(57)【要約】【課題】  力学量センサの大きさを肥大化させることなく、電極を一方向から取り出した半導体装置及び半導体パッケージ並びに半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】  力学量センサ１０００の上面に設けられた固定電極９ａ、９ｂと、下面に設けられた固定電極９ｃ、９ｄが、フレキシブル配線基板２０に設けられた内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄとそれぞれ接続されるようにフレキシブル配線基板２０を折り曲げて配置し、内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄとそれぞれ電気的に接続された外部電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄから電極を取り出す。【選択図】  図１
2007047023.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘に離間して設けられた上部基板、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘を介して前記上部基板に対向配置され、前記錘に離間して設けられた下部基板とからなり、前記上部基板に設けられた第１の固定電極、前記下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、
前記上部基板と対向する第１の面に前記第１の固定電極に接続された第１の内部電極、前記第１の面に連なる湾曲部を介して前記下部電極と対向するように連設された第２の面に、前記第２の固定電極に接続された第２の内部電極、前記第２の面の裏面に前記第１の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第１の外部電極、前記第２の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第２の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘に離間して設けられた上部基板、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘を介して前記上部基板に対向配置され、前記錘に離間して設けられた下部基板とからなり、前記上部基板に設けられた第１の固定電極、前記下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、
前記力学量センサの出力を電気的に処理し、第１の電極と第２の電極を有する第１の電子部品と、
前記上部基板と対向する第１の面に前記第１の固定電極に接続された第１の内部電極、前記第１の面に連なる湾曲部を介して前記下部電極と対向するように連設された第２の面に、前記第２の固定電極に接続された第２の内部電極、前記第２の面の裏面に第１の内部電極と電気的に接続され、前記第１の電極と接続された第３の内部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、前記第２の電極と接続された第４の内部電極、を有するフレキシブル配線基板と、
を有する半導体装置。
【請求項３】
前記第１の電子部品が第３の電極を有し、
前記フレキシブル配線基板が前記第２の面の裏面に前記第３の電極と接続された第５の内部電極と、前記第２の面もしくは前記第２の面の裏面に前記第５の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための外部電極を有する請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘に離間して設けられた上部基板、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘を介して前記上部基板に対向配置され、前記錘に離間して設けられた下部基板とからなり、前記上部基板に設けられた第１の固定電極、前記下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、
前記力学量センサの出力を電気的に処理し、第１の電極と第２の電極と第３の電極を有する第１の電子部品と、
前記上部基板と対向する第１の面に前記第１の固定電極に接続された第１の内部電極、前記第１の面に連なる第１の湾曲部を介して前記下部電極と対向するように連設された第２の面に、前記第２の固定電極に接続された第２の内部電極、前記第２の面に連なる第２の湾曲部を介して前記第１の電子部品と対向するように連設された第３の面に、第１の内部電極と電気的に接続され、前記第１の電極と接続された第３の内部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、前記第２の電極と接続された第４の内部電極、前記第３の電極と接続された第５の内部電極、外部装置と接続するための外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、
を有する半導体装置。
【請求項５】
前記フレキシブル配線基板が、前記第３の面から連なる第３の湾曲部を介して連設された第４の面と、前記第４の面に前記第３の内部電極または前記第４の内部電極または前記第５の内部電極と電気的に接続された第６の内部電極と、前記第６の内部電極に接続された第２の電子部品と、を有する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の電子部品または第２の電子部品の電極を有する面の裏面と、該裏面と対向する前記フレキシブル配線基板の面の間に接着剤を有する請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の湾曲部と前記力学量センサの間、または前記第２の湾曲部と前記第１の電子装置の間にスペーサを有する請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記力学量センサが前記第１の湾曲部側の端部に前記第１の湾曲部の形状と略同一形状を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の電子装置が前記第２の湾曲部側の端部に前記第２の湾曲部の形状と略同一形状を有する請求項２または４に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の電子装置が前記第３の湾曲部側の端部に前記第３の湾曲部の形状と略同一形状を有する請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記フレキシブル配線基板と前記電子部品または前記力学量センサによって形成される空間に封入された樹脂を有する請求項２〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘に離間して設けられた上部基板、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘を介して前記上部基板に対向配置され、前記錘に離間して設けられた下部基板とからなり、前記上部基板に設けられた第１の固定電極、前記下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、
前記上部基板と対向する第１の面に前記第１の固定電極に接続された第１の内部電極、前記第１の面に連なる湾曲部を介して前記下部電極と対向するように連設された第２の面に、前記第２の固定電極に接続された第２の内部電極、前記第２の面の裏面に前記第１の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第１の外部電極、前記第２の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第２の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、
前記力学量センサ及び前記フレキシブル配線基板を収納する容器と、
前記第１の外部電極と前記第２の外部電極と接続され、前記容器の内壁に形成された内部接続電極と、
前記内部接続電極と電気的に接続され、容器外部に形成された外部接続電極と、
容器上面の全周にわたって接合されたリッドを有する半導体パッケージ。
【請求項１３】
半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘に離間して設けられた上部基板、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘を介して前記上部基板に対向配置され、前記錘に離間して設けられた下部基板とからなり、前記上部基板に設けられた第１の固定電極、前記下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、
前記力学量センサの出力を電気的に処理し、第１の電極と第２の電極と第３の電極を有する第１の電子部品と、
前記上部基板と対向する第１の面に前記第１の固定電極に接続された第１の内部電極、前記第１の面に連なる第１の湾曲部を介して前記下部電極と対向するように連設された第２の面に、前記第２の固定電極に接続された第２の内部電極、前記第２の面に連なる第２の湾曲部を介して前記第１の電子部品と対向するように連設された第３の面に、第１の内部電極と電気的に接続され、前記第１の電極と接続された第３の内部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、前記第２の電極と接続された第４の内部電極、前記第３の電極と接続された第５の内部電極、外部装置と接続するための第１の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、
前記力学量センサと前記フレキシブル配線基板と前記第１の電子部品を収納する容器と、
前記第１の外部電極に接続され、前記容器の内壁に形成された内部接続電極と、
前記内部接続電極と電気的に接続され、容器外部に形成された外部接続電極と、
容器上面の全周にわたって接合されたリッドを有する半導体パッケージ。
【請求項１４】
半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘に離間して設けられた上部基板、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘を介して前記上部基板に対向配置され、前記錘に離間して設けられた下部基板とからなり、前記上部基板に設けられた第１の固定電極、前記下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、
前記上部基板と対向する第１の面に前記第１の固定電極に接続された第１の内部電極、前記第１の面に連なる湾曲部を介して前記下部電極と対向するように連設された第２の面に、前記第２の固定電極に接続された第２の内部電極、前記第２の面の裏面に前記第１の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第１の外部電極、前記第２の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第２の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、
前記第１の外部電極と前記第２の外部電極と接続された接続電極を有するリードフレームと、
前記リードフレーム上に形成され、前記力学量センサ及びフレキシブル配線基板を封入する樹脂と、
を有する半導体パッケージ。
【請求項１５】
半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘に離間して設けられた上部基板、前記半導体基板の一部と接合し、前記錘を介して前記上部基板に対向配置され、前記錘に離間して設けられた下部基板とからなり、前記上部基板に設けられた第１の固定電極、前記下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、
前記力学量センサの出力を電気的に処理し、第１の電極と第２の電極と第３の電極を有する第１の電子部品と、
前記上部基板と対向する第１の面に前記第１の固定電極に接続された第１の内部電極、前記第１の面に連なる第１の湾曲部を介して前記下部電極と対向するように連設された第２の面に、前記第２の固定電極に接続された第２の内部電極、前記第２の面に連なる第２の湾曲部を介して前記第１の電子部品と対向するように連設された第３の面に、第１の内部電極と電気的に接続され、前記第１の電極と接続された第３の内部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、前記第２の電極と接続された第４の内部電極、前記第３の電極と接続された第５の内部電極、外部装置と接続するための第１の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、
前記第１の外部電極と接続された接続電極を有するリードフレームと、
前記リードフレーム上に形成され、前記力学量センサとフレキシブル配線基板と前記第１の電子部品を封入する樹脂と、
を有する半導体パッケージ。
【請求項１６】
フレキシブル配線基板によって電気的に接続された力学量センサと電子部品を有する半導体パッケージの製造方法において、
前記フレキシブル配線基板の上面に形成された内部電極上に第１の導電接着剤と第２の導電接着剤と第３の導電接着剤を形成する工程と、
前記第１の導電接着剤上に前記電子部品の下面に形成された電極を位置あわせして載置する工程と、
前記第２の導電接着剤上に前記力学量センサ下面に形成された第１の固定電極を位置あわせして載置する工程と、
前記第３の導電性接着剤と前記力学量センサの上面に形成された第２の固定電極が接するように前記フレキシブル配線基板を折り曲げる工程と、
前記フレキシブル配線基板の前記第３の導電性接着剤が形成された面の裏面に接着剤を形成する工程と、
前記接着剤と前記電子部品の上面が接するように前記フレキシブル配線基板を折り曲げる工程と、
前記第１の導電接着剤と前記第２の導電接着剤と前記第３の導電接着剤と前記接着剤を加熱する工程と、
前記フレキシブル配線基板の下面に前記電子部品の前記電極と電気的に接続された外部電極を形成する工程と、
を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項１７】
フレキシブル配線基板によって電気的に接続された力学量センサと電子部品を有する半導体パッケージの製造方法において、
前記フレキシブル配線基板の上面に形成された第１の内部電極と第２の内部電極上にそれぞれ第１の導電性部材と第２の導電性部材を形成する工程と、
前記力学量センサの上面に形成された第２の固定電極上に第３の導電性部材を形成する工程と、
前記第１の導電性部材上に前記電子部品の下面に形成された電極を位置あわせして載置する工程と、
前記第２の導電性部材上に力学量センサ下面に形成された第１の固定電極を位置あわせして載置する工程と、
前記第１の導電性部材を過熱および加圧して前記電子部品の前記電極と前記フレキシブル配線基板の内部電極を接続する工程と、
前記第２の導電性部材を過熱および加圧して前記力学量センサの前記第１の固定電極と前記フレキシブル配線基板の前記内部電極を接続する工程と、
前記第３の導電性接着剤と前記フレキシブル配線基板の上面に形成された第３の内部電極が接するように前記フレキシブル配線基板を折り曲げる工程と、
前記第３の導電性部材を過熱および加圧して前記力学量センサの前記第２の固定電極と前記フレキシブル配線基板の前記第３の内部電極を接続する工程と、
前記第３の内部電極が形成された面の裏面に接着剤を形成する工程と、
前記接着剤と前記電子部品の上面が接するように前記フレキシブル配線基板を折り曲げる工程と、
前記接着剤を加熱する工程と、
前記フレキシブル配線基板の下面に前記電子部品の前記電極と電気的に接続された外部電極を形成する工程と、
を有する半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は加速度や角速度などの力学的物理量を検出する力学量センサ、特に力学量センサの電極取り出し方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の力学量センサにおいては、検出精度を上げる場合、センサ内部に設けられた錘の変位を検出するための検出電極が、センサの上部と下部の両方に取り付けられていた。また、駆動電圧をセンサの下部から印加し、検出した錘の変位を取り出すために検出電極がセンサの上部に取り付けられているという場合もあった。従って、従来の力学量センサにおいては、センサの上部及び下部に電極が取り付けられていたが、外部接続部品と接続するためには上部の電極と下部の電極をどちらか一方向に集約する必要があった。
センサの上部と下部に設けられた電極を上部または下部のどちらか一方に集約して取り出すために、センサの上部または下部どちらか一方にそれぞれの電極取り出しのためのスルーホールを設け、センサ内部の固定電極からスルーホールを介してセンサ外部に電極を取り出していた。
【０００３】
図１５（ａ）に従来の加速度センサを、図１５（ｂ）にＡ−Ａ’方向の断面図を示す。従来の加速度センサ２０００は、上部基板１００と下部基板３００に挟まれたシリコン板２００が、梁４００によって錘５００を支える構成を備えている。錘５００は加速度を受けると変位する。この錘５００の変位を上部検出電極８００ａ、８００ｂと下部検出電極８００ｃ、８００ｄが検出する。上部検出電極８００ａ、８００ｂはそれぞれスルーホール６００ａ、６００ｂ内に成膜されたＡｌ電極を介して固定電極９００ａ、９００ｂに接続されている。また、下部検出電極８００ｃ、８００ｄはそれぞれスルーホール６００ｃ、６００ｄ内に成膜されたＡｌ電極を介して固定電極９００ｃ、９００ｄに接続されている。このように、従来の力学センサにおいては、スルーホール６００を上部基板１００に設けて電極の取り出しを行っていた（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１６１３９４号公報（第３頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、以上に述べたような電極の取り出し方法によれば、それぞれの検出電極のためのスルーホールを下部もしくは上部のどちらか一方の基板に集約して設ける必要があった。そのため、センサが横方向に大きくなってしまうという問題を有していた。
本発明は、このような従来の加速度センサが有していた問題を解決しようとするものであり、力学量センサの大きさを肥大化させることなく、電極を一方向から取り出した半導体装置を形成することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願発明による半導体装置は、半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、半導体基板の一部と接合し、錘に離間して設けられた上部基板、半導体基板の一部と接合し、錘を介して上部基板に対向配置され、錘に離間して設けられた下部基板とからなり、上部基板に設けられた第１の固定電極、下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、上部基板と対向する第１の面に第１の固定電極に接続された第１の内部電極、第１の面に連なる湾曲部を介して下部電極と対向するように連設された第２の面に、第２の固定電極に接続された第２の内部電極、第２の面の裏面に第１の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第１の外部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第２の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、を有する。
【０００６】
また、半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、半導体基板の一部と接合し、錘に離間して設けられた上部基板、半導体基板の一部と接合し、錘を介して上部基板に対向配置され、錘に離間して設けられた下部基板とからなり、上部基板に設けられた第１の固定電極、下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、力学量センサの出力を電気的に処理し、第１の電極と第２の電極を有する第１の電子部品と、上部基板と対向する第１の面に第１の固定電極に接続された第１の内部電極、第１の面に連なる湾曲部を介して下部電極と対向するように連設された第２の面に、第２の固定電極に接続された第２の内部電極、第２の面の裏面に第１の内部電極と電気的に接続され、第１の電極と接続された第３の内部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、第２の電極と接続された第４の内部電極、を有するフレキシブル配線基板と、を有する。
【０００７】
第１の電子部品が第３の電極を有し、フレキシブル配線基板が第２の面の裏面に第３の電極と接続された第５の内部電極と、第２の面もしくは第２の面の裏面に第５の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための外部電極を有する。
また、半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、半導体基板の一部と接合し、錘に離間して設けられた上部基板、半導体基板の一部と接合し、錘を介して上部基板に対向配置され、錘に離間して設けられた下部基板とからなり、上部基板に設けられた第１の固定電極、下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、力学量センサの出力を電気的に処理し、第１の電極と第２の電極と第３の電極を有する第１の電子部品と、上部基板と対向する第１の面に第１の固定電極に接続された第１の内部電極、第１の面に連なる第１の湾曲部を介して下部電極と対向するように連設された第２の面に、第２の固定電極に接続された第２の内部電極、第２の面に連なる第２の湾曲部を介して第１の電子部品と対向するように連設された第３の面に、第１の内部電極と電気的に接続され、第１の電極と接続された第３の内部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、第２の電極と接続された第４の内部電極、第３の電極と接続された第５の内部電極、外部装置と接続するための外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、を有する。
【０００８】
フレキシブル配線基板が、第３の面から連なる第３の湾曲部を介して連設された第４の面と、第４の面に第３の内部電極または第４の内部電極または第５の内部電極と電気的に接続された第６の内部電極と、第６の内部電極に接続された第２の電子部品と、を有する。
第１の電子部品または第２の電子部品の電極を有する面の裏面と、該裏面と対向するフレキシブル配線基板の面の間に接着剤を有する。
第１の湾曲部と力学量センサの間、または第２の湾曲部と第１の電子装置の間にスペーサを有する。
【０００９】
力学量センサが第１の湾曲部側の端部に第１の湾曲部の形状と略同一形状を有する。
第１の電子装置が第２の湾曲部側の端部に第２の湾曲部の形状と略同一形状を有する。
第２の電子装置が第３の湾曲部側の端部に第３の湾曲部の形状と略同一形状を有する。
フレキシブル配線基板と電子部品または力学量センサによって形成される空間に封入された樹脂を有する。
【００１０】
本願発明による半導体パッケージは、半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、半導体基板の一部と接合し、錘に離間して設けられた上部基板、半導体基板の一部と接合し、錘を介して上部基板に対向配置され、錘に離間して設けられた下部基板とからなり、上部基板に設けられた第１の固定電極、下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、上部基板と対向する第１の面に第１の固定電極に接続された第１の内部電極、第１の面に連なる湾曲部を介して下部電極と対向するように連設された第２の面に、第２の固定電極に接続された第２の内部電極、第２の面の裏面に第１の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第１の外部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第２の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、力学量センサ及びフレキシブル配線基板を収納する容器と、第１の外部電極と第２の外部電極と接続され、容器の内壁に形成された内部接続電極と、内部接続電極と電気的に接続され、容器外部に形成された外部接続電極と、容器上面の全周にわたって接合されたリッドを有する。
【００１１】
また、半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、半導体基板の一部と接合し、錘に離間して設けられた上部基板、半導体基板の一部と接合し、錘を介して上部基板に対向配置され、錘に離間して設けられた下部基板とからなり、上部基板に設けられた第１の固定電極、下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、力学量センサの出力を電気的に処理し、第１の電極と第２の電極と第３の電極を有する第１の電子部品と、上部基板と対向する第１の面に第１の固定電極に接続された第１の内部電極、第１の面に連なる第１の湾曲部を介して下部電極と対向するように連設された第２の面に、第２の固定電極に接続された第２の内部電極、第２の面に連なる第２の湾曲部を介して第１の電子部品と対向するように連設された第３の面に、第１の内部電極と電気的に接続され、第１の電極と接続された第３の内部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、第２の電極と接続された第４の内部電極、第３の電極と接続された第５の内部電極、外部装置と接続するための第１の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、力学量センサとフレキシブル配線基板と第１の電子部品を収納する容器と、第１の外部電極に接続され、容器の内壁に形成された内部接続電極と、内部接続電極と電気的に接続され、容器外部に形成された外部接続電極と、容器上面の全周にわたって接合されたリッドを有する。
【００１２】
また、半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、半導体基板の一部と接合し、錘に離間して設けられた上部基板、半導体基板の一部と接合し、錘を介して上部基板に対向配置され、錘に離間して設けられた下部基板とからなり、上部基板に設けられた第１の固定電極、下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、上部基板と対向する第１の面に第１の固定電極に接続された第１の内部電極、第１の面に連なる湾曲部を介して下部電極と対向するように連設された第２の面に、第２の固定電極に接続された第２の内部電極、第２の面の裏面に第１の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第１の外部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、外部装置に接続するための第２の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、第１の外部電極と第２の外部電極と接続された接続電極を有するリードフレームと、リードフレーム上に形成され、力学量センサ及びフレキシブル配線基板を封入する樹脂と、を有する。
【００１３】
また、半導体基板に接続された梁によって支持され、外部より印加される加速度や角速度により変位する錘、半導体基板の一部と接合し、錘に離間して設けられた上部基板、半導体基板の一部と接合し、錘を介して上部基板に対向配置され、錘に離間して設けられた下部基板とからなり、上部基板に設けられた第１の固定電極、下部基板に設けられた第２の固定電極、を有する力学量センサと、力学量センサの出力を電気的に処理し、第１の電極と第２の電極と第３の電極を有する第１の電子部品と、上部基板と対向する第１の面に第１の固定電極に接続された第１の内部電極、第１の面に連なる第１の湾曲部を介して下部電極と対向するように連設された第２の面に、第２の固定電極に接続された第２の内部電極、第２の面に連なる第２の湾曲部を介して第１の電子部品と対向するように連設された第３の面に、第１の内部電極と電気的に接続され、第１の電極と接続された第３の内部電極、第２の内部電極と電気的に接続され、第２の電極と接続された第４の内部電極、第３の電極と接続された第５の内部電極、外部装置と接続するための第１の外部電極、を有するフレキシブル配線基板と、第１の外部電極と接続された接続電極を有するリードフレームと、リードフレーム上に形成され、力学量センサとフレキシブル配線基板と第１の電子部品を封入する樹脂と、を有する。
【００１４】
本願発明の半導体パッケージの製造方法は、フレキシブル配線基板によって電気的に接続された力学量センサと電子部品を有する半導体パッケージの製造方法において、フレキシブル配線基板の上面に形成された内部電極上に第１の導電接着剤と第２の導電接着剤と第３の導電接着剤を形成する工程と、第１の導電接着剤上に電子部品の下面に形成された電極を位置あわせして載置する工程と、第２の導電接着剤上に力学量センサ下面に形成された第１の固定電極を位置あわせして載置する工程と、第３の導電性接着剤と力学量センサの上面に形成された第２の固定電極が接するようにフレキシブル配線基板を折り曲げる工程と、フレキシブル配線基板の第３の導電性接着剤が形成された面の裏面に接着剤を形成する工程と、接着剤と電子部品の上面が接するようにフレキシブル配線基板を折り曲げる工程と、第１の導電接着剤と第２の導電接着剤と第３の導電接着剤と接着剤を加熱する工程と、フレキシブル配線基板の下面に電子部品の電極と電気的に接続された外部電極を形成する工程と、を有する。
【００１５】
また、フレキシブル配線基板によって電気的に接続された力学量センサと電子部品を有する半導体パッケージの製造方法において、フレキシブル配線基板の上面に形成された第１の内部電極と第２の内部電極上にそれぞれ第１の導電性部材と第２の導電性部材を形成する工程と、力学量センサの上面に形成された第２の固定電極上に第３の導電性部材を形成する工程と、第１の導電性部材上に電子部品の下面に形成された電極を位置あわせして載置する工程と、第２の導電性部材上に力学量センサ下面に形成された第１の固定電極を位置あわせして載置する工程と、第１の導電性部材を過熱および加圧して電子部品の電極とフレキシブル配線基板の内部電極を接続する工程と、第２の導電性部材を過熱および加圧して力学量センサの第１の固定電極とフレキシブル配線基板の内部電極を接続する工程と、第３の導電性接着剤とフレキシブル配線基板の上面に形成された第３の内部電極が接するようにフレキシブル配線基板を折り曲げる工程と、第３の導電性部材を過熱および加圧して力学量センサの第２の固定電極とフレキシブル配線基板の第３の内部電極を接続する工程と、第３の内部電極が形成された面の裏面に接着剤を形成する工程と、接着剤と電子部品の上面が接するようにフレキシブル配線基板を折り曲げる工程と、接着剤を加熱する工程と、フレキシブル配線基板の下面に電子部品の電極と電気的に接続された外部電極を形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、力学量センサの上部基板に設けられた固定電極と下部基板に設けられた固定電極とをフレキシブル配線基板に接続して電極の取り出しを行い、どちらか一方に電極を集約している。そのため力学量センサの基板にそれぞれの電極を取り出すためにスルーホールを設ける必要がなくなる。従って、半導体装置の小型化を図ることができる。
また、力学量センサの電極を取り出したフレキシブル配線基板の裏面に電子部品接続した場合、電子部品の電極と力学量センサの電極の距離を短くして接続が可能になる。従って、配線抵抗を低減させ、かつ装置の小型化を図ることができる。
また、力学量センサの電極を取り出したフレキシブル配線基板を折り曲げて電子部品接続した場合、力学量センサと電子部品を積み重ねるような構造にすることが可能になり、フレキシブル配線基板を複数回折り曲げて電子部品を接続すれば、電子部品を複数積み重ねるような構造にすることも可能となる。従って、複数の電子部品を備えるような半導体装置を形成する場合でも、半導体装置全体で小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図１〜図１４に基づいて説明する。
＜第１の実施形態＞
【００１８】
図１は本願発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０００を説明する図である。
力学量センサ１０は、シリコン板２を挟んで、上部ガラス基板１と下部ガラス基板３が陽極接合によって接合されている。上部ガラス基板１の上面には固定電極９ｂ、９ａが形成され、下部ガラス基板３の下面には固定電極９ｃ、９ｄが形成されている。
シリコン板２は、梁４によって錘５を支える構成を備え、錘５は加速度を受けると変位する。この錘５の変位を上部検出電極８ａ、８ｂ、下部検出電極８ｃ、８ｄが検出する。上部検出電極８ａ、８ｂはそれぞれ固定電極９ａ、９ｂに接続されている。また、下部検出電極８ｃ、８ｄはそれぞれ固定電極９ｃ、９ｄに接続されている。
本実施例においては、検出精度を上げるために、錘の変位を検出するための電極として上面に固定電極９ｂ、９ａが下部ガラス基板３の下面に固定電極９ｃ、９ｄが設けられた構成とした。しかし、固定電極の用途としては、９ｃと９ｄが駆動電圧をセンサの下部から印加するための電極で、９ｂと９ａが錘の変位を検出するための電極として設けられていてもかまわない。
【００１９】
フレキシブル配線基板２０は一方の面２０ａに内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄを備え、他方の面２０ｂに、内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄにそれぞれ電気的に接続された、外部電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄを備えている。外部電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄは回路基板等の外部装置と接続するための電極であり、はんだやＡｕなどで形成されている。
フレキシブル配線基板２０の材料としては、ポリイミド、ＰＥＴ、液晶ポリマー、などが選択され、厚さは１５から１００μｍ程度であり、接着層を有する片面配線または両面配線、接着層を有さない片面配線または両面配線が利用可能である。
図１３はフレキシブル配線基板の配線パターンの一例を示す図であり、半導体装置を下側から見たときの斜視図である。力学量センサ１０に当接する面に内部電極２１ｃ、２１ｄ、上面側に形成された内部電極２１ａ、２１ｂに一端が接続された配線パターン２３ａ、２３ｂが形成されている。力学量センサ１０に当接する面の裏面には外部電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄが形成されている。外部電極２２ａ、２２ｂはそれぞれ配線パターン２３ａ、２３ｂの他端に接続され、力学量センサ１０に当接する一方の面２０ａから他方の面２０ｂへとフレキシブル配線基板を貫通して電極を取り出した構成になっている。同様にして外部電極２２ｃ、２２ｄはそれぞれ内部電極２１ｃと２１ｄと接続されて外部装置と接続できるように取り出されている。
【００２０】
配線パターンの材料としてはＣｕ、Ａｌが選択され、これらの材料にＮｉ／ＡｕメッキやＳｎメッキ等の表面処理を施したものも利用が可能であり、厚さは１から３５μｍ程度である。
力学量センサ１０の上面及び下面と接するようにフレキシブル配線基板２０を屈曲部２８で折り曲げて、内部電極２１ａに固定電極９ａを、内部電極２１ｂに固定電極９ｂを、内部電極２１ｃに固定電極９ｃを、内部電極２１ｄに固定電極９ｄを、接続している。内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄと固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄは、それぞれバンプ接合によって電気的かつ機械的な接続を行っている。
図１０に力学量センサ１０の固定電極９ｄとフレキシブル配線基板２０の内部電極２１ｄと外部電極２２ｄの接続を示す。力学量センサ１０に設けられた固定電極９ｄとフレキシブル配線基板２０に設けられた内部電極２１ｄは接合部５０ｄによって接合されている。接合部５０ｄはＡｇペーストやＡｕバンプによって形成されている。また、内部電極２１ｄに接続された外部電極２２ｄは、貫通孔２４ｄを介して内部電極２１ｄが形成された一方の面２０ａとは反対側である他方の面２０ｂに形成されている。外部電極２２ｄは印刷やボールマウントにより形成された半田バンプによって形成されている。このとき、貫通孔２４ｄにＡｕメッキが施されている場合、Ａｕメッキが外部電極２２ｄの役割を果たす。
本実施例においては、力学量センサ１０の上部ガラス基板１に設けられた固定電極９ａ、９ｂと、下部ガラス基板３に設けられた固定電極９ｃ、９ｄをフレキシブル配線基板２０に接続して電極の取り出しを行い、力学量センサ１０の下面側に外部電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄとして、外部装置に接続するための電極を集約している。従って、半導体装置１０００の小型化を図ることができる。
【００２１】
ここで、フレキシブル配線基板２０を図１４に示すような形状にした場合、フレキシブル配線基板２０を屈曲部２８で折り曲げて力学量センサ１０と接合すると、力学量センサ１０の表面が露出しないように全面を覆うことができる。このとき、フレキシブル配線基板の露出する面にシールド層２９を設けた場合、力学量センサ１０が自己発生させるノイズの拡散防止と外部ノイズの発生防止、また、外部からの影響を低減させることが可能となる。
＜第２の実施形態＞
【００２２】
図２は本願発明の第２の実施形態に係る半導体装置１００１を説明する図である。
力学量センサ１０の上部には固定電極９ａと９ｂが、下部には固定電極９ｃと９ｄが形成されている。
フレキシブル配線基板２０は、力学量センサ１０の上面と下面を挟むようにして屈曲部２８ａで折り曲げられ、力学量センサ１０の上面と当接する一方の面２０ａに設けられた内部電極２１ａ、２１ｂは力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂと、力学量センサ１０の下面と当接する面に設けられた内部電極２１ｃ、２１ｄは、力学量センサ１０の固定電極９ｃ、９ｄにそれぞれ接続されている。フレキシブル配線基板２０の他方の面２０ｂには、内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄとそれぞれ電気的に接続された、外部電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄが形成されている。
【００２３】
力学量センサ１０の下方に配置される電子部品３０は外部の装置と接続するための電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅを備えている。電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄは、フレキシブル配線基板２０の外部電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄとそれぞれ接続され、力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄと電気的に接続される。よって、力学量センサ１０と電子部品３０間で信号の送信または受信が可能になる。電子部品３０の電極３１ｅは電子部品３０からの出力信号を取り出すための電極である。電極３１ｅはフレキシブル配線基板２０に設けられた外部電極２２ｅと接続され、２２ｅと電気的に接続された外部電極２１ｅから信号を取り出す。このとき、外部電極２１ｅは２２ｅの裏面に形成されていても、同一平面上に形成されていても構わない。
本実施例においては、力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄを取り出したフレキシブル配線基板２０の裏面に、電子部品３０を接続しているため、電子部品３０の電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅと力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄの距離を短くして接続が可能になる。従って、配線抵抗を低減させ、かつ装置の小型化を図ることができる。
＜第３の実施形態＞
【００２４】
図３は本願発明の第３の実施形態に係る半導体装置１００２を説明する図である。
力学量センサ１０の上部には固定電極９ａと９ｂが、下部には固定電極９ｃと９ｄが形成されている。
電子部品３０は外部の装置と接続するための電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅを備えている。
フレキシブル配線基板２０は、力学量センサ１０の上面と下面を挟むようにして屈曲部２８ａで折り曲げられ、力学量センサ１０の上面と当接する面に設けられた内部電極２１ａ、２１ｂは力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂと、力学量センサの下面と当接する面に設けられた内部電極２１ｃ、２１ｄは、力学量センサ１０の固定電極９ｃ、９ｄにそれぞれ接続されている。
【００２５】
また、更に内部電極２１ｃ、２１ｄが形成されている面の端部が屈曲部２８ｂで折り曲げられ、電子部品３０を挟むようにして、電子部品と当接する面に設けられた内部電極２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅ、２５ｆは、電子部品の電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆとそれぞれ接続されている。電子部品３０と、フレキシブル配線基板１０の間には接着剤６０が設けられ、電子部品３０とフレキシブル配線基板１０の固定を行っている。接着剤６０にはエポキシ等の材料が用いられる。
ここで、内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄはフレキシブル配線基板１０に設けられた配線パターンによって、それぞれ内部電極２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄと電気的に接続されている。そのため、電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄは、力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄと電気的に接続される。よって、力学量センサ１０と電子部品３０間で信号の送信または受信が可能になる。
電子部品３０の電極３１ｅ、３１ｆは電子部品３０からの出力信号を取り出すための電極である。電極３１ｅ、３１ｆは、それぞれ接続されている内部電極２５ｅ、２５ｆを介して、電極２５ｅ、２５ｆが設けられた面の裏面に設けられた外部電極２２ｅ、２２ｆと接続されている。
各電極は導電性接着剤、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、超音波、高融点ハンダ等によって接合が可能である。
本実施例においては、力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄを取り出したフレキシブル配線基板２０を屈曲部２８ａ、２８ｂで折り曲げて電子部品３０接続しているため、力学量センサ１０と電子部品３０を積み重ねるような構造にすることが可能になる。
【００２６】
図１１は本実施例の半導体装置１００２を内包したパッケージ１００００の図である。半導体装置１００２をケース１０００１に入れて、リード１０００２をケース１０００１の上面に設けて封止されている。ケース１０００１の下面には外部電極２２ｆ、２２ｅと電気的に接続された電極１０００３ａ、１０００３ｂが設けられている。
ケースの材料としては、セラミック、樹脂、コバールやＮｉや４２アロイ等の金属などが利用可能であり、リッドの材料としてはセラミック、コバールやＮｉや４２アロイ等の金属などが利用可能である。ケースとリッドの接合ははんだ、溶接、圧入などの方法が選択可能である。
【００２７】
このように、半導体装置１００２をパッケージ１００００に内包することで外部応力からの影響を抑えることが可能になる。場合によってはパッケージ１００００を密封したり、真空封止することで、更に外部からの影響を低減することができる。
図１２は本実施例の半導体装置１００２を内包したパッケージ２００００の図である。半導体装置１００２の外部電極２２ｆ、２２ｅをリードフレームやインターポーザ等の基板２０００３に接合され、半導体装置１００２が露出しないように、樹脂２０００１で封止されている。
このように、半導体装置１００２をパッケージ２００００に内包することで外部応力からの影響を抑えることが可能となり、汎用性のあるパッケージが実現できる。
【００２８】
図５は電子部品を複数積み重ねた図３の変形例を説明する図である。
力学量センサ１０の上部には固定電極９ａと９ｂが、下部には固定電極９ｃと９ｄが形成されている。
電子部品３０は外部の装置と接続するための電極３１ｅ、３１ｆを備えている。
電子部品３００は外部の装置と接続するための電極３１０ｅ、３１０ｆを備えている。
電子部品３０００は外部の装置と接続するための電極３１００ｅ、３１００ｆを備えている。
フレキシブル配線基板２０は、力学量センサ１０と電子部品３０、３００、３０００の間に介在するように屈曲部２８ａ、２８ｂ、２８ｃで折り曲げられ、力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄと、内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄがそれぞれ接続され、電子部品３０の電極３１ｅ、３１ｆと、内部電極２５ｅ、２５ｆが接続され、電子部品３００の電極３１０ｅ、３１０ｆと、内部電極２６ｅ、２６ｆが接続され、電子部品３０００の電極３１００ｅ、３１００ｆと、内部電極２７ｅ、２７ｆが接続され、外部装置に接続するための外部電極２２ｆ、２２ｅを有している。
フレキシブル配線基板２０と電子部品３０、３００の間には固着と補強のために接着剤６０と６００がそれぞれ設けられている。
【００２９】
本実施例の場合、力学量センサ１０と電子部品３０、３００、３０００が積み重なった構成で互いに電気的に接続され、信号の入出力がなされる。従って、フレキシブル配線基板２０を複数回折り曲げて電子部品を接続すれば、電子部品を複数個積み重ねるような構造にすることも可能となり、半導体装置全体で小型化を図ることができる。
なお、図３、図５において図示されている力学量センサと電子部品は同じ幅であるが、それぞれの幅は異なっていてもよく、力学量センサの上部もしくは下部に複数個の電子部品を並べて接続するような構成にしてもよい。また、幅以外にも高さや奥行きなども同じ寸法に限定されるものではない。
＜第４の実施形態＞
【００３０】
図４（ａ）は本願発明の第４の実施形態に係る半導体装置を説明する図である。
力学量センサ１０の上部には固定電極９ａと９ｂが、下部には固定電極９ｃと９ｄが形成されている。
電子部品３０は外部の装置と接続するための電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆを備えている。
フレキシブル配線基板２０は、力学量センサ１０の外周面を囲むように屈曲部２８ａ、２８ｄで折り曲げられ、力学量センサ１０の上面と当接する面に設けられた内部電極２１ａ、２１ｂは力学量センサ１０の固定電極９ａ、９ｂと、力学量センサ１０の下面と当接する面に設けられた内部電極２１ｃ、２１ｄは、９ｃ、９ｄにそれぞれ接続されている。
また、フレキシブル配線基板１０の一端部が屈曲部２８ｄで折り曲げられ、電子部品３０と当接する面に設けられた内部電極２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅ、２５ｆは、電子部品の電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆとそれぞれ接続されている。電子部品３０と、フレキシブル配線基板１０の間には接着剤６０が設けられ、電子部品３０とフレキシブル配線基板１０の固定を行っている。
ここで、内部電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄはフレキシブル配線基板１０に設けられた配線パターンによって、それぞれ内部電極２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄと電気的に接続されている。
【００３１】
図４（ｂ）に本実施例の半導体装置を製造過程の図を示す。図示されているように、本実施例のような構成にした場合、力学量センサ１０と電子部品３０がともに、フレキシブル配線基板の片面に実装される。従って、配線パターンが同一平面に形成されたフレキシブル基板を用いるため、より安価で屈曲性の良い片面フレキシブル配線基板２０を用いることができる。また、両面基板を用いた場合は、力学量センサ１０と電子部品３０が接合されない面をシールド層やグランド層にして電気特性の向上を図ることも可能である。また、力学量センサ１０の外周面とフレキシブル配線基板２０上の配線が露出しない構成であるため、外的負荷からの保護を図ることもできる。
＜第５の実施形態＞
【００３２】
図６（ａ）および（ｂ）は本願発明の第５の実施形態に係る半導体装置を説明する図である。
力学量センサ１０、電子部品３０、フレキシブル配線基板の構成とそれぞれの位置関係は第１の実施形態と同様である。
図６（ａ）に示す実施例の特徴は、第１の実施形態の内容に加えて、屈曲部２８ａで折り曲げられたフレキシブル配線基板２０と力学量センサ１０の側面の間と、屈曲部２８ｂで折り曲げられたフレキシブル配線基板２０と電子部品３０の間にスペーサ８１、８２が設けられている。
【００３３】
本実施例の場合、フレキシブル配線基板が折り曲げられた屈曲部２８ａ、２８ｂと、力学量センサ１０との間または電子部品３０との間にスペーサ８１、８２を設けることで、屈曲部２８ａの曲率を調節できる。また、屈曲部２８ａ、２８ｂの端部と力学量センサ１０の端部または電子部品３０の端部との干渉を緩和できる。従って、スペーサ８１、８２を設けることにより、フレキシブル配線基板１０の屈曲部２８ａ、２８ｂに応力が集中して破損することを防ぐ、または力学量センサ１０の角がフレキシブル配線基板１０に接触して配線パターンを断線させることを防ぐことが可能になる。
図６（ｂ）に示す実施例の特徴は、第１の実施形態の内容に加えて、力学量センサ１０と電子部品３０の側面をフレキシブル配線基板２０の屈曲部２８ａ、２８ｂに即した形状にしている。
【００３４】
本実施例の場合、力学量センサ１０または電子部品３０の側面を所望の屈曲部２８ａ、２８ｂの形状に近づけることで、屈曲部２８ａ、２８ｂの曲率を調節できる。また、力学量センサ１０または電子部品３０の側面が有する角の曲率を下げるまたは角部を取り除くことで屈曲部２８ａ、２８ｂと力学量センサ１０または電子部品３０との干渉を緩和できる。従って、フレキシブル配線基板１０の屈曲部２８ａ、２８ｂに応力が集中して破損することを防ぐ、または力学量センサ１０の角がフレキシブル配線基板１０に接触して配線パターンを断線させることを防ぐことが可能となる。
＜第６の実施形態＞
【００３５】
図７は本願発明の第６の実施形態に係る半導体装置を説明する図である。
力学量センサ１０、電子部品３０、フレキシブル配線基板の構成とそれぞれの位置関係は第１の実施形態と同様である。
図７に示す実施例の特徴は、第１の実施形態の内容に加えて、フレキシブル配線基板２０と力学量センサ１０の隙間、フレキシブル配線基板２０と電子部品３０の隙間を埋めるように封止樹脂７１、７２が充填されている。
本実施例の場合、フレキシブル配線基板２０と力学量センサ１０またはと電子部品３０の隙間に封止樹脂７１、７２を設けることで、フレキシブル配線基板２０と力学量センサ１０またはと電子部品３０の接合を強固に行い、フレキシブル配線基板２０の特定箇所に応力が集中することも防げる。また、力学量センサ１０またはと電子部品３０の外周面を封止樹脂７１、７２で覆うことで、外的負荷からの影響を低減させる事ができる。
＜第７の実施形態＞
【００３６】
図８は本願発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
図８の（ａ）でフレキシブル配線基板２０の上面に形成された内部電極２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅ、２５ｆ上にそれぞれ導電接着剤６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ、６１ｆを印刷方やディスペンス法によって形成する。
図８の（ｂ）で、導電接着剤６１ａ、６１ｂに力学量センサ１０の固定電極９ｂと９ａが、導電性接着剤６１ｅ、６１ｆに電子部品３０の電極３１ｅ、３１ｆがそれぞれ対応するように位置あわせして、フレキシブル配線基板２０に力学量センサ１０と電子部品３０を載置する。
図８の（ｃ）で、導電性接着剤６１ｃ、６１ｄに電子部品３０の電極３１ｃ、３１ｄがそれぞれ接するようにフレキシブル配線基板２０を折り曲げる。
図８の（ｄ）で、フレキシブル配線基板２０の導電性接着剤６１ｃ、６１ｄが形成された面の裏面に接着剤６０を形成して、接着剤６０と電子部品３０の上面が接するようにフレキシブル配線基板２０を折り曲げる。そして、５０℃から２００℃のオーブンで数分から３時間程度加熱を行い、導電性接着剤６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ、６１ｆと接着剤６０を硬化させ、各電極の接合を行う。
図８の（ｅ）で、フレキシブル配線基板２０の内部電極２５ｅ、２５ｆと電気的に接続された外部電極２２ｆ、２２ｅを形成する。
【００３７】
図９は本願発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
図９の（ａ）でフレキシブル配線基板２０の上面に形成された内部電極２５ａ、２５ｂ、２５ｅ、２５ｆ上にそれぞれバンプ５１ａ、５１ｂ、５１ｅ、５１ｆを、力学量センサ１０の上面にバンプ５１ｃ、５１ｄを形成し、力学量センサ１０の固定電極９ａと９ｂ、電子部品３０の電極３１ｅ、３１ｆが内部電極２５ａ、２５ｂ、２５ｅ、２５ｆにそれぞれ対応するように位置あわせして、フレキシブル配線基板２０上に力学量センサ１０と電子部品３０を載置する。次に電子部品３０の上面から熱圧着ヘッド９１を力学量センサ１０の上面から熱圧着ヘッド９２を押圧し、内部電極２５ａ、２５ｂ、２５ｅ、２５ｆと力学量センサ１０の固定電極９ａと９ｂ、電子部品３０の電極３１ｅ、３１ｆとをそれぞれバンプ５１ａ、５１ｂ、５１ｅ、５１ｆによって接続する。
このとき、熱圧着ヘッド９２にはバンプ５１ｃ、５１ｄを潰さないように逃げ加工が施されている。熱圧着による接合を行い、Ａｕバンプを用いる場合、Ａｕ−Ａｕ接合やＡｕ−Ｓｎ接合、ＵＳ接合などが利用可能である。Ａｕ−Ａｕ接合の場合、４００から６００℃、Ａｕ−Ｓｎ接合の場合３００から５００℃、ＵＳ接合の場合常温から２００℃でそれぞれ０．１から１０．０秒程度行う。
【００３８】
図９の（ｂ）で、導電性接着剤５１ｃ、５１ｄにフレキシブル配線基板２０の内部電極２１ｃ、２１ｄがそれぞれ接するようにフレキシブル配線基板２０を折り曲げる。そしてフレキシブル配線基板２０の内部電極２１ｃ、２１ｄが形成された面の裏面から熱圧着ヘッド９３を押圧し内部電極２１ｃ、２１ｄ固定電極９ｃと９ｄをそれぞれバンプ５１ｃ、５１ｄによって接続する。
図９の（ｃ）で、フレキシブル配線基板２０の導電性接着剤６１ｃ、６１ｄが形成された面の裏面に接着剤６０を形成して、接着剤６０と電子部品３０の上面が接するようにフレキシブル配線基板２０を折り曲げる。そして、５０℃から２００℃のオーブンで数分から３時間程度加熱を行い、接着剤６０を硬化させて接合を行う。
図９の（ｄ）で、フレキシブル配線基板２０の内部電極２５ｅ、２５ｆと電気的に接続された外部電極２２ｆ、２２ｅを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を説明する図。
【図２】第２の実施形態に係る半導体装置を説明する図。
【図３】第３の実施形態に係る半導体装置を説明する図。
【図４】第４の実施形態に係る半導体装置を説明する図。
【図５】図３の変形例を説明する図。
【図６】第５の実施形態に係る半導体装置を説明する図。
【図７】第６の実施形態に係る半導体装置を説明する図。
【図８】第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図。
【図９】第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図。
【図１０】力学量センサとフレキシブル配線基板の接続を示す図。
【図１１】半導体装置を内包したパッケージの図。
【図１２】半導体装置を内包したパッケージの図。
【図１３】フレキシブル配線基板の配線パターンを示す図。
【図１４】フレキシブル配線基板の展開図。
【図１５】従来の加速度センサを示す図。
【符号の説明】
【００４０】
１    上部ガラス基板
２    シリコン板
３    下部ガラス基板
４    梁
５      錘
８ａ、８ｂ  上部検出電極
８ｃ、８ｄ  下部検出電極
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ  固定電極
１０    力学量センサ
２０    フレキシブル配線基板
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ  内部電極
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ  外部電極
２３ａ、２３ｂ  配線パターン
２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅ、２５ｆ  内部電極
２７ｅ、２７ｆ  内部電極
２８、２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ  屈曲部
３０、３００、３０００    電子部品
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ  電極
５０ｄ  接合部
６０  接着剤
７１、７２  封止樹脂
８１、８２  スペーサ
１０００、１００１、１００２  半導体装置
１００００、２００００  パッケージ
１０００１  ケース
１０００２  リード
１０００３ａ、１０００３ｂ  電極
【図１】
2007047023.tif 000003
【図２】
2007047023.tif 000004
【図３】
2007047023.tif 000005
【図４】
2007047023.tif 000006
【図５】
2007047023.tif 000007
【図６】
2007047023.tif 000008
【図７】
2007047023.tif 000009
【図８】
2007047023.tif 000010
【図９】
2007047023.tif 000011
【図１０】
2007047023.tif 000012
【図１１】
2007047023.tif 000013
【図１２】
2007047023.tif 000014
【図１３】
2007047023.tif 000015
【図１４】
2007047023.tif 000016
【図１５】
2007047023.tif 000017