(57)【要約】【課題】  接合対象物の接合面積が増加したときにも接合状態が不均一にならないようにした接合方法及びその装置を提供する。【解決手段】  減圧された真空チャンバ１内に配設されたステージ５上に保持された第１及び第２の各ウエハ（接合対象物）１１，１２に対し、接合ヘッド４により所定圧力で加圧を加え、面接触した接合面間に直流電圧を印加するのに併せてＸ軸超音波振動子２及び／又はＺ軸超音波振動子３から超音波振動を印加する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接合対象物を互いの接合面で面接触するように加圧し、複数の接合対象物を接合面間で接合する接合方法において、
接合面に超音波振動を印加することを特徴とする接合方法。
【請求項２】
接合面上の直交する２軸をそれぞれＸ軸及びＹ軸とし、接合面に垂直な軸をＺ軸として、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各軸方向の少なくとも１軸方向の超音波振動を印加する請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各方向の超音波振動の少なくとも２方向の振動を同期させると共に、超音波振動の強度を制御しながら印加する請求項１又は２に記載の接合方法。
【請求項４】
振動周波数が２０〜７０KHzの超音波振動を印加する請求項１〜３いずれか一項に記載の接合方法。
【請求項５】
振動振幅が５μｍ以下の超音波振動を印加する請求項１〜４いずれか一項に記載の接合方法。
【請求項６】
超音波振動子のインピーダンスを検出して、インピーダンスが初期印加時から２０％以上に増加したとき、超音波振動の印加を停止する請求項１〜５いずれか一項に記載の接合方法。
【請求項７】
超音波振動の印加時に、加圧を徐々に増加させる請求項１〜６いずれか一項に記載の接合方法。
【請求項８】
接合対象物を加熱し、接合対象物を接合する請求項１〜７いずれか一項に記載の接合方法。
【請求項９】
真空雰囲気中で接合対象物を接合する請求項１〜８いずれか一項に記載の接合方法。
【請求項１０】
複数の接合対象物を互いの接合面で面接触するように加圧し、複数の接合対象物を接合面間で接合する接合装置において、
前記接合面間で面接触する複数の接合対象物に超音波振動を印加する超音波振動印加手段が設けられてなることを特徴とする接合装置。
【請求項１１】
超音波振動印加手段を構成する振動子が真空チャンバ内に配設されてなる請求項１０に記載の接合装置。
【請求項１２】
真空チャンバ内に、接合面を表面改質する表面改質手段の少なくとも改質エネルギーの照射口が設けられてなる請求項１０又は１１に記載の接合装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の接合対象物を互いの接合面で接合する陽極接合における接合品質及び接合効率を向上させる接合方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ同士あるいはウエハとチップなど、複数の接合対象物を互いの接合面で接合するとき、接合面を酸素プラズマやイオンビームなどにより表面処理した後、複数の接合対象物を互いの接合面で対面させ、加圧して接合面間で接合する方法が知られている。しかし、加圧だけでは安定した接合状態が得難いため、より有効な接合方法が要求されている。その要求に応えるべく開発された陽極接合装置が知られている。
【０００３】
陽極接合装置は、図５に示すように、第１接合対象物１０１と第２接合対象物１０２とを互いの接合面で対面するように重ね合わせた状態でチャンバ１０３内に配置し、両接合対象物１０１，１０２に荷重を加えて加圧し、ヒータ１０６によって両接合対象物１０１，１０２を加熱し、両接合対象物１０１，１０２の接合面に対して、直流電源１０５から供給される数百ボルトの直流電圧を電極１０４から印加する（特許文献１参照）。
【０００４】
接合面に直流電圧が印加されることにより、接合界面に空間電荷層が形成され高電界が発生する。この高電界により加圧された接合界面に静電引力が発生して第１及び第２の各接合対象物は接合面間で接合される。
【特許文献１】特開２０００−２９４４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術における陽極接合方法では、接合面の条件負荷に対する均一性が低く、接合面に部分的な接合不良が発生する。特に、接合対象物がウエハであるとき、ウエハは大型化する傾向にあり、そのような大きな接合面を有するウエハ同士を接合面で接合しようとする場合には、接合対象物に印加する加圧を大きくする必要がある。一方でウエハは薄型化する傾向にもあり、徒に大きな荷重を加えることはウエハに損傷を与える恐れがある。
【０００６】
本発明が目的とするところは、複数の接合対象物に印加する加圧を低く抑えた状態でも接合品質を向上させ得るようにした接合方法及びその装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための本願第１発明は、複数の接合対象物を互いの接合面で面接触するように加圧し、複数の接合対象物を接合面間で接合する接合方法において、接合面に超音波振動を印加することを特徴とする。
【０００８】
上記接合方法によれば、複数の接合対象物が互いの接合面で接触加圧された状態で接合面に超音波振動が印加されるので、接合対象物を加圧する荷重を小さくしても超音波接合の作用により接合面間が均一な接合状態にして接合される。均一な接合が得られない面積が大きいウエハであっても、超音波接合の作用が併せて加えられるので、ウエハのように大型化、薄型化する傾向にある接合対象物であっても加圧荷重を大きくして接合面に対する接触の均等化を図ることなく、超音波接合の作用で接合領域を均一に接合することが可能となる。従って、接合時間の短縮化や接合の安定化、装置の簡略化を図ることができる。
【０００９】
上記接合方法において、接合面上の直行する２軸をＸ軸及びＹ軸とし、接合面に垂直な軸をＺ軸として、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各軸方向の少なくとも１軸方向の超音波振動を印加することにより、接合対象物の接合面材質や接合面サイズなどに応じて最適の加振方向を選択組み合わせることができる。
【００１０】
また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各方向の超音波振動のうち少なくとも２方向の振動を同期させると共に、超音波振動の強度を制御しながら印加することにより、接合面に三次元的な超音波振動を加えることによって超音波接合の作用を増大させ、超音波振動の強度を制御することにより接合対象物の接合面材質や接合面サイズに適合する接合状態を得ることができる。
【００１１】
また、振動周波数は、２０〜７０KHzの超音波振動を印加するのがウエハ同士あるいはウエハとチップなどの接合に好適である。
【００１２】
また、振動振幅は、５μｍ以下の超音波振動を印加するのが好適で、大きな振動振幅の超音波振動の印加は位置ずれが発生する恐れがあり、特に接合面に直交する縦方向の振動は振幅が大きくなると接合面にダメージを与える恐れがあり、ウエハやチップなどの精密部品を接合する場合には小さい振動振幅の超音波振動の印加が適したものとなる。
【００１３】
また、超音波振動子のインピーダンスを検出して、インピーダンスが初期印加時から２０％以上に増加したとき超音波振動の印加を停止するように制御することが好適で、超音波接合による接合面積が拡大するのに伴ってインピーダンスが増加するが、接合面積以上の振動エネルギーが加わると、接合部や接合対象物自体に余分なエネルギーが印加されることによるダメージが発生しやすいので、インピーダンスの検出により、それが所定量以上に増加したとき超音波振動の印加を停止することが好ましいものとなる。
【００１４】
また、超音波振動の印加時に、加圧を徐々に増加させることが好適で、超音波接合による接合面積が拡大するのに伴って加圧を増加させるようにすると、適正な超音波接合の状態が得られる。印加初期から大きな加圧が加えられていると、接合面間で超音波接合に必要な滑り摩擦が得られ難いが、加圧を徐々に増加させると接合面積に同調した滑り摩擦を得ることができる。
【００１５】
また、接合対象物を加熱して接合することにより、常温では接合し難い接合対象物に対して有効であり、加熱を併用することにより接合界面での拡散が促進されて接合が容易となる。
【００１６】
また、真空雰囲気中で接合対象物を接合することが好適で、大気中で超音波接合したときに接合界面に気泡が生じることに伴う接合の不均一が発生するような場合でも、真空中では気泡の発生はないので、安定した接合状態を得ることができる。
【００１７】
また、本願第２発明は、複数の接合対象物を互いの接合面で面接触するように加圧し、複数の接合対象物を接合面間で接合する接合装置において、前記接合面間で面接触する複数の接合対象物に超音波振動を印加する超音波振動印加手段が設けられてなることを特徴とする。
【００１８】
上記接合装置によれば、複数の接合対象物が互いの接合面で面接触するように加圧された状態で直流電圧の印加に併せて超音波振動印加手段から接合面に超音波振動を印加すると、超音波接合の作用が接合面間に及んで接合面の全面にわたって均一に接合される。接合面の面積が大きくなると接合できない部位が発生しやすいが、超音波振動が加えられることにより、加圧力を抑えても面積が大きい接合面に対する接合品質の向上を図ることができる。
【００１９】
上記構成において、少なくとも保持手段及び荷重印加手段は真空チャンバ内に配設することにより、接合対象物は真空中で保持されて接触加圧することができ、大気中で超音波接合したときに接合界面に気泡が生じることに伴う接合の不均一が発生するような場合でも、真空中では気泡の発生はないので、安定した接合状態を得ることができる。超音波振動印加手段は真空チャンバの外部から印加するのが簡単であるが、真空チャンバ内に配設すると、装置の小型化を図ることができる。
【００２０】
また、真空チャンバ内に、接合面を表面改質する表面改質手段の少なくともそのエネルギー照射口を設けることにより、真空中で清浄化あるいは活性化した状態が維持され、付着物がない状態で超音波接合がなされ、活性化すると大気中では接合できなかったものも超音波接合することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、複数の接合対象物の接合面間の接合において、接合面の面積が大きくなったときに接合の不均一が生じやすくなる状態を超音波振動の印加による超音波接合の作用により補うことができるので、安定した接合状態が得られ、面積が大きくなり厚さが薄くなる傾向にあるウエハ同士の接合などに有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、第１の実施形態に係る接合装置の構成を示すもので、陽極接合方法を用いて接合対象物とする第１のウエハ１１と第２のウエハ１２とを互いの接合面で接合できるように構成されている。尚、陽極接合に必要な加熱手段及び電圧印加手段の構成は、従来技術と同様なので図示省略し、特徴的な構成部分のみを示している。
【００２３】
図１において、真空チャンバ１内に配設されたステージ５上には、第２のウエハ１２を保持した保持手段７が配置され、第２のウエハ１２の上に第１のウエハ１１が載置されている。前記ステージ５の上方には接合ヘッド４が配設され、加圧軸８から加えられる荷重により下降移動して第１及び第２の各ウエハ１１，１２を加圧すると共に、図示しない電極が第１のウエハ１１に接触して直流電圧を印加し、加熱手段により第１及び第２の各ウエハ１１，１２を所定温度に加熱する。また、接合ヘッド４には、Ｘ軸超音波振動子２からＸ軸方向の超音波振動が印加され、Ｚ軸超音波振動子３からＺ軸方向の超音波振動が印加される。
【００２４】
接合面を清浄化及び活性化させた第１及び第２の各ウエハ１１，１２を真空チャンバ１内に搬入し、互いの接合位置が精密に対面するようにアライメントした後、真空チャンバ１内を減圧して所定の真空状態にし、図示しない加熱手段により第１及び第２の各ウエハ１１，１２が所定温度になるように加熱する。次いで、図示しない加圧手段により加圧軸８に荷重を加えることにより、接合ヘッド４が下降動作し、第１のウエハ１１と第２のウエハ１２の両接合面に所定圧力の加圧を加える。この加圧状態で図示しない電圧印加手段から接合面に直流電圧を印加することにより、接合界面に空間電荷層が形成され高電界が発生して静電引力が生じることにより第１及び第２の各ウエハ１１，１２は接合面間で接合される。
【００２５】
この直流電圧の印加に並行してＸ軸超音波振動子２及びＺ軸超音波振動子３から接合ヘッド４にＸ軸方向及びＺ軸方向の超音波振動を印加することにより、超音波振動は接合ヘッド４から加圧された状態の第１のウエハ１１及び第２のウエハ１２に伝達されるので、第１のウエハ１１と第２のウエハ１２との接合面に超音波振動が印加され、接合界面での応力が増加することにより、接合面間は低荷重であっても超音波振動により接合が進行する。
【００２６】
上記接合方法では、直流電圧の印加に加えて超音波接合の作用がなされるので、第１及び第２の各ウエハ１１，１２の接合面間に加える加圧は低い荷重でよく、第１及び第２の各ウエハ１１，１２に対する負荷を小さく抑えることができ、薄型化の傾向にあるウエハの接合に好適なものとなる。また、大型化するウエハの大きな接合面に対する加圧を小さくしたことによる加圧状態の偏りがあっても超音波接合により補うことができるので、接合面の全面にわたって均一な接合状態が得られる。
【００２７】
また、減圧された真空チャンバ１内で接合がなされるので、接合界面に気泡が残って隙間を生じさせることがなく、接合面の全面にわたって均一性の高い接合がなされる。
【００２８】
接合対象物の接合面の面積が大きい場合、Ｘ軸方向（横方向）の超音波振動だけでは超音波接合の作用が小さくなる恐れがあるが、その場合でも本構成のようにＺ軸方向（縦方向）の超音波振動を併用することにより、大きな面積の接合面に対しても均一な接合状態を得ることができる。
【００２９】
また、超音波振動の印加は、図示したＸ軸方向及びＺ軸方向だけでなく、それらに直交するＹ軸方向の超音波振動を印加することもできる。また、半導体チップのように接合面積が比較的小さいものを接合する場合には、横方向振動（図示状態では、Ｘ軸方向またはＹ軸方向）の超音波振動の印加が機械的なダメージを与えることが少ない場合がある。従って、超音波振動の方向は、接合対象物の種類に応じてＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の超音波振動を１つ選択するか、複数方向の超音波振動を組み合わせて印加するように設定することが好ましいものとなる。
【００３０】
また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各方向の超音波振動のうち少なくとも２方向の振動を同期させることにより、接合面に三次元的な超音波振動を加えることができるので、超音波接合の作用を増大させることができる。また、それら各軸方向の超音波振動の強度を制御しながら印加することにより、接合対象物の接合面材質や接合面サイズに適合する接合状態を得ることができる。
【００３１】
また、超音波振動の振動周波数は、２０〜７０KHzの超音波振動を印加するのが半導体ウエハやチップなどの精密部品を接合する場合に好適である。また、振動振幅は、５μｍ以下の超音波振動を印加するのが好適で、大きな振動振幅の超音波振動の印加は位置ずれが発生する恐れがあり、特に接合面に対するＺ軸方向の振動は振幅が大きくなると接合面にダメージを与える恐れがあり、ウエハやチップなどの精密部品を接合する場合には小さい振動振幅の超音波振動の印加が適したものとなる。
【００３２】
また、超音波振動子２，３のインピーダンスを検出するインピーダンス検出手段を設けて、検出されたインピーダンスが初期印加時から２０％以上に増加したとき超音波振動の印加を停止するように制御することが好適である。超音波接合による接合面積が拡大するのに伴ってインピーダンスが増加するが、接合面積以上の振動エネルギーが加わると、接合部や接合対象物自体に余分なエネルギーが印加されることによるダメージが発生しやすいので、インピーダンスの検出により、それが所定量以上に増加したとき超音波振動の印加を停止することが好ましいものとなる。
【００３３】
また、超音波振動の印加時に、接合ヘッド４から第１及び第２の各ウエハ１１，１２に加える加圧は、超音波振動の印加初期から徐々に増加させることが好適で、超音波接合による接合面積が拡大するのに伴って加圧を増加させるようにすると、適正な超音波接合の状態が得られる。印加初期から大きな荷重が加えられていると、接合面間で超音波接合に必要な滑り摩擦が得られ難いが、加圧を徐々に増加させると接合面積に同調した滑り摩擦を得ることができる。
【００３４】
平滑に磨き上げられた接合面であってもミクロ的に見ると、接合面には小さな凹凸や接合部位の高さの差があり、点接触している部位から接合が始まり、それらが押し潰されて周囲に接合部分が拡大し、接合の進行に伴って接合面積が拡大していくので、超音波振動が印加された初期状態から加圧を徐々に増加させると、接触面積の拡大を補うことができ、より短時間に接合がなされる。
【００３５】
また、超音波振動の印加時に加熱することにより、常温では接合し難い接合対象物に対して有効であり、加熱を併用することにより接合界面での拡散が促進されて接合が容易となる。陽極接合においては、接合対象物が接合に適した温度になるように加圧をくわえる以前から加熱手段によって加熱しているが、超音波振動の印加時にも所定温度に加熱することにより超音波接合の作用を向上させることができる。
【００３６】
尚、上記構成では真空チャンバ１内で接合を行うように説明したが、接合対象物の種類や接合面の状態などに応じて大気圧下で接合することも可能である。
【００３７】
図２は、第２の実施形態に係る接合装置の構成を示すもので、真空チャンバ１内に超音波振動子２，３を配設し、装置全体の小型化を図っている。
【００３８】
本構成では、Ｚ軸超音波振動子３から接合ヘッド４に超音波振動を伝達するホーン３ａを真空チャンバ１の壁面を貫通させる必要がなくなるので、真空チャンバ１の構成を複雑化させることがなく、気密性を維持する構造を簡略化することができる。また、真空チャンバ１内に超音波振動を印加する構成要素を配設する場合、接合ヘッド４に超音波振動を印加するための構成要素を配置することもできる。
【００３９】
図３は、第３の実施形態に係る接合装置の構成を示すもので、真空チャンバ１内に第１及び第２の各ウエハ１１，１２それぞれの接合面を改質するための構成を配している。
【００４０】
第１の表面改質装置９及び第２の表面改質装置１０は、原子ビームあるいはイオンビームを接合対象物の接合表面に照射して接合面を清浄化、活性化するもので、第１の表面改質装置９は上部保持手段６に保持された第１のウエハ１１の接合面を改質し、第２の表面改質装置１０は下部保持手段７に保持された第２のウエハ１２の接合面を改質する。
【００４１】
第１及び第２の各実施形態に示した構成では、接合対象物は真空チャンバ１の外部所要場所で接合面の改質を受けた後、真空チャンバ１内に搬入されることになるので、事前に接合面を清浄化しても、真空チャンバ１に搬入されるまでに大気に触れるので、クリーンルーム内で作業が実施されるとしても接合面には僅かであっても有機物や何らかの異物が付着する恐れがある。本実施形態においては、接合対象物とするウエハはシリコンなどの酸化物であるが、接合対象物を金属とした場合には酸化膜が発生する恐れがある。有機物などの付着や酸化膜などの発生は、接触加圧して接合するときの接合面全体にわたる接合均一性を損なうことになるので、本実施形態のように真空チャンバ１内で表面改質を行うことは、接合品質を向上させるのに有効となる。
【００４２】
接合対象物の接合面に対して表面改質を行うとき、接合対象物である第１及び第２の各 ウエハ１１，１２は、それぞれ上部及び下部の各保持手段６，７に保持され、それぞれの接合面は小さい離隔距離で対面した状態になるので、接合面に表面改質のための原子ビームやイオンビームを照射することが困難になる。そこで、本構成においては、図示するようにステージ５を昇降移動可能に構成し、接合工程の前に実施する表面改質の工程においては、ステージ５を下降移動させて第１及び第２の各ウエハ１１，１２それぞれの接合面上が充分に開放されるようにする。
【００４３】
第１及び第２の各表面改質装置９，１０は、ビーム照射方向がそれぞれ第１のウエハ１１及び第２のウエハ１２の接合面に向き、接合面にムラなくビーム照射できる位置に配置される。第１及び第２の各表面改質装置９，１０からそれぞれ原子ビーム又はイオンビームが第１及び第２の各ウエハ１１，１２に照射されることにより、接合面に付着した有機物などの異物は除去されて清浄化されると同時に、イオン分子が表面層に衝突することによる表面分子の置き換わりや、イオンにより表面層が化学処理されて接合面は活性化される。
【００４４】
尚、第１及び第２の各表面改質装置９，１０を真空チャンバ１内に配設したとき、真空チャンバ１が大型化する場合には、第１及び第２の各表面改質装置９，１０は真空チャンバ１の外部に設置して、それらのエネルギー照射口が真空チャンバ１内の所定位置になるように配置することもできる。
【００４５】
また、表面改質に用いるエネルギーは、プラズマエネルギーや光エネルギーを適用しても同様の効果が得られる。
【００４６】
このように真空チャンバ１内で接合面の表面改質がなされることにより、陽極接合による接合が良好になされると同時に超音波振動による接合が併用されるので、接合対象物の接合面積が大きくなった場合でも、加圧するための荷重を増大させることなく、第１及び第２の各ウエハ１１，１２をその接合面間で接合する接合の均一性を向上させることができる。
【００４７】
図４は、第４の実施形態に係る接合方法の手順を示すもので、これに適用する接合装置は、図１又は図２に示した第１又は第２の実施形態の構成が適用される。尚、図中に示すＳ１，Ｓ２…は工程手順を示すステップ番号であって、本文中に添記する番号と一致する。
【００４８】
接合対象物とする第１のウエハ１１及び第２のウエハ１２は、真空チャンバ１内に搬入する前に、所定の洗浄場所において洗浄処理を行う（Ｓ１）。洗浄は大気中で超音波水、超臨界水、大気圧プラズマ、光エネルギーのうち少なくとも１つを用いて洗浄処理がなされる。この洗浄処理により、接合面に付着している有機物やパーティクルなどが除去され、接合面の表面が活性化され、より低温での接合強度を得ることができるようになる。
【００４９】
洗浄処理がなされた第１及び第２の各ウエハ１１，１２は真空チャンバ１内に搬入され（Ｓ２）、所定の接合位置にセットされた後（Ｓ３）、接合位置を精密に位置決めするアライメントが実施される（Ｓ４）。
【００５０】
次いで、第１及び第２の各ウエハ１１，１２を接合に適した温度に加熱するため加熱手段による加熱を開始すると共に（Ｓ５）、真空チャンバ１内から排気して所定の真空度が得られるように減圧がなされる。次に、加圧軸８により接合ヘッド４を下降させて第１のウエハ１１の接合面と第２のウエハ１２の接合面とが所定圧力で面接触するように加圧される（Ｓ６）。
【００５１】
加圧された第１及び第２の各ウエハ１１，１２に対し、電圧印加手段から所定電圧の直流電圧を印加する陽極接合を開始すると共に（Ｓ７）、Ｘ軸超音波振動子２及びＺ軸超音波振動子を動作させて第１及び第２の各ウエハ１１，１２の接合面間に超音波振動を印加する（Ｓ８）。この直流電圧の印加に併せた超音波振動の印加により、接合面全体にわたって均一な接合がなされる（Ｓ９）。また、第１及び第２の各ウエハ１１，１２は、予め洗浄処理により、その接合面が清浄化され、活性化されているので、加圧力を大きくすることなく陽極接合が円滑になされると同時に、超音波振動の印加により均一な接合状態が得られる。
【００５２】
以上説明した実施形態においては、接合対象物としてＳｉ又はＳｉＯ2であるウエハを適用した例について述べたが、接合対象物としては、金属やセラミクス、ガラス、石英、化合物半導体を、その接合面で接合することにも同様に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上の説明の通り本発明によれば、複数の接合対象物の接合面間の接合において、接合面の面積が大きくなったときに接合の不均一が生じやすくなる状態を超音波振動の印加による超音波接合の作用によって補うことができるので、陽極接合における直流電圧の印加や加熱などの時間に影響されることなく安定した接合状態が得られる。大型化するウエハを接合対象物とした場合に特に有効で、大きな面積のウエハ同士を接合するような場合に接合面の全面にわたって均一に接合することができ、半導体技術の進展に対応する接合方法及びその装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１の実施形態に係る接合装置の要部構成を示す断面図。
【図２】第２の実施形態に係る接合装置の要部構成を示す断面図。
【図３】第３の実施形態に係る接合装置の要部構成を示す断面図。
【図４】第４の実施形態に係る接合方法の工程手順を示すフローチャート。
【図５】従来技術に係る接合装置の概略を示す断面図。
【符号の説明】
【００５５】
１  真空チャンバ
２  Ｘ軸超音波振動子
３  Ｚ軸超音波振動子
４  接合ヘッド
５  ステージ
８  加圧軸
１１  第１のウエハ（接合対象物）
１２  第２のウエハ（接合対象物）
【図１】
2007301600.tif 000003
【図２】
2007301600.tif 000004
【図３】
2007301600.tif 000005
【図４】
2007301600.tif 000006
【図５】
2007301600.tif 000007