(57)【要約】【課題】半導体ウエーハの表面に付着している汚染物、たとえばＣｕなどの重金属を効果的に低減することができる半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、薄板状にスライスされた半導体ウエーハを平面研削する方法であって、少なくとも、前記半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行い、該洗浄工程を行った後に平面研削工程を行うことを特徴とする半導体ウエーハの平面研削方法を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板状にスライスされた半導体ウエーハを平面研削する方法であって、少なくとも、前記半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行い、該洗浄工程を行った後に平面研削工程を行うことを特徴とする半導体ウエーハの平面研削方法。
【請求項２】
前記重金属を除去する洗浄工程として、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸・過酸化水素水を含む混合液による洗浄のいずれか一以上を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハの平面研削方法。
【請求項３】
前記研削するウエーハを、スライス後にエッチングしたウエーハとすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウエーハの平面研削方法。
【請求項４】
少なくとも平面研削工程を含む半導体ウエーハの製造方法であって、少なくとも、前記半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行い、該洗浄工程を行った後に平面研削工程を行うことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
【請求項５】
前記重金属を除去する洗浄工程として、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸・過酸化水素水を含む混合液による洗浄のいずれか一以上を行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体ウエーハの製造方法。
【請求項６】
前記研削するウエーハを、スライス後にエッチングしたウエーハとすることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体ウエーハの製造方法。
【請求項７】
前記平面研削工程を行った後に、少なくとも半導体ウエーハを研磨する研磨工程を行い、該研磨工程後に洗浄工程を行うことを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン等の半導体ウエーハを製造する工程で行われる平面研削方法およびこの平面研削方法を用いた半導体ウエーハの製造方法に係り、特に、半導体基板（ウエーハ）の製造工程中に付着する重金属汚染物質を効果的に低減する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造では、ウエーハ自体に重金属やウエーハ表面に微粒子の汚染物が存在した場合、デバイスの性能特性に悪影響を及ぼすことがある。半導体デバイスに用いられる半導体基板（ウエーハ）は、主に引上げ法（チョクラルスキー法、ＣＺ法）で育成されたインゴットブロックを鏡面状の薄板に加工することで製造される。その加工工程は主にインゴットブロックをウエーハ状にスライスするスライス工程と該スライスされたウエーハの外周部を面取りする面取り工程と、該面取りされたウエーハをラッピングまたは平面研削等を用いて平坦化する平坦化工程と、該平坦化されたウエーハの加工歪を除去する為のエッチング工程と、該エッチングされたウエーハの両面、または片面を研磨する研磨工程からなる。更に熱処理工程や検査工程、各種洗浄工程などを有する。
【０００３】
半導体基板の洗浄や熱酸化工程の前洗浄、ＣＶＤ工程の前洗浄、またはリンガラス除去等における半導体ウェーハの洗浄には、従来より（１）ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液浸漬処理（１：１：５、８０℃、１０分）、（２）純水リンス、（３）ＨＦ＋Ｈ２Ｏ浸漬処理（ＨＦ１％含有）、（４）純水リンス、（５）ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液浸漬処理（１：１：６、８０℃、１０分）、（６）純水リンス、（７）乾燥までを連続して行ういわゆるＲＣＡ洗浄法(W.Kern  et.al.:RCA  Reveiw,31,p.187,1970)を基本とし、それぞれの処理液の混合割合や浸漬時間、加熱温度、また、上記（１）、（２）および（３）の洗浄液による洗浄処理の順番を入替える等、工程に合わせ適宜選択して用いる洗浄方法が一般的である。
【０００４】
ここで、（１）ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液を用いた洗浄（ＳＣ−１洗浄）は有機物等の異物除去および重金属除去等に効果があり、（３）ＨＦ＋Ｈ２Ｏは酸化膜の除去と同時に基板表面上に付着した異物の除去に効果があり、また、（５）ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液を用いた洗浄（ＳＣ−２洗浄）は重金属除去に効果があるとされている。
【０００５】
従来、上記のような洗浄は半導体基板（ウエーハ）の製造工程の中でも後工程に近い鏡面研磨されたウエーハに対して実施されてきた（たとえば、特許文献１参照）。なぜならば、ＲＣＡ洗浄は工程も長く、最終的に鏡面研磨されたウエーハが清浄であればよく、加工途中のウエーハに適用することが実質上無駄であると考えられているからである。
【０００６】
そして、加工途中における汚染の影響は、一般的にその後の研磨や洗浄により少なくなる。また汚染物を捕獲するための各種ゲッタリング技術によりデバイスに影響しないようなデバイス製造がされている。
【０００７】
しかし近年、研磨前、特にエッチング工程での汚染物の影響も重要になりつつある。エッチング工程では表面が活性な状況になっており、また用いるエッチャント中にも汚染物質を多く含んでいるため、汚染物がウエーハ表面に付着及び内部に拡散する可能性等が懸念される。
【０００８】
特に、加工途中でウエーハ表面が重金属汚染されると、汚染物がウエーハ内部へ拡散したり、またデバイスプロセスの低温化によるゲッタリング能力不足の問題により、従来より、ウエーハの汚染レベルをより低くすることが必要となってきた。
【０００９】
【特許文献１】特開平８−１１５８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、ウエーハに付着している汚染物、特に重金属を効果的に低減できる半導体ウエーハの平面研削方法および最終的に清浄で高品質のウエーハを製造する製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、薄板状にスライスされた半導体ウエーハを平面研削する方法であって、少なくとも、前記半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行い、該洗浄工程を行った後に平面研削工程を行うことを特徴とする半導体ウエーハの平面研削方法を提供する（請求項１）。
【００１２】
このように、半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行うことで、ウエーハに付着した重金属を除去した後で平面研削を行うことができる。従って、平面研削のように機械的作用が大きく発熱する工程において、汚染物がウエーハ内部へ拡散することがなく、最終的に得られるウエーハの汚染レベルを低くすることができる。
【００１３】
この場合、前記重金属を除去する洗浄工程として、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸・過酸化水素水を含む混合液による洗浄のいずれか一以上を行うことができる（請求項２）。
【００１４】
このように、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸・過酸化水素水を含む混合液による洗浄のいずれか一以上を行うことで、平面研削前に重金属を効果的に除去することができる。
【００１５】
また、前記研削するウエーハを、スライス後にエッチングしたウエーハとすることが好ましい（請求項３）。
【００１６】
エッチング工程ではウエーハ表面が活性な状況になっており、また用いるエッチャント中にも汚染物質を多く含んでいるため、汚染物がウエーハ表面に付着する恐れが高い。エッチング工程で汚染物が付着したウエーハを洗浄して重金属を除去した後で平面研削を行えば、平面研削により汚染物がウエーハ内部へ拡散することがなく、結果的にウエーハの汚染レベルを低減することができる。
【００１７】
また、本発明は、少なくとも平面研削工程を含む半導体ウエーハの製造方法であって、少なくとも、前記半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行い、該洗浄工程を行った後に平面研削工程を行うことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法を提供する（請求項４）。
【００１８】
このように、半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行うことで、ウエーハに付着した重金属を除去した後で平面研削を行うことができる。従って、平面研削により汚染物がウエーハ内部へ拡散することがなく、汚染レベルが低いウエーハを製造することができる。
【００１９】
この場合、前記重金属を除去する洗浄工程として、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸・過酸化水素水を含む混合液による洗浄のいずれか一以上を行うことができる（請求項５）。
【００２０】
このように、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸・過酸化水素水を含む混合液による洗浄のいずれか一以上を行うことで、平面研削前に重金属を効果的に除去して、平面研削中に重金属を内部に拡散させることなく、汚染レベルが低いウエーハを製造することができる。
【００２１】
また、前記研削するウエーハを、スライス後にエッチングしたウエーハとすることが好ましい（請求項６）。
【００２２】
エッチング工程ではウエーハ表面が活性な状況になっており、また用いるエッチャント中にも汚染物質を多く含んでいるため、汚染物がウエーハ表面に付着する恐れが高い。エッチング工程で汚染物が付着したウエーハを洗浄して重金属を除去した後で平面研削を行えば、平面研削により汚染物がウエーハ内部へ拡散することがなく、汚染レベルが低いウエーハを製造することができる。
【００２３】
また、前記平面研削工程を行った後に、少なくとも半導体ウエーハを研磨する研磨工程を行い、該研磨工程後に洗浄工程を行うことが好ましい（請求項７）。
【００２４】
このように、洗浄後に平面研削工程を行った後に、少なくとも半導体ウエーハを研磨する研磨工程を行い、該研磨工程後にＲＣＡ洗浄などの洗浄工程を行えば、平坦度に優れ、より確実に汚染レベルが低いウエーハを製造することができる。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明したように、本発明によれば、重金属を除去する洗浄工程を行いウエーハの重金属の汚染レベルを低くした後に平面研削工程を行うことを特徴とする半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法が提供される。このように平面研削の前に洗浄を行うことで、ウエーハに付着した重金属を効果的に除去することができ、続く機械的作用の大きい平面研削工程により重金属がウエーハ内部へ拡散する可能性を低減できる。従って、最終的に清浄度の高い高品質のウエーハを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明についてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２７】
従来、半導体ウエーハの製造において、スライスウエーハの平坦化と加工変質層の除去を目的としたラッピングが行われている。しかし、近年ではより加工精度および加工能率の高い平面研削が用いられることが多くなっている。
【００２８】
本発明者等は、半導体ウエーハの製造において、スライス工程後の平坦化工程として、ラッピングの代わりに平面研削を行うと、得られるウエーハの重金属汚染濃度が高くなることを見出した。
【００２９】
すなわち、本発明者等は、ラッピングを行う加工フロー（スライス→ラッピング→エッチング→研磨→洗浄）および、平面研削を行う加工フロー（スライス→平面研削→エッチング→研磨→洗浄）により製造されたそれぞれのウエーハについて、Ｃｕの不純物濃度を測定した。
【００３０】
測定方法としては、フッ硝酸によりウエーハ表面を約０．１μｍエッチングし、その液を原子吸光により分析した。得られた結果を図４に示す。図４から、平面研削により平坦化を行って得られたウエーハのＣｕ不純物濃度が高いことがわかる。いずれの加工フローも最後にウエーハを洗浄しているにもかかわらず、得られたウエーハ表面のＣｕ不純物濃度に差が生じている。従って、平面研削工程で、Ｃｕをウエーハ表面のみならず内部に拡散させている可能性が高いことが判った。
【００３１】
本発明者等は、このような問題点に鑑み、ラッピングを行う場合と同等のＣｕ不純物濃度が低いウエーハを得ることができる平面研削工程を求めて鋭意検討を行った。そして、重金属を除去する洗浄工程を行ってから平面研削を行えば、Ｃｕ不純物濃度の低いウエーハを得られることを見出し、本発明を完成させた。
【００３２】
すなわち本発明の半導体ウエーハの平面研削方法は、薄板状にスライスされた半導体ウエーハを平面研削する方法であって、少なくとも、前記半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行い、該洗浄工程を行った後に平面研削工程を行うことを特徴とする。
【００３３】
このように、半導体ウエーハを平面研削する前に重金属を除去する洗浄工程を行うことで、ウエーハに付着した重金属を除去した後で平面研削を行うことができる。従って、平面研削のように機械的作用が大きく発熱する工程において、汚染物がウエーハ内部へ拡散することがなく、最終的に得られるウエーハの汚染レベルを低くすることができる。
【００３４】
ここで、図１は本発明の半導体ウエーハの製造方法および平面研削方法の一例を説明する概略図である。
まず、チョクラルスキー法等により引上げたシリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハに加工する（スライス工程、図１（ａ））。
【００３５】
続いて、ウエーハに付着している重金属を除去する洗浄工程を行う（重金属を除去する洗浄工程、図１（ｂ））。この洗浄により、あらかじめウエーハに付着した重金属を除去しておけば、後工程の平面研削により汚染物がウエーハ内部へ拡散することがない。従って、ウエーハの汚染レベルを低くすることができる。
【００３６】
この洗浄工程は、特に限定されず従来行われているものを使用することができる。たとえば、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸・過酸化水素水を含む混合液による洗浄のいずれか一以上を行うことができる。
【００３７】
ＳＣ−１洗浄の洗浄液の濃度は、特に限定されず、たとえばアンモニア１〜１０％（容量％）、過酸化水素水１〜１０％（容量％）とすることができる。薬液温度は６０℃〜９０℃とするのが好ましい。
【００３８】
ＳＣ−２洗浄の洗浄液の濃度についても、特に限定されず、たとえば塩酸１〜１０％（容量％）、過酸化水素水１〜１０％（容量％）とすることができる。薬液温度は６０℃〜９０℃とするのが好ましい。
【００３９】
クエン酸・過酸化水素水を含む混合液の濃度についても、特に限定されないが、たとえばクエン酸濃度０.００５％〜０．５％（容量％）、過酸化水素の濃度が０．０１％〜１．０％（容量％）とすることができる。薬液温度は２０℃〜６０℃とするのが好ましい。
【００４０】
洗浄時間については、工程の状況（汚染の状況）や薬液濃度、処理温度により適宜設定すればよいが、上記のような洗浄条件で実施した場合、６０秒以上処理すれば十分な効果が得られる。更に処理時間を延ばして１８０秒程度とすれば、より安定した洗浄効果が得られる。但し、余りに長くしても、それ以上効果が上がらないので、１０分以下とする方がよい。
【００４１】
洗浄方式は特に限定されないが、たとえば、半導体ウエーハを洗浄液中に浸漬させて行うことができる。
【００４２】
以上のＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸・過酸化水素水を含む混合液による洗浄は、いずれかを単独で行ってもよいし、２つ以上を組合わせて行ってもよい。
【００４３】
次に、スライス工程での切断加工によってウエーハ表層に誘起された加工変質層を除去するとともにウエーハを平坦化するために、ウエーハを平面研削（両頭研削を含む）する（平面研削工程、図１（ｃ））。
【００４４】
平面研削工程は、たとえば、ウエーハの片面を真空吸着により保持し、このウエーハおよびカップ形状の微細ダイヤモンド砥石を回転させつつ互いに接触させて行うことができる。
【００４５】
また、平面研削工程として両頭研削を行うのであれば、ウエーハの外周を３点で保持して回転させ、ウエーハの両側からそれぞれダイヤモンド砥石を接触させて研削を行うことができる。
【００４６】
さらに、上記の工程でウェーハ表層に生じた加工歪みを除去するために、ウエーハをアルカリエッチングする（アルカリエッチング工程、図１（ｄ））。エッチャントは特に限定されず、たとえば濃度３０〜６０％のＮａＯＨ水溶液やＫＯＨ水溶液を用いて行うことができる。
【００４７】
次に、ウエーハを研磨する研磨工程を行って、ウエーハの表面をより高度に平坦化する（図１（ｅ））。研磨方法は特に限定されず、一般に用いられている方法を適用することができる。例えば、枚葉方式で、研磨ヘッドにウエーハを保持し、回転させながら研磨布を貼付した研磨定盤に研磨液を供給しつつ摺接することで、大口径ウエーハを鏡面研磨することができる。
【００４８】
上記研磨後、最終的にウエーハを洗浄する洗浄工程を行う（図１（ｆ））。洗浄方法は特に限定されず、一般に用いられている方法であるＲＣＡ洗浄を適用することができる。例えば、（１）ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液浸漬処理（１：１：５、８０℃、１０分）、（２）純水リンス、（３）ＨＦ＋Ｈ２Ｏ浸漬処理（ＨＦ１％含有）、（４）純水リンス、（５）ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液浸漬処理（１：１：６、８０℃、１０分）、（６）純水リンス、（７）乾燥までを連続して行うことができる。
【００４９】
以上のような製造方法および平面研削方法により、半導体ウエーハを得ることができる。
本発明では、ウエーハに付着した重金属を洗浄工程により除去した後で平面研削を行う。このように、重金属汚染を除去した後に研削するので、重金属不純物をウエーハ中に拡散させてしまうようなこともなく、結果的に清浄で高品質のウエーハを容易に得ることができる。
【００５０】
なお、上記スライス工程の後にラッピング工程やエッチング工程を行い、その後に重金属を除去する洗浄工程および平面研削工程を行って、スライス後にエッチングしたウエーハを研削するようにしてもよい。エッチング工程では表面が活性な状況になっており、また用いるエッチャント中にも汚染物質を多く含んでいるため、汚染物がウエーハ表面に付着する可能性が大きい。本発明の半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法であれば、エッチング後にウエーハ表面に付着した重金属を洗浄した後、平面研削を行うため、重金属不純物をウエーハ中に拡散させてしまうようなこともなく、清浄で高品質のウエーハを容易に得ることができる。
【００５１】
また、上記では本発明に必須の重金属を除去する洗浄工程および平面研削工程以外に、アルカリエッチング工程、研磨工程および洗浄工程を行う場合について説明したが、これらの工程は省略してもよい。また、この他にも面取り・ラッピング・洗浄・熱処理等の工程が加わってもよく、一部工程の省略・入換え・繰返し等本発明においても従来行われている種々の工程を採用し得る。
【実施例】
【００５２】
以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
まず、チョクラルスキー法により引上げたシリコン単結晶インゴットをワイヤーソーを用いてスライスして薄円板状のウエーハ（直径３００ｍｍ、Ｐ型、方位＜１００＞）に加工した（スライス工程、図１（ａ））。
【００５３】
続いて、ウエーハに付着している重金属をＳＣ−１洗浄により除去した（重金属を除去する洗浄工程、図１（ｂ））。ＳＣ−１洗浄液は、アンモニア、過酸化水素と純水の混合溶液であり、濃度はアンモニア３％（容量％）、過酸化水素水３％（容量％）となるように調整した。調整後、薬液温度を８０℃とし１８０秒の洗浄を行った。洗浄後、純水リンス中ですすぎ、スピン乾燥により回転させ乾燥した。
【００５４】
次に、スライス工程での切断加工によってウエーハ表層に誘起された加工変質層を除去するとともにウエーハを平坦化するために、ウエーハを平面研削した（平面研削工程、図１（ｃ））。砥石によりウエーハの片面ずつを研削し、両面平面研削を行った。
【００５５】
さらに、上記の工程でウエーハ表層に生じた加工歪みを除去するために、ウエーハをアルカリエッチングした（アルカリエッチング工程、図１（ｄ））。エッチャントとして濃度５２％のＮａＯＨ水溶液を用い、液温は８０℃とした。
【００５６】
その後、ウエーハを研磨する研磨工程を行った（図１（ｅ））。
最後に、ＲＣＡ洗浄により仕上げ洗浄を行った（洗浄工程、図１（ｆ））。
【００５７】
（比較例１）
比較例として、重金属を除去する洗浄工程を行わなかった以外は、実施例１と同条件でスライス工程・平面研削工程・アルカリエッチング工程・研磨工程・洗浄工程を行った。
【００５８】
（実施例２）
実施例１と同条件で、スライス工程を行った。
その後、遊離砥粒を用いたラッピング加工によりウエーハを平坦化した（ラッピング工程）。
【００５９】
次に、ラッピング工程でウエーハ表層に生じた加工歪みを除去するために、ウエーハをエッチングした（エッチング工程）。エッチャントとして濃度５２％のＮａＯＨ水溶液を用い、液温は８０℃とした。
【００６０】
続いて実施例１と同条件で、重金属を除去する洗浄工程、平面研削工程、アルカリエッチング工程、研磨工程、洗浄工程を行った。
【００６１】
（比較例２）
比較例として、重金属を除去する洗浄工程を行わなかった以外は、実施例２と同条件でスライス工程・ラッピング工程・エッチング工程・平面研削工程・アルカリエッチング工程・研磨工程・洗浄工程を行った。
【００６２】
上記、実施例１、２および比較例１、２で得られたシリコンウエーハについて、Ｃｕの不純物濃度を測定した。測定方法は、フッ硝酸によりウエーハ表面を約０．１μｍエッチングし、その液を原子吸光により分析した。得られた結果を図２に示す。
【００６３】
図２において、比較例１および実施例１、比較例２および実施例２から、平面研削前に重金属を除去する洗浄工程を行うことで、Ｃｕ不純物濃度が低減していることが確認された。
【００６４】
（実施例３）
重金属を除去する洗浄工程における洗浄液を、下記の異なる３条件で行った以外は、実施例２と同条件で、スライス工程・ラッピング工程・エッチング工程・重金属を除去する洗浄工程・平面研削工程・アルカリエッチング工程・研磨工程・洗浄工程を行った。
【００６５】
（１）ＳＣ−１洗浄液：アンモニア、過酸化水素、純水の混合溶液であり、濃度はアンモニア３％（容量％）、過酸化水素水３％（容量％）に調整した（実施例２と同じ）。薬液温度は８０℃で、洗浄時間は１８０秒とした。
（２）ＳＣ−２洗浄液：塩酸、過酸化水素、純水の混合溶液であり、濃度は塩酸３％（容量％）、過酸化水素水３％（容量％）に調整した。薬液温度は８０℃で、洗浄時間は１８０秒とした。
（３）クエン酸・過酸化水素水を含む混合液：クエン酸、過酸化水素、純水の混合溶液（以下この液をクエン酸/過水と略すことがある）であり、濃度はクエン酸０.０５％（容量％）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）０.１％（容量％）となるように調整した。薬液温度は３０℃で、洗浄時間は１８０秒とした。
【００６６】
（比較例３）
比較例２と全く同じ工程を行った。すなわち重金属を除去する洗浄工程を行わず、スライス工程・ラッピング工程・エッチング工程・平面研削工程・アルカリエッチング工程・研磨工程・洗浄工程を行った。
【００６７】
（比較例４）
比較例４として、比較例１の平面研削工程の代わりにラッピング工程を行った以外は、比較例１と同条件でスライス工程・ラッピング工程・アルカリエッチング工程・研磨工程・洗浄工程の順に行った。
【００６８】
上記、実施例３および比較例３、４で得られたシリコンウエーハについて、Ｃｕの不純物濃度を測定した。測定方法は、フッ硝酸によりウエーハ表面を約０．１μｍエッチングし、その液を原子吸光により分析した。得られた結果を図３に示す。
【００６９】
図３において、比較例３および実施例３から、平面研削前に重金属を除去する洗浄工程をＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、クエン酸/過水洗浄のいずれで行っても、平面研削前洗浄を行わなかった比較例３と比較してＣｕ不純物濃度が低減していることが確認された。特に、実施例３でＳＣ−２洗浄およびクエン酸/過水洗浄を行った場合には、Ｃｕ不純物濃度が大きく低減されており、平面研削を行わずラッピングのみを行った比較例４と同様なレベルまで改善されていることがわかる。
【００７０】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００７１】
たとえば、本発明の平面研削方法および製造方法は、シリコンウエーハのみならず化合物半導体等の種々の半導体ウエーハに適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法の一例を説明する概略図である。
【図２】実施例１、２と比較例１、２のウエーハについて、表面のＣｕ不純物濃度を測定した結果を示すグラフである（縦軸は相対値）。
【図３】実施例３と比較例３、４のウエーハについて、表面のＣｕ不純物濃度を測定した結果を示すグラフである（縦軸は相対値）。
【図４】平坦化工程としてラッピング工程を行ったウエーハと平面研削工程を行ったウエーハについて、表面のＣｕ不純物濃度を測定した結果を示すグラフである（縦軸は相対値）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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