(57)【要約】【課題】スイッチング素子と電極とを導電接続するための開口部において、電極が破断することを防止する。【解決手段】第１透光性基板７ａ上に設けられドレイン電極３６を備えたＴＦＴ素子２１と、ドレイン電極３６から延在した接続用導電膜３６ｂと、基板７ａ上に設けられてＴＦＴ素子２１及び接続用導電膜３６ｂを覆う凹凸樹脂膜２３と、接続用導電膜３６ｂ上の凹凸樹脂膜２３に開口されたコンタクトホール２７と、凹凸樹脂膜２３上に設けられコンタクトホール２７を介して接続用導電膜３６ｂに接続された画素電極２５と、基板７ａと凹凸樹脂膜２３の間であってコンタクトホール２７に平面的に重なる位置に設けられた突部材２８とを有する液晶表示装置である。【選択図】図４
2007310152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられ電極を備えたスイッチング素子と、
前記電極から延在した接続用導電膜と、
前記基板上に設けられて前記スイッチング素子及び前記接続用導電膜を覆う絶縁膜と、
前記接続用導電膜上の前記絶縁膜に開口された開口部と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記開口部を介して前記接続用導電膜に電気的に接続された
画素電極と、
前記基板と前記絶縁膜の間であって、前記開口部に平面的に重なる位置に設けられた突
部材と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記基板表面からの前記突部材の頂面の高さを
ｈ１とし、前記絶縁膜の頂面からの前記開口部の深さをｈ２としたとき、
ｈ１＞ｈ２
であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記絶縁膜の表面には複数の凹部
又は複数の凸部が設けられ、前記開口部の深さをｈ２とし、前記凹部の深さ又は前記凸部
の高さをｈ３としたとき、
ｈ２＞ｈ３
であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記突部材の側
面部には段部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記突部材は感
光性の樹脂を用いて形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記スイッチン
グ素子は薄膜トランジスタであって、前記スイッチング素子が備えた前記電極は前記接続
用導電膜と同一材料で一体的に形成された前記薄膜トランジスタのドレイン電極であるこ
とを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記スイッチン
グ素子は第１電極と絶縁膜と第２電極の積層構造からなる薄膜ダイオードであって、前記
スイッチング素子が備えた前記電極は前記接続用導電膜と同一材料で一体的に形成された
前記第２電極であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
基板上にスイッチング素子を設ける工程と、
前記基板上に突部材を設ける工程と、
前記スイッチング素子の電極に接続する接続用導電膜を前記突部材上に設ける工程と、
前記基板上に前記スイッチング素子及び前記突部材を覆う絶縁膜を設ける工程と、
前記絶縁膜のうちの前記突部材に平面的に重なる領域に開口部を設ける工程と、
前記絶縁膜上に画素電極を設ける工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電気光学装置の製造方法において、前記絶縁膜の表面には複数の凹部又
は複数の凸部が設けられ、前記開口部を形成する工程では、複数の前記凹部又は複数の前
記凸部に対応するパターンと前記開口部に対応するパターンとを有する露光マスクを用い
て１回の露光処理が行われて、前記絶縁膜上に複数の前記凹部又は複数の前記凸部が形成
されるのと同時に前記開口部が形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９記載の電気光学装置の製造方法において、前記スイッチング素子
と前記絶縁膜との間及び前記突部材と前記絶縁膜との間に第２の絶縁膜を設ける工程と、
前記突部材に平面的に重なる領域の前記第２の絶縁膜を除去する工程とをさらに有するこ
とを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８から請求項１０のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、前
記突部材を設ける工程では、透光性基板上に光透過率の異なる複数の領域を有する多階調
マスクを通して露光が行われて、前記突部材の側面部に段部が形成されることを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気
光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用い
て構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、当該電子機器
に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶表示装置等といった電
気光学装置が広く用いられている。この電気光学装置においては、液晶等といった電気光
学物質に印加する電圧を画素ごとに制御することによって表示が行われる。電気光学物質
に印加する電圧を画素ごとに制御する手法として、複数の画素の個々にスイッチング素子
、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を付
設する方法が従来から知られている。
【０００３】
上記のようにスイッチング素子を用いた電気光学装置では、そのスイッチング素子の上
に絶縁膜を設け、その絶縁膜の適所に開口部としてのコンタクトホールを設け、その絶縁
膜の上に電極を形成し、その電極とスイッチング素子とをコンタクトホールを通して互い
に導電接続するという構造が従来から知られている（例えば、特許文献１参照）。この電
気光学装置では、コンタクトホールの底部において電極とスイッチング素子から延びる導
電膜とが接触することにより、電極とスイッチング素子とが導電接続されている。また、
この電気光学装置では、絶縁膜の表面に、複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パター
ンが設けられている。そしてこれらの凹部及び凸部とコンタクトホールとは、それぞれが
個別の工程において形成されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１５６７６６号公報（第６〜７頁、図１及び図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に開示された従来の電気光学装置では、スイッチング素子から延
びる導電膜が当該スイッチング素子と同じ平面内に形成されている。従って、コンタクト
ホールは、絶縁膜上の電極とスイッチング素子から延びる導電膜とを接触させるために深
く形成されている。そのため、絶縁膜の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫
酸化物）等といった金属酸化物によって電極を形成する際、コンタクトホールの壁面の所
でＩＴＯが破断するおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、スイッチング素子と電極とを
導電接続するための開口部において、電極が破断することを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置は、基板と、該基板上に設けられ電極を備えたスイッチング
素子と、前記電極から延在した接続用導電膜と、前記基板上に設けられて前記スイッチン
グ素子及び前記接続用導電膜を覆う絶縁膜と、前記接続用導電膜上の前記絶縁膜に開口さ
れた開口部と、前記絶縁膜上に設けられ前記開口部を介して前記接続用導電膜に電気的に
接続された画素電極と、前記基板と前記絶縁膜の間であって前記開口部に平面的に重なる
位置に設けられた突部材とを有することを特徴とする。
【０００８】
上記構成の電気光学装置において、スイッチング素子としては、ＴＦＴ素子（薄膜トラ
ンジスタ）といった３端子型のスイッチング素子や、ＴＦＤ素子（薄膜ダイオード）とい
った２端子型のスイッチング素子等を用いることができる。また、接続用導電膜は、スイ
ッチング素子と画素電極とを接触させるために、スイッチング素子の電極から外部方向へ
延びる導電膜である。この接続用導電膜は、スイッチング素子を形成する際に、当該スイ
ッチング素子の電極と同時に形成することができる。また、接続用導電膜は、スイッチン
グ素子の電極と別工程で形成することもできる。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、基板と絶縁膜の間であって導電接続用の開口部に
平面的に重なる位置に突部材を設けたので、開口部の深さを突部材の高さ分だけ浅くでき
る。これにより、絶縁膜上に設けられると共に開口部に流れ込んだ後に接続用導電膜に接
続する電極が、その開口部の壁の所で破断することを防止できる。
【００１０】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記突部材の頂面の前記基板表面からの高
さをｈ１とし、前記開口部の前記絶縁膜の頂面からの深さをｈ２としたとき、
ｈ１＞ｈ２
であることが望ましい。こうすれば、開口部に流れ込んだ後に接続用導電膜に接続する電
極が、その開口部の壁の所で破断することをより確実に防止できる。
【００１１】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記絶縁膜の表面には複数の凹部又は複数
の凸部が設けられ、前記開口部の前記絶縁膜の頂面からの深さをｈ２とし、前記凹部の深
さ又は前記凸部の高さをｈ３としたとき、
ｈ２＞ｈ３
であることが望ましい。この構成の電気光学装置において、複数の凹部又は複数の凸部は
、絶縁膜の表面に凹凸パターンを形成するものである。この凹凸パターンは、一般に、反
射型の表示を行う表示領域を備えた電気光学装置に設けられている。このような電気光学
装置では、凹凸パターンが形成された絶縁膜の表面に、例えばＡｌ（アルミニウム）等と
いった金属から成る光反射膜を設け、その光反射膜で反射した光を用いて表示が行われる
。凹凸パターンは、主に絶縁膜上に設けられた光反射膜に凹凸形状を付与するためのもの
である。
【００１２】
仮に、凹部の深さ又は凸部の高さｈ３と、絶縁膜の頂面からの開口部の深さｈ２との関
係をｈ２＜ｈ３とすると、突部材が設けられた部分の絶縁膜が突部材の影響により、その
絶縁膜の他の部分の表面から突出してしまうことがある。こうなると、そのように絶縁膜
が突出した部分において、例えば配向不良等といった障害が発生するおそれがある。
【００１３】
本発明態様の電気光学装置によれば、凹部の深さ又は凸部の高さｈ３と絶縁膜の頂面か
らの開口部の深さｈ２との関係を
ｈ２＞ｈ３
に設定したことにより、突部材が設けられた部分の絶縁膜の表面が絶縁膜のその他の部分
よりも突出することがなくなるので、安定した動作の表示を行うことができる。
【００１４】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記突部材の側面には段部が設けられてい
ることが望ましい。この「段部」は、突部材の側面が基板の表面に対して鉛直方向に延び
ているところの途中の一部分に、基板の表面に対して平行に延びるか又は傾斜状態で延び
る棚部分を設けることである。このように突部材の側面部に段部を設ければ、スイッチン
グ素子から延びて当該突部材上に設けられた導電膜が、その突部材の側面の所で破断する
ことをその段部の働きによって防止できる。
【００１５】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記突部材は感光性の樹脂を用いて形成さ
れることが望ましい。感光性の樹脂は、一般に、絶縁性を有する材料である。従って、こ
の感光性の樹脂を用いて突部材を形成すれば、突部材上の導電膜と基板上に設けられる他
の導電部材とが短絡することを防止できる。また、感光性の樹脂は、例えば、スイッチン
グ素子を覆う絶縁膜としても用いられる材料である。それ故、突部材を感光性の樹脂によ
って形成することにすれば、その突部材は既存の材料を用いて形成できることになるので
、新たな材料や設備を用いることなく容易に設けることができる。
【００１６】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記スイッチング素子はＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）素子であって、前記スイッチング素子が備えた前記電極は前記接続用導電膜と
同一材料で一体的に形成された前記薄膜トランジスタのドレイン電極であることが望まし
い。ドレイン電極は、ＴＦＴ素子を構成する電極の一つであり、ＴＦＴ素子と画素電極と
を電気的に接続する電極として機能する。そして、接続用導電膜はこのドレイン電極から
延在する。この構成において、ドレイン電極と接続用導電膜とを同一材料で一体的に形成
すれば、電気光学装置を製造する際の工程を減らすことができ、製造コストを低減できる
。
【００１７】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記スイッチング素子は第１電極と絶縁膜
と第２電極の積層構造からなるＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子であって、前記スイッチン
グ素子が備えた前記電極は前記接続用導電膜と同一材料で一体的に形成された前記第２電
極であることが望ましい。第２電極は、ＴＦＤ素子を構成する電極の一つであり、ＴＦＤ
素子と画素電極とを電気的に接続する電極として機能する。そして、接続用導電膜はこの
第２電極から延在する。この構成において、第２電極と接続用導電膜とを同一材料で一体
的に形成すれば、電気光学装置を製造する際の工程を減らすことができ、製造コストを低
減できる。
【００１８】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、例えば図１２に示すように、基板上に
スイッチング素子を設ける工程（Ｐ１０１）と、前記基板上に突部材を設ける工程（Ｐ１
０２）と、前記スイッチング素子の電極に接続する接続用導電膜を前記突部材上に設ける
工程（Ｐ１０３）と、前記基板上に前記スイッチング素子及び前記突部材を覆う絶縁膜を
設ける工程（Ｐ１０４）と、前記絶縁膜のうちの前記突部材に平面的に重なる領域に開口
部を設ける工程（Ｐ１０５）と、前記絶縁膜上に画素電極を設ける工程（Ｐ１０７）と、
を有することを特徴とする。
【００１９】
この電気光学装置の製造方法によれば、図１２の工程Ｐ１０２において基板上に設けら
れた突部材に平面的に重なる領域に、工程Ｐ１０５において開口部を設けるので、開口部
の深さを絶縁膜の膜厚より浅く形成できる。このように、深さが浅い開口部を絶縁膜内に
設ければ、画素電極を設ける工程Ｐ１０７において、絶縁膜上に画素電極の材料を供給し
たとき、開口部に流れ込んだ電極の材料が、開口部の壁の所で破断することなく、突部材
上の接続用導電膜に接続できる。
【００２０】
なお、接続用導電膜を設ける工程Ｐ１０３は、スイッチング素子を設ける工程Ｐ１０１
と別工程とすることもできるし、工程Ｐ１０１においてスイッチング素子の電極を形成す
るときに同時に実施することもできる。また、実際に電気光学装置を製造するときには、
工程Ｐ１０５において開口部を形成した後に、光反射膜を形成する工程Ｐ１０６を実施す
ることもできる。また、工程Ｐ１０７において画素電極を形成した後に、配向膜を形成す
る工程Ｐ１０８を実施することもできる。
【００２１】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記絶縁膜の表面には複数の凹
部又は複数の凸部が設けられ、前記開口部を形成する工程では、複数の前記凹部又は複数
の前記凸部に対応するパターンと前記開口部に対応するパターンとを有する露光マスクを
用いて１回の露光処理が行われて、前記絶縁膜上に複数の前記凹部又は複数の前記凸部が
形成されるのと同時に前記開口部が形成されることが望ましい。
【００２２】
従来の電気光学装置では、絶縁膜上の凹部又は凸部と、絶縁膜内の開口部とを別の工程
において形成することが行われている場合がある。この場合には、製造工程が複雑になり
、製造コストが増える傾向にある。これに対し、本発明態様では、絶縁膜の表面に複数の
凹部又は複数の凸部を設けることと、絶縁膜内に開口部を設けることとを、同時に行うこ
とにした。その結果、製造工程を簡略化でき、製造コストを低減できる。
【００２３】
また、従来の構成の電気光学装置では、スイッチング素子の電極に接続する接続用導電
膜が当該スイッチング素子と同じ平面内に形成されていることが多い。従って、開口部は
、絶縁膜上の画素電極と接続用導電膜とを接触させるために深く形成されていることが多
い。このような構成の電気光学装置において、絶縁膜上の凹部又は凸部と、絶縁膜内の開
口部とを同時に形成することを考えた場合には以下の問題が生じるおそれがある。
【００２４】
従来から、絶縁膜上の凹部又は凸部と絶縁膜内の開口部とを同時に形成する場合には、
例えば、露光機の解像度の限界よりも微細な露光パターンを備えた露光マスク、いわゆる
グレートーンマスクを用いてフォトリソグラフィ処理によってそれらの凹部又は凸部及び
開口部を形成することが行われている。このグレートーンマスクを用いた方法では、複数
の凹部又は複数の凸部に対応するパターンを露光機の解像度の限界よりも微細なパターン
とし、開口部に対応するパターンを通常のパターン（すなわち、露光機の解像度よりも広
いパターン）とすることにより、凹部又は凸部と開口部とを一度の露光処理で同時に形成
できる。
【００２５】
しかしながら、従来の構成の電気光学装置では、画素電極と接続用導電膜とを確実に接
触させるために、開口部を深く形成する必要があった。従って、露光処理において開口部
の深さに応じて露光量を多くする必要があった。露光量を多くすると、凹部又は凸部に対
応する部分に対しても露光量が多くなるので、凹部の深さが深くなるか又は凸部の高さが
高くなる傾向にあった。それ故、凹部の深さ又は凸部の高さを所望の深さや高さに調節す
ることが難しかった。具体的には、凹部の深さを浅くするか又は凸部の高さを低くするこ
とが難しかった。
【００２６】
本発明態様の電気光学装置によれば、開口部を形成する工程において、突部材に平面的
に重なる位置に浅い開口部を形成するので、当該開口部を少ない露光量で確実に形成でき
る。その結果、露光処理において、複数の凹部又は複数の凸部に対応する部分に対する露
光量を少なくすることができるので、凹部の深さ又は凸部の高さを所望の深さや高さに調
節することが容易になった。具体的には、凹部の深さを浅くするか又は凸部の高さを低く
することが容易になった。
【００２７】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記スイッチング素子と前記絶
縁膜との間及び前記突部材と前記絶縁膜との間に第２の絶縁膜を設ける工程と、前記突部
材に平面的に重なる領域の前記第２の絶縁膜を除去する工程とをさらに有することが望ま
しい。この構成は、主にスイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いた場合に適用される。
スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いる場合、一般に、ＴＦＴ素子と絶縁膜との間及
び接続用導電膜と絶縁膜との間に、例えば窒化膜（ＳｉＮ）等から成る第２の絶縁膜が設
けられる。すなわち、第２の絶縁膜は突部材上に設けられた接続用導電膜上にも設けられ
る。本発明態様の電気光学装置によれば、突部材に平面的に重なる領域の第２絶縁膜を除
去することにより、突部材上において、画素電極と接続用導電膜とが確実に接続できる。
【００２８】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記突部材を設ける工程では、
透光性基板上に光透過率の異なる複数の領域を有する多階調マスクを通して露光が行われ
て、前記突部材の側面部に段部が形成されることが望ましい。こうすれば、突部材の側面
部に段部を正確に形成できる。このように突部材の側面部に段部を設ければ、スイッチン
グ素子から延びて突部材上に設けられた接続用導電膜が、その突部材の側面の所で破断す
ることをその段部の働きによって防止できる。
【００２９】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特
徴とする。本発明に係る電気光学装置は、基板と絶縁膜の間であって開口部に平面的に重
なる位置に突部材を設けることにより開口部の深さを浅くできる。その結果、絶縁膜上に
設けられると共に開口部に流れ込んだ後に接続用導電膜に接続する電極が、その開口部の
壁の所で破断することを防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、電極が
破断することを防止し、高い信頼性を有する電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、電気光学装置装置の一例として、半透過反射型でＴＦＴ（Thin Film Transistor
）駆動方式でカラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発
明の実施形態を説明する。また、本実施形態では、ＴＦＴ素子としてチャネルエッチ型で
シングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置に本発明を
適用する。また、本実施形態では、液晶モードとしてＥＣＢ（Electrically Controlled 
Birefringence：電界制御複屈折モード）を採用した液晶表示装置に本発明を適用する。
なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で
用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異
なった比率で示す場合がある。
【００３１】
図１は、本発明に係る液晶表示装置の全体の側面断面構造を示している。また、図２は
、図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示している。また、図３は、図２の矢印Ａ
に従った平面構造を示している。また、図４は、図３のＺ２−Ｚ２線に従った断面図であ
り、主にＴＦＴ素子を示している。なお、図１は、図３のＺ３−Ｚ３線に従った断面構造
に相当している。
【００３２】
図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パ
ネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描か
れた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置
されてバックライトとして機能する。
【００３３】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互
いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成され
る素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板であ
る。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板８が配置され、観察側から見て背面に
素子基板７が配置される。
【００３４】
シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップ
Ｇを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口
を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入され
る。注入された液晶はセルギャップＧ内で電気光学物質の層としての液晶層１２を形成す
る。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法と
しては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続す
る環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴下する方法でもよい。なお、本実施
形態では、液晶として、正の誘電異方性を有するネマティック液晶を用いることができる
。
【００３５】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複
数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹
脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）
に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所
定の位置に柱状に形成することもできる。
【００３６】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを
有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用
いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工に
よって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対
向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、
必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必
要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００３７】
素子基板７は、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成された
第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａ
が貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を
付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ１で示
す部分の拡大図である図２にも示すように、ソース線１９が列方向Ｙ（すなわち、図２の
左右方向）に延びている。また、ゲート線２０が行方向Ｘ（すなわち、図２の紙面垂直方
向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦ
Ｔ素子２１がソース線１９及びゲート線２０に接続して形成されている。
【００３８】
それらのＴＦＴ素子２１、ソース線１９及びゲート線２０の上に、それらを覆う第２の
絶縁膜としての保護膜２２が形成され、その上に絶縁膜としての凹凸樹脂膜２３が形成さ
れ、その上に光反射膜２４が形成され、その上に画素電極２５が形成され、その上に配向
膜２６ａが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され
、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。なお、本実
施形態において、液晶分子の配向は、液晶に電界を印加していない状態で水平配向になる
ように設定されている。
【００３９】
本実施形態において、保護膜２２は、透光性と絶縁性を有する窒化膜（ＳｉＮ）を用い
て形成される。なお、この保護膜２２は二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２）を用いて形成するこ
ともできる。また、凹凸樹脂膜２３は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹
脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニ
ングすることによって形成されている。
【００４０】
光反射膜２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料を
フォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極
２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった金属酸化物
をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また、
配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されて
いる。
【００４１】
光反射膜２４及び画素電極２５は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板７上に行方向
Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２４及び画素
電極２５は、図３に示すように、各ソース線１９と各ゲート線２０とが交差する位置の近
傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子２１に接続されている。
【００４２】
図２において、凹凸樹脂膜２３には、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを電気的に接続
するための開口部として貫通穴であるコンタクトホール２７が形成されている。このコン
タクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子２１の素子本体部分に重な
らない位置であって、画素電極２５と重なる位置に形成される。また、図４において、第
１透光性基板７ａ上であって、コンタクトホール２７に対応する位置には、突部材２８が
設けられている。この突部材２８は、例えば感光性の樹脂を用いて形成できる。コンタク
トホール２７及び突部材２８に関しては後に詳しく説明する。
【００４３】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子２１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ
素子２１は、図４に示すように、ゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ（アモル
ファスシリコン）によって形成された半導体膜３３、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂ、ソー
ス電極３５、及びドレイン電極３６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子２１は、ボトムゲ
ート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されている
。
【００４４】
ＴＦＴ素子２１から少し離れて補助容量３７が設けられている。この補助容量３７は画
素電極２５に付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるものであ
る。この補助容量３７は、ゲート電極３１と同じ層内に同じ材料によって形成された第１
電極３１ａと、ゲート絶縁膜３２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１電極
３１ａを覆う絶縁膜３２ａと、ドレイン電極３６と同じ層内に形成されていて絶縁膜３２
ａを覆う第２電極３６ａとによって構成されている。図３に示すように、第１電極３１ａ
は、ゲート線２０に平行で、ソース線１９に交差して延びている。また、第２電極３６ａ
は面積の広い長方形状に形成されている。
【００４５】
図４において、ドレイン電極３６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜３４ｂを介して半導体膜
３３に接続し、その他端が補助容量３７の第２電極３６ａとなる所まで延びている。また
、ドレイン電極３６はコンタクトホール２７を介して画素電極２５に電気的に接続し、ソ
ース電極３５は、図３に示すように、ソース線１９から分岐して形成されている。ゲート
電極３１は、ソース線１９と直角方向に延びるゲート線２０から分岐して延びている。
【００４６】
図４において、画素電極２５の下に保護膜２２と凹凸樹脂膜２３とから成る層間絶縁膜
を設けることにより、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層は別々の層に分けられてい
る。これにより、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、素
子基板７の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層と
を別層とすることにより、画素電極２５の面積、すなわち画素面積をＴＦＴ素子２１によ
って阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶表示装置において鮮明な
表示を行うことができる。
【００４７】
次に、突部材２８上には、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを電気的に接続するための
接続用導電膜３６ｂが設けられている。この接続用導電膜３６ｂは、例えば、Ｃｒ（クロ
ム）やＡｌ等といった導電性の金属を用いて形成されている。接続用導電膜３６ｂは、一
部が凹凸樹脂膜２３上に設けられた画素電極２５と突部材２８上で接触し、端部がＴＦＴ
素子２１のドレイン電極３６となっている。本実施形態において、接続用導電膜３６ｂは
、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極３６及び補助容量３７の第２電極３６ａと同じ層内に同
時に形成されている。接続用導電膜３６ｂは、図４においてドレイン電極３６から第２電
極３６ａまでの導電膜のうちの、少なくともＮ＋−Ｓｉ膜３４ｂを越えた位置から突部材
２８の頂面２８ｂを越えた位置までの間の部分である。本実施形態では接続用導電膜３６
ｂをドレイン電極３６と同一材料を用いて同一工程で形成するので、製造工程を減らすこ
とができる。なお、接続用導電膜３６ｂは、ドレイン電極３６と同一材料又は別材料によ
って互いに異なる工程で別々に形成することもできる。
【００４８】
本実施形態においては、画素電極２５の下に保護膜２２と凹凸樹脂膜２３とから成る層
間絶縁膜を設けることにより、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層は別々の層に分け
られている。これにより、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを同じ層に形成する構造に比
べて、素子基板７の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２
１の層とを別層とすることにより、画素電極２５の面積、すなわち画素面積をＴＦＴ素子
２１によって阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶表示装置におい
て鮮明な表示を行うことができる。
【００４９】
次に、図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から
見て長方形又は正方形の第２基板としての第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透
光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される
。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが貼り付けられている。必要に応
じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。な
お、本実施形態においては、偏光板１８ａと１８ｂとをクロスニコル配置としている。そ
して、液晶表示装置の表示モードは、ノーマリホワイトモード、すなわち電圧無印加時に
白表示になり、電圧印加時には黒表示になる表示モードに設定されている。
【００５０】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図２にも示すように、カラーフィルタを構成する
着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の
上にオーバーコート膜４３が形成され、その上に共通電極４４が形成され、その上に配向
膜２６ｂが形成されている。オーバーコート膜４３は、カラーフィルタを保護する保護膜
として機能する。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することに
よって形成される。
【００５１】
個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状（すなわち、島状
）に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方
向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に
形成されている。
【００５２】
着色膜４１の個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に設
定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストラ
イプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜４１の光学的特性はＲ，
Ｇ，Ｂの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を
通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、異なる色の着色膜４１を重ねたり、
あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。
【００５３】
図１において、共通電極４４は、カラーフィルタ基板８の表面の全面に設けられている
。一方、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２５は矢印Ａ方向から平面的に見て行
方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２５とカラー
フィルタ基板８上に設けられた共通電極４４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のド
ット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のためのサブ画素Ｄを
形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶ
ことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の有効表示領域Ｖが形成され、こ
の有効表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５４】
本実施形態のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う
場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによ
って１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は
、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。
【００５５】
図２において、光反射膜２４は、例えばフォトエッチング処理によって形成される。こ
の光反射膜２４はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには
設けられていない。領域Ｔは図３に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域であ
る。一方、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の領域Ｔ以外の領域であり、本実施形態では領域Ｔを囲
む領域である。
【００５６】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２４が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射
膜２４が存在しない領域が透過表示領域Ｔである。図２において矢印Ａで示す観察側から
入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射する。一方、図１の照
明装置３の導光体１４から出射した図２の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００５７】
凹凸樹脂膜２３の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分に
は、複数の凹部２９及び複数の凸部３０が矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成さ
れることにより凹凸パターンが形成されている。光反射膜２４は、そのような凹凸パター
ンが形成されている凹凸樹脂膜２３の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ
凹凸パターンの形状を有している。このように光反射膜２４に凹凸パターンを形成するこ
とにより、光反射膜２４で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切
な指向性を持った光とすることができる。
【００５８】
カラーフィルタ基板８上のオーバーコート膜４３は反射表示領域Ｒに対応して設けられ
ており、透過表示領域Ｔに対応する領域には設けられていない。このため、反射表示領域
Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くな
っている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。液晶層１２の層厚の調整は、反射表
示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で
光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーシ
ョン（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われる。但し、“Δｎ”は屈折率
異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００５９】
次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板
８の外側へ張り出す張出し部４５を有している。この張出し部４５の表面には、配線４６
がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４６は矢印Ａ方向から見て複数
本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられ
ている。また、張出し部４５の辺端には複数の外部接続用端子４７が紙面垂直方向に沿っ
て互いに間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７が設けら
れた張出し部４５の辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。
【００６０】
複数の配線４６は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成
されている。これらの配線４６の一部は、素子基板７上のソース線１９（図２参照）に直
接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材６
によって囲まれた領域内で素子基板７の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さ
らに折れ曲って行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線４
６は、素子基板７上のゲート線２０（図２参照）に直接に繋がって走査線として機能する
。
【００６１】
張出し部４５の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４
９を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５０が実装されている。
駆動用ＩＣ５０は、ソース線１９へデータ信号を伝送し、ゲート線２０へ走査信号を伝送
する。駆動用ＩＣ５０は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣ
チップで形成しても良い。駆動用ＩＣ５０を複数のＩＣチップによって構成する場合には
、それらのＩＣチップは張出し部４５上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。
【００６２】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、液晶表示装置１が明るい室外や明る
い室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行わ
れる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバッ
クライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６３】
上記反射型表示を行う場合、図２において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィ
ルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子
基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１２へ
供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し
、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出
射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ１で示すように透
過表示領域Ｔにおいて光反射膜２４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００６４】
以上のように液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７の画素電極２５とカラーフィ
ルタ基板８の共通電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所
定の電圧が印加され、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御される。こ
の結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が
、カラーフィルタ基板８の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂ
の偏光特性によりサブ画素Ｄごとに通過を規制され、素子基板７の表面に文字、数字、図
形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６５】
以下、素子基板７上に設けられるコンタクトホール２７及び突部材２８について詳しく
説明する。図２において、凹凸樹脂膜２３の内部であって個々のＴＦＴ素子２１の近傍位
置にコンタクトホール２７が設けられている。そして、突部材２８は、図４に示すように
、このコンタクトホール２７に平面的に重なる位置であって第１透光性基板７の上に設け
られている。
【００６６】
この突部材２８は、感光性の樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いて、
例えばフォトリソグラフィ処理によって形成されている。この突部材２８の側面部には、
凹凸樹脂膜２３の厚み方向（すなわち、図４の上下方向）の途中の位置に段部２８ａが複
数、本実施形態では２つ設けられている。これらの段部２８ａは、それぞれ基板７ａの表
面に対して平行な面となっている。突部材２８の側面に段部２８ａが設けられることによ
り、当該突部材２８の側面部の断面は階段形状を有している。
【００６７】
接続用導電膜３６ｂは突部材２８に載った状態で設けられており、この突部材２８の頂
面２８ｂにおいて、接続用導電膜３６ｂと画素電極２５とが接触している。なお、ＴＦＴ
素子２１、突部材２８及び補助容量３７上には、それらを覆う保護膜２２が設けられてい
る。しかしながら、突部材２８の頂面２８ｂにおいては、保護膜２２が除去されているの
で、画素電極２５と接続用導電膜３６ｂとがその頂面２８ｂにおいて電気的に接続するこ
とができる。
【００６８】
コンタクトホール２７、突部材２８、凹部２９及び凸部３０のそれぞれの寸法は、以下
の関係に設定されている。まず、図４において、第１透光性基板７ａの表面から突部材２
８の頂面２８ｂまでの高さ（以下、突部材２８の高さという）をｈ１とし、凹凸樹脂膜２
３の頂面２３ｂからのコンタクトホール２７の深さ（以下、コンタクトホール２７の深さ
という）をｈ２としたとき、これらの突部材２８の高さｈ１とコンタクトホール２７の深
さｈ２との関係は、
ｈ１＞ｈ２
に設定されている。なお、本実施形態において、突部材２８の頂面２８ｂ上には接続用導
電膜３６ｂが載っているのであるが、この接続用導電膜３６ｂは突部材２８の高さｈ１と
比べて非常に薄い膜である。そのため、凹凸樹脂膜２３内におけるコンタクトホール２７
の深さｈ２を考慮する際には、主に突部材２８の高さｈ１を考慮すればよく、接続用導電
膜３６ｂの厚さは無視できる。
【００６９】
次に、凹部２９の深さ又は凸部３０の高さをｈ３としたとき、コンタクトホール２７の
深さｈ２と凹部２９の深さｈ３との関係、又はコンタクトホール２７の深さｈ２と凸部の
高さとの関係は、
ｈ２＞ｈ３
に設定されている。
【００７０】
ところで、従来の液晶表示装置においては、スイッチング素子から延びる接続用導電膜
が当該スイッチング素子と同じ平面内に形成されている。従って、コンタクトホールは、
絶縁膜上の電極とスイッチング素子から延びる導電膜とを接触させるために深く形成され
ている。そのため、絶縁膜の表面にＩＴＯ等といった金属酸化物を用いて画素電極を形成
する際、コンタクトホールの壁面の所でそのＩＴＯが破断するおそれがある。
【００７１】
これに対して、本実施形態に係る液晶表示装置は、図４において、第１透光性基板７ａ
と凹凸樹脂膜２３の間であってコンタクトホール２７に平面的に重なる位置に突部材２８
を設けている。この突部材２８を設けることにより、コンタクトホール２８の深さｈ２を
従来の液晶表示装置に比べて浅くできる。具体的には、第１透光性基板７ａの表面から突
部材２８の頂面２８ｂまでの高さｈ１と、凹凸樹脂膜２３の頂面２３ｂからのコンタクト
ホール２７の深さｈ２との関係を、
ｈ１＞ｈ２
に設定している。
【００７２】
このように、コンタクトホール２７の深さｈ２を浅くすることにより、凹凸樹脂膜２３
上に設けられると共にコンタクトホール２７に流れ込んだ後に接続用導電膜３６ｂに接続
する画素電極２５が、そのコンタクトホール２７の壁２７ａの所で破断することを防止で
きる。
【００７３】
なお、突部材２８においては、その突部材２８上に設けられた接続用導電膜３６ｂが、
突部材２８の形状に応じて曲がった形状に形成されている。この場合、接続用導電膜３６
ｂは、平坦な面に形成される場合に比べて破断し易くなるのであるが、本実施形態では、
突部材２８の側面部に複数の段部２８ａを設けているので、接続用導電膜３６ｂが破断す
る可能性を極めて低くすることができる。すなわち、本実施形態の液晶表示装置では、画
素電極２５が破断することを防止しつつ、接続用導電膜３６ｂの破断も防止できるので、
液晶表示装置内部の接続信頼性を向上することができる。
【００７４】
（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置としての液晶表示装置の他の実施形態を説明する。こ
の実施形態に係る液晶表示装置の全体的な構成は図１に示した液晶表示装置１と略同じで
ある。本実施形態では、図４に示す突部材２８に代えて異なる形状の突部材が設けられて
いる。図５は、本実施形態に係る図１の液晶表示装置１の要部を示す断面図である。なお
、図５に示す本実施形態は図１に示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ
構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。
【００７５】
本実施形態で用いる突部材は、図５に符号５８で示すように、コンタクトホール２７に
平面的に重なる位置であって第１透光性基板７の表面上に設けられている。この突部材５
８は、感光性の樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いて、例えばフォトリ
ソグラフィ処理によって形成されている。この突部材５８は、基板７ａから直立して図５
の上下方向に延びる柱形状に形成されている。そして、その突部材５８の頂面５８ｂの第
１透光性基板７ａの表面からの高さ（以下、突部材５８の高さという）ｈ１を、図４に示
した先の実施形態における突部材２８の高さｈ１に比べて高く設定している。
【００７６】
なお、図５に示す本実施形態においても、突部材５８の高さｈ１とコンタクトホール２
７の深さｈ２との関係は、図４で示した第１実施形態と同じく、
ｈ１＞ｈ２
に設定されている。また、本実施形態において、突部材５８の頂面５８ｂには接続用導電
膜３６ｂが積層され、この接続用導電膜３６ｂがコンタクトホール２７の底面において画
素電極２５と接触している。
【００７７】
次に、コンタクトホール２７の深さｈ２と凹部２９の深さｈ３との関係、又はコンタク
トホール２７の深さｈ２と凸部の高さとの関係は、
ｈ２＝ｈ３
に設定されている。すなわち、凹部２９の底面２９ａとコンタクトホール２７の底面２７
ｂとは、図５の上下方向の位置が同じ位置に形成されている。すなわち、突部材５８の高
さｈ１は、当該突部材５８の上に接続用導電膜３６ｂが積層された状態において、凹凸樹
脂膜２３の膜厚と略同じ高さに形成されている。
【００７８】
本実施形態の液晶表示装置では、突部材５８の高さｈ１を凹凸樹脂膜２３の膜厚と略同
じ高さに形成しているので、コンタクトホール２７の深さｈ２を浅く形成できる。このコ
ンタクトホール２７の深さｈ２は、従来の液晶表示装置におけるコンタクトホールの深さ
に比べて浅く形成した図４に示す第１実施形態におけるコンタクトホール２７の深さｈ２
よりも、さらに浅く形成されている。これにより、図５において、凹凸樹脂膜２３上に設
けられると共にコンタクトホール２７に流れ込んだ後に接続用導電膜３６ｂに接続する画
素電極２５が、そのコンタクトホール２７の壁２７ａの所で破断することをより確実に防
止できる。
【００７９】
（電気光学装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置としての液晶表示装置のさらに他の実施形態を説明す
る。図４の第１実施形態及び図５の第２実施形態では、スイッチング素子としてＴＦＴ素
子２１を用いた液晶表示装置１に本発明を適用した。これに対し、本実施形態は、スイッ
チング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダ
イオード）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用する。
【００８０】
図６は、本実施形態に係る液晶表示装置の要部を示す断面図であり、先の第１実施形態
において図４に対応する部分を示している。液晶表示装置の全体的な構成は、液晶パネル
の内部構造を除いて、図１に示した液晶表示装置と略同じである。図６に示す本実施形態
は図４に示した先の実施形態と同じ構成要素を示しており、同じ構成要素は同じ符号を付
して示すことにして、その説明は省略する。
【００８１】
図６において、第１透光性基板７ａ上には、データ線５９が列方向Ｙ（すなわち、図６
の紙面垂直方向）に延びて形成されている。そして、スイッチング素子として機能するＴ
ＦＤ素子６１がデータ線５９に接続して形成されている。図６では図示しないが、データ
線５９は、基板７ａ上に複数本が行方向Ｘ（すなわち、図６の左右方向）に間隔を空けて
互いに平行に設けられている。また、ＴＦＤ素子６１は複数個が各データ線に沿って等間
隔に設けられている。
【００８２】
また、基板７ａ上には、突部材２８が設けられている。この突部材２８は、感光性の樹
脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いて、例えばフォトリソグラフィ処理に
よって形成されている。この突部材２８の側面部には、凹凸樹脂膜２３の厚み方向（すな
わち、図６の上下方向）の途中の位置に段部２８ａが複数、本実施形態では２つ設けられ
ている。これらの段部２８ａは、それぞれ基板７ａの表面に対して平行な面となっている
。突部材２８の側面に段部２８ａが設けられることにより、当該突部材２８の側面部の断
面は階段形状を有している。
【００８３】
それらのＴＦＤ素子６１、データ線５９及び突部材２８の上に、それらを覆う絶縁膜と
しての凹凸樹脂膜２３が形成され、その上に光反射膜２４が形成され、その上に画素電極
２５が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。
【００８４】
突部材２８と凹凸樹脂膜２３の間には、接続用導電膜３６ｂが突部材２８に載った状態
で設けられている。また、突部材２８に対応する位置の凹凸樹脂膜２３には、画素電極２
５とＴＦＤ素子６１とを電気的に接続するための開口部としてのコンタクトホール２７が
形成されている。このコンタクトホール２７を介して、画素電極２５と突部材２８上の接
続用導電膜３６ｂとが接続される。
【００８５】
ＴＦＤ素子６１は、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素６５ａ及び６５
ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素６５ａは、第１電極としての第１素子電極
６２、絶縁膜６３、そして第２電極としての第２素子電極６４ａをその順で重ねることに
よって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素６５ｂは、第１素子電極６２、絶縁膜６
３、そして第２電極としての第２素子電極６４ｂをその順で重ねることによって形成され
ている。第１素子電極６２は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成され
る。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができ
る。絶縁膜６３は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極６４ａ，６
４ｂは、例えばＣｒ、モリブデン・タングステン（ＭｏＷ）合金によって形成される。
【００８６】
第１ＴＦＤ要素６５ａ内の第２素子電極６４ａはデータ線５９から延びている。また、
第２ＴＦＤ要素６５ｂ内の第２素子電極６４ｂ及び接続用導電膜３６ｂを構成する導電膜
は、その一端が第１素子電極６２に平面的に重なる位置の絶縁膜６３に接続し、その他端
が突部材２８上まで延びて、当該突部材２８に載った状態に形成されている。第２素子電
極６４ｂは絶縁膜６３に接続された部分である。他方、接続用導電膜３６ｂは、絶縁膜６
３を越えた位置から突部材２８の頂面２８ｂを越えた位置までの間の部分である。
【００８７】
本実施形態において、第２素子電極６４ｂと接続用導電膜３６ｂとは同一材料で一体的
に形成されている。そして、接続用導電膜３６ｂが突部材２８上においてコンタクトホー
ル２７を介して画素電極と接続されている。すなわち、第２素子電極６４ｂと画素電極２
５とが接続用導電膜３６ｂを介して電気的に接続されている。
【００８８】
データ線５９から画素電極２５へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素
６５ａと第２ＴＦＤ要素６５ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続さ
れることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれること
がある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが
、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００８９】
なお、図示はしないが、基板７ａに対向する基板上には、カラーフィルタを構成する着
色膜が形成され、その周囲に遮光膜が形成され、着色膜及び遮光膜の上にオーバーコート
膜が形成されている。そして、オーバーコート膜の上には、基板７ａ上において行方向Ｘ
に並べられた複数の画素電極２５の列に平面的に重なる位置に、行方向Ｘに延びる帯状電
極が形成されている。そして、その上に配向膜が形成されている。
【００９０】
本実施形態おいても、第１透光性基板７ａと凹凸樹脂膜２３の間であってコンタクトホ
ール２７に平面的に重なる位置に突部材２８を設けているので、コンタクトホール２７の
深さｈ２を従来の液晶表示装置に比べて浅くできる。具体的には、第１透光性基板７ａの
表面から突部材２８の頂面２８ｂまでの高さｈ１と、凹凸樹脂膜２３の頂面２３ｂからの
コンタクトホール２７の深さｈ２との関係を、
ｈ１＞ｈ２
に設定している。
【００９１】
このように、コンタクトホール２７の深さｈ２を浅くすることにより、凹凸樹脂膜２３
上に設けられると共にコンタクトホール２７に流れ込んだ後に接続用導電膜３６ｂに接続
する画素電極２５が、そのコンタクトホール２７の壁２７ａの所で破断することを防止で
きる。
【００９２】
なお、突部材２８においては、その突部材２８上に設けられた接続用導電膜３６ｂが、
突部材２８の側面形状に応じて曲がった形状に形成されている。この場合、接続用導電膜
３６ｂは、平坦な側面上に形成される場合に比べて破断し易くなるのであるが、本実施形
態では、突部材２８の側面部に複数の段部２８ａを設けているので、接続用導電膜３６ｂ
が破断する可能性を極めて低くすることができる。すなわち、本実施形態の液晶表示装置
では、画素電極２５が破断することを防止しつつ、接続用導電膜３６ｂの破断も防止でき
るので、液晶表示装置内部の接続信頼性を向上することができる。
【００９３】
また、本実施形態では、第２素子電極６４ｂと接続用導電膜３６ｂとを同一材料で一体
的に形成している。これにより、第２素子電極６４ｂと接続用導電膜３６ｂとを同時に製
造することができるので液晶表示装置の製造工程を減らすことができる。
【００９４】
（電気光学装置のその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定さ
れるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、図５に示す第２実施形態では、突部材５８を柱状に形成しているが、この突部
材５８の形状は、図４に示した第１実施形態における突部材２８と同じく、側面部に段部
を有する形状としても良い。
【００９５】
また、上記の各実施形態では、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子で
あるＴＦＴ素子であってチャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコン
ＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置に本発明を適用した。しかしながら本発明は、他の構造
のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。また、本発明
は、アモルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ
素子や、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置にも適用できる。
【００９６】
また、上記の各実施形態では、ＥＣＢ方式の液晶モードを採用した液晶表示装置に本発
明を適用したものであるが、本発明は、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード
や、ＶＡ（Vertically Aligned：垂直配向）モード等の液晶モードを採用した液晶表示装
置にも適用できる。
【００９７】
（電気光学装置の製造方法の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法について、図１〜図４に示した液晶表示装
置（すなわち、側面が階段状である突部材２８を用いた液晶表示装置）を製造する場合を
例に挙げて説明する。なお、本実施形態では、液晶表示装置を１つずつ作製するのではな
く、面積の大きな透光性基板を用いて複数の液晶表示装置を同時に作製するものとする。
【００９８】
このような製造方法においては、図１に示す素子基板７及びカラーフィルタ基板８を１
つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形成できる大き
さの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素を同時に形
成してマザー素子基板を形成する。一方、カラーフィルタ基板８に関しては、複数のカラ
ーフィルタ基板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板
の上にカラーフィルタ基板の複数個分の要素を同時に形成してマザーカラーフィルタ基板
を形成する。
【００９９】
そして、それらのマザー素子基板とマザーカラーフィルタ基板とを貼り合わせることに
より、液晶パネル２（図１で液晶層１２を持たない状態のもの）を縦及び横に複数列含む
大きさの大面積のパネル構造体を作製する。次に、その大面積のパネル構造体に対して１
回目の切断処理（いわゆる、１次ブレイク）を行う。この１次ブレイクでは、大面積のパ
ネル構造体を縦方向又は横方向に切断して複数の液晶パネル２が１列状態で含まれる中面
積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を作製する。この短冊状のパネル構造
体に関しては、それに含まれる複数の液晶パネル２内のシール材６（図１参照）に設けら
れた液晶注入口が短冊状のパネル構造体の１つの側面において外部へ開放する。
【０１００】
次に、外部へ開放している液晶注入口を通して各液晶パネル２の内部へ液晶を注入して
液晶層１２（図１参照）を形成し、その後、液晶注入口を樹脂で塞いだ上で、短冊状のパ
ネル構造体に対して２回目の切断処理（いわゆる、２次ブレイク）を行う。この２次ブレ
イクにより、短冊状のパネル構造体から個々の液晶パネル２が切り出される。そしてその
後、図１に示すように液晶パネル２に対して、偏光板１８ａ，１８ｂが貼り着けられたり
、駆動用ＩＣ５０が実装されたり、ＦＰＣ基板が接続されたりして、液晶表示装置１が完
成する。
【０１０１】
本実施形態の電気光学装置の製造方法では、図１のカラーフィルタ基板８を製造する工
程に関しては従来から周知の製造方法を採用できる。これに対し、図１の素子基板７を製
造することに関して改善が加えられている。この事情に鑑み、これ以降の説明では、カラ
ーフィルタ基板８に関する製造方法の説明は省略し、素子基板７の製造方法について詳し
く説明する。
【０１０２】
図７は図１の素子基板７を製造する方法の一実施形態を示している。本実施形態の電気
光学装置の製造方法において、図７の工程Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６が図４のＴＦＴ素子２
１を形成する工程であり、図１２に示す製造方法のスイッチング素子工程Ｐ１０１に相当
する。また、図７の工程Ｐ４は図４の突部材２８を形成する工程であり、図１２の工程Ｐ
１０２に相当する。また、図７の工程Ｐ５は図４のＴＦＴ素子２１の構成要素であるドレ
イン電極３６を形成すると共に接続用導電膜３６ｂを形成する工程であり、図１２の工程
Ｐ１０３に相当する。
【０１０３】
図１２の工程図においては、接続用導電膜形成工程Ｐ１０３を、スイッチング素子形成
工程Ｐ１０１と別の工程として描いている。しかしながら、本実施形態の製造方法では、
図７に示すように、接続用導電膜形成工程Ｐ５がスイッチング素子としてのＴＦＴ素子２
１を形成する工程の１つである工程Ｐ５に含まれている。具体的には、図４の突部材２８
を形成した後に、ドレイン電極３６と接続用導電膜３６ｂとを同時に形成する。
【０１０４】
まず、図７の工程Ｐ１において、図４の第１透光性基板７ａのマザー基板上にゲート電
極３１及びゲート線２０（図４参照）を形成する。また、補助容量３７の第２電極３１ａ
も同時に形成する。これらの要素は、Ａｌを主とする第１層の上にＭｏ（モリブデン）を
主とする第２層を積層して成る２層構造によって形成される。これらの各要素を形成する
にあたっては、まず、スパッタリングによってＡｌを、例えば膜厚１０００Åで成膜し、
次に、そのＡｌの上にスパッタリングによってＭｏを、例えば膜厚５００Åで成膜する。
Ｍｏによって上層を形成するのは次の理由による。すなわち、Ａｌはその表面に酸化膜を
形成し易いので、ゲート電極等をＡｌ単体で形成すると、その上に他の金属膜を積層する
際にそれらの間の接触性が悪くなるおそれがある。これに対し、ＡｌにＭｏを重ねてゲー
ト電極等を形成すれば、それに他の金属膜を積層する際の接触性を良好に維持できるから
である。
【０１０５】
以上により、Ｍｏ／Ａｌの材料層が形成されると、次に、その材料層の上にレジストを
塗布し、フォトリソグラフィ処理によってレジストを所定の平面形状にパターニングし、
そのパターニングされたレジストをマスクとしてＭｏ／Ａｌ層をエッチングし、さらにマ
スクとして使ったレジストを剥離するという一連の処理を行う。これにより、ゲート電極
３１及びゲート線２０がマザー基板上の所定位置にそれぞれ所定形状に形成される。
【０１０６】
次に、図７の工程Ｐ２において、図４のゲート絶縁膜３２及び絶縁膜３２ａを形成する
。具体的には、絶縁性の樹脂であるＳｉＮを材料としてＣＶＤ処理によって、例えば４０
００Åの膜厚に形成する。次に、図７の工程Ｐ３において、図４の半導体膜３３及びＮ＋
−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂを形成する。具体的には、半導体膜３３の材料であるａ−Ｓｉ（
アモルファスシリコン）から成る材料層をＣＶＤ処理によって、例えば膜厚１０００Åで
成膜する。次に、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの材料層をＣＶＤ処理によって、例えば膜
厚５００Åで成膜する。
【０１０７】
次に、ａ−Ｓｉ膜３３及びＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂをアイランド状（すなわち、島
状）に形成するためのパターニング処理を行う。具体的には、感光性樹脂であるレジスト
をＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの材料層の上に塗布し、フォトリソグラフィ処理によって
レジストをパターニングし、パターニングされたそのレジストをマスクとしてエッチング
し、さらにマスクとして使用したレジストを剥離することにより、図４に示すような島状
のａ−Ｓｉ膜３３及び島状のＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂを形成する。なお、この時点に
おいて島状のＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂは、図４に示すようにＮ＋−Ｓｉ膜が３４ａと
３４ｂとに２つに分かれた状態ではなく、３４ａと３４ｂとが一体となった状態となって
いる。
【０１０８】
次に、図７の工程Ｐ４において、図４の突部材２８を、例えば感光性樹脂をフォトリソ
グラフィ処理によりパターニングすることにより形成する。このとき、突部材２８の側面
部には、段部２８ａが形成される。段部２８ａは、突部材２８の側面が第１透光性基板７
ａの表面に対して鉛直方向（すなわち、図４の上下方向）に延びているところの途中に複
数、本実施形態では２つ設けられる。この工程についての詳細は後述する。
【０１０９】
次に、図７の工程Ｐ５において、図４のソース電極３５、ドレイン電極３６及び接続用
導電膜３６ｂを形成する。具体的には、ソース電極３５、ドレイン電極３６及び接続用導
電膜３６ｂ用の導電材料をスパッタリングによって成膜する。本実施形態では、ソース電
極３５、ドレイン電極３６及び接続用導電膜３６ｂを３層構造に形成している。まず、Ｍ
ｏによって膜厚５０Åの第１層を成膜し、その上にＡｌによって膜厚１０００Åの第２層
を成膜し、さらにその上にＭｏによって膜厚５００Åの第３層を成膜する。つまり、ソー
ス電極３５及びドレイン電極３６用の導電材料層はＭｏ（第３層）、Ａｌ（第２層）、Ｍ
ｏ（第１層）の３層構造によって形成される。導電材料層は第１透光性基板７ａのマザー
基板の表面の略全域に形成される。
【０１１０】
第１層として５０ÅのＭｏ層を設けるのは、ソース電極３５及びドレイン電極３６の下
層である半導体膜３３へＡｌが拡散することを防止するためである。また、第３層として
５００ÅのＭｏ層を設けるのは、ドレイン電極３６等の上に他の金属膜が設けられる場合
の導線接触性を高く保持できるようにするためである。
【０１１１】
次に、感光性樹脂であるレジストを導電材料の上に塗布し、フォトリソグラフィ処理に
よってレジストをパターニングし、パターニングされたそのレジストをマスクとしてエッ
チングし、さらにマスクとして使用したレジストを剥離することにより、図４に示すよう
に、導電材料からソース電極３５、ドレイン電極３６及び接続用導電膜３６ｂを所定の形
状に形成する。このとき接続用導電膜３６ｂは、一端がＴＦＴ素子２１のドレイン電極３
６に接続され、ドレイン電極３６の外部へ延びる部分が突部材２８の上に載る状態に形成
される。
【０１１２】
次に、図７の工程Ｐ６において、チャネルエッチ処理を実行する。具体的には、島状の
Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂに対してエッチング処理を行うことにより、当該Ｎ＋−Ｓｉ
膜３４ａ，３４ｂの中央部分を除去して、図４に示すように左右に分かれた状態のＮ＋−
Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂを形成する。以上によりＴＦＴ素子２１が形成される。
【０１１３】
次に、図７の工程Ｐ７において、図４の保護膜２２を形成する。具体的には、保護膜２
２の材料層としてのＳｉＮの膜をＣＶＤ法により膜厚４０００Åに形成し、さらにフォト
リソグラフィ処理により、所定の形状にパターニングする。このとき、保護膜２２は、個
々の液晶パネル形成領域内の有効表示領域Ｖ内にのみ形成される。ここでいう有効表示領
域Ｖは、図１に示す有効表示領域Ｖのことである。
【０１１４】
次に、図７の工程Ｐ８において、図４の凹凸樹脂膜２３を保護膜２２上に形成する。凹
凸樹脂膜２３は、感光性樹脂を塗布することにより所定の膜厚に形成する。そしてフォト
リソグラフィ処理により所定の形状にパターニングする。また、このパターニング時に、
凹凸樹脂膜２３の表面に、複数の凹部２９又は複数の凸部３０が平面内でランダムに形成
され、これにより凹凸樹脂膜の表面に凹凸パターンが形成される。またさらに、パターニ
ング時に、凹凸パターンを形成するのと同時にコンタクトホール２７が形成される。この
工程の詳細については後述する。
【０１１５】
次に、図７の工程Ｐ９において、図４の保護膜２２のうちのコンタクトホール２７に平
面的に重なる部分、すなわち、突部材２８の頂面２８ｂ上にある部分をフォトリソグラフ
ィ処理によって除去する。これにより、突部材２８の頂面２８ｂに設けられた接続用導電
膜３６ｂが、コンタクトホール２７から凹凸樹脂膜２３の外部に露出する。
【０１１６】
次に、図７の工程Ｐ１０において、図４の光反射膜２４を形成する。具体的には、光反
射膜２４の材料層を、例えばＡｌ又はＡｌ合金を材料としてスパッタリングによって膜厚
１０００Åで成膜する。このとき、凹凸樹脂膜２３の凹凸形状の上に積層された材料層は
その凹凸形状に従って同じ凹凸形状を有することになる。次に、光反射膜２４の材料層に
対してフォトエッチング処理が行われ、所定形状の光反射膜２４がパターニングされる。
光反射膜２４は、図３に示すようにサブ画素Ｄ内の一部が反射表示領域Ｒとなるような平
面形状として形成される。なお、図４の画素電極２５とＴＦＴ素子２１のドレイン電極３
６との接続を確保するため、ＴＦＴ素子２１と平面的に重なる領域、少なくともドレイン
電極３６と平面的に重なる領域には光反射膜２４を形成しないことにする。
【０１１７】
次に、図７の工程Ｐ１１において、図４の光反射膜２４及び凹凸樹脂膜２３の上に画素
電極２５を形成する。具体的には、画素電極２５の材料、例えばＩＴＯをスパッタリング
によって膜厚１０００Åで成膜する。このとき、ＩＴＯは図４のコンタクトホール２７の
中に流れ込んでドレイン電極３６から延びる接続用導電膜３６ｂに接触する。続いて、画
素電極２５の材料膜に対してフォトエッチング処理を行うことにより、図３において長方
形状のサブ画素Ｄが形成されるように画素電極２５がパターニングされる。こうして形成
された画素電極２５は、図４に示すようにコンタクトホール２７を介してＴＦＴ素子２１
のドレイン電極３６から延びる接続用導電膜３６ｂに接触する。接続用導電膜３６ｂはＭ
ｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造を有していて最上層が導電接触性の高いＭｏであるので、画素
電極２５と接続用導電膜３６ｂとの接触性は良好に維持される。
【０１１８】
次に、図７の工程Ｐ１２において、図４の画素電極２５の上に、例えばポリイミドを印
刷することによって配向膜２６ａが形成され、さらに、その配向膜２６ａに対してラビン
グ処理が行われる。以上により、図１の素子基板７が複数個形成された状態の素子側のマ
ザー基板が作製される。
【０１１９】
この後は、別途作製されたカラーフィルタ側マザー基板と、上記の素子側マザー基板と
を貼り合わせ、さらに液晶を注入し、さらに基板の切断を行うことにより、図１に示す個
々の液晶パネル２が作製される。
【０１２０】
以下、図７の突部材形成工程Ｐ４及び凹凸樹脂膜形成工程Ｐ８について説明する。まず
、突部材形成工程Ｐ４について図８を参照して詳細に説明する。なお、図７の突部材形成
工程Ｐ４は、図１２の工程Ｐ１０２と同じ工程であるが、図４のドレイン電極３６と接続
用導電膜３６ｂとを同一工程で形成することから、図７において突部材形成工程Ｐ４をド
レイン電極３６を形成する工程Ｐ５の前の工程としている。図８（ａ）は、図７の工程Ｐ
１〜工程Ｐ３において、図４に示すＴＦＴ素子２１のゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２
、半導体膜３３及びＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂが形成された状態を示している。
【０１２１】
図７の突部材形成工程Ｐ４が始まると、まず、図８（ａ）の基板７ａを所定の洗浄液に
よって洗浄する。次に、図８（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３２の上に突部材２８の
材料であるポジ型レジストである感光性樹脂２８’を、例えばスピンコートによって一様
な厚さに塗布する。次に、プリベークを行って感光性樹脂２８’内の溶媒を除去する。
【０１２２】
次に、図８（ｃ）に示すように、露光処理を実行する。具体的には、基板７ａ（切断す
る前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、ハ
ーフトーンマスク、すなわちハーフトーン型の多階調露光マスク７１を基板７ａに対向す
る所定位置に設置する。ハーフトーンマスク７１は、光透過性が互いに異なる４つの領域
を有する露光マスクであり、より具体的には、完全光透過領域Ａ０、第１部分光透過領域
Ａ１、第２部分光透過領域Ａ２、及び完全遮光領域Ａ３を有するハーフトーンマスクであ
る。
【０１２３】
本実施形態では、図４の突部材２８の段部２８ａの形状に応じて露光量が異なるように
各領域Ａ０，Ａ１，Ａ２，Ａ３の光透過量を異ならせている。具体的には、
（１）突部材２８の頂面２８ｂに対応した部分に完全遮光領域Ａ３を合わせ、
（２）突部材２８の頂面２８ｂから１段下がった段部２８ａに対応した部分に第２部分
光透過領域を合わせ、
（３）突部材２８の頂面２８ｂから２段下がった段部２８ａに対応した部分に第１部分
光透過領域を合わせ、
（４）突部材２８を形成しない部分に完全光透過領域Ａ０を合わせる。
【０１２４】
完全遮光領域Ａ３の光透過率をＴ３とし、第２部分光透過領域Ａ２の光透過率をＴ２と
し、第１部分光透過領域Ａ１の光透過率をＴ１とし、完全光透過領域Ａ０の光透過率をＴ
０とするとき、本実施形態では、
Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔ０
に設定する。また、
Ｔ３＝０％、Ｔ０＝１００％
に設定する。
【０１２５】
このように光透過率に変化を持たせることは、例えば、光透過率の異なる材料を領域ご
とに設けることによって実現できる。例えば、完全光透過領域Ａ０はマスク基板上に遮光
材料を何も載せないことによって実現できる。また、部分光透過領域Ａ１及びＡ２は、光
を減衰して透過させる材料、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ又はＭｏＳｉ２）を
マスク基板上に載せることによって実現できる。光透過率をいくつに設定するかは、マス
ク基板上に載せる膜の膜厚によって決めることができる。また、完全遮光領域Ａ３は、光
を完全に透過させない材料、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯＸ（酸化クロム）の２層構造を有す
る積層クロムをマスク基板上に載せることによって実現できる。
【０１２６】
以上の構成を有するハーフトーンマスク７１を通して感光性樹脂２８’へ一定光量の露
光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。次に、現像処理
を行う。具体的には、図８（ｃ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図
８（ｃ）において可溶化した部分の感光性樹脂２８’が除去されて、図８（ｄ）に示すよ
うに、階段状の側面を有した突部材２８が形成される。その後、図８（ｄ）の基板７ａ及
び突部材２８を焼成して、突部材２８の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により
、図７の工程Ｐ４が終了し、その後、既述したソース電極等形成工程Ｐ５以降の工程が実
行される。
【０１２７】
次に、凹凸樹脂膜形成工程Ｐ８について図９を参照して詳細に説明する。なお、図９（
ａ）は、図７の工程Ｐ１〜工程Ｐ７において、図４に示すＴＦＴ素子２１、突部材２８、
及び保護膜２２が形成された状態を示している。
【０１２８】
図７の凹凸樹脂膜形成工程Ｐ８が始まると、まず、図９（ａ）の基板７ａを所定の洗浄
液によって洗浄する。次に、図９（ｂ）に示すように、保護膜２２の上に凹凸樹脂膜２３
の材料であるポジ型レジストである感光性樹脂２３’を、例えばスピンコートによって一
様な厚さに塗布する。次に、プリベークを行って感光性樹脂２３’内の溶媒を除去する。
【０１２９】
次に、図９（ｃ）に示すように、露光処理を実行する。具体的には、基板７ａ（切断す
る前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、グ
レートーンマスク７６を基板７ａに対向する所定位置に設置する。グレートーンマスク７
６は、光透過性が異なる３つの領域を有する露光マスクである。具体的には、遮光領域Ａ
５と第１光透過領域Ａ４と第２光透過領域Ａ６を有する露光マスクである。遮光領域Ａ５
は、光を透過させない材料、例えばＣｒがマスク基板上に載せられた領域であり、光を透
過しない領域である。第１光透過領域Ａ４は、互いに隣接する遮光領域Ａ５，Ａ５同士の
間の領域であり、マスク基板上に遮光材料が何も載せられていない領域である。また、第
２光透過領域Ａ６は、第１光透過領域Ａ４よりも広い領域であり、マスク基板上に遮光材
料が何も載せられていない領域である。
【０１３０】
グレートーンマスク７６は、露光機の露光解像度の限界より細かいパターンを有する露
光マスクである。具体的には、図９（ｃ）に示すように、互いに隣接する遮光領域Ａ５，
Ａ５同士の間の領域である光透過領域Ａ４の幅ｔを、露光機の解像度の限界の幅より狭く
設定する。こうすれば、光透過領域Ａ４に対応する部分の感光性樹脂２３’においては、
十分な露光量による完全な露光が行われなくなる。こうなると、感光性樹脂２３’のうち
の光透過領域Ａ４に対応した部分では、マスク７６に照射された光よりも少ない光量で露
光した状態と同様の状態になる。その結果、感光性樹脂２３’のうちの領域Ａ５に対向し
て遮光された部分と、領域Ａ４に対向して露光された部分との境界が不明確になり、例え
ば緩やかな斜面の露光像が形成されることになる。
【０１３１】
本実施形態では、図４の凹凸樹脂膜２３の表面に形成される凹凸パターンに対応する部
分を、図９（ｃ）のマスク７６のうちのグレートーンの遮光パターン（すなわち、領域Ａ
４及びＡ５から成るパターン）を用いて露光する。具体的には、図４の凸部３０に対応す
る部分に図９（ｃ）の遮光領域Ａ５を合わせ、図４の凹部２９に対応する部分に図９（ｃ
）の第１光透過領域Ａ４を合わせるようにした。また、開口部である図４のコンタクトホ
ール２７に対応する部分に図９（ｃ）の第２光透過領域Ａ６を合わせるようにした。
【０１３２】
以上の構成を有するグレートーンマスク７６を通して感光性樹脂２３’へ一定光量の露
光光Ｌ３を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。具体的には、領
域Ａ４で露光された部分は比較的露光量が少ない状態と同様に完全な露光が行われないの
で凹部に対応する露光像２９’が形成される。また、領域Ａ５で露光された部分は領域Ａ
４よりもさらに露光量が少ないので凸部に対応する露光像３０’が形成される。
【０１３３】
また、領域Ａ６で露光された部分は露光量が多いので、露光像２９’及び３０’よりも
深い露光像２７’が形成される。以上により、感光性樹脂２３’の表面に、凹凸パターン
に対応する露光像２９’，３０’が形成され、さらにその内部にコンタクトホール２７に
対応する露光像２７’が形成され、それらの露光像よりも上の部分が可溶化する。
【０１３４】
次に、現像処理を行う。具体的には、図９（ｃ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬
する。すると、図９（ｃ）において可溶化した部分の感光性樹脂２３’が除去されて、図
９（ｄ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、内部の必要な領域にコ
ンタクトホール２７を有する凹凸樹脂膜２３が形成される。
【０１３５】
凹凸樹脂膜２３の材料である感光性樹脂２３’はその性質上、未反応の感光性基に由来
する黄色の光を多く通過させる傾向にある。そこで、図９（ｄ）の凹凸樹脂膜２３に適宜
の光量の紫外線を照射し反応を完結する処理、いわゆるブリーチ露光を行う。これにより
、凹凸樹脂膜２３の黄色化を抑制し、透過率を向上させる。次に、図９（ｄ）の基板７ａ
及び凹凸樹脂膜２３を、例えば、２２０℃、３０〜５０分で焼成して、凹凸樹脂膜２３の
形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図７の工程Ｐ８が終了し、その後、既
述した保護膜除去工程Ｐ９以降の工程が実行される。
【０１３６】
本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、図７の工程Ｐ５に示す凹凸樹脂膜
の形成工程において、図４の第１透光性基板７ａ上に設けられた突部材２８に平面的に重
なる領域にコンタクトホール２７を形成するので、コンタクトホール２７の深さｈ２を凹
凸樹脂膜２３の膜厚より浅く形成できる。このように、深さが浅いコンタクトホール２７
を凹凸樹脂膜２３内に形成すれば、画素電極２５を設ける工程において、凹凸樹脂膜２３
上に画素電極２５の材料であるＩＴＯを供給したとき、コンタクトホール２７に流れ込ん
だＩＴＯが、コンタクトホール２７の壁２７ａの所で破断することなく、突部材２８上の
接続用導電膜３６ｂに接続できる。
【０１３７】
また、図７の工程Ｐ５において、図４の凹凸樹脂膜２３の表面に複数の凹部２９又は複
数の凸部３０を形成することと、凹凸樹脂膜２３内にコンタクトホール２７を形成するこ
ととを、同時に行うことにした。その結果、製造工程を簡略化でき、製造コストを低減で
きる。
【０１３８】
また、図７の工程Ｐ５において、図９（ｃ）に示す露光マスクとしてのグレートーンマ
スク７６を用いて、凹凸樹脂膜２３の材料である感光性樹脂２３’に対して露光処理を行
った。グレートーンマスクを用いて凹凸樹脂膜上の凹部又は凸部と絶縁膜内の開口部とを
同時に形成する方法は、従来から行われている方法である。この場合は、複数の凹部又は
複数の凸部に対応するパターンを露光機の解像度の限界よりも微細なパターンとし、コン
タクトホールに対応するパターンを通常のパターンとすることにより、凹部又は凸部と開
口部とを一度の露光処理で同時に形成している。
【０１３９】
しかしながら、従来の構成の液晶表示装置では、画素電極と接続用導電膜とを確実に接
触させるために、コンタクトホールを深く形成する必要があった。従って、露光処理にお
いてコンタクトホールの深さに応じて露光量を多くする必要があった。露光量を多くする
と、凹部又は凸部に対応する部分に対しても露光量が多くなるので、凹部の深さが深くな
るか又は凸部の高さが高くなる傾向にあった。それ故、凹部の深さ又は凸部の高さを所望
の深さや高さに調節することが難しかった。具体的には、凹部の深さを浅くするか又は凸
部の高さを低くすることが難しかった。
【０１４０】
これに対し、本実施形態の製造方法によれば、図７の凹凸樹脂膜形成工程Ｐ８において
、図４の突部材２８に平面的に重なる位置に浅いコンタクトホール２７を形成するので、
コンタクトホール２７を少ない露光量で確実に形成できる。その結果、図７の工程Ｐ８に
おいて、図９（ｃ）のグレートーンマスク７６を用いて露光処理を行うことにより、図９
（ｄ）に示す複数の凹部２９に対応する部分に対する露光量を少なくすることができるの
で、凹部２９の深さを所望の深さに調節することが容易になった。具体的には、凹部２９
の深さを浅くすることが容易になった。
【０１４１】
また、本実施形態の製造方法において、図７の突部材形成工程Ｐ４では、図８（ｃ）に
示すように、透光性基板７ａ上に光透過率の異なる複数の領域を有するハーフトーンマス
ク７１を用いて露光処理を行うことにした。こうすれば、図４の突部材２８の側面部に段
部２８ａを正確に形成できる。このように突部材２８の側面部に段部２８ａを設ければ、
図７の工程Ｐ５において、図４の突部材２８上に形成される接続用導電膜３６ｂが、その
突部材２８の側面の所で破断することをその段部２８ａの働きによって防止できる。
【０１４２】
（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一
例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１４３】
図１０は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、
液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。制御回路１０２は、
表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネ
レータ１０８によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０３及び
駆動回路１０４を有する。
【０１４４】
表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種デ
ィスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等
を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて
、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する
。
【０１４５】
次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ
補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を
実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆
動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したもの
である。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１４６】
液晶表示装置１０１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。こ
の液晶表示装置１は、図４に示すように、第１透光性基板７ａと凹凸樹脂膜２３の間であ
ってコンタクトホール２７に平面的に重なる位置に突部材２８を設けることによりコンタ
クトホール２７の深さを浅くできる。その結果、凹凸樹脂膜２３上に設けられると共にコ
ンタクトホール２７に流れ込んだ後に接続用導電膜３６ｂに接続する画素電極２５が、そ
のコンタクトホール２７の壁２７ａの所で破断することを防止できる。従って、本発明に
係る電子機器においても、電極が破断することを防止し、高い信頼性を有する電子機器を
得ることができる。
【０１４７】
（電子機器の第２実施形態）
図１１は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設け
られた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成さ
れた表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は
、表示体部１１２の表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１
１５が配列されている。
【０１４８】
表示体部１１２の一端部には伸縮自在のアンテナ１１６が取付けられている。表示体部
１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。
また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内
蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制
御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１
２の内部に格納される。
【０１４９】
表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。この液
晶表示装置１は、図４に示すように、第１透光性基板７ａと凹凸樹脂膜２３の間であって
コンタクトホール２７に平面的に重なる位置に突部材２８を設けることによりコンタクト
ホール２７の深さを浅くできる。その結果、凹凸樹脂膜２３上に設けられると共にコンタ
クトホール２７に流れ込んだ後に接続用導電膜３６ｂに接続する画素電極２５が、そのコ
ンタクトホール２７の壁２７ａの所で破断することを防止できる。従って、本発明に係る
電子機器においても、電極が破断することを防止し、高い信頼性を有する電子機器を得る
ことができる。
【０１５０】
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュ
ータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す側面断面図である。
【図２】図１の矢印Ｚ１で示す部分の拡大断面図である。
【図３】図２の矢印Ａに従い素子基板上の１つのサブ画素及びその周辺の平面構造を示す平面図である。
【図４】図３のＺ２−Ｚ２線に従う断面図である。
【図５】本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置の製造方法の主要工程を示す工程図である。
【図８】図７の突部材形成工程における基板上の膜構成の構造変遷図である。
【図９】図７の凹凸樹脂膜形成工程における基板上の膜構成の構造変遷図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  
６．シール材、  ７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、
８ａ．第２透光性基板、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、  
１８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．ソース線、  ２０．ゲート線、  
２１．ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子（スイッチング素子）、  
２２．保護膜（第２絶縁膜）、  ２３．凹凸樹脂膜（絶縁膜）、  ２４．光反射膜、  
２５．画素電極、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．コンタクトホール（開口部）、  
２８，５８．突部材、  ２８ａ．段部、  ２８ｂ，５８ｂ．頂面、  ２９．凹部、  
２９’．凹部の露光像、  ３０．凸部、  ３０’．凸部の露光像、  ３１．ゲート電極、
３１ａ．第１電極、  ３２．ゲート絶縁膜、  ３２ａ．絶縁膜、  ３３．半導体膜、  
３４ａ，３４ｂ．Ｎ＋−Ｓｉ膜、  ３５．ソース電極、  ３６．ドレイン電極、
３６ａ．第２電極、  ３６ｂ．接続用導電膜、  ３７．補助容量、  ４１．着色膜、
４２．遮光膜、  ４３．オーバーコート膜、  ４４．共通電極、  ４５．張出し部、
４６．配線、  ４７．外部接続用端子、  ４９．ＡＣＦ、５０．駆動用ＩＣ、
５９．データ線、  ６１．ＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子（スイッチング素子）、
６２．第１素子電極（第１電極）、  ６３．絶縁膜、  
６４ａ，６４ｂ．第２素子電極（第２電極）、６５ａ．第１ＴＦＤ要素、  
６５ｂ．第２ＴＦＤ要素、  ７１．ハーフトーンマスク（露光マスク）、  
７６．グレートーンマスク、  １０１．液晶表示装置（電気光学装置）、  
１０２．制御回路、  １０３．液晶パネル、  １０４．駆動回路、  
１１０．携帯電話機（電子機器）、  Ｄ．サブ画素、  Ｇ．セルギャップ、  
ｈ１．突部材の高さ、  ｈ２．コンタクトホールの深さ、
ｈ３．凹部の深さ，凸部の高さ、  Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３．光、  Ｒ．反射表示領域、
Ｔ．透過表示領域、  Ｖ．有効表示領域
【図１】
2007310152.tif 000003
【図２】
2007310152.tif 000004
【図３】
2007310152.tif 000005
【図４】
2007310152.tif 000006
【図５】
2007310152.tif 000007
【図６】
2007310152.tif 000008
【図７】
2007310152.tif 000009
【図８】
2007310152.tif 000010
【図９】
2007310152.tif 000011
【図１０】
2007310152.tif 000012
【図１１】
2007310152.tif 000013
【図１２】
2007310152.tif 000014