(57)【要約】【課題】  プローブシート等のディップ方式によるめっき方法で、めっき液への型材からの溶出成分の除去を行う。【解決手段】  プローブシートに形成する接触端子を、ディップ方式によるめっきで形成するに際して、型材からめっき溶液に溶出する揮発性不純物、不揮発性不純物を、めっき溶液内から除去しながらめっきを行う。例えば、揮発性不純物の除去には、プローブシートを型材と共にウエハホルダ１５５にセットし、貯液温調槽１６４のめっき液１６３を蓋をすることなく加熱させて行う。【選択図】  図４
2007071561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記複数の電極と電気的に接触させる接触端子を、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの揮発性不純物を前記めっき液の揮発により除去しながら形成されたプローブシートと、前記プローブシートを保持し前記プローブシートを前記電極側に押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子を前記複数の電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
【請求項２】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記複数の電極と電気的に接触させる接触端子を、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの不揮発性の不純物成分を吸着除去して形成されたプローブシートと、前記プローブシートを保持し前記プローブシートを前記電極側に押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子を前記複数の電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
【請求項３】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記複数の電極と電気的に接触させる接触端子を、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの揮発性の不純物成分を前記めっき液の揮発により除去し、前記レジストからの前記めっき液中に溶出する不揮発性の不純物成分を吸着により除去して形成されたプローブシートと、前記プローブシートを保持し前記プローブシートを前記電極側に押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子を前記複数の電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
【請求項４】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記複数の電極と電気的に接触させる接触端子を、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの揮発性の不純物成分を前記めっき液を加熱、減圧排気の少なくとも一つにより揮発蒸発させながら形成されたプローブシートと、前記プローブシートを保持し前記プローブシートを前記電極側に押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子を前記複数の電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
【請求項５】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記複数の電極と電気的に接触させる接触端子を、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの不揮発性の不純物成分を、活性炭、イオン交換樹脂の少なくとも一つで吸着除去して形成されたプローブシートと、前記プローブシートを保持し前記プローブシートを前記電極側に押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子を前記複数の電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造に関する技術で、特に薄膜プローブシートの接触端子をめっき液に浸けて形成するに際して、レジストからのめっき液中への溶出成分を除去することで膜厚を均一にするのに適用して有効な技術である。
【背景技術】
【０００２】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
半導体装置の製造工程では、ウエハに半導体集積回路および電極を形成した状態で、導通状態、半導体素子の電気的信号状態を把握するウエハ検査が行われる。かかる検査においては、ウエハに形成された複数の電極に、プローブカードのプローブシートに形成された接触端子を接触させて、その状態をテスタで把握しながら行われる。かかる接触端子は、シリコンウエハを型材としてプローブシートをめっき液中に浸けて、めっきにより形成する。
【０００４】
特許文献１には、メッキ液の再生使用の技術について記載がある。すなわち、回路基盤や半導体ウエハ等の電気部品上に金属薄膜をめっきする際に、めっき溶液に含まれる湿潤剤、光沢剤、有機酸、錯化剤等の有機物が劣化あるいは分解して、めっき効率、めっき速度、膜形態等に悪影響を及ぼす有機汚染物質となる。そのため、かかる有機汚染物質を酸化剤により酸化して除去する構成が記載されている。かかる酸化工程では、加熱等を併用することも記載されている。さらに、特許文献１には、鉄、ナトリウム、カリウム等の無機不純物、非銅金属イオン不純物の除去についても記載がある。
【０００５】
特許文献２には、ウエハの銅めっきを無機添加物および有機添加物の両方を含有するめっき物質が充填されたセル内で行うことが記載されているが、かかるめっき処理において、有機添加物等の副生成物を除去する技術が開示されている。
【特許文献１】特表２００３−５３５２２３号公報
【特許文献１】特開２００２−２０６２００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、これまでのめっき技術には、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【０００７】
すなわち、特許文献１、２では、めっき液中に当初から含まれていた添加剤等の有機物の除去を目的としているが、本発明者は、ディプ方式で薄膜プローブシートに接触端子を形成する工程で、型材として使用するシリコンウエハを浸ける際に、シリコンウエハに形成されたフォトレジストから持ち込まれる有機物がめっきに悪影響を及ぼすことを見出した。
【０００８】
薄膜のプローブカードは、（１００）面のシリコンウエハを異方性エッチングして、四角錐の穴を形成し、かかる穴を型材として、レジストをマスクとしてめっきにより接触端子を形成している。かかる接触端子を形成するめっき膜は、例えば、Ｒｈ／Ｎｉの二層構造、Ｎｉ／Ｒｈ／Ｎｉの三層構造が採用されている。
【０００９】
めっき処理は、この型材のシリコンウエハの接触端子形成面に、めっき給電用導電性膜を形成し、ウエハホルダにセットしてめっき処理槽に挿入して行う。ウエハをカソード電極、処理槽内に設置されたアノード電極に接続して、電流を印加して行うディップ方式でめっきを行っている。
【００１０】
かかるディップ方式では、薄膜プローブカードの接触端子を形成するめっき処理を重ねて行くと、ウエハ表面のレジストが溶出し、溶出したレジストの有機物成分が、めっきに必要なＲｈイオンと結びつき、Ｒｈイオンの供給を低下させることが分かった。Ｒｈイオンの供給量の低下は、めっき液の置換が起こりにくい接触端子の針先形成部で、特に起こり易い。
【００１１】
かかる針先形成部でＲｈイオンの供給が不十分となるため、接触端子の針先部では、めっき膜がどうしても薄くなることが分かってきた。めっき膜が薄くなることで、目標とする膜厚に比べて、薄膜プローブカードの寿命が低下することとなる。
【００１２】
また、Ｒｈめっき膜は硬度が高いのが特長であるが、レジスト中の有機溶剤、樹脂成分がめっき液中に溶出すると、めっき膜の応力がさらに高くなり、めっき膜のクラック、剥がれ（浮き）等の障害も発生する。針先部分でめっき膜が薄くなるため、針先部分以外の膜厚が厚い部分との境目付近では、どうしてもクラックが入り易くなる。
【００１３】
さらに、電位に関しては、平坦部に電位は集中するが穴内は電位が低下する。かかる現象は、処理を重ねる毎に顕著となり、薄膜プローブカード製品間のばらつきを発生させる要因となっている。
【００１４】
本発明の目的は、ディップ方式によるめっき方法において、めっき液への型材からの溶出成分の除去を行うことにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１７】
すなわち、本発明による半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記複数の電極と電気的に接触させる接触端子を、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの揮発性不純物を前記めっき液の揮発により除去しながら形成されたプローブシートと、前記プローブシートを固定する固定治具と、前記プローブシートを前記電極側に押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子を前記複数の電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
【００１８】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記複数の電極と電気的に接触させる接触端子を、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの不揮発性の不純物成分を吸着除去して形成されたプローブシートと、前記プローブシートを固定する固定治具と、前記プローブシートを前記電極側に押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子を前記複数の電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
【００１９】
本発明の上記構成においては、（ｂ）のプローブカードを用意する工程では、かかるプローブカードは、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの揮発性の不純物成分を前記めっき液の揮発蒸発により、前記レジストから前記めっき液中に溶出する不揮発性の不純物成分を吸着により、それぞれ除去して形成するようにしても構わない。
【００２０】
（ｂ）のプローブカードを用意する工程では、前記接触端子の型材としてのシリコンウエハをめっき液中に浸けて形成する際に、前記めっき液中に溶出するレジストからの揮発性の不純物成分を前記めっき液を加熱、減圧排気の少なくとも一つにより揮発させてもよい。（ｂ）のプローブカードを用意する工程では、前記めっき液中に溶出するレジストからの不揮発性の不純物成分を、活性炭、イオン交換樹脂の少なくとも一つで吸着除去するようにしても構わない。
【００２１】
本願に開示されたその他の概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【００２２】
プローブカードのプローブシートに形成される接触端子は、接触端子の突起部まで膜厚が均一である。かかる構成で、膜厚が均一に形成されているのは、Ｒｈめっき膜、Ｎｉめっき膜である。
【００２３】
プローブシートの接触端子のめっき処理を行うめっき方法あるいはめっき装置であって、めっき液を蒸発可能に、蓋無しであるいは減圧排気して処理する貯液温調槽を備えている。貯液温調槽には、活性炭あるいはイオン交換樹脂を用いた吸着除去装置が備えてある。
【発明の効果】
【００２４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２５】
ディップ方式によるプローブシートの形成に際しては、めっき液中にレジストから溶出した揮発性不純物を、めっき液を加熱あるいは減圧排気等により揮発蒸発させて除去させることができるため、かかる不純物の存在による接触端子のめっき形成への悪影響を排除することができる。
【００２６】
ディップ方式によるプローブシートの形成に際しては、めっき液中にレジストから溶出した不揮発性不純物を、めっき液を活性炭あるいはイオン交換樹脂等で吸着除去することができるため、かかる不純物の存在による接触端子のめっき形成への悪影響を排除することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００２８】
また、本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
【００２９】
ウエハとは、集積回路の製造に用いる単結晶シリコン基板（一般にほぼ平面円形状）、
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反
絶縁または半導体基板等並びにそれらの複合的基板をいう。また、本願において半導体集
積回路装置というときは、シリコンウエハやサファイア基板等の半導体または絶縁体基板
上に作られるものだけでなく、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Thin
Film Transistor）およびＳＴＮ（Super-Twisted-Nematic）液晶等のようなガラス等の
他の絶縁基板上に作られるもの等も含むものとする。
【００３０】
デバイス面とは、ウエハの主面であって、その面にリソグラフィにより、複数のチップ
領域に対応するデバイスパターンが形成される面をいう。
【００３１】
接触端子とは、シリコンウエハを半導体集積回路の製造に用いるのと同様な、ウエハプ
ロセス、すなわちフォトリソグラフィ技術、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術
、スパッタリング技術およびエッチング技術などを組み合わせたパターニング手法によっ
て、配線層およびそれに電気的に接続された先端部を一体的に形成したものをいう。
【００３２】
薄膜プローブ（membrane probe）、薄膜プローブカードとは、検査対象と接触する前記接触端子（突起針）とそこから引き回された配線とが設けられ、その配線に外部接触用の電極が形成された薄膜をいい、たとえば厚さ１０μｍ〜１００μｍ程度のものをいう。
【００３３】
プローブカードとは、検査対象となるウエハと接触する接触端子および多層配線基板等
を有する構造体をいい、半導体検査装置とは、プローブカードおよび検査対象となるウ
エハを載せる試料支持系を有する検査装置をいう。
【００３４】
プローブ検査とは、ウエハ工程が完了したウエハに対してプローバを用いて行われる電
気的試験であって、チップ領域の主面上に形成された電極に上記接触端子の先端を当てて
半導体集積回路の電気的検査を行うことをいい、所定の機能通りに動作するか否かを確認
する機能テストやＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するものである。各チップに分割してから（またはパッケージング完了後）行われる選別テスト（最終テスト）とは区別される。
【００３５】
半導体装置とは、その形態に関わらず、回路が形成されたウエハ状態のものであっても、半導体素子であっても、その後パッケージされたものであっても構わない。
【００３６】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実
施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００３７】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言
及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除
き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００３８】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に
明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必
須のものではないことは言うまでもない。
【００３９】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは
、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質
的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値お
よび範囲についても同様である。
【００４０】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明に係るプローブカードの構成の一実施例を示す断面図であり、（ｂ）はその主要部品を分解して図示した分解斜視図である。
【００４１】
本実施の形態のプローブカード１００では、図１（ａ）に示すように、支持部材（上部固定板）１０と、かかる支持部材１０にねじ止めされた中間板２０が設けられている。かかる中間板２０の中央部に、高さ方向に調整可能に固定され、下部先端に突起部３０ａを有してセンターピポットの働きをし、かかる突起部３０ａの先端を支点として可動する押し駒４０が設けられている。かかる押し駒４０を介して、プローブシート１００ａに、押圧力を付与するばね３０ｂを装填したスプリングプローブ３０が設けられている。
【００４２】
プローブシート１００ａの複数個の接触端子１１０が形成された領域を囲むように、裏面に接着固定された枠５０が設けられている。かかる枠５０にねじ止めされる中間板２０が設けられ、プローブシート１００ａの接触端子１１０が形成された領域の裏面との間に、シリコンシート等の緩衝材５１、押し駒４０が中央部に設けられている。
【００４３】
また、支持部材１０は、支持部材１０に設けられた平行出し調整ねじ５２により、プローブカード１００のプローブシート１００ａに形成された接触端子１１０の面と、被測定側となる半導体装置との対応する電極面との平行出しが行われる。
【００４４】
中間板２０の中央部に設置したスプリングプローブ３０の先端の突起部３０ａで微傾動可能に保持された押し駒４０に対し、スプリングプローブ３０により所望のほぼ一定の押し付け力で押圧することで複数個の接触端子１１０が形成された領域にほぼ一定の押し付け力を付与する構造のコンプライアンス機構が設けられている。尚、押し駒４０の上面中央部には、突起部３０ａと係合する円錐溝３１が形成されている。
【００４５】
プローブシート１００ａは、シート中央領域に半導体装置の電極と接触するための複数個の接触端子１１０が形成されているが、かかる接触端子１１０の周囲には、二重に囲むように、金属膜６０ａ、枠５０に対応した領域に金属膜６０ｂが形成されている。
【００４６】
また、プローブシート１００ａの４辺の周辺部に、図１（ｂ）に示すように、多層配線基板７０との信号授受のための複数個の周辺電極８０が形成されている。かかる周辺電極８０を囲むように周辺電極固定板８１に対応した領域に金属膜６０ｃが形成されている。接触端子１１０と周辺電極８０との間に、多数の引き出し線８２を形成したプローブシート１００ａが形成されている。
【００４７】
このようにして、接触端子１１０を形成した領域のプローブシート１００ａの裏面には枠５０が接着固定され、信号授受のためのプローブシート１００ａの周辺電極８０を形成した部分の裏面には、周辺電極固定板８１が接着固定されている。
【００４８】
周辺電極固定板８１は、下押さえ板９０にねじ止め固定されている。プローブシート１００ａに周辺電極８０を囲むようにし固着した周辺電極固定板８１に、緩衝材８３をはさんで周辺押さえ板８４を下押さえ板９０にねじ止め固定することで、周辺電極８０を多層配線基板７０の電極７１に押し付けて接続する。
【００４９】
一方かかる構成の半導体装置のプローブ検査に使用するプローブカード１００では、図２（ａ）に示すように、プローブシート１００ａが構成されている。すなわち、図２（ａ）に示すように、薄膜のプローブシート１００aは、接触端子（プローブまたはコンタクタとも言う）１１０がポリイミド１２０ａ等の絶縁膜１２０に形成されている。接触端子１１０は、例えば、Ｒｈめっき膜１１１ａ等で構成された高硬度めっき膜１１１と、Ｎｉめっき膜１１２ａ等のめっき膜１１２から構成されている。尚、図２（ａ）に示す構成では、プローブシート１００ａの一部を示している。
【００５０】
かかる接触端子１１０は、その一部が突起１１０ａに形成されており、配線用メタル１３０とスルーホール１４０で接続されている。図２（ｂ）には、接触端子１１０のＲｈめっき膜１１１ａを施した突起１１０ａ側から見た様子を示す。かかる構成の接触端子１１０が、半導体装置の電極の数だけ形成されている。
【００５１】
かかる構成の接触端子１１０の形成には、先ず、図３（ａ）に示すように、シリコンウエハ１５０を異方性エッチングし、図３（ｂ）に示すように四角錐の穴１５１を形成する。併せて、フォトレジスト１５２を形成する。かかる穴１５１を型材とし、フォトレジスト１５２をマスクとして、接触端子１１０をめっきにより形成する。
【００５２】
めっきは、シリコンウエハ１５０の接触端子形成面に、図３（ａ）に示すように、酸化膜１５３、めっき給電用導電性膜１５４を形成し、図４（ａ）に示すウエハホルダ１５５にセットして、めっき処理槽１６０に挿入する。シリコンウエハ１５０はウエハホルダ１５５にセットされてカソード電極（−）１６１側に接続され、めっき処理槽１６０内のアノード電極１６２（＋）との間に電流を印可してめっきをディップ方式で形成する。
【００５３】
かかるディップ方式で、図３（ｃ）に示すように、Ｒｈめっき膜１１１ａ、Ｎｉめっき膜１１２ａを接触端子１１０として形成する。図３（ｄ）には、四角錐の穴１５１をめっきした様子を示す。
【００５４】
かかるめっき処理槽１６０に隣接して、図４（ｂ）に示すように、めっき液１６３の加温温調を行う貯液温調槽１６４が設けられている。貯液温調槽１６４には、ヒータ１６５が設けられ、めっき液１６３の加温温調を自在に行えるようになっている。貯液温調槽１６４により温調されためっき液１６３は、循環フィルタ１６６を通過し循環ポンプ１６７によりめっき処理槽１６０に循環供給されるようになっている。また、めっき処理槽１６０からは、オーバーフローされためっき液１６３が、再び貯液温調槽１６４に戻り循環されるようになっている。
【００５５】
かかる構成で、貯液温調槽１６４のめっき液１６３の温度を、フォトレジスト１５２から溶け込んだ揮発性不純物が容易に揮発する温度、例えば５５℃以上の高温に保って、めっき液が揮発し易いように、貯液温調槽１６４の上部を開放したままでめっき処理が実施されるようになっている。
【００５６】
また、かかる構成ではめっき液１６３の溶媒である水も揮発し、めっき液１６３の濃度を変化させる。そのため、例えば、めっき液の液面管理センサ１６８を設けて、溶媒の水をノズル１６９により随時供給し、液面を一定に保つことによりめっき液１６３の濃度を一定に保つように構成されている。
【００５７】
このようにして、接触端子１１０形成用のマスクであるフォトレジスト１５２からの揮発性不純物としての有機物を、めっき液１６３を高温で加熱することで揮発させて効果的に除去することができる。フォトレジスト１５２の揮発性不純物としては、例えば、６０〜７０％含まれているプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＥＧＭＥＡ）等を例として挙げることができる。
【００５８】
そのため、かかる揮発性不純物がめっき液１６３中に溜まり、次第にＲｈイオンと結びついて、特に穴１５１内でのめっき液１６３の置換が起きにくくなるのを防止することができる。そのため、Ｒｈめっき膜１１１ａは、このめっき方式で形成する場合は、突起１１０ａ部分の膜厚が薄くなることはなく、均一な膜厚を形成することができる。そのため、接触端子１１０の寿命を延ばすことができる。すなわち、薄膜プローブカードの製品では、接触端子１１０をクラック等の防止を図った状態で、探針として使用する突起１１０ａの膜厚をギリギリまで厚膜化できるので、その寿命を延ばすことができる。
【００５９】
また、揮発性不純物がめっき液１６３中に溜まらないので、めっき膜中への揮発性不純物の混入によりめっき膜の劣化を抑制することもできる。その結果、めっき膜のクラック、剥がれを防止することができる。
【００６０】
これまでは、図５に示すように、めっき処理槽１６０側、それに隣接した貯液温調槽１６４側には、その上方に蓋１７１、１７２が設けられ、蓋をした状態で稼働されていた。そのため、めっき液１６３中にフォトレジスト１５２から溶出した揮発性不純物は取り除かれることが無かった。
【００６１】
そのため、図６（ａ）に示すように、溶出した揮発性不純物の有機物とＲｈイオンが結びついて、特に型材の接触端子１１０の先端の穴部では、Ｒｈイオンの新たな供給が少なくなり、Ｒｈめっき膜１１１ａが薄く形成されていた。また、電位においても、図６（ｂ）に示すように、平坦部の電位が集中して、穴部での電位が低下する等が起こっていた。そのため、Ｒｈめっき膜１１１ａの膜厚均一性、クラック、剥がれ等が発生していた。
【００６２】
しかし、本発明では、簡単な構成で、図７（ａ）に示すように、例えばプローブのクラックの発生を防止することができる。図７（ｂ）には、これまでの方法で発生していたクラックの様子を示した。
【００６３】
このようにして形成された接触端子１１０を用いて、半導体装置のプローブ検査を行う。接触端子１１０が形成されたプローブシート１００ａは、かかるプローブシート１００ａを保持し、接触端子１１０を半導体装置の電極側に適切な力で押し付けて検査が行われる。すなわち、プローブカード１００では、その接触端子１１０にプローブシート１００ａの裏側のスプリングプローブ３０の荷重が全体に加わり、測定しようとする半導体装置の電極に接触する。接触端子１１０、引き出し線８２、周辺電極８０、多層配線基板７０の電極７１等を経由して半導体装置のテスタとの間で検査用電気信号の送受信が行われ、検査が実施されることとなる。
【００６４】
かかる検査の対象となる半導体装置２００としては、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）ドライバ２００ａが形成されたチップを例示することができる。かかる半導体装置２００に対して、プローブカード１００を用いてプローブ検査（電気的検査）を行う。
【００６５】
図８は、そのチップ（チップ領域）２１０の平面と、その一部を拡大したものを図示している。このチップ２１０は、たとえば単結晶シリコン基板からなり、その主面にはＬＣＤドライバ回路が形成されている。
【００６６】
また、チップ２１０の主面の周辺部には、ＬＣＤドライバ回路と電気的に接続する多数のパッド（第１電極）２１１、２１２が配置されている。図８中におけるチップ２１０の紙面右側の長辺および両短辺に沿って配列されたパッド２１１は出力端子となり、チップ２１０の紙面左側の長辺に沿って配列されたパッド２１２は入力端子となっている。
【００６７】
ＬＣＤドライバ２００ａの出力端子数は入力端子数より多いことから、隣り合ったパッド２１１の間隔をできる限り広げるために、パッド２１１はチップ２１０の長辺および両短辺に沿って２列で配列され、チップ２１０の長辺および両短辺に沿って互いの列のパッド２１１が互い違いに配列されている。
【００６８】
パッド２１１、２１２は、たとえばＡｕ（金）から形成されたバンプ電極であり、チップ２１０の入出力端子（ボンディングパッド）上に、電解めっき、無電解めっき、蒸着あるいはスパッタリングなどの方法によって形成されたものである。
【００６９】
また、上記チップ２１０は、ウエハの主面に区画された多数のチップ領域に半導体製造技術を使ってＬＣＤドライバ回路（半導体集積回路）や入出力端子（ボンディングパッド）を形成し、次いで入出力端子上に上記の方法でパッド２１１を形成した後、ウエハをダイシングしてチップ領域を個片化することにより製造することができる。
【００７０】
かかる構成において、上記プローブ検査は、ウエハをダイシングする前に各チップ領域に対して実施するものである。
【００７１】
かかる構成のＬＣＤドライバ２００ａは、上記チップ２１０の液晶パネル２１３に接続される。図９に示すように、液晶パネル２１３は、たとえば主面に画素電極２１４、２１５が形成されたガラス基板２１６、液晶層２１７、および液晶層２１７を介してガラス基板２１６と対向するように配置されたガラス基板２１８等から形成されている。かかる液晶パネル２１３のガラス基板２１６の画素電極２１４、２１５に、それぞれパッド２１１、２１２が接続するようにチップ２１０をフェイスダウンボンディングして、チップ２１０を液晶パネル２１３へ接続している。
【００７２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、めっき処理槽１６０、貯液温調槽１６４側には、これまでの構成と同様に、蓋１７１、１７２が設けられている。しかし、図１０に示すように、貯液温調槽１６４の上方に設ける蓋１７２には、減圧排気用のポンプ等に接続される減圧排気口１７３が設けられている。
【００７３】
そのため、連続着工等でフォトレジスト１５２からの溶出する揮発性不純物の有機物成分が大量になると予想される場合や、めっき液１６３の性質で液温の高温化が適さない場合等でも、めっき液１６３中に溶出したフォトレジスト１５２からの揮発性不純物を、効率的に揮発除去させることができる。
【００７４】
また、かかる構成は、前記実施の形態１と併せて使用することで、より揮発性不純物の揮発除去の効率向上を図ることもできる。
【００７５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、前記実施の形態１で説明した貯液温調槽１６４に、図１１に示すように、活性炭、イオン交換樹脂等を用いた不純物の吸着除去処理を行う循環系１８０が設けられている。かかる不純物は、揮発性不純物とは異なり、不揮発性不純物である。
【００７６】
貯液温調槽１６４のめっき液１６３は、常時または任意に設定したタイミングで、フィルタポンプ１８１により不純物吸着除去フィルタ１８２、異物除去フィルタ１８３からなる循環系１８０を通され、不純物の除去が行われる。かかる不純物の除去と並行して加熱温調が行われて揮発性不純物の揮発除去も行われる。
【００７７】
かかる不純物の吸着除去処理を行う部分は、異物等の拡散を防止し循環系１８０に設置し易いように、フィルタ状に加工され、粒状あるいは繊維状の不純物吸着除去フィルタ１８２が用いられている。また、異物除去フィルタ１８３を通過しためっき液１６３は、貯液温調槽１６４に戻る。
【００７８】
かかる構成では、揮発性の低い樹脂系の有機成分や、それ以外の不要な不純物成分を各種活性炭やイオン交換樹脂の選択により常時除去することができる。また、本実施の形態の活性炭処理システムの設置方式では、めっき性能に影響を与えるめっき処理槽１６０への循環系の流量に影響を与えずに処理することも可能である。
【００７９】
フォトレジスト１５２からの不揮発性不純物としては、例えば、ノボラック樹脂、感光剤等を例に挙げることができる。
【００８０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図１２に示すように、前記実施の形態の活性炭処理を行う循環系１８０の構成を、めっき処理槽１６０と貯液温調槽１６４の間に設けた。かかる構成では、必ず、活性炭処理系を通過しためっき液１６３でめっき処理することができる。併せて、めっき処理が不揮発性不純物の影響を受けることがない。また、循環系も処理液の循環系と共通化されているため、装置構成上もコストダウンが可能である。
【００８１】
（実施の形態５）
本実施の形態の構成では、図１３に示すように、めっき液１６３の貯液温調槽１６４の下方に、フィルタ膜１８４を介して不純物の吸着除去物質１８５が設けられている。吸着除去物質１８５としては、例えば、活性炭あるいはイオン交換樹脂等が使用される。底面側に設置されたフィルタ膜１８４を通してめっき液１６３を分離ろ過し、めっき処理槽１６０への供給を行うものである。
【００８２】
かかる構成では、不純物の吸着除去物質１８５を投入する貯液温調槽１６４の部分には、除去効率を上げるために攪拌機１８６を設ける等してもよい。このように構成すれば、大量に活性炭およびイオン交換樹脂等の不純物の吸着除去物質１８５を循環系に投入することができ、連続着工等で不要な不純物が大量に増加する場合でも、それに見合った除去能力を得ることができる。
【００８３】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８４】
前記実施の形態では、プローブカードによる検査対象には、ＬＣＤドライバを例に挙げて説明したが、検査対象にはＬＣＤドライバ以外のものでも構わないことは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明の半導体装置の製造分野等におけるめっき処理で有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】（ａ）は本発明のプローブカードの全体構成を模式的に示した断面図であり、（ｂ）はその主要部品の構成を分解して模式的に示した斜視図である。
【図２】（ａ）はプローブシートの一部を模式的に示した断面図であり、（ｂ）はその突起部の構成を模式的に示した斜視図である。
【図３】（ａ）、（ｃ）は、プローブシートの製造工程の一部を模式的に示した断面図であり、（ｂ）、（ｄ）は穴の様子を示す平面図である。
【図４】（ａ）はウエハホルダの様子を示す平面図であり、（ｂ）は本実施の形態のめっき装置の一実施例の構成を模式的に示した断面図である。
【図５】これまでのめっき装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）は穴部における有機物の影響を示す説明図であり、（ｂ）は穴部と平坦部での電位の不均衡を示す説明図である。
【図７】（ａ）は正常なプローブを示す平面図であり、（ｂ）はクラックが発生した異常プローブの状況を示す平面図である。
【図８】ＬＣＤドライバを模式的に示す平面図である。
【図９】ＬＣＤドライバの液晶側への接続状況を模式的に示す断面図である。
【図１０】本発明のめっき処理を行う装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明のめっき処理を行う装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明のめっき処理を行う装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図１３】本発明のめっき処理を行う装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０        支持部材
２０        中間板
３０        スプリングプローブ
３０ａ      突起部
３０ｂ      ばね
３１        円錐溝
４０        押し駒
５０        枠
５１        緩衝材
５２        平行出し調整ねじ
６０ａ      金属膜
６０ｂ      金属膜
６０ｃ      金属膜
７０        多層配線基板
７１        電極
８０        周辺電極
８１        周辺電極固定板
８２        引き出し線
８３        緩衝材
８４        周辺押さえ板
９０        下押さえ板
１００      プローブカード
１００ａ    プローブシート
１１０      接触端子（プローブ）
１１０ａ    突起
１１１      高硬度めっき膜
１１１ａ    Ｒｈめっき膜
１１２      めっき膜
１１２ａ    Ｎｉめっき膜
１２０      絶縁膜
１２０ａ    ポリイミド
１３０      配線用メタル
１４０      スルーホール
１５０      シリコンウエハ
１５１      穴
１５２      フォトレジスト
１５３      酸化膜
１５４      めっき給電用導電性膜
１５５      ウエハホルダ
１６０      めっき処理槽
１６１      カソード電極
１６２      アノード電極
１６３      めっき液
１６４      貯液温調槽
１６５      ヒータ
１６６      循環フィルタ
１６７      循環ポンプ
１６８      液面管理センサ
１６９      ノズル
１７１      蓋
１７２      蓋
１７３      減圧排気口
１８０      循環系
１８１      フィルタポンプ
１８２      不純物吸着除去フィルタ
１８３      異物除去フィルタ
１８４      フィルタ膜
１８５      吸着除去物質
１８６      攪拌機
２００      半導体装置
２００ａ    ＬＣＤドライバ
２１０      チップ
２１１      パッド
２１２      パッド
２１３      液晶パネル
２１４      画素電極
２１５      画素電極
２１６      ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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