(57)【要約】【課題】気密封止性の高い中空封止素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】機械的可動部を有する機能部20、機能部20と接続された内部電極30、機能部20と内部電極30を取り囲む封止部40を絶縁性基体10上に形成し、機能部20、内部電極30、封止部40の上にカバー基体50を載置して、機能部20とカバー基体50の間に空隙部70を形成する中空封止素子において、内部電極30とカバー基体50の接合界面ならびに封止部40とカバー基体50の接合界面をともに陽極接合80したことを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械的可動部を有する機能部と、その機能部と電気的に接続された内部電極と、前記機能部ならびに内部電極を取り囲む封止部とを絶縁性基体の上に形成し、
前記機能部、内部電極ならびに封止部の上にカバー基体を載置して、前記機能部とカバー基体の間に空隙部を形成するとともに、前記封止部とカバー基体の接合界面を封止する中空封止素子において、
前記内部電極とカバー基体の接合界面ならびに前記封止部とカバー基体の接合界面をともに陽極接合したことを特徴とする中空封止素子。
【請求項２】
請求項１記載の中空封止素子において、前記内部電極が前記機能部よりも厚く形成され、前記封止部が前記内部電極とほぼ同じ厚さを有し、前記カバー基体が同じ厚さを有する板材で構成されていることを特徴とする中空封止素子。
【請求項３】
請求項１または２記載の中空封止素子において、前記カバー基体がガラスから構成されていることを特徴とする中空封止素子。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか１項記載の中空封止素子において、前記内部電極ならびに封止部がアルミニウムを主成分とする材料で構成されていることを特徴とする中空封止素子。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか１項記載の中空封止素子において、前記絶縁性基体の電気抵抗率が１×１０‐７Ω・ｃｍ〜１×１０‐13Ω・ｃｍの範囲に規制されていることを特徴とする中空封止素子。
【請求項６】
請求項１記載の中空封止素子において、前記カバー基体の前記内部電極の中央部と対向する位置に電極接続用の貫通孔が形成され、その貫通孔の周辺部分の内部電極との接合界面が陽極接合されていることを特徴とする中空封止素子。
【請求項７】
請求項６記載の中空封止素子において、前記貫通孔に外部電極が形成されていることを特徴とする中空封止素子。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れか１項記載の中空封止素子において、前記機能部が互いに対向する櫛歯電極対で構成されて、前記中空封止素子が弾性表面波素子であることを特徴とする中空封止素子。
【請求項９】
機械的可動部を有する機能部と、その機能部と電気的に接続された内部電極と、前記機能部ならびに内部電極を取り囲む封止部とを1組にして絶縁性基体の上に所定の隙間をおいて多数組形成する工程と、
各組の内部電極ならびに封止部と接するように前記絶縁性基体上にカバー基体を載置して、各機能部とカバー基体との間に空隙部を形成する工程と、
前記絶縁性基体の下面に陽極電極を当接し、前記カバー基体の上面に陰極電極を当接して、前記陽極電極と陰極電極との間に電圧を印加して、各内部電極とカバー基体との接合界面ならびに各封止部とカバー基体との接合界面を陽極接合する工程と、
前記陽極電極と陰極電極を外して、前記各組の隙間上のダイシングラインに沿ってカバー基体ならびに絶縁性基体をダイシングして個別の中空封止素子に分離する工程とを
含むことを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の中空封止素子の製造方法において、前記内部電極が前記機能部よりも厚く形成され、前記封止部が前記内部電極とほぼ同じ厚さを有し、前記カバー基体が同じ厚さを有する板材で構成されていることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０記載の中空封止素子の製造方法において、前記カバー基体がガラスから構成されていることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項９ないし１１の何れか１項記載の中空封止素子の製造方法において、前記内部電極ならびに封止部がアルミニウムを主成分とする材料で構成されていることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項９ないし１２の何れか１項記載の中空封止素子の製造方法において、前記絶縁性基体の電気抵抗率が１×１０‐７Ω・ｃｍ〜１×１０‐13Ω・ｃｍの範囲に規制されていることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項９記載の中空封止素子の製造方法において、前記陽極接合工程後に、前記カバー基体の前記内部電極の中央部と対向する位置に電極接続用の貫通孔を形成する工程を含み、
その貫通孔の周辺部分の内部電極との接合界面に陽極接合部が残っていることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の中空封止素子の製造方法において、前記貫通孔形成工程後に、前記貫通孔に外部電極を形成する工程を含むことを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項９ないし１５の何れか１項記載の中空封止素子の製造方法において、前記機能部が互いに対向する櫛歯電極対で構成されて、前記中空封止素子が弾性表面波素子であることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話機等の移動通信機器などに使用する表面弾性波（ＳＡＷ）素子，バルク弾性波（ＢＡＷ）素子あるいは超小型スイッチを構成するマイクロ電気−機械システム（ＭＥＭＳ）など、機能部に機械的可動部が存在するため、中空封止が必要な素子の小型化パッケージ技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
中空封止パッケージの代表例として、携帯電話機などに搭載されるＳＡＷ素子のパッケージ技術を例にとって説明する。
【０００３】
ＳＡＷ素子は圧電基板上に形成された櫛歯電極部を低損失で振動させる必要があるため、パッケージングの際にデバイス表面を封止樹脂などで直接モールドするようなパッケージングはできない。
【０００４】
そこで従来は、セラミック筐体にＳＡＷ素子チップをフェースアップでダイポンディングし、ワイヤボンディングで電気的に接続した後、金属キャップを被せてシーム溶接または半田封止してパッケージングしていた。最近ではデバイスの小型化を図るため、ＳＡＷ素子チップをＡｕバンプまたは半田バンプにより配線基板にフリップチップボンディング（フェースダウンボンディング）し、櫛歯電極部上に空隙を形成しながら樹脂などで封止する小型パッケージデバイスが実用化されている。
【０００５】
さらに最近ではデバイスの小型低背化を図るため、櫛歯電極が形成された圧電ウエハ全体を櫛歯電極上に空隙を形成しながらガラス板で封止し、外部電極を形成した後、ダイシングにより個別のデバイスに分離した超小型パッケージデバイスが提案されている。
【０００６】
例えば下記の特許文献１に記載されているＳＡＷ素子は前述した超小型パッケージデバイスであり、図１４にそのデバイスの全体の断面構造を示し、図１５に図１４の点線部分の拡大断面構造を示す。
【０００７】
図１４に示すように圧電材料からなる素子基板１０の上に、櫛歯電極で構成される機能部２０と、それと電気的に接続された内部電極３０が形成されている。素子基板１０の周縁にはＡｌを主成分とする封止部４０が形成され、機能部２０の上に空隙部７０を形成しながら機能部２０を保護するカバー基体５０が前記内部電極３０から封止部４０にわたって載置される。カバー基体５０の前記内部電極３０と対向する位置には予め貫通孔６０が形成され、その貫通孔６０を埋める形で外部電極９０と印刷電極９５を重ねて形成することにより、外部電極９０を介して前記内部電極３０と印刷電極９５とが電気的に接続される。
【０００８】
このデバイスの封止は、素子基板１０上にカバー基体５０を載置し、３５０℃において前記封止部４０に陽極電極を接続し、前記カバー基体５０に陰極電極を接続して、５００Ｖを印加することにより陽極接合することにより、封止を完了していた。図１５中の８０は、封止部４０とそれと接触しているカバー基体５０の部分との界面に形成された陽極接合部である。
【特許文献１】特開１９９６−２１３８７４号公報
【特許文献２】特開２００３−１１０３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記図１４、図１５に示す従来の中空パッケージ構造には次のような問題点がある。  
先ず図１４に示すように陽極接合されるのは封止部４０とカバー基体５０の接合界面のみであり、内部電極３０とカバー基体５０の接合界面は接合されず、未接合部８５となっている。
【００１０】
内部電極３０と外部電極９０の接合は、スパッタプロセスによるＴｉ，Ｃｕ積層膜で形成される。しかしこの部分の膜厚は約２μｍと薄く、接合はリング状封止部３５の僅かな部分に限定される。スパッタプロセスは通常高温で行なわれるため、スパッタ後室温に戻す過程で素子基板１０とカバー基体５０の熱膨張差による内部応力の発生で前記Ｔｉ，Ｃｕ積層膜からなるリング状封止部３５に亀裂が生じ、気密性が損なわれる虞がある。
【００１１】
また貫通孔６０は窪み状に形成されており、そこにＣｕを主体とするペースト印刷で印刷電極９５を形成する際にボイドが発生し、これによっても気密性が損なわれる虞がある。
【００１２】
この貫通孔６０の気密封止性の確保については、前記特許文献２に次のような解決策が提案されている。この方法は、カバー基体に形成された貫通孔の一方の開口部を予め陽極接合により外部電極となる金属板で封止し、この貫通孔に金属ロウを投入する。櫛歯電極、内部電極および封止部が形成された素子基板に前記カバー基体を載置して、前記封止部とカバー基体を陽極接合するとともに、貫通孔にある金属ロウを溶融し、その金属ロウを介して前記内部電極と外部電極とを電気的に接続する。しかしこの方法では陽極接合を２回行なう必要があり、そのため工程が煩雑になり、作業能率の低下をきたす。
【００１３】
次の問題は、櫛歯電極などの機能部２０、内部電極３０および封止部４０が形成された素子基板１０と貫通孔６０などが形成されたカバー基体５０とをウエハサイズで精密に位置合わせをした状態で陽極接合しなければならず、そのため高価な製造装置が必要である。
【００１４】
さらに図１６に示すように広い素子基板１０上には多数の素子が整列して形成されており、各素子の封止部４０に陽極接合用の電圧を一度に印加するために統合用の陽極接合端子４５を形成する必要がある。このとき各素子間には封止部４０を電気的に接続するため、例えば封止部４０と同じＡｌを主成分とする導電材料からなる接続部を設ける必要がある。この接続部は必ずダイシングライン１４０と重なるため、素子基板１０と導電材料からなる接続部との硬度の異なる異種材料を同時にダイシングしなければならず、そのためにチッピングが発生したり、ダイシングブレードの耐用寿命が短いなどの問題がある。
【００１５】
本発明の目的は、気密封止性の高い中空封止素子およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するため本発明の第１の手段は、機械的可動部を有する機能部と、その機能部と電気的に接続された内部電極と、前記機能部ならびに内部電極を取り囲む封止部とを後述する素子基板などの絶縁性基体の上に形成し、
前記機能部、内部電極ならびに封止部の上にカバー基体を載置して、前記機能部とカバー基体の間に空隙部を形成するとともに、前記封止部とカバー基体の接合界面を封止する中空封止素子において、
前記内部電極とカバー基体の接合界面ならびに前記封止部とカバー基体の接合界面をともに陽極接合したことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の第２の手段は前記第１の手段において、前記内部電極が前記機能部よりも厚く形成され、前記封止部が前記内部電極とほぼ同じ厚さを有し、前記カバー基体が同じ厚さを有する板材で構成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の第３の手段は前記第１または第２の手段において、前記カバー基体がガラスから構成されていることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の第４の手段は前記第１ないし第３の手段において、前記内部電極ならびに封止部がアルミニウムを主成分とする材料で構成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の第５の手段は前記第１ないし第４の手段において、前記絶縁性基体の電気抵抗率が１×１０‐７Ω・ｃｍ〜１×１０‐13Ω・ｃｍの範囲に規制されていることを特徴とするものである。
【００２１】
本発明の第６の手段は前記第１の手段において、前記カバー基体の前記内部電極の中央部と対向する位置に電極接続用の貫通孔が形成され、その貫通孔の周辺部分の内部電極との接合界面が陽極接合されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明の第７の手段は前記第６の手段において、前記貫通孔に後述するように電気メッキあるいは無電解メッキなどにより外部電極が形成されていることを特徴とするものである。
【００２３】
本発明の第８の手段は前記第１ないし第７の手段において、前記機能部が互いに対向する櫛歯電極対で構成されて、前記中空封止素子が弾性表面波素子であることを特徴とするものである。
【００２４】
本発明の第９の手段は、機械的可動部を有する機能部と、その機能部と電気的に接続された内部電極と、前記機能部ならびに内部電極を取り囲む封止部とを1組にして絶縁性基体の上に所定の隙間をおいて多数組形成する工程と、
各組の内部電極ならびに封止部と接するように前記絶縁性基体上にカバー基体を載置して、各機能部とカバー基体との間に空隙部を形成する工程と、
前記絶縁性基体の下面に陽極電極を当接し、前記カバー基体の上面に陰極電極を当接して、前記陽極電極と陰極電極との間に電圧を印加して、各内部電極とカバー基体との接合界面ならびに各封止部とカバー基体との接合界面を陽極接合する工程と、
前記陽極電極と陰極電極を外して、前記各組の隙間上のダイシングラインに沿ってカバー基体ならびに絶縁性基体をダイシングして個別の中空封止素子に分離する工程とを
含むことを特徴とするものである。
【００２５】
本発明の第１０の手段は前記第９の手段において、前記内部電極が前記機能部よりも厚く形成され、前記封止部が前記内部電極とほぼ同じ厚さを有し、前記カバー基体が同じ厚さを有する板材で構成されていることを特徴とするものである。
【００２６】
本発明の第１１の手段は前記第９または第１０の手段において、前記カバー基体がガラスから構成されていることを特徴とするものである。
【００２７】
本発明の第１２の手段は前記第９ないし第１１の手段において、前記内部電極ならびに封止部がアルミニウムを主成分とする材料で構成されていることを特徴とするものである。
【００２８】
本発明の第１３の手段は前記第９ないし第１２の手段において、前記絶縁性基体の電気抵抗率が１×１０‐７Ω・ｃｍ〜１×１０‐13Ω・ｃｍの範囲に規制されていることを特徴とするものである。
【００２９】
本発明の第１４の手段は前記第９の手段において、前記陽極接合工程後に、前記カバー基体の前記内部電極の中央部と対向する位置に電極接続用の貫通孔を形成する工程を含み、
その貫通孔の周辺部分の内部電極との接合界面に陽極接合部が残っていることを特徴とするものである。
【００３０】
本発明の第１５の手段は前記第１４の手段において、前記貫通孔形成工程後に、前記貫通孔に外部電極を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
【００３１】
本発明の第１６の手段は前記第９ないし第１５の手段において、前記機能部が互いに対向する櫛歯電極対で構成されて、前記中空封止素子が弾性表面波素子であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００３２】
本発明は前述のように、内部電極とカバー基体の接合界面ならびに封止部とカバー基体の接合界面をともに陽極接合することにより、気密封止性の高い中空封止素子およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
次に本発明の実施形態を図と共に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る中空封止素子の代表例であるＳＡＷ素子の製造方法を説明するための工程図である。
【００３４】
（１）先ず、電気抵抗率の低い素子基板１０を準備する。この素子基板１０としてタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）のウエハが用いられ、本実施形態では電気抵抗率が１×１０‐７Ω・ｃｍ〜１×１０‐13Ω・ｃｍのウエハ、好ましくは１×１０‐8Ω・ｃｍ〜１×１０‐10Ω・ｃｍのウエハが用いられる。この電気抵抗率は、従来常用されていたＬｉＴａＯ3の電気抵抗率１×１０‐14Ω・ｃｍよりも７桁〜１桁低い。
【００３５】
このように電気抵抗率の低い圧電材料ウエハは、例えば亜鉛などの金属からなる蒸気中に前記圧電材料ウエハを置いて、そのウエハを当該ウエハのキュリー温度未満の温度（例えばキュリー温度よりも数度低い温度）で所定時間加熱することにより得られる。電気抵抗率を前述の範囲に調整するためには、例えば前記圧電材料ウエハに対する前記金属の量、加熱温度、加熱時間、昇温時間、ガス雰囲気などの諸条件をコントロールすればよい。
【００３６】
本発明者らの諸種の実験結果から、素子基板１０の電気抵抗率を１×１０‐７Ω・ｃｍよりもさらに下げると素子基板１０を通るリーク電流が増加し、所望の電気特性が得られなくなり、一方、電気抵抗率が１×１０‐13Ω・ｃｍよりも高いと従来の素子基板と同様に十分な陽極接合効果が得られないことが判明し、このような理由から素子基板１０の電気抵抗率を１×１０‐７Ω・ｃｍ〜１×１０‐13Ω・ｃｍの範囲に規制した。
【００３７】
（２）次に素子基板１０上に機能部２０と、その機能部２０と電気的に接続する内部電極３０と、素子外周部においてこれらを取り囲む封止部４０とを形成する（１層目）。ＳＡＷ素子の場合、前記機能部２０は互いに対向する櫛歯電極対であり、前記内部電極３０は櫛歯電極に繋がるパッド状電極である。ＳＡＷ素子では機能部２０、内部電極３０、封止部４０はＡｌを主成分とする材料をスパッタまたは蒸着により成膜し、通常のフォトリソグラフィー工法により同時にパターンニングして形成する。膜厚はＳＡＷ素子の特性により調整されるが、通常、１５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００３８】
図３に示すように素子基板１０は所定の大きさを有して、その上に前述の機能部２０と内部電極３０と封止部４０を１組にしたものが所定の隙間をおいて整列された状態で多数個形成されている。
【００３９】
（３）次に内部電極３０と封止部４０の上にさらにＡｌを主成分とする材料をスパッタまたは蒸着し、機能部２０よりも１μｍ〜５μｍ程度厚くする（２層目）。パターンニングはリフトオフ法により所望の部分だけに材料が残るようにする方法が好適であるが、他のフォトリソグラフィー工法でもよい。図２は、このようにして機能部２０、内部電極３０ならびに封止部４０を形成した素子の斜視図である。
【００４０】
（４）次いで素子基板１０上に封止用のガラス製カバー基体５０を載置することにより、カバー基体５０は各素子の内部電極３０ならびに封止部４０の上面と接触する。カバー基体５０として本実施形態ではソーダガラスを用いて、その厚さは５０μｍ〜３００μｍが好適で、図３に示す素子基板１０とほぼ等しい広さを有している。カバー基体５０はほぼ同じ厚さを有する単純な板材であるため、素子基板１０上での精密な位置合わせは不要であり、しかもハンドリングが容易である。
【００４１】
前述のように内部電極３０と封止部４０は機能部２０よりも厚く形成されているから、内部電極３０，封止部４０の上にカバー基体５０を載置することにより、機能部２０とカバー基体５０の間に１μｍ〜５μｍ程度の空隙部７０が形成される。
【００４２】
（５）次に板状のヒーター兼陽極電極１１０を素子基板１０の下面に当接し、板状の陰極電極１２０をカバー基体５０の上面に当接する。両電極１１０，１２０は基板１０，５０の広さと等しいかあるいはそれより若干広くなっている。両電極１１０，１２０を電圧印加装置１００に接続し、２００Ｖ〜１２００Ｖ程度の直流電圧を印加するとともに、ヒーター兼陽極電極１１０により１５０℃〜３００℃の比較的低い温度に維持して陽極接合を行なう。
【００４３】
前述のように電気抵抗率が１×１０‐７Ω・ｃｍ〜１×１０‐13Ω・ｃｍと比較的低い素子基板１０が用いられ、しかも素子基板１０とカバー基体５０の全面に直流電圧が印加されるから、陽極接合は内部電極３０とカバー基体５０の接合界面ならびに封止部４０とカバー基体５０の接合界面の両方で同時に行なわれる。
【００４４】
前述のように素子基板１０側を陽極、ガラス製のカバー基体５０側を陰極にして、両者の間に電圧を印加することにより、カバー基体５０中のナトリウムイオンなどの陽イオンを陰極側へドリフトさせることで生じた静電引力と、界面での反応により封止度の高いハーメチックシールがなされる。接合温度が１５０℃より低いと陽イオンのドリフトが進行し難くなり、一方、接合温度が３００℃より高いと素子基板１０とカバー基体５０の熱膨張差による応力で、両者のどちらかまたは両方が割れることがあるから、接合温度は１５０℃〜３００℃の範囲に規制する方がよい。
【００４５】
なお、内部電極３０と封止部４０はＡｌを主成分とする材料で構成されており、このＡｌは接合反応を促進するための軟質で活性な性質を有し、Ａｌのメタライズ効果により接合界面での気密性が優れている。
【００４６】
（６）次に前記ヒーター兼陽極電極１１０と陰極電極１２０を外し、通常のフォトリソグラフィ工法を用いて、内部電極３０の中央部および素子分割用ダイシングライン１４０（図３参照）に相当した所を除いてカバー基体５０の上面全体をサンドブラスト用レジストで覆い、上部からサンドブラスト１３０を吹きつけて研削し、カバー基体５０の内部電極３０の中央部に相当した個所に貫通孔６０を形成するとともに、ダイシングライン１４０（図３参照）に沿って研削して、素子を個別に分離する。
【００４７】
サンドブラスト加工はガラスのような硬い脆性材料はよく研削でき、Ａｌのような比較的柔らかい金属材料は研磨し難い性質があるため、貫通孔６０の穴あけ加工はカバー基体５０のみを研削し、その下側にある内部電極３０は殆ど削られず、その形状を保ったままである。サンドブラスト加工後、サンドブラスト用レジストを除去する。図４は、このようにして製造された中空封止素子（ＳＡＷ素子）の斜視図である。
【００４８】
図５はこのようにして製造された中空封止素子（ＳＡＷ素子）の断面図、図６は図５の点線部分の拡大断面図である。図６に示されているように、内部電極３０とカバー基体５０（貫通孔６０の周辺部分）の接合界面ならびに封止部４０とカバー基体５０の接合界面に陽極接合部８０が夫々形成され、高い気密封止状態を維持した中空封止素子１０００が得られる。
【００４９】
このように中空封止素子１０００は完全な気密封止になっているため、図７に示すように通常の樹脂モールドＩＣのように内部電極リードフレーム２１００の上に中空封止素子１０００を載置し、貫通孔６０から露呈している内部電極３０に対してＡｕワイヤ２３００をボンディング接続した後、モールド樹脂２２００でトランスファーモールドして中空封止モールド部品２０００を得ることができる。
【００５０】
また中空封止素子１０００は図８に示すように、Ａｕバンプ２４００を介して超音波ボンディングにより直接回路基板４０００にフェースダウン実装することも可能である。図中の２５００は半田、３０００は回路基板４０００に搭載された他のチップ部品、４１００は回路基板４０００上に形成された回路基板電極である。
【００５１】
図９はさらに他の実施形態に係る中空封止素子の断面図、図１０は図９の点線部分の拡大断面図である。これらの図に示されているようにカバー基体５０の貫通孔６０の部分に半田接続が可能な外部電極９０を設けて、外部電極付き中空封止素子１１００を構成している。このように半田接続が可能な外部電極９０付きの中空封止素子１１００を用いることにより、実装性を向上することができる。
【００５２】
図１１は、外部電極付き中空封止素子１１００の適用例を示す断面図である。同図に示すように、外部電極付き中空封止素子１１００は半田２５００を介して回路基板４０００上に他のチップ部品３０００とともに実装されている。この外部電極付き中空封止素子１１００を用いることにより、実装性が向上し、組立てコストの低減を図ることができる。
【００５３】
図１２と図１３は、外部電極の構成例を示す一部拡大断面図である。図１２に示す例は電気メッキ工法で外部電極９０を形成する例であって、ウエハ状態の中空封止素子１０００に対し、全面にＴｉを５０ｎｍ、Ｃｕを５００ｎｍ重ねてスパッタして給電膜９１を形成する。次に通常のフォトリソグラフィー工法で外部電極９０部に相当する領域以外の領域に、メッキレジストをコートする。
【００５４】
次にＮｉを３μｍ、さらにＳｎを主成分とする金属材料で貫通孔６０が埋まる厚さ以上に電気メッキして電気メッキ電極９２を形成し、その上に半田接続性を確保するためにＡｕを電気メッキして外部電極９０とする。その後前記メッキレジストを除去し、外部電極９０が形成されている領域以外の給電膜を選択的に除去して、最後にダイシングにより個々の外部電極付き中空封止素子１１００を得る。
【００５５】
図１３に示す例は無電解メッキ工法で外部電極９０を形成する例であって、ウエハ状態の中空封止素子１０００に対し、貫通孔６０の底部から露呈しているＡｌを主成分とする内部電極３０をジンケート処理し、Ｚｎ置換膜９３を形成する。次にこれを無電解Ｎｉメッキ液に浸漬し、Ｎｉを所望の厚さ付着して無電解メッキ電極９４を形成し、その上に半田接続性を確保するためにＡｕを無電解メッキして外部電極９０とする。最後にダイシングにより個々の外部電極付き中空封止素子１１００を得る。
【００５６】
前記実施形態では絶縁性基体としてタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）など他の材質のものを使用することも可能である。
【００５７】
前記実施形態では封止部を機能部よりも若干厚く形成して、封止部上にカバー基体を載置することにより、機能部とカバー基体との間に空隙部を形成したが、図１４に示すように、機能部と対向する部分に凹部（逃げ部）を設けたカバー基体を封止部上に載置することにより、機能部とカバー基体との間に空隙部を形成することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
前記実施形態ではＳＡＷ素子について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、機能部に機械的可動部が存在する中空封止素子全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態に係る中空封止素子の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】その中空封止素子の製造過程途中における１素子の斜視図である。
【図３】その中空封止素子のダイシングラインを示す斜視図である。
【図４】製造が終了した中空封止素子の斜視図である。
【図５】その中空封止素子の断面図である。
【図６】図５の点線で囲んだ部分の拡大断面図である。
【図７】その中空封止素子を用いて構成した中空封止モールド部品の断面図である。
【図８】その中空封止素子を回路基板上に搭載した状態を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る中空封止素子の他の例を示す断面図である。
【図１０】図９の点線で囲んだ部分の拡大断面図である。
【図１１】その外部電極付き中空封止素子を回路基板上に搭載した状態を示す断面図である。
【図１２】その外部電極付き中空封止素子の外部電極の構成例を示す一部拡大断面図である。
【図１３】その外部電極付き中空封止素子の他の外部電極の構成例を示す一部拡大断面図である。
【図１４】従来提案された中空封止素子の断面図である。
【図１５】図１４の点線で囲んだ部分の拡大断面図である。
【図１６】その中空封止素子のダイシングラインを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０：素子基板、２０：機能部、３０：内部電極、４０：封止部、５０：カバー基体、６０：貫通孔、７０：空隙部、８０：陽極接合部、９０：外部電極、９１：スパッタ給電膜、９２：電気メッキ電極、９３：Ｚｎ置換膜、９４：無電解メッキ電極、９５：印刷電極、１００：電圧印加装置、１１０：ヒーター兼陽極電極、１２０：陰極電極、１３０：サンドブラスト、１４０：ダイシングライン、１０００：中空封止素子、１１００：外部電極付き中空封止素子、２０００：中空封止モールド部品、２１００：リードフレーム、２２００：モールド樹脂、２３００：Ａｕワイヤ、２４００：Ａｕバンプ、２５００：半田、３０００：チップ部品、４０００：回路基板、４１００：回路基板電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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