(57)【要約】【課題】クロスオーバー部の導電層の剥離を抑制する有機ＥＬパネルを提供する。【解決手段】本発明に係る有機ＥＬパネル１００は、複数の有機ＥＬ素子１０９が形成された素子基板１０１と、前記有機ＥＬ素子を囲むように設けられたシール材１１２と、シール材１１２により素子基板１０１に接着され、有機ＥＬ素子１０９を封止する封止基板１１０とを備える有機ＥＬパネル１００であって、素子基板１０１、封止基板１１０及びシール材１１２とで形成される空間内に配置されるクロスオーバー部１１５を備え、クロスオーバー部１１５は、外部からエージング電圧を供給するためのエージング接続配線１１６を有し、エージング接続配線１１６は、絶縁層１１７に設けられたコンタクトホール１１８を介してコモン引き回し配線１０５に接続されているものである。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光層とを有する有機ＥＬ素子が形成された素子基板と、
前記有機ＥＬ素子を囲むように設けられたシール材と、
前記シール材により前記素子基板に接着され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止基板と、
を備える有機ＥＬパネルであって、
前記素子基板、前記封止基板及びシール材とで形成される封止領域内に配置されるクロスオーバー部を備え、
前記クロスオーバー部は、
前記第１の電極と接続された第１の引き回し配線と、
前記第１の引き回し配線の側方に配置され、前記第２の電極に有機ＥＬパネルの外部からエージング電圧を供給するエージング配線と、
前記第１の引き回し配線及び前記エージング配線の上に設けられた絶縁層と、
前記封止領域内に配置され、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールと、
前記絶縁層上に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記第１の引き回し配線と接続された導電層と、
を有する有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記エージング配線と前記第１の電極とは、前記絶縁層により分離されている請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記導電層は、複数の第１の引き回し配線のそれぞれに対応して分離形成されている請求項１又は２に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記導電層は、前記第２の電極と同一材料で形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項５】
前記素子基板の一辺側に実装された駆動回路をさらに備え、
前記第１の電極は、前記第１の引き回し配線を介して前記駆動回路に接続され、
前記第２の電極は、第２の引き回し配線を介して前記駆動回路に接続されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項６】
素子基板上に、
第１の電極と第２の電極との間に配置された発光層を有する有機ＥＬ素子と、
前記第１の電極に接続された第１の引き回し配線と、
前記第２の電極に接続された第２の引き回し配線と、
前記第１の引き回し配線にエージング接続配線を介して接続された第１のエージング配線と、
前記第２の引き回し配線に接続された第２のエージング配線と、
前記エージング接続配線と前記第２のエージング配線が絶縁層を介して交差し、前記第１の引き回し配線と前記エージング接続配線とが前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して接続されるクロスオーバー部とを形成し、
封止基板を前記素子基板の前記有機ＥＬ素子形成面側に対向配置し、前記有機ＥＬ素子、前記クロスオーバー部及び前記コンタクトホールが前記素子基板と前記封止基板とで形成される封止領域内に配置されるよう封止し、
前記第１のエージング配線及び前記第２のエージング配線にエージング電圧を印加してエージング処理を行い、
前記素子基板及び前記封止基板を切断して、前記第１のエージング配線と第１の電極及び前記第２のエージング配線と第２の電極との接続を分断し、
エージング処理後、洗浄処理を行う有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光層とを有する有機ＥＬ素子が形成された素子基板と、
前記有機ＥＬ素子を囲むように設けられたシール材と、
前記シール材により前記素子基板に接着され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止基板と、
を備える有機ＥＬパネルであって、
前記素子基板、前記封止基板及びシール材とで形成される封止領域内に配置されるクロスオーバー部を備え、
前記クロスオーバー部は、
前記第１の電極と接続された第１の引き回し配線と、
前記第１の引き回し配線の側方に配置され、前記第２の電極に有機ＥＬパネルの外部からエージング電圧を供給するエージング配線と、
前記第１の引き回し配線及び前記エージング配線の下に設けられた絶縁層と、
前記封止領域内に配置され、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールと、
前記絶縁層の下に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記第１の引き回し配線と接続された導電層と、
を有する有機ＥＬパネル。
【請求項８】
前記エージング配線の周囲には、リブが設けられ、
前記エージング配線と前記第１の電極とは、前記リブにより分離形成されている請求項７に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項９】
前記導電層は、複数の第１の引き回し配線のそれぞれに対応して形成されている請求項７又は８に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１０】
前記エージング配線は、前記第１の電極と同一材料で形成されている請求項７、８又は９に記載に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１１】
第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光層とを有する有機ＥＬ素子が形成された素子基板と、
前記有機ＥＬ素子を囲むように設けられたシール材と、
前記シール材により前記素子基板に接着され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止基板と、
を備える有機ＥＬパネルであって、
前記素子基板、前記封止基板及びシール材とで形成される封止領域内に配置されるクロスオーバー部を備え、
前記クロスオーバー部は、
前記第１の電極と接続された第１の引き回し配線と、
前記第１の引き回し配線の側方に配置され、前記第２の電極に有機ＥＬパネルの外部からエージング電圧を供給するエージング配線と、
前記第１の引き回し配線の下に設けられた絶縁層と、
前記封止領域内に配置され、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールと、
前記絶縁層上に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記第１の引き回し配線と接続された導電層と、
を有する有機ＥＬパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル及びその製造方法に関し、特に、エージング処理を含む有機ＥＬパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬパネルは、ガラス基板上に複数の陽極電極が平行して配置され、陽極電極と直交する方向に複数の陰極電極が平行して配置され、両電極間に有機ＥＬ層が挟持された構造を有する。陽極電極と陰極電極との交点が１つの画素となる。このように画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬパネルを単純マトリクス駆動する場合、例えば、陽極電極をセグメント電極とし陰極電極をコモン電極とする。
【０００３】
有機ＥＬ素子の発光輝度は、初期に大きく低下し、その後は緩やかに低下するという特性を有する。したがって、初期の発光時における発光特性の変化を取り除き、発光特性を安定化させるために、有機ＥＬパネルの段階で陽極電極及び陰極電極に電圧パルスを印加する寿命エージング処理を行う。輝度低下した有機ＥＬパネルを安定化した新たな初期状態とし、その後の輝度の経時変化を抑制している。
【０００４】
また、有機ＥＬ表示装置の製造時に、陽極電極と陰極電極との間に配置されている有機ＥＬ層に異物が混入したり、陽極電極に突起が生じて突起が有機ＥＬ層に侵入したりすることにより、欠陥部が生じることがある。この欠陥部に電荷が集中すると、陽極電極と陰極電極との短絡が生じ、素子特性の劣化や非発光にいたるという問題がある。このような問題を解決するために、あらかじめ、異物が混入している欠陥部にパルス状の逆バイアス電圧を印加し、欠陥部を不動態化する短絡エージング処理を行っている。
【０００５】
一般的に、このような有機ＥＬパネルを製造する場合、１枚のマザー基板上に複数の有機ＥＬパネルを形成する。短絡エージング処理及び寿命エージング処理を効率的に実行するために、マザー基板を切断しそれぞれの有機ＥＬパネルごとに分離する前に、複数の有機ＥＬパネルに一括してエージング処理が実施されることが好ましい。このため、通常、複数の有機ＥＬパネルが形成されるマザー基板上に、複数の有機ＥＬパネルのそれぞれにエージング電圧を印加するためのエージング配線を形成している。
【０００６】
近年、電子機器の小型化に伴い、有機ＥＬパネルの小型化が望まれている。このため、ＣＯＧ（Chip On Glass）実装技術を用いて、有機ＥＬパネルを構成する基板上に駆動回路を実装する場合がある。図１６は、従来のＣＯＧ型の有機ＥＬパネル１０の構成を模式的に示す図である。図１６に示すように、従来の有機ＥＬパネル１０では、基板１１上にドライバＩＣ１２が実装されている。また、基板１１上には、垂直方向にセグメント電極１３が、水平方向にコモン電極１４が形成されている。
【０００７】
基板１１上において、ドライバＩＣ１２の上辺の近傍には、セグメント電極１３に表示信号を供給するための接続端子（不図示）が設けられている。セグメント電極１３は、セグメント引き回し配線１５を介して、この接続端子と接続されている。また、ドライバＩＣ１２の裏面側の左右両辺の近傍には、コモン電極１４に走査信号を供給するための接続端子（不図示）が設けられている。コモン電極１４は、コモン引き回し配線１６を介してこの接続端子と接続されている。また、ドライバＩＣ１２の下辺の近傍には、表示に必要な各種の制御信号を供給するためのフレキシブル基板を接続するための接続端子１７が設けられている。このような場合、上述したマザー基板上の複数の有機ＥＬパネルのセグメント電極１３に一度にエージング処理を行うためのエージング配線を形成することが難しい。
【０００８】
この問題を解決するために、図１７〜図１９に示すように、基板１１上の有機ＥＬ素子が配置される表示領域外の周辺領域にクロスオーバー部１８を設け、コモン引き回し配線１６とコモンエージング配線１９とを接続するためのエージング接続配線２０を、他のコモン引き回し配線１６に接触させないように乗り越えさせて、マザー基板の状態で、複数の有機ＥＬパネルに対して一括してエージング処理を行う技術が提案されている（特許文献１参照）。図１８及び図１９に示すように、エージング接続配線２０とセグメントエージング配線２１とは、絶縁層２３を介して交差する。コモン引き回し配線１６とエージング接続配線２０とは、絶縁層２３に設けられたコンタクトホール２２を介して接続されている。
【特許文献１】特開２００５−１６４６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、エージング処理では、エージング配線に電圧を印加し、セグメント電極１３とコモン電極１４との間に電流を流す。このとき、有機ＥＬ層中の異物などの欠陥部に電流が集中し、ジュール熱が発生する。上述のように、コモン引き回し配線１６とエージング接続配線２０とが、絶縁層２３に設けられたコンタクトホール２２を介して接続されている場合、コンタクトホール２２中のコモン引き回し配線１６とエージング接続配線２０との界面においても、ジュール熱が発生し、エージング接続配線２０が変形したり、その膜質が劣化したりしてしまうという問題がある。
【００１０】
また、有機ＥＬパネル１０の製造工程においては、エージング処理を行った後に、マザー基板を切断してそれぞれの有機ＥＬパネルごとに分離し、駆動回路などを実装するために接続端子１７が形成されている周辺領域の超音波洗浄を行う。超音波洗浄では、洗浄液中に極めて小さな気泡や空洞が急速に形成されたり、激しく崩壊するキャビテーションにより、洗浄液中の有機ＥＬパネルの洗浄が行われる。
【００１１】
このため、上記のようにエージング接続配線２０が劣化している場合、エージング接続配線材料が剥がれ落ちてしまうという問題があった。特に、クロスオーバー部１８が設けられた周辺領域は、封止基板により覆われておらず露出している。このため、洗浄液が直接エージング接続配線２０に接触する。したがって、クロスオーバー部１８において、エージング接続配線２０とコモン引き回し配線１６とが接触するコンタクトホール２２部分では特にこのような問題が顕著であった。この剥離した導電材料が、洗浄装置内に浮遊し、その後流れてくる他の有機ＥＬパネルの配線上に付着すると、隣り合う配線が短絡するというリーク不良が発生してしまう可能性がある。
【００１２】
本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、クロスオーバー部の導電層の剥離を抑制する有機ＥＬパネル及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の態様に係る有機ＥＬパネルは、第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光層とを有する有機ＥＬ素子が形成された素子基板と、前記有機ＥＬ素子を囲むように設けられたシール材と、前記シール材により前記素子基板に接着され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止基板とを備える有機ＥＬパネルであって、前記素子基板、前記封止基板及びシール材とで形成される封止領域内に配置されるクロスオーバー部を備え、前記クロスオーバー部は、前記第１の電極と接続された第１の引き回し配線と、前記第１の引き回し配線の側方に配置され、前記第２の電極に有機ＥＬパネルの外部からエージング電圧を供給するエージング配線と、前記第１の引き回し配線及び前記エージング配線の上に設けられた絶縁層と、前記封止領域内に配置され、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールと、前記絶縁層上に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記第１の引き回し配線と接続された導電層とを有するものである。これにより、クロスオーバー部の劣化部分であるコンタクトホール上の導電層が剥離してしまうのを抑制することができる。
【００１４】
本発明の第２の態様に係る有機ＥＬパネルは、上記の有機ＥＬパネルにおいて、前記エージング配線と前記第１の電極とは、前記絶縁層により分離されているものである。本発明は、このような場合に特に有効である。
【００１５】
本発明の第３の態様に係る有機ＥＬパネルは、上記の有機ＥＬパネルにおいて、前記導電層は、複数の第１の引き回し配線のそれぞれに対応して分離形成されているものである。本発明は、このような場合に特に有効である。
【００１６】
本発明の第４の態様に係る有機ＥＬパネルは、上記の有機ＥＬパネルにおいて、前記導電層は、前記第２の電極と同一材料で形成されているものである。これにより、製造工程の増加を抑制することができる。
【００１７】
本発明の第５の態様に係る有機ＥＬパネルは、上記の有機ＥＬパネルにおいて、前記素子基板の一辺側に実装された駆動回路をさらに備え、前記第１の電極は、前記第１の引き回し配線を介して前記駆動回路に接続され、前記第２の電極は、第２の引き回し配線を介して前記駆動回路に接続されているものである。本発明は、このような場合に特に有効である。
【００１８】
本発明の第６の態様に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、素子基板上に、第１の電極と第２の電極との間に配置された発光層を有する有機ＥＬ素子と、前記第１の電極に接続された第１の引き回し配線と、前記第２の電極に接続された第２の引き回し配線と、前記第１の引き回し配線にエージング接続配線を介して接続された第１のエージング配線と、前記第２の引き回し配線に接続された第２のエージング配線と、前記エージング接続配線と前記第２のエージング配線が絶縁層を介して交差し、前記第１の引き回し配線と前記エージング接続配線とが前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して接続されるクロスオーバー部とを形成し、封止基板を前記素子基板の前記有機ＥＬ素子形成面側に対向配置し、前記有機ＥＬ素子、前記クロスオーバー部及び前記コンタクトホールが前記素子基板と前記封止基板とで形成される封止領域内に配置されるよう封止し、前記第１のエージング配線及び前記第２のエージング配線にエージング電圧を印加してエージング処理を行い、前記素子基板及び前記封止基板を切断して、前記第１のエージング配線と第１の電極及び前記第２のエージング配線と第２の電極との接続を分断し、エージング処理後、洗浄処理を行う。これにより、エージング処理に伴うクロスオーバー部の劣化部分が洗浄によって剥離してしまうのを抑制することができる。
【００１９】
本発明の第７の態様に係る有機ＥＬパネルは、第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光層とを有する有機ＥＬ素子が形成された素子基板と、前記有機ＥＬ素子を囲むように設けられたシール材と、前記シール材により前記素子基板に接着され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止基板とを備える有機ＥＬパネルであって、前記素子基板、前記封止基板及びシール材とで形成される封止領域内に配置されるクロスオーバー部を備え、前記クロスオーバー部は、前記第１の電極と接続された第１の引き回し配線と、前記第１の引き回し配線の側方に配置され、前記第２の電極に有機ＥＬパネルの外部からエージング電圧を供給するエージング配線と、前記第１の引き回し配線及び前記エージング配線の下に設けられた絶縁層と、前記封止領域内に配置され、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールと、前記絶縁層の下に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記第１の引き回し配線と接続された導電層とを有するものである。これにより、クロスオーバー部の劣化部分であるコンタクトホール上の導電層が剥離してしまうのを抑制することができる。さらに、コンタクトホールの数を減らすことができるため、コンタクトホールでの不良発生を低減させることができる。
【００２０】
本発明の第８の態様に係る有機ＥＬパネルは、上記の有機ＥＬパネルにおいて、前記エージング配線の周囲には、リブが設けられ、前記エージング配線と前記第１の電極とは、前記リブにより分離形成されているものである。本発明は、このような場合に特に有効である。
【００２１】
本発明の第９の態様に係る有機ＥＬパネルは、上記の有機ＥＬパネルにおいて、前記導電層は、複数の第１の引き回し配線のそれぞれに対応して形成されているものである。本発明はこのような場合に特に有効である。
【００２２】
本発明の第１０の態様に係る有機ＥＬパネルは、上記の有機ＥＬパネルにおいて、前記エージング配線は、前記第１の電極と同一材料で形成されているものである。これにより、製造工程の増加を抑制することができる。
【００２３】
本発明の第１１の態様に係る有機ＥＬパネルは、第１の電極と、前記第１の電極に対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光層とを有する有機ＥＬ素子が形成された素子基板と、前記有機ＥＬ素子を囲むように設けられたシール材と、前記シール材により前記素子基板に接着され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止基板とを備える有機ＥＬパネルであって、前記素子基板、前記封止基板及びシール材とで形成される封止領域内に配置されるクロスオーバー部を備え、前記クロスオーバー部は、前記第１の電極と接続された第１の引き回し配線と、前記第１の引き回し配線の側方に配置され、前記第２の電極に有機ＥＬパネルの外部からエージング電圧を供給するエージング配線と、前記第１の引き回し配線の下に設けられた絶縁層と、前記封止領域内に配置され、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールと、前記絶縁層上に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記第１の引き回し配線と接続された導電層とを有するものである。これにより、クロスオーバー部の劣化部分であるコンタクトホール上の導電層が剥離してしまうのを抑制することができる。また、コンタクトホールの数を減らすことができるため、コンタクトホールでの不良の発生率を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、クロスオーバー部の導電層の剥離を抑制する有機ＥＬパネル及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬパネルについて、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施の形態に係る有機ＥＬパネルの構成の一例を示す図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。ここでは、有機ＥＬパネルの一例として、有機ＥＬ表示パネルについて説明するが、本発明は、例示する構成の有機ＥＬ表示パネルに限定するものではない。なお、図１においては、説明のため、封止基板１１０の図示を省略している。また、本実施の形態においては、陽極電極をセグメント電極、陰極電極をコモン電極として説明するが、逆であっても良い。
【００２６】
図１及び図２に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１００は、素子基板１０１、セグメント電極１０２、セグメント引き回し配線１０３、コモン電極１０４、コモン引き回し配線１０５、絶縁層１０６、開口部１０７、有機ＥＬ層１０８、有機ＥＬ素子１０９、封止基板１１０、捕水材１１１、シール材１１２、ドライバＩＣ１１３、入力信号線１１４、クロスオーバー部１１５、エージング接続配線１１６を備えている。
【００２７】
セグメント電極１０２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明性導電材料からなり、素子基板１０１上に形成されている。図１に示すように、複数のセグメント電極１０２は、一定間隔を隔ててそれぞれ平行に形成されている。また、素子基板１０１上には、それぞれのセグメント電極１０２に延設されたセグメント引き回し配線１０３が設けられる。また、素子基板１０１上には、後述するそれぞれのコモン電極１０４に接続されたコモン引き回し配線１０５が設けられる。コモン引き回し配線１０５はコモン電極１０４に対応して形成され、セグメント電極１０２に対し垂直方向に形成される。セグメント引き回し配線１０３、コモン引き回し配線１０５などは、低抵抗化のために下層にＩＴＯ、接続部となる上層に金属材料の積層膜から形成される。
【００２８】
セグメント電極１０２、セグメント引き回し配線１０３、コモン引き回し配線１０５が形成された素子基板１０１上には、画素を区画するための絶縁層１０６が形成される。絶縁層１０６は、セグメント電極１０２と後述するコモン電極１０４との絶縁性を確保するために設けられる。また、絶縁層１０６は、後述するクロスオーバー部１１５の絶縁層１１７と同時に形成される。絶縁層１０６は、ポリイミドなどの絶縁材料からなる。絶縁層１０６には、セグメント電極１０２と後述するコモン電極１０４との交差位置、すなわち画素となる位置に対応して開口部１０７が設けられている。つまり、絶縁層１０６は、有機ＥＬ層１０８とセグメント電極１０２とが接触する開口部１０７を画定する役割を果たしている。
【００２９】
なお、図１及び図２においては図示していないが、図４に示すように絶縁層１０６上には、隔壁１２０が形成される。図４は、クロスオーバー部１１５を説明するための図であり、後に詳述する。隔壁１２０は、コモン電極１０４を分離形成するため、コモン電極１０４を蒸着などにより形成する前に所望のパターンに形成される。隔壁１２０は、セグメント電極１０２に対し垂直に、コモン電極１０４に対して平行に設けられる。コモン電極１０４の分離をより確実なものとするため、隔壁１２０は逆テーパ構造を有している。すなわち、素子基板１０１から離れるにつれて、断面が広がるように形成される。なお、表示領域内の隔壁１２０は、クロスオーバー部１１５の壁構造体１１９と同時に形成される。
【００３０】
有機ＥＬ層１０８は、前述したセグメント電極１０２、絶縁層１０６、隔壁１２０の上に、所定の大きさで配置される。有機ＥＬ層１０８は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を順次積層した構成を有している。
【００３１】
コモン電極１０４は、光反射性を有するアルミニウムなどの導電材料からなり、有機ＥＬ層１０８上に設けられる。コモン電極１０４は、隔壁１２０によって分離されるため、隔壁１２０の間に配設される。したがって、コモン電極１０４はセグメント電極１０２に対して垂直に設けられる。セグメント電極１０２とコモン電極１０４とが交差する位置が画素となる。有機ＥＬ素子１０９は、素子基板１０１上に順次積層されたセグメント電極１０２、有機ＥＬ層１０８、コモン電極１０４を備える。複数の画素から構成される領域が、表示領域となる。また、コモン電極１０４は、後述するクロスオーバー部１１５の導電層であるエージング接続配線１１６と同時に形成される。これにより、製造工程の増加を抑制することできる。
【００３２】
封止基板１１０は、パネル中に水分や酸素が入らないように設けられる。封止基板１１０としては、ステンレス、アルミニウム又はその合金などの金属類のほか、ガラス、アクリル系樹脂などの１種類又は、２種類以上からなるものを使用することができる。封止基板１１０の画素に対向する面上には、捕水材１１１を配置するための凹部が形成されている。
【００３３】
封止基板１１０と素子基板１０１とは、光硬化型のシール材１１２を介して固着されている。シール材１１２としては、水分などの透過性の低い紫外線硬化型のエポキシ系シール材などを用いることができる。シール材１１２は、表示領域を囲むように形成されている。シール材１１２は、封止基板１１０と素子基板１０１とを固着し、表示領域を含む空間を封止する。従って、有機ＥＬ素子１０９は、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２で形成される気密空間（以下、封止領域とする。）に配置されている。
【００３４】
また、封止領域内において、表示領域の外側にクロスオーバー部１１５が設けられている。すなわち、クロスオーバー部１１５が素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２で形成される気密空間内に配置されるように、シール材１１２は配置される。クロスオーバー部１１５は、有機ＥＬパネル１００の製造工程においてエージング処理を行う際に、各エージング引き回し配線１１６が隣接するコモン引き回し配線１０５及びセグメントエージング配線２０１と接触しないように、コモンエージング配線２０２とコモン引き回し配線１０５とを接続するために設けられている。クロスオーバー部１１５の構成については後に詳述する。
【００３５】
また、セグメント引き回し配線１０３やコモン引き回し配線１０５の一部、後述するドライバＩＣ１１３などは、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２で形成される気密空間外に配置される。この素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２で形成される気密空間外を周辺領域とする。
【００３６】
気密空間内には、画素などへの水分や酸素の影響を抑制し、安定した発光特性を維持するための捕水材１１１が設けられている。捕水材１１１は、封止基板１１０上の、有機ＥＬ素子１０９と対向する面に形成された凹部に設けられている。捕水材１１１としては、無機系の乾燥剤や、水分と反応性の高い有機金属化合物を膜状にしたもの、フッ素系オイルからなる不活性液体中に固体の吸湿剤を混合したものなどを用いることができる。
【００３７】
また、素子基板１０１の周辺領域の一辺側には、ドライバＩＣ１１３が実装されている。ドライバＩＣ１１３には、コモン電極１０４にコモン電圧を供給するコモン電極駆動回路と、セグメント電極１０２に表示電圧を供給するセグメント電極駆動回路とが内蔵されている。
【００３８】
ドライバＩＣ１１３の表示電圧出力端子と各セグメント電極１０２とは、セグメント引き回し配線１０３を介して接続されている。また、コモン電圧出力端子と各コモン電極１０４とは、コモン引き回し配線１０５を介して接続されている。また、ドライバＩＣ１１３には、有機ＥＬパネル１００の外部から、図１中下側の辺近傍に設けられた入力信号線１１４を介して、表示に必要な各種の制御信号、電源などが供給される。
【００３９】
ここで、有機ＥＬパネル１００を製造する際に用いる有機ＥＬパネル用基板２００について図３を参照して説明する。図３は、実施の形態１に係る有機ＥＬパネル用基板２００の構成を示す図である。なお、ドライバＩＣ１１３は、有機ＥＬパネル用基板２００をそれぞれの有機ＥＬパネル１００ごとに切断した後に実装されるため、図３に示す状態においてはまだ実装されていない。したがって、図３においてはドライバＩＣ１１３を点線で図示している。
【００４０】
図３に示すように、有機ＥＬパネル用基板２００には、１枚のマザー基板上に複数の有機ＥＬパネル１００が形成される。また、マザー基板上には、セグメントエージング配線２０１、コモンエージング配線２０２が形成される。セグメントエージング配線２０１及びコモンエージング配線２０２は、セグメント引き回し配線１０３及びコモン引き回し配線１０５と同時に形成される。
【００４１】
また、各有機ＥＬパネル１００におけるセグメント電極１０２は、ドライバＩＣ１１３とは逆側に形成されたセグメント引き回し配線１０３を介して、セグメントエージング配線２０１に接続される。従って、すべての有機ＥＬパネル１００における各セグメント電極１０２に、セグメントエージング配線２０１から同じエージング電圧を供給することができる。
【００４２】
また、各有機ＥＬパネル１００における各コモン電極１０４は、コモン引き回し配線１０５及びクロスオーバー部１１５に設けられたエージング接続配線１１６を介してコモンエージング配線２０２に接続される。それぞれのエージング接続配線１１６は、コモン電極１０４に直接接続されるのではなく、コモン引き回し配線１０５を介してコモン電極１０４に電気的に接続される。従って、すべての有機ＥＬパネル１００における各コモン電極１０４に、コモンエージング配線２０２からエージング電圧を供給することができる。これにより、マザー基板上に設けられた複数の有機ＥＬパネル１００に対して一括してエージング処理を行うことができる。
【００４３】
ここで、図４及び図５を参照して、クロスオーバー部１１５の構成について説明する。図４は、クロスオーバー部１１５の構成を示す図である。また、図５は、図４のＢ−Ｂ断面図である。クロスオーバー部１１５においては、絶縁層１１７がセグメントエージング配線２０１を覆うように形成されている。エージング接続配線１１６は、絶縁層１１７を介してセグメントエージング配線２０１と交差する。このため、エージング接続配線１１６とセグメントエージング配線２０１とは接触しない。また、コモンエージング配線２０２には、エージング接続端子２０３が形成されている。エージング接続配線１１６は、対応するエージング接続端子２０３と接続されている。従って、エージング接続配線１１６は、クロスオーバー部１１５において、セグメントエージング配線２０１及び他のコモン引き回し配線１０５を乗り越えて、コモン引き回し配線１０５と対応するエージング接続端子２０３とを電気的に接続する。
【００４４】
なお、セグメントエージング配線２０１とセグメント電極１０２間、及び、コモンエージング配線２０２及びコモン電極１０４間の接続は、マザー基板を個々の有機ＥＬパネル１００に切断する工程において、分断される。すなわち、マザー基板上における切断工程後に廃棄される部分で、エージング接続配線１１６を介して全てのコモン引き回し配線１０５をコモンエージング配線２０２に電気的に接続する。つまり、最終的に得られる有機ＥＬパネル１００の外部で、全てのコモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とが導通される。この切断工程後、ドライバＩＣ１１３が素子基板１０１上に実装される。
【００４５】
図５に示すように、クロスオーバー部１１５においては、素子基板１０１上にコモン引き回し配線１０５、コモンエージング配線２０２、セグメントエージング配線２０１が形成されている。コモンエージング配線２０２は、封止領域の外側から封止領域内まで延設されている。すなわち、コモンエージング配線２０２は、シール材１１２と交差するように設けられている。セグメントエージング配線２０１及びコモンエージング配線２０２はＩＴＯからなる。また、コモンエージング配線の一部にはエージング接続端子２０３が設けられている。エージング接続端子２０３は、ＩＴＯ及び金属膜の積層膜からなる。また、コモン引き回し配線１０５は、上述したように低抵抗化のためＩＴＯと金属膜の積層膜からなる。
【００４６】
クロスオーバー部１１５のコモン引き回し配線１０５、セグメントエージング配線２０１及びエージング接続端子２０３上には、絶縁層１１７が設けられている。絶縁層１１７のコモン引き回し配線１０５に対応する位置には、第１のコンタクトホール１１８ａが形成されている。また、エージング接続端子２０３に対応する位置には、第２のコンタクトホール１１８ｂが形成されている。
【００４７】
図４に示すように、エージング接続配線１１６間には、表示領域内にコモン電極１０４を分離形成するために形成された隔壁１２０と同一の工程で形成された壁構造体１１９が設けられている。壁構造体１１９は、エージング接続配線１１６の分離をより確実なものとするため、上述した隔壁と同様に逆テーパ構造を有している。また、絶縁層１１７及び壁構造体１１９の上には、絶縁層１１７を覆うようにエージング接続配線１１６となるＡｌなどの導電材料が設けられている。この壁構造体１１９より、隣接するエージング接続配線１１６同士が接触しないように、分離形成される。
【００４８】
コモンエージング配線２０２は、封止領域内のエージング接続配線１１６と第２のコンタクトホール１１８ａを介して接続されている。そして、コモン引き回し配線１０５は、封止領域内のエージング接続配線１１６と第１のコンタクトホール１１８ａを介して接続されている。従って、コモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とは、第１のコンタクトホール１１８ａ及び第２のコンタクトホール１１８ｂを介して、エージング接続配線１１６により電気的に接続されている。すなわち、エージング接続配線１１６は、側方に配置されたセグメントエージング配線２０１及び隣接する他のコモン引き回し配線１０５を乗り越えて、対応するコモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とを電気的に接続する。
【００４９】
また、クロスオーバー部１１５の反表示領域側にはシール材１１２が配置される。したがって、有機ＥＬ素子１０９のみならず、クロスオーバー部１１５も、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２により形成される封止領域内に配置される。このため、エージング接続配線１１６の第１のコンタクトホール１１８ａ及び第２のコンタクトホール１１８ｂも封止領域内に配置される。また、エージング接続配線１１６も封止領域内に形成される。
【００５０】
エージング接続配線１１６の第１のコンタクトホール１１８ａ及び第２のコンタクトホール１１８ｂの部分、すなわち、コモン引き回し配線１０５とエージング接続配線１１６との界面及びエージング接続端子２０３とエージング接続配線１１６との界面では特に、エージング処理を行うことにより発生するジュール熱によりエージング接続配線１１６が変形したり、その膜質が劣化してしまう。
【００５１】
その後、マザー基板を切断し、それぞれの有機ＥＬパネル１００ごとに分離した後、ドライバＩＣ１１３などを実装するために接続端子部分の超音波洗浄を行う。超音波洗浄では、洗浄液中に極めて小さな気泡や空洞が急速に形成されたり、激しく崩壊するキャビテーションにより、溶液中の有機ＥＬパネルの洗浄が行われる。
【００５２】
従来は、クロスオーバー部１１５は周辺領域に形成され、露出していた。このため、洗浄液が直接エージング接続配線１１６に接触し、クロスオーバー部１１５において、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５とが接触するコンタクトホール１１８ａでは特にエージング接続配線１１６の材料が剥がれ落ちやすかった。この剥離した導電材料が、洗浄装置内に付着し、その後流れてくる他の有機ＥＬパネルの配線上に付着すると、リーク不良が発生してしまう可能性がある。
【００５３】
しかしながら、本発明によれば、クロスオーバー部１１５は封止領域内に配置されている。このため、クロスオーバー部１１５には直接洗浄液が接触することはない。従って、クロスオーバー部１１５には、洗浄液の泡がはじける時の衝撃波（キャビテーション）を伝播する媒体（洗浄液）が存在しないこととなる。これにより、当該劣化部分のエージング接続配線１１６材料が外れてしまうのを防止することができる。また、これに起因する不良パネルの発生を抑制することができる。
【００５４】
ここで、上記の有機ＥＬパネル１００の製造方法について、図６を参照して説明する。図６は、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１００の製造方法を示すフロー図である。図６に示すように、有機ＥＬパネル１００は、１枚のマザー基板上に配線群および複数の有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）、有機ＥＬ層を水分などから守るためにガラスなどの封止基板１１０基板で有機ＥＬパネルごとに外気から隔離する封止工程（ステップＳ２）、マザー基板上の複数の有機ＥＬパネル１００に一括してエージング処理を施すエージング工程（ステップＳ３）、マザー基板を切断して複数の有機ＥＬパネル１００ごとに分離する切断工程（ステップＳ４）、ドライバＩＣ１１３の実装部の洗浄を行う洗浄工程（ステップＳ５）、ドライバＩＣ１１３を実装する実装工程（ステップＳ６）を経て作製される。
【００５５】
第１に、素子基板１０１上に有機ＥＬ素子１０９を形成する（ステップＳ１）。具体的には、まずマザー基板上にＩＴＯを成膜し、感光性樹脂をＩＴＯ上に塗布し、露光、現像、エッチングをして、複数のセグメント電極１０２、複数のセグメント引き回し配線１０３、セグメントエージング配線２０１、複数のコモン引き回し配線１０５及びコモンエージング配線２０２を同一平面上に形成する。また、接続部の低抵抗化ため、セグメント引き回し配線１０３、コモン引き回し配線１０５上に金属材料を積層する。また、エージング接続端子２０３上の第２のコンタクトホール１１８ｂが形成される位置には、モリブデンを含む合金により、第２のコンタクトホール１１８ｂよりも大きい金属電極を形成する。
【００５６】
次に、この層の上に、絶縁層１０６材料を塗布し露光、現像を行って開口部１０７を形成する。また、この絶縁層１０６の形成と同時に、クロスオーバー部１１５に絶縁層１１７を形成する。クロスオーバー部１１５において、各エージング接続端子２０３及びコモン引き回し配線１０５に対応する位置にコンタクトホール１１８を形成する。コモン引き回し配線１０５に対応して設けられる第１のコンタクトホール１１８ａは、コモン引き回し配線１０５屈曲部の近傍であることが好ましい。
【００５７】
さらに、ネガ型の感光性樹脂を塗布した後、露光現像を行う表示領域中の隔壁１２０を形成する。また、表示領域内の隔壁１２０の形成と同時に、壁構造体１１９を形成する。これにより、それぞれのエージング接続配線１１６も分離形成される。そして、隔壁１２０を形成した後、有機ＥＬ層１０８を形成する各層を順次積層する。例えば、有機ＥＬ層１０８として、順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を形成する。
【００５８】
最後に、蒸着により、コモン電極１０４をアルミニウム等の金属で形成し、コモン電極１０４をコモン引き回し配線１０５に接続する。このとき、隔壁１２０が有機ＥＬ層１０８やコモン電極１０４を分離することにより、隔壁１２０間に有機ＥＬ層１０８が形成され、ストライプ状にパターニングされたコモン電極１０４が形成される。
【００５９】
また、コモン電極１０４を形成する際に、コモン電極１０４の材料と同じ材料で、エージング接続配線１１６が同時に形成される。すなわち、コモン電極１０４とエージング接続配線１１６とは同一材料で形成される。このとき、壁構造体１１９がエージング接続配線１１６を分離することにより、壁構造体１１９間にストライプ状にパターニングされたエージング接続配線１１６が形成される。これにより、前の工程で形成したコンタクトホール１１８により、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５、及びエージング接続配線１１６とコモンエージング配線２０２とがそれぞれ電気的に接続される。したがって、クロスオーバー部１１５を別に形成する工程を追加することなく、有機ＥＬ素子１０９と同時に形成できる。
【００６０】
以上のようにして、クロスオーバー部１１５において、コモン引き回し配線１０５に接続されるエージング接続配線１１６が、他のコモン引き回し配線１０５及びセグメントエージング配線２０１を乗り越えて、コモンエージング配線２０２に電気的に接続される。なお、ここでは、それぞれのコモン電極１０４及びエージング接続配線１１６を分離形成するために隔壁１２０及び壁構造体１１９を用いたが、ストライプ状にマスク蒸着することによって形成することも可能である。
【００６１】
そして、有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）が終了すると、素子基板１０１上に形成された複数の単純マトリクス型の有機ＥＬ素子１０９における各セグメント電極１０２がセグメント引き回し配線１０３を介してセグメントエージング配線２０１に接続され、複数の有機ＥＬ素子１０９における各コモン電極１０４がコモン引き回し配線１０５を介してコモンエージング配線２０２に接続される。
【００６２】
その後、有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）で素子基板１０１上に形成された有機ＥＬ素子１０９を水分から守るために、封止する（ステップＳ２）。シール材１１２を有機ＥＬ素子１０９及びクロスオーバー部１１５を囲むように配置する。そして、素子基板１０１とは異なる他の封止基板を、素子基板１０１に対して対向配置する。そして、双方の基板を接着し、２枚の基板とシール材１１２により形成された気密空間内に乾燥窒素ガスと微量の酸素ガスを封入する。これにより、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２により形成され空間内に有機ＥＬ素子１０９とクロスオーバー部１１５とが配置された複数の有機ＥＬパネル１００が形成される。
【００６３】
次に、素子基板１０１上に形成された複数の有機ＥＬパネル１００に寿命エージング処理と短絡エージング処理とを行う（ステップＳ３）。具体的には、まず、上述の複数の有機ＥＬパネル１００が形成された素子基板１０１を複数まとめてカセットに入れ、セグメントエージング配線２０１及びコモンエージング配線２０２にエージング処理用の電圧印加装置を接続する。
【００６４】
その後、素子基板１０１をカセットに入れた状態で、素子基板１０１の周囲温度を室温以上、好ましくは８０℃以上の高温に設定したオーブンに投入する。高温でエージング処理を行うことによって、短い時間で所望の輝度低下をさせることができる。エージング処理を行う際の温度は、有機ＥＬ素子が変質しない範囲で、できるだけ高い温度にすることが好ましい。
【００６５】
短絡エージング処理では、実際の駆動電圧よりも大きい逆バイアス電圧を印加する。すなわち、セグメント電極１０２が−、コモン電極１０４が＋となる電圧を印加する。このとき、セグメント電極１０２とコモン電極１０４との電圧が、通常の駆動時の電圧よりも大きくなるように設定する。逆バイアス電圧は、パルス波形として印加される。短絡エージング処理により、セグメント電極１０２とコモン電極１０４とが短絡した欠陥部を、破壊し除去する。
【００６６】
寿命エージング処理では、より短い時間で所望の輝度低下をさせるために、エージング処理での各画素の輝度が、有機ＥＬ表示装置として定格の表示動作をしているときの輝度よりも高くなるように条件を設定する。例えば、有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様が２００ｃｄ／ｍ２であれば、４００ｃｄ／ｍ２で発光するようにエージング電圧を印加する。有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様に対して２倍の高輝度で発光させることによって、有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様でエージング処理を行う場合に比べて、約半分の時間で寿命エージング処理工程が完了する。
【００６７】
その後、マザー基板を有機ＥＬパネル１００ごとに切断する（ステップＳ４）。有機ＥＬパネル１００を囲むように、例えば、セグメントエージング配線２０１と接続されているセグメント引き回し配線１０３上及びコモン引き回し配線１０５とセグメントエージング配線２０１との間に切断線を設定し、切断線に沿ってマザー基板を切断して複数の有機ＥＬパネル１００に分離する。これにより、セグメント電極１０２とセグメントエージング配線２０１及びコモン電極１０４とコモンエージング配線２０２の接続が分断される。また、切断工程（ステップＳ４）において、従って、複数の有機ＥＬパネル１００の外側に形成されるセグメントエージング配線２０１及びコモンエージング配線２０２の部分は、切り落とされ廃棄される。
【００６８】
その後、ドライバＩＣ１１３の実装部を含む周辺領域を洗浄する（ステップＳ５）。洗浄工程では、超音波洗浄装置を用い、洗浄液中に浸漬させた有機ＥＬパネル１００をキャビテーションにより洗浄を行う。上記のように、封止領域は、洗浄液が直接接触することはない。このため、封止領域内に配置されているクロスオーバー部１１５にはキャビテーションの媒体となる洗浄液は接触しない。したがって、エージング処理に伴って発生したエージング接続配線１１６の劣化部分が、超音波洗浄を行うことにより剥離してしまうのを防止することができる。
【００６９】
その後、実装工程（ステップＳ６）で、ドライバＩＣ１１３を素子基板１０１上に実装し、入力信号線１１４に外部周辺回路を接続するフレキシブル基板を実装して有機ＥＬ表示装置を得る。
【００７０】
なお、実装工程（ステップＳ６）の後に、ドライバＩＣ１１３及びセグメント引き回し配線１０３、コモン引き回し配線１０５などを保護するために、有機ＥＬパネル１００における周辺領域に紫外線硬化型の樹脂を塗布することが好ましい。その際に、エージング接続配線１１６上にも紫外線硬化型の樹脂が塗布され、表面が保護される。
【００７１】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬパネル１００について図７〜図９を参照して説明する。図７は、本実施の形態に係る有機ＥＬパネルのクロスオーバー部１１５の構成を示す図である。また、図８は図７のＤ−Ｄ断面図、図９は図７のＥ−Ｅ断面図である。本実施の形態において、実施の形態１と異なる点は、セグメントエージング配線２０１が、コモン電極１０４と同一の材料により形成されている点である。また、エージング接続配線１１６は、コモンエージング配線２０２と同一の材料により形成されている。なお、有機ＥＬパネル１００の基本的構成については、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。
【００７２】
図７に示すように、本実施の形態においては、コモン引き回し配線１０５の一部が、コモン電極１０４から延設されている。従って、コモン引き回し配線１０５の一部は、コモン電極１０４と同一の材料により形成されている。隔壁１２０は、コモン電極１０４の間に形成されるとともに、コモン引き回し配線１０５の間にも形成される。これにより、コモン電極１０４は分離形成される。また、図９に示すように、コモン電極１０４の材料と同時に形成されるコモン引き回し配線１０５もまた、隔壁１２０により分離形成される。コモン電極１０４及び引き回し配線１０５の分離をより確実なものとするため、隔壁１２０は逆テーパ構造を有している。すなわち、素子基板１０１から離れるにつれて、断面が広がるように形成される。
【００７３】
また、コモン引き回し配線１０５のドライバＩＣ１１３に接続される側は、ＩＴＯと金属膜の積層膜からなる。従って、コモン引き回し配線１０５は、コモン電極１０４と同一の材料からなる部分と、ＩＴＯと金属膜の積層膜からなる部分とからなる。コモン引き回し配線１０５のコモン電極１０４側とドライバＩＣ側とは、絶縁層１１７に設けられた第４のコンタクトホール１１８ｄを介して接続されている。このコモン引き回し配線１０５のコモン電極１０４側とドライバＩＣ側とが接続されている部分を接続部１２２とする。
【００７４】
また、セグメントエージング配線２０１の一部は、コモン電極１０４と同一の材料により形成されている。図７に示すように、コモン電極１０４と同一の材料により形成されるセグメントエージング配線２０１の周囲には、リブ１２１が形成されている。リブ１２１は、隔壁１２０と同時に同一の材料により形成される。また、リブ１２１は、セグメントエージング配線２０１の分離を確実なものとするため逆テーパ構造を有している。図７において一点破線で示すように、実際には、コモン電極１０４の材料は、素子基板１０１の封止領域内の略全面に形成される。従って、隔壁１２０及びリブ１２１により導電材料が分離されて、コモン電極１０４、コモン引き回し配線１０５及びセグメントエージング配線２０１がそれぞれ形成される。
【００７５】
また、図７及び図８に示すように、セグメントエージング配線２０１の一部は、シール材１１２の外側から封止領域まで、ＩＴＯと金属膜の積層膜により形成されている。そして、クロスオーバー部１１５においては、セグメントエージング配線２０１は、コモン電極１０４と同一の材料により形成される。従って、セグメントエージング配線２０１は、コモン電極１０４と同一の材料からなる部分と、ＩＴＯと金属膜の積層膜からなる部分とからなる。セグメントエージング配線２０１の異なる材料により形成される部分同士が接続される部分を接続部１２３とする。有機ＥＬパネル１００において、ドライバＩＣ１１３が実装される辺に対向する辺側の接続部１２３においては、ＩＴＯ等からなるセグメントエージング配線２０１は、封止領域の外側からシール材１１２の内側まで延設されている。そして、当該接続部１２３では、ＩＴＯ等からなるセグメントエージング配線２０１は、その上に設けられた絶縁層１１７の第５のコンタクトホール１１８ｅを介して、コモン電極１０４材料からなるセグメントエージング配線２０１と接続される。
【００７６】
一方、有機ＥＬパネル１００において、ドライバＩＣ１１３が実装される辺側の接続部１２３においては、ドライバＩＣ１１３から図７中下端のエージング接続配線１１６近傍まで、ＩＴＯ等からなるセグメントエージング配線２０１が形成されている。そして、当該接続部１２３では、ＩＴＯ等からなるセグメントエージング配線２０１は、その上に設けられた絶縁層１１７の第５のコンタクトホール１１８ｅを介して、コモン電極１０４材料からなるセグメントエージング配線２０１と接続される。
【００７７】
図８及び図９に示すように、クロスオーバー部１１５においては、セグメントエージング配線２０１及びコモン引き回し配線１０５の下には、絶縁層１１７が設けられている。絶縁層１１７の下側には、エージング接続配線１１６が形成されている。本実施の形態においては、エージング接続配線１１６は、コモンエージング配線２０２から延設されている。エージング接続配線１１６は、絶縁層１１７を介してセグメントエージング配線２０１と交差する。このため、エージング接続配線１１６とセグメントエージング配線２０１とは接触しない。すなわち、セグメントエージング配線２０１は、複数のエージング接続配線１１６を乗り越えて形成されている。
【００７８】
また、エージング接続配線１１６は、絶縁層１１７に設けられた第３のコンタクトホール１１８ｃを介して対応するコモン引き回し配線１０５と接続される。すなわち、エージング接続配線１１６は、クロスオーバー部１１５において、他のコモン引き回し配線１０５の下側をくぐって、対応するコモン引き回し配線１０５と電気的に接続される。例えば、図７において、一番上のエージング接続配線１１６は、左側のコモン引き回し配線１０５と第３のコンタクトホール１１８ｃを介して接続されている。また、上から２番目のエージング接続配線１１６は、左側のコモン引き回し配線１０５の下側をくぐって、真ん中のコモン引き回し配線１０５と第３のコンタクトホール１１８ｃを介して接続されている。
【００７９】
なお、セグメントエージング配線２０１とセグメント電極１０２間、及び、コモンエージング配線２０２及びコモン電極１０４間の接続は、マザー基板を個々の有機ＥＬパネル１００に切断する工程において、分断される。すなわち、マザー基板上における切断工程後に廃棄される部分で、エージング接続配線１１６を介して全てのコモン引き回し配線１０５をコモンエージング配線２０２に電気的に接続する。つまり、最終的に得られる有機ＥＬパネル１００の外部で、全てのコモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とが導通される。この切断工程後、ドライバＩＣ１１３が素子基板１０１上に実装される。
【００８０】
図９に示すように、クロスオーバー部１１５においては、素子基板１０１上にエージング接続配線１１６が形成されている。エージング接続配線１１６は、コモンエージング配線２０２から延設されており、封止領域の外側から封止領域まで形成されている。すなわち、本実施の形態においては、エージング接続配線１１６は、シール材１１２と交差するように設けられている。コモンエージング配線２０２及びエージング接続配線１１６は、ＩＴＯ及び金属膜の積層膜からなる。また、上述したように、セグメントエージング配線２０１及びコモン引き回し配線１０５は、コモン電極１０４と同一のＡｌなどの導電材料からなる。
【００８１】
クロスオーバー部１１５のエージング接続配線１１６上には、絶縁層１１７が設けられている。絶縁層１１７のエージング接続配線１１６に対応する位置には、第３のコンタクトホール１１８ｃが設けられている。なお、絶縁層１１７には、コモン引き回し配線１０５の接続部１２２に対応する第４のコンタクトホール１１８ｄが形成されている。また、絶縁層１１７には、セグメントエージング配線２０１の接続部１２３に対応する第５のコンタクトホール１１８ｅが形成されている。
【００８２】
図７に示すように、絶縁層１１７の上において、コモン引き回し配線１０５間には、隔壁１２０が形成されている。また、セグメントエージング配線２０１の両側には、隔壁１２０と同一工程にて形成されたリブ１２１が設けられている。そして、絶縁層１１７、隔壁１２０及びリブ１２１の上には、Ａｌなどの導電材料が設けられている。この隔壁１２０により、コモン引き回し配線１０５同士が接触しないように分離形成される。また、リブ１２１により、セグメントエージング配線２０１がコモン引き回し配線１０５と接触しないように分離形成される。
【００８３】
上述したように、封止領域内のエージング接続配線１１６は、コモンエージング配線２０２から延設されている。また、エージング接続配線１１６は、第３のコンタクトホール１１８ｃを介して、コモン引き回し配線１０５と接続されている。従って、コモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とは、第３のコンタクトホール１１８ｃを介して、エージング接続配線１１６により電気的に接続されている。すなわち、エージング接続配線１１６は、隣接する他のコモン引き回し配線１０５の下側をくぐって、コモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とを電気的に接続する。また、コモン引き回し配線１０５の側方に配置されたセグメントエージング配線２０１は、エージング接続配線１１６を乗り越えるよう形成されている。
【００８４】
また、クロスオーバー部１１５の反表示領域側にはシール材１１２が配置される。したがって、有機ＥＬ素子１０９のみならず、クロスオーバー部１１５も、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２により形成される封止領域内に配置される。このため、エージング接続配線１１６の第３のコンタクトホール１１８ｃ、コモン引き回し配線１０５の第４のコンタクトホール１１８ｄ及びセグメントエージング配線２０１の第５のコンタクトホール１１８ｅもまた封止領域内に配置される。また、エージング接続配線１１６も、封止領域内に形成される。
【００８５】
エージング接続配線１１６に対応する第３のコンタクトホール１１８ｃ、すなわち、コモン引き回し配線１０５とエージング接続配線１１６との界面では特に、エージング処理を行うことにより発生するジュール熱によりエージング接続配線１１６が変形したり、その膜質が劣化してしまう。このため、従来は、マザー基板を切断した後に行う周辺領域の超音波洗浄により、コモン電極１０４の材料からなるコモン引き出し配線１０５が剥がれ落ちやすかった。
【００８６】
しかしながら、本発明によれば、クロスオーバー部１１５は封止領域内に配置されている。このため、クロスオーバー部１１５には直接洗浄液が接触することはない。従って、クロスオーバー部１１５には、洗浄液の泡がはじける時の衝撃波（キャビテーション）を伝播する媒体（洗浄液）が存在しないこととなる。これにより、当該劣化部分のコモン電極１０４材料が外れてしまうのを防止することができる。また、これに起因する不良パネルの発生を抑制することができる。
【００８７】
また、実施の形態１においては、コモン電極１０４の本数をＮとすると、コモン電極１０４とコモン引き回し配線１０５とのコンタクトホールがＮ個、エージング接続配線１１６とコモンエージング端子２０３とのコンタクトホールがＮ個、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５とのコンタクトホールがＮ個、合計３Ｎ個のコンタクトホールが封止領域内に形成される。しかしながら、実施の形態２によれば、エージング接続配線１１６とコモンエージング配線２０２とのコンタクトホールを省略でき、代わりにセグメントエージング配線２０１の接続部１２３に第５のコンタクトホール１１８ｅを２個設ければよい。このため、実施の形態１においては３Ｎ個必要だったコンタクトホールを２Ｎ＋２個に減少させることができる。これにより、コンタクトホールに置ける不具合の発生を低減させることができる。
【００８８】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬパネル１００について図１０〜図１２を参照して説明する。図１０は、本実施の形態に係る有機ＥＬパネルのクロスオーバー部１１５の構成を示す図である。また、図１１は図１０のＦ−Ｆ断面図、図１２は図１０のＧ−Ｇ断面図である。本実施の形態において、実施の形態１と異なる点は、エージング接続配線１１６とコモン電極１０４とを直結している点である。なお、有機ＥＬパネル１００の基本的構成については、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。
【００８９】
図１０に示すように、本実施の形態においては、実施の形態１と同様にエージング接続配線１１６は、コモン電極１０４と同一の材料により形成されている。また、隔壁１２０は、コモン電極１０４の間に形成されるとともに、エージング接続配線１１６の間にも形成される。すなわち、隔壁１２０は、表示領域からクロスオーバー部１１５まで延在している。
【００９０】
また、図１１に示すように、クロスオーバー部１１５においては、絶縁層１１７がセグメントエージング配線２０１を覆うように形成されている。図１２に示すように、エージング接続配線１１６は、絶縁層１１７を介してセグメントエージング配線２０１と交差する。このため、エージング接続配線１１６とセグメントエージング配線２０１とは接触しない。また、コモンエージング配線２０２には、エージング接続端子２０３が形成されている。エージング接続配線１１６は、対応するエージング接続端子２０３と接続されている。従って、エージング接続配線１１６は、クロスオーバー部１１５において、セグメントエージング配線２０１及び他のコモン引き回し配線１０５を乗り越えて、コモン引き回し配線１０５と対応するエージング接続端子２０３とを電気的に接続する。例えば、図１０において、上から２番目のエージング接続配線１１６は、左端のコモン引き回し配線１０５とセグメントエージング配線２０１を乗り越えて、左から２番目のコモン引き回し配線１０５と上から２番目のエージング接続端子２０３とを接続する。
【００９１】
なお、上述した実施の形態と同様に、セグメントエージング配線２０１とセグメント電極１０２間、及び、コモンエージング配線２０２及びコモン電極１０４間の接続は、マザー基板を個々の有機ＥＬパネル１００に切断する工程において、分断される。すなわち、マザー基板上における切断工程後に廃棄される部分で、エージング接続配線１１６を介して全てのコモン引き回し配線１０５をコモンエージング配線２０２に電気的に接続する。つまり、最終的に得られる有機ＥＬパネル１００の外部で、全てのコモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とが導通される。この切断工程後、ドライバＩＣ１１３が素子基板１０１上に実装される。
【００９２】
図１２に示すように、素子基板１０１上にコモン引き回し配線１０５、コモンエージング配線２０２、エージング接続端子２０３、セグメントエージング配線２０１が形成されている。コモンエージング配線２０２は、封止領域の外側から封止領域内まで延設されている。すなわち、コモンエージング配線２０２は、シール材１１２と交差するように設けられている。また、コモンエージング配線の一部にはエージング接続端子２０３が設けられている。セグメントエージング配線２０１、コモンエージング配線２０２、コモン引き回し配線１０５及びエージング接続端子２０３は、低抵抗化のためＩＴＯ及び金属膜の積層膜からなる。
【００９３】
クロスオーバー部１１５のコモン引き回し配線１０５、セグメントエージング配線２０１及びエージング接続端子２０３上には、絶縁層１１７が設けられている。絶縁層１１７のコモン引き回し配線１０５の端部に対応する位置には、コモン電極１０４とコモン引き回し配線１０５とを接続するための第６のコンタクトホール１１８ｆが形成されている。第６のコンタクトホール１１８ｆにより、外部から入力信号線１１４を介して入力される表示信号が、コモン引き回し配線１０５を介してコモン電極１０４に供給される。第６のコンタクトホール１１８ｆは、有機ＥＬパネル１００の信頼性を向上させるため、複数のコンタクトホールからなる場合もある。例えば、第６のコンタクトホール１１８ｆとして、４つのコンタクトホールがマトリクス状に設けられていてもよい。
【００９４】
また、第６のコンタクトホール１１８ｆにおいて、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５とが接続されている。すなわち、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５とを接続するためのコンタクトホールと、コモン電極１０４とコモン引き回し配線１０５と接続するためのコンタクトホールとが兼用されている。つまり、第６のコンタクトホール１１８ｆが形成されている部分において、エージング接続配線１１６とコモン電極１０４とが接続されている。これにより、各コモン電極１０４にコモンエージング配線２０２からエージング電圧を供給することができる。また、絶縁層１１７には、エージング接続端子２０３に対応する位置に、第２のコンタクトホール１１８ｂが形成されている。第２のコンタクトホール１１８ｂにおいて、エージング接続配線１１６とエージング接続端子２０３とが接続される。
【００９５】
上述したように、エージング接続配線１１６間には、表示領域内にコモン電極１０４を分離形成するために形成された隔壁１２０が延設されている。隔壁１２０は、コモン電極１０４及びエージング接続配線１１６の分離をより確実なものとするため、逆テーパ構造を有している。また、絶縁層１１７及び隔壁１２０の上には、絶縁層１１７を覆うようにコモン電極１０４及びエージング接続配線１１６となるＡｌなどの導電材料が設けられている。この隔壁１２０より、隣接するエージング接続配線１１６同士、隣接するコモン電極１０４同士が接触しないように、分離形成される。
【００９６】
コモンエージング配線２０２は、封止領域内のエージング接続配線１１６と第２のコンタクトホール１１８ｂを介して接続されている。そして、コモン引き回し配線１０５は、封止領域内のエージング接続配線１１６と第６のコンタクトホール１１８ｆを介して接続されている。従って、コモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とは、第２のコンタクトホール１１８ｂ及び第６のコンタクトホール１１８ｆを介して、エージング接続配線１１６により電気的に接続されている。すなわち、エージング接続配線１１６は、側方に配置されたセグメントエージング配線２０１及び隣接する他のコモン引き回し配線１０５を乗り越えて、コモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とを電気的に接続する。
【００９７】
また、クロスオーバー部１１５の反表示領域側にはシール材１１２が配置される。したがって、有機ＥＬ素子１０９のみならず、クロスオーバー部１１５も、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２により形成される封止領域内に配置される。このため、第６のコンタクトホール１１８ｆ、第２のコンタクトホール１１８ｂも封止領域内に配置される。また、エージング接続配線１１６も、封止領域内に形成される。
【００９８】
第６のコンタクトホール１１８ｆ部分、すなわち、コモン引き回し配線１０５とエージング接続配線１１６との界面では特に、エージング処理を行うことにより発生するジュール熱によりエージング接続配線１１６が変形したり、その膜質が劣化してしまう。このため、従来は、マザー基板を切断した後に行う接続端子部の超音波洗浄により、コモン電極１０４の材料からなるコモン引き出し配線１０５が剥がれ落ちやすかった。
【００９９】
しかしながら、本発明によれば、クロスオーバー部１１５は封止領域内に配置されている。このため、クロスオーバー部１１５には直接洗浄液が接触することはない。これにより、当該劣化部分のコモン電極１０４材料が外れてしまうのを防止することができる。また、これに起因する不良パネルの発生を抑制することができる。
【０１００】
また、実施の形態３によれば、エージング接続配線１１６とコモン電極１０４とを直結している。よって、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５のコンタクトホールをなくすことができる。このため、実施の形態１においては３Ｎ個必要だったコンタクトホールを２Ｎ個に減少させることができる。これにより、コンタクトホールに置ける不具合の発生を低減させることができる。また、実施の形態１と異なり、図１０に示すように、有機ＥＬパネル１００の左右方向において、コモン引き回し配線１０５間にコンタクトホールを形成する必要がない。このため、封止領域内の表示領域以外の額縁領域の幅を狭くすることができる。
【０１０１】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬパネル１００について図１３〜図１５を参照して説明する。図１３は、本実施の形態に係る有機ＥＬパネルのクロスオーバー部１１５の構成を示す図である。また、図１４は図１３のＨ−Ｈ断面図、図１５は図１３のＩ−Ｉ断面図である。本実施の形態において、実施の形態１と異なる点は、エージング接続配線１１６とコモン電極１０４とを直結させた点である。また、さらにセグメントエージング配線２０１はコモン電極１０４と同一の材料により形成されており、エージング接続端子１０３はコモンエージング配線２０２と同一の材料により形成されている。なお、有機ＥＬパネル１００の基本的構成については、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。
【０１０２】
図１３に示すように、本実施の形態においては、実施の形態１と同様にエージング接続配線１１６は、コモン電極１０４と同一の材料により形成されている。また、隔壁１２０は、コモン電極１０４の間に形成されるとともに、エージング接続配線１１６の間にも形成される。すなわち、隔壁１２０は、表示領域からクロスオーバー部１１５まで延在している。コモン電極１０４及びエージング接続配線１１６の分離をより確実なものとするため、隔壁１２０は逆テーパ構造を有している。すなわち、素子基板１０１から離れるにつれて、断面が広がるように形成される。
【０１０３】
また、セグメントエージング配線２０１の一部は、コモン電極１０４と同一の材料により形成されている。コモン電極１０４と同一の材料により形成されるセグメントエージング配線２０１の周囲には、リブ１２１が形成されている。リブ１２１は、隔壁１２０と同時に形成される。また、リブ１２１は、セグメントエージング配線２０１の分離を確実なものとするため、逆テーパ構造を有している。図１３において一点破線で示すように、実際には、コモン電極１０４の材料は、素子基板１０１の封止領域内の略全面に形成される。従って、隔壁１２０及びリブ１２１により導電材料が分離されて、コモン電極１０４、エージング接続配線１１６及びセグメントエージング配線２０１がそれぞれ形成される。
【０１０４】
また、図１３及び図１４に示すように、セグメントエージング配線２０１は、シール材１１２の外側から封止領域まで、ＩＴＯと金属膜からなる積層膜により形成されている。そして、クロスオーバー部１１５においては、セグメントエージング配線２０１は、コモン電極１０４と同一の材料により形成される。従って、セグメントエージング配線２０１は、コモン電極１０４と同一の材料からなる部分と、ＩＴＯと金属膜の積層膜からなる部分とからなる。セグメントエージング配線２０１の異なる材料により形成される部分が接続される部分を接続部１２３とする。有機ＥＬパネル１００において、ドライバＩＣ１１３が実装される辺に対向する辺側の接続部１２３においては、ＩＴＯ等からなるセグメントエージング配線２０１は、封止領域の外側からシール材１１２の内側まで延設されている。そして、当該接続部１２３では、ＩＴＯ等からなるセグメントエージング配線２０１は、その上に設けられた絶縁層１１７の第５のコンタクトホール１１８ｅを介して、コモン電極１０４材料からなるセグメントエージング配線２０１と接続される。
【０１０５】
一方、有機ＥＬパネル１００において、ドライバＩＣ１１３が実装させる辺に側の接続部１２３においては、ドライバＩＣ１１３から図７中下端のエージング接続配線１１６近傍まで、ＩＴＯ等からなるセグメントエージング配線２０１が形成されている。そして、当該接続部１２３では、ＩＴＯ等からなるセグメントエージング配線２０１は、その上に設けられた絶縁層１１７の第５のコンタクトホール１１８ｅを介して、コモン電極１０４材料からなるセグメントエージング配線２０１と接続される。
【０１０６】
図１３及び図１４に示すように、クロスオーバー部１１５においては、セグメントエージング配線２０１の下には、絶縁層１１７が設けられている。絶縁層１１７の下には、エージング接続端子２０３が形成されている。エージング接続端子２０３は、エージング接続配線１１６に対応して、コモンエージング配線２０２から延設されている。エージング接続端子２０３は、絶縁層１１７を介してセグメントエージング配線２０１と交差する。このため、エージング接続端子２０３とセグメントエージング配線２０１とは接触しない。すなわち、セグメントエージング配線２０１は、複数のエージング接続端子２０３を乗り越えて形成されている。
【０１０７】
また、図１３及び図１５に示すように、絶縁層１１７には、エージング接続端子２０３に対応して第２のコンタクトホール１１８ｂが形成されている。エージング接続配線１１６は、対応するエージング接続端子２０３と第２のコンタクトホール１１８ｂを介しそれぞれ接続されている。エージング接続配線１１６は、絶縁層１１７を介してコモン引き回し配線１０５と交差する。このため、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５と接触しない。すなわち、エージング接続配線１１６は、他のコモン引き回し配線１０５を乗り越えて形成されている。
【０１０８】
なお、上述したようにセグメントエージング配線２０１とセグメント電極１０２間、及び、コモンエージング配線２０２及びコモン電極１０４間の接続は、マザー基板を個々の有機ＥＬパネル１００に切断する工程において、分断される。すなわち、マザー基板上における切断工程後に廃棄される部分で、エージング接続配線１１６を介して全てのコモン引き回し配線１０５をコモンエージング配線２０２に電気的に接続する。つまり、最終的に得られる有機ＥＬパネル１００の外部で、全てのコモン引き回し配線１０５とコモンエージング配線２０２とが導通される。この切断工程後、ドライバＩＣ１１３が素子基板１０１上に実装される。
【０１０９】
図１５に示すように、素子基板１０１上には、コモンエージング配線２０２、エージング接続端子２０３及びコモン引き回し配線１０５が形成されている。エージング接続端子２０３は、コモンエージング配線２０２から延設されており、封止領域の外側から封止領域まで形成されている。すなわち、本実施の形態においては、エージング接続端子２０３は、シール材１１２と交差するように設けられている。コモンエージング配線２０２、エージング接続端子２０３及びコモン引き回し配線１０５は、ＩＴＯ及び金属膜の積層膜からなる。なお、上述したように、セグメントエージング配線２０１及びエージング接続配線１１６は、コモン電極１０４と同一のＡｌなどの導電材料からなる。
【０１１０】
クロスオーバー部１１５において、エージング接続端子２０３、コモン引き回し配線１０５の上には、絶縁層１１７が設けられている。絶縁層１１７のエージング接続端子２０３に対応する位置には、第２のコンタクトホール１１８ｂが形成されている。絶縁層１１７の上において、エージング接続配線１１６の間には、隔壁１２０が形成されている。また、隔壁１２０は、表示領域内のコモン電極１０４の間にも形成される。すなわち、隔壁１２０は、表示領域からクロスオーバー部１１５まで延設されている。セグメントエージング配線２０１の周囲には、隔壁１２０と同一の工程にて形成されたリブ１２１が設けられている。
【０１１１】
また、絶縁層１１７、隔壁１２０及びリブ１２１の上には、Ａｌなどの導電材料が設けられている。図１０において一点破線で示すように、実際には、コモン電極１０４の材料は、素子基板１０１の封止領域内の略全面に形成される。従って、隔壁１２０及びリブ１２１により導電材料が分離されて、コモン電極１０４、エージング接続配線１１６及びセグメントエージング配線２０１がそれぞれ形成される。
【０１１２】
また、絶縁層１１７のコモン引き回し配線１０５の端部に対応する位置には、コモン電極１０４とコモン引き回し配線１０５とを接続するための第６のコンタクトホール１１８ｆが形成されている。第６のコンタクトホール１１８ｆにより、外部から入力信号線１１４入力される表示信号が、コモン引き回し配線１０５を介してコモン電極１０４に供給される。第６のコンタクトホール１１８ｆは、有機ＥＬパネル１００の信頼性を向上させるため、複数のコンタクトホールからなる場合もある。例えば、第６のコンタクトホール１１８ｆとして、４つのコンタクトホールがマトリクス状に設けられていてもよい。
【０１１３】
第６のコンタクトホール１１８ｆにおいて、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５とが接続されている。すなわち、エージング接続配線１１６とコモン引き回し配線１０５とを接続するためのコンタクトホールと、コモン電極１０４とコモン引き回し配線１０５と接続するためのコンタクトホールとが兼用されている。つまり、第６のコンタクトホール１１８ｆが形成されている部分において、エージング接続配線１１６とコモン電極１０４とが接続されている。これにより、各コモン電極１０４にコモンエージング配線２０２からエージング電圧を供給することができる。また、封止領域内のエージング接続端子２０３は、セグメントエージング配線２０１の下側をくぐって、エージング接続配線１１６に接続される。また、エージング接続配線１１６は、他のコモン引き回し配線１０５を乗り越えて、対応するコモン引き回し配線１０５に接続される。
【０１１４】
また、クロスオーバー部１１５の反表示領域側にはシール材１１２が配置される。したがって、有機ＥＬ素子１０９のみならず、クロスオーバー部１１５も、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２により形成される封止領域内に配置される。このため、エージング接続配線１１６の第２のコンタクトホール１１８ｂ及び第６のコンタクトホール１１８ｆもまた封止領域内に配置される。また、エージング接続配線１１６も、封止領域内に形成される。
【０１１５】
エージング接続配線１１６に対応する第６のコンタクトホール１１８ｆ、すなわち、コモン引き回し配線１０５とエージング接続配線１１６との界面では特に、エージング処理を行うことにより発生するジュール熱によりエージング接続配線１１６が変形したり、その膜質が劣化してしまう。このため、従来は、マザー基板を切断した後に行う接続端子部の超音波洗浄により、コモン電極１０４の材料からなるコモン引き出し配線１０５が剥がれ落ちやすかった。
【０１１６】
しかしながら、本発明によれば、クロスオーバー部１１５は封止領域内に配置されている。このため、クロスオーバー部１１５には直接洗浄液が接触することはない。従って、クロスオーバー部１１５には、洗浄液の泡がはじける時の衝撃波（キャビテーション）を伝播する媒体（洗浄液）が存在しないこととなる。これにより、当該劣化部分のコモン電極１０４材料が外れてしまうのを防止することができる。また、これに起因する不良パネルの発生を抑制することができる。
【０１１７】
また、実施の形態４によれば、エージング接続配線１１６とコモン電極１０４とを直結させたので、コンタクトホールの数を２Ｎ個とすることができる。そして、セグメントエージング配線２０１の接続部１２３に第５のコンタクトホール１１８ｅを２個設ける。よって、実施の形態１においては３Ｎ個必要だったコンタクトホールを２Ｎ＋２個に減少させることができる。これにより、コンタクトホールに置ける不具合の発生を低減させることができる。また、実施の形態１と異なり、図１０に示すように、有機ＥＬパネル１００の左右方向において、コモン引き回し配線１０５間にコンタクトホールを形成する必要がない。このため、封止領域内の表示領域以外の額縁領域の幅を狭くすることができる。
【０１１８】
以上説明したように、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１００では、エージング工程において発生したエージング接続配線１１６の劣化部の剥離を抑制することができる。
【０１１９】
なお、本実施の形態では、コモン電極としての陰極配線についてクロスオーバー部１１５を設けた場合について説明したが、セグメント電極を個別に有機ＥＬパネル１００の外に引き出すための配線を形成することが難しい場合には、セグメント電極についてクロスオーバー部を設けることができる。すなわち、セグメント電極について本発明を適用することもできる。また、本発明は、基板上にドライバＩＣがＣＯＧ実装される場合に限らず、ＴＣＰなど他の実装技術により駆動回路が実装される場合にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】実施の形態１に係る有機ＥＬパネルの構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態１に係る有機ＥＬパネルの構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係る有機ＥＬパネル用基板の構成を示す平面図である。
【図４】実施の形態１に係る有機ＥＬパネル用基板に設けられたクロスオーバー部の構成を示す平面図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】実施の形態１に係る有機ＥＬパネルの製造方法を説明するためのフロー図である。
【図７】実施の形態２に係る有機ＥＬパネル用基板に設けられたクロスオーバー部の構成を示す平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ断面図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ断面図である。
【図１０】実施の形態３に係る有機ＥＬパネル用基板に設けられたクロスオーバー部の構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ断面図である。
【図１２】図１０のＢ−Ｂ断面図である。
【図１３】実施の形態４に係る有機ＥＬパネル用基板に設けられたクロスオーバー部の構成を示す平面図である。
【図１４】図１３のＡ−Ａ断面図である。
【図１５】図１３のＢ−Ｂ断面図である。
【図１６】従来の有機ＥＬパネルの構成を示す平面図である。
【図１７】従来の有機ＥＬパネル用基板の構成を示す平面図である。
【図１８】従来の有機ＥＬパネル用基板に設けられたクロスオーバー部の構成を示す平面図である。
【図１９】従来の有機ＥＬパネル用基板に設けられたクロスオーバー部の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１００  有機ＥＬパネル
１０１  素子基板
１０２  セグメント電極
１０３  セグメント引き回し配線
１０４  コモン電極
１０５  コモン引き回し配線
１０６  絶縁層
１０７  開口部
１０８  有機ＥＬ層
１０９  有機ＥＬ素子
１１０  封止基板
１１１  捕水材
１１２  シール材
１１３  ドライバＩＣ
１１４  入力信号線
１１５  クロスオーバー部
１１６  エージング接続配線
１１７  絶縁層
１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅ、１１８ｆ  コンタクトホール
１１９  壁構造体
１２０  隔壁
１２１  リブ
１２２、１２３  接続部
２００  有機ＥＬパネル用基板
２０１  セグメントエージング配線
２０２  コモンエージング配線
２０３  エージング接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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