(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルと、ディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法と、該プラズマディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法とを提供する。【解決手段】前面基板と、前面基板から上下方向に離隔配置された背面基板と、前面基板及び背面基板の間で上下方向に互いに離隔配置された前方放電電極及び後方放電電極を備える電極群と、前面基板及び背面基板の間に上下方向に配置され、かつ前方放電電極及び後方放電電極の間に配置された絶縁層と、少なくとも前方放電電極及び後方放電電極を取り囲むように形成された高誘電率層と、高誘電率層によって少なくとも一部が取り囲まれた放電セルと、放電セル内に配置された蛍光体層と、放電セル内に注入された放電ガスとを備えるプラズマディスプレイパネルである。【選択図】図３
2007234594.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルであって、
前面基板と、
前記前面基板から上下方向に離隔配置された背面基板と、
前記前面基板及び前記背面基板の間で、上下方向に互いに対応するように離隔配置された前方放電電極及び後方放電電極を備える電極群と、
前記前面基板及び前記背面基板の間に上下方向に配置され、かつ前記前方放電電極及び前記後方放電電極の間に配置された絶縁層と、
少なくとも前記前方放電電極及び前記後方放電電極を取り囲むように形成された高誘電率層と、
前記高誘電率層によって少なくとも一部が取り囲まれた放電セルと、
前記放電セル内に配置された蛍光体層と、
前記放電セル内に注入された放電ガスとを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記絶縁層は、ポリイミド、ＦＲ−６素材及びガラス繊維強化エポキシから構成された群から選択された少なくとも何れか１つの材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記高誘電率層より大きい耐圧縮性を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記高誘電率層は、高分子材料からなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記高誘電率層は、２乃至４の誘電率及び３０Ｖ／μｍ乃至４００Ｖ／μｍの絶縁耐圧を有する材料からなり、０.１ｍｍ乃至０.５ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記高誘電率層の、少なくとも前記放電セル内の一部を覆うように配置される保護膜を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
互いに上下方向に離隔配置された基板間の放電空間内で、放電を通じて画像を具現するディスプレイパネルに備えられる、前記基板間に上下方向に配置され、内部に放電のための少なくとも２つの電極が上下方向に所定の間隔をもって離隔して埋め込まれた電極埋め込み誘電体壁を製造する方法であって、
基底板を提供する工程と、
前記基底板の少なくとも１つの側面に導伝性材料からなる電極シード層を形成する工程と、
前記電極シード層上に電極を形成するため、レジスト層を形成する工程と、
前記電極シード層を電気メッキして、前記レジスト層が形成されていない領域に電極を形成する工程と、
前記基底板上のレジスト層及び、前記電極シード層の内、前記レジスト層と同じ位置に配置された部分を除去する工程と、
前記基底板の内、放電空間に該当する部分を除去する工程と、
前記電極を誘電体で取り囲む工程とを含むことを特徴とするディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項８】
前記基底板は、ポリイミド、ＦＲ−６素材及びガラス繊維強化エポキシから構成された群から選択された少なくとも何れか１つの材料を含むことを特徴とする請求項７に記載のディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト層は、感光剤からなり、
前記電極シード層の電極が形成される位置に対応するレジスト層を除去する工程は、前記レジスト層を露光及び現像することによって行われることを特徴とする請求項７に記載のディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項１０】
前記基底板の両面に電極シード層が形成され、前記基底板を提供する工程及びレジスト層を形成する工程の両者の間に、
前記基底板に少なくとも１つのスルーホールを形成する工程と、前記スルーホールの内側面に、前記基底板の上下面に形成された電極シード層の内の１つと連結されるホール対応シード層を形成する工程とを更に含むことを特徴とする請求項７に記載のディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項１１】
前記電極シード層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＰｄから構成された群から選択された何れか１つの材料を含んで形成されることを特徴とする請求項７に記載のディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の構造を有するプラズマディスプレイパネルに備えられる、前方放電電極及び後方放電電極が埋め込まれた誘電体壁を製造する方法であって、
絶縁層を提供する工程と、
前記絶縁層の両面に導伝性材料からなる電極シード層を形成する工程と、
前記電極シード層上の、前方放電電極及び後方放電電極が形成されない位置にレジスト層を形成する工程と、
前記電極シード層の両面を電気メッキして、前記レジスト層が形成されていない領域に前方放電電極及び後方放電電極を形成する工程と、
前記絶縁層の両面に存在するレジスト層及び前記電極シード層の内、前記レジスト層と同じ位置に配置された部分を除去する工程と、
前記絶縁層の内、放電空間に該当する部分を除去する工程と、
前記絶縁層、前記電極シード層及び、前記前方放電電極及び前記後方放電電極を、高誘電率層で取り囲んで埋め込む工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層は、ポリイミド、ＦＲ−６素材及びガラス繊維強化エポキシから構成された群から選択された少なくとも何れか１つの材料を含むことを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項１４】
前記レジスト層は、感光剤からなり、
前記電極シード層の電極が形成される位置に対応するレジスト層を除去する工程は、前記レジスト層を露光及び現像することによって行われることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項１５】
前記電極シード層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＰｄから選択された何れか１つの材料を含んで形成されることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項１６】
前記高誘電率層は、２乃至４の誘電率及び３０Ｖ／μｍ乃至４００Ｖ／μｍの絶縁耐圧を有する材料からなり、前記誘電体壁を形成する工程は、前記高誘電率層を、０.１ｍｍ乃至０.５ｍｍの厚さで、前記基底板、前記電極シード層及び、前記前方放電電極及び前記後方放電電極を取り囲むように形成することを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【請求項１７】
前記高誘電率層の、少なくとも放電セルと隣接した側部に保護膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ用電極埋め込み誘電体壁の製造方法に係り、更に詳細には、パネルの輝度及び放電効率に優れた構造を有し、放電セル以外の領域に配置された電極を埋め込む誘電体壁の構造の向上したプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）と、ディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法と、前記ＰＤＰ用電極埋め込み誘電体壁の製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、従来の陰極線管ディスプレイ装置を代替するものとして注目されているＰＤＰは、複数の電極が形成された２つの基板の間に放電ガスが封入された後、放電電圧が加えられ、これによって発生する紫外線により、所定のパターンで形成された蛍光体が励起されて可視光を放出することによって、所望の画像を得る装置である。
【０００３】
従来の一般的な交流面放電タイプのＰＤＰは、前面基板と、前記前面基板上に配置された維持電極と、前記維持電極を覆う前面誘電体層と、前記前面誘電体層を覆う保護層と、前記前面基板に対向して配置される背面基板と、前記背面基板上に互いに平行に配置されたアドレス電極と、前記アドレス電極を覆う背面誘電体層と、前記背面誘電体層上に形成された隔壁と、背面誘電体層の上面及び隔壁の側面に形成された蛍光体層とを備える。
【０００４】
ところが、前記の従来のＰＤＰでは、放電空間の蛍光体層から発光された可視光線が通過する前面基板上に、維持電極、前記維持電極上に順次形成された前面誘電体層及び保護層が存在している。このような要素によって可視光線の透過率が約６０％になる重大な問題点を有している。
【０００５】
また、放電を起こす維持電極が、放電空間の上面、すなわち、可視光線が通過する前面基板の内側面に形成されていることによって、放電が前記前面基板の内側面から発生して広がるので、発光効率が低くなるという本質的な問題点を有している。
【０００６】
このような問題点を解決するために、特許文献１に開示されたＰＤＰ１０は、互いに上下方向に離隔配置された前面基板２０及び背面基板３０の間に、これらと共に放電セル５０を画定する、誘電体から形成された上側隔壁４０と、前記放電セル５０を取り囲むように上側隔壁４０内に互いに離隔して配置された上側放電電極４３及び下側放電電極４４とを備える。すなわち、上側隔壁４０が放電空間ではない隣接する放電セルの間に上下方向に配置され、前記上側隔壁４０内に上側放電電極４３及び下側放電電極４４が離隔配置される。
【０００７】
これにより、前面基板２０上に電極、前面誘電体層、保護層等が存在する必要がなくなって、パネルの開口率が画期的に向上する。また、放電を起こす上側放電電極４３及び下側放電電極４４が放電空間の側面に配置されて、放電面積が拡大して発光効率が向上する。前記上側隔壁４０の側面には、保護膜４９が塗布されうる。
【０００８】
一方、前記背面基板３０上には、アドレス電極３３と、前記アドレス電極３３を覆う背面誘電体層３５と、前記背面誘電体層３５上に形成された下側隔壁３７と、背面誘電体層３５の上面及び下側隔壁３７の側面に形成された蛍光体層３８とを備える。
【０００９】
この場合、従来は、前記構造を有する上側隔壁４０は、誘電体からなる複数の隔壁部が積層されて形成される。すなわち、図２に示すように、１つの上側隔壁４０は、１層隔壁部４０ａ、２層隔壁部４０ｂ、３層隔壁部４０ｃが前面基板２０から順に積層されて形成されうる。この場合、前記１層隔壁部４０ａ、２層隔壁部４０ｂ、３層隔壁部４０ｃは、誘電体から形成される。
【００１０】
前記上側隔壁４０の製造工程を簡単に説明すれば、前面基板２０の下面に１層隔壁部４０ａを形成させる。その後、前記上側放電電極４３をプリンティング方式で前記１層隔壁部４０ａ上に形成させた後、２層隔壁部４０ｂを前記上側放電電極４３を埋め込むように形成する。その後、前記２層隔壁部４０ｂ上にプリンティング方式で下側放電電極４４を形成させ、３層隔壁部４０ｃを下側放電電極４４を埋め込むように形成することによって、上側放電電極４３及び下側放電電極４４を埋め込む上側隔壁４０が製造される。この場合、前記上側隔壁４０の１層隔壁部４０ａ、２層隔壁部４０ｂ及び３層隔壁部４０ｃをそれぞれ形成するためには、誘電体ペーストを所定の形状にパターニングする工程にてパターニングを実行し、かつ前記パターニング工程で、必ずペースト内の樹脂成分を消失させるために焼成処理を行わねばならない。
【００１１】
ところが、前記焼成温度は、５００℃以上であり、したがって、前記上側隔壁４０が焼成温度に耐えるためには、その材料が制限される。すなわち、上側隔壁４０の主成分は、例えば、従来の前面誘電体層の材料であるＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の材料からならねばならない。このような材料は、誘電率が約８乃至１２であって、これにより、導電率を適正な手段に合わせるためには、厚さが一定のレベル以上、例えば、約８０〜１２０μｍと厚くする必要がある。これにより、上側隔壁の製造コストが上昇し、放電空間が小さくなる。
【００１２】
また、前記上側放電電極４３及び下側放電電極４４は、プリンティング方式で製作されるため、電極幅が、例えば、約６０μｍ以上であって、その微細化に限界があり、その電極の高さも大きくすることができないという問題点がある。
【００１３】
一方、前記上側隔壁４０は、シート状に製造されうる。この場合には、上側隔壁４０の原材料の内、放電空間に対応する部分を機械的なドリルによって除去することによって、上側隔壁４０を製作する。機械的ドリルを利用することによって、製造時間が長くなって生産性が低下する。
【００１４】
【特許文献１】韓国特許出願公開第２００５−０１１３５３３明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであって、放電空間が拡大し、かつパネルの透光率に優れた構造を有するＰＤＰに備えられた誘電体壁に埋め込まれた電極の高さ及び前記電極を埋め込む誘電体層の厚さを調節できる構造を有するＰＤＰと、前記ＰＤＰ用電極埋め込み誘電体壁の製造方法と、ディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法とを提供することを目的とする。
【００１６】
本発明の他の目的は、前記電極及びそれを埋め込む誘電体層を製造する工程が簡単で、かつ信頼性に優れており、製造コストが低減するディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法及び該方法を採用するディスプレイパネル及びＰＤＰを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
したがって、本発明の１つの特徴は、前面基板と、前記前面基板から上下方向に離隔配置された背面基板と、前記前面基板及び背面基板の間で上下方向に互いに離隔配置された前方放電電極及び後方放電電極を備える電極群と、前記前面基板及び前記背面基板の間に上下方向に配置され、かつ前記前方放電電極及び前記後方放電電極の間に配置された絶縁層と、少なくとも前記前方放電電極及び後方放電電極を取り囲むように形成された高誘電率層と、前記高誘電率層によって少なくとも一部が取り囲まれた放電セルと、前記放電セル内に配置された蛍光体層と、前記放電セル内に注入された放電ガスとを備えるＰＤＰを提供する。
【００１８】
前記絶縁層は、ポリイミド、ＦＲ−６素材及びガラス繊維強化エポキシから構成された群から選択された少なくとも何れか１つの材料を含みうる。
【００１９】
また、前記絶縁層は、前記高誘電率層より大きい耐圧縮性を有しうる。
【００２０】
前記高誘電率層は、２乃至４の誘電率及び３０Ｖ／μｍ乃至４００Ｖ／μｍの絶縁耐圧を有する材料からなり、０.１ｍｍ乃至０.５ｍｍの厚さを有しうる。
【００２１】
一方、本発明の他の特徴として、互いに上下方向に離隔配置された基板間の放電空間内で、放電を通じて画像を具現するディスプレイパネルに備えられる、前記基板間に上下方向に配置され、内部に放電のための少なくとも２つの電極が上下方向に所定の間隔をもって離隔して埋め込まれた電極埋め込み誘電体壁を製造する方法であって、基底板を提供する工程と、前記基底板の少なくとも１つの側面に導伝性材料からなる電極シード層を形成する工程と、前記電極シード層上に電極を形成するため、レジスト層を形成する工程と、前記電極シード層を電気メッキして、前記レジスト層が形成されていない領域に電極を形成する工程と、前記基底板上のレジスト層及び、前記電極シード層の内、前記レジスト層と同じ位置に配置された部分を除去する工程と、前記基底板の内、放電空間に該当する部分を除去する工程と、前記電極を誘電体で取り囲む工程とを含むディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法を提供する。
【００２２】
この場合、前記レジスト層は、感光剤からなり、前記電極シード層の電極が形成される位置に対応するレジスト層を除去する工程は、前記レジスト層を露光及び現像することによって行われうる。
【００２３】
また、前記基底板の両面に電極シード層が形成され、前記基底板を提供する工程及びレジスト層を形成する工程の両者の間に、前記基底板に少なくとも１つのスルーホールを形成する工程と、前記スルーホールの内側面に、前記基底板の上下面に形成された電極シード層の内の１つと連結されるホール対応シード層を形成する工程とを更に含みうる。
【００２４】
また、前記電極シード層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＰｄから構成された群から選択された何れか１つの材料を含んで形成されうる。
【００２５】
一方、本発明の更に他の特徴として、前記構造を有するプラズマディスプレイパネルに備えられる、前方放電電極及び後方放電電極が埋め込まれた誘電体壁を製造する方法であって、絶縁層を提供する工程と、前記絶縁層の両面に導伝性材料からなる電極シード層を形成する工程と、前記電極シード層上の前方放電電極及び後方放電電極が形成されない位置にレジスト層を形成する工程と、前記電極シード層の両面を電気メッキして、前記レジスト層が形成されていない領域に前方放電電極及び後方放電電極を形成する工程と、前記絶縁層の両面に存在するレジスト層及び前記電極シード層の内、前記レジスト層と同じ位置に配置された部分を除去する工程と、前記絶縁層の内、放電空間に該当する部分を除去する工程と、前記絶縁層、前記電極シード層及び、前方放電電極及び後方放電電極を、高誘電率層で取り囲んで埋め込む工程とを含むＰＤＰ用電極埋め込み誘電体壁の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、電極及びそれを埋め込んだ誘電体壁が、ＰＤＰの内部から発生した可視光線が外部に透過される領域に位置しないことによって、パネルの透光性が向上し、消費電力が低減し、かつ放電空間が拡大する。したがって、パネルの効率が向上する。
【００２７】
また、前記電極を埋め込んだ誘電体壁が、焼成工程を経ずに形成され、誘電体壁内に埋め込まれた電極が、メッキ工程を経て形成されることから、誘電体壁の材料の選択幅が広くなって、製造コストが低減し、製造工程が単純化される。
【００２８】
また、誘電体壁の厚さを縮小しうるので、ディスプレイパネルの放電空間が拡大し、パネルの輝度が上昇し、かつ消費電力が低減して、パネルの効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００３０】
図３は、本発明の一実施形態に係るＰＤＰを部分的に切り取った分解斜視図であり、図４は、図３に示すＰＤＰの電極群及び絶縁層の配置を示す斜視図であり、図５は、図３のＶ−Ｖ線による断面図であり、図６は、図３のＶＩ−ＶＩ線による断面図である。
【００３１】
図３乃至図６に示すように、本発明の実施形態に係るＰＤＰ１００は、前面基板１２０と、背面基板１３０と、電極群１５０と、少なくとも１つの誘電体壁１４０と、蛍光体層１３９と、放電セル１６０と、放電ガス（図示せず）とを備える。
【００３２】
前面基板１２０は、これを通じて可視光が外部に放出される。したがって、前面基板１２０は、透光性材料からなり、この場合、前面基板１２０は、透明な材料から形成されることが望ましい。背面基板１３０は、前記前面基板１２０から上下方向に離隔されたものであって、少なくともその一部が、前記前面基板１２０とオーバーラップされるように配置されうる。
【００３３】
誘電体壁１４０は、前記前面基板１２０及び背面基板１３０の間に配置される。この場合、前記誘電体壁１４０は、前記前面基板１２０及び背面基板１３０と共に放電セル１６０を画定できる。前記誘電体壁１４０は、図３に示すように、円形に配置されて円形の放電セル１６０を画定でき、その他にも、蛇行状、デルタ形、六角形、蜂の巣状、格子形等の多様な形態の実施形態が可能である。また、誘電体壁１４０によって画定された放電セル１６０は、円形以外にも他の多角形、デルタ形、蛇行状等、放電セル１６０を画定できる構造ならば、いかなるものでも可能である。
【００３４】
前記誘電体壁１４０は、放電セル１６０の間に誤放電が起こることを防止する機能と共に、放電時に陽イオンまたは電子が前方放電電極及び後方放電電極を損傷させることを防止する機能を行う。前記誘電体壁１４０は、絶縁層１４２及び高誘電率層１４４を備える。絶縁層１４２は、後述するように、前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３の間に配置され、高誘電率層１４４は、少なくとも前記前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３を取り囲むように形成される。
【００３５】
前記高誘電率層１４４の内部には、電極群１５０が埋め込まれている。この電極群１５０は、上下方向に互いに離隔して配置された前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３を備える。
【００３６】
この場合、前記前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３は、互いに交差して配置されうる。すなわち、前方放電電極１５２は、一列の放電セル１６０に沿って延び、前記後方放電電極１５３は、前記前方放電電極１５２が沿う放電セル１６０の列に交差する他の一列の放電セル１６０に沿って延びることがあり、この場合、前記前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３の内の１つは、走査電極の機能を行い、他の１つは、共通電極の機能を行える。これと同時に、前記前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３の内の１つは、アドレス放電を起こすアドレス電極の機能を行える。
【００３７】
これと異なり、図４に示すように、前記前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３が互いに平行に一方向に延びうる。この場合、図３に示すように、前記前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３と交差するようにアドレス電極１３３が延設されうる。この場合、アドレス電極１３３は、前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３の間の維持放電を更に容易にするためのアドレス放電を起こすためのものであって、更に具体的には、維持放電が開始される電圧を下げる役割を行う。
【００３８】
この場合、アドレス放電は、走査電極及びアドレス電極の間で起こる放電であって、アドレス放電が終了すれば、走査電極側に陽イオンが蓄積されて、共通電極側に電子が蓄積され、これにより、走査電極及び共通電極の間の維持放電が更に容易になる。
【００３９】
前記アドレス電極１３３は、背面基板１３０の１つの側面に配置され、背面誘電体層１３５によって埋め込まれうる。
【００４０】
前記のように、電極群１５０は、前記高誘電率層１４４内に配置されるので、可視光線が進行する経路である光路上に位置しない。したがって、可視光線の透過を考慮する必要がない。したがって、前記電極群１５０をなす電極が透明なインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）電極から形成される必要はなく、電気伝導度の良いＡｇ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することができる。したがって、ＩＴＯ電極による画面不均一及び製造コストの上昇を予防することができる。
【００４１】
また、前記電極群１５０は、従来の交流型ＰＤＰと異なり、誘電体壁１４０内に配置されるので、可視光線の進行経路である光路上に存在しないため、電極の存在によって可視光線が遮断されず、それによって輝度が上昇する。
【００４２】
前記誘電体壁１４０は、その内部に配置された電極にパルス電圧が印加される場合、荷電粒子を誘導して放電に参加する壁電荷を誘導することによって、メモリ効果による駆動を可能にし、電極群１５０等が、放電時に加速される荷電粒子の衝突によって損傷されることを保護する役割を行う。
【００４３】
前記背面基板１３０及び誘電体壁１４０の間には、隔壁１３７が形成されうる。この場合、前記隔壁１３７は、前記誘電体壁１４０と共に放電セル１６０を区画できる。前記隔壁１３７は、Ｐｂ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ及びＯのような元素を含むガラス成分等から形成され、ここに必要に応じて、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３のようなフィラーと、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＴｉＯ２のような顔料とが含まれても良い。
【００４４】
前記隔壁１３７の側面及び前記隔壁１３７が形成されていない背面誘電体層１３５の上面に蛍光体層１３９が配置されうる。しかし、前記蛍光体層１３９の位置は、これに限定されるものではなく、前面基板１２０の下面及び誘電体壁１４０の側面等に配置されても良く、これと異なる位置でも、放電セル１６０内にイオンの放電によって発生した紫外線が衝突して可視光線を放出できる位置ならば、前記蛍光体層１３９が配置されうる。
【００４５】
前記誘電体壁１４０の表面には、放電セル１６０の４つの側面に沿って前面基板１２０の内部で生成されたイオンが、表面との相互作用によって２次電子を放出できるように保護膜１４８が形成されている。前記保護膜１４８は、各放電セル別に塗布されていても良く、図示されてはいないが、誘電体壁１３０の後面まで覆っても良い。前記保護膜１４８は、ＭｇＯ等を利用して、蒸着等の方法により配置され、可視光線が進行する光路上に配置されないので、２次電子放出の特性に優れており、耐久性の強い炭素ナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ：ＣＮＴ）等の材料から前記保護膜１４８を形成しても良い。
【００４６】
一方、前記前面基板１２０及び背面基板１３０、及び誘電体壁１４０によって画定された放電セル１６０内には、ネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）や、ヘリウム（Ｈｅ）−キセノン（Ｘｅ）のような放電ガスが注入されている。
【００４７】
また、放電セル１６０の横断面が閉じられた形状になっておらず、ストライプ状に画定されても良い。しかし、図６に示すように、放電セル１６０の横断面が閉じられた形状になっている場合には、電極が放電セル１６０を取り囲むようにして誘電体壁１４０内に配置されうるので、立体放電を起こして放電量を増大させうるという長所があって、更に望ましい。
【００４８】
前記蛍光体層１３９は、ＰＤＰがカラー画像を具現できるように、赤色発光、緑色発光及び青色発光の蛍光体層に区分され、前記赤色発光、緑色発光及び青色発光の蛍光体層が放電セル１６０の内部に配置されて組み合わせられることによってカラー画像を具現する単位画素を形成できる。
【００４９】
一方、前記高誘電率層１４４は、絶縁層１４２より相対的に誘電率が高い。したがって、前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３に印加された電圧差によってイオンが移動する場合、ほとんどのイオンが、前記前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３の側面に配置された高誘電率層１４４に移動し、絶縁層１４２に移動するイオンの比率が最小限になる。これにより、放電空間内で放電されるイオン数が増加して、放電効率が向上し、前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３の間隔が調節できるので、放電特性が調節可能であり、前記前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３の間の絶縁層１４２がイオンスパッタリング現象によって破損されることを防止できる。
【００５０】
前記絶縁層１４２は、耐圧縮性の材料からなり、これにより、パネルの製造時に、前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３の内の１つが、重力によってこれと隣接した放電電極と適正のレベル以上に近接することを防止できる。
【００５１】
この場合、前記絶縁層１４２は、有機材料からなりうる。前記有機材料の例としては、ポリイミド、ＦＲ−６素材又はガラス繊維強化エポキシであっても良いが、前記材料は、半導体パッケージでリードフレームの基底層を形成できる材料である。絶縁層１４２が有機材料からなりうる理由の１つは、前方放電電極１５２及び後方放電電極１５３、及びこれらを埋め込む誘電体壁１４０が焼成加工なしに製造されうるためであり、これについては後述する。
【００５２】
前記絶縁層１４２が有機材料からなることによって、製造コストが低減する。また、前記有機材料の延性によって外部衝撃等のストレスによく耐える。これと共に、前記有機材料に、レーザドリルを使用してホールを形成させることによって、生産性が向上する。
【００５３】
一方、前記絶縁層１４２は、０.０１ｍｍ乃至１ｍｍの厚さに形成されうる。
【００５４】
前記高誘電率層１４４は、高分子材料から形成されうる。前記高分子材料は、誘電率が高いため、その厚さを縮小させることができ、柔軟性が優秀であるという長所がある。この場合、前記高誘電率層１４４は、２乃至４の誘電率及び０.１ｍｍ乃至０.５ｍｍの厚さを有することが望ましい。これと共に、高誘電率層１４４が、３０Ｖ／μｍ乃至４００Ｖ／μｍの絶縁耐圧を有することによって、前記薄い厚さに対して絶縁破壊を防止することができる。高誘電率層１４４が高分子材料からなりうる理由の１つは、前記高誘電率層１４４が、焼成加工なしに製造されうるためであり、これについては後述する。
【００５５】
図４に示すように、前記高誘電率層１４４の前面及び後面が扁平な形状を有しうる。これと異なり、図７に示すように、前記高誘電率層１４４が、コーティング等の工程を通じて全体的に同じ厚さに形成されることによって、前記電極群１５０の形成如何によってくぼみがつけられるように形成されても良い。
【００５６】
以下では、前記のＰＤＰの電極群１５０及びそれらを埋め込む誘電体壁を製造する方法について説明する。ここで、電極埋め込み誘電体壁の製造方法は、説明の便宜のために、ＰＤＰに備えられた誘電体壁について説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、互いに上下方向に離隔配置された基板間の放電セル内で電子を移動させて画像を具現するディスプレイパネルとして、前記基板の間に上下方向に配置し、その内部に前記電子を移動させるための少なくとも２つの電極が上下方向に離隔して埋め込まれた電極埋め込み誘電体壁１４０を備えるならば、本発明の製造方法が使用されうる。
【００５７】
図８は、本発明の実施形態に係るディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法を示すフローチャートである。図８に示すように、電極埋め込み誘電体壁の製造方法は、基底板を提供する工程（Ｓ１０）と、前記基底板の少なくとも１つの側面に金属材料の電極シード層を形成する工程（Ｓ２０）と、前記電極シード層上に電極を形成するため、レジスト層を形成する工程（Ｓ３０）と、前記電極シード層を電気メッキして、前記レジスト層が形成されていない領域に電極を形成する工程（Ｓ４０）と、前記レジスト層及び前記レジスト層の下部に位置した電極シード層を除去する工程（Ｓ５０）と、前記基底板の内、放電空間に該当する部分を除去する工程（Ｓ６０）と、前記基底板、電極シード層及び電極を誘電体で埋め込む工程（Ｓ７０）とを含む。
【００５８】
図９乃至図１６は、ディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法の各工程を示す断面図である。図９乃至図１６を参照して、各工程について詳細に説明する。まず、図９に示すように、基底板２４２を提供する工程を経る。もし、本発明によって製造される電極埋め込み誘電体壁２４０（図１５を参照）が、図３乃至図８に示すＰＤＰ１００に備えられた電極埋め込み誘電体壁１４０であれば、前記基底板２４２は、前記ＰＤＰの絶縁層１４２の原材料層である。
【００５９】
前記基底板２４２は、印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）の原材料層であって、有機材料からなりうる。前記基底板２４２が有機材料からなることによって、誘電体壁の延性が大きくなって、外部ストレスに対して強くなり、材料コストが安いため、製造コストの低減にも有利である。この場合、前記基底板２４２の材料の例としては、ポリイミド、ＦＲ−６素材及びガラス繊維強化エポキシから構成された群から選択された少なくとも何れか１つの材料を含みうる。一方、本発明に備えられた基底板２４２の材料は、前記有機材料に限定されるものではなく、セラミック材料等、印刷回路基板（ＰＣＢ）の原材料層となる材料ならば、本発明に含まれる。
【００６０】
前記基底板２４２は、誘電率及び延性等を考慮して選択可能である。この場合、前記基底板２４２は、後述する誘電体より誘電率が低いことが望ましいが、これは、電極から発生するイオンが放電空間に移動する量を最大限にするためである。また、前記基底板２４２の材料は、耐圧縮性に優れていることが望ましいが、これは、前記基底板２４２を挟んで隣接した電極が、重力等の圧縮力によって適正の間隔以上に近接することを防止するためである。前記基底板２４２が有機材料からなることによって、その厚さが、０.０１ｍｍ乃至１ｍｍまで適用可能である。
その後、図１０に示すように、前記基底板２４２の少なくとも１つの側面に導伝性材料で電極シード層２５１を形成する工程を経る。前記電極シード層２５１は、金属であっても良く、その例として、電極シード層２５１が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ又はＰｄの内の少なくとも１つの材料でありうる。
【００６１】
前記電極埋め込み誘電体壁が、図３乃至図８に示すＰＤＰ１００に備えられた電極埋め込み誘電体壁１４０と同じ構造を有するならば、基底板２４２の両面に導伝性材料で電極シード層２５１が形成されても良く、これにより、前記基底板２４２の上下面に電極２５２、２５３（図１２を参照）がそれぞれ配置されうる。この場合、本発明によって製造される電極２５２、２５３が、ＰＤＰに備えられた電極であれば、上面電極シード層２５１ａは、前方放電電極１５２のシード層であり、下面電極シード層２５１ｂは、後方放電電極１５３のシード層でありうる。
【００６２】
その後、図１１Ａ乃至図１１Ｃに示すように、前記電極シード層２５１上の電極２５２、２５３（図１２を参照）が形成されない位置にレジスト層２７０を形成する工程を経る。この場合、前記電極が形成されない位置とは、前記ＰＤＰを例とすれば、放電空間及び誘電体隔壁内の前方放電電極２５２及び後方放電電極２５３が形成されていない位置を意味する。
【００６３】
前記レジスト層２７０は、感光剤からなり、前記レジスト層２７０を現像及び露光することによって、レジスト層２７０に一定のパターンをなして形成されうる。すなわち、図１１Ａに示すように、前記基底板２４２の電極シード層２５１が形成された面を感光剤（レジスト層２７０）で塗布する工程と、図１１Ｂに示すように、前記感光剤２７０の内、電極が形成される部分２７０ａ又は電極が形成されない部分２７０ｂの内の１つを選択して外部に露出させる工程と、図１１Ｃに示すように、感光剤２７０の内、電極が形成される領域に対応するものを除去する工程とを経ることによって形成されうる。この場合、前記感光剤は、ＤＦＲ（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔ）でありうるが、このＤＦＲは、ＰＣＢ又はリードフレーム等、高密度、高集積回路基板を製造するときに使用される感光性材料である。これと異なり、前記感光剤が、カゼイン素材からなっても良く、他の材料からなっても良い。
【００６４】
この場合、前記電極２５０（図１２を参照）が、前記基底板２４２の両側に配置される場合、基底板２４２を中心に上面に配置された電極シード層２５１ａ及び下面に配置された電極シード層２５１ｂは、互いに同じ方向に延設されても良く、これと異なり、互いに交差する方向に延設されても良い。
【００６５】
その後、図１２に示すように、前記電極シード層２５１を電気メッキして、前記レジスト層２７０が形成されていない領域に電極２５０を形成する工程を経る。
【００６６】
前記メッキ工程を通じて電極２５０を形成することによって、電極の厚さの内、基底板２４２に垂直方向の厚さを大きくすることができる。すなわち、図３乃至図８に示すＰＤＰを例とすれば、誘電体壁１４０内に埋め込まれた前方放電電極１５２又は後方放電電極１５３の厚さが約３０μｍである。ところが、従来のプリンティング工程で電極を形成させる場合、前記高さまで一度にプリンティングされないことによって、１０μｍずつプリンティングを繰り返して電極を形成させる。これにより、電極製造工程が複雑になり、製造コストも上昇し、ピクセル数が減少することによって、電極幅の縮小に限界がある。しかし、本発明によれば、メッキ工程で３０μｍ厚さの電極を一度に形成させることによって、製造工程が簡単で、かつ製造コストが低減し、信頼性の高い電極を形成しうる。
【００６７】
その後、図１３に示すように、前記基底板２４２上に存在するレジスト層２７０及び前記レジスト層２７０と同じ位置に配置された電極シード層２５１を除去する工程を経る。この場合、まず、レジスト層２７０を剥離して除去し、これにより、外部に露出された電極シード層２５１をエッチングで除去する。
【００６８】
その後、図１４に示すように、基底板２４２の内、放電空間に該当する部分をドリル等の貫通手段で貫通させて除去する工程を経る。基底板２４２が有機材料等の印刷回路基板材料からなることによって、レーザドリルでホールを形成しうるが、これにより、機械ドリルを使用することに比べて生産性が向上する。
【００６９】
その後、図１５及び１６に示すように、残存する基底板２４２、電極シード層２５１及び電極２５０を、誘電体２４４で埋め込む工程を含む。前記誘電体層２４４は、放電時、陽イオンまたは電子が前記電極を損傷させることを防止する機能を行い、電荷を誘導できる誘電体として形成される。もし、図３乃至図８に示すＰＤＰ１００の場合には、前記誘電体２４４が高誘電率層１４４である。
【００７０】
この場合、前記誘電体２４４は、２乃至４の誘電率及び３０Ｖ／μｍ乃至４００Ｖ／μｍの絶縁耐圧を有する材料からなり、前記誘電体２４４を形成する工程は、前記誘電体を、０.１ｍｍ乃至０.５ｍｍの厚さで、前記基底板２４２、電極シード層２５１及び電極２５０を取り囲むように形成できる。これは、本発明によって製造された誘電体壁２４０が、前記のように焼成工程を経る必要が無いことによって、誘電体２４４の材料の選択幅が広くなる。これにより、従来技術に比べて誘電体壁の厚さを縮小しうるので、相対的に放電空間が大きくなり、電極間の伝導率が向上して、消費電圧が低下する。これにより、本発明によって製造された誘電体壁は、微細ピクセルを有するディスプレイパネルに採用される場合、更に効果が向上する。
【００７１】
この場合、図１５に示すように、誘電体２４４が同じ厚さで電極２５０及び基底板２４２をコーティングしても良く、これと異なり、図１６に示すように、誘電体２４４の高さが何れも同じになるように形成されても良く、又は、放電空間に対応する基底板及び前記電極のみを取り囲むように形成されても良い。
【００７２】
その後、図示されてはいないが、誘電体２４４の放電空間に対応する少なくとも側面に保護膜を形成する工程を経ることができる。
【００７３】
本発明の製造方法によれば、前記誘電体壁２４０は、前面基板１２０（図３を参照）及び背面基板１３０（図４を参照）とは別の工程で形成されうる。この場合、電極１５０及び前記電極１５０を埋め込む誘電体壁１４０等が、画像が具現される前面基板１２０（図３を参照）上に形成されないことによって、前面基板及び誘電体壁１４０の結合にかかる時間を短縮する。
【００７４】
一方、前記基底板２４２の上下面に電極シード層２５１が形成される場合、前記電極シード層２５１上にそれぞれ形成される電極２５２、２５３が同じ高さで外部端子と連結されることが望ましい。したがって、本発明は、図１７Ａに示すように、前記基底板２４２の上下を貫通するスルーホール２４３を形成する工程と、図１７Ｂに示すように、前記スルーホール２４３の内側面に前記基底板２４２の上下面に形成された電極シード層２５１の内の１つと連結されるホール対応シード層２５６を形成する工程とを更に含みうる。この場合、前記スルーホール２４３の内側面にホール対応シード層２５６を形成する工程は、前記基底板２４２を無電解メッキすることによって行われうる。
【００７５】
その後、図１７Ｃに示すように、無電解メッキを通じて前記スルーホール２４３の内部に電極２５０を形成しうる。これは、図１７Ｃを例として、前記ホール対応シード層が前記上面電極シード層２５１ａと接着するように形成され、基底板２４２の前記上下面に配置された電極２５２、２５３をそれぞれの外部端子と連結させるため、したがって、以後に上面電極が、前記スルーホール２４３に沿って基底板２４２の下側に延びて、外部端子と連結されうる。この場合、スルーホール２４３を形成した後に、ホール対応シード層２５６を形成するのに先立ち、スルーホール２４３内の残物や異物等を除去するために、デスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）工程を追加しうる。
【００７６】
本発明は、図面に示す実施形態を参考として説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、ＰＤＰに関連した技術分野に好適に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】従来のＰＤＰを分離して示す分解斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るＰＤＰを分離して示す分解斜視図である。
【図４】図３に示すＰＤＰの電極群及び誘電体壁の配置を示す斜視図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線による断面図である。
【図６】図３のＶＩ−ＶＩ線による断面図である。
【図７】図４の変形例を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施態様に基づくディスプレイパネル用電極埋め込み誘電体壁の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図８の各工程を示す断面図であって、基底板を提供する工程を示す断面図である。
【図１０】図８の各工程を示す断面図であって、基底板の少なくとも１つの側面に導伝性材料で電極シード層を形成する工程を示す断面図である。
【図１１Ａ】図８の各工程を示す断面図であって、電極シード層上の電極が形成されない位置にレジスト層を形成する工程を示す断面図である。
【図１１Ｂ】図８の各工程を示す断面図であって、電極シード層上の電極が形成されない位置にレジスト層を形成する工程を示す断面図である。
【図１１Ｃ】図８の各工程を示す断面図であって、電極シード層上の電極が形成されない位置にレジスト層を形成する工程を示す断面図である。
【図１２】図８の各工程を示す断面図であって、電極シード層を電気メッキして、レジスト層が形成されていない領域に電極を形成する工程を示す断面図である。
【図１３】図８の各工程を示す断面図であって、基底板上に存在するレジスト層及び前記レジスト層と同じ位置に配置された電極シード層を除去する工程を示す断面図である。
【図１４】図８の各工程を示す断面図であって、基底板中の放電空間に該当する部分を除去する工程を示す断面図である。
【図１５】図８の各工程を示す断面図であって、残存する基底板と、電極シード層と、電極とを誘電体で埋め込む工程を示す断面図である。
【図１６】図８の各工程を示す断面図であって、図１５の変形例を示す断面図である。
【図１７Ａ】基底板にスルーホールが形成される場合の誘電体壁の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図１７Ｂ】基底板にスルーホールが形成される場合の誘電体壁の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【図１７Ｃ】基底板にスルーホールが形成される場合の誘電体壁の製造方法の一部の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１００  ＰＤＰ
１２０  前面基板
１３０  背面基板
１３３  アドレス電極
１３９  蛍光体層
１４８  保護膜
１４０、２４０  誘電体壁
１４２  絶縁層
１４４  高誘電率層
１５０  電極群
１５２  前方放電電極
１５３  後方放電電極
１６０、２６０  放電セル
２４２  基底板
２４３  スルーホール
２４４  誘電体
２５１  電極シード層
【図１】
2007234594.tif 000003
【図２】
2007234594.tif 000004
【図３】
2007234594.tif 000005
【図４】
2007234594.tif 000006
【図５】
2007234594.tif 000007
【図６】
2007234594.tif 000008
【図７】
2007234594.tif 000009
【図８】
2007234594.tif 000010
【図９】
2007234594.tif 000011
【図１０】
2007234594.tif 000012
【図１１Ａ】
2007234594.tif 000013
【図１１Ｂ】
2007234594.tif 000014
【図１１Ｃ】
2007234594.tif 000015
【図１２】
2007234594.tif 000016
【図１３】
2007234594.tif 000017
【図１４】
2007234594.tif 000018
【図１５】
2007234594.tif 000019
【図１６】
2007234594.tif 000020
【図１７Ａ】
2007234594.tif 000021
【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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