(57)【要約】【課題】ダウンタイムを減少させ、除害効率を良くし、メンテナンス性の向上を図る。【解決手段】有害ガスを発生する複数のチャンバ２，３，４を有するエッチング装置１と、前記チャンバ２，３，４の有害ガスと処理液Ｗとを攪拌混合して液体槽１１ａ内の処理液中に放出するミキサと該液体槽内の処理液Ｗを前記ミキサの流入口に送出する循環ポンプＰ１とを有する徐害装置１０と、からなるガス無害化処理システムＳであって；前記ミキサ１３，１４，１５は、各チャンバ２，３，４に対応してそれぞれ設けられ、前記ミキサは、各チャンバに対応してそれぞれ設けられ、前記循環ポンプＰ１は、各ミキサ１３，１４，１５に対し、それぞれ処理液Ｗを送出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに独立して設けられた複数の有害ガスの発生源と,前記有害ガスの発生源の有害ガスと処理液とを気液混合攪拌して液体槽内の処理液中に放出するミキサと、該液体槽内の処理液を前記ミキサの流入口に送出する循環ポンプとを有する除害装置と,からなるガス無害化処理システムであって；
前記ミキサは、各有害ガスの発生源に対応してそれぞれ設けられ、
前記循環ポンプは、各ミキサに対し、それぞれ処理液を送出する共用ポンプであることを特徴とするガス無害化処理システム
【請求項２】
複数の有害ガスの発生源が、一台の半導体製造装置に設けられている複数のチャンバから構成されていることを特徴とする請求項1記載のガス無害化処理システム
【請求項３】
複数の有害ガスの発生源が、複数台の有害ガスを発生する処理装置からなることを特徴とする請求項１記載のガス無害化処理システム
【請求項４】
各ミキサの直径は、同一、又は、異なることを特徴とする請求項１、２、又は、３記載のガス無害化処理システム
【請求項５】
各有害ガスの発生源の有害ガスは、互いに異なる種類であることを特徴とする請求項３記載のガス無害化処理システム
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有害ガスを発生する製造処理装置、例えば、半導体製造装置や液晶製造装置等、から排出される有害ガスを除害、回収して無害化する、ガス無害化処理システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造ラインや液晶製造ラインから排出されるガスには、SiO2やWO3等の微細な粉体と同時に、HF、ＢＣl3、Ｃｌ2、Hcl等の有害なガスが含まれているので、そのまま大気に放出することができない。そこで、従来、次のような装置を用いて有害ガスの除害を行っている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
有害ガスを水に混入せしめて除害する装置であって、処理液を貯溜する液体槽と、該液体槽に連通する循環路と、該循環路に配設され、エッチング装置の複数のチャンバから発生する有害ガスを処理液と混合攪拌し、微細な気泡にして液体槽内の処理液中に放出する気液混合・撹拌装置（ミキサ）と、該循環路に設けられ、液体槽内の処理液を前記ミキサに強制循環せしめるポンプと、を備えている。
【０００４】
【特許文献１】特願２００１−０１８１２２号
【特許文献２】特願２００２−３４６３３６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来例には、次のような問題がある。
（１）１本のミキサに複数のチャンバの有害ガスを供給するので、ミキサのメンテナンス時には、全てのチャンバの運転を停止しなければならない。しかし、この様にすると、メンテナンスが終わるまでエッチング装置の運転を停止しなければならないので、ダウンタイムが大きくなる。そのため、エッチング装置を効率良く使用できなくなる。
そこで、各チャンバとミキサとを連結する各ガス供給管を、バルブを介してバイパスパイプに連結し、ミキサのメンテナンス時には、該バルブを切り換えて有害ガスをバイパスパイプに流している。しかし、この様にすると、バイパスパイプに流れる有害ガスの処理が問題となる。
【０００６】
（２）各チャンバで発生する有害ガスの量は、処理状況に応じて変化する。そのため、ミキサに供給される有害ガスの総量は、常に一定とならないため、ガス濃度が変化する。除害装置では、ガス濃度により除害効率に大きな変化が発生し、ガス濃度が低いと除害効率が低下してしまう。
【０００７】
（３）性質の異なる複数の有害ガス、例えば、水に溶けやすい、易水溶性ガスと、水に溶けにくい、難水溶性ガス、を混合すると、易水溶性ガスのみが除害されるので、除害効率が著しく低下する。
（４）複数のガスを混合すると、ミキサが詰まり易くなるので、メンテナンスの周期が短くなり、メンテナンス性が悪くなる。
【０００８】
この発明は、上記事情に鑑み、ダウンタイムを減少させることを目的とする。他の目的は、除害効率を良くすると共に、メンテナンス性の向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、互いに独立して設けられた複数の有害ガスの発生源と,前記有害ガスの発生源の有害ガスと処理液とを気液混合攪拌して液体槽内の処理液中に放出するミキサと、該液体槽内の処理液を前記ミキサの流入口に送出する循環ポンプとを有する徐害装置と,からなるガス無害化処理システムであって；前記ミキサは、各有害ガスの発生源に対応してそれぞれ設けられ、前記循環ポンプは、各ミキサに対し、それぞれ処理液を送出する共用ポンプであることを特徴とする。
【００１０】
この発明の複数の有害ガスの発生源が、一台の半導体製造装置に設けられている複数のチャンバから構成されていることを特徴とする。この発明の複数の有害ガスの発生源が、複数台の有害ガスを発生する処理装置からなることを特徴とする。
【００１１】
この発明の各ミキサの直径は、同一、又は、異なることを特徴とする。この発明の各有害ガスの発生源の有害ガスは、互いに異なる種類であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この発明のミキサは、各有害ガスの発生源に対応してそれぞれ設けられ、前記循環ポンプは、共用されているので、各ミキサには、１個の有害ガスの発生源の有害ガスのみ供給される。そのため、各ミキサに供給される有害ガスの供給量に変動が少なく、かつ、他のミキサと無関係にメンテナンスを行うことができるので、ダウンタイムの減少を図ることができる。また、混合ガスではないので、除害効率が良く、かつ、ミキサの詰まり等のトラブルの発生を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明者は、ミキサを有する除害装置をエッチング装置の各チャンバに対応してそれぞれ設ければ、本件発明の目的を達成することができると考えた。
しかし、この様に構成すると、チャンバの数に対応する複数台の除害装置が必要となるので、設置スペース及び費用等の面で好ましくない、という問題が発生する。
【００１４】
そこで、本件発明者は、研究実験を重ねた結果、１台の除害装置におけるミキサの数を、有害ガスの発生するチャンバの数と等しくし、前記各チャンバ毎に専用のミキサを備えれば、前記問題を解決することがわかった。また、各ミキサの流量の合計を、従来例と変わらない様にすれば、ポンプは従来例と同様に１個で足りることがわかった。本件発明は、前記知見に基づいてなされたものである。
【実施例】
【００１５】
この発明の実施例を図１により説明する。
ガス無害化処理システムＳは、有害ガスの発生源、例えば、エッチング装置（エッチャ）１と、有害ガスの除害装置１０とを備えている。エッチャ１は、有害ガスを発生する複数のチャンバ２，３，４，を備えている。各チャンバ２〜４の有害ガスは、それぞれ性質が異なっており、例えば、HF、BCl3等の易水溶性ガス、又は、Cl2等の難水溶性ガス、である。
【００１６】
前記除害装置１０には、処理液、例えば、水Ｗを貯留する液体槽１１が設けられている。この液体槽１１は、仕切壁１２により第１液体槽１１ａと第２液体槽１１ｂとに分離されている。前記液体槽１１ａには、処理液Ｗ、が所定量、貯溜されている。
【００１７】
この液体槽１１ａには、３本の気液混合・攪拌装置（ミキサ）１３，１４，１５が設けられ、該ミキサ１３〜１５の吐出口１３ａ〜１５ａは、処理液Ｗ中に位置し、その流入口１３ｂ〜１５ｂは液体槽１１ａから突出して配設されている。このミキサ１３〜１５の口径は、夫々等しく、例えば、直径３０mm〜３５mmに形成され、前記３本のミキサ１３〜１５から放出される流体量の合計は、従来例の１本のミキサ（直径100mm）のそれと略同一となっている。
【００１８】
なお、各ミキサの口径、配設位置等は、必要に応じて適宜変更され、例えば、３本のミキサの口径を互いに異ならしめたり、又は、ミキサを液体槽の外側に配設し、該ミキサの吐出口を、連結管を介して液体槽の処理液中に連通させたりしても良い。
【００１９】
各ミキサ１３，１４，１５の構造は、従来例と同一である。即ち、円筒ケーシンク゛（図示省略）と、一対の二つ割り楕円盤（図示省略）と、下流側に配置された突起群（図示省略）と、から構成され、二つ割り楕円盤の弦側側縁を交差させ、一対の二つ割り楕円盤の円弧側側縁を円筒ケーシンク゛の内壁に接するように構成されている。
【００２０】
このミキサ１３〜１５は、第１循環ポンプＰ１が起動し、該ミキサ１３〜１５内に液体槽１１ａ内の処理液Ｗが送られると、前記二つ割り楕円盤の作用により、処理液Ｗが螺旋流を起こし、チャンバ２〜５からの有害カ゛スと混合されるとともに、前記ガスは突起群の作用で微細に砕かれ、処理液Ｗと混合するように構成されている。
【００２１】
液体槽１１ａの底部は、循環路１７を介して前記ミキサ１３〜１５の流入口１３ｂ、１４ｂ、１５ｂに連通している。該循環路１７には、第１循環ポンプＰ１が設けられ、該ポンプＰ１の下流側の循環路は、３本の循環枝路１９、２０、２１に分岐され、各循環枝路１９〜２１は順次ミキサ１３〜１５の流入口１３ｂ、１４ｂ、１５ｂに連結されている。
【００２２】
前記ポンプＰ１は、３本のミキサ１３〜１５の吐出量が、従来の１本のミキサのそれと略等しいので、従来のポンプをそのまま使用することができる。前記ポンプＰ１は、インバーター（図示省略）の設定値により回転数が可変出来、流量及び圧力が調整できるように構成されている。
【００２３】
各ミキサ１３〜１５の流入口１３ｂ〜１５ｂ側に位置する頭部は、ガス供給管２３，２４、２５を介して順次チャンバ２，３，４に連結されている。各ガス供給管２３〜２５には、圧力計ＰＭとバルブＶとが設けられている。このガス供給管２３〜２５は、前記バルブＶを介してバイパスパイプＢに連結されている。      
【００２４】
第２流体槽１１ｂには、ミキサ３０が設けられ、該ミキサ３０の吐出口３０ａは、処理液Ｗ中に位置し、その流入口３０ｂは液体槽１１ｂから突出して配設されている。
【００２５】
液体槽１１ｂの底部は、第２循環路３２を介して前記ミキサ３０の流入口３０ｂに連通している。該循環路３２には、第２循環ポンプＰ２が設けられている。なお、ミキサ３０、ポンプＰ２は、従来のそれと同様である。
【００２６】
第１液体槽１１ａの上部は、二次ガスパイプ３３を介してミキサ３０の流入口３０ｂ側の頭部に連結されている。又、第２液体槽１１ｂの上部には、排気パイプ３５が設けられているが、このパイプ３５は除害された清浄ガスＧを機外に排出する。
【００２７】
なお、３７は仕切り壁１２に設けられたオーバーフロー管であり、第２液体槽１１ｂの液量が設定量を超えると、この管３７を介して第２液体槽１１ｂの処理液が第１液体槽１１ａに排出される。
【００２８】
次に、本実施例の作動について説明する。
通常の運転をする場合：
起動ボタン（図示せず）をオンすると、ポンプＰ１，Ｐ２が起動し、液体槽１１ａ，１１ｂ内の処理液Ｗを循環路１７、１９〜２１、３２に回し始め、循環路１７，１９〜２１、３２内の流量が略一定となるとともに、ミキサ１３〜１５、３０に処理液Ｗが圧送される。ミキサ１３〜１５に処理液Ｗが流入すると、該ミキサ内に負圧が生じ、その作用でチャンバ２，３、４から有害ガスを吸引する力が発生する。
【００２９】
ガス供給管２３〜２５のバルブＶを開くと、チャンバ２、３、４内の有害ガスは、ミキサ１３，１４、１５内に吸引され、処理液Ｗと混合される。  
この時、有害ガスは、前記二つ割り楕円盤の作用により螺旋流となって流れる処理液Ｗと混合されるが、突起群の作用で微細に砕かれ、例えば、直径0.5〜3.0mmの気泡、となって吐出口１３ａ，１４ａ，１５ａから第１液体槽１１ａ内に戻され、除害される。
【００３０】
一方、第１液体槽１１ａの上部に溜まったガスは、二次ガスパイプ３３を介してミキサ３０に吸い込まれて処理液Ｗと混合され、更に除害される。
第２液体槽１１ｂの上部に溜まった清浄ガスＧは、排気パイプ３５を介して機外に排出される。
【００３１】
ミキサ等のメンテナンスをする場合：
ガス供給管２３のバルブＶを閉じると、チャンバ２の有害ガスはバイパスパイプＢに流れ、ミキサ１３には流れなくなる。そのため、ミキサ１３の保守、点検修理等を行うことができる。
【００３２】
この時、各ミキサ１３、１４，１５は、互いに独立しているので、他のミキサ１４，１５の運転を継続することがいできるので、ダウンタイムを減少させることができる。
なお、ミキサ１３の運転を停止した場合には、ガス供給管２４，２５の圧力計ＰＭを見ながらポンプＰ１の回転数の制御を行い、ミキサ１４，１５に設定量のガスを吸引できるようにする。
【００３３】
この発明の実施例は、上記に限定されるものではなく、例えば、次のようにしても良い。
（１）有害ガスの発生源として、半導体製造装置、液晶製造装置、下水処理設備、等がある。
（２）有害ガスの発生源は、１台の製造処理装置に複数設ける他、１台の製造処理装置に１つ設け、複数台を用いることによって複数の有害ガスの発生源を形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１      エッチング装置
２      チャンバ
３      チャンバ
４      チャンバ
１１ａ  第１液体槽
１１ｂ  第２液体槽
１３    ミキサ
１４    ミキサ
１５    ミキサ
１７    循環路
１９    循環枝路
２０    循環枝路
２１    循環枝路
２３    ガス供給管
２４    ガス供給管
２５    ガス供給管
Ｐ１    第１循環ポンプ
Ｓ      ガス無害化処理システム
【図１】
2007083135.tif 000003