(57)【要約】【課題】  対向基板のスクライブ処理によるガラス破片や端材が引っ掛かることによる各種接続配線を被覆する絶縁膜の剥がれを防止して接続配線の傷付きや断線をなくした表示装置を提供すること。【解決手段】  本発明の表示装置は、各画素毎にスイッチング素子と画素電極が設けられたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向配置された対向基板とを備え、前記アレイ基板の少なくとも一周縁に前記対向基板に覆われていない各種配線引き回し部分を備えた表示装置において、前記各種配線引き回し部分の配線５６の表面及び前記配線の間の基板の上方を共通の絶縁膜１６、１９で被覆するとともに、少なくとも前記配線の間の絶縁膜の表面には段差を略平坦化するための平坦化層２５ｐを形成したことを特徴とする。【選択図】      図３
2007079357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素毎にスイッチング素子と画素電極が設けられたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向配置された対向基板とを備え、前記アレイ基板の少なくとも一周縁に前記対向基板に覆われていない各種配線引き回し部分を備えた表示装置において、
前記各種配線引き回し部分の配線の表面及び前記配線の間の基板の上方は共通の絶縁膜で被覆されているとともに、少なくとも前記配線の間の絶縁膜の表面に段差を略平坦化するための平坦化層が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は薄膜トランジスタであり、前記アレイ基板の一周縁の前記各種配線引き回し部分の配線は前記薄膜トランジスタに接続されたゲート配線を含み、前記絶縁膜の表面は前記ゲート配線の表面とゲート配線の間の基板を覆っていることを特徴とする請求項１記載の表示器。
【請求項３】
前記平坦化層は、前記アレイ基板の画素電極と同じ材料からなり、前記配線の間の絶縁膜の表面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記平坦化層は、前記アレイ基板の層間膜と同じ材料からなり、前記配線の表面及び前記配線の間の絶縁膜の表面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、前記アレイ基板に設けられた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料からなる層と保護絶縁膜と同じ材料からなる層の２層構造を有していることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は前記アレイ基板に設けられた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料からなり、前記平坦化層は、前記配線の間の前記絶縁膜の表面に設けられたアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層の表面及び前記配線上の絶縁膜の表面を被覆する前記薄膜トランジスタの保護絶縁膜と同じ材料からなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記アモルファスシリコン層の表面を被覆する保護絶縁膜の表面は、更に前記アレイ基板の画素電極と同じ材料で被覆されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は前記アレイ基板に設けられた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料からなり、前記平坦化層は、アモルファスシリコン層と前記薄膜トランジスタの保護絶縁膜と同じ材料からなる２層構造を有しており、前記配線の表面及び前記配線の間を被覆する絶縁膜の表面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記対向基板の大きさは前記アレイ基板より小さく、かつ前記対向基板は、前記アレイ基板の一周縁の前記配線引き回し部分の上方または上方近傍で切断されることによって、前記配線引き回し部分が前記対向基板に覆われない部分が形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロクロミック表示装置等の表示装置に関し、特に対向基板のスクライブ処理に際してもアレイ基板の配線引き回し部に傷が付きにくい構成の表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、一方のアレイ基板上に信号線と走査線をマトリクス状に配置し、その交差部にスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor :薄膜トランジスタ）を形成し、信号線と走査線で囲まれる領域内にＴＦＴと接続される透明な画素電極を形成している。この画素電極が形成された部分が表示領域となる。また、他方のカラーフィルタ基板には、画素電極と対向する位置にＲ、Ｇ、Ｂのいずれかのフィルタ層を配置し、各フィルタ層間にブラックマトリクスを設け、このフィルタ層及びブラックマトリクスを画素電極からなる対向電極によって覆っている。そして、例えば携帯電話機用の小型の液晶表示装置の場合、下記特許文献１に開示されているように、一方の基板の表示領域の周囲に設けられた額縁部の一端部にドライバＩＣが載置されている。
【０００３】
このような液晶表示装置の一具体例を図８〜図１１を用いて説明する。なお、図８（ａ）は携帯電話機用の小型の液晶表示装置のアレイ基板側を模式的に示す平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）の破線丸印部分Ｘの拡大図であり、また、図９は図８（ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略断面図であり、図１０は液晶表示装置の一製造工程を示す図９に対応する概略断面図であり、図１１は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【０００４】
液晶表示装置５０の透明なガラス基板からなる第１基板５１上には、表示領域５２に走査線及び信号線がマトリクス状に形成されており、走査線と信号線で囲まれる部分に画素電極が形成され、走査線と信号線の交差部に画素電極と接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴが形成されている。これら各配線やＴＦＴ、画素電極の具体的な構成は図示しないが、図９ではこれらを模式的に第１構造物５３として示してある。
【０００５】
第１基板５１の短辺部には液晶表示装置５０を駆動するための画像供給装置（図示せず）と接続するための端子５４が設けられ、この端子５４はドライバＩＣ５５に接続されている。第１基板５１の周辺には表示領域５２の走査線及び信号線にそれぞれ接続されるゲートライン５６Ｇ及びソースライン５６Ｓ、コモンライン（図示せず）等の配線５６が設けられ、これらの接続配線もドライバＩＣ５５に接続されている。なお、ゲートライン５６Ｇ及びソースライン５６Ｓの配置を逆にする場合もあり、また、ドライバＩＣ５５は、短辺部のみに配置されるのではなく、長辺部に配置される場合もある。
【０００６】
また、透明なガラス基板からなる第２基板５９には、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成されている。カラーフィルタは第１基板５１の画素電極と対向するように配置されると共に各画素に応じたフィルタ層が設けられ、ブラックマトリクスは少なくとも第１基板５１の走査線や信号線に対応する位置に配置されている。これらカラーフィルタ等の具体的な構成は図示しないが、図９ではこれらを模式的に第２構造物６０として示してある。また、第２基板５９には更に酸化インジウム、酸化スズ等で構成された透明電極からなる対向電極５８が少なくとも表示領域５２の全域に亘って形成されている。そして、第１基板５１及び第２基板５９とはシール材６１を介して所定の間隔を隔てて張り合わされており、両基板５１及び５９間に液晶６２が封入されている。
【０００７】
この液晶表示装置５０を製造する場合、第１基板５１及び第２基板５９は、それぞれ多数の第１基板ないし第２基板に対応する構成が作製されたマザー基板より実質的に同一寸法に切り出され、図１０に示したように、ドライバＩＣ５５を載置する前に、第１基板５１及び第２基板５９をシール材６１で所定間隔を隔てて貼り合わせる。このとき、第２基板５９が第１基板５１に形成された配線５６と対向する端部６３は、ドライバＩＣ５５の取り付けや端子５４にフレキシブル配線基板ＦＰＣ等を取り付ける際に邪魔になるため、除去する必要がある。この第２基板５９の端部６３の除去は、第２基板５９の所定位置にスクライブライン６４を形成し、このスクライブライン６４に沿って第２基板の端部６３を除去することにより行われる。このようにして第２基板５９の端部６３を除去すると、第１基板５１上の配線５６、端子５４及びドライバＩＣ５５の取り付け部のパターンが露出するため、ドライバＩＣ５５等を容易に取り付けることができるようになる。
【０００８】
しかしながら、このような第２基板５９の端部６３のスクライブ処理による除去の際、第２基板５９のガラス破片或いは端部６３自体のエッジが各種配線引き回し部分に設けられた配線５６に接触し、傷を付けて断線させてしまうことがある。このため、従来より配線５６を保護するための手段が講じられている。
【０００９】
例えば、図１１は、各種配線引き回し部分に設けられた配線５６を保護するための従来構造を示し、ガラス基板５１上に設けられた配線５６上にゲート絶縁膜６５及び保護絶縁膜６６を順に積層することにより配線５６を保護するようになしたものである。なお、これらのゲート絶縁膜６５、保護絶縁膜６６は、第１基板５１の表示領域５２に設けられるＴＦＴのゲート絶縁膜及び保護絶縁膜を形成する際に同時に形成される。
【００１０】
また、下記特許文献１には、第１基板の表示領域内に配向膜を設ける際に、同時に各種配線引き回し部分に設けられた各種接続配線上に配向膜と同一の材料による被膜を形成し、この被膜によってゴミ等による各種接続配線間の短絡を防止するようにした発明が開示されている。
【特許文献１】特開平６-２０２１３９号公報（特許請求の範囲、段落［０００４］、図１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図１１ないし特許文献１に開示されている保護構造によっても、第２基板５９の端部６３のスクライブ処理に際しては、各種配線引き回し部分に設けられた配線５６の傷付きや断線を防止することは困難であった。本願の発明者等はこのような各種配線引き回し部分に設けられた配線５６の傷付きや断線が生じる理由について種々検討を重ねた結果、本質的には、図１１に示すように、配線５６の形成部分に大きな凸状の段差Ｄ１が生じるためであることを知見した。すなわち、このように大きな凸状の段差Ｄ１が生じていることにより、第２基板５９の端部６３のスクライブ処理の際に、ガラス破片や端部６３のエッジ部分が凸状の段差に引っ掛かり易くなり、これらの引っ掛かりによって配線５６を覆っているゲート絶縁膜６５や保護絶縁膜６６が剥がれることに起因している。この場合、上記特許文献１に開示されているような配向膜を設けても、この配向膜は、柔らかくしかも薄いために、ゲート絶縁膜６５や保護絶縁膜６６に対する傷付きや剥がれ防止には実質的に役に立たない。
【００１２】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、特にカラーフィルタ基板のスクライブ処理の際にガラス破片や端材が引っ掛かることが少なくなるようにして、ゲート絶縁膜や保護絶縁膜の剥がれを防止し、各種配線引き回し部分に設けられた各種接続配線の傷付きや断線をなくすことが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、請求項１に係る表示装置の発明は、各画素毎にスイッチング素子と画素電極が設けられたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向配置された対向基板とを備え、前記アレイ基板の少なくとも一周縁に前記対向基板に覆われていない各種配線引き回し部分を備えた表示装置において、
【００１４】
前記各種配線引き回し部分の配線の表面及び前記配線の間の基板の上方は共通の絶縁膜で被覆されているとともに、少なくとも前記配線の間の絶縁膜の表面に段差を略平坦化するための平坦化層が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の表示装置において、前記スイッチング素子は薄膜トランジスタであり、前記アレイ基板の一周縁の前記配線引き回し部分の配線は前記薄膜トランジスタに接続されたゲート配線を含み、前記絶縁膜の表面は前記ゲート配線の表面とゲート配線の間の基板を覆っていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項３に係る発明は、請求項１に記載の表示装置において、前記平坦化層は、前記アレイ基板の画素電極と同じ材料からなり、前記配線の間の絶縁膜の表面に設けられていることを特徴とする。この画素電極と同じ材料としては、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）やＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）等の透明導電性材料を使用することができる。
【００１７】
また、請求項４に係る発明は、請求項１記載の表示装置において、前記平坦化層は、前記アレイ基板の層間膜と同じ材料からなり、前記配線の表面及び前記配線の間の絶縁膜の表面に設けられていることを特徴とする。この層間膜としては好ましくはポリイミドを使用し得る。
【００１８】
また、請求項５に係る発明は、請求項２に記載の表示装置において、前記アレイ基板に設けられた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料からなる層と保護絶縁膜と同じ材料からなる層の２層構造を有していることを特徴とする。好ましくは、ゲート絶縁膜及び保護絶縁膜として酸化珪素又は窒化珪素を使用し得る。
【００１９】
また、請求項６に係る発明は、請求項２に記載の表示装置において、前記絶縁膜は前記アレイ基板に設けられた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料からなり、前記平坦化層は、前記配線の間の前記絶縁膜の表面に設けられたアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層の表面及び前記配線上の絶縁膜の表面を被覆する前記薄膜トランジスタの保護絶縁膜と同じ材料からなることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項７に係る発明は、請求項６に記載の表示装置において、前記アモルファスシリコン層の表面を被覆する保護絶縁膜の表面は、更に前記アレイ基板の画素電極と同じ材料で被覆されていることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項８に係る発明は、請求項１に記載の表示装置において、前記絶縁膜は前記アレイ基板に設けられた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料からなり、前記平坦化層は、アモルファスシリコン層と前記薄膜トランジスタの保護絶縁膜と同じ材料からなる２層構造を有しており、前記配線の表面及び前記配線の間を被覆する絶縁膜の表面を覆っていることを特徴とする。
【００２２】
更に、請求項９に係る発明は、請求項１に記載の表示装置において、前記対向基板の大きさは前記アレイ基板より小さく、かつ前記対向基板は、前記アレイ基板の一周縁の前記配線引き回し部分の上方または上方近傍で切断されることによって、前記配線引き回し部分が前記対向基板に覆われない部分が形成されていることを特徴とする
【発明の効果】
【００２３】
本発明は上記のような構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、請求項１に係る発明によれば、各種配線引き回し部分に設けられた配線の間の絶縁膜上に平坦化層が設けられているので、この平坦化層と配線上の絶縁膜との間の段差が小さくなるため、対向基板の端部のスクライブ処理の際にガラス破片や端部のエッジ部分が配線上の絶縁膜に引っ掛かることが少なくなり、この引っ掛かりに起因する配線上の絶縁膜の傷付きや剥がれを防止することができるようになるため、配線の傷付きや断線を少なくすることができる。なお、この発明の表示装置としては、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロクロミック表示装置等に対して適用することが可能である。また、絶縁膜としては、表示装置製造時に用いられる絶縁物を適宜選択して採用し得る。
【００２４】
また、請求項２に係る発明によれば、各種配線引き回し部分の配線はＴＦＴ形成時に同時に形成することができるため、特にこれらの配線の形成ために工数が増えることがない。
【００２５】
また、請求項３及び４に係る発明によれば、平坦化層はアレイ基板の画素電極と同じ材料（請求項３）ないし層間膜と同じ材料（請求項４）からなるので、アレイ基板の製造時にこの平坦化層を同時に形成することができるため、特にこれらの平坦化層形成のために工数が増えることがない。
【００２６】
また、請求項５に係る発明によれば、絶縁膜はアレイ基板に設けられたＴＦＴのゲート絶縁膜及び保護絶縁膜と同じ材料からなるので、アレイ基板のＴＦＴ形成時に同時に絶縁膜を形成することができるため、特にこれらの絶縁膜を設けるために工数が増えることがない。
【００２７】
また、請求項６に係る発明によれば、アモルファスシリコン層はＴＦＴのゲート絶縁膜上にも設けられるものであるから、平坦化層としてのアモルファスシリコン層及び保護絶縁膜ともにアレイ基板のＴＦＴ形成時に同時に形成することができるため、特にこれらの平坦化層形成のために工数が増えることがない。
【００２８】
また、請求項７に係る発明によれば、アレイ基板の画素電極は、ＴＦＴの保護絶縁膜上に、必要に応じて設けられた層間膜を介して、設けられるものであるから、この場合もアレイ基板の製造時にこの平坦化層を同時に形成することができるため、特にこれらの平坦化層形成のために工数が増えることがない。加えて、請求項７に係る発明によれば、各種接続配線上の絶縁膜と各種接続配線の間の絶縁膜との段差をアモルファスシリコン層と画素電極と同組成の層の２層によって補うことができるため、前記段差が大きくても最終的には実質的に段差をなくすことができる。
【００２９】
また、請求項８に係る発明によれば、特に各種接続配線の間の絶縁膜上のみに平坦化層が設けられているわけではないが、平坦化層をアモルファスシリコン層と保護絶縁膜の２層構造とすることにより段差が小さくなるとともにアモルファスシリコン層と保護絶縁層との間の密着性が良好なため、保護絶縁膜が剥がれにくくなる。
【００３０】
更に、請求項９に係る発明によれば、容易にアレイ基板の配線引き回し部分やドライバＩＣ等の載置領域を露出させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施例を図面を用いてより具体的に説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するためのアクティブマトリクス型の半透過型液晶表示装置を例示するものであって、本発明をこの半透過型液晶表示装置に特定することを意図するものではなく、本発明は透過型液晶表示装置や反射型液晶表示装置に対しても、或いはエレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロクロミック表示装置等の表示装置に対しても均しく適用し得るものである。なお、本実施例の液晶表示装置は、図８に示した従来例の液晶表示装置５０とは表示領域５２の構成及び配線５６の具体的な断面構造が相違している以外は実質的に同一の構成を備えているので、必要に応じて図８を引用して説明することとする。
【実施例１】
【００３２】
実施例１の液晶表示装置を図１〜図３を用いて説明する。なお、図１は実施例１の液晶表示装置における１画素分カラーフィルタ基板を透視して表した拡大平面図であり、図２は図１のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図であり、また、また、図３は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する本発明における拡大断面図である。
【００３３】
この実施例１の半透過型液晶表示装置１０は、アレイ基板１１及びカラーフィルタ基板１２を備えている。このうち、アレイ基板１１は、透明な絶縁性を有するガラス基板１３の表示領域上に、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の走査線１４が等間隔で平行に形成されており、また、隣り合う走査線１４間の略中央には走査線１４と同時に補助容量線１５が平行して形成され、走査線１４からはＴＦＴのゲート電極Ｇが延設されている。
【００３４】
更に、ガラス基板１３上には、走査線１４、補助容量線１５、ゲート電極Ｇを覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１６が積層されている。そして、ゲート電極Ｇの上にはゲート絶縁膜１６を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層１７が形成され、またゲート絶縁膜１６上にはアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の信号線１８が走査線１４と直交するようにして形成されており、この信号線１８からはＴＦＴのソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半導体層１７と接触している。更に、信号線１８及びソース電極Ｓと同一の材料でかつ同時形成されたドレイン電極Ｄがゲート絶縁膜１６上に設けられており、このドレイン電極Ｄも半導体層１７と接触している。
【００３５】
ここで、走査線１４と信号線１８とに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１６、半導体層１７、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチング素子となるＴＦＴ（Thin Film Transistor）が構成され、それぞれの画素にこのＴＦＴが形成される。この場合、ドレイン電極Ｄと補助容量線１５によって各画素の補助容量を形成することになる。
【００３６】
これらの信号線１８、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１６を覆うようにして例えば無機絶縁材料からなる保護絶縁膜１９が積層され、この保護絶縁膜１９上に、有機絶縁膜からなる層間膜２０が積層されている。この層間膜２０の表面は、反射部２１においては微細な凹凸部が形成され、透過部２２においては平坦となされている。なお、図１及び図２においては反射部２１における微細な凹凸は省略してある。
【００３７】
そして保護絶縁膜１９と層間膜２０には、ＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２３が形成されている。そして、それぞれの画素において、コンタクトホール２３上及び層間膜２０の表面の一部分には、反射部２１に例えばアルミニウムや銀等の金属からなる反射電極２４が設けられ、この反射電極２４の表面及び透過部２２における層間膜２０の表面には例えばＩＴＯないしＩＺＯからなる画素電極２５が形成され、更に、画素電極２５の表面には全ての画素を覆うように配向膜（図示せず）が積層されている。
【００３８】
また、カラーフィルタ基板１２は、透明な絶縁性を有するガラス基板２６の表示領域上に、それぞれの画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ２７が設けられている。また、反射部２１と透過部２２とで同じ厚さのカラーフィルタ２７を使用するため、反射部２１のカラーフィルタ２７の一部分に所定の厚さのトップコート２８及びカラーフィルタが存在しない透明な窓部２９が設けられている。このトップコート２８は、反射部２１全体にわたって設けられており、その厚さは反射部２１における液晶層の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部２２におけるセルギャップｄ２の半分、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。また、透明な窓部２９は、反射部２１では入射光は入射時と出射時の２回カラーフィルタを通過するため、一部分に色がない部分を設けて色調が透過部２２と同じようになるように設けられているものである。そして、カラーフィルタ層２７及びトップコート２８の表面には共通電極及び配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されている。
【００３９】
そして、前記アレイ基板１１及びカラーフィルタ基板１２を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に液晶を充填することにより半透過型液晶表示装置１０となる。なお、アレイ基板１１の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されている。
【００４０】
更に、アレイ基板１１のガラス基板１３における表示領域の外側すなわち額縁部分には、図８に示したように、走査線及び信号線にそれぞれ接続されるゲートライン５６Ｇ及びソースライン５６Ｓ、共通電極に接続されているコモンライン（図示せず）等の配線５６が設けられ、これらの配線５６がドライバＩＣ５５に接続されている。そして、この実施例１の各種配線引き回し部分に設けられた配線５６の表面構成は、図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する図３に示したとおりになる。
【００４１】
すなわち、配線５６は、走査線１４，ゲート電極Ｇ及び補助容量線１５の製造時に同時にアレイ基板１１のガラス基板１３における額縁部分に形成され、そして、ＴＦＴの製造時に同時にゲート絶縁膜１６及び保護絶縁膜１９で被覆される。この場合、配線５６は電気抵抗を減らすためにある程度厚く設けられるため、配線５６上にゲート絶縁膜１６及び保護絶縁膜１９を形成しても、配線５６上の両絶縁膜１６及び１９の表面と配線５６の間の両絶縁膜１６及び１９の表面との間には大きな段差が生じている。そこで、実施例１では、この段差を埋めるために画素電極２５を形成する際に同時に配線５６の間の両絶縁膜１６及び１９の表面に画素電極と同じ材料の層２５ｐを形成した。
【００４２】
そうすると、この画素電極２５と同じ材料からなる層２５ｐが実質的な平坦化層となり、この平坦化層の存在により、配線５６が形成された部分の表面は、完全には平らにならないとしても、段差Ｄ２は確実に小さくなっている。従って、カラーフィルタ基板１２の端部をスクライブ処理により除去する際に、ガラス破片や端部のエッジ部分が配線５６上の両絶縁膜１６及び１９に引っ掛かることが少なくなり、この引っ掛かりに起因する配線５６上の両絶縁膜１６及び１９の傷付きや剥がれを防止することができるようになるため、配線５６の傷付きや断線を少なくすることができる。なお、層２５Ｐの端縁と絶縁膜１９の高くなった部分の端縁との間に少しくらいの隙間ができたといっても、同様にこの隙間から傷つきや剥がれを引き起こす引っ掛かりは極めて生じ難いので、凹凸の凹部に設けた平坦化層により略平坦化されていればいいということがいえる。
【実施例２】
【００４３】
実施例１では、配線５６上の絶縁膜の表面と配線５６の間に存在する絶縁膜の表面との間の段差を埋めるために、画素電極２５を形成する際に同時に配線５６の間に存在する絶縁膜の表面に画素電極と同じ材料の層２５ｐからなる平坦化層を形成した例を示したが、実施例２では層間膜２０を形成する際に同時にアレイ基板１１の表面全体に平坦化層としての層間膜２０を形成して、配線５６上の絶縁膜の表面と配線５６の間に存在する絶縁膜の表面との間の段差をなくした。この実施例２に対応する各種配線引き回し部分に設けられた配線５６の表面構成は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する図４に示したとおりである。
【００４４】
すなわち、配線５６は走査線１４，ゲート電極Ｇ及び補助容量線１５の製造時に同時にアレイ基板１１のガラス基板１３における額縁部分に形成され、その後、ＦＥＴ、保護絶縁膜１９を形成した後に層間膜２０が形成されるが、この層間膜２０は、液状の層間膜形成材料（例えばポリイミド）をアレイ基板１１の表面全体にわたってスピンコーティングし、その後硬化させることによって形成される。従って、スピンコーティングの際に液状の層間膜形成材料は実質的に均一な高さとなるため、配線５６上の絶縁膜の表面と配線５６の間に存在する絶縁膜の表面にも層間膜２０が実質的に同じ高さになるように形成されるので、配線５６上の層間膜２０の表面と各配線５６の間に存在する層間膜２０の表面の間に段差は実質的に生じなくなる。
【００４５】
しかも、この層間膜２０は、上記特許文献１で使用されている配向膜と同一の材料による被膜よりも大幅に厚く設けられているため、カラーフィルタ基板１２の端部をスクライブ処理により除去する際に、ガラス破片や端部のエッジ部分が配線５６上の絶縁膜１６及び１９に引っ掛かることが少なくなり、この引っ掛かりに起因する配線５６上の両絶縁膜１６及び１９の傷付きや剥がれを防止することができるようになるため、配線５６の傷付きや断線を少なくすることができる。
【実施例３】
【００４６】
実施例３では、配線５６上の絶縁膜の表面と配線５６の間に存在する絶縁膜の表面との間の段差を埋めるために、ＦＥＴのアモルファスシリコン層１７を形成する際に同時に配線５６の間にアモルファスシリコン層１７ｐを形成した。この実施例３に対応する各種配線引き回し部分に設けられた配線５６の表面構成は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する図５に示したとおりである。
【００４７】
すなわち、配線５６は、走査線１４，ゲート電極Ｇ及び補助容量線１５の製造時に同時にアレイ基板１１のガラス基板１３における額縁部分に形成され、そして、ＴＦＴの製造時にゲート絶縁膜１６を形成した後にゲート電極Ｇに対応するゲート絶縁膜１６の表面にアモルファスシリコン層１７を形成するが、その際に同時に同じ材料で配線５６の間に設けられたゲート絶縁膜１６の表面にアモルファスシリコン層１７ｐを形成し、その後アレイ基板１１の表面全体にわたって保護絶縁膜１９を形成した。
【００４８】
従って、実施例３では、配線５６の間のゲート絶縁膜１６の表面に形成されたアモルファスシリコン層１７ｐ及びアレイ基板１１の全体にわたって形成された保護絶縁膜１９の両者が平坦化層を形成し、配線５６が形成された部分の表面は、完全には平らにならないとしても、段差Ｄ３を確実に小さくすることができ、この場合も実施例１と同様の効果を奏する。
【実施例４】
【００４９】
実施例４では、実施例３で得られた配線５６の表面構成に対して更に実施例１の場合と同様にして画素電極２５と同じ材料からなる付加的な層２５ｕｐを形成した。この実施例４に対応する各種配線引き回し部分に設けられた配線５６の表面構成は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する図６に示したとおりである。
【００５０】
従って、実施例４では、配線５６の間に形成されたアモルファスシリコン層１７ｐ、アレイ基板１１の表面全体にわたって形成された保護絶縁膜１９及び付加的な層２５ｕｐの３者が実質的に平坦化層を形成し、配線５６が形成された部分の表面は、完全には平らにならないとしても、段差Ｄ４をより小さくすることができ、この場合も実施例１と同様の効果を奏する。
【実施例５】
【００５１】
実施例３では、配線５６上の絶縁膜の表面と各種接続配線の間に存在する絶縁膜の表面との間の段差を埋めるために、ＦＥＴのアモルファスシリコン層１７を形成する際に同時に配線５６の間にアモルファスシリコン層１７ｐを形成したが、実施例５ではアモルファスシリコン層１７ｗをアレイ基板１１の配線引き回し部分の表面全体にわたって形成し、その後に保護絶縁膜１９を同じくアレイ基板１１の表面全体にわたって形成した。この実施例５に対応する各種配線引き回し部分に設けられた配線５６の表面構成は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する図７に示したとおりである。
【００５２】
この実施例５の場合、アレイ基板１１の配線引き回し部分の表面全体にわたって形成されたモルファスシリコン層１７ｗ及び保護絶縁膜１９が平坦化層を形成することとなる。この実施例５においては、段差が存在している表面に多層に皮膜を形成すると段差は層構造が増えるに従って徐々に小さくなるという現象を利用している。
【００５３】
従って、実施例５においては、実施例１〜４の場合に比すると、配線５６上の絶縁膜の表面と配線５６の間に存在する絶縁膜の表面との間の段差は大きいが、モルファスシリコン層１７ｗをアレイ基板１１の表面全体にわたって形成しない場合に比すると、段差Ｄ５を確実に小さくすることができ、この場合も実施例１と同様の効果を奏する。
【００５４】
なお、実施例１〜５においては、配線５６上に設ける絶縁膜として、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合に使用される絶縁物を用い、ＴＦＴの形成と同時に形成した例を示したが、配線５６上に設ける絶縁膜としては、ＴＦＴ形成時に使用されるものだけでなく、例えば、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal：金属／絶縁物／金属）キャパシタ、ＴＦＤ（Thin Film Diode:薄膜ダイオード）等、他の素子の形成時に用いられる絶縁膜を用い、これらの他の素子の形成と同時に形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施例１の液晶表示装置における１画素分カラーフィルタ基板を透視して表した拡大平面図である。
【図２】図１のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【図３】実施例１の液晶表示装置における図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する拡大断面図である。
【図４】実施例２の液晶表示装置における図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する拡大断面図である。
【図５】実施例３の液晶表示装置における図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する拡大断面図である。
【図６】実施例４の液晶表示装置における図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する拡大断面図である。
【図７】実施例５の液晶表示装置における図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図に相当する拡大断面図である。
【図８】図８（ａ）は携帯電話機用の小型の液晶表示装置のアレイ基板側を模式的に示す平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）の破線丸印部分Ｘの拡大図である。
【図９】図８（ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。
【図１０】液晶表示装置の一製造工程を示す図９に対応する概略断面図である。
【図１１】図８（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０    半透過型液晶表示装置
１１    アレイ基板
１２    カラーフィルタ基板
１４    走査線
１５    補助容量線
１６    ゲート絶縁膜
１７、１７ｐ、１７ｗ    アモルファスシリコン層
１８    信号線
１９    保護絶縁膜
２０    層間膜
２１    反射部
２２    透過部
２３    コンタクトホール
２４    反射電極
２５    画素電極
２５ｐ    画素電極と同じ材料からなる層
２５ｕｐ    画素電極と同じ材料からなる付加的な層
２７    カラーフィルタ
２８    トップコート
２９    透明な窓部
５０    液晶表示装置
５４    端子
５５    ドライバＩＣ
５６Ｇ    ゲートライン
５６Ｓ    ソースライン
５６    配線
６０    対向電極
６１    シール材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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