(57)【要約】【課題】本発明は、電源電圧と信号レベルを上昇する機能を有し、動作電圧がホストデバイスから供給した電源電圧より高い不揮発性メモリを記憶媒体とする不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】本発明は、電源電圧ブースタ２１(supply voltage booster)と不揮発性メモリユニット２３とコントローラ２５が設けられている。当該電源電圧ブースタ２１により、ホストデバイス３が供給した比較的に低い電源電圧(supply voltage)を、比較的に高い不揮発性メモリ動作電圧(operating voltage)に高くする。当該コントローラ２５は、電源電圧と動作電圧に合わせて、インターフェース信号を、適当なインターフェース信号レベルに調整して、信号レベルが高過ぎてインターフェースが破壊されることや、信号レベルが低過ぎて当該不揮発性メモリユニット２３が正確に信号を受信できないことを防止できる不揮発記憶装置２である。【選択図】図２
2007164970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電圧を受けて、電圧を上昇して内部電圧を出力する電源電圧ブースタと、
前記内部電圧を受けてディジタル情報の記憶に供する不揮発性メモリユニットと、
前記外部電圧を受けて、ホストデバイスに電気的に接続され、前記ホストデバイスとの間において、外部信号を伝送し、前記外部信号の電圧レベルが前記外部電圧の電圧レベルに一致するホストデバイスインターフェースユニットと、
前記内部電圧を受けて、前記不揮発性メモリユニットに電気的に接続され、前記不揮発性メモリユニットとの間において、内部信号を伝送し、前記内部信号の電圧レベルが前記内部電圧の電圧レベルに一致する不揮発性メモリインターフェースユニットを有するコントローラと、
を備えることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２】
前記不揮発性メモリユニットは、少なくとも一つの不揮発性メモリを備えることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記コントローラは、更に、
制御手順を行う埋め込み式マイクロプロセッサー(embedded micro-processor)と、
前記制御手順に必要とするコードを記憶するコードメモリ(code memory)と、
前記制御手順に関するデータを一時的に記憶するデータメモリ(data memory)と、
前記ホストデバイスが前記不揮発性記憶装置にアクセスする時、前記不揮発性メモリとの間において交換する情報を一時的に記憶するデータバッファーユニット(data buffer unit)と、
を備えることを特徴とする請求項２に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
前記不揮発性記憶装置は、更に、
前記電源電圧ブースタと前記コントローラ及び不揮発性メモリユニットが設置(mount)され、電気伝導率(electrical conductivity)の特性により、上に位置する各素子が、互いに対応する信号を伝送し、また、上に、前記ホストデバイス(host device)と接続するための電気伝導率インターフェース(electrical conductive interface)が設置されるサブストレート(substrate)と、
前記不揮発性記憶装置の素子をパッケージングし、前記電気伝導率インターフェースを露出(exposing)して前記ホストデバイスに接続するシーリングパッケージ(sealing package)と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５】
前記サブストレートは、プリント回路基板(printed circuit board)であることを特徴とする請求項４に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６】
前記内部電圧は、前記不揮発性メモリユニットの動作電圧であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７】
前記外部電圧は、前記不揮発性メモリ記憶デバイスの電源電圧(supply voltage of non-volatile memory storage device)であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項８】
不揮発性メモリユニットに接続され、コントローラと前記不揮発性メモリユニットとの間の信号レベル(signal level)を、前記不揮発性メモリユニットの動作電圧(operating voltage of non-volatile memory unit)に上昇(boosted)する不揮発性メモリインターフェースユニット(interface unit)と、
ホストデバイスに接続され、前記コントローラと前記ホストデバイスとの間の信号レベルを、不揮発性メモリ記憶デバイスの電源電圧に一致(conforms)するホストデバイスインターフェースユニットと、を備えることを特徴とするデュアルインターフェース信号レベルの不揮発性メモリ記憶デバイスのコントローラ。
【請求項９】
前記コントローラは、更に、
制御手順を行う埋め込み式マイクロプロセッサーと、
前記制御手順に必要とするコードを記憶するコードメモリと、
前記制御手順に関するデータを一時的に記憶するデータメモリと、
前記ホストデバイスが前記不揮発性メモリ記憶デバイスにアクセスする時、前記不揮発性メモリユニットとの間において交換する情報を一時的に記憶するデータバッファーユニットと、を備えることを特徴とする請求項８に記載のデュアルインターフェース信号レベルの不揮発性メモリ記憶デバイスのコントローラ。
【請求項１０】
不揮発性メモリユニットと、
外部電圧を受けて、電圧を上昇して内部電圧を出力し、また、前記内部電圧を前記不揮発性メモリユニットに供給する電源電圧ブースタと、
前記外部電圧を受けて、ホストデバイスに電気的に接続され、前記ホストデバイスとの間において、外部信号を伝送し、前記外部信号の電圧レベルが、前記外部電圧の電圧レベルに一致するホストデバイスインターフェースユニットと、
前記内部電圧を受けて、前記不揮発性メモリユニットに電気的に接続され、前記不揮発性メモリユニットとの間において、内部信号を伝送し、前記内部信号の電圧レベルが前記内部電圧の電圧レベルに一致する不揮発性メモリインターフェースユニットを有するコントローラと、を備えることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項１１】
前記内部電圧は、前記不揮発性メモリユニットの動作電圧であることを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１２】
前記不揮発性メモリユニットは、少なくとも一つの不揮発性メモリを備えることを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１３】
前記コントローラは、更に、
制御手順を行う埋め込み式マイクロプロセッサーと、
前記制御手順に必要とするコードを記憶するコードメモリと、
前記制御手順に関するデータを一時的に記憶するデータメモリと、
前記ホストデバイスが不揮発性メモリ記憶デバイスにアクセスする時、前記不揮発性メモリユニットとの間において交換する情報を一時的に記憶するデータバッファーユニットと、を備えることを特徴とする請求項１２に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１４】
前記不揮発性記憶装置は、更に、
前記コントローラと前記不揮発性メモリユニットが設置され、電気伝導率の特性により、上に位置する各素子が、互いに対応する信号を伝送し、また、上に、前記ホストデバイスと接続するための電気伝導率インターフェースが設置されるサブストレートと、
前記不揮発性記憶装置の素子をパッケージングし、前記電気伝導率インターフェースを露出して前記ホストデバイスに接続されるシーリングパッケージと、を備えることを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１５】
前記サブストレートは、プリント回路基板であることを特徴とする請求項１４に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１６】
前記内部電圧は、前記不揮発性メモリユニットの動作電圧であることを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１７】
前記外部電圧は、不揮発性メモリ記憶デバイスの電源電圧であることを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１８】
不揮発性メモリユニットに接続され、コントローラと前記不揮発性メモリユニットとの間の信号レベルを、前記不揮発性メモリユニットの動作電圧に上昇する不揮発性メモリインターフェースユニットと、
不揮発性メモリ記憶デバイスの電源電圧を、前記不揮発性メモリユニットの動作電圧に上昇し、前記不揮発性メモリインターフェースユニットと前記不揮発性メモリユニットに供給する電源電圧上昇ユニット(supply voltage booster)と、
ホストデバイスに接続され、前記コントローラと前記ホストデバイスとの間の信号レベルを前記不揮発性メモリ記憶デバイスの電源電圧に一致するホストデバイスインターフェースユニットと、を備えることを特徴とする電源電圧と信号レベルを上昇する不揮発性メモリ記憶デバイスのコントローラ。
【請求項１９】
更に、制御手順を行う埋め込み式マイクロプロセッサーと、
前記制御手順に必要とするコードを記憶するコードメモリと、
前記制御手順に関するデータを記憶するデータメモリと、
前記ホストデバイスが前記不揮発性メモリ記憶デバイスにアクセスする時、前記不揮発性メモリユニットとの間において交換する情報を一時的に記憶するデータバッファーユニットと、を備えることを特徴とする請求項１８に記載の電源電圧と信号レベルを上昇する不揮発性メモリ記憶デバイスのコントローラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性記憶装置に関し、特に、電源電圧と信号レベルを上昇できる不揮発性記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型化が進む不揮発性記憶装置(non-volatile memory storage apparatus)は、例えば、「メモリカード」(memory card)で、幅広く応用され、また、少しずつポータブルデバイス(portable device)に適用されている。ポータブル応用として、例えば、「携帯電話」(mobile phone)に対応するため、当該記憶装置は、軽薄小型化になり、また、その消費電力も低下され、これにより、ユーザーが希望している製品の小型化と電池の使用時間の延長と言う需要に満足できる。そのため、新登場した製品は、当該記憶装置の電源電圧(power supply voltage)とインターフェース信号レベル(interface signal level)が低下される傾向になる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
電源電圧(low supply voltage)を低下する要求に対応するために、従来技術は、動作電圧(operating voltage)がホストデバイスから供給した電圧に対応するコントローラを利用し、また、低電圧(low operating voltage)である不揮発性メモリを記憶媒体とし、即ち、不揮発性メモリ媒体の動作電圧とコントローラメモリインターフェースの信号レベルが、ホストデバイスから記憶デバイスに供給された電圧に等しい或いはやや小さい。しかしながら、このような低い電源電圧である不揮発性記憶装置は、電圧の制限により、普及でない且つ容量が比較的に低い電圧である不揮発性メモリを採用する必要がある。そのため、低い電源電圧の不揮発性記憶装置が実現できる最大容量は、比較的に低く、また、コストが高くなる。
【０００４】
図１は、従来の低電圧不揮発性記憶装置の機能ブロック図であり、電源変調回路１１が、電圧レベルを高めることができず、恒圧とサージの抑制等の機能だけを有するため、安定的な内部動作電圧VIOを、不揮発性メモリ１３とコントローラ１５に提供でき、そのため、内部動作電圧VIOが、外部供給電圧VSに等しいかやや小さいもので、また、内部インターフェース信号レベルVINTが、外部インターフェース信号レベルVEXTに等しいかやや小さいものであるから、上記のような低い電源電圧である不揮発性記憶装置１は、容量が比較的に小さいし、コストが高くなる。
【特許文献１】特開平１０−３１２６９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の問題を解消するため、電源電圧上昇機能と信号レベル変換機能を増設し、一般の動作電圧(normal operating voltage)がやや高い不揮発性メモリを、記憶媒体として、記憶デバイスのコストを低下し、また、ストレージ容量を増大する目標を達成できる低供給電圧の不揮発性記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、動作電圧が電源電圧より高い不揮発性メモリを記憶媒体とする目的を達成するために、記憶デバイスに電圧上昇装置を設置して、電源電圧を不揮発性メモリの動作電圧のレベルに上昇する不揮発性記憶装置である。また、不揮発性メモリのインターフェース信号レベルが、動作電圧に従って上昇するため、コントローラのメモリインターフェースに高電位信号源に接続されるが比較的に低い信号レベルを維持することによる、不揮発性メモリが正確に信号を認識できない状況を防止するために、コントローラのメモリインターフェースの信号レベルを上昇する必要がある。また、同時に、コントローラに接続されるホストデバイスのホストインターフェース(host interface)信号レベルは、ホストデバイス供給電源の電圧を参考レベルとすることに維持することにより、インターフェース信号レベルがホスト供給電圧より高いことによる、コントローラが正確にホストデバイスが出力した高電位信号を認識できないことを防止し、或いは、コントローラが出力した高電位信号が、ホストデバイスの限定範囲(一般上限は、供給電圧である)を超える現象を防止する。
【０００７】
本発明は、外部電圧を受けて、電圧を上昇して内部電圧を出力する電源電圧ブースタと、当該内部電圧を受けてディジタル情報の記憶に供する不揮発性メモリユニットと、コントローラとを備える不揮発性記憶装置である。当該コントローラは、当該外部電圧を受けて、ホストデバイスに電気的に接続され、当該ホストデバイスとの間において、外部信号を伝送し、当該外部信号の電圧レベルが、当該外部電圧の電圧レベルに一致するホストデバイスインターフェースユニットと、当該内部電圧を受けて、当該不揮発性メモリユニットに電気的に接続され、当該不揮発性メモリユニットとの間において、内部信号を伝送し、当該内部信号の電圧レベルが、当該内部電圧の電圧レベルに一致する不揮発性メモリインターフェースユニットと、を備える。
【０００８】
本発明は、更に、デュアルインターフェース信号レベル(dual interface signal level)を有する不揮発性メモリ記憶デバイスのコントローラを提供し、その特徴として、不揮発性メモリユニットに接続され、当該コントローラと当該不揮発性メモリユニットとの間の信号レベル(signal level)を当該不揮発性メモリユニットの動作電圧(operating voltage of non-volatile memory unit)に上昇(boosted)する不揮発性メモリインターフェースユニット(interface unit)と、ホストデバイスに接続され、当該コントローラとホストデバイスとの間の信号レベルを当該不揮発性メモリ記憶デバイスの電源電圧に一致(conforms)するホストデバイス(host device)インターフェースユニットと、を備える。
【０００９】
本発明は、更に、不揮発性メモリユニットとコントローラとを備える不揮発性記憶装置を提供する。当該コントローラは、外部電圧を受けて、電圧を上昇して内部電圧を出力し、当該内部電圧を当該不揮発性メモリユニットに供給する電源電圧ブースタと、当該外部電圧を受けて、ホストデバイスに電気的に接続され、当該ホストデバイスとの間において、外部信号を伝送し、当該外部信号の電圧レベルが、当該外部電圧の電圧レベルに一致するホストデバイスインターフェースユニットと、当該内部電圧を受けて、当該不揮発性メモリユニットに電気的に接続され、当該不揮発性メモリユニットとの間において、内部信号を伝送し、当該内部信号の電圧レベルが、当該内部電圧の電圧レベルに一致する不揮発性メモリインターフェースユニットと、を備える。
【００１０】
本発明は、更に、電源電圧と信号レベルを上昇できる不揮発性メモリ記憶デバイスのコントローラを提供し、その特徴として、当該コントローラは、不揮発性メモリユニットに接続され、当該コントローラと当該不揮発性メモリユニットとの間の信号レベルを、当該不揮発性メモリユニットの動作電圧に上昇する不揮発性メモリインターフェースユニットと、不揮発性メモリ記憶デバイスの電源電圧(supply voltage)を、当該不揮発性メモリユニットの動作電圧に上昇して、当該不揮発性メモリインターフェースユニットと当該不揮発性メモリユニットに供給する電源電圧上昇ユニット(supply voltage booster)と、ホストデバイスに接続され、当該コントローラと当該ホストデバイスとの間の信号レベルを、当該不揮発性メモリ記憶デバイスの電源電圧に一致(conforms)するホストデバイスインターフェースユニットと、を備える。
【００１１】
以下、例を挙げて図面を参照しながら、本発明の目的を達成するための技術や手段及びその効果を詳しく説明し、これにより、本発明の目的や特徴及び特長が、より良く分かるようになるが、図面等は、参考や説明のためであるもので、本発明は、それによって制限されない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
従来、ホストデバイスが不揮発性記憶装置に電源を供給する場合、その供給した電圧は、不揮発性記憶装置の不揮発性メモリの内部動作電圧(Internal Operating Voltage)より低い。図２は、電源電圧と信号レベルを上昇する不揮発性記憶装置２の機能ブロック図であり、本発明は、不揮発性メモリユニット２３を正常に作動させるため、電源電圧ブースタ２１(Booster)により、外部から供給された電圧VSのレベルを、不揮発性メモリユニット２３が作業する時に必要となる内部動作電圧VIOに一致するように上昇する。
【００１３】
コントローラ２５は、同時にホストデバイス３と不揮発性メモリユニット２３とに接続される必要があり、ホストデバイスインターフェースユニット２５１の信号参考電圧(signal reference voltage) Vext_refが外部供給電圧VSで、不揮発性メモリインターフェースユニット２５３の信号参考電圧Vint_refが内部動作電圧VIOであり、また、内部動作電圧VIOが外部供給電圧VSより高い。信号を伝送する両方ともに正確的且つ安定的に認識できる、コントローラ２５とホストデバイス３との間の外部信号の電圧レベルVEXTと、コントローラ２５と不揮発性メモリユニット２３との間の内部信号の電圧レベルVINTの高電位信号を得られるため、コントローラ２５は、内部において、両組のインターフェースの参考電源を独立させることが必要となり、そのため、ホストデバイスインターフェースユニット２５１と不揮発性メモリインターフェースユニット２５３のデュアルインターフェースが設置される。また、ホストデバイスインターフェースユニット２５１は、外部供給電圧VSに基づいて外部信号を生成し、また、不揮発性メモリインターフェースユニット２５３は、内部動作電圧VIOに基づいて内部信号を処理する。また、内部動作電圧VIOが外部供給電圧VSより高いため、内部信号の電圧レベルVINTが、外部信号の電圧レベルVEXTより高い。
【００１４】
また、上記の不揮発性記憶装置２の全体の構造は、電源電圧ブースタ２１で外部供給電圧VSを受けて（受信し）、電圧を上昇して内部動作電圧VIOを出力する。また、不揮発性メモリユニット２３は、当該内部動作電圧VIOを受けてディジタル情報の記憶に供し、また、少なくとも一つの不揮発性メモリを備える。そして、コントローラ２５は、当該外部供給電圧VSを受けて、ホストデバイス３に電気的に接続されるホストデバイスインターフェースユニット２５１を備え、また、ホストデバイス３との間において、外部供給電圧VSに一致する外部信号が伝送され、外部信号の電圧レベルVEXTが外部供給電圧VSと一致する。一方、不揮発性メモリインターフェースユニット２５３は、内部動作電圧VIOを受けて、不揮発性メモリユニット２３に電気的に接続され、また、不揮発性メモリユニット２３との間において、内部動作電圧VIOに一致する内部信号が伝送され、内部信号の電圧レベルVINTが内部動作電圧VIOと一致する。これにより、動作電圧が電源電圧より高い不揮発性メモリを記憶媒体とする目的が達成される。
【００１５】
より具体的に上記のデュアルインターフェース信号レベルを有するコントローラ２５を説明し、図３は、デュアルインターフェース信号レベルを有する不揮発性記憶装置２のコントローラ２５の機能ブロック図である。上記のようなコントローラ２５は、不揮発性メモリインターフェースユニット２５３(interface unit)により、不揮発性メモリユニット２３に接続され、また、不揮発性メモリインターフェースユニット２５３は、主として、コントローラ２５と不揮発性メモリユニット２３との間の信号レベルを不揮発性メモリユニット２３の内部動作電圧VIOに上昇するものである。また、ホストデバイスインターフェースユニット２５１は、ホストデバイス３に接続され、コントローラ２５とホストデバイス３との間の信号レベルを不揮発性メモリ記憶デバイス（不揮発性記憶装置）２の外部供給電圧VSに一致させるためのものである。また、当該コントローラ２５は、更に、制御手順を行う埋め込み式マイクロプロセッサー２５５(embedded micro-processor)と、当該制御手順に必要とするコードを記憶するコードメモリ(code memory)２５６と、当該制御手順に関するデータを一時的に記憶するデータメモリ(data memory)２５７と、ホストデバイス３が、不揮発性メモリ記憶デバイス２にアクセスする時、当該不揮発性メモリユニット２３との間において交換する情報を一時的に記憶するデータバッファーユニット(data buffer unit)２５８と、を備える。また、電源変調回路２５４は、外部供給電圧VSを受けて、関係する素子に、必要とする作業電源を供給する。
【００１６】
また、本発明の不揮発性記憶装置２は、更に、電源電圧ブースタ２１とコントローラ２５及び不揮発性メモリユニット２３を設置(mount)するためのサブストレート(substrate)を備えている。当該サブストレートの電気伝導率(electrical conductivity)の特性により、当該サブストレート上に位置する各素子は、互いに対応する信号を伝送し、また、当該サブストレート上に、ホストデバイス３と接続するための電気伝導率インターフェース(electrical conductive interface)が設置される。また、不揮発性記憶装置２の素子をパッケージングし、当該電気伝導率インターフェースを露出(exposing)して当該ホストデバイス３に接続するシーリングパッケージ(sealing package)を備えている。また、当該サブストレートは、プリント回路基板(printed circuit board)であってもよい。
【００１７】
図４は、電源電圧と信号レベルを上昇してそして統合するコントローラを有する不揮発性記憶装置４の機能ブロック図であり、不揮発性記憶装置４は、不揮発性メモリユニット４３とコントローラ４５とを備えている。不揮発性メモリユニット４３は、少なくとも一つの不揮発性メモリである。コントローラ４５は、電源電圧ブースタ４５１により、ホストデバイス５が供給した外部供給電圧VSを受けて、外部供給電圧VSを電源電圧ブースタ４５１で電圧を上昇してから内部動作電圧VIOを出力し、また、内部動作電圧VIOを不揮発性メモリユニット４３に供給する。また、コントローラ４５は、ホストデバイスインターフェースユニット４５３により、ホストデバイス５に電気的に接続され、外部供給電圧VSを受けて、また、ホストデバイス５との間において、電圧レベルVEXTが外部供給電圧VSに一致する外部信号を伝送する。コントローラ４５は、不揮発性メモリインターフェースユニット４５５により電源ブースタ４５１に接続されることにより、内部動作電圧VIOを受けて、また、不揮発性メモリユニット４３との間において、電圧レベルVINTが内部動作電圧VIOに一致する内部信号を伝送する。
【００１８】
ホストデバイス５の外部供給電圧VSより大きい内部動作電圧VIOを利用するために、コントローラ４５に、ホストデバイスインターフェースユニット４５３と不揮発性メモリインターフェースユニット４５５とのデュアル参考電位の設置が必要であり、これにより、同時に、ホストデバイス５と不揮発性メモリインターフェースユニット４５５に接続することができる。この時、ホストデバイスインターフェースユニット４５３の信号参考電圧Vext_refが外部供給電圧VSで、不揮発性メモリインターフェースユニット４５５の信号参考電圧Vint_refが内部動作電圧VIOであり、また、内部動作電圧VIOが外部供給電圧VSより高い。信号を伝送する両方ともに正確的且つ安定的に認識できる、コントローラ４５とホストデバイス５との間の外部信号の電圧レベルVEXTと、コントローラ４５と不揮発性メモリユニット４３との間の内部信号の電圧レベルVINTの高電位信号を得られるため、コントローラ４５は、内部において、両組のインターフェースの参考電源を独立させることが必要とし、そのため、ホストデバイスインターフェースユニット４５３と不揮発性メモリインターフェースユニット４５５とのデュアル参考電位の設置になる。また、ホストデバイスインターフェースユニット４５３は、当該外部信号の電圧レベルVEXTを外部供給電圧VSと一致するために、外部供給電圧VSに基づいて当該外部信号を生成する。また、不揮発性メモリインターフェースユニット４５５は、当該内部信号の電圧レベルVINTを内部動作電圧VIOに一致するために、内部動作電圧VIOに基づいて当該内部信号を処理し、また、内部動作電圧VIOが外部供給電圧VSより高いため、内部信号の電圧レベルVINTが外部信号の電圧レベルVEXTより大きい。
【００１９】
以下、具体的に、上記の電源電圧と信号レベルを上昇して統合するコントローラ４５を説明し、図５は、電源電圧と信号レベルを上昇する不揮発性記憶装置４のコントローラ４５の機能ブロック図である。図４のようなコントローラ４５は、不揮発性メモリインターフェースユニット４５５によって、不揮発性メモリユニット４３に接続され、不揮発性メモリインターフェースユニット４５５は、主として、コントローラ４５と不揮発性メモリユニット４３との間の信号レベルを、不揮発性メモリユニット４３の内部動作電圧VIOに上昇する。また、ホストデバイスインターフェースユニット４５３は、ホストデバイス５に接続され、コントローラ４５とホストデバイス５との間の信号レベルを、不揮発性メモリ記憶デバイス（不揮発性記憶装置）４の電源電圧VSに一致する。電源変調回路４５６で電源電圧VSを受けて、処理された電源電圧VSを電源電圧ブースタ４５１に伝送し、そして、電源電圧ブースタ４５１が処理された電源電圧VSを上昇し、内部動作電圧VIOを出力する。また、当該コントローラ４５は、更に、制御手順を行う埋め込み式マイクロプロセッサー４５７と、当該制御手順に必要とするコードを記憶するコードメモリ４５８と、当該制御手順に関するデータを一時的に記憶するデータメモリ４５９と、ホストデバイス５が、不揮発性メモリ記憶デバイス４にアクセスする時、当該不揮発性メモリユニット４３との間において交換する情報を一時的に記憶するデータバッファーユニット４５４と、を備えている。
【００２０】
また、本発明の不揮発性記憶装置４は、更に、コントローラ４５と不揮発性メモリユニット４３を設置するためのサブストレートを備えている。当該サブストレート電気伝導率の特性により、当該サブストレート上に位置する各素子は、互いに対応する信号を伝送し、また、当該サブストレート上に、ホストデバイス５と接続するための電気伝導率インターフェースが設置される。また、不揮発性記憶装置４の素子をパッケージングし、当該電気伝導率インターフェースを露出して当該ホストデバイス５に接続されるシーリングパッケージが設けられている。また、当該サブストレートは、プリント回路基板であってもよい。
【００２１】
以上は、ただ、本発明のより良い具体的な実施例を詳しく説明するための図式であり、本発明は、それによって制限されず、本発明に係わる特許請求の範囲は、特許請求の範囲に記載されるものに根拠し、また、本発明の特許請求の範囲の精神や類似する実施例に従って、本技術を良く分かる熟練者であれば、簡単に等価の変更や修正ができ、当該等価の変更や修正は、全てが、本発明の特許請求の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来の低電圧の不揮発性記憶装置の機能ブロック図である。
【図２】電源電圧と信号レベルを上昇する不揮発性記憶装置の機能ブロック図である。
【図３】デュアルインターフェース信号レベルを有する不揮発性記憶装置のコントローラの機能ブロック図である。
【図４】電源電圧と信号レベルを上昇して統合するコントローラを有する不揮発性記憶装置の機能ブロック図である。
【図５】電源電圧と信号レベルを上昇する不揮発性記憶装置のコントローラの機能ブロック図である。
【符号の説明】
【００２３】
１  不揮発性記憶装置
１１  電源変調回路
１３  不揮発性メモリ
１５  コントローラ
VIO  動作電圧
VS  供給電圧
VINT  内部インターフェース信号レベル
VEXT  外部インターフェース信号レベル
２  不揮発性記憶装置
２１  電源電圧ブースタ
２３  不揮発性メモリユニット
２５  コントローラ
２５１  ホストデバイスインターフェースユニット
２５３  不揮発性メモリインターフェースユニット
２５４  電源変調回路
２５５  マイクロプロセッサー
２５６  コードメモリ
２５７  データメモリ
２５８  データバッファーユニット
VS  外部供給電圧
VIO  内部動作電圧
VEXT  外部信号の電圧レベル
VINT  内部信号の電圧レベル
３  ホストデバイス
４  不揮発性記憶装置
４３  不揮発性メモリユニット
４５  コントローラ
４５１  電源電圧ブースタ
４５３  ホストデバイスインターフェースユニット
４５４  データバッファー
４５５  不揮発性メモリインターフェースユニット
４５６  電源変調回路
４５７  マイクロプロセッサー
４５８  コードメモリ
４５９  データメモリ
VS  外部供給電圧
VIO  内部動作電圧
VEXT  外部信号の電圧レベル
VINT  内部信号の電圧レベル
５  ホストデバイス
【図１】
2007164970.tif 000003
【図２】
2007164970.tif 000004
【図３】
2007164970.tif 000005
【図４】
2007164970.tif 000006
【図５】
2007164970.tif 000007