(57)【要約】【課題】  磁区拡大再生方式の光磁気記録媒体において、より短いマーク長の記録磁区を一層安定して記録可能な記録方法を提供する。【解決手段】  ２つの成分で構成された２値情報であり且つ該２値情報を構成する一方の成分と他方の成分とが同じ割合で含まれる試し書き情報を光磁気記録媒体に記録することと、記録された試し書き情報を再生することと、試し書き情報の再生信号波形に基づいて、補正記録磁界の強度及び印加方向を決定することと、補正記録磁界を記録磁界に加えて上記光磁気記録媒体に情報を記録することとを含む記録方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報が磁区として記録される記録層と、該記録層に記録された磁区が転写及び拡大される再生層とを備える光磁気記録媒体に情報を記録する方法であって、
２つの成分で構成された２値情報であり且つ該２値情報を構成する一方の成分と他方の成分とが同じ割合で含まれる試し書き情報を上記光磁気記録媒体に記録することと、
上記記録された試し書き情報を再生することと、
上記試し書き情報の再生信号波形に基づいて、補正記録磁界の強度及び印加方向を決定することと、
上記補正記録磁界を記録磁界に加えて上記光磁気記録媒体に情報を記録することとを含む記録方法。
【請求項２】
情報が磁区として記録される記録層と、該記録層に記録された磁区が転写及び拡大される再生層とを備える光磁気記録媒体に情報を記録する方法であって、
２つの成分で構成された２値情報であり、該２値情報を構成する一方の成分と他方の成分とが同じ割合で含まれ且つ一方の成分及び他方の成分のマーク長がともに上記光磁気記録媒体に記録されるユーザデータの最短マーク長より短い試し書き情報を上記光磁気記録媒体に記録することと、
上記記録された試し書き情報を再生することと、
上記試し書き情報の再生信号波形に基づいて、補正記録磁界の強度及び印加方向を決定することと、
上記補正記録磁界を記録磁界に加えて上記光磁気記録媒体に情報を記録することとを含む記録方法。
【請求項３】
上記補正記録磁界の強度及び印加方向を決定することが、上記再生信号波形の欠落を検出することを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の記録方法。
【請求項４】
上記再生信号波形の欠落が、上記再生信号波形の振幅の平均値または積分値を求めることにより検出されることを特徴とする請求項３に記載の記録方法。
【請求項５】
上記再生信号波形の欠落が、上記信号波形の欠落数を数えることにより検出されることを特徴とする請求項３に記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】
上記試し書き情報が、上記一方の成分と上記他方の成分とを交互に配列した情報であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の記録方法。
【請求項７】
情報が磁区として記録される記録層と、該記録層に記録された磁区が転写及び拡大される再生層とを備える光磁気記録媒体に情報を記録するための記録装置であって、
２つの成分で構成された２値情報であり、該２値情報を構成する一方の成分と他方の成分とが同じ割合で含まれ且つ一方の成分及び他方の成分のマーク長がともに上記光磁気記録媒体に記録されるユーザデータの最短マーク長より短い試し書き情報を記録するための磁界発生部と、
上記試し書き情報の再生信号波形の欠落を検出する検出部と、
上記検出器の検出結果に基づいて補正記録磁界を発生させる補正記録磁界発生部とを備える記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置に関し、より詳細には、光分解能以下のサイズの情報を再生可能な光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展により、膨大な情報を記憶するための外部記憶装置においては記録密度の向上が著しい。光磁気記録媒体においても同様であり、青色レーザ及び高ＮＡレンズを用いて光スポットサイズを小さくすることによる高密度化の研究が盛んに行われている。例えば、波長４０５ｎｍの青色レーザとＮＡ０．６の対物レンズを使用した場合、光スポット径は約０．６μｍになり、波長４０５ｎｍの青色レーザとＮＡ０．８５の対物レンズを使用した場合の光スポット径は０．４５μｍ程度に小さくなる。光スポットが小さくなると小さな記録マークを再生する場合に置いて符号間干渉が少なくなり、正確な情報再生を行うことができるので、記録密度を向上させることが可能である。
【０００３】
さらに、光磁気記録媒体においては再生分解能を向上させるために熱と磁気の特徴を利用した大容量化技術が提案されている。かかる大容量化技術として、例えば、磁気超解像技術（例えば、特許文献１参照）、磁壁移動再生技術（例えば、特許文献２参照）、磁区拡大再生技術（例えば、特許文献３参照）、中央開口後方拡大検出技術（例えば、特許文献４参照）などが提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平３−９３０５６号公報
【特許文献２】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献３】特開平８―１８２９０１号公報
【特許文献４】特開平１１−１６２０３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１〜４に開示されている技術を用いることにより再生分解能を向上させることができるが、再生分解能の向上とともに、当然ながら記録マークの長さも短くなる。そして、記録マークの長さが短くなるほど、最短マークを安定して記録することが困難になる。さらに、短いマーク長の情報を記録する際に、対物レンズを駆動するためのアクチュエータコイルからの漏れ磁界や、外部の電気機器から発生する磁界による外乱磁界（ノイズ磁界）が存在すると、さらに、最短マークを安定して記録することが困難になる恐れがある。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、上述のような再生分解能が向上させることができる技術、特に、磁区拡大再生方式（ＭＡＭＭＯＳ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）を用いた光磁気記録媒体に対して、一層安定した情報記録が可能な記録方法及び記録装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様に従えば、情報が磁区として記録される記録層と、該記録層に記録された磁区が転写及び拡大される再生層とを備える光磁気記録媒体に情報を記録する方法であって、２つの成分で構成された２値情報であり且つ該２値情報を構成する一方の成分と他方の成分とが同じ割合で含まれる試し書き情報を上記光磁気記録媒体に記録することと、上記記録された試し書き情報を再生することと、上記試し書き情報の再生信号波形に基づいて、補正記録磁界の強度及び印加方向を決定することと、上記補正記録磁界を記録磁界に加えて上記光磁気記録媒体に情報を記録することとを含む記録方法が提供される。
【０００８】
本発明者らは、磁区拡大再生方式の光磁気記録媒体（以下、ＭＡＭＭＯＳ媒体ともいう）における外乱磁界と情報の記録再生特性との関係を調べたところ、以下のようなＭＡＭＭＯＳ媒体特有の現象（問題）が発生することを見出した。その現象を図１〜３の記録再生特性を参照しながら説明する。なお、図１〜３は、記録磁界強度を±２５０Ｏｅとし、再生光にはスポット径０．４μｍの光ビームを用いた場合の記録再生特性である。また、各図１〜３の図（ａ）及び（ｂ）中の上段の波形は記録磁界の波形であり、中段の波形は通常のＭＯ媒体（磁区を拡大再生しない光磁気記録媒体）の再生信号波形であり、そして、下段の波形はＭＡＭＭＯＳ媒体の再生信号波形である。
【０００９】
図１は、情報記録時に外乱磁界が存在しない場合の記録再生特性を示した図であり、図１（ａ）は、マーク長１．０μｍ（光分解能以上のサイズ）の情報成分「０」及び「１」を交互に配列した２値情報を記録した際の記録再生特性であり、図１（ｂ）は、マーク長０．０７μｍ（光分解能以下のサイズ）の情報成分「０」及び「１」を交互に配列した２値情報を記録した際の記録再生特性である。
【００１０】
外乱磁界が存在しない場合には、図１（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、ＭＡＭＭＯＳ媒体では、記録マーク長が１．０μｍであっても０．０７μｍであっても、記録波形と同様の再生信号波形が得られた。一方、通常のＭＯ媒体では、記録マーク長が１．０μｍの場合には光分解能以上のサイズであるので、図１（ａ）に示すように、記録波形に対応した正弦波の再生信号波形が得られるが、記録マーク長が０．０７μｍの場合には光分解能以下のサイズとなるので、通常のＭＯ媒体では情報再生ができず、図１（ｂ）に示すように、記録波形に対応した正弦波の再生信号波形は得られない。
【００１１】
図２は、記録磁界の強度がマイナス方向（図２中では下方向）にシフトするような外乱磁界が存在する場合の記録再生特性を示した図であり、図２（ａ）は、マーク長１．０μｍの情報成分「０」及び「１」を交互に配列した２値情報を記録した際の記録再生特性であり、そして、図２（ｂ）は、マーク長０．０７μｍの情報成分「０」及び「１」を交互に配列した２値情報を記録した際の記録再生特性である。なお、外乱磁界強度は５０Ｏｅとした。
【００１２】
記録磁界の強度がマイナス方向にシフトするような外乱磁界が存在する場合、図２（ａ）に示すように、記録マーク長が１．０μｍと十分長いと、図１の場合（外乱磁界が存在しない場合）と同様に、記録波形と同様の再生信号波形が得られた。しかしながら、記録マーク長が０．０７μｍと短くなると、ＭＡＭＭＯＳ媒体の再生信号波形では、図２（ｂ）に示すように、再生信号の振幅が最大となるべき位置の信号波形が欠落した。すなわち、記録磁界の強度がマイナス方向にシフトするような外乱磁界が存在した場合、記録マーク長の短くなると、ＭＡＭＭＯＳ媒体の再生信号波形の一部の波形が欠落することが分かった。なお、従来のＭＯ媒体の再生特性は、図２（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、図１の場合と同じ結果が得られた。
【００１３】
また、図３は、記録磁界の強度がプラス方向（図３中では上方向）にシフトするような外乱磁界が存在する場合の記録再生特性を示した図であり、図３（ａ）は、マーク長１．０μｍの情報成分「０」及び「１」を交互に配列した２値情報を記録した際の記録再生特性であり、そして、図３（ｂ）は、マーク長０．０７μｍの情報成分「０」及び「１」を交互に配列した２値情報を記録した際の記録再生特性である。なお、外乱磁界強度は５０Ｏｅとした。
【００１４】
記録磁界の強度がプラス方向にシフトするような外乱磁界が存在する場合、図３（ａ）に示すように、記録マーク長が１．０μｍと十分長いと、図１の場合（外乱磁界が存在しない場合）と同様に、記録波形と同様の再生信号波形が得られた。しかしながら、記録マーク長が０．０７μｍと短くなると、ＭＡＭＭＯＳ媒体の再生信号波形では、図３（ｂ）に示すように、再生信号の振幅が最小となるべき位置の信号波形が欠落した。すなわち、記録磁界の強度がプラス方向（図３中では上方向）にシフトするような外乱磁界が存在した場合にも、記録マーク長の短くなると、ＭＡＭＭＯＳ媒体の再生信号波形の一部の波形が欠落することが分かった。なお、従来のＭＯ媒体の再生特性（図３中の中段の波形）は、図３（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、図１の場合と同じ結果が得られた。
【００１５】
図１〜３の結果から、ＭＡＭＭＯＳ媒体に情報記録を行う際に外乱磁界が存在すると、再生信号波形において、短いマーク長の情報に対応する波形部分が欠落することが分かった。このように再生信号波形に欠落があると、その部分からは正確な情報を再生することができない。
【００１６】
また、本発明者らが、さらに、記録マーク長を変えて外乱磁界と記録再生特性との関係を調べたところ、記録マーク長が短くなるほど、再生信号波形の欠落率（欠落する頻度）が増大することが分かった。その図を図４に示した。なお、図４の特性は、図３の場合と同様に、記録磁界がプラス方向（図３中では上方向）にシフトするような外乱磁界が存在する場合のマーク長と再生信号波形の欠落率との関係を示した図である。また、この評価実験では、スポット径０．４μｍの再生光を用いた。図４の特性から明らかなように、記録マーク長が０．１μｍ未満となると、急激に欠落率が上昇している。
【００１７】
上述のように、ＭＡＭＭＯＳ媒体において、外乱磁界が存在する状態で情報記録を行うと記録マーク長の短い領域で再生信号波形に欠落が生じる恐れがある。その原因としては、次のようなことが考えられる。
【００１８】
ＭＡＭＭＯＳ媒体では、記録マークの磁壁位置は、レーザ光照射で発生した熱の分布と、記録磁界の切り替わるタイミングで決定される。それゆえ、記録マーク長が十分長い場合には、媒体の進行方向に先行する記録マークの磁壁が十分冷えた状態（保磁力が十分大きい状態）で、次の記録マークを形成するための記録磁界が印加される。この際、先行する記録マークの磁壁付近の保磁力は十分大きいので、情報記録時に多少の外乱磁界が存在しても（記録磁界が外乱磁界により多少変動しても）、外乱磁界が先行する記録マークの磁壁位置や形状に大きな影響を与えることはない。しかしながら、マーク長が短くなるとレーザ光照射で発生した熱分布の幅に対する記録マーク長の割合が短くなる。この場合、先行する記録マークの磁壁の温度が十分に低くならないうちに、すなわち、先行する記録マークの磁壁付近の保磁力が低い状態で、次の記録マークを形成するための記録磁界が印加されるので、外乱磁界（記録磁界の変動）による先行する記録マークの磁壁位置や形状への影響が大きくなる。その結果、情報記録時に外乱磁界が存在すると、短い記録マークでは、記録マークの形状や磁壁の形状が乱れる恐れがある。ＭＡＭＭＯＳ媒体で、上記原因により、記録マークの形状や磁壁の形状に乱れが生じると、その部分の記録磁区が全く拡大再生しなくなる。それゆえ、ＭＡＭＭＯＳ媒体では、図２及び３に示したように、再生信号波形に欠落が生じたものと考えられる。
【００１９】
ここで、外乱磁界が記録マークの磁壁に与える影響について、図５及び６を用いてさらに具体的に説明する。図５及び６は、レーザ光照射により記録層に発生した熱分布（温度プロファイル）と、記録マーク長との関係を示した図である。
【００２０】
図５は、白印の記録マーク４１を形成した後に、記録マーク４１の磁化方向とは反対の磁化方向を有する記録マーク４２（黒印の記録マーク４０と同じ磁化方向を有する記録マーク）を形成する直前の状態を示している。図５中の破線４３は記録層の磁化方向が記録磁界により反転する臨界温度の位置であり、記録磁界を反転させた際にはこの温度以上に加熱されている記録層領域の磁化が反転する。図５の状態で記録磁界を反転させると、記録マーク４２の領域では、加熱されて十分保磁力が下がっているので、磁化が反転する。すなわち、黒印の記録マーク４０と同じ磁化方向の磁区が形成され、破線４３に対応する位置に磁壁が形成される。また、この際、記録マーク４１と、それよりディスク進行方向に先行する記録マーク４０との境界の磁壁（矢印４４）領域は十分冷えており、十分大きな保磁力を有するので、外乱磁界が存在してもその影響は小さく、磁壁の位置が変動したり磁壁の形状が変形したりすることはない。
【００２１】
一方、図６は、図５と同様に、白印の記録マーク５１を形成した後に、記録マーク５１の磁化方向とは反対の磁化方向を有する記録マーク５２（黒印の記録マーク５０と同じ磁化方向を有する記録マーク）を形成する直前の状態を示した図である。なお、図６は、図５より温度プロファイルの幅に対するマーク長の割合が小さい場合（マーク長が短い場合）の様子を示した図である。図６中の破線５３は記録層の磁化方向が記録磁界により反転する臨界温度の位置であり、記録磁界を反転させた際にはこの温度以上に加熱されている記録層領域の磁化が反転する。図６の状態で記録磁界を反転させると、記録マーク５２の領域では、加熱されて十分保磁力が下がっているので、磁化が反転する。すなわち、黒印の記録マーク５０と同じ磁化方向の磁区が形成され、破線５３に対応する位置に磁壁が形成される。しかしながら、この際、記録マーク５１とそれよりディスク進行方向に先行する記録マーク５０との境界の磁壁（矢印５４）領域は十分冷えておらず、保磁力も低くなっている。それゆえ、外乱磁界により記録磁界が変動すると、記録マーク５０と５１との間の磁壁の位置が変化したり、磁壁の形状が変形したり、あるいは、記録マーク自体変形する恐れがある。
【００２２】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明のＭＡＭＭＯＳ媒体の記録方法では、ユーザデータ等を記録する前に、試し書き情報として、２つの成分（例えば、「０」と「１」）で構成され且つ一方の成分（例えば「０」）と他方の成分（例えば、「１」）とが同じ割合で含まれる２値情報を用いて試し書きを行い、その試し書き情報の再生信号波形に基づいて、再生信号波形に欠落が生じない（外乱磁界をキャンセルする）ように補正記録磁界の強度及び印加方向を決定する。そして、その補正記録磁界を記録磁界に加えた磁界を用いて、ＭＡＭＭＯＳ媒体に情報を記録する。それゆえ、本発明のＭＡＭＭＯＳ媒体の記録方法を用いれば、再生信号波形に欠落が生じないので、より短い記録マークであっても、確実に情報の記録再生を行うことができる。なお、外乱磁界は使用環境等により変化するので、本発明の記録方法における上記記録磁界の補正は、記録毎に行うことが好ましい。
【００２３】
本発明の第２の態様に従えば、情報が磁区として記録される記録層と、該記録層に記録された磁区が転写及び拡大される再生層とを備える光磁気記録媒体に情報を記録する方法であって、２つの成分で構成された２値情報であり、該２値情報を構成する一方の成分と他方の成分とが同じ割合で含まれ且つ一方の成分及び他方の成分のマーク長がともに上記光磁気記録媒体に記録されるユーザデータの最短マーク長より短い試し書き情報を上記光磁気記録媒体に記録することと、上記記録された試し書き情報を再生することと、上記試し書き情報の再生信号波形に基づいて、補正記録磁界の強度及び印加方向を決定することと、上記補正記録磁界を記録磁界に加えて上記光磁気記録媒体に情報を記録することとを含む記録方法が提供される。
【００２４】
図４で示したように、短いマーク長の記録マークの方が外乱磁界に対して感度の高い（影響を受けやすい）。それゆえ、本発明のＭＡＭＭＯＳ媒体の記録方法では、外乱磁界をキャンセルするための補正記録磁界を求める際には、外乱磁界に対して感度の高い（影響を受けやすい）、短いマーク長の試し書き情報を用いることが好ましい。それにより、一層精度よく外乱磁界を補償することができる。また、実際に、ＭＡＭＭＯＳ媒体にユーザデータを記録する際には、ユーザデータに含まれるマーク長の範囲で確実に再生信号波形の欠落が起こらないようにすることが望ましいので、ユーザデータに用いられる最短マーク長より短いマーク長を有する試し書き情報を用いることが望ましい。ユーザデータの最短マーク長より短いマーク長を有する試し書き情報を用いて補正記録磁界を求めておくことにより、ユーザデータに用いられる最短マークの信号波形の欠落をより確実に防止することができる。すなわち、ユーザデータの最短マーク長より外乱磁界に影響され易いマーク長を有する試し書き情報を用いて補正記録磁界を求めることにより、外乱磁界を感度良く補正することができ且つユーザデータの最短マークを安定に記録再生することができる。
【００２５】
本発明の光磁気記録媒体の記録方法では、上記補正記録磁界の強度及び印加方向を決定することが、上記再生信号波形の欠落を検出することを含むことが好ましい。具体的には、上記再生信号波形の欠落が、上記再生信号波形の振幅の平均値または積分値を求めることにより検出されることが好ましい。
【００２６】
試し書き情報の再生信号波形に欠落がない場合には、その再生信号波形の平均値は所定の値（例えば０）になるが、再生信号波形に欠落がある場合には、その平均値は所定の値からずれた値となる。例えば、図２に示したように、記録磁界がマイナス方向（図２中では下方向）にシフトするような外乱磁界が存在して欠落が生じた場合、再生信号の振幅が最大となるべき位置の信号が欠落するので、平均値は所定の値より小さくなる。一方、図３に示したように、記録磁界がプラス方向（図３中では上方向）にシフトするような外乱磁界が存在して欠落が生じた場合、再生信号の振幅が最小となるべき位置の信号が欠落するので、平均値は所定の値より大きくなる。それゆえ、試し書き情報の再生信号波形の平均値が所定の値になるように補正記録磁界を決定することにより、欠落のない再生信号波形が得られる。また、再生信号波形の平均値の代わりに積分値を用いても、平均値の場合と同様にして補正記録磁界の大きさ及び印加方向を決定することができる。
【００２７】
また、上記再生信号波形の欠落が、上記信号波形の欠落数を数えることにより検出されても良い。この方法では、試し書き情報の再生信号波形の欠落数を直接数えて、欠落数が０になるように補正記録磁界の強度及び印加方向を決定するので、より一層確実に再生信号波形の欠落をなくすことが可能である。
【００２８】
本発明の光磁気記録媒体の記録方法では、上記試し書き情報が、上記一方の成分と上記他方の成分とを交互に配列した情報であることが好ましい。
【００２９】
本発明の第３の態様に従えば、情報が磁区として記録される記録層と、該記録層に記録された磁区が転写及び拡大される再生層とを備える光磁気記録媒体に情報を記録するための記録装置であって、２つの成分で構成された２値情報であり、該２値情報を構成する一方の成分と他方の成分とが同じ割合で含まれ且つ一方の成分及び他方の成分のマーク長がともに上記光磁気記録媒体に記録されるユーザデータの最短マーク長より短い試し書き情報を記録するための磁界発生部と、上記試し書き情報の再生信号波形の欠落を検出する検出部と、上記検出器の検出結果に基づいて補正記録磁界を発生させる補正記録磁界発生部とを備える記録装置が提供される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の光磁気記録媒体の記録方法によれば、ユーザデータ等を記録する前に、２つの成分で構成された２値情報であり且つ該２値情報を構成する一方の成分と他方の成分とが同じ割合で含まれる試し書き情報を光磁気記録媒体に記録し、その試し書き情報の再生信号波形に基づいて、光磁気記録媒体の再生信号波形に欠落が生じない補正記録磁界の強度及び印加方向を決定する。それゆえ、短い記録マークであっても、再生信号波形に欠落が生じず、確実に情報の記録再生を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に、本発明の光磁気記録媒体の記録方法及び記録再生装置の実施例を図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【実施例１】
【００３２】
［光磁気記録媒体］
実施例１の光磁気記録媒体の概略構成を図７に示した。この例の光磁気記録媒体８はＭＡＭＭＯＳ媒体であって、図７に示すように、基板１上に、誘電体層２、記録層３、中間層４、磁区拡大再生層５、誘電体層６及び保護層７がこの順に形成された構造を有する。この例のＭＡＭＭＯＳ媒体８は、高周波スパッタ装置（不図示）を用いて以下のようにして作製した。
【００３３】
まず、基板１には、０．３μｍのランド幅、０．３μｍのグルーブ幅、溝深さ４０ｎｍを有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を用いた。この基板１をスパッタ装置の成膜室に装着し、成膜室を到達真空度８×１０−５Ｐａまで排気した。次いで、基板１を８０℃で５時間真空ベークした。
【００３４】
次に、基板１上に、誘電体層２としてＳｉＮをＡｒ／Ｎ２雰囲気で６０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、誘電体層２上に、記録層３としてキュリー温度が２８０℃で補償温度が室温付近にある希土類遷移金属合金ＴｂＦｅＣｏを、Ａｒガス雰囲気で９０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、記録層３上に、中間層４として室温以下に補償温度を有する希土類遷移金属合金ＴｂＧｄＦｅを、Ａｒガス雰囲気で１０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、中間層４上に、磁区拡大再生層５として希土類遷移金属合金ＧｄＦｅを、Ａｒガス雰囲気で２０ｎｍの膜厚で形成した。この際、ＧｄとＦｅの比率は、キュリー温度が約２４０℃、補償温度がキュリー温度以上になるように調整した。なお、記録層３、中間層４及び磁区拡大再生層５はいずれも室温からキュリー温度まで垂直磁化膜であった。次いで、磁区拡大再生層５上に、誘電体層６としてＳｉＮを、Ａｒ／Ｎ２の混合ガス雰囲気中で６０ｎｍの膜厚で形成した。最後に、誘電体層６上に、ＵＶ硬化樹脂をスピンコーターで塗布し、ＵＶ照射を行いＵＶ樹脂を固化することにより保護層７を形成した。以上のようにして、図７に示した積層構造を有するＭＡＭＭＯＳ媒体８を作製した。
【００３５】
［光磁気記録再生装置］
次に、この例で用いた光磁気記録再生装置について説明する。この例の光磁気記録再生装置の概略構成を図８に示した。この例の光磁気記録再生装置１００は、図８に示すように、主に、ＭＡＭＭＯＳ媒体８を回転させるためのスピンドル１１と、ＭＡＭＭＯＳ媒体８に情報（ユーザデータ等）を記録再生するための光ヘッド及び磁気ヘッド（磁界発生部）を含むヘッド１２と、光ヘッドを駆動するためのレーザドライバ１３と、磁気ヘッドを駆動するための磁気ヘッドドライバ１４と、オフセット磁界発生コイル１５（補正記録磁界発生部）と、オフセット磁界発生コイル１５を駆動するためのコイルドライバ１６と、検出された光信号を処理する光信号処理系１７と、記録磁界の補正処理を行う記録磁界処理系１８と、スピンドル１１を制御するモータコントローラ１９と、光磁気記録再生装置１００全体を制御するホストＣＰＵ２０とから構成される。
【００３６】
光信号処理系１７は、図８に示すように、主に、ヘッド１２により検出された光信号を電気信号に変換するＩ−Ｖ変換部２１と、ＭＡＭＭＯＳ媒体８の面ブレ及びＭＡＭＭＯＳ媒体８のトラックにレーザ光を追従させるためのサーボ回路２２と、ＭＡＭＭＯＳ媒体８上に配置されたクロックピットにより記録再生のためのクロックを生成するためのＰＬＬ回路２３とから構成される。
【００３７】
また、記録磁界処理部１８は、図８に示すように、主に、ヘッド１２により検出された光信号を電気信号に変換するＩ−Ｖ変換部３１と、ＭＯ再生信号を信号処理してデジタルデータに変換する信号処理装置と、試し書き情報の再生信号からオフセット磁界（補正記録磁界）を決定するためのフィードバックコントロール部３５（検出部）とから構成される。フィードバックコントロール部３５は、図８に示すように、オフセット磁界の強度及び印加方向を求めるための演算処理装置３３と、メモリ３４とから構成される。
【００３８】
なお、この例では波長４０５ｎｍのレーザと、開口数ＮＡが０．９の対物レンズとを備えた光ヘッドを用いた。この例のＭＡＭＭＯＳ媒体８に情報の記録再生を行う際の線速度は４ｍ／ｓｅｃとし、レーザ光は保護層７側から入射した。また、記録磁界を発生させる磁気ヘッドのコイル（不図示）は対物レンズ上に配置されており、記録磁界は保護層７側から加えた。ＭＡＭＭＯＳ媒体８への情報記録は光パルス磁界変調記録方式を用いて行い、レーザ光の記録パワーを１０ｍＷ、記録磁界±２００Ｏｅとした。情報再生時には、レーザ光の再生パワーを記録マーク部及び非記録マーク部における記録磁区が再生層に転写して拡大動作するために必要な１．５ｍＷのレーザパワーとして行った。
【００３９】
また、この例では、対物レンズを動かすためのアクチュエータからの漏れ磁界（外乱磁界）を測定したところ、情報「１」を記録する際に印加される記録磁界の方向と同じ方向の漏れ磁界が存在し、その強度は約５０Ｏｅであった。なお、この例のＭＡＭＭＯＳ媒体８におけるＭＯ再生信号の電圧は、ＡＳ−ＤＥＰＯ状態（成膜直後の状態）の領域で０Ｖとなり、情報「１」に対応する方向に記録磁界が印加された記録マーク部（記録磁区）ではプラス電圧の信号が得られ、そして、情報「０」に対応する方向に記録磁界が印加された記録マーク部（記録磁区）からはマイナス電圧が得られる。
【００４０】
［記録磁界の補正方法及び情報記録方法］
この例における記録磁界の補正方法からユーザデータの情報記録までの手順を図８及び９を参照しながら説明する。まず、記録磁界を補正するためのオフセット磁界を決定するために、試し書き情報として、２つの情報成分（以下、単に成分と称す）「０」及び「１」から構成され、且つ、成分「０」及び「１」が同じ割合で含まれる２値情報を用い、この試し書き情報をこの例のＭＡＭＭＯＳ媒体８に記録した（図９中のステップＳ１）。具体的には、試し書き情報の記録パターンとして、同じ磁区長（記録マーク長）を有する成分「１」に対応する記録磁区と成分「０」に対応する記録磁区とを交互に配列したパターンをＭＡＭＭＯＳ媒体８に形成した。なお、この例では記録磁区の磁区長は１００ｎｍとした。
【００４１】
次いで、記録磁区が再生層５に転写されて拡大動作するレーザパワー１．５ｍＷのレーザ光をＭＡＭＭＯＳ媒体８に照射して、再生層５の拡大磁区からの反射光をヘッド１２で検出した（図９中のステップＳ２）。次いで、検出された光信号を記録磁界処理部１８内のＩ−Ｖ変換部３１で変換した後、演算処理装置３３に入力して再生信号の平均値Ｍを求めた（図９中のステップＳ３）。このステップＳ３において、演算処理装置３３で求められた試し書き情報の再生信号の平均値Ｍが０である場合には、オフセット磁界を発生させずに、ユーザデータ等の情報記録を行う（図９中のステップＳ４）。
【００４２】
一方、ステップＳ３において、演算処理装置３３で求められた試し書き情報の再生信号の平均値Ｍが０でない場合には、図２及び３に示したように、再生信号波形の少なくとも一部が欠落しているので、平均値Ｍに基づいて再生信号波形の欠落が無くなるように、オフセット磁界の強度及び方向を設定した（図９中のステップＳ５）。具体的には、ステップＳ９において、次のようにして、コイルドライバ１６を制御してオフセット磁界の強度及び方向を設定した。演算処理装置３３で求められた試し書き情報の再生信号の平均値Ｍがプラスの電圧となった場合（例えば、図３（ｂ）の状態）には、試し書き情報の成分「０」を記録する際に印加される記録磁界を増加させる方向に所定強度のオフセット磁界がオフセット磁界発生コイル１５から発生するように、コイルドライバ１６をホストＣＰＵ２０で制御した。一方、試し書き情報の再生信号の平均値Ｍがマイナスの電圧となった場合（例えば、図２（ｂ）の状態）には、試し書き情報の成分「１」を記録する際に印加される記録磁界を増加させる方向に所定強度のオフセット磁界がオフセット磁界発生コイル１５から発生するように、コイルドライバ１６を制御した。
【００４３】
なお、ステップＳ５毎に記録磁界に加えるオフセット磁界の強度及び方向は、再生信号の平均値Ｍに基づいて、次のようにして設定した。試し書き情報の再生信号の平均値Ｍがプラス電圧であった場合、試し書き情報の成分「０」を記録する際に印加される記録磁界と同じ方向に５Ｏｅのオフセット磁界が印加されるようにした。一方、試し書き情報の再生信号の平均値Ｍがマイナス電圧であった場合、試し書き情報の成分「１」を記録する際に印加される記録磁界と同じ方向に５Ｏｅのオフセット磁界が印加されるようにした。
【００４４】
次いで、図９中のステップＳ３で試し書き情報の再生信号の平均値Ｍが０Ｖで無い場合、ステップＳ５で設定された所定の強度及び方向を有するオフセット磁界を記録磁界に加えて、再度試し書き情報を記録した（図９中のステップＳ１）。次いで、試し書き情報を再生してその平均値Ｍを求めた。以上のような、試し書き情報の記録、再生、平均値の計算、オフセット磁界の設定の手順を繰り返すと、オフセット磁界発生コイル１５から発生するオフセット磁界が外乱磁界をキャンセルする大きさになったとき、再生信号の平均値Ｍが０Ｖとなる。この際、試し書き情報の再生信号の平均値Ｍの極性が変わった時のオフセット磁界発生コイル１５を制御するコイルドライバ１６の制御信号をメモリ３４に記憶しておく。そして、その後、メモリ３４に記録された制御信号に基づいてコイルドライバ１６を駆動し、オフセット磁界発生コイル１５からオフセット磁界を発生させながらユーザデータの記録を行う（図９中のステップＳ４）。この例では、以上の手順により記録磁界を補正しユーザデータを記録した。
【００４５】
［再生特性の評価］
この例では、上述のように記録磁界を補正した後、後述する評価用情報をＭＡＭＭＯＳ媒体に記録し、その再生特性を評価した。なお、比較のために、オフセット磁界で記録磁界を補正せずに評価用情報を記録した場合の再生特性も測定した。
【００４６】
まず、評価用情報を構成する成分「１」に対応する記録磁区と成分「０」に対応する記録磁区とを交互に形成し且つ各記録磁区の磁区長（記録マーク長）が１００ｎｍである記録パターンをＭＡＭＭＯＳ媒体に形成した。すなわち、上記試し書き情報と同じ記録マークパターンを有する情報を評価用情報としてＭＡＭＭＯＳ媒体に記録した。そして、その評価用情報から検出される再生信号波形の欠落率を求めた。なお、欠落率は、タイムインターバルアナライザを用いて、検出された再生信号波形中の記録マークより長いマークの数を数えることにより求めた。
【００４７】
また、この例では、評価用情報として、最短マーク長１００ｎｍのランダムパターンデータをＭＡＭＭＯＳ媒体に記録し、その場合におけるエラーレートを測定した。以上の評価結果を表１に示した。
【００４８】
【表１】
2007164930.tif 000003
【００４９】
表１から明らかなように、記録磁界をオフセット磁界で補正しない場合には、記録磁界をオフセット磁界で補正した場合に比べて、再生信号波形の欠落率が大きくなり、エラーレートも悪化した。これは、上述のように、この例の記録再生装置１００では、アクチュエータから評価用情報の成分「１」を記録する際に印加される記録磁界の方向に約５０Ｏｅの漏れ磁界が存在するため、評価用情報の成分「０」に対応する記録磁区が安定して形成されず、再生信号波形の成分「０」に対応する部分の波形が欠落し、エラーレートが劣化したものと考えられる。
【００５０】
一方、この例の記録磁界の補正方法を用いて情報記録を行うと、最短マークの波形の欠落率が非常に小さな値となり、エラーレートも改善された。この結果から、この例の記録磁界の補正方法のように、アクチュエータからの漏れ磁界（外乱磁界）がキャンセルされるように、オフセット磁界を発生させて情報記録を行うことにより、短いマーク長の記録磁区に対しても安定して確実に情報記録を行うことができ、再生特性が向上することが分かった。
【実施例２】
【００５１】
実施例２では、試し書き情報を構成する成分「０」及び「１」のマーク長（記録磁区長）をともに、記録磁界補正後に記録される情報（ユーザデータ等）の最短マーク長より短くして、オフセット磁界を求めた。
【００５２】
この例のＭＡＭＭＯＳ媒体は、実施例１と同様の構成とし、実施例１と同様にして作製した。また、この例の記録再生装置も実施例１で用いた記録再生装置（図８の記録再生装置）とほぼ同じ構成とした。ただし、この例では、上述のように、試し書き情報のマーク長を、記録磁界補正後に記録される情報（ユーザデータ等）の最短マーク長より短くしたので、この例の記録再生装置では、光信号処理系１７内の情報の記録再生のためのクロックを発生させるＰＬＬ回路２３を、実施例１で用いた記録再生装置と異なる構成とした。それ以外は、実施例１と同様の構成とした。
【００５３】
この例のＰＬＬ回路２３の概略構成を図１０に示した。ＰＬＬ回路２３は、図１０に示すように、位相比較器、フィルタ、ＶＣＯ及び分周回路とからなる。この例のＰＬＬ回路２３では、図１０に示すように、記録磁界補正後に記録される情報（ユーザデータ等）の記録再生時のクロック発生用の分周回路２３ａ以外に、記録磁界補正用（試し書き情報記録用）のクロックを発生させるための分周回路２３ｂを別途設けた。また、この例のＰＬＬ回路２３では、ＶＣＯの周波数はＰＬＬ出力周波数（ユーザデータ等の記録再生時のクロック周波数）の１０倍に設定した。それゆえ、ＶＣＯの分周比を変えることにより、記録磁界補正用のクロック周波数をＰＬＬ出力周波数の１〜１０倍の間で選択することができる。すなわち、ＶＣＯの分周比を変えることにより、記録磁界補正用のクロック周期をユーザデータ等の記録再生用クロック周期の１／１０〜１倍の間で選択することができる。このような構造のＰＬＬ回路２３を用いることにより、記録磁界補正後に記録される情報（ユーザデータ等）の最短マーク長より短いマーク長の試し書き情報をＭＡＭＭＯＳ媒体に記録することができる。
【００５４】
この例では、上記記録再生装置を用いて、実施例１と同様の方法（図９の手順）で、記録磁界を補正した。ただし、この例では、試し書き情報の記録パターンとしては、試し書き情報の成分「１」に対応する記録磁区と成分「０」に対応する記録磁区とを交互に形成し、且つ、各磁区長（記録マーク長）を８０ｎｍとした。
【００５５】
次に、この例においても、実施例１と同様にして、記録磁界をオフセット磁界で補正した場合と、補正しなかった場合の再生特性の比較評価を行った。まず、評価用情報の記録パターンとして、試し書き情報の成分「１」に対応する記録磁区と成分「０」に対応する記録磁区を交互に形成し且つ各記録磁区の磁区長（記録マーク長）が８０ｎｍである記録マークパターンをＭＡＭＭＯＳ媒体に形成した。すなわち、上記試し書き情報と同じ記録マークパターンを有する情報を評価用情報としてＭＡＭＭＯＳ媒体に記録した。そして、その評価用情報から検出される再生信号波形の欠落率を求めた。また、実施例１と同様に、評価用情報として、最短マーク長１００ｎｍのランダムパターンデータをＭＡＭＭＯＳ媒体に記録してエラーレートを測定した。その評価結果を表２に示した。
【００５６】
【表２】
2007164930.tif 000004
【００５７】
表２から明らかなように、記録磁界をオフセット磁界で補正しない場合には、記録磁界をオフセット磁界で補正した場合に比べて、再生信号波形の欠落率が増大し、エラーレートも悪化した。これは、実施例１と同様に、この例の記録再生装置では、アクチュエータから評価用情報の成分「１」を記録する際に印加される記録磁界の方向に約５０Ｏｅの漏れ磁界があるため、評価用情報の成分「０」に対応する記録磁区が安定して形成されず、再生信号波形の成分「０」に対応する部分の波形が欠落し、エラーレートが劣化したものと考えられる。一方、この例の記録磁界の補正方法を用いて情報記録を行うと、最短マークの波形の欠落率が減少して、エラーレートも改善した。この結果から、この例の記録磁界の補正方法においても、アクチュエータからの漏れ磁界（外乱磁界）がキャンセルされるように、オフセット磁界を発生させて情報記録を行うことにより、短いマーク長の記録磁区に対しても安定して確実に情報記録を行うことができ、再生特性が向上することが分かった。
【００５８】
また、表１及び２の結果から、実施例１のエラーレートと実施例２のエラーレートとを比較すると、実施例２の方がより良好な結果が得られることが分かった。これは、以下の理由によるものと考えられる。
【００５９】
表１の実施例１の欠落率と表２の実施例２の欠落率とを比較すると、実施例２の方が欠落率が大きくなっていることが分かる。これは、実施例２の方が試し書き情報のマーク長が短いので、外乱磁界に対する感度が実施例１より高い（再生信号波形が欠落し易い）ためである。実施例１では、評価用情報の最短マーク長と同じマーク長の試し書き情報を用いてオフセット磁界を求めているのに対して、実施例２では、評価用情報の最短マーク長より短いマーク長の試し書き情報を用いてオフセット磁界を求めている。すなわち、実施例２では、評価用情報より外乱磁界の影響を受け易い条件下で、オフセット磁界を求めている。それゆえ、実施例２の補正方法の方が、精度よく外乱磁界を補償することができる。その結果、実施例１より実施例２の方が安定して確実に情報記録を行うことができ、エラーレートが向上したものと考えられる。
【００６０】
上記実施例１及び２では、試し書き情報の再生信号の平均値を求め、その平均値に基づいて、オフセット磁界を決定したが、本発明はこれに限定されない。再生信号の積分値を用いても良い。再生信号波形に欠落がない場合には、再生信号の積分値も所定の値となり、再生信号波形に欠落があると、再生信号の積分値が所定の積分値からずれる。それゆえ、試し書き情報の再生信号の平均値の代わりに、再生信号の積分値を用いてもオフセット磁界の大きさ及び印加方向を決定することができる。その場合、図９中の平均値Ｍを求めるステップＳ３を積分値を求めるステップに変更すれば良い。
【００６１】
また、試し書き情報の再生信号波形の欠落数を直接、目視等により数えて、欠落が無くなるようにオフセット磁界を決定しても良い。この場合、図９中の平均値Ｍを求めるステップＳ３を再生信号波形の欠落数を数えるステップに変更すれば良い。この方法では、試し書き情報の再生信号波形の欠落数が０になるようにオフセット磁界の強度及び印加方向を決定するので、一層確実に再生信号波形の欠落をなくすことが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の光磁気記録媒体の記録方法では、外乱磁界が存在する条件下で情報記録を行っても、精度良く記録磁界を補正することができるので、一層安定した情報記録が可能となる。それゆえ、本発明の光磁気記録媒体の記録方法は、より微小な記録磁区を形成する必要のある光磁気記録媒体、特に、磁気超解像技術、磁壁移動再生技術、磁区拡大再生技術等の用いた光磁気記録媒体の情報の記録方法として最適である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、外乱磁界が無い場合における光磁気記録媒体の記録磁界及び再生信号の波形を示す図であり、図１（ａ）はマーク長が１．０μｍの場合の波形であり、図１（ｂ）はマーク長が０．０７μｍの場合の波形である。
【図２】図２は、外乱磁界（マイナス方向）がある場合における光磁気記録媒体の記録磁界及び再生信号の波形を示す図であり、図２（ａ）はマーク長が１．０μｍの場合の波形であり、図２（ｂ）はマーク長が０．０７μｍの場合の波形である。
【図３】図３は、外乱磁界（プラス方向）がある場合における光磁気記録媒体の記録磁界及び再生信号の波形を示す図であり、図３（ａ）はマーク長が１．０μｍの場合の波形であり、図３（ｂ）はマーク長が０．０７μｍの場合の波形である。
【図４】図４は、マーク長と再生信号波形の欠落率との関係を示した図である。
【図５】図５は、再生信号波形が欠落する理由を説明するための図である。
【図６】図６は、再生信号波形が欠落する理由を説明するための図である。
【図７】図７は、実施例１で作製したＭＡＭＭＯＳ媒体の概略構成図である。
【図８】図８は、実施例１で用いた記録再生装置の概略構成図である。
【図９】図９は、実施例１の情報記録方法の手順を説明するフローチャートである。
【図１０】図１０は、実施例２で用いたＰＬＬ回路の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６４】
８  ＭＡＭＭＯＳ媒体
１２  ヘッド
１５  オフセット磁界発生コイル
１６  コイルドライバ
１７  光信号処理系
１８  記録磁界処理系
３３  演算処理装置
３４  メモリ
３５  フィードバックコントロール部
【図１】
2007164930.tif 000005
【図２】
2007164930.tif 000006
【図３】
2007164930.tif 000007
【図４】
2007164930.tif 000008
【図５】
2007164930.tif 000009
【図６】
2007164930.tif 000010
【図７】
2007164930.tif 000011
【図８】
2007164930.tif 000012
【図９】
2007164930.tif 000013
【図１０】
2007164930.tif 000014