(57)【要約】【課題】  生産性の向上を図ることができる温度補償水晶振動子を提供する。【解決手段】  水晶振動素子２と、一端が水晶振動素子２の一端と接続されるリアクタンス回路３と、一端が水晶振動素子２の他端と接続されるリアクタンス回路４と、水晶振動素子２とリアクタンス回路３との接続点に接続される第１の外部接続端子５と、水晶振動素子２とリアクタンス回路４との接続点に接続される第２の外部接続端子６と、リアクタンス回路３の他端に接続される第３の外部接続端子７と、リアクタンス回路４の他端に接続される第４の外部接続端子８を備える。そして、本実施形態では第３の外部接続端子７と、第４の外部接続端子８とを電気的に独立した接続端子として設けるようにした。【選択図】  図１
2007043338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶振動素子と、
一端が前記水晶振動素子の一端と接続される第１のリアクタンス回路と、
一端が前記水晶振動素子の他端と接続される第２のリアクタンス回路と、
前記水晶振動素子と前記第１のリアクタンス回路との接続点に接続される第１の外部接続端子と、
前記水晶振動素子と前記第２のリアクタンス回路との接続点に接続される第２の外部接続端子と、
前記第１のリアクタンス回路の他端に接続される第３の外部接続端子と、
前記第２のリアクタンス回路の他端に接続される第４の外部接続端子と、を回路基板に備え、
前記第３の外部接続端子と前記第４の外部接続端子とが電気的に独立した接続端子であることを特徴とする温度補償水晶振動子。
【請求項２】
請求項１に記載の温度補償水晶振動子において、前記第１及び第２のリアクタンス回路が周波数温度補償回路であることを特徴とする温度補償水晶振動子。
【請求項３】
請求項１に記載の温度補償水晶振動子において、前記第１のリアクタンス回路が低温補償用コンデンサ、前記第２のリアクタンス回路が高温補償用コンデンサであることを特徴とする温度補償水晶振動子。
【請求項４】
請求項１に記載の温度補償水晶振動子において、前記第１のリアクタンス回路が、第１のサーミスタと第１のコンデンサとの並列回路と、該並列回路に一端が接続された第２のコンデンサとから構成され、前記第２のコンデンサの他端を前記水晶振動素子の一端に、前記並列回路の他端を前記第３の外部接続端子に、それぞれ接続したことを特徴とする温度補償水晶振動子。
【請求項５】
請求項１に記載の温度補償水晶振動子において、前記第２のリアクタンス回路は、第２のサーミスタと第３のコンデンサと直列回路と、該直列回路に対して並列に接続した第４のコンデンサとから構成され、前記第３のコンデンサと前記第４のコンデンサとの接続点を前記水晶振動素子の他端に、前記第２のサーミスタと前記第４のコンデンサの接続点を前記第４の外部接続端子に、それぞれ接続したことを特徴とする温度補償水晶振動子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の温度補償水晶振動子と、前記第１の外部接続端子と前記第２の外部接続端子との間に接続されるインバータを有する増幅回路と、を備えていることを特徴とする水晶発振器。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の温度補償水晶振動子の製造方法であって、パッケージに前記水晶振動素子と前記第１及び第２のリアクタンス回路とを搭載した後、前記水晶振動素子の励振部分の質量調整を行って周波数を調整することを特徴とする温度補償水晶振動子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の温度補償水晶振動子の製造方法において、前記水晶振動素子が金属蓋により密封されたものであり、前記第３、第４の外部接続端子の何れか一方が、前記金属蓋と導通接続されていることを特徴とする温度補償水晶振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周波数調整を容易に行うことができる温度補償水晶振動子とその製造方法、及びその温度補償水晶振動子を含む水晶発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から水晶振動子と増幅回路とを組み合わせた水晶発振器において、温度に対する発振周波数の安定度が求められる場合には温度補償回路を付加した温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）が広く利用されている。
図１０は、従来の温度補償型水晶発振器の回路構成を示した図であり、この図１０に示す水晶発振器１００は、水晶振動子１０１に対してインバータ回路１０２と抵抗Ｒ１とが夫々並列に接続されている。また温度補償用回路として、水晶振動子１０１の一端に低温補償用コンデンサＣ１が接続され、その他端に高温補償用コンデンサＣ２が接続されている（特許文献１参照）。
このような水晶発振器は、増幅回路を備えたＩＣチップの外付け回路として水晶振動子を組み合わせることにより水晶発振器を構成する。
図１１は、その一例を示した図である。なお、図１０と同一部位には同一符号を付して詳細な説明は省略する。この場合は、水晶振動子１３０の水晶振動子１０１を増幅回路が形成されているＩＣチップ１２０に接続すると共に、所望の発振周波数が得られるコンデンサＣ１１、Ｃ１２を接続するようにしている（特許文献２参照）。
また図１２に示すような温度補償型の水晶発振器も提案されている。なお、図１０に示した水晶発振器と同一部位には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図１１に示す水晶発振器１１０は、温度補償回路として可変容量素子１０３、１０４が設けられている。これら可変容量素子１０３、１０４は、そのカソードが夫々水晶振動子１０１に端部に接続され、アノードがＧＮＤ（グランド）に接続されている。可変容量素子１０３、１０４のカソードには、それぞれ抵抗Ｒ１１１、Ｒ１１２を介して制御電圧Ｖ１、Ｖ２を印加可能に構成されており、これにより可変容量素子１０３、１０４の容量値をコントロール可能に構成されている。従って、このような水晶発振器１１０では、周囲温度に応じて制御電圧Ｖ１、Ｖ２を可変して可変容量素子１０３、１０４の容量値を変えることにより、水晶振動子１０１の温度特性カーブに対応した温度補償が可能になり温度補償精度を高めることが出来る（特許文献３参照）。
また、水晶振動子と温度補償回路とを一つのユニット回路にしたものも提案されている。例えば、図１３に示すような水晶振動子１０１と、サーミスタＴＨ１、抵抗Ｒ１、コンデンサＣ１、Ｃ２とから構成される温度補償回路１４０とを１パッケージ化し、これを個別の増幅器に接続するようにしたものがある（特許文献４の図３、図１０参照）。
【特許文献１】特開昭５５−１３３１０８号公報
【特許文献２】特開平０７−２７３５４８号公報
【特許文献３】特開平０２−２０７６０２号公報
【特許文献４】特開平１１−１４５７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記図１０、図１１に示した特許文献１、２の構成の水晶発振器ではコンデンサＣ１１、Ｃ１２の少なくとも一方を周波数調整用としてトリマーコンデンサ又はコンデンサの並列回路を用いて構成し、製造工程においてトリマーコンデンサにより周波数の調整を行う必要があるため生産性の向上を図るには限界がある。
即ち、図１０、図１１に示す水晶発振器は、使用する水晶振動子１０１が個体間での共振周波数のバラツキを最小限に抑えるよう組み立てて完成されたものであっても、コンデンサＣ１１、Ｃ１２等の他の電子部品や回路基板の電気的特性のバラツキを受けて、発振周波数が個体間でばらついてしまうので、このバラツキ幅を小さくする為に水晶振動子１０１に接続されるリアクタンス素子のリアクタンス値を調整する必要がある。
しかし、バラツキ幅が大きいために、リアクタンス値を大きく変化させて調整を行わなければならないものでは、調整によって発振周波数の基準値は整ったものとなる一方で、負荷容量が大きく変化してしまうことで温度補償回路の設定条件が狂ってしまうために、温度補償回路全体の設定条件の再設計又は調整を行ったり、或いは破棄したりしなければならない場合があった。
また、図１２に示した特許文献３の水晶発振器では、上記の問題に加え、制御電圧Ｖ１、Ｖ２にノイズが混入してＣ／Ｎが劣化するという欠点があった。また制御電圧Ｖ１、Ｖ２用端子が必要であるため小型化が達成できないという欠点があった。
また特許文献４に示した構成の場合は、水晶振動子を使用するメーカ側は増幅器を用意する場合に帰還コンデンサも用意することになるので、周波数ズレによる周波数調整、温度特性にズレが生じてしまうという上記問題が発生する。また負性抵抗値のズレによる発振停止や不要なオーバートーン発振を引き起こすおそれもあった。
そこで、本発明は上記した点を鑑みてなされたものであり、生産性の向上を図ることができる温度補償水晶振動子と、その製造方法、及びその温度補償水晶振動子を備えた水晶発振器を提供することを目的とする。また温度補償機能を備えた温度補償水晶振動子と、その製造方法、及びその温度補償水晶振動子を備えた水晶発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、水晶振動素子と、一端が前記水晶振動素子の一端と接続される第１のリアクタンス回路と、一端が前記水晶振動素子の他端と接続される第２のリアクタンス回路と、前記水晶振動素子と前記第１のリアクタンス回路との接続点に接続される第１の外部接続端子と、前記水晶振動素子と前記第２のリアクタンス回路との接続点に接続される第２の外部接続端子と、前記第１のリアクタンス回路の他端に接続される第３の外部接続端子と、前記第２のリアクタンス回路の他端に接続される第４の外部接続端子と、を回路基板に備え、前記第３の外部接続端子と前記第４の外部接続端子とが電気的に独立した接続端子である温度補償水晶振動子を特徴とする。
また請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の温度補償水晶振動子において、前記第１及び第２のリアクタンス回路が周波数温度補償回路であることを特徴とする。
また請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の温度補償水晶振動子において、前記第１のリアクタンス回路が低温補償用コンデンサ、前記第２のリアクタンス回路が高温補償用コンデンサであることを特徴とする。
また請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の温度補償水晶振動子において、前記第１のリアクタンス回路が、第１のサーミスタと第１のコンデンサとの並列回路と、該並列回路に一端が接続された第２のコンデンサとから構成され、前記第２のコンデンサの他端を前記水晶振動素子の一端に、前記並列回路の他端を前記第３の外部接続端子に、それぞれ接続したことを特徴とする。
【０００５】
また請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の温度補償水晶振動子において、前記第２のリアクタンス回路は、第２のサーミスタと第３のコンデンサと直列回路と、該直列回路に対して並列に接続した第４のコンデンサとから構成され、前記第３のコンデンサと前記第４のコンデンサとの接続点を前記水晶振動素子の他端に、前記第２のサーミスタと前記第４のコンデンサの接続点を前記第４の外部接続端子に、それぞれ接続したことを特徴とする。
また請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の温度補償水晶振動子と、前記第１の外部接続端子と前記第２の外部接続端子との間に接続されるインバータを有する増幅回路と、を備えていることを特徴とする。
また請求項７に記載の発明は、請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の温度補償水晶振動子の製造方法であって、パッケージに前記水晶振動素子と前記第１及び第２のリアクタンス回路とを搭載した後、前記水晶振動素子の励振部分の質量調整を行って周波数を調整することを特徴とする。
また請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の温度補償水晶振動子の製造方法において、前記水晶振動素子が金属蓋により密封されたものであり、前記第３、第４の外部接続端子の何れか一方が、前記金属蓋と導通接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、第１のリアクタンス回路を介して水晶振動素子の一端に接続される第３の外部接続端子と、第２のリアクタンス回路を介して水晶振動素子の他端に接続される第４の外部接続端子とを電気的に独立した接続端子としたことで、製造工程において、第３及び第４の外部接続端子を利用して温度補償水晶振動子の直列共振周波数を測定することができる。このような構成とすれば、温度補償水晶振動子の製造工程において、温度補償水晶振動子の直列共振周波数を測定しながらイオンビーム法により水晶振動素子に金属膜を蒸着して周波数の調整を行うことができるので、従来のようなトリマーコンデンサ等により大きくリアクタンス値を変化させるような周波数調整が不要になり、さらなる生産性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態として温度補償型水晶振動子の回路構成を示した図である。この図１に示す温度補償水晶振動子１は、水晶振動素子２と、一端が水晶振動素子２の一端と接続されるリアクタンス回路（第１のリアクタンス回路）３と、一端が水晶振動素子２の他端と接続されるリアクタンス回路（第２のリアクタンス回路）４と、水晶振動素子２とリアクタンス回路３との接続点に接続される第１のＨＯＴ端子（第１の外部接続端子）５と、水晶振動素子２とリアクタンス回路４との接続点に接続される第２のＨＯＴ端子（第２の外部接続端子）６と、リアクタンス回路３の他端に接続される第１のＧＮＤ端子（第３の外部接続端子）７と、リアクタンス回路４の他端に接続される第２のＧＮＤ端子（第４の外部接続端子）８を備える。そして、本実施形態では第１のＧＮＤ端子７と、第２のＧＮＤ端子８とを電気的に独立した接続端子を有する回路基板（回路パッケージ）に水晶振動素子２とリアクタンス回路３、４及び第１及び第２の外部接続端子５、６を設けるようにした。
このように構成した場合は、例えば温度補償水晶振動子の製造工程において、電気的に独立している第３の外部接続端子７と第４の外部接続端子８間に周波数測定装置を接続すれば、リアクタンス回路３、水晶振動素子２、リアクタンス回路４により形成される直列共振回路の直列共振周波数を測定することができる。つまり、第３及び第４の外部接続端子７、８を利用して温度補償水晶振動子１の直列共振周波数を測定することができる。この結果、後述する温度補償水晶振動子１の製造工程において、温度補償水晶振動子１の直列共振周波数を測定しながらイオンビーム法により水晶振動素子２の励振電極にエッチング加工、又は蒸着法により金属膜を成膜して、リアクタンス回路のバラツキに伴う周波数のズレをも補正するように周波数の調整を行うことができるので、従来のようなトリマーコンデンサ等によるリアクタンス値を大きく変化させるような周波数調整が不要になり、さらなる生産性の向上を図ることができる。
【０００８】
図２は、温度補償機能を有する温度補償水晶振動子の第１の回路構成を示した図である。なお、図１と同一部位には符号を付し、詳細な説明は省略する。
この図２に示す温度補償水晶振動子１０は、上記図１に示したリアクタンス回路３を低温補償用コンデンサＣ１、リアクタンス回路４を高温補償用コンデンサＣ２により構成する。この場合も、第３の外部接続端子７と第４の外部接続端子８に周波数測定装置を接続すれば、低温補償用コンデンサＣ１、水晶振動素子２、高温補償用コンデンサＣ２により形成される温度補償水晶振動子１０の直列共振周波数を容易に測定することができるので、上記同様、温度補償水晶振動子１０の製造工程において、温度補償水晶振動子１０の直列共振周波数を測定しながらイオンビーム法等により水晶振動素子２の励振電極の金属膜厚を調整して周波数の調整を行うことで、トリマーコンデンサによる周波数調整が不要になり生産性の向上を図ることができる。
【０００９】
図３は、温度補償機能を有する温度補償水晶振動子の第２の回路構成を示した図である。なお、図１と同一部位には符号を付し、詳細な説明は省略する。
この図３に示す温度補償水晶振動子２０は、上記図１に示したリアクタンス回路３として低温補償用回路、リアクタンス回路４として高温補償用回路が夫々形成されている。低温補償用回路は第１のサーミスタＴＨ１とコンデンサ（第１のコンデンサ）Ｃ１１との並列回路、及び、この並列回路に一端が接続されたコンデンサ（第２のコンデンサ）Ｃ１２とにより構成され、コンデンサＣ１２の他端を水晶振動素子２の一端に、並列回路の他端を第３の外部接続端子７にそれぞれ接続して構成するようにしている。
また高温補償用回路は、第２のサーミスタＴＨ２とコンデンサ（第３のコンデンサ）Ｃ２１との直列回路、及びこの直列回路に対して並列に接続したコンデンサ（第４のコンデンサ）Ｃ１１とから構成され、コンデンサＣ２１とコンデンサＣ２２との接続点を水晶振動素子２の他端に、第２のサーミスタＴＨ２とコンデンサＣ２２の接続点を第４の外部接続端子８に、それぞれ接続するようにしている。
このように構成される温度補償機能を有する温度補償水晶振動子２０では、図４に示すように、水晶振動素子２の温度に対する周波数偏差ｆ／Δｆ（ｐｐｍ）カーブ（破線）を、実線で示す周波数偏差カーブに補正することができる。
このように構成した場合も第３の外部接続端子７と第４の外部接続端子８とが独立（非短絡）状態なので第３の外部接続端子７と第４の外部接続端子８に周波数測定装置を接続すれば、低温補償用回路、水晶振動素子２、高温補償用回路により形成される温度補償水晶振動子２０の直列共振周波数を容易に測定することができるので、上記同様、温度補償水晶振動子２０の製造工程において、温度補償水晶振動子２０の直列共振周波数を測定しながらイオンビーム法等により水晶振動素子２の励振電極の金属膜厚を調整してリアクタンス回路のバラツキに伴う周波数のズレをも補正するように周波数の調整を行うことで、トリマーコンデンサ等による周波数調整が不要になり生産性の向上を図ることができる。
また、上記図１０に示した従来の水晶発振器１００で使用する水晶振動子１０１の周波数温度特性カーブが二次曲線であり、三次曲線の周波数温度特性カーブを有するＡＴカット水晶振動素子と比較すると特に常温近辺での周波数特性の安定度が低い。
従って、このような水晶振動子１０１を発振源とした水晶発振器１００は比較的周波数温度特性の安定度が低い発振器に使用されるものであり、厳密な周波数調整を必要としないものである。
【００１０】
一方、水晶振動子１０１に三次曲線の周波数温度特性カーブを有するＡＴカット水晶振動素子を適用した場合は、例えば特許文献１に記載される第７図に示す（イ）Ｃｉｎの特性を正の関数としたものを適用すれば良いかと一見思われるが、実際には低温側コンデンサＣｏｕｔの負の関数を有する容量変化がコンデンサＣｉｎの容量変化を小さく抑えるよう影響するために、温度補償回路の設定が複雑化してしまう。これに対して図３に示す温度補償水晶振動子２０では、例えば、高温補償用回路の機能を必要としない低温域では第二のサーミスタＴＨ２のインピーダンスが高くなるので高温補償回路の容量値の値は略コンデンサＣ２２の値となるので低温補償用回路の周波数制御に影響を与えるような高温補償回路のリアクタンス値変動が発生せず、高温補償用回路及び低温補償用回路を適切且つ容易に設定することができる。
また図３に示す温度補償水晶振動子２０では、リアクタンス回路として周囲温度に応じて直接温度補償を行う直接型の温度補償用回路を設けるようにしているので、例えば図１２に示したような外部から制御電圧を印加して温度補償を行う、いわゆる間接型の温度補償用回路と比較すると制御電圧を印加する必要ない分だけ低消費電力化、及び制御電圧用の入力端子を必要としない分だけ小型化を図ることができるという利点がある。
但し、低消費電力化の必要性がなく、上記制御電圧用入力端子を設けるスペースがあれば、本発明の温度補償機能を有する温度補償水晶振動子においては、温度補償回路として間接型の温度補償回路を適用できることは言うまでもない。
なお、図３に示した第２の回路構成例では、リアクタンス回路３として低温補償用回路、リアクタンス回路４として高温補償用回路を構成したがこれはあくまでも一例であり、上記した低温補償用回路と高温補償用回路とは互いの温度補償特性に影響を与えないことから、何れか一方のリアクタンス回路だけを上記した温度補償用回路により構成するようにしてもよい。例えば、高温の周波数温度特性についての安定度の要求が厳しくない場合は、図１に示すリアクタンス回路４を図３に示した高温補償回路により構成し、図１に示すリアクタンス回路３を、図２に示した温度上昇に対して正の容量変化特性を有する温度補償用コンデンサにより構成することも可能である。
【００１１】
次に、本発明の水晶発振器の実施形態について説明する。
図５は本実施形態としての水晶発振器の回路構成を示した図である。なお、図１と同一部位には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
この図５に示す水晶発振器は、図１に示した温度補償水晶振動子１と増幅回路３０により構成される。
増幅回路３０はインバータ９と抵抗Ｒ１との並列回路により構成し、インバータ９の入力端を温度補償水晶振動子１の第１の外部接続端子５に接続し、インバータ９の出力端を温度補償水晶振動子１の第２の外部接続端子６に接続する。
第３の外部接続端子７と第４の外部接続端子８とは、温度補償水晶振動子１が搭載される回路基板のＧＮＤライン（高周波的に接地されたラインも含む）に導通接続される。
図６は、本実施形態に係る温度補償型水晶発振器の第１の回路構成を示した図であり、この図６に示す温度補償型水晶発振器は、図２に示した温度補償水晶振動子１０と増幅回路３０により構成されている。
図７は、本実施形態に係る温度補償型水晶発振器の第２の回路構成を示した図であり、この図７に示す温度補償型水晶発振器は、図３に示した温度補償水晶振動子２０と増幅回路３０により構成されている。
【００１２】
図５から図７に示す水晶発振器を構成する際には温度補償水晶振動子１に増幅回路３０を外付け部品として接続すればよいので、これにより水晶発振器を組み立てるメーカ側は水晶振動素子２のみを入手して水晶発振器を組み立てる場合と比較してリアクタンス回路３、４を準備し且つ周波数調整を行うという手間を省くことができ、更に、完成した水晶発振器を入手する場合と比較して増幅回路の選択が自由に行え、所望の出力形式の発振器を得られやすくなる。
更には、水晶振動素子２のみを入手して水晶振動子を組み立てていた際には周波数調整ミスなどにより発振停止や不要オーバートーン発振といった不具合を引き起こし、水晶発振器のみならずこれを搭載した装置そのものを破棄しなければならない場合があったが、本発明に基づく水晶振動子を使用することによりこのような問題発生を回避することができる。
一方、水晶振動子を供給するメーカは、水晶発振器として供給する場合、複数の使用条件に備えて複数種類の増幅回路を用意する必要があり、更に水晶発振器の小型化を実現する為には高価な小型増幅回路を使用しなければならないなどから製造コストを抑えることが不可能であったが、本発明に基づく温度補償水晶振動子１を使用すれば高価な小型増幅回路などを使用する必要が無いのでコストを十分に抑えて温度補償水晶振動子１を構成することができる。
尚、水晶振動子を使用するメーカ側は、増幅回路を用意しなければならないが、例えば、水晶振動子を搭載する装置内にある他のＩＣチップ等に増幅回路を組み込む又はＩＣチップ内の余剰の増幅回路を使用して水晶発振器を構成すれば、水晶発振器の小型化及びコストの上昇を抑えつつ水晶発振器を得ることが出来る。
なお、図５〜図７に示した増幅回路３０の構成はあくまでも一例であり、他の回路構成でも良いことはいうまでもない。また図５〜図７に示した増幅回路３０から抵抗Ｒ１を削除した回路構成でもよい。
【００１３】
図８は、これまで説明した本実施形態の温度補償機能を有する温度補償水晶振動子の概略構造を示した図であり、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその底面図が夫々示されている。
この図８に示す温度補償水晶振動子は、セラミック製のパッケージ５１（回路基板）の上面側に収納部５２が設けられており、この収納部５２の底面に設けられている接続パッド（図示しない）上に導電性接着剤５３により水晶振動素子２が電気的、機械的に固定されている。この収納部５２の開口面にはシーム溶接等により金属蓋５４が取り付けられており、その内部が気密状態で封止されている。またパッケージ５１の下面側には表面実装用の外部電極として、第１の外部接続端子５、第２の外部接続端子６、第３の外部接続端子７、第４の外部接続端子８が形成されている。またパッケージ５１の下面側には凹陥部５５が形成されており、この凹陥部５５の内底面に導電性接着剤６１を用いて又は金属バンプによるボンディングによって各種チップ部品６２（コンデンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２、サーミスタＴＨ１、ＴＨ２）が実装されている。
そして、第３の外部接続端子７と第４の外部接続端子８とはパッケージ５１の回路配線上では非導通であるから金属蓋５４は第３の外部接続端子７または第４の外部接続端子８のいずれか一方と導通した状態であるか若しくは何れの第３の外部接続端子７とも非導通とした状態でパッケージ５１に取り付けられていることが特徴の一つである。
尚、パッケージ５１に金属蓋５４を搭載した状態にて金属蓋５４が第３の外部接続端子７と導通するように構成した場合、インピーダンスが小さいインバータの入力側の浮遊容量値が水晶振動子を基板に搭載する前後で安定であるので良好な発振特性を得ることができる。
またはコンデンサ、サーミスタ等のチップ部品には、電極表面に半田コーティングが施されていないものを使用することにより、例えば加熱時にチップ部品の端子と導電性接着剤との間に介在する半田コーティングが溶けて導電性接着剤の固着力が緩むという問題を回避することができる。
【００１４】
図９は図８に示した本実施形態の温度補償水晶振動子の製造手順を示した図である。
即ち、先ず、図９（ａ）に示すように、パッケージ５１の凹陥部５５の内底面に設けた所望のランドパターン上に導電性接着剤６１を塗布する導電性接着剤塗布工程を行い、その後図９（ｂ）に示すチップ部品搭載工程に進む。チップ部品搭載工程では、図９（ｂ）に示すように、導電性接着剤６１を塗布したランドパターン上にチップ部品６２を搭載する。そして、導電性接着剤６１を１５０℃で１時間加熱して乾燥した後、図９（ｃ）に示す水晶振動素子搭載工程に進む。水晶振動素子搭載工程では図９（ｃ）に示すようにパッケージ５１の収納部５２に設けた所望のランドパターン上に塗布した導電性接着剤５３上に水晶振動素子２を搭載して１５０℃で１時間加熱して導電性接着剤５３を乾燥した後、図９（ｄ）に示す周波数調整工程に進む。
周波数調整工程では、図９（ｄ）に示すように、第３の外部接続端子７と第４の外部接続端子８との間に周波数測定装置を接続し、第３の外部接続端子７と第４の外部接続端子８との間に接続した周波数測定装置で周波数測定を行いながら必要に応じてイオンビーム法により水晶振動素子２の励振電極の金属膜厚を調整して周波数調整を行う。この後、水晶振動素子２が収納された収納部５２の開口面には、例えば金属蓋５４が取り付け、その内部を気密状態で封止した後、アニール処理（熱処理）として２７０℃の雰囲気中に１時間放置して製造工程が終了し、これまで説明したような本実施形態の温度補償水晶振動子を作製することができる。
【００１５】
尚、図９（ｄ）に示す周波数調整工程はチャンバー内にパッケージ５１を取り付けて行われる作業であり、このチャンバー内を汚染しない為にもチップ部品の固定に半田を使用せずに導電性接着剤又は金属バンプを使用することが有効である。
即ち、周波数調整工程にて例えばパッケージ５１を加熱すると、チップ部品の固定に半田を使用した場合ではフラックスが放出されたチャンバー内及び水晶振動素子２の表面を汚染してしまうが、チップ部品の固定に乾燥した導電性接着剤又は金属バンプを使用したものであればチャンバー内及び水晶振動素子２の表面を汚染する虞が無いのでチップ部品を搭載した後であっても水晶振動素子２の励振電極の金属膜厚を調整することができる。
なお、本実施の形態において説明した温度補償水晶振動子、及び水晶発振器の構造は、あくまでも一例であり、水晶振動子、及び水晶発振器の構造は各種考えられるものである。
即ち、パッケージ５１が一つの凹部を有した構造であり、その凹部内に水晶振動素子２とチップ部品とを収納した構造でもよく、例えばパッケージの凹部の底部にチップ部品を搭載し、当該チップ部品を覆うように水晶振動素子２をパッケージ５１の凹部内に搭載した所謂シングルシールパッケージ構造の水晶振動子であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態としての温度補償水晶振動子ユニットの回路構成を示した図である。
【図２】温度補償水晶振動子の第１の回路構成を示した図である。
【図３】温度補償水晶振動子の第２の回路構成を示した図である。
【図４】図３に示した温度補償水晶振動子とその水晶振動素子の温度に対する周波数偏差カーブを示した図である。
【図５】本発明の実施形態としての水晶発振器の回路構成を示した図である。
【図６】水晶発振器の第１の回路構成を示した図である。
【図７】水晶発振器の第２の回路構成を示した図である。
【図８】本実施形態の温度補償水晶振動子の概略構造を示した図である。
【図９】図８に示した本実施形態の温度補償水晶振動子の製造手順を示した図である。
【図１０】従来の温度補償型水晶発振器の回路構成を示した図である。
【図１１】従来の温度補償型水晶発振器の他の回路構成を示した図である。
【図１２】従来の水晶振動子の構成を示した図である。
【図１３】従来の温度補償型水晶振動子の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００１７】
１…温度補償水晶振動子、２…水晶振動素子、３、４…リアクタンス回路、５…第１の外部接続端子（第１のＨＯＴ端子）、６…第２の外部接続端子（第２のＨＯＴ端子）、７…第３の外部接続端子（第１のＧＮＤ端子）、８…第４の外部接続端子（第２のＧＮＤ端子）、９…インバータ、１０、２０…温度補償水晶振動子、３０…増幅回路、５１…パッケージ、５２…収納部、５３…導電性接着剤、５４…金属蓋、５５…凹陥部、６１…導電性接着剤、６２…チップ部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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