(57)【要約】  【課題】フォトダイオードの電荷収集領域から電荷読み出し部へ、安定的に効率よく電荷転送を行うことができる、固体撮像装置及びその製造方法を実現する。  【解決手段】基板１１１上に形成されるウェル１１２と、基板表面に形成される不純物拡散領域１１５と、ウェル１１２と不純物拡散領域１１５との間に形成される転送元拡散領域１１３と、転送元拡散領域１１３と所定の距離だけ離間して基板表面に形成される転送先拡散領域１１４と、転送元拡散領域１１３と転送先拡散領域１１４との間の基板表面に絶縁膜１１８を介して形成されたゲート電極１１６とを有する固体撮像装置であって、ゲート電極１１６の上面の転送元拡散領域に面する端部の一部が切り欠かれて段部が形成されており、転送元拡散領域１１３の端部が、ゲート電極１１６に形成された段部の下部に突出して形成された突出部を有していることを特徴とする。【選択図】図１
2007234848.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方導電型の基板上に形成される他方導電型の第１の不純物拡散領域と、
前記基板の表面に形成される他方導電型の第２の不純物拡散領域と、
一方導電型の不純物を拡散して前記第１の不純物拡散領域と前記第２の不純物拡散領域との間に形成される転送元拡散領域と、
一方導電型の不純物を拡散して前記転送元拡散領域と所定の距離だけ離間して前記基板表面に形成される転送先拡散領域と、
前記転送元拡散領域と前記転送先拡散領域との間の前記基板表面に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する固体撮像装置であって、
前記ゲート電極上面の前記転送元拡散領域に面する端部の少なくとも一部が切り欠かれて段部が形成されており、前記転送元拡散領域の端部が前記ゲート電極の前記段部の下方に突出して形成された突出部を有していることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記基板表面から前記突出部と前記突出部よりも下方に形成された前記第１の不純物拡散領域との接合面までの深さ方向の距離が、前記基板表面から前記第２の不純物拡散領域の下方に形成された前記転送元拡散領域と前記第１の不純物拡散領域との接合面までの距離よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２の不純物拡散領域と前記転送元拡散領域との接合面よりも前記基板表面側に、前記突出部の一部が形成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記転送先拡散領域の端部が、前記ゲート電極の前記段部の下方に突出して形成された突出部を有していることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
一方導電型の基板上に他方導電型の不純物拡散領域を形成する第一の拡散工程と、
前記基板表面に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に対して自己整合的に一方導電型の不純物を導入して、前記他方導電型の不純物拡散領域上に転送元拡散領域を形成する第二の拡散工程と、
前記ゲート電極に対して自己整合的に一方導電型の不純物を導入して、前記他方導電型の不純物拡散領域上に転送先拡散領域を形成する第三の拡散工程とを備えた固体撮像装置の製造方法であって、
前記ゲート電極を形成する工程が、
第１層目のゲート電極を形成する工程と、前記第１層目のゲート電極の上面に第２層目のゲート電極を形成する工程と、前記第１層目のゲート電極の端部の少なくとも一部が露出するように前記第２層目のゲート電極をパターニングする工程とを具備することを特徴とする、固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第二の拡散工程は、前記ゲート電極の前記第１層目のゲート電極のみから形成されている領域を前記一方導電型の不純物が突き抜けるように不純物を導入し、前記ゲート電極の下方に形成された前記他方導電型の不純物拡散領域中に前記転送元拡散領域を突出して形成させることを特徴とする、請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第三の拡散工程は、前記ゲート電極の前記第１層目のゲート電極のみから形成されている領域を前記一方導電型の不純物が突き抜けるように不純物を導入し、前記ゲート電極の下方に形成された前記他方導電型の不純物拡散領域中に前記転送先拡散領域を突出して形成させることを特徴とする、請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポテンシャル勾配を適正にして信号電荷の転送不良を抑制するようにした固体撮像装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などに搭載される固体撮像装置として、ＣＣＤ（電荷結合素子）型のイメージセンサと、ＣＭＯＳ型のイメージセンサと、がある。ＣＣＤ型のイメージセンサは画質に優れ、ＣＭＯＳ型のイメージセンサは消費電力が少なく、プロセスコストが低い。近年、高画質と低消費電力とを共に兼ね備えた閾値電圧変調方式のＭＯＳ型固体撮像装置が提案されている。
【０００３】
上記閾値電圧変調方式のＭＯＳ型固体撮像装置は、フォーカルプレイン型シャッタで、光電変換部としてのフォトダイオードにより画像を取り込む。そして、一連の繰り返し動作により光電変換された映像信号を、電荷読み出し部としての光信号検出用電界効果トランジスタから取り出す。例えば、初期化期間にゲート電極に高い逆電圧を印加して空乏化させ、ホールポケットに残る光発生正孔を放出させる。蓄積期間に光照射によりフォトダイオードに光発生正孔を生じさせ、ホールポケットに転送させて蓄積させる。そして、読み出し期間に光発生正孔の蓄積量に比例して変調された、光信号検出用電界効果トランジスタの閾値を検出することにより、光信号を検出する。
【０００４】
また、上記閾値電圧変調方式のＭＯＳ型固体撮像装置における、読み始めと読み終わりの時間差のために生ずる画像の歪みを抑制するため、フォトダイオードの電荷収集領域から光信号検出用電界効果トランジスタの蓄積領域に向かう電荷の流れを必要に応じて制御すべく、フォトダイオードで発生した光発生電荷を光信号検出用電界効果トランジスタの蓄積領域に転送する電荷転送経路中に、電荷転送部としての転送ゲートを設けた固体撮像装置も近年開発されている。
【０００５】
近年のイメージセンサの微細化及び高感度化に伴い、フォトダイオードに蓄積された電荷を電荷読み出し部へ転送する際に、安定的かつ効率のよい転送特性を得ることが重要となってきている。効率のよい転送特性を得るためには、フォトダイオードに隣接して配置された転送ゲート電極と、フォトダイオードの電荷収集領域との位置関係が重要である。転送ゲート電極と電荷収集領域とが水平方向に重なり領域を持たず、互いが離れて形成されている場合、電荷の転送経路上にポテンシャルバリアが形成されるため、転送不良が発生してしまう。そこで、フォトダイオードの電荷収集領域を転送ゲート電極の下部に突き出すように形成することで、フォトダイオードに蓄積された電荷の転送効率を向上させる固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２８９３０９号公報  （図９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された提案によれば、転送ゲート電極をテーパー状に形成しておき、このゲート電極に対して斜め方向から不純物を注入して自己整合的にフォトダイオードの電荷収集領域を形成している。テーパー角度が一定角度になるようにプロセス制御することは非常に困難であるため、特許文献１に記載された固体撮像装置では、転送ゲート電極間でテーパー角度にばらつきが生じてしまう。フォトダイオードの電荷収集領域は転送ゲート電極をマスクとして自己整合的に形成されるため、テーパー角度のばらつくことによって転送ゲート電極下部への電荷収集領域の突き出し量もばらつき、結果として転送効率にばらつきが生じ、安定的に効率のよい転送特性が得られなくなってしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、フォトダイオードの電荷収集領域から電荷読み出し部へ、安定的に効率よく電荷転送を行うことができる、固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る固体撮像装置は、一方導電型の基板上に形成される他方導電型の第１の不純物拡散領域と、前記基板の表面に形成される他方導電型の第２の不純物拡散領域と、一方導電型の不純物を拡散して前記第１の不純物拡散領域と前記第２の不純物拡散領域との間に形成される転送元拡散領域と、一方導電型の不純物を拡散して前記転送元拡散領域と所定の距離だけ離間して前記基板表面に形成される転送先拡散領域と、前記転送元拡散領域と前記転送先拡散領域との間の前記基板表面に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する固体撮像装置であって、前記ゲート電極上面の前記転送元拡散領域に面する端部の少なくとも一部が切り欠かれて段部が形成されており、前記転送元拡散領域の端部が前記ゲート電極の前記段部の下方に突出して形成された突出部を有していることを特徴とする。
【０００９】
このような構成によれば、フォトダイオードの電荷収集領域である転送元拡散領域の端部は、電荷転送部のゲート電極に形成された段部の下部に、水平方向に突出して形成されるので、転送元拡散領域から転送先拡散領域に向けて、適正なポテンシャル勾配、例えば略一様で且つ充分な傾きのポテンシャル勾配を設定することができ、信号電荷の転送効率を向上させることができる。また、突出部の水平方向の突出量は、ゲート電極の段部の幅により制御することができるので、突出量がばらつくことを防ぐことができ、安定的に電荷転送を行うことができる。
【００１０】
また、本発明に係る固体撮像装置は、前記基板表面から前記突出部と前記突出部よりも下方に形成された前記第１の不純物拡散領域との接合面までの深さ方向の距離が、前記基板表面から前記第２の不純物拡散領域の下方に形成された前記転送元拡散領域と前記第１の不純物拡散領域との接合面までの距離よりも小さい。
【００１１】
このような構成によれば、転送元拡散領域の突出部の深さは、フォトダイオード形成領域の転送元拡散領域の深さよりも浅く形成されるので、ポテンシャルポケットが生じることを防止すると共に、転送元拡散領域から転送先拡散領域に向けて、適正なポテンシャル勾配、例えば略一様で且つ充分な傾きのポテンシャル勾配を設定することができ、信号電荷の転送効率を確実に向上させることができる。
【００１２】
更に、本発明に係る固体撮像装置は、前記第２の不純物拡散領域と前記転送元拡散領域との接合面よりも前記基板表面側に、前記突出部の一部が形成されている。
【００１３】
このような構成によれば、転送元拡散領域の突出部は、ゲート電極の直下に近い浅い位置から形成されるため、転送元拡散領域から転送先拡散領域に向けてのポテンシャル勾配を確実に適正な勾配に設定することができ、信号電荷の転送効率をより確実に向上させることができる。
【００１４】
また、本発明に係る固体撮像装置は、前記転送先拡散領域の端部が、前記ゲート電極の前記段部の下方に突出して形成された突出部を有している。
【００１５】
このような構成によれば、転送先拡散領域もゲート電極の下部に突出して形成することにより、転送元拡散領域から転送先拡散領域に向けてのポテンシャル勾配をより適正な状態に設定することができ、信号電荷をよりスムーズに効率よく転送することが可能である。
【００１６】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、一方導電型の基板上に他方導電型の不純物拡散領域を形成する第一の拡散工程と、前記基板表面に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極に対して自己整合的に一方導電型の不純物を導入して、前記他方導電型の不純物拡散領域上に転送元拡散領域を形成する第二の拡散工程と、前記ゲート電極に対して自己整合的に一方導電型の不純物を導入して、前記他方導電型の不純物拡散領域上に転送先拡散領域を形成する第三の拡散工程とを備えた固体撮像装置の製造方法であって、前記ゲート電極を形成する工程が、第１層目のゲート電極を形成する工程と、前記第１層目のゲート電極の上面に第２層目のゲート電極を形成する工程と、前記第１層目のゲート電極の端部の少なくとも一部が露出するように前記第２層目のゲート電極をパターニングする工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、ゲート電極を少なくとも２層構造にし、２層目のゲート長を１層目のゲート長より短くしてゲート電極段部を形成することにより、引き続き行われる第二の拡散工程において、転送元拡散領域が段部の下方に突出するように形成することが可能となるため、ポテンシャルポケットが生じることを防止すると共に、転送元拡散領域から転送先拡散領域に向けて、適正なポテンシャル勾配、例えば略一様で且つ充分な傾きのポテンシャル勾配を設定することができ、信号電荷の転送効率を向上させることができる。
【００１８】
また、前記第二の拡散工程は、前記ゲート電極の前記第１層目のゲート電極のみから形成されている領域を前記一方導電型の不純物が突き抜けるように不純物を導入し、前記ゲート電極の下方に形成された前記他方導電型の不純物拡散領域中に前記転送元拡散領域を突出して形成させる。
【００１９】
このような構成によれば、転送元拡散領域がゲート電極に形成された段部の下方にのみ確実に突出するように形成することができるため、段部の幅を制御することによって転送元拡散領域の突出量のばらつきを抑制することができ、電荷転送を安定的かつ効率よく行うことができる。
【００２０】
また、前記第三の拡散工程は、前記ゲート電極の前記第１層目のゲート電極のみから形成されている領域を前記一方導電型の不純物が突き抜けるように不純物を導入し、前記ゲート電極の下方に形成された前記他方導電型の不純物拡散領域中に前記転送先拡散領域を突出して形成させる。
【００２１】
このような構成によれば、転送元拡散領域に加えて転送先拡散領域もゲート電極に形成された段部の下方にのみ確実に突出して形成することができるため、転送元拡散領域から転送先拡散領域に向けてのポテンシャル勾配をより適正な状態に設定することができ、信号電荷をよりスムーズに効率よく転送することが可能である。
【発明の効果】
【００２２】
フォトダイオードの電荷収集領域から電荷読み出し部へ、安定的に効率よく電荷転送を行うことができる、固体撮像装置及びその製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】
（第１の実施の形態）
始めに、本発明の第１の実施の形態に係わる固体撮像装置の構造について、図１を用いて説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面形状を模式的に示す断面図である。
【００２５】
本実施の形態における固体撮像装置は、一方導電型の基板１１１上に他方導電型のウェル１１２を有する。ウェル１１２には、フォトダイオードの電荷収集領域を構成する一方導電型の不純物拡散領域（以下、転送元拡散領域という）１１３が形成されている。転送元拡散領域１１３は、フォトダイオードの光電変換作用によって発生した光発生電荷を、保持すると共に、転送するためのものである。
【００２６】
基板１１１表面のフォトダイオード形成領域には、不純物拡散領域１１３上に、他方導電型の不純物拡散領域１１５が形成されている。不純物拡散領域１１５は、ピニング層として機能する。この不純物拡散領域１１５は、低エネルギーのイオン注入によって、浅く且つ濃い濃度で形成される。
【００２７】
不純物拡散領域１１３と所定距離離間した基板１１１の表面近傍には、フォトダイオードに発生した光発生電荷の転送先である不純物拡散領域（以下、転送先拡散領域という）１１４が形成されている。拡散領域１１３，１１４の対向する端部相互間の基板１１１表面上には、絶縁膜１１８を介してゲート電極１１６が形成されている。
【００２８】
ゲート電極１１６に適宜の電圧を印加することによって、基板１１１表面近傍の不純物拡散領域１１３，１１４相互間にはチャネル１１９が形成される。フォトダイオードに発生した光発生電荷は、不純物拡散領域１１３からゲート電極１１６下方のチャネル１１９を介して不純物拡散領域１１４に転送されるようになっている。
【００２９】
本実施の形態においては、ゲート電極１１６が下部ゲート電極１１６ａと上部ゲート電極１１６ｂとを積層した構成となっており、下部ゲート電極１１６ａのフォトダイオード側の端部は、上部ゲート電極１１６ｂの端部よりも水平方向に長さｌだけ突出して形成されている。すなわち、ゲート電極１１６はフォトダイオード側のみに段部を有する片側凸の形状を有する。また、本実施の形態においては、ゲート電極１１６の下方のウェル１１２に、上部ゲート電極１１６ｂの端部近傍まで転送元拡散領域１１３が突出して形成されている。すなわち、転送元拡散領域１１３は、ゲート電極１１６の下方のウェル１１２に、下部ゲート電極１１６ａの端部から水平方向に長さｌだけ突出して形成されている。
【００３０】
ゲート電極１１６下方に形成された転送元拡散領域１１３の基板深さ方向の厚さｄ１は、不純物拡散領域１１５の基板深さ方向の厚さをｄ２、不純物拡散領域１１５下方に形成された転送元拡散領域１１３の基板深さ方向の厚さをｄ３とした場合に、ｄ２＜ｄ１＜ｄ３の関係が成り立つように設定されている。また、ゲート電極１１６の下方のウェル１１２に形成された転送元拡散領域１１３は、絶縁膜１１８の直下から形成されている。なお、上部ゲート電極１１６ｂの端部から下部ゲート電極１１６ａの端部までの水平方向の長さｌは、例えば０．２〜０．３μｍ程度に設定されている。
【００３１】
このように本実施の形態においては、ゲート長の異なる２層のゲート電極１１６ａ，１１６ｂを積層してゲート電極１１６が構成され、また、ゲート電極１１６の下方のウェル１１２に、ゲート長が短い上部ゲート電極１１６ｂの端部の鉛直面近傍まで転送元拡散領域１１３が突出して形成されている。このように転送元拡散領域１１３が形成されていることによって、ゲート電極１１６に印加される電圧により、ゲート電極１１６の下方に突出して形成された転送元拡散領域１１３の電位が、不純物拡散領域１１５の下方に形成された転送元拡散領域１１３の電位とチャネル１１９の電位との中間程度に制御されるため、ポテンシャルポケットが生じることを防止すると共に、転送元拡散領域１１３から転送先拡散領域１１４に向けて、適正なポテンシャル勾配、例えば略一様で且つ充分な傾きのポテンシャル勾配を設定することができ、信号電荷をスムーズに転送することが可能である。
【００３２】
なお、本実施の形態は、電荷読み出し用トランジスタ、電荷排出用トランジスタ等の電荷を転送するための装置全般に適用可能であることは明らかである。
【００３３】
図２は本実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図、図３は本実施の形態に係る固体撮像装置の断面形状を示す断面図、図４〜図６は素子の製造方法を説明するための工程図である。本実施の形態は本発明を具体的な固体撮像装置に適用した例を示している。
【００３４】
＜センサセルの構造＞
本実施の形態における固体撮像装置は、後述するように、単位画素であるセンサセルがマトリクス状に配列されて構成されたセンサセルアレイを有している。各センサセルは、入射光に応じて発生させた光発生電荷を蓄積し、蓄積した光発生電荷に基づくレベルの画素信号を出力する。センサセルをマトリクス状に配列することで１画面の画像信号が得られる。
【００３５】
先ず、図２を参照して各センサセルの構造について説明する。図２は１つのセンサセルを示している。また、本実施の形態は光発生電荷として正孔を用いる例を示している。光発生電荷として電子を用いる場合でも同様に構成可能である。また、図３は図２のＡ−Ａ'線で切断したセルの断面構造を示している。
【００３６】
図２の平面図に示すように、単位画素であるセンサセル３内に、フォトダイオードＰＤと変調トランジスタＴＭとが隣接して設けられている。変調トランジスタＴＭとしては、例えば、ＮチャネルディプレッションＭＯＳトランジスタが用いられる。単位画素はほぼ長方形状を有し、その各辺は、センサセルアレイの列又は行方向に対して斜めに傾斜している。
【００３７】
光電変換素子形成領域であるフォトダイオードＰＤ形成領域においては、基板１１１の表面に開口領域２が形成され、基板１表面の比較的浅い位置には光電変換素子によって発生した光発生電荷を蓄積するＰ型のウェル（以下、蓄積ウェルという）４が形成されている。蓄積ウェル４は、図１の転送元拡散領域１１３に相当する。この蓄積ウェル４に所定の距離だけ離間して、蓄積ウェル４に蓄積された光発生電荷が転送されて変調トランジスタを制御するためのＰ型のウェル（以下、変調用ウェルという）５が、変調トランジスタＴＭ形成領域に形成されている。変調用ウェル５は、図１の転送先拡散領域１１４に相当する。
【００３８】
変調用ウェル５上には、基板１表面に、リング状のゲート（以下、リングゲート部という）６ａが形成されている。リングゲート部６ａの中央の開口部分の基板１表面近傍領域には、高濃度Ｎ型領域であるソース領域７が形成されている。リングゲート部６ａの周囲にはＮ型のドレイン領域３２が形成されている。ドレイン領域３２の所定位置には、基板１表面近傍にＮ型のドレインコンタクト領域９が形成される。
【００３９】
変調用ウェル５は、変調トランジスタＴＭのチャネルの閾値電圧を制御するものである。変調用ウェル５内には、リングゲート部６ａの下方にＰ型の高濃度領域であるキャリアポケット１０が形成されている。変調トランジスタＴＭは、変調用ウェル５、リングゲート部６ａ、ソース領域７及びドレイン領域３２によって構成されて、変調用ウェル５（キャリアポケット１０）に蓄積された電荷に応じてチャネルの閾値電圧が変化するようになっている。
【００４０】
フォトダイオードＰＤ形成領域下方の基板１１１上に形成された後述するＮ型ウェル２１とＰ型の蓄積ウェル４との境界領域には空乏領域（図示せず）が形成され、この空乏領域において、入射した光による光発生電荷が生じる。発生した光発生電荷は蓄積ウェル４に蓄積されるようになっている。
【００４１】
蓄積ウェル４に蓄積された電荷は、変調用ウェル５に転送されてキャリアポケット１０に保持される。これにより、変調トランジスタＴＭのソース電位は、変調用ウェル５に転送された電荷の量、即ち、フォトダイオードＰＤへの入射光に応じたものとなる。
【００４２】
また、蓄積ウェル４と変調用ウェル５との間には、転送制御素子としての転送トランジスタＴＴが形成されている。転送トランジスタＴＴのゲート（以下、転送ゲート部という）６ｂは、蓄積ウェル４と変調用ウェル５との間の経路（以下、単に転送経路という）ＲＴの基板１表面上に形成されており、下部ゲート電極６０ｂと上部ゲート電極６１ｂとの二つの形状の異なるゲート電極を積層して構成されている。下部ゲート電極６０ｂは、フォトダイオードＰＤと変調トランジスタＴＭとの転送経路に短辺が平行な略長方形の形状を有しており、上部ゲート電極６１ｂは、下部ゲート電極６０ｂのフォトダイオードＰＤ形成領域と接する部分に略矩形の切り欠き部を設けた形状を有している。この切り欠き部の転送経路方向の幅は略ｌに設定されている。
【００４３】
転送トランジスタＴＴによって、転送経路ＲＴの電位障壁を制御して、蓄積ウェル４から変調用ウェル５への電荷の転送を制御することができるようになっている。
【００４４】
＜センサセルの断面＞
更に、図３を参照して、センサセル３の断面構造を詳細に説明する。図３は１単位画素（セル）の断面を示している。１セルは、フォトダイオードＰＤ形成領域と変調トランジスタＴＭ形成領域とを有する。基板１ａの比較的深い位置には、Ｐ型基板１ａの全域にＮ型ウェル２１が形成されている。フォトダイオードＰＤ形成領域におけるＮ型ウェル２１上には、蓄積ウェル４であるＰ型不純物拡散層が形成されている。また、変調トランジスタＴＭ形成領域におけるＮ型ウェル２１上には、変調用ウェル５であるＰ型不純物拡散層が形成されている。この変調用ウェル５内には、Ｐ型不純物の拡散によるキャリアポケット１０が形成されている。
【００４５】
セル内のフォトダイオードＰＤ形成領域と変調トランジスタＴＭ形成領域との間のＮ型ウェル２１上には、基板表面側において、転送トランジスタＴＴが形成される。転送トランジスタＴＴは、基板表面にチャネルを構成するＮ型不純物拡散層２４が形成され、基板表面にゲート絶縁膜２５を介して転送ゲート部６ｂが形成されて構成される。このＮ型不純物拡散層２４は蓄積ウェル４と変調用ウェル５とに接続されて転送経路ＲＴを構成し、転送ゲート部６ｂの印加電圧に応じてこの転送経路ＲＴの電位障壁が制御される。
【００４６】
本実施の形態においては、転送ゲート部６ｂは、ゲート長の異なる２層のゲート電極（上部ゲート電極６１ｂ，下部ゲート電極６０ｂ）を積層して構成されており、第１層目のゲート電極である下部ゲート電極６０ｂのフォトダイオードＰＤ側の端部は、第２層目のゲート電極である上部ゲート電極６１ｂの端部よりも略ｌだけ突出して形成されている。また、蓄積ウェル４であるＰ型不純物拡散層が、転送ゲート部６ｂの下方のＮ型ウェル２１に、上部転送ゲート電極６１ｂの端部の鉛直面近傍まで水平方向に突出して形成されている。なお、蓄積ウェル４であるＰ型不純物拡散層は、ゲート絶縁膜２５の直下から形成されている。
【００４７】
変調トランジスタＴＭ形成領域においては、基板表面にゲート絶縁膜２５を介してリングゲート部６ａが形成され、リングゲート部６ａ下の基板表面にはチャネルを構成するＮ型不純物拡散層２７が形成される。リングゲート部６ａの中央の基板表面にはＮ型不純物拡散層が形成されてソース領域７を構成する。また、リングゲート部６ａの周囲の基板表面にはＮ型不純物拡散層が形成されてドレイン領域３２を構成する。チャネルを構成するＮ型不純物拡散層２７はソース領域７とドレイン領域３２（ＰＤ領域以外の領域ではドレイン層）とに接続される。
【００４８】
なお、フォトダイオードＰＤ形成領域の基板表面側にはピニング層としてのＮ型不純物拡散層３２（ＰＤ領域にあればピニング層）が形成されている。また、転送ゲート部６ｂ、ソース領域７、及びドレイン領域３２には、基板上に形成した図示しない配線に電気的に接続される。
【００４９】
本実施の形態においては、蓄積ウェル４であるＰ型不純物拡散層が、転送ゲート部６ｂの下方のＮ型ウェル２１に、上部転送ゲート電極６１ｂの端部の鉛直面近傍まで水平方向に突出して形成されている。
【００５０】
＜作用＞
このように構成された実施の形態においては、フォトダイオードＰＤにおいては、入射した光に基づく光発生電荷（ホール）を発生する。フォトダイオードＰＤに発生した光発生電荷は、転送元拡散領域である蓄積ウェル４に蓄積される。
【００５１】
蓄積ウェル４内の光発生電荷は、転送トランジスタＴＴによって、転送先拡散領域である変調用ウェル５に転送される。図１の転送元拡散領域１１３とゲート電極１１６との関係と同様に、蓄積ウェル４は、上部ゲート電極６１ｂの端部の鉛直面近傍まで転送ゲート部６ｂの下方に突出して形成されている。すなわち、蓄積ウェル４は、下部ゲート電極６０ｂの下方にのみ突出して形成され、上部ゲート電極６１ｂの下方には形成されない。また、転送ゲート部６ｂの下方に突出した蓄積ウェル４は、ゲート絶縁膜２５の直下にまで形成されている。
【００５２】
これにより、蓄積ウェル４から変調用ウェル５への光発生電荷の転送時に、転送ゲート部６ｂに印加される電圧により、転送ゲート部６ｂに突出した部分の蓄積ウェル４の電位を、ピニング層としてのＮ型不純物拡散層３２の下方に形成された蓄積ウェル４の電位と転送トランジスタＴＴのチャネル電位との中間電位程度に制御することができる。従って、蓄積ウェル４から転送トランジスタＴＴのチャネルにかけてのポテンシャル勾配を適正なもの、例えば略一様で且つ充分な勾配にすることができることから、光発生電荷の全てを確実に変調用ウェル５に転送することができ、電荷の転送不良を抑制することができる。
【００５３】
変調用ウェル５に保持された光発生電荷によって変調トランジスタＴＭの閾値電圧が変化し、光発生電荷に対応した出力が変調トランジスタＴＭのソース領域７から得られる。
【００５４】
＜プロセス＞
次に、素子の製造方法について図４〜図６の工程図を参照して説明する。図４〜図６は図２のＡ−Ａ'切断線の位置における断面を示している。図４〜図６において、基板上の枠はレジストマスクを示している。また、図４〜図６において、矢印は不純物の導入方向を示している。なお、以下のプロセスの説明では、イオン注入工程後によって導入された不純物を活性化させるための熱処理工程の記載を省略している。
【００５５】
先ず、用意した、Ｐ型の導電性を有する基板１aの表面に犠牲酸化膜（図示省略）を形成する。この犠牲酸化膜は、続いて行われるイオン注入工程によって、基板１aに欠陥が発生するのを防ぐ目的で形成される。
【００５６】
次に、図４（Ａ）に示すように、燐（Ｐ）イオンを５００ｋｅｖの加速エネルギーで、ドーズ量を（１．５〜２）×１０Ｅ１２個／ｃｍ2に設定して、Ｐ基板１aの表面全面からイオン打ち込みを行う。なお、以下、このようなイオン打ち込みを、（Ｐイオン５００ｋｅｖ、２×１０Ｅ１２個／ｃｍ2であれば、Ｐ，５００ｋｅｖ，２ｅ１２）と表記する。これにより、図４（Ａ）に示すように、比較的深い位置にＮ型ウェル２１が形成される。
【００５７】
次に、図４（Ｂ）に示すように、光電変換部としてのフォトダイオードＰＤ形成領域以外の部分にレジストマスク２１ａを形成して、例えば、（リン（Ｐ），１．５ＭｅＶ，１〜２ｅ１２）のイオン打ち込みを行う。このイオン注入によって、フォトダイオード形成領域ＰＤのＮ型ウェル２１の深さが、他の領域のＮ型ウェル２１よりも深くなるようになされる。
【００５８】
アッシング処理を施してレジストマスク２１ａを除去した後、図４（Ｃ）に示すように、フォトダイオード形成領域ＰＤの部分にレジストマスク２２ａを形成し、例えば、（ボロン（Ｂ），６００ｋｅＶ，１〜１．５ｅ１２）のイオン打ち込みを行う。このイオン注入によって、フォトダイオード形成領域ＰＤ以外の領域について、Ｎ型ウェル２１の下方にＰ型ウェル２２を形成する。
【００５９】
アッシング処理を施してレジストマスク２２ａを除去した後、図４（Ｄ）に示すように、変調トランジスタＴＭ形成領域以外の部分にレジストマスク５ａを形成し、例えば、（ボロン（Ｂ），１４０ｋｅＶ，１〜１．５ｅ１２）のイオン打ち込みを行う。このイオン注入によって、フォトダイオードに蓄積された電荷の転送先となる、Ｐ型不純物拡散層である変調用ウェル５を形成する。なお、この工程においては、変調トランジスタＴＭのリングゲート部６ａ下部の領域のみ変調ウェル５を形成し、変調トランジスタＴＭと転送トランジスタＴＴとの間の領域部分については、後の工程において別途形成する。
【００６０】
アッシング処理を施してレジストマスク５ａを除去した後、図４（Ｅ）に示すように、フォトダイオードＰＤ形成領域、転送トランジスタＴＴ形成領域、及び変調トランジスタＴＭ形成領域にレジストマスク２８ａを形成し、例えば、（リン（Ｐ），２００〜３００ｋｅＶ，２〜３ｅ１２）のイオン打ち込みを行う。引き続き、同じレジストマスク２８ａを用い、例えば、（リン（Ｐ），８０ｋｅＶ，１〜２ｅ１３）のイオン打ち込みを行う。このイオン注入によって、隣接するセル同士の間を電気的に分離するためのＮ型不純物拡散層であるアイソレーション領域２８が形成される。
【００６１】
更に、アッシング処理を施してレジストマスク２８ａを除去した後、Ｎ型ウェル２１の表面に、転送トランジスタＴＴのチャネルドープとなるＮ型不純物拡散層２４を形成する。このチャネルドープは、図５（Ａ）に示すように、転送トランジスタＴＴ形成領域以外の領域にレジストマスク２４ａを形成し、例えば、（リン（Ｐ），４０ｋｅＶ，１〜１．５ｅ１２）のイオン打ち込みを行うことで形成される。
【００６２】
アッシング処理を施してレジストマスク２４ａを除去した後、変調ウェル５の表面に、変調トランジスタＴＭのチャネルドープとなるＮ型不純物拡散層２７を形成する。このチャネルドープは、図５（Ｂ）に示すように、変調トランジスタＴＭ形成領域以外の領域にレジストマスク２７ａを形成し、例えば、（ヒ素（Ａｓ），９０ｋｅＶ，１．５〜２ｅ１２）のイオン打ち込みを行うことで形成される。
【００６３】
次に、図５（Ｃ）に示すように、アッシング処理を施してレジストマスク２７ａを除去した後、リングゲート部６ａ下方の変調用ウェル５であるＰ型不純物拡散層に相当する位置に、濃いＰ型不純物拡散層によるキャリアポケット１０を形成する。このキャリアポケット１０は、レジスト１０ａを用いて、例えば、（ボロン（Ｂ），３０ＫｅＶ，２〜３ｅ１２）のイオン打ち込みによって形成される。
【００６４】
次に、基板表面の犠牲酸化膜を除去した後、基板表面に厚さが約３０ｎｍのゲート絶縁膜２５を熱酸化によって形成する。次に、１００ｎｍの膜厚で各トランジスタのゲート電極となるポリシリコン層６を、例えば化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によって基板１の全面に堆積させる（図５（Ｄ）参照）。
【００６５】
次に、図５（Ｅ）に示すように、変調トランジスタＴＭ形成領域と転送トランジスタＴＴ形成領域にレジストマスク６ｃを形成し、ドライエッチングによってゲート絶縁膜２５上のポリシリコン層６を異方性エッチングし、リングゲート部６ａの下部ゲート電極６ａ´と転送ゲート部６ｂの下部ゲート電極６０ｂとを形成する。
【００６６】
アッシング処理を施してレジストマスク６ｃを除去した後、１００ｎｍの膜厚で各トランジスタのゲート電極となるタングステンシリサイド（ＷＳｉ）層６´を、例えばスパッタリング法によって表面全面に堆積させる（図６（Ａ）参照）。
【００６７】
次に、図６（Ｂ）に示すように、変調トランジスタＴＭ形成領域と転送トランジスタＴＴ形成領域にレジストマスク６ｃ´を形成する。図７に示すように、レジストマスク６ｃ´は、転送トランジスタＴＴ形成領域となる略矩形領域の一部、すなわち、フォトダイオードＰＤ形成領域と接する部分に略矩形の開口領域を設けた形状を有している。図７は、レジストマスク６ｃ´の平面形状を説明する平面図である。なお、この開口領域の転送経路方向の幅は略ｌに設定されている。
【００６８】
続いて、ドライエッチングによってタングステンシリサイド（ＷＳｉ）層６´を異方性エッチングし、リングゲート部６ａの上部ゲート電極６ａ”と転送ゲート部６ｂの上部ゲート電極６１ｂとを形成する。このようにして異なる２枚のレジストマスク６ｃ，６ｃ´を用いることで、フォトダイオードＰＤ側に片側凸の段部を有する形状の転送ゲート部６ｂを形成することができる。
【００６９】
アッシング処理を施してレジストマスク６ｃ´を除去した後、フォトダイオードＰＤ形成領域に、Ｐ型不純物拡散層である蓄積ウェル４を形成する。なお、この工程で、蓄積ウェル４と同時に、変調トランジスタＴＭと転送トランジスタＴＴとの間の領域部分の変調ウェル５ａも同時に形成する。この蓄積ウェル４と変調ウェル５ａは次のように形成される。
【００７０】
まず、図６（Ｃ）に示すように、フォトダイオードＰＤ形成領域、及び変調トランジスタＴＭと転送トランジスタＴＴとの間の変調ウェル５ａ形成領域以外の領域に、レジストマスク４ａを形成する。このとき、レジストマスク４ａの開口部から転送トランジスタＴＴの転送ゲート部６ｂの上部ゲート電極６１ｂが露出するようにレジストマスク４ａを形成する。すなわち、レジストマスク４ａは、開口部の転送トランジスタＴＴ側の端部が、フォトダイオードＰＤ形成領域の側端部から転送トランジスタＴＴ側に後退するようにして形成される。このようにしてレジストマスク４ａを形成することで、蓄積ウェル４が転送トランジスタＴＴの転送ゲート部６ｂに対して自己整合的に形成することができる。続いてこのレジストマスク４ａを用い、例えば、（ボロン（Ｂ），４０ｋｅＶ，３〜５ｅ１２）の条件でイオン打ち込みを行うことで、蓄積ウェル４、及び変調ウェル５ａとなるＰ型不純物拡散層が形成される。
【００７１】
上述のイオン打ち込みの条件は、転送ゲート部６ｂの上部ゲート電極６１ｂは不純物が突き抜けることなく、下部ゲート電極６０ｂのみ不純物が突き抜けるようなエネルギーで行われる。これにより、転送ゲート部６ｂのうち下部ゲート電極６０ｂ１層のみで形成された領域の下方に、蓄積ウェル４が形成される。また、基板１表面から直接不純物が注入されるフォトダイオードＰＤ形成領域に比べ、下部ゲート電極６０ｂを不純物が突き抜けるときにエネルギーが奪われるために、転送ゲート部６の下方に形成される蓄積ウェル４の深さｄ１は、フォトダイオードＰＤ形成領域の蓄積ウェル４の深さｄ３よりも浅く形成される。
【００７２】
アッシング処理を施してレジストマスク４ｃを除去した後、フォトダイオードＰＤ形成領域などに、ピニング層としてのＮ型不純物拡散層３２を形成する。具体的には、図６（Ｄ）に示すように、変調トランジスタＴＭ形成領域と転送トランジスタＴＴ形成領域とにレジストマスク３２ａを形成し、例えば、（ヒ素（Ａｓ），８０ｋｅＶ，１〜３ｅ１３）の条件でイオン打ち込みを行う。このとき、レジストマスク３２aは、その開口部から変調トランジスタＴＭのリングゲート部６ａと転送トランジスタＴＴの転送ゲート部６ｂとが露出するように形成されており、Ｎ型不純物拡散層３２は、変調トランジスタＴＭのリングゲート部６ａと転送トランジスタＴＴの転送ゲート部６ｂとに対して自己整合的に形成される。
【００７３】
アッシング処理を施してレジストマスク３２ａを除去した後、変調トランジスタＴＭのソース領域７のコンタクトとドレインコンタクト領域９を形成する。すなわち、図６（Ｅ）に示すように、ソース領域７とドレインコンタクト領域９以外の領域にレジストマスク７ａを形成し、Ｎ型不純物を注入する。
【００７４】
＜実施の形態の効果＞
このように本実施の形態においては、転送ゲート部６ｂの直下の浅い領域に蓄積ウェル４を突き出すようにして形成しているので、蓄積ウェル４から変調用ウェル５への光発生電荷の転送時に、転送ゲート部６ｂに印加される電圧により、転送ゲート部６ｂに突出した部分の蓄積ウェル４の電位を、ピニング層としてのＮ型不純物拡散層３２の下方に形成された蓄積ウェル４の電位と転送トランジスタＴＴのチャネル電位との中間電位程度に制御することができる。これにより、転送元拡散領域である蓄積ウェル４から転送先拡散領域である変調ウェル５までの転送経路を略理想的なポテンシャル勾配に設定することができ、光発生電荷の転送効率を向上させることができる。
【００７５】
また、ゲート長の異なる上部ゲート電極６１ｂと下部ゲート電極６０ｂとを用い、フォトダイオードＰＤ形成領域側のみに片側凸の段部形状を有する転送ゲート部６ｂを形成し、蓄積ウェル４をこの転送ゲート部６ｂに自己整合的に形成することによって、転送ゲート部６ｂ下方への蓄積ウェル４の突き出し量を、下部ゲート電極６０ｂ端部から上部ゲート電極６１ｂ端部までの長さに制御することができるため、安定的な転送効率を得ることができる。
【００７６】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係わる固体撮像装置の構造について、図８を用いて説明する。図８は本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の断面形状を模式的に示す断面図である。なお、第１の実施の形態の固体撮像装置と同様の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。
【００７７】
第１の実施の形態においては、ゲート長の異なる２層のゲート電極（上部ゲート電極１１６ｂ，下部ゲート電極１１６ａ）を積層することで、フォトダイオード側のみに片側凸の段部形状を有するゲート電極１１６を構成しているが、本実施の形態においては、上部ゲート電極１１６ｂ´のゲート長を更に短くし、フォトダイオード側だけでなく転送先拡散領域１１４´側にも段部を有する両側凸の形状を有するゲート電極１１６´を形成している点が相違している。
【００７８】
また、第１の実施の形態においては、転送先拡散領域１１４がゲート電極１１６と重なりをもたないように構成しているが、本実施の形態においては、ゲート電極１１６´の下方に突出するように転送先拡散領域１１４´を形成している点も相違している。
【００７９】
このように転送元拡散領域１１４´がゲート電極１１６´の下方に突出して形成されていることによって、転送元拡散領域１１３から転送先拡散領域１１４に向けてのポテンシャル勾配をより適正な状態に設定することができ、信号電荷をよりスムーズに転送することが可能である。
【００８０】
図９は本実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図、図１０は本実施の形態に係る固体撮像装置の断面形状を示す断面図、図１１は素子の製造方法を説明するための工程図である。本実施の形態は本発明を具体的な固体撮像装置に適用した例を示している。
【００８１】
図９および図１０に示すように、本実施の形態におけるセンサセルの構造は、上部ゲート電極６１ｂ´の形状が異なる点と、変調ウェル５が転送ゲート部６ｂ´下部に突出して形成されている点を除き、第１の実施の形態のセンサセルの構造と同様である。
【００８２】
上部ゲート電極６１ｂ´は、フォトダイオードＰＤ形成領域と接する部分に設けられた略矩形の切り欠き部と同様に、略区形状の第２の切り欠き部が変調トランジスタＴＭ形成領域側にも設けられている。この第２の切り欠き部の転送経路方向の幅は略ｌ３に設定されており、下部ゲート電極６０ｂのゲート長、フォトダイオードＰＤ形成領域側に設けられた切り欠き部の幅（＝ｌ１）、およびチャネル長（＝ｌ２）に応じて設定される。
【００８３】
変調ウェル５´は、上部ゲート電極６１ｂ´の変調トランジスタＴＭ側の端部の鉛直面近傍まで、転送ゲート部６ｂ´の下方に水平方向に突出して形成されている。また、転送ゲート部６ｂ´下部に突出して形成された変調ウェル５´の深さは、それ以外の領域の変調ウェル５´よりも浅くなされており、転送ゲート部６ｂ´の下方に形成された蓄積ウェル４の深さｄ１と同程度になされている。
【００８４】
このように構成された固体撮像素子の形成方法を図１１を用いて説明する。Ｎ型ウェル２１の形成から各トランジスタのゲート電極となるタングステンシリサイド（ＷＳｉ）層６´の成膜までの各工程は、図４（Ａ）〜図６（Ａ）を用いて説明した第１の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
【００８５】
タングステンシリサイド（ＷＳｉ）層６´を全面に成膜後、図１１（Ａ）に示すように、変調トランジスタＴＭ形成領域と転送トランジスタＴＴ形成領域にレジストマスク６ｃ”を形成する。図１２に示すように、レジストマスク６ｃ”は、転送トランジスタＴＴ形成領域となる略矩形領域の一部、すなわち、フォトダイオードＰＤ形成領域と接する辺と、これと対向する辺（＝変調トランジスタＴＭ形成領域側の辺）とに略矩形の開口領域を２箇所設けた形状を有している。図１２は、レジストマスク６ｃ”の平面形状を説明する平面図である。なお、フォトダイオードＰＤ側の開口領域の転送経路方向の幅（＝ｌ１）、変調トランジスタＴＭ側の開口領域の転送経路方向の幅（＝ｌ３）は、例えば０．２〜０．３μｍ程度に設定されている。
【００８６】
続いて、ドライエッチングによってタングステンシリサイド（ＷＳｉ）層６´を異方性エッチングし、リングゲート部６ａの上部ゲート電極６ａ”と転送ゲート部６ｂ´の上部ゲート電極６１ｂ´とを形成する。このようにして異なる２枚のレジストマスク６ｃ，６ｃ”を用いることで、フォトダイオードＰＤ側と変調トランジスタＴＭ側の両側に凸な段部を有する形状の転送ゲート部６ｂ´を形成することができる。
【００８７】
アッシング処理を施してレジストマスク６ｃ”を除去した後、フォトダイオードＰＤ形成領域に、Ｐ型不純物拡散層である蓄積ウェル４を形成する。なお、この工程で、蓄積ウェル４と同時に、変調トランジスタＴＭと転送トランジスタＴＴとの間の領域部分の変調ウェル５ａ´も同時に形成する。この蓄積ウェル４と変調ウェル５ａ´は、図１１（Ｂ）に示すように、転送トランジスタＴＴの転送ゲート部６ｂ´に対して自己整合的に形成される。なお、具体的な形成方法は、図６（Ｃ）を用いて説明した第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００８８】
続いて、図６（Ｄ）（Ｅ）と同様の方法で、ピニング層としてのＮ型不純物拡散層３２、変調トランジスタＴＭのソース領域７のコンタクト、ドレインコンタクト領域９をそれぞれ形成する（図１１（Ｃ）（Ｄ）参照）。
【００８９】
このように本実施の形態においては、蓄積ウェル４だけでなく変調ウェル５´も転送ゲート部６ｂの直下の浅い領域に突き出すようにして形成しているので、転送元拡散領域である蓄積ウェル４から転送先拡散領域である変調ウェル５´までの転送経路をより理想的なポテンシャル勾配に設定することができ、光発生電荷の転送効率をいっそう向上させることができる。
【００９０】
また、ゲート長の異なる上部ゲート電極６１ｂと下部ゲート電極６０ｂとを用い、フォトダイオードＰＤ形成領域側と変調トランジスタＴＭ形成領域側の両側に凸の段部形状を有する転送ゲート部６ｂ´を形成し、蓄積ウェル４と変調ウェル５´とをこの転送ゲート部６ｂに自己整合的に形成することによって、転送ゲート部６ｂ´下方への蓄積ウェル４と変調ウェル５´の突き出し量を、下部ゲート電極６０ｂ端部から上部ゲート電極６１ｂ´端部までの長さに制御することができるため、安定的な転送効率を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、以上説明したＭＯＳ型のイメージセンサの製造に限られるものではなく、例えばフォトダイオードの電荷収集拡散領域として、通常の電荷収集領域に加え、これに接する深部電荷収集領域を具備したＭＯＳ型イメージセンサの製造にも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面形状を模式的に示す断面図。
【図２】本実施の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図。
【図３】本実施の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面形状を示す断面図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する工程図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する工程図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する工程図。
【図７】レジストマスク６ｃ´の平面形状を説明する平面図。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の断面形状を模式的に示す断面図。
【図９】本実施の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図。
【図１０】本実施の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の断面形状を示す断面図。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明する工程図。
【図１２】レジストマスク６ｃ“の平面形状を説明する平面図。
【符号の説明】
【００９３】
１１１、１ａ…基板、１１２…ウェル、１１３…転送元拡散領域、１１４…転送先拡散領域、１１５…不純物拡散層、１１６…ゲート電極、１１６ａ…下部ゲート電極、１１６ｂ…上部ゲート電極、１１８…絶縁膜、１１９…チャネル、２…PDフォトダイオード、４…蓄積ウェル、５…変調用ウェル、６ａ…リングゲート、６ａ´・・下部ゲート電極、６ａ´´…上部ゲート電極、６ｂ…転送ゲート、６ｃ…レジストマスク、６ｃ´…レジストマスク、６ｃ´´…レジストマスク、6´…タングステンシリサイド層、６ｄ…転送ゲート、６ｂ´…転送ゲート、７…ソース領域、９…ドレインコンタクト、１０…キャリアポケット、２１…N型ウェル、２２…Ｐ型ウェル、２２ａ…レジストマスク、２４…N型不純物拡散層、２４ａ…レジストマスク、２５ゲート絶縁膜、２７…N型不純物拡散層、２７ａ…レジストマスク、２８…アイソレーション領域、２８ａ…レジストマスク、３２…Ｎ型不純物層（ドレインまたはピニング層）、３２ａ…レジストマスク、６０ｂ…下部ゲート電極、６１ｂ…上部ゲート電極
【図１】
2007234848.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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