(57)【要約】【課題】ゲートブレーク性に優れ、ボイドの発生の防止、かつマルチアレイ化に適した半導体搭載用基板と半導体装置および製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第１の個片群と第２の個片群とにおける個片部２、５の配列間隔を半個ずらして互いに千鳥の関係になるように個片部２、５を配列し、前記第１の個片群における個片部間に前記第２の個片群と前記連結部を連結するタイバー６を配置し、前記第２の個片群における個片部間に前記第１の個片群と前記連結部を連結するタイバー３を配置した半導体搭載用基板において、各個片部２、５の半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、チップ１１を封止する樹脂封止部１３を五角形の外形に形成してなり、第１の頂点を樹脂注入口１４とし、第１の頂点に対向する第１の辺にエアベントを形成した。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の個片部を等間隔で直線状に配列してなる第１の個片群と、前記第１の個片群と平行に複数の個片部を等間隔で直線状に配列してなる第２の個片群と、前記第１の個片群と前記第２の個片群の外周に配置する連結部からなり、各個片部に半導体搭載領域と内部端子と外部端子を有するものであって、
前記第１の個片群と前記第２の個片群とにおける個片部の配列間隔を半個ずらして互いに千鳥の関係になるように個片部を配列し、前記第１の個片群における個片部間に前記第２の個片群と前記連結部を連結するタイバーを配置し、前記第２の個片群における個片部間に前記第１の個片群と前記連結部を連結するタイバーを配置したことを特徴とする半導体搭載用基板。
【請求項２】
前記タイバーに前記連結部から前記個片群の各個片部にまで到達するメッキ領域を配置したことを特徴とする請求項１に記載の半導体搭載用基板。
【請求項３】
前記メッキ領域が経路途中で屈曲せずに直線的に各個片部にまで到達することを特徴とする請求項２に記載の半導体搭載用基板。
【請求項４】
前記第１の個片群における個片部と前記第２の個片群におけるタイバーとの間、および前記第１の個片群におけるタイバーと第２の個片群における個片部との間が開口部により分離されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体搭載用基板。
【請求項５】
前記個片部の外周辺が基板外周辺に対して平行であることを特徴とする請求項１に記載の半導体搭載用基板。
【請求項６】
前記個片部の外周辺が基板外周辺に対して４５度傾いていることを特徴とする請求項１に記載の半導体搭載用基板。
【請求項７】
前記第１の個片群と前記第２の個片群の外周に配置する前記連結部より内側に位置決めピン穴を配置したこと特徴とする請求項６に記載の半導体搭載用基板。
【請求項８】
個片部がリードフレームとして形成されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体搭載用基板。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体搭載用基板の個片部の外周辺を基板外周辺に対して平行に形成し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部の外周辺の各辺が対応する個片部の外周辺の各辺に対して４５度傾いていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体搭載用基板の個片部の外周辺を基板外周辺に対して４５度傾けて形成し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部の外周辺の各辺が対応する個片部の外周辺の各辺に対して平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体搭載用基板の個片部の外周辺を基板外周辺に対して平行に形成し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部が正八角形状の外形をなし、前記樹脂封止部の外周辺の辺とこれに対応する個片部の外周辺の辺とが平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体搭載用基板の個片部の外周辺を基板外周辺に対して４５度傾けて形成し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部が正八角形状の外形をなし、前記樹脂封止部の外周辺の辺とこれに対応する個片部の外周辺の辺とが平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体搭載用基板の各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部が五角形状の外形をなして第１の頂部がタイバーの軸線上に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
前記樹脂封止部は、前記第１の頂部に樹脂注入口を有し、前記第１の頂部に対向して基板外周辺と平行をなす第１の辺にエアベントを形成してなることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記樹脂封止部は、前記第１の辺と垂直に交差する第２の辺と第３の辺が平行をなすことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の半導体搭載用基板の各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部が樹脂注入口を有する流入調整領域と前記半導体素子を含む充填領域とを溝部を介して区画してなり、前記溝部が基板外周辺と平行をなして前記充填領域の全幅にわたって存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
前記樹脂封止部の前記流入調整領域が三角形状をなしてタイバーの軸線上に位置する第１の頂部に前記樹脂注入口を形成してなり、前記樹脂封止部の前記充填領域が四角形状をなして前記溝部および基板外周辺と平行な第１の辺および第４の辺を有するとともに、第１の辺および第４の辺と垂直に交差する第２の辺と第３の辺が平行をなすことを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記樹脂封止部がエアベントを有するベント領域と前記半導体素子を含む前記充填領域とを第２の溝部を介して区画してなり、第２の溝部が基板外周辺と平行をなして前記充填領域の全幅にわたって存在し、前記ベント領域が三角形状をなしてタイバーの軸線上に位置する第２の頂部に前記エアベントを有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
請求項１に記載の半導体搭載用基板を使用し、前記タイバーに前記連結部から前記個片群の各個片部にまで到達するメッキ領域を配置し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記メッキ領域に対応する直線状のランナーを有した封止金型を用いて前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成し、前記個片部および樹脂封止部からランナーを切り離し、各個片部を基板から切り離すことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２０】
前記封止金型に一対の半導体搭載用基板を双方の第１の個片群を内側にして平行に配置し、双方の半導体搭載用基板の間に設ける複数のポッド・プランジャーを等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成し、前記ポッド・プランジャー群の一対を平行に、かつ双方のポッド・プランジャーの配列間隔を相互に半ピッチずらして千鳥の関係に配置し、
第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部と第２の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部とを直線上に配置し、双方の前記半導体搭載用基板の個片部に形成する前記樹脂封止部へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナーを形成し、
第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第２の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部と第１の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部とを直線上に配置し、双方の前記半導体搭載用基板の個片部に形成する前記樹脂封止部へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナーを形成することを特徴とする請求項１９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２１】
前記封止金型に一対の半導体搭載用基板を双方の第１の個片群を内側にして平行に配置し、双方の半導体搭載用基板の間に設ける複数のポッド・プランジャーを等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成し、前記ポッド・プランジャー群の一対を平行に、かつ双方のポッド・プランジャーの配列間隔を相互に半ピッチずらして千鳥の関係に配置し、
第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部と第２の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部とを直線上に配置するとともに、第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部と第２の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部とを直線上に配置し、
第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーから第１の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部の前記樹脂封止部へ直線状にランナーを形成するとともに、第１の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部の前記樹脂封止部へ屈曲した形状にランナーを形成し、第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーから第２の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部の前記樹脂封止部へ直線状にランナーを形成するとともに、第２の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部の前記樹脂封止部へ屈曲した形状にランナーを形成することを特徴とする請求項１９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２２】
前記封止金型に一対の半導体搭載用基板を双方の第１の個片群を内側にして平行に配置し、双方の半導体搭載用基板の間に設ける複数のポッド・プランジャーを等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成し、
ポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと双方の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部とを直線上に配置するとともに、双方の前記半導体搭載用基板のそれぞれの第２の個片群の各個片部に形成する前記樹脂封止部へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナーを直線状に形成し、双方の前記半導体搭載用基板のそれぞれの第１の個片群の各個片部に形成する前記樹脂封止部に対して同ポッド・プランジャーからランナーを屈曲した形状に、かつ同ポッド・プランジャーを中心として点対称の形状に形成したことを特徴とする請求項１９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体搭載用基板と半導体装置および製造方法に関するものであり、特にＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等の半導体パッケージに用いる基板の構成および半導体装置、ならびに半導体パッケージの製造方法の技術に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージは、多ピン、高密度化が急速に進んでいる。従来、これらのパッケージでは、リードフレーム型のＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等が主流であったが、端子密度がより有利な基板を用いたＢＧＡパッケージが主流になってきている。
【０００３】
このＢＧＡパッケージの製造方法は、一般に複数のパッケージを一つの基板に形成して後に個々のパッケージに分割する方法が主流である。近年ではより生産性を上げるために、基板に複数のパッケージを２列化して形成するマルチアレイ型のものが増えている。
【０００４】
以下に、パッケージを２列化して形成するＢＧＡパッケージ技術について図１３を用いて説明する。図１３（ａ）は従来の基板におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示し、図１３（ｂ）はその分割後のパッケージを示すものであり、後述する封止樹脂部におけるチップおよびワイヤを透過的に表現している。
【０００５】
図１３（ａ）において、１は基板のフレーム部（連結部）、２は基板の第１列の個片部（パッケージ毎の個別に分割する領域）、３は第１列のタイバー、４は第１列のランナー、５は基板の第２列の個片部（パッケージ毎の個別に分離する領域）、６は第２列のタイバー、７は第２列のランナー、８は開口部、９は位置決めピン穴、１１はチップ（半導体素子）、１２はワイヤ、１３は樹脂封止部、１４はゲート口、１５は分岐前のランナーを示しており、図１３（ｂ）において、１０は分割後のＢＧＡパッケージを示している。
【０００６】
図１３（ａ）に示すように、ＢＧＡパッケージは、基板のフレーム部１に連結した状態で各個片部２、５にチップ１１を搭載し、チップ１１をワイヤ１２で基板電極に接続し、両者を封止樹脂で封止して樹脂封止部１３を形成してなる。
【０００７】
樹脂封止部１３は、基板の個片部２、５から外部へ樹脂が漏れ出ることを防ぐために、基板の個片部サイズよりもひと回り小さく形成しており、樹脂封止部１３の各辺は基板の個片部２、５の各辺と平行に形成されている。
【０００８】
各個片部２、５および樹脂封止部１３は行列を組んで規則正しく配列しており、各個片部２、５に隣接するフレーム部１には樹脂封止部１３を形成するための樹脂供給路をなすランナ−４、７、１５を配置している。各個片部２、５の周囲はコーナー部を除いて開口部８で囲んでおり、樹脂封止部１３の一つのコーナーがゲート口１４をなす。
【０００９】
樹脂封止時に樹脂は外部から基板のフレーム部１の外周辺に対して垂直な方向にランナー１５として基板内領域へ進入し、各個片部２、５のコーナー部で４５度の角度で屈折して第１列のランナー４および第２列のランナー７として樹脂封止部１３のゲート口１４へ進入する。そして、ランナー４、７から同時に第１列と第２列の個片部２、５の樹脂封止部１３へ封止樹脂を供給し、ＢＧＡパッケージを生産する。
【００１０】
先行技術文献としては特許文献１および２がある。
【特許文献１】特開昭６０−１３７０４９号公報
【特許文献２】特開昭６２−１５２１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記の構成において、樹脂封止部１３からランナー４、７、１５を離間させるゲートブレーク時には、ランナー１５の軸心に対して直交する軸心廻りのモーメント、もしくはランナー１５の軸心と平行な軸心廻りのモーメントがランナー４、７、１５に作用し、ゲート口１４においてランナー４、７を折り曲げる。
【００１２】
しかしながら、従来のＢＧＡパッケージ及びそのパッケージ用の基板においては、ランナー４、７が個片部２、５の樹脂封止部１３へ進入する角度と、ランナー１５が基板のフレーム部１へ侵入する角度との間に４５度のずれがある。
【００１３】
このため、ゲートブレーク時にランナー４、７にかかる応力がゲート口１４において４５度ずれて斜めに働くことで、ランナー４、７の一部がゲート口１４に残留することや、樹脂封止部１３に欠が生じたり、あるいは樹脂封止部１３の剥離が発生し易いという課題がある。
【００１４】
この課題を解決する方法として、外部から基板のフレーム部１へ進入するランナー１５を途中で屈折させることなく、ランナー４、７として直線的に個片部２、５の中央位置へ進入させるものがある。この場合には、樹脂封止部１３をなす金型のキャビティの内部において樹脂が十分に拡散して流れず、樹脂の流れが中央位置に偏在し易くなる問題がある。このため、樹脂封止部１３のサイズが大きい場合には、ゲート口１４に近い二つのコーナー部にボイド（樹脂未充填）が残り易くなる。
【００１５】
この事象を緩和するためには、樹脂封止部１３へ到達する以前にランナー４、７の流路を拡幅してゲート口１４を広く形成し、樹脂封止部１３をなす金型のキャビティの内部において樹脂が十分に拡散して流れる状態を確保することが必要である。
【００１６】
しかし、ゲートブレーク時におけるランナー４、７の円滑な剥離を確保するためにランナー４、７の下方領域の基板面上にはメッキ部が形成してあり、ゲート口１４を広く形成するためにはメッキ部も広げる必要がある。この結果、基板における配線領域が減るという欠点があり、実用的ではない。
【００１７】
一方、リードフレーム型のパッケージにおいては、例えば特許文献１に開示するものがあり、ダイボンド角度を４５度傾けることで、ワイヤやチップへの流れの抵抗を下げたり、硬化後の応力を低減する方法が提案されている。また、特許文献２では、個片部をランナー方向に対して４５度傾けることで、ランナーの樹脂流れをスムースにする方法が提案されている。
【００１８】
これらの提案は、樹脂流れを考慮すると従来のものよりは有効ではあるが、上述したゲートブレーク性の課題や、樹脂封止部のコーナー部におけるボイド（樹脂未充填）等の課題に対する最適な解決方法ではない。また、基板に個片部を２列化して形成する場合に、従来の配列ではランナーの配置の問題が発生する。
【００１９】
本発明は上記した課題を解決するものであり、最もシンプルな方法によって実現でき、ゲートブレーク性に優れ、ボイドが発生せず、かつマルチアレイ化に適した半導体搭載用基板と半導体装置および製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の目的を達成するために、本発明の半導体搭載用基板は、複数の個片部を等間隔で直線状に配列してなる第１の個片群と、前記第１の個片群と平行に複数の個片部を等間隔で直線状に配列してなる第２の個片群と、前記第１の個片群と前記第２の個片群の外周に配置する連結部からなり、各個片部に半導体搭載領域と内部端子と外部端子を有するものであって、前記第１の個片群と前記第２の個片群とにおける個片部の配列間隔を半個ずらして互いに千鳥の関係になるように個片部を配列し、前記第１の個片群における個片部間に前記第２の個片群と前記連結部を連結するタイバーを配置し、前記第２の個片群における個片部間に前記第１の個片群と前記連結部を連結するタイバーを配置したことを特徴とする。
【００２１】
上記した構成により、個片部に形成する樹脂封止部のゲートに対して直線状にランナーを接続することができるので封止後のゲートブレーク性が向上する。
また、第１の個片群と第２の個片群を千鳥配置とすることにより、タイバースペースや開口部を有効に活用できるので基板の使用効率が向上する。更に、各個片部に分割するための個片化カット部（タイバー）を従来の半分に集約できるので、個片化カット工程の効率が向上する。
【００２２】
また、前記タイバーに前記連結部から前記個片群の各個片部にまで到達するメッキ領域を配置したことを特徴とする。
また、前記メッキ領域が経路途中で屈曲せずに直線的に各個片部にまで到達することを特徴とする。
【００２３】
また、前記第１の個片群における個片部と前記第２の個片群におけるタイバーとの間、および前記第１の個片群におけるタイバーと第２の個片群における個片部との間が開口部により分離されていることを特徴とする。
【００２４】
また、前記個片部の外周辺が基板外周辺に対して平行であることを特徴とする。
また、前記個片部の外周辺が基板外周辺に対して４５度傾いていることを特徴とする。
また、前記第１の個片群と前記第２の個片群の外周に配置する前記連結部より内側に位置決めピン穴を配置したことを特徴とする。
【００２５】
また、個片部がリードフレームとして形成されていることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、上記の半導体搭載用基板の個片部の外周辺を基板外周辺に対して平行に形成し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部の外周辺の各辺が対応する個片部の外周辺の各辺に対して４５度傾いていることを特徴とする。
【００２６】
上記した構成により、樹脂封止部の外周辺の各辺が対応する個片部の外周辺の各辺に対して４５度傾いていることによって、樹脂封止部の頂部に対して直線状にランナーを配置することが可能となり、ゲート口からの樹脂の流れがスムースとなり、ボイドを低減できる。
【００２７】
本発明の半導体装置は、上記の半導体搭載用基板の個片部の外周辺を基板外周辺に対して４５度傾けて形成し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部の外周辺の各辺が対応する個片部の外周辺の各辺に対して平行であることを特徴とする。
【００２８】
上記した構成により、樹脂封止部の頂部に対して直線状にランナーを配置することが可能となり、ゲート口からの樹脂の流れがスムースとなり、ボイドを低減できる。また、個片部の外周辺を基板外周辺に対して４５度傾けて形成し、樹脂封止部の外周辺の各辺がその相対する個片部の外周辺の各辺に対して平行であることで、樹脂封止部のサイズを個片部に対して最大化できる。
【００２９】
本発明の半導体装置は、上記の半導体搭載用基板の個片部の外周辺を基板外周辺に対して平行に形成し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部が正八角形状の外形をなし、前記樹脂封止部の外周辺の辺とこれに対応する個片部の外周辺の辺とが平行であることを特徴とする。
【００３０】
上記した構成により、樹脂封止部を八角形にすることで、各個片部の各辺と基板外周辺との角度に関係なく、樹脂封止部のサイズを個片部に対して最適化できる。
また、上記の半導体搭載用基板の個片部の外周辺を基板外周辺に対して４５度傾けて形成し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部が正八角形状の外形をなし、前記樹脂封止部の外周辺の辺とこれに対応する個片部の外周辺の辺とが平行であることを特徴とする。
【００３１】
本発明の半導体装置は、上記の半導体搭載用基板の各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部が五角形状の外形をなして第１の頂部がタイバーの軸線上に位置することを特徴とする。
【００３２】
上記した構成により、樹脂封止部を五角形とし、五角形の第１の頂部を樹脂注入口とすることで、ゲート口からの樹脂の流れがスムースとなり、また樹脂封止部では五角形の頂部から対向する第１の辺に向かって真直に樹脂が流れるため、樹脂流れ速度が安定し、ワイヤ流れや、ボイドが発生し難くなる。
【００３３】
また、前記樹脂封止部は、前記第１の頂部に樹脂注入口を有し、前記第１の頂部に対向して基板外周辺と平行をなす第１の辺にエアベントを形成してなることを特徴とする。
また、前記樹脂封止部は、前記第１の辺と垂直に交差する第２の辺と第３の辺が平行をなすことを特徴とする。
【００３４】
本発明の半導体装置は、上記の半導体搭載用基板の各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成してなり、前記樹脂封止部が樹脂注入口を有する流入調整領域と前記半導体素子を含む充填領域とを溝部を介して区画してなり、前記溝部が基板外周辺と平行をなして前記充填領域の全幅にわたって存在することを特徴とする。
【００３５】
また、前記樹脂封止部の前記流入調整領域が三角形状をなしてタイバーの軸線上に位置する第１の頂部に前記樹脂注入口を形成してなり、前記樹脂封止部の前記充填領域が四角形状をなして前記溝部および基板外周辺と平行な第１の辺および第４の辺を有するとともに、第１の辺および第４の辺と垂直に交差する第２の辺と第３の辺が平行をなすことを特徴とする。
【００３６】
また、前記樹脂封止部がエアベントを有するベント領域と前記半導体素子を含む前記充填領域とを第２の溝部を介して区画してなり、第２の溝部が基板外周辺と平行をなして前記充填領域の全幅にわたって存在し、前記ベント領域が三角形状をなしてタイバーの軸線上に位置する第２の頂部に前記エアベントを有することを特徴とする。
【００３７】
本発明の半導体パッケージの製造方法は、上記の半導体搭載用基板を使用し、前記タイバーに前記連結部から前記個片群の各個片部にまで到達するメッキ領域を配置し、各個片部の半導体搭載領域に半導体素子を搭載し、前記メッキ領域に対応する直線状のランナーを有した封止金型を用いて前記個片部に前記半導体素子を封止する樹脂封止部を形成し、前記個片部および樹脂封止部からランナーを切り離し、各個片部を基板から切り離すことを特徴とする。
【００３８】
また、前記封止金型に一対の半導体搭載用基板を双方の第１の個片群を内側にして平行に配置し、双方の半導体搭載用基板の間に設ける複数のポッド・プランジャーを等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成し、前記ポッド・プランジャー群の一対を平行に、かつ双方のポッド・プランジャーの配列間隔を相互に半ピッチずらして千鳥の関係に配置し、第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部と第２の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部とを直線上に配置し、双方の前記半導体搭載用基板の個片部に形成する前記樹脂封止部へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナーを形成し、第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第２の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部と第１の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部とを直線上に配置し、双方の前記半導体搭載用基板の個片部に形成する前記樹脂封止部へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナーを形成することを特徴とする。
【００３９】
また、前記封止金型に一対の半導体搭載用基板を双方の第１の個片群を内側にして平行に配置し、双方の半導体搭載用基板の間に設ける複数のポッド・プランジャーを等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成し、前記ポッド・プランジャー群の一対を平行に、かつ双方のポッド・プランジャーの配列間隔を相互に半ピッチずらして千鳥の関係に配置し、第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部と第２の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部とを直線上に配置するとともに、第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部と第２の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部とを直線上に配置し、第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーから第１の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部の前記樹脂封止部へ直線状にランナーを形成するとともに、第１の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部の前記樹脂封止部へ屈曲した形状にランナーを形成し、第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーから第２の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部の前記樹脂封止部へ直線状にランナーを形成するとともに、第２の前記半導体搭載用基板の第１の個片群の各個片部の前記樹脂封止部へ屈曲した形状にランナーを形成することを特徴とする。
【００４０】
また、前記封止金型に一対の半導体搭載用基板を双方の第１の個片群を内側にして平行に配置し、双方の半導体搭載用基板の間に設ける複数のポッド・プランジャーを等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成し、ポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと双方の前記半導体搭載用基板の第２の個片群の各個片部とを直線上に配置するとともに、双方の前記半導体搭載用基板のそれぞれの第２の個片群の各個片部に形成する前記樹脂封止部へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナーを直線状に形成し、双方の前記半導体搭載用基板のそれぞれの第１の個片群の各個片部に形成する前記樹脂封止部に対して同ポッド・プランジャーからランナーを屈曲した形状に、かつ同ポッド・プランジャーを中心として点対称の形状に形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００４１】
以上のように本発明によれば、ゲートブレーク性に優れ、ボイドの発生の防止、かつマルチアレイ化に適したＢＧＡパッケージとその基板を提供することが可能になる。
なお、本発明ではいずれも直線的な構成要素を提示したが、本発明の目的とする効果を得られる範囲内であれば、必ずしも各構成要素は直線的である必要は無く、一部に曲線的な要素を取り入れることで、応力の緩和や樹脂流れの改善を図ることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
本発明は基板型パッケージのみならずリードフレーム型パッケージにおいても有効な機能を発揮しうるが、以下の実施の形態ではその機能を最も示し得る基板型パッケージにおいて説明する。
（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置であるＢＧＡパッケージと、その半導体搭載用基板の構造と、その機能について図面を参照しながら説明する。
【００４３】
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係るＢＧＡパッケージの封止状態を示し、図１（ｂ）は個片化後のＢＧＡパッケージを示している。図２（ａ）から（ｅ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体搭載用基板を用いたＢＧＡパッケージの製造工程を示している。
【００４４】
図１、２において、１は半導体搭載用基板Ｓのフレーム部（連結部）、２は半導体搭載用基板Ｓの第１列の個片部（パッケージ毎の個別に分割する領域）、３は第１列のタイバー、４は第１列のランナー、５は半導体搭載用基板Ｓの第２列の個片部（パッケージ毎の個別に分離する領域）、６は第２列のタイバー、７は第２列のランナー、８は溝、９は位置決めピン穴、１０は分割後のＢＧＡパッケージ、１１はチップ（半導体素子）、１２はワイヤ、１３は樹脂封止部、１４はゲート口（樹脂注入口）を示している。
【００４５】
図１（ａ）に示すように、第１列の個片部２は等間隔で直線状に配列して第１の個片群を形成し、第２列の個片部５は第１の個片群と平行に等間隔で直線状に配列して第２の個片群を形成しており、第１の個片群と第２の個片群とにおける個片部２、５の配列間隔を半ピッチずらして互いに千鳥の関係になるように個片部２、５を配列している。
【００４６】
各個片部２、５は半導体搭載領域と内部端子と外部端子を有し、第１の個片群と第２の個片群の外周に連結部をなす基板のフレーム部１を配置している。
第１の個片群における個片部２の間には、第２の個片群の各個片部５と半導体搭載用基板Ｓのフレーム部１とを連結する第２列のタイバー６を配置しており、第２の個片群における個片部５の間には、第１の個片群の各個片部２と半導体搭載用基板Ｓのフレーム部１とを連結する第１列のタイバー３を配置している。
【００４７】
各タイバー３、６にはフレーム部１から第１および第２の個片群の各個片部２、５にまで到達するメッキ領域（図示省略）を配置しており、メッキ領域は経路の途中で屈曲せずに直線的に各個片部２、５にまで到達する。また、第１の個片群における個片部２と第２の個片群におけるタイバー６との間、および第１の個片群におけるタイバー３と第２の個片群における個片部５との間が開口部８により分離されている。そして、個片部２、５はその外周辺が半導体搭載用基板Ｓのフレーム部１の外周辺に対して平行である。
【００４８】
この半導体搭載用基板Ｓを用いるＢＧＡパッケージは以下の工程で製造する。まず、図１（ｂ）に示すように、チップ１１を第１列の個片部２および第２列の個片部５にそれぞれダイボンドする。
【００４９】
次いで、図１（ｃ）に示すように、ワイヤ１２によってチップ１１と各個片部２、５の電極をそれぞれ接続する。そして、図１（ｄ）に示すように、封止樹脂で樹脂封止部１３を形成する。この樹脂封止部１３の形成は、タイバー３、６のメッキ領域に対応する直線状のランナー経路を有した封止金型を用いて行う。次いで、図１（ｅ）に示すように、ゲートブレイクによりランナー４、７をフレーム部１から除去する。
【００５０】
上述した工程において、本実施の形態の基板において第１列の個片部２と第２列の個片部５は間隔を半ピッチずらして互いに千鳥の関係になるように配列し、第１列の個片部２の間に第２列のタイバー６を配置し、第２列の個片部５の間に第１列のタイバー３を配置し、更に樹脂封止部１３の外周辺の中央にゲート口１４を配置したことにより、タイバー３、６を通る第１列のランナー４および第２列のランナー７が経路の途中で屈折することなしに、直線的に各個片部２、５の樹脂封止部（モールド部）１３の中央に到達できる。
【００５１】
また、ゲートブレイク時に個片部２、５および樹脂封止部１３よりなるパッケージからランナー４、７を切り離す際には、ランナー４、７が樹脂封止部１３に対して直線的に入っているので、ゲートブレイク時に応力がランナー４、７と直交する方向において均等に働く。このため、ランナー４、７の一部がゲート口１４に残留することや、樹脂封止部１３に欠が生じることや、あるいは樹脂封止部１３の剥離が発生することを抑制できる。ゲートブレイク後は、個片部２、５および樹脂封止部１３からなる各パッケージをフレーム部１から切り離し、ＢＧＡパッケージ１０を形成する。
（第２の実施形態）
図３は本発明の第２の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図３において、半導体搭載用基板Ｓは図２に示すものと同様であり、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して平行に形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。
【００５２】
樹脂封止部１３は外周辺の各辺がその対応する個片部２、５の外周辺の各辺に対して４５度傾いており、ゲート口１４は個片部２、５の外周辺の中央に位置するとともに、樹脂封止部１３の一つの頂部に設けている。
【００５３】
この構成により、第１の実施形態と同様にランナー４、７のゲートブレーク性を保ちつつ、樹脂封止時には、封止樹脂を樹脂封止部１３にスムースに注入することができ、樹脂封止部１３のコーナーにボイドが発生し難くなる。
（第３の実施形態）
図４は本発明の第３の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図４において、半導体搭載用基板Ｓは、基本的に図２に示すものと同様であるが、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して４５度傾いて形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。
【００５４】
樹脂封止部１３はその外周辺の各辺がフレーム部１の外周辺に対して４５度傾くとともに、対応する個片部２、５の外周辺の各辺に対して平行であり、ゲート口１４は個片部２、５の一つの角部に位置するとともに、樹脂封止部１３の一つの頂部に設けている。
【００５５】
上記した構成により、第１の実施形態と同様にランナー４、７のゲートブレーク性を保って、かつ封止樹脂を樹脂封止部１３にスムースに注入することができ、さらに個片部２、５のサイズぎりぎりにまで樹脂封止部１３のサイズを大きくすることが可能となる。
【００５６】
また、本実施形態おいて位置決めピン穴９は第１の個片群と第２の個片群の外周に配置するフレーム部１より内側で、第１列、第２列の個片部２、５の間の余剰スペースに配置できるので、フレーム部１の外周部を最小化でき、スペースを有効活用できる。
（第４の実施形態）
図５は本発明の第４の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図５において、半導体搭載用基板Ｓは図２に示すものと同様であり、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して平行に形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。樹脂封止部１３は正八角形の外形をなす。ゲート口１４は個片部２、５の外周辺の中央に位置するとともに、樹脂封止部１３の外周辺の中央に設けている。
【００５７】
上記した構成により、第１の実施形態と同様にランナー４、７のゲートブレーク性を保ちつつ、樹脂封止部１３を八角形にすることで、各個片部２、５の各辺とフレーム部１の外周辺との角度に関係なく、樹脂封止部１３のサイズを個片部２、５に対して最適化することが可能となる。また、この樹脂封止部１３の形状は、個片部２、５の中央から端部までの距離が全外周でほぼ一定になるため、成型圧力が封止部全域に均等にかかり、ボイドが発生し難くなる。
（第５の実施形態）
図６は本発明の第５の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図５において、半導体搭載用基板Ｓは基本的に図２に示すものと同様であるが、個片部２、５の外周辺がフレーム部１の外周辺に対して４５度傾いて形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。
【００５８】
樹脂封止部１３は正八角形の外形をなし、樹脂封止部１３の外周辺のうちの４辺とこれに対応する個片部２、５の外周辺の辺とが平行である。ゲート口１４は個片部２、５の外周辺の中央に位置するとともに、樹脂封止部１３の外周辺の中央に設けている。
【００５９】
上記した構成により、第１の実施形態と同様にランナー４、７のゲートブレーク性を保ちつつ、樹脂封止部１３を八角形にすることで、樹脂封止部１３のサイズを個片部２、５に対して最大化することが可能となる。また、この樹脂封止部１３の形状は、個片部２、５の中央から端部までの距離が全外周でほぼ一定になるため、成型圧力が封止部全域に均等にかかり、ボイドが発生し難くなる。
（第６の実施形態）
図７は本発明の第６の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図７において、半導体搭載用基板Ｓは図２に示すものと同様であり、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して平行に形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。樹脂封止部１３は五角形の外形をなし、第１の頂部に封止樹脂注入時のゲート口１４を配置し、第１の頂部に対向してフレーム部１の外周辺と平行をなす第１の辺にエアベント（図示省略）を形成しており、第２の辺と第３の辺に第１の辺が垂直に交差し、第２の辺と前記第３の辺が平行に配置されている。
【００６０】
上記した構成により、ゲート口１４から注入された封止樹脂は、樹脂封止部１３の内部で経路を狭められることなく、真直ぐにエアベント（図示省略）まで向かうことができる。よって、樹脂の流速が安定し、かつ流速を制御しやすくなる。
【００６１】
これにより、本実施形態では、第１の実施形態と同様にランナー４、７のゲートブレーク性を保ちつつ、ボイド、ワイヤ流れを最小化することが可能となる。また、本実施形態では、ランナー形状はゲート口まで直線状であるので、ゲート口直前でランナーを広げる方法に比べて、ランナーのメッキ領域を広げる必要が無く、個片の配線領域を有効に使うことができる。
（第７の実施形態）
図８は本発明の第７の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図８（ａ）（ｂ）において、半導体搭載用基板Ｓは図２に示すものと同様であり、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して平行に形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。
【００６２】
樹脂封止部１３は、ゲート口（樹脂注入口）１４を有する流入調整領域１３ａとチップ１１を含む充填領域１３ｂとを溝部１３ｃを介して区画してなる。この溝部１３ｃは半導体搭載用基板Ｓのフレーム部１の外周辺と平行をなしており、充填領域１３ｂの全幅にわたって存在する。
【００６３】
流入調整領域１３ａは三角形状をなしてタイバー３、６の軸線上に位置する第１の頂部にゲート口１４を形成している。充填領域１３ｂは四角形状をなしており、第１の頂部に対向するとともに溝部１３ｃに接する第４の辺がフレーム部１の外周辺と平行をなし、第４の辺と平行をなす第１の辺にエアベント（図示省略）を形成している。また、第１の辺および第４の辺と垂直に交差する第２の辺と第３の辺が平行をなす。
【００６４】
上記の構成により、溝部１３ｃに対応する樹脂封止部１３の内部位置において経路が狭まって絞り口１３ｄをなすことで、ゲート口１４から注入された封止樹脂は一旦流入調整領域１３ａに滞留した後に、絞り口１３ｄから充填領域１３ｂへその全幅にわたって分散しつつ均一な流速で充填領域１３ｂに流入し、エアベント（図示省略）に向かう。
【００６５】
これにより、本実施形態では、第１の実施形態と同様にランナー４、７のゲートブレーク性を保ちつつ、充填領域１３ｂにおける樹脂の流速を均一化することでボイドの発生や、ワイヤ流れの発生を最小化することが可能となる。
（第８の実施形態）
図９は本発明の第８の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図９（ａ）（ｂ）において、半導体搭載用基板Ｓは図２に示すものと同様であり、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して平行に形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。
【００６６】
樹脂封止部１３は、ゲート口（樹脂注入口）１４を有する流入調整領域１３ａとチップ１１を含む充填領域１３ｂとを溝部１３ｃを介して区画してなり、充填領域１３ｂとエアベント（図示省略）を有するベント領域１３ｅとを第２の溝部１３ｆを介して区画してなる。
【００６７】
この溝部１３ｃおよび第２の溝部１３ｆは半導体搭載用基板Ｓのフレーム部１の外周辺と平行をなしており、充填領域１３ｂの全幅にわたって存在する。
流入調整領域１３ａおよびベント領域１３ｅは三角形状をなしており、それぞれの第１の頂部がタイバー３、６の軸線上に位置する。そして、流入調整領域１３ａの第１の頂部にゲート口１４を有し、ベント領域１３ｅの第１の頂部にエアベント（図示省略）を有している。
【００６８】
充填領域１３ｂは四角形状をなしており、第１の頂部に対向するとともに溝部１３ｃに接する第４の辺がフレーム部１の外周辺と平行をなし、第２の溝部１３ｆに接する第１の辺が第４の辺と平行をなす。また、第１の辺および第４の辺と垂直に交差する第２の辺と第３の辺が平行をなす。
【００６９】
上記の構成により、溝部１３ｃに対応する樹脂封止部１３の内部位置において経路が狭まって絞り口１３ｄをなすことで、ゲート口１４から注入された封止樹脂は一旦流入調整領域１３ａに滞留した後に、絞り口１３ｄから充填領域１３ｂの全幅にわたって分散しつつ均一な流速で充填領域１３ｂに流入し、ベント領域１３ｅに向かう。充填領域１３ｂのエアは、第２の溝部１３ｆに対応する樹脂封止部１３の内部位置において経路が狭まって第２の絞り口１３ｇをなすことで、第２の絞り口１３ｇから充填領域１３ｂへその全幅にわたって分散しつつ均一な流速でベント領域１３ｅに流出し、エアベント（図示省略）に向かう。
【００７０】
これにより、本実施形態では、第１の実施形態と同様にランナー４、７のゲートブレーク性を保ちつつ、充填領域１３ｂにおける樹脂の流速を均一化することでボイドの発生や、ワイヤ流れの発生を最小化することが可能となる。また、充填領域１３ｂにおいてエアの均一な流出を確保しつつ、最終的に一つのエアベントにおいてエアを排出でき、従来において複数のエアベントを形成するのに要していた費用の削減を図ることができる。
（第９の実施形態）
図１０は本発明の第９の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図１０において、半導体搭載用基板Ｓは図２に示すものと同様であり、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して平行に形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。この樹脂封止部１３は図８において説明したものと同様であり、同符号を付して説明を省略する。
【００７１】
一対の半導体搭載用基板Ｓの間には複数のカル１６を等間隔で半導体搭載用基板Ｓの外周辺に沿って直線状に配列しており、各カル１６から双方の半導体搭載用基板Ｓへランナー４、７が直線状に等しいランナー距離で延びている。カル１６は２列状に配列してあり、カル１６の配列間隔が列間において相互に半ピッチずれている。
【００７２】
このＢＧＡパッケージの製造方法を以下に説明する。封止金型（図示省略）に一対の半導体搭載用基板Ｓを双方の第１列の個片部２を内側にして平行に配置する。封止金型には双方の半導体搭載用基板Ｓの間に設ける複数のポッド・プランジャー（図１０においてはカル１６として示している）を等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成してあり、ポッド・プランジャー群の一対を平行に、かつ双方のポッド・プランジャーの配列間隔を相互に半ピッチずらして千鳥の関係に配置してある。
【００７３】
このとき、第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の半導体搭載用基板Ｓの第２列の各個片部５と第２の半導体搭載用基板Ｓの第１列の各個片部２とが直線上に位置する。この状態で、双方の半導体搭載用基板Ｓの個片部２、５に形成する樹脂封止部１３へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナー４、７が形成される。
【００７４】
また、第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第２の半導体搭載用基板Ｓの第２列の各個片部５と第１の半導体搭載用基板Ｓの第１列の各個片部２とが直線上に位置する。この状態で、双方の半導体搭載用基板Ｓの個片部２、５に形成する樹脂封止部１３へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナー４、７が形成される。
【００７５】
したがって、半導体搭載用基板Ｓに２列の個片群を形成する場合にあっても、樹脂封止時に各ポッド・プランジャーから異なる列の樹脂封止部１３へ樹脂が到達する時間が等しくなる。さらに、一つのポッド・プランジャーから一対の半導体搭載用基板Ｓのそれぞれの樹脂封止部１３へ同時に樹脂を供給することができる。
（第１０の実施形態）
図１１は本発明の第１０の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図１１において、半導体搭載用基板Ｓは図２に示すものと同様であり、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して平行に形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。この樹脂封止部１３は図８において説明したものと同様であり、同符号を付して説明を省略する。
【００７６】
一対の半導体搭載用基板Ｓの間には複数のカル１６を等間隔で半導体搭載用基板Ｓの外周辺に沿って直線状に配列しており、各カル１６から各半導体搭載用基板Ｓへランナー４、７が延びている。カル１６は２列状に配列してあり、カル１６の配列間隔が列間において相互に半ピッチずれている。
【００７７】
このＢＧＡパッケージの製造方法を以下に説明する。封止金型（図示省略）に一対の半導体搭載用基板Ｓを双方の第１列の個片部２を内側にして平行に配置する。封止金型には双方の半導体搭載用基板Ｓの間に設ける複数のポッド・プランジャー（図１１においてはカル１６として示している）を等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成してあり、ポッド・プランジャー群の一対を平行に、かつ双方のポッド・プランジャーの配列間隔を相互に半ピッチずらして千鳥の関係に配置してある。
【００７８】
このとき、第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の半導体搭載用基板Ｓの第２列の各個片部５と第２の半導体搭載用基板Ｓの第１列の各個片部２とが直線上に位置する。また、第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第２の半導体搭載用基板Ｓの第２列の各個片部５と第１の半導体搭載用基板Ｓの第１列の各個片部２とが直線上に位置する。
【００７９】
この状態で、第１のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーから第１の半導体搭載用基板Ｓの第２列の各個片部５の樹脂封止部１３へ直線状にランナー７が形成されるとともに、第１の半導体搭載用基板Ｓの第１列の各個片部２の樹脂封止部１３へ屈曲した形状にランナー４が形成される。また、第２のポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーから第２の半導体搭載用基板Ｓの第２列の各個片部５の樹脂封止部１３へ直線状にランナー７が形成されるとともに、第２の半導体搭載用基板Ｓの第１列の各個片部２の樹脂封止部１３へ屈曲した形状にランナー４が形成される。
【００８０】
したがって、半導体搭載用基板Ｓに２列の個片群を形成する場合にあっても、直線の形状のランナー７と屈曲した形状のランナー４とにおける樹脂の流れ速度の違いと、ランナー距離の違いを組み合わせることによって、樹脂封止時に各ポッド・プランジャーから異なる列の樹脂封止部１３へ樹脂が到達する時間が等しくなる。さらに、一つのポッド・プランジャーから各半導体搭載用基板Ｓの異なる列の樹脂封止部１３へ同時に樹脂を供給することができる。
（第１１の実施形態）
図１２は本発明の第１１の実施形態を示し、半導体搭載用基板ＳにおけるＢＧＡパッケージの封止状態を示すものである。図１２において、半導体搭載用基板Ｓは図２に示すものと同様であり、個片部２、５の外周辺をフレーム部１の外周辺に対して平行に形成しており、半導体搭載領域にチップ１１を搭載し、各個片部２、５にチップ１１を封止する樹脂封止部１３を形成してなる。この樹脂封止部１３は図８において説明したものと同様であり、同符号を付して説明を省略する。
【００８１】
一対の半導体搭載用基板Ｓの間には複数のカル１６を等間隔で半導体搭載用基板Ｓの外周辺に沿って直線状に配列しており、各カル１６から各半導体搭載用基板Ｓへランナー４、７が延びている。
【００８２】
このＢＧＡパッケージの製造方法を以下に説明する。封止金型（図示省略）に一対の半導体搭載用基板Ｓを双方の第１列の個片部２を内側にして平行に配置する。封止金型には双方の半導体搭載用基板Ｓの間に設ける複数のポッド・プランジャー（図１２においてはカル１６として示している）を等間隔で直線状に配列してポッド・プランジャー群を形成してある。
【００８３】
このとき、ポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の半導体搭載用基板Ｓの第２列の各個片部５と第２の半導体搭載用基板Ｓの第２列の各個片部５とが直線上に位置する。また、ポッド・プランジャー群の各ポッド・プランジャーと第１の半導体搭載用基板Ｓの第１列の各個片部２と第２の半導体搭載用基板Ｓの第１列の各個片部２とが直線上に位置する。
【００８４】
この状態で、双方の半導体搭載用基板Ｓのそれぞれの第２列の各個片部５に形成する樹脂封止部１３へ各ポッド・プランジャーから等しいランナー距離のランナー７が直線状に形成される。また、双方の半導体搭載用基板Ｓのそれぞれの第１列の各個片部２に形成する樹脂封止部１３に対して同ポッド・プランジャーからランナー４が屈曲した形状に、かつ同ポッド・プランジャーを中心として点対称の形状に形成される。
【００８５】
したがって、半導体搭載用基板Ｓに２列の個片群を形成する場合にあっても、直線の形状のランナー７と屈曲した形状のランナー４とにおける樹脂の流れ速度の違いと、ランナー距離の違いを組み合わせることによって、樹脂封止時に各ポッド・プランジャーから異なる列の樹脂封止部１３へ樹脂が到達する時間が等しくなる。さらに、一つのポッド・プランジャーから一対の半導体搭載用基板Ｓの異なる列の樹脂封止部１３、ここでは４箇所の樹脂封止部１３へ同時に樹脂を供給することができ、ポッド・プランジャーの数の削減を図ることができる。
【００８６】
本発明の利用範囲、有効範囲は、第１の実施形態から第１１の実施形態のいずれにおいても、ＢＧＡパッケージとして有効なだけでなく、例えば個片部２、５がリードフレームとして形成されているようなものや、上記以外の多様な半導体パッケージや樹脂封止体として様々な用途に有効である。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
以上説明したように、本発明は半導体装置製造の分野において、ＢＧＡ等の半導体パッケージとその半導体搭載用基板の構造として、中でも量産性に優れた多列フレームの構成として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の第１の実施形態を示し、（ａ）は半導体搭載用基板におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図、（ｂ）は個片化後の状態を示す図
【図２】（ａ）〜（ｅ）は同実施形態におけるＢＧＡパッケージの製造工程を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図
【図４】本発明の第３の実施形態におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図
【図５】本発明の第４の実施形態におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図
【図６】本発明の第５の実施形態におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図
【図７】本発明の第６の実施形態におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図
【図８】本発明の第７の実施形態を示し、（ａ）は半導体搭載用基板におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図
【図９】本発明の第８の実施形態を示し、（ａ）は半導体搭載用基板におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図
【図１０】本発明の第９の実施形態におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図
【図１１】本発明の第１０の実施形態におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図
【図１２】本発明の第１１の実施形態におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図
【図１３】従来の構成を示し、（ａ）は基板におけるＢＧＡパッケージの封止状態を示す図、（ｂ）は個片化後の状態を示す図
【符号の説明】
【００８９】
Ｓ  半導体搭載用基板
１  フレーム部
２  第１列の個片部
３  第１列のタイバー
４  第１列のランナー
５  第２列の個片部
６  第２列のタイバー
７  第２列のランナー
８  開口部
９  位置決めピン穴
１０  分割後のパッケージ
１１  チップ
１２  ワイヤ
１３  樹脂封止部
１３ａ  流入調整領域
１３ｂ  充填領域
１３ｃ  溝部
１３ｄ  絞り口
１３ｅ  ベント領域
１３ｆ  第２の溝部
１３ｇ  第２の絞り口
１４  ゲート口
１５  分岐前のランナー
１６  カル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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