(57)【要約】【課題】  内部損失が少なく、長共振器化が可能である非埋め込み型リッジ構造を用いた高出力半導体レーザであって、問題点となる高次モードの光の導波を抑えた半導体レーザを提供する。【解決手段】  基板１４と、基板１４の上に形成された活性層１２と、活性層１２の上に形成され、その内部に溝１３１、１３２を有する半導体層１８〜２０と、を有する非埋め込みリッジ型半導体レーザであって、活性層１２は第１の偏光方向を有する振動モードで発振し、基板１４の上に形成され、活性層１２で発光した光のうち、第１の偏光方向と垂直な第２の偏光方向の光を吸収する吸収層１６と、を備える、非埋め込みリッジ型半導体レーザ。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成され、その内部に溝を有する半導体層と、を有する非埋め込みリッジ型半導体レーザであって、
前記活性層は第１の偏光方向を有する振動モードで発振し、
前記基板の上に形成され、前記活性層で発光した光のうち、前記第１の偏光方向と垂直な第２の偏光方向の光を吸収する吸収層と、
を備える、非埋め込みリッジ型半導体レーザ。
【請求項２】
前記吸収層が引っ張り歪を有し、前記活性層内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する、請求項１に記載の非埋め込みリッジ型半導体レーザ。
【請求項３】
前記活性層内の井戸層が引っ張り歪を有し、前記吸収層が無歪又は圧縮歪を有する、請求項１に記載の非埋め込みリッジ型半導体レーザ。
【請求項４】
前記吸収層内の井戸層のバンドギャップＥｇ１と前記活性層のバンドギャップＥｇ２との関係が、Ｅｇ２＋６０ｍｅＶ≧Ｅｇ１である、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の非埋め込みリッジ型半導体レーザ。
【請求項５】
前記吸収層内の井戸層のバンドギャップＥｇ１と前記活性層のバンドギャップＥｇ２との関係が、Ｅｇ２−６０ｍｅＶ≦Ｅｇ１である、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の非埋め込みリッジ型半導体レーザ。
【請求項６】
前記溝の底面と前記活性層の溝側表面との距離が２００ｎｍ以下である、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の非埋め込みリッジ型半導体レーザ。
【請求項７】
前記吸収層と前記活性層の互いの対向面間の距離が２５０ｎｍ以下である、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の非埋め込みリッジ型半導体レーザ。
【請求項８】
前記量子井戸層がｎ型の半導体層側に挿入されている、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の非埋め込みリッジ型半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非埋め込みリッジ型半導体レーザに関し、特に、出力光の偏光比の低下を抑制する構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の増大するデータ容量に対応して、大容量かつ可搬性のある記録可能な光ディスクへの要求が高まって久しい。特に、大容量を記録可能なＤＶＤ±Ｒ／ＲＷは広範囲に普及している。そのため、ＤＶＤ±Ｒ／ＲＷ等の光ディスクへの書き込み速度向上の要求は年々高まってきている。
【０００３】
光ディスクへの書き込みを行う場合、書き込み速度の１／２乗に比例する出力を持つ半導体レーザが必要となる。そのため、光ディスクへの書き込み速度向上を目指すには、高出力の半導体レーザが必要となる。そこで、光ディスクの書き込みに用いられる６５０ｎｍの波長帯域の赤色光を発光する半導体レーザの高出力化が求められている。
【０００４】
赤色半導体レーザの高出力化には、リッジ内外での等価屈折率差による光の反射を利用した、実屈折率ガイド型の導波構造であるリッジ構造が用いられることが多い。特に、非埋め込みリッジ型構造を持つ半導体レーザにおいては、結晶成長が１回で済むこと、構造がシンプルであること、特性的には内部損失が少なく高効率化が可能なこと、及び長共振器化による熱抵抗の低減が容易なことといった利点を持つため、赤色高出力半導体レーザに用いられることが多い。
【０００５】
しかしながら、リッジ構造を持つ半導体レーザは、高次モードが発生しやすい。活性層内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する半導体レーザの場合、この高次モードは導波路に対して垂直方向の偏波成分であるＥｙ成分を含むため、偏光比｜Ｅｘ／Ｅｙ｜２が低くなるという問題が生じる。偏光比は大きいほど好ましいため、実際の光ディスク装置に用いられる光ピックアップの系においては、戻り光による偏光比の低下を防ぐために偏光子が組み込まれていることが多い。
【０００６】
従来の技術における、光ディスクに用いられるリッジ構造を有する半導体レーザにおいて、ドライエッチングで形成した非埋め込みリッジ型構造を用いている（例えば、非特許文献１）。ドライエッチングで形成した非埋め込みリッジ型構造を用いることにより、少ない結晶成長回数で導波路損失の少ない構造を実現することが可能となり、２００ｍＷ以上の高出力が可能な６６０ｎｍ波長帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを実現している。
【０００７】
従来の非埋め込みリッジ型構造を有する半導体レーザにおいては、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、３層のＭＱＷ活性層、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層の順に積層されている。ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ−ＧａＡｓコンタクト層内に凹部を設けることによって、リッジ部が形成されている。上記の凹部の底面とＭＱＷ活性層との厚みは、エッチングストッパ層で４００ｎｍ程度に制御されている。さらに、積層表面全体はＳｉＮｘなどの放熱性の高い絶縁膜で被覆されている。
【０００８】
ｐ型電極は、リッジ部の上部に被覆された絶縁膜にコンタクト窓を開けることによって形成される。さらに、上記のリッジ構造を有する半導体レーザのｐ側をヒートシンクと融着されたジャンクションダウンでマウントされている。ジャンクションダウンでマウントするのは、放熱性を高めるためである。上記の非埋め込みリッジ型構造を持つ半導体レーザにおいては、ＭＱＷ活性層で発振した光はリッジ部の中と凹部との実屈折率差を感じて導波する。
【０００９】
以上のように、非埋め込みリッジ型構造においては、リッジ部の周辺部に半導体層が少なくなっているため、光の吸収が少なく内部損失が小さくなる。そのため、スロープ効率が大きくなる。また、内部損失が少ないため、Ｉ−Ｌカーブの折れ曲がりであるキンクの原因となる、熱抵抗を低減するための長共振器化が可能となる。
【非特許文献１】・M. Miyashita, et al., "High power operation of Low-Operating-Current 660nm Laser Diodes for DVD-RAM/RW" in Proc. OECC/IOOC2001, Sidney, 2001, p543-544
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、非埋め込み型リッジ構造では、上記の利点を有しながらも、高次モードが許容されやすいという欠点を持っている。半導体レーザにおける光の導波において、活性層内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する半導体レーザの場合、基本モードの光はＥｙ成分をほとんど持たないのに対して、高次モードの光はＥｘ成分とＥｙ成分を併せ持つことになる。そのため、高次モードの光の導波が許容されると、偏光比｜Ｅｘ／Ｅｙ｜２が低くなる。
【００１１】
発明者は、非埋め込み型リッジ構造を有する半導体レーザにおける、基本モードの光と高次モードの光の強度のシミュレーションを行った。このときに計算した非埋め込みリッジ型半導体光素子の、リッジ部分の拡大模式図を図１に示す。図１において、活性層１２上に積層された半導体層に溝１３が設けられることによって、リッジ１１が形成されている。上記のシミュレーションは、リッジ１１と溝１３の部分が左右対称であることから、リッジ１１と溝１３の半分（図１における一点鎖線内の領域）において計算を行っている。
【００１２】
図２においては、図１における一点鎖線内の領域において計算されたシミュレーションの結果を示す。このシミュレーションにおいては、基本モードとＴＭ偏波の水平横１次モードについて計算されている。図２（ａ）において、左の図が基本モードのＥｘ成分、右の図が基本モードのＥｙ成分、図２（ｂ）において、左の図が１次モードのＥｘ成分、右の図が１次モードのＥｙ成分である。
【００１３】
基本モードである０次モードのＥｙのピーク値は、Ｅｘのピーク値の６．２８ｅ−３倍と、Ｅｙ成分をほとんど持たない。そのため、０次モードにおいて、Ｅｘ成分が支配的である。それに対して、高次モードであるＴＭ偏波の水平横１次モードにおいては、Ｅｘのピーク値は、Ｅｙのピーク値の１．１２ｅ−２倍と、Ｅｘ成分をほとんど持たずＥｙ成分が支配的である。
【００１４】
これらの結果は、実際のデバイスにおいて、レーザの端面のＮＦＰ（Near Field Pattern）の偏光依存性の実験で確認している。図３は、上記の半導体レーザにおけるＮＦＰのパターンを示している。図３において、偏光比の悪いレーザの端面ＮＦＰ（Near Field Pattern）を、偏光子を通して観察することによって、ＴＭ偏波の水平横１次モードに対応したパターンが見られる。以上のことから、高次モードの１次モードが、基本モードである０次モードへ結合することによって、偏光比が悪化することがわかる。
【００１５】
以上のように、非埋め込み型リッジ構造を有する半導体レーザにおいて、構造に起因する、発光する光の偏光比の低下がおこるという問題点が生じていた。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一つの態様に係る非埋め込みリッジ型半導体レーザは、基板と、前記基板の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成され、その内部に溝を有する半導体層と、を有する非埋め込みリッジ型半導体レーザであって、前記活性層は第１の偏光方向を有する振動モードで発振し、前記基板の上に形成され、前記活性層で発光した光のうち、前記第１の偏光方向と垂直な第２の偏光方向の光を吸収する吸収層と、を備える、ものである。基本モードの光と垂直な偏光方向を持つ光を吸収する吸収層を有することによって、偏光比の低下を抑制した半導体レーザを作成することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明よれば、その構造に起因する偏光比の低下を抑止することができる、非埋め込み型リッジ導波構造をもつ半導体レーザを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
実施の形態１． 
図４に本実施の形態に係る非埋め込みリッジ型半導体レーザ１の構造図を示す。ｎ−ＧａＡｓ基板１４の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１５、量子井戸層１６、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ第２第２クラッド層１７、量子井戸活性層１２、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層１９、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０の順に各層が積層されている。
【００１９】
ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層１９は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８とｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０との間のバンド構造におけるヘテロ障壁を緩和するために設けられている。ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０は、電流を流すために設けられる電極との接触をよくするために設けられた層である。なお、各層の材料は一例であって、これら以外の材料を使用することも可能である。
【００２０】
本実施の形態に係る半導体レーザ１においては、半導体レーザ１の表面からｎ−ＧａＡｓ基板１４の表面までチャネル溝２１１、２１２が形成されている。また、半導体レーザ１の表面からｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８まで、リッジ１１１〜１１３が形成されるように、溝１３１、１３２が形成されている。
【００２１】
溝１３１、１３２は、量子井戸活性層１２の表面までは到達せず、溝１３１、１３２の底面から量子井戸活性層１２の表面までの間に他の半導体層（ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８）が残されている。このように、活性層（本例では量子井戸活性層１２）の上に積層されている半導体層に溝が形成された構造を非埋め込み型リッジ構造という。
【００２２】
本実施の形態に係る半導体レーザ１においては、量子井戸活性層１２の近傍に吸収層１６を挿入している。吸収層１６は一つもしくは複数の井戸層と、各井戸層の両側に形成された複数の障壁層とから構成される量子井戸構造を有している。本実施の形態に係る半導体レーザ１においては、吸収層１６が量子井戸活性層１２において発振する光の高次モードの光を吸収している。活性層内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する半導体レーザでは、この高次モードの光は、基本モードの光の主たる偏光方向（Ｅｘ方向）と垂直な偏光方向（Ｅｙ方向）の光が主たる成分となっている。
【００２３】
また、本実施の形態に係る半導体レーザ１において、吸収層１６内の井戸層が引っ張り歪を有し、量子井戸活性層１２内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有するか、量子井戸活性層１２内の井戸層が引っ張り歪を有し、吸収層１６内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する、とよい。この詳細な理由は以下に示す。なお、吸収層１６は、量子井戸活性層１２に対して、基板１４側にあってもよいし、溝１３１、１３２側にあってもよい。
【００２４】
吸収層１６について具体的に説明する前に、まず、量子井戸構造を有する半導体層における井戸層のバンド構造についての一般的な説明を行う。井戸層が無歪又は圧縮歪を有するものである場合のバンド構造を図５（ａ）に、井戸層が引っ張り歪を有する層である場合のバンド構造を図５（ｂ）に示す。図中のｈｈは、ヘビーホールのバンド準位であり、ｌｈはライトホールのバンド準位である。
【００２５】
井戸層が無歪又は圧縮歪を有する層である場合、ヘビーホールの準位が伝導帯に近いエネルギー準位を有するため、光を吸収したときの電子の遷移が、ヘビーホール−伝導帯間の遷移が支配的となる。ヘビーホール−伝導帯間遷移においては、Ｅｘ方向に偏波した光が吸収される。
【００２６】
井戸層が引っ張り歪を有する層である場合、ライトホールの準位が伝導帯に近いエネルギー準位を有するため、ライトホール−伝導帯間の遷移が支配的となる。ライトホール−伝導帯間遷移においては、Ｅｘ方向に偏波した光よりもＥｙ方向に偏波した光が多く吸収される。
【００２７】
ここで、発明が解決しようとする課題の欄において記載したように、非埋め込み型リッジ構造において、吸収層１６内の井戸層が引っ張り歪を有し、量子井戸活性層１２内の井戸層が無歪または圧縮歪を有する場合は基本モードの光はＥｙ成分をほとんど持たないのに対して、高次モードの光がＥｘ成分とＥｙ成分を併せ持つため、偏光比｜Ｅｘ／Ｅｙ｜２が低くなる。量子井戸活性層１２内の井戸層が引っ張り歪を有し、吸収層１６内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する場合は基本モードの光はＥｘ成分をほとんど持たないのに対して、高次モードの光がＥｘ成分とＥｙ成分を併せ持つため、偏光比｜Ｅｙ／Ｅｘ｜２が低くなる。
【００２８】
本形態の半導体光素子１においては、吸収層１６内の井戸層が引っ張り歪を有し、量子井戸活性層１２内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する場合、Ｅｙ成分の光を選択的に吸収し、偏光比｜Ｅｘ／Ｅｙ｜２の向上をもたらす構造にしている。量子井戸活性層１２内の井戸層が引っ張り歪を有し、吸収層１６内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する場合は、Ｅｘ成分の光を選択的に吸収し、偏光比｜Ｅｙ／Ｅｘ｜２の向上をもたらす構造にしている。
【００２９】
さらに、吸収層１６内の井戸層のバンドギャップＥｇ１と量子井戸活性層１２のバンドギャップＥｇ２との関係が、Ｅｇ２＋６０ｍｅＶ≧Ｅｇ１であることが好ましい。図６に、レーザのフォトンエネルギーと、量子井戸活性層１２のバンドギャップエネルギーとの関係及び吸収スペクトルについての模式図を示す。
【００３０】
上記のようなＥｇ１とＥｇ２との関係をもつのが好ましいのは、半導体レーザのバンドフィリング効果によって、レーザのフォトンエネルギーが、量子井戸活性層１２のバンドギャップエネルギーから６０ｍｅＶ程度の高エネルギー側のシフトを引き起こすためである。
【００３１】
さらにまた、吸収層１６内の井戸層のバンドギャップＥｇ１と量子井戸活性層１２のバンドギャップＥｇ２との関係が、Ｅｇ２−６０ｍｅＶ≦Ｅｇ１であることが好ましい。これは、レーザのフォトンエネルギーが吸収層のバンドギャップエネルギーとの差が大きくなるに従い、吸収層１６がＥｙ成分の光を選択的に吸収しなくなるためである。
【００３２】
また、量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａが２００ｎｍ以下であることが好ましい。さらに、量子井戸層１６と量子井戸活性層１２の互いの対向面間の距離ｂは、２５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
図７（ａ）に、量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａと吸収層１６への光閉じ込め率との関係を示す。吸収層１６への光閉じ込め率とは、量子井戸活性層１２で発生する光のフィールドが吸収層１６にどれだけかかるかを表している。縦軸が光閉じ込め率であり、横軸は、量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａである。また、図７（ｂ）に、量子井戸層１６と量子井戸活性層１２の互いの対向面間の距離ｂと光閉じ込め率との関係を示す。縦軸が光閉じ込め率であり、横軸は、量子井戸層１６と量子井戸活性層１２の互いの対向面間の距離ｂである。
【００３４】
十分な偏光比を得るためには、吸収層１６への光閉じ込め率が２％以上必要であることから、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａは、２００ｎｍ以下、量子井戸層１６と量子井戸活性層１２の互いの対向面間の距離ｂは２５０ｎｍ以下であるとよい。
【００３５】
さらに、量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａが小さくなることで、リッジ１１１〜１１３と溝１３１の屈折率差が大きくなるので、光は横方向に閉じ込められる。
【００３６】
また、量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａと、量子井戸層１６と量子井戸活性層１２の互いの対向面間の距離ｂを上記のような値にすることによる本実施の形態に係る半導体レーザ１の端面からの光の分布図を図８に示す。図８において、量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａを薄くする前の光のフィールドを破線、量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａを薄くした後の光のフィールドを実線で表す。
【００３７】
図８に示すように、光は横方向に閉じ込められるために、通常の半導体レーザが導波する光の分布図と比べて横方向に小さくなっている。また、リッジ１１１〜１１３の脇部の直下においては、半導体−絶縁膜間の屈折率境界が基板側に近づくことで縦方向の屈折率分布が異なってくるため、両端が下に下がるようになる。さらに、リッジ１１１〜１１３の直下の光の分布の変化は小さい。
【００３８】
図８に示すような光の分布になるため、高次モードの光が吸収層１６への重なりが増加し、高次モードの光がより吸収されやすい分布にシフトする。このとき、基本モードの光分布も変化するが、吸収層１６での吸収は弱いため、特性悪化への影響は小さい。これによって、吸収層１６が高次モードフィルタとして寄与する。
【００３９】
さらに、吸収層１６は、ｎ型の半導体層側に形成されていることが好ましい。本形態に係る半導体レーザ１においては、量子井戸活性層１２に対してｎ−ＧａＡｓ基板１４側に形成されていることが好ましい。これは、吸収層１６のバンドギャップが第２クラッド層１７のバンドギャップより小さいため、ポテンシャル障壁が生じ、キャリアの移動を阻害する可能性があるからである。このため、ポテンシャル障壁の影響を受けにくい、移動度の高い電子をキャリアとするｎ型の半導体層側に吸収層１６を形成することが好ましい。
【００４０】
本実施の形態に係る半導体光素子１に電流が注入されると、活性層におけるキャリアの再結合により発光する。光は、リッジ１１１〜１１３内外の実効屈折率差を感じて、半導体レーザの積層方向は活性層を、半導体レーザの積層方向と垂直で、光が導波する方向とは垂直方向はリッジの中心部付近を中心とした導波パターンを形成しながら導波する。
【００４１】
このときに、本実施の形態に係る半導体レーザ１は、量子井戸活性層１２内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する場合、引っ張り歪を有する層を井戸層とする吸収層１６を有しているため、高次モードが多く有するＥｙ成分を吸収することができる。量子井戸活性層１２内の井戸層が引っ張り歪を有し、吸収層１６内の井戸層が無歪又は圧縮歪を有する場合は逆となり、高次モードを多く有するＥｘ成分の光が吸収され、偏光比を大きくすることが可能である。
【００４２】
以上のように、高次モードの光を選択的に吸収する吸収層１６を作成することによって、基本モードと高次モードの利得差又は損失差を増加させ、偏光比が高い半導体レーザを作成することができる。
【００４３】
なお、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】非埋め込みリッジ型半導体レーザの、リッジ部分の拡大模式図
【図２】図１における一点鎖線内の領域において計算されたシミュレーションの結果
【図３】ＴＭ偏波の水平横１次モードに対応したパターン
【図４】本実施の形態に係る半導体レーザの構造図
【図５】井戸層が無歪又は圧縮歪を有するものと井戸層が引っ張り歪を有するもののバンド構造
【図６】レーザのフォトンエネルギーと、量子井戸活性層１２のバンドギャップエネルギーとの関係及び吸収スペクトルについての模式図
【図７】（ａ）量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａと光閉じ込め率との関係。（ｂ）量子井戸層１６と量子井戸活性層１２の互いの対向面間の距離ｂと光閉じ込め率との関係
【図８】量子井戸活性層１２の溝１３１、１３２側の表面から、溝１３１、１３２の底面までの厚さａと、量子井戸層１６と量子井戸活性層１２の互いの対向面間の距離ｂを上記のような値にすることによる本実施の形態に係る半導体レーザ１の端面からの光の分布図
【符号の説明】
【００４５】
１１  リッジ  １２  量子井戸活性層  １３  溝  １４  ｎ−ＧａＡｓ基板
１５  ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層  １６  吸収層
１７  ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層  １８  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１９  ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層  ２０  ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
１１１〜１１３  リッジ  １３１、１３２  溝  ２１１、２１２  チャネル溝
９１  ｎ−ＧａＡｓ基板  ９２  ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
９３  ３層のＭＱＷ活性層  ９４  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
９５  ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
９０１  ｎ−ＧａＡｓ基板  ９０２  ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層
９０３  ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層  ９０４  活性層
９０５  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層  ９０６  ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層
９０７  ｎ−ＧａＡｓ層  ９０８  ｐ−ＧａＡｓ層  ９０９  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層
９１０  ｐ−ＧａＩｎＰ層  ９６１〜９６３  リッジ
９６４、９６５  リッジの脇の部分
【図１】
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【図４】
2007042837.tif 000004
【図５】
2007042837.tif 000005
【図６】
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【図７】
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【図８】
2007042837.tif 000008
【図２】
2007042837.tif 000009
【図３】
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