(57)【要約】【課題】陽極酸化を行う工程を簡単化し、ＩＤＴに形成される陽極酸化膜よりも反射器に形成される陽極酸化膜の厚みを厚くすることができるＳＡＷ素子片の製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板１２の一主面に構成したＩＤＴ１４と当該ＩＤＴ１４を挟み込むように配置した反射器２４とを備え、ＩＤＴ１４と反射器２４との表面に陽極酸化膜３２（３２ａ，３２ｂ）を形成したＳＡＷ素子片１０の製造方法であって、陽極酸化の工程においてＩＤＴ１４に対して電流を供給するパターン電極の膜厚を、反射器２４に電流を供給するパターン電極の膜厚よりも薄く設定して陽極酸化を行い、所定時間経過後に前記ＩＤＴ１４に対して電流を供給するパターン電極を完全に酸化させてＩＤＴ１４に供給される電流を遮断し、その後も陽極酸化の工程を継続することで反射器２４に対してのみ電流を供給するようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の一主面に導電性物質によって構成したＩＤＴと当該ＩＤＴを挟み込むように配置した反射器とを備え、前記ＩＤＴと反射器との表面に陽極酸化膜を形成した弾性表面波素子片の製造方法であって、
陽極酸化の工程において前記ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極の膜厚を、前記反射器に電流を供給するパターン電極の膜厚よりも薄く設定して陽極酸化を行い、
所定時間経過後に前記ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極を完全に酸化させてＩＤＴに供給される電流を遮断し、
その後も陽極酸化の工程を継続することで反射器に対してのみ電流を供給するようにしたことを特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項２】
前記ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極の膜厚は、前記ＩＤＴの表面に形成を予定する陽極酸化膜の膜厚に応じて変化させることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項３】
ＩＤＴと反射器とを備え、前記ＩＤＴ及び前記反射器の表面に陽極酸化膜を形成した弾性表面波素子片を製造するための圧電体ウエハの構造であって、
複数のＩＤＴと、
当該ＩＤＴに対応した複数の反射器と、
陽極酸化の工程において前記ＩＤＴ及び前記反射器に電流を供給する陽極を接続するための電極パッドと、
前記反射器と前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極と、
前記反射器と前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極よりも薄膜に形成され、前記ＩＤＴと前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極と、
を前記圧電体ウエハの一主面に備えたことを特徴とする圧電体ウエハ。
【請求項４】
ＩＤＴと反射器とを備え、前記ＩＤＴ及び前記反射器の表面に陽極酸化膜を形成した弾性表面波素子片を製造するための圧電体ウエハの構造であって、
複数のＩＤＴと、
当該ＩＤＴに対応した複数の反射器と、
陽極酸化の工程において前記ＩＤＴ及び前記反射器に電流を供給する陽極を接続するための電極パッドと、
前記反射器と前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極と、
前記反射器と前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極よりも薄膜に形成され、前記反射器と前記ＩＤＴとを電気的に接続するパターン電極と、
を前記圧電体ウエハの一主面に備えたことを特徴とする圧電体ウエハ。
【請求項５】
前記薄膜に形成されるパターン電極の膜厚は、前記ＩＤＴの表面に形成することを予定する陽極酸化膜の膜厚の１／２としたことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の圧電体ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子片の製造方法、及びこの製造方法によって製造される弾性表面波素子片を得るために好適な圧電体ウエハに係り、特に小型で高精度、高品質な弾性表面波素子片を製造するために好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信装置をはじめとする電子機器の小型化に伴い、これらの電子機器に搭載される弾性表面波（ＳＡＷ：Surface acoustic wave）装置の小型化が強く要求されている。したがって、ＳＡＷ装置は、主要な構成要素であるＳＡＷ素子片の小型化を図る必要がある。
【０００３】
こうしたＳＡＷ素子片では、ＩＤＴ（Interdigital transducer）と反射器との膜厚を厚くすることで、反射効率を増大させ、ＣＩ値の低減を図ることができることが知られている。そして、このような構成を採ることにより、反射器を構成する導体ストリップの本数を削減しても十分な反射効率を得ることができ、ＳＡＷ素子片の小型化を図った場合であっても高いＱ値を得ることができることが知られている。このため、電極にアルミやアルミを主成分とする合金を使用したＳＡＷ素子片では、電極間における短絡防止等の保護膜を兼ね、ＩＤＴと反射器との表面に陽極酸化によってアルミの酸化膜を形成することで、ＩＤＴと反射器との膜厚（質量）の確保が図られることが一般的である。
【０００４】
しかし、上記のような構成のＳＡＷ素子片を製造する上では、次のような問題が生じることとなる。第１に、ＩＤＴの膜厚（陽極酸化膜の膜厚も含む）を厚くすると、成膜工程における膜厚のばらつきが大きくなるということ。第２に、膜厚が厚くなると膜厚の変動に対する周波数の変化、すなわち共振周波数の膜厚感度が大きくなるということ。第３に、膜厚のばらつきにより共振周波数のばらつきが大きくなった場合には、高精度・高品質な弾性表面波素子片を安定して製造することが困難となること等である。
【０００５】
このような実状を鑑みて、ＩＤＴに形成する陽極酸化膜の膜厚は比較的薄くし、反射器に形成する陽極酸化膜の膜厚は厚くするという技術が開発され、特許文献１、２に開示されている。このような構成を採ることにより、小型で、高いＱ値を得ることができ、高精度・高品質なＳＡＷ素子片を安定して製造することができるようになると考えられる。
【特許文献１】特開平６−１６４２８７号公報
【特許文献２】特開２０００−７６８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１、２に開示されている技術によれば確かに、小型で、高いＱ値を得ることができ、高精度・高品質なＳＡＷ素子片を安定して製造することが可能となると考えられる。しかし、上記特許文献に開示されている技術はいずれも、２段階の陽極酸化を行ったり、電圧の異なる２つの電源を用意したりする必要があり、酸化膜形成工程が複雑だったり、酸化膜形成のための装置が大掛かりなものとなったりするという問題があった。
【０００７】
そこで本発明では、陽極酸化を行う工程を簡単化し、かつＩＤＴに形成される陽極酸化膜よりも反射器に形成される陽極酸化膜の厚みを厚いものとすることができるＳＡＷ素子片の製造方法、及びこの方法を用いてＳＡＷ素子片を製造するために好適な圧電体ウエハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明に係る弾性表面波素子片の製造方法は、圧電基板の一主面に導電性物質によって構成したＩＤＴと当該ＩＤＴを挟み込むように配置した反射器とを備え、前記ＩＤＴと反射器との表面に陽極酸化膜を形成した弾性表面波素子片の製造方法であって、陽極酸化の工程において前記ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極の膜厚を、前記反射器に電流を供給するパターン電極の膜厚よりも薄く設定して陽極酸化を行い、所定時間経過後に前記ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極を完全に酸化させてＩＤＴに供給される電流を遮断し、その後も陽極酸化の工程を継続することで反射器に対してのみ電流を供給するようにしたことを特徴とする。
【０００９】
このような方法により弾性表面波素子片を製造することによれば、１つの電源を用いて１回の陽極酸化工程を経るだけで、ＩＤＴと反射器とに形成される陽極酸化膜の膜厚に違いを持たせることが可能となる。すなわち、陽極酸化の工程において、ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極は、その膜厚を反射器に対して電流を供給するパターン電極よりも薄く設定されている。そして、陽極酸化は電極の周囲に酸化膜が形成されるだけでなく、電極本体も酸化される。このため、所定時間陽極酸化を実施することにより、ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極は完全に酸化され、ＩＤＴに供給される電流は遮断されることとなるが、反射器に対して電流を供給するパターン電極は反射器に対して電流を供給し続けることとなる。よって、陽極酸化の工程を中断させることなく、反射器の表面に形成される陽極酸化膜のみを厚膜化することができる。
【００１０】
また、上記のような特徴を有する弾性表面波素子片の製造方法において、前記ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極の膜厚は、前記ＩＤＴの表面に形成を予定する陽極酸化膜の膜厚に応じて変化させるようにすると良い。
【００１１】
ＩＤＴに対する陽極酸化膜の形成は、ＩＤＴに対して電流を供給するパターン電極が完全に酸化された時点で終了する。このため、パターン電極の膜厚を変化させることにより、ＩＤＴ表面に形成される陽極酸化膜の膜厚を変化させることができる。
【００１２】
また、上記目的を達成するための本発明に係る圧電体ウエハは、ＩＤＴと反射器とを備え、前記ＩＤＴ及び前記反射器の表面に陽極酸化膜を形成した弾性表面波素子片を製造するための圧電体ウエハの構造であって、複数のＩＤＴと、当該ＩＤＴに対応した複数の反射器と、陽極酸化の工程において前記ＩＤＴ及び前記反射器に電流を供給する陽極を接続するための電極パッドと、前記反射器と前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極と、前記反射器と前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極よりも薄膜に形成され、前記ＩＤＴと前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極と、を前記圧電体ウエハの一主面に備えたことを特徴とする。
【００１３】
圧電体ウエハの構造を上記のようなものとすることにより、１つの電源を用いて１回の陽極酸化工程を経るだけで、ＩＤＴと反射器とに形成される陽極酸化膜の膜厚に違いを持たせることが可能となる。すなわち、反射器と電極パッドとを電気的に接続するパターン電極よりも薄膜に形成されたＩＤＴと電極パッドとを電気的に接続するパターン電極は、陽極酸化の工程において前記反射器と電極パッドとを電気的に接続するパターン電極よりも早く酸化されることとなる。パターン電極が完全に酸化された場合、これに接続されたＩＤＴ又は反射器に対する電流の供給が遮断されることとなり、それ以降の陽極酸化膜の形成は成されなくなる。このため、ＩＤＴの表面に形成される陽極酸化膜の膜厚は、反射器の表面に形成される陽極酸化膜の膜厚よりも薄いものとなる。
【００１４】
また、上記目的を達成するための本発明に係る圧電体ウエハは、ＩＤＴと反射器とを備え、前記ＩＤＴ及び前記反射器の表面に陽極酸化膜を形成した弾性表面波素子片を製造するための圧電体ウエハの構造であって、複数のＩＤＴと、当該ＩＤＴに対応した複数の反射器と、陽極酸化の工程において前記ＩＤＴ及び前記反射器に電流を供給する陽極を接続するための電極パッドと、前記反射器と前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極と、前記反射器と前記電極パッドとを電気的に接続するパターン電極よりも薄膜に形成され、前記反射器と前記ＩＤＴとを電気的に接続するパターン電極と、を前記圧電体ウエハの一主面に備えたことを特徴とするものであっても良い。
【００１５】
上記のような構造の圧電体ウエハであっても、１つの電源を用いて１回の陽極酸化工程を経るだけで、ＩＤＴと反射器とに形成される陽極酸化膜の膜厚に違いを持たせることが可能となる。この場合、薄膜化されているのは反射器とＩＤＴとを電気的に接続するパターン電極であるが、本構造の場合、当該パターン電極が、反射器を介してＩＤＴに対して電流を供給するため、上記構造の圧電体ウエハと同様の作用・効果を得ることができる。
【００１６】
さらに、上記のような構成の圧電体ウエハにおいて、前記薄膜に形成されるパターン電極の膜厚は、前記ＩＤＴの表面に形成することを予定する陽極酸化膜の膜厚の１／２とすることが望ましい。
【００１７】
陽極酸化膜の形成は、電極本体を酸化する膜厚（量）の略２倍の膜厚で成される。したがって、薄膜に形成されるパターン電極の膜厚を、ＩＤＴの表面に形成することを予定する陽極酸化膜の膜厚の１／２とすることで、ＩＤＴには所望する膜厚の陽極酸化膜が形成されることとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明のＳＡＷ素子片の製造方法、及びこの方法を用いてＳＡＷ素子片を製造するのに好適な圧電体ウエハに係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明に係る一部の形態であり、本発明の技術的範囲を拘束するものでは無い。
【００１９】
まず、図１（Ａ）を参照して、本発明のＳＡＷ素子片の製造方法によって製造されるＳＡＷ素子片について説明する。本方法によって製造されるＳＡＷ素子片１０は、圧電基板１２の一主面に電極膜を形成することによって構成される。
【００２０】
前記圧電基板１２は、タンタル酸リチウム（LiTaO3）、ニオブ酸リチウム（LiNbO3）、水晶（SiO2）等種々選択することができるが、本実施形態の場合、周波数温度特性が良好とされる水晶を採用することとする。また、前記電極膜としては、導電性を有する部材であれば種々選択可能であるが、コスト面及び加工面で有利なアルミ（Al）、あるいはＡｌを主な原料とする合金を採用し、これを材料として形成することとする。
【００２１】
圧電基板１２の一主面に形成する電極膜には、ＩＤＴ１４と反射器２４とがある。ＩＤＴ１４は、信号の入力と出力とを担う一対の櫛型電極１６（１６ａ，１６ｂ）から構成される電極である。櫛型電極１６は、複数の電極指１８とこの複数の電極指１８を電気的に接続するバスバー２０とから構成され、圧電基板１２上には、前記電極指１８が弾性表面波の伝搬方向と直交するように配置される。また、上述したように櫛型電極１６は少なくとも一対でＩＤＴ１４を構成することより、対となる櫛型電極１６の電極指１８が他方の櫛型電極１６の電極指１８と交互に噛合うように配置される。なお一般に、櫛型電極１６の電極指１８が互いに噛合う幅のことを交差指幅という。また、このような構成のＩＤＴ１４には必要に応じて、櫛型電極１６に対する信号の入出力を行うための電極パッド２２が設けられる。
【００２２】
これに対し反射器２４は、複数の導体ストリップ２６の両端をバスバー２８によって接続した格子状の電極である。このような構成とされる反射器２４が圧電基板１２上に配置される場合、前記ＩＤＴ１４を挟み込むように対として配置される。なお反射器２４の配置は、前記導体ストリップ２６が、前記櫛型電極１６の電極指１８と平行になるような状態で成される。
【００２３】
本製造方法によって製造されるＳＡＷ素子片１０では、上記のような構成とした電極膜、すなわちＩＤＴ１４と反射器２４の表面上に保護膜を形成し、反射効率の向上を図る。電極膜上面に形成する保護膜としてはＳｉＯ２膜や酸化膜等が一般的であるが、本実施形態の場合、アルミ電極を陽極酸化することによって得られる酸化アルミ膜（以下、陽極酸化膜という）を形成することとした。
【００２４】
そして、本製造方法によって製造されるＳＡＷ素子片１０では、前記ＩＤＴ１４の表面に形成する陽極酸化膜よりも、前記反射器２４の表面に形成する陽極酸化膜の膜厚の方が厚くなるように形成される。
【００２５】
ここで、陽極酸化による陽極酸化膜の形成を行う場合、図２に示すように、アルミ電極本体に形成される陽極酸化膜は、アルミ電極本体の表面を酸化すると共に、その酸化部の厚みと略同じ厚み分だけアルミ電極本体の外側に成膜される。このため、電極膜全体としての体積及び質量は増大することとなるが、酸化されていないアルミ電極本体の体積は縮小化されることとなる。
【００２６】
したがって、図１（Ｂ）に断面の様子を示すように、同じ膜厚に形成したＩＤＴ１４と反射器２４とにそれぞれ異なる膜厚の陽極酸化膜（本実施形態ではＩＤＴ１４に形成する陽極酸化膜３２ａよりも反射器２４に形成する陽極酸化膜３２ｂの方が厚膜）３２を形成した場合には、図１（Ｃ）に示すような形態となる。
【００２７】
すなわち、反射器２４には陽極酸化膜３２ｂが厚く形成されて体積及び質量が増大する一方で、アルミ電極本体３０ｂの内部方向への酸化も進行することとなるため、アルミ電極本体３０ｂの占める割合自体は小さくなるのである。
【００２８】
このように構成されるＳＡＷ素子片１０によれば、反射器２４を構成する電極膜の質量が増大することに伴って反射器２４の反射効率を高めることができる。これにより、反射器２４の小型化、ひいてはＳＡＷ素子片１０自体の小型化を図ることができる。
【００２９】
次に、図３を参照して上述したＳＡＷ素子片１０を製造するための圧電体ウエハ５０について説明する。上述したＳＡＷ素子片１０は、図３に示すような圧電体ウエハ基板５２上に複数形成されたＩＤＴ及びこれに付随する反射器のといった単位で切り出されることにより形成される。
【００３０】
本実施形態に係る圧電体ウエハ基板５２上には、複数のＩＤＴ１４（図４参照）及びそれぞれのＩＤＴ１４に付随する反射器２４（図４参照）によって構成されるブロック７０が複数配置されている（ブロック群）。そして、前記ブロック群の上下には、上部共通電極（パターン電極）５４と下部共通電極（パターン電極）５６とが設けられており、上部共通電極５４と下部共通電極５６とは中間電極（パターン電極）５８によって電気的導通が図られる構成とされている。また、前記上部共通電極５４には電極パッド５４ａが形成されており、前記中間電極の一部には他の部分よりもその膜厚を薄く形成した薄膜部６０が形成されている。
【００３１】
また、前記上部共通電極５４と下部共通電極５６からはそれぞれ、ＳＡＷ素子片１０（図４参照）を構成するための反射器２４と、ＩＤＴ１４とに接続される接続電極（パターン電極）６２，６４が設けられている。具体的には、上部共通電極５４から延設された接続電極６２は、各ブロック７０に形成された反射器２４に接続される構成とされており、下部共通電極５６から延設された接続電極６４は、各ブロック７０に形成されたＩＤＴ１４に接続される構成とされている。
【００３２】
図４にブロック７０の詳細な構成例を示し、ＩＤＴ１４及び反射器２４に対する接続形態について説明する。図４に示すように、１つのブロック７０には、複数（図４では６つ）のＳＡＷ素子片１０を製造するためのＩＤＴ１４と反射器２４が設けられている。ここで、破線で示す範囲は図１に示したＳＡＷ素子片を構成する際の範囲を示し、一点鎖線で示す範囲は図３に示す１つのブロック７０の範囲を示す。
【００３３】
このように構成されたブロック７０に対し、上部共通電極５４から延設された接続電極６２は、ブロック７０を挟み込むように配置され、ブロック７０内に形成された複数の反射器２４に対して分配電極６２ａを介して接続されている。一方、下部共通電極５６から延設された接続電極６４は、ブロック７０に配置されたＳＡＷ素子片１０単位の電極群の中心に配置され、ブロック７０内に形成された複数のＩＤＴ１４を構成する櫛型電極１６に対して、分配電極６４ａを介して接続されている。
【００３４】
上記のような構成の圧電体ウエハ５０によれば、反射器２４、及びＩＤＴ１４に対して陽極酸化膜を形成する際に、次のような作用を得ることができる。すなわち、上記構成の圧電体ウエハ５０によれば、ＳＡＷ素子片１０を構成する反射器２４に対する電圧の印加は、上部共通電極５４、及び接続電極６２を介して分配電極６２ａより成される。これに対し、ＩＤＴ１４に対する電圧の印加は、上部共通電極５４、中間電極５８、下部共通電極５６、及び接続電極６４を介して分配電極６４ａより成される。このため、中間電極５８、下部共通電極５６あるいは接続電極６４に対する電流の供給が絶たれた場合には、電圧の印加は反射器２４に対してのみ成されることとなる。ここで、本実施形態の圧電体ウエハ５０では、中間電極５８に薄膜部６０を形成している。そして、陽極酸化を行うことによれば上述したように、アルミ電極本体も酸化され、その体積が減少する。したがって、陽極酸化によるアルミ電極の酸化膜厚が前記薄膜部６０の膜厚に達した場合には、上部共通電極５４から下部共通電極５６への電流の通電が遮断され、電流は反射器２４のみに供給されることとなり、上述したように、反射器２４に対してのみ電圧の印加が成されることになる。よって、ＩＤＴ１４に対する陽極酸化膜の生成が終了した後も反射器２４に対する陽極酸化膜の生成は続くこととなり、ＩＤＴ１４の表面に形成される陽極酸化膜よりも反射器２４の表面に形成される陽極酸化膜の膜厚を厚くすることができるようになる。
【００３５】
上記によれば、ＩＤＴ１４の表面に形成する陽極酸化膜の膜厚は、前記薄膜部６０の膜厚に依存することとなる。そして図２に示したように、陽極酸化膜の膜厚は、アルミ電極本体が酸化される厚みの２倍程度となる。したがって、前記薄膜部６０の厚みを、ＩＤＴ１４の表面に所望する陽極酸化膜の厚みの１／２程度とすることで、ＩＤＴ１４の表面に所望する厚みの陽極酸化膜を形成することが可能となる。なお、中間電極５８に対する薄膜部６０の形成は、ハーフエッチングの工程を経ることにより可能となる。
【００３６】
すなわち図５に示すように、圧電体ウエハ基板の表面に蒸着やスパッタ等によりアルミ薄膜を形成し（図５（Ａ））、当該アルミ薄膜の表面に対して前記薄膜部６０を形成する部位に開口を有するレジスト膜を形成し（図５（Ｂ））、所定時間エッチングを行うことで薄膜化を図る（図５（Ｃ））。その後、前記レジスト膜を除去し、所望する電極のパターンに対応した新たなレジスト膜をアルミ薄膜の表面に形成し（図５（Ｄ））、エッチングを行って、電極のパターン形成を図り（図５（Ｅ））、不要となったレジスト膜を除去するようにすれば良い（図５（Ｆ））。なお、ハーフエッチングを行うに際しては当然、他の工程によっても良い。例えば、薄膜部及び所望する電極のパターンに対応した開口部を有するレジスト膜を用いて全体をハーフエッチングし、その後に電極のパターンに対応した部分のみさらにエッチングするというものなどであっても良い。また、薄膜部の形成は、中間電極にライン状の溝を形成するだけでも良い（例えば図７参照）。このような形態を採る場合、プラズマＣＶＭ等の技術によって部分的な薄膜化を図ることも可能である。
【００３７】
以下、図６を参照して、陽極酸化膜の生成工程について説明する。
陽極酸化を行う際には、電源部１２０の陽極１３０を圧電体ウエハ基板５２上に形成した上部共通電極５４の電極パッド５４ａに接続し、陰極１４０に電極板１５０を接続する。そして、陽極１３０が接続された圧電体ウエハ５０、及び陰極１４０が接続された電極板１５０は、電解槽１００に貯留された陽極酸化液（電解液）１１０に浸漬される（図６（Ａ））。ここで、陽極酸化液１１０としては、燐酸二水素アンモニウム水溶液やホウ酸アンモニウムのエチレングリコール飽和溶液、クエン酸やアジピン酸塩の水溶液等を挙げることができる。なお、図６には、圧電体ウエハ基板５２に形成した上部共通電極５４、下部共通電極５６及び中間電極５８の薄膜部６０に対する陽極酸化処理の様子を示すものとする。
【００３８】
上記のようにしてセットした圧電体ウエハ基板５２上の電極膜及び電極板１５０に対して特定の電圧（例えば６０Ｖ）で電流を流すと、電極膜の表面に対する陽極酸化膜３２（３２ａ，３２ｂ，３２ｃ）の形成が開始される（図６（Ｂ））。陽極酸化膜３２の形成では上述したように、電極自体の体積（質量）を増すと共に、地金であるアルミ電極本体３０（３０ａ，３０ｂ，３０ｃ）も酸化される。このため、一定の時間陽極酸化を継続すると、薄膜部６０が全て陽極酸化膜３２ｃ、すなわち酸化アルミとなる（図６（Ｃ））。酸化アルミは絶縁部材であるため、図６（Ｃ）に示すように、薄膜部６０が全て酸化アルミとなった場合には上部共通電極５４から下部共通電極５６に対する通電が遮断されることとなる。このため、電流が遮断された下部共通電極５６に対する陽極酸化膜３２ａの生成は停止し、通電状態が継続される上部共通電極５４のみ陽極酸化膜３２ｂの膜厚が成長することとなる（図６（Ｄ））。なお、陽極酸化によって成膜される陽極酸化膜の膜厚は、電圧の印加時間が十分であれば、電極に印加する電圧に依存することとなるため、電源部１２０から供給される電流の電圧は、反射器２４（図６においては上部共通電極５４）に所望する陽極酸化膜の膜厚を得るために必要とされる電圧に設定する。
【００３９】
ここで、上述したように、上部共通電極５４はＳＡＷ素子片１０を構成する反射器２４に接続されており、下部共通電極５６はＳＡＷ素子片１０を構成するＩＤＴ１４に接続されている。したがって、上記のような陽極酸化膜の生成工程によって反射器２４とＩＤＴ１４とに陽極酸化膜を生成した場合には、その膜厚は、上部共通電極５４と下部共通電極５６との表面に形成された陽極酸化膜３２ｂ，３２ａの厚みに準ずるものとなる。したがって、上記のようにしてＳＡＷ素子片１０を製造することによれば、１つの電源による一度の陽極酸化工程を経るだけで、ＩＤＴ１４に形成される陽極酸化膜３２ａよりも反射器２４に形成される陽極酸化膜３２ｂを厚膜に形成することが可能となる。よって、形成するＳＡＷ素子片１０の反射効率を高め、高いＱ値を維持したまま、素子片自体の小型化を図ることができる。
【００４０】
なお、図３において上部共通電極５４と下部共通電極５６とは圧電体ウエハ基板５２の両サイドに形成した２本の中間電極５８で接続する構成としているが、図７に示すように、中間電極５８を１本としても良い。このような構成とすることによれば、圧電体ウエハ基板５２上に形成するブロック７０の数を増やすことができる。すなわち、１つの圧電体ウエハ５０から形成されるＳＡＷ素子片１０の数を増大させることが可能となる。  
【００４１】
また、上記実施形態では薄膜部６０の形成は、中間電極５８としていたが、ＩＤＴ１４に対する電流の供給のみを遮断できる構成であればこれに限るものでは無い。具体的には、下部共通電極５６やこれに設けられる接続電極６４の基端部を薄膜部とする等である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】ＳＡＷ素子片の製造方法によって製造されるＳＡＷ素子片の構造を示す図である。
【図２】アルミ電極を陽極酸化した場合における陽極酸化膜の形成状態を示す図である。
【図３】圧電体ウエハの構造を示す図である。
【図４】圧電体ウエハ基板上に形成したブロックの構成を示す図である。
【図５】薄肉部の形成方法を説明するための図である。
【図６】圧電体ウエハを陽極酸化する際の工程を示す図である。
【図７】圧電体ウエハの他の例を示す構造図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０………弾性表面波素子片（ＳＡＷ素子片）、１２………圧電基板、１４………ＩＤＴ、２４………反射器、３０（３０ａ，３０ｂ，３２ｃ）………アルミ電極本体、３２（３２ａ，３２ｂ，３２ｃ）………陽極酸化膜、５０………圧電体ウエハ、５２………圧電体ウエハ基板、５４………上部共通電極、５６………下部共通電極、５８………中間電極、６０………薄膜部、６２………接続電極、６４………接続電極、７０………ブロック、１００………電解槽、１１０………陽極酸化液、１２０………電源部、１３０………陽極、１４０………陰極、１５０………電極板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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