(57)【要約】【課題】窒化物半導体基番において確実かつ低コストで溝の加工が可能な窒化物半導体基板の加工方法および発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】この発明に従った窒化物半導体基板の加工方法は、窒化物半導体基板を準備する工程（基板を準備する工程）と、フェムト秒レーザによる加工工程とを備える。加工工程では、窒化物半導体基板の表面にフェムト秒レーザを照射して窒化物半導体基板の表面の一部を除去することにより、当該表面に凹部を形成する。加工工程において用いられるフェムト秒レーザのエネルギーフルエンスは１×１０−４Ｊ／ｃｍ２以上５Ｊ／ｃｍ２以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板を準備する工程と、
前記窒化物半導体基板の表面にフェムト秒レーザを照射して前記窒化物半導体基板の表面の一部を除去することにより、前記表面に凹部を形成する加工工程とを備え、
前記加工工程において用いられる前記フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスが１×１０−４Ｊ／ｃｍ２以上５Ｊ／ｃｍ２以下である、窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項２】
前記フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスを変更する工程をさらに備える、請求項１に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項３】
前記加工工程では、前記窒化物半導体基板の表面上において前記フェムト秒レーザを走査することにより、前記窒化物半導体基板の表面に溝を形成する、請求項１または２に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
【請求項４】
前記窒化物半導体基板は発光装置の一部を構成し、
前記凹部が形成される前記窒化物半導体基板の表面は光の出射面である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の加工方法を用いた発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、窒化物半導体基板の加工方法および発光装置の製造方法に関し、より特定的には、窒化物半導体基板の表面に凹部を形成する加工方法およびその加工方法を用いた発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＧａＮ基板などを用いたＬＥＤなどの発光装置が知られている。この発光装置においては、光の取出し面において溝を形成することで、光の取出し効率を向上させることが提案されている（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。特許文献１および特許文献２では、発光装置の基板をダイヤモンドカッタにより部分的に削り取ることにより、溝を形成することが開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２３１７６号公報
【特許文献２】米国特許第５，０８７，９４９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上述のようにダイヤモンドカッタなどを用いた機械的な加工方法により、発光装置を構成する基板に溝を形成する場合に、当該基板がＧａＮ基板などの窒化物半導体基板であると、この窒化物半導体基板は比較的割れ易い（もろい）ために溝の形成加工の際に基板が割れるといった問題が発生する。
【０００４】
また、上述のように発光装置を構成する基板にダイヤモンドカッタなどを用いて機械的な加工方法により溝を形成する場合、上述のような基板の割れを回避するためにカッタの回転数や移動速度などをある程度制限する必要がある。また、複数の溝を形成するためにはダイヤモンドカッタによる機械加工を溝の数だけ繰り返す必要もある。したがって、上述した機械加工により溝を形成する場合には、加工に時間がかかり、発光装置の製造コストを増大させることになっていた。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、窒化物半導体基番において確実かつ低コストで溝の加工が可能な窒化物半導体基板の加工方法および発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に従った窒化物半導体基板の加工方法は、窒化物半導体基板を準備する工程と、加工工程とを備える。加工工程では、窒化物半導体基板の表面にフェムト秒レーザを照射して窒化物半導体基板の表面の一部を除去することにより、当該表面に凹部を形成する。加工工程において用いられるフェムト秒レーザのエネルギーフルエンスが１×１０−４Ｊ／ｃｍ２以上５Ｊ／ｃｍ２以下である。
【０００７】
このようにすれば、極めてパルス幅の短いフェムト秒レーザを用いて窒化物半導体基板を加工するので、フェムト秒レーザを照射した領域の周囲の温度が通常のレーザを照射した場合より上昇し難い。これは、フェムト秒レーザにおいては１つのパルスによる熱の発生が通常のレーザに比べて極めて少ないためである。したがって、フェムト秒レーザを照射した部分を当該レーザの照射によるアブレーションで除去して凹部を形成する一方、凹部の側壁などの加工面がレーザの照射に起因する熱でだれたりすることなく、極めて鋭利な加工面を得ることができる。このため、フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスを制御することにより、所望の大きさの凹部を正確に形成できる。
【０００８】
また、上述のようにフェムト秒レーザを加工に用いるので、当該レーザの照射領域の周囲への熱影響を極めて小さくできる。そのため、レーザの照射に起因して窒化物半導体基板のレーザ照射領域の周囲の温度が上昇して、その熱の影響により当該基板が割れる、あるいは変形するといった問題の発生を抑制できる。また、従来の機械加工を行なう場合のように、機械加工に起因する基板の割れなどを避けるために加工速度を制限するといった必要が無いため、短時間での加工が可能になる。したがって、窒化物半導体基板の加工に要するコストの増大を抑制できる。
【０００９】
また、上述のようにフェムト秒レーザのエネルギーフルエンスの範囲を規定すれば、フェムト秒レーザの照射領域を確実に除去して凹部を確実に形成できるとともに、当該照射領域の周囲にまでレーザのエネルギーによって余分に除去されることで、凹部の形状が予定したサイズ（たとえばレーザの照射領域のサイズ）より大きくなることを防止できる。なお、上述したエネルギーフルエンスの数値範囲について、下限を１×１０−４Ｊ／ｃｍ２としたのは、当該値よりエネルギーフルエンスを小さくするとレーザの出力が小さすぎて凹部を完全に形成することが難しくなるためである。また、エネルギーフルエンスの上限を５Ｊ／ｃｍ２としたのは、当該値よりエネルギーフルエンスが大きくなるとレーザの出力が大きくなりすぎ、凹部の形状が予定したサイズ（たとえばレーザの照射領域のサイズ）より大きくなるためである。
【００１０】
上記窒化物半導体基板の加工方法では、フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスが１×１０−３Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２以下であることが好ましい。
【００１１】
この場合、形成される凹部の形状を、より確実に、フェムト秒レーザの照射領域に沿った断面Ｖ字状とすることができる。なお、上述したエネルギーフルエンスの数値範囲について、下限を１×１０−３Ｊ／ｃｍ２としたのは、当該値以上にエネルギーフルエンスを設定すれば凹部を断面Ｖ字状の凹部として確実に形成することができるためである。また、エネルギーフルエンスの上限を１Ｊ／ｃｍ２としたのは、当該値よりエネルギーフルエンスが大きくなるとレーザの出力が大きくなりすぎ、凹部の形状が断面Ｖ字状とならず、むしろ断面Ｕ字状とも言うような、レーザの照射領域の形状からわずかだが拡大した形状となるためである。
【００１２】
ここで、フェムト秒レーザとは、間欠的に出射されるパルス状のレーザであって、そのパルス幅が数フェムト秒（ｆｓ）以上１ピコ秒（ｐｓ）以下、より好ましくは数フェムト秒（ｆｓ）以上２００フェムト秒（ｆｓ）以下という、パルス幅がフェムト秒オーダーのレーザを言う。また、上述したエネルギーフルエンスとは、フェムト秒レーザが加工対象である窒化物半導体基板の表面に照射される領域での単位面積(平方センチメートル：ｃｍ２）当りに、１パルスによって投入されるエネルギー(ジュール：Ｊ）を言う。
【００１３】
上記窒化物半導体基板の加工方法は、フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスを変更する工程をさらに備えていてもよい。上記エネルギーフルエンスを変更する工程は、フェムト秒レーザのパルスエネルギーおよび焦点距離の少なくともいずれか一方を変更する工程を含んでいてもよい。なお、焦点距離とは、フェムト秒レーザを窒化物半導体基板に照射するための光学系において、窒化物半導体基板にもっとも近い位置に配置されたレンズの中心から、当該レンズを通過したフェムト秒レーザが焦点を結ぶ位置までの距離をいう。この場合、上記エネルギーフルエンスを変更することで、形成される凹部の形状やサイズを任意に変更することができる。
【００１４】
上記窒化物半導体基板の加工方法において、加工工程では、窒化物半導体基板の表面上においてフェムト秒レーザを走査することにより、窒化物半導体基板の表面に溝を形成してもよい。この場合、窒化物半導体基板の表面に溝を容易に形成することができる。
【００１５】
この発明に従った発光装置の製造方法は、上記窒化物半導体基板の加工方法を用いた発光装置の製造方法であって、窒化物半導体基板は発光装置の一部を構成し、凹部が形成される窒化物半導体基板の表面は光の出射面である。
【００１６】
このようにすれば、発光装置の光の出射面となる窒化物半導体基板の表面に、正確かつ低コストに任意の形状(単純な窪みや任意のサイズおよび形状の溝）を容易に形成することができる。このため、機械加工により当該溝などの形状を形成する場合より、発光装置の製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、フェムト秒レーザを用いることで、窒化物半導体基板の表面への加工を正確かつ低コストに行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に図面を用いて、本発明の実施の形態および実施例について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１９】
図１は、本発明に従った発光装置の製造方法に適用される窒化物半導体基板の加工方法を説明するためのフローチャートである。図２は、図１に示したフェムト秒レーザによる加工工程において用いられる加工装置の概略構成を示す模式図である。図１および図２を参照して、本発明による窒化物半導体基板の加工方法を説明する。
【００２０】
まず、図１に示すように基板を準備する工程を実施する。この工程では、具体的には窒化物半導体基板としてのＧａＮ基板を準備する。
【００２１】
次に、図１に示すようにフェムト秒レーザによる加工工程を実施する。この工程では、具体的にはＧａＮ基板の表面にフェムト秒レーザ(以下、単にレーザとも言う）を照射して、ＧａＮ基板の表面の一部を除去することにより、そのＧａＮ基板の表面に凹部を形成する。加工工程において用いられるフェムト秒レーザのエネルギーフルエンスは１×１０−４Ｊ／ｃｍ２以上５Ｊ／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０−３Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２以下に設定される。
【００２２】
この場合、極めてパルス幅の短いフェムト秒レーザを用いてＧａＮ基板を加工するので、フェムト秒レーザを照射した領域の周囲の温度が通常のレーザを照射した場合より上昇しない。したがって、フェムト秒レーザを照射した部分を当該レーザの照射によるアブレーションで除去して凹部を形成する一方、凹部の側壁などの加工面がレーザの照射に起因する熱でだれたりすることなく、極めて鋭利な加工面を得ることができる。このため、フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスなどの照射条件を制御することにより、図１に示した加工工程において所望の大きさの凹部をＧａＮ基板の表面に正確に形成できる。
【００２３】
また、上述のようにフェムト秒レーザを加工工程に用いるので、ＧａＮ基板におけるレーザの照射領域の周囲への熱影響を極めて小さくできる。そのため、レーザの照射に起因してＧａＮ基板のレーザ照射領域の周囲の温度が上昇して、その熱の影響により当該ＧａＮ基板が割れる、あるいは変形するといった問題の発生を抑制できる。また、従来の機械加工を行なう場合のように、ＧａＮ基板の割れなどを避けるために加工速度を制限する必要が無いため、加工工程を短時間で実施できる。したがって、ＧａＮ基板の加工に要するコストの増大を抑制できる。
【００２４】
また、上述のようにフェムト秒レーザのエネルギーフルエンスの範囲を規定すれば、フェムト秒レーザの照射領域を確実に除去して断面形状がＶ字状の溝のような凹部を確実に形成できるとともに、凹部の形状が予定したサイズより大きくなることを防止できる。
【００２５】
また、フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスを１×１０−３Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２以下とすれば、形成される凹部の形状を、より確実に、フェムト秒レーザの照射領域に対応した断面Ｖ字状とすることができる。
【００２６】
また、上記窒化物半導体基板の加工方法は、フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスを変更する工程をさらに備えていてもよい。上記エネルギーフルエンスを変更する工程は、フェムト秒レーザのパルスエネルギーおよび焦点距離の少なくともいずれか一方を変更する工程を含んでいてもよい。このようなパルスエネルギーや焦点距離の変更は、たとえば後で説明する図２に示すようなレーザ加工装置において、所定の制御を行なうことにより容易に実施できる。この場合、上記エネルギーフルエンスを変更することで、形成される凹部の形状やサイズを任意に変更することができる。
【００２７】
上記窒化物半導体基板の加工方法において、図１に示した加工工程では、ＧａＮ基板の表面上においてフェムト秒レーザを走査することにより、ＧａＮ基板の表面に溝を形成してもよい。このようにすれば、ＧａＮ基板の表面に溝を容易に形成することができる。
【００２８】
上述した加工工程において用いられる加工装置としては、たとえば図２に示すような構成のレーザ加工装置１が考えられる。図２を参照して、レーザ加工装置１を説明する。
【００２９】
図２に示したレーザ加工装置１は、フェムト秒レーザを発振するレーザ発振源と、当該レーザの照射径などを変更するための光学系とを含むレーザ発振装置３と、ＸＹステージ９と、架台１１と、シャフト１３と、昇降部材１５と、制御部５とを備える。ＸＹステージ９は、レーザ発振装置３から出射されるフェムト秒レーザが照射される、加工対象物であるＧａＮ基板７を搭載する。架台１１は、その上部表面上にＸＹステージ９が設置される。昇降部材１５は、架台１１の下部に位置し、架台１１とシャフト１３を介して接続される。
【００３０】
ＸＹステージ９は、ステッピングモータなどの駆動部材により、図２の矢印１８に示すＹ軸方向、およびＹ軸方向に垂直な、紙面の手前から紙面の裏面側に向かう方向であるＸ軸方向に、架台１１の表面に対して移動可能になっている。このようにＸＹステージ９上にＧａＮ基板７を配置し、一方、レーザ発振装置３を固定しておく。そして、ＸＹステージ９を紙面に垂直なＸＹ平面上で移動させることで、レーザ発振装置３から出射したフェムト秒レーザをＧａＮ基板７の表面上において走査させることができる。なお、ＧａＮ基板７の位置を固定しておき、レーザ発振装置３をＧａＮ基板７に対して相対的に移動させてもよい。この場合、レーザ発振装置３に移動部材（たとえばガイドレールと当該ガイドレール上を移動可能であるとともにレーザ発振装置３を保持する稼動台など）を設置してもよい。あるいは、上述したＧａＮ基板７が搭載されたＸＹステージ９などの保持台およびレーザ発振装置３の両方が移動可能となっていてもよい。
【００３１】
また、昇降部材１５は、シャフト１３を矢印１７に示す方向に移動させることにより、矢印１７に示す方向に架台１１を移動可能となっている。昇降部材１５としては、油圧シリンダ、エアシリンダなどの流体圧シリンダ、あるいは電動機などの任意の駆動装置を用いることができる。このように架台１１が移動することで、レーザ発振装置３とＸＹステージ９上に配置されるＧａＮ基板７との間の距離を変更できる（つまり、レーザ発振装置３において最もＧａＮ基板７側に位置するレンズの中心から、ＧａＮ基板７に照射されるフェムト秒レーザが焦点を結ぶ位置までの距離（焦点距離）を変更できる）。このように焦点距離を変更することで、フェムト秒レーザの焦点近傍での広がり角度を変えることができる。その結果、Ｖ溝の底部においてＶ溝の側壁がなす角度を変更できる。
【００３２】
なお、図２に示した装置では、光学系を制御することにより、上述した焦点距離をたとえば０．５ｍｍ〜３００ｍｍまで変更してもよい。なお、上述のようにＧａＮ基板７が搭載されたＸＹステージ９および架台１１を上下方向に移動させるのではなく、レーザ発振装置３を上下方向に移動可能としてもよい。また、ＧａＮ基板７が搭載されたＸＹステージ９および架台１１、およびレーザ発振装置３の両方が上下方向に移動可能となっていてもよい。
【００３３】
また、制御部５からの制御信号により、レーザ発振装置３から出射したフェムト秒レーザのパルスエネルギーを変更することができる。ここで、レーザ発振装置３から出射されるフェムト秒レーザは、間欠的に出射されるパルス状のレーザであって、そのパルス幅（パルス状のレーザが出射される期間の長さ）が１３０ｆｓ、パルスの繰り返し周波数がたとえば１Ｈｚ(ヘルツ）〜１００ＭＨｚ(メガヘルツ）とすることができる。たとえば、繰り返し周波数が１ｋＨｚである場合、１つのレーザパルスの出射開始時間から次のレーザパルスの出射開始時間までの間隔は１ミリ秒（ｍｓ）となる。
【００３４】
上述したレーザ加工装置１を用いて、図１に示したフェムト秒レーザによる加工工程を実施できる。
【００３５】
次に、上述した窒化物半導体基板の加工方法を利用した発光装置の製造方法を簡単に説明する。
【００３６】
まず、基板準備工程（Ｓ１０）を実施する。具体的には、まず、ＧａＮ基板を準備する。そして、当該ＧａＮ基板の第１の主表面上にＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)などの成膜方法を用いて積層構造（Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層／クラッド層のＳｉドープｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層／ＧａＮ層とＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層との２層構造が複数層重ねられたＭＱＷ(Multi-Quantum Well)／クラッド層のＭｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層／Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層）を形成する。次に、このウェハを活性化処理して、Ｍｇドープｐ型層の低抵抗化を行なってもよい。このウェハをさらに、フォトリソグラフィ技術とＲＩＥ(Reactive Ion Etching)により、Ｍｇドープｐ型層側からＳｉドープｎ型層までＣｌ系ガスでエッチングする。このエッチングにより素子分離溝を形成し、素子分離を行なう。
【００３７】
次に、電極形成工程（Ｓ２０）を実施する。具体的には、ＧａＮ基板の第２の主面（主表面）である裏面のＮ面に、フォトリソグラフィ技術と、蒸着と、リフトオフ法とにより所定の間隔でチップの中心に平面形状が円形状のｎ電極を形成する。ｎ電極としては、ＧａＮ基板に接して下から順に（Ｔｉ層／Ａｌ層／Ｔｉ層／Ａｕ層）という積層構造を形成してもよい。そして、ｎ電極とＧａＮ基板の裏面との接触抵抗を所定の値とするため、窒素（Ｎ2）雰囲気中でＧａＮ基板を加熱する。
【００３８】
次に、上述したＧａＮ基板での光の出射面である第２の主表面に溝を形成する工程（Ｓ４０）を実施する。具体的には、上述したｎ電極が形成されたＧａＮ基板を、図２に示したレーザ加工装置１のＸＹステージ９上に配置する。この工程は、図１の基板を準備する工程に対応する。次に、ＧａＮ基板の第２の主表面に対して、図２に示したレーザ加工装置１を用いて上述したフェムト秒レーザによる加工工程を行なうことにより複数の溝を形成する。つまり、ＧａＮ基板の第２の主表面において溝が形成されるべき部分を、フェムト秒レーザが走査することにより、上記第２の主表面において溝が形成される。
【００３９】
次に、ｐ電極としてはｐ型ＧａＮ層に接して所定の厚みを有する導電体層を形成する。導電体層としては、たとえばＧａＮ層に接するように所定の厚みのＮｉ層を形成し、その上に所定の厚みのＡｕ層を全面に形成してもよい。この場合、ｐ電極とｐ型ＧａＮ層との接触抵抗を所定の値とするため、ＧａＮ基板を酸化ガス雰囲気中で加熱処理してもよい。
【００４０】
その後に、チップ境界が側面として現れるようにスクライブを行ない、チップ化したものを発光装置とする。そして、チップを搭載するリードフレームのマウント部に、上記チップのｐ型ＧａＮ層側が接するように搭載して、発光装置を形成する。マウント部に塗布した導電性接着剤によってチップとマウントとを固定するとともに、導通が得られるようにしてもよい。そして、ｎ電極とリードフレームのリード部とをワイヤボンドにより導通させた後、エポキシ系樹脂などの樹脂により樹脂封止を行なって発光装置をランプ化する。なお、発光装置からの放熱性を良くするために、発光装置のｐ型ＧａＮ層がｐ電極および導電性接着剤を介して全面マウント部と接するように搭載してもよい。また導電性接着剤は熱伝導の良いＡｇ系のものを、またリードフレームも熱伝導の良いＣｕＷ系のものを選択してもよい。
【実施例１】
【００４１】
上述した本発明による窒化物半導体基板の加工方法の効果を確認するため、以下のように、ＧａＮ基板のＮ面にフェムト秒レーザを照射することにより、表１に示すようなＩＤ１〜ＩＤ９までの９種類の条件で、断面形状がＶ字状の溝（以下、Ｖ溝とも言う）を形成する実験を行なった。準備したＧａＮ基板は、平面形状が円形状であり、直径が２インチであり、厚みが４００μｍである。
【００４２】
実験条件について、表１に示した条件のほか、Ｖ溝を形成するため、フェムト秒レーザをＧａＮ基板の表面に対して走査した走査速度（フェムト秒レーザが照射された照射領域の移動速度）としては１ｍｍ／ｓ、焦点距離としてはｆ５（５ｍｍ）、といった条件を用いた。なお、表１において照射径とは、フェムト秒レーザを加工対象であるＧａＮ基板の表面に照射したときに、ＧａＮ基板の表面においてフェムト秒レーザが照射される領域（円形状の領域）の幅（直径）である。
【００４３】
【表１】
2007222895.tif 000003
【００４４】
表１においては、一番右の欄に、形成されたＶ溝の形状の外観を評価した結果の欄（Ｖ溝形成）を示している。Ｖ溝形成欄において、○印（丸印）は予定した断面Ｖ字状の溝が形成できたことを示している（ＩＤ４〜ＩＤ６）。また、△印（三角印）は、溝が形成されてはいるが、レーザのエネルギーフルエンスが比較的小さいため溝の断面形状が正確ではないがかろうじてＶ字状になっている（ＩＤ２、ＩＤ３）、または、レーザのエネルギーフルエンスが若干大きすぎて溝の断面形状がＶ字状というよりＵ字状というように、その加工面がなまった状態となっていること（ＩＤ７、ＩＤ８）を示している。また、×印（バツ印）は、全く溝が形成できない（ＩＤ１）、または形成できてもレーザのエネルギーが大きすぎて溝の形状およびサイズが大きく、Ｖ溝とならなかった場合（ＩＤ９）を示している。なお、ＩＤ４〜ＩＤ６では、断面での深さ８μｍ、幅４〜１２μｍ、というサイズのＶ溝を形成することができた。
【００４５】
表１からもわかるように、ＧａＮ基板の表面に溝を形成するためには、フェムト秒レーザのエネルギーフルエンスを１×１０−４Ｊ／ｃｍ２以上５Ｊ／ｃｍ２以下とし、より正確なＶ溝を形成するためには当該エネルギーフルエンスを１×１０−３Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２以下とすることが好ましいことがわかる。
【００４６】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明に従った窒化物半導体基板の加工方法および発光装置の製造方法は、特にＧａＮ基板など比較的もろく機械加工などによって欠損しやすい窒化物半導体基板の加工方法、および当該窒化物半導体基板を用いた発光装置の製造方法に有利に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に従った発光装置の製造方法に適用される窒化物半導体基板の加工方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】図１に示したフェムト秒レーザによる加工工程において用いられる加工装置の概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  レーザ加工装置、３  レーザ発振装置、５  制御部、７  ＧａＮ基板、９  ＸＹステージ、１１  架台、１３  シャフト、１５  昇降部材、１７，１８  矢印。
【図１】
2007222895.tif 000004
【図２】
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