(57)【要約】【課題】  低温焼成可能な誘電体磁器組成物、及びそれを用いて作製される電子部品を提供する。【解決手段】  （ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物１００質量部に対し、重量によりＢｉ２Ｏ３  ６〜１５部、ＳｉＯ２  １〜５部、ＺｎＯ  １〜５部、ＭｇＯ  ０〜３部、Ｂ２Ｏ３  ０．２〜５部（Ｂ２Ｏ３  ０．２〜５部をＬｉ２Ｏ  ０．０８〜２．０質量部で置換してよい）を添加した誘電体磁器組成物、それを用いて作製される電子部品。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物１００質量部を主成分として、これに対し、重量によりＢｉ２Ｏ３  ６〜１５部、ＳｉＯ２  １〜５部、ＺｎＯ  １〜５部、ＭｇＯ  ０〜３部、Ｂ２Ｏ３  ０．２〜５部を含有する誘電体磁器組成物。
【請求項２】
（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物が、ＢａＣＯ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、ＴｉＯ２の合計ｍｏｌに対し、ＢａＣＯ３  １８〜２２ｍｏｌ％、Ｎｄ２Ｏ３  ９〜１３ｍｏｌ％、Ｓｍ２Ｏ３  ２〜６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２  ６３〜６７ｍｏｌ％を媒体中で粉砕媒体を用いて湿式混合を行った後に乾燥させ、次いで，この混合体を仮焼した後に、再度媒体中で粉砕媒体を用いて湿式粉砕し、その後乾燥させて得られる、請求項１記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
Ｂ２Ｏ３  ０．２〜５質量部の一部〜全部が、Ｌｉ２Ｏ  ０．０８〜２．０質量部で置換される、請求項１記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物誘電体磁器組成物によって形成される電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低温焼成可能な誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品に関し、その誘電体磁器組成物は、高周波領域で使用するのに好適な電気的特性を有する。特に、本発明の誘電体磁器組成物は、共振器や温度補償用誘電体材料として用いるのに好適である。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の高周波機器は、小型化、高機能化、低価格化が望まれる。これら高周波機器に使用される誘電体共振器にも、同様に小型化、高性能且つ低価格なものが望まれる。
【０００３】
これら誘電体共振器等の材料として用いられる誘電体磁器組成物には、その焼成体の比誘電率（以下「Ｋ値」という）が高く、Ｑ値が高く、さらに静電容量の温度依存性が小さい特性のものが要求される。特に静電容量の温度特性に関しては、欧州工業規格（以下「ＥＩＡ」という）で規定されているＣＯＧ特性を満足するものが望ましい。
【０００４】
ＣＯＧ特性とは、＋２５℃における静電容量を基準としたとき、−５５℃〜＋１２５℃の広い温度範囲にわたり、静電容量の温度変化率の係数（以下「ＴＣ」という）が±３０ｐｐｍ／℃以内と平坦である温度特性のことである。
【０００５】
誘電体磁器組成物のＫ値及びＱ値が大きく、更に＋２５℃における静電容量を基準としたとき、−５５℃〜＋１２５℃の広い温度範囲にわたり、静電容量のＴＣを小さくすることを可能にするのに、ＢａＯ、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ１１/2、及びＢi２Ｏ３成分からなり、各成分の組成割合が特定の値を満足するように構成したことを特徴とする誘電体磁器組成物が提案された（例えば特許文献１を参照）。かかる誘電体磁器組成物は１３００℃〜１４００℃の温度で焼成することができることが報告されている。
【０００６】
誘電体磁器組成物を低温で焼成することができることは焼成誘電体磁器組成物を用いた電子部品の低価格化のために非常に重要である。しかも焼成温度が高いと高価な高温用炉が必要となり、設備投資が莫大なものになるのみならず、運転に際し電気エネルギー消費も多く、環境負荷も大きくなってしまう。
【０００７】
焼成誘電体磁器組成物が積層セラミックコンデンサとして使用される場合に、内部電極として従来から用いられているＰｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の高価な貴金属の代わりに、安価なＡｇ又はＡｇにＰｄを数％混ぜた電極を用いることができるならば、低価格化を実現するために望ましいことである。
【０００８】
誘電体磁器組成物の焼成温度を低く、特に焼成温度を９３０℃以下にすることができるならば、パラジウムに比べて融点が９６２℃と低く、導電率が高く、安価な銀と同時焼成しても銀が融解したり蒸発することがなく、大幅なコスト改善が期待できる。
【特許文献１】特開平４−１０４９４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、高周波領域で使用される誘電体磁器組成物の低温焼成を可能とし、誘電体磁器組成物内部電極として安価なＡｇ又はＡｇ＋Ｐｄ（数％）を使用することができることにより大幅なコスト改善ができ、所望の電気的特性を満足する誘電体磁器組成物、それを使用して製造される電子部品及び誘電体磁器組成物の製造方法を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、上述した課題を解決するために、（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物を主成分として使用して、これにＢｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３及び／又はＬｉ２Ｏ、所望によりＭｇＯを含有することにより、上記の目的を達成することができる誘電体磁器組成物、それを使用して製造される電子部品及び誘電体磁器組成物の製造方法を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
かくして本発明によれば、以下の１〜４の発明が提供される。
１．  （ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物１００質量部を主成分として、これに対し、重量によりＢｉ２Ｏ３  ６〜１５部、ＳｉＯ２  １〜５部、ＺｎＯ  １〜５部、ＭｇＯ  ０〜３部、Ｂ２Ｏ３  ０．２〜５部を含有する誘電体磁器組成物。
２．（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物が、ＢａＣＯ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、ＴｉＯ２の合計ｍｏｌに対し、ＢａＣＯ３  １８〜２２ｍｏｌ％、Ｎｄ２Ｏ３  ９〜１３ｍｏｌ％、Ｓｍ２Ｏ３  ２〜６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２  ６３〜６７ｍｏｌ％を媒体中で粉砕媒体を用いて湿式混合を行った後に乾燥させ、次いで，この混合体を仮焼した後に、再度媒体中で粉砕媒体を用いて湿式粉砕し、その後乾燥させて得られる、上記１記載の誘電体磁器組成物。
３．Ｂ２Ｏ３  ０．２〜５質量部の一部〜全部が、Ｌｉ２Ｏ  ０．０８〜２．０質量部で置換される、上記１記載の誘電体磁器組成物。
４．上記１〜３のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物誘電体磁器組成物によって形成される電子部品。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の誘電体磁器組成物は、焼成温度が９３０℃以下と低温焼成が可能なため、内部電極としてＰｄに比べて安価なＡｇ又はＡｇにＰｄを数％混ぜた電極を用いる材料を使用することができるので、それから製造される電子部品の低価格化を可能にすることができる。本発明の誘電体磁器組成物は、Ｋ値が６０以上及びｔａｎＤが１０×１０−４Ｑ値以下であり、＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃以内と平坦である。ここで、ＣＯＧ特性とは、＋２５℃における静電容量を基準としたとき、−５５℃〜＋１２５℃の広い温度範囲にわたり、静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃以内と平坦である温度特性のことであるが、−５５℃から２５℃までの方がゆるく規格化されており，実際問題になるのは２５℃から１２５℃までの静電容量のＴＣとなる。そこで、本明細書以降，＋２５℃における静電容量を基準としたとき、２５℃から１２５℃までの静電容量のＴＣを代表値として記載する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の誘電体磁器組成物は、（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物を主成分とし、これにＢｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３及び／又はＬｉ２Ｏ、所望によりＭｇＯを含有する。
【００１４】
主成分となる（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物については、（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系組成物であればいずれのものを用いることができる。（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物を調製するに当たり，ＢａＯは非常に不安定な物質であるので、ＢａＣＯ３のような安定な塩の形の化合物を主発原料として用いる。ＢａＣＯ３は、焼成により分解して炭酸ガスを放出してＢａＯとなる。そのために、（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物は、あらかじめＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３を出発原料として用いて仮焼した後に用いる。好ましい（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物は、下記の通りにして調製する：ＢａＣＯ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、ＴｉＯ２の合計ｍｏｌに対し、それぞれＢａＣＯ３  １８〜２２ｍｏｌ％、Ｎｄ２Ｏ３  ９〜１３ｍｏｌ％、Ｓｍ２Ｏ３  ２〜６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２  ６３〜６７ｍｏｌ％の範囲で各成分のｍｏｌ％を選択してＢａＣＯ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、ＴｉＯ２の合計が１００ｍｏｌ％になるようにし、これらを媒体中で粉砕媒体を用いて湿式混合を行った後に乾燥させ、次いで，この混合体を１１７０℃近辺で仮焼した後に、再度媒体中で粉砕媒体を用いて湿式粉砕し、その後乾燥させて得られる。
【００１５】
次いで，（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物に、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｂ２Ｏ３及び／又はＬｉ２ＣＯ３を含有させるに当たり、（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物１００質量部に対し、重量によりＢｉ２Ｏ３  ６〜１５部、ＳｉＯ２  １〜５部、ＺｎＯ  １〜５部、ＭｇＯ  ０〜３部、Ｂ２Ｏ３  ０．２〜５部になるようにする。Ｂ２Ｏ３  ０．２〜５質量部の一部〜全部を、Ｌｉ２Ｏ  ０．４〜２．０質量部で置換してもよい。
【００１６】
Ｂｉ２Ｏ３が６質量部以上であると，誘電体磁器組成物は、Ｋ値が大きく、ｔａｎＤが小さく，＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。他方，Ｂｉ２Ｏ３が１５質量部以下であると，誘電体磁器組成物は、Ｋ値が大きくなる。
【００１７】
ＳｉＯ２が１質量部以上であると，誘電体磁器組成物は、＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。他方，ＳｉＯ２が５質量部以下であると，誘電体磁器組成物は、Ｋ値が大きくなる。
【００１８】
ＺｎＯが１質量部以上であると，誘電体磁器組成物は、その焼成体のｔａｎＤ及び＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが小さくなる。他方，ＺｎＯが５質量部以下であると，誘電体磁器組成物は、Ｋ値が大きく、ｔａｎＤが小さくなる。
【００１９】
誘電体磁器組成物は、ＭｇＯを添加しなくとも、良好な電気的特性を有する。ＭｇＯを添加する場合，３質量部以下であると，誘電体磁器組成物は、Ｋ値が大きく、ｔａｎＤが小さく，＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。一般的に，ＭｇＯを添加することにより、焼成体の＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣがより小さくなり、安定な生産が期待できる。
【００２０】
Ｂ２Ｏ３は、単独で加えても、Ｂ２Ｏ３の一部〜全部をＬｉ２Ｏで置換してもよいが、Ｂ２Ｏ３とＬｉ２Ｏ（Ｌｉ２ＣＯ３に換算）との合計量は、（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物１００質量部に対し、０．２〜５質量部の範囲で使用する。Ｂ２Ｏ３とＬｉ２Ｏ（Ｌｉ２ＣＯ３に換算）との合計量が０．２質量部以上であると、誘電体磁器組成物は、その焼成体のＫ値が大きく、ｔａｎＤが小さく、＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。他方，５質量部以下であると、焼成体のＫ値が大きく、ｔａｎＤが小さくなる。
【００２１】
ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｂ２Ｏ３等の出発原料は、焼成により酸化物を生成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いてもよい。本発明の誘電体磁器組成物中に、不可避不純物としてＡｌ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｓｎ等が含まれることもある。
【００２２】
上に説明した通りにして得た本発明の誘電体磁器組成物を用いて単板型及び積層セラミックコンデンサを製造する例について説明する。
（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３磁器組成物の主成分と、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３及び／又はＬｉ２Ｏ、所望によりＭｇＯからなる出発原料を用いて、焼成した後の組成が本発明の範囲内になるように秤量し、これらを水等を媒体としてジルコニアビーズ等を粉砕媒体として用いて湿式混合した後に乾燥させて粉体を得る。
【００２３】
この混合粉体にアクリル系バインダーのようなバインダーを固形分で４％程度添加して造粒する。
【００２４】
このようにして調整された粒体を金型に充填し、成型機にて圧力を掛けて成型し、円板状サンプルを得る。
【００２５】
こうして得られたサンプルを約９３０℃で空気中で焼成を行う。これら得られた焼成体磁器組成物の両面にＡｇペーストを印刷し、約７５０℃で焼付けして電極を形成して単板型セラミックコンデンサを製造する。
【００２６】
前記説明と同様の手法により（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物の主成分と、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、所望によりＭｇＯからなる出発原料として、焼成した後の組成が本発明の範囲内になるように秤量し、エタノール等を媒体としてジルコニアビーズ等の粉砕媒体を用いて数時間湿式混合を行う。このようにして得られた混合体にＰＶＢ(ポリビニールブチラール)のようなバインダー、フタル酸ベンジルブチルのような可塑剤を添加し混合してセラミック・スリップを調整する。このセラミック・スリップをドクターブレード法によってシートを作成する。
【００２７】
このセラミック・グリーンシート上にＡｇ又はＡｇとＰｄ（数％）との混合導電ペーストを印刷し内部電極を形成する。これら内部電極が形成された前記セラミックシートを導電ペースト層が引き出されている列が互い違いになるように所望枚積層して積層体を得る。このようにして得られた未焼成の積層体を基材から外し、成型、切断して積層ブロックを作製する。
【００２８】
焼成は大気中で約９３０℃において数時間で行う。焼成後セラミック焼結体の両側にＡｇペーストを塗布し大気中において約７５０℃で焼付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成する。
【００２９】
上記のようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、所望の有効誘電体セラミック層の総数によって変わる。
【実施例】
【００３０】
下記に本発明の実施例を例示する。しかし、本発明は、実施例によって制限されるものではない。
実施例１
以下に、本発明の好ましい実施例の一つである単板型のセラミックコンデンサに用いられる誘電体磁器組成物について説明する。
【００３１】
まず、（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物の主成分を作成する。この主成分はＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３を出発原料として、ＢａＣＯ３  ２０ｍｏｌ％、Ｎｄ２Ｏ３  １１ｍｏｌ％、Ｓｍ２Ｏ３  ４ｍｏｌ％、ＴｉＯ２  ６５ｍｏｌ％になるように秤量した後に、水を媒体としてジルコニアビーズを粉砕媒体として用いて３時間湿式混合を行った後に乾燥させた。次いで，この混合体を１１７０℃で２時間仮焼した後に、再度水を媒体としてジルコニアビーズを用いて３時間湿式粉砕した。その後乾燥させて（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３を有する磁器組成物を得た。
【００３２】
この（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物の主成分と、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３及び／又はＬｉ２Ｏ、所望によりＭｇＯからなる出発原料を用いて、焼成後の組成が表１に示す目的組成になるように秤量し、これらを水を媒体としてジルコニアビーズを粉砕媒体として用いて３時間湿式混合した後に乾燥させて粉体を得た。
【００３３】
この混合粉体にアクリル系バインダー（日信化学工業株式会社製  ビニブランＳＢＡ−９２１５Ａ）を固形分で４％添加して造粒した。
【００３４】
このようにして調整された粒体を１６．５ｍｍφの金型に充填し、成型機にて３ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力で成型し、厚さ０．７ｍｍの円板状サンプルを得た。
【００３５】
こうして得られたサンプルを９３０℃で２時間空気中で焼成を行った。これら得られた焼成体磁器組成物の両面にＡｇペーストを印刷し、７５０℃で焼付けして電極を形成した。
【００３６】
こうして得られたサンプルについてＫ値、誘電損失ｔａｎＤを１ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓ（実効電圧）の測定条件で自動ブリッジ式測定器を用いて測定した。尚、Ｑ値は１／ｔａｎＤで表され、ｔａｎＤ＝１０×１０−４でＱ＝１０００となる。つまりｔａｎＤが小さい程Ｑ値は大きくなる。
【００３７】
また、静電容量の温度係数ＴＣ（ｐｐｍ／℃）は、＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣを求めた。
【００３８】
表１は、このようにして得られた各焼成体の単板型コンデンサの特性を表したものであり、×印は本発明の範囲外の比較例を示す。
【００３９】
【表１】
2007055828.tif 000002
【００４０】
表１において、資料番号１〜６は、（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物  １００質量部に対しＳｉＯ２  ２質量部、ＺｎＯ  ２質量部そしてＢ２Ｏ３  ３質量部と一定にして、Ｂｉ２Ｏ３を４〜１７質量部の間で変化させたときのものである。Ｂｉ２Ｏ３が６質量部以上であると，誘電体磁器組成物のＫ値が大きく、ｔａｎＤが小さく，＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。これは９３０℃で十分に焼成できるためであると考えられる。他方，Ｂｉ２Ｏ３が１５質量部以下であると，誘電体磁器組成物のＫ値が大きくなる。
【００４１】
資料番号７〜１１は同様に、ＳｉＯ２の他の成分の組成を一定にしてＳｉＯ２量を変化させたものである。
【００４２】
ＳｉＯ２が１質量部以上であると，誘電体磁器組成物の＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。他方，ＳｉＯ２が５質量部以下であると，誘電体磁器組成物のＫ値が大きくなる。
【００４３】
資料番号１２〜１６は同様にＺｎＯの他の成分の組成を一定にしてＺｎＯ量を変化させたものである。
【００４４】
ＺｎＯが１質量部以上であると，誘電体磁器組成物のｔａｎＤ及び＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが小さくなる。他方，ＺｎＯが５質量部以下であると，誘電体磁器組成物のＫ値が大きく、ｔａｎＤが小さくなる。
【００４５】
資料番号１７〜２０は同様にＭｇＯの他の成分の組成を一定にしてＭｇＯ量を変化させたものである。
【００４６】
ＭｇＯは添加しなくとも良好な電気的特性が得られる。ＭｇＯを添加する場合，３質量部以下であると，誘電体磁器組成物のＫ値が大きく、ｔａｎＤが小さく，＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。一般的に，ＭｇＯを添加することにより、＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣがより小さくなり、安定な生産が期待できる。
【００４７】
資料番号２１〜２７は同様にＢ２Ｏ３の他の成分の組成を一定にしてＢ２Ｏ３量を変化させたものである。Ｂ２Ｏ３の量が０．２質量部以上であると、Ｋ値が大きく、ｔａｎＤが小さく、＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。他方，Ｂ２Ｏ３の量が５質量部以下であると、Ｋ値が大きく、ｔａｎＤが小さくなる。
【００４８】
資料番号２８〜３３はＢ２Ｏ３に換えてＬｉ２Ｏを用い，Ｌｉ２Ｏの他の成分の組成を一定にしてＬｉ２Ｏ量を変化させたものである。Ｌｉ２Ｏの量が２．０質量部以下であると、Ｋ値が大きく、ｔａｎＤが小さくなる。
【００４９】
資料番号３４〜３７はＢ２Ｏ３とＬｉ２Ｏとを併用した例を示す。Ｂ２Ｏ３とＬｉ２Ｏとの合計量は、Ｂ２Ｏ３とＬｉ２Ｏ（Ｌｉ２ＣＯ３に換算）との合計量が５質量部以下であると、Ｋ値が大きく、ｔａｎＤが小さく、＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが±３０ｐｐｍ／℃の範囲となる。
【００５０】
尚、資料番号３、９、１４、２５は、組成を比較しやすくする為、便宜上同じ組成の試料を載せたものである。
【００５１】
実施例２
次に本発明の好ましい第２の実施例として、本発明の誘電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサに使用した例について説明する。
【００５２】
前記説明と同様の手法により（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ３系磁器組成物の主成分と、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３、所望によりＭｇＯからなる出発原料として、その焼成後の組成が表１の試料番号１７になるように秤量した後に、エタノールを媒体としてジルコニアビーズを用いて３時間湿式混合を行った。このようにして得られた混合体にバインダーとしてＰＶＢ（ポリビニールブチラール）を、可塑剤としてフタル酸ベンジルブチルを添加して混合しセラミック・スリップを調整した。このセラミック・スリップをドクターブレード法によってシートを作成し、厚さ１２μｍのグリーンシートを得た。
【００５３】
次にこのセラミック・グリーンシート上にＡｇ９５％：Ｐｄ５％の混合導電ペーストを印刷し内部電極を形成した。これら内部電極が形成された前記セラミック・シートを導電ペースト層が引き出されている列が互い違いになるように所望枚積層して積層体を得る。
【００５４】
このようにして得られた未焼成の積層体を、基材から外し、成型、切断して積層ブロックを作製した後、焼成を行う。
【００５５】
焼成は大気中で９３０℃において２時間行った。焼成後セラミック焼成体の両側にＡｇペーストを塗布し大気中において７５０℃で焼付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
【００５６】
上記のようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅２．０ｍｍ、長さ１．２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍであった。又上記内部電極間に介在する各誘電体セラミック層の厚さは８．５μｍであり、有効誘電体セラミック層の総数は８０層であった。
【００５７】
こうして得られた積層セラミックコンデンサの電気的特性は、静電容量１０，０００ｐＦ、ｔａｎＤが２×１０−４、＋２５℃における静電容量を基準として、２５℃〜＋１２５℃での静電容量のＴＣが−１０ｐｐｍ／℃と良好なものが得られた。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の誘電体磁器組成物は、マイクロ波領域において使用される種々の誘電体共振器や温度補償用誘電体材料、積層セラミックコンデンサとして用いることができる。