(57)【要約】【課題】基板の裏面側に液体が浸入することを抑制できる液浸露光用基板を提供する。【解決手段】基板Ｐは、基板ホルダに保持される裏面Ｐｂを有し、基板ホルダに保持された状態でその表面Ｐａに露光光が照射される。基板Ｐの裏面Ｐｂのうち基板ホルダに設けられた周壁の上面と対向する所定領域Ａ３は平坦である。領域Ａ３は周壁の上面と密着することができるために、基板の裏面側に液体が浸入することが抑制される。【選択図】図１
2007043145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周壁を有する基板ホルダにより保持されつつ液体を介して露光光が照射される液浸露光用基板であって、
前記基板ホルダに保持される裏面と、
前記露光光が照射され、且つ液体が供給される表面とを備え、
前記基板ホルダに保持されたときに前記周壁の上面と対向する前記裏面の所定領域が平坦である基板。
【請求項２】
前記基板ホルダは前記周壁の内側に前記裏面を支持する支持部を有し、
前記周壁で囲まれた空間が負圧にされることによって前記支持部に保持される請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記裏面に凹凸部を有し、
前記凹凸部は、前記裏面のうち前記所定領域以外の領域に形成される請求項１又は２記載の基板。
【請求項４】
前記凹凸部は、前記裏面のエッジから第１の幅の第１領域に形成される請求項１〜３のいずれか一項記載の基板。
【請求項５】
前記凹凸部は刻印を含む請求項３又は４記載の基板。
【請求項６】
前記所定領域は研磨処理された研磨面である請求項１〜５のいずれか一項記載の基板。
【請求項７】
前記所定領域を含む前記裏面のエッジから第２の幅の第２領域が研磨面である請求項６記載の基板。
【請求項８】
前記基板の裏面が粗面であり、前記所定領域のみが研磨処理されている請求項６又は７に記載の基板。
【請求項９】
前記基板が円板状であり、前記所定領域が基板の所定半径領域に位置する環状領域である請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか一項記載の基板の表面に液体の液浸領域を形成し、前記液体を介して前記基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の露光方法により基板を露光することと、
露光した基板を現像することと、
現像した基板を加工することを含むデバイス製造方法。
【請求項１２】
液体を介して基板を露光する露光方法であって、
前記基板の表面に膜を形成することと、
前記基板の裏面の研磨された所定領域の少なくとも一部を保持しながら、基板の表面上に液体を供給することと、
前記液体を介して基板を露光することを含む露光方法。
【請求項１３】
前記基板が円板状であり、基板の前記所定領域が環状領域であり、環状領域を環状部材で支持しつつ環状領域と環状部材で形成される空間を減圧することによって環状領域を環状部材で密着させる請求項１２に記載の露光方法。
【請求項１４】
環状領域と環状部材で形成される空間において、基板の裏面を複数の支持部材で支持する請求項１３に記載の露光方法。
【請求項１５】
前記基板が、周壁を有する基板ホルダにより保持され、基板の裏面の周壁の上面と対向する領域が研磨されている請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１６】
さらに、前記基板ホルダは前記周壁の内側に前記裏面を支持する支持部を有する請求項１５に記載の露光方法。
【請求項１７】
さらに、前記裏面の所定領域とは異なる領域に凹凸部が形成されている請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１８】
前記基板の表面に液体を供給する前に、前記所定領域の状態を検査することを含む請求項１２〜１７のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１９】
前記所定領域の凹凸が許容範囲か否かを検査する請求項１８記載の露光方法。
【請求項２０】
請求項１２〜１９のいずれか一項に規定された露光方法により基板を露光することと、
露光した基板を現像することと、
現像した基板を加工することを含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して露光光が照射される液浸露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロデバイスを製造するための基板の情報を識別するために、例えば下記特許文献１に開示されているような、基板の裏面に文字や記号等を識別子として刻印する技術が案出されている。また、マイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献２に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸法が案出されている。
【特許文献１】特開２００４−２３５２４９号公報
【特許文献２】特開２００４−２８９１２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
基板の裏面を基板ホルダで保持した状態で、その基板を液浸露光する場合、基板の裏面の状態によっては、基板裏面の液体で濡れた領域が拡大する可能性がある。例えば基板の裏面が濡れると、基板ホルダで基板を良好に保持できなくなる虞がある。あるいは、所定の搬送系を用いて基板ホルダから基板を搬出（アンロード）する際、濡れた基板の裏面を保持した搬送系に液体が付着したり、搬送経路に液体が飛散する等、被害が拡大する虞もある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板の裏面の濡れた領域の拡がりを抑制することができる液浸露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、周壁（３１）を有する基板ホルダ（４）により保持されつつ液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）が照射される液浸露光用基板であって、前記基板ホルダ（４）に保持される裏面（Ｐｂ）と、前記露光光（ＥＬ）が照射され、且つ液体が供給される表面（Ｐａ）とを備え、前記基板ホルダに保持されたときに前記周壁（３１）の上面（３１Ａ）と対向する前記裏面（Ｐｂ）の所定領域（Ａ３）は平坦である基板（Ｐ）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、基板の裏面のうち、基板ホルダに設けられた周壁の上面と対向する所定領域を平坦にすることで、基板の裏面での液体の濡れ拡がりを抑制できる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、上記態様の基板（Ｐ）の表面（Ｐａ）に液体（ＬＱ）の液浸領域（ＬＲ）を形成し、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、基板の裏面での液体の濡れ拡がりを抑制できるので、基板を良好に露光することができる。
本発明の第３の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、前記基板の表面（Ｐａ）に膜（Ｒｇ）を形成することと、前記基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）の研磨された所定領域（Ａ３）の少なくとも一部を保持しながら、基板（Ｐ）の表面上に液体(ＬＱ)を供給することと、前記液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）を露光することを含む露光方法が提供される。
本発明の第３の態様によれば、基板ホルダと接触する基板裏面の所定領域を研磨しているので、基板ホルダに保持された基板上に液体が供給されても基板の裏面での液体の濡れ拡がりを抑制できる。
【００１０】
本発明の第４の態様に従えば、第２または第３の態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第４の態様によれば、基板を良好に露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板の裏面での液体の拡がりを抑制でき、基板を良好に露光することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１４】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１（Ａ）は本実施形態に係る基板Ｐを裏面側から見た図、図１（Ｂ）は基板Ｐを表面側から見た図、図１（Ｃ）は基板Ｐの断面図である。図１において、円板状の基板Ｐは、基材Ｗと、その基材Ｗの上面Ｗａに形成された第１膜Ｒｇとを備えている。本実施形態においては、基材Ｗは半導体ウエハを含み、第１膜Ｒｇは基材Ｗの上面Ｗａの一部に被覆された感光材（フォトレジスト）の膜を含む。基材Ｗは、この実施形態では、外径１２インチ、厚さ０．７７５ｍｍのシリコン基板を用いた。第１膜Ｒｇは、基材Ｗの上面Ｗａの周縁領域Ｅｗ以外の大部分の領域に所定の厚さ（例えば２００ｎｍ程度）で形成されている。一方、基材Ｗの上面Ｗａと反対側の下面Ｗｂには膜が形成されていない。感光材は、例えばスピンコート法等の所定の塗布方法によって基材Ｗ上に塗布されるが、その基材Ｗの周縁部に塗布された感光材は剥離し易く、剥離した感光材は異物として作用する。そこで、基材Ｗ上に所定の塗布方法で感光材を塗布した後、上面Ｗａの周縁領域Ｅｗや側面Ｗｃの感光材を除去する処理であるエッジリンス処理が行われる。これにより、第１膜Ｒｇは、基材Ｗの上面Ｗａの周縁領域Ｅｗ以外の領域に形成される。
【００１５】
後述するように、基板Ｐの表面Ｐａには液体ＬＱを介して露光光ＥＬが照射される。ここで、基板Ｐの表面Ｐａとは、基材Ｗの上面Ｗａ、あるいはその上面Ｗａに形成された膜のうち、その最表層（最上層）の表面（露出面）を言う。したがって、本実施形態においては、基板Ｐの表面Ｐａとは、第１膜Ｒｇの表面及び基材Ｗの上面Ｗａの周縁領域Ｅｗを含む。一方、基板Ｐの裏面Ｐｂとは、基板Ｐの表面Ｐａと反対側の面を言う。したがって、本実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂとは、基材Ｗの下面Ｗｂを含む。
【００１６】
図１（Ａ）及び図１（Ｃ）に示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂ（基材Ｗの下面Ｗｂ）には刻印６０が形成されている。この刻印６０は、例えば基板Ｐの処理工程の管理等に用いられる。刻印６０は、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、その裏面Ｐｂのエッジから第１の幅Ｈ１の第１領域Ａ１に形成されている。本実施形態においては、基板Ｐは平面視においてほぼ円形状であり、第１領域Ａ１は基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁部の円環状の領域である。円環状の領域は基板中心と同軸である。刻印６０は、例えば基板Ｐを識別するためにレーザビーム等によって形成された文字や記号等を含む識別子であり、基板Ｐの裏面Ｐｂの第１領域Ａ１に凹状又は凸状に形成されている。
【００１７】
基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、第１領域Ａ１よりも内側の所定領域Ａ３は平坦である。後述するように、基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３は、この基板Ｐの裏面Ｐｂを保持する基板ホルダ４に設けられた周壁部３１の上面３１Ａと対向する領域となっている。基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３は基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａに応じた大きさ及び形状を有しており、本実施形態では所定幅で且つ基板と同軸の円環状の領域である。
【００１８】
基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３は、研磨処理（鏡面加工）された研磨面となっており、良好な平坦度を有している。また、本実施形態においては、所定領域Ａ３を含む基板Ｐの裏面Ｐｂのエッジから第２の幅Ｈ２の第２領域Ａ２が研磨処理された研磨面となっている。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂの第１領域Ａ１も研磨処理された研磨面となっており、その研磨面である第１領域Ａ１に刻印６０が形成されている。例えば、この実施形態のように外径１２インチのシリコン基板（ウエハ）では、幅Ｈ１は、１．０〜３．０ｍｍ、幅Ｈ３は、０．１〜０．５ｍｍ、幅Ｈ２は、１．１ｍｍ以上にし得る。なお、外径８インチのシリコン基板（ウエハ）でも、幅Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３を上記範囲に設定し得る。
【００１９】
また、本実施形態においては、基材Ｗの上面Ｗａも研磨処理（鏡面加工）された研磨面となっており、ほぼ平坦である。そして、その研磨処理された基材Ｗの上面Ｗａに第１膜Ｒｇが形成されている。
【００２０】
基材Ｗの上面Ｗａ又は下面Ｗｂを研磨処理する場合には、例えば図２の模式図に示すような、ＣＭＰ装置（化学的機械的研磨装置）１００を用いることができる。ＣＭＰ装置１００は、研磨パッド１０１を保持するとともに、その保持した研磨パッド１０１を回転する第１回転機構１０２と、基材Ｗを保持するとともに、その保持した基材Ｗを回転する第２回転機構１０３とを有し、基材Ｗの研磨対象面（上面Ｗａ又は下面Ｗｂ）と研磨パッド１０１とを接触させた状態で、スラリーを供給しつつ、研磨パッド１０１と基材Ｗとの少なくとも一方を回転することによって、基材Ｗの研磨対象面を研磨する。
【００２１】
なお、図２に示した研磨装置は一例であって、基材Ｗを研磨処理することができるのであれば任意の構成を有する装置を用いることができる。
【００２２】
次に、上述の基板Ｐを露光するための露光装置ＥＸの一例について図３を参照しながら説明する。図３において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐの裏面Ｐｂを保持する基板ホルダ４と、基板ホルダ４を移動可能な基板ステージ５と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。
【００２３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬの像面側の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす液浸機構１を備えている。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに露光している間、液浸機構１を用いて、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐの表面Ｐａに照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐに露光する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐの表面Ｐａの一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。
【００２４】
本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、Ｘ軸方向をマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）、Ｙ軸方向を非走査方向とする。なお、ここでいう基板は、図１を参照して説明したような、半導体ウエハ等の基材Ｗ上に感光材（フォトレジスト）を塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
【００２５】
照明光学系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００２６】
本実施形態においては、液体ＬＱとして純水を用いる。純水は、ＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。なお、液体ＬＱとして、水以外のものを用いてもよい。
【００２７】
マスクステージ３は、マスクステージ駆動装置３Ｄの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報はレーザ干渉計３Ｌによって計測される。レーザ干渉計３Ｌはマスクステージ３上に設けられた移動鏡３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計３Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置３Ｄを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００２８】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＦＬのみが光路空間Ｋの液体ＬＱと接触する。
【００２９】
基板ステージ５は、基板Ｐの裏面Ｐｂを保持する基板ホルダ４を保持した状態で、ベース部材６上で移動可能である。基板ステージ５は、基板ステージ駆動装置５Ｄの駆動により、基板ホルダ４を保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージ５上の基板ホルダ４（ひいては基板Ｐ）の位置情報はレーザ干渉計４Ｌによって計測される。レーザ干渉計４Ｌは基板ホルダ４に設けられた移動鏡４Ｋを用いて基板ステージ５上の基板ホルダ４のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ホルダ４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置５Ｄを駆動し、基板ステージ５上の基板ホルダ４に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
【００３０】
次に、液浸機構１について説明する。液浸機構１は、基板ステージ５上の基板ホルダ４に保持された基板Ｐの表面Ｐａと、その基板Ｐの表面Ｐａと対向する位置に設けられ、露光光ＥＬが通過する投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬとの間の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。液浸機構１は、光路空間Ｋの近傍に設けられ、光路空間Ｋに対して液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２を有するノズル部材７０と、供給管１３、及びノズル部材７０の供給口１２を介して液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材７０の回収口２２、及び回収管２３を介して液体ＬＱを回収する液体回収装置２１とを備えている。本実施形態においては、液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２はノズル部材７０の下面７０Ａに形成されている。また、ノズル部材７０の内部には、供給口１２と供給管１３とを接続する流路、及び回収口２２と回収管２３とを接続する流路が形成されている。液体供給装置１１及び液体回収装置２１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１は清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能であり、真空系等を含む液体回収装置２１は液体ＬＱを回収可能である。制御装置７は、液浸機構１を制御して、液体供給装置１１による液体供給動作と液体回収装置２１による液体回収動作とを並行して行うことで、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし、基板Ｐの表面Ｐａの一部の領域に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。
【００３１】
次に、基板Ｐを保持する基板ホルダ４について図４及び図５を参照して説明する。図４及び図５において、基板ホルダ４は、凹部４Ｒと、凹部４Ｒの内側に設けられ、基板Ｐの裏面Ｐｂを保持する保持機構ＰＨとを有しており、基板Ｐを着脱（交換）可能に保持する。また、基板ホルダ４のうち凹部４Ｒ以外の上面４Ｆは、基板ホルダ４の保持機構ＰＨに保持された基板Ｐの表面Ｐａとほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。
なお、基板ホルダ４の保持機構ＰＨに保持された基板Ｐの表面Ｐａと基板ホルダ４の上面４Ｆとの間に段差があってもよい。
【００３２】
基板ホルダ４の凹部４Ｒの内側には、＋Ｚ方向を向き、ＸＹ平面とほぼ平行な支持面４Ｂが設けられている。保持機構ＰＨは、支持面４Ｂ上に形成され、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持する支持部（支持部材）３０と、支持面４Ｂ上に形成され、基板Ｐの裏面Ｐｂと対向し、支持部３０を囲むように環状に設けられた周壁部（環状部材）３１とを備えている。支持部３０は、周壁部３１の内側に設けられた複数の凸状部材（支持ピン）によって構成されている。
【００３３】
周壁部３１は、基板Ｐの形状に応じて平面視略円環状に形成されており、その周壁部３１の上面３１Ａは、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁部に設定された所定領域Ａ３と対向するように設けられている。そして、基板ホルダ４の保持機構ＰＨに保持された基板Ｐの裏面Ｐｂ側には、基板Ｐの裏面Ｐｂと周壁部３１と支持面４Ｂとで囲まれた第１空間Ｖ１が形成される。
【００３４】
支持面４Ｂのうち周壁部３１の内側には吸引口３３が形成されている。吸引口３３は基板Ｐを吸着保持するためのものであって、周壁部３１の内側において支持面４Ｂのうち支持部３０以外の複数の所定位置のそれぞれに設けられている。吸引口３３のそれぞれは、不図示の真空系に接続されている。制御装置７は、真空系を駆動し、基板Ｐと周壁部３１と支持面４Ｂとで囲まれた第１空間Ｖ１内部のガス（空気）を吸引してこの第１空間Ｖ１を負圧にすることによって、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持部３０で吸着保持する。また、真空系による吸引動作を解除することにより、基板ホルダ４の保持機構ＰＨより基板Ｐを外すことができる。本実施形態における基板ホルダ４の保持機構ＰＨは、所謂ピンチャック機構を構成している。
【００３５】
また、本実施形態においては、周壁部３１の上面３１Ａは、支持部３０の凸状部材の上面とほぼ同じ高さに設けられており、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持部３０で吸着保持したとき、基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３と周壁部３１の上面３１Ａとは密着する。
【００３６】
また、基板ホルダ４の保持機構ＰＨで基板Ｐの裏面Ｐｂを保持したとき、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、所定領域Ａ３の外側の第１領域Ａ１は、周壁部３１よりも外側に配置される。
【００３７】
上述のように、保持機構ＰＨは、基板ホルダ４の凹部４Ｒの内側に配置されており、保持機構ＰＨに保持された基板Ｐの周囲には、基板ホルダ４の上面４Ｆが配置される。そして、保持機構ＰＨに保持された基板Ｐの側面Ｐｃと、その基板Ｐの外側に配置された凹部４Ｒの内側面４Ｃとの間には、０．１〜１．０ｍｍ程度の所定のギャップＧ１が形成される。
【００３８】
基板ホルダ４は、周壁部３１と内側面４Ｃと支持面４Ｂと基板Ｐの下面Ｐｂの第１領域Ａ１とで囲まれた第２空間Ｖ２の流体を吸引する吸引口５２を備えている。吸引口５２は、基板ホルダ４のうち、周壁部３１と内側面４Ｃとの間の支持面４Ｂ上に設けられている。また、吸引口５２は、周壁部３１に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。吸引口５２には、流路５３を介して吸引装置５１が接続されている。吸引装置５１は、吸引口５２を介して第２空間Ｖ２の流体を吸引可能である。第２空間Ｖ２の流体は、第２空間Ｖ２の気体、及び第２空間Ｖ２に浸入した液体ＬＱを含み、吸引装置５１は、気体を吸引可能であるとともに、液体ＬＱを吸引回収可能である。吸引装置５１は、真空ポンプ等の真空系、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。吸引装置５１の吸引動作は制御装置７により制御される。
【００３９】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。
【００４０】
基板ホルダ４に保持された基板Ｐを液浸露光するために、制御装置７は、不図示の搬送系を用いて基板Ｐを基板ホルダ４に搬入（ロード）した後、基板ホルダ４の周壁部３１で囲まれた第１空間Ｖ１を負圧にすることによって基板Ｐの裏面Ｐｂを支持部３０で吸着保持する。次いで、制御装置７は、液浸機構１を用いて、基板ホルダ４に保持された状態の基板Ｐの表面Ｐａに液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。そして、制御装置７は、基板ホルダ４で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持した状態で、液浸領域ＬＲの液体ＬＱを介して基板Ｐの表面Ｐａに露光光ＥＬを照射する。
【００４１】
例えば基板Ｐの表面Ｐａの周縁領域を液浸露光するとき、投影光学系ＰＬの像面側に形成された液浸領域ＬＲの一部が基板Ｐの外側に形成される状態が生じ、その状態においては、ギャップＧ１の上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲが形成される。その場合、基板ホルダ４の保持機構ＰＨで保持された基板Ｐとその周囲の上面４Ｆ（内側面４Ｃ）とのギャップＧ１は、０．１〜１．０ｍｍ程度に設定されているので、液体ＬＱの表面張力によって、ギャップＧ１に液体ＬＱが浸入することが抑制されている。また、基板ホルダ４の上面４Ｆや内側面４Ｃに撥液性を付与しておくことにより、ギャップＧ１に液体ＬＱが浸入することをより確実に抑制することができる。したがって、基板Ｐの表面Ｐａの周縁領域を露光する場合にも、投影光学系ＰＬの下に液体ＬＱを保持することができる。
【００４２】
このように、ギャップＧ１を小さくしたり、基板ホルダ４の上面４Ｆや内側面４Ｃを撥液性にするなどして、ギャップＧ１からの液体ＬＱの浸入を抑制するようにしているが、基板ホルダ４（基板ステージ５）の移動や液浸領域ＬＲを形成している液体ＬＱの圧力変化などに起因して、基板Ｐの周囲に形成されているギャップＧ１を介して、基板ホルダ４の第２空間Ｖ２に液体ＬＱが浸入する可能性がある。
【００４３】
本実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂの刻印６０は、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち所定領域Ａ３以外の第１領域Ａ１に形成されており、基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３は研磨処理（鏡面加工）された研磨面（平坦面）であるため、周壁部３１で囲まれた第１空間Ｖ１を負圧にすることによって、基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３と基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａとを密着させることができる。したがって、ギャップＧ１を介して第２空間Ｖ２に液体ＬＱが浸入したとしても、その液体ＬＱが、基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３と周壁部３１の上面３１Ａとの間から第１空間Ｖ１側に移動することを抑制することができる。したがって、基板Ｐの裏面Ｐｂでの液体ＬＱの拡がりを抑制することができ、基板Ｐの裏面Ｐｂの広範囲が濡れることを防止することができる。
【００４４】
基板Ｐの液浸露光処理が終了後、すなわち、露光光ＥＬの照射を停止した後、制御装置７は、液浸領域ＬＲを基板Ｐ上及び基板ホルダ４上から取り除くとともに、基板ホルダ４に基板Ｐを保持した状態で、吸引装置５１の駆動を開始する。制御装置７は、露光光ＥＬの照射が停止されているときに、吸引装置５１を駆動することによって、その吸引装置５１により、吸引口５２を介して、第２空間Ｖ２の流体を吸引する。吸引装置５１が駆動されると、吸引口５２の周囲の気体（すなわち第２空間Ｖ２の気体）は、吸引口５２に吸引される。すなわち、吸引装置５１が吸引口５２を介して、第２空間Ｖ２の気体を吸引することによって、基板Ｐの側面Ｐｃと基板ホルダ４の内側面４Ｃとの間のギャップＧ１には、外部空間から第２空間Ｖ２へ向かう気体の流れが生成されるとともに、周壁部３１の側面と基板ホルダ４の内側面４Ｃとの間の第２空間Ｖ２には、吸引口５２に向かう気体の流れが生成される。これにより、仮にギャップＧ１を介して第２空間Ｖ２に液体ＬＱが浸入したり、あるいは、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、周壁部３１よりも外側にオーバーハングした第１領域Ａ１に液体ＬＱが付着しても、上述の気体の流れによって液体ＬＱを吸引口５２まで移動することができ、その吸引口５２を介して液体ＬＱを吸引装置５１によって吸引回収することができる。
【００４５】
そして、液体ＬＱの回収を行った後、制御装置７は、不図示の搬送系を用いて、露光処理後の基板Ｐを基板ホルダ４より搬出（アンロード）する。
【００４６】
以上説明したように、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａと対向する所定領域Ａ３を平坦にしたので、周壁部３１で囲まれた第１空間Ｖ１を負圧にすることによって基板Ｐを吸着保持した際、基板Ｐの裏面Ｐｂの第１領域Ａ３と周壁部３１の上面３１Ａとを密着させることができる。したがって、仮に、ギャップＧ１を介して第２空間Ｖ２に液体ＬＱが浸入したとしても、その液体ＬＱが第１空間Ｖ１へ浸入、すなわち基板Ｐの裏面Ｐｂで濡れ拡がることを抑制することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、所定領域Ａ３を含む基板Ｐの裏面Ｐｂのエッジから第２の幅Ｈ２の第２領域Ａ２が研磨面であり、第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１と幅Ｈ３との和よりも大きくなっている。すなわち、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、少なくとも周壁部３１の内側の領域まで研磨面となっている。これにより、基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂの研磨面（平坦面）とを確実に対向させ、周壁部３１の上面３１Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂとを密着させることができる。また、基板Ｐの裏面Ｐｂ（基材Ｗの下面Ｗｂ）の全域を研磨処理された研磨面とすることもできる。
【００４８】
あるいは、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａと対向する所定領域Ａ３及びその外側の第１領域Ａ１のみを研磨処理された研磨面としてもよい。
あるいは、所定領域Ａ３のみを研磨処理された研磨面とし、第１領域Ａ１は研磨処理されていなくてもよい。
【００４９】
なお、本実施形態においては、刻印６０は、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａと対向する所定領域Ａ３の外側の第１領域Ａ１に形成されているが、所定領域Ａ３の内側の領域に形成されてもよい。すなわち、刻印６０は、基板ホルダ４で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持したとき、周壁部３１よりも内側に設けられてもよい。刻印６０は、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、基板ホルダ４に設けられた周壁部３１の上面３１Ａと対向する所定領域Ａ３以外の領域に形成されていればよい。
【００５０】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂに刻印６０を形成しているが、刻印６０を設けないようにすることもできる。刻印６０を設けないことにより、基板Ｐの裏面Ｐｂの凹凸部を無くす、あるいは減らすことができるので、基板Ｐの裏面Ｐｂを基板ホルダ４で保持したとき、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に液体ＬＱが浸入することをより確実に抑制することができる。
【００５１】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図６を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。上述の第１実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂに形成される凹部又は凸部として、刻印６０を例にして説明したが、基板Ｐの裏面Ｐｂの凹部又は凸部として、刻印６０以外のものもある。例えば、基板Ｐの裏面Ｐｂに研磨処理を施さないことで、図６（Ａ）に示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂが粗面（いわゆる梨地）となる可能性がある。あるいは、基板Ｐの裏面Ｐｂに所定の処理を施すことによって、基板Ｐの裏面Ｐｂが粗面となる可能性もある。基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａと対向する所定領域Ａ３が粗面（梨地）の場合、ギャップＧ１を介して第２空間Ｖ２に浸入した液体ＬＱが、基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３との間から第１空間Ｖ１に入り込む可能性がある。図６（Ｂ）に示すように、その粗面（梨地）の領域を研磨処理して平坦にすることで、基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂとを密着させ、第１空間Ｖ１側に液体ＬＱが入り込む不都合を防止できる。
【００５２】
第２実施形態においても、基板Ｐの裏面Ｐｂの全域を研磨処理して研磨面としてもよいし、所定領域Ａ３を含む基板Ｐの裏面Ｐｂのエッジから第２の幅Ｈ２の第２領域Ａ２を研磨処理して研磨面としてもよいし、所定領域Ａ３及びその外側の第１領域Ａ１のみを研磨処理して研磨面としてもよいし、所定領域Ａ３のみを研磨処理して研磨面としてもよい。
【００５３】
なお、上述の第１、第２実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂを研磨処理しているが、周壁部３１の上面３１Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂとを対向させた状態で、第１空間Ｖ１を負圧にしたとき、第２空間Ｖ２の液体ＬＱが周壁部３１の上面３１Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂとの間から第１空間Ｖ１に浸入することを阻止することができる程度に、基板Ｐの裏面Ｐｂが平坦であるならば、基板Ｐの裏面Ｐｂに対する研磨処理を省略してもよい。
【００５４】
なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂは基材（半導体ウエハ）Ｗの裏面Ｗｂであるが、基材Ｗの裏面Ｗｂに所定の材料膜が形成されてもよい。この場合、その材料膜の表面（露出面）が基板Ｐの裏面Ｐｂとなる。また、基材Ｗの裏面Ｗｂに複数の材料膜が積層される場合、その再表層（再下層）の材料膜の表面（露出面）が基板Ｐの裏面ｂとなる。そして、その材料膜の表面（露出面）のうち、少なくとも基板ホルダ４の周壁部３１の上面３１Ａと対向する所定領域Ａ３を平坦にすることにより、基板ホルダ４で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持したとき、基板Ｐの裏面Ｐｂ側への液体ＬＱの浸入を抑制することができる。そのような材料膜として、例えば、撥液性膜を用いることができる。撥液性膜としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等を用い得る。あるいは、半導体製造工程で用いられることがあるＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を撥液性膜として用い得る。これらの材料で形成される撥液性膜は、基板Ｐのみならず、前述のように基板ホルダ４の上面４Ｆや内側面４Ｃに設け得る。
【００５５】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐｂの所定領域Ａ３に刻印などの凹凸がない基板Ｐを用いる場合について説明したが、露光装置ＥＸに搬入される前に、所定領域Ａ３にキズなどの凹凸が形成される可能性がある工程を省いておくことが望ましい。また、露光装置ＥＸに搬入される前に、不慮の事故等により、所定領域Ａ３にキズなどの凹凸が発生してしまった基板Ｐは、露光装置ＥＸでの露光処理から除外することが望ましい。
【００５６】
また、基板ホルダ４に保持される前に、基板Ｐの裏面Ｐｂの所定領域Ａ３が平坦になっているか否かを検査するための検査装置を露光装置ＥＸの内部又は外部に設けてもよい。
例えば、基板Ｐを基板ホルダ４に保持する前に、基板Ｐの裏面Ｐｂに検出光を照射して、その裏面Ｐｂからの光を受光することによって、所定領域Ａ３に刻印やキズなどの凹凸が形成されていないかどうか、すなわち所定領域Ａ３の凹凸が許容できるか否かを検査する検査装置を用いることができる。このような検査装置を設けておくことによって、基板Ｐｂの所定領域Ａ３に許容できない凹凸がある基板Ｐ、すなわち周壁部３１の内側への液体ＬＱの浸入を起こしそうな基板Ｐを露光装置ＥＸでの露光処理から確実に除外することができる。
【００５７】
また、上述の各実施形態においては、基板Ｐの表面Ｐａを、感光材からなる第１膜Ｒｇの表面として説明したが、この第１膜Ｒｇの上に他の材料膜が形成された場合、その材料膜の表面（露出面）が基板Ｐの表面Ｐａとなる。例えば、感光材からなる第１膜Ｒｇを覆うように、トップコート膜と呼ばれる保護膜が設けられた場合、そのトップコート膜の表面が、基板Ｐの表面Ｐａとなる。なお、トップコート膜は、感光材を液体ＬＱから保護する機能と、液体ＬＱの回収性を向上するために液体ＬＱとの接触角を調整する機能とを有している。例えば、液体ＬＱの接触角は、９０°以上でなるようなトップコート膜を設け得る。そのようなトップコート膜として、東京応化工業株式会社製「ＴＳＰ−３Ａ」が挙げられる。また、感光材からなる第１膜Ｒｇやトップコート膜を覆うように、反射防止膜が設けられた場合、その反射防止膜の表面（露出面）が基板Ｐの表面となる。
【００５８】
また、上述の実施形態においては、説明を簡単にするために、基材Ｗの表面がシリコン基板の表面である場合について説明したが、基材Ｗの表面（下地）がＳｉＯ２等の酸化膜の場合もある。また、基材Ｗの表面（下地）が、前のプロセスまでに生成されたＳｉＯ２等の酸化膜、ＳｉＯ２やＳｉＮｘ等の絶縁膜、ＣｕやＡｌ−Ｓｉなどの金属・導体膜、アモルファスＳｉなどの半導体膜である場合やこれらが混合する場合もある。したがって、エッジリンス処理をした後、基板Ｐの周縁領域においては、これらの膜表面が基板Ｐの表面となる場合もある。
【００５９】
また、上述の実施形態においては、基板ホルダ４の周壁の上面と対向する領域を平坦化した基板Ｐを用いるようにしているが、基板Ｐの裏面Ｐｂの平坦部の位置（あるいは刻印などの凹凸がある位置）に応じて、基板ホルダ４の周壁の位置を調整してもよい。例えば、基板Ｐの裏面Ｐｂの平坦部と基板ホルダ４の周壁の上面とが対向するように、基板Ｐの平坦部の位置に応じて基板ホルダ４を交換するようにしてもよい。
【００６０】
上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水を用いている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。
【００６１】
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
【００６２】
本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子ＦＬが取り付けられており、この光学素子により投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。
【００６３】
なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。
【００６４】
なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。
【００６５】
また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
【００６６】
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。
【００６７】
また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で光学素子ＦＬを形成してもよい。
【００６８】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。この場合、投影光学系、例えば、１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系が用いられる。
【００７０】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、その投影光学系を用いて、第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００７１】
また、上述の実施形態においては、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような、基板の表面に液体を供給して、基板表面全体を液浸した状態で基板の露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００７２】
更に、特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
上記実施形態では投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。
【００７３】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、レチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００７４】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro−mirror Device）などを含む）を用いてもよい。
【００７５】
また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。さらに、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
【００７６】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、前述した研磨プロセスを含むデバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】第１実施形態に係る基板を説明するための図である。
【図２】基板を研磨処理している様子を示す模式図である。
【図３】露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図４】基板ホルダを説明するための図である。
【図５】基板ホルダを説明するための要部拡大図である。
【図６】第２実施形態に係る基板を説明するための図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート図である。
【符号の説明】
【００７９】
１…液浸機構、４…基板ホルダ、３０…支持部、３１…周壁部、３１Ａ…上面、６０…刻印（凹凸部）、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、Ａ３…所定領域、ＥＬ…露光光、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、Ｐａ…表面、Ｐｂ…裏面、ＰＨ…保持機構、Ｖ１…第１空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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