(57)【要約】【課題】  樹脂層とその上の無機層との間の密着力の強化が図られた積層基板及び薄膜デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る積層基板１０の製造方法は、基板１２上に、反応率が０〜８５％である熱硬化性樹脂で構成された未硬化樹脂層１４Ａを形成する工程と、未硬化樹脂層１４Ａの上面１４ａにＳｉＯ２層１６をスパッタ成膜する工程とを備える。この積層基板１０の製造方法においては、樹脂層１４の上面１４ａにＳｉＯ２層１６をスパッタ成膜する際、熱硬化性樹脂は十分に硬化されていない状態であるため、未硬化樹脂層１４Ａの表面１４ａに微細な凹凸が生じる。そして、表面１４ａに生じた凹凸に起因するアンカー効果により、樹脂層１４Ａとその上に成膜されるＳｉＯ２層１６との間の密着力の強化が実現される。【選択図】  図１
2007081350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、反応率が０〜８５％である熱硬化性樹脂で構成された樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する工程とを備える、積層基板の製造方法。
【請求項２】
前記無機層をスパッタ成膜した後に、前記樹脂層を加熱して前記熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程をさらに備える、請求項１に記載の積層基板の製造方法。
【請求項３】
基板上に、電極配線を形成する工程と、
前記基板上に、前記電極配線を覆うように、反応率が０〜８５％である熱硬化性樹脂で構成された樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する工程と、
前記無機層をスパッタ成膜した後に、前記樹脂層を加熱して前記熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程とを備える、薄膜デバイスの製造方法。
【請求項４】
基板上に、第１電極配線を形成する工程と、
前記基板上に、前記第１電極配線を覆うように第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層上に、第２電極配線を形成する工程と、
前記第１樹脂層上に、前記第２電極配線を覆うように、反応率が０〜８５％である熱硬化性樹脂で構成された第２樹脂層を形成する工程と、
前記第２樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する工程と、
前記無機層をスパッタ成膜した後に、前記第２樹脂層を加熱して前記熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程とを備える、薄膜デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記無機層が無機絶縁材料で構成されており、この無機層を前記樹脂層の上面にスパッタ成膜した後に、前記無機層上に磁性層を積層し、その後、前記樹脂層を加熱して前記熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程をおこなう、請求項３に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記無機層が無機絶縁材料で構成されており、この無機層を前記第２樹脂層の上面にスパッタ成膜した後に、前記無機層上に磁性層を積層し、その後、前記第２樹脂層を加熱して前記熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程をおこなう、請求項４に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記無機層が無機磁性材料で構成されている、請求項３又は４に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層基板及び薄膜デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜デバイスの一つである薄膜インダクタの製造方法は、例えば、下記特許文献１に開示されている。この公報に記載の薄膜インダクタの製造方法においては、コイルを熱硬化させた樹脂層で覆った後、その樹脂層上に無機絶縁層がスパッタ成膜される。
【特許文献１】特許２７６９１０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した製造方法のように熱硬化させた樹脂層上に無機絶縁層をスパッタ成膜した場合では、樹脂層と無機絶縁層との間の十分な密着力が得られず、その結果、作製された薄膜インダクタは樹脂層と無機絶縁層との間において剥離が生じ易くなっている。そのため、後工程の熱処理の際などに樹脂層と無機絶縁層とが剥離することがあった。
【０００４】
そこで、本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、樹脂層とその上の無機層との間の密着力の強化が図られた積層基板及び薄膜デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る積層基板の製造方法は、基板上に、反応率が０〜８５％である熱硬化性樹脂で構成された樹脂層を形成する工程と、樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する工程とを備えることを特徴とする。
【０００６】
この積層基板の製造方法においては、樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する際、その樹脂層の熱硬化性樹脂の反応率は０〜８５％であり、熱硬化性樹脂は十分に硬化されていない状態である。そのため、スパッタにより無機粒子が樹脂層に飛来すると、樹脂層の表面に微細な凹凸が生じる。そして、樹脂層の表面に生じたこの凹凸に起因するアンカー効果により、樹脂層とその上に成膜される無機層との間の密着力の強化が実現される。
【０００７】
また、無機層をスパッタ成膜した後に、樹脂層を加熱して熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程をさらに備えることが好ましい。この場合、後工程において、樹脂層からガスが発生する事態や樹脂層が収縮する事態を効果的に抑制することができる。
【０００８】
本発明に係る薄膜デバイスの製造方法は、基板上に、電極配線を形成する工程と、基板上に、電極配線を覆うように、反応率が０〜８５％である熱硬化性樹脂で構成された樹脂層を形成する工程と、樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する工程と、無機層をスパッタ成膜した後に、樹脂層を加熱して熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】
この薄膜デバイスの製造方法においては、樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する際、その樹脂層の熱硬化性樹脂の反応率は０〜８５％であり、熱硬化性樹脂は十分に硬化されていない状態である。そのため、スパッタにより無機粒子が樹脂層に飛来すると、樹脂層の表面に微細な凹凸が生じる。そして、樹脂層の表面に生じたこの凹凸に起因するアンカー効果により、樹脂層とその上に成膜される無機層との間の密着力の強化が実現される。
【００１０】
本発明に係る薄膜デバイスの製造方法は、基板上に、第１電極配線を形成する工程と、基板上に、第１電極配線を覆うように第１樹脂層を形成する工程と、第１樹脂層上に、第２電極配線を形成する工程と、第１樹脂層上に、第２電極配線を覆うように、反応率が０〜８５％である熱硬化性樹脂で構成された第２樹脂層を形成する工程と、第２樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する工程と、無機層をスパッタ成膜した後に、第２樹脂層を加熱して熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程とを備えることを特徴とする。
【００１１】
この薄膜デバイスの製造方法においては、第２樹脂層の上面に無機層をスパッタ成膜する際、その第２樹脂層の熱硬化性樹脂の反応率は０〜８５％であり、熱硬化性樹脂は十分に硬化されていない状態である。そのため、スパッタにより無機粒子が第２樹脂層に飛来すると、第２樹脂層の表面に微細な凹凸が生じる。そして、第２樹脂層の表面に生じたこの凹凸に起因するアンカー効果により、第２樹脂層とその上に成膜される無機層との間の密着力の強化が実現される。
【００１２】
また、無機層が無機絶縁材料で構成されており、この無機層を樹脂層の上面にスパッタ成膜した後に、無機層上に磁性層を積層し、その後、樹脂層を加熱して熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程をおこなうことが好ましい。この場合、樹脂層と磁性層との間に無機絶縁材料で構成された無機層が介在するため、樹脂層の溶剤が磁性層に悪影響を与える事態等を効果的に回避することができる。
【００１３】
また、無機層が無機絶縁材料で構成されており、この無機層を第２樹脂層の上面にスパッタ成膜した後に、無機層上に磁性層を積層し、その後、第２樹脂層を加熱して熱硬化性樹脂の反応率を上げる工程をおこなうことが好ましい。この場合、第２樹脂層と磁性層との間に無機絶縁材料で構成された無機層が介在するため、第２樹脂層の溶剤が磁性層に悪影響を与える事態等を効果的に回避することができる。
【００１４】
また、無機層が無機磁性材料で構成されていることが好ましい。この場合、樹脂層の上面に磁性層が直接成膜されるため、樹脂層と磁性層との間にその他の膜が介在する場合に比べ、製造工程が削減される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、樹脂層とその上の無機層との間の密着力の強化が図られた積層基板及び薄膜デバイスの製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して本発明に係る積層基板及び薄膜デバイスの製造方法を実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００１７】
まず、本発明の実施形態に係る積層基板として、図１に示す積層基板１０について説明する。この図に示すように、積層基板１０は、基板１２上に樹脂層１４及びＳｉＯ２層（無機層）１６が順次積層された積層構造を有している。樹脂層１４は、ネガタイプ感光性で熱硬化性を有するフェノール系樹脂（熱硬化性樹脂）で構成されている。ＳｉＯ２層１６は、無機絶縁材料である酸化ケイ素（ＳｉＯ２）構成されている。
【００１８】
次に、この積層基板１０を作製する手順について、図２を参照しつつ説明する。
【００１９】
積層基板１０を作製する際には、基板１２上に、図２（ａ）に示すように、反応率が１６％であるフェノール系樹脂で構成された未硬化樹脂層１４Ａを形成する。具体的には、基板１２上に、スピンコータを用いてフェノール系樹脂を２０００ｒｐｍ／３０秒で塗布すると共に、ホットプレートにより１１０℃／１８００秒でプリベイクをおこなう。若しくは、反応率が１６％であるフェノール系樹脂で構成された樹脂フィルムを基板１２に貼付して、未硬化樹脂層１４Ａを形成してもよい。
【００２０】
次に、未硬化樹脂層１４Ａが正方形にパターニングされるように、所定のマスク処理及び露光処理をおこなった後に現像処理をおこなう。そして、パターニングされた各未硬化樹脂層１４Ａの表面１４ａにＳｉＯ２をスパッタして、図２（ｂ）に示すように未硬化樹脂層１４Ａ上にＳｉＯ２層１６を成膜する。その後、未硬化樹脂層１４Ａを、オーブンを用いて１９０℃／６０分で加熱して完全に硬化された反応率１００％の樹脂層１４にすることで、図１に示した積層基板１０が得られる。
【００２１】
以上で説明した積層基板１０の製造方法においては、樹脂層１４の上面１４ａにＳｉＯ２層１６をスパッタ成膜する際、樹脂層１４は未硬化樹脂層１４Ａの状態であり、この未硬化樹脂層１４Ａの樹脂の反応率は１６％となっている。すなわち、樹脂が十分に硬化されていない状態でＳｉＯ２層１６がスパッタ成膜される。
【００２２】
このように樹脂の硬化が不十分な状態でＳｉＯ２をスパッタ成膜した場合、スパッタ成膜の初期段階において、未硬化樹脂層１４Ａの表面１４ａに微細な凹凸が生じる。これは、未硬化樹脂層１４Ａに飛来してきたＳｉＯ２粒子が、表面１４ａに衝突した際に、表面１４ａを窪ませるためであると考えられる。そして、表面１４ａに凹凸を有する未硬化樹脂層１４ＡにＳｉＯ２粒子をさらに堆積させていくと、表面１４ａの窪みにＳｉＯ２粒子が入り込んで、いわゆるアンカー効果が生じ、ＳｉＯ２層が未硬化樹脂層１４Ａと強く密着することとなる。従って、その後に未硬化樹脂層１４Ａを完全に熱硬化させて樹脂層１４を形成することで、積層基板１０においては、樹脂層１４とその上に成膜されたＳｉＯ２層１６との間の高い密着力が実現されている。なお、反応率は、１６％に限らず、０〜８５％の範囲内において適宜変更可能である。
【００２３】
なお、以上で説明した積層基板１０の製造方法では、ＳｉＯ２層１６をスパッタ成膜した後に、未硬化樹脂層１４Ａを加熱して樹脂の反応率を上げ、完全に熱硬化した樹脂層１４を得る工程を備えているため、後工程において、樹脂層１４からガスが発生する事態や樹脂層１４が収縮する事態を効果的に抑制されている。ただし、必要に応じて、未硬化樹脂層１４Ａのままの状態や樹脂層が完全には硬化してない状態で、積層基板の製造を終了してもよい。
【００２４】
ここで、フェノール系樹脂等の樹脂の線膨張係数と、ＳｉＯ２層等の無機層の線膨張係数との間には２桁程度の大きなズレがある。そのため、完全に硬化された樹脂層上に無機層を形成した場合には、後工程の熱処理時において、その熱膨張係数の相異に起因する樹脂と無機層との剥離が生じ易い。そこで、上述した製造方法により樹脂層１４とＳｉＯ２層１６とが強固に密着した積層基板１０を作製することで、そのような剥離を効果的に抑制することができる。
【００２５】
発明者らは、上述した樹脂層１４とＳｉＯ２層１６との間の密着力を確かめるために、以下に示す実験をおこなった。すなわち、図３の表に示すように、スパッタ前の樹脂反応率のみが異なる積層基板１０と同様の７種類のサンプル基板を準備して、それぞれのサンプル基板について密着力を比較した。
【００２６】
具体的には、スパッタ前にプリベーク以外の熱硬化処理をおこなっていないサンプル基板＃１（反応率０％）、スパッタ前に１９０℃で５分間の熱硬化処理をおこなったサンプル基板＃２（反応率３５％）、スパッタ前に１９０℃で２０分間の熱硬化処理をおこなったサンプル基板＃３（反応率７０％）、スパッタ前に１９０℃で２８分間の熱硬化処理をおこなったサンプル基板＃４（反応率８５％）を準備し、スパッタ成膜をおこなった。また、比較例として、スパッタ前に１９０℃で３０分間の熱硬化処理をおこなった比較サンプル基板＃５（反応率８６％）、スパッタ前に１９０℃で６０分間の熱硬化処理をおこなった比較サンプル基板＃６（反応率１００％）を準備し、スパッタ成膜をおこなった。
【００２７】
上述のスパッタ成膜として、基板上に形成した樹脂層（所定の露光／現像処理により成形した６０個の正方形パターン）それぞれの上にＳｉＯ２層のをスパッタ成膜した。そして、吸水リフロー後における６０個の樹脂層からのＳｉＯ２層の剥離枚数を調べて剥離率を算出することにより、各サンプル基板＃１〜＃６の密着力を比較した。
【００２８】
なお、吸水リフローの条件は、いわゆるＪＥＤＥＣ（Joint Electron Device Engineering Council）のレベル１の条件であり、すなわち、８５℃、８５％ＲＨのオーブンに１６８時間入れた後に、２６０℃のリフローを５回おこなった。
【００２９】
また、反応率の測定には、サーモニコレー社製のフーリエ変換赤外分光装置（型式：ＮＥＸＵＳ６７０）を用い、フーリエ変換赤外分光（ＦＴＩＲ）法の全反射（ＡＴＲ）法を用いた。なお、ＡＴＲ法にはダイヤモンド全反射結晶を用いた。官能基（例えば、エポキシ基）のＩＲ吸収帯（例えば、９００ｃｍ−１）のスペクトル強度から吸収の相対面積値（２９２０ｃｍ−１付近のＣ−Ｈ伸縮振動を基準とした面積値（（９００ｃｍ−１の面積値）／（２９２０ｃｍ−１の面積値）×１０００として算出した値）であり、図３の表における「吸収ピークの面積値」）の減少が確認でき、官能基のピークの消滅した１９０℃、６０分の温度条件を硬化が完了した反応率１００％と規定した。一方、熱硬化処理をおこなっていないサンプル基板＃１の吸収の相対面積値を反応率０％とし、それに基づき相対評価によりその他のサンプル基板の反応率を算出した。
【００３０】
実験の結果は図３の表に示すとおりであった。すなわち、スパッタ前の反応率が０〜８５％の範囲内であったサンプル基板＃１〜＃４は剥離率が０であり、図４に示すように吸水リフロー後においても正方形パターンの剥離は観察されなかった。一方、スパッタ前の反応率がそれぞれ８６％及び１００％であった比較サンプル基板＃５，＃６は、剥離率が０より大きく（すなわち、１／６０及び３１／６０）、図５に示すように吸水リフロー後に正方形パターンが剥離していた。正方形パターンが剥離した積層基板５０の断面を観察してみると、図６に示すように、ＳｉＯ２層５６（すなわち、正方形パターン）が波打っており、基板５２上に形成された樹脂層５４とその上のＳｉＯ２層５６との間に隙間が生じていた。
【００３１】
以上の実験結果から、スパッタ前の反応率が０〜８５％の範囲内にある場合には、その反応率が８６％以上である場合に比べて、樹脂層とその上に成膜されたＳｉＯ２層との間の密着力が強化されることが確認された。
【００３２】
次に、本発明の実施形態に係る薄膜デバイスとして、図７及び図８に示す薄膜インダクタ２０について説明する。これらの図に示すように、薄膜インダクタ２０は、基板２２上に、第１絶縁層２４、第１磁性層２６、第２絶縁層２８、樹脂層３０、第３絶縁層３２、第２磁性層３４が順次積層された積層構造を有している。第１磁性層２６及び第２磁性層３４は共にコバルト（Ｃｏ）で構成されており、各絶縁層２４，２８，３２はそれぞれＳｉＯ２で構成されている。また、樹脂層３０は、上述した樹脂層１４と同様の樹脂層であり、ネガタイプ感光性で熱硬化性を有するフェノール系樹脂で構成されている。
【００３３】
基板２２上には、第１絶縁層２４、第１磁性層２６及び第２絶縁層２８を介して、基板２２の面方向に引き回された平面コイル（電極配線）３６が形成されており、このコイル３６は樹脂層３０によって覆われている。コイル３６のそれぞれの端部３６ａ，３６ｂは、図示しないビアを介して、薄膜インダクタ２０の表面２０ａに形成された対応する外部電極端子３８Ａ，３８Ｂと電気的に接続されている（図７参照）。
【００３４】
次に、上述した薄膜インダクタ２０を作製する手順について、図９を参照しつつ説明する。
【００３５】
薄膜インダクタ２０を作製する際には、まず、基板２２上に、図９（ａ）に示すように第１絶縁層２４、第１磁性層２６及び第２絶縁層２８を順次スパッタ成膜する。
【００３６】
次に、図９（ｂ）に示すように、第２絶縁層２８上にコイル３６をめっき形成する。具体的には、第２絶縁層２８の全面に亘ってシード層として機能するＴｉ及びＣｕをスパッタ成膜する。次に、このシード層上に、コイル３６の引き回し形状（すなわち、図７における破線形状）に対応する形状にパターニングされためっきレジスト層を形成する。その後、Ｃｕの電解めっき、めっきレジスト層の除去及び余分なシード層の除去を順次おこない、図９（ｂ）に示したコイル３６を形成する。
【００３７】
そして、図９（ｃ）に示すように、第２絶縁層２８上に形成されたコイル３６を覆うように、第２絶縁層２８の全面に反応率が１６％のフェノール系樹脂で構成された未硬化樹脂層３０Ａを形成する。この未硬化樹脂層３０Ａの形成には、上述した積層基板１０における未硬化樹脂層１４Ａと同様に、樹脂をプリベイクして形成する方法や樹脂フィルムを貼付する方法を採用することができる。
【００３８】
その後、図９（ｄ）に示すように、未硬化樹脂層３０Ａの表面３０ａにＳｉＯ２をスパッタして、未硬化樹脂層３０Ａ上に第３絶縁層３２を成膜する。さらに、この第３絶縁層３２上に第２磁性層３４をスパッタ成膜する。そして最後に、未硬化樹脂層３０Ａを、オーブンを用いて１９０℃／６０分で加熱して完全に硬化された反応率１００％の樹脂層３０にすることで、図８に示した薄膜インダクタ２０が得られる。
【００３９】
以上で説明した薄膜インダクタ２０の製造方法においては、樹脂層３０の上面３０ａにＳｉＯ２で構成された第３絶縁層３２をスパッタ成膜する際、樹脂層３０は未硬化樹脂層３０Ａの状態であり、この未硬化樹脂層３０Ａの樹脂の反応率は１６％となっている。すなわち、樹脂が十分に硬化されていない状態で第３絶縁層３２がスパッタ成膜される。
【００４０】
このように樹脂の硬化が不十分な状態でＳｉＯ２をスパッタ成膜した場合は、上述した積層基板１０の場合と同様に、第３絶縁層３２が未硬化樹脂層３０Ａと強く密着することとなる。従って、その後に未硬化樹脂層３０Ａを完全に熱硬化させて樹脂層３０を形成することで、薄膜インダクタ２０においては、樹脂層３０とその上に成膜された第３絶縁層３２との間の高い密着力が実現されている。
【００４１】
また、上述した薄膜インダクタ２０の製造方法においては、無機層である第３絶縁層３２がＳｉＯ２（無機絶縁材料）で構成されており、この第３絶縁層３２を樹脂層３０の上面３０ａにスパッタ成膜した後に、第３絶縁層３２上に第２磁性層３４を積層し、その後、未硬化樹脂層３０Ａを加熱して熱硬化性樹脂の反応率を上げている。すなわち、樹脂層３０と第２磁性層３４との間に無機絶縁材料で構成されたＳｉＯ２層３２が介在するため、樹脂層３０の溶剤が第２磁性層３４に悪影響を与える事態等を効果的に回避することができる。
【００４２】
なお、反応率は、１６％に限らず、上述した実験によって確認されたように、０〜８５％の範囲内において適宜変更可能である。また、無機層として、第３絶縁層３２の代わりにＣｏ（無機磁性材料）で構成された第２磁性層３４を樹脂層３０の表面３０ａに直接スパッタ成膜してもよい。この場合でも、樹脂層３０と第２磁性層３４との間の高い密着力が実現される上、樹脂層３０と第２磁性層３４との間に第３絶縁層３２が介在する場合に比べ、製造工程が削減される。
【００４３】
次に、本発明の実施形態に係る薄膜デバイスとして、図１０に示す薄膜トランス４０について説明する。この図に示すように、薄膜トランス４０は、上述した薄膜インダクタ２０の積層構造を二段にしたものである。すなわち、薄膜トランス４０は、基板２２上に、第１絶縁層２４、第１磁性層２６、第２絶縁層２８、樹脂層（第１樹脂層）３０、樹脂層（第２樹脂層）３１、第３絶縁層３２、第２磁性層３４が順次積層された積層構造を有している。各樹脂層３０，３１には、基板２２の面方向に引き回された平面コイル（電極配線）３６が形成されている。なお、図示は省略しているが、この薄膜トランス４０においては、上段のコイル３６の端部３６ａ，３６ｂと、下段のコイル３６の端部３６ａ，３６ｂとはそれぞれ異なる外部電極端子３８Ａ，３８Ｂと電気的に接続されている。
【００４４】
次に、この薄膜トランス４０を作製する手順について、図１１を参照しつつ説明する。
【００４５】
薄膜トランス４０を作製する際には、まず、図９に示した薄膜インダクタ２０の製造方法と同様に、基板２２上に第１絶縁層２４、第１磁性層２６及び第２絶縁層２８を順次スパッタ成膜した後、第２絶縁層２８上にコイル（第１電極配線）３６を形成し、反応率が１６％のフェノール系樹脂で構成された未硬化樹脂層３０Ａでコイル３６を覆う。そして、未硬化樹脂層３０Ａを熱硬化させて樹脂層３０にした後、図１１（ａ）に示すように、樹脂層３０の上に、コイル（第２電極配線）３６を形成する。そして、図１１（ｂ）に示すように、樹脂層３０上に形成されたコイル３６を覆うように、樹脂層３０の全面に反応率が１６％のフェノール系樹脂で構成された未硬化樹脂層３１Ａを形成する。
【００４６】
その後、図１１（ｃ）に示すように、未硬化樹脂層３１Ａの表面３１ａにＳｉＯ２をスパッタして、上段の未硬化樹脂層３１Ａ上に第３絶縁層３２を成膜する。さらに、この第３絶縁層３２上に第２磁性層３４をスパッタ成膜する。そして最後に、未硬化樹脂層３１Ａを、オーブンを用いて１９０℃／６０分で加熱して完全に硬化された反応率１００％の樹脂層３１にすることで、図１０に示した薄膜トランス４０が得られる。
【００４７】
以上で説明した薄膜トランス４０の製造方法においては、樹脂層３１の上面３１ａにＳｉＯ２で構成された第３絶縁層３２をスパッタ成膜する際、樹脂層３１は未硬化樹脂層３１Ａの状態であり、この未硬化樹脂層３１Ａの樹脂の反応率は１６％となっている。すなわち、樹脂が十分に硬化されていない状態で第３絶縁層３２がスパッタ成膜される。
【００４８】
このように樹脂の硬化が不十分な状態でＳｉＯ２をスパッタ成膜した場合は、上述した積層基板１０及び薄膜インダクタ２０の場合と同様に、第３絶縁層３２が未硬化樹脂層３１Ａと強く密着することとなる。従って、その後に未硬化樹脂層３１Ａを完全に熱硬化させて樹脂層３１を形成することで、薄膜トランス４０においては、樹脂層３１とその上に成膜された第３絶縁層３２との間の高い密着力が実現されている。
【００４９】
また、上述した薄膜トランス４０の製造方法においては、無機層である第３絶縁層３２がＳｉＯ２（無機絶縁材料）で構成されており、この第３絶縁層３２を樹脂層３１の上面３１ａにスパッタ成膜した後に、第３絶縁層３２上に第２磁性層３４を積層し、その後、未硬化樹脂層３１Ａを加熱して熱硬化性樹脂の反応率を上げている。すなわち、樹脂層３１と第２磁性層３４との間に無機絶縁材料で構成されたＳｉＯ２層３２が介在するため、樹脂層３１の溶剤が第２磁性層３４に悪影響を与える事態等を効果的に回避することができる。
【００５０】
なお、反応率は、１６％に限らず、上述した実験によって確認されたように、０〜８５％の範囲内において適宜変更可能である。また、無機層として、第３絶縁層３２の代わりにＣｏ（無機磁性材料）で構成された第２磁性層３４を樹脂層３０の表面３０ａに直接スパッタ成膜してもよい。この場合でも、樹脂層３１と第２磁性層３４との間の高い密着力が実現される上、樹脂層３１と第２磁性層３４との間に第３絶縁層３２が介在する場合に比べ、製造工程が削減される。
【００５１】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、薄膜デバイスは、薄膜インダクタや薄膜トランスに限らず、樹脂層の表面に無機層が成膜されるものであれば、例えば薄膜コンデンサや薄膜フィルタ等であってもよい。無機層は、ＳｉＯ２やＣｏ以外の無機物で構成されていてもよく、例えばＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系や、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ系の非晶質金属磁性合金や、Ｆｅ系金属磁性体や、フェライト等の酸化物磁性体や、Ａｌ２Ｏ３や、ＡｌＮや、ＳｉＯＮや、ＳｉＮ等であってもよい。さらに樹脂層は、フェノール系樹脂に限らず、熱硬化性樹脂であれば、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態に係る積層基板を示した断面図である。
【図２】図１に示した積層基板を作製する手順を示した図である。
【図３】密着力を確認するための実験の結果をまとめた表である。
【図４】剥離が生じていないサンプル基板の表面写真である。
【図５】剥離が生じている比較サンプル基板の表面写真である。
【図６】比較サンプル基板の模式断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る薄膜インダクタを示した平面図である。
【図８】図７に示した薄膜インダクタのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
【図９】図７に示した薄膜インダクタを作製する手順を示した図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る薄膜トランスを示した要部断面図である。
【図１１】図１０に示した薄膜インダクタを作製する手順を示した図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…積層基板、１２…基板、１４…樹脂層、１４Ａ…未硬化樹脂層、１６…ＳｉＯ２層、２０…薄膜インダクタ、２２…基板、３０，３１…樹脂層、３０Ａ，３１Ａ…未硬化樹脂層、３２…第３絶縁層、３６…コイル、４０…薄膜トランス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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