(57)【要約】【課題】下地層と磁気記録層との間に微細化促進層を備えた垂直磁気記録ディスクにおいて、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）を向上し、熱安定性および記録密度を向上しうる垂直磁気記録ディスクを提供する。【解決手段】基体１上に少なくとも下地層５、微細化促進層６、磁気記録層７をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、微細化促進層６はコバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）および少なくとも１つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層であり、磁気記録層７は少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に少なくとも下地層、微細化促進層、磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、
前記微細化促進層はコバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）および少なくとも１つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層であり、
前記磁気記録層は少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層であることを特徴とする垂直磁気記録ディスク。
【請求項２】
前記貴金属元素とは、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、またはルテニウム（Ｒｕ）の中から選択される１または複数の元素であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ディスク。
【請求項３】
前記磁気記録層の厚さが１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ディスク。
【請求項４】
前記微細化促進層中の非磁性物質の含有量は、５ｍｏｌ％〜２０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ディスク。
【請求項５】
前記磁気記録層中の非磁性物質の含有量は、８ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ディスク。
【請求項６】
前記微細化促進層中の非磁性物質の含有量をＡｍｏｌ％、前記磁気記録層中の非磁性物質の含有量をＢｍｏｌ％とした場合、０．３≦Ａ／Ｂ≦２．５であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ディスク。
【請求項７】
前記基体と前記下地層との間に、アモルファスもしくはｆｃｃ構造を有する配向制御層を備えることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ディスク。
【請求項８】
前記基体と前記下地層との間に、アモルファスの軟磁性層を備えることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ディスク。
【請求項９】
前記基体はアモルファスガラスであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ディスク。
【請求項１０】
基体上に少なくとも下地層、微細化促進層、及び磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法であって、
前記微細化促進層としてコバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）および少なくとも１つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層を形成し、
前記磁気記録層として少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層を形成することを特徴とする垂直磁気記録ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤ（ハードディスクドライブ）の面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり１００ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２００Ｇビットを超える情報記録密度を実現することが求められる。ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するためには、情報信号の記録を担う磁気記録層を達成する磁性結晶粒子を微細化すると共に、その層厚を低減していく必要があった。ところが、従来から商業化されている面内磁気記録方式（長手磁気記録方式、水平磁気記録方式とも呼称される）の磁気ディスクの場合、磁性結晶粒子の微細化が進展した結果、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象が発生するようになり、磁気ディスクの高記録密度化への阻害要因となっていた。
【０００３】
この阻害要因を解決するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが提案されている。垂直磁気記録方式の場合では、面内磁気記録方式の場合とは異なり、磁気記録層の磁化容易軸は基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
垂直磁気記録方式に用いる磁気記録媒体としては、高い熱安定性と良好な記録特性を示すことから、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２垂直磁気記録媒体（非特許文献１参照）や、ＣＧＣ型垂直媒体（非特許文献２）が提案されている。また、Ｓ／Ｎ比改善のために、これらの技術とあわせてＲｕ−ＳｉＯ２下地層（特許文献１、２）等が提案されている。そこでの成膜プロセスは、磁性粒子の微細化を目的に高Ａｒガス圧スパッタプロセスが通常用いられている。
【非特許文献１】T. Oikawa et. al., IEEE Trans. Magn, vol.38, 1976-1978(2002)
【非特許文献２】Y. Sonobe et al., IEEE Trans. Magn, vol.37, 1667-1670(2001)
【特許文献１】特開２００２−３３４４２４号公報
【特許文献２】特開２００３−１２３２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
垂直磁気記録媒体においても面内磁気記録媒体と同様に、磁気ディスクの記録密度の向上は、主に、磁気記録層の磁化遷移領域ノイズの低減により行われる。ノイズ低減のためには、磁気記録層の結晶配向性の向上や結晶粒径および磁気的相互作用の大きさを小さくする必要がある。上述のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２型垂直磁気記録媒体では、高Ａｒガス圧スパッタブロセスを用いることにより、磁性粒子を微細化すると同時に、粒界にＳｉＯ２を偏析し、磁気記録層の結晶粒間の磁気的相互作用を低減している。
【０００６】
結晶粒径や磁気的相互作用の大きさは、粒界に偏析したＳｉＯ２の水平方向の厚みに影響される。ＳｉＯ２量を増加させると、高記録密度時のＳ／Ｎ比は向上する。一方、ＳｉＯ２量を増加させると垂直磁気異方性が劣化し、熱安定性の劣化やノイズの増大が問題となる。また、高Ａｒガス圧スパッタプロセスを用いるため、記録層の配向性の劣化および媒体表面性の劣化が生じるという問題がある。
【０００７】
この問題を解決するために、発明者らは、下地層（結晶配向制御層：Ｒｕ）と磁気記録層（ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２）との間に微細化促進層としてＣｏＣｒ−ＳｉＯ２層を挿入することによって、低Ａｒガスプロセスで、磁性粒子の微細化、ＳｉＯ２の偏析によるＳＮ比の向上を行うことができることを見出し、既に特許出願をしている（特願２００５−０８６２２０）。
【０００８】
微細化促進層を用いずに、例えば磁気記録層を下地層上に形成した場合、磁性結晶粒子は下地層上のいずれの位置からも成長できるため、例えば下地層との界面付近において、磁性結晶粒子の分布に乱れが生じてしまう場合もある。しかし、非磁性の微細化促進層を形成することにより、その金属結晶粒子が下地層との界面付近において分布に乱れを生じていたとしても、磁気記録層との界面付近では、ほぼ均一に分布することとなる。そして磁気記録層の結晶粒子は微細化促進層の結晶粒子を基礎として成長することから、磁性結晶粒子の配向性を高め、微細化を促進することができる。
【０００９】
しかしさらに、新たな問題が生じた。すなわち上記構成にあっては、磁気記録層の磁性粒子ＣｏＣｒＰｔと微細化促進層の非磁性粒子ＣｏＣｒが結合して、あわせて磁性粒子として機能する。これにより平均磁化量が低下し、垂直磁気異方性（Ｋｕ）の劣化が生じる。すると、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）が小さくなると同時に、記録再生信号の熱安定性劣化などが起こる（いわゆる熱揺らぎの問題）。
【００１０】
本発明は、下地層と磁気記録層との間に微細化促進層を備えた垂直磁気記録ディスクにおいて、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）を向上し、熱安定性および記録密度を向上しうる垂直磁気記録ディスクを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係る垂直磁気記録ディスクの代表的な構成は、基体上に少なくとも下地層、微細化促進層、磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、微細化促進層はコバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）および少なくとも１つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層であり、磁気記録層は少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層であることを特徴とする。
【００１２】
非磁性物質とは、磁性粒（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
【００１３】
上記の如く非磁性の微細化促進層に貴金属を含有させることにより、磁気記録層に対する異方性を向上させることができる。このため磁気記録層の結晶粒子は立ち上がり（初期層：例えば０．５ｎｍ〜２ｎｍ程度の厚みの間）から配向性が高くなり、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）を向上させることができる。なお、非磁性とは、完全に非磁性の場合の他、磁気ディスクの機能上問題とならない程度の弱い磁性を有する場合も含む。非磁性グラニュラー層は、例えば、強磁性層と比べて無視できる程度の弱い磁性を有してもよい。
【００１４】
貴金属元素としては、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、またはルテニウム（Ｒｕ）の中から選択される１または複数の元素を用いることができる。従って例えば、微細化促進層をＣｏＣｒＲｕ−ＳｉＯ２またはＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２で構成することができる。さらには貴金属元素として、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）も利用することができる。
【００１５】
微細化促進層中の非磁性物質の含有量は５ｍｏｌ％〜２０ｍｏｌ％であることが好ましく、さらに望ましくは１０ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％である。５ｍｏｌ％以下では十分な組成分離（偏析）構造が形成できないため、磁気記録層の微細化が促進できないためである。また２０ｍｏｌ％以上であるとＣｏがｈｃｐ結晶を形成しにくくなるためである。また微細化促進層の膜厚は０．２５ｎｍ〜５ｎｍ、さらに望ましくは０．５〜２ｎｍであることが好ましい。
【００１６】
磁気記録層中の非磁性物質の含有量は、８ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％であることが好ましく、さらに望ましくは１０ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％である。８ｍｏｌ％以下では十分な組成分離（偏析）構造が形成できないため、高いＳ／Ｎ比が得られないからである。また１６ｍｏｌ％以上であるとＣｏがｈｃｐ結晶を形成しにくくなるため十分な垂直磁気異方性が得られず、高いＨｎが得られないためである。また磁気記録層の膜厚は２０ｎｍ以下が好ましく、さらに望ましくは９ｎｍ〜１５ｎｍである。
【００１７】
さらに、微細化促進層中の非磁性物質の含有量をＡｍｏｌ％、磁気記録層中の非磁性物質の含有量をＢｍｏｌ％とした場合、０．３≦Ａ／Ｂ≦２．５であることが好ましい。このように両層における非磁性物質の含有量を同程度とすることにより、微細化促進層中の結晶粒子を基礎として磁気記録層の結晶粒子が成長しやすくなるためである。
【００１８】
基体と下地層との間に、アモルファスもしくはｆｃｃ構造を有する配向制御層を備えることが好ましい。なお配向制御層とは、下地層の結晶粒の配向を制御する作用を備える層である。配向制御層としては、例えばＴａやＮｂ、ＮｉＰなどのＮｉ系合金、ＣｏＣｒなどのＣｏ系合金、およびこれらにＴａやＴｉを含有させた非磁性層、ほかにＰｄ、Ｐｔなどの材料で構成することができる。
【００１９】
基体と下地層との間に、アモルファスの軟磁性層を備えることが好ましい。本発明において、軟磁性層は、軟磁気特性を示す磁性体により形成されていれば特に制限はないが、例えばＦｃＴａＣ系合金、ＦｅＴａＮ系合金、ＦｅＮｉ系合金、ＦｅＣｏＢ系合金、ＦｅＣｏ系合金などのＦｅ系軟磁性材料、ＣｏＴａＺｒ系合金、ＣｏＮｂＺｒ系合金などのＣｏ系軟磁性材料、あるいはＦｅＣｏ系合金軟磁性材料などを用いることができる。
【００２０】
また軟磁性層は、保磁力（Ｈｃ）で０．０１〜８０エルステッド（Ｏｅ）、好ましくは０．０１〜５０エルステッドの磁気特性であることが好ましい。また、飽和磁束密度（Ｂｓ）は５００ｅｍｕ／ｃｃ〜１９２０ｅｍｕ／ｃｃの磁気特性であることが好ましい。軟磁性層の膜厚は１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、望ましくは２０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましい。１０ｎｍ未満では、磁気ヘッド〜垂直磁気記録層〜軟磁性層間に好適な磁気回路を形成することが困難になる場合があり、１０００ｎｍを超えると表面粗さが増加する場合がある。また、１０００ｎｍを超えるとスパッタリング成膜が困難となる場合がある。
【００２１】
基体はアモルファスガラスであることが好ましい。軟磁性層の磁区制御のために磁場中アニールが必要な場合に、耐熱性に優れることから、基体がガラスであることが好ましい。基体用ガラスとしては、アモルファスガラス、結晶化ガラスを用いることができ、例えばアルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラスなどが挙げられるが、中でもアルミノシリケートガラスが好適である。また、軟磁性層をアモルファスとする場合にあっては、基体をアモルファスガラスとすると好ましい。なお、化学強化したガラスを用いると、剛性が高く好ましい。
【００２２】
本発明に係る垂直磁気記録ディスクの製造方法の代表的な構成は、基体上に少なくとも下地層、微細化促進層、及び磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法であって、微細化促進層としてコバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）および少なくとも１つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層を形成し、磁気記録層として少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層を形成することを特徴とする。磁気記録層の成膜にあたっては、スパッタリング法、特にＤＣマグネトロンスパッタリング法を好ましく用いることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、下地層と磁気記録層との間に微細化促進層を備えた垂直磁気記録ディスクにおいて、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）を向上し、熱安定性および記録密度を向上しうる垂直磁気記録ディスクを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施例について、図を参照して説明する。図１は本実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図、図２は磁気記録層近傍を説明する模式図、図３は磁気記録層の厚みを変えた場合の逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）の変化を示す図である。なお、以下の実施例に示す数値は発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。
【００２５】
図１に示す垂直磁気記録媒体は、ディスク基体１、付着層２、軟磁性層３、配向制御層４、下地層５ａ、下地層５ｂ、微細化促進層６、磁気記録層７、カップリング制御層８、交換エネルギー制御層９（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ層）、媒体保護層１０、潤滑層１１で構成されている。
【００２６】
まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１を得た。ディスク直径は６５ｍｍである。このディスク基体１の主表面の表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定したところ、Ｒｍａｘが４．８ｎｍ、Ｒａが０．４２ｎｍという平滑な表面形状であった。なお、ＲｍａｘおよびＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ）に従う。
【００２７】
得られたディスク基体１上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、付着層２から交換エネルギー制御層９まで順次成膜を行い、媒体保護層１０はＣＶＤ法により成膜した。この後、潤滑層１１をディップコート法により形成した。以下、各層の構成および製造方法について説明する。
【００２８】
付着層２は１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層２を形成することにより、ディスク基体１と軟磁性層３との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層３の剥離を防止することができる。付着層２の材料としては、例えばＴｉ含有材料を用いることができる。実用上の観点からは付着層の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。
【００２９】
軟磁性層３は５０ｎｍのアモルファスＣｏＴａＺｒ層となるように、ＣｏＴａＺｒターゲットを用いて成膜した。
【００３０】
配向制御層４は、軟磁性層３を防護する作用と、下地層５ａの結晶粒の微細化を促進する作用を備える。配向制御層４としては、アモルファスのＴａからなる層が膜厚３ｎｍ形成されるように、Ｔａターゲットを用いて成膜した。
【００３１】
下地層５ａ、５ｂは、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側のＲｕを形成する際に、下層側のＲｕを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くすることにより、結晶配向性を改善することができる。
【００３２】
微細化促進層６は、貴金属の例としてのルテニウム（Ｒｕ）と、非磁性物質の例としてのＳｉＯ２を含有するＣｏＣｒＲｕからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１．５ｎｍのｈｃｐ結晶構造を形成した。微細化促進層６を形成するためのターゲットの組成は、ＣｏＣｒ４０Ｒｕが８８（ｍｏｌ％）、ＳｉＯ２が１２（ｍｏｌ％）である（付記数字は原子％）。なお、Ｒｕの代わりに例えばＰｔを用いて、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２としてもよい。
【００３３】
磁気記録層７は、非磁性物質の例としてのＳｉＯ２を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１１ｎｍのｈｃｐ結晶構造を形成した。磁気記録層７を形成するためのターゲットの組成は、ＣｏＣｒ１０Ｐｔが９０（ｍｏｌ％）、ＳｉＯ２が１０（ｍｏｌ％）である（付記数字は原子％）。
【００３４】
すなわち、微細化促進層６中の非磁性物質の含有量をＡｍｏｌ％、磁気記録層７中の非磁性物質の含有量をＢｍｏｌ％とした場合、０．３≦Ａ／Ｂ≦２．５となっている。このように両層における非磁性物質の含有量を同程度とすることにより、微細化促進層中の結晶粒子を基礎として磁気記録層の結晶粒子が成長しやすくなる。
【００３５】
なお、磁気記録層７に含まれる貴金属と、微細化促進層６に含まれる貴金属は、同じであることが好ましい。例えば磁気記録層７がＣｏＣｒＰｔである場合に微細化促進層６はＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２であることが好ましく、磁気記録層７がＣｏＣｒＲｕである場合に微細化促進層６はＣｏＣｒＲｕ−ＳｉＯ２であることが好ましい。これにより、磁気記録層の結晶成長の際の配向性を向上させることができる。
【００３６】
カップリング制御層８は、Ｐｄ（パラジウム）層により形成した。カップリング制御層８はＰｄ層の他にＰｔ層で形成することもできる。カップリング制御層８の膜厚は２ｎｍ以下が好ましく、さらに望ましくは０．５〜１．５ｎｍである。
【００３７】
交換エネルギー制御層９はＣｏＢとＰｄとの交互積層膜からなり、低Ａｒガスで形成した。交換エネルギー制御層９の膜厚は１〜８ｎｍが好ましく、望ましくは３〜６ｎｍである。
【００３８】
媒体保護層１０は、Ａｒに水素を３０％含有させた混合ガス中で、プラズマＣＶＤ法により膜厚３．５ｎｍの水素化カーボンからなる媒体保護層１０を形成した。水素化カーボンとすることで膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。
【００３９】
潤滑層１１は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層１１の膜厚は約１ｎｍである。
【００４０】
以上の製造工程により、垂直磁気記録媒体が得られた。得られた垂直磁気記録ディスクにおける微細化促進層６、磁気記録層７を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を利用して詳細に分析したところ、グラニュラー構造を備えていた。具体的には、Ｃｏを含有するｈｃｐ結晶構造の結晶粒子の間に、非磁性物質からなる粒界部分が形成されていることを確認した。
【００４１】
ここで図２に示すように、下地層５ｂのＲｕと、微細化促進層６の結晶粒子６ａ（Ｃｏ系合金）、および磁気記録層７の磁性粒７ａ（Ｃｏ系合金）は、結晶学的につながっている。これは、微細化促進層６および磁気記録層７の結晶粒子６ａ、磁性粒７ａおよび酸化珪素６ｂ、７ｂは、それぞれ連続して成長するためである。
【００４２】
比較のために、微細化促進層６が貴金属を含まない場合、貴金属としてＲｕを含む場合、貴金属としてＰｔを含む場合のそれぞれについて、磁気記録層７の膜厚を９ｎｍ〜１１ｎｍまで変化させて垂直磁気記録媒体を製造した。そして得られた垂直磁気記録ディスクの静磁気特性をＫｅｒｒ効果を利用して逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）を測定し、評価したものを図３に示す。
【００４３】
図３に示すように、微細化促進層６に貴金属を含有させることにより、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）が向上する方向に約１００［Ｏｅ］程度向上している。これは、磁気記録層７が形成される初期層の状態から配向性が高くなっているためと考えられる。さらに貴金属がＲｕである場合には磁気記録層７が厚くなるほどにＨｎが向上し、厚みが１１ｎｍの位置では約２００［Ｏｅ］程度向上している。これはＲｕが備えている結晶配向性が作用しているものと考えられる。また、これらの媒体の熱安定性特性を調べたところ、Ｈｎの変化と追従する形で出力の劣化の改善が認められた。
【００４４】
これらのことから、微細化促進層６に貴金属を含有させることにより、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）を向上し、同時に熱安定性を向上させることができる。従ってさらなる磁性粒子の微細化を図ることができ、記録密度を向上させることが可能となる。
【００４５】
なお、図示しないが、磁気記録層の厚さが１５ｎｍよりも厚くなると、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）が低下してしまう。これは結晶粒子が粗大化するために磁化回転モードが非一斉回転となるためである。従って磁気記録層の厚さは、１５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
また、上記実施例において非磁性物質は酸化珪素（ＳｉＯ２）として説明したが、磁性粒（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）を例示できる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】磁気記録層近傍を説明する模式図である。
【図３】磁気記録層の厚みを変えた場合の逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１     …ディスク基体
１０   …媒体保護層
１１   …潤滑層
２     …付着層
３     …軟磁性層
４     …配向制御層
５ａ、５ｂ   …下地層
６     …微細化促進層
６ａ   …結晶粒子
６ｂ   …酸化珪素
７     …磁気記録層
７ａ   …磁性粒
７ｂ   …酸化珪素
８     …カップリング制御層
９     …交換エネルギー制御層
【図１】
2007335034.tif 000003
【図２】
2007335034.tif 000004
【図３】
2007335034.tif 000005