(57)【要約】【課題】指押し等による表示ムラを改善するとともに、屋内外での視認性に優れかつ広い視野角と良好な表示品位を有する液晶表示装置を安価に提供する。【解決手段】アレイ基板１０１および対向基板１０２と、これらの基板間に挟持される液晶層１９０とを備え、アレイ基板１０１は互いに隣接した透過表示領域Ａおよび反射表示領域Ｂを規定する光透過電極部１５１Ａおよび光反射電極部１５１Ｂからなる画素電極１５１を含み、対向基板１０２は、画素電極１５１に対向する対向電極２３、透過表示領域Ａにおける液晶層１９０の厚さに対して、反射表示領域Ｂにおける液晶層１９０の厚さを異ならせる絶縁層２１、および、電極間に印加される駆動電圧により液晶層１９０に生じる電界を傾けるチルト制御部２２を含み、チルト制御部２２は、反射表示領域Ｂにおいて絶縁層２１を下地とする対向電極２３の一部上に配置される複数の突起構造体２２Ａを含む液晶表示装置。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極基板および第２電極基板と、
前記第１電極基板および前記第２電極基板間に挟持される液晶層とを備え、
前記第１電極基板は互いに隣接した透過表示領域および反射表示領域を規定する光透過電極部および光反射電極部からなる画素電極を含み、
前記第２電極基板は、前記画素電極に対向する対向電極、前記透過表示領域における前記液晶層の厚さに対して、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを異ならせるために設けられる絶縁層、および、前記画素電極および対向電極間に印加される駆動電圧により前記液晶層に生じる電界を傾けるチルト制御部を含み、
前記チルト制御部は、前記反射表示領域において前記絶縁層を下地とする前記対向電極の一部上に配置される複数の突起構造体を含む液晶表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記複数の突起構造体および対向電極を収容する溝部を有する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２電極基板は、前記透過表示領域において前記対向電極の下地となるとともに前記反射表示領域において前記絶縁層の下地となる着色層をさらに含み、
前記絶縁層の溝部は、前記着色層に設けられる欠落部に対応する位置に配置される請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶層は、マルチドメイン型ＶＡＮモードである請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチドメイン型ＶＡＮモードである半透過型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電力である等の様々な特徴を有しており、ＯＡ機器、情報端末、時計、およびテレビ等の様々な用途に応用されている。特に、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を有する液晶表示装置は、その高い応答性から、テレビやコンピュータなどのように多量の情報を表示するモニタとして用いられている。
【０００３】
近年、情報量の増加に伴い、画像の高精細化や表示速度の高速化に対する要求が高まっている。これら要求のうち画像の高精細化は、例えば、上述したＴＦＴを含むアレイ構造を微細化することによって実現されている。
【０００４】
一方、表示速度の高速化に関しては、従来の表示モードの代わりに、ネマチック液晶を用いたＯＣＢモード、ＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モード、ＨＡＮモード、およびπ配列モードや、スメクチック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶モードおよび反強誘電性液晶モードを採用することが検討されている。
【０００５】
これら表示モードのうち、ＶＡＮモードでは、従来のＴＮ（Twisted Nematic）モードよりも速い応答速度を得ることができ、しかも、垂直配向のため静電気破壊などの不良を発生させるラビング処理が不要である。なかでも、マルチドメイン型ＶＡＮモード（以下、ＭＶＡモードという）は、視野角の補償設計が比較的容易なことから特に注目を集めている。
【０００６】
従来、ＭＶＡモードの半透過反射型の液晶表示装置において、液晶分子の倒れる方向を好適に制御することが可能な液晶表示装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
ところで、近年では携帯端末の小型化、汎用化に伴い屋外での液晶表示装置を使用する場合多く、屋内外両方の使用環境に対応した表示品質が要求されている。そのため、最近では、従来の透過表示方式に加え、部分的に反射表示を行うことが可能な半透過型液晶方式の開発が盛んに進められている。
【特許文献１】特開２００５−１１５１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、半透過型の液晶表示装置について前述のＭＶＡモードを採用する場合には、画素表示領域を透過表示領域と反射表示領域において、突起をそれぞれの領域に応じた画素設計を行う。
【０００９】
上記のように画素設計をした液晶表示装置では、一定レベルの視野特性、及び、屋内外での優れた視認性が得られた一方で、パネル表面を指で押した際の痕がなかなか消えずに残るという表示品位の低下が見られる場合があった。また、液晶注入時間が大幅に増加する場合があった。
【００１０】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであって、指押し等による表示ムラを改善するとともに、屋内外での視認性に優れかつ広い視野角と良好な表示品位を有する液晶表示装置を安価に提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の態様による液晶表示装置は、第１電極基板および第２電極基板と、前記第１電極基板および前記第２電極基板間に挟持される液晶層とを備え、前記第１電極基板は互いに隣接した透過表示領域および反射表示領域を規定する光透過電極部および光反射電極部からなる画素電極を含み、前記第２電極基板は、前記画素電極に対向する対向電極、前記透過表示領域における前記液晶層の厚さに対して、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを異ならせるために設けられる絶縁層、および、前記画素電極および対向電極間に印加される駆動電圧により前記液晶層に生じる電界を傾けるチルト制御部を含み、前記チルト制御部は、前記反射表示領域において前記絶縁層を下地とする前記対向電極の一部上に配置される複数の突起構造体を含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、指押し等による表示ムラを改善するとともに、屋内外での視認性に優れかつ広い視野角と良好な表示品位を有する液晶表示装置を安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。尚この実施形態は、本発明の理解を容易にする目的で掲載されるものであり、本発明を限定するものではない。また本発明はその要旨の範囲内で種々変更して用いることができることは言うまでもない。
【００１４】
図１に示すように、本発明の第１実施形態に係る液晶表示パネル、例えば、アクティブマトリクス型液晶表示パネルは、ＭＶＡモードで表示を行う半透過型の液晶表示パネル１００である。液晶表示パネル１００は、図１に示すように、第１電極基板としてのアレイ基板１０１および第２電極基板としての対向基板１０２と、アレイ基板１０１および対向基板１０２に挟持される液晶層１９０とを備えている。アレイ基板１０１と対向基板１０２とは互いに対向している。
【００１５】
上記の液晶表示パネル１００において、画像を表示する表示部１０３は、アレイ基板１０１と対向基板１０２とを貼り合わせる外縁シール部材１０６によって囲まれた領域内に形成されている。外縁シール部材１０６の外側の領域には、表示部１０３の外周に沿って配置された周辺領域１０４が形成されている。また、液晶層１９０は、負の誘電異方性を有する液晶組成物を含んでいる。
【００１６】
図２に示すように、アレイ基板１０１は、表示部１０３においてマトリクス状に配置されたｍ×ｎ個の画素電極１５１、これら画素電極１５１の行方向に沿って形成されたｍ本の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｍ）、これら画素電極１５１の列方向に沿って形成されたｎ本の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｎ）を有している。さらに、アレイ基板１０１は、画素電極１５１の行に沿って配置されるｍ本の補助容量線１５４を有している。
【００１７】
走査線Ｙ１〜Ｙｍは信号線Ｘ１〜Ｘｎと略直交し、補助容量線１５４と略平行に配置される。各補助容量線１５４は対向電極駆動回路等から対向電位ＶＣＯＭとして得られる所定電位に設定され、対応行の画素電極１５１と容量結合してそれぞれ補助容量Ｃｓを構成する。
【００１８】
また、各画素電極１５１に対応して、走査線Ｙ及び信号線Ｘの交差位置近傍にスイッチング素子として配置された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）１２１が備えられている。ＴＦＴ１２１は、対応走査線Ｙおよび対応信号線Ｘに接続され、この走査線Ｙからの駆動電圧により導通し、信号線Ｘからの信号電圧を対応する画素電極１５１に印加する。
【００１９】
また、アレイ基板１０１の周辺領域１０４には、走査線Ｙを駆動する走査線駆動回路１１８、信号線Ｘを駆動する信号線駆動回路１１９などが配置されている。
【００２０】
他方、対向基板１０２は、全ての画素電極１５１に対向する対向電極２３を有している。対向電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電部材からなり、対向電極駆動回路に接続されている。
【００２１】
以下に、図３を参照して、表示画素ＰＸの構成を説明する。図３に示すように、アレイ基板１０１では、それぞれのＴＦＴ１２１がガラス基板等の光透過性絶縁基板ＧＬ１上に形成され、樹脂層１２３により覆われる。また、複数の柱状スペーサＳＳがこれら画素電極１５１相互間において樹脂層１２３上に形成される。
【００２２】
ＴＦＴ１２１は、光透過性絶縁基板ＧＬ１上に形成されたゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１１上に重なる半導体層１３、及び、コンタクト層としての低抵抗半導体層１４を有している。さらに、ＴＦＴ１２１は、低抵抗半導体層１４及び半導体層１３に接触するとともに、ゲート電極１１と対向した透明絶縁性膜層から成るエッチング保護膜層１５を有している。
【００２３】
エッチング保護膜層１５及び低抵抗半導体層１４上には、ソース電極１６とドレイン電極１７とが配置されている。ソース電極１６は、コンタクトホール１８が配置される位置で画素電極１５１と接触している。
【００２４】
各画素電極１５１は、互いに隣接した透過表示領域Ａおよび反射表示領域Ｂを規定する光透過電極部１５１Ａおよび光反射電極部１５１Ｂを有している。すなわち、表示部１０３において、各画素電極１５１と対向電極２３が対向する表示画素ＰＸは、互いに隣接する透過表示領域Ａ及び反射表示領域Ｂを有している。
【００２５】
光透過電極部１５１Ａおよび光反射電極部１５１Ｂは、ＩＴＯ等から成る透明電極１５１Ｃを有している。光反射電極部１５１Ｂは、さらに透明電極の下地となる絶縁層２１と透明電極１５１Ｃ上に配置された反射板１５１Ｒとを有している。画素電極１５１の下地となる絶縁層２１、透明電極の表面に凹凸を形成するための凹凸を備えている。反射板１５１Ｒは、例えば、アルミニウム等から成り、透明電極の凹凸に依存して表面に凹凸が形成されている。
【００２６】
画素電極１５１上には、これを覆うように配向膜３０が配置されている。アレイ基板１０１には、液晶層１９０とは反対側となる光透過性絶縁基板ＧＬ２の表面に偏光板ＰＬ１が配置されている。
【００２７】
他方、対向基板１０２では、着色層としてカラーフィルタＣＦがガラス基板などの光透過性絶縁基板ＧＬ２上に配置されている。カラーフィルタＣＦは、複数の画素電極１５１の行および列方向に繰り返し並べられるとともに、各々複数の画素電極１５１の１つに対向する赤カラーフィルタ層ＣＦＲ、緑カラーフィルタ層ＣＦＧ、青カラーフィルタ層ＣＦＢにより構成される。
【００２８】
ここで、図３および図４に示すように、各カラーフィルタＣＦは、反射表示領域Ａ２において、信号線Ｘに沿って延びた欠落部ＣＦＥを有している。本実施形態では欠落部ＣＦＥの幅（走査線Ｙが延びる方向の長さ）は１５μｍである。反射表示領域Ａ２において、カラーフィルタＣＦ上には、感光性透明レジスト等による絶縁層２１が配置されている。
【００２９】
この絶縁層２１は、透過表示領域Ａにおける液晶層１９０の厚さに対して、反射表示領域Ｂにおける液晶層１９０の厚さを異ならせるために設けられている。透過表示領域Ａと反射表示領域Ｂとにおいて、光が入射してから出射するまでの光路が等しくなるように反射表示領域Ｂにのみ対向基板１０２側に絶縁層２１を設け、反射表示領域Ｂにおける液晶層１９０厚を透過表示領域Ａの約半分とした。
【００３０】
絶縁層２１には、その下地となったカラーフィルタＣＦの欠落部ＣＦＥの段差によって、欠落部ＣＦＥに対応した位置に溝部２１Ａが形成されている。すなわち、本実施形態の場合、溝部２１Ａは欠落部ＣＦＥに依存して配置される。
【００３１】
透過表示領域Ａおよび反射表示領域Ｂにおいて、カラーフィルタＣＦおよび絶縁層２１上には対向電極２３が配置されている。対向電極２３上には、画素電極１５１および対向電極２３に印加される駆動電圧により、液晶層１９０に生じる電界を傾けるチルト制御部２２が配置されている。このチルト制御部２２は、図４に示すように、透過表示領域Ａおよび反射表示領域Ｂに渡って信号線Ｘ沿って延びている。また、チルト制御部２２は、反射表示領域Ｂにおいて対向電極２３の一部とともに反射表示領域Ｂにおいて絶縁層２１を下地とする対向電極２３の一部上に配置される複数の突起構造体２２Ａを含む。絶縁層２１の溝部２１Ａに収容される突起構造体２２Ａを含んでいる。
【００３２】
対向電極２３およびチルト制御部２２上には、これらを覆うように配向膜３０が配置されている。本実施形態では、配向膜３０は、液晶層１９０の液晶組成物に含まれる液晶分子１９０Ａを対向基板１０２に対して略垂直な方向に配向する。対向基板１０２には、偏光板ＰＬ２が液晶層１９０とは反対側となる絶縁基板ＧＬ２の表面に貼り付けられる。
【００３３】
次に本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。ここでは、同様に成膜とパターンニングとを繰り返してＴＦＴ１２１等を形成した。すなわち、光透過性絶縁基板ＧＬ１上に例えばモリブデンで膜厚約０.３μｍスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィにより所定の形状にパターンニングして走査線Ｙ及び補助容量線１５４を形成する。その上に、膜厚０.１５μｍで、例えば、二酸化珪素あるいは窒化珪素から成るゲート絶縁膜１２となる絶縁層を形成し、その上にＴＦＴ１２１の半導体層１３を設ける。さらにその上に、膜厚０.３μｍの例えばアルミニウムから成る信号線Ｘとソース電極１６とを形成し、ＴＦＴ１２１を形成する。
【００３４】
続いて、感光性レジストをスピンナーで全面塗布し、ハーフ露光により反射表示領域Ｂで所望の凹凸が形成されるようにパターン設計されたフォトマスクを用いて露光および現像することにより樹脂層１２３を形成する。その後、ＩＴＯを膜厚約０.１μｍスパッタリングして、フォトリソグラフィにより透明電極１５１Ｃを形成し、さらに反射表示領域Ｂには、例えば、アルミニウム薄膜から成る反射板１５１Ｒを形成した。このことによって反射板１５１Ｒの表面に凹凸を形成した。その後、透明樹脂レジストを用いてスペーサＳＳを形成し、アレイ基板１０１を形成した。
【００３５】
一方で、対向基板１０２上には、赤色の顔料を分散させた感光性レジストを塗布し、フォトリソグラフィにより赤カラーフィルタ層ＣＦＲを形成した。ここで、本実施形態では、反射表示領域において、赤カラーフィルタ層ＣＦＲに、幅約１５μmの欠落部ＣＦＥを形成した。
【００３６】
同様にして緑カラーフィルタ層ＣＦＧ、及び青カラーフィルタ層ＣＦＢをそれぞれ形成し、その後、感光性透明レジストにより反射表示領域Ｂに膜厚約１.５μｍの絶縁層２１を形成した。このとき、絶縁層２１をカラーフィルタＣＦの欠落部ＣＦＥ上に配置することによって、カラーフィルタＣＦの欠落部ＣＦＥ上に配置された部分が窪み、欠落部ＣＦＥに対応する位置に溝部２１Ａが形成される。
【００３７】
その上に、例えばＩＴＯを膜厚約０.１μｍでスパッタリングして対向電極２３を形成し、更に、対向電極２３上に感光性レジストを用いて配向制御用のチルト制御部２２を信号線Ｘに沿って延びるように形成した。ここでは、チルト制御部２２の幅を８μｍとし、画素表示領域を左右にほぼ２分割するとともに、チルト制御部２２の突起構造体２２Ａが絶縁層２１の溝部２１Ａに収容される位置に形成した。さらに、パネル周辺部には額縁１９を形成し、対向基板１０２を形成した。
【００３８】
上記のようにして形成したアレイ基板１０１と対向基板１０２とに、それぞれ垂直性を示す配向膜３０を７０ｎｍの厚さで塗布した後、アレイ基板１０１の端面と対向基板１０２の端面とを治具で合わせ、エポキシ系の熱硬化樹脂から成る接着剤を用いて貼合わせた。続いて、誘電率異方性が負の液晶材料を注入口からアレイ基板１０１と対向基板１０２との間に充填し、注入口を紫外線硬化樹脂で封止して液晶表示パネルを形成した。
【００３９】
上記のように、対向基板１０２に配向制御用のチルト制御部２２を設けると、例えば、図９に示すように液晶分子１９０Ａがチルト制御部２２側に傾斜する。すなわち、チルト制御部２２の配置される位置を適切に設計することにより、液晶分子１９０Ａの傾斜方向を好適に制御することができる。
【００４０】
上記の液晶表示パネル１００の表示部１０３に指押し相当の圧力を印加したところ、加圧部のムラは十分な速度で消滅し、同時に屋内外で優れた視認性と広い視野角特性が得られた。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、指押しによる表示ムラを改善するとともに、屋内外での視認性に優れかつ広い視野角と良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。
【００４１】
さらに、上記の実施形態に係る液晶表示装置によれば、製造工程数が増加することがなく、液晶注入の時間が長くなることもない。したがって、本実施形態に係る液晶表示装置の製造する際の歩留まりの低下を抑制するとともに、安価に液晶表示装置を提供することができる。
【００４２】
次に、本発明の第１比較例に係る液晶表示装置について以下に説明する。この第１比較例に係る液晶表示装置について、前述の実施形態に係る液晶表示装置と同様の構成および製造プロセスについては、同じ符号を付して説明を省略する。
【００４３】
この比較例に係る液晶表示装置は、反射表示領域ＢにおけるのカラーフィルタＣＦ、及びチルト制御部２２のパターンが異なる点を除き、前述の実施形態に係る液晶表示装置と同じ構成である。すなわち、表示部１０３を透過表示領域Ａと反射表示領域Ｂとに分割している。さらに、透過表示領域Ａと反射表示領域Ｂとにおいて、光が入射してから出射するまでの光路が等しくなるように反射表示領域Ｂにのみ対向基板に絶縁体を設け、液晶層１９０厚を透過表示領域の約半分とした。反射表示領域Ｂには、アレイ基板１０１に反射板１５１Ｒを有し、その表面に凹凸が形成されている。
【００４４】
本比較例では、透過表示領域Ａおよび反射表示領域Ｂの対向基板１０２の対向電極２３上に表示画素ＰＸを左右に２分割するようなパターンで、チルト制御部２２を形成した。図５および図６に示すように、本比較例に係る液晶表示装置の液晶表示パネル１００は、カラーフィルタＣＦの欠落部ＣＦＥを有していない。したがって、カラーフィルタＣＦ上に配置されている絶縁層２１も欠落部ＣＦＥに依存する溝部２１Ａを有していないことから、チルト制御部２２の突起構造体２２Ａは、図５に示すように対向電極２３上に配置される。
【００４５】
また、本実施形に係る液晶表示装置の液晶表示パネル１００は、前述の実施形態に係る液晶表示装置の液晶表示パネルと同様のプロセスにより形成される。
【００４６】
上記の第１実施形態に係る液晶表示パネル１００の表示特性を評価したところ、屋内外で優れた視認性と広い視野角特性が得られ、かつ、基板表面に指押し相当の圧力を印加した場合も、加圧部の表示ムラは十分な速度で消滅した。しかしながら、一方で液晶注入工程において実施例１の１.２倍の時間を要し、さらに、約５％のセルにおいて注入不良が発生した。
【００４７】
次に、第２比較例に係る液晶表示装置について説明する。この第１比較例に係る液晶表示装置について、前述の実施形態に係る液晶表示装置と同様の構成および製造プロセスについては、同じ符号を付して説明を省略する。
【００４８】
本比較例は、反射表示領域ＢのカラーフィルタＣＦ、及びチルト制御部２２のパターンが異なる点を除き、前述の実施形態に係る液晶表示装置と同じ構成である。すなわち、前述の実施形態に係る液晶表示装置と同様に、表示部１０３を透過表示領域Ａと反射表示領域Ｂとに分割している。さらに、透過表示領域Ａと反射表示領域Ｂとにおいて、光が入射してから出射するまでの光路が等しくなるように反射表示領域Ｂにのみ対向基板に絶縁体を設け、液晶層１９０厚を透過表示領域の約半分とした。反射表示領域Ｂでは、アレイ基板１０１に反射板１５１Ｒを有し、その表面に凹凸が形成されている。
【００４９】
本比較例では、透過表示領域Ａにのみ対向基板１０２の対向電極２３上に表示画素ＰＸを左右に２分割するようなパターンで、チルト制御部２２を形成した。したがって、チルト制御部２２は、反射表示領域Ｂにおいて、対向電極２３上に配置される突起構造体を有していない。また、図７および図８に示すように、本比較例に係る液晶表示装置の液晶表示パネル１００は、カラーフィルタＣＦの欠落部ＣＦＥを有していない。したがって、カラーフィルタＣＦ上に配置されている絶縁層２１も欠落部ＣＦＥに依存する溝部２１Ａも形成されていない。
【００５０】
また、本実施形に係る液晶表示装置の液晶表示パネルは、前述の実施形態に係る液晶表示装置の液晶表示パネルと同様のプロセスにより形成される。
【００５１】
上記の第２比較例に係る液晶表示パネル１００の表示特性を評価したところ、屋内外で優れた視認性と広い視野角特性が得られていた。しかしながら、表示部１０３に指押し相当の圧力を印加した場合には、加圧部の跡が1分経過後も消滅せず、特に斜め方向からは、はっきりと表示ムラとして視認された。
【００５２】
すなわち、第１および第２比較例との比較から明らかなように前述の実施形態に係るの液晶表示装置は、屋内外で視認性に優れ、且つ、指押し時の痕も短時間で消滅し良好な表示品位を有する。更にスループットの悪化や工程数増加による製造コストの増大は生じないことから、安価な液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００５３】
したがって、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、ＭＶＡモードの液晶表示装置に半透過表示を適用した場合において、指押し等による表示ムラを改善するとともに、屋内外での視認性に優れ、かつ、広い視野角と良好な表示品位を有する液晶表示装置を安価に提供することが可能である。
【００５４】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
【００５５】
例えば、上記の実施形態では、透過表示領域と反射表示領域で突起構造体２２Ａのパターンを同じくしたが、それぞれの表示領域で用途に応じ異なるパターンを用いてもよい。前述の実施形態ではチルト制御部２２は畝状であるが、例えば、チルト制御部２２はドット状でも良い。この場合にも上記の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５６】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の液晶表示パネルの一例を概略的に示す図。
【図２】本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明するための図。
【図３】本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの詳細な一構成例を説明するための図。
【図４】図３に示す液晶表示パネルの画素部の構成例を説明するための図。
【図５】本発明の第１比較例に係る液晶表示装置の液晶表示パネルの詳細な一構成例を説明するための図。
【図６】図５に示す液晶表示パネルの画素部の構成例を説明するための図。
【図７】本発明の第２比較例に係る液晶表示装置の液晶表示パネルの詳細な一構成例を説明するための図。
【図８】図７に示す液晶表示パネルの画素部の構成例を説明するための図。
【図９】ＭＶＡモードの液晶表示装置における液晶分子の配向状態の一例を説明するための図。
【符号の説明】
【００５８】
１０１…アレイ基板、１０２…対向基板、１９０…液晶層、Ａ…透過表示領域、Ｂ…反射表示領域、１５１Ａ…光透過電極部、１５１Ｂ…光反射電極部、１５１…画素電極、２３…対向電極、２１…絶縁層、２２…チルト制御部、２２Ａ…突起構造体
【図１】
2007240603.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007240603.tif 000005
【図４】
2007240603.tif 000006
【図５】
2007240603.tif 000007
【図６】
2007240603.tif 000008
【図７】
2007240603.tif 000009
【図８】
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【図９】
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