(57)【要約】【課題】走査線近傍のサブドットの液晶分子の配向の乱れが少なく、しかも、開口率が大きくて明るく、表示画質が良好なＭＶＡ方式ないしはＶＡ方式の液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０は、マトリクス状に配置された信号線１３及び走査線１２により区画されるそれぞれの位置に、スイッチング素子ＴＦＴと、前記信号線１３側から延びるスリット３３１、３３２により複数のサブドット領域１９ｂ１、１９ｂ２に区画されている画素電極１９とを有する第一基板と、共通電極が形成された第二基板と、前記第一基板及び第二基板上に積層された垂直配向膜と、前記両基板間に配置された誘電異方性が負の液晶層と、を有する液晶表示パネルにおいて、前記スイッチング素子ＴＦＴから遠い側の画素電極１９のサブドット領域１９ｂ２は走査線１２側の角に面取り部４０が形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2007240905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された信号線及び走査線により区画されるそれぞれの位置に、スイッチング素子と、前記信号線側から延びるスリットにより複数のサブドット領域に区画されている画素電極とを有する第一基板と、
共通電極が形成された第二基板と、
前記第一基板及び第二基板上に積層された垂直配向膜と、
前記両基板間に配置された誘電異方性が負の液晶層と、
を有する液晶表示パネルにおいて、
前記スイッチング素子から遠い側の画素電極のサブドット領域は走査線側の角が面取りされた形状となっていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記スイッチング素子から遠い側の画素電極のサブドット領域は更に前記スリット側の角も切り落とされた形状を備えていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記画素電極は前記第一基板の表示領域全体にわたって設けられた層間膜上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記スイッチング素子が設けられている側のサブドット領域は外光を反射する反射部とされていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記第二基板には前記複数のサブドット領域に対応する位置に少なくとも一つの配向規制手段を設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記配向規制手段は底部の形状が円形状、長円形状、バー形状、Ｙ字状又はＹ字と逆Ｙ字を重ね合わせた形状の突起であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＶＡ方式（Vertically Aligned）ないしはＭＶＡ(Multi-domain Vertically Aligned)の液晶表示パネルに関し、特にそれぞれの画素電極が複数のサブドット領域に分けられた構造の液晶表示パネルにおいて、液晶分子の配向特性の乱れが少なく、開口率が大きくて明るく、しかも表示画質が良好なＶＡ方式ないしはＭＶＡ方式の液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に普及している。液晶表示パネルは、自ら発光しないために、バックライトと組み合わされた透過型の液晶表示パネルが多く使用されている。しかしながら、バックライトの消費電力が大きいために、特に携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示パネルが用いられているが、この反射型液晶表示パネルは、外光を光源として用いるために、暗い室内などでは見え難くなってしまう。そこで、近年に至り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている。
【０００３】
この半透過型の液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素電極を備えた透過部と画素電極及び反射板の両方を備えた反射部を有しており、暗い場所においてはバックライトを点灯して透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示しているので、常時バックライトを点灯する必要がなくなり、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。
【０００４】
ところで、携帯電話等に代表されるモバイル機器における小型の表示部として使用されている液晶表示パネルにおいては、従来はその使用者が限定されていること等から広視野角の要求はさほど高くはなかったが、最近、モバイル機器においてもますます高機能化が進展することに伴い、広視野角の要求が急激に高まってきている。このようなモバイル機器に対する広視野角化の要求に基づき、最近では、従来モバイル機器に多用されていたＴＮ方式の液晶表示パネルに換えてＶＡ方式ないしはＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの開発も進められてきている（下記特許文献１、２参照）。
【０００５】
ここで、下記特許文献２に開示されているＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルについて図６〜図８を用いて説明する。なお、図６ＡはＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０Ａの概略的な構造を示す斜視図であり、図６Ｂは液晶層の液晶に電界を印加したときの液晶の傾斜状態を示す概略図であり、図７は図６ＡのVII−VII断面図であり、また、図８は別のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０Ｂの概略的な構造を示す斜視図である。
【０００６】
この半透過型液晶表示パネル５０Ａにおいては、反射部５１と透過部５２との間には傾斜面又は段差５３が設けられており、反射部５１と透過部５２とは段差５３を介して連続している。半透過型液晶表示パネル５０Ａにおける第一基板５４の画素電極５５には、画素電極５５が形成されていない領域としての第一開口領域５６が形成されている。この第一開口領域５６が第一の配向規制手段を構成し、段差５３を挟んで反射部５１及び透過部５２にまたがって形成されている。
【０００７】
この結果、反射部５１における画素電極５５ａと透過部５２における画素電極５５ｂとは半透過型液晶表示パネル５０Ａの長さ方向に延びる一個のライン５７を介して相互に接続されている。
【０００８】
第二基板５８の共通電極５９には、反射部５１における画素電極５５ａ及び透過部５２における画素電極５５ｂに対向して、それぞれ第二開口領域６０ａ、６０ｂが形成されている。この第二開口領域６０ａ、６０ｂが第二の配向規制手段を構成する。第二開口領域６０ａ、６０ｂは十字型のスリットとして構成されており、鉛直方向において、第二開口領域６０ａの中心が画素電極５５ａの中心と一致するように、更に、第二開口領域６０ｂの中心が画素電極５５ｂの中心と一致するように配置されている。
【０００９】
なお、下記特許文献２には、図８に示す如く、透過部の画素電極５５ｂをスリット６２によって２つの領域５５ｂ１及び５５ｂ２に分割するとともに、第二基板５８の共通電極５９に前記２つの領域５５ｂ１及び５５ｂ２に対向する位置にそれぞれ液晶分子の配向規制手段であるスリット６０ｂ１及び６０ｂ２を設け、透過部の画素電極を複数に分割していわゆるサブドット領域を設けたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０Ｂも開示されており、この画素電極のサブドット領域の形状は全て実質的に同形状とされ、正方形状でも長方形状でもよく、更には角部を全て面取りしてもよいことが示唆されている。
【００１０】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０Ａ及び５０Ｂは、画素電極５５と共通電極５９間に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極５５及び共通電極５９の表面に対して垂直をなすように配向されているため、光が透過しない状態となるが、画素電極５５と共通電極５９間に電界を印加した場合は、図６Ｂ及び図７に示すように、段差５３における第一開口領域５６上においては液晶分子６１は共通電極５９側におけるライン５７の方向に傾斜し、反射部５１及び透過部５２上においては共通電極５９における反射部５１に対応する領域の中心又は透過部５２に対応する領域の中心に傾斜するため、光が透過するようになる。このように、半透過型液晶表示パネル５０Ａ及び５０Ｂによれば、液晶分子の配向方向が定まっているために、視覚特性の悪化や応答速度の劣化を低減することができるというものである。
【００１１】
上述のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０Ａ及び５０Ｂは、第一基板５４側の反射部５１と透過部５２との間に段差５３を設けて、周知のように反射部５１におけるセルギャップｄ１と透過部におけるセルギャップｄ２との関係がｄ１＝（ｄ２）／２（図７参照）となるようにして、反射部５１における表示画質と透過部５２における表示画質が同じになるように調整されているが、このようなセルギャップ調整のための構成を第二基板側に設けたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルも知られている。
【００１２】
このセルギャップ調整のための構成であるトップコート層を第二基板側に設けた従来例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの一例を図９〜図１０を用いて説明する。なお、図９はセルギャップ調整のためのトップコート層を第二基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネル７０のカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図であり、また、図１０は図９のＸ−Ｘ断面図である。
【００１３】
この半透過型液晶表示パネル７０においては、第一基板の透明な絶縁性を有するガラス基板１１上には複数の走査線１２及び信号線１３がそれぞれ直接ないしゲート絶縁膜１４を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１画素に相当し、スイッチング素子となる薄膜トランジスタＴＦＴがそれぞれの画素毎に形成されており、各画素のＴＦＴ等の表面はパッシベーション膜２３で被覆されている。
【００１４】
そして、走査線１２、信号線１３、ゲート絶縁膜１４、パッシベーション膜２３等を覆うようにして、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６においては表面が平坦に形成された有機絶縁膜からなる層間膜１７が積層されている。なお、図９及び図１０においては反射部１５の凹凸部は省略してある。そして層間膜１７にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が設けられ、それぞれの画素において、層間膜１７の表面には反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面及び透過部１６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide)からなる透明な画素電極１９が形成されている。
【００１５】
そして、反射部１５側においては、層間膜１７の反射板１８が存在する位置の下側に補助容量線２１が配置され、また、平面視で、反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは光漏れを防止するために若干重なるようにして形成されており、同じく透過部１６側における画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と若干重なるように形成されている。
【００１６】
また、この半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極１９の反射部１５と透過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するために走査線１２側からスリット３３が設けられて、画素電極１９は実質的に反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに区画されており、反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとは幅の狭い部分３４を介して電気的に接続されている。そして、画素電極１９の表面には全ての画素を覆うように垂直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００１７】
また、第二基板の透明な絶縁性を有するガラス基板２５の表示領域上に、それぞれの画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層２６が設けられている。また、反射部１５と透過部１６とで同じ厚さのカラーフィルタ層２６を使用するため、反射部１５のカラーフィルタ層２６の一部分に所定の厚さのトップコート層２７が設けられている。このトップコート層２７は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１５における液晶２９の層の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ２の半分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。
【００１８】
加えて、透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一部及び反射部１５に位置するトップコート層２７の表面の一部にそれぞれ液晶の配向を規制するための突起３１及び３２がそれぞれ設けられており、カラーフィルタ層２６、トップコート層２７及び突起３１、３２の表面には共通電極及び垂直配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されている。
【００１９】
そして、前記第一基板及び第二基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶２９を充填することによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０となる。なお、第一基板の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されている。
【００２０】
これらのＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０Ａ、５０Ｂ、７０においては、画素電極と共通電極間に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び共通電極の表面に対して垂直をなすように配向されているため、光が透過しない状態となり、しかも、画素電極と共通電極間に電界が印加されたときには光が透過するため、透過部における光漏れはあまり表示画質に影響しなくなり、更には画素電極のスリット及び突起の存在により、液晶分子はスリットないし突起に向かうように傾斜するため、視野角が非常に広くなるという特性を備えている。
【００２１】
なお、ここで述べた効果は、反射部５１及び段差５３（図６及び図８参照）ないしトップコート層２７（図１０参照）を有するＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの場合の効果であるが、反射部を有せず、かつ段差５３ないしトップコート層２７を有しないＭＶＡ方式の透過型液晶表示パネルについても同様に生じる効果である。更に、ＶＡ方式の液晶表示パネルにあっては、液晶分子の配向規制手段であるスリットないし突起を有さないため、これらのスリットないし突起の存在に基づく効果を奏さない以外は実質的にＭＶＡ方式の液晶表示パネルと同様の効果を奏する。
【特許文献１】特開２００３−１６７２５３号公報（特許請求の範囲、段落［００５０］〜［００５７］、図１）
【特許文献２】特開２００４−０６９７６７号公報（特許請求の範囲、段落［００４４］〜［００５３］、図１、図１１、図１３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
上記のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０は、開口率をできるだけ確保するため、透過部１６において、画素電極１９ｂと走査線１２と重なるかもしくは、重ならずとも近接している。
【００２３】
このように、画素電極と走査線を近接させた液晶表示パネルにおいては、透過部の走査線に近い側において液晶分子の配向の乱れが生じ、画素電極を複数のサブドットに分割してある場合には、透過部の走査線に近い側のサブドット全体の液晶の配向を乱れさせ、表示画質に影響を与えていることが認められた。
【００２４】
この透過部の走査線に近い側のサブドットにおいて見られる液晶分子の配向の乱れは、次のような理由に基づくものと考えられる。すなわち、走査線に近い側においては、走査線には１フレームごとに順次走査信号が入力されていくが、この走査信号は電圧が高いために、この走査信号が透過部の走査線に近い側の画素電極近傍の液晶分子の配向に乱れを与え、その影響がサブドット全体に伝播するため、表示画質の低下となって表れてくるものと考えられる。なお、従来のＭＶＡ方式ないしはＶＡ方式の液晶表示パネルにおいては、画素電極の形状は方形状が一般的であり、画素電極の両端側で走査線の近傍に配置されることとなるが、透過型の場合、スイッチング素子としてのＴＦＴ等が配置されている側のサブドットでは画素電極の下層にＴＦＴ等や補助容量線等の光不透過部材が存在しているため、上述のような問題点は実質的に無視し得る。また、半透過型の場合、スイッチング素子としてのＴＦＴ等が配置されている側のサブドットが反射部となり、液晶の配向安定性が強いため、同様に上述のような問題点は実質的に無視し得る。
【００２５】
本発明は、このような従来のＭＶＡ方式ないしはＶＡ方式の液晶表示パネルの問題点を解決すべくなされたものであり、その目的は、走査線近傍のサブドットの液晶分子の配向の乱れが少なく、しかも、開口率が大きくて明るく、表示画質が良好なＭＶＡ方式ないしはＶＡ方式の液晶表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの発明は、
マトリクス状に配置された信号線及び走査線により区画されるそれぞれの位置に、スイッチング素子と、前記信号線側から延びるスリットにより複数のサブドット領域に区画されている画素電極とを有する第一基板と、
共通電極が形成された第二基板と、
前記第一基板及び第二基板上に積層された垂直配向膜と、
前記両基板間に配置された誘電異方性が負の液晶層と、
を有する液晶表示パネルにおいて、
前記スイッチング素子から遠い側の画素電極のサブドット領域は走査線側の角が面取りされた形状となっていることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルにおいて、前記スイッチング素子から遠い側の画素電極のサブドット領域は更に前記スリット側の角も切り落とされた形状を備えていることを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルにおいて、前記画素電極は前記第一基板の表示領域全体にわたって設けられた層間膜上に設けられていることを特徴とする。
【００２９】
また、本発明の液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルにおいて、前記スイッチング素子が設けられている側のサブドット領域は外光を反射する反射部とされていることを特徴とする。
【００３０】
また、本発明の液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルにおいて、前記第二基板には前記複数のサブドット領域に対応する位置に少なくとも一つの配向規制手段を設けたことを特徴とする。
【００３１】
また、本発明の液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルにおいて、前記配向規制手段は突起であることを特徴とする。
【００３２】
また、本発明の液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルにおいて、前記突起に対応する位置に平面視において前記突起の底部を覆う遮光膜が形成されていることを特徴とする。
【００３３】
また、本発明の液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルにおいて、前記突起の底部の形状は円形状、長円形状、バー形状、Ｙ字状又はＹ字と逆Ｙ字を重ね合わせた形状であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明は上述のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、本発明の液晶表示パネルによれば、スイッチング素子から遠い側の画素電極のサブドット領域の角部が面取りされているため、走査線の電圧による液晶の配向の乱れを打ち消すための配向規制力を付加できるので、走査線側のサブドットの液晶分子の配向状態が安定化する。加えて、本発明の液晶表示パネルによれば、走査線側のサブドット以外のサブドットの画素電極は面取りされていないため、画素電極の面積を大きくできるので、開口率が大きくて明るく、表示画質が良好なＶＡ方式の液晶表示パネルが得られる。
【００３５】
また、本発明の液晶表示パネルによれば、スイッチング素子から遠い側の画素電極のサブドット領域は、更に前記スリット側の角も切り落とされた形状を備えているため、より液晶分子の配向状態が安定するので、表示画質が良好なＶＡ方式の液晶表示パネルが得られる。
【００３６】
また、本発明の液晶表示パネルによれば、スイッチング素子が設けられている側のサブドット領域は外光を反射する反射部としたため、上記発明の効果を奏することができる半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００３７】
また、本発明においては、第二基板には複数のサブドット領域に対応する位置に少なくとも一つの配向規制手段を設けたので、表示画質が良好なＭＶＡ方式の液晶表示パネルが得られる。なお、この配向規制手段は、反射部を備える液晶表示パネルにあっては透過部のサブドットに少なくとも一つ設けられていれば良好な効果を奏する。
【００３８】
また、本発明によれば、画素電極の形状に応じて最適な形状の突起を選択できるため、広視野角かつ表示画質の良好なＭＶＡ方式の液晶表示パネルが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、実施例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するためのＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを示すものであるが、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく、ＭＶＡ方式の透過型液晶表示パネルやＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルないしは透過型液晶表示パネル等、特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【実施例１】
【００４０】
実施例の半透過型液晶表示パネル１０Ａを図１〜図５を用いて説明する。なお、図１は実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図であり、また、図２は図１のII−II断面図である。更に、図３〜図４はそれぞれ図１及び図２に示した半透過型液晶表示パネルの変形例である。ただし、図１〜図５においては図９及び図１０に記載された従来例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して説明することとする。
【００４１】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａは、第一基板の透明な絶縁性を有するガラス基板１１上に複数の走査線１２及び信号線１３がそれぞれ直接ないしゲート絶縁膜１４を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１画素に相当し、スイッチング素子となるＴＦＴがそれぞれの画素毎に形成されており、各画素のＴＦＴ等の表面はパッシベーション膜２３で被覆されている。
【００４２】
そして、走査線１２、信号線１３、ゲート絶縁膜１４、パッシベーション膜２３等を覆うようにして、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６においては表面が平坦に形成されたフォトレジスト等の有機絶縁膜からなる層間膜１７が積層されている。なお、図１及び図２においては反射部１５の凹凸部は省略してある。そして層間膜１７にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が設けられ、それぞれの画素において、反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面、コンタクトホール２０及び透過部１６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯないしＩＺＯからなる透明な画素電極１９が形成されている。
【００４３】
また、この半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、画素電極１９の反射部１５と透過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するために信号線１３側から延びるスリット３３１が設けられ、画素電極１９は実質的に反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに区画されており、反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとは幅の狭い部分３４１を介して電気的に接続されている。
【００４４】
そして、反射部１５側においては、層間膜１７の反射板１８が存在する位置の下側に補助容量線２１が配置され、また、平面視で、反射板１８及び反射部の画素電極１９ａは隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、走査線１２及び信号線１３とは重複するように、かつ、反射板１８と反射部１５の画素電極１９ａとは重なるように実質的に同じ形状に設けられている。
【００４５】
更に、透過部１６側における画素電極１９ｂは、隣接する画素の画素電極とは接しないで、信号線１３とは実質的に重複しないように信号線１３に沿うように設けられ、かつ、走査線１２とは近接するように設けられている。また、透過部１６の画素電極１９ｂは、反射部１５の画素電極１９ａよりも面積が大きくされているとともに、中間部に設けられた信号線１３側から延びる別のスリット３３２によって２つのサブドット領域１９ｂ１及び１９ｂ２に区画されており、これらの２つのサブドット領域１９ｂ１及び１９ｂ２部分は幅の狭い部分３４２を介して電気的に接続されている。そして、透過部１６の画素電極１９ｂのうち、サブドット領域１９ｂ２の走査線１２側の２つの角部には面取り部４０が形成されている。また、画素電極１９の表面をも含む第一基板の表面には全ての表示領域を覆うようにして垂直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００４６】
このように、透過部１６の画素電極１９ｂの面積を大きくするとともに、２つのサブドット領域１９ｂ１及び１９ｂ２に区画した理由は、近年の携帯電話機等に使用されている半透過型液晶表示パネルは、高精細であってしかも画像表示用として多用され、バックライトを常時点灯して実質的に透過型液晶表示パネルとして使用される機会が多くなっていること、及び、面積が大きい透過部の画素電極１９ｂの全体にわたって液晶分子の配向規制を行うことができるようにするためである。加えて、透過部１６の画素電極１９ｂのうち、サブドット領域１９ｂ２の走査線１２側の２つの角部に面取り部４０を形成したのは、走査線側のサブドットの液晶分子の配向状態を安定化させるためである。
【００４７】
また、第二基板の透明な絶縁性を有するガラス基板２５の表示領域上には、それぞれの画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層２６が設けられている。更に、反射部１５と透過部１６とで同じ厚さのカラーフィルタ層２６を使用するため、反射部１５のカラーフィルタ層２６の一部分に所定の厚さのトップコート層２７が設けられている。このトップコート層２７は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１５における液晶２９の層の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ２の半分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。
【００４８】
加えて、透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一部には、それぞれ透過部１６の画素電極１９ｂの２つのサブドット領域１９ｂ１及び１９ｂ２部の中央部に位置するように、液晶分子の配向を規制するための平面視で底面が円形状の突起３１１及び３１２がそれぞれ設けられており、カラーフィルタ層２６、トップコート層２７及び突起３１１及び３１２の表面には共通電極及び垂直配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されている。
【００４９】
そして、前記第一基板及び第二基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶２９を充填することにより実施例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａとなる。なお、第一基板の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されている。
【００５０】
このような構成のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａによれば、透過部１６の画素電極１９ｂのうち、サブドット領域１９ｂ２の走査線１２側の２つの角部に面取り部４０が形成されているため、走査線１２に印加される信号の影響を受け難くなり、走査線側のサブドット領域１９ｂ２の液晶分子の配向状態を安定化させることができる。加えて、走査線側のサブドット以外のサブドットの画素電極は面取りされていないため、画素電極の面積を大きくできるので、開口率が大きくて明るく、表示画質が良好なＶＡ方式の液晶表示パネルが得られる。
【００５１】
なお、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０Ａでは、信号線１３と透過部の画素電極１９ｂを平面視において重複させないようにするため、透過部の画素電極１９ｂを信号線１３とは実質的に重複しないように信号線１３に沿うように設けた例を示したが、透過部の画素電極１９ｂを正確に信号線１３に沿って設けることは技術的に困難であるため、製造時のマスクずれ等により信号線１３と透過部の画素電極１９ｂの間に隙間ができる可能性がある。
【００５２】
しかしながら、マスクずれ等があると、得られる液晶表示パネルの表示品質のバラツキとして表れるおそれがあるため、予め透過部の画素電極１９ｂを信号線１３との間に僅かな隙間を設けておいてもよい。この場合のカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図を図３に示す。この図３に示した半透過型液晶表示パネル１０Ｂは、透過部１６の画素電極１９ｂのサブドット領域１９ｂ1及び１９ｂ２と信号線１３との間に隙間４１が生じるようにしたものであり、その他の構成は図１及び図２に示した実施例に係る半透過型液晶表示パネル１０Ａの場合と同様であるので、その詳細な説明は省略する。このように隙間４１を設けても、画素電極１９ｂと第二基板に設けられた図示しない共通電極との間に電界が印加されない状態では、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び共通電極の表面に対して垂直をなすように配向するので、光が透過しない状態となるため、本来光漏れは生じない。
【００５３】
また、上述の半透過型液晶表示パネル１０Ａ及び１０Ｂにおいては、透過部１６の画素電極のうち、サブドット領域１９ｂ2の走査線１２側の２つの角部にのみを面取り部４０を形成した例を示したが、より液晶の配向性が均一となるようにするため、図４の半透過型液晶表示パネル１０Ｃに示したように、サブドット領域１９ｂ2の他の２つの角部にも面取り部４２を形成しても良い。このような構成とすると、透過部の画素電極１９ｂのうちサブドット領域１９ｂ2の面積が減るために本来はその分だけ開口部が減少し、透過部の明るさの減少につながるが、透過部１６のもう一方のサブドット領域１９ｂ１には面取り部が形成されていないために、透過部１６の画素電極１９ｂのうちサブドット領域１９ｂ2の他の２つの角部にも面取り部４２を形成したことによる透過部の明るさの減少は実質的に少ない。
【００５４】
なお、図４は、透過部のサブドット領域１９ｂ2の他の２つの角部にも面取り部４２を形成した半透過型液晶表示パネル１０Ｃのカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図であり、図１〜図３に示した半透過型液晶表示パネル１０Ａ及び１０Ｂと同一構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００５５】
また、上述の半透過型液晶表示パネル１０Ａ〜１０Ｃでは、第二基板の透過部側に設ける配向規制手段として突起状のものを設けた例を示したが、上記特許文献２に開示されているように、共通電極に設けたスリットを配向規制手段としてもよい。
【００５６】
更に、上述の半透過型液晶表示パネル１０Ａ〜１０Ｃでは、配向規制手段を透過部１６にのみ設けた例を示したが、反射部１５にも設けてもよい。なお、突起状の配向規制手段を用いる場合には、図１〜図４に示したような平面視で底面が円形状のものだけでなく、図５に示したような平面視で底部が十字状のものであってもよく、更には、底部の形状が、バー状、Ｙ字状又はＹ字と逆Ｙ字を重ね合わせた形状とすることも可能である。なお、図５は、透過部の突起の形状を平面視で底部が十字状となるようにするとともに反射部にも底部が円形状の突起３２を設けた半透過型液晶表示パネル１０Ｄのカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図であり、図１〜図４に示した半透過型液晶表示パネル１０Ａ〜１０Ｃと同一構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】実施例の変形例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図である。
【図４】実施例の別の変形例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図である。
【図５】実施例の更に別の変形例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図である。
【図６】図６Ａは従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの概略的な構造を示す斜視図であり、図６Ｂは液晶層の液晶に電界を印加したときの液晶の傾斜状態を示す概略図である。
【図７】図６ＡのVII−VII断面図である。
【図８】従来の別のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの概略的な構造を示す斜視図である。
【図９】セルギャップ調整のためのトップコート層を第二基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ層を透視して表した１画素分の平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０、５０、７０    ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル
１１、２５    ガラス基板
１２    走査線
１３    信号線
１４    ゲート絶縁膜
１５    反射部
１６    透過部
１７    層間膜
１８    反射板
１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｂ１、１９ｂ２    画素電極
２０    コンタクトホール
２１    補助容量線
２３    パッシベーション膜
２６    カラーフィルタ層
２７    トップコート層
２９    液晶
３１、３１１、３１２、３２    突起
３３、３３１、３３２    スリット
３４、３４１、３４２    画素電極の幅の狭い部分
４０、４２    面取り部
４１    隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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