(57)【要約】【課題】レーザ切断方法において、高スループット、低コスト、高精度で基板を切断するレーザ切断方法を提供する。【解決手段】少なくとも一対の基板１，１８を貼り合せた重ね基板を切断する方法であって、前記重ね基板１，１８の切断位置に沿って当該基板１，１８の相互間に、当該各基板１，１８を透過する波長の光を吸収する性質を持ったパターン部材２１を配設し、基板１，１８を透過する波長のレーザをパターン部材２１に沿って照射し、これによって前記重ね基板１，１８を前記パターン部材２１に沿って切断すること。【選択図】図９
2007264135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の基板を貼り合せた重ね基板を切断する方法であって、
前記重ね基板の切断位置に沿って当該基板の相互間に、当該各基板を透過する波長の光を吸収する性質を持ったパターン部材を配設し、基板を透過する波長のレーザをパターン部材に沿って照射し、これによって前記重ね基板を前記パターン部材に沿って切断することを特徴としたレーザ切断方法。
【請求項２】
前記請求項１に記載のレーザ切断方法において、
前記パターン部材を、前記一対の基板相互間に配設されるギャップ保持部材により形成したことを特徴とするレーザ切断方法。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載のレーザ切断方法において、
前記一対の基板の内の一方を駆動基板とすると共に他方を表示部等が装備された対向基板とし、当該各基板を重ね合わせ前に、前記ギャップ保持部材の配設箇所を除いて、前記駆動基板には平坦化膜を、前記対向基板にはオーバーコート層を、それぞれ形成する工程を設けたことを特徴とするレーザ切断方法。
【請求項４】
前記請求項３に記載のレーザ切断方法において、
前記駆動基板の端部には複数の外部接続端子が設けられ、この外部接続端子に対向する領域に位置する前記対向基板にはレーザ切断用の黒色直線ラインであるブラックマトリクスを、前記重ね合わせ前に付したことを特徴とするレーザ切断方法。
【請求項５】
前記請求項１，２，３又は４に記載のレーザ切断方法において、
前記ギャップ保持部材を、前記基板を透過する波長の光を吸収する性質と導電性とを兼ね備えた部材により形成したことを特徴とするレーザ切断方法。
【請求項６】
前記一対の基板の内、前記一方の基板が複数の表示駆動手段を装備すると共に、他方の基板が前記表示駆動手段に対応し且つ当該表示駆動手段によって駆動される複数の表示手段を備え、
これを重ね合わせて形成される複数の表示装置部を、前記請求項１乃至請求項４の何れか一つのレーザ切断方法を用いて切断して成る表示装置の製造方法。
【請求項７】
有機発光表示部とこの有機発光表示部を駆動する駆動手段とから成る同一基板上に形成された複数の有機発光表示装置部を、レーザ切断用のブラックマトリクスにより区画し、このブラックマトリクスのパターンに沿って切断用レーザ光を照射し、これにより複数の有機発光表示装置部を個別に分離切断し有機発光の表示装置を形成することを特徴とした表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記表示手段が、液晶滴下型注入方式により形成される液晶表示手段であることを特徴とする請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記ギャップ保持部材又はブラックマトリクス等のレーザ照射パターンが円形や三角形などの何れか一つの形状としたことを特徴とする請求項６，７又は８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９の何れか一つに記載の表示装置の製造方法によって製造された表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、合わせ基板等を切断加工するのに好適なレーザ切断方法、このレーザ切断方法を用いた表示装置の製造方法、およびレーザ切断により製造して成る表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は低消費電力化、軽量化、或いは薄型化が可能という特性を活かして、プロジェクタ装置や携帯電話等の小型の表示装置に急速に普及が進んでいる。
液晶表示装置は液晶に電界を印加し、光の透過率を制御することで液晶を光制御素子として用い、明暗を制御し画像を表示している。この液晶をストライプ状走査電極群と、それに直交するストライプ状信号電極群で挟み、電極の交わった部分で電圧を印加して液晶を駆動させる方法を単純マトリクス駆動という。この単純マトリクス駆動は、表示品位が高くなく、走査線の数が限られる。
【０００３】
そこで単純マトリクス駆動の上記性能を改善するために、各画素にスイッチング素子を設けたアクティブマトリクス方式が広く用いられている。特に、近時にあってはスイッチング素子に薄膜トランジスタを用いた方式の液晶表示装置が一般に多用されている。そして、この薄膜トランジスタを構成する材料として、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタがある。アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタは安価で大面積のものが作りやすいため、従来より広く用いられている。
【０００４】
しかしながら、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの欠点として、電荷の移動度が低い点がある。このため薄膜トランジスタを駆動する駆動回路を表示パネル付近に実装する必要があり、このため液晶表示装置の小型化に限界があり、小型軽量化および薄型化が求められる携帯電話等の表示装置として適さなくなってきた。
そこで、よりキャリア移動度の高い多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置が、小型の液晶表示装置として普及するようになってきた。多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置は、周辺駆動回路を同一基板上に形成することができるため、表示領域枠の狭い狭額縁化に有効である。
【０００５】
液晶表示装置は生産性向上のため、大型ガラス基板に複数の画素駆動薄膜トランジスタと駆動回路からなる表示装置のパターンを形成した駆動基板と、色層が形成された対向基板とを重ね合わせた後に、個々の表示装置毎に切断して分離することが多い。この切断方法として、ダイヤモンドカッターによりスクライブラインを形成した後、裏面からブレークを行う方法がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このカッターによる切断では、切断面にチッピングが発生し脆くなることでパネル強度が低下してしまい、工程途中で洗浄したり研磨したりする必要がある等の問題点がある。
かかる問題点を改善する手法として、特開平０５−３０５４６７号公報では、基板の切断位置に対応する部分にレーザ光を吸収する塗料を塗布し、基板を透過する波長のレーザを、塗料を塗布した面の反対側より照射し、照射した部分に熱応力を発生させ切断する方法が提案されている。このレーザ切断は非接触切断のために切断面にチッピングが発生せず、滑らかな切断面のパネルを得ることができる。
ところで、この特開平０５−３０５４６７号公報に記載のレーザ切断方法は、一枚のガラス基板を切断することを想定しているため、重ね合わせた基板を切断する際に以下のような課題が生じている。
【０００７】
レーザ光を一方の基板の塗料が塗布された面の反対側から照射した場合、一方の基板の塗料にレーザ光が吸収されるため、一方の基板に対向する基板の塗料にはレーザ光が照射されず切断できない。このため、レーザ光の照射をそれぞれの基板に対して別々に行わなければならず、スループットが大きくできないという課題がある。又、塗料を塗布するための工程が必要なため、生産性が低下するという課題もある。
【０００８】
更に、レーザ光を用いた従来の手法では、図２４（ａ）に示すように、一方のガラス基板１０１と他方のガラス基板１０２の両面から別々に、レーザ光を照射しなければならい。この場合、図２４（ｂ）に示すように、まずガラス基板１０１，１０２のレーザ光照射部が熱せられ、続いて図２４（ｃ）に示すように当該加熱箇所に亀裂が発生し、最後には図２４（ｄ）に示すように亀裂の方向がずれる（中央のギャップ保持部材１０３では冷却される）、という不都合が生じる場合があり、切断精度が悪いとい不都合があった。
【０００９】
本発明は、上記従来例に有する課題を改善し、高スループットで低コストに、且つ高精度に基板を切断することを可能としたレーザ切断方法、これを利用した表示装置の製造方法、およびそれによって得られる表示装置を提供することを、その目的とする。
【特許文献１】特開平０５−３０５４６７号公報
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明にかかるレーザ切断方法では、少なくとも一対の基板を貼り合せた重ね基板をレーザを利用して切断する方法であって、前述した重ね基板の切断位置に沿って当該基板の相互間に、当該各基板を透過する波長の光を吸収する性質を持ったパターン部材を装備し、基板を透過する波長のレーザをパターン部材に沿って照射し、これによって前記重ね基板を前記パターン部材に沿って切断することを特徴とする（請求項１乃至２）。  このため、これによると、基板を透過するレーザを用いているため、重ね合わせた基板の内側から基板が切断される。このため切断精度が向上する。
【００１１】
ここで、前述したパターン部材を、前記一対の基板相互間に配設されるギャップ保持部材により形成してもよい（請求項２）。
このようにすると、基板を透過するレーザを吸収するパターン部材としてギャップ保持部材を用いると、このギャップ保持部材を通して重ね合わせた基板の両方に熱が伝わり熱歪みが同時に発生する。このため片面からの照射であるにもかかわらず両方の基板を同時に切断することができ、生産性が著しく向上する。
【００１２】
更に、前述した一対の基板の内の一方を駆動基板とすると共に他方を表示部等が装備された対向基板とし、当該各基板を重ね合わせ前に、前記ギャップ保持部材の配設箇所を除いて、前記駆動基板には平坦化膜を、前記対向基板にはオーバーコート層を、それぞれ形成する工程を設けた構成としてもよい（請求項３）。
このようにすると、ギャップ保持部材直下に平坦化膜とオーバーコート層を形成していないことから、レーザによって熱されたギャップ保持部材の熱が基板に直に伝わるため、切断精度が向上し、又切断作業の迅速化が可能となる。
【００１３】
更に、前述した駆動基板の端部には複数の外部接続端子が設けられ、この外部接続端子に対向する領域に位置する前記対向基板にはレーザ切断用の黒色直線ラインであるブラックマトリクスを、前記重ね合わせ前に付した構成としてもよい（請求項４）。
このようにすると、対向基板側の一部のみを切断することができ、これにより駆動基板の外部接続端子を外部に露出設定することが可能となり、そのための生産性を著しく向上させることができる。
【００１４】
又、前述したギャップ保持部材を、前記基板を透過する波長の光を吸収する性質と導電性とを兼ね備えた部材により形成してもよい（請求項５）。
このようにすると、ギャップ保持部材に導電性を付与しているため、当該ギャップ保持部材を介して対向基板側に通電することができ、これがため、従来のように接着部材中に導電性ギャップ材を混入して当該接着部材を介して通電する必要がなくなり、生産コストを低減できるばかりでなく、接着部材部分の通電に伴い発生する熱による接着剤の劣化を大幅に抑制することができ、これがため、上記手法によって形成される表示装置の耐久性が大幅に向上する。
【００１５】
更に、前述した一対の基板の内、一方の基板が複数の表示駆動手段を装備すると共に、他方の基板が前記表示駆動手段に対応し且つ当該表示駆動手段によって駆動される複数の表示手段を備え、これを重ね合わせて形成される複数の表示装置部を、前記請求項１乃至請求項４の何れか一つのレーザ切断方法を用いて切断し、これによって表示装置を形成するように構成してもよい（請求項６）。
【００１６】
又、有機発光表示部とこの有機発光表示部を駆動する前記駆動手段とから成る同一基板上に形成された複数の有機発光表示装置部を、レーザ切断用のブラックマトリクスにより区画し、このブラックマトリクスのパターンに沿って切断用レーザ光を照射し、これにより複数の有機発光表示装置部を個別に分離切断し有機発光の表示装置を形成するように構成してもよい（請求項７）。
更に、前述した表示手段が、液晶滴下型注入方式により形成される液晶表示手段としてもよい（請求項８）。
ここで、前述したギャップ保持部材又はブラックマトリクス等のレーザ照射パターンを円形や三角形などの何れか一つの形状としてもよい（請求項９）。更に、上記各表示装置の製造方法によって表示装置を得るように構成してもよい（請求項１０）。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は以上のように構成され機能するので、これによると、切断精度の高いレーザ切断方法を用いているため、切断マージンが不要となり、狭い額縁化した表示素子を得ることができ、同時に、基板を透過する波長のレーザをギャップ保持部材に照射しているため、重ね合わせた駆動基板と対向基板の両基板に熱が伝わって切断でき、片面からの照射で両基板を切断できるため、生産性を大幅に向上させることができる。
更に、本実発明にかかるレーザ切断方法を用いた表示装置の製造方法およびそれによって得られる表示装置については、生産性および耐久性の向上が図られた表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。
【００１９】
〔実施の形態（１）〕
図１乃至図１６に、これを示す。
この第１実施形態では、最初に、液晶表示素子を利用した液晶表示装置を量産する場合の一方の基板（駆動基板）１と表示用の他方の基板（対向基板）１８とについて、それぞれの製造手順を説明し、本実施形態の主要部を成すパターン部材としてのギャップ保持部材２１の諸機能を明らかにする。
【００２０】
この第１実施形態において、表示領域とは、液晶表示装置が光の透過を制御できる部分を示す。又、非表示領域とは、それ以外の駆動回路領域である、画素駆動多結晶シリコン薄膜トランジスタ領域及び画素間の配線領域などを指す。
図１（ａ）乃至図１（ｊ）は、第１実施形態で用いる画素駆動多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法を示す工程断面図である。
【００２１】
（駆動回路基板１００Ａ）
まず、ガラス基板から成る駆動基板１上に下地絶縁膜２を形成した後、アモルファスシリコンを成長させる。レーザを用いてアニールしアモルファスシリコンを多結晶シリコン３に変化させる（図１（ａ））。その後、フォトリソグラフィー工程により多結晶シリコンのアイランド領域を形成する（図１（ｂ））。
続いて、フォトレジスト２７をパターニングし、イオンドーピングを行う（図１（ｃ））。レジストを剥離すると、ソース領域２４、ドレイン領域２５が形成されている（図１（ｄ））。その後、多結晶シリコン上にゲート酸化膜４を形成し、続いてゲート酸化膜上の所定の領域にゲート電極５を設ける（図１（ｅ））。続いて、下部絶縁膜６を基板全面に形成する（図１（ｆ））。ソース領域２４及びドレイン領域２５上にコンタクトホールを形成し、ソース、ドレインの各領域２４，２５と電気的に接続するように、ソース電極７とドレイン電極８を設ける（図１（ｇ））。
ゲート電極５、ドレイン電極８形成後、駆動基板１全面に層間絶縁膜９を形成する（図１（ｈ））。更に、表面凹凸の平坦化のため上部絶縁膜１０を形成する（図１（ｉ））。
【００２２】
層間絶縁膜９としては、本実施形態実施形態では、ソース、ドレインの各電極７，８と反応しないように無機絶縁膜を用い、上部絶縁膜１０は平坦化効果の大きい有機樹脂を用いられている。
ドレイン電極８上の層間絶縁膜９、上部絶縁膜１０にコンタクトホールを形成し、ドレイン電極８と電気的に接続するように画素電極１１を設ける（図１（ｊ））。ここで、画素電極１１は可視光に対して透過性を有する材料が用いられている。又、ゲート電極５、ソース電極７、ドレイン電極８、画素電極１１を設ける際には、ここではフォトリソグラフィ技術が用いられている。
【００２３】
上記の方法を用いて形成した画素領域の概要を図２（平面図）に示す。この図２では主要部の要素のみを示し、他は省略してある。
この図２に示す画素領域を複数配置した駆動基板１側画素領域２６を、図３に示すようにマトリクス状に形成し、ゲート配線５を介して表示領域外にある上記の方法で形成された多結晶シリコントランジスタを用いたゲート線駆動回路１５と接続し、同様にソース配線７により表示領域外にあるソース線駆動回路１６と接続する。
このソース線駆動回路１６と対向基板１８を重ね合わせる際に接着部材を形成する領域の一部には、対向基板１８と導通をとるためにトランスファ電極１３を形成しておく。トランスファ電極１３は画素電極１１と同一面に形成することが望ましい。尚、液晶の駆動方法によっては、トランスファ電極１３を形成しなくてもよい場合もある。
【００２４】
ソース線駆動回路１６及びトランスファ電極１３は、外部と接続できるように外部接続端子２８と外部接続配線２９によって電気的に接続されている。
以上の工程によって形成された、画素駆動多結晶シリコン薄膜トランジスタ及び駆動回路によって形成される駆動基板１側の液晶駆動素子１４を、大型ガラス基板上にマトリクス状に複数形成し、これにより駆動回路基板１００Ａが形成される（図４）。
【００２５】
（対向表示基板１００Ｂ）
次に、駆動回路基板１００Ａに対向する対向基板１８の形成方法を図５に基づいて説明する。
図５（ａ）乃至図５（ｅ）は、本第１実施形態で用いる対向基板１８の製造方法を示す工程図である。又、図６（Ａ）に、駆動基板１と対向基板１８とを対向させたものを図示する。更に、図６（Ｂ）には対向基板１８側の画素部分の平面図を、図７（Ａ）には対向基板１８側の液晶駆動素子の斜視図を、それぞれ示す。
図５（ａ）に示すように、ガラス基板から成る対向基板１８の基板上で、前述した駆動基板１上の画素駆動多結晶シリコン薄膜トランジスタ、配線、駆動回路などの非表示領域に対向する領域に、光反射機能を備えたブラックマトリクス１７を設ける。ここで、ブラックマトリクスは、アルミニウム、クロムなどの可視光を透過しない金属をフォトリソグラフィ工程によって形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、表示領域となる部分、即ち駆動基板１の画素電極１１に対向する領域に、カラーフィルターとして赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三色の色層２０を、それぞれフォトリソグラフィ工程によって形成する。この状態を平面から見ると図６（Ｂ）のようになる。
【００２６】
続いて、図５（ｃ）に示すように、色層、ブラックマトリクスの膜厚差によって生じる凹凸を緩和するために、オーバーコート層１９を対向基板１８の全面に形成する。オーバーコート層１９は平坦化効果の大きい有機樹脂などであることが望ましいが、表示装置の特性によってはオーバーコート層１９を設けなくてもよい。
図５（ｄ）に示すように、オーバーコート層１９上に対向電極２３を設ける。この対向電極２３と駆動基板１上のトランスファ電極１３は導通している必要があるため、対向電極２３は対向基板１８の全面に形成することが望ましい。
この対向電極２３の配置に際しては、図６（Ａ）に示すように、駆動基板１の画素領域２６に対向する領域から駆動基板１のトランスファ電極１３に対向する領域まで広く配置する。
【００２７】
又、図５（ｅ）に示すように、駆動基板１上の非表示領域（少なくとも画素駆動多結晶シリコン薄膜トランジスタかその配線）に対向する部分に、ギャップ保持部材２１を有機樹脂にてフォトリソグラフィにより形成する。このギャップ保持部材２１は対向基板１８側に一定の密度で均一に配置することが望ましい。
同時に、パネル（駆動基板１部分と対向基板１８部分とを重ねてなるもの）を切断する際の駆動基板１側の切断位置に対向する部分にも、ギャップ保持部材２１を形成する。
ここで、図７（Ａ）に示すように、接続端子側では駆動基板１上に外部接続端子２８が存在するため、駆動基板１と対向基板１８で切断位置が異なっている場合がある。対向基板１８側の接続端子２８側に対応する切断位置にはギャップ保持部材２１を形成せず、ブラックマトリクス１７’を切断位置上に形成しておくことが望ましい。また、切断位置上のブラックマトリクス１７’と画素領域上のブラックマトリクス１７との間には、本実施形態では、レーザ照射による熱が切断位置上から画素領域上に伝わらないようにするために、間隔Ｓが設けられている。
【００２８】
又、ギャップ保持部材２１として用いる有機樹脂は、ガラスを透過する波長の光を吸収する性質を持ち、少なくとも切断に用いるレーザの波長に対する吸収率が良好であればよい。この場合の有機樹脂としては、例えば、シアニン系色素、ポリメチン系色素、銅フタロシアニン系色素などのフタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ジチオール金属錯塩系色素、トリフェニルメタン系色素、アミニウム系色素、ジインモニウム系色素等の近赤外線吸収色素を含んだアクリル樹脂や、可視光を吸収する黒色顔料を含んだアクリル樹脂などが望ましい。
上記の方法で、駆動基板１側の液晶駆動素子に対向する対向基板１８側の液晶駆動素子２２が、図７（Ｂ）に示すように、色層，ブラックマトリクス，及びギャップ保持部材２１によって大型ガラス基板上にマトリクス上に複数形成され、表示側対向基板１００Ｂが形成される。
【００２９】
このように、上述した方法によって形成される駆動基板１と対向基板１８に対して、両基板の表示領域上には、配向膜１２が印刷により形成される（図８，図９（Ｂ）参照）。その後、配向膜１２の表面に液晶を配向させる配向処理が行われる。配向処理の方法としては、ラビング処理やイオンビームによる配向がある。液晶の配向方式によっては配向処理を行わなくても良い場合がある。続いて、表示領域外部に沿って接着部材３０を形成する。
【００３０】
そして、液晶の滴下注入を行う場合、駆動基板１と対向基板１８を重ね合わせる前にどちらか一方の基板上に液晶を滴下したのちに基板を重ね合わせる（図９（Ａ））。
図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＡ−Ａ’断面を示す図である。この図９（Ｂ）に示すように、このときの接着部材３０には、両基板１，１８のトランスファ電極１３，２３を導通させるための導電性ギャップ剤３１が混入されている。図中の円形部分は、導電性ギャップ剤３１の混入を模式的に表したものである。本第１実施形態では、駆動基板１側に接着部材３０を形成しているが、対向基板１８に接着部材３０を形成してもよい。
【００３１】
次に、図１０（Ａ）に示すように、駆動基板１と対向基板１８を重ね合わせた後、光を吸収する性質をもったギャップ保持部材２１が形成されている基板の切断位置に沿って、対向基板１８側から基板を透過する波長のレーザを照射し、重ね合わせた基板を個々の表示装置に切断する。ここで、レーザは対向基板１８側からギャップ保持部材２１とブラックマトリクス１７’に照射する。図１０（Ｂ）は切断後の液晶駆動素子を図示したものである。このとき、レーザを対向基板１８側から照射することで、ギャップ保持部材２１が形成されていない端子側の辺も駆動基板１と対向基板１８を一度に切断できるようにすることが望ましい。本実施形態では、後述するように、これを実現した。
ここで、ガラス基板を透過するレーザとしては、ＹＡＧレーザや、半導体レーザ、或いはイッテルビウムを光発振材料としたフェムト秒レーザなどを用いるとよい。
【００３２】
光吸収部材が前述したようにギャップ保持部材２１であるため、駆動基板１、対向基板１８の両基板に接している。このため、レーザ照射によって熱せられたギャップ保持部材２１の熱が両基板に内側から伝わり切断されるため、重ね合わせた基板を片面からのレーザ照射のみで一度に切断することができる（図１２参照）。
この場合、本実施形態では光吸収部材としてギャップ保持部材２１を用いているため、工程を増やすことなくレーザ切断を行うことができる。
【００３３】
図１１，図１２に、レーザ切断の原理を簡単に示す。
この図１１に示すように、本第１実施形態においては、まず、基板１，１８を透過するレーザ光を用いている。このため、図１２に示すように、光吸収部材であるギャップ保持部材２１が配置されている駆動回路１５側の面（各基板１，１８の内側対向面）に熱が発生する。これにより、基板１，１８は回路側の面から切断されていくことになる（図１２（ｂ）（ｃ）（ｄ））。
前述した従来例では、図２４に示すように、基板に吸収される波長のレーザ、特にガラス基板に対するＣＯ２  レーザなどによる切断の場合だと、レーザが照射される回路が形成されている側の反対の面から切断されていくことになり、反対の面から生じる亀裂が回路側の面に達するまで多少ずれる場合があり、結果として切断精度が落ちてしまう。
【００３４】
本第１実施形態においては、フォトリソグラフィによって形成された部分で切断できるため、フォトリソグラフィと同程度の精度で切断することができる。ガラス基板に対してＹＡＧレーザ，Ｔｉサファイアなどの半導体レーザは、ガラスにはほとんど吸収されないために、このような切断が可能となる。
又、レーザとしてフェムト秒レーザを用いると、強力な電子振動により熱拡散をほとんど伴わない切断が可能になる。そのため、駆動回路等への熱による影響を低下させることができる。
【００３５】
更に、例えばＹＡＧレーザ等の基板を透過するレーザを、ガラスを完全に切断しない程度の低出力で照射し微小亀裂を発生させ、その後に、例えばＣＯ２  レーザ等の基板に吸収されるレーザを微小亀裂に照射し、基板を切断することも可能である。この場合、基板に発生する熱量が比較的少なくて済むため、切断位置近くの駆動回路に対する影響が少なくなる。切断位置近傍に熱的に敏感な素子を設けている場合、本方法を用いることで高信頼性を得ることが出来る。
レーザ切断では、カッターによる切断と異なり直線的な切断だけでなく任意の場所に照射できるため、液晶表示装置を任意の形状に切断することができる。
又、切断精度が高いため、液晶表示装置の設計の際に切断マージンを考慮しなくても済むため、結果として狭額縁化した液晶表示装置を製造することができる。
【００３６】
〔実施の形態（２）〕
図１３に、本発明の第２の実施形態を示す。
この図１３は、レーザ切断する直前における液晶表示素子部の接着部材付近の断面を表した部分断面図を示す。
この図１３に示す第２の実施形態は、前述した図９（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である図９（Ｂ）に比べて、ギャップ保持部材２１直下の駆動基板１側の平坦化膜、対向基板１８側のオーバーコート層を予め除去しておくことに特徴を有する。
この図１３に示す第２の実施形態の構造では、ギャップ保持部材２１が直にガラス基板と接触しているので、ガラスに対する熱伝導性がよい。このため、低いレーザ出力で切断することができる。このため、低いレーザ出力で基板切断作業が実行されるので、その分、切断位置近傍の素子に対する熱破壊等の悪影響が緩和されるという利点がある。
その他の構成およびその作用効果は前述した第１実施形態と同一となっている。
【００３７】
〔実施の形態（３）〕
図１４に、本発明の第３の実施形態を示す。
この図１４は、レーザ切断する直前における液晶表示素子部の接着部材付近の断面を表した部分断面図を示す。
この内、図１４（Ａ）はトランスファ電極１３，２３を接着部材３０の画素領域側に配置した場合を示し、図１４（Ｂ）はトランスファ電極１３，２３を接着部材３０の切断位置側に配置した図である。
【００３８】
ここで、図１４（Ａ）の構造のものにあっては、一方の導電性部材から成るギャップ保持部材３４は、切断位置に形成され、他方の導電性ギャップ保持部材３４’はトランスファ電極１５と対向電極２３を電気的に導通させる位置に形成する。この際、他方の導電性ギャップ保持部材３４’は、トランスファ電極１３と対向電極２３間の電気抵抗を電気光学特性に影響をきたさない値にする必要があるため、それを満たすような断面積を有することが望ましい。
又、図１４（Ｂ）の構造のものにあっては、導電性のギャップ保持部材３４は、切断位置ならびにトランスファ電極１５と対向電極２３を電気的に導通させる位置に形成する。この時、導電性ギャップ保持部材３４の全面にレーザが照射されないように、本実施形態では、導通させるためのギャップ保持部材３４’の一部領域直下にまでブラックマトリクス１７が延設された状態に設定されている。
【００３９】
本第３実施形態では、ギャップ保持部材３４に、基板を透過するレーザを吸収する性質に加えて、上述したように、導電性を付与した材質の樹脂を用いたことを特徴とする。
このため、この第３実施形態では、ギャップ保持部材３４がトランスファ電極１３を導通させているため、シール（接着剤３０）中に導電性ギャップ剤を混入させる必要がない。そのため生産コストを大幅に低減することができる。
尚、本第３実施形態では、例えばギャップ保持部材３４と画素電極１１との間では接触を避ける等の施策が行われ、対向基板１８側表示領域に配置されているギャップ保持部材３４を通して駆動基板１の駆動回路と対向基板１８が電気的に導通することを防ぐための絶縁処置が施されている。
その他の構成およびその作用効果は前述した第１実施形態と同一となっている。
【００４０】
〔実施の形態（４）〕
図１５に、本発明の第４の実施形態を示す。
この図１５に示す第４の実施形態は、図１５（Ａ）が複数の液晶表示素子部を形成するための各基板１，１８の重ね合わせ後の斜視図であり、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図を示す。
【００４１】
この第４実施形態では、駆動基板１上に形成された隣り合う液晶表示素子部の接着部材３０がひとつになっており、その中間部分にギャップ保持部材２１が形成されている。
この場合、通常、接着部材３０の部分で基板１，１８を切断すると、接着部材３０自体の接着力があるため、基板１，１８がうまく切断できない。これに対し、この図１５に示す第４の実施形態では、接着部材３０中のギャップ保持部材２１の部分で精度よく切断することができる。
このため、この図１５に示す第４の実施形態では、大型基板に形成された隣り合う液晶駆動素子の接着部材３０の中央部で切断できるため、パネル多面取り数を増加させることができ、生産性の向上、並びに低コスト化が可能となるという利点がある。
その他の構成およびその作用効果は前述した第１実施形態と同一となっている。
【００４２】
〔実施の形態（５）〕
図１６〜図２０に、本発明の第５の実施形態を示す。
上述した各実施形態では液晶の注入方法として液晶滴下型注入方法を用いることを前提として説明したが、ここでは液晶を毛細管現象によって基板重ね合わせ工程後に注入する場合についての実施例を説明する。
【００４３】
図１６，１７に示すように、駆動基板１側については、駆動基板１側液晶素子、駆動回路１５、トランスファ電極１３、外部接続端子２８は上記の実施の形態と同一となっている。ゲート電極５、もしくはドレイン電極８を形成する際に、端子側の辺の切断位置上に電極パターン３５、注入口側の辺の切断位置上にガラス基板を透過する波長に対して透明でない電極のパターン３６を形成しておく。
図１７（Ｂ），１８に示すように、対向基板１８側については、実施の形態１と同様に注入口側にギャップ保持部材２１を形成すると切断後に液晶注入口が塞がってしまい注入ができなくなる場合がある。そのため、本第５実施形態では、対向基板１８の注入口側にはギャップ保持部材２１を形成せず、代わりに、ブラックマトリクスが注入口側切断位置に形成されている。また、実施の形態１と同様に、ブラックマトリクス１７’にレーザ照射によって発生した熱が画素領域上のブラックマトリクス１７に伝わらないようにするために間隔Ｓが設けられている。
【００４４】
図１９は上述した第５実施形態の重ね合わせ前の駆動基板１と対抗基板１８の斜視図を示し、図２０（Ａ）は駆動基板１と対向基板１８を重ね合わせた時の斜視図を示し、図２０（Ｂ）は切断後の斜視図である。注入口側の切断に関しては、通常のスクライブ切断、もしくは基板に吸収される波長レーザを用いたレーザ切断を行ってもよい。
その他の構成およびその作用効果は前述した第１実施形態と同一となっている。
【００４５】
〔実施の形態（６）〕
図２１に、本発明の第６の実施形態を示す。
この第６の実施形態は、図２１（Ａ）に示すように、対向基板１８にギャップ保持部材２１を円形に形成し、ギャップ保持部材２１に沿ってレーザを照射することで、円形の液晶表示装置を得た点に特徴を有する。同様の方法でギャップ保持部材２１を対向基板１８上に任意の形状に形成することで、任意の形状の液晶表示装置を得ることができる。図２１（Ｂ）は本第６実施形態で形成した液晶駆動素子の一例を示す説明図である。
その他の構成およびその作用効果は前述した第１実施形態と同一となっている。
【００４６】
〔実施の形態（７）〕
図２２に、本発明の第７の実施形態を示す。
上述した各実施形態では、液晶駆動素子周辺の切断位置のみにギャップ保持部材２１、ブラックマトリクス１７’を形成した場合について記述したが、図２２（Ａ）（Ｂ）に示すように、液晶表示素子部分の周辺に試験用素子３７などを形成している場合は、液晶表示素子部分の外側まで基板を切断する必要がある。このため、基板１，１８の端までギャップ保持部材２１及びブラックマトリクス１７’を切断位置に形成してもよい。
その他の構成およびその作用効果は前述した第１実施形態と同一となっている。
【００４７】
〔実施の形態（８）〕
図２３に、本発明の第８の実施形態を示す。
この第８の実施形態は、有機発光層３９を利用した表示パネル（液晶表示装置部）に関するもので、図２３（ａ）〜（ｄ）に、当該表示パネルの製造工程を示す。
【００４８】
図２３（ａ）は有機発光表示装置部５０における薄膜トランジスタ部分を示す断面図で、製造方法の手順は前述した第１実施形態（図１）における液晶表示装置の場合とほぼ同一となっている。
図２３（ｂ）では、陽極となる画素電極１１の相互間に、エッジ保護膜３８として有機樹脂を形成する。同時にパネルを切断する際の切断位置に対向する部分に、エッジ保護膜３８を形成する。エッジ保護膜３８として用いる有機樹脂はガラスを透過する波長の光を吸収する性質を持ち、少なくとも切断に用いるレーザの波長に対する吸収率が良好であればよく、前述した第１実施形態で開示したアクリル樹脂を用いることが望ましい。
次に、図２３（ｃ）に示すように、エッジ保護膜３８の相互間に有機発光層３９を形成する。続いて、図２３（ｄ）に示すように、陰極４０を形成する。
【００４９】
エッジ保護膜３８に使用する樹脂を切断位置に形成することで、基板１を透過する波長にレーザを用いたレーザ切断が可能である。このように、駆動回路一体型の有機発光装置においても、切断位置近傍の駆動回路に対する熱的負荷を低減させることができると同時に狭い額縁化が可能となる。
【００５０】
〔その他の実施形態〕
上記各実施形態では接着部材３０に導電性ギャップ材を混入した場合について開示したが、接着部材３０の近くにギャップ保持部材２１が配置されているため、これを例えば第３実施形態（図１４参照）に示すように使用するように組み込むことによって、接着部材にギャップ材を混入しない構成としてもよい。
又、上記各実施形態では基板１，１８としてガラス基板を用いた場合について記述したが、ガラス基板でなくともプラスチック基板などの材質の異なる基板を用いた場合でも、その基板を透過するレーザとレーザを吸収するギャップ保持部材２１を組み合わせることにより、上記各実施形態と同等に機能する液晶表示装置を形成することができ、そのための切断方法として上記レーザ切断方法は有効である。
【００５１】
また、上記各実施形態では、駆動基板１と対向基板１８の一対の重ね基板の場合について記述しているが、これにマイクロレンズ等の他の機能を有する基板を加えた重ね基板においても、その基板を透過するレーザとレーザを吸収するギャップ保持部材２１を組み合わせれば本実施の形態で述べたレーザ切断方法はそのままの適用が可能となり、有効である。
【００５２】
更に、上記各実施形態によるレーザ切断において、レーザ切断時に基板１，１８を支持する台を冷却することによって、熱応力の影響を大きくし、切断精度を高める方法も有効である。
又、上記各実施形態では、駆動回路が注入口の反対側および横方向の片側だけに配置された形態のみの場合を説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、たとえば駆動回路が横方向両側に配置されている場合等であっても、同一の技術的思想の範囲内であればそのまま適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態で用いる駆動基板側の画素駆動多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法を示す図で、図１（ａ）〜（ｊ）はそれぞれ当該製造方法の工程を示す説明図である。
【図２】図１の手法で形成した駆動基板側の画素領域の一部を示す平面図である。
【図３】図２に開示した画素領域を含む駆動基板側の全体的な構成（駆動基板側液晶駆動素子）を示す説明図である。
【図４】図３に示す液晶駆動素子の複数を駆動基板上に形成した直後の状態を示す説明図である。
【図５】図１乃至図３で開示した駆動基板に対応して形成される対向基板の製造方法を示す図で、図５（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ当該製造方法の工程を示す説明図である。
【図６】図１乃至図５で開示した駆動基板と対向基板とを対応関係を示す図で、図６（Ａ）は駆動基板と対向基板とを対向させた状態を示す説明図、図６（Ｂ）は対向基板の表示部に形成される画素部分の例を示す説明図である。
【図７】図５に開示した対向基板側の構成を示す図で、図７（Ａ）は対向基板側液晶駆動素子部分を示す説明図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）に示す液晶駆動素子の複数を駆動基板上に形成した直後の状態を示す説明図である。
【図８】図３の駆動基板側液晶駆動素子と図７（Ａ）の対向基板側液晶駆動素子部分に配向膜を形成した場合を示す図で、両液晶駆動素子の重ね合わせ前の状態を示す説明図である。
【図９】図８に示した駆動基板側液晶駆動素子部分と対向基板側液晶駆動素子部分とを重ね合わせた場合の状態を示す図で、図９（Ａ）はその全体的な説明図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＡーＡ’線に沿った部分断面図である。
【図１０】駆動基板側と対向基板側とが重ね合わされせた後になされるレーザ切断の状況を示す図で、図１０（Ａ）はレーザ光の照射状態を示す説明図、図１０（Ａ）は切断後の液晶駆動素子を示す概略斜視図である。
【図１１】レーザ切断の原理を示す模式図で、図１１（Ａ）はレーザ照射開始位置にレーザ光をあてる状況を示す説明図、図１１（Ｂ）はレーザ照射位置の急激な熱反応が発生した場合に状態を示す説明図、図１１（Ｃ）はレーザ光による切断動作を示す説明図である。
【図１２】本実施形態１におけるレーザ切断の工程を示す模式図で、図１２（ａ）はレーザ照射開始位置を示す説明図、図１２（ｂ）はギャップ保持部材が熱せられる状況を示す説明図、図１２（ｃ）は熱応力で駆動基板側と対向基板側とに亀裂が発生する状況を示す説明図、図１２（ｄ）は亀裂進展により基板が切断される状態を示す説明図である。
【図１３】本発明の第２実施形態を示す図で、レーザ切断直前の液晶駆動素子部分の一部（駆動基板と対向基板の接着部材付近）を示す部分断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態を示す図で、レーザ切断直前の液晶駆動素子部分の一部（駆動基板と対向基板の接着部材付近）を示す部分断面図で、図１４（Ａ）はトランスファ電極を接着部材の画素領域側に配置した場合を示す説明図、図１４（Ｂ）はトランスファ電極を接着部材の切断位置側に配置した場合を示す説明図である。
【図１５】本発明の第４実施形態を示す図で、図１５（Ａ）はレーザ切断直前の液晶駆動素子部分の一部（液晶駆動素子の重ね合わせ後）を示す部分斜視図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。
【図１６】本発明の第５実施形態を示す図で、その駆動基板側液晶駆動素子部分を示す説明図である。
【図１７】本発明の第５実施形態を示す図で、図１７（Ａ）はその駆動基板側液晶駆動素子の複数が形成された後の状態を示す説明図、図１７（Ｂ）は一個の対向基板側液晶素子に付されるブラックマトリクス（１７’）の位置を示す説明図である。
【図１８】本発明の第５実施形態を示す図で、対向基板上に複数の対向基板側液晶素子が形成された状態を示す説明図である。
【図１９】本発明の第５実施形態を示す図で、液晶駆動素子の重ね合わせ前の状態を示す説明図である。
【図２０】本発明の第５実施形態を示す図で、液晶駆動素子の重ね合わせ後の状態を示す図で、図２０（Ａ）はレーザ切断前の液晶駆動素子部分を示す説明図、図２０（Ｂ）はレーザ切断後の液晶駆動素子を示す説明図である。
【図２１】本発明の第６実施形態を示す図で、図２１（Ａ）は対向基板側液晶駆動素子部分を示す説明図、図２１（Ｂ）はレーザ切断後の液晶駆動素子を示す説明図である。
【図２２】本発明の第７実施形態を示す図で、図２２（Ａ）は対向基板側液晶駆動素子部分を示す説明図、２２（Ｂ）は複数の対向基板側液晶駆動素子が形成された状態における対向基板側全体を示す説明図である。
【図２３】本発明の第７実施形態を示す図で、図２３（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ有機発光型の表示装置における製造方法の工程手順を示す説明図である。
【図２４】従来例を示す説明図である。
【００５４】
１  駆動基板
３  多結晶シリコン
４  ゲート酸化膜
５  表示駆動手段としてのゲート電極、ゲート配線
７  表示駆動手段としてのソース電極、ソース配線
８  表示駆動手段としてのドレイン電極
９  層間絶縁膜
１０  平坦化膜としての上部絶縁膜
１１  画素電極
１２  配向膜
１３  トランスファ電極
１４  駆動基板側液晶駆動素子
１７  ブラックマトリクス
１７’対向基板端子側切断位置上のブラックマトリクス
１８  対向基板
１９  オーバーコート層
２０  色層
２１  パターン部材としてのギャップ保持部材
２２  対向基板側液晶駆動素子（対向基板側液晶表示素子）
２３  表示駆動手段としての対向電極
２６  駆動基板側画素領域
２８  外部接続端子
３０  接着部材
３１  導電性ギャップ材
３２  液晶
３３  液晶注入口
３４  切断位置上の導電性ギャップ保持部材
３４’導通用の導電性ギャップ保持部材
３５  駆動基板側端子部切断位置上の電極
３６  駆動基板側注入部切断位置上の電極
３７  試験用素子
３８  エッジ保護膜
３９  有機発光表示部としての有機発光層
４０  陰極
５０  有機発光表示装置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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