(57)【要約】【課題】  データ線２１１とコモン電極１１０とにおける電界に起因して発生する表示ムラを抑える。【解決手段】  選択された走査線３１１に選択電圧が印加される期間にわたって、電圧が時間的に一様な方向に変化するランプ信号Ｖcomを、コモン電極１１０に印加し、データ線２１１の各々に対応して、一端がデータ線２１１に接続される一方、他端が共通接続されて、基準電圧Ｖcに保たれたスイッチ２６０と、走査線に選択電圧が印加された期間において、スイッチ２６０を、当該選択電圧が印加された走査線と当該データ側スイッチのデータ線との交差に対応する画素の階調に応じた期間だけオン状態とし、この後、当該データ側スイッチをオフ状態に制御するデータ側制御回路２５０とを備える。【選択図】      図１
2007047348.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素であって、
各々は、一対の基板のうち、一方の基板に、
画素電極と、
前記データ線と前記画素電極との間にて、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導
通状態となるスイッチング素子と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択して、前記選択電圧を印加する一方、
選択した走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、電圧が時間的に一様な方
向に変化するランプ信号を、前記画素電極に対向するコモン電極に印加し、
前記複数のデータ線の各々に対応して設けられるとともに、一端が前記データ線に接続
される一方、他端が共通接続されて、選択された走査線に前記選択電圧が印加される期間
にわたって一定の電位に保たれる複数のデータ側スイッチと、
前記走査線に選択電圧が印加された期間において、前記データ側スイッチを、当該選択
電圧が印加された走査線と当該データ側スイッチのデータ線との交差に対応する画素の階
調に応じた期間だけオン状態とし、この後、当該データ側スイッチをオフ状態に制御する
データ側制御回路と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、所定の基準電位に保たれる一方
、
選択された走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、前記ランプ信号は、前
記基準電位から電圧変化を開始する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、前記ランプ信号の高電位側の所
定電圧に相当する第１電位線、または、前記ランプ信号の低電位側の所定電圧に相当する
第２電位線のいずれかに接続され、
前記データ側スイッチの他端が前記第１電位線に接続された場合、選択された走査線に
前記選択電圧が印加される期間において、前記ランプ信号は、前記高電位側の所定電圧か
ら前記低電位側の所定電圧に向かって変化する一方、
前記データ側スイッチの他端が前記第２電位線に接続された場合、選択された走査線に
前記選択電圧が印加される期間において、前記ランプ信号は、前記低電位側の所定電圧か
ら前記高電位側の所定電圧に向かって変化する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、前記ランプ信号の高電位側の所
定電圧に相当する第１電位線、または、前記ランプ信号の低電位側の所定電圧に相当する
第２電位線のいずれかに接続され、
奇数列のデータ側スイッチの他端が前記第１電位線に接続された場合、偶数列のデータ
側スイッチの他端は前記第２電位線に接続される一方、
奇数列のデータ側スイッチの他端が前記第２電位線に接続された場合、偶数列のデータ
側スイッチの他端は前記第１電位線に接続される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記コモン電極は、前記走査線に対応して複数設けられ、
前記複数のコモン電極には、前記選択電圧が印加される期間において互いに異なる電圧
が印加される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
１つの走査線に第１および第２コモン電極が対応して設けられ、
前記画素は、
前記画素電極に前記第１コモン電極が対向する第１画素と、前記画素電極に前記第２コ
モン電極が対向する第２画素とに分類され、
前記第１および第２画素は、前記走査線または前記データ線の形成方向に対して交互に
配置する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、所定の基準電位に保たれ、
少なくとも前記選択電圧が印加される走査線に対応する第１および第２コモン電極には
、前記基準電位を中心に互いに対称な電圧のランプ信号が印加される
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の走査線の各々には、それぞれ第１および第２コモン電極が対応して設けられ
、
前記画素は、
前記画素電極と前記第１コモン電極とを含む第１画素容量と、
前記画素電極と前記第２コモン電極とを含む第２画素容量と、
を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記複数の走査線の各々には、それぞれ第１および第２コモン電極が対応して設けられ
、
前記画素電極および前記第１コモン電極を含む第１画素容量と、前記画素電極および前
記第２コモン電極を含む第２画素容量と、を有する画素と、
前記画素電極および前記第２コモン電極を含む第１画素容量と、前記画素電極および前
記第１コモン電極を含む第２画素容量と、を有する画素と、
が前記走査線または前記データ線の形成方向に対して交互に配置する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、所定の基準電位に保たれ、
少なくとも前記選択電圧が印加される走査線に対応する第１および第２コモン電極には
、変化開始電圧が異なるとともに、互いの電圧差が一定のランプ信号が印加される
ことを特徴とする請求項８または９に電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１画素容量は、保持電圧が高くなるにつれて明るくなるように設定され、
前記第２画素容量は、保持電圧が高くなるにつれて暗くなるように設定された
ことを特徴とする請求項８または９に電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１画素容量が透過モード、前記第２画素容量が反射モードを有するか、または、
前記第１画素容量が反射モード、前記第２画素容量が透過モードを有する
ことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記コモン電極は、前記複数の走査線に対応して設けられ、
走査線に対応して設けられたコモン電極と、前記ランプ信号が供給される信号線との間
にて、少なくとも当該走査線に選択電圧が印加されたときにオン状態となるコモン側スイ
ッチを、
さらに有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素であって、
各々は、一対の基板のうち、一方の基板に、
画素電極と、
前記データ線と前記画素電極との間にて、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導
通状態となるスイッチング素子と、
を含む画素と、
前記複数のデータ線の各々に対応して、一端が前記データ線に接続される一方、他端が
共通接続されて、選択された走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって一定の電
位に保たれる複数のデータ側スイッチと、
を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択して、前記選択電圧を印加する一方、
選択した走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、電圧が時間的に一様な方
向に変化するランプ信号を、前記画素電極に対向するコモン電極に印加し、
前記走査線に選択電圧が印加された期間において、前記データ側スイッチを、当該選択
電圧が印加された走査線と当該データ側スイッチのデータ線との交差に対応する画素の階
調に応じた期間だけオン状態とし、この後、当該データ側スイッチをオフ状態に制御する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学変化を用いた表示を行う際に、表示品位の低下を抑える
技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置において、開口率および視野角は表示品質に関する重要なパラメータ
である。例えば、液晶表示装置においてＴＮ（Twisted Nematic）型などの液晶を用いる
と、十分な視野角が得られないので、近年では、非常に広い視野角が得られるＩＰＳ（In
Plane Switching）モードが注目を浴びている。このＩＰＳモードの液晶表示装置は、一
対の基板の一方に、画素電極のみならずコモン電極（共通電極）も設けるとともに、画素
電極およびコモン電極の間に画素に応じた電圧を印加することによって基板面の水平方向
に電界を発生させる、というものである。このため、液晶としては、分子長軸方向が基板
面と水平を保ったまま回転するホモジニアス配列が用いられる。
【０００３】
ところが、ＩＰＳモードは、視野角の点において優れているが、開口率の点においてＴ
Ｎ型よりも劣る。その理由は、ＩＰＳモードでは、液晶の配向方向が電界に応じて変化す
る領域、すなわち、明るさが変化する領域が、画素電極の端部とコモン電極の端部との間
であって、電極が形成された領域は、開口率という観点からみれば、デッドスペースとな
るためである。
そこで、一方の基板において、ゲート電極（走査線）とコモン電極とを同一材料から近
接してパターニングする技術が提案された（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−１２８６８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この技術によれば、コモン電極は、画素の階調に応じた電圧となるデー
タ線にも近接するので、データ線とコモン電極とにおいて電界が発生する。データ線とコ
モン電極とで発生する電界は、画素の実際の階調を規定する電界（すなわち、画素電極と
コモン電極とで発生する電界）に悪影響を及ぼし、これが場合によっては、表示ムラとし
て視認されてしまう、という問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、このよ
うな表示ムラの発生を抑えることが可能な可能な電気光学装置、その駆動方法および電子
機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と複数のデー
タ線との交差に対応して設けられた複数の画素であって、各々は、一対の基板のうち、一
方の基板に、画素電極と、前記データ線と前記画素電極との間にて、前記走査線に選択電
圧が印加されたときに導通状態となるスイッチング素子と、を含む画素と、を有する電気
光学装置であって、前記複数の走査線を所定の順番で選択して、前記選択電圧を印加する
一方、選択した走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、電圧が時間的に一様
な方向に変化するランプ信号を、前記画素電極に対向するコモン電極に印加し、前記複数
のデータ線の各々に対応して設けられるとともに、一端が前記データ線に接続される一方
、他端が共通接続されて、選択された走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって
一定の電位に保たれる複数のデータ側スイッチと、前記走査線に選択電圧が印加された期
間において、前記データ側スイッチを、当該選択電圧が印加された走査線と当該データ側
スイッチのデータ線との交差に対応する画素の階調に応じた期間だけオン状態とし、この
後、当該データ側スイッチをオフ状態に制御するデータ側制御回路と、を備えることを特
徴とする。本発明によれば、走査線に選択電圧が開始される期間において、各データ線は
、データ側スイッチのオンにより一定の電位に保たれた後に、データ側スイッチのオフに
よりハイ・インピーダンス状態となる。このため、データ線とコモン電極とで発生する電
界が、各データ線同士でばらつくのを少ない範囲に抑えることができる。
【０００６】
本発明において、共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、所定の基準電
位に保たれる一方、選択された走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、前記
ランプ信号は、前記基準電位から電圧変化を開始する構成としても良い。
また、本発明において、共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、共通接
続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、前記ランプ信号の高電位側の所定電圧に
相当する第１電位線、または、前記ランプ信号の低電位側の所定電圧に相当する第２電位
線のいずれかに接続され、前記データ側スイッチの他端が前記第１電位線に接続された場
合、選択された走査線に前記選択電圧が印加される期間において、前記ランプ信号は、前
記高電位側の所定電圧から前記低電位側の所定電圧に向かって変化する一方、前記データ
側スイッチの他端が前記第２電位線に接続された場合、選択された走査線に前記選択電圧
が印加される期間において、前記ランプ信号は、前記低電位側の所定電圧から前記高電位
側の所定電圧に向かって変化する構成としても良い。
さらに、本発明において、共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、前記
ランプ信号の高電位側の所定電圧に相当する第１電位線、または、前記ランプ信号の低電
位側の所定電圧に相当する第２電位線のいずれかに接続され、奇数列のデータ側スイッチ
の他端が前記第１電位線に接続された場合、偶数列のデータ側スイッチの他端は前記第２
電位線に接続される一方、奇数列のデータ側スイッチの他端が前記第２電位線に接続され
た場合、偶数列のデータ側スイッチの他端は前記第１電位線に接続される構成としても良
い。
【０００７】
一方、本発明において、前記コモン電極は、前記走査線に対応して複数設けられ、前記
複数のコモン電極には、前記選択電圧が印加される期間において互いに異なる電圧が印加
される構成としても良い。
この構成においては、第１に、１つの走査線に第１および第２コモン電極が対応して設
けられ、前記画素は、前記画素電極に前記第１コモン電極が対向する第１画素と、前記画
素電極に前記第２コモン電極が対向する第２画素とに分類され、前記第１および第２画素
は、前記走査線または前記データ線の形成方向に対して交互に配置しても良い。このとき
、共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、所定の基準電位に保たれ、少な
くとも前記選択電圧が印加される走査線に対応する第１および第２コモン電極には、前記
基準電位を中心に互いに対称な電圧のランプ信号が印加されるようにしても良い。
また、この構成においては、第２に、前記複数の走査線の各々には、それぞれ第１およ
び第２コモン電極が対応して設けられ、前記画素は、前記画素電極と前記第１コモン電極
とを含む第１画素容量と、前記画素電極と前記第２コモン電極とを含む第２画素容量と、
を有するようにしても良いし、第３に、前記複数の走査線の各々には、それぞれ第１およ
び第２コモン電極が対応して設けられ、前記画素電極および前記第１コモン電極を含む第
１画素容量と、前記画素電極および前記第２コモン電極を含む第２画素容量と、を有する
画素と、前記画素電極および前記第２コモン電極を含む第１画素容量と、前記画素電極お
よび前記第１コモン電極を含む第２画素容量と、を有する画素と、が前記走査線または前
記データ線の形成方向に対して交互に配置するようにしても良い。
このとき、共通接続された前記複数のデータ側スイッチの他端は、所定の基準電位に保
たれ、少なくとも前記選択電圧が印加される走査線に対応する第１および第２コモン電極
には、変化開始電圧が異なるとともに、互いの電圧差が一定のランプ信号が印加される構
成としても良い。
また、前記第１画素容量は、保持電圧が高くなるにつれて明るくなるように設定され、
前記第２画素容量は、保持電圧が高くなるにつれて暗くなるように設定される構成として
も良い。さらに、前記第１画素容量が透過モード、前記第２画素容量が反射モードを有す
るか、または、前記第１画素容量が反射モード、前記第２画素容量が透過モードを有する
ようにしても良い。
【０００８】
くわえて、本発明において、前記コモン電極は、前記複数の走査線に対応して設けられ
、走査線に対応して設けられたコモン電極と、前記ランプ信号が供給される信号線との間
にて、少なくとも当該走査線に選択電圧が印加されたときにオン状態となるコモン側スイ
ッチを、さらに有する構成としても良い。
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１０】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の基本形である第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実
施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００、データ側制御回路２
５０、走査線駆動回路３５０、走査制御回路４００およびランプ信号生成回路４５０等を
含む。このうち、表示領域１００では３２０行の走査線３１１が行（Ｘ）方向に延在する
一方、２４０列のデータ線２１１が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられて
いる。そして、画素１２０が３２０行の走査線３１１と２４０列のデータ線２１１との交
差に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１２０が縦３
２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することなる。ただし、本発明をこの配列に限
定する趣旨ではない。
【００１１】
ここで、画素１２０の詳細な構成について説明する。図２（ａ）は、画素１２０の構成
を示す平面図であり、図２（ｂ）は、画素１２０の電気的な構成を示す図である。いずれ
も、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）列との
交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１２０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって
、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１２０が配列する列を一般的
に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【００１２】
図２（ｂ）に示されるように、各画素１２０は、画素容量１３０と、スイッチング素子
として機能するとともに、ｎチャネルであってアモルファス型の薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）２４１とを有する。
ここで、各画素１２０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代
表させて説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１２０において、ＴＦＴ２４１のゲートはｉ行
目の走査線３１１に接続される一方、そのソースはｊ列目のデータ線２１１に接続され、
そのドレインは画素容量１３０の一端たる画素電極２３１に接続されている。
また、画素容量１３０の他端はコモン電極１１０に接続されている。このコモン電極１
１０は、本実施形態では、図１に示されるように全ての画素１２０にわたって共通であっ
て、ランプ信号生成回路４５０により生成されたランプ信号Ｖcomが印加される。
【００１３】
表示領域１００は、素子基板と対向基板との一対の基板が一定の間隙を保って貼り合わ
せた構成となっており、この間隙に液晶が挟持されている。また、素子基板には、走査線
３１１や、データ線２１１、コモン電極１１０、画素電極２３１およびＴＦＴ２４１が形
成されて、この電極形成面が対向基板と対向するように貼り合わせられる。この構成のう
ち、素子基板の電極形成面を平面的に示したものが図２（ａ）である。
【００１４】
この図からも判るように、表示領域１００は、液晶にかかる電界方向を基板面方向とし
たＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである
。詳細には、素子基板に、ゲート電極層のパターニングにより走査線３１１およびコモン
電極層のパターニングによりコモン電極１１０をそれぞれストライプ状にＸ方向に平行に
形成し、その上に半導体層と絶縁層（図示省略）とを堆積してＴＦＴ２４１を形成し、さ
らに、絶縁層を介した第１金属層のパターニングによりデータ線２１１および接続電極２
３１ａを形成し、この後、第２金属層のパターニングにより画素電極２３１を形成した構
成となっている。
【００１５】
ここで、接続電極２３１ａは、画素電極２３１をＴＦＴ２４１のドレインに接続するた
めのものである。したがって、本実施形態において、画素容量１３０は、画素電極２３１
とコモン電極１１０とが絶縁層を介した積層構造によって生じ、電界が、両電極による保
持電圧に応じた強さで、画素電極２３１の櫛歯と直行する縦（Ｙ）方向に、画素電極２３
１の端部を跨ぐように発生して、液晶の配向状態が変化する。このため、偏光子（図示省
略）を通過する光量は、当該電圧実効値に応じた値となる。
本実施形態において、画素容量１３０に保持される電圧の実効値は、画素電極２３１お
よびコモン電極１１０の差電圧で定まるので、ｉ行ｊ列の画素を目的の階調とするには、
ｉ行目の走査線３１１に選択電圧を印加してＴＦＴ２４１を導通（オン）状態とさせると
ともに、上記差電圧が当該ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた値なるように制御すれば良いこ
とになる。
【００１６】
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少
して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。
また、データ線２１１とコモン電極１１０とは、互いに絶縁層（図示省略）を介して交
差するので、図２（ｂ）の破線で示されるように、寄生容量を介して互いに容量結合する
ことになる。
【００１７】
説明を再び図１に戻すと、走査制御回路４００は、制御信号ＣntXの供給によってデー
タ側制御回路２５０を制御するとともに、制御信号ＣntYの供給によって走査線駆動回路
３５０による表示領域１００の垂直走査を制御する。また、走査制御回路４００は、画素
容量１３０の書込極性を指定する極性指示信号Ｐolを、ランプ信号生成回路４５０に供給
する。
極性指示信号Ｐolは、第１実施形態では、Ｈレベルであれば、画素容量１３０に対し画
素電極２３１を高位側とする正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば、画素電極２３１を
低位側とする負極性書込を指定する信号であり、図３に示されるように、１垂直走査期間
（１Ｆ）内では、１水平走査期間（１Ｈ）毎に極性反転するとともに、隣接する１垂直走
査期間（１Ｆ）同士において同一の水平走査期間に着目しても極性反転の関係にある。
したがって、本実施形態では、走査線毎に書込極性が反転する走査線反転（行反転）と
なるが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。なお、このように極性反転する理由は、
液晶に直流成分が印加されることによる劣化を防止するためである。
【００１８】
走査線駆動回路３５０は、制御信号ＣntYにしたがって、１、２、３、…、３２０行目
の走査線３１１を、それぞれ１水平走査期間（１Ｈ）毎に順番に選択するとともに、選択
した走査線３１１に対応する走査信号を、当該水平走査期間（１Ｈ）にわたってＨレベル
に相当する選択電圧Ｖddとし、それ以外の走査線３１１に対応する走査信号を、Ｌレベル
に相当する非選択電圧Ｖssとするものである。ここで、１、２、３、…、３２０行目の走
査線３１１に供給される走査信号を、それぞれＹ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０と表記し
、走査信号について特に行を特定しないで一般的に説明するときにはＹｉと表記する。な
お、この非選択電圧Ｖssは、実際には電圧基準の接地電位Ｇnd（電圧ゼロ）である。
【００１９】
次に、データ側制御回路２５０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応し
た記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域では、それぞれ対応する画素１２０の階調値
（明るさ）を指定する階調データＤaが記憶される。なお、階調データＤaは、図示しない
上位装置から供給され、表示内容に変更が生じた場合には、対応する記憶領域に記憶され
た階調データＤaが書き換えられる構成となっている。
さらに、データ側制御回路２５０は、走査線駆動回路３５０によって、ある１行の走査
線３１１が選択されるとき、制御信号ＣntXにしたがって、当該走査線に位置する画素の
階調データＤaの１行分を事前に読み出し、この階調データＤaの１行分にしたがって、ス
イッチ制御信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を当該走査線に選択電圧Ｖddが印加され
る期間にわたって、１、２、３、…、２４０列のデータ線２１１にそれぞれ対応して一斉
に出力する。
ここで、スイッチ制御信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０について、特に列を特定し
ないで一般的に説明するときにはＸｊと表記すると、データ側制御回路２５０は、スイッ
チ制御信号Ｘｊを、１水平走査期間（１Ｈ）の開始端から時間軸の後方側に、当該水平走
査期間にて選択される走査線３１１とｊ列目のデータ線２１１との交差に対応する画素の
階調データＤaで指定された階調値に応じた期間だけＨレベルとし、残余の期間でＬレベ
ルとする。
【００２０】
スイッチ２６０は、データ側スイッチとして機能するものであり、１、２、３、…、２
４０列目のデータ線２１１に一対一に対応して設けられ、その一端は、対応するデータ線
に接続される一方、その他端は共通接続されて、時間的に一定の基準電圧Ｖcに保たれて
いる。ここで、各列のスイッチ２６０は、対応するスイッチ制御信号がＨレベルのときに
オンするものである。
ここで、スイッチ２６０がオフであるデータ線２１１はハイ・インピーダンス状態とな
り、電圧不確定となる。このため、便宜的に、１、２、３、…、２４０列目のデータ線２
１１の電圧をＳ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ２４０と表記し、特に列を特定しないで一般的に
説明するときにはＳｊと表記することにする。
また、基準電圧Ｖcは、図３に示されるように、Ｈレベルに相当する電圧ＶddとＬレベ
ルに相当する電圧Ｖssとの中間値に相当する。
【００２１】
一方、ランプ信号生成回路４５０は、次のようなランプ信号Ｖcomを生成する。すなわ
ち、ランプ信号生成回路４５０は、図３に示されるように極性指示信号Ｐolによって、正
極性書込が指定される１水平走査期間（１Ｈ）では、ランプ信号Ｖcomの電圧をＶcからＶ
minまで直線的に低下させる一方、反対に、負極性書込が指定される１水平走査期間では
、ＶcからＶmaxまで直線的に上昇させる。ここで、電圧Ｖmin、Ｖmaxは、Ｖmax＞Ｖminで
あり、基準電圧Ｖcを中心に対称な関係にある。
なお、図３においては、走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０等と、ランプ信号Ｖcomとの縦方向の
電圧スケールを、便宜的に異ならせてある（次に説明する図４等においても同様）。
【００２２】
次に、このような構成にかかる電気光学装置１０における書き込みについて説明する。
図４は、ｉ行ｊ列の画素の書き込みと、これより１行下に隣接する（ｉ＋１）行ｊ列の
画素の書き込みとについて、走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）との関係において示す図である
。
ｉ行ｊ列の画素を、白色と黒色との間の灰色とさせる場合、ｉ行目の走査線３１１が選
択されて、走査信号ＹｉがＨレベルとなる１水平走査期間（１Ｈ）において、スイッチ制
御信号Ｘｊは、当該１水平走査期間（１Ｈ）の開始時から、当該灰色に応じた期間Ｔ１だ
けＨレベルとなる。このため、ｊ列目のスイッチ２６０がオン（導通）状態となるので、
ｊ列目のデータ線２１１の電圧Ｓｊは基準電圧Ｖcに保たれる。
また、走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行目の走査線３１１に位置する１行分の画
素１２０において、ＴＦＴ２４１がオン状態となる。したがって、ｉ行ｊ列の画素１２０
では、画素電極２３１がｊ列目のデータ線２１１と等しく基準電圧Ｖcとなる。
一方、当該１水平走査期間（１Ｈ）において、正極性書込が指定されていれば、ランプ
信号Ｖcom、すなわち、コモン電極１１０の電圧は、ＶcからＶminまで直線的に低下する
。このため、ｊ列目のスイッチ２６０がオンすることによって、ｉ行ｊ列の画素における
画素容量１３０には、画素電極２３１を高位側とした書き込みが開始されることになる。
【００２３】
次に、当該１水平走査期間の開始時から期間Ｔ１だけ経過すると、データ信号ＸｊはＨ
レベルからＬレベルに変化する。このため、スイッチ２６０がオフ（非導通）状態となる
ので、ｊ列目のデータ線２１１は、どの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態
となる。
ただし、スイッチ２６０がオフしても、ｉ行目の走査線３１１がＨレベルとなる１水平
走査期間では、コモン電極１１０に印加されたランプ信号Ｖcomの電圧が低下し続けると
ともに、ＴＦＴ２４１のオン状態が継続しているので、ハイ・インピーダンス状態となっ
たｊ列目のデータ線２１１は、スイッチ２６０がオフになった瞬間から、電圧Ｖcを開始
点としてランプ信号Ｖcomと同じ変化率で低下する。
【００２４】
このため、ｉ行ｊ列の画素容量１３０に対する書き込み電圧は、走査信号ＹｉがＨレベ
ルとなっている期間において、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間に確定し、正極性
書込が指定されていれば、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるＶcomとＶcと
の差電圧が、画素電極２３１を高位側として、スイッチ２６０のオフ後においても保持さ
れることなる。
なお、当該１水平走査期間（１Ｈ）が終了して、走査信号ＹｉがＬレベルに変化すると
、ｉ行目の走査線３１１に位置する１行分の画素のＴＦＴ２４１がオフするので、各画素
電極２３１は、対応するデータ線２１１と電気的に切り離されてフローティング状態とな
る。このため、ｉ行ｊ列の画素電極２３１の電位も、コモン電極１１０の電圧変化に伴っ
て変化することになるが、画素容量１３０の電圧、すなわち、ｊ列目のスイッチ２６０が
オフ瞬間におけるＶcomとＶcとの差電圧は、スイッチ２６０がオフとなっても、さらには
走査信号ＹｉがＬレベルに変化しても、保持され続けることになる。
また、ここでは、ｉ行目の画素のうち、ｊ列目に位置するもので代表して動作説明した
が、走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間においては、ｉ行目に位置する１〜２４０列の画
素１行分のすべてについてｊ列目のような書き込みが同時並行的に実行される。
【００２５】
次の１水平走査期間（１Ｈ）においては、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなるので
、（ｉ＋１）行目に位置する１行分の画素について書き込みが同様に実行される。ただし
、本実施形態では、走査線毎に書込極性が反転するので、負極性書込が指定される結果、
ランプ信号Ｖcomの電圧が当該１水平走査期間においてＶcからＶmaxに直線的に上昇する
。このため、（ｉ＋１）行ｊ列の画素容量１３０に対する書き込み電圧は、走査信号Ｙ（
ｉ＋１）がＨレベルとなっている期間において、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間
に確定し、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるＶcomとＶcとの差電圧が、画
素電極２３１を低位側として、スイッチ２６０のオフ後においても保持されることなる。
【００２６】
なお、ここでは、互いに隣接するｉおよび（ｉ＋１）行目の書き込みついて説明してい
るが、このような書き込みは、１垂直走査期間（１Ｆ）において、１、２、３、…、３２
０行目の順番で１水平走査期間毎に実行されて、１フレームの画像が表示されることにな
る。また、次の１垂直走査期間（１Ｆ）では、書込極性が反転して同様な書き込みが実行
されることになる。
【００２７】
本実施形態では、１水平走査期間（１Ｈ）の開始時からスイッチ２６０がオンしている
期間が長いほど、画素容量１３０に高い電圧が保持されることになる。上述したように、
本実施形態では、電圧無印加状態において最も明るい表示状態となるノーマリーホワイト
モードであるので、暗い階調値を指定するにつれて、１水平走査期間の開始時からスイッ
チ２６０をオンする期間が長くなるように、スイッチ制御信号を生成すれば良いことにな
る。
【００２８】
発明が解決しようとする課題の欄で述べた表示ムラは、画素容量１３０の電圧変化に対
して階調変化の大きな領域、すなわち、画素１２０を中間階調である灰色表示とさせる場
合に視認されやすい。本実施形態において、多数の画素を灰色表示とさせるような場合、
当該灰色領域にかかるデータ線２１１同士は、１水平走査期間において途中まで基準電圧
Ｖcに保たれるので、データ線２１１およびコモン電極１１０で発生する電界について、
データ線同士のばらつきを抑えることができる。
このため、本実施形態によれば、データ線２１１およびコモン電極１１０で発生する電
界によって画素容量１３０で発生させる電界に及ぼす影響は、表示パターンに依存するこ
となく各画素にわたって均一化される方向に向かうので、上記表示ムラを視認しにくくさ
せることが可能となる。
【００２９】
上述した第１実施形態では、ランプ信号Ｖcomを、極性指示信号Ｐolによって正極性書
込が指定されたとき、ＶcからＶminまで下降させる一方、負極性書込が指定されたとき、
ＶcからＶmaxまで上昇させる構成としたが、例えば図５に示されるように、正極性書込が
指定されたとき、ＶminからＶcまで上昇させ、負極性書込が指定されたとき、引き続きＶ
cからＶmaxまで上昇させる構成としても良い。
この構成において、データ側制御回路２５０は、次のようにスイッチ制御信号を生成す
る。詳細には、データ側制御回路２５０は、図６に示されるように、ｊ列目のスイッチ制
御信号Ｘｊについて言えば、正極性書込が指定されていれば、１水平走査期間（１Ｈ）の
終了端から時間軸の手前側に、選択電圧が印加される走査線３１１とｊ列目のデータ線２
１１との交差に対応する画素の階調データＤaで指定された階調値に応じた期間だけＬレ
ベルとし、残余の期間でＨレベルとする一方、負極性書込が指定されていれば、図４と同
様に、１水平走査期間（１Ｈ）の開始端から時間軸の後方側に、当該画素の階調データＤ
aで指定された階調値に応じた期間だけＨレベルとし、残余の期間でＬレベルとする。
【００３０】
このため、走査信号ＹｉがＨレベルとなっている１水平走査期間（１Ｈ）において、ｉ
行ｊ列の画素容量１３０に対する書き込み電圧は、走査信号ＹｉがＨレベルとなっている
期間において、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間に確定する。そして、ｊ列目のス
イッチ２６０がオフした瞬間におけるＶcomとＶcとの差電圧が、正極性書込が指定されて
いれば画素電極２３１を高位側として、負極性書込が指定されていれば画素電極２３１を
低位側として、それぞれスイッチ２６０のオフ後においても保持されることなる。
【００３１】
なお、この構成において、データ側制御回路２５０は、書込極性に応じてスイッチ制御
信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を生成しなければならない。このため、図５に示さ
れるようなランプ信号Ｖcomを適用する場合には、図１において破線で示されるように、
データ側制御回路２５０に極性指示信号Ｐolを供給して、選択走査線に位置する画素への
書込極性を指定する必要がある。
また、ランプ信号Ｖcomを上昇方向に限らず、下降方向で一定としても良い。下降方向
とする場合には、正極性書込と負極性書込との関係を入れ替えて、スイッチ制御信号を生
成すれば良い。さらに、これらを組み合わせて、２水平走査期間で上昇、続く２水平走査
期間で下降方向としても良い。
【００３２】
一方、第１実施形態では、スイッチ２６０の他端を、電位Ｖcとして時間的に一定化し
たが、書込極性に合わせて２値化しても良い。
詳細には、図７に示されるように、各列にそれぞれ双頭型のスイッチ２７０を設けると
ともに、極性指示信号Ｐolで指定された書込極性に応じて、スイッチ２６０の他端をＶc
またはＶmaxのいずれか一方に接続する構成としても良い。ここで、スイッチ２７０にお
ける入力端の一方は、電圧Ｖmaxに保たれた第１電位線２８１に接続され、入力端の他方
は、Ｖcに保たれた第２電位線２８２に接続されている。そして、スイッチ２７０は、極
性指示信号ＰolがＨレベルとなって正極性書込が指定されたとき、図において実線の位置
をとって入力端の一方を選択し、負極性書込が指定されたとき、図において破線の位置を
とって入力端の他方を選択して、それぞれ選択した電圧を、スイッチ２６０の他端に印加
する。
【００３３】
また、図７に示される構成において、ランプ信号生成回路４５０は、ランプ信号Ｖcom
の電圧を、図８に示されるように、正極性書込が指定される１水平走査期間では、Ｖmax
からＶcまで直線的に下降させ、負極性書込が指定される１水平走査期間では、反対にＶc
からＶmaxまで直線的に上昇させる。
なお、この構成において、データ側制御回路２５０は、第１実施形態（図４）と同様に
、ｊ列目のスイッチ制御信号Ｘｊについて言えば、書込極性にかかわらず、１水平走査期
間（１Ｈ）の開始端から時間軸の後方側に、選択電圧が印加される走査線３１１とｊ列目
のデータ線２１１との交差に対応する画素の階調データＤaで指定された階調値に応じた
期間だけＨレベルとし、残余の期間でＬレベルとする。
【００３４】
この構成における書き込みについてｉ行ｊ列で代表させて、図９を参照して説明すると
、走査信号ＹｉがＨレベルとなる１水平走査期間（１Ｈ）において、スイッチ制御信号Ｘ
ｊは、当該１水平走査期間（１Ｈ）の開始時から、階調値に応じた期間だけＨレベルとな
るので、ｊ列目のスイッチ２６０がオン状態となり、ｊ列目のデータ線２１１の電圧Ｓｊ
はＶmaxに保たれる。このため、ｉ行ｊ列の画素１２０では、ＴＦＴ２４１のオンによっ
て画素電極２３１がｊ列目のデータ線２１１と等しくＶmaxとなる。
一方、当該１水平走査期間（１Ｈ）において、正極性書込が指定されていれば、ランプ
信号Ｖcom、すなわち、コモン電極１１０の電圧は、ＶmaxからＶcまで直線的に低下する
。このため、ｊ列目のスイッチ２６０がオンすることによって、ｉ行ｊ列の画素における
画素容量１３０には、画素電極２３１を高位側とした書き込みが開始されることになる。
【００３５】
次に、当該１水平走査期間の開始時から期間だけ経過すると、データ信号ＸｊはＨレベ
ルからＬレベルに変化する。このため、スイッチ２６０がオフ状態となるので、ｊ列目の
データ線２１１は、どの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態となるが、走査
信号ＹｉがＨレベルとなっている限り、コモン電極１１０に印加されたランプ信号の電圧
Ｖcomが低下し続けるとともに、ＴＦＴ２４１がオンしているので、ｊ列目のデータ線２
１１は、スイッチ２６０がオフになった瞬間から、Ｖmaxを開始点としてランプ信号Ｖcom
と同じ変化率で低下する。
このため、走査信号ＹｉがＨレベルとなっている１水平走査期間（１Ｈ）において、ｉ
行ｊ列の画素容量１３０に対する書き込み電圧は、走査信号ＹｉがＨレベルとなっている
期間において、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間に確定する。そして、ｊ列目のス
イッチ２６０がオフした瞬間におけるＶcomとＶcとの差電圧が、正極性書込が指定されて
いれば画素電極２３１を高位側として、負極性書込が指定されていれば画素電極２３１を
低位側として、それぞれスイッチ２６０のオフ後においても保持されることなる。
なお、負極性書込が指定されていれば、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけ
るＶcomとＶcとの差電圧が、画素電極２３１を低位側として、スイッチ２６０のオフ後に
おいても保持されることなる。
【００３６】
この構成では、ランプ信号Ｖcomの電圧幅が、ＶminからＶmaxまでの範囲から、Ｖcから
Ｖmaxまでの範囲に半減する。このため、電圧変化に伴って各部寄生容量で消費される電
力を抑えることができるとともに、ランプ信号生成回路４５０、ひいては図示しない電源
回路の構成を簡略化することも可能となる。
なお、この構成では、ランプ信号ＶcomをＶcからＶmaxまでの範囲としたが、例えばＶm
inからＶcまでの範囲で変化させても良い。この場合、第１電位線２８１および第２電位
線２８２を、電圧Ｖc、Ｖminとすれば良い。
【００３７】
また、スイッチ２６０の他端を、書込極性に合わせて２値化する場合に、図１０に示さ
れるような構成としても良い。
図１１において、各列のスイッチ２７０のうち、奇数（１、３、５、…、２３９）列に
ついては極性指示信号Ｐolにしたがって、第１電位線２８１または第２電位線２８２の一
方を選択させ、偶数（２、４、６、…、２４０）列については極性指示信号ＰolをＮＯＴ
回路２８５で論理反転した信号にしたがって、第１電位線２８１または第２電位線２８２
の他方を選択させる構成とすれば良い。
したがって、この構成において、極性指示信号Ｐolは、Ｈレベルであれば、選択された
行の奇数列の画素に対して正極性書込を指定し、偶数列の画素に対して負極性書込を指定
する一方、Ｌレベルであれば、選択された行の奇数列の画素に対して負極性書込を指定し
、偶数列の画素に対して正極性書込を指定することになる。ここで、便宜上、ｉを奇数と
し、当該ｉに隣接する（ｉ＋１）を偶数とする。
【００３８】
また、この構成において、データ側制御回路２５０は、次のようにしてスイッチ制御信
号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を生成する。
詳細には、データ側制御回路２５０は、図１１に示されるように、スイッチ制御信号Ｘ
ｊについては、１水平走査期間（１Ｈ）の開始端から時間軸の後方側に向かって、選択電
圧が印加される走査線３１１とｊ列目のデータ線２１１との交差に対応する画素の階調デ
ータＤaで指定された階調値に応じた期間だけＨレベルとし、残余の期間でＬレベルとし
、スイッチ制御信号Ｘ（ｊ＋１）については、１水平走査期間（１Ｈ）の終了端から時間
軸の手前側に向かって、選択電圧が印加される走査線３１１と（ｊ＋１）列目のデータ線
２１１との交差に対応する画素の階調データＤaで指定された階調値に応じた期間だけＬ
レベルとし、残余の期間でＨレベルとする。
【００３９】
走査信号ＹｉがＨレベルとなっている１水平走査期間（１Ｈ）において、極性指示信号
ＰolがＨレベルであれば、奇数列のスイッチ２６０はＶmaxに保たれ、偶数列のスイッチ
２６０はＶcに保たれる。このため、走査信号ＹｉがＨレベルとなっている期間において
、ｉ行ｊ列の画素容量１３０には、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるＶco
mとＶmaxとの差電圧が、画素電極２３１を高位側として書き込まれ、ｉ行（ｊ＋１）列の
画素容量１３０には、（ｊ＋１）列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるＶcomと
Ｖcとの差電圧が、画素電極２３１を低位側として書き込まれる。
次に、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなると、当該１水平走査期間（１Ｈ）におい
て、極性指示信号Ｐolが反転するので、奇数列のスイッチ２６０はＶcに保たれ、偶数列
のスイッチ２６０はＶmaxに保たれる。このため、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとな
っている期間において、（ｉ＋１）行ｊ列の画素容量１３０には、ｊ列目のスイッチ２６
０がオフした瞬間におけるＶcomとＶcとの差電圧が、画素電極２３１を低位側として書き
込まれ、（ｉ＋１）行（ｊ＋１）列の画素容量１３０には、（ｊ＋１）列目のスイッチ２
６０がオフした瞬間におけるＶcomとＶmaxとの差電圧が、画素電極２３１を高位側として
書き込まれる。
【００４０】
したがって、この構成では、行方向のみならず、列方向においても隣接する画素１２０
の書込極性同士が互いに反転した関係（いわゆるドット反転）となる。このため、図１０
（および図１１）に示される構成によれば、上記表示ムラを低減しつつ、ランプ信号Ｖco
mの電圧幅が半減することによる低消費電力化および構成の簡易化という効果とともに、
さらには、フリッカーを抑えることも可能となる。
【００４１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１２は、第２実施形態に係る電気光
学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される構成が、図１に示した構成と相違する点は、おもに、コモン電極１１
０が第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２に分けられている点と、第２に、
ランプ信号生成回路４５０が、第１コモン電極１１１にランプ信号Ｖcom1を供給し、第２
コモン電極１１２にランプ信号Ｖcom2を供給する点にある。
【００４２】
詳細には、表示領域１００において、第１コモン電極１１１は、ある奇数ｉ行であって
奇数列の画素と、当該ｉ行よりも１行上の偶数（ｉ−１）行であって偶数列の画素とにお
いて対向するようにジグザグ状に形成される一方、第２コモン電極１１２は、ある偶数（
ｉ＋１）行であって奇数列の画素と、当該（ｉ＋１）行よりも１行上の奇数ｉ行であって
偶数列の画素とにおいて対向するようにジグザグ状に形成されている。
ただし、最初の１行目であって奇数列の画素に対応する第１コモン電極１１１は、それ
よりも１行上に画素が存在しないので、１行目の画素のみに対応し、同様に、最終の３２
０行目であって偶数列の画素に対応する第２コモン電極１１２は、それよりも１行下に画
素が存在しないので、３２０行目の画素のみに対応する。
表示領域１００の外において、第１コモン電極１１１が共通接続されてランプ信号Ｖco
m1が供給される一方、第２コモン電極１１２が共通接続されてランプ信号Ｖcom2が供給さ
れている。
【００４３】
第２実施形態では、第１コモン電極１１１は、奇数行奇数列の画素と偶数行偶数列の画
素とに対向し、第２コモン電極１１２は、偶数行奇数列の画素と奇数行偶数列の画素とに
対向するので、画素１２０を区別するために、第１コモン電極１１１と対応するものを第
１画素１２１とし、第２コモン電極１１２と対応するものを第２画素１２２としている。
したがって、図１１に示されるように、第１画素１２１および第２画素１２２は、行お
よび列方向において交互に配置している。
【００４４】
図１３（ａ）は、第２実施形態における画素の構成を示す平面図であり、図１３（ｂ）
は、画素の電気的な構成を示す図である。なお、便宜的に、ｉ、ｊを奇数とし、（ｉ＋１
）、（ｊ＋１）を偶数としている。
図２（ａ）に示される構成と比較すると、第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１
２は、それぞれ走査線３１１と交差する部分を有するので、走査線３１１とは、異なる導
電層をパターニングして形成する必要がある。なお、図１３（ａ）に示される構成は、先
に、同一導電層のパターニングにより、第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２を
形成し、この後、絶縁層（図示省略）を介して、第１金属層のパターニングより走査線３
１１を形成した場合を示しているが、先に走査線３１１をパターニングした構成としても
良いのはもちろんである。
【００４５】
また、第２実施形態において、極性指示信号Ｐolは、Ｈレベルであれば、奇数行奇数列
および偶数行偶数列の第１画素１２１に対して正極性書込を指定し、偶数行奇数列および
奇数行偶数列の第２画素１２２に対して負極性書込を指定する一方、Ｌレベルであれば、
奇数行奇数列および偶数行偶数列の第１画素１２１に対して負極性書込を指定し、偶数行
奇数列および奇数行偶数列の第２画素１２２に対して正極性書込を指定するものであり、
図１４に示されるように１垂直走査期間（１Ｆ）毎に論理レベルが反転する。
ランプ信号生成回路４５０は、図１４に示されるように、極性指示信号ＰolがＨレベル
であれば、１水平走査期間（１Ｈ）にわたってランプ信号Ｖcom1の電圧をＶcからＶminま
で直線的に低下させる一方、反対に、極性指示信号ＰolがＬレベルであれば、１水平走査
期間（１Ｈ）にわたってランプ信号Ｖcom1の電圧をＶcからＶmaxまで直線的に上昇させる
。さらに、ランプ信号生成回路４５０は、ランプ信号Ｖcom1を、Ｖcを基準に反転させて
ランプ信号Ｖcom2として出力する。
なお、第２実施形態において、走査線駆動回路３５０およびデータ側制御回路２５０に
ついての動作自体は第１実施形態と同様であり、それぞれ図３および図４に示した波形と
同じものを出力する。
【００４６】
この第２実施形態では、図１５に示されるように、極性指示信号ＰolがＨレベルである
場合に、走査信号ＹｉがＨレベルとなっている１水平走査期間（１Ｈ）において、ｉ行ｊ
列の画素容量１３０には、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるランプ信号Ｖ
com1とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を高位側として書き込まれ、ｉ行（ｊ＋１）列
の画素容量１３０には、（ｊ＋１）列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるランプ
信号Ｖcom2とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を低位側として書き込まれる。
次の（ｉ＋１）行目では、第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２の対応関係が
逆転する。このため、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなると、当該１水平走査期間（
１Ｈ）においては、（ｉ＋１）行ｊ列の画素容量１３０には、ｊ列目のスイッチ２６０が
オフした瞬間におけるランプ信号Ｖcom2とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を低位側と
して書き込まれ、（ｉ＋１）行（ｊ＋１）列の画素容量１３０には、（ｊ＋１）列目のス
イッチ２６０がオフした瞬間におけるランプ信号の電圧Ｖcom1とＶcとの差電圧が、画素
電極２３１を低位側として書き込まれる。
【００４７】
したがって、この構成によれば、行方向のみならず、列方向においても隣接する第１画
素１２１、第２画素１２２の書込極性が互いに反転した関係（いわゆるドット反転）とな
る。しかもこの構成では、図１０に示した構成と比較して、列毎にスイッチ２６０、２７
０が不要となるので、データ側制御回路２５０の出力段付近の構成を簡易化した上で、フ
リッカーを抑えることが可能となる。
【００４８】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１６は、第３実施形態に係る電気光
学装置の構成を示すブロック図である。また、図１７（ａ）は、第３実施形態における画
素の構成を示す平面図であり、図１７（ｂ）は、画素の電気的な構成を示す図である。
この図に示される構成が、図１に示した第１実施形態と相違する点は、画素１２０が、
第１画素容量１３１と第２画素容量１３２との２つを有する点にある。すなわち、図１７
（ａ）または図１７（ｂ）に示されるように、第１画素容量１３１は、第１コモン電極１
１１と絶縁層（図示省略）を介して積層された画素電極２３１とからなり、第２画素容量
１３２は、第２コモン電極１１２と絶縁層を介して積層された画素電極２３１とからなる
。このため、表示領域１００においては、各画素１２０に対し、第１コモン電極１１１お
よび第２コモン電極１１２が配設されている。
なお、ランプ信号生成回路４５０が、第１コモン電極１１１にランプ信号Ｖcom1を供給
し、第２コモン電極１１２にランプ信号Ｖcom2を供給する点については、第２実施形態と
同様である。ただし、第３実施形態におけるランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2の電圧波形は、次
のように第２実施形態とは異なる。
【００４９】
すなわち、ランプ信号生成回路４５０は、図１８に示されるように、極性指示信号Ｐol
がＨレベルとなる１水平走査期間（１Ｈ）では、ランプ信号Ｖcom1の電圧をＶcからＶmin
まで直線的に低下させ、ランプ信号Ｖcom2の電圧をＶmaxからＶcまで直線的に低下させる
一方、反対に、極性指示信号ＰolがＬレベルとなる１水平走査期間（１Ｈ）では、ランプ
信号Ｖcom1の電圧をＶcからＶmaxまで直線的に上昇させ、ランプ信号Ｖcom2の電圧をＶmi
nからＶcまで直線的に上昇させる。したがって、ランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2は、電圧Ｖc
を基準に対称ではなく、両者の電位差が常に一定となる。
なお、第３実施形態において、走査線駆動回路３５０およびデータ側制御回路２５０に
ついての動作自体は第１実施形態と同様であり、それぞれ図３および図４に示した波形と
同じものを出力する。
【００５０】
ここで、図２０は、表示領域１００を、Ｙ方向に沿って、第１画素容量１３１および第
２画素容量１３２を含むように破断した場合の部分断面図である。
この図に示されるように、表示領域１００では、素子基板２０１と対向基板３０１とに
よって垂直配向型の液晶１０５を挟持した構成となっている。
【００５１】
素子基板２０１の対向面には、透明性を有する第１コモン電極１１１が設けられるとと
もに、反射性を有する第２コモン電極１１２が樹脂層２４６を介して設けられる。さらに
、画素電極２３１が、第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２に対し、絶縁層
２５１を介して積層されている。ここで、第２画素容量１３２における液晶層の厚み（セ
ルギャップ）は、第１画素容量１３１の約半分となっている。換言すれば、第１画素容量
１３１のセルギャップは、第２画素容量１３２のセルギャップの約２倍となっている。
【００５２】
素子基板２０１における背面側（透過光の入射側）には偏光子２９１が設けられ、同様
に、対向基板３０１における背面側（観察側）には偏光子３９１が設けられる。
なお、図２０では、偏光子２９１と素子基板２０１とは離間しているが、実際には、偏
光子２９１は、素子基板２０１に貼付される。同様に、偏光子３９１と対向基板３０１と
は離間しているが、実際には、偏光子３９１は、対向基板３０１に貼付される。
また、素子基板２０１の対向面には、画素電極２３１を覆うように、また、対向基板３
０１の側では、対向面を覆うように、それぞれ配向膜が設けられているが、図示省略され
ている。
なお、図２０は、電圧が印加されていない状態の偏光状態を示している。
【００５３】
ここで例えば、素子基板２０１側の初期配向方向が図２０において紙面鉛直方向（Ｘ方
向）となるように、素子基板２０１側の配向膜がラビング処理されるとともに、偏光子２
９１の透過軸が同Ｘ方向に設定される一方、対向基板３０１側の初期配向方向が紙面鉛直
方向（Ｘ方向）となるように、素子基板２０１側の配向膜がラビング処理されるとともに
、偏光子３９１の透過軸が紙面横方向（Ｙ方向）に設定される。
【００５４】
この設定により、第１画素容量１３１において、電圧無印加状態では、素子基板２０１
の側から入射した自然光は、偏光子２９１によってＸ方向の偏光成分のみが透過する。こ
の透過光は、複屈折効果を受けないので、偏光子３９１を通過することができない。一方
、第１画素容量１３１において保持される電圧が高まるにつれて、液晶分子の長軸方向が
電界方向（図２０においてＹ方向）と直交する方向に平面回転するので、素子基板２０１
の背面側からの入射光は、液晶分子の回転角に応じた量だけ、偏光子３９１を透過する。
すなわち、第１画素容量１３１は、保持電圧がゼロでは透過光量が最も少なく、保持電圧
が高くなるにつれて、透過光量が多くなって明るくなる（ノーマリーブラックモード）。
【００５５】
一方、第２画素容量１３２では、対向基板３０１の側から入射した自然光は、偏光子３
９１によってＹ方向の偏光成分のみが透過する。ここで、第２画素容量１３２のセルギャ
ップは、第１画素容量１３１のセルギャップの約半分であるので、第２コモン電極１１２
で反射して、再び偏光子３９１に到達した光は、第２画素容量１３２に保持された電圧が
ゼロであれば、その偏光方向が偏光子３９１の透過軸に対して平行なＹ方向であり、偏光
子３９１を透過する。一方、第２画素容量１３２において保持される電圧が高まるにつれ
て、複屈折効果により、偏光子３９１を通過する光量が少なくなる。すなわち、第２画素
容量１３２は、保持電圧がゼロでは反射光量が最も多く、保持電圧が高くなるにつれて、
反射光量が少なくなって暗くなる（ノーマリーホワイトモード）。
【００５６】
このように、第３施形態における画素１２０は、ノーマリーブラックモードであって透
過型の第１画素容量１３１と、ノーマリーホワイトモードであって反射型の第２画素容量
１３２とが併存する構成となっている。
【００５７】
第３実施形態では、図１９に示されるように、極性指示信号ＰolがＨレベルである場合
に、走査信号ＹｉがＨレベルとなっている１水平走査期間（１Ｈ）において、ｉ行ｊ列の
画素１２０のうち、第１画素容量１３１には、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間に
おけるランプ信号Ｖcom1とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を高位側として書き込まれ
る一方、第２画素容量１３２には、ｊ列目のスイッチ２６０がオフした瞬間におけるラン
プ信号Ｖcom2とＶcとの差電圧が、画素電極２３１を低位側として書き込まれる。
【００５８】
第１画素容量１３１は、ノーマリーブラックモードであるので、保持されるランプ信号
Ｖcom1とＶcとの差電圧は、当該第１画素容量１３１での透過量を多くさせる成分である
。一方、第２画素容量１３２は、ノーマリーホワイトモードであるので、保持されるラン
プ信号Ｖcom2とＶcとの差電圧は、当該第２画素容量１３２での反射量を少なくさせる成
分である。
ここで、ランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2は、その電圧差が常に一定となるように変化するの
で、第１画素容量１３１で保持される差電圧と、第２画素容量１３２で保持される差電圧
とは、いわゆるトレードオフの関係、すなわち、一方が大きくなると他方が小さくなり、
一方が小さくなると他方が大きくなる関係にある。
このため、第３実施形態では、スイッチ２６０がオフした瞬間に、第１画素容量１３１
および第２画素容量１３２でそれぞれ差電圧が保持されたとき、当該第１画素容量１３１
および第２画素容量１３２とは、互いに透過率・反射率がほぼ同じとなる、すなわち互い
にほぼ同じ階調となる。
なお、極性指示信号ＰolがＨレベルである場合、第１画素容量１３１では画素電極２３
１側が高位となり、第２画素容量１３２では画素電極２３１側が低位となる書き込みとな
るが、極性指示信号ＰolがＬレベルである場合、第１画素容量１３１では画素電極２３１
側が低位となり、第２画素容量１３２では画素電極２３１側が高位となる書き込みになる
。
【００５９】
第３実施形態によれば、ランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2は、両者の電位差が一定となるよう
に電圧が変化するので、第１コモン電極１１１および第２コモン電極１１２同士において
容量が寄生しても、両電極が電圧変化に伴って当該寄生容量で電力が消費されることはな
い。
さらに、第３実施形態によれば、１つの画素１２０において透過型と反射型とが併存す
るので、暗所では透過型によって、明所では反射型によって、それぞれ良好な視認性を有
する画像表示が可能となる。
【００６０】
なお、第３実施形態では、データ側制御回路２５０が、奇数列および偶数列において区
別することなく、同じようにスイッチ制御信号を生成したが、図１１に示したように例え
ば偶数列のスイッチ制御信号については、１水平走査期間の終了端から時間的に手前側に
階調値に応じた期間だけＬレベルとしても良い。このように奇数列と偶数列とで区別する
と、後述するようにコモン電極の関係を入れ替えなくても、奇数行および列方向に隣接す
る画素１２０において、第１画素容量１３１および第２画素容量１３２の書込極性を反転
した関係として、フリッカーを抑えることが可能となる。
【００６１】
さらに、第３実施形態によれば、第１画素容量１３１をノーマリーブラックモードの透
過型とし、第２画素容量１３２をノーマリーホワイトモードの反射型としているので、素
子基板２０１と偏光子２９１との間、および、対向基板３０１と偏光子３９１との間にそ
れぞれ１／４波長板を介挿しなくても良い。
すなわち、透過型と反射型とを併存した構成において、透過型および反射型の画素容量
を、ノーマリーブラックモードまたはノーマリーホワイトモードのいずれか一方で統一す
る構成では、図２７に示されるように、素子基板２０１と偏光子２９１との間に、当該偏
光子２９１を通過した直線偏光を円偏光に変換する１／４波長板２９３を介挿し、さらに
、対向基板３０１と偏光子３９１との間に、当該偏光子３９１を通過した直線偏光を円偏
光に変換する一方、第２コモン電極１１２で反射して液晶１０５を通過した円偏光を直線
偏光に変換する１／４波長板３９３を介挿する必要があるが、本実施形態では、１／４波
長板２９３、３９３が不要となり、その分、構成の簡易化を図ることができる。
【００６２】
なお、上述した第３実施形態では、第１画素容量１３１を透過型とし、第２画素容量１
３２を反射型としたが、これを入れ替えて、第１画素容量１３１を反射型とし、第２画素
容量１３２を透過型としても良い。同様に、第１画素容量１３１をノーマリーブラックモ
ードとし、第２画素容量１３２をノーマリーホワイトモードとしたが、これを入れ替えて
、第１画素容量１３１をノーマリーホワイトモードとし、第２画素容量１３２をノーマリ
ーブラックモードとしても良い。
また、データ側制御回路２５０が、図１１に示したよう奇数列と偶数列とに対して異な
るスイッチ制御信号を出力して、列方向に隣接する画素１２０において、第１画素容量１
３１および第２画素容量１３２の書込極性を反転した関係としても良い。
【００６３】
ところで、第３実施形態においては、一行分の画素１２０では、第１画素容量１３１が
第１コモン電極１１１に対応し、第２画素容量１３２が第２コモン電極１１２に対応する
構成としたが、図２１および図２２に示されるように、１列毎に、対応するコモン電極の
関係を交互に入れ替える構成としても良い。
すなわち、これらの図に示されるように、例えばｉ行ｊ列の画素１２０において、第１
画素容量１３１が第１コモン電極１１１に対応し、第２画素容量１３２が第２コモン電極
１１２に対応する構成であるならば、同一のｉ行であって列方向に隣接するｉ行（ｊ＋１
）列の画素１２０については、第１画素容量１３１が第２コモン電極１１２に対応し、第
２画素容量１３２が第１コモン電極１１１に対応する構成となり、また、同一列であって
行方向に隣接する（ｉ＋１）行ｊ列の画素１２０についても、第１画素容量１３１が第２
コモン電極１１２に対応し、第２画素容量１３２が第１コモン電極１１１に対応する構成
となる。
なお、第１画素容量１３１がノーマリーブラックモードの透過型とし、第２画素容量１
３２がノーマリーホワイトモードの反射型である点については、第３実施形態と共通であ
る。
【００６４】
このように１列毎に、対応するコモン電極の関係を入れ替えた構成において、図１８に
示されるようなランプ信号Ｖcom1、Ｖcom2をそれぞれ第１コモン電極１１１、第２コモン
電極１１２に供給するとともに、図１９に示されるようなスイッチ制御信号を出力させる
と、行および列方向に隣接する画素１２０において、第１画素容量１３１および第２画素
容量１３２の書込極性が反転した関係となる。例えばｉ行ｊ列の画素１２０において、第
１画素容量１３１が正極性書込であり、第２画素容量１３２が負極性書込であるとすると
、行方向に隣接する（ｉ＋１）行ｊ列の画素、および、列方向に隣接するｉ行（ｊ＋１）
列の画素では、第１画素容量１３１が負極性書込となり、第２画素容量１３２が正極性書
込となる。このため、第３実施形態において、さらにフリッカーの発生を抑えることも可
能となる。
なお、フリッカーの発生を抑えることが可能である、ということは、換言すれば、垂直
走査（フレーム）周波数を高く設定しないで済む、ということになるので、低消費電力化
を図ることも可能となる。
【００６５】
＜第４実施形態＞
上述した第１実施形態ではコモン電極１１０にランプ信号Ｖcomを、第２および第３実
施形態では第１コモン電極１１１、第２コモン電極１１２に、それぞれランプ信号Ｖcom1
、Ｖcom2を常時供給する構成とした。
各列のデータ線は、１水平走査期間の開始時から階調値に応じた期間だけ一定の電圧に
保たれるが、コモン電極に供給されるランプ信号の電圧は常に時間的に変化するので、コ
モン電極とデータ線２１１とに寄生する容量によって電力が無駄に消費されてしまう。
そこで、この寄生容量で消費される点を改善した第４実施形態について説明する。
【００６６】
図２３は、本発明の第４実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される構成が、図１に示した第１実施形態と相違する点は、各行で共通であっ
たコモン電極１１０が行毎に独立している点と、各行において、走査線３１１に選択電圧
Ｖddが印加されたときだけオンして、対応する行のコモン電極１１０にランプ信号Ｖcom
を供給するＴＦＴ３６０がコモン側スイッチとして設けられている点とにある。
詳細には、この例では、ｎチャネル型のＴＦＴ３６０が走査線３１１と一対一に対応し
て設けられるとともに、そのゲートが対応する走査線３１１に接続され、そのドレインが
対応する行のコモン電極１１０に接続され、そのソースは、ランプ信号Ｖcomが供給され
るランプ信号生成回路４５０の出力端に共通接続されている。
【００６７】
この構成によれば、ある１行の走査線３１１に選択電圧Ｖddが印加されると、当該走査
線に対応するＴＦＴ３６０もオンになるので、書き込みが実行される行のコモン電極１１
０についてのみランプ信号Ｖcomが印加される一方、非選択の走査線３１１に対応するＴ
ＦＴ３６０はオフ状態となるので、書き込みが実行されない行のコモン電極１１０は、ハ
イ・インピーダンス状態となる。
ハイ・インピーダンス状態のコモン電極１１０では、データ線２１１が電圧変化しても
寄生容量によって同一方向に同量だけ電圧変化するので、第４実施形態によれば、コモン
電極１１０とデータ線２１１との寄生容量によって電力が無駄に消費されてしまうことを
防止することが可能となる。
なお、非選択時においては、ＴＦＴ２４１もオフであるので、画素電極２３１の電位も
コモン電極１１０の電位変化に伴って同様に変化する。このため、保持された差電圧が変
動してしまうことはない。
【００６８】
また、走査線３１１が、ＴＦＴ２４１をオンさせるＨレベルからオフさせるＬレベルに
変化するとき、当該ＴＦＴ２４１のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オフする
瞬間にドレイン（画素電極２３１）の電位が変化する現象（プッシュダウン、突き抜け、
フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する場合がある。
液晶の劣化を防止するため、画素容量では交流駆動が原則であるので、高位側（正極性
）と低位側（負極性）とで交互書き込みをするが、プッシュダウンによる電圧変化は、負
極性書込の方が正極性書込よりも大きい。
しかしながら、第４実施形態では、コモン電極１１０を、ＴＦＴ２４１と同じ型のＴＦ
Ｔ３６０によって同時にオン／オフさせるので、ＴＦＴ２４１がオフしたときに現れる画
素電極２３１の電圧変化と同時に同一方向に同量だけ、コモン電極１１０の電位が変化す
る。このため、ＴＦＴ２４１がオフする瞬間における画素電極２３１の電位変動による影
響は、ＴＦＴ３６０がオフする瞬間におけるコモン電極１１０の電位変動によって相殺さ
れるので、画素容量１３０に直流成分が印加されるのを防止することが可能となる。
【００６９】
図２３は、第１実施形態（図１参照）に対し、非選択の走査線３１１に対応するコモン
電極１１０をハイ・インピーダンス状態とするための構成であるが、第２実施形態（図１
２参照）においても、非選択の走査線３１１に対応する第１コモン電極１１１および第２
コモン電極１１２をハイ・インピーダンス状態とする構成としても良い。
【００７０】
この構成例を図２４に示す。この図に示されるように、各行の走査線３１１に対応して
、ＯＲ回路３７０が設けられる。
第２実施形態において、奇数ｉ行目に対応する第１コモン電極１１１は、１行前の偶数
（ｉ−１）行目にも対応する。このため、奇数ｉ行目に対応するＯＲ回路３７０は、走査
信号Ｙｉと１行前の走査信号Ｙ（ｉ−１）との論理和信号を求めて、奇数ｉ行目に対応す
るＴＦＴ３６０のゲートに供給する。
また、偶数（ｉ＋１）行目に対応する第２コモン電極１１２は、１行前の奇数ｉ行目に
も対応する。このため、偶数（ｉ＋１）行目に対応するＯＲ回路３７０は、走査信号Ｙ（
ｉ＋１）と１行前の走査信号Ｙｉとの論理和信号を求めて、偶数（ｉ＋１）行目に対応す
るＴＦＴ３６０のゲートに供給する。
ただし、最初の１行目の前には走査線が存在しないので、１行目のＴＦＴ３６０のゲー
トには、走査信号Ｙ１だけが供給される。また、最終の３２０行目の後にも走査線が存在
しないので、３２０行偶数列の画素に対応する第１コモン電極１１１をオンオフさせるＴ
ＦＴ３６０のゲートには、走査信号Ｙ３２０だけが供給される。
【００７１】
図２４に示した構成によっても、コモン電極１１０とデータ線２１１との寄生容量によ
って電力が無駄に消費されてしまうことを防止することが可能となるだけでなく、ＴＦＴ
２４１にプッシュダウンが発生しても、その影響をキャンセルすることができる。
【００７２】
また、第３実施形態（図１６参照）においても、非選択の走査線３１１に対応する第１
コモン電極１１１および第２コモン電極１１２をハイ・インピーダンス状態とするために
、図２５に示されるような構成としても良い。
第３実施形態では、各行の走査線３１１に対応して、第１コモン電極１１１および第２
コモン電極１１２が設けられるので、各行においては、対応する走査信号がＨレベルとな
ったときにオンして、第１コモン電極１１１にランプ信号Ｖcom1を供給するＴＦＴ３６１
と、対応する走査信号がＨレベルとなったときにオンして、第２コモン電極１１２にラン
プ信号Ｖcom2を供給するＴＦＴ３６２とを有する。
【００７３】
なお、図２１および図２２に示されるように第１コモン電極１１１および第２コモン電
極１１２を形成した構成においても、特に図示はしないが、ある行の走査線３１１に選択
電圧が印加されたときに、当該選択走査線に対応する第１コモン電極１１１および第２コ
モン電極１１２がオンするように、図２４に示したようなＯＲ回路３７０を設けて、その
論理和信号を当該行に対応するＴＦＴ３６１、３６２のゲートに供給しても良い。
なお、図２３、図２４および図２５に示される構成では、走査線に対応するコモン電極
（第１コモン電極、第２コモン電極）は、対応する走査線が選択された場合だけオンさせ
る構成としたが、非選択の期間であっても、ノイズ等による電位変動を抑えるべく、一定
の間隔でオンさせても良い。
【００７４】
上述した第１乃至第４実施形態において、ランプ信号Ｖcom、Ｖcom1、Ｖcom2の電圧は
、１行の走査線３１１に選択電圧が印加される１水平走査期間（１Ｈ）において、直線的
に下降または上昇する構成であったが、これに限らず、例えばステップ（階段）状や、弓
状、指数または対数関数的に、下降または上昇するような特性であっても良い。要は、ラ
ンプ信号の電圧変化特性については、液晶の電圧−透過（反射）率に合わせて、１行の走
査線３１１に選択電圧が印加される１水平走査期間の少なくとも一部の期間にわたって電
圧の減少率または増加率が０以上となるような特性であれば良い。１水平走査期間の残り
の他の期間、例えば１水平走査期間の開始前後の一方または両方の短い期間は、ランプ信
号を安定させる等の目的で所定の一定電圧にしても良い。
【００７５】
また、各実施形態では、コモン電極の上に絶縁層を介して画素電極２３１を積層する構
成としたが、コモン電極についても、画素電極２３１と対向するような櫛歯形状としても
良い。
また、上述した実施形態では、同一画素についての書込極性の変更周期を１垂直走査期
間（１フレーム）としたが、その理由は、画素容量に対して直流成分の印加を防止するた
めなので、その反転については２以上のフレーム周期としても良い。
また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行
うとしても良い。
第１、第２実施形態において、表示領域１００は透過型に限られず、反射型や、両者の
中間的な半透過半反射型であっても良い。
【００７６】
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図２６は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す斜視部である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００以外の構成要素については電話器に内
蔵されるので、外観としては現れない。
【００７７】
電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図２６に示される携帯電話の他にも
、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（または
モニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓
、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備
えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述し
た電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。そして、いずれの電子機器
においても、無駄な電力消費を抑えるとともに、表示ムラを抑えた品位の高い表示が実現
されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における走査信号、ランプ信号を示す図である。
【図４】同電気光学装置におけるスイッチ制御信号等を示す図である。
【図５】同電気光学装置におけるランプ信号の変形例を示す図である。
【図６】同変形例のスイッチ制御信号等を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る電気光学装置の別構成（その１）を示す図である。
【図８】同別構成におけるランプ信号を示す図である。
【図９】同別構成におけるスイッチ制御信号等を示す図である。
【図１０】第１実施形態に係る電気光学装置の別構成（その２）を示す図である。
【図１１】同別構成におけるスイッチ制御信号等を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１３】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図１４】同電気光学装置におけるランプ信号を示す図である。
【図１５】同電気光学装置におけるスイッチ制御信号等を示す図である。
【図１６】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１７】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図１８】同電気光学装置におけるランプ信号を示す図である。
【図１９】同電気光学装置におけるスイッチ制御信号等を示す図である。
【図２０】同電気光学装置における光路を示す図である。
【図２１】第３実施形態に係る画素の別構成（その１）を示す図である。
【図２２】同別構成における画素の配置を示す図である。
【図２３】本発明の第４実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２４】第４実施形態に係る電気光学装置の別構成（その１）を示す図である。
【図２５】第４実施形態に係る電気光学装置の別構成（その２）を示す図である。
【図２６】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。
【図２７】比較例に係る画素の光路を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０…電気光学装置、１００…表示領域、１１０…コモン電極、１１１…第１コモン電
極、１１２…第２コモン電極、１２０…画素、１２１…第１画素、１２２…第２画素、１
３０…画素容量、１３１…第１画素容量、１３２…第２画素容量、２１１…データ線、２
３１…画素電極、２４１…ＴＦＴ、２５０…データ側制御回路、２６０、２７０…スイッ
チ、２８１…第１電位線、２８２…第２電位線、３１１…走査線、３５０…走査線駆動回
路、３６０、３６１、３６２…ＴＦＴ、４００…走査制御回路、４５０…ランプ信号生成
回路、１２００…携帯電話
【図１】
2007047348.tif 000003
【図２】
2007047348.tif 000004
【図３】
2007047348.tif 000005
【図４】
2007047348.tif 000006
【図５】
2007047348.tif 000007
【図６】
2007047348.tif 000008
【図７】
2007047348.tif 000009
【図８】
2007047348.tif 000010
【図９】
2007047348.tif 000011
【図１０】
2007047348.tif 000012
【図１１】
2007047348.tif 000013
【図１２】
2007047348.tif 000014
【図１３】
2007047348.tif 000015
【図１４】
2007047348.tif 000016
【図１５】
2007047348.tif 000017
【図１６】
2007047348.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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