(57)【要約】【課題】薄型で高密度配線が可能な配線基板を効率よく製造できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】３層金属積層体６２の第３の金属層６５をエッチングして所要の配線パターン７１に形成するフォトリソグラフィー工程と、配線パターン７１上に、ビルドアップ法により絶縁層７３を介して層間で配線パターン７４が電気的に接続された積層体７６を形成する工程と、積層体７６を、第１の金属層６３と支持基板６０との間で支持基板６０から剥離する工程と、積層体７６の第１の金属層６３を第２の金属層６４をバリア層としてエッチングにより除去する工程と、露出した第２の金属層６４をエッチングにより除去する工程とを具備することを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記支持基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成する配線基板の製造方法において、
第１の金属層と該第１の金属層をエッチング可能なエッチング液によっては侵食されない第２の金属層と前記第１の金属層と同材質の金属からなる第３の金属層がこの順に積層された３層金属積層体を、前記第１の金属層の側で前記支持基板の基板面に剥離可能に積層する工程と、
前記３層金属積層体の前記第３の金属層をエッチングして所要の配線パターンに形成するフォトリソグラフィー工程と、
該配線パターン上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成する工程と、
該積層体を、前記第１の金属層と前記支持基板との間で支持基板から剥離する工程と、
該積層体の前記第１の金属層を前記第２の金属層をバリア層としてエッチングにより除去する工程と、
露出した前記第２の金属層をエッチングにより除去する工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属層の方が前記第３の金属層よりも厚い３層金属積層体を用いることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記支持基板の基板面に、接着層によりダミー金属層を接着し、
該ダミー金属層を覆って、該ダミー金属層よりも大判に形成した前記３層金属積層体を、前記第１の金属層の周縁部において前記接着層により前記支持基板面に接着し、
前記積層体を前記支持基板面から剥離する際には、前記ダミー金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体と支持基板とを切断することにより、前記ダミー金属層と前記第１の金属層との間で前記積層体を剥離することを特徴とする請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
支持基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記支持基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成する配線基板の製造方法において、
第１の金属層と該第１の金属層をエッチング可能なエッチング液によっては侵食されない第２の金属層と前記第１の金属層と同材質の金属からなる第３の金属層がこの順に積層された３層金属積層体を、前記第１の金属層の側で前記支持基板の表裏の基板面にそれぞれ剥離可能に積層する工程と、
前記各３層金属積層体の前記第３の金属層をエッチングして所要の配線パターンに形成するフォトリソグラフィー工程と、
該各配線パターン上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成する工程と、
該各積層体を、前記第１の金属層と前記支持基板との間で支持基板から剥離する工程と、
該積層体の前記第１の金属層を前記第２の金属層をバリア層としてエッチングにより除去する工程と、
露出した前記第２の金属層をエッチングにより除去する工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属層の方が前記第３の金属層よりも厚い３層金属積層体を用いることを特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記支持基板の表裏の基板面に、接着層によりそれぞれダミー金属層を接着し、
該各ダミー金属層を覆って、該ダミー金属層よりも大判に形成した前記３層金属積層体を、前記第１の金属層の周縁部において前記接着層により前記支持基板面に接着し、
前記各積層体を前記支持基板面から剥離する際には、前記ダミー金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体と支持基板とを切断することにより、前記ダミー金属層と前記第１の金属層との間で前記積層体を剥離することを特徴とする請求項４または５記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法に関し、より詳細には、薄型で高密度配線が可能な配線基板を効率よく製造できる配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１〜図１２は、従来の配線基板の製造方法の一例を示す工程図である（特開２００４−２３５３２３号公報）。
図１１（ａ）において、１０は支持基板であり、樹脂板１０ａの表裏面に銅箔１１が貼付された両面銅貼基板からなる。
この支持基板１０の両面に、接着層４０により、ダミー金属層４１を接着し、さらにこのダミー金属層４１を覆って、ダミー金属層４１より大判の２層金属積層体４３をその周縁部にて接着層４０により支持基板１０の基板面に接着する（図１１（ｂ））。２層金属積層体４３は、銅層４２の上に、銅のエッチング液によっては侵食されない、ニッケル、チタン、あるいはクロムの金属層４２ａを積層したものとする。
【０００３】
次に、図１１（ｃ）に示すように、２層金属積層体４３上に、ビルドアップ法により、絶縁層４６を介して層間でビア４８により配線パターン４４が電気的に接続された積層体５０を形成する。
次いで、図１１（ｄ）に示すように、ダミー金属層４１の外周縁よりも内側位置で積層体５０と支持基板１０とを切断することにより、ダミー金属層４１と２層金属積層体４３との間で積層体５０を剥離する。
【０００４】
次に図１２（ａ）に示すように、２層金属積層体４３の銅層４２を金属層４２ａをバリア層としてエッチングして除去する。
次いで図１２（ｂ）に示すように、金属層４２ａをエッチングして除去する。
次に、積層体５０を上下反転し（図１２（ｃ））、次いで、積層体５０の表裏面にソルダーレジストによりパターン５２を形成し（図１２（ｄ））、パターン５２をマスクとして、露出している配線パターン４４上に、ニッケルめっき、次いで金めっきを施して保護めっき層５４を形成し（図１２（ｅ））、所要個所にはんだバンプ５６を形成して配線基板に完成する（図１２（ｆ））。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２３５３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記従来の配線基板の製造方法では、図１１（ｃ）に示すように、金属層４２ａ上に、積層体５０の配線パターン４４をすべてビルドアップ法によって形成している。ビルドアップ法によるときは、配線パターン４４は、長時間を要するめっきによって銅層を形成し、次いでエッチングしてパターン化するものであるため、その形成に長時間を要するという課題がある。特に、積層数が多いほど長時間を要するものとなる。
【０００７】
そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、薄型で高密度配線が可能な配線基板を効率よく製造できる配線基板の製造方法を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、本発明に係る配線基板の製造方法は、支持基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記支持基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成する配線基板の製造方法において、第１の金属層と該第１の金属層をエッチング可能なエッチング液によっては侵食されない第２の金属層と前記第１の金属層と同材質の金属からなる第３の金属層がこの順に積層された３層金属積層体を、前記第１の金属層の側で前記支持基板の基板面に剥離可能に積層する工程と、前記３層金属積層体の前記第３の金属層をエッチングして所要の配線パターンに形成するフォトリソグラフィー工程と、該配線パターン上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成する工程と、該積層体を、前記第１の金属層と前記支持基板との間で支持基板から剥離する工程と、該積層体の前記第１の金属層を前記第２の金属層をバリア層としてエッチングにより除去する工程と、露出した前記第２の金属層をエッチングにより除去する工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
また、前記第１の金属層の方が前記第３の金属層よりも厚い３層金属積層体を用いることを特徴とする。
また、前記支持基板の基板面に、接着層によりダミー金属層を接着し、該ダミー金属層を覆って、該ダミー金属層よりも大判に形成した前記３層金属積層体を、前記第１の金属層の周縁部において前記接着層により前記支持基板面に接着し、前記積層体を前記支持基板面から剥離する際には、前記ダミー金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体と支持基板とを切断することにより、前記ダミー金属層と前記第１の金属層との間で前記積層体を剥離するようにすることができる。
【００１０】
また本発明に係る配線基板の製造方法は、支持基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記支持基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成する配線基板の製造方法において、第１の金属層と該第１の金属層をエッチング可能なエッチング液によっては侵食されない第２の金属層と前記第１の金属層と同材質の金属からなる第３の金属層がこの順に積層された３層金属積層体を、前記第１の金属層の側で前記支持基板の表裏の基板面にそれぞれ剥離可能に積層する工程と、前記各３層金属積層体の前記第３の金属層をエッチングして所要の配線パターンに形成するフォトリソグラフィー工程と、該各配線パターン上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成する工程と、該各積層体を、前記第１の金属層と前記支持基板との間で支持基板から剥離する工程と、該積層体の前記第１の金属層を前記第２の金属層をバリア層としてエッチングにより除去する工程と、露出した前記第２の金属層をエッチングにより除去する工程とを具備することを特徴とする。
【００１１】
また、前記第１の金属層の方が前記第３の金属層よりも厚い３層金属積層体を用いることを特徴とする。
また、前記支持基板の表裏の基板面に、接着層によりそれぞれダミー金属層を接着し、該各ダミー金属層を覆って、該ダミー金属層よりも大判に形成した前記３層金属積層体を、前記第１の金属層の周縁部において前記接着層により前記支持基板面に接着し、前記各積層体を前記支持基板面から剥離する際には、前記ダミー金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体と支持基板とを切断することにより、前記ダミー金属層と前記第１の金属層との間で前記積層体を剥離するようにすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、配線基板の製造工程とは別個にあらかじめ作成される３層金属積層体を使用して、この３層金属積層体の第３の金属層をエッチングして一方の側の最表層の配線パターンに形成するものであり、ビルドアップ法により、工程中で長時間を要するめっきによって形成されるものではないので、配線基板の製造時間の短縮化、効率化を図ることができる。また、この配線パターンは絶縁層中に埋没して表面が露出する埋め込み配線となるので、表面が平坦でＬＳＩの実装が容易かつ確実に行えるという効果を有する。また、支持基板上に作り込んで剥離するものであるため、薄型で高密度配線が可能な配線基板を効率よく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面と共に詳細に説明する。
図１〜図１０は、本発明に係る配線基板の製造方法を示す説明図である。
まず図１に示すように、支持基板６０の表裏面に３層金属積層体６２をそれぞれ剥離可能に積層する。
【００１４】
３層金属積層体６２は、第１の金属層６３と、該第１の金属層６３をエッチング可能なエッチング液によっては侵食されない第２の金属層６４と、第１の金属層６３と同材質の金属からなる第３の金属層６５がこの順に積層されてなる。
【００１５】
第１の金属層６３は例えば厚さ約７０μｍ程度の比較的厚い銅箔を用いる。第２の金属層６４には、例えば厚さが１μｍ程度のニッケル、クロムあるいはチタンの層とする。この第２の金属層６４は第１の金属層６３上に、電解めっきあるいはスパッタリングによって形成する。第３の金属層６５は、例えば厚さ約１８μｍ程度の銅層とする。この第３の金属層６５は第２の金属層６４上に電解めっき等によって形成する。
【００１６】
支持基板６０には、支持基板６０に絶縁層やめっき層といったワークを形成し、搬送する際、取り扱い操作が容易に可能な保形性を備え、ワークに収縮や反り等の変形が生じることを抑える強度を備えている材料を選択する。本実施形態では、支持基板６０には、０．３〜０．４ｍｍの厚さのガラスクロス入りエポキシ樹脂基板を使用した。支持基板６０は所要の強度を備えているものであれば、ガラスクロス入りエポキシ樹脂等の樹脂基板のみからなるものであっても良いし、樹脂基板以外に金属板のみから成るものであってもよい。
【００１７】
なお、支持基板６０に対して３層金属積層体６２を剥離可能に積層するには、図２に示すようにすると好適である。
すなわち、支持基板６０の表裏の基板面に、接着層６７によりそれぞれダミー金属層６８を接着し、各ダミー金属層６８を覆って、ダミー金属層６８よりも大判に形成した上記３層金属積層体６２を、第１の金属層６３の周縁部において接着層６７により支持基板面に接着するのである。
【００１８】
図２で太線によって描いたＡ線の部分が、ダミー金属層６８と３層金属積層体６２が接着層６７に接着している部位である。また、同図で破線Ｂによって示した部位は、３層金属積層体６２とダミー金属層６８とが単に接触している部分を示す。したがって、ダミー金属層６８の外周縁よりも内側位置となるＣ線の位置で、３層金属積層体６２、ダミー金属層６８および支持基板６０を切断することにより、ダミー金属層６８と第１の金属層６３との間で３層金属積層体６２を剥離するようにすることができる。なお、破線Ｂによって示した部位に空気が入り込まないように、これら積層工程は真空装置中で行うと好適である。
【００１９】
次に、図３に示すように、第３の金属層６５上に所要レジストパターン７０を形成し、次いで図４に示すように、レジストパターン７０をマスクとして露光、現像を行い、次いでレジストパターン７０を除去するといった一連のフォトリソグラフィー工程を行って、第３の金属層６５をエッチングして所要の配線パターン７１に形成する。
【００２０】
次に、図５に示すように、各配線パターン７１上に、ビルドアップ法により絶縁層７３を介して層間で配線パターン７４がビア７５により電気的に接続された積層体７６を形成する。
【００２１】
次いで、これら積層物を、図２に示すＣ線位置で切断することにより、図６に示すように、支持基板６０から積層体７６を剥離（分離）する。
こうして分離した積層体７６の第１の金属層６３を、図７に示すように、第２の金属層６４をバリア層としてエッチングにより除去する。
【００２２】
次いで、図８に示すように、露出した第２の金属層６４をエッチングにより除去する。この場合、第３の金属層６５をエッチングして形成された配線パターン７１が第２の金属層６４のエッチング液によっては侵食されず、図８に示すように絶縁層７３中に埋没し、表面が露出する埋め込み配線として得られる。
【００２３】
この埋め込み配線は、あらかじめ形成された３層金属積層体６２の第３の金属層６５をエッチングして得られるのであり、ビルドアップ法により、工程中で長時間を要するめっきによって形成されるものではないので、配線基板の製造時間の短縮化を図ることができる。
【００２４】
次いで、図９に示すように、積層体７６の表裏の配線パターン７１、７４の所要部位が露出するように積層体７６の表裏面にソルダーレジスト層７８を形成する。そして図１０に示すように、露出した配線パターン７１、７４部分に、ニッケルめっきを下地とする金めっきを施して、保護めっき皮膜８０を形成し、さらに、平坦な埋め込み配線となっている配線パターン７１の側に外部接続用のはんだバンプ８２を形成して配線基板８４に完成する。
【００２５】
なお、配線基板８４は、通常複数の基板を同時に作り込み、これを切断分離することによって、所望の配線基板を得る。
また、上記実施の形態では、支持基板６０の表裏面に積層体７６を形成するようにしたが、支持基板６０の片面側にのみ積層体７６を形成していくようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】支持基板の両面に３層金属積層体を積層した状態の説明図である。
【図２】３層金属積層体を支持基板に剥離可能に積層するための構造の一例を示す説明図である。
【図３】３層金属積層体上にレジストパターンを形成した状態の説明図である。
【図４】フォトリソグラフィー法により、３層金属積層体の第３の金属層を配線パターンに形成した状態を示す説明図である。
【図５】図４の配線パターン上にビルドアップ法により多層配線パターンを形成した状態を示す説明図である。
【図６】図５で形成した積層体を支持基板から剥離（分離）した状態を示す説明図である。
【図７】積層体から第１の金属層をエッチングによって除去した状態を示す説明図である。
【図８】積層体からさらに第２の金属層をエッチングによって除去した状態を示す説明図である。
【図９】積層体にソルダーレジストのパターンを形成した状態の説明図である。
【図１０】露出している配線パターン上にはんだバンプを形成して配線基板に完成した状態を示す説明図である。
【図１１】従来の配線基板の製造方法を示す工程の前半を示す説明図である。
【図１２】従来の配線基板の製造方法を示す工程の後半を示す説明図である。
【符号の説明】
【００２７】
６０  支持基板
６２  ３層金属積層体
６３  第１の金属層
６４  第２の金属層
６５  第３の金属層
６７  接着層
６８  ダミー金属層
７１  配線パターン
７３  絶縁層
７４  配線パターン
７５  ビア
７６  積層体
７８  ソルダーレジスト層
８０  保護めっき層
８２  はんだバンプ
８４  配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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