(57)【要約】【課題】  印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えた磁気センサに対する磁気特性測定に費やす時間を短縮することを可能とすると共に、磁場の変更に起因する影響を解消した測定装置及び測定方法を提供する。【解決手段】  磁気センサ５を載置する試料台３と、磁気センサ５に対して磁場を印加する磁場印加手段１と、磁気センサ５が発した出力電圧の変動を測定する信号検知手段２と、からなる磁場印加ユニット１０を複数配置し、前記磁場印加手段１は個別に、出力電圧の変動を発生するそれぞれの磁場に設定した測定装置を構成する。そして、磁気センサ５を、複数の磁場印加手段１（Ａ，Ｂ・・）が個別に作る磁場空間４に順次滞在させ、印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する状態を観測する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えた磁気センサを載置する複数の試料台、
前記試料台ごとに、前記磁気センサに対して磁場を印加する磁場空間を形成するための磁場印加手段、及び、
前記磁場の印加により、前記磁気センサが発した出力電圧の変動を測定する信号検知手段、
から構成された磁場印加ユニットを少なくとも備え、
前記試料台ごとに配された前記磁場印加手段は個別に、前記出力電圧の変動を誘導するそれぞれの磁場に設定されていることを特徴とする磁気センサの測定装置。
【請求項２】
前記磁場印加ユニットは、線状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの測定装置。
【請求項３】
前記磁場印加ユニットは、円状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの測定装置。
【請求項４】
前記磁場印加手段は、所定の磁場範囲内で印加した磁場を掃引することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの測定装置。
【請求項５】
印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えた磁気センサを載置する複数の試料台、前記試料台ごとに、前記磁気センサに対して磁場を印加する磁場空間を形成するための磁場印加手段、及び、前記磁場の印加により、前記磁気センサが発した出力電圧の変動を測定する信号検知手段、から構成された磁場印加ユニットを少なくとも備え、前記試料台ごとに配された前記磁場印加手段は個別に、前記出力電圧の変動を誘導するそれぞれの磁場に設定されている磁気センサの測定装置を用いてなる磁気センサの測定方法であって、
前記試料台ごとに配した、前記磁気センサに対して磁場を印加する磁場空間内に、該磁気センサを順次滞在させることを特徴とする磁気センサの測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えた磁気センサが発した出力電圧の変動を測定する時間の短縮化を可能とする測定装置及び測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、強磁性磁気抵抗素子（以下、単に「磁気抵抗素子」という場合もある。）を磁界検出素子として採用した磁気センサが知られている。強磁性磁気抵抗素子は、磁気の強さによって抵抗値が変化する素子であることから磁場を検出する磁気センサとして広く用いられ、たとえば回転検出や、携帯電話機の開閉スイッチ等の非接触スイッチとして用いられている。
【０００３】
これらの磁気スイッチは、たとえばＮｉ−Ｆｅ、ＩｎＳｂ等の強磁性体の磁気抵抗効果を利用してブリッジ回路を構成し、そのブリッジ回路の出力電圧をコンパレータで比較し、ＯＮ／ＯＦＦのデジタル出力を行なう。その動作例を、図７及び図８に示す。
図７は、２出力タイプの磁気スイッチの例を示す印加磁場と出力電圧の関係を示す図であり、図８は、そのブロックダイアグラムである。
図７に示すように、印加磁場が０のとき、たとえば磁気センサからの出力電圧は約３Ｖ（ハイレベル）を示す。そして、印加磁場の増加に伴い、ある磁場で出力電圧は０Ｖ（ローレベル）に変化するスイッチング動作を行なう。また、ローレベル状態から印加磁場を減少させると、ある磁場で出力電圧は０Ｖから約３Ｖに変化するスイッチング動作を行なう。具体的に、図７では、印加磁場を０から上げていくと、２１エルステッド（Oe）付近と３０エルステッド付近で出力電圧は０Ｖに変化し、一方、印加磁場を下げていくと、２７エルステッド付近と１４エルステッド付近で出力電圧は０Ｖから約３Ｖに変化している状態を示している。
【０００４】
また、図８に示すように、このような磁気センサ５は、たとえば４個の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３，ＭＲ４がブリッジ回路接続されることにより構成され、前記磁気センサ５が発した出力電圧の変動が、コンパレータ２１やラッチ回路２２等にて構成された信号検知手段２によって測定される。この動作はコンパレータ２１により、プラス端子に入力される電圧値とマイナス端子に入力される電圧値との電位差を求める処理を行うものである。すなわち、このコンパレータ２１には、あらかじめ閾値電圧が設定されており、電位差のレベルがこの閾値を超えると、コンパレータ２１は出力端子からラッチ回路２２に対してローレベルの信号を出力する。
【０００５】
このような磁気スイッチは、たとえば図９に示すように、一対の電磁石５１，５１を対向させ、かつ、間隔をあけて配置した構造の磁場印加手段を有し、前記一対の電磁石５１，５１の間に磁気抵抗素子を用いた磁気センサ５を配置する試料台５３を有すると共に、該磁気センサ５が発した出力電圧の変動を測定する信号検知手段２を備える構造をした測定装置を用いて検査される。
【０００６】
このような磁気スイッチを作製して検査する際、ある磁場でのスイッチ動作を確認する必要がある。たとえば１出力（ＯＵＴ１）スイッチの場合は最低２回、また、２出力（ＯＵＴ１，ＯＵＴ２）スイッチの場合は最低４回の磁場掃引と出力信号の測定が必要となる。ところが前記測定装置を用いた測定は、同一試料台において印加磁場を掃引する構成であったため、前記一対の電磁石に電流を印加し、磁場を安定させた後に行わなければならない。このため、図１０に示すように、それぞれ異なる磁場（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）ごとに磁場安定化待ち時間並びに複数回の磁場印加が必要となり、測定時間が増加するという問題があった。たとえば、空芯コイルを用いた場合、磁場印加開始の信号が出力されてから磁場が安定するまでの時間は約７００ｍｓであり、１ポイントの測定に１秒程度の時間が必要となる。そのため、４点の磁場測定には、約４秒の測定時間が必要であった。また、磁場の掃引中に磁気センサは、磁場の変更に起因する影響が懸念されるものである。
【０００７】
そこで、磁気特性測定に費やす時間を短縮するようにした手段として、たとえば、先端にプローブニードルを組付けた複数のプローブを備えたプローバのプローブヘッドに、磁石と該磁石を回転させる駆動機構とを着脱可能に取付け、ウェハーの面と平行な面内で磁石を回転させて、ウェハー上の測定すべき磁気抵抗素子に回転磁場を印加しながらウェハー状態で素子の磁気特性を測定するようにしたものが提案されている（特許文献１）。
【０００８】
しかしながら、上記のような手段では、強さが一定の共通する磁場を印加するようにしたものであり、異なる強さの複数の磁場を印加するように設定されたものではない。したがって、異なる強さの複数の磁場を印加してスイッチ動作を確認する場合、その都度磁場掃引をし、磁場安定化待ち時間が必要となる。しかも、磁場の掃引に伴う影響は解消されない。
【特許文献１】特許第３０５４４５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えた磁気センサに対する磁気特性測定に要する時間の短縮化が図れると共に、磁場の掃引に伴う影響を抑制できる測定装置及び測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に係る磁気センサの測定装置は、印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えた磁気センサを載置する複数の試料台、前記試料台ごとに、前記磁気センサに対して磁場を印加する磁場空間を形成するための磁場印加手段、及び、前記磁場の印加により、前記磁気センサが発した出力電圧の変動を測定する信号検知手段、から構成された磁場印加ユニットを少なくとも備え、前記試料台ごとに配された前記磁場印加手段は個別に、前記出力電圧の変動を誘導するそれぞれの磁場に設定されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項２に係る磁気センサの測定装置は、請求項１において、前記磁場印加ユニットは、線状に配置されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項３に係る磁気センサの測定装置は、請求項１において、前記磁場印加ユニットは、円状に配置されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項４に係る磁気センサの測定装置は、請求項１において、前記磁場印加手段は、所定の磁場範囲内で印加した磁場を掃引することを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項５に係る磁気センサの測定方法は、印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えた磁気センサを載置する複数の試料台、前記試料台ごとに、前記磁気センサに対して磁場を印加する磁場空間を形成するための磁場印加手段、及び、前記磁場の印加により、前記磁気センサが発した出力電圧の変動を測定する信号検知手段、から構成された磁場印加ユニットを少なくとも備え、前記試料台ごとに配された前記磁場印加手段は個別に、前記出力電圧の変動を誘導するそれぞれの磁場に設定されている磁気センサの測定装置を用いてなる磁気センサの測定方法であって、前記試料台ごとに配した、前記磁気センサに対して磁場を印加する磁場空間内に、該磁気センサを順次滞在させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えた磁気センサを載置する複数の試料台ごとに、前記磁気センサに対して磁場を印加する磁場空間を形成するための磁場印加手段が備えられ、該磁場印加手段は個別に、前記出力電圧の変動を誘導するそれぞれの磁場を定常的に印加するように予め設定されているので、磁場の掃引が不要となる。したがって、磁気特性測定に要する時間の短縮化が図れる。
また、異なる磁場を印加する場合でも磁場の掃引が不要であるので、磁場の掃引に伴う影響を抑制することができる。
さらに、磁場印加手段は個別に、異なる磁場を定常的に印加することができるので、大きく磁場を変更することができ、さまざまなパターンの磁気センサの測定が可能なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態について、図面に基づき詳細に説明する。
図１は、本発明に係る測定装置の構造の一例を説明する概略図である。
本実施形態に係る測定装置は、各磁気センサ５（Ａ，Ｂ・・）を個別に載置する複数の試料台３（Ａ，Ｂ・・）と、前記試料台３（Ａ，Ｂ・・）ごとに、磁気センサ５（Ａ，Ｂ・・）に対して磁場を印加する磁場印加手段１（Ａ，Ｂ・・）と、前記磁気センサ５（Ａ，Ｂ・・）が発した出力電圧の変動を個別に測定する信号検知手段２（Ａ，Ｂ・・）と、から構成された磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ・・）を少なくとも備えている。
また、本発明に係る測定装置にて磁気特性を測定する磁気センサ５は、印加された異なる磁場に応じて出力電圧がそれぞれ変動する回路を備えたものである。
【００１７】
各磁場印加手段１（Ａ，Ｂ・・）は、前記試料台３（Ａ，Ｂ・・）の外方より磁気センサ５（Ａ，Ｂ・・）に対して磁場を印加する磁場空間４（Ａ，Ｂ・・）を個別に有する。磁場空間４は、たとえば１対の電磁石を対向させ、かつ、間隔をあけて配置することにより構成され、一方の電磁石から他方の電磁石に向かう強力な磁界を発生している。
また、磁場印加手段１は個別に、前記出力電圧の変動を誘導するそれぞれの磁場に固定設定されている。印加磁場は、たとえば１〜１００エルステッド（Ｏｅ）の範囲とすることができる。この磁場印加手段１によって磁場を印加し、磁気センサ５の電気抵抗の変化を測定する。
また、磁場印加手段１は、所定の磁場範囲内で印加した磁場を掃引するものとしても良い。これにより、磁場印加手段１を必要以上に増やすことなく、さまざまなパターンの測定磁場を効率良く設定することができる。
【００１８】
各信号検知手段２（Ａ，Ｂ・・）は、前記磁場印加手段１（Ａ，Ｂ・・）が個別に作る磁場空間４（Ａ，Ｂ・・）に滞在させた磁気センサ５（Ａ，Ｂ・・）に対して磁場を印加し、前記磁気センサ５（Ａ，Ｂ・・）が発した出力電圧の変動を測定するものであり、たとえばコンパレータ（比較回路）２１やラッチ回路２２等にて構成される。
【００１９】
コンパレータ２１は、一対の入力端子と一つの出力端子を有し、出力端子はラッチ回路２２に接続されている。また、コンパレータ２１は、磁気センサ５が発した出力電圧と所定の閾値電圧と大小比較することによって、２値化処理し、出力端子からラッチ回路２２に対してローレベルまたはハイレベルの比較結果信号を出力する。すなわち、コンパレータ２１は、そのプラス（＋）入力端子に入力される電圧値とマイナス（−）入力端子に入力される電圧値との電位差を求める処理を行う。詳しくは、このコンパレータ２１には、第１および第２の閾値電圧が設けられている。電位差のレベルが第１の閾値電圧を越えると、コンパレータ２１は出力端子にローレベルの信号を出力する。また、電位差のレベルが第２の閾値電圧よりも低下すると、コンパレータ２１はハイレベルの信号を出力する。
【００２０】
ラッチ回路２２は、コンパレータ２１から出力される比較結果信号を取り込み、該信号によって磁気スイッチのＯＮ／ＯＦＦ動作を切り替え、新しい比較結果信号が入力されるまではその直前の比較結果信号を保持するように構成された回路である。したがって、この比較結果信号がローレベルからハイレベルに反転することによりＯＮ状態とし、これにより出力端子はローレベル状態を保持するものとなり、また、比較結果信号がハイレベルからローレベルに反転することによりＯＦＦ状態とし、これにより出力端子はハイレベル状態の信号を保持するものとなる。
【００２１】
各試料台３（Ａ，Ｂ・・）は、それぞれ磁気センサ５（Ａ，Ｂ・・）を個別に載置すると共に、載置された磁気センサ５を、各磁場印加手段１（Ａ，Ｂ・・）において磁場を印加する磁場空間４（Ａ，Ｂ・・）へ移動し、前記磁気センサ５の回路面（ＩＣ表面）に対して水平に磁場が印加されるように配置する。
【００２２】
磁気センサ５は、磁気信号を電気信号に変換し、磁場印加手段に生じた印加磁場に応じた出力電圧を発生する。具体的には、たとえば、図８に示すように、４個の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３，ＭＲ４がブリッジ回路接続されることにより構成される。各磁気抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ４は、それぞれ複数の長辺および短辺を順次折り返して接続したつづら折り状に形成されており、たとえばＮｉ−Ｆｅ合金からなる強磁性体薄膜で形成されている。
【００２３】
また、図８に示すように、ブリッジ回路の一端は電源端子Ｖccに接続され、他端は接地されている。また、前記磁気抵抗素子ＭＲ１と磁気抵抗素子ＭＲ２との接続点（中点）ａは、コンパレータ２１のマイナス端子に接続され、磁気抵抗素子ＭＲ３と磁気抵抗素子ＭＲ４との接続点（中点）ｂは、同コンパレータ２１のプラス端子に接続されている。
そして、各磁気抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ４の抵抗値変化は、このブリッジ回路における各中点電位ＶａおよびＶｂの変化として取り出され、これら中点電位ＶａおよびＶｂの変化がコンパレータへ入力される。コンパレータ２１では発生した出力電圧Ｖａ、Ｖｂの電位差を求め、この電位差と所定の閾値電圧との大小を比較することによって２値化処理され、ローレベルまたはハイレベルといった比較結果信号を出力する。
【００２４】
複数の磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ・・）は、線状に配置され、それぞれお互いの磁場で影響を受けないよう、必要に応じてシールドをしたり、または距離を空けたりして設ける。
【００２５】
上記のように構成された測定装置において、たとえば４個の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３，ＭＲ４がブリッジ回路接続された構成の磁気センサ５に対する磁気特性を測定する場合、図１に示すように、まず、第一の磁場を印加する第一磁場印加ユニット１０Ａの磁場印加手段１Ａが個別に作る磁場空間４Ａに、試料台３Ａに載置された磁気センサ５Ａを滞在させ、印加された磁場に応じて出力電圧が変動する状態を信号検知手段２Ａにて観測した後、第二の磁場を印加する第二磁場印加ユニット１０Ｂの磁場印加手段１Ｂが個別に作る磁場空間４Ｂへ試料台３Ａに載置された磁気センサ５Ａを移動して、同様に信号検知手段２Ｂにて観測を行うといったシーケンスを、それぞれ異なる四つの磁場を印加することに対応する各磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）にて順次行う。
【００２６】
このように本発明では、磁場印加ユニットの磁場を変更する必要がなく、磁場安定化待ち時間が不要となる。したがって、図２に示すように、各磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）にてそれぞれ異なる磁場（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を印加するごとに、磁場印加開始の信号が出力されてから磁場が安定するための時間が不要となり、たとえば従来技術での測定に比して約７００ｍｓの時間が不要となって、磁場一点の測定が約３００ｍｓで終了し、測定時間が短縮できるものとなる。
【００２７】
また、本発明の測定装置では、上記のような一つの磁気センサ５の個別測定に限らず、図３に示すように、複数の磁気センサ５をパイプライン式に同時に並行して測定することもできる。図３では、最高４つの磁気センサ５（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を同時に測定する状態を示している。すなわち、まず、第一の磁場を印加する第一磁場印加ユニット１０Ａの磁場印加手段１Ａが個別に作る磁場空間４Ａに第一の磁気センサ５Ａを滞在させ、印加された磁場に応じて出力電圧が変動する状態を信号検知手段２Ａにて観測した後、前記第一の磁気センサ５Ａを、第二の磁場を印加する第二磁場印加ユニット１０Ｂの磁場印加手段１Ｂが個別に作る磁場空間４Ｂへ移動して、同様に信号検知手段２Ｂにて観測を行う。これと同時に、前記第一磁場印加ユニット１０Ａの磁場空間４Ａに、試料台３Ｂに載置された第二の磁気センサ５Ｂを滞在させ、印加された磁場に応じて出力電圧が変動する状態を信号検知手段２Ａにて観測する。そして、このようなシーケンスを、４つの磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を同時に使用して順次行う。
【００２８】
したがって、図３では、第一磁場印加ユニット１０Ａ、第二磁場印加ユニット１０Ｂ、及び第三磁場印加ユニット１０Ｃで測定を完了した第一の磁気センサ５Ａが、第四磁場印加ユニット１０Ｄで測定され、第一磁場印加ユニット１０Ａ及び第二磁場印加ユニット１０Ｂで測定を完了した第二の磁気センサ５Ｂが、第三磁場印加ユニット１０Ｃで測定され、第一磁場印加ユニット１０Ａで測定を完了した第三の磁気センサ５Ｃが、第二磁場印加ユニット１０Ｂで測定され、新たな第四の磁気センサ５Ｄが、第一磁場印加ユニット１０Ａで測定され、さらに、第五の磁気センサ５Ｅが、第一磁場印加ユニット１０Ａでの測定を待っている状態を示している。これにより、設置された磁場印加ユニット１０の数だけ同時に複数の磁気センサ５の測定が可能であるため、複数の磁場印加ユニット１０での測定時間が、たとえば従来技術での測定に比して、磁場一点と同じ約３００ｍｓで終了し、大幅な測定時間の短縮が可能なものとなる。
【００２９】
また、本発明の測定装置では、必要な測定回数と磁場印加ユニットとの数を同じにした測定方法の他に、図４に示すように、必要な測定回数以上に磁場印加ユニットを設置し、所望の磁場印加ユニットだけを適宜使用して測定を行うといった、さまざまなパターンの磁気センサの測定を行うこともできる。図４では、４つの磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を設置した測定装置において、２回測定が必要な磁気センサ５を測定する場合を示している。すなわち、まず、第一の磁場を印加する第一磁場印加ユニット１０Ａの磁場印加手段１Ａが個別に作る磁場空間４Ａに、試料台３Ａに載置された第一の磁気センサ５Ａを滞在させ、印加された磁場に応じて出力電圧が変動する状態を信号検知手段２Ａにて観測する。次いで、予め設置された第二磁場印加ユニット１０Ｂ及び第三磁場印加ユニット１０Ｃを飛ばして、第四磁場印加ユニット１０Ｄの磁場印加手段１Ｄが個別に作る磁場空間４Ｄに、前記試料台３Ａに載置された第一の磁気センサ５Ａを滞在させ、印加された磁場に応じて出力電圧が変動する状態を信号検知手段２Ｄにて観測する状態を示している。
【００３０】
さらに、本発明の測定装置は、上述した線状の配置に限らず、図５に示すように、複数の磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を円状に配置することもできる。図５では、４つの磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を円状に配置し、配置順に所望の磁場印加ユニット１０を選択して磁気センサ５を測定する場合を示している。したがって、図５に示す測定装置においては、まず、第一の磁場を印加する第一磁場印加ユニット１０Ａの磁場印加手段１Ａが個別に作る磁場空間４Ａに第一の磁気センサ５Ａを滞在させ、印加された磁場に応じて出力電圧が変動する状態を信号検知手段２Ａにて観測した後、前記第一の磁気センサ５Ａを、第二の磁場を印加する第二磁場印加ユニット１０Ｂの磁場印加手段１Ｂが個別に作る磁場空間４Ｂへ移動して、同様に信号検知手段２Ｂにて観測を行うようなシーケンスを、４つの磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を使用して順次行う。
【００３１】
また、この測定装置においては、複数の磁気センサ５を同時に並行して測定することもできる。すなわち、まず、第一の磁場を印加する第一磁場印加ユニット１０Ａの磁場印加手段１Ａが個別に作る磁場空間４Ａに第一の磁気センサ５Ａを滞在させ、印加された磁場に応じて出力電圧が変動する状態を信号検知手段２Ａにて観測した後、前記第一の磁気センサ５Ａを、第二の磁場を印加する第二磁場印加ユニット１０Ｂの磁場印加手段１Ｂが個別に作る磁場空間４Ｂへ移動して、同様に信号検知手段２Ｂにて観測を行うと同時に、前記第一磁場印加ユニット１０Ａの磁場空間４Ａに、次の試料台３Ｂ（図示せず）に載置された第二の磁気センサ５Ｂ（図示せず）を滞在させ、印加された磁場に応じて出力電圧が変動する状態を信号検知手段２Ａにて観測する。そして、このようなシーケンスを、４つの磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を同時に使用して順次行うようにする。
【００３２】
また、複数の磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を円状に配置した測定装置としては、図６に示すように、配置順に関係なく所望の磁場印加ユニット１０を選択して磁気センサ５を測定することもできる。図６では、４つの磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を円状に配置し、中央に位置する第一の磁気センサ５を、所望の磁場印加ユニット１０（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を選択して測定可能にした場合を示している。したがって、図６に示す測定装置においては、第一磁場印加ユニット１０Ａ、第二磁場印加ユニット１０Ｂ、第三磁場印加ユニット１０Ｃ、第四磁場印加ユニット１０Ｄの順に磁気センサの測定を行うこともできるし、第三磁場印加ユニット１０Ｃ、第二磁場印加ユニット１０Ｂ、第四磁場印加ユニット１０Ｄ、第一磁場印加ユニット１０Ａといった不規則な順や、第二磁場印加ユニット１０Ｂと第三磁場印加ユニット１０Ｃだけといった選択的といったさまざまなパターンで測定を行うことができる。
【００３３】
また、本発明の測定装置を用いた測定方法において磁場印加手段に設定される磁場は、測定工程のうち奇数番目の測定工程で印加する磁場は、偶数番目の測定工程で印加する磁場より大きくする必要がある。これにより、各出力のスイッチ動作毎に効率良く測定を行うことができる
また、本発明の測定装置を用いた測定方法において磁場印加手段に設定される磁場は、全測定工程において前半の測定工程で印加する磁場は順次増加し、後半の測定工程で印加する磁場は順次減少するようにしても良い。これにより、磁場の差を小さくして印加することになって、磁気センサに残留する磁場の影響を小さくすることが出来る。
【００３４】
なお、上記各測定装置では、試料台が磁気センサを載置した状態のまま移動し、各磁場印加手段における磁場空間に滞在することで磁場印加ユニットを構成するものとなっているが、本発明はこれに限らず、前記磁場空間に試料台を固定し、磁気センサだけを順次移動させる構成としても良い。
また、本発明は、磁気スイッチの磁気特性測定に限らず、磁場に対する応答を測定する装置全般に対して有効なものである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る測定装置の第一の構造の一例を説明する概略図である。
【図２】本発明の測定方法における測定時間と印加磁場の関係を示す図である。
【図３】図１に示す測定装置での他の測定方法を説明する概略図である。
【図４】図１に示す測定装置でのさらに他の測定方法を説明する概略図である。
【図５】本発明の係る測定装置の第二の構造の一例を説明する概略図である。
【図６】本発明の係る測定装置の第三の構造の一例を説明する概略図である。
【図７】２出力タイプの磁気スイッチの例を示す印加磁場と出力電圧の関係を示す図である。
【図８】２出力タイプの磁気スイッチの例を示すブロックダイアグラムである。
【図９】従来の測定装置の構造を説明する概略図である。
【図１０】従来の測定方法における測定時間と印加磁場の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ）  電磁石（磁場印加手段）、２（２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ）  信号検知手段、３（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ）  試料台、４（４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ）  磁場空間、５（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ）  磁気センサ（強磁性磁気抵抗素子）、１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ）  磁場印加ユニット、２１  コンパレータ、２２  ラッチ回路。
【図１】
2007085992.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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