(57)【要約】【課題】樹脂と、リードと、半導体素子との間の線膨張率差により生じる熱応力が低減された半導体発光装置を提供する。【解決手段】第１リードと、第２リードと、前記第１リードにマウントされた半導体発光素子と、前記半導体素子と前記第２リードとを接続するボンディングワイヤと、前記ボンディングワイヤの一部と前記半導体発光素子とを覆う光透過性を有する内部樹脂と、前記内部樹脂に分散され、光透過性及び絶縁性を有するフィラーと、前記内部樹脂を包む外部樹脂と、を備え、前記フィラーは、前記内部樹脂より小なる線膨張率を有し、前記第１リードは、前記外部樹脂に包まれた領域において、前記半導体発光素子を通り、前記第１リードが延びる方向を通る断面で切断したときに前記半導体発光素子の光軸に関して略左右対称であることを特徴とする半導体発光装置が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１リードと、
第２リードと、
前記第１リードにマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第２リードとを接続するボンディングワイヤと、
前記ボンディングワイヤの一部と前記半導体発光素子とを覆う光透過性を有する内部樹脂と、
前記内部樹脂に分散され、光透過性及び絶縁性を有するフィラーと、
前記内部樹脂を包む外部樹脂と、
を備え、
前記フィラーは、前記内部樹脂より小なる線膨張率を有し、
前記第１リードは、前記外部樹脂に包まれた領域において、前記半導体発光素子を通り、前記第１リードが延びる方向を通る断面で切断したときに前記半導体発光素子の光軸に関して略左右対称であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
第１リードと、
第２リードと、
前記第１リードにマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第２リードとを接続するボンディングワイヤと、
前記ボンディングワイヤの一部と前記半導体発光素子とを覆う光透過性を有する内部樹脂と、
前記内部樹脂に分散され、光透過性及び絶縁性を有するフィラーと、
前記内部樹脂を包む外部樹脂と、
を備え、
前記フィラーは、前記内部樹脂より小なる線膨張率を有し、
前記第１リードは、前記半導体発光素子の光軸をはさんで前記光軸から略等距離の位置に、開口部または段差を含む曲げ部を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記フィラーは、シリカ、アルミナ、プラスチックのいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記ボンディングワイヤが延在する方向と前記第１リードが延在する方向との交差角はゼロより大で、９０度以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記外部樹脂は、前記半導体発光素子からの放射光を集束する凸なる曲面を有することを特徴とする請求項１〜４記載の半導体発光装置。    
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置の高輝度化が進むに伴い、従来の白熱電球や蛍光灯に替えて屋外表示灯や車載などの用途においても半導体発光装置が使用されるようになって来た。これら用途における使用条件は多岐に渡り、使用環境が厳しい。例えば、屋外用途においては、温度変化は非常に大きくかつその変化繰り返し回数が多い。
【０００３】
一般に広く用いられている半導体素子（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を樹脂を用いてモールド成型した半導体装置の構造では、温度変化によって樹脂の膨張や収縮が繰り返される。この結果、使用環境が厳しい場合には、半導体素子の剥離、破断、割れなどを生じるおそれがある。また、ボンディングワイヤの断線を生じるおそれもある。これらの発生率は、半導体発光装置の各構成要素の形状、配置、材質により大きく影響を受ける。
【０００４】
固体受発光チップ及び／または電気的手段の電気的接続部分を全て光透過性弾性材料で覆うことにより熱応力を緩和し、電気的接続部分への引っ張り応力を抑制する技術開示例がある（特許文献１）。しかし、使用環境が厳しくなるに従い、さらなる改善が必要になって来た。
【特許文献１】特開２００２−１９８５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、樹脂と、リードと、半導体素子との間の線膨張率差により生じる熱応力が低減された半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態によれば、第１リードと、第２リードと、前記第１リードにマウントされた半導体発光素子と、前記半導体発光素子と前記第２リードとを接続するボンディングワイヤと、前記ボンディングワイヤの一部と前記半導体発光素子とを覆う光透過性を有する内部樹脂と、前記内部樹脂に分散され、光透過性及び絶縁性を有するフィラーと、前記内部樹脂を包む外部樹脂と、を備え、前記フィラーは、前記内部樹脂より小なる線膨張率を有し、前記第１リードは、前記外部樹脂に包まれた領域において、前記半導体発光素子を通り、前記第１リードが延びる方向を通る断面で切断したときに前記半導体発光素子の光軸に関して略左右対称であることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【０００７】
また、本発明の他の一態様によれば、第１リードと、第２リードと、前記第１リードにマウントされた半導体発光素子と、前記半導体発光素子と前記第２リードとを接続するボンディングワイヤと、前記ボンディングワイヤの一部と前記半導体発光素子とを覆う光透過性を有する内部樹脂と、前記内部樹脂に分散され、光透過性及び絶縁性を有するフィラーと、前記内部樹脂を包む外部樹脂と、を備え、前記フィラーは、前記内部樹脂より小なる線膨張率を有し、前記第１リードは、前記半導体発光素子の光軸をはさんで前記光軸から略等距離の位置に、開口部または段差を含む曲げ部を有することを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、樹脂と、リードと、半導体素子との間の線膨張率差により生じる熱応力が低減された半導体発光装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の第１具体例にかかる半導体発光装置であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図、（ｃ）は半導体素子及び内部樹脂近傍の部分拡大断面図、（ｄ）は模式斜視図である。  
まず、第１リード１０は、アウターリード１０２及びインナーリード１０６を有する。インナーリード１０６にはカップ状の凹部１１０が設けられておりその中心部には半導体発光素子３０がマウントされている。またアウターリード１０２はＪ型の曲げ部１０４を有する。さらに凹部１１０の４角にはアンカーホール１０７を設けることもできる。図１（ａ）に表した具体例においては、半導体発光素子３０の周囲４角に例えば直径０．２ｍｍ程度のアンカーホールが設けられている。
【００１０】
また、半導体発光素子３０からは上方に光が放射される。半導体発光素子３０の光軸は半導体発光素子３０の発光中心を通り、図１（ｂ）のＢＢ'とほぼ一致する。平板上に延びた第１リード１０の中心線ＡＡ'に沿いかつ半導体発光素子３０をはさんだ両側に、半導体発光素子３０の光軸から等しい位置に段差を有する曲げ部１０８が設けられている。このようにすることによって、外部樹脂４０と半導体発光素子３０及びボンデイングワイヤ３２との間に生じる熱応力の中心を半導体発光装置の中心であるＢＢ'により近づけることができて半導体発光素子３０及びボンディングワイヤ３２への熱応力の低減が可能となる。また、第１リード１０と接続され、AA'とはほぼ９０°をなす方向へ吊りピン１０３が延びている。この吊りピン１０３にも半導体発光素子３０の光軸から等しい位置に段差を有する曲げ部が設けられているので、より熱応力の低減が可能となる。なお、吊りピン１０３に関しては後にさらに説明を行う。
【００１１】
一方、第２リード２０は、アウターリード２０２及びインナーリード２０６を有する。インナーリード２０６と半導体素子３０上に設けられた一電極（図示せず）とは金（Ａｕ）などからなるボンディングワイヤ３２により接続されている。また、アウターリード２０２は、Ｊ型曲げ部２０４を有している。ここで、外部樹脂４０より外部に突出している部分を「アウターリード」、外部樹脂４０の内部を「インナーリード」と呼ぶことにする。Ｊ型曲げ部１０４及び２０４は、回路基板への取りつけを容易にする。
【００１２】
凹部１１０内において、半導体発光素子３０とボンディングワイヤ３２の一部とを覆うように内部樹脂３８が設けられている。そして、内部樹脂３８にはフィラー３６が分散されている。内部樹脂３８は半導体発光素子３０に対して接着性に優れ、半導体発光素子３０からの放射光に対して光透過性を有することが好ましい。このために、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などが用いられる。なお、「光透過性を有する」とは、半導体発光素子３０からの放射光に対してほとんど光損失を生じないということを意味する。
【００１３】
内部樹脂３８に混合されるフィラー３６としては、シリカ、アルミナ、プラスチックなど絶縁性及び光透過性を有する材質が好ましく、また平均粒度は１００μｍであることが好ましい。平均粒度が１００μｍ以上であると半導体発光素子３０の厚みに近づき凹部１１０内においてフィラー３６を均一に分散配置することが困難となる。なお、内部樹脂３８の外側を外部樹脂４０によりモールド成型する。この場合、内部樹脂３８を液状樹脂のポッティングにより形成後、半硬化状態でこの外側を包むように外部樹脂４０をモールド成型することが好ましい。すなわち液状樹脂には未反応部分を残すようにする。このようにすると、内部樹脂３８と外部樹脂４０との密着性を高めることができ、これら樹脂が剥離して輝度が低下することを抑制できる。
【００１４】
外部樹脂４０も半導体発光素子３０からの放射光に対して光透過性であることが好ましく、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などが好ましい。半硬化状態の内部樹脂３８の上に、加圧、加熱により流動化された樹脂材料により金型を用いてトランスファーモールド成型がなされる。この場合、外部樹脂４０の上部を、半導体発光素子３０からの放射光を集束するように外に凸である曲面４１とすることにより、光軸上の輝度を高めることが可能となる。
【００１５】
第１具体例の形状とすることにより、第１及び第２リードにおけるそれぞれのアウターリード１０２及び２０２を回路基板にリフローなどにより表面実装することが可能である。なお、鉛フリー半田を用いるリフロー工程においては２４０乃至２６０℃の温度範囲に加熱されるために、半導体発光装置はこの温度範囲に耐えることが必要である。
【００１６】
なお、一般的に、半導体発光装置は、多数個取りのリードフレームを用いた量産組み立て工程により製造される。第１リード１０及び第２リード２０が多数連結されたリードフレームにより、マウント、ワイヤボンディング、ポッティング、トランスファーモールドなどの主要工程を行った後、リードフレームのカッティングがなされる。この場合、トランスファモールドなどによる樹脂封止後、アウターリードをリードフレームから切り離し、曲げ加工を行う。この段階において、個々の半導体発光装置とリードフレームとは吊りピン１０３により連結されて、パッキングなどの工程へ送られる。
【００１７】
ここで、各種構成要素の熱膨張における線膨張率について説明する。  
第１リード１０及び第２リード２０を構成する金属としては銅または鉄を含む材料を用いることができる。線膨張率は、銅において約１．７×１０−５／℃であり、鉄において約１．２×１０−５／℃である。またエポキシ樹脂において約６．３×１０−５／℃であり、銅の約３．７倍、鉄の約５．２倍と大きい。また、ＧａＮの線膨張率は、３．１７×１０−６／℃でありエポキシ樹脂の約２０分の１と小さい。
【００１８】
フィラー３６として用いることができるシリカの場合、線膨張率は約７．０×１０―６／℃とエポキシ樹脂と比べてほぼ１桁小である。そこで、エポキシ樹脂からなる内部樹脂３８とフィラー３６とが充填された凹部１１０内において、線膨張率の小であるフィラーの存在により、凹部１１０内の線膨張率差による半導体素子３０およびボンディングワイヤ３２への応力が低減される。この結果、半導体発光素子３０の剥離、破断、割れ、ボンディングワイヤ３２の断線などが低減できる。なお、シリカはエポキシ分散媒において高流動性すなわち低粘度を保てる点も好ましい。また、図１（ａ）に例示されるアンカーホール１０７は、内部樹脂３８及び外部樹脂４０とリードとの間の応力を低減するので、半導体発光素子３０の剥離、破断、割れ、ボンディングワイヤ３２の断線などを低減し、信頼性を一層改善できる。
【００１９】
次に、内部樹脂３８の半硬化による効果について説明する。  
まず、完全硬化の場合は、内部樹脂３８と外部樹脂４０との間に１０μｍ以上の界面剥離を生じることがある。また、内部樹脂３８にトランスファーモールド用樹脂を用いると、離型剤成分により樹脂間に界面剥離を生じることもある。界面剥離を生じると半導体発光素子３０からの放射光が界面において変化を生じ、輝度低下及び指向特性の変化を生じるので好ましくない。また樹脂の膨張、収縮が繰り返されるのに伴う界面剥離の進行により、半導体素子３０の剥離、破断、割れ、ボンディングワイヤの断線を生じる可能性もあるので、好ましくない。
【００２０】
これに対して、半硬化の場合は界面剥離を生じない。半硬化の条件としては、例えばエポキシからなる液状樹脂を熱硬化する場合、温度範囲が１００乃至１６０℃、時間が３０分乃至２時間と選ぶことができる。このように内部樹脂３８を半硬化状態とした後、これを包むように外部樹脂４０のトランスファーモールド成型を行うことにより界面剥離が抑制できるので、輝度低下、指向特性の変化を抑制できる。
【００２１】
以上のように、内部樹脂３８にフィラー３６が分散配置され、かつ内部樹脂３８と外部樹脂４０との間における界面剥離がない第１具体例の環境試験結果について説明する。まず表１は、熱衝撃試験における各サイクル後の不点灯数を表す。
【００２２】
【表１】
2007281250.tif 000003
【００２３】
なお、表１は、サンプル数を各１０個とし、マイナス４０℃と１１０℃間の熱衝撃を１００、２００、３００回経過した後の不点灯数を調べた結果である。フィラー３６の含有量がゼロの場合、不点灯数は１００サイクルまでに１個、１００〜２００サイクルまでにさらに２個、２００〜３００サイクルまでにさらに３個、合計で６個となる。これに対して、フィラー３６の含有量が５０重量％の場合は、２００〜３００サイクルで１個不点灯を生じるのみである。
【００２４】
また、表２は、吸湿繰り返しリフロー試験における履歴回数に対する不点灯数を表す。
【００２５】
【表２】
2007281250.tif 000004
【００２６】
なお、表２は、サンプル数を各１０個とし、（吸湿＋２６０℃リフロー）の各履歴回数を経過した後の不点灯数を調べた結果である。フィラー３６の含有量がゼロの場合、不点灯数は履歴回数が５回で３個、履歴回数が１０回でさらに１個、合計４個となる。これに対して、フィラー３６の含有量が５０重量％の場合は、１０回経過しても不点灯数はゼロである。以上の２種類の不点灯試験結果は、フィラーの存在により半導体発光装置における不点灯に至るほどの熱応力が抑制されていることを表している。
【００２７】
次
ここで比較例について説明する。  
図２、は比較例にかかる半導体発光装置を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図、（ｃ）は模式斜視図である。  
本比較例においては、第１リード３０１の一端部にはカップ状の凹部３１０が設けられている。凹部３１０の底面に半導体発光素子３３０がマウントされ、その一電極が金からなるボンディングワイヤ３３２を介して第２リード３０２へ接続されている。半導体発光素子３３０、ボンディングワイヤ３３２、第１リード３０１、及び第２リード３０２が光透過性樹脂３４０により封止されている。本比較例においては、（ｂ）における中心線ＢＢ’に関して左右が非対称となっている。この結果、樹脂３４０と第１リード３０１との間において主として熱応力による変位の中心が、半導体発光装置の中心、すなわちＢＢ’からずれる。この結果、半導体発光素子３３０及びボンディングワイヤ３３２近傍において熱応力負荷が極大となる位置を生じることがあり、半導体発光素子３３０及びボンディングワイヤ３３２の剥離、破断、割れなどを招くことがある。
【００２８】
一方、図１に表した第１具体例においては、半導体発光素子３０の両側において、半導体発光素子３０の光軸から等しい位置に段差を有する曲げ部１０８が設けられている。特に、半導体発光素子３０及びこれとボンディングワイヤ３２との接続箇所近傍においては、図１（ｂ）に例示されるようにＡＡ’に沿って樹脂（内部樹脂３８及び外部樹脂４０）とインナーリード１０６との接触距離及び曲げ部１０８の形状ともほぼ左右対称としてある。この結果、線膨張率差による熱応力はＢＢ’の左右でほぼ同等にできる。すなわち、熱応力の変位中心はＢＢ’近傍にできるので、熱応力の極大値とはなりにくい。さらに、ボンディングワイヤ３２とＡＡ’とを角度α（０＜α≦９０度）で交差させることにより、ボンディングワイヤ３２の延びる方向を変位最大方向からずらして熱応力の低減ができる。
【００２９】
次に、半導体発光素子３０の裏面への応力に関して説明する。  
図３は、半導体発光素子の裏面への相当応力の温度依存性のシミュレーション結果のグラフ図であり、（ａ）は第２具体例、（ｂ）は図２に例示した比較例を表す。  
第１具体例においては、温度を２６０℃から下げて行きマイナス４０℃近傍で相当応力は最大値約５００メガパスカル（ＭＰａ）となる。一方、比較例においては、温度を下げるとともに相当応力は増加し、マイナス４０℃まで下げた後２５℃とした時に最大値１０８０ＭＰａとなり、第１具体例の約２．２倍と高い。
【００３０】
続いてボンディングワイヤの破断について説明する。表３は、金ボンディングワイヤ破断を調べた１０００回の温度サイクル試験の結果である。
【００３１】
【表３】
2007281250.tif 000005
【００３２】
ここで、表３は、マイナス４０℃と１１０℃間の温度変化サイクル後に生じたワイヤ破断数を表す。比較例においては、７０サイクル経過後に１個、９００サイクル経過後にさらに１個発生した。一方、第２具体例においては、ワイヤ破断の発生がゼロである。なお、サンプル数は、いずれも１００個である。すなわち、ボンディングワイヤ３２への熱応力が低減された結果、ボンディングワイヤ３２の破断が抑制されている。
【００３３】
図４は、第１具体例の変形例を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。第２リード２０のインナーリード２０６に２箇所、開口部として丸穴２１２が設けられている。この丸穴２１２は、アンカーホールとして作用し、その内部に樹脂が充填されることにより、リード引き抜きを防止することができる。この変形例においても、ＡＡ'に沿って樹脂とインナーリード１０６との接触距離及び曲げ部１０８の形状ともほぼ左右対称としてある。この結果、線膨張率差による熱応力はＢＢ'の左右でほぼ同等にできる。
【００３４】
図５は、本発明の第２具体例を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。本具体例においては、第１リード１０のインナーリード１０６は、曲げ部を含まない。半導体発光素子３０の周囲には同心円状の溝１１１が設けられている。半導体発光素子３０の上に設けられるフィラー３６を含む内部樹脂３８は、この溝１１１のより外側へは流出しない。また、第１リード１０の半導体発光素子３０の両側において、半導体発光素子３０の光軸から等しい位置に角穴１０９からなる開口部を設けることにより熱応力による変位中心をＢＢ’近傍となるようにしている。さらに、第２リード２０には角穴２０９が設けられており、これがアンカーホールとして作用することにより第２リード２０の抜けが防止できている。
【００３５】
図６は、第２具体例の変形例を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。本変型例においては、第１リード１０の半導体素子３０の両側において、半導体発光素子３０の光軸から等しい位置に開口部として、角穴１０９及び丸穴１１２がそれぞれに設けられ、応力低減及びリードの引き抜き防止ができている。
【００３６】
図７は、本発明の第３具体例を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。本具体例においては、第１リード１０は、半導体発光素子３０の両側において、光軸から等しい位置に段差を有する曲がり部１０８を有している。この場合、第１リード１０は、外部樹脂４０に包まれた領域において、半導体発光素子３０を通り、第１リード１０が延びる方向を通る断面で切断した時に、半導体発光素子３０の光軸に関して略左右対称としてある。この結果、ＡＡ’に沿う断面において応力低減がより可能となる。第１リード１０は両側にＪ型曲げ部１０４を有しているので、ＡＡ’に沿う変位の中心をＢＢ’に保つのにより好ましい。また、第１リード１０の任意の箇所に角穴を設けることもできる。第２リードはＡＡ’から離れた位置に配置される。
【００３７】
図８は、第３実施例の変形例を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。第２リード２０は第１リード１０の両側に配置され、インナーリード２０６に丸穴２１２がそれぞれに設けられており、リードの引き抜きを防止できている。
【００３８】
図９は、本発明の第４具体例を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。本具体例においては、アウターリード１０２は、外側へ向かう段差を有する曲げ部１０５を有している。このようにすると、これまでの具体例と比較して、Ｊ型に曲げないために外部樹脂４０への応力が低減できるので第１リード１０下方の樹脂厚みを小さくできる。この結果、半導体発光装置を薄型化でき、放熱性の改善が可能となる。本具体例では、半導体発光素子３０が５個マウントされており、より高輝度化が可能である。
【００３９】
図１０は、本発明の第５具体例を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。本具体例においては、ＡＡ’及びＣＣ’に沿って半導体発光素子３０の光軸から等しい位置に段差を有する曲げ部１０８及び３０８が設けられており、半導体発光素子３０を通り、それぞれのリードが延びる方向を通る断面で切断した時に、光軸に関して左右対称である。この結果、応力はリードが延びる２方向に向かって低減される。
【００４０】
以上説明した第１乃至第５具体例及び付随する変形例において、外部樹脂４０及び内部樹脂３８やリードの熱膨張による半導体発光素子３０及びボンディングワイヤ３２への応力を低減できている。もちろん、第１具体例と同様にフィラー３６により熱応力がさらに低減されている。
【００４１】
以上、図面を参照しつつ本発明の具体例について説明した。しかし本発明は、これら具体例に限定されない。例えば、上述した各具体例及び変型例が有する構成部分を技術的に可能な範囲において適宜組み合わせたものも本発明の範囲に包含される。また、半導体装置を構成する半導体発光素子、フィラー、内部樹脂、外部樹脂、リード、ボンディングワイヤなどに関する形状、サイズ、材質などに関して、当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１具体例にかかる半導体発光装置を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図、（ｃ）は凹部近傍の部分拡大断面図、（ｄ）は模式斜視図である。
【図２】比較例にかかる半導体発光装置を表し、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図、（ｃ）は模式斜視図である。
【図３】半導体発光素子の裏面へ加わる相当応力のシミュレーション結果を表すグラフ図であり、（ａ）は第２具体例、（ｂ）は比較例を表す。
【図４】第１具体例の変形例を表す。
【図５】第２具体例にかかる半導体発光装置を表す。
【図６】第２具体例の変形例を表す。
【図７】第３具体例にかかる半導体発光装置を表す。
【図８】第３具体例の変形例を表す。
【図９】第４具体例にかかる半導体発光装置を表す。
【図１０】第５具体例にかかる半導体発光装置を表す。
【符号の説明】
【００４３】
１０・・・第１リード、２０・・・第２リード、３０・・・半導体発光素子、３２・・・ボンディングワイヤ、３６・・・フィラー、３８・・・内部樹脂、４０・・・外部樹脂、４１・・・レンズ曲面、１０８・・・曲げ部、１０９・・・角穴、１１０・・・凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
2007281250.tif 000008
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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