(57)【要約】【課題】配線基板に保護テープを積層して突起電極を保護した状態での積層厚みを低減し、配線基板を供給するリールに収納できる配線基板の長さを増加させる。【解決手段】絶縁性基材２２と、絶縁性基材上の内部領域に整列して設けられた複数の第１の導体配線２３ａと、第１の導体配線に形成された突起電極２４と、絶縁性基材上に形成され、第１の導体配線を被覆する保護膜２５ａとを備え、保護膜は、突起電極を含む一部領域が開口して突起電極を露出させている。保護膜表面の少なくとも一部は、絶縁性基材の表面からの高さが突起電極の絶縁性基材の表面からの高さよりも高い。【選択図】図１
2007150089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上の内部領域に整列して設けられた複数の第１の導体配線と、
前記第１の導体配線に形成された突起電極と、
前記絶縁性基材上に形成され、前記第１の導体配線を被覆する保護膜とを備え、
前記保護膜は、前記突起電極を含む一部領域が開口して前記突起電極を露出させている配線基板において、
前記保護膜表面の少なくとも一部は、前記絶縁性基材の表面からの高さが前記突起電極の前記絶縁性基材の表面からの高さよりも高いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁性基材の側縁部に設けられた第２の導体配線と、
前記第２の導体配線上に形成された支持部とを更に備え、
前記保護膜は、前記第１の導体配線とともに前記支持部も被覆し、
前記支持部上に形成された前記保護膜表面の少なくとも一部は、前記絶縁性基材の表面からの高さが前記突起電極の前記絶縁基材の表面からの高さよりも高い請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記支持部は、前記突起電極と同一の材質により形成されている請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記支持部は、前記第２の導体配線上の長手方向において複数の領域に分割されて形成されている請求項２または３に記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板と保護シートとが重ね合わせて巻回されて、前記配線基板の表面に形成された前記保護膜の前記絶縁基材からの高さが最も高い部分に前記保護シートが接して載置され、前記保護シートの裏面が前記突起電極と接していない状態で両者が交互に積層されている配線基板巻装体。
【請求項６】
内部領域に第１の導体配線が設けられ、側縁部に第２の導体配線が設けられた絶縁性基材を準備する工程と、
前記第１の導体配線に突起電極を形成する工程と、
前記絶縁性基材上の前記第１の導体配線を保護膜により、前記突起電極を含む一部領域が開口して前記突起電極を露出させるように被覆する工程とを備えた配線基板の製造方法において、
前記突起電極を形成する工程において、電解めっきにより前記突起電極を形成するとともに、前記第２の導体配線上に支持部を同時に形成し、
前記保護膜により、前記第１の導体配線とともに前記第２の導体配線及び前記支持部も被覆することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のテープ配線基板と、前記テープ配線基板上に搭載された半導体チップとを備え、前記半導体チップの電極パッドと前記導体配線とが電気的に接続された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、突起電極を形成した配線基板とその製造方法、ならびにその配線基板を用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶用等の半導体装置に多用されているＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）工法により、突起電極を有する配線基板を用い、配線基板上に半導体素子をフェイスダウン実装し、配線基板の突起電極と半導体素子上の電極パッドとを接合する半導体装置の製造方法が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
以下、従来例の突起電極を有する配線基板と、配線基板を用いた半導体装置、及びそのような半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１２は従来の配線基板１を示す平面図、図１３は図１２のＡ−Ａ断面図である。
【０００４】
図１２、図１３において、２は絶縁性基材、３ａは絶縁性基材２の表面に形成された導体配線である。導体配線３ａの先端部上には突起電極４が形成されている。導体配線３ａの両側の領域には、導体配線３ａと同様に形成されたダミー導体配線３ｂが配置されている。ダミー導体配線３ｂには突起電極４は形成されていない。導体配線３ａを保護する保護膜５は、突起電極４の周囲の領域で開口して突起電極４が露出するように形成されている。保護膜５は、絶縁性基材２の両端部ではダミー導体配線３ｂを被覆している。更に、絶縁性基材２の両側縁に沿って第２の導体配線６が形成されている。第２の導体配線６は、電解めっきにより突起電極４を形成する際に、導体配線３ａに給電するために用いられる。
【０００５】
図１４は、上記従来例の配線基板１に半導体素子７をフェイスダウン実装した半導体装置を示す断面図である。半導体素子７上には電極パッド７ａが形成され、電極パッド７ａは、配線基板１の突起電極４と接合されている。
【０００６】
ＴＡＢ工法に用いるパッケージに用いる配線基板は、絶縁性基材等に可とう性を備える材料や構造を用い、配線基板の供給、配線基板への半導体素子の実装、半導体素子実装後の検査工程等を、リール・ツー・リール方式により連続して行う。配線基板に可とう性を備えるために、絶縁性基材２としては厚み４０μｍ程度のＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）等からなるフレキシブルテープを用いる。絶縁性基材２上の導体配線３ａは、厚み８μｍ程度のＣｕ箔をエッチングによりパターンニングして形成する。突起電極４は、導体配線３ａ上に電解銅めっきにより厚み１０μｍ程度に形成する。保護膜５は、厚み１０μｍ程度のエポキシ系やＰＩ系の樹脂を所望のパターンに印刷後、硬化して形成する。また、導体配線３ａと突起電極４の表面は、接合及び防錆のためにＡｕやＳｎ等のめっきで被覆する。
【０００７】
図１５は、従来の配線基板１にＴＡＢ工法を用いて半導体素子７を実装するために用いられる装置を模式的に示す側面図である。図１５において、配線基板１、及び半導体素子７は、図１２〜図１４に示したものと同一である。配線基板１は、第１の保護テープ８と交互に積層した状態で第１のリール９に巻きつけられており、巻き戻されて矢印で示されるように供給される。第１の保護テープ８は、導体配線３ａ及び突起電極４を保護するための機能を有する。配線基板１が供給される際に第１のリール９から巻き戻される第１の保護テープ８は、第２のリール１０に巻き取り収納される。
【０００８】
供給される配線基板１は、実装用のヘッド１１と実装用のステージ１２の間を通過する。ヘッド１１に半導体素子７の裏面を吸着し、配線基板１の表面に半導体素子７の主面を対向させ荷重と温度を加え圧接することで、配線基板１上の突起電極４と半導体素子７上の電極パッド７ａを接合し、半導体素子７を配線基板１にフェイスダウン実装する。
【０００９】
第２の保護テープ１３が第３のリール１４から供給され、半導体素子７がフェイスダウン実装された配線基板１を保護するために用いられる。半導体素子７が実装された配線基板１は、第２の保護テープ１３と交互に積層された状態で第４のリール１５に巻き取り収納される。１６は配線基板１を搬送する搬送ローラーである。なお、図１５中の矢印は、配線基板１、第１、第２の保護テープ８、１３、第１、第２、第３、第４のリール９、１０、１４、１５の移動方向を示す。
【００１０】
図１６は、図１５に示した配線基板１を供給する第１のリール９に巻き付けられた配線基板巻装体９Ａを模式的に示す斜視図であり、配線基板１と第１の保護テープ８が交互に積層されて巻き付けられた状態を示す。
【００１１】
図１７は、図１６の配線基板１及び第１の保護テープ８が積層された状態の一部を示す側面図、図１８は図１６のＢ−Ｂ断面図である。
【００１２】
図１７、図１８において、１７は第１の保護テープ８の端部の辺に沿って設けられたエンボス部である。エンボス部１７により、突起電極４と第１の保護テープ８の間に間隙が形成されている。このため、第１の保護テープ８が突起電極４と接触することによる、突起電極４の表面への傷の発生や突起電極４の表面の汚染を防止することができる。従って、半導体素子７を配線基板１へ実装する時に、電極パッド７ａと突起電極４との間で接合不良が発生することが防止される。
【００１３】
第１の保護テープ８は、可とう性と機械的強度を備える必要があるため、ＰＥＩ（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、ＰＩなどの材料からなる厚み１２５μｍ〜２５０μｍのテープが使用される。
【００１４】
第１の保護テープ８のエンボス部１７は、一般的に、図１７に示したように、第１の保護テープ８の端部を金型により２次加工して形成される。エンボス部１７の形状は、第１の保護テープ８の厚み、金型加工時の塑性変形量、金型加工後の塑性変形の戻り量、及びエンボス形状の強度を考慮し、ピッチ５〜１５ｍｍ、高さ１ｍｍ〜３ｍｍの高さに形成される。
【００１５】
第１の保護テープ８のエンボス部１７と同等の効果を得る他の方法として、図１９、図２０に示すように、第１の保護テープ８の端部に開口部１８を設け、突起形状のスペーサー１９を設ける方法も実施されている。
【００１６】
スペーサー１９の形状は、開口部１８を形成することによる第１の保護テープ８の強度低下とスペーサー１９の機械的強度とを考慮し、ピッチ１０ｍｍ程度、高さ３ｍｍ程度に形成される。また、スペーサー１９の材料としては、機械的強度や加工の容易さなどからＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）等が用いられる。
【特許文献１】特開２００３−２４３４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
上記従来の製造方法では、配線基板１と第１の保護テープ８を交互に積層した状態で第１のリール９に巻きつける際に、第１の保護テープ８との接触による突起電極４の表面の傷の発生や汚染を防止するために、第１の保護テープ８の端部の辺に沿ってエンボス部１７やスペーサー１９を設ける必要がある。
【００１８】
しかしながら、前述のように、第１の保護テープ８に形成したエンボス部１７やスペーサー１９の高さは１ｍｍ〜３ｍｍであり、配線基板１の厚み４０μｍに対して厚く、配線基板１と第１の保護テープ８を交互に積層した場合に第１のリール９に収納できる配線基板１の長さは短い。そのため、ＴＡＢの製造工程で配線基板１を供給する第１のリール９の交換頻度が増加し、生産性を減少させるという課題があった。
【００１９】
また、第１の保護テープ８の端部にエンボス部１７やスペーサー１９を設ける２次加工が必要となり、第１の保護テープ８の加工コストが上昇するという課題があった。
【００２０】
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、配線基板に保護テープを積層して突起電極を保護した状態での積層厚みを低減し、配線基板を供給するリールに収納できる配線基板の長さを増加させることで、配線基板を供給するリールの交換頻度を下げてＴＡＢ工程の生産性を向上させることが可能な配線基板を提供することを目的とする。
【００２１】
また本発明は、保護テープの端部にエンボス部やスペーサーを設ける２次加工を不要とし、保護テープの加工コストを低減できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の配線基板は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材上の内部領域に整列して設けられた複数の第１の導体配線と、前記第１の導体配線に形成された突起電極と、前記絶縁性基材上に形成され、前記第１の導体配線を被覆する保護膜とを備え、前記保護膜は、前記突起電極を含む一部領域が開口して前記突起電極を露出させている。上記課題を解決するために、前記保護膜表面の少なくとも一部は、前記絶縁性基材の表面からの高さが前記突起電極の前記絶縁性基材の表面からの高さよりも高いことを特徴とする。
【００２３】
本発明の配線基板の製造方法は、内部領域に第１の導体配線が設けられ、側縁部に第２の導体配線が設けられた絶縁性基材を準備する工程と、前記第１の導体配線に突起電極を形成する工程と、前記絶縁性基材上の前記第１の導体配線を保護膜により、前記突起電極を含む一部領域が開口して前記突起電極を露出させるように被覆する工程とを備え、前記突起電極を形成する工程において、電解めっきにより前記突起電極を形成するとともに、前記第２の導体配線上に支持部を同時に形成し、前記保護膜により、前記第１の導体配線とともに前記第２の導体配線及び前記支持部も被覆することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の配線基板によれば、配線基板上に保護テープを載置した場合に保護テープが突起電極より高く形成された保護膜で支持されることにより、エンボス部やスペーサーの無い保護テープを用いても保護テープが突起電極と接触することがなく、突起電極の表面に傷を形成したり突起電極を汚染したりすることが防止される。
【００２５】
更に、配線基板と保護テープを交互に積層して巻回する場合に、保護テープが直接保護膜の表面に接した状態で積層されるため、端部にエンボス部やスペーサーを形成した保護テープと配線基板とを積層する場合と比較して、同一の高さでより多くの配線基板を積層できる。
【００２６】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、突起電極と支持部の高さが等しく形成されるため、支持部上に形成された保護膜表面の絶縁性基材からの高さを、突起電極の絶縁性基材からの高さよりも保護膜の厚み分だけ必ず高く形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
上記構成の本発明の配線基板において、前記絶縁性基材の側縁部に設けられた第２の導体配線と、前記第２の導体配線上に形成された支持部とを更に備え、前記保護膜は、前記第１の導体配線とともに前記支持部も被覆し、前記支持部上に形成された前記保護膜表面の少なくとも一部は、前記絶縁性基材の表面からの高さが前記突起電極の前記絶縁基材の表面からの高さよりも高い構成とすることができる。
【００２８】
この構成によれば、上記構成の配線基板と同様の効果を得ることができるとともに、支持部上に保護膜を形成するため、保護膜の厚みが薄い場合でも保護テープを確実に支持可能な高さを確保することができるとともに、保護膜の材料使用量を削減することができる。
【００２９】
前記支持部は、前記突起電極と同一の材質により形成されていることが好ましい。
【００３０】
また、前記支持部は、前記第２の導体配線上の長手方向において複数の領域に分割されて形成されていることが好ましい。
【００３１】
この構成によれば、上記構成の配線基板と同様の効果を得ることができるとともに、支持部が複数に分割されて形成されているため、配線基板の可とう性が向上し、ＴＡＢ方式による半導体装置の組み立て時に配線基板の搬送の制御が容易になる。
【００３２】
上記のいずれかの構成の配線基板と保護シートとが重ね合わせて巻回されて、前記配線基板の表面に形成された前記保護膜の前記絶縁基材からの高さが最も高い部分に前記保護シートが接して載置され、前記保護シートの裏面が前記突起電極と接していない状態で両者が交互に積層されている配線基板巻装体を構成することができる。
【００３３】
この構成によれば、保護テープが直接保護膜の表面に接した状態で配線基板と保護テープが交互に積層することができるため、端部に支持部を形成した保護テープと配線基板とを積層する場合と比較し、同一の高さでより多くの配線基板を積層できる。
【００３４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態における配線基板２１ａを示す平面図であり、図２は図１のＣ−Ｃ’断面図である。
【００３６】
配線基板２１ａの基本的な構造は、図１２及び図１３に示した従来例と同じである。絶縁性基材２２の内部領域の表面に第１の導体配線２３ａが形成され、第１の導体配線２３ａの端部に突起電極２４が形成されている。第１の導体配線２３ａの両側の領域に、第１の導体配線２３ａと同様に形成されたダミー導体配線２３ｂが配置されている。ダミー導体配線２３ｂには、突起電極２４が形成されていない。第１の導体配線２３ａを被覆する保護膜２５ａが形成され、突起電極２４を含む中央部領域が開口して突起電極２４を露出させている。保護膜２５ａは、ダミー導体配線２３ｂも被覆している。絶縁性基材２２の両側縁に沿って第２の導体配線２６が形成されている。
【００３７】
本実施の形態においては、保護膜２５ａの形状が従来例と相違する。すなわち、保護膜２５ａは、その表面の絶縁性基材２２の表面からの高さｄ２（図２参照）が、突起電極２４の絶縁性基材２２の表面からの高さｄ１よりも高く（ｄ２＞ｄ１）なるように形成されている。
【００３８】
前述した従来の技術と同様に、絶縁性基材２２としては厚み４０μｍ程度のＰＩ等からなるフレキシブルテープを用い、導体配線２３ａは厚み８μｍ程度のＣｕで形成することができる。突起電極２４はＣｕを用いて、厚み１０μｍ程度に形成することができる。
【００３９】
保護膜２５ａは、エポキシ系やＰＩ系の樹脂を用いて形成することができる。たとえば上述のように第１の導体配線２３ａの厚みが８μｍ、突起電極２４の厚みが１０μｍの場合、ｄ１＝１８μｍとなるため、ｄ２＝３０μｍ程度となるように形成する。
【００４０】
なお、突起電極２４の表面は通常、接合及び防錆のためにＡｕやＳｎ等のめっきで０．１μｍ〜１μｍ程度の厚みに被覆する。
【００４１】
図３は図１、図２に示した配線基板２１ａを供給するためのリールに巻回された配線基板２１ａの巻装体を模式的に示す斜視図であり、図４は図３のＤ−Ｄ’断面図である。
【００４２】
図３、図４において、２８は保護テープであり、配線基板２１ａと保護テープ２８とが交互に積層した状態で巻き付けられて、ＴＡＢ工法で配線基板２１ａを供給する配線基板巻装体２９を形成している。保護テープ２８には、従来例に示した保護テープ８のエンボス部１７やスペーサー１９のような支持部が設けられていない。保護テープ２８の材質としては、可とう性と機械的強度を備える必要があるため、前述した従来の技術と同様に、ＰＥＩ、ＰＥＴ、ＰＩなどの材料からなる厚み１２５μｍ〜２５０μｍのテープを使用すればよい。
【００４３】
図４に示すように、配線基板２１ａ上に保護テープ２８を載置した状態では、保護テープ２８が、突起電極２４より高く形成された保護膜２５ａにより支持される。それにより、突起電極２４と保護テープ２８の間に間隙が設けられ、突起電極２４と保護テープ２８の接触が防止される。
【００４４】
以上のように、本発実施形態の構成によれば、配線基板２１ａ上に保護テープ２８を載置した場合に、保護テープ２８が突起電極２４より高く形成された保護膜２５ａで支持されることで、保護テープ２８に支持部が無くても保護テープ２８が突起電極２４と接触しないため、突起電極２４の表面に傷を形成したり突起電極２４を汚染したりすることが防止される。
【００４５】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態における配線基板２１ｂを示す平面図であり、図６は図５のＥ−Ｅ’断面図である。第１の実施形態における配線基板２１ａと同一の構成要素については同一の参照符号を付して、説明の繰り返しを省略する。
【００４６】
本実施形態の配線基板２１ｂが第１の実施形態の配線基板２１ａと相違する点は、絶縁性基材２２の周縁部に形成された第２の導体配線２６上に支持部２７ａが形成されていることである。また、保護膜２５ｂは、第１の導体配線２３ａ、ダミー導体配線２３ｂ及び支持部２７ａの表面を被覆し、突起電極２４の周囲が開口して突起電極２４を露出するように形成される。支持部２７ａ上の保護膜２５ｂ表面の絶縁性基材２２の表面からの高さｄ３（図６参照）は、突起電極２４の絶縁性基材２２の表面からの高さｄ１よりも保護膜２５ｂの厚み分だけ高く形成される。
【００４７】
絶縁性基材２２としては、第１の実施形態と同様に、厚み４０μｍ程度のＰＩ等からなるフレキシブルテープを用い、第１の導体配線２３ａ及び第２の導体配線２６は厚み８μｍ程度のＣｕで形成することができる。突起電極２４及び支持部２７ａはＣｕを用いて、厚み１０μｍ程度に形成することができる。
【００４８】
保護膜２５ｂは、エポキシ系やＰＩ系の樹脂を用いて形成することができる。例えば上述のように、第１の導体配線２３ａ及び第２の導体配線２６の厚みが８μｍ、突起電極２４及び支持部２７ａの厚みが１０μｍの場合、突起状の支持部２７ａ上の保護膜２５ｂの厚みを１０μｍ程度に形成すると、ｄ３＝２８μｍ、ｄ１＝１８μｍとなり、ｄ３＞ｄ１となる。
【００４９】
なお、突起電極２４の表面は通常、接合及び防錆のためにＡｕやＳｎ等のめっきで０．１μｍ〜１μｍ程度の厚みに被覆する。
【００５０】
以上のように、本実施形態の構成によれば、第１の実施形態の構成と同様に、配線基板２１ｂ上に保護テープを載置した場合に、保護テープが突起電極２４より高く形成された保護膜２５ｂで支持されることにより、支持部の無い保護テープであっても保護テープが突起電極２４と接触しない。そのため、突起電極２４の表面に傷を形成したり突起電極２４を汚染したりすることが防止される。
【００５１】
また、支持部２７ａ上に保護膜２５ｂを形成するため、保護膜の厚み２４ｂが薄い場合でも保護テープを確実に支持する高さを確保することができ、保護膜２５ｂの材料使用量を削減することができる。
【００５２】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態における配線基板２１ｃを示す平面図であり、図８は図７のＦ−Ｆ’断面図である。第２の実施形態における配線基板２１ｂと同一の構成要素については同一の参照符号を付して、説明の繰り返しを省略する。
【００５３】
本実施形態の配線基板２１ｃが第２の実施形態の配線基板２１ｂと相違する点は、支持部２７ｂが、第２の導体配線２６上に複数個に分割して形成されていることである。支持部２７ｂの厚みは突起電極２４と同一であり、平面形状は、例えば２ｍｍ角程度に形成される。
【００５４】
本実施形態の構成によれば、第１、第２の実施形態の構成と同様の効果が得られるとともに、第２の実施形態の構成と比較して、突起状の支持部２７ｂが第２の導体配線２６上に分割して形成されているため、配線基板２１ｃの可とう性が向上する。それにより、ＴＡＢ方式による半導体装置の組み立て時に、配線基板２１ｃの搬送の制御が容易になるという利点を有する。
【００５５】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態における配線基板巻装体の一例は、上述の図３及び図４に示した構成を有する。すなわち、図１、図２に示した配線基板２１ａを供給するためにリール（図示せず）に、配線基板２１ａと保護テープ２８とが重ねて巻回されたものである。
【００５６】
図４に示すように本実施形態にかかる配線基板巻装体２９は  配線基板２１ａの表面に形成された保護膜２５ａの絶縁性基材２２の表面からの高さが最も高い部分に接して保護テープ２８が載置されている。保護テープ２８の裏面が突起電極２４と接していない状態で、配線基板２１ａと保護テープ２８とが交互に積層されている。
【００５７】
このような配線基板巻装体の構成によれば、保護テープ２８が直接保護膜２５ａの表面に接した状態で配線基板２１ａと保護テープ２８とを交互に積層することができるため、端部に支持部を形成した保護テープと配線基板とを交互に積層した従来の配線基板巻装体と比較し、同一の高さでより多くの配線基板２１ａを積層できる利点を有する。
【００５８】
第２または第３の実施形態における配線基板２１ｂまたは２１ｃを保護テープ２８と積層して巻回して配線基板巻装体を構成した場合も、同様の利点を有する。
【００５９】
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態における配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図９は、図５、図６に示した配線基板２１ｂを製造する工程を工程順に示す。図５、図６に示した配線基板２１ｂと同一の構成要素については同一の参照符号を付して、説明の繰り返しを省略する。
【００６０】
まず、図９（ａ）に示すように、絶縁性基材２２上に、第１の導体配線２３ａ、ダミー導体配線２３ｂ、及び第２の導体配線２６を形成する。絶縁性基材２２としては、厚み４０μｍ程度のＰＩ等からなるフレキシブルテープを用いる。第１の導体配線２３ａ、ダミー導体配線２３ｂ、及び第２の導体配線２６は、厚み８μｍ程度のＣｕ箔を所望のパターンにエッチングして形成する。
【００６１】
次に、第１の導体配線２３ａ、ダミー導体配線２３ｂ、及び第２の導体配線２６上にレジストフィルムを貼り付け露光現像して所望のパターンに開口させる。開口部を通して電解Ｃｕめっきを施すことで、図９（ｂ）に示すように、突起電極２４及び支持部２７ａを同時に形成する。電解めっきの場合、同一の時間電解めっきを行うことで、突起電極２４の高さｄ１、及び支持部２７ａの高さｄ１’を同一に形成できる（ｄ１＝ｄ１’）。例えば、ｄ１＝ｄ１’＝１０μｍ程度に形成する。
【００６２】
次に、図９（ｃ）に示すように、エポキシ系やＰＩ系の樹脂をパターン印刷後硬化することで第１の導体配線２３ａ、ダミー導体配線２３ｂ、第２の導体配線２６及び突起状の支持部２７ａを被覆し、かつ突起電極２４の周囲を開口する保護膜２５ｂを形成する。突起電極２４の高さｄ１と支持部２７ａの高さｄ１’は等しいため、図９（ｃ）のように、支持部２７ａ上に形成された保護膜２５ｂ表面の高さｄ３は、突起電極２４の高さｄ１よりも保護膜２５ｂの厚み分だけ高く形成される。
【００６３】
例えば前述のように、第１の導体配線２３ａ及び第２の導体配線２６の厚みが８μｍ、突起電極２２及び支持部２７ａの厚みが１０μｍの場合、ｄ１＝１８μｍとなる。支持部２７ａ上の保護膜２５ｂの厚みを１０μｍ程度に形成すると、ｄ３＝２８μｍとなり、ｄ３がｄ１よりも支持部２７ａ上の保護膜２５ｂの厚みだけ高くなるため、ｄ３＞ｄ１に形成できる。
【００６４】
以上のように本実施形態における配線基板の製造方法によれば、第１の導体配線２３ａ上の突起電極２４と第２の導体配線２６上の突起状の支持部２７ａとを、電解めっき法により同時に形成するため、突起電極２４の高さ（ｄ１）と突起状の支持部２７ａの高さ（ｄ１’）が等しく形成される。そのため、突起状の支持部上２７ａに形成された保護膜２５ｂ表面の、絶縁性基材２２表面からの高さ（ｄ３）を突起電極２４の絶縁性基材２２表面からの高さ（ｄ１）よりも保護膜２５ｂの厚み分だけ必ず高く形成できるという利点が得られる。
【００６５】
以上の各実施形態では、例えば図１及び図２のように、第１の導体配線２３ａ上に突起電極２４が形成されている場合を示したが、図１０及び図１１に示す配線基板２１ｄのように突起電極３０を形成してもよい。すなわち、突起電極３０は、各々の第１の導体配線２３ａの長手方向を横切って第１の導体配線２３ａの両側の絶縁性基材２２上の領域に亘り形成されている。突起電極３０の第１の導体配線２３ａの幅方向における断面形状は、中央部が両側よりも高くなっている。この構成の場合でも、上述の各実施形態と同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の配線基板は、材料や工程を追加することなく保護テープの端部のエンボス部やスペーサーを不要とするため、保護テープと配線基板とを供給リールに多数回積層する必要のあるＴＡＢ工法に用いる配線基板として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の実施形態における配線基板を示す平面図
【図２】同配線基板のＣ−Ｃ’断面を示す断面図
【図３】同配線基板を巻回して構成された第４の実施形態における配線基板巻装体を示す斜視図
【図４】同配線基板のＤ−Ｄ’断面を示す断面図
【図５】本発明の第２の実施形態における配線基板を示す平面図
【図６】同配線基板のＥ−Ｅ’断面を示す断面図
【図７】本発明の第３の実施形態における配線基板を示す平面図
【図８】同配線基板のＦ−Ｆ’断面を示す断面図
【図９】本発明の第５の実施形態における配線基板の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の第１の実施形態の別の態様による配線基板を示す平面図
【図１１】同配線基板のＧ−Ｇ’断面を示す断面図
【図１２】従来例の配線基板を示す平面図
【図１３】同配線基板のＡ−Ａ’断面を示す断面図
【図１４】同配線基板を用いた半導体装置を示す断面図
【図１５】同配線基板を用いた半導体装置の製造方法を示す側面図
【図１６】同配線基板を巻回した配線基板巻装体を示す斜視図
【図１７】同配線基板巻装体の側面の一部を示す側面図
【図１８】同配線基板巻装体の図１６におけるＢ−Ｂ’断面における断面図
【図１９】他の従来例の配線基板と保護テープが積層された状態を示す側面図
【図２０】同配線基板と保護テープが積層された状態を示す断面図
【符号の説明】
【００６８】
１、２１ａ〜２１ｄ  配線基板
２、２２  絶縁性基材
３ａ、２３ａ  第１の導体配線
３ｂ、２３ｂ  ダミー導体配線
４、２４、３０  突起電極
５、２５ａ、２５ｂ  保護樹脂
６、２６  第２の導体配線
７  半導体素子
７ａ  電極パッド
８  第１の保護テープ
９  第１のリール
９Ａ  配線基板巻装体
１０  第２のリール
１１  実装用のヘッド
１２  実装用のステージ
１３  第２の保護テープ
１４  第３のリール
１５  第４のリール
１６  搬送ローラー
１７  エンボス部
１８  保護テープの開口部
１９  スペーサー
２７ａ、２７ｂ  支持部
２８  保護テープ
２９  配線基板巻装体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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