(57)【要約】【課題】透過率の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、アレイ基板１と、対向基板２と、複数の第１画素部および複数の第２画素部と、液晶層３と、複数の第１着色層および複数の第２着色層を有したカラーフィルタ４と、アンダーコート絶縁膜１１と、を備えている。アンダーコート絶縁膜１１は、複数の第１画素部を形成するとともにこれら第１画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が第１着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第１光透過性無機部および複数の第２画素部を形成するとともにこれら第２画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が第２着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第２光透過性無機部を有している。【選択図】      図２
2007079556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に隙間を置いて対向配置され、他の基板を有した対向基板と、
前記アレイ基板および対向基板間に設けられた複数の第１画素部および複数の第２画素部と、
前記アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層と、
前記アレイ基板に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成する複数の第１着色層および前記複数の第２画素部を形成するとともに前記第１着色層と色の異なる複数の第２着色層を有したカラーフィルタと、
前記基板の表面に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成するとともにこれら第１画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第１着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第１光透過性無機部および前記複数の第２画素部を形成するとともにこれら第２画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第２着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第２光透過性無機部を有したアンダーコート絶縁膜と、を備えている液晶表示装置。
【請求項２】
基板を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に隙間を置いて対向配置され、他の基板を有した対向基板と、
前記アレイ基板および対向基板間に設けられた複数の第１画素部および複数の第２画素部と、
前記アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層と、
前記対向基板に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成する複数の第１着色層および前記複数の第２画素部を形成するとともに前記第１着色層と色の異なる複数の第２着色層を有したカラーフィルタと、
前記基板の表面に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成するとともにこれら第１画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第１着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第１光透過性無機部および前記複数の第２画素部を形成するとともにこれら第２画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第２着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第２光透過性無機部を有したアンダーコート絶縁膜と、を備えている液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１光透過性無機部の膜厚および第２光透過性無機部の膜厚は互いに異なる請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記基板上にマトリクス状に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成するとともにこれら第１画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第１着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の他の第１光透過性無機部および前記複数の第２画素部を形成するとともにこれら第２画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第２着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の他の第２光透過性無機部を有した複数の画素電極を備えている請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記他の基板上に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成するとともにこれら第１画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第１着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の他の第１光透過性無機部および前記複数の第２画素部を形成するとともにこれら第２画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第２着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の他の第２光透過性無機部を有した共通電極を備えている請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記アンダーコート絶縁膜はＳｉＮＸ系またはＳｉＯＸ系で形成されている請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記アレイ基板は、前記基板上に配置された複数の信号線と、前記信号線に交差して前記基板上に配置された複数の走査線と、前記信号線および走査線の交差部近傍に設けられているとともに前記基板上に配置された複数のスイッチング素子と、を備え、
前記カラーフィルタは、前記基板、信号線、走査線およびスイッチング素子上に形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１光透過性無機部および第２光透過性無機部の膜厚は、１０ｎｍないし１０００ｎｍである請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記他の第１光透過性無機部および他の第２光透過性無機部の膜厚は、１０ｎｍないし１０００ｎｍである請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記他の第１光透過性無機部および他の第２光透過性無機部の膜厚は、１０ｎｍないし１０００ｎｍである請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記アレイ基板および対向基板間に設けられた複数の第３画素部を備え、
前記カラーフィルタは、前記アレイ基板に設けられ、かつ、前記複数の第３画素部を形成するとともに前記第１着色層および第２着色層と色の異なる複数の第３着色層を有し、
前記アンダーコート絶縁膜は、前記基板の表面に設けられ、かつ、前記複数の第３画素部を形成するとともにこれら第３画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第３着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第３光透過性無機部を有している請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記アレイ基板および対向基板間に設けられた複数の第３画素部を備え、
前記カラーフィルタは、前記対向基板に設けられ、かつ、前記複数の第３画素部を形成するとともに前記第１着色層および第２着色層と色の異なる複数の第３着色層を有し、
前記アンダーコート絶縁膜は、前記基板の表面に設けられ、かつ、前記複数の第３画素部を形成するとともにこれら第３画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第３着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第３光透過性無機部を有している請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１着色層、第２着色層および第３着色層は、それぞれ赤色着色層、緑色着色層および青色着色層のいずれかである請求項１１または１２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に関し、特にカラーフィルタを備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成されたアレイ基板と、アレイ基板に隙間を置いて対向配置された対向基板と、これら両基板間に狭持された液晶層と、アレイ基板または対向基板に設けられたカラーフィルタとを備えている。その他、液晶表示装置には、例えば、バッテリーが内蔵され、バックライトユニットが設けられている。
【０００３】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の特徴を有しているため、ＯＡ（オフィス・オートメーション）機器、情報端末機、時計、テレビ等様々な分野に応用されている。特に、液晶表示装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタを備えることにより高速応答性が得られるため、携帯電話、テレビ、コンピュータ等、多くの情報を表示する電子機器の表示部に用いられている。
【０００４】
近年、液晶表示装置は、バッテリーでの長時間使用化および低消費電力化の為に透過率の向上が求められている。このため、ＴＦＴによる遮光を抑制することで開口率を向上させるＴＦＴ開口率の向上の他、カラーフィルタの透過率の向上、低電圧駆動液晶の開発およびバックライトユニットの高効率化が検討されている。また、液晶表示装置は、開口率の向上のため、カラーフィルタをアレイ基板に設ける技術等も用いて形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−６２７２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した液晶表示装置において、ノートＰＣ（パーソナルコンピュータ）用等の液晶表示装置は、更に、高精細化、高輝度および広視角等、高性能であることが求められている。このため、ＴＦＴ開口率の向上設計や、カラーフィルタの透過率向上改良、バックライトユニットの改善だけでは高性能な液晶表示装置を得ることは困難である。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、透過率の高い液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る液晶表示装置は、
基板を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に隙間を置いて対向配置され、他の基板を有した対向基板と、
前記アレイ基板および対向基板間に設けられた複数の第１画素部および複数の第２画素部と、
前記アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層と、
前記アレイ基板に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成する複数の第１着色層および前記複数の第２画素部を形成するとともに前記第１着色層と色の異なる複数の第２着色層を有したカラーフィルタと、
前記基板の表面に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成するとともにこれら第１画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第１着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第１光透過性無機部および前記複数の第２画素部を形成するとともにこれら第２画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第２着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第２光透過性無機部を有したアンダーコート絶縁膜と、を備えている。
【０００７】
また、本発明の他の態様に係る液晶表示装置は、
基板を有したアレイ基板と、
前記アレイ基板に隙間を置いて対向配置され、他の基板を有した対向基板と、
前記アレイ基板および対向基板間に設けられた複数の第１画素部および複数の第２画素部と、
前記アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層と、
前記対向基板に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成する複数の第１着色層および前記複数の第２画素部を形成するとともに前記第１着色層と色の異なる複数の第２着色層を有したカラーフィルタと、
前記基板の表面に設けられ、かつ、前記複数の第１画素部を形成するとともにこれら第１画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第１着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第１光透過性無機部および前記複数の第２画素部を形成するとともにこれら第２画素部の透過スペクトルが大きくなる波長が前記第２着色層の透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定された複数の第２光透過性無機部を有したアンダーコート絶縁膜と、を備えている。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、透過率の高い液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法について詳細に説明する。始めに、この製造方法によって製造された液晶表示装置の構成を説明する。  
図１ないし図３に示すように、液晶表示装置は、アレイ基板１と、対向基板２と、液晶層３と、カラーフィルタ４と、第１偏光板５と、第２偏光板６と、バックライトユニット７とを有している。
【００１０】
アレイ基板１は、透明な絶縁基板としてガラス基板１０を備えている。ガラス基板１０上には、アンダーコート絶縁膜１１が成膜されている。アンダーコート絶縁膜１１は、ガラス基板１０上に順に成膜された第１アンダーコート絶縁膜１２および第２アンダーコート絶縁膜１３を有している。この実施の形態において、第１アンダーコート絶縁膜１２はＳｉＮＸ系の材料で形成され、第２アンダーコート絶縁膜１３はＳｉＯＸ系の材料で形成されている。
【００１１】
アンダーコート絶縁膜１１上に、複数のストライプ状の信号線２０および複数のストライプ状の走査線２１が互いに交差して格子状に形成されている。また、アンダーコート絶縁膜１１上には、それぞれ補助容量素子３０を構成する複数のストライプ状の補助容量線２２が形成され、走査線２１と平行に延びている。隣合う２本の信号線２０および隣合う２本の補助容量線２２で囲まれた領域に複数の第１画素部１８ａ、複数の第２画素部１８ｂおよび複数の第３画素部１８ｃがそれぞれ形成されている。なお、第１画素部１８ａ、第２画素部１８ｂおよび第３画素部１８ｃは、アレイ基板１および対向基板２間に設けられている。
【００１２】
信号線２０および走査線２１の各交差部近傍には、スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４が設けられている。ＴＦＴ１４は、チャネル層として、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）あるいはポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる半導体膜１５および走査線２１の一部を延出してなるゲート電極１７を有している。この実施の形態において、半導体膜１５および後述する補助容量電極１６はｐ−Ｓｉで形成されている。
【００１３】
詳細に述べると、アンダーコート絶縁膜１１上には、半導体膜１５および補助容量電極１６が形成され、これら半導体膜および補助容量電極を含むアンダーコート絶縁膜上に図示しないゲート絶縁膜が成膜されている。ゲート絶縁膜上に、走査線２１、ゲート電極１７および補助容量線２２が配設されている。補助容量電極１６および補助容量線２２は、ゲート絶縁膜を介して対向配置されている。走査線２１、ゲート電極１７および補助容量線２２を含むゲート絶縁膜上には図示しない層間絶縁膜が成膜されている。
【００１４】
層間絶縁膜上には、信号線２０およびコンタクト配線２３が形成されている。信号線２０およびコンタクト配線２３は、それぞれゲート絶縁膜および層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して半導体膜１５のソース領域およびドレイン領域に接続されている。また、コンタクト配線２３は、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜に形成された他のコンタクトホールを介して補助容量電極１６に接続されている。ここで、補助容量線２２は、補助容量電極１６とコンタクト配線２３との接続部を除いて形成されている。
【００１５】
ＴＦＴ１４、信号線２０、走査線２１および図示しない層間絶縁膜上には、赤色の着色層４Ｒ、緑色の着色層４Ｇおよび青色の着色層４Ｂが互いに隣接し、交互に並んで配設されている。この実施の形態において、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの膜厚は、それぞれ３．０μｍである。着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの周縁部は信号線２０に重なっている。着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂは、カラーフィルタ４を形成している。なお、カラーフィルタ４はアレイ基板１に限らず対向基板２に設けても良い。層間絶縁膜上には、カラーフィルタ４周縁部に沿った図示しない額縁部が形成されている。この額縁部はカラーフィルタ４周縁部から漏れる光の遮光に寄与している。
【００１６】
着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ上には、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明な導電材料により複数の画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃがマトリクス状に設けられている。ここで、第１画素部１８ａは、ＴＦＴ１４、補助容量素子３０、着色層４Ｒおよび画素電極２７ａ等で形成されている。第２画素部１８ｂは、ＴＦＴ１４、補助容量素子３０、着色層４Ｇおよび画素電極２７ｂ等で形成されている。第３画素部１８ｃは、ＴＦＴ１４、補助容量素子３０、着色層４Ｂおよび画素電極２７ｃ等で形成されている。
【００１７】
画素電極２７ａは、着色層４Ｒに形成されたコンタクトホールを介してコンタクト配線２３に接続されている。画素電極２７ｂは、着色層４Ｇに形成されたコンタクトホールを介してコンタクト配線２３に接続されている。画素電極２７ｃは、着色層４Ｂに形成されたコンタクトホールを介してコンタクト配線２３に接続されている。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃの周縁部は信号線２０および補助容量線２２に重なっている。このため、信号線２０および補助容量線２２は、ブラックマトリクスとしての遮光機能を有している。
【００１８】
着色層４Ｒ上には柱状スペーサ２８が形成されている。全てを図示しないが、柱状スペーサ２８はカラーフィルタ４上に複数形成されている。なお、柱状スペーサ２８はアレイ基板１に限らず対向基板２に形成されても良い。カラーフィルタ４および画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃ上には配向膜２９が成膜されている。
【００１９】
対向基板２は、透明な絶縁基板としてガラス基板４０を備えている。このガラス基板４０上には、ＩＴＯ等の透明な導電材料により共通電極４１が形成されている。共通電極４１上には配向膜４２が成膜されている。
【００２０】
アレイ基板１および対向基板２は、両基板の周縁部に配置された、例えば熱硬化型のシール材５１により互いに接合され、複数の柱状スペーサ２８により所定の隙間を保持して対向配置されている。アレイ基板１、対向基板２およびシール材５１で囲まれた領域には、液晶層３が形成されている。シール材５１の一部には液晶注入口５２が設けられ、この液晶注入口は封止材５３で封止されている。
【００２１】
アレイ基板１の外面には第１偏光板５が配置されている。対向基板２の外面には第２偏光板６が配置されている。液晶表示装置には、バックライトユニット７および図示しないベゼル等も設けられている。バックライトユニット７は、導光板７ａと、この導光板の一側縁に対向配置された図示しない光源および反射板とを有している。導光板７ａは第１偏光板５に対向配置されている。
【００２２】
以下、上記した液晶表示装置の詳しい構成を製造方法と併せて説明する。  
（実施例１）
実施例１では、図２および図３に示すように、カラーフィルタ４はアレイ基板１に設けられている。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、光透過性無機部を形成せず、それぞれ５０ｎｍの均一な膜厚を有している。
【００２３】
第１アンダーコート絶縁膜１２は光透過性無機部８を形成している。第１アンダーコート絶縁膜１２は、第１光透過性無機部としての第１絶縁部１２ａと、第２光透過性無機部としての第２絶縁部１２ｂと、第３光透過性無機部としての第３絶縁部１２ｃとを有している。第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃは各画素部１８を形成している。
【００２４】
第１絶縁部１２ａは、着色層４Ｒに重なっているとともにこの着色層４Ｒおよび第１絶縁部１２ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。第２絶縁部１２ｂは、着色層４Ｇに重なっているとともにこの着色層４Ｇおよび第２絶縁部１２ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。第３絶縁部１２ｃは、着色層４Ｂに重なっているとともにこの着色層４Ｂおよび第３絶縁部１２ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。実施例１において、第１絶縁部１２ａの膜厚は１６０ｎｍ、第２絶縁部１２ｂの膜厚は１９０ｎｍ、第３絶縁部１２ｃの膜厚は１５０ｎｍに設定されている。
【００２５】
次に、上記液晶表示装置の一層詳しい構成を、その製造方法と併せて説明する。  
まず、ガラス基板１０を用意する。アレイ基板１の製造がスタートすると、用意したガラス基板１０上には、成膜およびパターニングを繰り返す等、通常の製造工程により、アンダーコート絶縁膜１１およびＴＦＴ１４の他、層間絶縁膜、信号線２０および走査線２１等を形成する。
【００２６】
ここで、上記アンダーコート絶縁膜１１の第１アンダーコート絶縁膜１２の製造方法について詳細に説明する。  
第１アンダーコート絶縁膜１２の形成工程がスタートすると、まず、ガラス基板１０全面にＳｉＮＸ系の絶縁材料を用いて膜厚２００ｎｍの絶縁膜を形成する。続いて、形成された絶縁膜上に、ポジ型レジストを塗布した後、所定のフォトマスクを用い、ポジ型レジストにパターンを露光する。
【００２７】
露光する際、ポジ型レジストには、波長を３６５ｎｍ、露光量を３００ｍＪ／ｃｍ２として紫外線を照射する。フォトマスクは、重なる着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂに応じて光透過率の異なるグラデーションパターンを有している。より詳しくは、フォトマスクは、画素電極２７ｂを形成したい個所に重なったポジ型レジストに照射される光を僅かに遮光して透過させる第１領域と、画素電極２７ａを形成したい個所に重なったポジ型レジストに照射される光を第１領域よりも透過させる第２領域と、画素電極２７ｃを形成したい個所に重なったポジ型レジストに照射される光を第２領域よりも透過させる第３領域とを有している。
【００２８】
次いで、露光されたポジ型レジストを現像した後、ポジ型レジストを１２０℃で１時間ポストベークし、パターン部を形成する。続いて、酸素アッシングを行う。これにより、ポジ型レジストのパターン部は除去され、絶縁膜はパターニングされる。上述したようにＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いることにより、パターニングされた絶縁膜からは、膜厚１６０ｎｍの複数の第１絶縁部１２ａと、膜厚１９０ｎｍの複数の第２絶縁部１２ｂと、膜厚１５０ｎｍの複数の第３絶縁部１２ｃとが形成される。
【００２９】
これにより、ガラス基板１０上にはアンダーコート絶縁膜１１およびＴＦＴ１４が形成される。
【００３０】
その後、ガラス基板１０上にカラーフィルタ４を形成するカラーフィルタ形成工程に移行する。スピンナを用い、着色層材料として、例えば赤色の顔料を分散したネガ型の紫外線硬化型アクリル樹脂レジスト（以下、赤色レジストと称する）をガラス基板１０上全面に塗布する。
【００３１】
次いで、所定のフォトマスクを用い、赤色レジストにパターニングを露光する。露光する際、赤色レジストには、波長を３６５ｎｍ、露光量を１００ｍＪ／ｃｍ２として紫外線を照射する。ここで用いたフォトマスクは、赤色に着色したい個所に紫外線が照射されるようなストライプ形状パターンと、画素電極２７ａおよびＴＦＴ１４を接続するコンタクトホールのためのパターンとを有している。
【００３２】
続いて、露光された赤色レジストをＫＯＨの１％水溶液で２０秒間現像する。このように、フォトエッチング法を用い、コンタクトホールを有し、膜厚３．０μｍの赤色の着色層４Ｒを形成する。
【００３３】
その後、着色層４Ｒと同様、フォトエッチング法を用い、膜厚３．０μｍの緑色の着色層４Ｇおよび膜厚３．０μｍの青色の着色層４Ｂを、それぞれ互いに隣接して順に形成するとともに、各着色層にコンタクトホールを形成する。これにより、ガラス基板１０上にカラーフィルタ４が形成される。
【００３４】
そして、ＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いることにより、導電膜２７からは、複数の画素電極２７ａと、複数の画素電極２７ｂと、複数の画素電極２７ｃとが形成される。
【００３５】
画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃを形成した後、ガラス基板１０上に、遮光性を有する材料として、例えば感光性アクリル性黒色レジスト（以下、黒色レジストと称する）をスピンナにて塗布する。その後、黒色レジストを９０℃で１０分、乾燥させる。
【００３６】
次に、フォトマスクをガラス基板１０上に塗布された黒色レジストに対向配置し、フォトマスクを介して紫外線を照射し、黒色レジストを露光する。露光する際、黒色レジストには、波長を３６５ｎｍ、露光量を３００ｍＪ／ｃｍ２として紫外線を照射する。ここで、フォトマスクは、柱状スペーサ２８および上記額縁部が形成される領域と対向したパターンを有している。
【００３７】
続いて、露光された黒色レジストをｐＨ１１．５のアルカリ水溶液にて現像した後、２００℃で６０分、焼成する。これにより、高さ５μｍの複数の柱状スペーサ２８および額縁部が同一材料で同時に形成される。
【００３８】
次いで、ガラス基板１０全面に配向膜材料を膜厚１００ｎｍとして塗布し、配向膜２９を形成する。配向膜２９には、所定の配向処理（ラビング）を施す。これにより、アレイ基板１の製造は終了する。
【００３９】
一方、対向基板２の製造においては、まず、ガラス基板４０を用意する。ガラス基板４０上に、ＩＴＯを２００ｎｍの膜厚に成膜し、共通電極４１を形成する。続いて、ガラス基板４０全面に配向膜材料を膜厚１００ｎｍとして塗布し、配向膜４２を形成する。
【００４０】
次いで、対向基板２の配向膜４２の周縁に沿って、例えば熱硬化型のシール材５１を印刷した後、このシール材付近に電極転移材を形成する。続いて、アレイ基板１および対向基板２を複数の柱状スペーサ２８により所定の隙間を保持して対向配置し、アレイ基板および対向基板の周縁部同士をシール材５１により貼り合せる。なお、アレイ基板１および対向基板２は、それぞれの配向膜２９、４２に施したラビング方向を垂直にして対向配置されている。その後、シール材５１を加熱して硬化させ、アレイ基板１および対向基板２を固定する。
【００４１】
続いて、シール材５１の一部に形成された液晶注入口５２から、誘電異方性が正である液晶を注入する。その後、液晶注入口５２を、例えば紫外線硬化型樹脂からなる封止材５３により封止する。これにより、アレイ基板１および対向基板２間に液晶が封入され、厚さ５μｍの液晶層３が形成される。次いで、アレイ基板１の外面に第１偏光板５を貼り付け、対向基板２の外面に第２偏光板６を貼り付け、さらに、図示しないバックライトユニットおよびベゼル等を取り付けてモジュールに組立てる。これにより、図２に示すように液晶表示装置が完成する。
【００４２】
次に、カラーフィルタ４を透過した赤色、緑色および青色の光のスペクトル特性について説明する。  
図４に示すように、着色層４Ｒの赤色の透過スペクトルは、波長６４０ｎｍでほぼピークとなり、波長６４０ｎｍ付近で大きくなる。着色層４Ｇの緑色の透過スペクトルは、波長５３５ｎｍでほぼピークとなり、波長５３５ｎｍ付近で大きくなる。着色層４Ｂの青色の透過スペクトルは、波長４６５ｎｍでほぼピークとなり、波長４６５ｎｍ付近で大きくなる。
【００４３】
次に、第１アンダーコート絶縁膜（ＵＣ）１２を透過した光のスペクトル特性について説明する。  
図５に示すように、ＳｉＮＸ系の材料で形成された第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃの透過スペクトルが大きくなる波長は、これら第１ないし第３絶縁部の膜厚に応じて変化することが分かる。上記したことは、第１ないし第３絶縁部１２ａ、１２ｂ、１２ｃを透過した光には、これら第１ないし第３絶縁部の膜厚に応じたスペクトルの干渉波が生じるためである。
【００４４】
本願発明者等が調査したところ、膜厚１６０ｎｍの第１絶縁部１２ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは６３０ｎｍであり、この第１絶縁部１２ａと重なった着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００４５】
膜厚１９０ｎｍの第２絶縁部１２ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは５４０ｎｍであり、この第２絶縁部１２ｂと重なった着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００４６】
膜厚１５０ｎｍの第３絶縁部１２ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは４６０ｎｍであり、この第３絶縁部１２ｃと重なった着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００４７】
上記したように波長を一致させることにより、各画素部の透過率を向上させることができ、ひいては全体的な透過率を向上させることができる。
【００４８】
図９に示すように、実施例１で完成した液晶表示装置を用い、バックライトを点灯させて画像表示したところ、表示ムラ無く、表示均一性も良好であった。各画素部の色スペクトルと第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃの干渉スペクトルとのピークを一致させることにより、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各色スペクトルと、着色層を除く各画素部の透過スペクトルピークとが一致し、３１０ｃｄ／ｍ２の高い輝度が得られた。
【００４９】
また、完成した液晶表示装置を高温度（５０℃）、かつ、高湿度（８０％）の環境内で５００時間連続点灯させて信頼性の試験を行ったが、表示劣化は見られず、表示品位も良好であり、高信頼性の液晶表示装置であることが確認できた。
【００５０】
（実施例２）
実施例２では、図６に示すように、カラーフィルタ４は対向基板２に設けられている。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、光透過性無機部８を形成せず、それぞれ２００ｎｍの均一な膜厚を有している。
【００５１】
第１アンダーコート絶縁膜１２は、実施例１と同様、光透過性無機部８を形成し、第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃを有している。実施例２において、第１絶縁部１２ａの膜厚は１０ｎｍ、第２絶縁部１２ｂの膜厚は３０ｎｍ、第３絶縁部１２ｃの膜厚は２０ｎｍに設定されている。
【００５２】
ＴＦＴ１４、信号線２０、走査線２１および図示しない層間絶縁膜が形成されたガラス基板１０上には、膜厚３μｍの複数の透明絶縁レジスト部２４がマトリクス状に設けられている。透明絶縁レジスト部２４は第１画素部１８ａ、第２画素部１８ｂおよび第３画素部１８ｃに設けられている。
【００５３】
複数の透明絶縁レジスト部２４上には、透明な導電材料としてのＩＴＯにより複数の画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃが形成されている。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、実施例１と同様、ＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いることにより形成されている。
【００５４】
図９に示すように、本願発明者等が調査したところ、膜厚１０ｎｍの第１絶縁部１２ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは、この第１絶縁部１２ａと重なった着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００５５】
膜厚３０ｎｍの第２絶縁部１２ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは、この第２絶縁部１２ｂと重なった着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００５６】
膜厚２０ｎｍの第３絶縁部１２ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは、この第３絶縁部１２ｃと重なった着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００５７】
上記したように波長を一致させることにより、各画素部の透過率を向上させることができ、ひいては全体的な透過率を向上させることができる。
【００５８】
第１アンダーコート絶縁膜１２を形成する際、ガラス基板１０全面にＳｉＮＸ系の絶縁材料を用いて膜厚５０ｎｍの絶縁膜を形成した後、実施例１と同様、ＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いることにより、複数の第１絶縁部１２ａ、複数の第２絶縁部１２ｂおよび複数の第３絶縁部１２ｃが形成される。
【００５９】
画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃが形成されたガラス基板１０上には、膜厚１００ｎｍの配向膜２９が成膜されている。
【００６０】
対向基板２において、ガラス基板４０上には、ストライプ状のブラックマトリクス層４３が複数形成されている。ガラス基板４０およびブラックマトリクス層４３上には、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが交互に並んで配設され、カラーフィルタ４を形成している。着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂは、それぞれストライプ状に形成され、これらの周縁部をブラックマトリクス層４３に重ねて配設されている。
【００６１】
着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ上には、透明な導電材料としてのＩＴＯにより膜厚２００ｎｍの共通電極４１が形成されている。共通電極４１上には、複数の柱状スペーサ２８が形成されている。共通電極４１および柱状スペーサ２８が形成されたガラス基板４０上には、膜厚１００ｎｍの配向膜４２が成膜されている。液晶表示装置は、上記したアレイ基板１および対向基板２等を用いて実施例１と同様モジュールに組立てることにより完成する。
【００６２】
図９に示すように、実施例２で完成した液晶表示装置を用い、バックライトを点灯させて画像表示したところ、表示ムラ無く、表示均一性も良好であった。各画素部の色スペクトルと第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃの干渉スペクトルとのピークを一致させることにより、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各色スペクトルと、着色層を除く各画素部の透過スペクトルピークとが一致し、３１０ｃｄ／ｍ２の高い輝度が得られた。
【００６３】
また、完成した液晶表示装置を高温度（５０℃）、かつ、高湿度（８０％）の環境内で５００時間連続点灯させて信頼性の試験を行ったが、表示劣化は見られず、表示品位も良好であり、高信頼性の液晶表示装置であることが確認できた。
【００６４】
（実施例３）
実施例３では、図７に示すように、実施例１と同様、カラーフィルタ４はアレイ基板１に設けられている。第１アンダーコート絶縁膜１２は、光透過性無機部８を形成し、第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃを有している。ここで、第１絶縁部１２ａは第１光透過性無機部を、第２絶縁部１２ｂは第２光透過性無機部を、第３絶縁部１２ｃは第３光透過性無機部をそれぞれ形成している。
【００６５】
また、画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、他の光透過性無機部９を形成している。ここで、画素電極２７ａは他の第１光透過性無機部を、画素電極２７ｂは他の第２光透過性無機部を、画素電極２７ｃは他の第３光透過性無機部をそれぞれ形成している。第１絶縁部１２ａおよび画素電極２７ａは第１画素部１８ａを形成している。第２絶縁部１２ｂおよび画素電極２７ｂは第２画素部１８ｂを形成している。第３絶縁部１２ｃおよび画素電極２７ｃは第３画素部１８ｃを形成している。
【００６６】
第１絶縁部１２ａは、着色層４Ｒに重なっているとともにこの着色層４Ｒおよび第１絶縁部１２ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。第２絶縁部１２ｂは、着色層４Ｇに重なっているとともにこの着色層４Ｇおよび第２絶縁部１２ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。
【００６７】
第３絶縁部１２ｃは、着色層４Ｂに重なっているとともにこの着色層４Ｂおよび第３絶縁部１２ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。実施例３において、第１絶縁部１２ａの膜厚は１６０ｎｍ、第２絶縁部１２ｂの膜厚は１４０ｎｍ、第３絶縁部１２ｃの膜厚は１５０ｎｍに設定されている。
【００６８】
画素電極２７ａは、着色層４Ｒに重なっているとともにこの着色層４Ｒおよび画素電極２７ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。
【００６９】
画素電極２７ｂは、着色層４Ｇに重なっているとともにこの着色層４Ｇおよび画素電極２７ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。
【００７０】
画素電極２７ｃは、着色層４Ｂに重なっているとともにこの着色層４Ｂおよび画素電極２７ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長が着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。実施例３において、画素電極２７ａの膜厚は６０ｎｍ、画素電極２７ｂの膜厚は１００ｎｍ、画素電極２７ｃの膜厚は７０ｎｍに設定されている。  
第１アンダーコート絶縁膜１２および画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、上述した実施例と同様、ＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いてそれぞれ形成されている。
【００７１】
次に、画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃの製造方法について詳細に説明する。着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを含むガラス基板１０全面に、ＩＴＯをスパッタリング法により膜厚２００ｎｍに堆積する。これにより、ガラス基板１０上に膜厚２００ｎｍの導電膜が成膜される。
【００７２】
続いて、導電膜上に、膜厚が１．５μｍとなるようにポジ型レジストを塗布した後、このポジ型レジストを乾燥させる。これにより、導電膜上にポジ型レジストが成膜される。その後、所定のフォトマスクを用い、ポジ型レジストにパターンを露光する。
【００７３】
露光する際、ポジ型レジストには、波長を３６５ｎｍ、露光量を３００ｍＪ／ｃｍ２として紫外線を照射する。フォトマスクは、重なる着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂに応じて光透過率の異なるグラデーションパターンを有している。
【００７４】
次いで、露光されたポジ型レジストを現像した後、現像されたポジ型レジストを、１２０℃で１時間ポストベークする。これにより、導電膜上には、最も膜厚の厚い複数の第２パターン部と、これら第２パターン部よりも膜厚の薄い複数の第３パターン部と、最も膜厚の薄い複数の第１パターン部とが形成される。
【００７５】
続いて、シュウ酸を用いて導電膜をエッチングした後、酸素アッシングを行う。これにより、第１パターン部、第２パターン部および第３パターン部は除去され、導電膜はパターニングされる。上述したようにＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いることにより、パターニングされた導電膜からは、着色層４Ｒに重なった膜厚６０ｎｍの複数の画素電極２７ａと、着色層４Ｇに重なった膜厚１００ｎｍの複数の画素電極２７ｂと、着色層４Ｂに重なった膜厚７０ｎｍの複数の画素電極２７ｃとが形成される。
【００７６】
次に、第１アンダーコート絶縁膜（ＵＣ）１２および画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃを透過した光のスペクトル特性について説明する。  
図８に示すように、本願発明者等が調査したところ、膜厚１６０ｎｍの第１絶縁部１２ａおよび膜厚６０ｎｍの画素電極２７ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは６３０ｎｍであり、これら第１絶縁部１２ａおよび画素電極２７ａと重なった着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００７７】
膜厚１４０ｎｍの第２絶縁部１２ｂおよび膜厚１００ｎｍの画素電極２７ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは５２０ｎｍであり、これら第２絶縁部１２ｂおよび画素電極２７ｂと重なった着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００７８】
膜厚１５０ｎｍの第３絶縁部１２ｃおよび膜厚７０ｎｍの画素電極２７ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長の１つは４６５ｎｍであり、これら第３絶縁部１２ｃおよび画素電極２７ｃと重なった着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かる。
【００７９】
上記したように波長を一致させることにより、各画素部の透過率を向上させることができ、ひいては全体的な透過率を向上させることができる。
【００８０】
図９に示すように、実施例３で完成した液晶表示装置を用い、バックライトを点灯させて画像表示したところ、表示ムラ無く、表示均一性も良好であった。各画素部の色スペクトルと第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃの干渉スペクトルとのピークを一致させ、さらには各画素部の色スペクトルと画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃの干渉スペクトルとのピークを一致させることにより、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各色スペクトルと、着色層を除く各画素部の透過スペクトルピークとが一致し、３２０ｃｄ／ｍ２の高い輝度が得られた。
【００８１】
また、完成した液晶表示装置を高温度（５０℃）、かつ、高湿度（８０％）の環境内で５００時間連続点灯させて信頼性の試験を行ったが、表示劣化は見られず、表示品位も良好であり、高信頼性の液晶表示装置であることが確認できた。なお、実施例２および実施例３において、他の構成は上述した実施例１と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略した。
【００８２】
次に、比較例１ないし比較例５において、液晶表示装置の透過率が低下する場合や信頼性が損なわれる場合について説明する。なお、比較例１ないし比較例５において、他の構成は上述した実施例と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００８３】
（比較例１）
比較例１では、カラーフィルタ４はアレイ基板１に設けられている。第１アンダーコート絶縁膜１２は、光透過性無機部を形成せず、１００ｎｍの均一な膜厚を有している。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、光透過性無機部を形成せず、それぞれ５０ｎｍの均一な膜厚を有している。
【００８４】
図９に示すように、比較例１で完成した液晶表示装置を用い、バックライトを点灯させて画像表示したところ、表示ムラ無く、表示均一性も良好であった。着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各色スペクトルと、着色層を除く各画素部の透過スペクトルピークとはずれてしまい、２５０ｃｄ／ｍ２の低い輝度しか得られなかった。
【００８５】
また、完成した液晶表示装置を高温度（５０℃）、かつ、高湿度（８０％）の環境内で５００時間連続点灯させて信頼性の試験を行ったが、表示劣化は見られず、表示品位も良好であり、高信頼性の液晶表示装置であることが確認できた。
【００８６】
（比較例２）
比較例２では、カラーフィルタ４は、対向基板２に設けられている。第１アンダーコート絶縁膜１２は、光透過性無機部を形成せず、１００ｎｍの均一な膜厚を有している。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、光透過性無機部を形成せず、それぞれ１００ｎｍの均一な膜厚を有している。
【００８７】
図９に示すように、比較例２で完成した液晶表示装置を用い、バックライトを点灯させて画像表示したところ、表示ムラ無く、表示均一性も良好であった。着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各色スペクトルと、着色層を除く各画素部の透過スペクトルピークとはずれてしまい、２５０ｃｄ／ｍ２の低い輝度しか得られなかった。
【００８８】
また、完成した液晶表示装置を高温度（５０℃）、かつ、高湿度（８０％）の環境内で５００時間連続点灯させて信頼性の試験を行ったが、表示劣化は見られず、表示品位も良好であり、高信頼性の液晶表示装置であることが確認できた。
【００８９】
（比較例３）
比較例３では、カラーフィルタ４はアレイ基板１に設けられている。第１アンダーコート絶縁膜１２は、光透過性無機部を形成せず、１００ｎｍの均一な膜厚を有している。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、光透過性無機部８を形成している。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、上述した実施例と同様、ＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いることにより形成されている。画素電極２７ａの膜厚は８ｎｍ、画素電極２７ｂの膜厚は２０ｎｍ、画素電極２７ｃの膜厚は５０ｎｍである。
【００９０】
ここで、本願発明者等が調査したところ、膜厚８ｎｍの画素電極２７ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長は、この画素電極２７ａと同一画素部内である着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。膜厚２０ｎｍの画素電極２７ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長は、この画素電極２７ｂと同一画素部内である着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。膜厚５０ｎｍの画素電極２７ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長は、この画素電極２７ｃと同一画素部内である着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。
【００９１】
図９に示すように、比較例３で完成した液晶表示装置を用い、バックライトを点灯させて画像表示したところ、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各色スペクトルと、着色層を除く各画素部の透過スペクトルピークとが一致し、３００ｃｄ／ｍ２の高い輝度が得られた。
【００９２】
しかしながら、画素電極２７ａの膜厚が不十分であることに起因して導電通不良が発生し、表示画面には線状の欠陥が生じた。
【００９３】
（比較例４）
比較例４では、カラーフィルタ４はアレイ基板１に設けられている。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、光透過性無機部を形成せず、それぞれ５０ｎｍの均一な膜厚を有している。第１アンダーコート絶縁膜１２は、上述した実施例１等と同様、光透過性無機部８を形成し、第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃを有している。
【００９４】
第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃは、上述した実施例と同様、ＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いることにより形成されている。第１絶縁部１２ａの膜厚は５ｎｍ、第２絶縁部１２ｂの膜厚は３０ｎｍ、第３絶縁部１２ｃの膜厚は２０ｎｍである。
【００９５】
ここで、本願発明者等が調査したところ、膜厚５ｎｍの第１絶縁部１２ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長は、この第１絶縁部１２ａと同一画素部内である着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。膜厚２０ｎｍの第２絶縁部１２ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長は、この第２絶縁部１２ｂと同一画素部内である着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。膜厚５０ｎｍの第３絶縁部１２ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長は、この第３絶縁部１２ｃと同一画素部内である着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。
【００９６】
図９に示すように、比較例４で完成した液晶表示装置を用い、バックライトを点灯させて画像表示したところ、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各色スペクトルと、着色層を除く各画素部の透過スペクトルピークとが一致し、３００ｃｄ／ｍ２の高い輝度が得られた。
【００９７】
しかしながら、完成した液晶表示装置を高温度（５０℃）、かつ、高湿度（８０％）の環境内で５００時間連続点灯させて信頼性の試験を行ったところ、第１絶縁部１２ａの膜厚が不十分であることによる不純物ブロック性に起因してＴＦＴ特性の劣化が発生し、表示劣化が生じた。
【００９８】
（比較例５）
比較例５では、カラーフィルタ４はアレイ基板１に設けられている。第１アンダーコート絶縁膜１２は、光透過性無機部を形成せず、１００ｎｍの均一な膜厚を有している。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、光透過性無機部８を形成している。画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、膜厚１５００ｎｍに成膜された導電膜２７に、上述した実施例と同様、ＰＥＰとアッシングとを組み合せた方法を用いることにより形成されている。画素電極２７ａの膜厚は１６０ｎｍ、画素電極２７ｂの膜厚は１２００ｎｍ、画素電極２７ｃの膜厚は５０ｎｍである。
【００９９】
ここで、本願発明者等が調査したところ、膜厚１６０ｎｍの画素電極２７ａが形成された第１画素部１８ａの透過スペクトルが大きくなる波長は、この画素電極２７ａと同一画素部内である着色層４Ｒの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。膜厚１２００ｎｍの画素電極２７ｂが形成された第２画素部１８ｂの透過スペクトルが大きくなる波長は、この画素電極２７ｂと同一画素部内である着色層４Ｇの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。膜厚５０ｎｍの画素電極２７ｃが形成された第３画素部１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長は、この画素電極２７ｃと同一画素部内である着色層４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致していることが分かった。
【０１００】
図９に示すように、比較例５で完成した液晶表示装置を用い、バックライトを点灯させて画像表示したところ、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各色スペクトルと、着色層を除く各画素部の透過スペクトルピークとは一致したものの、画素電極２７ｂに光透明性の劣化、すなわち、透過率の低下が生じ、２８０ｃｄ／ｍ２の低い輝度しか得られなかった。
【０１０１】
以上のように構成された、液晶表示装置によれば、液晶表示装置は、光透過性無機部８としての画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、光透過性無機部８としての第１アンダーコート絶縁膜１２または光透過性無機部８としての第１アンダーコート絶縁膜１２並びに他の光透過性無機部９としての画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃを有している。
【０１０２】
光透過性無機部８としての画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが形成された第１ないし第３画素部１８ａ、１８ｂ、１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長が、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。光透過性無機部８としての第１アンダーコート絶縁膜１２は、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが形成された画素部１８の透過スペクトルが大きくなる波長が、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。
【０１０３】
光透過性無機部８としての第１アンダーコート絶縁膜１２および他の光透過性無機部９としての画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、それぞれ着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが形成された第１ないし第３画素部１８ａ、１８ｂ、１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長が、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と一致する膜厚に設定されている。これにより、着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの透過スペクトルが大きくなる波長と、第１ないし第３画素部１８ａ、１８ｂ、１８ｃの透過スペクトルが大きくなる波長とは一致している。
【０１０４】
このため、透過率の高い液晶表示装置を得ることができ、開口率の向上、カラーフィルタの透過率向上およびバックライトユニットの改善では対応できなかった高輝度の液晶表示装置を得ることができる。透過率の高い液晶表示装置では、低消費電力化を図ることができ、液晶表示装置に内蔵されたバッテリーでの長時間使用化を図ることもできる。
【０１０５】
光透過性無機部８（他の光透過性無機部９）は、第１アンダーコート絶縁膜１２または画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃで形成されている。第１アンダーコート絶縁膜１２は十分な絶縁性能を有する必要があり、画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは十分な電気導電性を有する必要があり、また、いずれもＮａおよびＫ等の無機不純物やアミン類、カルボン酸等の有機不純物のブロック性能が必要である。このため、第１アンダーコート絶縁膜１２および画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃは、これらの性能と製品信頼性の観点から、実用上１０ｎｍ以上の膜厚を有することが必要である。
【０１０６】
また、第１アンダーコート絶縁膜１２および画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃの膜厚が厚くなり過ぎると透過率が低下してしまう。実用上１０００ｎｍを超える膜厚となると光透過率の著しい低下が発生してしまう。上記した影響を勘案して光透過性無機部としての第１ないし第３絶縁部１２ａ、１２ｂ、１２ｃおよび画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃの膜厚は、それぞれ１０ｎｍないし１０００ｎｍが望ましい。
【０１０７】
また、第１ないし第３絶縁部１２ａ、１２ｂ、１２ｃおよび画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃの膜厚を変えた場合でも表示特性の均一性や信頼性に悪い影響は与えないため、表示品位に優れ、信頼性の高い液晶表示装置を得ることができる。
【０１０８】
第１アンダーコート絶縁膜１２および画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃを所望の膜厚に形成したい場合、成膜およびパターニングを何度も繰り返せば所望の膜厚に形成することは可能であるが、それでは工程が繁雑となる。このため、上述した実施の形態におけるＰＥＰ工程でのポジ型レジスト除去の際は、ポジ型レジストの膜厚を異ならせる様に設計されたフォトマスクを用いている。そして、Ｏ２アッシング等を用いて第１ないし第３パターン部の除去と導電膜または絶縁膜のパターニングとを同時に行うことにより、製造工程を増やすことなく間便な方法で所望の膜厚の第１絶縁部１２ａ、第２絶縁部１２ｂおよび第３絶縁部１２ｃと画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃとを得ることができる。
【０１０９】
なお、この発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、光透過性無機部８および他の光透過性無機部９は第１アンダーコート絶縁膜１２および画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃで形成されているが、これに限らず、ＳｉＯＸ系の第２アンダーコート絶縁膜１３や共通電極４１で形成されていても良い。より詳しくは、第１アンダーコート絶縁膜１２、第２アンダーコート絶縁膜１３、画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃおよび共通電極４１の少なくとも１つが光透過性無機部として形成されていれば良い。
【０１１０】
ここで、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等は、ＴＦＴ１４の特性および製品信頼性に影響を与える膜であり、これらの膜厚を部分的に異ならせた場合表示特性の均一性や信頼性が悪くなる場合がある。
【０１１１】
液晶表示装置の表示モードはＴＮモードに限らず、ＶＡ（Vertically Aligned）モードやＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モードでも良い。また、カラーフィルタ４は、アレイ基板１に設けても対向基板２に設けても良い。  
光透過性無機部として、例えば画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃにおいて、画素電極２７ａ、２７ｂ、２７ｃの膜厚を異ならせるため、メッシュの異なる露光マスクを用いて導電膜に紫外線を照射しても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の斜視図。
【図２】図１に示した液晶表示装置の断面図、特に、実施例１の液晶表示装置の断面図。
【図３】図２に示したアレイ基板の一部を拡大して示した平面図。
【図４】上記液晶表示装置のカラーフィルタの波長に対する透過率の変化をグラフで示した図。
【図５】上記実施例１の液晶表示装置の波長に対する透過率の変化をグラフで示した図。
【図６】図１に示した液晶表示装置の断面図、特に、実施例２の液晶表示装置の断面図。
【図７】図１に示した液晶表示装置の断面図、特に、実施例３の液晶表示装置の断面図。
【図８】上記実施例３の液晶表示装置の波長に対する透過率の変化をグラフで示した図。
【図９】本発明の実施の形態に係る実施例１ないし実施例３および比較例１ないし比較例５において、光透過性無機部の膜厚を変えた場合の液晶表示装置の輝度レベル、表示品位および信頼性の変化を表で示した図。
【符号の説明】
【０１１３】
１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、４…カラーフィルタ、４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ…着色層、７…バックライトユニット、８…光透過性無機部、９…他の光透過性無機部、１０…ガラス基板、１１…アンダーコート絶縁膜、１２…第１アンダーコート絶縁膜、１２ａ…第１絶縁部、１２ｂ…第２絶縁部、１２ｃ…第３絶縁部、１３…第２アンダーコート絶縁膜、１４…ＴＦＴ、１８ａ…第１画素部、１８ｂ…第２画素部、１８ｃ…第３画素部、２０…信号線、２１…走査線、２２…補助容量線、２７ａ，２７ｂ，２７ｃ…画素電極、４０…ガラス基板、４１…共通電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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