(57)【要約】  【課題】二次電池の大電流放電時に正負極間で電子の受け渡しが追い着かなくなることに起因して内部抵抗が増大するという現象によって実際の内部抵抗が増大した場合に、内部抵抗推定値の遅れを小さく出来る二次電池の充電率推定装置を提供する。  【解決手段】計測した電流値（例えば充電方向を正、放電方向を負とした場合、その絶対値）が、二次電池の内部抵抗値が所定値よりも増大する領域（図６のａ以上）にある場合には、パラメータ推定演算手段４における推定速度を調整する調整ゲインλ３を大きくするように補正する調整手段と、ローパスフィルタ処理部とバンドパスフィルタ処理部における応答性を速くするように補正する調整手段との少なくとも一方を備えるように構成した二次電池の充電率推定装置。【選択図】図１
2007003438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池の電流と端子電圧とをそれぞれ計測する計測手段と、
ローパスフィルタ処理部とバンドパスフィルタ処理部から成り、前記計測手段で計測した電流と端子電圧とにローパスフィルタ処理とバンドパスフィルタ処理を施す前処理フィルタ演算手段と、
（数１）式に示す電池モデルを用いた適応デジタルフィルタに、前記フィルタ処理を施した電流および端子電圧を入力し、前記（数１）式中のパラメータを一括推定するパラメータ推定演算手段と、
前記パラメータ推定演算手段の推定値から開路電圧を推定する開路電圧演算手段と、
予め求めた開路電圧と充電率との関係に基づいて、前記推定した開路電圧から充電率を推定する充電率推定手段と、を備え、
さらに、前記計測した電流値の絶対値が、二次電池の内部抵抗値が所定値よりも増大する領域にある場合には、前記パラメータ推定演算手段における推定速度を調整する調整ゲインを大きくするように補正する調整手段と、前記ローパスフィルタ処理部とバンドパスフィルタ処理部における応答性を速くするように補正する調整手段との少なくとも一方を備えたことを特徴とする二次電池の充電率推定装置。
【数１】
2007003438.tif 000016
ただし、ｓはラプラス演算子、Ａ(ｓ)、Ｂ(ｓ)、Ｃ(ｓ)はｓの多項式関数で次数はｎ
【請求項２】
前記調整手段は、電流値に対して二次電池の内部抵抗値が増大する度合いに応じて前記調整ゲインを大きくする程度を定めたマップまたは前記応答性を速くする程度を定めたマップを有し、内部抵坑値が所定値よりも増大する領域では前記マップにより電流値に応じて調整ゲインを大きくかまたは応答性を速くするように補正することを特徴とする請求項１に記載の二次電池の充電率推定装置。
【請求項３】
前記調整手段は、電流値が、二次電池の内部抵抗値が所定値よりも増大する領域に入った時点から所定時間の間、調整ゲインを大きくするか、または応答性を速くすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の二次電池の充電率推定装置。
【請求項４】
前記調整手段は、電流値が、二次電池の内部抵抗値が所定値よりも増大する領域から通常の領域に戻った時点から所定時間の間、調整ゲインを大きくするか、または応答性を速くすることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の二次電池の充電率推定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次電池の充電率（ＳＯＣ）を推定する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
二次電池の充電率ＳＯＣ（充電状態とも言う）は開路電圧Ｖ０（通電遮断時の電池端子電圧であり、起電力、開放電圧とも言う）と相関があるので、開路電圧Ｖ０を求めれば充電率を推定することが出来る。しかし、二次電池の端子電圧は、通電を遮断（充放電を終了）した後も安定するまでに時間を要するので、正確な開路電圧Ｖ０を求めるには、充放電を終了してから所定の時間が必要である。したがって充放電中や充放電直後では、正確な開路電圧Ｖ０を求めることが出来ないので、上記の方法で充電率ＳＯＣを求めることが出来ない。そのため、従来は、例えば下記特許文献１に記載のように、通電中の二次電池（鉛電池やリチウムイオン電池等の充放電可能な電池）の電流と端子電圧の検出値に、適応デジタルフィルタ（適応フィルタとも言う）を用いて電池モデルのパラメータを推定（同定）し、推定パラメータを用いて開路電圧を推定し、この値を基に充電率ＳＯＣを算出するように構成している。  
この特許文献１においては、開放電圧推定の追従性を向上させるため、内部抵抗推定値の大きさから適応デジタルフィルタ内にある推定速度の調整ゲインを増大補正するように構成している。推定速度の調整ゲインは、演算アルゴリズムにおいて、前回演算時のパラメータ推定値を現時点のパラメータ実際値に近づけるための前回推定値からの変化幅を決定する。調整ゲインが大きい場合は、パラメータ推定値が実際値に追従する速度は速くなるが、観測ノイズから影響を受けて行き過ぎ量が大きくなるため、パラメータ推定値が変動的になる。逆に調整ゲインが小さい場合は、パラメータ推定値が実際値に追従する速度は遅くなるが、観測ノイズから影響を受けても行き過ぎ量が小さいため、パラメータ推定値が安定的になる。従って、ある観測ノイズの環境下で推定精度と速度を良好に保つには、調整ゲインには最適値がある。そのため、調整ゲインを予め大きく設定しておくのは、観測ノイズの影響を受けて推定精度が悪化するため得策でない。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１４２３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
二次電池の大電流放電時には、正負極間で電子の受け渡しが追い着かなくなることに起因して、内部抵抗が増大するという電池固有の現象で現れる。しかし、前記の従来例においては、内部抵抗推定値の大きさから適応デジタルフィルタの調整ゲインを決定する構成になっている。そのため上記のように大電流放電時に電池固有の現象によって実際の内部抵抗が増大した場合には、実際の内部抵抗の増大に対して内部抵抗推定値の追従が遅くなると調整ゲインの増大補正が遅れるため、内部抵抗推定値と実際値の追従が更に遅れ、結果として充電率推定に遅れが生じる、という問題があった。  
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、大電流放電時に電池固有の現象によって実際の内部抵抗が増大した場合に、内部抵抗推定値の遅れを小さくすることの出来る二次電池の充電率推定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するため、本発明においては、計測した電流値（例えば充電方向を正、放電方向を負とした場合、その絶対値）が、二次電池の内部抵抗値が所定値よりも増大する領域にある場合には、パラメータ推定演算手段における推定速度を調整する調整ゲインを大きくするように補正する調整手段と、ローパスフィルタ処理部とバンドパスフィルタ処理部における応答性を速くするように補正する調整手段との少なくとも一方を備えるように構成している。すなわち、計測した電流値から、内部抵抗が増大する領域に電流値があることを検出し、その領域では調整ゲインを大きくするか、フィルタの応答性を速くするように調整する。
【発明の効果】
【０００６】
内部抵抗が増大する領域に電流値がある場合には、調整ゲインを大きくまたはフィルタの応答性を速くするように補正する構成であるため、大電流放電時に実際の内部抵抗が増大する現象に対して内部抵抗推定値の遅れを小さくできる。そのため充電率推定の遅れを低減することが出来る、という効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図１は、本発明の一実施例を機能ブロックで表した図である。図１において、１は二次電池（以下、単に電池と記載）の電流を検出する電流Ｉ(ｋ）検出手段、２は電池の端子電圧を検出する端子電圧Ｖ(ｋ）検出手段、３は前処理フィルタ演算手段、４はパラメータθ(ｋ）推定演算手段、５は開路電圧演算手段〔Ｖ０(ｋ）を演算〕、６は開路電圧から充電率ＳＯＣを演算する充電率推定手段、７は調整手段である。前処理フィルタ演算手段３は後記のローパスフィルタやバンドパスフィルタからなる。また、調整手段７は電流Ｉ(ｋ）検出手段で求めた電流値に応じて調整ゲインλ３(ｋ）やフィルタの応答性ｐ(ｋ）を調整する機能（詳細後述）を有する。なお、前処理フィルタ演算手段３とパラメータθ(ｋ）推定演算手段４を合わせた部分が適応デジタルフィルタ演算手段を構成する。
【０００８】
図２は、実施例の具体的な構成を示すブロック図である。この実施例は、二次電池でモータ等の負荷を駆動したり、モータの回生電力で二次電池を充電するシステムに、二次電池の充電率推定装置を設けた例を示す。  
図２において、１０は二次電池（単に電池ともいう）、２０はモータ等の負荷、３０は電池の充電状態を推定する電子制御ユニットで、プログラムを演算するＣＰＵやプログラムを記憶したＲＯＭや演算結果を記憶するＲＡＭから成るマイクロコンピュータと電子回路等で構成される。４０は電池から充放電される電流を検出する電流計、５０は電池の端子電圧を検出する電圧計、６０は電池の温度を検出する温度計であり、それぞれ電子制御ユニット３０に接続される。上記の電子制御ユニット３０は前記図１の前処理フィルタ演算手段３、パラメータθ(ｋ）推定演算手段４、開路電圧演算手段５、充電率推定手段６および調整手段７の部分に相当する。また、電流計４０は電流Ｉ(ｋ）検出手段１に、電圧計５０は端子電圧Ｖ(ｋ）検出手段２に、それぞれ相当する。  
本発明は、通電中の二次電池の端子電圧Ｖと電流Ｉの計測データに、適応デジタルフィルタを用いて開路電圧Ｖ０を推定し、公知の開路電圧Ｖ０と充電率ＳＯＣの関係から充電率を推定する装置であり、二次電池の電池モデルを前記（数１）式に示すように定義している。
【０００９】
上記の内容を具体的に説明すると次のようになる。  
まず、本実施例で用いる「電池モデル」を説明する。図３は、二次電池の等価回路モデルを示す図であり、二次電池の電池モデルは下記（数２）式で示される。
【００１０】
【数２】
2007003438.tif 000003
（数２）式において、モデル入力は電流Ｉ［Ａ］（正値は充電、負値は放電）、モデル出力は端子電圧Ｖ［Ｖ］、Ｒ１〔Ω］は電荷移動抵抗、Ｒ２［Ω］は純抵抗、Ｃ１［Ｆ］は電気二重層容量、Ｖ０［Ｖ］は開路電圧である。なお、ｓはラプラス演算子である。本モデルは、正極、負極を特に分離していないリダクションモデル（一次）であるが、実際の電池の充放電特性を比較的正確に示すことが可能である。このように本実施例においては、電池モデルの次数を１次にした構成を例として説明する。なお、前記（数１）式は電池モデルの一般式である。
【００１１】
上記（数２）式の電池モデルから適応デジタルフィルタまでの導出を最初に説明する。  
（数２）式を変形すると（数３）式になる。
【００１２】
【数３】
2007003438.tif 000004
上記のように、電池パラメータＫ＝Ｒ１＋Ｒ２であって、これは電池モデルの内部抵抗推定値に相当する。  
開路電圧Ｖ０は、電流Ｉに可変な効率ｄを乗じたものを、ある初期状態から積分したものと考えれば、（数４）式で書ける。
【００１３】
【数４】
2007003438.tif 000005
（数４）式を（数３）式に代入すれば（数５）式になり、整理すれば（数６）式になる。
【００１４】
【数５】
2007003438.tif 000006
【００１５】
【数６】
2007003438.tif 000007
安定なローパスフィルタＧｌｐ(ｓ)を（数６）式の両辺に乗じて、整理すれば（数７）式になる。
【００１６】
【数７】
2007003438.tif 000008
実際に計測可能な電流Ｉや端子電圧Ｖに、ローパスフィルタやバンドパスフィルタを処理した値を、下記（数８）式のように定義する。
【００１７】
【数８】
2007003438.tif 000009
なお、Ｇｌｐ(ｓ)はローパスフィルタ、ｓ・Ｇｌｐ(ｓ)やｓ２・Ｇｌｐ(ｓ)はバンドパスフィルタである。  
上記変数を用いて（数７）式を書き直せば（数９）式になる。
【００１８】
【数９】
2007003438.tif 000010
更に変形すれば（数１０）式になる。
【００１９】
【数１０】
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（数１０）式は、計測可能な値と未知パラメータの積和式になっているので、一般的な適応デジタルフィルタの標準形（数１１）式と一致する。
【００２０】
【数１１】
2007003438.tif 000012
ただし、ｙ＝Ｖ２、    ωＴ＝［Ｖ３，Ｉ３，Ｉ２，Ｉ１］
θＴ＝［−Ｔ１，Ｋ・Ｔ２，Ｋ，ｄ］
従って、電流Ｉと端子電圧Ｖにフィルタ処理した信号を、適応デジタルフィルタ演算に用いることで、未知パラメータベクトルθを推定する。本実施例では、単純な「最小二乗法による適応デジタルフィルタ」の論理的な欠点（一度推定値が収束すると、その後パラメータが変化しても再度正確な推定ができないこと）を改善した「両限トレースゲイン方式」を用いる。  
（数１１）式を前提に未知パラメータベクトルθを推定するためのパラメータ推定アルゴリズムは下記（数１２）式となる。ただし、ｋ時点のパラメータ推定値をθ(ｋ)とする。
【００２１】
【数１２】
2007003438.tif 000013
ただし、λ１、λ３(ｋ)、γＵ、γＬは初期設定値で、０＜λ１＜１、０＜λ３(ｋ)＜∞とする。Ｐ(０)は十分大きな値、θ(０)は非ゼロな十分小さな値を初期値とする。trace｛Ｐ｝は行列Ｐのトレースを意味する。  
本発明では、電流値に応じて調整ゲインλ３(ｋ)を補正する。なお、或る観測ノイズの環境下で推定精度を良好に保つには、適応デジタルフィルタの推定感度を調節する定数であるλ３(ｋ）（調整ゲイン）には上限がある。そのため、調整ゲインを予め大きく設定しておくのは、上限までのマージンが小さくなるので、観測ノイズの影響を受けて推定精度が悪化するため得策でない。  
また、ローパスフィルタＧｌｐ(ｓ）の設定に関しては、（数１２）式のパラメータ推定アルゴリズムの推定精度を良くするために、観測ノイズを低減するようローパスフィルタの応答性（カットオフ周波数特性）を適切に設定するけれども、電池の応答特性よりは速くする。以上が、電池モデルから適応デジタルフィルタまでの導出である。
【００２２】
なお、上記の説明では、電池モデルの次数を１次にした場合を例として説明したので、内部抵抗推定値Ｋ＝Ｒ１＋Ｒ２としたが、（数１）式で示した一般式の場合には、内部抵抗推定値はｂ０／ａ０となる。すなわち、前記（数１）式において、ａ０、ｂ０は多項式Ａ(ｓ）、Ｂ(ｓ）の定常状態時の値を示す。定常状態ではラブラス演算子ｓ＝０と考えられるので、前記（数１）式は、下式のように変形することが出来る。  
Ｖ＝（ｂ０／ａ０)Ｉ＋Ｖ０／ａ０
また、電池モデルの次数を１次にした場合に、一般式の（数１）式に相当する（数２）式は、ｓ＝０とすれば下式のようになる。  
Ｖ＝（Ｒ１＋Ｒ２)・Ｉ＋Ｖ０＝Ｋ・Ｉ＋Ｖ０
上記両式を比較すると、Ｋ＝ｂ０／ａ０となる。前記（数３）式でも説明したように、電池パラメータＫ＝Ｒ１＋Ｒ２であって、これは電池モデルの内部抵抗推定値に相当するので、一般式の場合における内部抵抗推定値はｂ０／ａ０となることが判る。
【００２３】
次に、図４は、電子制御ユニット３０のマイコンが行う処理のフローチャートである。この実施例は電池モデルの次数を１次にしたものである。なお、図４のルーチンは一定周期Ｔ０毎に実施される。例えば、Ｉ(ｋ）は今回の演算値、Ｉ(ｋ−１）は１回前の演算値を意味する。  
まず、ステップＳ１０では、電流Ｉ(ｋ）、端子電圧Ｖ(ｋ）を計測する。  
ステップＳ２０では、二次電池の遮断リレーの判断する。電子制御ユニット３０は二次電池の遮断リレーの制御も行っており、リレー遮断時（電流Ｉ＝０）はステップＳ３０へ進む。リレー締結時はステップＳ４０へ進む。
【００２４】
ステップＳ３０では、端子電圧Ｖ(ｋ）を端子電圧初期値Ｖ_iniとして記憶する。  
ステップＳ４０では、端子電圧差分値△Ｖ(ｋ）を算出する。  
ただし、△Ｖ(ｋ）＝Ｖ(ｋ）−Ｖ_ini
これは、適応デジタルフィルタ内の推定パラメータの初期値を約０としているので、推定演算開始時に推定パラメータが発散しないように、入力を全て０とするためである。リレー遮断時はステップＳ３０を通るので、Ｉ＝０かつ△Ｖ(ｋ）＝０なので、推定パラメータは初期状態のままである。
【００２５】
ステップＳ５０では、電流Ｉ(ｋ）と端子電圧差分値ΔＶ(ｋ）に、前記（数８）式に基づきローパススフィルタＧｌｐ(ｓ）、バンドパスフィルタｓ・Ｇｌｐ(ｓ）およびｓ２・Ｇｌｐ(ｓ）のフィルタ処理を施し、下記（数１３）式に示すようにＩ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｖ２、Ｖ３を算出する。前記（数１２）式のパラメータ推定アルゴリズムの推定精度を良くするために、観測ノイズを低減するようローパスフィルタＧｌｐ(ｓ）の応答性を遅く設定する。但し、電池の応答特性よりは速くする。（数１３）式のｐは、Ｇｌｐ(ｓ）の応答性を決める定数（時定数）である。
【００２６】
【数１３】
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ステップＳ６０では、図６に示す内部抵坑値Ｋが増大する領域に電流値があるか否かで、（数１２）式のパラメータ推定アルゴリズムの調整ゲインλ３(ｋ）を補正するか否かを判定する。つまり電流値Ｉの絶対値（例えば充電方向を正、放電方向を負とする）が所定値ａより小の領域１は補正が不要な通常領域であり、電流値Ｉが所定値ａ以上の領域２は内部抵坑値Ｋが増大する領域であって補正が必要と判断する。  
｜Ｉ(ｋ）｜＜ａなる場合、補正が不要と判断してステップＳ８０へ進む。  
｜Ｉ(ｋ）｜≧ａなる場合、補正が必要と判断してステップＳ７０へ進む。
【００２７】
ステップＳ７０では、内部抵抗値Ｋが増大する領域に電流値があるので、通常の調整ゲインでは推定速度が遅いため、調整ゲインλ３(ｋ）を初期値から５０％増大した値に補正する。この際、補正の値は上記のように一つの値でも良いか、図７に示すように、電流値（絶対値）に応じて増大する内部抵抗値Ｋに対応して、調整ゲインλ３(ｋ）の値をゲインスケジューリングしてマップ化しておき、そのときの電流値に応じてマップから読み出した値に補正すれば、より木目の細かい補正を行うことが出来る。
【００２８】
また、調整ゲインλ３(ｋ）を補正する時間を、内部抵坑値Ｋが増大する領域に電流値が入った時点から所定時間、あるいは電流値が通常領域に戻った時点から所定時間だけに限るように構成すれば、パラメータ推定値が実際値へ追従した後に、調整ゲインが大きいことによるパラメータ推定値の変動を防止できる。
【００２９】
ステップＳ８０では、内部抵抗値が増大する領域に電流値がないので、通常の調整ゲインであるλ３(ｋ）の初期値を用いる。  
ステップＳ９０では、ステップＳ５０で算出したＩ１(ｋ）、Ｉ２(ｋ）、Ｉ３(ｋ）、Ｖ２(ｋ）、Ｖ３(ｋ）を前記（数１２）式に代入する。そしてパラメータ推定アルゴリズム（適応デジタルフィルタ演算）である（数１２）式を行い、パラメータ推定値θ(ｋ）を算出する。  
但し、ｙ＝Ｖ２、ωＴ＝［Ｖ３、Ｉ３、Ｉ２、Ｉ１］、θＴ＝［−Ｔ１、Ｋ・Ｔ２、Ｋ、ｄ］である。
【００３０】
ステップＳ１００では、ステップＳ９０で算出したパラメータ推定値θ(ｋ）の中からＴ１、Ｋ・Ｔ２、Ｋを用いて、前記（数３）式と等価な（数１４）式に基づきＧｌｐ(ｓ)・Ｖ０を算出し、これを開路電圧Ｖ０の代用とする。開路電庄Ｖ０は変化が緩やかなので、Ｇｌｐ(ｓ)・Ｖ０で代用できる。但し、ここで求まるのは推定演算開始時からの開路電圧推定値の変化分△Ｖ０(ｋ）である。
【００３１】
【数１４】
2007003438.tif 000015
ステップＳ１１０では、ステップＳ１００で算出した△Ｖ０(ｋ）はアルゴリズム開始時からの開路電圧の変化分であるから、開路電圧初期値すなわち端子電圧初期値Ｖ_iniを加算して開路電圧推定値Ｖ０(ｋ）を（数１５）式で算出する。  
Ｖ０(ｋ）＝△Ｖ０(ｋ）＋Ｖ_ini        …（数１５）
ステップＳ１２０では、図５に示す開路電圧と充電率の相関マップを用いて、ステップＳ１１０で算出したＶ０(ｋ）から充電率ＳＯＣ(ｋ）を算出する。  
なお、図５のＶＬはＳＯＣ＝０％に、ＶＨはＳＯＣ＝１００％に相当する開路電圧である。  
ステップＳ１３０では、次回演算に必要な数値を保存して、今回演算を終了する。
【００３２】
図６、図７は、電流値Ｉと内部抵抗値Ｋとの関係を示す特性図であり、図６は電流値に対応した領域を通常領域１と内部抵抗値が増大する領域２との二つに分けた場合、図７は内部抵抗値が増大する領域を領域２、３、４の三つに分けた場合を示す。  
図６の場合には、電流値に応じて通常領域１と内部抵抗値が増大する領域２との二つに分け、通常領域１では補正なし、領域２では通常ゲインに対して＋５０％増大補正を行っている。
【００３３】
図７の場合には、図示したマップ領域と調整ゲインの補正例に示すように、内部抵抗の増大が無い通常領域１では通常のゲインに対して補正無し、内部抵坑の増大が始まる領域２では通常ゲインに対して＋１０％増大補正、内部抵抗の増大が大きくなる領域３では通常ゲインに対して＋２５％増大補正、内部抵抗の増大が更に大きくなる領域４では通常ゲインに対して＋５０％増大補正というように、調整ゲインをマップ領域に応じて木目細かく補正している。そのため、増大度合が大きい領域では調整ゲインを充分大きくして内部抵抗推定値を速やかに追従させ、増大度合いが小さい領域では調整ゲインを少しだけ大きくすることで内部抵抗推定値の不要な変動を抑えながら追従遅れを小さくすることが出来る。
【００３４】
図８および図９は、本発明の演算における電流、内部抵抗、調整ゲインの値を示すタイムチャートであり、図８は図６に示したように調整ゲインを一段階で補正する場合、図９は図７に示したように調整ゲインを多段階で補正する場合を示す。  
図８において、従来例においては、電流値が実際の内部抵抗の増大が始まる所定値ａより大きい領域（図中Ａ）にある場合でも、内部抵抗推定値から判断する調整ゲインの増大補正ができないため（図中Ｃ）、内部抵抗推定値は実際値への追従遅れが大きい（図中Ｂ）という問題がある。しかし、１番目実施例（図６に示した特性）では、電流値が実際の内部抵抗の増大が始まる所定値ａより大きい領域（図中Ａ）にある場合、電流値から判断して調整ゲインの増大補正が行われるため（図中Ｃ）、内部抵抗推定値は実際値への追従遅れが非常に小さくなる（図中Ｂ）という効果がある。
【００３５】
図９において、１番目実施例（図６に示した特性）では、実際の内部抵抗の増大度合いが大きく強まる電流値ｂより大きい領域（図中Ｄ）では、電流値から判断する調整ゲインの増大補正は度合いを反映できず充分な大きさを得られず（図中Ｆ）、内部抵抗推定値は実際値への追従遅れがやや大きい（図中Ｅ）。しかし、２番目実施例（図７に示した特性）では、実際の内部抵抗の増大度合いが大きく強まる電流値ｂより大きい領域（図中Ｄ）では、電流値から判断する調整ゲインの増大補正は度合いを反映して充分な大きさが得られ（図中Ｆ）、内部抵抗推定値は実際値への追従遅れが非常に小さくなる（図中Ｅ）。
【００３６】
また、図８、図９に示したように、実際の内部抵抗値が増大する領域に電流値が入った時点ｔ１から所定時間τ１の間だけ調整ゲインを大きく補正するように構成した場合には、パラメータ推定値が実際値に追従後、観測ノイズの影響によるパラメータ推定値の変動を抑えることが出来る、という効果がある。また、内部抵抗が増大した領域から通常領域に戻る場合にも、戻った時点ｔ２から所定時間τ２の間だけ調整ゲインを大きく補正するように構成した場合には、実際の内部抵抗が増大した状態から通常状態に戻る時に、内部抵抗推定値の追従遅れを防止することが出来る、という効果がある。なお、τ１とτ２の値は、τ１＝τ２でもτ１≠τ２でもよく、二次電池の特性と推定装置の構成に応じて設定すればよい。
【００３７】
なお、上記の説明においては、電流値が実際の内部抵抗の増大が始まる所定値より大きい領域にある場合に、パラメータ推定演算の推定速度を調整する調整ゲインλ３を大きくするように補正する構成について説明したが、その代わりに、ローパスフィルタとバンドパスフィルタの応答性を速くする（前記数１３式のｐを小さくする）ように補正してもよい。あるいは、調整ゲインを大きく、かつ、ローパスフィルタとバンドパスフィルタの応答性を速くするように、両方を補正してもよい。このように、フィルタの応答性を速くすることにより、フィルタ処理による応答遅れが小さくなり、実際の内部抵抗が増大する現象に対して内部抵坑推定値の遅れを小さくことができる、という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施例を機能ブロックで表した図。
【図２】実施例の具体的な構成を示すブロック図。
【図３】二次電池の等価回路モデルを示す図。
【図４】実施例における処理のフローチャート。
【図５】開路電圧と充電率の関係を示す特性図。
【図６】電流値と内部抵抗の関係を示す特性図。
【図７】電流値と内部抵抗の関係を示す特性図およびマップ領域と調整ゲインの特性を示す図表。
【図８】電流値と内部抵抗値と調整ゲインの関係を示すタイムチャート１。
【図９】電流値と内部抵抗値と調整ゲインの関係を示すタイムチャート２。
【符号の説明】
【００３９】
１…電流Ｉ(ｋ）検出手段             ２…端子電圧Ｖ(ｋ）検出手段
３…前処理フィルタ演算手段          ４…パラメータθ(ｋ）推定演算手段
５…開路電圧演算手段                ６…充電率推定手段
７…調整手段
１０…二次電池                      ２０…負荷
３０…電子制御ユニット              ４０…電流計
５０…電圧計                        ６０…温度計
【図１】
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【図２】
2007003438.tif 000018
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007003438.tif 000021
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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