(57)【要約】【課題】  Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等との接着性が高く、吸湿リフロー後の剥離の少ない新しい半導体封止用樹脂組成物と、このような半導体封止用樹脂組成物を用いて封止した半導体装置を提供する。【解決手段】  少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、並びに無機充填材と共に、次式（Ｉ）【化１】2007224158.tif 000005で表されるジピペリジノジサルファンを含有するリードフレーム型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物とし、さらにはジピペリジノジサルファンの含有量が、樹脂組成物の全体量に対して０．００１〜１重量％であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、並びに無機充填材と共に、次式（Ｉ）
【化１】
2007224158.tif 000004
で表されるジピペリジノジサルファンを含有することを特徴とするリードフレーム型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
ジピペリジノジサルファンの含有量が、樹脂組成物の全体量に対して０．００１〜１重量％であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかの半導体封止用樹脂組成物によって封止されてなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム型半導体装置を封止するために用いられる半導体封止用樹脂組成物と、この半導体封止用樹脂組成物を用いて封止した半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気、電子部品や半導体装置などの封止においては、エポキシ樹脂組成物を用いた低圧トランスファー成形が主流となっている。このようなエポキシ樹脂組成物による封止方法では、主に、樹脂成分としてｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を、硬化剤成分としてフェノールノボラックを配合した樹脂組成物が使用されている。
【０００３】
一方、近年、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）などの電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化に伴い、それらの実装方式は、挿入実装から表面実装に移り変わりつつある。また実装時に使用されるはんだについては、環境対応の観点から鉛フリー化が進んでいる。そのため、実装温度が、従来の共晶はんだを使用した場合に比較して約２０℃上昇し、吸湿リフロー後の半導体パッケージ内における剥離の発生頻度が上がるという問題が見られるようになった。
【０００４】
さらに、近年、集積回路のリードフレームとして４２アロイ合金あるいはＣｕ合金に銀（Ａｇ）メッキが施されているものや、はんだメッキに換わり、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム−金（Ｐｄ−Ａｕ）等によりメッキが施されているものが使用されるようになってきた。しかし、このようなメッキ処理を行うことにより、半導体封止用樹脂組成物とリードフレームとの接着性が低下したり、吸湿リフロー後の剥離が生じたりするという新たな問題が生じていた。
【０００５】
そこで、半導体封止用樹脂組成物の耐熱性や密着性を向上するために、様々な試みがなされてきた。具体的には、特殊な構造を有する樹脂を使用し、半導体封止用樹脂組成物そのものを低吸湿化、低弾性化することにより、リードフレームとの接着性を上げることが検討された（例えば、特許文献１および２）。しかし、このような半導体封止用樹脂組成物でも、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等に対する接着性が十分とは言い難い上、樹脂骨格そのものが異なるため、十分な成形性や電気特性が得られないという問題が見られた。
【０００６】
また、シリコーン化合物を添加することにより低弾性化した半導体封止用樹脂組成物も検討された（特許文献３および４）が、このような半導体封止用樹脂組成物でも、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等に対する接着性の大幅な向上は実現されず、反対に吸湿性が高くなるという新たな問題が発生した。
【０００７】
一方、金属表面への密着性の向上の観点から、硫黄原子を有する化合物が注目されており、近年では、ジフェニルジスルフィド等の芳香族炭化水素基に結合するジスルフィド基を持つ化合物が提案されている（特許文献５、６および７）。
【０００８】
しかしながら、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等との接着性が高く、しかも吸湿リフロー後の剥離の少ない樹脂組成物は依然として実現されていない。
【特許文献１】特開平５−２２６５２３
【特許文献２】特開平５−２９１４３９
【特許文献３】特開平５−０２１６５１
【特許文献４】特開平７−１５００１４
【特許文献５】特開２００５−００２２２１
【特許文献６】特開２００４−２８５３１６
【特許文献７】特開２００５−２７２７３９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は、以上のとおりの事情に鑑みてなされたものであり、従来技術の問題点を解消し、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等との接着性が高く、吸湿リフロー後の剥離の少ない新しい半導体封止用樹脂組成物と、このような半導体封止用樹脂組成物を用いて封止した半導体装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するものとして、第１には、少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、並びに無機充填材共に、次式（Ｉ）
【００１１】
【化２】
2007224158.tif 000002
で表されるジピペリジノジサルファンを含有するリードフレーム型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【００１２】
また、本発明は、第２には、ジピペリジノジサルファンの含有量が、樹脂組成物の全体量に対して０．００１〜１重量％であることを特徴とする上記の半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【００１３】
そして、本発明は、第３には、前記いずれかの半導体封止用樹脂組成物によって封止されてなることを特徴とする半導体装置をも提供する。
【発明の効果】
【００１４】
上記第１の発明の半導体封止用樹脂組成物は、少なくとも、エポキシ樹脂と、硬化剤、無機充填材と共に、前記のとおりのジピペリジノジサルファンを含有することから、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等でメッキされたリードフレームに対しても高い接着性が得られ、耐湿信頼性も向上する。
【００１５】
ジピペリジノジサルファンを樹脂組成物の全体量に対して０．００１〜１重量％で含有する第２の発明によれば、より確実に、リードフレームに対して高い接着性を発揮し、さらに耐湿信頼性が向上される。また、高い成形性が維持される。
【００１６】
そして、上記第３の発明の半導体装置は、前記いずれかの半導体封止用樹脂組成物を用いて封止成形することにより製造されることから、吸湿リフロー性に優れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、少なくとも、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材、ジピペリジノジサルファンを含有するものであり、より好ましくはジピペリジノジサルファンの含有量が、樹脂組成物の全体量に対して０．００１〜１重量％であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、エポキシ樹脂は、一般的に半導体封止用として使用される各種のエポキシ樹脂であってよく、とくに限定されない。例えば、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂等を挙げることができる。これらは１種に限定されず、複数を組み合わせて使用してもよい。
【００１９】
また、硬化剤としては、一般的に半導体封止用として使用される各種のものを適用できる。具体的には、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のナフタレン骨格含有フェノール樹脂、多価フェノール化合物が例示される。これらは１種に限定されず、複数種を組み合わせて使用してもよい。このとき、エポキシ樹脂と硬化剤の含有量はとくに限定されないが、例えば、エポキシ樹脂と硬化剤との当量比が０．５〜１．５となるように配合することができる。
【００２０】
さらに、無機充填材としては、一般的に半導体封止用として使用されるものであればよく、その種類は特に限定されない。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。無機充填材の含有量もとくに限定されないが、例えば、半導体封止用樹脂組成物全量に対して６０〜９３重量％とすることができる。
【００２１】
さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物において必須成分として含有されるジピペリジノジサルファンは、前記の式で表わされるピペリジン環とジスルフィド結合を持ち、ジスルフィド基の硫黄原子はピペリジン環の窒素原子と結合していることを構造的な特徴としている。
【００２２】
そして本発明の樹脂組成物の所期の目的、効果を阻害しない限り、前記のピペリジン環には、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等の炭化水素基や、アルコキシ基、アミノ基、メルカプト基、スルフィド基等の各種の置換基を有していてもよい。
【００２３】
本発明の半導体封止用樹脂組成物においては、ジピペリジノジサルファンの含有量は、好適には、樹脂組成物の全体量に対して０．００１〜１重量％とする。ジピペリジノジサルファンの含有量が０．００１重量％未満の場合には、このような半導体封止用樹脂組成物を使用しても吸湿リフロー性が十分に向上されず、１重量％より多い場合には、半導体封止用樹脂組成物の成形性が著しく悪化し、良好な成形物を得られなくなるため、好ましくない。
【００２４】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、以上のとおり、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、ジピペリジノジサルファンを必須成分として含有するものであるが、これら以外にも、一般的に半導体封止用として使用される各種の添加剤を含有していてもよい。
【００２５】
具体的には、カルナバワックス、ポリエチレンワックス、ステアリン酸、モンタン酸、カルボキシル基含有ポリオレフィン等の離型剤、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤、トリフェニルホスフィン（ＴＰＰ）、トリメチルホスフィン等の有機リン化合物類、２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類や、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の三級アミン類等の硬化促進剤、リン系難燃剤、ブロム化合物、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、有機染料等の着色剤や、表面がシリコーンレジンによって被覆されたシリコーンゴムパウダー等の改質剤を挙げることができる。
【００２６】
以上で示した本発明の半導体封止用樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、ジピペリジノサルファン、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合し、これをミキサーやブレンダーで均一に混合した後に、加熱ロールやニーダー等で混練することによって調製できるものである。ここで、上記の各成分の配合順序は特に限定されるものではなく、また混練物を必要に応じて冷却固化させ、粉砕してペレットやパウダーにしたり、あるいはタブレット化したりして使用することができる。
【００２７】
そして、このようにして調製した半導体封止用樹脂組成物を用いて封止成形することによって、半導体装置を作製することができる。例えば、ＩＣ等の半導体素子を搭載したリードフレームをトランスファー成形金型にセットし、トランスファー成形を行うことによって、半導体素子を半導体封止用樹脂組成物で封止した半導体装置を作製することができるものである。
【００２８】
このようにして得られる半導体装置では、封止材が前記のジピペリジノジサルファンを含有するものであり、さらにはこれを０．００１〜１重量％含有する半導体封止用樹脂組成物であることから、高い接着強度を有し、吸湿リフロー性に優れたものとなる。
【００２９】
以下、実施例を示し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、この発明は以下の例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることは言うまでもない。
【実施例】
【００３０】
＜実施例１〜５、比較例１〜２＞
（１）半導体封止用樹脂組成物の調製
表１に示す配合量で各成分を配合し、ブレンダーで３０分間混合して均一化した後、８０℃に加熱したニーダーで混練溶融させて押し出し、冷却した後、粉砕機で所定の粒度に粉砕して粉粒状の半導体封止用樹脂組成物を得た。
【００３１】
なお、エポキシ樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（住友化学工業（株）製「ＥＳＣＮ−１９５ＸＬ−３」エポキシ当量１９５）またはビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＸ４０００Ｈ」エポキシ当量１９５）を使用した。
【００３２】
また、硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂（荒川化学工業（株）製「タマノル７５２」水酸基当量１０４）またはフェノールアラルキル樹脂（三井化学（株）製「ミレックスＸＬＣ−３Ｌ」水酸基当量１７２）を使用した。
【００３３】
さらに、難燃剤としてブロム化エポキシ樹脂（住友化学工業（株）製「ＥＳＢ４００Ｔ」エポキシ当量４００）および三酸化アンチモンを、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン（北興化学工業（株）「ＴＰＰ」）を、離型剤としてカルナバワックスを、着色剤としてカーボンブラックを、無機充填材として溶融シリカ（平均粒径２０μｍ）を、そして、シランカップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）「ＫＢＭ４０３」）を用いた。
【００３４】
（２）接着強度の評価
トランスファー成形により、Ａｇメッキ、Ｐｄメッキ、Ｐｄ−Ａｕメッキを施したＣｕ合金基板上に接着面積４ｍｍ２の成型品を作製し、これを１７５℃で６時間加熱して後硬化させ評価用チップとした。このチップの剪断方向に荷重をかけて成型品とメッキ基板とが剥離するまでの剪断接着力を測定した。
【００３５】
結果を表１に示した。
【００３６】
（３）吸湿リフロー性の評価
Ｃｕ合金リードフレームにＡｇメッキ、Ｐｄメッキ、Ｐｄ−Ａｕメッキを施した２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．２ｍｍの１６０ピンＱＦＰパッケージをトランスファー成形した後、１７５℃で６時間の後硬化を行い、評価用チップを得た。このチップ面を超音波探査装置により観察して、Ａｇメッキ、Ｐｄメッキ、Ｐｄ−Ａｕメッキ部分の剥離の有無を確認した。
【００３７】
さらに、この後、８５℃  ８５％ＲＨで７２時間吸湿処理を行い、ＩＲリフロー炉にてＭａｘ  ２４０℃でリフロー処理を行った。この後、チップ面を超音波探査装置により観察し、Ａｇメッキ、Ｐｄメッキ、Ｐｄ−Ａｕメッキ部分の剥離の有無を確認した。
【００３８】
結果を表１に示した。
【００３９】
【表１】
2007224158.tif 000003
表１にみられるように、エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機充填材と、０．００１〜１重量％のジピペリジノサルファンを含有する半導体封止用樹脂組成物（実施例１〜３）では、前記の式（Ｉ）で表されるジピペリジノサルファンにより、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕメッキされたリードフレームに対する接着性が高くなり、吸湿リフロー後の剥離がほとんど起こらないことが確認された。
【００４０】
とくに、１重量％のジピペリジノジサルファンを含有する半導体封止用樹脂組成物（実施例２および３）は、高いリードフレーム接着性と優れた吸湿リフロー性を発揮した。
【００４１】
一方、ジピペリジノジサルファンを含有しない半導体封止用樹脂組成物（比較例１〜２）では、十分なリードフレーム接着性が得られず、すべての評価用チップにおいて吸湿リフロー後に剥離が生じた。
【００４２】
以上より、この発明によって、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等でメッキされたリードフレームに対する高い接着性と優れた吸湿リフロー性を示す半導体封止用樹脂組成物が提供されることが確認された。