の光Ｌ１０を考える。この光Ｌ１０は、光屈折率がｎ１である液晶層８０５に入射し、液晶層８０５内を透過して、遮光部８２３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板８０２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【０１５１】
ＴＦＴアレイ基板８０２に入射した光Ｌ１０は、当該ＴＦＴアレイ基板８０２を透過して、投射レンズ８１４に入射する。ここで、投射レンズ８１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ１０は、ちょうど投射レンズ８１４の呑み込み角θｆで投射レンズ８１４に入射するものとする。
【０１５２】
液晶層８０５を透過する光Ｌ１０の基板面方向の移動距離をｔとすると、本実施形態では、Ｔ３＋２ｔ≧Ｔ２となっているから、溝８４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ３＋２ｔと表される。
【０１５３】
このように、対向基板８０３側の遮光部８３３の幅Ｔ２とＴＦＴアレイ基板８０２側の遮光部の幅Ｔ３とが異なる幅になっている構成であっても、仮想の光Ｌ１０は、第２実施形態における仮想の光Ｌ４と同様の光路でＴＦＴアレイ基板８０２から射出され、投射レンズ８１４に入射する。したがって、ｔについては、第２実施形態と同様、［数８］によって表すことができる。
【０１５４】
本実施形態によれば、対向基板を設けない構成であるため、プリズム素子８３０と遮光部８２３、８３３との間に間隔がその分狭くなる。このため、対向基板を設けた場合に画素領域８１３を通過した光のうち遮光部８２３、８３３によって吸収されていた光の一部については、本実施形態では、吸収されずに済むことになる。
【０１５５】
これに加えて、本実施形態のように、対向基板８０３側の遮光部８３３の幅Ｔ３よりもＴＦＴアレイ基板８０２側の遮光部８２３の幅Ｔ２の方が幅が大きくなっている構成の場合に、仮想の光Ｌ１０が遮光部８２３の端部Ｑを通るように光路設定することによって、プリズム基板８０２の画素領域８１３を透過した光が遮光部８２３、８３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ８１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の一層の向上を図ることができる。
【０１５６】
［第９実施形態］  
次に、本発明に係る第９実施形態を説明する。本実施形態では、プリズム基板側の遮光部の幅とＴＦＴアレイ基板側の遮光部の幅とが異なる幅になっている点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【０１５７】
図１７は、液晶パネル９２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図に示すように、液晶パネル９２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板９０２とプリズム基板９０３とが対向して設けられ、液晶層９０５を挟持する構成になっている。また、同図に示すように、プリズム基板９０３側に設けられた遮光部９３３の幅Ｔ２が、ＴＦＴアレイ基板９０２側に設けられた遮光部９２３の幅Ｔ３よりも広くなっている。その他の構成は、第１実施形態と同様になっている。
【０１５８】
図１７に示すように、遮光部９２３と遮光部９３３とは平面視で重なるように設けられている。また、プリズム素子９３０の溝９４０は、平面視で遮光部９２３及び遮光部９３３の幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝９４０の幅方向の中央が、遮光部９２３及び遮光部９３３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。
【０１５９】
ここで、プリズム素子９３０の溝９４０の端部Ｐを通って接着層９３１、対向基板９３２へ入射する仮想の光Ｌ１１を考える。この光Ｌ１１は、光屈折率がｎ２である接着層９３１、対向基板９３２を透過し、光屈折率ｎ１の液晶層９０５に入射する。このときの入射角をθ２とする。液晶層９０５に入射した光Ｌ１１は、液晶層９０５内を透過して、遮光部９３３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板９０２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【０１６０】
ＴＦＴアレイ基板９０２に入射した光Ｌ１１は、当該ＴＦＴアレイ基板９０２を透過して、投射レンズ９１４に入射する。ここで、投射レンズ９１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ１１は、ちょうど投射レンズ９１４の呑み込み角θｆで投射レンズ９１４に入射するものとする。
【０１６１】
液晶層９０５内を透過する光１１の基板面方向の移動距離をｔ１とし、接着層９３１、対向基板９３２を透過する光１１の基板面方向の移動距離をｔ２とすると、本実施形態では、Ｔ３＋２ｔ１＜Ｔ２となっているため、溝９４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２と表される。
【０１６２】
このように、プリズム基板９０３側の遮光部９３３の幅Ｔ２の方がＴＦＴアレイ基板９０２側の遮光部９２３の幅Ｔ３よりも幅が大きくなっている構成の場合、仮想の光Ｌ１１は、第１実施形態における仮想の光Ｌ３と同様の光路でＴＦＴアレイ基板９０２から射出され、投射レンズ９１４に入射する。したがって、ｔについては、第１実施形態と同様、［数７］によって表すことができる。
【０１６３】
本実施形態では、プリズム基板９０３側の遮光部９３３の幅を「所定の幅」として説明した。ただし、本実施形態で遮光部９３３の幅を所定の幅Ｔ１≧Ｔ２＋２ｔ２とするためには、［数９］を満たす場合に限られる。
【０１６４】
【数９】
2007256460.tif 000011
【０１６５】
［数９］を満たさない場合、上記仮想の光Ｌ１１が、液晶層９０５内の遮光部９３３の端部Ｑを通過した後、遮光部９２３によって吸収されてしまうことになる。したがって、遮光部９３３の幅Ｔ２が遮光部９２３の幅Ｔ３よりも大きい場合であって、かつ、上記［数９］を満たす場合に限り、遮光部９３３の幅Ｔ２を「所定の幅」とすることができる。
【０１６６】
本実施形態によれば、プリズム基板９０３側の遮光部９３３の幅Ｔ２がＴＦＴアレイ基板９０２側の遮光部９２３の幅Ｔ３よりも幅が大きくなっている構成の場合に、仮想の光Ｌ１１が遮光部９２３の端部Ｑを通るように光路設定することによって、プリズム基板９０２側の画素領域９１３を透過した光が遮光部９２３及び遮光部９３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ９１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の向上を図ることができる。
【０１６７】
［第１０実施形態］  
次に、本発明に係る第１０実施形態を説明する。本実施形態では、プリズム基板側の遮光部の幅とＴＦＴアレイ基板側の遮光部の幅とが異なる幅になっている点、及び、対向基板がプリズム基板を兼用する構成になっている点で第１実施形態と異なるので、かかる点を中心に説明する。
【０１６８】
図１８は、液晶パネル１０２０Ｒの断面図であり、第１実施形態における図４に対応している。同図に示すように、液晶パネル１０２０Ｒは、ＴＦＴアレイ基板１００２と対向基板１００３とが対向して設けられ、液晶層１００５を挟持する構成になっている。また、同図に示すように、対向基板１００３側に設けられた遮光部１０３３の幅Ｔ２が、ＴＦＴアレイ基板１００２側に設けられた遮光部１０２３の幅Ｔ３よりも広くなっている。また、本実施形態では、対向基板が設けられておらず、遮光部１０２３が対向基板１００３の内側表面１００３ａに直接設けられた構成になっている。その他の構成は、第１実施形態と同様になっている。
【０１６９】
図１８に示すように、遮光部１０２３と遮光部１０３３とは平面視で重なるように設けられている。また、プリズム素子１０３０の溝１０４０は、平面視で遮光部１０２３及び遮光部１０３３に対して幅方向の両側にはみ出すように設けられており、溝１０４０の幅方向の中央が、遮光部１０２３及び遮光部１０３３の幅方向の中央と平面視で重なるように配置されている。
【０１７０】
ここで、プリズム素子１０３０の溝１０４０の端部Ｐを通って液晶層１００５へ入射する仮想の光Ｌ１２を考える。この光Ｌ１２は、光屈折率がｎ１である液晶層１００５に入射し、液晶層１００５内を透過して、遮光部１０３３の端部Ｑを通ってＴＦＴアレイ基板１００２に入射する。このときの入射角をθ１とする。
【０１７１】
ＴＦＴアレイ基板１００２に入射した光Ｌ１２は、当該ＴＦＴアレイ基板１００２を透過して、投射レンズ１０１４に入射する。ここで、投射レンズ１０１４の呑み込み角をθｆとすると、この光Ｌ１２は、ちょうど投射レンズ１０１４の呑み込み角θｆで投射レンズ１０１４に入射するものとする。
【０１７２】
本実施形態では、液晶層１００５内を透過する光１２の基板面方向の移動距離をｔとすると、Ｔ３＋２ｔ＜Ｔ２となっている。したがって、溝１０４０の幅Ｔ１については、Ｔ１≧Ｔ２と表される。
【０１７３】
このように、対向基板１００３側の遮光部１０３３の幅Ｔ２がＴＦＴアレイ基板１００２側の遮光部の幅Ｔ３よりも大きな幅になっている構成であっても、仮想の光Ｌ１２は、第２実施形態における仮想の光Ｌ４と同様の光路でＴＦＴアレイ基板１００２から射出され、投射レンズ１０１４に入射する。したがって、ｔについては、第２実施形態と同様、［数８］によって表すことができる。
【０１７４】
本実施形態では、対向基板１００３側の遮光部１０３３の幅Ｔ２を「所定の幅」として説明した。ただし、本実施形態で遮光部１０３３の幅を所定の幅Ｔ２とするためには、第９実施形態と同様、［数９］を満たす場合に限られる。  
［数９］を満たさない場合、上記仮想の光Ｌ１２が、液晶層１００５内の遮光部１０３３の端部Ｑを通過した後、遮光部１０２３によって吸収されてしまうことになる。したがって、本実施形態においても遮光部１０３３の幅Ｔ２が遮光部１０２３の幅Ｔ３よりも大きい場合であって、かつ、上記［数９］を満たす場合に限り、遮光部１０３３の幅Ｔ２を「所定の幅」とすることができる。
【０１７５】
本実施形態によれば、対向基板を設けない構成であるため、プリズム素子１０３０と遮光部１０２３、１０３３との間に間隔がその分狭くなる。このため、対向基板を設けた場合に画素領域１０１３を通過した光のうち遮光部１０２３、１０３３によって吸収されていた光の一部については、本実施形態では、吸収されずに済むことになる。
【０１７６】
また、本実施形態によれば、対向基板１００３側の遮光部１０３３の幅Ｔ２がＴＦＴアレイ基板１００２側の遮光部１０２３の幅Ｔ３よりも幅が大きくなっている構成の場合に、仮想の光Ｌ１２が遮光部１０２３の端部Ｑを通るように光路設定することによって、プリズム基板１００２側の画素領域１０１３を透過した光が遮光部１０２３及び遮光部１０３３によって吸収されることほとんど無く、投射レンズ１０１４に光を最大限に入射させることが可能になる。これにより、光の利用効率の向上を図ることができる。
【０１７７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記各実施形態では、電気光学装置として液晶装置（液晶パネル）を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、他の電気光学装置、例えば有機ＥＬ装置や、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールドエミッションディスプレイ装置等においても、本発明の適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１７８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプロジェクタの全体構成を模式的に示す図。
【図２】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図５】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図７】本発明の第３実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図９】本発明の第４実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１０】本実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１１】本発明の第５実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１２】本実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１３】本発明の第６実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１４】本実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１５】本発明の第７実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１６】本発明の第８実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１７】本発明の第９実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１８】本発明の第１０実施形態に係る液晶装置の一部の構成を示す断面図。
【図１９】本発明に係る液晶装置のプリズム素子の一部の構成を示す断面図。
【符号の説明】
【０１７９】
１２０Ｒ…液晶パネル（電気光学装置）  ２…ＴＦＴアレイ基板（他方の基板）  ３…プリズム基板（一方の基板）  ５…液晶層（電気光学物質層）  ３０…プリズム素子（プリズム部）  ４０…溝  ３２…対向基板（透明基板）  ２３、３３…遮光部
【図１】
2007256460.tif 000012
【図２】
2007256460.tif 000013
【図３】
2007256460.tif 000014
【図４】
2007256460.tif 000015
【図５】
2007256460.tif 000016
【図６】
2007256460.tif 000017
【図７】
2007256460.tif 000018
【図８】
2007256460.tif 000019
【図９】
2007256460.tif 000020
【図１０】
2007256460.tif 000021
【図１１】
2007256460.tif 000022
【図１２】
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【図１３】
2007256460.tif 000024
【図１４】
2007256460.tif 000025
【図１５】
2007256460.tif 000026
【図１６】
2007256460.tif 000027
【図１７】
2007256460.tif 000028
【図１８】
2007256460.tif 000029
【図１９】
2007256460.tif 000030