(57)【要約】【課題】例えば１００ＭＨｚ以上の高い周波数帯域においても急峻な挿入損失特性が得られるＬＣ複合フィルタ部品の製造方法及びＬＣ複合フィルタ部品を提供すること。【解決手段】コイル導体２５と、第１及び第２コンデンサ導体２１、２２とを備え、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粒子と低融点ガラス粒子とを混合した混合物を焼結して少なくとも複数のコイル導体パターン２５ａ〜２５ｃの間に配置される絶縁材シート１７ａ、１７ｂを形成するシート形成工程を有し、フェライト粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上０．３μｍ以下であると共に、低融点ガラス粒子の全体に対する重量比率が５％以上４０％以下である。【選択図】図１
2007234755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の絶縁材シート上のそれぞれに形成されたコイル導体パターンを接続したコイル導体と、絶縁材シートを介して対向配置されたコンデンサ導体パターンで構成されたコンデンサ導体とを備えるＬＣ複合フィルタ部品の製造方法において、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粒子と低融点ガラス粒子とを混合した混合物を焼結し、少なくとも複数の前記コイル導体パターンの間に配置される前記絶縁材シートを形成するシート形成工程を有し、
前記フェライト粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上０．３μｍ以下であると共に、前記低融点ガラス粒子の全体に対する重量比率が５％以上４０％以下であることを特徴とするＬＣ複合フィルタ部品の製造方法。
【請求項２】
前記フェライト粒子は、ＮｉＯの配合率が２３ｍｏｌ％以上４２ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率が１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯの配合率が０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｆｅ２Ｏ３の配合率が４７ｍｏｌ％以上５２ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１に記載のＬＣ複合フィルタ部品の製造方法。
【請求項３】
前記低融点ガラス粒子は、Ｂｉ２Ｏ３の配合率が５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率が５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下、Ｂ２Ｏ３の配合率が３０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のＬＣ複合フィルタ部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のＬＣ複合フィルタ部品の製造方法で製造されていることを特徴とするＬＣ複合フィルタ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器などのノイズを除去するフィルタとして機能するＬＣ複合フィルタ部品の製造方法及びＬＣ複合フィルタ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器のノイズ対策用として、インダクタ（コイル部）とキャパシタ（コンデンサ部）とを組み合わせ、Ｌ型、Ｔ型あるいはπ型のＥＭＩ（ElectroMagnetic Interference）フィルタが知られている。
近年、このようなＬＣ複合フィルタ部品においても、電子機器の小型化及び使用されるデジタル信号の高周波化に伴い、カットオフ周波数が高く、高周波での挿入損失特性に優れる高周波対応の小型のＬＣ複合フィルタ部品が望まれるようになってきた。特に、携帯電話機のような携帯通信機器では、１００ＭＨｚから１ＧＨｚ、２ＧＨｚのような高周波帯域で大きな挿入損失が得られる挿入損失特性を有するＬＣ複合フィルタ部品が望まれている。
【０００３】
これまで、フェライトなどの磁性体材料とガラスなどの誘電体材料とを混合した混合材料で形成された絶縁材シートを用い、コイル導体及びコンデンサ導体からなるフィルタ回路を内蔵する小型のモノリシック構造のＬＣ複合フィルタ部品がある。ここで、フェライトとガラスとの混合材料について、さまざまなものが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開平７−２０１５５２号公報
【特許文献２】特開平２−２８８３０７号公報
【特許文献３】特開平３−７４８１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来のＬＣ複合フィルタ部品においては、以下の問題がある。すなわち、上記従来のＬＣ複合フィルタ部品では、例えば１００ＭＨｚ以上の高周波帯域において高い挿入損失が得られるようなローパスフィルタを構成すると、フェライトの透磁率の周波数依存性によって低周波帯域でコイル部のインダクタンスが大きくなってしまう。
このため、カットオフ周波数が低周波側にシフトすると共に、急峻な挿入損失特性が得られないという問題がある。そのため、絶縁材シートに用いられる絶縁材料として、高周波帯域において透磁率の周波数依存性が小さく、透磁率が大きいものが望まれている。
【０００５】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、例えば１００ＭＨｚ以上の高い周波数帯域においても急峻な挿入損失特性が得られるＬＣ複合フィルタ部品の製造方法及びＬＣ複合フィルタ部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のＬＣ複合フィルタ部品の製造方法は、積層された複数の絶縁材シート上のそれぞれに形成されたコイル導体パターンを接続したコイル導体と、絶縁材シートを介して対向配置されたコンデンサ導体パターンで構成されたコンデンサ導体とを備えるＬＣ複合フィルタ部品の製造方法において、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粒子と低融点ガラス粒子とを混合した混合物を焼結して少なくとも複数の前記コイル導体パターンの間に配置される前記絶縁材シートを形成するシート形成工程を有し、前記フェライト粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上０．３μｍ以下であると共に、前記低融点ガラス粒子の全体に対する重量比率が５％以上４０％以下であることを特徴とする。
【０００７】
この発明では、フェライト粒子を低融点ガラスで被覆し、フェライト粒子の粒成長を抑制すると共に各フェライト粒子を独立させることで、例えば１００ＭＨｚ以上の高周波帯域においても高い透磁率を有すると共に透磁率の周波数依存性の小さい絶縁材シートを形成できる。そして、この絶縁材シートを用いることで、高周波帯域においても急峻な挿入損失特性が得られる。
すなわち、フェライト粒子と低融点ガラス粒子との混合物を焼結すると、溶融した低融点ガラス粒子が各フェライト粒子を被覆する。これにより、焼結時にフェライト粒子が他のフェライト粒子と結合することによる粒成長が抑制される。そして、各フェライト粒子が焼結体中に独立して存在することで、例えば１００ＭＨｚ以上の高周波帯域における透磁率の変化量である周波数依存性が抑制される。ここで、フェライト粒子の平均粒径を０．０１μｍ以上とすることで、低周波帯域において透磁率が小さくなりすぎることを防止できる。また、フェライト粒子の平均粒径を０．３μｍ以下とすることで、フェライト粒子の透磁率の周波数変化を小さくすることができ、同時に低融点ガラス粒子との混合を良好に行うことができる。そして、低融点ガラス粒子の全体に対する重量比率を５％以上とすることで、焼結後に各フェライト粒子を低融点ガラスで確実に被覆してフェライト粒子の粒成長が発生することを防止できる。さらに、低融点ガラス粒子の全体に対する重量比率を４０％以下とすることで、透磁率が小さくなりすぎることを防止できる。
したがって、少なくともコイル導体パターンの間に配置される絶縁材シートを上述した焼結体で構成することで、高周波帯域においても透磁率の変化が小さくなり、高周波帯域で急峻な挿入損失特性が得られる。
なお、本発明において、低融点ガラスとは、軟化点が６５０℃以下のガラス材料を示している。
ここで、低融点ガラス粒子の全体に対する重量比率は、２０％以上３０％以下であることが望ましい。このようにすることで、各フェライト粒子を確実に被覆すると共に高い透磁率を維持できる。
【０００８】
また、本発明のＬＣ複合フィルタ部品の製造方法は、前記フェライト粒子は、ＮｉＯの配合率が２３ｍｏｌ％以上４２ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率が１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯの配合率が０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｆｅ２Ｏ３の配合率が４７ｍｏｌ％以上５２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
この発明では、ＮｉＯの配合率を２３ｍｏｌ％以上４２ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率を１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯの配合率を０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｆｅ２Ｏ３の配合率を４７ｍｏｌ％以上５２ｍｏｌ％以下とすることで、高周波帯域における絶縁材シートの透磁率をより高くすることができる。
【０００９】
また、本発明のＬＣ複合フィルタ部品の製造方法は、前記低融点ガラス粒子は、Ｂｉ２Ｏ３の配合率が５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率が５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下、Ｂ２Ｏ３の配合率が３０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
この発明では、Ｂｉ２Ｏ３の配合率を５ｍｏｌ％以上とすることで、低融点ガラスの安定性を維持することができる。また、Ｂｉ２Ｏ３の配合率を４０ｍｏｌ％以下とすることで、絶縁シートの絶縁抵抗が過度に小さくなることを防止できる。そして、ＺｎＯの配合率を５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下とすることで、低融点ガラスの軟化点が高くなりすぎることを回避できる。さらに、Ｂ２Ｏ３の配合率を３０ｍｏｌ％以上とすることで、フェライト粒子との混合物の焼結温度が高くなることを防止できる。そして、Ｂ２Ｏ３の配合率を８５ｍｏｌ％以下とすることで、絶縁シートの耐水性を維持できる。
【００１０】
また、本発明のＬＣ複合フィルタ部品は、上記記載のＬＣ複合フィルタ部品の製造方法で製造されていることを特徴とする。
この発明では、上記記載の製造方法によって製造されているので、高周波帯域においても透磁率の変化が小さくなり、高周波帯域で急峻な挿入損失特性が得られる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のＬＣ複合フィルタ部品の製造方法及びＬＣ複合フィルタ部品によれば、例えば１００ＭＨｚ以上の高周波帯域においても高い透磁率を有すると共に透磁率の周波数依存性の小さい絶縁材シートを形成できるので、高周波帯域で急峻な挿入損失特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明によるＬＣ複合フィルタ部品の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では３端子型ノイズフィルタに適用したものであり、図１は本実施形態におけるＬＣ複合フィルタ部品の分解斜視図、図２は外観斜視図、図３は等価回路図である。
【００１３】
ＬＣ複合フィルタ部品１０は、カットオフ周波数よりも高い周波数の信号またはノイズを除去するローパスフィルタであって、絶縁材シートを９層積層して一体化した構成とされる。また、ほぼ直方体形状の積層体としたＬＣ複合フィルタ部品１０の対向する２側面には、後述するコイル導体２５と後述する第１及び第２コンデンサ導体２１、２２とに接続される外部電極１１、１２が設けられており、ＬＣ複合フィルタ部品１０の他の対向する２側面には、第１及び第２コンデンサ導体２１、２２に接続される外部電極１３、１４が設けられている。
また、９枚の絶縁材シートを積層して一体化した積層体は、第１カバー層（絶縁材シート）１５、第１コンデンサ層１６、コイル層１７、第２コンデンサ層１８、第２カバー層（絶縁材シート）１９の順に積層した構成とされる。
【００１４】
第１及び第２カバー層１５、１９は、第１及び第２コンデンサ層１６、１８及びコイル層１７を保護するために設けられており、それぞれ１枚の絶縁材シートで構成される。
ここで、第１及び第２カバー層１５、１９を構成する絶縁材シートは、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粒子を低融点ガラスで被覆した焼結体で構成されている。そして、フェライト粒子は、ＮｉＯ（酸化ニッケル）の配合率が２３ｍｏｌ％以上４２ｍｏｌ％以下、ＺｎＯ（酸化亜鉛）の配合率が１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯ（酸化銅）の配合率が０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｆｅ２Ｏ３（第二酸化鉄）の配合率が４７ｍｏｌ％以上５２ｍｏｌ％以下であると共に、その平均粒径が０．０１μｍ以上０．３μｍ以下となっている。また、低融点ガラスは、Ｂｉ２Ｏ３（酸化ビスマス）の配合率が５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率が５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下、Ｂ２Ｏ３（酸化ホウ素）の配合率が３０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下となっている。なお、本実施形態において、低融点ガラスとは、軟化点が６５０℃以下のガラス材料を示している。
なお、第１及び第２カバー層１５、１９については、それぞれ上述した１層に限定されることなく、２層以上であってもよい。
【００１５】
第１及び第２コンデンサ層１６、１８は、それぞれ２枚の絶縁材シート１６ａ、１６ｂ及び絶縁材シート１８ａ、１８ｂを上面側から順に２層に積層した構成とされる。ここで、第１及び第２コンデンサ層１６、１８を構成する絶縁材シート１６ａ、１６ｂ及び絶縁材シート１８ａ、１８ｂは、第１及び第２カバー層１５、１９と同様に、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粒子を低融点ガラスで被覆した焼結体で構成されている。
【００１６】
絶縁材シート１６ａ、１６ｂ、１８ａ、１８ｂには、それぞれの上面にコンデンサ導体パターン２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂが形成されている。これらコンデンサ導体パターン２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂは、例えば銀などの導電体を印刷やメッキなどの周知の手法により形成したものである。
【００１７】
このうちコンデンサ導体パターン２１ａは、ほぼ矩形状の導体パターンであって、絶縁材シート１６ａの上面に形成されている。そして、コンデンサ導体パターン２１ａの一対の側辺には、外部電極１３、１４に接続される引出電極２３ａ、２３ｂがそれぞれ形成されている。
また、コンデンサ導体パターン２１ｂは、ほぼ矩形状の導体パターンであって、絶縁材シート１６ｂの上面に形成されている。そして、コンデンサ導体パターン２１ｂの一端辺には、外部電極１２に接続される引出電極２３ｃが形成されている。
ここで、コンデンサ導体パターン２１ａ、２１ｂは、それぞれが上面視で互いに重なるように形成されている。そして、コンデンサ導体パターン２１ａ、２１ｂが絶縁材シート１６ａを介して対向配置されることで、図１及び図３に示す第１コンデンサ導体２１が構成される。
【００１８】
そして、コンデンサ導体パターン２２ａは、ほぼ矩形状の導体パターンであって、絶縁材シート１８ａの上面に形成されている。そして、コンデンサ導体パターン２２ａの一端辺には、外部電極１２に接続される引出電極２４ａが形成されている。
また、コンデンサ導体パターン２２ｂは、ほぼ矩形状の導体パターンであって、絶縁材シート１８ｂの上面に形成されている。そして、コンデンサ導体パターン２２ｂの一対の側辺には、外部電極１３、１４に接続される引出電極２４ｂ、２４ｃがそれぞれ形成されている。
ここで、コンデンサ導体パターン２２ａ、２２ｂは、それぞれが上面視で互いに重なるように形成されている。そして、コンデンサ導体パターン２２ａ、２２ｂが絶縁材シート１８ａを介して対向配置されることで、図１及び図３に示す第２コンデンサ導体２２が構成される。
【００１９】
コイル層１７は、３枚の絶縁材シート１７ａ〜１７ｃを上面側から順に３層に積層した構成とされる。ここで、コイル層１７を構成する絶縁材シート１７ａ〜１７ｃは、上述と同様に、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粒子を低融点ガラスで被覆した焼結体で構成されている。
【００２０】
絶縁材シート１７ａ〜１７ｃには、それぞれの上面にコイル導体パターン２５ａ〜２５ｃが形成されている。これらコイル導体パターン２５ａ〜２５ｃは、コンデンサ導体パターン２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂと同様に、例えば銀などの導電体を印刷やメッキなどの周知の手法により形成したものである。
【００２１】
このうち、コイル導体パターン２５ａは、ほぼコ字状の導体パターンであって、絶縁材シート１７ａの上面に形成されている。そして、コイル導体パターン２５ａの一方の端部には、外部電極１２に接続される引出電極２６ａが形成されている。また、コイル導体パターン２５ａの他方の端部は、絶縁材シート１７ａを貫通するように設けられたスルーホールＨａを介して絶縁材シート１７ｂの上面に形成されたコイル導体パターン２５ｂと接続されている。
【００２２】
また、コイル導体パターン２５ｂは、ほぼコ字状の導体パターンであって、絶縁材シート１７ｂ上に形成されている。そして、コイル導体パターン２５ｂの一方の端部は、スルーホールＨａを介して上述した絶縁材シート１７ａ上に形成されているコイル導体パターン２５ａと接続されている。また、コイル導体パターン２５ｂの他方の端部は、絶縁材シート１７ｂを貫通するように設けられたスルーホールＨｂを介して絶縁材シート１７ｃの上面に形成されたコイル導体パターン２５ｃと接続されている。
【００２３】
そして、コイル導体パターン２５ｃは、ほぼコ字状の導体パターンであって、絶縁材シート１７ｃの上面に形成されている。そして、コイル導体パターン２５ｃの一方の端部には、外部電極１１に接続される引出電極２６ｂが形成されている。また、コイル導体パターン２５ｃの他方の端部は、スルーホールＨｂを介して上述した絶縁材シート１７ｂ上に形成されているコイル導体パターン２５ｂと接続されている。
ここで、コイル導体パターン２５ａ〜２５ｃが電気的に接続されることによって、図１及び図３に示すコイル導体２５が構成される。
【００２４】
このように構成されたＬＣ複合フィルタ部品１０は、図３に示すように、コイル導体２５の出力端にグラウンドに接続される第１及び第２コンデンサ導体２１、２２が設けられたＬ型のノイズフィルタを構成している。
【００２５】
以上のように構成された本発明のＬＣ複合フィルタ部品１０について、以下にその製造方法を説明する。
最初に、第１及び第２カバー層１５、１９、第１及び第２コンデンサ層１６、１８及びコイル層１７を構成する絶縁材シートを形成するシート形成工程を行う。これは、まずＮｉ−Ｚｎ系フェライト粒子と低融点ガラス粒子とを混合した混合物を形成する。
【００２６】
すなわち、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの酸化物原料であるＮｉＯとＺｎＯとＣｕＯとＦｅ２Ｏ３とを、その配合率がそれぞれ２３ｍｏｌ％以上４２ｍｏｌ％以下、１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、４７ｍｏｌ％以上５２ｍｏｌ％以下となるように配合して混合する。そして、これら酸化物原料の混合物を乾燥後、例えば１０００℃で焼結する。その後、この焼結物を、エタノールを媒体としたジルコニアボールによってボールミル粉砕する。これにより、平均粒径が０．０１μｍ以上０．３μｍ以下のスラリー状態のフェライト粒子が形成される。なお、フェライト粒子の粒径は、ミリング時間を適宜調節することによって制御されている。
【００２７】
また、低融点ガラスの酸化物原料であるＢｉ２Ｏ３とＺｎＯとＢ２Ｏ３とを、その配合率がそれぞれ５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下、３０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下となるように配合して混合する。そして、これら酸化物原料の混合物を例えば１０００℃で溶融させ、急冷、粗粉砕する。その後、粗粉砕した低融点ガラスを、上述したフェライト粒子と同一条件でボールミル粉砕する。これにより、スラリー状態の低融点ガラス粒子が形成される。ここで、低融点ガラス粒子の平均粒径は、フェライト粒子の平均粒径に対して０．５倍以上４倍以下であることが望ましい。これにより、フェライト粒子と低融点ガラス粒子との混合が均一に行われる。なお、低融点ガラス粒子の粒径は、フェライト粒子と同様にミリング時間を適宜調節することによって制御されている。
【００２８】
次に、形成したスラリー状態のフェライト粒子と低融点ガラス粒子とを混合し、乾燥することでフェライト粒子と低融点ガラス粒子との混合物を形成する。ここで、低融点ガラス粒子は、フェライト粒子と低融点ガラス粒子との混合物に対して重量比率が５％以上４０％以下となるように混合されている。以上のようにして、フェライト粒子と低融点ガラス粒子とを混合した混合物を形成する。
【００２９】
続いて、得られた混合物に有機バインダや有機溶剤、分散剤を加えて、ドクターブレード法によりグリーンシートを作成し、所定の形状（例えば、矩形状）とした絶縁材シートを作成する。ここで、絶縁材シートの焼結温度は、９００℃以下が望ましく、例えば８５０℃となっている。このとき、フェライト粒子の周囲に配置された低融点ガラス粒子が溶融し、フェライト粒子を被覆する。これにより、フェライト粒子同士が結合して粒成長することが抑制される。以上のようにして、絶縁材シートを形成する。
【００３０】
そして、コイル層１７を構成する絶縁材シート１７ａ、１７ｂの所定位置に、レーザ、パンチングなどの周知の手法を用いて穴あけ加工を施し、スルーホールＨａ、Ｈｂを設ける。
次に、絶縁材シート１６ａ、１６ｂ、１８ａ、１８ｂの上面にコンデンサ導体パターン２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂを、例えば銀などの導電ペーストを用いた印刷や転写などの周知の手法を用いて互いに短絡しないように形成する。また、絶縁材シート１７ａ〜１７ｃの上面にコイル導体パターン２５ａ〜２５ｃを、同様に互いが短絡しないように形成する。
このとき、コンデンサ導体パターン２１ａの端辺には引出電極２３ａ、２３ｂが、コンデンサ導体パターン２１ｂの端辺には引出電極２３ｃが、コンデンサ導体パターン２２ａの端辺には引出電極２４ａが、コンデンサ導体パターン２２ｂの端辺には引出電極２４ｂ、２４ｃが、コイル導体パターン２５ａの一端には引出電極２６ａが、コイル導体パターン２５ｃの一端には引出電極２６ｂが、それぞれ一体的に連続して形成されている。
また、スルーホールＨａ、Ｈｂには、スルーホールを設けた絶縁材シートに形成される導体パターンと一体的に連続するような銀などの導電材料が充填される。なお、スルーホールを介して接続される絶縁材シート上に形成された導体パターンとは、導体パターン側に図示しない凸状の電極部を設けることなどでスルーホールの導電体に接触させ、電気的に接続されるようになっている。
【００３１】
次に、第１カバー層１５と、絶縁材シート１６ａ、１６ｂ、１７ａ〜１７ｃ、１８ａ、１８ｂと、第２カバー層１９とを積層し、プレスにより熱圧着することで積層体を形成する。そして、これを９００℃で焼結して、銀を用いて外部電極１１〜１４を形成し、Ｎｉ（ニッケル）、Ｓｎ（スズ）によってメッキ膜を形成することによって完成する。
【００３２】
このように構成されたＬＣ複合フィルタ部品１０は、例えば１００ＭＨｚ以上の高周波帯域においても高い透磁率を有すると共に透磁率の周波数依存性の小さい絶縁材シートを形成できるので、高周波帯域で急峻な挿入損失特性が得られる。
ここで、フェライト粒子の平均粒径を０．０１μｍ以上とすることで、透磁率が低周波帯域で低周波帯域において透磁率が小さくなりすぎない。また、フェライト粒子の平均粒径を０．３μｍ以下とすることで、フェライト粒子の透磁率の周波数変化を小さくすることができ、同時に低融点ガラス粒子と良好に混合できる。そして、低融点ガラス粒子の全体に対する重量比率を５％以上とすることで、低融点ガラスでフェライト粒子を確実に被覆してフェライト粒子の粒成長の発生を抑制できる。さらに、低融点ガラス粒子の全体に対する重量比率を４０％以下とすることで、シート材の透磁率が小さくなりすぎることを防止できる。
【００３３】
また、フェライト粒子のＮｉＯの配合率を２３ｍｏｌ％以上４２ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率を１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯの配合率を０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｆｅ２Ｏ３の配合率を４７ｍｏｌ％以上５２ｍｏｌ％以下とすることで、シート材の透磁率が比較的高く（例えば、比透磁率が３〜５）なる。
また、低融点ガラスのＢｉ２Ｏ３の配合率を５ｍｏｌ％以上とすることで、低融点ガラスの安定性が維持される。そして、Ｂｉ２Ｏ３の配合率を４０ｍｏｌ％以下とすることで、シート材の絶縁抵抗が維持される。さらに、ＺｎＯの配合率を５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下とすることで、低融点ガラスの軟化点が高くなりすぎることを回避できる。その上、Ｂ２Ｏ３の配合率を３０ｍｏｌ％以上とすることで、低融点ガラスとフェライト粒子との混合物の焼結温度が高くなることを防止できる。そして、Ｂ２Ｏ３の配合率を８５ｍｏｌ％以下とすることで、シート材の耐水性を維持できる。
また、低融点ガラス粒子の平均粒径をフェライト粒子の平均粒径に対して０．５倍以上４倍以下としているので、フェライト粒子と低融点ガラス粒子との混合が均一に行われる。
【実施例１】
【００３４】
次に、本発明にかかるＬＣ複合フィルタ部品を、実施例により具体的に説明する。
まず、以下の表１に示すようなフェライト粒子とガラス粒子とを用いて、実施例１〜１０及び比較例１〜５の各絶縁材シートを形成した。そして、各絶縁材シートの１０ＭＨｚと１ＧＨｚとにおける比透磁率を測定した。この結果を表１に示す。
ここで、表１において、フェライトの組成Ｆ１、Ｆ２はそれぞれ表２に示す組成となっており、低融点ガラスの組成Ｇ１〜Ｇ３はそれぞれ表３に示す組成となっている。また、焼結温度は、フェライト粒子と低融点ガラス粒子との混合物を焼結する際の温度を示している。
【００３５】
【表１】
2007234755.tif 000003
【００３６】
【表２】
2007234755.tif 000004
【００３７】
【表３】
2007234755.tif 000005
【００３８】
表１に示すように、フェライト粒子の平均粒径を０．０１μｍ以上０．３μｍ以下とすると共に、低融点ガラスの混合物全体に対する重量比率を５％以上４０％以下とすることで、１００ＭＨｚ以上の高周波帯域において高い比透磁率（例えば、３〜５）を有すると共に比透磁率の周波数依存性を小さくすることができることを確認した。
なお、比較例４では、低融点ガラスの平均粒径が０．６μｍとなっており、フェライト粒子の平均粒径の４倍よりも大きくなっているため、大きなポアの発生が確認された。
【００３９】
また、実施例３及び比較例１の絶縁材シートを用いて、それぞれ同様のコイル導体及びコンデンサ導体を有するＬ型複合フィルタ部品を形成し、その挿入損失の周波数特性を求めた。この結果を、図４及び図５にそれぞれ示す。図４及び図５より、１００ＭＨｚ以上の高周波帯域において高い比透磁率を有すると共に比透磁率の周波数依存性の小さい絶縁材シートを用いることで、高周波帯域にカットオフ周波数を有すると共に急峻な挿入損失特性が得られることを確認した。
【００４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述したＬＣ複合フィルタ部品は、フェライト粒子のＮｉＯの配合率を２３ｍｏｌ％以上４２ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率を１ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯの配合率を０ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｆｅ２Ｏ３の配合率を４７ｍｏｌ％以上５２ｍｏｌ％以下としているが、高周波帯域において高い透磁率を示すＮｉ−Ｚｎ系フェライト粒子であれば、他の配合率や組成であってもよい。
同様に、低融点ガラスのＢｉ２Ｏ３の配合率を５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、ＺｎＯの配合率を５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下、Ｂ２Ｏ３の配合率を３０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下としているが、フェライト粒子との混合物の焼結時にフェライト粒子を緻密かつ均一に分散させると共に各フェライト粒子を被覆できれば、他の配合率や組成であってもよい。
【００４１】
また、コンデンサ導体を構成するコンデンサ導体パターンの間に配置された絶縁材シートや第１及び第２カバー層がフェライトと低融点ガラスとの混合物で構成されているが、少なくともコイル導体を構成するコイル導体パターンの間に配置された絶縁材シートが上記混合物で構成されていればよく、他の絶縁材料で構成されてもよい。
また、第１及び第２コンデンサ導体を有する構成となっているが、一方のコンデンサ導体のみを有する構成としてもよく、３以上のコンデンサ導体を有する構成としてもよい。
また、Ｌ型のＬＣ複合フィルタ部品となっているが、Ｔ型やπ型など他の構成のＬＣ複合フィルタ部品であってもよい。
また、コイル導体が螺旋形状を有しているが、ミアンダ状など、他の形状であってもよい。
また、上述した構成のものを複数組並べて、アレイ化することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態におけるＬＣ複合フィルタ部品を示す分解斜視図である。
【図２】図１のＬＣ複合フィルタ部品を示す外観斜視図である。
【図３】図１のＬＣ複合フィルタ部品を示す等価回路図である。
【図４】実施例におけるＬＣ複合フィルタ部品の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図５】同様に、比較例におけるＬＣ複合フィルタ部品の挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４３】
１０  ＬＣ複合フィルタ部品
１５  第１カバー層（絶縁材シート）
１６ａ、１６ｂ、１７ａ〜１７ｃ、１８ａ、１８ｂ  絶縁材シート
１９  第２カバー層（絶縁材シート）
２１  第１コンデンサ導体（コンデンサ導体）
２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ  コンデンサ導体パターン
２２  第２コンデンサ導体（コンデンサ導体）
２５  コイル導体
２５ａ〜２５ｃ  コイル導体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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