(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイコーティング方式における、リップの外側側面部への乗り上げ、染み出しの問題を解決することが可能な、ダイヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッドのスリット側側面部および先端部を除いた外側側面部の少なくとも一部に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により撥水性膜を設けることを特徴とするダイヘッドの製造方法である。【選択図】図４
2007144362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッドのスリット側側面部および先端部を除いた外側側面部の少なくとも一部に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により撥水性膜を設けることを特徴とするダイヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記プラズマＣＶＤ法が圧力１５〜１５０ｋＰａの範囲内で行うことを特徴とする請求項１記載のダイヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記撥水材料がフッ素含有有機珪素化合物を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のダイヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記希釈ガスが、ヘリウム、アルゴン、窒素から選ばれる単独あるいは混合したガスでありかつ全体における希釈ガスの割合が９０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部に対向して配置されかつ電源に接続されている対向電極を有し、前記プラズマＣＶＤ法が、上流側リップおよび下流側リップと対向電極との間に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを供給し電極に印加することにより行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記対向電極が誘電体で被覆された金属電極であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が０．０５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを上流側リップおよび下流側リップの先端側から供給することを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。
【請求項１０】
外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッド、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部に対向して配置されかつ電源に接続されている対向電極、上流側リップおよび下流側リップと対向電極間に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを供給するガス供給手段、を備えることを特徴とするダイヘッドの表面処理装置。
【請求項１１】
前記対向電極が誘電体で被覆された金属電極であることを特徴とする請求項１０に記載のダイヘッドの表面処理装置。
【請求項１２】
前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が０．０５〜２０ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１０または１１に記載のダイヘッドの表面処理装置。
【請求項１３】
前記対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることを特徴とする１０〜１２のいずれかに記載のダイヘッドの表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に光学部材やエレクトロニクス分野等の精密な要求品質を必要とする分野における、ダイコーティングのダイヘッドおよびその製造方法に関する。更に詳しく言えば、連続的に搬送される長尺状の支持体に対して連続的に加工を行うエクストルージョン型ダイコーティングにおいて、発生する様々な塗布欠陥を起こさないダイヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
連続的に搬送される長尺状支持体上に、所望の膜厚に塗布液を塗布する方法の一つとして、エクストルージョン型ダイコーティング方式は、均一で高速に薄膜コーティングが可能である事から、種々の分野の精密塗布方式として広く利用されている。特に近年の光学部材やエレクトロニクス分野での高精度大量生産の要求に伴い、その特性により注目されているコーティング方式である。
【０００３】
一般的にダイコーティング方式は図１に示すように、塗布液を吐出するダイヘッド１、そのダイヘッド１と連続的に搬送される長尺状支持体２とのクリアランスギャップを均一に保持しながら一定速で搬送するコーティングロール３から構成され、均一な塗布膜４を形成する事が出来る。塗布液は、図示していない塗布液を供給するポンプシステムより押し出された塗布液を幅方向に広がらせる為のマニホールド５、そのマニホールド５から塗布液が押し出されるスリット部６、塗布液を吐出するリップ部を通り、塗布ビードと呼ばれる液だまり１２を形成し、均一に支持体上に塗りつけられる。
【０００４】
ダイコーティングにおいては、塗布ビードの安定化が最も重要であり、その安定化対策の為に、図２に示すような減圧チャンバー２０をダイヘッドの支持体流れ方向に対して上流側に設置し、支持体走行速度が上がっても上流側を減圧する事により、塗布ビードの崩れを防止する方法も行われる。
【０００５】
また、ダイコーティング方式には図３に示すように、塗布液を吐出するダイヘッド１が、２本のロール１５、１６の間に配置され、支持体後方にロールの無いフローティング部分に塗布を行う方法も行われる。この方式を使う事により、ダイヘッドと支持体のクリアランスギャップはおよそコーティング膜厚まで近づける事が出来、高速薄膜塗工が可能になる効果が得られる。
【０００６】
上記の各種ダイコーティング方式においては、ダイヘッドリップ部より吐出された塗布液はリップ先端の支持体に平行する面のみに接液する構成となっているが、連続生産を続けているうちに、図１に示すような下流側リップの外側側面部への乗り上げ、および上流側リップの外側側面部への染み出しが発生することがしばしばあった。下流側リップの外側側面部への乗り上げが発生すると、乗り上げて溜まった塗布液が不定期に塗膜面に戻る事によって点状の欠陥を生じたり、点状の乗り上げが大きく成長して継続的に塗布スジを発生する等、連続生産における収率の低下をもたらす重大な問題を生じていた。また、上流側リップの外側側面部への染み出しが発生しても同様の現象が起き、問題を生じさせていた。
【０００７】
これに対して、ダイヘッドと支持体とのクリアランスギャップを適切に調整することや、減圧チャンバーのある方式の場合では（例えば、特許文献１参照）、減圧度を最適に調整すること等のオペレーション条件の変更により、乗り上げや染み出しが発生しない条件を見つけ出す対応が取られることが多いが、完全に発生させない条件を見つけ出せない塗布液の特性の場合もあり、大きな塗布液処方の変更を余儀なくされる事もあった。また、支持体とダイヘッドの角度を微妙に変化させることによって、発生させない条件を見つけ出す操作もなされるが、ダイヘッドの角度を調整することは装置精度を著しく悪化させる場合が多く、また別のトラブルを招く事もあった。
【０００８】
また、ダイヘッドの上下流側リップの外側側面部に撥水処理剤を塗布する事により、塗布液を上流側リップの外側側面部や下流側リップの外側側面部に流れ出させない対応が取られる事もあるが、撥水処理剤とダイヘッドの密着性および撥水処理剤の耐久性が悪い為に、拭き取り操作や、連続塗布による経時により、部分的に撥水効果の弱い部分が発生してしまい、逆に塗布スジを起こしてしまう事もあった。
【０００９】
また、ダイヘッドの上下流側リップの外側側面部分にフッ素樹脂等の粒子を含有したメッキを施すことにより、撥水効果を持たせる対応も行われるが、メッキ膜面の平面精度やエッジ部分を精密に加工する事が機械的に難しく、塗布スジを発生させる原因となる事が多かった。
【００１０】
以下に先行技術文献を示す。
【特許文献１】特開２００３-５３２３３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記したような、ダイコーティング方式における、リップの外側側面部への乗り上げ、染み出しの問題を解決することが可能な、ダイヘッドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の上記目的は以下の手段により達成される。
【００１３】
請求項１の発明は、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッドのスリット側側面部および先端部を除いた外側側面部の少なくとも一部に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により撥水性膜を設けることを特徴とするダイヘッドの製造方法である。
【００１４】
請求項２の発明は、前記プラズマＣＶＤ法が圧力１５〜１５０ｋＰａの範囲内で行うことを特徴とする請求項１記載のダイヘッドの製造方法である。
【００１５】
請求項３の発明は、前記撥水材料がフッ素含有有機珪素化合物を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のダイヘッドの製造方法である。
【００１６】
請求項４の発明は、前記希釈ガスが、ヘリウム、アルゴン、窒素から選ばれる単独あるいは混合したガスでありかつ全体における希釈ガスの割合が９０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。
【００１７】
請求項５の発明は、前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部に対向して配置されかつ電源に接続されている対向電極を有し、前記プラズマＣＶＤ法が、上流側リップおよび下流側リップと対向電極との間に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを供給し電極に印加することにより行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。
【００１８】
請求項６の発明は、前記対向電極が誘電体で被覆された金属電極であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。
【００１９】
請求項７の発明は、前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が０．０５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。
【００２０】
請求項８の発明は、前記対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。
【００２１】
請求項９の発明は、前記希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを上流側リップおよび下流側リップの先端側から供給することを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。
【００２２】
請求項１０の発明は、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッド、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部に対向して配置されかつ電源に接続されている対向電極、上流側リップおよび下流側リップと対向電極間に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを供給するガス供給手段、を備えることを特徴とするダイヘッドの表面処理装置である。
【００２３】
請求項１１の発明は、前記対向電極が誘電体で被覆された金属電極であることを特徴とする請求項１０に記載のダイヘッドの表面処理装置である。
【００２４】
請求項１２の発明は、前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が０．０５〜２０ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１０または１１に記載のダイヘッドの表面処理装置である。
【００２５】
請求項１３の発明は、
前記対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることを特徴とする１０〜１２のいずれかに記載のダイヘッドの表面処理装置である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、ダイコーティング方式における、リップの外側側面部での乗り上げ、染み出しの発生を抑制出来、塗布スジの発生を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明は、上記目標を達成するために、大気圧近傍の圧力雰囲気下において、ダイヘッドと対向して配置した固体誘電体を被覆した対向電極との間に、交流電圧を印加して発生したプラズマにより、ダイヘッド表面に撥水性の膜を付与するものである。プラズマＣＶＤ法を用いることによりダイヘッドの上下流リップの外側側面部のカーブ形状部であっても、均一に成膜することができる。図４に本発明のダイヘッドの製造方法の一実施例の概略を示す断面図を示す。
【００２８】
本発明に用いるダイヘッドは、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有するものである。
大きさ、形状などは特に限定するものではないが、一般的に上流側リップおよび下流側リップの先端部の幅０．１〜２ｍｍ、スリット部の幅０．０５〜１ｍｍである。また、リップの先端は、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）いずれの形状でもかまわない。
本発明では、すくなくとも上下流側リップの外側側面部の先端部から１〜５ｍｍの範囲で撥水性膜を形成することを特徴とする。この範囲内であれば、リップ先端部での液の乗り上げ、塗布スジなどを抑制できる。
【００２９】
ダイヘッドの材質としては、腐食しにくいものが好ましく、このようなものとして、ステンレス、超硬合金等が挙げられる。
【００３０】
本発明に用いる対向電極は、上下流側リップの外側側面部に対向するように配置するものである。上下流側リップの外側側面部と対向電極の間で放電処理空間を形成し、プラズマＣＶＤ法を行う。
【００３１】
上下流側リップの外側側面部と対向電極の間の距離は、安定した放電を考慮すると０．０５〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、希釈ガスにヘリウムを使用する場合は０．５〜５ｍｍ、アルゴンや窒素を用いる場合は０．５〜２ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【００３２】
また、対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることが好ましい。このような形状であれば、ダイヘッドが複雑な形状であっても、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が一定に保たれ、均一な放電を起こすことが可能で、均一な処理をすることができる。
【００３３】
対向電極は、銅、銀、金、チタン、アルミニウム、ステンレス、真鍮などの金属材料、合金導電体材料などを用いることができる。また、これらの金属、合金導電体材料に誘電体を被覆したものを好適に用いることができる。
【００３４】
また、対向電極表面に配置する固体誘電体層としては、プラスチック材料や金属酸化膜材料等、誘電体材料であれば、特に構わない。特に好ましいのは、石英、パイレックス（登録商標）、アルミナ等のセラミック材料であり、これらの材料を、板状あるいは、電極５１面上に蒸着、溶射したものとして使用される。これら誘電体層の厚みは、材質、形状にもよるが、厚すぎると、プラズマを発生するために、高電圧を必要とし、薄すぎると、誘電体層を破壊し、アーク放電を発生してしまう為、０．３〜５ｍｍの厚さが好ましい。
【００３５】
撥水性の膜の材料として使用する撥水材料としては、プラズマ空間で解離し、基板面上に撥水性を付与できる材料であればよく、有機シリコン化合物やフッ素化合物などが挙げられる。その中でも、被処理体とより強度な密着性を得る為には、反応性官能基と結合している珪素原子を少なくとも１つ以上有するフッ素含有珪素化合物が特に好ましい材料である。
【００３６】
前記、フッ素含有珪素化合物にに含まれる反応性官能基としては、加水分解性基、ハロゲン原子等が挙げられる。具体的には、加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基；アリロキシ基、イソプロペノキシ基等のアルケニルオキシ基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアシロキシ基；ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基、ジエチルケトオキシム基、シクロペンタノキシム基、シクロヘキサノキシム基等のケトオキシム基；Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基等のアミノ基；Ｎ−メチルアセトアミド基、Ｎ−エチルアセトアミド基、Ｎ−メチルベンズアミド基等のアミド基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノオキシ基等のアミノオキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらのうち、メトキシ基、エトキシ基、イソプロペノキシ基が、特に好ましい。
【００３７】
これらの反応性官能基と結合している珪素原子を１つ以上有するフッ素含有珪素化合物の具体例としては、ＣＦ３（ＣＦ２）ｐ（ＣＨ２）ｑＳｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）ｐ（ＯＣ３Ｆ６）ｑＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＨ２（ＯＣＯＮＨ）（ＣＨ３Ｏ）３、ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、（ＣＨ３Ｏ）２ＣＨ３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２、（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２（ＯＣ２Ｆ４）ｑ（ＯＣＦ２）ｒＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、（ＣＨ３Ｏ）２ＣＨ３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２（ＯＣ２Ｆ４）ｑ（ＯＣＦ２）ｒＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２、（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２（ＯＣ２Ｆ４）ｑ（ＯＣＦ２）ｒＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２Ｃ（＝ＣＨ２）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ２＝）ＣＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２Ｃ（＝ＣＨ２）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２（ＯＣ２Ｆ４）ｑ（ＯＣＦ２）ｒＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ２＝）ＣＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、（ＣＨ３Ｏ）２ＣＨ３ＳｉＣＨ２Ｃ（＝ＣＨ２）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２（ＯＣ２Ｆ４）ｑ（ＯＣＦ２）ｒＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２（ＣＨ２＝）ＣＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２が挙げられる。ただし、ｐ＝１〜５０、ｑ＝１〜５０、ｒ＝１〜５０、ｑ＋ｒ＝１０〜１００の整数であり、式中の繰り返し単位はランダムである。
【００３８】
これらの撥水材料は、常温常圧で主に液体状であり、加熱、加圧、バブリングなどにより、気化して蒸気として、希釈ガスと混合して、放電処理空間に送られる。
【００３９】
使用する希釈ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、窒素から選ばれるガスを単独あるいは混合して使用する。これら希釈ガスと前記撥水材料に加えて、場合によっては、空気、酸素、水素、水蒸気、二酸化炭素、炭化水素、アセトンなどの反応性のガスを混合しても構わない。但し、希釈ガスの混合比は、放電の安定性を向上させ、反応性の高い処理空間を維持する為、９０％以上にする必要がある。
【００４０】
次に、本発明におけるダイヘッド表面に撥水膜を設ける装置に関して説明を行う。ダイヘッドへ処理を行う場合、環境的・人体の影響を考慮して、外気とは密閉空間にする必要がある。このように、ダイヘッドを放電空間にきれいに固定し、外部と密閉をする装置の構成としては、例えば、図４に示すような配置による装置構成が考えられる。但し、図４の装置構成は一例であり、これに限らない。
【００４１】
対向電極５１と固体誘電体層５２からなる電極部以外の支持体、例えば図４であれば、リップ先端部側壁面５３、ダイヘッド保持部５５、ガス供給口５８、ガス排気口５９等の材質としては、電極部とダイヘッド１間を絶縁できる材質であれば、形状、材質を問わない。放電空間５７に接する部分に、導電性の材料を曝してしまうと、異常放電を起こしてしまう為、その点だけは注意が必要である。例えば、ガス供給口５８などは、処理空間５７に接している為、絶縁性が高く、加工性の良い材料を選ぶ必要があり、具体的には、アクリルやテフロン（登録商標）などが挙げられる。
【００４２】
ダイヘッド１を設置する際には、（１）外部空間との密閉や処理ガスの入り込みを抑える、（２）異常放電を防止する、（３）リップ部の保護の観点から、ダイヘッド１をシール材５４などで挟み込むことが好ましい。これら、シール材５４の材質としては、絶縁性の素材であれば良く、具体的には、バイトンゴムやシリコンゴム等が挙げられる。
【００４３】
本発明で使用する電源５６としては、数ｋＨｚ以上の周波数の交流電源であれば良く、交流パルス電源やＭＦ電源、ＲＦ電源等が挙げられる。好ましくは、インピーダンス整合が容易な、１〜１００ｋＨｚ程度の高周波電源、高周波パルス電源が挙げられる。また、電極５１への電圧の印加方法としては、ダイヘッド１と電極５１のいずれかを高電圧側、グランドに接地して、交流高周波電圧を印加させる方法が考えられる。
【００４４】
電源出力を高出力にするほど、更に処理時間が長くなるほど、電極部および被処理体であるダイヘッド１が加熱され、高温になる。その為、電極部およびダイヘッドは、恒温または冷却した環境で処理することが好ましい。その温度としては、結露の発生と電極の加熱を防ぐ、２５〜４０℃の範囲が適当である。冷却／恒温方法としては、一般的な空冷法や水冷法が挙げられる。
【００４５】
混合した希釈ガスと撥水材料そして反応性ガスは放電処理空間に供給するが、その供給方法としては、図４にて、矢印で示したとおり、先端側より供給して、先端より離れていく方向に流して行くと良い。
【００４６】
先端側から処理することにより、ガス導入手段に近い先端付近に確実に処理を施すことができる。すなわち上下流側リップの外側側面部の先端部から１〜５ｍｍの範囲の処理を確実に行うことができる。
【００４７】
これら撥水性の膜を形成するために使用したガスは、供給側と対向した壁面あるいは側面にガス排気口５９を設けて回収すると良い。その際、回収したガスは除外装置を設ける必要がある。
【００４８】
放電処理空間５７の処理圧力は、大気圧近傍の圧力下である１５〜１５０ｋＰａで処理することが好ましい。特に、圧力調整が容易な９０〜１０５ｋＰａの圧力帯が好ましい。大気圧下での処理は、真空化で処理するよりも簡便であり、成膜速度も速い。
【００４９】
対向電極および固体誘電体は、被処理体であるダイヘッドのリップ部側面形状に相似した形状であるため、均一に成膜することができる。
【実施例】
【００５０】
続いて、実施例を用いて、本発明におけるダイヘッド表面に撥水膜を設ける方法とその効果を説明する。
図５に示すように、処理を施すダイヘッド１を設置して密閉した放電処理空間５７に、ヘリウムと加熱気化したＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３を重量比９９．８：０．２の割合で混合して、供給した。上記、撥水材料は、液体原料気化装置（エステック社製）を使用して、気化を行った。
対向電極５１と固体誘電体層５２としては、チタン材の上にアルミナセラミックを１ｍｍ溶射したものを使用して、ダイヘッドと電極の距離を２ｍｍとして、１００ｋＨｚの高周波電源より電極５１を高電圧側、ダイヘッド１をグランドに設置し、ピーク電圧１０ｋＶの電圧を２分間、印加した。
上記ダイヘッドを用い、コーター装置により連続塗工を行った。支持体には、厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、塗布液には、粘度１０ｍＰａ・ｓの溶剤希釈アクリル系樹脂を用い、５０ｍ／ｍｉｎの塗布速度で、３９００ｍの連続塗布を行った。その結果、乗り上げ、染み出しの発生も無く、安定して良品を製作する事が出来た。
＜比較例＞
上記の塗布条件において、表面処理を行わない、通常のステンレス製ダイヘッドを用いて３９００ｍの連続塗工を行った。その結果、乗り上げ、染み出しが約１０００ｍ塗布を行った時点より発生し、目視にて確認出来る塗布スジが発生し、良品を得る事が出来なかった。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明のダイヘッドの製造方法は、高精度な品質を要求する、光学膜、電子基板、食品用包装材、衣料用包装材等の、ダイコーティング方式を利用した大量生産分野において、安定した生産品質を確保し、低コスト化、高精度化に寄与できる可能性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来のダイコーティング方式の概略を示す断面図である。
【図２】従来のダイコーティング方式において、減圧機構を有する装置の概略を示す断面図である。
【図３】従来のダイコーティング方式において、２本のガイドロール間のフローティング支持体部分へ塗布する方式の概略を示す断面図である。
【図４】本発明のダイヘッドの製造方法の一実施例の概略を示す断面図である。
【図５】従来より使用されているダイヘッドのリップ先端部分形状を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    ダイヘッド
２    支持体
３    コーティングロール
４    塗布液
５    マニホールド
６    スリット部
７    上流側リップ
８    下流側リップ
９    先端部
１０  外側側面部
１１  スリット側側面部
１２  塗布ビード
１３  乗り上げ
１４  染み出し
１５  下流側ガイドロール
１６  上流側ガイドロール
２０  バキュームチャンバー
５１  対向電極
５２  固体誘電体層
５３  リップ先端部側壁面
５４  シール材
５５  ダイヘッド保持部
５６  高周波電源
５７  放電処理空間
５８  ガス供給口
５９  ガス排気口
【図１】
2007144362.tif 000003
【図２】
2007144362.tif 000004
【図３】
2007144362.tif 000005
【図４】
2007144362.tif 000006
【図５】
2007144362.tif 000007