(57)【要約】【課題】  コンタクトホール２２ｅの面積を縮小してもコンタクトホール２２ｅによる電気的な接続が確実に確保され、明るく精細で高品質な表示画像を実現できる反射型表示装置５Ａを高い製造歩留まりで提供する。【解決手段】  薄膜トランジスタ１６の上に素子保護用の絶縁層１８が形成され、開口１８ｈに形成したコンタクトホール１７ｅによって薄膜トランジスタ１６のドレイン電極１５に接触する連結電極１７を絶縁層１８の上に形成する。その後、微細な表面凹凸形状が形成された感光性フィルム２１を絶縁層１８の上に貼り付け、開口２１ｈを形成した感光性フィルム２１上にアルミニウムをスパッタリング蒸着することにより、微細な表面凹凸形状を有する反射電極２２とコンタクトホール２２ｅとを同時形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆って形成された絶縁性の素子保護層と、
前記素子保護層を覆って配置された絶縁性の反射膜支持層と、を備えた反射型表示装置において、
前記素子保護層に形成された開口を通じて前記スイッチング素子の所定の電極に電気的に接続して前記素子保護層上に形成され、前記反射膜支持層に形成された開口に達する連結電極部材を備え、
前記反射膜支持層上に形成された導電性の反射膜は、前記反射膜支持層に形成された開口を通じて、前記連結電極部材と電気的に接続していることを特徴とする反射型表示装置。
【請求項２】
前記素子保護層に形成された開口と、前記反射膜支持層に形成された開口とは、重なり合わない位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の反射型表示装置。
【請求項３】
前記反射膜支持層は、微小な表面凹凸形状を持たせて前記素子保護層上に形成され、
前記反射膜は、前記反射膜支持層に形成された開口の底で前記連結電極部材に直接接触していることを特徴とする請求項１または２記載の反射型表示装置。
【請求項４】
前記スイッチング素子は、背面基板に格子状に配置された薄膜トランジスタ素子であって、
前記所定の電極は、前記薄膜トランジスタ素子のドレイン電極であることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項記載の反射型表示装置。
【請求項５】
前記背面基板はフレキシブル性を有する金属基板であることを特徴とする請求項４記載の反射型表示装置。
【請求項６】
前記反射膜上に形成された絶縁性のカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層を覆って形成され、前記カラーフィルタ層に形成された開口を通じて前記反射膜に直接接触する抵抗性の界面層と、を備え、
前記カラーフィルタ層に形成された開口は、前記反射膜支持層に形成された開口と重なり合わない位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項記載の反射型表示装置。
【請求項７】
反射電極を形成した背面基板と透明な表面基板との間隔に、帯電粒子を分散させた絶縁性液体を配置した反射型表示装置において、
前記反射電極上に配置された絶縁層の上に導電性材料の抵抗膜が形成され、
前記抵抗膜と前記反射電極とを電気的に接続するコンタクトホールとは平面位置をずらせて、下層から前記反射電極に電気信号を供給するコンタクトホールを配置したことを特徴とする反射型表示装置。
【請求項８】
背面基板上に形成されたスイッチング素子を覆って形成された絶縁性の素子保護層と、前記素子保護層上に微小な表面凹凸形状を持たせて形成された絶縁性の反射膜支持層とを隔てて配置された、前記スイッチング素子の所定の電極と前記反射膜支持層上に形成された導電性の反射膜とを微小面積のコンタクトホールで電気的に接続する反射型表示装置の製造方法において、
前記素子保護層に開口を形成した後に、この開口を通じて前記所定の電極に直接接触する導電性の薄膜を前記素子保護層上に形成し、この薄膜を所定平面形状の連結電極部材に成形する下コンタクトホール工程と、
前記連結電極部材が形成された前記素子保護層上に前記反射膜支持層を形成する反射膜支持層工程と、
前記反射膜支持層に開口を形成した後に、この開口を通じて前記連結電極部材に直接接触する導電性の薄膜を前記上層絶縁層上に形成する上コンタクトホール工程と、を備えることを特徴とする反射型表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気泳動表示装置に応用されて好適な反射型表示装置、および反射型表示装置の製造方法に関し、詳しくは素子保護層と反射膜支持層とを隔てて配置されたスイッチング素子の所定の電極と反射膜とを浅い微小なコンタクトホールで電気的に接続する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像表示面から入射した自然光や室内光の反射光を反射して液晶素子で変調させる反射型液晶装置が実用化されている。反射型液晶装置は、屋外での利用を考慮して携帯用ゲーム機や通信端末等に利用されており、バックライトに頼らず低消費電力を達成している。
【０００３】
反射型液晶装置は、スイッチング素子が配置された背面基板と、透明な表面基板との間隔に光変調層としての液晶層を配置しており、背面基板には、各画素の液晶セルに対応させて無数のスイッチング素子が格子状に配列され、個々のスイッチング素子の上に液晶セルごとの反射電極が配置されている。
【０００４】
特許文献１に示される反射型液晶装置は、微小な表面凹凸形状を形成した反射電極を備える。反射電極は、微小な表面凹凸形状を形成した反射膜支持層上に金属薄膜を積層し、この金属薄膜を液晶セルごとの反射電極に成形して形成される。反射電極は、液晶層を変調する電極を兼ねており、背面基板に形成されたスイッチング素子の所定の電極に対して、コンタクトホールを用いて電気的に接続されている。
【０００５】
特許文献２には、透過型液晶装置の光変調層（液晶層）を電気泳動セルに置き換えた電気泳動表示装置が示される。電気泳動セルは、表示セルごとに独立させた空間に遮光性の帯電粒子を分散した液体を充填しており、印加される電界状態に応じて電気泳動セル内を帯電粒子が移動することにより、電気泳動セルの遮光性や色調が変化する。
【０００６】
電気泳動表示装置は、光変調層として液晶層を配置する液晶表示装置に比較して表示コントラストが高く、視認性に優れる。また、表示にメモリー性があるので、さらに消費電力を低減できる。電気泳動表示装置もまた、スイッチング素子を配列した背面基板に、表示セルごとの電極を兼ねた反射電極を配置することにより、バックライトに頼らない反射型の表示装置を形成できる。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１８７２０８号公報
【特許文献２】米国特許３６１２７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に示される反射型液晶装置では、背面基板に形成されたスイッチング素子（ＴＦＴ：薄膜トランジスタ素子）の上に絶縁膜の素子保護層が形成されており、スイッチング素子の所定の電極（ドレイン電極）は、素子保護層と反射膜支持層とを隔てて反射電極と対向しており、両者は、素子保護層と反射膜支持層とを貫通するコンタクトホールによって電気的に接続されている。
【０００９】
このコンタクトホールは、反射膜支持層上に金属薄膜を堆積して反射面を形成する際に、ドレイン電極に達する深い開口の内壁に金属薄膜を堆積させて筒状の導電経路を形成させている。ドレイン電極に達する深い開口は、素子保護層の上に反射膜支持層を形成した後に、素子保護層に形成した大きめの開口に位置決めして反射膜支持層に開口を形成している。
【００１０】
従って、コンタクトホールの深さは、素子保護層の厚さと反射膜支持層の厚さとを加算した深いものとなって、反射膜支持層上に金属薄膜を堆積させる際に、開口の側面と底面の金属薄膜成長を両立させることが難しくなる。そして、開口の側面への堆積を優先した堆積条件を採用すると、反射膜支持層の開口の底の隅々にまで金属薄膜が堆積しにくくなる。また、逆に、開口の底面への堆積を優先した堆積条件を採用すると、側面で線切れやはがれを起こし易くなる。
【００１１】
いずれにせよ、コンタクトホールによるドレイン電極と反射電極との電気的な接続が不確かなものとなり、接続不良による画素欠けを引き起して反射型液晶装置の画像品質や製造歩留まりを低下させる。
【００１２】
しかし、コンタクトホールによる電気的な接続を確実にするために、反射膜支持層の開口の口径を増大させたり、反射膜支持層の開口に大きなテーパを形成したりすると、液晶セルの面積に占めるコンタクトホールの割合が増大して、表面凹凸形状を形成した反射電極の有効反射面積が減少して反射光量が減り、反射電極による反射光の品質も低下する。
【００１３】
また、大きな口径の開口をその内側に位置決めるために、素子保護層にはさらに大きな開口が形成されることとなり、開口を通じた不純物拡散や酸化によってスイッチング素子が不良となる可能性が高まる。
【００１４】
また、金属薄膜の材料や堆積条件を材料の回り込みが良くなる方向に変更すると、反射電極の反射性能が高まる材料や堆積条件を選択できなくなって、反射電極の反射性能が低下する可能性が高まるし、そのような変更によって液晶セルの性能に悪影響を及ぼす可能性がある。
【００１５】
また、電気泳動表示装置では、表示セルの界面に深いコンタクトホール（窪み）が形成されると、コンタクトホールの窪みに帯電粒子がトラップされて、自由に泳動できる帯電粒子が減ってしまい、表示セルのコントラストが低下したり、表示切替速度が低下したりする。
【００１６】
そこで、コンタクトホールの窪みを埋める新たな工程を追加することが提案されたが、窪みを埋めた材料によって表示セルの性能が低下したり、新たな工程の追加による製造歩留まりの低下や製造コスト高を引き起したりする。
【００１７】
ところで、近年、反射型表示装置には、その表示画像の一層の精細化が求められており、表示セルの密度増大（すなわち面積縮小）に伴って、表示セルごとの反射電極の面積も縮小され、反射電極のコンタクトホールの面積も縮小することが求められている。しかし、コンタクトホールの面積を縮小すると、上述したように、コンタクトホールによる電気的な接続の不良が増えて、反射型表示装置の品質低下や製造歩留まり低下を引き起す。
【００１８】
本発明は、コンタクトホールの面積を縮小してもコンタクトホールによる電気的な接続が確実に確保され、明るく精細で高品質な表示画像を実現できる反射型表示装置を高い製造歩留まりで提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の反射型表示装置では、薄膜形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆って形成された絶縁性の素子保護層と、前記素子保護層を覆って配置された絶縁性の反射膜支持層とを備えた反射型表示装置において、前記素子保護層に形成された開口を通じて前記スイッチング素子の所定の電極に電気的に接続して前記素子保護層上に形成され、前記反射膜支持層に形成された開口に達する連結電極部材を備え、前記反射膜支持層上に形成された導電性の反射膜は、前記反射膜支持層に形成された開口を通じて、前記連結電極部材と電気的に接続しているものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の反射型表示装置では、深さ方向の電気的な接続を連結電極部材で中継するので、反射膜支持層に形成されるコンタクトホールの深さは、反射膜支持層の厚み以上とはなり得ず、特許文献１に示されるコンタクトホールよりも素子保護層の厚みだけ浅くなる。また、素子保護層に形成されるコンタクトホールの深さは、素子保護層の厚み以上とはなり得ず、特許文献１に示されるコンタクトホールよりも反射膜支持層の厚みだけ浅くなる。
【００２１】
従って、深さが浅くなっただけ、反射膜支持層に形成された開口の内壁や底への導電性材料の回り込みが良好となり、コンタクトホールの入口から底までの電気的な接続が確実になる。
【００２２】
また、素子保護層のコンタクトホールよりも面積が大きい連結電極部材に位置決めして反射膜支持層の開口を形成するので、開口形成時の位置決め精度が低くても、反射膜支持層のコンタクトホールと連結電極部材との確実な重ね合わせとこれによる電気的な接続とを確保できる。
【００２３】
また、連結電極部材の平面的な広がりによって、スイッチング素子の所定の電極の位置に拘束されることなく、反射膜支持層のコンタクトホールの位置を設定できるので、表示セルの表示機能に影響を及ぼさない位置に反射膜支持層のコンタクトホールを設定して、表示セルの表示機能を高めることができる。
【００２４】
また、反射膜支持層を形成する以前の段階で、スイッチング素子は、素子絶縁層と連結電極部材とで完全に覆われているので、素子絶縁層の開口を通じて所定の電極が酸化したり不純物が拡散したりしない。従って、連結電極部材を形成した仕掛り状態で背面基板を長距離輸送したり、長期保管したりしても、スイッチング素子の不良は発生しにくく、製造歩留まりに悪影響が及ばない。
【００２５】
また、小さな面積のコンタクトホールでも電気的な接続を確実に行えるので、反射電極の面積に対するコンタクトホールの面積比を小さくして有効反射面積を増大し、微小な表面凹凸形状による拡散反射性能を十分に発揮させることができる。
【００２６】
また、小さな面積のコンタクトホールであれば、導電性の反射膜の堆積で窪みを埋めることも可能だし、窪みのまま残しても表示セルの表示性能に悪影響を及ぼさないで済むので、窪みを埋めるためだけの新たな工程を追加する必要が無い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の一実施形態である反射型表示装置５Ａ〜５Ｄについて、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態の反射型表示装置５Ａ〜５Ｄは、アクティブマトリクス型・反射型・電気泳動・表示装置であるが、本発明は、アクティブマトリクス型以外の表示セル駆動方式を採用してもよく、また、画像表示面から入射した外光を光変調層により変調し、表示セルごとに形成した反射電極により画像表示面側に反射させて２以上の階調表示を行う反射型表示装置、例えば光変調層として液晶層や画素ごとのシャッター素子を採用した反射型表示装置へ広く応用可能である。
【００２８】
以下の説明では、特許文献１、特許文献２に示される表示装置の一般的な構造、一般的な製造方法、例えば、屈折率の調整層、表示セルおよび配線の格子配列、ドライバを含む画像表示回路、画像信号処理、成膜プロセス、パターン形成プロセス等については、本発明の趣旨と隔たりがあるので、煩雑を避けるべく、一部図示を省略して詳細な説明も省略している。
【００２９】
＜第１実施形態＞  
図１は本発明の一実施形態である第１実施形態の反射型表示装置の表示セルの断面図である。第１実施形態の反射型表示装置５Ａでは、発明のスイッチング素子が薄膜トランジスタ１６、素子保護層が絶縁層１８、反射膜支持層が感光性フィルム２１、素子保護層に形成された開口が開口１８ｈ、所定の電極がドレイン電極１５、反射膜支持層に形成された開口が開口２１ｈ、連結電極部材が連結電極１７、導電性の反射膜が反射電極２２にそれぞれ対応しているが、本発明は、これらの構成によるこのような組み合わせには限定されず、これらの構成と他の代替的な構成とから選択した任意の組み合わせによって種々の実施形態を組み立て可能である。
【００３０】
図１に示すように、第１実施形態の反射型表示装置５Ａは、背面基板１０上に無数の表示セル６Ａを格子状に配列している。背面基板１０上には、共通の層間絶縁膜１２を形成した上に、表示セル６Ａごとの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１６が形成され、薄膜トランジスタ１６を覆って共通の絶縁層（層間絶縁層）１８が形成されている。
【００３１】
絶縁層１８の上には、所定の微細な表面凹凸形状を形成した感光性フィルム２１が配置される。なお、感光性フィルム２１には、少なくともその形成過程で表面を平坦化できるものが望ましい。何故なら、感光性フィルム２１の平坦化作用によって、薄膜トランジスタ１６やその配線パターンによる凸凹を相殺して表面高さの揃った反射面を形成できるからである。しかし、感光性フィルム２１の表面に下層の凹凸パターンが浮き出てこないようにするために、連結電極１７を形成した絶縁層１８の上に不図示の平坦化層を別途形成し、平坦化層の平坦な表面に感光性フィルム２１を形成してもよい。
【００３２】
感光性フィルム２１の上には、表示セル６Ａの駆動電極を兼ねた金属薄膜の反射電極２２が表示セル６Ａごとに形成される。反射電極２２は、感光性フィルム２１の微細な表面凹凸形状に倣った表面凹凸形状を有しており、表面基板２０側から入射した外光を散乱させつつ表面基板２０側へ折り返す。
【００３３】
反射電極２２の上には、平坦化層２３が形成され、平坦化層２３と表面基板２０との間隔には、帯電粒子３１を分散させた絶縁性液体３２が充填される。背面基板１０と表面基板２０との対向間隔を囲む外周の縁は、不図示の接着剤シールによって密閉している。
【００３４】
表面基板２０から入射した光は、絶縁性液体３２に分布している帯電粒子３１により散乱あるいは吸収されて反射電極２２に達し、反射電極２２面で反射された光が前方に向けられてさらに帯電粒子３１により散乱あるいは吸収されて、表面基板２０から射出するので、観察者は、表面基板２０を通じて、表示セル６Ａの泳動空間における帯電粒子３１の分布に応じて変化する所定の反射強度を視認できる。このようにして、画素（表示セル６Ａ）単位で制御した帯電粒子３１の分布に応じて反射型表示装置５Ａに画像表示が作られる。
【００３５】
絶縁性液体３２中の帯電粒子３１の分布は、反射電極２２と隔壁電極２５との間に印加する電圧によって制御される。絶縁性液体３２に分散している帯電粒子３１の帯電がプラス極性である場合、反射電極２２にプラス極性の電圧を、隔壁電極２５にマイナス極性の電圧をそれぞれ印加すると、帯電粒子３１は、隔壁電極２５側に集合するので、表面基板２０から入射した外光は、高い割合で反射電極２２に到達して反射される。これにより明るい画素を表示できる。
【００３６】
一方、反射電極２２にマイナス極性の電圧を、隔壁電極２５にプラス極性の電圧をそれぞれ印加すると、帯電粒子３１は、反射電極２２を覆うように移動するので、表面基板２０から入射した外光は、帯電粒子３１で吸収され、表示セル６Ａは、帯電粒子３１の色味を表示することができる。例えば、帯電粒子３１が黒色であれば、表示セル６Ａは、黒い画素を表示する。
【００３７】
図１に示すように、無アルカリガラスの背面基板１０上には、アルミニウム合金とモリブデンからなるゲート線１１を形成し、窒化シリコンからなる層間絶縁層１２で覆っている。層間絶縁層１２上には、モリブデン合金からなるソース線１４およびドレイン電極１５が格子状に配置され、ゲート電極１１とソース線１４との交差部分にアモルファスシリコン１３からなるボトムゲート型の薄膜トランジスタ１６が形成されている。反射型表示装置５Ａの解像度は、画素（表示セル６Ａ）ピッチで４０μｍ相当に設定している。
【００３８】
このようにして形成された薄膜トランジスタ１６の上には、窒化シリコンからなる無機の絶縁層（層間絶縁層）１８が形成されている。絶縁層１８は、薄膜トランジスタ１６上の保護膜として機能するとともに、背面基板１０の縁に設定されたドライバ実装部での電極保護膜としても機能する。
【００３９】
絶縁層１８には、フォトレジストと所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射することにより所定のレジストパターンを形成し、その後、ドライエッチングにより絶縁層１８をエッチングして、絶縁層１８にはドレイン電極１５上に位置する開口１８ｈが形成される。開口１８ｈの径はφ４μｍとした。なお、窒化シリコンのエッチングにはフッ素系ガスを用い、開口１８ｈの側面を順テーパになるようエッチングした。
【００４０】
絶縁層１８上には、膜厚３０００Å（０．３μｍ）のモリブデン層を成膜後、フォトレジストと所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射することで、所定のレジストパターンを形成し、その後、燐酸系エッチング液でモリブデン層をウェットエッチングすることにより、連結電極１７を形成した。連結電極１７は、絶縁層１８の上に形成された導電薄膜パターンで、絶縁層１８の開口１８ｈに形成したコンタクトホール１７ｅによって、ドレイン電極１５と電気的に安定に接続されている。
【００４１】
連結電極１７を形成した絶縁層１８の上には、所望の凹凸構造が形成された感光性フィルム２１を貼り付けている。感光性フィルム２１は、フォトマスクを介して紫外線を照射することにより、連結電極１７に位置決めた開口２１ｈを含む所定の輪郭パターンを形成している。使用した感光性フィルム２１はネガ型タイプで、その膜厚はおよそ３μｍであった。
【００４２】
感光性フィルム２１に形成した開口２１ｈは、絶縁層１８のコンタクトホール１７ｅとは重ならない平面配置とした。開口２１ｈの口径はφ８μｍなので、表示セル６Ａのピッチ４０μｍを考慮すると、図１に示されるよりも比率的に大きく形成されている。
【００４３】
連結電極１７を含む絶縁層１８の表面には、連結電極１７や薄膜トランジスタ１６の配線パターンに沿って０．１μｍから１μｍ程度の起伏があるが、感光性フィルム２１によって、それらの起伏は平坦化され、感光性フィルム２１表面には、連結電極１７を含む絶縁層１８の表面形状は反映されない。
【００４４】
その後、微細な表面凹凸形状を有する感光性フィルム２１上に膜厚１０００Å（０．１μｍ）のアルミニウム薄膜を基板温度１３０℃の条件で成膜した。このとき、開口２１ｈの内壁および底に堆積したアルミニウム材料によってコンタクトホール２２ｅが形成される。
【００４５】
その後、フォトレジストを全面塗布し、所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射することで所定のレジストパターンを形成し、燐酸系エッチング液でアルミニウム薄膜をウェットエッチングすることにより、表示セル６Ａごとの反射電極２２の輪郭を形成した。膜厚１０００Åのアルミニウム薄膜は、蒸着直後で９９％の高い鏡面反射率であった。
【００４６】
反射電極２２は、画素形状に合わせてパターニングした電極であって、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅを介して連結電極１７と安定して電気的に接続し、これによって反射電極２２はドレイン電極１５とも電気的に接続できた状態になる。
【００４７】
その後、反射電極２２を含む全面に低い粘性液体の感光性アクリル樹脂（例えば、ＪＳＲ株式会社製ｏｐｔｍｅｒＰＣ４１５）を塗布して平坦化層２３を形成し、表面を平坦化させた。最低膜厚２μｍの平坦化層２３によって、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅの凹み（深さ３μｍ）がほぼ平坦に埋められる。
【００４８】
平坦化層２３の上には、高粘度ネガ型レジスト（例えば、Ｍｉｃｒｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製ＳＵ８）を塗布してパターニングすることにより、表示セル６Ａごとの隔壁２４を立てた。隔壁２４の高さはおよそ２０μｍ、幅は５μｍとし、その周期は４０μｍピッチとした。
【００４９】
その後、隔壁２４および平坦化層２３を含む全面に黒色の酸化クロムとクロムを連続蒸着し、蒸着面にフォトレジストを塗布して、所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射することで所定のレジストパターンを形成し、続いて、硝酸系エッチング液で蒸着層をウェットエッチングすることにより、隔壁２４の表面を覆う隔壁電極２５をパターニングした。隔壁電極２５は、平坦化層２３によって反射電極２２から絶縁され、反射電極２２と共働して液晶セル６Ａを駆動するとともに、表示セル６Ａを囲んで格子状に配置されていることから、画素間からの不必要な射出光を遮断するブラックマトリクスとしての機能も併せ持っている。
【００５０】
その後、隔壁２４で囲まれた各表示セル６Ａに、所定の濃度で帯電粒子３１を分散させた透明な絶縁性液体３２を所定の分量で充填し、さらに表面基板２０を隔壁２４と密着させることで各画素に帯電粒子３１を分散させた透明な絶縁性液体３２を封止し、第１実施形態の反射型表示装置５Ａを製作した。
【００５１】
第１実施形態の反射型表示装置５Ａでは、反射電極２２を薄膜トランジスタ１６のドレイン電極１５と電気的に接続するために連結電極１７を形成している。ドレイン電極１５は、薄膜トランジスタ１６を保護する絶縁層１８に形成されたコンタクトホール１７ｅを通じて連結電極１７と電気的に接続し、反射電極２２は、感光性フィルム２１に形成したコンタクトホール２２ｅを通じて連結電極１７と電気的に接続している。
【００５２】
そして、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅと、絶縁層１８のコンタクトホール１７ｅとは、表示セル６Ａの平面内で異なる座標位置に配置され、コンタクトホール２２ｅとコンタクトホール１７ｅとは平面的に重なり合わない。従って、コンタクトホール２２ｅの設計においては、コンタクトホール１７ｅの口径や配置に制約されることがなく、また、コンタクトホール１７ｅの設計においては、コンタクトホール２２ｅの口径や配置に制約されることがない。
【００５３】
また、連結電極１７は、反射電極２２の下に隠されて表示セル６Ａの表示性能に影響を及ぼさないので、連結電極１７の面積は、コンタクトホール２２ｅの口径に比較して十分に広く設計できる。従って、薄膜トランジスタ１６に対する反射電極２２のアライメントずれに強い設計となり、その結果、反射電極２２とドレイン電極１６との間のコンタクト不良などの欠陥を防止できる。
【００５４】
また、コンタクトホール１７ｅとコンタクトホール２２ｅとは、表示セル６Ａの平面内で異なる座標位置に設定されているので、コンタクトホール２２ｅの深さは、感光フィルム２１の厚さよりも浅いものとなり、帯電粒子３１の泳動空間の界面に形成されたコンタクトホール２２ｅによる窪みの深さを浅くする設計が可能である。そして、標準的な感光性フィルム２１は、微細な表面凹凸形状を含めて厚さが０．５〜３μｍ程度であり、これは、帯電粒子３１の粒径と同等程度であるから、コンタクトホール２２ｅに帯電粒子３１がはまり込むことによる表示の不具合は起きにくい。
【００５５】
また、連結電極１７を採用したことで、コンタクトホール１７ｅの深さは絶縁層１８の厚み以下、コンタクトホール２２ｅの深さは感光性フィルム２１の厚み以下といずれも浅いので、蒸着材料の回り込みと蒸着面への接合が確実なものとなり、無数の表示セル６Ａを配列した反射型表示装置５Ａのすべての表示セル６Ａについて、コンタクトホール１７ｅ、２２ｅの接触不良はなかった。そして、反射電極２２においては、膜厚に制約させることなく、最適な蒸着条件を選択し蒸着できたので、反射型表示装置５Ａにおける高い反射率の表示を実現できた。
【００５６】
また、画素ピッチを４０μｍと高解像度に設定したため、薄膜トランジスタ１６の配置密度が高まり、ドレイン電極１５も小さくなって絶縁層１８のコンタクトホール１７ｅの径をΦ４μｍとする必要を生じたが、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅを絶縁層１８の開口１８ｈに重ねて配置する特許文献１の接続形態のように、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅの径を絶縁層１８のコンタクトホール１７ｅよりも小さくする設計は必要なく、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅをφ８μｍとすることができた。
【００５７】
このことから、高解像度による製造歩留まりの低下を抑制できた。そして、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅは、絶縁層１８のコンタクトホール１７ｅと重ならない位置に配置したので、１層の平坦化層２３のみで感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅがつくる凹みを埋めることができた。これにより、帯電粒子が泳動空間の界面の凹みにはまり込むなどして起こる表示不良を抑制できた。
【００５８】
＜第２実施形態＞
図２は第２実施形態の反射型表示装置の表示セルの断面図である。第２実施形態の反射型表示装置５Ｂは、表示セル６Ｂにおける連結電極１７より下の構成、および反射電極２２より上の構成が第１実施形態の反射型表示装置５Ａと同一である。言い換えれば、微細な表面凹凸形状を有する反射膜支持層（感光性フィルム２１）の作り方のみが第１実施形態の反射型表示装置５Ａとは異なっている。従って、図２において図１と共通する部材には共通の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５９】
図２に示すように、反射電極２２に所定の微細な表面凹凸形状を形成するための反射膜支持層の形成方法としては、フォトレジストを用いて露光・現像を行うことにより、凸状のドットパターンに形成する方法がある。この場合も連結電極１７を形成してドレイン電極１５と反射電極２２との電気的な接続を中継させることが望ましい。
【００６０】
無アルカリガラスの背面基板１０上には、第１実施形態の反射型表示装置５Ａと同様な製造プロセスを経て連結電極１７までが形成された後、連結電極１７を含む絶縁層１８の全面に感光性アクリル樹脂（例えば、ＪＳＲ株式会社製ｏｐｔｍｅｒＰＣ４１５）を塗布して、約３μｍの膜厚の有機絶縁層２１Ｂを形成した。有機絶縁層２１Ｂは、低粘性の液体状態で塗布され、下層の薄膜トランジスタ１６やその配線パターンによる凸凹を相殺して平坦な表面を形成する。
【００６１】
次に、フォトマスクを介して有機絶縁層２１Ｂに紫外線を照射することで、ペレット配列状のレジストパターンを形成し、その後、加熱を行ってペレット型のレジストパターンをメルトさせることにより、連結電極１７を形成した絶縁層１８の上に、高さと大きさの揃った直径約５μｍΦの滑らかならドーム型突起を無数に配列させた微小な表面凹凸形状が形成される。
【００６２】
なお、図２では、絶縁層１８の開口１８ｈに重ねてコンタクトホール２２ｆが形成されているように見えるが、実際は、開口１８に一部重複する平面領域でレジストパターンを現像除去しているため、偶然、開口１８ｈに重なる位置で反射電極２２と連結電極１７とが電気的な接触を達成しているに過ぎない。開口１８ｈを含む平面領域はアルミニウム材料で覆われた平坦な反射面となっている。
【００６３】
従って、レジストパターンの除去位置を隔壁２４に近い位置に変更することにより、開口１８ｈの近傍でもレジストパターンを残して鏡面の表面凹凸形状を形成し、これにより、第１実施形態の反射型表示装置５Ａと同等な反射電極２２の反射性能を確保することも可能である。
【００６４】
微小な表面凹凸形状を形成した有機絶縁層２１Ｂの上に、第１実施形態と同様なプロセスにより膜厚１０００Åのアルミニウム薄膜を形成し、フォトレジストを全面塗布して、所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射することでレジストパターンを形成し、その後、燐酸系エッチング液でアルミニウム薄膜をウェットエッチングすることにより、反射電極２２を形成した。これ以降の作製工程は第１実施形態と同様に行った。
【００６５】
第２実施形態の反射型表示装置５Ｂもまた、連結電極１７を採用したことにより、上述した第１実施形態の場合と同様な種々の改善効果を実現できた。
【００６６】
＜第３実施形態＞
図３は第３実施形態の反射型表示装置の表示セルの断面図である。第３実施形態の反射型表示装置５Ｃは、表示セル６Ｃにおける反射電極２２より下の構成が第１実施形態の反射型表示装置５Ａと同一である。従って、図３においても図１と共通する部材には共通の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００６７】
図３に示すように、表示セル６Ｃにおける帯電粒子３１の泳動空間の界面には、界面における帯電粒子３１の吸着性を正確に制御する、あるいは、反射電極２２上に形成された絶縁性コート層（カラーレジスト２６）に蓄えられる残留電化対策などの観点から、泳動空間の壁面全体に低抵抗材料の抵抗膜２７を被覆している。抵抗膜２７と反射電極２２とは、反射電極２２上に配置されたカラーレジスト２６に設けられたコンタクトホール２７ｅを通じて電気的に接続してある。
【００６８】
反射電極２２上には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタであるカラーレジスト２６をパターニングしており、３つの表示セル６Ｃを用いて１個の画素のカラー表示をする。カラーレジスト２６は、反射電極２２上に形成された絶縁性コート層の一例であるが、絶縁性コート層としては、カラーレジスト２６を保護する透明絶縁膜等もあり得る。
【００６９】
カラーレジスト２６に設けられたコンタクトホール２７ｅと感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅとは、表示セル６Ｃの平面内で異なる座標位置に配置するのが好ましい。何故なら、帯電粒子３１の泳動空間の壁面にコンタクトホール２７ｅが作る窪みの深さをできるだけ小さくするためである。
【００７０】
無アルカリガラスの背面基板１０上には、第１実施形態の反射型表示装置５Ａと同様な製造プロセスを経て反射電極２２までが形成された後、反射電極２２上に顔料分散型の感光性カラーレジスト材料を塗布し、フォトマスクを用いて紫外線を照射することで一列の表示セル６Ｃを貫通するストライプ状に順次赤、緑、青のレジストパターンを形成した。
【００７１】
各色の感光性カラーレジスト材料は、表示セル６Ｃごとに塗り分けられており、表示セル６Ｃ上に配置されたカラーレジスト２６には、開口２６ｈがパターニングされている。開口２６ｈは、その下層に設けた感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅとは重ならない位置に設けられている。その後、カラーレジスト２６上には、実施例１と同様にして隔壁２４及び隔壁電極２５を形成した。
【００７２】
さらに、隔壁電極２５を含む全面に抵抗膜２７を蒸着した。抵抗膜２７は、隔壁電極２５と反射電極２２との間を直列に接続している。抵抗膜２７の抵抗値は、隔壁電極２５及び反射電極２２にそれぞれ異なる電圧を印加した際に、両電極の電位を独立に制御できる値で規定した。抵抗膜２７としては、ダイアモンドライクカーボン（体積抵抗率１ｘ１０（−８乗）Ω・ｃｍ）を用いた。
【００７３】
その後、第１実施形態で説明したプロセスを用いて、帯電粒子３１を分散させた透明な絶縁性液体３２を充填し、表面基板２０で密閉した。
【００７４】
第３実施形態の反射型表示装置５Ｃでは、泳動空間の界面に抵抗膜２７を形成し、抵抗膜２７の一端を隔壁電極２５に接続し、他端を反射電極２２に電気的に接続しておくことが必要要件であり、そのために反射電極２２上に積層している絶縁性のカラーレジスト２６にコンタクトホール２７ｅを設けている。
【００７５】
そして、カラーレジスト２６のコンタクトホール２７ｅの位置を、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅとずらして配置することで、帯電粒子３１の泳動空間の界面に作られる凹み深さを浅くする設計を行った。実質上、凹みの深さは、カラーレジスト２６膜厚となっているので、帯電粒子３１が泳動空間の界面に作られる凹みにはまり込むなどして起こる表示不良を抑制することができた。
【００７６】
また、連結電極１７を採用したことにより、第３実施形態の反射型表示装置５Ｃでも、第１実施形態の反射型表示装置５Ａと同様な種々の改善効果を実現できた。
【００７７】
＜第４実施形態＞
図４は第４実施形態の反射型表示装置の表示セルの断面図である。第４実施形態の反射型表示装置５Ｄは、アクティブマトリクスタイプ電気泳動表示装置の表示セル６Ｄにおける層間絶縁層１２より上の構成、言い換えれば背面基板１０Ｄ以外の構成が第１実施形態の反射型表示装置５Ａと同一である。従って、図４においても図１と共通する部材には共通の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００７８】
薄膜トランジスタ１６が形成される背面基板としては、一般に使用されているガラス基板のほかに、フレキシブル性を有する樹脂や金属の薄板材を使うこともできる。例えば、ＳＵＳ、Ｔｉ、ジュラルミン、その他合金などの金属材料や、ＰＥＳ、ＰＥＮ、ＰＥＴなどのプラスチック材料で作られた薄板材を採用できる。
【００７９】
図４に示すように、第４実施形態の反射型表示装置５Ｄでは、背面基板１０Ｄとして、板厚０．２ｍｍのＳＵＳ基板を用い、その上に無機膜と有機膜の積層で成る絶縁層４０を形成した。ＳＵＳ基板の背面基板１０Ｄ上にポリイミド樹脂を塗布し、３８０℃で１０時間の条件で高温炉にて焼成した後にその表面を研磨し、研磨面に膜厚３００ｎｍのＳｉＯ２を成膜した。この後、第１実施形態と同様にして薄膜トランジスタ１６の形成を行い、以降の工程も同様に実施してアクティブマトリクス駆動の反射型の電気泳動表示装置を作製した。
【００８０】
一般に、背面基板１０Ｄにガラス基板よりも熱膨張率の大きなＳＵＳ板を用いることで、積層工程おけるパターン位置合わせ精度出しがガラス基板よりも難しくなるが、第４実施形態における表示セル６Ｄでは、薄膜トランジスタ１６のドレイン電極１５と反射電極２２との間に大きな面積の連結電極１７を配置したことで、パターン位置合わせ精度のズレ幅許容値を大きくなっており、結果として、ドレイン電極１５と反射電極２２との間の電気的な接続不良の欠陥が発生することはなかった。これにより、ＳＵＳ基板を用いても、表示欠陥を抑制した反射型表示装置５Ｄを製作できた。
【００８１】
＜発明との対応＞
第１実施形態の反射型画像表示装置５Ａは、薄膜形成された薄膜トランジスタ１６と、薄膜トランジスタ１６を覆って形成された絶縁性の絶縁層１８と、絶縁層１８を覆って配置された絶縁性の感光性フィルム２１とを備えた反射型表示装置５Ａにおいて、絶縁層１８に形成された開口１８ｈを通じて薄膜トランジスタ１６のドレイン電極１５に電気的に接続して絶縁層１８上に形成され、感光性フィルム２１に形成された開口２１ｈに達する連結電極１７を備えている。そして、感光性フィルム２１上に形成された導電性の反射電極２２は、感光性フィルム２１に形成された開口２１ｈを通じて、連結電極１７と電気的に接続している。言い換えれば、深さ方向の電気的な接続を連結電極１７により中継している。従って、感光性フィルム２１に形成されるコンタクトホール２２ｅの深さは、感光性フィルム２１の厚み以上とはなり得ず、特許文献１に示されるコンタクトホールよりも絶縁層１８の厚みだけ浅くなる。また、絶縁層１８に形成されるコンタクトホール１７ｅの深さは、絶縁層１８の厚み以上とはなり得ず、特許文献１に示されるコンタクトホールよりも感光性フィルム２１の厚みだけ浅くなる。
【００８２】
従って、深さが浅くなっただけ、感光性フィルム２１に形成された開口２１ｈの内壁や底へのアルミニウム粒子の回り込みが良好となり、反射率を優先した成膜条件を採用しても、コンタクトホール２２ｅの入口から底までの電気的な接続が確実になる。言い換えれば、反射率の高い反射電極２２の成膜条件を見出しやすくなる。
【００８３】
また、絶縁層１８のコンタクトホール１７ｅよりも面積が大きい連結電極１７に位置決めして感光性フィルム２１の開口２１ｈを形成するので、開口２１ｈ形成時の位置決め精度が低くても、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅと連結電極１７との確実な重ね合わせとこれによる電気的な接続とを確保できる。言い換えれば、高精細化などによるコンタクトホール１７ｅ、２２ｅの微細化に対して、感光性フィルム２１のパターン解像度への要求は従来と同等程度で良いため、新たな材料設計に対する負荷を低減できる。
【００８４】
また、連結電極１７の平面的な広がりによって、薄膜トランジスタ１６のドレイン電極１５の位置に拘束されることなく、感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅの位置を設定できるので、表示セル６Ａの表示機能に影響を及ぼさない位置に感光性フィルム２１のコンタクトホール２２ｅを設定して、表示セル６Ａの表示機能を高めることができる。
【００８５】
また、感光性フィルム２１を形成する以前の段階で、薄膜トランジスタ１６は、絶縁層１８と連結電極１７とで完全に覆われているので、絶縁層１８の開口１８ｈを通じてドレイン電極１５が酸化したり不純物が拡散したりしない。従って、連結電極１７を形成した仕掛り状態で背面基板１０を長距離輸送したり、長期保管したりしても、薄膜トランジスタ１６の不良は発生しにくく、製造歩留まりに悪影響が及ばない。
【００８６】
また、小さな面積のコンタクトホール２２ｅ、１７ｅでも電気的な接続を確実に行えるので、反射電極２２の面積に対するコンタクトホール２２ｅの面積比を小さくして有効反射面積を増大し、微小な表面凹凸形状による拡散反射性能を十分に発揮させることができる。
【００８７】
また、小さな面積のコンタクトホールであれば、反射電極２２のアルミニウム堆積で窪みを埋めることも可能だし、窪みのまま残しても帯電粒子３１よりも小さければ表示セル６Ａの表示性能に悪影響を及ぼさないで済むので、窪みを埋めるためだけの新たな工程を追加する必要が無い。
【００８８】
なお、薄膜トランジスタ１６のドレイン電極１５に出力される電気信号に応じて透過光の性質や量を変化させる変調層としては、絶縁性液体３２に帯電粒子３１を分散した電気泳動層に代えて、特許文献１に示されるような液晶層やその他の変調層を採用してもよい。
【００８９】
また、絶縁層１８に形成された開口１８ｈと、感光性フィルム２１に形成された開口２１ｈとは、重なり合わない位置に配置されているので、開口１８ｈと開口２１ｈとが偶然重なって深いコンタクトホール２２ｅ、１７ｅが形成される可能性が皆無である。言い換えれば、コンタクトホール１７ｅによる窪みとコンタクトホール２２ｅによる窪みとが重ならないので、帯電粒子３１の泳動空間の界面に形成される窪み深さを従来よりも低減することが可能となる。さらには、コンタクトホール１７ｅ、２２ｅを重ねる必要がないことから、従来よりもアライメントマージンを広げた素子設計が可能となる。これにより歩留まりを向上できる他に、ガラス基板に比べて加熱による基板伸縮などにともなう変形が大きいフレキシブル基板を使ったプロセスへの対応性も向上する。
【００９０】
また、感光性フィルム２１は、微小な表面凹凸形状を持たせて前記素子保護層上に形成されているので、反射電極２２には、微小な表面凹凸形状が形成されて反射光が拡散され、白色度、視認性、視野角に優れた反射型表示装置５Ａを提供できる。
【００９１】
そして、反射電極２２は、感光性フィルム２１に形成された開口２１ｈの底で連結電極１７に直接接触しているので、開口２１ｈにコンタクトホール２２ｅを形成するための別の工程を要することなく、反射電極２２のアルミニウム薄膜形成によってコンタクトホール２２ｅを同時形成できる。また、表面凹凸形状分割り増しされた厚さの感光性フィルム２１でも、小さな面積のコンタクトホール２２ｅ、１７ｅによって、反射電極２２とドレイン電極１５との確実な電気的接触を確保して、無数の表示セル６Ａを配列した反射型表示装置５Ａにもかかわらず、電気的な接触不良に起因する画素抜けや輝度階調のばらつきを防止できる。
【００９２】
第４実施形態の反射型表示装置５Ｄは、背面基板１０Ｄがフレキシブル性を有する金属基板であるから、軽量、薄型で耐衝撃性に優れた反射型表示装置５Ｄを提供できる。
【００９３】
第３実施形態の反射型表示装置５Ｃは、反射電極２２を形成した背面基板１０と透明な表面基板２０との間隔に、帯電粒子３１を分散させた絶縁性液体３２を配置した反射型表示装置６Ｃにおいて、反射電極２２上に配置されたカラーレジスト２６の上に導電性材料の抵抗膜２７が形成され、抵抗膜２７と反射電極２２とを電気的に接続するコンタクトホール２７ｅとは平面位置をずらせて、下層から反射電極２２に電気信号を供給するコンタクトホール２２ｅを配置している。言い換えれば、反射電極２２上に形成された絶縁性のカラーレジスト２６と、カラーレジスト２６を覆って形成され、カラーレジスト２６に形成された開口２６ｈを通じて反射電極２２に直接接触する抵抗膜２７とを備え、カラーレジスト２６に形成された開口２６ｈは、感光性フィルム２１に形成された開口２１ｈと重なり合わない位置に配置されている。従って、コンタクトホール２２ｅの窪みとコンタクトホール２７ｅとが重なって深い窪みを形成して、表示セル６Ｃの動作、耐久性、表示品質等に悪影響を及ぼすことが無い。
【００９４】
＜各実施形態の背景＞
従来、ＴＦＴバックプレーン上に形成された反射型表示装置においては、反射板での反射率を高める方法として、反射電極の表面に凹凸を設け、光拡散機能を付与して表示を行う方式が知られている。反射電極の表面に凹凸を形成するためには、凹凸群を有機系材料で形成し、その上に反射性の高い電極材料を反射電極として設ける方法が知られており、微細な表面凹凸形状の反射電極（文献では反射板と記載されている）としては、次のような構成が知られている。
【００９５】
反射電極は凹凸構造体上に反射率の高い導電材料で形成されており、反射電極自身は電気的にトランジスタのドレイン電極と接続されている。このときの凹凸構造には、たとえば凸状あるいは凹み状のドットパターンをもつフォトレジスト材料や、所望の凹凸構造を予め形成しておいた感光性フィルムで作ることができる。また、反射率の高い導電材料としては、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金などを好適に用いることができる。
【００９６】
ところで、反射電極とドレイン電極を電気的に接続するには、少なくともトランジスタの保護膜に設けられたコンタクトホールを経由する必要がある。つまり、反射電極の薄膜には、保護膜のコンタクトホールでできる段差に対するステップカバレッジ性が要求される。このため、反射電極の薄膜には、高い反射率と同時に十分なステップカバレッジ性が必要となるが、両方の要求特性を満足できる反射電極の成膜条件を見出すことは、一般に困難である。なぜならば、ステップカバレッジ性を保証するには、反射電極の膜厚を厚くすることが求められ、一方で、反射率の高い反射電極の成膜条件の一つとして、不純物を極力抑制した蒸着が重要なので、短時間での成膜が求められるからである。そして、一般的な蒸着装置では、蒸着時間を短縮することと、膜厚を厚くすることは相反する条件になっている。
【００９７】
また、反射電極は、トランジスタを保護するための絶縁膜として使われる絶縁層と、上述の微細な表面凹凸形状を有する感光性フィルム層との２種類の層を経由して電気的に薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されている必要がある。従来は、感光性フィルムに設けられたコンタクトホールは、薄膜トランジスタ保護絶縁層に設けられたコンタクトホールと同じ位置に重なるように配置されていた。
【００９８】
このように２段のコンタクトホールを積層する構成では、薄膜トランジスタを保護する無機の絶縁層のコンタクトホールがつくる急峻な段差部分で反射電極の段切れ（ステップカバレッジ欠陥）を防止する目的で、薄膜トランジスタ保護絶縁層がつくる段差部分は凹凸群を有する有機膜で被覆し、コンタクトホールでできる段差部での傾斜を緩やかにする構成がとられる。
【００９９】
こうすれば、高い反射率の反射電極を成膜しやすくなる。ただし、薄膜トランジスタ保護絶縁層のコンタクトホール径は、感光性フィルムのコンタクトホール径よりも大きめに設計されることになる。このような構成をとる場合、表示の高精細化や高い視認性を達しえるなどの目的で、表示画素に形成されるコンタクトホール径を小さくしていく要求が発生したとき、コンタクトホールの設計上、凹凸群を有する層に高いパターン解像度が必要となる。
【０１００】
なぜならば、感光性フィルム層は、薄膜トランジスタ保護絶縁層のコンタクトホールのパターン解像度以上で設計する必要があるからである。それには、感光性フィルムには高いパターン解像性をもつ材料が要求され、さらに、それを作製するための製造装置にもより高いスペックが要求されることになる。つまり、解像度を高くするにともない製造コストが高くなる関係が課題となっている。
【０１０１】
また、電気泳動を用いた反射型表示装置においては、コンタクトホールが帯電粒子の泳動空間の界面に存在する局所的な穴となる。従来の電気泳動を用いた反射型表示装置においては、その粒子径（Φ１〜１０μｍ）に比べて凹凸群を有する層のコンタクトホール径（Φ５〜２０μｍ）は１〜１０倍程度であるため、このコンタクトホール深さが粒子径に比べて十分に深い場合には、穴の中に粒子が完全にはまり込んでしまい、このことに起因した表示品位の低下を招くことが課題となっていた。従って、電気泳動を用いた反射型表示装置においては、コンタクトホールの深さを浅くできる設計が必要となっている。
【０１０２】
上述した各実施形態の反射型表示装置５Ａ〜５Ｄは、このような相反する課題を解決するために、少なくともマトリックス状に配置された薄膜トランジスタ１６を有する反射型表示装置において、反射電極２２と薄膜トランジスタ１６のドレイン電極１５とを連結電極１７により電気的に接続する構成としている。
【０１０３】
これによると、反射電極２２は、反射率の高い成膜条件を見出しやすくなる。また、高精細化に対して、凹凸群を有する層のパターン解像度に対する要求も従来と同等程度となるため、新たな材料設計に対する負荷も低減できる。また、薄膜トランジスタ１６を保護する絶縁層１８と感光性フィルム２１とでコンタクトホール２２ｅ、１７ｅが重ならないので、コンタクトホール２２ｅが帯電粒子３１の泳動空間の界面に形成する窪み深さを従来よりも低減できる。さらには、コンタクトホール２２ｅ、１７ｅを重ねる必要がないことから、従来よりもアライメントマージンを広げた素子設計が可能となる。これによりガラス基板に比べて加熱による基板伸縮などにともなう変形が大きいフレキシブル基板を使ったプロセスへの対応性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の一実施形態である第１実施形態の反射型表示装置の表示セルの断面図である。
【図２】第２実施形態の反射型表示装置の表示セルの断面図である。
【図３】第３実施形態の反射型表示装置の表示セルの断面図である。
【図４】第４実施形態の反射型表示装置の表示セルの断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ  反射型表示装置
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ  表示セル
１０  背面基板
１５  所定の電極（ドレイン電極）
１６  スイッチング素子（ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）
１７  連結電極部材（連結電極）
１８  素子保護層（絶縁層）
１８ｈ  素子保護層に形成された開口（開口）
２０  表面基板
２１  反射膜支持層（感光性フィルム）
２１ｈ  反射膜支持層に形成された開口
２２  導電性の反射膜（反射電極）
２３  平坦化層
２４  隔壁
２５  隔壁電極
２６  絶縁性のカラーフィルタ層（カラーレジスト）
２６ｈ  カラーフィルタ層に形成された開口
２７  抵抗性の界面層（抵抗膜）
３１  帯電粒子
３２  絶縁性液体
【図１】
2007047495.tif 000003
【図２】
2007047495.tif 000004
【図３】
2007047495.tif 000005
【図４】
2007047495.tif 000006