(57)【要約】【課題】光透過率が段階的に変化するように分布することによる段形状の形成を回避でき、レジスト形状を正確に形成することが可能なグレイスケールマスク等を提供すること。【解決手段】所望のレジスト形状に対応させてそれぞれ光透過率が設定された複数の単位セル２１を備え、単位セル２１は、光を透過させる開口部２３と、光を遮断させる遮光部２２とを有し、単位セル２１に占める開口部２３の面積の割合である面積開口率によって光透過率が決定され、レジスト形状を形成させるレジスト層６０のうち一の単位セル２１からの直接光が入射する領域ＡＲへ、一の単位セル２１の周辺の単位セル２１からの回折光Ｌを入射させてレジスト形状を形成させるような範囲の面積開口率を有する。【選択図】      図６
2007079371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望のレジスト形状に対応させてそれぞれ光透過率が設定された複数の単位セルを備え、
前記単位セルは、光を透過させる開口部と、光を遮断させる遮光部とを有し、前記単位セルに占める前記開口部の面積の割合である面積開口率によって前記光透過率が決定され、
前記レジスト形状を形成させるレジスト層のうち一の単位セルからの直接光が入射する領域へ、前記一の単位セルの周辺の単位セルからの回折光を入射させて前記レジスト形状を形成させるような範囲の前記面積開口率を有することを特徴とするグレイスケールマスク。
【請求項２】
前記面積開口率が１００パーセントであるときの前記直接光の強度Ｉ０を１とすると、前記単位セルは、０．０５＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の前記面積開口率を有することを特徴とする請求項１に記載のグレイスケールマスク。
【請求項３】
前記単位セルは、０．１＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の前記面積開口率を有することを特徴とする請求項２に記載のグレイスケールマスク。
【請求項４】
前記単位セルは、０．２５＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の前記面積開口率を有することを特徴とする請求項３に記載のグレイスケールマスク。
【請求項５】
前記単位セルは、アレイ状に配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のグレイスケールマスク。
【請求項６】
前記単位セルは、矩形領域内において、前記矩形領域の対角線方向について略同一のピッチで配置されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のグレイスケールマスク。
【請求項７】
前記単位セルは、略同心円状に配置されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のグレイスケールマスク。
【請求項８】
前記単位セルは、複数の微小セルにより構成され、
前記微小セルは、前記レジスト層を露光する解像限界以下の幅を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のグレイスケールマスク。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のグレイスケールマスクを用いてレジスト層にレジスト形状を形成し、前記レジスト形状を基板に転写させて作成されることを特徴とする光学素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の光学素子を有することを特徴とする空間光変調装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の空間光変調装置を有することを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グレイスケールマスク、光学素子、空間光変調装置及びプロジェクタ、特に、マイクロレンズ素子等の三次元微細構造を有する光学素子を製造するためのグレイスケールマスクの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、三次元微細構造を有する光学素子の製造において、フォトリソグラフィ技術が用いられている。フォトリソグラフィは、光反応性の感光材料であるレジスト層を基板に塗布し、露光、現像することでレジスト層にパターンを形成する技術である。レジスト層にパターンを形成した後エッチング等を施すことで、レジスト層のパターンを基板に形成することができる。レジスト層に所望のパターンを形成する方法として、例えば、グレイスケールマスクを介してレジストを露光する技術が用いられている。グレイスケールマスクは、所望のレジスト形状に対応させてそれぞれ光透過率が設定された複数の単位セルを備えている。単位セルごとに光透過率を変化させると、グレイスケールマスクの光透過率は二次元方向において段階的に変化するように分布することとなるため、平滑な面を得たい場合でもレジスト層に段形状が形成される場合がある。光学素子は、光の屈折等の機能を果たすために正確な形状であることが要求されることから、設計には無い段形状の形成を回避することが望まれる。そこで、例えば、露光時にフォーカス量を徐々に変化させることで平滑な面を形成する技術（例えば、特許文献１参照。）や、レジストの加熱処理により段形状の平滑化を図る技術（例えば、特許文献２参照。）が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３５６４７０号公報
【特許文献２】特開２００３−９１０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に提案されている技術では、平滑な面を形成するために、露光時間内にデフォーカス量を変化させる工程が新たに必要となる。また、レジスト面に対して焦点が大きくずれた側から焦点が合う側へデフォーカス量を変化させることで、最終的に焦点が合ったときに段形状が形成されることとなる。このために平滑な面を得にくいとも考えられる。特許文献２に提案されている技術では、段形状の平滑化が可能であっても、レジスト形状の高さや形状自体にまで加熱の影響が及ぶことで正確な形状を得られない場合があり得る。このように、従来の技術では、光透過率が段階的に変化するように分布することによる段形状の形成を回避することが困難であるから、正確なレジスト形状を得ることが難しいという問題を生じる。本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、光透過率が段階的に変化するように分布することによる段形状の形成を回避でき、レジスト形状を正確に形成することが可能なグレイスケールマスク、そのグレイスケールマスクを用いて製造された光学素子、空間光変調装置、及びプロジェクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によれば、所望のレジスト形状に対応させてそれぞれ光透過率が設定された複数の単位セルを備え、単位セルは、光を透過させる開口部と、光を遮断させる遮光部とを有し、単位セルに占める開口部の面積の割合である面積開口率によって光透過率が決定され、レジスト形状を形成させるレジスト層のうち一の単位セルからの直接光が入射する領域へ、一の単位セルの周辺の単位セルからの回折光を入射させてレジスト形状を形成させるような範囲の面積開口率を有することを特徴とするグレイスケールマスクを提供することができる。
【０００６】
本発明のグレイスケールマスクは、開口部からの直接光のみならず、回折光を用いてレジスト形状を形成する。面積開口率と回折光の強度との間には相関関係があることから、回折光の強度が大きくなるようなグレイスケールマスクの面積開口率の範囲を決定することができる。一の単位セルからの直接光が入射する領域へ周辺からの回折光を入射させることで、グレイスケールマスクが二次元方向において段階的に変化する光透過率分布を持つ場合であっても、レジスト層上における光量の変化を連続的なものに近づけることができる。レジスト層上における光量の変化を連続的なものとすることで、レジスト層に平滑な面を形成することが可能となる。本発明のグレイスケールマスクを介した露光以外に工程を増加させる必要が無く、また回折光は直接光に対して副次的に生じるものであることから、レジスト形状の高さや形状にまで及ぼす影響も少ないものと考えられる。これにより、光透過率が段階的に変化するように分布することによる段形状の形成を回避でき、レジスト形状を正確に形成することが可能なグレイスケールマスクを得られる。
【０００７】
また、本発明の好ましい態様によれば、面積開口率が１００パーセントであるときの直接光の強度Ｉ０を１とすると、単位セルは、０．０５＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の面積開口率を有することが望ましい。これにより、一の単位セルからの直接光が入射する領域へ周囲からの回折光を入射させ、レジスト形状を形成させることができる。
【０００８】
また、本発明の好ましい態様によれば、単位セルは、０．１＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の面積開口率を有することが望ましい。これにより、回折光を効率的に生じさせることができる。
【０００９】
また、本発明の好ましい態様としては、単位セルは、０．２５＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の面積開口率を有することが望ましい。これにより、回折光をさらに効率的に生じさせることができる。
【００１０】
また、本発明の好ましい態様としては、単位セルは、アレイ状に配置されることが望ましい。それぞれ光透過率が設定された単位セルをアレイ状に配置することで、三次元微細構造を有するレジスト形状を形成することができる。
【００１１】
また、本発明の好ましい態様としては、単位セルは、矩形領域内において、矩形領域の対角線方向について略同一のピッチで配置されることが望ましい。これにより、曲面を有するレジスト形状を正確に形成することができる。
【００１２】
また、本発明の好ましい態様としては、単位セルは、略同心円状に配置されることが望ましい。これにより、曲面を有するレジスト形状を正確に形成することができる。
【００１３】
また、本発明の好ましい態様としては、単位セルは、複数の微小セルにより構成され、微小セルは、レジスト層を露光する解像限界以下の幅を有することが望ましい。解像限界以上の幅の微小セルを用いる場合、グレイスケールマスクの光透過分布に応じた段形状が形成され易くなる。解像限界以下の幅を持つ微小セルを用いることにより、平滑な面を備えるレジスト形状を形成することが可能となる。微小セルの幅は、露光に用いる光の入射角度、及び光の波長に対応して、解像限界以下の幅を持つように設定することが可能である。
【００１４】
さらに、本発明によれば、上記のグレイスケールマスクを用いてレジスト層にレジスト形状を形成し、レジスト形状を基板に転写させて作成されることを特徴とする光学素子を提供することができる。上記のグレイスケールマスクを用いることにより、段形状の形成を回避でき、レジスト形状を正確に形成することが可能である。かかるレジスト形状を基板に転写させることにより、光の透過率が高く熱的特性に優れた光学素子を得られる。
【００１５】
さらに、本発明によれば、上記の光学素子を有することを特徴とする空間光変調装置を提供することができる。上記の光学素子を有することで、正確な形状の光学素子により光を効率的に利用することが可能である。これにより、光を効率的に利用でき、高効率で明るく、高コントラストな画像を得ることが可能な空間光変調装置を得られる。
【００１６】
さらに、本発明によれば、上記の空間光変調装置を有することを特徴とするプロジェクタを提供することができる。上記の空間光変調装置を用いることにより、光を効率的に利用でき、明るい画像を得ることが可能である。これにより、高効率で明るく、高コントラストな画像のプロジェクタを得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、本発明の実施例１に係るグレイスケールマスク２０について説明するものであって、グレイスケールマスク２０を使用する縮小投影露光装置１０の構成を示すものである。縮小投影露光装置１０は、所望のレジスト形状に対応させた光透過率分布を有するグレイスケールマスク２０からの光を縮小させ、材料基板１７の露光を行うものである。グレイスケールマスク２０は、縮小投影露光装置１０の光学系の光軸ＡＸ上であって、光源１１と投写レンズ１３との間に配置されている。光源１１からの光は、グレイスケールマスク２０を透過した後、縮小倍率の投写レンズ１３に入射する。投写レンズ１３からの光は、ステージ１５上に載置された材料基板１７上に入射する。縮小投影露光装置１０は、例えば、４３５ｎｍの波長を有する光であるｇ線を用いるｇ線ステッパである。
【００１９】
図２は、グレイスケールマスク２０の構成を説明するものである。ここでは、単独のマイクロレンズを形成するためのグレイスケールマスク２０について説明を行う。複数のマイクロレンズをアレイ状に配列させたマイクロレンズアレイを形成する場合、図２に示すグレイスケールマスク２０をアレイ状に配列させたものを用いることができる。グレイスケールマスク２０は、一辺の長さｄが７０μｍの正方形形状を有する。例えば、縮小投影露光装置１０により５分の１の縮小露光を行う場合、一辺の長さｄが７０μｍのグレイスケールマスク２０により、一辺が１４μｍのマイクロレンズを形成することができる。
【００２０】
グレイスケールマスク２０は、一辺の長さが２．５μｍの正方形形状を有する複数の単位セル２１をアレイ状に配置して構成されている。複数の単位セル２１は、所望のレジスト形状に対応させてそれぞれ光透過率が設定されている。それぞれ光透過率が設定された単位セル２１をアレイ状に配置することで、三次元微細構造を有するレジスト形状を形成することができる。１つのグレイスケールマスク２０は、７８４（＝２８×２８）個の単位セル２１を有している。
【００２１】
また、単位セル２１は、グレイスケールマスク２０が有する正方形形状の対角線ＤＬ方向について、略同一のピッチで配置されている。対角線ＤＬ方向について略同一のピッチで単位セル２１を配置することにより、対角線ＤＬ方向について略同一のピッチで光透過率を設定することが可能となる。対角線ＤＬ方向について略同一のピッチで光透過率を設定することで、曲面を有するレジスト形状を正確に形成することができる。
【００２２】
図３−１は、単位セル２１の構成を説明するものである。単位セル２１は、中央に配置された開口部２３と、開口部２３の周囲に配置された遮光部２２とを有する。本実施例において、開口部２３は単位セル２１の中央に配置することとしているが、単位セル２１の中央以外の位置に配置することとしても良い。開口部２３は、光源１１からの光を透過させる。遮光部２２は、光源１１からの光を遮断させる。単位セル２１の光透過率は、面積開口率によって決定されている。面積開口率は、単位セル２１に占める開口部２３の面積の割合であるとする。単位セル２１は、複数の微小セルにより構成されている。開口部２３は、光を透過させる微小セルにより構成されている。遮光部２２は、光を遮断させる微小セルによって構成されている。面積開口率は、単位セル２１の全微小セルに対する、開口部２３を構成する微小セルの個数により決定することができる。
【００２３】
微小セルは、レジスト層を露光する解像限界以下の幅を有することが望ましい。解像限界以上の微小セルを備えるグレイスケールマスク２０を用いると、グレイスケールマスク２０の光透過分布に応じて段形状が形成され易くなる。解像限界以下の幅を持つ微小セルを用いることにより、平滑な面を備えるレジスト形状を形成することが可能となる。微小セルの幅は、露光に用いる光の入射角度、及び光の波長に対応して、解像限界以下の幅を持つように設定することが可能である。
【００２４】
図１に示すように、縮小投影露光装置１０は、光軸ＡＸに略平行な光によりレジスト層の露光を行う。例えば、縮小投影露光装置１０としてｇ線（４３５ｎｍ）ステッパを用いる場合、微小セルの幅を０．５μｍ以下と設定することができる。縮小投影露光装置１０としてｉ線（３６５ｎｍ）ステッパを用いる場合、微小セルの幅を０．３μｍ以下と設定することができる。縮小投影露光装置１０としてｇ線ステッパを用いる場合、例えば、図３−２に示すように、微小セル２４の一辺の長さｔ’を０．２５μｍとすることで、平滑な面を備えるレジスト形状を形成することができる。
【００２５】
図３−１に戻って、単位セル２１の一辺の長さｔ、開口部２３の一辺の長さｐを用いると、単位セル２１における面積開口率ＯＲは、式（１）により求めることができる。
ＯＲ＝ｐ2／ｔ2×１００（％）    （１）
【００２６】
また、単位セル２１の幅に対する遮光部２２の幅の割合ＢＷは、式（２）により求めることができる。
ＢＷ＝（ｔ−ｐ）／ｔ    （２）
【００２７】
図４は、開口部２３からの直接光（ゼロ次光）の強度Ｉ０、一次回折光の強度Ｉ１、及び二次回折光の強度Ｉ２と、遮光部２２幅の割合ＢＷとの関係を表すものである。開口部２３の通過により生じる回折光の強度Ｉは、回折光次数をｍとすると、式（３）により求めることができる。
Ｉ＝［｛ｓｉｎ（ＢＷ×ｍπ）｝／ｍπ］2    （３）
【００２８】
一次回折光の強度Ｉ１及び二次回折光の強度Ｉ２は、それぞれ式（３）により求めることができる。１次回折光の強度が最大となるＢＷ＝０．５のとき、各次数についての回折光の合計強度も最大となる。直接光の強度Ｉ０は、開口部２３へ入射する光の強度から各次数の回折光の強度を差し引くことにより求めることができる。グレイスケールマスク２０は、面積開口率ＯＲが１００％であるときの直接光の強度Ｉ０を１とする場合に、各単位セル２１の面積開口率ＯＲが０．３６＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲となるように構成されている。直接光の強度Ｉ０が０．３６＜Ｉ０＜０．５であるとき、回折光の強度が比較的大きくなる。なお、面積開口率ＯＲが１００％であるとは、開口部２３にて回折光が生じず、開口部２３へ入射した光の全てがそのまま直接光として透過する場合である。
【００２９】
ここで、Ｉ０＝０．３６に対応する面積開口率ＯＲを求める。図４に示すグラフより、Ｉ０＝０．３６であるとき、ＢＷ＝０．４である。単位セル２１の一辺の長さｔが２．５μｍであるとすると、開口部２３の一辺の長さｐは、式（２）を用いて求めることができる。
ｐ＝ｔ−ｔ×ＢＷ＝２．５−２．５×０．４＝１．５（μｍ）
面積開口率ＯＲは、式（１）を用いて求めることができる。
ＯＲ＝ｐ2／ｔ2×１００＝（１．５）2／（２．５）2×１００＝３６（％）
【００３０】
次に、Ｉ０＝０．５に対応する面積開口率ＯＲを求める。図４に示すグラフより、Ｉ０＝０．５であるとき、ＢＷ＝０．２９である。開口部２３の一辺の長さｐは、式（２）を用いて求めることができる。
ｐ＝ｔ−ｔ×ＢＷ＝２．５−２．５×０．２９＝１．７７５（μｍ）
面積開口率ＯＲは、式（１）を用いて求めることができる。
ＯＲ＝ｐ2／ｔ2×１００＝（１．７７５）2／（２．５）2×１００＝５０．４１（％）
よって、本実施例のグレイスケールマスク２０は、各単位セル２１の面積開口率ＯＲが３６％＜ＯＲ＜５０．４１％となるように構成することができる。
【００３１】
図５は、γ特性の例を表すものである。γ特性は、面積開口率ＯＲと、露光によってレジスト層に形成されるレジスト形状の深さとの関係を示すものである。ここでレジスト形状の深さとは、レジスト層の光源１１側の表面から最も遠い位置、言い換えるとマイクロレンズの頂点に相当する位置をゼロとして、光源１１側の表面に近くなるに従い値が大きくなるものとしている。レジスト形状の深さは、レーザ顕微鏡や原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope）や干渉型光学測定器、走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope）を用いて測定することができる。γ特性は、各値に面積開口率ＯＲを設定する場合のレジスト形状の深さをプロットすることにより得られる。ここでは、レジスト材料として、クラリアントジャパン社製のポジ型レジストＡＺＰ４９０３を使用する場合の例を説明する。ポジ型レジストは、露光された部分が現像により取り除かれる。レジスト形状の深さは、面積開口率ＯＲが大きいほど浅く、面積開口率ＯＲが小さいほど深くなる。
【００３２】
グレイスケールマスク２０は、グレイスケールマスク２０の一つの角から中心位置までの対角線ＤＬ（図２参照）上において１４個の単位セル２１を並列させている。これに対応して、グレイスケールマスク２０は、各単位セル２１の面積開口率ＯＲについて１％刻みの階調を採用することで、３６％から５０％までの１４％について１４段階の階調を取ることが可能である。グレイスケールマスク２０は、γ特性と、所望のレジスト形状の高さとの関係から、各単位セル２１における開口面積率ＯＲを決定することができる。なお、１００個の微小セル２４（図３−２参照。）により単位セル２１を構成する場合、微小セル２４ごとに開口又は遮光を選択することで、１％刻みで単位セル２１の面積開口率ＯＲを設定することができる。
【００３３】
面積開口率ＯＲの変化に対応させて正確な高さのレジスト形状を形成するためには、面積開口率ＯＲの変化に応じてγ特性が直線状の変化を示す範囲において階調を取ることが望ましい。また、レジストとして、γ特性が直線状の変化を示すような材料を選定することが望ましい。このように、γ特性が直線状の変化を示す範囲において階調を取ることにより、高い精度のマイクロレンズを形成することが可能となる。
【００３４】
図６は、開口部２３にて回折光を生じさせることによる効果について説明するものである。一の単位セル２１からの直接光（０）は、開口部２３への入射時と同じ方向へ進行し、材料基板１７上のレジスト層６０へ入射する。開口部２３を透過することで生じる回折光、例えば一次回折光（＋１、−１）、二次回折光（＋２、−２）は、直接光から分岐され、直接光とは異なる方向へ進行する。また、レジスト層６０のうち一の単位セル２１からの直接光が入射する領域ＡＲへは、かかる一の単位セル２１の周囲の単位セル２１からの回折光Ｌが入射することとなる。
【００３５】
本発明のグレイスケールマスク２０は、回折光の強度が比較的大きくなるように面積開口率ＯＲの範囲を決定することを特徴とする。回折光の強度が比較的大きくなるように面積開口率ＯＲの範囲を決定することにより、一の単位セル２１の周辺の単位セル２１からの回折光を入射させてレジスト形状を形成させることが可能となる。一の単位セル２１からの直接光が入射する領域へ周辺からの回折光を入射させることで、グレイスケールマスク２０が二次元方向において段階的に変化する光透過率分布を持つ場合であっても、レジスト層６０上における光量の変化を連続的なものに近づけることができる。
【００３６】
レジスト層６０上における光量の変化を連続的なものとすることで、レジスト層６０に平滑な面を形成することが可能となる。本発明ではグレイスケールマスク２０を介した露光以外に工程を増加させることも無く、また回折光は直接光に対して副次的に生じるものであることから、レジスト形状の高さや形状にまで及ぼす影響も少ないものと考えられる。これにより、光透過率が段階的に変化するように分布することによる段形状の形成を回避でき、レジスト形状を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００３７】
グレイスケールマスク２０の作成は、まず、平行平板である透明基板上に遮光膜を形成することにより行う。透明基板としては、例えば石英基板を用いることができる。本実施例のグレイスケールマスク２０は、遮光性部材であるクロムを用いて遮光膜を形成する。そして、遮光膜を形成した透明基板を露光することで、開口部２３を形成する。単位セル２１のうち開口部２３が形成された部分以外の部分が、遮光部２２となる。グレイスケールマスク２０を作成する縮小投影露光装置は、例えば、３６５ｎｍの波長を有する光であるｉ線を用いるｉ線ステッパである。
【００３８】
図７は、本実施例のグレイスケールマスク２０を用いて、光学素子であるマイクロレンズを製造する手順を示す。まず、レジスト層形成工程である工程ａにおいて、基板８１上にレジスト層８２を形成する。レジスト層８２は、基板８１上にレジスト材料を塗布し、さらにプリベイクすることで形成される。次に、工程ｂにおいて、図１に示した縮小投影露光装置１０であるｇ線ステッパを用いて、グレイスケールマスク２０を介したレジスト層８２の露光を行う。レジスト層８２は、グレイスケールマスク２０を透過し略５分の１に縮小された光によって露光される。
【００３９】
さらに、露光後のレジスト層８２を現像液により現像することで、曲面を有するレジスト形状８３がレジスト層８２に形成される。現像後のレジスト層８２は、ポストベイクによりさらに硬化させる。このようにして、グレイスケールマスク２０の光透過率分布に対応した所望のレジスト形状８３がレジスト層８２に形成される。
【００４０】
次に、工程ｃに示すレジスト形状転写工程において、レジスト層８２のレジスト形状８３を基板８１へ転写する。レジスト形状８３を基板８１へ転写することで、基板８１に、レジスト形状８３と略同一のマイクロレンズ形状８４が形成される。レジスト形状８３の基板８１への転写は、エッチングにより行うことができる。エッチングは、ドライエッチング、若しくはドライエッチングとウェットエッチングとの組合せによって行う。
【００４１】
最後に、工程ｄにおいて、基板８１及びカバー硝子８６間のマイクロレンズ形状８４部分に透明樹脂材料を充填させることで、マイクロレンズ８５が形成される。複数のマイクロレンズ８５を有するマイクロレンズアレイは、型転写工程により形成することとしても良い。まず、工程ｂで得られたレジスト形状８３に無電解Ｎｉ鍍金を施して金型を製造する。これにより、レジスト形状８３は、金型に転写される。次に、金型の形状を他の部材へ型転写することで、レプリカを作成する。これにより、簡便に大量のレプリカを製造できる。
【００４２】
図８は、本実施例のグレイスケールマスク２０を用いて形成されたレジスト形状８３と、設計されたレジスト形状との比較を示すものである。図８に示すグラフは、縦軸にレジスト形状の深さ、横軸にレジスト形状の中心位置を基準とする場合のレジスト上の位置を取って示している。実線で示す曲線Ｃは、本実施例のグレイスケールマスク２０を用いて形成されたレジスト形状８３の深さの分布を示している。一点鎖線で示す曲線Ｅは、設計されたレジスト形状の深さの分布を示している。グラフから、本実施例のグレイスケールマスク２０を用いることによって、段形状が少なく平滑な面を有し、所望の形状に近いレジスト形状８３が得られることがわかる。上記のグレイスケールマスク２０を用いてレジスト形状８３を正確に形成することにより、光の透過率が高く熱的特性に優れた光学素子を得られる。
【００４３】
なお、グレイスケールマスク２０は、各単位セル２１の面積開口率ＯＲが０．３６＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲となるように構成される場合に限られない。図９に示すように、グレイスケールマスク２０は、各単位セル２１が０．０５＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の面積開口率ＯＲを有する構成であれば良い。これにより、一の単位セル２１からの直接光が入射する領域へ周囲からの回折光を入射させ、レジスト形状８３を形成させることができる。
【００４４】
グレイスケールマスク２０は、好ましくは、各単位セル２１が０．１＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の面積開口率ＯＲを有する構成であることが望ましい。これにより、回折光を効率的に生じさせることができる。グレイスケールマスク２０は、さらに好ましくは、各単位セル２１が０．２５＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲の面積開口率ＯＲを有する構成であることが望ましい。これにより、回折光をさらに効率的に生じさせることができる。
【００４５】
図１０は、本実施例の比較例に係るグレイスケールマスクの構成を説明するものである。本比較例のグレイスケールマスクは、各単位セルの面積開口率ＯＲが０．４９＜Ｉ０＜０．６３に対応する範囲である。本比較例の場合、図９を用いて説明する範囲で面積開口率ＯＲを設定する場合と比較して、開口部２３で生じる回折光の光量が少なく、かつ直接光の光量が大きくなる。Ｉ０＝０．４９の場合、ＢＷ＝０．３である。Ｉ０＝０．６３の場合、ＢＷ＝０．２０６である。０．４９＜Ｉ０＜０．６３に対応する面積開口率ＯＲは、上述の場合と同様に計算すると、４９％＜ＯＲ＜６３％となる。
【００４６】
面積開口率ＯＲが４９％＜ＯＲ＜６３％であるグレイスケールマスクを用いる場合に形成されるレジスト形状と、設計されたレジスト形状との比較を図１１に表す。本比較例の場合、回折光へ振り分けられる光量が少なく直接光が多くなることにより、グレイスケールマスクの光透過率分布どおりにレジスト層へ光が入射し、レジスト層に段形状が形成され易くなる。よって、平滑な曲面を有するマイクロレンズを形成するためには、図９を用いて説明する面積開口率ＯＲの範囲を有するグレイスケールマスクにより回折光を多く生じさせることが有効である。なお、本実施例のグレイスケールマスク２０は、画像信号に応じて光を変調するための空間光変調素子に用いられるマイクロレンズのほか、マイクロプリズムや、通信デバイス、医療デバイス等の他の光学素子の製造に用いることができる。
【００４７】
グレイスケールマスク２０は、図３に示す正方形形状の単位セル２１を配列させる構成とする場合に限られない。例えば、図１２に示す長方形形状の単位セル２５を配列させる構成としても良い。単位セル２５は、縦ｔｙ、横ｔｘ（但し、ｔｙ＜ｔｘ。）の長方形形状を有する。単位セル２５は、中央に配置された開口部２７と、開口部２７の周囲に配置された遮光部２６とを有する。開口部２７は、縦ｐｙ、横ｐｘ（但し、ｐｙ＜ｐｘ。）の長方形形状を有する。グレイスケールマスク２０は、図２に示す場合と同様の正方形形状とするほか、単位セル２５の形状に相似するような長方形形状としても良い。
【００４８】
単位セル２５における面積開口率ＯＲは、式（４）により求めることができる。
ＯＲ＝（ｐｙ×ｐｘ）／（ｔｙ×ｔｘ）×１００（％）    （４）
縦方向について、単位セル２５の幅に対する遮光部２６の幅の割合ＢＷｙは、式（５）により求めることができる。横方向について、単位セル２５の幅に対する遮光部２６の幅の割合ＢＷｘは、式（６）により求めることができる。
ＢＷｙ＝（ｔｙ−ｐｙ）／ｔｙ    （５）
ＢＷｘ＝（ｔｘ−ｐｘ）／ｔｘ    （６）
【００４９】
上述の場合と同様に、各単位セル２５の面積開口率ＯＲが０．３６＜Ｉ０＜０．５に対応する範囲となるようにグレイスケールマスク２０が構成されているとする。Ｉ０＝０．３６であるとき、ＢＷｘ＝ＢＷｙ＝０．４である。単位セル２５の縦の長さｔｙが２μｍ、横の長さｔｘが２．５μｍであるとすると、開口部２７の縦の長さｐｙは式（５）、横の長さｐｘは式（６）を用いて求めることができる。
ｐｙ＝ｔｙ−ｔｙ×ＢＷｙ＝２−２×０．４＝１．２（μｍ）
ｐｘ＝ｔｘ−ｔｘ×ＢＷｘ＝２．５−２．５×０．４＝１．５（μｍ）
面積開口率ＯＲは、式（４）を用いて求めることができる。
ＯＲ＝（ｐｙ×ｐｘ）／（ｔｙ×ｔｘ）×１００＝（１．２×１．５）／（２×２．５）×１００＝３６（％）
【００５０】
Ｉ０＝０．５であるとき、ＢＷｘ＝ＢＷｙ＝０．２９である。開口部２７の縦の長さｐｙは式（５）、横の長さｐｘは式（６）を用いて求めることができる。
ｐｙ＝ｔｙ−ｔｙ×ＢＷｙ＝２−２×０．２９＝１．４２（μｍ）
ｐｘ＝ｔｘ−ｔｘ×ＢＷｘ＝２．５−２．５×０．２９＝１．７７５（μｍ）
面積開口率ＯＲは、式（４）を用いて求めることができる。
ＯＲ＝（ｐｙ×ｐｘ）／（ｔｙ×ｔｘ）×１００＝（１．４２×１．７７）／（２×２．５）×１００＝５０（％）
【００５１】
よって、長方形形状を有する単位セル２５を備えるグレイスケールマスク２０を用いる場合も、各単位セル２５の面積開口率ＯＲが３６％＜ＯＲ＜５０％と、正方形形状の単位セル２１を用いる場合と同様の構成とすることができる。なお、単位セルは矩形形状である場合に限られず、他の多角形形状としても良い。例えば、グレイスケールマスクは、六角形形状の単位セルをハニカム状に配列させる構成としても良い。
【００５２】
また、グレイスケールマスクは、単位セルを略同心円状に配置することとしても良い。図１３に示すグレイスケールマスク３０は、正方形形状の中央部を中心として略同心円状に単位セル２１を配置させて構成されている。略同心円状に単位セル２１を配置することにより、略同心円状に光透過率を設定することが可能となる。略同心円状に光透過率を設定することで、曲面を有するレジスト形状を正確に形成することができる。
【００５３】
図１４は、本実施例の変形例に係るグレイスケールマスクの構成について説明するものである。本変形例では、０．３６＜Ｉ０＜０．５に対応する面積開口率ＯＲを有する上記の場合より、面積開口率ＯＲの範囲を広く確保することが可能なグレイスケールマスクについての説明を行う。本変形例のグレイスケールマスクは、各単位セルの面積開口率ＯＲが０．２５＜Ｉ０＜０．４５に対応する範囲である。Ｉ０＝０．２５の場合、ＢＷ＝０．５である。Ｉ０＝０．４５の場合、ＢＷ＝０．３３６である。０．２５＜Ｉ０＜０．４５に対応する面積開口率ＯＲは、上述の場合と同様に計算すると、２５％＜ＯＲ＜４５％となる。
【００５４】
上記のグレイスケールマスク２０は、３６％から５０％まで１４％の開口面積率ＯＲ範囲を用いて階調を取ることとしているのに対して、本変形例のグレイスケールマスクは、２５％から４５％までの２０％の範囲において階調を取ることが可能となる。開口面積率ＯＲの広い範囲により階調を取ることで、面積開口率ＯＲに対応させるレジスト形状の深さを大きくとることが可能となる。例えば、１４％のレンジで階調を取る場合には図８に示すようにレジスト形状の最大深さを４μｍとするのに対して、２０％のレンジで階調を取る場合には、図１５に示すように、レジスト形状の最大深さを６μｍにまで広げることができる。このように、面積開口率ＯＲの幅を大きく確保することで、マイクロレンズの高さ幅を大きくとることが可能となる。なお、本変形例の場合も、段形状が少なく平滑な面を有し、所望の形状に近いレジスト形状を得ることができる。
【実施例２】
【００５５】
図１６は、本発明の実施例２に係るプロジェクタ１００の概略構成を示す。プロジェクタ１００は、上記実施例１のグレイスケールマスクを用いて製造されたマイクロレンズを備えることを特徴とする。プロジェクタ１００は、観察者側に設けられたスクリーン１１６に光を供給し、スクリーン１１６で反射する光を観察することで画像を鑑賞する、いわゆるフロント投写型のプロジェクタである。
【００５６】
光源部１０１は、赤色光（以下、「Ｒ光」という。）、緑色光（以下、「Ｇ光」という。）、及び青色光（以下、「Ｂ光」という。）を含む光を供給する超高圧水銀ランプである。インテグレータ１０４は、光源部１０１からの光の照度分布を均一化する。照度分布を均一化された光は、偏光変換素子１０５にて特定の振動方向を有する偏光光、例えばｓ偏光光に変換される。ｓ偏光光に変換された光は、色分離光学系を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒに入射する。光源部１０１としては、超高圧水銀ランプを用いる構成に限られない。例えば、発光ダイオード素子（ＬＥＤ）等の固体発光素子を用いても良い。
【００５７】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒは、Ｒ光を透過し、Ｇ光、Ｂ光を反射する。Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒを透過したＲ光は、反射ミラー１０７に入射する。反射ミラー１０７は、Ｒ光の光路を９０度折り曲げる。光路を折り曲げられたＲ光は、空間光変調装置１１０Ｒに入射する。空間光変調装置１１０Ｒは、Ｒ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。なお、ダイクロイックミラーを透過しても、光の偏光方向は変化しないため、空間光変調装置１１０Ｒに入射するＲ光は、ｓ偏光光のままの状態である。
【００５８】
空間光変調装置１１０Ｒは、λ／２位相差板１２３Ｒ、硝子板１２４Ｒ、第１偏光板１２１Ｒ、液晶パネル１２０Ｒ、及び第２偏光板１２２Ｒを有する。λ／２位相差板１２３Ｒ及び第１偏光板１２１Ｒは、偏光方向を変換させない透光性の硝子板１２４Ｒに接する状態で配置される。これにより、第１偏光板１２１Ｒ及びλ／２位相差板１２３Ｒが、発熱により歪んでしまうという問題を回避できる。なお、図１６において、第２偏光板１２２Ｒは独立して設けられているが、液晶パネル１２０Ｒの出射面や、クロスダイクロイックプリズム１１２の入射面に接する状態で配置しても良い。
【００５９】
空間光変調装置１１０Ｒに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板１２３Ｒによりｐ偏光光に変換される。ｐ偏光光に変換されたＲ光は、硝子板１２４Ｒ及び第１偏光板１２１Ｒをそのまま透過し、液晶パネル１２０Ｒに入射する。液晶パネル１２０Ｒに入射したｐ偏光光は、画像信号に応じた変調によりｓ偏光光に変換される。液晶パネル１２０Ｒの変調により、ｓ偏光光に変換されたＲ光が、第２偏光板１２２Ｒから出射される。このようにして、空間光変調装置１１０Ｒで変調されたＲ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２に入射する。
【００６０】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒで反射されたＧ光及びＢ光は、光路を９０度折り曲げられる。光路を折り曲げられたＧ光とＢ光とは、Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇに入射する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇは、Ｇ光を反射し、Ｂ光を透過する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇで反射されたＧ光は、空間光変調装置１１０Ｇに入射する。空間光変調装置１１０Ｇは、Ｇ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。空間光変調装置１１０Ｇは、液晶パネル１２０Ｇ、第１偏光板１２１Ｇ及び第２偏光板１２２Ｇを有する。
【００６１】
空間光変調装置１１０Ｇに入射するＧ光は、ｓ偏光光に変換されている。空間光変調装置１１０Ｇに入射したｓ偏光光は、第１偏光板１２１Ｇをそのまま透過し、液晶パネル１２０Ｇに入射する。液晶パネル１２０Ｇに入射したｓ偏光光は、画像信号に応じた変調によりｐ偏光光に変換される。液晶パネル１２０Ｇの変調により、ｐ偏光光に変換されたＧ光が、第２偏光板１２２Ｇから出射される。このようにして、空間光変調装置１１０Ｇで変調されたＧ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２に入射する。
【００６２】
Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇを透過したＢ光は、２枚のリレーレンズ１０８と、２枚の反射ミラー１０７とを経由して、空間光変調装置１１０Ｂに入射する。空間光変調装置１１０Ｂは、Ｂ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶表示装置である。なお、Ｂ光にリレーレンズ１０８を経由させるのは、Ｂ光の光路の長さがＲ光及びＧ光の光路の長さよりも長いためである。リレーレンズ１０８を用いることにより、Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇを透過したＢ光を、そのまま空間光変調装置１１０Ｂに導くことができる。空間光変調装置１１０Ｂは、λ／２位相差板１２３Ｂ、硝子板１２４Ｂ、第１偏光板１２１Ｂ、液晶パネル１２０Ｂ、及び第２偏光板１２２Ｂを有する。空間光変調装置１１０Ｂの構成は、上述した空間光変調装置１１０Ｒの構成と同様なので、詳細な説明は省略する。
【００６３】
空間光変調装置１１０Ｂに入射するＢ光は、ｓ偏光光に変換されている。空間光変調装置１１０Ｂに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板１２３Ｂによりｐ偏光光に変換される。ｐ偏光光に変換されたＢ光は、硝子板１２４Ｂ及び第１偏光板１２１Ｂをそのまま透過し、液晶パネル１２０Ｂに入射する。液晶パネル１２０Ｂに入射したｐ偏光光は、画像信号に応じた変調によりｓ偏光光に変換される。液晶パネル１２０Ｂの変調により、ｓ偏光光に変換されたＢ光が、第２偏光板１２２Ｂから出射される。空間光変調装置１１０Ｂで変調されたＢ光は、色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２に入射する。このように、色分離光学系を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー１０６ＲとＢ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇとは、光源部１０１から供給される光を、Ｒ光と、Ｇ光と、Ｂ光とに分離する。
【００６４】
色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２は、２つのダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂをＸ字型に直交して配置して構成されている。ダイクロイック膜１１２ａは、Ｂ光を反射し、Ｇ光を透過する。ダイクロイック膜１１２ｂは、Ｒ光を反射し、Ｇ光を透過する。このように、クロスダイクロイックプリズム１１２は、各色光用空間光変調装置１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂでそれぞれ変調されたＲ光、Ｇ光及びＢ光を合成する。投写光学系１１４は、クロスダイクロイックプリズム１１２で合成された光をスクリーン１１６に投写する。これにより、スクリーン１１６上にフルカラー画像を表示することができる。
【００６５】
なお、上述のように、空間光変調装置１１０Ｒ及び空間光変調装置１１０Ｂからクロスダイクロイックプリズム１１２に入射される光は、ｓ偏光光となるように設定される。また、空間光変調装置１１０Ｇからクロスダイクロイックプリズム１１２に入射される光は、ｐ偏光光となるように設定される。このようにクロスダイクロイックプリズム１１２に入射される光の偏光方向を異ならせることで、クロスダイクロイックプリズム１１２において各色光用空間光変調装置から出射される光を有効に合成できる。ダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂは、通常、ｓ偏光光の反射特性に優れる。このため、ダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂで反射されるＲ光及びＢ光をｓ偏光光とし、ダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂを透過するＧ光をｐ偏光光としている。
【００６６】
図１７は、液晶パネル１２０Ｒの要部断面構成を示す。図１６で説明したプロジェクタ１００は、３つの液晶パネル１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂを備えている。これら３つの液晶パネル１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂは変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本的構成は同一である。このため、液晶パネル１２０Ｒを代表例として以後の説明を行う。光源部１０１からのＲ光は、図１７に示す上側から液晶パネル１２０Ｒへ入射し、スクリーン１１６の方向である下方向へ出射する。防塵硝子である入射側防塵硝子２００の入射側には、接着層２０１を介してカバー硝子２０２が固着されている。カバー硝子２０２の出射側には、ブラックマトリックス部２０３ａ及び対向電極２０４が形成されている。
【００６７】
出射側防塵硝子２０８の入射側には、接着層２０７、液晶を配向させるための配向膜２０６ｃ、及び、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や透明電極２０６ａを有するＴＦＴ基板２０６が形成されている。入射側防塵硝子２００及び出射側防塵硝子２０８は、対向電極２０４とＴＦＴ基板２０６とを対向させるようにして貼り合わされている。対向電極２０４とＴＦＴ基板２０６との間には、液晶層２０５が封入されている。液晶層２０５は、入射光であるＲ光を画像信号に応じて変調する変調部である。液晶層２０５の入射側には、ブラックマトリックス部２０３ａが形成されている。
【００６８】
開口部２０３ｂは、入射光を、変調部である液晶層２０５へ入射させる。開口部２０３ｂを透過するＲ光は、対向電極２０４、液晶層２０５、ＴＦＴ基板２０６を透過する。Ｒ光は、液晶層２０５における画像信号に応じた変調により、偏光状態が変換される。開口部２０３ｂは、投写される画像の画素を形成する。
【００６９】
入射側防塵硝子２００には、マイクロレンズアレイ２１０が形成されている。マイクロレンズアレイ２１０は、ＸＹ平面である基準面２００ｂ上にアレイ状に配列されたマイクロレンズ２１１を有する。光学素子であるマイクロレンズ２１１は、入射光であるＲ光を開口部２０３ｂの方向へ屈折させる。マイクロレンズ２１１は、光を屈折させる曲面２１１ａを入射側に向けて設けられている。液晶パネル１２０Ｒは、マイクロレンズ２１１を配置する基準面２００ｂと、光軸であるＺ軸とが略直交するように配置されている。
【００７０】
なお、図１６で示した構成では、第１偏光板１２１Ｒ、第２偏光板１２２Ｒを、液晶パネル１２０Ｒに対して別体に設けている。これに代えて、入射側防塵硝子２００と対向電極２０４との間、出射側防塵硝子２０８とＴＦＴ基板２０６との間などにも偏光板を設けることとしても良い。さらに、マイクロレンズアレイ２１０は、第１偏光板１２１Ｒに形成してもよい。
【００７１】
マイクロレンズ２１１は、上記実施例１のグレイスケールマスクを用いて形成することができる。上記実施例１のグレイスケールマスクを用いることで、マイクロレンズ２１１は、段形状が少なく平滑な曲面２１１ａを有し、正確な形状とすることが可能である。曲面２１１ａの段形状を少なくすることにより、曲面２１１ａにおける不要な反射を少なくし、光の効率的な利用が可能となる。また、光の効率的な利用が可能となることで、プロジェクタ１００は明るい画像を表示することができる。さらに、正確な形状のマイクロレンズ２１１を用いることで、光線角度を正確に制御し、高コントラストな画像を表示することができる。これにより、高効率で明るく、高コントラストな画像を得ることができる。正確な形状のマイクロレンズ２１１により開口部２０３ｂにおける光の集中を防ぐことで、液晶や配向膜等の劣化、ひいては空間光変調装置の劣化を低減することもできる。
【００７２】
本実施例のプロジェクタ１００は、光源部１０１として超高圧水銀ランプを用いる構成に限られない。例えば、発光ダイオード素子（ＬＥＤ）等の固体発光素子を用いても良い。また、プロジェクタ１００は、３つの透過型液晶表示装置を設けた、いわゆる３板式のプロジェクタに限らず、例えば、１つの透過型液晶表示装置を設けたプロジェクタや、反射型液晶表示装置を用いたプロジェクタとしても良い。さらに、フロント投写型のプロジェクタ１００に限らず、スクリーンの一方の面にレーザ光を供給し、スクリーンの他方の面から出射される光を観察することで画像を鑑賞する、いわゆるリアプロジェクタとしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
以上のように、本発明に係るグレイスケールマスクは、微小な光学素子を製造する場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】グレイスケールマスクを用いる縮小露光装置の構成を示す図。
【図２】本発明の実施例１に係るグレイスケールマスクの構成を説明する図。
【図３−１】単位セルの構成を説明する図。
【図３−２】微小セルについて説明する図。
【図４】直接光及び回折光の強度と遮光部幅との関係を表す図。
【図５】γ特性の例を表す図。
【図６】開口部にて回折光を生じさせることによる効果について説明する図。
【図７】グレイスケールマスクを用いてマイクロレンズを製造する手順を示す図。
【図８】グレイスケールマスクを用いて形成されたレジスト形状を説明する図。
【図９】面積開口率について説明する図。
【図１０】比較例に係るグレイスケールマスクの構成を説明する図。
【図１１】グレイスケールマスクを用いて形成されたレジスト形状を説明する図。
【図１２】長方形形状の単位セルについて説明する図。
【図１３】略同心円状に単位セルを配置させる構成について説明する図。
【図１４】実施例１の変形例に係るグレイスケールマスクについて説明する図。
【図１５】グレイスケールマスクを用いて形成されたレジスト形状を説明する図。
【図１６】本発明の実施例２に係るプロジェクタの概略構成を示す図。
【図１７】液晶パネルの要部断面構成を示す図。
【符号の説明】
【００７５】
１０  縮小投影露光装置、１１  光源、１３  投写レンズ、１５  ステージ、１７  材料基板、２０  グレイスケールマスク、ＡＸ  光軸、２１  単位セル、ＤＬ  対角線、２２  遮光部、２３  開口部、２４  微小セル、６０  レジスト層、ＡＲ  領域、８１  基板、８２  レジスト層、８３  レジスト形状、８４  マイクロレンズ形状、８５  マイクロレンズ、８６  カバー硝子、２５  単位セル、２６  遮光部、２７  開口部、３０  グレイスケールマスク、１００  プロジェクタ、１０１  光源部、１０４  インテグレータ、１０５  偏光変換素子、１０６Ｒ  Ｒ光透過ダイクロイックミラー、１０６Ｇ  Ｂ光透過ダイクロイックミラー、１０７  反射ミラー、１０８  リレーレンズ、１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ  空間光変調装置、１１２  クロスダイクロイックプリズム、１１２ａ、１１２ｂ  ダイクロイック膜、１１４  投写光学系、１１６  スクリーン、１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂ  液晶パネル、１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂ  第１偏光板、１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂ  第２偏光板、１２３Ｒ、１２３Ｂ  λ／２位相差板、１２４Ｒ、１２４Ｂ  硝子板、２００  入射側防塵硝子、２００ｂ  基準面、２０１  接着層、２０２  カバー硝子、２０３ａ  ブラックマトリックス部、２０３ｂ  開口部、２０４  対向電極、２０５  液晶層、２０６  ＴＦＴ基板、２０６ａ  透明電極、２０６ｃ  配向膜、２０７  接着層、２０８  出射側防塵硝子、２１０  マイクロレンズアレイ、２１１  マイクロレンズ、２１１ａ  曲面
【図１】
2007079371.tif 000003
【図２】
2007079371.tif 000004
【図３−１】
2007079371.tif 000005
【図３−２】
2007079371.tif 000006
【図４】
2007079371.tif 000007
【図５】
2007079371.tif 000008
【図６】
2007079371.tif 000009
【図７】
2007079371.tif 000010
【図８】
2007079371.tif 000011
【図９】
2007079371.tif 000012
【図１０】
2007079371.tif 000013
【図１１】
2007079371.tif 000014
【図１２】
2007079371.tif 000015
【図１３】
2007079371.tif 000016
【図１４】
2007079371.tif 000017
【図１５】
2007079371.tif 000018
【図１６】
2007079371.tif 000019
【図１７】
2007079371.tif 000020