(57)【要約】【課題】マイクロホンパッケージにおいて、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティを備えて音響特性を良好に保持して小型化を可能とする。【解決手段】立体回路と第１キャビティ２１と第１キャビティ２１の略上部にあって当該第１キャビティ２１に連通する第２キャビティ２２とを有するセラミック積層板２と、第２キャビティ２２内部に第１キャビティ２１の開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと３、第１キャビティ２１内に実装されシリコンマイクロホンチップ３の電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品４とを備え、セラミック積層板２は、第１キャビティ２１から外部に通じる通気用のリーク孔６を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体回路と第１キャビティと前記第１キャビティの略上部にあって当該第１キャビティに連通する第２キャビティとを有するセラミック積層板と、
前記第２キャビティ内部に前記第１キャビティの開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと、
前記第１キャビティ内に実装され前記シリコンマイクロホンチップの電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品と、を備えたマイクロホンパッケージであって、
前記セラミック積層板は、前記第１キャビティから外部に通じる通気用のリーク孔を備えることを特徴とするマイクロホンパッケージ。
【請求項２】
前記セラミック積層板は、
前記電子部品を実装するパターンを有する平板状の第１層基板と、
前記マイクロホンチップを実装するパターンを有し前記第１キャビティを形成する枠状の第２層基板と、
前記リーク孔となる貫通孔を有し前記第２キャビティを形成する枠状の第３層基板と、を積層して形成され、
前記マイクロホンチップが前記第２層基板上面に実装されることを特徴とする請求項１記載のマイクロホンパッケージ。
【請求項３】
立体回路と第１キャビティと前記第１キャビティの略上部にあって当該第１キャビティに連通する第２キャビティとを有するセラミック積層板と、
前記第２キャビティ上部に当該第２キャビティの開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと、
前記第１キャビティ内に実装され前記シリコンマイクロホンチップの電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品と、を備えたマイクロホンパッケージであって、
前記セラミック積層板は、前記第１キャビティから外部に通じる通気用のリーク孔を備えることを特徴とするマイクロホンパッケージ。
【請求項４】
前記セラミック積層板は、
前記電子部品を実装するパターンを有する平板状の第１層基板と、
前記第１キャビティを形成する第２層基板と、
前記リーク孔となる貫通孔と前記マイクロホンチップを実装するパターンとを有し前記第２キャビティを形成する枠状の第３層基板と、を積層して形成され、
前記マイクロホンチップが前記第３層基板上面に実装されることを特徴とする請求項３記載のマイクロホンパッケージ。
【請求項５】
前記セラミック積層板を形成する前記第１層基板、第２層基板、及び第３層基板のいずれかが各々さらに基板を積層して形成されていることを特徴とする請求項２又は請求項４記載のマイクロホンパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、補聴器、車載用の音響センサ、超音波センサの受波装置などに用いられるシリコンマイクロホンチップを用いたマイクロホンパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、従来のエレクトレットコンデンサマイクロホンに比べて小型薄型軽量化が可能で耐環境性に優れたシリコンマイクロホンチップを用いたマイクロホンパッケージが注目されている。このようなマイクロホンパッケージとして、印刷回路基板に凹部を形成し、その凹部を圧力リファレンスを提供するキャビティとしたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特表２００４−５３７１８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した特許文献１に示されるようなマイクロホンパッケージにおいては、印刷回路基板にキャビティや、キャビティと外界との通気を行って音響特性を維持するためのリーク孔等の音響特性に影響を及ぼす形状を精度良く設けることは難しく、小型化等が困難である。またシリコンマイクロホンチップと信号処理用の電子部品が同一平面上に存在するので、昨今求められる小型化への対応に関して形状的に限界がある。
【０００４】
本発明は、上記課題を解消するものであって、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティを備えて音響特性を良好に保持して小型化を実現できるシリコンマイクロホンチップを用いたマイクロホンパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を達成するために、請求項１の発明は、立体回路と第１キャビティと前記第１キャビティの略上部にあって当該第１キャビティに連通する第２キャビティとを有するセラミック積層板と、前記第２キャビティ内部に前記第１キャビティの開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと、前記第１キャビティ内に実装され前記シリコンマイクロホンチップの電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品と、を備えたマイクロホンパッケージであって、前記セラミック積層板は、前記第１キャビティから外部に通じる通気用のリーク孔を備えるものである。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１記載のマイクロホンパッケージにおいて、前記セラミック積層板は、前記電子部品を実装するパターンを有する平板状の第１層基板と、前記マイクロホンチップを実装するパターンを有し前記第１キャビティを形成する枠状の第２層基板と、前記リーク孔となる貫通孔を有し前記第２キャビティを形成する枠状の第３層基板と、を積層して形成され、前記マイクロホンチップが前記第２層基板上面に実装されるものである。
【０００７】
請求項３の発明は、立体回路と第１キャビティと前記第１キャビティの略上部にあって当該第１キャビティに連通する第２キャビティとを有するセラミック積層板と、前記第２キャビティ上部に当該第２キャビティの開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと、前記第１キャビティ内に実装され前記シリコンマイクロホンチップの電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品と、を備えたマイクロホンパッケージであって、前記セラミック積層板は、前記第１キャビティから外部に通じる通気用のリーク孔を備えるものである。
【０００８】
請求項４の発明は、請求項３記載のマイクロホンパッケージにおいて、前記セラミック積層板は、前記電子部品を実装するパターンを有する平板状の第１層基板と、前記第１キャビティを形成する第２層基板と、前記リーク孔となる貫通孔と前記マイクロホンチップを実装するパターンとを有し前記第２キャビティを形成する枠状の第３層基板と、を積層して形成され、前記マイクロホンチップが前記第３層基板上面に実装されるものである。
【０００９】
請求項５の発明は、請求項２又は請求項４記載のマイクロホンパッケージにおいて、前記セラミック積層板を形成する前記第１層基板、第２層基板、及び第３層基板のいずれかが各々さらに基板を積層して形成されているものである。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の発明によれば、寸法安定性と対環境性に優れたセラミック積層基板にキャビティと通気用のリーク孔を形成してシリコンマイクロホンチップを実装しているので、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティ構造が得られ、音響特性に優れたマイクロホンパッケージとなり、また、小型化を実現できる。シリコンマイクロホンチップをキャビティ内部に実装するので、外形が大きくなるが背高を低くできる。
【００１１】
請求項２の発明によれば、通常のセラミック積層基板の製造工程を用いて容易に小型高精度のマイクロホンパッケージが実現される。
【００１２】
請求項３発明によれば、寸法安定性と対環境性に優れたセラミック積層基板にキャビティと通気用のリーク孔を形成してシリコンマイクロホンチップを実装しているので、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティ構造が得られ、音響特性に優れたマイクロホンパッケージとなり、また、小型化を実現できる。シリコンマイクロホンチップをキャビティ上部に実装するので、背高が高くなるが外形を小さくできる。
【００１３】
請求項４の発明によれば、通常のセラミック積層基板の製造工程を用いて容易に小型高精度のマイクロホンパッケージが実現される。
【００１４】
請求項５の発明によれば、セラミック積層基板の各層の厚み調整が容易であり、小型高精度の音響特性に優れたマイクロホンパッケージが実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係るシリコンマイクロホンチップを用いたマイクロホンパッケージをについて、図面を参照して説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係るマイクロホンパッケージ１を示し、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）はパッケージ１のセラミック積層板２を示し、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）はセラミック積層板２を各層毎に示し、図４（ａ）（ｂ）はケースを示す。マイクロホンパッケージ１は、例えば、携帯電話、補聴器、車載用の音響センサ、超音波センサの受波装置などに用いられ、音響信号（空気中を伝播する音）を電気信号に変換出力する装置である。
【００１７】
マイクロホンパッケージ１は、立体回路と第１キャビティ２１と第１キャビティ２１の略上部にあって第１キャビティ２１に連通する第２キャビティ２２とを有するセラミック積層板２と、第２キャビティ２２内部に第１キャビティ２１の開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップ３と、第１キャビティ２１内に実装されシリコンマイクロホンチップ３の電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品４と、シリコンマイクロホンチップ３を機械的に保護すると共に内部回路の電磁シールドを行うためのケース５とを備えている。セラミック積層板２は、第１キャビティ２１から外部に通じる通気用のリーク孔６を備えている。
【００１８】
また、このマイクロホンパッケージ１において、セラミック積層板２は、電子部品４を実装するパターン１１を有する平板状の第１層基板Ｌ１と、マイクロホンチップ３を実装するパターン１２を有し第１キャビティ２１を形成する枠状の第２層基板Ｌ２と、リーク孔６となる貫通孔を有し第２キャビティ２２を形成する枠状の第３層基板Ｌ３と、を積層して形成され、マイクロホンチップ３が第２層基板上面に実装されている。以下、パッケージ１の各構成要素を説明する。
【００１９】
シリコンマイクロホンチップ３は、半導体製造技術を用いてシリコンウエハを加工することにより作製されたものであり、基台部３１と、振動膜３２と、スペーサ３３と、固定膜３４とを有している。基台部３１には、受音開口３０が形成されており、振動膜３２は、受音開口３０に臨む位置に設けられている。固定膜３４は、スペーサ３３を介して振動膜３２と重なるように設けられている。振動膜３２と固定膜３４との間には、間隙が設けられている。基台部３１及びスペーサ３３は絶縁性を有し、振動膜３２及び固定膜３４は導電性を有している。シリコンマイクロホンチップ３は、振動膜３２と固定膜３４との間の静電容量の変化により、音響信号を検出する。
【００２０】
また、シリコンマイクロホンチップ３は、受音開口３０をセラミック積層板２の第１層基板Ｌ１の反対側に向けて（図１の上方に向けて）第２キャビティ２２内に配置され、周辺は、封止樹脂３５によって封止されている。シリコンマイクロホンチップ３は、フリップチップ実装されている。すなわち、シリコンマイクロホンチップ３から音響信号を出力する電極及び固定用のダミーの電極は、セラミック積層板２の第２層基板Ｌ２の上面に設けられた回路パターン１２に、例えば、ボールやスタックを用いて接合されている。
【００２１】
電子部品４は、例えば、電界効果トランジスタや２端子素子などであり、シリコンマイクロホンチップ３の振動膜３２と固定膜３４間の静電容量の変化、すなわち音響信号を、電気信号に変換して出力する。これらの電子部品４は、導電性接着剤又は半田（不図示）を用いて、セラミック積層板２の第１層基板Ｌ１の上面に設けられた回路パターン１１に実装されている。
【００２２】
セラミック積層板２は、例えば、各層に対応するアルミナセラミックのグリーンシートにキャビティ用の開口やスルーホール（ＶＩＡ）用の開口やリーク孔６用の貫通孔を形成し、タングステンペーストによる回路パターン形成やスルーホールの穴埋めを行った後に、これらのグリーンシートを積層し、所定の外形寸法に切り出した後、焼成して所定の形状に形成し、さらに、表面の電極に金めっきなどのめっきを行って完成される。また、小型のパッケージの場合は、多数のセラミック積層板が碁盤目状に並んだ状態で焼成し、めっき処理して、最後に割ったりダイシンシグしたりして、個々のセラミック積層板が得られる。
【００２３】
このセラミック積層板２において、タングステン導体による回路が立体回路を形成している。これはアルミナセラミックの積層板の場合であり、他のセラミックを用いることもできる。例えば、低温焼成セラミックにおいて、銀ペーストを用いた銀導体による立体回路を形成することもできる。セラミック積層板は、一般に、過酷な条件のもとでも寸法精度や対環境性に優れていることから、電子部品のパッケージとして用いられている。
【００２４】
セラミック積層板２の各層、すなわち、第１層基板Ｌ１、第２層基板Ｌ２、第３層基板Ｌ３には、それぞれ、回路パターン１１，１２，１３及びスルーホール１０が形成されている。これらの回路パターン１１，１２，１３は、セラミック積層板２の表面や内部（内層回路）に形成され、スルーホールと共に立体回路を形成する。
【００２５】
第１層基板Ｌ１における回路パターン１１とスルーホール１０は、電子部品４の実装用（上面パターン）と、他の基板にマイクロホンパッケージ１を実装するための外部電極用（下面パターン）である。第２層基板Ｌ２における回路パターン１２とスルーホール１０は、シリコンマイクロホンチップ３を実装するためのもの、及び、上下層の回路を接続するためのものである。また、第３層基板Ｌ３における回路パターン１３とスルーホール１０は、ケース５を接地するための電極である。
【００２６】
また、第１層基板Ｌ１は、平板構造であり、第１キャビティ２１の底板を構成している。第２層基板Ｌ２は、第１キャビティ２１の側壁を形成すると共に、第１キャビティ２１となる開口の一部に切欠部６１を有している。この切欠部６１は、第１キャビティ２１を第３層基板Ｌ３におけるリーク孔６に連通させるためのものである。第３層基板Ｌ３は、第２キャビティ２２の側壁を形成すると共に、リーク孔６を有している。
【００２７】
ケース５は、導電性材料、例えば金属板により形成されており、セラミック積層板２とシリコンマイクロホンチップ３の全体を上方から覆うように箱形の構造を有している。その上面略中央には、開口５１が設けられている。開口５１は、シリコンマイクロホンチップ３が音響信号を受音するための受音孔であり、また、同時に、第１キャビティ２１の圧力調整を行うための開口でもある。すなわち、第１キャビティ２１は、リーク孔６と開口５１とを介して外部と連通している。
【００２８】
この連通を確実にしてリーク経路を確保するため、ケース５の内面には、ケース５がマイクロホンパッケージ１に組み込まれた状態でリーク孔６に対面する位置を含むように、開口５１までの間に溝５２が形成されている。ケース５は、セラミック積層板２に取り付けられると共に、封止樹脂５４を用いて、セラミック積層板２に固定され一体化される。このケース５の取付に際して、ケース５とセラミック積層板２の上層のパターン１３（グランド端子）とは、導電性接着剤、又は半田で接続される。
【００２９】
上述のように、マイクロホンパッケージ１は、セラミック積層板２の第１キャビティ２１がシリコンマイクロホンチップ３によって封止され、寸法精度の安定したリーク孔６によって、第１キャビティ２１が外部に通気される構造となっている。これら第１キャビティ２１及びリーク孔６は、音響信号の受音特性を向上するためのものであり、優れた受音特性を得るには、シリコンマイクロホンチップ３の背後のキャビティ（第１キャビティ２１）を大きくし、また、リーク経路（リーク孔６）をキャビティの大きさに対して十分に細くするのが望ましい。
【００３０】
そこで、本発明のような構造により、マイクロホンパッケージ１は、音響特性を良好に保持して小型化を実現するものとなっている。また、電子部品として優れた特性と製造方法のよく知られたセラミック積層板２を用いるので、通常のセラミック積層基板の製造工程を用いて容易に小型高精度の優れた受音特性を発揮できるマイクロホンパッケージ１を安価に作製することができる。
【００３１】
（第２の実施形態）
図５は本発明の第２の実施形態に係るマイクロホンパッケージ１を示し、図６（ａ）（ｂ）（ｃ）はパッケージ１のセラミック積層板２を示し、図７（ａ）（ｂ）（ｃ）はセラミック積層板２を各層毎に示し、図８（ａ）（ｂ）はケースを示す。このマイクロホンパッケージ１は、上述の第１の実施形態におけるマイクロホンパッケージ１と異なって、シリコンマイクロホンチップ３がセラミック積層板２の最上部（第３層基板Ｌ３の上）に配置されている。このシリコンマイクロホンチップ３の配置位置が、第１の実施形態では第２層基板Ｌ２の上であり、この第２の実施形態では第３層基板Ｌ３の上にある点が主な相違点であるので、この点に注目して以下の説明を行う。
【００３２】
このマイクロホンパッケージ１は、立体回路と第１キャビティ２１と第１キャビティ２１の略上部にあって第１キャビティ２１に連通する第２キャビティ２２とを有するセラミック積層板２と、第２キャビティ２２上部に第２キャビティ２２の開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップ３と、第１キャビティ２１内に実装されシリコンマイクロホンチップ３の電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品４と、を備えている。セラミック積層板２は、第１キャビティ２１から外部に通じる通気用のリーク孔６を備えている。
【００３３】
また、このマイクロホンパッケージ１において、セラミック積層板２は、電子部品４を実装するパターン１１を有する平板状の第１層基板Ｌ１と、第１キャビティ２１を形成する第２層基板Ｌ２と、リーク孔６となる貫通孔とマイクロホンチップ３を実装するパターン１３とを有し第２キャビティ２２を形成する枠状の第３層基板Ｌ３と、を積層して形成され、マイクロホンチップ３が第３層基板Ｌ３の上面に実装されている。電子部品４とシリコンマイクロホンチップ３の構成は、第１の実施形態で説明したものと同様であり、説明を省略する。
【００３４】
セラミック積層板２は、上述同様に形成され、内部及び表面に立体回路が形成されている。第２層基板Ｌ２には、スルーホール１０とスルーホール１０を上下の層と確実に接続するためのパッドが形成されているだけであり、外表面となる部分にはパターンは形成されていない。第３層基板Ｌ３には、シリコンマイクロホンチップ３を実装するためのパターン１３が形成されている。また、第２層基板Ｌ２と第３層基板Ｌ３には、キャビティ形成用に開口が設けられており、これらは略同形状である。また、切欠部６１、リーク孔６がそれぞれに設けられている。
【００３５】
ケース５は、リーク経路形成用の溝５２と開口５１が、第１実施形態と同様に設けられている。この実施形態のケース５には、開口５１を複数設けた例が示されている。受音用の開口５１のサイズと個数、及び配置は、マイクロホンパッケージの用途や構成によって適宜決定される。
【００３６】
このような、第２の実施形態のマイクロホンパッケージ１は、上述の第１の実施形態のものと同様に、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティ構造が得られ、音響特性に優れた小型高精度のものとなる。シリコンマイクロホンチップ３を第２キャビティ２２の上部に実装するので、背高が高くなるが外形を小さくできる。
【００３７】
（第３の実施形態）
図９は本発明の第３の実施形態に係るマイクロホンパッケージ１を示し、図１０（ａ）（ｂ）はパッケージ１のセラミック積層板２を示し、図１１（ａ）〜（ｄ）はセラミック積層板２を各層毎に示す。このマイクロホンパッケージ１は、上述の第１の実施形態のマイクロホンパッケージ１において、第１キャビティ２１、第２キャビティ２２の横に、第３のキャビティ２０を設けた構造になっている。すなわち、この第３の実施形態のマイクロホンパッケージ１では、セラミック積層板２の第１層基板Ｌ１の同一平面上に、２つのキャビティが設けられている。
【００３８】
このような構造のマイクロホンパッケージ１においては、シリコンマイクロホンチップ３の下部に電子部品の全てを配置する必要がなく、例えば、電界効果トランジスタを第３のキャビティ２０に配置することができる。そこで、シリコンマイクロホンチップ３の配置面積が、全ての電子部品４を配置する面積よりも小さい場合、シリコンマイクロホンチップ３のサイズに合わせたキャビティを形成して、所望の音響特性が得られるようにできる。すなわち、音響特性用のキャビティは、シリコンマイクロホンチップ３によって、その開口部を塞ぐことができ、これを塞ぐための余分な部品をや構造を設ける必要がなく、また、リーク孔６以外の開口による通気も回避することができる。
【００３９】
また、ここに示したマイクロホンパッケージ１のセラミック積層板２は、４層のセラミック層基板、すなわち、第１層基板Ｌ１、第２層基板Ｌ２１、第３層基板Ｌ２２、第４層基板Ｌ３を用いて形成した例が示されている。すなわち、第１の実施形態において第２層基板Ｌ２とされていた層が、本例では２層に分割されている。また、第２層基板Ｌ２１〜第４層基板Ｌ３に形成された開口によって、キャビティ２１，２２，２３、及びキャビティ２０が形成されている。なお、各セラミック層の厚みの分割は、本発明の他のいずれの実施形態においても適用できる。
【００４０】
このような層構成のセラミック積層板２は、シリコンマイクロホンチップ３を実装する段差（開口径の異なる第３層基板Ｌ２２の表面位置）を所望の高さに設定でき、シリコンマイクロホンチップ３の下部のキャビティ２１，２２の空間サイズを所望の大きさに設定できる。また、リーク孔６の長さ（すなわちリーク孔６を形成するセラミック層の厚さ）を、所望の長さに設定することができる。つまり、複数のセラミック層を用いることにより、セラミック積層基板の各層の厚み調整が容易となり、小型高精度の音響特性に優れたマイクロホンパッケージ１を実現できる。
【００４１】
（第４の実施形態）
図１２（ａ）（ｂ）は本発明の第４の実施形態に係るマイクロホンパッケージの一部断面を示す。この実施形態のマイクロホンパッケージ１は、セラミック積層板２における、シリコンマイクロホンチップ３を実装する複数のパターン（パッド）が、段差の上下に形成されたものである。この段差は、シリコンマイクロホンチップ３の絶縁性のスペーサ３３を挟んだ２層の導電体（振動膜３２と固定膜３４）の各々との電気接続をより容易にするために形成されている。シリコンマイクロホンチップ３は、例えば、図に示すように、ボール電極７を用いて、容易かつ確実にフリップチップ実装することができる。段差は、例えば、実装用の電極パターン１４を表面に有する薄いセラミック層Ｌ４を用いて形成することができる。
【００４２】
（第５の実施形態）
図１３（ａ）（ｂ）は本発明の第５の実施形態に係るマイクロホンパッケージ１の一部断面を示す。本実施形態のセラミック積層板２は、第１層基板Ｌ１の外形が、他の第２層基板Ｌ２や第３層基板Ｌ３よりも広く形成されている。このようなセラミック積層板２を備えるマイクロホンパッケージ１においては、第１層基板Ｌ１の拡幅部にケース５を突き当てて位置決めできるので、セラミック積層板２にケース５を容易かつ確実に設置し固定できる。
【００４３】
（第６の実施形態）
図１４（ａ）（ｂ）は本発明の第６の実施形態に係るマイクロホンパッケージ１の一部断面を示す。本実施形態のセラミック積層板２は、第１層基板Ｌ１の外形が、他の第２層基板Ｌ２や第３層基板Ｌ３よりも狭く形成されている。このようなセラミック積層板２を備えるマイクロホンパッケージ１においては、セラミック積層板２にケース５を固定する際に、第１層基板Ｌ１の退行により形成された凹部に向けてケース５の端部５５を曲げてかしめる、かしめ工法によって、容易かつ確実に固定できる。
【００４４】
なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。例えば、セラミック積層板２は、セラミックの積層により形成したものに代えて、３次元立体形状の回路を表面や内部に形成した回路樹脂による射出成形品であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマイクロホンパッケージの断面図。
【図２】（ａ）は同上パッケージのセラミック積層板の上平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図。
【図３】（ａ）は同上セラミック積層板の第１層基板の平面図、（ｂ）は同第２層基板の平面図、（ｃ）は同第３層基板の平面図。
【図４】（ａ）は同上パッケージのケースの上平面図、（ｂ）は同断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るマイクロホンパッケージの断面図。
【図６】（ａ）は同上パッケージのセラミック積層板の上平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図。
【図７】（ａ）は同上セラミック積層板の第１層基板の平面図、（ｂ）は同第２層基板の平面図、（ｃ）は同第３層基板の平面図。
【図８】（ａ）は同上パッケージのケースの上平面図、（ｂ）は同断面図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るマイクロホンパッケージの断面図。
【図１０】（ａ）は同上パッケージのセラミック積層板の上平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面図。
【図１１】（ａ）は同上セラミック積層板の第４層基板の平面図、（ｂ）は同第３層基板の平面図、（ｃ）は同第２層基板の平面図、（ｄ）は同第１層基板の平面図。
【図１２】（ａ）は本発明の第４の実施形態に係るマイクロホンパッケージの一部断面図、（ｂ）は同パッケージの変形例を示す一部断面図。
【図１３】（ａ）は本発明の第５の実施形態に係るマイクロホンパッケージの一部断面図、（ｂ）は同パッケージの変形例を示す一部断面図。
【図１４】（ａ）は本発明の第６の実施形態に係るマイクロホンパッケージの一部断面図、（ｂ）は同パッケージの変形例を示す一部断面図。
【符号の説明】
【００４６】
１    マイクロホンパッケージ
２    セラミック積層板
３    シリコンマイクロホンチップ
４    電子部品
５    ケース
６    リーク孔
２１    第１キャビティ
２２    第２キャビティ
Ｌ１    第１層基板
Ｌ２    第２層基板
Ｌ３    第３層基板
【図１】
2007150507.tif 000003
【図２】
2007150507.tif 000004
【図３】
2007150507.tif 000005
【図４】
2007150507.tif 000006
【図５】
2007150507.tif 000007
【図６】
2007150507.tif 000008
【図７】
2007150507.tif 000009
【図８】
2007150507.tif 000010
【図９】
2007150507.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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