(57)【要約】【課題】誘電体から成るマイクロ波導入窓へ旋回流による腐食性ガスが接触することを防止することによりパーティクルの発生を防止し、腐食性ガスをマイクロ波導入窓から離れた位置で導入する場合においても処理速度が低下することを防止するダウンフロー式のプラズマ処理装置を提供する。  【解決手段】マイクロ波導入窓６からマイクロ波を放射し、プラズマ処理容器７内に酸素ガスのプラズマを発生させ、被処理基板載置台１０は、プラズマ処理容器内７に載置され、レジスト膜を表面に有する被処理基板であるウエハ１８が載置される。第２のガス導入ノズル１２は、第１のガス導入ノズル１１と第３のガス導入ノズル１３との間に設けられ、整流用ガスを第１のガス導入ノズル１１と第３のガス導入ノズル１３との間に導入噴出して、腐食性ガスがマイクロ波導入窓６へ接触すること抑制する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理容器の端部に設けられる誘電体から成るマイクロ波導入窓からマイクロ波を放射し、前記プラズマ処理容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記マイクロ波導入窓から内方に設けられ、非腐食性ガスを前記マイクロ波導入窓の表面付近に噴出して流す第１のガス導入ノズルと、
前記第１のガス導入ノズルから内方に設けられ、腐食性ガスを前記プラズマ処理容器内に導入噴出する第３のガス導入ノズルと、
前記プラズマ処理容器内に載置され、レジスト膜を表面に有する被処理基板を載置する被処理基板載置台と、
前記プラズマが前記被処理基板の前記レジスト膜に照射されて、前記レジスト膜が分解されて除去されるように前記プラズマを前記プラズマ処理容器から内方から排気する排気手段と、を有するプラズマ処理装置において、
前記第１のガス導入ノズルと前記第３のガス導入ノズルとの間に設けられ、整流用ガスを前記第１のガス導入ノズルと前記第３のガス導入ノズルとの間に導入噴出して、前記腐食性ガスが前記マイクロ波導入窓へ接触すること抑制する第２のガス導入ノズルを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１のガス導入ノズルと前記第２のガス導入ノズルとの間に突出する第1の整流板と、
前記第２のガス導入ノズルと前記第３のガス導入ノズルとの間に突出する第２の整流板と、を有する請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
フラップを前記第1の整流板および前記第２の整流板の先端に有する請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１のガス導入ノズル、前記第２のガス導入ノズル及び前記第３のガス導入ノズルの口径を調整することによりガス流入量を調整し、
前記第１のガス導入ノズル、前記第２のガス導入ノズル及び前記第３のガス導入ノズルの設置角度を調整しガス噴出方向を調整する請求項１から３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１のガス導入ノズル及び前記第２のガス導入ノズルから導入噴出されるガスの比重を調整することにより前記導入噴出されるガスの初速を調整する請求項１から４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。  
【請求項６】
前記プラズマ処理容器内の処理雰囲気は大気圧より低い圧力で１３Ｐａ以上に維持される請求項１から５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理容器に配置されたシリコンウエハやガラス基板等の被処理基板の被処理面に薄膜をエッチングあるいは薄膜をアッシングするプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に形成された酸化膜などを選択的にエッチングする工程が含まれる。
また、ウエハの表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。
これらの工程では、不所望な部分に対するエッチングまたはイオン注入を防止するため、ウエハの最表面に感光性樹脂等の有機物から成るレジスト膜がパターン形成される。
これにより、エッチングまたはイオン注入を所望しない部分がレジスト膜によってマスクされる。
ウエハ上にパターン形成されたレジスト膜は、エッチングまたはイオン注入の後は不要になるから、エッチングまたはイオン注入の後には、そのウエハ上の不要となったレジスト膜を除去するためのレジスト除去処理が行われる。
レジスト除去処理は、例えば、アッシング装置でレジスト膜をアッシング（灰化）して除去した後、ウエハを洗浄装置に搬入して、ウエハの表面からアッシング後のレジスト残渣を除去することによって達成できる。
アッシング装置では、例えば、処理対象のウエハを収容した処理室内が酸素ガス雰囲気にされて、その酸素ガス雰囲気中にマイクロ波が放射される。
これにより、処理室内に酸素ガスのプラズマ（酸素プラズマ）が発生し、この酸素プラズマがウエハの表面に照射されることによって、ウエハの表面のレジストが分解されて除去される。
【０００３】
しかし、通常のダウンフロータイプのレジスト除去装置を用いた場合に、いくつかの課題がある。
課題の一つとしては、イオン注入によって変質硬化されたレジスト膜を除去することは非常に困難になる。
なぜなら、イオン注入時の熱によりレジスト膜が炭化され、Ｏ２ラジカルによりＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ 等に酸化され、気化させるのが困難となり、除去に要する時間が長くなるからである。
また注入種（Ｐ+ 、Ａｓ+ 、Ｂ+ 等）の酸化物の蒸気圧は低く、残渣になりやすいからである。結果として、酸素ガスのプラズマでは、レジスト膜を除去できないか、レジスト膜の除去に長時間を要する。
そこで、ＣＦ４に代表されるフッ化炭素系ガスを酸素ガスに添加した混合ガスを処理ガスとして、この処理ガスのプラズマを励起させる場合がある。この時に発生するフッ素の活性種によってイオン注入によって表面が変質したレジスト膜を除去できることが知られている。
ダウンフロー型のプラズマアッシング装置を用いる場合に、フッ素含有ガスに代表される腐食性ガスをプラズマ処理で使用することでマイクロ波導入窓である誘電体が腐食される場合がある。
さらに、パーティクルが発生してウエハに落下することがある。
【０００４】
そこで、プラズマ生成領域と被処理基板であるウエハの間に、仕切り板に代表されるような、遮蔽物を配置する方法があるが、処理容器内を流れるガス流の大きな抵抗となり、活性種の失活の原因となり処理能力に影響を与える。
例えば、ダウンフロー式のプラズマ処理装置でフッ素等の活性種を含むプラズマ粒子が、誘電体から成るマイクロ波導入窓に長時間照射されると、マイクロ波導入窓の表面が活性種により腐食される。
さらに、腐食されて生成された反応物質がパーティクルとしてウエハ上に落下するおそれがある。
そこで、従来、腐食性ガスとしてフッ素含有ガスである、例えば、Ｆ２、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ３Ｆ８、Ｓ２Ｆ２、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＯＦ２等が使用される場合がある。
この場合、反応容器の誘電体から成るマイクロ波導入窓材に接触することを回避するために、腐食性ガスを誘電体から成るマイクロ波導入窓から離れた距離から反応容器内に導入する。
従来方法の一つとしては、プラズマ生成ガスはウエハから離れた誘電体から成るマイクロ波導入窓の近傍からプラズマ処理容器に導入する。
さらに、誘電体から成るマイクロ波導入窓から離れた箇所のプラズマガスを通過させる孔と処理ガスの噴出口を有した仕切り板を配置して反応ガスを導入する方法がある。
さらに、プラズマ生成ガスの第1のガス導入ノズルと異なる位置のプラズマ処理容器の第２のガス導入ノズルにより反応ガスを導入してプラズマガスにより励起して行う装置及び方法が提案されている。
この装置及び方法は、特開平２−２０７５２８号公報（特許文献１）及び特開平１０−２６１６３０号公報（特許文献２）で提案されている。
【特許文献１】特開平２−２０７５２８号公報
【特許文献２】特開平１０−２６１６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ダウンフロー型のプラズマアッシング装置を用いた場合に、仕切り板等の遮蔽物をプラズマ生成領域と反応領域の間に配置するとプラズマ生成領域側の圧力が上昇し、プラズマ粒子の平均自由行程が短くなる。
言い換えると、プラズマ粒子の失活する割合が多くなるため、反応領域へ流れ込む活性種の全体量が減少する。結果として、励起される反応性ガスが減少するため、処理速度は低下して、処理の均一性も悪化する。
また、特開平２−２０７５２８号公報（特許文献１）、特開平１０−２６１６３０号公報（特許文献２）は、プラズマ生成ガスの導入口と異なる位置から、プラズマ処理容器の壁面より反応ガスを導入してプラズマガスにより励起する。
この従来例においてプラズマ生成領域で生成されたプラズマ粒子および活性種により反応領域で反応性ガスを励起させ、プラズマ生成領域である電界の近傍から離れた位置に反応領域があるために、励起される反応性ガスが減少する。
このため、反応性ガスによる処理速度は著しく低下し、さらに処理の均一性が悪化し、活性種のエネルギー不足により膜質・膜種によっては処理が不能になる。
【０００６】
さらに、例えば、マイクロ波による表面干渉波プラズマのようなプラズマ生成領域が局在するプラズマ処理装置において、電界による直接のプラズマ生成領域は、マイクロ波導入窓材である誘電体の極近傍に限定される。
このため、マイクロ波導入窓材から離れた位置にある反応室の反応性ガス存在領域に流れ込む活性種は著しく減少し、被処理基板であるウエハへの処理速度が著しく低下する。
そこで、本発明は、誘電体から成るマイクロ波導入窓へ旋回流による腐食性ガスが接触することを防止することによりパーティクルの発生を防止するダウンフロー式のプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
さらに、腐食性ガスをマイクロ波導入窓から離れた位置で導入する場合においても処理速度が低下することを防止するダウンフロー式のプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマ処理容器の端部に設けられる誘電体から成るマイクロ波導入窓からマイクロ波を放射し、前記プラズマ処理容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記マイクロ波導入窓から内方に設けられ、非腐食性ガスを前記マイクロ波導入窓の表面付近に噴出して流す第１のガス導入ノズルと、
前記第１のガス導入ノズルから内方に設けられ、腐食性ガスを前記プラズマ処理容器内に導入噴出する第３のガス導入ノズルと、
前記プラズマ処理容器内に載置され、レジスト膜を表面に有する被処理基板を載置する被処理基板載置台と、
前記プラズマが前記被処理基板の前記レジスト膜に照射されて、前記レジスト膜が分解されて除去されるように前記プラズマを前記プラズマ処理容器から内方から排気する排気手段と、を有するプラズマ処理装置において、
前記第１のガス導入ノズルと前記第３のガス導入ノズルとの間に設けられ、整流用ガスを前記第１のガス導入ノズルと前記第３のガス導入ノズルとの間に導入噴出して、前記腐食性ガスが前記マイクロ波導入窓へ接触すること抑制する第２のガス導入ノズルを備えることを特徴とする。
【０００８】
さらに、本発明のプラズマ処理装置は、前記第１のガス導入ノズルと前記第２のガス導入ノズルとの間に突出する第1の整流板と、前記第２のガス導入ノズルと前記第３のガス導入ノズルとの間に突出する第２の整流板と、を有する。
さらに、本発明のプラズマ処理装置は、フラップを前記第1の整流板および前記第２の整流板の先端に有する。
さらに、本発明のプラズマ処理装置は、前記第１のガス導入ノズル、前記第２のガス導入ノズル及び前記第３のガス導入ノズルの口径を調整することによりガス流入量を調整し、ノズルの設置角度を調整しガス噴出方向を調整する。
さらに、本発明のプラズマ処理装置は、前記第１のガス導入ノズル及び前記第２のガス導入ノズルから導入噴出されるガスの比重を調整することにより前記導入噴出されるガスの初速を調整する。  
さらに、本発明のプラズマ処理装置は、前記プラズマ処理容器内の処理雰囲気は大気圧より低い圧力で１３Ｐａ以上に維持される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係るプラズマ処理装置によれば、第２のガス導入ノズルは、第１のガス導入ノズルと第３のガス導入ノズルとの間に設けられ、整流用ガスを第１のガス導入ノズルと第３のガス導入ノズルとの間に導入噴出して、腐食性ガスがマイクロ波導入窓へ接触すること抑制する。
このため、誘電体から成るマイクロ波導入窓へ旋回流による腐食性ガスが接触することを防止することによりパーティクルの発生を防止する。
さらに、腐食性ガスをマイクロ波導入窓から離れた位置で導入する場合においても処理速度が低下することを防止する。
さらに、本発明のプラズマ処理装置は、前記第１のガス導入ノズルと前記第２のガス導入ノズルとの間に突出する第1の整流板と、前記第２のガス導入ノズルと前記第３のガス導入ノズルとの間に突出する第２の整流板と、を有する。
このため、マイクロ波導入窓である誘電体の表面に腐食性ガスが接触することを抑制でき、仕切り板に代表されるような遮蔽物をプラズマ生成領域と反応領域の間に配置する場合に比べ、プラズマ粒子の失活を低減できる。
さらに、処理速度の低下、処理の均一性の悪化、膜質・膜種によって処理が不能になるなどの影響を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を、その実施例に基づいて、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１の断面構成図を参照して本発明の実施例１のマイクロ波を用いたダウンフロー式のプラズマ処理装置を説明する。
プラズマ発生手段は、マイクロ波発振器１、アイソレータ２、４Ｅチューナ３、マイクロ波導波管４、スロットアンテナ５及びマイクロ波導入窓６から成る。
プラズマ発生手段は、プラズマ処理容器７の端部に設けられる誘電体から成るマイクロ波導入窓６からマイクロ波を放射し、プラズマ処理容器７内に酸素ガスのプラズマを発生させる手段である。
マイクロ波発振器１により、例えば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波が発生され、このマイクロ波は、アイソレータ２、４Ｅチューナ３及びマイクロ波導波管４を介してスロットアンテナ５へと導かれる。
マイクロ波導波管４は、プラズマ処理容器７の上部に進行するマイクロ波の方向がマイクロ波導入窓６およびスロットアンテナ５と平行になるようにプラズマ処理容器７の端部に連結される。
スロットアンテナ５へと導かれたマイクロ波は、例えば、石英ガラスやアルミナ、窒化アルミニウム等の誘電体から成るマイクロ波導入窓６を介してプラズマ処理容器７内のプラズマ生成領域８に導入される。
被処理基板載置台１０は、プラズマ処理容器内７に載置され、レジスト膜を表面に有する被処理基板であるウエハ１８が載置される。
被処理基板載置台１０は、ヒータを内蔵し上下動可能に構成される。被処理基板載置台１０には、半導体ウエハ１８を加熱するヒータまたは、冷却装置、温度調節器およびウエハ吸着機構を具備するようにしても良い。
【００１２】
第１のガス導入ノズル１１は、マイクロ波導入窓６から内方に設けられ、非腐食性ガスをマイクロ波導入窓６の表面付近に噴出して流す。
第１のガス導入ノズル１１は、マイクロ波導入窓６からの距離５ｍｍで角度をマイクロ波導入窓６に平行な面に対して１０度で配置される。
第３のガス導入ノズル１３は、第１のガス導入ノズル１１から内方に設けられ、腐食性ガスをプラズマ処理容器７内に導入噴出する手段である。
第３のガス導入ノズル１３は、腐食性ガスの導入のためのノズルをマイクロ波導入窓からの距離２０ｍｍでマイクロ波導入窓６に平行な面に対して４５度として配置する。
第２のガス導入ノズル１２は、第１のガス導入ノズル１１と第３のガス導入ノズル１３との間に設けられる。
第２のガス導入ノズル１２は、整流用ガスを第１のガス導入ノズル１１と第３のガス導入ノズル１３との間に導入噴出して、腐食性ガスがマイクロ波導入窓６へ接触すること抑制する。
さらに、第２のガス導入ノズル１２は、マイクロ波導入窓６から距離１０ｍｍで角度を被処理基板載置台１０に平行な面に対して１０度で配置される。
ここで、第１のガス導入ノズル１１、第２のガス導入ノズル１２及び第３のガス導入ノズル１３の口径を調整することによりガス流入量を調整し、ノズルの設置角度を調整しガス噴出方向を調整することが好適である。
さらに、第１のガス導入ノズル１１及び第２のガス導入ノズル１２から導入噴出されるガスの比重を調整することにより導入噴出されるガスの初速を調整することが好適である。  
排気手段２２は、プラズマが被処理基板であるウエハ１８のレジスト膜に照射されて、レジスト膜が分解されて除去されるようにプラズマをプラズマ処理容器７から内方から排気する手段である。
【００１３】
第１のガス導入ノズル１１と第２のガス導入ノズル１２の間でマイクロ波導入窓６からの距離７．５ｍｍに周方向に３０ｍｍの第１の整流板１６を配置した。
第２のガス導入ノズル１２と第３のガス導入ノズル１３の間でマイクロ波導入窓６からの距離１５ｍｍに周方向に４５ｍｍの第２の整流板１７を配置した。
ダウンフローで被処理基板載置台１０により旋回した腐食性ガスのマイクロ波導入窓６への接触を抑制するために第１の整流板１６および第２の整流板１７を備える。
第１のガス導入ノズル１１、第２のガス導入ノズル１２、第３のガス導入ノズル１３には、バルブ１５やマスフローコントローラ２０等で構成されたガス導入装置が接続される。
ガス導入装置には、酸素含有ガス源２７からの酸素含有ガスおよびアルゴンに代表される希ガス源２８もしくは窒素ガス源からの希ガスまたは窒素ガスが供給される。
ガス導入装置には各ガス供給ライン（酸素含有ガス供給ライン、希ガス供給ライン、窒素ガス供給ライン）上に設けられたバルブ１５の開閉およびマスフローコントローラ１４を制御する。
この制御により、第１のガス導入ノズル１１からプラズマ生成領域８に導入されるプラズマ生成ガスに含まれるガスの種類を変更することができる。
各ガス供給ライン上に設けられたマスフローコントローラ２０を制御する。
この制御により、プラズマ生成ガスノズル１１からプラズマ生成領域８に導入されるプラズマ生成ガスの流量および含まれる各ガス成分の濃度（ガス混合比）を変更できる。
さらに、ガス排気口２２は、プラズマ処理容器７の底部である被処理基板載置台１０付近に設けられ、図示されない排気系装置が連結され、プラズマ処理容器７の気圧を大気圧以下で１３．３Ｐａ以上に調節するよう排気が行われる。
【００１４】
上記構成の本発明の実施例１のプラズマ処理装置で、圧力条件を１３３．３Ｐａに調整して、第１のガス導入ノズル１１からパージガスとしてアルゴンを５００ｓｃｃｍ導入噴出する。
第２のガス導入ノズル１２から整流ガスとしてアルゴンガスを２００ｓｃｃｍ導入噴出する。
第３のガス導入ノズル１３から反応性ガスとしてＳＦ６を３００ｓｃｃｍ導入噴出し混入させる。
ここで、第１のガス導入ノズル１１からのガスの流量は、静圧力６７．７Ｐａの条件である。
このガスは、マイクロ波導入窓６の表面へのパージガスであるプラズマ生成ガスであるアルゴンガスで、マイクロ波導入窓６からの距離５ｍｍで、マイクロ波導入窓６の表面に対して１０度の角度で５００ｓｃｃｍ供給する。
第２のガス導入ノズル１２からのガスは、拡散抑制のために整流としてのアルゴンガスである。
このガスをマイクロ波導入窓６からの距離１０ｍｍで、被処理基板載置台１０の平行面に対して１０度の角度で２００ｓｃｃｍ供給する。
第３のガス導入ノズル１３からのガスは、反応ガスであるフッ素含有ガスの六フッ化硫黄（ＳＦ６）である。
このガスをマイクロ波導入窓からの距離２０ｍｍの位置で、マイクロ波導入窓６の表面に対して４５度の角度で３００ｓｃｃｍで供給した。
その結果、第３のガス導入ノズル１３より供給されたガス及び、対流しているガスが整流され、マイクロ波導入窓６への接触が抑制された。
【００１５】
プラズマ生成領域８にプラズマ生成ガスが充満した状態で、マイクロ波発振器１からマイクロ波が３ｋＷの電力で出力され、マイクロ波透過窓６を透過してプラズマ生成室８内に放射された。
その放射されるマイクロ波のエネルギーにより、プラズマ生成領域８内の混合ガスが、高密度プラズマに励起される。
マイクロ波のエネルギーにより第１のガス導入ノズル１１及び第２のガス導入ノズル１２より供給された非腐食性ガスである希ガスまたは窒素ガスを励起した。
さらに、第３のガス導入ノズル１３より供給されたフッ素含有ガスである六フッ化硫黄（ＳＦ６）も効果的に励起することにより、ウエハ１８の表面に形成されているレジスト膜パターンに到達させる。  
この結果、処理速度の低減を抑制し、処理能力の変化を最小限に抑えて、効率的にレジスト膜パターンがアッシングされる。
また、一度に排気されず第１の整流板１６，第２の整流板１７により対流している（旋回流）フッ素含有ガスを含む混合ガスを再励起することにより、より効果的に処理を行う。
第１のガス導入ノズル１１及び第２のガス導入ノズル１２より供給される非腐食性ガスの種類としては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒなどの希ガスの他に、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ２等を使用することができる。
フッ素含有ガスとしては、Ｆ２、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ３Ｆ８、Ｓ２Ｆ２、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＯＦ２などを使用することができる。
さらに、処理フォーミングガスにおいて使用される水素の希釈ガスとしては、窒素等を使用することができる。
【実施例２】
【００１６】
次に、図２を参照して本発明の実施例２を説明する。
本実施例２は、静圧力６７．７Ｐａの条件で行われた。
第１のガス導入ノズル１１からのガスは、マイクロ波導入窓６の表面へのパージガスでありプラズマ生成ガスであるアルゴンガスである。
このガスをマイクロ波導入窓６からの距離５ｍｍで、マイクロ波導入窓面に対して１０度の角度で５００ｓｃｃｍ供給した。
第２のガス導入ノズル１２からのガスは、拡散抑制のために整流としてのアルゴンガスである。
このガスをマイクロ波導入窓からの距離１０ｍｍで、被処理基板載置台１０の平行面に対して１０度の角度で２００ｓｃｃｍ供給した。
第３のガス導入ノズル１３からのガスは、反応ガスであるフッ素含有ガスの六フッ化硫黄（ＳＦ６）である。
このガスをマイクロ波導入窓からの距離２０ｍｍの位置で、マイクロ波導入窓６の表面に対して４５度の角度で３００ｓｃｃｍで供給した。
その結果、第三のガス導入ノズル１３より供給されたガス及び、対流しているガスが整流され、マイクロ波導入窓６への接触が抑制されていることが確認された。
本実施例２においては、第１の整流板１６の先端にフラップ１６ａおよび第２の整流板１７の先端にフラップ１７ａを有するため、各ガスのガス流および旋回流のガス流れの拡散をより効果的に抑制する。
この結果、マイクロ波導入窓６から第1の整流板１６付近までが高圧領域８ａに、第1の整流板１６付近から第２の整流板１７付近までが中圧領域９に維持された。
さらに、第２の整流板１７付近から被処理基板１８付近までが低圧領域２１に維持された。
なお、上述の全ての実施例において、上下が逆に構成される場合もある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例１の断面構成図である。
【図２】本発明の実施例２の概略模式図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  マイクロ波発振器    ２  アイソレータ  ３  ４Ｅチューナ
４  マイクロ波導波管    ５  スロットアンテナ    ６  マイクロ波透過窓
７  プラズマ処理容器    ８  プラズマ生成領域  １０  被処理基板載置台
１１  第１のガス導入ノズル
１２  第２のガス導入ノズル
１３  第３のガス導入ノズル
１６  第１の整流板    １７  第２の整流板
１５  バルブ    １８  ウエハ  
２０  マスフローコントローラ    ２２  ガス排気口
２７  酸素ガス源    ２８  フッ素含有ガス源      ２９  希ガス源
【図１】
2007081342.tif 000003
【図２】
2007081342.tif 000004