(57)【要約】      （修正有）【課題】反射パターンの形状を最適化して反射効率を向上させることができる半透過型液晶表示装置の表示基板を提供する。【解決手段】透明基板２１０と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリックス形態に形成される画素層２２０と、前記画素層上に形成され、前記反射領域に対応した領域に反射領域の中央から周辺に向かって離れるほどサイズが小さくなる複数の反射パターン２３１を有する有機絶縁膜２３０と、前記有機絶縁膜上に形成される透明電極２４０と、前記反射領域に対応した位置の前記透明電極上に形成される反射電極２５０とを有する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリックス形態に形成される画素層と、
前記画素層上に形成され、前記反射領域に対応した領域に反射領域の中央から周辺に向かって離れるほどサイズが小さくなる複数の反射パターンを有する有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成される透明電極と、
前記反射領域に対応した位置の前記透明電極上に形成される反射電極とを有することを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記反射パターンは、凸レンズ形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記反射パターンのうち、一番大きなサイズの反射パターンは、６μｍ〜１２μｍの直径を有することを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記反射パターンのうち、一番小さなサイズの反射パターンは、２μｍ〜５μｍの直径を有することを特徴とする請求項３に記載の表示基板。
【請求項５】
前記反射パターンの高さは、前記反射領域の中央から周辺に向かって離れるほど低くなることを特徴とする請求項４に記載の表示基板。
【請求項６】
前記反射パターンの高さは、漸次低くなることを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
【請求項７】
前記反射パターン間の間隔は、前記反射領域の中央から周辺に向かって離れるほど小さくなることを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項８】
前記反射パターン間の間隔は、漸次に小さくなることを特徴とする請求項７に記載の表示基板。
【請求項９】
前記反射パターン間の一番大きな間隔は、２μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項８に記載の表示基板。
【請求項１０】
前記反射パターン間の一番小さな間隔は、１μｍ〜２μｍであることを特徴とする請求項９に記載の表示基板。
【請求項１１】
前記反射パターンは、平面的に見て円形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記反射パターンは、平面的に見て多角形形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記反射パターンは、凹レンズ形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１４】
透明基板上に透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリックス形態に形成される画素層を形成する段階と、
前記画素層上に前記反射領域に対応した領域に反射領域の中央から周辺に向かって離れるほどサイズが小さくなる複数の反射パターンを有する有機絶縁膜を形成する段階と、
前記有機絶縁膜上に透明電極を形成する段階と、
前記反射領域に対応した位置の前記透明電極上に反射電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示基板の製造方法。
【請求項１５】
前記有機絶縁膜を形成する段階は、前記画素層上に仮（ｐｒｅｌｉｍｉｎａｒｙ）有機絶縁膜を形成する段階と、
前記仮有機絶縁膜の上部をパターニングして仮反射パターンを形成する段階と、
前記仮反射パターンを含む前記仮有機絶縁膜を熱処理して反射パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１６】
前記仮有機絶縁膜の上部をパターニングする段階における露光時間は、３．５秒〜４秒であることを特徴とする請求項１５に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１７】
前記仮反射パターンを含む前記仮有機絶縁膜を熱処理する段階は、２００℃で２分間実施されることを特徴とする請求項１５に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１８】
前記反射パターンのうち、一番大きなサイズの反射パターンは６μｍ〜１２μｍの直径を有し、一番小さなサイズの反射パターンは２μｍ〜５μｍの直径を有することを特徴とする請求項１５に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１９】
前記反射パターン間の間隔は、前記反射領域の中央から周辺に向かって離れるほど小さくなり、
前記反射パターン間の一番大きな間隔は２μｍ〜５μｍで、一番小さな間隔は１μｍ〜２μｍであることを特徴とする請求項１８に記載の表示基板の製造方法。
【請求項２０】
表示基板と、
前記表示基板と対向する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に配置される液晶層とを有し、
前記表示基板は、透明基板と、
前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリックス形態に形成される画素層と、
前記画素層上に形成され、前記反射領域に対応した領域に反射領域の中央から周辺に向かって離れるほどサイズ及びその間隔が小さくなる凸レンズ形状を有する複数の反射パターンが形成される有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成される透明電極と、
前記反射領域に対応した位置の前記透明電極上に形成される反射電極とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２１】
前記反射パターンのうち、一番大きなサイズの反射パターンは６μｍ〜１２μｍの直径を有し、一番小さなサイズの反射パターンは２μｍ〜５μｍの直径を有することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記反射パターン間の一番大きな間隔は２μｍ〜５μｍで、一番小さな間隔は１μｍ〜２μｍであることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記対向基板は、前記液晶層を挟んで前記透明電極及び反射電極と向かい合う共通電極を含むことを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置に関し、より詳細には、反射効率を向上させることができる表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶表示パネルの背面（底面）に位置したバックライトアセンブリから提供される光を利用して画像を表示する透過型液晶表示装置、外部光（自然光）を利用して画像を表示する反射型液晶表示装置、及び室内や外部光源が存在しない暗いところではバックライトアセンブリからの光を利用してディスプレイする透過表示モードで作動し、室外の高照度環境では、外部光（自然光）を反射させてディスプレイする反射表示モードで作動する半透過型液晶表示装置に区分される。
【０００３】
最近、反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、外部光（自然光）の反射量を増加させるために、実質的に同じサイズを有する反射パターンが形成された構造を有する。
【０００４】
しかし、同じサイズの反射パターンでは反射効率を向上させるのに限界があるので、反射量を増加させるためには反射パターンの形状を最適化して反射効率を最大限増加させねばならないという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、反射パターンの形状を最適化して反射効率を向上させることができる表示基板を提供することにある。
【０００６】
又、本発明の他の目的は、上記した表示基板の製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、上記した表示基板を有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板は、透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリックス形態に形成される画素層と、前記画素層上に形成され、前記反射領域に対応した領域に反射領域の中央から周辺に向かって離れるほどサイズが小さくなる複数の反射パターンを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成される透明電極と、前記反射領域に対応した位置の前記透明電極上に形成される反射電極とを有することを特徴とする。
【０００８】
前記反射パターンは、凸レンズ形状を有することが好ましい。
前記反射パターンのうち、一番大きなサイズの反射パターンは、約６μｍ〜約１２μｍの直径を有することが好ましい。
前記反射パターンのうち、一番小さなサイズの反射パターンは、約２μｍ〜約５μｍの直径を有することが好ましい。
前記反射パターンの高さは、前記反射領域の中央から周辺に向かって離れるほど低くなることが好ましい。
前記反射パターンの高さは、漸次低くなることことが好ましい。
前記反射パターン間の間隔は、前記反射領域の中央から周辺に向かって離れるほど小さくなることが好ましい。
前記反射パターン間の間隔は、漸次に小さくなることが好ましい。
前記反射パターン間の一番大きな間隔は、約２μｍ〜約５μｍであることが好ましい。
前記反射パターン間の一番小さな間隔は、約１μｍ〜約２μｍであることが好ましい。
前記反射パターンは、平面的に見て円形状をを有することが好ましい。
前記反射パターンは、平面的に見て多角形形状を有することが好ましい。
前記反射パターンは、凹レンズ形状を有することが好ましい。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板の製造方法は、透明基板上に透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリックス形態に形成される画素層を形成する段階と、前記画素層上に前記反射領域に対応した領域に反射領域の中央から周辺に向かって離れるほどサイズが小さくなる複数の反射パターンを有する有機絶縁膜を形成する段階と、前記有機絶縁膜上に透明電極を形成する段階と、前記反射領域に対応した位置の前記透明電極上に反射電極を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１０】
前記有機絶縁膜を形成する段階は、前記画素層上に仮（ｐｒｅｌｉｍｉｎａｒｙ）有機絶縁膜を形成する段階と、前記仮有機絶縁膜の上部をパターニングして仮反射パターンを形成する段階と、前記仮反射パターンを含む前記仮有機絶縁膜を熱処理して反射パターンを形成する段階とを含むことが好ましい。
前記仮有機絶縁膜の上部をパターニングする段階における露光時間は、３．５秒〜４秒であることが好ましい。
前記仮反射パターンを含む前記仮有機絶縁膜を熱処理する段階は、２００℃で２分間実施されることが好ましい。
前記反射パターンのうち、一番大きなサイズの反射パターンは６μｍ〜１２μｍの直径を有し、一番小さなサイズの反射パターンは２μｍ〜５μｍの直径を有することが好ましい。
前記反射パターン間の間隔は、前記反射領域の中央から周辺に向かって離れるほど小さくなり、前記反射パターン間の一番大きな間隔は２μｍ〜５μｍで、一番小さな間隔は１μｍ〜２μｍであることが好ましい。
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、表示基板と、前記表示基板と対向する対向基板と、前記表示基板と前記対向基板との間に配置される液晶層とを有し、前記表示基板は、透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリックス形態に形成される画素層と、前記画素層上に形成され、前記反射領域に対応した領域に反射領域の中央から周辺に向かって離れるほどサイズ及びその間隔が小さくなる凸レンズ形状を有する複数の反射パターンが形成される有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成される透明電極と、前記反射領域に対応した位置の前記透明電極上に形成される反射電極とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置によれば、有機絶縁膜に中心部から外郭部に行くほど、サイズ及び間隔が小さくなる反射パターンを形成することにより、外部光に対する反射効率を向上させ、表示品質を向上させることができるという効果がある。
【００１３】
又、露光時間の最適化を通じて多様なサイズの反射パターンを精巧に形成して反射率を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明に係る表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態による表示基板を示す平面図で、図２は図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した表示装置の断面図である。
【００１６】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置１００は、表示基板２００、表示基板２００と対向する対向基板３００、及び表示基板２００と対向基板３００との間に配置された液晶層４００を含む。
【００１７】
表示基板２００は、上部から入射される自然光を反射させるための反射領域ＲＲ及び下部から入射されるバックライト光を透過させるための透過領域ＴＲを含む。
表示基板２００は、第１透明基板２１０、画素層２２０、有機絶縁膜２３０、透明電極２４０、及び反射電極２５０を含む。
第１透明基板２１０は、光が透過されることができる透明な物質からなる。例えば、第１透明基板２１０はガラスからなる。
【００１８】
画素層２２０は第１透明基板２１０上に形成され、透過領域ＴＲ及び反射領域ＲＲを有する画素部２２１がマトリックス形態に形成された構造を有する。
画素層２２０は、ゲートライン２２２、ゲート絶縁膜２２３、データライン２２４、薄膜トランジスタ２２５、及び保護膜２２６を含む。
【００１９】
ゲートライン２２２は第１透明基板２１０上に形成され、画素部２２１の上側及び下側を定義する。
ゲート絶縁膜２２３は、ゲートライン２２２が形成された第１透明基板２１０上に形成され、ゲートライン２２２をカバーする。ゲート絶縁膜２２３は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなる。
【００２０】
データライン２２４はゲート絶縁膜２２３上に形成され、画素部２２１の左側及び右側を定義する。
【００２１】
薄膜トランジスタ２２５は、ゲートライン２２２及びデータライン２２４に連結され画素部２２１内に形成される。薄膜トランジスタ２２５は、ゲートライン２２２を通じて印加されるスキャン信号に反応してデータライン２２４を通じて印加される画像信号を透明電極２４０に印加される。
【００２２】
薄膜トランジスタ２２５は、ゲート電極Ｇ、アクティブ層２２７、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄを含む。
ゲート電極Ｇはゲートライン２２２と連結され、薄膜トランジスタ２２５のゲート端子を構成する。
【００２３】
アクティブ層２２７は、ゲート電極Ｇに対応してゲート絶縁膜２２３上に形成される。アクティブ層２２７は、半導体層２２７ａ及びオーミックコンタクト層２２７ｂを含む。半導体層２２７ａは、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉ）からなり、オーミックコンタクト層２２７ｂは、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコン（以下、ｎ＋ａ−Ｓｉ）からなる。
【００２４】
ソース電極Ｓはデータライン２２４と連結され、アクティブ層２２７の上部まで延長されるように形成される。ソース電極Ｓは、薄膜トランジスタ２２５のソース端子を構成する。
【００２５】
ドレイン電極Ｄは、ソース電極Ｓと離隔するようにアクティブ層２２７上に形成される。ドレイン電極Ｄは、薄膜トランジスタ２２５のドレイン端子を構成する。ドレイン電極Ｄは、保護膜２２６及び有機絶縁膜２３０に形成されたコンタクトホール２２８を通じて透明電極２４０と連結される。
【００２６】
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄは、アクティブ層２２７上に互いに離隔するように配置され薄膜トランジスタ２２５のチャンネルを形成する。
【００２７】
保護膜２２６は、データライン２２４及び薄膜トランジスタ２２５が形成されたゲート絶縁膜２２３上に形成されデータライン２２４及び薄膜トランジスタ２２５をカバーする。保護膜２２６は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなる。
【００２８】
一方、薄膜トランジスタ２２５のゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄの形状は多様に変形することができる。又、薄膜トランジスタ２２５はａ−Ｓｉではなく多結晶シリコンで形成された構造を有することもできる。
【００２９】
有機絶縁膜２３０は、表示基板２００の平坦化のために、画素層２２０上に形成される。有機絶縁膜２３０と保護膜２２６には、薄膜トランジスタ２２５のドレイン電極Ｄを露出させるためのコンタクトホール２２８が形成される。
【００３０】
有機絶縁膜２３０は、外部光の反射効率を向上させるための反射パターン２３１を有する。反射パターン２３１は、反射電極２５０が形成された反射領域ＲＲに対応した領域に形成される。これとは異なり、反射パターン２３１は透過領域ＴＲにも形成することができる。
【００３１】
反射パターン２３１は、外部光の反射効率をより向上させるために、反射領域ＲＲの中央からエッジに向かって離れるほどサイズが小さくなるように形成される。
反射パターン２３１が形成された有機絶縁膜２３０上には、透明電極２４０が形成される。透明電極２４０は、それぞれの画素部２２１に対応して有機絶縁膜２３０上に形成される。透明電極２４０は、有機絶縁膜２３０及び保護膜２２６に形成されたコンタクトホール２２８を通じてドレイン電極Ｄと電気的に連結される。
【００３２】
透明電極２４０は、光が透過することができる透明な導電性物質からなる。例えば、透明電極２４０は、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）又はインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）で形成される。
【００３３】
反射電極２５０は、反射領域ＲＲに対応した位置の透明電極２４０上に形成される。従って、反射電極２５０が存在する領域は、外部光を反射させる領域になり、反射電極２５０が除去され透明電極２４０が露出された領域は、バックライト光が透過される領域になる。即ち、透過領域ＴＲは、下部から入射されるバックライト光の透過を利用して画像を表示する領域で、反射領域ＲＲは上部から入射される外部光（自然光）の反射を利用して画像を表示する領域である。
【００３４】
反射電極２５０は、光の反射のために、光反射率が高い伝導性物質で形成される。例えば、反射電極２５０は、アルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる単一反射膜、又はアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）とモリブデンタングステン（ＭｏＷ）からなる二重反射膜で形成される。
【００３５】
透明電極２４０及び反射電極２５０は、有機絶縁膜２３０上に薄い厚さで均一に形成されるので、有機絶縁膜２３０と同じ表面構造を有する。従って、反射電極２５０は、有機絶縁膜２３０の反射パターン２３１と実質的に同じ高低を有する外表面を形成する。
【００３６】
図３は図１に示した反射領域の反射パターンを示す平面図であり、図４は、図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【００３７】
図３及び図４を参照すると、反射パターン２３１は、有機絶縁膜２３０の上面から所定高さに突出された凸レンズ形状を有する。反射パターン２３１は、平面的に見る時、円形状を有する。
【００３８】
反射パターン２３１は、反射領域ＲＲの中央から周辺に向かって離れるほど、サイズが小さくなるように形成される。一般的に、反射パターン２３１のサイズが大きくなると、全体的に反射パターン２３１外周が第１透明基板２１０と接する所の接線と垂線のなす角度は小さくなり、反射パターン２３１の高さは少し高くなる。反面、反射パターン２３１のサイズが小さくなると、反射パターン２３１外周が第１透明基板２１０と接する所の接線と垂線のなす角度は大きくなり、反射パターン２３１の高さは小さくなる。従って、反射パターン２３１のサイズが大きくなると、光の入射角と同程度の角度を有する反射光の成分が多くなり、反射パターン２３１のサイズが小さくなると、反射光の成分が多様な角度を有することになる。
【００３９】
従って、反射領域ＲＲの中心部に形成される反射パターン２３１ａは大きく形成し、外郭部に形成される反射パターン２３１ｂを小さく形成すると、全体的な反射パターン２３１が凸レンズ形態をなすことになり、小さい反射パターン２３１で反射される光が大きい反射パターン２３１を通じて上部方向に上がる成分が増加しながら、反射率が増加することになる。
【００４０】
例えば、反射パターン２３１のうち、反射領域ＲＲの中心部に形成された一番大きなサイズの反射パターン２３１ａは、約６μｍ〜約１２μｍの第１直径Ｄ１に形成される。反面、反射パターン２３１のうち、反射領域ＲＲの外郭部に形成された一番小さなサイズの反射パターン２３１ｂは、約２μｍ〜約５μｍの第２直径Ｄ２に形成される。反射領域ＲＲの中心部と外郭部との間に形成される反射パターン２３１は、第１直径Ｄ１より小さく、第２直径Ｄ２より大きなサイズを有し、中心部から外郭部に行くほど小さくなるように形成される。これとは異なり、反射パターン２３１は、反射領域ＲＲの中心部から任意の地点までは第１直径Ｄ１を有し、任意の地点から外郭部までは第２直径Ｄ２を有するように形成することもできる。
【００４１】
また、反射パターン２３１は、反射領域ＲＲの中央から周辺に向かって離れるほど高さが低くなるように形成される。
【００４２】
又、反射パターン２３１間の間隔は、反射領域ＲＲの中央から周辺に向かって離れるほど小さくなるように形成される。例えば、反射領域ＲＲの中心部に形成された反射パターン２３１ａ間の一番大きな第１間隔Ｌ１は、約２μｍ〜約５μｍに形成される。反面、反射領域ＲＲの外郭部に形成された反射パターン２３１ｂ間の一番小さな第２間隔Ｌ２は約１μｍ〜約２μｍに形成される。
反射領域ＲＲの中心部と外郭部との間に形成される反射パターン２３１間の間隔は、第１間隔Ｌ１より小さく、第２間隔Ｌ２より大きい間隔に形成され、中心部から外郭部に行くほど間隔が小さくなるように形成される。これとは異なり、反射パターン２３１間の間隔は、反射領域ＲＲの中心部から任意の地点までは第１間隔Ｌ１に形成され、任意の地点から外郭部までは第２間隔Ｌ２に形成された構造を有することができる。
【００４３】
再び図２を参照すると、液晶層４００を挟んで表示基板２００と向かい合う対向基板３００は、第２透明基板３１０、カラーフィルタ層３２０、及び共通電極３３０を含む。
第２透明基板３１０は、光が透過されることができる透明な物質で形成される。例えば、第２透明基板３１０はガラスからなる。
【００４４】
カラーフィルタ層３２０は、表示基板２００と向かい合う第２透明基板３１０の対向面に形成される。カラーフィルタ層３２０の色を具現するために、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、及びブルー（Ｂ）等の色画素を含む。一方、カラーフィルタ層３２０は、表示基板２００上に形成することもできる。
【００４５】
共通電極３３０は、液晶層４００を挟んで透明電極２４０及び反射電極２５０と向かい合うようにカラーフィルタ層３２０上に形成される。共通電極３３０は、光の透過のために、透明な導電性物質で形成される。例えば、共通電極３３０は、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）又はインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）で形成される。
【００４６】
液晶層４００は、異方性屈折率、異方性誘電率等の光学的、電気的特性を有する液晶が一定の形態に配列された構造を有する。液晶層４００は、透明電極２４０と共通電極３３０との間に形成される電界によって液晶の配列が変化され、液晶の配列変化によって通過する光の透過率を制御する。
【００４７】
図５は、反射パターンの他の実施形態を示す平面図である。
図５を参照すると、反射パターン２３２は平面的に見る時、円ではない多角形形状を有するように形成される。一例として、反射パターン２３２は六角形形態に形成される。
【００４８】
このように、反射パターン２３２を円形状ではない多角形形状に形成することにより、反射パターン２３２の形成密度をより向上させることができ、これによって外部光に対する反射効率をより向上させることができる。
【００４９】
反射パターン２３２が多角形形状を有することを除いては、図３に示したものと同じなので、その重複される詳細な説明は省略する。
【００５０】
図６は、反射パターンの更に他の実施形態を示す断面図である。
図６を参照すると、反射パターン２３３は、有機絶縁膜２３０の上面から所定深さに掘られた凹レンズ形状を有する。反射パターン２３３は、平面的に見るとき、円又は多角形形状を有する。
【００５１】
反射パターン２３３は、中央から周辺に向かって離れるほどサイズが小さくなるように形成される。従って、反射パターン２３３を通じて反射される反射光は多様な成分の角度を有することになって、全体的に反射効率を向上させることができる。
【００５２】
反射パターン２３３が凹レンズ形状を有することを除いては、図４に示したものと同じなので、その重複される詳細な説明は省略する。
【００５３】
以下、本発明の一実施形態による表示基板の製造方法について説明する。
図７乃至図１１は、本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【００５４】
図１及び図７を参照すると、第１透明基板２１０上に透過領域ＴＲと反射領域ＲＲを有する画素部２２１がマトリックス形態に形成された画素層２２０を形成する。
【００５５】
具体的には、第１透明基板２１０上に第１金属膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を経てゲートライン２２２及びゲート電極Ｇを形成する。
【００５６】
以後、ゲートライン２２２及びゲート電極Ｇが形成された第１透明基板２１０上にゲート絶縁膜２２３を形成する。ゲート絶縁膜２２３は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなり、約４５００Åの厚みに形成される。
【００５７】
以後、ゲート絶縁膜２２３上にａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層を順次に積層した後、フォトリソグラフィ工程を経てゲート電極Ｇに重なるようにアクティブ層２２７を形成する。
【００５８】
以後、ゲート絶縁膜２２３及びアクティブ層２２７上に第２金属膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を経てデータライン２２４、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄを形成する。
【００５９】
以後、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間に位置したオーミックコンタクト層２２７ｂをエッチングして、半導体層２２７ａを露出させる。
【００６０】
以後、データライン２２４、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄが形成されたゲート絶縁膜２２３上に保護膜２２６を形成する。保護膜２２６は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）で形成され、約２０００Åの厚みに形成される。
【００６１】
図８を参照すると、画素層２２０上に仮（ｐｒｅｌｉｍｉｎａｒｙ）有機絶縁膜２３０ａを塗布する。仮有機絶縁膜２３０ａは、表示基板２００の平坦化のために、上面が実質的に平坦な面で形成される。以後、フォトリソグラフィ工程を経て仮有機絶縁膜２３０ａ及び保護膜２２６にコンタクトホール２２８を形成する。
【００６２】
図１、図８、及び図９を参照すると、フォトリソグラフィ工程を経て仮有機絶縁膜２３０ａの上部をパターニングする。仮有機絶縁膜２３０ａのパターニングにより、反射領域ＲＲに対応して角を成す部位（ａｎｇｌｅｄ  ｐｏｒｔｉｏｎｓ）が形成された形態の仮反射パターン２３１ａが形成される。仮反射パターン２３１ａは、反射領域ＲＲの中央から周辺に向かって離れるほどサイズ及び間隔が小さくなるように形成される。
【００６３】
図１０を参照すると、パターニングされた仮有機絶縁膜２３０ａを熱処理して、仮反射パターン２３１ａを凸レンズ形状のラウンドされた（丸みを帯びた）形態を有する反射パターン２３１に整形する。このような熱処理工程は、約２００℃の温度で約２分間実施される。よって、有機絶縁膜２３０が完成される。
【００６４】
このような工程を通じて形成された反射パターン２３１は、図３及び図４を参照して具体的に説明したので、その重複される詳細な説明は省略する。
【００６５】
一方、反射パターン２３１を形成する工程は、コンタクトホール２２８の形成工程以前に実施するか、又は、スリットマスクを利用してコンタクトホール２２８の形成工程と同時に実施することもできる。
【００６６】
図１及び図１１を参照すると、反射パターン２３１が形成された有機絶縁膜２３０上に透明な導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経てそれぞれの画素部２２１に対応するように透明電極２４０を形成する。この際、透明電極２４０は、有機絶縁膜２３０及び保護膜２２６に形成されたコンタクトホール２２８を通じて薄膜トランジスタ２２５のドレイン電極Ｄと電気的に連結される。
【００６７】
以後、透明電極２４０上に光反射率が高い金属層を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を経て反射電極２５０を形成する。反射電極２５０は、反射パターン２３１が形成された反射領域ＲＲに対応して形成される。
【００６８】
一方、外郭部に形成される反射パターン２３１は、相対的に小さいサイズを有するので、小さいサイズの反射パターン２３１を精巧に形成するためには、フォトリソグラフィ工程での露光量を適切に調節する必要がある。
【００６９】
図１２は、露光時間による反射率を示すグラフである。
図１２において、比較例は、反射パターンが約６．７５μｍのサイズと、約３μｍの間隔に形成された構造を有する。一方、実施例は中央から周辺に向かって離れるほど、反射パターンのサイズが約６．７５μｍから約２μｍに小さくなり、間隔が約３μｍから約１．５μｍに小さくなるように形成された構造を有する。
【００７０】
図１２を参照すると、比較例では反射パターンが実質的に同じサイズを有するので、露光時間による反射率の変化が実施例に対して相対的に少ないことがわかる。比較例では最大反射率は約６８％程度で示した。
【００７１】
反面、実施例では反射パターンが多様なサイズを有するので、比較例に対して相対的に露光時間による反射率の変化が激しく示すことがわかる。特に、露光時間が約３５００ｍｓｅｃ〜約４０００ｍｓｅｃ区間での反射率が比較例に対して高く、最大反射率は約７６．８％程度で示した。従って、実施例は、比較例に対して約１１％以上の反射率が向上されることがわかる。このように、露光時間を適切に調節して多様なサイズの反射パターンを形成する場合、反射効率を向上させることができる。
【００７２】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の一実施形態による表示基板を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した表示装置の断面図である。
【図３】図１に示した反射領域の反射パターンを示す平面図である。
【図４】図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】反射パターンの他の実施形態を示す平面図である。
【図６】反射パターンの更に他の実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図１２】露光時間による反射率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７４】
１００      表示装置
２００      表示基板
２１０      第１透明基板
２２０      画素層
２２１      画素部
２２２      ゲートライン
２２３      ゲート絶縁膜
２２４      データライン
２２５      薄膜トランジスタ
２２６      保護膜
２２７      アクティブ層
２２７ａ    半導体層
２２７ｂ    オーミックコンタクト層
２２８      コンタクトホール
２３０      有機絶縁膜
２３１      反射パターン
２４０      透明電極
２５０      反射電極
３００      対向基板
３１０      第２透明基板
３２０      カラーフィルタ層
３３０      共通電極
４００      液晶層
ＲＲ        反射領域
ＴＲ        透過領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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