(57)【要約】【課題】  ウエハ上方での析出物の発生を抑制することが可能なハイドライド気相成長装置、およびそれを用いた半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】  ＨＶＰＥ装置１は、反応管１０、ガス導入部２０（第１のガス導入部）、ガス導入部３０（第２のガス導入部）、ガス導入部４０（第３のガス導入部）、保持部材５０、対向部材６０、および供給部７０を備えている。保持部材５０における保持面Ｓ１の上方には、対向部材６０が設けられている。対向部材６０は、保持部材５０上に載置されるウエハ９０に対向する位置に配置されており、ウエハ９０の上方を覆う。また、対向部材６０は、保持部材５０側に開口した凹部６２を有している。供給部７０は、対向部材６０の面Ｓ２（凹部６２の内面）上に反応抑制ガスを供給する供給管である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ含有窒化物をウエハ上に気相成長させるハイドライド気相成長装置であって、
反応管と、
前記反応管にＡｌ原料ガスを導入する第１のガス導入部と、
前記反応管に窒素含有原料ガスを導入する第２のガス導入部と、
前記反応管内に配置され、前記ウエハを保持する保持部材と、
前記保持部材における前記ウエハが保持される保持面の上方に設けられた対向部材と、
前記対向部材における前記保持部材側の面上に反応抑制ガスを供給する供給部と、
を備えることを特徴とするハイドライド気相成長装置。
【請求項２】
請求項１に記載のハイドライド気相成長装置において、
前記対向部材は、前記保持部材側に開口した凹部を有するハイドライド気相成長装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のハイドライド気相成長装置において、
前記対向部材と前記供給部とは、一体に形成されているハイドライド気相成長装置。
【請求項４】
請求項２に記載のハイドライド気相成長装置において、
前記反応管は、前記保持部材の前記保持面に対向する部分が窪んでおり、
当該部分が前記対向部材を構成しているハイドライド気相成長装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載のハイドライド気相成長装置において、
前記反応抑制ガスは、不活性ガスであるハイドライド気相成長装置。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載のハイドライド気相成長装置において、
前記Ａｌ含有窒化物は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０<ｘ≦１）であるハイドライド気相成長装置。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載のハイドライド気相成長装置を用いる半導体基板の製造方法であって、
前記保持部材に前記ウエハを保持させる工程と、
前記保持部材上に保持された前記ウエハ上に、前記Ａｌ含有窒化物を成長させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記Ａｌ含有窒化物を成長させる工程よりも後に、前記ウエハを除去する工程を含む、半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム（Ａｌ）含有窒化物をウエハ上に気相成長させるハイドライド気相成長装置、およびそれを用いた半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化物半導体を用いた青色発光ダイオード（ＬＥＤ）に続いて、さらに短波長の発光素子である紫外光ＬＥＤや短波長半導体レーザ（ＬＤ）等が実用化されている。また、紫外光ＬＥＤと蛍光体との組み合わせによる白色ＬＥＤ等の光デバイスの開発も進められている。光デバイスに用いられる窒化物半導体デバイスの技術発展および市場拡大は著しい。従来、窒化物半導体デバイスには、サファイア基板上にＧａＮバッファ層を成長させて得られた基板が用いられていた。ＧａＮのバンドギャップエネルギーは３．４ｅＶであるため、このバンドギャップエネルギーに相当するフォトンの波長である３６５ｎｍ以下の光は吸収される。そのため、ＧａＮバッファ層を有するサファイア基板を用いて製造された３６５ｎｍ以下の短波長発光デバイスでは、このＧａＮバッファ層の光吸収によって、光出力の著しい低下が生じるという問題があった。
【０００３】
一方、三元混晶であるＡｌｚＧａ１−ｚＮ、すなわち（ＡｌＮ）ｚ（ＧａＮ）１−ｚは、ＡｌＮとＧａＮ結晶との混晶である。ＡｌＮ組成を表すｚの値を変化させることによって、バンドギャップは３．４ｅＶから６．２ｅＶまでの値をとり得る。すなわち、光波長で２００ｎｍ〜３６５ｎｍに相当するバンドギャップを有する結晶が得られる。例えば、発光波長が２５０ｎｍ以下の紫外発光デバイス用であれば、高いＡｌＮ組成（上記ｚが０．６以上）を有するＡｌＧａＮ基板が必要となる。基板としてＡｌＧａＮ基板またはＡｌＮ基板を用いることができれば、欠陥が少なく、高性能なＡｌＮ系深紫外ＬＤを実現することができる。かかるＡｌＮ系深紫外ＬＤには、卓上レーザー加工機や医療用途等の新分野での応用が期待できる。このように、深紫外発光デバイスの開発において、バンドギャップが大きい高ＡｌＮ組成のＡｌＧａＮ基板またはＡｌＮ基板が切望されている。
【０００４】
ＡｌＧａＮ基板またはＡｌＮ基板を製造する方法の１つとして、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ：Hydride Vapor Phase Epitaxy 法）が挙げられる。ＨＶＰＥ法によれば、高い成長速度（数十μｍ／ｈｒ以上）が実現されるとともに、ＡｌＧａＮのような混晶における組成の制御が可能である。さらに、直径２インチ以上の大口径の下地基板上への成長も可能である。他の方法として、フラックス法および昇華法が挙げられる。しかし、これらの方法では、ＡｌＮ組成の制御、基板の大型化、および低コストでの量産化等への対応が困難である。そのため、現時点において、ＨＶＰＥ法は、ＡｌＧａＮ基板やＡｌＮ基板を製造する上で、最も有望な成長手法である。
【０００５】
ＨＶＰＥ法によりIII族窒化物半導体を結晶成長させる場合、Ｖ族原料をその水素化物として供給するとともに、III族原料をIII族金属の塩化物として供給する。「ハイドライド」の呼称は、Ｖ族元素の原料として、その水素化物を用いることに由来する。例えば、ＡｌＧａＮ成長の場合、Ｖ族原料である窒素を水素化物であるアンモニア（ＮＨ３）として供給する。また、III族原料である金属Ａｌおよび金属Ｇａを反応容器中に配置し、高温で塩酸（ＨＣｌ）と反応させることにより、それぞれの塩化物（ＡｌＣｌ３、ＧａＣｌ）を生成し、それらを供給する。
【０００６】
また、一般に、いわゆるホットウォール法と呼ばれる加熱方法が用いられることがある。この方法は、抵抗加熱ヒータで石英製の反応容器を覆い、反応容器ならびにその中に配置されるホルダ、基板および金属原料をまとめて加熱するというものである。ＨＶＰＥ法においては、反応容器自体を加熱するため、原料ガスを加熱して温度を高めた上で基板に供給することができる。それにより、供給原料の飽和蒸気圧を高くすることができるため、多量の原料供給が可能となり、高速成長を実現することができる。さらに、ＨＶＰＥ法の特徴として、１００μｍ〜数十ｍｍの非常に厚い結晶層を成長させることができる点も挙げられる。
【０００７】
図５は、ＨＶＰＥ法で用いられる従来のＨＶＰＥ装置を示す断面図である（例えば特許文献１）。このＨＶＰＥ装置においては、いわゆる横型反応管方式が用いられている。この方式では、原料ガスが水平方向に沿って供給される。同図において、反応管１１０内には、ウエハ９０を保持した保持部材１５０が配置されている。ガス供給管１２２から供給される塩化水素（ＨＣｌ）ガスはＡｌソース９２と反応して、ＡｌＣｌ３が生成する。また、ガス供給管１４２から供給されるＨＣｌガスはＧａソース９４と反応して、ＧａＣｌが生成する。これらのＡｌＣｌ３およびＧａＣｌは、ガス供給管１３２から供給される窒素含有原料ガスと共に、反応管１０内に導入される。さらに、反応管１１０の周囲には、ヒータ１８４が設けられている。
【特許文献１】特開２００２−３０５１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、横型反応管方式では、上述のとおり原料ガスを水平方向に沿って供給するため、反応容器内部の上面に窒化物の析出物１００（図５参照）が発生することがある。ウエハ９０上方の反応容器面上に発生した析出物１００は、ウエハ９０上に落下することになる。すると、その析出物１００により、エピタキシャル層の成長不良が起こり、エピタキシャルウエハとしての品質の著しい低下につながる。特にＡｌ系窒化物の成長においては、Ａｌ原料ガスの反応性が極めて高いため、反応容器面上にＡｌ系窒化物が大量に析出する。このとき、反応容器面によって、Ａｌ系窒化物の析出が促進されてしまう。
【０００９】
このようなＡｌ系窒化物の成長における表面状態の劣化は、エピタキシャル層の厚さが数十μｍ以上のときに顕著となる。それゆえ、従来の横型反応管方式のＨＶＰＥ法によるＡｌＧａＮ成長においては、数十μｍ以上の層厚で良好な表面を得ることが困難であった。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ウエハ上方での析出物の発生を抑制することが可能なハイドライド気相成長装置、およびそれを用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によるハイドライド気相成長装置は、Ａｌ含有窒化物をウエハ上に気相成長させるハイドライド気相成長装置であって、反応管と、上記反応管にＡｌ原料ガスを導入する第１のガス導入部と、上記反応管に窒素含有原料ガスを導入する第２のガス導入部と、上記反応管内に配置され、上記ウエハを保持する保持部材と、上記保持部材における上記ウエハが保持される保持面の上方に設けられた対向部材と、上記対向部材における上記保持部材側の面上に反応抑制ガスを供給する供給部と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
このハイドライド気相成長装置においては、ウエハが保持される保持面の上方に、対向部材が設けられている。そして、供給部によって、対向部材における保持部材側の面上に反応抑制ガスが供給される。この反応抑制ガスは、窒素含有原料ガスが対向部材に接触するのを妨げる、あるいは接触するにしても、その窒素含有原料ガスの濃度を低下させる。これにより、ウエハの上方、すなわち対向部材の上記面上に、Ａｌ系窒化物が析出するのを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ウエハ上方での析出物の発生を抑制することが可能なハイドライド気相成長装置、およびそれを用いた半導体基板の製造方法が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、本発明によるハイドライド気相成長装置および半導体基板の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
図１は、本発明によるハイドライド気相成長装置の一実施形態を示す断面図である。ＨＶＰＥ装置１は、被処理ウエハであるウエハ９０上にＡｌ含有窒化物を気相成長させる装置であって、反応管１０、ガス導入部２０（第１のガス導入部）、ガス導入部３０（第２のガス導入部）、ガス導入部４０（第３のガス導入部）、保持部材５０、対向部材６０、および供給部７０を備えている。本実施形態において、Ａｌ含有窒化物は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０<ｘ<１）である。
【００１６】
ガス導入部２０は、反応管１０内の成長領域１２に、三塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）等のＡｌ原料ガスを導入する。このガス導入部２０は、ＨＣｌガスを供給するガス供給管２２と、ガス供給管２２に連設された導入路２４とを有している。導入路２４は、反応管１０内の一区画として構成されている。この導入路２４内には、Ａｌソース９２が載置されるＡｌソースボート２６が配置されている。これにより、導入路２４内において、ガス供給管２２から供給されるＨＣｌガスとＡｌソース９２とが反応し、ＡｌＣｌ３が生成する。このＡｌＣｌ３は、導入路２４によって成長領域１２へと導かれる。すなわち、導入路２４は、Ａｌ原料ガスの導入経路としてだけではなく、Ａｌ原料ガスの生成領域としても機能する。
【００１７】
ガス導入部３０は、成長領域１２に、Ｎ２またはＮＨ３等の窒素含有原料ガスを導入する。このガス導入部３０は、窒素含有原料ガスを供給するガス供給管３２と、ガス供給管３２に連設された導入路３４とを有している。導入路３４は、反応管１０内の一区画として構成されている。この導入路３４は、ガス供給管３２から供給された窒素含有原料ガスを成長領域１２へと導く導入経路として機能する。
【００１８】
ガス導入部４０は、成長領域１２に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）等のＧａ原料ガスを導入する。このガス導入部４０は、ＨＣｌガスを供給するガス供給管４２と、ガス供給管４２に連設された導入路４４とを有している。導入路４４は、反応管１０内の一区画として構成されている。この導入路４４内には、Ｇａソース９４が載置されるＧａソースボート４６が配置されている。これにより、導入路４４内において、ガス供給管４２から供給されるＨＣｌガスとＧａソース９４とが反応し、ＧａＣｌが生成する。このＧａＣｌは、導入路４４によって成長領域１２へと導かれる。すなわち、導入路４４は、Ｇａ原料ガスの導入経路としてだけではなく、Ｇａ原料ガスの生成領域としても機能する。
【００１９】
保持部材５０は、反応管１０内において、上述のガス導入部２０，３０，４０の下流側（図中右側）に配置されている。この保持部材５０は、その保持面Ｓ１上にウエハ９０を保持する。また、保持部材５０は、保持面Ｓ１に垂直な軸を回転軸として回転可能に設けられている。
【００２０】
保持部材５０における保持面Ｓ１の上方には、対向部材６０が設けられている。対向部材６０は、保持部材５０上に載置されるウエハ９０に対向する位置に配置されており、ウエハ９０の上方を覆う。また、対向部材６０は、保持部材５０側に開口した凹部６２を有している。凹部６２は、保持部材５０に近づくにつれて面積が広くなるテーパ状をしている。
【００２１】
図２は、対向部材６０および供給部７０を示す平面図である。同図は、保持部材５０側から見たときの様子を示している。同図からわかるように、対向部材６０の凹部６２は、上面（開口面）および底面共に円形をしている。また、図中の矢印は、供給部７０による反応抑制ガスの供給方向を示している。この供給方向は、平面視で、供給部７０の供給口と上記円の中心Ｐとを結ぶ直線Ｌ１に対して、所定の角度（>０）をなしていることがわかる。
【００２２】
供給部７０は、対向部材６０の面Ｓ２（凹部６２の内面）上に反応抑制ガスを供給する供給管である。対向部材６０と供給部７０とは、一体に形成されている。反応抑制ガスとしては、例えば、ＡｒまたはＮ２等の不活性ガスが挙げられる。
【００２３】
保持部材５０および対向部材６０の下流には、反応管１０内のガスを外に排出するガス排出管８２が設けられている。また、反応管１０の周囲には、反応管１０の内部を加熱するヒータ８４が設けられている。本実施形態において、ヒータ８４は、水平方向（図中の左右方向）に平行な中心軸を有する円筒状をしており、反応管１０を包囲している。
【００２４】
かかる構成のＨＶＰＥ装置１を用いることにより、半導体基板を製造することができる。その製造方法は、保持部材５０にウエハ９０を保持させる工程と、保持部材５０上に保持されたウエハ９０上に、Ａｌ含有窒化物を成長させる工程と、を含む。これにより、III族窒化物半導体基板、具体的にはＡｌ含有窒化物半導体基板が得られる。なお、本製造方法は、上記Ａｌ含有窒化物を成長させる工程よりも後に、ウエハ９０を除去する工程を含んでもよい。ウエハ９０の除去は、薬液によるエッチングまたは研磨等により、行うことができる。
【００２５】
次に、ＨＶＰＥ装置１の効果を説明する。ＨＶＰＥ装置１においては、ウエハ９０が保持される保持面Ｓ１の上方に、対向部材６０が設けられている。そして、供給部７０によって、対向部材６０における保持部材５０側の面Ｓ２上に反応抑制ガスが供給される。この反応抑制ガスは、窒素含有原料ガスが対向部材６０に接触するのを妨げる、あるいは接触するにしても、その窒素含有原料ガスの濃度を低下させる。これにより、ウエハ９０の上方、すなわち対向部材６０の面Ｓ２上に、Ａｌ系窒化物が析出するのを抑制することができる。
【００２６】
対向部材６０は、保持部材５０側に開口した凹部６２を有している。この凹部６２内に反応抑制ガスが滞留する（図３の斜線部参照）ことにより、対向部材６０の面Ｓ２を反応抑制ガスで効率良く覆うことができる。このため、Ａｌ系窒化物の析出を防ぐのに必要な反応抑制ガスの流量が小さくなる。反応抑制ガスの流量を小さくすることにより、Ａｌ原料ガス、Ｇａ原料ガスおよび窒素含有原料ガス間の反応に及ぼす影響を小さく抑えることができる。さらに、凹部６２内に反応抑制ガスが滞留することにより、反応抑制ガスが反応管１０内の他の領域（対向部材６０の面Ｓ２近傍の領域以外の領域）に拡散するのを抑制できる。これにより、上記反応に及ぼす影響を一層小さく抑えることができる。
【００２７】
なお、凹部６２の中に供給する反応抑制ガスの流量は、ウエハ９０上に流れる原料ガス流量の１０％以下であることが好ましい。１０％以下とすることで、エピタキシャル成長を阻害することなく、ウエハ９０上方のＡｌ系窒化物の析出を抑制できる。
【００２８】
対向部材６０と供給部７０とは、一体に形成されている。これにより、簡略な構成で、対向部材６０の面Ｓ２上に反応抑制ガスを供給することができる。
【００２９】
図２で説明したように、供給部７０による反応抑制ガスの供給方向は、平面視で、供給部７０の供給口と中心Ｐとを結ぶ直線Ｌ１に対して、所定の角度（>０）をなしている。このため、凹部６２内には、反応抑制ガスによる渦状の気流が発生する。これにより、上記角度が０の場合に比べて、対向部材の面Ｓ２上に反応抑制ガスを一様に供給し易い。
【００３０】
反応抑制ガスとして不活性ガスを用いることにより、Ａｌ系窒化物の析出を効果的に防ぐことができる。
【００３１】
ＨＶＰＥ法を用いているため、高速成長、高い量産性および低コストを実現できる。
【実施例１】
【００３２】
本実施例においては、図1に示すＨＶＰＥ装置１を用いて、III族窒化物半導体基板を製造した。ウエハ９０としてサファイア基板を用いた。また、高純度ガリウムを石英製のＧａソースボート４６の中に充填するともに、高純度アルミニウムをアルミナ製のＡｌソースボート２６の中に充填して、それぞれを水平型石英製リアクタ（反応管１０）内の所定配置に配置した。
【００３３】
サファイア基板は直径２インチの円形で、（０００１）ｃ面（Ｇａ）面で（１０−１０）方向に０．２５°に偏位した面を有するものを用いた。サファイア基板上には、有機金属気相成長法により、厚さ２μｍのＧａＮ層が予め形成されている。このサファイア基板をＨＶＰＥ装置１のホルダ（保持部材５０）上に配置して回転させた。凹部６２の開口部の直径は、５０ｍｍとした。
【００３４】
以下の説明において、ガスの供給量の単位としては、標準状態に換算した単位であるＳＣＣＭ（Standard Cubic Centimeter per Minute）を使用する。窒素（Ｎ２）ガスを上記リアクタ内に供給して、リアクタ内の空気を置換した後、各ガス供給ラインにＮ２を流した。このとき、Ｎ２ガスの流量は、１００００ＳＣＣＭとした。また、凹部６２に、１００ＳＣＣＭでＮ２を供給した。
【００３５】
さらに、ヒータ８４によってリアクタ内を加熱した。ここでの加熱方法としては、ホットウォール法を用いた。ガスの上流側から順に配置されたＡｌソースボート２６、Ｇａソースボート４６およびサファイア基板の温度が、それぞれ５００℃、８００℃および１０５０℃に保持されていることを確認し、ＧａＮバッファ層の気相成長を開始した。なお、ホットウォール法を用いているため、石英製リアクタの外側と内部とで温度は略一致する。そのため、サファイア基板に近い石英製リアクタ外側の近傍に熱電対を配置して温度を測定し、この温度をサファイア基板の温度とした。
【００３６】
ＮＨ３ガスを３０００ＳＣＣＭで導入して、低温成長ＧａＮバッファ層表面のＧａＮの解離を防いだ。Ａｌソースボート２６、Ｇａソースボート４６およびサファイア基板の温度が、それぞれ５００℃、８００℃および１０５０℃に保持されていることを確認した後、ＡｌＧａＮエピタキシャル基板の気相成長を開始した。
【００３７】
はじめに、サファイア基板上に１５００ＳＣＣＭでＮＨ３ガスを供給した。この流量は、気相成長中、常に一定に保持した。次に、ＮＨ３の流量を変えることなく、Ｇａソースボート４６にＨＣｌを５０ＳＣＣＭで供給して、ＧａＣｌを５０ＳＣＣＭで生成させた。このＧａＣｌをＧａＮバッファ層が形成されたサファイア基板上に供給した。１０分間、ＧａＣｌの供給を行った。これにより、低温成長ＧａＮバッファ層表面にＧａＮ層（第１の窒化物エピタキシャル層）が形成された。
【００３８】
次に、ＮＨ３ガスの供給量とＧａＣｌガスの供給量とを変えることなく、ＨＣｌガスをＡｌソースボート２６に１８０ＳＣＣＭ（ＡｌＣｌ３供給量６０ＳＣＣＭ）で、６０分間供給した。これにより、第１の窒化物エピタキシャル層の表面に一定組成のＡｌＧａＮ層（第２の窒化物エピタキシャル層）を成長させて、成長工程を終了した。このようにして形成された第１および第２の窒化物エピタキシャル層の層厚は、それぞれ１5μｍおよび６８μｍであった。成長中に基板への上方からの落下物はなく、全面にわたって良好な透明な成長面を得ることができた。
【００３９】
各層のＡｌＮ組成は、フィリップス社のＸ線回折装置（Ｘｐｅｒｔ−ＭＲＤ）による２θ−ω測定により各層の回折ピーク角度を求め、格子定数から計算した。すなわち、ＡｌＮ組成ｘをもつＡｌｘＧａ１−ｘＮの格子定数ａ（ｘ）に関する下記式からＡｌＮ組成を求めた。
ａ（ｘ）＝０．４９８１＋（０．５１８５−０．４９８１）×（１−ｘ）
ここで、０．４９８１および０．５１８５は、それぞれＡｌＮおよびＧａＮの格子定数（ｎｍ）である。この測定から、ＡｌＧａＮ層は単結晶であって、第２の窒化物エピタキシャル層のＡｌＮ組成ｘは０．７２であることがわかった。
【００４０】
（比較例１）
凹部６２にＮ２を３０００ＳＣＣＭで供給した以外は、実施例と同様にした。サファイア基板の中央部では、エピタキシャル成長が観察されなかった。上方からのＮ２の吹きつけで、サファイア基板の表面近傍の原料ガス濃度が低下したためと考えられる。
【００４１】
（比較例２）
図５に示すＨＶＰＥ装置を用いたこと以外は、実施例と同様にした。このようにして形成された第１および第２の窒化物エピタキシャル層の層厚は、それぞれ１４μｍおよび６２μｍであった。ＡｌＧａＮ層のＡｌＮ組成は０．７０であった。成長中のサファイア基板の表面には、Ａｌ系窒化物が多く落下した。それにより、結晶欠陥が発生した部分、およびエピタキシャル成長が停止した部分が観察された。また、製造された半導体基板の表面は白濁していた。
【００４２】
本発明によるハイドライド気相成長装置および半導体基板の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。上記実施形態ではＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０<ｘ<１）を成長させる例を示したが、本発明は、ＡｌＮ（すなわちｘ＝１の場合）の成長に適用してもよい。その場合、ＨＶＰＥ装置１においてガス導入部４０を設ける必要はない。また、本発明は、ＩｎＡｌＮまたはＩｎＧａＡｌＮ等のＩｎを含むＡｌ系窒化物に適用してもよい。
【００４３】
また、図４に示すように、反応管１０は、保持部材５０の保持面Ｓ１に対向する部分が窪んでおり、当該部分が対向部材６０を構成していてもよい。同図において、反応管１０の窪みが凹部６２を構成している。
【００４４】
また、上記実施形態では保持部材５０に１個のウエハ９０が保持される態様を示したが、保持部材５０上に複数のウエハ９０が保持される構成としてもよい。
【００４５】
また、保持部材５０の保持面Ｓ１が水平であることは必須ではなく、９０°以内であれば水平に対して傾いていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明によるハイドライド気相成長装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１中の対向部材および供給部を示す平面図である。
【図３】図１のハイドライド気相成長装置の効果を説明するための断面図である。
【図４】変形例に係るハイドライド気相成長装置を示す断面図である。
【図５】従来のハイドライド気相成長装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    ＨＶＰＥ装置
１０    反応管
１２    成長領域
２０    ガス導入部
２２    ガス供給管
２４    導入路
２６    Ａｌソースボート
３０    ガス導入部
３２    ガス供給管
３４    導入路
４０    ガス導入部
４２    ガス供給管
４４    導入路
４６    Ｇａソースボート
５０    保持部材
６０    対向部材
６２    凹部
７０    供給部
８２    ガス排出管
８４    ヒータ
９０    ウエハ
９２    Ａｌソース
９４    Ｇａソース
【図１】
2007042841.tif 000003
【図２】
2007042841.tif 000004
【図３】
2007042841.tif 000005
【図４】
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【図５】
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