(57)【要約】【課題】  均熱板の材質を改善し、不純物の混入の少ない半導体結晶を成長することが可能な半導体製造装置を提供すること。【解決手段】  加熱した半導体基板４上に原料ガス１５を流し、半導体基板４上に半導体結晶を気相成長する半導体製造装置において、半導体基板４を均一に熱するために、半導体基板４に隣接して、加熱源との間に均熱板７をセットし、この均熱板７の材質に炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱した基板上に原料ガスを流し、基板上に半導体結晶を気相成長する気相成長装置において、
基板を均一に熱するために、基板と加熱源との間に均熱板をセットし、この均熱板の材質に炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
加熱した基板上にIII族およびＶ族原料ガス、ドーピング原料及びキャリアガスを供給し、基板上に化合物半導体結晶を気相成長する気相成長装置において、
基板を均一に熱するために、基板と加熱源との間に均熱板をセットし、この均熱板の材質に炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする気相成長装置。
【請求項３】
原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の壁の一部として板状のサセプタを設け、このサセプタに設けた開口部内に気相エピタキシャル成長の対象である基板を、その表面を反応管の内側に向けて支持すると共に、前記開口部内に基板の裏面と加熱源との間に均熱板をはめ込んだ気相成長装置において、
均熱板の材質に炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする気相成長装置。
【請求項４】
原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の壁の一部として回転する板状の公転サセプタを設け、この公転サセプタに開けた開口部内に自転サセプタを挿入し、この自転サセプタ内に、半導体基板をその成長面を下向きにして支持すると共に、半導体基板を加熱する加熱源に面するように前記自転サセプタ内に均熱板をはめ込んだ気相成長装置において、
均熱板の材質として炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする気相成長装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置において、
前記サセプタの材質として炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする気相成長装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体製造装置において、
前記基板と前記均熱板を接触させたことを特徴とする気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置、特に均熱板の材質に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体薄膜結晶の成長方法の一つに気相成長法がある。気相成長法では、原料としてガスを使用し、加熱された半導体基板上に原料ガスを流し、半導体基板の表面に半導体結晶を成長させる。原料としてガスを使用するため、厚さ数ｎｍという超薄膜を成長できるという特長がある。また、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）のような超高真空を必要としないため、量産性に優れているという特長もある。
【０００３】
ここで従来の主なＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長）装置が採用している反応炉を構成する方式を図１０に示す。図１０（ａ）はサセプタ３１の角錐斜面に半導体基板４を保持したバレル型、図１０（ｂ）はガスが反応管２の一側から他側に向かって一方向に流れ且つ半導体基板４がサセプタ３２の開口部内にフェイスダウンで設けられるタイプ（横型フェイスダウン）、図１０（ｃ）は上から下に向かうガスがサセプタ３３の中央から半径方向外側に流れ且つ半導体基板４がサセプタ３３の開口部内にフェイスアップで設けられるタイプ（自転公転型フェイスアップ）、そして図１０（ｄ）は下から上に向かうガスがサセプタ３４中央から半径方向外側に流れ且つ半導体基板４がサセプタ３４の開口部内にフェイスダウンで設けられるタイプ（自転公転型フェイスダウン）を示す。
【０００４】
これらの反応炉内で、半導体基板４をセットする部分周辺には主にカーボン・石英等の治具が用いられている。また図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）に示すように、半導体基板４を均一に熱するために、基板に隣接して均熱板７と呼ぶ治具がセットされる。
【０００５】
図５に従来技術の自転公転型フェイスダウン式の反応炉１の構成を示す。これは加熱装置で加熱され且つIII族およびＶ族原料ガスが流通する反応管２内にガス流路の上部壁の一部を構成するように回転する板状の公転サセプタ３を設け、この公転サセプタ３に設けた開口部１３内に自転サセプタ５を挿入し、この自転サセプタ５内に半導体基板４をその表面（成長面）を下向きにして支持すると共に、半導体基板を加熱する加熱源たるヒータ１２に面するように自転サセプタ５内に均熱板７をはめ込んだエピタキシャル装置として構成されている。
【０００６】
自転サセプタ５は円筒形であり、上端には外周に歯型が形成された外向フランジを有し、下端には半導体基板の支持する手段として３本の内向ツメ６を有する。半導体基板４は表面を下向きにして、この自転サセプタ５内に収納され下端の内向ツメ６に保持される。自転サセプタ５は、その外向フランジの部分にて、公転サセプタ３にベアリング１４を介して載っていて、回転自在に支持されている。自転サセプタ５の外向フランジの外周には小歯車の歯８が加工されており、公転サセプタ３の外周側に配設された内歯車（大歯車）９の歯と噛み合っている。
【０００７】
公転サセプタ３は中心部に接続された軸１０をモーター１１によって回転させることで回転する。公転サセプタ３が回転すると、自転サセプタ５も内歯車９と噛み合っているため、回転する。つまり、半導体基板４は公転と自転を行うことになる。
【０００８】
原料ガス１５は、図５のように公転サセプタ３の中心部の原料導入口２ａより、下方から上方に向けて導入され、公転サセプタ３の中心から半導体基板４の表面に沿って半径方向外側に向かって流れ、ガス排出口２ｂより出る。その間に、ヒータ１２によって加熱された半導体基板４上で熱分解し、結晶成長が行われる。半導体基板４が公転及び自転しているため、半導体基板４上に高均一の半導体結晶を成長することができる。
【０００９】
従来技術では、図６に拡大して示すように、半導体基板４は自転サセプタ５の下端に設けられた内向ツメ６で保持されている。その際、半導体基板４と自転サセプタ５との間には１ｍｍ程度の遊びが設けられている。そして半導体基板４は、半導体基板内の温度を均一にするために、グラファイト製の均熱板７で覆われている。
【００１０】
成長する結晶の純度には、これら治具の純度も影響を及ぼす。そこで、従来、基板がセットされる部分周辺の治具の表面、例えば均熱板７の表面に、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートして、炉内および治具自体に残存する不純物が、成長する結晶に影響を及ぼさないようにすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２４３３１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１は、均熱板の材質として炭化珪素を使用することについては開示がない。
【００１２】
従来技術の反応炉は、図５のような装置構成であり、公転サセプタ３、自転サセプタ５及び均熱板７に、高純度グラファイトが使用される。半導体結晶は不純物の混入に敏感であり、不純物の混入により特性が劣化してしまうため、気相成長装置では、高純度で耐久性に優れた高純度グラファイトを使用している。
【００１３】
高純度グラファイトには重金属等の不純物はほとんど含まれていないが、気孔性が高いため脱ガスが発生しやすいという短所がある。そこで従来の気相成長法では、成長を繰り返すことで、図７に示すように、高純度グラファイトからなる部位の表面、つまり公転サセプタ３、自転サセプタ５及び内歯車９の下面を、半導体結晶の堆積物１６で覆い、高純度グラファイト表面からの脱ガスを抑制し、不純物の混入を抑えた良質な半導体結晶を得ている。
【００１４】
しかしながら、従来技術では、高純度グラファイト製の均熱板７には半導体結晶を堆積させないため、図８（ａ）（ｂ）に矢印で示すように、均熱板７からの脱ガス１７が、自転サセプタ５と半導体基板４に隙間１８から半導体基板４の表面に回り込んでしまう。このため、半導体基板４に成長する半導体結晶の特性が劣化してしまうという問題点がある。
【００１５】
不純物混入の影響を調べるため、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（アルミニウムガリウム砒素）結晶を気相成長し、光学特性であるフォトルミネッセンス強度を調べた。ちなみに、フォトルミネッセンスとは、半導体結晶にレーザー光線を照射した時に半導体結晶が発光する光のことであり、発光を阻害するような不純物が存在するとフォトルミネッセンス強度が低くなる。半導体基板４の直径は７６ｍｍである。Ａｌ（アルミニウム）原料にはＡｌ（ＣＨ3）3（トリメチルアルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）原料にはＧａ（ＣＨ3）3（トリメチルガリウム）、Ａｓ（砒素）原料にはＡｓＨ3（アルシン）を用いた。
【００１６】
結果を図９に示す。横軸は基板中心からの距離であり、単位はｍｍである。縦軸はフォトルミネッセンス強度であり、単位は任意である。図から、半導体基板４の周辺部でフォトルミネッセンス強度が低くなっており、フォトルミネッセンスを阻害するような不純物が混入していることがわかる。フォトルミネッセンスを阻害するような不純物が混入すると、レーザーダイオードや発光ダイオードといった発光素子の特性が劣化してしまうという問題がある。
【００１７】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、均熱板の材質を改善し、不純物の混入の少ない半導体結晶を成長することが可能な気相成長装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１９】
請求項１の発明に係る気相成長装置は、加熱した基板上に原料ガスを流し、基板上に半導体結晶を気相成長する気相成長装置において、基板を均一に熱するために、基板と加熱源との間に均熱板をセットし、この均熱板の材質に炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする。
【００２０】
ここでガス不透過性のカーボンとは、例えば東海カーボン株式会社製の商品名「グラッシーカーボン」などを指す。
【００２１】
請求項２の発明に係る気相成長装置は、加熱した基板上にIII族およびＶ族原料ガス、ドーピング原料及びキャリアガスを供給し、基板上に化合物半導体結晶を気相成長する気相成長装置において、基板を均一に熱するために、基板と加熱源との間に均熱板をセットし、この均熱板の材質に炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする。
【００２２】
請求項１、２の発明は、均熱板を用いた反応炉であれば、その全てに適用がある。すなわち、本発明は、基板が自転するか又は公転するか又は静止したままであるかの別を問わず、また基板をフェイスダウン又はフェイスアップのいずれで設けるかを問わず、さらには原料ガスをサセプタの直径方向に流すか又は半径方向に流すかの別を問わずに、適用することができる。従って、プラズマＣＶＤ装置において半導体基板の載置台として兼用されるところの、均熱板などにも適用することができるものである。
【００２３】
本発明を適用できる代表的な反応炉のタイプとしては、（１）ガスが反応管の一側から他側に向かって一方向に流れ且つ基板がフェイスダウンで設けられるタイプ（図１０（ｂ））の他に、（２）上から下に向かうガスがサセプタ中央から半径方向外側に流れ且つ基板がフェイスアップで設けられるタイプ（図１０（ｃ））及び（３）下から上に向かうガスがサセプタ中央から半径方向外側に流れ且つ基板がフェイスダウンで設けられるタイプ（図１０（ｄ））がある。
【００２４】
また、均熱板のタイプとしては、（１）サセプタの開口部内に入り込み基板と共に開口部下部の内向フランジで支持される構成のものと、（２）均熱板と基板との厚さの和がサセプタより厚くなるようにし、且つ均熱板の基板と接触しない面側に外周を半径方向に広げたつば状部を形成し、該つば状部により基板とサセプタ間の隙間を覆う構成のものをも含む。
【００２５】
請求項３の発明に係る気相成長装置は、原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の壁の一部として板状のサセプタを設け、このサセプタに設けた開口部内に気相エピタキシャル成長の対象である基板を、その表面を反応管の内側に向けて支持すると共に、前記開口部内に基板の裏面と加熱源との間に均熱板をはめ込んだ気相成長装置において、均熱板の材質に炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする。
【００２６】
請求項３の発明における反応炉のタイプとしては、（１）ガスが反応管の一側から他側に向かって一方向に流れ且つ基板がフェイスダウンで設けられるタイプ（図１０（ｂ））の他に、（２）上から下に向かうガスがサセプタ中央から半径方向外側に流れ且つ基板がフェイスアップで設けられるタイプ（図１０（ｃ））及び（３）下から上に向かうガスがサセプタ中央から半径方向外側に流れ且つ基板がフェイスダウンで設けられるタイプ（図１０（ｄ））を含む。
【００２７】
請求項４の発明に係る気相成長装置は、原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の壁の一部として回転する板状の公転サセプタを設け、この公転サセプタに開けた開口部内に自転サセプタを挿入し、この自転サセプタ内に、半導体基板をその成長面を下向きにして支持すると共に、半導体基板を加熱する加熱源に面するように前記自転サセプタ内に均熱板をはめ込んだ気相成長装置において、均熱板の材質として炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする。
【００２８】
請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の気相成長装置において、前記サセプタの材質として炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いたことを特徴とする。
【００２９】
請求項５の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の気相成長装置において、前記基板と前記均熱板を接触させたことを特徴とする。
【００３０】
本発明は、上記請求項２〜６のいずれかに記載の気相成長装置において、III−Ｖ族化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる気相成長装置として構成し、半導体基板としてＧａＡｓ（ガリウム砒素）を用い、Ｖ族原料として、ＡｓＨ3（アルシン）、ＰＨ3（ホスフィン）を用い、またIII族原料として、Ｇａ（ＣＨ3）3（トリメチルガリウム）、Ａｌ（ＣＨ3）3（トリメチルアルミニウム）、Ｉｎ（ＣＨ3）3（トリメチルインジウム）を用いることを特徴とする気相成長装置として構成することができる。また半導体基板としては、ＩｎＰ（インジウム燐）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＳｉＣ（炭化珪素）またはサファイアを用いることもできる。
【００３１】
＜発明の要点＞
従来技術では、均熱板７の材質として気孔性の高い高純度グラファイトを使用しているため、高純度グラファイトからの脱ガスが半導体結晶中に不純物として混入し、半導体結晶の特性が劣化するという問題点があった。
【００３２】
本発明では、気体不透過性を有するＳｉＣ（炭化珪素）またはガス不透過性のカーボン（例えば東海カーボン株式会社製の商品名「グラッシーカーボン」）で均熱板を製作する。これにより、均熱板からの脱ガスを抑えることができることから、不純物の混入の少ない良質な半導体結晶を成長することができる。
【００３３】
また、均熱板と半導体基板との距離は０．７ｍｍ以下とするのが好ましく、これにより、原料ガスの回りこみを抑えることができ、高純度な半導体結晶を得ることができる。
【００３４】
気相成長法では、反応性の強いガスを使用するため化学的に安定な材質が必要である。また高温（約６００〜８００℃）で使用するため耐熱性も重要である。さらに良質の半導体結晶を成長するためには脱ガスが少なく、かつ高純度な材質が必要である。
【００３５】
本発明で均熱板の材質として使用したＳｉＣ及びガス不透過性のカーボン（例えば東海カーボン株式会社製の商品名「グラッシーカーボン」）は、耐熱性、耐薬品性及びガス不透過性に優れた高純度な材質であり、気相成長法で使用するのに最適な材質である。ただし、ＳｉＣ及びグラッシーカーボン（商品名）は加工性が悪く、また高純度グラファイトに比べて高価であり、従来技術では使用されることはなかった。
【発明の効果】
【００３６】
従来技術では、均熱板を高純度グラファイトで製作しており脱ガスが多いため半導体結晶中に不純物が混入し、半導体結晶の特性が劣化してしまう。
【００３７】
これに対し、本発明では、均熱板をＳｉＣで製作するか、またはガス不透過性のカーボン、例えば東海カーボン株式会社製の商品名「グラッシーカーボン」で製作しており、脱ガスを抑制できるため、不純物の混入の少ない半導体結晶を生産できる。このため、本発明の気相成長装置によれば、半導体結晶の特性が劣化せず、歩留の向上が期待でき、生産性を大幅に向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【００３９】
図１に、本発明の第一の実施例に係る気相成長装置の反応炉１の構成を示す。
【００４０】
これはIII族およびＶ族原料ガスが流通する反応管２内に、ガス流路の上部壁の一部を構成するように回転する板状の公転サセプタ３を設け、この公転サセプタ３に気相エピタキシャル成長の対象である半導体基板とほぼ同じ形状に開口部１３を開け、この開口部１３内に自転サセプタ５を挿入し、この自転サセプタ５内の下端に半導体基板４の成長面を下向きにして支持すると共に、半導体基板４を加熱する加熱源たるヒータ１２に面するように、自転サセプタ５内に、ＳｉＣからなる均熱板７０をはめ込んだ自転公転型フェイスダウン式の反応炉として構成されている。
均熱板７０と半導体基板４との距離は０．１５ｍｍである。
【００４１】
本発明に従い、均熱板７０の材質としては、ＳｉＣを使用している。
【００４２】
自転サセプタ５は円筒形であり、上端には外周に歯型が形成された外向フランジを有し、下端には半導体基板の支持する手段として３本の内向ツメ６を有する。半導体基板４は表面を下向きにして、この自転サセプタ５内に収納され下端の内向ツメ６に保持される。自転サセプタ５は、その外向フランジの部分にて、公転サセプタ３にベアリング１４を介して載っており、回転自在に支持されている。自転サセプタ５の外向フランジの外周には小歯車の歯８が加工されており、公転サセプタ３の外周側に設置された内歯車９の歯と噛み合っている。
【００４３】
公転サセプタ３は、中心部に接続された軸１０をモーター１１によって回転させることで回転する。公転サセプタ３が回転すると、自転サセプタ５の歯８も内歯車９と噛み合っているため、回転する。つまり、半導体基板４は公転と自転を行うことになる。これら軸１０及びモーター１１はサセプタを公転させるための駆動機構であり、また自転サセプタ５の歯８及び内歯車９はサセプタを自転させるための駆動機構である。
【００４４】
原料ガス１５は、図１のように公転サセプタ３の中心部の原料導入口２ａより、下方から上方に向けて導入され、公転サセプタ３の中心から半導体基板４の表面に沿って半径方向外側に向かって流れ、ガス排出口２ｂより出る。その間に、ヒータ１２によって加熱された半導体基板４上で熱分解し、結晶成長が行われる。半導体基板４が公転及び自転しているため、半導体基板４上に高均一の半導体結晶を成長することができる。
【００４５】
この実施例では、均熱板７０の材質に脱ガスの少ないＳｉＣ（炭化珪素）を使用しているので、不純物の混入の少ない良質な半導体結晶を成長することができる。
【００４６】
均熱板７０の材質としては、ＳｉＣの他に、ガス不透過性のカーボン（商品名グラッシーカーボン）を用いることもでき、これによっても同様に脱ガスを抑制して、不純物の混入の少ない良質な半導体結晶を成長することができる。
【００４７】
従来技術では、気孔性が高く脱ガスの多い高純度グラファイトを使用しているため、図８のように均熱板７からの脱ガス１７が半導体基板４の表面に回り込み、半導体結晶中に不純物が混入し、半導体の性能が劣化するという問題があった。本発明の特長は、均熱板７の材質としてＳｉＣまたはグラッシーカーボン（商品名）を使用していることにある。
【００４８】
不純物混入の影響を調べるため、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ結晶を気相成長し、光学特性であるフォトルミネッセンス強度を調べた。
【００４９】
すなわち、半導体基板４として（１００）面を表面とする直径７６ｍｍのｎ型ＧａＡｓ基板（キャリア濃度１〜５×１０24ｍ-3）を用い、その上に、ＭＯＶＰＥ法により、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ結晶を１μｍの厚さに気相成長した。原料にはＡｌ（ＣＨ3）3（トリメチルアルミニウム）、Ｇａ（ＣＨ3）3（トリメチルガリウム）、及びＡｓＨ3（アルシン）を用いた。成長条件として、成長温度：６５０℃、Ａｌ（ＣＨ3）3流量：２．９ｃｃ／分、Ｇａ（ＣＨ3）3流量：７．２ｃｃ／分、ＡｓＨ3流量：１０００ｃｃ／分とした。
【００５０】
結果を図２に示す。横軸の「測定位置」は基板中心からの距離であり、単位はｍｍである。縦軸は「フォトルミネッセンス強度」であり、単位は任意である。従来技術（図２の曲線Ｂ）では、半導体基板の周辺部でフォトルミネッセンス強度の低下が見られるが、本発明の実施例（図２の曲線Ａ）では、半導体基板周辺部での急激な強度低下は見られない。つまり、本発明を使用すれば、フォトルミネッセンスを阻害するような不純物の混入が少ないことから、レーザーダイオードや発光ダイオードといった発光素子の特性が劣化しない。このため歩留が向上し、生産性を大幅に向上することができる。
【００５１】
〈変形例１〉
図３は本発明の変形例を示したもので、ＳｉＣからなる公転サセプタ３０及びＳｉＣからなる自転サセプタ５０を使用した例である。均熱板７０のみならず、公転サセプタ３０及び自転サセプタ５０をもＳｉＣ又はガス不透過性のカーボン（商品名グラッシーカーボン）で構成していることから、脱ガスをさらに低減することができる。
【００５２】
〈変形例２〉
図４は本発明の他の変形例を示したものである。これは均熱板７０と半導体基板４を接触させたことが特徴である。
【００５３】
この変形例においても、均熱板７０をＳｉＣ製または商品名「グラッシーカーボン」製とすることで、均熱板７０そのものからの脱ガスを抑制している。しかし均熱板７０と半導体基板４との間に隙間があると、原料ガスが回り込んでしまうため、原料ガスの吸着と脱離が発生する。そこで、均熱板７０と半導体基板４を接触させることで、原料ガスの回り込みを抑止し、さらに高純度な半導体結晶の生産を可能としている。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例に係る気相成長装置の反応炉の断面図である。
【図２】本発明の実施例の気相成長装置によるＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ結晶のフォトルミネッセンス強度の基板面内分布を、従来技術と比較して示した図である。
【図３】本発明の変形例に係る気相成長装置の反応炉の断面図である。
【図４】本発明の他の変形例に係る気相成長装置の反応炉における半導体基板と均熱板の接触状態を示した部分断面図である。
【図５】従来技術の気相成長装置の断面図である。
【図６】従来技術の気相成長装置の反応炉の一部を示したもので、（ａ）は半導体基板と均熱板の部分断面拡大図、（ｂ）はその平面図である。
【図７】従来技術の気相成長装置の反応炉を示した断面図である。
【図８】従来技術におけるグラファイト製均熱板からの脱ガスによる汚染を説明するための図で、（ａ）は均熱板付近の断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図９】従来技術の気相成長装置によるＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ結晶のフォトルミネッセンス強度の基板面内分布を示した図である。
【図１０】本発明を適用可能な気相成長装置の主なリアクター方式を示した図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  反応炉
２  反応管
３  公転サセプタ
４  半導体基板
５  自転サセプタ
６  内向ツメ
７  均熱板
８  小歯車の歯
９  内歯車
１０  軸
１１  モーター
１２  ヒータ
１３  開口部
１４  ベアリング
１５  原料ガス
１６  半導体結晶の堆積物
１７  脱ガス
１８  隙間
３０  公転サセプタ
５０  自転サセプタ
７０  均熱板
【図１】
2007042899.tif 000003
【図２】
2007042899.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007042899.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2007042899.tif 000011
【図１０】
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