(57)【要約】【課題】信頼性よく安定して流体を加熱することが可能なマイクロ流体装置を提供すること。【解決手段】例えば、マイクロ流体装置１００を、流路基板１０と、磁界印加装置２０と、が複数積層された積層体で構成し、当該流路基板を例えば金属材料で構成することで、磁界印加装置２０による磁界により流路基板１０自体が電磁誘導作用により発熱し、液体を加熱することができる。マイクロ流体装置１００は、例えば、例えば、反応・分離・抽出・検出などの基本化学操作に適用することができる。【選択図】図１
2007283236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの流体の層流が形成される主流路を有する流路部材と、
電磁誘導作用により自己発熱する発熱部材、
前記発熱部材に磁界を印加する磁界印加手段と、
を備えることを特徴とするマイクロ流体装置。
【請求項２】
前記流路部材は、金属板状体で構成され、前記発熱部材を兼ねることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項３】
前記流路部材は、樹脂環状体で構成され、
且つ前記発熱部材は、前記樹脂環状体を被覆する金属膜である、
ことを特徴とする請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項４】
前記流路部材は、導電材料を含む樹脂環状体で構成され、前記発熱部材を兼ねることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項５】
前記磁界印加手段が印加する磁界を検出し、当該磁界に基づいて前記磁界印加による電磁誘導加熱温度を算出する温度算出手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも２つの液体の層流を形成する流路を有し、例えば、反応・分離・抽出・検出などの基本化学操作を行うことのできるマイクロ流体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、反応・分離・抽出・検出などの基本化学操作を行うことのできるマイクロ流体装置が盛んに研究されている。このマイクロ流体装置は、マイクロリアクタとも呼ばれ、基本化学操作を行う反応空間の集積化、小型化が可能となり、合成機器や分析機器などへの適用が検討されている。
【０００３】
例えば、マイクロ流体装置の構成要素は、断面寸法が数十〜数千ミクロンのマイクロチャネル（流路）である。マイクロチャネルは通常２枚の板、すなわち微細なチャネルとなる溝を形成した基板と、平らな基板とを接合することによって形成される。
【０００４】
このような構成のマイクロ流体装置では、上記反応・分離・抽出・検出などの基本化学操作の種類によっては加熱を必要とする操作もある。このマイクロ流体装置での加熱を可能にするため、特許文献１には、マイクロ流体装置に適用可能な小型ヒータが開示されている。
【０００５】
特許文献１に開示されている小型ヒータは、金属薄膜を用いた加熱方式であり、金属膜を薄くすることで、抵抗値を高め、電圧印加して直流電流を流しジュール発熱により、加熱するものである。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２１４０３０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に開示されている小型ヒータは、金属膜の抵抗発熱を利用しているため、電力供給用の電極が必要であり、マイクロ流体装置に適用する流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）の湿潤や、装置（マイクロリアクタ）の亀裂等で導通が阻害されたり、信頼性よく安定して加熱を施すことができないといった問題がある。
【０００８】
また、流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）が上記電極や金属膜と接触すると、発火、発煙といった問題も生じる場合もある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記諸問題に鑑み、信頼性よく安定して流体を加熱することが可能なマイクロ流体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
本発明のマイクロ流体装置は、
少なくとも２つの流体の層流が形成される主流路を有する流路部材と、
電磁誘導作用により自己発熱する発熱部材と、
前記発熱部材に磁界を印加する磁界印加手段と、
を備えることを特徴としている。
【００１１】
本発明のマイクロ流体装置では、電磁誘導加熱方式を利用し、適用する流体を加熱することができ、流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）の湿潤や、装置（マイクロリアクタ）の亀裂等で導通が阻害されたり、発熱体（導通している電極）への流体の接触による発火、発煙といった問題が防止される。このため、信頼性よく安定して流体を加熱し、化学基本操作を実施することができる。
【００１２】
本発明のマイクロ流体装置において、具体的には以下の構成が挙げられる。
１）前記流路部材は、金属板状体で構成され、前記発熱部材を兼ねた構成。
２）前記流路部材は、樹脂環状体で構成され、且つ前記発熱部材は、前記樹脂環状体を被覆する金属膜である構成。
３）前記流路部材は、導電材料を含む樹脂環状体で構成され、前記発熱部材を兼ねる構成。
【００１３】
本発明のマイクロ流体装置において、前記磁界印加手段が印加する磁界を検出し、当該磁界に基づいて前記磁界印加による電磁誘導加熱温度を算出する温度算出手段をさらに備えることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、信頼性よく安定して流体を加熱することが可能なマイクロ流体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、実質的に同様な機能を有する部材には、全図面通して同じ符合を付与し、重複する説明は省略することがある。
【００１６】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るマイクロ流体装置を示す模式的な分解斜視図である。図２は、第１実施形態に係るマイクロ流体装置を示す模式的な断面図であり、図１のＡ−Ａ’断面図である。
【００１７】
本実施形態に係るマイクロ流体装置１００は、図１及び２に示すように、流路基板１０と、磁界印加装置２０と、が複数積層された積層体が備えられている（本実施形態では、流路基板１０が５つ、磁界印加装置２０が２つが積層されている）。そして、磁界印加装置２０から印加される磁界を検出して磁界強度を算出すると共に、磁界・温度算出装置３０により算出された磁界強度に基づき、電磁誘導作用により、発熱部材（流路基板１０）が発熱する温度を算出する磁界・温度算出装置３０、その算出した磁界強度、温度を表示するための表示装置５０を備えている。
【００１８】
まず、流路基板１０について説明する。
【００１９】
流路基板１０は、導電部材（例えば、金属、導電性樹脂など）で構成され、電磁誘導作用により発熱する発熱部材を兼ねている。本実施形態では、ＳＵＳを適用している。
【００２０】
流路基板１０は、流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）の一方としての第１液体Ａ及び他方としての第２液体Ｂの２液から形成される層流が形成される主マイクロチャネル１１（主流路）を有している。当該主マイクロチャネル１１の両端には、供給流路として２つの供給用マイクロチャネル１２Ａ，１２Ｂ（供給流路）と、排出流路として１つの排出用マイクロチャネル１３と、がそれぞれ連通している。
【００２１】
供給用マイクロチャネル１２Ａ，１２Ｂは、それぞれ、流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）の一方としての第１液体Ａ及び他方としての第２液体Ｂを、主マイクロチャネル１１へ供給する、チャネル（流路）である。また、各供給用のマイクロチャネルには各流体を導入する導入口１４Ａ，１４Ｂが連通している。
【００２２】
一方、排出用マイクロチャネル１３は主マイクロチャネル１１に供給した液体を排出するチャネルである。また、排出用マイクロチャネル１３には各流体を排出する排出口１５が連通している。本実施形態では、排出用マイクロチャネル１３が一つである形態を示したが、排出用マイクロチャネル１３を供給用マイクロチャネルの数と同数にして、それぞれの液体を回収するようにしてもよい。
【００２３】
次に、磁界印加装置２０について説明する。
【００２４】
磁界印加装置２０は、例えば、励磁コイル２１とそれを保持する保持基板２２とから構成されている。磁界印加装置２０は、不図示の励磁回路により励磁コイル２１に交流電流が印加され、発熱部材を兼ねる流路基板１０面とほぼ直交する交番磁界を形成するものである。そして、この磁界によって、発熱部材を兼ねる流路基板１０に渦電流が発生し、当該流路基板１０が発熱し、流路内を流れる液体を加熱することができる。
【００２５】
ここで、磁界（磁場）を作用させることによって、発生する渦電流により発熱する原理について説明する。
【００２６】
励磁回路により励磁コイル２１に交流電流が印加されると、励磁コイル２１の周囲に磁束が生成消滅を繰り返す。この磁束が流路基板１０を横切るとき、その磁束の変化を妨げる磁界を生じるように流路基板１０中に渦電流が発生する。この渦電流と流路基板１０の固有抵抗によってジュール熱が発生する。
【００２７】
渦電流は、表皮効果のためにほとんど流路基板１０の磁界印加装置２０側の面に集中して流れ、流路基板１０の表皮抵抗Ｒｓに比例した電力で発熱を生じる。ここで、角周波数をω、透磁率をμ、固有抵抗をρとすると、表皮深さδは次式で示される。
δ＝（２ρ／ωμ）1/2
【００２８】
さらに、表皮抵抗ＲSは次式で示される。
Ｒｓ＝ρ／δ＝（ωμρ／２）1/2
流路基板１０に発生する電力Ｐは、流路基板１０中を流れる電流をＩｈとすると、次式で表わされる。
Ｐ∝Ｒｓ∫｜Ｉｈ｜2ｄＳ
【００２９】
したがって、表皮抵抗Ｒｓを大きくするか、あるいは電流Ｉｈを大きくすれば電力Ｐを増すことができ、発熱量を増すことが可能となる。ここで表皮深さδ（ｍ）は、励磁回路の周波数ｆ（Ｈｚ）と、比透磁率μｒと、固有抵抗ρ（Ωｍ）により次式で表わされる。
δ＝５０３（ρ／（ｆμｒ））1/2
【００３０】
これは電磁誘導で使われる電磁波の吸収の深さを示しており、これより深いところでは電磁波の強度は１／ｅ以下になっており、逆に言うとほとんどのエネルギーはこの深さまで吸収されている。
ここで、流路基板１０の厚みは、上の式で表わされる表皮深さより厚く（１〜１００μｍ）することが好ましい。また、流路基板１０の厚みが１μｍよりも小さいと、ほとんどの電磁エネルギーが吸収しきれないため効率が悪くなる。
【００３１】
以上の原理により、発熱部材を兼ねる流路基板１０が、電磁誘導作用による発熱する。
【００３２】
次に、磁界・温度算出装置３０について説明する。
【００３３】
磁界・温度算出装置３０は、図３に示すように、磁気センサ４０と、磁気センサ４０の圧電素子４１に加わる力学的な力に応じて発振周波数が変化する発振回路３１Ａと、発振回路３１Ａの発振周波数の変化を計測し磁気センサ４０で検出された磁場強度、電磁誘導作用による発熱温度を算出・表示するための複数の回路とを備えている。
【００３４】
磁気センサ４０は、少なくとも、外部磁場に対して極反転しない磁石４３と、磁石４３に加わる磁場強度を力学的な力として検出する圧電素子４１とを備えている。また、磁気センサ４０には、圧電素子４１の表面上において、磁石４３と離間した位置で磁石４３のトルクによる応力の影響を受けない領域に非磁性金属４４が配設されている。
【００３５】
磁石４３は圧電素子４１の表面上に一方にＮ極、他方にＳ極を有する直方体形状で配設されている。磁石４３には、希土類金属と鉄族遷移金属との化合物、さらに詳細には高飽和磁化を有しかつ結晶磁気異方性が高い強磁性金属である希土類コバルト磁石が実用的に使用できる。希土類コバルト磁石としてはサマリウム・コバルト（ＳｍＣｏ５又はＳｍ２Ｃｏ１７）が実用的に使用することができる。サマリウム・コバルトは、例えばスパッタリング法に圧電素子４１の表面上に、容易軸方向が圧電素子４１面内に存在するように直接成膜し、成膜後に着磁される。
【００３６】
なお、磁石４３は発振回路３１Ａを構築する水晶振動子の電極としても使用される。このため、図４に示すように磁石４３にはリード配線４５が接続されている。
【００３７】
非磁性金属４４は例えばスパッタリング法で成膜された銅（Ｃｕ）で磁石４３と同一寸法の直方体形状に形成され、こちらも水晶振動子の電極として機能している。従って、この非磁性金属４４にも後述する発振回路３１Ｂを構築するためのリード配線４５が接続されている。
【００３８】
圧電素子４１には、検出感度の温度依存性が小さく、外部磁場の変化量と歪量との間の直線的比例範囲（リニア域）が比較的広い材料を選ぶ。例えば、圧電素子４１として、円板形状で形成された水晶（石英）を使用することが好ましい。水晶の熱膨張率は極めて小さく、水晶振動の誤差範囲は１０−６〜１０−７で極めて安定している。さらに、水晶には外部磁場の磁束密度が１テスラ乃至１０テスラの範囲内で外部磁場の変化量と歪量との間に直線的比例範囲が存在する。
【００３９】
そして、圧電素子４１の裏面には水晶振動子の裏面電極４２が配設され、（図４には図示しないが）磁石４３及び非磁性金属４４に接続されるリード配線４５と同様にリード配線が接続され、発振回路３１Ａ及び３１Ｂを構築している。
【００４０】
発振回路３１Ａは、磁気センサ４０の磁石４３、圧電素子４１、ＣＭＯＳインバータ回路３２Ａを帰還路内に配設して構築され、圧電素子４１に加わる応力すなわち磁石４３に印加される外部磁界に応じた所定発振周波数の出力信号をＣＭＯＳインバータ回路３２Ａから出力する。
【００４１】
発振回路３１Ｂは、前述のように圧電素子４１に非磁性金属４４が配設され、非磁性金属４４、圧電素子４１、ＣＭＯＳインバータ回路３２Ｂを帰還路内に配設して構築されている。非磁性金属４４には外部磁場が印加されてもトルクを生じないので、この非磁性金属４４及び圧電素子４１を帰還路に含む発振回路３１Ｂは、常時、外部磁場が零の状態の発振周波数で動作する基準周波数となる。
【００４２】
磁界・温度算出装置３０を構築する複数の回路には、カウンタ回路３３Ａ、３３Ｂ、減算回路３４、補償回路３５、較正係数発生回路３６、磁界乗算回路３７、温度乗算回路３８、タイマ３９が含まれる。
【００４３】
カウンタ回路３３Ａは発振回路３１Ａから出力される単位時間当たりのパルス数をカウントする。同様に、カウンタ回路３３Ｂは発振回路３１Ｂから出力される単位時間当たりのパルス数をカウントする。
【００４４】
減算回路３４は、カウンタ回路３３Ａでカウントされたパルス数とカウンタ回路３３Ｂでカウントされたパルス数との差を演算する。
【００４５】
補償回路３５は、後述するパルス数の差を補償し、外部磁場が零の時の出力（補償回路３５からの出力）を零にする。外部磁場が零の時、発振回路３１Ａ、３１Ｂのそれぞれから出力されるパルス数は同じで減算回路３４の減算出力は零になるはずであるが、実際には磁石４３や非磁性金属４４の面積のばらつき、圧電素子４１の厚みのばらつき等により双方から出力されるパルス数に差が生じる。このパルス数の差を、補償回路３５により補償し外部磁場が零の時の出力（補償回路３５からの出力）を零にする。
【００４６】
較正係数発生回路３６は補償回路３５からの出力を外部磁場の値として表示するための較正係数を出力する。
【００４７】
磁界乗算回路３７は補償回路３５からの出力に較正係数発生回路３６からの較正係数を乗算し、磁気センサ４０で検出された外部磁界強度の値を算出する。
【００４８】
温度乗算回路３８は、磁界乗算回路３７により算出された外部磁界強度に基づき、電磁誘導作用により発熱する発熱温度を算出する。
【００４９】
なお、表示装置５０は、磁界乗算回路３７により算出された外部磁界強度、及び温度乗算回路３８により算出された発熱温度を表示するための、例えば液晶モニタなどで構成される。
【００５０】
このような構成の磁界・温度算出装置３０の動作は次のようにして行う。
【００５１】
まず、図５に示すように、磁気センサ４０の磁石４３に外部磁場Ｈが作用すると、磁石４３の磁気モーメントＭと外部磁場Ｈとの外積（Ｈ×Ｍ）方向を軸とするトルクが働く。圧電素子４１としての水晶の表面と磁石４３との間は機械的に接合されているので、このトルクＴが水晶に応力（ねじり応力）を生じさせる。
【００５２】
外部磁場Ｈの強度が高くなると、力学的な力であるトルクＴは増大する。応力は圧電素子４１の結晶に歪を生じさせ、圧電素子４１を帰還路に含む発振回路３１Ａの発振周波数が歪量に応じて変化する。発振周波数の変化はわずかであるが、例えば圧電素子４１の発振周波数を１０ＭＨｚのオーダーに設定し、圧電素子４１、磁石（電極）２３、裏面電極４２のそれぞれの形状を適宜選定すれば１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲で発振周波数を自由に設定することができる。
【００５３】
このように、圧電素子４１に生じた応力は圧電素子４１の結晶に歪を生じさせ、発振回路３１Ａは応力に応じた発振周波数でパルス信号を出力する。このパルス数はカウンタ回路３３Ａでカウントされる。
【００５４】
一方、非磁性金属４４にも外部磁場Ｈが印加されるが、圧電素子４１には応力を生じることがないので、発振回路３１Ｂは応力が発生しない時の発振周波数でパルス信号を出力する。このパルス数はカウンタ回路３３Ｂでカウントされる。
【００５５】
減算回路３４はカウンタ回路３３Ａでカウントされたパルス数とカウンタ回路３３Ｂでカウントされたパルス数との差を演算する。減算回路３４の出力は補償回路３５を通して磁界乗算回路３７に出力され、磁界乗算回路３７においては補償回路３５の出力と較正係数発生回路３６からの較正係数を乗算する。
【００５６】
このようにして、磁界乗算回路３７で磁気センサ４０で検出された外部磁界強度の値を算出する。
【００５７】
一方、この外部磁界強度の値に基づき、以下の式（チャート）に従って温度乗算回路３８は、磁界によって発熱する電磁誘導加熱温度を算出する。
式：Ｔ＝ｋ・ｔ・Ｍ＋５０
（ここで、Ｔは温度（℃）、ｋは係数（℃ｍ／（Ａ＊ｓｅｃ））、ｔは磁界を印加した時間（ｓｅｃ）、Ｍは磁界強度（Ａ／ｍ）を示す。）なお、ｋは発熱部材固有の係数であり、発熱部材種に応じて、例えば次のように予め決定されるものである。例えば、発熱部材が銅（銅被覆）の場合、磁界強度を１〜１０Ａ／ｍで５０℃から１５０℃へ直線的に変化し、ｋは、１０℃ｍ／（Ａ＊ｓｅｃ）となる。また、時間は、タイマ３９から取得する。
【００５８】
そして、表示装置５０により、算出された磁界強度、発熱温度を表示する。
【００５９】
このような構成の本実施形態に係るマイクロ流体装置１００では、まず、導入口１４Ａ，１４Ｂから各流体を導入すると、供給用マイクロチャネル１２Ａから第１液体Ａが、供給用マイクロチャネル１２Ｂから第２液体Ｂが、それぞれ主マイクロチャネル１１へ流入する。
【００６０】
主マイクロチャネル１１内では第１液体Ａ及び第２液体Ｂの層流が形成され、この層流（即ち液体間の界面）において、反応・分離・抽出・検出などの基本化学操作が行われる。
【００６１】
そして、排出用マイクロチャネル１３を通じて排出口１５から各液体が排出（回収）される。
【００６２】
このような基本化学操作の際、励磁回路により励磁コイル２１に交流電流を印加することで、流路基板１０中に渦電流が発生し、この渦電流と流路基板１０の固有抵抗によってジュール熱が発生して、流路基板１０自体が発熱し、各液体を加熱することが可能となる。
【００６３】
従って、流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）の湿潤や、装置（マイクロリアクタ）の亀裂等で導通が阻害されたり、発熱体（導通している電極）への流体の接触による発火、発煙といった問題が防止される。このため、信頼性よく安定して流体を加熱し、化学基本操作を実施することができる。
【００６４】
また、本実施形態に係るマイクロ流体装置１００では、磁界・温度算出装置３０により、磁界の検知のみで、発熱部材を兼ねる流路基板１０の発熱温度、強いては流体温度を知りうることが可能となる。
【００６５】
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係るマイクロ流体装置を示す模式的な斜視図である。図７は、第１実施形態に係るマイクロ流体装置における流路管の模式的な断面図であり、図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【００６６】
本実施形態に係るマイクロ流体装置１０１は、図６に示すように、束になって配設される複数の流路管６０（樹脂環状体）と、当該流路管６０を挟持すりょうに対向配置された２つの磁界印加装置２０とを備えられている。そして、磁界印加装置２０から印加される磁界を検出して磁界強度を算出すると共に、算出された磁界強度に基づき、電磁誘導作用により、発熱部材（流路管６０）が発熱する温度を算出する磁界・温度算出装置３０を備えている。
【００６７】
流路管６０は、図７（Ａ）に示すように、樹脂材料（例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ナイロン、など）を環状に形成した樹脂環状体７０と、その表面に発熱部材として被覆される金属膜７１（例えば、銅膜、ニッケル膜、ステンレス膜など）とで構成してる。また、流路管６０は、図７（Ｂ）に示すように、導電材料（例えば銅、ニッケル、鉄、ステンレス粒子あるいは粒子の外部を種々の金属でめっきした粉体など）を配合した導電性樹脂環状体７２で構成し、当該環状体が発熱部材を兼ねる構成としてもよい。なお、金属膜７１はめっき処理や圧延プレスで得ることができる。あらかじめ樹脂に被覆しておき、金属被覆したチューブを管状体にかぶせる構成としてもよい。また、その厚みは、印加される磁界の最適共振領域から、金属膜７１が銅膜の場合５〜１０μｍであることが好ましい。また、ニッケル膜の場合３０μｍ程度が好ましい。金属の抵抗値により最適厚みは変化する。
【００６８】
流路管６０は、流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）の一方としての第１液体Ａ及び他方としての第２液体Ｂの２液から形成される層流が形成される主流路管６１（主流路）を有している。当該主流路管６１の両端には、供給流路として２つの供給用流路管６２Ａ，６２Ｂ（供給流路）と、排出流路として１つの排出用流路管６３と、がそれぞれ連通している。
【００６９】
供給用流路管６２Ａ，６２Ｂは、それぞれ、流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）の一方としての第１液体Ａ及び他方としての第２液体Ｂを、主マイクロチャネル１１へ供給する、チャネル（流路）である。また、各供給用流路管には各流体を導入する導入口６４Ａ，６４Ｂが連通している。
【００７０】
一方、排出用流路管６３は、主流路管６１に供給した液体を排出するチャネルである。また、排出用流路管６３には各流体を排出する排出口６５が連通している。本実施形態では、排出用マイクロチャネル１３が一つである形態を示したが、排出用流路管６３を供給用流路管の数と同数にして、それぞれの液体を回収するようにしてもよい。
【００７１】
また、複数の流路管６０の一端には、当該管を収束・支持するための支持部材６６が配設されている。また、他端には、当該管を収束・支持すると共に、排出する液体を集めて回収・排出するための回収・排出管６７を有する回収・支持部材６８が配設されている。
【００７２】
上記構成以外は、第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００７３】
このような構成の本実施形態に係るマイクロ流体装置１０１では、まず、導入口６４Ａ，６４Ｂから各流体を導入すると、供給用流路管６２Ａから第１液体Ａが、共給用流路管６２Ｂから第２液体Ｂが、それぞれ主流路管６１へ流入する。
【００７４】
主流路管６１内では第１液体Ａ及び第２液体Ｂの層流が形成され、この層流（即ち液体間の界面）において、反応・分離・抽出・検出などの基本化学操作が行われる。
【００７５】
そして、排出用流路管６３を通じて排出口６５から回収・支持部材６８へ各液体が送られ、回収・排出管６７により排出（回収）される。
【００７６】
このような基本化学操作の際、励磁回路により励磁コイル２１に交流電流を印加することで、流路基板１０中に渦電流が発生し、この渦電流と流路基板１０の固有抵抗によってジュール熱が発生して、流路基板１０自体が発熱し、各液体を加熱することが可能となる。
【００７７】
従って、流体（例えば反応液、分離液、抽出液、検出液等）の湿潤や、装置（マイクロリアクタ）の亀裂等で導通が阻害されたり、発熱体（導通している電極）への流体の接触による発火、発煙といった問題が防止される。このため、信頼性よく安定して流体を加熱し、化学基本操作を実施することができる。
【００７８】
また、本実施形態に係るマイクロ流体装置１０１でも、磁界・温度算出装置３０により、磁界の検知のみで、発熱部材を兼ねる流路基板１０の発熱温度、強いては流体温度を知りうることが可能となる。
【００７９】
なお、本実施形態では、流路管６０として、樹脂環状体を適用した形態を説明したが、無論、金属管も適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】第１実施形態に係るマイクロ流体装置を示す模式的な分解斜視図である。
【図２】第１実施形態に係るマイクロ流体装置を示す模式的な断面図であり、図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】磁界・温度算出装置の一例を示す模式的な構成図である。
【図４】磁界センサの一例を示す模式的な斜視図である。
【図５】磁界センサ周辺を示す模式的な側面図である。
【図６】第２実施形態に係るマイクロ流体装置を示す模式的な斜視図である。
【図７】流路管の一例を示す図であり、（Ａ）は樹脂環状体と金属膜とで構成された例を示し、（Ｂ）は導電性の樹脂環状体で構成された例を示す。
【符号の説明】
【００８１】
１０   流路基板
１１   主マイクロチャネル
１２Ａ，１２Ｂ       供給用マイクロチャネル
１３   排出用マイクロチャネル
１４Ａ，１４Ｂ       導入口
１５   排出口
２０   磁界印加装置
２１   励磁コイル
２２   保持基板
３０   磁界・温度算出装置
３１Ａ,３１Ｂ発振回路
３２Ａ,３２Ｂ インバータ回路
３３Ａ,３２Ｂ カウンタ回路
３４   減算回路
３５   補償回路
３６   較正係数発生回路
３７   磁界乗算回路
３８   温度乗算回路
３９   タイマ
４０   磁気センサ
４１   圧電素子
４２   裏面電極
４３   磁石
４４   非磁性金属
４５   リード配線
５０   表示装置
６０   流路管
６１   主流路管
６２Ａ，６２Ｂ       供給用流路管
６３   排出用流路管
６４Ａ，６４Ｂ       導入口
６５   排出口
６６   支持部材
６７   回収・排出管
６８   回収・支持部材
７０   樹脂環状体
７１   金属膜
７２   導電性樹脂環状体
１００ マイクロ流体装置
１０１ マイクロ流体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図６】
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