(57)【要約】【課題】相隣接する画素電極間に生じる横電界を低減する。【解決手段】切り欠き部２９ｂ１は、平面的に見て、画素電極９ａ２が有する第２縁部２９ａ２のうち間隔を隔てて切り欠き部２９ｂ１に対向する第２縁部２９ａ２が延びるＸ方向に交わるＡ１方向に沿って延びている。切り欠き部２９ｂ１によれば、相隣接する画素電極９ａ１及び９ａ２間の間隔ｔ１及びｔ２が異なり、且つ間隔ｔ２は、Ｘ方向に沿って連続的に異なっている。したがって、画素電極９ａ１及び９ａ２間に生じる横電界Ｅ１はＸ方向に沿って不均一となり、横電界が液晶分子の配向に及ぼす影響を小さくでき、横電界に起因して生じる残像及び尾引き現象を低減することが可能である。【選択図】図８
2007199451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、
前記一対の基板の一方の基板上に、前記一方の基板の基板面における法線に沿った方向から見て間隔を隔てて相隣接して配設されており、且つ互いに異なる電位が供給される第１画素電極及び第２画素電極とを備え、
前記第１画素電極が有する第１縁部の少なくとも一部は、前記法線に沿った方向から見て、前記第２画素電極が有する縁部のうち前記間隔を隔てて前記一部に対向する第２縁部が延びる第１方向に交わる第２方向に沿って延びていること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一部は、前記第１縁部の両端のうち少なくとも一方が切り欠かれた切り欠き部であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１縁部のうち前記切り欠き部を除いた他の部分は、前記第１方向に沿って延びており、且つ前記第１方向に沿って延びている前記他の部分は、前記第１縁部の１／３以下の部分を占めていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１縁部のうち前記一部を除く他の部分は、前記法線に沿った方向から見て前記第１方向及び前記第２方向の夫々に交わる第３方向に沿って延びていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記一方の基板上において、前記第１画素電極が形成された層と異なる層に形成された導電部及び前記第１画素電極を電気的に接続する接続部を備え、
前記接続部は、前記一部を含み、且つ前記第１画素電極から見て前記第２画素電極の側に突出した凸部に設けられていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記法線に沿った方向から見て前記第１縁部及び前記第２縁部に重なる遮光膜を備えたこと
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２画素電極が有する縁部のうち前記法線に沿った方向から見て前記第２縁部に対向する第３縁部は、前記法線に沿った方向から見て前記第１方向に交わる第４方向に沿って延びていること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記一対の基板の他方の基板上に形成されており、且つ前記第１画素電極及び前記第２画素電極に対向する対向電極とを備え、
前記互いに異なる電位は、前記対向電極に供給される共通電位を基準として互いに異なる極性の電位であること
を特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、液晶を保持する一対の基板の夫々に設けられた画素電極及び対向電極間に所定の電圧を印加することによってこれら電極間に介在する液晶分子の配向状態を制御し、画像が表示される。
【０００３】
この種の電気光学装置では、基板上に相隣接して配設された画素電極の夫々の電位の差に応じて当該画素電極間に発生する横電界（即ち、基板面に平行な電界或いは基板面に平行な成分を含む斜めの電界）によって液晶分子の配向不良が生じるという技術的に問題点が生じる場合がある。相対向する画素電極と対向電極との間の縦電界（即ち、基板面に垂直な方向の電界）の印加が想定されている液晶等の電気光学物質に対して、このような横電界が印加されると、液晶の配向不良の如き電気光学物質の動作不良が生じ、この部分における光抜け等が発生してコントラストが低下してしまうという問題が生じる。
【０００４】
このような問題点を解決するための手段の一例として、特許文献１は、配向不良が生じる領域（ドメイン）における横電界を緩和するために、液晶分子の配向方向と平行に延びるソース線を備えた液晶表示装置を開示している。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−６１８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この種の電気光学装置では、画素電極の間隔を広げることによって画素電極間に生じる横電界を緩和することが可能であるが、他方、相隣接する画素電極間の間隔を広げることによって、例えばＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極のサイズに応じて規定される画素毎の開口率が低下してしまい、表示された画像のコントラストが低下する問題点がある。したがって、コントラストの低下を避けることを考慮した場合、横電界を緩和する手段の一つとして、相隣接する画素電極の間隔を広げる手段を採用することは難しい。
【０００７】
加えて、この種の電気光学装置では、動画像を表示した際に、横電界の影響によって画像の残像及び尾引き（動画像を表示した際に動いている物体が残像を残して、裾を引いてぼやけて見えることによってなめらかな動画像を得られない現象）が生じ、高品位で画像を表示することが難しくなる問題があり、高品位で画像を表示するうえで横電界を緩和する技術に対する要請はより一層高まっている。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、コントラストの低下を抑制しつつ、且つ動画像を表示する際の残像及び尾引き等の表示上の不具合が発生することを低減できる液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えたプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、前記一対の基板の一方の基板上に、前記一方の基板の基板面における法線に沿った方向から見て間隔を隔てて相隣接して配設されており、且つ互いに異なる電位が供給される第１画素電極及び第２画素電極とを備え、前記第１画素電極が有する第１縁部の少なくとも一部は、前記法線に沿った方向から見て、前記第２画素電極が有する縁部のうち前記間隔を隔てて前記一部に対向する第２縁部が延びる第１方向に交わる第２方向に沿って延びている。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置によれば、一対の基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持されている。一方の基板上には、平面的に見て間隔を隔てて相隣接して配設されており、且つ、当該電気光学装置の駆動時に互いに異なる電位が供給される第１画素電極及び第２画素電極が配設されている。
【００１１】
ここで、互いに「異なる電位が供給される」とは、駆動回路から画像信号に応じて互いに異なる電位を第１画素電極及び第２画素電極の夫々に供給する場合に限定されるものではなく、例えば電位を第１画素電極及び第２画素電極の夫々に供給するための配線の配線抵抗の相違によって結果的に第１画素電極及び第２画素電極に互いに異なる電位が供給される場合も含む。
【００１２】
第１画素電極及び第２画素電極は、例えばＴＦＴ等の半導体素子、データ線及び走査線等が形成されたＴＦＴアレイ基板である一方の基板上にマトリクス状に配列された複数の画素電極のうち相隣接して配設された２つの画素電極である。尚、一方の基板は、例えばガラス基板或いは石英基板等の透明基板及びこの透明基板上に絶縁膜を含む多層構造が形成されたものであってもよい。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置では、その駆動時に、第１画素電極及び第２画素電極の夫々の電位の差に応じた横電界が第１画素電極及び第２画素電極間に生じる。より具体的には、第１画素電極が有する第１縁部と、第２画素電極が有する縁部のうち間隔を隔てて第１縁部の少なくとも一部に対向する第２縁部との間に横電界が生じる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置によれば、第１縁部の少なくとも一部は、平面的に見て、第２画素電極が有する縁部のうち間隔を隔てて第１縁部の一部に対向する第２縁部が延びる第１方向に交わる第２方向に沿って延びている。したがって、第１縁部の少なくとも一部と第２縁部との間隔が第１方向に沿って連続的に異なっており、第１縁部及び第２縁部間に生じる電界強度分布が不均一になる。このような電界強度の不均一によれば、第１方向に沿って第１縁部が延びている場合、即ち第１縁部及び第２縁部が互いに平行に延びている場合に比べて、相隣接して配設された第１画素電極及び第２画素電極間に生じる横電界を低減できる。
【００１５】
加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、第１画素電極及び第２画素電極間における電界強度分布を不均一にできる程度に第１縁部の少なくとも一部が第２方向に沿って延びていればよいことから、開口率の低下を実質的に画質のコントラストに影響が生じない範囲に抑えることが可能である。
【００１６】
このように本発明に係る電気光学装置によれば、開口率の低下を抑制しつつ、横電界を緩和できるため、開口率の低下に起因するコントラストの低下を抑制しつつ、横電界に起因する残像及び尾引き等の表示上の不具合を低減できる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記一部は、前記第１縁部の両端のうち少なくとも一方が切り欠かれた切り欠き部であってもよい。
【００１８】
この態様によれば、第１縁部の中央付近に切り欠き部を設ける場合に比べて、第１画素電極を含む画素における開口率の低下を抑制できる。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１縁部のうち前記切り欠き部を除いた他の部分は、前記第１方向に沿って延びており、且つ前記第１方向に沿って延びている前記他の部分は、前記第１縁部の１／３以下の部分を占めていてもよい。
【００２０】
この態様によれば、他の部分は第２縁部に沿って延びていることとなり、他の部分及び第２縁部の間隔は一定となる。このような一定の間隔が、第１方向に沿って第１縁部の１／３以下を占めている場合には、残像及び尾引きが生じない程度に第１画素電極及び第２画素電極間における電界強度分布を不均一にでき、横電界を十分に緩和できる。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１縁部のうち前記一部を除く他の部分は、前記法線に沿った方向から見て前記第１方向及び前記第２方向の夫々に交わる第３方向に沿って延びていてもよい。
【００２２】
この態様によれば、第１縁部の一部及び他の部分の夫々と第２縁部との間隔が第１方向に沿って異なっており、第１縁部及び第２縁部で挟まれた領域全体で電界強度分布を不均一にできる。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記一方の基板上において、前記第１画素電極が形成された層と異なる層に形成された導電部及び前記第１画素電極を電気的に接続する接続部を備え、前記接続部は、前記一部を含み、且つ前記第１画素電極から見て前記第２画素電極の側に突出した凸部に設けられていてもよい。
【００２４】
この態様によれば、横電界を緩和するために設けた一部に、例えばコンタクトホール等の電気的な接続部を設けておくことができる。
【００２５】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記法線に沿った方向から見て前記第１縁部及び前記第２縁部に重なる遮光膜を備えていてもよい。
【００２６】
この態様によれば、第１縁部及び第２縁部間において液晶分子等の電気光学物質に加わる横電界によって生じる光抜けを低減できる。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第２画素電極が有する縁部のうち前記法線に沿った方向から見て前記第２縁部に対向する第３縁部は、前記法線に沿った方向から見て前記第１方向に交わる第４方向に沿って延びていてもよい。
【００２８】
この態様によれば、第２画素電極の縁部のうち第１画素電極の第１縁部から見て遠い側の第３縁部と、第１縁部との間で生じる横電界の電界強度分布を不均一にできる。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記一対の基板の他方の基板上に形成されており、且つ前記第１画素電極及び前記第２画素電極に対向する対向電極とを備え、前記互いに異なる電位は、前記対向電極に供給される共通電位を基準として互いに異なる極性の電位であってもよい。
【００３０】
この態様によれば、例えば、各画素電極に印加される電位の極性を対向電極の基準電位に対して所定規則で反転させる反転駆動方式が採用した場合でも、横電界を緩和でき、残像及び尾引きを低減できる。このような反転駆動方式として、例えば一のフレーム又はフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、奇数行に配列された画素電極を所定の基準電位に対して正極性の電位で駆動すると共に偶数行に配列された画素電極を基準電位に対して負極性の電位で駆動し、これに続く次のフレーム又はフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、逆に偶数行に配列された画素電極を正極性の電位で駆動すると共に奇数行に配列された画素電極を負極性の電位で駆動する（即ち、同一行の画素電極を同一極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を行毎にフレーム又はフィールド周期で反転させる）１Ｈ反転駆動方式、或いは列毎に反転させる１Ｓ反転駆動方式、又は画素毎に電位の極性を反転させるドット反転方式を採用できる。この態様によれば、このような反転駆動方式を用いて動画像を表示する場合でも、残像及び尾引きの発生を効果的に低減できる。
【００３１】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００３２】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００３３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照しながら本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。
【００３５】
＜１：電気光学装置＞
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら本実施形態に係る電気光学装置を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００３６】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる画素領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００３８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００３９】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４０】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング素子としてのＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板、あるいはシリコン基板等の半導体基板である。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。
【００４３】
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。例えば、画素電極９ａはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜である。配向膜は斜方蒸着法を用いて形成された無機配向膜であってもよい。
【００４４】
対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。配向膜２２は、配向膜１６と同様の材料及び膜形成方法によって形成されている。
【００４５】
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、ＴＦＴアレイ基板１０側からの入射光のチャネル領域１ａ´ないしその周辺への侵入を阻止するのをより確実に阻止することができる。
【００４６】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａから電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。
【００４７】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４８】
＜１−２：画素部の電気的な接続構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の画素部の電気的な接続構成を詳細に説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００４９】
図３において、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５１】
液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加されている。これにより、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラストやフリッカといった表示特性の向上が可能となる。
【００５２】
＜１−３：電気光学装置の具体的構成＞
次に、上述の動作が実現される液晶装置１の具体的な構成について、図４乃至図６を参照して説明する。
【００５３】
図４乃至図６において、上述の回路要素及び画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。回路要素は画素電極９ａを駆動するために設けられ、ここでは、ＴＦＴアレイ基板１０の直上から画素電極９ａの直下までの範囲内に積層された、走査線１１ａから第４層間絶縁膜４４までを指している（図６参照）。画素電極９ａ（図５中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図４及び図５参照）。
【００５４】
各回路要素を構成するパターニングされた導電膜は、下から順に走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含む第２層、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、本発明の「遮光膜」の一例である容量配線４００等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３、第５層と画素電極９ａの間には第４層間絶縁膜４４が夫々設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層、第５層及び画素電極９ａが上層部分として図５に示されている。
【００５５】
＜第１層の構成−走査線等−＞
第１層は、走査線１１ａで構成される。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
【００５６】
＜第２層の構成−ＴＦＴ等−＞
第２層は、ＴＦＴ３０及び中継電極７１９で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極７１９は、例えばゲート電極３ａと同一膜として形成される。
【００５７】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【００５８】
＜第３層の構成−蓄積容量等−＞
第３層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体層を介して対向配置された構成となっている。このうち、容量電極３００は、容量配線４００に電気的に接続されている。下部電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続されている。
【００５９】
下部電極７１と高濃度ドレイン領域１ｅとは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介して接続されている。また、下部電極７１と画素電極９ａとは、コンタクトホール８８１、８８２、８０４、及び中継電極７１９、第２中継電極６ａ２、第３中継電極４０２により各層を中継し、本発明の「接続部」の一例であるコンタクトホール８９において電気的に接続されている。
【００６０】
このような容量電極３００、及び下部電極７１には、例えば導電性のポリシリコンが用いられ、誘電体層には酸化シリコンが用いられる。また、第１層間絶縁膜４１は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００６１】
尚、この場合の蓄積容量７０は、図４の平面図からわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する画素領域に至らないように（遮光領域内に収まるように）形成されているので、画素の開口率が比較的大きく維持されている。
【００６２】
＜第４層の構成−データ線等−＞
第４層は、データ線６ａで構成されている。データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの三層膜として形成されている。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示したように、夫々が分断されるように形成されている。
【００６３】
データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【００６４】
容量配線用中継層６ａ１は、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８０１を介して容量電極３００と電気的に接続され、容量電極３００と容量配線４００との間を中継している。容量配線用中継層６ａ２は、前述したように、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８８２を介して中継電極７１９に電気的に接続されている。このような層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【００６５】
＜第５層の構成−容量配線等−＞
第５層は、本発明の「遮光膜」の一例である容量配線４００及び第３中継電極４０２により構成されている。容量配線４００は、表示パネルの画像表示領域の周囲にまで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。容量配線４００は、図５に示すように、Ｘ方向、Ｙ方向に延在する格子状に形成され、Ｘ方向に延在する部分には、第３中継電極４０２の形成領域を確保するために切り欠きが設けられている。また、容量配線４００は、その下層のデータ線６ａ、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。これにより、各回路要素は遮光され、入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。
【００６６】
更に、容量配線４００のＸ方向延在部分とＹ方向延在部分とが丁度交差する角部は、略三角形の庇部がわずかに突き出すような形状となっている。この庇部により、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して斜め上方から進入する光を、庇部が反射又は吸収することにより、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【００６７】
このような容量配線４００は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８０３を介して、容量配線用中継層６ａ１と電気的に接続されている。また、第４層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、前述のように、コンタクトホール８０４及びコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２−画素電極９ａ間を中継している。尚、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。
【００６８】
第４層の上には、全面に第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。
【００６９】
次に、図５を参照しながら、画素電極９ａの具体的な平面形状を詳細に説明する。尚、本実施形態では説明を簡便にするため、画素電極９ａのうち相隣接して配設された４つの画素電極を例に挙げている。
【００７０】
図５において、画素電極９ａのうち図中Ｙ方向に沿って異なる行に配列された画素電極９ａのうちが図中上側でＸ方向に沿った行を構成する画素電極９ａ１が本発明の「第１画素電極」の一例であり、図中下側でＸ方向に沿った行を構成する画素電極９ａ２が本発明の「第２画素電極」の一例である。後に詳細に説明するように、液晶装置１の駆動時に、画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々には、対向電極２１に供給される電位を基準として互いに異なる極性の電位が供給される。
【００７１】
画素電極９ａ１及び画素電極９ａ２の夫々は、互いに対向する第１縁部２９ａ１及び第２縁部２９ａ２を備えている。
【００７２】
第１縁部２９ａ１の両端には、第１縁部２９ａ１が部分的に切り欠かれてなる切り欠き部２９ｂ１が形成されている。切り欠き部２９ｂ１は、後に詳細に説明するように画素電極９ａ１及び９ａ２間に生じる横電界を低減する。
【００７３】
画素電極９ａ１は、切り欠き部２９ｂ１を含み、且つ画素電極９ａ１から見て画素電極９ａ２の側に突出した凸部９ｃを有している。コンタクトホール８９は、凸部９ｃに形成されており、画素電極９ａ１と、画素電極９ａ１の下層側に形成された第３中継電極４０２とを電気的に接続する。ここで、切り欠き部２９ｂ１は、容量配線４００に重なっているため、画素電極２９ｂ１に切り欠き部２９ｂ１を設けることによって生じる光抜けを容量配線４００が遮光し、コントラストの低下を抑制する。加えて、画素における非開口領域に位置する凸部９ｃにコンタクトホール８９を設けることによって、コンタクトホール８９による開口率の低下を招くことなく、画素電極９ａ１及び第３中継電極４０２を電気的に接続できる。
【００７４】
また、本実施形態に係る液晶装置１によれば、切り欠き部２９ｂ１を第１縁部２９ａ１の中央付近に設ける場合に比べて、画素電極９ａ１を含む画素における開口率の低下を効果的に抑制できる。
【００７５】
＜１−４：液晶装置の駆動方法＞
次に、図７を参照しながら、液晶装置１の駆動方法の一例を説明する。
【００７６】
ここで、本実施形態では液晶装置１の駆動方式として一例として１Ｈ反転駆動方式が採用している。画素電極９ａの間には、横電界が発生する。即ち、ｎ番目（但しｎは自然数）のフィールド或いはフレームの画像表示期間中、Ｙ軸方向に並列した画素電極９ａの各行に、隣接する列とは基準電圧に対する極性が相異なる電圧を印加することにより、画素領域は、行毎に逆極性の液晶駆動電圧が印加された状態で駆動される。その様子を図７（ａ）に示す。続くｎ＋１番目のフィールド或いはフレームの画像表示期間では、図７（ｂ）に示したように、液晶駆動電圧の極性を反転させる。ｎ＋２番目のフィールド或いはフレーム以降は、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示した状態が周期的に繰り返される。このように液晶層５０への印加電圧の極性を周期的に反転させると、液晶に直流電圧が印加されるのが防止され、液晶の劣化が抑制される。また、画素電極９ａの行毎に印加電圧の極性を逆としているので、クロストークやフリッカが低減される。
【００７７】
この方式により、Ｙ軸方向に相隣接する（即ち、相異なる行に属する）画素電極９ａ１及び９ａ２は、基準電圧に対して互いに逆の極性の電位で駆動されるため、その間の領域Ｃ１には横電界と呼ばれる基板面に平行な成分を持つ電界が発生する。加えて、相隣接する行の画素電極９ａのうち異なる列に属する画素電極９ａ１及び９ａ２間にも横電界が発生する。したがって、液晶装置１の動作時には、図中Ｃ１で示した走査線１１ａが延びる領域に沿った領域全体に横電界が発生する。このままでは、横電界によって液晶分子のチルト角の規制が阻害され、動画像を表示した際に残像及び尾引きが生じてしまう。そこで、本実施形態特有の平面形状を有する画素電極９ａによれば、相隣接して配設された画素電極間に生じる横電界を緩和できる。
【００７８】
尚、本発明に係る液晶装置を駆動する際に駆動方式は、本実施形態に係る液晶装置の駆動方式に限定されるものではなく、相隣接する画素電極毎に電位を反転させたドット反転駆動方式等の他の駆動方式でもよく、相隣接する画素電極間に横電界が生じうる駆動方式であれば如何なる駆動方式に対しても、横電界を低減する効果は得られる。
【００７９】
＜１−５：画素電極の具体的な平面形状＞
次に、図８及び図９を参照しながら本実施形態の液晶装置が備える画素電極間に生じる横電界強度分布を説明する。図８は、本実施形態の液晶装置が備える画素電極の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図であり、図９は本実施形態の液晶装置が備える画素電極の具体的な平面形状及び横電界強度に対する比較例を模式的に示した平面図である。
【００８０】
図９において、相隣接して配設された画素電極４９ａ１及び４９ａ２の夫々は、平面的に見て互いに対向する縁部５９ａ１及び５９ａ２を有している。より具体的には、縁部５９ａ１及び５９ａ２の夫々は、図中Ｘ方向に沿って延在されており、互いに平行に延びている。画素電極４９ａ１及び４９ａ２の夫々の電位は、対向電極の電位を基準として高い電位（図中＋で表記）及び低い電位（図中−で表記）の夫々に設定されているため、画素電極４９ａ１及び４９ａ２間に電位差が生じており、この電位差によって画素電極４９ａ１及び４９ａ２間に横電界Ｅ２が生じている。ここで、縁部５９ａ１及び５９ａ２が延びる方向が互いに平行であるため、画素電極４９ａ１及び４９ａ２間の間隔Ｔは、Ｘ方向に沿って一様である。したがって、横電界Ｅ２は、画素電極４９ａ１及び４９ａ２間で均一である。このような画素電極４９ａ１及び４９ａ２間に生じる均一な強度分布を有する横電界Ｅ２によれば、画素電極４９a１及び４９ａ２と対向電極との間に介在する液晶分子の配向不良を招いてしまう。
【００８１】
そこで、図８において、平面的に見て画素電極９ａ２が有する第２縁部２９ａ２に対向する第１縁部２９ａ１に形成された切り欠き部２９ｂ１が、画素電極９ａ１及び９ａ２間に生じる横電界の強度分布を不均一にし、液晶分子の配向不良を低減する。
【００８２】
切り欠き部２９ｂ１は、平面的に見て、画素電極９ａ２が有する第２縁部２９ａ２に設けられた切り欠き部２９ｂ２に対向し、且つ第２縁部２９ａ２が延びるＸ方向に交わるＡ１方向に沿って延びている。Ｘ方向は、本発明の「第１方向」の一例であり、Ａ１方向は本発明の「第２方向」の一例である。
【００８３】
図８に示すように、切り欠き部２９ｂ１によれば、相隣接する画素電極９ａ１及び９ａ２間の間隔ｔ１及びｔ２が互いに異なり、且つ間隔ｔ２は、Ｘ方向に沿って連続的に異なっている。したがって、画素電極９ａ１及び９ａ２間に生じる横電界Ｅ１は、Ｘ方向に沿って不均一となり、図９に示した均一な強度分布を有する横電界Ｅ２に比べて相対的に液晶分子の配向に及ぼす影響を小さくでき、横電界に起因して生じる残像及び尾引き現象を低減することが可能である。
【００８４】
加えて、切り欠き部２９ｂ１及び２９ｂ２は、第１縁部２９ａ１及び２９ａ２の夫々の中央付近を避けて設けられているため、開口率の低下を実質的に画質に影響が出ない範囲に抑制できる。
【００８５】
このように本実施形態に係る液晶装置によれば、開口率の低下を抑制しつつ、横電界を緩和できるため、開口率の低下に起因するコントラストの低下を抑制しつつ、横電界に起因する残像及び尾引き等の表示上の不具合を低減できる。
【００８６】
（画素電極の変形例）
次に、図１０乃至図１２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置が備える画素電極の変形例を説明する。図１０乃至図１２は、本実施形態に係る液晶装置が備える画素電極の変形例を示した平面図である。
【００８７】
図１０（ａ）において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極２０１ａ１及び２０１ａ２の夫々は、第１縁部２０２ａ１及び第２縁部２０２ａ２を有している。本例では、第１縁部２０２ａ１全体が、第２縁部２０２ａ２が延びるＸ１方向に交わるＸ２方向に沿って延びている。したがって、画素電極２０２ａ１及び２０２ａ２間の間隔ｔ３は、図中Ｘ１方向に沿って連続的に異なる大きさであり、横電界Ｅ３は、Ｘ１方向に沿って異なる強度分布を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図９に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。
【００８８】
加えて、画素電極２０１ａ２が有する縁部のうち平面的に見て第２縁部２０２ａ２に対向する第３縁部２０２ａ２は、平面的に見てＸ１方向に交わる、本発明の「第４方向」の一例でもあるＸ２方向に沿って延びている。したがって、画素電極２０１ａ２が有する縁部のうち画素電極２０１ａ１が有する第１縁部２０２ａ１から見て遠い側の第３縁部２０２ａ３と、第１縁部２０２ａ１との間で生じる横電界の強度分布も不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減できる。
【００８９】
また、画素電極９ａの凸部２０９ｃには、コンタクトホール２８９が形成されている。図４乃至図６で示したコンタクトホール８９と同様にコンタクトホール２８９は、画素電極２０１ａ１と、その下層側に形成された第３中継電極４０２とを電気的に接続する。
【００９０】
図１０（ｂ）において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極２１１ａ１及び２１１ａ２の夫々は、第１縁部２１２ａ１及び第２縁部２１２ａ２を有している。本例では、画素電極２１１ａ１は、第１部分２１４ｂ１及び第２部分２１４ｂ２からなる第１縁部２１２ａ１を有している。第１部分２１４ｂ１は、本発明の「一部」の一例であり、第２部分２１４ｂ２は、本発明の「他の部分」の一例である。
【００９１】
第１部分２１４ｂ１は、第２縁部２１２ａ２が延びるＸ１方向と交わるＸ３方向に沿って延びており、第２部分２１４ｂ２は、Ｘ１方向と交わるＸ２方向に沿って延びている。平面的に見た画素電極２１１ａ１の中心の両側の夫々において、画素電極２１１ａ１及び２１１ａ２の間隔ｔ４は、Ｘ１方向に沿って連続的に異なる大きさを有している。したがって、横電界Ｅ４は、Ｘ１方向に沿って異なる強度分布を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図９に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極２１１ａ２が有する第３縁部２１２ａ３は、平面的に見てＸ１方向に交わる方向に延びる部分を有しているため、第１縁部２１２ａ１との間で生じる横電界の強度分布もより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。
【００９２】
図１０（ｃ）において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極２２１ａ１及び２２１ａ２の夫々は、第１縁部２２２ａ１及び第２縁部２２２ａ２を有している。本例では、画素電極２２１ａ１は、第１部分２２４ｂ１及び第２部分２２４ｂ２からなる第１縁部２２２ａ１を有している。
【００９３】
第１部分２２４ｂ１は、第２縁部２２２ａ２が延びるＸ１方向と交わるＸ２方向に沿って延びており、第２部分２１４ｂ２は、Ｘ１方向と交わるＸ３方向に沿って延びている。平面的に見た画素電極２２１ａ１の中心の両側の夫々において、画素電極２２１ａ１及び２２１ａ２の間隔ｔ５は、Ｘ１方向に沿って連続的に異なる大きさを有している。したがって、横電界Ｅ５は、Ｘ１方向に沿って異なる強度分布を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図９に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極２２１ａ２が有する第３縁部２２２ａ３は、平面的に見てＸ１方向に交わる方向に延びる部分を有しているため、第１縁部２２２ａ１との間で生じる横電界の強度分布をより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。
【００９４】
図１１（ａ）において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極２３１ａ１及び２３１ａ２の夫々は、第１縁部２３２ａ１及び第２縁部２３２ａ２を有している。本例では、画素電極２３１ａ１は、第１部分２３４ｂ１及び第２部分２３４ｂ２が交互に形成された第１縁部２３２ａ１を有している。
【００９５】
第１部分２３４ｂ１は、第２縁部２３２ａ２が延びるＸ１方向と交わるＸ２方向に沿って延びており、第２部分２３４ｂ２は、Ｘ１方向と交わるＸ３方向に沿って延びている。画素電極２３１ａ１及び２３１ａ２の間隔ｔ６は、Ｘ１方向に沿って連続的に異なる大きさを有している。したがって、横電界Ｅ６は、Ｘ１方向に沿って異なる強度を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図９に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極２３１ａ２が有する第３縁部２３２ａ３は、平面的に見てＸ１方向に夫々交わる方向に延びる部分を有しているため、第１縁部２３２ａ１との間で生じる横電界の強度分布をより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。
【００９６】
図１１（ｂ）において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極２４１ａ１及び２４１ａ２の夫々は、第１縁部２４２ａ１及び第２縁部２４２ａ２を有している。本例では、画素電極２４１ａ１は、局所的に見た場合に第１部分２４４ｂ１及び第２部分２４４ｂ２からなる曲線で規定される第１縁部２４２ａ１を有している。第１部分２４４ｂ１及び第２部分２４４ｂ２の夫々を局所的に見れば、第１部分２４４ｂ１及び第２部分２４４ｂ２の夫々は、第２縁部２４２ａ２が延びるＸ１方向に交わる方向に沿って延びている。
【００９７】
第１部分２４４ｂ１及び第２部分２４４ｂ２からなる曲線形状を有する第２縁部２４２ａ１によれば、画素電極２４１ａ１及び２４１ａ２の間隔ｔ７は、Ｘ１方向に沿って連続的に異なる大きさを有している。したがって、横電界Ｅ７は、Ｘ１方向に沿って異なる強度を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図９に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極２４１ａ２が有する第３縁部２４２ａ３は、平面的に見てＸ１方向に夫々交わる方向に延びる部分からなる曲線形状を有しているため、第１縁部２４２ａ１との間で生じる横電界の強度分布をより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。
【００９８】
図１１（ｃ）において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極２５１ａ１及び２５１ａ２の夫々は、第１縁部２５２ａ１及び第２縁部２５２ａ２を有している。本例では、第１縁部２５２ａ１は、第１部分２５４ｂ１及び第２部分２５４ｂ２からなり、第２縁部２５２ａ２は、第３部分２５４ｂ３及び第４部分２５４ｂ４を有している。
【００９９】
第１部分２５４ｂ１及び第３部分２５４ｂ３は、平面的に見て間隔を隔てて互いに対向している。第１部分２５４ｂ１は、第３部分２５４ｂ２が延びるＸ１方向に交わるＸ２方向に沿って延びている。第２部分２５４ｂ２及び第４部分２５４ｂ４は、平面的に見て間隔を隔てて互いに対向している。第２部分２５４ｂ２は、第４部分２５４ｂ４が延びるＸ４方向に交わるＸ３方向に沿って延びている。したがて、画素電極２５１ａ１及び２５１ａ２の間隔ｔ８は、図中横方向に沿って連続的に互いに異なっている。
【０１００】
したがって、横電界Ｅ８は、画素電極２５１ａ１及び２５１ａ２間の各領域で互いに異なる強度を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図９に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極２５１ａ２が有する第３縁部２５２ａ３は、平面的に見て第１部分２５４ｂ１及び第２部分２５４ｂ２の夫々が延びる方向と交わる方向に延びる部分を有しているため、第１縁部２５２ａ１との間で生じる横電界の強度分布をより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。
【０１０１】
図１２（ａ）において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極２６１ａ１及び２６１ａ２の夫々は、第１縁部２６２ａ１及び第２縁部２６２ａ２を有している。本例では、第１縁部２６２ａ１は、第１部分２６４ｂ１及び第２部分２６４ｂ２からなり、第２縁部２６２ａ２は、第３部分２６４ｂ３及び第４部分２６４ｂ４を有している。第１縁部２６２ａ１は、第１部分２６４ｂ１及び第２部分２６４ｂ２からなる曲線形状を有しており、第２縁部２６２ａ２は、第３部分２６４ｂ３及び第４部分２６４ｂ４からなる曲線形状を有している。
【０１０２】
第１部分２６４ｂ１及び第３部分２６４ｂ３は、平面的に見て間隔を隔てて互いに対向している。第２部分２６４ｂ２及び第４部分２６４ｂ４は、平面的に見て間隔を隔てて互いに対向している。第１部分２６４ｂ１、第２部分２６４ｂ２、第３部分２６４ｂ３及び第４部分２６４ｂ４の夫々が延びる方向の相違に応じて画素電極２６１ａ１及び２６１ａ２の間隔ｔ９は、第１縁部２６２ａ１及び第２縁部２６２ａ２に沿って周期的に異なっている。
【０１０３】
したがって、横電界Ｅ９は、第１縁部２６２ａ１及び第２縁部２６２ａ２に沿って異なる強度を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図９に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。
【０１０４】
図１２（ｂ）において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極２７１ａ１及び２７１ａ２の夫々は、第１縁部２７２ａ１及び第２縁部２７２ａ２を有している。画素電極２７１ａ１の平面形状は、Ｘ２方向に沿って延びる第１部分２７２ｂ１、及びＸ１方向に沿って延びる第２部分２７２ｂ２を含む六角形である。画素電極２７１ａ２の平面形状は、Ｘ４方向に沿って延びる第３部分２７２ｂ３、及びＸ１方向に沿って延びる第４部分２７２ｂ４を含む六角形である。
【０１０５】
本例では、第１縁部２７２ａ１のうち第１縁部２７２ａ１の切り欠き部である第１部分２７２ｂ１を除いた他の部分である第２部分２７２ｂ２は、Ｘ１方向に沿って延びている。加えて、第２部分２７２ｂ２の幅Ｗ２は、Ｘ１方向に沿って第１縁部２７２ａ１の幅（第１部分２７２ｂ１の幅Ｗ１＋第２部分２７２ｂ２の幅Ｗ２）の１／３以下の部分を占めている。
【０１０６】
より具体的には、第２部分２７２ｂ２及び第４部分２７２ｂ４に沿って画素電極２７１ａ１及び２７１ａ２の間隔が一定になる領域が、Ｘ１方向に沿って第１縁部２７１ａ１の全体の幅の１／３以下を占めている。したがって、画素電極２７１ａ１及び２７１ａ２の間隔ｔ８が、Ｘ１方向に沿って互いに異なる。よって、本例の画素電極の平面形状によれば、横電界Ｅ１０は、Ｘ１方向に沿って異なる強度分布を有していることになり、図９に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。より具体的には、本例の画素電極２７１ａ１及び２７１ａ２によれば、第１画素電極及び第２画素電極間における電界強度を不均一にでき、横電界を十分に緩和することが可能である。これにより、残像及び尾引きの発生を低減できる。
【０１０７】
＜２：電子機器＞
次に、以上詳細に説明した液晶装置を電子機器に適用する場合について説明する。
【０１０８】
ここでは、この電気光学装置たる液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１３は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇに入射される。液晶装置１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇの構成は上述した液晶装置と同等であり、それぞれにおいて画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０等にカラー画像が投写される。
【０１０９】
以上では、本発明の電気光学装置の一具体例として液晶装置を挙げて説明したが、本発明の電気光学装置は、その他にも例えば電子ペーパなどの電気泳動装置や、電子放出素子を用いた表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等として実現することができる。また、このような本発明の電気光学装置は、先に説明したプロジェクタの他にも、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の各種の電子機器に適用可能である。
【０１１０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】図１に示した電気光学装置の具体的な構成を表す部分平面図である。
【図５】図１に示した液晶装置の具体的な構成を表す部分平面図である。
【図６】図４及び図５のＡ−Ａ´断面図である。
【図７】本実施形態における電気光学装置の１Ｈ反転駆動方式における動作状態を説明するための図である。
【図８】本実施形態の電気光学装置が備える画素電極の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図である。
【図９】図８の比較例を示した平面図である。
【図１０】本実施形態に係る電気光学装置が備える画素電極の一例の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図（その１）である。
【図１１】本実施形態に係る電気光学装置が備える画素電極の一例の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図（その２）である。
【図１２】本実施形態に係る電気光学装置が備える画素電極の一例の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図（その３）である。
【図１３】本発明の電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、９ａ１、９ａ２、４９ａ１、４９ａ２、２０１ａ１、２０１ａ、２１１ａ１、２１１ａ２、２２１ａ１、２２１ａ２、２３１ａ１、２３１ａ２、２４１ａ１、２４１ａ２、２５１ａ１、２５１ａ２、２６１ａ１、２５１ａ２、２６１ａ１、２６１ａ２、２７１ａ１、２７１ａ２・・・画素電極
【図１】
2007199451.tif 000003
【図２】
2007199451.tif 000004
【図３】
2007199451.tif 000005
【図４】
2007199451.tif 000006
【図５】
2007199451.tif 000007
【図６】
2007199451.tif 000008
【図７】
2007199451.tif 000009
【図８】
2007199451.tif 000010
【図９】
2007199451.tif 000011
【図１０】
2007199451.tif 000012
【図１１】
2007199451.tif 000013
【図１２】
2007199451.tif 000014
【図１３】
2007199451.tif 000015