(57)【要約】 【課題】  印刷等で簡便に作製可能な非線形有機半導体素子、並びにそれを画素制御に用いた表示素子の提供することを目標とする。【解決手段】  基板上に第１電極層、有機半導体層、第２電極層が順次積層されて積層体をなしており、第１電極層と有機半導体層の界面、もしくは第２電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成される有機半導体素子において、特に有機半導体層が２層の有機半導体層からなり、オーミック接合側の有機半導体層にキャリアドープを行うことにより、耐電圧性が高い非線形有機半導体素子を得た。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層、有機半導体層、第２電極層が順次積層されており、第１電極層と有機半導体層の界面、もしくは第２電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成され、該有機半導体層が２層以上の有機半導体層からなる有機半導体素子。
【請求項２】
第１電極層、第１有機半導体層、第２電極層、第２有機半導体層、第３電極層が順次積層されており、接合状態が、
(a)第１電極層と第１有機半導体層の界面および第３電極層と第２有機半導体層の界面がショットキー接合を有し、かつ、第２電極層と第１有機半導体層の界面および第２電極層と第２有機半導体層の界面がオーミック接合を有する、または、
(b)第１電極層と第１有機半導体層の界面および第３電極層と第２有機半導体層の界面がオーミック接合を有し、かつ、第２電極層と第１有機半導体層の界面および第２電極層と第２有機半導体層の界面がショットキー接合を有する、
のいずれかである有機半導体素子。
【請求項３】
第１有機半導体層および第２有機半導体層が２層以上の有機半導体層からなる請求項２に記載の有機半導体素子。
【請求項４】
第１電極層の上に第１有機半導体層、第２電極層が順次積層され、またこれと並列して第１電極層の上に第２有機半導体層、第３電極層が順次積層され、接合状態が、
(a)第１電極層と第１有機半導体層の界面および第１電極層と第２有機半導体層の界面がショットキー接合を有し、かつ、第２電極層と第１有機半導体層の界面および第３電極層と第２有機半導体層の界面がオーミック接合を有する、または、
(b)第１電極層と第１有機半導体層の界面および第１電極層と第２有機半導体層の界面がオーミック接合を有し、かつ、第２電極層と第１有機半導体層の界面および第３電極層と第２有機半導体層の界面がショットキー接合を有する、
のいずれかである有機半導体素子。
【請求項５】
第１有機半導体層および第２有機半導体層が２層以上の有機半導体層からなる請求項４に記載の有機半導体素子。
【請求項６】
第１電極層、1層以上の有機半導体層、第２電極層が順次積層されており、第１電極層と有機半導体層の界面、もしくは第２電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成された有機半導体素子を備え、第１電極層がデータ線と接続し、第２電極層が画素電極と接続した構成を有する表示素子。
【請求項７】
第２電極層が画素電極となる請求項６に記載の表示素子。
【請求項８】
各画素に、請求項２乃至３の有機半導体素子が設けられ、第１電極層がデータ線と接続し、第３電極層が画素電極と接続した構成を有する表示素子。
【請求項９】
請求項８の表示素子において、有機半導体素子の第３電極層が画素電極となる表示素子。
【請求項１０】
各画素に、請求項４乃至５の有機半導体素子が設けられ、第２電極層がデータ線と接続し、第３電極層が画素電極と接続した構成を有する表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、印刷等で簡便に作製可能な非線形有機半導体素子、並びにそれを画素制御に用いた表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化の進展に伴い、従来紙媒体で提供されていた情報が電子化されて提供される機会が増え、薄くて軽い、更にはフレキシビリティを有することによって手軽に持ち運びが可能なモバイル用表示媒体として、電子ペーパーあるいはデジタルペーパーへのニーズも高まりつつある。このため、薄くて軽くフレキシビリティを有し、耐衝撃性に優れるプラスチックフィルム基板に用いる試みがなされている。一般にこれら平板型のディスプレイ装置においては、画面輝度の均一性や画面書き換え速度などを確保するために、画像駆動素子としてTFT（Thin film transistor）素子やTFD（Thin film diode）素子を用いたアクティブ駆動素子を用いる技術が主流になっているが、従来のアモルファスSiやポリSiを用いたＴＦＴ素子の製造には通常、スパッタリング等の真空系プロセスによる積層加工と煩雑なフォトリソグラフィープロセスによる平面加工が必要とされ、また、膜質面から、成膜には300℃以上が一般的に必要とされている。このため、耐熱性および寸法安定性に劣るプラスチックフィルム基板上への形成は困難である。
【０００３】
これに対し近年、蒸着法により形成したπ共役系の有機低分子からなる有機半導体層がa-Si並の移動度を有するとの報告がなされ（例えば非特許文献１）、更にはπ共役系の有機高分子からなる有機半導体層を塗布法で形成することによっても比較的良好なトランジスタ特性が得られることが分かり（例えば非特許文献２）、この有機薄膜トランジスタがプラスチック基板上に低温かつ低コスト化が可能となる印刷法等による簡便なプロセスで形成ができる新規TFT素子として注目されている。実際にインクジェット法によるディスプレイ用TFT素子が形成できることも報告されている（例えば非特許文献３）。    
【０００４】
しかしながら実際には、これら塗布法で形成された有機TFT素子の特性向上にはゲート長を数十μｍ以下にする必要があるが、印刷技術のみでこの長さ精度を出すことは困難であり、結局はアモルファスSiやポリSi形成時と同等の煩雑なリソグラフィー工程が必要となり、プロセス温度の低減化は図れるものの、工程全体としてはアモルファスSiやポリSi形成時と同等の複雑な工程が必要となっている。
【０００５】
一方、1980年代に、TFD素子の電流電圧特性の非線形性を利用した画素駆動素子が開発され、本素子については、構造が２端子構造となるため、３端子構造であるTFT素子に比べて工程はかなり簡便になると一般に言われている。具体的には、従来よりタンタル電極/酸化タンタル/クロム電極によるMIM（Metal Insulator Metal）構造が良く知られ、実用化されている。（例えば非特許文献４）その他にも、白金電極/アモルファスSiのショットキーバリアを直列につないだBTB（Back to Back Diodeｓ）構造（Proceedings of the SID Vol25/4 p265-267,1984年）や、アモルファスSiのpin接合を利用したRD（Ring Diode）構造（非特許文献５）が提案されている。
【０００６】
しかしながら、これらの素子においては、作製工程が簡略化される半面、良質な絶縁膜やSi膜を得るために、その形成には少なくとも300℃以上の温度が必要であり、耐熱性および寸法安定性に劣るプラスチックフィルム基板上への形成には困難であった。
【非特許文献１】IEEE, Trans. Electron Devices 44巻, 1325ページ
【非特許文献２】Appl.Phys.Lett,69巻4108ページ
【非特許文献３】2003SIDダイジェスト 1084ページ
【非特許文献４】IEEE Transactions on Electron Devices, Vol．ED-28,No．6 p736-739, 1981年
【非特許文献５】Proceedings of the SID Vol26/1 p9-11,1985年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、高温プロセスを必要とせず、塗布または印刷形成が可能となる非線形有機半導体素子、および、それらを画素制御素子として用いた表示素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、第１電極層、有機半導体層、第２電極層が順次積層されており、第１電極層と有機半導体層の界面、もしくは第２電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成され、該有機半導体層が２層以上の有機半導体層からなる有機半導体素子である。
【０００９】
また本発明は、第１電極層、第１有機半導体層、第２電極層、第２有機半導体層、第３電極層が順次積層されており、接合状態が、(a)第１電極層と第１有機半導体層の界面および第３電極層と第２有機半導体層の界面がショットキー接合を有し、かつ、第２電極層と第１有機半導体層の界面および第２電極層と第２有機半導体層の界面がオーミック接合を有する、または、(b)第１電極層と第１有機半導体層の界面および第３電極層と第２有機半導体層の界面がオーミック接合を有し、かつ、第２電極層と第１有機半導体層の界面および第２電極層と第２有機半導体層の界面がショットキー接合を有する、のいずれかである有機半導体素子である。
この場合、第１有機半導体層および第２有機半導体層が２層以上の有機半導体層からなることが好ましい。
【００１０】
本発明は各画素に、上記の有機半導体素子が設けられ、第１電極層がデータ線と接続し、第３電極層が画素電極と接続した構成を有する表示素子である。この時、第３電極層が画素電極となるのは好ましい態様である。
【００１１】
また本発明は、第１電極層の上に第１有機半導体層、第２電極層が順次積層され、またこれと並列して第１電極層の上に第２有機半導体層、第３電極層が順次積層され、接合状態が、(a)第１電極層と第１有機半導体層の界面および第１電極層と第２有機半導体層の界面がショットキー接合を有し、かつ、第２電極層と第１有機半導体層の界面および第３電極層と第２有機半導体層の界面がオーミック接合を有する、または、(b)第１電極層と第１有機半導体層の界面および第１電極層と第２有機半導体層の界面がオーミック接合を有し、かつ、第２電極層と第１有機半導体層の界面および第３電極層と第２有機半導体層の界面がショットキー接合を有する、のいずれかである有機半導体素子である。
この場合、第１有機半導体層および第２有機半導体層が２層以上の有機半導体層からなることが好ましい。
【００１２】
本発明は、各画素に、上記の有機半導体素子が設けられ、第２電極層がデータ線と接続し、第３電極層が画素電極と接続した構成を有する表示素子である。
【００１３】
また本発明は、第１電極層、1層以上の有機半導体層、第２電極層が順次積層されており、第１電極層と有機半導体層の界面、もしくは第２電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成された有機半導体素子を備え、第１電極層がデータ線と接続し、第２電極層が画素電極と接続した構成を有する表示素子である。この表示素子において、有機半導体素子の第２電極層が画素電極となることは好ましい態様である。
以上の本発明の有機半導体素子において有機半導体層を２層以上にする場合は、いずれにおいてもオーミック接合を形成すべき電極と接する層にキャリアドーピングすればよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高温プロセスを必要としないために耐熱性の無いプラスチック基板上への形成が可能であり、かつ、煩雑なリソグラフィー工程が不要である簡便な塗布法または印刷法により形成が可能である有機半導体素子が提供できる。さらに、本発明の有機半導体素子は、特に自発光型表示素子や反射型表示素子の画素駆動素子に好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明者らは、鋭意検討した結果、
基板上に第１電極層、有機半導体層、第２電極層が順次積層されて積層体をなしており、第１電極層と有機半導体層の界面、もしくは第２電極層と有機半導体層の界面の一方にショットキー接合が形成され、もう一方にオーミック接合が形成される有機半導体素子において、逆方向にある一定バイアス以上を印加することにより電流が急激に流れ始めるという電流―電圧特性の可逆的な非線形特性が現れることを見出し、特に、有機半導体層を２層以上にし、オーミック接合を形成する電極に隣接する有機半導体層をキャリアドープすることによってオーミック接合を取るようにした有機半導体素子においては、耐電圧が高く再現性の高い良好な非線形特性が得られることを見出した。
【００１６】
また、表示素子の画素制御素子として用いる場合には、図１(a)または図１(b)に示すように、ダイオードである２個の有機半導体素子を極性が逆向きとなるように直列接続するいわゆるBTB構造が望ましい。これにより両極対称性が得られる。
具体的には、以下の構成が考えられる。
【００１７】
（構成１）
図２に示したのは、基板１上に第１電極層２、第１有機半導体層３、第２電極層４、第２有機半導体層５、第３電極層６が順次積層されて積層体をなしている有機半導体素子である。ここで接合形態として、(a)第１電極層２と第１有機半導体層３の界面および第３電極層６と第２有機半導体層５の界面がショットキー接合を有し、かつ、第２電極層４と第１有機半導体層３の界面および第２電極層４と第２有機半導体層５の界面がオーミック接合を有す場合（図１(a)に相当）、または、(b)第１電極層２と第１有機半導体層３の界面および第３電極層６と第２有機半導体層５の界面がオーミック接合を有し、かつ、第２電極層４と第１有機半導体層３の界面および第２電極層４と第２有機半導体層５の界面がショットキー接合を有する場合（図１(b)に相当）、のいずれでもよい。この構成によると第１電極層2に正バイアスまたは負バイアス、もしくは第３電極6に正バイアスまたは負バイアスのいずれを印加しても、一方のダイオード接合の逆方向電流電圧特性を得ることができる。
【００１８】
第１有機半導体層３および第２有機半導体層５は、例えば、公知であるAl層、p型銅フタロシアニン層、ITO層の順に積層した構造のショットキー型有機太陽電池にあるように、電極の選択により片側がショットキー接合となり、片側がオーミック接合となるような有機材料を選ぶことにより1層で構成することもできる。しかしながら、本発明ではショットキー接合の逆方向特性を利用するために耐電圧特性が重要となる。そこで有機半導体層を２層以上の有機半導体層とし、オーミック接合をとるべき電極に隣接する有機半導体層をキャリアドープした有機半導体層とすることが好ましい。これによって一方の電極側にオーミック接合を形成することができ、耐電圧が高く再現性の高い良好な非線形特性が得られる。
【００１９】
（構成２）
図３に示したのは、基板７上に形成された第１電極層８の上に、第１有機半導体層９、第２電極層10が順次積層された積層体と、第２有機半導体層11、第３電極層12が順次積層された積層体をなしている有機半導体素子である。ここで接合形態としてはそれぞれ図1(a)、(a)第１電極層８と第１有機半導体層９の界面および第１電極層８と第２有機半導体層11の界面がショットキー接合を有し、かつ、第２電極層10と第１有機半導体層９の界面および第３電極層12と第２有機半導体層11の界面がオーミック接合を有す場合（図１(b)に相当）、または、(b)第１電極層８と第１有機半導体層９の界面および第１電極層８と第２有機半導体層11の界面がオーミック接合を有し、かつ、第２電極層10と第１有機半導体層９の界面および第３電極層12と第２有機半導体層11の界面がショットキー接合を有す場合（図１(a)に相当）、のいずれでもよい。この構成によると第２電極層に正バイアスまたは負バイアス、もしくは第3電極に正バイアスまたは負バイアスのいずれを印加しても、一方のダイオード接合の逆方向電流電圧特性を得ることができる。
【００２０】
この場合も図２の構造と同様に、第１有機半導体層9および第２有機半導体層11は、例えば、Al層、p型銅フタロシアニン層、ITO層の順に積層した構造のショットキー型有機太陽電池にあるように、電極の選択により片側がショットキー接合となり、片側がオーミック接合となるような有機材料を選ぶことにより1層で構成することもできる。しかしながら、本発明ではショットキー接合の逆方向特性を利用するために耐電圧特性が重要となり、望ましくは２層以上の有機半導体層からなり、オーミック接合を形成する電極に隣接する有機半導体層にキャリアドープした有機半導体層を設けることによってオーミック接合を形成することにより、耐電圧が高く再現性の高い良好な非線形特性が得られ易くなることから、より望ましい。
【００２１】
さらに、これら有機半導体素子を図４または図５に示すように、一般的な表示素子の画素制御素子として用いても良い。図４に表示素子の画素部を拡大したものを示す。画素電極13にはITOのような透明導電膜を用いる。これを駆動するスイッチとして、第１電極層２、第１有機半導体層3、第２電極層4、第２有機半導体層5、第３電極層6  が，この順に積層されたBTB構造が形成されている。第１電極2はデータ線14と、第３電極層6は画素電極13とそれぞれ直流的に接続されている。一方図５には、スイッチとして第１電極層の上に第１有機半導体層9と第２電極層10をこの順に積層し、またこれと並列に第１電極層の上に第２有機半導体層11と第３電極層12とがこの順に積層した構造を示している。そして第３電極層12はデータ線14が接続され、第２電極層10は画素電極と接続されている。
【００２２】
次に、構成１の有機半導体素子の電極のうちの１つを画素電極とすることが望ましい。図６に示すように、各画素に、第１電極層2、第１有機半導体層3、第２電極層4、第２有機半導体層5、第３電極層6がこの順に積層された構成１の有機半導体素子が設けられ、第１電極層2がデータ線14と接続し、各層の大きさを画素の大きさにほぼ等しくして、第３電極を画素電極とする。
【００２３】
これにより有機半導体素子を含む面積を画素として利用できるため、電流駆動の場合は大きな電流量をえることができ、電圧駆動の場合は大きな電気容量が得られる。さらに印刷等の塗布プロセスでの簡便性を高めることができる。
本構成によれば、第3電極層上に、液晶や電気泳動を利用するマイクロカプセル、ツイストボール等の反射型表示媒体15が設けられ、対向電極と第3電極層間の電圧により表示状態が制御される。そして第３電極が反射面となって反射型表示素子に用いることができる。または、第３電極上に自発光素子である有機EL素子等が設けられ、対抗電極と第３電極間の電流により表示状態が制御される。また、本構成によれば、画素全体に素子形成が行われることにより、高い開口率が得られ、かつプロセスサイズが大きくなることから印刷等の適用がより容易になる。なお、このとき、液晶やマイクロカプセル、ツイストボール、有機EL素子等から素子を保護するために、素子の周囲に保護層が設けられてもよい。
【００２４】
本発明で用いられるショットキー接合を形成する電極は、半導体材料のフェルミレベルおよび電極材料の仕事関数により適宜選ばれるものであるが、一般に隣接する半導体材料がp型の場合、仕事関数の小さいAg,Alやアルカリ金属、アルカリ土類金属等が望ましく、半導体材料がn型の場合、仕事関数の大きいAu, Ni, Pt, ITOやPSS(poly styrene sulfonic acid)をドープしたPEDOT(Poly ethylenedioxy thiophene)の有機化合物等が望ましい。これらはプロセスおよび所望のデバイス特性を鑑み適宜選ばれるものである。
【００２５】
一方、本発明で用いられるオーミック接合を形成する電極は、半導体材料のフェルミレベルおよび電極材料の仕事関数により適宜選ばれるものであるが、一般に隣接する半導体材料がp型の場合、仕事関数の大きいAu, Ni, Pt, ITOやPSS(poly styrene sulfonic acid)をドープしたPEDOT(Poly ethylenedioxy thiophene)の有機化合物等が望ましく、半導体材料がn型の場合、仕事関数の小さいAg,Alやアルカリ金属、アルカリ土類金属等が望ましいが、後に示すように、隣接する有機半導体材料に過剰のキャリアドープすることにより良好なオーミック接合を形成することも可能であり、これらはプロセスおよび所望のデバイス特性を鑑み適宜選ばれるものである。
【００２６】
これら電極材料の形成にはスパッタや真空蒸着等で形成が可能であるが、PSS(poly styrene sulfonic acid) をドープしたPEDOT(Poly ethylenedioxy thiophene)の有機化合物や、Ag，Au等を電極材料とする場合は、これらのペーストを用いたインクジェット法やグラビア印刷等の印刷手法による形成も可能である。
【００２７】
膜厚は電極としての機能を有する導電性を発現できる膜厚であればよく、具体的には、10nm〜100μｍが望ましい。
【００２８】
本発明で用いられる有機半導体材料は特に限定するものはないが、p型であれば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、コロネン等の縮合多環芳香族化合物、フタロシアニン系化合物、アゾ系化合物、ペリレン系化合物、カルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー誘導体、フルオレン誘導体等が挙げられ、n型であれば、フラーレン、フッ素化フタロシアニンや、ＴＣＮＱ，ＴＣＮＮＱ，ＰＴＣＤＡ，ＮＴＣＤＡ，ＤＦＨ-６Ｔ等が挙げられ、プロセスの観点から溶媒可溶性を有する材料がより望ましい。
【００２９】
これら有機半導体は一般に真空蒸着法により形成が可能であるが、溶媒可溶性を有する材料においては、スピンコート法、インクジェット法やグラビア印刷法等の塗布形成も可能であり、プロセス簡便性より、塗布手法の方が望ましい。
【００３０】
膜厚は所望のデバイス特性を鑑み適宜選ばれるものであるが、耐電圧性と高いon/off比性能を得る観点から、10nm〜10μmが望ましく、100nm〜1μmがより望ましい。
【００３１】
また、本発明で用いられる有機半導体へのキャリアドーパントとして、ｐ型半導体に対しては、PSS(poly styrene sulfonic acid)やハロゲン類、サリチル酸金属錯体等が挙げられる。
【００３２】
サリチル酸金属錯体においては、金属は亜鉛であることが好ましい。また、溶解性を調整するために側鎖等を導入するの好ましく、具体的にはアルコキシカルボニルアミノ基やｔ−ブチル基などが挙げられる。
【００３３】
更に、Ｐ型有機半導体材料とサリチル酸金属錯体の混合比は、キャリア濃度に影響するものであり、所望のデバイス特性に対して適宜選ばれるものである。また、その他の機能向上にためにＰ型有機半導体材料及びサリチル酸金属錯体以外の材料を添加しても良い。
【００３４】
有機材料とサリチル酸金属錯体の混合方法は、両方の材料に可溶な溶媒中で混合すれば良く、もしくは、先にＰ型有機半導体材料を成膜した後、前記Ｐ型有機半導体材料に対して僅かに溶解性のある溶媒に溶かしたサリチル酸金属錯体を含む溶液を前記Ｐ型有機半導体薄膜上から接触させることにより、薄膜中にサリチル酸金属錯体が侵食し、その薄膜の表面の一部のみ、もしくは全体を改質することも可能である。
【００３５】
また、ｎ型半導体へのキャリアドーパントとしては、アルカリ金属類やカーボンナノチューブ，フラーレン等が挙げられ、ｐ型半導体に対しての時と同じく、可溶性を有するものがプロセスの観点から望ましい。
【００３６】
これら有機半導体へのドーピングは、真空蒸着法においては一般に共蒸着により形成が可能であるが、有機半導体材料およびドーピング材料が共に溶媒可溶性を有する材料においては、両方の材料が可溶な溶媒中で混合したもの、または、それぞれの材料をそれぞれ可溶な溶媒中で溶解したものを混合したものをスピンコート法、インクジェット法やグラビア印刷法等で塗布形成することができ、プロセス簡便性より、この方が望ましい。
【００３７】
ドーピングを行った有機半導体層の膜厚は所望のデバイス特性を鑑み適宜選ばれるものであるが、10nm〜10μmが望ましく、100nm〜1μmがより望ましい。
以下、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
Ｐ型半導体である、側鎖を導入した銅フタロシアニン（化式1）（ＣｕＰＣ１）と、モル比で１０ｍｏｌ％となるようにドーパントであるサリチル酸亜鉛（化式２）（ＺｎＳａ）とを混合し、クロロホルム（アルドリッチ社製）にＣｕＰＣ1とＺｎＳａトータルの重量で２０ｇ／ｌの濃度となるように完全に溶解させる。
【００３８】
【化１】
2007042685.tif 000002
【００３９】
【化２】
2007042685.tif 000003
【００４０】
この溶液を用いて、図７に示すパターニングされたＩＴＯ電極17が形成されたガラス基板16上にスピンコート法により塗布して薄膜を形成する。その後９０℃のオーブンに１５分間保持し、溶媒を除去した。触針式膜厚計（Dektak）により計測した、この薄膜18の厚みは２００ｎｍであった。
【００４１】
更に、Ｐ型半導体である、側鎖を導入した銅フタロシアニン（化式３）（ＣｕＰＣ２）を今度は１，２−ジメチルシクロヘキサン（和光純薬工業（株）製）に４０ｇ／ｌとなるよう溶解させた。この溶液を用いて、上記薄膜上にスピンコート法により塗布し２層目の薄膜19を形成する。その後９０℃のオーブンに１５分間保持し、溶媒を除去した。触針式膜厚計（Dektak）により計測した、１層及び２層トータルの薄膜の厚みは５００ｎｍであった。
【００４２】
【化３】
2007042685.tif 000004
【００４３】
次に、上記の積層した有機薄膜上にガラス基板上のＩＴＯ電極と２ｍｍ角の大きさで重なるようにマスクを密着するように被せ、約２０ｎｍ程度の厚さの銀を真空蒸着して銀電極20を得た。
【００４４】
この素子の電流−電圧（Ｉ-Ｖ）特性をAgilent社製半導体パラメータアナライザ（型式4155C）を用いて測定したところ、図8に示すように、４Ｖ付近より電流が急激に流れ始める非線形特性が得られ、０Ｖと２０Ｖ印加時の電流比は約10４であった。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、特に、印刷等で簡便に作製可能な非線形有機半導体素子、並びにそれを画素制御に用いた表示素子を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明素子を利用する回路図。
【図２】本発明の構成１を示す図。
【図３】本発明の構成２を示す図。
【図４】本発明の構成１の素子を画素スイッチに用いた１例
【図５】本発明の構成２の素子を画素スイッチに用いた１例
【図６】本発明の構成１の素子を画素のほぼ全面に用いた１例
【図７】実施例１の有機半導体素子の構造図。
【図８】実施例１で得られた有機半導体素子の電流電圧特性。
【符号の説明】
【００４７】
1：基板、    2：第１電極層、    3：第１有機半導体層
4：第２電極層、  5：第２有機半導体層、  6：第３電極層
7：基板、  8：第１電極層、  9：第１有機半導体層
10：第２電極層、  11：第２有機半導体層、  12：第３電極層
13：画素電極、    14：データ線、    15：表示媒体
16：ガラス基板、  17：ＩＴＯ電極、  18：薄膜 
19：薄膜、        20：銀電極        
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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