(57)【要約】【課題】軽量化やフレキシブル化を可能とするとともに、その上に設けられる層への悪影響を防止して特性に優れる電子デバイスを構築可能な電子デバイス用基板を製造し得る電子デバイス用基板の製造方法、かかる電子デバイス用基板の製造方法により製造された電子デバイス用基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】電子デバイス用基板の製造方法は、樹脂材料を主材料として構成される基板２０の一方の面側に、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されるポリオルガノシロキサン膜３０をプラズマ重合法により形成する第１の工程と、ポリオルガノシロキサン膜３０の基板２０と反対側の面に対して親液化処理を施す第２の工程と、ポリオルガノシロキサン膜３０の基板２０と反対側の面に、導電性材料を主材料として構成される導電膜４０を液相プロセスにより形成する第３の工程とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂材料を主材料として構成される基板の一方の面側に、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されるポリオルガノシロキサン膜をプラズマ重合法により形成する第１の工程と、
該ポリオルガノシロキサン膜の前記基板と反対側の面に対して親液化処理を施す第２の工程と、
前記ポリオルガノシロキサン膜の前記基板と反対側の面に、導電性材料を主材料として構成される導電膜を液相プロセスにより形成する第３の工程とを有することを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料を用いて、前記ポリオルガノシロキサン膜を形成する請求項１に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、前記親液化処理は、前記ポリオルガノシロキサン膜に対する前記液相プロセスで用いられる液状材料の濡れ性を向上させる処理である請求項１または２に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記親液化処理は、前記液状材料の前記ポリオルガノシロキサン膜に対する接触角が７５°以下となるように行われる請求項３に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程において、前記親液化処理は、前記ポリオルガノシロキサンをＳｉＯ２に変化させるＳｉＯ２化処理である請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項６】
前記ＳｉＯ２化処理は、前記ポリオルガノシロキサン膜の前記基板と反対側の面に対する紫外線の付与、プラズマの付与およびオゾンの付与のうちの少なくとも１つにより行われる請求項５に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項７】
前記紫外線の付与は、水蒸気ガス分圧が０．２〜０．９ｋＰａの雰囲気で行われる請求項６に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項８】
前記ＳｉＯ２化処理により、前記ポリオルガノシロキサン膜の前記基板と反対側の面付近に存在する前記オルガノシロキサンを選択的にＳｉＯ２に変化させる請求項５ないし７のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項９】
前記導電性材料は、透明導電性酸化物材料を主成分とするものである請求項１ないし８のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法により製造されたことを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子デバイス用基板を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】
前記導電膜の前記基板と反対側に設けられ、液晶分子を含む液晶層を有する請求項１１に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の電子デバイスを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶素子、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の各種の電子デバイスにおいて、軽量化を目的として、樹脂製の基板が用いられるようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
ところが、樹脂製の基板では、電子デバイスの駆動時の発熱等により加熱され、樹脂中に混在する揮発成分が気化（揮発）して、駆動用の電極や、液晶層、有機ＥＬ層等に悪影響を及ぼすことがある。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３５２２５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、軽量化やフレキシブル化を可能とするとともに、その上に設けられる層への悪影響を防止して特性に優れる電子デバイスを構築可能な電子デバイス用基板を製造し得る電子デバイス用基板の製造方法、かかる電子デバイス用基板の製造方法により製造された電子デバイス用基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、樹脂材料を主材料として構成される基板の一方の面側に、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されるポリオルガノシロキサン膜をプラズマ重合法により形成する第１の工程と、
該ポリオルガノシロキサン膜の前記基板と反対側の面に対して親液化処理を施す第２の工程と、
前記ポリオルガノシロキサン膜の前記基板と反対側の面に、導電性材料を主材料として構成される導電膜を液相プロセスにより形成する第３の工程とを有することを特徴とする。
これにより、軽量化やフレキシブル化を可能とするとともに、その上に設けられる層への悪影響を防止して特性に優れる電子デバイスを構築可能な電子デバイス用基板を製造することができる。
【０００６】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第１の工程において、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料を用いて、前記ポリオルガノシロキサン膜を形成することが好ましい。
オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、取り扱いが容易である。
【０００７】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第２の工程において、前記親液化処理は、前記ポリオルガノシロキサン膜に対する前記液相プロセスで用いられる液状材料の濡れ性を向上させる処理であることが好ましい。
これにより、ポリオルガノシロキサン膜上に、各部において均一かつ均質な導電膜を得ることができる。
【０００８】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第２の工程において、前記親液化処理は、前記液状材料の前記ポリオルガノシロキサン膜に対する接触角が７５°以下となるように行われることが好ましい。
これにより、導電膜形成用の液状材料をポリオルガノシロキサン膜の上面において、円滑かつ確実に濡れ広げさせることができる。
【０００９】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第２の工程において、前記親液化処理は、前記ポリオルガノシロキサンをＳｉＯ２に変化させるＳｉＯ２化処理であることが好ましい。
ＳｉＯ２化処理によれば、ポリオルガノシロキサン膜の上面の各部において親液化処理の程度に、バラツキが生じるのを好適に防止することができる。
【００１０】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記ＳｉＯ２化処理は、前記ポリオルガノシロキサン膜の前記基板と反対側の面に対する紫外線の付与、プラズマの付与およびオゾンの付与のうちの少なくとも１つにより行われることが好ましい。
これらの方法によれば、ポリオルガノシロキサンが側鎖に有する有機基とＳｉとの結合をより確実に切断して、酸素原子を導入すること、すなわち、ＳｉＯ２化をより確実に行うことができる。
【００１１】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記紫外線の付与は、水蒸気ガス分圧が０．２〜０．９ｋＰａの雰囲気で行われることが好ましい。
これにより、有機基とＳｉとが切断されるのとほぼ同時に、雰囲気中に存在する水分子からＯＨ基（または酸素原子）が効率よく導入されるため、ポリオルガノシロキサンをより迅速にＳｉＯ２に変化させることができる。
【００１２】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記ＳｉＯ２化処理により、前記ポリオルガノシロキサン膜の前記基板と反対側の面付近に存在する前記オルガノシロキサンを選択的にＳｉＯ２に変化させることが好ましい。
これにより、ポリオルガノシロキサン膜は、その基板側の領域（部分）において高いガスバリア性および耐薬品性を維持しつつ、その上面に液相プロセスによる確実な成膜が可能となる。
【００１３】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記導電性材料は、透明導電性酸化物材料を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、この電子デバイス用基板を用いて構築される電子デバイスをより応答速度の速いものとすることができる。
本発明の電子デバイス用基板は、本発明の電子デバイス用基板の製造方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスを構築することができる。
【００１４】
本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用基板を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記導電膜の前記基板と反対側に設けられ、液晶分子を含む液晶層を有することが好ましい。
これにより、信頼性の高い液晶装置が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
以下、本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合を一例に説明する。
図１は、本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
【００１６】
なお、図１では、図が煩雑となるのを避けるため一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す透過型液晶表示装置１（以下、単に「液晶表示装置１」と言う。）は、液晶パネル（表示パネル）２と、バックライト（光源）６とを有している。
この液晶表示装置１は、バックライト６からの光を液晶パネル２に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
【００１７】
液晶パネル２は、互いに対向して配置された第１の基板２２と第２の基板２３とを有し、これらの第１の基板２２と第２の基板２３との間には、表示領域を囲むようにしてシール材（図示せず）が設けられている。
そして、これらの第１の基板２２、第２の基板２３およびシール材により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、液晶層（中間層）２４が形成されている。すなわち、第１の基板２２と第２の基板２３との間に、液晶層２４が介挿されている。
なお、図示は省略したが、液晶層２４の上面および下面には、それぞれ、例えばポリイミド等で構成される配向膜が設けられている。これらの配向膜により液晶層２４を構成する液晶分子の配向性（配向方向）が規制されている。
【００１８】
第１の基板２２および第２の基板２３は、それぞれ、樹脂材料を主材料として構成されている。これにより、液晶表示装置１の軽量化やフレキシブル化が可能となる。この樹脂材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリアリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１９】
第１の基板２２は、その上面（液晶層２４側の面）２２１側に、マトリックス状（行列状）に配置された複数の画素電極２２３と、Ｘ方向に延在する信号電極２２４とが設けられ、１列分の画素電極２２３の各々が１本の信号電極２２４に、それぞれ、ＴＦＤ素子（スイッチング素子）２２２を介して接続されている。
ＴＦＤ素子２２２は、信号電極２２４から引き出された引き出し部２２８上に、絶縁膜を介して金属層２２９が積層されて構成され、金属層２２９が画素電極２２３に接続されている。なお、スイッチング素子には、ＴＦＤ素子２２２に代わり、ＴＦＴ素子を用いることもできる。
【００２０】
また、第１の基板２２の下面には、偏光板２２５が設けられている。
一方、第２の基板２３は、その下面（液晶層２４側の面）２３１側に、複数の帯状をなす走査電極２３２が設けられている。これらの走査電極２３２は、信号電極２２４とほぼ直交するＹ方向に沿って、互いに所定間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極２２３の対向電極となるように配列されている。
【００２１】
画素電極２２３と走査電極２３２とが重なる部分（この近傍の部分も含む）が１画素を構成し、これらの電極間で充放電を行うことにより、各画素毎に、液晶層２４の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
画素電極２２３、信号電極２２４、引き出し部２２８、金属層２２９および走査電極２３２は、それぞれ、透明導電性材料を主材料とする透明導電膜で構成されている。
【００２２】
かかる透明導電性材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素含有スズ酸化物（ＦＴＯ）、亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）、アンチモンスズ酸化物（ＡＴＯ）等の透明導電性酸化物材料を主成分とするものが好適に用いられる。これにより、液晶表示装置１をより応答速度の速いものとすることができる。
各走査電極２３２の下面には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有色層（カラーフィルター）２３３が設けられ、これらの各有色層２３３がブラックマトリックス２３４によって仕切られている。
ブラックマトリックス２３４は、遮光機能を有し、例えば、クロム、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、亜鉛、チタンのような金属、カーボン等を分散した樹脂等で構成されている。
【００２３】
また、第２の基板２３の上面には、前記偏光板２２５とは偏光軸が異なる偏光板２３５が設けられている。
このような構成の液晶パネル２では、バックライト６から発せられた光は、偏光板２２５で偏光された後、第１の基板２２および各画素電極２２３を介して、液晶層２４に入射する。液晶層２４に入射した光は、各画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層２３３、走査電極２３２および第２の基板２３を通過した後、偏光板２３５で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置１では、第２の基板２３の液晶層２４と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像（動画および静止画の双方を含む）を視認することができる。
【００２４】
さて、本発明では、第１の基板２２の上面２２１に、換言すれば、第１の基板２２と画素電極２２３および引き出し部２２８との間に、また、第２の基板２３の下面２３１に、換言すれば、第２の基板２３と走査電極２３２との間に、それぞれ、ポリオルガノシロキサン（オルガノシラン）を主材料として構成されるポリオルガノシロキサン膜３が設けられている。
すなわち、本実施形態では、第１の基板２２と、ポリオルガノシロキサン膜３と、画素電極２２３および引き出し部２２８（導電膜）とにより、また、第２の基板２３と、ポリオルガノシロキサン膜３と、走査電極２３２（導電膜）とにより、それぞれ、本発明の電子デバイス用基板が構成されている。
【００２５】
ここで、ポリオルガノシロキサン膜３は、ポリオルガノシロキサンが備える側鎖の有機基の性質を反映して、ガスバリア性が高く、かつ耐アルカリ性（耐薬品性）に優れる性質を示す。このため、第１の基板２２および第２の基板２３から、例えば、これらの温度上昇にともない、たとえガスが発生したとしても、ポリオルガノシロキサン膜３が液晶層２４側へのガスの透過を阻止することができる。また、液晶層２４への外部からの水分の浸入を防止することもできる。このようなことから、液晶層２４が含む液晶分子の変質・劣化や、画素電極２２３等の透明導電膜における比抵抗の上昇を好適に防止して、液晶表示装置１の特性（表示特性）の低下を防止することができる。
【００２６】
ポリオルガノシロキサン膜３の水蒸気透過度は、０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ・４０℃・９０％ＲＨ以下であるのが好ましく、０．００１ｇ／ｍ2・ｄａｙ・４０℃・９０％ＲＨ以下であるのがより好ましい。
ポリオルガノシロキサン膜３の水蒸気透過度を、かかる範囲内に設定することにより、ポリオルガノシロキサン膜３にガスバリア層として機能を確実に発揮させて、液晶層２４側へのガスの透過を確実に阻止することができる。
【００２７】
なお、この水蒸気透過度は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９に規定の方法により測定される。
このようなポリオルガノシロキサン膜３を構成するポリオルガノシロキサンとしては、例えば、ジメチルシリコーン、ジエチルシリコーンのようなジアルキルシリコーン、シクロアルキルシリコーン、アルキルアリールシリコーン等が挙げられ、これらの１種または２種以上を用いることができる。
【００２８】
これらの中でも、ポリオルガノシロキサンとしては、ジアルキルシリコーン（特に、ジメチルシリコーン）を主成分とするものが好適である。ジアルキルシリコーンを主成分とするポリオルガノシロキサン膜３は、特に、ガスバリア性が高く、後述するプラズマ重合法による膜形成が容易である。また、ポリオルガノシロキサン膜３をジアルキルシリコーンを主材料として構成することにより、後述するようなＳｉＯ２化（親液化）が容易である。
また、ポリオルガノシロキサン膜３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。かかる厚さとすることにより、ポリオルガノシロキサン膜３は、十分なガスバリア性を発揮するものとなる。
【００２９】
次に、上述したような構成の電子デバイス用基板を製造し得る本発明の電子デバイス用基板の製造方法について説明する。
図２は、本発明の電子デバイス用基板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
＜１＞  まず、図２（ａ）に示すように、前述した樹脂材料を主材料として構成される基板２０（第１の基板２２および第２の基板２３）を用意する。
【００３０】
＜２＞  次に、図２（ｂ）に示すように、基板２０の上面（一方の面）に、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されるポリオルガノシロキサン膜３０（ポリオルガノシロキサン膜３）をプラズマ重合法により形成する（第１の工程）。
このプラズマ重合法は、基板２０の上面に、オルガノシロキサン（ポリオルガノシロキサンの前駆体）をガス状としてキャリアガスとともに供給し、プラズマ重合によりポリオルガノシロキサン膜３０を形成する方法である。
【００３１】
プラズマ重合法によれば、均質かつ均一な膜厚のポリオルガノシロキサン膜３０を容易に形成することができる。
このポリオルガノシロキサンとしては、前述したように、ジアルキルシリコーンを主材料とするものが好適である。
この場合、ポリオルガノシロキサン膜３０を形成するための原料（前駆体）としては、例えば、メチルポリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、オクタメチルトリシロキサンを主成分とするものが好適である。オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、沸点が１５３°であり気化がある程度容易にできることから、取り扱いが容易である。
【００３２】
キャリアガス（添加ガス）としては、例えば、アルゴン、ヘリウム、窒素等が挙げられる。
また、プラズマ重合法の条件（成膜条件）は、例えば、次のようにすることができる。
高周波の出力は、１００〜１５００Ｗ程度であるのが好ましく、１００〜１０００Ｗ程度であるのがより好ましい。
【００３３】
成膜時のチャンバ内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【００３４】
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。
また、基板２０の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
このような条件を適宜設定することにより、所望の厚さかつ密度のポリオルガノシロキサン膜３０を形成することができる。
【００３５】
＜３＞  次に、図２（ｃ）に示すように、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面（基板２０と反対側の面）に対して親液化処理を施す。
ここで、次工程＜４＞では、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面側に導電膜４０を液相プロセスにより形成するが、ポリオルガノシロキサン膜３０は、ポリオルガノシロキサンが備える側鎖の有機基の性質を反映して、高い撥液性を示す。
【００３６】
このため、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面への親液化処理を省略して、導電膜４０を形成しようとすると、導電膜形成用の液状材料の調製に用いる溶剤の種類の選択が難しく、ポリオルガノシロキサン膜３０との密着性に優れ、均一かつ均質な導電膜４０の形成が困難となる。
そこで、本発明では、次工程＜４＞に先立って、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面に対して親液化処理を施す。これにより、ポリオルガノシロキサン膜３０に対する導電膜形成用の液状材料の濡れ性が向上し、各部においてポリオルガノシロキサン膜３０との密着性に優れ、均一かつ均質な導電膜４０を得ることができる。
【００３７】
この親液化処理は、導電膜形成用の液状材料のポリオルガノシロキサン膜３０に対する接触角が７５°以下となるように行うのが好ましく、１０〜４０°程度となるように行うのがより好ましい。これにより、導電膜形成用の液状材料をポリオルガノシロキサン膜３０の上面において、円滑かつ確実に濡れ広げさせることができる。
このような親液化処理は、例えば、ポリオルガノシロキサンをＳｉＯ２に変化させるＳｉＯ２化処理およびグロー放電処理等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３８】
これらの中でも、親液化処理には、ＳｉＯ２化処理を用いるのが好ましい。ＳｉＯ２化処理によれば、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面の各部において親液化処理の程度に、バラツキが生じるのを好適に防止することができる。
このＳｉＯ２化処理としては、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面に対して、例えば、紫外線を付与（照射）する方法、プラズマを付与する方法、オゾンを付与する方法、電子ビームを付与する方法、熱を付与する方法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、ＳｉＯ２化処理は、紫外線の付与、プラズマの付与およびオゾンの付与のうちの少なくとも１つにより行うのが好ましい。これらの方法によれば、ポリオルガノシロキサンが側鎖に有する有機基とＳｉとの結合をより確実に切断して、酸素原子を導入すること、すなわち、ＳｉＯ２化をより確実に行うことができる。
【００３９】
Ａ：ＳｉＯ２化処理として紫外線の付与を用いる場合
紫外線の波長は、４００ｎｍ以下であればよく、特に限定されないが、１００〜３５０ｎｍ程度であるのが好ましい。
紫外線の強度は、１０００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、１４００〜２６００ｍＪ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００４０】
また、紫外線の付与時間（照射時間）は、１〜１０分程度であるのが好ましく、３〜７分程度であるのがより好ましい。
なお、雰囲気は、いかなるものであってもよいが、水蒸気ガス分圧が０．２〜０．９Ｐａ程度であるのが好ましく、０．２〜０．８５Ｐａ程度であるのがより好ましく、０．４〜０．８５Ｐａ程度であるのがさらに好ましい。これにより、有機基とＳｉとが切断されるのとほぼ同時に、雰囲気中に存在する水分子からＯＨ基（または酸素原子）が効率よく導入されるため、ポリオルガノシロキサンをより迅速にＳｉＯ２に変化させることができる。
【００４１】
Ｂ：ＳｉＯ２化処理としてプラズマの付与を用いる場合
プラズマを発生させるガス種としては、例えば、酸素ガス、窒素ガス、不活性ガス（アルゴンガス、ヘリウムガス等）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
高周波の出力は、１００〜７００Ｗ程度であるのが好ましく、３００〜５００Ｗ程度であるのがより好ましい。
ガスの流量は、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１００〜３００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
高周波の出力時間（処理時間）は、１〜１０分程度であるのが好ましく、３〜７分程度であるのがより好ましい。
【００４２】
なお、雰囲気は、大気中または減圧状態のいずれであってもよいが、大気中とするのが好ましい。これにより、有機基とＳｉとが切断されるのとほぼ同時に、大気中に存在する酸素分子から酸素原子が効率よく導入されるため、ポリオルガノシロキサンをより迅速にＳｉＯ２に変化させることができる。
特に、プラズマには、プラズマを発生するガス種として、酸素ガスを含むガスを用いる酸素プラズマを用いるのが好適である。酸素プラズマによれば、有機基とＳｉとを切断するとともに、Ｓｉとの結合に利用されるため、ポリオルガノシロキサンをより確実にＳｉＯ２に変化させることができる。
【００４３】
Ｃ：ＳｉＯ２化処理としてオゾンの付与を用いる場合
ポリオルガノシロキサン膜３０の上面にオゾンを付与する方法としては、各種の方法を用いることができるが、特に、オゾンを含有するオゾン水をポリオルガノシロキサン膜３０の上面に接触させるオゾン水処理法を用いるのが好ましい。
また、オゾン水をポリオルガノシロキサン膜３０の上面に接触させる方法としては、特に限定されないが、例えば、Ｉ：予めオゾンを含有するオゾン水を調整しておきこのオゾン水をポリオルガノシロキサン膜３０の上面に供給する方法や、II：オゾンガスと、水とを、それぞれ、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面に供給して、このポリオルガノシロキサン膜３０の上面でオゾン水を生成する方法等を用いることができる。
【００４４】
オゾン水中のオゾン濃度は、１０〜６０ｐｐｍ程度であるのが好ましく、１５〜３００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
オゾン水による処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、３〜７分程度であるのがより好ましい。
なお、雰囲気は、大気中または減圧状態のいずれであってもよいが、大気中とするのが好ましい。これにより、有機基とＳｉとが切断されるのとほぼ同時に、大気中に存在する酸素分子から酸素原子が効率よく導入されるため、ポリオルガノシロキサンをより迅速にＳｉＯ２に変化させることができる。
【００４５】
また、このＳｉＯ２化処理に際しては、図２（ｃ）に示すように、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面付近３０ａに存在するオルガノシロキサンを選択的にＳｉＯ２に変化させるようにするのが好ましい。これにより、ポリオルガノシロキサン膜３０は、その基板２０側の領域（部分）において高いガスバリア性および耐薬品性を維持しつつ、その上面に液相プロセスによる確実な成膜が可能となる。
選択的なＳｉＯ２化は、前述した各処理方法において、諸条件を適宜設定することにより可能である。
【００４６】
＜４＞  次に、図２（ｄ）に示すように、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面に、透明導電性材料を主材料として構成される導電膜４０（画素電極２２３、信号電極２２４、引き出し部２２８および走査電極２３２）を液相プロセスにより形成する（第３の工程）。
例えば、導電膜４０をＩＴＯを主材料として構成する場合、導電膜４０を形成するための導電膜形成用の液状材料としては、Ｉ：ＩＴＯ粒子（導電性粒子）を含有する液状材料、II：ＩＴＯの前駆体物質を含有する液状材料等を用いることができる。
【００４７】
Ｉの場合、ＩＴＯ粒子の形状は、例えば、球状、針状、葉状等のいかなるものであってもよい。
また、球状のＩＴＯ粒子を用いる場合、その平均粒径は、２〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、他の形状のＩＴＯ粒子を用いる場合、これらのＩＴＯ粒子は、その最大長さの平均値が前記平均粒径の範囲となるようにするのが好ましい。
【００４８】
IIの場合、ＩＴＯの前駆体物質としては、ＩＴＯへの変化が、例えば、加熱、紫外線の付与（照射）等のいずれの方法により生じるものであってよく、具体的には、金属のアルコキシドや塩等が挙げられる。
アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド等が挙げられる。塩としては、例えば、ハロゲン化物、蟻酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩等が挙げられる。これらの前駆体物質は、１種または２種以上を適宜組み合わせて用いるようにすればよい。
【００４９】
また、前駆体物質として、アルコキシドや塩を用いる場合には、液状材料中には、例えば、酸触媒、塩基触媒等を添加するのが好ましい。酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
【００５０】
ＩおよびIIの場合において、液状材料の調整に用いる溶剤（溶媒または分散媒）としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−またはｉ−プロパノール、ｎ−、ｓ−またはｔ−ブタノールのような単価アルコール類、エチレングリコール、トリメチレングリコールのようなグリコール類（多価アルコール類）、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、イソホロンのようなケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、メトキシエタノール、エトキシエタノールのようなエーテルアルコール類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５１】
なお、所定パターンの導電膜４０を形成する場合、ポリオルガノシロキサン膜３０の上面全体に導電膜４０を形成した後、例えば、フォトリソグラフィー法によりレジストマスクを形成し、導電膜４０の不要部分を除去する方法により形成してもよく、予め所定のレジストマスクを形成しておき、レジストマスクの開口部内に導電膜形成用の液状材料を供給して形成してもよい。
【００５２】
以上の工程を経て、本発明の電子デバイス用基板１０が得られる。
なお、導電膜４０に透光性（透明性）を必要としない場合、導電膜４０は、上述したような透明導電性材料で構成することができる他、透光性を有さない他の導電性材料（金属材料）で構成することができる。この場合、導電膜形成用の液状材料としては、例えば、金属粒子を含有する液状材料（例えば、金ペースト、銀ペースト等）等を用いることができる。
また、基板２０とポリオルガノシロキサン膜３０との間には、１以上の任意の目的の層（例えば、密着性を向上させるための層）を設けることができる。
前述のような液晶表示装置１は、各種電子機器の表示部に用いることができる。
【００５３】
図３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【００５４】
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が前述の液晶表示装置（電気光学装置）１を備えている。
図４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の液晶表示装置（電気光学装置）１を表示部に備えている。
【００５５】
図５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００５６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の液晶表示装置１が表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【００５７】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が液晶表示装置１に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００５８】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００５９】
なお、本発明の電子機器は、図３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図４の携帯電話機、図５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００６０】
以上、本発明の電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、前記実施形態では、本発明の電子デバイス用基板を透過型液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明の電子デバイス用基板は、反射型液晶表示装置に適用してもよく、無機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置、電気泳動表示装置等の他の電子デバイスに適用してもよい。いずれの場合も、前述したのと同様の効果が得られる。
【００６１】
例えば、本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
また、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【実施例】
【００６２】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．液晶表示装置の製造
（実施例１）
＜Ａ＞  ポリカーボネート製の基板を用意した。
＜Ｂ＞  次に、この基板の一方の面に、プラズマ重合法により、以下のような条件で、平均厚さ３００ｎｍのジメチルシリコーン膜（ポリオルガノシロキサン膜）を形成した。なお、原料には、オクタメチルトリシロキサンを用いた。
【００６３】
・オクタメチルトリシロキサンのガス流量：１００ｓｃｃｍ
・添加ガス                            ：アルゴン
・添加ガスのガス流量                  ：５００ｓｃｃｍ
・チャンバ内の圧力                    ：１３．３Ｐａ
・高周波電力の出力                    ：１０００Ｗ
・高周波電力の出力時間                ：５分間
・基板の温度                          ：５０℃
なお、得られたジメチルシリコーン膜は、水蒸気透過度（ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９に規定）が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ・４０℃・９０％ＲＨであった。
【００６４】
＜Ｃ＞  次に、ジメチルシリコーン膜に、以下のような条件で紫外線を付与して、その表面に親液化処理を施した。これにより、ジメチルシリコーン膜の表面に対するＩＴＯ膜形成用の液状材料の接触角が１０°となるようにした。
・紫外線の波長        ：１７２ｎｍ
・紫外線の強度        ：２５００ｍＪ／ｃｍ２
・雰囲気              ：大気
・雰囲気ガスの相対湿度：１５％（水蒸気ガス分圧：０．３５ｋＰａ）
・雰囲気の温度        ：２０℃
・照射時間            ：５分間
【００６５】
＜Ｄ＞  次に、ＩＴＯ膜（導電膜）形成用の液状材料をスピンコート法により供給した後、大気中で加熱（１５０℃×５分間）して、ＩＴＯ膜を形成した後、図１に示すようにパターニングした。これにより、電子デバイス用基板を得た。
なお、ＩＴＯ膜（導電膜）形成用の液状材料には、ＩＴＯ粒子（平均粒径：２０ｎｍ）の含有量が１０ｗｔ％となるように、エタノールに分散させたものを用いた。また、ＩＴＯ粒子は、インジウム／スズ（原子比）＝９２．５／７．５のものを用いた。
＜Ｅ＞  次に、この電子デバイス用基板を用いて、図１に示す液晶表示装置を製造した。
【００６６】
（実施例２）
前記工程＜Ｃ＞において、紫外線に代えて、以下のような条件でプラズマを付与した以外は、前記実施例１と同様にして、図１に示す液晶表示装置を製造した。
・プラズマ発生用のガス種：酸素ガス
・酸素ガスの流量        ：３００ｓｃｃｍ
・高周波の出力          ：５００Ｗ
・高周波の出力時間      ：５分間
・雰囲気                ：大気中
【００６７】
（実施例３）
前記工程＜Ｃ＞において、紫外線に代えて、ジメチルシリコーン膜にオゾンを含有するオゾン水を以下のような条件で接触させた以外は、前記実施例１と同様にして、図１に示す液晶表示装置を製造した。
・オゾン水中のオゾン濃度：１５ｐｐｍ
・オゾン水による処理時間：５分間
【００６８】
（比較例１）
前記工程＜Ｃ＞を省略した以外は、実施例１と同様にして、前記実施例１と同様にして、図１に示す液晶表示装置を製造した。
（比較例２）
前記工程＜Ｂ＞および＜Ｃ＞を省略した以外は、前記実施例１と同様にして、図１に示す液晶表示装置を製造した。
【００６９】
２．評価
各実施例および各比較例で製造された液晶表示装置に、それぞれ、所定の画像を表示させた。
その結果、各実施例および比較例２の液晶表示装置では、いずれも、応答速度が速く、表示ムラ等の発生も認められなかった。
これに対して、比較例１の液晶表示装置では、応答速度にバラつきや表示ムラが発生した。これは、ジメチルシリコーン膜の上面への親液化処理を省略したことにより、ＩＴＯ形成用の液状材料が濡れ広がりにくく、ＩＴＯ膜の膜厚にバラつきが生じていたことが原因である。
【００７０】
また、所定の画像を連続して表示させたところ、各実施例の液晶表示装置は、表示画像の劣化が生じるまでに長時間を要した。これに対して、各比較例の液晶表示装置は、いずれも、早期に表示画像に劣化が生じた。
これは、比較例１の液晶表示装置では、ＩＴＯ膜の膜厚にバラつきが原因と考えられ、また、比較例２の液晶表示装置では、ジメチルシリコーン膜が存在しないことにより、基板から発生したガスが液晶層に含まれる液晶分子に対して悪影響を与えたことが原因であると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の電子デバイス用基板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７２】
１‥‥液晶表示装置  ２‥‥液晶パネル  ２２‥‥第１の基板  ２２１‥‥上面  ２２２‥‥ＴＦＤ素子  ２２３‥‥画素電極  ２２４‥‥信号電極  ２２５‥‥偏光板  ２２８‥‥引き出し部  ２２９‥‥金属層  ２３‥‥第２の基板  ２３１‥‥下面  ２３２‥‥走査電極  ２３３‥‥有色層  ２３４‥‥ブラックマトリックス  ２３５‥‥偏光板  ２４‥‥液晶層  ６‥‥バックライト  １０‥‥電子デバイス用基板  ２０‥‥基板  ３０‥‥ポリオルガノシロキサン膜  ３０ａ‥‥上面付近  ４０‥‥導電膜  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
2007281040.tif 000003
【図２】
2007281040.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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