(57)【要約】【課題】複雑な配線をすることなく使用可能な状態検知センサを提供すること。【解決手段】本発明は、質問信号を受信するアンテナと、前記アンテナにより受信された質問信号に対する応答信号を生成する識別信号発生手段であって、無電源で動作する識別信号発生手段と、前記アンテナと前記識別信号発生手段の間に設けられたインピーダンス変換手段であって、周囲の状態に応じてインピーダンスが変化するインピーダンス変換手段とを有する無線センサを提供する。【選択図】図１
2007018492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質問信号を受信するアンテナと、
前記アンテナにより受信された質問信号に対する応答信号を生成する識別信号発生手段であって、無電源で動作する識別信号発生手段と、
前記アンテナと前記識別信号発生手段の間に設けられたインピーダンス変換手段であって、周囲の状態に応じてインピーダンスが変化するインピーダンス変換手段と
を有する無線応答装置。
【請求項２】
前記インピーダンス変換手段が、外力に応じてその容量が変化する可変キャパシタ、外力に応じてそのインダクタンスが変化する可変インダクタ、および外力または光照射によってその抵抗が変化する可変抵抗のうち少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の無線応答装置。
【請求項３】
前記インピーダンス変換手段におけるインピーダンスの変化量に応じて多値信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の無線応答装置。
【請求項４】
前記識別信号発生手段が、ＳＡＷ−ＩＤタグ、ＲＦ−ＩＤタグ、遅延線のいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の無線応答装置。
【請求項５】
記録材上に画像を形成する画像形成手段と、
記録材を蓄積する記録材蓄積手段と、
前記記録材蓄積手段から前記画像形成手段まで、記録材を搬送経路に沿って搬送する搬送手段と、
前記搬送経路に沿って設置された無線応答装置であって、記録材がその無線応答装置の近傍を通過することにより、その無線応答装置に加えられる外力が変化し、あるいはその応答装置に入射される光の強度が変化する位置に設置された請求項１〜４のいずれかの項に記載の無線応答装置と、
前記無線応答装置と信号の送受信を行う送受信手段と
を有する画像形成装置。
【請求項６】
記録材上に画像を形成する画像形成手段と、
記録材を蓄積する記録材蓄積手段と、
前記記録材蓄積手段から前記画像形成手段まで、記録材を搬送経路に沿って搬送する搬送手段と、
前記記録材蓄積手段に設置された無線応答装置であって、前記記録材蓄積手段に蓄積される記録材の量によってその無線応答装置に加えられる外力が変化し、あるいはその応答装置に入射される光の強度が変化する位置に設置された請求項１〜４のいずれかの項に記載の無線応答装置と、
前記無線応答装置と信号の送受信を行う送受信手段と
を有する画像形成装置。
【請求項７】
可動部と、
前記可動部の可動状態に応じてその無線応答装置に加えられる外力が変化し、あるいはその応答装置に入射される光の強度が変化する位置に設置された請求項１〜４のいずれかの項に記載の無線応答装置と、
前記無線応答装置と信号の送受信を行う送受信手段と
を有する装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線応答装置、およびこの無線応答装置を利用した画像形成装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
複写機、プリンタ等の電子機器においては、機器の状態を検知するための状態検知センサが広く用いられている。状態検知センサとしては、例えば、電気的短絡あるいは解放により状態を検知するスイッチ、光の遮断または透過により状態を検知するフォトインタラプタなどがある。状態検知センサは例えば、用紙通過センサのように、用紙の通過の有無という２値状態を検出する用途に用いられることが多い。この場合、電子機器は、用紙通過センサの検出結果に応じて電子機器の動作制御や状態監視を行う。
【０００３】
特許文献１には、機器の開閉部において開閉状態を検知する無線センサ（無線応答装置）に関する技術が開示されている。この無線センサは、アンテナに導体を近接させることでその電磁波の状態を変化させることにより開閉部の開閉状態を検出するものである。また、非特許文献１および２には、いわゆるＳＡＷ−ＩＤ（Surface Acoustic Wave Identification）を用いた無線センサが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３２０５２号公報
【非特許文献１】ラインドル（L. Reindl）、外５名、超音波シンポジウム論文集（UltrasonicsSymposium Proceedings）、米国電気電子学会（IEEE）、「無線パッシブセンサとしてのＳＡＷデバイス（SAW Devices as Wireless Passive Sensors）」、１９９６年、ｐ．３６３−３６７
【非特許文献２】シュミット（F. Schmidt）、外３名、超音波シンポジウム論文集（UltrasonicsSymposium Proceedings）、米国電気電子学会（IEEE）、「パッシブ表面弾性波デバイス（“ＩＤタグ”）による物理パラメータのリモートセンシング（REMOTE SENSING OF PHYSICAL PARAMETERS BY  MEANS OF PASSIVE SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICES  ("ID-TAG")）、１９９４年、ｐ．５８９−５９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
スイッチやフォトインタラプタ等の状態検知センサは通常、有線による電力供給と信号の送受信が行われる。電力線を用いる場合、待機時にも電力を消費するという問題、あるいは、電力線からノイズが混入することにより誤動作が起きるという問題があった。さらに、１つの機器内で多くの状態検知センサを使用する場合にはその配線が複雑になり、製造時あるいはメンテナンス時に多くの工数が必要になるという問題があった。また、近年のいわゆるＰｂフリー材料を用いたコネクタでは、その経時劣化により安定した信号伝播が阻害されるという問題もあった。
【０００５】
以上の問題を解決するためには、状態検知センサとのデータの送受信を無線で行うことが考えられる。しかし、通常の無線通信機器は、電力を供給するためのバッテリを内部に有している必要がある。そのため、バッテリの交換時に多大な労力を要し、その実現が困難であるという問題があった。また、特許文献１に開示されているように、バッテリを必要としないＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）を利用したシステムにおいては、ＲＦＩＤチップを作動させないためにＲＦＩＤリーダーからの電磁波を吸収するための通信妨害用アンテナをＲＦＩＤチップに近接・離隔させる。このシステムは、通信妨害用アンテナの離隔時にはＲＦＩＤチップに電磁波が届くためＲＦＩＤチップが作動し、近接時には妨害アンテナに電磁波が吸収されるためＲＦＩＤチップが作動しないという原理を利用するものである。しかしながら、信号の変化を明確に得るためには通信妨害用アンテナの近接と隔離のために広い空間が必要となる。このように、特許文献１に記載の技術は、例えば用紙通過センサのように狭い空間に設置する状態検知センサとして用いることができないという問題があった。また、非特許文献１および２に開示された無線センサは、ＳＡＷデバイスに特化された構成を有するものであり、多数のＩＤを扱う上で半導体によるＲＦＩＤチップと比較して不利であるという問題があった（非特許文献１の図１１、非特許文献２の図６参照）。さらに、非特許文献２に示されるような接触式スイッチを用いた場合には、チャタリングが生じるためＳＡＷ反射器の配置によっては無用な雑音が発生してしまうという問題もあった。また同じく非特許文献２に示される反射器にインピーダンス可変器となるセンサを配置した場合には、反射器からの反射信号の振幅変化を精度良く検知する必要があるため十分な信号強度が必要となり信号強度の制限がある周波数帯域での無線利用では検知が困難な場合がある。
【０００６】
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、複雑な配線をすることなく使用可能な状態検知センサを提供することを目的とする。また、本発明は、電池の交換などの煩雑な作業が不要な、無給電で動作する低雑音の状態検知センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決するため、本発明は、質問信号を受信するアンテナと、前記アンテナにより受信された質問信号に対する応答信号を生成する識別信号発生手段であって、無電源で動作する識別信号発生手段と、前記アンテナと前記識別信号発生手段の間に設けられたインピーダンス変換手段であって、周囲の状態に応じてインピーダンスが変化するインピーダンス変換手段とを有する無線応答装置を提供する。
この無線応答装置は、周囲の状態を示す応答信号を無線で出力する。応答装置の設置時に信号線を敷設する必要がないため、応答装置の設置およびメンテナンス時の工数を削減することができる。
【０００８】
好ましい態様において、この無線応答装置は、前記インピーダンス変換手段が、外力に応じてその容量が変化する可変キャパシタ、外力に応じてそのインダクタンスが変化する可変インダクタ、および外力または光照射によってその抵抗が変化する可変抵抗のうち少なくともいずれか１つを含んでもよい。
この無線応答装置によれば、外力あるいは光照射の変化を無線で検出することができる。
【０００９】
別の好ましい態様において、この無線応答装置は、前記インピーダンス変換手段におけるインピーダンスの変化量に応じて多値信号を出力してもよい。
この無線応答装置によれば、応答信号は多値信号として出力される。したがって、応答装置の設置場所に関するより詳細な情報を得ることができる。
【００１０】
さらに別の好ましい態様において、これらの無線応答装置は、前記識別信号発生手段が、ＲＦ−ＩＤタグ、遅延線、ＳＡＷ−ＩＤタグのいずれかを含んでもよい。
【００１１】
また、本発明は、記録材上に画像を形成する画像形成手段と、記録材を蓄積する記録材蓄積手段と、前記記録材蓄積手段から前記画像形成手段まで、記録材を搬送経路に沿って搬送する搬送手段と、前記搬送経路に沿って設置された無線応答装置であって、記録材がその無線応答装置の近傍を通過することにより、その無線応答装置に加えられる外力が変化し、あるいはその応答装置に入射される光の強度が変化する位置に設置された上記いずれかの無線応答装置と、前記無線応答装置と信号の送受信を行う送受信手段とを有する画像形成装置を提供する。
この画像形成装置は、記録材の通過を無線応答装置で検知するため、製造コストおよびメンテナンスコストを低減することができる。また、有線では設置が不可能な狭い場所にも応答装置を取り付けることが可能となる。
【００１２】
また、本発明は、記録材上に画像を形成する画像形成手段と、記録材を蓄積する記録材蓄積手段と、前記記録材蓄積手段から前記画像形成手段まで、記録材を搬送経路に沿って搬送する搬送手段と、前記記録材蓄積手段に設置された無線応答装置であって、前記記録材蓄積手段に蓄積される記録材の量によってその無線応答装置に加えられる外力が変化し、あるいはその応答装置に入射される光の強度が変化する位置に設置された上記いずれかの無線応答装置と、前記無線応答装置と信号の送受信を行う送受信手段とを有する画像形成装置を提供する。
この画像形成装置は、記録材の通過を無線応答装置で検知するため、製造コストおよびメンテナンスコストを低減することができる。また、有線では設置が不可能な狭い場所にも応答装置を取り付けることが可能となる。
【００１３】
また、本発明は、可動部と、前記可動部の可動状態に応じてその無線応答装置に加えられる外力が変化し、あるいはその応答装置に入射される光の強度が変化する位置に設置された上記いずれかの無線応答装置と、前記無線応答装置と信号の送受信を行う送受信手段とを有する電子機器を提供する。
この電子機器は、記録材の通過を無線応答装置で検知するため、製造コストおよびメンテナンスコストを低減することができる。また、有線では設置が不可能な狭い場所にも応答装置を取り付けることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
＜１．基本構成＞
図１は、本発明に係る状態検知システムの機能構成を示すブロック図である。本発明に係る状態検知システムは、送受信機１０および無線応答装置である状態検知センサ２０を有する。送受信機１０は、アンテナ１１を介して状態検知センサ２０に質問信号を送信する。また、送受信機１０は、状態検知センサ２０から送信された応答信号をアンテナ１１を介して受信する。状態検知センサ２０は、無給電で動作するセンサ（パッシブセンサ）である。インピーダンス変換部２２は、外力や光など、周囲の状態の変化をインピーダンス変化に変換する。周囲の状態によってインピーダンス変換部２２のインピーダンスが低下し、アンテナ２１と識別信号発生部２３とがインピーダンス整合状態となると、識別信号発生部２３は、送受信機１０からの質問信号に応じた応答信号を生成する。状態検知センサ２０は、識別信号発生部２３が生成した応答信号を、アンテナ２１を介して出力する。一方、周囲の状態によってインピーダンス変換部２２のインピーダンスが増加し、アンテナ２１と識別信号発生部２３とがインピーダンス不整合状態となると、状態検知センサ２０は、送受信機１０からの質問信号に対して応答信号を送信しない。このように、状態検知センサ２０は、その周囲の状態に応じた応答信号を出力する。
【００１５】
＜２．第１実施形態＞
図２は、本発明の第１実施形態に係る状態検知システム１の構成を示す図である。状態検知システム１においては、インピーダンス変換部２２として可変インダクタ２２２が、識別信号発生部２３としてＳＡＷ−ＩＤタグ２３０が用いられている。可変インダクタ２２２は、外力を受けるとアンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とのインピーダンスを整合させる（詳細は後述する）。外力を受けていない状態では、アンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０はインピーダンス整合となる。ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０は、表面弾性波を励振するためのＩＤＴ（Inter Digit Transducer、櫛形電極）２３１と、表面弾性波を反射するＳＡＷ反射器２３２とを有する。ＩＤＴ２３１およびＳＡＷ反射器２３２は、圧電体基板２３３上に形成されている。本実施形態において、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０は、例えば１ＧＨｚの周波数の信号に応答するように設計されている。
【００１６】
圧電体基板２３３の材料としては、例えば以下に示すものを用いることができる。（１）ＳｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬａＡｌＯ３、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３８％−ＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ等の酸化物。（２）ＢａＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ１−ｘＬａｘ（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１−ｘ／４Ｏ３（ｘおよびｙの値によりいわゆるＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴとなる）等の、いわゆるＡＢＯ３型のペロブスカイト型材料。（３）ＫＮｂＯ３等の正方晶，斜方晶もしくは擬立方晶系材料。（４）ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等に代表される擬イルメナイト構造体の強誘電体材料。（５）ＳｒｘＢａ１−ｘＮｂ２Ｏ６、ＰｂｘＢａ１−ｘＮｂ２Ｏ６等のタングステンブロンズ型材料。（６）Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、Ｐｂ２ＫＮｂ５Ｏ１５、Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｉｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎａ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３等のリラクサー系強誘電体材料。（７）ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）等の高分子材料。（８）以上列挙した強誘電体の置換誘導体等から選択される複合材料。
【００１７】
また、ＩＤＴ２３１の材料としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ等の単体金属、またはＴｉ−Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｔｉ−Ｎ、Ｎｉ−Ｃｒ等の合金を、単層もしくは２層以上の多層構造に積層したものを用いることができる。特に金属としてはＡｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕが好適である。また、この金属層の膜厚は、１ｎｍ以上１０μｍ未満とすることが好ましい。
【００１８】
可変インダクタ２２２は、空芯コイル２２２１内に強磁性体棒２２２２が挿入されることによりインダクタンスが変化する。空芯コイル２２２１の近傍にはガイドレール２２２３が設けられている。ガイドレール２２２３は筐体（図示略）などに固定されている。ガイドレール２２２３は例えば円筒形の部材であり、その内径は強磁性体棒２２２２の外径よりも大きい。強磁性体棒２２２２はガイドレール２２２３内を摺動可能である。強磁性体棒２２２２の近傍には梃子２２２６が設けられている。強磁性体棒２２２２は、梃子２２２６の作用点に相当する位置で梃子２２２６と接している。梃子２２２６の力点に相当する位置に外力が加えられることにより、強磁性体棒２２２２はガイドレール２２２３に沿って移動し、空芯コイル２２２１内に挿入される。ガイドレール２２２３と、強磁性体棒２２２２の突起部２２２４との間にはバネ２２２５が設けられている。バネ２２２５の力により、外力が加わっていない状態では、強磁性体棒２２２２は空芯コイル２２２１の外部に位置する非挿入状態となる。
【００１９】
空芯コイル２２２１は、例えば、直径２ｍｍ、巻き数１、長さ１ｍｍのコイルである。この場合、非挿入状態における空芯コイル２２２１の自己インダクタンスは約４ｎＨである。キャパシタ２２２７は、この状態でＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とアンテナ２１とのインピーダンス整合を取るため、アンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０との間に直列に挿入された容量である。例えば、１ＧＨｚの信号を用いる場合、６．３ｐＦの容量のキャパシタ２２２７を用いると、中心周波数１ＧＨｚのバンドパスフィルタが形成される。すなわち、強磁性体棒２２２２が無挿入の状態においてＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とアンテナ２１とはインピーダンスが整合している状態となる。
【００２０】
一方、外力が加えられることにより強磁性体棒２２２２が空芯コイル２２２１に挿入されると、空芯コイル２２２１の自己インダクタンスは変化する。例えば、透磁率４０００Ｈ／ｍのフェライト材料で構成される強磁性体棒を挿入すると、空芯コイル２２２１の自己インダクタンスは１０μＨ以上になる。すると、アンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とのインピーダンス整合は乱される。具体的には、このとき、コイルとキャパシタによって形成されるバンドパスフィルタのＳ21は−５０ｄＢ以下になる。これは、アンテナ２１が受信した質問信号の電力がＳＡＷ−ＩＤタグ２３０にほとんど届かないことを意味する。また、これは、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０からの応答信号もアンテナ２１にほとんど届かなくなることを意味する。
【００２１】
送受信機１０は、ＩＤＴ対数（図２に示される例では、ＩＤＴは１．５対）と同数の周期分（対数＋１など、ＩＤＴ対数と同数の周期でなくてもよい）だけ、周波数１ＧＨｚの質問信号をバースト出力する。このとき、梃子２２２６に外力が加えられておらずＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とアンテナ２１とがインピーダンス整合していると、状態検知センサ２０はアンテナ２１から応答信号を出力する。すなわち、アンテナ２１で受信された質問信号は、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に供給される。供給される質問信号により、ＩＤＴ２３１において表面弾性波が励振される。励振された表面弾性波は、圧電体基板２３３を伝播する（圧電体基板２３３において、表面弾性波が伝播する領域を「ＳＡＷ導波路」という）。表面弾性波は、ＳＡＷ反射器２３２で反射される。反射された表面弾性波は、ＩＤＴ２３１において電気信号に変換される。電気信号は、アンテナ２１から応答信号として出力される。ここで、表面弾性波が圧電体基板２３３を伝播する際には、圧電体基板２３３の材料および伝播経路長により決まる遅延が発生する。すなわち、応答信号は、入力信号に対してある遅延時間を有する。遅延時間は、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０においてＳＡＷ反射器２３２の配置（すなわち、ＳＡＷ導波路の長さ）、圧電体基板２３３の材料などの設計により、所望の値に設計することが可能である。このように応答信号の遅延時間により、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０を他のＳＡＷ−ＩＤタグから識別することが可能である。
【００２２】
一方、梃子２２２６に外力が加えられ強磁性体棒２２２２が空芯コイル２２２１に挿入されることによりアンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とのインピーダンスが不整合となると、アンテナ２１により受信された質問信号はＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に提供されない。したがって、状態検知センサ２０は応答信号を出力しない。このように、状態検知センサ２０が出力する応答信号は、外力の有無によって異なっている。すなわち、送受信機１０は、質問信号に対する応答信号の有無により、状態検知センサ２０に対する外力の有無を検出することができる。
【００２３】
なお、状態検知システム１は、それぞれ遅延時間の異なる複数の状態検知センサ２０を有してもよい。この場合、送受信機１０は、応答信号の遅延時間から、複数の状態検知センサ２０のうち、外力が加えられた状態検知センサ２０を特定することができる。
【００２４】
以上で説明したように本実施形態に係る状態検知システム１によれば、外力の検出を無線で行うことができる。また、状態検知センサ２０は無電源で動作する。したがって、状態検知センサ２０の取り付けに煩雑な配線は不要であり、設置およびメンテナンス時の工数を削減することができる。また、状態検知センサ２０は、有線では設置困難な部位にも設置することができる。さらに、状態検知センサ２０は信号を無線で出力するためセンサと信号線とを接続するコネクタが不要である。したがって、コネクタの接触不良による動作不良の発生を抑制することができる。
【００２５】
また、強磁性体棒２２２２の透磁率や空芯コイル２２２１のインダクタンス、空芯コイル２２２１への強磁性体棒２２２２の挿入方法を適切に設計することで、ＯＮ／ＯＦＦの２値だけでなく、多値、可変量にも対応することができる。多値量を計測する場合、送受信機１０が受信した応答信号の強度によって多値量を計測することができる。
【００２６】
なお、以上の説明では梃子２２２６に外力が加えられることによって空芯コイル２２２１内に強磁性体棒２２２２が挿入される態様について説明したが、可変インダクタ２２２の構成はこれに限定されない。例えば、外力が加えられない状態においてはバネの力によって強磁性体棒２２２２が空芯コイル２２２１内に挿入された状態となり、外力が加えられることにより強磁性体棒２２２２が空芯コイル２２２１内から引き抜かれる構成としてもよい。また、空芯コイル２２２１の自己インダクタンスの値、強磁性体棒２２２２の透磁率の値、キャパシタ２２２７の容量の値、信号の周波数の値はあくまで例示であり、これに限定されるものではない。また、強磁性体棒２２２２に外力を伝達する方法も梃子によるものに限定されない。例えば、強磁性体棒２２２２に接続されたアームを介して外力を伝達する構成としてもよい。
【００２７】
＜３．第２実施形態＞
図３は、本発明の第２実施形態に係る状態検知システム２の構成を示す図である。状態検知システム２が第１実施形態に係る状態検知システム１と相違する点は、状態検知センサ２０が、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に加え、もう１つ別のＳＡＷ−ＩＤタグ２４０を有する点である。ＳＡＷ−ＩＤタグ２４０は、基本的にはＳＡＷ−ＩＤタグ２３０と同一の構造、すなわち、ＩＤＴ２４１、ＳＡＷ反射器２４２、圧電体基板２４３を有している。しかし、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とＳＡＷ−ＩＤタグ２４０とは、遅延時間が異なるように設計されている。
【００２８】
また、状態検知システム２においては、可変インダクタ２２２に代わり、可変インダクタ２２１が用いられている。可変インダクタ２２１は、外力が加わっていないときはアンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とのインピーダンスを整合させ、外力が加わったときはアンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２４０とのインピーダンスを整合させる。詳細には、以下の通りである。
【００２９】
可変インダクタ２２１は、空芯コイル２２１１、空芯コイル２２１９、および強磁性体棒２２１２を有する。空芯コイル２２１１および空芯コイル２２１９は、内部に強磁性体棒２２１２が挿入されることによりインダクタンスが変化する。空芯コイル２２１１と空芯コイル２２１９の間にはガイドレール２２１３が設けられている。ガイドレール２２１３は例えば円筒形の部材であり、その内径は強磁性体棒２２１２の外径よりも大きい。強磁性体棒２２１２はガイドレール２２１３内を摺動可能である。強磁性体棒２２１２には、外力を強磁性体棒２２１２に伝達するためのアーム２２１６が接続されている。アーム２２１６とガイドレール２２１３の間にはバネ２２１５が設けられている。アーム２２１６に外力が加わっていない状態では、バネ２２１５の力により強磁性体棒２２１２は空芯コイル２２１１に挿入された状態となる。一方、アーム２２１６に外力が加えられると、強磁性体棒２２１２は図３において下向きに移動し、空芯コイル２２１１から引き抜かれて空芯コイル２２１９内に挿入される。すなわち、可変インダクタ２２１においては、アーム２２１６に外力が加えられていない状態では強磁性体棒２２１２は空芯コイル２２１１に挿入され、アーム２２１６に外力が加えられると強磁性体棒２２１２は空芯コイル２２１１から引き抜かれ空芯コイル２２１２に挿入される。
【００３０】
本実施形態において、空芯コイル２２１１および空芯コイル２２１９は、強磁性体棒２２１２が挿入されていない空芯時には４ｎＨの自己インダクタンスを有するコイルである。強磁性体棒２２１２は、透磁率４０００Ｈ／ｍのフェライト材料で構成されている。強磁性体棒２２１２が挿入されると、空芯コイル２２１１および空芯コイル２２１９のインダクタンスは１０μＨとなる。キャパシタ２２１７およびキャパシタ２２１８は、６．３ｐＦの容量を有する。このようなパラメータを有する空芯コイル２２１１とキャパシタ２２１７を用いることにより、中心周波数１ＧＨｚのバンドパスフィルタが形成される。１ＧＨｚの信号を用いると、空芯コイル２２１１の空芯時にはアンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２４０はインピーダンス整合する。空芯コイル２２１１に強磁性体棒２２１２が挿入されるとアンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２４０はインピーダンス不整合となる。空芯コイル２２１９およびキャパシタ２２１８についても同様である。
【００３１】
アーム２２１６に外力が加えられていない状態で送受信機１０が質問信号を送信すると、アンテナ２１により受信された質問信号はＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に供給される。質問信号はＩＤＴ２３１において表面弾性波に変換される。表面弾性波はＳＡＷ反射器２３２で反射され、ＩＤＴ２３１において電気信号に変換される。変換された電気信号は、応答信号としてアンテナ２１から出力される。この応答信号は、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０の遅延時間を反映した信号となっている。このとき、ＳＡＷ−ＩＤタグ２４０からの応答信号は出力されない。
【００３２】
一方、アーム２２１６に外力が加えられた状態で送受信機１０が質問信号を送信すると、アンテナ２１により受信された質問信号はＳＡＷ−ＩＤタグ２４０に供給される。ＳＡＷ−ＩＤタグ２４０は応答信号を出力する。この応答信号は、ＳＡＷ−ＩＤタグ２４０の遅延時間を反映した信号となっている。このとき、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０からの応答信号は出力されない。
【００３３】
以上のように、送受信機１０は、状態検知センサ２０からの応答信号により外力の有無を検出することができる。このように複数のＳＡＷ−ＩＤタグを設けることにより、外力が加えられているときも加えられていないときも、何らかの応答信号が出力される。したがって、状態検知システム２は、応答信号が無い無応答状態の判別が困難なノイズ環境下での状態検知に好適である。
【００３４】
なお、状態検知システム２が有するＳＡＷ−ＩＤタグの数は２つに限られず、状態検知システム２が３つ以上のＳＡＷ−ＩＤタグを有する構成としてもよい。また、これらのＳＡＷ−ＩＤタグは１チップ化されていることが望ましい。すなわち、単一の圧電体基板上に、ＩＤＴおよびＳＡＷ反射器がそれぞれ複数形成されていることが望ましい。このように１チップ化されたＳＡＷ−ＩＤタグを用いることにより、製造プロセスおよび組立工程の効率を上げることができる。
【００３５】
＜４．第３実施形態＞
図４は、本発明の第３実施形態に係る状態検知システム３の構成を示す図である。状態検知システム３が第１実施形態に係る状態検知システム１と相違する点は、可変インダクタ２２２に代わり可変キャパシタ２２３を用いている点である。可変キャパシタ２２３は、平行平板２２３１と、平行平板２２３１のうち１枚の平板に接続された芯棒２２３２と、芯棒２２３２に外力を伝達するためのアーム２２３６とを有する。平行平板２２３１の近傍には、芯棒２２３２に沿ってガイドレール２２３３が設けられている。ガイドレール２２３３は筐体（図示略）などに固定されている。ガイドレール２２３３は例えば円筒形の部材であり、その内径は芯棒２２３３の外形よりも大きい。芯棒２２３２はガイドレール２２３３内を摺動可能である。ガイドレール２２３３と芯棒２２３２の突起部２２３４との間にはバネ２２３５が設けられている。バネ２２３５の力により、外力が加わっていない状態では平行平板２２３１間の距離は最小となっている。
【００３６】
アンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０とのインピーダンスを整合させるため、キャパシタと並列にインダクタ２２３７が挿入されている。インダクタ２２３７の一端は接地されている。また、平行平板２２３１のうち、芯棒２２３３と接続されている方の平板は接地されている。
【００３７】
平行平板２２３１は、例えば、平板間距離が最小の状態（「近接状態」という）で容量が５ｎＦとなり、平板間距離が最大の状態（「離隔状態」という）で容量が０．１ｐＦとなるキャパシタである。また、インダクタ２２３７は２μＨのインダクタンスを有するコイルである。１ＧＨｚの信号を用いる場合、近接状態においてアンテナ２１からＳＡＷ−ＩＤタグ２３０への信号レベルは−５０ｄＢ以下となる。そのため、平行平板２２３１が近接状態（外力が加わっていない状態）ではアンテナ２１からの信号はＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に供給されない。この状態で送受信機１０から質問信号を送信しても、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０は質問信号に対する応答信号を出力しない。
【００３８】
一方、外力が加えられることにより平行平板２２３１が離隔状態となると、アンテナ２１からの信号は９９％以上ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に伝達される。この状態で送受信機１０から質問信号を送信すると、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０は質問信号に対する応答信号を出力する。
【００３９】
以上で説明したように本実施形態に係る状態検知システム３によれば、外力の検出を無線で行うことができる。また、平行平板２２３１の容量や平行平板の近接・離隔方法を適切に設計することで、ＯＮ／ＯＦＦの２値だけでなく、多値、可変量にも対応することができる。
【００４０】
なお、以上の説明ではアーム２２３６に外力が加えられることによって平行平板２２３１が離隔する態様について説明したが、可変キャパシタ２２３の構成はこれに限定されない。例えば、外力が加えられない状態においてはバネの力によって平行平板２２３１が離隔状態となり、外力が加えられることにより平行平板２２３１が近接状態となる構成としてもよい。また、平行平板２２３１の容量の値、インダクタ２２３７のインダクタンスの値、信号の周波数の値はあくまで例示であり、これに限定されるものではない。
【００４１】
＜５．第４実施形態＞
図５は、本発明の第４実施形態に係る状態検知システム４の構成を示す図である。状態検知システム４が第１実施形態に係る状態検知システム１と相違する点は、可変インダクタ２２２に代わり光導電セル２２４を用いている点である。光導電セル２２４は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＰｂＳ、ＩｎＳｂ等の化合物半導体により構成され、光が入射されると導電率が増加するデバイスである。すなわち、光が入射されるとアンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０との間の伝送路は導通する。これにより、アンテナ２１からの信号はＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に伝達される。この状態で送受信機１０から質問信号を送信すると、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０は質問信号に対する応答信号を出力する。
【００４２】
一方、光が入射していないときは、アンテナ２１とＳＡＷ−ＩＤタグ２３０との間の伝送路は開放される。この場合、アンテナ２１からの信号はＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に伝達されない。この状態で送受信機１０から質問信号を送信しても、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０は質問信号に対する応答信号を出力しない。
【００４３】
以上で説明したように本実施形態に係る状態検知システム４によれば、外光の検出を無線で行うことができる。また、光導電セル２２４の抵抗値を適切に設計することで、ＯＮ／ＯＦＦの２値だけでなく、多値、可変量にも対応することができる。なお、光導電セル２２４の抵抗値が高い場合など、必要に応じてアンプなどの周辺回路を用いてもよい。
【００４４】
本実施形態においては、インピーダンス変換手段として外光によりその抵抗値が変化する可変抵抗を用いる態様、特に、可変抵抗として光電セルを用いる態様について説明したが、光電セル以外の可変抵抗を用いてもよい。例えば、可変抵抗器として外力により抵抗値が変化するポテンショメータを用いてもよい。あるいは、太陽電池、圧電素子など、光あるいは外力によって電力を発生するデバイスを用いてもよい。
【００４５】
＜６．第５実施形態＞
図６は、本発明の第５実施形態に係る状態検知システム５の構成を示す図である。また、図７は状態検知システム５により用いられる信号を示す図である。状態検知システム５が第１実施形態に係る状態検知システム１と相違する点は、ＳＡＷ−ＩＤタグ２３０に代わりＳＡＷ−ＩＤタグ２５０を用いている点である。ＳＡＷ−ＩＤタグ２５０は、ＩＤＴ２５１およびＩＤＴ２５２の２つのＩＤＴを有する。ＩＤＴ２５１およびＩＤＴ２５２はそれぞれ異なるアンテナ２１１およびアンテナ２１２に接続されている。本実施形態において、アンテナ２１１と２１２は、双方が質問信号を受信し、応答信号を送信する。ＩＤＴ２５２とアンテナ２１２との間には、可変インダクタ２２２が直列に接続されている。可変インダクタ２２２は、外力が加えられるとＩＤＴ２５２とアンテナ２１２とのインピーダンスを整合させ、外力が加えられていないときはＩＤＴ２５２とアンテナ２１２とのインピーダンスを不整合させるインピーダンス変換手段である。アンテナ２１１とＩＤＴ２５１との間に可変インダクタは設けられていない。なお、図面が煩雑になるため可変インダクタ２２２の詳細な構成は図示を省略したが、可変インダクタ２２２の構成は図２に示されるものと同一である。
【００４６】
可変インダクタ２２２に外力が加えられていない場合、状態検知センサ２０の動作は以下のとおりである。送受信機１０からの質問信号を受信すると、アンテナ２１２で受信された質問信号により、ＩＤＴ２５１において表面弾性波が励振される。励振された表面弾性波は、圧電体基板２５３を伝播する。圧電体基板２５３を伝播した表面弾性波は、ＩＤＴ２５２において反射され、ＩＤＴ２５１に到達する。表面弾性波はＩＤＴ２５１において電気信号に変換され、アンテナ２１１を介して応答信号Ｓ2として出力される（図７（ｂ））。図７（ｂ）は、可変インダクタ２２２に外力が加えられていない状態で状態検知センサから出力される応答信号を示す図である。図７（ｂ）に示されるように、このとき、表面弾性波は圧電体基板２５３を往復するので、質問信号ＳIに対する応答信号Ｓ2は、圧電体基板２５３の長さ（ＳＡＷ導波路）の２倍に相当する遅延時間を有する。
【００４７】
可変インダクタ２２２に外力が加えられている場合、状態検知センサ２０の動作は以下のとおりである。送受信機１０からの質問信号を受信すると、アンテナ２１１で受信された質問信号により、ＩＤＴ２５１において表面弾性波が励振される。励振された表面弾性波は、圧電体基板２５３を伝播する。圧電体基板２５３を伝播した表面弾性波は、ＩＤＴ２５２において電気信号に変換され、アンテナ２１２を介して応答信号Ｓ1として出力される。応答信号Ｓ1は、圧電体基板２５３の長さ（ＳＡＷ導波路）の１倍に相当する遅延時間を有する（図７参照）。また、表面弾性波の一部はＩＤＴ２５２において反射されるので、可変インダクタ２２２に外力が加えられていない場合と同様に、アンテナ２１１から応答信号Ｓ2も出力される（図７（ａ））。図７（ａ）は、可変インダクタ２２２に外力が加えられた状態で状態検知センサから出力される応答信号を示す図である。このとき、ＳＡＷ導波路を往復する表面弾性波に相当する応答信号Ｓ2に加え、ＳＡＷ導波路を横切る（片道の）表面弾性波に相当する応答信号Ｓ1も出力される。応答信号Ｓ1は、ＳＡＷ導波路の１倍に相当する遅延時間を有する。
【００４８】
以上の説明はアンテナ２１１で受信された質問信号に関するものであるが、アンテナ２１２で受信された質問信号に対しても同様に、アンテナ２１１から応答信号Ｓ1が、アンテナ２１２から応答信号Ｓ2が出力される。したがって、可変インダクタ２２２に外力が加えられていない状態では応答信号Ｓ2のみが出力され、可変インダクタ２２２に外力が加えられた状態では応答信号Ｓ2に加えて応答信号Ｓ1も出力される。
【００４９】
以上で説明したように本実施形態に係る状態検知システム５によれば、外力の検出を無線で行うことができる。また、状態検知システム５においては、可変インダクタ２２２に加えられる外力にかかわらず、応答信号Ｓ2は常に出力される。したがって、外力の有無などの状態検知に加え、センサの故障などセンサの状態検出や、遅延時間の変化により温度を検出することが可能となる。なお、本実施形態において、可変インダクタ２２２に代えて、可変キャパシタ、可変抵抗など他のインピーダンス変換素子を用いてもよい。
【００５０】
＜７．第６実施形態＞
図８は、本発明の第６実施形態に係る画像形成装置６の構成を示す図である。画像形成装置６は周知の画像形成装置である。図８には、用紙を搬送するための搬送ローラ７１、用紙上に画像形成を行うための転写ローラ７２、用紙を蓄積する用紙トレイ７３等、説明に必要な要素のみ図示している。画像形成装置６は、送受信機１０および複数の状態検知センサ２０（図示した例では、状態検知センサ２０−１および２０−２の２つの状態検知センサ）を有する。状態検知センサ２０は、上述の第１〜第５実施形態において説明されたいずれかのセンサである。複数の状態検知センサ２０は、それぞれ異なるＩＤ（異なる遅延時間）を有するように設計されており、他の状態検知センサ２０と区別可能となっている。複数の状態検知センサ２０は、用紙（記録材）の搬送経路Ｐに沿って設置される。例えば、第１〜第４、第５実施形態において説明したような外力の有無を検知するセンサを用いる場合、搬送経路Ｐ上にレバーを設置し、用紙が通過したときにレバーにより状態検知センサ２０に外力が加えられるように構成すればよい。あるいは、第４実施形態で説明したような光の有無を検知するセンサを用いる場合、搬送経路Ｐに光源を設置し、用紙が通過したときに光源からの光が遮られるように構成すればよい。本実施形態においては、状態検知センサ２０は、用紙が状態検知センサ２０の近傍を通過したときに応答信号を出力するように構成されている。
【００５１】
送受信機１０は、質問信号に対する応答信号を受信すると、受信した応答信号を画像形成装置６のＣＰＵ（図示略）に出力する。ＣＰＵは、応答信号の遅延時間を算出する等の方法により、出力信号から状態検知センサ２０のＩＤを抽出する。ＣＰＵは、抽出したＩＤに基づいて、用紙がどの部位を通過したかを判断する。用紙が通過していない場合、状態検知センサ２０は応答信号を出力しない。
【００５２】
図９は、画像形成装置６の動作を示すフローチャートである。ＣＰＵは、送受信機１０を制御して質問信号を送信させる（ステップＳ１１）。質問信号に対する応答信号を検出した場合（ステップＳ１２：ＹＥＳ）、ＣＰＵは、検出した応答信号からＩＤを抽出する（ステップＳ１３）。ＩＤの抽出に成功した場合（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、ＣＰＵは、抽出したＩＤのリストを作成し、記憶部に記憶する（ステップＳ１４）。ＩＤの抽出に失敗した場合（ステップＳ１３：ＮＯ）、ＣＰＵは、ＩＤの検出エラーが発生したと判断し（ステップＳ１５）、送受信機１０を制御して質問信号を再度送信させる（ステップＳ１１）。質問信号に対する応答信号を検出しない場合（ステップＳ１２：ＮＯ）、ＣＰＵは、用紙が通過していないと判断する（ステップＳ１６）。以上のように、用紙の通過あるいは非通過を検出すると、ＣＰＵは、その状況に応じた処理を行う（ステップＳ１７）。以上の処理は、必要に応じて繰り返し実行される。
【００５３】
なお、送受信機１０は単一のアンテナを有するものでもよいが、信号の送受信のため必要であれば送受信機１０が複数のアンテナを有してもよい。また、画像形成装置６の装置外への電磁波の漏洩を防ぐため、画像形成装置６の筐体は導電体で覆われていることが望ましい。さらに、画像形成装置６内部の他の電子部品とのＥＭＣ（Electromagnetic Compatibility）を確保するため、状態検知システムを他の電子部品から電磁的に遮蔽することが望ましい。
【００５４】
なお、本発明に係る状態検知センサは、図８に示される用紙通過センサ以外の用途にも使用することが可能である。例えば、本発明に係る状態検知センサを、ソータや扉開閉部などの可動部の状態検知に利用することも可能である。この場合、可動部の可動状態に応じて、状態検知センサに加えられる外力（あるいは光）が変化する位置に状態検知センサを設置する。例えば、扉を閉めたときは光が照射されず、扉を開けたときに光が照射される位置に状態検知センサを設置すればよい。これにより、扉の開閉状態を検知することができる。あるいは、扉の開閉に連動して抵抗値が変化するようにポテンショメータを設置することで扉の開閉状態を検知することができる。また環境によりインピーダンスが変化する各種センサを用いることにより、温度、力、電界、磁界などの環境変化を検知することも可能である。温度であれば、例えば、サーモスタットやサーミスタ、力であれば、ひずみゲージやピエゾ素子、電界であれば静電容量変化、磁界であれば誘導によるインダクタンス変化などを利用することができる。
【００５５】
あるいは、上述の実施形態において説明した状態検知センサを、用紙トレイにおける用紙残量の計測に用いることもできる。すなわち、用紙トレイに蓄積された用紙の量に応じた外力が状態検知センサに加えられるような位置に、状態検知センサを設置する。例えば、用紙トレイに蓄積されている用紙の重さにより強磁性体棒２２２２が空芯コイル２２２１内に挿入されるように構成された状態検知システム１を用いることができる。この場合、用紙トレイ内に蓄積されている用紙の重さ（＝用紙の枚数）により強磁性体棒２２２２が空芯コイル２２２１内に挿入される量、すなわちインピーダンスの変化量が異なるため、これにより応答信号の強度が変化する。すなわち、この構成によれば、応答信号の強度から用紙の残量を計測することができる。なお、用紙トレイの残量計の構成は上述のものに限られず、用紙の厚みによって状態検知センサに外力を与える構成など、種々の態様の構成が可能である。
【００５６】
以上で説明したように状態検知センサ２０を用いたシステムは信号線を敷設する必要がないため、信号線を敷設することが難しい狭い空間にもセンサを設置することが可能となる。また、モータ近傍など強ノイズ環境下では、使用する信号の周波数を適切に選択することにより、有線接続の場合よりも検出エラーを減少させることができる。
【００５７】
＜８．他の実施形態＞
本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。
上述の各実施形態においては、識別信号発生手段としてＳＡＷ−ＩＤタグを用いる態様について説明したが、識別信号発生手段はＳＡＷ−ＩＤタグに限定されるものではない。例えば、ＲＦ−ＩＤタグ、遅延線などを用いてもよい。
【００５８】
また、上述の各実施形態においては、インピーダンス変換手段として、可変インダクタ、可変キャパシタ、可変抵抗、電力発生器をそれぞれ単独で用いる態様について説明したが、これらを組み合わせてインピーダンス変換手段を構成してもよい。例えば、図２に示される状態検知システム１において、キャパシタ２２２７に代わり可変キャパシタを使用してもよい。
【００５９】
また、上述の各実施形態においては、信号の遅延時間により複数のＳＡＷ−ＩＤタグの識別を行う態様について説明したが、ＩＤの識別は遅延時間を利用するものに限定されない。キャパシタやインダクタのパラメータを適切に設計し、応答する信号の周波数によりＩＤの識別を行う構成としてもよい。
【００６０】
また、上述の各実施形態において、送受信機１０は質問信号を送信する機能と、応答信号を受信する機能とを兼ね備えていたが、質問信号の送信機と応答信号の受信機をそれぞれ別個の装置として構成してもよい。
【００６１】
また、上述の第６実施形態においては、本発明に係る状態検知センサを用いた画像形成装置について説明したが、本発明に係る状態検知センサを画像形成装置以外の電子機器や機械などの装置に用いてもよい。電子機器に用いた場合は、本発明係る状態検知センサの検出結果に基づいて、電子機器の制御をしてもよい。また機械に用いた場合には、機械に設けられた本発明に係る状態検知センサからの検出結果を遠隔地でモニタリングすることで、その機械の状態を遠隔地でモニタリングすることができる。また、機械の制御を行う電子機器に検出結果をフィードバックして制御に用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明に係る状態検知システムの機能構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態に係る状態検知システム１の構成を示す図である。
【図３】第２実施形態に係る状態検知システム２の構成を示す図である。
【図４】第３実施形態に係る状態検知システム３の構成を示す図である。
【図５】第４実施形態に係る状態検知システム４の構成を示す図である。
【図６】第５実施形態に係る状態検知システム５の構成を示す図である。
【図７】状態検知システム５により用いられる信号を示す図である。
【図８】第６実施形態に係る画像形成装置６の構成を示す図である。
【図９】画像形成装置６の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６３】
１・２・３・４・５…状態検知システム、６…画像形成装置、１０…送受信機、１１…アンテナ、２０…状態検知センサ、２１…アンテナ、２２…インピーダンス変換部、２３…識別信号発生部、７１…搬送ローラ、７２…転写ローラ、７３…用紙トレイ、２１１…アンテナ、２１２…アンテナ、２２２…可変インダクタ、２２３…可変キャパシタ、２２４…光導電セル、２３０…ＳＡＷ−ＩＤタグ、２３１…ＩＤＴ、２３２…ＳＡＷ反射器、２３３…圧電体基板、２４０…ＳＡＷ−ＩＤタグ、２４１…ＩＤＴ、２４２…ＳＡＷ反射器、２４３…圧電体基板、２５０…ＳＡＷ−ＩＤタグ、２５１…ＩＤＴ、２５２…ＩＤＴ、２５３…圧電体基板、２１１１…キャパシタ、２１１２…インダクタ、２２１１…空芯コイル、２２１２…強磁性体棒、２２１３…ガイドレール、２２１５…バネ、２２１６…アーム、２２１７・２２１８…キャパシタ、２２１９…空芯コイル、２２２１…空芯コイル、２２２２…強磁性体棒、２２２３…ガイドレール、２２２４…突起部、２２２５…バネ、２２２６…梃子、２２２７…キャパシタ、２２３１…平行平板、２２３３…ガイドレール、２２３３…芯棒、２２３４…突起部、２２３５…バネ、２２３６…アーム、２２３７…インダクタ
【図１】
2007018492.tif 000003
【図２】
2007018492.tif 000004
【図３】
2007018492.tif 000005
【図４】
2007018492.tif 000006
【図５】
2007018492.tif 000007
【図６】
2007018492.tif 000008
【図７】
2007018492.tif 000009
【図８】
2007018492.tif 000010
【図９】
2007018492.tif 000011