(57)【要約】【課題】現像液に対する溶解性が良好であり、吸水率が低いパターンを形成し得る感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及び電子部品を提供する。【解決手段】感光性樹脂組成物は、（ａ）下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位から主としてなるポリマーと、（ｂ）現像液に対する溶解促進剤と、及び（ｃ）溶媒とを含有する。【化１】2007286603.tif 000009［式中、Ｒ1は三価又は四価の有機基、Ｒ2は二価の有機基、Ｒは炭素炭素不飽和二重結合を有する一価の有機基又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がイオン結合したＯ-Ｍ+（Ｍ+は水素イオン又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物と水素からなる陽イオンを表わす。）で表される基であり、全繰り返し単位中に炭素炭素不飽和二重結合を少なくとも１つ含み、ｍは２以上の整数であり、ｎは１又は２である。］【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位から主としてなるポリマーと、（ｂ）現像液に対する溶解促進剤と、及び（ｃ）溶媒とを含有してなることを特徴とする感光性樹脂組成物。
【化１】
2007286603.tif 000007
［式中、Ｒ1は三価又は四価の有機基、Ｒ2は二価の有機基、Ｒは炭素炭素不飽和二重結合を有する一価の有機基又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がイオン結合したＯ-Ｍ+（Ｍ+は水素イオン又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物と水素からなる陽イオンを表わす。）で表される基であり、全繰り返し単位中に炭素炭素不飽和二重結合を少なくとも１つ含み、ｍは２以上の整数であり、ｎは１又は２である。］
【請求項２】
前記ポリマー（ａ）は、下記一般式（II）で表される繰り返し単位から主としてなるポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
【化２】
2007286603.tif 000008
（式中、Ｒ1は三価又は四価の有機基、Ｒ2は二価の有機基、Ｍ+は水素イオン又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物と水素からなる陽イオンを表わし、全繰り返し単位中に炭素炭素不飽和二重結合を少なくとも１つ含み、ｍ’は３０〜１５０、ｎは１又は２である。）
【請求項３】
前記（ｂ）溶解促進剤は、ベンゼンスルホンアミド誘導体であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項４】
前記ベンゼンスルホンアミド誘導体は、Ｎ−フェニルベンゼンスルホンアミドであることを特徴とする請求項３に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項５】
前記（ａ）ポリマー１００重量部に対して、前記（ｂ）溶解促進剤２〜３０重量部を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のうち、いずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうち、いずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、前記塗布、乾燥工程により得られた感光性樹脂膜を露光する工程と、前記露光後の感光性樹脂膜を現像する工程と、及び前記現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項６に記載のパターン形成方法により得られるパターンの層を有することを特徴とする電子部品。
【請求項８】
前記電子部品は、ハードディスクドライブのサスペンジョンであることを特徴とする請求項７に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及び電子部品に関し、さらに詳しくは、各種実装回路形成用基板及び回路基板や、特に近年高容量化や小型化が急がれているハードディスクドライブ用サスペンジョン上に直接電気的信号線を形成するための部品としての回路形成用基板及び回路基板に使用する感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及び電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブの高記憶容量化や高速化などの点から、磁気ヘッドとして従来のＭＩＧ（メタルインギャップ）や磁気誘導型である薄膜に代わって、磁気抵抗型のＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子と薄膜を一体化させた、所謂ＭＲ−薄膜複合型ヘッドが注目されている。
【０００３】
従来のヘッドが磁気信号の読み書きを１ヘッドで兼用させるのに対し、ＭＲヘッドは読み書きを１ヘッド内で分業させるために、端子の数は２倍（必要に応じてさらにアース端子も加わる）となって、ヘッドとディスク本体を接続するワイヤーの細線化が必要となる。
【０００４】
しかしながら、細線化を行うとワイヤーが腐食しやすくなり、また、インピーダンスの整合も取り難くなったり、ヘッドの実装も難しくなるという問題を生じるようになる。このような新たな問題点を解決するための方法として、ヘッドを実装するサスペンジョン上に直接回路を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開昭４８−１６６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような回路形成用基板には、優れた耐熱性と電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミド樹脂層が用いられている。しかしながら、ポリイミド樹脂層の吸水率が高いと、例えばハードディスクドライブ本体にサスペンジョンとしてこのような回路形成用基板を組み込んだ場合に、ポリイミド樹脂層への水の吸脱着に伴う寸法変化が大きくなって、サスペンジョン自体が反ってしまい、アライメント精度が低下すると共に、ディスクと本体との間隔が変化してデバイスとしての性能不良を起こすという問題点があった。
【０００７】
また、吸水率の低いポリイミド樹脂は、フッ素を含有するものが多く、また、構造が剛直であるため、ポリイミド樹脂を感光性にした場合、現像液である有機溶剤への溶解性が著しく低くなり、現像が困難になるという問題点もあった。
【０００８】
本発明は、以上のような従来の課題を解決するためになされたものであって、吸水率が低く、かつ現像液に対する溶解性が良好なパターンを形成し得る感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及び電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、本発明による感光性樹脂組成物は、（ａ）下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位から主としてなるポリマーと、（ｂ）現像液に対する溶解促進剤と、及び（ｃ）溶媒とを含むことを特徴とする。
【００１０】
【化１】
2007286603.tif 000002
［式中、Ｒ1は三価又は四価の有機基、Ｒ2は二価の有機基、Ｒは炭素炭素不飽和二重結合を有する一価の有機基又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がイオン結合したＯ-Ｍ+（Ｍ+は水素イオン又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物と水素からなる陽イオンを表わす。）で表される基であり、全繰り返し単位中に炭素炭素不飽和二重結合を少なくとも１つ含み、ｍは２以上の整数であり、ｎは１又は２である。］
【００１１】
また、本発明による感光性樹脂組成物にあっては、前記ポリマー（ａ）が、下記一般式（II）で表される繰り返し単位から主としてなるポリマーであることを特徴とする。
【００１２】
【化２】
2007286603.tif 000003
（式中、Ｒ1は三価又は四価の有機基、Ｒ2は二価の有機基、Ｍ+は水素イオン又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物と水素からなる陽イオンを表わし、全繰り返し単位中に炭素炭素不飽和二重結合を少なくとも１つ含み、ｍ’は３０〜１５０、ｎは１又は２である。）
【００１３】
また、本発明の感光性樹脂組成物にあっては、前記（ｂ）溶解促進剤が、ベンゼンスルホンアミド誘導体であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の感光性樹脂組成物にあっては、前記ベンゼンスルホンアミド誘導体が、Ｎ−フェニルベンゼンスルホンアミドであることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の感光性樹脂組成物にあっては、前記（ａ）ポリマー１００重量部に対して、前記（ｂ）溶解促進剤２〜３０重量部を含むことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明のパターン形成方法にあっては、前記感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、前記塗布、乾燥工程により得られた感光性樹脂膜を露光する工程と、前記露光後の感光性樹脂膜を現像する工程と、及び前記現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の電子部品にあっては、前記パターン形成方法により得られるパターンの層を有することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の電子部品にあっては、前記電子部品が、ハードディスクドライブのサスペンジョンであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明による感光性樹脂組成物は、上記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位から主としてなるポリマーと、（ｂ）現像液に対する溶解促進剤と、（ｃ）溶媒とを含有してなるので、現像液に対する溶解性が良好であり、吸水率若しくは吸湿率が低いパターンを形成することができる。
【００２０】
また、本発明によるパターン形成方法は、感光性樹脂膜を露光、現像する際に、現像液に対する溶解性が良好なので、パターンの形成時間を短縮することができ、作業性が向上する。加えて、形成されるパターンの感度が高いため、露光量を低減することができ、製造コストを低下させることができる。
【００２１】
さらに、本発明による電子部品は、回路の表面保護膜層又は層間絶縁膜層として、良好な形状と特性のパターンを有することにより、信頼性の高い電子部品が得られるという効果を奏する。これらの効果は特に、適用される電子部品がハードディスクドライブのサスペンジョンであるときに顕著である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明にかかる感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及び電子部品の一実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。なお、この一実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００２３】
［感光性樹脂組成物］
本発明による感光性樹脂組成物は、（ａ）下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位から主としてなるポリマーと、（ｂ）現像液に対する溶解促進剤と、及び（ｃ）溶媒とを含有する。
【００２４】
【化１】
2007286603.tif 000004
［式中、Ｒ1は三価又は四価の有機基、Ｒ2は二価の有機基、Ｒは炭素炭素不飽和二重結合を有する一価の有機基又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がイオン結合したＯ-Ｍ+（Ｍ+は水素イオン又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物と水素からなる陽イオンを表わす。）で表される基であり、全繰り返し単位中に炭素炭素不飽和二重結合を少なくとも１つ含み、ｍは２以上の整数であり、ｎは１又は２である。］
【００２５】
以下、感光性樹脂組成物の各成分について説明する。
（ａ）成分（ポリマー）
（ａ）上記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位から主としてなるポリマー（以下、（ａ）成分とする）において、一般式（Ｉ）中のＲ1は、三価又は四価の有機基である。この基は一般に、原料として使用するテトラカルボン酸（二無水物）又はトリカルボン酸（無水物）におけるカルボキシル基及び酸無水物基以外の残基であり、ベンゼン環等の芳香環を有する基であることが好ましい。具体的には後述するテトラカルボン酸二無水物の残基などが挙げられる。
【００２６】
また、一般式（Ｉ）中のＲ2は二価の有機基である。この基は一般に、原料として使用するジアミンのアミノ基以外の残基であり、具体的には後述するジアミンの残基などが挙げられる。
【００２７】
一般式（Ｉ）中、ｍは繰り返し単位数を示し、２以上の整数であり、３０〜１５０であることが好ましい。また、ｎは１又は２である。一般式（Ｉ）におけるＲは、炭素炭素不飽和二重結合を有する一価の有機基又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がイオン結合したＯ-Ｍ+で表される基である。ここで、炭素炭素不飽和二重結合を有する基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基、アリル基等を含む基などが挙げられるが、反応性等の点でアクリロイル基、メタクリロイル基を含む基が好ましい。
【００２８】
Ｒの具体例としては、アクリロキシアルキルオキシ基（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｒ’−Ｏ−。Ｒ’は例えば炭素原子数１〜１０のアルキレン基等の二価の有機基）、メタクリロキシアルキルオキシ基（ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯＯ−Ｒ’−Ｏ−。Ｒ’は例えば炭素原子数１〜１０のアルキレン基等の二価の有機基、アクリロキシアルキルアミノ基（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｒ’−ＮＨ−。Ｒ’は例えば炭素原子数１〜１０のアルキレン基等の二価の有機基）、メタクリロキシアルキルアミノ基（ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯＯ−Ｒ’−ＮＨ−。Ｒ’は例えば炭素原子数１〜１０のアルキレン基等の二価の有機基）などの一価の有機基が挙げられる。
【００２９】
また、炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がイオン結合したＯ-Ｍ+で表される基において、Ｍ+は水素イオン、アクリロイル基、メタクリロイル基等の炭素炭素不飽和結合を有する基を有する化合物と水素からなる陽イオンを表わす。炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がイオン結合したＯ-Ｍ+で表される基として、ジアルキルアミノアルキルアクリレート又はジアルキルアミノアルキルメタクリレート（例えば各アルキル基の炭素原子数１〜１０）等のアミノ基を有するアクリレート又はメタクリレートなどがイオン結合した基（ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｒ’−Ｎ+Ｈ（ＣnＨ2n+1）2・Ｏ-、ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯＯ−Ｒ’−Ｎ+Ｈ（ＣnＨ2n+1）2・Ｏ-）等が挙げられる。
【００３０】
これらの中で、炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がイオン結合したＯ-Ｍ+で表される基を含むものが反応性等の点で好ましく、特に、下記一般式（II）で表される繰り返し単位から主としてなるポリマーであることが好ましい。
【００３１】
【化２】
2007286603.tif 000005
（式中、Ｒ1は三価又は四価の有機基、Ｒ2は二価の有機基、Ｍ+は水素イオン又は炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物と水素からなる陽イオンを表わし、全繰り返し単位中に炭素炭素不飽和二重結合を少なくとも１つ含み、ｍ’は３０〜１５０、ｎは１又は２である。）
【００３２】
ここで、一般式（II）中のｍ’は、主鎖の繰り返し単位数であり、ｍ’の範囲は３０〜１５０であることが好ましい。また、（ａ）成分であるポリマー中には、上記一般式（II）で表される繰り返し単位以外の構造単位を有していても良いが、通常は上記一般式（II）で表される繰り返し単位からなり、その両末端に水素原子、ＯＨ基などの末端基を有するものであることが好ましい。一般式（II）中のｎは、１又は２である。
【００３３】
上記一般式（II）で表されるポリマーは、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を付加重合させて得られるポリアミド酸に、感光性を付与させるために、アクリロイル基もしくはメタクリロイル基を持ったアミン化合物を添加撹拌することで、上記ポリアミド酸にアミン化合物をイオン結合させて得ることができる。
【００３４】
（ａ）成分中、ポリアミド酸の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜９０，０００であることが好ましい。なお、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン換算して算出することができる。
【００３５】
上記一般式（Ｉ）又は（II）で表わされる繰り返し単位から主としてなるポリマーを調製するために使用されるテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４'−オキシジフタル酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４，４'−スルフォニルジフタル酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物などが挙げられるが、テトラカルボン酸二無水物であればこの範囲には限られない。
【００３６】
また、上記一般式（Ｉ）又は（II）で表わされる繰り返し単位から主としてなるポリマーを調製するために使用されるジアミン化合物としては、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、２,２'−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン，１，５−ジアミノナフタレン、ベンジジン、３，３'−ジメトキシベンジジン、４，４'−（又は３，４'−、３，３'−、２，４'−）ジアミノジフェニルメタン、４，４'−（又は３，４'−、３，３'−、２，４'−）ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−（又は３，４'−、３，３'−、２，４'−）ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−（又は３，４'−、３，３'−、２，４'−）ジアミノジフェニルスルフィド、４，４'−ベンゾフェノンジアミン、３，３'−ベンゾフェノンジアミン、４，４'−ジ（４−アミノフェノキシ）フェニルスルホン、４，４'−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２'−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、３，３−ジメチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３，３'，５，５'−テトラメチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジ（３−アミノフェノキシ）フェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、２，２'−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、５，５'−メチレン−ビス−（アントラニル酸）、３，５−ジアミノ安息香酸、３，３'−ジヒドロキシ−４，４'−ジアミノビフェニル、３，３'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル、２，２'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル、３，３'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル−６，６'−ジスルホン酸等の芳香族ジアミン、２，６−ジアミノピリジン、２，４−ジアミノピリジン、２，４−ジアミノ−ｓ−トリアジン、２，７−ジアミノベンゾフラン、２，７−ジアミノカルバゾール、３，７−ジアミノフェノチアジン、２，５−ジアミノ−１，３，４−チアジアゾール、２，４−ジアミノ−６−フェニル−ｓ−トリアジン等の複素環式ジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、２，２−ジメチルプロピレンジアミン、下記一般式（III）
【００３７】
【化３】
2007286603.tif 000006
（式中、Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｏ及びｐは各々独立に１〜１０の整数である。）で示されるジアミノポリシロキサン等の脂肪族ジアミンなどが挙げられるが、ジアミン化合物であればこの範囲には限られない。
上記のテトラカルボン酸二無水物及びジアミン化合物はそれぞれ単独で又は、おのおの２種類以上を組み合わせて使用される。
【００３８】
ポリアミド酸に感光性を付与させるために添加するアクリロイル基もしくはメタクリロイル基を持ったアミンとしては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノプロピルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノプロピルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート等のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレートなどが挙げられるが、この範囲には限られない。
【００３９】
これらのアクリロイル基もしくはメタクリロイル基を持ったアミンは、上記のポリアミド酸１００重量部に対して、２０〜１５０重量部添加されることが好ましく、これを（ａ）成分とする。
【００４０】
（ｂ）現像液に対する溶解促進剤
（ｂ）成分である現像液に対する溶解促進剤（以下、（ｂ）成分とする）は、後述する露光後の感光性樹脂膜を現像する工程において、感光性樹脂膜の現像液に対する溶解性を促進する。また、本発明で使用する溶解促進剤は、感光性樹脂膜とその下層、例えば有機層や、銅層、ステンレス層などの金属層との接着性に悪影響を与えないので、例えば有機層としてポリイミド樹脂層を有するものやステンレス製のハードディスクドライブのサスペンションなどに特に有効である。
【００４１】
溶解促進剤としては、例えば、スルホンアミド誘導体が挙げられ、中でもベンゼンスルホンアミド誘導体が好ましく、その例として、ベンゼンスルホンアミド、トルエンスルホンアミド、メトキシベンゼンスルホンアミド、ベンゼンスルホニルアニリド、トルエンスルホニルアニリド、メトキシ−トルエンスルホニルアニリド、アセチル−トルエンスルホニルアニリド、トルエンスルホニル−Ｎ−メチルアミド、トルエンスルホニル−Ｎ−エチルアミド、トルエンスルホニル−Ｎ−プロピルアミド、トルエンスルホニル−Ｎ−ブチルアミド、トルエンスルホニル−Ｎ−フェニルアミド、トルエンスルホニル−Ｎ−ジメチルアミド、トルエンスルホニル−Ｎ−ジエチルアミド、トルエンスルホニル−Ｎ−ジフェニルアミド等を挙げることができる。中でもＮ−フェニルベンゼンスルホンアミドが特に効果が高いので好ましい。
【００４２】
溶解促進剤の添加量は、上記（ａ）成分１００重量部に対して、２〜３０重量部添加するのが好ましく、さらに好ましくは３〜１５重量部である。
溶解促進剤の添加量が２重量部未満であると、感光性樹脂が現像液に溶解せず、パターンを形成することが困難になり、一方、溶解促進剤の添加量が３０重量部を超えると、形成されたパターンが脆くなるので、好ましくない。
【００４３】
（ｃ）溶媒
本発明において、ポリアミド酸を合成する際及び感光性樹脂組成物の成分として用いる溶媒（以下、（ｃ）成分とする）としては、アセトン、メチルエチルケトン、トルエンクロロホルム、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、キシレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スルホラン等が挙げられる。
【００４４】
これらの有機溶剤は単独で、又は二種以上組み合わせて使用される。（ｃ）成分である溶媒は、上記（ａ）成分１００重量部に対して１００〜５００重量部添加されることが好ましい。
【００４５】
本発明の感光性樹脂組成物は、一般にワニスの形態で提供される。また、感光性樹脂組成物には、増感剤、遮光剤、重合禁止剤、架橋剤、光反応開始剤、安定化剤、接着助剤等を必要によって添加してもよい。
【００４６】
［パターン形成方法］
次に、本発明によるパターン形成方法について説明する。本発明のパターン形成方法では、上述した感光性樹脂組成物を、例えばスプレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法等によって支持基板、例えばサスペンジョン形成用ステンレス基板上に塗布する。次に、感光性樹脂組成物中の有機溶剤を加熱、乾燥することにより除去し、粘着性のない塗膜である感光性樹脂膜を得る。この塗膜上に、パターン状に活性光線を照射し、例えば、スルーホールのパターンを形成する。照射する活性光線としては、紫外線、遠紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線などがある。活性光線の照射後、未照射部分を適当な現像液で除去することにより、所望のレリーフパターンを得る。
【００４７】
現像液としては、特に制限はないが、１，１，１−トリクロロエタン等の難燃性溶媒、炭酸ナトリウム水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液等のアルカリ水溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ―ブチロラクトン等の良溶媒、これら良溶媒と低級アルコール、水、芳香族炭化水素等の貧溶媒との混合溶媒などが用いられる。現像後は必要に応じて貧溶媒等でリンスを行う。
【００４８】
このようにして得られたレリーフパターンを、例えば、８０〜４００℃で５〜３００分間、加熱することにより、イミドを閉環させ、ポリイミドパターンを得ることができる。
本発明によるパターン形成方法は、露光後の感光性樹脂膜の現像液に対する溶解性が良好なので、パターンの形成時間を短縮することができ、作業性が向上する。加えて、形成されるパターンの感度が高いため、露光量を低減することができ、製造コストを低下させることができる。
【００４９】
次に、本発明によるパターン形成方法により、一例として、ハードディスクドライブのサスペンションにパターンを形成する工程を図面に基づいて説明する。
図１〜図９は、感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。これらの図１〜図９において、まず、サスペンションを構成する支持基板１例えばステンレス箔を用意し（図１）、次に、この支持基板１上に、上述した感光性樹脂組成物をスピンコーター（図示しない）などを用いて塗布し（図２）、露光、現像を行うことにより絶縁層２を形成する（図３）。
【００５０】
次に、絶縁体である絶縁層２上にめっき膜を成長させるために、下地となる金属層としてシード層３を形成する（図４）。シード層３としては、クロム薄膜及び銅薄膜の２層を高周波スパッタリング法等により形成することができる。次に、シード層３上にレジスト４を塗布し、所定のパターンで露光、現像を行い（図５）、レジストパターンの開口部５に、順次電解めっき法により銅、ニッケル、金等の多層構造の回路導体を積層して回路層６を形成する（図６）。
【００５１】
回路層６を形成した後、レジスト４を剥離し、シード層３をエッチングにより除去する（図７）。次に、回路層６を保護するために、上述と同じ感光性樹脂組成物を回路層６上に塗布し、露光、現像を行って保護層７を形成する（図８）。その後、保護層７及び支持基板１の所定部分を覆うカバー８を設け、ジンバルを形成することができる（図９）。
【００５２】
［電子部品］
本発明による感光性樹脂組成物は、上述したパターン形成方法によりパターンを形成するために使用され、得られたパターンは、各種実装回路形成用基板及び回路基板の層間絶縁層、下地絶縁層、又は表面保護膜層などとして電子部品に適用される。ここで、電子部品としては、半導体装置や多層配線板、各種電子デバイスを含むが、特にハードディスクドライブのサスペンションが好適である。すなわち、本発明による感光性樹脂組成物は、ハードディスクドライブ用サスペンジョン上に直接電気的信号線を形成するための部品として、回路形成用基板及び回路基板に好ましく使用される。
【００５３】
図１０は、本発明による感光性樹脂組成物を使用してパターンを形成したハードディスクドライブのサスペンションを示す概略平面図である。図１０において、サスペンション１０は、磁気ディスクへのデータの書き込み及び読み出し機能を備えた磁気ヘッドを搭載し、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間隙を数十ｎｍに精度良く制御する部材であり、ステンレスなどで製造された板状部材１１から構成されている。サスペンション１０を構成する板状部材１１の先端には、切り込み１２によってジンバル１３が一体に形成されており、ジンバル１３上には、磁気ヘッドを有するスライダ（図示しない）が固定される。
【００５４】
また、板状部材１１上には、感光性樹脂組成物から作製された絶縁層（図示しない）が形成されており、その上に銅導体層１４からなる所定のパターン回路が実装され、さらにその上に感光性樹脂組成物から作製された保護膜１５が形成されている。なお、板状部材１１上に所定のパターン回路が実装されているので、このサスペンション１０はいわゆる「回路付きサスペンション」と呼ばれる。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５６】
（感光性樹脂溶液の調製）
実施例１〜３及び比較例で用いた感光性樹脂は以下の方法で得た。Ｎ−メチル−２−ピロリドン３００重量部にｐ−フェニレンジアミン１５重量部と２，２'−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン１０重量部を添加して溶解させた後、３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物５０重量部を添加して重合させ、重量平均分子量が４２，０００のポリアミド酸を得た。その後、このポリアミド酸の溶液にＮ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリレート５０重量部、ビス（シクロペンタジエニル）ビス(２，６−ジフルオロ−３（１Ｈ−ピル−イル）フェニル)チタニウム２重量部、ジエチルアミノ−３−テノイルクマリン０．５重量部を添加して撹拌し、感光性樹脂溶液を得た。なお、前記ポリアミド酸とＮ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリレートを前記配合比で配合することにより、本発明における（ａ）成分（一般式（Ｉ）も一般式（II）も充足する、炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物であるＮ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリレートがポリアミド酸の側鎖の−ＣＯＯＨとイオン結合したもの）が形成されていることが明らかである。
【００５７】
（実施例１）
得られた感光性樹脂溶液に、Ｎ−フェニルベンゼンスルホンアミドを１０重量部添加撹拌して得た感光性樹脂組成物を、ステンレス製の基板上に回転塗布し、９０℃で３分間ホットプレート上で乾燥させて、膜厚１２μｍの感光性樹脂膜を得た。この感光性樹脂膜にフォトマスクを介して高圧水銀灯による露光を行った。この露光は、１００Ｊ／ｍ2のエネルギーを照射して行った。その後、上記基板を１１０℃で１分間の加熱をホットプレートで行った直後に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンによる現像液に浸漬させた。上記基板上における未露光部分の感光性樹脂膜は、１１０秒で溶解した。
【００５８】
浸漬後１４０秒後に、現像液から基板を取り出し、イソプロピルアルコ−ルによるリンスを行った。この基板を３５０℃のオーブンに１時間投入し、膜厚約５μｍのレリーフパターンを得た。得られたフィルムの吸水率は０．８％であった。なお、この吸水率は、基板上に貼り付いたフィルムを剥がして水に浸け、十分吸水させた後、加熱、乾燥して重量を測定し、水に浸ける前のフィルム重量と加熱乾燥後の重量の変化率から求めた。
【００５９】
（実施例２）
Ｎ−フェニルベンゼンスルホンアミドの添加量を５重量部とした以外は、実施例１と同様にして評価したところ、未露光部分は２５０秒で溶解し、得られたフィルムの吸水率は０．８％であった。
【００６０】
（実施例３）
Ｎ−フェニルベンゼンスルホンアミドの添加量を１５重量部とした以外は、実施例１と同様にして評価したところ、未露光部分は３０秒で溶解し、得られたフィルムの吸水率は０．９％であった。
【００６１】
（比較例）
得られた感光性樹脂の溶液に、Ｎ−フェニルベンゼンスルホンアミドを加えないで、実施例と同様の評価を行った。未露光部分は現像液に浸漬を始めて１５０秒経っても完全には溶解しなかった。合計１８０秒現像液に浸した後、リンスを行ったが、露光部と基板の隙間に現像液が入り込み、きれいなレリーフパターンは得られなかった。
【００６２】
実施例１〜３における感光性樹脂膜は、非常に低い露光エネルギー量で露光を行うことができ、露光感度が非常に高いことが判った。また、比較例では、未露光部分が現像液に完全には溶解しなかったのに対し、実施例１〜３では、未露光部分が現像液により非常に短時間で完全に溶解し、現像液に対する高い溶解促進効果が認められた。さらに、実施例１〜３で得られたフィルムの吸水率は非常に低い値であった。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
以上のように、本発明にかかる感光性樹脂組成物及びこの感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法は、感光性樹脂膜を露光、現像する際に、現像液に対する溶解性が高く、吸水率が非常に低いパターンを形成することができる。従って、本発明は、低い吸水率が求められる電子部品に有用であり、特に、ハードディスクドライブのサスペンションに適している。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態における感光性樹脂のパターンを形成する工程を説明する概略断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態における感光性樹脂を使用したハードディスクドライブのサスペンションを示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  支持基板
２  絶縁層
３  シード層
４  レジスト
５  開口部
６  回路層
７  保護層
８  カバー
１０  サスペンション
１１  板状部材
１２  切り込み
１３  ジンバル
１４  銅導体層
１５  保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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