(57)【要約】      （修正有）【課題】電解めっき法を用いた配線の形成方法に関し、微細な配線の厚さを厚く形成することを可能にすると共に、配線の生産性を向上することのできる配線の形成方法を提供する。【解決手段】第１のシード層１４の形成位置に対応する絶縁層１２を露出するように、配線形成領域Ａに対応する絶縁層１２上にリフトオフ用レジスト膜１９を形成し、その後、金属膜２１を形成する。次いで、リフトオフ用レジスト膜１９を除去して、第１及び第２のシード層１４，２２を形成する。その後、電解めっき法により、第１のシード層１４上に導電金属１５を析出成長させ、その後、第２のシード層２２を除去することで、第１のシード層１４及び導電金属１５よりなる配線１３を形成する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線の形成方法であって、
基板に設けられた絶縁層上に、リフトオフ法によりシード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記シード層上に導電金属を析出成長させる導電金属形成工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法。
【請求項２】
前記基板は、前記配線が複数形成される配線形成領域を複数有し、
前記シード層は、前記複数の配線形成領域に対応する前記絶縁層上に設けられた第１のシード層と、前記複数の配線形成領域間に位置する前記絶縁層上に設けられた第２のシード層とを有し、
前記第２のシード層は、前記複数の配線形成領域に設けられた第１のシード層と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線の形成方法。
【請求項３】
前記導電金属形成工程の前に、前記第２のシード層を覆うレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程を設けたことを特徴とする請求項２記載の配線の形成方法。
【請求項４】
前記導電金属形成工程後に、前記第２のシード層を除去する第２のシード層除去工程をさらに設けたことを特徴とする請求項２または３記載の配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線の形成方法に係り、特に電解めっき法を用いた配線の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、シリコンインターポーザ、ＭＥＭＳ（Micro electro mechanical systems）、配線基板等の分野では、サブトラクティブ法やセミアディティブ法等の方法を用いて配線が形成されている。
【０００３】
しかしながら、上記方法では、配線の微細化により、配線間のスペースが狭くなった場合（例えば、配線間のスペース幅が１μｍ以下となった場合）、微細な配線間に位置するシード層をエッチングすることが困難であるという問題があった。このような問題を解決する従来の配線の形成方法として、図１〜図３に示すような方法がある。なお、ここでの微細な配線とは、例えば、配線幅が１μｍ以下の配線のことをいう。
【０００４】
図１〜図３は、従来の配線の形成工程を示す図である。
【０００５】
図１〜図３を参照して、従来の配線の形成方法について説明する。
【０００６】
始めに、図１に示す工程では、絶縁膜１０１上に、開口部１０２Ａを有したレジスト膜１０２を形成する。開口部１０２Ａは、配線１０５の形成領域に対応する絶縁膜１０１を露出している。
【０００７】
次いで、図２に示す工程では、無電解めっき法により、開口部１０２Ａに露出された絶縁膜１０１上にシード層１０３を形成し、続いて、無電解めっき法により、シード層１０３上に導電金属１０４を析出成長させる。これにより、シード層１０３及び導電金属１０４からなる配線１０５が形成される。その後、図３に示す工程では、不要となったレジスト膜１０２を除去する。
【０００８】
このような方法を用いて配線１０５を形成することにより、配線１０５間のスペースに設けられたシード層１０３を除去する工程が不要となるため、配線１０５間のスペース幅が狭い場合でも、微細な配線１０５を形成することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−１２７０６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の方法（図１〜図３に示す方法）では、無電解めっき法を用いて導電金属１０４を析出成長させていたため、配線１０５の厚さを厚く（例えば、２０μｍ〜３０μｍ程度）形成することができないという問題があった。
【００１０】
また、無電解めっき法を用いた場合、導電金属１０４の成長速度が遅いため、配線の形成に時間を要し、生産性（スループット）が低下してしまうという問題があった。
【００１１】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、微細な配線の厚さを厚く形成することが可能になると共に、配線の生産性を向上させることのできる配線の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一観点によれば、配線の形成方法であって、基板に設けられた絶縁層上に、リフトオフ法によりシード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層を給電層とする電解めっき法により、前記シード層上に導電金属を析出成長させる導電金属形成工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法が提供される。
【００１３】
本発明によれば、リフトオフ法によりシード層を形成することにより、配線間のスペース幅の狭い領域にシード層が形成されることがないため、配線間のスペース幅の狭い領域に設けられたシード層を除去する工程が不要となるので、配線間のスペース幅が狭い場合でも、微細な配線を形成することができる。
【００１４】
また、電解めっき法を用いて導電金属を析出成長させて配線を形成することにより、無電解めっき法を用いて導電金属を析出成長させた場合と比較して、配線の厚さを厚く形成することができる。
【００１５】
さらに、電解めっき法を用いて導電金属を析出成長させることにより、無電解めっき法よりも速い速度で導電金属を析出成長させることが可能となるため、配線の生産性（スループット）を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、微細な配線の厚さを厚く形成することを可能にすると共に、配線の生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図４は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図であり、図５は、図４に示した配線基板を平面視した図である。図４及び図５に示すＡは、複数の配線１３が形成される領域（以下、「配線形成領域Ａ」とする）を示している。
【００１９】
図４及び図５を参照するに、第１の実施の形態の配線基板１０は、基板１１と、絶縁層１２と、配線１３とを有する。基板１１は、絶縁層１２及び配線１３を配設するためのものであり、板状とされている。基板１１の材料としては、例えば、シリコンを用いることができる。
【００２０】
絶縁層１２は、基板１１の上面１１Ａを覆うように設けられている。絶縁層１２は、基板１１と配線１３との間を絶縁するためのものである。絶縁層１２としては、例えば、酸化膜や窒化膜等を用いることができる。
【００２１】
配線１３は、第１のシード層１４と、導電金属１５とから構成されている。第１のシード層１４は、配線形成領域Ａに対応する絶縁層１２上に設けられている。第１のシード層１４は、配線形成領域Ａの外周付近に、導電金属１５に覆われていない第１のシード層部分１４Ａを有する。第１のシード層部分１４Ａは、導電金属１５を形成する際、後述する第２のシード層２２（図１０及び図１８参照）が接続される部分である。第１のシード層１４は、電解めっき法により導電金属１５を析出成長させるための給電層である。第１のシード層１４としては、例えば、絶縁層１２上にＴｉ層、Ｃｕ層の順に積層させたＴｉ／Ｃｕ積層膜や、絶縁層１２上にＣｒ層、Ｃｕ層の順に積層させたＣｒ／Ｃｕ積層膜等を用いることができる。第１のシード層１４の厚さは、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度とすることができる。
【００２２】
導電金属１５は、第１のシード層部分１４Ａを除く第１のシード層１４上に設けられている。導電金属１５としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。導電金属１５の厚さは、例えば、５μｍ〜３０μｍ程度とされている。導電金属１５は、電解めっき法により形成する。
【００２３】
図６〜図１７は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図６〜図１７において、第１の実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図６〜図１７に示すＢは、配線基板１０が形成される基板１８の領域（以下、「配線基板形成領域Ｂ」とする）、Ｃは基板１８を切断する際の切断位置（以下、「切断位置Ｃ」とする）をそれぞれ示している。
【００２４】
図１８は、図１０に示す構造体を平面視した図であり、図１９は、図１４に示す構造体を平面視した図である。また、図２０は、図１５に示す構造体を平面視した図である。
【００２５】
図６〜図２０を参照して、基板１８に複数の配線基板１０を製造する場合を例に挙げて、第１の実施の形態に係る配線１３の形成方法について説明する。
【００２６】
始めに、図６に示す工程では、配線基板１０が形成される配線基板形成領域Ｂを複数有する基板１８を準備する。基板１８は、後述する図１７に示す工程において、切断されて複数の基板１１となるものである。複数の配線基板形成領域Ｂの内側には、それぞれ配線形成領域Ａが設けられている。配線形成領域Ａと隣り合う他の配線形成領域Ａとの間の距離Ｄは、例えば、１００μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。したがって、配線形成領域Ａ間のスペース幅は非常に広い。基板１８の材料としては、例えば、シリコンを用いることができる。
【００２７】
次いで、図７に示す工程では、基板１８の上面１８Ａを覆うように絶縁層１２を形成する。絶縁層１２としては、例えば、酸化膜や窒化膜等を用いることができる。絶縁層１２は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成することができる。
【００２８】
次いで、図８に示す工程では、第１及び第２のシード層１４，２２の形成領域に対応する絶縁層１２部分以外の絶縁層１２上にリフトオフ用レジスト膜１９を形成する。このとき、リフトオフ用レジスト膜１９は、その厚さＭ１が第１及び第２のシード層１４，２２の厚さよりも厚くなるように形成する。リフトオフ用レジスト膜１９は、露光、現像処理することにより、その側面１９Ａが逆テーパー形状となるようなレジスト膜である。リフトオフ用レジスト膜１９としては、例えば、ＡＺ５２００シリーズのリフトオフ用レジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）を用いることができる。
【００２９】
次いで、図９に示す工程では、図８に示す構造体上に金属膜２１を形成する。このとき、リフトオフ用レジスト膜１９の側面１９Ａは逆テーパー形状とされているため、金属膜２１は、リフトオフ用レジスト膜１９から露出された絶縁層１２上とリフトオフ用レジスト膜１９の上面１９Ｂのみに形成される。金属膜２１のうち、絶縁層１２上に形成された金属膜２１が第１及び第２のシード層１４，２２となる。金属膜２１は、例えば、ＰＶＤ(Physical Vapor Deposition）法により形成することができる。金属膜２１としては、例えば、絶縁層１２上にＴｉ層、Ｃｕ層の順に積層させたＴｉ／Ｃｕ積層膜や、絶縁層１２上にＣｒ層、Ｃｕ層の順に積層させたＣｒ／Ｃｕ積層膜等を用いることができる。金属膜２１の厚さは、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度とすることができる。
【００３０】
次いで、図１０に示す工程では、リフトオフ用レジスト膜１９をリフトオフさせて、リフトオフ用レジスト膜１９と共に、リフトオフ用レジスト膜１９の上面１９Ｂに形成された金属膜２１を除去する（シード層形成工程）。
【００３１】
これにより、複数の配線形成領域Ａに対応する絶縁層１２上に第１のシード層１４が形成され、複数の配線形成領域Ａ間に位置する絶縁層１２上に第２のシード層２２が形成される（図１８参照）。第２のシード層２２は、第１のシード層１４と一体的に形成されている。このため、第２のシード層２２に給電することにより、第２のシード層２２を介して、複数の配線形成領域Ａに形成された第１のシード層１４に一括して給電することができる。第２のシード層２２には給電用の端子（図示せず）が接続される。
【００３２】
このように、複数の配線形成領域Ａに形成された第１のシード層１４と一体的に形成された第２のシード層２２を設けることにより、１回の給電で複数の配線形成領域Ａに形成された第１のシード層１４上に導電金属１５を形成することができる。
【００３３】
次いで、図１１に示す工程では、図１０に示す構造体上に、開口部２４Ａを有したレジスト膜２４を形成する（レジスト膜形成工程）。開口部２４Ａは、第１のシード層１４のみを露出する開口部である。レジスト膜２４は、第２のシード層２２を覆うように設けられている。
【００３４】
このように、レジスト膜２４により第２のシード層２２を覆うことにより、後述する図１２に示す工程において第２のシード層２２上に導電金属１５が析出成長することを防止されるので、後述する図１５の工程において第２のシード層２２の除去を容易に行うことができる。
【００３５】
次いで、図１２に示す工程では、第１及び第２のシード層１４，２２を給電層とする電解めっき法により、第１のシード層１４上に導電金属１５を析出成長させる（導電金属形成工程）。
【００３６】
これにより、配線１３に相当する構造体（第１のシード層１４及び導電金属１５からなる構造体）が絶縁層１２上に形成される。この段階では、複数の配線形成領域Ａに形成された配線１３に相当する構造体は、第２のシード層２２を介して、他の配線形成領域Ａに形成された配線１３に相当する構造体と電気的に接続されている。次いで、図１３に示す工程では、レジスト膜２４を除去する。
【００３７】
次いで、図１４に示す工程では、図１３に示す構造体のうち、複数の配線形成領域Ａに対応する該構造体部分を覆うようにレジスト膜２５を形成する（図１９参照）。レジスト膜２５は、異方性エッチングにより第２のシード層２２を除去する際のマスクである。したがって、第２のシード層２２は、レジスト膜２５から露出されている。
【００３８】
また、レジスト膜２５は、配線形成領域Ａの外周付近に位置する導電金属１５の側壁１５Ａを覆うように形成するとよい。このように、配線形成領域Ａの外周付近に位置する導電金属１５の側壁１５Ａをレジスト膜２５で覆うことにより、後述する図１５に示す工程において、導電金属１５の側壁１５Ａがエッチングされることを防止できる。
【００３９】
次いで、図１５に示す工程では、レジスト膜２５をマスクとする異方性エッチングにより、第２のシード層２２を除去する（第２のシード層除去工程）。
【００４０】
これにより、複数の配線形成領域Ａに複数の配線１３が形成され、複数の配線形成領域Ａに形成された配線１３は、それぞれ他の配線形成領域Ａに形成された配線１３と絶縁される（図２０参照）。
【００４１】
次いで、図１６に示す工程では、レジスト膜２５を除去する。これにより、複数の配線基板形成領域Ｂにそれぞれ配線基板１０に相当する構造体が形成される。
【００４２】
次いで、図１７に示す工程では、切断位置Ｃに沿って、図１６に示す構造体を切断する。これにより、複数の配線基板１０が製造される。
【００４３】
本実施の形態の配線の形成によれば、リフトオフ法により第１のシード層１４を形成することにより、配線１３間のスペース幅の狭い領域に第１のシード層１４が形成されることがないため、配線１３間のスペース幅の狭い領域に設けられた第１のシード層１４を除去する工程が不要となるので、配線１３間のスペース幅が狭い場合でも、微細な配線１３を形成することができる。
【００４４】
また、電解めっき法を用いて第１のシード層１４上に導電金属１５を析出成長させて配線１３を形成することにより、無電解めっき法を用いて導電金属１０４を析出成長させた配線１０５（図１〜図３参照）よりも配線１３の厚さを厚くすることができる。
【００４５】
さらに、電解めっき法を用いて導電金属１５を析出成長させることにより、無電解めっき法よりも速い速度で導電金属１５を析出成長させることが可能となるため、配線１３の生産性を向上させることができる。
【００４６】
なお、本実施の形態では、図１４に示す工程において、第２のシード層２２が配設された側の導電金属１５の側壁１５Ａを覆うようにレジスト膜２５を設けた場合を例に挙げて説明したが、第２のシード層２２の厚さは導電金属１５の厚さよりもかなり薄いため、第２のシード層除去工程における導電金属１５の損傷は小さい。そのため、導電金属１５の側壁１５Ａを露出するようにレジスト膜２５を形成してもよい。また、このようにレジスト膜２５を形成した場合、第１のシード層部分１４Ａが形成されることはなく、この場合の配線基板の断面構造は、後述する第２の実施の形態の配線基板３０（図２１参照）のようになる。
【００４７】
また、本実施の形態では、図８に示す工程において、リフトオフ用レジスト膜１９を用いた場合を例に挙げて説明したが、リフトオフ用レジスト膜１９の代わりに一般的なレジスト膜を用いてもよい。
【００４８】
（第２の実施の形態）
図２１は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の断面図である。図２１において、第１の実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４９】
図２１を参照するに、第２の実施の形態の配線基板３０は、第１の実施の形態の配線基板１０に設けられた第１のシード層部分１４Ａが無い以外は、配線基板１０と同様に構成される。
【００５０】
図２２〜図２７は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図２２〜図２７において、第２の実施の形態の配線基板３０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５１】
図２２〜図２７を参照して、基板１８に複数の配線基板３０を製造する場合を例に挙げて、第２の実施の形態に係る配線１３の形成方法について説明する。
【００５２】
始めに、第１の実施の形態で説明した図６〜図１０に示す工程と同様な処理を行って、図１０に示す構造体を形成する。つまり、リフトオフ法により、第１及び第２のシード層１４，２２を形成する（シード層形成工程）。
【００５３】
次いで、図２２に示す工程では、第１及び第２のシード層１４，２２から露出された絶縁層１２上にレジスト膜３１を形成する。次いで、図２３に示す工程では、第１及び第２のシード層１４，２２を給電層とする電解めっき法により、第１及び第２のシード層１４，２２上に導電金属１５を析出成長させる（導電金属形成工程）。
【００５４】
次いで、図２４に示す工程では、レジスト膜３１を除去する。次いで、図２５に示す工程では、図２４に示す構造体の配線形成領域Ａを覆うようにレジスト膜３３を形成する。
【００５５】
次いで、図２６に示す工程では、レジスト膜３３をマスクとする異方性エッチングにより、第２のシード層２２上に形成された導電金属１５と第２のシード層２２とを除去する（第２のシード層除去工程）。
【００５６】
これにより、複数の配線形成領域Ａに複数の配線１３が形成される。また、複数の配線形成領域Ａに形成された配線１３は、それぞれ他の配線形成領域Ａに形成された配線１３と絶縁される。
【００５７】
次いで、図２７示す工程では、レジスト膜３３を除去する。その後、第１の実施の形態で説明した図１７に示す工程と同様な手法により、図２７に示す構造体を切断位置Ｃに沿って切断する。これにより、複数の配線基板３０が製造される。
【００５８】
本実施の形態の配線の形成によれば、リフトオフ法により第１のシード層１４を形成することにより、配線１３間のスペース幅の狭い領域に第１のシード層１４が形成されることがないため、配線１３間のスペース幅の狭い領域に設けられた第１のシード層１４を除去する工程が不要となるので、配線１３間のスペース幅が狭い場合でも、微細な配線１３を形成することができる。
【００５９】
また、電解めっき法を用いて第１のシード層１４上に導電金属１５を析出成長させて配線１３を形成することにより、無電解めっき法を用いて導電金属１０４を析出成長させた配線１０５（図１〜図３参照）よりも配線１３の厚さを厚くすることができる。
【００６０】
さらに、電解めっき法を用いて導電金属１５を析出成長させることにより、無電解めっき法よりも速い速度で導電金属１５を析出成長させることが可能となるため、配線１３の生産性を向上させることができる。
【００６１】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００６２】
なお、第１及び第２の実施の形態では、配線基板１０，３０に配線１３を形成する場合を例に挙げて説明したが、第１及び第２の実施の形態に係る配線１３の形成方法は、配線１３の微細化が要求される、ＣＳＰ（Chip Size Package）等の半導体装置、シリコンインターポーザ、ＭＥＭＳ（Micro electro mechanical systems）等に設けられた配線に対しても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明によれば、半導体装置、シリコンインターポーザ、ＭＥＭＳ（Micro electro mechanical systems）、配線基板等に設けられた配線の形成方法として適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】従来の配線の形成工程を示す図（その１）である。
【図２】従来の配線の形成工程を示す図（その２）である。
【図３】従来の配線の形成工程を示す図（その３）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図５】図４に示した配線基板を平面視した図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その８）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その９）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１０）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１１）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１２）である。
【図１８】図１０に示す構造体を平面視した図である。
【図１９】図１４に示す構造体を平面視した図である。
【図２０】図１５に示す構造体を平面視した図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。
【符号の説明】
【００６５】
１０，３０  配線基板
１１，１８  基板
１１Ａ，１８Ａ，１９Ｂ  上面
１２  絶縁層
１３  配線
１４  第１のシード層
１４Ａ  第１のシード層部分
１５  導電金属
１５Ａ  側壁
１９  リフトオフ用レジスト膜
１９Ａ  側面
２１  金属膜
２２  第２のシード層
２４，２５，３１，３３  レジスト膜
２４Ａ  開口部
Ａ  配線形成領域
Ｂ  配線基板形成領域
Ｃ  切断位置
Ｄ  距離
Ｍ１  厚さ
【図１】
2007234889.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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