(57)【要約】【課題】反射表示部に位相差板を備える半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、製造工程を簡素化する。【解決手段】カラーフィルタ層３６を平坦化するための平坦化層３７の形成の際に、スリット状の開口部を備えたグリッド偏光子マスクを用いて、平坦化層３７の材料を局所的に光硬化させる。その後、全体を硬化させることで、平坦化層３７の表面に配向規制力を持たせる。配向規制力を持たせた平坦化層の上に位相差板の材料を塗布し、硬化させ、配向した位相差板を形成する。【選択図】  図２
2007232785.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
反射表示部のカラーフィルタ側の基板において、
着色レジスト層と、光硬化性樹脂組成物で形成された前記着色レジスト層を平坦化するための平坦化層と、前記平坦化層により配向された位相差板とが、この順に積層している
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記平坦化層は、
局所的な露光量の差異により生じた構造を備えている
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記平坦化層は、
偏光の照射により硬化されて形成されたものである
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記平坦化層は、
透過率９５％以上の透明性を持ち、かつ厚さが０．５μｍから３μｍの範囲である
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記平坦化層は、
前記位相差板を形成する液晶分子に対するアンカリング強度が０．２〜０．６ｍＪ／ｍ２の範囲である
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記平坦化層は、
カルド構造を有する樹脂組成物から形成されたものである
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記平坦化層は、
光透過率９５％以上の光硬化性樹脂で形成されている
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置。
【請求項８】
反射表示部に位相差板を備えた半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法であって、
カラーフィルタ側の基板の着色レジスト層に、当該着色レジスト層を平坦化する光硬化性樹脂組成物を塗布するステップと、
前記光硬化性樹脂組成物に、局所的に露光量に差を設けて光照射する局所露光ステップと、
前記光硬化性樹脂組成物の全体を硬化させ、平坦化層を形成する全体硬化ステップと、
平坦化層の上に位相差板の材料を塗布するステップと、
塗布した位相差板の材料を硬化させる位相差板硬化ステップと
を有することを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法であって、
前記局所露光ステップは、
複数のスリット状の開口部を備えたマスクを用いて局所的な露光を行う
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法であって、
前記光硬化性樹脂組成物は、
カルド構造を有する樹脂組成物である
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法であって、
前記全体硬化ステップは、
前記光硬化性樹脂組成物の全面に光照射して硬化させる
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法であって、
前記光硬化性樹脂組成物は、熱硬化性であり、
前記全体硬化ステップは、
前記光硬化性樹脂組成物の全体を加熱し硬化させる
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法であって、
前記位相差板の材料は、光硬化性であり、
前記位相差板硬化ステップは、
位相性が必要な部分を光硬化させた後、全体を加熱し、位相性が不要な部分の位相性を消滅させる
ことを特徴とする半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、半透過型ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、液晶層に横電界を印加する半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置が記載されている。この半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置には、１画素中に、透過表示部と反射表示部とが存在する。反射表示部には、リタデーションが２分の１波長の内蔵位相差板が形成されており、さらに反射表示部の液晶層のリタデーションを４分の１波長とすることにより、明所から暗所を含む広範な環境で反射表示を可能とし、かつ広視野角で高画質の透過表示を可能としている。内蔵位相差板は、液晶分子等の複屈折率を有する分子で形成されている。
【０００３】
かかる液晶表示装置では、カラーフィルタ側の基板において、ＲＧＢレジスト層と、当該ＲＧＢレジスト層を平坦化するための平坦化層と、内蔵位相差板を配向させるための配向膜と、当該配向膜により配向された内蔵位相差板と、液晶層を配向させるための配向膜とが、この順に積増した構造となっている。
【０００４】
したがって、製造工程では、内蔵位相差板を配向させるための配向膜を形成するために、例えば、ポリイミド系有機物を、塗布焼成して、ラビング法により配向処理する工程が必要となる。
【０００５】
【特許文献１】特開平２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の量産にあたり、コスト削減、製造時間の短縮が切望され、製造プロセスの工程を減らすことが望まれている。
【０００７】
本発明の目的は、半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、製造プロセスの工程を減らすことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決すべく、本発明では、着色レジスト層の平坦化層に、位相差板の配向のための配向規制力を持たせ、平坦化層を位相差板の下地層とすることで、配向膜の形成工程を省く。
【０００９】
例えば、本発明の第１の態様は、半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、反射表示部のカラーフィルタ側の基板において、着色レジスト層と、光硬化性樹脂組成物で形成された前記着色レジスト層を平坦化するための平坦化層と、前記平坦化層により配向された位相差板（例えば、液晶分子等の複屈折率を有する分子）とが、この順に積層している。
【００１０】
前記平坦化層は、局所的な露光量の差異により生じた構造を備えている。
【００１１】
前記平坦化層は、偏光の照射により硬化されて形成されたものであってもよい。
【００１２】
前記平坦化層は、透明（例えば、透過率９５％以上の透明性を示す層）で、かつ厚さが０．５μｍから３μｍの範囲である。
【００１３】
前記平坦化層は、前記位相差板を形成する液晶分子に対するアンカリング強度が０．２〜０．６ｍＪ／ｍ２の範囲である。
【００１４】
前記平坦化層は、カルド構造を有する樹脂組成物から形成されたものであってもよい。
また、前記平坦化層を可視領域（例えば、３８０〜７８０ｎｍの波長帯域）の光に対して、９５％以上の透過率を示す光硬化性樹脂で形成してもよい。
【００１５】
本発明の第二の態様は、反射表示部に位相差板を備えた半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法であって、カラーフィルタ側の基板の着色レジスト層に、当該着色レジスト層を平坦化する光硬化性樹脂組成物を塗布するステップと、前記光硬化性樹脂組成物に、局所的に露光量に差を設けて光照射する局所露光ステップと、前記光硬化性樹脂組成物の全体を硬化させ、平坦化層を形成する全体硬化ステップと、平坦化層の上に位相差板の材料を塗布するステップと、塗布した位相差板の材料を硬化させる位相差板硬化ステップとを有する。
【００１６】
前記局所露光ステップは、複数のスリット状の開口部を備えたマスクを用いて局所的な露光を行うことができる。
【００１７】
前記全体硬化ステップは、前記光硬化性樹脂組成物の全面に光照射して硬化させるようにしてもよい。
【００１８】
前記光硬化性樹脂組成物が、熱硬化性の場合、前記全体硬化ステップは、前記光硬化性樹脂組成物の全体を加熱し硬化させるようにしてもよい。
【００１９】
前記位相差板の材料が、光硬化性の場合、前記位相差板硬化ステップは、位相性が必要な部分を光硬化させた後、全体を加熱し、位相性が不要な部分の位相性を消滅させるようにしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の一実施形態が適用された液晶表示装置について説明する。
【００２１】
図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する１画素の上面図である。図２は、図１のＡ−Ａ方向断面図である。
【００２２】
液晶表示装置は、主に、第一の基板３１と、第二の基板３２と、第一の基板３１と第二の基板３２とに挟持された液晶層１０とから構成される。
【００２３】
第一の基板３１は、液晶層１０に近接する側に、カラーフィルタ３６と平坦化層３７と内蔵位相差板３８と第一の配向膜３３とを有する。
【００２４】
第二の基板３２は、液晶層１０に近接する側に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する。薄膜トランジスタは、走査配線２１と、信号配線２２と、画素電極２８に接続されている。薄膜トランジスタは、逆スタガ型構造であり、そのチャネル部は、アモルファスシリコン層２５で形成されている。第二の基板３２は、この他に、共通配線２３と共通電極２９とを有する。走査配線２１と信号配線２２は、交差している。薄膜トランジスタは、概略その交差部に位置している。
【００２５】
共通配線２３は、走査配線２１と平行に分布しており、第二のスルーホール２７を通じて共通電極２９と接続している。
【００２６】
画素電極２８と薄膜トランジスタは、第一のスルーホール２６で結合されている。画素電極２８の上には第二の配向膜３４があり、液晶層１０に近接してその配向方向を規定する。
【００２７】
第一の基板３１は、イオン性不純物の少ないホウケイサンガラス製であり、厚さは０．５ｍｍである。カラーフィルタ３６は、ブラックマトリックスと、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色レジスト層がストライプ状に繰り返して配列して構成されている。各ストライプは、信号配線２２に平行である。カラーフィルタ３６の着色レジストに起因する凹凸は、樹脂性の平坦化層３７で平坦化されている。
【００２８】
平坦化層３７は、透明材料であるのが好ましく、その厚さは、着色レジスト層を十分に平坦化する観点から、通常、０．５μｍから３μｍの範囲である。
【００２９】
第一の配向膜３３は、ポリイミド系有機膜であり、ラビング法により配向処理されており、近接する液晶層１０を配向処理方向に向けて配向させる。
【００３０】
第二の基板３２は、第一の基板３１と同様にホウケイサンガラス製であり、厚さは０．５ｍｍである。第二の配向膜３４は、第一の配向膜３３と同様に水平配向性のポリイミド系有機膜である。信号配線２２と走査配線２１と共通配線２３は、クロム製であり、画素電極２８は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明電極である。共通電極２９も一部分がＩＴＯである。
【００３１】
画素電極２８は、走査配線２１に対して平行なスリット３０を有する。スリット３０のピッチは、約４μｍである。画素電極２８と共通電極２９は、層厚が０．５μｍの絶縁層５３で隔てられている。電圧印加時には、画素電極２８と共通電極２９の間に、電界が形成されるが、絶縁層５３の影響により電界は、アーチ状に歪められて液晶層１０中を通過する。このことにより、電圧印加時に液晶層１０に配向変化が生じる。
【００３２】
共通配線２３は、画素電極２８と交差する部分において、画素電極２８内に張り出した構造を有し、図２中に反射光６２で示したように光を反射する。図１及び図２において、共通配線２３が画素電極２８と重畳する部分が反射表示部であり、これ以外の画素電極２８と共通電極２９の重畳部では、図２中に透過光６１で示したようにバックライトの光を通過して透過表示部となる。
【００３３】
透過表示部と反射表示部とでは最適な液晶層厚が異なるため、境界には段差が生じる。透過表示部と反射表示部の境界を短くするため、境界が画素短辺に平行になるように透過表示部と反射表示部を配置した。
【００３４】
このように、共通配線２３等の配線を反射板で兼用すれば製造過程を低減する効果が得られる。共通配線２３を高反射率のアルミニウムやタンタル等の金属で形成すれば、より明るい反射表示が得られる。共通配線２３をクロムとし、アルミニウムや銀合金の反射板を別途形成しても同様の効果が得られる。
【００３５】
液晶層１０は、配向方向の誘電率がその法線方向よりも大きい正の誘電率異方性を示す液晶組成物である。その複屈折は２５℃において０．０６７であり、室温域を含む広い温度範囲においてネマチック相を示す。また、薄膜トランジスタを用いて周波数６０Ｈｚで駆動した時の保持期間中において、反射率と透過率を充分に保持してフリッカを生じない高抵抗値を示す。
【００３６】
反射表示部の平坦化層３７上には、内蔵位相差板３８が形成されている。従来では、平坦化層３７上に配向膜を形成させて、その上に内蔵位相差板３８を形成させることで、液晶分子等の複屈折率を有する分子で構成される内蔵位相差板３８に配向性を持たせていた。これに対して、本実施形態では、製造プロセスの単純化のために、配向膜の形成を行わない。平坦化層３７に、配向規制力を持たせ、直接、内蔵位相差板３８を形成させる。すなわち、本実施形態では、平坦化層３７は、カラーフィルタ３６を平坦化するという本来の役目のほかに、内蔵位相差板３８を配向させるという役目も果たす。
【００３７】
なお、従来の配向膜を分厚く形成し、平坦化層を兼ねることも考えられるが、配向膜の材料は透明でないので、平坦化のために分厚くすると透過性が損なわれるため現実的ではない。液晶表示置の液晶層（その光の透過率が電界により制御される領域〉を成す液晶分子の初期配向方位（例えば、電界が印加されないときの液晶の光軸の方位）を決める配向膜を厚く形成すると次の弊害が生じる。その一つは、当該配向膜を透過する光（例えば３８０〜７８０ｎｍの波長帯域にある可視光）の強度の著しい減衰である。即ち、配向膜の低い光透過率は、これが薄く形成されたときは無視できたがこれが厚く形成するに伴い、液晶表示装置の画像表示機能を損ねる。また、他の一つは、当該配向膜を透過する光が望ましからぬ色を帯びるという透過光の着色の問題である。さらに配向膜は、これにより初期方位に配向された液晶分子に、その光軸の方位をそれに印加される電界に応じて変えるような動きを与えねばならない。従って、当該配向膜の材料自体が限られ、その価格も高い。
【００３８】
一方、本発明の内蔵位相差板３８は、例えば、液晶分子（液晶ポリマー）等の所謂複屈折を有する分子で構成され、当該分子の有する屈折率の異なる複数の光軸の一つ（例えば、高い屈折率を示す光軸）が特定の方位に向くように、当該分子を平坦化層３７により配向させる。しかし、内蔵位相差板３８を成す上記分子は、液晶層に印加される電界の強度に関係なく、上記特定方位に配向させることが望まれる。このため、本発明では、内蔵位相差板３８を成す分子（光学的異方体）を平坦化層３７で配向させる。この平坦化層３７は、その下地層の表面に生じた起伏を、その上面にて均すに相応しい材料で形成され、また、上記配向膜の弊害を惹き起こす厚さ（例えば、０．５μｍ以上）で形成しても、液晶表示装置の画像表示機能を損ねることがない。なお、平坦化層３７の厚さは、３μｍ以下にするとよい。
【００３９】
ここで、平坦化層３７を形成するための、本実施形態の特徴的な製造プロセスについて説明する。
【００４０】
図３は、カラーフィルタ３６の形成工程から第一の配向膜３３の形成工程までのプロセスを示す図である。
【００４１】
まず、ブラックマトリックスを形成し（Ｓ１１）、三原色の着色レジスト層を形成した後（Ｓ１２）、平坦化層３７を形成する。平坦化層３７は、その材料である光硬化性樹脂組成物を塗布した後、部分的に光硬化させた後、全体を熱硬化（光硬化でもよい）させ形成する。本実施形態では、このときの硬化方式に工夫を施す。
【００４２】
図４〜図６は、平坦化層３７の形成工程を説明するための模式図である。
【００４３】
本実施形態では、図４〜６に示すように、平坦化層３７の材料３７ｐを、局所的に光エネルギーで重合硬化させた後、加熱により全体を硬化させる。光硬化の際は、後の工程で塗布硬化させる内蔵位相差板３８の配向方向に応じてスリット状の開口部１１１を備えたグリッド偏光子マスク１１０を用いる。
【００４４】
図４に示すように、カラーフィルタ３６（図示しない）が形成された第一の基板３１に、平坦化層材料３７ｐを塗布する。その上に、グリッド偏光子マスク１１０を配置させ、光源１２０により紫外線（例えば、１０００ｍＪ／ｃｍ２）を照射する。グリッド偏光子マスク１１０の複数のスリット状の開口部１１１の幅は、例えば、５０ｎｍから２０００ｎｍとし、そのピッチを１μｍから１００μｍとする。
【００４５】
このようなマスクを使用することにより、局所的に露光部分と非露光部分をつくることができる。そして、硬化部分と未硬化部分を一時的に生じさせることができる。
【００４６】
マスクを用いた露光後、図５に示すように、ヒータ１３０により、全体を加熱（例えば、２００℃で１時間）し、完全に硬化させる。なお、このとき、全体的な露光を継続してもよい。
【００４７】
このような硬化のさせ方により、図６に示すように、局所的な露光量の際により、材料自身の硬化収縮の差が生じる。そして、グリッド偏光子マスク１１０のパターンに沿った非常に微細なパターン３７ａ、３７ｂが形成される。これが内蔵位相差板３８を配向させる下地となる。
【００４８】
ここで、本実施形態に用いられる平坦化層３７の材料について説明する。平坦化層３７の材料は、カラーフィルタ３６の三原色の着色レジスト層を十分に平坦化し、かつ内蔵位相差板３８を適切に配向させるだけの配向規制力を持たせることができるものであれば特に制限はない。
【００４９】
本実施形態では、上記のごとく、部分的な硬化を光により行うので、平坦化層３７の材料としては、紫外線などの光エネルギーで重合反応が行われるものが好ましい。また、全体の硬化を加熱により行う場合は、熱エネルギーで硬化が促進される材料であるのが好ましい。
【００５０】
このような平坦化層３７の材料としては、例えば、アクリル系樹脂成分、溶剤、光硬化開始剤、熱重合開始剤などを主剤として、紫外線照射及び加熱により硬化する組成物が挙げられる。
【００５１】
アクリル系樹脂成分は、光硬化性を与えるためには、重合性のアクリル基を有する多官能の（メタ）アクリレート又はこれらのオリゴマーを含有することが好ましく、有利にはアクリル系樹脂成分の５０重量％以上含有することがよい。重合性のアクリル系樹脂成分として、３官能以上の多官能の（メタ）アクリレート又はこれらのオリゴマーを含有することも好ましく、有利にはアクリル系樹脂成分の２０重量％以上含有することがよい。
【００５２】
好ましいアクリル系樹脂成分として、フルオレン骨格を有する多官能の（メタ）アクリレート又はこれらのオリゴマーが挙げられる。
【００５３】
例えば、下記式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表わされるフルオレン骨格を備えたカルド構造を有する化合物が挙げられる。フルオレン骨格を有する樹脂成分の採用により、樹脂マトリックスの耐熱性を高くすることができる。フルオレン骨格を有する樹脂成分は、有利にはアクリル系樹脂成分の３０重量％以上含有することがよい。なお、フルオレン骨格を有する樹脂成分の代りにノボラック樹脂のエポキシアクリレート樹脂を使用することもできる。なお、式（ＩＩ）で表わされる化合物は、例えば式（ＩＩＩ）で表わされるエポキシ化合物と（メタ）アクリル酸との反応で得ることができる。式（Ｉ）で表わされる化合物は、例えば式（ＩＩ）で表わされる化合物と二塩基酸又は四塩基酸の無水物との反応で得ることができ、二塩基酸及び四塩基酸の使用割合は０：１００〜１００：０の範囲である。
【００５４】
【化１】
2007232785.tif 000003
【００５５】
上記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）において、ベンゼン環に結合するＲは水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表わし、好ましくは水素原子であり、アクリル基に結合するＲは水素原子又はメチル基を表し、ｎ及びｍは０〜２０の整数を表わす。また、Ｙ及びＺは多塩基酸の残基を表わす。ここで、ｎの平均（平均の繰返し数）は０〜１であることが好ましい。
【００５６】
もちろん、アクリル系樹脂成分以外の他の樹脂成分を平坦化層３７の効果を損なわない範囲で使用することができる。これらの他の樹脂成分としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などやオレフィン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂あるいはこれらを与えるモノマー、硬化剤等の樹脂成分などが挙げられる。
【００５７】
また、平坦化層３７の材料は、次に示すような、（Ａ）アルカリ可溶性ポリマー、（Ｂ）１,２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、（Ｃ）エポキシ化合物を含有する光硬化性樹脂組成物であってもよい。
【００５８】
かかる光硬化性樹脂組成物は、例えば、
式（１）
【００５９】
【化２】
2007232785.tif 000004
【００６０】
で示される構造単位（１）または構造単位（１）と下記式（２）
【００６１】
【化３】
2007232785.tif 000005
【００６２】
（ここで、Ｒ１は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子、メチル基またはメトキシ基を示す）
で示される構造単位（２）を含有して成りそして構造単位（１）が構造単位（１）と構造単位（２）の合計に基づいて１００〜７０モル％を占める重合体が核臭素置換されたアルカリ可溶性ポリマー、
（Ｂ）下記式（３）
【００６３】
【化４】
2007232785.tif 000006
【００６４】
（ここで、３個のＤは、同一もしくは異なり、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基または１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を示す、但し少なくともそのうちの１個のＤは１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基または１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基である）
で示される化合物及び下記式（４）
【００６５】
【化５】
2007232785.tif 000007
【００６６】
（ここで、Ｄの定義は但し書きも含めて上記式（３）に同じである）
で示される化合物から選ばれる１,２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、および（Ｃ）分子内に少なくとも２個のエポキシ基を有する化合物を含有する光硬化性樹脂組成物である。
【００６７】
また、平坦化層３７の材料として、（ａ）光重合性不飽和基を有するアクリル系ポリマー、（ｂ）少なくとも１個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物、（ｃ）活性光線により遊離ラジカルを生成する光重合開始剤、を含有する光硬化性樹脂組成物を用いてもよい。
【００６８】
（ａ）光重合性不飽和基を有するアクリル系ポリマーとしては、その組成や合成方法に特に制限はないが、例えば、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、イソシアネート基、オキシラン環、酸無水物等の官能基を有するビニル共重合体に、少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、カルボキシル基等の１個の官能基を有する化合物を付加反応させて得られる側鎖にエチレン性不飽和基を有するラジカル重合性共重合体等を使用することができる。
【００６９】
（ｂ)少なくとも１個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物としては、例えば、多価アルコールにα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、２，２−ビス（４−（ジ（メタ）アクリロキシポリエトキシ）フェニル）プロパン、グリシジル基含有化合物にα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ウレタンモノマー、ノニルフェニルジオキシレン（メタ）アクリレート、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β’−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシエチル−β’−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、（メタ）アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。なお、例えば、(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸及びそれに対応するメタクリル酸を意味し、(メタ)アクリレートとはアクリレート及びそれに対応するメタクリレートを意味する。
【００７０】
また、市販の平坦化層３７の材料としては、新日鐵化学株式会社製のＶ−２５９ＰＡシリーズ、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーＰＣ（ポジ型感光性）、同社製のＮＮシリーズ（ネガ型感光性）、日立化成工業株式会社製のＣＲ−６００などを用いることができる。
【００７１】
図３に戻って説明する。
【００７２】
平坦化層３７が形成されると、次に、内蔵位相差板３８の材料を、平坦化層３７の上に塗布し、加熱して有機溶媒を除く（Ｓ１６）。内蔵位相差板３８の材料は、例えば、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤を含む有機溶媒である。この時点で、光反応性の液晶は平坦化層３７の配向規制方向を向いて配向している。
【００７３】
なお、平坦化層３７の配向規制力は、液晶層１０を配向させる配向膜の配向規制力よりも小さいが、目的の内蔵位相差板３８を形成させるのには十分である。
【００７４】
平坦化層３７のアンカリング強度（液晶分子が界面に束縛されている強さ）は、０．２〜０．６ｍＪ／ｍ２であればよい。
【００７５】
その後、内蔵位相差板３８をパターニングするためのマスク露光を行い、反射表示部に相当する部分のみを硬化させる（Ｓ１７）。続いて、非硬化部分を現像処理によって除去して、パターニングされた内蔵位相差板３８を形成する（Ｓ１８）。  
【００７６】
なお、内蔵位相差板３８の材料の塗布時の溶液濃度及び塗布条件を適宜調整して膜厚を調整し、内蔵位相差板３８のリタデーションが波長５５０ｎｍにおいて２分の１波長にする。
【００７７】
また、内蔵位相差板３８に屈折率異方性（Δｎ）が液晶層の２倍よりも大きいものを用いると、内蔵位相差板３８のリタデーションを２分の１波長としたときに厚さが不十分になり、内蔵位相差板３８だけでは、反射表示部と透過表示部との間のリタデーションの差は４分の１波長よりも小さくなる。そこで、内蔵位相差板３８上からレジストを完全に除去せずに残すことにより、反射表示部と透過表示部に４分の１波長のリタデーション差を形成するのに充分な厚さにする。
【００７８】
内蔵位相差板３８の形成後は、液晶層１０を配向させるための配向膜３３を形成する（Ｓ１９）。なお、配向膜３３の形成前に、下地を平坦化するために平坦化層を形成し、その平坦化層上に配向膜３３を形成するようにしてもよい。
【００７９】
以上、第一の基板３１における、カラーフィルタ３６の形成工程から、配向膜３３の形成工程までのプロセスを説明した。
【００８０】
その後の製造プロセスを説明すると、下記のとおりである。
【００８１】
第一の基板３１の第一の配向膜３３と、第二の基板３２の第二の配向膜３４とを信号配線２２に対して１５度をなすようにラビング処理した後に、第一の基板３１と第二の基板３２を対向させて組み立て、液晶材料を封入して液晶層１０を形成する。さらに、第一の基板３１と第二の基板３２の外側に、第一の偏光板４１と第二の偏光板４２を配置する。第一の偏光板４１と第二の偏光板４２の透過軸は、液晶配向方向に対してそれぞれ直交、平行になるように配置する。
【００８２】
なお、第一の偏光板４１の粘着層には、その内部に屈折率が粘着材とは異なる透明な微小球を多数混入した光拡散性の粘着層４３を用いる。粘着材と微小球の界面において両者の屈折率が異なることによって生じる屈折の効果を利用して、入射光の光路を拡大する作用を有する。これにより、画素電極２８と共通電極２９における反射光の干渉で生じる虹色の着色を低減することができる。
【００８３】
上記のように構成される液晶表示装置について、その機能を説明する。
【００８４】
図１に示したように、可視光線に対して透明なガラス等の材料から成る第二の基板３２の主面には、画素毎に、共通電極２９と画素電極２８とがこの順に積層されている。
【００８５】
共通電極２９、及び画素電極２８は、ともにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）等の可視光線を透過させる導電性材料（いわゆる透明導電膜）から成る。
【００８６】
各画素において、共通電極２９が１枚のシート状に形成される一方、画素電極２８は当該共通電極２９上において、櫛歯状（Ｃｏｍｂ−ｔｅｅｔｈｓｈａｐｅｄ）に形成される。
【００８７】
画素電極２８と共通電極２９とは、その間を隔てる絶縁層５３により電気的に分離され、画素電極２８と共通電極２９との間の電位差により生じた電気力線は、画素電極２８の「櫛歯」の各々から当該「櫛歯」間を通して共通電極２９に到る。
【００８８】
この電気力線は、画素電極２８の「櫛歯」からその「櫛歯」を隔てる隙間に向けて、第二の基板３２の主面に概ね平行に延びる。この第二の基板３２の主面に概ね平行な電気力線が、当該第二の基板３２に形成された第２の配向膜３４を通して、ＴＦＴ基板３２とカラーフィルタ基板３１との間に封入（Ｓｅａｌ）された液晶層１０に染み出し、液晶層１０内の液晶分子を動かす。
【００８９】
ＴＦＴ基板３２及びカラーフィルタ基板３１の外面（Ｏｕｔｅｒ  Ｓｕｒｆａｃｅ、液晶層とは反対側の主面）には夫々偏光板（フィルム）４２、４１が設けられる。
【００９０】
液晶層１０内の液晶分子は、これに電界が印加されない状態において、その光軸が上記偏光板４１，４２の光軸とずれる（例えば、直交する）方位に設定されている。第一の配向膜３３、第二の配向膜３４は、液晶分子を斯様な方位に設定する。ここでいう光軸は、液晶分子や偏光板４１、４２が、これらを透過する光に対して、例えば高い屈折率を示す方位として記される。
【００９１】
これに対し、画素電極の「櫛歯」から共通電極２９に向けて第二の基板３２の主面に概ね平行に形成される上記電界が強まるに伴い、液晶分子の各々の光軸の方位は上記偏光板４１，４２の光軸のそれに徐々に近づく。即ち、第二の基板３２内（ｌｎ−ｐｌａｎｅ）に形成された電界が強まるほど、液晶層を透過する光の量が増す。これが、図示された画素構造を、面内スイッチング（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型、略してＩＰＳ型と呼ぶ所以である。
【００９２】
画素電極２８の電位が薄膜トランジスタからの出力（画像情報）に応じて変化する一方、共通電極２９の電位は共通配線２３から印加される言わば基準電圧に応じて決まる。即ち、或る一つの共通配線２３に接続される共通電極２９を夫々備えた画索の一群において、夫々の画素電極の電位が互いに異なるときも、夫々の共通電位は概ね同じ電位を示す。
【００９３】
共通配線２３は、アルミニウムやタンタル等の金属で形成することにより、画素電極や共通電極に比べて、これに入射する光を反射し易くするとよい。図示された共通配線２３は、これと共通電極２９とが接するスルーホール２７から、画素内に向けて延在する。従って、共通配線２３の延伸部分は、画素電極２８及び共通電極２９の下側に配置されて、カラーフィルタ基板３１から液晶層１０、画素電極２８、及び共通電極２９を通過して当該延伸部分（その上面）に入射した光を、カラーフィルタ基板３１に向けて反射する。このような領域が画素毎に形成されている構造が、半透過型（Ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ）の液晶表示装置の特徴である。
【００９４】
以上、本発明の一実施形態について説明した。
【００９５】
上記実施形態によれば、製造プロセスにおいて、内蔵位相差板３８を配向させるための配向膜の塗布工程及びそれに伴うラビング工程を省略することが出る。
【００９６】
したがって、プロセス削減により、製造にかかる時間の短縮、材料費の削減が図られる。
【００９７】
また、従来では、ラビング処理を行う際に発生するラビング布や配向膜の剥離異物が生じて、その後に洗浄工程を付加せざるを得なく、さらに、洗浄を実施しても後工程への流れ込みは避けられず、歩留を低下させる原因となっていた。それに対して、本実施形態の製造プロセスでは、内蔵位相差板３８を配向させるための配向膜のラビング工程がないので、ラビング異物は発生せず、歩留の低下の危惧もない。
【００９８】
さらに、本実施形態の液晶表示装置においては、内蔵位相差板３８を配向させるための配向膜がなくなることにより、透過表示部及び反射表示部の透過率が向上する。
【００９９】
本発明は、上記実施形態に制限されない。上記実施形態は、様々な変形が可能である。
【０１００】
上記実施形態では、図３のＳ１８で示したように、全面にわたり内蔵位相差板３８を形成した後、現像処理により、不要な部分（透過表示部に相当する部分）を除去してパターニングした。これに限らず、図７に示す製造プロセスのように、全面にわたり内蔵位相差板３８の材料を塗布した後（Ｓ１６）、マスク露光により、位相性が必要な部分（反射表示部に相当する部分）のみ光硬化させ（Ｓ１７）、その後、全体を加熱しながら光硬化させることにより、位相性が不要な部分（透過表示部に相当する部分）の分子の方向性を乱し硬化させてもよい（Ｓ１８）。こうすれば、部分的に位相性を消滅させることができる。
【０１０１】
なお、平坦化層３７のアンカリング強度は、上述したように、０．２〜０．６ｍＪ／ｍ２であるので、容易に分子の配向性を消滅させることができる。
【０１０２】
図８は、かかる方法で製造した第一の基板３１の断面図である。こうして、内蔵位相差板３８をパターニングした場合は、位相性を消滅させた部分３８ｎが残るので、このままでは透過表示部と反射表示部の液晶層１０の高さが同じになってしまう。そこで、図８に示すように、内蔵位相差板３８上に段差形成レジスト層３９を形成させ、反射表示部と透過表示部に４分の１波長のリタデーション差を形成できるようする。
【０１０３】
また、上記実施形態では、平坦化層３７の全体の硬化を加熱により行ったが、光照射のみにより行ってもよい。具体的には、偏向子マスクを使って光照射した後、マスクを外して、全面に光照射を行う。このようにしても、平坦化層３７の表面に、積算露光量の差による微細なパターンが形成され、内蔵位相差板３８に対する配向規制力を持たせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】液晶表示装置の１画素の上面図。
【図２】図１のＡ−Ａ方向断面図。
【図３】製造プロセスの一部を示す図。
【図４】平坦化層の形成工程を説明するための図。
【図５】平坦化層の形成工程を説明するための図。
【図６】平坦化層の形成工程を説明するための図。
【図７】製造プロセスの一部を示す図。
【図８】カラーフィルタ側の基板の断面図。
【符号の説明】
【０１０５】
１０・・・液晶層
２１・・・走査配線
２２・・・信号配線
２３・・・共通配線
２５・・・アモルファスシリコン層
２６・・・スルーホール
２７・・・スルーホール
２８・・・画素電極
２９・・・共通電極
３０・・・スリット
３１・・・カラーフィルタ基板
３１・・・第一の基板
３２・・・第二の基板
３３・・・第一の配向膜
３４・・・第二の配向膜
３６・・・カラーフィルタ
３７・・・平坦化層
３７ｐ・・・平坦化層材料
３８・・・内蔵位相差板
３９・・・レジスト層
４１，４２・・・偏光板
４３・・・粘着層
５１，５２，５３・・・絶縁層
６１・・・透過光
６２・・・反射光
１１０・・・グリッド偏光子マスク
１１１・・・開口部
１２０・・・光源
１３０・・・ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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