(57)【要約】【課題】  液晶装置等の電気光学装置において、画像信号線を低抵抗化して、高品位な画像表示を行う。【解決手段】  電気光学装置は、基板上に、互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素部とを備える。更に、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から夫々形成されると共に互いに電気的に接続された複数の部分配線を有しており、複数の画素部が配列された画素アレイ領域の一辺に沿った方向に配線された部分を含む、複数のデータ線に画像信号を供給するための画像信号線を備える。【選択図】  図９
2007047385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素部と、
層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から夫々形成されると共に互いに電気的に接続された複数の部分配線を有しており、前記複数の画素部が配列された画素アレイ領域の一辺に沿った方向に配線された部分を含む、前記複数のデータ線に画像信号を供給するための画像信号線と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の導電膜のうち一の導電膜から形成されると共に前記画素アレイ領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、前記画像信号線に電気的に接続された外部回路接続端子を更に備え、
前記複数の部分配線のうち前記一の導電膜から形成された一の部分配線は、前記外部回路接続端子から延設される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の部分配線のうち前記外部回路接続端子とは異なる導電膜から形成された部分配線は、前記基板上で平面的に見て、前記外部回路接続端子の位置する領域において開孔されたコンタクトホールを介して前記外部回路接続端子と夫々電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の部分配線は、基板上で平面的に見て少なくとも部分的に互いに重なる部分を含み、前記互いに重なる部分において少なくとも一つのコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の部分配線は、基板上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように、且つ、互いに重なるように形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の画素部は夫々、前記基板上に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層された蓄積容量を備え、
前記複数の部分配線は、前記データ線と同一膜から形成された第１部分配線と、前記下側電極及び前記上側電極のいずれか一方に電気的に接続された容量線と同一膜から形成された第２部分配線とからなる
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画像信号は、シリアル−パラレル展開された複数系統の画像信号であり、
前記画像信号線は、各前記系統の画像信号を夫々供給するための複数の画像信号線であり、
前記第１及び第２部分配線の上層側及び下層側のいずれか一方に位置する導電膜から形成されると共に前記複数のデータ線の配列に対応して複数配列されており、前記第１及び第２部分配線の少なくとも一方に一端が夫々電気的に接続される複数の分岐配線と、
該複数の分岐配線の他端から夫々供給される前記画像信号を、サンプリング信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、
前記データ線に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング信号を順次供給するデータ線駆動回路と
を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、一般に、外部回路から外部回路接続端子を介して供給される画像信号に基づいて駆動される。例えば、液晶装置において、画像信号は、基板上の画像表示領域に配線された複数のデータ線にサンプリングスイッチを介して供給される。これにより、複数のデータ線は、順次駆動される。より具体的には、画像信号線は、外部回路接続端子からサンプリングスイッチを含む画像信号供給部に至るまで、基板上で配線され、更に画像信号供給部内において画像表示領域の左右方向に沿って配線される。画像信号線は、画像表示領域の左右方向に並んだサンプリングスイッチに接続されており、画像信号は、このようなサンプリングスイッチを介して、例えば左から右へ順次にデータ線に供給される。
【０００３】
このような画像信号線については、例えば特許文献１では、画像信号が複数系列に相展開された場合における、複数の画像信号線間の時定数をほぼ均一にすることにより、画像表示むらを抑制する技術が、本願出願人により開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特許第３４０２１１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の如く、画像信号が、画像表示領域の左右方向に沿って配線された画像信号線を介してデータ線に供給される場合には、画像信号線の有する抵抗によって画面表示領域の左右での表示性能に差が生じてしまうという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、画像信号線を低抵抗化して、高品位な画像表示を行うことが可能な電気光学装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素部と、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から夫々形成されると共に互いに電気的に接続された複数の部分配線を有しており、前記複数の画素部が配列された画素アレイ領域の一辺に沿った方向に配線された部分を含む、前記複数のデータ線に画像信号を供給するための画像信号線とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、その駆動時には、外部回路から画像信号が、例えば外部回路接続端子を介して画像信号線に供給され、更に、例えばデータ線に対応して配列された分岐配線から、例えばサンプリング回路へと供給される。尚、画像信号は、例えば、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、３相、６相、１２相、２４相、・・・など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成されてもよい。この場合には、３本、６本、１２本、２４本、・・・など、複数の画像信号線が、例えば並んで配線されてもよい。
【０００９】
このような画像信号の供給と並行して、例えばデータ線駆動回路によって、データ線に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、例えばサンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線毎に画像信号が順次供給される。尚、サンプリングスイッチは、例えば、片チャネル型のＴＦＴにより夫々構成され、ソースが分岐配線に電気的に接続され、ドレインがデータ線に接続され、ゲートにサンプリング信号が供給されることでオン状態とされる。
【００１０】
このようにデータ線が駆動されると、画素アレイ領域に設けられた各画素部では、例えば、走査線駆動回路から走査線を介して供給される走査信号に応じて、スイッチング動作を行う画素スイッチング素子を介して、データ線より画像信号が表示素子に供給される。
【００１１】
以上の結果、例えば表示素子である液晶素子は、画像信号に基づいて、アクティブマトリクス駆動方式による画像表示を行うことが可能となる。
【００１２】
本発明では特に、画像信号線は、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から夫々形成されており、互いに電気的に接続された複数の部分配線を有する。よって、画像信号線を一の導電膜から形成する場合と比較して、抵抗（即ち、配線の電気抵抗或いは配線抵抗）が低い。従って、本発明に如く画像信号線が、画素アレイ領域の一辺に沿った方向、例えば画素アレイ領域における左右方向に沿って配線されている部分を含んでも、画像表示性能の左右差を殆ど或いは実践上完全に無くすことができる。言い換えれば、画像信号線における画素アレイ領域の左側に対応するに位置と右側に対応する位置とでは時定数が異なることに起因して画像信号のなまる程度或いは画像信号の供給されるタイミングが相異するために画像表示の濃淡が左右によって異なる等の左右差が発生することを、本発明に係る複数の部分配線を有する等の構成によって低減或いは防止することができる。尚、このような効果は、外部回路端子の配列や他の配線からの制約によって、画像信号線を左右の一方の側からしか引き回すことができない場合に特に有効である。
【００１３】
更に、複数の部分配線は相異なる層に位置する複数の導電膜から夫々形成されるので、基板上で平面的に見て互いに重なるように配線することができる。よって、複数の部分配線を配線する設計自由度が高い。従って、例えば、複数の部分配線を、基板上で平面的に見て、互いに殆ど或いは完全に重なるように配線することにより、画像信号線の配線に必要な基板上の面積を殆ど或いは全く増加させることなく、言い換えれば、基板サイズを大きくすることなく、画像信号線の低抵抗化を図ることができる。
【００１４】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、画像信号線の配線に必要な基板上の面積を増加させることなく、画像信号線の低抵抗化を図ることができ、最終的には、高品位な画像表示が可能となる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記複数の導電膜のうち一の導電膜から形成されると共に前記画素アレイ領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、前記画像信号線に電気的に接続された外部回路接続端子を更に備え、前記複数の部分配線のうち前記一の導電膜から形成された一の部分配線は、前記外部回路接続端子から延設される。
【００１６】
この態様によれば、一の部分配線は、外部回路接続端子から延設される。よって、一の部分配線は、例えばコンタクトホールを介することなく、外部回路接続端子と電気的に接続されている。従って、コンタクト抵抗或いはコンタクトホール付近における接触抵抗等がない分だけ、外部回路接続端子から一の部分配線に至るまでの抵抗を低くすることができる、即ち画像信号線の抵抗を低くすることができる。
【００１７】
上述した外部回路接続端子を備えた態様では、前記複数の部分配線のうち前記外部回路接続端子とは異なる導電膜から形成された部分配線は、前記基板上で平面的に見て、前記外部回路接続端子の位置する領域において開孔されたコンタクトホールを介して前記外部回路接続端子と夫々電気的に接続されてもよい。
【００１８】
この場合には、基板上で平面的に見て、外部回路接続端子の位置する領域においても、外部回路接続端子とは異なる導電膜から形成された部分配線を形成することができる。よって、外部回路接続端子の位置する領域を有効に利用することにより、部分配線の抵抗を低くすることができる。従って、画像信号線の抵抗を低くすることができ、高品位な画像表示が可能となる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の部分配線は、基板上で平面的に見て少なくとも部分的に互いに重なる部分を含み、前記互いに重なる部分において少なくとも一つのコンタクトホールを介して互いに電気的に接続される。
【００２０】
この態様によれば、複数の部分配線が、互いに重なる部分において少なくとも一つのコンタクトホールを介して互いに電気的に接続される。よって、例えば、複数の部分配線を複数のコンタクトホールを介して互いに電気的に接続することにより、複数の部分配線の相互間の電気的な接続を確実にし、画像信号線の低抵抗化を一層確実に図ることができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の部分配線は、基板上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように、且つ、互いに重なるように形成される。
【００２２】
この態様によれば、複数の部分配線は、基板上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように形成される。即ち、複数の部分配線の配線幅は、殆ど又は実践的な意味で完全に一致することになる。更に、複数の部分配線は、互いに重なるように形成される。即ち、複数の部分配線は、基板上で平面的に見て、互いに殆ど又は実践的な意味で完全に重なることになる。よって、複数の部分配線を、一の部分配線を配線するのに必要な基板上の面積と殆ど同じ面積の基板上の領域に配線することができる。従って、配線に必要な基板上の面積を増加させることなく、言い換えれば、基板サイズを大きくすることなく、更に、設計における平面レイアウトについても殆ど変更を加えることなく、画像信号線の抵抗を低くすることができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の画素部は夫々、前記基板上に、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層された蓄積容量を備え、前記複数の部分配線は、前記データ線と同一膜から形成された第１部分配線と、前記下側電極及び前記上側電極のいずれか一方に電気的に接続された容量線と同一膜から形成された第２部分配線とからなる。
【００２４】
この態様によれば、複数の部分配線は、第１及び第２部分配線からなる。第１部分配線は、データ線と同一膜から形成され、第２部分配線は、容量配線と同一膜から形成される。ここで、「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜である」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。よって、第１及び第２部分配線は夫々、データ線及び容量配線と同一機会に形成することができる。即ち、製造工程の複雑化を招くことなく、画像信号線を複数の導電膜から形成することができる。
【００２５】
尚、蓄積容量によって、例えば画素部を構成する画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。
【００２６】
上述した第１及び第２部分配線を備えた態様では、前記画像信号は、シリアル−パラレル展開された複数系統の画像信号であり、前記画像信号線は、各前記系統の画像信号を夫々供給するための複数の画像信号線であり、前記第１及び第２部分配線の上層側及び下層側のいずれか一方に位置する導電膜から形成されると共に前記複数のデータ線の配列に対応して複数配列されており、前記第１及び第２部分配線の少なくとも一方に一端が夫々電気的に接続される複数の分岐配線と、該複数の分岐配線の他端から夫々供給される前記画像信号を、サンプリング信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、前記データ線に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング信号を順次供給するデータ線駆動回路とを更に備えてもよい。
【００２７】
この場合には、その動作時には、シリアル−パラレル展開或いはシリアル−パラレル変換された、即ち相展開された複数系統の画像信号が、複数の画像信号線を介して同時に供給される。本態様では特に、複数の分岐配線は、第１及び第２部分配線の上層側及び下層側のいずれか一方に位置する導電膜から形成される。仮に、複数の分岐配線が第１及び第２部分配線の間に位置する導電膜から形成された場合には、複数の分岐配線は夫々、層間絶縁膜を介して第１及び第２部分配線の各々と容量を構成してしまう。しかるに本態様によれば、複数の分岐配線は、第１及び第２部分配線の上層側及び下層側のいずれか一方としか容量を形成しない、或いは、複数の分岐配線を第１及び第２部分配線の上層側及び下層側のいずれか一方に、このような容量が小さくなる或いは殆ど無くなる程度に離れた位置の導電膜で形成することもできる。よって、複数の分岐配線の画像信号が、第１及び第２部分配線の画像信号の影響によって変動する或いは揺らぐことを防止できる。
【００２８】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００２９】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００３０】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１１を参照して説明する。
【００３２】
先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。
【００３３】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素アレイ領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３４】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３５】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３７】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００３８】
次に、図３から図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画素部における構成について説明する。ここに図３は、複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路であり、図４及び図５は、相隣接する複数の画素部の平面図である。尚、図４及び図５は夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）とを分かって図示している。
【００３９】
また、図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４０】
図３において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域にマトリクス状に形成された複数の画素部には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、この順に線順次に供給してもよいし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４１】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎを所定のタイミングで書き込む。
【００４２】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４３】
更に、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００４４】
以下では、図４から図６を参照して、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、具体的な構成について説明する。
【００４５】
先ず、図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、また、図４及び図５に示すように、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図４中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。即ち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００４６】
次に、図６に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００４７】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００４８】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００４９】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図６に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等も設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。尚、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図４に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図５に図示されている。
【００５０】
（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
先ず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図４のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。
【００５１】
（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図６に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００５２】
また、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図４に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているので、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００５３】
尚、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図６に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００５４】
（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能等を有する。
【００５５】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。
【００５６】
（積層構造・第３層の構成―蓄積容量等―）
前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００５７】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。但し、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。尚、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。
【００５８】
容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００は、後述する固定電位とされた容量配線４００と電気的に接続されている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。
【００５９】
誘電体膜７５は、図６に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成される。より詳細には、誘電体膜７５は、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。尚、誘電体膜７５は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、或いはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。
【００６０】
（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００６１】
第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。更に、第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００６２】
（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。データ線６ａは、図６に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図６における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図６における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図６における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。
【００６３】
更に、第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００６４】
（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。更に、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【００６５】
（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。容量配線４００は、平面的にみると、図５に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００６６】
容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００６７】
更に、第５層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。尚、図５に示すように、容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００６８】
他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【００６９】
（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００７０】
（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、コンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【００７１】
以上説明したような画素部における構成は、図４及び図５に示すように、各画素部において共通である。図１及び図２を参照して説明した画像表示領域１０ａには、かかる画素部における構成が周期的に形成されている。
【００７２】
次に、図７を参照して、データ線駆動回路、サンプリング回路、画像信号線及びデータ線の電気的な接続について説明する。ここに図７は、データ線駆動回路、サンプリング回路、画像信号線及びデータ線の電気的な接続関係を示す説明図である。
【００７３】
図７において、画像信号線９１からの分岐配線１１６は、サンプリング回路７を構成するＴＦＴ等からなるサンプリングスイッチ７ｓのソースに接続されており、データ線駆動回路１０１からのサンプリング回路駆動信号線１１７は、サンプリングスイッチ７ｓのゲートに接続されている。液晶装置の動作時には、外部回路から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用の外部回路接続端子１０２に印加される画像信号は、画像信号線９１からの分岐配線１１６を経てサンプリング回路７へ供給され、ここで、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１７を経て供給されるサンプリング回路駆動信号Ｓｉに応じたタイミングで、サンプリングされる。そして、サンプリングされた画像信号は、各データ線６ａに供給されることになる。尚、データ線駆動回路１０１には、所定周期のＸ側クロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号ＣＬＸ´）、シフトレジスタスタート信号ＤＸ等が入力され、これらに基づいて、データ線駆動回路を構成するシフトレジスタの各段から転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）が順次出力される。これら転送信号Ｐｉは、データ線駆動回路を構成する例えば論理回路によって整形されて、サンプリング回路駆動信号Ｓｉとして出力される。
【００７４】
画像信号線９１からの分岐配線１１６を経てサンプリング回路７へ供給される画像信号は、線順次に供給されても構わないが、本実施形態においては、画像信号は、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給されるよう構成されている。尚、画像信号の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるよう構成してもよい。
【００７５】
次に、図７から図９を参照して、画像信号線の具体的な構成について詳細に説明する。ここに図８は、画像信号線の平面レイアウトを示す平面図である。図９は、図８におけるＢ−Ｂ´線での断面図である。
【００７６】
図７において、画像信号線９１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で外部回路接続端子１０２からサンプリング回路７に至るまで引き回されている。ここで特に、画像信号配線９１は、画像表示領域１０ａの一辺に沿って配列されたデータ線６ａに画像信号を供給するために、サンプリングスイッチ７ｓが配列された方向（図７中、左右方向）、言い換えれば画像表示領域１０ａの一辺に沿った方向に配線された部分を含むように構成されている。
【００７７】
図８及び図９に示すように、本実施形態では特に、画像信号線９１は、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂ（図９参照）を有している。第１部分配線９１ａは、図６を参照して上述したデータ線６ａを構成する導電膜と同一膜から形成されており、第２部分配線９１ｂは、図６を参照して上述した容量配線４００を構成する導電膜と同一膜から形成されている。即ち、画像信号線９１は、第３層間絶縁膜４３を介して相異なる層に位置する２つの導電膜から夫々形成されている。更に、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂは、第３層間絶縁膜４３に開孔された複数のコンタクトホール１９５を介して、互いに電気的に接続されている。よって、画像信号線９１を一の導電膜から形成する場合と比較して、配線の電気抵抗或いは配線抵抗が低い。従って、本実施形態のように画像信号線９１が、画像表示領域１０ａの一辺に沿った方向、即ち画素表示領域１０ａにおける左右方向（図７参照）に沿って配線されている部分を含んでいても、画像表示性能の左右差を殆ど或いは実践上完全に無くすことができる。言い換えれば、画像信号線９１における画像表示領域１０ａの左側に対応するに位置と右側に対応する位置とでは時定数が異なることに起因して画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のなまる程度或いは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の供給されるタイミングが相異するために画像表示の濃淡が左右によって異なる等の左右差が発生することを、本実施形態のような第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂを有する等の構成によって低減或いは防止することができる。尚、このような効果は、外部回路端子１０２の配列や他の配線からの制約によって、画像信号線９１を左右の一方の側からしか引き回すことができない場合に特に有効である。
【００７８】
更に、図９において、上述したように、第１部分配線９１及び第２部分配線９２は相異なる層に位置する２つの導電膜から夫々形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て互いに重なるように配線することができる。よって、第１部分配線９１及び第２部分配線９２を配線する設計自由度が高い。従って、図８及び図９に示すように、第１部分配線９１及び第２部分配線９２を、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、互いに殆ど或いは好ましくは完全に重なるように配線することができる。即ち、画像信号線９１の配線に必要な基板上の面積を殆ど或いは全く増加させることなく、言い換えれば、基板サイズを大きくすることなく、画像信号線９１の低抵抗化を図ることができる。
【００７９】
加えて、図９において、本実施形態では特に、第２部分配線９１ｂは、外部回路接続端子１０２から延設されている。よって、第２部分配線９１ｂは、コンタクトホールを介することなく、外部回路接続端子１０２と電気的に接続されている。従って、コンタクト抵抗等がないため、外部回路接続端子１０２から第２部分配線９１ｂに至るまでの抵抗を低くすることができる。
【００８０】
一方、図８及び図９において、本実施形態では特に、第１部分配線９１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、外部回路接続端子１０２の位置する領域において開孔された複数のコンタクトホール１９１を介して外部回路接続端子１０２と電気的に接続されている。よって、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、外部回路接続端子１０２の位置する領域においても、外部回路接続端子１０２とは異なる導電膜から形成された第１部分配線９１ａを形成することができる。従って、外部回路接続端子１０２の位置する領域を有効に利用することにより、第１部分配線９１ａの抵抗を低くすることができる。
【００８１】
図８及び図９において、本実施形態では特に、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、互いに重なる部分において複数のコンタクトホール１９５を介して互いに電気的に接続されている。よって、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂの相互間の電気的な接続を確実にし、画像信号線９１の低抵抗化を一層確実に図ることができる。
【００８２】
図８及び図９において、本実施形態では特に、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、各々の配線幅が互いに揃うように形成されている。即ち、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂの配線幅は、殆ど又は好ましくは完全に一致している。更に、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂは、互いに重なるように形成されている。即ち、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂは、互いに殆ど又は好ましくは完全に重なっている。よって、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂを、一の部分配線を配線するのに必要なＴＦＴアレイ基板１０上の面積と殆ど同じ面積のＴＦＴアレイ基板１０上の領域に配線することができる。従って、設計における平面レイアウトについて殆ど変更を加えることなく、画像信号線９１の抵抗を低くすることができる。
【００８３】
図８及び図９において、本実施形態では特に、上述したように、第１部分配線９１ａは、図６を参照して上述したデータ線６ａを構成する導電膜と同一膜、即ち製造工程における同一機会に成膜される同一種類の膜から形成されており、第２部分配線９１ｂは、図６を参照して上述した容量配線４００を構成する導電膜と同一膜から形成されている。よって、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂは夫々、データ線６ａ及び容量配線４００と同一機会に形成することができる。即ち、製造工程の複雑化を招くことなく、画像信号線９１を２つの導電膜から形成することができる。
【００８４】
次に、図１０及び図１１を参照して、画像信号線とサンプリング回路との電気的な接続に関する具体的な構成について説明する。ここに図１０は、画像信号線及び分岐配線のレイアウト図である。図１１は、図１０におけるＣ−Ｃ´線での断面図である。
【００８５】
図１０に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上において、サンプリング回路駆動信号線１１７は、データ線駆動回路１０１から画像信号線９１と交差する方向に配線され、更にサンプリングスイッチ７ｓ毎に分岐してデータ線６ａの延びる方向に配線されている。また、分岐配線１１６は、対応する画像信号線９１に、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール１８１を介して電気的に接続される一端側よりデータ線６ａの延びる方向に配線されている。そして、分岐配線１１６の一部はサンプリングスイッチ７ｓのソース電極を形成し、データ線６ａの一部はサンプリングスイッチ７ｓのドレイン電極を形成し、サンプリング回路駆動信号線１１７の一部はサンプリングスイッチ７ｓのゲート電極を形成する。尚、図１０及び図１１に示すように、分岐配線１１６は、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール１８３を介してサンプリングスイッチ７ｓにおける半導体層１ａと電気的に接続されている。
【００８６】
図１１に示すように、本実施形態では特に、分岐配線１１６は、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂの下層側に位置する導電膜、即ち図６を参照して上述した容量電極３００を構成する導電膜と同一膜から形成されている。仮に、分岐配線１１６が第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂの間に位置する導電膜から形成された場合には、分岐配線１１６は、層間絶縁膜を介して第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂの各々と容量を構成してしまう。しかるに本実施形態によれば、分岐配線１１６は、第１部分配線９１ａとしか容量を形成しない。即ち、分岐配線１１６と第２部分配線９１ｂとの層間距離Ｄ２は、分岐配線１１６と第１部分配線９１ｂとの層間距離Ｄ１に比べて長いので、分岐配線１１６及び第２部分配線９１ｂ間には、分岐配線１１６及び第１部分配線９１ａ間に比べて、殆ど容量が発生しない。言い換えれば、分岐配線１１６は、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂの下層側に、このような容量が小さくなる或いは殆ど無くなる程度に離れた位置の導電膜で形成されている。よって、分岐配線１１６の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、第１部分配線９１ａ及び第２部分配線９１ｂの画像信号の影響によって変動する或いは揺らぐことを低減できる。
【００８７】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、画像信号線９１の配線に必要なＴＦＴアレイ基板１０上の面積を増加させることなく、画像信号線９１の低抵抗化を図ることができ、最終的には、高品位な画像表示が可能となる。
【００８８】
（電子機器）
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００８９】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１２は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１２に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００９０】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９１】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９２】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９３】
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１３は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１３において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００９４】
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１４は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１４において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００９５】
尚、図１２から図１４を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９６】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ等にも適用可能である。
【００９７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１におけるＨ−Ｈ´線での断面図である。
【図３】複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】相隣接する複数の画素部の平面図であって、下層部分（図６における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図５】相隣接する複数の画素部の平面図であって、上層部分（図６における符号７０（蓄積容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図６】図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´線での断面図である。
【図７】データ線駆動回路、サンプリング回路、画像信号線及びデータ線の電気的な接続関係を示す説明図である。
【図８】画像信号線の平面レイアウトを示す平面図である。
【図９】図８におけるＢ−Ｂ´線での断面図である。
【図１０】画像信号線及び分岐配線のレイアウト図である。
【図１１】図１０におけるＣ−Ｃ´線での断面図である。
【図１２】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１３】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１４】電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９９】
９ａ…画素電極、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、７ｓ…サンプリングスイッチ、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…画素スイッチング用ＴＦＴ、４１、４２、４３、４４…層間絶縁膜、５０…液晶層、９１…画像信号線、９１ａ、９１ｂ…部分配線、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路
【図１】
2007047385.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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