(57)【要約】【課題】レジストパターン膨潤化技術を用いてＣＤ値のばらつきを減少させる。【解決手段】基板上にレジストパターンを形成し（ステップＳ５）、その基板を引き置くか、ベーキングする（ステップＳ６）。その後、その基板に膨潤化剤を塗布し（ステップＳ７）、ベーキングをする（ステップＳ８）。そして、塗布した膨潤化剤を剥離し（ステップＳ９）、膨潤したレジストパターンを形成する。膨潤化剤の塗布前に、レジストパターン形成後の基板を引き置くか、ベーキングすることにより、それと膨潤化剤との間に均一性よく相溶層が形成されるようになる。これにより、ＣＤ値のばらつきを減少させたレジストパターンを形成することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジストを塗布する工程と、
塗布された前記レジストにレジストパターンを形成する工程と、
形成された前記レジストパターンの表面状態を安定化させる工程と、
安定化された前記レジストパターン上に膨潤化剤を塗布する工程と、
前記膨潤化剤を用いて前記レジストパターンを膨潤化する工程と、
を有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記レジストパターンの表面状態を安定化させる工程においては、
前記レジストパターンを引き置くことによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
前記レジストパターンを引き置く際には、
前記レジストパターンを引き置く際の時間を制御することを特徴とする請求項２記載のレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記レジストパターンの表面状態を安定化させる工程においては、
前記レジストパターンをベーキングすることによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法。
【請求項５】
前記レジストパターンをベーキングする際には、
前記レジストパターンをベーキングする際の温度を制御することを特徴とする請求項４記載のレジストパターン形成方法。
【請求項６】
基板上にレジストを塗布する手段と、
塗布された前記レジストにレジストパターンを形成する手段と、
形成された前記レジストパターンの表面状態を安定化させる手段と、
安定化された前記レジストパターン上に膨潤化剤を塗布する手段と、
前記膨潤化剤を用いて前記レジストパターンを膨潤化する手段と、
を有することを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項７】
前記レジストパターンの表面状態を安定化させる手段は、前記レジストパターンを引き置くことによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする請求項６記載のレジストパターン形成装置。
【請求項８】
前記レジストパターンを引き置く際の時間を制御することによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする請求項７記載のレジストパターン形成装置。
【請求項９】
前記レジストパターンの表面状態を安定化させる手段は、前記レジストパターンをベーキングすることによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする請求項６記載のレジストパターン形成装置。
【請求項１０】
前記レジストパターンをベーキングする際の温度を制御することによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする請求項９記載のレジストパターン形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレジストパターン形成方法及びレジストパターン形成装置に関し、特にレジストパターン膨潤化技術を用いてＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ；最小線幅）値のばらつきを減少させるレジストパターン形成方法及びレジストパターン形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路を形成する工程で、レジストパターンを形成するには、量産性の高さから、光リソグラフィー技術が用いられている。
光リソグラフィー技術におけるフォトレジスト露光源は、１３０ｎｍノード形成まではＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマ光（波長２４８ｎｍ）が用いられてきた。しかし、最近の１００ｎｍ以下のノード形成では、より短波長のＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマ光（波長１９３ｎｍ）が使用され始めている。
【０００３】
ＡｒＦエキシマ光を用いたフォトレジスト技術では、ＫｒＦ用のレジスト材、例えばノボラック樹脂を転用することができない。ノボラック樹脂は、分子鎖に芳香環を有している。このようなレジストは、遠紫外線（例えば、波長１９３ｎｍ）の吸収が強い。従って、遠紫外線をレジスト表面に照射すると、膜厚方向の表面付近で光化学反応がおこり、ＡｒＦエキシマ光が内部まで透過しない。その結果、ＡｒＦエキシマ光を、例えばノボラック樹脂の露光源として用いると、膜厚方向の下部が解像しないという現象が起きる。
【０００４】
この問題に対し、遠紫外線を充分透過することができるレジスト材、例えば、アダマンタン系レジストや、ＣＯＭＡ（Ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ／ｍａｌｅｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）系レジストが開発されている。これらのレジストを用いれば、ＡｒＦエキシマ光で露光することにより１００ｎｍ以下のノード形成ができる。
【０００５】
ところで、露光限界を超えたレジストパターンを得る技術に、レジストパターン膨潤化技術がある。これは、露光限界付近でレジストパターンを予め形成し、この上にレジストと反応するレジスト膨潤化剤を塗布する。そして、レジストとレジスト膨潤化剤の相互反応により、レジストを膨潤させ、レジストパターン寸法を縮小し、露光限界を超えたレジストパターンを形成する技術である。
【０００６】
このような膨潤化技術の代表例に、ＫｒＦ用レジストに開発されたＲＥＬＡＣＳ（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｂｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｈｒｉｎｋ）がある（例えば、特許文献１参照）。また、この技術を、ＡｒＦ用レジストに改良した技術も開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
上述したＡｒＦ用レジストに改良した技術では、レジストパターン上に膨潤化剤となる塗膜を形成し、膨潤化剤とＡｒＦ用レジスト界面における親和性を向上させることにより、ＡｒＦ用レジストを用いても、充分に露光限界を超えたレジストパターンを形成することができるようにしている。即ち、レジストパターンと膨潤化膜を相溶させることにより、ＡｒＦ用レジストを膨潤する。
【０００８】
この膨潤化技術においては、次の図１１に示すような工程でレジストパターンを膨潤する。図１１は、レジストパターン膨潤化工程の一例である。先ず、基板上にＡｒＦ用レジストを塗布する（ステップＳ１０）。次に、その基板をプリベーキングする（ステップＳ１１）。次いで、ＡｒＦエキシマ光を、パターンマスクを介してレジストに照射し、露光を行う（ステップＳ１２）。次いで、その基板をポストベーキングする（ステップＳ１３）。そして、基板を現像し、レジストパターンを形成する（ステップＳ１４）。そして、基板に膨潤化剤を塗布する（ステップＳ１５）。そして、レジストを膨潤させるためにベーキングをする（ステップＳ１６）。最後に、塗布した膨潤化剤を剥離し（ステップＳ１７）、膨潤させたレジストパターンを形成する。
【特許文献１】特開平１０−７３９２７号公報
【特許文献２】特許第３６３３５９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図１１に示すレジストパターン膨潤化技術では、レジストパターンと膨潤化剤を相溶させることにより界面に形成される層（以下、相溶層）の厚み等にばらつきがあり、それにより膨潤化後のＣＤ値にばらつきが生じるという問題が生じている。
【００１０】
ＣＤ値のばらつきは、ノード微細化に伴ってより深刻になる。設計パターンが微細になれば、設計パターンに対するＣＤ値のばらつき率が増加するからである。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、レジストパターンを膨潤させた際の、ＣＤ値のばらつきを低減することのできるレジストパターン形成方法及びレジストパターン形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明では、上記課題を解決するために、基板上にレジストを塗布する工程と、塗布された前記レジストにレジストパターンを形成する工程と、形成された前記レジストパターンの表面状態を安定化させる工程と、安定化された前記レジストパターン上に膨潤化剤を塗布する工程と、前記膨潤化剤を用いて前記レジストパターンを膨潤化する工程と、を有することを特徴とするレジストパターン形成方法が提供される。
【００１２】
このようなレジストパターン形成方法によれば、基板上にレジストが塗布され、レジストパターンが形成され、レジストパターンの表面状態が安定化され、安定化されたレジストパターン上に膨潤化剤が塗布され、レジストパターンが膨潤される。
【００１３】
また本発明では、基板上にレジストを塗布する手段と、塗布された前記レジストにレジストパターンを形成する手段と、形成された前記レジストパターンの表面状態を安定化させる手段と、安定化された前記レジストパターン上に膨潤化剤を塗布する手段と、前記膨潤化剤を用いて前記レジストパターンを膨潤化する手段と、を有することを特徴とするレジストパターン形成装置が提供される。
【００１４】
このようなレジストパターン形成装置によれば、基板上にレジストが塗布され、レジストパターンが形成され、レジストパターンの表面状態が安定化され、安定化されたレジストパターン上に膨潤化剤が塗布され、膨潤したレジストパターンが形成される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、基板上にレジストが塗布され、レジストパターンが形成され、レジストパターンの表面状態が安定化され、安定化されたレジストパターン上に膨潤化剤が塗布され、レジストパターンが膨潤されるようにした。
【００１６】
これにより、相溶層の均一性が向上し、レジストパターン膨潤化技術を用いて、ＣＤ値のばらつきを減少させるレジストパターンが形成可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１はレジストパターン膨潤化工程フローの一例である。最初に、基板上にレジストを塗布する（ステップＳ１）。次に、その基板をプリベーキングする（ステップＳ２）。次いで、ＡｒＦエキシマ光を、パターンマスクを介してレジストに照射し、露光を行う（ステップＳ３）。次いで、その基板をポストベーキングする（ステップＳ４）。そして、基板を現像し、膨潤前のレジストパターンを形成する（ステップＳ５）。そして、基板を例えば所定雰囲気のキャビネット内に放置する（以下、引き置き）、またはベーキングする（ステップＳ６）。そして、基板に膨潤化剤を塗布する（ステップＳ７）。そして、レジストを膨潤させるために、ベーキングをする（ステップＳ８）。最後に、塗布した膨潤化剤を剥離し（ステップＳ９）、膨潤したレジストパターンを形成する。
【００１８】
このように、現像後のレジストパターンを引き置くまたはベーキングすると、レジストパターンと膨潤化剤の界面に、均一性よく相溶層が形成し、レジストパターンを膨潤させても、ＣＤ値のばらつきを減少させたレジストパターンを形成することができる。
【００１９】
また、レジストパターンと膨潤化剤の相溶については、微かに生じるように調整する。相溶が過大になり、膨潤化量が増加すると、レジストパターンのつぶれが発生するからである。また、膨潤化量の制御性も悪くなり、パターン形状が変形する。さらにパターン幅、パターン周辺状態に依存したＣＤ値のリニアリティ性が悪くなるからである。
【００２０】
尚、膨潤化剤の相溶が微かに生じるようにするには、膨潤化剤の濃度、膜厚、温度等を制御する。
次に、レジストパターンの膨潤化を行う装置構成について説明する。図２はレジストパターン形成装置の構成例である。先ず、レジストパターン形成をする基板がレジストパターン形成装置１０に搬入されると、その基板はレジスト塗布ユニットＵ１に搬送され、その基板に例えばスピンコーターによってレジストが塗布されるようになっている。レジスト塗布後の基板は、プリベーキングユニットＵ２に搬送され、所定の条件でプリベーキングが行われる。プリベーキング後の基板は、露光ユニットＵ３に搬送され、露光機によってＡｒＦエキシマ光がパターンマスクを介して、レジストに照射され、露光が行われる。露光後の基板は、ポストベーキングユニットＵ４へ搬送されて、ポストベーキングが行われ、その後、現像ユニットＵ５へ搬送されて、レジストの現像が行われ、膨潤前のレジストパターンが形成される。その後、その基板は引き置き又はベーキングユニットＵ６へ搬送され、所定の温度及びキャビネット内で引き置かれる、または所定の条件でベーキングされる。引き置きまたはベーキングされた基板は、膨潤化剤塗布ユニットＵ７へ搬送され、例えばスピンコーターによって膨潤前のレジストパターン上に膨潤化剤が塗布される。塗布後の基板は、ミキシングベーキングユニットＵ８へ搬送され、所定の条件でベーキングされ、そのレジストパターンが膨潤される。膨潤化後の基板は、膨潤化剤剥離ユニットＵ９へ搬送され、その膨潤化剤が剥離除去される。そして、その基板は、レジストパターン形成装置１０から搬出される。
【００２１】
尚、レジストパターン形成装置１０は、レジストパターンの膨潤化が不要である場合には、現像ユニットＵ５から現像後の基板を搬出できるようになっている。
次に、レジストパターン形成工程について、具体的に説明する。図３から図８は、レジストパターン膨潤化工程の要部断面図である。
【００２２】
図３はレジスト塗布工程の要部断面図である。先ず、Ｓｉ基板２０上に、反射防止膜３０を形成する。続いて、アクリル樹脂系のＡｒＦ用ポジ型レジスト４０を、スピンコーターにより、回転数２５００ｒｐｍ（ｒｐｍ；ｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎｓ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ）で、反射防止膜３０上に塗布する。そして、１１０℃で１２０秒のプリベーキングを行う。ここでのレジスト膜厚は、３００ｎｍである。
【００２３】
図４は露光・現像工程の要部断面図である。露光用マスクを用い、ＡｒＦエキシマ光を露光量４００Ｊ／ｍ2で、ＡｒＦ用ポジ型レジスト４０にマスクパターンを転写する。露光後には、室温で９０秒のポストベークを行う。そして現像を行い、幅１２０ｎｍ、深さ３００ｎｍのホールパターン５０を形成する。
【００２４】
図５は引き置き工程の要部断面図である。Ｓｉ基板２０をキャビネット６０ａ内に設置させた後、引き置く。引き置きは、例えば、室温で大気中にて１時間行う。
レジストパターン表面からは、例えば、相溶層形成に寄与する物質が放出している。特に、現像直後においては、その放出量はＳｉ基板２０の場所によって差異がある。引き置きを行い、キャビネット排気口６０ｂから相溶層形成に寄与する物質を放出させることによって、その放出量を一定以下に安定させ、いかなる場所でも均一性のよい相溶層を形成する。
【００２５】
図６は塗膜形成工程の要部断面図である。膨潤化剤には、例えば、ポリビニルアセタール樹脂、架橋剤であるテトラメトキシメチルグリコールウリル、非イオン性界面活性剤、純水、イソプロピルアルコールから成る溶液を使用する。その成分の重量比は、１６．０：１．１６：０．２５：９８．６：０．４である。この膨潤化剤を用いて、スピンコート法により、回転数１５００ｒｐｍで、反射防止膜３０及びＡｒＦ用ポジ型レジスト４０上に塗膜７０を形成する。塗膜７０は、反射防止膜３０及びＡｒＦ用ポジ型レジスト４０を被覆するように形成する。被覆するためには、膜厚を５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にする。
【００２６】
図７は膨潤化工程の要部断面図である。９０℃、６０秒のベーキングにより、レジストパターンを膨潤させる。ここで塗膜７０とＡｒＦ用ポジ型レジスト４０界面は相溶し、相溶層８０が形成される。ここでの相溶は微かに発生させる。相溶が過大になれば、コンタクトホールがつぶれて、レジストパターンが形成しないからである。また相溶が全く起こらなければレジストパターンが膨潤しないからである。
【００２７】
図８は塗膜剥離工程の要部断面図である。純水洗浄またはアルカリ水溶洗浄にて、図７に示した膨潤剤である塗膜７０を剥離し、膨潤したホールパターン９０を形成する。
このような工程で、レジストパターンを膨潤させても、ＣＤ値のばらつきが低減したレジストパターンを形成することができる。
【００２８】
次に、引き置きをしたことによるＣＤ値変化の抑制効果と、ＣＤ値変化を抑制したことによるＣＤ値のばらつき低減の効果について説明する。
ここでは、その効果を確認するために、２０枚の基板（Ｓｉウエハ２００ｍｍ径）を１組にし、引き置きをした場合と、引き置きをしなかった場合の２つの条件に分けて、試料を作製した。以下に、その差異について説明する。
【００２９】
条件は、条件Ａと条件Ｂである。条件Ａは、図３から図８に示す工程と同様の工程で、レジストパターンを膨潤させる条件である。即ち、条件Ａには、引き置き工程があり、レジストパターンを膨潤させている。一方、条件Ｂは、図３から図８に示す工程から、引き置き工程（図５）だけを除外して、レジストパターンを膨潤させた条件である。
【００３０】
次にその結果について説明する。図９は基板毎のＣＤ変化量である。ここでのＣＤ変化量とは、ＣＤ値の狙い値（１２０ｎｍ）から、膨潤化後のＣＤ値を差し引いた値である。膨潤化後のＣＤ値計測については、電子顕微鏡の断面像から読み取った。電子顕微鏡観察は、基板面内の５つのポイントを観察し、その平均値を膨潤化後のＣＤ値とした。
【００３１】
図９から、基板毎にＣＤ変化量がばらついているのが判る。しかし、条件Ａは、条件Ｂに比べ、ＣＤ変化量が全体的に下がっている。また、ばらつきの幅についても、条件Ａの方が条件Ｂよりも低減している。この引き置きの効果は、次の結果から顕著に判る。
【００３２】
図１０はＣＤ変化率及び３σ値である。図１０に示すＣＤ変化率は、各条件におけるＣＤ変化量を、２０枚の基板で平均し、これをＣＤ狙い値に対する割合を示したものである。また、３σ値は、２０枚の基板から求めたＣＤ変化量の標準偏差σの３倍値で、ＣＤ値のばらつきを示している。
【００３３】
図１０から判るように、引き置きをした条件Ａでは、膨潤化後のＣＤ変化率が５．４％である。これに対し、引き置きをしなかった条件Ｂでは、膨潤化後のＣＤ変化率が６．１％である。即ち、引き置くことにより、ＣＤ変化率を低減させることができる。また、ＣＤ変化率が低減すると、３σ値も同時に低減することが判る。具体的には、引き置きをした条件Ａの３σ値は、引き置きをしなかった条件Ｂの３σに比べ、３３．２％の減少効果がある。このＣＤ値のばらつきの減少効果については、ＣＤ変化率が５．４％に限らず、引き置いた後に膨潤化させたＣＤ変化率が３〜１０％の範囲で同様の効果を得た。
【００３４】
尚、上記の説明では、条件Ａの引き置きは、大気中にて室温で１時間行っている。しかし引き置きを大気中にて１時間以上行っても、ＣＤ変化量は一定の値を示した。即ち、所定の時間以上の引き置きをすれば、ＣＤ変化量が安定する。従って、引き置くことにより、均一性の良好な相溶層を形成させ、ＣＤ変化量が安定した段階でレジストパターンを膨潤をすれば、ＣＤ値のばらつきを低減させることができる。
【００３５】
また、上記の説明では、現像後に引き置きを行っているが、引き置きの代わりにベーキングを行ってもよい。ベーキングするときは、キャビネット内温度を３０℃以上から１００℃以下にし、１０分間放置する。１００℃以上では、レジストが過剰に硬化し、相溶層が形成せず、レジストパターンが膨潤しないからである。また３０℃以下では、１０分間以内ではＣＤ変化量が安定しないからである。
【００３６】
また、ＣＤ値のばらつきを減少させる効果については、ホールパターン、ライン・スペースパターンに依存せず、同様の効果を得た。また、孤立パターン、密パターンに依存せず、同様の効果を得た。
【００３７】
また上記の説明では、引き置きを大気圧にて１時間放置したが、この時間は１時間よりも短い時間でもよい。ＣＤ変化量が一定の値を示した後にレジストパターンを膨潤させれば、ＣＤ値のばらつきを減少させることができる。
【００３８】
また、上記の例では膨潤化剤の一例として、重量比が１６．０：１．１６：０．２５：９８．６：０．４のポリビニルアセタール樹脂、架橋剤であるテトラメトキシメチルグリコールウリル、非イオン性界面活性剤、純水、イソプロピルアルコールから成る溶液を使用したが、特にこの膨潤化剤に限らない。組成、成分を変えることによって、膨潤化量については調整可能である。
【００３９】
また、ＡｒＦ用レジストには、アダマンタン系レジスト、ＣＯＭＡ系レジストがあるが、特にこれらのレジストには限らない。
即ち、今後のノード微細化に伴って、その都度に相溶層が基板面内で均一に形成する条件、例えば、引き置き条件、塗布条件を設定すれば、ＣＤ変化量が抑制され、膨潤化によるＣＤ値のばらつきを減少させることができる。
【００４０】
（付記１）  基板上にレジストを塗布する工程と、
塗布された前記レジストにレジストパターンを形成する工程と、
形成された前記レジストパターンの表面状態を安定化させる工程と、
安定化された前記レジストパターン上に膨潤化剤を塗布する工程と、
前記膨潤化剤を用いて前記レジストパターンを膨潤化する工程と、
を有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【００４１】
（付記２）  前記レジストパターンの表面状態を安定化させる工程においては、
前記レジストパターンを引き置くことによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする付記１記載のレジストパターン形成方法。
【００４２】
（付記３）  前記レジストパターンを引き置く際には、
前記レジストパターンを引き置く際の時間を制御することを特徴とする付記２記載のレジストパターン形成方法。
【００４３】
（付記４）  前記レジストパターンの表面状態を安定化させる工程においては、
前記レジストパターンをベーキングすることによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする付記１記載のレジストパターン形成方法。
【００４４】
（付記５）  前記レジストパターンをベーキングする際には、
前記レジストパターンをベーキングする際の温度を制御することを特徴とする付記４記載のレジストパターン形成方法。
【００４５】
（付記６）  前記温度を３０℃から１００℃の範囲で制御することを特徴とする付記５記載のレジストパターン形成方法。
（付記７）  前記レジストパターンの表面状態を安定化させる工程においては、
膨潤化前後のＣＤ変化量がＣＤ狙い値の３％から１０％の範囲となるように、前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする付記１記載のレジストパターン形成方法。
【００４６】
（付記８）  基板上にレジストを塗布する手段と、
塗布された前記レジストにレジストパターンを形成する手段と、
形成された前記レジストパターンの表面状態を安定化させる手段と、
安定化された前記レジストパターン上に膨潤化剤を塗布する手段と、
前記膨潤化剤を用いて前記レジストパターンを膨潤化する手段と、
を有することを特徴とするレジストパターン形成装置。
【００４７】
（付記９）  前記レジストパターンの表面状態を安定化させる手段は、前記レジストパターンを引き置くことによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする付記８記載のレジストパターン形成装置。
【００４８】
（付記１０）  前記レジストパターンを引き置く際の時間を制御することによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする付記９記載のレジストパターン形成装置。
【００４９】
（付記１１）  前記レジストパターンの表面状態を安定化させる手段は、前記レジストパターンをベーキングすることによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする付記８記載のレジストパターン形成装置。
【００５０】
（付記１２）  前記レジストパターンをベーキングする際の温度を制御することによって前記レジストパターンの表面状態を安定化させることを特徴とする付記１１記載のレジストパターン形成装置。
【００５１】
（付記１３）  前記温度を３０℃から１００℃の範囲で制御することを特徴とする付記１２記載のレジストパターン形成装置。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】レジストパターン膨潤化工程フローの一例である。
【図２】レジストパターン形成装置の構成例である。
【図３】レジスト塗布工程の要部断面図である。
【図４】露光・現像工程の要部断面図である。
【図５】引き置き工程の要部断面図である。
【図６】塗膜形成工程の要部断面図である。
【図７】膨潤化工程の要部断面図である。
【図８】塗膜剥離工程の要部断面図である。
【図９】基板毎のＣＤ変化量である。
【図１０】ＣＤ変化率及び３σ値である。
【図１１】レジストパターン膨潤化工程の一例である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  レジストパターン形成装置
２０  Ｓｉ基板
３０  反射防止膜
４０  ＡｒＦ用ポジ型レジスト
５０  ホールパターン
６０ａ  キャビネット
６０ｂ  キャビネット排気口
７０  塗膜
８０  相溶層
９０  ホールパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007234754.tif 000008
【図７】
2007234754.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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