(57)【要約】【課題】露光用マスクにおけるマスクパターンについて、プロセスの条件変動に強い歪補正を行うことを可能にしつつ、その場合であっても処理負荷の増大を極力抑制する。【解決手段】露光用マスクのマスクパターンについての補正処理を行う第１の補正手段１と、その補正結果について所望パターンとの乖離をベストフォーカス条件で検証する第１の検証手段２と、その検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超える箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出手段３と、抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離をデフォーカス条件で検証する第２の検証手段５と、検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第２の補正手段７とを備えて、マスクパターン補正装置を構成する。【選択図】図１
2007164006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクのマスクパターンについて当該マスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第１の補正手段と、
前記第１の補正手段による補正結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第１の検証手段と、
前記第１の検証手段での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出手段と、
前記危険箇所抽出手段が抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第２の検証手段と、
前記第２の検証手段で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第２の補正手段と
を備えることを特徴とするマスクパターン補正装置。
【請求項２】
前記第２の補正手段は、前記再度の補正処理を、前記第１の補正手段による補正処理とは異なりデフォーカス条件で行う
ことを特徴とする請求項１記載のマスクパターン補正装置。
【請求項３】
前記第２の補正手段は、前記再度の補正処理を、前記マスクパターンについての補正処理の際に課せられるパターンレイアウト上の制約条件を変更または解除して行う
ことを特徴とする請求項１記載のマスクパターン補正装置。
【請求項４】
前記第２の補正手段は、前記再度の補正処理にあたり、前記露光用マスクに位相シフト効果を生じさせるためのエッチング箇所を特定する処理を行う
ことを特徴とする請求項１記載のマスクパターン補正装置。
【請求項５】
コンピュータを、
被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクのマスクパターンについて当該マスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第１の補正手段と、
前記第１の補正手段による補正結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第１の検証手段と、
前記第１の検証手段での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出手段と、
前記危険箇所抽出手段が抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第２の検証手段と、
前記第２の検証手段で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第２の補正手段と
として機能させることを特徴とするマスクパターン補正プログラム。
【請求項６】
被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクの製造方法であって、
前記露光用マスクのマスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第１の補正工程と、
前記第１の補正工程による補正結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第１の検証工程と、
前記第１の検証工程での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出工程と、
前記危険箇所抽出工程で抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第２の検証工程と、
前記第２の検証工程で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第２の補正工程と
前記第２の補正工程による補正処理後のマスクパターンを有した露光用マスクを作製するマスク作製工程と
を備えることを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【請求項７】
被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクの製造方法であって、
前記露光用マスクのマスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第１の補正工程と、
前記第１の補正工程による結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第１の検証工程と、
前記第１の検証工程での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出工程と、
前記危険箇所抽出工程で抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第２の検証工程と、
前記第２の検証工程で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第２の補正工程と
前記第１の補正工程による補正処理後のマスクパターンを有した露光用マスクを作製するマスク作製工程と、
前記マスク作製工程で得られた露光用マスクにおけるマスクパターンを、前記第２の補正工程による補正処理後のマスクパターンに合致させるための修正加工を行うパターン修正工程と
を備えることを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造工程のうちのリソグラフィ工程で用いられる露光用マスクについて、その露光用マスクにおけるマスクパターンのパターン歪を補正するためのマスクパターン補正装置およびマスクパターン補正プログラム、並びにその露光用マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスは、回路設計パターン（レイアウトデータ）を基に、ウエハ上に素子を形成していくことで製造される。素子形成にはリソグラフィ技術が用いられるが、近年の微細化に伴い、リソグラフィ工程で用いられる露光用マスクにおけるマスクパターンについては、そのパターン歪を補正する光近接効果補正（以下「ＯＰＣ」という）を行うことが必要となっている（例えば、特許文献１，２参照）。さらには、ウエハエッチング時の削れ等によるパターン歪を補正するプロセス補正（以下「ＰＰＣ」という）を行うこともある。また、これらの歪補正技術では、その歪補正が正しく行われているか否かを検証することも必要である。検証は、補正後の全てのレイアウトデータ（図形）に対して、ウエハ上への転写シミュレーションを行い、所望するターゲットパターンとの乖離が許容範囲内であるか否かを調査、確認することによって行われる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３２２９４５号公報
【特許文献２】特開２００３−１６２０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来における歪補正技術では、ＯＰＣまたはＰＰＣによる補正結果の検証に際し、通常、１つの基準モデルのみでの計算（シミュレーション）となる。すなわち、露光時のフォーカスの変動（ばらつき）については考慮されず、ベストフォーカス条件でのみで計算される。
しかしながら、実際の露光プロセスでは、様々な変動が加わるため、この変動を考慮した計算を加えることが望ましい。ベストフォーカス条件のみにより歪補正を検証しても、デフォーカス条件で得られる転写像がターゲットパターンと許容範囲を超えて乖離してしまう箇所が発生し得るからである。
【０００５】
この点については、より一層マージンのある（プロセス変動に強い）歪補正を行うべく、予めベストフォーカス条件とデフォーカス条件との両方を考慮して計算することも考えられる。ところが、歪補正は、マスクパターンの基となる設計レイアウトデータの全体に施されるため、膨大な図形処理を行うことになり、近年の微細化に伴ってその処理時間が非常に増大する傾向にある。また、補正結果の検証についても、設計レイアウトデータの全体に施す必要があることから、同程度の時間が必要となる。したがって、条件を変化させたモデルを加えて歪補正およびその検証を行おうとすると、その処理時間が非常に増大してしまうという問題がある。例えば、基準となるベストフォーカス条件に加えてデフォーカス条件を１種類加えた場合、ＯＰＣ／ＰＰＣのための所要時間が単純に２倍以上必要となる。あるいは、ＯＰＣ／ＰＰＣ用計算リソースが２倍以上必要となる。
【０００６】
そこで、本発明は、露光用マスクにおけるマスクパターンについて、プロセスの条件変動に強い歪補正を行うことを可能にしつつ、その場合であっても処理負荷の増大を極力抑制することのできるマスクパターン補正装置、マスクパターン補正プログラムおよびマスク製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスクパターン補正装置で、被露光面上に所望パターンを転写するための露光用マスクのマスクパターンについて当該マスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理を行う第１の補正手段と、前記第１の補正手段による補正結果について前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する第１の検証手段と、前記第１の検証手段での検証結果に基づき前記乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出する危険箇所抽出手段と、前記危険箇所抽出手段が抽出した危険箇所のみについて前記所望パターンとの乖離を前記露光用マスクに対するデフォーカス条件で検証する第２の検証手段と、前記第２の検証手段で検証された乖離を改善すべく再度の補正処理を行う第２の補正手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
上記構成のマスクパターン補正装置によれば、第１の補正手段での補正処理に加えて、第２の補正手段が第２の検証手段での検証結果に基づく再度の補正処理、すなわちデフォーカス条件をも考慮した補正処理を行うので、マスクパターンについての補正処理が露光用マスクの露光時のフォーカス変動を考慮して行われることになる。しかも、第２の補正手段による補正処理は、危険箇所抽出手段が抽出した危険箇所のみについて行われることになり、ベストフォーカス条件での補正処理だけで十分な箇所に対しては補正不要となるので、フォーカス変動を考慮する場合であっても、処理負荷の増大を極力抑制し得る。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、本発明によれば、抽出された危険箇所に対してのみ、プロセスの条件変動を考慮した補正処理を行うことが可能となり、マスクパターンの基となる設計レイアウトデータの全面に対して行う場合に比べて、短時間で危険箇所の改善を行うことが可能となる。つまり、露光用マスクにおけるマスクパターンについて、プロセスの条件変動に強い歪補正を行うことが可能となり、しかもその場合であっても処理負荷の増大を極力抑制することができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面に基づき本発明に係るマスクパターン補正装置、マスクパターン補正プログラムおよびマスク製造方法について説明する。
【００１１】
先ず、マスクパターン補正装置について説明する。
図１は、本発明に係るマスクパターン補正装置の機能構成例を示す機能ブロック図である。図例にように、ここで説明するマスクパターン補正装置は、第１の補正手段１と、第１の検証手段２と、危険箇所抽出手段３と、第１のスペック値格納手段４と、第２の検証手段５と、第２のスペック値格納手段６と、第２の補正手段７と、補正結果出力手段８としての機能を備えている。
【００１２】
第１の補正手段１は、歪補正の処理対象となる露光用マスクのマスクパターンについて、そのマスクパターンを構成する図形のエッジ位置を移動させる補正処理、具体的にはＯＰＣまたはＰＰＣを行うものである。ＯＰＣ／ＰＰＣには、隣あう図形の距離に基づき補正を行うルールベースと、シミュレーションを用いるシミュレーションベースとがあるが、第１の補正手段１では、そのどちらによる補正処理を行うものであってもよく、あるいはこれらを組み合わせて行うものであってもよい。ただし、シミュレーションベースの場合、第１の補正手段１では、その補正処理を、処理対象となる露光用マスクに対するベストフォーカス条件を用いて行うようになっている。ベストフォーカス条件とは、露光用マスクに対する露光条件（特に、露光時のフォーカス）が所望通りにある状態のことをいう。
【００１３】
第１の検証手段２は、第１の補正手段１による補正処理後のマスクパターンで得られる転写像をウエハ上への転写シミュレーションによって検証し、所望するターゲットパターンとの乖離が許容範囲内であるか否かを判断するものである。さらに、補正処理後においても、パターンのレイアウトルール（デザインルール）が守られているか否かのチェックを行うものでもある。なお、第１の検証手段２では、検証のための転写シミュレーションを、ベストフォーカス条件を用いて行うようになっている。すなわち、第１の補正手段１による補正結果について所望パターンとの乖離を露光用マスクに対するベストフォーカス条件で検証する。
【００１４】
危険箇所抽出手段３は、第１の補正手段１による補正結果に対する第１の検証手段２での検証および判断を通じて、所望ターゲットパターンとの乖離が所定閾値を超えるエッジ位置を含む箇所を危険箇所として抽出するものである。危険箇所は、乖離の大きいエッジ位置を含む箇所であればよく、したがって当該エッジそのものについての座標位置を特定するものであってもよいし、当該エッジを中心とした所定の大きさの領域範囲の座標位置を特定するものであってもよい。
【００１５】
第１のスペック値格納手段４は、第１の検証手段２が所望パターンとの乖離を検証する際に用いる閾値（乖離の許容値、以下「許容スペック値」という）および危険箇所抽出手段３が危険箇所を抽出する際に用いる閾値（以下「危険判定スペック値」という）を格納しているものである。なお、許容スペック値および危険判定スペック値は、適宜決定して予め設定しておけばよい。また、設定内容は、許容スペック値＝危険判定スペック値としてもよいし、それぞれが異なるものであってもよい。それぞれが異なる場合としては、許容スペック値に対し、安全マージンを考慮した危険判定スペック値（例えば危険判定スペック値の８０〜９０％）を用いることが考えられる。
【００１６】
第２の検証手段５は、危険箇所抽出手段３が抽出した危険箇所のみについて、ウエハ上への転写シミュレーションを行って、所望するターゲットパターンとの乖離を検証するものである。なお、第２の検証手段５では、検証のための転写シミュレーションを、デフォーカス条件を用いて行うようになっている。デフォーカス条件とは、露光用マスクに対する露光条件について、露光時のフォーカスの変動（ばらつき）を考慮したものをいい、具体的には想定し得るワースト条件を適用することが考えられる。
【００１７】
第２のスペック値格納手段６は、第２の検証手段５が検証を行う際に用いる閾値（以下「マージン考慮スペック値」という）を格納しているものである。なお、このマージン考慮スペック値についても、適宜決定して予め設定しておけばよく、許容スペック値または危険判定スペック値と同一であっても、あるいは異なるものであってもよい。また、これらと同一の場合は、第１のスペック値格納手段４と第２のスペック値格納手段６とのいずれか一方を省くことも考えられる。
【００１８】
第２の補正手段７は、第１の補正手段１と同様の手法により、マスクパターンを構成するマスクパターンについて再度の補正処理、具体的にはＯＰＣまたはＰＰＣを行うものである。ただし、第２の補正手段７では、処理対象となるマスクパターンの全図形について補正処理を行うのではなく、危険箇所抽出手段３が抽出した危険箇所のみについて補正処理を行うようになっている。さらに、第２の補正手段７では、第２の検証手段５での検証結果に基づき、その第２の検証手段５で検証された乖離を改善すべく、詳細を後述するように、ベストフォーカス条件ではなくデフォーカス条件を用いた補正処理、マスクパターンについての補正処理の際に課せられるパターンレイアウト上のルール（制約条件）を変更または解除した補正処理、または露光用マスクに位相シフト効果を生じさせるためのエッチング箇所を特定する処理を含む補正処理を行うようになっている。
【００１９】
補正結果出力手段８は、第１の補正手段１による補正処理結果、第１の検証手段２による検証結果、危険箇所抽出手段３による抽出結果、第２の検証手段５による検証結果、および第２の補正手段７による補正処理結果について、その表示出力または印刷出力を行うものである。なお、補正結果出力手段８は、出力処理負荷を軽減すべく、これらの全てではなく、いずれかについて選択的に出力を行うものであってもよい。
【００２０】
これらの各手段１〜８は、マスクパターン補正装置におけるコンピュータとしての機能が、所定プログラムを実行することによって実現されるものである。すなわち、マスクパターン補正装置には、当該所定プログラムが予めインストールされているものとする。ただし、その場合において、当該所定プログラムは、インストールに先立ち、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものであっても、または有線若しくは無線による通信手段を介して配信されるものであってもよい。つまり、上述した構成のマスクパターン補正装置は、コンピュータをマスクパターン補正装置として機能させるマスクパターン補正プログラムによっても実現することが可能である。
【００２１】
次に、以上のように構成されたマスクパターン補正装置（マスクパターン補正プログラムによって実現される場合を含む）における処理動作例について説明する。
【００２２】
はじめに第１の処理動作例を説明する。
図２は第１の処理動作例の手順を示すフローチャートであり、図３は第１の処理動作例における処理パターンの具体例を示す説明図である。
【００２３】
図２に示すように、第１の処理動作例では、先ず、第１の補正手段１が処理対象となる露光用マスクのマスクパターンについての補正処理を行う（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す）。すなわち、処理対象となる露光用マスクのマスクパターンについての設計レイアウトデータ（パターン）に対し、第１の補正手段１は、各頂点からの距離や近傍パターンからの影響等を考慮し、各パターンの辺をエッジという単位に分割する。そして、各エッジに対し、ベストフォーカス条件で図形歪補正（エッジの移動）を行う。このとき、隣接するエッジや近傍のエッジ等の影響で当該エッジの光強度が変化することが懸念されるため、光強度の算出およびエッジの移動量計算は、予め設定しておいた回数内で繰り返し実行するものとする（繰り返し計算による収束）。
【００２４】
第１の補正手段１による補正処理の後は、その図形歪補正後データに対し、第１の検証手段２が、エッジ毎にベストフォーカス条件で転写シミュレーションを行い、出来上がり転写像の予測を行う（Ｓ１０２）。そして、その第１の検証手段２による検証結果を用いて、危険箇所抽出手段３が危険箇所の抽出を行う。具体的には、第１のスペック値格納手段４内の危険判定スペック値を基にして、設計レイアウトデータの全面について、設計データと出来上がり予測イメージとの差（edge placement error、以下「ＥＰＥ」という）が危険判定スペック値以上となった箇所を抽出してワークメモリ上に保存することで、危険箇所の抽出を行う（Ｓ１０３）。
【００２５】
危険箇所抽出手段３が危険箇所の抽出を行うと、その後は、抽出された危険箇所のみに対して、第２の検証手段５が、デフォーカス条件で転写シミュレーションを行い、出来上がり転写像の予測を行う（Ｓ１０４）。そして、デフォーカス条件で出来上がり予測を行った場合に、ＥＰＥが大きいため改善が必要と判断される箇所が、第２のスペック値格納手段６内のマージン考慮スペック値を基に基づいて抽出されると、その抽出箇所について第２の補正手段７が再度の補正処理を行う（Ｓ１０５）。このとき、第２の補正手段７は、ベストフォーカス条件ではなく、デフォーカス条件を用いた補正処理を行う。すなわち、シミュレーションベースまたはシミュレーションベースとの組み合わせによる補正処理において、ベストフォーカス条件ではなくデフォーカス条件を用いる。
【００２６】
このように、危険箇所について、デフォーカス条件による再度の補正処理を行えば、例えば図３（ａ）に示すように、ベストフォーカス条件ではＥＰＥが大きいため改善が必要と判断された箇所についても、その再度の補正処理後は、例えば図３（ｂ）に示すように、ＥＰＥを改善することが可能となる。
【００２７】
その後は、第２の補正手段７による補正処理結果等についての補正結果出力手段８からの出力結果に対する人手による検証結果確認および適否判断を経た後に（Ｓ１０６）、その補正処理後のレイアウトデータをマスク描画用データに変換する（Ｓ１０７）。これにより、そのマスク描画用データによる露光用マスクの作製が可能となるのである（Ｓ１０８）。
【００２８】
次に、第２の処理動作例を説明する。
【００２９】
上述した第１の処理動作例では、危険箇所と判断されて抽出された箇所について、第２の補正手段７がデフォーカス条件での図形歪補正を行い、これによりＥＰＥの改善を図っている。これに対し、ここで説明する第２の処理動作例は、プロセス的許容範囲として設定してある補正制約条件、すなわちマスクパターンについての補正処理の際に課せられるパターンレイアウト上の制約条件を、抽出された危険箇所のみ変更または解除して、更なるＥＰＥの改善を図るものである。
【００３０】
一般に、マスクパターンについての補正処理については、ウエハのリソグラフィ／エッチング等のプロセス条件から導出された制約条件、またはマスク欠陥検査に起因する制約条件が存在するため、そのパターンレイアウト上の制約条件を守る必要がある。
【００３１】
図４は、制約条件の一具体例を示す説明図である。図例では、最小パターン幅についての制約条件により、ＥＰＥが大きくなってしまう箇所を示している。このように、制約条件の範囲内ではＥＰＥが大きくなってしまう箇所については、その制約条件を守る限り、再度の補正処理を行っても、大幅なＥＰＥの改善は期待できない。
【００３２】
そこで、第２の処理動作例では、第２の補正手段７が危険箇所について再度の補正処理を行うのにあたり、マスクパターンについての補正処理の際に課せられるパターンレイアウト上のルール（制約条件）を変更または解除して、その補正処理を行う。変更の場合は、補正制約条件を予めの設定量だけ緩和する。また、解除の場合は、補正制約条件を課さずに補正処理を行う。変更または解除の別は、予めの設定に従うものとする。なお、補正制約条件の変更または解除は、危険箇所のみについて適用される。
【００３３】
図５は、第２の処理動作例における処理パターンの具体例を示す説明図である。図例のように、第２の補正手段７が危険箇所のみについて補正制約条件を変更または解除して図形歪補正を行えば、制約条件の範囲内ではＥＰＥが大きくなってしまう箇所についても（図４参照）、その第２の補正手段７による再度の補正処理後は、ＥＰＥを大きく改善することが可能となる。このとき、第２の補正手段７は、デフォーカス条件を用いて補正処理を行う。ただし、ベストフォーカス条件を用いた補正処理を行っても、補正制約条件を変更または解除すれば、第２の検証手段５で検証されたＥＰＥの要改善箇所を改善することは可能である。
【００３４】
なお、補正制約条件を変更または解除する場合、補正処理後におけるマスクパターン欠陥検査装置でのパターン欠陥検査において、その変更または解除した箇所が擬似欠陥と判断される可能性がある。そのため、補正制約条件の変更または解除にあたっては、その変更または解除の対象箇所（座標）を予め認識し得るので、これらの箇所のみ短寸法測長装置等による検査を適用することが考えられる。ただし、現実的なオペレーションを考慮すると、露光用マスク１枚に対し、変更または解除の対象箇所が数個〜数１０個レベルであることが望ましい。
【００３５】
次に、第３の処理動作例を説明する。
【００３６】
上述した第１および第２の処理動作例では、第２の補正手段７が図形の２次元補正を行う場合について説明したが、ここで説明する第３の処理動作例は、第２の補正手段７による再度の補正処理にあたり、露光用マスクに位相シフト効果を生じさせるためのエッチング箇所を特定する処理を行い、これにより更なるＥＰＥの改善を図る。
【００３７】
位相シフト効果とは、超解像技術の一つであり、露光用マスクの透過光に対して選択的に位相差を付けることで、露光波長を短波長化することなく解像力の向上を可能にするものである。このような位相シフト効果を発生させる位相シフトマスクとしては、露光用マスクを構成するガラス基板に掘り込み領域と非掘り込み領域とを設け、それぞれの領域を透過する光の位相差を180°反転させるように構成されたものが広く知られている。
【００３８】
つまり、第２の補正手段７は、再度の補正処理にあたり、露光用マスクに対する露光光の位相差を180°反転させるためのエッチング箇所（掘り込み領域）を特定するのである。エッチング箇所の特定は、その特定パターンを予め設定してテーブル化しておくことで行えばよい。具体的には、予め設定しておいたテーブルを参照しつつ、危険箇所の具体的な態様（パターン幅等）に応じて、エッチング箇所となる矩形領域の大きさ等を特定することが考えられる。また、エッチング深さについては、露光用マスクに対する露光光の位相から一義的に定まることになる。
【００３９】
図６は、第３の処理動作例における処理パターンの具体例を示す説明図である。
例えば、図６（ａ）に示すようなラインエンド部分のパターンについては、ベストフォーカス条件での補正処理を行っても、図６（ｂ）に示すようにＥＰＥが大きくなってしまうおそれがある。このような危険箇所については、ラインエンドを延長させるべく、例えば図６（ｃ）に示すように、当該危険箇所に対応する２箇所の矩形領域で、露光用マスクの光透過ガラス上の箇所を、エッチング箇所として特定し、そのエッチング箇所を露光光の位相180°分に対応する深さでエッチングする。このようにして位相シフト効果を発生させれば、例えば図６（ｄ）に示すように、ラインエンド部分のパターンについても、ＥＰＥを大きく改善することが可能となる。つまり、位相シフト効果を用いることにより、ＥＰＥを改善するのである。
【００４０】
以上のように、第１〜第３の処理動作例のいずれかを行う本実施形態のマスクパターン補正装置（マスクパターン補正プログラムによって実現される場合を含む）では、第１の補正手段１での補正処理に加えて、第２の補正手段７が第２の検証手段５での検証結果に基づく再度の補正処理、すなわちデフォーカス条件をも考慮した補正処理を行うので、マスクパターンについての補正処理が露光用マスクの露光時のフォーカス変動を考慮して行われることになる。しかも、第２の補正手段７による補正処理は、危険箇所抽出手段３が抽出した危険箇所のみについて行われることになり、ベストフォーカス条件での補正処理だけで十分な箇所に対しては補正不要となるので、フォーカス変動を考慮する場合であっても、処理負荷の増大を極力抑制し得る。
【００４１】
つまり、本実施形態におけるマスクパターン補正装置およびマスクパターン補正プログラムによれば、抽出された危険箇所に対してのみ、プロセスの条件変動を考慮した補正処理を行うことが可能となり、マスクパターンの基となる設計レイアウトデータの全面に対して行う場合に比べて、短時間で危険箇所の改善を行うことが可能となる。つまり、露光用マスクにおけるマスクパターンについて、プロセスの条件変動に強い歪補正を行うことが可能となり、しかもその場合であっても処理負荷の増大を極力抑制することができるのである。
【００４２】
次に、上述した補正処理を経て露光用マスクの製造する場合、すなわち本発明に係る露光用マスクの製造方法について説明する。
図７は、本発明に係る露光用マスクの製造方法の手順の具体例を示すフローチャートである。
【００４３】
露光用マスクの製造は、例えば図７（ａ）に示すような手順で行うことが考えられる。すなわち、上述した一連の補正処理に関する工程（Ｓ１０１〜Ｓ１０６）を行った後に、マスク描画用データへの変換を行い（Ｓ１０７）、そのマスク描画用データによる露光用マスクの作製を行う（Ｓ１０８）。そして、作製された露光用マスクを用いたリソグラフィ工程により半導体デバイスを製造する。
【００４４】
このように、一連の補正処理に関する工程の終了後に、露光用マスクの作製を開始すれば、その補正処理の結果がマスク作製に確実に反映されるなるため、そのマスク作製の信頼性向上が図れるようになる。
【００４５】
その一方で、補正処理に関する工程の実施には、膨大な図形の処理が必要であり、レイアウトデータ完成からマスク製造開始までに多くの時間を費やす可能性があることから、例えば図７（ｂ）に示すような手順で、露光用マスクの製造を行うことも考えられる。具体的には、第１の補正手段１によるベストフォーカス条件での補正処理が終了すると（Ｓ２０１）、そのレイアウトデータをマスク描画用データに変換する（Ｓ２０２）。そして、マスク描画用データへの変換が終了した時点で、そのマスク描画用データによる露光用マスクの作製、すなわち第１の補正手段１による補正処理後のマスクパターンを有した露光用マスクの作製を開始する（Ｓ２０３）。
【００４６】
露光用マスクの作製開始後は、そのマスク作製と並行して、第１の補正手段１による補正処理を除く上述した一連の補正処理に関する工程（第２の補正手段７によるデフォーカス条件を考慮した補正処理等）を行う（Ｓ２０４、Ｓ２０５）。ただし、マスク作製と並行して第２の補正手段７による再度の補正処理等を行うと、その補正処理後のマスクパターンが作製中の露光用マスクにおけるマスクパターンと合致しなくなる可能性が生じてしまう。
【００４７】
このことから、一連の補正処理に関する工程によって、その補正処理後のマスクパターンが作製中のマスクパターンと合致しなくなった場合には、作製中のマスクパターンを、その補正処理後のマスクパターンに合致させるための修正加工を行う（Ｓ２０６）。
【００４８】
このときのパターン修正は、次のようにして行えばよい。例えば、上述した第１または第２の処理動作例による補正処理を経た場合であれば、集束イオンビーム（ＦＩＢ）修正装置を用いて露光用マスクの光遮光部（ハーフトーン部）を削って削除したり、ＦＩＢカーボンデポジションにより光遮光部を拡大することが考えられる。また、上述した第３の処理動作例による補正処理を経た場合であれば、マスク上に重ね合わせ描画をしてレジストにエッチングすべきパターンの窓開けを行いエッチングしたり、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ベースの加工装置を用いて直接ガラス基板を掘り込むことが考えられる。
【００４９】
このように、マスク作製と並行して一連の補正処理に関する工程を行えば、その工程の実施に膨大な図形の処理が必要であり多くの時間を費やしてしまう場合であっても、露光用マスクの製造を効率的に行うことが可能となる。
【００５０】
なお、本実施形態では、本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係るマスクパターン補正装置の機能構成例を示す機能ブロック図である。
【図２】図１のマスクパターン補正装置における第１の処理動作例の手順を示すフローチャートである。
【図３】図１のマスクパターン補正装置における第１の処理動作例における処理パターンの具体例を示す説明図である。
【図４】マスクパターンについての補正処理を行う際のパターンレイアウト上の制約条件の一具体例を示す説明図である。
【図５】図１のマスクパターン補正装置における第２の処理動作例における処理パターンの具体例を示す説明図である。
【図６】図１のマスクパターン補正装置における第３の処理動作例における処理パターンの具体例を示す説明図である。
【図７】本発明に係る露光用マスクの製造方法の手順の具体例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５２】
１…第１の補正手段、２…第１の検証手段、３…危険箇所抽出手段、４…第１のスペック値格納手段、５…第２の検証手段、６…第２のスペック値格納手段、７…第２の補正手段、８…補正結果出力手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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