(57)【要約】【課題】  レジスト剥離性を維持し、洗浄液に含まれる薬液の使用量を適正化することが可能な基板洗浄装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る基板洗浄装置は、基板を洗浄するための比重の異なる第１の薬液と第２の薬液との混合液を貯留し、この混合液の第１の液面高さおよび温度が一定に保たれ、混合液に基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽１と、内槽１に設けられ、混合液中の第１の圧力を検出するための第１の圧力センサ１３と、内槽１からオーバフローした混合液を受けるとともに第２の薬液が必要に応じて注入され、貯留された混合液の温度が内槽１内の温度と同じに保たれた外槽２と、外槽２に設けられ、外槽２に貯留された混合液中の第２の圧力を検出する第２の圧力センサ１４と、内槽１と外槽２との間を配管し、混合液を外槽２から内槽１に循環するポンプ６が設けられた循環配管７と、を備える。【選択図】  図２
2007042912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を洗浄するための比重の異なる第１の薬液と第２の薬液との混合液を貯留し、この混合液の液面高さ一定に保たれるとともに温度が所定温度に保たれ、前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽と、
前記内槽に設けられ、前記混合液中の第１の圧力を検出するための第１の圧力センサと、
前記内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに前記第２の薬液が必要に応じて注入され、貯留された前記混合液の温度が前記内槽内の前記温度と同じに保たれた外槽と、
前記外槽に設けられ、前記外槽に貯留された前記混合液中の第２の圧力を検出する第２の圧力センサと、
前記内槽と前記外槽との間を配管し、前記混合液を前記外槽から前記内槽に循環するポンプが設けられた循環配管と、
を備え、
前記内槽内の前記混合液の第１の液面高さと、前記第１の圧力センサにより検出された第１の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第２の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の前記第２の液面高さを算出し、
算出された前記第２の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第２の液面高さが前記外槽内の基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第２の薬液を前記外槽に注入し、
前記第２の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記第１の薬液は、硫酸であり、
前記第２の薬液は、過酸化水素水であることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
基板を洗浄するための比重の異なる第１の薬液と第２の薬液との混合液の温度を所定温度に保つとともに、
液面高さが一定に貯留された前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽に、この内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに必要に応じて前記第２の薬液が注入される外槽から、前記混合液を循環させ、
前記内槽内の前記混合液の第１の液面高さと、前記内槽に設けられた前記第１の圧力センサにより検出した第１の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第２の圧力センサにより検出された第２の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の第２の液面高さを算出し、
算出された前記第２の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第２の液面高さが前記基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第２の薬液を前記外槽に注入し、
前記第２の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする基板洗浄法。
【請求項４】
第１の基板を前記内槽に投入し、前記混合液の温度を一定に保つとともに前記外槽から前記内槽に前記混合液を循環させて洗浄処理し、前記第１の基板を前記内槽から搬出した後、
前記内槽内の前記混合液の前記第１の液面高さと、前記内槽に設けられた前記第１の圧力センサにより検出した第１の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
前記比重と前記第２の圧力センサにより検出された第２の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の第２の液面高さを算出し、
算出された前記第２の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第２の液面高さが前記外槽内の基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第２の薬液を前記外槽に注入し、
前記第２の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に第２の基板を投入して洗浄処理することを特徴とする請求項３に記載の基板洗浄方法。
【請求項５】
前記第１の薬液は、硫酸であり、
前記第２の薬液は、過酸化水素水であることを特徴とする請求項３または４に記載の基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、特に半導体ウェーハを洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ基板上のレジストの剥離（洗浄処理）は、通常、半導体ウェーハを半導体洗浄装置の剥離槽内の薬液（剥離液）に浸漬して行われる。この従来の半導体洗浄装置には、薬液中に浸漬した状態で半導体ウェーハを洗浄処理する内槽と、この内槽に半導体ウェーハを浸漬した時にこの内槽からオーバフローする薬液を受ける外槽と、この外槽内の薬液量として液面を検出する液面センサと、この液面センサにより薬液の液面が制御された状態下で薬液をフィルタで濾過しながら上記内槽へ循環させる循環ポンプと、を備えるものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ここで、２つの比重の異なる薬液を用いた従来の洗浄技術、例えば、SPMレジスト剥離プロセスでは、まず一定比率の硫酸、過酸化水素の混合液（ＳＰＭ洗浄液）を作成する。通常、この剥離液であるＳＰＭ洗浄液は、レジストの剥離性向上のため100℃以上の高温で保たれるが、過酸化水素水は高温で分解し易く、時間とともに酸化力を維持できなくなる。この対策として、半導体ウェーハを投入する前に、または、一定間隔で、所定量の過酸化水素水が外槽に注入され、ＳＰＭ洗浄液の酸化力が保たれる。
【０００４】
一方、過酸化水素水の外槽への注入を続けると、注入量の方がウェーハ搬出による処理槽外への流出量よりも多い場合、ロットを処理する毎に外槽の液面高さが高くなる。外槽の上部には、通常、上昇した薬液を排液するためにオーバフロー管が設けられており、このオーバフロー管を通って混合液が外部へ排液されることとなる。ここで、過酸化水素水は、硫酸よりも比重が軽いため液面上部へ移動し易い。したがって、外槽の液面高さがオーバフロー管から排液される高さまで上昇した場合、過酸化水素水が外槽に注入されると、比較的過酸化水素水の割合が高い混合液が、循環ラインに回らずオーバフロー管から排液されることとなる。
【０００５】
この場合、注入された過酸化水素水が硫酸と効率よく混合していないため、ペルオキソ硫酸（Ｈ２ＳＯ５＋）の発生量が少なくなってレジスト剥離性が悪化し、または、過酸化水素水の使用量が増加するというデメリットがある。このデメリットを回避するためには、過酸化水素水に偏らないように混合液を排液して、外槽における液面高さを制御する必要がある。
【０００６】
ここで、液面高さを測定する従来の液面センサとして、耐薬品性も考慮し、例えば、N2等の気体を使用した圧力センサが使用されている。しかし、既述のSPMレジスト剥離プロセスでは、過酸化水素水を外槽に一定間隔で注入するため、処理槽内のＳＰＭ洗浄液の比重が変化する。この場合、圧力センサが検出した圧力は、液面高さが変動するとともに混合割合によりＳＰＭ洗浄液の比重も変化するため、液面高さとＳＰＭ洗浄液の比重の両方のパラメータにより左右される。
【０００７】
したがって、当該圧力センサ単体では、変化するＳＰＭ洗浄液の比重を把握できないため、正確に液面高さを測定することができない。例えば、圧力センサで設定された比重と実際に注入された薬液の比重との違いによる液面高さの誤検出（設定された比重よりも、薬液の比重が小さい場合は、液面高さが所定位置より低く検出される）が発生する。
【０００８】
これにより、半導体洗浄装置の外槽の液面高さを制御することが困難になり、薬液の必要なレジスト剥離性を維持、および過酸化水素水の使用量の適正化を図れないという問題があった。
【特許文献１】特開平６−１３２２７０号公報（第３−５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、外槽内の洗浄液の液面高さをより正確に制御し、洗浄液の必要なレジスト剥離性を維持するとともに、洗浄液に含まれる薬液の使用量を適正化することが可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係る基板洗浄装置は、基板を洗浄するための比重の異なる第１の薬液と第２の薬液との混合液を貯留し、この混合液の液面高さ一定に保たれるとともに温度が所定温度に保たれ、前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽と、
前記内槽に設けられ、前記混合液中の第１の圧力を検出するための第１の圧力センサと、
前記内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに前記第２の薬液が必要に応じて注入され、貯留された前記混合液の温度が前記内槽内の前記温度と同じに保たれた外槽と、
前記外槽に設けられ、前記外槽に貯留された前記混合液中の第２の圧力を検出する第２の圧力センサと、
前記内槽と前記外槽との間を配管し、前記混合液を前記外槽から前記内槽に循環するポンプが設けられた循環配管と、を備え、
前記内槽内の前記混合液の第１の液面高さと、前記第１の圧力センサにより検出された第１の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第２の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の前記第２の液面高さを算出し、
算出された前記第２の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第２の液面高さが前記外槽内の基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第２の薬液を前記外槽に注入し、
前記第２の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする。
【００１１】
本発明の一態様に係る基板洗浄方法は、基板を洗浄するための比重の異なる第１の薬液と第２の薬液との混合液の温度を所定温度に保つとともに、
液面高さが一定に貯留された前記混合液に前記基板を浸漬することにより洗浄処理するための内槽に、この内槽からオーバフローした前記混合液を受けるとともに必要に応じて前記第２の薬液が注入される外槽から、前記混合液を循環させ、
前記内槽内の前記混合液の第１の液面高さと、前記内槽に設けられた前記第１の圧力センサにより検出した第１の圧力と、に基づいて前記混合液の比重を算出し、
算出された前記比重と前記第２の圧力センサにより検出された第２の圧力とに基づいて、前記外槽内の前記混合液の第２の液面高さを算出し、
算出された前記第２の液面高さと、前記外槽内の基準位置とを比較し、
算出された前記第２の液面高さが前記基準位置よりも高い場合には、前記外槽内の前記混合液を排出し、
前記混合液を排出した後、前記第２の薬液を前記外槽に注入し、
前記第２の薬液を前記外槽に注入した後、前記内槽に前記基板を投入して洗浄処理することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る基板洗浄装置および基板洗浄方法によれば、外槽内の洗浄液の液面高さをより正確に制御し、この洗浄液を構成する２つの比重の異なる薬液を効率よく混合し、洗浄液のレジスト剥離性を効率的に引き出すとともに、添加した薬液が外槽からオーバフローするのを抑制して薬液の使用量を適正化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の一態様に係る基板洗浄装置は、２つの比重の異なる薬液を混合して使用し、一方の薬液を適宜添加することにより比重が変化する場合に、洗浄槽の内槽及び外槽を圧力センサで検知し、２つのセンサ値の関係より薬液比重及び外槽の液面高さを算出し、補充する薬液が効率よく混合できるように適宜排液して、外槽の液面を最適な液面高さに制御する。これにより、外槽に追加で注入される薬液のオーバフローを抑制し、当該薬液の使用量を適正化するものである。
【００１４】
なお、以下の各実施例においては、洗浄液として硫酸と過酸化水素水の混合液であるＳＰＭ洗浄液を選択した場合について説明するが、他の２つの比重の異なる薬液の混合液からなる洗浄液についても同様に適用することができるのは勿論である。
【００１５】
以下、本発明を適用した各実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の実施例１に係る半導体洗浄装置（基板洗浄装置）の要部の構成を示す図である。また、図２は、図１の洗浄槽の要部構成を示す図である。
【００１７】
図１に示すように、半導体洗浄装置１００は、半導体ウェーハ（基板）を洗浄処理（例えば、レジスト剥離）するための洗浄液を貯留する内槽１および外槽２を有する洗浄槽３と、外槽２に配管され薬液を注入するための薬液注入配管４と、この薬液注入配管４に設けられ、薬液の注入量を制御するための第１のバルブ５と、内槽１と外槽２との間を配管し、洗浄液を外槽２から内槽１に循環するポンプ６が設けられた循環配管７と、この循環配管７に設けられ、洗浄液を所定の温度に加熱するためのヒータ８と、循環配管７に設けられ、洗浄液に含まれたパーティクル等を除去するためのフィルタ９と、循環配管７に接続され、洗浄液を外部に排液するための排液配管１０と、この排液配管１０との接続部分よりも循環配管７の下流側に設けられた第２のバルブ１１と、排液配管１０に設けられ、第２のバルブ１１とともに開閉して洗浄液を排液配管１０から排液する量を制御するための第３のバルブ１２と、を備えている。
【００１８】
内槽１は、半導体ウェーハを洗浄処理するための比重の異なる第１の薬液である硫酸（比重1.8）と第２の薬液である過酸化水素水(比重1.1)との混合液（ＳＰＭ洗浄液）を貯留する。また内槽１は、半導体ウェーハを浸漬できるように、所定の容量を有し、循環配管７を循環したＳＰＭ洗浄液が吐出口１ａから注入される。
【００１９】
そして、貯留されたＳＰＭ洗浄液は、内槽１からオーバフローし、外槽２の液面高さが一定になったところで、循環ポンプが動作し、薬液循環を開始するようになっている。これにより、ＳＰＭ洗浄液の内槽１内における第１の液面高さは、一定に保たれている。さらに、ＳＰＭ洗浄液の温度は、所定温度に保たれるようにヒータ８を制御することにより管理されている。半導体ウェーハの洗浄処理は、ＳＰＭ洗浄液に半導体ウェーハを浸漬することにより実施される。
【００２０】
外槽２は、所定の容量を有し、既述のように内槽１からオーバフローしたＳＰＭ洗浄液を受けるとともに、上述のＳＰＭ洗浄液の反応により消費された過酸化水素水を補うため、過酸化水素水が必要に応じて注入される。また、薬液は、外槽２から循環して内槽１へ入るようになっているため、内槽１と外槽２の温度は同じに保たれるように管理されている。
【００２１】
図２に示すように、洗浄槽３は、内槽１と、この内槽１に設けられ、ＳＰＭ洗浄液中の第１の圧力を検出するための第１の圧力センサ１３と、外槽２と、この外槽２に設けられ、外槽２に貯留されたＳＰＭ洗浄液中の第２の圧力を検出する第２の圧力センサ１４と、外槽２の側壁に設けられ、外槽２からオーバフローするＳＰＭ洗浄液を排出するためのオーバフロー管１５と、を有する。
【００２２】
第１の圧力センサ１３および第２の圧力センサ１４は、例えば、先端が開口した例えばN2等の気体を注入可能なチューブを有する。このチューブの先端をSPM洗浄液中に挿入するとともにチューブの他端側からN２を注入し、チューブ内におけるN2の圧力を測定することにより、間接的にN2とSPM洗浄液との界面が位置するＳＰＭ洗浄液中の圧力を測定することができる。
【００２３】
なお第１の圧力センサ１３および第２の圧力センサの測定値（圧力）は、例えば、半導体洗浄装置１００に設けられたコンピュータ（図示せず）に入力され、当該コンピュータは、この測定値に基づいてＳＰＭ洗浄液の比重、液面位置等を算出するとともに、この算出結果と所定の値とを比較し外槽２内のＳＰＭ洗浄液を排液するか否かを判断する。
【００２４】
ここで、以上のような構成を有する半導体洗浄装置による基板洗浄方法（半導体洗浄方法）について説明する。図３に、本実施例に係る半導体洗浄方法のフローチャートを示す。
【００２５】
図３に示すように、先ず、半導体ウェーハを洗浄するためのＳＰＭ洗浄液の温度を所定の温度に管理して一定に保つとともに、外槽から内槽にＳＰＭ洗浄液を循環させる（ステップＳ１）。すなわち、半導体洗浄装置内のＳＰＭ洗浄液の温度を均一にし、混合液を攪拌して効率よくペルオキソ硫酸を生成するものである。これにより、ＳＰＭ洗浄液は十分攪拌され、温度が均一に保たれているので、内槽および外槽におけるＳＰＭ洗浄液の比重は同じであると考えられる。
【００２６】
次に、半導体洗浄装置に設けられたコンピュータにより、内槽内のＳＰＭ洗浄液の第１の液面高さと、液面高さが一定である内槽の第１の圧力センサにより検出した第１の圧力と、に基づいてＳＰＭ洗浄液の比重を算出する（ステップＳ２）。
【００２７】
ここで、測定位置における圧力は、薬液の比重と当該薬液の測定位置から液面までの高さの積と比例の関係が成立する。既述のように内槽は液面高さが一定であるため、圧力センサの値と比重値とは比例の関係が成立する。あらかじめ相関関係を求めておくことで、第１の圧力センサの測定位置における第１の圧力を測定することにより、相関直線により比重値が求められる。
【００２８】
次に、上記コンピュータは、算出された比重と第２の圧力センサにより検出された第２の圧力とに基づいて、外槽内のＳＰＭ洗浄液の第２の液面高さを算出する（ステップＳ３）。  既述のように、内槽における比重と外槽における比重とは同一であるとの推察に基づいて、ステップＳ２で算出された比重と第２の圧力センサによりＳＰＭ洗浄液中の所定位置の第２の圧力を測定することにより、当該所定位置から液面までの距離、すなわち、液面の高さを算出することができる。
【００２９】
次に、上記コンピュータは、算出された第２の液面高さと、外槽内の基準位置とを比較する。算出された第２の液面高さが外槽の基準位置よりも低い場合には、当該コンピュータにより過酸化水素水を注入しても外槽においてオーバフローは発生しないと判断され、半導体洗浄装置は、外槽に所定量の過酸化水素水を注入する（ステップＳ４）。ここで、この基準位置は、所定量を注入してもオーバフローが発生しないＳＰＭ洗浄液が貯留された状態の液面位置が選択される。
【００３０】
一方、算出された第２の液面高さが外槽内の基準位置よりも高い場合には、半導体洗浄装置は、外槽内のＳＰＭ洗浄液を排出し（ステップＳ５）、ＳＰＭ洗浄液を排出した後、ステップＳ４に移って第２の薬液を外槽に注入する。
【００３１】
ステップＳ４で過酸化水素水を外槽に注入した後、半導体洗浄装置は、内槽に処理すべき半導体ウェーハを投入して洗浄処理する（ステップＳ６）。すなわち、この洗浄処理により、レジストが当該半導体ウェーハから剥離される。
【００３２】
以上のように、本実施例に係る半導体洗浄装置および半導体洗浄方法によれば、外槽内のＳＰＭ洗浄液の液面高さをより正確に制御し、比重の異なる硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合し、これらの混合液であるＳＰＭ洗浄液の酸化力を効率的に引き出すことができるため、ＳＰＭ洗浄液の必要なレジスト剥離性を維持するとともに、過酸化水素水の含有率が高いＳＰＭ洗浄液が外槽からオーバフローするのを抑制して過酸化水素水の使用量を適正化することができる。
【実施例２】
【００３３】
実施例１では、混合液を循環させて温度、比重を均一にしてから第１の圧力センサで比重を測定する構成について述べたが、本実施例では、特に、内槽に半導体ウェーハを投入して洗浄液を循環して洗浄処理し、混合液の温度、比重が均一になった状態で、第１の圧力センサで当該混合液の比重を測定する構成について述べる。
【００３４】
図４は、本実施例に係る半導体洗浄方法のフローチャートを示す。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様のステップを示す。また、本実施例２に係る半導体洗浄方法は、実施例１と同様の半導体洗浄装置で実施される。
【００３５】
図４に示すように、先ず、第１の半導体ウェーハ（第１のロット）をＳＰＭ洗浄液が貯留された内槽に投入し、ＳＰＭ洗浄液の温度を一定に保つとともに外槽から内槽にＳＰＭ洗浄液を循環させて洗浄処理し、第１の半導体ウェーハを内槽から搬出する（ステップＳ１ａ）。ここで、第１の半導体ウェーハの洗浄処理後の半導体洗浄装置内のＳＰＭ洗浄液は、温度が均一に管理され、十分攪拌された状態である。したがって、内槽および外槽におけるＳＰＭ洗浄液の比重は同じであると考えられる。
【００３６】
このステップＳ１ａの後、実施例１と同様に、内槽内のＳＰＭ洗浄液の第１の液面高さと、液面高さが一定である内槽の第１の圧力センサにより検出した第１の圧力と、に基づいてＳＰＭ洗浄液の比重を算出する（ステップＳ２）。
【００３７】
次に、算出された比重と第２の圧力センサにより検出された第２の圧力とに基づいて、外槽内のＳＰＭ洗浄液の第２の液面高さを算出する（ステップＳ３）。
【００３８】
次に、算出された第２の液面高さと、外槽内の基準位置とを比較する。算出された第２の液面高さが外槽の基準位置よりも低い場合には、過酸化水素水を注入しても外槽においてオーバフローは発生しないと判断され、外槽に所定量の過酸化水素水を注入する（ステップＳ４）。
【００３９】
一方、算出された第２の液面高さが外槽内の基準位置よりも高い場合には、外槽内のＳＰＭ洗浄液を排出し（ステップＳ５）、ＳＰＭ洗浄液を排出した後、ステップＳ４に移って第２の薬液を外槽に注入する。
【００４０】
ステップＳ４で過酸化水素水を外槽に注入した後、内槽に次に処理すべき第２の半導体ウェーハ（第２のロット）を投入して洗浄処理する（ステップＳ６ａ）。
【００４１】
以上のように、本実施例に係る半導体洗浄方法によれば、内槽に半導体ウェーハを投入して洗浄液を循環して洗浄処理し、混合液の温度、比重が均一になった状態で、第１の圧力センサで当該混合液の比重を測定し、外槽内のＳＰＭ洗浄液の第２の液面高さをより正確に制御することができるため、連続して半導体ウェーハ（ロット）を処理することができる。
【００４２】
なお、上記各実施例においては、外槽には、所定量の過酸化水素水を注入するとして説明したが、第１の圧力センサにより得られた比重から硫酸と過酸化水素水との混合割合を算出し、この算出結果に基づいて、注入すべき過酸化水素水の量を決定するようにしてもよいのは勿論である。
【００４３】
また、上記各実施例においては、過酸化水素水を追加注入することにより硫酸と過酸化水素水の混合割合が変化し、この混合液（ＳＰＭ洗浄液）の比重が変化する場合について説明したが、同様に、例えば、薬液の水分の蒸発等により比重が変化する場合であっても、第１の圧力センサにより洗浄槽に貯留されている当該薬液の比重を測定することができるので、この測定された比重に基づいて、第２の圧力センサにより外槽の液面高さをより正確に測定することができるのは勿論である。
【００４４】
また、上述のように上記各実施例においては、比重が既知ではない単一の薬液についても外槽の液面高さをより正確に測定、すなわち内槽、外槽、および循環配管に貯留されている薬液の総量をより正確に測定することができる。これにより、例えば、所定量薬液が注入された場合に、従来技術で生じ得る、圧力センサで設定された比重と実際に注入された薬液の比重との違いによる液面高さの誤検出（設定された比重よりも、薬液の比重が小さい場合は、液面高さが所定位置より低く検出される）は抑制され、内槽、外槽、および循環配管に貯留されている当該薬液の総量をより正確に測定することができる。従って、当該誤検出で所定量薬液が注入されていないと判断され、半導体洗浄装置が装置エラーとして停止するのを防止することができるのは勿論である。
【００４５】
また、上記各実施例においては、洗浄される基板として、半導体ウェーハを選択した場合について説明したが、他の導電性、絶縁性の基板等について適用してもよいのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る半導体洗浄装置の要部の構成を示す図である。
【図２】図１の洗浄槽の要部の構成を示す図である。
【図３】本発明の一態様である実施例１に係る半導体洗浄方法のフローチャートである。
【図４】本発明の一態様である実施例２に係る半導体洗浄方法のフローチャートである。
【符号の説明】
【００４７】
１  内槽
２  外槽
３  洗浄槽
４  薬液注入配管
５  第１のバルブ
６  ポンプ
７  循環配管
８  ヒータ
９  フィルタ
１０  排液配管
１１  第２のバルブ
１２  第３のバルブ
１３  第１の圧力センサ
１４  第２の圧力センサ
１５  オーバフロー管
１００  半導体洗浄装置
【図１】
2007042912.tif 000003
【図２】
2007042912.tif 000004
【図３】
2007042912.tif 000005
【図４】
2007042912.tif 000006