(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、電気的接続信頼性に優れる電気的検査方法を提供することにある。【解決手段】  半導体装置の電気的検査方法であって、半導体装置は、電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板と、半導体基板の上方に形成された樹脂突起と、電極パッドと電気的に接続され、電極パッドの上方から樹脂突起の上方を通り、さらに先端部が前記パッシベーション膜の上方に至るように形成された導電層と、を有し、検査端子を、導電層の先端部側の樹脂突起の側面に、導電層を介して接触させることにより行う。【選択図】      図２
2007047037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の電気的検査方法であって、
前記半導体装置は、
電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された樹脂突起と、
前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに先端部が前記パッシベーション膜の上方に至るように形成された導電層と、
を有し、
前記検査端子を、前記導電層の先端部側の前記樹脂突起の側面に、前記導電層を介して接触させることにより行う半導体装置の電気的検査方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の電気的検査方法において、
前記検査端子を、前記導電層の先端部から前記樹脂突起の方向に滑らせることを含む半導体装置の電気的検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の電気的検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的接続信頼性の向上を図るため、樹脂突起上に導電層が形成された樹脂コアバンプを外部端子とする半導体装置が開発されている（特許文献１参照）。この場合、電気的検査工程は、樹脂コアバンプに検査用プローブを接触させることにより行われるが、樹脂は軟らかいため、本工程により樹脂コアバンプが損傷することが考えられる。また、本工程により、電極パッドから外部端子までの電気的導通が遮断され、製品不良を引き起こすことも考えられる。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、電気的接続信頼性に優れる電気的検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の電気的検査方法は、
半導体装置の電気的検査方法であって、
前記半導体装置は、
電極パッド及びパッシベーション膜を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された樹脂突起と、
前記電極パッドと電気的に接続され、前記電極パッドの上方から前記樹脂突起の上方を通り、さらに先端部が前記パッシベーション膜の上方に至るように形成された導電層と、
を有し、
前記検査端子を、前記導電層の先端部側の前記樹脂突起の側面に、前記導電層を介して接触させることにより行う。
【０００５】
本発明によれば、仮に検査端子の接触により導電層の断線又は損傷が生じても、少なくとも電極パッドから樹脂突起の間の電気的導通は維持することができる。また、検査端子は、樹脂突起の側面の側に接触させるので、樹脂突起の突起形状が破壊されることもない。したがって、電気的検査に起因する製品不良の発生を防止することができる。
【０００６】
なお、本発明において、特定のＡの上方にＢが設けられているとは、Ａ上に直接Ｂが設けられている場合と、Ａ上に他の層等を介してＢが設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
【０００７】
（２）この半導体装置の電気的検査方法において、
前記検査端子を、前記導電層の先端部から前記樹脂突起の方向に滑らせることを含んでもよい。
【０００８】
これによれば、樹脂突起が検査端子の位置を規制するストッパとなるので、確実に検査端子を接触させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１０】
図１は、本発明の実施の形態において使用される半導体装置の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００１１】
まず、本実施の形態に係る電気的検査の対象となる半導体装置について説明する。図１及び図２に示す半導体装置１００は、半導体基板１０と、樹脂突起２０と、導電層３０と、を含む。
【００１２】
半導体基板１０は、例えばシリコンチップ等の半導体チップである。半導体基板１０の内部には、少なくともトランジスタ等の能動素子を含む集積回路１２が形成されている。半導体基板１０は、例えば平面視が矩形形状（図１の場合は長方形）をなしている。そして、半導体基板１０には、複数の電極パッド（例えばアルミパッド）１４が形成されている。複数の電極パッド１４は、半導体基板１０の端部に形成されていてもよく、詳しくは半導体基板１０の平面形状の対向する２辺（例えば長辺側の２辺）又は４辺に沿って配列されていてもよい。その場合、各辺に１列又は複数列の電極パッド１４が配列されている。電極パッド１４が半導体基板１０の端部に配列されている場合、集積回路１２は、複数の電極パッド１４により囲まれた中央部に形成されていてもよい。あるいは、電極パッド１４は、集積回路１２と平面視において重なる領域に形成されていてもよい。電極パッド１４は、内部配線（図示しない）により集積回路１２と電気的に接続されている。
【００１３】
半導体基板１０の表面（集積回路１２及び電極パッド１４の形成面）には、パッシベーション膜（保護膜）１６が形成されている。パッシベーション膜１６は、無機系又は有機系のいずれから形成してもよく、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の少なくとも１層により形成することができる。パッシベーション膜１６には、電極パッド１４を開口する開口部が形成されている。この開口部により、電極パッド１４の少なくとも一部（例えば中央部のみ）が露出している。
【００１４】
半導体基板１０上（詳しくはパッシベーション膜１６上）に形成された樹脂突起２０は、外部端子４０のコアとなるものである。これによれば、外部端子４０は、弾力性を有する樹脂がコアとなっており、実装時における応力緩和機能を果たすので電気的接続信頼性の向上を図ることができる。
【００１５】
樹脂突起２０は、少なくとも導電層３０により被覆される部分が突起する形状をなしている。突起形状は、先端が先鋭なものに限られず、先端が平面又は曲面をなしているものを含む。例えば、樹脂突起２０の断面形状（図２では導電層３０により被覆されている部分の断面形状）は、略半円形状又は略半楕円形状をなしている。
【００１６】
樹脂突起２０は、半導体基板１０のパッシベーション膜１６上において、平面視において電極パッド１４と異なる領域に形成されている。図１に示すように、電極パッド１４が半導体基板１０の端部に形成されている場合、樹脂突起２０は電極パッド１４よりも内側の領域に形成されていてもよい。樹脂突起２０の平面形状は、例えば図１に示すように、所定の幅を有する直線状に形成することができる。その場合、樹脂突起２０は、複数の電極パッド１４の配列方向（例えば半導体基板１０の長辺方向）に沿って（例えば平行に）延出して形成されている。また、図１に示す例では、半導体基板１０の１辺に沿って１つの樹脂突起２０が形成されているが、２つ以上の樹脂突起２０がその長さ方向に分割して形成されていてもよい。なお、樹脂突起２０は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等の弾性樹脂材料により形成することができる。
【００１７】
導電層３０は、少なくとも、電極パッド１４と樹脂突起２０の間を電気的に接続する配線層である。導電層３０は、少なくとも１層の金属により形成され、例えば、下地となる第１の層（例えばＴｉＷ層）３２と、その上の第２の層（例えばＡｕ層）３４とからなる複数層により形成することができる。なお、導電層３０の材質は限定されず、例えばＣｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｃｒ等を使用することができる。
【００１８】
導電層３０は、電極パッド１４と電気的に接続され、電極パッド１４上から樹脂突起２０上を通り、さらに先端部３８がパッシベーション膜１６上に至るように形成されている。導電層３０のうち樹脂突起２０を被覆する部分を電気的接続部３６ということができる。図１に示す例では、複数の導電層３０が樹脂突起２０の長さ方向と交差するように延出して形成され、樹脂突起２０上ではその長さ方向に複数の電気的接続部３６が所定間隔をあけて配列されている。その場合、樹脂突起２０は、少なくとも導電層３０（電気的接続部３６）により被覆された部分が突起形状をなしていればよく、例えば隣接する導電層３０（電気的接続部３６）同士の間から露出する領域の先端部が除去され、基端部（根元部）のみが（わずかに）残るようになっていてもよい。これによれば、隣接する電気的接続部３６同士の間の樹脂を除去することにより、半導体装置１００を配線基板等に実装する場合、両者間に設ける絶縁性接着剤の排出性の向上を図ることができる。また、隣接する電気的接続部３６同士の間の樹脂をわずかながらに残しておくことにより、例えばエッチング等の樹脂の除去による半導体基板１０へのダメージの低減を図り、信頼性の向上を図ることができる。なお、導電層３０は、電極パッド１４及び樹脂突起２０の間において、パッシベーション膜１６と接触して形成されていてもよい。
【００１９】
次に、半導体装置の電気的検査方法について説明する。本実施の形態では、上述した半導体装置１００を対象として電気的検査を行う。
【００２０】
この電気的検査では、半導体基板１０の内部の集積回路１２の電気的接続状態、及び電極パッド１４から樹脂突起２０（外部端子４０）の間の電気的接続状態の合否又は特性を検査することを含む。電気的検査は、所定の検査装置（図示しない）に電気的に接続される検査端子（図示しない）を、導電層３０に接触させることにより行われる。検査端子は、いわゆるプローブである。
【００２１】
本実施の形態に係る電気的検査は、検査端子を、導電層３０の先端部３８側の樹脂突起２０の側面に、導電層３０を介して接触させることにより行われる。この検査端子を接触させる領域５０（図２では二点鎖線の領域）は、外部端子４０における導電層３０の先端部３８側の側面であるということもできる。この領域５０は、樹脂突起２０の根元部付近であってもよい。
【００２２】
検査端子は、導電層３０の先端部３８から樹脂突起２０の方向に滑らせ、その後、上述した領域５０に接触させてもよい。これによれば、樹脂突起２０が検査端子の位置を規制するストッパとなるので、確実に検査端子を接触させることができる。あるいは、検査端子は、中空から領域５０に直接接触させてもよい。
【００２３】
本実施の形態によれば、仮に検査端子の接触により導電層３０の断線又は損傷が生じても、少なくとも電極パッド１４から樹脂突起２０の間の電気的導通は維持することができる。また、検査端子は、樹脂突起２０の側面の側に接触させるので、樹脂突起２０の突起形状が破壊されることもない。したがって、電気的検査に起因する製品不良の発生を防止することができる。
【００２４】
図３は、上述した電気的検査の対象となる半導体装置の変形例を示す図である。図３に示す例では、外部端子１４０（樹脂突起１２０）の形態が上述と異なる。
【００２５】
図３に示す例では、半導体基板１０上に、互いに離間した複数の樹脂突起１２０が形成されている。このような樹脂突起１２０は、例えば、複数の略円柱状の樹脂層をパターニングして形成した後、キュア工程を行うことにより形成することができる。キュア後の樹脂突起１２０は、略半球状をなしていてもよい。
【００２６】
導電層３０は、少なくとも、いずれか１つの電極パッド１４といずれか１つの樹脂突起１２０の間を電気的に接続する。その場合、導電層３０は、１つの樹脂突起１２０の一部のみを覆うように形成してもよいし、その全部を覆うように形成してもよい。前者の場合、樹脂突起１２０の一部が露出することにより、応力が開放されるので、実装時の外部端子４０のクラックを防止することができる。
【００２７】
なお、本変形例に係る半導体装置の電気的検査方法については、すでに説明した内容を適用することができる。
【００２８】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の電気的検査の対象となる半導体装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】本発明の電気的検査の対象となる半導体装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０…半導体基板  １２…集積回路  １４…電極パッド
１６…パッシベーション膜  ２０…樹脂突起  ３０…導電層  ３８…先端部
４０…外部端子  ５０…被接触領域  １２０…樹脂突起
【図１】
2007047037.tif 000003
【図２】
2007047037.tif 000004
【図３】
2007047037.tif 000005