(57)【要約】【課題】従来の方式に比べて、より素早く、より正確に光ディスクの欠陥領域判別を行う。【解決手段】情報が記録されている光ディスク１にレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップ２と、光ピックアップ２を移動させるトラバース３と、光ディスク１を回転させるスピンドル４と、光ディスク１から受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段５と、前記信号から光ディスク１の欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段６と、前記信号から光ディスク１の未記録領域を検出する未記録領域検出手段７とを備え、未記録領域検出手段７で未記録領域の条件を満たした領域に限り欠陥領域検出手段６の欠陥領域検出の方式を変更する光ディスク装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記信号から前記光ディスクの未記録領域を検出する未記録領域検出手段とを備え、
前記未記録領域検出手段で未記録領域の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号の振幅を検出するＲＦ振幅検出手段とを備え、
前記ＲＦ振幅検出手段でＲＦ振幅がある一定の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号のボトムエンベロープを検出するＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段とを備え、
前記ＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段でボトムエンベロープがある一定の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記信号から前記光ディスクの未記録領域を検出する未記録領域検出手段および前記ＲＦ信号からＲＦ信号の振幅を検出するＲＦ振幅検出手段の少なくとも一つの手段と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号のボトムエンベロープを検出するＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段とを備え、
未記録領域検出およびＲＦ振幅の少なくとも一つとＲＦ信号ボトムエンベロープがある一定の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置において、光ディスクの欠陥領域に対して、ある条件下で欠陥検出方式を変更することにより、より安定した欠陥領域の検出とデータ再生を可能にするものである。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置はランダムアクセス性、媒体交換性、収納性等において総合的に他の磁気テープや磁気ディスク等の媒体に比べ優れている。近年、光ディスク装置は情報関連分野にのみならず民生機器の分野にも浸透してきており、光ディスク内のブラックスポットや傷などの欠陥領域に対して、より安定した制御が求められている。
【０００３】
特に未記録領域に存在する欠陥領域に関しては、記録領域と同等の欠陥検出では安定した検出が出来ない場合があり、課題となっていた。
【０００４】
このような未記録領域に存在する欠陥領域を適切に検出する方法として、従来、特許文献1が知られている。以下、特許文献1に開示されている従来の未記録領域に存在する欠陥領域検出について、図１１のブロック図と図１２のフローチャートを用いて説明する。図１１は従来技術における光ディスク装置のＲＦ信号ピークボトム検波制御部のブロック図である。図１１のＲＦ信号ピークボトム検波制御部において、光ディスク１１と、光ディスク１１にレーザーを照射させる光ピックアップ１２と、光ピックアップ１２を移動させるトラバース１３と、光ピックアップ１２からのＲＦ信号を増幅させるＲＦアンプ１４と、ＲＦ信号検波のための時定数が複数段階で設定できるＲＦピークボトム検出手段１５と、ＲＦ有無検出手段１６と、ＲＦピークボトム検出手段１５の時定数を切り替える時定数切り替え手段１７と、コントローラ１８で構成される。
【０００５】
このＲＦ信号ピークボトム検波制御部の動作について、図１２のフローチャートを用いて説明する。まず、電源が投入されるとコントローラ１８は光ディスクの種類に応じた回転数を設定する。このときコントローラ１８は、光ディスク１１毎に設定される回転数にとって最適と考えられる時定数をＲＦピークボトム検波手段１５に設定する。このため時定数切り替え手段１７に対してこの最適時定数を設定するよう指令を行う（Ｓ２）。
【０００６】
次にコントローラ１８は、回転数設定と時定数設定が正しいか確認を行う（Ｓ３）。
【０００７】
次に、光ディスク１１に記録されたデータ領域を読み取るためにピークボトム検波手段1５によりＲＦの有無を検出（ＲＦ検波）する（Ｓ４）。
【０００８】
続いてＲＦ有無検出手段１６の結果がＲＦ有無の閾値である基準電圧を超えていないかの判断を行う（Ｓ５）。
【０００９】
ＲＦ有無の閾値である基準電圧を超えていた場合、実際に光ディスク１１に記録されたデータ領域のリードを行い、光ディスク１１の内容が読めるかどうかを判断する（Ｓ６）。光ディスク１１の内容が判断できれば、読み取りができたと判断し、この処理を正常としてＯＫで終了させる。
【００１０】
光ディスク１１の内容が判断できなければ、読み取りができなかったと判断し、再度ＲＦの検波動作を、予め決められた複数段階の時定数の数に対応したリトライ回数ｎ回だけ行う（Ｓ７）。この回数（ループ回数）が、予め決められたｎ回を超えたと判断されればこの処理をＮＧで終了させる。
【００１１】
ＲＦの検波動作が、予め決められたリトライ回数ｎ回を超えていない場合、コントローラ１８は、時定数切り替え手段１７に対し別の段階の時定数を再設定し（Ｓ８）、Ｓ４に戻って、再度光ディスクに記録されたデータ領域を読み取るためにピークボトム検波手段１５によりＲＦの有無を検出し、処理をリトライ回数ｎ回まで繰り返す。読み取りができた時点でこの処理を正常としてＯＫで終了させる。最終的にリトライ回数ｎ回を超えたらエラーとしてＮＧ終了となる。
【００１２】
図１３は従来例の時定数切り替え手段を用いた場合のＲＦ検波波形を示す図である。図１３においてＡ波形はＲＦ信号を表す。Ｂ波形はＲＦ信号のピークを検波した波形とＲＦ信号のボトムを検波した波形の差信号の絶対値（｜（ピーク）―（ボトム）｜）を表す波形であるＲＦ検波信号である。Ｂ波形の基準電圧Ｃ以上になるとＲＦ検出手段はＲＦ信号があると判断する。Ｄは記録領域のＲＦ信号波形を示す。Ｅ部分は光ディスク１１の製造過程等において欠陥（傷）の入った部分を表す。
【００１３】
Ｅの部分のリードを光ピックアップ１２が行った場合、時定数切り替え前では、Ｆ波形（破線）のように光ディスク１１の欠陥部分ではＲＦ検波信号が閾値の基準電圧Ｃを超えてしまい、未記録領域であるにも関わらず、記録領域と判断してしまう。この現象が光ディスクのデータ領域で発生すると、光ディスク１１上のＲＦ信号の正確な位置が判らず、光ディスク装置は光ディスクデータが読めないためにエラーとなってしまう。その場合はコントローラ１８が、ピークボトム検波手段１５に対して回転数に対して予め設定されている複数段階の別の時定数を設定するように指令を出す。時定数に切り替えを最大ｎ回まで何回か繰り返して適当な時定数を設定できた場合には、光ディスク１１のデータ領域のリードを行うと、Ｇ波形（実線）の時定数切り替え後波形のように、光ディスク１１の欠陥部分においてもＲＦ検波信号が閾値となる基準電圧Ｃを越えないようになり、未記録領域を適切に判断することが可能になる。ｎ回のリトライ設定でもこの判断ができない場合、欠陥によるエラーではない他の原因のエラーとして終了することができる。
【特許文献１】特開2003-203353号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述した従来の光ディスク装置では、時定数を切り替えた後に再度リードを行い、それを数回行うために、再生直前に非常に長い時間が必要になるという課題を有している。
【００１５】
また上記以外の欠陥検出方式を有する光ディスク装置に関して、図１４を用いて説明する。図１４に示す欠陥検出方式を有する光ディスク装置は、Ａ波形のＲＦ信号から欠陥領域Ｅを検出する欠陥検出基準電圧Ｈを設け、記録領域のＲＦ信号を誤判別しない程度の長いＬｏｗ区間を欠陥領域と検出して欠陥判別信号Ｊを出力し、欠陥領域Ｅを即座に判別するというものである。しかし未記録時に、欠陥検出する必要のない微小なＲＦ信号の変動箇所Ｉがあった場合に、欠陥領域と誤判別してサーボ制御などに異常をきたすという課題を有している。この図１４の方式はモノマルチ方式と呼ばれ、従来技術として広く知られているものである。このように、従来技術では特に未記録部分での正確な欠陥検出が困難であり、優れた欠陥検出方式が求められている。
【００１６】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、従来の方式に比べて、より素早く、より正確に光ディスクの欠陥領域判別を行うことができる光ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は上記の課題を解決するため、情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記信号から前記光ディスクの未記録領域を検出する未記録領域検出手段と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号の振幅を検出するＲＦ振幅検出手段と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号のボトムエンベロープを検出するＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段とを備え、未記録領域検出とＲＦ信号ボトムエンベロープとＲＦ振幅がある一定の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、光ディスクの欠陥領域に対して、ある条件下で欠陥検出方式を変更することにより、より安定した欠陥領域の検出とデータ再生を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の請求項１に記載の発明は、情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記信号から前記光ディスクの未記録領域を検出する未記録領域検出手段とを備え、前記未記録領域検出手段で未記録領域の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置としたものであり、従来の方式に比べて、設定を変更して再度リードを行う必要がなくなり、また未記録状態であっても正確に欠陥領域を判別できるなどの効果を有する。
【００２０】
請求項２に記載の発明は、情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号の振幅を検出するＲＦ振幅検出手段とを備え、前記ＲＦ振幅検出手段でＲＦ振幅がある一定の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置としたものであり、従来の方式に比べて、設定を変更して再度リードを行う必要がなくなり、また未記録状態であっても正確に欠陥領域を判別できるなどの効果を有する。
【００２１】
本発明の請求項３に記載の発明は、情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号のボトムエンベロープを検出するＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段とを備え、前記ＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段でボトムエンベロープがある一定の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置としたものであり、従来の方式に比べて、設定を変更して再度リードを行う必要がなくなり、また未記録状態であっても正確に欠陥領域を判別できるなどの効果を有する。
【００２２】
本発明の請求項４に記載の発明は、情報が記録されている光ディスクにレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップと、前記光ピックアップを移動させるトラバースと、前記光ディスクを回転させるスピンドルと、前記光ディスクから受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段と、前記信号から前記光ディスクの未記録領域を検出する未記録領域検出手段および前記ＲＦ信号からＲＦ信号の振幅を検出するＲＦ振幅検出手段の少なくとも一つの手段と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号のボトムエンベロープを検出するＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段とを備え、未記録領域検出およびＲＦ振幅の少なくとも一つとＲＦ信号ボトムエンベロープがある一定の条件を満たした領域に限り前記欠陥領域検出手段の欠陥領域検出の方式を変更することを特徴とする光ディスク装置としたものであり、従来の方式に比べて、設定を変更して再度リードを行う必要がなくなり、また未記録状態であっても正確に欠陥領域を判別できるなどの効果を有する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１のブロック図である。図１に示す光ディスク装置は、情報が記録されている光ディスク１にレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップ２と、光ピックアップ２を移動させるトラバース３と、光ディスク１を回転させるスピンドル４と、光ディスク１から受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段５と、前記ＲＦ信号から光ディスク１の欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段６と、前記信号から前記光ディスクの未記録領域を検出する未記録領域検出手段７で構成される。
【００２４】
この光ディスク装置の実施の形態１における欠陥検出方法について、図２の波形図を用いて説明する。まず、情報が記録されている光ディスク１を起動させ、光ピックアップ２で光ディスク１にフォーカスサーボやトラッキングサーボをかけて、光ディスク１を再生させる。光ディスク１を再生時の欠陥検出方法は、信号生成手段５で生成されたＲＦ信号等の信号に対して、未記録領域判別手段７により現在の再生領域が記録領域と判断されれば、ＲＦ信号波形Ａに対して従来の欠陥検出基準電圧Ｈにより欠陥領域Ｅを検出し、現在の再生領域が未記録領域と判断されれば、従来の欠陥検出基準電圧Ｈより電圧値の低い第２の欠陥検出基準電圧Ｋに切り換えて欠陥領域Ｅを検出するというものである。また、記録・未記録の判別方法は数種類あるが、トラッキングエラー信号の有無で判別する方法やＲＦ信号Ａの振幅で判別する方法がある。未記録領域判別信号Ｌは未記録領域検出手段７が未記録領域と判別した際にＨｉｇｈとなり、記録領域と判別したときにＬｏｗになる。
【００２５】
この方法により、欠陥検出基準電圧を１つのみ設ける従来方法に対して、未記録領域は欠陥検出の感度を下げることになり、欠陥検出する必要のない微小なＲＦ信号の変動箇所Ｉがあった場合に、欠陥領域と誤判別してサーボ制御などに異常をきたす問題を解消することができる。
【００２６】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２のブロック図である。図３に示す光ディスク装置は、情報が記録されている光ディスク１にレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップ２と、光ピックアップ２を移動させるトラバース３と、光ディスク１を回転させるスピンドル４と、光ディスク１から受光した反射光から信号を生成する信号生成手段５と、前記信号から前記光ディスクの欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段６と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号の振幅を検出するＲＦ振幅検出手段８で構成される。ＲＦ振幅検出手段８は内部にハイパスフィルタを有し、ＲＦ信号は周波数が高いので通過するが、欠陥部分の周波数は低いため通過はしない。
【００２７】
この光ディスク装置の実施の形態２における欠陥検出方法について、図４の波形図を用いて説明する。実施の形態２の方式は、実施の形態１の方式とほぼ同等で、信号生成手段５により生成されたＲＦ信号からＲＦ振幅検出手段８によりＲＦ信号振幅を検出し、再生領域のＲＦ振幅が一定の基準より小さければ、ＲＦ信号振幅検出信号ＭはＨｉｇｈとなり、再生領域のＲＦ信号振幅が一定の基準より大きければ、ＲＦ信号振幅検出信号ＭはＬｏｗとなる。ＲＦ信号振幅検出信号ＭはＬｏｗの区間ではＲＦ信号波形Ａに対して従来の欠陥検出基準電圧Ｈにより欠陥領域Ｅを検出し、Ｈｉｇｈの区間では従来の欠陥検出基準電圧Ｈより電圧値の低い第２の欠陥検出基準電圧Ｋに切り換えて欠陥領域Ｅを検出するというものである。この方法により、欠陥検出基準電圧を１つのみ設ける従来方法に対して、ＲＦ振幅が小さいときは欠陥検出の感度を下げることになり、欠陥検出する必要のない微小なＲＦ信号の変動箇所Ｉがあった場合に、欠陥領域と誤判別してサーボ制御などに異常をきたす問題を解消することができる。
【００２８】
（実施の形態３）
上記実施の形態１、２による方式は、欠陥検出の判別速度・判別精度において従来の方式より優れた方式であるが、この方式による副作用を図５の波形図を用いて説明する。
【００２９】
図５の波形図は、欠陥領域が記録領域に存在した場合の欠陥検出結果である。実施の形態１や２のように、ＲＦ信号の振幅等で未記録領域を判別し、未記録領域と判別された区間の欠陥検出基準電圧を下げる方式の場合、欠陥領域中に未記録領域と判別されるために、従来方式に比べて欠陥検出のタイミングが遅くなる、もしくは欠陥検出信号のエッジが乱れるなどの副作用が生じてしまう。この副作用に対しては、以下に示す本発明の実施の形態３が有効である。
【００３０】
図６は本発明の実施の形態３のブロック図である。図６に示す光ディスク装置は、情報が記録されている光ディスク１にレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップ２と、光ピックアップ２を移動させるトラバース３と、光ディスク１を回転させるスピンドル４と、光ディスク１から受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段５と、前記信号から光ディスク１の欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段６と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号のボトムエンベロープを検出するＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段９で構成される。
【００３１】
この光ディスク装置の実施の形態３における欠陥検出方法について、図７の波形図を用いて説明する。まず、実施の形態１と同様にディスクを再生させる。再生中はＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段９により、ＲＦ信号Ａのボトムエンベロープ信号Ｎを生成する。再生中は随時ボトムエンベロープ信号Ｎがボトム検出基準電圧Ｏを上回る区間を検出し、その区間はボトム検出信号ＰをＨｉｇｈにする。ボトム検出信号ＰがＨｉｇｈの区間は、従来の欠陥検出基準電圧Ｈより電圧値の低い第２の欠陥検出基準電圧Ｋに切り換えて欠陥領域Ｅを検出するというものである。この実施の形態３の方式により、図５で説明した、実施の形態１や２の未記録領域と判別された区間の欠陥検出基準電圧を下げる方式の場合に欠陥領域中に未記録領域と判別されることによる欠陥検出のタイミング遅れもしくは欠陥検出信号のエッジ乱れ等の副作用を解消することができる。
【００３２】
（実施の形態４）
上記実施の形態３による方式は、欠陥検出の判別速度・判別精度において従来の方式や実施の形態１、２より優れた方式であるが、この方式による副作用を図８の波形図を用いて説明する。図８の波形図は、傷などのあまりボトムエンベロープが落ち込まない中程度の欠陥領域Ｑが存在した場合に、実施の形態３の方式で欠陥領域を判別した場合と、実施の形態１、２で判別した場合の比較である。図８のような中程度の欠陥領域Ｑの場合、ある程度の振幅を持ちながらもボトムエンベロープが上に持ち上がるため、ボトムエンベロープ信号Ｎがボトム検出基準電圧Ｏを上回る。そのため、ボトム検出信号ＰがＨｉｇｈになり、第２の欠陥検出基準電圧Ｋに切り換えてしまい、中程度の欠陥領域Ｑを検出することができなくなる。それに比べて実施の形態１、２であれば、中程度の欠陥領域Ｑはある程度の振幅を持っているので、従来の欠陥検出基準電圧Ｈのままでスライスし、欠陥領域として検出ことができる。この中程度の欠陥領域Ｑを欠陥領域として検出すべき場合は、実施の形態３の方式では検出できずにサーボ制御などが異常になる場合がある。この副作用に対しては、以下に示す本発明の実施の形態４が有効である。
【００３３】
図９は本発明の実施の形態４のブロック図である。図９に示す光ディスク装置は、情報が記録されている光ディスク１にレーザーを照射させ反射光を受光する光ピックアップ２と、光ピックアップ２を移動させるトラバース３と、光ディスク１を回転させるスピンドル４と、光ディスク１から受光した反射光からＲＦ信号などの再生に必要な信号を生成する信号生成手段５と、前記信号から光ディスク１の欠陥領域を検出する欠陥領域検出手段６と、前記信号から前記光ディスクの未記録領域を検出する未記録領域検出手段７と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号の振幅を検出するＲＦ振幅検出手段８と、前記ＲＦ信号からＲＦ信号のボトムエンベロープを検出するＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段９で構成される。
【００３４】
この光ディスク装置の実施の形態４における欠陥検出方法について、図１０の波形図を用いて説明する。まず、実施の形態１と同様にディスクを再生させる。再生中は未記録領域判別手段７とＲＦ振幅検出手段８とＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段９を並行して動作させ、それぞれ未記録領域、ＲＦ信号振幅の小さい領域、ボトムエンベロープ信号が基準電圧を上回る領域を検出する。実施の形態４の欠陥検出方法はこれらの領域の検出信号に対して、ＡＮＤやもしくはＯＲ等の論理演算を行い、一定の条件を満たす場合に第２の欠陥検出基準電圧Ｋに切り換えて欠陥領域Ｅを検出するというものである。図１０の波形図は、数多くある論理条件の中からＲＦ振幅検出手段８とＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段９のＡＮＤを条件とした場合のものである。ＲＦ信号振幅判別信号Ｍとボトム検出信号ＰのＡＮＤ条件をとった論理積信号Ｒを欠陥検出基準電圧の切替条件にすることにより、ＲＦ振幅検出手段８のみを使用した場合の副作用であった記録領域の欠陥領域Ｅや、ＲＦ信号ボトムエンベロープ検出手段９のみを使用した場合の副作用であった中程度の欠陥領域Ｑで最適な欠陥検出基準電圧に設定することができ、最適な欠陥検出信号Ｊを出力することができる。
【００３５】
なお、本実施の形態ではＲＦ信号振幅判別信号Ｍとボトム検出信号ＰのＡＮＤ条件をとった論理積信号Ｒを欠陥検出基準電圧の切替条件にしたが、未記録領域検出手段7の出力である未記録領域判別信号Ｌ（図２参照）とボトム検出信号ＰのＡＮＤ条件、あるいはＲＦ信号振幅判別信号Ｍと未記録領域判別信号Ｌとボトム検出信号ＰのＡＮＤ条件をとった論理積信号を欠陥検出基準電圧の切替条件にしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
以上のように、本発明による光ディスク装置は、従来の方式に比べて、より素早く、より正確に光ディスクの欠陥領域判別を行うことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明による光ディスク装置の実施の形態１の方法を示したブロック図
【図２】本発明による光ディスク装置の実施の形態１を適用したときの波形図
【図３】本発明による光ディスク装置の実施の形態２の方法を示したブロック図
【図４】本発明による光ディスク装置の実施の形態２を適用したときの波形図
【図５】本発明による光ディスク装置の実施の形態１、２の副作用を示した波形図
【図６】本発明による光ディスク装置の実施の形態３の方法を示したブロック図
【図７】本発明による光ディスク装置の実施の形態３を適用したときの波形図
【図８】本発明による光ディスク装置の実施の形態３の副作用を示した波形図
【図９】本発明による光ディスク装置の実施の形態４の方法を示したブロック図
【図１０】本発明による光ディスク装置の実施の形態４を適用したときの波形図
【図１１】従来の光ディスク装置の実施方法を示したブロック図
【図１２】従来の光ディスク装置の実施方法を説明するフローチャート
【図１３】従来の光ディスク装置の実施方法を適用したときの波形図
【図１４】従来の光ディスク装置の別の実施方法を適用したときの波形図
【符号の説明】
【００３８】
１    光ディスク
２    光ピックアップ
３    トラバース
４    スピンドル
５    信号生成手段
６    欠陥領域検出手段
７    未記録領域検出手段
８    ＲＦ信号振幅検出手段
９    ボトムエンベロープ検出手段
１１    光ディスク
１２    光ピックアップ
１３    トラバース
１４    ＲＦアンプ
１５    ＲＦピークボトム検出手段
１６    ＲＦ有無検出手段
１７    時定数切替手段
１８    コントロール手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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