(57)【要約】【課題】形状精度が良好な結晶粒を規則的に配列させることにより、精度良好な高いキャリア移動度を示す結晶領域を形成することが可能な半導体薄膜の結晶化方法を提供する。【解決手段】半導体薄膜３に対してレーザ光Ｌｈ（エネルギービーム）を所定速度で走査させながら連続照射することにより、半導体薄膜３をレーザ光Ｌｈの走査にともなって結晶化させる半導体薄膜３の結晶化方法において、レーザ光Ｌｈの照射径ｒ以下のピッチｐを保ってレーザ光Ｌｈを平行に走査させることで、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙと異なる方向に帯状の結晶粒ｂを成長させる。【選択図】図１
2007281421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体薄膜に対してエネルギービームを所定速度で走査させながら連続照射することにより、当該半導体薄膜を結晶化させる半導体薄膜の結晶化方法において、
前記エネルギービームの照射径以下のピッチを保って当該エネルギービームを平行に走査させることで、当該エネルギービームの走査方向と異なる方向に帯状の結晶粒を成長させる
ことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体薄膜の結晶化方法において、
前記エネルギービームを平行に走査させる際のピッチを、当該エネルギービームの照射半径以下とする
ことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体薄膜の結晶化方法において、
前記エネルギービームを同一方向に走査させる
ことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体薄膜の結晶化方法において、
前記ピッチを一定にして前記エネルギービームを平行に走査させる
ことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体薄膜の結晶化方法において、
前記エネルギービームの連続照射により前記半導体薄膜を完全溶融させる
ことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体薄膜の結晶化方法において、
前記エネルギービームをスポットビームとして用いる
ことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体薄膜の結晶化方法において、
前記エネルギービームは、半導体レーザ発振器から発振されるレーザ光である
ことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギービームの照射によって半導体薄膜を結晶化させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機電界発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置のようなフラット型の表示装置においては、複数画素のアクティブマトリックス表示を行うためのスイッチング素子として、薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）を用いている。薄膜トランジスタには、多結晶シリコン（poly-Si）を活性領域に用いたＴＦＴ（多結晶シリコンＴＦＴ）と、非晶質シリコン（アモルファスＳｉ）を活性領域に用いたＴＦＴ（非晶質シリコンＴＦＴ）とがある。
【０００３】
このうち、多結晶シリコンＴＦＴは、非晶質シリコンＴＦＴと比較してキャリアの移動度が１０倍から１００倍程度大きく、オン電流の劣化も小さいという特徴がある。このため、多結晶シリコンＴＦＴは、上記表示装置のスイッチング素子として非常に優れた特性を有しているだけではなく、各種論理回路（例えば、ドミノ論理回路、ＣＭＯＳトランスミッションゲート回路）やこれらを用いたマルチプレクサ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＣＤ、ＲＡＭを構成するスイッチング素子としても注目されている。
【０００４】
このような多結晶シリコンＴＦＴの製造技術として、おおむね６００℃以下の低温プロセスのみを用いる、いわゆる低温ポリシリコンプロセスが開発され、基板の低コスト化が実現されている。低温ポリシリコンプロセスにおいては、発振時間が極短時間のパルスレーザーを用いて非晶質シリコン膜の結晶化を行うパルスレーザー結晶化技術が広く使われている。パルスレーザー結晶化技術とは、基板上のシリコン薄膜に高出力のパルスレーザー光を照射することによって瞬時に溶融させ、これが凝固する過程で結晶化する性質を利用する技術である。
【０００５】
例えば、エキシマレーザを用いた低温ポリシリコンプロセスにおいては、ライン状に整形されたレーザ光を、わずかずつ移動させて大部分を重複させながら非晶質シリコン膜に対してパルス照射し、同一箇所に１０〜２０回のレーザ光照射を行う。これにより、活性領域の全面において結晶粒径が均一化された多結晶が得られるようにしている。また、ＳＬＳ（Sequential Lasteral solidification）方式の結晶化により結晶粒の位置の制御を行う方法が提案されている。例えば、位相シフトマスクを介してエキシマレーザ光の位相を空間的に変調することで、照射するレーザ光にエネルギー密度勾配をもたせ、これによって結晶粒の位置の制御を行う方法も提案されている（下記非特許文献１参照）。
【０００６】
さらに、以上のようなライン状のレーザ光を用いた方法以外にも、Ａｒガスなどのスポットビームレーザを用いて、爆発的結晶化させることにより、比較的小さな粒径の結晶を配列させる方法も提案されている。
【０００７】
【非特許文献１】「表面科学２１」、2000年、vol.１、No.５、p.278-287
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、上述したフラットパネル型の表示装置においては、さらなる動画特性やコントラスト特性の向上を目的としてハイフレームレートの液晶ディスプレイの開発が進められ、また有機ＥＬディスプレイ等の自発光型のディスプレイなどの新しい表示装置の開発も進められている。これにともない、このような表示装置に対応可能なスイッチング素子として、急激に大きな電流を流しても特性劣化が無く、また各スイッチング素子の特性バラツキが小さいＴＦＴの開発が求められている。
【０００９】
ところが、上述した従来の低温ポリシリコンプロセスによって得られた多結晶シリコンＴＦＴは、比較的大きな電流を流しやすい特性であってキャリアの移動度も大きく特性劣化も小さいことが非常に有利である反面、非晶質シリコンＴＦＴと比較して素子間の特性、特に初期の閾値電圧やオン電流のばらつきが大きい。そして、このような多結晶シリコンＴＦＴにおける素子間の特性ばらつきは、多結晶シリコンＴＦＴをスイッチング素子とした表示装置においての輝度ムラの発生要因となる。
【００１０】
ここで、以上のような多結晶シリコンＴＦＴにおける素子間の特性ばらつきは、多結晶シリコンＴＦＴのチャネル部において、チャネル方向（電子が流れる方向）に存在する結晶粒界の数のばらつきに依存する。このため、結晶粒界の数が少ない範囲では、結晶粒界のわずかな数の違いでも大きなＴＦＴ素子のバラつきを生む。一方、結晶粒界の数が増えていくにつれて、チャネル部の結晶粒界数が多少異なってもＴＦＴ素子のバラつきは小さく抑えられる。したがって、多結晶シリコンＴＦＴにおける特性ばらつきを小さく抑えるためには、形状の揃った比較的小さなサイズの結晶を規則的に配置した多結晶シリコン膜を形成することが重要となる。
【００１１】
しかしながら、上述したパルスレーザー結晶化技術に広く使われているエキシマレーザは、ガスレーザーであるためパルス間のエネルギー安定性が低い。このため、上述したように同一箇所に１０〜２０回のレーザ光照射を行うことで、結晶粒径が均一化された多結晶が得られるようにしているものの、得られる結晶粒径の均一性は不十分である。さらにエキシマレーザは装置単価が高く、レーザーチューブ（発振器）の交換によるランニングコストも高い。さらに、上述したように数十回程度の繰り返し照射が必要なため、スループットも低いので、製品の製造コストを下げられないという問題を抱えている。
【００１２】
また、結晶粒径の均一化が不十分であるという問題は、上記特許文献１に記載の位相シフトマスクを用いた方法であっても同様である。しかも、このような方法であれば、位相シフトマスクの作製にも高いコストを要し、基板の大型化が困難という問題も加わる。
【００１３】
さらに、Ａｒガスなどのスポットビームレーザを用いた爆発的結晶化方法は、固相転移による再結晶化法であるため、形成された結晶の質が悪く、充分なキャリア移動度を得ることができない。
【００１４】
そこで本発明は、形状精度が良好な結晶粒を規則的に配列させることにより、精度良好な高いキャリア移動度を示す結晶領域を形成することが可能な半導体薄膜の結晶化方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このような目的を達成するための本発明は、半導体薄膜に対してエネルギービームを所定速度で走査させながら連続照射することにより、当該半導体薄膜を結晶化させる半導体薄膜の結晶化方法である。この際、エネルギービームの照射径以下のピッチを保って当該エネルギービームを平行に走査させることで、当該エネルギービームの走査方向と異なる方向に帯状の結晶粒を成長させることを特徴としている。
【００１６】
このような半導体薄膜の結晶化方法では、先のエネルギービームの走査によって形成された結晶粒の結晶性を引き継ぐように、隣接する走査位置において結晶粒の結晶成長が進められ、当該エネルギービームの走査方向と異なる方向に帯状の結晶粒が延設される。このような帯状の結晶粒の幅は、エネルギービームの走査速度や照射エネルギー等の照射条件によって良好に制御される。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように本発明の半導体薄膜の結晶化方法によれば、形状精度が良好な帯状の結晶粒が規則的に配列されることにより、高いキャリア移動度が高精度に制御された多結晶性領域を半導体薄膜に形成することが可能である。したがって、このようにして得られた多結晶性領域を用いることにより、特性ばらつきが効果的に抑えられた画素スイッチング素子に適する薄膜トランジスタを得ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、以下の実施形態においては、半導体薄膜の結晶化方法、この結晶化方法を用いた薄膜半導体装置の製造方法をこの順に説明する。
【００１９】
＜半導体薄膜の結晶化方法＞
先ず、図１（１）に示すように、薄膜半導体装置を形成する基板１を用意する。この基板１としては、シリコン基板をはじめ、非晶質基板のガラスやプラスチック基板などの低融点基板、石英、サファイア基板、さらにはアルミニウムやステンレス等の金属基板等を用いる。尚、この基板１の一主面上には、ここでの図示は省略した、酸化膜や窒化膜など絶縁膜を基板１への熱伝導を防止するためのバッファー層として設けても良く、また各種金属膜などを設けても良い。
【００２０】
次に、この基板１上に、非晶質の半導体薄膜３を形成する。ここでは、一例としてＰＥ−ＣＶＤ（plasma enhancement-chemical vapor deposition）法による非晶質シリコンからなる半導体薄膜３の形成を行う。このようにして得られた半導体薄膜３は、多量の水素が含有された、いわゆる水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる。また、ここで形成する半導体薄膜３の膜厚は、例えば膜厚２０ｎｍ〜１００ｎｍであることとする。
【００２１】
尚、半導体薄膜３の形成は、成膜温度を低く抑えられる方法であれば上述したＰＥ−ＣＶＤ法に限定されることはなく、塗布法によって行っても良い。この場合、ポリシラン化合物を溶媒に混ぜた混合物を、基板１上に塗布成膜し、その後、乾燥、アニールを施すことにより半導体薄膜３を形成する。そして、先のＰＥ−ＣＶＤ法や、ここで示した塗布法などの成膜温度が低く抑えられた成膜方法では、いずれの場合にも成膜条件により多少の変動はあるが、０．５atoms％〜１５atoms％程度の水素を含有した水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる半導体薄膜３が得られる。
【００２２】
その後、必要に応じて半導体薄膜３中の過剰水素イオンを脱離させるための、いわゆる水素抜きアニール処理を行う。このような水素抜きアニール処理としては、例えば４００℃から６００℃の炉アニールを行う。ただし、次に行う結晶化のためのアニール処理が、半導体薄膜３中において水素イオンをガス化膨張させることなくレーザ光の照射部から余剰水素を除去するように、照射エネルギーを調整して行われる場合には、水素抜きアニール処理を省略しても良い。
【００２３】
以上の後、半導体薄膜３に設定した活性領域に、エネルギービームとしてレーザ光Ｌｈを照射する結晶化工程を行う。
【００２４】
レーザ光Ｌｈとしては、例えば、Ｇａ-Ｎレーザ(波長４０５ｎｍ）、Ｋｒレーザ（波長４１３ｎｍ）、Ａｒレーザ（波長４８８ｎｍ、５１４．５ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（波長１．０６μｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ（波長１．０５μｍ）の第２高調波（５２４ｎｍ）や第３高調波（３４９ｎｍ）、あるいはＹｂ：ＹＡＧレーザ（波長１．０３μｍ）の第２高調波（５１５ｎｍ）や第３高調波（３４４ｎｍ）等を用いることができる。この他にも、Ｔｉ：Ｓａｐｐｈｉｒｅレーザの基本波（７９２ｎｍ）または第２高調波（３９６ｎｍ）を用いてもよい。
【００２５】
ここでは、半導体薄膜３に対して所定の速度で一定の走査方向ｙにレーザ光Ｌｈを走査させながら照射する。そして特に、レーザ光Ｌｈの照射によって半導体薄膜３がその深さ方向において完全溶融されるように、半導体薄膜３の膜厚に合わせてレーザ光Ｌｈの照射条件を設定することが好ましい。
【００２６】
このため、半導体薄膜３に照射するレーザ光Ｌｈの波長は、半導体薄膜３の膜厚とその吸収係数に基づき、半導体薄膜３の表面層のみで吸収されずに深さ方向全域にわたって吸収される程度に、比較的吸収係数が小さくなる波長が選択される。すなわち、厚さ５０ｎｍの非晶質シリコンからなる半導体薄膜３を例にとると、波長３５０ｎｍ〜４７０ｎｍのレーザ光が好ましく用いられる。このような波長のレーザ光Ｌｈの発振源としては、例えばＧａＮ系の化合物半導体レーザ発振器、さらにはＹＡＧレーザ発振器が対応する。
【００２７】
以上のようなレーザ光Ｌｈの波長以外の照射条件として、レーザ光Ｌｈを照射する対物レンズの開口数（ＮＡ）、レーザ光Ｌｈの走査速度や照射エネルギー等を調整することによっても、半導体薄膜３を深さ方向において完全溶融させた結晶化が行われるようにすることができる。そして、非晶質の半導体薄膜３に一定強度以上のレーザ光Ｌｈを照射することにより半導体薄膜３を完全に溶融させるのである。
【００２８】
またこの結晶化工程においては、以上のように選択された波長のレーザ光Ｌｈを、ビームプロファイルがガウシアン形状のスポットビームとして用いることが好ましい。
【００２９】
以上のようなレーザ光Ｌｈの走査により、半導体薄膜３が完全溶融した走査路においては、レーザ光Ｌｈの通過にともなって凝固が進み、レーザ光Ｌｈの走査中心φに沿って結晶粒Ｂが配列形成される。この際、レーザ光Ｌｈのビームプロファイルをガウシアン形状とすることで、レーザ光Ｌｈの照射部分の温度は、レーザ光Ｌｈのビームプロファイル（Beam Profile）のガウシアン形状に対応し、レーザ光Ｌｈの走査中心φで最も高く、両端で最も低くなる。そのため、レーザ光Ｌｈを走査方向ｙに走査しながら照射することにより、半導体薄膜３が完全溶融した走査路において、走査中心φと離れた遠い位置（レーザ光の走査路の両側端）から結晶凝固が開始され、走査路の両側端に一定数の結晶の種が発生する。そして、さらにレーザ光Ｌｈの走査を進めることにより、走査中心φ側に向かって走査方向ｙに凝固が進められ、結晶の種Ｂが走査方向ｙに向かって走査中心φ側に引っ張られる状態で凝固が進み、走査中心φが最後に結晶化される。この際、走査中心φにおいて凝固が会合するように、上述した照射条件の範囲でさらにレーザ光Ｌｈの走査速度および出力を調整しても良い。これにより、走査中心φから走査路の両側に向かって末広がりに広がる半三日月状、つまり三日月を線対称となる線で２分割した形状の結晶粒Ｂが得られる。
【００３０】
またこの場合、上述したレーザ光Ｌｈの照射条件により、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙにおける結晶粒Ｂの幅Ｗ１が調整される。このため、上述した、レーザ光Ｌｈの照射条件、すなわち、レーザ光Ｌｈの波長、レーザ光Ｌｈを照射する対物レンズの開口数（ＮＡ）、レーザ光Ｌｈの走査速度や照射エネルギー等は、レーザ光Ｌｈの照射によって半導体薄膜３がその深さ方向において完全溶融される範囲で、かつ結晶粒Ｂの幅Ｗ１が所定値となるように設定されることが重要である。
【００３１】
次に、図１（２）に示すように、先に照射されたレーザ光Ｌｈの走査路に対して、所定のピッチｐで走査路をずらし２回目のレーザ光Ｌｈの走査を行う。この際、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙは、１回目の走査と平行な一定方向であることとする。そして、平行に走査されるレーザ光Ｌｈのピッチｐ（走査路のずらし幅）は、レーザ光Ｌｈの直径(走査方向ｙに対して垂直な方向の照射径）ｒ以下であることとする。これにより、隣接するレーザ光Ｌｈの走査位置に形成された結晶粒Ｂの結晶性を引き継ぐように、２回目のレーザ光Ｌｈの走査での凝固を進め、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙと異なる方向（走査方向ｙに対して略垂直となる方向）に結晶粒Ｂを成長させる。
【００３２】
またこの際、平行に走査されるレーザ光Ｌｈのピッチｐはレーザ光Ｌｈの照射半径（ｒ／２）以下とすることが好ましい。これにより、結晶粒Ｂの成長方向を一定方向に制御することが容易になる。これは、先に述べたように、ガウシアン形状のレーザ光Ｌｈを走査させた場合には、走査路の両端から走査中心φ側に向かって走査方向ｙに凝固が進められるため、走査中心φに対して線対称な形状の結晶粒Ｂが形成される。このため、レーザ光Ｌｈのピッチｐを、レーザ光Ｌｈの照射半径（ｒ／２）以下とすることにより、走査路の一端側から走査中心φ側に向かって走査方向ｙに凝固が進められた結晶粒Ｂ部分のみを残して結晶化が進められる。このため、結晶粒Ｂの成長方向を一定方向に制御することが容易になるのである。例えば、幅Ｗ１＝数１００ｎｍの結晶粒Ｂを、その幅Ｗ１を保って成長させる場合には、照射径ｒ＝２００ｎｍ〜５００ｎｍのスポット形状のレーザ光Ｌｈを、照射半径（ｒ／２）以下の狭いピッチｐで走査路をずらして走査させる。
【００３３】
以降、図１（３）に示すように、所定のピッチｐで走査路をずらしながら、それぞれのずらした位置において３回目以降のレーザ光Ｌｈの走査を順次行う。これにより、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙと異なる方向への結晶粒Ｂの成長をさらに進め、走査方向ｙに対して略垂直となる方向に帯状に延設された結晶粒ｂを形成する。この際、各位置においてのレーザ光Ｌｈの走査を、１回目の走査と同様の照射条件で行うことにより、帯状の結晶粒ｂの走査方向ｙの幅Ｗ１が一定に保たれる。そして、このような帯状の結晶粒ｂが、走査方向ｙに配列されることで、幅Ｗ１で周期的に結晶粒界ａが設けられた結晶領域が形成される。
【００３４】
ここで、帯状の結晶粒ｂの幅Ｗ１（すなわち結晶粒界ａのピッチ）は、次に説明する薄膜半導体装置のチャネル部に設けられる結晶粒界aの本数を規定する重要なファクターになる。つまり、以降に詳しく説明するように、薄膜半導体装置のチャネル部に設けられる結晶粒界aの本数（周期数）は、キャリア移動度を保てる範囲でトランジスタ特性のバラツキを均一化できる程度に多く設定されることが好まし。またさらにここでは、プロセスのタクトタイムを損なわない範囲でより多くの本数の結晶粒界aがチャネル部に設けられるように、薄膜半導体装置の設計に合わせて結晶粒ｂの幅Ｗ１＝数１００ｎｍに設定されていることとする。
【００３５】
具体的には、後の実施例でも説明するように、チャネル部には、チャネル幅方向に延設された結晶粒界ａが５０本程度設けられるように、チャネル長に合わせて帯状の結晶粒ｂの幅Ｗ１が設定されることが好ましい。
【００３６】
また、上述した結晶化工程においては、レーザ光Ｌｈの照射によって形成される結晶粒界aの特性を一定化させることが極めて重要である。結晶粒界aの特性を一定化する要因としては、各照射位置においてのレーザの照射エネルギー密度が一定であること、走査速度が一定であること、レーザ光Ｌｈのピッチｐが一定であること、半導体薄膜３の膜厚が均一であること等が求められる。
【００３７】
さらに、レーザ光Ｌｈの照射エネルギー密度を一定とするために、少なくとも活性領域に対してレーザ光Ｌｈを照射している間においては、レーザ光Ｌｈが連続発振された状態となっていることが望ましい。ここで、連続発振とは、半導体薄膜３の温度が低下しない範囲の休止（例えば５０ｎｓ以下の休止）がある場合も含むこととする。また、レーザ光Ｌｈの照射エネルギー密度を一定として上述の照射を行うためには、エネルギーのフィードバック機能やフォーカスサーボ機能を備えたレーザ光の照射装置を用いることが望ましい。エネルギーのフィードバック機能やフォーカスサーボ機能は光ディスク等のカッティングマシーン等で使われる公知の技術で構築されることが可能である。
【００３８】
また、半導体薄膜３に対するレーザ光Ｌｈの照射は、レーザ照射の走査速度が一定になる領域で設定する。
【００３９】
そして、半導体薄膜３に対するレーザ光Ｌｈの照射位置の移動は相対的でよく、固定されたレーザ光の照射位置に対して半導体薄膜が形成された基板側を移動させても良いし、固定された基板に対してレーザ光の照射位置を移動させても良い。また、基板１とレーザ光の照射位置との両方を移動させても良い。
【００４０】
さらに、上述した結晶化工程におけるレーザ光Ｌｈの平行な走査は、１つのレーザ発振器を用いて順次行っても良いし、複数のレーザ発振器を用いて行っても良い。また、表示装置を駆動するための薄膜トランジスタの作製を考えた場合、複数の活性領域に対して同時に行われることが好ましい。つまり、基板１の表面側に設定配列された複数の活性領域に対してレーザ光Ｌａを同時に多点照射することにより、複数の活性領域に対して結晶化工程を同時に行えることが、生産性を考慮した場合には好ましい方法である。
【００４１】
このようなレーザ光Ｌｈの多点照射を実現するためには、レーザ光の発振源として半導体レーザ発振器が好適に用いられる。半導体レーザ発振器は、エキシマレーザやＹＡＧレーザなどの他のレーザ発振器と比較して非常に小型であるため、１つの装置内に複数配置が可能であり、かつ連続照射で定格２００ｍＷの出力が可能である。
【００４２】
半導体レーザ発振器を用いることにより、大面積化に対応して半導体レーザの個数を増やすことで基板サイズに対して柔軟に装置設計が対応することが可能となる。このため、大型基板上に同じ性能のトランジスタを多数並べた構造を得ることができ、研究レベルで報告があるようなマスクを用いて粒界を制御する方法に比べて大面積で均一な特性のトランジスタを形成することに有利である。
【００４３】
また、以上の結晶化工程は、不活性ガス雰囲気中に限らず、大気雰囲気中において行われても良い。大気雰囲気中で行うことにより、装置全体の大型化が防止される。
【００４４】
以上説明した結晶化方法によれば、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙと異なる略垂直な方向に延設された帯状の結晶粒ｂが、走査方向ｙに規則的に配列された多結晶化が行われる。そして、各結晶粒ｂの走査方向ｙにおける幅Ｗ１は、レーザ光Ｌｈの波長、走査速度、照射エネルギー等の照射条件によって良好に制御することができる。しかも、結晶粒ｂは、レーザ光Ｌｈの照射によって半導体薄膜３を完全溶融させ、液相成長によって再結晶化させて得られた結晶粒であるため、結晶の質も良好である。
【００４５】
したがって、形状精度が良好な帯状の結晶粒が規則的に配列されることにより、帯状を横切る方向に高いキャリア移動度が高精度に制御された多結晶性領域を半導体薄膜に形成することが可能である。
【００４６】
＜薄膜半導体装置の製造方法＞
次に、以上のような結晶化方法に続けて行われる薄膜半導体装置の製造方法を説明する。ここでは、同一の基板１上に複数の薄膜トランジスタＴＦＴを設けてなる半導体装置の製造方法を説明する。尚、図面においては、主に1つの薄膜トランジスタ形成部分のみを図示する。
【００４７】
先ず、図２（１）に示すように、基板１上の半導体薄膜３に設定した各活性領域３ａの全面を、上述した結晶化方法によって選択的に結晶化する。そして、それぞれの活性領域３ａ内に、活性領域３ａを横切る状態で帯状の結晶粒ｂを形成する。これにより、活性領域３ａを横切る状態で、幅Ｗ１（＝数１００ｎｍ）で周期的に配列された結晶粒界ａを配列させる。この際、帯状の結晶粒ｂの長さは、薄膜トランジスタの規格に合わせて数μｍ〜数１００μｍ程度とする。
【００４８】
次に、図２（２）に示すように、結晶化させた活性領域３ａを残すような所定形状に半導体薄膜３をパターンエッチングし、各活性領域３ａを所定形状の島状に分割して素子分離する。この場合、図示したように、活性領域３ａの周囲に結晶化させていない半導体薄膜３部分が残らない様に、半導体薄膜３をパターンエッチングしても良い。また、活性領域３ａの周囲に結晶化させていない半導体薄膜３部分が残る様に、半導体薄膜３をパターンエッチングしても良い。この場合、島状にパターニングされた領域内の結晶化された領域の全てが活性領域となり、その周囲に残された非結晶の領域は分離領域となる。尚、このような半導体薄膜３のパターンエッチングは、上述した結晶化工程の前に行っても良い。この場合、活性領域３ａの予定となる領域を含む島状にパターニングされた各半導体薄膜３に対して、上述した結晶化工程が施されることになる。
【００４９】
次に、パターニングされた活性領域３ａを覆う状態で基板１の上部にゲート絶縁膜(図示省略）を形成する。このゲート絶縁膜は、酸化シリコンや窒化シリコンからなるもので良く、通常のＰＥ−ＣＶＤによる公知の方法で成膜可能であり、この他にも塗布型の絶縁層として公知のＳＯＧ等の成膜を行っても良い。尚、このゲート絶縁膜の形成は、半導体薄膜３をパターンエッチングする前に行っても良い。
【００５０】
次に、図３に示すように、島状に分割した各活性領域３ａの中央部を横切る形状のゲート電極５を、ゲート絶縁膜上に形成する。ここでは、結晶粒界ａの延設方向(帯状の結晶粒ｂの延設方向）に沿って、ゲート電極５を形成することが重要である。図３におけるＡ部の拡大図を図４に示す。
【００５１】
これらの図に示すように、ゲート電極５は、活性領域３ａにおいて所定の幅Ｗに設計された部分を横切るように設けられており、ゲート電極５が横切る部分の活性領域３ａの幅がチャネル幅Ｗとなる。つまり、結晶粒界ａは、ゲート電極５下方のチャネル部Ｃを、チャネル幅Ｗの方向に横切る状態で設けられることになる。
【００５２】
また、ゲート電極５の線幅（すなわちチャネル長Ｌに対応する）は、ここで形成する薄膜トランジスタの規格に基づいて設計されており、その下方に所定本数の結晶粒界ａがチャネル部Ｃをチャネル幅Ｗ方向に横切るように配置されるよう設定されていることとする。そして、同一特性の薄膜トランジスタであれば、チャネル部Ｃには、略同一本数の結晶粒界ａが設けられていることが重要である。ここで略同一本数とは、所定本数に対して±１本の範囲であることが好ましい。
【００５３】
チャネル部Ｃに設けられる結晶粒界ａの数は、所定本数に対する実際の本数の割合のバラツキが小さいほど、薄膜トランジスタの特性バラツキを均一化できる。このため、チャネル部Ｃに設けられる結晶粒界ａの本数は２本以上で多いほうが良い。具体的には、後の実施例でも説明するように、チャネル部Ｃには、チャネル幅Ｗ方向に延設された結晶粒界ａが２５本程度設けられるように、チャネル長Ｌに合わせて結晶粒ｂの幅Ｗ１（すなわち結晶粒界のピッチ）が設定されることが好ましい。ただし、チャネル部Ｃにおいてチャネル長Ｌ方向を横切る結晶粒界ａが多いほど、チャネル長Ｌ方向におけるキャリア移動度が低くなるため、キャリア移動度がある程度高く保たれる範囲で結晶粒界ａの本数が多いほど良い。
【００５４】
また以上のように、各活性領域３ａに設けられた結晶粒界ａに対して所定状態としてゲート電極５を形成することが重要である。このため、先の結晶化工程においては、図５に示すように、ゲート電極５の配線方向に合わせてそれぞれの活性領域３ａにおけるレーザ光Ｌｈの走査方向を設定し、帯状の結晶粒ｂとその結晶粒界ａの延設方向をゲート電極５の配線方向に一致させることとする。
【００５５】
以上のゲート電極５を形成する際には、先ず、スパッタ法または蒸着法により、例えばアルミニウムからなる電極材料層を成膜し、次にリソグラフィー法によってこの電極材料層上にレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをマスクに用いて電極材料層をエッチングすることにより、ゲート電極５をパターン形成する。
【００５６】
尚、ゲート電極５の形成は、このような手順に限定されることはなく、例えば金属微粒子を塗布して印刷する手法であっても良い。また、ゲート電極５を形成する際の電極材料層のエッチングにおいては、続けてゲート絶縁膜をエッチングしても良い。
【００５７】
次に、図６の断面図に示すように、ゲート電極５をマスクに用いたイオンインプランテーションとその後のアニール処理により、活性領域３ａに自己整合的に不純物が導入されたソース・ドレイン７を形成する。尚、図６は、図３におけるＸ−Ｘ’方向の断面に対応している。
【００５８】
これにより、ゲート電極５の下方には結晶化された活性領域３ａにおいて不純物が導入されない部分からなるチャネル部Ｃが形成される。これらのソース・ドレイン７およびゲート電極５の下方のチャネル部Ｃは、半導体薄膜３を結晶化させた多結晶シリコンで構成されるため、以上によって多結晶シリコン薄膜を用いたトップゲート型の薄膜トランジスタＴＦＴ（すなわち多結晶シリコンＴＦＴ）が同一基板１上に複数設けられた薄膜半導体装置１０が得られる。
【００５９】
そして、このような薄膜トランジスタＴＦＴをスイッチング素子として用いた表示装置として、例えば液晶表示装置を作製する場合には、さらに以下の工程を行う。
【００６０】
先ず、図７（１）に示すように、薄膜半導体装置１０の基板１上に、薄膜トランジスタＴＦＴを覆う状態で層間絶縁膜２１を形成する。次に、この層間絶縁膜２１に薄膜トランジスタＴＦＴのソース・ドレイン７に達する接続孔２１ａを形成する。そして、この接続孔２１ａを介してソース・ドレイン７に接続された配線２３を、層間絶縁膜２１上に形成する。
【００６１】
次いで、配線２３を覆う状態で平坦化絶縁膜２５を形成し、配線２３に達する接続孔２５ａを平坦化絶縁膜２５に形成する。次に、この接続孔２５ａと配線２３を介してソース・ドレイン７に接続された画素電極２７を、平坦化絶縁膜２５上に形成する。この画素電極２７は、液晶表示装置の表示タイプによって透明電極または反射電極として形成する。尚、図面は１画素の要部断面となっている。
【００６２】
その後、ここでの図示は省略したが、画素電極２７を覆う配向膜を平坦化絶縁膜上に形成し、駆動基板２９を完成させる。
【００６３】
一方、図７（２）に示すように、駆動基板２９に対向配置させる対向基板３１を用意する。この対向基板３１は、透明基板３３上に共通電極３５を設け、さらにここでの図示を省略した配向膜で共通電極３５を覆ってなる。尚、共通電極３５は透明電極からなることとする。
【００６４】
そして、駆動基板２９と対向基板３１とを、画素電極２７と共通電極３５とを向かい合わせた状態で、スペーサ３７を介して対向配置する。そして、スペーサ３７によって所定間隔に保たれた基板２９，３１間に液晶相ＬＣを充填封止し、液晶表示装置４１を完成させる。
【００６５】
尚、上記構成の駆動基板２９を用いて有機ＥＬ表示装置を作製する場合には、駆動基板２９に設けられた画素電極を陽極（または陰極）とし、この画素電極上に正孔注入層、発光層、電子輸送層などの必要機能を有する有機層を積層させ、さらに有機層上に共通電極を陰極（または陽極）として形成することとする。
【００６６】
以上説明した本実施形態の結晶化方法を用いて得られた薄膜半導体装置１０は、図３および図４を参照すると、ゲート電極５に沿って延設された結晶粒界ａが、チャネル部Ｃを横切るとともにチャネル長Ｌ方向に周期的に配置された構成とすることで、チャネル部Ｃを通過するキャリアは、必ず所定の幅Ｗ１で配置された結晶粒界ａを横切って移動することになる。このため、この幅（すなわち帯状の結晶粒ｂの幅Ｗ１）を制御することにより、薄膜半導体装置１における薄膜トランジスタＴＦＴのトランジスタ特性（キャリア移動度）を精度良好に制御することが可能になる。つまり、帯状の結晶粒ｂの幅Ｗ１やチャネル部Ｃに配置される帯状の結晶粒ｂの数（すなわち結晶粒界ａの数）を一致させることで、複数の素子においてのキャリア移動度のバラツキが抑えられる。
【００６７】
しかも、結晶粒界ａ−ａ間の結晶状態は、同一の結晶粒ｂで構成されている。このため、非晶質の領域を含まず素子特性の劣化が抑えられると共に、チャネル長Ｌ方向のキャリア移動度が高く維持される。
【００６８】
したがって、このような薄膜半導体装置に形成された各薄膜トランジスタＴＦＴを画素のスイッチング素子として用いて表示装置を構成することにより、表示部での輝度ムラや色ムラを防止することが可能になる。
【００６９】
尚、上述した実施形態においては、本発明の多結晶化方法を適用して薄膜トランジスタを備えた薄膜半導体装置を作製する方法を説明した。しかしながら、本発明の多結晶化方法は薄膜トランジスタの製造方法への適用に限定されることはなく、他の電子素子の製造方法にも適用可能である。どの場合であっても、結晶粒界ａを横切る方向に電流を流すように設定することにより、特性精度の良好な電子素子を得ることができる。
【００７０】
さらに、以上の実施形態で例示した材料、原料、プロセス、および数値などはあくまでも一例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる材料、原料、プロセス、および数値を用いても良い。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明の実施例を図１に基づいて説明する。
【００７２】
＜実施例１＞
先ず、石英ガラス基板上に、プラズマＣＶＤ法によって膜厚１２０ｎｍの酸化シリコン膜を成膜してこれを基板１とした。この基板１上に、プラズマＣＶＤ法によって膜厚５０ｎｍの非晶質シリコンからなる半導体薄膜３を成膜した。次に、半導体薄膜３中の過剰水素イオンを脱離させるため、真空中において５００℃、１時間のアニール処理(水素抜きアニール処理）を施した。
【００７３】
その後、この半導体薄膜３に対して、直径ｒ＝約５００ｎｍ、基板面での照射エネルギー１２ｍＷ、対物レンズの実効ＮＡ＝０．８のＧａＮスポットビームレーザ光Ｌｈを一定の走査方向ｙに平行に走査させながら照射した。この際、実施例１においては、このレーザ光Ｌｈを、ピッチｐ＝１００ｎｍの間隔をおいて走査方向ｙに走査速度ｖ＝１ｍ／ｓで平行に走査させながら照射した。尚、半導体薄膜３に対するレーザ光Ｌｈの照射は、常にフォーカスサーボをかけ、走査時に焦点が外れないようにした。また照射エネルギーが一定になるように照射ビームの一部をモニターしてエネルギーの変動がないようにした。
【００７４】
このようなレーザ光Ｌｈの照射による結晶化を行った領域を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、走査方向ｙと略垂直方向に延設された帯状の結晶粒ｂが規則的に配列させた結晶領域が得られていることが確認された。これらの帯状の結晶粒ｂの幅Ｗ１＝約４００ｎｍであった。
【００７５】
＜実施例２＞
実施例１におけるレーザ光Ｌｈの照射条件を、対物レンズの実効ＮＡ＝０．４、ピッチｐ＝２００ｎｍ、走査方向ｙへの走査速度ｖ＝３ｍ／ｓに変更したこと以外は、実施例１と同様に行った。
【００７６】
このようなレーザ光Ｌｈの照射による結晶化を行った領域を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、走査方向ｙと略垂直方向に延設された帯状の結晶粒ｂが規則的に配列させた結晶領域が得られていることが確認された。これらの帯状の結晶粒ｂの幅Ｗ１＝約２００ｎｍであった。
【００７７】
＜実施例３-1，実施例３-2＞
実施例１のようにして多結晶化した領域を用いて、下記表１に示すように、チャネル長（ゲート線幅）Ｌ＝１０μｍ，２０μｍ、チャネル幅Ｗ＝０．５μｍの各薄膜トランジスタを作製した。本実施例３の各薄膜トランジスタにおいては、図３に示したように、結晶粒界ａと平行にゲート配線５を設けた。また、実施例３-1，実施例３-2の各薄膜トランジスタにおけるチャネル部の結晶粒界ａの本数は、約２５本、約５０本となる。
【００７８】
【表１】
2007281421.tif 000003
【００７９】
このようにして作製した薄膜トランジスタについて、キャリア移動度を測定した。この結果を上記表１に合わせて示した。表１に示すように、チャネル長Ｌ＝１０μｍのトランジスタにおいてはキャリア移動度＝１２０ｃｍ2／Ｖｓであり、チャネル長Ｌ＝２０μｍのトランジスタに関してはキャリア移動度＝１５５ｃｍ2／Ｖｓであった。また、作製した各１０個の薄膜トランジスタについて、しきい値Ｖｔｈバラツキを測定した。各薄膜トランジスタは、４８０μｍ間隔で隣接させて設けたものである。この結果から、結晶粒界ａの本数が多い方が、トランジスタ間のしきい値Ｖｔｈバラツキσが小さく、特性精度の良好な薄膜トランジスタが得られることが確認された。特に、結晶粒界ａの本数が５０本以上であれば、しきい値Ｖｔｈのバラツキσが０．２Ｖ以内に抑えられ、高い移動度を持つ周辺回路領域に配置されるスイッチング素子として、極めて有益であることが確認された。
【００８０】
＜実施例４-1，実施例４-2＞
実施例２のようにして多結晶化した領域を用いて、下記表２に示すチャネル長（ゲート線幅）Ｌ＝１０μｍ，２０μｍ、チャネル幅Ｗ＝５０μｍの各薄膜トランジスタを作製した。本実施例４の各薄膜トランジスタにおいても、図３に示したように、結晶粒界ａと平行にゲート配線５を設けた。また、実施例４−１、４−２の各薄膜トランジスタにおけるチャネル部の結晶粒界ａの本数は、約５０本、約１００本となる。尚、オンオフ特性向上やバラつきを低く抑えるために、本第４実施例においてはプロセスに変更を加えている。
【００８１】
【表２】
2007281421.tif 000004
【００８２】
作製した薄膜トランジスタについて、キャリア移動度を測定した。この結果を上記表２に合わせて示した。表２に示すように、チャネル長Ｌ＝１０μｍのトランジスタにおいてはキャリア移動度＝２００ｃｍ2／Ｖｓであり、チャネル長Ｌ＝２０μｍのトランジスタにおいてはキャリア移動度＝２１０ｃｍ2／Ｖｓであった。また、作製した各３０個の薄膜トランジスタについて、しきい値Ｖｔｈバラツキを測定した。各薄膜トランジスタは、４８０μｍ間隔で隣接させて設けたものである。この結果から、実施例３（ＮＡ＝０．８）と同様に、結晶粒界ａの本数が多い方が、トランジスタ間のしきい値Ｖｔｈバラツキσが小さく、特性精度の良好な薄膜トランジスタが得られることが確認された。特に、結晶粒界ａの本数が５０本程度であっても、しきい値Ｖｔｈのバラツキσが０．２Ｖ以内に抑えられ、高い移動度を持つ周辺回路領域に配置されるスイッチング素子として、極めて有益であることが確認された。
【００８３】
＜比較例＞
従来構成のエキシマレーザーを用いた結晶化工程を適用して複数の薄膜トランジスタを形成した。
【００８４】
先ず、実施例１と同様の半導体薄膜３を成膜した後、ＫｒＦのエキシマレーザーを、光学的に短軸方向の幅４００μｍ、長軸方向の長さ１００ｍｍのラインビームに加工し、1パルス毎に短軸方向に８μｍのピッチで照射位置をずらし、残りの領域は重なるようにレーザーを照射した。このときに短軸に平行な断面で評価したエネルギープロファイルは、トップハット型（台形型）に調整してある。上記条件で照射を行った場合、同じ領域には約５０ショットのパルスレーザーが照射されることになる。照射レーザーは１パルスが２５ｎｓで、３１０ｍＪ／ｃｍ2相当のエネルギー密度となるようにアッテネーターを用いて調整した。
【００８５】
このようなレーザ光Ｌｈの照射による結晶化を行った領域を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、一辺が約２５０ｎｍの四角形状の結晶粒が格子状に規則正しく配列された多結晶領域が得られていることが確認された。
【００８６】
上記多結晶化した領域を用いて、下記表３に示すチャネル長（ゲート線幅）Ｌ＝２０μｍの薄膜トランジスタを作製した。尚、各薄膜トランジスタのチャネル幅Ｗ＝５０μｍとした。
【００８７】
【表３】
2007281421.tif 000005
【００８８】
作製した各薄膜トランジスタについてのしきい値Ｖthのバラツキを測定した。その結果を上記表３に合わせて示す。尚、表３には、比較例と同一規格（チャネル長Ｌ＝２０μｍ、チャネル幅Ｗ＝５０μｍ）の各実施例についての結果を合わせて示した。
【００８９】
この結果から、本発明を適用して結晶化させた半導体薄膜を用いた実施例３，４の薄膜トランジスタは、本発明を適用せずにエキシマレーザによって結晶化させた半導体薄膜を用いた比較例の薄膜トランジスタに対して、キャリア移動度が同程度かそれ以上でありながらも、なおかつしきい値Ｖｔｈのバラツキを小さく抑えることが可能であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の結晶化方法を説明する平面図である。
【図２】本発明の結晶化方法を用いた薄膜半導体装置の製造方法を説明する平面工程図（その１）である。
【図３】本発明の結晶化方法を用いた薄膜半導体装置の製造方法を説明する平面工程図（その２）である。
【図４】図３におけるＡ部の拡大平面図である。
【図５】複数の活性領域の結晶化を説明する平面図である。
【図６】図３におけるＸ−Ｘ’断面図である。
【図７】薄膜半導体装置を用いた液晶表示装置の製造工程図である。
【符号の説明】
【００９１】
３…半導体薄膜、ｂ…帯状の結晶粒、Ｌｈ…レーザ光（エネルギービーム）、ｐ…ピッチ、ｒ…照射径、ｙ…走査方向
【図１】
2007281421.tif 000006
【図２】
2007281421.tif 000007
【図３】
2007281421.tif 000008
【図４】
2007281421.tif 000009
【図５】
2007281421.tif 000010
【図６】
2007281421.tif 000011
【図７】
2007281421.tif 000012