(57)【要約】【課題】  検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さくても、ウエハに対する良好な電気的接続状態が確実に達成され、接点部材が早期に離脱しない異方導電性コネクターおよびその製造方法、プローブカード並びにウエハ検査装置を提供する。【解決手段】  本発明の異方導電性コネクターは、支持体上に配置されたフレーム板に、磁性を示す導電性粒子を含有する導電性エラストマー用材料層を形成し、その表面に複数の磁性を示す金属マスクを配置した後、厚み方向に磁場を作用させると共に硬化処理を行うことによって導電性エラストマー層を形成し、これをレーザー加工して複数の接続用導電部を形成し、これらの間に絶縁部用材料層を形成して得られた第１の中間体と、金属膜上に複数の接点部材を形成し、これらの間に絶縁部用材料層を形成して得られた第２の中間体とを積重し、これらの絶縁部用材料層を硬化処理することによって得られる。【選択図】  図１７
2007085833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、前記電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の接続用導電部およびこれらを相互に絶縁する弾性高分子物質よりなる絶縁部を有し、前記フレーム板にその開口を塞ぐよう配置されて支持された複数の弾性異方導電膜と、これらの弾性異方導電膜における各接続用導電部上に配置された金属よりなる複数の接点部材とを具えてなるウエハ検査用異方導電性コネクターを製造する方法であって、
支持体上に配置されたフレーム板に、硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の導電性エラストマー用材料層を当該フレーム板の開口の各々を塞ぐよう形成し、これらの導電性エラストマー用材料層の表面に、前記被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスクを配置し、この状態で、当該導電性エラストマー用材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させると共に、当該導電性エラストマー用材料層の各々を硬化処理することにより、複数の導電性エラストマー層を形成し、これらの導電性エラストマー層をレーザー加工して前記金属マスクが配置された部分の周辺部分を除去することにより、前記支持体上にに配置されたフレーム板の各開口内に前記特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部を形成し、前記支持体上における接続用導電部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第１の中間体を製造する工程と、
金属膜上に、前記接続用導電部に対応するパターンに従って配置された複数の接点部材を形成し、これらの接点部材の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第２の中間体を製造する工程と、
前記第１の中間体と前記第２の中間体とを、接続用導電部の各々にこれに対応する接点部材の各々が対接するよう積重し、この状態で、第１の中間体および第２の中間体の各々の絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成する工程と
を有することを特徴とするウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法。
【請求項２】
レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものであることを特徴とする請求項１に記載のウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の製造方法によって得られることを特徴とするウエハ検査用異方導電性コネクター。
【請求項４】
検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査用電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、請求項３に記載のウエハ検査用異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とするウエハ検査用プローブカード。
【請求項５】
ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うウエハ検査装置であって、
請求項４に記載のウエハ検査用プローブカードを具えてなることを特徴とするウエハ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法、このウエハ検査用異方導電性コネクターを具えたウエハ検査用プローブカード並びにウエハ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路装置の製造工程においては、例えばシリコンよりなるウエハに多数の集積回路を形成し、その後、これらの集積回路の各々について、基礎的な電気特性を検査することによって、欠陥を有する集積回路を選別するプローブ試験が行われる。次いで、このウエハを切断することによって半導体チップが形成され、この半導体チップが適宜のパッケージ内に収納されて封止される。更に、パッケージ化された半導体集積回路装置の各々について、高温環境下において電気特性を検査することによって、潜在的欠陥を有する半導体集積回路装置を選別するバーンイン試験が行われる。
このようなプローブ試験またはバーンイン試験などの集積回路の電気的検査においては、検査対象物における被検査電極の各々をテスターに電気的に接続するためにプローブカードが用いられている。このようなプローブカードとしては、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された異方導電性エラストマーシートと、この異方導電性エラストマーシート上に配置されたシート状プローブとよりなるものが知られている。
【０００３】
かかるプローブカードにおける異方導電性エラストマーシートとしては、従来、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献１等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エラストマーシート（以下、これを「分散型異方導電性エラストマーシート」という。）が開示され、また、特許文献２等には、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマーシート（以下、これを「偏在型異方導電性エラストマーシート」という。）が開示され、更に、特許文献３等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性エラストマーシートが開示されている。
これらの異方導電性エラストマーシートの中で、偏在型異方導電性エラストマーシートは、検査すべき集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って導電部が形成されているため、分散型異方導電性エラストマーシートに比較して、被検査電極の配列ピッチすなわち隣接する被検査電極の中心間距離が小さい集積回路などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼性で達成することができる点で、有利である。従って、被検査電極のピッチが小さい半導体集積回路装置のプローブ試験またはバーンイン試験においては、偏在型異方導電性エラストマーシートが用いられている。
【０００４】
而して、ウエハに形成された集積回路に対して行われるプローブ試験においては、従来、多数の集積回路のうち例えば１６個または３２個の集積回路が形成された複数のエリアにウエハを分割し、このエリアに形成された全ての集積回路について一括してプローブ試験を行い、順次、その他のエリアに形成された集積回路についてプローブ試験を行う方法が採用されている。そして、近年、検査効率を向上させ、検査コストの低減化を図るために、ウエハに形成された多数の集積回路のうち例えば６４個若しくは１２４個または全部の集積回路について一括してプローブ試験を行うことが要請されている。
一方、バーンイン試験においては、検査対象である集積回路装置は微小なものであってその取扱いが不便なものであるため、多数の集積回路装置の電気的検査を個別的に行うためには，長い時間を要し、これにより、検査コストが相当に高いものとなる。このような理由から、ウエハ上に形成された多数の集積回路について、それらのバーンイン試験をウエハの状態で一括して行うＷＬＢＩ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｂｅｌ  Ｂｕｒｎ−ｉｎ）試験が提案されている。
【０００５】
しかしながら、検査対象であるウエハが、例えば直径が８インチ以上の大型のものであって、その被検査電極の数が例えば５０００以上、特に１００００以上のものである場合には、各集積回路における被検査電極のピッチが極めて小さいものであるため、プローブ試験またはＷＬＢＩ試験に偏在型異方導電性エラストマーシートを用いると、以下のような問題がある。
（１）直径が例えば８インチ（約２０ｃｍ）のウエハを検査するためには、偏在型異方導電性エラストマーシートとして、その直径が８インチ程度のものを用いることが必要となる。然るに、このような偏在型異方導電性エラストマーシートは、全体の面積が相当に大きいものであるが、各導電部は微細で、当該偏在型異方導電性エラストマーシート表面に占める導電部表面の面積の割合が小さいものであるため、当該偏在型異方導電性エラストマーシートを確実に製造することは極めて困難である。従って、異方導電性エラストマーシートの製造においては、歩留りが極端に低下する結果、異方導電性エラストマーシートの製造コストが増大し、延いては検査コストが増大する。
（２）偏在型異方導電性エラストマーシートにおいては、検査用回路基板および検査対象であるウエハとの電気的接続作業において、それらに対して特定の位置関係をもって保持固定することが必要である。然るに、異方導電性エラストマーシートは柔軟で容易に変形しやすいものであって、その取扱い性が低いものであるるため、検査対象であるウエハの被検査電極に対する電気的接続を行う際に、偏在型異方導電性エラストマーシートの位置合わせおよび保持固定が極めて困難である。
（３）ウエハを構成する材料例えばシリコンの線熱膨張係数は３．３×１０-6／Ｋ程度であり、一方、異方導電性エラストマーシートを構成する材料例えばシリコーンゴムの線熱膨張係数は２．２×１０-4／Ｋ程度である。従って、例えば２５℃において、それぞれ直径が２０ｃｍのウエハおよび異方導電性エラストマーシートの各々を、２０℃から１２０℃までに加熱した場合には、理論上、ウエハの直径の変化は０．００６６ｃｍにすぎないが、異方導電性エラストマーシートの直径の変化は０．４４ｃｍに達する。このように、検査対象である集積回路装置を構成する材料（例えばシリコン）と偏在型異方導電性エラストマーシートを構成する材料（例えばシリコーンゴム）との間で、熱膨張率が大きく異なるため、バーンイン試験においては、一旦はウエハと偏在型異方導電性エラストマーシートとの所要の位置合わせおよび保持固定が実現された場合であっても、温度変化による熱履歴を受けると、偏在型異方導電性エラストマーシートの導電部とウエハの被検査電極との間に位置ずれが生じる結果、電気的接続状態が変化して安定な接続状態を維持することが困難である。
【０００６】
上記の問題を解決するため、検査対象であるウエハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、このフレーム板の開口の各々を塞ぐよう配置された複数の弾性異方導電膜とよりなる異方導電性コネクターが提案されている（例えば特許文献４参照。）。
このような異方導電性コネクターによれば、以下のような効果が得られる。
（１）フレーム板に形成された開口の各々は、検査対象であるウエハにおける集積回路の電極領域に対応する寸法であり、従って、当該開口の各々に配置される弾性異方導電膜は、サイズの小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜の形成が容易である。
（２）弾性異方導電膜の各々がフレーム板に支持されているため、変形しにくくて取扱いやすく、また、予めフレーム板に位置決め用マーク（例えば孔）を形成することにより、集積回路装置の電気的接続作業において、当該集積回路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。
（３）サイズの小さい弾性異方導電膜は、熱履歴を受けた場合でも、熱膨張の絶対量が少ないため、弾性異方導電膜の熱膨張がフレーム板によって規制され、しかも、異方導電性コネクター全体の熱膨張は、フレーム板を構成する材料の熱膨張に依存するので、フレーム板を構成する材料として熱膨張率の小さいものを用いることにより、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、当該異方導電性コネクターにおける導電部とウエハにおける被検査電極との位置ずれが防止される結果、良好な電気的接続状態が安定に維持される。
【０００７】
そして、このような異方導電性コネクターは、以下のようにして製造される。
図３８に示すような上型８０およびこれと対となる下型８５よりなる弾性異方導電膜成形用の金型を用意する。この金型における上型８０および下型８５の各々は、基板８１，８６上に、成形すべき異方導電性エラストマーシートの導電部のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の強磁性体層８２，８７と、これらの強磁性体層８２，８７が形成された個所以外の個所に配置された非磁性体層８３，８８とが設けられており、強磁性体層８２，８７および非磁性体層８３，８８により、成形面が形成されている。そして、上型８０および下型８５は、対応する強磁性体層８２，８７が互いに対向するよう配置されている。
このような金型内に、図３９に示すように、検査対象であるウエハにおける電極領域に対応して開口９１が形成されたフレーム板９０を位置合わせして配置すると共に、硬化処理によって弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子Ｐが分散されてなる成形材料層９５Ａを、フレーム板９０の各開口９１を塞ぐようを形成する。ここで、成形材料層９５Ａに含有されている導電性粒子Ｐは、当該成形材料層９５Ａ中に分散された状態である。
【０００８】
そして、上型８０の上面およひ下型８５の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、成形材料層９５Ａには、上型８０の強磁性体層８２とこれに対応する下型８５の強磁性体層８７との間の部分すなわち導電部となる部分において、それ以外の部分より大きい強度の磁場が当該成形材料層９５Ａの厚み方向に作用される。その結果、成形材料層９５Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐは、図４０に示すように、当該成形材料層９５Ａにおける大きい強度の磁場が作用されている部分、すなわち上型８０の強磁性体層８２とこれに対応する下型８５の強磁性体層８７との間の部分に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配向する。そして、この状態で、成形材料層９５Ａの硬化処理を行うことにより、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された複数の導電部９６と、これらの導電部９６を相互に絶縁する絶縁部９７とよりなる弾性異方導電膜９５が、その周縁部がフレーム板９０の開口縁部に支持された状態で成形され、以て異方導電性コネクターが製造される。
【０００９】
しかしながら、このような製造方法においては、以下のような問題がある。
被検査電極が小さいピッチで高密度に配置されたウエハについて電気的検査を行う場合には、導電部のピッチが小さくて高密度に配置された異方導電性コネクターを用いることが必要である。而して、このような異方導電性コネクターの製造においては、当然のことながら強磁性体層８２，８７が極めて小さいピッチで配置された上型８０および下型８５を用いることが必要である。
然るに、このような上型８０および下型８５を用い、上述のようにして弾性異方導電膜９５を形成する場合には、上型８０および下型８５の各々において、互いに隣接する強磁性体層８２，８７の間の離間距離が小さいため、図４１に示すように、上型８０における或る強磁性体層８２ａからこれに対応する下型８５の強磁性体層８７ａに向かう方向（矢印Ｘで示す）のみならず、例えば上型８０の強磁性体層８２ａからこれに対応する下型８５の強磁性体層８７ａに隣接する強磁性体層８７ｂに向かう方向（矢印Ｙで示す）或いは上型８０の強磁性体層８２ｂから下型８５の強磁性体層８７ａにも磁場が作用することとなる。そのため、成形材料層９５Ａにおいて、導電性粒子Ｐを、上型８０の強磁性体層８２ａとこれに対応する下型８５の強磁性体層８７ａとの間に位置する部分に集合させることが困難となり、上型８０の強磁性体層８２ａと下型８５の強磁性体層８７ｂとの間に位置する部分にも導電性粒子が集合してしまい、また、導電性粒子Ｐを成形材料層９５Ａの厚み方向に十分に配向させることが困難となり、その結果、所期の導電部および絶縁部を有する異方導電性コネクターが得られない。
【００１０】
また、上記のプローカードにおいては、以下のような問題がある。
プローブカードを構成するためには、検査用回路基板、異方導電性コネクターおよびシート状プローブの３つの部品が必要であるため、全体の構造が複雑であり、しかも、これらの部品を組み立てる際には、異方導電性コネクターの位置合わせおよびシート状プローブの位置合わせが必要であるため、組み立て作業が極めて煩雑である。
また、シート状プローブは、例えばポリイミドよりなる絶縁性シートに電極構造体が配置されてなるものであるため、温度変化による熱履歴を受けると、絶縁性シートの熱膨張によって被検査電極に対する位置ずれが生じる結果、電気的接続状態が変化して安定な接続状態を維持することが困難である。
このような問題を解決する手段としては、シート状プローブを配置することに代えて、異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜の接続用導電部上に、金属よりなる接点部材を一体的に形成することが考えられる。このような接点部材は、例えば弾性異方導電膜における接続用導電部以外の部分の表面にレジスト層を形成したうえで、当該接続用導電部の表面に対してスパッタ処理または無電解メッキ処理を施すことにより、形成することができる。然るに、このような異方導電性コネクターにおいては、弾性異方導電膜を構成する弾性高分子物質と接点部材を構成する金属との接着性が低いため、異方導電性コネクターを繰り返して使用した場合には、早期に接点部材が接続用導電部の表面から剥離して離脱し、従って、長い使用寿命が得られない、という問題がある。
【００１１】
【特許文献１】特開昭５１−９３３９３号公報
【特許文献２】特開昭５３−１４７７７２号公報
【特許文献３】特開昭６１−２５０９０６号公報
【特許文献４】特開２００２−３３４７３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、接点部材が接続用導電部から早期に離脱することがなくて長い使用寿命が得られるウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができるウエハ検査用プローブカードおよびウエハ検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法は、検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、前記電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の接続用導電部およびこれらを相互に絶縁する弾性高分子物質よりなる絶縁部を有し、前記フレーム板にその開口を塞ぐよう配置されて支持された複数の弾性異方導電膜と、これらの弾性異方導電膜における各接続用導電部上に配置された金属よりなる複数の接点部材とを具えてなるウエハ検査用異方導電性コネクターを製造する方法であって、
支持体上に配置されたフレーム板に、硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の導電性エラストマー用材料層を当該フレーム板の開口の各々を塞ぐよう形成し、これらの導電性エラストマー用材料層の表面に、前記被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスクを配置し、この状態で、当該導電性エラストマー用材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させると共に、当該導電性エラストマー用材料層の各々を硬化処理することにより、複数の導電性エラストマー層を形成し、これらの導電性エラストマー層をレーザー加工して前記金属マスクが配置された部分の周辺部分を除去することにより、前記支持体上にに配置されたフレーム板の各開口内に前記特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部を形成し、前記支持体上における接続用導電部の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第１の中間体を製造する工程と、
金属膜上に、前記接続用導電部に対応するパターンに従って配置された複数の接点部材を形成し、これらの接点部材の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第２の中間体を製造する工程と、
前記第１の中間体と前記第２の中間体とを、接続用導電部の各々にこれに対応する接点部材の各々が対接するよう積重し、この状態で、第１の中間体および第２の中間体の各々の絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成する工程と
を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法においては、レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものであることが好ましい。
【００１５】
本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターは、上記の製造方法によって得られることを特徴とする。
【００１６】
本発明のウエハ検査用プローブカードは、検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査用電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された、上記のウエハ検査用異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。
【００１７】
本発明のウエハ検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うウエハ検査装置であって、
上記のウエハ検査用プローブカードを具えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターの製造方法によれば、導電性エラストマー用材料層上に、検査対象であるウエハにおける被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスクを配置した状態で、当該導電性エラスマー用材料層の厚み方向に磁場を作用させると共に当該導電性エラストマー用材料層を硬化処理することにより、得られる導電性エラストマー層は、金属マスクが配置された部分における導電性粒子が密となり、それ以外の部分における導電性粒子が疎となる。そのため、金属マスクを介して導電性エラストマー層をレーザー加工することにより、当該導電性エラストマー層における金属マスクが配置されていない部分を容易に除去することができるので、所期の形態の接続用導電部を特定のパターンに従って確実に形成することができる。そして、特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部を形成したうえで、これらの接続用導電部の間に絶縁部用材料層を形成して硬化処理することにより絶縁部を形成するため、導電性粒子が全く存在しない絶縁部を確実に得ることができる。
しかも、複数の接続用導電部の間に絶縁部用材料層が形成されてなる第１の中間体と、複数の接点部材の間に絶縁部用材料層が形成されてなる第２の中間体とを積重し、当該絶縁部用材料層を硬化処理することにより、得られる異方導電性コネクターにおいては、接点部材は絶縁部に埋め込まれた状態で固定される。
従って、このような方法によって得られる本発明のウエハ検査用異方導電性コネクターによれば、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、接点部材が接続用導電部から早期に離脱することがなくて長い使用寿命が得られる。
また、弾性異方導電膜における接続用導電部上には、接点部材が配置されているため、ウエハの検査を行う際に、シート状プローブを用いることが不要となるので、簡単な構造のプローブカードを得ることができると共に、シート状プローブの位置ずれによる接続不良を回避することができる。
【００１９】
本発明のウエハ検査用プローブカードおよびウエハ検査装置によれば、上記のウエハ検査用異方導電性コネクターを具えてなるため、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
〔異方導電性コネクター〕
図１は、本発明に係る第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクターを示す平面図、図２は、図１に示すウエハ検査用異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図、図３は、図１に示すウエハ検査用異方導電性コネクターの一部を拡大して示す説明用断面図である。
【００２１】
第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクター（以下、単に「異方導電性コネクター」ともいう。）２０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるものであって、複数の開口２２（破線で示す）が形成されたフレーム板２１を有する。このフレーム板２１の開口２２は、検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して形成されている。このフレーム板２１には、厚み方向に導電性を有する複数の弾性異方導電膜２３が、それぞれ一の開口２２を塞ぐよう配置されて当該開口縁部に支持されている。
弾性異方導電膜２３の各々においては、図２に示すように、厚み方向（図２において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部２４が、フレーム板２１の開口２２内に位置するよう配置され、隣接する接続用導電部２４の間には、これらを相互に絶縁する絶縁部２５が接続用導電部２４に一体的に接着した状態で形成されている。接続用導電部２４の各々は、検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置され、当該ウエハの検査において、その被検査電極に電気的に接続されるものである。
弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４は、図３に示すように、弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されて構成されている。これに対して、絶縁部２５は、導電性粒子Ｐが全く含有されていない弾性高分子物質よりなるものである。接続用導電部２４を構成する弾性高分子物質と絶縁部２５を構成する弾性高分子物質とは、互いに異なる種類のものであっても同じ種類のものであってもよい。
弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４の各々の表面には、金属よりなる平板状の接点部材２７が配置されている。これらの接点部材２７の各々は、絶縁部２５に埋め込まれ、当該接点部材２７の側面が絶縁部２５に一体的に接着した状態で設けられている。  また、図示の例では、接点部材２７および絶縁部２５における接点部材２７の周辺部分が表面から突出した状態とされており、これにより、接点部材２７を小さい加圧力で加圧した場合でも、接続用導電部２４が確実に厚み方向に圧縮するよう変形する結果、高い導電性が得られる。
【００２２】
フレーム板２１の厚みは、その材質によって異なるが、２５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。
この厚みが２５μｍ未満である場合には、異方導電性コネクター２０を使用する際に必要な強度が得られず、耐久性が低いものとなりやすく、また、当該フレーム板２１の形状が維持される程度の剛性が得られず、異方導電性コネクター２０の取扱い性が低いものとなる。一方、厚みが６００μｍを超える場合には、開口２２に形成される弾性異方導電膜２３は、その厚みが過大なものとなって、接続用導電部２４における良好な導電性を得ることが困難となることがある。
フレーム板２１の開口２２における面方向の形状および寸法は、検査対象であるウエハの被検査電極の寸法、ピッチおよびパターンに応じて設計される。
【００２３】
フレーム板２１を構成する材料としては、当該フレーム板２１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板２１を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレーム板２１の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
フレーム板２１を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
フレーム板２１を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、フレーム板２１を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
【００２４】
弾性異方導電膜２３の全厚（図示の例では接続用導電部２４における厚み）は、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。この厚みが５０μｍ以上であれば、十分な強度を有する弾性異方導電膜２３が確実に得られる。一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する接続用導電部２４が確実に得られる。
【００２５】
弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４および絶縁部２５を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。
液状シリコーンゴムは、付加型のものであっても縮合型のものであってもよいが、付加型液状シリコーンゴムが好ましい。この付加型液状シリコーンゴムは、ビニル基とＳｉ−Ｈ結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基およびＳｉ−Ｈ結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のものと、ビニル基を含有するポリシロキサンおよびＳｉ−Ｈ結合を含有するポリシロキサンからなる二液型（二成分型）のものがあるが、本発明においては、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【００２６】
付加型液状シリコーンゴムとしては、その２３℃における粘度が１００〜１，２５０Ｐａ・ｓのものを用いることが好ましく、さらに好ましくは１５０〜８００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは２５０〜５００Ｐａ・ｓのものである。この粘度が１００Ｐａ・ｓ未満である場合には、後述する接続用導電部２４を得るための導電性エラストマー用材料において、当該付加型液状シリコーンゴム中における導電性粒子の沈降が生じやすく、良好な保存安定性が得られず、また、後述する導電性エラストマー用材料層に平行磁場を作用させたときに、導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向せず、均一な状態で導電性粒子の連鎖を形成することが困難となることがある。一方、この粘度が１，２５０Ｐａ・ｓを超える場合には、得られる導電性エラストマー用材料が粘度の高いものとなるため、導電性エラストマー用材料層に平行磁場を作用させても、導電性粒子が十分に移動せず、そのため、導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることが困難となることがある。
このような付加型液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計によって測定することができる。
【００２７】
弾性異方導電膜２３を液状シリコーンゴムの硬化物（以下、「シリコーンゴム硬化物」という。）によって形成する場合において、当該シリコーンゴム硬化物は、その１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは６％以下である。この圧縮永久歪みが１０％を超える場合には、得られる異方導電性コネクター２０を多数回にわたって繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときには、接続用導電部２４に永久歪みが発生しやすく、これにより、接続用導電部２４における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
【００２８】
また、弾性異方導電膜２３を形成するシリコーンゴム硬化物は、その２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものであることが好ましく、さらに好ましくは１５〜６０、特に好ましくは２０〜６０のものである。このデュロメーターＡ硬度が１０未満である場合には、加圧されたときに、接続用導電部２４を相互に絶縁する絶縁部２５が過度に歪みやすく、接続用導電部２４間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメーターＡ硬度が６０を超える場合には、接続用導電部２４に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重による加圧力が必要となるため、例えば検査対象であるウエハに大きな変形や破壊が生じやすくなる。
また、シリコーンゴム硬化物として、デュロメーターＡ硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性コネクター２０を多数回にわたって繰り返し使用したときには、接続用導電部２４に永久歪みが発生しやすく、これにより、接続用導電部２４における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
更に、異方導電性コネクター２０を高温環境下における試験例えばＷＬＢＩ試験に用いる場合には、弾性異方導電膜２３を形成するシリコーンゴム硬化物は、その２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が２５〜４０のものであることが好ましい。
シリコーンゴム硬化物として、デュロメーターＡ硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性コネクター２０を高温度環境下における試験に繰り返し使用したときには、接続用導電部２４に永久歪みが発生しやすく、これにより、接続用導電部２４における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、シリコーンゴム硬化物のデュロメーターＡ硬度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
【００２９】
また、弾性異方導電膜２３を形成するシリコーンゴム硬化物は、その２３℃における引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ以上のものであることが好ましく、さらに好ましくは１０ｋＮ／ｍ以上、より好ましくは１５ｋＮ／ｍ以上、特に好ましくは２０ｋＮ／ｍ以上のものである。この引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ未満である場合には、弾性異方導電膜２３に過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしやすい。
ここで、シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
【００３０】
このような特性を有する付加型液状シリコーンゴムとしては、信越化学工業株式会社製の液状シリコーンゴム「ＫＥ２０００」シリーズ、「ＫＥ１９５０」シリーズとして市販されているものを用いることができる。
【００３１】
本発明においては、付加型液状シリコーンゴムを硬化させるために適宜の硬化触媒を用いることができる。このような硬化触媒としては、白金系のものを用いることができ、その具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、付加型液状シリコーンゴム１００重量部に対して３〜１５重量部である。
【００３２】
また、付加型液状シリコーンゴム中には、付加型液状シリコーンゴムのチクソトロピー性の向上、粘度調整、導電性粒子の分散安定性の向上、或いは高い強度を有する基材を得ることなどを目的として、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。
このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない。
【００３３】
弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４に含有される導電性粒子Ｐとしては、磁性を示す芯粒子（以下、「磁性芯粒子」ともいう。）の表面に高導電性金属が被覆されてなるものを用いることが好ましい。
【００３４】
導電性粒子Ｐを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が３〜４０μｍのものであることが好ましい。
ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
上記数平均粒子径が３μｍ以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い接続用導電部２４が得られやすい。一方、上記数平均粒子径が４０μｍ以下であれば、微細な接続用導電部２４を容易に形成することができ、また、得られる接続用導電部２４は、安定な導電性を有するものとなりやすい。
【００３５】
また、磁性芯粒子は、そのＢＥＴ比表面積が１０〜５００ｍ2 ／ｋｇであることが好ましく、より好ましくは２０〜５００ｍ2 ／ｋｇ、特に好ましくは５０〜４００ｍ2 ／ｋｇである。
このＢＥＴ比表面積が１０ｍ2 ／ｋｇ以上であれば、当該磁性芯粒子はメッキ可能な領域が十分に大きいものであるため、当該磁性芯粒子に所要の量のメッキを確実に行うことができ、従って、導電性の大きい導電性粒子Ｐを得ることができると共に、当該導電性粒子Ｐ間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が５００ｍ2 ／ｋｇ以下であれば、当該磁性芯粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。
【００３６】
また、磁性芯粒子は、その粒子径の変動係数が５０％以下のものであることが好ましく、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下のものである。
ここで、粒子径の変動係数は、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
上記粒子径の変動係数が５０％以下であれば、粒子径の均一性が大きいため、導電性のバラツキの小さい接続用導電部２４を形成することかできる。
【００３７】
磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2 以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2 以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金などが挙げられる。
この飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であれば、後述する方法によって、当該弾性異方導電膜２３を形成するための導電性エラストマー用材料層中において導電性粒子Ｐを容易に移動させることができ、これにより、当該導電性エラストマー用材料層における接続用導電部となる部分に、導電性粒子Ｐを確実に移動させて導電性粒子Ｐの連鎖を形成することができる。
【００３８】
接続用導電部２４を得るために用いられる導電性粒子Ｐは、上記の磁性芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなるものである。
ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上のものをいう。
このような高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。
【００３９】
導電性粒子Ｐは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量／芯粒子の質量）×１００〕が１５質量％以上とされ、好ましくは２５〜３５質量％とされる。
高導電性金属の割合が１５質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクター２０を高温環境下に繰り返し使用したとき、当該導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。
【００４０】
また、導電性粒子Ｐは、下記の式（１）によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚みｔが５０ｎｍ以上のものとされ、好ましくは１００〜２００ｎｍのものとされる。
式（１）  ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属による被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは（高導電性金属の重量／導電性粒子全体の重量）の値を示す。〕
【００４１】
上記の数式は、次のようにして導かれたものである。
（ｉ）磁性芯粒子の重量をＭｐ（ｋｇ）とすると、磁性芯粒子の表面積Ｓ（ｍ2 ）は、
Ｓ＝Ｓｗ・Ｍｐ  ………式（２）
によって求められる。
（ii）高導電性金属による被覆層の重量をｍ（ｋｇ）とすると、当該被覆層の体積Ｖ（ｍ3 ）は、
Ｖ＝ｍ／ρ  ………式（３）
によって求められる。
（iii)ここで、被覆層の厚みが導電性粒子の表面全体にわたって均一なものであると仮定すると、ｔ＝Ｖ／Ｓであり、これに上記式（２）および式（３）を代入すると、被覆層の厚みｔは、
ｔ＝（ｍ／ρ）／（Ｓｗ・Ｍｐ）＝ｍ／（Ｓｗ・ρ・Ｍｐ）  ………式（４）
によって求められる。
（iv）また、Ｎは、導電性粒子全体の質量に対する被覆層の質量の比であるから、このＮの値は、
Ｎ＝ｍ／（Ｍｐ＋ｍ）  ………式（５）
によって求められる。
（ｖ）この式（５）の右辺における分子・分母をＭｐで割ると、
Ｎ＝（ｍ／Ｍｐ）／（１＋ｍ／Ｍｐ）となり、両辺に（１＋ｍ／Ｍｐ）をかけると、
Ｎ（１＋ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐ、更には、
Ｎ＋Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐとなり、Ｎ（ｍ／Ｍｐ）を右辺に移行すると、
Ｎ＝ｍ／Ｍｐ−Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝（ｍ／Ｍｐ）（１−Ｎ）となり、両辺を（１−Ｎ）で割ると、  Ｎ／（１−Ｎ）＝ｍ／Ｍｐとなり、
従って、磁性芯粒子の重量Ｍｐは、
Ｍｐ＝ｍ／〔Ｎ／（１−Ｎ）〕＝ｍ（１−Ｎ）／Ｎ  ………式（６）
によって求められる。
（vi）そして、式（４）に式（６）を代入すると、
ｔ＝１／〔Ｓｗ・ρ・（１−Ｎ）／Ｎ〕
＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
が導かれる。
【００４２】
この被覆層の厚みｔが５０ｎｍ以上であれば、当該異方導電性コネクター２０を高温環境下に繰り返し使用した場合において、磁性芯粒子を構成する強磁性体が被覆層を構成する高導電性金属中に移行しても、当該導電性粒子Ｐの表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下することがなく、所期の導電性が維持される。
【００４３】
また、導電性粒子Ｐの数平均粒子径は、３〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは６〜２５μｍである。
このような導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる弾性異方導電膜２３は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。
【００４４】
このような導電性粒子Ｐは、例えは以下の方法によって得ることができる。
先ず、強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより、所要の粒子径を有する磁性芯粒子を調製する。
ここで、粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。
また、分級処理の具体的な条件は、目的とする磁性芯粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
次いで、磁性芯粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆することによって、導電性粒子が得られる。
ここで、磁性芯粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸などを挙げることができる。
高導電性金属を磁性芯粒子の表面に被覆する方法としては、無電解メッキ法、置換メッキ法等を用いることができるが、これらの方法に限定されるものではない。
【００４５】
無電解メッキ法または置換メッキ法によって導電性粒子を製造する方法について説明すると、先ず、メッキ液中に、酸処理および洗浄処理された磁性芯粒子を添加してスラリーを調製し、このスラリーを攪拌しながら当該磁性芯粒子の無電解メッキまたは置換メッキを行う。次いで、スラリー中の粒子をメッキ液から分離し、その後、当該粒子を例えば純水によって洗浄処理することにより、磁性芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子が得られる。
また、磁性芯粒子の表面に下地メッキを行って下地メッキ層を形成した後、当該下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成してもよい。下地メッキ層およびその表面に形成されるメッキ層を形成する方法は、特に限定されないが、無電解メッキ法により、磁性芯粒子の表面に下地メッキ層を形成し、その後、置換メッキ法により、下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成することが好ましい。
無電解メッキまたは置換メッキに用いられるメッキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。
【００４６】
また、磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する際に、粒子が凝集することにより、粒子径の大きい導電性粒子が発生することがあるため、必要に応じて、導電性粒子の分級処理を行うことが好ましく、これにより、所期の粒子径を有する導電性粒子が確実に得られる。
導電性粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の磁性芯粒子を調製するための分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。
【００４７】
接続用導電部２４における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい接続用導電部２４が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる接続用導電部２４は脆弱なものとなりやすく、接続用導電部２４として必要な弾性が得られないことがある。
【００４８】
接点部材２７を構成する材料としては、種々の金属材料を用いることができ、その具体例としては、ニッケル、コバルト、銅、金、銀、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、白金、タングステン、クロムまたはこれらの合金などが挙げられる。
また、接点部材２７は２層以上の異なる金属層から構成されていてもよい。２層以上の異なる金属層によって接点部材２７を構成する場合においても、各々の金属層は上記金属または合金から構成することができる。
また、接点部材２７の厚みは、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜４０μｍである。この厚みが過小である場合には、当該接点部材２７には十分な強度が得られないことがある。一方、この厚みが過大である場合には、弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４を圧縮変形するために大きな加圧力が必要となることがあり、好ましくない。
【００４９】
本発明において、上記の異方導電性コネクター２０は、
支持体上に配置されたフレーム板２１に、硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる複数の導電性エラストマー用材料層を当該フレーム板２１の開口２２の各々を塞ぐよう形成し、これらの導電性エラストマー用材料層の表面に、前記被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスクを配置し、この状態で、当該導電性エラストマー用材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させると共に、当該導電性エラストマー用材料層の各々を硬化処理することにより、複数の導電性エラストマー層を形成し、これらの導電性エラストマー層をレーザー加工して前記接点部材が配置された部分の周辺部分を除去することにより、前記支持体上にに配置されたフレーム板２１の各開口２２内に前記特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部２４を形成し、前記支持体上における接続用導電部２４の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第１の中間体を製造する工程（ａ）と、
金属膜上に、前記接続用導電部２４に対応するパターンに従って配置された複数の接点部材２７を形成し、これらの接点部材２７の間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料層を形成することにより、第２の中間体を製造する工程（ｂ）と、
前記第１の中間体と前記第２の中間体とを、接続用導電部２４の各々にこれに対応する接点部材２７の各々が対接するよう積重し、この状態で、第１の中間体および第２の中間体の各々の絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成する工程（ｃ）と
を経由して製造することができる。
以下、異方導電性コネクター２０の製造方法を具体的に説明する。
【００５０】
《フレーム板の作製》
検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して開口２２が形成されたフレーム板２１を作製する。ここで、フレーム板２１の開口２２を形成する方法としては、当該フレーム板２１を構成する材料に応じて適宜選択され、例えばエッチング法などを利用することができる。
【００５１】
《工程ａ》
先ず、特定のパターンに従って配置された複数の金属マスクを有する金属マスク複合体を製造する。
具体的に説明すると、図４に示すように、金属箔２８Ｆ上に、フォトリソグラフィーの手法により、検査対象であるウエハにおける被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って開口２８Ｋが形成されたレジスト層２８Ｒを形成する。その後、金属箔２８Ｆにおけるレジスト層２８Ｒの開口２８Ｋを介して露出した部分の表面に、磁性を示す金属によるメッキ処理を施すことにより、図５に示すように、レジスト層２８Ｒの開口２８Ｋの各々に金属マスク２８Ｍを形成する。これにより、金属箔２８Ｆ上に特定のパターンに従って金属マスク２８Ｍが形成されてなる金属マスク複合体２８Ｃが得られる。
【００５２】
以上において、金属箔２８Ｆを構成する材料としては、銅、ニッケルなどを用いることができる。また、金属箔２８Ｆは、樹脂フィルム上に積層されたものであってもよい。
金属箔２８Ｆの厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メッキ電極として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、例えばエッチングによって除去することが困難となることがある。
レジスト層２８Ｒの厚みは、形成すべき金属マスク２８Ｍの厚みに応じて設定される。  金属マスク２８Ｍを構成する材料としては、後述する導電性エラストマー層の形成において、磁場の作用により導電性粒子を偏在させることができる点で、磁性を示すものが用いられ、その具体例としては、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などが挙げられる。
金属マスク２８Ｍの厚みは、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜４０μｍである。
【００５３】
次いで、図６に示すように、例えば板状の支持体３０の表面に、フレーム板２１を配置すると共に、このフレーム板２１に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる導電性エラストマー用材料を塗布することにより、複数の導電性エラストマー用材料層２４Ａを当該フレーム板２１の開口の各々を塞ぐよう形成する。そして、図７に示すように、この導電性エラストマー用材料層２４Ａ上に、金属マスク複合体２８Ｃをその金属マスク２８Ｍの各々が当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの表面に接するよう配置する。これにより、導電性エラストマー用材料層２４Ａ上には、検査対象であるウエハにおける被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って金属マスク２８Ｍが配置された状態となる。ここで、導電性エラストマー用材料層２４Ａ中においては、磁性を示す導電性粒子Ｐが分散された状態で含有されている。
次いで、導電性エラストマー用材料層２４Ａに対し、金属マスク２８Ｍを介して当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚み方向に磁場を作用させる。これにより、金属マスク２８Ｍが磁性を示す金属により形成されているため、導電性エラストマー用材料層２４Ａにおける金属マスク２８Ｍが配置された部分には、それ以外の部分より大きい強度の磁場が形成される。その結果、導電性エラストマー用材料層２４Ａ中に分散されていた導電性粒子Ｐは、図８に示すように、金属マスク２８Ｍが配置された部分に集合し、更に当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚み方向に並ぶよう配向する。そして、導電性エラストマー用材料層２４Ａに対する磁場の作用を継続しながら、或いは磁場の作用を停止した後、導電性エラストマー用材料層２４Ａの硬化処理を行うことにより、図９に示すように、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる導電性エラストマー層２４Ｂが、支持体３０上に支持された状態で形成される。
【００５４】
以上において、支持体３０を構成する材料としては、金属、セラミックス、樹脂およびこれらの複合材などを用いることができる。
導電性エラストマー用材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロール塗布法、ブレード塗布法などを利用することができる。
導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚みは、形成すべき接続用導電部２４の厚みに応じて設定される。
導電性エラストマー用材料層２４Ａに磁場を作用させる手段としては、電磁石、永久磁石などを用いることができる。
導電性エラストマー用材料層２４Ａに作用させる磁場の強度は、０．２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
導電性エラストマー用材料層２４Ａの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性エラストマー用材料層２４Ａを構成する高分子物質形成材料の種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜設定される。
【００５５】
次いで、導電性エラストマー層２４Ｂ上に配置された金属マスク複合体２８Ｃにおける金属箔２８Ｆに対して、エッチング処理を施して除去することにより、図１０に示すように、金属マスク２８Ｍおよびレジスト層２８Ｒを露出させる。そして、導電性エラストマー層２６Ｂおよびレジスト層２８Ｒに対してレーザー加工を施すことにより、レジスト層２８Ｒおよび導電性エラストマー層２４Ｂにおける金属マスク２８Ｍが配置された部分の周辺部分が除去され、その結果、図１１に示すように、特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部２４がフレーム板２１の各開口２２内に支持体３０上に支持された状態で形成される。その後、金属マスク２８Ｍおよび異方導電性エラストマー層２４Ｂの残部の表面に残存する残存するレジスト層２８Ｒを除去する。
ここで、レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましく、これにより、目的とする形態の接続用導電部２４を確実に形成することができる。
【００５６】
そして、支持体３０における導電性エラストマー層２４Ｂが除去された領域すなわち接続用導電部２４の間の領域に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料を供給することにより、図１２に示すように、支持体３０上に支持された複数の接続用導電部２４の間に絶縁部用材料層２５Ａを形成し、以て、支持体３０上に複数の接続用導電部２４および絶縁部用材料層２５Ａが形成されてなる第１の中間体２０Ａが製造される。
【００５７】
《工程ｂ》
先ず、図１３に示すように、金属膜２９Ｆ上に、フォトリソグラフィーの手法により、形成すべき接続用導電部２４のパターンに対応するパターンに従って開口２９Ｋが形成されたレジスト層２９Ｒを形成する。次いで、金属膜２９Ｆにおけるレジスト層２９Ｒの開口２９Ｋを介して露出した部分の表面に、磁性を示す金属によるメッキ処理を施すことにより、図１４に示すように、レジスト層２９Ｒの開口２９Ｋの各々に接点部材２７を形成する。その後、金属箔２９Ｆからレジスト層２９Ｒを除去することにより、図１５に示すように、金属膜２９Ｆ上に特定のパターンに対応するパターンに従って接点部材２７が形成されてなる接点部材複合体２７Ｃが得られる。
以上において、金属膜２９Ｆを構成する材料としては、銅、ニッケルなどを用いることができる。また、金属膜２９Ｆは、樹脂フィルム上に積層されたものであってもよい。
金属膜２９Ｆの厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１μｍである。この厚みが過小である場合には、均一な薄層が形成されず、メッキ電極として不適なものとなることがある。一方、この厚みが過大である場合には、例えばエッチングによって除去することが困難となることがある。
レジスト層２９Ｒの厚みは、形成すべき接点部材２７の厚みに応じて設定される。
【００５８】
そして、金属膜２９Ｆ上における接点部材２７が形成された領域以外の領域に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料よりなる絶縁部用材料を供給することにより、図１６に示すように、金属膜２９Ｆ上に形成された複数の接点部材２７の間に絶縁部用材料層２５Ｂを形成し、以て、金属膜２９Ｆ上に複数の接点部材２７および絶縁部用材料層２５Ｂが形成されてなる第２の中間体２０Ｂが製造される。
【００５９】
《工程ｃ》
図１７に示すように、上記工程ａにおいて製造した第１の中間体２０Ａと、上記工程ｂにおいて製造した第２の中間体２０Ｂとを、当該第１の中間体２０Ａにおける接続用導電部２４の各々にこれに対応する第２の中間体２０Ｂにおける接点部材２７の各々が対接するよう積重し、更に加圧することにより、接続用導電部２４の各々を厚み方向に圧縮した状態に変形させる。その後、この状態で、第１の中間体２０Ａにおける絶縁部用材料層２５Ａおよび第２の中間体２０Ｂにおける絶縁部用材料層２５Ｂの各々を硬化処理することにより、図１８に示すように、隣接する接続用導電部２４の間にこれらを相互に絶縁する絶縁部２５が、接続用導電部２４および接点部材２７の各々に一体的に接着した状態で形成され、以て弾性異方導電膜２３が形成される。
そして、支持体３０および金属膜２９Ｆを除去することにより、圧縮された接続用導電部２４の各々が元の形態に復元する結果、接続用導電部２４、接点部材２７および絶縁部２５における接点部材２７の周辺部分が突出した状態となり、以て、図１〜図３に示す構成の異方導電性コネクター２０が得られる。
以上において、絶縁部用材料層２５Ａおよび絶縁部用材料層２５Ｂの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、絶縁部用材料層２５Ａおよび絶縁部用材料層２５Ｂを構成する高分子物質形成材料の種類などを考慮して適宜設定される。
【００６０】
上記の製造方法によれば、導電性エラストマー用材料層２４Ａ上に、検査対象であるウエハにおける被検査電極のパターンに対応する特定のパターンに従って磁性を示す金属マスク２８Ｍを配置した状態で、当該導電性エラスマー用材料層２４Ａの厚み方向に磁場を作用させると共に当該導電性エラストマー用材料層２４Ａを硬化処理することにより、得られる導電性エラストマー層２４Ｂは、金属マスク２８Ｍが配置された部分における導電性粒子Ｐが密となり、それ以外の部分における導電性粒子Ｐが疎となる。そのため、金属マスク２８Ｍを介して導電性エラストマー層２４Ｂをレーザー加工することにより、当該導電性エラストマー層２４Ｂにおける金属マスク２８Ｍが配置されていない部分を容易に除去することができるので、所期の形態の接続用導電部を特定のパターンに従って確実に形成することができる。そして、特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部２４を形成したうえで、これらの接続用導電部２４の間に絶縁部用材料層２５Ａを形成して硬化処理することにより絶縁部２５を形成するため、導電性粒子Ｐが全く存在しない絶縁部２５を確実に得ることができる。
しかも、複数の接続用導電部２４の間に絶縁部用材料層２５Ａが形成されてなる第１の中間体２０Ａと、複数の接点部材２７の間に絶縁部用材料層２５Ｂが形成されてなる第２の中間体２０Ｂとを積重し、当該絶縁部用材料層２５Ａ，２５Ｂを硬化処理することにより、得られる異方導電性コネクター２０においては、接点部材２７は絶縁部２５に埋め込まれた状態で固定される。
従って、このような方法によって得られる異方導電性コネクター２０によれば、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、接点部材２７が接続用導電部２４から早期に離脱することがなくて長い使用寿命が得られる。
また、弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４上には、接点部材２７が配置されているため、ウエハの検査を行う際に、シート状プローブを用いることが不要となるので、簡単な構造のプローブカードを得ることができると共に、シート状プローブの位置ずれによる接続不良を回避することができる。
【００６１】
また、弾性異方導電膜２３の各々がフレーム板２１の開口縁部に支持されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウエハとの電気的接続作業において、当該ウエハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。
また、面積の小さい弾性異方導電膜２３は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜２３の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、弾性異方導電膜２３の面方向における熱膨張がフレーム板２１によって確実に規制される。しかも、異方導電性コネクター２０全体の熱膨張は、フレーム板２１を構成する材料の熱膨張に依存するので、フレーム板２１を構成する材料として熱膨張率の小さいものを用いることにより、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、当該異方導電性コネクター２０における接続用導電部２４とウエハにおける被検査電極との位置ずれが防止される結果、良好な電気的接続状態が安定に維持される。
【００６２】
図１９は、本発明に係る第２の例の異方導電性コネクターを示す平面図である。
この第２の例の異方導電性コネクター２０は、それぞれ厚み方向に貫通して伸びる複数の開口２２が形成された矩形の板状のフレーム板２１を有する。このフレーム板２１の開口２２は、検査対象であるウエハに形成された集積回路のうち例えば３２個（８個×４個）の集積回路における被検査電極が形成された電極領域のパターンに対応して形成されている。フレーム板２１には、厚み方向に導電性を有する複数の弾性異方導電膜２３が、それぞれ一の開口２２を塞ぐよう、当該フレーム板２１の開口縁部に支持された状態で配置されている。第２の例の異方導電性コネクター２０におけるその他の構成は、第１の例の異方導電性コネクター２０と同様である。
また、第２の例の異方導電性コネクター２０は、第１の例の異方導電性コネクター２０と同様にして製造することができる。
そして、第２の例の異方導電性コネクター２０によれば、第１の例の異方導電性コネクター２０と同様の効果が得られる。
【００６３】
〈ウエハ検査用プローブカード〉
図２０は、本発明に係るウエハ検査用プローブカード（以下、単に「プローブカード」という。）の第１の例における構成を示す説明用断面図であり、図２１は、第１の例のプローブカードの要部の構成を示す説明用断面図である。
この第１の例のプローブカード１０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々のバーンイン試験をウエハの状態で一括して行うために用いられるものであって、検査用回路基板１１と、この検査用回路基板１１の一面（図２０および図２１において上面）に配置された、図１に示す第１の例の異方導電性コネクター２０とにより構成されている。
【００６４】
検査用回路基板１１は、図２２にも示すように、円板状の第１の基板素子１２を有し、この第１の基板素子１２の表面（図２０および図２１において上面）における中央部には、正八角形の板状の第２の基板素子１５が配置され、この第２の基板素子１５は、第１の基板素子１２の表面に固定されたホルダー１４に保持されている。また、第１の基板素子１２の裏面における中央部には、補強部材１７が設けられている。
第１の基板素子１２の表面における中央部には、複数の接続用電極（図示省略）が適宜のパターンに従って形成されている。一方、第１の基板素子１２の裏面における周縁部には、図２３に示すように、複数のリード電極１３が当該第１の基板素子１２の周方向に沿って並ぶよう配置されたリード電極部１３Ｒが形成されている。リード電極１３のパターンは、後述するウエハ検査装置におけるコントローラーの入試出力端子のパターンに対応するパターンである。そして、リード電極１３の各々は内部配線（図示省略）を介して接続用電極に電気的に接続されている。
第２の基板素子１５の表面（図２０および図２１において上面）には、複数の検査用電極１６が、検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査用電極部１６Ｒが形成されている。一方、第２の基板素子１５の裏面には、複数の端子電極（図示省略）が適宜のパターンに従って配置されており、端子電極の各々は内部配線（図示省略）を介して検査用電極１６に電気的に接続されている。
そして、第１の基板素子１２の接続用電極と第２の基板素子１５の端子電極とは適宜の手段によって電気的に接続されている。
【００６５】
検査用回路基板１１における第１の基板素子１２を構成する基板材料としては、従来公知の種々の材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂基板材料などが挙げられる。
検査用回路基板１１における第２の基板素子１５を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜６×１０-6／Ｋである。このような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等よりなる無機系基板材料、４２合金、コバール、インバー等の鉄−ニッケル合金鋼よりなる金属板をコア材としてエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂を積層した積層基板材料などが挙げられる。
【００６６】
ホルダー１４は、第２の基板素子１５の外形に適合する正八角形状の開口１４Ｋを有し、この開口１４Ｋ内に第２の基板素子１５が収容されている。また、ホルダー１４の外縁は円形である。
【００６７】
このような第１の例のプローブカード１０によれば、図１に示す異方導電性コネクター２０を有するため、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、当該被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、また、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、良好な電気的接続状態が安定に維持される。従って、ウエハのバーンイン試験において、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
【００６８】
図２４は、本発明に係るプローブカードの第２の例における構成を示す説明用断面図であり、図２５は、第２の例のプローブカードの要部の構成を示す説明用断面図である。
この第２の例のプローブカード１０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々のプローブ試験をウエハの状態で行うために用いられるものであって、検査用回路基板１１と、この検査用回路基板１１の一面（図２４および図２５において上面）に配置された、図１９に示す第２の例の異方導電性コネクター２０とにより構成されている。
第２の例のプローブカード１０の検査用回路基板１１においては、図２６に示すように、第２の基板素子１５の表面に、検査対象であるウエハに形成された集積回路のうち例えは３２個（８個×４個）の集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査用電極１６が配置された検査用電極部１６Ｒが形成されている。検査用回路基板１１におけるその他の構成は、第１の例のプローブカード１０における検査用回路基板１１と基本的に同様である。
【００６９】
このような第２の例のプローブカード１０によれば、図１９に示す異方導電性コネクター２０を有するため、検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、当該被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、また、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、良好な電気的接続状態が安定に維持される。従って、ウエハのプローブ試験において、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
【００７０】
〔ウエハ検査装置〕
図２７は、本発明に係るウエハ検査装置の第１の例における構成の概略を示す説明用断面図であり、図２８は、第１の例のウエハ検査装置の要部を拡大して示す説明用断面図である。この第１のウエハ検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路のバーンイン試験をウエハの状態で一括して行うためのものである。
第１の例のウエハ検査装置は、検査対象であるウエハ６の温度制御、ウエハ６の検査を行うための電源供給、信号の入出力制御およびウエハ６からの出力信号を検出して当該ウエハ６における集積回路の良否の判定を行うためのコントローラー２を有する。図２９に示すように、コントローラー２は、その下面に、多数の入出力端子３が円周方向に沿って配置された入出力端子部３Ｒを有する。
コントローラー２の下方には、第１の例のプローブカード１０が、その検査用回路基板１１のリード電極１３の各々が、当該コントローラー２の入出力端子３に対向するよう、適宜の保持手段によって保持された状態で配置されている。
コントローラー２の入出力端子部３Ｒとプローブカード１０における検査用回路基板１１のリード電極部１３Ｒとの間には、コネクター４が配置され、当該コネクター４によって、検査用回路基板１１のリード電極１３の各々がコントローラー２の入出力端子３の各々に電気的に接続されている。図示の例のコネクター４は、長さ方向に弾性的に圧縮可能な複数の導電ピン４Ａと、これらの導電ピン４Ａを支持する支持部材４Ｂとにより構成され、導電ピン４Ａは、コントローラー２の入出力端子３と第１の基板素子１２に形成されたリード電極１３との間に位置するよう配列されている。
プローブカード１０の下方には、検査対象であるウエハ６が載置されるウエハ載置台５が設けられている。
【００７１】
このようなウエハ検査装置においては、ウエハ載置台５上に検査対象であるウエハ６が載置され、次いで、プローブカード１０が下方に加圧されることにより、その異方導電性コネクター２０における接点部材２７の各々が、ウエハ６の被検査電極７の各々に接触し、更に、当該接点部材２７の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター２０の弾性異方導電膜２３における接続用導電部２４の各々は、検査用回路基板１１の検査用電極１６と接点部材２７とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該接続用導電部２４にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用回路基板１１の検査用電極１６との電気的接続が達成される。その後、ウエハ載置台５を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウエハ６における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。
【００７２】
このような第１の例のウエハ検査装置によれば、第１の例のプローブカード１０を介して、検査対象であるウエハ６の被検査電極７に対する電気的接続が達成されるため、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができ、従って、ウエハのバーンイン試験において、当該ウエハに対する所要の電気的検査を確実に実行することができる。
【００７３】
図３０は、本発明に係るウエハ検査装置の第２の例における構成の概略を示す説明用断面図であり、このウエハ検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路のプローブ試験をウエハの状態で行うためのものである。
この第２の例のウエハ検査装置は、第１の例のプローブカード１０の代わりに第２の例のプローブカード１０を用いたこと以外は、第１の例のウエハ検査装置と基本的に同様の構成である。
この第２の例のウエハ検査装置においては、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された例えば３２個の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１０を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１０を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウエハ６に形成された全ての集積回路のプローブ試験が行われる。
このような第２の例のウエハ検査装置によれば、第２の例のプローブカード１０を介して、検査対象であるウエハ６の被検査電極７に対する電気的接続が達成されるため、ウエハに対する良好な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができ、従って、ウエハのプローブ試験において、当該ウエハに対する所要の電気的検査を確実に実行することができる。
【００７４】
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、以下のように、種々の変更を加えることが可能である。
（１）異方導電性コネクター２０においては、接点部材２７および絶縁部２５における接点部材２７の周辺部分が表面から突出した状態とされることは必須のことではなく、接点部材２７を含む表面全体が平坦なものであってもよい。
（２）異方導電性コネクター２０における弾性異方導電膜２３には、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された接続用導電部２４の他に、被検査電極に電気的に接続されない非接続用の導電部が形成されていてもよい。
（３）ウエハ検査装置におけるコントローラー２と検査用回路基板１１を電気的に接続するコネクター４は、図２９に示すものに限定されず、種々の構造のものを用いることにができる。
【００７５】
（４）異方導電性コネクター２０の製造方法における工程（ａ）においては、接続用導電部形成用の支持体として、形成すべき接続用導電部２４のパターンに対応するパターンに従って強磁性体部分が配置されてなるものを用いることができる。このような支持体の一例における構成を図３１に示す。この支持体３１は、導電性エラストマー用材料層が形成される表面を形成する金属膜３２を有し、この金属膜３２の裏面には、形成すべき接続用導電部２４のパターンに対応するパターンに従って強磁性体部分３３が配置され、それ以外の領域には非磁性体部分３４が配置されている。
金属膜３２を構成する材料としては、ニッケル、金、銅などを用いることができる。
強磁性体部分３３を構成する材料としては、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などを用いることができる。
非磁性体部分３４を構成する材料としては、フォトレジストを用いることができる。
このような支持体３１は、図３２に示すように、金属膜３２上に、形成すべき強磁性体部分３３のパターンに従って開口３４Ｋが形成された非磁性体部分３４をフォトレジストによって形成し、その後、金属膜３２における非磁性体部分３４の開口３４Ｋを介して露出した部分の表面に、メッキ処理を施すことにより、製造することができる。
【００７６】
このような支持体３１においては、以下のようにして接続用導電部２４が形成される。  先ず、図３３に示すように、支持体３１における金属膜３２の表面に、フレーム板２１を配置すると共に、このフレーネ板２１に導電性エラストマー材料を塗布することにより、当該フレーム板２１の開口２２を塞ぐよう導電性エラストマー用材料層２４Ａを形成し、この導電性エラストマー材料層２４Ａ上に、金属マスク複合体２８Ｃをその金属マスク２８Ｍの各々が当該導電性エラストマー材料層２４Ａに接するよう配置する。次いで、導電性エラストマー用材料層２４Ａに対し、金属マスク２８Ｍおよび支持体３１の強磁性体部分３３を介して当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚み方向に磁場を作用させ、これにより、導電性エラストマー用材料層２４Ａにおける金属マスク２８Ｍと支持体３１の強磁性体部分３３との間に位置する部分には、それ以外の部分より大きい強度の磁場が形成される。その結果、導電性エラストマー用材料層２４Ａ中に分散されていた導電性粒子Ｐは、図３４に示すように、金属マスク２８Ｍと支持体３１の強磁性体部分３３との間に位置する部分に集合し、更に当該導電性エラストマー用材料層２４Ａの厚み方向に並ぶよう配向する。そして、導電性エラストマー用材料層２４Ａに対する磁場の作用を継続しながら、或いは磁場の作用を停止した後、導電性エラストマー用材料層２４Ａの硬化処理を行うことにより、図３５に示すように、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる導電性エラストマー層２４Ｂが、支持体３１上に支持された状態で形成される。
その後、導電性エラストマー層２４Ｂ上に配置された金属マスク複合体２８Ｃにおける金属箔２８Ｆに対して、エッチング処理を施して除去することにより、図３６に示すように、金属マスク２８Ｍおよびレジスト層２８Ｒを露出させる。そして、導電性エラストマー層２４Ｂおよびレジスト層２８Ｒに対してレーザー加工を施すことにより、レジスト層２８Ｒおよび導電性エラストマー層２４Ｂにおける金属マスク２８Ｍが配置された部分の周辺部分が除去され、その結果、図３７に示すように、特定のパターンに従って配置された複数の接続用導電部２４が支持体３１上に支持された状態で形成される。
【００７７】
このような支持体３１を用いる方法によれば、導電性エラストマー材料層２４Ａに対し、金属マスク２８Ｍが配置された部分に、それ以外の部分より一層高い強度の磁場を作用させることができるので、得られる導電性エラストマー層２４Ｂは、金属マスク２８Ｍが配置された部分における導電性粒子Ｐが一層密となり、それ以外の部分における導電性粒子Ｐが一層疎となる。そのため、導電性エラストマー層２４の厚みが相当に大きいものであっても、導電性エラストマー層２４Ｂをレーザー加工することにより、所期の形態の接続用導電部２４を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明に係る第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクターを示す平面図である。
【図２】第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図である。
【図３】第１の例のウエハ検査用異方導電性コネクターの一部を拡大して示す説明用断面図である。
【図４】金属箔上に特定のパターンに従って形成された複数の開口を有するレジスト層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図５】レジスト層の各開口内に金属マスクが形成されて金属マスク複合体が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図６】支持体上に、フレーム板が配置されると共に導電性エラストマー用材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図７】導電性エラストマー用材料層の表面に金属マスク複合体が配置された状態を示す説明用断面図である。
【図８】導電性エラストマー用材料層にその厚み方向に磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。
【図９】支持体上に導電性エラストマー層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１０】金属マスク複合体の金属箔が除去された状態を示す説明用断面図である。
【図１１】支持体上に特定のパターンに従って複数の接続用導電部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１２】第１の中間体の構成を示す説明用断面図である。
【図１３】金属膜上に特定のパターンに従って形成された複数の開口を有するレジスト層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１４】レジスト層の各開口内に接点部材が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１５】接点部材複合体の構成を示す説明用断面図である。
【図１６】第２の中間体の構成を示す説明用断面図である。
【図１７】第１の中間体と第２の中間体とが積重された状態を示す説明用断面図である。
【図１８】隣接する接続用導電部間に絶縁部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１９】本発明に係る第２の例のウエハ検査用異方導電性コネクターを示す平面図である。
【図２０】本発明に係るプローブカードの第１の例の構成を示す説明用断面図である。
【図２１】第１の例のプローブカードの要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。
【図２２】第１の例のプローブカードにおける検査用回路基板を示す平面図である。
【図２３】検査用回路基板におけるリード電極部を拡大して示す説明図である。
【図２４】本発明に係るプローブカードの第２の例の構成を示す説明用断面図である。
【図２５】第２の例のプローブカードの要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。
【図２６】第２の例のプローブカードにおける検査用回路基板を示す平面図である。
【図２７】本発明に係るウエハ検査装置の第１の例の構成を示す説明用断面図である。
【図２８】第１の例のウエハ検査装置の要部の構成を拡大して示す説明用断面図である。
【図２９】第１の例のウエハ検査装置におけるコネクターを拡大して示す説明用断面図である。
【図３０】本発明に係るウエハ検査装置の第２の例の構成を示す説明用断面図である。
【図３１】支持体の他の例における構成を示す説明用断面図である。
【図３２】金属膜上に非磁性体部分が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図３３】図３１に示す支持体上に形成された導電性エラストマー用材料層の表面に金属マスク複合体が配置された状態を示す説明用断面図である。
【図３４】導電性エラストマー用材料層にその厚み方向に磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。
【図３５】図３１に示す支持体上に導電性エラストマー層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図３６】金属マスク複合体の金属箔が除去された状態を示す説明用断面図である。
【図３７】図３１に示す支持体上に特定のパターンに従って複数の導電路形成部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図３８】従来の異方導電性コネクターを製造するための金型の構成を示す説明用断面図である。
【図３９】従来の異方導電性コネクターを製造する工程において、金型内にフレーム板が配置されると共に、成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図４０】成形材料層の厚み方向に磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。
【図４１】従来の異方導電性コネクターの製造方法において、成形材料層に作用される磁場の方向を示す説明用断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
２  コントローラー
３  入出力端子
３Ｒ  入出力端子部
４  コネクター
４Ａ  導電ピン
４Ｂ  支持部材
５  ウエハ載置台
６  ウエハ
７  被検査電極
１０  プローブカード
１１  検査用回路基板
１２  第１の基板素子
１３  リード電極
１３Ｒ  リード電極部
１４  ホルダー
１４Ｋ  開口
１５  第２の基板素子
１６  検査用電極
１６Ｒ  検査用電極部
１７  補強部材
２０  異方導電性コネクター
２０Ａ  第１の中間体
２０Ｂ  第２の中間体
２１  フレーム板
２２  開口
２３  弾性異方導電膜
２４  接続用導電部
２４Ａ  導電性エラストマー用材料層
２４Ｂ  導電性エラストマー層
２５  絶縁部
２５Ａ，２５Ｂ  絶縁部用材料層
２７  接点部材
２７Ｃ  接点部材複合体
２８Ｃ  金属マスク複合体
２８Ｆ  金属箔
２８Ｍ  金属マスク
２８Ｒ  レジスト層  
２８Ｋ  開口
２９Ｆ  金属膜
２９Ｒ  レジスト層
２９Ｋ  開口
３０，３１  支持体
３２  金属膜
３３  強磁性体部分
３４  非磁性体部分
３４Ｋ  開口
８０  上型
８１  基板
８２，８２ａ，８２ｂ  強磁性体層
８３  非磁性体層
８５  下型
８６  基板
８７  ８７ａ，８７ｂ  強磁性体層
８８  非磁性体層
９０  フレーム板
９１  開口
９５  弾性異方導電膜
９５Ａ  成形材料層
９６  導電部
９７  絶縁部
Ｐ  導電性粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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