(57)【要約】      （修正有）【課題】微小ミラーＳＬＭのような集積デバイスを製造する方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを製造する方法において、本質的に互いに平行な裏面及び前面を有する基板１３０を設ける処理と、基板から材料を除去することによって少なくとも１つの隠れた支持部１３１、１３４を基板に画定する処理と、基板の少なくとも一部を作動させることができる少なくとも１つの作動電極を有するウェーハの上に少なくとも１つの隠れた支持部を接続する処理とを含み、反射性表面の回転軸は隠れた支持部に対して本質的に垂直である。また、本発明は、そのようなＭＥＭＳに関する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、
本質的に互いに平行な裏面と前面を有する基板を設ける処理と、
前記基板から材料を除去することによって、少なくとも１つの隠れた支持部を前記基板に画定する処理と、
前記基板の少なくとも一部を作動させることができる少なくとも１つの作動電極を有するウェーハの上に、前記少なくとも１つの隠れた支持部を接続する処理とを含み、前記反射性表面の回転軸が本質的に前記隠れた支持部に対して垂直である方法。
【請求項２】
前記隠れた支持部が、前記裏面又は前面に対して本質的に垂直である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つのミラーを前記基板に画定する処理をさらに含み、
前記ミラーと、前記少なくとも１つの隠れた支持部の少なくとも１つとが互いに接続されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記隠れた支持部が、結合によって前記ウェーハに接続されている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板が、単結晶基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＭＥＭＳデバイスが、空間光変調器である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記空間光変調器のミラー構造が、前記基板の厚さに本質的に等しい厚さを有している、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ミラー構造が、片寄っているとき、本質的に剛体である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
反射する材料の層を前記裏面又は前面の上に形成する処理をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＭＥＭＳデバイスであって、
少なくとも１つの反射性表面を有する基板と、
前記基板と同じ材料から形成された少なくとも１つの隠れた支持部と、
前記反射性表面を作動させることができる、ウェーハ上に設けられた少なくとも１つの作動電極とを備え、前記ウェーハが前記基板に接続され、さらに前記反射性表面の回転軸が前記隠れた支持部に対して本質的に垂直であるＭＥＭＳデバイス。
【請求項１１】
単結晶材料の前記基板に不純物を添加する処理をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記隠れたヒンジが、前記反射性表面に対して本質的に垂直である、請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１３】
前記ＭＥＭＳデバイスがＳＬＭである、請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１４】
前記ＳＬＭが、反射性表面を本質的に有する少なくとも１つのミラー要素を備えている、請求項１３に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１５】
前記ＳＬＭが、回折性特性を有する表面のある少なくとも１つのミラー要素を備えている、請求項１３に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのミラー要素が、前記隠れた支持部を曲げることによって片寄ることができ、一方で、前記少なくとも１つのミラー要素が、片寄っているとき、本質的に剛体である、請求項１４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
酸化及び／又はエッチングのプロセス・ステップによって前記隠れたヒンジの寸法を制御する処理をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記反射性表面は、非作動状態から第１及び第２の方向に回転させることができる、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板が、不純物を添加されている、請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２０】
前記作動電極が、前記基板の少なくとも一部を静電、磁気、圧電、又は熱によって作動させることができる、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記反射性表面は、非作動状態から第１及び第２の方向に回転させることができる、請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２２】
前記作動電極が、前記基板の少なくとも一部を静電、磁気、圧電、又は熱によって作動させることができる、請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２３】
前記少なくとも１つのミラー要素が、前記隠れた支持部を曲げることによって片寄ることができ、一方で、前記少なくとも１つのミラー要素が、片寄っているとき、本質的に剛体である、請求項１５に記載のＭＥＭＳデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、集積デバイス例えば半導体デバイスを形成する技術に関し、特に、隠れたヒンジの付いた微小ミラーを製造する方法、及びそのような微小ミラーを備えるＳＬＭに関する。
【背景技術】
【０００２】
微小ミラー型の空間光変調器（ＳＬＭ）を作ることは、現在の当技術分野ではよく知られている。米国特許第４５６６９３５号、４７１０７３２号、及び４９５６６１９号。一般に、微小ミラーＳＬＭのような集積デバイスの組立に関して２つの主な原理が使用されている。
【０００３】
集積回路（ＩＣ）が完成状態まで製造され、それからこのＩＣに微小ミラーが製造される。微小ミラーはＩＣウェーハに組み立てられる。この方法の有利な点は、いわゆるＩＣファウンドリを使用することができることであり、このことで、電子回路ウェーハの製造は非常に費用効率が良くなる。不利な点は、微小ミラーの製造に使用することができる材料及び方法の選択が非常に制限されることである。というのは、約４００℃の温度上限があり、約４００℃より上では電子回路が損傷する。これによって、最適性能をもつ微小ミラーの製造はいっそう困難になっている。
【０００４】
微小ミラーＳＬＭを作る他の方法は、ＩＣを作るプロセスの最後に同じウェーハで微小ミラー製造を開始できることである。この方法の有利な点は、優れた性能を有する微小ミラーを製造するために材料、方法及び温度を選択する自由度がより大きいことであろう。不利な点は、ＩＣウェーハを標準的なＩＣ製造会社で製造することができないことである。というのは、標準的なＩＣ製造会社には、プロセスの品質を維持することができるために標準化される製造プロセスに対して非常に厳しい要求があるからである。
【０００５】
微小ミラーＳＬＭを作るさらに他の方法は、第１のウェーハにＩＣを、そして第２のウェーハに微小ミラー・アレイを製造することであろう。第１及び第２のウェーハは、結合によって互いに付着させることができる。そのような方法の１つの問題は、第１のウェーハと第２のウェーハの間の位置合せに対する厳格な要求である可能性があり、位置合せ不良は、１つ又は複数のピクセルの機能に影響することがある。
【０００６】
ＳＬＭの微小ミラーは、アルミニウムの優れた光学性能のために、アルミニウムで作ることができる。しかし、アルミニウムで作ったミラーを使用することによるいくつかの欠陥があることがある。例えば、ミラーが完全に平らでないことがあり、ミラー高さがミラー間で異なることがあり、傾けられたときにミラーが曲がることがあり、傾けられたときにミラーがたわむことがあり、ミラーごとに異なることがある固有の事前片寄りがミラーにあることがあり、ヒンジが非弾性挙動をすることがある、などである。
【０００７】
したがって、当技術分野では、微小電気／機械／光集積デバイスの製造方法の改善が必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述の背景を考慮して、例えば微小ミラーＳＬＭのような集積デバイスを製造する方法は、そのようなデバイスの性能のために極めて重要である。
【０００９】
したがって、上述の問題を克服するか、又は少なくとも軽減する、集積デバイスの改善された製造方法及び／又は設計を提供することが、本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施例では、本発明はＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスを製造する方法を提供し、本方法は、本質的に互いに平行な裏面と前面を有する基板を設けること、基板から材料を除去することによって少なくとも１つの隠れた支持部を基板に画定すること、基板の少なくとも一部を作動させることができる少なくとも１つの作動電極を有するウェーハの上に前記少なくとも１つの隠れた支持部を接続することとを含み、反射性表面の回転軸は本質的に隠れた支持部に対して垂直である。
【００１１】
他の実施例では、本発明はＭＥＭＳデバイスを提供し、本ＭＥＭＳデバイスは、少なくとも１つの反射性表面を有する基板と、基板と同じ材料から形成された少なくとも１つの隠れた支持部と、反射性表面を作動させることができる、ウェーハ上に設けられた少なくとも１つの作動電極とを備え、ウェーハは基板に接続され、さらに反射性表面の回転軸は隠れた支持部に対して本質的に垂直である。
【００１２】
本発明及びその有利点をいっそう完全に理解するために、添付の図面に関連して行う以下の説明を参照する。
【実施例】
【００１３】
本文においては「ウェーハ」及び「基板」という用語を交換可能に使用し、それらの差は単にそれらの寸法だけである。
【００１４】
本発明による方法は、微小ミラー空間光変調器の製造に特に適している。しかし、本方法は、量子井戸検出器、焦電検出器、ボロメータなどのような、ただしこれらに限定されない様々のＭＥＭＳ型熱及び非熱感知デバイスに応用可能であろう。同じ理由のために、他の構造体（例えば、ステアリング電子回路）が存在している基板に直接構造体（例えば、微小ミラー・アレイ）を処理し／パターン形成し／堆積することができないとき、本方法は特に適している。例えば、基板に設けられた構造体が、基板に設けられるべき構造体の処理を行うためのプロセス温度に対して温度敏感である場合、又は、基板が多結晶であり基板の上に成長される要素が単結晶でなければならない場合である。
【００１５】
図１（ａ）は、隠れたヒンジを有するＭＥＭＳデバイスを形成する本発明の実施例による第１のプロセス・ステップを模式状に示す。隠れたヒンジは、ＭＥＭＳデバイスを上から見たとき、すなわち上面図で、ＭＥＭＳデバイスの反射表面で隠されているヒンジである。開始材料はウェーハ１３０であり、このウェーハ１３０は単結晶シリコン又はＳＯＩで作ることができる。ウェーハ１３０の上に、マスク材料１２０例えばシリコン酸化物の層が設けられる。マスク材料１２０は、少なくとも部分的にレジスト膜１１０で覆うことができる。第１のプロセス・ステップで、マスク材料１２０にヒンジ画定１４０を行うために、標準的なフォトリソグラフィを使用することができる。ＣＦ４であってもよいＲＩＥ（反応性イオン・エッチング）を使用して、レジスト膜１１０の露光部分と下のマスク材料１２０の両方を除去することができる。
【００１６】
基板１３０へのヒンジの画定は、ＤＲＩＥ（ディープＲＩＥ）を使用して行うことができる（図１（ｂ））。ヒンジが基板１３０に画定される前に、レジスト剥離剤でレジスト膜１１０を除去することができる。基板１３０にヒンジを画定する前に、基板を２％ＨＦに浸漬することができる。ＤＲＩＥは、よく知られているボッシュ・プロセスであってもよい。最も簡単なプロセスは、ただ異方性ＤＲＩＥエッチングの後で等方性ＲＩＥを行ってヒンジを形成することから成る。基板１３０へのヒンジの画定の前に、ヒンジが画定されることになっている場所に対して基板１３０の反対側に、シリコン酸化物の層１５０を設けることができる。若しくは、基板１３０に前記ヒンジを画定した後で、前記反対側に前記シリコン酸化物の層１５０を設けることができる。
【００１７】
次のステップで、処理された表面のパシベーション（不動態化）を行うことができる（図１（ｃ））。図１（ｃ）に示されていない局部酸化中のシリコンの応力を緩和するために、ドライ酸化を行うことができる。精度を高めかつ表面粗さを減少する酸化は、随意であってもよい。次のＬＯＣＯＳ（シリコンの局部酸化）ステップで酸化障壁として作用するために、シリコン窒化物１６０のＰＥＣＶＤ（プラズマ増速化学気相成長）を行うことができる。エッチング防護として作用するシリコン酸化物１７０のＰＥＣＶＤは、次のＤＲＩＥステップの防護物として行うことができる。
【００１８】
図１（ｄ）では、水平表面上のパシベーション層（シリコン窒化物１６０及びシリコン酸化物１７０）の除去が行われ、そして基板１３０中のヒンジの長さの画定が行われている。パシベーション層は、高い指向性を有するＲＩＥ（低圧と高ＲＦパワー）によって除去することができる。ヒンジの長さを画定するために、基板１３０の現れた表面は、ＤＲＩＥ（ボッシュ・プロセス）によって除去することができる。
【００１９】
図２（ａ）に示す次のステップで、ヒンジの幅を画定するように熱酸化が行われている。ＬＯＣＯＳを使用して、ヒンジの基板１３０の部分をシリコン酸化物１８０に変えることができる。
【００２０】
図２（ｂ）では、パシベーション層及びマスク材料の除去と、基板の平坦化が行われている。パシベーション層１６０、１７０、１８０及びマスク材料１２０は、ＢＯＥ（バッファ酸化物エッチング）でエッチング除去することができる。基板１３０の上でポリイミド（ＰＩ）１９０を回転させて、基板１３０の空洞を埋めることができる。ＰＩが確実に前記空洞を埋めるようにするために、減圧又は真空を使用することができる。ＰＩは、高温で硬化させることができる。不要なＰＩは、Ｏ２プラズマで除去することができる。
【００２１】
マスク材料２００が基板１３０の上に堆積される（図２（ｃ））。マスク材料はアルミニウムであってもよく、そして堆積は蒸着で行うことができる。
【００２２】
マスク材料の上に、レジストの膜を設けることができる。標準的なフォトリソグラフィで、基板１３０にミラー分離トレンチ（溝）が画定される部分２２０を画定することができる（図２（ｄ）を参照されたい）。露光されたレジストの下のアルミニウムは、ＲＩＥ（ＳｉＣｌ４／Ｃｌ２）で除去することができる。分離トレンチは、また、電子回路のトレンチ分離のために使用されるようにトレンチ（通常、酸化物を充填された）付きＳＯＩウェーハを使用して、第１のステップとして形成することもできる。
【００２３】
未露光レジスト膜は、アセトンで除去することができる。マスク材料２００及び緩和された基板１３０の上に、シリコン酸化物層が設けられる（図３（ａ）を参照されたい）。層はＰＥＣＶＤによって設けることができる。
【００２４】
シリコン酸化物層２３０の上に、レジスト層２４５が設けられる。標準リソグラフィによって、ミラー分離トレンチ２４０及び電極トレンチ２５０をマスク材料２３０（シリコン酸化物）に画定することができる。シリコン酸化物２３０は、ＲＩＥ例えばＣＦ４によってエッチングすることができる。
【００２５】
図３（ｃ）では、ミラー分離トレンチ２６０が基板１３０中に形成されている。レジスト２４５は例えばアセトンを使用して除去された。基板１３０中のミラー・トレンチ２６０は、ボッシュ・プロセスを使用して作ることができる。
【００２６】
図３（ｄ）では、アルミニウム層に電極トレンチ２５５が画定されている。電極トレンチは、ＲＩＥ例えばＳｉＣｌ４／Ｃｌ２によって画定することができる。
【００２７】
図４（ａ）では、ＰＩがミラー・トレンチ２６０の中に導入されている。不要なＰＩは、Ｏ２プラズマを使用して除去することができた。
【００２８】
図４（ｂ）では、基板１３０に電極トレンチ２５７が作られている。電極トレンチ２５７は、ボッシュ・プロセスを使用して作ることができた。
【００２９】
図４（ｃ）において、次の等方性ＤＲＩＥステップでエッチング防護として作用するシリコン酸化物２７０は、ＰＥＣＶＤであってもよい。
【００３０】
図４（ｄ）では、水平表面上のパシベーション層２７０が除去されている。パシベーション層の除去は、ＲＩＥを使用して行うことができる。
【００３１】
図５（ａ）では、脚部構造の解放が行われている。ヒンジ間の材料の下部をエッチングしてミラーの脚部を解放するために、基板１３０の等方性ＲＩＥ（ウェット等方性又は異方性エッチングを代わりに用いることもできる）が行われた。ヒンジ間の材料を除去することによって、ミラーを特定の片寄り状態に片寄らせるために加えられる作動力を大幅に減らすことができる。また、等方性エッチングで、ミラーの不必要な材料も除去される。すなわち、ミラーの重さが減少する。このことは、ミラーを１つの状態から別の状態に設定する速度及びミラーの自励振動周波数に影響することができる。
【００３２】
図５（ｂ）では、パシベーション層２３０、２７０及びマスク層２００が除去されている。これらの層はＢＯＥによって除去することができる。
【００３３】
図５（ｃ）では、作動電子回路３１０のある基板３００が基板１３０に取り付けられている。少なくとも１つのヒンジが基板３００に取り付けられている。基板３００には、ヒンジを取り付けるための隆起構造３２０がある（若しくは、基板１３０の電極部分を下げてもよい）。隆起構造３２０のそばに、作動電子回路３１０が設けられている。ここで、基板１３０が基板３００に付着するための大きな取付け面積があることは、容易に理解することができる。２つの基板の間に僅かに不一致があっても、それにもかかわらず効果的な取付けを行うことができる。取付けは、低温酸素プラズマ補助結合、接着結合（接着）、半田付け、共晶結合、融解結合（直接結合）、ガラス・フリット結合、陽極結合であってもよい。
【００３４】
図５（ｄ）では、埋込み酸化物２８０が基板１３０から除去されている。この埋込み酸化物はＢＯＥによって除去することができる。ミラー１３２は、ＰＩを除去することによって解放することができる。ＰＩは、Ｏ２プラズマを使用して除去することができる。図５（ｄ）から、ミラー構造は比較的堅いことを理解することができる。これは、垂直部分１３６のためであり、垂直部分１３６はミラー表面の剛性及び平面性に強く影響する。ヒンジ１３４は、望み通りに堅く、又は弱く設計することができる。ミラーは、純粋な単結晶材料、例えばシリコンで作ることができる。ミラーの他の代替え材料は、ポリシリコン、石英、ＩＩＩ−Ｖ材料、ＳｉＣであってもよい。導電性を高めるために、半導体材料で作られている場合、ミラー材料に不純物を添加することができる。基板３００の電子回路の方に向いている表面を導電性材料で覆うことができる。
【００３５】
図６〜８は、発明のＭＥＭＳデバイスのための発明の製造プロセスの他の実施例を示す。図６（ａ）において、開始材料はウェーハ１３０であり、このウェーハ１３０は単結晶シリコン又はＳＯＩで作ることができる。ウェーハ１３０の上に、マスク材料１２０例えばシリコン酸化物の層が設けられる。マスク材料１２０は、少なくとも部分的にレジスト膜１１０で覆うことができる。第１のプロセス・ステップで、マスク材料１２０にトレンチ分離３００を画定するために、標準的なフォトリソグラフィを使用することができる。ＣＦ４であってもよいＲＩＥ（反応性イオン・エッチング）を使用して、レジスト膜１１０の露光部分と下のマスク材料１２０の両方を除去することができる。
【００３６】
基板１３０へのトレンチ分離の画定は、ＤＲＩＥ（ディープＲＩＥ）を使用して行うことができる（図６（ａ））。トレンチ分離３００が前記基板１３０に画定される前に、レジスト剥離剤でレジスト膜１１０を除去することができる。基板１３０にトレンチ分離を画定する前に、基板を２％ＨＦに浸漬することができる。ＤＲＩＥは、よく知られているボッシュ・プロセスであってもよい。最も簡単なプロセスは、ただ異方性ＤＲＩＥエッチングの後で等方性ＲＩＥを行ってトレンチを形成することから成る。基板１３０への前記トレンチの画定の前に、トレンチ３００が画定されることになっている場所に対して基板１３０の反対側に、シリコン酸化物の層１５０を設けることができる。若しくは、基板１３０にトレンチを画定した後で、反対側にシリコン酸化物の層１５０を設けることができる。
【００３７】
最初に基板１３０の上でポリイミド（ＰＩ）３１０を回転して基板の空洞を埋めることによって、トレンチ３００を埋めることができる。ＰＩが確実に空洞を埋めるようにするために、減圧又は真空を使用することができる。ＰＩは、高温で硬化させることができる。不要なＰＩは、Ｏ２プラズマで除去することができる（図６（ｃ）を参照されたい）。
【００３８】
図６（ｄ）〜７は、埋込みヒンジ、又は隠れたヒンジを画定するプロセス・ステップを示す。図６（ｄ）で、標準的なフォトリソグラフィを使用して、マスク材料１２０に入口穴３１０を画定することができる。ＣＦ４であってもよいＲＩＥ（反応性イオン・エッチング）を使用して、レジスト膜１１０の露光部分と下のマスク材料１２０の両方を除去することができる。
【００３９】
図７（ａ）で、ドライ・エッチングを使用して基板１３０に穴３２０を画定することができる。穴３２０が基板１３０に画定された後で、レジスト１１０の剥離を行うことができる。レジストを剥離した後で、穴３２０に酸化物層を配置するために、酸化物層を堆積することができる。
【００４０】
図７（ｂ）で、ドライ・エッチングを使用して、酸化物層の水平表面をエッチングすることができる。
【００４１】
図７（ｃ）で、等方性ドライ・エッチングを使用して、基板１３０に空洞３３０及び埋込みヒンジ３４０を作ることができる。図７（ｄ）では、酸化物層がＢＯＥで除去されている。図８（ａ）に、この構造の他の断面が示されており、この断面は、図８（ａ）の左に説明されている。図８（ｂ）で、基板１３０は、作動電極４１０のあるウェーハ４００に結合することができる。酸化物層１５０はＢＯＥによって除去することができ、さらにポリイミドは、Ｏ２プラズマのドライ・エッチングで除去することができる。図８（ｃ）参照。
【００４２】
図９は、本発明に従ったミラー構造１３２の実施例の斜視図を示す。ミラー構造は、ミラー表面１３５、支持部１３４、空洞１３１、ベース要素１３６、第１の脚１４２及び第２の脚１４４を備える。ミラー構造１３２は、元の基板１３０と同じくらいの厚さである少なくとも１つの断面を有することができ、この断面は、この特定の実施例では、ミラー表面１３５から静電引力表面１４５、１４７までの距離である可能性がある。このことで、高い剛性のような優れた機械的特性をミラー構造に与えることができる。すなわち、ミラー表面は、片寄った位置にありながら本質的に剛体である。支持部１３４は、細い柱であってもよい。支持部はミラー構造１３２を支え、同時にヒンジとして機能することができる。図９に図示された実施例では、支持部は、回転軸が基本的に構造の中心にあるように配置されている。他の実施例では、回転軸は、中心から外れて配置することができ、これは、支持部を中心位置からずらすことによって実現することができる。ミラー表面１３５の回転軸は、ミラー表面に対して平行で、かつ支持部１３４に対して垂直であってもよい。
【００４３】
ベース要素１３６と支持部１３４を隠れたヒンジと呼ぶことができる。他の実施例では、支持部１３４だけが隠れたヒンジ（隠れた支持部）と呼ばれるように、ベース要素１３６は最小限にされる。柱の断面は、多角形、例えば三角形又は長方形であってもよい。ベース要素１３６は、支持部１３４に取り付けることができる。ベース要素１４３の底面は、ステアリング電子回路のあるウェーハのような他の表面に取り付けることができる。脚１４２、１４４は、ミラー表面１３５に対して本質的に垂直な表面１４６、１４８を有することができる。空洞１３１は、上述の実施例に従って等方性エッチング・プロセスによって形成することができる。ミラー構造１３２に不純物を添加することができる。好ましくは、不純物添加は、空洞１３１及び支持部１３４を画定する前に行われる。すなわち、ミラー構造を画定するために使用される基板に不純物を添加することができる。この実施例では、静電引力表面１４７は、ミラー構造１３２を時計方向に回転させるために使用することができる。静電引力表面１４５は、ミラー構造１３２を反時計方向に回転させるために使用することができる。すなわち、構造は、非作動状態から時計方向又は反時計方向に回転させることができる。ベース要素１３６の表面１４３は、静電引力表面１４５、１４７に比べて別の高さにあってもよい。
【００４４】
上で開示した実施例では、ミラー要素の作動は静電的であった。しかし、ミラー要素を作動させる他の手段、例えば熱、圧電又は磁気のようなものが可能であり、このことは、当業者によく知られている。
【００４５】
このように、ここまでに集積デバイスを形成するように部品を組み合わせる方法の特定の実施例を開示したが、特許請求の範囲で明らかにされる限りを除いて、そのような特定の参照を本発明の範囲を制限するものと考えるつもりはない。さらに、ある特定の実施例に関係して本発明を説明したが、さらに他の修正物が当業者の心に浮かぶ可能性あることは理解されるべきであり、本発明は、添付の特許請求の範囲の範囲内に含まれるような全ての修正を含む意図である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、隠れたヒンジを有する微小ミラーの製造に関する本発明に従ったプロセス・ステップの実施例を連続した順序で示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、図１のプロセス・ステップの続きを連続した順序で示す図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、図２のプロセス・ステップの続きを連続した順序で示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、図３のプロセス・ステップの続きを連続した順序で示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、図４のプロセス・ステップの続きを連続した順序で示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、発明のＭＥＭＳデバイスのための発明の製造プロセスの他の実施例を示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、図６のプロセスの続きを示す図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、図７のプロセスの続きを示す図である。
【図９】本発明に従った微小ミラーの実施例を示す三次元図である。
【符号の説明】
【００４７】
１３０  基板（ウェーハ）
１３２  ミラー
１３４、３４０  支持部（ヒンジ）
１４５、１４７  静電引力表面
３００  作動電子回路３１０のある基板
３１０  作動電子回路
３２０  隆起構造
４００  作動電極のあるウェーハ（基板）
４１０  作動電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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