(57)【要約】【課題】半導体レーザバーの光出射端面への誘電体膜成膜を行った後、エピタキシャル成長面側の電極上の誘電体膜を除去することにより、半導体レーザ素子のダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止し、半導体レーザ素子の特性の悪化を防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面にｐ側電極５を形成する。ｐ側電極５上にＴｉ保護膜５１を形成する。ｐ側電極５及びＴｉ保護膜５１が形成された半導体レーザウエハを一方向に沿って切断して、この切断による切断面を光出射端面６１とする半導体レーザバー７を作製する。半導体レーザバー７の光出射端面６１にＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を形成した後、Ｔｉ保護膜５１を除去する。Ｔｉ保護膜５１は、光出射端面６１にＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を残した状態で除去することが可能である。【選択図】図１Ｉ
2007281277.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面に電極を形成する工程と、
上記電極上に保護膜を形成する工程と、
上記電極及び上記保護膜が形成された上記半導体レーザウエハを一方向に沿って切断して、この切断による切断面を光出射端面とする半導体レーザバーを作製する工程と、
上記半導体レーザバーの上記光出射端面に誘電体膜を形成した後、上記保護膜を除去する工程と
を備え、
上記保護膜は、上記光出射端面に上記誘電体膜を残した状態で除去することが可能であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜は、上記光出射端面に上記誘電体膜を残した状態でエッチングで除去することが可能な金属膜であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜が水溶性の膜であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜が有機溶剤に溶解する膜であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜は、上記切断面上に位置する幅１０μｍ以上の領域を除いて形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜は、メッキで形成された金属膜であり、
上記電極は、Ａｕを含むＡｕメッキ膜であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記半導体レーザバーが、リッジ部を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を含み、
上記リッジ部により上記電極に生じた凸部の高さよりも、上記保護膜の厚さが厚いことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜上に、上記保護膜を残した状態で除去することが可能な埋め込み膜を形成する工程を備え、
上記半導体レーザバーが、リッジ部を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を含み、
上記リッジ部により上記電極に生じた凸部の高さよりも、上記埋め込み膜の厚さが厚いことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７Ａ〜図７Ｆに、従来の半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。
【０００３】
上記従来の半導体レーザ素子の製造方法では、まず、図７Ａに示すように、半導体基板２０１上に、活性層を含む半導体層群２０３をエピタキシャル成長させた後、半導体層群２０３にレーザ・ストライプを形成して、半導体レーザウエハＷ３を作製する。
【０００４】
次に、上記半導体基板２０１は通常３００〜８００μｍの厚さがあるため、半導体レーザウエハＷ３を後工程でへき開できるように、半導体基板２０１をラッピング（研磨）やエッチングで削り、半導体レーザウエハＷ３の厚さを約１００μｍ程度にする。
【０００５】
次に、図７Ｂに示すように、上記半導体レーザウエハＷ３のエピタキシャル成長面に電極２０５を形成する一方、半導体レーザウエハＷ３の基板面に電極２０４を形成する。
【０００６】
次に、上記電極２０４の表面に、図７Ｃに示すように、レーザチップ分割位置を示す電極パターンを形成した後、レーザ・ストライプが延びる方向（以下、「レーザ・ストライプ方向」と言う。）に垂直な方向に沿って、半導体レーザウエハＷ３をへき開法で周期的に切断すると、光出射端面２６１を有する半導体レーザバー２０７が複数得られる。このとき、上記へき開での周期の長さは、半導体レーザ素子の共振器長となる。なお、上記光出射端面２６１は上記へき開法によって形成されるへき開面である。
【０００７】
次に、上記光出射端面２６１に、図７Ｄに示すように、端面保護及び反射率制御のために誘電体膜２７１を成膜する。
【０００８】
次に、上記半導体レーザバー２０７の電極２０４の表面に、レーザ・ストライプ方向と平行な複数のけがき線を形成した後、そのけがき線に沿って半導体レーザバー２０７を分割することにより、図７Ｅに示すように、複数の半導体レーザチップ２０８を形成する。
【０００９】
上記半導体レーザチップ２０８は、図７Ｆに示すように、ヒートシンク２７５にダイボンドされる。上記ヒートシンク２７５はサブマウトであり、図示しないパッケージ本体に固定される。
【００１０】
上記半導体レーザチップ２０８とヒートシンク２７５との間にはんだ２７６が付けられており、はんだ２７６を熱で溶かすことにより、半導体レーザチップ２０６の固定を行う。通常、上記半導体レーザチップ２０８は、熱放散効果を高めるため、発光部となる活性層を含む半導体層群２０３側をヒートシンク２７５に向けて、半導体レーザチップ２０８の半導体層群２０３側の電極２０５がシートシンク２７５にはんだ２７６を介して接続されるジャンクション・ダウン法が行われる。一方、上記半導体レーザチップ２０８の半導体基板２０１側の電極２０４は、ワイヤーボンドにより、図示しないパッケージ電極リードに接続される。
【００１１】
ところで、上記半導体レーザバー２０７の光出射端面２６１に誘電体膜２７１を成膜する際、半導体レーザチップ２０８の半導体層群２０３側の電極２０５と、半導体レーザチップ２０８の半導体基板２０１側の電極２０４とに誘電体膜を成膜させることなく、光出射端面２６１に誘電体膜２７１を成膜する方法が要求される。
【００１２】
これは、上記半導体レーザチップ２０８の電極２０４，２０５、特に、シートシンクへ２７５のダイボンド面を有する電極２０５に、部分的でも誘電体膜が成膜されると、半導体レーザチップ２０８をヒートシンク２７５にダイボンドしたとき、電極２０５において誘電体膜が成膜されている部分ではんだ濡れ性が悪くなる結果、ダイボンド強度が弱くなり、かつ、熱放散効果が弱くなり、半導体レーザチップ２０８の特性や信頼性に悪影響を与えるという問題が発生してしまう。
【００１３】
半導体レーザチップの電極に、誘電体膜を成膜させることなく、光出射端面２６１に誘電体膜２７１を成膜させる方法としては、特開平１１−５４５９７号公報に記載されたものがある。
【００１４】
特開平１１−５４５９７号公報では、まず、図８Ａに示すように、複数の半導体レーザバー２０７を積み重ねて成膜用ホルダ３０１で保持する。
【００１５】
次に、図８Ｂに示すように、真空蒸着装置のチャンバー３０２内に設置されたホルダ固定器３０３に成膜用ホルダ３０１を固定する。このとき、上記成膜用ホルダ３０１は、複数の半導体レーザバー２０７の一方の光出射端面が蒸着源３０４に向くようにホルダ固定器３０３に固定される。なお、図８Ｂにおいて、３０５は膜厚計であり、３０６はダクトである。
【００１６】
次に、上記蒸着源３０４を加熱して蒸発させることにより、複数の半導体レーザバー２０７の一方の光出射端面に誘電体膜２７１を形成する。
【００１７】
次に、上記ホルダ固定器３０３を１８０度回転させて、複数の半導体レーザバー２０７の他方の光出射端面を蒸着源３０４に向けた後、蒸着源３０４を加熱して蒸発させることにより、複数の半導体レーザバー２０７の他方の光出射端面に誘電体膜２７１を成膜する。
【００１８】
このように、上記成膜用ホルダ３０１により、複数の半導体レーザバー２０７を重ね合わせて保持することによって、半導体レーザバー２０７の両光出射端面に誘電体膜２７１を成膜するときに、蒸着源３０４に対して半導体レーザバー２０７の電極２０４，２０５が露出しない。
【００１９】
したがって、上記半導体レーザバー２０７の電極２０４，２０５に誘電体膜２７１を成膜せずに、半導体レーザバー２０７の光出射端面のみに誘電体膜２７１を成膜することができる。
【００２０】
しかしながら、上記成膜用ホルダ３０１に使用による場合、半導体レーザバー７間に微小であっても異物（半導体レーザバー７の取り扱い時の欠け破片等）が入った場合、その半導体レーザバー７間に隙間ができ、蒸発した蒸発源３０４が上記隙間を通って電極２０４，２０５側へ回り込む結果、図９Ａに示すように、電極２０４，２０５の光出射端面２６１近傍の部分に回り込み誘電体膜２８１が成膜されることになる。
【００２１】
このような蒸発した蒸発源３０４の回り込みは、半導体レーザバー２０７に反りがあったり、半導体レーザバー２０７の保持固定が弱かったりしても発生する。
【００２２】
したがって、上記成膜用ホルダ３０１を使用しても、半導体レーザバー２０７の電極２０４，２０５における回り込み誘電体膜２８１の発生を完全に防ぐのは難しい。
【００２３】
特に、上記半導体レーザバー２０７の半導体層群２０３側の電極２０５に回り込み誘電体膜２８１が発生した場合、この半導体レーザバー２０７から得た半導体レーザチップ２０８は、はんだ濡れ性が悪くなり、特性悪化を引き起こす問題がある。
【００２４】
図１０Ａに、他の従来の半導体レーザ素子の製造方法で製造されるリッジ導波路型半導体レーザ素子の概略断面図を示す。
【００２５】
図１０Ａにおいて、１０１はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２はｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第１クラッド層、１０３は量子井戸活性層、１０４はｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第２クラッド層、１０５はｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層、１０６Ａはリッジ部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層、１０７Ａはリッジ部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層、１０８Ａはリッジ部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１０６Ｂはテラス部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層、１０７Ｂはテラス部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層、１０８Ｂはテラス部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１１１はリッジ部、１１２はテラス部、１１３は溝部、１２１はリッジ部埋め込み誘電体膜、１３１はｐ側電極、１３４はｎ側電極、１３５はＡｕメッキ電極である。
【００２６】
すなわち、上記リッジ導波路型半導体レーザ素子は、ヒートシンクへのダイボンド時の熱放散性を高めるため、熱伝導のよいＡｕメッキ電極１３５を設けたリッジ導波路型半導体レーザである。
【００２７】
図１０Ｂに、リッジ導波路型半導体レーザウエハから形成した半導体レーザバー１１７の概略斜視図を示す。
【００２８】
上記Ａｕメッキ電極１３５には、光導波路を形成するリッジ部１１１があることにより、凹凸が形成されている。
【００２９】
したがって、上記リッジ導波路型半導体レーザ素子を製造するために成膜用ホルダ３０１を用いた場合、半導体レーザバー１１７を密着させて重ね合わせても、半導体レーザバー１１７間に隙間が生じるから、図１０Ｃ，図１０Ｄに示すように、回り込み誘電体膜２８１がＡｕメッキ電極１３５に付着してしまう。
【特許文献１】特開平１１−５４５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
そこで、本発明の課題は、半導体レーザバーの光出射端面への誘電体膜成膜を行った後、エピタキシャル成長面側の電極上の誘電体膜を除去することにより、半導体レーザ素子のダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止し、半導体レーザ素子の特性の悪化を防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、
半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面に電極を形成する工程と、
上記電極上に保護膜を形成する工程と、
上記電極及び上記保護膜が形成された上記半導体レーザウエハを一方向に沿って切断して、この切断による切断面を光出射端面とする半導体レーザバーを作製する工程と、
上記半導体レーザバーの上記光出射端面に誘電体膜を形成した後、上記保護膜を除去する工程と
を備え、
上記保護膜は、上記光出射端面に上記誘電体膜を残した状態で除去することが可能であることを特徴としている。
【００３２】
ここで、半導体レーザウエハとは、半導体レーザ素子の主要な構造が形成されたものであり、少なくとも活性層を含むものである。
【００３３】
上記構成の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記半導体レーザバーの光出射端面に誘電体膜を形成する。このとき、上記誘電体膜の材料が半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側に回り込むことにより、半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側に回り込み誘電体膜が形成される。この回り込み誘電体膜の少なくとも一部は、保護膜を除去することによって、保護膜と共に簡単かつ確実に除去することができる。
【００３４】
また、上記保護膜は、光出射端面に誘電体膜を残した状態で除去することが可能であるから、保護膜を除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができる。
【００３５】
また、上記回り込み誘電体膜の少なくとも一部を保護膜と共に除去することによって、電極上の回り込み誘電体膜が減少するから、電極のはんだ濡れ性を向上させることができる。
【００３６】
したがって、上記保護膜を除去した半導体レーザバーを分割することにより、ダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止できる半導体レーザ素子を作製することができる。
【００３７】
また、上記電極上において熱伝導率の悪い誘電体膜が減少するから、電極の熱放散効果を高めることができる。
【００３８】
したがって、上記保護膜を除去した半導体レーザバーを分割することにより、放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができる半導体レーザ素子を作製することができる。
【００３９】
また、上記半導体レーザ素子に関して放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができるので、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。
【００４０】
また、上記保護膜を除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができるから、その誘電体膜の除去を防止するための除去防止膜を形成する必要はなく、製造工程を簡略化することができる。
【００４１】
また、上記保護膜を除去することによって、半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側の付着異物、汚れ、傷を保護膜と共に除去することができる。
【００４２】
したがって、上記保護膜が除去された半導体レーザバーを分割することにより、付着異物、汚れ、傷による特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができる半導体レーザ素子を作製することができる。
【００４３】
上記半導体レーザウエハとしては、例えば、半導体基板と、この半導体基板上に形成され、活性層を含む半導体層群とを有するものがある。
【００４４】
また、上記半導体層群としては、例えば、レーザ・ストライプ構造が形成されたものがある。
【００４５】
なお、上記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長面側の電極をヒートシンクに対向させ、半導体レーザ素子をヒートシンク上にダイボンドし、ヒートシンクをパッケージに実装し、半導体レーザ素子とパッケージとをワイヤで接続することにより、半導体レーザ素子、ヒートシンク、パッケージ及びワイヤを備える半導体レーザ装置を作製することができる。
【００４６】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜は、上記光出射端面に上記誘電体膜を残しつつエッチングで除去することが可能な金属膜である。
【００４７】
上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記保護膜は、光出射端面に上記誘電体膜を残しつつエッチングで除去することが可能な金属膜であるから、保護膜をエッチング除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができる。
【００４８】
上記金属膜としては、例えば、硫酸と水を混合した液温５０℃以下の硫酸系エッチャントで除去できるＴｉ膜や、アンモニア水と過酸化水素水と水とを混合したアンモニア系エッチャントで除去できるＭｏ膜等がある。
【００４９】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜が水溶性の膜である。
【００５０】
上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記保護膜が水溶性の膜であるから、保護膜を水洗で除去できるから、製造コストを低減することができる。
【００５１】
上記水溶性の膜としては、例えば、ＭｇＣｌ２膜、ＫＣｌ膜、ＮａＣｌ膜、部分エステル化したＰＶＡ（ポリビニルアルコール）膜等がある。
【００５２】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜が有機溶剤に溶解する膜である。
【００５３】
上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記保護膜が有機溶剤に溶解する膜であるから、保護膜を有機溶剤で確実に除去することができる。
【００５４】
上記有機溶剤に溶解する膜としては、例えば、パーフルオロ溶媒に溶解するフッ素系樹脂サイトップ（旭硝子（株））膜等がある。
【００５５】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜は、上記切断面上に位置する幅１０μｍ以上の領域を除いて形成されている。
【００５６】
上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記半導体レーザバーの光出射端面に誘電体膜を形成した場合、半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側に回り込み誘電体膜が形成されるが、この回り込み誘電体膜の厚みは切断面から離れるにしたがって薄くなる。
【００５７】
したがって、上記保護膜は、切断面上に重なる幅１０μｍ以上の領域を除いて形成されているから、保護膜近傍の回り込み誘電体膜の厚みは薄い。
【００５８】
その結果、上記保護膜の除去が回り込み誘電体膜で阻害されず、保護膜と、この保護膜近傍の回り込み誘電体膜とを容易に除去することができる。
【００５９】
なお、上記領域の幅は、半導体レーザバーの共振器方向の長さよりも短く設定する。
【００６０】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜は、メッキで形成された金属膜であり、
上記電極は、Ａｕを含むＡｕメッキ膜である。
【００６１】
上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記保護膜がメッキによる金属膜であって、電極がＡｕメッキ膜であるから、保護膜及び電極の形成方法をメッキに単一化し、保護膜及び電極の形成方法を簡略化することができる。
【００６２】
また、上記保護膜はメッキで形成された金属膜であるから、電極の厚さを容易に厚くすることができる。
【００６３】
また、上記保護膜を厚くすることにより、電極に傷が付くのを保護膜で防ぐ効果を向上させることができる。
【００６４】
また、上記電極がＡｕメッキ膜であるから、電極の熱伝導率が高くなり、半導体レーザ素子の放熱性を向上させることができる。
【００６５】
また、上記電極がＡｕメッキ膜であるから、電極の厚さを容易に厚くすることができる。
【００６６】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記半導体レーザバーが、リッジ部を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を含み、
上記リッジ部により上記電極に生じた凸部の高さよりも、上記保護膜の厚さが厚い。
【００６７】
上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記リッジ部により電極に生じた凸部の高さよりも、保護膜の厚さが厚いから、傷の入りやすい電極の凸部を保護膜で確実に覆って保護することができる。
【００６８】
また、上記リッジ部により電極に生じた凸部の高さよりも、保護膜の厚さが厚くすることによって、電極の傷防止効果が高まるから、半導体レーザ素子のダイボンド面のはんだ濡れ性不均一による特性悪化や信頼性悪化を防止することができる。
【００６９】
また、上記リッジ部により電極に生じた凹部上に形成される回り込み誘電体膜の厚みは厚くなるが、凹部上に形成される回り込み誘電体膜は保護膜と共に除去できる。
【００７０】
上記リッジ導波路型半導体レーザ素子としては、例えば、電流狭窄及び光閉じ込めを効果的に実現できるレーザ・ストライプ構造を有するものがある。
【００７１】
上記レーザ・ストライプ構造としては、例えば、半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面側の半導体層群に形成されたリッジ部と、リッジ部の側面の少なくとも一部を埋める誘電体膜とを有するものがある。
【００７２】
一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜上に、上記保護膜を残した状態で除去することが可能な埋め込み膜を形成する工程を備え、
上記半導体レーザバーが、リッジ部を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を含み、
上記リッジ部により上記電極に生じた凸部の高さよりも、上記埋め込み膜の厚さが厚い。
【００７３】
上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記リッジ部により電極に生じた凸部の高さよりも、埋め込み膜の厚さが厚いから、傷の入りやすい電極の凸部を埋め込み膜で確実に覆って保護することができる。
【００７４】
また、上記リッジ部により電極に生じた凸部の高さよりも、埋め込み膜の厚さを厚くすることによって、電極の傷防止効果が高まるから、半導体レーザ素子のダイボンド面のはんだ濡れ性不均一による特性悪化や信頼性悪化を防止することができる。
【００７５】
また、上記リッジ部により電極に生じた凹部上に形成される回り込み誘電体膜の厚みは厚くなるが、凹部上に形成される回り込み誘電体膜は保護膜と共に除去できる。
【００７６】
また、上記埋め込み膜は保護膜を残した状態で除去することが可能であるから、埋め込み膜と保護膜の材料を同一にしなくてもよく、埋め込み膜の材料の選択の自由度を大きくすることができる。
【００７７】
また、上記埋め込み膜のエッチング除去は、半導体レーザバーの形成前に行ってもよいし、半導体レーザバーの形成後に行ってもよい。
【００７８】
上記リッジ導波路型半導体レーザ素子としては、例えば、電流狭窄及び光閉じ込めを効果的に実現できるレーザ・ストライプ構造を有するものがある。
【００７９】
上記レーザ・ストライプ構造としては、例えば、半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面側の半導体層群に形成されたリッジ部と、リッジ部の側面の少なくとも一部を埋める誘電体膜とを有するものがある。
【発明の効果】
【００８０】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法によれば、半導体レーザバーの光出射端面に誘電体膜を形成した後、保護膜を除去することによって、その誘電体膜の材料が半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側に回り込むことで形成された回り込み誘電体膜の少なくとも一部を保護膜と共に簡単かつ確実に除去することができる。
【００８１】
また、上記保護膜は、光出射端面に誘電体膜を残した状態で除去することが可能であるから、保護膜を除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができる。
【００８２】
また、上記回り込み誘電体膜の少なくとも一部を保護膜と共に除去することによって、電極上の回り込み誘電体膜が減少するから、電極のはんだ濡れ性を向上させることができる。
【００８３】
したがって、上記保護膜を除去した半導体レーザバーの分割により、ダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止できる半導体レーザ素子を作製することができる。
【００８４】
また、上記電極上において熱伝導率の悪い誘電体膜が減少するから、電極の熱放散効果を高めることができる。
【００８５】
したがって、上記保護膜を除去した半導体レーザバーの分割により、放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができる半導体レーザ素子を作製することができる。
【００８６】
また、上記半導体レーザ素子に関して放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができるので、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。
【００８７】
また、上記保護膜を除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができるから、その誘電体膜の除去を防止するための除去防止膜で上記誘電体膜を被覆しなくてもよく、製造工程を簡略化することができる。
【００８８】
また、上記保護膜を除去することによって、半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側の付着異物、汚れ、傷を保護膜と共に除去することができる。
【００８９】
したがって、上記保護膜が除去された半導体レーザバーの分割により、付着異物、汚れ、傷による特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができる半導体レーザ素子を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９０】
以下、実施形態により本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００９１】
（第１実施形態）
図１Ａ〜図１Ｋに、本発明の第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。
【００９２】
上記半導体レーザ素子の製造方法では、まず、図１Ａに示すように、レーザ・ストライプ構造が形成されて活性層を含む半導体層群３（厚さ数μｍ程度、最上層がｐ型コンタクト層）をｎ型半導体基板１上にエピタキシャル成長させる。これにより、上記ｎ型半導体基板１と半導体層群３とからなる半導体レーザウエハＷ１が得られる。なお、上記半導体層群３は、複数の半導体層のみ含むものであってもよいし、複数の半導体層と絶縁層とを含むものであってもよし、複数の半導体層と絶縁層と金属層とを含むものであってもよい。すなわち、上記半導体層群と３は少なくとも半導体層を含んでいるものである。
【００９３】
上記レーザ・ストライプ構造は、上記活性層のｎ型半導体基板１側の表面に平行、かつ、レーザ・ストライプ方向（レーザ共振器長方向）に垂直な方向（図１Ａ中の左右方向）の横モードを制御し、レーザ発振領域を形成する。
【００９４】
次に、図１Ｂに示すように、上記ｎ型半導体基板１は通常３００〜８００μｍの厚さがあるため、後工程のへき開法で半導体レーザウエハＷ１を分割できるように、ｎ型半導体基板１をラッピング（研磨）やエッチングして、半導体レーザウエハＷ１の厚さを約１００μｍ程度とする。
【００９５】
次に、上記半導体レーザウエハＷ１の半導体層群３側の表面にｐ側電極５を形成する一方、半導体レーザウエハＷ１のｎ型半導体基板１側の表面にｎ側電極４を形成する。なお、上記半導体レーザウエハＷ１の半導体層群３側の表面がエピタキシャル成長面の一例である。
【００９６】
上記ｎ側電極４，ｐ側電極５のそれぞれにおいては、半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面が、酸化に強く、放熱性の高いＡｕ層で形成されている。
【００９７】
次に、図１Ｃに示すように、上記ｐ側電極５に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面に、スパッタ装置により、Ｔｉからなる膜厚５０ｎｍのＴｉ保護膜５１を成膜する。
【００９８】
次に、図１Ｄに示すように、上記ｎ側電極４に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面に、レーザチップ分割位置を示す電極パターンを形成した後、レーザ・ストライプ方向に垂直な一方向に沿って、半導体レーザウエハＷ１をへき開法で周期的に切断し、この切断面であるへき開面を光出射端面６１とする半導体レーザバー７を複数作製する。上記へき開での周期の長さは半導体レーザ素子の共振器長となる。
【００９９】
次に、図１Ｅに示すように、上記複数の半導体レーザバー７を電極面が重なるように積み重ねて成膜用ホルダ３０１で保持する。
【０１００】
次に、図１Ｆに示すように、上記複数の半導体レーザバー７を保持した成膜用ホルダ３０１を真空蒸着装置のチャンバー３０２内のホルダ固定器３０３に固定する。このとき、上記成膜用ホルダ３０１は、複数の半導体レーザバー７の一方の光出射端面６１が蒸着源３０４に向くようにホルダ固定器３０３に固定される。なお、図１Ｆにおいて、３０５は膜厚計であり、３０６はダクトである。
【０１０１】
次に、上記蒸着源３０４を加熱して蒸発させることにより、複数の半導体レーザバー７の一方の光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１（図１Ｈ参照）を成膜する。
【０１０２】
次に、上記ホルダ固定器３０３を１８０度回転させて、複数の半導体レーザバー７の他方の光出射端面６１を蒸着源３０４に向けた後、蒸着源３０４を加熱して蒸発させることにより、複数の半導体レーザバー２０７の他方の光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１（図１Ｈ参照）を成膜する。
【０１０３】
上記半導体レーザバー７の一方の光出射端面６１に形成したＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１と、半導体レーザバー７の他方の光出射端面６１に形成したＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１とのどちらも、Ａｌ２Ｏ３光学的膜厚がλ／２となっている。なお、上記λはレーザ発振波長である。
【０１０４】
上記Ａｌ２Ｏ３誘電体膜７１の成膜を終えた半導体レーザバー７は、成膜用ホルダ３０１の使用により、半導体レーザバー７の電極面上へのＡｌ２Ｏ３回り込みは低減されている。
【０１０５】
しかしながら、上記半導体レーザバー７間に隙間があった場合には、図１Ｇ〜図１Ｉに示すように、半導体レーザバー７の電極面上へのＡｌ２Ｏ３が回り込み、回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１が発生している。
【０１０６】
本第１実施形態では、半導体レーザバー７間に隙間があって、半導体レーザバー７に回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１が発生したものとして説明を続ける。
【０１０７】
次に、上記半導体レーザバー７の光出射端面６１に成膜したＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を除去することなく、ｐ側電極５上のＴｉ保護膜５１をエッチング除去する。
【０１０８】
上記Ａｌ２Ｏ３誘電体膜７１は、フッ酸系エッチャントでエッチングされるＡｌ２Ｏ３からなるので、Ｔｉ保護膜５１のエッチング除去にはフッ酸系エッチャント以外のエッチャントを使用する。
【０１０９】
具体的には、硫酸と水を混合した硫酸系エッチャントを５０℃以下の液温にして、この液温５０℃以下の硫酸系エッチャントを用いてエッチングを行うと、光出射端面６１に成膜したＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を除去することなく、Ｔｉ保護膜５１のエッチング除去を行える。
【０１１０】
これにより、上記Ｔｉ保護膜５１上に成膜した回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１をＴｉ保護膜５１と共にエッチング除去できるので、ｐ側電極５上に回り込み成膜が無い半導体レーザバー８を得ることができる。
【０１１１】
また、上記硫酸系エッチャントを用いたエッチングにより、半導体レーザバー７の取り扱い時に半導体レーザバー７のｐ側電極５側に付着した異物や汚れも除去することができる。
【０１１２】
このように、上記Ｔｉ保護膜５１と共に回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１を除去すると、図１Ｊに示すように、ｐ側電極５に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面（以下、「ｐ側電極面」と言う。）の全部が露出する。
【０１１３】
次に、上記半導体レーザバー８にレーザ・ストライプ方向と平行なけがき線を形成した後、半導体レーザバー８を上記けがき線に沿って分割することによって、図１Ｋで示すように、複数の半導体レーザチップ９を形成する。
【０１１４】
上記半導体レーザチップ９は、図示しないヒートシンクにダイボンドされた後、そのヒートシンクをパーケージ本体に固定する。そして、上記半導体レーザチップ９とパッケージ本体とをワイヤーで接続する。これにより、上記半導体レーザチップ９、ヒートシンク、パーケージ及びワイヤを備える半導体レーザ装置が完成する。
【０１１５】
上記ヒートシンクのダイボンド面に半導体レーザチップ９をダイボンドする時、半導体レーザチップ９のダイボンド面であるｐ側電極面上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されていることから、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザチップ９を作製することができる。
【０１１６】
また、上記半導体レーザチップ９のダイボンド面であるｐ側電極面上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されるので、半導体レーザチップ９の放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザチップ９の製造の歩留りを向上させることができる。
【０１１７】
上記第１実施形態では、半導体レーザバー７の光出射端面６１にＡｌ２Ｏ３膜を成膜していたが、半導体レーザバー７の光出射端面６１に例えばＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜またはＴｉＯ２膜等を成膜してもよい。
【０１１８】
上記半導体レーザバー７の光出射端面６１にＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜またはＴｉＯ２膜を成膜する場合、これらの膜の全てがＡｌ２Ｏ３膜と同様にフッ酸系エッチャントでエッチングされてしまうので、それらの膜の成膜後においては、半導体レーザバー７のエピタキシャル成長面側の電極上の保護膜はフッ酸系エッチャント以外のエッチャントでエッチングする。
【０１１９】
具体的には、硫酸と水を混合した硫酸系エッチャントを５０℃以下の液温にして、半導体レーザバー７をエッチングすることにより、光出射端面６１に成膜したＳｉＯ２膜またはＳｉＮｘ膜またはＴｉＯ２膜を除去することなく、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１をエッチング除去できる。
【０１２０】
これにより、上記Ｔｉ保護膜５１上に成膜したＳｉＯ２膜またはＳｉＮｘ膜またはＴｉＯ２膜がＴｉ保護膜５１と共に除去されるから、ｐ側電極面上にＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜およびＴｉＯ２膜が無い半導体レーザバーを形成することができる。
【０１２１】
上記第１実施形態では、ｐ側電極５上に、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１を形成していたが、ｐ側電極５上に、ＭｏからなるＭｏ保護膜を形成してもよい。
【０１２２】
上記ＭｏからなるＭｏ保護膜は、アンモニア水と過酸化水素水と水とを混合したエッチャントでエッチング除去することができる。
【０１２３】
上記第１実施形態では、複数の半導体レーザバー７が互いにぶつからないように、複数の半導体レーザバー７を治具に取り付けた状態で、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１のエッチング除去を行ってもよい。この治具を用いることにより、複数の半導体レーザバー７が互いにぶつかることによる破損を防ぐことができ、半導体レーザチップ９の歩留りをさらに向上させることができる。
【０１２４】
また、上記第１実施形態では、粘着シートに半導体レーザバー７のｎ側電極４を貼り付け、Ｔｉ保護膜５１を上向きにした半導体レーザバー７にエッチングを行って、Ｔｉ保護膜５１を除去してもよい。ただし、上記粘着シートはエッチャントへの耐薬品性が必要である。
【０１２５】
上記第１実施形態では、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１を除去した後に、チップ分割を行っていたが、チップ分割後に、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１を除去してもよい。
【０１２６】
上記チップ分割後にＴｉ保護膜５１を除去する場合、複数の半導体レーザチップ９を作製した後、例えば、粘着シートに半導体レーザチップ９のｎ側電極４を貼り付け、Ｔｉ保護膜５１を上向きにした半導体レーザチップ９にエッチングを行って、Ｔｉ保護膜５１を除去する。これにより、上記半導体レーザチップ９にチップ分割時に付着した異物及び汚れを除去することができる。
【０１２７】
上記第１実施形態と、後述する第２〜第６実施形態とでは、半導体レーザチップの前側の光出射端面に成膜する誘電膜も、半導体レーザチップの後側の光出射端面に成膜する誘電膜も、Ａｌ２Ｏ３の単層膜としているが、半導体レーザチップの前側の光出射端面に、反射率が５％程度の低反射コーティングを施し、かつ、半導体レーザチップの後側の光出射端面に、多層膜成膜による反射率は９５％程度の高反射コーティングを施す非対称コートを行う場合や、半導体レーザチップの前側の光出射端面と、半導体レーザチップの後側の光出射端面との両方に、多層膜成膜コートを施す場合でも、半導体レーザチップの前側の光出射端面と、半導体レーザチップの後側の光出射端面とに成膜する膜の最上層が誘電体膜の場合には、上記第１実施形態と同様の効果を得ることは可能である。
【０１２８】
（第２実施形態）
図２Ａ〜図２Ｃに、本発明の第２実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。また、図２Ａ〜図２Ｃにおいて、図１Ａ〜図１Ｋで示した第１実施形態と同一構成部は、図１Ａ〜図１Ｋにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略するか、または、簡単に説明する。また、本第２実施形態は、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程まで、上記第１実施形態と同じであるので、以下では、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程までの説明は省略する。
【０１２９】
本第２実施形態では、上記半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成した後、図２Ａに示すように、ｐ側電極５上に、ＭｇＣｌ２からなる厚さ５０ｎｍのＭｇＣｌ２保護膜５２を成膜する。
【０１３０】
上記ＭｇＣｌ２保護膜５２は、半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極面に電子ビーム蒸着機によって成膜する。
【０１３１】
次に、上記第１実施形態と同一の光出射端面形成工程及び誘電体膜成膜工程を行う。つまり、上記半導体レーザウエハＷ１を分割して、図２Ｂに示すような半導体レーザバー１７を複数形成した後、各半導体レーザバー１７の両光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を成膜する。
【０１３２】
次に、上記半導体レーザバー１７を水洗する。そうすると、ＭｇＣｌ２膜は水溶性であるから、ＭｇＣｌ２保護膜５２が水洗除去される。このとき、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２は水洗除去されても、光出射端面６１に形成したＡｌ２Ｏ３膜は水洗除去されない。また、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２が水洗除去されることにより、ＭｇＣｌ２保護膜５２上に回り込み成膜した回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１がＭｇＣｌ２保護膜５２と共に除去される。
【０１３３】
すなわち、上記半導体レーザバー１７を水洗することによって、光出射端面６１に形成されたＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を除去することなく、ＭｇＣｌ２保護膜５２と、この上に形成された回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１とを水洗除去できる。
【０１３４】
これにより、図２Ｃに示すように、ｐ側電極面の全部が露出し、ｐ側電極５上にＡｌ２Ｏ３膜の回り込み成膜が無い半導体レーザバー８を形成することができる。
【０１３５】
また、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２を水洗除去することによって、半導体レーザバー１７の取り扱い時に半導体レーザバー１７のｐ側電極５側に付着した異物や汚れも除去することができる。
【０１３６】
このように、本第２実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の効果が得られ、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザチップを作製することができる。
【０１３７】
また、上記半導体レーザチップのダイボンド面（ｐ側電極５に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面、つまり、ｐ側電極面）上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されるので、半導体レーザチップの放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザチップの製造の歩留りを向上させることができる。
【０１３８】
上記第２実施形態では、半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極５上に、ＭｇＣｌ２からなるＭｇＣｌ２保護膜５２を成膜していたが、半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極５上に例えばＫＣｌ膜やＮａＣｌ膜等を成膜してもよい。
【０１３９】
上記ＫＣｌ膜やＮａＣｌ膜は、電子ビーム蒸着によって成膜することができると共に、水洗で除去することができる。
【０１４０】
したがって、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２の代わりにＫＣｌ膜やＮａＣｌ膜を成膜しても、ＭｇＣｌ２保護膜５２を形成する場合と同様の効果が得ることができる。
【０１４１】
また、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２の代わりに、部分エステル化したＰＶＡ（ポリビニルアルコール）からなるポリビニルアルコール保護膜を半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極５上に形成してもよい。
【０１４２】
上記ポリビニルアルコール保護膜は、部分エステル化したＰＶＡを半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極５に厚さ０．２μｍ塗布することにより成膜することができる。
【０１４３】
上記ポリビニルアルコール保護膜は、水洗で除去できるので、ＭｇＣｌ２保護膜５２を形成する場合と同様の効果が得ることができる。
【０１４４】
（第３実施形態）
図３Ａ〜図３Ｃに、本発明の第３実施形態による半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。また、図３Ａ〜図３Ｃにおいて、図１Ａ〜図１Ｋで示した第１実施形態と同一構成部は、図１Ａ〜図１Ｋにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略するか、または、簡単に説明する。また、本第３実施形態は、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程まで、上記第１実施形態と同じであるので、以下では、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程までの説明は省略する。
【０１４５】
本第３実施形態では、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成した後、図３Ａに示すように、フッ素系樹脂サイトップ（旭硝子（株））からなる厚さ０．１μｍのサイトップ保護膜５３でｐ側電極５をコーティングして、１１０℃にて焼成する。
【０１４６】
次に、上記第１実施形態と同一の光出射端面形成工程及び誘電体膜成膜工程を行う。つまり、上記半導体レーザウエハＷ１を分割して、図３Ｂに示すような半導体レーザバー２７を複数形成した後、各半導体レーザバー２７の両光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を成膜する。
【０１４７】
次に、上記半導体レーザバー２７をパーフルオロ溶媒で洗浄する。そうすると、フッ素系樹脂サイトップはパーフルオロ溶媒に溶解するので、フッ素系樹脂サイトップからなるサイトップ保護膜５３がパーフルオロ溶媒で除去される。このとき、上記サイトップ保護膜５３はパーフルオロ溶媒で除去されても、光出射端面６１に形成されたＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１はパーフルオロ溶媒で除去されない。また、上記サイトップ保護膜５３がパーフルオロ溶媒で除去されることにより、サイトップ保護膜５３上に回り込み成膜した回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１がサイトップ保護膜５３と共に除去される。
【０１４８】
すなわち、上記半導体レーザバー２７をパーフルオロ溶媒で洗浄することによって、出射端面６１に形成されたＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を除去することなく、サイトップ保護膜５３と、この上に形成された回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１とを除去できる。
【０１４９】
これにより、図３Ｃに示すように、ｐ側電極面の全てが露出し、ｐ側電極５上にＡｌ２Ｏ３膜の回り込み成膜が無い半導体レーザバー８を形成することができる。
【０１５０】
また、上記サイトップ保護膜５３をパーフルオロ溶媒で除去することによって、半導体レーザバー２７の取り扱い時に半導体レーザバー２７のｐ側電極５側に付着した異物や汚れも除去することができる。
【０１５１】
このように、本第３実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の効果が得られ、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザ素子を作製することができる。
【０１５２】
また、上記半導体レーザチップのダイボンド面（ｐ側電極５に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面、つまり、ｐ側電極面）上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されるので、半導体レーザ素子の放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。
【０１５３】
（第４実施形態）
図４Ａ〜図４Ｇに、本発明の第４実施形態による半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。また、図４Ａ〜図４Ｇにおいて、図１Ａ〜図１Ｋで示した第１実施形態と同一構成部は、図１Ａ〜図１Ｋにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略するか、または、簡単に説明する。また、本第４実施形態は、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程まで、上記第１実施形態と同じであるので、以下では、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程までの説明は省略する。
【０１５４】
本第４実施形態では、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成した後、図４Ａに示すように、ｐ側電極５上に、Ｍｏからなる厚さ５０ｎｍのＭｏ保護膜５４をスパッタ装置により成膜する。
【０１５５】
次に、上記Ｍｏ保護膜５４上にレジストを塗布した後、公知のフォトリソ工程により、半導体レーザバー３７（図４Ｃ参照）を作製するための分割線に合わせ、上記レジストに１０μｍ幅の開口部を形成して、アンモニア水と過酸化水素水と水とを混合したアンモニア系エッチャントで、その開口部から露出したＭｏ保護膜５４をエッチング除去する。これにより、図４Ｂに示すように、上記分割線上に１０μｍ幅のストライプ形状のＭｏ保護膜除去領域５Ａが形成され、このＭｏ保護膜除去領域５Ａからｐ側電極５の一部が露出する。
【０１５６】
次に、図４Ｃに示すように、上記半導体レーザウエハＷ１をへき開法により周期的に切断し、この切断面であるへき開面を光出射端面６１とする半導体レーザバー３７を複数作製する。
【０１５７】
上記半導体レーザバー３７では、Ｍｏ保護膜除去領域５Ａが形成されていることにより、図４Ｄに示すように、半導体レーザバー３７の光出射端面６１近傍にある約５μｍ幅の領域はＭｏ保護膜５４が無くｐ側電極５の一部が露出している。このとき、上記ｐ側電極５上においては、上記領域以外の領域にＭｏ保護膜５４が形成されている。
【０１５８】
次に、上記各半導体レーザバー３７の両光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を成膜する。この際、上記第１実施形態と同様に、成膜用ホルダ３０１の使用時に、半導体レーザバー３７間に隙間があった場合には、半導体レーザバー３７の電極面上へのＡｌ２Ｏ３が回り込み、図４Ｅに示すように、回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１が発生する。
【０１５９】
上記ｐ側電極５上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は、図４Ｆに示すように、光出射端面６１近傍に形成された光出射端面近傍部８１Ａと、Ｍｏ保護膜５４の光出射端面６１側の端近傍９１に形成されたＭｏ保護膜端近傍部８１Ｂとからなっている。このＭｏ保護膜端近傍部８１Ｂの厚さは、光出射端面近傍部８１Ａの厚さよりも薄くなっている。
【０１６０】
次に、アンモニア系エッチャントにより、Ｍｏ保護膜５４のエッチングを行う。これにより、上記Ｍｏ保護膜５４と共にＭｏ保護膜端近傍部８１Ｂが除去される。
【０１６１】
上記Ｍｏ保護膜端近傍部８１Ｂの厚さが薄いこと、及び、Ａｌ２Ｏ３誘電体膜７１が厚く成膜される光出射端面６１に対してＭｏ保護膜５４は分離されていることから、Ｍｏ保護膜端近傍部８１Ｂの除去を容易に行うことができる。
【０１６２】
このように、上記Ｍｏ保護膜端近傍部８１Ｂを除去することにより、図４Ｇに示すように、Ｍｏ保護膜５４及びＭｏ保護膜端近傍部８１Ｂが無い半導体レーザバー３８が得られる。
【０１６３】
一方、上記Ｍｏ保護膜５４を除去した後に、光出射端面近傍部８１Ａが残る領域は、幅１０μｍのＭｏ保護膜除去領域５Ａに限定されるため、半導体レーザチップのダイボンド面（ｐ側電極５に関してｎ型半導体基板１側とは反対側の表面、つまり、ｐ側電極面）の大半において、回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されていることから、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザチップを作製することができる。
【０１６４】
また、上記半導体レーザチップのダイボンド面となるｐ側電極面にＡｌ２Ｏ３膜が回り込み成膜されることで生じていた、半導体レーザチップの放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザチップの製造の歩留りを向上させることがでる。
【０１６５】
上記第４実施形態では、Ｍｏ保護膜除去領域５Ａの幅を１０μｍとしているが、一般的なフォトリソ工程におけるＭｏ保護膜除去領域５Ａの形成に関するアライメント精度や、半導体レーザバー３８の分割に関するアライメント精度により、上記Ｍｏ保護膜除去領域幅を１０μｍ未満にすると、Ｍｏ保護膜除去領域５Ａ内に半導体レーザバー３８の分割線を一致させるのは難しくなり、上記分割線がＭｏ保護膜除去領域５Ａから外れる場合が生じる。このことから、上記Ｍｏ保護膜除去領域５Ａの幅は１０μｍ以上であることが望ましい。
【０１６６】
また、上記Ｍｏ保護膜除去領域５Ａの幅は、半導体レーザバー３７のレーザ共振器長方向の長さよりも短くし、例えば１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下にする。
【０１６７】
上記第４実施形態では、図４Ｂに示すように、半導体レーザバー３８の分割線に合わせて幅１０μｍのストライプ形状のＭｏ保護膜除去領域５Ａを形成したが、Ｍｏ保護膜除去領域５Ａに加えて、半導体レーザチップの分割線に合わせてストライプ形状のＭｏ保護膜除去領域を形成してもよい。
【０１６８】
上記半導体レーザチップの分割線に合わせてストライプ形状のＭｏ保護膜除去領域を形成した場合、半導体レーザバーでのＭｏ保護膜除去時に、回り込みＡｌ２Ｏ３保護膜も１チップごとに分離されているため、さらに切断除去が容易となる。
【０１６９】
（第５実施形態）
図５Ａ〜図５Ｄに、本発明の第５実施形態による半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。
【０１７０】
本第５実施形態では、ヒートシンクへのダイボンド時の熱放散性を高めるため、熱伝導のよいＡｕメッキ電極１３５（図５Ｂ参照）を設けたリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法について説明する。また、上記リッジ導波路型半導体レーザ素子のレーザ構造を形成する半導体層、レーザ・ストライプ構造はＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザ素子と同様であるが、本発明が赤色半導体レーザ素子の製造方法に特に限定されるものではない。
【０１７１】
本第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、まず、図５Ａに示すように、レーザ・ストライプ構造が形成されて活性層を含む半導体層群１１４をｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に成長させた後、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１をへき開法でウエハ分割できるように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の下部（半導体層群１１４側の部分とは反対側の部分）をラッピング（研磨）やエッチングにより研磨し、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の厚さを約１００μｍ程度にする。これにより、厚さ約１００μｍ程度のｎ型ＧａＡｓ基板１０１と半導体層群１１４とからなる半導体レーザウエハＷ２が得られる。
【０１７２】
次に、上記半導体レーザウエハＷ２の半導体層群１１４側の表面にｐ側電極１３１を形成する一方、半導体レーザウエハＷ２のｎ型ＧａＡｓ基板１０１側の表面にｎ側電極１３４を形成する。
【０１７３】
次に、図５Ｂに示すように、上記ｐ側電極１３１上に、Ａｕから成る厚さ３．０μｍのＡｕメッキ電極１３５を形成し、さらに、Ａｕメッキ電極１３５上に、厚さ０．５μｍのＴｉメッキ保護膜１５５を形成する。
【０１７４】
上記半導体レーザウエハＷ２には複数の半導体レーザ素子を含んでおり、この半導体レーザ素子の構造は、図５Ｂに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に順次積層されたｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第１クラッド層１０２、量子井戸活性層１０３、ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第２クラッド層１０４、ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層１０５を含んでいる。
【０１７５】
上記量子井戸活性層１０３は、２層のＩｎ０.５Ｇａ０.５Ｐウエル層と、その２層の間に配置された１層の（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐバリア層と、これらのウェル層及びバリア層を挟む２層の（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐガイド層とで構成される。
【０１７６】
上記リッジ部１１１は、ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層１０５上に形成されたリッジ部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層１０６Ａ、リッジ部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層１０７Ａ及びリッジ部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８Ａで構成されている。
【０１７７】
上記リッジ部１１１の両側には、半導体レーザウエハＷ２の取り扱い時やレーザチップ実装時にリッジ部１１１が受ける機械的ダメージを軽減するためのストライプ状のテラス部１２を形成している。このテラス部１２は、リッジ部１１１と同様に、テラス部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層１０６Ｂ、テラス部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層１０７Ｂ及びテラス部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８Ｂで形成される。このようなリッジ部１１１、テラス部１１２及び溝部１１３は図５Ｂの紙面に対して垂直方向に延びている。
【０１７８】
また、上記リッジ部１１１の側面と、ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層５の上面と、テラス部１１２の上面及び側面とは誘電体膜１２１で覆われている。この誘電体膜１２１及びリッジ部１１１上には、リッジ上電極としてのｐ側電極１３１が形成されている。このｐ側電極１３１は、誘電体膜１２１に対して密着性が高いＴｉ膜と、Ｔｉ膜上に形成されたＰｔ膜と、このＰｔ膜上に形成されたＡｕ膜とからなっている。また、上記ｐ側電極１３１はテラス部１１２の上面及び側面も覆っている。なお、上記誘電体膜１２１とリッジ部１１１とがレーザ・ストライプ構造を形成している。
【０１７９】
また、上記誘電体膜１２１がリッジ部１１１の上面の全部とリッジ部１１１の側面の上部とを覆っていない。このような状態で、リッジ部１１１及び誘電体膜１２１上にｐ側電極１３１が形成されることにより、ｐ側電極１３１がリッジ部１１１の上面の全部とリッジ部１１１の側面の上部とに接触する。
【０１８０】
また、上記ｐ側電極１３１の形成後には、ｐ側電極１３１上に、フォトリソグラフィ技術によってレジストパターン（図示せず）を形成して、ウエハ端で露出するｐ側電極１３１に給電することによって、電解Ａｕメッキ、Ｔｉメッキを順次行い、Ａｕメッキ電極１３５及びＴｉメッキ保護膜１５５を形成する。
【０１８１】
より詳しくは、上記Ａｕメッキ電極１３５及びＴｉメッキ保護膜１５５の形成は、半導体レーザバー４７（図５Ｃ参照）を形成するための分割線上、及び、半導体レーザチップを形成するための分割線上に、レジストパターンを形成してから行われる。こうすると、後工程で行うバー分割やチップ分割を容易に行うことができる。なお、上記レジストパターンはＴｉメッキ保護膜１５５の形成後に除去する。
【０１８２】
上記レジストパターンの除去後は、図５Ｃに示すように、半導体レーザウエハＷ２をへき開法により分割して、複数の半導体レーザバー４７を作製する。
【０１８３】
次に、上記第１実施形態と同一の誘電体膜成膜工程を行う。つまり、上記半導体レーザバー４７の両光出射端面６２に、Ａｌ２Ｏ３からなる誘電体膜を成膜する。これにより、上記半導体レーザバー４７のｐ側電極面側へのＡｌ２Ｏ３が回り込み、回り込みＡｌ２Ｏ３膜がＴｉメッキ保護膜１５５上に形成される。
【０１８４】
次に、硫酸と水を混合した液温５０℃以下の硫酸系エッチャントにより、半導体レーザバー４７をエッチングする。そうすると、上記光出射端面６２に成膜した誘電体膜を除去することなく、Ｔｉメッキ保護膜１５５をエッチング除去でき、さらに、Ｔｉメッキ保護膜１５５上の回り込みＡｌ２Ｏ３膜も除去できる。
【０１８５】
これにより、上記Ａｕメッキ電極１３５上にＡｌ２Ｏ３膜の回り込み成膜が無い半導体レーザバーを形成することができる。
【０１８６】
また、上記Ｔｉメッキ保護膜１５５をエッチング除去することによって、半導体レーザバー４７の取り扱い時に半導体レーザバー４７のＡｕメッキ電極１３５側に付着した異物や汚れも除去できる。
【０１８７】
上記Ｔｉメッキ保護膜１５５の除去処理後は、レーザ・ストライプ方向と平行なけがき線を半導体レーザバーに形成して、半導体レーザバーを分割することにより、複数の半導体レーザチップを形成する。
【０１８８】
上記半導体レーザチップは、図示しないヒートシンクの一表面にダイボンドされた後、パッケージ実装される。つまり、上記半導体レーザチップは上記ヒートシンクを介して図示しないパッケージ本体に固定される。そして、上記半導体レーザチップとパッケージ本体とをワイヤーで接続する。
【０１８９】
上記ヒートシンクのダイボンド面に半導体レーザチップをダイボンドする時、半導体レーザチップ９のダイボンド面であるｐ側電極面上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されていることから、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザ素子を作製することができる。
【０１９０】
また、上記半導体レーザチップのダイボンド面であるｐ側電極面上の回り込みＡｌ２Ｏ３膜は除去されるので、半導体レーザ素子の放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。
【０１９１】
また、上記Ａｕメッキ電極１３５をメッキ法で形成した後、Ｔｉメッキ保護膜１５５もメッキ法で形成しており、Ａｕメッキ電極１３５の形成時に使用したレジストパターン及び給電部を、Ｔｉメッキ保護膜１５５の形成時に使用しているので、工程の簡略化を図ることができる。
【０１９２】
また、図５Ｄで示すように、Ｔｉメッキ保護膜１５５の厚さｄ２は、リッジ部１１１により生じたＡｕメッキ電極１３３の段差ｄ１よりも厚くすることが望ましい。
【０１９３】
これは、上記Ｔｉメッキ保護膜１５５の厚さｄ２がＡｕメッキ電極１３３の段差ｄ１よりも薄いと、Ｔｉメッキ保護膜１５５に関してリッジ部１１１により生じたリッジ上保護膜凸部９３に傷や破損が生じやすくなってしまうからである。
【０１９４】
上記リッジ部１１１近傍の電極面に傷、破損が生じた場合、レーザチップ実装時、リッジ部１１１近傍の応力が不均一となり、特性，信頼性に悪影響を与える。
【０１９５】
上記Ａｕメッキ電極１３３の段差ｄ１よりもＴｉメッキ保護膜１５５の厚さｄ２を厚くすることにより、リッジ部１１上の凸部分は全てＴｉメッキ保護膜１５５で形成されることになり、半導体レーザウエハ取り扱い時のリッジ部上の凸部分の傷、破損はＴｉメッキ保護膜１５５で止まり、Ｔｉメッキ保護膜１５５の除去時に、上記傷，破損を取り除くことができる。
【０１９６】
したがって、レーザチップ実装時のリッジ部近傍の応力不均一、及びそれによる特性悪化を防ぐことができる。
【０１９７】
（第６実施形態）
図６に、本発明の第６実施形態の半導体レーザ素子の製造方法で使用する半導体レーザウエハＷ２の概略構造図を示す。また、図６において、図５Ｂで示した第５実施形態と同一構成部は、図５Ｂにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略するか、または、簡単に説明する。
【０１９８】
本第６実施形態では、半導体レーザウエハＷ２の半導体層群１１４上に、上記第５実施形態と同様に、ｐ側電極１３１、Ａｕメッキ電極１３５を順次形成した後、フッ素系樹脂サイトップ（旭硝子（株））からなる厚さ０．１μｍのサイトップ保護膜１５６でＡｕメッキ電極１３５をコーティングして、１１０℃にて焼成する。
【０１９９】
次に、上記サイトップ保護膜１５６上に埋め込み用ＣＶＤ酸化膜を形成する。例えば、サイトップ保護膜１５６上に、ＳｉＯ２からなる厚さ１．５μｍのＳｉＯ２埋め込み膜１５７を形成する。
【０２００】
上記ＳｉＯ２埋め込み膜１５７の厚さｄ３は、リッジ部１１１により生じたＡｕメッキ電極段差ｄ１よりも厚く設定されている。これは、上記第５実施形態と同様に、ウエハ取り扱い時の傷や汚れがリッジ部１１上の凸部分に入った場合においても、その傷や汚れはＳｉＯ２埋め込み膜１５７で止まり、後工程でＳｉＯ２膜１５７を除去することで、取り除くことができる。
【０２０１】
次に、上記ｎ側電極１３４に、レーザチップ分割位置を示す電極パターンを公知のフォトリソ工程、エッチング工程により形成する。
【０２０２】
次に、上記ＳｉＯ２埋め込み膜１５７は例えばフッ酸によりエッチング除去を行う。このとき、上記サイトップ保護膜１５６は、フッ酸にエッチングされないため、ＳｉＯ２埋め込み膜１５７のみがエッチング除去される。
【０２０３】
上記フッ酸を用いたエッチングの際、ｎ側電極１３４がフッ酸でエッチングされる場合は、ｎ側電極１３４に例えばレジスト塗布を行うことで、ＳｉＯ２埋め込み膜１５７のあるｐ側電極面側のみフッ酸エッチングすることができる。
【０２０４】
次に、上記第５実施形態と同様に、半導体レーザウエハＷ２をへき開法により分割して、複数の半導体レーザバーを作製する。
【０２０５】
次に、上記第１実施形態と同一の誘電体膜成膜工程を行う。つまり、上記半導体レーザバーの両光出射端面に、Ａｌ２Ｏ３からなる誘電体膜を成膜する。これにより、上記半導体レーザバーのｐ側電極面側へのＡｌ２Ｏ３が回り込み、回り込みＡｌ２Ｏ３膜がサイトップ保護膜１５６上に形成される。
【０２０６】
次に、上記半導体レーザバーをパーフルオロ溶媒で洗浄する。そうすると、フッ素系樹脂サイトップはパーフルオロ溶媒に溶解するので、フッ素系樹脂サイトップからなるサイトップ保護膜１５６がパーフルオロ溶媒で除去される。このとき、上記サイトップ保護膜１５６はパーフルオロ溶媒で除去されても、光出射端面上のＡｌ２Ｏ３膜はパーフルオロ溶媒で除去されない。また、上記サイトップ保護膜１５６がパーフルオロ溶媒で除去されることにより、サイトップ保護膜１５６上に回り込み成膜したＡｌ２Ｏ３膜がサイトップ保護膜１５６と共に除去される。
【０２０７】
すなわち、上記半導体レーザバーをパーフルオロ溶媒で洗浄することによって、出射端面上の誘電体膜を除去することなく、サイトップ保護膜１５６と、この上に形成された回り込みＡｌ２Ｏ３膜とを除去できる。
【０２０８】
これにより、エピタキシャル成長面側のｐ側電極１３１の表面が露出し、ｐ側電極１３１上にＡｌ２Ｏ３膜の回り込み成膜が無い半導体レーザバーを形成することができる。
【０２０９】
また、上記サイトップ保護膜１５６をパーフルオロ溶媒で除去することによって、半導体レーザバーの取り扱い時に半導体レーザバーのｐ側電極１３１側に付着した異物や汚れも除去することができる。
【０２１０】
このように、本第６実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の効果が得られ、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザ素子を作製することができる。
【０２１１】
また、上記半導体レーザバーを分割して得る半導体レーザチップのダイボンド面（ｐ側電極１３１に関してｎ型ＧａＡｓ基板１０１側とは反対側の表面）上の回り込みＡｌ２Ｏ３膜は除去されるので、半導体レーザ素子の放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。
【０２１２】
上記第１〜第６実施形態においては、誘電体膜は保護膜を除去する前と保護膜を除去した後とで全く同じ状態でなくてもよく、保護膜を除去した状態で、保護膜を除去する前の誘電体膜の少なくとも一部が光出射端面に残るようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２１３】
【図１Ａ】図１Ａは本発明の第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ作製工程の概略図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハの電極形成工程の概略図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のＴｉ保護膜成膜工程の概略図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー積み重ね工程の概略図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程の概略図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の半導体レーザバー及び成膜ホルダの概略図である。
【図１Ｈ】図１Ｈは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の概略斜視図である。
【図１Ｉ】図１Ｉは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去前の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図１Ｊ】図１Ｊは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去工程後の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図１Ｋ】図１Ｋは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザチップ作製工程の概略図である。
【図２Ａ】図２Ａは本発明の第２実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のＭｇＣｌ２保護膜成膜工程の概略図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは上記第２実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去前の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは上記第２実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去工程後の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは本発明の第３実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のサイトップ保護膜成膜工程の概略図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは上記第３実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去前の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは上記第３実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去工程後の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは本発明の第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のＭｏ保護膜成膜工程の概略図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のＭｏ保護膜除去領域形成工程の概略図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜前の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜後の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｆは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去前の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図４Ｇ】図４Ｇは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去後の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは本発明の第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハの電極形成工程の概略図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは上記第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ構造の概略図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは上記第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは上記第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ構造の概略図である。
【図６】図６は本発明の第６実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ構造の概略図である。
【図７Ａ】図７Ａは従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ作製工程の概略図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハの電極形成工程の概略図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは従来のダイボンド工程の概略図である。
【図８Ａ】図８Ａは他の従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー積み重ね工程の概略図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは上記他の従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程の概略図である。
【図９Ａ】図９Ａは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の半導体レーザバーの概略図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の半導体レーザバーの概略断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザチップ作製工程の概略工程図である。
【図１０Ａ】図１０Ａはさらに他の従来の半導体レーザ素子の製造方法で製造されるリッジ導波路型半導体レーザ素子の概略断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは上記他の従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の半導体レーザバーの概略図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の電極の概略斜視図である。
【符号の説明】
【０２１４】
１  ｎ型半導体基板
３  半導体層群
４  ｎ側電極
５  ｐ側電極
５Ａ  Ｍｏ保護膜除去領域
７，８，１７，２７，３７，３８，４７  半導体レーザバー
９  半導体レーザチップ
６１  光出射端面
５１  Ｔｉ保護膜
５２  ＭｇＣｌ２保護膜
５３  サイトップ保護膜
５４  Ｍｏ保護膜
７１  Ａｌ２Ｏ３誘電体膜
８１  回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜
８１Ａ  光出射端面近傍部
８１Ｂ  Ｍｏ保護膜端近傍部
９３    リッジ上保護膜凸部
１０１  ｎ型ＧａＡｓ基板
１０２  ｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第１クラッド層
１０３  量子井戸活性層
１０４  ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第２クラッド層
１０５  ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層
１０６  ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層
１０７  ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層
１０６Ａ  リッジ部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層
１０７Ａ  リッジ部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層
１０８Ａ  リッジ部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１０６Ｂ  テラス部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層
１０７Ｂ  テラス部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層
１０８Ｂ  テラス部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１１１  リッジ部
１１２  テラス部
１１３  溝部
１２１  リッジ部埋め込み誘電体膜
１３１  ｐ側電極
１３４  ｎ側電極
１３５  Ａｕメッキ電極
１５５  Ｔｉメッキ保護膜
１５６  サイトップ保護膜
１５７  ＳｉＯ２埋め込み膜
２０１  半導体基板
２０３  半導体層群
２０４，２０５  電極
２７１  誘電体膜
２７５  ヒートシンク
２７６  はんだ
２７７  ワイヤー
２８１  回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜
【図１Ａ】
2007281277.tif 000003
【図１Ｂ】
2007281277.tif 000004
【図１Ｃ】
2007281277.tif 000005
【図１Ｄ】
2007281277.tif 000006
【図１Ｅ】
2007281277.tif 000007
【図１Ｆ】
2007281277.tif 000008
【図１Ｇ】
2007281277.tif 000009
【図１Ｈ】
2007281277.tif 000010
【図１Ｉ】
2007281277.tif 000011
【図１Ｊ】
2007281277.tif 000012
【図１Ｋ】
2007281277.tif 000013
【図２Ａ】
2007281277.tif 000014
【図２Ｂ】
2007281277.tif 000015
【図２Ｃ】
2007281277.tif 000016
【図３Ａ】
2007281277.tif 000017
【図３Ｂ】
2007281277.tif 000018
【図３Ｃ】
2007281277.tif 000019
【図４Ａ】
2007281277.tif 000020
【図４Ｂ】
2007281277.tif 000021
【図４Ｃ】
2007281277.tif 000022
【図４Ｄ】
2007281277.tif 000023
【図４Ｅ】
2007281277.tif 000024
【図４Ｆ】
2007281277.tif 000025
【図４Ｇ】
2007281277.tif 000026
【図５Ａ】
2007281277.tif 000027
【図５Ｂ】
2007281277.tif 000028
【図５Ｃ】
2007281277.tif 000029
【図５Ｄ】
2007281277.tif 000030
【図６】
2007281277.tif 000031
【図７Ａ】
2007281277.tif 000032
【図７Ｂ】
2007281277.tif 000033
【図７Ｃ】
2007281277.tif 000034
【図７Ｄ】
2007281277.tif 000035
【図７Ｅ】
2007281277.tif 000036
【図７Ｆ】
2007281277.tif 000037
【図８Ａ】
2007281277.tif 000038
【図８Ｂ】
2007281277.tif 000039
【図９Ａ】
2007281277.tif 000040
【図９Ｂ】
2007281277.tif 000041
【図９Ｃ】
2007281277.tif 000042
【図１０Ａ】
2007281277.tif 000043
【図１０Ｂ】
2007281277.tif 000044
【図１０Ｃ】
2007281277.tif 000045
【図１０Ｄ】
2007281277.tif 000046