(57)【要約】【課題】半導体レーザダイオードアレイを提供する。【解決手段】下部基板１１０と、下部基板に設けられた第１発振部１２０と、下部基板に第１発振部と離隔されて設けられた第２発振部１４０とを有するデュアル構造の下部半導体レーザダイオードチップ１００と、上部基板と、上部基板２１０に設けられた第３発振部２２０と、上部基板に第３発振部と離隔されて設けられた第４発振部２４０とを有するデュアル構造の上部半導体レーザダイオードチップ２００と、第１ないし第４発振部１２０、１４０，２２０、２４０を外部と電気的に連結する電極部Ｐ１，Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４と、を備え、第１ないし第４発振部のレーザ光が放出される第１ないし第４発光点が２次元的に配列されるように、第１発振部と前記第３発振部とは垂直接合され、第２発振部と第４発振部とが垂直接合される。【選択図】図１
2007281483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板と、前記下部基板に設けられた第１発振部と、前記下部基板に前記第１発振部と離隔されて設けられた第２発振部とを有するデュアル構造の下部半導体レーザダイオードチップと、
上部基板と、前記上部基板に設けられた第３発振部、前記上部基板に前記第３発振部と離隔されて設けられた第４発振部とを有するデュアル構造の上部半導体レーザダイオードチップと、
前記第１ないし第４発振部を外部と電気的に連結する電極部と、を備え、
前記第１ないし第４発振部のレーザ光が放出される第１ないし第４発光点が２次元的に配列されるように、前記第１発振部と前記第３発振部とは垂直接合され、前記第２発振部と前記第４発振部とが垂直接合されることを特徴とする半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項２】
前記第１ないし第４発光点それぞれの中心間の距離は、５０μｍ以内の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項３】
前記第１ないし第４発光点は、水平方向から見たときに互いにずれるように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項４】
前記第１ないし第４発光点の水平方向の間隔が一定であることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項５】
前記第１ないし第４発光点の水平方向の間隔は、３０μｍ以内の範囲にあることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項６】
前記第１発光点と第３発光点とは、垂直方向に一直線上に整列されており、前記第２発光点と第４発光点とは、垂直方向に一直線上に整列されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項７】
前記第１及び第２発振部のそれぞれは、下部基板上に順次に積層されて形成されるｎ型コンタクト層、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、ｐ型メタル層、ボンディングメタル層を備え、前記第３及び第４発振部のそれぞれは、上部基板上に順次に積層されて形成されるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、ｐ型メタル層、ボンディングメタル層を備え、
前記第１発振部のボンディングメタル層と前記第３発振部のボンディングメタル層とが接合され、
前記第２発振部のボンディングメタル層と前記第４発振部のボンディングメタル層とが接合されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項８】
前記電極部は、
前記第１発振部の前記ｎ型コンタクト層が段差を持って露出された部分に形成された第１電極と、
前記第２発振部の前記ｎ型コンタクト層が段差を持って露出された部分に形成された第２電極と、
前記第１発振部のボンディングメタル層が前記第３発振部のボンディングメタル層に接合された前記第１発振部のボンディングメタル層の領域外郭の露出された部分に形成された第３電極と、
前記第２発振部のボンディングメタル層が前記第４発振部のボンディングメタル層に接合された前記第２発振部のボンディングメタル層の領域外郭の露出された部分に形成された第４電極と、
前記上部基板の前記第３及び第４発振部が設けられた面の裏面に形成された第５電極と、を備え、
前記第１ないし第４発振部は、独立して駆動されることを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項９】
前記第１及び第２発振部のボンディングメタル層の一部が露出されるように、前記第３発振部のボンディングメタル部の面積は、前記第１発振部のボンディングメタル部の面積よりも小さく、前記第４発振部のボンディングメタル部の面積は、前記第２発振部のボンディングメタル部の面積よりも小さいことを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１０】
前記上部基板は、導電性であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１１】
前記上部基板は、ＧａＮ、ＳｉＣのうちいずれかの物質から形成されたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１２】
前記下部基板は、非導電性基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１３】
前記下部基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１４】
前記下部基板は、導電性であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１５】
前記第１発振部と第２発振部とが電気的に絶縁されるように、前記下部基板と前記第１発振部との間に介在した第１電流制限層と、前記下部基板と第２発振部との間に介在した第２電流制限層とをさらに備えていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１６】
前記下部基板は、ＧａＮ、ＳｉＣのうちいずれかの物質から形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１７】
前記第１ないし第４発振部のそれぞれは、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を備え、前記ｐ型クラッド層は、リッジ構造を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【請求項１８】
前記第１ないし第４発振部のそれぞれは、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を備え、前記ｎ型およびｐ型クラッド層と活性層とは、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表現される窒化ガリウム系化合物のうちから選択されたいずれかの化合物を基本として形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオードアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザダイオードアレイに係り、さらに詳細には、二つの発振部を有するデュアル構造の半導体レーザダイオードチップを接合して製造された半導体レーザダイオードアレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザダイオードは、化合物半導体の特性を利用して電気的信号をレーザ光に変化させる。このような半導体レーザダイオードは、画像形成装置を含む多様な分野で使われている。例えば、複写機やプリンタのように印刷用紙に画像を印刷する画像形成装置の光走査装置に使われる半導体レーザダイオードは、帯電された感光媒体にレーザ光を照射して静電潜像を形成させる。
【０００３】
近年、画像形成装置には、より速い印刷速度でしかも高解像度で印刷することが要求されている。高解像度を具現するために、従来の赤外線レーザダイオードや赤色レーザダイオードの代りに窒化物系半導体で製作された青色レーザダイオードを利用することで、さらに小さなスポットサイズで走査する方法が採用されている。また、高速印刷のために、複数個のレーザ光を同時に走査して印刷速度を高める方法が開発されている。ところが、複数個のレーザ光を同時に走査するレーザダイオードアレイにおいて、レーザダイオードの間隔は、２０μｍ程度と狭く維持することが必要である。したがって、高速高解像度の印刷をするためには、コンパクトな窒化物系半導体レーザアレイを開発することが重要な技術的課題として要求されている。特に、このような半導体レーザダイオードアレイにおけるレーザダイオードは、レーザダイオードの間隔が非常に狭いので、それぞれのレーザダイオードを独立して駆動するためにｐ型メタル層を効率的に形成することが重要である。
【特許文献１】特開２００４−２７４０８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、前記のような問題点を勘案して案出されたものであって、半導体レーザダイオードの発光点の間隔を狭く配置することが可能であり、電極構造が単純な半導体レーザダイオードアレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するために、本発明による半導体レーザダイオードアレイは、下部基板と、前記下部基板に設けられた第１発振部と、前記下部基板に前記第１発振部と離隔されて設けられた第２発振部とを有するデュアル構造の下部半導体レーザダイオードチップと、上部基板と、前記上部基板に設けられた第３発振部と、前記上部基板に前記第３発振部と離隔されて設けられた第４発振部とを有するデュアル構造の上部半導体レーザダイオードチップと、前記第１ないし第４発振部を外部と電気的に連結する電極部とを備え、前記第１ないし第４発振部のレーザ光が放出される第１ないし第４発光点が２次元的に配列されるように、前記第１発振部と前記第３発振部とは垂直接合され、前記第２発振部と前記第４発振部とが垂直接合されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明による半導体レーザダイオードアレイは、デュアルリッジ構造のレーザダイオードチップを垂直接合して製造することによって、次のような効果を得ることができる。
【０００７】
第一に、半導体レーザダイオードアレイの発光点の間隔を十分に狭くできる。
【０００８】
第二に、半導体レーザダイオードアレイの電極構造が単純であるため、その製造が容易である。
【０００９】
第三に、良質のデュアルリッジ構造のレーザダイオードチップを選択して接合することにより、発振部の性能が均一であり、その生産収率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明の第１実施形態による半導体レーザダイオードアレイの概略的な断面図であり、図２は、図１の分離断面図である。図３は、図１の電気回路図である。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態による半導体レーザダイオードアレイは、第１及び第２発振部１２０、１４０を有するデュアル構造の下部半導体レーザダイオードチップ１００上に第３及び第４発振部２２０、２４０を有するデュアル構造の上部半導体レーザダイオードチップ２００がひっくり返して垂直に接合された構造である。前記下部及び上部半導体レーザダイオードチップ１００、２００は、側面放出型レーザダイオードである。前記第１ないし第４発振部１２０、１４０、２２０、２４０のレーザ光が放出される第１ないし第４発光点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４は、前記第１ないし第４発振部１２０、１４０、２２０、２４０の側面に、図面上では紙面に、２次元的に配列されている。
【００１３】
下部半導体レーザダイオードチップ１００は、下部基板１１０上に積層されて設けられた第１及び第２発振部１２０、１４０を有するデュアルリッジ構造である。
【００１４】
前記下部基板１１０は、例えば、サファイア基板のような非導電性基板が使われうる。前記下部基板１１０の下部には、ヒートシンク（図示せず）がさらに配置されてもよく、前記ヒートシンクを通じて、前記第１ないし第４発振部１２０、１４０、２２０、２４０から発生した熱が効率的に発散されうる。
【００１５】
前記下部基板１１０上には、第１発振部１２０と第２発振部１４０とが所定距離離隔されて、共に積層されて形成される。
【００１６】
前記第１発振部１２０は、例えば図２に示すように、前記下部基板１１０上に順次に積層された第１ｎ型コンタクト層１２１、第１ｎ型クラッド層１２２、第１ｎ型導波層１２３、第１活性層１２４、第１ｐ型導波層１２５、第１ｐ型クラッド層１２６、第１ｐ型メタル層１２７、及び第１ボンディングメタル層１２９を備える。
【００１７】
前記第１ｎ型コンタクト層１２１、第１ｎ型クラッド層１２２、第１ｎ型導波層１２３、第１活性層１２４、第１ｐ型導波層１２５、第１ｐ型クラッド層１２６は、窒化物系化合物半導体、例えば、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−（ｘ＋ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表現される化合物から選択されたいずれかの化合物を基本として形成されうる。
【００１８】
前記第１活性層１２４は、単層またはＭＱＷ層など公知の多様な方式で構成されうる。
【００１９】
前記第１ｐ型クラッド層１２６は、ストライプ状に突出したリッジ構造を有する。このようなリッジ構造は、注入される電流を制限して第１活性層１２４でのレーザ発振のための共振領域を制限することによって、レーザ発振のための臨界電流値を小さくし、かつ多重横モードの発振を抑制する。前記第１ｎ型導波層１２３、第１活性層１２４、及び第１ｐ型導波層１２５で共振されてレーザ光が発振され、側面を介してレーザ光が放出される。
【００２０】
前記第１ｐ型クラッド層１２６のリッジ上部には、第１ｐ型メタル層１２７が設けられている。前記第１ｐ型クラッド層１２６と前記第１ｐ型メタル層１２７とは、第１ボンディングメタル層１２９で覆われている。前記第１ｐ型クラッド層１２６と前記第１ボンディングメタル層１２９との間には、絶縁性誘電物質から形成された第１絶縁層１２８が介在している。
【００２１】
前記第２発振部１４０は、前記下部基板１１０上に前記第１発振部１２０に離隔されて順次に積層された第２ｎ型コンタクト層１４１、第２ｎ型クラッド層１４２、第２ｎ型導波層１４３、第２活性層１４４、第２ｐ型導波層１４５、第２ｐ型クラッド層１４６、第２ｐ型メタル層１４７、第２ボンディングメタル層１４９を備える。前記第２ｐ型クラッド層１４６と前記第２ボンディングメタル層１４９との間には、第２絶縁層１４８が介在している。このような第２発振部１４０は、前記第１発振部１２０と実質的に同様の構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【００２２】
上部半導体レーザダイオードチップ２００は、上部基板２１０上に積層された第３及び第４発振部２２０、２４０を有するデュアルリッジ構造である。
【００２３】
前記第３発振部２２０は、第３ｎ型クラッド層２２２、第３ｎ型導波層２２３、第３活性層２２４、第３ｐ型導波層２２５、第３ｐ型クラッド層２２６、第３ｐ型メタル層２２７、第３ボンディングメタル層２２９を備える。前記第３ｐ型クラッド層２２６と前記第３ボンディングメタル層２２９との間には、第３絶縁層２２８が介在している。前記第４発振部２４０は、第４ｎ型クラッド層２４２、第４ｎ型導波層２４３、第４活性層２４４、第４ｐ型導波層２４５、第４ｐ型クラッド層２４６、第４ｐ型メタル層２４７、第４ボンディングメタル層２４９を備える。前記第４ｐ型クラッド層２４６と前記第４ボンディングメタル層２４９との間には、第４絶縁層２４８が介在している。前記第３及び第４発振部２２０、２４０は、後述するように上部基板２１０に同時に積層されて形成される。前記第３及び第４発振部２２０、２４０の各層の構成は、前記第１発振部２１０の対応する各層の構成と実質的に同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００２４】
前記第１ないし第４発振部１２０、１４０、２２０、２４０を外部と電気的に連結する電極部は、第１ないし第５電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５から構成される。
【００２５】
第１電極Ｐ１は、第１ｎ型コンタクト層１２１の一部が段差を持って露出された部分に設けられる。第２電極Ｐ２は、第２ｎ型コンタクト層１４１の一部が段差を持って露出された部分に設けられる。
【００２６】
前記第１ボンディングメタル層１２９と第３ボンディングメタル層２２９とは、互いに接合され、前記第２ボンディングメタル層１４９と第４ボンディングメタル層２４９とは、互いに接合される。この時、前記第１ボンディングメタル層１２９の一部は、露出されて第３電極Ｐ３となり、前記第２ボンディングメタル層１４９の一部は、露出されて第４電極Ｐ４となる。このように、下部及び上部半導体レーザダイオードチップ１００、２００が接合される時、前記第１及び第２ボンディングメタル層１２９、１４９の一部が露出されるように、前記第３ボンディングメタル層２２９の面積が前記第１ボンディングメタル層１２９の面積より小さく、前記第４ボンディングメタル層２４９の面積が前記第２ボンディングメタル層１４９の面積より小さいことが望ましい。
【００２７】
前記上部基板２００としては、例えば、ＧａＮ、ＳｉＣのような導電性基板が使われる。前記上部基板２００は、前記第１及び第２発振部により支持される。前記上部基板２００の前記第３及び第４発振部２２０、２４０により支持される面の裏面には、第５電極Ｐ５が設けられる。
【００２８】
図３を参照すれば、前記第１電極Ｐ１は、前記第１発振部１２０のｎ型電極となり、前記第２電極Ｐ２は、前記第２発振部１４０のｎ型電極となる。前記第３電極Ｐ３は、前記第１及び第３発振部１２０、２２０の共通のｐ型電極となり、第４電極Ｐ４は、前記第２及び第４発振部１４０、２４０の共通のｐ型電極となる。また、前記第５電極Ｐ５は、前記第３及び第４発振部２２０、２４０の共通のｎ型電極となる。前記第１ないし第５電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５を通じて第１ないし第４発振部１２０、１４０、２２０、２４０は、独立して駆動できる。前記のような電極部を有する本実施形態の半導体レーザダイオードアレイは、従来の米国特許第６，８１６，５２８号に開示されたエアブリッジ型の電極構造を有する４−発光レーザダイオードアレイに比べてその構造が単純であるため、製造が容易である。
【００２９】
プリンタや印刷機に使われる半導体レーザダイオードアレイは、十分な解像度を提供できるようにするために、レーザスポットの間隔が十分に狭い必要がある。さらに図１を参照すれば、デュアルリッジ構造の半導体レーザダイオードは、リッジの間隔が数十μｍ範囲内にあるように製造することができるので、本実施形態の半導体レーザダイオードアレイの発光点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の水平方向の間隔ｘ１、ｘ２、ｘ３を十分に狭くすることができる。また、下部及び上部半導体レーザダイオードチップ１００、２００の接合において、発光点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４と近いｐ型ボンディングメタル層１２９、１４９、２２９、２４９が接合されるので、発光点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の垂直方向の間隔ｙも十分に狭めることができる。前記発光点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の中心間の距離は、望ましくは５０μｍ以内の範囲にあり、より望ましくは２０μｍ以内の範囲にある。
【００３０】
本実施形態の場合、前記第１ないし第４発振部１２０、１４０、２２０、２４０は、前記発光点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４が水平方向から見たときに互いにずれるように配置される。望ましくは、前記発光点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の水平方向の間隔ｘ１、ｘ２、ｘ３が一定になるように配置される。前記発光点Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の水平方向の間隔ｘ１、ｘ２、ｘ３は、３０μｍ以内の範囲、さらに望ましくは、５μｍ以内の範囲にある。高速高解像度の印刷を行う複写機やプリンタで使われるレーザダイオードアレイは、レーザスポットを一方向に稠密で、かつ一定の間隔に維持することが重要である。本実施形態の半導体レーザダイオードアレイは、出射されるレーザビームを一方向に十分に小さくし、かつ一定の間隔に維持することができるので、高速高解像度の印刷を行う複写機やプリンタの使用に適している。
【００３１】
本実施形態の半導体レーザダイオードアレイは、二つの発振部を有するデュアル構造の上部及び下部半導体レーザダイオードチップ１００、２００が垂直に接合されて製造される一方、従来の４−発光レーザダイオードアレイは、４個の発振部が同時に形成されて製造される。本実施形態は、上部及び下部半導体レーザダイオードチップ１００、２００を垂直に接合する前に、良質の半導体レーザダイオードチップを選択することができるので、従来の半導体レーザダイオードアレイに比べて４個の発振部の性能が均一であり、その生産収率が向上する。
【００３２】
実施形態の場合、上部及び下部半導体レーザダイオードチップ１００、２００を垂直に接合する前に、良質のレーザダイオードチップを選択することによってその生産収率を向上させることができる。
【００３３】
図４は、本発明の第２実施形態による半導体レーザダイオードアレイの概略的な断面図である。
【００３４】
図４を参照すれば、本実施形態による半導体レーザダイオードアレイは、下部基板１１１と、前記下部基板に設けられた第１及び第２発振部１２０、１４０と、前記第１及び第２発振部１２０、１４０のそれぞれと垂直接合される第３及び第４発振部２２０、２４０と、前記第３及び第４発振部２２０、２４０により支持される上部基板２１０とを備える。
【００３５】
本実施形態の場合、前記の第１実施形態とは違って、前記下部基板１１１として、例えばＧａＮ、ＳｉＣのような導電性物質が使われる。前記第１ないし第４発振部１２０、１４０、２２０、２４０が独立的に駆動されるように、前記第１発振部１２０と前記第２発振部１４０とは電気的に絶縁させる。このために、前記下部基板１１１と前記第１発振部１２０との間には、第１電流制限層１１５が介在しており、前記下部基板１１１と第２発振部１４０との間には、第２電流制限層１３５が介在している。前記第１及び第２電流制限層１１５、１３５は、ドーピングされていないか、またはｐ型でドーピングされた半導体層で形成される。このような第１及び第２電流制限層１１５、１３５を利用することによって、本発明の半導体レーザダイオードアレイの下部基板として非導電性基板に限定されず、導電性基板が使われうる。
【００３６】
本実施形態の半導体レーザダイオードアレイの構成は、下部基板１１１と第１及び第２電流制限層１１５、１３５との以外には、前記の第１実施形態の構成と実質的に同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００３７】
図５は、本発明の第３実施形態による半導体レーザダイオードアレイの概略的な断面図である。
【００３８】
図５を参照すれば、本実施形態による半導体レーザダイオードアレイは、下部基板１１０と、前記下部基板に設けられた第１及び第２発振部１２０´、１４０´と、前記第１及び第２発振部１２０´、１４０´のそれぞれと垂直接合される第３及び第４発振部２２０´、２４０´と、前記第３及び第４発振部２２０´、２４０´により支持される上部基板２１０とを備える。本実施形態は、前記第１発振部１２０´の第１発光点Ｌ１´と前記第３発振部１４０´の第３発光点Ｌ３´とは、垂直方向に一直線上に整列され、前記第２発振部２２０´の第２発光点Ｌ２´と前記第４発振部２４０´の第４発光点Ｌ４´とは、垂直方向に一直線上に整列されるという点から、前記の第１及び第２実施形態と相違している。すなわち、本実施形態の第１ないし第４発光点Ｌ１´、Ｌ２´、Ｌ３´、Ｌ４´は、前記第１ないし第４発振部１２０´、１４０´、２２０´、２４０´の側面で長方形の頂点をなす。前記第１ないし第４発光点Ｌ１´、Ｌ２´、Ｌ３´、Ｌ４´の間隔ｘ、ｙは、５０μｍ以内の範囲、望ましくは、２０μｍ以内の範囲にある。
【００３９】
本実施形態の半導体レーザダイオードアレイが複写機やプリンタのレーザ走査装置に使われる場合、前記半導体レーザダイオードアレイを所定角度で回転させることによって、レーザスポットを一方向に、一定の間隔に維持することができる。
【００４０】
本実施形態の半導体レーザダイオードアレイの構成は、第１ないし第４発光点Ｌ１´、Ｌ２´、Ｌ３´、Ｌ４´の整列位置を除いては、前記の第１実施形態の構成と実質的に同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００４１】
前記の実施形態において窒化物系の半導体物質から形成された場合を説明したが、本発明はこれに限定されず、他の物質から形成された一般的な半導体レーザダイオードアレイにも適用されうる。また、本発明の半導体レーザダイオードアレイの４個の発振部は、同一波長帯のレーザ光を照射するのに限定されず、発振部を構成する化合物半導体によって第１及び第２発振部から出射されるレーザ光の波長帯と第３及び第４発振部から出射されるレーザ光の波長帯とが互いに異なってもよい。
【００４２】
このような本発明の半導体レーザダイオードは、理解を助けるために図面に示す実施形態を参考として説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点が理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、レーザダイオード関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザダイオードアレイの概略的な断面図である。
【図２】図１の分離断面図である。
【図３】図１の半導体レーザダイオードアレイの回路図である。
【図４】本発明の第２実施形態による半導体レーザダイオードアレイの概略的な断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態による半導体レーザダイオードアレイの概略的な断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１００、２００  半導体レーザダイオードチップ、
１１０、２１０  基板、
１２０、１４０、２２０、２４０    第１ないし第４発振部、
１２１、１４１  第１及び第２ｎ型コンタクト層、
１２２、１４２、２２２、２４２  第１ないし第４ｎ型クラッド層、
１２３、１４３、２２３、２４３  第１ないし第４ｎ型導波層、
１２４、１４４、２２４、２４４  第１ないし第４活性層、
１２５、１４５、２２５、２４５  第１ないし第４ｐ型導波層、
１２６、１４６、２２６、２４６  第１ないし第４ｐ型クラッド層、
１２７、１４７、２２７、２４７  第１ないし第４ｐ型メタル層、
１２８、１４８、２２８、２４８  第１ないし第４絶縁層、
１２９、１４９、２２９、２４９  第１ないし第４ボンディングメタル層、
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４  第１ないし第４発光点、
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５  第１ないし第５電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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