(57)【要約】【課題】基板の外部から容易に改質層の形成状態を検査することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】第１基板１１に形成された複数の液晶表示パネル２０ごとに切断すべき位置に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上であって、第１基板１１の少なくとも一方の面に、レーザ光４４の照射によって態様が変化する検査マークＭ１を形成する基板製造工程（図５（ａ））と、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って、少なくとも検査マークＭ１が形成された第１基板１１の表面部にレーザ光４４が照射されるように、第１基板１１に向けてレーザ光４４を照射し、第１基板１１の内部に改質層Ｒを形成するレーザ照射工程（図５（ｂ））と、検査マークＭ１の態様の変化を検査する検査工程（図５（ｃ））とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数の機能部ごとに切断すべき位置に設けられた切断予定ライン上であって、前記基板の少なくとも一方の面に、レーザ光の照射によって態様が変化する薄膜を形成する基板製造工程と、
前記切断予定ラインに沿って、少なくとも前記薄膜が形成された前記基板の表面部に前記レーザ光が照射されるように、前記基板に向けて前記レーザ光を照射し、前記基板の内部に改質層を形成するレーザ照射工程と、
前記薄膜の前記レーザ光の照射による態様の変化を検査する検査工程と、を含むことを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記基板の機能部が形成された領域以外の領域であって、前記基板の周縁部に前記薄膜を形成することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のレーザスクライブ方法において、
前記検査工程は、前記レーザ照射工程と同時期に行うことを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記レーザ光の照射によってレーザ痕が形成される前記薄膜を形成し、
前記検査工程では、前記レーザ痕による前記薄膜の態様の変化を検査する、ことを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、導電性材料で前記薄膜を形成し、
前記検査工程では、前記レーザ痕を挟んだ前記薄膜間の電気的特性の変化を検査する、ことを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記切断予定ライン毎に前記薄膜を形成するとともに、複数形成された前記薄膜を電気的に接続するパターンを形成し、
前記検査工程では、前記レーザ痕で区画された前記薄膜間の電気的特性の変化を検査する、ことを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記検査工程では、前記薄膜の態様の変化の有無を判断する判断工程を有し、
前記判断工程において、前記薄膜の態様に変化があると判断された場合に、前記基板に外力を与えて切断し、前記機能部毎に分割する基板切断工程を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記判断工程において、前記薄膜の態様に変化がないと判断された場合に、前記基板を保留又は、再度前記レーザ照射工程を行うことを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって分割されたことを特徴とする機能部としての電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を照射して基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。この方法では、基板の内部にレーザ光を集光させ、当該集光点の部分に改質層を形成した後、基板に外力を加えることにより、改質層を起点として基板を切断するというものである。改質層の形成方法としては、例えば、特許文献１に示すように、基板に設けられた切断予定ラインに対して基板の厚み方向に集光点の位置を変え、複数回のレーザ光走査を行って、複数の改質層を重ねて形成する方法が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２０５１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、改質層は、ほぼ基板の内部に形成されるので、基板の外部から基板に改質層が形成されたか否かを容易に知ることができなかった。また、改質層が十分に形成されずに基板を切断すると、チッピング等の発生により、基板に損傷を与えるおそれがあった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、基板の外部から容易に改質層の形成状態を検査することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、基板に形成された複数の機能部ごとに切断すべき位置に設けられた切断予定ライン上であって、前記基板の少なくとも一方の面に、レーザ光の照射によって態様が変化する薄膜を形成する基板製造工程と、切断予定ラインに沿って、少なくとも薄膜が形成された基板の表面部にレーザ光が照射されるように、基板に向けてレーザ光を照射し、基板の内部に改質層を形成するレーザ照射工程と、薄膜のレーザ光の照射による態様の変化を検査する検査工程とを含むことを要旨とする。
【０００７】
本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基板の切断予定ライン上であって、基板の面に薄膜が形成され、レーザ光が照射されると、薄膜の態様が変化する。従って、薄膜の態様の有無を検査することにより、改質層の形成状態を代替として容易に検査することができる。
【０００８】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、基板の機能部が形成された領域以外の領域であって、基板の周縁部に薄膜を形成してもよい。
【０００９】
これによれば、薄膜は、基板の周縁部に形成されるので、基板の機能部分のレイアウトに制限することなく、基板を製造することができる。
【００１０】
本発明のレーザスクライブ方法の検査工程は、レーザ照射工程と同時期に行ってもよい。
【００１１】
これによれば、レーザ照射工程において、薄膜の態様の変化を検査することにより、作業効率を向上させるとともに、早期に不具合を発見することができる。
【００１２】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、レーザ光の照射によってレーザ痕が形成される前記薄膜を形成し、検査工程では、レーザ痕による薄膜の態様の変化を検査してもよい。
【００１３】
これによれば、レーザ光が照射されると、薄膜にレーザ痕が形成される。従って、レーザ光の照射の後で、当該薄膜にレーザ痕が形成されているか否かを確認すれば、容易に改質層の形成状態を検査することができる。
【００１４】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、導電性材料で薄膜を形成し、検査工程では、レーザ痕を挟んだ薄膜間の電気的特性の変化を検査してもよい。
【００１５】
これによれば、薄膜が導電性材料で形成されるので、切断予定ラインに沿ってレーザ光が照射され、薄膜にレーザ痕が形成されると、切断予定ラインを挟んだ薄膜間の電気的抵抗値が変化する。従って、電気的抵抗値の変化を検査することにより、容易に改質層の形成状態を検査することができる。
【００１６】
本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、切断予定ライン毎に薄膜を形成するとともに、複数形成された薄膜を電気的に接続するパターンを形成し、検査工程では、レーザ痕によって区画された薄膜間の電気的特性の変化を検査してもよい。
【００１７】
これによれば、基板に設けられた切断予定ライン毎に、互いに電気的に接続された薄膜が形成されるので、切断予定ラインに沿ってレーザ光が照射され、薄膜にレーザ痕が形成されると、薄膜間の電気的抵抗値が変化する。従って、基板を一括して電気的抵抗値の変化を検査することにより、検査作業の効率を向上させることができる。
【００１８】
本発明のレーザスクライブ方法の検査工程では、薄膜の態様の変化の有無を判断する判断工程を有し、判断工程において、薄膜の態様に変化があると判断された場合に、基板に外力を与えて切断し、機能部毎に分割する基板切断工程を有してもよい。
【００１９】
これによれば、薄膜の態様の変化があると判断された基板、すなわち、レーザ照射され改質層が形成された基板が切断されるので、切断したときに、チッピングの発生を抑えることができる。
【００２０】
本発明のレーザスクライブ方法の判断工程において、薄膜の態様に変化がないと判断された場合に、基板を保留又は、再度レーザ照射工程を行ってもよい。
【００２１】
これによれば、薄膜の態様の変化がないと判断された基板、すなわち、レーザ照射が不十分で改質層が適正に形成されていない可能性が高い基板を保留することにより、良品基板と確実に識別することができる。また、薄膜の態様の変化がないと判断された基板をレーザ照射することによりリペアすることができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置は、上記のレーザスクライブ方法によって分割されたことを要旨とする。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置によれば、薄膜の態様の変化に基づいて分割されるので、チッピング等のない品質の高い電気光学装置を提供することができる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を搭載したとことを要旨とする。
【００２５】
これによれば、品質の高い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した第１及び第２実施形態について図面に従って説明する。
【００２７】
[第１実施形態]
まず、第１実施形態について説明する。
【００２８】
（マザー基板の構成）
まず、マザー基板の構成について説明する。図１は、マザー基板の構成を示し、図１（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
【００２９】
図１（ａ），（ｂ）において、マザー基板１０は、ウエハ形状であり、第１基板１１と第２基板１２とが接着され、複数の機能部としての液晶表示パネル２０で構成されている。１つの液晶表示パネル２０は、液晶表示パネル２０ごとに切断すべき位置であって、第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って切断して、マザー基板１０から分割される。
【００３０】
マザー基板１０の液晶表示パネル２０が形成された領域以外の領域であって、第１基板１１の周縁部の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上に薄膜としての検査マークＭ１が形成されている。検査マークＭ１は、レーザ光が照射により、態様が変化する薄膜であり、それぞれの切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに対応して形成されている。
【００３１】
（機能部の構成）
次に、機能部の構成について説明する。図２は、機能部としての液晶表示パネルの構成を示し、図２（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断面図を示す。
【００３２】
図２において、液晶表示パネル２０は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）素子２３を有する第１基板１１と、対向電極２６を有する第２基板１２と、シール材２４によって接着された両基板１１，１２の隙間に充填された液晶材２５とを備えている。第１基板１１は第２基板１２より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっており、当該張り出した第１基板１１の面には、パターンとしての端子部１１ａが形成されている。
【００３３】
第１基板１１は、厚みおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴＦＴ素子２３が形成されている。ＴＦＴ素子２３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１１ａに形成されたデータ線駆動回路部２９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部３３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３の入力側配線は、端子部１１ａに沿って配列した実装端子３１にそれぞれ接続されている。端子部１１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部３３を繋ぐ配線３２が設けられている。
【００３４】
第２基板１２は、厚みおよそ１．２〜１．１ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極２６が設けられている。対向電極２６は、第２基板１２の四隅に設けられた上下導通部３４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、当該配線も端子部１１ａに設けられた実装端子３１に接続されている。
【００３５】
液晶材２５に面する第１基板１１の表面および第２基板１２の表面には、それぞれ配向膜２７，２８が形成されている。
【００３６】
液晶表示パネル２０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子３１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３に入力されることにより、ＴＦＴ素子２３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極２６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００３７】
（レーザ照射装置の構成）
次に、マザー基板１０に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿ってレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に改質層を形成するためのレーザ照射装置の構成について説明する。
【００３８】
図３は、レーザ照射装置の構成を示す模式図である。図３において、レーザ照射装置４０は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源４１と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー４２と、反射したパルスレーザ光を集光する集光手段としての集光レンズ４３とを備えている。また、基板１０を載置するステージ４７と、ステージ４７を集光レンズ４３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部４８およびＹ軸スライド部５１とを備えている。また、ステージ４７に載置された基板１０に対して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調整する調整手段としてのＺ軸スライド機構５４を備えている。さらに、ダイクロイックミラー４２を挟んで集光レンズ４３と反対側に位置する撮像装置５５を備えており、第１基板１１の面に形成された薄膜を撮像することができる。
【００３９】
レーザ照射装置４０は、上記各構成を制御するメインコンピュータ６０を備えており、メインコンピュータ６０には、ＣＰＵや各種メモリーの他に撮像装置５５が撮像した画像情報を処理する画像処理部６１を有している。撮像装置５５は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ４３を透過して焦点を結ぶ。
【００４０】
メインコンピュータ６０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部６３とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６４が接続されている。また、レーザ光源４１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６６と、Ｚ軸スライド機構５４を駆動して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部６７とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１をそれぞれレール６８，６９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部７０が接続されている。
【００４１】
集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構５４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部６７は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置５５の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板１０の表面と合うように集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させれば、基板１０の厚みを計測することが可能である。
【００４２】
レーザ光源４１は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。
【００４３】
集光レンズ４３は、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Working  Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ４３はＺ軸スライド機構５４から延びたスライドアーム５４ａによって支持されている。
【００４４】
なお、本実施形態では、ステージ４７は、Ｙ軸スライド部５１に支持されているが、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部４８に支持される形態としてもよい。また、ステージ４７をθテーブル（図示せず）を介してＹ軸スライド部５１に支持することが好ましい。これによれば、基板１０を光軸４１ａに対してより垂直な状態とすることが可能である。
【００４５】
（レーザスクライブ方法）
次に、レーザスクライブ方法について説明する。図４は、第１実施形態におけるレーザスクライブ方法を示すフローチャート図である。図５は、第１実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す模式図である。
【００４６】
図４のステップＳ１では、基板製造を行う。当該基板製造工程では、図５（ａ）に示すように、第１基板１１にＴＦＴ素子２３等を形成し、第１基板１１の面にシール材２４を形成した後、当該シール材２４で区画された領域に液晶材２５を塗布する。一方、第２基板１２には、共通電極２６等を形成する。そして、両基板１１，１２を対向して配置し、シール材２４の接着力によって両基板１１，１２を接着する。さらに、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上であって、第１基板１１のＴＦＴ素子２３が形成された面に検査マークＭ１を形成する。検査マークＭ１は、液晶パネル２０が形成された領域以外の領域であって、第１基板１１の周縁部に形成される（図１参照）。
【００４７】
検査マークＭ１は、レーザ光の照射によって態様が変化する材質よって形成され、例えば、ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂等を用いることができる。また、検査マークＭ１の形成方法としては、例えば、インクジェット法、印刷法、フォトリソグラフィ法等を用いて形成することができる。なお、検査マークＭ１は、必ずしも第１基板１１と第２基板１２とを接着した後に形成する必要はなく、第１基板１１の形成過程で形成してもよい。
【００４８】
図４のステップＳ２では、第１基板１１に向けてレーザ照射する。当該レーザ照射工程では、図５（ｂ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、第１基板１１のＴＦＴ素子２３等が形成された第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を照射する。レーザ光４４は、第１基板１１の第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２の近傍に集光点が設定され、第２の面Ｓ２に平行方向であって、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って照射しながら走査する。その後、集光点の位置が第１の面Ｓ１に近づくようにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光４４を照射させながら切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って走査する。そして、さらにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、検査マークＭ１が形成された第１の面Ｓ１に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿った改質層Ｒが形成される。
【００４９】
照射工程において、第１の面Ｓ１までレーザ光４４が照射されると、図５（ｂ）に示すように、検査マークＭ１にレーザ痕Ｈ１が形成される。レーザ痕Ｈ１は、レーザ光４４が走査された個所に形成され、検査マークＭ１におけるレーザ痕Ｈ１が形成された領域とレーザ痕Ｈ１以外の領域では、レーザ光４４の照射の有無により態様が異なっている。
【００５０】
図４のステップＳ３では、検査マークＭ１を検査する。当該検査工程では、図５（ｃ）に示すように、検査マークＭ１の態様の変化を検査する。具体的には撮像装置５５が検査マークＭ１の上方に位置するように、ステージ４７を相対移動させた後に、検査マークＭ１を撮像する。撮像された情報データは、メインコンピュータ６０に送信され、画像処理部６１で画像処理される。なお、検査工程にける検査マークＭ１の撮像は、レーザ光４４の照射と同時期に行うこともできる。
【００５１】
図４のステップＳ４では、検査マークＭ１の態様の変化を判断する。当該判断工程においては、予め設定された基準となる画像データをもとに、レーザ痕Ｈ１の形成によって、検査マークＭ１の態様が変化したか否かを判断される。
【００５２】
図４のステップＳ５では、ステップＳ４でＹＥＳの場合に、マザー基板１０を切断する。当該切断工程では、図５（ｄ）に示すように、マザー基板１０に外力を与える。外力が与えられると、第１基板１１の内部に形成された改質層Ｒに応力が生じ、改質層Ｒに倣って第１基板１１が切断され、図５（ｅ）に示すように、液晶表示パネル２０ごとに分割される。
【００５３】
図４のステップＳ６では、ステップＳ４のＮＯの場合に、マザー基板１０の加工を一旦保留し、検査マークＭ１に態様の変化が有りと判断されたマザー基板１０と識別する。検査マークＭ１に態様の変化が無しと判断されたマザー基板１０は、レーザ光４４が適正に照射されていない可能性が高いため、この状態でマザー基板１０を切断すると、チッピング等の不具合が生じるおそれがあるからである。保留されたマザー基板１０は、その後、生産性、信頼性を考慮して、リペアすべく、ステップＳ２のレーザ照射に移行することもできる。
【００５４】
（電気光学装置の構成）
電気光学装置としての液晶表示パネル２０の構成については、上記に説明した機能部としての液晶表示パネル２０の構成の内容と同じため説明を省略する（図２参照）。
【００５５】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図６は、電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図である。図６において、プロジェクタ８０を構成する光学系に液晶表示パネル２０が搭載されている。
【００５６】
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００５７】
（１）第１基板１１の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上であって、第１基板１１の第１の面Ｓ１に形成された検査マークＭ１にレーザ光４４が照射されると、検査マークＭ１にレーザ痕Ｈ１が形成される。そして、検査マークＭ１は、撮像装置５５によって撮像され、レーザ痕Ｈ１の有無が検査される。従って、検査マークＭ１のレーザ痕Ｈ１の有無を検査することにより、レーザ光４４の照射によって第１基板１１の内部に形成された改質層の形成状態の検査の代替として、第１基板１１の外部から容易に検査することができる。
【００５８】
（２）検査マークＭ１は、液晶表示パネル２０が形成されている領域以外の領域であって、第１基板１１の周縁部に形成されるので、設計レイアウトが制限されず、第１基板１１を有効に使用することができる。
【００５９】
（３）検査マークＭ１にレーザ痕Ｈ１が形成されたか否かを判断することにより、切断すべきマザー基板１０と保留すべきマザー基板１０とが識別されるので、不具合品の発生を抑えることができる。
【００６０】
[第２実施形態]
次に、第２実施形態について説明する。なお、機能部としての液晶表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成、電気光学装置の構成、電子機器の構成については、第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００６１】
（マザー基板の構成）
まず、マザー基板の構成について説明する。図７は、マザー基板の構成を示し、図１（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
【００６２】
図７（ａ），（ｂ）において、マザー基板１０は、ウエハ形状であり、第１基板１１と第２基板１２とが接着され、複数の機能部としての液晶表示パネル２０で構成されている。１つの液晶表示パネル２０は、液晶表示パネル２０ごとに切断すべき位置であって、第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って切断して、マザー基板１０から分割される。
【００６３】
マザー基板１０に形成された液晶表示パネル２０以外の領域であって、第１基板１１の周縁部の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上に薄膜としての検査マークＭ２が形成されている。検査マークＭ２は、レーザ光が照射により、態様が変化する薄膜であり、それぞれの切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上に形成された検査マークＭ２が互いに接続され、連なった形状で形成されている。
【００６４】
（レーザスクライブ方法）
次に、レーザスクライブ方法について説明する。図８は、第２実施形態におけるレーザスクライブ方法を示すフローチャート図である。図９は、第２実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す模式図である。
【００６５】
図８のステップＳ１では、基板製造を行う。当該基板製造工程では、図９（ａ）に示すように、第１基板１１にＴＦＴ素子２３等を形成し、第１基板１１の面にシール材２４を形成した後、当該シール材２４で区画された領域に液晶材２５を塗布する。一方、第２基板１２には、共通電極２６等を形成する。そして、両基板１１，１２を対向して配置し、シール材２４の接着力によって両基板１１，１２を接着する。さらに、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上であって、第１基板１１のＴＦＴ素子２３が形成された面に検査マークＭ２を形成する。検査マークＭ２は、液晶表示パネル２０が形成された領域以外の領域であって、第１基板１１の周縁部に連なって形成される（図７参照）。
【００６６】
検査マークＭ２は、レーザ光の照射によって態様が変化するとともに導電性の材質よって形成される。また、検査マークＭ２の形成方法としては、例えば、インクジェット法、印刷法、フォトリソグラフィ法等を用いて形成する。なお、検査マークＭ２は、必ずしも第１基板１１と第２基板１２とを接着した後に形成する必要はなく、第１基板１１の形成過程で形成してもよい。
【００６７】
図８のステップＳ２では、第１基板１１に向けてレーザ照射する。当該レーザ照射工程では、図９（ｂ）に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、第１基板１１のＴＦＴ素子２３等が形成された第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を照射する。レーザ光４４は、第１基板１１の第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２の近傍に集光点が設定され、第２の面Ｓ２に平行方向であって、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って照射しながら走査する。その後、集光点の位置が第１の面Ｓ１に近づくようにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光４４を照射させながら切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って走査する。そして、さらにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、検査マークＭ２が形成された第１の面Ｓ１に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿った改質層Ｒが形成される。
【００６８】
照射工程において、第１の面Ｓ１までレーザ光４４が照射されると、図９（ｂ）に示すように、検査マークＭ２にレーザ痕Ｈ２が形成される。レーザ痕Ｈ２は、レーザ光４４が走査された個所に形成され、検査マークＭ２におけるレーザ痕Ｈ２が形成された領域とレーザ痕Ｈ２以外の領域では、レーザ光４４の照射の有無により態様が異なっている。
【００６９】
図８のステップＳ３では、検査マークＭ２における電気的特性を検査する。当該検査工程では、図９（ｃ）に示すように、検査マークＭ２のレーザ痕Ｈ２を挟んだ検査マークＭ２ａと検査マークＭ２ｂとの間の電気的特性を検査する。例えば、テスタ７８の一方のテスタ端子７８ａを検査マークＭ２ａに接続し、他方のテスタ端子７８ｂを検査マークＭ２ｂに接続させ、両テスタ端子７８ａ，７８ｂ間の導通を検査する。なお、当該電気的特性の検査は、レーザ光４４の照射と同時期に行うこともできる。
【００７０】
図８のステップＳ４では、検査マークＭ２における両テスタ端子７８ａ，７８ｂ間の電気的特性の変化の有無を判断する。当該判断工程においては、予め設定された基準となる電気的特性データをもとに判断される。
【００７１】
図８のステップＳ５では、ステップＳ４でＹＥＳの場合に、マザー基板１０を切断する。当該切断工程では、図９（ｄ）に示すように、マザー基板１０に外力を与える。外力が与えられると、第１基板１１の内部に形成された改質層Ｒに応力が生じ、改質層Ｒに倣って第１基板１１が切断され、図９（ｅ）に示すように、液晶表示パネル２０ごとに分割される。
【００７２】
図８のステップＳ６では、ステップＳ４のＮＯの場合に、マザー基板１０の加工を一旦保留し、検査マークＭ２に態様の変化が有りと判断されたマザー基板１０と識別する。検査マークＭ２に態様の変化が無しと判断されたマザー基板１０は、レーザ光４４が適正に照射されていない可能性が高いため、この状態でマザー基板１０を切断すると、チッピング等の不具合が生じるおそれがあるからである。保留されたマザー基板１０は、その後、生産性、信頼性等を考慮して、リペアすべく、ステップＳ２のレーザ照射に移行することもできる。
【００７３】
従って、上記の第２実施形態によれば、第１実施形態における効果に加え、以下に示す効果がある。
【００７４】
第１基板１１の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上であって、第１基板１１の第１の面Ｓ１に導電性材料を用いて形成された検査マークＭ２にレーザ光４４が照射されると、検査マークＭ２にレーザ痕Ｈ２が形成される。そして、検査マークＭ２は、テスタ７８を用いて、検査マークＭ２のレーザ痕Ｈ２を挟んだ検査マークＭ２ａ，Ｍ２ｂ間の導通が検査される。従って、導通検査することにより、レーザ光４４が照射によって第１基板１１の内部に形成された改質層Ｒの形成状態の検査の代替として第１基板１１の外部から容易に検査することができる。
【００７５】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００７６】
（変形例１）第１実施形態の検査工程において、撮像装置５５を用いて検査マークＭ１を撮像したが、これに限定されない。例えば、外観目視で検査マークＭ１を検査してもよい。このようにしても、検査マークＭ１のレーザ痕Ｈ１の有無を検査することができる。
【００７７】
（変形例２）第１実施形態の検査工程において、撮像装置５５を用いて検査マークＭ１を撮像したが、これに限定されない。例えば、表面粗さ計を用いて、検査マークＭ１の表面を計測してもよい。このようにしても、検査マークＭ１の表面の粗さでレーザ痕Ｈ１の有無を検査することができる。
【００７８】
（変形例３）第１実施形態の基板製造工程では、検査マークＭ１を切断予定ラインＤｘ，Ｄｙのそれぞれに形成したが、これに限定されない。例えば、第２実施形態の検査マークＭ２の形状のように連なって形成してもよい。このようにしても、検査マークＭ１のレーザ痕Ｈ１の有無を検査することができる。
【００７９】
（変形例４）第１及び第２実施形態では、第１基板１１の一の面にのみ検査マークＭ１，Ｍ２を形成したが、これに限定されない。例えば、他の面にも検査マークＭ１，Ｍ２を形成し、第１基板１１の両面に形成された検査マークＭ１，Ｍ２を検査してもよい。このようにすれば、検査精度が向上するので、品質の高い液晶表示パネル２０を提供することができる。
【００８０】
（変形例５）第１及び第２実施形態では、それぞれの切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上に検査マークＭ１，Ｍ２を形成したが、これに限定されない。特定の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙ上にのみ検査マークＭ１，Ｍ２を形成してもよい。このようにすれば、基板製造工程における工数を削減することができる。
【００８１】
（変形例６）第１及び第２実施形態の検査工程では、全ての検査マークＭ１，Ｍ２を検査したが、これに限定されない。例えば、特定個所に形成された検査マークＭ１，Ｍ２のみを検査してもよい。このようにすれば、検査工程における工数を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】第１実施形態におけるマザー基板の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図２】機能部および電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図３】レーザ照射装置の構成を示す模式図。
【図４】第１実施形態におけるレーザスクライブ方法を示すフローチャート図。
【図５】第１実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す模式図。
【図６】電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図。
【図７】第２実施形態におけるマザー基板の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図８】第２実施形態におけるレーザスクライブ方法を示すフローチャート図。
【図９】第２実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す模式図。
【符号の説明】
【００８３】
１０…マザー基板、１１…第１基板、１２…第２基板、２０…機能部および電気光学装置としての液晶表示パネル、４０…レーザ照射装置、４４…レーザ光、５５…撮像装置、６０…メインコンピュータ、６１…画像処理部、７８…テスタ、７８ａ，７８ｂ…テスタ端子、８０…電子機器としてのプロジェクタ、Ｓ１…第１の面、Ｓ２…第２の面、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ２ａ，Ｍ２ｂ…検査マーク、Ｈ１，Ｈ２…レーザ痕、Ｒ…改質層、Ｄｘ，Ｄｙ…切断予定ライン。
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図８】
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【図１】
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【図５】
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【図７】
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【図９】
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