(57)【要約】【課題】コモン用出力配線を低抵抗に維持してその幅を狭くしても、水分の付着に起因する腐食が生じないようにする。【解決手段】セグメント基板１１の上面にはコモン用出力配線３０が設けられている。この場合、コモン用出力配線３０のうち、シール材１３の内側における部分は、Ｃｒ等からなる低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造となっており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。この結果、コモン用出力配線３０のうちのシール材１３の内側における部分の抵抗値を小さく維持したままその幅を比較的狭くすることができ、ひいてはその引き回し領域を小さくすることができる。また、コモン用出力配線３０のうちのシール材１３の外側における部分は、水分が付着しても腐食してないようにすることができる。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とがシール材で封止され、シール材の内側領域に表示領域が形成され、表示領域内に複数の第１の電極と、該第１の電極に直交する複数の第２の電極が配設され、前記シール材の外側領域に第１の端子と第２の端子が配設され、前記表示領域の外側領域に前記第１の電極と前記第１の端子を接続する第１の配線、および前記第２の電極と前記第２の端子を接続する第２の配線が配設された液晶表示素子において、前記シール材の外壁面より外側領域の前記第１の配線および前記シール材の外壁面より外側領域の前記第２の配線を透明酸化金属で形成し、少なくとも、前記第２の配線は、前記シール材の内壁面の外側と前記表示領域間において前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形成したことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記第１の端子、前記第１の配線、前記第１の電極および前記第２の端子、前記第２の配線は前記第１の基板に形成され、前記第２の電極は前記第２の基板に形成され、前記第２の電極と前記第２の配線とは導電材を介して接続されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記第１の基板は前記第２の基板の一辺より突出した突出部を有し、前記第１の端子および前記第２の端子は前記突出部に形成された半導体チップ搭載領域に形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記第２の配線は、前記表示領域の相対向する一対の側面側に引き回されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記第２の配線は、前記第２の端子配列の１本おきに前記表示領域の反対側の側面側に引き回されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記第２の配線は、少なくとも、前記シール材の内壁面の外側と前記表示領域間において、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層と透明酸化金属層との２層構造であることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層上に前記透明酸化金属層が形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記第１の電極は、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層上に前記透明酸化金属層が形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１は従来の液晶表示素子の一例の一部の断面図を示したものである。この液晶表示素子は、単純マトリクス型であり、セグメント基板１と該セグメント基板１上に配置されたコモン基板２とがほぼ方形枠状のシール材３を介して貼り合わされ、シール材３と両基板１、２とで囲まれた空間に液晶４が封入されたものからなっている。
【０００３】
セグメント基板１の上面（コモン基板２との対向面）においてシール材３の内側にはＩＴＯからなる複数のセグメント電極５が図１１において紙面に垂直な方向に延びて設けられている。コモン基板２の下面（セグメント基板１との対向面）においてシール材３の内側にはＩＴＯからなる複数のコモン電極６が図１１において左右方向に延びて設けられている。セグメント電極５とコモン電極６とは互いに直交するように配置され、その交差部の対向領域により画素部が形成されている。
【０００４】
セグメント基板１の一辺部はコモン基板２から突出されている。この突出部１ａの上面にはＩＴＯからなる複数のコモン配線７および複数のセグメント配線（図示せず）が設けられている。セグメント配線の一端部は、対応するセグメント電極５に接続されている。
【０００５】
コモン配線７の一端部は、セグメント基板１の上面においてシール材８の配置領域に設けられたＩＴＯからなるセグメント基板側コモン端子８に接続されている。コモン基板２の下面においてセグメント基板側コモン端子８に対応する部分にはＩＴＯからなるコモン基板側コモン端子９が設けられている。コモン基板側コモン端子９は、対応するコモン電極６の一端部に接続されている。
【０００６】
そして、互いに対応するセグメント基板側コモン端子８とコモン基板側コモン端子９とは、これらとシール材３とが重なる領域において、シール材３中に混入された導電性粒子からなる導電材１０を介して導電接続されている。
【０００７】
ところで、上記従来の液晶表示素子では、特に、セグメント基板１の上面に設けられたセグメント電極５、セグメント配線、コモン配線７およびセグメント基板側コモン端子８をＩＴＯによって形成している。この場合、ＩＴＯは抵抗が比較的高い透明な金属であるので、特に、コモン配線７を低抵抗に維持するためには、その幅を狭くすることはできなかった。
【０００８】
一方、最近では、特に携帯電話で使用される液晶表示素子として、小型で表示容量が比較的大きいものが要求されている。しかし、上記従来の液晶表示素子では、特に、比較的幅広のコモン配線７の引き回し領域が大きくなるので、小型化に限界がある。
【０００９】
そこで、コモン配線７を低抵抗に維持してその幅を狭くした液晶表示素子が開発されている。図１２は従来のこのような液晶表示素子の一例の一部の断面図を示したものである。この液晶表示素子では、反射型であり、セグメント基板１の上面に設けられたセグメント電極５、コモン配線７、セグメント基板側コモン電極８および図示しないセグメント配線をＩＴＯ層５ａ、７ａ、８ａとＩＴＯよりも低抵抗のＣｒ層５ｂ、７ｂ、８ｂの２層構造としている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図１２に示す液晶表示素子では、特に、コモン配線７がシール材３の外側に配置されて露出されているので、この露出されたコモン配線７に水分が付着すると、コモン配線７のうちのＣｒ層７ｂが腐食することがあるという問題があった。なお、ＩＴＯ層は水分が付着しても腐食しないので、図１１に示す液晶表示素子では、コモン配線７が腐食することはない。しかしながら、図１１に示す液晶表示素子では、上述の如く、比較的幅広のコモン配線７の引き回し領域が大きくなるので、小型化に限界があるという問題があった。
この発明の課題は、配線を低抵抗に維持してその幅を狭くしても、水分の付着に起因する腐食が生じないようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、第１の基板と第２の基板とがシール材で封止され、シール材の内側領域に表示領域が形成され、表示領域内に複数の第１の電極と、該第１の電極に直交する複数の第２の電極が配設され、前記シール材の外側領域に第１の端子と第２の端子が配設され、前記表示領域の外側領域に前記第１の電極と前記第１の端子を接続する第１の配線、および前記第２の電極と前記第２の端子を接続する第２の配線が配設された液晶表示素子において、前記シール材の外壁面より外側領域の前記第１の配線および前記シール材の外壁面より外側領域の前記第２の配線を透明酸化金属で形成し、少なくとも、前記第２の配線は、前記シール材の内壁面の外側と前記表示領域間において前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形成したことを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１の端子、前記第１の配線、前記第１の電極および前記第２の端子、前記第２の配線は前記第１の基板に形成され、前記第２の電極は前記第２の基板に形成され、前記第２の電極と前記第２の配線とは導電材を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１の基板は前記第２の基板の一辺より突出した突出部を有し、前記第１の端子および前記第２の端子は前記突出部に形成された半導体チップ搭載領域に形成されていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記第２の配線は、前記表示領域の相対向する一対の側面側に引き回されていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記第２の配線は、前記第２の端子配列の１本おきに前記表示領域の反対側の側面側に引き回されていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第２の配線は、少なくとも、前記シール材の内壁面の外側と前記表示領域間において、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層と透明酸化金属層との２層構造であることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層上に前記透明酸化金属層が形成されていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記第１の電極は、前記透明酸化金属よりも低抵抗の金属層上に前記透明酸化金属層が形成されていることを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、少なくとも、第２の配線を、シール材の内壁面の外側と表示領域間において透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形成しているので、第２の配線の少なくとも一部を低抵抗に維持してその幅を狭くすることができ、しかも、シール材の外壁面より外側領域の第１の配線およびシール材の外壁面より外側領域の第２の配線を透明酸化金属で形成しているので、水分の付着に起因する腐食が生じないようにすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、この発明によれば、少なくとも、第２の配線を、シール材の内壁面の外側と表示領域間において透明酸化金属よりも低抵抗の金属で形成しているので、第２の配線の少なくとも一部を低抵抗に維持してその幅を狭くすることができ、ひいては第２の配線の引き回し領域を小さくすることができ、しかも、シール材の外壁面より外側領域の第１の配線およびシール材の外壁面より外側領域の第２の配線を透明酸化金属で形成しているので、水分の付着に起因する腐食が生じないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１はこの発明の第１実施形態としての液晶表示素子の要部の平面図を示したものである。この液晶表示素子は、単純マトリクス型であり、セグメント基板１１と該セグメント基板１１上に配置されたコモン基板１２とがほぼ方形枠状のシール材１３を介して貼り合わされ、シール材１３と両基板１１、１２とで囲まれた空間に液晶１４（図５参照）が封入されたものからなっている。
【００１４】
セグメント基板１１の上面（コモン基板１２との対向面）において一点鎖線で囲まれた方形状の表示領域１５には、図１に１本しか図示していないが、複数のセグメント電極１６が列方向に延びて設けられている。コモン基板１２の下面（セグメント基板１１との対向面）には、これも図１に１本しか図示していないが、複数のコモン電極１７が行方向に延びて設けられている。セグメント電極１６とコモン電極１７とは互いに直交するように配置され、その交差部の対向領域により画素部が形成されている。
【００１５】
セグメント基板１１の一辺部（図１の下辺部）はコモン基板１２から突出されている。この突出部１１ａの上面中央部には長方形状の半導体チップ搭載領域１８が設けられている。半導体チップ搭載領域１８上には液晶駆動用のＬＳＩ等からなる長方形状の半導体チップ１９が異方性導電接着剤（図示せず）を介して搭載されている。
【００１６】
次に、図２は図１に示す液晶表示素子の一部の透過平面図を示し、図３はセグメント基板１１の一部の平面図を示し、図４はコモン基板１２の一部の透過平面図を示したものである。この場合、図２および図３では、半導体チップ１９は省略されている。
【００１７】
図３において、半導体チップ搭載領域１８内の上辺部には複数のセグメント用出力端子２１が設けられ、下辺部の左側には複数のコモン用出力端子２２が設けられ、下辺部の右側には複数の入力端子２３が設けられている。表示領域１５内に設けられたセグメント電極１６の下端部は、セグメント基板１１の上面において表示領域１５の下側に設けられたセグメント用出力配線２４を介してセグメント用出力端子２１に接続されている。
【００１８】
図３において、セグメント基板１１の下端部上面のほぼ中央部には複数の外部接続端子２５が設けられている。外部接続端子２５と入力端子２３とは、その間におけるセグメント基板１１上に設けられた入力配線２６を介して接続されている。
【００１９】
図３において、セグメント基板１１の上面において表示領域１５の左外側および右外側にはそれぞれ複数のセグメント基板側コモン端子２７、２８が設けられている。セグメント基板側コモン端子２７、２８は、図１に示す表示領域１５の上下方向のほぼ全域に亘って配置されている。
【００２０】
この場合、図３に示すように、セグメント基板側コモン端子２７、２８の各外端面はその近傍におけるセグメント基板１１の左端面もしくは右端面から同じ距離だけ離れた位置に配置され、各内端面は下側から上側に向かうに従って漸次表示領域１５側に接近する位置に配置されている。換言すれば、セグメント基板側コモン端子２７、２８は、その外端面を、セグメント基板１１の側端から同じ距離に揃えて配列され、且つ、上部側に向かうに従いその長さが順次長くなる大きさに形成されている。
【００２１】
図３において、複数のコモン用出力端子２２のうちの１つおきの一方のコモン用出力端子２２は、セグメント基板１１の上面において半導体チップ搭載領域１８の下辺部左側の下側およびセグメント基板１１の上面の左辺部に設けられたコモン用出力配線２９を介して左側のセグメント基板側コモン端子２７の内端部に接続されている。
【００２２】
図３において、複数のコモン用出力端子２２のうちの１つおきの他方のコモン用出力端子２２は、セグメント基板１１の上面において半導体チップ搭載領域１８内の幅方向中央部およびセグメント基板１１の上面の右辺部に設けられたコモン用出力配線３０を介して右側のセグメント基板側コモン端子２８の内端部に接続されている。
【００２３】
この場合、上述の如く、セグメント基板側コモン端子２７、２８は、図１に示す表示領域１５の上下方向のほぼ全域に亘って配置されており、コモン用出力配線２９、３０は、表示領域１５から最も離れたものから、順次、セグメント基板側コモン端子２７、２８と接続されるように延出され、表示領域１５に最も近接するものが最上部のセグメント基板側コモン端子２７、２８に接続されるように最も長く延出されて、表示領域１５の上下方向のほぼ全域に亘って配置されている。
【００２４】
図４において、コモン基板１２の下面において表示領域１５の左外側および右外側にはそれぞれ複数のコモン基板側コモン端子３１、３２が設けられている。コモン基板側コモン端子３１、３２は、図１に示す表示領域１５の上下方向のほぼ全域に亘って配置されている。
【００２５】
この場合、図４に示すように、コモン基板側コモン端子３１、３２の外端面はその近傍におけるコモン基板１２の左端面もしくは右端面から同じ距離だけ離れた位置に配置され、内端面はその近傍における表示領域１５の左辺もしくは右辺から同じ距離だけ離れた位置に配置されている。換言すれば、コモン基板側コモン端子３１、３２は、同じ長さで等間隔に配列されている。
【００２６】
また、図４に示すように、表示領域１５内に設けられた複数のコモン電極１７のうちの１本おきの一方のコモン電極１７の左端部は左側のコモン基板側コモン端子３１に接続されている。複数のコモン電極１７のうちの１本おきの他方のコモン電極１７の右端部は右側のコモン基板側コモン端子３２に接続されている。
【００２７】
そして、互いに対応するコモン基板側コモン端子３１、３２とセグメント基板側コモン端子２７、２８とは、図２に示すように、これらとシール材１３とが重なる領域において、シール材１３中に混入された導電性粒子からなる導電材３３（図５参照）を介して導電接続されている。
【００２８】
これにより、半導体チップ搭載領域１８内に設けられた複数のコモン用出力端子２２は、コモン用出力配線２９、３０、セグメント基板側コモン端子２７、２８、導電材３３およびコモン基板側コモン端子３１、３２を介してコモン電極１７に接続されている。
【００２９】
この場合、上述の如く、半導体チップ搭載領域１８内に設けられた複数のセグメント用出力端子２１は、セグメント用出力配線２４を介してセグメント電極１６に接続されている。従って、半導体チップ搭載領域１８上に搭載された１つの半導体チップ１９は、複数のセグメント電極１６および複数のコモン電極１７にそれぞれ電圧を供給するセグメント電極およびコモン電極駆動用の駆動回路が内蔵されたものである。
【００３０】
ここで、図２に示すように、シール材１３の右辺部外壁面は、両基板１１、１２の右端面と両コモン端子２８、３２の外端面との間のほぼ中央部に配置されている。シール材１３の右辺部内壁面は、図２において最も下側のセグメント基板側コモン端子２８の内端面よりもやや外側に配置されている。換言すれば、両コモン端子２８、３２は、シール材３２の外壁面と表示領域１５との間に配置されている。このようなシール材１３の配置は、図１の左辺部についても同様である。
【００３１】
次に、両電極１６、１７等の構造および材質について、図５に示す、図２のＡ−Ａ線に沿う部分および表示領域１５の一部の断面図を参照して説明する。コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅内およびその外壁面より外側領域ではＩＴＯ等の透明酸化金属層３０ｂのみの単層構造であり、シール材１３の内壁面よりも内側領域では、後述する低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造となっている。低抵抗金属層３０ａは、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇおよびそれらの合金等の透明酸化金属層よりも低抵抗の金属によって形成されている（以下、同じ）。
【００３２】
両電極１６、１７はＩＴＯ等の透明酸化金属層の１層構造となっている。コモン基板側コモン端子３１、３２は、ＩＴＯ等の透明酸化金属層の１層構造となっている。また、セグメント基板側コモン端子２７、２８は、図２に示すように、それぞれ、その長さが異なっており、シール材２８の幅内の部分は透明酸化金属層の１層構造とされ、シール材２８の内壁面より内側領域の部分は、低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造となっている。
【００３３】
また、図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００３４】
このように、この液晶表示素子では、特に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａと透明酸化金属層３０ｂの２層構造としているので、この部分におけるコモン用出力配線２９、３０の幅を比較的狭くしても必要な低抵抗値を確保することができる。
【００３５】
この場合、上述した通り、コモン用出力配線２９、３０は、特に、表示領域１５に近接するもの程、上部側に向かって長く延出されているため、その低抵抗値化の効果は大きく、その幅を小さくすることが可能となるので、図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭くすることができる。
【００３６】
また、この液晶表示素子では、シール材１３の配置領域およびその外側においては、コモン用出力配線２９、３０を含むすべての配線を腐食しない透明酸化金属層の１層構造としているので、これらの配線に水分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００３７】
次に、図６はこの発明の第２実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものである。この液晶表示素子では、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分は、低抵抗金属層３０ａの１層構造となっており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００３８】
両電極１６、１７は透明酸化金属層の１層構造となっている。コモン基板側コモン端子３１、３２は、ＩＴＯ等の透明酸化金属層の１層構造となっている。また、セグメント基板側コモン端子２７、２８は、シール材２８の幅内の部分において、透明酸化金属層の１層構造とされ、シール材２８の内壁面から内側領域の部分は、低抵抗金属層の１層構造となっている。また、図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００３９】
このように、この液晶表示素子では、特に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅内における部分を、低抵抗金属層３０ａの１層構造としているので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くしても必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭くすることができる。
【００４０】
また、この液晶表示素子では、シール材１３の幅内およびその外壁面より外側領域においては、コモン用出力配線２９、３０を含むすべての配線を腐食しない透明酸化金属層の１層構造としているので、これらの配線に水分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００４１】
さらに、この液晶表示素子では、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の幅内における部分を、低抵抗金属層３０ａの１層構造としているので、図５に示す２層構造の場合と比較して、この部分における段差が緩和され、ギャップの均一化を図ることができる。
【００４２】
なお、図５および図６において、低抵抗金属層３０ａが、シール材１５の幅内に形成されると腐食され易い材料の場合、シール材１５は、内壁面および外壁面の位置がかなりばらつくため、そのばらつきを見込んだ距離分、低抵抗金属層３０ａの端面をシール材１５の内壁面より内側領域および外壁面より内側領域に位置させるようにしてもよい。いずれにしても、シール材１３の外側においては、コモン用出力配線２９、３０を含むすべての配線は透明酸化金属層の１層構造であり、これらの配線に水分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００４３】
次に、図７はこの発明の第３実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものである。この液晶表示素子では、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より外側領域における部分は、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造となっており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００４４】
また、セグメント基板側コモン端子２７、２８は、図２に示すように、それぞれ、その長さが異なっており、シール材２８の幅内の部分は透明酸化金属層の１層構造とされ、シール材２８の内壁面より内側領域の部分は、、透明酸化金属層２８ｂ上に低抵抗金属層２８ａが設けられた２層構造となっている。両電極１６、１７は透明酸化金属層の１層構造となっている。また、図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００４５】
このように、この液晶表示素子では、特に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分を、透明酸化金属層３０ｂと低抵抗金属層３０ａの２層構造としているので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くしても必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭くすることができる。
【００４６】
また、この液晶表示素子では、シール材１３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造としているので、これらの配線に水分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００４７】
さらに、この液晶表示素子では、例えば、コモン用出力配線３０のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分を、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造としているので、透明酸化金属層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜し、この成膜された低抵抗金属層および透明酸化金属層をこの順でパターニングすることができる。
【００４８】
これに対し、図５に示す第１実施形態の場合には、透明酸化金属層を成膜し、次いでこの成膜された透明酸化金属層をパターニングし、次いで低抵抗金属層を成膜し、次いでこの成膜された低抵抗金属層をパターニングすることになる。従って、本実施形態の場合には、図５に示す第１実施形態と比較して、透明酸化金属層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜することができるため、生産性の向上を図ることができる。
【００４９】
次に、図８はこの発明の第４実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものである。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分は、低抵抗金属層３０ａの１層構造となっており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５０】
セグメント基板側コモン端子２８（図３において符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同じ）は低抵抗金属層の１層構造となっている。コモン基板側コモン端子３２（図４において符号３１で示すコモン基板側コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構造となっている。セグメント電極１６は低抵抗金属層の１層構造となっている。コモン電極１７は透明酸化金属層の１層構造となっている。また、図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５１】
このように、この液晶表示素子では、特に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａの１層構造としているので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くしても必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭くすることができる。
【００５２】
また、この液晶表示素子では、シール材１３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造としているので、これらの配線に水分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００５３】
次に、図９はこの発明の第５実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものである。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分は、低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造となっており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５４】
セグメント基板側コモン端子２８（図３において符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同じ）は、低抵抗金属層２８ａ上に透明酸化金属層２８ｂが設けられた２層構造となっている。コモン基板側コモン端子３２（図４において符号３１で示すコモン基板側コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構造となっている。セグメント電極１６は、低抵抗金属層１６ａ上に透明酸化金属層１６ｂが設けられた２層構造となっている。コモン電極１７は透明酸化金属層の１層構造となっている。また、図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５５】
このように、この液晶表示素子では、特に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分を、低抵抗金属層３０ａ上に透明酸化金属層３０ｂが設けられた２層構造としているので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くしても必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭くすることができる。
【００５６】
また、この液晶表示素子では、シール材１３の幅内およびその外壁面より外側領域において、コモン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造としているので、これらの配線に水分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００５７】
次に、図１０はこの発明の第６実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図を示したものである。この液晶表示素子では、反射型であり、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分は、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造となっており、それ以外の部分は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５８】
セグメント基板側コモン端子２８（図３において符号２７で示すセグメント基板側コモン端子も同じ）は、透明酸化金属層２８ｂ上に低抵抗金属層２８ａが設けられた２層構造となっている。コモン基板側コモン端子３２（図４において符号３１で示すコモン基板側コモン端子も同じ）は透明酸化金属層の１層構造となっている。セグメント電極１６は、透明酸化金属層１６ｂ上に低抵抗金属層１６ａが設けられた２層構造となっている。コモン電極１７は透明酸化金属層の１層構造となっている。また、図示していないが、図３を参照して説明すると、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端子２２、入力端子２３、セグメント用出力配線２４、外部接続端子２５および入力配線２６は透明酸化金属層の１層構造となっている。
【００５９】
このように、この液晶表示素子では、特に、コモン用出力配線３０（図３において符号２９で示すコモン用出力配線も同じ）のうち、シール材１３の内壁面より内側領域における部分は、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造としているので、コモン用出力配線３０の幅を比較的狭くしても必要な低抵抗値を確保することができる。この結果、図１〜図３において、表示領域１５の左外側および右外側におけるコモン用出力配線２９、３０の引き回し領域の幅を小さくすることができ、ひいては額縁の幅を狭くすることができる。
【００６０】
また、この液晶表示素子では、シール材１３の幅内およびその外壁面より外側領域においては、コモン用出力配線２９、３０は透明酸化金属層の１層構造としているので、これらの配線に水分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００６１】
さらに、この液晶表示素子では、例えば、コモン用出力配線３０のうち、シール材１３の内側における部分を、透明酸化金属層３０ｂ上に低抵抗金属層３０ａが設けられた２層構造としているので、透明酸化金属層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜し、この成膜された低抵抗金属層および透明酸化金属層をこの順でパターニングすることができる。
【００６２】
これに対し、図９に示す第５実施形態の場合には、透明酸化金属層を成膜し、次いでこの成膜された透明酸化金属層をパターニングし、次いで低抵抗金属層を成膜し、次いでこの成膜された低抵抗金属層をパターニングすることになる。従って、本実施形態の場合には、図９に示す第５の施形態と比較して、透明酸化金属層および低抵抗金属層をこの順で連続して成膜することができるため、生産性の向上を図ることができる。
【００６３】
なお、図７〜図１０において、低抵抗金属層３０ａが、シール材１５の幅内に形成されると腐食され易い材料の場合、低抵抗金属層３０ａの端面をシール材１５のばらつきを見込んだ距離分、シール材１５の内壁面の内側領域および外壁面の外側領域に位置させるようにしてもよい。いずれにしても、シール材１３の外側においては、コモン用出力配線２９、３０を含むすべての配線は透明酸化金属層の１層構造であり、これらの配線に水分が付着しても腐食しないようにすることができる。
【００６４】
ところで、上記実施形態では、セグメント用出力配線２４を透明酸化金属層の１層構造としているが、図２に示すように、シール材１３の外壁面よりも内側におけるセグメント用出力配線２４の引き回し領域は比較的小さいので、その抵抗値はあまり問題とはならない。しかし、シール材１３の外壁面よりも内側におけるセグメント用出力配線２４も、上記コモン用出力配線２９、３０の場合と同様に、低抵抗化を図るようにしてもよいことは勿論である。
【００６５】
また、上記実施形態において、セグメント用出力端子２１、コモン用出力端子２２および入力端子２３を透明酸化金属層の１層構造としたが、これらの各端子は半導体チップのボンディングされるため、透明酸化金属層とこの透明酸化金属層よりも低抵抗の金属層の２層構造としてもよい。この場合、図１０に図示される配線３０ａ、３０ｂと合わせ、各端子を透明酸化金属層上にこの透明酸化金属層よりも低抵抗の金属層を形成するようにすれば、生産を効率的にすることができる。
【００６６】
さらに、上記実施形態では、セグメント電極１６とコモン電極１７とが、それぞれ、セグメント基板１とコモン基板２に直線状に配列された単純マトリクス型の液晶表示素子としたが、本発明は走査電極とデータ電極がアクティブ基板上に形成され、コモン電極が対向基板に形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示素子にも適用できるものであり、その場合、走査電極とデータ電極の両方または一方に接続される配線の中、シール材の内壁面より内側領域の部分を低抵抗化するようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】この発明の第１実施形態としての液晶表示素子の要部の平面図。
【図２】図１に示す液晶表示素子の一部の透過平面図。
【図３】図１に示すセグメント基板の一部の平面図。
【図４】図１に示すコモン基板の一部の透過平面図。
【図５】図２のＡ−Ａ線に沿う部分および表示領域の一部の断面図。
【図６】この発明の第２実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図。
【図７】この発明の第３実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図。
【図８】この発明の第４実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図。
【図９】この発明の第５実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図。
【図１０】この発明の第６実施形態としての液晶表示素子の図５同様の断面図。
【図１１】従来の液晶表示素子の一例の一部の断面図。
【図１２】従来の液晶表示素子の他の例の一部の断面図。
【符号の説明】
【００６８】
１１  セグメント基板
１２  コモン基板
１３  シール材
１４  液晶
１５  表示領域
１６  セグメント電極
１６ａ  低抵抗金属層
１６ｂ  透明酸化金属層
１７  コモン電極
１８  半導体チップ搭載領域
１９  半導体チップ
２１  セグメント用出力端子
２２  コモン用出力端子
２３  入力端子
２４  セグメント用出力配線
２５  外部接続端子
２６  入力配線
２７、２８  セグメント基板側コモン端子
２８ａ  低抵抗金属層
２８ｂ  透明酸化金属層
２９、３０  コモン用出力配線
３０ａ  低抵抗金属層
３０ｂ  透明酸化金属層
３１、３２  コモン基板側コモン端子
３３  導電材
【図１】
2007249235.tif 000003
【図２】
2007249235.tif 000004
【図３】
2007249235.tif 000005
【図４】
2007249235.tif 000006
【図５】
2007249235.tif 000007
【図６】
2007249235.tif 000008
【図７】
2007249235.tif 000009
【図８】
2007249235.tif 000010
【図９】
2007249235.tif 000011
【図１０】
2007249235.tif 000012
【図１１】
2007249235.tif 000013
【図１２】
2007249235.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の少なくとも一辺が第２の基板から突出している突出部が形成されるように、前記第１の基板と前記第２の基板とが対向配設されて、シール材により接着され、
前記シール材で囲まれた領域における前記第１の基板側に、第１の電極が配設され、
前記シール材で囲まれた領域における前記第２の基板側に、前記第１の電極と直交する第２の電極が配設され、
前記突出部に、第１の端子と第２の端子とが配設され、
第１の配線を介して前記第１の電極と前記第１の端子とが電気的に接続されるとともに、第２の配線を介して前記第２の電極と前記第２の端子とが電気的に接続され、
前記第２の電極が、前記第１の端子と前記第２の端子とが配設された前記突出部とは異なる側面方向に延伸されて配設されている液晶表示素子において、
前記第２の配線は、少なくともその一部に、透明酸化金属よりも低抵抗の金属層を有しているとともに、前記金属層を有している前記第２の配線部分は、前記第１の基板側における前記シール材で囲まれた領域内を引回されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記第２の電極は、前記側面側で、導電材を介して前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記第２の配線は、透明酸化金属上に前記金属層を有していることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記第２の配線は、前記金属層上に透明酸化金属を有していることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記第２の配線は、前記第１の基板側にのみ配設されていることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の液晶表示素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、第１の基板の少なくとも一辺が第２の基板から突出している突出部が形成されるように、前記第１の基板と前記第２の基板とが対向配設されて、シール材により接着され、前記シール材で囲まれた領域における前記第１の基板側に、第１の電極が配設され、前記シール材で囲まれた領域における前記第２の基板側に、前記第１の電極と直交する第２の電極が配設され、前記突出部に、第１の端子と第２の端子とが配設され、第１の配線を介して前記第１の電極と前記第１の端子とが電気的に接続されるとともに、第２の配線を介して前記第２の電極と前記第２の端子とが電気的に接続され、前記第２の電極が、前記第１の端子と前記第２の端子とが配設された前記突出部とは異なる側面方向に延伸されて配設されている液晶表示素子において、前記第２の配線は、少なくともその一部に、透明酸化金属よりも低抵抗の金属層を有しているとともに、前記金属層を有している前記第２の配線部分は、前記第１の基板側における前記シール材で囲まれた領域内を引回されていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第２の電極は、前記側面側で、導電材を介して前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記第２の配線は、透明酸化金属上に前記金属層を有していることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記第２の配線は、前記金属層上に透明酸化金属を有していることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１から４の何れかに記載の発明において、前記第２の配線は、前記第１の基板側にのみ配設されていることを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、第２の配線の少なくとも一部を低抵抗に維持してその幅を狭くすることができ、しかも、水分の付着に起因する腐食が生じないようにすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以上説明したように、この発明によれば、第２の配線の少なくとも一部を低抵抗に維持してその幅を狭くすることができ、ひいては第２の配線の引き回し領域を小さくすることができ、しかも、水分の付着に起因する腐食が生じないようにすることができる。