(57)【要約】【課題】  導線と基板の剥離が防止され、導線の寸法精度が高いプローブユニットと、それを用いた導通検査方法と、その製造方法とを提供する。【解決手段】  プローブユニットは、少なくとも一部が結晶化した結晶化ガラスからなる基板と、前記基板上に形成された導線と、を備える。ガラスの結晶化によって基板の熱膨張係数が小さくなるため、結晶化ガラス上に導線を形成することにより、導線の寸法安定性を高くし、また基板と導線の剥離を防止することができる。また、結晶化ガラスの表面の平坦度を高くすることは容易であるため、導線の寸法精度を高くすることができる。【選択図】  図１
2007085877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が結晶化した結晶化ガラスからなる基板と、
前記基板上に形成された導線と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
前記基板は、透明又は半透明の位置決め部を有し、
前記導線は、少なくとも一部が前記位置決め部の真上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
前記結晶化ガラスの結晶化した部位の結晶粒の平均粒径は、０．４μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項４】
前記結晶化ガラスの結晶化した部位の結晶粒の平均粒径は、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項５】
前記結晶化ガラスは、添加物を含有する混合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項６】
前記導線は、検体の電極と接触する接触部を前記基板の真上に有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項７】
請求項２に記載のプローブユニットを用いた導通検査方法であって、
前記位置決め部を透かして検体を観察しながら前記導線と前記検体の電極とを位置合わせする段階を含むことを特徴とする導通検査方法。
【請求項８】
検体の電極と導通する導線が基板上に設けられているプローブユニットの製造方法であって、
少なくとも一部が結晶化したガラス上に前記導線を構成する導体膜を形成する段階を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項９】
検体の電極と導通する導線が基板上に設けられているプローブユニットの製造方法であって、
前記基板を構成するためのガラスの少なくとも一部を結晶化させる段階と、
前記ガラスの透明又は半透明の位置決め部を構成する部位の真上に、前記導線を構成する導体膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項１０】
前記ガラスの結晶化された部位の少なくとも一部をエッチングで除去することにより前記基板の外縁を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８又は９に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１１】
前記ガラスの結晶化された部位を切削することにより前記基板の外縁を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８又は９に記載のプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路や液晶パネル等の電子デバイスの電気的特性を検査するための導通検査方法とそれに用いるプローブユニットとその製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
プローブユニットを用いた電子デバイスの導通検査は、プローブユニットの導線と電子デバイスの電極とを接触させた状態で実施される。基板が透明又は半透明であるプローブユニットでは、プローブユニットの導線と電子デバイスの電極とを位置合わせする工程において、基板を透かして導線と電子デバイスとを同時に観察できるため、両者の位置合わせが容易である。
【０００３】
特許文献１、２、３、４には、水晶からなる透明基板上に導体薄膜からなる微細な導線が形成されたプローブユニットが開示されている。しかし、水晶からなる基板は、強度が低く、導体薄膜が基板から剥離しやすく、また、高価である。
特許文献５にはサファイアからなる透明基板上に導体薄膜からなる微細な導線が形成されたプローブユニットが開示されている。しかし、サファイアからなる透明基板を透かして電子デバイスの電極を観察すると、複屈折が生じるため電極が二重に見える。また、サファイアは極めて高価な材料である。さらに、サファイアは、極めて高い高度を有するため切削が困難であり、また、切削時のチッピングにより基板の外形寸法精度が悪くなるという問題がある。
【０００４】
特許文献６、７には、半透明の樹脂フィルムからなる基板に導体薄膜からなる微細な導線が形成されたプローブユニットが開示されている。しかし、樹脂フィルムは剛性が低いため、導体薄膜の剥離が生じやすく、また、電子デバイスの電極と導線の接触圧を大きくすることができない。さらに、樹脂フィルムからなる基板は、基板の平坦度が悪いため導線の微細化に不利である。また、樹脂フィルムからなる基板は、熱膨張しやすいため導線配列の形状安定性が悪い。
【０００５】
【特許文献１】特開平２−２０８４７０号公報
【特許文献２】特開平４−６９９４７号公報
【特許文献３】特開平４−１１３６４５号公報
【特許文献４】特開平６−１４０４８２号公報
【特許文献５】特開昭６２−２９０１４４号公報
【特許文献６】特開平８−２５２５４６号公報
【特許文献７】特開平９−３１８６６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の問題を解決するために創作されたものであって、導線と基板の剥離が防止され、導線の寸法精度が高いプローブユニットと、それを用いた導通検査方法と、その製造方法とを提供することを目的とする。
また本発明は、検体の電極との位置合わせが容易なプローブユニットと、それを用いた導通検査方法と、その製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するプローブユニットは、少なくとも一部が結晶化した結晶化ガラスからなる基板と、前記基板上に形成された導線と、を備える。
ガラスの結晶化によって基板の熱膨張係数が小さくなるため、結晶化ガラス上に導線を形成することにより、導線の寸法安定性を高くし、また基板と導線の剥離を防止することができる。また、結晶化ガラスの表面の平坦度を高くすることは容易であるため、導線の寸法精度を高くすることができる。尚、本明細書において、結晶化ガラスは、前躯体ガラスを露光、熱処理などにより少なくともその一部を結晶化させたガラスである。また、本明細書において「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。
【０００８】
前記基板は、透明又は半透明の位置決め部を有し、前記導線は、少なくとも一部が前記位置決め部の真上に形成されていてもよい。導線を透明又は半透明の位置決め部の真上に形成することにより、位置決め部を透かして検体と導線とを同時に観察することができるため、検体の電極と導線との位置合わせが容易になる。尚、位置決め部は、結晶化していてもよいし、結晶化していなくてもよい。
【０００９】
前記結晶化ガラスの結晶化した部位の透明度を高くするためには、前記結晶化ガラスの結晶化した部位の結晶粒の平均粒径は０．４μｍ以下であることが望ましい。
前記結晶化ガラスの透明度を高くするためには、前記結晶化ガラスの結晶粒の平均粒径は０．１μｍ以下であることがさらに望ましい。
【００１０】
前記結晶化ガラスは、添加物を含有する混合物であってもよい。結晶化ガラスに混合された粒子、繊維、ウィスカー等の添加物は、切削時の亀裂の進行を阻止したり、熱膨張係数を小さくしたり、剛性調整に寄与したりすることができる。
前記導線は、検体の電極と接触する接触部を前記基板の真上に有していてもよい。接触部を基板の真上に位置させることにより、主に基板の剛性が接触部と検体の電極との接触圧を決定することになる。結晶化ガラスからなる基板の剛性は樹脂基板等に比べて高いため、結晶化ガラスからなる基板の真上に位置する接触部は、樹脂基板等の真上に位置する接触部と比べて電極との接触圧が高くなる。
【００１１】
上記目的を達成する導通検査方法は、前記位置決め部を透かして検体を観察しながら前記導線と前記検体の電極とを位置合わせする段階を含む。この導通検査方法によると、位置決め部を透かして検体と導線とを同時に観察することができるため、検体の電極と導線との位置合わせが容易になる。
【００１２】
上記目的を達成するプローブユニットの製造方法は、検体の電極と導通する導線が基板上に設けられているプローブユニットの製造方法であって、少なくとも一部が結晶化した結晶化ガラス上に前記導線を構成する導体膜を形成する段階を含む。ガラスの結晶化によって基板の熱膨張係数が小さくなるため、少なくとも一部が結晶化した結晶化ガラス上に導線を形成することにより、導線の寸法安定性を高くし、また基板と導線の剥離を防止することができる。また、結晶化ガラスの表面の平坦度を高くすることは容易であるため、導線の寸法精度を高くすることができる。
【００１３】
上記目的を達成するプローブユニットの製造方法は、検体の電極と導通する導線が基板上に設けられているプローブユニットの製造方法であって、前記基板を構成するためのガラスの少なくとも一部を結晶化させる段階と、前記ガラスの透明又は半透明の位置決め部を構成する部位の真上に、前記導線を構成する導体膜を形成する段階と、を含む。ガラスの結晶化によって基板の熱膨張係数が小さくなるため、結晶化ガラス上に導線を形成した場合、導線の配列の寸法安定性を高くし、また基板と導線の剥離を防止することができる。また、結晶化ガラスの表面の平坦度を高くすることは容易であるため、結晶化ガラス上に導線を形成した場合、導線の配列の寸法精度を高くすることができる。また、透明又は半透明の位置決め部の真上に導線を形成することにより、位置決め部を透かして検体と導線とを同時に観察することができるため、検体の電極と導線との位置合わせが容易になる。
【００１４】
前記ガラスの結晶化された部位の少なくとも一部をエッチングで除去することにより前記基板の外縁を形成する段階をさらに含んでもよい。ガラスの結晶化部位と非結晶部位とは、エッチングによる選択的除去が可能である。したがって、結晶化した部位をエッチングにより除去して基板の外縁を形成することにより、外縁の寸法精度の高い基板を形成することができる。
【００１５】
前記ガラスの結晶化された部位を切削することにより前記基板の外縁を形成する段階をさらに含んでもよい。結晶化ガラスの結晶化した部位の結晶粒は、切削時の亀裂の進行を阻止するため、結晶化したガラスを切削して基板の外縁を形成すると、外縁の寸法精度の高い基板を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施例を、プローブユニットの構成、プローブユニットを用いた導通試験方法、プローブユニットの製造方法の順に図面に基づいて説明する。
１．プローブユニットの構成
（第一実施例）
図１は、本発明によるプローブユニットの第一実施例を示す図である。
【００１７】
図１に示すように、第一実施例によるプローブユニット１は、透明で平坦な結晶化ガラスからなる基板３０と、基板３０上に配列された複数の導線２０とを備える。尚ここで記載の「透明」とは「半透明又は透明」を意味するものとし、以下同様に「半透明又は透明」を「透明」として記載する。
【００１８】
基板３０の厚さは例えば約８００μｍである。基板３０を構成する結晶化ガラスは、前躯体ガラスを露光、熱処理などにより結晶化させたガラスである。その結晶化ガラスの結晶化した部位の結晶粒の平均粒径は、基板３０を透明にするため０．４μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以下がさらに好ましい。また結晶化率は５０％以上であり、好ましくは８０％以上である。尚、本実施例では基板３０全体がほぼ均一な透明度を有するため、請求項に記載の位置決め部は基板３０全体に相当する。導線２０は導体薄膜で構成され、その導体薄膜は厚さ１００μｍ以下であり、Ｎｉや、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｎ、ＮｉＷ、ＮｉＰ、ＮｉＣｏなどで形成される。また導線２０は、検体の電極と接触する接触部としての先端部２２を有する。検体の電極と接触する先端部２２は、基板３０の外縁から突出しておらず、基板３０の真上に位置している。
【００１９】
本実施例によれば、基板３０を結晶化ガラスで構成することにより、基板３０の熱膨張係数が樹脂基板などより小さくなるため、基板３０上に形成された導線２０の寸法安定性を高くし、基板３０からの導線２０の剥離を防止することができる。また結晶化ガラスは、ボイドやスクラッチなどの凹凸が表面に発生しにくく、アルミナ、部分安定化ジルコニアなどの他のセラミックスに比べて平坦化が容易である。凹凸のない平坦な結晶化ガラスを基板３０に用いると、導線２０を形成するための微細加工で焦点ずれや欠陥発生が起こりにくくなり、導線２０の寸法精度を高くすることができるため、導線を微細化できる。
【００２０】
また本実施例によれば、基板３０全体が透明であるため、導線２０と、基板３０の導線２０側に配置された検体とを、基板３０の導線２０と反対側から基板３０を透かして同時に観察することができ、導線２０と検体の電極とを容易に位置合わせすることができる。
【００２１】
また、結晶化ガラスで構成される基板３０は樹脂基板などに比べて剛性が高い。剛性の高い基板３０上に全体が直に形成された導線２０の先端部２２を検体の電極と接触する接触部とすることにより、接触部２２と検体の電極との間で高い接触圧を得ることができるため、検体の電極表面の酸化膜を確実に突き破って、検体の電極と導線２０とを確実に導通させることができる。
【００２２】
（第二実施例）
図２は、本発明によるプローブユニットの第二実施例を示す図である。
図２に示すように、第二実施例によるプローブユニット２では、透明な結晶化ガラスからなる基板３０の表面に対して所定の角度で傾斜している二つの傾斜面３２ａ、３２ｂが基板３０に形成されている。傾斜面３２ａ、３２ｂは、基板３０の導線２０の配列方向軸線と平行な端面であって、互いに平行であり、基板３０が先端ほど薄くなるように形成されている。第一傾斜面３２ａは基板３０が導線２０側で薄くなるように傾斜し、第二傾斜面３２ｂは基板３０が導線２０と反対側で薄くなるように傾斜している。導線２０は全体が基板３０上に形成され、導線２０の検体の電極と接触する先端部２２は基板３０の外縁から突出しておらず、先端ほど薄くなる部位の真上に位置している。
【００２３】
本実施例によれば、基板３０の真上に形成された導線２０の先端部２２で検体の電極と接触する接触部を構成し、かつ基板３０の先端部２２近傍部位を第一傾斜面３２ａによって先端ほど薄くなるように形成することにより、基板３０の先端部２２近傍部位の剛性を基板３０の他の部位より小さくすることができ、基板３０の先端部２２近傍部位と導線２０の先端部２２近傍部位とを一体的に撓ませることができる。したがって、基板３０の先端部２２の近傍部位と導線２０の先端部２２近傍部位との弾性変形により、検体の電極に大きな力を加えずにプローブユニット２を検体に対してオーバードライブさせ、導線２０と検体の電極とを確実に導通させることができる。特に、検体の電極表面に凹凸やうねりがある場合でも導線２０の先端部２２とを電極とを確実に導通できる。
【００２４】
（第三及び第四実施例）
図３は、本発明によるプローブユニットの第三及び第四実施例を示す図である。
図３（Ａ）に示すように、第三実施例によるプローブユニット３では、基板３０は透明な結晶化ガラスからなる第一基板３０ａと、透明な樹脂からなる第二基板３０ｂとからなる。第二基板３０ｂ上に第一基板３０ａが接合され、第一基板３０ａ上に導線２０が形成されている。
【００２５】
また図３（Ｂ）に示すように、第四実施例によるプローブユニット４では、基板３０は透明な結晶化ガラスからなる第一基板３０ａと、透明な樹脂からなる第二基板３０ｂと、透明な結晶化ガラスからなる第三基板３０ｃとからなる。最も下層に配置された第三基板３０ｃ上に第二基板３０ｂが接合され、第二基板３０ｂ上に第一基板３０ａが接合され、第一基板３０ａ上に導線２０が直に形成されている。
【００２６】
第三又は第四実施例によれば、剛性の低い樹脂基板に剛性の高い結晶化ガラス基板を接合して基板３０を構成することにより、プローブユニット３、４のプローブベースへの取付時や導線２０の接触部としての先端部２２と検体の電極との接触時に、外力によって基板３０が変形や破損するのを防止でき、また導線２０が剥離することを防止できる。第四実施例のように、樹脂基板である第二基板３０ｂを結晶化ガラス基板である第一基板３０ａ及び第三基板３０ｃで挟み込むように基板３０を構成すると、外力による破損を防止する効果をさらに強化できる。
【００２７】
（第五実施例）
図４は、本発明によるプローブユニットの第五実施例を示す図である。
図４に示すように、第五実施例によるプローブユニット５では、基板３０を構成する透明な結晶化ガラスが添加物３４を含有している。添加物３４は、繊維、ＳｉＣなどのウィスカー、粒子等で構成される。添加物３４は、整列した配列になるように結晶化ガラスに混合又は封入してもよいし、不規則な配列になるように結晶化ガラスと混合又は封入してもよい。
【００２８】
本実施例によれば、基板３０を構成する結晶化ガラスに添加物を混合することにより、マトリックスである結晶化ガラスの性質を調整することができ、具体的には熱膨張係数を小さくしたり、剛性を調整したりすることができる。
【００２９】
（第六実施例）
図５は、本発明によるプローブユニットの第六実施例を示す図である。
図５に示すように、第六実施例によるプローブユニット６では、基板３０が結晶化ガラスの結晶化されていない透明な部位３６ａと、結晶化ガラスの結晶化されている部位３６ｂとに分けられる。結晶化部位３６ｂは、透明な非結晶化部位３６ａの周囲を取り囲むように配置されている。透明な非結晶化部位３６ａは請求項に記載の位置決め部に相当し、結晶化部位３６ｂは透明であってもなくてもよい。また結晶化部位３６ｂは非結晶化部位３６ａよりも熱膨張係数が小さい。導線２０は、結晶化部位３６ｂ上に至らないように非結晶化部位３６ａ上に形成されている。
【００３０】
（第七実施例）
図６は、本発明によるプローブユニットの第七実施例を示す図である。
図６に示すように、第七実施例によるプローブユニット７では、基板３０は結晶化ガラスの結晶化していない透明部位３６ａと、結晶化ガラスの結晶化した不透明部位３６ｂとに分けられる。透明部位３６ａは、請求項に記載の位置決め部に相当する。導線２０は、基板３０の外縁から外側に突出しないように基板３０の透明部位３６ａと不透明部位３６ｂに跨って形成され、検体の電極と接触する接触部に相当する先端部２２が透明部位３６ａの真上に形成されている。
【００３１】
ガラスを結晶化させたとき、結晶粒の大きさが可視光の波長以上になったり、結晶とマトリックスガラスとの屈折率差が大きくなったりした場合には、得られる結晶化ガラスの結晶化した部位は不透明になる。したがって本実施例のように、少なくとも導線２０の先端部２２近傍が真上に形成される部位が基板３０の透明な位置決め部として残るように、基板３０の結晶化部位を設定するとよい。
【００３２】
（第八実施例）
図７は、本発明によるプローブユニットの第八実施例を示す図である。
図７に示すように、第八実施例によるプローブユニット８では、基板３０は結晶化ガラスの結晶化していない部位である中間層３８ｂと、その中間層３８ｂを挟むように設けられ、結晶化ガラスの結晶化した部位である上層３８ａ及び下層３８ｃとからなる。上層３８ａ、中間層３８ｂ及び下層３８ｃはともに透明である。すなわち、基板３０の全体が位置決め部に相当する。この基板３０は、例えば透明なガラスの両面をレーザなどで加熱処理することによりガラスの表面近傍のみを結晶化させることにより得られる。導線２０は、基板３０から突出しないように上層３８ａ上に直に形成されている。
【００３３】
（第九実施例）
図８は、本発明によるプローブユニットの第九実施例を示す図である。
図８に示すように、第九実施例によるプローブユニット９では、透明な結晶化ガラスからなる基板３０に凹部４０が形成されている。凹部４０は樋状に形成されている。導線２０の検体の電極と接触する接触部としての先端部２２は、凹部４０上まで延伸している。先端部２２は基板３０から離れて凹部４０の真上に位置している。透明な基板３０の全体が位置決め部に相当する。
【００３４】
本実施例によれば、導線２０の検体の電極と接触する先端部２２の近傍部位を基板３０から離して形成することにより、導線２０の基板３０から離れている部位の弾性変形を利用して、検体の電極に大きな力を加えずにプローブユニット９を検体に対してオーバードライブさせ、導線２０と検体の電極とを確実に導通させることができる。
【００３５】
（第十実施例）
図９は、本発明によるプローブユニットの第十実施例を示す図である。
図９に示すように、第十実施例によるプローブユニット１０では、基板３０の外縁部４２がその他の部分より薄く形成されている。導線２０の接触部としての先端部２２近傍部位は外縁部４２の表面から離れており、先端部２２は外縁部４２の真上に位置している。
【００３６】
（第十一実施例）
図１０は、本発明によるプローブユニットの第十一実施例を示す図である。
図１０に示すように、第十一実施例によるプローブユニット１１では、結晶化ガラスからなる基板３０上に形成された導線２０が基板３０の外縁から外側に突出し、導線２０の突出した部位の先端近傍上には検体の電極と接触する突部２４が形成されている。突部２４の表面は接触部に相当する。基板３０は透明であっても不透明であってもよい。また基板３０の外縁部４２は、先端ほど薄くなるように形成されている。導線２０は外縁部４２の表面から離れている。
【００３７】
本実施例によれば、導線２０を基板３０の外縁から外側に突出させることにより、基板３０の導線２０と反対側から導線２０を視認することができ、導線２０と検体とを同時に観察しながら導線２０の突部２４と検体の電極とを位置合わせすることができる。また、検体の電極と接触する突部２４を導線２０に形成することにより、検体と基板３０とが平行の状態で検体の電極と突部２４とを接触させることができる。
【００３８】
（第十二実施例）
図１１は、本発明によるプローブユニットの第十二実施例を示す図である。
図１１に示すように、第十二実施例によるプローブユニット１２では、基板３０は結晶化ガラスからなる第一基板３０ａと、透明な樹脂からなる第二基板３０ｂとで構成される。基板３０の外縁部４２は、第二基板３０ｂの外縁部で構成されている。導線２０は第一基板３０ａから突出するように第一基板３０ａ上に形成され、導線２０の第一基板３０ａから突出した部位は外縁部４２の表面から離れている。導線２０の接触部としての先端部２２は、外縁部４２の真上に位置している。透明な第二基板３０ｂの少なくとも外縁部４２を構成している部位を位置決め部とすれば、位置決め部を透かして導線２０と検体とを観察できるため、第一基板３０ａは透明であっても不透明であってもよい。また、第一基板３０ａを不透明な結晶化ガラスで構成し、第二基板３０ｂが透明な結晶化ガラスで構成してもよい。
【００３９】
（第十三実施例）
図１２は、本発明によるプローブユニットの第十三実施例を示す図である。
図１２に示すように、第十三実施例によるプローブユニット１３では、基板３０を構成する第一基板３０ａが結晶化ガラスからなり、基板３０を構成する第二基板３０ｂが金属からなる。第二基板３０ｂは、外縁部４２を構成している部位に位置決め部としての開口部４６が形成されている。導線２０の接触部としての先端部２２は、第二基板３０ｂの開口部４６の真上に位置している。
【００４０】
本実施例によれば、導線２０の電極と接触する先端部２２を開口部４６の真上に形成することにより、第二基板３０ｂの開口部４６から導線２０の先端部２２近傍と検体とを同時に観察することができる。したがって、第一基板３０ａは透明であっても不透明であってもよい。
【００４１】
２．導通試験方法
（第一実施例）
図１３は、本発明による導通試験方法の第一実施例を示す模式図である。
本発明による導通試験方法の第一実施例は、例えば上述した第一から第八実施例の構成のプローブユニットを用いた導通試験方法であって、導線が基板の外縁から外側に突出しないように基板の真上に形成され、導線の少なくとも一部が基板の位置決め部の真上に形成されているプローブユニットを用いた導通試験方法である。本実施例では、前述した第一実施例の構成によるプローブユニット１を用いた場合を例に採り説明する。
【００４２】
図１３に示すように、プローブユニット１を検体５０の導通検査に使用する際、透明な結晶化ガラスからなる基板３０を透明な弾性体６０を挟んでプローブベース６２に取り付けることにより、プローブユニット１をプローブベース６２に固定し、プローブヘッド６４を構成する。このとき、プローブユニット１及び弾性体６０の、検体５０の電極５２と接触する側の端部がプローブベース６２から突出するように構成する。またプローブユニット１の各導線２０の検体５０の電極５２と接触する側の反対側の一端部には、導通検査装置本体（図示せず）と接続されているフレキシブルプリント配線板７０を接続する。プローブヘッド６４は、導通検査時にプローブユニット１が検体５０に対して所定の角度で接触する姿勢で昇降機能を有する導通検査装置本体（図示せず）に取り付けられる。検体５０は、プローブユニット１との位置合わせのために電極５２の配列方向及び長手方向に移動可能なテーブル（図示せず）に載置される。
【００４３】
検査でははじめに、導通検査装置本体によって、プローブユニット１の導線２０が検体５０の電極５２と一対一に対応するようにプローブヘッド６４を検体５０に接近させる。このとき、プローブヘッド６４側から、透明な弾性体６０及び透明な基板３０のプローブベース６２から突出している部位を透かして導線２０と検体５０とを観察しながら検体の電極５２と導線２０の接触部としての先端部２２とを位置合わせして互いに接触させる。その後、プローブユニット１を検体５０に対してさらに接近（オーバードライブ）させた状態で、フレキシブルプリント配線板７０を介して検査信号をプローブユニット１に入力して検体５０の導通検査を行う。
【００４４】
本実施例によると、透明な基板３０上に導線２０全体が形成されたプローブユニット１をプローブベース６２から突出させてプローブヘッド６４を構成することにより、透明な基板３０と透明な弾性体６０とを透かして導線２０と検体５０とを同時に観察することができるため、検体５０の電極５２と導線２０の先端部２２とを容易に位置合わせすることができる。
【００４５】
また本実施例によると、剛性の高い結晶化ガラスからなる基板３０の真上に形成されている導線２０の先端部２２を検体の電極と接触させるため、樹脂基板などの剛性の低い基板上に形成された導線の接触部を検体の電極と接触させる場合に比べて、検体の電極との接触圧が大きい。
【００４６】
さらに本実施例によると、プローブユニット１とともにプローブベース６２から突出している弾性体６０をプローブヘッド６４に含むことにより、弾性体６０の弾力を利用して、検体５０の電極５２に過大な力を加えずにプローブユニット１を検体５０に対してオーバードライブさせ、検体５０の電極５２と導線２０とを確実に導通させることができる。
【００４７】
（第二実施例）
図１４は、本発明による導通試験方法の第二実施例を示す模式図である。
本発明による導通試験方法の第二実施例は、第一実施例で用いたプローブユニットを第一実施例と比べて長くプローブベースから突出させてプローブベースに直に取り付ける導通試験方法である。
【００４８】
図１４に示すように第二実施例では、プローブユニット１の検体５０の電極５２と接触する側が第一実施例と比べて長くプローブベース６２から突出するように、プローブユニット１を直にプローブベース６２に取り付けることにより、プローブヘッド６４を構成する。
【００４９】
このプローブヘッド６４によれば、プローブユニット１を検体５０に対してオーバードライブさせたとき、プローブユニット１のプローブベース６２から突出している部位が弾性変形するため、その弾力を利用することにより検体５０の電極５２に過大な力を加えずに導線２０と電極５２とを確実に導通させることができる。
【００５０】
（第三実施例）
図１５は、本発明による導通試験方法の第三実施例を示す模式図である。
本発明による導通試験方法の第三実施例は、例えば上述した第九から第十三実施例の構成のプローブユニットを用いる導通試験方法であって、基板上に形成される導線が基板の外縁から外側に突出している部位、又は基板から離れている部位を有するプローブユニットを用いる導通試験方法である。本実施例では、基板上に形成される導線の検体の電極に接触する側が基板から突出し、その導線の突出した部位の先端が検体の電極と接触する接触部となるプローブユニット１４を例に採り説明する。
【００５１】
図１５に示すように、プローブユニット１４は、結晶化ガラスからなる基板３０上に導線２０が基板３０から突出して形成されている。基板３０は透明であってもなくてもよい。導線２０の基板３０の外縁から外側に突出している部位の先端部２２は、接触部に相当し、検体５０の電極５２と接触する。導線２０の先端部２２がプローブベース６２から突出するように、プローブユニット１５を直にプローブベース６２に取り付けることにより、プローブヘッド６４を構成する。
【００５２】
このプローブヘッド６４によれば、プローブユニット１５を検体５０に対してオーバードライブさせたとき、導線２０の基板３０から突出している部位が弾性変形するため、その弾力を利用することにより、検体５０の電極５２に過大な力を加えずに導線２０と電極５２とを確実に導通させることができる。尚、導線２０が基板３０から突出しているため、導線２０の突出している部位と検体５０とを直接同時に観察しながら、導線２０の先端部２２と検体５０の電極５２とを位置合わせすることができる。
【００５３】
３．プローブユニットの製造方法
（第一実施例）
図１６及び図１７は、本発明によるプローブユニットの製造方法の第一実施例を示す図である。図１８は、図１７（Ａ３）のｃ部分の模式的な拡大図である。本発明によるプローブユニットの製造方法の第一実施例は、上述した第一実施例の構成のプローブユニット１を製造する一方法である。
【００５４】
はじめに図１６（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、全体が結晶化された透明な結晶化ガラスからなる基板３０上に導体膜下地層８０を形成する。具体的には結晶粒の粒径が０．４μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下であって、５０％以上、好ましくは８０％以上結晶化されたガラスを基板３０に用いる。基板３０の厚さは約８００μｍにする。導体膜下地層８０には例えばスパッタや蒸着で成長させたＴｉ及びＮｉの複層を用いる。Ｔｉの代わりにＣｒを用いてもよい。Ｎｉの代わりにＮｉＷ、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｏなどのＮｉ合金を用いてもよい。
【００５５】
次に図１６（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、開口部８２を有するレジスト膜８４を導体膜下地層８０上に形成する。具体的には導体膜下地層８０上にレジスト膜８４を塗布した後、所定のパターンを有するマスクを用いてレジスト膜８４を露光してから現像することにより、レジスト膜８４に開口部８２を形成する。
【００５６】
次に図１６（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、レジスト膜８４の開口部８２に、導線を構成する導体膜８６をめっきにより成長させる。導体膜８６にはＮｉや、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｎ、ＮｉＷ、ＮｉＰ、ＮｉＣｏなどのＮｉ合金を用いる。
次に図１７（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、レジスト膜８４を除去する。
【００５７】
次に図１７（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、露出した導体膜下地層８０をミリングにより除去する。さらに基板３０を導体膜８６の反対側から研磨して、例えば約０．２ｍｍに薄くしてもよい。基板３０を薄くすることにより基板３０の剛性を小さく、すなわち柔軟性を高くできるので、検体の電極に過大な力を加えなくとも、全体が基板３０上に直に形成された導線の接触部と検体の電極とを確実に接触させて導通させることができる。
【００５８】
次に図１７（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、基板３０をダイシングで切削することにより基板３０の外縁３１を形成すると、プローブユニット１が得られる。プローブユニット１の導線２０は、基板３０上に形成された導体膜下地層８０と、導体膜下地層８０上に形成された導体膜８６とで構成される。尚、本工程で、図１８に示すように切断によって切断面３３に亀裂３５が生じても、切断されている部位が結晶化されているため、亀裂３５の進行は結晶化ガラスの結晶化されている部位の結晶粒３７で阻止される。したがって切断による大きな亀裂が発生しにくいので、基板３０のチッピングが発生しにくい。したがって、基板３０の外縁３１の寸法精度は高い。
【００５９】
本実施例によれば、熱膨張係数が小さい結晶化ガラスからなる基板３０を用いることにより、基板３０上に形成された導線２０の寸法及び配列間隔を安定させることができ、基板３０からの導線２０の剥離を防止することができる。また平坦度が良好な結晶化ガラスの表面上に導線２０を形成することにより、導線２０の寸法精度を高めることができる。
【００６０】
また本実施例によると、全体が透明な基板３０上に導線２０を形成することにより、基板３０を透かして導線２０と検体とを同時に確認しながら導線２０の検体の電極と接触する先端部２２と検体の電極とを位置合わせすることができる。
さらに本実施例によると、結晶化ガラスからなる基板３０が損傷しにくいため、基板３０の切削によって得られる外縁３１の寸法精度を高めることができ、さらにはプローブユニット１のプローブベースへの取付時や導通試験の際の異物衝突時の基板３０の損傷を防止できる。
【００６１】
（第二実施例）
図１９及び図２０は、本発明によるプローブユニットの製造方法の第二実施例を示す図である。本発明によるプローブユニットの製造方法の第二実施例は、上述の第一実施例の構成のプローブユニット１を製造するもう一つの方法である。
【００６２】
はじめに図１９（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、所定のパターン８８を有するマスク９０を用いて、基板の前駆体である感光性ガラス９２を露光した後、露光部位９２ａを熱処理して結晶化させる。尚、図１９（Ａ１）ではマスク９０が省略されている。
【００６３】
次に図１６（Ａ１）、（Ｂ１）から図１７（Ａ２）、（Ｂ２）に示す工程に準じてガラス９２の非結晶化部位９２ｂ上に導体膜下地層８０及び導体膜８６を形成する。
次に図１９（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、導体膜下地層８０及び導体膜８６が封入されるようにレジスト膜９４を形成する。
【００６４】
次に図１９（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、ガラス９２の結晶化部位９２ａをエッチングで選択的に除去することにより、基板の外縁３１を形成する。例えば希フッ酸を用いたウェットエッチングでガラス９２の結晶化部位９２ａを除去する。
【００６５】
次に図２０（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、レジスト膜９４を除去した後、ガラス９２の残存した非結晶化部位９２ｂを熱処理によって結晶化させると、透明な結晶化ガラスからなる基板３０を備えるプローブユニット１が得られる。熱処理前にガラス９２ｂを露光してもよい。ガラス９２の非結晶化部位９２ｂを結晶化後透明にするために、結晶粒の粒径が０．４μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下になるように５０％以上、好ましくは８０％以上結晶化させる。
【００６６】
本実施例によれば、ガラス９２の不要部位を結晶化させてからエッチングで除去することで基板３０の外縁３１を得るため、切削で基板３０の外縁３１を得る場合に比べて基板３０の外縁３１の寸法精度が高い。
【００６７】
（第三実施例）
図２１は、本発明によるプローブユニットの製造方法の第三実施例を示す図である。本発明によるプローブユニットの製造方法の第三実施例は、上述の第二実施例の構成のプローブユニット２を製造する方法である。
【００６８】
はじめに図２１（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、所定のパターン８８を有するマスク９０を用いて、感光性ガラス９２の表面に対して傾斜する方向に進む光でガラス９２を露光した後、露光部位９２ａを熱処理して結晶化させる。尚図２１（Ａ１）ではマスク９０の図示が省略されている。
【００６９】
次に図１６（Ａ１）、（Ｂ１）から図１７（Ａ２）、（Ｂ２）に示す工程に準じて、ガラス９２の非結晶化部位９２ｂ上に導体膜下地層８０及び導体膜８６を形成する。
次に図１９（Ａ２）、（Ｂ２）及び図１９（Ａ３）、（Ｂ３）に示す工程に準じて、ガラス９２の結晶化部位９２ａを除去することにより基板の外縁を形成する。
【００７０】
次に図２０（Ａ１）、（Ｂ１）に示す工程に準じて、ガラス９２の残存している非結晶部位９２ｂを透明に結晶化させると、図２１（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、透明な結晶化ガラスからなる基板３０に二つの傾斜面３２ａ、３２ｂが形成されたプローブユニット２が得られる。
【００７１】
本実施例によれば、基板３０の前駆体であるガラス９２の表面に対して傾斜する方向に進む光でガラス９２を露光し、露光部位を結晶化させてからエッチングで除去することにより、基板３０の外縁を形成することができ、外縁に含まれる傾斜面３２ａ、３２ｂを形成することができる。
【００７２】
（第四実施例）
図２２は、本発明によるプローブユニットの製造方法の第四実施例を示す図である。本発明によるプローブユニットの製造方法の第四実施例は、上述の第六実施例の構成のプローブユニット６を製造する方法である。
【００７３】
図２２（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、所定のパターン８８を有するマスク９０を用いて、透明な感光性ガラス９２を露光した後、ガラス９２の露光部位９２ａを熱処理によって結晶化させる。ガラス９２の結晶化部位９２ａは、基板の外縁に対応する部位３１を含むように設定し、透明にしてもよいししなくてもよい。尚図２２（Ａ１）ではマスク９０の図示が省略されている。
【００７４】
次に図１６（Ａ１）、（Ｂ１）から図１７（Ａ２）、（Ｂ２）に示す工程に準じて、ガラス９２の非結晶化部位９２ｂ上に導体膜下地層８０及び導体膜８６を形成する。
次に図２２（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、ガラス９２を基板の外縁３１が形成されるようにダイシングにより切削すると、プローブユニット６が得られる。プローブユニット６の基板３０は、非結晶化部位９２ｂと、非結晶化部位９２ｂの周囲を取り囲むように配置された結晶化部位９２ａとに分けられる。導体膜下地層８０及び導体膜８６からなる導線３０は、非結晶化部位９２ｂ上に形成されている。
【００７５】
本実施例によれば、ガラス９２を結晶化部位９２ｂで切削することにより基板３０の外縁３１を得るため、切断時にガラス９２のチッピング発生が少ない。したがって、基板３０の外縁３１の寸法精度が高い。なお本実施例の製造方法において、マスク９０のパターン８８の形状を変えてガラス９２の露光を行い、導体膜下地層８０及び導体膜８６を結晶化部位９２ａ及び非結晶化部位９２ｂに跨って形成することにより、第七実施例によるプローブユニット７を容易に形成することができる。
【００７６】
（第五実施例）
図２３から図２５は、本発明によるプローブユニットの製造方法の第五実施例を示す図である。本発明によるプローブユニットの製造方法の第五実施例は、上述した第九実施例の構成のプローブユニット９を製造する方法である。
【００７７】
はじめに図２３（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、透明な結晶化ガラスからなる基板３０に凹部４０を形成した後、基板３０上にＣｒなどからなる犠牲膜下地層９６を形成し、犠牲膜下地層９６上に犠牲膜９８を凹部４０が犠牲膜９８で充填されるように形成する。犠牲膜９８には銅などを用いる。めっきにより犠牲膜９８を形成してもよいし、ペーストを塗布することにより犠牲膜９８を形成してもよい。
【００７８】
次に図２３（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、基板３０が露出するまで犠牲膜９８を研磨する。このとき、基板３０が結晶化ガラスからなるため平坦度の良好な研磨面１００が形成される。
次に図２３（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、研磨面１００上に導体膜下地層８０を形成する。導体膜下地層８０には例えばＴｉとＮｉＦｅの複層を用いる。
【００７９】
次に図２４（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、開口部８２を有するレジスト膜８４を導体膜下地層８０上に形成する。具体的には図１６（Ａ２）、（Ｂ２）に示す工程に準じる。
次に図２４（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、開口部８２に導体膜８６を成長させる。具体的には図１６（Ａ３）、（Ｂ３）に示す工程に準じる。
【００８０】
次に図２４（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、レジスト膜８４を除去する。
次に図２５（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、露出した導体膜下地層８０をミリングにより除去する。
次に図２５（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、犠牲膜９８を除去する。
【００８１】
次に図２５（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、犠牲膜下地層９６を除去すると、プローブユニット９が得られる。犠牲膜下地層９６がＣｒからなる場合、硝酸セリウムアンモニウムで除去する。プローブユニット９の導線２０は導体膜下地層８０及び導体膜８６で構成される。導線２０の先端部２２側は、基板３０の凹部４０の表面から離れている。
【００８２】
本実施例によれば、結晶化ガラスからなる基板３０を用いることにより、平坦度の良好な研磨面１００を得ることができる。平坦度の高い基板３０の研磨面１００上に導線２０を構成する導体膜下地層８０及び導体膜８６を形成することにより、導線２０の寸法精度を高めることができる。尚本実施例の製造方法の後、ダイシングで基板３０の凹部４０を構成する端部を切削することにより、上述したプローブユニットの構成の第十実施例によるプローブユニット１０が容易に得られる。
【００８３】
（第六実施例）
図２６及び図２７は、本発明によるプローブユニットの製造方法の第六実施例を示す図である。本発明によるプローブユニットの製造方法の第六実施例は、上述した第十一実施例の構成のプローブユニット１１を製造する方法である。
【００８４】
はじめに図２３（Ａ１）、（Ｂ１）から図２４（Ａ３）、（Ｂ３）に示す工程に準じて、犠牲膜９８で充填された凹部４０を有する基板３０上に導体膜下地層８０及び第一導体膜８６を形成する。尚、本実施例で基板３０は透明であっても不透明であってもよい。また、図２４（Ａ３）、（Ｂ３）に示すレジスト膜８４の除去は行っても行わなくてもよい。
【００８５】
次に図２６（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、第一導体膜８６上に開口部１０２を有するレジスト膜１０４を形成し、その開口部１０２に第二導体膜８７をめっきにより形成する。開口部１０２を有するレジスト膜１０４の具体的な形成方法は、図１６（Ａ２）、（Ｂ２）に示すレジスト膜８４の形成方法に準じる。第二導体膜８７に用いる材料は、図１６（Ａ３）、（Ｂ３）に示す導体膜８６に用いる材料に準じる。
【００８６】
次に図２６（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、レジスト膜１０４を除去した後、露出した導体膜下地層８０をミリングにより除去する。続いて、基板３０の凹部４０の反対側から犠牲膜９８中に至るまでダイサーで切削し切れ込み１０６を入れることで、基板３０を必要な部位３７ａと不要な部位３７ｂとに分割して、請求項に記載の基板の外縁を形成する。
【００８７】
次に図２６（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、犠牲膜９８を除去することにより、基板３０の不要な部位３７ｂを分離し除去する。
次に図２７（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、犠牲膜下地層９６を除去すると、導線２０の基板３０から突出した部位上に突部２４が形成されたプローブユニット１１が得られる。突部２４は第二導体膜８７で構成される。
【００８８】
尚、このプローブユニット１１を導通試験に使用するためにフレキシブルプリント配線板に接続する方法について、以下に説明する。
図２７（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、フレキシブルプリント配線板７０はその高い柔軟性により折り曲げ可能であって、ポリイミドからなる絶縁基板７２上にＣｕ配線７４が形成され、特定部位がフォトソルダーレジストなどの絶縁膜７６で覆われ、さらに補強基板７３が設けられている。また、Ｃｕ配線７４の電極７５表面はＡｕめっき層７８で覆われている。プローブユニット１１にフレキシブルプリント配線板７０を接続するには、プローブユニット１１の導線２０の突部２４と反対側の一端上に設けられた電極２６と、フレキシブルプリント配線板７０のＣｕ配線７４の電極７５とを異方性導電フィルム７９によって接続する。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第一実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図２】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第二実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図３】本発明によるプローブユニットの第三及び第四実施例を示す断面図である。
【図４】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第五実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図５】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第六実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図６】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第七実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図７】本発明によるプローブユニットの第八実施例を示す断面図である。
【図８】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第九実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図９】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第十実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図１０】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第十一実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図１１】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第十二実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図１２】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの第十三実施例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図１３】本発明による導通試験方法の第一実施例を示す模式図である。
【図１４】本発明による導通試験方法の第二実施例を示す模式図である。
【図１５】本発明による導通試験方法の第三実施例を示す模式図である。
【図１６】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第一実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図１７】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第一実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図１８】図１７のｃ部分の模式的な拡大図である。
【図１９】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第二実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図２０】（Ａ）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第二実施例を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２１】（Ａ１）及び（Ａ２）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第三実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）及び（Ｂ２）はその断面図である。
【図２２】（Ａ１）及び（Ａ２）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第四実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）及び（Ｂ２）はその断面図である。
【図２３】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第五実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図２４】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第五実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図２５】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第五実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図２６】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第六実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図２７】（Ａ１）及び（Ａ２）は本発明によるプローブユニットの製造方法の第六実施例を示す平面図であり、（Ｂ１）及び（Ｂ２）はその断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１〜１４  プローブユニット、２０  導線、３０  基板、５０  検体、５２  電極、８０  導体膜下地層、８２  導体膜、９２  感光性ガラス
【図１】
2007085877.tif 000003
【図２】
2007085877.tif 000004
【図３】
2007085877.tif 000005
【図４】
2007085877.tif 000006
【図５】
2007085877.tif 000007
【図６】
2007085877.tif 000008
【図７】
2007085877.tif 000009
【図８】
2007085877.tif 000010
【図９】
2007085877.tif 000011
【図１０】
2007085877.tif 000012
【図１１】
2007085877.tif 000013
【図１２】
2007085877.tif 000014
【図１３】
2007085877.tif 000015
【図１４】
2007085877.tif 000016
【図１５】
2007085877.tif 000017
【図１６】
2007085877.tif 000018
【図１７】
2007085877.tif 000019
【図１８】
2007085877.tif 000020
【図１９】
2007085877.tif 000021
【図２０】
2007085877.tif 000022
【図２１】
2007085877.tif 000023
【図２２】
2007085877.tif 000024
【図２３】
2007085877.tif 000025
【図２４】
2007085877.tif 000026
【図２５】
2007085877.tif 000027
【図２６】
2007085877.tif 000028
【図２７】
2007085877.tif 000029