(57)【要約】【課題】  レーザーマーク刻印後にウェットエッチングが施されても、ウェーハ平坦度の低下を改善でき、かつ、レーザーマークの読み取りを容易にするレーザーマーキングウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハであって、このレーザーマークが少なくともバーコードおよびＯＣＲマークによって構成されており、バーコードがＯＣＲマークよりもウェーハ外周部に刻印されていることを特徴とするレーザーマーキングウェーハおよびその製造方法。【選択図】        図１
2007234945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハであって、
前記レーザーマークがＯＣＲマークのみにより構成されていることを特徴とするレーザーマーキングウェーハ。
【請求項２】
半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハであって、
前記レーザーマークが少なくともバーコードおよびＯＣＲマークによって構成され、
前記バーコードが前記ＯＣＲマークよりもウェーハ外周部に刻印されていることを特徴とするレーザーマーキングウェーハ。
【請求項３】
半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハの製造方法であって、
レーザーを用いてＯＣＲマークのみを半導体ウェーハに刻印する工程を有することを特徴とするレーザーマーキングウェーハの製造方法。
【請求項４】
半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハの製造方法であって、
レーザーを用いてＯＣＲマークを半導体ウェーハに刻印する工程と、
レーザーを用いて前記ＯＣＲマークよりもウェーハ外周部にバーコードを刻印する工程を有することを特徴とするレーザーマーキングウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記バーコードを刻印する工程の後に、
ウェーハを研磨する工程と、
前記ウェーハを研磨する工程の後に、ウェーハ裏面を枚葉式エッチング装置にてウェットエッチングする工程を有することを特徴とする請求項３または４いずれかに記載のレーザーマーキングウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記ウェットエッチングする工程において、弗酸と硝酸を混合した混酸をエッチング液といて用いることを特徴とする請求項５記載のレーザーマーキングウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーマーキングウェーハおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ（以下単にウェーハともいう）の製造工程においては、ユーザーであるデバイスメーカー側からの要請により、半導体ウェーハの一部にあらかじめユーザーが指定したレーザーマークが刻印される場合が多い。図６に従来技術のレーザーマーキングウェーハの一例の平面図を示す。レーザーマーキングウェーハ１には、ウェーハ裏面のノッチ部４に、バーコード２が刻印され、そのバーコード２が刻印された位置よりウェーハ外周部にＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃａｒａｃｔｅｒ  Ｒｅａｄｅｒ）により読み取り可能なＯＣＲマーク３が刻印されている。ＯＣＲマーク３は一般に英数字等の組み合わせにより構成されている。ここで、ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒ  Ｒｅａｄｅｒ）とは、光学式文字読取装置であり、すなわち、文字等を光学的に読み取り前もって記憶されたパターンとの照合により文字等を認識する装置をいう。
【０００３】
もっとも、このようにウェーハにレーザーマークを刻印する場合、刻印されたレーザーマークの周縁には、比較的高さのある環状の隆起物が現出されていた。そのため、通常、レーザーマーキング工程の後に行われるウェーハ研磨工程において、シリコンウェーハ面の隆起物周辺にうねりが生じやすくなり、その結果、ウェーハ平坦度が低下しやすいという問題があった。これは、本来研磨が、研磨前のシリコン表面の形状にならって、その面を磨くという加工特性に起因するものである。そして、この問題は刻印されるマーク深さが５〜１００μｍと深くなるハードレーザーマークの場合、より隆起物の高さが高くなるため特に顕著であった。そして、ウェーハ平坦度の低下は、デバイスメーカーにおける半導体製品の歩留まり低下を招くため、ウェーハ平坦度の改善は急務となっている。
【０００４】
このようなレーザーマークを刻印することによって生じるウェーハの平坦度低下に対して、レーザーマーク形成部周縁の隆起物を研削した後、ウェーハ全体を鏡面研磨することで、平坦度の改善を図る技術が特許文献１に記載されている。
また、ウェーハ外周面取り部にレーザーマークを刻印することにより平坦度の改善を図る技術が特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２８６１７３号公報
【特許文献２】特開２００２−３４６７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載される従来技術では、ウェーハ全体の鏡面研磨の後の工程に起因する平坦度の低下に対しては有効でない。すなわち、ウェーハ全体の鏡面研磨の後に、ウェーハ裏面の破砕層を除去あるいは平坦性を向上させる目的で、例えば、弗酸と硝酸を混合した混酸をエッチング液とするウェットエッチングが枚葉式エッチング装置を用いて行われる場合がある。このウェットエッチングにおいては、シリコンウェーハを回転させながらウェーハ裏面中央に混酸を滴下することによってウェーハ裏面をエッチングする。この際、ウェーハ裏面に刻印されているレーザーマークからウェーハ外周部に向かって図７に示すような流れ模様が生じることが明らかになっている。この流れ模様はウェーハ裏面に生じた筋状の溝であり、レーザーマーク部に滞留した混酸がウェーハの回転によりウェーハ外周に飛散する際に生じたものと考えられている。このような、流れ模様が生ずることにより、シリコンウェーハの平坦度の低下や、目視によるあるいはバーコードリーダーやＯＣＲ装置によるレーザーマークの読み取り自体が困難になる等の問題が生ずることが判明している。上述した、レーザーマーク周縁の隆起物に起因するだけでなく、この混酸の流れ模様を反映した筋状の溝に起因するウェーハの平坦度の低下も同様に半導体製品の歩留まり低下を招くおそれがある。なぜなら、確かに流れ模様が生じた時点では、隆起物は存在しない。しかし、例えば、デバイス製造における酸化工程によって、溝側面部からの酸化剤供給により、流れ模様溝部のエッジ付近の酸化膜が平坦部より厚くなり、後発的に隆起物を形成することが考えられるからである。
このような、ウェーハ全体の鏡面研磨の後の工程に起因する平坦度の低下等の問題に対しては、ウェーハ全体の鏡面研磨前に対策を施す特許文献１に記載された技術は有効でない。
また、特許文献２の技術の適用は、平坦度低下の改善に寄与する。しかし、反面、領域の狭いウェーハ外周面取り部にレーザーマークを刻印するため、バーコードのように、読み取りのためにある程度の幅と長さが必要なレーザーマークを配置することが困難である。さらに、上述の混酸の流れ模様を反映した筋状の溝に起因する読み取り自体の困難性についての問題の対策とはならないばかりか、元来平坦性が悪く読み取りの困難なウェーハ外周面取り部に刻印されていることからこの問題をさらに助長させる恐れが高い。
以上のことから、ウェーハ外周面取り部でなく、ウェーハ面にレーザーマークを刻印した上で、かつ、上述の流れ模様に起因する問題を改善する技術が必要とされている。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、レーザーマーク刻印後にウェットエッチングが施されても、ウェーハ平坦度の低下を改善でき、かつ、レーザーマークの読み取りを容易にするレーザーマーキングウェーハおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様のレーザーマーキングウェーハは、
半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハであって、
前記レーザーマークがＯＣＲマークのみにより構成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の一態様のレーザーマーキングウェーハは、
半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハであって、
前記レーザーマークが少なくともバーコードおよびＯＣＲマークによって構成され、
前記バーコードが前記ＯＣＲマークよりもウェーハ外周部に刻印されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の一態様のレーザーマーキングウェーハの製造方法は、
半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハの製造方法であって、
レーザーを用いてＯＣＲマークのみを半導体ウェーハに刻印する工程を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の一態様のレーザーマーキングウェーハの製造方法は、
半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハの製造方法であって、
レーザーを用いてＯＣＲマークを半導体ウェーハに刻印する工程と、
レーザーを用いて前記ＯＣＲマークよりもウェーハ外周部にバーコードを刻印する工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レーザーマーク刻印後にウェットエッチングが施されても、ウェーハ平坦度の低下を改善でき、かつ、レーザーマークの読み取りを容易にするレーザーマーキングウェーハおよびその製造方法を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係わるレーザーマーキングウェーハおよびその製造方法についての実施の形態につき、添付図面に基づき説明する。
【００１２】
[実施の形態]
（レーザーマーキングウェーハ）
図１は、本発明に係る実施の形態のレーザーマーキングウェーハの平面図である。本実施の形態のレーザーマーキングウェーハ１は、シリコンウェーハ裏面のノッチ部４に、ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒ  Ｒｅａｄｅｒ）により読み取り可能なＯＣＲマーク３が刻印され、そのＯＣＲマーク３が刻印された位置よりシリコンウェーハ外周部にバーコードリーダーで読み取られるバーコード２が刻印されていることを特徴とする。
【００１３】
ここで、ＯＣＲマーク３は一般に、図１に示すような英数字等の組み合わせにより構成されている。ウェーハの製造工程、あるいは、デバイスメーカーにおける半導体製品の製造工程において、ＯＣＲマーク３は目視あるいはＯＣＲソフトを用いたＯＣＲによって読み取られることにより、ウェーハ識別用のマークとして利用される。同様に、バーコード２はバーコードリーダーによって読み取られることにより、ウェーハ識別用のマークとして利用される。
英数字等の組み合わせよりなるＯＣＲマーク３は、目視によっても確認できるため場合によっては特別の読取装置無しでウェーハが識別可能であるという利点がある。もっとも、読取装置によりウェーハを識別する場合にはＯＣＲソフトを搭載したＯＣＲが必要であるため、ＯＣＲより簡易なバーコードリーダーで読み取ることができるバーコード２と比較して、簡便性に欠けるという欠点がある。このため、ウェーハ識別という観点から見れば、図１に示すように同一ウェーハ上にＯＣＲマーク３とバーコード２の両方のレーザーマークが刻印されていることが望ましい。
【００１４】
なお、ここで半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハは、必ずしもシリコンウェーハに限らず、他の半導体ウェーハ、例えば、ガリウム砒素ウェーハであっても構わない。
また、レーザーマークには、マーク深さの違いでソフトレーザーマーク（マークの深さ０．１〜５μｍ）とハードレーザーマーク（マーク深さ５〜１００μｍ）があるが、ここでは必ずしもいずれかに限定されるわけではない。しかし、後述する研磨後の裏面エッチング等のシリコンウェーハをエッチングする工程でレーザーマークが削られ、レーザーマークが読み取り困難になることを回避する観点からは、ハードレーザーマークであることが好ましい。
また、レーザーマークの刻印は必ずしもノッチ部４に施されなくても構わない。  
【００１５】
（製造方法）
次に、図２に示すフロー図を参照して、本実施の形態のレーザーマーキングウェーハの製造方法について説明する。
図２に示すように、本実施の形態においては、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、レーザーマーキング、研磨、両面ウェットエッチング、裏面ウェットエッチング、洗浄、検査の各工程を得ることによって、図１のＯＣＲマーク３とバーコード２のレーザーマークが刻印されたレーザーマーキングウェーハ１が形成される。以下、各工程について詳細に説明する。
【００１６】
まず、ＣＺ（チョコラルスキー）法によって引き上げられた後に、外周部にノッチ加工が施されたシリコンインゴットは、スライス工程（Ｓ１）で、シリコンウェーハにスライスされる。
【００１７】
次に、スライスされたシリコンウェーハは、面取り工程（Ｓ２）で、その外周部が面取り用の砥石により削られ、所望の形状に面取りされる。その結果、シリコンウェーハの外周部は、所定の丸みを帯びた形状に成形される。さらに、ノッチ専用の面取り用の砥石によりノッチ部４（図１）も面取りされる。この面取り加工が施されたシリコンウェーハはラッピング工程（Ｓ３）で、カップ型両頭研削装置を用いてラッピングされる。このラッピング工程（Ｓ３）では、シリコンウェーハを互いに平行に保たれた一対のカップ型砥石の間に配置し、研削液をこのカップ型砥石とシリコンウェーハとの間に流し込む。そして、カップ型砥石、シリコンウェーハ双方を回転させ摺り合わせを行うことにより、シリコンウェーハ両面をラップする。
ここで、ラッピングに用いられる装置は、必ずしもカップ型両頭研削装置でなくとも、例えば、片面研削装置等その他の装置であっても構わない。
【００１８】
次に、ラッピングされたシリコンウェーハをラッピング時の破砕層を除去するためにエッチングする（Ｓ４）。具体的には、例えば弗酸と硝酸を混合した混酸液（常温〜５０℃）中にシリコンウェーハを浸漬する。次に、シリコンウェーハをＲＣＡ洗浄により洗浄する。ここで、ＲＣＡ洗浄とは、広く半導体基板の洗浄に使用されるＲＣＡ社の考案した洗浄レシピの総称を言い、主に、高温・高濃度の硫酸・過酸化水素水、希弗酸（室温）、アンモニア水・過酸化水素水、塩酸・過酸化水素水などによる洗浄方法である。
【００１９】
その後、レーザーマーキング工程（Ｓ５）において、シリコンウェーハの裏面のノッチ部４（図１）近傍に、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーを照射し、まず、ＯＣＲマーク３（図１）を刻印する。続いて、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーを照射し、刻印されたＯＣＲマーク３よもウェーハ外周部にあたる位置にバーコード２（図１）を刻印する。
ここで、使用されるレーザーは必ずしもＮｄ：ＹＡＧレーザーに限らず、その他のレーザー例えばＸ線レーザー等であっても差し支えない。
【００２０】
次に、研磨工程（Ｓ６）において、レーザーマーキング後のシリコンウェーハを研磨盤に接着し、シリコンウェーハに研磨を施す。この研磨工程で先のエッチング工程（Ｓ４）で生じたシリコンウェーハのうねりを除去する。なお、この研磨は、両面を鏡面仕上げにする場合もあれば、ウェーハ表面側だけを鏡面仕上げにする場合もある。
【００２１】
次に、両面ウェットエッチング工程（Ｓ７）で、研磨工程（Ｓ６）でシリコンウェーハ裏面に生じた破砕層を除去する。この破砕層を除去しないと、デバイス製造プロセスにおいて、スリップ転位などの結晶欠陥を誘起し、機械的強度および電気的特性に悪影響を及ぼすからである。
【００２２】
そして、両面ウェットエッチング工程（Ｓ７）後、裏面ウェットエッチング工程（Ｓ８）を行う。この工程においては、研磨工程（Ｓ６）でシリコンウェーハ裏面に生じた破砕層のうち、両面ウェットエッチング工程（Ｓ７）で除去しきれなかった破砕層を除去し、かつ、裏面の平坦性を向上させる。この裏面ウェットエッチング工程（Ｓ８）は、特に、ウェーハ裏面側を鏡面仕上げにしなかった場合に、研磨工程（Ｓ６）後の破砕層が深くなり、かつ、ウェーハ平坦性も悪いため有効に作用する。
【００２３】
この裏面ウェットエッチングには、特にシリコンウェーハ面内のエッチングレートの均一性が高い枚葉式エッチング装置を用いることが望ましい。この枚葉式エッチング装置においては、回転体にシリコンウェーハを裏面を上側にして固定し、シリコンウェーハの中心を軸として回転させる。そして、例えば、弗酸と硝酸を混合した混酸をエッチング液としてシリコンウェーハ中心部に滴下し、遠心力によってシリコンウェーハ全面にエッチング液をいきわたらせることによって、シリコンウェーハ裏面を均一にエッチングする。
ここで、エッチング液は、シリコンウェーハ裏面を均一にエッチングすることが可能であれば、必ずしも混酸に限られることはない。
【００２４】
続いて、裏面ウェットエッチング工程（Ｓ８）の後に、洗浄工程（Ｓ９）にて、ＲＣＡ洗浄を行う。そして、外観検査、平坦度検査等の各種品質検査（Ｓ１０）が行われた後、梱包されてデバイスメーカーに出荷される。
以上のような製造工程を経ることによって、レーザーマーキングウェーハ１（図１）が製造される。
【００２５】
（作用・効果）
従来技術は、研磨工程（Ｓ６）での破砕層を除去するために加えられる裏面ウェットエッチング工程（Ｓ８）で生じる流れ模様、すなわち、筋状の溝に起因する平坦度の低下やレーザーマークの読み取りが困難になる等の問題に対して、有効な対策となりえなかった。
本実施の形態に示すように、バーコード２をＯＣＲマーク３よりもウェーハ外周部に刻印することによって、裏面ウェットエッチング工程（Ｓ８）で生じる流れ模様に起因する上記問題の改善を図ることが可能となる。なぜなら、流れ模様が生ずる直接の原因は、レーザーマーク部に滞留したエッチング液が、遠心力によってウェーハ外周部に向けて飛散する際に、その飛散経路に沿って、他の部分よりもエッチングが進行することにある。したがって、通常、英数字等のＯＣＲマーク３（図１）よりも、直線で構成されるがゆえに単位面積あたりのドット（穴）数が多くなるバーコード２においては、単位面積あたりのエッチング液滞留量が多くなる。このため、ＯＣＲマーク３のウェーハ外周部よりも、バーコード２のウェーハ外周部の方が、よりエッチングが進むため、流れ模様発生程度が悪化する。よって、バーコード２をウェーハ外周側に持っていくことに伴い、バーコード２より外周領域のウェーハ面積（バーコード２からの流れ模様の生ずる面積）が狭くなり、筋状の溝面積が減ると同時に、ＯＣＲマーク３にバーコード２起因の流れ模様が重なることも避けられるからである。
このように、本実施の形態の適用により、ウェーハ平坦度を向上することが可能となり、結果としてデバイスメーカーにおけるデバイス製造歩留まり向上に寄与することが可能となる。また、ＯＣＲマークの読み取りが容易になり、ウェーハ識別が困難になることによる製造ウェーハの滞留がなくなる。したがって、デバイス製造ラインの生産性向上に寄与することが可能となる。  
【００２６】
（変形例）
図３に、本実施の形態の変形例であるレーザーマーキングウェーハの平面図を示す。本変形例のレーザーマーキングウェーハ１は、ウェーハ裏面に刻印されたレーザーマークがＯＣＲマーク３のみによって構成されていることを特徴とする。
このレーザーマーキングウェーハ１の製造方法は、レーザーマーキングステップ（Ｓ５）（図２）において、バーコードを刻印しないこと以外は、実施の形態と同様である。
このように、レーザーマークとして、バーコードを刻印しないことにより、流れ模様に起因する問題の更なる改善が可能となる。なぜなら、上述のように、ＯＣＲマーク３の単位面積あたりのドット（穴）数は、バーコードより少ないため、そこから発生する単位面積あたりの流れ模様が減少する。また、バーコードがなくなること、それ自体によっても、バーコード起因の流れ模様がなくなるため、シリコンウェーハ全体で見た流れ模様の量が当然に減少するからである。
したがって、更なるデバイス製造歩留まり向上、およびデバイス製造ラインの生産性向上への寄与が可能となる。
【００２７】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態および変形例について説明した。実施の形態および変形例の説明においては、シリコンマーキングウェーハおよびその製造方法で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされるシリコンマーキングウェーハおよびその製造方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。
【００２８】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのシリコンマーキングウェーハおよびその製造方法は、本発明の範囲に包含される。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明の実施例および比較例について、図面を参照しつつ説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。
【００３０】
（実施例１）
ＣＺ法によって引き上げられたシリコンインゴットにノッチ加工を施したシリコンインゴットを厚さ８０８μｍ、φ２００．７ｍｍ（８インチ）のシリコンウェーハにスライスした。スライスされたシリコンウェーハを面取り面のウェーハ半径方向の長さが３５０μｍとなるように面取りした。そして、面取りしたシリコンウェーハは、カップ型両頭研削装置を用いてウェーハの表裏合わせて６３μｍラップした。ラップしたシリコンウェーハはＲＣＡ洗浄を行い、その後、出力８５０ＷのＮｄ：ＹＡＧレーザーにより、ノッチ部近傍に深さ約７５μｍのＯＣＲマークを刻印し、ＯＣＲマークよりウェーハ外周部にあたる位置に同様の条件で、バーコードを刻印した。次に、レーザーマーキングされたウェーハを表面、裏面それぞれ、６．５μｍ研磨した。その後、バッチ式装置にて表裏合わせて１５μｍシリコンを両面ウェットエッチングした。さらに、その後、ＳＥＺ社製枚葉式エッチング装置により、弗酸と硝酸を混合した混酸をエッチング液として、レーザーマークの施されたシリコンウェーハ裏面を１μｍエッチングした。そして、ＲＣＡ洗浄を行い、図１に示すレーザーマーキングウェーハを５０枚製造した。
これらのレーザーマーキングウェーハについて、ＡＤＥ社製のウルトラスキャン９６００にて、セルサイズ２５ｍｍ、オフセット（０，０）、外周３ｍｍカットの条件でシリコンウェーハの平坦度測定を行った。
また、ザイゴ社のＣＰ３００  ＮｅｉｗＶｉｅｗ  ５０００にて、流れ模様の溝深さを測定した。
測定結果は、それぞれ、図４および図５に示す。
【００３１】
（実施例２）
レーザーマークとして、バーコードを刻印しない以外は、実施例１と同様の条件で図３に示すレーザーマーキングウェーハを５０枚製造した。
これらのレーザーマーキングウェーハについて、実施例１と同様の測定を行った。測定結果は、図４および図５に示す。
【００３２】
（比較例）
実施例１と、ＯＣＲマークとバーコードの位置を逆、すなわち、ＯＣＲマークをノッチ側に刻印した以外は、同様の条件で図６に示すレーザーマーキングウェーハを２５枚製造した。
これらのレーザーマーキングウェーハについて、実施例１と同様の測定を行った。測定結果は、図４および図５に示す。
【００３３】
（結果）
図４に、実施例１，２および比較例の平坦度測定結果を示す。縦軸はウェーハの平坦度をＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ−ｓｕｒｆａｃｅ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅ  ｒｅｆｅｒｎｃｅ  ｐｌａｎｅ  ｔｏｔａｌ  ｉｎｄｉｃａｔｏｒ  Ｒａｎｇｅ）で示している。ここで、ＳＦＱＲとは、設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面として、この平面からの＋側、−側の各々の最大変位量の絶対値の和によって各サイト毎に評価される平坦度の指標である。図４には、それぞれの条件について、８枚のウェーハについて、それぞれ５２サイトについてＳＦＱＲを測定し、その平均値を表している。
図４から明らかなように、比較例に対し、実施例１のようにＯＣＲマーク（図中ＯＣＲと記載）とバーコード（図中ＢＣと記載）の位置を入れ替え、バーコードをウェーハ外周側（ノッチ側）に刻印することにより、シリコンウェーハの平坦度が向上し、実施例２のようにＯＣＲマークのみにすることにより、更に平坦度が向上することが明らかになった。
【００３４】
図５には、実施例１，２および比較例の流れ模様深さ測定結果を示す。縦軸は、流れ模様深さをＲｍｓ（Ｒｏｏｔ  ｍｅａｎ  ｓｑｕａｒｅ）で示している。ここで、Ｒｍｓとは、平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根である。図５には、それぞれの条件について、８枚のウェーハについてそれぞれ測線３００ｕｍについてＲｍｓを測定し、その平均値を表している。
図５から明らかなように、比較例に対し、実施例１のようにＯＣＲマークとバーコード（図中ＢＣと記載）の位置を入れ替え、バーコードをウェーハ外周側（ノッチ側）に刻印することにより、流れ模様深さが浅くなり、実施例２のようにＯＣＲマークのみにすることにより、更に流れ模様深さが浅くことが明らかになった。
このように、実施例１、２および比較例の結果より、本発明によって、レーザーマーク刻印後にウェットエッチングが施されても、ウェーハ平坦度の低下を改善できることが判明した。また、ウェーハの流れ模様の深さも浅くなることから、レーザーマークの読み取りに与える影響も低減され、レーザーマークの読み取りを容易にすることが可能であることも判明した。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施の形態のレーザーマーキングウェーハの平面図である。
【図２】実施の形態のレーザーマーキングウェーハの製造方法を示すフロー図である。
【図３】実施の形態の変形例のレーザーマーキングウェーハの平面図である。
【図４】実施例の平坦度測定結果を示す図である。
【図５】実施例の流れ模様深さ測定結果を示す図である。
【図６】従来技術のレーザーマーキングウェーハの一例の平面図である。
【図７】裏面ウェットエッチング後の流れ模様を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１      レーザーマーキングウェーハ
２      バーコード
３      ＯＣＲマーク
４      ノッチ部                   
【図１】
2007234945.tif 000003
【図２】
2007234945.tif 000004
【図３】
2007234945.tif 000005
【図４】
2007234945.tif 000006
【図５】
2007234945.tif 000007
【図６】
2007234945.tif 000008
【図７】
2007234945.tif 000009