(57)【要約】    【課題】  配向膜をラビング処理する際に、アライメントマークに接する領域に配向膜の削れ屑が堆積することを防止できる液晶表示パネル及びその製造方法を提供する。    【解決手段】  カラーフィルタ基板３において、透明基板２１の表面上にアライメントマーク３１を設ける。また、アライメントマーク３１から見てラビング方向１００の上流側に離隔した位置に、Ｌ字形状でありその高さがアライメントマーク３１よりも高い土手パターン３２を設ける。土手パターン３２は下層３２ＢＭ及び上層３２Ｂを積層して形成する。アライメントマーク３１及び土手パターン３２の下層３２ＢＭはブラックマトリクスと同じ材料により同じ工程で形成する。また、土手パターン３２の上層３２Ｂは青色カラーフィルタと同じ材料により同じ工程で形成する。【選択図】  図５
2007003651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１の基板は、前記第２の基板との間で位置合わせを行うためのアライメントマークを有し、前記アライメントマークに接する領域に配向膜の削れ屑が堆積していないことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１の基板は、絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられ前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜と、前記絶縁基板上に設けられ前記第２の基板との間で位置合わせを行うためのアライメントマークと、前記絶縁基板上における前記アライメントマークから少なくとも前記配向膜のラビング方向上流側に離隔した位置に設けられ前記絶縁基板からの高さが前記アライメントマークの高さよりも高い土手パターンと、を有することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
前記絶縁基板が透明基板であり、前記第１の基板が、更に、ブラックマトリクスと、カラーフィルタと、を有し、前記土手パターンは、前記ブラックマトリクスを形成する材料と同じ材料により形成された下層と、この下層上に設けられ前記カラーフィルタを形成する材料と同じ材料により形成された上層と、を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記アライメントマークは、前記ブラックマトリクスを形成する材料と同じ材料により形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記絶縁基板の表面から見て、前記土手パターンがＬ字形状であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記絶縁基板の表面から見て、前記土手パターンが前記アライメントマークを覆う枠形状であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１の基板は、絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられ前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜と、前記絶縁基板上に設けられ前記第２の基板との間で位置合わせを行うためのアライメントマークと、を有し、前記絶縁基板の表面と前記アライメントマークの側面とのなす角度が３０乃至６０度であることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項８】
第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１の基板は、絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられ前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜と、前記絶縁基板上に設けられ前記第２の基板との間で位置合わせを行うためのアライメントマークと、を有し、前記アライメントマークは前記配向膜により覆われていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項９】
第１の基板を作製する工程と、第２の基板を作製する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを液晶層を介して貼り合わせる工程と、を有し、前記第１の基板を作製する工程は、絶縁基板上にアライメントマーク及びこのアライメントマークから離隔した位置に配置され前記絶縁基板からの高さが前記アライメントマークの高さよりも高い土手パターンを形成する工程と、前記絶縁基板上に前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜を形成する工程と、前記配向膜に対して前記土手パターンから前記アライメントマークに向かう方向に沿ってラビング処理を行う工程と、を有し、前記貼り合わせる工程は、前記アライメントマークを使用して行う工程であることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記アライメントマーク及び土手パターンを形成する工程は、遮光性の樹脂層を成膜する工程と、この樹脂層をパターニング及び焼成してブラックマトリクス、前記アライメントマーク及び前記土手パターンの下層を形成する工程と、着色された透明樹脂層を成膜する工程と、この透明樹脂層をパターニングしてカラーフィルタ及び前記土手パターンの上層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
第１の基板を作製する工程と、第２の基板を作製する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを液晶層を介して貼り合わせる工程と、を有し、前記第１の基板を作製する工程は、絶縁基板上に遮光性の樹脂層を成膜する工程と、この樹脂層をパターニングする工程と、前記パターニング後の樹脂層を加熱する第１加熱工程と、前記第１加熱工程よりも高い温度で長い時間前記樹脂層を加熱して前記樹脂層を焼成しその側面と前記絶縁基板の表面とのなす角度が３０乃至６０度であるアライメントマークを形成する第２加熱工程と、前記絶縁基板上に前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜を形成する工程と、前記配向膜に対してラビング処理を行う工程と、を有し、前記貼り合わせる工程は、前記アライメントマークを使用して行う工程であることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
第１の基板を作製する工程と、第２の基板を作製する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを液晶層を介して貼り合わせる工程と、を有し、前記第１の基板を作製する工程は、絶縁基板上にアライメントマークを形成する工程と、前記絶縁基板上に前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜を前記アライメントマークを覆うように形成する工程と、前記配向膜に対してラビング処理を行う工程と、を有し、前記貼り合わせる工程は、前記アライメントマークを使用して行う工程であることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶層を挟んで２枚の基板を貼り合わせた液晶表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カラー液晶表示装置は、光源とカラー液晶表示パネルとを備え、カラー液晶表示パネルは、相互に平行に配置された２枚の透明基板と、この透明基板間に配置された液晶層とを備えている。そして、カラー液晶表示装置は、光源からカラー液晶表示パネルに対して光を照射させると共に、カラー液晶表示パネルの液晶層に電圧を印加して光の透過率を制御することにより、画像を表示している。
【０００３】
カラー液晶表示パネルの２枚の透明基板のうち、一方の透明基板をＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板といい、他方の透明基板をカラーフィルタ基板という。ＴＦＴ基板には、液晶層に電圧を印加するための画素回路が設けられている。画素回路は、例えば複数のＴＦＴがマトリクス状に配列された回路である。ＴＦＴ基板には、ＴＦＴを構成するためのゲート電極、半導体層、ドレイン電極、ソース電極、画素電極及びそれらの電極間を絶縁する層間絶縁膜が設けられている。一方、カラーフィルタ基板には、ブラックマトリクス、赤色、緑色及び青色の各色のカラーフィルタ層並びにＴＦＴ基板の画素電極との間で液晶層に電圧を印加するための対向電極が設けられている。
【０００４】
ＴＦＴ基板におけるカラーフィルタ基板に対向する表面及びカラーフィルタ基板におけるＴＦＴ基板に対向する表面には、配向膜が形成されている。配向膜の表面には、液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるためのラビング処理が施されている。また、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との間において表示領域を囲むようにシール材が設けられており、このシール材の内側に液晶が充填されて液晶層を形成している。一方、液晶層内には、面内スペーサが配置されている。また、ＴＦＴ基板におけるカラーフィルタ基板に対向していない表面及びカラーフィルタ基板におけるＴＦＴ基板に対向していない表面には、夫々偏光板が貼り付けられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
そして、カラーフィルタ基板のＴＦＴ基板に対向する表面における表示領域外の領域には、カラー液晶パネルの製造工程においてＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせる際に位置合わせの基準とするアライメントマークが形成されている。アライメントマークは、例えばブラックマトリクスと同じ材料からなり、ブラックマトリクスと同じ工程で形成されている（例えば、特許文献２参照。）。ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との位置合わせは、勘合測定装置によって行う。勘合測定装置は、カラーフィルタ基板のアライメントマーク周辺に対して白色光を照射し、その反射光を受光してアライメントマーク周辺の画像を取得し、この画像を二値化処理することによってアライメントマークの位置を検出するものである。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３３７９４８号公報
【特許文献２】特開平８−６００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の従来の技術には以下に示すような問題点がある。カラーフィルタ基板に設けられたアライメントマークは、ブラックマトリクスと同じ材料及び同じ工程で形成されているため、その膜厚はブラックマトリクスの膜厚と同じである。即ち、例えば、ブラックマトリクスの膜厚が１．２μｍである場合、アライメントマークの膜厚も１．２μｍである。この場合、アライメントマークの端縁には、高さが１．２μｍの段差が形成される。一方、カラーフィルタ基板の配向膜に対してラビング処理を施すと、配向膜の表層が薄く削り取られて配向膜の削れ屑が発生し、ラビング処理方向に移動する。そして、前述のように、アライメントマークの端縁に段差があると、この段差部分に配向膜の削れ屑が堆積してしまう。
【０００８】
図１０は、ラビング処理後のカラーフィルタ基板のアライメントマーク周辺を撮影した光学顕微鏡写真をトレースした図である。なお、図１０には便宜上、ラビング方向も示している。図１０に示すように、このカラーフィルタ基板においては、透明基板１０１上に矩形状にパターニングされたアライメントマーク１０２が設けられている。そして、アライメントマーク１０２から見てラビング方向１００の上流側には、配向膜の削れ屑１０３が堆積している。
【０００９】
このように、アライメントマークに接する領域に配向膜の削れ屑が堆積していると、勘合測定装置がアライメントマークを検出する際に、アライメントマークによる反射光と配向膜の削れ屑による反射光とを正確に区別することができず、取得した画像を二値化しても、アライメントマークの端縁を明確に認識することができず、アライメントマークの位置を正確に検出することができない。この結果、アライメントマークの認識エラーが発生してしまう。このような認識エラーが発生すると、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との重ね合わせの位置精度が低下する。これにより、カラーフィルタ基板に設けられたブラックマトリクスとＴＦＴ基板に設けられたドレイン電極及びゲート電極との重ね合わせにズレが生じ、バックライトの光漏れという不具合が発生したり、ＴＦＴの半導体層に外部光が入射してＴＦＴが特性不良になったりする。このため、勘合測定装置は、液晶表示パネルの製造設備のうち最も高い精度を要求される設備であるが、上述の如く、アライメントマークに接する領域に配向膜の削れ屑が堆積すると、勘合測定装置の性能をいかに向上させても、十分な精度で重ね合わせを行うことができない。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、配向膜をラビング処理する際に、アライメントマークに接する領域に配向膜の削れ屑が堆積することを防止できる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る液晶表示パネルは、第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１の基板は、前記第２の基板との間で位置合わせを行うためのアライメントマークを有し、前記アライメントマークに接する領域に配向膜の削れ屑が堆積していないことを特徴とする。
【００１２】
本発明においては、アライメントマークに接する領域に配向膜の削れ屑が堆積していないため、第１の基板と第２の基板との間の位置合わせを精度良く行うことができる。
【００１３】
本発明に係る他の液晶表示パネルは、第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１の基板は、絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられ前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜と、前記絶縁基板上に設けられ前記第２の基板との間で位置合わせを行うためのアライメントマークと、前記絶縁基板上における前記アライメントマークから少なくとも前記配向膜のラビング方向上流側に離隔した位置に設けられ前記絶縁基板からの高さが前記アライメントマークの高さよりも高い土手パターンと、を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明においては、配向膜に対してラビング処理を施す際に、配向膜の削れ屑が土手パターンによりトラップされるため、削れ屑がアライメントマークに接する領域に堆積されることを防止できる。
【００１５】
また、前記絶縁基板の表面から見て、前記土手パターンがＬ字形状であってもよい。又は、前記絶縁基板の表面から見て、前記土手パターンが前記アライメントマークを覆う枠形状であってもよい。これにより、ラビング方向に拘らず、アライメントマークに接する領域に削れ屑が堆積することを防止できる。
【００１６】
本発明に係る更に他の液晶表示パネルは、第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１の基板は、絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられ前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜と、前記絶縁基板上に設けられ前記第２の基板との間で位置合わせを行うためのアライメントマークと、を有し、前記絶縁基板の表面と前記アライメントマークの側面とのなす角度が３０乃至６０度であることを特徴とする。
【００１７】
本発明においては、絶縁基板の表面とアライメントマークの側面とのなす角度が３０乃至６０度であるため、アライメントマークの端縁において削れ屑がトラップされることを抑制できる。
【００１８】
本発明に係る更に他の液晶表示パネルは、第１の基板と、この第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を有し、前記第１の基板は、絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられ前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜と、前記絶縁基板上に設けられ前記第２の基板との間で位置合わせを行うためのアライメントマークと、を有し、前記アライメントマークは前記配向膜により覆われていることを特徴とする。
【００１９】
本発明においては、アライメントマークが配向膜により覆われているため、アライメントマークの端縁がなだらかになり、アライメントマークの端縁において削れ屑がトラップされることを抑制できる。
【００２０】
本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、第１の基板を作製する工程と、第２の基板を作製する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを液晶層を介して貼り合わせる工程と、を有し、前記第１の基板を作製する工程は、絶縁基板上にアライメントマーク及びこのアライメントマークから離隔した位置に配置され前記絶縁基板からの高さが前記アライメントマークの高さよりも高い土手パターンを形成する工程と、前記絶縁基板上に前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜を形成する工程と、前記配向膜に対して前記土手パターンから前記アライメントマークに向かう方向に沿ってラビング処理を行う工程と、を有し、前記貼り合わせる工程は、前記アライメントマークを使用して行う工程であることを特徴とする。
【００２１】
本発明においては、土手パターンを形成し、この土手パターンからアライメントマークに向かう方向に沿ってラビング処理を行うことにより、配向膜の削れ屑が土手パターンによりトラップされるため、削れ屑がアライメントマークに接する領域に堆積されることを防止できる。
【００２２】
また、前記アライメントマーク及び土手パターンを形成する工程は、遮光性の樹脂層を成膜する工程と、この樹脂層をパターニング及び焼成してブラックマトリクス、前記アライメントマーク及び前記土手パターンの下層を形成する工程と、着色された透明樹脂層を成膜する工程と、この透明樹脂層をパターニングしてカラーフィルタ及び前記土手パターンの上層を形成する工程と、を有することが好ましい。これにより、ブラックマトリクス及びカラーフィルタを形成する工程を利用して、アライメントマーク及び土手パターンを形成することができるため、土手パターンを形成するための特別な工程を設ける必要がない。
【００２３】
本発明に係る他の液晶表示パネルの製造方法は、第１の基板を作製する工程と、第２の基板を作製する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを液晶層を介して貼り合わせる工程と、を有し、前記第１の基板を作製する工程は、絶縁基板上に遮光性の樹脂層を成膜する工程と、この樹脂層をパターニングする工程と、前記パターニング後の樹脂層を加熱する第１加熱工程と、前記第１加熱工程よりも高い温度で長い時間前記樹脂層を加熱して前記樹脂層を焼成しその側面と前記絶縁基板の表面とのなす角度が３０乃至６０度であるアライメントマークを形成する第２加熱工程と、前記絶縁基板上に前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜を形成する工程と、前記配向膜に対してラビング処理を行う工程と、を有し、前記貼り合わせる工程は、前記アライメントマークを使用して行う工程であることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る更に他の液晶表示パネルの製造方法は、第１の基板を作製する工程と、第２の基板を作製する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを液晶層を介して貼り合わせる工程と、を有し、前記第１の基板を作製する工程は、絶縁基板上にアライメントマークを形成する工程と、前記絶縁基板上に前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を持たせるための配向膜を前記アライメントマークを覆うように形成する工程と、前記配向膜に対してラビング処理を行う工程と、を有し、前記貼り合わせる工程は、前記アライメントマークを使用して行う工程であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、液晶表示パネルにおいて配向膜をラビング処理する際に、アライメントマークに接する領域に配向膜の削れ屑が堆積することを防止できる。これにより、基板間の位置合わせを行う際に、アライメントマークを誤検出することがなく、精度良く位置合わせを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る液晶表示パネルを示す断面図であり、図２は、この液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を示す平面図であり、図３は、図２に示すカラーフィルタ基板のアライメントマーク及び土手パターンを示す平面図であり、図４は、図２に示すＡ−Ａ’線による断面図であり、図５は、図３に示すアライメントマーク及び土手パターンを示す斜視図である。
【００２７】
図１に示すように、本実施形態に係る液晶表示パネル１は、ＴＦＴ基板２及びカラーフィルタ基板３が相互に平行に設けられており、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に、液晶表示パネル１の表示領域を囲むように、シール材４が枠状に設けられている。シール材４の内側には液晶が充填されており、液晶層５が形成されている。そして、液晶層５中には複数の面内スペーサ６が配置されている。面内スペーサ６は、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間の距離を一定に保つものである。
【００２８】
ＴＦＴ基板２においては、透明基板１１が設けられている。透明基板１１は、例えば無アルカリガラス等の透明絶縁性材料からなり、その板厚は例えば０．７ｍｍである。透明基板１１におけるカラーフィルタ基板３に対向する側の表面上には、一方向に延びる複数本のゲート電極１２が相互に平行に設けられている。ゲート電極１２はアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）若しくはクロム（Ｃｒ）等の金属又はその合金によって形成されており、その膜厚は例えば１００乃至４００ｎｍである。また、透明基板１１上には、ゲート電極１２を覆うように、ゲート絶縁膜１３が設けられている。ゲート絶縁膜１３は、例えばシリコン窒化物からなり、その膜厚は例えば１００乃至２００ｎｍである。
【００２９】
ゲート絶縁膜１３上におけるゲート電極１２の直上域を含む領域には、半導体層１４が局所的に設けられている。半導体層１４は例えばアモルファスシリコンからなり、その膜厚は例えば４００ｎｍである。半導体層１４には不純物が注入されており、半導体層１４は、不純物の種類及び濃度によってソース領域、ドレイン領域、及びソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域（図示せず）に区画されている。また、ゲート絶縁膜１３上には、半導体層１４のソース領域に接続されるようにソース電極１５が設けられており、ドレイン領域に接続されるようにドレイン電極１６が設けられている。ソース電極１５及びドレイン電極１６は、例えばＡｌ、Ｍｏ若しくはＣｒ等の金属又はその合金からなり、その膜厚は例えば１００乃至４００ｎｍである。
【００３０】
更に、ゲート絶縁膜１３上には、半導体層１４、ソース電極１５及びドレイン電極１６を覆うように、パッシベーション膜１７が設けられている。パッシベーション膜１７は、例えばシリコン窒化物からなり、その膜厚は例えば１００乃至２００ｎｍである。なお、パッシベーション膜１７は、シリコン窒化物等の無機材料の他に、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂等の透明な樹脂材料によって形成されていてもよい。パッシベーション膜１７には、ソース電極１５に到達するようなコンタクトホール１７ａが形成されている。
【００３１】
パッシベーション膜１７上におけるコンタクトホール１７ａの直上域を含む領域には、画素電極１８が設けられている。画素電極１８は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）からなる透明導電膜であり、コンタクトホール１７ａを介してソース電極１５に接続されている。画素電極１８の膜厚は厚いほど良好なカバレッジが得られ、ソース電極１５との電気的な接続が安定するが、ＩＴＯ膜の加工性を考慮すると６０乃至１２０ｎｍ程度の膜厚が適当である。
【００３２】
また、パッシベーション膜１７上には、画素電極１８を覆うように、配向膜１９が設けられている。配向膜１９は例えばポリイミド系樹脂材料からなり、その表面は一方向にラビングされている。更に、透明基板１１におけるカラーフィルタ基板３に対向しない側の表面には、偏光板２０が貼り付けられている。
【００３３】
一方、カラーフィルタ基板３においては、透明基板２１が設けられている。透明基板２１は、例えば無アルカリガラス等の透明絶縁性材料からなり、その板厚は例えば０．７ｍｍである。透明基板２１におけるＴＦＴ基板２に対向する側の表面上には、ＴＦＴ基板２のゲート電極１２に対向する領域に、ブラックマトリクス（ＢＭ）２２が設けられている。ブラックマトリクス２２の幅は、光漏れを防止すると共にＴＦＴ基板２の半導体層１４を確実に遮光するために、ゲート電極１２の幅よりもひとまわり大きくなっている。ブラックマトリクス２２は遮光性の樹脂材料、例えば黒色の樹脂材料からなり、その膜厚は例えば１乃至３μｍであり、例えば１．２μｍである。ブラックマトリクス２２はその光学濃度（ＯＤ値：Optical  Density）が３以上であり、且つ、膜厚は可及的に薄いことが望ましい。
【００３４】
また、透明基板２１上におけるブラックマトリクス２２間の領域には、赤色カラーフィルタ２３、緑色カラーフィルタ２４及び青色カラーフィルタ２５が夫々設けられている。各カラーフィルタは夫々の色に着色された透明樹脂からなり、その膜厚は例えば１．０乃至１．５μｍであり、例えば１．３μｍである。赤色カラーフィルタ２３、緑色カラーフィルタ２４及び青色カラーフィルタ２５は、ゲート電極１２及びブラックマトリクス２２が延びる方向に直交する方向に沿ってこの順に繰返し配列されている。そして、各カラーフィルタの両端部は、ブラックマトリクス２２の端部に乗り上げている。
【００３５】
更に、透明基板２２上の全面に、例えばＩＴＯからなる対向電極２６が設けられている。対向電極２６の製造過程においてはＩＴＯ膜をパターニングする必要がないため、ＩＴＯ膜の膜厚は加工性よりも電気的な接続安定性を重視して決めればよく、例えば１５０ｎｍ程度が適当である。なお、図２、図３及び図５においては、図を見やすくするために、対向電極は図示を省略されている。後述する図６乃至図８についても同様である。更にまた、対向電極２６上の全面には配向膜２７が設けられている。配向膜２７は例えばポリイミド系樹脂材料からなり、膜厚は例えば１００乃至２００ｎｍであり、その表面は一方向にラビングされている。なお、対向電極２６及び配向膜２７は、カラーフィルタ基板３の表示領域の外部には設けられていない。更に、透明基板２１におけるＴＦＴ基板２に対向しない側の表面には、偏光板２８が貼り付けられている。
【００３６】
そして、図２に示すように、透明基板２１の表面上における表示領域３６の外部には、アライメントマーク３１が設けられている。アライメントマーク３１は、透明基板２１の四隅に１つずつ合計４つ設けられている。アライメントマーク３１は、ブラックマトリクス２２と同じ材料からなり、同じ工程で形成されている。即ち、アライメントマーク３１は黒色の樹脂材料からなり、その膜厚は例えば１乃至３μｍであり、例えば１．２μｍである。透明基板２１の表面に垂直な方向から見て（以下、平面視で、という）、アライメントマーク３１の形状は例えば矩形である。
【００３７】
また、図２及び図３に示すように、カラーフィルタ基板３の配向膜２７に対するラビング方向１００は、透明基板２１の各辺から傾斜した方向である。そして、アライメントマーク３１から見てラビング方向１００の上流側、即ち、ラビング進入方向側には、アライメントマーク３１から離隔して、土手パターン３２が設けられている。土手パターン３２は表示領域３６の外部に配置されている。土手パターン３２は相互に直交する２本の直線部からなり、全体としてＬ字形状をなしている。そして、土手パターン３２の各直線部は、アライメントマーク３１のラビング方向１００の上流側に向いた２辺に夫々対向し、且つこれらの辺に平行に配置されている。
【００３８】
図４及び図５に示すように、土手パターン３２は、下層３２ＢＭ及び上層３２Ｂからなる二層膜である。下層３２ＢＭは、ブラックマトリクス２２及びアライメントマーク３１と同じ材料及び同じ工程により形成されたものである。即ち、下層３２ＢＭは黒色の樹脂材料からなり、膜厚が例えば１乃至３μｍ、例えば１．２μｍである。上層３２Ｂは、青色カラーフィルタ２５と同じ材料及び同じ工程により形成されたものである。即ち、上層３２Ｂは青色に着色された透明樹脂からなり、その膜厚は例えば１．０乃至１．５μｍであり、例えば１．３μｍである。このように、下層３２ＢＭの膜厚が例えば１．２μｍであり、上層３２Ｂの膜厚が例えば１．３μｍであるため、土手パターン３２の膜厚は例えば２．５μｍであり、膜厚が例えば１．２μｍであるアライメントマーク３１よりも厚くなっている。
【００３９】
次に、上述の如く構成された本実施形態に係る液晶表示パネルの動作について説明する。図６は、本実施形態に係る液晶表示パネルの動作を示す平面図であり、アライメントマーク及び土手パターンを示す。図６に示すように、本実施形態においては、液晶表示パネル１（図１参照）の製造過程において、カラーフィルタ基板３の最表面に設けられた配向膜２７にラビング処理を施す際に、配向膜２７の表層が削られて削れ屑４１が生成する。この削れ屑４１は、ラビング処理に伴ってラビング方向１００に移動し、土手パターン３２に到達したときに、この土手パターン３２にトラップされ、土手パターン３２のラビング方向上流側に堆積する。このとき、土手パターン３２のラビング方向１００の下流側にはアライメントマーク３１が設けられているが、アライメントマーク３１の高さは土手パターン３２の高さよりも低いため、アライメントマーク３１の周辺には削れ屑４１が堆積しない。
【００４０】
次に、本実施形態の効果について説明する。上述の如く、本実施形態に係る液晶表示パネル１においては、アライメントマーク３１の周辺に削れ屑４１が堆積しないため、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とを貼り合わせる工程において、勘合測定装置がアライメントマーク３１を検出する際に、アライメント認識エラーが発生しない。このため、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とを精度良く効率的に位置合わせすることができる。
【００４１】
なお、本実施形態においては、平面視で、アライメントマーク３１の形状が矩形である例を示したが、アライメントマークの形状はパネル組立工程で使用する勘合測定装置の仕様によって決定されるものであり、矩形には限定されない。即ち、丸形及びドットタイプ等の形状であってもよい。
【００４２】
また、本実施形態においては、土手パターン３２の上層３２Ｂが、青色カラーフィルタ２５と同じ材料及び同じ工程によって形成されている例を示したが、本発明はこれに限定されず、赤色カラーフィルタ２３又は緑色カラーフィルタ２４と同じ材料及び同じ工程によって形成されていてもよい。
【００４３】
次に、本第１の実施形態の変形例について説明する。図７は、本変形例におけるカラーフィルタ基板のアライメントマーク及び土手パターンを示す平面図である。図７に示すように、本変形例においては、カラーフィルタ基板３の透明基板２１上に、アライメントマーク３１を囲むように枠状の土手パターン３３が形成されている。この土手パターン３３の下層はブラックマトリクスと同じ材料によって形成されており、上層は青色カラーフィルタと同じ材料によって形成されている。本変形例によれば、ラビング方向がどの方向になっても、土手パターン３３のいずれかの部分がアライメントマーク３１のラビング方向上流側に位置するため、アライメントマーク３１の周辺に削り屑４１が堆積することを防止できる。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４４】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図８（ａ）は、本実施形態に係る液晶表示パネルにおけるアライメントマークを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’線による断面図である。図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る液晶表示パネルは、前述の第１の実施形態と比較して、カラーフィルタ基板においてアライメントマーク３１（図３参照）の替わりにアライメントマーク３４が設けられており、土手パターン３２（図３参照）が設けられていない点が異なっている。アライメントマーク３４の形状は四角錐台形であり、透明基板２１とアライメントマーク３４の側面とのなす角度θ（以下、テーパー角度という）は３０乃至６０度、例えば、４５度である。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４５】
次に、本発明の構成要件における数値限定理由、即ち、アライメントマークのテーパ−角度を３０乃至６０度とする理由について説明する。アライメントマーク３４のテーパー角度が３０度未満であると、微細パターンを形成しにくくなり、アライメントマーク３４及びブラックマトリクスを微細に形成することができなくなる。一方、テーパー角度が６０度を超えると、配向膜の削れ屑が堆積されやすくなる。従って、アライメントマーク３４のテーパー角度は３０乃至６０度とする。
【００４６】
次に、本実施形態の動作について説明する。本実施形態においては、アライメントマーク３４のテーパー角度が３０乃至６０度、例えば４５度であるため、カラーフィルタ基板３の配向膜２７（図１参照）にラビング処理を施す際に、配向膜の削れ屑４１がアライメントマーク３４の端縁にトラップされにくくなり、アライメントマーク３４に接する領域に堆積されにくくなる。これにより、勘合測定装置を使用して位置合わせを行う際に、アライメント認識エラーの発生を防止できる。本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４７】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態に係る液晶表示パネルは、前述の第１の実施形態と比較して、配向膜２７（図１参照）の形成領域がその外方に１乃至２ｍｍ程度延出しており、この結果、アライメントマーク３１（図２参照）が配向膜２７により覆われている。また、土手パターン３２（図３参照）が設けられていない。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４８】
本実施形態においては、その膜厚が例えば１乃至３μｍ、例えば１．２μｍのアライメントマークが、その膜厚が例えば１００乃至２００ｎｍの配向膜により覆われていることにより、アライメントマークの端縁の段差をなだらかにすることができる。これにより、配向膜をラビング処理する際に、この段差部分におけるエッジ効果が緩和され、摩擦抵抗を低減することができる。この結果、この段差部分に配向膜の削れ屑がトラップされることを抑制でき、削れ屑がアライメントマークの周囲に堆積されることを防止できる。これにより、勘合測定装置においてアライメント認識エラーが発生しにくくなる。
【００４９】
なお、前述の第１乃至第３の実施形態のうち、２つ以上の実施形態を相互に組み合わせて実施することも可能である。例えば、前述の第２の実施形態のようにアライメントマークのテーパー角度を３０乃至６０度とし、前述の第１の実施形態のようにアライメントマークのラビング方向上流側に土手パターンを形成した上で、アライメントマークを配向膜により覆ってもよい。これにより、アライメントマークの周囲に配向膜の削れ屑がより一層堆積されにくくなる。
【００５０】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第１の実施形態に係るカラー液晶表示パネルの製造方法の実施形態である。以下、図１乃至図６を参照して説明する。先ず、ＴＦＴ基板２の作製方法について説明する。図１に示すように、透明基板１１として、例えば無アルカリガラス等の透明絶縁性材料からなり、板厚が例えば０．７ｍｍであるガラス基板を用意する。そして、この透明基板１１の一方の表面上に、Ａｌ、Ｍｏ若しくはＣｒ等の金属又はその合金をスパッタ法によって堆積させ、膜厚が例えば１００乃至４００ｎｍである導電膜を形成する。その後、この膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、一方向に延び相互に平行な複数本のゲート電極１２を形成する。
【００５１】
次に、透明基板１１上の全面に、例えばシリコン窒化物からなり膜厚が例えば１００乃至２００ｎｍである絶縁膜をＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition法：化学気相成長法）により成膜し、ゲート電極１２を覆うようにゲート絶縁膜１３を形成する。次に、このゲート絶縁膜１３上にアモルファスシリコン層を例えば４００ｎｍの膜厚に成膜し、このアモルファスシリコン層をパターニングしてゲート電極１２の直上域を含む領域に半導体層１４を形成する。そして、この半導体層１４に選択的に不純物を導入することにより、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を形成する。
【００５２】
次に、ゲート絶縁膜１３上に、例えばスパッタ法によりＡｌ、Ｍｏ若しくはＣｒ等の金属又はその合金からなる導電膜を例えば１００乃至４００ｎｍの膜厚に成膜し、フォトリソグラフィ法によってパターニングすることにより、半導体層１４のソース領域に接続されたソース電極１５を形成すると共に、ドレイン領域に接続されたドレイン電極１６を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３上に、半導体層１４、ソース電極１５及びドレイン電極１６を覆うように、例えばシリコン窒化物からなる絶縁膜を例えば１００乃至２００ｎｍの膜厚に成膜し、パッシベーション膜１７を形成する。このとき、パッシベーション膜１７におけるソース電極１５の直上域の一部に、ソース電極１５まで到達するようにコンタクトホール１７ａを形成する。なお、パッシベーション膜１７としては、シリコン窒化物等の無機材料の他に、エポキシ系樹脂又はアクリル系樹脂等の透明な樹脂材料からなる絶縁膜を形成してもよい。
【００５３】
次に、パッシベーション膜１７上に、例えばスパッタ法によりＩＴＯからなる透明導電膜を形成し、パターニングして画素電極１８を形成する。このとき、画素電極１８の膜厚は、加工性と接続安定性とを両立させるために、例えば６０乃至１２０ｎｍとする。また、画素電極１８はコンタクトホール１７ａの内面にも形成し、コンタクトホール１７ａを介してソース電極１５に接続されるようにする。次に、パッシベーション膜１７上に、画素電極１８を覆うように、配向膜１９を形成する。そして、この配向膜１９の表面を、芯材にコットン又はレーヨン等の繊維を巻き付けたラビングロールを用いて、一方向に沿ってラビング処理する。これにより、ＴＦＴ基板２が作製される。
【００５４】
次に、カラーフィルタ基板３の作製方法について説明する。図１に示すように、先ず、透明基板２１として、例えば無アルカリガラス等の透明絶縁性材料からなり、板厚が０．７ｍｍであるガラス基板を用意する。そして、この透明基板２１の一方の面上に、遮光性がある顔料を分散させたネガ型感光性アクリルレジスト（例えばＪＳＲ株式会社製オプトマーＣＲシリーズ）又はカーボン系レジスト材料等の黒色の樹脂材料を塗布して遮光性の樹脂層を成膜し、この樹脂層を露光及び現像することにより所望の形状にパターニングする。このとき、この樹脂層の膜厚は、例えば１乃至３μｍ、例えば１．２μｍとする。次に、クリーンオーブンにより、例えば温度が２３０℃、時間が６０分間の焼成を行い、この樹脂層を硬化させる。
【００５５】
これにより、ブラックマトリクス２２、アライメントマーク３１及び土手パターン３２の下層３２ＢＭを形成する。このとき、ブラックマトリクス２２は表示領域３６内に形成し、後の工程においてカラーフィルタ基板３をＴＦＴ基板２に貼り合わせたときに、ゲート電極１２に対向する位置に形成する。即ち、ブラックマトリクス２２は、相互に平行に延びる複数本の帯状に形成する。但し、光漏れを防止するため及び半導体層１４を確実に遮光するために、ブラックマトリクス２２の幅は、ゲート電極１２の幅よりもひとまわり太くする。ブラックマトリクス２２の膜厚は、３以上の光学濃度（ＯＤ値）を確保しつつ、可及的に薄くすることが望ましい。
【００５６】
また、図２及び図３に示すように、アライメントマーク３１及び土手パターン３２の下層３２ＢＭは、表示領域３６の外側における透明基板２１の四隅に１つずつ形成する。平面視で、アライメントマーク３１の形状は例えば矩形とする。また、土手パターン３２の下層３２ＢＭは、アライメントマーク３１から見て、後の工程において配向膜２７をラビングするラビング方向１００の上流側に、アライメントマーク３１から離隔させて、平面視でＬ字形状になるように形成する。即ち、下層３２ＢＭを構成する２本の直線部が、アライメントマーク３１のラビング方向１００の上流側に向いた２辺に夫々対向し、且つこれらの辺に平行になるようにする。
【００５７】
次に、図１及び図４に示すように、透明基板２１上におけるブラックマトリクス２２間の領域のうち、２つおきの領域に、赤色カラーフィルタ２３を形成する。例えば、赤色顔料をアクリル系樹脂に分散させたネガ型感光性カラーレジスト（例えば、ＪＳＲ株式会社製オプトマーＣＲシリーズ）等の赤色透明樹脂を、スピンコート法で基板上に塗布する。このとき、焼成後の膜厚が例えば１．０乃至１．５μｍとなるようにスピン回転数を調整する。次に、ホットプレートにより、例えば温度が８０℃、時間が２分間のプリベークを行い、露光した後、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）現像液で現像することによりパターニングする。次に、クリーンオーブンにより、例えば温度が２３０℃、時間が６０分間の焼成を行い、赤色透明樹脂層を硬化させる。これにより、赤色カラーフィルタ２３を形成する。
【００５８】
同様な方法により、透明基板２１上に緑色透明樹脂を塗布し、プリベーク、露光、現像及び焼成を行うことにより、透明基板２１上におけるブラックマトリクス２２間の領域のうち、赤色カラーフィルタ２３が形成された隣の領域に、緑色カラーフィルタ２４を形成する。同様に、透明基板２１上に青色透明樹脂を塗布し、プリベーク、露光、現像及び焼成を行うことにより、透明基板２１上におけるブラックマトリクス２２間の領域のうち、赤色カラーフィルタ２３及び緑色カラーフィルタ２４が形成されていない領域に、青色カラーフィルタ２５を形成する。これにより、ブラックマトリクス２２が延びる方向に直交する方向に沿って、赤色カラーフィルタ２３、緑色カラーフィルタ２４及び青色カラーフィルタ２５がこの順に繰返し配列される。
【００５９】
また、このとき、土手パターン３２の下層３２ＢＭの直上域にも青色透明樹脂を残し、上層３２Ｂを形成する。これにより、土手パターン３２が形成される。下層３２ＢＭの膜厚はブラックマトリクス２２の膜厚と同じ例えば１．２μｍであり、上層３２Ｂの膜厚は青色カラーフィルタ２５の膜厚と同じ例えば１．３μｍであるため、土手パターン３２全体の膜厚は例えば２．５μｍとなる。
【００６０】
次に、透明基板２１上の全面に、ブラックマトリクス２２、赤色カラーフィルタ２３、緑色カラーフィルタ２４及び青色カラーフィルタ２５を覆うように、透明導電膜を形成する。例えば、スパッタ法によりＩＴＯ膜を形成する。このＩＴＯ膜はパターニングを必要としないため、その膜厚は加工性よりも接続安定性を優先して決定すればよく、前述の画素電極１８を形成するＩＴＯ膜よりも厚く設定することができる。本実施形態においては、このＩＴＯ膜の膜厚を例えば１５０ｎｍ程度とする。これにより、対向電極２６を形成する。
【００６１】
次に、図１に示すように、対向電極２６上に配向膜２７を形成する。そして、図３に示すように、この配向膜２７の表面を、芯材にコットン又はレーヨン等の繊維を巻き付けたラビングロールを用いて、ラビング方向１００に沿ってラビング処理する。このとき、図５及び図６に示すように、アライメントマーク３１から見てラビング方向１００の上流側に、その高さがアライメントマーク３１よりも高い土手パターン３２が設けられているため、ラビング処理に伴って発生した配向膜２７の削り屑４１は、土手パターン３２の上流側においてトラップされ、アライメントマーク３１の周辺には堆積しない。以上の工程により、カラーフィルタ基板３が作製される。
【００６２】
次に、図１に示すように、カラーフィルタ基板３におけるカラーフィルタが形成された側の表面上に、表示領域３６（図２参照）を囲むようにシール材４を形成する。そして、シール材４によって囲まれた領域に、ＯＤＦ法（One Drop Fill法：液晶滴下貼合法）により液晶を充填する。このとき、この液晶内に、複数個の面内スペーサ６を混在させる。
【００６３】
次に、ＴＦＴ基板２におけるゲート電極１２が形成された側の面をカラーフィルタ基板２におけるカラーフィルタが形成された側の面に向け、平面視でゲート電極１２がブラックマトリクス２２に重なるようにＴＦＴ基板２をカラーフィルタ基板３に対して位置合わせし、ＴＦＴ基板２を、シール材４及び液晶を介してカラーフィルタ基板３に貼り合わせる。これにより、ＴＦＴ基板２、カラーフィルタ基板３及びシール材４によって囲まれた空間に、液晶層５が配置される。
【００６４】
両基板の位置合わせは、勘合測定装置がカラーフィルタ基板３を白色光により照射し、反射光を受光してカラーフィルタ基板３の画像を取得し、この画像を二値化処理することによってアライメントマーク３１を検出することにより行う。このとき、アライメントマーク３１に接する領域には削り屑４１が存在していないため、勘合測定装置はアライメントマーク３１を精度良く検出することができる。
【００６５】
次に、ＴＦＴ基板２の透明基板１１におけるカラーフィルタ基板３に対向していない側の表面に偏光板２０を貼付し、カラーフィルタ基板２の透明基板２１におけるＴＦＴ基板２に対向していない側の表面に偏光板２８を貼付する。これにより、液晶表示パネル１が製造される。
【００６６】
本実施形態によれば、ラビング工程においてアライメントマーク３１に接する領域に削れ屑４１が堆積しないため、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とを貼り合わせる工程において、勘合測定装置がアライメントマーク３１を精度良く検出することができる。これにより、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とを確実に効率良く位置合わせすることができる。この結果、光漏れ及び半導体層の露光による特性劣化を確実に防止できる。
【００６７】
また、ブラックマトリクス２２及び青色カラーフィルタ２５を形成する工程を利用して、アライメントマーク３１及び土手パターン３２を形成することができるため、土手パターン３２を形成するために特別な工程を設ける必要がなく、製造コストを抑制することができる。
【００６８】
なお、本実施形態においては、ＴＦＴ基板３を作製する工程において、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタをこの順に形成する例を示したが、本発明においては、カラーフィルタの形成順序は特に限定されない。また、土手パターン３２の上層を、赤色カラーフィルタ２３を形成する工程において形成してもよく、又は緑色カラーフィルタ２４を形成する工程において形成してもよい。
【００６９】
また、本実施形態においては、平面視で、アライメントマーク３１の形状を矩形とする例を示したが、アライメントマークの形状は勘合測定装置の仕様によって決定すればよく、丸形及びドットタイプ等の矩形以外の形状としてもよい。
【００７０】
更に、本実施形態においては、ＴＦＴ基板２をフォトリソグラフィを５回行う５ＰＲ方式によって作製したが、本発明はこれに限定されず、例えば、ＴＦＴ基板をフォトリソグラフィを４回行う４ＰＲ方式によって作製してもよい。
【００７１】
次に、本第４の実施形態の変形例について説明する。図７に示すように、本変形例においては、カラーフィルタ基板３の透明基板２１上に塗布した黒色樹脂層をパターニングして、ブラックマトリクス２２、アライメントマーク３１及び土手パターンの下層を形成する工程において、土手パターンの下層の形状を、アライメントマーク３１を囲むような枠状とする。そして、青色透明樹脂層をパターニングして青色カラーフィルタ２５及び土手パターンの上層を形成する工程において、土手パターンの下層の直上に枠状の上層を形成する。これにより、アライメントマーク３１を囲む枠状の土手パターン３３を形成する。本変形例によれば、ラビング方向がどの方向となっても、アライメントマーク３１の周辺に削り屑４１が堆積することを防止できる。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第４の実施形態と同様である。
【００７２】
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第２の実施形態に係るカラー液晶表示パネルの製造方法の実施形態である。本実施形態においては、カラーフィルタ基板を作製する工程において、黒色樹脂層を塗布した後、露光及び現像を行ってパターニングする工程において、黒色樹脂層をブラックマトリクス及びアライメントマークを形成する予定の領域のみに残す。次に、この黒色樹脂層の焼成を行う際に、前述の第４の実施形態のように一水準の条件、例えば、温度を２３０℃、時間を６０分間とする条件によって焼成するのではなく、低温短時間の第１段階及び高温長時間の第２段階とを連続して実施する。例えば、第１段階においては、温度を１２０℃、時間を１０分間とし、第２段階においては、温度を２３０℃、時間を４０分間とする。これにより、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、テーパー角度θが３０乃至６０度、例えば４５度であるアライメントマーク３４を形成することができる。また、青色透明樹脂層をパターニングする工程において、この青色透明樹脂層を、青色カラーフィルタ２５を形成する予定の領域のみに残す。この結果、本実施形態においては、土手パターンが形成されない。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第４の実施形態と同様である。即ち、例えばＴＦＴ基板の作製方法及びＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との貼り合わせ方法は、第４の実施形態と同様である。
【００７３】
本実施形態によれば、ブラックマトリクス及びアライメントマークの形成工程において、アライメントマークのテーパー角度を３０乃至６０度、例えば４５度とすることにより、カラーフィルタ基板の配向膜にラビング処理を施す際に、配向膜の削れ屑がアライメントマークの端縁にトラップされにくくなる。これにより、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせる工程において、勘合測定装置がアライメントマークを精度良く検出することができる。本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第４の実施形態と同様である。
【００７４】
以下、上述の焼成条件により、実際にアライメントマークを形成した結果について説明する。図９（ａ）及び（ｂ）は、アライメントマークを示すＳＥＭ（Scanning Electron Microscopy：走査型電子顕微鏡）写真をトレースした図であり、（ａ）は前述の第４の実施形態で示した条件、即ち、温度が２３０℃、時間が６０分間の条件で焼成したものであり、（ｂ）は本第５の実施形態で示す条件、即ち、温度を１２０℃、時間を１０分間とする第１段階と、温度を２３０℃、時間を４０分間とする第２段階とを連続して実施する条件で焼成したものである。
【００７５】
図９（ｂ）に示すように、黒色樹脂材料を本実施形態の条件（二段階焼成条件）により焼成したアライメントマーク３４は、図９（ａ）に示す第４の実施形態の条件（一段焼成条件）により形成したアライメントマーク３１と比較して、側面の角度がなだらかになっており、そのテーパー角度は約４５度となっている。このように、本実施形態によれば、テーパー角度が３０乃至６０度の四角錐台形状のアライメントマークを形成することができる。
【００７６】
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第３の実施形態に係るカラー液晶表示パネルの製造方法の実施形態である。本実施形態においては、カラーフィルタ基板を作製する工程において、黒色樹脂層を塗布した後、露光及び現像を行ってパターニングする工程において、黒色樹脂層をブラックマトリクス及びアライメントマークを形成する予定の領域のみに残す。この黒色樹脂層の焼成条件は、前述の第４の実施形態と同様に、例えば、温度を２３０℃、時間を６０分間とする。また、青色透明樹脂層をパターニングする工程において、この青色透明樹脂層を、青色カラーフィルタ２５を形成する予定の領域のみに残す。この結果、本実施形態においては、土手パターンが形成されない。更に、配向膜２７（図１参照）を形成する際に、配向膜２７を、アライメントマーク３１を覆うような大きさに形成する。例えば、前述の第４の実施形態と比較して、配向膜２７の形成領域をその外方に１乃至２ｍｍ程度延出させる。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第４の実施形態と同様である。
【００７７】
本実施形態においては、アライメントマーク３１を配向膜２７により覆うことにより、アライメントマーク３１の端縁の段差をなだらかにすることができる。これにより、配向膜をラビング処理する際に、アライメントマークの段差部分に配向膜の削れ屑がトラップされることを抑制できる。これにより、勘合測定装置においてアライメント認識エラーが発生しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネルを示す断面図である。
【図２】この液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を示す平面図である。
【図３】図２に示すカラーフィルタ基板のアライメントマーク及び土手パターンを示す平面図である。
【図４】図２に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
【図５】図３に示すアライメントマーク及び土手パターンを示す斜視図である。
【図６】本実施形態に係る液晶表示パネルの動作を示す平面図であり、アライメントマーク及び土手パターンを示す。
【図７】第１の実施形態の変形例におけるカラーフィルタ基板のアライメントマーク及び土手パターンを示す平面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルにおけるアライメントマークを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ’線による断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、アライメントマークを示すＳＥＭ写真をトレースした図であり、（ａ）は第４の実施形態に示した条件で焼成したものであり、（ｂ）は第５の実施形態に示した条件で焼成したものである。
【図１０】ラビング処理後のカラーフィルタ基板のアライメントマーク周辺を撮影した光学顕微鏡写真をトレースした図である。
【符号の説明】
【００７９】
１；液晶表示パネル
２；ＴＦＴ基板
３；カラーフィルタ基板
４；シール材
５；液晶層
６；面内スペーサ
１１；透明基板
１２；ゲート電極
１３；ゲート絶縁膜
１４；半導体層
１５；ソース電極
１６；ドレイン電極
１７；パッシベーション膜
１７ａ；コンタクトホール
１８；画素電極
１９；配向膜
２０；偏光板
２１；透明基板
２２；ブラックマトリクス
２３；赤色カラーフィルタ
２４；緑色カラーフィルタ
２５；青色カラーフィルタ
２６；対向電極
２７；配向膜
２８；偏光板
３１、３４；アライメントマーク
３２、３３；土手パターン
３２ＢＭ；下層
３２Ｂ；上層
３６；表示領域
４１；削れ屑
１００；ラビング方向
１０１；透明基板
１０２；アライメントマーク
１０３；削れ屑
【図１】
2007003651.tif 000003
【図２】
2007003651.tif 000004
【図３】
2007003651.tif 000005
【図４】
2007003651.tif 000006
【図５】
2007003651.tif 000007
【図６】
2007003651.tif 000008
【図７】
2007003651.tif 000009
【図８】
2007003651.tif 000010
【図９】
2007003651.tif 000011
【図１０】
2007003651.tif 000012