(57)【要約】【課題】  光素子と光導波路等の実装部品とを内蔵した構成において、モジュール内の電気的接続を容易に行え、設計の自由度が高く、低コストで、ボンディングの熱影響を抑制し、高速動作においても信頼性の高い光伝送モジュールを提供する。【解決手段】  電極ピン１１Ａ〜１１Ｆを保持している金属ステム１０上に設置されたサブマウント１６には、受光素子１２及び発光素子１３が搭載されている。更に、サブマウント１６上の発光素子１３の近傍の電極ピン１１Ａと発光素子１３を接続するワイヤボンディングの中継位置に中継用電極部２０が設けられている。発光素子１３と電極ピン１１Ａとを中継用電極部２０を中継位置としてボンディングワイヤ１４Ａ，１４Ｊによって迂回して接続される。【選択図】    図１
2007081261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被実装面上に取り付けられたサブマウントと、
前記サブマウントに取り付けられた光素子と、
前記被実装面あるいは前記サブマウント上に実装され、前記光素子とは独立した実装部品と、
前記実装部品から離れた前記サブマウント上の位置に形成され、前記光素子への配線を補助する中継用電極とを備えたことを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項２】
前記実装部品は、前記光素子よりも高さがあることを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項３】
前記中継用電極は、前記光素子の電極と前記光素子の電極に接続される端子とを結ぶ前記実装部品を迂回した経路上の位置に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項４】
前記サブマウントは、矩形状の上面を有し、
前記中継用電極は、前記サブマウントの前記上面の角部に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項５】
前記実装部品は、前記サブマウントに取り付けられた光導波路であることを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項６】
前記光導波路は、高分子光導波路であることを特徴とする請求項５に記載の光伝送モジュール。
【請求項７】
前記光素子は、受光部あるいは発光部を有する面型光素子であり、
前記光導波路は、前記光素子の前記受光部あるいは前記発光部上に立設されたことを特徴とする請求項５に記載の光伝送モジュール。
【請求項８】
前記中継用電極は、複数のボンディングワイヤが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項９】
前記中継用電極は、所定の長さの配線パターン形状を有することを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項１０】
前記実装部品は、前記サブマウントに実装された電子部品であることを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項１１】
前記実装部品は、前記被実装面に実装された電子部品であることを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項１２】
前記サブマウントは、シリコンからなる基材を有し、
前記中継用電極は、前記基材の表面に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子や受光素子の光素子、及び光導波路等の実装部品を搭載した構成により光伝送を行う光伝送モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光通信には光伝送モジュールが用いられており、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）等の発光素子やフォトダイオード（ＰＤ）等の受光素子の光素子と、光素子と光ファイバとを光結合する光導波路を搭載し、光ファイバを介して双方向に光通信を行えるように構成されている。
【０００３】
光導波路は、光素子の光軸方向に立設して実装したもの（例えば、特許文献１，２参照。）や、光素子の光軸方向に直交する方向に寝かせた状態で実装したもの（例えば、特許文献３参照。）が提案されている。
【特許文献１】特開２００４−２１２７７４号公報
【特許文献２】特開２００３−３２９８９２号公報
【特許文献３】特開２００４−２２６９４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の光伝送モジュールによると、小型化によって、実装部品間の間隔が狭くなってきており、例えば、光素子と外部接続用の電極ピンとを接続するボンディングワイヤが、発光素子の前方を遮るなどの不具合が発生しやすくなっている。特に、光導波路は立体的でサイズが大きいため、ボンディングワイヤの布線経路が光導波路によって遮られ、ワイヤボンディングがし難くなったり、行えなくなるおそれがある。また、ボンディングワイヤの配置を優先させた構成にすると、光伝送モジュールの形状に制約を受け、設計の自由度が低下したり、製造コストが増大するという問題がある。
【０００５】
従って、本発明の目的は、光素子と光導波路等の実装部品とを内蔵した構成において、モジュール内の電気的接続を容易に行え、設計の自由度が高く、低コストな光伝送モジュールを提供することにある。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、光素子と光導波路等の実装部品とを内蔵した構成において、ボンディングの熱影響を抑制し、高速動作においても信頼性の高い光伝送モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、被実装面上に取り付けられたサブマウントと、前記サブマウントに取り付けられた光素子と、前記被実装面あるいは前記サブマウント上に実装され、前記光素子とは独立した実装部品と、前記実装部品から離れた前記サブマウント上の位置に形成され、前記光素子への配線を補助する中継用電極とを備えたことを特徴とする光伝送モジュールを提供する。
【０００８】
上記光伝送モジュールによれば、配線を補助する中継用電極により実装部品を迂回して配線することが可能となり、モジュール内の電気的接続を容易に行うことができる。また、実装部品を搭載した後に中継用電極にボンディングしても中継用電極が実装部品から離れているので、ボンディングの際の実装部品への熱的影響を抑制することができる。
【０００９】
前記実装部品は、前記光素子よりも高さがある場合でも、実装部品と干渉することなく中継用電極を介して配線することができる。
【００１０】
前記中継用端子は、前記光素子の電極と前記光素子の電極に接続される端子とを結ぶ前記実装部品を迂回した経路上の位置、あるいは矩形状の前記サブマウントの前記上面の角部に形成することができる。これにより、ボンディングする際の実装部品への熱的影響を抑制することができ、実装部品と干渉することなく中継用電極を介して配線することが可能となる。
【００１１】
前記実装部品は、前記サブマウントに取り付けられた光導波路である。光導波路と光素子をサブマウントに搭載することにより、光素子と光導波路との光軸を合わせ易くなり、小型化が容易となる。
【００１２】
前記光導波路は、高分子光導波路であることにより、熱的影響を受けやすくなるが、配線を補助する中継用電極を離れた位置に設け、この中継用電極を介して迂回配線を行うことにより、高分子光導波路に熱的影響を及ぼすことがなくなる。
【００１３】
前記光素子は、受光部あるいは発光部を有する面型光素子であり、前記光導波路は、前記光素子の前記受光部あるいは前記発光部上に立設させることができる。光素子として面型光素子を用いることにより、面発光素子上に光導波路を立設した構造が採用し易くなる。
【００１４】
前記中継用電極は、複数のボンディングワイヤが接続されていることにより、実装部品に対する迂回配線を容易に行うことができる。
【００１５】
前記中継用電極は、所定の長さの配線パターン形状を有することにより、前記電極に接続されるボンディングワイヤの長さを短くすることができ、振動等によってワイヤ接続部やワイヤの断線を防止することができる。
【００１６】
前記実装部品は、前記サブマウントに実装された電子部品であることによっても、光素子の近傍に配置しての高密度実装が可能になる。また、前記実装部品は、前記被実装面に実装された電子部品であっても、配線を補助する電極を用いた迂回配線を適用でき、ワイヤボンディングに伴う電子部品との干渉を避けることができる。このような電子部品として、例えば、受光素子の増幅用ＩＣ、コンデンサ、発光素子の駆動用ＩＣ等がある。
【００１７】
前記サブマウントは、シリコンからなる基材を有し、前記電極は、前記基材の表面に形成されることにより、複雑な構造のサブマウントの形成が可能になるとともに、前記電極の形成が容易になる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、光素子と光導波路等の実装部品とを内蔵した構成において、モジュール内の電気的接続を容易に行え、設計の自由度が高く、低コストな光伝送モジュールを提供することができる。
【００１９】
また、光素子と光導波路等の実装部品とを内蔵した構成において、ボンディングの熱影響を抑制し、高速動作においても信頼性の高い光伝送モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光伝送モジュールを示す。また、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。なお、図１は金属ステム上の実装部品を示す。
【００２１】
光伝送モジュール１は、上面が被実装面となる金属ステム１０と、金属ステム１０上に配設された受光素子１２及び発光素子１３と、受光素子１２の受光部１２ａと発光素子１３の発光部１３ａに光結合する実装部品としての光導波路１５と、受光素子１２、発光素子１３、及び光導波路１５を位置決めするサブマウント１６と、金属ステム１０上に設置され、受光素子１２の出力信号を増幅するＩＣ１９とを備える。
【００２２】
また、光伝送モジュール１は、金属ステム１０上に絶縁体２１によって保持された複数の電極ピン１１（１１Ａ〜１１Ｆ）を保持しており、受光素子１２、発光素子１３、ＩＣ１９間をボンディングワイヤ１４（１４Ａ〜１４Ｊ）によって接続している。また、発光素子１へのワイヤボンディングを補助する中継用電極部２０をサブマウント１６上に設け、発光素子１３と電極ピン１１Ｆとをボンディングワイヤ１４Ａ，１４Ｊによって迂回して接続している。
【００２３】
さらに、光伝送モジュール１は、天井面に開口１７ａを有して金属ステム１０上の各部材を封止する金属製のキャップ１７と、開口１７ａを封止する透過窓１８と、透過窓１８と光導波路１５の間に配設された屈折率整合剤２４と、光ファイバ２が接続され、キャップ１７に装着されるカプラ部材３０とを備える。
【００２４】
金属ステム１０は、表面へのグランド接続用のワイヤボンディングが可能な銅、銅合金等の金属により円板状に加工されている。
【００２５】
電極ピン１１Ａ〜１１Ｆのうち、電極ピン１１Ａ〜１１Ｃは受信用であり、電極ピン１１Ａ，１１Ｂは差動信号用、電極ピン１１Ｃはグランド用である。また、電極ピン１１Ｄ〜１１Ｆは送信用であり、電極ピン１１Ｄは電源用、電極ピン１１Ｅ，１１Ｆはグランド用である。
【００２６】
受光素子１２は、上面に光信号を受光する受光部１２ａを備え、下面に金属ステム１０に実装される実装面を備え、上面に２つの電極を有する面型光素子であり、例えば、ＧａＡｓ製ＰＩＮフォトダイオードを用いることができる。
【００２７】
発光素子１３は、上面に光信号を発光する発光部１３ａを備え、下面に金属ステム１０に実装される実装面を備え、上面と下面に電極を有する面型光素子であり、例えば、波長８５０ｎｍのＶＣＳＥＬを用いることができる。なお、上面に２つの電極を有する発光素子を用いてもよい。
【００２８】
光導波路１５は、例えば、高分子光導波路であり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等のコア材からなるト字形の導光部１５ａを形成し、導光部１５ａの周囲にコア材よりも屈折率の小さいフッ素系ポリマー等からなるクラッドを形成して構成されている。このような光導波路１５は、例えば、特開平２００４−２２６９４１号公報に開示されているように作製することができる。すなわち、硬化性樹脂からなる型の表面に形成された凹部に紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなるコア形成用硬化性樹脂を充填し、型表面にクラッド用フィルム基材を接合させ、コア形成用硬化性樹脂を硬化させてコアを形成した後、型を剥離し、クラッド用フィルム基材のコア形成面側にクラッド層を形成することにより、高分子光導波路を作製される。なお、導光部１５ａのパターンは、上記ト字形に限定されず、光素子の組合せに応じてＹ字形等の他のパターンを用いることができる。
【００２９】
キャップ１７は、外部からのノイズを低減するために、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属により缶状に形成され、図２に示すように、下端面は金属ステム１０に導電性の接着剤等により固定される。
【００３０】
透過窓１８は、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン等のプラスチック材料や、無機ガラス等の透明な材料からなる。
【００３１】
ＩＣ１９は、受光素子１２からの出力信号を増幅する回路を内蔵するとともに、上面に複数の電極を備え、受光素子１２に隣接して配設されている。
【００３２】
屈折率整合剤２４は、光導波路１５および透過窓１８の屈折率と同程度の屈折率を有し、かつ、透明な材料からなり、例えば、シリコーン系樹脂、紫外線硬化型接着剤等を用いることができる。
【００３３】
カプラ部材３０は、例えば、透明な樹脂をモールドして作られており、キャップ１７に着脱自在に装着される。このカプラ部材３０は、キャップ１７に外嵌されるハウジング部３１と、ハウジング部３１内の中心部に形成されたレンズ部３２と、ハウジング部３１の上部に筒状に形成されて内部に光ファイバ２が嵌入される光ファイバ挿入部３３と、光ファイバ挿入部３３の外周に設けられた鍔部３４とを備える。
【００３４】
（サブマウントの構成）
図３は、サブマウントの構成を示す。サブマウント１６は、Ｓｉ等の絶縁材による本体１６ａと、本体１６ａの中央部に設けられ、受光素子１２および発光素子１３上に光導波路１５を載置した外形に対応する貫通孔１６ｄとを有している。この貫通孔１６ｄは、受光素子１２を位置決めする受光素子搭載部１６ｂと、発光素子１３を位置決めする発光素子搭載部１６ｃとを有している。更に、サブマウント１６の上面には、光素子搭載部１６ｃの近傍に前述した中継用電極部２０が形成されている。
【００３５】
中継用電極部２０は、Ａｕ薄膜等により形成したパッドであり、その形状は角形や丸形等であってもよい。また、中継用電極部２０は、光導波路１５から離れた位置、すなわち、発光素子１３の電極とこの発光素子１３の電極に接続される電極ピン１１Ｆとを結ぶ光導波路１５を迂回した経路上の位置に形成されている。本実施の形態には、サブマウント１６の矩形状の上面の角部に形成されている。
【００３６】
（光伝送モジュールの組立）
まず、金属ステム１０上の所定の位置にＩＣ３及びサブマウント１６を搭載する。サブマウント１６の固定は、接着剤等を用いて実施する。ついで、サブマウント１６の受光素子搭載部１６ｂ及び発光素子搭載部１６ｃに、受光素子１２及び発光素子１３をそれぞれ位置決め固定する。このとき、発光素子１２の下面の電極は、金属ステム１０の上面に接触してグランド接続される。
【００３７】
次に、ＩＣ１９と受光素子１２及び金属ステム１０上の所定の位置とをボンディングワイヤ１４Ｆ，１４Ｇ，１４Ｈ，１４Ｉで接続し、ＩＣ１９と電極ピン１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｄをボンディングワイヤ１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｂで接続し、発光素子１３の電極と中継用電極２０をボンディングワイヤ１４Ｊで接続し、中継用電極部２０と電極ピン１１Ｆをボンディングワイヤ１４Ａで接続し、電極ピン１１Ｃと金属ステム１０の上面とをボンディングワイヤ１４Ｃで接続する。
【００３８】
次に、サブマウント１６の貫通孔１６ｄの部分に光導波路１５を位置決め固定する。さらに、光導波路１５上に屈折率整合剤２４を介在させ、この状態で、予め透過窓１８を取り付け済みのキャップ１７を金属ステム１０上に固定する。
【００３９】
このようにして製造された光伝送モジュール１の電極ピン１１Ａ〜１１Ｆを回路基板に形成された接続穴（スルーホール）に貫通させて、光送受信モジュール１を実装する。次に、レンズ部３２および光ファイバ挿入部３３を有するカプラ部材３０をキャップ１７に嵌合させ、光ファイバ２を光ファイバ挿入部３３に保持し、カプラ部材３０を位置決めした後、カプラ部材３０をキャップ１７にエポキシ樹脂等によって固定する。このようにして光伝送装置が製造される。
【００４０】
（光伝送装置の動作）
光ファイバ２から光信号が送られてくると、その光信号は、カプラ部材３０のレンズ部３２、透過窓１８、及び屈折率整合剤２４を介して光導波路１５の導光部１５ａに入光する。導光部１５ａからの光信号は、受光素子１２の受光部１２ａに入光し、受光素子１２によって光−電気変換される。この電気信号は、ＩＣ１９によって増幅され、電極ピン１１Ａ，１１Ｂを介して回路基板へ出力される。
【００４１】
一方、回路基板から電極ピン１１Ｆに駆動信号が入力されると、発光素子１３が駆動され、発光部１３ａから光信号が出力される。この光信号は、光導波路１５の導光部１５ａに入光して屈折率整合剤２４に到達し、さらに透過窓１８、レンズ部３２を経由して光ファイバ２へ送出される。以上のようにして１芯双方向通信が行われる。
【００４２】
（第１の実施の形態の効果）
第１の実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（イ）中継用電極部２０をサブマウント１６に設け、この中継用電極部２０を介してボンディングワイヤ１４Ａ，１４Ｊにより発光素子１３と電極ピン１１Ｆを迂回して電気的接続を行うことにより、光導波路１５を縦位置で実装しても光導波路１５に邪魔されることなくワイヤボンディングを行うことができる。また、ワイヤと光導波路１５が接触して光導波路１５の振動によってワイヤが破断するおそれがなくなる。
（ロ）ワイヤボンディング後に光導波路１５を搭載することができるので、ボンディングの際の発熱によって光導波路１５の導光部１５ａが損傷するのを防ぐことができる。
（ハ）中継用電極２０によりワイヤ長を短くすることができるので、振動等によりワイヤやワイヤ接続部の破断を防止することができ、高周波特性を向上させることができる。
（ニ）発光素子１３と電極ピン１１Ｆとの間の接続のために中継用電極部２０を設けたことにより、光伝送モジュール１の形状に制約を受けることがなくなり、設計の自由度が向上する。特に、中継用電極部２０をサブマウント１６上に設けることにより、制約は受け難くなる。
（ホ）発光素子１３と電極ピン１１との間の中継接続には、中継用電極部２０を設けるのみで済むため、部品点数の増加を防止できるとともに製造が容易になり、光伝送モジュール１のコストダウンが可能になる。
（ヘ）サブマウント１６上に受光素子１２及び発光素子１３のほか、電子部品等の他の実装部品として光導波路１５を実装することにより、高密度実装を図ることができる。
（ト）サブマウント１６は、Ｓｉ材から形成されているので、複雑な構造の形成が可能になる。
【００４３】
なお、上記実施の形態では、発光素子１３の電極と中継用電極２０、中継用電極部２０と電極ピン１１Ｆをそれぞれボンディングした後、光導波路１５を搭載したが、ボンディングと実装部品の順序は限定されない。例えば、発光素子１３の電極と中継用電極２０とをボンディングした後、光導波路１５を搭載し、中継用電極部２０と電極ピン１１Ｆとをボンディングすることも可能である。中継用電極２０は光導波路１５から離れた位置に形成されているため、ボンディングの際の光導波路１５への熱影響を抑制することができる。
【００４４】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光伝送モジュールを示す。本実施の形態は、第１の実施の形態において、中継用電極部２０の形状を所定長の配線パターン形状にしたものであり、その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００４５】
中継用電極部２０は、銅箔等により光導波路１５を迂回して電極ピン１１Ｄ〜１１Ｆのピン列に平行に設けられている。中継用電極部２０は、光導波路１５の厚み寸法よりやや長い導電パターン２０ａと、この導電パターン２０ａの両端に形成された電極２０ｂ，電極２０ｃとを備える。
【００４６】
電極２０ｂは、発光素子１３に隣接して設けられ、ボンディングワイヤ１４Ｊによって発光素子１３の電極に接続される。また、電極２０ｃは、電極ピン１１Ｆに近い位置に設けられ、ボンディングワイヤ１４Ａによって電極ピン１１Ｆに接続される。
【００４７】
第２の実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（イ）サブマウント１６上に配線パターン形状による中継用電極部２０を設けたことにより、実装部品である光導波路１５を迂回した配線が可能になり、実装性及び高周波特性の向上を図ることができる。また、第１の実施の形態と同様にボンディングの際の光導波路１５との干渉を防げ、ボンディングの際の光導波路１５への熱影響を抑制することができる。
（ロ）中継用電極部２０の電極２０ｃを電極ピン１１Ｆの近傍に配設したことにより、ボンディングワイヤ１４Ａの長さを最短にすることができ、第１の実施の形態に比べ、ボンディングワイヤ１４Ａの変形や、金属ステム１０や電極ピン１１Ｅ等の他の部材との接触を避けることができる。
（ハ）中継用電極部２０を配線パターン形状にしたことにより、ワイヤ長を第１の実施の形態よりも短くすることができるので、信頼性をより高めることができる。
（ニ）中継用電極部２０を配線パターン形状にしたことにより、より複雑な配線が可能になり、ボンディングワイヤを長くする場合に比べて信頼性を向上させることができる。
【００４８】
［第３の実施の形態］
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る光伝送モジュールを示す。また、図６は、図５の光伝送モジュールのサブマウント上の構成を示す。
【００４９】
本実施の形態は、第２の実施の形態において、光導波路１５を金属ステム１０に平行な配置、すなわち水平配置にするとともに、光導波路１５の水平配置に合わせた形状の金属ステム４０及びサブマウント５０を用い、更に、受光素子１２に代えて第２の発光素子を備えたものであり、その他の構成は第２の実施の形態と同様である。
【００５０】
光導波路１５は、図５及び図６に示すように、第１，第２の発光素子１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの発光部１３ａに光結合される導光部１５１，１５２と、第１，第２の発光素子１３Ａ，１３Ｂのそれぞれの発光部１３ａからの光を導光部１５１，１５２へ入射させる４５度ミラー１５３とを備え、サブマウント５０上に伏せた状態で搭載される。
【００５１】
導光部１５１，１５２は、第１の実施の形態の導光部１５ａと同様のコア材からなり、その外囲にコア材よりも屈折率の小さい材料からなるクラッドを形成している。
【００５２】
４５度ミラー１５３は、光導波路１５の一端を４５度にカットして形成され、このカット面に銀蒸着等による反射膜が形成されている。
【００５３】
金属ステム４０は、金属ステム１０と同様の材料を用いて角形に作られており、対向する２辺近傍には各４つの電極ピン２２Ａ〜２２Ｄ，２２Ｅ〜２２Ｈが配列され、ピン列間に光導波路１５が配設されている。更に、金属ステム４０には、第１，第２の発光素子１３Ａ，１３Ｂやその他の実装部品を保護するため、必要に応じて、図示しないキャップが配線終了後に装着される。
【００５４】
サブマウント５０は、サブマウント１６と同様の材料で作られており、図６に示すように、第１，第２の発光素子１３Ａ，１３Ｂ及び光導波路１５を位置決めして搭載する凹部５０ａを有するとともに、光導波路１５の端面を突出できる横幅を有している。
【００５５】
更に、サブマウント５０は、導電パターン２０ａ及び電極２０ｂ，２０ｃを備えた中継用電極部２０Ａ〜２０Ｄが、光導波路１５の２辺に沿って形成されている。中継用電極部２０Ａは、第１の発光素子１３Ａの端子と電極ピン２２Ｄの接続用、中継用電極部２０Ｂは、第１の発光素子１３Ａの端子と電極ピン２２Ｃの接続用、中継用電極部２０Ｃは、第２の発光素子１３Ｂの端子の電極ピン２２Ｈの接続用、中継用電極部２０Ｄは、第２の発光素子１３Ｂの端子と電極ピン２２Ｇの接続用である。
【００５６】
図７は、光導波路と発光素子の配置を示す。ここでは、第１の発光素子１３Ａと光導波路１５の配置を示しているが、第２の発光素子１３Ｂも同様の配置である。第１の発光素子１３Ａの発光部１３ａの上部には、光導波路１５の４５度ミラー１５３が位置決めされ、発光部１３ａの出力光は矢印Ｃのように４５度ミラー１５３で反射し、導光部１５１に入射する。
【００５７】
（光伝送モジュールの組立）
まず、金属ステム４０上の所定の位置にサブマウント５０を位置決め固定し、このサブマウント５０の所定の位置に第１，第２の発光素子１３Ａ，１３Ｂを搭載する。次に、中継用電極部２０Ａ〜２０Ｄのそれぞれの電極２０ｃと電極ピン２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｇ，２２Ｈとを、ボンディングワイヤ２３Ａ〜２３Ｄによって接続する。更に、第１の発光素子１３Ａと中継用電極部２０Ａ，２０Ｂのそれぞれの電極２０ｂとをボンディングワイヤ２３Ｅ，２３Ｈで接続し、第２の発光素子１３Ｂと中継用電極部２０Ｃ，２０Ｄをボンディングワイヤ２３Ｆ，２３Ｇで接続する。
【００５８】
次に、４５度ミラー１５３が発光部１３ａに重なるようにして、光導波路１５をサブマウント５０に搭載する。以上により、光伝送モジュール１が完成する。なお、導光部１５１，１５２の端面には、光ファイバが図示しないカプラなどを介して接続される。
【００５９】
第３の実施の形態によれば、中継用電極部２０Ａ〜２０Ｄをサブマウント５０に設け、この中継用電極部２０Ａ〜２０Ｄを介してボンディングワイヤ２３Ａ〜２３Ｄ，２３Ｅ，２３Ｈにより発光素子１３Ａ，１３Ｂと電極ピン２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｇ，２２Ｈとを迂回して電気的接続を行うことにより、光導波路１５を水平位置で実装しても、光導波路１５に邪魔されることなくワイヤボンディングを行うことができ、ボンディング後に光導波路１５を搭載することができる。
【００６０】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、第１、第２の実施の形態では、受光素子と発光素子を用い、第３の実施の形態では、２つの発光素子と発光素子を用いたが、２つの受光素子を用いてもよく、単一の発光素子や受光素子を用いてもよく、光素子の数や組合せは任意である。
【００６１】
また、第１、第２の実施の形態では、モジュールに受光素子の増幅用ＩＣを配置したが、増幅用ＩＣをモジュールに配置せずに回路基板側に配置してもよい。また、モジュールに受光素子、発光素子の他、発光素子の駆動用ＩＣを配置してもよく、モジュールに発光素子、受光素子、増幅用ＩＣおよび駆動用ＩＣを配置してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光伝送モジュールを示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】サブマウントの構成を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光伝送モジュールを示す平面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る光伝送モジュールを示す平面図である。
【図６】図５の光伝送モジュールのサブマウント上の構成を示す斜視図である。
【図７】光導波路と発光素子の配置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  光伝送モジュール
２  光ファイバ
１０  金属ステム
１１Ａ〜１１Ｆ  電極ピン
１２  受光素子
１２ａ  受光部
１３  発光素子
１３Ａ，１３Ｂ  発光素子
１３ａ  発光部
１４Ａ〜１４Ｊ  ボンディングワイヤ
１５  光導波路
１５ａ  導光部
１６  サブマウント
１６ａ  本体
１６ｂ  受光素子搭載部
１６ｃ  発光素子搭載部
１６ｄ  貫通孔
１７  キャップ
１７ａ  開口
１８  透過窓
１９  ＩＣ
２０，２０Ａ〜２０Ｄ  中継用電極部
２０ａ  導電パターン
２０ｂ，２０ｃ  電極
２１  絶縁体
２２Ａ〜２２Ｈ  電極ピン
２３Ａ〜２３Ｈ  ボンディングワイヤ
２４  屈折率整合剤
３０  カプラ部材
３１  ハウジング部
３２  レンズ部
３３  光ファイバ挿入部
３４  鍔部
４０  金属ステム
５０  サブマウント
５０a  凹部
１５１，１５２  導光部
１５３  ４５度ミラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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