(57)【要約】【課題】オーバーライト特性を良好にすることが可能な構造を備えた垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドは、コイルと、垂直記録を行う主磁極層と、ライトシールド層と、ライトギャップ層とを備え、主磁極層は、メインポール膜部分と、ヨークポール膜部分とを備える。ライトシールド層は、スロートハイトを決定する第１シールド膜部分を有し、第１シールド膜部分の厚みはヨークポール膜部分の厚みよりも小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界を発生させるコイルと、
前記コイルによって発生した磁界によって垂直記録を行う主磁極層と、
前記コイルを挟んで前記主磁極層と対向するライトシールド層と、
前記主磁極層及び前記ライトシールド層の間に介在されるライトギャップ層とを備えた垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドであって、
前記主磁極層は、メインポール膜部分と、メインポール膜部分において前記ライトシールド層と対向する側の面に設けられたヨークポール膜部分とを備え、
前記ライトシールド層は、その一部分が所定の仮想領域に位置しており、
前記仮想領域は、仮想延長面と仮想直交面とによって決定され、該仮想延長面及び該仮想直交面から前記ヨークポール膜部分側となる領域であり、
前記仮想延長面は、前記ヨークポール膜部分において前記ライトシールド層と対向する側の面を延長した面であり、
前記仮想直交面は、前記ライトシールド層において前記ライトギャップ層と対向する面の内側の縁から、前記仮想延長面に対して直交するように延ばした面である、
垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ライトシールド層は、前記ライトギャップ層を挟んで前記メインポール膜部分と対向する位置に、スロートハイトを決定する第１シールド膜部分を有し、
前記第１シールド膜部分の厚みは前記ヨークポール膜部分の厚みよりも小さい、
請求項１に記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記ライトシールド層は、前記ライトギャップ層を挟んで前記メインポール膜部分と対向する位置に、奥行きがほぼ一定の第１シールド膜部分を有し、
前記第１シールド膜部分の厚みは前記ヨークポール膜部分の厚みよりも小さい、
請求項１又は２に記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近では磁気ディスク装置の面記録密度は、160〜200ギガバイト/プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、情報を、磁気ディスクの記録面内(長手)方向に記録する長手記録方式と、記録面の垂直方向に記録する垂直記録方式とに分けることができる。このうち、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済の磁気ディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手記録方式よりも有望視されている。従来の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、米国特許第6,504,675号明細書、米国特許第4,656,546号明細書、米国特許第4,672,493号明細書、特開2004-94997号公報等に開示されている。
【０００４】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは磁気ディスクの内周や外周の領域にデータを記録するときに、データを記録するトラックに対して、磁気ディスクに対向する媒体対向面(エアベアリング面、ＡＢＳともいう)の側に配置された磁極端部がある角度での傾き(Skew Angle)を生じる。
【０００５】
垂直記録方式の磁気ヘッド(perpendicular  magnetic  recording  head)で書き込み能力が高い場合は、このSkew  Angleが生じることによって、隣接するトラック同士の間に余分なデータを記録してしまう、いわゆる書きにじみと呼ばれる問題を生じることがある。この書きにじみが生じると、サーボ信号の検出や、再生波形のＳ/Ｎ比に悪影響を及ぼす。そこで、従来のＰＭＲは、主磁極膜におけるＡＢＳ側の磁極端部を一方向に向って漸次幅の狭まるべベル形状にしている(特開2003-242607号公報、特開2003-203311号公報参照)。
【０００６】
磁極端部をべベル形状にしたＰＭＲとしては、下部ヨーク膜と、べベル形状の磁極端部を有する主磁極膜と、ＡＢＳの側で記録ギャップ膜を挟んで、主磁極膜と対向するライトシールド(Write  shield)層とを備えたものが知られている。この種のＰＭＲでも、記録密度を向上させるため、トラック幅をより狭くしたものが求められている。しかも、オーバーライト特性が良好で、磁気ディスクに記録されているデータに別のデータを上書きしてしまうことがないようにするのが望ましい。そのためには、下部ヨーク膜がＡＢＳにできるだけ近づいた構造にするのが望ましい。
【０００７】
しかしながら、この種のPMRでは、下部ヨーク膜の次に主磁極膜が形成されるため、磁極端部をべベル形状にして主磁極膜を形成するときに、下部ヨーク膜が影響を受けてネックハイト(neck  height)が現れ、トラック幅に対応した幅の狭い部分がネックハイトの分だけ長くなり、設計した長さからずれる(shift)おそれがあった。
【０００８】
このネックハイトのシフトによる影響を避けるためには、下部ヨーク膜をＡＢＳから離して形成しなければならず、ＡＢＳに近い箇所の磁気量(磁気ボリュームともいう)を大きくすることが困難であった。このため、従来のＰＭＲでは、オーバーライト特性を良好にすることが難しいという問題があった。
【特許文献１】米国特許第6,504,675号明細書
【特許文献２】米国特許第4,656,546号明細書
【特許文献３】米国特許第4,672,493号明細書
【特許文献４】特開2004-94997号公報
【特許文献５】特開2003-242607号公報
【特許文献６】特開2003-203311号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、オーバーライト特性を良好にすることが可能な構造を備えた垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決するため、本発明に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドは、磁界を発生させるコイルと、前記コイルによって発生した磁界によって垂直記録を行う主磁極層と、前記コイルを挟んで前記主磁極層と対向するライトシールド層と、前記主磁極層及び前記ライトシールド層の間に介在されるライトギャップ層とを備えた垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドであって、前記主磁極層は、メインポール膜部分と、メインポール膜部分において前記ライトシールド層と対向する側の面に設けられたヨークポール膜部分とを備え、前記ライトシールド層は、その一部分が所定の仮想領域に位置しており、前記仮想領域は、仮想延長面と仮想直交面とによって決定され、該仮想延長面及び該仮想直交面から前記ヨークポール膜部分側となる領域であり、前記仮想延長面は、前記ヨークポール膜部分において前記ライトシールド層と対向する側の面を延長した面であり、前記仮想直交面は、前記ライトシールド層において前記ライトギャップ層と対向する面の内側の縁から、前記仮想延長面に対して直交するように延ばした面である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、オーバーライト特性を良好にすることが可能となる。
【００１２】
なお、本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドの実施の形態を添付図面に基づいて説明する。なお、図中、同一符号は同一又は対応部分を示すものとする。また、説明中における上下方向（厚さ方向）は、図１の紙面を基準にしたものとして用いられており、幅方向は図１の紙面直交方向を、長さ方向は図１の紙面左右方向を示すものとする。
【００１４】
図１及び図２に示されるように、垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド１は、読み取り素子３と、書き込み素子５とを備えている。読み取り素子３は、例えばスピンバルブ素子やＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistance）素子など周知既存の磁気抵抗効果素子７でよく、ここでは、その詳細な説明は省略する。
【００１５】
読み取り素子３は、例えばＡｌ2Ｏ3などからなる絶縁層９に埋設されている。絶縁層９は、上部シールド層１１及び下部シールド層１３の間に挟まれている。これら上部シールド層１１及び下部シールド層１３は、例えばＮｉＦｅから構成されている。下部シールド層１３は、所定の基体１５の上方に成膜されている。
【００１６】
書き込み素子５は、読み取り素子３に対して積層方向の上方に設けられている。書き込み素子５は主に、コイル１７と、主磁極層１９と、非磁性層２１と、ライトシールド層２３とを備えている。
【００１７】
コイル１７は、まず、主磁極層１９の積層方向（成膜方向）の上方に設けられた第１のコイル部１７ａと、主磁極層１９の積層方向（成膜方向）の下方に設けられた第２のコイル部１７ｂとを有している。第１のコイル部１７ａ及び第２のコイル部１７ｂはそれぞれ、主磁極層１９とほぼ直交するような軸回りに巻き回されており、例えばＣｕなどの導体材料から構成されている。
【００１８】
ライトシールド層２３は、コイル１７の一部すなわち第１のコイル部１７ａを挟んで、主磁極層１９とは反対側に設けられている。ライトシールド層２３は、主磁極層１９とほぼ平行に延びる部分２３ａと、その媒体対向面側端部において主磁極層１９に接近するように下方に延長する部分２３ｂとを有する。ライトシールド層２３は、例えばＣｏＮｉＦｅなどの磁性材料によって構成されている。
【００１９】
ライトシールド層２３の媒体対向面側の部分２３ｂは、ライトギャップ層２５を挟んで、主磁極層１９と離隔している。ライトギャップ層２５は、例えばＡｌ2Ｏ3などから構成されている。一方、ライトシールド層２３の媒体対向面と反対側の部分２３ａは、バックギャップ層２７によって、主磁極層１９と接続されている。前述の第１のコイル部１７ａは、かかるバックギャップ層２７回りに巻き回されていた。バックギャップ層２７は、例えばＣｏＮｉＦｅなどの磁性材料によって構成されている。
【００２０】
次に、主磁極層１９とそれに対向するライトシールド層２３の部分との構造について説明する。主磁極層１９は、コイル１７によって発生した磁界によって垂直記録を行う部分を含み、本実施の形態では、メインポール膜部分２９と、その上面に設けられた上部ヨークポール膜部分３１とを備えている。メインポール膜部分２９は例えばＣｏＮｉＦｅ又はＮｉＦｅなどの磁性材料によって、上部ヨークポール膜部分３１は例えばＣｏＮｉＦｅなどの磁性材料によってそれぞれ構成されている。
【００２１】
図３に示されるように、上部ヨークポール膜部分３１の媒体対向面（ＡＢＳ）側の先端部３１ａは、メインポール膜部分２９の媒体対向面側の先端部２９ａよりも媒体対向面からより離隔した位置（図１及び図３の紙面でいえば右側の位置）で終端している。そして、メインポール膜部分２９の上方であって、上部ヨークポール膜部分３１の媒体対向面側の側方には、非磁性層２１が設けられている。非磁性層２１は、例えばＡｌ2Ｏ3などの非磁性材料によって構成されている。また、メインポール膜部分２９の媒体対向面側の先端部２９ａは、媒体対向面に露出している。
【００２２】
図２に最もよく示されるように、主磁極層１９のメインポール膜部分２９は、ライトシールド層２３などと比較して幅が狭く形成されている（読み取り素子３も同様）。さらに、メインポール膜部分２９は、媒体対向面側からみて台形状の端面を有している。
【００２３】
ライトシールド層２３は、第１シールド膜部分７１を備えている。第１シールド膜部分７１は、メインポール膜部分２９の先端部２９ａ近傍から非磁性層２１を挟んで媒体対向面側に位置する部分である。また、本実施の形態では、第１シールド膜部分７１は、長さ（奥行き）寸法Ｌがほぼ一定の部分であり、この長さ寸法Ｌがスロートハイトとして定まる。すなわち、第１シールド膜部分７１は、スロートハイトを決定する部分である。なお、図３に示される符号「Ｘ」、「Ｙ」及び「Ｚ」はそれぞれ、長さ（奥行き）方向、上下方向（厚さ方向）及び幅方向を示すものとする。
【００２４】
また、図３に最もよく示されているように、第１シールド膜部分７１の厚さＨ１は、上部ヨークポール膜部分３１の厚さＨ２よりも小さい。かかる構成は次のように捉えることもできる。ライトシールド層２３は、第２シールド膜部分７３を備えており、この第２シールド膜部分７３は、第１シールド膜部分７１の上方に設けられている。第２シールド膜部分７３においては、非磁性層２１と対向する領域の長さ（奥行き）寸法が上下方向で変化している。このような構成は、図３において一点鎖線で示される仮想領域８１にライトシールド層２３（第２シールド膜部分７３）の一部が入り込んでいる形態の一例といえる。仮想領域８１は、上部ヨークポール膜部分３１の上面３１ｂの仮想延長面Ｓ１と、その仮想延長面Ｓ１に対し第１シールド膜部分７１の内側（媒体対向面と逆側）の下縁７１ａから直交するように延ばした仮想直交面Ｓ２とによって決定され、仮想延長面Ｓ１及び仮想直交面Ｓ２から上部ヨークポール膜部分側となる仮想の領域である。
【００２５】
次に、主磁極層１９の下方の構成について説明する。図１に戻り、主磁極層１９の下方には、第２のコイル部１７ｂの他に、シールド層３３やバックギャップ層３５が設けられている。これらシールド層３３やバックギャップ層３５は、例えばＮｉＦｅなどの磁性材料によって構成されている。
【００２６】
シールド層３３は、上部シールド層１１の上方に絶縁層３７を介して積層されている。また、バックギャップ層３５は、主磁極層１９の上部ヨークポール膜部分３１における媒体対向面と反対側の部分を、シールド層３３に接続している。また、第２のコイル部１７ｂは、バックギャップ層３５回りに巻き回されている。
【００２７】
なお、全体を通していえることであるが、垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド１は、プロセスの都合上、複数の層の成膜を繰り返すことによって構成されているが、構成材料が同一の層については、将来を含めプロセス的に可能であるならば一体部分として一度に形成される態様であってもよい。また、コイル１７は、バックギャップ層回りに代えて、主磁極層１９回りに巻き回されている態様であってもよい。
【００２８】
次に、上述した構成を有する本実施の形態に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド１の製造方法について説明する。図４及び図５に示されるように、まず、例えばアルテックなどからなる基体１５の上に、下部シールド層１３を２．０μｍの厚みで形成する。次に、下部シールド層１３の上に、磁気抵抗効果素子７を埋設した絶縁層９を形成する。より詳細には２段階のステップで行われており、第１のステップとして、下部シールド層１３の上面にアルミナ膜を成膜した後、その表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish）処理で平坦化する。その後、磁気抵抗効果素子７を形成し、第２のステップとして、磁気抵抗効果素子７を覆うアルミナ膜を成膜する。
【００２９】
次に、絶縁層９の上に、上部シールド層１１を１．５μｍの厚みで形成し、さらにその上に、絶縁層３７を形成し、その上に、シールド層３３を１．５μｍの厚みで形成する。図４及び図５は、かかるシールド層３３の形成が終了した段階を示している。
【００３０】
続いて、図６に示されるように、第２のコイル部の形成を行う。まず、シールド層３３の上面に、第２のコイル部１７ｂの形成に要する面積よりも広範な面積で絶縁層４３を成膜する。さらに、かかる絶縁層４３の上面、及び、露出しているシールド層３３の部分の上面を覆うように、シード（seed）膜を成膜する。かかるシード膜の成膜は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの薄膜形成手法によって行うことができる。
【００３１】
続いて、シード膜の上にフォトレジスト膜を、スピンコート法などの適用によって形成した後、コイルパターンを有するマスクを用いて露光し、現像する。これにより、所定のパターンを有するレジストフレームが形成される。フォトレジスト膜は、ポジティブフォトレジスト、ネガティブフォトレジストの何れでもよい。そして、Ｃｕメッキ処理を実行し、コイル形成用パターンの内部に存在するシード膜の上に、第２のコイル部１７ｂを、２．０μｍの厚みとなるように成長させる。
【００３２】
次に、バックギャップ層３５及び磁性層４５を形成するためのフォトリソグラフィ工程を実行して、レジストフレームを形成する。そして、メッキ処理を行い、シールド層３３の上にバックギャップ層３５を成長させると共に、バックギャップ層３５を挟んで媒体対向面と逆側の第２のコイル部１７ｂの上に磁性層４５を成長させる。その後、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去する。これにより、図６の状態を得る。磁性層４５は、例えばＮｉＦｅなどの磁性材料によって構成されている。
【００３３】
次に、図７及び図８に示されるように、第２のコイル部１７ｂと、バックギャップ層３５及び第２のコイル部１７ｂ（バックギャップ層３５を挟んで媒体対向面と逆側）の間の部分とを、覆うように、フォトレジスト膜４７を形成する。さらに、フォトレジスト膜４７を覆うように、非磁性層４９を成膜する。非磁性層４９は、例えばＡｌ2Ｏ3によって構成されている。その後、バックギャップ層３５の厚みが３．０μｍ程度となるまでＣＭＰ処理を行って平坦化し、図７及び図８に示す状態を得る。
【００３４】
次に、メインポール膜部分２９の形成を行う。上記のＣＭＰ処理によって平坦化された上面に対し、メインポール膜部分２９を形成すべき領域に図示省略するメッキシード膜を設ける。さらにその上に、図９及び図１０に示されるように、メインポール膜部分形成用のフォトレジスト膜５７を形成する。そして、フォトレジスト膜５７をレジストフレームとしてメッキ処理を行い、メインポール膜部分２９を成膜する。
【００３５】
図１１及び図１２に示されるように、メインポール膜部分形成用のフォトレジスト膜５７を除去した後、メインポール膜部分２９及び非磁性層４９を覆うように非磁性層５９を形成する。さらに、図１３及び図１４に示されるように、非磁性層５９に対してＣＭＰ処理を行って薄層化する。
【００３６】
次に、図１５及び図１６に示されるように、まず、薄層化された非磁性層５９を媒体対向面から所定の奥行き分だけ残して除去し、ライトギャップ層２５を形成する。さらに、上部ヨークポール膜部分３１と、ライトシールド層２３を構成する第１シールド膜部分７１とを成膜する。上部ヨークポール膜部分３１は、ライトギャップ層２５が成膜されていないメインポール膜部分２９の上面に設けられている。また、第１シールド膜部分７１はライトギャップ層２５の上面において、上部ヨークポール膜部分３１の媒体対向面側の先端部と所定の長さ離隔するように成膜される。さらに、第１シールド膜部分７１と上部ヨークポール膜部分３１との間に非磁性層２１を設け、図１５及び図１６に示される状態を得る。
【００３７】
次に、図１７に示す状態までのプロセスについて説明する。まず、上部ヨークポール膜部分３１、非磁性層２１及び第１シールド膜部分７１の上面に絶縁層６１を形成する。この絶縁層６１は、後に第１のコイル部１７ａの土台となる層である。次に、絶縁層６１の上面に部分的にフォトレジスト膜５５を設ける。フォトレジスト膜５５の媒体対向面側の端部は、上部ヨークポール膜部分３１の媒体対向面側の先端部とほぼ同位置に設定される。フォトレジスト膜５５の媒体対向面と逆側の端部は、バックギャップ層３５の媒体対向面側の端部とほぼ同位置に設定される。なお、図示される、このようなフォトレジスト膜５５の端部位置は、あくまでも一例であり、第１シールド膜部分７１の厚みをどの程度に設定するか、また、後述のエッチング処理の状態などの事情によって適宜改変可能である。
【００３８】
次に、フォトレジスト膜５５をマスク材として、ＲＩＥ（reactive ion etching）及びその後にＩＢＥ（ion beam etching）を施し、絶縁層６１、上部ヨークポール膜部分３１、非磁性層２１及び第１シールド膜部分７１をエッチングして、図１７に示す状態を得る。すなわち、このようなプロセスによって、前述したように、第１シールド膜部分７１の厚さが、上部ヨークポール膜部分３１の厚さよりも小さくなるように加工される。
【００３９】
次に、図１８に示されるように、フォトレジスト膜５５を除去し、第２のコイル部１７ｂの形成と同様な手順によって、絶縁層６１の上面に第１のコイル部１７ａを形成する。また、第１のコイル部１７ａの媒体対向面側に、ライトシールド層２３の構成部分である第２シールド膜部分７３を成膜する。第２シールド膜部分７３は、第１シールド膜部分７１の上部及び非磁性層２１の上部を覆うように設けられる。また、第１のコイル部１７ａの媒体対向面と逆側に、バックギャップ層２７を成膜する。
【００４０】
さらにこの後、第１のコイル部１７ａのＣｕ層と磁性層との間にフォトレジスト膜を設け、その上に、Ａｌ2Ｏ3などからなる絶縁層を被覆した後、第３シールド膜部分７５を成膜することでライトシールド層２３を完成させ、図１及び図２に示される状態を得る。
【００４１】
以上のように構成された垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド１においては、第１シールド膜部分７１の厚さが上部ヨークポール膜部分３１の厚さよりも小さいので、相対的に上部ヨークポール膜部分３１を厚くして磁気ボリュームを稼ぎ、オーバーライト特性を向上させることができる。しかも、そのようにオーバーライト特性を向上させるべく上部ヨークポール膜部分３１の磁気ボリュームを大きくとっていても、第１シールド膜部分７１という磁気飽和が生じやすい領域は小さく構成されているため、好ましくない磁気漏洩を抑制することができる。また、第１シールド膜部分７１の上方に設けられた第２シールド膜部分７３は、第１シールド膜部分７１よりも上部ヨークポール膜部分３１に近づけられているため、漏洩した磁気を第１シールド膜部分７１に流れるよりもむしろ磁気飽和しにくい第２シールド膜部分７３で吸収するように促すことができる。
【００４２】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく例えば次のように改変して実施することも可能である。
【００４３】
まず、本発明は、ライトシールド層の構造に関し上記実施の形態に限定されるものではない。図１９に示されるように、第１のコイル部１７ａを覆う部分近傍が上方に盛り上がる形態のライトシールド層１２３を備えた垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド１０１として実施することもできる。
【００４４】
かかる垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド１０１においても、第１シールド膜部分１７１の厚さが上部ヨークポール膜部分３１の厚さよりも小さいので、磁気ボリュームを稼ぎ、オーバーライト特性を向上させることができ、しかも、磁気飽和が生じやすい領域は小さく構成されているため、好ましくない磁気漏洩を抑制することができる。また、漏洩した磁気を第１シールド膜部分１７１に流れるよりも第２シールド膜部分１７３で吸収するように促すことができる。
【００４５】
以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、更なる変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面側の要部を示す断面図である。
【図２】図１の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドに関し、矢印II方向すなわち媒体対向面（ＡＢＳ）側から見た端面図である。
【図３】図１のIII部の拡大図である。
【図４】垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドに関する製造工程を示す図である。
【図５】図４をＡＢＳ側から見た端面図である。
【図６】図４及び図５の次の工程を示す図である。
【図７】図６の次の工程を示す図である。
【図８】図７をＡＢＳ側から見た端面図である。
【図９】図７及び図８の次の工程を示す図である。
【図１０】図９をＡＢＳ側から見た端面図である。
【図１１】図９及び図１０の次の工程を示す図である。
【図１２】図１１をＡＢＳ側から見た端面図である。
【図１３】図１１及び図１２の次の工程を示す図
【図１４】図１３をＡＢＳ側から見た端面図である。
【図１５】図１３及び図１４の次の工程を示す図である。
【図１６】図１５をＡＢＳ側から見た端面図である。
【図１７】図１５及び図１６の次の工程を示す図である。
【図１８】図１７の次の工程を示す図である。
【図１９】本発明の別の実施の形態に係る図１と同態様の図である。
【符号の説明】
【００４７】
１                      垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド
１９                    主磁極層
２３                    ライトシールド層
２９                    メインポール膜部分
３１                    ヨークポール膜部分
７１                    第１シールド膜部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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