(57)【要約】【課題】記録側の配線の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を可能とする。【解決手段】ハード・ディスクに対して情報の記録・再生を行うヘッド部２１に負荷荷重を与えるロード・ビーム３と、ヘッド部２１に接続した記録側及び再生側の配線２５，２７を有すると共にヘッド部２１を支持して前記ロード・ビーム３に取り付けられたフレキシャ７とを備え、フレキシャ７は、配線２５，２７を導電性薄板の基材１７に可撓性樹脂のベース絶縁層３３を介して配設したヘッド・サスペンション１において、フレキシャ７の幅方向記録側でのみ配線２５に対応して基材１７及びベース絶縁層３３間の少なくとも一部に、導電性薄板の基材１７よりも導電率の高い銅の高導電率グランド層３９を形成したことを特徴とする。【選択図】図３
2007164853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハード・ディスクに対して情報の記録・再生を行うためのヘッド部に負荷荷重を与えるロード・ビームと、
前記ヘッド部に接続した記録側及び再生側の配線を有すると共に該ヘッド部を支持して前記ロード・ビームに取り付けられたフレキシャとを備え、
前記フレキシャは、前記配線を導電性薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンションにおいて、
前記フレキシャの幅方向記録側でのみ配線に対応して基材及びベース絶縁層間の少なくとも一部に、前記導電性薄板の基材よりも導電率の高い高導電率グランド層を形成した
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項２】
請求項１記載の多層グランド層のヘッド・サスペンションであって、
前記高導電率グランド層は、銅により形成された
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項３】
請求項１又は２記載の多層グランド層のヘッド・サスペンションであって、
前記高導電率グランド層の幅は、前記記録側の配線の幅よりも大きく形成した
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項４】
請求項１又は２の何れかに記載の多層グランド層のヘッド・サスペンションであって、
前記高導電率グランド層の幅は、前記記録側の配線の幅よりも小さく記録側の配線の幅の１５％以上の範囲である
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の多層グランド層のヘッド・サスペンションであって、
前記高導電率グランド層は、前記記録側の配線が複数本の場合に記録側の配線毎に設けた
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載の多層グランド層のヘッド・サスペンションであって、
前記高導電率グランド層は、前記記録側の配線に対する重なり幅が、記録側の配線の幅の１５％以上である
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかに記載の銅の高導電率グランド層を有したヘッド・サスペンションであって、
前記高導電率グランド層は、前記ヘッド部の前記ハード・ディスクに対する運動特性に影響を及ぼさない範囲に形成した
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項８】
請求項７記載の多層グランド層のヘッド・サスペンションであって、
前記ヘッド部の運動特性に影響を及ぼさない範囲は、前記フレキシャの延設方向につき前記ロード・ビームをベース部に弾性支持するばね部周辺及び前記フレキシャのアウトリガー周辺を避けた範囲である
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項９】
請求項１〜８の何れかに記載の多層グランド層のヘッド・サスペンションであって、
前記高導電率グランド層は、３μｍ以上の厚みに形成した
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンション。
【請求項１０】
ハード・ディスクに対して情報の記録・再生を行うためのヘッド部に負荷荷重を与えるロード・ビームと、
前記ヘッド部に接続した記録側及び再生側の配線を有すると共に該ヘッド部を支持して前記ロード・ビームに取り付けられたフレキシャとを備え、
前記フレキシャは、前記配線を導電性薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンションにおいて、
前記フレキシャの幅方向記録側でのみ配線に対応して基材及びベース絶縁層間の少なくとも一部に、前記導電性薄板の基材よりも導電率の高い高導電率グランド層を形成した多層グランド層のヘッド・サスペンションの製造方法であって、
前記基材の記録側にのみ前記高導電率グランド層をメッキ処理により形成する高導電率グランド層形成工程と、
前記基材上に前記ベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程と、
前記ベース絶縁層上に前記配線を形成する配線形成工程と、
前記配線を覆うカバ−絶縁層を形成するカバー絶縁層形成工程とを備えた
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンションの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の多層グランド層のヘッド・サスペンションの製造方法であって、
前記カバー絶縁層形成工程の後に、再生側の配線に対応して前記基材に窓を形成する窓形成工程を備えた
ことを特徴とする多層グランド層のヘッド・サスペンションの製造方法。
【請求項１２】
ハード・ディスクに対して情報の記録・再生を行うためのヘッド部に接続した記録側及び再生側の配線を有すると共に該ヘッド部を支持してロード・ビームに取り付けられ、前記配線を導電性薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンションのフレキシャにおいて、
前記基材の幅方向記録側でのみ配線に対応して基材及びベース絶縁層間の少なくとも一部に、前記導電性薄板の基材よりも導電率の高い高導電率グランド層を形成した
ことを特徴とする多層グランド層のフレキシャ。
【請求項１３】
ハード・ディスクに対して情報の記録・再生を行うためのヘッド部に接続した記録側及び再生側の配線を有すると共に該ヘッド部を支持してロード・ビームに取り付けられ、前記配線を導電性薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンションのフレキシャにおいて、
前記基材の幅方向記録側でのみ配線に対応して基材及びベース絶縁層間の少なくとも一部に、前記導電性薄板の基材よりも導電率の高い高導電率グランド層を形成した多層グランド層のフレキシャの製造方法であって、
前記基材の記録側にのみ前記高導電率グランド層をメッキ処理により形成する高導電率グランド層形成工程と、
前記基材上に前記ベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程と、
前記ベース絶縁層上に前記配線を形成する配線形成工程と、
前記配線を覆うカバ−絶縁層を形成するカバー絶縁層形成工程とを備えた
ことを特徴とする多層グランド層のフレキシャの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の多層グランド層のフレキシャの製造方法であって、
前記カバー絶縁層形成工程の後に、再生側の配線に対応して前記基材に窓を形成する窓形成工程を備えた
ことを特徴とする多層グランド層のフレキシャの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータ等の情報処理装置に内蔵されるハード・ディスク・ドライブのヘッド・サスペンションに係り、特に多層グランド層のヘッド・サスペンション及びその製造方法、多層グランド層のフレキシャ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ「Hard  Disk  Drive」）に装備されるヘッド・サスペンションにおいて、フレキシャ（Flexure）は、磁気ヘッドに接続される記録・再生信号を伝搬する配線が、ばね性を有するステンレス製薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設され、この配線を可撓性樹脂のカバー絶縁層が覆う４層構造等となっている。
【０００３】
かかる構造において、ヘッド・サスペンション上を伝搬する記録・再生信号は、フレキシャのステンレス製薄板の基材を電気的なグランドとして伝搬する。このステンレス製薄板の基材の導電率は、銅などに比べて約１／５０と低く、ステンレス製薄板の基材に起因した信号伝搬損失（以下単に「損失」とする。）が大きく、周波数帯域も狭くなっている。
【０００４】
これに対し、従来、ステンレス製薄板の基材とベース絶縁層との間に銅のグランド層を設けたものがあり、配線インピーダンスを低くし、低損失、広帯域化を実現している。
【０００５】
一方、配線インピーダンスは、記録側では、前記のように損失を小さく、周波数帯域も広く広帯域化するために低インピーダンス化が望まれるのに対し、再生側では、プレアンプ部で受ける電圧信号拡大のためにプレアンプの入力インピーダンスを更に高くする傾向があり、高インピーダンス化が望まれている。
【０００６】
しかし、フレキシャの幅方向においてステンレス製薄板の基材全面に銅のグランド層を設けると、再生側の配線インピーダンスも低くなるため、記録側の配線の低インピーダンス化と再生側の配線の高インピーダンス化との両立を図ることができないという問題があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２４９０４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
解決しようとする問題点は、記録側の配線の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を図ることができないという点である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、記録側の配線の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を図るため、フレキシャの幅方向記録側でのみ配線に対応して基材及びベース絶縁層間の少なくとも一部に、導電性薄板の基材よりも導電率の高い高導電率グランド層を形成したことを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、フレキシャの幅方向記録側でのみ配線に対応して基材及びベース絶縁層間の少なくとも一部に、導電性薄板の基材よりも導電率の高い高導電率グランド層を形成したため、記録側の配線の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
記録側の配線の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を図るという目的を、導電率の高い部分的な高導電率グランド層により実現した。
【実施例１】
【００１２】
［多層グランド層のヘッド・サスペンションの全体構成］
図１は、本発明実施例１を適用した多層グランド層のヘッド・サスペンションの平面図、図２は、ロード・ビーム周辺の拡大平面図である。
【００１３】
図１，図２のように、多層グランド層のヘッド・サスペンション１は、ロード・ビーム３と、ベース部５と、フレキシャ７とを備えている。
【００１４】
前記ロード・ビーム３は、ヘッド部２１に負荷荷重を与えるもので、剛体部９とばね部１１とを備えている。前記剛体部９は、例えばステンレス鋼で形成され、その厚みは比較的厚く、例えば１００μｍ程度に設定されている。
【００１５】
前記ばね部１１は、前記剛体部９とは別体に形成されたもので、例えばばね性のある薄いステンレス鋼圧延板からなり、前記剛体部９よりもそのばね定数が低く、精度の高い低ばね定数を有している。このばね部１１の板厚は例えば、ｔ＝４０μｍ程度に設定されている。このばね部１１は、その一端部が前記剛体部９の後端部にレーザ溶接などによって固着されている。前記ばね部１１の他端部には、補強プレート１３が一体に設けられている。
【００１６】
前記ベース部５は、ベース・プレート１５を有している。このベース・プレート１５は前記補強プレート１３に重ね合わされ、レーザ溶接などによって相互に固着されている。
【００１７】
従って、ベース・プレート１５が補強プレート１３により補強されてベース部５が構成されている。このベース部５が、キャリッジのアームに取り付けられ、軸回りに回転駆動される。
【００１８】
前記フレキシャ７は、ばね性を有する薄いステンレス鋼圧延板（ＳＳＴ）などの厚さ１５〜３０μｍ程度の導電性薄板で形成した基材１７上に、後述する電気絶縁層を介して配線パターン１９を形成している。フレキシャ７は、レーザ溶接などによって剛体部９に固着されている。前記配線パターン１９の一端は、ヘッド部２１の記録用の端子、再生用の端子に導通接続され、他端はベース部５側に延設されている。
【００１９】
前記ヘッド部２１には、前記フレキシャ７のタング２３が片持ち状に設けられている。このタング２３に、記録用、再生用のスライダが装着される。ヘッド部２１のスライダには、前記端子に対応し且つ記録用の素子及び再生用の素
子に接続した端子が備えられ、相互に導通接続されている。
【００２０】
前記ヘッド部２１の記録用の素子は、例えば一般的な誘導型磁気変換素子である。同再生用の素子は、ＭＲ素子、ＧＭＲ素子、或いはＴｕＭＲ素子が用いられ、再生読み取り感度が高くなっている。
［フレキシャ及び高導電率グランド層］
図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視におけるフレキシャの拡大断面図、図４は、図２のＩＶ部におけるフレキシャ延設方向の断面図である。
【００２１】
図１〜図３のように、前記配線パターン１９は、記録側の配線（W１，W２）２５及び再生側の配線（R１，R２）２７からなり、本実施例では、さらにヒータ用の配線２９を備えている。ヒータは、ヘッド部を加熱し、浮上量を調整する。
【００２２】
前記記録側の配線２５、再生側の配線２７、及びヒータ用の配線２９は、フレキシャ７の基材１７上に可撓性樹脂のベース絶縁層３３を介して配設されている。基材１７には、幅Ｈの窓３５が貫通形成されている。窓３５は、再生側のインピーダンスを高めるためのものであり、再生側の配線２７に対応して設けられている。窓３５は、フレキシャ７の延設方向において配線２７に沿って適所に形成されている。
【００２３】
前記記録側の配線２５は、再生側の配線２７に比較して幅広に形成され、低インピーダンス化が図られている。
【００２４】
前記ベース絶縁層３３は、可撓性絶縁樹脂であるポリイミドで形成され、厚さ５〜２０μｍ程度に形成されている。
【００２５】
前記記録側の配線２５及び再生側の配線２７は、前記ベース絶縁層３３に対してカバー絶縁層３７で覆われている。カバー絶縁層３７は、可撓性絶縁樹脂であるポリイミドで形成され、ベース絶縁層３３に対する積層方向での厚みが、５〜２０μｍ程度に形成されている。カバー絶縁層３７は、配線２５，２７，２９の表面をカバーし、外力などから保護している。
【００２６】
前記フレキシャ７の幅方向記録側でのみ配線２５に対応して基材１７及びベース絶縁層３３間の少なくとも一部に、前記導電性薄板の基材１７よりも導電率の高い高導電率グランド層３９が形成されている。本実施例において高導電率グランド層３９は、銅のメッキにより３μｍ以上、例えばＴ＝５〜１０μｍの厚みに形成されている。
【００２７】
前記高導電率グランド層３９は、前記記録側の配線の幅を上回る幅方向範囲に形成した。すなわち、高導電率グランド層３９の両端縁が、配線２５の端縁から距離Ｌだけ幅方向に突出している。距離Ｌは、例えば２０〜１００μｍに設定されている。但し、高導電率グランド層３９の端縁を、配線の端縁に対して幅方向に一致させ、或いは高導電率グランド層３９及び配線２５の端縁の突出関係を逆にすることもできる。また、高導電率グランド層３９は、再生側の配線２７のインピーダンスを低下させない程度にヒータ用の配線２９の範囲にも形成することが可能である。
【００２８】
前記高導電率グランド層３９は、前記ヘッド部２１のハード・ディスクに対する運動特性に影響を及ぼさない範囲に形成した。ヘッド部２１の運動特性に影響を及ぼさない範囲は、ヘッド・サスペンション１の機械的特性であるスティフネスに影響させない範囲である。具体的には、フレキシャ７の延設方向につきロード・ビーム３をベース部５に弾性支持するばね部１１周辺４１及びフレキシャ７のアウトリガー４３周辺を避けた範囲である。本実施例では、図２のＩＶ部を含めたフレキシャ７のテール側４５に図４のように形成され、またＶ部、ＶＩ部の範囲にも形成されている。但し、高導電率グランド層３９は、電気特性を決定するのに支配的なテール側４５にのみ形成し、他のＶ部、ＶＩ部の範囲は省略することもできる。
【００２９】
［製造方法］
図５は、製造工程を示すフローチャート、図６（ａ）〜（ｆ）は、各工程の断面図である。
【００３０】
本実施例のフレキシャ７は、図５（ａ）〜（ｆ）の基材の形成行程、高導電率グランド層形成工程、ベース絶縁層形成工程、配線形成工程、カバー絶縁層形成工程、窓形成工程を経て形成される。
【００３１】
図５の基材の形成工程（ａ）では、基材となる厚さ１５〜３０μｍのステンレス鋼圧延板をエッチング或いはプレスなどにより成形し、図６（ａ）のように基材１７の形状を形成する。
【００３２】
図５の高導電率グランド層形成工程（ｂ）では、銅のメッキ処理により図６（ｂ）のように基材１７の記録側にのみ高導電率グランド層３９を形成する。
【００３３】
図５のベース絶縁層形成工程（ｃ）では、図６（ｃ）のように５〜２０μｍのポリイミド絶縁膜によりベース絶縁層３３を形成する。
【００３４】
図５の配線形成工程（ｄ）では、レジストをマスクとしてＣｕ膜をエッチングして図６（ｄ）のように配線２５，２７，２９を形成する。
【００３５】
図５のカバー絶縁層形成工程（ｅ）では、図６（ｅ）のように厚さ５〜２０μｍのポリイミド絶縁膜によりカバ−絶縁層３７を配線２５，２７，２９上に積層形成する。
【００３６】
図５の窓形成工程（ｆ）では、エッチングなどにより図６（ｆ）のように基材１７の再生側の配線２７に対応して幅Ｈの窓３５を形成する。
【００３７】
図５の窓形成工程（ｆ）は、窓３５を形成する場合に必要に応じて行われるものであり、窓を必要としない場合には、省略される。
【００３８】
以上は、多層グランド層のフレキシャ７の製造方法であるが、多層グランド層のヘッド・サスペンション１の製造方法としては、ヘッド・サスペンション１の製造工程中に、前記多層グランド層のフレキシャ７の製造方法を組み入れることになる。
【００３９】
［損失及び周波数帯域］
図７は、配線幅と損失との関係を示すグラフであり、図８は、配線幅と周波数帯域との関係を示すグラフである。図７，図８の横軸は、配線幅であり、図７の縦軸は、損失、図８の縦軸は、周波数帯域を示す。配線長は、４０ｍｍを採用した。
【００４０】
図７では、線分４７が記録側にのみ前記高導電率グランド層３９を有した場合、線分４９が同有しない場合を示す。図７のように、高導電率グランド層を有しない場合は、相対的に損失が大きく、配線幅の増大とともに損失が増大するのに対し、記録側にのみ高導電率グランド層３９を有した場合には、相対的に損失が小さく、配線幅の増大による損失の増大もみられない。むしろ、高導電率グランド層３９を有した場合には、配線幅の増大と共に僅かではあるが損失が減少する傾向がみられた。
【００４１】
図８では、線分５１が記録側にのみ前記高導電率グランド層３９を有した場合、線分５３が同有しない場合を示す。図８では、損失１０％程度の時の配線幅の増加による周波数帯域の変化を見た。高導電率グランド層を有しない場合は、相対的に周波数帯域が狭く、配線幅の増大とともに周波数帯域が狭くなるのに対し、記録側にのみ高導電率グランド層３９を有した場合には、相対的に周波数帯域が広く、配線幅の増大による周波数帯域の狭小化もみられない。むしろ、高導電率グランド層３９を有した場合には、配線幅の増大と共に僅かではあるが周波数帯域が広くなる傾向がみられた。
【００４２】
すなわち、記録側にのみ高導電率グランド層３９を有した場合には、損失・周波数帯域共に配線幅にあまり依存せず、高導電率グランド層を有しない場合に比べ、損失を３０〜５０％以上低減でき、周波数帯域を６０〜１７０％以上拡大できた。
【００４３】
［距離Ｌと損失及び周波数帯域］
図９は、前記距離Ｌと損失との関係を示すグラフであり、図１０は、距離Ｌと周波数帯域との関係を示すグラフである。図９，図１０の横軸は、距離Ｌであり、図９の縦軸は、損失、図１０の縦軸は、周波数帯域を示す。配線長は、４０ｍｍを採用した。
【００４４】
図９，図１０のグラフ中の左端の点は、高導電率グランド層を有しない場合の結果であり、損失が大きく、周波数帯域も狭くなっている。これに対し、高導電率グランド層３９を有した場合には、高導電率グランド層を有しない場に比べて損失が低く、周波数帯域も広く、距離Ｌ＝０から低損失、高帯域化の効果を得ることができた。
【００４５】
［厚みＴと損失及び周波数帯域］
図１１は、前記厚みＴと損失との関係を示すグラフであり、図１２は、厚みＴと周波数帯域との関係を示すグラフである。図１１，図１２の横軸は、厚みＴであり、図１１の縦軸は、損失、図１２の縦軸は、周波数帯域を示す。配線長は、４０ｍｍを採用した。
【００４６】
図１１，図１２のグラフ中の左端の点は、高導電率グランド層を有しない場合の結果であり、損失が大きく、周波数帯域も狭くなっている。これに対し、前記高導電率グランド層３９を有した場合には、高導電率グランド層を有しない場に比べて損失が低く、周波数帯域も広く、少なくとも厚みＴ＝３μｍ以上で低損失、高帯域化の効果を得ることができた。
【００４７】
［配線長方向部分的な高導電率グランド層の配線幅と損失及び周波数帯域］
図１３は、配線幅と損失との関係を示すグラフであり、図１４は、配線幅と周波数帯域との関係を示すグラフである。図１３，図１４の横軸は、配線幅であり、図１３の縦軸は、損失、図１４の縦軸は、周波数帯域を示す。配線長は、４０ｍｍであり、前記高導電率グランド層３９を配線全長に対してテール部３０ｍｍの範囲で形成し、その他１０ｍｍは、ステンレスの基材１７によるグランド層とした。
【００４８】
図１３では、線分５５が記録側にのみ３０ｍｍの高導電率グランド層３９を有した場合、線分５７が同有しない場合を示す。図１３のように、高導電率グランド層を有しない場合は、相対的に損失が大きく、配線幅の増大とともに損失が増大するのに対し、記録側にのみ高導電率グランド層３９を有した場合には、相対的に損失が小さく、配線幅の増大による損失の増大も僅かである。
【００４９】
図１４では、線分５９が記録側にのみ３０ｍｍの高導電率グランド層３９を有した場合、線分６１が同有しない場合を示す。図１４では、損失１０％程度の時の配線幅の増加による周波数帯域の変化を見た。高導電率グランド層を有しない場合は、相対的に周波数帯域が狭く、配線幅の増大とともに周波数帯域が狭くなり、記録側にのみ高導電率グランド層３９を有した場合には、配線幅の増大による周波数帯域の変化傾向は同様であるが相対的に周波数帯域が広い。
【００５０】
すなわち、配線全長に対して部分的に高導電率グランド層３９を有した場合には、損失・周波数帯域共に配線幅に依存するように見えるが、高導電率グランド層を有しない場合に比べ、損失を３０〜４０％以上低減でき、周波数帯域を５０〜１００％以上拡大できた。
【００５１】
［実施例１の効果］
以上、ハード・ディスクに対して情報の記録・再生を行うヘッド部２１に負荷荷重を与えるロード・ビーム３と、前記ヘッド部２１に接続した記録側及び再生側の配線２５，２７を有すると共に該ヘッド部２１を支持して前記ロード・ビーム３に取り付けられたフレキシャ７とを備え、前記フレキシャ７は、前記配線２５，２７を導電性薄板の基材１７に可撓性樹脂のベース絶縁層３３を介して配設したヘッド・サスペンション１において、前記フレキシャ７の幅方向記録側でのみ配線２５に対応して基材１７及びベース絶縁層３３間の少なくとも一部に、前記導電性薄板の基材１７よりも導電率の高い銅の高導電率グランド層３９を形成したため、高導電率グランド層３９による記録側の配線２５の４０〜５０Ωの低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線２７の１００Ω以上の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を図ることができる。
【００５２】
このため、磁気ヘッド及びプリアンプへの対応可能範囲を広くすることができる。また、導電率の高い銅をグランド層へ用いることで、ヘッド・サスペンション配線・プリアンプの集合体であるフロントエンド部でのノイズ低減も期待することができる。
【００５３】
前記高導電率グランド層３９は、前記記録側の配線２５の幅を上回る幅方向範囲に形成したため、記録側の配線２５の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線２７の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を確実に図ることができる。
【００５４】
前記高導電率グランド層３９は、前記ヘッド部２１のハード・ディスクに対する運動特性に影響を及ぼさない範囲であるフレキシャ７の延設方向につき前記ロード・ビーム３をベース部５に弾性支持するばね部１１周辺及び前記フレキシャ７のアウトリガー４３周辺を避けた範囲に形成したため、高導電率グランド層３９がハード・ディスクに対するヘッド部２１の浮上特性等に影響するのを抑制することができる。
【００５５】
前記高導電率グランド層３９は、３μｍ以上の厚みに形成したため、記録側の配線２５の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線２７の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を確実に図ることができる。
【実施例２】
【００５６】
図１５は、本発明の実施例２に係る多層グランド層のヘッド・サスペンションに用いるフレキシャの断面図である。本実施例において、基本的な構成は実施例１と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号又は同符号にＡを付して説明する。
【００５７】
本実施例のフレキシャ７Ａは、基材７Ａの再生側に窓を設けない構成とした。
【００５８】
かかる構成においても、高導電率グランド層３９は、記録側にのみ形成されているため、再生側のインピーダンスが窓を形成した場合よりは低くなるが、銅のグランド層が存在する場合よりも高インピーダンス化することができ、実施例１と同様に記録側の配線２５の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線２７の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を確実に図ることができる。
【実施例３】
【００５９】
図１６は、本発明の実施例３に係る多層グランド層のヘッド・サスペンションに用いるフレキシャの記録側の断面図である。本実施例において、基本的な構成は実施例１と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号又は同符号にＢを付して説明する。
【００６０】
本実施例のフレキシャ７Ｂは、記録側の配線２５毎に高導電率グランド層３９Ｂａ，３９Ｂｂを分けて形成する構成とした。この場合、各高導電率グランド層３９Ｂａ，３９Ｂｂの幅を各配線２５の幅以上にするのがよい。かかる構成においても、高導電率グランド層３９Ｂａ，３９Ｂｂにより、記録側の低インピーダンス化と低損失、広帯域化とを図ることができる。
【００６１】
従って、本実施例においても実施例１と同様に記録側の配線２５の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線２７の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を確実に図ることができる。
【実施例４】
【００６２】
図１７は、本発明の実施例４に係る多層グランド層のヘッド・サスペンションに用いるフレキシャの記録側の断面図である。本実施例において、基本的な構成は実施例３と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号又は同符号のＢをＣに代えて説明する。
【００６３】
本実施例のフレキシャ７Ｃは、記録側の配線２５毎に高導電率グランド層３９Ｃａ，３９Ｃｂを分けて形成する構成とした。この場合、各高導電率グランド層３９Ｃａ，３９Ｃｂの幅ＧＷを各記録側の配線２５の幅ＴＷに対し小さく設定している。幅ＴＷに対し幅ＧＷは、１５％以上とするのがよい。
【００６４】
かかる構成においても、高導電率グランド層３９Ｃａ，３９Ｃｂにより、記録側の低インピーダンス化と低損失、広帯域化とを図ることができる。従って、本実施例においても実施例３と同様に記録側の配線２５の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線２７の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を確実に図ることができる。
【実施例５】
【００６５】
図１８は、本発明の実施例５に係る多層グランド層のヘッド・サスペンションに用いるフレキシャの記録側の断面図である。本実施例において、基本的な構成は実施例１と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号又は同符号にＤを付して説明する。
【００６６】
本実施例のフレキシャ７Ｄは、高導電率グランド層３９Ｄを一対の記録側の配線２５間に跨るように配設されたものである。この高導電率グランド層３９Ｄは、前記記録側の配線２５に対する重なり幅ａが、記録側の配線の幅ＴＷの１５％以上（ａ≧０．１５ＴＷ）に設定されたものである。
【００６７】
なお、高導電率グランド層３９Ｄは、必ずしも配線２５間に跨るように配設される必要はなく、ａ≧０．１５ＴＷの関係が維持されるものであればよい。
【００６８】
かかる構成においても、高導電率グランド層３９Ｄにより、記録側の低インピーダンス化と低損失、広帯域化とを図ることができる。従って、本実施例においても実施例１と同様に記録側の配線２５の低インピーダンス化と低損失、広帯域化及び再生側の配線２７の高インピーダンス化と低損失、広帯域化の両立を確実に図ることができる。
［その他］
前記配線２５は、単一のものにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】ヘッド・サスペンションの平面図である（実施例１）。
【図２】ヘッド・サスペンションの要部拡大平面図である（実施例１）。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視断面図である（実施例１）。
【図４】図２のＩＶ部におけるフレキシャ延設方向の断面図である（実施例１）。
【図５】製造工程を示すフローチャートである（実施例１）。
【図６】製造工程を示す断面図である（実施例１）。
【図７】配線幅と損失との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図８】配線幅と周波数帯域との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図９】距離Ｌと損失との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図１０】距離Ｌと周波数帯域との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図１１】厚みＴと損失との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図１２】厚みＴと周波数帯域との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図１３】配線幅と損失との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図１４】配線幅と周波数帯域との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図１５】多層グランド層のヘッド・サスペンションに用いるフレキシャの断面図である（実施例２）。
【図１６】多層グランド層のヘッド・サスペンションに用いるフレキシャの記録側の断面図である（実施例３）。
【図１７】多層グランド層のヘッド・サスペンションに用いるフレキシャの記録側の断面図である（実施例４）。
【図１８】多層グランド層のヘッド・サスペンションに用いるフレキシャの記録側の断面図である（実施例５）。
【符号の説明】
【００７０】
１  多層グランド層のヘッド・サスペンション
３  ロード・ビーム
５  ベース部
７，７Ａ，７Ｂ，７Ｃ  フレキシャ
１１  バネ部
１７  基材
２５  記録側の配線
２７  再生側の配線
３３  ベース絶縁層
３７  カバー絶縁層
３９，３９Ｂａ，３９Ｂｂ  高導電率グランド層
４３  アウトリガー
【図１】
2007164853.tif 000003
【図２】
2007164853.tif 000004
【図３】
2007164853.tif 000005
【図４】
2007164853.tif 000006
【図５】
2007164853.tif 000007
【図６】
2007164853.tif 000008
【図７】
2007164853.tif 000009
【図８】
2007164853.tif 000010
【図９】
2007164853.tif 000011
【図１０】
2007164853.tif 000012
【図１１】
2007164853.tif 000013
【図１２】
2007164853.tif 000014
【図１３】
2007164853.tif 000015
【図１４】
2007164853.tif 000016
【図１５】
2007164853.tif 000017
【図１６】
2007164853.tif 000018
【図１７】
2007164853.tif 000019
【図１８】
2007164853.tif 000020