(57)【要約】【課題】スイッチング素子の閾値電圧の変動対策。【解決手段】電気光学装置は、記憶部と、電気光学装置への通電経過時間を求める計時部と、を有し、電気光学装置への通電経過時間に対するスイッチング素子の各々の閾値電圧を予め測定した結果を記憶部に記憶し、スイッチング素子をオン状態にするためにスイッチング素子のゲート端子に印加する電圧である第１の電圧を画素電極の電圧値が飽和する第１の時点まで印加し、第１の時点以降、計時部から現時点の通電経過時間を求め、通電経過時間に対するスイッチング素子の閾値電圧を記憶部から求め、第１の電圧よりも低くかつ第１の電圧から閾値電圧を引いた電圧よりも高い１種類以上の電圧をゲート端子に印加する。【選択図】図１
2007264241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極及び複数の画素電極を介して印加される電界により泳動する電気泳動粒子が分
散媒に分散された分散系を備えた電気光学装置の駆動方法であって、
前記電気光学装置は、記憶部と、前記電気光学装置への通電経過時間を求める計時部と
、を有し、
前記電気光学装置への通電経過時間に対する、前記複数の画素電極の各々に接続された
スイッチング素子の閾値電圧を予め測定した結果を前記記憶部に記憶し、
前記スイッチング素子をオン状態にするために前記スイッチング素子のゲート端子に印
加する電圧である第１の電圧を前記画素電極の電圧値が飽和する第１の時点まで印加し、
前記第１の時点以降、前記計時部から現時点の通電経過時間を求め、前記通電経過時間
に対する前記スイッチング素子の閾値電圧を前記記憶部から求め、前記第１の電圧よりも
低くかつ前記第１の電圧から前記閾値電圧を引いた電圧よりも高い１種類以上の電圧を前
記ゲート端子に印加する、
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法において、前記１種類以上の電圧は、前記第
１の電圧から前記閾値電圧を引いた電圧である、ことを特徴とする電気光学装置の駆動方
法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置の駆動方法において、前記１種類以上の電圧は
、前記第１の電圧よりも低くかつ前記第１の電圧から前記閾値電圧を引いた電圧の間より
も高い所定の第２の電圧と、前記第１の電圧から前記閾値電圧を引いた電圧である第３の
電圧と、から構成され、前記第２の電圧を前記ゲート端子に印加後、前記第３の電圧を前
記ゲート端子に印加する、ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法において、前記１種類
以上の電圧は、前記第１の電圧と前記第１の電圧から前記閾値電圧を引いた電圧を線形補
間した複数の電圧から構成され、前記複数の電圧を順次前記ゲート端子に印加する、こと
を特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法により駆動することを
特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、前記電気光学装置は、前記ゲート端子に電圧
を印加する走査線駆動回路を有し、前記走査線駆動回路の電圧出力部は、トランスファー
ゲートで構成されている、ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項８】
第１の電極及び第２の電極を介して電圧を印加することにより泳動する、分散媒に分散
された電気泳動粒子を備えた電気光学装置の駆動方法であって、
前記第１の電極に接続されたスイッチングトランジスタのゲート端子に第１の電圧を印
加することにより前記スイッチングトランジスタを介してデータ線と前記第１の電極を電
気的に接続した後、さらに前記スイッチングトランジスタの前記ゲート端子に前記第１の
電圧とは異なる電圧レベルを有する第２の電圧を印加することにより前記スイッチングト
ランジスタを介して前記データ線と前記第１の電極を電気的に接続すること、
を特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界を印加することに泳動する電気泳動粒子を含有する分散系を備えた電気
光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、非発光型の電気光学装置として、電気泳動現象を利用した電気泳動表示装置が知
られている（例えば、特許文献１参照）。電気泳動現象は、液体中（分散媒）に微粒子（
電気泳動粒子）を分散させた分散系に電界を印加したとき、該微粒子がクーロン力により
泳動する現象をいう。
【０００３】
ここで、電気泳動表示装置の概略的な構成を簡単に述べる。電気泳動表示装置は、一方
の電極と他方の電極とを所定の間隔で対向させ、その間に画像の表示単位である画素とし
ての分散系をマトリクス状に多数配置して構成されている。そして、電気泳動表示装置は
、それらの分散系に電界を印加するための周辺回路を備えている。
【０００４】
図７は、電気泳動表示装置の機械的な構成を示す分解斜視図であり、図８は、１画素に
対応した分散系を示す表示パネルの要部断面図である。画素となる分散系６１は、画素電
極６２等を設けた素子基板６３と共通電極６４等を設けた対向基板６５との間に隔壁６６
を形成し、両電極６２，６４と隔壁６６とで形成される空間６９に電気泳動粒子６７を分
散させた液体（分散媒）６８を充填して構成される。共通電極６４及び対向基板６５とし
ては、透過性を有する材料が用いられる。ここで、例えば２値表示を実現する場合、分散
媒６８は黒色に染色され、電気泳動粒子６７としては酸化チタン等の白色粒子が用いられ
る。そして、電気泳動粒子６７は正負いずれかの電荷を持つように帯電される。
【０００５】
また、素子基板６３には上述した画素電極６２の他に、走査線、データ線及びスイッチ
ング素子として機能する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴ）が形
成されている（図８ではその様子を省略している）。
【０００６】
図９は、１画素に対応した等価回路を説明する説明図である。すなわち、表示パネルの
素子基板６３上には互いに直交する方向に沿って走査線７１とデータ線７２とが設けられ
、それらの交差部に対応してＴＦＴ７３が設けられている。ＴＦＴ７３は、そのゲート電
極が走査線７１に接続され、そのソース電極がデータ線７２に接続され、そのドレイン電
極が分散系６１を挟持する一方の画素電極６２に接続されている。尚、分散系６１を挟持
する他方の共通電極６４には、共通電圧Ｖｃｏｍ（一般には接地電圧）が印加される。
【０００７】
このような構成において、走査線７１は、図示しない走査線駆動回路から供給される走
査線信号によってアクティブになり、このアクティブになる期間（選択期間）に於いてＴ
ＦＴ７３はオンされる。そして、データ線７２及びオンしたＴＦＴ７３を介して図示しな
いデータ線駆動回路からデータ信号が供給されることにより、画素電極６２に電圧が印加
される。
【０００８】
画素電極６２と共通電極６４との間に電位差を与えると、クーロン力によって電気泳動
粒子６７が画素電極６２又は共通電極６４のどちらか一方の電極に引き寄せられる。この
とき、電気泳動粒子６７が透明の共通電極６４側に引き寄せられると、該共通電極６４か
ら入射した光は電気泳動粒子６７によって反射され、電気泳動粒子６７の色（白色）が見
えることになる。一方、電気泳動粒子６７が画素電極６２側に引き寄せられると、前述し
た入射光と反射光は分散媒６８によって吸収され、分散媒６８の染色した色（黒色）が見
えることになる。つまり、電気泳動表示装置は、表示パネルにマトリクス状に多数配置さ
れた各々の分散系６１について、分散系６１の電気泳動粒子６７の移動位置をそれぞれ個
々に制御することによって画像を形成する。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−１１６７３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１では、例えばＴＦＴ７３がＰｃｈＴＦＴの場合、走査線７１
からＴＦＴ７３のゲート電極に供給される電圧値は、ＴＦＴ７３をオンにする電圧（０Ｖ
）と、ＴＦＴ７３をオフにする電圧（電源電圧）の２値であったため、分散系６１を挟持
する画素電極６２と共通電極６４間の電圧は電源電圧からＴＦＴ７３の閾値電圧を差し引
いた電圧となり十分な電圧が得られない。そこで、ＴＦＴ７３の閾値電圧を測定し、オフ
にする電圧から閾値電圧を差し引いてゲート端子に印加すれば、画素電極６２と共通電極
６４間を電源電圧にすることができるが、温度、湿度などの外的要因や、通電時間経過に
よる経時変化によりＴＦＴ７３の閾値電圧が変動した場合、閾値電圧が小さくなるとゲー
ト端子に過電圧が印加されＴＦＴ７３のゲート破壊を起したり、閾値電圧が大きくなると
電圧不足により正確な画像を形成することができなくなる問題があった。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、スイッチング素子の閾値電圧
が通電時間経過により変動してもオン／オフが可能な電気光学装置、電気光学装置の駆動
方法及び電子機器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の駆動方法では、共通電極及び複数
の画素電極を介して印加される電界により泳動する電気泳動粒子が分散媒に分散された分
散系を備えた電気光学装置の駆動方法であって、前記電気光学装置は、記憶部と、前記電
気光学装置への通電経過時間を求める計時部と、を有し、前記電気光学装置への通電経過
時間に対する、前記複数の画素電極の各々に接続されたスイッチング素子の閾値電圧を予
め測定した結果を前記記憶部に記憶し、前記スイッチング素子をオン状態にするために前
記スイッチング素子のゲート端子に印加する電圧である第１の電圧を前記画素電極の電圧
値が飽和する第１の時点まで印加し、前記第１の時点以降、前記計時部から現時点の通電
経過時間を求め、前記通電経過時間に対する前記スイッチング素子の閾値電圧を前記記憶
部から求め、前記第１の電圧よりも低くかつ前記第１の電圧から前記閾値電圧を引いた電
圧よりも高い１種類以上の電圧を前記ゲート端子に印加する、ことを要旨とする。
【００１３】
この構成によれば、スイッチング素子の閾値電圧が通電時間経過により変動してもスイ
ッチング素子のゲート破壊を防ぎ、画素電極と共通電極間を電源電圧にすることができる
ので、正確な画像を形成することができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置の駆動方法では、前記１種類以上の電圧は、前記第１の電
圧から前記閾値電圧を引いた電圧である。
【００１５】
この構成によれば、スイッチング素子の閾値電圧が通電時間経過により変動してもスイ
ッチング素子のゲート破壊を防ぎ、画素電極と共通電極間を電源電圧にすることができる
ので、正確な画像を形成することができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の駆動方法では、前記１種類以上の電圧は、前記第１の電
圧よりも低くかつ前記第１の電圧から前記閾値電圧を引いた電圧の間よりも高い所定の第
２の電圧と、前記第１の電圧から前記閾値電圧を引いた電圧である第３の電圧と、から構
成され、前記第２の電圧を前記ゲート端子に印加後、前記第３の電圧を前記ゲート端子に
印加する。
【００１７】
この構成によれば、スイッチング素子の閾値電圧が通電時間経過により変動してもスイ
ッチング素子のゲート破壊を防ぎ、画素電極と共通電極間を電源電圧にすることができる
ので、正確な画像を形成することができる。
【００１８】
また、本発明の電気光学装置では、前記１種類以上の電圧は、前記第１の電圧と前記第
１の電圧から前記閾値電圧を引いた電圧を線形補間した複数の電圧から構成され、前記複
数の電圧を順次前記ゲート端子に印加する。
【００１９】
この構成によれば、スイッチング素子の閾値電圧が通電時間経過により変動してもスイ
ッチング素子のゲート破壊を防ぎ、画素電極と共通電極間を電源電圧にすることができる
ので、正確な画像を形成することができる。
【００２０】
また、本発明の電気光学装置では、上述した電気光学装置の駆動方法により駆動する。
【００２１】
この構成によれば、スイッチング素子の閾値電圧が通電時間経過により変動してもスイ
ッチング素子のゲート破壊を防ぎ、画素電極と共通電極間を電源電圧にすることができる
ので、正確な画像を形成することができる。
【００２２】
また、本発明の電気光学装置では、前記電気光学装置は、前記ゲート端子に電圧を印加
する走査線駆動回路を有し、前記走査線駆動回路の電圧出力部は、トランスファーゲート
で構成されている。
【００２３】
この構成によれば、スイッチング素子の閾値電圧が通電時間経過により変動してもスイ
ッチング素子のゲート破壊を防ぎ、画素電極と共通電極間を電源電圧にすることができる
ので、正確な画像を形成することができる。
【００２４】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備え、例えば、パーソナルコ
ンピュータ、携帯電話機、および携帯情報端末等が該当する。
【００２５】
また、本発明の電気光学装置では、第１の電極及び第２の電極を介して電圧を印加する
ことにより泳動する、分散媒に分散された電気泳動粒子を備えた電気光学装置の駆動方法
であって、前記第１の電極に接続されたスイッチングトランジスタのゲート端子に第１の
電圧を印加することにより前記スイッチングトランジスタを介してデータ線と前記第１の
電極を電気的に接続した後、さらに前記スイッチングトランジスタの前記ゲート端子に前
記第１の電圧とは異なる電圧レベルを有する第２の電圧を印加することにより前記スイッ
チングトランジスタを介して前記データ線と前記第１の電極を電気的に接続することを要
旨とする。
【００２６】
この構成によれば、スイッチング素子の閾値電圧が通電時間経過により変動してもスイ
ッチング素子のゲート破壊を防ぎ、画素電極と共通電極間を電源電圧にすることができる
ので、正確な画像を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
（第１実施形態）
【００２８】
＜電気光学装置の構成＞
まず、第１実施形態に係る電気光学装置である電気泳動表示装置の構成について、図１
を参照して説明する。
【００２９】
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気泳動表示装置の構成を示すブロック図である
。図１に示すように、電気泳動表示装置１は、図７に示した表示領域Ａ１と周辺領域Ａ２
に分かれ、表示領域Ａ１には、図８、図９で示した分散系６１がｍ行ｎ列（ｍ、ｎは任意
の自然数）配列されている。
【００３０】
また、周辺領域Ａ２（図７参照）は、データ線駆動回路１００、走査線駆動回路２００
、制御回路３００、記憶部３１０、計時部３２０、共通電圧出力回路４００が配置されて
いる。
【００３１】
データ線駆動回路１００は、ｎ本のデータ線７２を介し、ＴＦＴ７３のソース端子にデ
ータ信号Ｘ１〜Ｘｎを供給する。走査線駆動回路２００は、ｍ本の走査線７１を介し、Ｔ
ＦＴ７３のゲート端子に走査信号Ｙ１〜Ｙｍを供給する。
【００３２】
制御回路３００は、図示しない外部機器からの制御信号や、記憶部３１０及び計時部３
２０からの情報に基づき、走査信号Ｙ１〜Ｙｍに供給する電圧を決定し、データ線駆動回
路１００、走査線駆動回路２００、共通電圧出力回路４００を制御する。
【００３３】
記憶部３１０は、ＥＥＰＲＯＭ（Electronically Erasable and Programmable Read On
ly Memory）などの記憶回路で構成され、図示しない外部機器からの情報を記憶する。計
時部３２０は、電気泳動表示装置１の電源が投入された時点からの経過時間をカウントす
る。共通電圧出力回路４００は、すべての分散系６１の共通電極６４に共通電圧Ｖｃｏｍ
を供給する。
【００３４】
＜分散系を制御するＴＦＴの動作の構成＞
次に、分散系を制御するＴＦＴの動作について図２を参照して説明する。図２は、分散
系６１を制御するＴＦＴ７３の動作を説明するタイミングチャート図である。なお、本実
施形態では、ＴＦＴ７３の導電型はｐチャネル型で、有機ＴＦＴで構成されているものと
する。
【００３５】
図２（Ａ）は、各々の分散系６１の電気泳動粒子６７を共通電極６４側に引き寄せる動
作（データ書き込み）を説明するタイミング図であり、図２（Ｂ）は、逆に画素電極６２
側に引き寄せる動作（データクリア）を説明するタイミング図である。
【００３６】
データ書き込み時は、図２（Ａ）に示すように、共通電圧Ｖｃｏｍを接地電位（０Ｖ）
、データ信号Ｘｉ（１≦ｉ≦ｎ）を電源電位（ＶＤＤ、例えば４０Ｖ）、走査信号Ｙｊ（
１≦ｊ≦ｍ）を第１の電圧である接地電位（０Ｖ）、にそれぞれ設定する。この状態にお
いてＴＦＴ７３のソース端子にＶＤＤ、ゲート端子に０Ｖが印加されるので、ＴＦＴ７３
はオン状態となり、ＴＦＴ７３のドレイン端子は、分散系６１が充電される期間ｔ（第１
の時点）を経てＶＤＤとなる。
【００３７】
一方、データクリア時は、図２（Ｂ）に示すように、共通電圧ＶｃｏｍをＶＤＤ、デー
タ信号Ｘｉを０Ｖ、走査信号Ｙｊを０Ｖ、にそれぞれ設定する。この状態においてＴＦＴ
７３のソース端子に０Ｖ、ゲート端子に０Ｖが印加されるので、ＴＦＴ７３はオン状態と
なるが、ＴＦＴ７３のドレイン端子は、分散系６１が充電される期間ｔを経ても０Ｖまで
推移せず、ＴＦＴ７３の閾値電圧Ｖｔｈに留まってしまう。このため、分散系６１の画素
電極６２と共通電極６４間の電位差がＶＤＤ−Ｖｔｈのため、電気泳動粒子６７が画素電
極６２側に引き寄せられる動作が遅くなる、もしくは十分に引き寄せられない問題があっ
た。
【００３８】
この問題を解決するためには、ＴＦＴ７３のゲート端子に−Ｖｔｈの電位を印加すれば
よいが、例えば、半導体層が有機材料で形成されたいわゆる有機ＴＦＴや半導体層がアモ
ルファスシリコンで形成されたアモルファスシリコンＴＦＴは、通電時間の増加に伴い閾
値電圧が変化するいわゆる閾値電圧シフトが顕著であるため、−Ｖｔｈとしてゲート端子
に印加すべき電圧を設定することが困難である。例えば、一律に−Ｖｔｈをゲート端子に
印加すると閾値電圧が当初のＶｔｈよりも低い電位になった場合、ゲート破壊を引き起こ
す恐れがある。
【００３９】
図３（Ａ）は、ＴＦＴ７３の通電経過時間に対する閾値電圧の変移を説明するグラフ図
である。なお、図３（Ａ）のグラフ図の値は、説明を簡略化するために用意したものであ
り、実際の値に基づくものではない。
【００４０】
図３（Ａ）に示すように、ＴＦＴ７３の閾値電圧は、通電前に測定した時点で５Ｖであ
ったものが、１時間経過後から５時間経過までに４Ｖまで線形に減少している。有機ＴＦ
Ｔの閾値電圧が通電時間経過に伴い変移する理由としては、半導体界面（下地層〜半導体
界面、またはゲート絶縁層〜半導体界面）への水分子、イオン等の吸着などにより電子供
与性／電子受容性が発現することなどが考えられる。
【００４１】
本実施形態では、予めＴＦＴ７３の通電経過時間に対する閾値電圧の値を測定し、記憶
部３１０に図３（Ｂ）に示すように通電経過時間に対する閾値電圧を記憶させたテーブル
を記憶させておくことにより、現時点での閾値電圧の値に基づきＴＦＴ７３のゲート端子
に印加する電圧を制御回路３００が設定するように構成されている。
【００４２】
図４は、制御回路３００の動作を説明するフローチャート図である。制御回路３００は
、分散系６１のデータをクリアする時点で処理を行う。
【００４３】
先ず、ステップＳ１００では、制御回路３００は、計時部３２０から現時点での経過時
間を取得する。
【００４４】
次に、ステップＳ１０２では、記憶部３１０の通電経過時間に対する閾値電圧を記憶さ
せたテーブルを参照し、経過時間に対するＴＦＴ７３の閾値電圧の値Ｖｔｈを取得する。
【００４５】
次に、ステップＳ１０４では、走査線駆動回路２００からの走査信号ＹｊによりＴＦＴ
７３のゲート端子に期間ｔの間０Ｖを印加後、−Ｖｔｈの電位を印加する。
【００４６】
図５（Ａ）は、第１実施形態におけるＴＦＴ７３のゲート端子に印加する電圧とＴＦＴ
７３のドレイン端子の電圧の変化を示すタイミング図である。図５（Ａ）に示すように、
ＴＦＴ７３のゲート端子に期間ｔの間０Ｖを印加すると、ＴＦＴ７３のドレイン端子の電
位はＶＤＤからＶｔｈに移行する。その後、ＴＦＴ７３のゲート端子に−Ｖｔｈの電位を
印加するので、ＴＦＴ７３のドレイン端子の電位はＶｔｈから０Ｖに移行する。
【００４７】
図６は、走査線駆動回路２００の構成を説明する回路図である。走査線駆動回路２００
は、シフトレジスタ２１０と、走査信号Ｙ１〜Ｙｍを出力する各々の走査線７１に対し、
レベルシフタ２２０と、インバータ２３０と、トランスファーゲート２４０と、から構成
されている。
【００４８】
以上に述べた前記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００４９】
本実施形態では、画素電極と共通電極間との電位差を、変化するＴＦＴ７３の閾値電圧
に依存しない所定値にすることができるので、正確な画像を表示することができる。所定
値を適宜設定すればスイッチング素子であるＴＦＴ７３の閾値電圧が通電時間経過により
変動してもＴＦＴ７３のゲート破壊を防止することができる。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、第１実施形態で説明した電気泳動表示装置１を搭載した電子機器の適用について
図１０に従って説明する。図１０は、モバイル型パーソナルコンピュータの一構成を示す
斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ２０００は、キーボード２００２
を備える本体部２０１０と、前記電気泳動表示装置１を用いた表示ユニット２００１を備
えている。この場合でも、電気泳動表示装置１を用いた表示ユニット２００１は前記第１
実施形態と同様な効果を発揮する。その結果、パーソナルコンピュータ２０００は、高品
質の画像を実現することができる。
【００５１】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はこうした実施の形態に何ら限定される
ものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることが
できる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００５２】
（変形例１）本発明に係る電気光学装置の第１変形例について説明する。前記第１実施
形態では、図５（Ａ）に示すように、期間ｔ以降にＴＦＴ７３のゲート端子に印加する電
圧は、−Ｖｔｈの電位であったが、図５（Ｂ）に示すように、−Ｖｔｈの電位を印加する
前に０Ｖから−Ｖｔｈの間の電位（例えば、−１／２×Ｖｔｈ）を印加するようにしても
よい。また、２段階に限らず複数段階で印加してもよい。
【００５３】
（変形例２）本発明に係る電気光学装置の第２変形例について説明する。前記第１実施
形態では、図５（Ａ）に示すように、期間ｔ以降にＴＦＴ７３のゲート端子に印加する電
圧は、−Ｖｔｈの電位であったが、図５（Ｃ）に示すように、０Ｖから−Ｖｔｈの間を線
形補間し、順次電圧を０Ｖから−Ｖｔｈに変移するようにしてもよい。
【００５４】
（変形例３）本発明に係る電気光学装置の第３変形例について説明する。前記第１実施
形態では、図１に示すように、電気泳動表示装置１に記憶部３１０と計時部３２０を含む
場合について説明したが、電気泳動表示装置１は、記憶部３１０と計時部３２０を含まず
、電気泳動表示装置１を制御する外部機器に記憶部３１０と計時部３２０を含ませてもよ
い。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】電気泳動表示装置の構成を示すブロック図。
【図２】（Ａ）はデータ書き込み時の各信号の動きを説明するタイミング図、（Ｂ）はデータクリア時の各信号の動きを説明するタイミング図。
【図３】（Ａ）はＴＦＴの通電経過時間に対する閾値電圧の変化を説明するグラフ図、（Ｂ）は記憶部に通電経過時間に対する閾値電圧を記憶させたテーブルを説明する図。
【図４】制御回路の動作を説明するフローチャート図。
【図５】（Ａ）は第１実施形態におけるＴＦＴのゲート端子に印加する電圧とＴＦＴのドレイン端子の電圧の変化を示すタイミング図、（Ｂ）は変形例１におけるＴＦＴのゲート端子に印加する電圧とＴＦＴのドレイン端子の電圧の変化を示すタイミング図、（Ｃ）は変形例２におけるＴＦＴのゲート端子に印加する電圧とＴＦＴのドレイン端子の電圧の変化を示すタイミング図。
【図６】走査線駆動回路の構成を説明する回路図。
【図７】電気泳動表示装置の機械的な構成を示す分解斜視図。
【図８】１画素に対応した分散系を示す表示パネルの要部断面図。
【図９】１画素に対応した等価回路を説明する説明図。
【図１０】第２実施形態のパーソナルコンピュータの構成を示す概観斜視図。
【符号の説明】
【００５６】
１…電気泳動表示装置、６１…分散系、６２…画素電極、６３…素子基板、６４…共通
電極、６５…対向基板、６６…隔壁、６７…電気泳動粒子、６８…分散媒、６９…空間、
７１…走査線、７２…データ線、７３…ＴＦＴ、１００…データ線駆動回路、２００…走
査線駆動回路、２１０…シフトレジスタ、２２０…レベルシフタ、２３０…インバータ、
２４０…トランスファーゲート、３００…制御回路、３１０…記憶部、３２０…計時部、
４００…共通電圧出力回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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