(57)【要約】【課題】小型化が可能で、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の能動面１５に形成された樹脂層２０と、樹脂層２０における半導体基板と対向する面とは反対側の面２１上に形成された外部端子３０と、樹脂層２０の内部を通るように形成された、電極１４と外部端子３０とを電気的に接続する電気的接続部４０と、を含む。電気的接続部４０は、複数の柱体領域４２を有する。複数の柱体領域４２は、樹脂層２０の厚み方向に連続して配列されている。隣り合って配列された２つの柱体領域４２は、平面視において、一部のみが重複するように配置されて電気的に接続されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に形成された樹脂層と、
前記樹脂層における前記半導体基板と対向する面とは反対側の面上に形成された外部端子と、
前記樹脂層の内部を通るように形成された、前記電極と前記外部端子とを電気的に接続する電気的接続部と、
を含み、
前記電気的接続部は、複数の柱体領域を有し、
前記複数の柱体領域は、前記樹脂層の厚み方向に連続して配列されており、
隣り合って配列された２つの前記柱体領域は、平面視において一部のみが重複するように配置されて電気的に接続されている半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記樹脂層の厚み方向に連続的に配列された第１〜第３の前記柱体領域を含み、
前記第１及び第２の柱体領域の重複領域と前記第２及び第３の柱体領域の重複領域とは、平面視において重複しないように配置されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置において、
前記複数の柱体領域は、同じ形状をなす半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記柱体領域は、平面視において、１つの軸を中心に回転した位置に配置されてなる半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、平面視において、前記電極と重複するように形成されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、平面視において、前記電極の中央領域と重複しないように形成されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、平面視において、前記外部端子と重複するように形成されてなる半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、平面視において、前記外部端子の中央領域と重複しないように形成されてなる半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記外部端子は、平面視において、前記電極と重複するように配置されてなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、一体的に形成されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進み、これに伴って、半導体チップのピン数の増加が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化という２つの要求を同時に満たすことが可能な半導体装置の開発が進んでいる。
【０００３】
この要求に応えることができる半導体装置として、半導体装置の外形を半導体チップとほぼ同じにすることが可能なＣＳＰ（チップ・スケール／サイズ・パッケージ）が知られている。
【特許文献１】国際公開９８／３２１７０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
外形の小さい半導体装置であっても、基板等への実装時や、実装後、あるいは、製造時に内部応力が発生することがある。そのため、半導体装置の信頼性を高めるためには、半導体装置を、内部応力に対する耐性が強い構造とすることが重要である。
【０００５】
本発明の目的は、小型化が可能で、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る半導体装置は、
電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に形成された樹脂層と、
前記樹脂層における前記半導体基板と対向する面とは反対側の面上に形成された外部端子と、
前記樹脂層の内部を通るように形成された、前記電極と前記外部端子とを電気的に接続する電気的接続部と、
を含み、
前記電気的接続部は、複数の柱体領域を有し、
前記複数の柱体領域は、前記樹脂層の厚み方向に連続して配列されており、
隣り合って配列された２つの前記柱体領域は、平面視において一部のみが重複するように配置されて電気的に接続されている。
【０００７】
本発明によると、電気的接続部は変形しやすい形状になる。そのため、樹脂層（半導体装置）が膨張・収縮した場合でも電気的接続部に大きな応力が集中することを防止することができ、電気的接続部の欠損を防止することができる。そのため、本発明によると、電極と外部端子との接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０００８】
なお、柱体領域とは、電気的接続部のうち、樹脂層の厚み方向と直交する平面に沿って拡がる２つの底面（上面及び下面）と、当該２つの底面の外周を結ぶ側面とによって区画された領域である。あるいは、柱体領域とは、樹脂層の厚み方向に拡がった幅を有し、樹脂層の厚み方向と直交する方向に延びる側面によって区画された領域であってもよい。柱体領域は、柱状領域と言い換えてもよい。
【０００９】
また、平面視とは、半導体装置を、半導体基板あるいは樹脂層の厚み方向に観察した場合の視点を指す。
【００１０】
（２）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記樹脂層の厚み方向に連続的に配列された第１〜第３の前記柱体領域を含み、
前記第１及び第２の柱体領域の重複領域と前記第２及び第３の柱体領域の重複領域とは、平面視において重複しないように配置されていてもよい。
【００１１】
（３）この半導体装置において、
前記複数の柱体領域は、同じ形状をなしていてもよい。
【００１２】
（４）この半導体装置において、
前記柱体領域は、平面視において、１つの軸を中心に回転した位置に配置されていてもよい。
【００１３】
このとき、当該軸は、電極と外部端子とを結ぶ軸（仮想の軸）であってもよい。
【００１４】
（５）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、平面視において、前記電極と重複するように形成されていてもよい。
【００１５】
（６）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、平面視において、前記電極の中央領域と重複しないように形成されていてもよい。
【００１６】
すなわち、電気的接続部は、平面視において、電極の端部領域のみと重複するように形成されていてもよい。
【００１７】
（７）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、平面視において、前記外部端子と重複するように形成されていてもよい。
【００１８】
（８）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、平面視において、前記外部端子の中央領域と重複しないように形成されていてもよい。
【００１９】
すなわち、電気的接続部は、平面視において、外部端子の端部領域のみと重複するように形成されていてもよい。
【００２０】
（９）この半導体装置において、
前記外部端子は、平面視において、前記電極と重複するように配置されていてもよい。
【００２１】
（１０）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、一体的に形成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２３】
図１〜図２（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。なお、図１は、半導体装置１の構成を示す断面図であり、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、電気的接続部４０に形状について説明するための図である。
【００２４】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、半導体基板１０を含む。半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよく、ウエハ状をなしていてもよい。ウエハ状の半導体基板１０は、複数の半導体装置（半導体チップ）となる領域を含んでいてもよい。半導体基板１０には、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハには複数の）集積回路１２が形成されていてもよい。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。半導体基板１０は、また、複数の電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていない電極を含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。なお、半導体基板１０における集積回路１２及び電極１４が形成された面を、能動面１５と称してもよい。さらに、半導体基板１０は、図示しないパッシベーション膜を有してもよい。パッシベーション膜は、電極１４（例えば、電極１４の中央部であってもよい）を露出させるように形成される。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂等で形成してもよい。
【００２５】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、半導体基板１０の能動面１５（集積回路１２及び電極１４が形成された面）に形成された樹脂層２０を含む。樹脂層２０の形状や形成領域は特に限定されるものではない。樹脂層２０は、電極１４が形成された領域を覆うように形成されていてもよい。あるいは、樹脂層２０は、半導体基板１０の能動面１５のうち、集積回路素子とオーバーラップする領域を覆うように形成してもよい。樹脂層２０の材料は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。樹脂層２０は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。
【００２６】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、外部端子３０を含む。外部端子３０は、樹脂層２０における半導体基板１０と対向する面とは反対側の面２１上に形成される。外部端子３０は、少なくともその表面が樹脂層２０から露出するように形成される。外部端子３０は、例えば、樹脂層２０の面２１上に形成された導電パッド３２と、導電パッド３２上に形成された導電バンプ３４を含んでいてもよい。ただし、導電パッド３２又は導電バンプ３４のいずれか一方のみを指して外部端子と称してもよい。
【００２７】
なお、電極１４と外部端子３０とは、平面視において、少なくとも一部が重複するように配置されていてもよい。ただし、電極１４と外部端子３０とは、平面視において、重複しないように配置されていてもよい。
【００２８】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１〜図２（Ｂ）に示すように、電極１４と外部端子３０とを電気的に接続する電気的接続部４０を含む。電気的接続部４０は、樹脂層２０の内側（内部）を通るように形成されている。すなわち、電気的接続部４０は、樹脂層２０を貫通する貫通電極とみなすことができる。
【００２９】
以下、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）を参照して、電気的接続部４０の形状について詳述する。なお、図２（Ａ）は電気的接続部４０の斜視図であり、図２（Ｂ）は、電気的接続部４０の上視図である。また、これらの図では、樹脂層２０を省略した。
【００３０】
電気的接続部４０は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、複数の柱体領域４２を含む。柱体領域４２は、樹脂層２０の厚み方向と直交する平面に沿って拡がった２つの底面（樹脂層２０の厚み方向にずれて配置された上面及び下面）と、該２つの底面を結ぶ側面とによって区画された領域であってもよい。あるいは、柱体領域４２は、樹脂層２０の厚み方向と直交する方向に延びる側面によって区画された領域であってもよい。このとき、該側面の幅（高さ）は、樹脂層２０の厚み方向に拡がった一定の幅をなしていてもよい。なお、該側面は、柱体領域４２の底面と直交していてもよく、柱体領域４２の底面と直交せずに、鈍角又は鋭角に接していてもよい。あるいは、柱体領域４２は、樹脂層２０の厚み方向と直交する平面で切断した断面が、樹脂層２０の厚み方向に連続する形状をなす領域であってもよい。
【００３１】
柱体領域４２の底面の形状は特に限定されるものではないが、本実施形態では、大きさの異なる同軸の２つの円と、当該円の中心を通る直線（直径を示す線）とによって囲まれた形状とした（図２（Ｂ）参照）。ただし、本発明はこれに限られるものではない。柱体領域４２の底面の形状は、例えば、円形や半円形、矩形や三角形やその他の多角形であってもよい。そして、柱体領域４２は、当該底面が、樹脂層２０の厚み方向に連続する形状をなしていてもよい。なお、柱体領域４２は、両底面（上面及び下面）が同じ形状をなしていてもよいが、両底面の大きさが必ずしも一致していなくてもよい。例えば、両底面は、同じ外形で大きさが異なる相似形状をなしていてもよい。また、柱体領域４２は、樹脂層２０の厚み方向に直交する平面で切断した断面の形状が、樹脂層２０の厚み方向に連続していればよく、断面形状は必ずしも一致している必要はない。柱体領域４２は、例えば、断面形状が変化しながら樹脂層２０の厚み方向に連続する形状をなしていてもよい。
【００３２】
半導体装置１では、複数の柱体領域４２が、樹脂層２０の厚み方向に連続して配列されている。言い換えると、複数の柱体領域４２は、樹脂層２０の厚み方向にずれて配置されている。このとき、複数の柱体領域４２は、底面と直交する方向にずれて配置されていてもよい。そして、隣り合って配列された２つの柱体領域４２は、互いに対向する面が面一になるように配列されていてもよい。複数の柱体領域４２は、底面が同じ形状をなしていてもよく、異なる形状をなしていてもよい。複数の柱体領域４２は、また、同じ高さをなしていてもよく、高さが異なっていてもよい。
【００３３】
そして、隣り合って配置された２つの柱体領域４２は、平面視において、一部のみが重複するように配置されて電気的に接続される。なお、ここで言う「平面視」とは、電気的接続部４０（複数の柱体領域４２）を、樹脂層２０の厚み方向に観察した様子を指す。あるいは、「平面視」とは、電気的接続部４０（複数の柱体領域４２）を、半導体基板１０に投影した投影図ととらえてもよい。すなわち、本発明では、隣り合って配列された２つの柱体領域は、例えば半導体基板への投影図（正投影図）が部分的に重複するように配置されていてもよい。そして、隣り合って配置された２つの柱体領域４２は、重複領域によって、相互に電気的に接続される。
【００３４】
本実施の形態に係る半導体装置では、電気的接続部４０は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、樹脂層２０の厚み方向に連続して配列される第１の柱体領域４４、第２の柱体領域４６、及び、第３の柱体領域４８を含んでいてもよい。このとき、第１及び第２の柱体領域４４，４６は、平面視において、一部のみが重複するように配置されている。また、第２及び第３の柱体領域４６，４８は、平面視において、一部のみが重複するように配置されている。そして、第１及び第２の柱体領域４４，４６の重複領域と、第２及び第３の柱体領域４６，４８の重複領域とは、平面視において重複しないように配置されていてもよい。このとき、当該２つの重複領域は、平面視において、完全にずれて配置されていてもよい。ただし、当該２つの重複領域は、少なくとも一部が重複するように配置されていてもよい。また、第１及び第２の柱体領域４４，４６の重複領域と、第２及び第３の柱体領域４６，４８の重複領域とは、同じ形状をなしていてもよい。また、電気的接続部４０は、複数の柱体領域４２によって、電極１４（外部端子３０）の外周を囲むように形成されていてもよい。なお、電気的接続部４０は、柱体領域４２を２個のみ含んでいてもよく、４個以上含んでいてもよい。
【００３５】
第１〜第３の柱体領域４４，４６，４８（複数の柱体領域４２）は、同じ形状をなしていてもよい。そして、第１〜第３の柱体領域４４，４６，４８は、平面視において、１つの軸（仮想の軸）を中心に回転した位置に配置されていてもよい。例えば、第１〜第３の柱体領域４４，４６，４８は、１つの軸を中心に９０度ずつ回転させた位置に配置されていてもよい。なお、当該軸は、電極１４と外部端子３０とを結ぶ軸であってもよい。このとき、当該軸は、電極１４の中心と外部端子３０の中心とを結ぶ軸であってもよいが、電極１４及び外部端子３０の中心からずれて配置された軸であってもよい。
【００３６】
本実施の形態に係る半導体装置では、電気的接続部４０は、平面視において、電極１４と重複するように形成されていてもよい。また、電気的接続部４０は、平面視において、電極１４の中央領域と重複しないように形成されていてもよい。すなわち、電気的接続部４０は、電極１４の中央領域を避けて、外周領域のみと重複するように形成されていてもよい。
【００３７】
本実施の形態に係る半導体装置では、電気的接続部４０は、平面視において、外部端子３０と重複するように形成されていてもよい。また、電気的接続部４０は、平面視において、外部端子３０の中央領域と重複しないように形成されていてもよい。すなわち、電気的接続部４０は、外部端子３０の中央領域を避けて、外周領域のみと重複するように形成されていてもよい。
【００３８】
本実施の形態に係る半導体装置では、電気的接続部４０の全体形状は、１つの軸（仮想の軸）を中心に回転しながら、樹脂層２０の厚み方向に進む形状であってもよい。あるいは、電気的接続部４０の全体形状は、螺旋階段形状をなしていてもよい。あるいは、電気的接続部４０の全体形状は、螺旋状をなしていてもよい。
【００３９】
なお、半導体装置１では、樹脂層２０は、電気的接続部４０を囲むように形成されてなる。そのため、樹脂層２０は、電気的接続部４０が形成されるための内部空間を有する形状をなしている。そして、該内部空間の内壁面の形状は、電気的接続部４０の外形と一致する。該内部空間は、複数の柱状領域を含む。複数の柱状領域とは、樹脂層２０の厚み方向と直交する方向に延びる内壁面によって囲まれた領域である。なお、該内壁面は、樹脂層２０の厚み方向に拡がっている。複数の柱状領域は、樹脂層２０の厚み方向にずれて連続的に配列されてなる。隣り合って配置された２つの柱状領域は、平面視において、一部のみが重複するように配置されている。そして、隣り合って配置された２つの柱状領域は、重複部によって連通されている。そして、電気的接続部４０は、内部空間を充填するように形成されている。
【００４０】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、外部端子３０（導電バンプ３４）の根元（基端部）を補強する樹脂層３５をさらに含んでいてもよい。樹脂層３５は、導電パッド３２と導電バンプ３４との接触面の外周を覆うように形成されていてもよい。樹脂層３５は、レジスト層であってもよい。あるいは、樹脂層３５は根元補強層と称してもよい。
【００４１】
本実施の形態に係る半導体装置は、以上の構成をなしていてもよい。この半導体装置１によると、電気的接続部４０によって応力を吸収することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。以下、その効果について説明する。
【００４２】
半導体装置は、他の基板（マザーボード等）に実装される際に加熱されることがある。また、半導体装置は、他の基板に実装後にも、使用環境等の影響を受けて膨張収縮を繰り返すことがある。半導体装置、あるいは、半導体装置が実装された電子機器の信頼性を確保するためには、半導体装置を、膨張収縮を繰り返した場合でも信頼性が損なわれない構造とすることが重要である。特に、樹脂層２０は、環境の変化による体積・形状の変化が大きい。そのため、樹脂層２０の内部を通るように形成される電気的接続部４０には、樹脂層２０の形状の変化によって応力がかかることがある。電気的接続部４０を、応力によって欠損しにくい形状とすることができれば、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００４３】
ところで、半導体装置１によると、電気的接続部４０は、厚み方向に連続して配列された複数の柱体領域４２を含む。そして、隣り合う２つの柱体領域４２は、平面視において一部のみが重複するように配置されている。そのため、電気的接続部４０は、柱体領域４２（柱体領域４２の連接部分）において変形しやすい形状をなしている。詳しくは、電気的接続部４０の柱体領域４２は、横方向あるいは縦方向に応力を受けたときに変形しやすく、樹脂層２０の変形に追従して容易に変形することができる。そのため、電気的接続部４０は、樹脂層２０が変形した場合でも、局所的に大きな応力が発生することを防止することができる。このことから、半導体装置１によると、環境の変化によって膨張・収縮を繰り返した場合でも、電気的接続部４０の欠損を防止することができ、電極１４と外部端子３０との電気的な接続を確保することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００４４】
また、半導体装置１によると、図１に示すように、電極１４と外部端子３０との間に樹脂層２０を介在させることができる。そのため、外部端子３０から、電極１４に向かって大きな力がかかった場合であっても、その力を樹脂層２０によって減衰させることができ、電極１４に伝わりにくくなる。そのため、電極１４の直下に集積回路１２が形成されている場合であっても、集積回路１２の特性が変化することを防止することができる。このことから、電極１４の配置に対する制約が小さくなり、半導体装置の最適な設計が可能になる。
【００４５】
以下、半導体装置１を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００４６】
はじめに、半導体基板１０を用意する。半導体基板１０は、チップ状で用意してもよく、ウエハ状で用意してもよい。半導体基板１０は電極１４を有する。
【００４７】
半導体装置１を製造する方法は、樹脂層２０及び電極１４に電気的に接続された電気的接続部４０を形成する工程を含む。以下、樹脂層２０及び電気的接続部４０を形成する工程について説明する。なお、ここに示す例では、樹脂層２０及び電気的接続部４０を同時に形成する。
【００４８】
本工程では、はじめに、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、電極１４上に第１の柱体部５４を形成する。第１の柱体部５４は、電気的接続部４０における柱体領域４２（第１の柱体領域４４）となる部分である。第１の柱体部５４は、例えばインクジェット法で、電極１４上に導体材料を設けることによって形成してもよい。その後、図３（Ｃ）に示すように、樹脂層６２を形成する。樹脂層６２は、その表面が、第１の柱体部５４の表面と面一になるように形成してもよい。これにより、第１の柱体領域４４と第２の柱体領域４６とを、対向する面が面一になるように形成することができる。
【００４９】
ただし、第１の柱体部５４を形成する方法はこれに限られるものではない。例えば、電極１４を露出させる開口を有する樹脂層６２を形成し、その後、該開口内に導電材料を充填することで、第１の柱体部５４を形成してもよい。
【００５０】
本工程では、次に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、第２の柱体部５６を形成する。第２の柱体部５６は、その一部が第１の柱体部５４と重複するように形成する。このとき、第２の柱体部５６は、その底面の一部が、第１の柱体部５４の上面の一部と接触するように形成する。また、第２の柱体部５６は、底面の一部が樹脂層６２に接触するように形成する。その後、図４（Ｃ）に示すように、樹脂層６４を形成する。
【００５１】
これらの手順を繰り返すことによって、複数の柱体領域４２を有する電気的接続部４０と、これを囲む樹脂層２０とを形成することができる。なお、複数の柱体部５４，５６を一括して硬化させれば、電気的接続部４０を一体的に形成することができる。そのため、電気的な接続信頼性の高い電気的接続部４０を形成することができる。また、複数の樹脂層６２，６４を一括してキュアすれば、樹脂層２０を、一体的に形成することができる。
【００５２】
そして、図５に示すように導電パッド３２を形成し、その後、導電バンプ３４や樹脂層３５を形成する工程をさらに経て、図１に示す半導体装置１を製造してもよい。なお、外部端子３０（導電パッド３２）も、電気的接続部４０と一体的に形成してもよい。
【００５３】
この方法によると、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
【００５４】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明する図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置を製造する方法を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置を製造する方法を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置を製造する方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…半導体装置、  １０…半導体基板、  １２…集積回路、  １４…電極、  １５…能動面、  ２０…樹脂層、  ２１…面、  ３０…外部端子、  ３２…導電パッド、  ３４…導電バンプ、  ３５…樹脂層、  ４０…電気的接続部、  ４２…柱体領域、  ４４…第１の柱体領域、  ４６…第２の柱体領域、  ４８…第３の柱体領域、  ５４…第１の柱体部、  ５６…第２の柱体部、  ６２…樹脂層、  ６４…樹脂層
【図１】
2007281013.tif 000003
【図２】
2007281013.tif 000004
【図３】
2007281013.tif 000005
【図４】
2007281013.tif 000006
【図５】
2007281013.tif 000007