(57)【要約】【課題】チップを搭載する基板の小型化を妨げることなく、内部信号の観測を容易に行える構成の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ５は、内部信号を出力するため、又は該内部信号を出力するために必要な信号を入力するための電極端子７ａと、半導体チップとしての機能を実現するための動作信号を出力するため、又は該動作信号を出力するために必要な信号を入力するための電極端子７ｂとを基板６との接合面とは異なる面に備え、電極端子７ａは、基板６上に設置されたリードフレーム１１と基板６内部の配線１０を介することなく電気的に接続されており、電極端子７ｂは、基板６上に設置された電極端子９とワイヤ８を介して接続され、基板６に設けられた外部電極端３子とは基板６内部の配線１０を介して電気的に接続されており、リードフレーム１１は、樹脂２を貫通しており、上端部には外部電極端子４が設けられている。【選択図】図１
2007234845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に半導体チップが搭載された基板の該半導体チップが搭載された側の面を樹脂によって封止した半導体装置であって、
前記半導体チップは、内部信号を出力するため、又は該内部信号を出力するために必要な信号を入力するための第１の内部電極端子と、半導体チップとしての機能を実現するための動作信号を出力するため、又は該動作信号を出力するために必要な信号を入力するための第２の内部電極端子とを前記基板との接合面とは異なる面に備え、
前記第１の内部電極端子は、前記基板上に設置された導電性部材と該基板内部の配線を介することなく電気的に接続されており、
前記第２の内部電極端子は、前記基板上に設置された基板電極端子とワイヤを介して接続され、前記基板に設けられた外部電極端子とは該基板内部の配線を介して電気的に接続されており、
前記導電性部材は、前記樹脂を貫通しており、上端部には内部検査用電極端子が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
一方の面に半導体チップが搭載された基板の該半導体チップが搭載された側の面を樹脂によって封止した半導体装置であって、
前記半導体チップは、内部信号を出力するため、又は該内部信号を出力するために必要な信号を入力するための第１の内部電極端子と、半導体チップとしての機能を実現するための動作信号を出力するため、又は該動作信号を出力するために必要な信号を入力するための第２の内部電極端子とを前記基板との接合面とは異なる面に備え、
前記第１の内部電極端子は、前記半導体チップ上に設置された導電性部材と前記基板を介することなく電気的に接続されており、
前記第２の内部電極端子は、前記基板上に設置された基板電極端子とワイヤを介して接続され、前記基板に設けられた外部電極端子とは該基板内部の配線を介して電気的に接続されており、
前記導電性部材は、前記樹脂を貫通しており、上端部には内部検査用電極端子が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記導電性部材が前記第１の内部電極端子の上に設置されたことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電性部材と前記第１の内部電極端子とがワイヤボンディングによって接続されたことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電性部材は、帯状の部材が側面視略Ｌ字形状に折り曲げられて所定の位置に設置され、前記内部電極端子とワイヤボンディングされた後で前記上端部がさらに折り曲げられて側面視略コの字形状に成型されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記外部電極端子の上に絶縁層が剥離可能に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記外部電極端子は、球状であり、前記基板の前記樹脂によって封止されていない側の面に形成されたＢＧＡ型であることを特報とする請求項１から６のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記外部電極端子は針状であり、前記基板の前記樹脂によって封止されていない側の面に形成されたＰＧＡ型であることを特報とする請求項１から６のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記基板が、側面に前記外部電極端子を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、パッケージの面積を増大させることなく、内部信号の観測を容易に行える構成とした半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の外部電極端子は、プリント基板を介して他のＬＳＩやコネクタなどと接続するための目的を持つ信号の他に、ＬＳＩ自身が正常に動作しているかを観測するためのＬＳＩ内部の信号を出力するために用いられることもある。
【０００３】
例えば、ＬＳＩパッケージの内部が、ＣＰＵを含むＡＳＩＣから構成される機能ブロックと、メモリから構成される機能ブロックとに分けられる場合、ＡＳＩＣがメモリに対してアクセスするための専用信号（アドレスバスやデータバス、リード・ライト信号など）は、本来ＬＳＩ内部で閉じて良い（外部へ出力する必要のない）信号であり、わざわざＬＳＩパッケージの外部電極端子から出力する必要はないが、ＡＳＩＣ−メモリ間の信号が正常であるか否かを確認するために外部電極端子から出力する場合がある。
【０００４】
しかしながら、内部信号をＬＳＩパッケージの外部へ出力することは、外部電極端子が増えることに他ならず、ＬＳＩパッケージの面積が大きくなるというデメリットがある。
【０００５】
特に、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型ＬＳＩパッケージの場合は、外部電極端子をパッケージ裏面に配置しているために、ＬＳＩ内部信号を観測するための外部電極端子用の配線やランドパターンをプリント基板上に形成しなければならなくなり、プリント基板の面積も大きくなるというデメリットがある。
【０００６】
図１７及び図１８に、従来のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの外観及び断面を示す。ＢＧＡ型のＬＳＩパッケージ１’は、基板６の上に半導体チップ５が搭載され、基板６の電極端子９と半導体チップ５の電極端子７とがワイヤ８を介して接続され、これらが樹脂２によって封止された構成である。
【０００７】
図示するように、従来のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージは、プリント基板との接合部である外部電極端子３が全てＬＳＩパッケージの裏面に配置されている。そのため、同面積のＱＦＰ（Quad Flat Package）型ＬＳＩパッケージと比較して外部電極端子の数を多くできるが、その反面、プリント基板実装後に外部電極端子を直接見たり、触れたりすることはできない。
すなわち、プリント基板に実装した後でも電極端子に測定器のプローブを接触させることのできるＱＦＰ型ＬＳＩパッケージとは異なり、従来のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージはプリント基板に実装してしまうと電極端子に測定器のプローブを接触させることはできない。
【０００８】
このため、従来のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージにおいては、ＬＳＩから出力される信号の状態をプリント基板に実装した後で測定器のプローブを用いて観測するためには、外部電極から出力された信号をプリント基板上で観測するしかなく、そのためにプリント基板上に検査用のランドパターンを設けなければならない。これが上記のようなプリント基板の面積の増大を招く原因となっていた。
【０００９】
このような問題を解決するための従来技術として、特許文献１に開示される「半導体装置及び半導体装置ユニット」、特許文献２に開示される「半導体装置」、特許文献３に開示される「マルチチップ半導体装置」、特許文献４に開示される「ＢＧＡ型半導体装置及びＢＧＡモジュール」がある。
各特許文献に開示される発明は、外部電極端子の一部を半導体装置の上面側に配置することによって、プリント基板に実装した後でも半導体装置の内部信号を直接観測できるようにしたものである。
【特許文献１】特開平７−３３５７８３号公報
【特許文献２】特開平８−２７９５７０号公報
【特許文献３】特開平９−８２２０号公報
【特許文献４】特開平９−６９５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１〜４に開示される発明は、いずれもＬＳＩ内部信号を一旦チップから基板へと導いており、基板へ導かれた内部信号は、封止樹脂に設けたスルーホールなどを介して底面側の基板からＬＳＩ上面の電極端子へと送られる。このような構造では、ＬＳＩ内部信号の伝送路となる配線を基板に設けなければならない。すなわち、上記各特許文献に開示される発明では、ＬＳＩパッケージの面積増大は避けられない。
【００１１】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、チップを搭載する基板の小型化を妨げることなく、内部信号の観測を容易に行える構成の半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、第１の態様として、一方の面に半導体チップが搭載された基板の該半導体チップが搭載された側の面を樹脂によって封止した半導体装置であって、半導体チップは、内部信号を出力するため、又は該内部信号を出力するために必要な信号を入力するための第１の内部電極端子と、半導体チップとしての機能を実現するための動作信号を出力するため、又は該動作信号を出力するために必要な信号を入力するための第２の内部電極端子とを基板との接合面とは異なる面に備え、第１の内部電極端子は、基板上に設置された導電性部材と該基板内部の配線を介することなく電気的に接続されており、第２の内部電極端子は、基板上に設置された基板電極端子とワイヤを介して接続され、基板に設けられた外部電極端子とは該基板内部の配線を介して電気的に接続されており、導電性部材は、樹脂を貫通しており、上端部には内部検査用電極端子が設けられているを提供するものである。
【００１３】
本発明の第１の態様においては、導電性部材と第１の内部電極端子とがワイヤボンディングによって接続されることが好ましく、これに加えて、導電性部材は、帯状の部材が側面視略Ｌ字形状に折り曲げられて所定の位置に設置され、内部電極端子とワイヤボンディングされた後で上端部がさらに折り曲げられて側面視略コの字形状に成型されていることがより好ましい。
【００１４】
また、上記目的を達成するため、本発明は、第２の態様として、一方の面に半導体チップが搭載された基板の該半導体チップが搭載された側の面を樹脂によって封止した半導体装置であって、半導体チップは、内部信号を出力するため、又は該内部信号を出力するために必要な信号を入力するための第１の内部電極端子と、半導体チップとしての機能を実現するための動作信号を出力するため、又は該動作信号を出力するために必要な信号を入力するための第２の内部電極端子とを基板との接合面とは異なる面に備え、第１の内部電極端子は、半導体チップ上に設置された導電性部材と基板を介することなく電気的に接続されており、第２の内部電極端子は、基板上に設置された基板電極端子とワイヤを介して接続され、基板に設けられた外部電極端子とは該基板内部の配線を介して電気的に接続されており、導電性部材は、樹脂を貫通しており、上端部には内部検査用電極端子が設けられていることを特徴とする半導体装置を提供するものである。
【００１５】
本発明の第２の態様においては、導電性部材と第１の内部電極端子とがワイヤボンディングによって接続されることが好ましく、これに加えて、導電性部材は、帯状の部材が側面視略Ｌ字形状に折り曲げられて所定の位置に設置され、内部電極端子とワイヤボンディングされた後で上端部がさらに折り曲げられて側面視略コの字形状に成型されていることがより好ましい。又は、導電性部材が第１の内部電極端子の上に設置されることが好ましい。
【００１６】
本発明の第１の態様及び第２の態様の上記のいずれの構成においても、外部電極端子の上に絶縁層が剥離可能に形成されていることが好ましい。
【００１７】
本発明の第１の態様及び第２の態様の上記のいずれの構成においても、外部電極端子は、球状であり、基板の樹脂によって封止されていない側の面に形成されたＢＧＡ型であることが好ましい。又は、外部電極端子は針状であり、基板の樹脂によって封止されていない側の面に形成されたＰＧＡ型であることが好ましい。又は、基板が、側面に外部電極端子を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、チップを搭載する基板の小型化を妨げることなく、内部信号の観測を容易に行える構成の半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
〔第１の実施形態〕
本発明を好適に実施した第１の実施形態について説明する。
図１に、本実施形態にかかるＬＳＩパッケージの外観を示す。ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、樹脂２で封止されており、その裏面（底面）にはプリント基板と接合するための外部電極端子３が複数設けられている。また、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の表面（上面）には、内部信号観測用の外部電極端子４が複数設けられている。
【００２０】
図２に、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の縦断面（底面と垂直方向の断面）を示す。図示するのは図１のａ−ｂ線での断面である。また、図３に、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の横断面（底面と平行な方向の断面）を示す。図示するのは図１のｃ−ｄ線での断面である。
【００２１】
半導体チップ５は、ＣＰＵ、ＡＳＩＣ、メモリなどで構成されており、基板６上に設置される。
【００２２】
半導体チップ５上の複数の電極端子７の一部（７ｂ）は、各々ワイヤ８を一本ずつ介して基板６の上の複数個の電極端子９のいずれかと電気的に接続されている。電極端子９は、基板６に形成された内部配線１０を介して外部電極端子３と電気的に接続されている。
【００２３】
これとは別に、半導体チップ５上の電極端子７の残りの一部（７ａ）は、各々ワイヤ８を一本ずつ介して側面視略コの字形のリードフレーム１１のいずれかに接続され、これを介して外部電極端子４と電気的に接続されている。
【００２４】
リードフレーム１１は、帯状部材の上端部及び下端部が基板６と略平行に折り曲げられた側面視略コの字形状であるが、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の製造過程においては上端部は基板６と垂直な状態（すなわち、側面視略Ｌ字形状）であり、下端部の上面にワイヤ８をボンディングした後で上端部を基板６と略平行に折り曲げることによって略コの字状に成型される。これにより、ワイヤ８のボンディングのしやすさと、外部電極端子４の面積の確保とを両立させている。
【００２５】
外部電極端子３，４、電極端子７，９、ワイヤ８、内部配線１０、及びリードフレーム１１はいずれも導体で形成されている。
【００２６】
図４に、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の機能構成を示す。半導体チップ５の内部には二つの機能ブロック（第１の機能部１０２、第２の機能部１０３）が構成されている。第１の機能部１０２は、半導体チップ５の外部へ信号１０４を出力し、半導体チップ５の外部から信号１０５が入力される。第２の機能部１０３は、半導体チップ５の外部から信号１０８が入力され、半導体チップ５の外部へ信号１０９を出力する。
信号１０４及び１０９は、外部電極端子３を介して半導体チップ５の外部へ出力される。また、信号１０５及び１０８は、外部電極端子３のいずれかを介して半導体チップ５の内部へ入力される。
【００２７】
内部信号１０６，１０７は、第１の機能部１０２から第２の機能部１０３へ、又は第２の機能部１０３から第１の機能部１０２へ出力される信号であり、半導体チップ５の外部へ出力しなくても機能上問題の無い信号である。ただし、外部電極端子３から出力される信号１０５又は１０８が正常でない場合に、第１の機能部１０２に原因があるのか第２の機能部１０３に原因があるのかを切り分けるために半導体チップ５の外部へ出力することは非常に効果的である。
【００２８】
ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、内部信号１０６，１０７を外部電極端子４から出力する。外部電極端子４は、樹脂２の上面に設けられているため、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１に、観測したい内部信号の数ぶんの外部電極端子３を増やす必要はない。よって、外部電極端子３の増加に伴ってＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の底面積が大きくなることはない。
【００２９】
また、図５に示すように、外部電極端子４を用いてＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の内部信号１０６，１０７の信号波形を直接プローブで測定できるため、プリント基板に検査用のランドを設ける従来の手法と比較して、より正確に信号波形を観測できる。
【００３０】
本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の製造方法について説明する。基板６に半導体チップ５を実装し、半導体チップ５と電極端子９とをワイヤ８でボンディングするまでの工程は、従来のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの製造工程と同様である。図１０に、半導体チップ５と電極端子９とをワイヤ８でボンディングした後の状態を示す。
【００３１】
図１１に、基板６にリードフレーム１１を実装し、半導体チップ５の上面の外部電極端子４とワイヤ８を介して接続した状態を示す。リードフレーム１１は、この段階（基板６に実装する段階）ではまだコの字形に成型されておらず、略Ｌ字形である。
半導体チップ５とリードフレーム１１の下端部の上面とをワイヤ８を介して電気的に接続することによって、半導体チップ５とリードフレーム１１とを電気的に接続するための配線を基板６に設ける必要が無くなる。半導体チップ５の内部信号を外部へ出力できるようにするために必要となるのは、リードフレーム１１を実装するスペースのみであるから、半導体チップ５の内部信号を外部へ出力できる構成としても基板６の面積はほとんど増加しない。
【００３２】
リードフレーム１１は、ワイヤ８をボンディングする段階では略Ｌ字状であるため、ボンディング作業の妨げとはならない。
【００３３】
ワイヤ８のボンディングが完了した後、リードフレーム１１の上端側が所定長さだけ突出するように樹脂２で封止する。その後、図１２に示すように、リードフレーム１１の上端側を基板６と略平行に折り曲げて側面視略コの字形状とする。
【００３４】
リードフレーム１１の上端部を折り曲げた後、折り曲げた部分を除いてさらに樹脂２で封止する。これにより、リードフレーム１１の上端部が折り曲げられた部分の上に凹部が形成される。図１３に示すように、この凹部にははんだボールが設置される。設置されたはんだボールは樹脂２と同じ高さとなるように上面が切断され、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１が完成する。
【００３５】
上記工程を経て形成したＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、上面が平坦であるため、図１４に示すように、外部電極端子４の上に絶縁層（絶縁塗料や絶縁シール）を形成することによって、外部電極端子４を容易に絶縁できる。これにより、内部信号をＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の外部に出力する必要がないときに、外部電極端子４からパッケージ内にノイズが侵入する恐れが無い。
【００３６】
本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、プリント基板に実装したあとでも外部電極端子４に測定器のプローブを接触させられるため、半導体チップ５に不具合が生じた場合などに、外部電極端子４を用いて内部信号の信号波形を容易かつ正確に観測できる。
【００３７】
しかも、ＢＧＡ型であるにもかかわらず、プリント基板に検査用のランドパターンを設けておかなくても半導体チップ５の内部信号を観測可能である。
【００３８】
なお、ここではリードフレーム１１を略コの字状に成型する場合を例としたが、リードフレームの上端部を下端部とは逆方向に折り曲げてクランク形状としても良いことは言うまでもない。
【００３９】
〔第２の実施形態〕
本発明を好適に実施した第２の実施形態について説明する。図６に、本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの構成を示す。ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、半導体チップを二つ（５ａ、５ｂ）備える他は、第１の実施形態のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１と同様の構成である。
【００４０】
図７に、本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の機能構成を示す。半導体チップ５ａ、５ｂは、それぞれ内部に一つの機能ブロックが構成されるものとする。
半導体チップ５ａは、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の外部へ信号２０４を出力し、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の外部から信号２０５が入力される。半導体チップ５ｂは、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の外部から信号２０８が入力され、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の外部へ信号２０９を出力する。
信号２０４及び２０９は、外部電極端子３を介してＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の外部へ出力される。また、信号２０５及び２０８は、外部電極端子３のいずれかを介してＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の内部へ入力される。
【００４１】
内部信号２０６，２０７は、半導体チップ５ａから半導体チップ５ｂへ、又は半導体チップ５ｂから半導体チップ５ａへ出力される信号であり、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の外部へ出力しなくても機能上問題の無い信号である。ただし、外部電極端子３から出力される信号２０５又は２０８が正常でない場合に、半導体チップ５ａに原因があるのか半導体チップ５ｂに原因があるのかを切り分けるためにＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の外部へ出力することは非常に効果的である。
【００４２】
ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、内部信号２０６，２０７を外部電極端子４から出力する。外部電極端子４は、樹脂２の上面に設けられているため、ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１に、観測したい内部信号の数ぶんの外部電極端子３を増やす必要はない。よって、外部電極端子３の増加に伴ってＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の底面積が大きくなることはない。
【００４３】
また、第１の実施形態と同様に、外部電極端子４を用いてＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の内部信号２０６，２０７の信号波形を直接プローブで測定できるため、プリント基板に検査用のランドを設ける従来の手法よりもより正確に信号波形を観測できる。
【００４４】
本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、プリント基板に実装したあとでも外部電極端子４に測定器のプローブを接触させられるため、半導体チップ５ａ、５ｂに不具合が生じた場合などに、外部電極端子４を用いて内部信号の信号波形を容易かつ正確に観測できる。
【００４５】
本実施形態においては、半導体チップ５ａ及び５ｂのそれぞれを一つの機能ブロックと見なす場合を例として説明したが、第１の実施形態と同様に半導体チップ５ａや５ｂ内に複数の機能ブロックが形成されていても良い。
また、本実施形態においては、半導体チップ５ａ及び５ｂを積層させて配置した構成を例としたが、基板６上に複数の半導体チップ５を配列させることも可能である。
【００４６】
〔第３の実施形態〕
本発明を好適に実施した第３の実施形態について説明する。
図１５に、本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの縦断面を示す。図１６に、本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の横断面を示す。
本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、第１の実施形態とほぼ同様の構成であるが、リードフレーム１１は、基板６上ではなく半導体チップ５上に設置されている。外部電極端子４とリードフレーム８とはワイヤ８を介して電気的に接続されている。
【００４７】
本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、基板６の上にはリードフレーム１１を設置するためのスペースをも設ける必要がないため、従来のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージと比較して基板６の面積は全く増加していない。
【００４８】
しかも、上記第１の実施形態と同様に、ＢＧＡ型であるにもかかわらず、プリント基板に検査用のランドパターンを設けなくても半導体チップ５の内部信号を観測可能である。
【００４９】
〔第４の実施形態〕
本発明を好適に実施した第４の実施形態について説明する。
図１７に、本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１の縦断面を示す。図１８に、本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの横断面を示す。
本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、第１の実施形態とほぼ同様の構成であるが、リードフレーム１１は、基板６の上ではなく半導体チップ５上に設置されている。外部電極端子４とリードフレーム１１とはワイヤ８を介することなく電気的に接続されている。
【００５０】
本実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ１は、第３の実施形態と同様の効果が得られる。しかも、外部電極端子４とリードフレーム１１とをワイヤボンディングする必要がないため、製造がより容易である。すなわち、ワイヤボンディングの手間を軽減できるのみならず、リードフレームの上端部を折り曲げる必要もない。よって、リードフレーム１１を最初から略コの字形状にしておいて半導体チップ５の上に設置しても良いし、側面視略工の字形状などとすることも可能である。
【００５１】
なお、上記各実施形態は本発明の好適な実施の一例であり、本発明はこれらに限定されることはない。
例えば、上記各実施形態においては、ＢＧＡ型のＬＳＩパッケージを例として説明したが、ＦＱＰ型のＬＳＩパッケージの上面に外部電極端子を設け、ここから内部信号を出力可能としても良い。この場合にも、内部信号の信号波形を容易かつ正確に観測できるという効果が得られる。
また、上記各実施形態においては、全てのリードフレームを基板又は半導体チップの上に設置する構成を例としたが、一部のリードフレームを基板上に設置し、残りの一部を半導体チップ上に設置するようにしても良い。
このように、本発明は様々な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明を好適に実施した第１の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの外観を示す図である。
【図２】第１の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの縦断面を示す図である。
【図３】第１の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの横断面を示す図である。
【図４】第１の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの機能構成を示す図である。
【図５】ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの上面の外部電極端子に測定器のプローブを接触させた状態を示す図である。
【図６】基板上に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行った状態を示す図である。
【図７】半導体チップを搭載した基板にリードフレームを取り付け、ワイヤボンディングした状態を示す図である。
【図８】半導体チップ上を樹脂で封止し、リードフレームの上端近傍を折り曲げた状態を示す図である。
【図９】リードフレームの上端部にはんだボールを設置する状態示す図である。
【図１０】外部電極端子の上に絶縁層を形成した状態を示す図である。
【図１１】本発明を好適に実施した第２の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの縦断面を示す図である。
【図１２】第２の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの機能構成を示す図である。
【図１３】本発明を好適に実施した第３の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの縦断面を示す図である。
【図１４】第３の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの横断面を示す図である。
【図１５】本発明を好適に実施した第４の実施形態にかかるＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの縦断面を示す図である。
【図１６】第４の実施形態にかかるＢＧＡ形ＬＳＩパッケージの横断面を示す図である。
【図１７】従来のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの外観を示す図である。
【図１８】従来のＢＧＡ型ＬＳＩパッケージの縦断面を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    ＢＧＡ型ＬＳＩパッケージ
２    樹脂
３、４    外部電極端子
５、５ａ、５ｂ    半導体チップ
６    基板
７、９    電極端子
８    ワイヤ
１０    内部配線
１１    リードフレーム
【図１】
2007234845.tif 000003
【図２】
2007234845.tif 000004
【図３】
2007234845.tif 000005
【図４】
2007234845.tif 000006
【図５】
2007234845.tif 000007
【図６】
2007234845.tif 000008
【図７】
2007234845.tif 000009
【図８】
2007234845.tif 000010
【図９】
2007234845.tif 000011
【図１０】
2007234845.tif 000012
【図１１】
2007234845.tif 000013
【図１２】
2007234845.tif 000014
【図１３】
2007234845.tif 000015
【図１４】
2007234845.tif 000016
【図１５】
2007234845.tif 000017
【図１６】
2007234845.tif 000018
【図１７】
2007234845.tif 000019
【図１８】
2007234845.tif 000020