(57)【要約】      （修正有）【課題】論理ブロックと物理ブロックに柔軟な対応を形成する方法を提供する。【解決手段】フラッシュメモリーの有効な物理ブロックと不良な物理ブロックの総数を先に計算し、フラッシュメモリーの領域の分割を実施すると共に、各領域に均等に固定数量のブロックをキャッシュブロックとして設置し、各領域の論理ブロックとキャッシュブロックの総数を該領域の物理ブロックと同等にすると共に、分割後の情報を一つの有効な物理ブロックに記録し、フラッシュメモリーを初期化する時、制御チップはフラッシュメモリー内の領域数、各領域内の有効な物理ブロック数及び境界情報のブロックを調べ、ブロックが記録する情報は制御チップ内のＳＲＡＭ内に保存し、制御チップはＳＲＡＭ内の境界及び領域情報に従い、領域内のブロックの対応表を構築し、各領域の論理ブロックと物理ブロックに非固定比率の方式により対応させ、フラッシュメモリーの有効な管理を可能にする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリーの有効な物理ブロックと不良な物理ブロックの総数を先に計算し、フラッシュメモリーの領域の分割を実施すると共に、各領域に均等に固定数量のブロックをキャッシュブロックとして設置し、各領域の論理ブロックとキャッシュブロックの総数を該領域の物理ブロックと同等にすると共に、分割後の情報を一つの有効な物理ブロックに記録し、フラッシュメモリーを初期化する時、制御チップはフラッシュメモリー内の領域数、各領域内の有効な物理ブロック数及び境界情報のブロックを調べ、ブロックが記録する情報は制御チップ内のＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）内に保存し、制御チップはＳＲＡＭ内の境界及び領域情報に従い、領域内のブロックの対応表を構築し、管理の目的を達成することを特徴とした、論理ブロックと物理ブロックに柔軟な対応を形成する方法。
【請求項２】
前期情報は、領域数、各領域内の有効な物理ブロック数及び境界にてなること特徴とした、請求項１に記載の論理ブロックと物理ブロックに柔軟な対応を形成する方法。
【請求項３】
前記フラッシュメモリーは一つ以上にてなることを特徴とした、請求項１に記載の論理ブロックと物理ブロックに柔軟な対応を形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、論理ブロックと物理ブロックに固定されない比例対応方式の管理方法を用い、不良な物理ブロックをフラッシュメモリー内の一箇所或いは数箇所の領域に集中させ、フラッシュメモリーの有効的に管理することを特徴とした論理ブロックと物理ブロックに柔軟な対応を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリーの発展は、Ｍａｓｋ−ＲＯＭから、ＯＴＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリーに至り、フラッシュメモリーは不揮発性メモリーの従来の長所を備えると共に、読み取り速度が比較的速く、電力を消耗せずにデータ保存が可能であり、フラッシュメモリーは半導体産業内で急速成長した産品であり、関連業者は制御チップをフラッシュメモリーに利用し新しい記憶装置、例えばフラッシュメモリースティック、メモリーカード等を製成し、フラッシュメモリーは、低消耗、不揮発性、耐震、高保存密度等の魅力的な特性を備えてなると共に、モーター、磁気ヘッド等の部材を必要とせず、大幅に体積を縮小し、デジタルカメラ、ＭＰ３、及びＰＤＡ（ＰＥＲＳＯＮＡＬ  ＤＩＧＩＴＡＬ  ＡＳＳＩＳＴＡＮＴ）等の電子製品の需要を満たし、フラッシュメモリーは保存媒体の注目の焦点になり、使用者の保存容量に対する需要に加え科学技術の日進月歩により、フラッシュメモリーの容量は益々大きくなり、フラッシュメモリー内の物理領域も益々大きくなっている。
【０００３】
現在、フラッシュメモリーは大容量に発展し、既に一つのフラッシュメモリーで５１２ＭＢの容量があり、物理ブロック（Ｂｌｏｃｋ）数は４０９６個に達しており、制御チップ上のＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）は制限がある為、フラッシュメモリー内の領域は領域を分割管理し、更に交換（ＳＷＡＰ）の動作を経て全領域管理の目的を達成すると共に、各領域の均等に分配するように選択し、例えば４０９６個のブロックを備えるフラッシュメモリーは、４つの領域に分割し、各領域は１０２４個のブロックがあり、この種の方式は管理が簡単で、フラッシュメモリー内は、有効な物理領域と不良の物理領域が平均的に分布し、論理領域と物理領域は一対一に固定された比率で対応してなることができるが、不良の物理領域が一つの領域内に集中し、フラッシュメモリー内で均等に分布されない場合は、論理領域と物理領域は固定された比率の対応を形成することができず、データを領域に書き込む過程で、該領域内に交換可能なブロックが無く、フラッシュメモリーに対しアクセスできなくなり、フラッシュメモリーが製成する保存装置が使用不可になり、消費者は新しい保存装置を再購入する必要が生じ、使用コストを上昇させる。
【０００４】
更に、単体で５１２ＭＢの容量のフラッシュメモリーは、その物理ブロックは総数４０９６個になり、論理ブロック総数は３９６８個になり、４つの領域に分割し、更に不良な物理ブロックが８０個あり、不良な物理ブロックがフラッシュメモリー内に均等に分布している場合、論理ブロックと物理ブロックが構成する固定比率の原則に従い、各領域の物理ブロック数は１０２４個、論理ブロック数は９９２個、有効な物理ブロック数は１００４個、残りのキャッシュブロックは１２個であり、フラッシュメモリーは正常に管理されることが可能で、フラッシュメモリーは正常にアクセス可能であるが、不良な物理ブロックが一箇所あるいは数箇所に集中する場合、ある領域は有効な物理ブロックが論理ブロック数９９２個より少なくなる可能性があり、キャッシュブロックが不足する現象を発生させ、論理ブロックと物理ブロックは固定された比率の対応を形成することができず、フラッシュメモリーは正常に管理できなくなる。
【０００５】
如何に各領域の論理ブロックと物理ブロックを非固定比率の方式で対応させるか、不良な物理ブロックがフラッシュメモリー内の一箇所或いは数箇所に集中する場合に、如何にフラッシュメモリーを有効に管理可能にするかが、本業界に従事する関連する全ての企業が研究改善を欲する所である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明では、フラッシュメモリーの有効な物理ブロックと不良な物理ブロックの総数を先に計算し、フラッシュメモリーの領域の分割を実施すると共に、各領域に均等に固定数量のブロックをキャッシュブロックとして設置し、各領域の論理ブロックとキャッシュブロックの総数を該領域の物理ブロックと同等にさせ、不良な物理ブロックがフラッシュメモリー内で一箇所或いは数箇所に集中、或いは二つ以上のフラッシュメモリー内の一つ或いは数個のフラッシュメモリー内の一箇所或いは数箇所の領域に集中する場合に不良なブロックが多い為に使用不能と判定されるのを防止し、フラッシュメモリーの管理が更に柔軟な空間を備えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、制御チップが先に有効な物理ブロック数と不良な物理ブロックの総数を計算し、フラッシュメモリーの領域分割を実行すると共に各領域に均等に固定数量のブロックをキャッシュブロックとして設置し、各領域の論理ブロックをキャッシュブロックの総数が該領域の物理ブロックと同等にし、領域数、各領域中の有効な物理ブロック、及び境界情報等を選出された有効な物理ブロックに記録し、フラッシュメモリーを初期化する時、制御チップはフラッシュメモリー内の領域数、各領域内の有効な物理ブロック数及び境界情報のブロックを調べ、ブロックが記録する情報は制御チップ内のＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）内に保存し、個別領域に対し初期化を実施する時は、制御チップはＳＲＡＭ内の境界及び領域情報に従い、領域内のブロックの対応表を構築する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のフラッシュメモリーのブロック管理方法は公知の技術の問題点を改善し、フラッシュメモリーが備える有効なブロックと不良なブロックの総数を計算し、フラッシュメモリーの領域分割を実施すると共に、各領域に均等に固定数量のブロックをキャッシュブロックとして設置し、各領域の論理ブロックとキャッシュブロックの総数が該領域の物理ブロック数と同等になるようにし、制御チップ内のＳＲＡＭに記録し、フラッシュメモリーが初期化を実行する時、制御チップはＳＲＡＭに保存された情報に従い、領域に対応するブロック数の対応表を構築し、管理の目的を達成し、各領域の論理ブロックと物理ブロックが非固定比率の方式による対応を可能とし、不良名物理ブロックがフラッシュメモリー内の一箇所及び数箇所に集中、或いは二つ以上のフラッシュメモリー内の一つ或いは数個のフラッシュメモリーの一箇所或いは数箇所の領域に集中する場合に、フラッシュメモリーが不良ブロックが多い為に使用不能と判定されることを防止する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
上述の目的及び効果を達成する為、本発明の技術的手段及び構造は、以下、図に示す実施例に従い其の特徴と功能を詳細に説明する。
【００１０】
図１，２に示すように、使用者がフラッシュメモリー１を使用する前、該制御チップは先に有効な物理ブロック数１１と不良な物理ブロック１２の総数を計算し、フラッシュメモリー１の領域分割を実行すると共に各領域に均等に固定数量のブロックをキャッシュブロックとして設置し、各領域の論理ブロックとキャッシュブロックの総数が該領域の物理ブロックと同等になるようにし、領域数、各領域中の有効な物理ブロック、及び境界情報等を選出された有効な物理ブロック１１に記録し、フラッシュメモリー１を初期化する時、制御チップはフラッシュメモリー１内の領域数、各領域内の有効な物理ブロック１１数及び境界情報のブロックを調べ、ブロックが記録する情報は制御チップ内のＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）内に保存し、個別領域に対し初期化を実施する時は、制御チップはＳＲＡＭ内の境界及び領域情報に従い、領域内のブロックの対応表を構築し、各領域の論理ブロックと物理ブロックを非固定方式で対応させ、不良な物理ブロックがフラッシュメモリー内に一箇所或いは数箇所の領域に集中する時、フラッシュメモリーの有効な管理を可能にする。
【００１１】
上述の方法に従い、４０９６個のブロックを備えるフラッシュメモリー１を例に詳細を説明すると、該フラッシュメモリー１を４つの領域に分割して形成すると共に、各領域は１０２４個の物理ブロックを持ってなり、不良な物理ブロック１２が８０個あり、不良な物理ブロック１２がフラッシュメモリー１に均等に分布する場合、各領域内の有効な物理ブロック１１数は１００４個、論理ブロック数は９９２個になり、残りの１２個のブロックはキャッシュブロックとなり、有効な物理ブロック１１数が論理ブロック数より多く、フラッシュメモリー１は正常にアクセスが可能である。
【００１２】
仮に不良な物理ブロック１２が一つの領域に集中する場合は、論理ブロックと物理ブロックは非固定比率の原則に従い、各領域の物理ブロック数は１０２４個になるが、該領域中の有効な物理ブロック１１数は９４４個だけになり、論理ブロック数は９３２個、キャッシュブロック数は１２個になり、他の領域の有効な物理ブロック１１数は１０２４個、論理ブロック数は１０１２個、キャッシュブロック数は１２個になり、有効な物理ブロック１１数は論理ブロック数より多くなり、キャッシュブロック数が不足する現象が発生せず、フラッシュメモリー１は正常にアクセスが可能である。
【００１３】
図１，２，３に示すように、領域数、各領域の有効な物理ブロック１１数、及び境界情報を記録してなるフラッシュメモリー１が初期化を実施する時、下記のステップに従い実行する。
ステップ３００；フラッシュメモリー１内の有効な物理ブロック１１と不良な物理ブロック１２の総数を計算する
ステップ３０１；フラッシュメモリー１の領域分割を実行すると共に、各領域に均等に固定数量のブロックをキャッシュブロックとして設置し、各領域の論理ブロックとキャッシュブロックの総数を該領域の物理ブロックと同等にする
ステップ３０２；分割した情報を有効な物理ブロック１１に記録する
ステップ３０３；フラッシュメモリー１の初期化を実施する
ステップ３０４；制御チップはフラッシュメモリー１内の領域数、各領域内の有効な物理ブロック数１１及び境界情報のブロックを調べ、ブロックが記録する情報は制御チップ内のＳＲＡＭ内に保存する
ステップ３０５；ＳＲＡＭ内の境界及び領域情報に従い、フラッシュメモリー１内に境界及び領域を構築する
ステップ３０６；各領域内の有効なブロック１１を検査する
ステップ３０７；領域内のブロック対応表を構築する
【００１４】
フラッシュメモリー１の不良な物理ブロック１２が多い場合、非固定比率の原則に従い有効な物理ブロック１１数と論理ブロック数の数量を調整し、キャッシュブロック数を１２個に維持し、フラッシュメモリーの管理が柔軟性を備えることを可能にする。
【００１５】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の領域計算を示す図である。
【図２】本発明の領域管理を示す図である。
【図３】本発明のフラッシュメモリの初期化のフロー図である。
【符号の説明】
【００１７】
１ フラッシュメモリー
１１ 有効な物理ブロック
１２ 不良な物理ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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