(57)【要約】      （修正有）【課題】発光材料として特に有用であり、実用的なレベルの耐熱性、蛍光強度を有する新規な高分子化合物、該高分子化合物を用いた高分子発光素子を提供する。【解決手段】式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。    −［Ａｒ1−（Ｘ1）n］−      （１）〔式中、Ａｒ1は、式（２）で示される基を有するアリーレン基等を表し、Ｘ1は−ＣＲ1＝ＣＲ2−（Ｒ1、Ｒ2は、水素原子又は置換基）又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎは０又は１を表す。〕2007224282.tif 000087〔式中、Ａｒ2は、アリーレン基等を表し、Ａｒ5は、直接結合、アリーレン基等を表し、Ｒ3、Ｒ4は、直接結合、置換基等を表し、Ａｒ3、Ａｒ4は、アリール基等を表し、Ｙは、ホスフィン、又はホスフィンオキシドを表す。但し、Ａｒ5が直接結合の場合、Ｒ3は直接結合である。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。
−［Ａｒ1−（Ｘ1）n］−      （１）
〔式中、Ａｒ1は、下記式（２）で示される基を有するアリーレン基、下記式（２）で示される基を有する２価の複素環基または下記式（２）で示される基を有する２価の芳香族アミン基を表し、Ｘ1は−ＣＲ1＝ＣＲ2−（ここで、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。）または−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎは０または１を表す。〕
2007224282.tif 000081
〔式中、Ａｒ2は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ａｒ5は、直接結合、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に、直接結合、−Ｒ5−、−Ｏ−Ｒ5−、−Ｒ5−Ｏ−、−Ｒ5−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ5−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｒ5−Ｎ（Ｒ6）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＣＲ7＝ＣＲ8−または−Ｃ≡Ｃ−（ここで、Ｒ5は、アルキレン基またはアルケニレン基を表し、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。）を表し、Ａｒ3およびＡｒ4はそれぞれ独立に、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、Ｙは、下記式：
2007224282.tif 000082
、または
2007224282.tif 000083
を表す。但し、Ａｒ5が直接結合の場合には、Ｒ3は直接結合である。〕
【請求項２】
前記Ａｒ1が、下記式（８）：
2007224282.tif 000084
（式中、Ｒ13は、前記式（２）で示される基、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を表し、あるいは複数あるＲ13は結合して芳香環または非芳香環を形成していてもよい。複数あるＲ13は同一であっても異なっていてもよい。但し、該式（８）は少なくとも１個の前記式（２）で示される基を有する。）
で示される２価の基である請求項１に記載の高分子化合物。
【請求項３】
前記Ａｒ1が、下記式（９）：
2007224282.tif 000085
（式中、Ｒ13は前記と同じである。但し、該式（９）は少なくとも１個の前記式（２）で示される基を有する。）
で示される２価の基である請求項１に記載の高分子化合物。
【請求項４】
さらに、下記式（１０）で示される繰り返し単位を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
−［Ａｒ19−（Ｘ2）p］−      （１０）
〔式中、Ａｒ19は、アリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基または２価の芳香族ホスフィン基を表し、Ｘ2は、−ＣＲ14＝ＣＲ15−（ここで、Ｒ14およびＲ15はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。）または−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｐは０または１を表す。〕
【請求項５】
前記Ａｒ19が、下記式（２ａ）〜（２ｄ）：
2007224282.tif 000086
（式中、ＸはＡ環上の２個の原子とＢ環上の２個の原子と一緒になって５員環又は６員環を形成する原子又は２価の基を表し、Ｒaは置換基を表し、ｍは独立に０〜５の整数を表し、ｎは独立に０〜３の整数を表す。Ｒaが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
のいずれかで示される２価の基である請求項４に記載の高分子化合物。
【請求項６】
前記式（２ａ）〜（２ｄ）において、Ｘが−Ｃ(Ｒ18)(Ｒ19)−、−Ｃ(Ｒ20)(Ｒ21)−Ｃ(Ｒ22)(Ｒ23)−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ(Ｒ24)−〔Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22及びＲ23は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基又はシアノ基を示す。Ｒ24は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表す。〕である請求項５に記載の高分子化合物。
【請求項７】
ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０3〜１×１０8である請求項１〜６のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む発光材料。
【請求項９】
陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられ請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む発光層とを有する高分子発光素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の高分子発光素子を用いた面状光源。
【請求項１１】
請求項９に記載の高分子発光素子を用いた表示装置。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物と溶媒とを含む液状組成物。
【請求項１３】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む薄膜。
【請求項１４】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む有機トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物および該高分子化合物を用いた高分子発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
溶媒に可溶な高分子量の発光材料は、塗布法により発光素子における層を形成できることから種々検討されている。該発光材料の具体例としては、側鎖にトリアリールアミン基を有するポリアリーレンビニレン（特許文献１）、側鎖に芳香族複素環基を有するポリアリーレン（特許文献２）、側鎖にキノリン基を有するポリフルオレン（非特許文献１）、側鎖にトリアリールアミン基を有するポリフルオレン（非特許文献２）等が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６４１４１０４号明細書
【特許文献２】特開２００４−２７７５６８号公報
【非特許文献１】J. of Polymer Science, Part A, Polymer Chemistry, Vol.43, 859-869（2005）
【非特許文献２】Advanced Materials, 14, No.11, 809-811（2002）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、発光材料として特に有用であり、実用的なレベルの耐熱性、蛍光強度を有する新規な高分子化合物、該高分子化合物を用いた高分子発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、鋭意検討の結果、本発明を成すに至った。即ち、本発明は、下記式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を提供する。
−［Ａｒ1−（Ｘ1）n］−      （１）
〔式中、Ａｒ1は、下記式（２）で示される基を有するアリーレン基、下記式（２）で示される基を有する２価の複素環基または下記式（２）で示される基を有する２価の芳香族アミン基を表し、Ｘ1は−ＣＲ1＝ＣＲ2−（ここで、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。）または−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎは０または１を表す。〕
【０００６】
2007224282.tif 000002
〔式中、Ａｒ2は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ａｒ5は、直接結合、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に、直接結合、−Ｒ5−、−Ｏ−Ｒ5−、−Ｒ5−Ｏ−、−Ｒ5−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ5−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｒ5−Ｎ（Ｒ6）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＣＲ7＝ＣＲ8−または−Ｃ≡Ｃ−（ここで、Ｒ5は、アルキレン基またはアルケニレン基を表し、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。）を表し、Ａｒ3およびＡｒ4はそれぞれ独立に、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表し、Ｙは、下記式：
【０００７】
2007224282.tif 000003
、または
【０００８】
2007224282.tif 000004
を表す。但し、Ａｒ5が直接結合の場合には、Ｒ3は直接結合である。〕
【発明の効果】
【０００９】
本発明の高分子化合物は、発光材料として特に有用であり、優れた耐熱性、蛍光強度を有する。この高分子化合物を用いた高分子発光素子は高性能（例えば、高輝度、高発光効率）であり、特に面状光源、表示装置等に有用である。また、この高分子化合物は、有機トランジスタや太陽電池にも使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】
＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、前記式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物である。本発明の高分子化合物は、前記式（１）で示される繰り返し単位を１種類のみ含んでいても２種類以上含んでいてもよい。
【００１２】
前記式（１）において、Ａｒ1は、前記式（２）で示される基を有するアリーレン基、前記式（２）で示される基を有する２価の複素環基または前記式（２）で示される基を有する２価の芳香族アミン基を示すが、蛍光強度の観点からは、好ましくは前記式（２）で示される基を有するアリーレン基、前記式（２）で示される基を有する２価の複素環基である。
【００１３】
また、Ａｒ1は、前記式（２）で示される基以外にも、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。Ａｒ1が複数の置換基を有する場合には、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。これらの置換基の詳細は、後述のアリーレン基の例示（下記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋ）において、Ｒとして具体的に説明し例示するものと同様である。
【００１４】
前記式（１）において、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。このアリーレン基の炭素数は、通常、６〜６０程度である。なお、炭素数には置換基の炭素数は含まない。また、ここで、芳香族炭化水素には、縮合環を有するもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接又はビニレン基等の基を介して結合したものも含まれる。
【００１５】
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下式１〜３）、ナフタレンジイル基（下式４〜１３）、アントラセニレン基（下式１４〜１９）、ビフェニレン基（下式２０〜２５）、トリフェニレン基（下式２６〜２８）、縮合環化合物基（下式２９〜３８）、スチルベン−ジイル基（下式ＡからＤ）、ジスチルベン−ジイル基（下式Ｅ，Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル基（下式Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）などが例示される。これらの中でも、フェニレン基、ナフタレンジイル基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基（下式３６〜３８）、スチルベン−ジイル基（下式ＡからＤ）、ジスチルベン−ジイル基（下式Ｅ，Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル基（下式Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）が好ましい。
【００１６】
2007224282.tif 000005
【００１７】
2007224282.tif 000006
【００１８】
2007224282.tif 000007
【００１９】
2007224282.tif 000008
【００２０】
2007224282.tif 000009
【００２１】
2007224282.tif 000010
【００２２】
2007224282.tif 000011
【００２３】
これらのアリーレン基の例示（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋ）において、Ｒは、それぞれ独立に、前記式（２）で示される基、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。これらのアリーレン基の例示において、１個の構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。但し、Ｒの少なくとも１個は、前記式（２）で示される基である。
【００２４】
アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００２５】
アルコキシ基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度である。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００２６】
アルキルチオ基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度である。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００２７】
アルキルシリル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜６０程度である。アルキルシリル基の具体例としては、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げられ、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基が好ましい。
【００２８】
アルキルアミノ基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度である。アルキルアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。
【００２９】
アリール基は、炭素数は通常６〜６０程度である。アリール基の具体例としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（「Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が１〜１２であることを示し、以下同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基（「Ｃ1〜Ｃ12アルキル」は、アルキル部分の炭素数が１〜１２であることを示し、以下同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。
【００３０】
アリールオキシ基は、炭素数は通常６〜６０程度である。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００３１】
アリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度である。アリールアルキル基の具体例としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基などが挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が好ましい。
【００３２】
アリールアルコキシ基は、炭素数は通常７〜６０程度である。アリールアルコキシ基の具体例としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基などが挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ましい。
【００３３】
アリールアルケニル基は、炭素数は通常８〜６０程度である。アリールアルケニル基の具体例としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基（「Ｃ2〜Ｃ12アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が２〜１２であることを示し、以下同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基などが挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００３４】
アリールアルキニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度である。アリールアルキニル基の具体例としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基（「Ｃ2〜Ｃ12アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が２〜１２であることを示し、以下同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基などが挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００３５】
アリールアミノ基は、炭素数は通常６〜６０程度である。アリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基などが挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。
【００３６】
上記Ｒにおいて、１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。１価の複素環基は、炭素数は通常４〜６０程度である（なお、炭素数には置換基の炭素数は含まない。）。複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する原子が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。１価の複素環基の具体例としては、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基などが挙げられ、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００３７】
上記置換基がアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。このヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基としては、例えば、以下のものが挙げられる。
【００３８】
2007224282.tif 000012
上記ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基の例示において、Ｒ’は、独立に、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、または炭素数４〜６０の１価の複素環基である。Ｒ’で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基としては、上記アリーレン基の例示（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋ）において、Ｒで表される置換基として説明し例示したものと同じである。
【００３９】
本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性を高めるためには、繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましく、Ｒのうちの１個以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。また、複数のＲが連結して環を形成していてもよい。Ｒのうち、アルキル鎖を含む置換基は、直鎖状、分岐状もしくは環状のいずれか、またはそれらの組み合わせである。直鎖状でない場合の例としては、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシクロヘキシル基などが挙げられる。
【００４０】
前記式（１）において、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の複素環基は、炭素数は通常４〜６０程度である（なお、炭素数には置換基の炭素数は含まない。）。複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する原子が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基としては、２価の芳香族複素環基（即ち、芳香族性を有する２価の複素環基）が好ましい。２価の複素環基の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられる。
【００４１】
ａ）ヘテロ原子として窒素を含む基
ピリジン−ジイル基（下式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下式４５〜４８）、キノリンジイル基（下式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下式７６〜７８）など。
【００４２】
ｂ）ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含むフルオレン構造（即ち、フルオレン環中の５員環を構成する炭素原子の１個がけい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子またはこれらの原子を含む基で置換されてなる構造を意味する。）を有する基（下式７９〜９３）。
【００４３】
ｃ）ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基（下式９４〜９８）。
【００４４】
ｄ）ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基（下式９９〜１０８）。
【００４５】
ｅ）ヘテロ原子として硫黄などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（下式１０９〜１１０）。
【００４６】
ｆ）ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下式１１１〜１１７）。
【００４７】
2007224282.tif 000013
【００４８】
2007224282.tif 000014
【００４９】
2007224282.tif 000015
【００５０】
2007224282.tif 000016
【００５１】
2007224282.tif 000017
【００５２】
2007224282.tif 000018
【００５３】
2007224282.tif 000019
【００５４】
2007224282.tif 000020
【００５５】
2007224282.tif 000021
【００５６】
これらの２価の複素環基の例示（上記式３９〜１１７）において、Ｒは、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋ中のＲとして）説明し例示したものと同じである。
【００５７】
前記式（１）において、２価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の芳香族アミン基は、炭素数は通常４〜６０程度である（なお、炭素数には置換基の炭素数は含まない。）。２価の芳香族アミン基としては、例えば、下記一般式（３）で示される基が挙げられる。但し、該式（３）は、少なくとも１個の前記式（２）で示される置換基を有する。
【００５８】
2007224282.tif 000022
〔式中、Ａｒ6およびＡｒ8はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、下記一般式（４）で表される基、または下記一般式（５）で表される基であり、Ａｒ7は、置換基を有していてもよいアリール基、下記一般式（６）で表される基または下記一般式（７）で表される基を示し、Ａｒ6とＡｒ7の間、Ａｒ6とＡｒ8の間、またはＡｒ7とＡｒ8の間に環を形成していてもよい。
【００５９】
2007224282.tif 000023
（式中、Ａｒ9およびＡｒ10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。）
【００６０】
2007224282.tif 000024
（式中、Ａｒ11およびＡｒ12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、Ａｒ13は、置換基を有していてもよいアリール基であり、Ａｒ11とＡｒ13の間、Ａｒ11とＡｒ12の間、またはＡｒ12とＡｒ13の間に環を形成していてもよい。）
【００６１】
2007224282.tif 000025
（式中、Ａｒ14は、置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、Ａｒ17およびＡｒ18は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基であり、Ａｒ14とＡｒ17の間、Ａｒ14とＡｒ18の間、またはＡｒ17とＡｒ18の間に環を形成していてもよい。）
【００６２】
2007224282.tif 000026
（式中、Ａｒ15は、置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、Ａｒ16は、置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。）
【００６３】
上記式（３）〜（７）において、Ａｒ6、Ａｒ8〜Ａｒ12、Ａｒ14およびＡｒ15で表される置換基を有していてもよいアリーレン基は、前記式（１）の項において、Ａｒ1として説明し例示したものの中のアリーレン基と同じである（但し、前記式（２）で示される置換基を有しなくてもよい）。単量体の合成の容易さからは、フェニレン基であることが好ましい。
【００６４】
上記式（３）〜（７）において、Ａｒ7、Ａｒ13およびＡｒ16〜Ａｒ18で表される置換基を有していてもよいアリール基は、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋの）Ｒとして説明し例示したものの中のアリール基と同じである。
【００６５】
上記式（３）〜（７）において、Ｒ9〜Ｒ12で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基は、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋの）Ｒとして説明し例示したものの中のアルキル基、アリール基、１価の複素環基と同じである。
【００６６】
上記式（３）〜（７）において、Ａｒ6〜Ａｒ18は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
【００６７】
２価の芳香族アミン基の具体例としては、以下の基が挙げられる。
【００６８】
2007224282.tif 000027
【００６９】
2007224282.tif 000028
【００７０】
これらの２価の芳香族アミン基の例示（上記式１１８〜１２２）において、Ｒは、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、ＫのＲとして）説明し例示したものと同じである。
【００７１】
前記Ａｒ1の中でも、下記式（８）：
【００７２】
2007224282.tif 000029
（式中、Ｒ13は、前記式（２）で示される基、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を表し、あるいは複数あるＲ13は結合して芳香環または非芳香環を形成していてもよい。複数あるＲ13は同一であっても異なっていてもよい。但し、該式（８）は少なくとも１個の前記式（２）で示される基を有する。）
で示される２価の基；下記式（９）：
【００７３】
2007224282.tif 000030
（式中、Ｒ13は前記と同じである。但し、該式（９）は少なくとも１個の前記式（２）で示される基を有する。）
で示される２価の基が好ましく、前記式（８）で示される２価の基がより好ましい。
【００７４】
耐熱性の観点からは、前記式（８）において、複数あるＲ13が結合して芳香環を形成したベンゾフルオレン−ジイル基（例えば、上記式Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋで示される基）であることが特に好ましい。
【００７５】
前記式（８）および（９）中、Ｒ13で表される基は、Ｒ13が結合して芳香環を形成しない場合、具体的には、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ，Ｋの）Ｒとして説明し例示したものと同じである。また、Ｒ13が結合して芳香環または非芳香環を形成する場合、該芳香環および非芳香環は前記式（２）で示される基等で置換されていてもよい。
【００７６】
上記式（１）において、Ｘ1は、−ＣＲ1＝ＣＲ2−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、−ＣＲ1＝ＣＲ2−が安定性の観点から好ましい。また、ｎは０または１であり、光酸化安定性の観点からは０が好ましい。
【００７７】
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。これらのアルキル基、アリール基および１価の複素環基は、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ，Ｋの）Ｒとして説明し例示したものの中のアルキル基、アリール基、１価の複素環基と同じである。
【００７８】
前記式（２）において、Ａｒ2は、Ａｒ1として説明し例示したものと同様の基であるが、Ａｒ2は式（２）で示す置換基を有しなくてもよい。単量体の合成の容易さからは、Ａｒ2は、フェニレン基であることが好ましい。
【００７９】
前記式（２）において、Ａｒ5は、直接結合、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表す。これらのアリーレン基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基は、Ａｒ1として説明し例示したものと同様の基であるが、Ａｒ5は式（２）で示す置換基を有しなくてもよい。
【００８０】
前記式（２）において、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ独立に、直接結合、−Ｒ5−、−Ｏ−Ｒ5−、−Ｒ5−Ｏ−、−Ｒ5−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ5−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｒ5−Ｎ（Ｒ6）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＣＲ7＝ＣＲ8−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｒ5は、アルキレン基またはアルケニレン基を表し、Ｒ6は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。但し、Ａｒ5が直接結合の場合には、Ｒ3は直接結合である。Ｒ5で表されるアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、２−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ラウリレン基などが挙げられ、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、２−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基が好ましい。アルケニレン基としては、例えば、エチニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基、ペンチニレン基、ヘキシニレン基、ヘプチニレン基、オクチニレン基、２−エチルヘキシニレン基、３，７−ジメチルオクチニレン基等が挙げられる。前記Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。Ｒ6、Ｒ7およびＲ8で表されるアルキル基、アリール基および１価の複素環基は、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋの）Ｒとして説明し例示したものの中のアルキル基、アリール基および１価の複素環基と同じである。
【００８１】
前記式（２）において、Ａｒ3、Ａｒ4は、それぞれ独立に、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表す。また、Ａｒ3、Ａｒ4は、置換基を有していてもよい。Ａｒ3、Ａｒ4が有し得る置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基などが挙げられる。これらの置換基は、具体的には、前記２価のアリーレン基の項において説明し例示した（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋの）Ｒの中のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基およびアリールアミノ基と同じである。また、アリール基および１価の複素環基は、以下のとおりである。
【００８２】
Ａｒ3、Ａｒ4で表されるアリール基は、炭素数は通常６〜６０程度である。このアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基、トリフェニル基、ピレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、スチルベン−イル基、ジスチルベン−イル基などが挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、スチルベン−イル基、ジスチルベン−イル基が好ましく、単量体の合成の容易さからは、フェニル基がより好ましい。
【００８３】
Ａｒ3、Ａｒ4で表される１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。この１価の複素環基は、炭素数は通常２〜６０程度である（なお、炭素数には置換基の炭素数は含まない。）。また、複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものを意味する。この１価の複素環基の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【００８４】
ａ）ヘテロ原子として、窒素を含む１価の複素環基
ピリジニル基、ジアザフェニル基、キノリニル基、キノキサリニル基、アクリジニル基、ビピリジニル基、フェナントロリン−イル基など。
【００８５】
ｂ）ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（前記式７９〜９３で示される基であって、２個ある結合手の一方がＲであるもの）。
【００８６】
ｃ）ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基（前記式９４〜９８で示される基であって、２個ある結合手の一方がＲであるもの）。
【００８７】
ｄ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基（前記式９９〜１０８で示される基であって、２個ある結合手の一方がＲであるもの）。
【００８８】
ｅ）ヘテロ原子として硫黄などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２両体やオリゴマーになっている基（前記式１０９〜１１０で示される基であって、２個ある結合手の一方がＲであるもの）。
【００８９】
ｆ）ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（前記式１１１〜１１７で示される基であって、２個ある結合手の一方がＲであるもの）。
【００９０】
さらに、Ａｒ3、Ａｒ4で表される１価の複素環基には、例えば、三重項発光錯体から誘導される基なども含まれ、１価の錯体基（例えば、以下に示されるような１価の金属錯体基など）などが挙げられる。
2007224282.tif 000031
2007224282.tif 000032
【００９１】
Ａｒ3、Ａｒ4で表される「１価の芳香族アミン基」とは、芳香族アミンから水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。この１価の芳香族アミン基は、炭素数は通常４〜６０程度である（なお、炭素数には置換基の炭素数は含まない。）。この１価の芳香族アミン基の具体例としては、下記式１２３〜１２７で示される基などが挙げられる。
【００９２】
2007224282.tif 000033
【００９３】
これらの１価の芳香族アミン基の例示（上記式１２３〜１２７）において、Ｒは、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、ＫのＲとして）説明し例示したものと同じであるが、前記式（２）で示される置換基を有しなくてもよい。
【００９４】
前記式（２）において、Ｙは、下記式：
【００９５】
2007224282.tif 000034
、または
【００９６】
2007224282.tif 000035
を表す。
【００９７】
前記式（２）で示される基の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【００９８】
2007224282.tif 000036
【００９９】
2007224282.tif 000037
【０１００】
2007224282.tif 000038
【０１０１】
また、前記式（１）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【０１０２】
2007224282.tif 000039
【０１０３】
2007224282.tif 000040
【０１０４】
2007224282.tif 000041
【０１０５】
2007224282.tif 000042
【０１０６】
2007224282.tif 000043
【０１０７】
本発明の高分子化合物において、前記式（１）で示される繰り返し単位の合計は、通常、該高分子化合物が有する全繰り返し単位の１モル％以上１００モル％以下である。高分子化合物の蛍光強度の観点からは、該高分子化合物が有する全繰り返し単位の２モル％以上５０モル％以下であることが好ましく、５モル％以上５０モル％以下であることがより好ましい。
【０１０８】
本発明の高分子化合物は、前記式（１）で示される繰り返し単位に加えて、さらに下記式（１０）で示される繰り返し単位を含むものが、高分子化合物の溶解性や成膜性の観点から好ましい。
−［Ａｒ19−（Ｘ2）p］−      （１０）
〔式中、Ａｒ19は、アリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基または２価の芳香族ホスフィン基を表し、Ｘ2は、−ＣＲ14＝ＣＲ15−（ここで、Ｒ14およびＲ15はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。）または−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｐは０または１を表す。〕
【０１０９】
前記式（１０）中、Ａｒ19で表されるアリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基は、Ａｒ1として説明し例示した基と同様であるが、置換基を有する場合は、置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基である。換言すれば、該置換基は、式（２）で示すものではないし、リン原子を含まないものである。
【０１１０】
前記式（１０）中、Ａｒ19で表される２価の芳香族ホスフィン基は、芳香族ホスフィンから水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の芳香族ホスフィン基は、炭素数は、通常、４〜６０程度である（なお、炭素数には置換基の炭素数は含まない。）。２価の芳香族ホスフィン基としては、例えば、下記式２００〜２０３で示される基が挙げられる。
2007224282.tif 000044
【０１１１】
これらの２価の芳香族ホスフィン基の例示（上記式２００〜２０３）において、Ｒ**は、Ａｒ19で表されるアリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基の置換基と同じである。これらの中でも、単量体の合成の容易さの観点からは、上記式２００で示される基が好ましい。
【０１１２】
Ａｒ19は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基の置換基を有していてもよい。Ａｒ19が複数の置換基を有する場合には、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。これらの置換基の詳細は、前述のアリーレン基の例示（上記式１〜３８、Ａ〜Ｋ）において、Ｒとして具体的に説明し例示したもののうち、前記式（２）で示される基以外のものと同じである。
【０１１３】
Ａｒ19としては、高分子化合物の蛍光強度の観点からは、アリーレン基または２価の複素環基であることが好ましい。これらの中でも、フェニレン基、ナフタレンジイル基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基（上記式３６〜３８）、スチルベン−ジイル基（上記式Ａ〜Ｄ）、ジスチルベン−ジイル基（上記式Ｅ、Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル基（上記式Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）、ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（上記式７９〜９３）、ヘテロ原子として硫黄などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（上記式１０９〜１１０）、ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（上記式１１１〜１１７）がより好ましい。
【０１１４】
前記Ａｒ19の中でも、高分子化合物の耐熱性、蛍光強度の観点からは、下記式（２ａ）〜（２ｄ）：
2007224282.tif 000045
（式中、ＸはＡ環上の２個の原子とＢ環上の２個の原子と一緒になって５員環又は６員環を形成する原子又は２価の基を表し、Ｒaは置換基を表し、ｍは独立に０〜５の整数を表し、ｎは独立に０〜３の整数を表す。Ｒaが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
のいずれかで示される２価の基がより好ましい。
【０１１５】
前記式（２ａ）〜（２ｄ）中、Ｘで表される原子、２価の基としては、例えば、−Ｃ(Ｒ18)(Ｒ19)−、−Ｃ(Ｒ20)(Ｒ21)−Ｃ(Ｒ22)(Ｒ23)−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−、−Ｎ(Ｒ24)−、−Ｓｉ(Ｒ25)(Ｒ26)−等が挙げられ、高分子化合物の合成の容易さ、蛍光強度の観点から、−Ｃ(Ｒ18)(Ｒ19)−、−Ｃ(Ｒ20)(Ｒ21)−Ｃ(Ｒ22)(Ｒ23)−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ(Ｒ24)−が好ましい。ここで、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22及びＲ23は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基又はシアノ基を示す。これらの基は、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、ＫのＲとして）説明し例示したものと同じである。但し、式（２）で示す置換基は含まれない。また、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表す。ここで、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26で表されるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、１価の複素環基は、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、ＫのＲとして）説明し例示したものと同じである。
【０１１６】
前記式（２ａ）〜（２ｄ）中、Ｒaで表される置換基は、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、ＫのＲとして）説明し例示したものと同じである。但し、式（２）で示す置換基は含まれない。
【０１１７】
前記式（２ａ）〜（２ｄ）で表される繰り返し単位としては、例えば、
2007224282.tif 000046
2007224282.tif 000047
2007224282.tif 000048
（式中、Ｒは、前記と同じである。但し、Ｒは前記式（２）で示される基ではない。）
等が挙げられ、高分子化合物の蛍光強度の観点からは、
2007224282.tif 000049
2007224282.tif 000050
（式中、Ｒは、前記と同じである。但し、Ｒは前記式（２）で示される基ではない。）
が好ましい。
【０１１８】
これらの中でも、
2007224282.tif 000051
（式中、Ｒは、前記と同じである。但し、Ｒは前記式（２）で示される基ではない。）
が特に好ましい。
【０１１９】
前記式において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であっても異なっていてもよい。前記式中、Ｒで表される基は、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ，ＫのＲとして）説明し例示したものと同じである。但し、前記式（２）で示す置換基は含まれない。
【０１２０】
前記式（１０）中、Ｘ2は−ＣＲ14＝ＣＲ15−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、−ＣＲ14＝ＣＲ15−が安定性の観点から好ましい。Ｒ14およびＲ15はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。ｐは０または１を表す。高分子化合物の光酸化安定性の観点からは、ｐは０であることが好ましい。
【０１２１】
Ｒ14およびＲ15は、前記のＲ1およびＲ2で説明し例示したものと同じである。
【０１２２】
また、本発明の高分子化合物は、蛍光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、前記式（１）で示される繰り返し単位および式（１０）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。
【０１２３】
本発明の好ましい実施形態では、高分子化合物は、前記式（１）で示される繰り返し単位と式（１０）で示される繰り返し単位とから実質的になるものである。ここで、「実質的になるもの」とは、本発明の高分子化合物において、全繰り返し単位に対する前記式（１）で示される繰り返し単位と式（１０）で示される繰り返し単位との合計が５０〜１００モル％、好ましくは８０〜１００モル％、より好ましくは９０〜１００モル％であるものを意味する。
【０１２４】
この好ましい実施形態の高分子化合物の具体例としては、前記式（１）で示される繰り返し単位として、下記式：
【０１２５】
2007224282.tif 000052
【０１２６】
2007224282.tif 000053
【０１２７】
2007224282.tif 000054
【０１２８】
2007224282.tif 000055
2007224282.tif 000056
から選ばれる１種類以上と、前記式（１０）で示される繰り返し単位として、下記式：
2007224282.tif 000057
【０１２９】
2007224282.tif 000058
から選ばれる１種類以上との共重合体が挙げられる。
【０１３０】
これらの式（１）で示される繰り返し単位と式（１０）で示される繰り返し単位とから実質的になるものの例示において、Ｒは、前記アリーレン基の項において（上記式１〜３８、Ａ〜Ｉ、Ｋの）Ｒとして説明し例示したもの（但し、前記式（１０）で示される繰り返し単位として例示したもののＲには、前記式（２）で示す置換基は含まれない。）と同じである。
【０１３１】
前記式（１）で示される繰り返し単位と前記式（１０）で示される繰り返し単位とを含む高分子化合物の中では、前記式（１）で示される繰り返し単位と式（１０）で示される繰り返し単位との合計が、該高分子化合物が有する全繰り返し単位の５０モル％以上であり、かつ前記式（１）で示される繰り返し単位と式（１０）で示される繰り返し単位との合計に対して、前記式（１）で示される繰り返し単位が２モル％以上９０モル％以下であるものが、耐熱性の観点からより好ましい。
【０１３２】
−高分子化合物の特徴−
本発明の高分子化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０3〜１×１０8であることが好ましく、２×１０3〜１×１０7であることがより好ましい。また、本発明の高分子化合物は、固体状態で蛍光および／または燐光を有するものであることが好ましい。
【０１３３】
本発明の高分子化合物は、分子鎖末端に位置する基（即ち、末端基）に重合に関与する基（通常、重合活性基と呼ばれる。）が残っていると、該高分子化合物を発光素子に用いたときの発光特性、寿命が低下する可能性があるので、重合に関与しない安定な基で保護されていてもよい。この末端基としては、分子鎖主鎖の実質的な共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましい。また、例えば、ビニレン基を介してアリール基または複素環基と結合している構造であってもよい。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【０１３４】
本発明の高分子化合物は、通常、分子鎖主鎖が実質的に共役系である。本明細書において、「実質的に共役系である」とは、分子鎖主鎖を構成する全繰り返し単位に対して、通常、５０〜１００モル％、好ましくは８０〜１００モル％、より好ましくは９０〜１００モル％の繰り返し単位が、分子鎖主鎖の共役系を構成することを意味する。
【０１３５】
また、繰り返し単位が、ビニレン基、非共役部分で連結されていてもよいし、繰り返し単位にビニレン基、非共役部分が含まれていてもよい。前記非共役部分を含む結合構造としては、以下に示すもの、以下に示すものとビニレン基とを組み合わせたもの、以下に示すもののうち２個以上を組み合わせたものなどが例示される。
【０１３６】
2007224282.tif 000059
【０１３７】
これらの非共役部分を含む結合構造の例示において、Ｒ*は、Ｒ’と同様の基を示す。また、Ａｒは炭素数６〜６０個の炭化水素基（具体的には、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、アントラセン等の水素原子が結合手になった基）を示す。
【０１３８】
本発明の高分子化合物は、ランダム共重合体、ブロック共重合体またはグラフト共重合体のいずれであってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光強度の高い高分子化合物を得る観点からは、完全なランダム共重合体より、ブロック性を帯びたランダム共重合体、ブロック共重合体またはグラフト共重合体が好ましい。本発明の高分子化合物は、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３個以上ある場合、デンドリマー等も含む。
【０１３９】
本発明の高分子化合物は、必要に応じて、溶媒に一部又は全部を溶解、或いは分散させることができる。本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造および分子量にもよるが、通常、これらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
【０１４０】
−高分子化合物の製造方法−
次に、本発明の高分子化合物の製造方法を、該高分子化合物が主鎖に(i)ビニレン基を有する場合（即ち、上記式（１）において、ｎ＝１の場合）と、(ii)ビニレン基を有しない場合（即ち、上記式（１）において、ｎ＝０の場合）とに分けて説明する。
【０１４１】
(i)本発明の高分子化合物が主鎖にビニレン基を有する場合の製造方法としては、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。即ち、アルデヒド基を有する化合物とホスホニウム塩基を有する化合物との、もしくはアルデヒド基とホスホニウム塩基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物との、もしくはビニル基とハロゲン基とを有する化合物のＨｅｃｋ反応による重合、アルデヒド基を有する化合物とアルキルホスホネート基を有する化合物との、もしくはアルデヒド基とアルキルホスホネート基とを有する化合物のＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、ハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウム塩基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、アルデヒド基を有する化合物とアセトニトリル基を有する化合物との、もしくはアルデヒド基とアセトニトリル基とを有する化合物のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、アルデヒド基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。なお、これらの反応は、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１４２】
(ii)主鎖にビニレン基を有しない場合には、例えば、該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。なお、これらの反応は、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１４３】
これらの中でも、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が、構造制御がし易いので好ましい。
【０１４４】
具体的には、モノマーとなる、反応活性基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で、反応させることができる。例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第２７巻，３４５−３９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８２年、“オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、ジャーナル  オブ  プラクティカル  ケミストリー（Ｊ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．），第３３６巻，２４７頁（１９９４年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０１４５】
有機溶媒の種類は、用いる化合物や反応によっても異なる。一般に、副反応を抑制するために、用いる有機溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい（但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。）。
【０１４６】
反応を促進するために、適宜、アルカリ、適切な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。これらのアルカリ、触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ、触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴン、窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ、触媒の溶液を添加するか、或いはアルカリ、触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１４７】
反応条件についてより具体的に述べると、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応などの場合には、モノマーの反応活性基に対して当量以上、好ましくは１〜３当量のアルカリを用いて反応させる。アルカリとしては、特に限定されないが、例えば、カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウムエチラート、リチウムメチラートなどの金属アルコラートや、水素化ナトリウムなどのハイドライド試薬、ナトリウムアミド等のアミド類等を用いることができる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン等が用いられる。反応の温度は、通常は室温から１５０℃程度で反応を進行させることができる。反応時間は、例えば、５分間〜４０時間であるが、十分に重合が進行する時間であればよく、また反応が終了した後に長時間放置する必要はないので、好ましくは１０分間〜２４時間である。反応の際の濃度は、希薄すぎると反応の効率が悪く、濃すぎると反応の制御が難しくなるので、約０．０１重量％〜溶解する最大濃度の範囲で適宜選択すればよく、通常は、０．１重量％〜２０重量％の範囲である。
【０１４８】
Ｈｅｃｋ反応の場合には、パラジウム触媒を用い、トリエチルアミンなどの塩基の存在下で、モノマーを反応させる。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの比較的沸点の高い溶媒を用い、反応温度は８０〜１６０℃程度、反応時間は１時間から１００時間程度である。
【０１４９】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合には、触媒として、例えば、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類などを用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン等の有機塩基、フッ化セシウムなどの無機塩をモノマーに対して当量以上、好ましくは１〜１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応させてもよい。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどが例示される。溶媒にもよるが５０〜１６０℃程度の温度が好適に選択される。溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。
【０１５０】
Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応の場合には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒中でハロゲン化物と金属Ｍｇとを反応させてＧｒｉｇｎａｒｄ試薬溶液とし、これと別に用意したモノマー溶液とを混合し、ニッケルまたはパラジウム触媒を過剰反応に注意しながら添加した後に昇温して還流させながら反応させる方法が例示される。Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬はモノマーに対して当量以上、好ましくは１〜１．５当量、より好ましくは１〜１．２当量用いる。これら以外の方法で重合する場合も、公知の方法に従って反応させることができる。
【０１５１】
ゼロ価ニッケル錯体を用いる場合には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドや、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル系溶媒や、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒中でハロゲン化物をゼロ価ニッケル錯体を用いて反応させる方法が例示される。ゼロ価のニッケル錯体としては、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケルなどが例示され、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）が好ましい。
【０１５２】
ゼロ価ニッケル錯体を用いる場合、中性配位子となる化合物を添加することが、高分子化合物の収率向上、高分子量化の観点から好ましい。中性配位子とは、アニオンやカチオンを有しない配位子である。中性配位子となる化合物の具体例としては、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子となる化合物；トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン等の第三ホスフィン配位子となる化合物などが挙げられ、汎用性、安価の点で含窒素配位子となる化合物が好ましく、２，２’−ビピリジルが高反応性、高収率の点で特に好ましい。
【０１５３】
特に、重合体の高分子量化の点から、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を含む系に中性配位子となる化合物として２，２’−ビピリジルを加えた系が好ましい。
【０１５４】
ゼロ価のニッケル錯体の使用量は、重合反応を阻害しない程度ならば、特に限定されないが、あまりにも少ないと重合反応時間が長くなり、一方、あまりにも多過ぎると、後処理が困難になることから、モノマー１モルに対して０．１モル以上、好ましくは１モル以上である。使用量が過少であると分子量が小さい傾向にある。上限は限定されないが、量が多すぎると後処理が困難になる傾向にあるため、５.０モル以下が好ましい。
【０１５５】
また、中性配位子となる化合物を使用する場合には、その使用量は、通常、ゼロ価のニッケル錯体１モルに対して、０．５〜１０モル程度であるが、コストパフォーマンス（高収率かつ安価な投入量）の観点から０．９モル〜１．１モルが好ましい。これら以外の方法で重合する場合も、公知の方法に従って反応させることができる。
【０１５６】
Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が原料の入手しやすさと重合反応操作の簡便さから特に好ましい。
【０１５７】
−発光材料−
本発明の高分子化合物は、発光材料として有用である。即ち、本発明の発光材料は、前記高分子化合物を含んでなるものである。この発光材料には、必要に応じて、前記高分子化合物以外の成分（例えば、前記高分子化合物以外の発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料等）を配合してもよい。
【０１５８】
−高分子化合物の用途−
本発明の高分子化合物は、発光材料以外にも、例えば、有機半導体材料、光学材料等としても有用である。さらに、ドーピングにより導電性材料として用いることもできる。
【０１５９】
本発明の高分子化合物を発光材料（例えば、高分子発光素子の発光材料）として用いる場合には、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましく、また合成後には、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１６０】
＜液状組成物＞
本発明の液状組成物は、前記高分子化合物と溶媒とを含むものである。この液状組成物には、本発明の高分子化合物を含んでいてもよく、その具体例としては、ポリ（フェニレン）及びその誘導体、ポリ（フルオレン）及びその誘導体、ポリ（ベンゾフルオレン）及びその誘導体、ポリ（ジベンゾフラン）及びその誘導体、ポリ（ジベンゾチオフェン）及びその誘導体、ポリ（カルバゾール）及びその誘導体、ポリ（チオフェン）及びその誘導体、ポリ（フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（フルオレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（ベンゾフルオレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（ジベンゾフランビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。
【０１６１】
本発明の液状組成物は、高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、25℃において液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。
【０１６２】
本発明の液状組成物は、前記高分子化合物以外に、低分子発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１６３】
本発明の液状組成物が含有してもよい低分子発光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の発光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラフェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の発光材料が挙げられる。具体的には、例えば、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されているもの、公知のものが挙げられる。
【０１６４】
本発明の液状組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。
【０１６５】
本発明の液状組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。
【０１６６】
本発明の液状組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。
【０１６７】
本発明の液状組成物が含有してもよい粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。
【０１６８】
前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、通常、液状組成物の溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は50万以上が好ましく、100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。
【０１６９】
本発明の液状組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、前記高分子化合物、溶媒の保存安定性を改善し得る。
【０１７０】
本発明の液状組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。本発明の液状組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。
【０１７１】
高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、50〜150℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、10-3Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。
【０１７２】
液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１７３】
液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜99．9重量％であり、好ましくは60重量％〜99.9重量％であり、さらに好ましく90重量％〜99.8重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、25℃において0.5〜500mPa・sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において0.5〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。
【０１７４】
液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が100℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。
【０１７５】
溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
【０１７６】
液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
【０１７７】
液状組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が180℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が200℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶解することが好ましい。
【０１７８】
液状組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃未満の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が200℃以上300℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃未満の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。
【０１７９】
液状組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の40〜90重量％であることが好ましく、50〜90重量％であることがより好ましく、65〜85重量％であることがさらに好ましい。
【０１８０】
−薄膜−
本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記高分子化合物を含むものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される。
【０１８１】
発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が50％以上であることが好ましく、60％以上であることがより好ましく、70％以上であることがさらに好ましい。
【０１８２】
導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が100Ω／□以下であることがより好ましく、10Ω／□以下であることがさらに好ましい。
【０１８３】
有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは10-5ｃｍ2／Ｖ／秒以上であり、より好ましくは10-3ｃｍ2／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは10-1ｃｍ2／Ｖ／秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、ＳｉＯ2等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
【０１８４】
−有機トランジスタ（高分子電界効果トランジスタ）−
次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタを説明する。この有機トランジスタは、本発明の高分子化合物を含むものである。
【０１８５】
本発明の高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
【０１８６】
高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
【０１８７】
高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平5-110069号公報に記載の方法により製造することができる。
【０１８８】
活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。
【０１８９】
高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
【０１９０】
封止する方法としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素ガス雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。
【０１９１】
−有機太陽電池−
次に、有機太陽電池について説明する。この有機太陽電池は、本発明の高分子化合物を含むものである。有機太陽電池の一態様である有機光電変換素子で、光起電力効果を利用する固体光電変換素子を説明する。
【０１９２】
本発明の高分子化合物は、有機光電変換素子の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用するｐｎへテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。
【０１９３】
さらに、ドナー・アクセプターの接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子・低分子複合系を用いる有機光電変換素子、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したバルクヘテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体）として、好適に用いることができる。
【０１９４】
有機光電変換素子の構造としては、例えば、ｐｎへテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、ＩＴＯ上に、ｐ型半導体層を形成し、さらに、ｎ型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。
【０１９５】
有機光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
【０１９６】
有機光電変換素子は、公知の方法、例えば、Synth.Met.,102,982(1999)に記載の方法やScience,270,1789(1995)に記載の方法により製造することができる。
【０１９７】
＜高分子発光素子＞
次に、本発明の高分子発光素子について説明する。
【０１９８】
本発明の高分子発光素子は、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられ前記高分子化合物を有する発光層とを含むものである。また、本発明の高分子発光素子としては、さらに陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子；さらに陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子；さらに陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。
【０１９９】
本発明の高分子発光素子の具体的構造としては、例えば、以下のａ）〜ｄ）が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示し、以下同じである。）
【０２００】
「発光層」とは、発光する機能を有する層である。「正孔輸送層」とは、正孔を輸送する機能を有する層である。「電子輸送層」とは、電子を輸送する機能を有する層である。また、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層という。これらの発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に１層のみであっても２層以上であってもよい。
【０２０１】
発光層の成膜の方法に制限はないが、例えば、溶液からの成膜による方法が挙げられる。発光層の成膜に適用される「溶液からの成膜による方法」とは、本発明の高分子化合物を、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、デカリン、リモネン等の溶媒に溶解させてなる溶液を、下記の塗布法により塗布することで成膜する方法である。
【０２０２】
溶液からの成膜による方法には、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２０３】
高分子発光素子を作製する際に本発明の高分子化合物を用いて溶液から成膜する場合、得られた溶液を塗布後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。
【０２０４】
発光層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が所期の値となるように調整すればよいが、例えば、１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２０５】
本発明の高分子発光素子において、発光層には、上記高分子化合物以外の発光材料を混合してもよい。また、上記高分子化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子化合物を含む発光層と積層されていてもよい。
【０２０６】
前記高分子化合物以外の発光材料としては、低分子化合物等の公知のものが使用できる。低分子化合物としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、テトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体等が挙げられる。具体的には、例えば、特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等の公知のものが使用できる。
【０２０７】
さらに、前記発光材料としては、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体（三重項発光錯体：例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれる。）、従来から低分子系のＥＬ発光性材料として利用されてきたもの等も用いることができる。これら三重項発光錯体は、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852等に開示されている。
【０２０８】
本発明の高分子発光素子が正孔輸送層（通常、正孔輸送層には、低分子または高分子の正孔輸送材料が含まれる）を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されている正孔輸送材料等が例示される。
【０２０９】
これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がさらに好ましい。使用される正孔輸送材料が低分子である場合には、該正孔輸送材料を高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２１０】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０２１１】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２１２】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記正孔輸送材料の中の低分子のものの構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミン化合物基を側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０２１３】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子の正孔輸送材料を用いる場合には、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。高分子の正孔輸送材料を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２１４】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒等が例示される。
【０２１５】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２１６】
前記高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２１７】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さであることが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、正孔輸送層の膜厚としては、例えば、１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２１８】
本発明の高分子発光素子が電子輸送層（通常、電子輸送層には、低分子または高分子の電子輸送材料が含まれる）を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されている電子輸送材料等が例示される。
【０２１９】
これらの中でも、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２２０】
電子輸送層の成膜の方法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料を用いる場合には、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子の電子輸送材料を用いる場合には、溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
【０２２１】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒等が例示される。
【０２２２】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２２３】
前記高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどが例示される。
【０２２４】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２２５】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０２２６】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層（通常、平均膜厚で0.5mm〜４mmであり、以下、同じである。）を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【０２２７】
積層する層の順番や数、および各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して適宜調整すればよい。
【０２２８】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
【０２２９】
本発明の高分子発光素子の具体的構造としては、例えば、以下のｅ）〜ｐ）も挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０２３０】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが挙げられる。
【０２３１】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
【０２３２】
通常、該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２３３】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
【０２３４】
電荷注入層の膜厚としては、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０２３５】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、具体的には、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０２３６】
絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の材料としては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
【０２３７】
本発明の高分子発光素子の具体的構造としては、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）も挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
【０２３８】
本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０２３９】
本発明において、通常、陽極および陰極からなる電極の少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
【０２４０】
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０２４１】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜調整することができるが、例えば、１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２４２】
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる絶縁層を設けてもよい。
【０２４３】
本発明の高分子発光素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【０２４４】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜調整することができるが、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２４５】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
【０２４６】
保護層としては、ポリマー（例えば、ポリ塩化ビニリデンおよびその共重合体、ポリエステル、ポリアクリロニトリル、芳香族ポリアミド、液晶ポリエステル等のガスバリヤー性高分子等）、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、例えば、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができる。保護カバーによる素子の保護方法としては、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好ましい。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらの中でも、いずれか１種以上の方策をとることが好ましい。
【０２４７】
−高分子発光素子の用途−
本発明の高分子発光素子は、例えば、面状光源、フラットパネルディスプレイ装置、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置等の表示装置又はそれらのバックライト等に有用である。
【０２４８】
本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０２４９】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０２５０】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例において求めた化合物の分子量は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めたポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量である。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定は、示差走査熱量分析（ＤＳＣ、商品名：ＤＳＣ２９２０、ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製）により行った。具体的には、試料を２００℃で５分間保持した後、−５０℃まで急冷し３０分間保持した。次いで、３０℃まで温度を上げた後、毎分５℃の昇温速度で３００℃まで測定を行った。
【０２５１】
＜合成例１＞
２−ブロムメチル−１，４−ジブロムベンゼンと亜リン酸トリエチルとを反応させて得られたホスホン酸エステル１．５４ｇと２−（ジフェニルホスフィノ）ベンズアルデヒド１．１ｇとを、テトラヒドロフラン（脱水）３０ｇに溶解させた溶液に、あらかじめカリウム−ｔ−ブトキシド０．７ｇをテトラヒドロフラン（脱水）１０ｇに溶解させた溶液を、室温で滴下した。滴下後、引き続き室温で１０時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気下で行った。
【０２５２】
反応終了後、得られた反応溶液に酢酸を加え、反応溶液を中和した後、メタノール中に注ぎ込み、再沈した。生成した沈殿をろ過し、回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、単量体（ＰＰ−ＴＰＰ）（具体的構造は後述のとおりである。）０．７５ｇを得た。
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+   ５２３
【０２５３】
＜実施例１＞
・単量体（１）
2007224282.tif 000060
・単量体（ＰＰ−ＴＰＰ）
2007224282.tif 000061
【０２５４】
−高分子化合物１の合成−
単量体（１）（ＪＦＥケミカル社製）０．５８ｇと単量体（ＰＰ−ＴＰＰ）０．２３ｇと２，２’−ビピリジル０．６６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）７０ｇを加えた。次に、得られた混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．１５ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気下で行った。
【０２５５】
反応終了後、この反応溶液を冷却した。次いで、得られた反応溶液に、メタノール６０ｍｌ／イオン交換水６０ｍｌ混合溶液を注ぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。得られたトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、該トルエン溶液を、約１規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液し、その後、トルエン溶液を回収した。回収したトルエン溶液を、約３重量％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、回収したトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、回収したトルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。次に、生成した沈殿を回収し、メタノールで洗浄した後、この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．０７ｇを得た。この重合体を高分子化合物１と呼ぶ。得られた高分子化合物１のポリスチレン換算の重量平均分子量は１．５×１０4であり、数平均分子量は７．７×１０3であった。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、７１℃であった。
【０２５６】
仕込みから推定される高分子化合物１に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。高分子化合物１は、繰り返し単位Ａ：繰り返し単位Ｂ＝７：３のモル比（仕込みからの推定値）から構成されるものである。
【０２５７】
・繰り返し単位Ａ
2007224282.tif 000062
・繰り返し単位Ｂ
2007224282.tif 000063
【０２５８】
＜合成例２＞
−単量体（２）の合成−
・化合物ａの合成
2007224282.tif 000064
【０２５９】
不活性雰囲気下、３００ｍｌ三つ口フラスコに１−ナフタレンボロン酸５．００ｇ（２９ｍｍｏｌ）、２−ブロモベンズアルデヒド６．４６ｇ（３５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０.０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、トルエン３６ｍｌおよびイオン交換水３６ｍｌを入れ、室温で撹拌しつつ２０分間アルゴンバブリングした。次いで、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１６．８ｍｇ（０.１５ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で撹拌しつつ１０分間アルゴンバブリングした。１００℃に昇温し、２５時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで、溶媒を留去した。トルエン：シクロヘキサン＝１：２（容量比）混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで生成することにより、化合物ａ ５.１８ｇ（収率８６％）を白色結晶として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ７．３９〜７．６２（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｍ、２Ｈ）、７．９４（ｄ、２Ｈ）、８．１２（ｄｄ、２Ｈ）、９．６３（ｓ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+   ２３３
【０２６０】
・化合物ｂの合成
2007224282.tif 000065
【０２６１】
不活性雰囲気下で３００ｍｌの三つ口フラスコに化合物ａ ８．００ｇ（３４.４ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦ４６ｍｌを入れ、−７８℃まで冷却した。次いで、ｎ−オクチルマグネシウムブロミド（１.０ｍｏｌ／ｌＴＨＦ溶液）５２ｍｌを３０分かけて滴下した。滴下終了後０℃まで昇温し、１時間撹拌後、室温まで昇温して４５分間撹拌した。氷浴中で１Ｎ塩酸２０ｍｌを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去した後、トルエン：ヘキサン＝１０：１（容量比）混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物ｂ ７．６４ｇ（収率６４％）を淡黄色のオイルとして得た。ＨＰＬＣ測定では２本のピークが見られたが、ＬＣ−ＭＳ測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。
【０２６２】
・化合物ｃの合成
2007224282.tif 000066
【０２６３】
不活性雰囲気下、５００ｍｌ三つ口フラスコに化合物ｂ（異性体の混合物）５.００ｇ（１４.４ｍｍｏｌ）と脱水ジクロロメタン７４ｍｌを入れ、室温で撹拌し、溶解させた。次いで、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後、室温で４時間撹拌した。撹拌しながらエタノール１２５ｍｌをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物ｃ ３．２２ｇ（収率６８％）を無色のオイルとして得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．０３〜１．２６（ｍ、１４Ｈ）、２．１３（ｍ、２Ｈ）、４．０５（ｔ、１Ｈ）、７．３５（ｄｄ、１Ｈ）、７．４６〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．５９〜７．６５（ｍ、３Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３５（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+    ３２９
【０２６４】
・化合物ｄの合成
2007224282.tif 000067
【０２６５】
不活性雰囲気下、２００ｍｌ三つ口フラスコにイオン交換水２０ｍｌをいれ、撹拌しながら水酸化ナトリウム１８．９ｇ（０.４７ｍｏｌ）を少量ずつ加え、溶解させた。水溶液が室温まで冷却した後、トルエン２０ｍｌ、化合物ｃ ５.１７ｇ（１５.７ｍｍｏｌ）および臭化トリブチルアンモニウム１．５２ｇ（４.７２ｍｍｏｌ）を加え、５０℃に昇温した。臭化ｎ−オクチルを滴下し、滴下終了後、５０℃で９時間反応させた。反応終了後、トルエンで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物ｄ５．１３ｇ（収率７４％）を黄色のオイルとして得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．５２（ｍ、２Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２０（ｍ、２２Ｈ）、２．０５（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｄ、１Ｈ）、７．４０〜７．５３（ｍ、２Ｈ）、７．６３（ｍ、３Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３１（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+    ４４１
【０２６６】
・化合物ｅの合成
2007224282.tif 000068
【０２６７】
不活性雰囲気下、５０ｍｌの三つ口フラスコに化合物ｄ ４．００ｇ（９．０８ｍｍｏｌ）と、酢酸：ジクロロメタン＝１：１（容量比）混合溶媒５７ｍｌを入れ、室温で撹拌し、溶解させた。次いで、三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム７．７９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完溶するまで加えた。室温で２０時間撹拌後、５重量％亜硫酸水素ナトリウム水溶液１０ｍｌを加えて反応を停止し、クロロホルムで有機層を抽出し、炭酸カリウム水溶液で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。へキサンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤とするフラッシュカラムで２回精製した後、エタノール：ヘキサン＝１：１（容量比）混合溶媒、続いて１０：１（容量比）混合溶媒で再結晶することにより、化合物ｅ ４．１３ｇ（収率７６％）を白色結晶として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．６０（ｍ、２Ｈ）、０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．３８（ｍ、２２Ｈ）、２．０９（ｔ、４Ｈ）、７．６２〜７．７５（ｍ、３Ｈ）、７．８９（ｓ、１Ｈ）、８．２０（ｄ、１Ｈ）、８．４７（ｄ、１Ｈ）、８．７２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+    ５９８
【０２６８】
こうして得られた化合物ｅを単量体（２）とする。
・単量体（２）
2007224282.tif 000069
【０２６９】
＜実施例２＞
−高分子化合物２の合成−
単量体（２）０．６３ｇと単量体（ＰＰ−ＴＰＰ）０．２３ｇと２，２’−ビピリジル０．６６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）７０ｇを加えた。得られた混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．１５ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気下で行った。
【０２７０】
反応終了後、この反応溶液を冷却した。次いで、この溶液に、メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液を注ぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、約１規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液し、その後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３重量％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。回収したトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、回収したトルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。次に、生成した沈殿を回収し、メタノールで洗浄した後、この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．０５ｇを得た。この重合体を高分子化合物２と呼ぶ。得られた高分子化合物２のポリスチレン換算の重量平均分子量は、１．０×１０4であり、数平均分子量は、５．９×１０3であった。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、１０１℃であった。
【０２７１】
仕込みから推定される高分子化合物２に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。高分子化合物２は、繰り返し単位Ｃ：繰り返し単位Ｂ＝７：３のモル比（仕込みからの推定値）から構成されるものである。
【０２７２】
・繰り返し単位Ｃ
2007224282.tif 000070
・繰り返し単位Ｂ
2007224282.tif 000071
【０２７３】
＜合成例３＞
−単量体（Ｆ−ＴＰＰ）の合成−
下記構造式：
2007224282.tif 000072
で表される単量体原料（Ａ）１．９５ｇと２−（ジフェニルホスフィノ）ベンズアルデヒド（アルドリッチ社製）１．１６ｇとを、反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、テトラヒドロフラン（脱水）５０ｍｌを加えた。得られた混合溶液に、あらかじめカリウム−ｔ−ブトキシド０．６７ｇをテトラヒドロフラン（脱水）５ｍｌに溶解させた溶液を、室温で滴下した。滴下後、引き続き室温で２４時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気下で行った。
【０２７４】
反応終了後、得られた反応溶液に酢酸を加え、反応溶液を中和した後、メタノールを加えた。次に、この溶液から、減圧により、溶媒を留去した。得られた固形物をメタノールで洗浄した後、ろ過し、沈殿物を回収した。この沈殿物を、トルエンに溶解した。このトルエン溶液をろ過し、不溶物を除去した後、得られたトルエン溶液をアルミナカラムを通して精製した。次に、このトルエン溶液から、減圧により溶媒を留去した。得られた生成物をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、単量体（Ｆ−ＴＰＰ）（具体的構造は後述のとおりである。）１．３ｇを得た。
【０２７５】
＜実施例３＞
−高分子化合物３の合成−
単量体（２）０．８１ｇと下記構造式：
2007224282.tif 000073
で表される単量体（Ｆ−ＴＰＰ）０．１９ｇと２，２’−ビピリジル０．５７ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）６０ｇを加えた。得られた混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．０ｇ加え、室温で２３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気下で行った。
【０２７６】
反応終了後、この反応溶液を、メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液中に注ぎ込み再沈、引き続き約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、約５重量％酢酸水溶液で洗浄し、静置、分液し、その後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、４重量％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。回収したトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、回収したトルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。次に、生成した沈殿を回収し、メタノールで洗浄した後、この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．２３ｇを得た。この重合体を高分子化合物３と呼ぶ。得られた高分子化合物３のポリスチレン換算の重量平均分子量は７．０×１０4であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は２．２×１０4であった。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１２１℃であった。
【０２７７】
仕込みから推定される高分子化合物３に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。高分子化合物３は、繰り返し単位Ｃ：繰り返し単位Ｆ＝９：１のモル比（仕込みからの推定値）から構成されるものである。
【０２７８】
・繰り返し単位Ｃ
2007224282.tif 000074
・繰り返し単位Ｆ
2007224282.tif 000075
【０２７９】
＜合成例４＞
−単量体（Ｆ−ＴＰＡ）の合成−
単量体原料（Ａ）１．９５ｇと４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド（東京化成社製）１．０９ｇとを、反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、テトラヒドロフラン（脱水）５０ｍｌを加えた。得られた混合溶液に、あらかじめカリウム−ｔ−ブトキシド０．６７ｇをテトラヒドロフラン（脱水）５ｍｌに溶解させた溶液を、室温で滴下した。滴下後、引き続き室温で２４時間反応させた。なお、反応は窒素ガス雰囲気下で行った。
【０２８０】
反応終了後、得られた反応溶液に酢酸を加え、反応溶液を中和した後、メタノールを加えた。次に、この溶液から、減圧により、溶媒を留去した。得られた固形物をメタノールで洗浄した後、ろ過し、沈殿物を回収した。この沈殿物を、トルエンに溶解した。このトルエン溶液をろ過し、不溶物を除去した後、得られたトルエン溶液をアルミナカラムを通して精製した。次に、このトルエン溶液から、減圧により溶媒を留去した。得られた生成物をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、下記構造式：
2007224282.tif 000076
で表される単量体（Ｆ−ＴＰＡ）１．６ｇを得た。
【０２８１】
＜比較例１＞
−高分子化合物４の合成−
単量体（２）０．８１ｇと前記単量体（Ｆ−ＴＰＡ）０．１８ｇと２，２’−ビピリジル０．５７ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）６０ｇを加えた。得られた混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．０ｇ加え、室温で２３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気下で行った。
【０２８２】
反応終了後、この反応溶液を、メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液中に注ぎ込み再沈、引き続き約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、約５重量％酢酸水溶液で洗浄し、静置、分液し、その後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、４重量％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。回収したトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、回収したトルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。次に、生成した沈殿を回収し、メタノールで洗浄した後、この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．３１ｇを得た。この重合体を高分子化合物４と呼ぶ。得られた高分子化合物４のポリスチレン換算の重量平均分子量は、３．１×１０5であり、数平均分子量は、６．９×１０4であった。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、１２８℃であった。
【０２８３】
仕込みから推定される高分子化合物４に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。高分子化合物４は、繰り返し単位Ｃ：繰り返し単位Ｇ＝９：１のモル比（仕込みからの推定値）から構成されるものである。
【０２８４】
・繰り返し単位Ｃ
2007224282.tif 000077
・繰り返し単位Ｇ
2007224282.tif 000078
【０２８５】
＜蛍光特性評価＞
高分子化合物１〜６の各々について、該高分子化合物の０．８重量％トルエン溶液から石英板上にスピンコートして該高分子化合物の薄膜を作製した。この薄膜の蛍光スペクトルを蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製、商品名：Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）を用い、励起波長３５０ｎｍで測定することにより求めた。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製、Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。
【０２８６】
蛍光ピーク波長と蛍光強度の測定結果を表１に示す。本発明の高分子化合物３は、側鎖にトリフェニルアミン構造を有する高分子化合物４よりも、蛍光強度が強かった。
【０２８７】
【表１】
2007224282.tif 000079
【０２８８】
＜実施例４＞
−素子の作成および評価−
高分子化合物１と下記構造式：
2007224282.tif 000080
で表されるイリジウム錯体Ａ（高分子化合物２に対して２重量％）との混合物の１．５重量％キシレン溶液を調製した。
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記調製したキシレン溶液を用いてスピンコートにより８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約７０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお、真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
得られたＥＬ素子に電圧を引加することにより、イリジウム錯体からの強いＥＬ発光（ピーク波長６３０ｎｍ）が得られた。該素子は印加電圧９．２Ｖで１００ｃｄ／ｍ2の輝度の発光を示し、最大輝度は約２４０ｃｄ／ｍ2で、高輝度が得られた。
【０２８９】
＜実施例５＞
高分子化合物２とイリジウム錯体Ａ（高分子化合物２に対して２重量％）との混合物の１．５重量％キシレン溶液を調製し、実施例４と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約７０ｎｍであった。得られた素子に電圧を引加することにより、イリジウム錯体からの強いＥＬ発光（ピーク波長６３５ｎｍ）が得られた。該素子は印加電圧１０．４Ｖで１００ｃｄ／ｍ2の輝度の発光を示し、最大輝度は約１６０ｃｄ／ｍ2で、高輝度が得られた。
【０２９０】
＜実施例６＞
−溶液の調製−
上記で得た高分子化合物３をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．８重量％のキシレン溶液を調製した。
−ＥＬ素子の作製−
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＣＨ８０００）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより６０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得たキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約７０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお、真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
−ＥＬ素子の性能−
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４５０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。輝度１００ｃｄ／ｍ2におけるＥＬ発光色をＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値で示すとｘ＝０．１６１、ｙ＝０．１３９であった。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。また該素子は印加電圧４．２Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は０．２０ｃｄ／Ａであった。