(57)【要約】      （修正有）【課題】コイル電流に起因する渦電流損失を抑制し、高いインダクタンス値及びＱ値を確保し得るコイル部品を提供すること。【解決手段】コイル６は、コイル支持体４によって支持されている。コイル支持体４は、コイル６の巻軸方向の両端部に、コイル６の端末６１、６２が接続された端子電極５を有している。端子電極５は、コイル支持体４に直接に付着された電極膜５１を含む。この電極膜５１はＡｇとＮｉの混合物を主成分とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、コイル支持体とを含むコイル部品であって、
前記コイルは、前記コイル支持体によって支持されており、
前記コイル支持体は、前記コイルの巻軸方向の両端部に、前記コイルの端末が接続された端子電極を有しており、
前記端子電極は、前記コイル支持体に直接に付着された電極膜を含み、前記電極膜はＡｇとＮｉとの混合物を主成分とする、
コイル部品。
【請求項２】
請求項１に記載されたコイル部品であって、
前記コイル支持体は、巻芯部の両端につば部を有するドラム状のフェライトコアであり、
前記電極膜は、前記つば部の外面に連続して付着されている、
コイル部品。
【請求項３】
請求項１又は２に記載されたコイル部品であって、前記電極膜は、ＡｇとＮｉの配合比（Ａｇ：Ｎｉ）が、重量比でみて、（１０：９０）〜（９０：１０）の範囲にある、コイル部品。
【請求項４】
請求項１又は２に記載されたコイル部品であって、前記電極膜は、ＡｇとＮｉの配合比（Ａｇ：Ｎｉ）が、重量比でみて、（２０：８０）〜（８０：２０）の範囲にある、コイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョークコイル、インダクタ、トランスなどのコイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のコイル部品としては、従来より種々のタイプのものが提案され、実用に供されている。そのうちの一つとして、ドラム型コアを用い、そのつば部の端面に端子電極を付着させ、ドラム型コアの巻芯部に巻きつけたコイル(線材）の端末を、端子電極に接続したコイル部品が知られている。
【０００３】
端子電極は、回路基板に対する面実装において、回路基板上に形成された導体パターンとはんだ付けされる部分であり、はんだ付け性が良好であること、電気抵抗値が低いこと、酸化しにくく安定性が高いことが必要であるなどの観点から、従来は、例えば、特許文献１に開示されているように、Ａｇペーストを焼き付けて構成するのが一般的であった。
【０００４】
上述したＡｇペースト焼付けによる端子電極は、従来使用されていた周波数領域では、特に問題を生じることはなかった。
【０００５】
ところが、最近は、コイル部品が用いられる電子機器のデジタル化とそれに伴う高周波化が急速に進展しており、従来のＡｇペースト焼付けによる端子電極では、充分なインダクタンス値及びＱ値を確保することが困難になりつつある。
【０００６】
即ち、この種のコイル部品では、必然的に、コイルの巻軸方向の両端に、端子電極を配置する構造とならざるを得ない。この構造のもとでは、コイル電流によって生じた磁束が、端子電極の膜面を垂直に貫通し、貫通する磁束の周りに渦電流が流れ、渦電流損失が発生する。渦電流損失は周波数が高くなるにつれて増大する。
【０００７】
このため、高周波化が進むにつれて、電気抵抗の低いＡｇペースト焼き付け電極膜でなる従来の端子電極構造では、渦電流損失が大きくなり、インダクタンス値及びＱ値が低下してしまうのである。
【特許文献１】特許第３３１９６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、コイル電流に起因する渦電流損失を抑制し、高いインダクタンス値及びＱ値を確保し得るコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するため、本発明に係るコイル部品は、コイルと、コイル支持体とを含む。前記コイルは、前記コイル支持体によって支持されている。前記コイル支持体は、前記コイルの巻軸方向の両端部に、前記コイルの端末が接続された端子電極を有している。前記端子電極は、前記コイル支持体に直接に付着された電極膜を含み、前記電極膜はＡｇとＮｉの混合物を主成分とする。
【００１０】
本発明に係るコイル部品において、コイル支持体は、コイルの巻軸方向の両端部に、コイルの端末が接続された端子電極を有しているので、コイル電流によって生じた磁束が、端子電極の膜面を垂直に貫通し、貫通する磁束の周りに渦電流が流れ、貫通する磁束の周りに渦電流を生じさせようとする点では、従来と異ならない。
【００１１】
従来と異なる本発明の特徴は、端子電極のうち、コイル支持体に直接に付着された電極膜が、ＡｇとＮｉの混合物を主成分とする膜として構成されている点にある。この電極膜は、Ａｇ単独で構成された従来の電極膜に比して、Ｎｉを含む分だけ、比抵抗が高くなる。このため、コイル電流の作る磁束に起因して発生する渦電流に対して、電極膜の電気抵抗が高くなり、渦電流を抑制することができる。従って、コイルに流れる電流が高周波化された場合でも、高いインダクタンス値を確保し得ると共に、直流抵抗が小さく低損失のコイル部品が得られる。
【００１２】
しかも、電極膜の比抵抗は、Ａｇに対するＮｉの配合比を調整することによって、制御できるから、電極膜の比抵抗を、コイル部品の使用目的にあった値に、容易に調整することができる。また、Ａｇを含有するので、Ａｇ含有の利点である耐酸化性などを確保することができる。
【００１３】
本発明に係るコイル部品は、典型的には、ドラム型コアを用いた巻線タイプとして実現されるが、これに限定されるものではない。印刷積層方式などによって製造されるコイル部品であっても、コイルの巻軸方向に端子電極を有するタイプのものであれば、本発明の作用効果が得られる。
【発明の効果】
【００１４】
以上述べたように、本発明によれば、コイル電流に起因する渦電流損失を抑制し、高いインダクタンス値を確保し得ると共に、直流抵抗が小さく低損失のコイル部品を提供することができる。
【００１５】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。但し、本発明の技術的範囲がこれらの図示実施例に限定されないことは言うまでもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は本発明に係るコイル部品の正面断面図、図２は、図１のコイル部品において、コイル支持体の部分だけを示す斜視図である。図１、図２に図示するように、本発明に係るコイル部品は、コイル６と、コイル支持体４とを含む。図示の実施例において、コイル支持体４は、巻芯部４１の両端につば部４２、４３を有するドラム状のフェライトコアであり、コイル６はつば部４２、４３の間にある巻芯部４１に、単層又は複数層となるように巻かれた状態で、コイル支持体４によって支持されている。巻芯部４１は、図示では、断面四角形であるが、断面円形状であってもよい。また、つば部４２、４３の外形は、四角形であるが、円形状など他の外形であってもよい。
【００１７】
コイル支持体４は、コイル６の巻軸方向の両端部に端子電極５を有している。端子電極５は、コイル支持体４に直接に付着された電極膜５１を含んでいる。電極膜５１の上には、例えば、高分子樹脂と導電粉とを混合した複合導電性樹脂膜５２が付着されており、その表面に、Ｓｎなどのはんだ付け性の良好な表面層５３が、めっきなどによって付着されている。コイル６の端末６１、６２は、電極膜５１の上に、例えば熱圧着され、更に、導電性樹脂膜５２によって被覆されている。コイル６は、熱硬化型樹脂などでなる外装体などによって被覆されている。
【００１８】
本発明に特徴的な構成として、電極膜５１はＡｇとＮｉの混合物を主成分とする。このような電極膜５１は、Ａｇ粉とＮｉ粉を、適当な溶剤のもとで、ガラスフリットなどと混合し、ペースト化したものを、つば部４２、４３の外面に塗布し、かつ、焼き付けることによって形成することができる。図示実施例において、電極膜５１は、四角形状であるつば部４２、４３の５面、即ち、巻芯部４１から立ち上がる内面を除き、その外面のほぼ全面に付着されている。もっとも、例えば、電極膜５１の端縁を、巻芯部４１から立ち上がるつば部４２、４３の内面から、若干後退させるなどの変形は可能である。
【００１９】
電極膜５１は、ＡｇとＮｉの配合比（Ａｇ：Ｎｉ）が、重量比でみて、（１０：９０）〜（９０：１０）の範囲、好ましくは（２０：８０）〜（８０：２０）の範囲で選択することができる。また、Ａｇ粉に含まれるＡｇ粒子及びＮｉ粉に含まれるＮｉ粒子の各粒径は、数μｍであればよい。更に、電極膜５１の厚みは、２０〜３０μｍ程度が適当である。
【００２０】
本発明に係るコイル部品においても、コイル支持体４は、コイル６の巻軸方向の両端部に、コイル６の端末６１、６２が接続された端子電極５を有しているので、コイル電流によって生じた磁束が、端子電極５の膜面を垂直に貫通し、貫通する磁束の周りに渦電流を生じさせようとする点では、従来と異ならない。
【００２１】
従来と異なる本発明の特徴は、端子電極５のうち、コイル支持体４に直接に付着された電極膜５１が、ＡｇとＮｉの混合物を主成分とする膜として構成されている点にある。この電極膜５１は、Ａｇ単独で構成された従来の電極膜５１に比して、Ｎｉを含む分だけ、比抵抗が高くなる。このため、コイル電流の作る磁束に起因して発生する渦電流に対して、電極膜５１の電気抵抗が高くなり、渦電流を有効に抑制することができる。従って、コイル６に流れる電流が高周波化された場合でも、高いインダクタンス値及びＱ値を確保し得る。
【００２２】
しかも、電極膜５１の比抵抗は、ＡｇとＮｉの配合比（Ａｇ：Ｎｉ）を、重量比でみて、（１０：９０）〜（９０：１０）の範囲、好ましくは（２０：８０）〜（８０：２０）の範囲で選択するによって、制御できる。これにより、電極膜５１の比抵抗を、コイル部品の使用目的にあった値に、容易に調整することができる。また、Ａｇを含有するので、Ａｇ含有の利点である耐酸化性を確保することができる。次に、この点について、図３及び図４を参照して説明する。
【００２３】
図３はコイル部品のインダクタンス値と周波数との関係を示すグラフであり、実測データに基づくものである。図３の横軸に周波数（ＭＨｚ）を採り、縦軸にインダクタンス値（μＨ）を採ってある。曲線Ｌ１１は、電極膜５１を、Ａｇのみによって構成（Ｎｉ＝０）した場合の特性、曲線Ｌ１２は、電極膜５１を、Ｎｉのみによって構成（Ａｇ＝０）した場合の特性をそれぞれ示している。
【００２４】
図３を参照すると、電極膜５１を、Ｎｉのみによって構成（Ａｇ＝０）した場合の特性Ｌ１２の方が、電極膜５１を、Ａｇのみによって構成（Ｎｉ＝０）した場合の特性Ｌ１１の場合よりも、高いインダクタンス値を得ることができる。これは、Ｎｉの比抵抗がＡｇの比抵抗よりも大きいため、Ｎｉ電極膜５１の渦電流損が小さくなることによる。
【００２５】
本発明では、電極膜５１をＡｇとＮｉとの混合物によって形成するため、特性Ｌ１１と特性Ｌ１２の間において、インダクタンス値特性を得ることができる。具体的には、ＡｇとＮｉの配合比（Ａｇ：Ｎｉ）を、重量比でみて、（１０：９０）〜（９０：１０）の範囲、好ましくは（２０：８０）〜（８０：２０）の範囲で選択する。これにより、特性Ｌ１１と特性Ｌ１２との間で特定される特性を得ることができる。
【００２６】
図３を見る限り、電極膜５１を、Ｎｉのみによって構成（Ａｇ＝０）した方がよいようにも思えるが、そうすると、比抵抗が高くなりすぎること、Ａｇが負担すべき耐酸化性が劣化することなどの問題を惹起する。これらを総合的に判断すると、ＡｇとＮｉの配合比（Ａｇ：Ｎｉ）を、前述したような範囲に選定すべきである。
【００２７】
図４はコイル部品のＱ値と周波数との関係を示すグラフであり、実測データに基づくものである。図４の横軸に周波数（ＭＨｚ）を採り、縦軸にＱ値を採ってある。曲線Ｌ２１は、電極膜５１を、Ａｇのみによって構成（Ｎｉ＝０）した場合の特性、曲線Ｌ２２は、電極膜５１を、Ｎｉのみによって構成（Ａｇ＝０）した場合の特性をそれぞれ示している。
【００２８】
図４の場合も、図３の場合と同様のことが言える。即ち、電極膜５１を、Ｎｉのみによって構成（Ａｇ＝０）した場合の特性Ｌ２２の方が、電極膜５１を、Ａｇのみによって構成（Ｎｉ＝０）した場合の特性Ｌ２１の場合よりも、高いＱ値を得ることができる。これは、Ｎｉの比抵抗がＡｇの比抵抗よりも大きいため、Ｎｉ電極膜５１の渦電流損が小さくなることによる。
【００２９】
本発明では、電極膜５１をＡｇとＮｉとの混合物によって形成するため、特性Ｌ１１と特性Ｌ１２の間において、インダクタンス値特性を得ることができる。具体的には、ＡｇとＮｉの配合比（Ａｇ：Ｎｉ）を、重量比でみて、（１０：９０）〜（９０：１０）の範囲、好ましくは（２０：８０）〜（８０：２０）の範囲で選択することにより、特性Ｌ２１と特性Ｌ２２との間で特定される特性を得ることができる。
【００３０】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係るコイル部品の正面断面図である。
【図２】図１のコイル部品において、コイル支持体の部分だけを示す斜視図である。
【図３】コイル部品のインダクタンス値と周波数との関係を示すグラフである。
【図４】コイル部品のＱ値と周波数との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
４                  コイル支持体
４１                  巻芯部
４２、４３                  つば部
５                  端子電極
５１                  電極膜
５２                  複合導電性樹脂膜
５３                  表面層
６                  コイル
６１、６２                  コイル端末
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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