(57)【要約】    【課題】  モータドライバ回路におけるスピードアップ回路の故障によるスイッチング素子の過電流による熱破壊を防止することができるモータドライバ回路を提供すること。    【解決手段】  モータ２１に駆動電流を流すためのスイッチング素子２２と、該スイッチング素子２２のスイッチングを制御するプリドライバ回路２４の出力端子と前記スイッチング素子２２のスイッチング端子との間に接続され、前記スイッチング素子２２のスイッチング電圧の減衰を加速させるためのスピードアップ回路２３とを備えたモータドライバ回路２０において、スピードアップ回路２３の故障を検出するための故障検知手段２６を装備する。【選択図】  図１
2007043872.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータに駆動電流を流すためのスイッチング素子と、該スイッチング素子のスイッチングを制御するプリドライバ回路の出力端子と前記スイッチング素子のスイッチング端子との間に接続され、前記スイッチング素子のスイッチング電圧の減衰を加速させるためのスピードアップ回路とを備えたモータドライバ回路において、
前記スピードアップ回路の故障を検出するための故障検知手段を備えていることを特徴とするモータドライバ回路。
【請求項２】
前記スピードアップ回路が、第１の抵抗と、第２の抵抗と、ダイオードとを含んで構成され、
前記第１の抵抗と並列に接続されている前記ダイオードのカソード端子がプリドライバ回路の出力端子と接続され、前記ダイオードのアノード端子が前記第２の抵抗を介して前記スイッチング素子のスイッチング端子と接続されていることを特徴とする請求項１記載のモータドライバ回路。
【請求項３】
前記故障検知手段が、前記第１の抵抗の両端の電圧レベルを比較し、前記第２の抵抗と接続する端の電圧レベルが前記プリドライバ回路の出力端子と接続する端の電圧レベルより低い場合、ローレベルの信号を出力し、前記第２の抵抗と接続する端の電圧レベルが前記プリドライバ回路の出力端子と接続する端の電圧レベルより所定値以上高い場合、ハイレベルの信号を出力するものであることを特徴とする請求項２記載のモータドライバ回路。
【請求項４】
前記故障検知手段の出力端子がモータ制御パネルへ接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載のモータドライバ回路。
【請求項５】
前記故障検知手段により前記スピードアップ回路の故障が検出された場合、故障報知信号を出力するための故障報知手段を更に備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載のモータドライバ回路。
【請求項６】
前記故障検知手段により前記スピードアップ回路の故障が検出された場合、該スピードアップ回路に接続されている前記スイッチング素子のスイッチング電圧の減衰を加速させる機能を復帰させるための復帰回路を更に備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載のモータドライバ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモータドライバ回路に関し、より詳細には、スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴが採用されたモータドライバ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モータドライバ回路におけるＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxido Semiconductor Field Effect Transistor）の応用が増加する傾向になってきている。
ＭＯＳＦＥＴとは、ゲートの絶縁に酸化膜を使った電界効果トランジスタであり、スイッチング素子として多用されている。負電荷をキャリアとするＮチャンネルＭＯＳＦＥＴの場合、ゲートとソースの間に正電圧を加えると、ドレインとソースの間に正電流が流れる。一方、正電荷をキャリアとするＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの場合、ゲートとソースの間に正電圧を加えると、ドレインとソースの間に負電流が流れる。ＭＯＳＦＥＴは、パワートランジスタに比べて、損失が小さく、スイッチング速度が速く、低い電圧で大電流制御が可能なため、構造簡単なモータドライバ回路を構築することができる。
【０００３】
図５はＭＯＳＦＥＴが採用された従来のモータドライバ回路の要部を示した回路図である。図中１０はモータドライバ回路を示しており、モータドライバ回路１０はモータ１１と、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ１２と、スピードアップ回路１３と、プリドライバ回路１４と、ＤＣ電源１５とを含んで構成されている。モータ１１のコイル１１ａの一端がＤＣ電源１５と接続され、他端がＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤと接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１２は、ドレインＤにモータ１１のコイル１１ａが接続され、ゲートＧにスピードアップ回路１３が接続され、ソースＳが接地されている。スピードアップ回路１３は、抵抗Ｒａ、抵抗Ｒｂ、及びダイオードＤ１から構成されており、抵抗Ｒｂと並列に接続されているダイオードＤ１のカソード端子ｓがプリドライバ回路１４の出力端子と接続され、ダイオードＤ１のアノード端子ａが抵抗Ｒａを介してＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧと接続されているように構成されている。
【０００４】
プリドライバ回路１４は、図６（ａ）に示すスイッチング電圧を出力し、スピードアップ回路１３を介して、ＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧに電圧を印加する。ＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧに一定値以上の正電圧（しきい電圧）が印加されると、ドレインＤとソースＳの間に正電流が流れ、モータ１１のコイル１１ａに電流が流れるようになっている。プリドライバ回路１４の出力電圧が増加する場合、瞬時電流が抵抗Ｒｂと抵抗Ｒａを介して、プリドライバ回路１４からＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧへ流れ、ゲートＧを充電し、プリドライバ回路１４の出力電圧が降下する場合、瞬時電流が抵抗ＲａとダイオードＤ１を介して、ＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧからプリドライバ回路１４へ流れるようになっている。
【０００５】
図６（ａ）、（ｂ）に示したように、プリドライバ回路１４の出力電圧Ｖｐが０から最大値Ｖｐｍまで増加した時に、ＭＯＳＦＥＴ１２のゲート電圧Ｖｇが時間Ｔａ遅れて最大値Ｖｇｍまで増加し、プリドライバ回路１４の出力電圧ＶｐがＶｐｍから０まで降下した時に、ＭＯＳＦＥＴ１２のゲート電圧Ｖｇが時間Ｔｂ遅れて０まで降下する。時間Ｔａは抵抗Ｒａの値と抵抗Ｒｂの値との和に比例し、時間Ｔｂは抵抗Ｒａの値に比例するため、ゲート電圧Ｖｇの減衰速度が増加速度より速くなっている。
【０００６】
また、ＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤからソースＳへ流れる電流Ｉｄが、図６（ｃ）に示したように、ＭＯＳＦＥＴ１２のゲート電圧Ｖｇが増加してしきい値Ｖｔｈを超えたら、最大値Ｉｄｍへ向かって増加し、ゲート電圧Ｖｇが降下してしきい値Ｖｔｈより低下したら、０へ減少するようになっている。
【０００７】
したがって、時間Ｔｂは時間Ｔａより小さく、ＭＯＳＦＥＴ１２のドレインＤからソースＳへ流れる電流のターンオフ時間が、スピードアップ回路１３の働きにより短縮されている。しかしながら、ダイオードＤ１がオープン故障になった場合、プリドライバ回路１４の出力電圧が降下する場合、瞬時電流ＩｃがダイオードＤ１を通ることができなくなるため、抵抗Ｒｂと抵抗Ｒａとを通って、ＭＯＳＦＥＴ１２のゲートＧからプリドライバ回路１４へ流れるようになる。そのため、ＭＯＳＦＥＴ１２のゲート電圧Ｖｇの減衰が遅くなり、ドレインＤからソースＳへ流れる電流のターンオフ時間が長くなってしまい、ＭＯＳＦＥＴ１２の過電流による熱破壊が起こりやすくなるといった課題があった。
【特許文献１】特開２００１−２９８９８１号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段及びその効果】
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、モータドライバ回路におけるスピードアップ回路の故障によるスイッチング素子の過電流による熱破壊を防止することができるモータドライバ回路を提供することを目的としている。
【０００９】
上記目的を達成するために本発明に係るモータドライバ回路（１）は、モータに駆動電流を流すためのスイッチング素子と、該スイッチング素子のスイッチングを制御するプリドライバ回路の出力端子と前記スイッチング素子のスイッチング端子との間に接続され、前記スイッチング素子のスイッチング電圧の減衰を加速させるためのスピードアップ回路とを備えたモータドライバ回路において、前記スピードアップ回路の故障を検出するための故障検知手段を備えていることを特徴としている。
【００１０】
上記モータドライバ回路（１）によれば、モータに駆動電流を流すためのスイッチング素子（例えば、ＭＯＳＦＥＴ）のスイッチング電圧の減衰を加速させるためのスピードアップ回路の故障を検出するための故障検知手段を備えているため、前記スピードアップ回路の故障が検知され、スイッチング素子の過電流による熱破壊を防止することができる。
【００１１】
また、本発明に係るモータドライバ回路（２）は、上記モータドライバ回路（１）において、前記スピードアップ回路が、第１の抵抗と、第２の抵抗と、ダイオードとを含んで構成され、前記第１の抵抗と並列に接続されている前記ダイオードのカソード端子がプリドライバ回路の出力端子と接続され、前記ダイオードのアノード端子が前記第２の抵抗を介して前記スイッチング素子のスイッチング端子と接続されていることを特徴としている。
【００１２】
上記モータドライバ回路（２）によれば、前記スピードアップ回路が、第１の抵抗と、第２の抵抗と、ダイオードとを含んで構成され、前記第１の抵抗と並列に接続されている前記ダイオードのカソード端子がプリドライバ回路の出力端子と接続され、前記ダイオードのアノード端子が前記第２の抵抗を介して前記スイッチング素子のスイッチング端子と接続されているため、前記プリドライバ回路の出力電圧が増加する場合、瞬時電流が前記第１の抵抗と前記第２の抵抗とを介して、前記プリドライバ回路から前記スイッチング端子へ流れ、該スイッチング端子を充電し、前記プリドライバ回路の出力電圧が降下する場合、瞬時電流が前記第２の抵抗と前記ダイオードとを介して、前記スイッチング素子のスイッチング端子から前記プリドライバ回路へ流れて前記スイッチング素子のスイッチング端子を放電させるため、前記スイッチング素子のスイッチング電圧の減衰を加速させることができる。
【００１３】
また、本発明に係るモータドライバ回路（３）は、上記モータドライバ回路（２）において、前記故障検知手段が、前記第１の抵抗の両端の電圧レベルを比較し、前記第２の抵抗と接続する端の電圧レベルが前記プリドライバ回路の出力端子と接続する端の電圧レベルより低い場合、ローレベルの信号を出力し、前記第２の抵抗と接続する端の電圧レベルが前記プリドライバ回路の出力端子と接続する端の電圧レベルより所定値以上高い場合、ハイレベルの信号を出力するものであることを特徴としている。
【００１４】
上記モータドライバ回路（３）によれば、前記故障検知手段が、前記第１の抵抗の両端の電圧レベルを比較し、前記第２の抵抗と接続する端の電圧レベルが前記プリドライバ回路の出力端子と接続する端の電圧レベルより低い場合、ローレベルの信号を出力し、前記第２の抵抗と接続する端の電圧レベルが前記プリドライバ回路の出力端子と接続する端の電圧レベルより所定値以上高い場合、ハイレベルの信号を出力するため、前記第１の抵抗と並列に接続されているダイオードがオープン故障になった場合、前記スイッチング素子のスイッチング端子から前記プリドライバ回路へ流れる電流が前記ダイオードの代わりに前記第１の抵抗を通って流れるため、前記第２の抵抗と接続する端子の電圧レベルが前記プリドライバ回路の出力端子と接続する端子の電圧レベルより所定値以上高くなり、故障を示すハイレベルの信号が出力される。
【００１５】
また、本発明に係るモータドライバ回路（４）は、上記モータドライバ回路（１）〜（３）のいずれかにおいて、前記故障検知手段の出力端子がモータ制御パネルへ接続されていることを特徴としている。
上記モータドライバ回路（４）によれば、前記故障検知手段の出力端子がモータ制御パネルへ接続されているため、ハイレベルの信号が出力される場合、前記モータ制御パネルにスピードアップ回路の故障発生を表示させることができる。
【００１６】
また、本発明に係るモータドライバ回路（５）は、上記モータドライバ回路（１）〜（４）のいずれかにおいて、前記故障検知手段により前記スピードアップ回路の故障が検出された場合、故障報知信号を出力するための故障報知手段を更に備えていることを特徴としている。
【００１７】
上記モータドライバ回路（５）によれば、前記故障検知手段により前記スピードアップ回路の故障が検出された場合、故障報知信号を出力するための故障報知手段を更に備えているため、前記故障報知手段により前記スピードアップ回路の故障を報知することができる。
【００１８】
また、本発明に係るモータドライバ回路（６）は、上記モータドライバ回路（１）〜（５）のいずれかにおいて、前記故障検知手段により前記スピードアップ回路のオープン故障が検出された場合、該スピードアップ回路に接続されている前記スイッチング素子のスイッチング電圧の減衰を加速させる機能を復帰させるための復帰回路を更に備えていることを特徴としている。
【００１９】
上記モータドライバ回路（６）によれば、前記故障検知手段により前記スピードアップ回路のオープン故障が検出された場合、前記スイッチング素子のスイッチング電圧の減衰を加速させる機能を復帰させるための復帰回路を更に備えているため、該復帰回路によりスイッチング素子のスイッチング電圧の減衰を加速させる機能が自動的に回復されることにより、前記スイッチング素子の過電流による熱破壊を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係るモータドライバ回路の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るモータドライバ回路の要部を示した回路図である。図中２０はモータドライバ回路を示しており、モータドライバ回路２０はモータ２１（例えば、ＥＰＳ（Electro Power Steering）や電子スロットル用のモータ）と、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ２２と、スピードアップ回路２３と、プリドライバ回路２４と、ＤＣ電源２５と、コンパレータ２６と、報知回路２７とを含んで構成されている。
【００２１】
モータ２１のコイル２１ａの一端がＤＣ電源（例えば、４５Ｖ）２５に接続され、他端がＭＯＳＦＥＴ２２のドレインＤに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ２２は、ドレインＤにモータ２１のコイル２１ａが接続され、ゲートＧにスピードアップ回路２３が接続され、ソースＳは接地されている。
【００２２】
スピードアップ回路２３は、抵抗Ｒａ（例えば、３０Ω）、抵抗Ｒｂ（例えば、１０Ω）、及びダイオードＤ１より構成されており、抵抗Ｒｂと並列に接続されているダイオードＤ１のカソードｓ端子がプリドライバ回路２４の出力端子と接続され、アノードａが抵抗Ｒａを介してＭＯＳＦＥＴ２２のゲートＧに接続されている。
【００２３】
コンパレータ２６は、非反転入力端子がダイオードＤ１のアノードａと接続され、反転入力端子がダイオードＤ１のカソードｓと接続され、出力端子がモータ制御パネル（図示せず）へ接続されている。報知回路２７は、抵抗Ｒｃ（例えば５０Ω）と発光ダイオードＤ２より構成されており、発光ダイオードＤ２の一端子が抵抗Ｒｃを介してコンパレータ２６の出力端子と接続され、他端子が接地されている。
【００２４】
プリドライバ回路２４は図２（ａ）に示すスイッチング電圧を出力し、スピードアップ回路２３を介して、ＭＯＳＦＥＴ２２のゲートＧに電圧を印加する。ＭＯＳＦＥＴ２２のゲートＧに一定値以上の正電圧（例えば、４Ｖ）が印加されると、ドレインＤとソースＳとの間に正電流が流れ、モータ２１のコイル２１ａに電流が流れるようになる。プリドライバ回路２４の出力電圧が増加する場合、瞬時電流が抵抗Ｒｂと抵抗Ｒａを介して、プリドライバ回路２４からＭＯＳＦＥＴ２２のゲートＧへ流れ、該ゲートＧを充電し、プリドライバ回路２４の出力電圧が降下する場合、瞬時電流が抵抗ＲａとダイオードＤ１を介して、ＭＯＳＦＥＴ２２のゲートＧからプリドライバ回路２４へ流れるようになっている。
【００２５】
図２（ａ）、（ｂ）に示したように、プリドライバ回路２４の出力電圧Ｖｐが０から最大値Ｖｐｍ（例えば、１５Ｖ）まで増加する時に、ＭＯＳＦＥＴ２２のゲート電圧Ｖｇが時間Ｔａ遅れて最大値Ｖｇｍ（１５Ｖ）まで増加し、他方、プリドライバ回路２４の出力電圧ＶｐがＶｐｍから０まで降下する際、ＭＯＳＦＥＴ２２のゲート電圧Ｖｇが時間Ｔｂ遅れて０まで降下する。時間Ｔａは抵抗Ｒａの値と抵抗Ｒｂの値との和に比例し（即ち、Ｔａ＝（Ｒａ＋Ｒｂ）×Ｃ（ＭＯＳＦＥＴ２２のキャパシタ）、時間Ｔｂは抵抗Ｒａの値に比例する（即ち、Ｔｂ＝Ｒａ×Ｃ（ＭＯＳＦＥＴ２２のキャパシタ））ため、時間Ｔｂは時間Ｔａより小さく、ゲート電圧Ｖｇの減衰速度が増加速度より速くなっている。
【００２６】
また、図２（ｃ）に示したように、ＭＯＳＦＥＴ２２のゲート電圧Ｖｇが増加してしきい値Ｖｔｈ（例えば、４Ｖ）を超えたら、ＭＯＳＦＥＴ２２のドレインＤからソースＳへ流れる電流Ｉｄが最大値Ｉｄｍ（例えば、４０Ａ）へ向かって増加し、他方、ゲート電圧Ｖｇが降下してしきい値Ｖｔｈより低下したら、ＭＯＳＦＥＴ２２のドレインＤからソースＳへ流れる電流Ｉｄが０へ減少するようになっている。上記したように、時間Ｔｂは時間Ｔａより小さいため、ＭＯＳＦＥＴ２２のドレインＤからソースＳへ流れる電流のターンオフ時間が、スピードアップ回路２３の働きにより短縮されている。
【００２７】
また、ダイオードＤ１のアノードａの端子電圧がコンパレータ２６の非反転入力端子に入力され、ダイオードＤ１のカソードｓの端子電圧がコンパレータ２６の反転入力端子に入力されるため、前記アノード端子電圧の値が前記カソード端子電圧の値より低い場合、コンパレータ２６がローレベル電圧（例えば、０Ｖ）を出力し、他方、前記アノード端子電圧の値が前記カソード端子電圧の値より所定値（例えば、３Ｖ）以上高い場合、コンパレータ２６がハイレベルの電圧（例えば、５Ｖ）を出力するようになっている。したがって、正常状態において、電流がプリドライバ回路２４からＭＯＳＦＥＴ２２のゲートＧへ流れる場合、前記アノードａの端子電圧の値が前記カソードｓの端子電圧より低いので、コンパレータ２６がローレベル電圧を出力し、また、電流がＭＯＳＦＥＴ２２のゲートＧからプリドライバ回路２４へ流れる場合、ダイオードＤ１に電流が流れるため、前記アノードａの端子電圧の値が前記カソードｓの端子電圧の値とほぼ同じになり、コンパレータ２６がローレベル電圧（例えば、０Ｖ）を出力する。しかしながら、ダイオードＤ１がオープン故障になった場合、ＭＯＳＦＥＴ２２のゲートＧからプリドライバ回路２４へ流れる電流が抵抗Ｒｂを通って流れるため、前記アノードａの端子電圧の値が前記カソードｓの端子電圧の値より高くなり、コンパレータ２６がハイレベル電圧を出力する。
【００２８】
コンパレータ２６がハイレベル電圧を出力すると、抵抗Ｒｃを介してコンパレータ２６の出力端子と接続されている発光ダイオードＤ２に電流が流れるため、発光ダイオードＤ２が点灯し、故障の発生を報知する。
【００２９】
一方、コンパレータ２６の出力端子がモータ制御パネルへ接続されているので、コンパレータ２６がハイレベル電圧を出力すると、前記モータ制御パネルを介して、スピードアップ回路２３における故障発生の報知信号を出力することができる。
上記第１の実施の形態に係るモータドライバ回路２０によれば、モータを駆動するＭＯＳＦＥＴ２２の電圧の減衰を加速させるスピードアップ回路２３における半導体素子のオープン故障を検出し報知することができるため、前記半導体素子のオープン故障により引き起こされるＭＯＳＦＥＴ２２の過電流による熱破壊を防止することができる。
【００３０】
図３は、本発明の第２の実施の形態に係るモータドライバ回路の要部を示した簡易回路図である。図中３０はモータドライバ回路を示しており、モータドライバ回路３０はモータ３１と、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ３２と、スピードアップ回路３３と、プリドライバ回路３４と、ＤＣ電源３５と、コンパレータ３６と、報知回路３７と、復帰回路３８とを含んで構成されている。
【００３１】
モータ３１のコイル３１ａの一端がＤＣ電源（例えば、４５Ｖ）３５に接続され、他端がＭＯＳＦＥＴ３２のドレインＤに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ３２は、ドレインＤにモータ３１のコイル３１ａが接続され、ゲートＧにスピードアップ回路３３が接続され、ソースＳが接地されている。
【００３２】
スピードアップ回路３３は、抵抗Ｒａ（例えば、３０Ω）、抵抗Ｒｂ（例えば、１０Ω）、及びＮＰＮトランジスタＴｒ１より構成されており、抵抗Ｒｂの一端子とＮＰＮトランジスタＴｒ１のエミッタｅとがプリドライバ回路３４の出力端子と接続され、抵抗Ｒｂの他端子と、トランジスタＴｒ１のコレクタｃと、トランジスタＴｒ１のベースｂとが抵抗Ｒａを介してＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧに接続されている。
【００３３】
コンパレータ３６は、非反転入力端子がトランジスタＴｒ１のコレクタｃと接続され、反転入力端子がトランジスタＴｒ１のエミッタｅと接続され、出力端子がモータ制御パネル（図示せず）へ接続されている。報知回路３７は、抵抗Ｒｃ（例えば５０Ω）とブザー３７ａより構成されており、ブザー３７ａの電源入力端子が抵抗Ｒｃを介してコンパレータ３６の出力端子と接続されている。
【００３４】
復帰回路３８は、ＮＰＮトランジスタＴｒ２と、抵抗Ｒｄ（例えば、３０Ω）とから構成されており、トランジスタＴｒ２のベースｂが抵抗Ｒｄを介してコンパレータ３６の出力端子と接続され、トランジスタＴｒ２のコレクタｃがトランジスタＴｒ１のコレクタｃと接続され、トランジスタＴｒ２のエミッタｅがトランジスタＴｒ１のエミッタｅと接続されている。
【００３５】
プリドライバ回路３４は図４（ａ）に示すスイッチング電圧を出力し、スピードアップ回路３３を介して、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧに電圧を印加する。ＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧに一定値以上の正電圧（例えば、４Ｖ）が印加されると、ドレインＤとソースＳとの間に正電流が流れるため、モータ３１のコイル３１ａに電流が流れるようになっている。プリドライバ回路３４の出力電圧が増加する場合、瞬時電流が抵抗Ｒｂと抵抗Ｒａを介して、プリドライバ回路３４からＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧへ流れ、該ゲートＧを充電し、プリドライバ回路３４の出力電圧が降下する場合、瞬時電流が抵抗ＲａとトランジスタＴｒ１を介して、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧからプリドライバ回路３４へ流れ、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧを放電させるようになっている。
【００３６】
図４（ａ）、（ｂ）に示したように、プリドライバ回路３４の出力電圧Ｖｐが０から最大値Ｖｐｍ（１５Ｖ）まで増加する際、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲート電圧Ｖｇが時間Ｔａ遅れて最大値Ｖｇｍ（１５Ｖ）まで増加し、他方、プリドライバ回路３４の出力電圧ＶｐがＶｐｍから０まで降下する際、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲート電圧Ｖｇが時間Ｔｂ遅れて０まで降下するようになっている。時間Ｔａは抵抗Ｒａの値と抵抗Ｒｂの値との和に比例し（即ち、Ｔａ＝（Ｒａ＋Ｒｂ）×Ｃ（ＭＯＳＦＥＴ３２のキャパシタ）、時間Ｔｂは抵抗Ｒａの値に比例する（即ち、Ｔｂ＝Ｒａ×Ｃ（ＭＯＳＦＥＴ３２のキャパシタ））ため、時間Ｔｂは時間Ｔａより小さく、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲート電圧Ｖｇの減衰速度が増加速度より速くなっている。
【００３７】
また、図４（ｂ）、（ｃ）に示したように、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲート電圧Ｖｇが増加してしきい値Ｖｔｈ（例えば、４Ｖ）を超えたら、ＭＯＳＦＥＴ３２のドレインＤからソースＳへ流れる電流Ｉｄが最大値Ｉｄｍ（例えば、４０Ａ）へ向かって増加し、他方、ゲート電圧Ｖｇが降下してしきい値Ｖｔｈより低下したら、ＭＯＳＦＥＴ３２のドレインＤからソースＳへ流れる電流Ｉｄが０へ減少する。上記したように、時間Ｔｂは時間Ｔａより小さいため、ＭＯＳＦＥＴ３２のドレインＤからソースＳへ流れる電流のターンオフ時間が、スピードアップ回路３３の働きにより短縮されている。
【００３８】
また、トランジスタＴｒ１のコレクタｃの端子電圧がコンパレータ３６の非反転入力端子に入力され、トランジスタＴｒ１のエミッタｅの端子電圧がコンパレータ３６の反転入力端子に入力され、前記コレクタｃの端子電圧の値が前記エミッタｅの端子電圧の値より低い場合、コンパレータ３６がローレベル電圧（例えば、０Ｖ）を出力し、他方、前記コレクタ（ｃ）端子電圧の値が前記エミッタｅの端子電圧の値より所定値（例えば、３Ｖ）以上高い場合、コンパレータ３６がハイレベルの電圧（例えば、５Ｖ）を出力する。したがって、正常状態において、電流がプリドライバ回路３４からＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧへ流れる場合、前記コレクタｃの端子電圧の値が前記エミッタｅの端子電圧の値より低いので、コンパレータ３６がローレベル電圧を出力し、また、電流がＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧからプリドライバ回路３４へ流れる場合、トランジスタＴｒ１に電流が流れ、前記コレクタｃの端子電圧の値が前記エミッタｅの端子電圧の値とほぼ同じになり、コンパレータ３６がローレベル電圧（例えば、０Ｖ）を出力する。しかしながら、トランジスタＴｒ１がオープン故障になった場合、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧからプリドライバ回路３４へ流れる電流が抵抗Ｒｂを通って流れるため、前記コレクタｃの端子電圧の値が前記エミッタｅの端子電圧の値より高くなり、コンパレータ３６がハイレベルの電圧を出力する。
【００３９】
コンパレータ３６がハイレベル電圧を出力すると、抵抗Ｒｃを介してコンパレータ３６の出力端子と接続されているブザー３７ａに電源が供給され、ブザー３７ａが鳴り、故障の発生を報知する。
また、コンパレータ３６の出力端子はモータ制御パネルへ接続されているので、コンパレータ３６がハイレベルの電圧を出力すると、前記モータ制御パネルを介して、スピードアップ回路３３における故障発生の報知信号を出力することができる。
【００４０】
また、コンパレータ３６がハイレベルの電圧を出力すると、抵抗Ｒｄを介してコンパレータ３６の出力端子と接続されたトランジスタＴｒ２のベースｂに電圧が印加されるため、ＭＯＳＦＥＴ３２のゲートＧからプリドライバ回路３４へ流れる電流は、トランジスタＴｒ１の代わりにトランジスタＴｒ２を通って流れるようになる。したがって、トランジスタＴｒ１がオープン故障になった場合、トランジスタＴｒ２の働きにより、ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧の減衰を加速させる機能が回復されるようになっている。
【００４１】
上記第２の実施の形態に係るモータドライバ回路３０によれば、モータを駆動するＭＯＳＦＥＴ３２の電圧の減衰を加速させるスピードアップ回路３３における半導体素子の故障を検出し報知することができるだけではなく、前記故障が発生した場合、復帰回路３８によりＭＯＳＦＥＴ３２のゲート電圧Ｖｇの減衰を加速させる機能が回復されるため、前記半導体素子の故障により引き起こされるＭＯＳＦＥＴ３２の過電流による熱破壊を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るモータドライバ回路の要部を示した回路図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）第１の実施の形態に係るモータドライバ回路における一部の電圧、電流の出力波形を示す図である。
【図３】第２の実施の形態に係るモータドライバ回路の要部を示した回路図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）第２の実施の形態に係るモータドライバ回路における一部の電圧、電流の出力波形を示す図である。
【図５】従来のモータドライバ回路の要部を示した回路図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）従来のモータドライバ回路における一部の電圧、電流の出力波形を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  従来のモータドライバ回路
１１、２１、３１        モータ
１１ａ、２１ａ、３１ａ  モータコイル
１２、２２、３２        ＭＯＳＦＥＴ
１３、２３、３３        スピードアップ回路
Ｄ１                    ダイオード
Ｔｒ１、Ｔｒ２          トランジスタ  
１４、２４、３４        プリドライバ回路
１５、２５、３５        ＤＣ電源
２６、３６              コンパレータ
２７、３７              報知回路
Ｄ２                    発光ダイオード
３７ａ                  ブザー
３８                    復帰回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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