(57)【要約】【課題】  開口率を確保しつつ、スイッチング素子と画素電極とを確実に道通できるコンタクトホールを備えた液晶装置を提供すること。【解決手段】  液晶装置は、走査線１０、走査線１０と交差するデータ線２０、ＴＦＴ５１および画素電極５５を有する素子基板と、対向基板と、液晶と、を備える。画素５０は、反射領域５０Ｂと透過領域５０Ａとを有し、ＴＦＴ５１は、反射領域５０Ｂに形成され、反射領域５０ＢのＴＦＴ５１および透過領域５０Ａ上には、パッシベーション膜が形成され、反射領域５０Ｂには、液晶層厚調整層６５が形成され、画素電極５５は、透過領域５０Ａのパッシベーション膜上および反射領域５０Ｂの液晶層厚調整層６５上に形成され、液晶層厚調整層６５の近傍のパッシベーション膜に設けられたコンタクトホール６４１を介して、ＴＦＴ５１と電気的に接続される。【選択図】        図２
2007071935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線と、前記走査線と交差するデータ線と、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極とを有する第１の基板と、前記第１基板に対向して設けられた第２基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶と、を備えた液晶装置であって、
前記画素電極が形成される領域は、反射領域と透過領域とを有し、
前記スイッチング素子は、前記反射領域に形成され、
前記反射領域のスイッチング素子および前記透過領域上には、絶縁層が形成され、
前記反射領域上には、液晶層厚調整層が形成され、
前記画素電極は、前記透過領域の絶縁層上および前記反射領域の前記液晶層厚調整層上に形成され、前記液晶層厚調整層の近傍の前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記スイッチング素子に電気的に接続されることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置において、
前記コンタクトホールは、前記反射領域と前記透過領域との境界もしくはその近傍に位置することを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液晶装置において、
前記スイッチング素子はトランジスタで構成され、
当該トランジスタのドレイン電極は、第１容量電極であり、当該第１容量電極に対して第２の絶縁層を挟んで対向する第２容量電極とで蓄積容量を構成するとともに、前記コンタクトホールを介して、前記画素電極に電気的に接続されることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶装置において、
前記蓄積容量は、前記反射領域に形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記走査線は、前記反射領域と前記透過領域との境界に沿って配置されることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶を用いた液晶装置、およびこの液晶装置を有する電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶を利用して画像を表示する液晶装置が知られている。この液晶装置として、バックライトといった照明手段による照明光を利用する透過型表示と、自然光や室内光といった周囲光の反射光を利用する反射型表示と、を兼ね備えた半透過反射型の液晶装置がある。
【０００３】
このような液晶装置は、液晶パネルと、照明装置としてのバックライトと、からなる。この液晶パネルは、複数の画素を有する表示領域と、この表示領域の周辺に設けられて画素を駆動する走査線駆動回路およびデータ線駆動回路と、を備える。
【０００４】
液晶パネルは、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴと呼ぶ）が画素に対応して配置された素子基板と、この素子基板に対向配置された対向基板と、素子基板および対向基板の間に挟持された電気光学物質としての液晶と、から構成されている。
【０００５】
素子基板は、所定間隔おきに設けられた複数の走査線と、これら走査線に略直交しかつ所定間隔おきに設けられた複数のデータ線と、各走査線と各データ線との交差部に対応して設けられたＴＦＴおよび画素電極と、を備える。
対向基板は、画素電極に対向して設けられた共通電極を備える。
【０００６】
各画素は、上述のＴＦＴ、画素電極、および共通電極のほか、画素電極に一端が電気的に接続された蓄積容量で構成される。
ＴＦＴのゲートには、走査線が接続され、ＴＦＴのソースには、データ線が接続され、ＴＦＴのドレインには、画素電極および蓄積容量が接続されている。
【０００７】
また、各画素は、透過型表示を行う領域（以下、透過領域と呼ぶ）と、反射型表示を行う領域（以下、反射領域と呼ぶ）と、を備える（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
具体的には、画素は、以下のような構成である。
反射領域では、素子基板に、スイッチング素子、絶縁層、所定の厚みを有し樹脂からなる液晶層厚調整層、入射光を反射する反射層、透明画素電極の順に積層される。
一方、透過領域では、素子基板に、絶縁層、透明画素電極の順に積層される。
【０００９】
ここで、スイッチング素子と透明画素電極とを電気的に接続する必要があるが、スイッチング素子と透明画素電極とは、絶縁層および液晶層厚調整層で絶縁されている。そこで、絶縁層および液晶層調整層を溶解してコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介して、スイッチング素子と画素電極とを電気的に接続している。
【００１０】
以上の液晶装置は、以下のように動作する。すなわち、走査線駆動回路から選択電圧を走査線に線順次で供給することで、ある走査線に係る画素を全て選択する。そして、これら画素の選択に同期して、データ線駆動回路からデータ線に画像信号を供給する。これにより、走査線駆動回路およびデータ線駆動回路で選択された画素に、データ線からスイッチング素子を介して画像信号が供給されて、画像データが画素電極に書き込まれる。
【００１１】
画素電極に画像データが書き込まれると、この画素電極と共通電極とに印加された電圧の電位差により、液晶に駆動電圧が印加される。したがって、画像信号の電圧レベルを変化させることで、液晶の配向や秩序を変化させて、各画素の光変調による階調表示を行う。
【００１２】
ここで、周囲光が少ない環境では、バックライトからの光を利用して、透過型の表示を行う。すなわち、バックライトから出射された光は、素子基板、液晶層、および対向基板を透過して液晶パネルから出射される。
【００１３】
一方、周囲光が十分にある環境では、反射型の表示を行う。すなわち、外部から入射した周囲光は、対向基板および液晶層を透過して、反射層で反射され、再び、液晶層および対向基板を透過して液晶パネルから出射される。
【００１４】
【特許文献１】特開２０００−２５８８０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、以上のような透過型と反射型の両方を想定した液晶パネルにおいて、コンタクトホールを介してスイッチング素子と画素電極とを電気的に接続する構造では、コンタクトホールは液晶層厚調整層に開口される。そのため、このコンタクトホールの開口面積の分だけ反射領域の面積が小さくなって、液晶パネルの開口率が低下する。よって、コンタクトホールの開口面積をできるだけ小さく抑える必要がある。
しかしながら、コンタクトホールの開口面積を小さくし過ぎると、液晶層厚調整層に厚みがあるため、エッチングする際にこの液晶層厚調整層を十分に溶解できず、例えば樹脂の溶け残りが生じて、スイッチング素子と画素電極とを確実に導通させることが困難になる。
【００１６】
本発明は、開口率を確保しつつ、スイッチング素子と画素電極とを確実に導通できるコンタクトホールを備えた液晶装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の液晶装置は、走査線と、前記走査線と交差するデータ線と、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極とを有する第１の基板と、前記第１基板に対向して設けられた第２基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶と、を備えた液晶装置であって、前記画素電極が形成される領域は、反射領域と透過領域とを有し、前記スイッチング素子は、前記反射領域に形成され、前記反射領域のスイッチング素子および前記透過領域上には、絶縁層が形成され、前記反射領域上には、液晶層厚調整層が形成され、前記画素電極は、前記透過領域の絶縁層上および前記反射領域の前記液晶層厚調整層上に形成され、前記液晶層厚調整層の近傍の前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記スイッチング素子と電気的に接続されることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、液晶層厚調整層の近傍の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、画素電極をスイッチング素子に電気的に接続した。よって、コンタクトホールを液晶層厚調整層に設けないので、絶縁層を溶解するだけでコンタクトホールを形成でき、コンタクトホールの開口面積を小さくしても、コンタクトホールを確実に形成できる。したがって、開口率を確保しつつ、画素電極とスイッチング素子とを確実に導通できる。
【００１９】
本発明の液晶装置では、前記コンタクトホールは、前記反射領域と前記透過領域との境界もしくはその近傍に位置することが好ましい。
【００２０】
この発明によれば、コンタクトホールを、反射領域と透過領域との境界もしくはその近傍に設けたので、液晶層厚調整層を反射領域に容易に形成できる。
【００２１】
本発明の液晶装置では、前記スイッチング素子はトランジスタで構成され、当該トランジスタのドレイン電極は、第１容量電極であり、当該第１容量電極に対して第２の絶縁層を挟んで対向する第２容量電極とで蓄積容量を構成するとともに、前記コンタクトホールを介して、前記画素電極に電気的に接続されることが好ましい。
【００２２】
この発明によれば、トランジスタのドレイン電極を、蓄積容量の第１容量電極として機能させた。よって、ドレイン電極および第１容量電極を単一の工程で容易に形成できる。
【００２３】
本発明の液晶装置では、前記蓄積容量は、前記反射領域に形成されることが好ましい。
【００２４】
この発明によれば、蓄積容量を反射領域に形成したので、蓄積容量を構成する第１容量電極および第２容量電極が透過領域の透過光を遮ることはないため、透過領域の開口率を大きく確保できる。
【００２５】
本発明の液晶装置では、前記走査線は、前記反射領域と前記透過領域との境界に沿って配置されることが好ましい。
【００２６】
液晶層厚調整層は、所定の厚みを有するため、その端縁には段差部が形成されるが、この段差部では、液晶の配向が乱れやすくなる。また、液晶層厚調整層は、反射領域にできるだけ大きく形成されるため、その端縁が反射領域と透過領域の境界近傍まで延びている。よって、反射領域と透過領域との境界近傍において、液晶の配向が乱れやすい。
この発明によれば、反射領域と透過領域との境界に沿って走査線を設けたので、反射領域と透過領域との境界近傍を走査線で遮光できるから、液晶の配向乱れを隠蔽できる。
【００２７】
本発明の電子機器は、上述の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態および変形例の説明にあたって、同一構成要件については同一符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。
＜実施形態＞
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶装置１のブロック図である。
液晶装置１は、液晶パネルＡＡと、照明装置としてのバックライトユニット８０（図３、図４参照）と、からなる。この液晶パネルＡＡは、複数の画素５０を有する表示領域Ａと、この表示領域Ａの周辺に設けられて画素５０を駆動する走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路２１と、を備える。
【００２９】
液晶パネルＡＡは、所定間隔おきに交互に設けられた複数の走査線１０および共通線（容量線）３０と、これら走査線１０に交差し所定間隔おきに設けられた複数のデータ線２０と、を備え、画素５０は、各走査線１０と各データ線２０との交差部に設けられる。
【００３０】
画素５０は、画素トランジスタ５１、画素電極５５、この画素電極５５に対向する共通電極５６、および、一端が画素電極５５に電気的に接続され他端が共通線３０に電気的に接続された蓄積容量５３で構成される。
【００３１】
画素トランジスタ５１のゲート電極には、走査線１０が接続され、画素トランジスタ５１のソース電極には、データ線２０が接続され、画素トランジスタ５１のドレイン電極には、画素電極５５および蓄積容量５３が接続されている。画素電極５５と共通電極５６との間には、液晶が挟持される。したがって、この画素トランジスタ５１は、走査線１０から選択電圧が印加されると、データ線２０と画素電極５５および蓄積容量５３とを導通状態とする。
【００３２】
共通電極５６は、液晶パネルＡＡの四隅に設けられた導通部３１およびこれら導通部３１同士を接続する共通配線３２を介して、共通線３０と接続される。
【００３３】
走査線駆動回路１１は、画素トランジスタ５１をオン状態にする選択電圧を各走査線１０に線順次で供給する。例えば、ある走査線１０に選択電圧が供給されると、この走査線１０に接続された画素トランジスタ５１が全て導通状態になり、この走査線１０に係る画素５０が全て選択される。
データ線駆動回路２１は、画像信号を各データ線２０に供給し、オン状態の画素トランジスタ５１を介して、画素５０の画素電極５５に画像データを順次書き込む。ここで、データ線駆動回路２１は、共通電極５６の電圧を基準電圧として、この共通電極５６の電圧よりも高い電圧でデータ線２０に画像信号を供給する正極性書込と、共通電極５６の電圧よりも低い電圧でデータ線２０に画像信号を供給する負極性書込とを交互に行う。
【００３４】
以上の液晶装置１は、以下のように動作する。
すなわち、走査線駆動回路１１から選択電圧を線順次で供給することで、ある走査線１０に係る画素５０を全て選択する。そして、これら画素５０の選択に同期して、データ線駆動回路２１からデータ線２０に画像信号を供給する。これにより、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路２１で選択した全ての画素５０に、データ線２０から画素トランジスタ５１を介して画像信号が供給されて、画像データが画素電極５５に書き込まれる。
ここで、この液晶装置１では、データ線駆動回路２１により、上述の正極性書込と負極性書込とが交互に行われる。
【００３５】
画素５０の画素電極５５に画像データが書き込まれると、この画素電極５５と共通電極５６との電位差により、液晶に駆動電圧が印加される。したがって、画像信号の電圧レベルを変化させることで、液晶の配向や秩序を変化させて、各画素５０の光変調による階調表示を行う。
なお、液晶に印加される駆動電圧は、蓄積容量５３により、画像データが書き込まれる期間よりも３桁も長い期間に亘って保持される。
【００３６】
図２は、液晶装置１を構成する画素５０の拡大平面図である。図３は、液晶装置１のＡ−Ａ断面図である。図４は、液晶装置１のＢ−Ｂ断面図である。図５は、液晶装置１の概略構成を示す部分拡大斜視図である。
【００３７】
図３および図４に示すように、上述の液晶パネルＡＡは、画素５０に対応してスイッチング素子としての画素トランジスタ５１が配置された第１の基板としての素子基板６０と、この素子基板６０に対向配置された第２の基板としての対向基板７０と、素子基板６０および対向基板７０の間に挟持された液晶と、から構成されている。
【００３８】
図２に示すように、素子基板６０において、各画素５０は、互いに隣り合う２本の遮光性の導電材料からなる共通線３０と、互いに隣り合う２本の遮光性の導電材料からなるデータ線２０とで囲まれた領域となっている。つまり、各画素５０は、共通線３０とデータ線２０とで区画されている。
この各画素５０は、透過型表示を行う透過領域５０Ａと反射型表示を行う反射領域５０Ｂとを備え、走査線１０は、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂとの境界に沿って設けられる。
本実施形態では、画素トランジスタ５１は、逆スタガ型のアモルファスシリコンＴＦＴであり、反射領域５０Ｂには、このＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃ（図２中破線で囲まれた部分）が設けられている。
【００３９】
まず、素子基板６０について説明する。
素子基板６０は、ガラス基板６８を有し、このガラス基板６８上には、ガラス基板６８の表面荒れや汚れによるＴＦＴ５１の特性の変化を防止するために、全面に亘って下地絶縁膜（図示省略）が形成されている。
この下地絶縁膜の上には、遮光性の導電材料からなる上述の走査線１０および共通線３０のほか、共通線３０から反射領域５０Ｂに延長された蓄積容量５３の共通電位側容量電極５３１が形成されている。
【００４０】
走査線１０は、反射領域５０Ｂと透過領域５０Ａとの境界に沿って配置され、データ線２０との交差部の近傍において、反射領域５０Ｂ側に突出し、ＴＦＴ５１のゲート電極５１１を構成する。
【００４１】
共通電位側容量電極５３１は、走査線１０と同じ導電材料からなり、共通電位に接続される。この共通電位側容量電極５３１は、図５に示すように、ＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃを除いて、反射領域５０Ｂの大部分を占めるように形成される。
【００４２】
以上の走査線１０、共通線３０、および共通電位側容量電極５３１の上には、反射領域５０Ｂおよび透過領域５０Ａを含む画素５０の全面に亘って、ゲート絶縁膜６２が形成される。
【００４３】
ゲート絶縁膜６２上のＴＦＴが形成される領域５０Ｃには、ゲート電極５１１に対向して、アモルファスシリコンからなる半導体層（図示省略）、Ｎ＋アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層（図示省略）が積層される。このオーミックコンタクト層には、ソース電極５１２およびドレイン電極５１３が積層されて、これにより、アモルファスシリコンＴＦＴが形成される。
【００４４】
ドレイン電極５１３は、ゲート絶縁膜６２上の共通電位側容量電極５３１に対向する領域まで延設され、蓄積容量５３の画素電位側容量電極５３２として機能する。すなわち、このドレイン電極５１３からなる画素電位側容量電極５３２は、この画素電位側容量電極５３２に対してゲート絶縁膜６２を挟んで対向する共通電位側容量電極５３１とともに、蓄積容量５３を構成する。したがって、画素電位側容量電極５３２と共通電位側容量電極５３１と間のゲート絶縁膜６２は、蓄積容量５３の誘電体膜として機能する。よって、反射領域５０ＢのうちＴＦＴ５１を除く領域に蓄積容量５３を形成することにより、蓄積容量５３の容量を増大させることができる。
【００４５】
ソース電極５１２は、データ線２０と同一の導電材料（同層）で形成される。すなわち、データ線２０からソース電極５１２が延出される構成となる。データ線２０は、走査線１０および共通線３０に対して交差するように配設されている。
【００４６】
このように、データ線２０と走査線１０および共通線３０との間にゲート絶縁膜６２を設けることにより、走査線１０および共通線３０とデータ線２０とが絶縁される。
【００４７】
ソース電極５１２、ドレイン電極５１３（画素電位側容量電極５３２）、およびデータ線２０上には、反射領域５０Ｂおよび透過領域５０Ａを含む画素５０の全面に亘って、絶縁層としてのパッシベーション膜６４が被覆される。
パッシベーション膜６４には、画素電極５５をドレイン電極５１３に接続するためのコンタクトホール６４１が形成されている。
このコンタクトホール６４１は、図２、図３および図５に示すように、走査線１０とデータ線２０との交差部のうち、ＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃとは反対側の角部に形成されている。すなわち、コンタクトホール６４１は、ＴＦＴ５１と反射領域５０Ｂと透過領域５０Ａとの境界近傍に位置している。
【００４８】
反射領域５０Ｂのパッシベーション膜６４上には、アクリル樹脂からなる液晶層厚調整層６５が形成されている。この液晶層厚調整層６５は、図５に示すように、互いに隣り合う画素５０に跨って、ストライプ状に形成される。
具体的には、液晶層厚調整層６５は、反射領域５０Ｂのうち、ＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃを含みかつドレイン電極５１３（画素電位側容量電極５３２）と画素電極５５とを接続するコンタクトホール６４１を除く領域、すなわち、ＴＦＴ５１が形成されていない走査線１０とデータ線２０の交差部の角部を除く領域に形成される。これにより、コンタクトホール６４１は、液晶層厚調整層６５の近傍に位置している。
【００４９】
液晶層厚調整層６５の端縁は、図２、図３および図４に示すように、ドレイン電極５１３と画素電極５５とを接続するコンタクトホール６４１を除く領域では、走査線１０、データ線２０、共通線３０の各々遮光性を有する配線の上に重なっている。
液晶層厚調整層６５の液晶層側の表面には、反射光を散乱させるための凹部６５１が複数かつ不規則に形成されている。
この液晶層厚調整層６５の上には、反射膜６６が形成されている。この反射膜６６は、液晶層厚調整層６５の凹部６５１に合わせて凹凸を形成し、光を散乱させ反射させる機能を有する。そして、反射膜６６のうち凹部６５１を除いた領域は、入射光を反射する機能を有する。
【００５０】
このパッシベーション膜６４の上（反射領域５０Ｂにおいては反射膜６６上）には、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明電極からなる上述の画素電極５５が形成されている。
この画素電極５５は、パッシベーション膜６４に形成した上述のコンタクトホール６４１を介して、画素電位側容量電極５３２およびＴＦＴ５１のドレイン電極５１３に電気的に接続される。
画素電極５５上には、ポリイミド膜などの有機膜からなる配向膜（図示省略）が形成されている。
【００５１】
次に、対向基板７０について説明する。
対向基板７０は、ガラス基板７４を有し、このガラス基板７４のデータ線２０および共通線３０に対向する位置には、ブラックマトリクスを成す遮光膜７１が形成される。
ガラス基板７４および遮光膜７１上には、カラーフィルタの着色層７２が形成される。本実施形態では、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂを結ぶ方向に隣り合う画素５０は、同じ色の着色層７２を有している。カラーフィルタの着色層７２上には、画素電極５５に対向するＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜からなる共通電極５６が形成される。共通電極５６上には、配向膜（図示省略）が形成されている。
【００５２】
素子基板６０と対向基板７０との間には、液晶層が形成され、この液晶層は、素子基板６０および対向基板７０の周囲に形成された図示しないシール材により封止されている。液晶層は、液晶層厚調整層６５が設けられた反射領域５０Ｂでは、層厚が薄く、透過領域５０Ａでは層厚が厚く構成され、反射表示と透過表示で光が液晶層を通過する光路（距離）が同じようになるように調整されている。
【００５３】
素子基板６０および対向基板７０の表面には、図示しない位相差板や偏光板が設けられている。
素子基板６０に対向する位置には、光源としてのバックライトユニット８０が設けられる。
【００５４】
次に、液晶装置１の反射型表示および透過型表示について説明する。
液晶装置１は、周囲光が少ない環境では、バックライトユニット８０からの光を利用して、透過型の表示を行う。すなわち、図３、図４中矢印で示すように、バックライトユニット８０から出射された光は、素子基板６０に設けられた偏光板（図示省略）で直線偏光となり、ガラス基板６８、ゲート絶縁膜６２、パッシベーション膜６４、および画素電極５５を透過して液晶層に入射する。
【００５５】
液晶層に入射した光は、液晶により印加電圧に応じて偏光方向が回転され、共通電極５６、カラーフィルタの着色層７２、およびガラス基板７４を透過して、対向基板７０の偏光板（図示省略）に達する。偏光板に達した光は、液晶による偏光方向の回転量に応じて、偏光板を透過する。
【００５６】
一方、周囲光が十分にある環境では、反射型の表示を行う。すなわち、図３、図４中矢印で示すように、外部から入射した周囲光は、対向基板７０の偏光板（図示省略）で直線偏光となり、ガラス基板７４、カラーフィルタの着色層７２、共通電極５６を透過して、液晶層に入射する。液晶層に入射した光は、画素電極５５を透過して、反射膜６６で反射され、再び画素電極５５を透過して、液晶層を通過する。この液晶層を通過する間に、印加電圧に応じて偏光方向が回転される。液晶層を通過した光は、再び、共通電極５６、カラーフィルタの着色層７２、およびガラス基板７４を透過して、対向基板７０の偏光板に達する。偏光板に達した光は、液晶による偏光方向の回転量に応じて、偏光板を透過する。
【００５７】
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
（１）液晶層厚調整層６５の近傍のパッシベーション膜６４に設けられたコンタクトホール６４１を介して、画素電極５５をＴＦＴ５１に電気的に接続した。よって、コンタクトホール６４１を液晶層厚調整層６５に設けないので、パッシベーション膜６４を溶解するだけでコンタクトホール６４１を形成でき、コンタクトホール６４１の開口面積を小さくしても、コンタクトホール６４１を確実に形成できる。したがって、液晶パネルＡＡの開口率を確保しつつ、画素電極５５とＴＦＴ５１とを確実に導通できる。
【００５８】
（２）コンタクトホール６４１を、反射領域５０Ｂと透過領域５０Ａとの境界近傍に設けたので、液晶層厚調整層６５を反射領域５０Ｂに容易に形成できる。
【００５９】
（３）ＴＦＴ５１のドレイン電極５１３を、蓄積容量５３の画素電位側容量電極５３２として機能させた。よって、ドレイン電極５１３および画素電位側容量電極５３２を単一の工程で容易に形成できる。
【００６０】
（４）蓄積容量５３を反射領域５０Ｂに形成したので、蓄積容量５３を構成する画素電位側容量電極５３２および共通電位側容量電極５３１が透過領域５０Ａの透過光を遮ることはないため、透過領域５０Ａの開口率を大きく確保できる。
【００６１】
（５）液晶層厚調整層６５は、所定の厚みを有するため、その端縁にはパッシベーション膜６４と液晶層厚調整層６５とで段差部が形成されるが、この段差部では、液晶の配向が乱れやすくなる。
そこで、各画素５０を共通線３０とデータ線２０とで区画するとともに、反射領域５０Ｂと透過領域５０Ａとの境界に沿って走査線１０を設けたので、液晶層厚調整層６５の端縁は、遮光性の走査線１０、データ線２０、および共通線３０の上に位置することになり、透過表示をする際に、液晶の配向乱れを隠蔽できる。
また、反射膜６６を、液晶層厚調整層６５の段差部つまり走査線１０の上まで到達しないように形成すれば、反射表示に対して液晶の配向乱れの影響を抑えることができる。
【００６２】
＜変形例＞
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、画素電極５５とドレイン電極５１３（画素電位側容量電極５３２）とを接続するためのコンタクトホール６４１を、走査線１０とデータ線２０との交差部の角部に設けたが、これに限らない。すなわち、コンタクトホールを、液晶層厚調整層６５の近傍であれば隣接するデータ線２０間の中央付近や、隣接する走査線１０と共通線３０（容量線）との中央付近に設けてもよい。
また、コンタクトホールを、遮光性の走査線１０や共通線３０に一部もしくは全てが重なるように設けてもよい。このように配置しても、透過領域５０Ａに影響はないうえに、液晶層厚調整層の領域を拡げて、反射領域を大きく確保できる。
また、コンタクトホールをデータ線の一部に重なるようにしてもよい。
【００６３】
また、前記実施形態では、液晶層厚調整層６５を隣接する画素５０に亘ってストライプ状に形成したが、これに限らず、各画素ごとに形成してもよいし、複数の画素ごとに形成してもよい。
また、前記実施形態では、画素トランジスタ５１として、アモルファスシリコンＴＦＴを用いたが、これに限らず、ポリシリコンＴＦＴを用いてもよい。ポリシリコンＴＦＴの場合、液晶層厚調整層を画素ごとに形成すると好適である。
また、液晶としては、ＴＮ（Twisted  Nematic）液晶や負の誘電率を用いた液晶を用いてもよい。また、液晶の表示モードとしては、ＩＰＳ（In-Plane  Switching）やＦＦＳ（Fringe-Field  Switching）など、透過型および反射型の液晶装置に用いられるモードであれば何でもよい。
【００６４】
＜応用例＞
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１を適用した電子機器について説明する。
図６は、液晶装置１を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに液晶装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００６５】
なお、液晶装置１が適用される電子機器としては、図６に示すものの他、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶装置の構成を示すブロック図である。
【図２】前記液晶装置を構成する画素の拡大平面図である。
【図３】前記液晶装置のＡ−Ａ断面図である。
【図４】前記液晶装置のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】前記液晶装置の概略構成を示す部分拡大斜視図である。
【図６】上述した液晶装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６７】
１…液晶装置、１０…走査線、２０…データ線、５０…画素、５０Ａ…透過領域、５０Ｂ…反射領域、５１…画素トランジスタ（スイッチング素子）、５３…蓄積容量、５５…画素電極、６０…素子基板（第１の基板）、６４…パッシベーション膜（絶縁層）、６５…液晶層厚調整層、７０…対向基板（第２の基板）、５１３…ドレイン電極、５３１…共通電位側容量電極（第２容量電極）、５３２…画素電位側容量電極（第１容量電極）、６４１…コンタクトホール、３０００…携帯電話機（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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