(57)【要約】【課題】絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供する。【解決手段】絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物および／またはシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる。【選択図】図３
2007150221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、
当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、
当該絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物で処理し、
次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる
ことを含む、多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、
当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、
シランカップリング剤で処理し、
次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させ
ることを含む、多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁樹脂層表面上に、
少なくとも、トリアジン化合物、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造
を有することを含む多層回路基板。
【請求項４】
絶縁樹脂層表面上に、
少なくとも、シランカップリング剤、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造
を有することを含む多層回路基板。
【請求項５】
前記シランカップリング剤が、イオウまたは窒素またはイオウと窒素とを含む官能基を有する、請求項４に記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板において、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性が高い多層回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に対する小型化、高性能化および低価格化等の要求に伴い、プリント配線板の微細化、多層化、および電子部品の高密度実装化が急速に進み、プリント配線板に対してビルドアップ多層配線構造の検討が活発に行われている。
【０００３】
ビルドアップ多層配線構造では、複数の配線層間に絶縁樹脂を含んでなる絶縁層（以下、絶縁樹脂層と言う）が形成されており、配線層間の導通をとるために、ビアホールと称される微細な穴を絶縁樹脂層に形成する。ビアホールの形成には、感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ技術により形成する方法や、レーザを照射し穴を形成する方法がある。
【０００４】
次いで、無電解めっきおよび／または電気めっきによって、この絶縁樹脂層上に導体を形成し、これをエッチングして新たな配線パターンを形成する。その後、必要に応じて絶縁樹脂層の形成から配線パターンまでの形成工程を繰り返せば、回路の集積度を高めることができる。
【０００５】
従来の技術では、絶縁樹脂層を膨潤液、粗化液、中和液に順次浸漬し、絶縁樹脂層の表面に５μｍ程度の凹凸を形成し、この上に、たとえば、無電解銅めっき、電気銅めっきを順次施し銅膜を形成することで、絶縁樹脂層と銅膜の間に物理的なアンカー効果を持たせることにより、ビルドアップ配線基板の絶縁樹脂層と銅配線との間の密着性を実現していた。
【特許文献１】特開平５−１５８２４０号公報（段落番号０００８）
【特許文献２】特開平５−６５４６６号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００５−２３３４号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来のように、物理的なアンカー効果に基づいて絶縁樹脂層と配線層との間の密着性を向上するものではない。前述のように、従来のビルドアップ配線では、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性は、絶縁樹脂層に微細な凹凸を形成し、アンカー効果を持たせることで得ているが、この物理的なアンカー効果による絶縁樹脂層と配線層との間の密着性については、ＪＩＳ  Ｃ−６４８１に準じた９０度剥離試験で、１ｋｇｆ／ｃｍ（換算値は９．８Ｎ／ｃｍ）未満のものが多数であり、表面を粗く処理（たとえば、粗化めっき）した配線層となる銅箔と、（接着層の役目も果たす）絶縁樹脂層となるべきプリプレグとを積層した後、プリプレグを溶融硬化させて造られる積層プリント板における絶縁樹脂層と配線層との間で得られる密着性よりも低いものである。一般的に当業界では、ビルドアップ配線基板に対し、１ｋｇｆ／ｃｍ以上の密着性が求められている。
【０００７】
また、近年ビルドアップ配線基板にも高周波の信号が伝送されるようになり、特に１ＧＨｚを超える周波数領域においては、微細突起のある配線構造では表皮効果による伝送損失、特に導体損が増大するという問題が生じてきた。
【０００８】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、ビルドアップ配線基板の絶縁樹脂層と配線層との間で高い密着性を得ることのできる配線形成方法を提供するとともに、高い密着性を有するビルドアップ配線基板等の多層回路基板を提供することを課題としている。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第一の態様によれば、絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、
当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、
当該絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物で処理し、
次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる
ことを含む、多層回路基板の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の第二の態様によれば、絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、
当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、
シランカップリング剤で処理し、
次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる
ことを含む、多層回路基板の製造方法が提供される。
【００１１】
前記第一、二の発明態様により、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を製造することができる。また、平滑な表面の配線層を有する多層回路基板を製造することもできる。
【００１２】
前記二つの態様において、これら二つの態様を組み合わせること、前記水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基の生成方法が、ＵＶオゾン処理法、酸素プラズマ処理法および、酸化チタンを分散させた水溶液に絶縁樹脂層を浸漬し、ＵＶを照射する方法からなる群から選ばれた少なくとも１種類の方法であること、前記絶縁樹脂層表面を前記トリアジン化合物またはシランカップリング剤またはトリアジン化合物とシランカップリング剤とで処理する際に、前記絶縁樹脂層表面に前記フィラーの一部が露出していること、前記絶縁樹脂層表面を前記トリアジン化合物またはシランカップリング剤またはトリアジン化合物とシランカップリング剤とで処理する際における前記絶縁樹脂層の表面の十点平均表面粗さが５μｍ以下であること、が好ましい。
【００１３】
本発明の第三の態様によれば、前記の方法によって製造された多層回路基板が提供される。
【００１４】
本発明の第四の態様によれば、絶縁樹脂層表面上に、
少なくとも、トリアジン化合物、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造
を有することを含む多層回路基板が提供される。
【００１５】
本発明の第五の態様によれば、絶縁樹脂層表面上に、
少なくとも、シランカップリング剤、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造
を有することを含む多層回路基板が提供される。
【００１６】
本第三〜五の発明態様により、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板が得られる。また、平滑な表面の配線層を有する多層回路基板を得ることができる。
【００１７】
前記第四、五の態様においては、これら第四、五の態様を組み合わせることが好ましい。
【００１８】
さらに、前記第一、二、四、五の態様においては、前記シランカップリング剤が、イオウまたは窒素またはイオウと窒素とを含む官能基を有すること、前記シランカップリング剤が、アミノ基、アゾール基およびメルカプト基からなる群から選ばれた少なくとも一種の官能基を有すること、前記トリアジン化合物が、少なくとも下記一般式のいずれかで表される化合物であること、
【００１９】
【化１】
2007150221.tif 000003
【００２０】
（式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒまたは、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【００２１】
【化２】
2007150221.tif 000004
【００２２】
（式（２）中、Ａ４、Ａ５は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒまたは、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【００２３】
【化３】
2007150221.tif 000005
【００２４】
（式（３）中、Ａ６は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、または、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
前記絶縁樹脂層が、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムおよび珪酸マグネシウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類のフィラーを含んでなること、前記パラジウム以外の金属が、銅、ニッケルおよびコバルトからなる群から選ばれた少なくとも１種類の金属であること、が好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供することができる。また、平滑な表面の配線層を有する多層回路基板を得ることも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明の実施の形態を図、式、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、式、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。
【００２７】
銅配線層に代表される配線層と絶縁樹脂層との間の密着性は、前述の物理的アンカー効果に起因する密着性以外には、配線層と絶縁樹脂層の構成成分との間の化学的密着がある。分子レベルでは、公知の技術として、各種の有機化合物が提案されているが、そのなかでも、チオール基を２個以上有する複素環状化合物は、銅に対する密着性を高めるものとして報告例が多い。たとえば、特許文献１では、銅との密着性に優れる化合物として、１，３，５−トリメルカプトピリジン、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール等の化合物が提案されている。しかしながら、これらの化合物は反応基を有せず、単に絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物中に添加されたままの化合物であり、絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物内での当該化合物の密着性が低いため、銅と密着性の向上に対する効果も低いものと考えられる。
【００２８】
このため、特許文献２等では、６−ジブチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール、６−フェニルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール等の化合物を銅害防止剤として使用する例が提案されている。トリアジンチオール化合物は、金属とキレートを形成する作用によって、金属と化学的に結合するものである。
【００２９】
また、特許文献３によれば、絶縁樹脂層用の熱可塑性ポリイミド樹脂中に有機チオール化合物を添加したポリイミド樹脂組成物、または、有機チオール化合物を溶解した溶媒に熱可塑性ポリイミド樹脂を含浸することによって、熱可塑性ポリイミド樹脂よりなる絶縁樹脂層の表面に有機チオール化合物を担持させる方法が提案されている。
【００３０】
しかしながら、上記のトリアジン化合物を絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物に添加、または、絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物の内部で反応させる方法では、絶縁樹脂層の内部にまでトリアジン化合物が分布してしまうため、絶縁樹脂層の表面のみにトリアジン化合物を分布させることは不可能であり、充分な密着性を得ることが困難となるという問題があった。
【００３１】
本発明の一態様では、トリアジン化合物を絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物中に単に共存させまたは、絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物内で樹脂組成物と反応させる方法ではなく、絶縁樹脂層の表面にトリアジン化合物層を形成する。具体的には、絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板を製造する場合に、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、この絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させるのである。
【００３２】
本発明態様により、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板が得られることが判明した。また、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性が優れていることから、配線層表面を粗面化する必要性がなく、従って、表面の平滑性に優れた配線層を有する多層回路基板を得ることも可能であることが判明した。
【００３３】
さらに、絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板を製造する場合に、上記トリアジン化合物の場合と同様にしてシランカップリング剤で処理し、絶縁樹脂層の表面にシランカップリング剤層を形成することにより、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板が得られ、また、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性が優れていることから、配線層表面を粗面化する必要性がなく、従って、表面の平滑性に優れた配線層を有する多層回路基板を得ることも可能であることが判明した。すなわち、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、この絶縁樹脂層表面をシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させるのである。
【００３４】
上記トリアジン化合物による処理を含む多層回路基板の製造方法に、上記シランカップリング剤による処理を含む多層回路基板の製造方法を含めてもよい。すなわち、これら二つの処理を組み合わせてもよい。
【００３５】
この組合せには、同一の多層回路基板の別々の箇所でトリアジン化合物による処理とシランカップリング剤による処理とを行うことのほか、両者の間に本発明に係る効果を阻害するような影響がない限り、トリアジン化合物による処理の後にシランカップリング剤による処理を行うこと、シランカップリング剤による処理の後にトリアジン化合物による処理を行うこと、および、両者を混合して同時に処理することも含まれる。
【００３６】
本発明態様においては、支持基板上に各層を形成することが多いが、支持基板を欠く態様も可能である。上記支持基板を使用する場合、その材質については特に制限はなく、公知のものから適宜選択することができる。樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板および金属基板からなる群から選ばれたものが好ましい。
【００３７】
本発明に係る絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物についても特に制限はなく、公知のものから適宜選択することができる。耐熱性等の性質上、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフィン樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド樹脂およびポリエーテルエーテルケトン樹脂からなる群から選ばれた樹脂を含むものが好ましい。
【００３８】
絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させるという観点からは、官能基を生成させる方法に依存して、これらの官能基を生成しやすいものが好ましい。これらの官能基を生成しやすいものかどうかは、実際に確かめることで容易に見極めることができる。
【００３９】
なお、本発明に係る絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物には、単一の樹脂または樹脂混合物のみから構成されたものも含まれるが、その他の成分が含まれていてもよい。代表的なものとしては、寸法安定性や耐熱性を向上させるための無機のフィラーを挙げることができる。
【００４０】
絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させる方法についても、特に制限はなく、公知のものから適宜選択することができるが、ＵＶオゾン処理法、酸素プラズマ処理法および、酸化チタンを分散させた水溶液に絶縁樹脂層を浸漬し、ＵＶを照射する方法（以下、酸化チタン−ＵＶ処理法と略称する）を好ましく例示できる。これらは単独に行っても、組み合わせてもよい。なお、上記官能基は、絶縁樹脂層表面を構成する樹脂組成物の内、どの成分に生じてもよい。具体的には、樹脂組成物中の樹脂やフィラー表面が考えられる。
【００４１】
ＵＶオゾン処理法とは、紫外線（ＵＶ）とオゾンとを組み合わせた酸化処理法である。この原理は、たとえば、空気中のオゾンに紫外線が照射されると、酸素分子と酸素原子に分解し、酸素原子が強い酸化作用を及ぼすのである。空気中のオゾン自体を空気への紫外線の照射で発生させることができる。紫外線の波長としては、短波長、たとえば３１０ｎｍ以下の波長が好ましい。
【００４２】
酸素プラズマ処理法とは、酸素プラズマを絶縁樹脂層表面に照射する方法である。酸素プラズマを得る方法に特に制限はなく、たとえば、空気にマイクロ波を照射することで得ることができる。
【００４３】
酸化チタン−ＵＶ処理法において上記官能基を生じさせる機構については明確ではないが、酸化チタンの活性化を介する水溶液からのヒドロキシルラジカルの生成が関与するものと考えられている。紫外線の波長としては、短波長、たとえば３１０ｎｍ以下の波長が好ましい。
【００４４】
これらの方法により、絶縁樹脂層表面に上記官能基を生じさせることができる。なお、ＵＶオゾン処理法や酸素プラズマ処理法の場合には、水分または湿気を共存させることが好ましい場合もある。いずれの場合についても、第三成分の共存を排除するものではなく、たとえば空気中に炭酸ガス等を共存させることが好ましい場合もあり得る。
【００４５】
絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基が生じたかどうかは、公知のどのような方法によってもよい。ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）やＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光法）を例示することができる。
【００４６】
絶縁樹脂層表面のトリアジン化合物による処理については、結果として、絶縁樹脂層表面上にトリアジン化合物を載置できる限り特に制限はなく、公知の方法から適宜選択することができる。たとえば、トリアジン化合物を適当な溶媒に溶解し、スプレー（吹付け）、コーターやその他の手段による塗布、浸漬、流しかけ等を行う方法を例示することができる。この場合、トリアジン化合物による絶縁樹脂層表面の処理後に、絶縁樹脂層表面を加熱処理することが好ましい場合が多い。この加熱処理により、トリアジン化合物を絶縁樹脂層表面により強固に結合させることができる。加熱処理は、８０〜１５０℃の範囲で、５〜６０分間行うことが好ましい。
【００４７】
トリアジン化合物は、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基との化学結合等の相互作用により、絶縁樹脂層表面に強固に結合するものと考えられている。
【００４８】
この目的のために使用されるトリアジン化合物については、本発明の趣旨に反しない限り特に制限はなく、公知のトリアジン化合物から適宜選択することができる。
【００４９】
具体的には、下記一般式のいずれかで表される化合物が好ましい。これらの化合物は一つの化合物を使用しても、複数の化合物を使用してもよく、また、式（１）〜（３）で表される化合物を混合使用してもよい。
【００５０】
【化４】
2007150221.tif 000006
【００５１】
（式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒまたは、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【００５２】
【化５】
2007150221.tif 000007
【００５３】
（式（２）中、Ａ４、Ａ５は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒまたは、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【００５４】
【化６】
2007150221.tif 000008
【００５５】
（式（３）中、Ａ６は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、または、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
絶縁樹脂層表面のシランカップリング剤による処理についても、トリアジン化合物の場合と同様に、結果として、絶縁樹脂層表面上にシランカップリング剤を載置できる限り特に制限はなく、公知の方法から適宜選択することができる。たとえば、シランカップリング剤を適当な溶媒に溶解し、スプレー（吹付け）、コーターやその他の手段による塗布、浸漬、流しかけ等を行う方法を例示することができる。この場合、シランカップリング剤による絶縁樹脂層表面の処理後に、絶縁樹脂層表面を加熱処理することが好ましい場合が多い。この加熱処理により、シランカップリング剤を絶縁樹脂層表面により強固に結合させることができる。加熱処理は、８０〜１５０℃の範囲で、５〜６０分間行うことが好ましい。
【００５６】
トリアジン化合物による処理の後にシランカップリング剤による処理を行う場合や、シランカップリング剤による処理の後にトリアジン化合物剤による処理を行う場合には、その間に上記加熱処理を設ける場合も設けない場合もあり得る。
【００５７】
シランカップリング剤としては、公知の任意のものから適宜選択することができるが、イオウまたは窒素またはイオウと窒素とを含む官能基を有すると、金属捕捉能が高く、強い結合力が得られ、好適である。特に、シランカップリング剤が、アミノ基、アゾール基およびメルカプト基からなる群から選ばれた少なくとも一種の官能基を有する場合が好ましい。この場合のアミノ基は、非置換および任意の置換アミノ基から適宜選択することができる。アゾール基には、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾールの他、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールおよびその誘導体が含まれる。アミノ基、アゾール基およびメルカプト基とシランカップリング剤骨格とは直接結合していても、間に何らかの結合基が介在していてもよい。たとえば、トリアジン基を介在させることができ、好ましい場合がある。トリアジンチオール基を例示することができる。
【００５８】
なお、上記絶縁樹脂層には、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムおよび珪酸マグネシウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類のフィラーが含まれていることが好ましい場合が多いことが判明した。特に、トリアジン化合物やシランカップリング剤で処理する際に、絶縁樹脂層表面にフィラーの一部が露出していることが好ましい。絶縁樹脂層表面にフィラーの一部が露出しているかどうかは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等で容易に確認することができる。
【００５９】
絶縁樹脂層表面にフィラーの一部を露出させる方法については特に制限はないが、上記したＵＶオゾン処理法、酸素プラズマ処理法、酸化チタン−ＵＶ処理法等では、絶縁樹脂層への極性基の導入と同時に絶縁樹脂層表面にフィラーの一部を露出させることができるので、好ましい。
【００６０】
フィラーによるこれらの効果の理由は明確ではない。おそらく、フィラーの存在による表面の粗化効果よりは、これらフィラーとトリアジン化合物やシランカップリング剤との間に、化学結合等の強固な結合が誘導されるためではないかと考えられている。特に、シリカの場合は、ＵＶオゾン処理法、酸素プラズマ処理法、酸化チタン−ＵＶ処理法等によって、表面に水酸基が生成するものと考えられ、好ましく採用される。
【００６１】
トリアジン化合物やシランカップリング剤による絶縁樹脂層表面の処理の後に行われる、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜の形成法については、特に制限はなく、公知の方法から適宜選択することができる。また、パラジウム触媒の組成についても特に制限はない。
【００６２】
上記態様では、パラジウム触媒は、金属パラジウムとなり無電解めっき膜の下に残存することになる。ただし、実際に金属パラジウムとなっているかどうかや金属パラジウム以外の形態のパラジウムが含まれているかどうかは重要ではなく、上記発明態様の条件を充足していれば本発明の範疇に属すると考えることができる。
【００６３】
上記無電解金属めっき膜形成後の金属電気めっき膜の形成方法についても特に制限はなく、公知の方法から適宜選択することができる。金属電気めっき膜の種類についても特に制限はない。銅、ニッケルおよびコバルトからなる群から選ばれた少なくとも１種類の金属からなることが好ましい。
【００６４】
このようにして、絶縁樹脂層表面上に、トリアジン化合物やシランカップリング剤、その上に無電解金属めっき膜、さらにその上に金属電気めっき膜を形成することにより、各層間に強固な結合を生じさせることができる。
【００６５】
本発明では、このように、各層間に強固な結合を生じさせることができるので、従来のような絶縁樹脂層表面の粗化は必ずしも必要ではなく、これにより、配線層表面の粗化（すなわち、微細突起のある配線構造）を防止し、従って、伝送損失増大の問題を防止することができるが、配線層表面の粗化防止に対するニーズが小さい場合には、本発明を絶縁樹脂層表面の粗化と組み合わせてもよく、その場合も、本発明の範疇に属する。
【００６６】
このような背景から、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物やシランカップリング剤で処理する際における絶縁樹脂層の表面の十点平均表面粗さを５μｍ以下にすることが好ましい場合が多い。この範囲であれば、各層間に強固な結合を生じさせることができると共に、微細突起のある配線構造による、伝送損失、特に導体損を最小限に抑えることが可能となる。なお、粗面化による結合の強化にさらに重点をおきたい場合は、０．１〜５μｍの範囲が好ましい。０．１〜３μｍの範囲がより好ましい。なお、十点平均表面粗さはＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４によって測定することができる。
【００６７】
十点平均表面粗さを上記範囲にするには、絶縁樹脂層表面に特別な処理を施さない場合の他、軽く表面を粗化する方法を挙げることができる。この観点からは、上記したＵＶオゾン処理法、酸素プラズマ処理法、酸化チタン−ＵＶ処理法等が好ましい場合が多い。
【００６８】
以上のようにして、絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供することができる。また、平滑な表面の配線層を有する多層回路基板を得ることも可能となる。
【００６９】
なお、上記方法を多層回路基板の構成という観点から見ると、絶縁樹脂層表面上に、少なくとも、トリアジン化合物、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造を有することを含む多層回路基板、または、絶縁樹脂層表面上に、少なくとも、シランカップリング剤、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造を有することを含む多層回路基板であれば、絶縁樹脂層と配線層とその中間に含まれる物質（トリアジン化合物やシランカップリング剤）との間に強固な結合を生じさせることができると考えることができる。このような多層回路基板も本発明の態様の一つである。トリアジン化合物を含んで形成された配線構造とシランカップリング剤を含んで形成された配線構造とを両方含む多層回路基板も本発明態様に含まれる。
【００７０】
なお、上記の態様において、同一配線構造内で、トリアジン化合物の下、上または同一位置にシランカップリング剤が形成されてなる多層回路基板も好ましい。トリアジン化合物やシランカップリング剤の位置は、多層回路基板を、何らかの方法で、上から順次削りだしていった場合に、どちらが先に検出され始めるかで判断できる。同一位置にトリアジン化合物とシランカップリング剤とがある場合には、両者が、検出強度の差はあれ、同時に検出し始めることを意味する。
【００７１】
この場合における、支持基板、絶縁樹脂層、フィラーおよびトリアジン化合物やシランカップリング剤に対する要件や好ましい例については上記多層回路基板の製造方法の発明態様の場合と同様である。ただし、検出されるトリアジン化合物やシランカップリング剤の化学構造は、他の成分との反応により、単独で存在している場合の化学構造とは異なっているものと考えられる。多層基板の発明態様において、トリアジン化合物やシランカップリング剤と言う場合は、このように反応により変性した構造のものも含めて理解されるべきである。
【００７２】
本発明態様におけるパラジウムについては、前記方法に関する発明態様の場合と同様、パラジウム触媒に由来するものも含まれるが、本発明に係る効果を発揮できる限り、その由来については特に制限はない。また、金属パラジウム以外の形態のパラジウムも含まれ得る。
【００７３】
本発明態様における「パラジウム以外の金属」については、前記方法に関する発明態様における「金属電気めっき膜」を構成する材料についての要件や好ましい例をそのまま適用することができる。ただし、本発明に係る効果を発揮できる限り、「パラジウム以外の金属」を形成する方法については特に制限はない。
【００７４】
次いで、本発明に係る配線形成方法に従ってビルドアップ多層回路基板を形成する方法の例を図１〜３を用いて以下に述べる。図１〜３には、配線形成の各ステップ毎の（作製中の）ビルドアップ多層回路基板の横断面の概略が示されている。なお、以下の説明は本発明の方法を例示するものであって、これを限定することを意図するものではない。
【００７５】
まず、ステップ１に従い、（本例では、配線２を配してある）支持基板１上に絶縁樹脂層３を形成する。絶縁樹脂層３は、溶媒含有の樹脂組成物のワニスを塗布してもよいし、絶縁樹脂組成物のシート材料を支持基板１上にラミネートまたはプレスしてもよい。その後、加熱して絶縁樹脂層３を硬化させる。
【００７６】
次に、必要に応じて上下の導通をとるために、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等によりビアホールを形成し、また、必要に応じてビアホールのスミアを除去する。
【００７７】
次に、ステップ２に従い、ＵＶオゾン処理法、酸素プラズマ処理法、酸化チタン−ＵＶ処理法等により、絶縁樹脂層３上に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基４を生成させる。
【００７８】
その後、ステップ３に従い、絶縁樹脂層３の表面をトリアジン化合物で処理してトリアジン化合物層５を形成させ、更に加熱して反応を完結させる。
【００７９】
次に、ステップ４に従い、通電層を形成するためにパラジウム触媒を用いて無電解銅めっき等を行い、無電解銅めっき層６を得る。この処理でビアホール側面を含めた全面に通電層が形成される。
【００８０】
つぎに、たとえばセミアディティブプロセスで配線を形成する場合は、ステップ５に従い、レジストのパターニング７を行う。その後、ステップ６に従い、金属電気めっき層８を形成し、ついで、ステップ７に従い、レジスト剥離を行う。
【００８１】
最後に、ステップ８に従い、配線以外の銅を含めた通電層を除去して配線が形成される。このプロセスを繰り返すことにより、多層回路基板を形成できる。
【００８２】
なお、このようにして形成された配線上をトリアジン化合物で処理して、配線の上面および側面もトリアジン化合物で覆われるようにすると、この配線とその上に形成される絶縁樹脂層との間の密着性を向上させることも可能である。
【００８３】
トリアジン化合物の代わりに、シランカップリング剤を使用する場合は、上記手順において、トリアジン化合物の代わりに、水またはその他の溶媒に溶解させたシランカップリング剤溶液を使用すればよい。
【実施例】
【００８４】
次に本発明の実施例および比較例を詳述する。なお、絶縁樹脂層表面および剥離面の表面粗さは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４による十点平均表面粗さ測定法で測定し、ピール強度は、ＪＩＳ  Ｃ−６４８１に準じた９０度剥離試験で行った。
【００８５】
［実施例１］
三菱ガス化学社製のＢＴレジン基板上に、本発明に係る絶縁樹脂層を形成する樹脂組成物に該当する半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂シート（味の素社製ＡＢＦ  ＳＨ−９Ｋ、シリカフィラー１２重量％）をラミネートし、１８０℃で３０分間硬化させた。
【００８６】
次に、ＵＶオゾン照射装置を使用し、１８４．９ｎｍおよび２５３．７ｎｍの波長のＵＶを用い、出力４０Ｗで５分間ＵＶオゾン処理を行い、絶縁樹脂層表面を改質した。改質後の絶縁樹脂層表面をＳＥＭ観察したところ、一部シリカフィラーが露出しているのが観察され、また、十点平均表面粗さは１．２μｍであった。改質した絶縁樹脂層表面をＸＰＳで分析した結果、水酸基およびカルボキシル基の生成が確認された。
【００８７】
次に、本発明に係るトリアジンである、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１、三協化成製）の１重量％水溶液で５分間浸漬処理を行い、１００℃で３０分間乾燥させた。
【００８８】
次に、ローム・アンド・ハース社製の無電解銅めっきプロセスで、パラジウム触媒を用いて無電解銅めっきを行い、０．５μｍ厚の無電解銅めっき膜を形成し、その後１５０℃、３０分の熱処理を行った。
【００８９】
つぎに、無電解銅めっき膜を通電層として、硫酸銅五水和物を５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸を１５０〜３００ｇ／Ｌ、塩素イオンを３０〜１００ｍｇ／Ｌ、光沢剤や平滑剤等の添加剤を０．１〜２重量％の濃度で含む電解銅めっき液を使用し、電流密度を３Ａ／ｄｍ２として電解銅めっきを行った。その後、１８０℃、１時間のアニール処理を行った。
【００９０】
銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定した。１．０ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られた。
【００９１】
［実施例２］
ＢＴレジン基板上に、本発明に係る絶縁樹脂層を形成する樹脂組成物に該当する、半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂シート（味の素社製ＡＢＦ  ＧＸ−３、シリカフィラー１８重量％）をラミネートし、１８０℃で３０分間硬化させた。
【００９２】
次に、この基板をＴｉＯ２（アナターゼ型）を超純水（抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ）中に０．３ｇ／ｄｍ３注入した懸濁液に浸し、基板面に、ＵＶ照射装置を使用し、２５３．７ｎｍの波長のＵＶを用い、１０ｍＷ／ｃｍ２の強度で６０分間照射し、絶縁樹脂層表面を改質した。
【００９３】
改質後の絶縁樹脂層表面をＳＥＭ観察したところ、一部シリカフィラーが露出しているのが観察され、また、十点平均表面粗さは２μｍであった。改質した絶縁樹脂層表面をＦＴ−ＩＲ（ＡＴＲ法）で分析した結果、カルボニル基およびカルボキシル基の生成が確認された。
【００９４】
次に、本発明に係るトリアジンである、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１、三協化成製）２重量％水溶液で５分間浸漬処理を行い、１００℃で３０分間乾燥させた。
【００９５】
次に、ローム・アンド・ハース社製の無電解銅めっきプロセスで、パラジウム触媒を用いて無電解銅めっきを行い、１μｍ厚の無電解銅めっき膜を形成し、ついで、１００℃で３０分間熱処理を行った。
【００９６】
無電解銅めっき膜を通電層として、硫酸銅五水和物を５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸を１５０〜３００ｇ／Ｌ、塩素イオンを３０〜１００ｍｇ／Ｌ、光沢剤や平滑剤等の添加剤を０．１〜２重量％の濃度で含む電解銅めっき液を使用し、電流密度を３Ａ／ｄｍ２として電解銅めっきを行った。その後、１８０℃、１時間のアニール処理を行った。
【００９７】
銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定した。１．２ｋｇｆ／ｃｍ（換算値は１．２×９．８Ｎ／ｃｍ）のピール強度が得られた。剥離面の表面粗さを調べたところ、２μｍであった。
【００９８】
［実施例３］
配線パターンを形成したＢＴレジン基板上に、本発明に係る絶縁樹脂層を形成する樹脂組成物に該当する、半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂シート（味の素社製ＡＢＦ  ＧＸ−３：シリカフィラー１８重量％）をラミネートし１８０℃、３０分硬化させ、次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザで直径５０μｍのビアホールを形成した。次に、酸素プラズマ照射装置を用い、出力２００Ｗで３分間照射させ、絶縁樹脂層表面を改質した。改質後の絶縁樹脂層表面をＳＥＭ観察したところ、一部シリカフィラーが露出しているのが観察され、また、十点平均表面粗さは２μｍであった。改質した絶縁樹脂層表面をＸＰＳで分析した結果、水酸基およびカルボキシル基の生成が確認された。
【００９９】
次に、本発明に係るトリアジンである、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン１ナトリウム塩（サンチオールＮ−１、三協化成製）２重量％水溶液で３分間浸漬処理を行い、８０℃で３０分間乾燥した。
【０１００】
次に、ローム・アンド・ハース社製の無電解銅めっきプロセスで、パラジウム触媒を用いて無電解銅めっきを行い、０．５μｍの無電解銅めっき膜を形成し、１２０℃で３０分間熱処理を行った。
【０１０１】
無電解銅めっき膜を通電層として、硫酸銅五水和物を５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸を１５０〜３００ｇ／Ｌ、塩素イオンを３０〜１００ｍｇ／Ｌ、光沢剤や平滑剤等の添加剤を０．１〜２重量％の濃度で含む電解銅めっき液を使用し、電流密度を３Ａ／ｄｍ２として電解銅めっきを行った。
【０１０２】
１８０℃、１時間のアニール処理を行い、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込み、ピール強度を測定した。１．１ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られ、剥離面の表面粗さを調べたところ、２μｍであった。
【０１０３】
［比較例１］
ＵＶオゾン処理による絶縁樹脂層表面の改質を除いて、全て実施例１と同様の処理を試みた。
【０１０４】
その結果、無電解銅めっき析出処理時に既に絶縁樹脂層からの剥離が生じ、無電解銅めっき膜の生成に至らなかった。
【０１０５】
［実施例４］
トリアジンに代えて、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−８０３、信越化学製）１重量％水溶液を使用した以外は実施例１と同様にしてサンプルを得、ピール強度を測定した結果、１．０ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られた。剥離面の表面粗さを調べたところ、１．２μｍであった。
【０１０６】
［実施例５］
トリアジンに代えて、イミダゾールシラン（ＩＳ−１０００、日鉱マテリアルズ製）２重量％メタノール溶液を使用した以外は実施例２と同様にしてサンプルを得、ピール強度を測定した結果、１．１ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られ、剥離面の表面粗さを調べたところ、２μｍであった。
【０１０７】
［実施例６］
トリアジンに代えて、イミダゾールシランの酢酸塩（ＩＡ−１００Ａ、日鉱マテリアルズ製）３重量％水溶液を使用した以外は実施例３と同様にしてサンプルを得、ピール強度を測定した結果、１．０ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られ、剥離面の表面粗さを調べたところ、２μｍであった。
【０１０８】
［実施例７］
トリアジンに代えて、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン（ＫＢＥ-９０３、信越化学社製）１重量％水溶液を使用した以外は実施例１と同様にしてサンプルを得、ピール強度を測定した結果、１．０ｋｇｆ／ｃｍのピール強度が得られた。
【０１０９】
なお、上記に開示した内容から、下記の付記に示した発明が導き出せる。
【０１１０】
（付記１）
絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、
当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、
当該絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物で処理し、
次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる
ことを含む、多層回路基板の製造方法。
【０１１１】
（付記２）
絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、
当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、
シランカップリング剤で処理し、
次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させ
ることを含む、多層回路基板の製造方法。
【０１１２】
（付記３）
絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、
当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基を生成させ、
シランカップリング剤で処理し、
次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させ
ることを含む、付記１に記載の多層回路基板の製造方法。
【０１１３】
（付記４）
前記シランカップリング剤が、イオウまたは窒素またはイオウと窒素とを含む官能基を有する、付記２または３のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【０１１４】
（付記５）
前記シランカップリング剤が、アミノ基、アゾール基およびメルカプト基からなる群から選ばれた少なくとも一種の官能基を有する、付記４に記載の多層回路基板の製造方法。
【０１１５】
（付記６）
前記トリアジン化合物が、少なくとも下記一般式のいずれかで表される化合物である、付記１，３〜５のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【０１１６】
【化７】
2007150221.tif 000009
【０１１７】
（式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒまたは、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【０１１８】
【化８】
2007150221.tif 000010
【０１１９】
（式（２）中、Ａ４、Ａ５は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒまたは、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【０１２０】
【化９】
2007150221.tif 000011
【０１２１】
（式（３）中、Ａ６は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、または、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
（付記７）
前記水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基の生成方法が、ＵＶオゾン処理法、酸素プラズマ処理法および、酸化チタンを分散させた水溶液に絶縁樹脂層を浸漬し、ＵＶを照射する方法からなる群から選ばれた少なくとも１種類の方法である、付記１〜６のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【０１２２】
（付記８）
前記絶縁樹脂層が、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムおよび珪酸マグネシウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類のフィラーを含んでいる、付記１〜７のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【０１２３】
（付記９）
前記絶縁樹脂層表面を前記トリアジン化合物またはシランカップリング剤またはトリアジン化合物とシランカップリング剤とで処理する際に、前記絶縁樹脂層表面に前記フィラーの一部が露出している、付記８に記載の多層回路基板の製造方法。
【０１２４】
（付記１０）
前記絶縁樹脂層表面を前記トリアジン化合物またはシランカップリング剤またはトリアジン化合物とシランカップリング剤とで処理する際における前記絶縁樹脂層の表面の十点平均表面粗さが５μｍ以下である、付記１〜９のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【０１２５】
（付記１１）
前記金属電気めっき膜が、銅、ニッケルおよびコバルトからなる群から選ばれた少なくとも１種類の金属からなる、付記１〜１０のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【０１２６】
（付記１２）
付記１〜１１のいずれかに記載の方法によって製造された多層回路基板。
【０１２７】
（付記１３）
絶縁樹脂層表面上に、
少なくとも、トリアジン化合物、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造
を有することを含む多層回路基板。
【０１２８】
（付記１４）
絶縁樹脂層表面上に、
少なくとも、シランカップリング剤、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造
を有することを含む多層回路基板。
【０１２９】
（付記１５）
絶縁樹脂層表面上に、
少なくとも、シランカップリング剤、その上にパラジウム、さらにその上にパラジウム以外の金属が形成されてなる配線構造
を有する、付記１３に記載の多層回路基板。
【０１３０】
（付記１６）
前記シランカップリング剤が、イオウまたは窒素またはイオウと窒素とを含む官能基を有する、付記１４または１５に記載の多層回路基板。
【０１３１】
（付記１７）
前記シランカップリング剤が、アミノ基、アゾール基およびメルカプト基からなる群から選ばれた少なくとも一種の官能基を有する、付記１６に記載の多層回路基板。
【０１３２】
（付記１８）
前記トリアジン化合物が、少なくとも下記一般式のいずれかで表される化合物である、付記１３，１５〜１７のいずれかに記載の多層回路基板。
【０１３３】
【化１０】
2007150221.tif 000012
【０１３４】
（式（１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒまたは、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【０１３５】
【化１１】
2007150221.tif 000013
【０１３６】
（式（２）中、Ａ４、Ａ５は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒまたは、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【０１３７】
【化１２】
2007150221.tif 000014
【０１３８】
（式（３）中、Ａ６は、Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、または、置換もしくは無置換のアンモニウム基を表し、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。）
（付記１９）
前記絶縁樹脂層が、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムおよび珪酸マグネシウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類のフィラーを含んでなる、付記１３〜１８のいずれかに記載の多層回路基板。
【０１３９】
（付記２０）
前記パラジウム以外の金属が、銅、ニッケルおよびコバルトからなる群から選ばれた少なくとも１種類の金属である、付記１３〜１９のいずれかに記載の多層回路基板。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明に係る配線形成方法を説明する、ビルドアップ多層回路基板の概略側面図である。
【図２】本発明に係る配線形成方法を説明する、ビルドアップ多層回路基板の概略側面図である。
【図３】本発明に係る配線形成方法を説明する、ビルドアップ多層回路基板の概略側面図である。
【符号の説明】
【０１４１】
１  支持基板
２  配線
３  絶縁樹脂層
４  水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも１種類の官能基
５  トリアジン化合物層
６  無電解銅めっき層
７  レジストのパターニング
８  金属電気めっき層
【図１】
2007150221.tif 000015
【図２】
2007150221.tif 000016
【図３】
2007150221.tif 000017