(57)【要約】      （修正有）【課題】基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、若しくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する工程で固相シート表面に生じる液溜りによって、固相シートに亀裂を生じ、歩留りが低下している問題点を解決する固相シートの製造方法を提供する。【解決手段】前記内側部の表面にスリット１０３を施す。また、好ましくは、基体の表面を半導体材料の融液に接触するときの移動方向後方にスリット１０３を施す。特に好ましくは半導体材料の融液に接触するときの移動方向に周縁溝１０２から内側部に複数スリット１０３を施す。【選択図】図１
2007335744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、若しくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する方法であって、前記内側部の表面にスリットを施したことを特徴とする、固相シートの製造方法。
【請求項２】
前記スリットは、基体の表面を半導体材料の融液に接触するときの移動方向後方に、施したことを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項３】
前記スリットは、半導体材料の融液に接触するときの移動方向に周縁溝から内側部に複数延びていることを特徴とする請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項４】
前記スリットの幅は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項５】
前記スリットの長さは、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項６】
前記スリットの深さは、１ｍｍ以上で基体の厚み以下であることを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項７】
前記スリットで区切られた領域の幅は、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項８】
前記スリットは、前記周縁溝と交差する反対側の端部が曲率を有することを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の前記内側部の表面に成長した固相シートのうち、前記スリットにより分割された部分を切除して、製品として用いることを特徴とする、固相シートの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の固相シートの製造方法で得られた固相シートを用いたことを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の融液を基体の表面に成長形成することにより固相シートを製造する方法、および該固相シートを利用した太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池に用いられる多結晶シリコンウェハなどの固相シートを作製する代表的な方法は、半導体材料からなるインゴットを形成し、それを薄くスライスするというものである。しかし、スライスに用いる切断用のワイヤや円周刃の厚み分以上に半導体材料のロスが起こり、また、スライス加工には高度な技術を要する。
【０００３】
そこで、特許文献１に示されるような固相シートの製造方法を採用することができる。特許文献１に示される固相シートの製造方法は、以下の工程で行なわれる。まず、半導体材料を加熱熔融させた坩堝中に不活性雰囲気中で、表面が周縁溝により周辺部と該周縁溝で囲まれた内側部に区画された基体を一定間隔で連続的に浸漬させる。半導体材料とは、リン、またはボロンなどのドーパントを添加した高純度シリコン材料などであり、基体の内側部の表面には、半導体材料からなる固相シートが形成される。そして、形成された固相シートを基体より剥離し、用途に合わせて所望のサイズにレーザー、もしくはダイサー等で切断して、太陽電池用ウェハなどの製品とする。
【０００４】
前述した基体を用いた固相シートの製造方法によると、半導体材料の融液から材料損失を低減させながら、直接的に平坦で寸法精度の高い固相シートを効率よく作製することができる。ただし、この方法によると浸漬させた半導体材料の融液から基体を移動させ取り出すとき、内側部に形成された固相シート上の移動方向後方の一辺側に液溜りと呼ばれる、半導体材料の融液が表面張力により凝縮した状態が作りだされる。この液溜りは、後方の一辺に沿って略直線状に形成される。
【０００５】
該液溜りは、周囲の固相シートに比べ熱容量が大きく、凝固速度も異なる。したがって、半導体材料の融液は固体の半導体に凝固するときに凝固膨張を起こし、融液の状態よりも固体の状態の方がその体積は大きくなる。液溜りの部分が凝固を開始する時点で、周囲の固相シートの部分は既に固体化しており、遅れて液溜りの部分が凝固膨張することで、周りの固相シートの部分に亀裂を生じさせることとなる。その結果、製品となる周縁部で囲まれた内側部に形成された固相シートに欠陥が生じ、歩留りが低下し、製品コストが上昇してしまうとの問題点が指摘されている。
【特許文献１】特開２００２−２３７４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記問題に鑑み、本発明は、上述の液溜りによって引き起こされる固相シート部の亀裂の発生を防止し、均質で欠陥のない固相シートを製造する方法を提供する。また、歩留りを向上させる固相シートを製造する方法を提供する。また、歩留りを向上させた固相シートを用いることで安価な太陽電池を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、もしくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する方法であって、前記内側部の表面にスリットを施した固相シートの製造方法に関する。
【０００８】
また、本発明において、前記スリットは、基体の表面を半導体材料の融液に接触するときの移動方向後方に、施されることが好ましく、また、半導体材料の融液に接触するときの移動方向に周縁溝から内側部に複数延びていることが好ましい。
【０００９】
また、本発明において、前記スリットの幅は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましく、さらに前記スリットの長さは、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましく、また、前記スリットの深さは、１ｍｍ以上で基体の厚み以下であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明において、前記スリットで区切られた領域の幅は、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましく、前記スリットは、前記周縁溝と交差する反対側の端部が曲率を有することが好ましい。
【００１１】
また、本発明の製造方法は前記製造された固相シートのうち、前記スリットにより分割された部分を切除して、製品として用いる固相シートの製造方法に関する。
【００１２】
また、本発明の太陽電池は、前記固相シートの製造方法を用いて形成された固相シートを製品として用いた太陽電池に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、半導体材料損失を低減させながら半導体材料の融液から直接的に、平坦かつ均質な固相シートを歩留り良く製造し得る方法を、提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜基体の基本構成＞
本発明の固相シートの製造方法は、基体を半導体材料の融液に接触させることで、基体の表面に均一に半導体材料を成長させ、固相シートを製造する方法に用いられる基体を改良したものである。半導体材料の融液に接触するときの手段は、基体が半導体材料の融液が入った坩堝に接触する形をとっても良いし、基体を固定させて融液が入った坩堝が動くようにしても良い。基体は前述したように、表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画されているもの、もしくは前記周辺部と内側部の一部が連結されているものを用いる。ただし、後述するような図２に示す形態で固相シートを製造する場合には、基体の表面の下側に固相シートが成長することとなるため、その際、固相シートの落下を避けるためには前記周辺部と内側部の一部が連結されているものを用いることが好ましい。そして、基体には内側部の表面はスリットを施したものを用いる。このスリットは、直線状で周縁溝に対して垂直方向に複数延びていることが特に好ましいが、周縁溝に対して４５〜９０度の角度を有するものであれば問題はなく、また、スリットは直線状ではなく、例えば波型であってもよい。そして、半導体材料の融液に接触するときの移動方向の後方にあたる１辺にスリットを形成することが好ましい。半導体材料の融液に接触するときの移動スピードは、３００〜１０００ｃｍ／ｍｉｎが好ましい。また、基体自体の素材は特に限定されないが、半導体材料の融液は１４２０〜１５００℃であることを考慮して、耐熱性が高いものが好ましく、また、熱伝導性の良い材料が好ましく、高純度処理を施された黒鉛が加工の容易さの観点からより好ましい。基体の表面に半導体材料の付着・凝集することを防止し、液溜りをより小さくする観点からは、基体の素材には黒鉛を用いることが好ましい。その他に基体は、例えば炭化ケイ素、石英、窒化ホウ素、アルミナ、酸化ジルコニウム、などから作製されることも可能である。
【００１５】
周縁溝内側部にスリットが施された基体の一実施形態を示す図１に基づいて、以下具体的に説明する。固相シート１０５を作製するための基体１０１は、基体１０１の表面Ｓ１１の周縁溝１０２で分割された内側部にスリット１０３が加工されていることを特徴とする。基体１０１が半導体材料の融液と接触するとき、内側部に形成された固相シートの移動方向後方に液溜り１０４と呼ばれる、半導体材料の融液が表面張力により凝縮した状態が作りだされる。基体１０１の内側部へスリット１０３を施すことにより、基体１０１の内側部へ形成された固相シート１０５（ハッチング部）は、スリット１０３によりその後方が分割されており、液溜りは分断される。
【００１６】
ここで液溜り１０４は、従来の製造方法で生じる液溜りに比べると体積は減少する。前記液溜り１０４は、周辺部と比較して熱容量が大きく、その冷却速度は液溜り１０４の無い部分と比較すると遅い。この冷却速度の違いにより、作製された固相シート１０５へはクラックが生じ易くなると考えられる。しかし、固相シートを一部分割したスリット１０３は、液溜り１０４を分断するだけではなく、液溜りの凝固膨張による固相シートへの応力を緩和する効果を有するため、クラックが内側部へ波及することを防止可能であり、欠陥がない厚さ２００〜４００μｍの固相シートを製品として提供することができる。
【００１７】
なお、半導体材料の融液は、一般的に粘性度が高く、水などと比較しても表面張力が高く、液溜りを分断するためにはスリットの幅、長さ、深さ、スリットで区切られた領域の幅を条件設定することが好ましい。そこで以下、その条件設定について詳説する。
【００１８】
≪スリットの幅≫
前述した固相シートの液溜りを分割するための溝幅には適切な幅があり、幅が狭すぎると半導体材料の融液の表面張力により、スリット上をブリッジ状に固相シートが成長してしまい、液溜りを分断するという当初の目的を果たさなくなる。また、スリット幅が広すぎると、スリット内へ半導体材料の融液が入り込み、その後スリット内で凝固してしまうと、それぞれのスリット内で楔となり、固相シートの熱収縮の妨げとなり、基体の内側部に生成した固相シート部に亀裂を生じさせる結果となる。
【００１９】
半導体材料融液中で固相シートを成長させる一実施形態の概略を示す図２に基づいて以下、説明する。基体２０１は、浸漬機構のアーム２０２の先端に設置され、半導体材料の融液２０３を保持するための坩堝２０４内へ矢印方向Ｓ２１の方向で浸漬することにより、基体２０１表面に固相シート２０５（ハッチング部）が形成されることとなる。ここで半導体材料の融液２０３は粘性を有するため、スリット２０７の幅が１ｍｍ未満である場合、スリット２０７を跨ぐ形で固相シート２０５が成長するものが出始めてしまい固相シート２０５後端部を分割するという目的が達成できない。またスリット２０７の幅が５ｍｍより大きい場合、スリット２０７内へ半導体材料の融液２０３が入り込みスリット２０７を埋めてしまうものが出始めてしまい、固相シート２０５後端部を分割するという目的が達成できない。よって、実験の結果、前記内側部に施されるスリット２０７の幅は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。スリット２０７にて安定して固相シート２０５の後端部を分割するためには、スリット２０７を半導体材料の融液２０３が跨ぎ始める１ｍｍと、スリット２０７へ半導体材料融液が入り込み始める５ｍｍの中央値３ｍｍ付近がスリット幅として、特に好ましい。
【００２０】
≪スリットの長さ≫
図２において、分割された固相シート２０５の後端部には、基体２０１が半導体材料の融液２０３から脱出したときに、基体２０１後部表面に残った半導体材料の融液２０３が表面張力により凝縮し、液溜り２０６が形成される。周縁溝により区画された基体２０１の内側部に施されたスリット２０７の長さについては、基体２０１の内側部の固相シートの液溜り２０６の平均的な直径よりも長くする必要がある。ここで、この液溜り２０６の大きさの判断は、半導体材料の融液の表面張力から、円形の液溜りの直径は、小さくとも５ｍｍ、大きいものでは２０ｍｍ程度となり、その多くはおおよそ７〜８ｍｍ程度であることがわかっている。このことより基体２０１に施されるスリット２０７の長さは少なくとも５ｍｍ以上必要である。また、液溜り２０６の最大直径は実験結果より２０ｍｍを超えることは無い。ここで製品としては、後述するとおり、固相シートのスリットで分割された部分を除去されるので、スリット２０７の長さを必要以上に長くすると、使用できる固相シート２０５の面積が小さくなってしまう。そこで以上を勘案して、前記内側部に区画された基体２０１に施されるスリット２０７の長さは、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。そして製品となる固相シート２０５の有効面積と液溜り２０６の大きさを勘案すると、１０ｍｍ程度が特に好ましい。
【００２１】
≪スリットの深さ≫
基体の内側部に施されたスリットの断面拡大図を示す図３に基づいて具体的に説明する。基体３０１内側部に施されたスリット３０２の深さが１ｍｍ未満であると、スリット３０２内へ入り込んだ半導体材料の融液が、スリット３０２の底部と接触してしまい、そこで固相シート３０３を形成してしまう。スリット３０２内で固相シート３０３が形成されてしまうことにより、スリット３０２が基体３０１の内側部の固相シート３０３を分割するという目的が達成できず、基体３０１の内側部のスリット３０２間に生じた液溜りによる応力を緩和することが出来ず、固相シート３０３の破壊が発生し易くなり、歩留りが低下する。したがって、周縁溝により区画された基体の内側部に施されたスリット３０２の深さについては、半導体材料の融液がスリット３０２内で成長しないために１ｍｍ以上の深さを持つことが好ましい。また、スリット３０２が基体３０１を貫通することは、特に固相シート作製上問題は無いため、スリット３０２の深さは１ｍｍ以上で基体３０１の厚み以下に設定することが好ましい。なお、スリット３０２の深さは１ｍｍ以上あれば半導体材料の融液は分割できるが、３ｍｍ以上あれば確実に分割可能なので、３ｍｍ以上のスリット３０２の深さが特に好ましい。
【００２２】
≪スリットで区切られた領域の幅≫
図１に基づいて以下説明する。基体１０１の内側部に施されたスリット１０３に区切られた領域の幅は、そこに生成する液溜り１０４の大きさとも関係する。前述の通り、小さくとも５ｍｍ、大きいものは２０ｍｍ程度となるため、スリット１０３に区切られた領域の幅は少なくとも５ｍｍ以上は必要である。また、実験結果よりスリット１０３で区切られた領域の幅が５０ｍｍを越えると液溜りが熱収縮したとき、周りの固相シート１０５へ亀裂を生じる確率が高くなる。つまり、スリット１０３の幅が５０ｍｍ以上になると、スリット１０３による分割効果が薄れ、液溜り１０４の凝固速度の差による応力の影響が、固相シート１０５全体に伝わり、破損等の不具合を生じ、製品の歩留りを低下させることとなる。したがって、スリット１０３で区切られた領域の幅は、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましい。また、前述の通り液溜り１０４の大きさは、その多くがおよそ７〜８ｍｍ程度であることと、応力の影響を最小限に押さえることを勘案すると、基体１０１の内側部に施されたスリット１０３に区切られた領域の幅は１０ｍｍ程度が特に好ましい。
【００２３】
≪スリット端部の形状≫
基体の上面図を示す図４に基づいて説明する。基体４０１に施されるスリット４０２に区切られた領域に液溜りが発生することになるが、この液溜りが凝固するときの凝固速度の差で、基体４０１の周縁溝４０３と交差する反対側の端部４０４に応力が集中し、そこから固相シートへ向かってクラックが入りやすくなる。このとき端部４０４に角部があると、さらにその部分に応力が集中し固相シートが破断する確率が高くなる。そこで端部４０４に曲率を持たせることにより、応力の一点集中が回避でき、製品の歩留り向上につながる。このときの曲率は小さい程、直線部から曲線部への繋ぎが滑らかになり、曲率がスリット４０２の幅の１／２の半円になるとき最小となるため特に好ましい。また、加工上の観点からも該曲率が特に好ましい。
【００２４】
＜製品および太陽電池＞
前述した本発明の製造方法で作製された固相シートは、クラック等の欠陥がなく均質であるため、太陽電池用ウェハとして利用することが可能である。このときの太陽電池の製造方法は、太陽電池用ウェハとして固相シートを所望の大きさに切断して用いる以外には公知の太陽電池製造方法でドーピング層、反射防止膜、受光面電極、裏面電極等を形成するものである。本発明の太陽電池は、従来の基体から作製された固相シートを用いて製造された太陽電池と比べて、作製歩留りを上昇させることができる。
【００２５】
ここで、固相シートにおけるスリットで一部分断された部分（以下、スリット部ともいう）を持った固相シートから製品特に太陽電池を作製する場合、スリット部を切断除去することが好ましい。その理由について固相シートを太陽電池用ウェハに利用する場合を例に以下説明する。
【００２６】
リン、またはボロンなどのドーパントを添加した高純度シリコン材料の融液に基体を接触させるとき、基体の内側部に施されたスリットにより太陽電池用ウェハが分断されたスリット部には液溜りが形成されている。液溜りは半導体材料の融液が表面張力により凝縮した状態であり、周辺平面部より凸となっているため、残留応力および、形状異常が存在する。このため太陽電池作製工程にて破損等の問題が発生するため、スリット部も含む固相シートを製品として用いるためには液溜りに応じた特別な処置を施す必要があり、コストアップにつながる。また、スリット部を受光面として使用し、太陽電池用ウェハの集合体としてのモジュールで変換効率を考えた場合、変換効率が低下し、定格出力を得る為に必要な太陽電池用ウェハ枚数が増加することが推測される。この場合、太陽電池は不必要に重量化、大型化し、結果として全体のコストアップへつながる。そこで、スリット部を切断して製品とすることで、前記問題を回避することが可能となる。また、製品として用いることができない固相シートのスリット部も切断後再溶融させることで利用することが可能となり、結果として歩留りを向上させることができる。
【００２７】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００２８】
本発明の一実施形態に用いられる固相シート製造方法を示した図５を用いて説明する。得られる固相シートの比抵抗が２Ω・ｃｍになるようにボロン濃度を調整したシリコン原料を、高純度黒鉛の坩堝５０１に入れ、装置内に設置した。次に、チャンバ５０２内の真空引きを行ない、その後アルゴンガスを導入し、８００ｈＰａを保ちつつ、常に１００Ｌ／ｍｉｎでチャンバ上部よりアルゴンガスを導入したままにした。
【００２９】
次に、坩堝５０１周囲にあるシリコン溶解用ヒーター５０３の制御用熱電対の設定温度を１５００℃に設定し、完全にシリコンを熔融状態にし、シリコン融液５０６とした。最初に仕込んだシリコンは、溶解することで嵩が低くなるために、追加でシリコンを投入することにより、シリコン融液５０６面の高さを所定の高さにした。その後、制御温度を１４３０℃に設定し、３０分間保持しシリコン融液５０６の温度の安定化を図った。その後、浸漬機構５０４先端に固相シートを成長させるための、高純度処理を施された黒鉛で形成された基体５０５をセットした。
【００３０】
基体５０５を５００ｃｍ／ｍｉｎの速さでシリコン融液５０６中へ浸漬し、基体５０５表面に固相シート５０７を成長させた。その後、固相シート５０７が成長した基体５０５を搬送用コンベア５０８にて装置副室５０９に搬送し、装置副室５０９と装置本体を仕切るゲートバルブ５１０を閉じた後、装置副室５０９内をロータリーポンプで真空排気し、大気で置換後、装置副室５０９外へ固相シート５０７が形成された状態の基体５０５を取り出す。基体５０５上に形成された固相シート５０７は容易に剥離可能だった。そして、周縁部で囲まれた内側部から得られた固相シートを、レーザー切断装置を用いて、１２６ｍｍ×１２６ｍｍに切断した。
【００３１】
ここで、本実施例で使用される基体を表わした図６と同様の形態の基体を使用した。基体は一辺１５０ｍｍの正方形とし、基体６０１の厚みは２０ｍｍとした。周縁溝６０２囲まれた内側部Ｓ６１に区画された領域で、シリコン融液から最後に脱出する一辺側にスリット６０３を設けた。このときのスリット６０３の幅は３ｍｍ、長さは１０ｍｍ、深さは３ｍｍ、スリット６０３に区切られた領域の幅は１０ｍｍとした。また、スリット６０３の周縁溝６０２と交差する反対側の端部６０４の曲率は半径１．５ｍｍの半円とした。
【００３２】
上記条件にて固相シートを１０００枚作製し、レーザー切断後の固相シートを曲げ試験機にて５０Ｎ／ｍｍ2の荷重を加え、その歩留りを確認したところ、８５．１％と良好な結果が得られた。
【００３３】
次に、レーザー切断により得られた１２６ｍｍ×１２６ｍｍサイズの固相シートを太陽電池用ウェハとして利用することで太陽電池の作製を行なった。以下、本実施例の太陽電池用ウェハを、ｐ型基板として説明する。まず、得られたｐ型基板に硝酸とフッ酸との混合溶液でエッチングを行なった後に、水酸化ナトリウムを用いてアルカリエッチングを行なった。その後ＰＯＣｌ3拡散によりｐ型基板にｎ層を形成した。受光面側のｐ型基板の表面に形成されているＰＳＧ（リンガラス）膜をフッ酸で除去した後、太陽電池の受光面側になるｎ層上にプラズマＣＶＤを用いてシリコン窒化膜を形成した。次に、太陽電池の裏面側になる面に形成されているｎ層を硝酸とフッ酸との混合溶液でエッチング除去し、ｐ型基板を露出させ、その上にスクリーン印刷法を用いて、アルミニウムペーストを印刷し、焼成することにより裏面電極、およびｐ+層を同時に形成した。その後、半田コートを行ない、太陽電池を作製した。
【００３４】
上記方法にて作製された太陽電池１００枚を、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2）の照射下にてセル特性の測定を行なったところ、平均開放電圧５８０ｍＶ、平均短絡電流３０．８ｍＡ／ｃｍ2、平均フィルファクター０．７３６、平均変換効率１３．１％と良好な結果が得られた。
【００３５】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
亀裂を生じず、均質で欠陥のない固相シートの製造方法を提供するため歩留りを向上させることができ、結果として資源を有効に活用できる。また、固相シートを太陽電池用ウェハとして利用することで、高性能の太陽電池を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の周縁溝内側部にスリットが施された基体の一実施形態における斜視図である。
【図２】本発明による周縁溝内側部にスリットが施された基体上に、半導体材料融液中で固相シートを成長させる一実施形態の概略斜視図である。
【図３】本発明による周縁溝の内側部に施されたスリットの一実施形態における拡大断面図である。
【図４】本発明による周縁溝の内側部に施されたスリットの一実施形態における上面図である。
【図５】本発明の固相シートの製造方法における一実施形態の概略断面図である。
【図６】本発明の周縁溝内側部にスリットが施された基体の一実施形態における斜視図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０１，２０１，３０１，４０１，５０５，６０１  基体、１０２，４０３，６０２  周縁溝、１０３，２０７，３０２，４０２，６０３  スリット、１０４，２０６  液溜り、２０２  浸漬機構アーム部、２０３  融液、２０４，５０１  坩堝、１０５，２０５，３０３，５０７  固相シート、４０４，６０４  スリット端部、５０２  チャンバ、５０３  シリコン溶解用ヒーター、５０４  浸漬機構、５０６  シリコン融液、５０８  搬送用コンベア、５０９  装置副室、５１０  ゲートバルブ、Ｓ１１  表面、Ｓ２１  矢印方向、Ｓ６１  内側部。
【図１】
2007335744.tif 000003
【図２】
2007335744.tif 000004
【図３】
2007335744.tif 000005
【図４】
2007335744.tif 000006
【図５】
2007335744.tif 000007
【図６】
2007335744.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、若しくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する方法であって、前記内側部の表面にスリットを施し、
前記スリットは、基体の表面を半導体材料の融液に接触するときの移動方向後方に、施したことを特徴とする、固相シートの製造方法。
【請求項２】
前記スリットは、半導体材料の融液に接触するときの移動方向に周縁溝から内側部に複数延びていることを特徴とする請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項３】
前記スリットの幅は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項４】
前記スリットの長さは、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項５】
前記スリットの深さは、１ｍｍ以上で基体の厚み以下であることを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項６】
前記スリットで区切られた領域の幅は、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項７】
前記スリットは、前記周縁溝と交差する反対側の端部が曲率を有することを特徴とする、請求項１に記載の固相シートの製造方法。
【請求項８】
基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、若しくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する方法であって、前記内側部の表面にスリットを施し、
前記内側部の表面に成長した固相シートのうち、前記スリットにより分割された部分を切除して、製品として用いることを特徴とする、固相シートの製造方法。