(57)【要約】【課題】ボロン拡散層を用いずに、振動板の厚み精度の向上を図るとともに、絶縁膜の絶縁耐圧の低下を抑制すること。【解決手段】液滴を吐出する単一または複数のノズル孔１１を有するノズル基板１と、ノズル基板１との間で、ノズル孔１１のそれぞれに連通する吐出室２１となる凹部が形成されたキャビティ基板２と、吐出室２１の底部にて構成される振動板８に所定のギャップを介して対向配置される個別電極５が形成された電極基板３とを備えた液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板８を、キャビティ基板２が電極基板３と接合される接合面に形成された絶縁膜６と、この絶縁膜６上でキャビティ基板２の表面全面に形成された導電膜７とから構成する。【選択図】図２
2007210241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された固定電極と、この固定電極に所定のギャップを介して対向配置された可動電極と、前記固定電極と前記可動電極との間に静電気力を発生させて該可動電極に変位を生じさせる駆動手段とを備えた静電アクチュエータにおいて、
前記可動電極が、前記固定電極に所定のギャップを介して対向配置された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された導電膜とから構成されていることを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項２】
前記絶縁膜は、酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料により構成されていることを特徴とする請求項１記載の静電アクチュエータ。
【請求項３】
前記導電膜は、金属材料により構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の静電アクチュエータ。
【請求項４】
シリコン基板の片面に絶縁膜を形成する工程と、
予め凹部内に固定電極が形成された電極基板に、前記シリコン基板を前記絶縁膜を介して接合する工程と、
接合後の前記シリコン基板を薄板に加工する工程と、
薄板に加工された前記シリコン基板からエッチングによりシリコンを除去して、少なくとも前記固定電極に対向する部分に前記絶縁膜を残す工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜には、酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料を用いることを特徴とする請求項４記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項６】
前記導電膜には、金属材料を用いることを特徴とする請求項４または５記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜を残す工程は、ドライエッチングまたはウェットエッチング後にドライエッチングを行うことを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項８】
液滴を吐出する単一または複数のノズル孔を有するノズル基板と、前記ノズル基板との間で、前記ノズル孔のそれぞれに連通する吐出室となる凹部が形成されたキャビティ基板と、前記吐出室の底部にて構成される振動板に所定のギャップを介して対向配置される個別電極が形成された電極基板とを備えた液滴吐出ヘッドにおいて、
前記振動板は、前記キャビティ基板が前記電極基板と接合される接合面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記キャビティ基板の表面全面に形成された導電膜とから構成されていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項９】
前記絶縁膜は、酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料により構成されていることを特徴とする請求項８記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１０】
前記導電膜は、金属材料により構成されていることを特徴とする請求項８または９記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１１】
液滴を吐出する単一または複数のノズル孔を有するノズル基板と、前記ノズル基板との間で、前記ノズル孔のそれぞれに連通する吐出室となる凹部が形成されたキャビティ基板と、前記吐出室の底部にて構成される振動板に所定のギャップを介して対向配置される個別電極が形成された電極基板とを備えた液滴吐出ヘッドの製造方法において、
シリコン基板の片面に絶縁膜を形成する工程と、
予め凹部内に前記個別電極が形成された前記電極基板に、前記シリコン基板を前記絶縁膜を介して接合する工程と、
接合後の前記シリコン基板を薄板に加工する工程と、
薄板に加工された前記シリコン基板からエッチングによりシリコンを除去して、前記吐出室の底部に前記絶縁膜を残す工程と、
前記キャビティ基板の表面全面に導電膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁膜には、酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料を用いることを特徴とする請求項１１記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記導電膜には、金属材料を用いることを特徴とする請求項１１または１２記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁膜を残す工程は、ドライエッチングまたはウェットエッチング後にドライエッチングを行うことを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電駆動方式のインクジェットヘッド等に用いられる静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載される静電駆動方式のインクジェットヘッドが知られている。静電駆動方式のインクジェットヘッドは、一般に、ガラス基板上に形成された個別電極（固定電極）と、この個別電極に所定のギャップを介して対向配置された振動板（可動電極）とから構成される静電アクチュエータ部を備えている。そして、インク滴を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズル基板と、このノズル基板に接合されノズル基板との間で上記ノズル孔に連通する吐出室、リザーバ等のインク流路が形成されたキャビティ基板とを備え、上記静電アクチュエータ部に静電気力を発生させることにより吐出室に圧力を加えて、選択されたノズル孔よりインク滴を吐出するようになっている。
【０００３】
静電駆動方式のインクジェットヘッドは、近年、高解像度化に伴い高密度化、高速度駆動の要求が一段と高まり、それに伴い静電アクチュエータもますます微小化する傾向にある。したがって、静電アクチュエータの加工精度も一段と向上させる必要に迫られている。
従来、静電アクチュエータの加工精度を向上させる製造方法の一つとして、ボロン拡散層をエッチングストップとして用いる振動板の形成方法がある（例えば、特許文献１参照）。この方法は、シリコン基板をウェットエッチングすると、ボロン拡散層の表面でエッチングストップがかかるため、ボロン拡散層の厚さでもって振動板の厚み精度を出そうとするものである。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２３４８７３号公報（第４頁、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、振動板の厚さが薄くなるにつれて、表面荒れや結晶欠陥などの原因により、振動板の厚み精度のバラツキや、振動板に穴が開いたりするなどの不良が目立つようになってきた。また、振動板と個別電極との間には酸化シリコンからなる絶縁膜を介在させているが、この絶縁膜内にボロンが拡散して絶縁膜の絶縁耐圧が低下するといった不具合が発生している。
【０００６】
本発明は、上記のような課題を解決するために提案するものであり、その目的とするところは、ボロン拡散層を用いずに、振動板の厚み精度の向上を図るとともに、絶縁膜の絶縁耐圧の低下を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明に係る静電アクチュエータは、基板上に形成された固定電極と、この固定電極に所定のギャップを介して対向配置された可動電極と、前記固定電極と前記可動電極との間に静電気力を発生させて該可動電極に変位を生じさせる駆動手段とを備えた静電アクチュエータにおいて、前記可動電極が、前記固定電極に所定のギャップを介して対向配置された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された導電膜とから構成されているものである。
【０００８】
本発明では、可動電極が、固定電極に所定のギャップを介して対向配置された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された導電膜とから構成されており、従来のようにボロン拡散層により可動電極を構成するものではないので、絶縁膜の絶縁耐圧の低下を抑制できるとともに、可動電極の厚み精度を向上することができる。
【０００９】
前記絶縁膜を酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料により構成することにより、絶縁耐圧を向上させることができ、また、前記導電膜を金属材料により構成することにより、可動電極の導電性を確保することができる。
【００１０】
また、本発明に係る静電アクチュエータの製造方法は、シリコン基板の片面に絶縁膜を形成する工程と、予め凹部内に固定電極が形成された電極基板に、前記シリコン基板を前記絶縁膜を介して接合する工程と、接合後の前記シリコン基板を薄板に加工する工程と、薄板に加工された前記シリコン基板からエッチングによりシリコンを除去して、少なくとも前記固定電極に対向する部分に前記絶縁膜を残す工程と、前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、片面に絶縁膜を形成したシリコン基板を電極基板に接合してからそのシリコン基板を薄板化し、その後エッチングによりシリコンを除去して絶縁膜の部分だけを残し、ついでその絶縁膜の上に導電膜を形成するものであるので、絶縁膜の絶縁耐圧の低下が抑制された厚み精度の高い可動電極をもつ静電アクチュエータを製造することができる。
【００１２】
また、本発明の静電アクチュエータの製造方法においては、上記のように絶縁膜には、酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料を用いるものとし、導電膜には、金属材料を用いるものとする。
【００１３】
また、前記絶縁膜を残す工程は、ドライエッチングまたはウェットエッチング後にドライエッチングを行うものとする。
ドライエッチングでシリコン基板をエッチングすれば、絶縁膜の表面で確実にエッチングストップがかかるため、絶縁膜をバラツキの少ない高精度の厚み精度で形成することができる。
【００１４】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、液滴を吐出する単一または複数のノズル孔を有するノズル基板と、前記ノズル基板との間で、前記ノズル孔のそれぞれに連通する吐出室となる凹部が形成されたキャビティ基板と、前記吐出室の底部にて構成される振動板に所定のギャップを介して対向配置される個別電極が形成された電極基板とを備えた液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板は、前記キャビティ基板が前記電極基板と接合される接合面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記キャビティ基板の表面全面に形成された導電膜とから構成されていることを特徴とする。
【００１５】
したがって、本発明の液滴吐出ヘッドは、絶縁膜の絶縁耐圧の低下を抑制でき、振動板の厚み精度を向上することができるので、ノズルの高密度化および駆動の高速化に適した液滴吐出ヘッドを提供することができる。
【００１６】
また、本発明の液滴吐出ヘッドにおいても、前記絶縁膜を酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料により構成するものとし、前記導電膜を金属材料により構成するものとする。
【００１７】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液滴を吐出する単一または複数のノズル孔を有するノズル基板と、前記ノズル基板との間で、前記ノズル孔のそれぞれに連通する吐出室となる凹部が形成されたキャビティ基板と、前記吐出室の底部にて構成される振動板に所定のギャップを介して対向配置される個別電極が形成された電極基板とを備えた液滴吐出ヘッドの製造方法において、シリコン基板の片面に絶縁膜を形成する工程と、
予め凹部内に前記個別電極が形成された前記電極基板に、前記シリコン基板を前記絶縁膜を介して接合する工程と、接合後の前記シリコン基板を薄板に加工する工程と、薄板に加工された前記シリコン基板からエッチングによりシリコンを除去して、前記吐出室の底部に前記絶縁膜を残す工程と、前記キャビティ基板の表面全面に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
したがって、本発明によれば、絶縁膜の絶縁耐圧の低下を抑制でき、振動板の厚み精度を向上することができるので、ノズルの高密度化および駆動の高速化に適した液滴吐出ヘッドを製造することができる。
【００１９】
また、前記絶縁膜には、酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料を用いるものとし、前記導電膜には、金属材料を用いるものとする。
また、前記絶縁膜を残す工程は、ドライエッチングまたはウェットエッチング後にドライエッチングを行うものとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を適用した静電アクチュエータを備える液滴吐出ヘッドの実施形態を図面に基づいて説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、ノズル基板の表面に設けられたノズル孔からインク滴を吐出するフェイス吐出型の静電駆動方式のインクジェットヘッドについて図１乃至図３を参照して説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造、形状に限定されるものではなく、基板の端部に設けられたノズル孔からインク滴を吐出するエッジ吐出型の液滴吐出ヘッドにも同様に適用することができるものである。
【００２１】
図１は、本実施形態に係るインクジェットヘッドの概略構成を分解して示す分解斜視図であり、一部を断面で表してある。図２は、図１の右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図であり、図３は、図２のインクジェットヘッドの上面図である。なお、図１および図２では、通常使用される状態とは上下逆に示されている。
【００２２】
本実施形態のインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッドの一例）１０は、図１および図２に示すように、複数のノズル孔１１が所定のピッチで設けられたノズル基板１と、各ノズル孔１１に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティ基板２と、キャビティ基板２に設けられた振動板８に対峙して個別電極５が配設された電極基板３とを貼り合わせることにより構成されている。
【００２３】
インクジェットヘッド１０のノズル孔１１ごとに設けられる静電アクチュエータ部４は、固定電極として、電極基板３の凹部３２内に形成された個別電極５と、可動電極として、個別電極５に所定のギャップＧを介して対向配置された絶縁膜６および導電膜７からなる振動板８とにより構成されている。
絶縁膜６は、酸化シリコンよりも比誘電率の高い誘電材料、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等のセラミックスにより構成されている。
導電膜７は、振動板の導電性を確保するために金属材料、例えばチタン（Ｔｉ）により構成されている。その他には、プラチナ（Ｐｔ）やニッケル（Ｎｉ）等を用いてもよい。あるいは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）を用いることもできる。また、導電膜７の選定にあたっては、吐出材料として使用する液状材料に対する耐薬品性や耐腐食性、熱膨張係数がシリコンに近いものなどを考慮して選ぶことが必要である。この点からチタンは導電膜材料として好適なものである。
【００２４】
そして、個別電極５の端子部と、キャビティ基板２の電極基板３との接合面と反対の上面全体に共通電極として形成される導電膜７とに、駆動手段として、ドライバＩＣなどの駆動制御回路９が図２、図３に示すように配線接続される。この駆動制御回路９によって、個別電極５と振動板８との間に静電気力を発生させ振動板８を変位させる。
【００２５】
以下、各基板の構成についてさらに詳細に説明する。
ノズル基板１は、例えばシリコン基板から作製されている。インク滴を吐出するためのノズル孔１１は、例えば径の異なる２段の円筒状に形成されたノズル孔部分、すなわち径の小さい噴射口部分１１ａとこれよりも径の大きい導入口部分１１ｂとから構成されている。噴射口部分１１ａおよび導入口部分１１ｂは基板面に対して垂直にかつ同軸上に設けられており、噴射口部分１１ａは先端がノズル基板１の表面に開口し、導入口部分１１ｂはノズル基板１の裏面（キャビティ基板２と接合される接合側の面）に開口している。
また、ノズル基板１には、キャビティ基板２の吐出室とリザーバとを連通するオリフィス１２が形成されている。
【００２６】
ノズル孔１１を噴射口部分１１ａとこれよりも径の大きい導入口部分１１ｂとから２段に構成することにより、インク滴の吐出方向をノズル孔１１の中心軸方向に揃えることができ、安定したインク吐出特性を発揮させることができる。すなわち、インク滴の飛翔方向のばらつきがなくなり、またインク滴の飛び散りがなく、インク滴の吐出量のばらつきを抑制することができる。また、ノズル密度を高密度化することが可能である。
【００２７】
キャビティ基板２は、例えば面方位が（１１０）のシリコン基板から作製されている。キャビティ基板２には、インク流路に設けられる吐出室２１となる凹部２２、およびリザーバ２３となる凹部２４がエッチングにより形成されている。凹部２２は前記ノズル孔１１に対応する位置に独立に複数形成される。したがって、図２に示すようにノズル基板１とキャビティ基板２を接合した際、各凹部２２は吐出室２１を構成し、それぞれノズル孔１１に連通しており、またインク供給口である前記オリフィス１２ともそれぞれ連通している。そして、吐出室２１（凹部２２）の底部が上記振動板８となっている。
【００２８】
凹部２４は、インク等の液状材料を貯留するためのものであり、各吐出室２１に共通のリザーバ（共通インク室）２３を構成する。そして、リザーバ２３（凹部２４）はそれぞれオリフィス１２を介して全ての吐出室２１に連通している。また、リザーバ２３の底部には後述する電極基板３を貫通する孔が設けられ、この孔のインク供給孔３３を通じて図示しないインクカートリッジからインクが供給されるようになっている。
【００２９】
電極基板３は、例えばガラス基板から作製される。中でも、キャビティ基板２のシリコン基板と熱膨張係数の近い硼珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いるのが適している。これは、電極基板３とキャビティ基板２を陽極接合する際、両基板の熱膨張係数が近いため、電極基板３とキャビティ基板２との間に生じる応力を低減することができ、その結果剥離等の問題を生じることなく電極基板３とキャビティ基板２を強固に接合することができるからである。
【００３０】
電極基板３には、キャビティ基板２の各振動板８に対向する表面位置にそれぞれ凹部３２が設けられている。凹部３２は、エッチングにより深さ約０．３μｍで形成されている。そして、各凹部３２内には、一般に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）からなる個別電極５が、例えば０．１μｍの厚さでスパッタにより形成される。したがって、振動板８と個別電極５との間に形成されるギャップ（空隙）Ｇは、この凹部３２の深さ、個別電極５および振動板８を覆う絶縁膜６の厚さにより決まることになる。このギャップＧはインクジェットヘッドの吐出特性に大きく影響する。
【００３１】
個別電極５は、フレキシブル配線基板（図示せず）に接続される端子部５ａを有する。端子部５ａは、図２、図３に示すように、配線のためにキャビティ基板２の末端部が開口された電極取り出し部３４内に露出している。
また、振動板８と個別電極５との間に形成されるギャップＧの開放端部はエポキシ等の樹脂による封止材３５で封止される。これにより、湿気や塵埃等が電極間ギャップへ侵入するのを防止することができ、インクジェットヘッド１０の信頼性を高く保持することができる。
【００３２】
上述したように、ノズル基板１、キャビティ基板２、および電極基板３は、図２に示すように貼り合わせることによりインクジェットヘッド１０の本体部が作製される。すなわち、キャビティ基板２と電極基板３は陽極接合により接合され、そのキャビティ基板２の上面（図２において上面）にノズル基板１が接着等により接合される。
【００３３】
そして最後に、図２、図３に簡略化して示すように、ドライバＩＣ等の駆動制御回路９が各個別電極５の端子部５ａとキャビティ基板２上面の導電膜７とに上記フレキシブル配線基板（図示せず）を介して接続される。
以上により、インクジェットヘッド１０が完成する。
【００３４】
次に、以上のように構成されるインクジェットヘッド１０の動作を説明する。
駆動制御回路９は、個別電極５に電荷の供給および停止を制御する発振回路である。この発振回路は例えば２４ｋＨｚで発振し、個別電極５に例えば０Ｖと３０Ｖのパルス電位を印加して電荷供給を行う。発振回路が駆動し、個別電極５に電荷を供給して正に帯電させると、振動板８は負に帯電し、個別電極５と振動板８間に静電気力（クーロン力）が発生する。したがって、この静電気力により振動板８は個別電極５に引き寄せられて撓む（変位する）。これによって吐出室２１の容積が増大する。そして、個別電極５への電荷の供給を止めると振動板８はその弾性力により元に戻り、その際、吐出室２１の容積が急激に減少するため、そのときの圧力により吐出室２１内のインクの一部がインク滴としてノズル孔１１より吐出する。振動板８が次に同様に変位すると、インクがリザーバ２３からオリフィス１２を通じて吐出室２１内に補給される。
【００３５】
本実施形態のインクジェットヘッド１０の静電アクチュエータ部４は、前述したように、電極基板３の凹部３２内に形成された個別電極５と、個別電極５に所定のギャップＧを介して対向配置された絶縁膜６および導電膜７からなる振動板８とにより構成されており、振動板８に従来のようにボロン拡散層を用いずに、絶縁膜６を酸化シリコンよりも比誘電率の高い誘電材料により形成しているため、インクジェットヘッド１０の駆動時における絶縁膜６の絶縁耐圧を向上させることができる。
そして、この誘電材料からなる絶縁膜６の表面には導電性を確保するために導電膜７が形成されて振動板８を構成するものであるため、振動板８の厚み精度を向上させることができる。
また、導電膜７にチタンなどの耐薬品性が良好な金属材料を用いることにより、キャビティ基板２のインク保護膜を省略できるメリットもある。
したがって、このインクジェットヘッド１０は、上記のように構成された静電アクチュエータ部４を備えているので、静電アクチュエータ部４を微小化しても駆動耐久性に優れ、高速駆動および高密度化が可能となる。
【００３６】
次に、このインクジェットヘッド１０の製造方法について図４、図５を参照して説明する。ここでは、静電アクチュエータの製造方法を中心に概要を説明するものとする。
【００３７】
（１）絶縁膜の形成工程
まず、前記キャビティ基板２の元になる被加工基板として、例えば厚さが２８０μｍのシリコン基板２００を用意し、このシリコン基板２００の片面に、スパッタ法により、例えばアルミナを厚さ０．２μｍで成膜し絶縁膜６を形成する（図４（ａ））。
【００３８】
（２）接合工程
次に、このシリコン基板２００を予め凹部３２内に個別電極５が形成された電極ガラス基板３００の表面に絶縁膜６を介して陽極接合する（図４（ｂ））。なお、電極ガラス基板３００にはインク供給孔３３となる穴がマイクロブラスト加工方法等により加工されている。
【００３９】
（３）薄板化加工工程
接合済みシリコン基板２００の表面全面をウェットエッチングまたは研削加工して、厚さを例えば５０μｍ程度に薄くする（図４（ｃ））。
【００４０】
（４）シリコンエッチング工程
次に、薄板に加工された接合済みシリコン基板２００の表面にフォトリソグラフィーによってレジストパターニングを行い、ドライエッチングでシリコンを除去する（図４（ｄ））。これによって、吐出室２１となる凹部２２、リザーバ２３となる凹部２４および電極取り出し部３４となる凹部２５が形成される。その際、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）放電によるドライエッチングを行うと、絶縁膜６の表面でエッチングストップがかかるので、吐出室２１の凹部２２の底部は絶縁膜６のみが残ることになり、しかもその凹部２２内の底面は面荒れがなく、かつ絶縁膜６がスパッタ法により成膜されるため膜厚を高い厚み精度で形成することができる。なお、この工程では、途中までウェットエッチングを行い、最後はドライエッチングとする加工方法でもよい。また、リザーバ２３の凹部２４、電極取り出し部３４の凹部２５はエッチングの開始を遅らせることで、底部に所要の厚さのシリコンを残す。凹部２５の底部は絶縁膜６だけでもよい。
【００４１】
（５）導電膜の形成工程
凹部２２、２４、２５をエッチング加工後、凹部２５以外を開口させたシリコンマスク２０１を用いて、シリコン基板２００の表面全面にスパッタ法により例えばチタンを厚さ０．８μｍで成膜して導電膜７を形成する（図４（ｅ））。これにより、キャビティ基板２が作製される。また、振動板８は絶縁膜６と導電膜７の合計厚さが例えば１．０μｍとなる。したがって、振動板８を高精度の厚み精度で形成することができる。
【００４２】
（６）ノズル基板の接合工程
次に、マイクロブラスト加工等により、凹部２５の底部を除去して電極取り出し部３４を開口するとともに、凹部２４の底部を貫通させてインク供給孔３３を形成する。その後、上記により形成されたキャビティ基板２の表面上に、予めノズル孔１１等が形成されたノズル基板１を接着により接合する（図５（ｆ））。
【００４３】
（７）ダイシング工程
そして、振動板８と個別電極５間のギャップ開放端部をエポキシ接着剤等の封止材３５で封止した後、ダイシングにより個々のヘッドチップに切断すれば、上述したインクジェットヘッド１０の本体部が完成する（図５（ｇ））。
【００４４】
本実施形態のインクジェットヘッド１０の製造方法によれば、キャビティ基板２を、予め作製された電極ガラス基板３００に接合した状態のシリコン基板２００から作製するものであるので、その電極ガラス基板３００によりキャビティ基板２を支持した状態となるため、キャビティ基板２を薄板化しても、割れたり欠けたりすることがなく、ハンドリングが容易となる。したがって、キャビティ基板２を単独で製造する場合よりも歩留まりが向上する。
さらに、ボロン拡散を行わずに、酸化シリコンよりも比誘電率の高い誘電材料からなる絶縁膜６を使用しているため、絶縁膜６の絶縁耐圧を向上させることができるとともに、振動板８の厚み精度を高精度に形成することができる。
【００４５】
上記の実施形態では、静電アクチュエータおよびインクジェットヘッド、ならびにこれらの製造方法について述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものでなく、本発明の思想の範囲内で種々変更することができる。例えば、ノズル孔より吐出される液状材料を変更することにより、インクジェットプリンタのほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】図１の右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図。
【図３】図２のインクジェットヘッドの上面図。
【図４】本発明のインクジェットヘッドの製造方法を示す製造工程の断面図。
【図５】図４に続く製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００４７】
１  ノズル基板、２  キャビティ基板、３  電極基板、４  静電アクチュエータ部、５  個別電極（固定電極）、６  絶縁膜、７  導電膜、８  振動板（可動電極）、９  駆動制御回路（駆動手段）、１０  インクジェットヘッド、１１  ノズル孔、１２  オリフィス２１  吐出室、２２  凹部、２３  リザーバ、２４  凹部、２５  凹部、３２  凹部、３３  インク供給孔、３４  電極取り出し部、３５  封止材、２００  シリコン基板、２０１  シリコンマスク、３００  電極ガラス基板。
【図１】
2007210241.tif 000003
【図２】
2007210241.tif 000004
【図３】
2007210241.tif 000005
【図４】
2007210241.tif 000006
【図５】
2007210241.tif 000007