(57)【要約】【課題】絶縁層をエッチングしてパターン形成する際に絶縁層の端面を垂直となるように形成し、これによってたとえば、磁気ヘッドのコイルの小径化、磁気ヘッドの小型化を図ることを可能にする。【解決手段】二つの層を電気的に絶縁する層間絶縁層を製造する方法において、下地層１６に絶縁材層４１、４２を積層して成膜形成する工程と、該積層して形成された絶縁材層のうちの最上層の絶縁材層４２を所定パターンにエッチングする工程と、エッチングによりパターン形成された前記最上層の絶縁材層４２をエッチングマスクとして、最上層よりも下層の絶縁材層４１をエッチングして層間絶縁層４０を形成する工程とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの層を電気的に絶縁する層間絶縁層において、
前記絶縁層が、異なる絶縁材料からなる複数の絶縁材層を積層して形成され、最上層の絶縁材層が、下層の絶縁材層にくらべてエッチングレートが遅いことを特徴とする層間絶縁層。
【請求項２】
前記最上層の絶縁材層の膜厚が、該最上層の絶縁材層よりも下層の絶縁材層を合わせた厚さよりも薄く形成されていることを特徴とする請求項１記載の層間絶縁層。
【請求項３】
前記絶縁層が、下地層側からSiO2からなる第１の絶縁材層と、アルミナからなる第２の絶縁材層を積層した２層構造に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の層間絶縁層。
【請求項４】
下地層、記録用コイル、及び前記下地層と前記記録用コイルとを電気的に絶縁する層間絶縁層とを有してなる磁気ヘッドにおいて、
前記絶縁層が、異なる絶縁材料からなる複数の絶縁材層を積層して形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
最上層の絶縁材層が、下層の絶縁材層にくらべてエッチングレートが遅いことを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
二つの層を電気的に絶縁する層間絶縁層を製造する方法において、
絶縁材層を含む多層膜を成膜形成する工程と、
該多層膜のうちの最上層を所定パターンにエッチングする工程と、
エッチングによりパターン形成された前記最上層をエッチングマスクとして、最上層よりも下層の絶縁材層をエッチングする工程とを備えることを特徴とする層間絶縁層の製造方法。
【請求項７】
前記多層膜を成膜形成する工程において、
前記最上層の膜厚が、前記下層の絶縁材層を合わせた厚さよりも薄く成膜することを特徴とする請求項６記載の層間絶縁層の製造方法。
【請求項８】
前記最上層の材料として、エッチングレートが前記下層の絶縁材層のエッチングレートの１／１０以下である材料を選択することを特徴とする請求項７記載の層間絶縁層の製造方法。
【請求項９】
SiO2からなる第１の絶縁材層と、アルミナからなる第２の絶縁材層の２層構造に成膜することを特徴とする請求項６または７記載の層間絶縁層の製造方法。
【請求項１０】
前記最上層に金属膜を成膜し、
該金属膜を所定パターンにエッチングし、該エッチングによりパターン形成された金属膜をエッチングマスクとして、該金属膜よりも下層の絶縁材層をエッチングすることを特徴とする請求項６記載の層間絶縁層の製造方法。
【請求項１１】
前記金属膜が、Cr、NiFe、Ru、AuおよびPtから選択した一種からなることを特徴とする請求項１０記載の層間絶縁層の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は層間絶縁層およびその製造方法に関し、たとえば磁気ヘッドにおける記録用コイルと下地層とを電気的に絶縁する絶縁層の構成およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドのリードヘッド８とライトヘッド１０の構成を示す。リードヘッド８は下部シールド層６と上部シールド層７とによりＭＲ素子５を挟む配置に設けられ、ライトヘッド１０は下部磁極１２と上部磁極１３とでライトギャップ１１を挟む配置に設けられる。
ライトヘッド１０には記録用コイル１４が、下部磁極層１６と上部磁極１３とを連結するバックギャップ部１５の回りに巻回するように設けられる。下部磁極１２、下部磁極層１６、バックギャップ部１５および上部磁極１３がライトギャップ１１間に磁界を発生させる磁路を形成する。
【０００３】
記録用コイル１４と下部磁極層１６との間には、コイル１４を下部磁極層１６から絶縁する絶縁層１８が設けられる。絶縁層１８にはアルミナあるいはSiO2等の絶縁材が用いられる。
図５は、下部磁極層１６に絶縁層１８を形成し、記録用コイル１４を形成するまでの製造工程を示す。図５（ａ）に示すように、下部磁極層１６の表面にアルミナあるいはSiO2をスパッタリングして絶縁層１８を形成した後、絶縁層１８として残す部位をレジスト３０により被覆し、レジスト３０が被着された状態でドライエッチングを施すことにより、下部磁極層１６の表面に所定パターンに絶縁層１８を形成する（図５（ｃ））。
【０００４】
図５（ｄ）は、レジスト３０を除去した後、基板の表面にめっきシード層３２を形成し、コイル１４の平面パターンにしたがってレジストをパターニングした後、めっきシード層３２をめっき給電層とする電解銅めっきによりコイル１４を形成した状態を示す。
図５（ｄ）の状態からめっきシード層３２の露出部分をイオンミリング等により除去することによりコイル１４を独立したパターンに形成する。次いで、電解めっきにより、下部磁極１２およびバックギャップ部１５を所定のパターンに形成することができる。
【特許文献１】特開２００４−１５２４７０号公報
【特許文献２】特開平７−２７２２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図５に示す製造工程で、絶縁層１８をエッチングして所定のパターンに形成する方法は、絶縁層１８として使用する材料によって異なる。たとえば、絶縁層１８がアルミナからなる場合には、レジスト３０をマスクとしてイオンミリング等のドライエッチングが利用される。絶縁層１８がSiO2からなる場合は、レジスト３０をマスクとしてRIE(Reactive Ion Etching)等のケミカル反応性エッチングが採用される。
いずれの場合も、絶縁層１８をエッチングすると絶縁層１８の端面がテーパ形状になってしまう（図５（ｃ））。これは、絶縁層１８をエッチングする際のエッチングレートはレジスト３０の方が絶縁層１８よりも速いため、レジスト３０を絶縁層１８よりも厚く（５倍程度）形成せざるを得ず、レジスト３０によって遮蔽される作用によりエッチング端面の垂直性が劣化するためである。また、レジスト３０の側面に近接した位置では、側面から離間した位置よりもエッチング性が抑制されためでもある。
【０００６】
このように絶縁層１８の端面がテーパ状（すそ引き形状）になると、絶縁層１８の縁部から離間してコイル１４を配置することになるからコイル１４の小径化が阻害される。また、下部磁極１２およびバックギャップ部１５とコイル１４との配置間隔を狭くすることも制約されるため、磁気ヘッドの小型化が制約される。
記録密度の向上とともに磁気ヘッドは小型化が進展している。絶縁層１８の端面がテーパ形状になることは、コイル１４の小径化、磁気ヘッドの小型化を阻害する要因として実際上、無視できないものとなってきている。
【０００７】
なお、絶縁層１８の端面がテーパ形状になることを見越して、絶縁層１８をパターン形成するレジスト３０の平面寸法を所定形状よりも若干小さく形成し、絶縁層１８をエッチングした状態でテーパ面の外周縁が所定の形状になるようにすることも考えられる。しかしながら、この場合には絶縁層１８の上にコイル１４を形成した際に絶縁層１８の縁部にコイル１４の一部がかかってしまったりすると、製品の信頼性が低下するという問題がある。
【０００８】
本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、絶縁層をエッチングによってパターン形成する際に絶縁層の端面を垂直となるように形成することを可能とし、これによって、たとえば磁気ヘッドの記録用コイルの小径化および磁気ヘッドの小型化を図ることを可能とする層間絶縁層およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、二つの層を電気的に絶縁する層間絶縁層において、前記絶縁層が、異なる絶縁材料からなる複数の絶縁材層を積層して形成され、最上層の絶縁材層が、下層の絶縁材層にくらべてエッチングレートが遅いことを特徴とする。
【００１０】
また、前記最上層の絶縁材層の膜厚が、該最上層の絶縁材層よりも下層の絶縁材層を合わせた厚さよりも薄く形成されていることにより、下層の絶縁材層の端面形状を最上層の端面形状に合わせて明確に形成することができる。
また、前記絶縁層としては、下地層側からSiO2からなる第１の絶縁材層と、アルミナからなる第２の絶縁材層を積層した２層構造に形成されているものが有効に利用できる。
【００１１】
また、下地層、記録用コイル、及び前記下地層と前記記録用コイルとを電気的に絶縁する層間絶縁層とを有してなる磁気ヘッドにおいて、前記絶縁層が、異なる絶縁材料からなる複数の絶縁材層を積層して形成されていることを特徴とする。
また、最上層の絶縁材層が、下層の絶縁材層にくらべてエッチングレートが遅いことを特徴とする。
【００１２】
また、二つの層を電気的に絶縁する層間絶縁層を製造する方法において、絶縁材層を含む多層膜を成膜形成する工程と、該多層膜のうちの最上層を所定パターンにエッチングする工程と、エッチングによりパターン形成された前記最上層をエッチングマスクとして、最上層よりも下層の絶縁材層をエッチングする工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
また、前記多層膜を成膜形成する工程において、前記最上層の膜厚が、前記下層の絶縁材層を合わせた厚さよりも薄く成膜することを特徴とする。
また、前記最上層の材料として、エッチングレートが前記下層の絶縁材層のエッチングレートの１／１０以下である材料を選択することにより、最上層の絶縁材層を下層の絶縁材層の全厚よりも薄く形成でき、絶縁層のエッチング端面を垂直面に形成することができる。
また、前記絶縁材層を、SiO2からなる第１の絶縁材層と、アルミナからなる第２の絶縁材層の２層構造に成膜することが有効である。
【００１４】
また、前記最上層に金属膜を成膜し、該金属膜を所定パターンにエッチングし、該エッチングによりパターン形成された金属膜をエッチングマスクとして、該金属膜よりも下層の絶縁材層をエッチングすることによっても所定のパターンに絶縁材層をパターン形成することができる。
また、前記金属膜は、Cr、NiFe、Ru、AuおよびPtから選択した一種からなるものが有効である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る層間絶縁膜およびその製造方法によれば、積層されて形成された成膜層のうち最上層をエッチングマスクとして下層の絶縁材層をエッチングすることにより、絶縁材層のエッチング端面が垂直に形成され、絶縁層上にたとえば、磁気ヘッドのコイル等を形成する際に高精度に形成することができる。また、最上層の絶縁材層のエッチングレートが下層の絶縁材層にくらべて遅いことから、最上層の絶縁材層を下層の絶縁材層をパターン形成する際のエッチングマスクとして有効に利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面と共に詳細に説明する。
（磁気ヘッドの構成）
図１は本発明に係る層間絶縁層とその製造方法を適用して形成した磁気ヘッドの一実施形態の構成を示す断面図である。本実施形態の磁気ヘッドにおけるリードヘッド８とライトヘッド１０の構成は、図４に示す従来の磁気ヘッドの構成と同様である。本実施形態の磁気ヘッドにおいて特徴的な構成は、下部磁極層１６と記録用コイル１４とを電気的に絶縁する絶縁層４０の構成にある。
【００１７】
すなわち、従来の磁気ヘッドにおいては、図４に示すように、下部磁極層１６と記録用コイル１４とを電気的に絶縁する絶縁層１８は、アルミナあるいはSiO2等の絶縁材料からなる単層構造によって形成されている。これに対して、本実施形態の磁気ヘッドでは記録用コイル１４と下部磁極層１６とを電気的に絶縁する絶縁層４０は、異なる絶縁材料からなる第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２の２層構造によって形成される。
絶縁層４０を２層構造としている理由は、第１の絶縁材層４１の上層に形成される第２の絶縁材層４２を、第１の絶縁材層４１をエッチングによりパターン形成する際のエッチングマスクとして使用するためである。
【００１８】
第２の絶縁材層４２をエッチングマスクとして第１の絶縁材層４１をエッチングするために、第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２とは、第１の絶縁材層４１をエッチングする際のエッチング操作の際のエッチングレートが異なる絶縁材料を使用する。第２の絶縁材層４２は第１の絶縁材層４１をエッチングする際のエッチングマスクとして使用するから、第２の絶縁材層４２の絶縁材料は第１の絶縁材層４１の絶縁材料よりもエッチングレートが遅いもの（エッチングされにくいもの）である。
第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２の膜厚は適宜設定可能であるが、第２の絶縁材層４２はエッチングマスクとして作用させるものであるから、第１の絶縁材層４１の膜厚よりも薄く設定するのがよい。
【００１９】
第２の絶縁材層４２の厚さを十分に薄くすることにより、第２の絶縁材層をエッチングマスクとして第１の絶縁材層４１をパターン形成すると、第１の絶縁材層４１のエッチング端面がテーパ面にならず、下部磁極層１６の面に垂直に仕上げることができる。
第１の絶縁材層４１の端面を垂直面に形成することができれば、絶縁層４０の上に記録用コイル１４を形成する場合に、絶縁層４０の端面にコイル１４を近づけて配置することができ、コイル１４と磁極との配置間隔を狭めることができ、コイル１４の小径化とあわせて磁気ヘッドの小型化を図ることができる。コイル１４を小径に形成することによりコイルのインダクタンスを減少させることができ、磁気ヘッドの高周波特性を向上させることができる。
【００２０】
図では、コイル１４の巻き線間隔、コイル１４と下部磁極１２、コイル１４とバックギャップ部１５との間隔を比較的広く描いているが、実際の製品におけるコイル１４の巻き線間隔、コイル１４と下部磁極１２、コイル１４とバックギャップ部１５との間隔は１μｍ以下で、きわめて狭いから、絶縁層４０の端面を垂直形状とするだけであってもコイル１４の小型化、磁気ヘッドの小型化に有効に寄与する。
なお、絶縁層４０を２層構造とする構成はコイル１４と上部磁極１３とを電気的に絶縁する絶縁層５０にも適用することができる。絶縁層５０も絶縁層４０と同様に、第１の絶縁材層５１と第２の絶縁材層５２によって構成されている。第１の絶縁材層５１と第２の絶縁材層５２の構成は、上述した第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２についての構成と同様である。
【００２１】
前述したように、第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２は絶縁層４０をパターン形成するエッチングレートを考慮して決められる。したがって、第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２に使用する絶縁材料は適宜選択すればよい。本実施形態の磁気ヘッドでは、第１の絶縁材層４１の絶縁材料としてSiO2を使用し、第２の絶縁材層４２の絶縁材料としてアルミナを使用した。SiO2からなる絶縁層をエッチングする際にはRIE（反応性イオンエッチング）を使用するのであるが、アルミナはRIEでのエッチングレートが、SiO2にくらべてはるかに遅い（1/100程度）から、RIEによって第１の絶縁材層４１をパターン形成する際に第２の絶縁材層４２がエッチングマスクとして有効に作用する。
【００２２】
また、本実施形態では、絶縁層４０を第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２からなる２層構造としているが、絶縁層４０を３層以上の構成とし、最上層の絶縁層を次層以下の絶縁層のエッチングマスクとして使用する構成とすることもできる。
【００２３】
（層間絶縁層の形成方法）
図２は、磁気ヘッドの製造工程において、下部磁極層１６の表面に、記録用コイル１４と下部磁極層１６とを電気的に絶縁する層間絶縁層としての絶縁層４０を形成する工程の実施形態を示す。図２（ａ）は、下部磁極層１６の表面に第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２とを被着形成した状態を示す。
実際には、下部磁極層１６が形成された基板（ワーク）の表面に第１の絶縁材層４１を構成するSiO2を成膜し、次いで、第２の絶縁材層４２を構成するアルミナを成膜した。SiO2からなる第１の絶縁材層４１の膜厚は３００nm、アルミナからなる第２の絶縁材層の厚さは５０nmとした。
【００２４】
次に、第２の絶縁材層４２の表面にレジスト３０を被着させ、露光および現像して、絶縁層４０として残す部位を被覆するようにレジスト３０をパターン形成する（図２（ｂ））。レジスト３０の厚さは、第２の絶縁材層４２、すなわちアルミナをエッチングするに必要な厚さに設定すればよい。アルミナはイオンミリングによってエッチングする。第２の絶縁材層４２の厚さは５０nm程度であるから、レジスト３０の厚さは５００nm程度でよい。
【００２５】
図２（ｃ）は、レジスト３０をマスクとしてイオンミリングにより第２の絶縁材層４２をエッチングした状態を示す。イオンミリングは第２の絶縁材層４２がエッチングされてパターン化されたところで停止させる。イオンミリングによりレジスト３０もエッチングされて薄くなる。
図２（ｄ）は、CF4等のエッチングガスを用いたRIE（反応性イオンエッチング）により、第１の絶縁材層４１をエッチングした状態を示す。このエッチング操作では、第２の絶縁材層４２の表面に残留したレジスト３０は実質的に第１の絶縁材層４１のエッチングには寄与せず、第１の絶縁材層４１のパターン形成には第２の絶縁材層４２がエッチングマスクとして作用する。
【００２６】
前述したように、第２の絶縁材層４２を構成するアルミナは第１の絶縁材層４１を構成するSiO2にくらべてRIEによるエッチングレートがはるかに遅い（1/100程度以下）から、第１の絶縁材層４１をパターン形成するエッチングマスクとして有効に作用する。
第２の絶縁材層４２の厚さは第１の絶縁材層４１の厚さと比較して薄いから、エッチングマスクの厚さによる遮蔽作用は無視でき、第１の絶縁材層４１のエッチング端面は下部磁極層１６の面に垂直となる形状となる。
図２（ｅ）は、第１の絶縁材層４１をパターン形成した状態で第２の絶縁材層４２の表面にレジスト３０が残留していた場合に、レジスト３０を除去して第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２からなる絶縁層４０を形成した状態を示す。
【００２７】
なお、イオンミリングにより第２の絶縁材層４２をパターン形成した後、第２の絶縁材層４２の表面に残留するレジスト３０を除去する処理を施し、RIEによって第１の絶縁材層４１をエッチングする際に、第１の絶縁材層４１に第２の絶縁材層４２のみが残った状態で第１の絶縁材層４１をエッチングするようにしてもよい。
【００２８】
こうして、下部磁極層１６の表面に所定パターンに絶縁層４０が形成される。絶縁層４０は端面が下部磁極層１６の面に垂直に形成され、絶縁層４０の縁部がすそ引き形状にならずに明確に形成される。絶縁層４０の配置に合わせて記録用コイル１４を形成する際に、絶縁層４０の平面の全領域がコイル１４の形成領域として利用でき、高精度にコイル１４を形成することが可能になる。
【００２９】
なお、本実施形態では第１の絶縁材層４１をSiO2によって形成し、第２の絶縁材層４２をアルミナによって形成したが、各絶縁層を形成する絶縁材料はこれらの絶縁材料に限るものではなく、エッチング操作でのエッチングレートを考慮して適宜組み合わせを選択することができる。
また、第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２の厚さも、エッチングレートを考慮して設定すればよい。第１の絶縁材層４１をエッチングする際の第２の絶縁材層４２のエッチングレートが第１の絶縁材層４１の１／１０以下程度であれば、第１の絶縁材層４１にくらべて第２の絶縁材層４２を十分に薄く設定できるから、第１の絶縁材層４１をエッチングしてパターン形成するエッチングマスクとして有効に使用することができる。
【００３０】
第２の絶縁材層４２の厚さとしては、第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層のエッチングレート比から、実用上は５nm以上程度がよい。もちろん、第２の絶縁材層４２をかなり厚く形成することも可能である。しかしながら、第２の絶縁材層４２を厚く形成すると、第２の絶縁材層４２をエッチングするための時間がかかることになり、全体としての製造効率が低下する。下部磁極層１６とコイル１４とを電気的に絶縁する絶縁層４０の厚さとしては、厚い場合でも、０．４μｍ程度である。したがって、第２の絶縁材層４２の厚さとしては０．１μｍ以下程度とするのがよい。
【００３１】
本実施形態では絶縁層４０を第１の絶縁材層４１と第２の絶縁材層４２の２層構造としたが、絶縁層４０を３層以上に積層した構成とすることも可能である。その場合も、絶縁層４０を構成する最上層の絶縁層を、より下層の絶縁層をエッチングしてパターン形成するエッチングマスクとして使用することにより、絶縁層４０のエッチング端面を垂直に形成することができる。
【００３２】
また、本実施形態では、絶縁層４０の最上層にアルミナからなる第２の絶縁材層４２を設けたことにより、絶縁層４０の上に形成する記録用コイル１４と絶縁層４０との密着性を向上させることができるという利点もある。SiO2はコイルや配線パターンとの密着力が弱く、SiO2の表面にコイルや配線パターンを形成すると、コイルや配線パターンが剥離するという問題が生じることがある。この点で、コイルや配線パターンとの密着性が良好なアルミナからなる第２の絶縁材層４２によって絶縁層４０の表面を形成することは、磁気ヘッドの信頼性を向上させる上で有効である。
【００３３】
なお、本実施形態においては、絶縁層４０を第１の絶縁材料層４１と第２の絶縁材層４２といて、ともに絶縁材料によって形成する構成としたが、第２の絶縁材層４２は第１の絶縁材層４１のエッチングマスクとして作用する機能を有するものであればよいから、必ずしも絶縁材料によって形成しなければならないものではない。
【００３４】
たとえば、絶縁材料にかえて、Cr、NiFe、Ru、Au、Pt等の金属膜を第２の絶縁材層４２のかわりに使用することも可能である。これらの金属膜のようにRIEによるエッチングレートが第１の絶縁材層４１のエッチングレートよりも遅いものであれば、第１の絶縁材層４１のエッチングマスクとして利用することができる。第１の絶縁材層４１は絶縁層４０の主要部を占めるから、第２の絶縁材層４２のかわりに金属膜を用いても絶縁層４０の電気的絶縁性は問題にならない。ただし、第２の絶縁材層４２のかわりに金属膜を使用した場合には、コイル１４をパターン形成した後、第１の絶縁材層４１上の金属膜の不要部分をイオンミリング等によって除去し、コイル１４が金属膜によって電気的に短絡しないようにする必要がある。
【００３５】
図１に示す磁気ヘッドの下部磁極１２およびバックギャップ部１５、上部磁極１３については、上述した方法によって絶縁層４０を形成した後、基板（ワーク）の表面にめっきシード層を形成し、めっきシード層の表面に下部磁極１２とバックギャップ部１５を形成するレジストをパターン形成し、電解めっきにより下部磁極１２とバックギャップ部１５を盛り上げるようにして形成することができる。これらの製造工程は、従来の磁気ヘッドの製造工程と同様である。
【００３６】
なお、上述した、絶縁層をエッチングして所定パターンに形成する方法は、磁気ヘッドの下部磁極層１６とコイル１４との間に設けられる絶縁層４０を形成する場合に限らず、下地層の表面に所定パターンに絶縁層を形成する一般的な方法として利用することができる。
【００３７】
図３は、磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の例を示す。この磁気ディスク装置は、箱状に形成したケーシング６０内に記録媒体６２を設置し、記録媒体６２の回転機構と、キャリッジアセンブリ６４およびキャリッジアセンブリ６４をシーク動作させるアクチュエータ７０とを備える。キャリッジアセンブリ６４はキャリッジアーム６５にサスペンション６６を取り付け、サスペンション６６の先端に本発明に係る磁気ヘッドが形成されたスライダー６７が搭載されている。
本磁気ディスク装置では、スライダー６７に形成された磁気ヘッドのライトヘッド１０により記録媒体６２に情報を記録し、記録媒体に記録された情報を磁気ヘッドのリードヘッド８により再生する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る層間絶縁層の構成を備えた磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図２】層間絶縁層を形成する工程を示す説明図である。
【図３】磁気ディスク装置の平面図である。
【図４】磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図５】絶縁層をパターン形成する従来方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３９】
８  リードヘッド
１０  ライトヘッド
１２  下部磁極
１３  上部磁極
１４  記録用コイル
１５  バックギャップ部
１６  下部磁極層
１８  絶縁層
３０  レジスト
４０  絶縁層
４１  第１の絶縁材層
４２  第２の絶縁材層
５０  絶縁層
５１  第１の絶縁材層
５２  第２の絶縁材層
６７  スライダー
【図３】
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【図１】
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【図２】
2007335039.tif 000005
【図４】
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【図５】
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