(57)【要約】【課題】周縁部が逆テーパ状となる感光性樹脂組成物を用いて周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法及び該製造方法により製造された周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜からなるトップコート層を備えた液晶装置を提供すること。【解決手段】本発明の周縁部２５Ａ１、２５Ｂ１が順テーパ状の感光性レジスト膜（トップコート層）２３Ａの製造方法は、基体上に所定の厚さの感光性レジスト組成物層を形成する工程と、所定のパターン２と該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するパターン３Ａ１、３Ａ２とが設けられたマスク１Ａを用いて前記感光性レジスト組成物層を露光する工程と、現像して周縁部が順テーパ状となる前記所定のパターンの感光性レジスト膜２３Ａを形成する工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に所定の厚さの感光性レジスト組成物層を形成する工程と、
所定のパターンと該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するパターンとが設けられたマスクを用いて前記感光性レジスト組成物層を露光する工程と、
現像して周縁部が順テーパ状となる前記所定のパターンの感光性レジスト膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする感光性レジスト膜の製造方法。
【請求項２】
前記感光性レジスト組成物層はネガ型感光性レジスト組成物層であり、
前記マスクは、遮光部に対する透光部として前記所定のパターンと該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するスリットとが設けられており、
前記ネガ型感光性レジスト組成物層を露光する工程と、現像して前記所定のパターンのネガ型感光性レジスト膜を形成する工程とにより、前記所定のパターンに対応したパターン形状と、前記スリットに対応した周縁部の順テーパ状とを備えたネガ型感光性レジスト膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の感光性レジスト膜の製造方法。
【請求項３】
前記長手形状を有するパターンは、前記所定のパターンのエッジ部に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の感光性レジスト膜の製造方法。
【請求項４】
複数の前記長手形状を有するパターンは、幅が異なるものを含むことを特徴とする請求項３に記載の感光性レジスト膜の製造方法。
【請求項５】
前記長手形状を有するパターンは、所定のパターンのエッジ部に沿って同じ側に複数平行に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の感光性レジスト膜の製造方法。
【請求項６】
前記複数の長手形状を有するパターンは、前記所定のパターンのエッジ部に近い側に配置された前記パターンの幅の方が前記所定のパターンのエッジ部に遠い側に配置された前記パターンの幅よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の感光性レジスト膜の製造方法。
【請求項７】
前記基体が液晶装置を構成する一対の基板のうちの少なくとも一方の基板であり、前記順テーパ状の感光性レジスト膜が前記基板上に形成された絶縁膜であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかの製造方法により製造された液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周縁部が順テーパ状のリフトオフ用感光性レジスト膜の製造方法及び該製造方法により製造された液晶装置に関し、特に周縁部が逆テーパ状となるリフトオフ用ネガ型感光性樹脂組成物を用いた周縁部が順テーパ状のリフトオフ用ネガ型感光性レジスト膜の製造方法及び該製造方法により製造された周縁部が順テーパ状のリフトオフ用ネガ型感光性レジスト膜からなるトップコート層（絶縁膜）を備えた半透過型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
まず、従来例の半透過型表示装置としてアクティブマトリクス型の半透過型液晶表示装置を例にとり、その数画素部分の平面図である図７及び図７のＡ−Ａ断面図である図８を参照して簡単に説明する。
【０００３】
従来の半透過型液晶表示装置１０は、第１の透光性基板１１上にマトリクス状に設けられた走査線Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・と信号線Ｙｍ、Ｙｍ+1・・・で囲まれた領域毎に画素電極１２が設けられているとともに、この画素電極１２の反射部の下部にはアルミニウム又は銀等の金属からなる反射板２４が形成されている。また、画素電極１２は駆動用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）ＴＦＴからなるスイッチング素子１４に接続されている。なお、図８において、符号１３の部分は補助容量電極、符号１８の部分はゲート絶縁膜、及び符号２１の部分はＴＦＴを構成するアモルファスシリコン等からなる半導体層を示す。
【０００４】
ＴＦＴは絶縁ゲート型電界効果トランジスタからからなり、そのソース電極Ｓは信号線Ｙｍ、Ｙｍ+1・・・に接続されて画像信号の供給を受け、また、ドレイン電極Ｄはコンタクトホール１７を経て画素電極１２に接続されている。更に、ＴＦＴのゲート電極Ｇは走査線Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・に接続されて所定の電圧を有するゲートパルスが印加されるようになされている。
【０００５】
なお、ここに示した半透過型液晶表示装置１０においては、図８に示したように、各ＴＦＴ、走査線Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・及び信号線Ｙｍ、Ｙｍ+1・・・を覆うように、第１の透光性基板１１の表示領域全体に窒化硅素層（以下、ＳｉＮ層という。）からなる保護絶縁膜２２を介して層間膜１９が所定の高さとなるように設けられており、それぞれの画素毎に反射部の層間膜１９上には反射板２４を介して画素電極１２が設けられているとともに透過部領域には層間膜１９の表面に直接画素電極１２が設けられている。なお、反射部の層間膜１９の表面は反射光を拡散光とするために表面が僅かに凹凸状態となるようになされているが、この凹凸状態は図示省略した。
【０００６】
更に、第２の透光性基板１５にはカラーフィルタ層ＣＦを介して共通電極１６が設けられているとともに、反射部のセルギャップ（液晶層の層厚）を透過部領域のセルギャップの半分となるようにするためのトップコート層（絶縁膜）２３が設けられている。そして、この一対の基板は、周囲をシール材によって貼り合わせ、内部に液晶２０を封入することにより組み立てられて半透過型液晶表示装置１０が得られる。
【０００７】
ところで、このような構成からなる半透過型液晶表示装置は、内部に封入される液晶２０の分子を一定の配列で並べる（配向する）必要がある。そのため、前述のような各構成部材が形成された一対の基板上には、それぞれ液晶分子を配向するための配向膜（図示せず）が形成される。この配向膜は所定の材料（例えばポリイミド）からなり、液晶を基板に対して垂直方向にもしくは垂直方向からわずかに傾斜した方向に配向させる垂直配向膜と、液晶を基板に対して水平方向もしくは水平方向からわずかに傾斜した方向に配向させる水平配向膜とがあり、種々の表示方式（例えばＴＮモード、ＳＴＮモード、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence：電界制御複屈折）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード等）に応じて使い分けられる。例えば、ＴＮモード、やＳＴＮ、ＥＣＢモードでは水平配向膜が用いられ（例えば、下記特許文献１参照）、ＶＡモードでは垂直配向膜が用いられる（下記特許文献２参照）。
【０００８】
この配向膜を形成する工程は、一般に、配向膜形成材料を溶媒に溶解させた溶液を基板上に所定の方法で塗布し、この基板を加熱することにより溶媒のみを揮発させ（仮焼成）、続いて、溶媒が揮発した配向膜形成材料をさらに高温で加熱することにより配向膜形成材料を硬化させ（本焼成）て配向膜を形成した後、この配向膜にラビング処理を施している（下記特許文献２及び３参照）。
【０００９】
ここで、ラビング処理とは、クロス材等のラビング布を巻着させたラビングローラに、基板表面に形成された配向膜を接触させ、このローラを回転させて配向膜の表面を一方向に擦る（ラビングする）ことにより、配向膜表面を毛羽立たせたり溝を形成したりすることで一定のエネルギー指向性をもたせて液晶分子の配列方向をラビング方向に規制するものである。
【００１０】
図９は、従来のラビング処理工程における被処理基板とラビングローラとの位置関係を示す平面図である。図９において、ステージ上に配置された被処理基板４０は、矩形平板状のガラス基板４１の一主面に透明電極が形成され、それを覆って配向膜４２が形成された構成を有している。また、ラビングローラ４３は、回転ローラ４４の表面にラビング布４５を巻着した構成を有している。
【００１１】
ラビング処理は、ラビングローラ４３を配向膜４２の表面に一定の圧力で接触させ、ラビングローラ４３を回転軸４６を中心として所定の方向４８に所定の速度で回転させながら、たとえば被処理基板４０の長手方向Ｘに移動させて、配向膜４２の表面を一定方向に擦っていく処理である。このとき、ステージ載置面に平行な平面において、ラビングローラ４３の回転軸方向４７と相対移動方向４９とは通常９０°で行われるが、被処理基板４０の長手方向Ｘとラビングローラ４３の相対移動方向のなす角度は種々の表示モードによって選択されている（なお、図９はこの角度が０°の場合を示している。）。
【００１２】
このように、配向膜にはラビング処理が必要とされるため、半透過型液晶表示装置１０のトップコート層（絶縁膜）２３の周縁部２５は、図１０に示したように順テーパ状となるようにする必要がある。このトップコート層２３の周縁部２５が逆テーパ状であるとトップコート層２３のエッジ部２６で液晶分子の配向の乱れが生じ、表示画像のコントラストの低下につながるためである。
【特許文献１】特開平６−３０１０３６号公報（段落［０００３］）
【特許文献２】特開平５−２０３９５３号公報（段落［０００２］〜［０００７］）
【特許文献３】特開平１０−１６１０７８号公報（段落［０００３］、図２）
【特許文献４】特開２００３−２０７９０４号公報（特許請求の範囲、段落［０００３］〜［０００９］、［００５５］〜［００６２］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで液晶表示装置の各ＴＦＴ、走査線Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・、信号線Ｙｍ、Ｙｍ+1、画素電極１２、反射板２４等の導体パターンの形成においては、配線密度の高度化、多層化、導体形状の微細化等に有利なことからリフトオフ法が採用されている。このリフト法は、感光性レジスト材料を用いてパターン化されたレジスト皮膜を形成した表面に、蒸着、スパッタリング等により金属等の導体を成膜し、その後にレジスト層の除去を行い、レジスト皮膜上の導体膜をレジスト皮膜と共に除去（リフトオフ）することで基体上のレジスト皮膜が形成されていなかった部分のみに導体膜を残し、所望の導体パターンを形成する方法である。
【００１４】
このリフトオフ法においては、レジスト皮膜の表面が導体膜で被覆されるため、レジスト除去液が浸透し難いので、レジスト皮膜の形状を図１０に模式的に示すように逆テーパ状とすることによりレジストの除去を容易となすことが行われている（上記特許文献４参照）。したがって、半透過型液晶表示装置の製造に際しては、上述のようにトップコート層（絶縁膜）２３の形成用には周縁部２５が順テーパ状となるレジスト材料（ポジ型）が必要とされ、各種導体パターン形成用には逆テーパ状となるレジスト材料（ネガ型）が必要とされる。しかしながら、このような感光性材料として相反する性質のものを複数種使い分けることは、複数種の材料の保管スペースも必要となり、不経済である。
【００１５】
本願の発明者等は、上述のような順テーパないし逆テーパという互いに逆の特性を有する感光性材料の一方を用いて他方の特性を実現できる方法につき種々検討を重ねた結果、通常の使用方法では逆テーパ状となるリフトオフ用感光性レジスト組成物を用いて順テーパ状となすことができる方法を見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００１６】
すなわち、本発明の第１の目的は、周縁部が逆テーパ状となるリフトオフ用感光性樹脂組成物を用いて製造された周縁部が順テーパ状のリフトオフ用感光性レジスト膜の製造方法を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、周縁部が逆テーパ状となるリフトオフ用感光性樹脂組成物を用いて製造された周縁部が順テーパ状のリフトオフ用感光性レジスト膜をトップコート層（絶縁膜）として備える半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記第１の目的を達成するため、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、基体上に所定の厚さの感光性レジスト組成物層を形成する工程と、所定のパターンと該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するパターンとが設けられたマスクを用いて前記感光性レジスト組成物層を露光する工程と、現像して周縁部が順テーパ状となる前記所定のパターンの感光性レジスト膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、前記感光性レジスト組成物層はネガ型感光性レジスト組成物層であり、前記マスクは、遮光部に対する透光部として前記所定のパターンと該所定のパターンのエッジ部に沿った長手形状を有するスリットとが設けられており、前記ネガ型感光性レジスト組成物層を露光する工程と、現像して前記所定のパターンのネガ型感光性レジスト膜を形成する工程とにより、前記所定のパターンに対応したパターン形状と、前記スリットに対応した周縁部の順テーパ状とを備えたネガ型感光性レジスト膜を形成することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、上記の周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法において、前記長手形状を有するパターンは、前記所定のパターンのエッジ部に沿って複数本形成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、上記の周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法において、複数の前記長手形状を有するパターンは、幅が異なるものを含むことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、上記の周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法において、前記長手形状を有するパターンは、所定のパターンのエッジ部に沿って同じ側に複数平行に設けられていることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の感光性レジスト膜の製造方法は、上記の周縁部が順テーパ状の感光性レジスト膜の製造方法において、前記複数の長手形状を有するパターンは、前記所定のパターンのエッジ部に近い側に配置された前記パターンの幅の方が前記所定のパターンのエッジ部に遠い側に配置された前記パターンの幅よりも幅広に形成されていることを特徴とする。
【００２３】
更に、上記第２の目的を達成するため、本発明の液晶装置は、前記基体が液晶装置を構成する一対の基板のうちの少なくとも一方の基板であり、前記順テーパ状の感光性レジスト膜が前記基板上に形成された絶縁膜であることを特徴とする上記いずれかの製造方法により製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は上記のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、上記発明によれば、所定のパターンのマスクに沿って設けられた長手形状を有するパターン（スリット部分）により所定のパターンのエッジ部の周囲も露光されるため、通常のマスクを用いて露光した場合には周縁部が逆テーパ状の膜しか得られないリフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物を用いた場合でも、周縁部が順テーパ状の膜を形成することができるようになる。なお、リフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物は、通常の使用方法では周縁部が逆方向となることが周知のものであり、例えば上記特許文献４に開示されているような組成物を使用し得る。
【００２５】
また、上記発明によれば、所定のパターンの周囲に複数本の長手形状を有するパターン（スリット）を設けることにより、複数方向の周縁部が順テーパ状の膜を形成することができるようになる。
【００２６】
また、上記発明によれば、長手形状を有するパターン（スリット）の幅を変えることによってテーパ部分の角度を変えることができるので、所定のパターンの周囲に所望のテーパの傾斜角度を有する順テーパ部分を形成することができるようになる。
【００２７】
また、上記発明によれば、長手形状を有するパターン（スリット）の本数を複数本とすることにより実質的に長手形状を有するパターン（スリット）の幅を太くしたのと同じ状態とすることができ、しかも、周縁部のテーパの傾斜角度をなだらかにするために単に１本の長手形状を有するパターン（スリット）を太くした場合には、この長手形状を有するパターン（スリット）の部分が均一に露光されてしまうため、テーパ部に段差が生じてしまうことがあるが、長手形状を有するパターン（スリット）を複数本に分けることにより段差を無くしながらテーパの傾斜角度が小さい順テーパ部分を形成することができるようになる。
【００２８】
また、上記発明によれば、所定のパターンのエッジ部に近い方が多く露光されるから、テーパの傾斜角度が小さくても滑らかに所定のパターンに繋がるテーパ部が得られるようになる。
【００２９】
更に、上記発明によれば、液晶装置のＴＦＴ、走査線、信号線、画素電極、反射層等の導体パターンの形成用に普通に使用されるリフトオフ用感光性レジスト組成物を用いて、例えば半透過反射型の液晶装置においては、順テーパ状の反射部（反射表示領域）のセルギャップ調整用トップコート層（絶縁膜）を形成できるため、膜形成材料を周縁部のテーパの方向に応じて複数用意する必要がなくなるため、経済的となる。加えて、トップコート層のテーパ部を逆テーパ状態となした場合に比すると、エッジ部で発生していた液晶分子の配向の乱れを抑制することができるため、コントラストが良好な液晶装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明に係る周縁部が順テーパ状のリフトオフ用ネガ型感光性レジスト膜からなるトップコート層の製造方法の具体例を図面を参照して詳細に説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための半透過型液晶表示装置のトップコート層の製造方法を例にとり説明するものであって、本発明をこれに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変形例にも等しく適用し得るものである。なお、以下の実施例により製造された周縁部が順テーパ状のリフトオフ用ネガ型感光性レジスト膜からなるトップコート層を備える半透過型液晶表示装置の具体的構成は、図７及び図８に示した従来例の半透過型液晶表示装置１０と同様であるので、必要に応じて図７及び図８に示した参照符号を引用して説明することとし、その具体的説明は省略する。
【実施例１】
【００３１】
実施例１の順テーパ状のトップコート層（絶縁膜）２３製造用マスク１Ａの平面図を図１Ａに、また、このマスク１Ａを用いて製造されたトップコート層２３Ａの平面図を図１Ｂにそれぞれ示す。また、このマスク１Ａを用いた露光工程の模式断面図を図２に示す。実施例１で使用したマスク１Ａは、遮光マスク部（遮光部）を背景（地）とした中にトップコート層２３Ａのパターン形状に対応した露光光を透過する長方形状の開口部２を備え、その両側のエッジ部に沿って平行に１本ずつ細幅の棒状（ライン状）のスリット３Ａ１及び３Ａ２（長手形状を有するパターン）が設けられている。このスリット３Ａ１及び３Ａ２の幅は、同一であり、トップコート層（絶縁膜）２３Ａの周縁部２５Ａの幅よりも狭くなっている。なお、ここで用いたマスクは１画素分のものであり、実際にはこのようなマスクが多数形成されたものを用いてトップコート層が形成される（以下、同じ）。
【００３２】
このマスク１Ａを用いて所定厚さに形成されたリフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物層を露光すると、開口部２のエッジ部分の周縁部は、スリット３Ａ１及び３Ａ２部分を透過した光により直接露光されるとともに、開口部２を透過した光の散乱光とスリット３Ａ１及び３Ａ２部分を透過した光の散乱光により露光されるために、スリット３Ａ１及び３Ａ２の幅よりも広い順テーパ状の周縁部２５Ａが形成される。
【００３３】
この実施例１の製造方法により製造されたトップコート層２３Ａを備える半透過型液晶表示装置は、トップコート層２３Ａの周縁部２５Ａを逆テーパ状態となした場合に比すると、トップコート層のエッジ部２６Ａで発生していた液晶分子の配向の乱れを抑制することができるため、コントラストが良好な半透過型液晶表示装置となる。
【実施例２】
【００３４】
実施例１のトップコート層２３Ａの周縁部２５Ａの幅は、マスク１Ａのスリット３Ａ１及び３Ａ２の幅を広げるとそれに比例して広くできるが、幅を広げすぎるとスリット３Ａ１及び３Ａ２の部分で均一に露光されてしまうために、段差が形成されてしまう。実施例２では、このような段差が生じることを避けながら幅広い順テーパ部を得る目的で、スリットを開口部２のエッジ部に沿って複数本平行に設けて実質的にスリットの幅が広い場合と等価となるようにした。実施例２の順テーパ状のトップコート層２３Ｂ製造用マスク１Ｂの平面図を図３Ａに、また、このマスク１Ｂを用いて製造されたトップコート層２３Ｂの平面図を図３Ｂに、それぞれ示す。また、このマスク１Ｂを用いた露光工程の模式断面図を図４に示す。
【００３５】
実施例２で使用したマスク１Ｂは、中央部にトップコート層２３Ｂに対応する長方形状の開口部２を備え、その両側のエッジ部に平行に２本ずつのスリットが設けられている。このうち、開口部２のエッジ部側のスリット３Ｂ１及び３Ｂ３は同じ太さで等距離に設けられ、更に、その両側に等距離にスリット３Ｂ２及び３Ｂ４が設けられている。ただし、スリット３Ｂ３の幅は僅かにスリット３Ｂ４よりも太くしてある。
【００３６】
このマスク１Ｂを用いて所定厚さに形成されたリフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物層を露光すると、開口部２のエッジ部分の周縁部は、一方側はスリット３Ｂ１及び３Ｂ２部分を透過した光により、また他方側はスリット３Ｂ３及び３Ｂ４部分を透過した光により、それぞれ露光されるため、実施例１のものよりも広い順テーパ部が形成される。加えて、スリット３Ｂ２の方が僅かにスリット３Ｂ４よりも広くなるようにしたため、図３Ｂ及び図４に示したように、図面上右側の順周縁部２５Ｂのテーパの傾斜角度が緩くかつ幅広くなっている。このようにして、本発明の方法ではテーパの傾斜角及び幅を制御することができる。
【実施例３】
【００３７】
上述のように、半透過型液晶表示装置のトップコート層の表面には配向膜が設けられ、この配向膜にはラビング処理が施される。そして、このラビング処理の方向はそれぞれの半透過型液晶表示装置毎に定まっているため、実施例３ではラビング方向の手前側のトップコート層２３Ｃの周縁部２５Ｃ２のテーパの傾斜角度がラビング方向の先端側の周縁部２５Ｃ１のテーパの傾斜角度よりも小さくなるように形成した。実施例３で用いたマスク１Ｃの平面図を図５に示し、実施例３で得られたトップコート層２３Ｃの平面図を図６Ａに、同じく断面図を図６Ｂに示す。
【００３８】
実施例３で使用したマスク１Ｃは、中央部にトップコート層２３Ｃに対応する長方形状の開口部２を備え、その左右両側のエッジ部に、ラビング方向の先端側（図６Ａ及び図６Ｂにおいて右側）は細い１本のスリット３Ｃ１を設け、ラビング方向の手前側（図６Ａ及び図６Ｂにおいて左側）は太いスリット３Ｃ２とそれに平行に設けられた細いスリット３Ｃ３を設け、更にラビング方向と平行な方向（図６Ａにおいて上下側）には細いスリット３Ｃ４及び３Ｃ５を設けたものを使用した。
【００３９】
このマスク１Ｃを使用して所定厚さに形成されたリフトオフ用ネガ型感光性レジスト組成物層を露光すると、ラビング方向の先端側の周縁部２５Ｃ１に形成されるテーパ部の傾斜角度は大きく、ラビング方向の手前側の周縁部２５Ｃ２に形成されるテーパ部の傾斜角度は小さく、また、ラビング方向に平行側の周縁部２５Ｃ３及び２５Ｃ４のテーパ部の傾斜角度は大きいトップコート層２３Ｃが得られる。
【００４０】
このように、実施例３で使用したような開口部２の四方にそれぞれスリットを有するマスク１Ｃを用いると、これらのスリットの幅及び数を適宜に偏光することにより、トップコート層２３Ｃの周囲四方のそれぞれの周縁部について全てのテーパの傾斜角度を異ならせたり、一部同じにしたり、更には全て同じにしたりすることができる。
【００４１】
尚、上記いずれの実施例においても、ネガ型の感光性レジストを用いた製造方法について説明したが、上記実施例で用いたマスクにおいて、遮光マスク部（遮光部）と露光光の透過部（感光性レジスト膜のパターン形状に対応したパターン２と該パターンの順テーパ部に対応する長手形状を有したパターン３Ａ１）との関係を逆にしたマスクを用いて、ポジ型感光性レジストを露光・現像して所定のパターン形状と、該パターン形状の周縁部が順テーパ状とされたポジ型感光性レジスト膜を形成してもよいものである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１Ａは実施例１で使用したマスクの平面図であり、図１Ｂは図１Ａのマスクを用いて製造されたトップコート層の平面図である。
【図２】図１Ａのマスクを用いた露光工程の模式断面図である。
【図３】図３Ａは実施例２で使用したマスクの平面図であり、図３Ｂは図３Ａのマスクを用いて製造されたトップコート層の平面図である。
【図４】図３Ａのマスクを用いた露光工程の模式断面図である。
【図５】実施例３で用いたマスク１Ｃの平面図である。
【図６】図６Ａは実施例３で得られたトップコート層の平面図であり、図６Ｂは実施例３で得られたトップコート層の断面図である。
【図７】従来例の半透過型液晶表示装置の数画素部分の平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ断面図である。
【図９】従来のラビング処理工程における被処理基板とラビングローラとの位置関係を示す平面図である。
【図１０】従来のリフトオフ法におけるレジスト皮膜の形状を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１Ａ〜１Ｃ    マスク
２    開口部
３Ａ１〜３Ａ２、３Ｂ１〜３Ｂ４、３Ｃ１〜３Ｃ５    スリット（長手形状のパターン）
１０    半透過型液晶表示装置
１１    第１の透光性基板
１２    画素電極
１４    スイッチング素子
１５    第２の透光性基板
１６    共通電極
１７    コンタクトホール
１９    層間膜
２０    液晶
２２    保護絶縁膜
２３、２３Ａ〜２３Ｃ    トップコート層（絶縁膜）
２４    反射板
２５、２５Ａ１〜２５Ａ２、２５Ｂ１〜２５Ｂ２、２５Ｃ１〜２５Ｃ４    トップコート層の周縁部（順テーパ部）
２６、２６Ａ〜２６Ｃ    トップコート層のエッジ部
ＣＦ    カラーフィルタ層
Ｘｎ、Ｘｎ+1・・・    走査線
Ｙｍ、Ｙｍ+1・・・    信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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