(57)【要約】 【課題】  陰極からエレクトロルミネセンス（ＥＬ）層に電子を注入する改善された効率性を有するエレクトロルミネセンス素子とその製造方法を提供する。【解決手段】  エレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムであって、基板、前記基板の上に形成された陽極、前記陽極の上に形成されたエレクトロルミネセンス層、前記エレクトロルミネセンス層の上に形成され、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層を含む電子注入層、および前記電子注入層の上に直接形成された陰極を含むシステム。【選択図】      図２
2007281454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムであって、
基板、
前記基板の上に形成された陽極、
前記陽極の上に形成されたエレクトロルミネセンス層、
前記エレクトロルミネセンス層の上に形成され、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層を含む電子注入層、および
前記電子注入層の上に直接形成された陰極を含むシステム。
【請求項２】
前記電子注入層は、０.１〜５ｎｍの厚さを有する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記エレクトロルミネセンス層は、ホール輸送層、発光層と、電子輸送層を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記電子注入層は、前記電子輸送層と前記陰極の間に形成される請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記アクチニド含有層は、アクチニドフッ化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、アクチニド塩化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、アクチニド臭化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｂｒｏｍｉｄｅ）、アクチニド酸化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｏｘｉｄｅ）、アクチニド窒化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、アクチニド硫化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、アクチニド炭酸（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ランタニド含有層は、ランタニドフッ化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ランタニド塩化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ランタニド臭化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｂｒｏｍｉｄｅ）、ランタニド酸化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｏｘｉｄｅ）、ランタニド窒化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ランタニド硫化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、ランタニド炭酸塩（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記電子注入層は、ハロゲン化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｈａｌｉｄｅ）、窒化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、硫化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｓｕｌｆｉｄｅ）、酸フッ化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ）、炭酸セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記電子注入層は、ＣｅＦ３、ＣｅＦ４、またはその組合せを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記エレクトロルミネセンス素子は、前記ディスプレイパネルの一部を形成する請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
電子素子を更に含み、前記電子素子は、
前記ディスプレイパネル、および
前記ディスプレイパネルに接続され、前記ディスプレイパネルに入力を選択的に提供することで、前記ディスプレイパネルに画像を表示させる請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記電子素子は、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、ノート型コンピュータ、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーである請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
画像表示システムの製造方法であって、前記システムは、エレクトロルミネセンス素子を含み、前記方法は、
基板を提供するステップ、
前記基板上に、陽極、エレクトロルミネセンス層、電子注入層および陰極を順次に形成するステップを含み、前記電子注入層はランタニド含有層またはアクチニド含有層を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
前記電子注入層は、０.１〜５ｎｍの厚さを有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エレクトロルミネセンス層は、ホール輸送層、発光層と、電子輸送層を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記電子注入層は、前記電子輸送層と前記陰極の間に形成される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記アクチニド含有層は、アクチニドフッ化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、アクチニド塩化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、アクチニド臭化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｂｒｏｍｉｄｅ）、アクチニド酸化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｏｘｉｄｅ）、アクチニド窒化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、アクチニド硫化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、アクチニド炭酸（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記ランタニド含有層は、ランタニドフッ化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ランタニド塩化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ランタニド臭化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｂｒｏｍｉｄｅ）、ランタニド酸化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｏｘｉｄｅ）、ランタニド窒化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ランタニド硫化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、ランタニド炭酸塩（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記電子注入層は、ハロゲン化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｈａｌｉｄｅ）、窒化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、硫化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｓｕｌｆｉｄｅ）、酸フッ化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ）、炭酸セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記電子注入層は、ＣｅＦ３、ＣｅＦ４、またはその組合せを含む請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス素子とその製造方法に関し、特に、陰極からエレクトロルミネセンス（ＥＬ）層に電子を注入する改善された効率性を有するエレクトロルミネセンス素子とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、携帯電話、ＰＤＡと、ノートパソコンなどの電子製品の発展と広い用途に伴って、低電力消費と小型のフラットパネルディスプレイの需要が増加している。有機エレクトロルミネセンス素子は、自己発光で光度が高く、高視野角、高速応答、容易な組立てプロセスなどの特性を持つため、次世代のディスプレイとして最適にさせている。
【０００３】
図１に示すように、有機エレクトロルミネセンス素子１０は、基本的に、陽極１４が基板１２の上に形成され、ホール輸送層１６、発光層１８、電子輸送層２０と、陰極２２が陽極１４の上に順次に堆積されて構成される。ここでは、ホール輸送層１６、発光層１８と、電子輸送層２０は、有機材料でできている有機層である。
【０００４】
有機エレクトロルミネセンスでは、電子は、陰極と陽極からの正孔から押し出され、供給された電場が電位差を生じさせる。よって、電子と正孔が移動し、電子輸送層、または正孔輸送層を経由して発光層にそれぞれ集め、その再結合によって発光を生じさせる。再結成は、発光層とホール輸送層（または電子輸送層）間のインターフェースに近隣の領域の発光層内で行われ、励起子を発生させる。発生された励起子は、励起された状態から接地状態に脱励起し、よって、画像を形成する。
【０００５】
低駆動電圧特性と電子と正孔間の荷電平衡を改善するために、陰極から電子輸送層に電子を注入する効率を増す必要がある。このような注入効率を増すための従来の方法（特許文献１参照）は、例えば、リチウムまたはマグネシウムなどの低仕事関数を有するアルカリ金属の使用、アルカリ金属とアルミニウムまたは銀などの金属の共蒸着、またはアルカリ金属とアルミニウムまたは銀などの金属の合金の使用をそれぞれ説明している。低仕事関数を有する金属が非常に不安定で反応性に富むことから、金属の使用は、エレクトロルミネセンス素子の処理可能性と安定性の点で不利である。
【０００６】
電子注入効率を増すその他の技術（特許文献２参照）が掲示されており、例えば、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＳｒＯ、またはＬｉ２Ｏなどの無機材料を含む、厚さが５〜２０Åの電子注入層が陰極と電子輸送層の間に形成されている。
【０００７】
近年、電子注入効率を増すその他の方法が掲示されており、例えば、ＣＨ３ＣＯＯＬｉ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＬｉなどの金属アルキレート（ｍｅｔａｌａｌｋｙｌａｔｅ）、または金属アリール（ｍｅｔａｌ ａｒｙｌａｔｅ）が陰極と電子輸送層の間に形成されている。この方法もまた、５〜４０Åの均一な厚さを有する薄膜を形成することが困難であり、大面積の蒸着に適さない点で問題である。
【０００８】
よって、発光効率を高めるために、陰極からエレクトロルミネセンス（ＥＬ）層に電子を注入する改善された効率性を有するエレクトロルミネセンス素子のアクティブマトリクス有機ＥＬ素子が求められている。  
【０００９】
【特許文献１】米国特許第５，４２９，８８４、５，０５９，８６２と、５，０５９，８６２号
【特許文献２】米国特許第５，７７６，６２２、５，７７６，６２３、５，９３７，２７２と、５，７３９，６３５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
陰極からエレクトロルミネセンス（ＥＬ）層に電子を注入する改善された効率性を有するエレクトロルミネセンス素子とその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
画像表示システムが提供される。この点において、このようなシステムの模範的な実施例は、基板、前記基板の上に形成された陽極、前記陽極の上に形成された複数のエレクトロルミネセンス層、前記エレクトロルミネセンス層の上に形成された電子注入層と、前記電子注入層の上に直接形成された陰極を含む有機エレクトロルミネセンス素子を含む。前記電子注入層は、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層であることができる。
【００１２】
また、画像表示システムの製造方法が提供される。まず、基板が提供される。陽極、エレクトロルミネセンス層、電子注入層と、陰極が前記基板の上に順次に形成され、前記電子注入層は、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層を含む。前記電子注入層は、前記陰極の上に直接、形成される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のエレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムおよびその製造方法によれば、電子注入層を用いて、陰極からエレクトロルミネセンス（ＥＬ）層に電子を注入するのを促進することで、改善された効率性を有するエレクトロルミネセンス素子とその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。
【実施例】
【００１５】
本発明は、電子注入層を用いて陰極からエレクトロルミネセンス層に電子を注入するのを促進する。
【００１６】
図２は、エレクトロルミネセンス素子１００を含む画像表示システムの実施例を表している。図２に示すように、１つの実施例に基づいて、エレクトロルミネセンス素子１００は、基板１１０、陽極１２０、エレクトロルミネセンス層１３０、電子注入層１４０と、陰極１５０を含む。基板１１０は、ガラス、またはプラスチックであることができる。陽極１２０に適する材料は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ（ＡＺＯ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明な金属、または金属酸化物であり、スパッタリング、電子ビーム蒸着、熱蒸着、または化学蒸着によって形成される。
【００１７】
エレクトロルミネセンス層１３０は、ホール注入層１３１、ホール輸送層１３２、発光層１３３と、電子輸送層１３４を含むことができ、例えば、低分子有機材料、高分子、または有機金属錯体の有機半導体材料を含み、真空蒸着（熱蒸着）、スピンコーティング、浸漬被覆、ロールコーティング、射出充填（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ−ｆｉｌｌｉｎｇ）、エンボス加工、スタンピング、物理蒸着、または化学蒸着によって形成される。各層の厚さは、特に限定されないが、厚すぎた場合、固定の光出力を得るために、大量の供給電圧が必要とされ、よって、効率を減少する。逆に、薄すぎた場合、ピンホール（ｐｉｎ−ｈｏｌｅｓ）が発生する。各層１３１、１３２、１３３と、１３４の厚さは、好ましくは、１ｎｍ〜１μｍである。
【００１８】
特に、電子注入層１４０は、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層を含み、エレクトロルミネセンス層１３０と陰極１５０の間に形成され、その厚さは、０.１〜５ｎｍであり、好ましくは０.１〜１ｎｍである。アクチニド含有層は、アクチニドフッ化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、アクチニド塩化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、アクチニド臭化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｂｒｏｍｉｄｅ）、アクチニド酸化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｏｘｉｄｅ）、アクチニド窒化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、アクチニド硫化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、アクチニド炭酸（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含むことができ、ランタニド含有層は、ランタニドフッ化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ランタニド塩化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ランタニド臭化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｂｒｏｍｉｄｅ）、ランタニド酸化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｏｘｉｄｅ）、ランタニド窒化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ランタニド硫化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、ランタニド炭酸塩（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含むことができる。ランタニド、またはアクチニド素子は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕと、Ｕからなる素子のグループから選択されることができる。例えば、本発明の実施例では、電子注入層１４０は、ハロゲン化セリウム（ｃｅｒｉｕｍｈａｌｉｄｅ）（例えば、ＣｅＦ３またはＣｅＦ４）、窒化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、硫化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｓｕｌｆｉｄｅ）、酸フッ化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ）、炭酸セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含むことができる。
【００１９】
陰極１５０は、電子注入層１４０によって、電子をエレクトロルミネセンス層１３０に注入することができ、例えば、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉまたはその合金などの低仕事関数の材料は、スパッタリング、電子ビーム蒸着、熱蒸着、または化学蒸着によって形成される。
【００２０】
実施例１
１００ｎｍのＩＴＯ膜のガラス基板が提供され、続いて、超音波かくはんで清浄剤、アセトンと、イソプロパノールによって洗浄される。窒素フローで乾燥した後、ＩＴＯ膜は、ｕｖ／オゾン処理を受ける。次に、１０−５Ｐａでホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層と、アルミニウム電極がＩＴＯ膜上に順次に形成され、エレクトロルミネセンス素子（１）を得る。明確にするために、形成される材料と層を下記に説明する。
【００２１】
１５０ｎｍの厚さのホール輸送層は、NPB (N,N'-ジ-1-ナフチル-N,  N'-ジフェニル-1,1'-ビフェニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン)から成る。４０ｎｍの厚さの発光層１８は、ドーパントとして、C545T (10-(2-ベンゾチアゾリル)-2,3,6,7-テトラヒドロ- 1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H,11H-(1)-ベンゾピロピラノ(6,7-8-i,j)キノリジン-11-ワン)、発光ホスト材料（ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ ｈｏｓｔ）として、Alq3 (トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム) から成り、Ａｌｇ３とドーパント間の重量比は、１００：１である。１０ｎｍの厚さの電子輸送層は、BeBq2(ビス(10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム)からなる。１ｎｍの厚さの電子注入層は、フッ化物セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）（ＣｅＦ４）から成る。
【００２２】
エレクトロルミネセンス素子（１）の構造は、下記のように表すことができる：
ITO 100nm/NPB 150nm/Alq3:C545T 100:1 40nm/BeBq2 30nm/CeF4 10A/Al150nm
【００２３】
エレクトロルミネセンス素子（１）の光学特性は、実施例１に説明されたように、ＰＲ６５０（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｃ．より購入）とミノルタＴＳ１１０によって測定される。図３は、エレクトロルミネセンス素子（１）の電流密度に対する操作電圧のグラフ作図を表しており、図４は、エレクトロルミネセンス素子（１）の輝度に対する操作電圧のグラフ作図を表している。
【００２４】
実施例２
１００ｎｍのＩＴＯ膜のガラス基板が提供され、続いて、超音波かくはんで清浄剤、アセトンと、エタノールによって洗浄される。窒素フローで乾燥した後、ＩＴＯ膜は、ｕｖ／オゾン処理を受ける。次に、１０−５Ｐａでホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層と、アルミニウム電極がＩＴＯ膜上に順次に形成され、エレクトロルミネセンス素子（２）を得る。明確にするために、形成される材料と層を下記に説明する。
【００２５】
５ｎｍの厚さのホール注入層は、ＬＧＣ１０１（ＬＧ Ｃｈｅｍ，ＬＴＤ．より購入）から成る。１５０ｎｍの厚さのホール輸送層は、NPB (N,N'-di-1-ナフチルl-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビフェニル-1,1'-ビフェニルl-4,4'-ジアミン)から成る。４０ｎｍの厚さの発光層１３３は、ドーパントとして、C545T(10-(2-ベンゾチアゾリル)-2,3,6,7-テトラヒドロ-1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H,  11H-(1)-ベンゾピロピラノ(6,7-8-i,j)キノリジン-11-ワン)、発光ホスト材料（ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ ｈｏｓｔ）として、Alq3 (トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム) から成り、Ａｌｇ３とドーパント間の重量比は、１００：１である。１０ｎｍの厚さの電子輸送層は、BeBq2(ビス(10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム)からなる。０.３ｎｍの厚さの電子注入層は、フッ化物セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）（ＣｅＦ４）から成る。
【００２６】
エレクトロルミネセンス素子（２）の構造は、下記のように表すことができる：
ITO 100nm/LG101 5nm/NPB 150nm/Alq3:C545T 100:1 40nm/BeBq2 30nm/CeF4 3A/Al150nm
【００２７】
実施例３〜４
実施例３と４は、フッ化物セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）の厚さが０.５ｎｍから１ｎｍに増加されたことを除いて、実施例２と同じようにそれぞれ行われる。
【００２８】
実施例５〜７
実施例５〜７はまた、実施例２〜４にそれぞれ説明されたエレクトロルミネセンス素子の特性の違いを表している。実施例５〜７では、実施例４に説明された１０Å厚さのフッ化物セリウム層のエレクトロルミネセンス素子は、低操作電圧と高効率を有する。
【００２９】
図８は、画像表示システムのもう１つの実施例を概略的に表しており、この場合は、ディスプレイ装置１６０、または電子素子２００として実施される。説明された有機エレクトロルミネセンス素子１００は、ディスプレイパネルの中に組み込まれることができ、ＯＬＥＤパネルであることができる。図８に示すように、ディスプレイパネル１６０は、図２に示すエレクトロルミネセンス素子１００のように、エレクトロルミネセンス素子を含む。ディスプレイパネル１６０は、各種の電子素子の一部を形成することができる。一般的に、電子素子２００のような画像を表示するシステムは、ディスプレイ装置１６０と入力ユニット１８０を含むことができる。また、入力ユニット１８０は、ディスプレイパネル１６０に選択的に接続され、入力信号（例えば、画像信号）をディスプレイパネル１６０に提供し、画像を発生させる。電子素子２００は、例えば、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、ノート型コンピュータ、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーであることができる。
【００３０】
以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来のエレクトロルミネセンス素子の断面図を表している。
【図２】本発明の実施例に基づいたエレクトロルミネセンス素子の断面図を表している。
【図３】実施例１に述べられたエレクトロルミネセンス素子（１）の電流密度に対する操作電圧のグラフ作図を表している。
【図４】実施例１に述べられたエレクトロルミネセンス素子（１）の輝度に対する操作電圧のグラフ作図を表している。
【図５】実施例２〜４に述べられたエレクトロルミネセンス素子の電流密度に対する操作電圧のグラフ作図を表している。
【図６】実施例２〜４に述べられたエレクトロルミネセンス素子の輝度に対する操作電圧のグラフ作図を表している。
【図７】実施例２〜４に述べられたエレクトロルミネセンス素子の効率に対する操作電圧のグラフ作図を表している。
【図８】画像表示システムのもう１つの実施例を概略的に表している。
【符号の説明】
【００３２】
１０  有機エレクトロルミネセンス素子
１２  基板
１４  陽極
１６  ホール輸送層
１８  発光層
２０  電子輸送層
２２  陰極が陽極
１００  エレクトロルミネセンス素子
１１０  基板
１２０  陽極
１３０  エレクトロルミネセンス層
１３１  ホール注入層
１３２  ホール輸送層
１３３  発光層
１３４  電子輸送層
１４０  電子注入層
１５０  陰極
１６０  ディスプレイパネル
１８０  入力端子
２００  エレクトロルミネセンス層の表示画像システム
【図１】
2007281454.tif 000003
【図２】
2007281454.tif 000004
【図３】
2007281454.tif 000005
【図４】
2007281454.tif 000006
【図５】
2007281454.tif 000007
【図６】
2007281454.tif 000008
【図７】
2007281454.tif 000009
【図８】
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