(57)【要約】      （修正有）【課題】ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体が傾きにくいようにベース板上に接着層を介して接着する手段を提供する。【解決手段】  ベース板１の上面の複数の半導体構成体配置領域３１の各々の複数の箇所にジェットタイプのディスペンサを用いて液状接着剤３３を分散させて塗布する。次に、ダイボンダーを用いて、ベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１に塗布された液状接着剤３３上に半導体構成体２を相互に離間させて１つずつ配置し、且つ、加熱加圧により、半導体構成体２のシリコン基板４の下面を液状接着剤３３に押し付けながら液状接着剤３３を半硬化させる。この場合、１つの半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に分散されて塗布された液状接着剤３２の盛り上がりを比較的小さく且つほぼ均一にすることができ、ひいては半導体構成体２が傾きにくいようにすることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース板上の複数の半導体構成体配置領域の各々の複数の箇所に液状接着剤を分散させて塗布する工程と、
前記ベース板上の各半導体構成体配置領域に、各々が半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を前記塗布された液状接着剤からなる接着層により固定する工程と、
前記半導体構成体の上部側に少なくとも１層の上層配線を前記半導体構成体の外部接続用電極に接続させて形成する工程と、
前記半導体構成体間における前記ベース板を切断して、前記半導体構成体が少なくとも１つ含まれる半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記上層配線を形成する前に、前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上および前記半導体構成体上に絶縁層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記液状接着剤を塗布する工程はジェットタイプのディスペンサを用いて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記接着層はその平面形状が前記ベース板上の半導体構成体配置領域とほぼ同一となるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記液状接着剤を塗布する工程は、前記ベース板上の全ての半導体構成体配置領域に液状接着剤を塗布した後に、該液状接着剤を半硬化させる工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記ベース板上の各半導体構成体配置領域に前記半導体構成体を固定する工程は、前記接着剤を本硬化させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記本硬化された接着剤からなる前記接着層の厚さは５μm以上２０μm以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の発明において、前記液状接着剤を塗布する工程および前記半導体構成体を固定する工程は、前記ベース板上の１つの半導体構成体配置領域に液状接着剤を塗布し、当該半導体構成体配置領域に１つの前記半導体構成体を当該半導体構成体配置領域に塗布された液状接着剤からなる接着層を介して接着させて配置し、これを繰り返す工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、前記液状接着剤を塗布する工程は、前記ベース板上の各半導体構成体配置領域に形成された金属層上の複数の箇所に液状導電性接着剤を分散させて塗布する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記半導体構成体はＳＯＩ集積回路部を有するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、シリコン基板のサイズ外にも外部接続用接続端子としての半田ボールを備えるため、シリコン基板上に複数の柱状電極を有する半導体構成体をそれよりも平面サイズの大きいベース板の上面に接着層を介して接着し、半導体構成体の周囲におけるベース板の上面に絶縁層を設け、半導体構成体および絶縁層上に上層絶縁膜を設け、上層絶縁膜の上面に上層配線を半導体構成体の柱状電極に接続させて設け、上層配線の接続パッド部を除く部分を最上層絶縁膜で覆い、上層配線の接続パッド部上に半田ボールを設けたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２０４１７号公報
【０００４】
ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、接着層の形成方法として（第２７段落参照）、ウエハ状態のシリコン基板の下面に接着層を接着する（接着層は、エポキシ系樹脂等のダイボンド材からなるものであり、加熱加圧により、仮硬化した状態でシリコン基板に固着する）と記載され、具体的な形成方法は記載されていないが、例えば、接着シートをウエハ状態のシリコン基板の下面に貼り付ける方法が一般的である。
【０００５】
しかるに、このような接着シート貼り付け方法では、接着シートをウエハ状態のシリコン基板の下面に貼り付ける際に、接着シートとウエハ状態のシリコン基板との間に空気が侵入し易く、均一な接着が困難であり、しかも半導体構成体をベース板の上面に接着シートを介して配置した後の加熱工程において侵入した空気が膨張し、半導体構成体が傾き、それ以後の工程に支障を来すことがあるという問題がある。
【０００６】
一方、最近では、圧縮空気でピストンを移動させるタイプのディスペンサを用いて、ベース板の上面の各半導体構成体配置領域に液状接着剤を塗布し、この塗布された液状接着剤上に半導体構成体を配置して接着する方法が検討されている。この場合、ベース板をＸ、Ｙ、θ方向に移動可能なテーブルの上面に真空吸着させて配置し、テーブルを移動させながら、ディスペンサのニードルから液状接着剤を１回ずつ吐出させてベース板の上面の各半導体構成体配置領域の１箇所に点状または線状に塗布し、この塗布された液状接着剤上に半導体構成体を接着させて配置することになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような接着剤塗布方法では、ディスペンサのニードルから液状接着剤を１回ずつ吐出させてベース板の上面の各半導体構成体配置領域の１箇所に点状または線状に塗布しているので、この塗布された液状接着剤の盛り上がりが比較的大きくなり、ひいてはベース板の上面に接着層を介して接着された半導体構成体が傾くため、やはり、それ以後の工程に完全に支障がないまでには至っていない。
【０００８】
そこで、この発明は、ベース板の上面に接着層を介して接着された半導体構成体が傾きにくいようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、上記目的を達成するため、ベース板上の複数の半導体構成体配置領域の各々の複数の箇所に液状接着剤を分散させて塗布する工程と、前記ベース板上の各半導体構成体配置領域に、各々が半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を前記塗布された液状接着剤からなる接着層により固定する工程と、前記半導体構成体の上部側に少なくとも１層の上層配線を前記半導体構成体の外部接続用電極に接続させて形成する工程と、前記半導体構成体間における前記ベース板を切断して、前記半導体構成体が少なくとも１つ含まれる半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、ベース板上の複数の半導体構成体配置領域の各々の複数の箇所に液状接着剤を分散させて塗布しているので、１つの半導体構成体配置領域の複数の箇所に分散して塗布された液状接着剤の盛り上がりを比較的小さく且つほぼ均一にすることができ、ひいてはベース板の上面に接着層を介して接着された半導体構成体が傾きにくいようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の第１の例の断面部を示す。この半導体装置は、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる平面方形状のベース板１を備えている。ベース板１の上面には、ベース板１のサイズよりもある程度小さいサイズの平面方形状の半導体構成体２の下面がエポキシ系樹脂等からなる接着層３を介して接着されている。
【００１２】
半導体構成体２は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）４を備えている。シリコン基板４の下面は接着層３を介してベース板１の上面に接着されている。シリコン基板４の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド５が集積回路に接続されて設けられている。
【００１３】
接続パッド５の中央部を除くシリコン基板４の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜６が設けられ、接続パッド５の中央部は絶縁膜６に設けられた開口部７を介して露出されている。絶縁膜６の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜８が設けられている。絶縁膜６の開口部７に対応する部分における保護膜８には開口部９が設けられている。
【００１４】
保護膜８の上面には銅等からなる下地金属層１０が設けられている。下地金属層１０の上面全体には銅からなる配線１１が設けられている。下地金属層１０を含む配線１１の一端部は、絶縁膜６および保護膜８の開口部７、９を介して接続パッド５に接続されている。配線１１の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極（外部接続用電極）１２が設けられている。配線１１を含む保護膜８の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１３がその上面が柱状電極１２の上面と面一となるように設けられている。
【００１５】
ここで、上面に集積回路を有するシリコン基板４、接続パッド５、絶縁膜６、保護膜８、下地金属層１０、配線１１、柱状電極１２および封止膜１３により、一般的にはＣＳＰと呼ばれる半導体構成体２が構成されている。
【００１６】
半導体構成体２の周囲におけるベース板１の上面には方形枠状の絶縁層２１が設けられている。絶縁層２１は、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂中にシリカフィラー等の無機材料からなる補強材を分散されたもの、あるいは、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂のみからなっている。
【００１７】
半導体構成体２および絶縁層２１の上面には上層絶縁膜２２がその上面を平坦とされて設けられている。上層絶縁膜２２は、例えば、ガラス布やガラス繊維等からなる基材にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸されたもの、あるいは、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂のみからなっている。
【００１８】
半導体構成体２の柱状電極１２の上面中央部に対応する部分における上層絶縁膜２２には開口部２３が設けられている。上層絶縁膜２２の上面には銅等からなる上層下地金属層２４が設けられている。上層下地金属層２４の上面全体には銅からなる上層配線２５が設けられている。上層下地金属層２４を含む上層配線２５の一端部は、上層絶縁膜２２の開口部２３を介して半導体構成体２の柱状電極１２の上面に接続されている。
【００１９】
上層配線２５を含む上層絶縁膜２２の上面にはソルダーレジスト等からなる最上層絶縁膜２６が設けられている。上層配線２５の接続パッド部に対応する部分における最上層絶縁膜２６には開口部２７が設けられている。最上層絶縁膜２６の開口部２７内およびその上方には半田ボール２８が上層配線２５の接続パッド部に接続されて設けられている。
【００２０】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、図１に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能な面積を有するベース板１を用意する。ベース板１は、限定する意味ではないが、例えば、平面方形状である。ベース板１は、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を硬化させてシート状となしたものである。なお、図２において、符号３１で示す領域は、ベース板１の上面の半導体構成体配置領域である。
【００２１】
次に、ベース板１の上面の複数の半導体構成体配置領域３１の各々の複数の箇所に液状接着剤３２を分散させて塗布する。この場合、塗布された液状接着剤３２はその表面張力によりドーム状となる。液状接着剤３２の塗布方法としては、ジェットタイプのディスペンサのジェットヘッド３をベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に順次移動させ、ジェットヘッド３２からエポキシ系樹脂等からなる液状接着剤を噴射させてベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に分散させて塗布することができる。
【００２２】
ここで、ジェットタイプのディスペンサは、簡単に説明すると、ジェットヘッド３のノズルの上方に配置されたチャンバ内に供給された液状接着剤をシャフトの急速な下降により下方に向かって打ち出し、ノズルから液状接着剤を下方に向かって噴射させるようにしたものである。このタイプのディスペンサの場合、１回の噴射量は、チャンバ内に１回で供給される液状接着剤の量等で調整可能であり、最低噴射量は例えば３．６ナノリッター程度と極めて少量とすることが可能である。
【００２３】
ベース板１への塗布は、ベース板１に対してディスペンサを移動しながら１つの半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に、例えば、ドットマトリクス状に液状接着剤３２を分散させて塗布する。半導体構成体配置領域３１の平面サイズは０．７５ｍｍ□〜１０ｍｍ□以上と種々あるが、最低でも各辺または各角に対応して１ドット、換言すれば、４ドットの塗布を行うことが望ましい。但し、半導体構成体配置領域３１が極めて細い長方形状であるような場合には、長手方向に沿って２ドット以上、好ましくは３ドット以上塗布するようにしても差し支えは無い。
【００２４】
次に、図３に示すように、半導体構成体２を用意する。この場合、半導体構成体２は、ウエハ状態のシリコン基板７上に集積回路（図示せず）、接続パッド５、絶縁膜６、保護膜８、下地金属層１０、配線１１、柱状電極１２および封止膜１３を形成した後、ダイシングにより個片化することにより得られる。上述の特許文献１には、半導体構成体２の製造方法が詳述されている。
【００２５】
次に、ダイボンダー（図示せず）を用いて、ベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１に塗布された液状接着剤３３上に半導体構成体２を相互に離間させて１つずつ配置し、且つ、加熱加圧により、半導体構成体２のシリコン基板４の下面を液状接着剤３３に押し付けながら液状接着剤３３を半硬化させる。したがって、この状態では、図４に示すように、ベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１に半導体構成体２のシリコン基板４の下面が接着層３を介して仮接着される。
【００２６】
次に、オーブン（図示せず）を用いた加熱加圧により、接着層３を本硬化させる。この状態では、接着層３は、半導体構成体２の外側に食み出さず、ベース板１の上面の半導体構成体配置領域３１のほぼ全域に一様の厚さで形成される方が望ましい。この状態における接着層３の厚さは、膜厚の均一性および接着力を確保するうえで、２５μｍ未満とすることが望ましく、より好ましくは５〜２０μｍとすることが適切である。
【００２７】
このように、ベース板１の上面の複数の半導体構成体配置領域３１の各々の複数の箇所に液状接着剤３３を分散させて塗布しているので、１つの半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に分散して塗布された液状接着剤３３の盛り上がりを比較的小さく且つほぼ均一にすることができ、ひいてはベース板１の上面に接着層３を介して接着された半導体構成体２が傾きにくいようにすることができ、これ以後の工程に支障を来さないようにすることができる。
【００２８】
次に、図５に示すように、半導体構成体２の周囲におけるベース板１の上面に格子状の絶縁層形成用シート２１ａをピン等で位置決めしながら配置する。格子状の絶縁層形成用シート２１ａは、熱硬化性樹脂中に補強材を分散させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となしたものである。次に、半導体構成体２および絶縁層形成用層２１ａの上面に上層絶縁膜形成用シート２２ａを配置する。上層絶縁膜形成用シート２２ａは、ガラス布等にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となしたものである。
【００２９】
次に、一対の加熱加圧板３４、３５を用いて上下から絶縁層形成用層２１ａおよび上層絶縁膜形成用シート２２ａを加熱加圧する。そして、その後の冷却により、半導体構成体２の周囲におけるベース板１の上面に絶縁層２１が形成され、また、半導体構成体２および絶縁層２１の上面に上層絶縁膜２２が形成される。この場合、上層絶縁膜２２の上面は、上側の加熱加圧板３４の下面によって押さえ付けられるため、平坦面となる。したがって、上層絶縁膜２２の上面を平坦化するための研磨工程は不要である。
【００３０】
次に、図６に示すように、レーザビームを照射するレーザ加工により、半導体構成体２の柱状電極１２の上面中央部に対応する部分における上層絶縁膜２２に開口部２３を形成する。次に、必要に応じて、開口部２３内等に発生したエポキシスミア等をデスミア処理により除去する。
【００３１】
次に、図７に示すように、上層絶縁膜２２の開口部２３を介して露出された柱状電極１２の上面を含む上層絶縁膜２２の上面全体に、銅の無電解メッキ等により、上層下地金属層２４を形成する。次に、上層下地金属層２４の上面にメッキレジスト膜３６をパターン形成る。この場合、上層配線２５形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３６には開口部３７が形成されている。
【００３２】
次に、下地金属層２４をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３６の開口部３７内の上層下地金属層２４の上面に上層配線２５を形成する。次に、メッキレジスト膜３６を剥離し、次いで、上層配線２５をマスクとして下地金属層２４の不要な部分をエッチングして除去すると、図８に示すように、上層配線２５下にのみ上層下地金属層２４が残存される。
【００３３】
次に、図９に示すように、スクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、上層配線２５を含む上層絶縁膜２２の上面にソルダーレジスト等からなる最上層絶縁膜２６を形成する。この場合、上層配線２５の接続パッド部に対応する部分における最上層絶縁膜２６には開口部２７が形成されている。
【００３４】
次に、最上層絶縁膜２６の開口部２７内およびその上方に半田ボール２８を上層配線２５の接続パッド部に接続させて形成する。次に、図１０に示すように、互いに隣接する半導体構成体２間において、最上層絶縁膜２６、上層絶縁膜２２、絶縁層２１およびベース板１を切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３５】
なお、上記では、図２〜図４に示すように、ジェットヘッド３２を用いて、ベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に液状接着剤３２を分散させて塗布し、次いで、ダイボンダーを用いて、ベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１に塗布された液状接着剤３３上に半導体構成体２を相互に離間させて１つずつ配置し、且つ、加熱加圧により、半導体構成体２のシリコン基板４の下面を液状接着剤３３に押し付けながら液状接着剤３３を半硬化させて接着層３を形成し、次いで、オーブンを用いた加熱加圧により接着層３を本硬化させる場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【００３６】
例えば、ジェットヘッド３２を用いて、ベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に液状接着剤３２を分散させて塗布し、次いで、この塗布された液状接着剤３２を半硬化させ、次いで、ダイボンダーを用いて、ベース板１の上面の各半導体構成体配置領域３１に設けられた液状接着剤３３上に半導体構成体２を相互に離間させて１つずつ配置し、且つ、加熱加圧により、半導体構成体２のシリコン基板４の下面を液状接着剤３３に押し付けながら液状接着剤３３を本硬化させて接着層３を形成するようにしてもよい。
【００３７】
また、ジェットヘッド３２を用いて、ベース板１の上面の１つの半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に液状接着剤３２を分散させて塗布し、次いで、ダイボンダーを用いて、ベース板１の上面の当該半導体構成体配置領域３１に塗布された液状接着剤３３上に半導体構成体２を配置し、且つ、加熱加圧により、半導体構成体２のシリコン基板４の下面を液状接着剤３３に押し付けながら液状接着剤３３を半硬化させて接着層３を形成し、これを繰り返した後に、オーブンを用いた加熱加圧により接着層３を本硬化させるようにしてもよい。
【００３８】
このようにした場合には、ベース板１の上面の１つの半導体構成体配置領域３１の複数の箇所に塗布された液状接着剤３２の乾燥または硬化が開始する前に、当該半導体構成体配置領域３１上に接着層３を介して半導体構成体２を搭載するため、安定した接着力および搭載状態（接着層３の平面形状、厚さ、半導体構成体３の外側への食み出し等）を得ることができる。
【００３９】
次に、図１１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の第２の例の断面部を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、ベース板１の上面に銅箔等からなるべた状の金属層２９を設け、金属層２９の上面に導電性接着層３ａを介して半導体構成体２を設けた点である。この場合の製造方法は、図２に示すような工程において、ベース板１の上面にパターン形成された金属層２９の上面の複数の箇所に銀ペースト、銅ペースト等からなる導電性ペースト（液状導電性接着剤）を分散させて塗布すればよく、その詳細な説明を省略する。
【００４０】
ところで、この半導体装置では、半導体構成体２のシリコン基板４下に導電性接着層３ａを介して設けられた金属層２９を放熱板として使用することができる。また、半導体構成体２のシリコン基板４の代わりに、図示していないが、ＳＯＩ(silicon on insulator)と呼ばれるもので、半導体基板上に絶縁膜を設け、絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成してなるＳＯＩ集積回路部を設けた構造のＳＯＩ基板を用いる場合には、金属板２９を半導体基板の電位の安定化を図るためのものとして使用することができる。
【００４１】
次に、図１２はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の第３の例の断面部を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と大きく異なる点は、上層絶縁膜および上層配線を２層とした点である。すなわち、第１の上層絶縁膜２２Ａの上面には第１の上層下地金属層２４Ａを含む第１の上層配線２５Ａが設けられている。第１の上層下地金属層２４Ａを含む第１の上層配線２５Ａの一端部は、第１の上層絶縁膜２２Ａの開口部２３Ａを介して半導体構成体２の柱状電極１２の上面に接続されている。
【００４２】
第１の上層配線２５Ａを含む第１の上層絶縁膜２２Ａの上面には、第１の上層絶縁膜２２Ａと同一の材料からなる第２の上層絶縁膜２２Ｂが設けられている。第２の上層絶縁膜２２Ｂの上面には第２の上層下地金属層２４Ｂを含む第２の上層配線２５Ｂが設けられている。第２の上層下地金属層２４Ｂを含む第２の上層配線２５Ｂの一端部は、第２の上層絶縁膜２２Ｂの開口部２３Ｂを介して第１の上層配線２５Ａの接続パッド部に接続されている。
【００４３】
第２の上層配線２５Ｂを含む第２の上層絶縁膜２２Ｂの上面に最上層絶縁膜２６が設けられている。第２の上層配線２５Ｂの接続パッド部に対応する部分における最上層絶縁膜２６には開口部２７が設けられている。最上層絶縁膜２６の開口部２７内およびその上方には半田ボール２８が第２の上層配線２５Ｂの接続パッド部に接続されて設けられている。なお、上層絶縁膜および上層配線は３層以上としてもよい。
【００４４】
ところで、図１０に示す場合では、互いに隣接する半導体構成体２間において切断したが、これに限らず、２個またはそれ以上の半導体構成体２を１組として切断し、マルチチップモジュール型の半導体装置を得るようにしてもよい。この場合、２個で１組の半導体構成体２は同種、異種のいずれであってもよい。
【００４５】
また、上記では、半導体構成体２として、封止膜１３を有し、且つ、外部接続用電極としての柱状電極１２を有する場合について説明したが、これに限らず、例えば、封止膜１３および柱状電極１２を有せず、外部接続用電極としての接続パッド部を有する配線１１を有するものとしてもよい。この場合、配線１１の接続パッド部以外を覆うオーバーコート膜を有するものとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の第１の例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の第２の例の断面図。
【図１２】この発明の製造方法により製造された半導体装置の第３の例の断面図。
【符号の説明】
【００４７】
１  ベース板
２  半導体構成体
３  接着層
３ａ  導電性接着層
４  シリコン基板
５  接続パッド
６  絶縁膜
８  保護膜
１１  配線
１２  柱状電極
１３  封止膜
２１  絶縁層
２２  上層絶縁膜
２５  上層配線
２６  最上層絶縁膜
２８  半田ボール
２９  金属層
３１  半導体構成体配置領域
３２  ジェットヘッド
３３  液状接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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