(57)【要約】【課題】横電界方式を採用した半透過反射型の液晶装置であって、反射表示と透過表示の双方で高画質かつ広視野角の表示を得ることができ、また簡便な工程で低コストに製造可能な構成を具備した液晶装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置は、１つのサブ画素領域内に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが設けられ、少なくとも前記反射表示領域Ｒに前記サブ画素領域内に液晶層厚調整層４８が設けられた半透過反射型の液晶装置であり、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側に、略基板平面方向の電界を液晶層５０に作用させる画素電極９と共通電極１９とが設けられており、反射表示領域Ｒにおける帯状電極９ｃ（画素電極９）と帯状電極１９ｃ（共通電極１９）との電極間隔が、透過表示領域Ｔにおける帯状電極９ｄ（画素電極９）と帯状電極１９ｄ（共通電極１９）との電極間隔より広く形成された構成を備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と第２電極が備えられ、前記第１電極と前記第２電極間に生じる電界によって前記液晶層が駆動されるとともに、１つのサブ画素領域内に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられ、少なくとも前記反射表示領域に前記サブ画素領域内で前記液晶層の厚さを異ならせる液晶層厚調整層が設けられた半透過反射型の液晶装置であって、
前記透過表示領域の前記電界の主方向における第１電極と第２電極との電極間隔が、前記反射表示領域の前記電界の主方向における第１電極と第２電極との電極間隔より狭く形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１電極及び第２電極が、それぞれ１本又は複数本の帯状電極を有しており、
前記透過表示領域及び前記反射表示領域の各領域内で、前記第１電極の帯状電極と前記第２電極の帯状電極とが、略平行に交互に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と第２電極が備えられ、前記第１電極と前記第２電極間に生じる電界によって前記液晶層が駆動されるとともに、１つのサブ画素領域内に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられ、少なくとも前記反射表示領域に前記サブ画素領域内で前記液晶層の厚さを異ならせる液晶層厚調整層が設けられた半透過反射型の液晶装置であって、
前記第１電極と前記第２電極は絶縁膜を介して積層形成されており、
前記第１電極は複数本の帯状電極を有して形成されるとともに、前記第２電極は前記サブ画素領域内で前記第１電極の複数本の帯状電極を含んだ領域に形成されており、
前記透過表示領域の前記電界の主方向における前記帯状電極同士の間隔が、前記反射表示領域の前記電界の主方向における前記帯状電極同士の間隔より狭く形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記帯状電極のうち前記透過表示領域に配置された帯状電極が、前記反射表示領域に配置された帯状電極より大きい幅を有していることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記透過表示領域における前記電界方向の前記電極間隔ｄｔと、前記反射表示領域における前記電極間隔ｄｒとの積ｄｔ×Ｇｒが、前記透過表示領域における液晶層厚Ｇｔと、前記反射表示領域における液晶層厚Ｇｒとの積ｄｒ×Ｇｒに略一致していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置の一形態として、液晶層に基板面方向の電界を作用させて液晶分子の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する。）のものが知られており、液晶に作用させる電界を形成する電極の形態によりＩＰＳ（In-Plane Switching）方式、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式等と呼ばれるものが知られている。また最近では、横電界方式による広視野角化を目的として、半透過反射型の液晶装置に横電界方式を適用することが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３４４８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載の液晶装置では、反射表示領域の液晶層厚と透過表示領域の液晶層厚とを互いに異ならせたマルチギャップ方式の液晶装置について、その透過表示領域、あるいは透過表示領域と反射表示領域の双方について横電界方式を採用している。半透過反射型の液晶装置においては、透過表示領域と反射表示領域とで表示光が液晶層を透過する回数が異なるため、適切な表示を得るために前記両領域の液晶層のリタデーションを調整する必要があり、上記マルチギャップ方式を採用すれば液晶層のリタデーション調整を行うことが可能である。しかしながら、横電界方式の液晶装置においては、液晶層厚の変化に伴って閾値電圧（駆動電圧）が変化するため、マルチギャップ構造を採用することで反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得るのが困難になるという問題が生じる。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであり、横電界方式を採用した半透過反射型の液晶装置であって、反射表示と透過表示の双方で高画質かつ広視野角の表示を得ることができ、また簡便な工程で低コストに製造可能な構成を具備した液晶装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と第２電極が備えられ、前記第１電極と前記第２電極間に生じる電界によって前記液晶層が駆動されるとともに、１つのサブ画素領域内に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられ、少なくとも前記反射表示領域に前記サブ画素領域内で前記液晶層の厚さを異ならせる液晶層厚調整層が設けられた半透過反射型の液晶装置であって、前記透過表示領域の前記電界の主方向における第１電極と第２電極との電極間隔が、前記反射表示領域の前記電界の主方向における第１電極と第２電極との電極間隔より狭く形成されていることを特徴とする液晶装置を提供する。
かかる構成の液晶装置によれば、反射表示領域における前記電極間隔を、透過表示領域における前記電極間隔より広くすることで反射表示領域における閾値電圧と透過表示領域における閾値電圧を調整し、これによりマルチギャップ構造を設けたことによる閾値電圧の変化を抑えることができる。したがって本発明によれば、マルチギャップ構造を備えていながら反射表示と透過表示の電気光学特性が揃った液晶装置を実現でき、反射表示と透過表示の双方で広視角の高画質表示を得ることができる。また本発明では、前記第１電極と第２電極との電極間隔を調整することで容易に閾値電圧の調整を行えることから、簡便な工程で安価に製造可能な液晶装置となっている。
【０００６】
本発明の液晶装置では、前記第１電極及び第２電極が、それぞれ１本又は複数本の帯状電極を有しており、前記透過表示領域及び反射表示領域の各領域内で、前記第１電極の帯状電極と前記第２電極の帯状電極とが、略平行に交互に配置されている構成とすることができる。このような構成とすれば、反射表示と透過表示の双方で良好な表示が可能なＩＰＳ方式の液晶装置を実現することができる。
【０００７】
本発明の液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と第２電極が備えられ、前記第１電極と前記第２電極間に生じる電界によって前記液晶層が駆動されるとともに、１つのサブ画素領域内に反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられ、少なくとも前記反射表示領域に前記サブ画素領域内で前記液晶層の厚さを異ならせる液晶層厚調整層が設けられた半透過反射型の液晶装置であって、前記第１電極と前記第２電極は絶縁膜を介して積層形成されており、前記第１電極は複数本の帯状電極を有して形成されるとともに、前記第２電極は前記サブ画素領域内で前記第１電極の複数本の帯状電極を含んだ領域に形成されており、前記透過表示領域の前記電界の主方向における前記帯状電極同士の間隔が、前記反射表示領域の前記電界の主方向における前記帯状電極同士の間隔より狭く形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、反射表示と透過表示の双方で良好な表示が可能なＦＦＳ方式の液晶装置を実現することができる。
【０００８】
本発明の液晶装置では、前記帯状電極のうち前記透過表示領域に配置された帯状電極が、前記反射表示領域に配置された帯状電極より大きい幅を有している構成とすることもできる。このような構成とした場合には、前記帯状電極の線幅の調整によって容易に前記電極間隔の調整を行えるため、光学条件の最適化のために行う調整がより容易になる。
【０００９】
本発明の液晶装置では、前記透過表示領域における前記電界方向の前記電極間隔ｄｔと、前記反射表示領域における前記電極間隔ｄｒとの積ｄｔ×Ｇｒが、前記透過表示領域における液晶層厚Ｇｔと、前記反射表示領域における液晶層厚Ｇｒとの積ｄｒ×Ｇｒに略一致していることが好ましい。前記液晶層厚と電極間隔とを上記の関係を満たすように調整することで、容易に反射表示と透過表示の電気光学特性を一致させることが可能である。
【００１０】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、反射表示と透過表示の双方で良好な表示が可能な半透過反射型の表示部を具備した電子機器を安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の第１実施形態に係る液晶装置について図面を参照して説明する。本実施形態の液晶装置は、液晶に対して基板面方向の電界（横電界）を作用させ、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。
なお、各実施形態で参照する図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
【００１２】
本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。また、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素領域」と称する。
【００１３】
図１は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域の回路構成図である。図２（ａ）は液晶装置１００の任意の１サブ画素領域における平面構成図であり、図２（ｂ）は、液晶装置１００を構成する各光学素子の光学軸の配置関係を示す説明図である。図３は図２（ａ）のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図である。
【００１４】
図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００１５】
また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。
【００１６】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付与されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００１７】
次に、図２及び図３を参照して液晶装置１００の詳細な構成について説明する。
まず、液晶装置１００は、図３に示すようにＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と対向基板（第２基板）２０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えており、液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する領域の縁端に沿って設けられた図示略のシール材によって基板１０，２０間に封止されている。さらに、液晶層５０の厚さが反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで異ならされた、いわゆるマルチギャップ構造を備えた液晶装置となっている。対向基板２０の背面側（図示下面側）には、導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト（照明装置）９０が設けられている。
【００１８】
図２（ａ）に示すように、液晶装置１００のサブ画素領域には、Ｙ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｘ軸方向に延びる走査線３ａ及び容量線３ｂとが平面視略格子状に配線されており、これらデータ線６ａ、走査線３ａ、及び容量線３ｂに囲まれる平面視略矩形状の領域に、平面視略櫛歯状を成してＹ軸方向に延びる画素電極（第１電極）９と、この画素電極９と噛み合う平面視略櫛歯状を成してＹ軸方向に延びる共通電極（第２電極）１９とが形成されている。サブ画素領域の図示左上の角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定間隔で離間させて液晶層厚（セルギャップ）を一定に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。
【００１９】
サブ画素領域には、当該サブ画素領域とほぼ同一の平面形状を有するカラーフィルタ２２が設けられている。また、画素電極９及び共通電極１９の延在領域の概略上半分の平面領域（Ｙ軸方向に二分した領域のうち＋Ｙ側の領域）を占める反射層２９が設けられている。反射層２９は、アルミニウムや銀などの光反射性の金属膜をパターン形成したものである。画素電極９及び共通電極１９に囲まれた平面領域のうち、反射層２９とが平面的に重なる平面領域が当該サブ画素領域の反射表示領域Ｒであり、残る領域が透過表示領域Ｔである。反射層２９としては、その表面に凹凸を形成して光散乱性を付与したものを用いることが好ましく、かかる構成とすることで反射表示における視認性を向上させることができる。
【００２０】
画素電極９は、データ線６ａ及び容量線３ｂに沿って延びる概略Ｌ形の基端部９ａと、この基端部９ａから分岐されて−Ｘ方向に延びる２本の帯状電極９ｃと、２本の帯状電極９ｄと、容量線３ｂ近傍の基端部９ａから−Ｙ側に延出されたコンタクト部９ｂとを備えて構成されている。画素電極９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料をパターン形成してなる電極部材である。
【００２１】
共通電極１９は、走査線３ａと平面的に重なる位置に形成されてＸ軸方向に延在する本線部１９ａと、本線部１９ａから延出されてサブ画素領域の辺端部に沿うＹ軸方向に延在する基端部１９ｂと、基端部１９ｂから＋Ｘ側に延出された帯状電極１９ｃと、２本の帯状電極１９ｄとを備えて構成されている。
帯状電極１９ｃは、前記画素電極９の２本の帯状電極９ｃの間に配置され、これらの帯状電極９ｃと平行に延びている。一方、２本の帯状電極１９ｄは、前記画素電極９の２本の帯状電極９ｄ及び基端部９ａの一部（容量線３ｂと平行に延びる部分）と交互に配置され、これらの帯状電極９ｄと平行に延びている。共通電極１９も、ＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成されているが、画素電極９及び共通電極１９は、上記透明導電材料のほか、クロム等の金属材料を用いて形成することもできる。
【００２２】
画素電極９の帯状電極のうち、サブ画素領域中央部に２本近接して設けられた帯状電極９ｃと帯状電極９ｄとの間に、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界領域（反射層２９の透過表示領域側の辺端）が配置されている。
【００２３】
本実施形態の液晶装置のサブ画素領域では、反射表示領域Ｒに配された帯状電極９ｃ、１９ｃとのＹ軸方向における間隔ｄｒ（図５参照）が、透過表示領域Ｔに配された帯状電極９ｄ、１９ｄとのＹ軸方向における間隔ｄｔ（図５参照）より広くなっており、より詳細には、上記間隔ｄｒは、間隔ｄｔの約２倍である。そして、液晶装置の動作時には、画素電極９の帯状電極９ｃ、９ｄと、共通電極１９の帯状電極１９ｃ、１９ｄとの間に電圧を印加し、当該サブ画素領域の液晶にＸＹ面方向（基板平面方向）の電界（横電界）を作用させるようになっている。
【００２４】
ＴＦＴ３０は、Ｘ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｙ軸方向に延びる走査線３ａとの交差部近傍に設けられており、走査線３ａの平面領域内に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ、及びドレイン電極３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００２５】
ソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略逆Ｌ形の配線である。ドレイン電極３２は、その−Ｙ側の端部においてサブ画素領域辺端に沿って延びる平面視略逆Ｌ形の接続配線３１ａと電気的に接続されており、当該接続配線３１ａを介して、サブ画素領域の反対側の端縁部に形成された容量電極３１と電気的に接続されている。
容量電極３１は、容量線３ｂと平面的に重なって形成された平面視略矩形状の導電部材である。容量電極３１上に画素電極９のコンタクト部９ｂが平面的に重なって配置され、同位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極３１と画素電極９とが電気的に接続されている。また、容量電極３１と容量線３ｂとが平面的に重なる領域に、これら容量電極３１及び容量線３ｂを電極とする蓄積容量７０が形成されている。
【００２６】
次に、図３に示す断面構造をみると、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）には、位相差板１６と偏光板１４とが順に積層されており、対向基板２０の外面側には、偏光板２４が配設されている。位相差板１６は、透過光に対して略１／２波長の位相差を付与するλ／２位相差板である。位相差板１６を設けることで、反射表示及び透過表示の表示特性を例えばノーマリブラックに揃えることができるので、デバイス構造や信号処理構成に特別な構成を採用することなく広視角のコントラスト特性を得ることができる。
【００２７】
ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、アルミニウムや銀等の金属膜からなる反射層２９がサブ画素領域内で部分的に形成されている。反射層２９を覆って、酸化シリコン等の透明絶縁材料からなる第１層間絶縁膜１２が形成されている。第１層間絶縁膜１２上に、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆って、酸化シリコン等の透明絶縁材料からなるゲート絶縁膜１１が形成されている。
【００２８】
ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極３２とが設けられており、これらソース電極６ｂ及びドレイン電極３２と同層であって、容量線３ｂと対向する位置に容量電極３１が形成されている。ドレイン電極３２は、図２に示したように、接続配線３１ａ及び容量電極３１と一体に形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向しており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。容量電極３１はこれに対向する容量線３ｂとともに、ゲート絶縁膜１１をその誘電体膜とする蓄積容量７０を形成している。
【００２９】
半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極３２、及び容量電極３１を覆って、酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。第２層間絶縁膜１３上には、アクリル樹脂等の透明絶縁材料からなる液晶層厚調整層４８がサブ画素領域内で部分的に形成されており、この液晶層厚調整層４８の表面と第２層間絶縁膜１３の表面とに跨って、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９及び共通電極１９が形成されている。
【００３０】
液晶層厚調整層４８は、反射表示領域Ｒにおける液晶層厚と透過表示領域Ｔにおける液晶層厚とを異ならせ、液晶層５０を透過する光に付与される位相差を反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの各々で最適化する機能を奏するものであり、少なくとも反射層２９の平面領域を含む領域に形成される。本実施形態の場合、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の位相差がλ／４、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の位相差がλ／２となるように前記各領域の液晶層厚を調整しており、反射表示領域Ｒにおける液晶層厚は透過表示領域Ｔにおける液晶層厚の略１／２である。
【００３１】
画素電極９を構成する帯状電極９ｃ、９ｄのうち、反射表示領域Ｒに配された帯状電極９ｃは前記液晶層厚調整層４８上に配置され、透過表示領域Ｔに配された帯状電極９ｄは液晶層厚調整層４８の外側の領域の第２層間絶縁膜１３上に配置されている。また、共通電極１９の帯状電極１９ｃが液晶層厚調整層４８上に配置されており、帯状電極１９ｄは第２層間絶縁膜１３上に配置されている。
【００３２】
第２層間絶縁膜１３を貫通して容量電極３１に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極９のコンタクト部９ｂが一部埋設されることで、画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されている。透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒには、帯状電極９ｃ、９ｄと、帯状電極１９ｃ、１９ｄとが交互に配置されており、共通電極１９の本線部１９ａは、半導体層３５、ソース電極６ｂ、及びドレイン電極３２と第２層間絶縁膜１３を介して対向する位置に形成されている。また、図示は省略しているが、画素電極９及び共通電極１９を覆ってポリイミド等の配向膜が形成されている。
【００３３】
一方、対向基板２０の内面側（液晶層５０側）には、カラーフィルタ２２が設けられており、カラーフィルタ２２上には、図示略のポリイミド等の配向膜が積層されている。カラーフィルタ２２は、サブ画素領域内で色度の異なる２種類の領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体例を挙げると、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。このような構成とすることで、カラーフィルタ２２を表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。
また、カラーフィルタ２２上には、さらに透明樹脂材料等からなる平坦化膜を積層することが好ましい。これにより対向基板２０表面を平坦化して液晶層５０の厚さを均一化することができ、サブ画素領域内で駆動電圧が不均一になりコントラストが低下するのを防止することができる。
【００３４】
本実施形態の液晶装置における各光学軸の配置は、図２（ｂ）に示すようなものとなっており、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板１４の透過軸１５３がＹ軸方向に平行に配置され、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸１５５が偏光板１４の透過軸１５３と直交する方向（Ｘ軸方向）に配置されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の配向膜は平面視で同一方向にラビング処理されており、その方向は、図２（ｂ）に示すラビング方向１５１である。本実施形態の場合、ラビング方向１５１はＸ軸方向に対して約６０°の角度を成している。ラビング方向１５１としては任意の方向を選択することができるが、画素電極９と共通電極１９との間に形成される横電界の主方向と交差する方向（一致しない方向）とする。本実施形態では、電圧印加時にサブ画素領域内に形成される横電界の方向ＥＦはＹ軸方向に平行であり、ラビング方向１５１に対して３０°の角度を成す方向である。
なお、上記ラビング方向１５１と横電界方向ＥＦとの関係は、液晶層５０のリタデーション値や偏光板１４，２４の光学軸配置に応じて適宜変更することができ、図２（ｂ）に示すものには限定されない。
【００３５】
上記構成を具備した液晶装置１００は、ＩＰＳ方式の液晶装置であり、ＴＦＴ３０を介して画素電極９に画像信号（電圧）を印加することで、画素電極９と共通電極１９との間に基板面方向（平面視では図２Ｙ軸方向）の電界を生じさせ、かかる電界によって液晶を駆動し、各サブ画素ごとの透過率／反射率を変化させて画像表示を行うものとなっている。
【００３６】
ここで、上記構成を具備した液晶装置１００の表示動作について図４を参照して具体的に説明する。図４は、液晶装置１００の動作説明図である。同図には、反射表示における動作説明図（図示左側）と、透過表示における動作説明図（図示右側）とが示されている。反射表示における動作説明図は、図示上方から入射した外光が図示下側へ進行して反射層２９に達し、反射層２９で反射されて図示上側へ戻り表示光となる様子を示しており、透過表示における動作説明図は、図示下方から入射した照明光が図示上側へ進行して表示光となる様子を示している。
【００３７】
図４の各枠内に示す矢印は、液晶装置１００に入射する光、及び液晶装置１００中を進行する光の偏光状態を平面的に示したものである。なお、当該矢印の図示について、図４左右方向が図２のＸ軸方向に対応し、上下方向が図２のＹ軸方向に対応する。
【００３８】
まず、図４右側の透過表示（透過モード）について説明する。
液晶装置１００において、バックライト９０から射出された光は、偏光板１４を透過することで偏光板１４の透過軸１５３に平行な直線偏光に変換されて位相差板１６に入射する。位相差板１６は、自身を透過する光に１／２波長の位相差を付与するλ／２位相差板であるから、偏光板１４を透過した前記直線偏光は、それと直交する直線偏光に変換されて位相差板１６から射出され、液晶層５０に入射する。
そして、液晶層５０がオフ状態（非選択状態）であれば、上記直線偏光は、液晶層５０により所定の位相差（λ／２）を付与され、入射時と９０°回転した偏光方向の直線偏光に変換されて液晶層５０から射出される。この直線偏光が偏光板２４に到達すると、その偏光方向と直交する透過軸１５５を有する偏光板２４により吸収され、当該サブ画素は暗表示となる。
【００３９】
一方、液晶層５０がオン状態（選択状態）であれば、入射光は入射時と同一の偏光状態で液晶層５０から射出されて偏光板２４に到達し、この直線偏光と平行な透過軸１５５を有する偏光板２４を透過して視認され、当該サブ画素が明表示となる。
【００４０】
次に、図４左側の反射表示について説明する。
反射表示において、偏光板２４の上方（外側）から入射した光は、偏光板２４を透過することで偏光板１４の透過軸１５５に平行な直線偏光に変換されて液晶層５０に入射する。このとき液晶層５０がオフ状態であれば、前記直線偏光は液晶層５０により所定の位相差（λ／４）を付与されて右回りの円偏光に変換される。本実施形態の場合、上記マルチギャップ構造により反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の位相差が透過表示領域Ｔにおける位相差の半分に設定されているので、上記の通り、液晶層５０を透過することで直線偏光が円偏光に変換される。
【００４１】
右回りの円偏光となって液晶層５０から射出された光は反射層２９により反射されるが、その際に偏光板２４側から見た回転方向が反転し、左回りの円偏光となって液晶層５０に再度入射する。その後、液晶層５０により所定の位相差（λ／４）を付与されて直線偏光に変換されて偏光板２４に戻る。この偏光板２４に到達した直線偏光は、偏光板２４の透過軸１５５と直交する向きの直線偏光であるから、偏光板２４により吸収され、当該サブ画素は暗表示となる。
【００４２】
一方、液晶層５０がオン状態であれば、液晶層５０に入射した直線偏光は、入射時と同一の偏光状態で液晶層５０から射出されて反射層２９に到達する。そして、反射層２９で反射された後、液晶層５０を透過して偏光板２４に到達し、その偏光方向と平行な透過軸１５５を有する偏光板２４を透過して視認され、当該サブ画素は明表示となる。
【００４３】
このように本実施形態の液晶装置１００では、マルチギャップ構造を採用して反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の位相差を透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の位相差の約１／２としているので、液晶層５０を２回透過した光を表示光に用いる反射表示と、液晶層５０を１回のみ透過した光を表示光に用いる透過表示とで、表示光に付与される実質的な位相差に差が生じないようになっている。
【００４４】
しかし、先に記載のように、横電界方式の液晶装置では液晶層厚によって駆動電圧（閾値電圧）が大きく変化するため、マルチギャップ構造を用いて液晶層厚をサブ画素領域内で異ならせると、反射表示領域と透過表示領域との閾値電圧の差異に起因する表示品質の低下が生じる。そこで本実施形態では、図２及び図３に示した構成の画素電極９及び共通電極１９を採用し、上記閾値電圧の変化による表示品質の低下を効果的に防止するようになっている。以下、図５を参照してかかる構成につき詳細に説明する。
【００４５】
図５は、本実施形態の液晶装置１００の作用を説明するためのサブ画素領域の部分断面構成図であり、図３を簡略化して示す図である。図５に示すように、サブ画素領域内に部分的に設けられた液晶層厚調整層４８によって、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚Ｇｒと、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚Ｇｔとは互いに異なっており、本実施形態の場合、液晶層厚Ｇｒは液晶層厚Ｇｔの約１／２である。また、反射表示領域Ｒにおける帯状電極９ｃ（画素電極）と帯状電極１９ｃ（共通電極）との電極間隔ｄｒは、透過表示領域Ｔにおける帯状電極９ｄ（画素電極）と帯状電極１９ｄ（共通電極）との電極間隔ｄｔより広くなっており、本実施形態の場合、電極間隔ｄｒは電極間隔ｄｔの約２倍である。
【００４６】
上記電極間隔ｄｒ、ｄｔは、液晶層厚調整層４８により異ならされた液晶層厚Ｇｒ、Ｇｔの関係に応じて調整され、具体的には、電極間隔ｄｒ、ｄｔと、液晶層厚Ｇｒ、Ｇｔとが、ｄｒ×Ｇｒ≒ｄｔ×Ｇｔなる関係を満たすように前記電極間隔及び液晶層厚を調整するのが好ましい。
本実施形態では、液晶層厚調整層４８により反射表示領域Ｒの液晶層厚Ｇｒが透過表示領域Ｔの液晶層厚Ｇｔの約１／２であるから、上記関係式に基づき、反射表示領域Ｒにおける電極間隔ｄｒは透過表示領域Ｔにおける電極間隔ｄｔの約２倍としている。このようにすることで、液晶層厚Ｇｒを小さくしたことによる閾値電圧の低下を、電極間隔ｄｒの拡大に伴う閾値電圧の上昇により良好に補償することができ、反射表示領域Ｒにおける閾値電圧と透過表示領域Ｔにおける閾値電圧とが異なるのを防止することができ、電圧印加時の液晶分子の挙動を、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで揃えることができる。
【００４７】
このように、本実施形態の液晶装置１００では、図４に示すように、反射表示領域Ｒにおける電極間隔ｄｒと、透過表示領域Ｔにおける電極間隔ｄｔとを異ならせることで、マルチギャップ構造を採用することによる閾値電圧の差異を解消できるようになっている。したがって本実施形態の液晶装置は、マルチギャップ構造の採用による液晶層５０の位相差調整と、電極間隔の調整による閾値電圧調整とによって、反射表示領域Ｒの電気光学特性と透過表示領域Ｔの電気光学特性とが揃えられたものとなっていることから、反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得ることができる液晶装置となっている。
【００４８】
（第２実施形態）
次に、図６から図８を参照して本発明の第２実施形態について説明する。
図６は、本実施形態の液晶装置２００の任意の１サブ画素領域を示す平面構成図である。図７は図６のＢ−Ｂ’線に沿う部分断面構成図である。図８は、液晶装置２００の作用を説明するために図７の一部を抜き出して示す概略図である。
【００４９】
なお、本実施形態の液晶装置２００の基本構成は先の第１実施形態と同様であり、図６はそれぞれ第１実施形態における図２（ａ）に相当する図であり、図７、図８は、それぞれ第１実施形態における図３、図５に相当する図である。したがって本実施形態で参照する各図において、図１から図５に示した第１実施形態の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれら共通構成要素の説明は省略する。
【００５０】
図６に示すように、本実施形態の液晶装置２００のサブ画素領域は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに区画されており、反射表示領域Ｒには、サブ画素領域内に部分的に形成された反射層２９が設けられている。反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに跨って画素電極（第１電極）９と、共通電極１９（第２電極）とが設けられている。
【００５１】
画素電極９は平面視略櫛歯状を成してサブ画素領域内に設けられた電極部材であり、平面視略Ｌ形の基端部９ａと、基端部９ａのＹ軸方向に延びる部分から−Ｘ側に延びる３本の帯状電極９ｅ、及び２本の帯状電極９ｆと、基端部９ａのＸ軸方向に延びる部分から−Ｙ側に延出されたコンタクト部９ｂとを有している。
共通電極１９は、サブ画素領域内で平面視略櫛歯状を成し、複数のサブ画素領域に跨って設けられた電極部材であり、走査線３ａと平面的に重なって該走査線３ａと平行に延びる本線部１９ａと、本線部１９ａから延出されて−Ｙ側へ延びる基端部１９ｂと、基端部１９ｂから＋Ｘ側へ延出された２本の帯状電極１９ｅ及び２本の帯状電極１９ｆとを有している。
【００５２】
上記複数本の帯状電極９ｅ、９ｆ、１９ｅ、１９ｆのうち、帯状電極９ｅと帯状電極９ｆは、反射層２９の平面領域内（反射表示領域Ｒ内）で互いに平行に延びており、Ｙ軸方向に関し交互に配置されている。残る帯状電極９ｆ、１９ｆは、透過表示領域Ｔで互いに平行に延びており、Ｙ軸方向に関し交互に配置されている。したがって画素電極９に電圧を印加したとき、反射表示領域Ｒでは帯状電極９ｅ、９ｆ間にＹ軸方向の電界（横電界）が形成され、透過表示領域Ｔでは帯状電極９ｆ、１９ｆ間にＹ軸方向の電界が形成されるようになっている。
【００５３】
本実施形態の液晶装置２００では、反射表示領域Ｒに配された帯状電極９ｅ、１９ｅのＹ軸方向の線幅が、透過表示領域Ｔに配された帯状電極９ｆ、１９ｆのＹ軸方向の線幅より狭く形成されている。したがって液晶装置２００においても、先の液晶装置１００と同様に、反射表示領域Ｒにおいて隣接する帯状電極９ｅ（画素電極）と、帯状電極１９ｅ（共通電極）とのＹ軸方向の電極間隔ｄｒ（図８参照）が、透過表示領域Ｔにおける帯状電極９ｆ（画素電極）と帯状電極１９ｆ（共通電極）との電極間隔ｄｔ（図８参照）よりも広くなっており、本実施形態の場合、電極間隔ｄｒは電極間隔ｄｔの約２倍である。
【００５４】
図７に示す断面構造をみると、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが液晶層５０を挟持して対向配置されており、ＴＦＴアレイ基板１０の基体である基板本体１０Ａの外面側に位相差板１６と偏光板１４とが配設され、対向基板２０の基体である基板本体２０Ａの外面側には偏光板２４が配設されている。ＴＦＴアレイ基板１０の外面側に、バックライト９０が配設されている。
【００５５】
基板本体１０Ａの内面側に、反射層２９、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０等が形成されており、これらを覆う第２層間絶縁膜１３上に部分的に液晶層厚調整層４８が形成されている。液晶層厚調整層４８の表面と第２層間絶縁膜１３の表面とに跨って画素電極９及び共通電極１９がパターン形成されている。画素電極９と容量電極３１とが、第２層間絶縁膜１３に貫設されたコンタクトホール４５を介して電気的に接続されている。
【００５６】
図８に示すように、液晶装置２００では、上記液晶層厚調整層４８が設けられていることで、反射表示領域Ｒの液晶層厚と透過表示領域Ｔの液晶層厚とが互いに異なる厚さとなっており、本実施形態の場合、反射表示領域Ｒの液晶層厚Ｇｒ（図８参照）は、透過表示領域Ｔの液晶層厚Ｇｔ（図８参照）の約１／２の厚さとなっている。その一方で、液晶層厚Ｇｒが小さい反射表示領域Ｒにおける電極間隔ｄｒは、液晶層厚Ｇｔが大きい透過表示領域Ｔにおける電極間隔ｄｔの約２倍になっている。本実施形態においても、上記液晶層厚Ｇｒ、Ｇｔと、電極間隔ｄｒ、ｄｔとが、Ｇｒ×ｄｒ≒Ｇｔ×ｄｔなる関係を満たすように液晶層厚及び電極間隔を設定するのが好ましい。
【００５７】
本実施形態の液晶装置２００の光学軸配置は、図２（ｂ）に示した第１実施形態にかかる光学軸配置と同様であり、偏光板１４，２４の透過軸１５３，１５５が、それぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向に平行に配置されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の配向膜のラビング方向は、Ｘ軸方向に対し約６０°の角度を成す方向である。したがって、液晶層５０の初期配向方向と、画素電極９に電圧を印加したときに形成される横電界の方向（Ｙ軸方向）とは、約３０°の角度を成して交差している。
【００５８】
上記構成を具備した本実施形態の液晶装置２００の動作は、先の実施形態の液晶装置１００と同様であるため本実施形態では省略するが、液晶装置２００についても、マルチギャップ構造によって反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の位相差を透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の位相差の約１／２としているので、液晶層５０を２回透過した光を表示光に用いる反射表示と、液晶層５０を１回のみ透過した光を表示光に用いる透過表示とで、表示光に付与される実質的な位相差に差が生じないようになっている。そして、マルチギャップ構造を用いることにより生じる閾値電圧の変動を、反射表示領域Ｒにおける電極間隔ｄｒを透過表示領域Ｔにおける電極間隔ｄｔの約２倍にすることで抑制し、電気光学特性の揃った反射表示と透過表示とを得られるようになっている。
【００５９】
したがって本実施形態の液晶装置２００によれば、反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得ることができる。またかかる効果は、画素電極９及び共通電極１９の平面形状の変更のみによって簡便に実現することができる。特に、液晶層厚の違いによる閾値電圧の変動を帯状電極の線幅により調整できるので、簡便な工程で表示の最適化を行うことができ、設計条件の設定が容易になるという利点が得られる。
【００６０】
なお、本実施形態の液晶装置２００では、透過表示領域Ｔに配される帯状電極９ｆ、１９ｆの線幅を相対的に大きくした分、サブ画素の開口率が低下することになるが、画素電極９及び共通電極１９をＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成することで、開口率の低下を抑えることができ、従来の横電界方式の液晶装置に比して明るさが大きく低下することはない。
また、横電界方式の液晶装置では、液晶を駆動する電界を形成する帯状電極の直上において液晶分子の応答性が低くなるので、透過表示領域Ｔの電極間隔ｄｔは帯状電極９ｆ、１９ｆの線幅を過度に大きくすることは好ましくない。したがって、帯状電極９ｆ、１９ｆの線幅をある程度大きくしてもなお電極間隔ｄｔを狭くする必要がある場合には、帯状電極９ｆ、１９ｆの本数を増やすことで電極間隔ｄｔを狭くするのがよい。
【００６１】
（第３実施形態）
次に、図９及び図１０を参照して本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、本実施形態の液晶装置３００の任意の１サブ画素領域を示す平面構成図であり、図１０は、図９のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図である。
【００６２】
本実施形態の液晶装置３００は、液晶に対して基板平面方向の電界（横電界）を作用させて配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。なお、本実施形態の液晶装置３００の回路構成、及び全体構成は先の第１実施形態の液晶装置１００と同様であり、本実施形態で参照する各図において、図１から図５に示した第１実施形態の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれら共通構成要素の説明は省略する。
【００６３】
図９に示すように、液晶装置３００のサブ画素領域には、平面視略櫛歯状を成すＹ軸方向に長手の画素電極（第１電極）３９と、画素電極３９と平面的に重なって画素電極３９を包含する領域に配置された平面略ベタ状の共通電極（第２電極）４９とが設けられている。従って、共通電極（第２電極）４９は、画素電極（第１電極）３９の各帯状電極（３９ｃ、３９ｄ）を含む領域に形成されている。また、図示のサブ画素領域は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに区画されており、反射表示領域Ｒには、サブ画素領域内で部分的に形成された反射層２９が配置されている。画素電極３９は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとに跨って形成されている。
【００６４】
また、Ｘ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｙ軸方向に延びる走査線３ａと、走査線３ａに隣接して走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂとが形成されている。サブ画素領域の図示左上の角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。
【００６５】
画素電極３９は、平面視略逆Ｌ形の基端部３９ａと、基端部３９ａから延出された３本の帯状電極３９ｃ及び３本の帯状電極３９ｄと、コンタクト部３９ｂとを有している。前記帯状電極はいずれも略直線状を成して互いに平行にＸ軸方向に延在しており、複数の帯状電極のうち、３本の帯状電極３９ｃは透過表示領域Ｔに配置され、２本の帯状電極３９ｄは反射表示領域Ｒに配置されている。図示のサブ画素領域のほぼ中央部に設けられた帯状電極３９ｄは、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界（反射層２９の透過表示領域Ｔ側の辺端部）に平面的に重なるように配置されている。
【００６６】
共通電極４９は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる平面ベタ状の導電膜であり、当該液晶装置２００の画像表示領域の全面に渡って形成されている。そして、上記構成の画素電極３９と共通電極４９の間に電圧を印加すると、主に画素電極３９の帯状電極３９ｃ、３９ｄと共通電極４９との間に、Ｙ軸方向に平行な略基板平面方向の電界が形成されるようになっている。
【００６７】
データ線６ａと走査線３ａとの交差部の近傍にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は走査線３ａの平面領域内に部分的に形成されたアモルファスシリコンからなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ、及びドレイン電極１３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００６８】
ＴＦＴ３０のソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略Ｌ形に形成されており、ドレイン電極１３２は、−Ｙ側に延びて平面視略矩形状の容量電極１３１と電気的に接続されている。容量電極１３１上には、画素電極３９のコンタクト部３９ｂがサブ画素領域中央側から進出して配置されており、両者が平面的に重なる位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極１３１と画素電極３９とが電気的に接続されている。また容量電極１３１は、容量線３ｂの平面領域内に配置されており、当該位置に、厚さ方向で対向する容量電極１３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量７０が形成されている。
【００６９】
図１０に示す断面構造をみると、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１１が形成されている。ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極１３２とが設けられている。ドレイン電極１３２の図示右側には容量電極１３１が一体に形成されている。
【００７０】
半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域において走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになっている。容量電極１３１は、ゲート絶縁膜１１を介して容量線３ｂに対向配置されており、容量電極１３１と容量線３ｂとが対向する領域に、ゲート絶縁膜１１を誘電体膜とする蓄積容量７０が形成されている。
【００７１】
半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極１３２、及び容量電極１３１を覆って、第１層間絶縁膜１２が形成されており、第１層間絶縁膜１２上に、アルミニウムや銀等の光反射性の金属膜からなる反射層２９がサブ画素領域内で部分的に形成されている。反射層２９と第１層間絶縁膜１２とを覆って液晶層厚調整層１４８が形成されており、液晶層厚調整層１４８は、当該サブ画素領域内で部分的に異なる膜厚に形成された段差形状を有している。すなわち、液晶層厚調整層１４８は、反射層２９の形成領域でその膜厚が大きく形成され、反射層２９の外側の領域で相対的に小さい膜厚に形成されたものとなっている。
【００７２】
液晶層厚調整層１４８を覆ってＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極４９が形成されており、共通電極４９を覆って、酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。第２層間絶縁膜１３上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極３９がパターン形成されている。第１層間絶縁膜１２、液晶層厚調整層４８、及び第２層間絶縁膜１３を貫通して容量電極１３１に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極３９のコンタクト部３９ｂが一部埋設されることで、画素電極３９と容量電極１３１とが電気的に接続されている。上記画素コンタクトホール４５の形成領域に対応して共通電極４９にも開口部が設けられており、共通電極４９と画素電極３９とが接触しないようになっている。また図示は省略したが、画素電極３９及び第２層間絶縁膜１３を覆って、ポリイミド等の配向膜が形成されている。
【００７３】
上記液晶層厚調整層１４８上には、共通電極４９、第２層間絶縁膜１３、画素電極３９等が積層されているが、これらの層は液晶層厚調整層１４８の表面形状に倣う形状にて基板本体１０Ａ上に成膜されているので、ＴＦＴアレイ基板１０表面には、液晶層厚調整層１４８の表面形状に倣う段差形状が形成されている。これにより、本実施形態の液晶装置３００においても、反射表示領域Ｒの液晶層厚Ｇｒと透過表示領域Ｔの液晶層厚Ｇｔとが互いに異なるマルチギャップ構造がサブ画素領域内に形成されたものとなっている。なお、本実施形態においても、液晶層厚Ｇｒは液晶層厚Ｇｔの約１／２であり、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の位相差が透過表示領域における液晶層５０の位相差の１／２となるように調整されている。
【００７４】
また、図９に示すように、本実施形態の液晶装置３００においても、反射表示領域Ｒには帯状電極３９ｃを密に配し、透過表示領域Ｔには帯状電極３９ｄを粗に配したことで、反射表示領域Ｒにおける電極間隔ｄｒが、透過表示領域Ｔにおける電極間隔ｄｔより広くなっており、上記液晶層厚Ｇｒ、Ｇｔの関係に合わせて、電極間隔ｄｒが電極間隔ｄｔの約２倍になっている。
【００７５】
本実施形態の液晶装置３００の光学軸配置も、図２（ｂ）に示した第１実施形態と同様であり、偏光板１４，２４の透過軸が、それぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向に平行に配置されている。また、配向膜のラビング方向が、帯状電極３９ｃ、３９ｄと共通電極４９との間に形成される横電界の方向と約３０°の角度を成す方向である点も図２（ｂ）に示した第１実施形態と共通である。
【００７６】
上記構成を具備した液晶装置３００の動作は、先に説明した第１実施形態と同様であり、したがって同等の作用効果を得られるものとなっている。すなわち、液晶層厚調整層１４８を形成してマルチギャップ構造としたことで、透過表示と反射表示との表示光の光路差を解消し、表示光に付与される実質的な位相差に差が生じないようになっている。そして、マルチギャップ構造を用いることにより生じる閾値電圧の変動を、反射表示領域Ｒにおける電極間隔ｄｒを透過表示領域Ｔにおける電極間隔ｄｔの約２倍にすることで抑制し、電気光学特性の揃った反射表示と透過表示とを得られるようになっている。
【００７７】
したがって本実施形態の液晶装置２００によれば、反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得ることができる。またかかる効果は、画素電極３９及び共通電極４９の平面形状の変更のみによって簡便に実現することができる。
【００７８】
なお、本実施形態では、反射表示領域Ｒに形成した帯状電極３９ｃの本数と、透過表示領域Ｔに形成した帯状電極３９ｄの本数とを異ならせることで前記電極間隔ｄｒ、ｄｔを互いに異ならせる構成としているが、先の第２実施形態と同様に、帯状電極の線幅により電極間隔ｄｒ、ｄｔを調整してもよいのは勿論であり、このようにしても上記と同様の作用効果を得ることができる。また本実施形態では、反射層２９を液晶層厚調整層１４８と基板本体１０Ａとの間に設けた構成を示したが、反射層２９は、液晶層厚調整層１４８と共通電極４９との間に形成してもよい。
【００７９】
また本実施形態の液晶装置３００はＦＦＳ方式の液晶装置であり、画素電極３９の端縁と共通電極４９との間に形成される電界により液晶を駆動するものであるため、反射層２９をＴＦＴアレイ基板１０側に設けても、液晶層５０に作用する横電界に影響することが無い。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０をバックライト９０側（観察者から見て背面側）に配置することができるので、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される走査線３ａやデータ線６ａ、容量線３ｂ等の金属配線に対して外光が入射するのを防止でき、これらの金属配線で外光が乱反射して表示の視認性を低下させるのを防止することができる。
なお、本実施形態においては、共通電極を一つのサブ画素領域毎にパターニングして形成した構成としているが、複数のサブ画素領域、或いは（全てのサブ画素領域で構成された）表示領域に亘って広く形成された構成であっても表示が可能である。
【００８０】
（電子機器）
図１１は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示及び反射表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】第１実施形態の液晶装置の回路構成図。
【図２】同、サブ画素領域の平面構成図。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。
【図４】第１実施形態の液晶装置の動作説明図。
【図５】第１実施形態の液晶装置の作用説明図。
【図６】第２実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図。
【図７】図６のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図。
【図８】第２実施形態の液晶装置の作用説明図。
【図９】第３実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図。
【図１０】図９のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図。
【図１１】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００８２】
１００，２００，３００  液晶装置、９  画素電極、１９  共通電極、９ｃ〜９ｆ  帯状電極、１９ｃ〜１９ｆ  帯状電極、３９  画素電極、４８，１４８  液晶層厚調整層、４９  共通電極、３９ｃ，３９ｄ  帯状電極、Ｒ  反射表示領域、Ｔ  透過表示領域、５０  液晶層。
【図１】
2007004126.tif 000003
【図２】
2007004126.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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