(57)【要約】【課題】  最適な記録パワー条件により情報の記録を行うことができる多層型光記録媒体とその記録方法を提供する。【解決手段】  多層型光記録媒体に情報を記録する記録方法において、第１、第２情報層１０、２０のうち、光照射側の第１情報層１０以外の第２情報層２０に対して情報を記録する際に、第２情報層２０よりも光照射側に位置する第１情報層１０の対応する領域が記録状態か未記録状態かに応じて、記録条件を変更して情報の記録を行うようにした。【選択図】      図９
2007042220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体に情報を記録する記録方法において、
前記複数の情報層のうち、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、前記情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて、記録条件を変更して情報の記録を行うようにしたことを特徴とする記録方法。
【請求項２】
記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体に情報を記録する記録方法において、
前記複数の情報層のうち、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、前記情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて、前記多層型光記録媒体に記録されている記録条件情報に基づいて記録条件を変更して情報の記録を行うようにしたことを特徴とする記録方法。
【請求項３】
記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体に情報を記録する記録装置において、
前記複数の情報層のうち、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、前記情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて記録条件を変更して情報を記録するように制御する記録制御手段を備えていることを特徴とする記録装置。
【請求項４】
前記記録条件の情報が前記多層型光記録媒体に記録されていることを特徴とする請求項３に記載の記録装置。
【請求項５】
記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体において、
前記複数の情報層のうち、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、前記情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態であるときの記録条件の情報と、未記録状態であるときの記録条件の情報とが記録されていることを特徴とする多層型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光照射によって情報を記録再生し得る記録層を含む情報層が複数備えられている多層型光記録媒体とその記録方法、及び記録装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
相変化型光ディスク（相変化型光記録媒体）は、一般的にプラスチックの基板上に相変化材料からなる記録層を設け、その上に記録層の光吸収率を向上させ、且つ、熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とし、基板面側からレーザ光を照射して情報の記録再生を行うものである。
相変化記録材料は、レーザ光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態とアモルファス状態の間を相変化し、急速加熱後に急冷するとアモルファスとなり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型光記録媒体はこの性質を情報の記録と再生に応用したものである。
更に光照射による加熱によって起こる記録層の酸化、蒸散又は変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層との間に下部保護層（下部誘電体層ともいう）、及び記録層と反射層との間に上部保護層（上部誘電体層ともいう）が設けられている。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
近年、コンピュータ等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷのような書き換え型光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後更に高記録密度化の要求が高まることが予想される。また、情報量の増加に伴い、記録速度の向上も要求されると考えられる。現在、ＤＶＤの書き換え型ディスクとしては、単層で８倍速記録が可能なものが実用化されている。
【０００３】
このような相変化型光記録媒体を用いて高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザ波長を青色領域まで短波長化すること、或いは記録再生を行うピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザ光のスポットサイズを小さくすることが提案され、研究、開発が行なわれ、更に実用化されるところまで来ている。
一方、光記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法として、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を二つ重ねて、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着して作成される２層相変化型光記録媒体（以下、２層型光記録媒体という）が各種提案されている。
この情報層間の接着部分である分離層（中間層ともいう）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生に用いるレーザ光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザ光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
なお、先行文献として、特許文献１には２層以上の情報記録層を有する光情報記録媒体のユーザデータ記録領域以外の領域に、記録パワーのチェックを行うための記録パワーのテスト領域を設けることで、第２層目以降の情報記録層に対して情報を記録する際に、その情報記録層より入射側に位置する記録層の記録状態により透過光量が変化しても、記録レーザ光のレーザパワーの適切な制御を行うことができる情報記録装置が開示されている。
また特許文献２には、２層以上の情報記録層を有する光情報記録媒体にレーザビームによって記録を行う情報記録方法として、入射側から第２層目以降の情報記録層の記録時に、レーザビームの戻り光を検出し、該戻り光の検出レベルによってレーザビームの記録パワーを制御して情報を記録する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２２５３２公報
【特許文献２】特開２００３−２７９６３４公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、２層型光記録媒体においては、図１０に示すように、光照射側（手前側）の情報層（Ｌ０層）に情報が記録されている記録状態（アモルファスが形成されている状態）の場合と、情報が記録されていない未記録状態（結晶が形成されている状態）の場合では光透過率が異なる。
一般的にマークが形成されている時の方が結晶状態よりも吸収係数が低く、したがって光透過率が高い。同一の記録ストラテジを用いて奥側の情報層（Ｌ１層）に情報の記録を行うと、光透過率が異なる影響で最適な記録パワー条件（記録パワーＰｐｏ、消去パワーＰｅｏ）からずれた記録パワー条件（記録パワーＰｐｏ＋ΔＰｐｏ、消去パワーＰｅｏ＋ΔＰｅｏ）で記録されることになり、記録特性に影響が及ぼされる。
特に、記録領域と未記録領域で光透過率差が大きい場合は、その影響は顕著となり好ましくない。例えば、Ｌ０層の未記録部と同じ半径位置のＬ１層に記録パワー条件、記録ストラテジを最適化して記録した場合、この記録パワー及び記録ストラテジと同じ条件でＬ０層の記録部と同じ半径位置のＬ１層に記録すると、Ｌ０層の光透過率が高いため、Ｌ１層にかかる記録パワーが高くなる。そのため、最適なパワー条件からずれたパワーで記録することになり、最適な記録特性を与える記録パワー条件での記録が行えなくなるという不具合が生じる。
２層型光記録媒体では、Ｌ０層の光透過率が１％変わると、Ｌ１層への記録パワーＰｐの変動は約２ｍＷ程度であり、特に多層型光記録媒体では奥側の層にかかる記録パワーは光照射側（手前側）の情報層の影響が及んで大きく変動する。
そこで、本発明はこのような実情を鑑みてなされたものであり、最適な記録パワー条件により情報の記録を行うことができる多層型光記録媒体とその記録方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体に情報を記録する記録方法において、前記複数の情報層のうち、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、前記情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて、記録条件を変更して情報の記録を行うようにしたことを特徴とする。
請求項２に記載の発明は、記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体に情報を記録する記録方法において、前記複数の情報層のうち、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、前記情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて、前記多層型光記録媒体に記録されている記録条件情報に基づいて記録条件を変更して情報の記録を行うようにしたことを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体に情報を記録する記録装置において、前記複数の情報層のうち、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、前記情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて記録条件を変更して情報を記録するように制御する記録制御手段を備えていることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、前記記録条件の情報が前記多層型光記録媒体に記録されている請求項３に記載の記録装置を特徴とする。
請求項５に記載の発明は、記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体において、前記複数の情報層のうち、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、前記情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態であるときの記録条件の情報と、未記録状態であるときの記録条件の情報が記録されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
請求項１、請求項３に記載の発明によれば、複数の情報層のうち光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて記録条件を変更するようにしたことで、適したパワー条件により情報の記録を行うことが可能になる。
請求項２、請求項４に記載の発明によれば、複数の情報層のうち光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて、多層型光記録媒体に記録されている記録条件の情報に基づいて記録条件を変更するようにしたことで、適したパワー条件により情報の記録を行うことが可能になる。
請求項５に記載の発明によれば、光照射側に最も近い情報層以外の情報層に対して情報を記録する際に、情報を記録する情報層よりも光照射側に位置する情報層の所定領域が記録状態であるときの記録条件の情報と、未記録状態であるときの記録条件の情報を記録しておくことで、ディスクごとに記録条件が異なる場合でも常にディスクあった最適な記録条件で情報の記録を行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
まず、本発明にて好適な多層型光記録媒体の層構成および各層の特徴について説明しておく。なお、本実施形態では多層型光記録媒体の一例として相変化記録層を含む情報層が２層含まれている２層型光記録媒体を例に挙げて説明を行う。
図１は２層型光記録媒体の層構造を模式的に示した図である。
２層以上の情報層を有する光記録媒体では、特にレーザ光照射側から見て一番奥側以外の情報層は、奥側の情報層の記録及び再生のことを考慮すると、透過率が高いことが要求され、金属層の吸収率を少なくする取り組みと並行して記録層を薄膜化することが要求される。
そのため、図１に示す２層型光記録媒体においては一番奥側以外の情報層である第１の情報層１０は放熱性が充分とれないので、繰り返し記録が可能な相変化型の記録材料を用いる場合、結晶化速度をあまり速めてしまうとアモルファスマークを形成させ難くなる。目的の記録線速にも依るが、用いられる記録材料としてはＳｂ含有量が７０％前後となるＳｂＴｅ共晶組成が好ましい。なお、これに限定せずとも良く、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅなども用いられる。これら以外にもＧｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂなどが用いられる。
第１、第２情報層１０、２０の第１記録層１２、第２記録層２２の膜厚は、それぞれ４〜１２ｎｍ、１０〜２０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【０００８】
第１反射放熱層１４はＣｕ、Ａｇで構成されていることによって、第１記録層１２での記録特性が良好となる。また特にＣｕに０．２〜５重量％の微量の不純物元素（Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕなど）から選ばれる少なくとも１つの金属元素を含有させることで、第１情報層１０の再生安定性や保存特性を良好とすることが可能となる。膜厚は、６〜１２ｎｍの範囲にあることが好ましい。
第２反射放熱層２４は、第１反射放熱層１４のように半透明である必要は無く、適当な金属反射膜とすればよい。膜厚は、従来の単層光記録媒体の反射層と同じような膜厚で良く、１００〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
以上のような第１反射放熱層１４及び第２反射放熱層２４の成膜は、各種の気相成長法が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
【０００９】
第１上部保護層１３は、主にＳｎの酸化物から構成されていることが好ましい。単層相変化型光記録媒体で上部保護層に用いられる材料は、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層の劣化変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、特にＺｎＳ−ＳｉＯ２が良く用いられ、その場合の混合比としては（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が最も好ましいとされている。
しかし、多層相変化型光記録媒体の場合、第１記録層１２に情報の記録を行う際に、第１反射放熱層１４の膜厚が薄いために放熱性が悪くなり記録しづらくなるという不具合が生じる。そのため、第１上部保護層１３はできるだけ熱伝導性の良い材料を用いた方が良い。したがって、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりも放熱性が高いＳｎの酸化物を用いることが好ましい。またＳｎの酸化物に金属系酸化物（例えば、Ｔａ酸化物、Ａｌ酸化物）が含まれていても良い。Ｓｎの酸化物を用いることによって、比較的第１反射放熱層１４の膜厚が薄くても第１記録層１２にアモルファスマークを形成させやすくなる。Ｓｎ酸化物、Ｔａ酸化物、Ａｌ酸化物は、それぞれが反射放熱層に対して劣化を促進しない材料であり、それぞれの組成比率は生産工程及びコスト、生産許容時間などにより選択されていいが、Ｓｎ酸化物は８０ｍｏｌ％以上含有されていることが好ましい。膜厚は、３〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
なお第２上部保護層２３については、従来どおりＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いても良いし、Ｓｎの酸化物を用いても良い。理由は、第２記録層２２に記録する場合は、第２反射放熱層２４を充分厚く成膜できるため、充分な放熱性が得られるためである。膜厚は３〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００１０】
第１下部保護層１１及び第２下部保護層２１は、透明で光を良く通し、且つ融点が記録層よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層の劣化変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。
例として、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＴａＯ、Ｔａ２Ｏ５などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボン、或いはそれらの混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護膜とすることもできるが、互いの混合物としても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。
例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２を混合したＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯ２を混合したＴａ２Ｏ５−ＳｉＯ２が挙げられる。特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２が良く用いられるが、その場合の混合比としては（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が最も好ましい。
屈折率ｎが高く消衰係数ｋがほぼゼロであるために、記録層の光の吸収効率を上げ、且つ、熱伝導率が小さいため光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができるため、記録層を溶融可能な温度まで昇温することができる。
第１下部保護層１１、第２下部保護層２１の膜厚は、それぞれ５０〜８０ｎｍ、１１０ｎｍ〜１６０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
以上のような第１上部保護層１３、第２上部保護層２３、第１下部保護層１１及び第２下部保護層２１の成膜は、各種の気相成長法が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
【００１１】
また、第１熱拡散層１５としては、レーザ照射された第１記録層１２を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の第２情報層２０が記録再生できるよう、レーザ波長での吸収率が小さい（透明である）ことも望まれる。以上のことから、窒化物、酸化物、硫化物、炭化物、弗化物の少なくとも一種を含んでいることが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ＢＮなどが挙げられる。中でも、ＩＺＯ、若しくはＩＴＯが最も好ましい。
またＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）に含まれている酸化スズは、１〜１０重量％含まれていることが好ましい。これより少ない若しくは多いと、熱伝導率および透過率が低下してしまう。
また、保存安定性の向上などを目的に他の元素を添加しても良い。これらの元素は、光学的性質に影響を与えない範囲で添加することができ、０．１〜５重量％含まれていることが好ましい。これよりも少ないと、効果が得られなくなる。多いと、光吸収が大きくなり、透過率が減少してしまう。
またＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）の代わりに、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）を用いることで、光記録媒体中での内部応力が小さくなるため、極微少な膜厚の変化などが起こりにくくなり好ましい。なお、ＩＺＯおよびＩＴＯ中に含まれているＩｎ２Ｏ３は９０ｍｏｌ％程度含有されていることが好ましい。熱拡散層の膜厚は、４０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
以上のような熱拡散層１５は、各種の気相成長法が挙げられ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が量産性、膜質等に優れている。
【００１２】
第１基板１は、記録再生のために照射する光を十分透過するものであることが必要であり、当該技術分野において従来知られているものが適用される。
材料としては、通常ガラス、セラミックスあるいは樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
第１基板１上の情報層を形成する面には、必要に応じてレーザ光のトラッキング用のスパイラル状または同心円状の溝などであって、通常グルーブ部およびランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常射出成形法またはフォトポリマー法などによって成形される。第１基板１の厚さは、１０μｍ〜６００μｍ程度が好ましい。
第２基板３の材料としては、第１基板１と同様の材料を用いても良いが、記録再生光に対して不透明な材料を用いてもよく、第１基板１とは材質や溝形状が異なってもよい。第２基板３の厚さは特に限定されないが、第１基板１の厚さとの合計が１．２ｍｍになるように第２基板３の厚さを選択することが好ましい。
中間層２は、記録再生を行うために照射する光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては成形性やコストの点で樹脂が好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
第２基板３、中間層２には、第１基板１と同様な、射出成形法またはフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていても良い。中間層２は、記録再生を行う際に、ピックアップが第１情報層１０と第２情報層２０とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０μｍ〜７０μｍが好ましい。１０μｍよりも薄いと、情報層間クロストークが生じる。また、７０μｍより厚いと第２記録層２２を記録再生するときに球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
【００１３】
次に、図１に示した２層型光記録媒体の製造法について簡単に説明しておく。
図１に示した２層型光記録媒体の製造方法は、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行う。
成膜工程としては、図１において、第１基板１のグルーブが設けられた面に第１情報層１０を、第２基板３のグルーブが設けられた面に第２情報層２０をそれぞれ成膜する。第１情報層１０、第２情報層２０は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でもスパッタリング方が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行うが、その際、酸素、窒素などを混入させながら反応スパッタリングさせても良い。
初期化工程として、第１情報層１０、第２情報層２０に対して、レーザ光などのエネルギー光を照射することにより全面を初期化、即ち記録層を結晶化させる。初期化工程の際にレーザ光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れのある場合には、初期化工程の前に、第１情報層１０、第２情報層２０の上にＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行った後に、第１基板１側から第１情報層１０、第２情報層２０を初期化させても構わない。
密着工程として、第１情報層１０と第２情報層２０とを向かい合わせながら、第１基板１と第２基板３とを中間層２を介して貼り合わせる。例えば、いずれか一方の膜面にＵＶ樹脂を塗布し、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。
ところで、先において述べたように、多層光記録媒体においては、光照射側の情報層（Ｌ０層）に情報が記録されている記録状態の場合と、情報が記録されていない未記録状態の場合では光透過率が異なり、同一の記録ストラテジを用いて奥側の情報層（Ｌ１層）に情報の記録を行うと、光透過率が異なる影響で最適な記録パワー条件（記録パワーＰｐｏ、消去パワーＰｅｏ）からずれた記録パワー条件（記録パワーＰｐｏ＋ΔＰｐｏ、消去パワーＰｅｏ＋ΔＰｅｏ）で記録が行われて記録特性に影響を与える。
【００１４】
図２乃至図５は図１に示したような構造の２層型光記録媒体の第１情報層１０に情報を記録した場合と情報を記録しない場合の記録特性を示した図である。
なお、評価装置はシバソク社製ＤＶＤｔｅｓｔｅｒ  ＬＭ３３０Ａで、記録時に照射されるレーザ波長は６６０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５である。また、再生光パワーは１．４ｍＷで行った。記録方法は１Ｔ周期記録ストラテジを用いた。特性評価の判断基準は、３Ｔ〜１１Ｔおよび１４Ｔのマークとスペースをランダムに記録したときのジッタとした。Ｔは、クロック周期を表す。ここでジッタとは、マークとスペースの反射率レベルをスライスレベルで２値化したとき、その境界とクロックとの時間的なずれを表したものである。この値が低いほど記録特性は良い。
以下の実験で用いた２層型光記録媒体は図１のような構成である。スパッタ装置は、バルザース社製の８チャンネル枚葉スパッタ装置である。
［実験１］
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．７４μｍの連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板１上にＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第１下部保護層１１を７０ｎｍ、Ａｇ０．５Ｉｎ４．５Ｓｂ６９Ｔｅ２４Ｇｅ２からなる第１記録層１２を８ｎｍ、ＳｎＯ２（９０ｍｏｌ％）−Ｔａ２Ｏ５（１０ｍｏｌ％）からなる第１上部保護層１３を１２．５ｎｍ、Ｍｏが１．１重量％含有しているＣｕからなる第１反射放熱層１４を１０ｎｍ、Ｉｎ２Ｏ３（９０ｍｏｌ％）−ＺｎＯ（１０ｍｏｌ％）からなる第１熱拡散層１５を６０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタリング法で成膜した。また、第１基板１と同様の基板を第２基板３として、第２基板３上にＡｇからなる第２反射放熱層２４を１４０ｎｍ、ＳｎＯ２（９０ｍｏｌ％）−Ｔａ２Ｏ５（１０ｍｏｌ％）からなる第２上部保護層２３を２０ｎｍ、Ａｇ０．２Ｉｎ３．５Ｓｂ７１．４Ｔｅ２１．４Ｇｅ３．５からなる第２記録層２２を１５ｎｍ、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２下部保護層２１を１４０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタリング法で成膜した。
【００１５】
次に、第１情報層１０、第２情報層２０に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザ光を照射させ、初期化処理を行った。初期化は、半導体レーザ（発光波長８１０±１０ｎｍ）から出射されるレーザ光を、光ピックアップ（ＮＡ＝０．５５）により集光を行った。
第１記録層１２の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光記録媒体を回転させ、線速３ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、半径位置２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー６００ｍＷとした。
第２記録層２２の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光記録媒体を回転させ、線速２ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、半径位置２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー６００ｍＷとした。
次に第１情報層１０の膜面側上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板３の第２情報層２０面側を貼りあわせてスピンコートし、第１基板１側から紫外線光を照射して紫外線光硬化樹脂を硬化させて中間層２とし、２つの情報層１０、２０を有する２層型光記録媒体を作成した。中間層２の厚さは５５μｍとした。
上記のように作製した同じ２層型光記録媒体を２枚用意（ディスクＡ、Ｂとする）し、ディスクＡの第１情報層１０には記録せず、ディスクＢの第１情報層１０に以下のような記録を施した。即ち１Ｔ周期記録ストラテジのマルチパルス幅を０．２Ｔとし、第１記録層の半径位置３５ｍｍ〜４０ｍｍに、記録パワーＰｐ＝２５ｍＷ、消去パワーＰｅ＝５．３ｍＷ、記録線速９．２ｍ／ｓで１０回繰り返して記録を行った。（ジッタは８．８％であった。）
次に、ディスクＡ及びディスクＢの第２情報層２０の半径位置３７．５ｍｍの５トラックに、１Ｔ周期記録ストラテジのマルチパルス幅を０．３５Ｔとして、記録線速９．２ｍ／ｓで１０回繰り返して記録を行った。それぞれのディスクで最適化を行った結果、図２に示すような記録特性が得られた。この実験結果から透過率が高いディスクＢのほうが最小のジッタを与える記録パワーＰｐｏを低くできることがわかった。
【００１６】
［実験２］
実験１と同じ層構成および膜厚を有する２層型光記録媒体で実験を行った。
同じ２層型光記録媒体を２枚用意（ディスクＡ、Ｂとする）し、ディスクＡの第１情報層１０には記録せず、ディスクＢの第１情報層１０に以下のような記録を施した。即ち、１Ｔ周期記録ストラテジのマルチパルス幅を０．２Ｔとし、第１記録層１２の半径位置３５ｍｍ〜４０ｍｍに、記録パワーＰｐ＝２５ｍＷ、消去パワーＰｅ＝５．３ｍＷ、記録線速９．２ｍ／ｓで１０回繰り返して記録を行った。（ジッタは８．８％であった。）
次に、ディスクＡ及びディスクＢの第２情報層２０の半径位置３７．５ｍｍの５トラックに、１Ｔ周期記録ストラテジのマルチパルス幅を０．３３Ｔとして、記録線速１５．３ｍ／ｓで１０回繰り返して記録を行った。それぞれのディスクで最適化を行った結果、図３に示すような記録特性が得られた。この実験結果からも上記同様、透過率が高いディスクＢのほうが最小のジッタを与える記録パワーＰｐｏが低くなる。
［実験３］
実験１と同じ層構成および膜厚を有する２層型光記録媒体で実験を行った。
同じ２層型光記録媒体を２枚用意（ディスクＡ、Ｂとする）し、ディスクＡの第１情報層１０には記録せず、ディスクＢの第１情報層１０に以下のような記録を施した。即ち、１Ｔ周期記録ストラテジのマルチパルス幅を０．２Ｔとし、第１記録層の半径位置３５ｍｍ〜４０ｍｍに、記録パワーＰｐ＝２５ｍＷ、消去パワーＰｅ＝５．３ｍＷ、記録線速９．２ｍ／ｓで１０回繰り返して記録を行った。（ジッタは８．８％であった。）
次に、ディスクＡ及びディスクＢの第２情報層２０の半径位置３７．５ｍｍの５トラックに、１Ｔ周期記録ストラテジのマルチパルス幅を０．２Ｔとして、記録線速７．７ｍ／ｓで１０回繰り返して記録を行った。それぞれのディスクで最適化を行った結果、図４に示すような記録特性が得られた。この実験結果からも上記同様、透過率が高いディスクＢのほうが最小のジッタを与える記録パワーＰｐｏが低くなる。
【００１７】
［実験４］
実験１と同じ層構成および膜厚を有する２層型光記録媒体で実験を行った。
同じ２層型光記録媒体を２枚用意（ディスクＡ、Ｂとする）し、ディスクＡの第１情報層１０には記録せず、ディスクＢの第１情報層１０に以下のような記録を施した。即ち１Ｔ周期記録ストラテジのマルチパルス幅を０．２Ｔとし、第１記録層の半径位置３５ｍｍ〜４０ｍｍに、記録パワーＰｐ＝２５ｍＷ、消去パワーＰｅ＝５．３ｍＷ、記録線速９．２ｍ／ｓで１０回繰り返して記録を行った。（ジッタは８．８％であった。）
次に、ディスクＡ及びディスクＢの第２情報層２０の半径位置３７．５ｍｍの５トラックに、１Ｔ周期記録ストラテジのマルチパルス幅を０．２Ｔとして、記録線速３．８ｍ／ｓで１０回繰り返して記録を行った。それぞれのディスクで最適化を行った結果、図５に示すような記録特性が得られた。この実験結果からも上記同様、透過率が高いディスクＢのほうが最小のジッタを与える記録パワーＰｐｏが低くなる。
このような実験結果からも、２層型光記録媒体の第２情報層２０に対して情報を記録する際に、第２情報層２０への記録のための光が透過する第１情報層１０の透過領域が記録状態か未記録状態かに応じて、２層型光記録媒体に対して情報を書き込むための記録パワー等の記録条件が異なることが分かった。
そこで、本実施形態では、２層型光記録媒体の第１及び第２情報層１０、２０のうち、光照射側の第１情報層１０以外の第２情報層２０に対して情報を記録する際に、第２情報層２０よりも光ピックアップ装置２０側に位置する第１情報層１０の同一半径位置に対応する所定領域が記録状態か未記録状態かに応じて、記録条件を変更して情報の記録を行うようにしたものである。
【００１８】
図６は本発明の実施形態に係る光ディスク装置の概略構成を示したブロック図である。
この図６に示す光ディスク装置４０は、光ディスク５５を回転駆動するためのスピンドルモータ４１、光ピックアップ装置４２、レーザコントロール回路４３、エンコーダ４４、モータドライバ４５、再生信号処理回路４６、サーボコントローラ４７、バッファＲＡＭ４８、バッファマネージャ４９、インターフェース５０、ＲＯＭ５１、フラッシュメモリ５２、ＣＰＵ５３及びＲＡＭ５４などを備えている。なお、図６における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。また、本実施形態の光ディスク装置４０は上記した複数の記録層を有する多層型光記録媒体に対応しているものとする。
光ピックアップ装置４２は、光ディスク５５に設けられている複数の記録層のうち、アクセス対象の記録層（以下「対象記録層」という）にレーザ光を集光するとともに、光ディスク５５からの反射光を受光するための装置である。
再生信号処理回路４６は、光ピックアップ装置４２からの出力信号である電流信号を電圧信号に変換し、この電圧信号に基づいて、フォーカスエラー信号やトラックエラー信号などのサーボ信号、アドレス情報、同期情報及びＲＦ信号などを取得する。
再生信号処理回路４６で得られたサーボ信号は、サーボコントローラ４７を介してモータドライバ４５に出力される。またアドレス情報はＣＰＵ５３に出力され、同期信号はエンコーダ４４やモータドライバ４５などに出力される。
さらに再生信号処理回路４６は、ＲＦ信号に対して復号処理及び誤り検出処理などを行い、誤りが検出されたときには誤り訂正処理を行った後、再生データとしてバッファマネージャ４９を介してバッファＲＡＭ４８に格納する。また再生データに含まれるアドレス情報はＣＰＵ５３に出力される。
【００１９】
モータドライバ４５は、再生信号処理回路４６からのトラックエラー信号に基づいて、光ピックアップ装置４２の対物レンズのトラッキング方向の位置ずれを補正するためのトラッキング駆動信号を生成する。またモータドライバ４５は、再生信号処理回路４６からのフォーカスエラー信号に基づいて対物レンズのフォーカスずれを補正するためのフォーカス駆動信号を生成する。ここで、生成された各アクチュエータの駆動信号は光ピックアップ装置４２に出力される。これにより、トラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。さらにモータドライバ４５は、ＣＰＵ５３の指示に基づいて、光ピックアップ装置４２をスレッジ方向に駆動するシークモータ（図示しない）の駆動信号、及びスピンドルモータ４１を駆動するためのスピンドル駆動信号を生成する。
バッファＲＡＭ４８には、光ディスク５５に記録する記録データ、及び光ディスク５５から再生した再生データなどが一時的に格納される。このバッファＲＡＭ４８へのデータの入出力はバッファマネージャ４９によって管理されている。
エンコーダ４４は、ＣＰＵ５３の指示に基づいて、バッファＲＡＭ４８に蓄積されている記録データを、バッファマネージャ４９を介して取り出し、データの変調及びエラー訂正コードの付加などを行い、光ディスク５５への書き込み信号を生成する。ここで生成された書き込み信号はレーザコントロール回路４３に出力される。
レーザコントロール回路４３は、半導体レーザＬＤの発光パワーを制御する。例えば記録の際には、書き込み信号、記録条件、及び半導体レーザＬＤの発光特性などに基づいて、半導体レーザＬＤの駆動信号がレーザコントロール回路４３にて生成される。
インターフェースは、ホストコンピュータなどの上位装置５６との双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（AT Attachment Packet Interface）、ＳＣＳＩ（Small Computer System Interface）及びＵＳＢ（Universal Serial Bus）などの標準インターフェースに準拠している。
フラッシュメモリ５２には、ＣＰＵ５３にて解読可能なコードで記述された各種プログラム、及び半導体レーザＬＤの発光特性などが格納されている。
【００２０】
ＣＰＵ５３は、フラッシュメモリ５２に格納されているプログラムに従って各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータなどをＲＡＭ５４及びバッファＲＡＭ４８に保存するようにしている。
そして、このように構成される光ディスク装置４０においては、２層型光記録媒体の第２情報層２０に情報を記録する際に、第２情報層２０よりも光ピックアップ装置２０側に位置する第１情報層１０の同一半径位置に対応する領域を特定し、その領域が記録状態か未記録状態かの判別を行う、その判別結果に応じて記録条件を変更して最適な記録パワー条件（例えば、記録パワーＰｐ、消去パワーＰｅ、若しくはε＝Ｐｅ／Ｐｐなど）となるように制御するようにしている。これにより、２層型光記録媒体の第２情報層２０に適したパワー条件で情報を記録することができる。
また、このようなパワー条件を２層型光記録媒体のリードイン領域に記録しておくようにすると、２層型光記録媒体ごとに最適な記録パワーが異なる場合でも最適なパワー条件で情報を記録数ことができるようになる。
ここで、２層型光記録媒体のリードイン領域について簡単に説明しておくと、図７に示すように、２層型光記録媒体の第１情報層１０の第１記録層１２（図１参照）にディスクの内周側から外周側に向かって、リードイン領域、データ領域、中間領域が設けられている。そして、第１情報層１０では、リードイン領域から中間領域へ向かって連続して増加する物理アドレスが割り振られている。そしてこのリードイン領域には、例えば図８に示すようなディスク情報用の領域（以下「ディスク情報領域」という）が設けられている。このディスク情報領域にデータ領域における部分領域毎の未記録状態／既記録状態を示すビットマップ情報などが記録されている。そして本実施形態では、このようなリードイン領域のディスク情報領域に、第２情報層２０の情報を記録する際に、第２情報層２０の記録位置と同一半径位置に対応する第１情報層１０の領域が記録状態であるときの記録条件の情報と、未記録状態であるときの記録条件の情報とが記録されることになる。
【００２１】
以下、本実施形態の光ディスク装置の記録動作を図９に示すフローチャートを用いて説明する。なお、図９に示す処理はＣＰＵ５３がインターフェース５０を介して上位装置５６から記録要求コマンドを受信すると、フラッシュメモリ５２に格納されているプログラムの先頭アドレスがＣＰＵ５３のプログラムカウンタにセットされ、記録処理がスタートする。
先ず、ステップＳ１において、所定の線速度又は角速度で光ディスク５５が回転するようにモータドライバ４５に指示するとともに、上位装置５６から記録要求コマンドを受信した旨を再生信号処理回路４６に通知する。
次にステップＳ２において、光ディスクのリードイン領域のディスク情報領域から各種記録条件を取得する。即ち、第１情報層１０に情報を記録する際の記録パワーや、第２情報層２０の情報を記録する際に、第２情報層２０の記録位置と同一半径位置に対応する第１情報層１０の領域が記録状態であるときの記録パワー、第１情報層１０が未記録状態であるときの記録パワーなどを取得する。
次に、ステップＳ３において、記録要求コマンドから要求アドレスを抽出し、その要求アドレスから対象記録層が第２情報層２０であるか否かの判別を行い、対象記録層が第２情報層２０で有ると判別した場合（Ｓ３でＹ）はステップＳ４に進み、要求アドレスと同一半径位置に対応する第１情報層１０の領域を特定する。
【００２２】
次に、ステップＳ５において、リードイン領域のディスク情報領域から特定した領域のビットマップ情報を取得し、続くステップＳ６において、上記ビットマップ情報から特定した第１情報層１０が記録状態か否かの判別を行う。ここで、記録状態と判別した場合は（Ｓ６でＹ）、ステップＳ７において第１情報層１０が記録状態である場合の記録条件に基づいて要求アドレスにデータを記録して処理を終える。
一方、ステップＳ６において記録状態でないと判別した場合は（Ｓ６でＮ）、ステップＳ８において、第１情報層１０が記録状態でない場合の記録条件に基づいて要求アドレスにデータを記録して処理を終える。
また、ステップＳ３において、対象記録層が第２情報層２０でないと判別した場合（Ｓ３でＮ）はステップＳ９に進み、第１情報層１０の記録条件に基づいて要求アドレスにデータを記録して処理を終えることになる。
なお、本実施形態では多層型光記録媒体の一例として２層型光記録媒体を例に挙げて説明したが、これはあくまでも一例であり、記録層を含む情報層が複数層形成されている多層型光記録媒体に適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】２層型光記録媒体の層構造を模式的に示した図。
【図２】２層型光記録媒体の記録特性の一例を示した図。
【図３】２層型光記録媒体の記録特性の一例を示した図。
【図４】２層型光記録媒体の記録特性の一例を示した図。
【図５】２層型光記録媒体の記録特性の一例を示した図。
【図６】本発明の実施形態に係る光ディスク装置の概略構成を示したブロック図。
【図７】リードイン領域の説明図。
【図８】ディスク情報記録領域の説明図。
【図９】本実施形態の光ディスク装置の記録動作を示すフローチャート。
【図１０】２層型光記録媒体の光透過率差を説明する図。
【符号の説明】
【００２４】
１  第１基板、２  中間層、３  第２基板、１０  第１情報層、１１  第１下部保護層、１２  第１記録層、１３  第１上部保護層、１４  第１反射放熱層、１５  第１熱拡散層、２０  光ピックアップ装置、２０  第２情報層、２１  第２下部保護層、２２  第２記録層、２３  第２上部保護層、２４  第２反射放熱層、４０  光ディスク装置、４１  スピンドルモータ、４２  光ピックアップ装置、４３  レーザコントロール回路、４４  エンコーダ、４５  モータドライバ、４６  再生信号処理回路、４７  サーボコントローラ、４８  バッファＲＡＭ、４９  バッファマネージャ、５０  インターフェース、５１  ＲＯＭ、５２  フラッシュメモリ、５３  ＣＰＵ、５４  ＲＡＭ、５５  光ディスク、５６  上位装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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