(57)【要約】      （修正有）【課題】  洗浄力が優れており、金属膜質の腐蝕を防止し、引火性物質であるアルコール類化学物質に代わって使用でき、効果的に基板上の有機異物及び埃などの無機異物を洗浄することができるレジストッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。【解決手段】  ａ）有機アミン系化合物０．０５乃至１０重量部、ｂ）有機溶剤０．０５乃至３０重量部、ｃ）トリアゾール系腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、ｄ）ヒドロキシフェノール類、アルキルガレート類、及び還元剤類からなる群より選択される腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、及びｅ）残量の水を含むケミカルリンス組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）有機アミン系化合物０．０５乃至１０重量部、
ｂ）有機溶剤０．０５乃至３０重量部、
ｃ）トリアゾール系腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、
ｄ）ヒドロキシフェノール類、アルキルガレート類、及び還元剤類からなる群より選択される腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、及び
ｅ）残量の水を含むレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【請求項２】
前記有機アミン系化合物が、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、４−（３−アミノプロピル）モルホリン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−エチルピペラジン、４−アミノ−１−メチルピペラジン、１−メチルピペラジン、２−メチルピペラジン、１−ベンジルピペラジン、及び２−フェニルピペラジンからなる群より選択される１種以上の環状アミンである請求項１に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【請求項３】
前記有機溶剤が、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、及びジエチレングリコールプロピルエーテルからなる群より選択される１種以上のグリコールエーテル化合物である請求項１に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【請求項４】
前記トリアゾール系腐蝕防止剤が、下記の化学式１で示される化合物からなる群より選択される１種以上である請求項１に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物：
【化１】
2007256955.tif 000009
［化学式１］
上記の式で、Ｒ１は炭素数が１〜１２のアルキル、炭素数が１〜１２のアリル、カルボキシル基、ヒドロキシル基、またはアミノであり、Ｒ２は炭素数が１〜１２のアルキル、ヒドロキシル基、炭素数が１〜１２のヒドロキシルアルキル、炭素数が１〜１２のジヒドロキシルアルキル、炭素数が１〜１２のカルボキシルアルキル、カルボキシル基、炭素数が１〜１２のジカルボキシルアルキル、アミノ、炭素数が１〜１２のアルキルアミノ、または炭素数が１〜１２のジアルキルアミノである。
【請求項５】
前記トリアゾール系腐蝕防止剤が、トリルトリアゾール、ベンゾトリアゾール、アミノトリアゾール、カルボキシルベンゾトリアゾール、１−［ビス（ヒドロキシエチル）アミノエチル ］トリルトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＢＴ）、及びニトロベンゾトリアゾール（ＮＢＴ）からなる群より選択される１種以上である請求項１に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【請求項６】
前記ヒドロキシフェノール類またはアルキルガレート類腐蝕防止剤が、下記の化学式２で示される化合物からなる群より選択される１種以上である請求項１に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物：
【化２】
2007256955.tif 000010
［化学式２ ］
上記の式で、Ｒ１乃至Ｒ３は各々水素、ヒドロキシル基、またはカルボキシル基であり、Ｒ４は炭素数が１〜１２のアルキルエステル基、カルボキシル基、または水素である。
【請求項７】
前記ヒドロキシフェノール類またはアルキルガレート類が、カテコール、ピロガロール、メチルガレート、プロピルガレート、ドデシルガレート、オクチルガレート、及びガリウム酸からなる群より選択される１種以上である請求項６に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【請求項８】
前記還元剤類腐蝕防止剤が、Ｌ−アスコルビン酸（Ｌ−ＡＳＣＯＲＢＩＣ  ＡＣＩＤ、アスコシンとも言う）、Ｄ−イソアスコルビン酸（Ｄ−ＩＳＯＡＳＣＯＲＢＩＣ  ＡＣＩＤ、エリソルビン酸とも言う）、及びこれらの混合物からなる群より選択されるものである請求項１に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【請求項９】
前記組成物が、少なくとも１つ以上のシリコン系消泡剤０．００５乃至５重量部をさらに含む請求項１に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【請求項１０】
前記シリコン系消泡剤が、分子量が少なくとも７４０以上の疎水性のポリシロキサンまたはジメチルポリシロキサンに分子量が少なくとも３００以上の親水性のポリエーテルが共重合された消泡剤からなる群より選択される１種以上である請求項９に記載のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤ（ＴＦＴ液晶ディスプレイ）または半導体素子の製造工程で使用することができるケミカルリンス組成物に関し、より詳細には、洗浄力が優れており、金属膜質の腐蝕を防止して、引火性、保存性、及び環境においても問題がなく、特に、既存の洗浄工程で使用されるアルコール類化学物質に代わって使用され、Ｃｕ層の有機異物吸着特性が優れているため、既存では見られなかった、異物の発生に対して洗浄力が優れているレジストストリッパー洗浄及び除去用ケミカルリンス組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＴＦＴ−ＬＣＤまたは半導体素子をフォトリソグラフィ法（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｍｅｔｈｏｄ）によって製造する場合、ガラス（ｇｌａｓｓ）、シリコンウェハ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒ）などの基板上にアルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ）、アルミニウムアロイ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ａｌｌｏｙ）、銅（ｃｏｐｐｅｒ）などの金属膜や酸化膜などの絶縁膜を形成した後、その表面にレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）を均一に塗布し、これを露光及び現像してレジストパターン（ｒｅｓｉｓｔ ｐａｔｔｅｒｎ）を形成し、前記レジストパターンをマスク（ｍａｓｋ）として下部の薄膜を選択的にエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）してパターンを形成した後、不必要なレジストを基板上からストリッパー（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）によって完全に除去する一連の工程が行われる。
【０００３】
前記基板上からレジストを除去するストリッパーとしては、アルキルベンゼンスルホン酸（ａｌｋｙｌｂｅｎｚｅｎ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）を主成分とする有機スルホン酸系ストリッパー（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ−ｂａｓｅｄ ｓｔｒｉｐｐｅｒ）、モノエタノールアミン（ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）などの有機アミンを主成分とする有機アミン系ストリッパー（ｏｒｇａｎｉｃ ａｍｉｎｅ−ｂａｓｅｄ ｓｔｒｉｐｐｅｒ）が公知である。しかし、有機スルホン酸系ストリッパーは、作業時の安全性に問題があるため、最近では、モノエタノールアミンなどの有機アミンを主成分とする有機アミン系ストリッパーが主に使用されている。
【０００４】
このように、有機アミン系ストリッパー（ｏｒｇａｎｉｃ ａｍｉｎｅ−ｂａｓｅｄ ｓｔｒｉｐｐｅｒ）でレジストパターン層（ｒｅｓｉｓｔ ｐａｔｔｅｒｎ ｌａｙｅｒ）を除去した後、基板を純水で洗浄するのが一般的であるが、純水による洗浄工程は、ストリッパーを短時間で完全に洗浄するのが難しく、洗浄時間が長くなると、金属膜及び絶縁膜に腐蝕が発生するため、純水で洗浄する前にストリッパーをケミカルリンス組成物で洗浄する。
【０００５】
従来使用されてきたケミカルリンス組成物としては、メタノール（ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、イソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｈｏｌ）、アセトン（ａｃｅｔｏｎｅ）、ジメチルスルホキシド（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｕｌｆｏｘｉｄｅ）などがあるが、前記溶媒は、十分な洗浄力を期待することができず、特に、微細回路部位の洗浄が難しい。また、前記アルコール類（ａｌｃｏｈｏｌ ｓｅｒｉｅｓ）化学物質は、引火性または保存性に問題があり、取り扱いに格別の注意を要するので、作業能率が低下する問題があり、工程単価の上昇及び特定配線材料に対する有機残留物の問題を解決することができない短所がある。
【０００６】
また、韓国特許公開第２００４−００３７４６３号は、０．０１〜１０重量部のアルカノールアミン（ａｌｋａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、０．０１〜５０重量部のアルキレングリコールアルキルエーテル（ａｌｋｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ａｌｋｙｌ ｅｔｈｅｒ）、０．０１〜１０重量部のヒドロキシベンゼン類（ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｅｎｅ ｓｅｒｉｅｓ（ｐｈｅｎｏｌ ｓｅｒｉｅｓ））、及び残量の脱イオン水を含む後ストリップ洗浄剤組成物を開示している。しかし、前記方法は、鎖状アミン（ｃｈａｉｎ−ｔｙｐｅ ａｍｉｎｅ）を使用するため、金属配線ライン上で金属膜質層の腐蝕が発生する問題がある。
【特許文献１】韓国特許公開第２００４−００３７４６３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記従来の技術での問題を解決するために、本発明は、洗浄後に金属膜質に対する腐蝕がなく、リンス（ｒｉｎｓｅ）効果が優れており、従来使用されてきたアルコール類（ａｌｃｏｈｏｌ ｓｅｒｉｅｓ）化学物質に代わって使用でき、引火点、保存性、及び環境に対する問題を解決することができる、レジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明は、ａ）有機アミン系化合物（ｏｒｇａｎｉｃ ａｍｉｎｅ−ｂａｓｅｄ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）０．０５乃至１０重量部、ｂ）有機溶剤（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌｖｅｎｔ）０．０５乃至３０重量部、ｃ）トリアゾール系腐蝕防止剤（ｔｒｉａｚｏｌｅ−ｂａｓｅｄ ａｎｔｉ−ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ａｇｅｎｔ）０．００５乃至５重量部、ｄ）ヒドロキシフェノール類（ｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｏｌ ｓｅｒｉｅｓ）、アルキルガレート類（ａｌｋｙｌ ｇａｌｌａｔｅ ｓｅｒｉｅｓ）、及び還元剤類（ｒｅｄｕｃｉｎｇ ａｇｅｎｔ ｓｅｒｉｅｓ）からなる群より選択される腐蝕防止剤０．００５乃至５重量部、及びｅ）残量の水を含むレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物を提供する。
【０００９】
上記アミン系化合物は、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、４−（３−アミノプロピル）モルホリン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−エチルピペラジン、４−アミノ−１−メチルピペラジン、１−メチルピペラジン、２−メチルピペラジン、１−ベンジルピペラジン、及び２−フェニルピペラジンからなる群より選択される１種以上の環状アミンであり得る。
【００１０】
上記有機溶剤は、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、及びジエチレングリコールプロピルエーテルからなる群より選択される１種以上のグリコールエーテル化合物であり得る。
【００１１】
上記トリアゾール系腐蝕防止剤は、下記の化学式１で示される化合物からなる群より選択される１種以上であり得る。
【化１】
2007256955.tif 000002
［化学式１］
上記の式で、Ｒ１は炭素数が１〜１２のアルキル、炭素数が１〜１２のアリル、カルボキシル基、ヒドロキシル基、またはアミノであり、Ｒ２は炭素数が１〜１２のアルキル、ヒドロキシル基、炭素数が１〜１２のヒドロキシルアルキル、炭素数が１〜１２のジヒドロキシルアルキル、炭素数が１〜１２のカルボキシルアルキル、カルボキシル基、炭素数が１〜１２のジカルボキシルアルキル、アミノ、炭素数が１〜１２のアルキルアミノ、または炭素数が１〜１２のジアルキルアミノである。
【００１２】
上記トリアゾール系腐蝕防止剤は、トリルトリアゾール、ベンゾトリアゾール、アミノトリアゾール、カルボキシルベンゾトリアゾール、１−［ビス（ヒドロキシエチル）アミノエチル ］トリルトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＢＴ）、及びニトロベンゾトリアゾール（ＮＢＴ）からなる群より選択される１種以上であり得る。
【００１３】
上記ヒドロキシフェノール類またはアルキルガレート類腐蝕防止剤は、下記の化学式２で示される化合物からなる群より選択される１種以上であり得る。
【化２】
2007256955.tif 000003
［化学式２ ］
上記の式で、Ｒ１乃至Ｒ３は各々水素、ヒドロキシル基、またはカルボキシル基であり、Ｒ４は炭素数が１〜１２のアルキルエステル基、カルボキシル基、または水素である。
【００１４】
上記ヒドロキシフェノール類またはアルキルガレート類は、カテコール、ピロガロール、メチルガレート、プロピルガレート、ドデシルガレート、オクチルガレート、及びガリウム酸からなる群より選択される１種以上であり得る。
【００１５】
上記還元剤類腐蝕防止剤は、Ｌ−アスコルビン酸（Ｌ−ＡＳＣＯＲＢＩＣ  ＡＣＩＤ、アスコシンとも言う）、Ｄ−イソアスコルビン酸（Ｄ−ＩＳＯＡＳＣＯＲＢＩＣ  ＡＣＩＤ、エリソルビン酸とも言う）、及びこれらの混合物からなる群より選択されるものであり得る。
【００１６】
前記組成物は、少なくとも１つ以上のシリコン系消泡剤０．００５乃至５重量部をさらに含み得る。
【００１７】
上記シリコン系消泡剤は、分子量が少なくとも７４０以上の疎水性のポリシロキサンまたはジメチルポリシロキサンに分子量が少なくとも３００以上の親水性のポリエーテルが共重合された消泡剤からなる群より選択される１種以上であり得る。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物は、洗浄力が優れており、金属膜質の腐蝕を防止して、引火性、保存性、及び環境において問題がなく、既存の洗浄工程で使用されてきたイソプロピルなどのようなアルコール類化学物質に代わって使用でき、有機及び無機異物の洗浄力が優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２０】
本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤまたは半導体素子の製造工程でレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）を最終除去した後に残存するストリッパー液（ｓｔｒｉｐｐｅｒ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を洗浄することを主な目的とする、レジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物に関する。
【００２１】
本発明のケミカルリンス組成物は、洗浄力が優れていると共に、金属膜質の腐蝕を防止し、引火性、保存性、及び環境においても問題がない。特に、本発明によれば、既存の洗浄工程で使用されるアルコール類化学物質に代わって使用されて、Ｃｕ層（ｃｏｐｐｅｒ ｌａｙｅｒ）の有機異物吸着特性が優れているため、既存の層（ｌａｙｅｒ）では見られなかった異物の発生に対して洗浄力が優れている。
【００２２】
このような本発明のケミカルリンス組成物は、少なくとも１種以上の有機アミン類（ｏｒｇａｎｉｃ ａｍｉｎｅ ｓｅｒｉｅｓ）、少なくとも１種以上の有機溶剤（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌｖｅｎｔ）、水（ｗａｔｅｒ）、１種以上のトリアゾール系腐蝕防止剤（ｔｒｉａｚｏｌｅ−ｂａｓｅｄ ａｎｔｉ−ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ａｇｅｎｔ）、及び少なくとも１種以上のヒドロキシフェノール類（ｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｏｌ ｓｅｒｉｅｓ）、アルキルガレート類（ａｌｋｙｌ ｇａｌｌａｔｅ ｓｅｒｉｅｓ）、及び還元剤類（ｒｅｄｕｃｉｎｇ ａｇｅｎｔ ｓｅｒｉｅｓ）からなる群より選択される腐蝕防止剤を含む。
【００２３】
前記有機アミン系化合物は、一般的な鎖状アミンではなく環状アミンを使用するのが好ましい。前記環状アミンは、鎖状アミンに比べて金属膜質層に対する腐蝕力が高くないので、洗浄時に金属膜質層の腐蝕が少ない効果を示す。前記環状アミンの具体的な例としては、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン（１−（２−ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ）ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）、４−（３−アミノプロピル）モルホリン（４−（３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌ）ｍｏｒｐｈｏｌｉｎｅ）、１−（２−アミノエチル）ピペラジン（１−（２−ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ）ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−エチルピペラジン（１−（２−ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ）−４−ｅｔｈｙｌｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）、４−アミノ−１−メチルピペラジン（４−ａｍｉｎｏ−１−ｍｅｔｈｙｌｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）、１−メチルピペラジン（１−ｍｅｔｈｙｌｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）、２−メチルピペラジン（２−ｍｅｔｈｙｌｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）、１−ベンジルピペラジン（１−ｂｅｎｚｙｌｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）、及び２−フェニルピペラジン（２−ｐｈｅｎｙｌｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）からなる群より選択される１種以上の化合物であるのが好ましい。前記有機アミン系化合物の含有量は、組成物全体に対して０．０５乃至１０重量部であるのが好ましく、その含有量が０．０５重量部未満である場合には、洗浄力が低下し、１０重量部を超える場合には、アミンの腐蝕力によって金属膜質層が損傷する問題がある。
【００２４】
本発明のケミカルリンス組成物において、前記有機溶剤（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌｖｅｎｔ）は、エチレングリコールメチルエーテル（ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ）、エチレングリコールエチルエーテル（ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ）、エチレングリコールブチルエーテル（ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｂｕｔｙｌ ｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールメチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｍｅｔｈｙ ｌｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールエチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールブチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｂｕｔｙｌ ｅｔｈｅｒ）及びジエチレングリコールプロピルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｐｒｏｐｙｌ ｅｔｈｅｒ）からなる群より選択される１種以上のグリコールエーテル化合物（ｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｅｒ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）であるのが好ましい。前記有機溶剤の含有量は、組成物全体に対して０．０５乃至３０重量部であるのが好ましく、その含有量が０．０５重量部未満である場合には、レジスト及び有機アミン系化合物に対する溶解力が低下し、３０重量部を超える場合には、廃液の処理が容易でない問題がある。
【００２５】
前記トリアゾール系腐蝕防止剤は、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）分子と金属表面に強い結合を形成する化学吸着（ｃｈｅｍｉｓｏｒｐｔｉｏｎ）を行い、金属の腐蝕の原因である有機アミン成分の浸透を防止して、腐蝕防止効果を示すようになる。前記トリアゾール系腐蝕防止剤は、下記の化学式１で示される化合物からなる群より選択される１種以上であるのが好ましい。
【化３】
2007256955.tif 000004
［化学式１］
上記の式で、Ｒ１は炭素数が１〜１２のアルキル（ａｌｋｙｌ ｇｒｏｕｐ）、炭素数が１〜１２のアリル（ａｌｌｙｌ ｇｒｏｕｐ）、カルボキシル基（ｃａｒｂｏｘｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ヒドロキシル基（ｈｙｄｒｏｘｙｌ ｇｒｏｕｐ）、またはアミノ（ａｍｉｎｏ ｇｒｏｕｐ）であり、Ｒ２は炭素数が１〜１２のアルキル（ａｌｋｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ヒドロキシル基（ｈｙｄｒｏｘｙｌ ｇｒｏｕｐ）、炭素数が１〜１２のヒドロキシルアルキル（ｈｙｄｒｏｘｙｌａｌｋｙｌ ｇｒｏｕｐ）、炭素数が１〜１２のジヒドロキシルアルキル（ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｌａｌｋｙｌ ｇｒｏｕｐ）、炭素数が１〜１２のカルボキシルアルキル（ｃａｒｂｏｘｙｌａｌｋｙｌ ｇｒｏｕｐ）、カルボキシル基（ｃａｒｂｏｘｙｌ ｇｒｏｕｐ）、炭素数が１〜１２のジカルボキシルアルキル（ｄｉ ｃａｒｂｏｘｙｌ ａｌｋｙｌｇｒｏｕｐ）、アミノ（ａｍｉｎｏ ｇｒｏｕｐ）、炭素数が１〜１２のアルキルアミノ（ａｌｋｙｌａｍｉｎｏ ｇｒｏｕｐ）、または炭素数が１〜１２のジアルキルアミノ（ｄｉａｌｋｙｌａｍｉｎｏ ｇｒｏｕｐ）である。
【００２６】
より好ましくは、前記トリアゾール系腐蝕防止剤は、トリルトリアゾール（Ｔｏｌｙｌｔｒｉａｚｏｌｅ）、ベンゾトリアゾール（Ｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ）、アミノトリアゾール（ａｍｉｎｏｔｒｉａｚｏｌｅ）、カルボキシルベンゾトリアゾール（ｃａｒｂｏｘｙｌｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ）、１−［ビス（ヒドロキシエチル）アミノエチル ］トリルトリアゾール（１−［ｂｉｓ（ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ）ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ ］ｔｏｌｙｌｔｒｉａｚｏｌｅ）、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（１−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ、ＨＢＴ）、及びニトロベンゾトリアゾール（ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ、ＮＢＴ）からなる群より選択される１種以上である。
【００２７】
この時、前記トリアゾール系腐蝕防止剤は、常温で固体状態で存在して、水に溶解しにくいため、予め有機溶剤に溶解させて液状に製造した後で使用するのが好ましい。
【００２８】
前記トリアゾール系腐蝕防止剤の含有量は、組成物全体に対して０．００５乃至５重量部であるのが好ましい。前記トリアゾール系腐蝕防止剤の含有量が０．００５重量部未満である場合には、金属膜質層が腐蝕され、５重量部を超える場合には、洗浄工程時に泡が形成されるので工程の進行が困難な問題がある。
【００２９】
前記ヒドロキシフェノール類（ｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｏｌ ｓｅｒｉｅｓ）またはアルキルガレート類（ａｌｋｙｌ ｇａｌｌａｔｅ ｓｅｒｉｅｓ）腐蝕防止剤は、下記の化学式２で示される化合物からなる群より選択される１種以上であるのが好ましい。
【化４】
2007256955.tif 000005
［化学式２］
上記の式で、Ｒ１乃至Ｒ３は各々水素（ｈｙｄｒｏｇｅｎ）、ヒドロキシル基（ｈｙｄｒｏｘｙｌ ｇｒｏｕｐ）、またはカルボキシル基（ｃａｒｂｏｘｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、Ｒ４は炭素数が１〜１２のアルキルエステル（ａｌｋｙｌｅｓｔｅｒ ｇｒｏｕｐ）、カルボキシル基（ｃａｒｂｏｘｙｌ ｇｒｏｕｐ）、または水素（ｈｙｄｒｏｇｅｎ）である。
【００３０】
より好ましくは、前記ヒドロキシフェノール類（ｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｏｌ ｓｅｒｉｅｓ）またはアルキルガレート類（ａｌｋｙｌ ｇａｌｌａｔｅ ｓｅｒｉｅｓ）腐蝕防止剤は、カテコール（ｃａｔｅｃｈｏｌ）、ピロガロール（ｐｙｒｏｇａｌｌｏｌ）、メチルガレート（ｍｅｔｈｙｌ ｇａｌｌａｔｅ）、プロピルガレート（ｐｒｏｐｙｌ ｇａｌｌａｔｅ）、ドデシルガレート（ｄｏｄｅｃｙｌ ｇａｌｌａｔｅ）、オクチルガレート（ｏｃｔｙｌ ｇａｌｌａｔｅ）、及びガリウム酸（ｇａｌｌｉｃ ａｃｉｄ）からなる群より選択される１種以上である。
【００３１】
前記還元剤類腐蝕防止剤は、Ｌ−アスコルビン酸（Ｌ−ＡＳＣＯＲＢＩＣ  ＡＣＩＤ、アスコシンとも言う）及びＤ−イソアスコルビン酸（Ｄ−ＩＳＯＡＳＣＯＲＢＩＣ  ＡＣＩＤ、エリソルビン酸とも言う）からなる群より選択される１種以上であるのが好ましい。
前記ヒドロキシフェノール類、アルキルガレート類、及び還元剤類からなる群より選択される腐蝕防止剤の含有量は、組成物全体に対して０．００５乃至５重量部であるのが好ましい。この時、ヒドロキシフェノール類またはアルキルガレート類腐蝕防止剤の含有量が０．００５重量部未満である場合には、金属膜質層が腐蝕され、５重量部を超える場合には、洗浄工程時に泡が形成されるので工程の進行が困難な問題がある。また、前記還元剤類腐蝕防止剤の含有量が０．００５重量部未満である場合には、金属膜質層が腐蝕され、５重量部を超える場合には、洗浄液のアルカリ度が低下して洗浄が効率的に行われない問題がある。
【００３２】
また、本発明のレジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物は、必須構成成分として残量部の水を含み、好ましくは、５０乃至９９重量部の水を含む。前記水の含有量が５０重量部未満である場合には、廃液の処理などが困難であり、９９重量部を超過する場合には、洗浄力が低下する問題がある。
【００３３】
前記水は、イオン交換樹脂によってろ過した純水であるのが好ましいが、非抵抗が１８メガオ−ム（ＭΩ）以上の超純水であるのがより好ましい。
【００３４】
また、本発明のケミカルリンス組成物は、組成物全体に対して０．００５乃至５重量部で少なくとも１つ以上のシリコン系（ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｅｒｉｅｓ）消泡剤をさらに含む。前記シリコン系消泡剤は、分子量が少なくとも７４０以上の疎水性のポリシロキサン（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）またはジメチルポリシロキサン（ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）に分子量が少なくとも３００以上の親水性のポリエーテル（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ）が共重合された消泡剤からなる群より選択される１種以上である。また、前記消泡剤の含有量が０．００５重量部未満である場合には、気泡を十分に消すことができず、５重量部を超える場合には、消泡剤が液に十分に溶解されずに白濁が起こる問題がある。
【００３５】
以下、本発明を下記の実施例を参照してより詳細に説明する。これら実施例は、本発明を例示するためのものであって、本発明の範囲が下記の実施例によって限定されるのではない。
【実施例】
【００３６】
実施例１乃至８及び比較例１乃至９
下記の表１及び２の組成でケミカルリンス組成物を製造した。
【表１】
2007256955.tif 000006
【表２】
2007256955.tif 000007
注）上記表１及び２で、
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａ−ｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）
ＡＥＰ：１−（２−アミノエチル）ピペラジン（１−（２−ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ）ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）
ＨＥＰ：１−（３−ヒドロキシエチル）ピペラジン（１−（３−ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ）ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）
ＥＧＭＥ：エチレングリコールメチルエーテル（ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ）
ＢＴ：ベンゾトリアゾール（ｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ）
Ｄ−イソアスコルビン酸(Ｄ−ＩＳＯＡＳＣＯＲＢＩＣ  ＡＣＩＤ）：エリソルビン酸とも言う。
消泡剤：分子量が９００以上のポリシロキサン（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）及びポリエーテル（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ）の共重合体（ＢＹＫ−０２３）
ＩＰＡ：イソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｈｏｌ）
ＭＥＡ：モノエタノールアミン（ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）
【００３７】
実験例１
有機異物（指紋、ストリッパー（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）廃液）洗浄に対する実験
超純水で洗浄されたガラス上に任意の指紋を付けて有機異物（指紋）を形成した後、前記実施例及び比較例のケミカルリンス組成物に５分間浸漬して光学電子顕微鏡（ＬＥＩＣＡ社、モデル：ＦＴＭ−２００）で観察し、その結果を表３に示した。
また、超純水で洗浄されたガラス上にストリッパー廃液を付けて９０℃のオーブンで５時間乾燥させた後、前記実施例及び比較例のケミカルリンス組成物に５分間の浸漬して光学電子顕微鏡（ＬＥＩＣＡ社、モデル：ＦＴＭ−２００）で観察し、その結果を表３に示した。
【００３８】
実験例２
無機異物（埃）洗浄に対する実験
超純水で洗浄されたガラス上に任意の埃を付けて無機異物（埃）を形成した後、前記実施例及び比較例のケミカルリンス組成物に５分間浸漬して光学電子顕微鏡（ＬＥＩＣＡ社、モデル：ＦＴＭ−２００）で観察し、その結果を表３に示した。
【００３９】
金属膜質ダマッジ（ｄａｍａｇｅ）観察
超純水で洗浄されたモノアルミニウム基板を常温で前記実施例及び比較例のケミカルリンス組成物に３０分間浸漬した後、前記試片を超純水で洗浄して窒素ガスで乾燥した後、パターン内に腐蝕が発生したか否かを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、その結果を表３に示した。
【００４０】
また、（ａ）本発明の実施例及び（ｂ）比較例のケミカルリンス組成物を利用して基板に形成された有機異物である強制汚染ストリッパー廃液、埃、及び指紋を洗浄する前後の光学電子顕微鏡写真を図１乃至３に各々示した。
【表３】
2007256955.tif 000008
前記表３で、「良好」は、異物が評価された試片面積の２％未満しか残っていない状態を示したものであり、「不良」は、５０％以上残っている状態を示したものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】（ａ）本発明の実施例及び（ｂ）比較例のケミカルリンス組成物を利用して基板に形成された有機異物である強制汚染ストリッパー廃液（ｓｔｒｉｐｐｅｒ ｗａｓｔｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を洗浄する前後の結果を示した光学電子顕微鏡写真である。
【図２】（ａ）本発明の実施例及び（ｂ）比較例のケミカルリンス組成物を利用して基板に形成された無機異物である埃を洗浄する前後の結果を示した光学電子顕微鏡写真である。
【図３】（ａ）本発明の実施例及び（ｂ）比較例のケミカルリンス組成物を利用して基板に形成された有機異物である指紋を洗浄する前後の結果を示した光学電子顕微鏡写真である。
【図１】
2007256955.tif 000011
【図２】
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【図３】
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