(57)【要約】【課題】  実質的にアルカリ金属原子を含有せず、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にするエレクトロニクス材料用洗浄剤を提供することにある。【解決手段】  有機酸（Ａ）の第４級アンモニウム塩（Ｂ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤であって、アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の合計含有量が洗浄剤の重量に基づいて０．０１重量％以下あり、第４級アンモニウム塩（Ｂ）が、ｐＫａが１１〜４０の第３級アミン（Ｃ）と炭酸ジメチルとの反応で得られた第４級アンモニウム炭酸塩と、有機酸（Ａ）とのアニオン交換反応によって得られた第４級アンモニウム塩であることが好ましい。また、第４級アンモニウム塩（Ｂ）の重量平均分子量は１，０００〜１，０００，０００であることが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機酸（Ａ）の第４級アンモニウム塩（Ｂ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤。
【請求項２】
アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の合計含有量が洗浄剤の重量に基づいて０．０１重量％以下ある請求項１に記載の洗浄剤。
【請求項３】
第４級アンモニウム塩（Ｂ）が、第３級アミン（Ｃ）と炭酸ジメチルとの反応で得られた第４級アンモニウム炭酸塩と、有機酸（Ａ）とのアニオン交換反応によって得られた第４級アンモニウム塩である請求項１または２記載の洗浄剤。
【請求項４】
第３級アミン（Ｃ）のｐＫａが１１〜４０である請求項３記載の洗浄剤。
【請求項５】
第４級アンモニウム塩（Ｂ）の重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００である請求項１〜４のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項６】
さらにノニオン性界面活性剤（Ｄ）を含有し、洗浄剤の重量に基づく（Ｄ）の含有量が１〜９０重量％である請求項１〜５のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項７】
さらにアルカリ成分（Ｅ）を含んでなる請求項１〜６のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項８】
アルカリ成分（Ｅ）が、一般式（１）で示される有機アルカリである請求項７記載の洗浄剤。
【化１】
2007335856.tif 000007
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ炭素数１〜２４の炭化水素基または−（Ｒ5Ｏ）p−Ｈで表される基であり、Ｒ5は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは１〜６の整数
を表す。〕
【請求項９】
さらにキレート剤を含んでなる請求項１〜８のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか記載の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種によって洗浄する工程を含むエレクトロニクス材料の製造方法。
【請求項１１】
エレクトロニクス材料が液晶パネル用基板、半導体用基板、ＨＤＤ用基板または光学レンズである請求項１０記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロニクス材料用洗浄剤に関するものである。さらに詳しくは、半導体用基板、フラットパネルディスプレイ用基板、ＨＤＤ用基板、プリント配線基板および光学レンズなどのエレクトロニクス材料用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体用基板、フラットパネルディスプレイ用基板、ＨＤＤ用基板、プリント配線基板および光学レンズなどのエレクトロニクス材料の洗浄技術において、近年、超ＬＳＩなどに代表される微細加工技術の進歩につれて、エレクトロニクス材料、特に基板上に残存する微量の不純物（金属イオンや、金属などの無機物およびレジスト樹脂などの有機物のパーティクル）がデバイスの性能や歩留まりに大きく影響するため、不純物の管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象であるパーティクル自体が、より微粒子化することでさらに界面へ付着しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため従来から、このパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤を添加してパーティクル表面のゼータ電位を下げ、パーティクルの付着を低減する方法が提案されている（特許文献１および２）。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１３８１４２号公報
【特許文献２】特開平６−４１７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１で提案されている界面活性剤は、非イオン界面活性剤であるため、パーティクル表面のゼータ電位を十分に下げることができず、再付着防止性が不十分である。また、上記特許文献２で提案されている界面活性剤は、アニオン性界面活性剤であり、確かにパーティクル表面のゼータ電位を下げることでパーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるものの微粒子除去性が不十分である。また、使用しているアニオン性界面活性剤の対イオンにはナトリウムイオンなどのアルカリ金属が使用されており、洗浄後の残存アルカリ金属原子が引き起こす基板表面の潜傷やヤケ、基板内部へのアルカリ金属の拡散によるデバイスの信頼性低下を招くといった深刻な問題があった。
【０００５】
従って、本発明の目的とするところは、実質的にアルカリ金属原子を含有せず、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にするエレクトロニクス材料用洗浄剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決するエレクトロニクス材料用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、有機酸（Ａ）の第４級アンモニウム塩（Ｂ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤；および、該洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種によって洗浄する工程を含むエレクトロニクス材料の製造方法；である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のエレクトロニクス材料用洗浄剤は、パーティクル表面のゼータ電位を効果的に下げることができるため、従来の課題であった洗浄工程時におけるパーティクル粒子のエレクトロニクス材料への再付着を効果的に防ぐことができる。また、実質的にアルカリ金属原子を含まないため、洗浄後にエレクトロニクス材料表面にアルカリ金属原子が残存することがなく、デバイスの信頼性や歩留まりを向上することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明における有機酸（Ａ）としては、スルホン酸基、硫酸基、リン酸基、ホスホン酸基およびカルボキシル基などの酸基と炭素数が１〜３６の疎水基（Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１つ有する低分子有機酸（Ａ１）、分子内に上記酸基を少なくとも１つ有し、繰り返し単位構造を有する有機酸ポリマー（Ａ２）が挙げられる。
【００１０】
低分子有機酸（Ａ１）中の疎水基（Ｙ）としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香環含有炭化水素基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜３６のアルキル基及び炭素数２〜３６のアルケニル基等が含まれる（直鎖状又は分岐状のいずれでもよい）。
アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘキコシル、ドコシル、トリコシル、テトラコシル、ペンタコシル、ヘキサコシル、ヘプタコシル、オクタコシル、ノナコシル、トリアコンチル、ヘキトリアコンチル、ドトリアコンチル、トリトリアコンチル、テトラトリアコンチル、ペンタトリアコンチル及びヘキサトリアコンチル基などが挙げられる。
アルケニル基としては、ｎ−又はｉ−プロペニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、２−エチルデセニル、エイコセニル、ヘキコセニル、ドコセニル、トリコセニル、テトラコセニル、ペンタコセニル、ヘキサコセニル、ヘプタコセニル、オクタコセニル及びノナコセニル基などが挙げられる。
【００１１】
脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜３６のシクロアルキル基等が含まれ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロドデシル、シクロヘキサデシル、シクロエイコシル、シクロヘキサコシル、シクロノナコシル、シクロテトラトリアコンチル、シクロペンタトリアコンチル及びシクロヘキサトリアコンチル基等が挙げられる。
【００１２】
芳香環含有炭化水素基としては、炭素数７〜３６の芳香族炭化水素等が含まれ、メチルフェニル、エチルフェニル、ｎ−又はｉ−プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、デシルフェニル、ウンデシルフェニル、ドデシルフェニル、メチルナフチル、エチルナフチル、ｎ−又はｉ−プロピルナフチル、ブチルナフチル、ペンチルナフチル、ヘキシルナフチル、ヘプチルナフチル、オクチルナフチル、ノニルナフチル、デシルナフチル、ウンデシルナフチル、及びドデシルナフチル基などが挙げられる。
【００１３】
疎水基（Ｙ）のうち、脂肪族炭化水素基および芳香環含有炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、ドデシルフェニル、オクチルナフチル、ノニルナフチルおよびドデシ
ルナフチル基、特に好ましくはオクチル、ノニル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、オクチルフェニル、ドデシルフェニルおよびオクチルナフチル基である。
【００１４】
疎水基（Ｙ）の炭素数は、１〜３６が好ましく、さらに好ましくは４〜２４、特に好ましくは８〜２４である。これらの炭化水素基中の水素原子の一部又は全部が他の原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など）または官能基（水酸基、アミノ基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、パーフルオロ基など）で置換されていてもよく、またこの官能基には１個以上のオキシアルキレン基を含んでもよい。
【００１５】
低分子有機酸（Ａ１）の具体例としては、以下の化合物などが挙げられる。
スルホン酸基を有する化合物（Ａ１−１）
アルキルスルホン酸（オクチルスルホン酸、デシルスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ミリスチルスルホン酸、セチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸など）、
アルキルベンゼンスルホン酸（トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、エイコシルベンゼンスルホン酸など）、
アルキルナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、エイコシルナフタレンスルホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸（ポリオキシエチレンオクチルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテルスルホン酸など）、
スルホコハク酸｛（ジ）オクチルスルホコハク酸、（ジ）ラウリルスルホコハク酸、（ジ）オクチルポリオキシエチレンスルホコハク酸、（ジ）ラウリルポリオキシエチレンスルホコハク酸、（ジ）アミルスルホコハク酸、（ジ）２−エチルヘキシルスルホコハク酸など｝、
α−オレフィンスルホン酸（１−オクテンのスルホン化物、１−ノネンのスルホン化物、１−デセンのスルホン化物、１−ドデセンのスルホン化物、１−テトラデセンのスルホン化物、１−ペンタデセンのスルホン化物、１−ヘキサデセンのスルホン化物、１−オクタデセンのスルホン化物など）、
アルキルジフェニルエーテルスルホン酸｛メチルジフェニルエーテル（ジ）スルホン酸、ドデシルジフェニルエーテル（ジ）スルホン酸など｝、
アルキロイルアミノエチルスルホン酸（オクチロイル−Ｎ−メチルアミノエチルスルホン酸、ラウリロイル−Ｎ−メチルアミノエチルスルホン酸など）、
脂肪酸エチルエステルスルホン酸（オクチル酸エチルエステルスルホン酸、ラウリン酸エチルエステルスルホン酸など）。
【００１６】
硫酸基を有する化合物（Ａ１−２）
アルキル硫酸エステル（オクチル硫酸エステル、デシル硫酸エステル、ドデシル硫酸エステル、ミリスチル硫酸エステル、セチル硫酸エステル、ステアリル硫酸エステルなど）
ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル（ポリオキシエチレンオクチルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステルなど）
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテル硫酸エステル（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸エステルなど）、
アシルアミドアルキル硫酸（オクチロイルアミドエチル硫酸エステル、ラウリロイルアミドエチル硫酸エステルなど）、
アシルアミドポリオキシアルキレン硫酸（オクチロイルアミドポリオキシエチレン硫酸エステル、ラウリロイルアミドポリオキシエチレン硫酸エステルなど）。
【００１７】
リン酸基を有する化合物（Ａ１−３）
（ジ）アルキルリン酸エステル｛（ジ）オクチルリン酸エステル、（ジ）デシルリン酸エステル、（ジ）ドデシルリン酸エステル、（ジ）ミリスチルリン酸エステル、（ジ）セチルリン酸エステル、（ジ）ステアリルリン酸エステルなど｝、
（ジ）ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル｛（ジ）ポリオキシエチレンオクチルエーテルリン酸エステル、（ジ）ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステルなど｝、
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルリン酸エステル（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルリン酸エステルなど）。
【００１８】
ホスホン酸基を有する化合物（Ａ１−４）
アルキルホスホン酸（オクチルホスホン酸、デシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、ミリスチルホスホン酸、セチルホスホン酸、ステアリルホスホン酸など）、
アルキルベンゼンホスホン酸（トルエンホスホン酸、キシレンホスホン酸、ドデシルベンゼンホスホン酸、エイコシルベンゼンホスホン酸など）、
アルキルナフタレンホスホン酸（メチルナフタレンホスホン酸、ドデシルナフタレンホスホン酸、エイコシルナフタレンホスホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルホスホン酸（ポリオキシエチレンオクチルエーテルホスホン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルホスホン酸など）、
ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルホスホン酸（ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルホスホン酸、ポリオキシエチレンラウリルフェニルエーテルホスホン酸など）、
アルキルジフェニルエーテルホスホン酸｛メチルジフェニルエーテル（ジ）ホスホン酸、ドデシルジフェニルエーテル（ジ）ホスホン酸など｝。
【００１９】
カルボキシル基を有する化合物（Ａ１−５）
脂肪族モノカルボン酸（例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、カプリン酸、ウンデカン酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ヘプタデカン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、イソ酪酸、イソ吉草酸、イソカプロン酸、エチル酪酸、メチル吉草酸、イソカプリル酸、プロピル吉草酸、エチルカプロン酸、イソカプリン酸、ピバリン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２，２−ジメチルヘキサン酸、２，２−ジメチルオクタン酸、２−メチル−２−エチルブタン酸、２−メチル−２−エチルペンタン酸、２−メチル−２−エチルヘキサン酸、２−メチル−２−エチルヘプタン酸、２−メチル−２−プロピルペンタン酸、２−メチル−２−プロピルヘキサン酸、２−メチル−２−プロピルヘプタン酸、アクリル酸、クロトン酸、メタクリル酸、イソクロトン酸、３−ブテン酸、ペンテン酸、ヘキセン酸、ヘプチン酸、オクテン酸、ノネン酸、デセン酸、ウンデセン酸、ドデセン酸、ツズイン酸、フィステリン酸、ゴッシュ酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、ガドレイン酸、３−メチルクロトン酸、チグリン酸、メチルペンテン酸、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、フェニル酢酸、グリコール酸、乳酸など）。
【００２０】
脂肪族ポリカルボン酸（例えば蓚酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、メチルマロン酸、エチルマロン酸、プロピルマロン酸、ブチルマロン酸、ペンチルマロン酸、ヘキシルマロン酸、ジメチルマロン酸、メチルエチルマロン酸、ジエチルマロン酸、メチルプロピルマロン酸、メチルブチルマロン酸、エチルプロピルマロン酸、ジプロピルマロン酸、エチルブチルマ
ロン酸、プロピルブチルマロン酸、ジブチルマロン酸、メチルコハク酸、エチルコハク酸、２，２−ジメチルコハク酸、２，３−ジメチルコハク酸、２−メチルグルタル酸、３−メチルグルタル酸、３−メチル−３−エチルグルタル酸、３，３−ジエチルグルタル酸、マレイン酸、シトラコン酸、イタコン酸、メチレングルタル酸、マレイン酸モノメチル、１，５−オクタンジカルボン酸、５，６−デカンジカルボン酸、１，７−デカンジカルボン酸、４，６−ジメチル−４−ノネン−１，２−ジカルボン酸、４，６−ジメチル−１，２−ノナンジカルボン酸、１，７−ドデカンジカルボン酸、５−エチル−１，１０−デカンジカルボン酸、６−メチル−６−ドデセン−１，１２−ジカルボン酸、６−メチル−１，１２−ドデカンジカルボン酸、６−エチレン−１，１２−ドデカンジカルボン酸、６−エチル−１，１２−ドデカンジカルボン酸、７−メチル−７−テトラデセン−１，１４−ジカルボン酸、７−メチル−１，１４−テトラデカンジカルボン酸、３−ヘキシル−４−デセン−１，２−ジカルボン酸、３−ヘキシル−１，２−デカンジカルボン酸、６−エチレン−９−ヘキサデセン−１，１６−ジカルボン酸、６−エチル−１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸、６−フェニル−１，１２−ドデカンジカルボン酸、７，１２−ジメチル−７，１１−オクタデカジエン−１，１８−ジカルボン酸、７，１２−ジメチル−１，１８−オクタデカンジカルボン酸、６，８−ジフェニル−１，１４−テトラデカンジカルボン酸、１，１−シクロペンタンジカルボン酸、１，２−シクロペンタンジカルボン酸、１，１−シクロヘキセンジカルボン酸、１，２−シクロヘキセンジカルボン酸、４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸、リンゴ酸、グルタミン酸、酒石酸など）。
【００２１】
芳香族モノカルボン酸（例えば、安息香酸、トルイル酸、エチル安息香酸、プロピル安息香酸、イソプロピル安息香酸、ブチル安息香酸、イソブチル安息香酸、第二ブチル安息香酸、第三ブチル安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、アニス酸、エトキシ安息香酸、プロポキシ安息香酸、イソプロポキシ安息香酸、ブトキシ安息香酸、イソブトキシ安息香酸、第二ブトキシ安息香酸、第三ブトキシ安息香酸、アミノ安息香酸、Ｎ−メチルアミノ安息香酸、Ｎ−エチルアミノ安息香酸、Ｎ−プロピルアミノ安息香酸、Ｎ−イソプロピルアミノ安息香酸、Ｎ−ブチルアミノ安息香酸、Ｎ−イソブチルアミノ安息香酸、Ｎ−第二ブチルアミノ安息香酸、Ｎ−第三ブチルアミノ安息香酸、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ安息香酸、ニトロ安息香酸、レゾルシン安息香酸など）、
芳香族ポリカルボン酸（例えばフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ニトロフタル酸、トリメリット酸、ヘミメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸など）。
【００２２】
高級アルコールのカルボキシメチル化物（例えば、オクチルカルボキシメチルエーテル、ラウリルカルボキシメチルエーテルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチル化物（例えば、ポリオキシエチレンオクチルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンノニルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンデシルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンドデシルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンミリスチルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンステアリルエーテルのカルボキシメチル化物、ポリオキシエチレンオレイルエーテルのカルボキシメチル化物など）、高級アルコールのカルボキシエチル化物（例えば、オクチルカルボキシエチルエーテル、ラウリルカルボキシエチルエーテルなど）、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシエチル化物（例えば、ポリオキシエチレンオクチルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンノニルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンデシルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンドデシルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンミリスチルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンステアリルエーテルのカルボキシエチル化物、ポリオキシエチレンオレイルエーテルのカルボキシエチル化物など）。
【００２３】
アルキルアミノ（ジ）酢酸｛例えば、オクチルアミノ（ジ）酢酸、ラウリルアミノ（ジ）酢酸など）、アルキロイルアミノ（ジ）酢酸（ラウロイル−Ｎ−メチルアミノ酢酸など｝。
【００２４】
アルキルアミノ（ジ）プロピオン酸｛例えば、オクチルアミノ（ジ）プロピオン酸、ラウリルアミノ（ジ）プロピオン酸など）、アルキロイルアミノ（ジ）プロピオン酸（ラウロイル−Ｎ−メチルアミノプロピオン酸など｝。
【００２５】
これらのうち、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸、アルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテル硫酸エステル、アシルアミドアルキル硫酸、（ジ）アルキルリン酸エステル、（ジ）ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルリン酸、アルキルホスホン酸、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチル化物が好ましく、さらに好ましくはアルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸、アルキル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテル硫酸エステル、アシルアミドアルキル硫酸、脂肪族モノカルボン酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチル化物、特に好ましくはアルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエーテルスルホン酸、α−オレフィンスルホン酸、アルキロイルアミノエチルスルホン酸、脂肪族モノカルボン酸、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルのカルボキシメチル化物である。
有機酸（Ａ１）は、単独で用いてもよく、２種以上の混合物として用いてもよい。
【００２６】
分子内に上記酸基を少なくとも１つ有し、繰り返し単位構造を有する有機酸ポリマー（Ａ２）としては、スルホン酸基を有するポリマー（Ａ２−１）、硫酸基を有するポリマー（Ａ２−２）、リン酸基を有するポリマー（Ａ２−３）、ホスホン酸基を有するポリマー（Ａ２−４）及びカルボキシル基を有するポリマー（Ａ２−５）が挙げられる。
【００２７】
スルホン酸基を有するポリマー（Ａ２−１）としては、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−１−１）、ポリマー反応によりスルホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−１−２）、分子内にスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ａ２−１−３）などが挙げられる。
【００２８】
硫酸基を有するポリマー（Ａ２−２）としては、硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−２−１）、ポリマー反応により硫酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−２−２）などが挙げられる。
【００２９】
リン酸基を有するポリマー（Ａ２−３）としては、リン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−３−１）、ポリマー反応によりリン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−３−２）などが挙げられる。
【００３０】
ホスホン酸基を有するポリマー（Ａ２−４）としては、ホスホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−４）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−４−１）、ポリマー反応によりホスホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−４−２）、分子内にホスホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−４）を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ａ２−４−３）などが挙げられる。
【００３１】
カルボキシル基を有するポリマー（Ａ２−５）としては、カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−５）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ２−５−１）、ポリマー反応によりカルボキシル基を導入して得られるポリマー（Ａ２−５−２）、分子内にカルボキシル基を有する芳香族化合物（ａＹ−５）とホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ａ２−５−３）などが挙げられる。
【００３２】
ポリマー（Ａ２）の内で、パーティクル再付着防止性の観点等から、スルホン酸基を有するポリマー（Ａ２−１）、カルボキシル基を有するポリマー（Ａ２−５）が好ましく、さらに好ましくは（Ａ２−１−１）、（Ａ２−１−２）、（Ａ２−１−３）及び（Ａ２−５−１）、特に好ましくは（Ａ２−１−２）、（Ａ２−１−３）及び（Ａ２−５−１）である。
本発明に用いるポリマー（Ａ２）は、単独で用いても良いが、２種以上の混合物として用いることもできる。
【００３３】
スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）としては、炭素数２〜２０の脂肪族不飽和スルホン酸（ビニルスルホン酸、（メタ）アリルスルホン酸など）、炭素数６〜２４の芳香族不飽和スルホン酸（スチレンスルホン酸、ｐ−ノニルスチレンスルホン酸など）、スルホン酸基含有（メタ）アクリレート｛２−（メタ）アクリロイルオキシエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシプロパンスルホン酸、３−（メタ）アクリロイルオキシプロパンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシブタンスルホン酸、４−（メタ）アクリロイルオキシブタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸、ｐ−（メタ）アクリロイルオキシメチルベンゼンスルホン酸など｝、スルホン酸基含有（メタ）アクリルアミド｛２−（メタ）アクリロイルアミノエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミノプロパンスルホン酸、３−（メタ）アクリロイルアミノプロパンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミノブタンスルホン酸、４−（メタ）アクリロイルアミノブタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸、ｐ−（メタ）アクリロイルアミノメチルベンゼンスルホン酸など｝、アルキル（炭素数１〜２０）（メタ）アリルスルホコハク酸エステル｛メチル（メタ）アリルスルホコハク酸エステル、ラウリル（メタ）アリルスルホコハク酸エステル、エイコシル（メタ）アリルスルホコハク酸エステルなど｝などが挙げられる。
これらの内、重合性および水中における耐加水分解性の観点等から、炭素数２〜２０の脂肪族不飽和スルホン酸及びスルホン酸基含有（メタ）アクリルアミドが好ましく、さらに好ましくはビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸及び２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸である。
【００３４】
硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）としては、後述の水酸基含有モノマー（ａＺ２）の硫酸エステルなどが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル（ａＺ２−１）の硫酸エステルが好ましく、さらに好ましくは２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートの硫酸エステルである。
【００３５】
リン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）としては、後述の水酸基含有モノマー（ａＺ２）のリン酸エステルなどが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル（ａＺ２−１）のリン酸エステルが好ましく、さらに好ましくは２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートのリン酸エステルである。
【００３６】
ホスホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−４）としては、（メタ）アクリロイルオキシアルキル（炭素数１〜２０）ホスフェート｛（メタ）アクリロイルオキシメチルホスフェート、（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート、（メタ）アクリロイルオキシラウリルホスフェート、（メタ）アクリロイルオキシエイコシルホスフェートなど｝などが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェートが好ましい。
【００３７】
カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−５）としては、不飽和モノカルボン酸｛（メタ）アクリル酸、ビニル安息香酸、アリル酢酸、（イソ）クロトン酸、シンナミック酸およびアクリル酸２−カルボキシエチルなど｝、不飽和ジカルボン酸およびそれらの無水物｛（無水）マレイン酸、フマル酸、（無水）イタコン酸、（無水）シトラコン酸、メサコン酸など｝、不飽和ジカルボン酸のモノアルキル（アルキルの炭素数１〜２０）エステル｛モノメチルマレート、モノエチルマレート、モノラウリルマレート、モノエイコシルマレート、モノメチルフマレート、モノエチルフマレート、モノラウリルフマレート、モノエイコシルフマレート、モノメチルイタコネート、モノエチルイタコネート、モノラウリルイタコネートおよびモノエイコシルイタコネートなど｝などが挙げられる。
これらの内、重合性および水中における耐加水分解性の観点等から、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸およびそれらの無水物が好ましく、さらに好ましくは（メタ）アクリル酸、（無水）マレイン酸、フマル酸及び（無水）イタコン酸である。
【００３８】
ポリマー（Ａ２−１−１）〜（Ａ２−５−１）には、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）、硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）、リン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）、ホスホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−４）、カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−５）以外に、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）を共重合させることができる。
【００３９】
その他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）としては、以下のもの等が挙げられる。
（ａＺ１）；炭素数１〜３６の直鎖または分岐アルキル（メタ）アクリレート
［メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、２−メチルウンデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、ｎ−エイコシルメタクリレート、テトラコシル（メタ）アクリレート、２−メチル−ノナデシルメタクリレート、２−ノニル−テトラコシルメタクリレートなど］。
【００４０】
（ａＺ２）；水酸基含有モノマー
（ａＺ２−１）；水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル
（ａＺ２−１−１）；一般式（２）で示される（メタ）アクリレート；
ＣＨ2＝Ｃ（Ｒ6）−ＣＯＯ−（ＡＯ）x−Ｈ （２）
【００４１】
式中、Ｒ6は水素原子またはメチル基、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基であ
り、ｘは１〜２０（好ましくは１）の整数である。
（Ｚ２−１−１）としては、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチ
ルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートおよび２−ヒドロキシエトキシエチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシアルキル（炭素数２〜４）（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
（ａＺ２−１−２）３〜８個の水酸基を含有する多価アルコールの（メタ）アクリレート；多価アルコール（Ｅ）の（メタ）アクリレート［例えば、グリセリンモノ−又はジ−（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンモノ−又はジ−（メタ）アクリレート並びに蔗糖（メタ）アクリレートなど］。
【００４２】
（ａＺ２−２）炭素数２〜１２のアルケノール［ビニルアルコール（酢酸ビニル単位の加水分解により形成される）、および炭素数３〜１２のアルケノール｛（メタ）アリルアルコール、（イソ）プロペニルアルコール、クロチルアルコール、１−ブテン−３−オール、１−ブテン−４−オール、１−オクテノール、１−ウンデセノールおよび１−ドデセノールなど｝など］。
【００４３】
（ａＺ２−３）炭素数４〜１２のアルケンジオール［２−ブテン−１，４−ジオールなど］。
【００４４】
（ａＺ２−４）炭素数３〜１２のアルケニル基を有する水酸基含有アルケニルエーテル［ヒドロキシアルキル（炭素数１〜６）アルケニル（炭素数３〜１２）エーテル｛例えば２−ヒドロキシエチルプロペニルエーテルなど｝、並びに多価アルコール（Ｅ）のアルケニル（炭素数３〜１２）エーテル｛例えば、トリメチロールプロパンモノ−およびジ−（メタ）アリルエーテルおよび蔗糖（メタ）アリルエーテルなど｝など］。
【００４５】
（ａＺ２−５）水酸基含有芳香族モノマー［ｏ−、ｍ−またはｐ−ヒドロキシスチレンなど］。
【００４６】
（ａＺ２−６）モノマー（ａＺ２−１）〜（ａＺ２−５）の（ポリ）オキシアルキレンエーテル［例えば、（ａＺ２−１）〜（ａＺ２−５）の水酸基のうちの少なくとも１個が−Ｏ−（ＡＯ）y−ＡＯ−Ｈで置換されたモノマー｛但し、ＡＯは一般式（２）と同じ。ｙ
は０または１〜２０の整数。｝など］。
【００４７】
（ａＺ３）；アミド基基含有モノマー
（ａＺ３−１）；下記一般式（３）で示される（メタ）アクリルアミド
ＣＨ2＝Ｃ（Ｒ6）−ＣＯ−Ｎ（Ｒ’）−Ｒ”        （３）
【００４８】
式中、Ｒ6は一般式（２）と同じ、Ｒ’およびＲ”はそれぞれ独立に水素原子、炭素数
１〜４のアルキル基および炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基から選ばれる基である。（ａＺ３−１）としては、非置換又はアルキル置換のアクリルアミド［アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−モノ−アルキル（炭素数１〜４）およびＮ，Ｎ−ジ−アルキル（炭素数１〜４）−（メタ）アクリルアミド｛（ジ）メチル、（ジ）エチル、（ジ）ｉ−プロピル、（ジ）ｎ−ブチル又は（ジ）ｉ−ブチルでアミノ基の水素原子が置換された（メタ）アクリルアミドなど｝など］、ヒドロキシアルキル置換アクリルアミド［Ｎ−モノ−ヒドロキシアルキル（炭素数１〜４）又はＮ，Ｎ−ジ−ヒドロキシアルキル（炭素数１〜４）でアミノ基の水素原子が置換された（メタ）アクリルアミド｛Ｎ−ヒドロキシメチル、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシメチル、Ｎ，Ｎ−ジ−２−ヒドロキシエチル、Ｎ，Ｎ−ジ−４−ヒドロキシブチルでアミノ基の水素原子が置換された（メタ）アクリルアミドなど｝など］など、
【００４９】
（ａＺ３−２）；Ｎ−ビニルカルボン酸アミド［Ｎ−ビニルカルボン酸アミド｛Ｎ−ビニ
ルホルムアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルｎ−又はｉ−プロピオンアミド並びにＮ−ビニルヒドロキシアセトアミドなど｝およびＮ−ビニルラクタム｛Ｎ−ビニルピロリドンなど｝など］。
【００５０】
（ａＺ４）；（ａＺ３）以外の窒素原子含有不飽和モノマー
（ａＺ４−１）；少なくとも１個の１級、２級又は３級のアミノ基を含むアミノ基含有モノマー、
（ａＺ４−１−１）アミノ基含有脂肪族モノマー、
（ａＺ４−１−１−１）一般式Ｄ−ＮＨＤ1で示されるモノ−およびジ−アルケニルアミ
ン（但し、式中Ｄ1は水素原子またはＤ、Ｄは炭素数２〜１０、好ましくは炭素数３〜６
のアルケニル基）［例えば（ジ）（メタ）アリルアミンおよび（イソ）クロチルアミンなど］、
（ａＺ４−１−１−２）アミノ基含有アクリルモノマー〔アミノ基含有（メタ）アクリレート［｛モノ−アルキル（炭素数１〜４）｝アミノアルキル（炭素数２〜６）（メタ）アクリレート｛アミノエチル、アミノプロピル、メチルアミノエチル、エチルアミノエチル、ブチルアミノエチル又はメチルアミノプロピルの（メタ）アクリレートなど｝、ジ−アルキル（炭素数１〜４）アミノアルキル（炭素数２〜６）（メタ）アクリレート｛ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレートおよびジブチルアミノエチル（メタ）アクリレートなど｝など］、およびこれらの（メタ）アクリレートに対応するアミノ基含有（メタ）アクリルアミドなど〕、
（ａＺ４−１−２）アミノ基含有複素環式モノマー〔アミノ基含有複素環式アクリルモノマー［モルホリノ−アルキル（炭素数２〜４）（メタ）アクリレート｛モルホリノエチル（メタ）アクリレートなど｝など］、ビニル置換複素環式アミン［ビニルピリジン｛４−又は２−ビニルピリジンなど｝など］、Ｎ−ビニルピロールおよびＮ−ビニルピロリジンなど〕、
（ａＺ４−１−３）アミノ基含有芳香族モノマー［アミノスチレン｛アミノスチレンおよび（ジ）メチルアミノスチレンなど｝など］、
（ａＺ４−１−４）（ａＺ４−１−１）〜（ａＺ４−１−３）の塩［塩酸塩、硫酸塩、リン酸塩硝酸塩および炭素数１〜８のカルボン酸塩］、
【００５１】
（ａＺ４−２）第４級アンモニウム塩基含有モノマー［（ａＺ４−１−１）〜（ａＺ４−１−３）の４級化によって得られる第４級アンモニウム塩など］
４級化剤としては、アルキル（炭素数１〜８）ハロゲン化物（メチルクロライドなど）、ベンジルハライド（塩化ベンジルなど）、ジアルキル（炭素数１〜２）サルフェート（ジメチルサルフェートおよびジエチルサルフェートなど）およびジアルキル（炭素数１〜２）カーボネート（ジメチルカーボネートなど）などが使用できる。
また、（ａＺ４−２）には、１種または２種以上のアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド（エチレンオキサイドおよびプロピレンオキサイド等）で（ａＺ４−１−４）を４級化することにより得られ第４級アンモニウム塩も含まれる。
【００５２】
（ａＺ４−３）ニトリル（シアノ基）またはニトロ基を含有するモノマー［（メタ）アクリロニトリルおよびニトロスチレンなど］。
【００５３】
（ａＺ５）；炭素数２〜３６の不飽和炭化水素、
（ａＺ５−１）；炭素数２〜３６の不飽和脂肪族炭化水素［炭素数２〜３６のアルケン｛エチレン、プロピレン、イソブテン、ブテン、ペンテン、ヘプテン、ジイソブチレン、オクテン、ドデセンおよびオクタデセンなど｝、炭素数４〜１２のアルカジエン｛ブタジエン、イソプレン、１，４−ペンタジエン、１，６−ヘプタジエンおよび１，７−オクタジエンなど｝など］、
【００５４】
（ａＺ５−２）；炭素数５〜２４の不飽和脂環式炭化水素［シクロアルケン（シクロヘキセンなど）、ジシクロアルカジエン（シクロペンタジエンおよびジシクロペンタジエンなど）、環式テルペン（ピネンおよびリモネンなど）、ビニル（ジ）シクロアルケン（ビニルシクロヘキセンなど）、エチリデン（ジ）シクロアルケン（エチリデンビシクロヘプテンおよびエチリデンノルボルネンなど）および芳香環含有シクロアルケン（インデンなど）など］、
【００５５】
（ａＺ５−３）；不飽和芳香族炭化水素［スチレンおよびその誘導体｛炭素数１〜２０の炭化水素（アルキル及びアリル等）で置換されたスチレン（α−メチルスチレン、ビニルトルエン、２，４−ジメチルスチレン、４−エチルスチレン、４−イソプロピルスチレン、４−ブチルスチレン、４−フェニルスチレン、４−シクロヘキシルスチレン、４−ベンジルスチレンおよび４−クロチルベンゼンなど）など｝および多環芳香族モノビニルモノマー（４−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、２−ビニルビフェニル、１−または２−ビニルナフタレンおよび１−または２−ビニルアントラセンなど）など］。
【００５６】
（ａＺ６）；エポキシ基含有不飽和モノマー［エポキシ基含有アクリルモノマー｛グリシジル（メタ）アクリレートなど｝およびエポキシ基含有アルケニル（炭素数２〜１０、好ましくは炭素数３〜６）エーテル｛グリシジル（メタ）アリルエーテルなど｝など］。
【００５７】
（ａＺ７）；ハロゲン原子含有不飽和モノマー［ビニルまたはビニリデンハロゲン化物（塩化ビニル、臭化ビニルおよび塩化ビニリデンなど）、アルケニル（炭素数３〜６）ハロゲン化物｛塩化（メタ）アリルなど｝およびハロゲン置換スチレン｛（ジ）クロロスチレンなど｝など］。
【００５８】
（ａＺ８）；アルキルアルケニルエーテル［アルキル（炭素数１〜１０）アルケニル（炭素数２〜１０）エーテル｛アルキルビニルエーテル（メチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテルおよびエチルビニルエーテルなど）並びにアルキル（メタ）アリルエーテルおよび（イソ）プロペニルエーテル（メチルアリルエーテルおよびエチルアリルエーテルなど）など｝など］。
【００５９】
（ａＺ９）；アルケニルカルボキシレート［酸酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、ヘキサン酸ビニル、ヘプタン酸ビニル、２−エチルヘキサン酸ビニルおよびｎ−オクタン酸ビニルなど］。
【００６０】
（ａＺ１０）；不飽和ジカルボン酸ジアルキルエステル［不飽和ジカルボン酸（マレイン酸、フマル酸、イタコン酸およびシトラコン酸など）の炭素数１〜４０（好ましくは１〜２０）のジアルキルエステル、ジシクロアルキルエステル又はジアラルキルエステル｛ジメチル、ジエチル又はジオクチルのマレート、フマレート又はイタコネートなど｝など］。
【００６１】
モノマー（ａＸ−１）〜（ａＸ−５）、または必要により用いるモノマー（ａＺ）は、それぞれ、単独で用いてもよいし、２種以上の混合物として用いてもよい。共重合体の場合は、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれの構造であってもよい。
モノマー（ａＺ）を用いる場合、（ａＸ−１）、（ａＸ−２）、（ａＸ−３）、（ａＸ−４）又は（ａＸ−５）と（ａＺ）とのモル比｛（ａＸ−１）、（ａＸ−２）、（ａＸ−３）、（ａＸ−４）又は（ａＸ−５）／（ａＺ）｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは２０〜８５／８０〜１５、最も好ましくは３０〜８０／７０〜２０である。
【００６２】
ポリマー（Ａ２−１−１）の具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、スチレン／ス
チレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体及び２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体などが挙げられる。
【００６３】
ポリマー（Ａ２−２−１）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体などが挙げられる。
【００６４】
ポリマー（Ａ２−３−１）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレートリン酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレートリン酸エステル共重合体などが挙げられる。
【００６５】
ポリマー（Ａ２−４−１）の具体例としては、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／メタクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体などが挙げられる。
【００６６】
ポリマー（Ａ２−５−１）の具体例としては、ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体などが挙げられる。
【００６７】
ポリマー（Ａ２−１―１）〜（Ａ２−５−１）の合成方法としては、公知のラジカル重合法が利用できる。例えば、モノマー（ａＸ−１）〜（ａＸ−５）と必要によりその他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）からなるモノマーと、ラジカル開始剤（過硫酸塩、アゾビスアミジノプロパン塩、アゾビスイソブチルニトリルなど）を、モノマーに対して０．１〜３０重量％用い、水またはアルコール系溶剤などの溶媒中で３０〜１５０℃の温度にて重合する。必要であれば、メルカプタンなどの連鎖移動剤を用いてもよい。
【００６８】
ポリマー反応によりスルホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−１−２）としては、不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）のスルホン化物等が含まれる。
不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）としては、水酸基含有芳香族モノマー（ａＺ２−５）、アミノ基含有芳香族モノマー（ａＺ４−１−２）または不飽和芳香族炭化水素（ａＺ５−３）を用いて、ラジカル重合法により得られるポリマー等が含まれる。この時、これらのモノマー（ａＺ２−５）、（ａＺ４−１−２）及び（ａＺ５−３）は単独で用いても、２種以上の混合物として用いてもよい。また、これらのモノマーに加えて、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）のうち、（ａＺ２−５）、（ａＺ４−１−２）及び（ａＺ５−３）以外のモノマーを共重合させてもよい。共重合体の場合、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。
ポリマー（Ａ２−１−２）の具体例としては、ポリスチレンのスルホン化物などが挙げられる。
【００６９】
ポリマー（Ａ２−１−２）の構成モノマー単位当たりのスルホン化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、５０〜１００が好ましく、さらに好ましくは８０〜９９である。なお、スルホン化率は、ポリマー（Ａ２−１−２）中の構成モノマー単位当たり、いくつのスルホン酸基が導入されたかを表す指標であり、例えば、ポリスチレンのスルホン化物の場合、スルホン化率が１００％とは、ポリスチレン中の全ての芳香族環に対して１つ
のスルホン酸基が導入されたことを意味する。スルホン化率は、公知の方法によって求めることができ、例えば元素分析により炭素原子と硫黄原子との比率を測定する方法や、結合硫酸量（ＪＩＳ  Ｋ３３６２：１９９８のアニオン界面活性剤の定量：対応ＩＳＯ  ２２７１）を測定する方法により求められる。
【００７０】
ポリマー反応により硫酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−２−２）としては、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の硫酸エステル化物等が含まれる。
水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）としては、水酸基含有モノマー（ａＺ２）を用いてラジカル重合法により得られるポリマー、後述する（Ｇ２）脂肪族多価アルコールの脱水縮合物、（Ｇ４）多糖類およびその誘導体、（Ｇ７）ノボラック樹脂及び（Ｇ８）ポリフェノールから選ばれる高分子多価アルコール等が含まれる。
【００７１】
水酸基含有モノマー（ａＺ２）は単独で用いても、２種以上の混合物として用いてもよい。また、（ａＺ２）に加えて、その他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）のうち、（ａＺ２）以外のモノマーを共重合させてもよい。共重合体の場合、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれの構造であってもよい。
【００７２】
ポリマー（Ａ２−２−２）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、セルロース、メチルセルロースまたはエチルセルロースの硫酸エステル化物などが挙げられる。
【００７３】
硫酸エステル化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、５０〜１００が好ましく、さらに好ましくは８０〜９９である。
なお、硫酸エステル化率（モル％）は、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の水酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（Ａ２−２−２）の硫酸基の量（モル数）との比で表すことができる。
水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の水酸基の量は、ＪＩＳ  Ｋ００７０−１９９２の水酸基価測定法記載の方法により求めることができ、また、硫酸基の量は、スルホン化率の場合と同様に求められる。
【００７４】
ポリマー反応によりリン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−３−２）としては、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）のリン酸エステル化物等が含まれる。
ポリマー（Ａ２−３−２）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、セルロース、メチルセルロースまたはエチルセルロースのリン酸エステル化物などが挙げられる。
【００７５】
ポリマー（Ａ２−３−２）中のリン酸エステル化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、３０〜１００が好ましく、さらに好ましくは５０〜９０である。
なお、リンエステル化率（モル％）は、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の水酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（Ａ２−３−２）のリン酸基の量（モル数）との比で表すことができる。
得られるポリマー（Ａ２−３−２）のリン酸基の量は、元素分析による炭素原子とリン原子との比率により算出できる。なお、得られるリン酸エステルは、モノエステルまたはジエステルのいずれでもよい。モノエステル及びジエステルが含まれる場合、モノエステル（ｍ）とジエステル（ｄ）とのモル比（ｄ／ｍ）は、５〜５０／５０〜９５が好ましく、さらに好ましくは１０〜３０／７０〜９０である。このモル比は、31Ｐ−ＮＭＲの積分比を用いて決定できる。
【００７６】
ポリマー反応によりホスホン酸基を導入して得られるポリマー（Ａ２−４−２）としては、不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）のホスホン化物等が含まれる。
ポリマー（Ａ２−４−２）具体例としては、ポリスチレンのホスホン化物などが挙げられる。
【００７７】
ポリマー（Ａ２−４−２）中のホスホン化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、５０〜１００が好ましく、さらに好ましくは８０〜９９である。
なお、ホスホン化率は、ポリマー（Ａ２−４−２）中の構成モノマー単位当たり、いくつのホスホン酸基が導入されたかを表す指標であり、例えば、ポリスチレンのホスホン化物の場合、ホスホン化率が１００％とは、ポリスチレン中の全ての芳香族環に対して１つのホスホン酸基が導入されたことを意味する。ホスホン化率は、公知の方法によって求めることができ、元素分析により炭素原子とリン原子との比率を測定する方法等が適用できる。
【００７８】
ポリマー反応によりカルボキシル基を導入して得られるポリマー（Ａ２−５−２）としては、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）のカルボキシメチル化物等が含まれる。
【００７９】
ポリマー（Ａ２−５−２）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロースなどが挙げられる。
【００８０】
ポリマー（Ａ２−５−２）中の全水酸基含量に対するカルボキシメチル化率（モル％）は、水への溶解性の観点等から、１０〜１００が好ましく、さらに好ましくは２０〜７０である。
なお、カルボキシメチル化率（モル％）は、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）の水酸基の量（モル数）と、得られるポリマー（Ａ２−５−２）のカルボキシル基の量（モル数）との比で表すことができる。
カルボキシル基の量は、ＪＩＳ  Ｋ００７０−１９９２酸価の測定法に準拠して求められる。
【００８１】
ポリマー（Ａ２−１−２）の合成方法としては、水酸基含有芳香族モノマー（ａＺ２−５）、アミノ基含有芳香族モノマー（ａＺ４−１−２）または不飽和芳香族炭化水素（ａＺ５−３）、及び必要によりその他のラジカル重合性不飽和モノマー（ａＺ）を用いて、ポリマー（Ａ２−１―１）〜（Ａ２−５−１）と同様なラジカル重合法により不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）を得た後、公知のスルホン化反応により得る方法等が適用できる。
スルホン化反応法としては、例えば、反応溶剤（例えば、１，２―ジクロロエタン、メチレンジクロリド、塩化エチル、四塩化炭素、１，１―ジクロルエタン、１，１，２，３−テトラクロルエタン、クロロホルム、エチレンジブロミドなどのスルホン化に不活性な溶剤）、スルホン化剤（例えば、無水硫酸、クロルスルホン酸など）を仕込んだ後、０〜５０℃で反応させ、必要により溶剤をろ過、留去させることによりスルホン化物を得ることができる。この時のスルホン化剤の使用量（モル比）は、水酸基含有芳香族モノマー（ａＺ２−５）、アミノ基含有芳香族モノマー（ａＺ４−１−２）及び不飽和芳香族炭化水素（ａＺ５−３）のモル数に基づいて、０．５〜３が好ましく、さらに好ましくは１〜２．５である。溶剤の使用量（重量％）は、該ポリマーの分子量にもよるが、原料ポリマーに対して通常１〜３０、好ましくは、２〜２０である。
【００８２】
ポリマー（Ａ２−２−２）の合成方法としては、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）を公知の硫酸エステル化反応により得る方法等が適用できる。
硫酸エステル化反応としては、硫酸エステル化剤（Ｖ１）〜（Ｖ４）を用いた公知の方法が利用できる。例えば（Ｖ１）クロロスルホン酸を用いる方法、（Ｖ２）サルファンを
用いる方法、（Ｖ３）スルファミン酸を用いる方法、（Ｖ４）硫酸を用いる方法等が挙げられる。なお、（Ｖ２）のサルファンについては、通常、乾燥窒素等で１〜３０容量％程度に希釈して用いる。反応温度は、（Ｖ１）、（Ｖ２）の場合、通常０〜７０℃、好ましくは１０〜５０℃である。（Ｖ３）、（Ｖ４）の場合、通常５０〜１５０℃、好ましくは６０〜１３０℃である。これらの硫酸エステル化剤の使用量（モル比）は、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）中の水酸基のモル数に基づいて、１〜３が好ましく、さらに好ましくは１．５〜２．５である。
【００８３】
ポリマー（Ａ２−３−２）の合成方法としては、ポリマー（Ａ２−２−２）と同様に、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）を公知のリン酸エステル化反応により得る方法等が適用できる。
リン酸エステル化反応としては、リン酸エステル化剤（オキシハロゲン化リン、五酸化二リンなど）を用いた公知の方法が利用できる。このリン酸エステル化反応は、窒素雰囲気下、無溶媒でも行えるが、アセトニトリル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、四塩化炭素、クロロホルムなどの溶媒を用いてもよい。反応温度は、用いるリン酸エステル化剤によって異なるが、通常−３０〜１５０℃であり、好ましくは２０〜５０℃である。リン酸エステル化剤の使用量（モル比）は、ポリマー（Ａ２−２−１）中の水酸基のモル数に基づいて、リン酸モノエステルを主成分として得る場合、０．８〜１．５が好ましく、さらに好ましくは０．９５〜１．１であり、リン酸ジエステルを主成分として得る場合、１．７〜２．５が好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．２である。
【００８４】
ポリマー（Ａ２−４−２）の合成方法としては、ポリマー（Ａ２−１−２）と同様に、不飽和結合を有するポリマー（Ａ２−１−２−１）を公知のホスホン化反応により得る方法等が適用できる。
ホスホン化反応法としては、公知の方法が利用できる。例えば、（Ｐ１）無水塩化アルミニウム存在下、クロロメチルエーテル等と反応させ、芳香環にハロメチル基を導入後、これに三塩化リンと無水塩化アルミニウムを加え、更に加水分解反応によりホスホン酸基を導入する方法、（Ｐ２）三塩化リンと無水塩化アルミニウムを加えて反応させ、芳香環にホスフィン酸基を導入後、硝酸によりホスフィン酸基を酸化してホスホン酸基とする方法が挙げられる。反応温度は、通常１０℃〜１５０℃であり、好ましくは４０〜１００℃である。ホスホン化剤の使用量（モル比）は、水酸基含有芳香族モノマー（ａＺ２−５）、アミノ基含有芳香族モノマー（ａＺ４−１−２）及び不飽和芳香族炭化水素（ａＺ５−３）のモル数に基づいて、０．５〜３が好ましく、さらに好ましくは１〜２．５である。
【００８５】
ポリマー（Ａ２−５−２）の合成方法としては、ポリマー（Ａ２−２−２）と同様に、水酸基を有するポリマー（Ａ２−２−２−１）を公知のカルボキシメチル化反応により得る方法等が適用できる。
カルボキシメチル化反応法としては、例えば、窒素雰囲気下でモノクロル酢酸ナトリウム等のモノハロゲン化低級カルボン酸塩と苛性アルカリ（水酸化カリウムなど）および必要により溶媒（トルエンなど）の存在下、脱塩反応する方法が挙げられる。反応温度は通常３０〜１００℃、好ましくは４０〜７０℃である。
【００８６】
ポリマー（Ａ２−１−３）を合成する際に用いるスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）としては、アリールスルホン酸（ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）アリールスルホン酸（トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、モノブチルビフェニルスルホン酸など）、多環芳香族スルホン酸（ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族スルホン酸｛アルキル（炭素数１〜２４）ナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸、イソプロピルナフタレンスルホン
酸、ブチルナフタレンスルホン酸、ラウリルナフタレンスルホン酸、エイコシルナフタレンスルホン酸など）、メチルアントラセンスルホン酸、ラウリルアントラセンスルホン酸、エイコシルアントラセンスルホン酸など｝、フェノールスルホン酸（フェノールスルホン酸、モノブチルフェニルフェノールモノスルホン酸、ジブチルフェニルフェノールジスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）フェノールスルホン酸（クレゾールスルホン酸、ノニルフェノールスルホン酸、エイコシルフェノールスルホン酸など）、芳香族アミノスルホン酸（アニリンスルホン酸など）、リグニンスルホン酸（リグニンスルホン酸塩、変性リグニンスルホン酸）、トリアジン環を有するスルホン酸基含有化合物（メラミンスルホン酸など）などが挙げられる。
これらの内で再付着防止性の観点等から、アルキル（炭素数１〜２４）アリールスルホン酸、多環芳香族スルホン酸、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族スルホン酸が好ましく、さらに好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸である。
【００８７】
ポリマー（Ａ２−４−３）を合成する際に用いるホスホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−４）としては、アリールホスホン酸（ベンゼンホスホン酸、トルエンホスホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）アリールホスホン酸（トルエンホスホン酸、ドデシルベンゼンホスホン酸、モノブチルビフェニルホスホン酸など）、多環芳香族ホスホン酸（ナフタレンホスホン酸、アントラセンホスホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族ホスホン酸｛アルキル（炭素数１〜２４）ナフタレンホスホン酸（メチルナフタレンホスホン酸、ジメチルナフタレンホスホン酸、イソプロピルナフタレンホスホン酸、ブチルナフタレンホスホン酸、ラウリルナフタレンホスホン酸、エイコシルナフタレンホスホン酸など）、メチルアントラセンホスホン酸、ラウリルアントラセンホスホン酸、エイコシルアントラセンホスホン酸など｝、フェノールホスホン酸（フェノールホスホン酸、モノブチルフェニルフェノールモノホスホン酸、ジブチルフェニルフェノールジホスホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）フェノールホスホン酸（クレゾールホスホン酸、ノニルフェノールホスホン酸、エイコシルフェノールホスホン酸など）、芳香族アミノホスホン酸（アニリンホスホン酸など）などが挙げられる。
これらの内で再付着防止性の観点等から、アルキル（炭素数１〜２４）アリールホスホン酸、多環芳香族ホスホン酸、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族ホスホン酸が好ましく、さらにに好ましくはドデシルベンゼンホスホン酸、ナフタレンホスホン酸、ジメチルナフタレンホスホン酸である。
【００８８】
ポリマー（Ａ２−５−３）を合成する際に用いるカルボキシル基を有する芳香族化合物（ａＹ−５）としては、アリールカルボン酸（安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、イソフタル酸など）、多環芳香族カルボン酸（ナフタリンカルボン酸、ナフタリンジカルボン酸、４，５−フエナントレンジカルボン酸、アントラセンカルボン酸、オキシナフトエ酸など）などが挙げられる。
これらの内で重縮合性の観点から、安息香酸及びヒドロキシ安息香酸が好ましい。
【００８９】
ポリマー（Ａ２−１−３）、（Ａ２−４−３）、（Ａ２−５−３）には、スルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）、ホスホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−４）、カルボキシル基を有する芳香族化合物（ａＹ−５）以外に、必要によりその他の芳香族化合物（ａＯ）や尿素等を構成成分とすることができる。
その他の芳香族化合物（ａＯ）としては、アルキルベンゼン（アルキル基の炭素数１〜２０）、ナフタレン、フェノール、クレゾールなどが挙げられる。
【００９０】
ポリマー（Ａ２−１−３）の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラ
ミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。
【００９１】
ポリマー（Ａ２−４−３）の具体例としては、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。
【００９２】
ポリマー（Ａ２−５−３）の具体例としては、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。
【００９３】
ポリマー（Ａ２−１−３）、（Ａ２−４−３）及び（Ａ２−５−３）の合成方法としては、公知の方法が利用できる。例えば、上記スルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）、ホスホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−４）またはカルボキシル基を有する芳香族化合物（ａＹ−５）と、必要によりその他の化合物（ａＯ）や尿素、触媒として用いる酸（硫酸など）またはアルカリ（水酸化ナトリウムなど）を反応容器に仕込み、７０〜９０℃の攪拌下で所定量のホルマリン水溶液（例えば３７重量％水溶液）を１〜４時間かけて滴下し、滴下後、還流下で３〜３０時間攪拌して冷却する方法が挙げられる。
また化合物（ａＹ−１）、（ａＹ−４）または（ａＹ−５）は、予め一部または全部のスルホン酸基、ホスホン酸基またはカルボキシル基を窒素含有塩基性化合物（Ｂ）で中和したものを用いて、ポリマー（Ａ２−１−２）を合成すると同時に直接中和塩（ＡＢ）を得てもよい。
その他の化合物（ａＯ）を用いる場合、（ａＹ−１）、（ａＹ−４）又は（ａＹ−５）と（ａＯ）とのモル比｛（ａＹ−１）、（ａＹ−４）又は（ａＹ−５）／（ａＯ）｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは３０〜８５／７０〜１５、最も好ましくは５０〜８０／５０〜２０である。
【００９４】
尿素を用いる場合、（ａＹ−１）、（ａＹ−４）又は（ａＹ−５）と尿素とのモル比｛（ａＹ−１）、（ａＹ−４）又は（ａＹ−５）／尿素｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは３０〜８５／７０〜１５、最も好ましくは５０〜８０／５０〜２０である。
【００９５】
また、（ａＹ−１）、（ａＹ−４）、（ａＹ−５）または（ａＯ）は２種以上の混合物として用いてもよい。
【００９６】
本発明に用いる有機酸（Ａ）の内、パーティクルの再付着防止性の観点から、ポリマー（Ａ２）がより好ましい。
ポリマー（Ａ２）の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記。）は、再付着防止性および低泡性の観点等から、３００〜８００，０００が好ましく、さらに好ましくは６００〜４００，０００、特に好ましくは１，０００〜８０，０００、最も好ましくは２，０００〜４０，０００である。
本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記。）によって、ポリエチレンオキシドを基準物質として４０℃で測定される。たとえば、装置本体：Ｗａｔｅｒｓ５１０（日本ウォーターズ・リミテッド製）、カラム：東ソー（株）製ＴＳＫｇｅｌ Ｇ５０００ ＰＷＸＬ、Ｇ３０００ ＰＷ ＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５重量％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理装置：ＳＣ−８０１０（東ソー株式会社
製）。
【００９７】
本発明における第４級アンモニウム塩（Ｂ）としては、上記の有機酸（Ａ）に含まれる酸基の全てが第４級アンモニウム塩を形成しているものの他に、酸基の一部（酸基１当量に対して少なくとも０．５当量）が第４級アンモニウム塩を形成しているものも含まれる。
【００９８】
本発明における第４級アンモニウム塩（Ｂ）は、３級アミン（Ｃ）と炭酸ジアルキルエステルとの反応で得られた第４級アンモニウム炭酸塩と、有機酸（Ａ）とのアニオン交換反応によって得る方法、および第４級アンモニウム水酸化物と有機酸（Ａ）との反応によって得る方法などが挙げられる。これらのうち、金属原子含量をより少なくできる観点から前者の方法が好ましい。
【００９９】
３級アミン（Ｃ）としては、脂肪族アミン、脂環式アミン、含窒素ヘテロ環芳香族アミン、分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物、分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物および分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格を有する化合物などが挙げられる。
【０１００】
脂肪族アミンとしては、例えばトリアルキル（炭素数１〜１８）アミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジメチルブチルアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルドデシルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジエチル−１−プロピルアミン、ジエチルオクチルアミン、ジエチルドデシルアミンなど）、およびアルカノールアミン（トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミンなど）などが挙げられる。
【０１０１】
脂環式アミンとしては、例えばＮ−メチルピロリジン、Ｎ−エチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ−メチルヘキサメチレンイミン、Ｎ−エチルヘキサメチレンイミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−ブチルモルホリン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルピペラジンなどが挙げられる。
【０１０２】
含窒素ヘテロ環芳香族アミンとしては、例えばピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ピコリン、プロトンスポンジ誘導体｛例えば、１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン、１−ジメチルアミノ−８−メチルアミノ−キノリジン、１−ジメチルアミノ−７−メチル−８−メチルアミノ−キノリジン、１−ジメチルアミノ−７−メチル−８−メチルアミノ−イソキノリン、７−メチル−１，８−メチルアミノ−２，７−ナフチリジン、２，７−ジメチル−１，８−メチルアミノ−２，７−ナフチリジンなど｝が挙げられる。
【０１０３】
分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物としては、例えば、単環式グアニジン［２−アミノ−イミダゾール｛２−アミノ−１Ｈ−イミダゾール、２−ジメチルアミノ−１Ｈ−イミダゾール、２−アミノ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−ジメチルアミノ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾールなど｝、２−アミノ−テトラヒドロピリミジン｛２−アミノ−１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、２−ジメチルアミノ−１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジンなど｝、２−アミノ−ジヒドロピリミジン｛２−アミノ−１，６（４）−ジヒドロピリミジン、２−ジメチルアミノ−１，６（４）−ジヒドロピリミジンなど］、多環式グアニジン［｛１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（以下ＴＢＤと略記）、１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（以下ＭＴＢＤと略記）］などが挙げられる。
【０１０４】
分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物としては、例えば、イミダゾール
｛１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾールなど｝、テトラヒドロピリミジン｛１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、２−メチル−１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジンなど｝、ジヒドロピリミジン｛１，６（４）−ジヒドロピリミジン、２−メチル−１，６（４）−ジヒドロピリミジンなど｝、下記一般式（４）で表される２環式アミジンなどが挙げられる。
【０１０５】
【化２】
2007335856.tif 000002
【０１０６】
式中、Ｒ7及びＲ8は、互いに独立して水素、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数７〜３０のアリールアルキル基を表し、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基及びアリールアルキル基中の水素原子の一部又は全部が水酸基、アミノ基、（ジ）アルキル（炭素数１〜２４）アミノ基、（ジ）ヒドロキシアルキル（炭素数２〜４）アミノ基、メルカプト基またはハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。また２つのＲ7又は２つのＲ8は、互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１２の環を形成してもよい。ｍおよびｎは互いに独立して１〜１２の整数を表す。
炭素数１〜２４のアルキル基又は炭素数２〜２４のアルケニル基としては、疎水基（Ｙ）で例示したアルキル基又はアルケニル基の内、炭素数１〜２４のものが挙げられる。
炭素数２〜３０のアルキニル基としては、直鎖状及び分岐状のいずれでもよく、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−又は２−ドデシニル、１−又は２−トリデシニル、１−又は２−テトラデシニル、１−又は２−ヘキサデシニル、１−又は２−ステアリニル、１−又は２−ノナデシニル、１−又は２−エイコシニル、１−又は２−テトラコシニルが挙げられる。
炭素数６〜２４のアリール基としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル及びメチルナフチルなどが挙げられる。
炭素数７〜２４のアリールアルキル基としては、ベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシル、７−フェニルヘプチル、８−フェニルオクチル、１０−フェニルデシル、１２−フェニルドデシル、ナフチルメチル及びナフチルエチルなどが挙げられる。
２つのＲ7又は２つのＲ8が互いに結合して炭素数４〜１２の環を形成する場合、２つのＲ7又は２つのＲ8は、２価の有機基（炭素数４〜１２のアルキレン基等）を形成する。
炭素数４〜１２のアルキレン基としては、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、デシレン及びドデシレンなどが挙げられ、これらのアルキレン基はエーテル結合等で結合されていてもよい。
【０１０７】
一般式（４）で表される化合物の具体例としては、｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、（以下ＤＢＵと略記。なお、ＤＢＵはサンアプロ社の登録商標である。）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（以下ＤＢＮと略記）、１，８−ジアザビシクロ［５．３．０］デセン−７、１，４−ジアザビシクロ［３．３．０］オクテン−４、１，５−ジアザビシクロ［４．４．０］デセン−５、６−ジメチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、６−（２−ヒドロキシエチル）−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、６−（２−ヒドロキシプロピル）−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、７−（２−ヒドロキシエチル）−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、７−（２−ヒドロキシプロピル）−１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、６−ジ（２−ヒドロキシエチル）アミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンなど｝などが挙げられる。
【０１０８】
分子内に少なくとも１つのＮ＝Ｐ−Ｎ骨格を有する化合物としては、例えば、下記一般式（５）で表されるホスファゼン化合物などが挙げられる。
【０１０９】
【化３】
2007335856.tif 000003
【０１１０】
式中Ｒ9、Ｒ10は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数
２〜２４のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基および炭素数７〜２４のアリールアルキル基を表す。また、Ｒ9、Ｒ10中の水素原子は水酸基、アミノ基、メルカプト基ま
たはハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよく、また隣接するＲ10は互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１２の環を形成してもよい。ｋは１〜４の整数を表す。
一般式（５）中の炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基および炭素数７〜２４のアリールアルキル基としては、前記のＲ7と同様のものが挙げられる。
隣接するＲ10が環を形成する場合、２つのＲ10は前記のＲ7又はＲ8と同様に２価の有機基を形成する。
【０１１１】
一般式（５）で示される化合物の具体例としては、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、ＣＨ3ＣＨ＝ＣＨ［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、４−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4［Ｎ＝Ｐ（ｄｍａ）2］Ｎ（ＣＨ3）2、Ｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）、Ｍｅ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）、Ｅｔ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）、ｔ−Ｂｕ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）、Ｐｈ［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）、４−Ｍｅ−Ｃ6Ｈ4［Ｎ＝Ｐ（ｐｙｒｒ）2］（ｐｙｒｒ）などが挙げられる。
なお、Ｍｅはメチル、Ｅｔはエチル、Ｐｈはフェニル、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル、（ｄｍａ）はジメチルアミノ、（ｐｙｒｒ）は１−ピロリジニリルを表す。
【０１１２】
第３級アミン（Ｃ）のｐＫａは、１１〜４０が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは１１．５〜３０、特に好ましくは１２〜２５である。
なお、ｐＫａは、公知の方法｛例えば、Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．６５，６２６（１９８７）｝等により得られる。
【０１１３】
第４級アンモニウム炭酸塩の製造において使用する炭酸ジアルキルエステルとしては、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸エチルメチル、炭酸ジプロピル等が挙げられるが、特に好ましくは炭酸ジメチルである。
【０１１４】
３級アミンと炭酸ジアルキルエステルとのモル比は、０．３〜４である。反応溶媒としては、必要により使用してもよく、例えばメタノールやエタノールが挙げられる。反応温度としては、３０〜１５０℃である。
【０１１５】
第４級アンモニウム炭酸塩と有機酸（Ａ）とのアニオン交換反応は、溶媒の存在下または非存在下で行えばよく、発生する炭酸ガスを反応系から適時除くことにより得ることができる。
溶媒としては、水、メタノール、エタノールなどが使用できる。
アニオン交換反応の温度は１０℃〜３０℃、時間は３０分〜２時間が好ましい。
反応後は、必要により溶媒を留去して固体として本発明の洗浄剤に用いてもよく、また新たに水を加えて水溶液としてもよく、反応に使用した溶媒をそのまま残して、もしくは新たに有機溶媒（例えば、アセトン、メタノール、エタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドンなど）に溶解させて有機溶媒溶液として用いてもよい。
【０１１６】
第４級アンモニウム塩（Ｂ）のＭｗは、再付着防止性および低泡性の観点等から、１，０００〜１，０００，０００が好ましく、さらに好ましくは２，０００〜５００，０００、特に好ましくは５，０００〜１００，０００、最も好ましくは５，０００〜２０，０００である。
【０１１７】
本発明の洗浄剤における第４級アンモニウム塩（Ｂ）の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常０．１重量％以上、好ましくは０．５〜８０％（以下において、特に限定しない限り％は重量％を表す）、さらに好ましくは０．５〜５０％、特に好ましくは１〜２０％である。０．５％以上であれば、再付着防止性およびパーティクル除去性の効果が発揮し易い。
【０１１８】
本発明の洗浄剤は、第４級アンモニウム塩（Ｂ）以外に、他の成分として、ノニオン性界面活性剤（Ｄ）、アルカリ成分（Ｅ）、アニオン性、カチオン性および両性界面活性剤（Ｆ）、分散剤（Ｇ）、並びにその他の添加剤（Ｈ）を含有してもよい。
【０１１９】
ノニオン性界面活性剤（Ｄ）は、微細構造を有するエレクトロニクス材料への細部への浸透性の向上や基板表面を均一に洗浄するという観点から含有することが好ましい。
ノニオン性界面活性剤としては、アルキレンオキシド付加型非イオン界面活性剤（Ｄ−１）および多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｄ−２）などが挙げられる。（Ｄ−１
）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）アルキレン（炭素数２〜４）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、ポリプロピレングリコール（分子量２００〜４０００）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５０）付加物、およびポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル、ソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物、ソルビタンモノオレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物などの多価（２〜８価またはそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）などが挙げられる。（Ｄ−２）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価またはそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル、ラウリン酸モノエタノールアミド、ラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
【０１２０】
これらのうち、好ましくは（Ｄ−１）であり、更に好ましくは下記一般式（６）で示される化合物である。
Ｒ11Ｏ−（Ａ1Ｏ）ｐ−Ｈ （６）
【０１２１】
上記一般式（１）において、Ｒ11は、炭素数８〜１８の脂肪族炭化水素基であり、好ましくは炭素数１０〜１８の脂肪族炭化水素基である。炭素数が８〜１８の範囲であるとより良好な洗浄力が得られる。具体的には、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、ラウリル基、ミリスチル基、パルミチル基、ステアリル基、１，１−ジメチルオクチル基などの飽和脂肪族炭化水素基；オクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、ペンタデセニル基、オレイル基、リノレイル基などの不飽和脂肪族炭化水素基（アルケニル基、アルカジエニル基、アルカトリエニル基およびアルカポリエニル基）；エチルシクロヘキシル基、プロピルシクロヘキシル基、オクチルシクロヘキシル基、ノニルシクロヘキシル基などの環状脂肪族炭化水素基等が挙げられる。これら脂肪族炭化水素基は、直鎖状でも分岐状でもよい。
【０１２２】
一般式（６）において、Ａ1は、炭素数２〜４のアルキレン基を示し、具体的には、エ
チレン基、プロピレン基およびブチレン基が挙げられる。
（Ａ1Ｏ）単位が２以上の場合は、単独、ランダム、ブロックのいずれでもよい。また、
ｐは、１〜３０の整数であり、好ましくは６〜２０である。ｐが１〜３０の範囲であるとより良好な洗浄力が得られる。
【０１２３】
ノニオン性界面活性剤（Ｄ）を使用する場合、（Ｄ）の含有量は、洗浄性の観点から、洗浄剤の重量に基づいて８０％以下、好ましくは０．１〜８０％、さらに好ましくは１〜６０％、特に好ましくは１０〜５０％である。
【０１２４】
ノニオン性界面活性剤（Ｄ）の曇点は、洗浄力の観点から、２重量％濃度において、１０℃以上が好ましく、より好ましくは２０〜９０℃、特に好ましくは４０〜７０℃である。
【０１２５】
本発明の洗浄剤は、パーティクルまたは油汚れに対する洗浄性の観点等から、必要によりアルカリ成分（Ｅ）を含んでもよい。
アルカリ成分（Ｅ）としては、（Ｅ１）一般式（１）で表される有機アルカリ（Ｅ２）アンモニア、（Ｅ３）アルカノールアミンおよび（Ｅ１）〜（Ｅ３）の混合物がが挙げられる。
【０１２６】
【化４】
2007335856.tif 000004
【０１２７】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ炭素数１〜２４の炭化水素基または−（Ｒ5Ｏ）p−Ｈで表される基であり、Ｒ5は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは１〜６の整数
を表す。
炭素数１〜２４の炭化化水素基としては、上記式（４）炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基および炭素数７〜２４のアリールアルキル基などと同様である。
炭素数２〜４のアルキレン基としては、エチレン、プロピレン及びブチレンなどが含まれる。これらの中で洗浄性の観点から、エチレン及びプロピレンが好ましい。ｐは１〜３が好ましい。
【０１２８】
一般式（１）で示される有機アルカリ（Ｅ１）の具体例としては、以下の（１）〜（５）のカチオンとハイドロキサイドアニオンとからなる塩等が例示できる。
（１）テトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜６）
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ（ｎ−またはｉ−）プロピルアンモニウム、テトラ（ｎ−、ｉ−またはｔ−）ブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウムおよびテトラエチルアンモニウムなど。
【０１２９】
（２）炭素数１〜６のアルキル基３個と炭素数７〜２４の炭化水素基１個とからなるアンモニウムカチオン
トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルへキシルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウムおよびトリへキシルステアリルアンモニウムなど。
【０１３０】
（３）炭素数１〜６のアルキル基２個と炭素数７〜２４の炭化水素基２個とからなるアンモニウムカチオン
ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウムおよびジメチルジベンジルアンモニウムなど。
【０１３１】
（４）炭素数１〜６のアルキル基１個と炭素数７〜２４の炭化水素基３個とからなるアンモニウムカチオン
メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウムおよびメチルオクチルジベンジルアンモニウムなど。
【０１３２】
（５）オキシアルキレン基を有するアンモニウムカチオン
（ｉ）オキシアルキレン基を１個有するカチオン［ヒドロキシエチルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルジメチルエチルアミンカチオンおよびヒドロキシエチルジメチルオクチルアミンカチオンなど］；
（ｉｉ）オキシアルキレン基を２個有するカチオン［ジヒドロキシエチルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアミンカチオンおよびビス（２−ヒドロキシエトキシエチル）オクチルアミンカチオンなど］；
（ｉｉｉ）オキシアルキレン基を３個有するカチオン［トリヒドロキシエチルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルエチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルブチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルエチルアミンカチオンおよびトリヒドロキシエチルオクチルアミンカチオンなど］。
【０１３３】
アルカノールアミン（Ｅ３）としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、エチレンジアミンのＥＯ付加物（付加モル数１〜７）などが挙げられる。
【０１３４】
アルカリ成分（Ｅ）のうち、洗浄性の観点から、有機アルカリ（Ｅ１）が好ましく、洗浄性とリンス性の観点等から、さらに好ましくは（１）テトラアルキルアンモニウムカチオン、（２）炭素数１〜６のアルキル基３個と炭素数７〜２４の炭化水素基１個とからなるアンモニウムカチオン、（３）炭素数１〜６のアルキル基２個と炭素数７〜２４の炭化水素基２個とからなるアンモニウムカチオン及び（４）炭素数１〜６のアルキル基１個と炭素数７〜２４の炭化水素基３個とからなるアンモニウムカチオンであり、特に好ましくは（１）および（２）、とりわけ特に好ましくは（１）、最も好ましいのはテトラメチルアンモニウムカチオン又はテトラエチルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩およびこれらの併用である。
【０１３５】
アルカリ成分（Ｅ）を使用する場合、洗浄性の観点等から、（Ｅ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは０．１〜１０％、さらに好ましくは０．３〜８％、特に好ましくは０．５〜５％である。
【０１３６】
本発明の洗浄剤には、本発明の効果に影響を及ぼさない範囲でアニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤および両性界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上の界面活性剤（Ｆ）を含有してもよい。
アニオン性界面活性剤としては、スルホン酸系界面活性剤、硫酸エステル系界面活性剤、リン酸エステル系界面活性剤、脂肪酸系界面活性剤、ポリカルボン酸型の界面活性剤などが挙げられ、これらのアニオン性界面活性剤の対カチオンとしては、アンモニウムカチオンおよびアミンカチオンなどが挙げられる。アミンカチオンとしては、１級アミン、２級アミンおよび前述の３級アミン（Ｃ）が挙げられる。
カチオン性界面活性剤としてはアミン系界面活性剤および４級アンモニウム塩型の界面活性剤が挙げられる。
両性界面活性剤としては、アミノ酸型界面活性剤およびベタイン型界面活性剤などが挙げられる。
これらの界面活性剤（Ｆ）を使用する場合、（Ｆ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、通常１０％以下、好ましくは０．０００１〜１０％である。
【０１３７】
分散剤（Ｇ）としては、本発明における有機酸ポリマー（Ａ２）のアンモニウム塩、アルキルアミン塩（ジメチルアミン塩、ジエチルアミン塩など）、アルカノールアミン塩（
モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩など）および上記例示した第３級アミン（Ｃ）の塩；多糖類およびその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプンなど）；ポバール；縮合リン酸（メタリン酸、ピロリン酸など）やリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸、トリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸など｝などが挙げられる。
これら分散剤（Ｇ）を使用する場合、これらの分散剤（Ｇ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、通常１０％以下、好ましくは０．０００１〜１０である。
【０１３８】
他の成分のうちの、ノニオン性界面活性剤（Ｄ）、アルカリ成分（Ｅ）、アニオン性、カチオン性および両性界面活性剤（Ｆ）および分散剤（Ｇ）の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常８０％以下、好ましくは１〜７０％である。
【０１３９】
その他の添加剤（Ｈ）としては、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤および還元剤などが挙げられる。
【０１４０】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノールなど｝；アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミン、モノノニルジフェニルアミンなどのモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン、４，４’−ジペンチルジフェニルアミンなどのジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン、テトラヘキシルジフェニルアミンなどのポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン、フェニル−α−ナフチルアミンなどのナフチルアミンなど｝；硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）、ビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィドなど｝；リン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト、トリフェニルホスファイトなど｝；などが挙げられる。
【０１４１】
キレート剤としては、アミノポリカルボン酸塩｛エチレンジアミンテトラ酢酸塩（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸塩（ＤＨＥＤＤＡ）、ニトリロ酸酢酸塩（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩（ＨＩＤＡ）、β−アラニンジ酢酸塩、アスパラギン酸ジ酢酸塩、メチルグリシンジ酢酸塩、イミノジコハク酸塩、セリンジ酢酸塩、ヒドロキシイミノジコハク酸塩、ジヒドロキシエチルグリシン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩など｝；ヒドロキシカルボン酸塩（ヒドロキシ酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩、グルコン酸塩など）；シクロカルボン酸塩（ピロメリット酸塩、ベンゾポリカルボン酸塩、シクロペンタンテトラカルボン酸塩など）；エーテルカルボン酸塩（カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート、酒石酸ジサクシネートなど）；その他カルボン酸塩（マレイン酸誘導体、シュウ酸塩など）；有機カルボン酸（塩）ポリマー｛アクリル酸重合体および共重合体（アクリル酸−アリルアルコール共重合体、アクリル酸−マレイン酸共重合体、ヒドロキシアクリル酸重合体、多糖類（前述）−アクリル酸共重合体など）；多価カルボン酸重合体および共重合体（マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、テトラメチレン−１，２−ジカルボン酸、コハク酸、アスパラギン酸、グルタミン酸などのモノマーの重合体および共重合体）、グリオキシル酸重合体、多糖類（デンプン、セルロース、アミロース、ペクチン、カルボキシメチルセルロースなど）；ホスホン酸塩｛メチルジホスホン酸塩、アミノトリスメチレンホスホン酸塩、エチリデンジホスホン酸塩、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸塩、エチルアミノビスメチレンホスホン酸塩、エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸塩、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、プロピレンジアミンテトラメチレンホスホン酸塩、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸塩、トリエチレンテトラミンヘキサメチレンホスホン酸塩およびテトラエチレンペンタミンヘプタメチレンホスホン酸塩など｝；などが挙げられる。
なお、これらの塩としては、アンモニウム塩、アルカノールアミン（モノエタノールアミン、トリエタノールアミンなど）塩などが挙げられる。
これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４２】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾールなどの含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物、ドデセニルコハク酸アミドなどのアルキルまたはアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート、ペンタエリスリトールモノオレエートなどの多価アルコール部分エステル等を挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４３】
ｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、硝酸などの鉱酸ならびにモノエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルカノールアミン、アンモニアなどの水溶性アミンが挙げられ、金属イオンなどの不純物を実質的に含まないものであればどのようなものでも使用でき、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４４】
緩衝剤の具体例としては、緩衝作用を有する有機酸または無機酸および／またはそれらの塩を用いることができる。有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸、マンデル酸などを挙げることができ、無機酸としては、例えばリン酸、ホウ酸などを挙げることができる。また、これらの酸の塩としては、アンモニウム塩やトリエタノールアミン塩などのアルカノールアミン塩などが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４５】
消泡剤の具体例としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン、ポリエーテルシリコーンなどを構成成分とする消泡剤など｝などが挙げられる。
【０１４６】
還元剤としては、亜硫酸塩（例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸アンモニウムなど）、チオ硫酸塩（例えば、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸アンモニウムなど）、アルデヒド（例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドなど）、リン系還元剤 （例えば、トリス
‐２‐カルボキシエチルホスフィンなど）、その他の有機系還元剤（例えば、ギ酸、シュウ酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、ピルビン酸、クエン酸、１，４−ナフトキノン−２−スルホン酸、アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、、没食子酸、ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミンなど）およびそれらの誘導体などがあげられる。
これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４７】
その他の添加剤（Ｈ）のうち好ましいのは、洗浄性の観点から、キレート剤である。
その他の添加剤（Ｈ）を使用する場合、それぞれの添加剤の添加量は、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤および還元剤は、洗浄剤の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは０．００１〜１０％である。また消泡剤の添加量は通常１％以下、好ましくは０．０００１〜１％である。
また、その他の添加剤（Ｈ）の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは０．００１〜１０％である。
【０１４８】
本発明の洗浄剤の製品形状は、液状および固状などの任意の形状が適用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリングの観点等から液状が好ましく、特に好ましくは溶液状である。
溶液状にする場合の溶剤としては、水のみ、または水と水溶性有機溶剤（Ｉ）の混合溶剤が使用できる。好ましいのは水のみによる水溶液である。
【０１４９】
水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水及び超純水などが挙げられる。これらのうち、イオン交換水及び超純水が好ましい。
【０１５０】
水のみを使用する場合、水の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、通常９０％以下、好ましくは１０〜９０％、さらに好ましくは３０〜８０％である。
【０１５１】
水溶性有機溶剤（Ｉ）としては、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ2
Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。。
例えば、スルホキシド｛ジメチルスルホキシド、スルホラン、ブチルスルホン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホランなど｝；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホンなど｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドなど｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドンなど｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなど｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ルなど｝；グリコールおよびグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテルなど｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン、３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノンなど）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリル、ベンゾニトリルなど）；カーボネート（エチレンカーボネート、プロピオンカーボネートなど）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコールなど）；環状エーテル（テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなど）などが挙げられる。
また（Ｉ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。
【０１５２】
水溶性有機溶剤（Ｉ）の内で、洗浄性の観点等から、グリコールおよびグリコールエーテルが好ましく、さらに好ましくはエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール及びプロピレングリコールである。
【０１５３】
水と水溶性有機溶剤（Ｉ）の混合溶剤を使用する場合、洗浄剤中に含まれる（Ｉ）と水の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常９０％以下、好ましくは１０〜９０％、さらに好ましくは３０〜８０％である。
また、重量比｛（Ｉ）／水｝は、パーティクルや油汚れに対する洗浄性の観点等から、２０／８０〜９０／１０が好ましく、さらに好ましくは３０／７０〜８０／２０、特に好ましくは４０／６０〜７０／３０である。
【０１５４】
さらに本発明の洗浄剤には、特に金属（アルミ配線など）が施された電子部品を洗浄する際に金属腐食を防止する観点等から、３〜２，０００価の多価アルコール（Ｊ）を添加してもよい。
多価アルコール（Ｊ）としては、
（Ｊ１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど）；
（Ｊ２）（Ｊ１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペ
ンタグリセリン、など）；
（Ｊ３）糖類、例えば単糖類｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース、リブロースなど）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース、タガトースなど）、ヘプトース（セドヘプツロースなど）など｝、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース、ラクトースなど）、および三糖類（ラフィノース、マルトトリオースなど）など；
（Ｊ４）上記単糖類からなる多糖類およびその誘導体｛例えば、セルロース化合物（メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースおよびそれらのケン化物など）、ゼラチン、デンプン、デキストリン、キチン、キトサンなど｝；
（Ｊ５）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、ズルシトールなど）；
（Ｊ６）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡなど）；
（Ｊ７）ノボラック樹脂（Ｍｗ：１，０００〜１００，０００）（フェノールノボラック、クレゾールノボラックなど）；
（Ｊ８）ポリフェノール；
（Ｊ９）その他の水酸基を有するポリマー（Ｍｗ：１，０００〜１，０００，０００）［ポリビニルアルコール、アクリルポリオール｛ポリヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートと他のビニルモノマーの共重合物など｝など］；並びにこれらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）などが挙げられる。
また多価アルコール（Ｊ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。
【０１５５】
これらの多価アルコール（Ｊ）の内、金属腐食を防止する効果の高い点から、（Ｊ１）、（Ｊ２）、（Ｊ３）及び（Ｊ５）が好ましく、さらに好ましくはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。
【０１５６】
多価アルコール（Ｊ）を使用する場合、（Ｊ）の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常２０％以下、好ましくは１〜２０％、さらに好ましくは２〜１０、特に好ましくは３〜７である。
【０１５７】
また多価アルコール（Ｊ）は、アルカリ成分（Ｅ）および水を含有した本発明の洗浄剤に添加した場合に、特に優れた金属腐食防止効果を発揮することができる。この場合、（Ｅ）と水の合計重量に対する（Ｅ）の含有量は、洗浄性の観点等から、０．１〜５０％が好ましく、さらに好ましくは０．５〜４０％、特に好ましくは１〜３５％である。また、（Ｅ）と（Ｊ）の合計重量に対する（Ｊ）の含有量は、金属腐食を防止する観点等から、１０〜９０％が好ましく、さらに好ましくは２０〜８０％、特に好ましくは３０〜７５％である。
【０１５８】
本発明の洗浄剤中のアルカリ金属原子（リチウム、ナトリウム、カリウム）およびアルカリ土類金属原子（マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム）の合計含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、０．０１％以下が好ましく、さらに好ましくは１ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｂ以下、最も好ましくは３０ｐｐｂ以下である。
アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ法、ＩＣＰ質量分析法が利用できるが、分析精度の観点から、好ましくはＩＣＰ質量分析法である。
【０１５９】
本発明の洗浄剤を用いてエレクトロニクス材料を洗浄する際には、必要によりさらに洗浄剤を水で希釈して使用してもよい。その際に使用する水としては、上記例示した水と同様のものが利用できるが、好ましくはイオン交換水、超純水である。
希釈して使用する場合の希釈倍率をしては、好ましくは２〜５００倍、より好ましくは１０〜３００倍、特に好ましくは２０〜１００倍である。
【０１６０】
本発明の洗浄剤を原液または水で希釈して使用する際のｐＨは、使用する添加剤の種類や量によっても異なるが、１〜１２が好ましく、さらに好ましくは３〜１０、特に好ましくは４〜８である。本発明の洗浄剤は、中性領域でも優れたゼータ電位低下能を有するため、特に材料腐食が懸念され中性下で洗浄する用途においても、特に優れた効果を発揮することができる。
【０１６１】
本発明の洗浄剤を用いてエレクトロニクス材料を洗浄する際、除去対象物の一つであるパーティクル表面のゼータ電位は、洗浄時の条件（温度、ｐＨなど）によっても異なるため適宜調整する必要があるが、パーティクルの再付着防止の観点から、−８０ｍＶ以下であることが好ましく、さらに好ましくは−９０ｍＶ以下、特に好ましくは−１００ｍＶ以下、最も好ましくは−１０５ｍＶ以下である。この範囲であると、パーティクルの再付着がさらに起こりにくくなり、さらに十分な性能が得られる。
【０１６２】
本発明の洗浄剤は、使用時のハンドリングの観点から、実際に使用する濃度における起泡性が低いことが好ましい。
起泡性の判定としては、下述のロス・マイルス試験（２０℃）による「起泡力」および「泡の安定度」により求めることができる。
ここで、ロス・マイルス試験（２０℃）による起泡力とは、ＪＩＳ  Ｋ３３６２（１９９８）に準じて測定することができ、本ＪＩＳで定める装置、また試験液として、本発明の洗浄剤または必要により実際の使用濃度に調整した溶液を用いた試験により、全ての試験液を流出した直後の泡の高さを目視にて測定した値を指す。
【０１６３】
また、本発明における「泡の安定度」とは、ロス・マイルス試験において、試験後に全ての試験液を流出した直後から５分後の泡の高さをいう。
泡の安定度についてもＪＩＳ  Ｋ３３６２（１９９８）に準じて測定することができる。
【０１６４】
具体的には、例えば、以下のように起泡力及び泡の安定度を求めることができる。
（１）従来公知のロス・マイルス試験用起泡力測定装置の内筒を垂直に立て、所定の水をポンプによって外筒に循環させて一定温度（２０℃）に保つ。
（２）試験液（実際の使用濃度）を同温度（２０℃）に保ちながら、その５０ｍｌを内筒の管壁に沿って静かに側面全体を潤すように流し込む。
（３）ピペットに試験液２００ｍｌを取り、ロス・マイルス試験用起泡力測定装置の上端のコックを開き、試験液が約３０秒間で流出するようにし、かつ、液滴が内筒液面の中心に落ちるようにして流下させる。
（４）全ての試験液が流出した後、直ちに、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（起泡力）を測定する。
（５）さらに、５分後に、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（泡の安定度）を測定する。
（６）この操作を数回行い、それぞれの測定値の平均を整数位まで求めて、起泡力と泡の安定度とする。
【０１６５】
上記の起泡力は、使用時のハンドリングの観点から、好ましくは２００ｍｍ以下、さらに好ましくは１５０ｍｍ以下、特に好ましくは１２０ｍｍ以下である。また、上記の起泡力の下限値は０ｍｍである。
【０１６６】
また、上記と同様の観点から、上記泡の安定度は、好ましくは１８０ｍｍ以下、さらに好ましくは１２０ｍｍ以下、特に好ましくは８０ｍｍ以下である。また、上記泡の安定度の下限値は０ｍｍである。
【０１６７】
さらに、使用時に泡立ちが少なく、また発生した泡の消失（破泡）が早く、よりハンドリングが容易になるといった観点から、好ましくは、起泡力が０ｍｍであるか、または［泡の安定度（ｍｍ）と起泡力（ｍｍ）］で表される泡の安定度と起泡力の比が０〜０．９、特に好ましくは０〜０．８、最も好ましくは０〜０．７である。
起泡力が０ｍｍである場合は、泡の安定度も０ｍｍであり、［泡の安定度（ｍｍ）／起泡力（ｍｍ）］の値が計算できないことから、本計算式は適用しない。
【０１６８】
本発明の洗浄剤の表面張力（２５℃）（ｄｙｎ／ｃｍ）は、１０〜６５が好ましく、さらに好ましくは１２〜５０、特に好ましくは１５〜４０である。
表面張力は、ＪＩＳ  Ｋ３３６２：１９９８の輪環法：対応ＩＳＯ  ３０４に従って測定できる。
【０１６９】
また、本発明の洗浄剤は、各種のエレクトロニクス材料の製造工程に使用することができる。エレクトロニクス材料としては、例えば半導体用基板（半導体素子、シリコンウェハなど）、フラットパネルディスプレイ用基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板など）、ＨＤＤ用基板（サブストレート基板、磁気ディスク、磁気ヘッドなど）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤなどが挙げられ、これらの製造工程における洗浄工程において好適に使用することができる。
また、本発明の洗浄剤の洗浄対象物（汚れ）は、油分、人体からの汚れ（指紋など）、樹脂、可塑剤（ジオクチルフタレートなど）、有機パーティクルなどの有機物、無機パーティクル（ガラス粉、砥粒、セラミック粉、金属粉など）などの無機物が挙げられる。
【０１７０】
本発明の洗浄剤を用いたエレクトロニクス材料の洗浄方法としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬、浸漬揺動、枚葉式洗浄およびこれらの組み合わせによる洗浄方法が適用できる。特に、超音波洗浄法と組み合わせることによって、さらに洗浄効果を発揮することができる。
【０１７１】
本発明の洗浄剤を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、より好ましくは１５〜６０、特に好ましくは２０〜５０である。
【０１７２】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。なお、実施例および比較例用いる超純水は比抵抗値が１８ＭΩ以上のものを使用した。
【０１７３】
［実施例１］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２０８部、超純水を１００部仕込み、３７％ホルムアルデヒド７５部を８０℃で３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応させ、さらに超純水１６５部を加え、均一になるまで溶解することによりナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド重縮合物（Ａ−１）の４０％水溶液を得た。なお、（Ａ−１）のＭｗは、５，０００であった。
攪拌、温調が可能なオートクレーブにトリメチルアミン５９部、炭酸ジメチル１３５部及び溶媒としてメタノール１００部を仕込み、窒素置換後、反応温度１１０℃にて１２時間反応させテトラメチルアンモニウムメチルカーボネートのメタノール溶液を得た。
上記（Ａ−１）の４０％水溶液１００部に、氷浴中で攪拌下、上記で得られたテトラメチルアンモニウムメチルカーボネートのメタノール溶液５４部を除々に加え、炭酸ガス、水およびメタノールを除くことによって、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド重縮合物のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−１）５０部を得た。
撹拌、温調可能なオートクレーブにラウリルアルコールを２００部、水酸化カリウム０．５部を仕込み、１００℃、３０ｍｍＨｇ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド４３０部を、反応温度１６０℃を保ちながら、３時間かけて滴下した後、１６０℃で２時間熟成し、液状の粗製ポリエーテルを得た。この粗製ポリエーテルを約８０℃まで冷却し、超純水６部、陽イオン交換樹脂｛オルガノ株式会社製、アンバーライトＩＲ１２０Ｂ（Ｈ）｝１００部を加えて室温（約２０℃）で３０分間撹拌した後、減圧濾過、および脱水を行い、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）６２０部を得た。得られた（Ｄ−１）の曇点は６４℃であった。
表１に記載の配合量で、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド重縮合物のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−１）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（１）を得た。
【０１７４】
［実施例２］
温調、還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後さらに１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後さらに３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し、超純水３４５部を投入して溶解することにより、ポリスチレンスルホン酸（Ａ−２）の４０％水溶液を得た。なお、（Ａ−２）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
上記（Ａ−２）の４０％水溶液１００部に、氷浴中で攪拌下、実施例１で得られたテトラメチルアンモニウムメチルカーボネートのメタノール溶液５９部を除々に加え、炭酸ガス、水およびメタノールを除くことによって、ポリスチレンスルホン酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２）５３部を得た。
表１に記載の配合量で、ポリスチレンスルホン酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（２）を得た。
【０１７５】
［実施例３］
温調、攪拌が可能なオートクレーブにイソプロピルアルコール４２０部、超純水１２０部を仕込み、窒素置換後密閉し、１００℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸３０５部、連鎖移動剤（トリエチレングリコールジメルカプタン）４部、次亜リン酸２部の均一混合液と、過硫酸アンモニウム６％水溶液５０部を３．５時間かけてそれぞれ滴下した（同時に適下開始）。滴下終了後、３５％過酸化水素水溶液３部を投入し、１００℃で１時間撹拌した後、水およびイソプロピルアルコールを留去した。超純水４６０部を投入し、溶解することによりポリアクリル酸（Ａ−３）の４０％水溶液を得た。なお、（Ａ−３）のＭｗは１０，０００であった。
上記（Ａ−３）の４０％水溶液１００部に、氷浴中で攪拌下、実施例１で得られたテトラメチルアンモニウムメチルカーボネートのメタノール溶液１４５部を除々に加え、炭酸ガス、水およびメタノールを除くことによって、ポリアクリル酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−３）７５部を得た。
撹拌、温調可能なオートクレーブに４−デカノール１７４部、水酸化カリウム０．５部を仕込み、１００℃、３０ｍｍＨｇ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド２９０部を、反応温度１６０℃を保ちながら、３時間かけて滴下した後、１６０℃で２時間熟成し、液状の粗製ポリエーテルを得た。この粗製ポリエーテルを約８０℃まで冷却し、超純水６部、陽イオン交換樹脂｛オルガノ株式会社製、アンバーライトＩＲ１２０Ｂ（Ｈ）｝１００部を加えて室温（約２０℃）で３０分間撹拌した後、減圧濾過、および脱
水を行い、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−２）４５５部を得た。得られた（Ｄ−２）の曇点は４３℃であった。
表１に記載の配合量で、ポリアクリル酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−３）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−２）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（３）を得た。
【０１７６】
［実施例４］
攪拌、温調が可能なオートクレーブにＤＢＵ１５２部、炭酸ジメチル１３５部及び溶媒としてメタノール１００部を仕込み、窒素置換後、反応温度１２０℃にて１２時間反応させ８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７メチルカーボネートのメタノール溶液を得た。
実施例１で得られた（Ａ−１）の４０％水溶液１００部に、氷浴中で攪拌下、上記で得られた８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７メチルカーボネートのメタノール溶液７０部を除々に加え、炭酸ガスおよびメタノールを除くことによって、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド重縮合物の８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７塩（Ｂ−４）６８部を得た。
表１に記載の配合量で、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド重縮合物の８−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７塩（Ｂ−４）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−２）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（４）を得た。
【０１７７】
［実施例５］
攪拌、温調が可能なオートクレーブに１Ｈ−エチルイミダゾール６８部、炭酸ジメチル１３５部及び溶媒としてメタノール１００部を仕込み、窒素置換後、反応温度１２０℃にて１２時間反応させ１Ｈ−３−メチルイミダゾールメチルカーボネートのメタノール溶液を得た。
実施例３で得られた（Ａ−３）の４０％水溶液１００部に、氷浴中で攪拌下、上記で得られた１Ｈ−３−メチルイミダゾールメチルカーボネートのメタノール溶液１６８部を除々に加え、炭酸ガスおよびメタノールを除くことによって、ポリアクリル酸の１Ｈ−３−メチルイミダゾール塩（Ｂ−５）８０部を得た。
表１に記載の配合量で、ポリアクリル酸の１Ｈ−３−メチルイミダゾール塩（Ｂ−５）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−２）、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−２）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（５）を得た。
【０１７８】
［実施例６］
表１に記載の配合量で、実施例２で得られたポリスチレンスルホン酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２）とノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（６）を得た。
【０１７９】
［実施例７］
表１に記載の配合量で、実施例３で得られたポリアクリル酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−３）とノニオン性界面活性剤（Ｄ−２）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（７）を得た。
【０１８０】
［実施例８］
表１に記載の配合量で、実施例５で得られたポリアクリル酸の１Ｈ−３−メチルイミダゾール塩（Ｂ−５）とノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（８）を得た。
【０１８１】
［実施例９］
表１に記載の配合量で、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド重縮合物のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−１）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）、エチレンジアミンテトラ酢酸（Ｆ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（９）を得た。
【０１８２】
［実施例１０］
表１に記載の配合量で、ポリスチレンスルホン酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−２）、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−２）、エチレンジアミンテトラ酢酸（Ｆ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（１０）を得た。
【０１８３】
［実施例１１］
表１に記載の配合量で、ポリアクリル酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−３）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）、エチレンジアミンテトラ酢酸（Ｆ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（１１）を得た。
【０１８４】
［実施例１２］
実施例２で得られた（Ａ−２）の４０％水溶液１００部に、氷浴中で攪拌下、２５％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液（約８０部）を除々に加え、溶液のｐＨが７になるまで中和し、さらに超純水で濃度調整することによって、ポリスチレンスルホン酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２’）の３０％水溶液を得た。
表１に記載の配合量で、ポリスチレンスルホン酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２’）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）、エチレンジアミンテトラ酢酸（Ｆ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（１２）を得た。
【０１８５】
［実施例１３］
実施例３で得られた（Ａ−３）の４０％水溶液１００部に、氷浴中で攪拌下、２５％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液（約１４５部）を除々に加え、溶液のｐＨが７になるまで中和し、さらに超純水で濃度調整することによって、ポリアクリル酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−３’）の３０％水溶液を得た。
表１に記載の配合量で、ポリアクリル酸のテトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−３’）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）、エチレンジアミンテトラ酢酸（Ｆ−１）および超純水を配合することによって本発明の洗浄剤（１３）を得た。
【０１８６】
［比較例１］
実施例１と同様にしてナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の４０％水溶液を得た後、温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の４０％水溶液１００部を仕込み、アンモニア水（１０％）３１部を加え５０℃で１０分間加熱攪拌してナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物アンモニウム塩（Ｔ−１）の３３％水溶液を得た。
表２に記載の配合量で、（Ｔ−１）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）および超純水を配合することによって比較用の洗浄剤を得た。
なお、比較例１および後述の比較例２〜７で用いた（Ｔ−１）〜（Ｔ−５）の配合量は、有効成分の配合量（水以外の成分を有効成分とする）で表中に示した。
【０１８７】
［比較例２］
実施例２と同様にしてポリスチレンスルホン酸の４０％水溶液を得た後、温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ポリスチレンスルホン酸の４０％水溶液１００部を仕込み、アンモニア水（１０％）３４部を加え１０分間２５℃で攪拌してポリスチレンスルホン酸アンモニウム塩（Ｔ−２）の３２％水溶液を得た。
表２に記載の配合量で、（Ｔ−２）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）および超純水を配合することによって比較用の洗浄剤を得た。
【０１８８】
［比較例３］
実施例３と同様にしてポリアクリル酸の４０％水溶液を得た後、温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ポリアクリル酸の４０％水溶液１００部を仕込み、アンモニア水（１０％）９４部を加え１０分間２５℃で攪拌してポリアクリル酸アンモニウム塩（Ｔ−３）の２５％水溶液を得た。
表２に記載の配合量で、（Ｔ−３）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）および超純水を配合することによって比較用の洗浄剤を得た。
【０１８９】
［比較例４］
温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、ドデシルベンゼンスルホン酸の１０％水溶液１００部を仕込み、２５℃に温調、撹拌しながら１０％アンモニア水５．２部をゆっくり加え、そのまま１０分間攪拌してドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム塩（Ｔ−４）の１０％水溶液を得た。
表２に記載の配合量で、（Ｔ−４）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−２）および超純水を配合することによって比較用の洗浄剤を得た。
【０１９０】
［比較例５］
温調可能で攪拌装置付属の反応容器に、オレイン酸の１０％水溶液１００部を仕込み、２５℃に温調、撹拌しながら１０％アンモニア水６部をゆっくり加え、そのまま１０分間攪拌してオレイン酸アンモニウム塩（Ｔ−５）の１０％水溶液を得た。
表２に記載の配合量で、（Ｔ−５）、ノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（Ｅ−１）および超純水を配合することによって比較用の洗浄剤を得た。
【０１９１】
［比較例６］
表２に記載の配合量で、比較例１で得られたナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物アンモニウム塩（Ｔ−１）とノニオン性界面活性剤（Ｄ−１）および超純水を配合することによって比較用の洗浄剤を得た。
【０１９２】
［比較例７］
表２に記載の配合量で、比較例３で得られたポリアクリル酸アンモニウム塩（Ｔ−３）とノニオン性界面活性剤（Ｄ−２）および超純水を配合することによって比較用の洗浄剤を得た。
【０１９３】
評価結果；
実施例及び比較例で得られた洗浄剤を予め１００倍量の超純水で希釈したものを試験液に用い、以下の方法によりゼータ電位、微粒子付着数、泡立ちを測定した。
結果を表１および表２に示す。
【０１９４】
＜ゼータ電位＞
電気泳動光散乱光度計（大塚電子株式会社製、ＥＬＳ−８００）によりパーティクルのゼータ電位の測定を行った。電気泳動法で表面電荷をもつパーティクルが移動する速度を測定し、移動速度からｓｍｏｌｕｃｈｏｗｓｋｉの方法によってゼータ電位を算出した。
超純水が９９９ｍＬ入った１リットル容のポリエチレン製容器に体積平均粒径２．０μｍのポスチレンラテックス（Ｄｕｋｅ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、Ｃａｔａｌｏｇ Ｎｏ．４２０２、０．５重量％、ＣＶ  １．１％）を１ｍＬ添加
・攪拌し、ポリスチレンラテックスを１，０００倍に希釈した分散液を得た。１００ｍＬのビーカー中で、このポリスチレンラテックスの希釈分散液４０ｍＬと試験液１０ｍＬとを均一混合して、混合液（５０ｍＬ）を得た。これらの混合液を用いて２５℃におけるゼータ電位を計測した。
【０１９５】
＜微粒子付着数＞
コロイダルシリカ（４０％、平均粒径５０ｎｍ）の水分散液（ＫＥＭＩＲＡ社製、ＶＩ−８０）１，０００部を超純水で１０倍に希釈した分散液を作成した。
上記調整した分散液に、２５℃で、８インチブランケットＴＥＯＳウエハ（アドバンテック社製、膜厚１５，０００Å）をウエハ全面が浸かる様にして、２５℃で１０分間浸漬した後、ウエハを取り出し、流水で３０秒間洗浄して、自然乾燥させることで、表面が汚染されたウエハを作成した。上記汚染されたウエハを作成した後、表面が乾燥しない様に、直ぐさま試験液１３，０００部を投入した超音波洗浄機（シャープ社製、ＵＴ−３０５ＨＳ、３８ｋＨｚ、出力３００Ｗ）中で、４０℃、１０分間洗浄した。
洗浄後、自然乾燥した後、レーザー表面検査装置（トプコン株式会社製、ＷＭ−２５００）を使ってシリコンウェハ表面に付着した０．１４μｍ以上のパーティクル数を測定した。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
【０１９６】
＜泡立ち＞
各試験液を、２５℃でＲｏｓｓ＆Ｍｉｌｅｓ法（日本工業規格ＪＩＳ  Ｋ３３６２：１９９８、８．５気泡力と泡の安定度；対応ＩＳＯ  ６９６）により起泡直後、および５分後の泡の高さ（ｍｍ）を測定した。
【０１９７】
【表１】
2007335856.tif 000005
【０１９８】
【表２】
2007335856.tif 000006
【０１９９】
表１および表２の結果から、本発明の洗浄剤を用いた洗浄剤はパーティクルのゼータ電位を効果的に低下させることができ、その結果、ウエハ当たりの付着粒子数を減少させることができた。このことから、洗浄時におけるシリコンウェハへのパーティクルの再付着防止に効果があることがわかった。また、本発明の洗浄剤の泡立ち性は、従来と同等又は従来よりも低泡性であることがわかり、洗浄時に問題となる起泡によるトラブルが発生しにくいといった効果も奏するものと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０２００】
本発明の洗浄剤は、被洗浄物から剥がれた汚れの再付着防止効果に優れているため、半導体用基板（半導体素子、シリコンウェハなど）、フラットパネルディスプレイ用基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板など）、ＨＤＤ用基板（サブストレート基板、磁気ディスク、磁気ヘッドなど）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤなどのエレ
クトロニクス材料を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。