(57)【要約】【課題】有機ＥＬ装置等の発光装置において、表示領域における温度を検出し、色ずれのない高品質な画像表示を行う。【解決手段】有機ＥＬ装置１０は、基板１と、基板１と対向して配置される封止板２０と、基板１上における封止板２０と対向する側に設けられており、有機ＥＬ素子７２を夫々含む複数の画素部７０とを備える。更に、封止板２０上における基板１と対向する側に設けられており、複数の画素部７０の温度を検出する温度センサー回路２１０を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
該第１基板と対向して配置される第２基板と、
前記第１基板上における前記第２基板と対向する側に設けられており、発光素子を夫々含む複数の画素部と、
前記第２基板上における前記第１基板と対向する側に設けられており、前記複数の画素部の温度を検出する温度検出手段と
を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の画素部における非開口領域の少なくとも一部に、前記第１及び第２基板の各々と接するように設けられており、熱伝導材料を含んでなる熱伝導手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１基板上に設けられており、前記発光素子が形成される凹部を規定する隔壁部を備え、
前記熱伝導手段は、前記隔壁部上に設けられる
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記温度検出手段によって検出された温度に応じて、前記発光素子が所定の輝度で発光するように、前記発光素子に印加すべき駆動波形を制御する駆動波形制御回路を備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の各色のいずれかを発光する発光層を夫々含む３種類の発光素子であり、
前記駆動波形制御回路は、前記３種類の発光素子毎に前記駆動波形を制御することを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記温度検出手段は、前記複数の画素部が設けられた表示領域における複数箇所に設けられることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記温度検出手段は、薄膜熱電対、サーミスタ、発光材料、及び不純物がドープされたシリコン膜のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の発光装置を具備してなる電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ装置等の発光装置、及びそのような発光装置を備えた電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の発光装置の一例である有機ＥＬ（Electro-luminescence）パネルの発光素子に用いられる有機ＥＬ材料は、使用される環境温度によってその材料特有の温度特性から発光輝度が異なってしまうという問題点があることが知られている。ＲＧＢ独立発光のパネルでは特にこの材料特有の温特の違いにより、色ずれが起こり表示品質の著しい低下となる。ここでいう「色ずれ」とは、（１）基板面内（特に中心付近の画素と外周付近の画素）で起こり得る温度差に起因したＩ−Ｌ特性（電流−光出力特性）の変化（ずれ）、（２）ＲＧＢ毎に異なる温度特性に起因したＩ−Ｌ特性の変化（ずれ）、（３）ＴＦＴや周辺回路（配線）等から発生した熱に起因したＩ−Ｌ特性の変化（ずれ）をいう。このような問題点に関しては、例えば特許文献１では、有機ＥＬパネルの温度を測定するための、温度センサーとしての測定用ＥＬ素子を設け、測定された温度に基づいて有機ＥＬ素子に印加する駆動波形を補正する技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３５６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された技術では、温度センサーは発光素子が形成される発光基板側に形成されるため、仮に、発光基板側の表示領域に温度センサーを形成しようとすれば、発光基板を多層構造にするなどの発光基板の構造の複雑化や表示領域の開口率の低下を招いてしまうおそれがある。特に基板中心付近に温度センサーを形成する事は回路引き回しが難しい事と、引き回し配線による発熱/放熱も考慮せねばならない。従来技術である外付けセンサーを発光パネルに設置することは、例えば有機ＥＬパネルの小型、薄型、軽量等という特徴が生かせない。
【０００５】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、発光装置の表示領域における温度を検出でき、高品質な画像表示の可能な発光装置、及びこのような発光装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置は上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板と対向して配
置される第２基板と、前記第１基板上における前記第２基板と対向する側に設けられており、発光素子を夫々含む複数の画素部と、前記第２基板上における前記第１基板と対向する側に設けられており、前記複数の画素部の温度を検出する温度検出手段とを備える。
【０００７】
本発明の発光装置は、例えば透明基板からなる第１基板上の、例えば表示領域に複数の画素部が形成される。複数の画素部と対向するように第２基板が配置され、第１及び第２基板が例えば接着部材を介して互いに貼り合わせられることにより形成される。
【０００８】
本発明の発光装置によれば、その動作時には、各画素部において、例えば、発光素子に印加電流が印加されることにより、発光素子において例えば有機ＥＬ（Electro-Luminescence）層等の発光層が発光する。この場合、印加電流によって、画素部の輝度が制御される。このような動作時には、例えば、発光素子が発光する際に生じる熱や、画素部に設けられた例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の半導体素子、配線抵抗等による発熱のため、画素部の温度が変化してしまうおそれがある。発光素子は、使用される温度が異なると印加電流に対する発光輝度が異なるという温度特性を有する場合が多く、画素部の温度変化に伴い、画素部における輝度も変化してしまうおそれがある。
【０００９】
しかるに本発明では特に、複数の画素部の温度を検出する温度検出手段が、第２基板上における第１基板と対向する側に設けられている。即ち、例えば第２基板上における第１基板と対向する側（言い換えれば、複数の画素部と対向する側）には、例えば薄膜状のサーミスタや熱電対等の温度検出手段が設けられている。よって、発光装置の動作時にも、複数の画素部の温度を検出できる。従って、温度検出手段によって検出された温度に応じた印加電流を発光素子に印加するようにすることで、画素部の輝度が所望の輝度となるように制御できる。即ち、例えば、発光装置の動作中に、例えば所定時間毎に温度検出手段により温度を検出し、検出された温度に基づいて所望の輝度となるように補正された印加電流を発光素子に印加することで、発光素子の温度変化による発光輝度の変化或いは所望の輝度からのズレを低減或いは防止できる。特に、ＲＧＢ独立発光のパネルではパネル中心部と端部では発光画素温度が異なることからパネル内外で色ずれが起こらないように、ＲＧＢ画素毎に正確な温度検出とそれをフィードバックする回路が必要になる。尚、温度検出手段により「検出する」とは、狭義には、直接的に即ち温度センサーにより検出する或いは測定する場合の他に、広義には、画素部の温度に関連する他の一又は複数のパラメータに基づいて、間接的に検出する、算出する、推定する、予測する、予想する、特定する等々の場合を含んでよい。
【００１０】
更に、本発明では特に、温度検出手段は、第２基板上に設けられているので、温度検出手段を形成する材料或いは製造プロセスに対する制約は殆ど無い。即ち、仮に、温度検出手段を、複数の画素部や該複数の画素部を駆動するための駆動回路或いは配線等が設けられる第１基板上に設ける場合と比較して、温度検出手段を形成する材料或いは製造プロセスの選択の幅が広い、即ち、温度検出手段を設計する自由度が高い。
【００１１】
加えて、本発明では特に、温度検出手段は、第２基板上に設けられているので、例えば、発光素子から発光された光が第１基板側から出射されるボトムエミッション型の場合には、温度検出手段を形成することによる開口領域或いは開口率の低下は発生しない。ここで、「開口領域」とは、各画素部のうち発光可能な領域（言い換えれば、光の出射が可能な領域）を意味し、「開口率」とは、各画素部が形成された全領域（即ち、開口領域及びそれ以外の非開口領域）に占める開口領域の面積割合を意味する。よって、温度検出手段を、第２基板上の表示領域に設けることができ、仮に、温度検出手段を、表示領域の周辺に位置する周辺領域に形成した場合と比較して、より精度良く検出することが可能である。更に、温度検出手段を、表示領域における例えば中央部及び周縁部等の複数の異なる位置に夫々設けることで、表示領域における複数の画素部の温度分布を検出することができる。よって、複数の画素部に印加する印加電流を、複数の画素部の温度分布に応じて補正することにより、複数の画素部の温度分布に起因した表示領域における輝度ばらつきを低減或いは防止できる。特に、表示領域が広い（即ち、基板或いは発光パネルのサイズが大きい）場合、複数の画素部の温度分布が生じ易く、表示領域における輝度ばらつきが発生しやすいので、温度検出手段によって検出された複数の画素部の温度分布に応じて印加電流を補正することは、極めて有効である。
【００１２】
以上説明したように、本発明の発光装置によれば、温度検出手段によって、複数の画素部の温度を検出することができ、例えば検出された温度に応じて印加電流を補正することで、高品質な画像表示が可能となる。更に、温度検出手段は、第２基板上に形成されるので、設計自由度が高く、容易に製造可能である。加えて、仮に温度検出手段を発光装置の外部に設けた場合と比較して、例えば小型、薄型或いは軽量等という発光装置の利点を殆ど或いは全く損なわない。
【００１３】
本発明の発光装置の一態様では、前記複数の画素部における非開口領域の少なくとも一部に、前記第１及び第２基板の各々と接するように設けられており、熱伝導材料を含んでなる熱伝導手段を備える。
【００１４】
この態様によれば、例えば金属部材等からなる熱伝導手段によって、第１及び第２基板間で互いに同じ温度となるように熱の移動が行われるので、第２基板上に設けられた温度検出手段によって、第１基板上に設けられた複数の画素部の温度を、より一層正確に検出できる。ここで、「第１及び第２基板の各々と接するように」は、第１及び第２基板の各々と直接的に接する場合の他、第１及び第２基板の各々と間接的に接する場合、例えば、第１基板上に形成された例えば配線或いは電極等の部材と接すると共に、第２基板上に形成された温度検出手段と接する場合も含む趣旨である。更に、熱伝導手段は、非開口領域に設けられるので、開口率の低下を殆ど或いは全く招かない。
【００１５】
上述した熱伝導手段を備えた態様では、前記第１基板上に設けられており、前記発光素子が形成される凹部を規定する隔壁部を備え、前記熱伝導手段は、前記隔壁部上に設けられてもよい。
【００１６】
この場合には、熱伝導手段は、隔壁部上に設けられるので、他の回路或いは配線等の設計変更を殆ど伴うことなく形成できる。更に、第１基板上の積層構造において、典型的には、隔壁部の下層側に、発光素子を駆動するために設けられた例えばＴＦＴ等の半導体素子或いは配線抵抗からの発熱による複数の画素部の温度変化を、より一層精度よく検出できる。
【００１７】
本発明の発光装置の他の態様では、前記温度検出手段によって検出された温度に応じて、前記発光素子が所定の輝度で発光するように、前記発光素子に印加すべき駆動波形を制御する駆動波形制御回路を備える。
【００１８】
この態様によれば、駆動波形制御回路は、温度検出手段によって検出された温度に応じて、発光素子が所定の輝度で発光するように、駆動波形を制御する。即ち、予め設定された温度において所望の発光輝度で発光素子を発光させるのに必要な駆動波形（例えば、印加電流の大きさ）と、検出された温度において所望の発光輝度で発光素子を発光させるのに駆動波形の差を小さくする（即ち、補正する）ように駆動波形を制御する。言い換えれば、複数の画素部の温度変化に応じて、駆動波形を補正するので、複数の画素部における輝度の変化或いは輝度のばらつきを低減或いは防止できる。
【００１９】
上述した駆動波形制御回路を備えた態様では、前記発光素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の各色のいずれかを発光する発光層を夫々含む３種類の発光素子であり、前記駆動波形制御回路は、前記３種類の発光素子毎に前記駆動波形を制御するようにしてもよい。
【００２０】
この場合には、駆動波形制御回路は、Ｒ、Ｇ及びＢに夫々対応する発光素子に印加すべき駆動波形を独立して制御する。即ち、ＲＧＢ毎に独立して印加すべき駆動波形を補正する。よって、ＲＧＢ毎に発光素子の温度特性が異なることに起因して、色ずれが生じてしまうことを低減或いは防止できる。従って、より一層、高品質な画像表示が可能となる。
【００２１】
本発明の発光装置の他の態様では、前記温度検出手段は、前記複数の画素部が設けられた表示領域における複数箇所に設けられる。
【００２２】
この態様によれば、例えば、表示領域の中央部及び周縁部の各々の少なくとも１箇所に設けられる。よって、表示領域における複数の画素部の温度のばらつき、即ち、温度分布を検出できる。従って、表示領域における輝度のばらつきを低減或いは防止できる。特に、表示領域が大きい場合、即ち、発光パネルのサイズが大きい場合に有効である。
【００２３】
本発明の発光装置の他の態様では、前記温度検出手段は、薄膜熱電対、サーミスタ、発光材料、及び不純物がドープされたシリコン膜のうち少なくとも一つを含む。
【００２４】
この態様によれば、温度検出手段を容易に形成できると共に複数の画素部の温度を精度よく検出できる。
【００２５】
本発明の電子機器は、上述した本発明の発光装置を具備してなる。
【００２６】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る発光装置を具備してなるので、使用される環境の温度変化によらず、高品位の表示が可能な、携帯電話又は電子手帳等の携帯機器、投射型表示装置、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、更には電気光学装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器は、高い信頼性が要求される車載用のカーナビゲーション又はインパネに用いられる表示部に適用可能である。
【００２７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の発光装置の一例である有機ＥＬ装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置について、図１から図４を参照して説明する。
【００２９】
先ず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成について、図１を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図である。
【００３０】
図１において、有機ＥＬ装置１０は、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示装置であり、有機ＥＬ装置１０が有する各画素部７０は有機ＥＬ素子７２を備えている。尚、有機ＥＬ素子７２は、本発明に係る「発光素子」の一例である。
【００３１】
有機ＥＬ装置１０の画像表示領域１１０には、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２が設けられており、それらの交点に対応する各画素部７０はマトリクス状に配列されている。更に、画像表示領域１１０には各データ線１１４に対して配列された画素部７０に対応する電源供給線１１７が設けられている。
【００３２】
画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１５０及び駆動波形制御回路１７０が設けられている。走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給する。駆動波形制御回路１７０は、後述するように、画像表示領域１１０に設けられた温度センサー回路によって検出された温度に係る温度データに基づいて、後述する補正データを生成し、データ線駆動回路１５０に出力する。データ線駆動回路１５０は、駆動波形制御回路１７０からの補正データと表示データとから画素部７０を駆動するための駆動波形を生成し、生成した駆動波形を、画像表示領域１１０に配線されたデータ線１１４に供給する。尚、走査線駆動回路１３０の動作とデータ線駆動回路１５０の動作とは、同期信号線１６０を介して相互に同期が図られる。電源供給線１１７には、外部回路から画素駆動用電源が供給される。図１中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２が設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８が設けられている。スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。また、駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のソース電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。尚、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。
【００３３】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の具体的な構成について、図２を参照して説明する。ここに図２は、有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【００３４】
図２において、有機ＥＬ装置１０は、基板１、基板１上に形成された有機ＥＬ素子７２、駆動用トランジスタ７４、バンク部４７及び封止板２０を備えて構成されている。尚、有機ＥＬ素子７２は、図中下側に光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であるが、トップエミッション型の有機ＥＬ素子であってもよい。尚、基板１は、本発明に係る「第１基板」の一例であり、封止板２０は、本発明に係る「第２基板」の一例である。
【００３５】
基板１は、例えば、ガラス基板等で構成されている。基板１は、基板１上に有機ＥＬ素子７２が形成されているだけでなく、図１に示す走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１５０及び駆動波形制御回路１７０等の各種回路を備えている。このような回路は、基板１における画像表示領域１１０の周辺領域に設けられている。
【００３６】
有機ＥＬ素子７２は、有機ＥＬ層５０、陰極４９、及び陽極３４を備えて構成されている。
【００３７】
有機ＥＬ層５０は、複数の有機ＥＬ層５０を互いに隔てるための素子分離部として機能するバンク部４７に囲まれた凹部６２に有機材料を塗布することによって形成されている。
【００３８】
バンク部４７は、第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂから構成されており、有機ＥＬ層５０が形成される凹部６２を規定する。第１バンク部４７ａは、ＳｉＯ、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２等の無機材料で構成される無機材料層であり、例えば、保護層４５上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学蒸着）法、コート法、スパッタ法等の膜形成法を用いて形成されている。第２バンク部４７ｂは、アクリル樹脂、又はポリイミド樹脂等の有機材料で構成される有機材料層であり、図中上側に向かって先細りとなるテーパー形状を有している。第２バンク部４７ｂは、第１バンク部４７ａ上に有機材料層を形成した後、この有機材料層をフォトリソグラフィ技術等を用いてパターニングすることによって形成されている。第２バンク部４７ｂは、その底部が図中横方向に沿って第１バンク部４７ａより小さめとなるように形成されている。
【００３９】
陽極３４は、基板１上に順次形成されたゲート絶縁層２、層間絶縁膜４１、保護層４５、及び第１バンク部４７ａのうち第１バンク部４７ａに埋め込まれるように形成されている。陽極３４は、例えば、有機ＥＬ層５０から図中下側に出射される光を下側に透過するように例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料で構成された透明電極である。
【００４０】
陰極４９は、基板１上に形成された各有機ＥＬ素子７２で共通とされる共通電極である。陰極４９は、有機ＥＬ層５０から図中上側に出射される光を下側に反射するようにＡｌ等の金属薄膜で構成されている。陰極４９は、有機ＥＬ層５０の上面から各有機ＥＬ層５０を互いに隔てる第２バンク部４７ｂの上面に渡って形成されている。
【００４１】
駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓは、図１に示す電源供給線１１７に電気的に接続されており、ドレイン電極７４ｄは陽極３４に電気的に接続されている。駆動用トランジスタ７４は、図１に示すデータ線１１４を介してゲート電極３ａに供給されるデータ信号に応じてオンオフされ、駆動電流を有機ＥＬ素子７２に供給する。このような素子を含む回路は、有機ＥＬ素子５０から基板１側に出射される光を遮らないように、有機ＥＬ素子５０の下側を避けるように設けられている。また、駆動用トランジスタ７４と同様に図１に示すスイッチング用トランジスタ７６も基板１上に形成されている。
【００４２】
半導体層３は、例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成された多結晶シリコン層或いはアモルファスシリコン層である。半導体層３上には、半導体層３を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４のゲート絶縁層２が形成されている。駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａ及び図１に示す走査線１１２は、ゲート絶縁層２上に形成されている。走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。ゲート電極３ａ及び走査線１１２は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成されている。
【００４３】
走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁層２上には図２に示す層間絶縁層４１が形成されている。層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２は例えばシリコン酸化膜から構成されている。層間絶縁層４１上には、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＩＴＯを含む導電材料から夫々構成される、データ線１１４及び電源供給線１１７、更には駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓが形成されている。層間絶縁層４１には、層間絶縁層４１の表面から層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２を貫通して、駆動用トランジスタ７４の半導体層３に至るコンタクトホール５０１及び５０２が形成されている。電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄを構成する導電膜は、コンタクトホール５０１及び５０２の各々の内壁に沿って半導体層３の表面に至るように連続的に形成されている。層間絶縁層４１上には、電源供給線１１７及びドレイン電極７４ｄを埋め込んで、保護層４５として例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）ないしシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）が形成されている。保護層４５上には、例えばシリコン酸化膜よりなる第１バンク部４７ａが形成され、更に第１バンク部４７ａ上に第２バンク部４７ｂが形成されている。第１バンク部４７ａ及び第２バンク部４７ｂによって、画素部における有機ＥＬ層５０の形成領域が規定されている。
【００４４】
封止板２０は、水分が有機ＥＬ装置１０の外部から有機ＥＬ層５０に浸入することを防止する。より具体的には、封止板２０は、基板１上に接着剤によって接着されており、有機ＥＬ装置１０の外気が有機ＥＬ素子７２に触れないように有機ＥＬ素子７２を封止する。基板１上に封止板２０を接着する接着剤は、熱硬化樹脂或いは紫外線硬化樹脂を含んでおり、例えば、熱硬化樹脂の一例であるエポキシ樹脂を封止板２０の周縁部にディスペンサ等の塗布手段を用いて塗布される。
【００４５】
封止板２０の基板１に対向する側の面において、封止板２０の周縁部は中央部に対して凸状となっており、封止板２０が第１バンク部４７ａの上面に接着された状態で封止部２０の中央部及び有機ＥＬ素子７２の間に一定の空間が介在する。封止板２０及び有機ＥＬ素子７２間の空間には、不活性ガス、樹脂或いはオイル等の充填材が充填され、この充填材により装置外部から侵入する水分を低減する。封止板２０は、例えば、ガラス板、又は防湿処理を施したプラスチック板を用いることができる。特に、封止板２０としてガラス基板を用いた場合には、ガラス基板である基板１及び封止板２０の熱膨張率が同等であることから、熱膨張率の違いに起因するこれら板間のひずみを低減することができ、装置全体の信頼性を高めることが可能である。尚、封止板２０は、上述したような凸状となっていなくてもよい、即ち、平板であってもよい。
【００４６】
図２に示すように、本実施形態では特に、温度センサー回路２１０が、封止板２０上における基板１と対向する側に設けられている。温度センサー回路２１０は、本発明に係る「温度検出手段」の一例であり、例えば薄膜状のサーミスタや熱電対等を含んで構成されており、画像表示領域１１０における有機ＥＬ素子７２付近の温度が検出可能となっている。尚、温度センサー回路２１０は、有機又は無機ＥＬ材料等の発光材料、或いは、ｐ型又はｎ型の不純物がドープされたシリコン膜等を夫々含んで構成してよい。この場合にも、発光材料或いはシリコン膜の抵抗値等の温度特性の変化を利用して、温度を検出できる。
【００４７】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動方法について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動方法を示すブロック図である。
【００４８】
図３において、有機ＥＬ装置１０の動作時には、温度センサー回路２１０は、有機ＥＬ素子７２付近の温度を、例えば所定時間毎に検出し、検出した温度に係る温度データを、駆動波形制御回路１７０へ出力する。駆動波形制御回路１７０は、温度センサー回路２１０からの温度データに基づいて、所望の発光輝度が得られるように駆動波形に係る補正データを生成して、データ線駆動回路１５０へ出力する。ここで「補正データ」は、予め設定された温度に対応して決まる駆動波形と、検出された温度に対応して決まる駆動波形との差が小さくなるように、駆動波形の例えば幅、高さ、形状或いは突入電流形状等のパラメータを変更するためのデータである。即ち、例えば、予め設定された温度において所望の発光輝度で有機ＥＬ層５０を発光させるのに必要な印加電流と、検出された温度において所望の発光輝度で有機ＥＬ層５０を発光させるのに必要な印加電流との差を小さくする（即ち、補正する）ためのデータである。データ線駆動回路１５０は、駆動波形制御回路１７０からの補正データと表示データとから画素部７０を駆動するための駆動波形を生成し、生成した駆動波形をデータ線１１４を介して画素部７０に供給する。よって、有機ＥＬ素子７２には、検出された温度に応じた駆動波形の印加電流が印加される。言い換えれば、温度センサー回路２１０によって検出された温度が、駆動波形制御回路１７０へフィードバックされることにより、画素部７０（或いは有機ＥＬ素子７２）の温度に応じて調整された駆動波形の印加電流が、有機ＥＬ素子７２に印加される。従って、例えば、動作時における、有機ＥＬ素子７２が発光する際に生じる熱や、ＴＦＴ７４及び７６等からの発熱による、画素部７０の温度変化が発生しても、画素部７０の輝度が所望の輝度となるように制御できる。
【００４９】
以上のように、本実施形態では特に、温度センサー回路２１０が設けられているので、有機ＥＬ装置１０の動作中に、例えば所定時間毎に温度センサー回路２１０により温度を検出し、検出された温度に基づいて所望の輝度となるように補正された駆動波形の印加電流を有機ＥＬ素子７２に印加することで、有機ＥＬ素子７２の温度変化による発光輝度の変化或いは所望の輝度からのズレを低減或いは好ましくは防止できる。
【００５０】
更に、再び図２において、本実施形態では特に、温度センサー回路２１０は、封止板２０上に設けられているので、温度センサー回路２１０を形成する材料或いは製造プロセスに対する制約は殆ど無い。即ち、仮に、温度センサー回路２１０を、複数の画素部７０やデータ線駆動回路１５０等が設けられた基板１上に設ける場合と比較して、温度センサー回路２１０を形成する材料或いは製造プロセスの選択の幅が広い、つまり、設計自由度が高いので、温度センサー回路２１０は容易に形成可能である。
【００５１】
加えて、図２において、有機ＥＬ装置１０は、上述したように、有機ＥＬ素子７２から発光された光が基板１側から出射されるボトムエミッション型である。本実施形態では特に、
温度センサー回路２１０は、封止板２０上に設けられているので、温度センサー回路２１０を形成することによって、有機ＥＬ素子７２から発光された光が基板１側から出射できる開口領域９１を狭くしてしまうことはない。よって、温度センサー回路２１０を、画素部７０における開口率の低下を招かずに、画像表示領域１１０内に設けることができ、仮に、温度センサー回路２１０を、画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域に形成した場合と比較して、より精度良く、画素部７０の温度を検出することが可能である。
【００５２】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置に設けられた温度センサー回路の封止板上の画像表示領域における配置について、図４を参照して説明する。ここに図４は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の温度センサー回路の画像表示領域における配置を示す説明図である。
【００５３】
更に、図４に示すように、本実施形態では特に、温度センサー回路２１０は、１つの温度センサー２１０ａと４つの温度センサー２１０ｂとからなる。温度センサー２１０ａは、封止板２０上の画像表示領域１１０の中央部に配置されており、４つの温度センサー２１０ｂは、封止板２０上の画像表示領域１１０の周縁部における４箇所（即ち、画像表示領域１１の４隅）にそれぞれ配置されている。よって、画像表示領域１１０における複数の画素部７０の温度分布を検出することができる。従って、複数の画素部７０に印加する駆動波形を、複数の画素部７０の温度分布に応じて、上述した駆動波形制御回路１７０によって補正することにより、複数の画素部７０の温度分布に起因した画像表示領域１１０における輝度ばらつきを低減或いは防止できる。特に、画像表示領域１１０が広い（即ち、基板１及び封止板２０、或いは発光パネルのサイズが大きい）場合、複数の画素部７０の温度分布が生じ易く、画像表示領域１１０における輝度ばらつきが発生しやすいので、温度センサー回路２１０によって検出された複数の画素部７０の温度分布に応じて駆動波形を補正することは、極めて有効である。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０によれば、温度センサー回路２１０によって、複数の画素部７０の温度を検出することができ、検出された温度に応じて駆動波形制御回路１７０によって駆動波形を補正できるので、高品質な画像表示が可能となる。更に、温度センサー回路２１０は、封止板２０上に形成されるので、設計自由度が高く、容易に製造可能である。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る有機ＥＬ装置について、図５を参照して説明する。ここに図５は、第２実施形態における図２と同趣旨の断面図である。尚、図５において、図１から図４に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００５５】
図５において、第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１２は、発光素子として、赤色を発光する有機ＥＬ層５０Ｒを含む有機ＥＬ素子７２Ｒ、緑色を発光する有機ＥＬ層５０Ｇを含む有機ＥＬ素子７２Ｇ、及び青色を発光する有機ＥＬ層５０Ｂを含む有機ＥＬ素子７２Ｂを備えると共に、熱伝導部３００（即ち、熱伝導部３００Ｒ、３００Ｇ及び３００Ｂ）を備える点で、図２を参照して上述した第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０と異なる。その他の点においては、上述した第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０と概ね同様である。
【００５６】
図５において、本実施形態では特に、有機ＥＬ装置１２は、基板１及び封止板２０間で熱を伝導する熱伝導部３００を備えている。尚、熱伝導部３００は、本発明に係る「熱伝導手段」の一例である。熱伝導部３００は、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属を含んで形成されており、複数の画素部７０のうち、温度センサー回路２１０と対向する画素部７０の一部に設けられている。熱伝導部３００は、画素部７０における非開口領域９２に形成されたバンク部４７上に、基板１及び封止板２０の各々と接するように設けられている。より具体的には、熱伝導部３００は、バンク部４７上に形成された陰極４９と、封止板２０上に形成された温度センサー回路２１０とに接するように形成されている。よって、熱伝導部３００によって、基板１側と封止板２０側との間で互いに同じ温度となるように熱の移動が行われるので、封止板２０上に設けられた温度センサー回路２１０によって、基板１上に設けられた複数の画素部７０の温度を、より一層正確に検出できる。尚、このような熱伝導部３００は、複数の画素部７０のうち、より多くの画素部７０のバンク部４７上に設けることで、熱伝導効率を高めることができる。本実施形態では、熱伝導部３００を、温度センサー回路２１０と接するように形成しているが、封止板２０と直接接するようにしてもよい。
【００５７】
更に、熱伝導部３００は、バンク部４７上に設けられているので、開口率の低下や他の回路或いは配線等の設計変更を殆ど伴わない。加えて、バンク部４７の下層側に設けられたＴＦＴ７４、７６、或いは配線抵抗からの発熱による複数の画素部７０の温度変化を、より一層精度よく検出できる。
【００５８】
加えて、図５に示すように、熱伝導部３００は、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂに夫々対応した熱伝導部３００Ｒ、３００Ｇ及び３００Ｂとして形成されている。よって、ＲＧＢ毎に画素部７０の温度を、より一層正確に検出でき、ＲＧＢ毎に独立して駆動波形を制御できる。従って、ＲＧＢ毎に有機ＥＬ素子７２の温度特性が異なることに起因して、色ずれが生じてしまうことを低減或いは防止できる。
＜電子機器＞
次に、上述した、第１又は第２実施形態に係る有機ＥＬ装置が各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【００５９】
＜モバイル型コンピュータ＞
先ず、この有機ＥＬ装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図６は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１００５を有する表示ユニット１２０６とを備えている。
【００６０】
＜携帯電話＞
さらに、この有機ＥＬ装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図７は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１３０５を備えるものである。
【００６１】
この他にも、有機ＥＬ装置は、ノート型のパーソナルコンピュータ、ＰＤＡ、テレビ、ビューファインダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、ＰＯＳ端末、タッチパネルなど、更には有機ＥＬ装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの装置等に適用することができる。
【００６２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う発光装置、及び該発光装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動方法を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の温度センサー回路の画像表示領域における配置を示す説明図である。
【図５】第２実施形態における図２と同趣旨の断面図である。
【図６】発光装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図７】発光装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…基板、１０、１２…有機ＥＬ装置、２０…封止板、４７…バンク部、７２…有機ＥＬ素子、７４、７６…ＴＦＴ、１１０…画像表示領域、１３０…走査線駆動回路、１５０…データ線駆動回路、１７０…駆動波形制御回路、２１０…温度センサー回路、３００…熱伝導部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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