(57)【要約】    【課題】アドレス電極に所定の電圧を供給するデータドライブ集積素子で発生する熱を低減し、該データドライブ素子の熱的、電気的損傷を防止する。    【解決手段】プラズマディスプレイ装置は、アドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記アドレス電極に接続され、データ電圧源から供給されるデータ信号の電圧（Ｖｄ）及びバイアス電圧源から供給されるバイアス電圧（Ｖｂ）を前記アドレス電極に供給するデータドライブ集積素子（Ｄａｔａ  Ｄｒｉｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）７００と、前記バイアス電圧（Ｖｂ）の前記データドライブ集積素子への供給を制御するバイアス電圧供給制御スイッチ７０２と、前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の前記データドライブ集積素子への供給を制御するデータ電圧供給制御スイッチ７０１と、を含んで構成される。【選択図】図６
2007164140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記アドレス電極に接続され、データ電圧源から供給されるデータ信号の電圧（Ｖｄ）及びバイアス電圧源から供給されるバイアス電圧（Ｖｂ）を前記アドレス電極に供給するデータドライブ集積素子（Ｄａｔａ  Ｄｒｉｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）と、
前記バイアス電圧（Ｖｂ）の前記データドライブ集積素子への供給を制御するバイアス電圧供給制御スイッチと、
前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の前記データドライブ集積素子への供給を制御するデータ電圧供給制御スイッチと
を含んで構成されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記データドライブ集積素子は、前記データ電圧供給制御スイッチ及び前記バイアス電圧供給制御スイッチから独立して単一のボード上に形成されることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記データドライブ集積素子は、トップ（Ｔｏｐ）スイッチとボトム（Ｂｏｔｔｏｍ）スイッチとを含み、
前記トップスイッチは、その一端が前記データ電圧供給制御スイッチ及び前記バイアス電圧供給制御スイッチと共通接続され、他端が前記ボトムスイッチの一端に接続されるとともに、前記ボトムスイッチ他端が接地され、
前記トップスイッチの他端と前記ボトムスイッチの一端との間に前記アドレス電極が接続されることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記バイアス電圧（Ｖｂ）は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く前記データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記バイアス電圧（Ｖｂ）は、前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の約０．５倍であることを特徴とする、請求項４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記バイアス電圧供給制御スイッチを複数有し、
各バイアス電圧供給制御スイッチは、互いに異なるバイアス電圧源に接続され、ＯＮされたときに互いに異なる大きさのバイアス電圧を前記データドライブ集積素子に供給することを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記バイアス電圧供給制御スイッチを２〜５個有することを特徴とする、請求項６記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記複数のバイアス電圧供給制御スイッチによって供給される各バイアス電圧は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く前記データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であることを特徴とする、請求項６記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記複数のバイアス電圧供給制御スイッチは、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給するための第１バイアス電圧供給制御スイッチと、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）よりも小さい第２バイアス電圧（Ｖｂ２）を供給するための第２バイアス電圧供給制御スイッチと、を含み、
前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差が、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）とデータ電圧（Ｖｄ）との差にほぼ等しいことを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記複数のバイアス電圧供給制御スイッチは、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給するための第１バイアス電圧供給制御スイッチと、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）よりも小さい第２バイアス電圧（Ｖｂ２）を供給するための第２バイアス電圧供給制御スイッチと、前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）よりも小さい第３バイアス電圧（Ｖｂ３）を供給するための第３バイアス電圧供給制御スイッチと、を含み、
前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）とデータ信号の電圧（Ｖｄ）との差が、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差及び前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）と前記第３バイアス電圧（Ｖｂ３）との差にほぼ等しいことを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記バイアス電圧源と前記バイアス電圧供給制御スイッチとの間、及び、前記データ電圧供給制御スイッチの前記データドライブ集積素子との連結端と前記バイアス電圧供給制御スイッチとの間、の少なくとも一方に、前記バイアス電圧源方向に流れる逆電流を遮断するための逆電流防止部がさらに含まれることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記逆電流防止部は、逆電流防止ダイオードを含み、
前記逆電流防止ダイオードのアノードは、前記バイアス電圧源側に配置されることを特徴とする、請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
スキャン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間に前記スキャン電極にリセット信号を供給する段階と、
少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に前記アドレス電極にバイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階と、
少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に前記アドレス電極にデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給する段階と、
を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記バイアス電圧（Ｖｂ）は、前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の約０．５倍であることを特徴とする、請求項１３記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１５】
前記バイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階は、互いに異なる大きさの複数のバイアス電圧を供給することを特徴とする、請求項１３記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記バイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階は、前記アドレス電極に第１バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給する段階と、該第１バイアス電圧よりも小さい第２バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給する段階と、を含み、
前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）及び前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）は、それぞれグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く前記データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であり、
前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差が、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記データ信号の電圧（Ｖｄ）との差にほぼ等しいことを特徴とする、請求項１３記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記バイアス電圧（Ｖｂ）の供給段階は、前記アドレス電極に第１バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給する段階と、該第１バイアス電圧よりも小さい第２バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給する段階と、該第２バイアス電圧よりも小さい第３バイアス電圧（Ｖｂ３）を供給する段階と、を含み、
前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）、前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）及び前記第３バイアス電圧（Ｖｂ３）は、それぞれグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く前記データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であり、
前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）とデータ信号の電圧（Ｖｄ）との差が、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差及び前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）と前記第３バイアス電圧（Ｖｂ３）との差にほぼ等しいことを特徴とする、請求項１３記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１８】
スキャン電極及びサスティン電極が形成された第１基板と、
アドレス電極及び隔壁が形成された第２基板と、
前記スキャン電極、サスティン電極及びアドレス電極に駆動信号を供給する駆動部と、を含んで構成されるプラズマディスプレイ装置において、
少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間に前記スキャン電極にリセット信号を供給する段階と、
少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に前記アドレス電極にバイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階と、
少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に前記アドレス電極にデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給する段階と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１９】
前記バイアス電圧（Ｖｂ）は、前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の約０．５倍であることを特徴とする、請求項１８記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記バイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階は、互いに異なる大きさの複数のバイアス電圧を供給することを特徴とする、請求項１８記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記アドレス電極は、分割されていることを特徴とする、請求項１８記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、このプラズマディスプレイパネルを駆動するための駆動部とを含んでいる。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、通常、前面パネルと背面パネルとの間に形成された隔壁によって仕切られる複数の放電セルを有しており、各放電セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）またはネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノン（Ｘｅ）を含む不活性ガスが充填されている。
【０００４】
このような放電セルが複数個集まって一つのピクセル（Ｐｉｘｅｌ）を成す。例えば、赤色（Ｒｅｄ、Ｒ）放電セル、緑（Ｇｒｅｅｎ、Ｇ）放電セル、青色（Ｂｌｕｅ、Ｂ）放電セルの３色のセルが集まって一つのピクセルを成すのである。
【０００５】
そして、このようなプラズマディスプレイパネルは、高周波電圧によって放電される時に、不活性ガスが真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｒａｙｓ）を発生し、隔壁の間に形成（塗布）された蛍光体を励起して可視光を発生させる（すなわち、画像が具現化される）。
【０００６】
このようなプラズマディスプレイパネルは、薄く軽い構成が可能なので次世代表示装置として脚光を浴びている。
【０００７】
プラズマディスプレイパネルには、複数の電極、例えば、スキャン電極（Ｙ）、サスティン電極（Ｚ）、アドレス電極（Ｘ）が形成され、このような複数の電極に所定の駆動電圧が供給されて放電が発生することで映像を表示する。
【０００８】
また、プラズマディスプレイパネルの電極に駆動電圧を供給するためにドライバー集積素子（Ｄｒｉｖｅｒ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）が電極に接続される。
【０００９】
例えば、プラズマディスプレイパネルの電極のうち、アドレス電極（Ｘ）にはデータドライブ集積素子が接続され、スキャン電極（Ｙ）にはスキャンドライブ集積素子が接続されるのである。
【００１０】
このように、プラズマディスプレイ装置は、複数の電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、このようなプラズマディスプレイパネルの複数の電極に所定の駆動電圧を供給するための駆動部を含んで構成される。
【００１１】
ここで、プラズマディスプレイパネルのアドレス電極（Ｘ）に駆動電圧を供給するための従来のデータドライブ集積素子（データ駆動部）を含むプラズマディスプレイ装置の構造の一例を説明する。
【００１２】
図２４は、従来のデータドライブ集積素子を含むプラズマディスプレイ装置の構造の一例を説明するための図である。
【００１３】
図２４に示すように、従来のプラズマディスプレイ装置は、データ電圧（Ｖｄ）を供給するデータ電圧源（図示せず）と、接地（ＧＮＤ）又は基底電圧（ＧＮＤ）を供給する基底電圧源（図示せず）との間に直列に接続された、トップ（Ｔｏｐ）スイッチ（Ｑｔ１、Ｑｔ２、Ｑｔ３）及びボトム（Ｂｏｔｔｏｍ）スイッチ(Ｑｂ１、Ｑｂ２、Ｑｂ３）を含む。
【００１４】
そして、このようなトップ（Ｔｏｐ）スイッチ（Ｑｔ１、Ｑｔ２、Ｑｔ３）と、ボトム（Ｂｏｔｔｏｍ）スイッチ(Ｑｂ１、Ｑｂ２、Ｑｂ３）との間にプラズマディスプレイパネルのアドレス電極（Ｘ）が接続される。
【００１５】
また、このようなトップ（Ｔｏｐ）スイッチ（Ｑｔ１、Ｑｔ２、Ｑｔ３）と、ボトム（Ｂｏｔｔｏｍ）スイッチ(Ｑｂ１、Ｑｂ２、Ｑｂ３）とが一つずつ集まって、それぞれ一つのデータドライブ集積素子（Ｄａｔａ  Ｄｒｉｖｅ  ＩＣ）を構成する。
【００１６】
すなわち、トップスイッチＱｔ１と、ボトムスイッチＱｂ１とによってデータドライブ集積素子１００を構成し、このデータドライブ集積素子１００は、プラズマディスプレイパネルの複数のアドレス電極（Ｘ）の内の一つであるアドレス電極Ｘａに接続される。
【００１７】
同様に、データドライブ集積素子１０１はアドレス電極Ｘｂと接続され、データドライブ集積素子１０２はアドレス電極Ｘｃと接続される。
【００１８】
なお、この図２４では、データドライブ集積素子が３個のプラズマディスプレイ装置を示しているが、データドライブ集積素子の個数はアドレス電極（Ｘ）の個数に応じて可変される。
【００１９】
このような従来のプラズマディスプレイ装置の動作を、図２５を参照して説明する。
【００２０】
図２５は、従来プラズマディスプレイ装置の動作を説明するための図であり、動作タイミングを示している。
【００２１】
図２４において、アドレス期間にデータドライブ集積素子１００のトップスイッチＱｔ１がターンオン（Ｔｕｒｎ  Ｏｎ）されると、該トップスイッチＱｔ１を通じて、データ電圧源（図示せず）からデータ電圧（Ｖｄ）がアドレス電極Ｘａに供給され、図２５に示すように、アドレス電極Ｘａの電圧がＶｄまで上昇して維持される。
【００２２】
その後、データドライブ集積回路１００のトップスイッチＱｔ１がターンオフ（Ｔｕｒｎ  Ｏｆｆ）され、ボトムスイッチＱｂ１がターンオンされると、アドレス電極Ｘａの電圧は基底電圧（ＧＮＤ）になる。すなわち、データドライブ集積回路１００は、トップスイッチ（Ｑｔ１）と、ボトムスイッチ（Ｑｂ１）とを交互に動作（オン、オフ）させてアドレス電極Ｘａにデータ電圧（Ｖｄ）のデータ信号を供給するのである。
【００２３】
このようなデータ信号を供給するためのスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）動作は、データドライブ集積素子１０１、１０２にも等しく適用される。
【００２４】
ところで、このように動作する従来のプラズマディスプレイ装置において、図２４に示すそれぞれのデータドライブ集積素子に使われるスイッチング素子、すなわち、トップスイッチ（Ｑｔ１、Ｑｔ１、Ｑｔ３）及びボトムスイッチ（Ｑｂ１、Ｑｂ２、Ｑｂ３）は、耐圧、耐熱特性が比較的に高くなければならない。
【００２５】
例えば、前述のデータ電圧源（図示せず)が供給するデータ電圧（Ｖｄ）の大きさを６０Ｖとする。そして、それぞれのトップスイッチ（Ｑｔ１、Ｑｔ２、Ｑｔ３）の抵抗値をそれぞれＲとする。
【００２６】
このような場合に、２４のデータドライブ集積素子１００を通じてアドレス電極Ｘａにデータ電圧（Ｖｄ）が供給されると、トップスイッチ（Ｑｔ１）に流れる電流と、トップスイッチ（Ｑｔ１）で消費する電力とは、次式（１）、（２）のようになる。
【００２７】
ｉ＝６０Ｖ／Ｒ…（１）
Ｗ＝ｉ×６０Ｖ…（２）
【００２８】
ここで、ｉは、トップスイッチＱｔ１に流れる電流の大きさを示し、Ｗは、トップスイッチＱｔ１で消費する電力の大きさを示す。
【００２９】
上記式（２）に示すように、この場合、トップスイッチＱｔ１では、駆動の時に（ｉ×６０Ｖ）程度の電力を消費することが分かる。
【００３０】
この時、トップスイッチＱｔ１では、消費電力Ｗに比例して熱が発生するようになる。
【００３１】
例えば、トップスイッチＱｔ１の抵抗値Ｒが３０Ωと仮定すれば、トップスイッチＱｔ１では、消費電力（６０／３０）×６０＝１２０Ｗに応じた熱が発生するようになるのである。
【００３２】
以上の説明を総合すれば、トップスイッチＱｔ１は、データ電圧（Ｖｄ）に応じた所定の耐圧特性を有することはもちろん、消費電力（ｉ×６０Ｖ）によって発生する熱にも耐えることができるだけの耐熱特性を持たなければならないのである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
しかし、このように高い耐熱特性を持つスイッチング素子は、比較的に高価であり、この結果、プラズマディスプレイ装置の製造コストを上昇させてしまうことになる。
【００３４】
また、特に、映像データが論理（Ｌｏｇｉｃ）値１と０とが繰り返されるなどの特定パターンの場合には、トップスイッチＱｔ１に大きい熱が発生して該トップスイッチＱｔ１が損傷するおそれがあるという問題点がある。
【００３５】
本発明は、このような実情に着目してなされたものであり、その目的は、アドレス電極に所定の電圧を供給するデータドライブ集積素子で発生する熱を低減し、該データドライブ集積素子の熱的、電気的損傷を防止することが出来るプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
また、データドライブ集積素子の耐圧特性を低めても安定した動作ができるようにすることで、プラズマディスプレイ装置の製造コストを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
そのため、本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、アドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記アドレス電極に接続され、データ電圧源から供給されるデータ信号の電圧（Ｖｄ）及びバイアス電圧源から供給されるバイアス電圧（Ｖｂ）を前記アドレス電極に供給するデータドライブ集積素子（Ｄａｔａ  Ｄｒｉｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）と、前記バイアス電圧（Ｖｂ）の前記データドライブ集積素子への供給を制御するバイアス電圧供給制御スイッチと、前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の前記データドライブ集積素子への供給を制御するデータ電圧供給制御スイッチと、を含んで構成される。
【００３７】
ここで、前記データドライブ集積素子は、前記データ電圧供給制御スイッチ及び前記バイアス電圧供給制御スイッチから独立して単一のボード上に形成されることが望ましい。
【００３８】
また、前記データドライブ集積素子は、トップ（Ｔｏｐ）スイッチとボトム（Ｂｏｔｔｏｍ）スイッチとを含み、前記トップスイッチは、その一端が前記データ電圧供給制御スイッチ及び前記バイアス電圧供給制御スイッチと共通接続され、他端は前記ボトムスイッチの一端に接続されるとともに、前記ボトムスイッチの他端が接地され、前記トップスイッチの他端と前記ボトムスイッチの一端との間に前記アドレス電極と接続されることが望ましい。
【００３９】
また、前記バイアス電圧（Ｖｂ）は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く前記データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であることが望ましい。
【００４０】
また、前記バイアス電圧（Ｖｂ）は、前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の約０．５倍であるのが望ましい。
【００４１】
また、前記バイアス電圧供給制御スイッチを複数有し、各バイアス電圧供給制御スイッチは、互いに異なるバイアス電圧源に接続され、ＯＮされたときに互いに異なる大きさのバイアス電圧を前記データドライブ集積素子に供給するのが望ましい。
【００４２】
ここで、前記バイアス電圧供給制御スイッチの個数は、２〜５個であるのが望ましい。
【００４３】
また、前記複数のバイアス電圧供給制御スイッチ（がＯＮされること）によって供給される各バイアス電圧は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く前記データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であることが望ましい。
【００４４】
また、前記複数のバイアス電圧供給制御スイッチは、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給するための第１バイアス電圧供給制御スイッチと、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）よりも小さい第２バイアス電圧（Ｖｂ２）を供給するための第２バイアス電圧供給制御スイッチと、を含み、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差が、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）とデータ電圧（Ｖｄ）との差にほぼ等しいのが望ましい。
【００４５】
また、前記複数のバイアス電圧供給制御スイッチは、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給するための第１バイアス電圧供給制御スイッチと、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）よりも小さい第２バイアス電圧（Ｖｂ２）を供給するための第２バイアス電圧供給制御スイッチと、前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）よりも小さい第３バイアス電圧（Ｖｂ３）を供給するための第３バイアス電圧供給制御スイッチと、を含み、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）とデータ信号の電圧（Ｖｄ）との差が、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差及び前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）と前記第３バイアス電圧（Ｖｂ３）との差にほぼ等しいのが望ましい。
【００４６】
また、前記バイアス電圧源と前記バイアス電圧供給制御スイッチの間、及び、前記データ電圧供給制御スイッチの前記データドライブ集積素子との連結端と前記バイアス電圧供給制御スイッチとの間、の少なくとも一方に前記バイアス電圧源方向に流れる逆電流を遮断するための逆電流防止部がさらに含まれるのが望ましい。
【００４７】
ここで、前記逆電流防止部は、逆電流防止ダイオードを含み、該逆電流防止ダイオードのアノードは前記バイアス電圧源側に配置されることが望ましい。
【００４８】
さらに、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、スキャン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置の駆動方法であって、少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間に前記スキャン電極にリセット信号を供給する段階と、少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に前記アドレス電極にバイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階と、少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に前記アドレス電極にデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給する段階と、を含んで構成される。
【００４９】
ここで、前記バイアス電圧（Ｖｂ）は、前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の約０．５倍であるが望ましい。
【００５０】
また、前記バイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階は、互いに異なる大きさの複数のバイアス電圧を供給するのが望ましい。
【００５１】
また、前記バイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階は、前記アドレス電極に第１バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給する段階と、該第１バイアス電圧よりも小さい第２バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給する段階と、を含み、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）及び前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）は、それぞれグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く前記データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であり、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差が、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）とデータ電圧（Ｖｄ）との差にほぼ等しいのが望ましい。
【００５２】
また、前記バイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階は、前記アドレス電極に第１バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給する段階と、該第１バイアス電圧よりも小さい第２バイアス電圧（Ｖｂ１）を供給する段階と、該第２バイアス電圧よりも小さい第３バイアス電圧（Ｖｂ３）を供給する段階と、を含み、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）、前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）及び前記第３バイアス電圧（Ｖｂ３）は、それぞれグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く前記データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であり、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）とデータ信号の電圧（Ｖｄ）との差が、前記第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差及び前記第２バイアス電圧（Ｖｂ２）と前記第３バイアス電圧（Ｖｂ３）との差にほぼ等しいのが望ましい。
【００５３】
さらに、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、スキャン電極及びサスティン電極が形成された第１基板と、複数のアドレス電極及び隔壁が形成された第２基板と、前記スキャン電極、サスティン電極及びアドレス電極に駆動信号を供給する駆動部と、を含んで構成されるプラズマディスプレイ装置において、少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間に前記スキャン電極にリセット信号を供給する段階と、少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に前記アドレス電極にバイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階と、少なくとも一つのサブフィールドのアドレス期間に前記アドレス電極にデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給する段階と、を含む。
【００５４】
ここで、前記バイアス電圧（Ｖｂ）は、前記データ信号の電圧（Ｖｄ）の約０．５倍であるのが望ましい。
【００５５】
また、前記バイアス電圧（Ｖｂ）を供給する段階は、互いに異なる大きさの複数のバイアス電圧を供給するのが望ましい。
【発明の効果】
【００５６】
本発明によれば、その駆動時にデータドライブ集積素子で発生する熱を抑えることができるので、該データドライブ集積素子の熱的、電気的損傷を防止して全体プラズマディスプレイ装置の動作安全性を向上させる効果がある。
【００５７】
また、本発明によれば、データドライブ集積素子の耐圧、耐熱特性を低めても安定した動作を実現できるので、より安価なデータドライブ集積素子の使用が可能となる。
【００５８】
さらに、本発明によれば、データドライブ集積素子から発生する熱を抑えることができるので、この熱を放出させるために設けられるヒートシンクの小型化を図ることができるとともに、放熱フィンを省略するなどより簡単にヒートシンクを製造できるようになる。
【００５９】
この結果、プラズマディスプレイ装置の安定した動作を確保しつつ、その全体としての製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６０】
以下では、添付図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
【００６１】
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【００６２】
図１に示すように、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル３００と、駆動部３０４とを含む。
【００６３】
プラズマディスプレイパネル３００は、第１パネル(図示せず)と第２パネル(図示せず)とが一定な間隔を置いて合着されており、複数の電極、例えば、アドレス電極（Ｘ）が複数個形成される。
【００６４】
ここで、図２を参照してプラズマディスプレイパネル３００の構造を説明する。
【００６５】
図２は、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図である。
【００６６】
図２に示すように、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネル３００は、画像がディスプレイされる表示面である第１基板４０１にスキャン電極（４０２、Ｙ）及びサスティン電極（４０３、Ｚ）が形成された第１パネル４００と、パネル背面を成す第２基板４１１上に第１基板４０１側のスキャン電極（４０２、Ｙ）及びサスティン電極（４０３、Ｚ）に交差するように複数のアドレス電極（４１３、Ｘ）が配列された第２パネル４１０とが、一定の距離を置いて平行に結合されて構成される。
【００６７】
第１パネル４００には、一つの放電空間（すなわち、放電セル）で相互放電させて放電セルの発光を維持するためのスキャン電極（４０２、Ｙ）及びサスティン電極（４０３、Ｚ）が、より具体的には、透明なＩＴＯ物質で形成された透明電極（ａ）と金属材質で形成されたバス電極（ｂ）とを備えるスキャン電極（４０２、Ｙ）及びサスティン電極（４０３、Ｚ）が対を成して含まれる。
【００６８】
スキャン電極（４０２、Ｙ）及びサスティン電極（４０３、Ｚ）は、放電電流を制限して電極対の間を絶縁する一つ以上の上部誘電体層４０４によって覆われており、この上部誘電体層４０４の上面には、電極を保護し、放電条件を安定させる等のために酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層４０５が形成される。
【００６９】
一方、第２パネル４１０には、複数個の放電空間、すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ(またはウェルタイプ)の隔壁４１２が平行に配列されている。
【００７０】
また、アドレス放電を行って真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極（４１３、Ｘ）が隔壁４１２に平行に配置される。
【００７１】
第２パネル４１０の上側面には、アドレス放電時に画像表示のための可視光線を放出するＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体４１４が塗布されている。アドレス電極（４１３、Ｘ）と蛍光体４１４との間には、アドレス電極（４１３、Ｘ）を保護する等のための下部誘電体層４１５が形成される。
【００７２】
なお、図２は本発明が適用され得るプラズマディスプレイパネルの一例を示しているに過ぎず、本発明が図２の構造のプラズマディスプレイパネルに限定されるものではない。
【００７３】
例えば、図２では、プラズマディスプレイパネル３００にスキャン電極（４０２、Ｙ）、サスティン電極（４０３、Ｚ）、アドレス電極（４１３、Ｘ）が形成されることを示しているが、スキャン電極（４０２、Ｙ）又はサスティン電極（４０３、Ｚ）が省略されることも可能である。
【００７４】
また、図２では前述のスキャン電極（４０２、Ｙ）、サスティン電極（４０３、Ｚ）が、それぞれ透明電極（ａ）とバス電極（ｂ）とで構成されることを示しているが、これとは異なり、スキャン電極（４０２、Ｙ）及び／又はサスティン電極（４０３、Ｚ）がバス電極（ｂ）だけで構成されることも可能である。
【００７５】
また、スキャン電極（４０２、Ｙ）及びサスティン電極（４０３、Ｚ）が第１パネル４００に含まれ、アドレス電極（４１３、Ｘ）が第２パネル４１０に含まれる構成を示しているが、第１パネル４００にすべての電極が形成されたり、または、スキャン電極（４０２、Ｙ）、サスティン電極（４０３、Ｚ）及びアドレス電極（４１３、Ｘ）の少なくとも一つの電極が隔壁４１２上に形成されたりすることも可能である。
【００７６】
以上のような図２の説明を総合すれば、本発明が適用され得るプラズマディスプレイパネルは、その駆動電圧を供給するための電極、たとえば、複数のアドレス電極（４１３、Ｘ）が形成されていればよく、それ以外の条件は特に問わないのである。
【００７７】
また、上述したアドレス電極（４１３、Ｘ）を分割して形成することも可能である。以下、これについて説明する。
【００７８】
図３は、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に適用されるプラズマディスプレイパネルの他の構造を説明するための図である。
【００７９】
まず、図３（ａ）に示す実施形態では、プラズマディスプレイパネル８００は、第１領域８１０と、第２領域８２０とに分けられる。
【００８０】
第１領域８１０には、複数の第１アドレス電極（Ｘａ）が並んで配置される。第２領域８２０には、複数の第２アドレス電極（Ｘｂ）が並んで配置される。そして、第２アドレス電極（Ｘｂ）のそれぞれは、第１アドレス電極（Ｘａ）のそれぞれに対応するように配置される。
【００８１】
例えば、第１領域８１０に、第１アドレス電極Ｘａ１〜第１アドレス電極Ｘａｍが並んで配置される場合に、第２領域８２０には、第１アドレス電極Ｘａ１〜第１アドレス電極Ｘａｍのそれぞれに対応する第２アドレス電極Ｘｂ１〜第２アドレス電極Ｘｂｍが並んで配置されるのである。
【００８２】
ここで、第１アドレス電極Ｘａ１と第２アドレス電極Ｘｂ１とは、互いに対応するように配置されて、第１アドレス電極Ｘａｍと第２アドレス電極Ｘｂｍとは、互いに対応するように配置される。
【００８３】
図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ部拡大図であり、第１アドレス電極（Ｘａ）と第２アドレス電極（Ｘｂ）とが互いに対応するように配置されている様子がより詳しく示されている。
【００８４】
図３（ｂ）に示すように、第１アドレス電極Ｘａ（ｍ−２）と第２アドレス電極Ｘｂ（ｍ−２）、第１アドレス電極Ｘａ（ｍ−１）と第２アドレス電極Ｘｂ（ｍ−１）、第１アドレス電極Ｘａｍと第２アドレス電極Ｘｂｍが、それぞれ間隔ｄを置いて互いに対応する（間隔ｄを挟んで見合わせる）ように配置される。
【００８５】
すなわち、第１アドレス電極（Ｘａ）のそれぞれと、第２アドレス電極（Ｘｂ）のそれぞれとは、間隔ｄを置いて、それぞれ対応する位置に配設されるのである。
【００８６】
ここで、第１アドレス電極（Ｘａ）と第２アドレス電極（Ｘｂ）との間隔が小さすぎる場合には、第１アドレス電極（Ｘａ）と第２アドレス電極（Ｘｂ）との間に相互カップルリング（Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）によって電流が流れてしまう可能性がある。
【００８７】
一方、第１アドレス電極（Ｘａ）と第２アドレス電極（Ｘｂ）との間の間隔が大きすぎる場合には、プラズマディスプレイパネル上に表示される映像に縞模様形態のノイズが視聴者の目に感知されてしまう可能性がある。
【００８８】
以上を考慮して、第１アドレス電極（Ｘａ）と第２アドレス電極（Ｘｂ）との間隔ｄは、おおよそ５０μｍ〜３００μｍに設定されるのが望ましい。
【００８９】
さらに望ましくは、第１アドレス電極（Ｘａ）と第２アドレス電極（Ｘｂ）との間隔ｄは、おおよそ７０μｍ〜２２０μｍに設定される。
【００９０】
このように、アドレス電極を第１アドレス電極（Ｘａ）と第２アドレス電極（Ｘｂ）とに分割して形成することによって、アドレス電極を駆動させるデータ駆動部の形態も変更することが可能となる（例えば、データ駆動部において、第１アドレス電極（Ｘａ）を駆動させる部分と、第２アドレス電極（Ｘｂ）とを駆動させる部分とを別々に構成することが可能である）。
【００９１】
ここで、図１に戻って説明を続ける。
【００９２】
駆動部３０４は、一つのフレームに含まれる一つ以上のサブフィールド（でプラズマディスプレイパネル３００に形成された複数の電極に所定の駆動電圧を供給する方法で複数の電極を駆動させる。
【００９３】
ここで、プラズマディスプレイパネル３００の複数の電極を駆動させるためのフレームの構造の一例を図４に基づいて説明する。
【００９４】
図４は、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置で階調映像を表示するためのフレームを説明するための図である。
【００９５】
図４に示すように、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置で階調映像を表示するためのフレームは、発光回数が異なる複数の（図では８個の）サブフィールドに分けられる。
【００９６】
また、図示されていないが、各サブフィールドは、すべての放電セルを初期化させるためのリセット期間（ＲＰＤ）、放電する放電セルを選択するためのアドレス期間（ＡＰＤ）及び放電回数によって階調映像を実現するサスティン期間（ＳＰＤ）に分けられる（時間的に分離される）。
【００９７】
例えば、２５６階調で映像を表示しようとする場合に、１／６０秒にあたるフレーム期間（１６．６７ｍｓ）は、図４に示すように、８個のサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）に分けられ、この８個のサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサスティン期間にさらに分けられる。
【００９８】
ここで、各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールドで等しい。
【００９９】
また、放電する放電セルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極（Ｘ）とスキャン電極（Ｙ）との間の電圧差によって起きる。
【０１００】
サスティン期間は、各サブフィールドでの階調加重値を決める期間である。
【０１０１】
例えば、第１サブフィールドの階調加重値を２０で設定し、第２サブフィールドの階調加重値を２１で設定する方法で、各サブフィールドの階調加重値が２ｎ(ただし、ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７)の割合で増加されるように各サブフィールドの階調加重値を決めることができる。このように各サブフィールドにおけるサスティン期間の階調加重値によって各サブフィールドのサスティン期間で供給されるサスティン信号の個数を調節することで、多様な階調映像を実現（表示）できるようになる。
【０１０２】
このようなプラズマディスプレイ装置は、１秒の映像を表示するために複数のフレームを使う。例えば、１秒の映像を表示するために６０個のフレームを使うのである。
【０１０３】
なお、図４では、一つのフレームが８個のサブフィールドから構成される場合を示しているが、一つのフレームを構成するサブフィールドの個数は多様に変更することができる。
【０１０４】
例えば、第１サブフィールドから第１２サブフィールドまでの１２個のサブフィールドで一つのフレームを構成することもできるし、１０個のサブフィールドで一つのフレームを構成することもできるのである。
【０１０５】
このような、一つのフレームに含まれるサブフィールドの個数によって、プラズマディスプレイ装置が実現する映像の画質が決まることになる。
【０１０６】
すなわち、一つのフレームに含まれるサブフィールドが１２個である場合は、２１２の階調を表現することができるし、一つのフレームに含まれるサブフィールドが８個である場合は、２８の階調（２５６階調）を表現することができるようになるのである。
【０１０７】
また、図４では、一つのフレームにおいて階調加重値の大きさが増加していくようにサブフィールドが配列されているが、これに限るものではない。一つのフレームにおいて階調加重値の大きさが減少してくようにサブフィールドが配列されたり、階調加重値の大きさにかかわらず任意の順序でサブフィールドが配列されたりしてもよい。
【０１０８】
再び図１に戻って説明を続ける。
【０１０９】
図４に示すようなフレームの一つ以上のサブフィールドでプラズマディスプレイパネル３００の複数の電極を駆動させる駆動部３０４は、プラズマディスプレイパネル３００に形成された電極によってその構造を可変させることができる。
【０１１０】
ここで、プラズマディスプレイパネル３００に、スキャン電極（Ｙ）と、該スキャン電極（Ｙ）に並ぶサスティン電極（Ｚ）と、スキャン電極（Ｙ）及びサスティン電極（Ｚ）に交差するアドレス電極（Ｘ）と、が形成される場合には、駆動部３０４が、データ駆動部３０１、スキャン駆動部３０２及びサスティン駆動部３０３を含んで構成されるのが望ましい。
【０１１１】
このように、データ駆動部３０１、スキャン駆動部３０２及びサスティン駆動部３０３を含む駆動部３０４の動作は、次のようである。
【０１１２】
図５は、データ駆動部、スキャン駆動部及びサスティン駆動部を含む駆動部３０４の動作を説明するための図である。
【０１１３】
図５に示すように、駆動部３０４は、一つのサブフィールドのリセット期間、アドレス期間及びサスティン期間に、アドレス電極（Ｘ）、スキャン電極（Ｙ）及び／又はサスティン電極（Ｚ）に所定の駆動電圧（駆動信号）を供給する。
【０１１４】
すなわち、駆動部３０４は、図５に示すように、リセット期間のセットアップ期間では、スキャン電極（Ｙ）に上昇ランプ信号（Ｒａｍｐ−ｕｐ）を供給する。望ましくは、駆動部３０４のスキャン駆動部３０２が、スキャン電極（Ｙ）に上昇ランプ信号（Ｒａｍｐ−ｕｐ）を供給するのである。
【０１１５】
かかる上昇ランプ信号によって全画面の放電セル内には弱い暗放電（Ｄａｒｋ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が起きる。この放電をセットアップ放電といい、かかるセットアップ放電によってアドレス電極（Ｘ）及びサスティン電極（Ｚ）上には正極性の壁電荷が蓄積するようになり、スキャン電極（Ｙ）上には負極性の壁電荷が蓄積するようになる。
【０１１６】
また、駆動部３０４、望ましくは、駆動部３０４のスキャン駆動部３０２は、図５に示すように、セッダアップ期間にスキャン電極（Ｙ）に上昇ランプ信号を供給した後、リセット期間のセットダウン期間では、上昇ランプ信号のピーク電圧より低い正極性電圧から落ち始めてグラウンド（ＧＮＤ）レベル電圧以下の特定電圧レベルまで落ちる下降ランプ信号（Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎ）を供給する。
【０１１７】
これによって、放電セル内に微弱な消去放電を起こし、放電セル内に過度に形成された壁電荷を充分に消去させる。このセットダウン放電によって、アドレス放電が安定に起きることができる程度に壁電荷が放電セル内に均一に残留される。すなわち、リセット期間にスキャン電極にリセット信号を供給する。
【０１１８】
また、駆動部３０４、望ましくは、駆動部３０４のスキャン駆動部３０２は、図５に示すように、アドレス期間にスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）から立ち下がる負極性スキャン信号をスキャン電極（Ｙ）に供給する。
【０１１９】
同時に、駆動部３０４、望ましくは、駆動部３０４のデータ駆動部３０１は、（負極性）スキャン信号に対応して、アドレス電極（Ｘ）に正極性のデータ信号を供給する。
【０１２０】
このようなスキャン信号とデータ信号との電圧差と、リセット期間に生成された壁電圧とが加わりながらデータ信号が印加される放電セル内にはアドレス放電が発生される。
【０１２１】
アドレス放電によって選択された放電セル内には、サスティン電圧（Ｖｓ）が印加されると表示放電が起きる位の壁電荷が形成される（蓄積する）。これによって、表示データに応じて１ラインごとにスキャンし、表示セルにアドレス放電させるスキャン動作が行われるのである。
【０１２２】
このようなアドレス期間後のサスティン期間で、駆動部３０４は、スキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）とに交互にサスティン信号（ＳＵＳ）を供給する。
【０１２３】
望ましくは、駆動部３０４のスキャン駆動部３０２とサスティン駆動部３０３とが、それぞれスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）とに交互にサスティン信号（ＳＵＳ）を供給するのである。
【０１２４】
これによって、アドレス放電によって選択された放電セルでは、サスティン信号が印加される毎に、放電セル内の壁電圧と、サスティン信号の電圧とが加わりながらスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）との間にサスティン放電、すなわち、表示放電が起きるようになる。
【０１２５】
ここで、アドレス期間に、スキャン信号に対応してアドレス電極（Ｘ）にデータ信号を供給する駆動部３０４、すなわち、データ駆動部３０１について説明する。
【０１２６】
図６は、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のデータ駆動部３０１を説明するための図である。
【０１２７】
図６に示すように、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のデータ駆動部は、データドライブ集積素子（Ｄａｔａ  Ｄｒｉｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）７００と、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）及びデータ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）を含む。
【０１２８】
バイアス電圧供給制御スイッチ７０２は、図示されないバイアス電圧源に接続され、バイアス電圧（Ｖｂ）のデータドライブ集積素子７００への供給を制御する。
【０１２９】
このバイアス電圧供給制御スイッチ７０２を通じてデータドライブ集積素子７００に供給されるバイアス電圧（Ｖｂ）は、アドレス期間でアドレス放電が発生しないような大きさの電圧である。
【０１３０】
さらに、このバイアス電圧（Ｖｂ）は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く、データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であること、すなわち、０Ｖ＜Ｖｂ＜Ｖｄの関係にあるのが望ましい。
【０１３１】
ここで、図６に示すように、バイアス電圧供給制御スイッチ７０２が１個である場合には、該バイアス電圧供給制御スイッチ７０２を通じて供給されるバイアス電圧（Ｖｂ）がデータ信号の電圧（Ｖｄ）の約０．５倍であるのがさらに望ましい。
【０１３２】
一方、データ電圧供給制御スイッチ７０１は、図示されないデータ電圧源に接続され、データ信号の電圧（Ｖｄ）のデータドライブ集積素子７００への供給を制御する。
【０１３３】
データドライブ集積素子７００は、プラズマディスプレイパネルのアドレス電極（Ｘ）に接続され、あらかじめ定められたスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）動作を通じて自らに供給された電圧をアドレス電極（Ｘ）に供給する。
【０１３４】
なお、データドライブ集積素子７００は、データ電圧供給制御スイッチ７０１やバイアス電圧供給制御スイッチ７０２からは独立して、単一のボードに形成されることが望ましい。
【０１３５】
例えば、データドライブ集積素子７００は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）上に一つのチップ（Ｃｈｉｐ）の形態で形成されることが望ましい。
【０１３６】
また、データドライブ集積素子７００は、図６に示すように、トップ（Ｔｏｐ）スイッチ（Ｑｔ）と、ボトム（Ｂｏｔｔｏｍ）スイッチ（Ｑｂ）とを含んで構成される。
【０１３７】
ここで、トップスイッチ（Ｑｔ）は、その一端がデータ電圧供給制御スイッチ７０１及びバイアス電圧供給制御スイッチ（Ｑｂ）と共通接続され、他端はボトムスイッチ（Ｑｂ）の一端に接続される。
【０１３８】
また、ボトムスイッチ（Ｑｂ）の他端は、接地（ＧＮＤ）され、トップスイッチ（Ｑｔ）の他端とボトムスイッチ（Ｑｂ）の一端との間、すなわち、第２ノード（ｎ２）がアドレス電極（Ｘ）に接続される。
【０１３９】
ここで、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）及びボトムスイッチ（Ｑｂ）は、電界効果トランジスター（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＦＥＴ）からなるのが望ましい。
【０１４０】
このように、データドライブ集積素子７００において、電界効果トランジスターをスイッチング素子として使用する理由は、小さな電圧でもスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）動作の制御が可能であり、プラズマディスプレイ装置の全体の消費電力を低減させることができるからである。
【０１４１】
また、このような電界効果トランジスターは等価的に内部ダイオードを含むところ、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）の内部ダイオード（Ｄ１）は、そのカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）がデータ電圧供給制御スイッチ７０１及びバイアス電圧供給制御スイッチ７０２と共通接続され、そのアノード（Ａｎｏｄｅ）はボトムスイッチ（Ｑｂ）に接続されるように配置される。
【０１４２】
また、データドライブ集積素子７００のボトムスイッチ（Ｑｂ）の内部ダイオード（Ｄ２）は、そのカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）がトップスイッチ（Ｑｔ）に接続され、そのアノード（Ａｎｏｄｅ）は接地（ＧＮＤ）されるように配置される。
【０１４３】
ここで、図６に示すデータ駆動部（すなわち、プラズマディスプレイ装置）の動作を説明する。
【０１４４】
図７は、図６に示すデータ駆動部（プラズマディスプレイ装置）の動作を説明するための動作タイミングを示す図であり、図８〜１０は、同じく図６に示すデータ駆動部（プラズマディスプレイ装置））におけるバイアス電圧（Ｖｂ）、データ信号の電圧（Ｖｄ）の供給過程を説明するための図である。
【０１４５】
先ず、図６において、アドレス期間にデータドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）がターンオン（Ｔｕｒｎ  Ｏｎ）され、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がターンオフ（Ｔｕｒｎ  Ｏｆｆ）され、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）がターンオンされる。すると、図示されないバイアス電圧源から、第１ノード（ｎ１）、トップスイッチ（Ｑｔ）及び第２ノード（ｎ２）を経てバイアス電圧（Ｖｂ）がアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０１４６】
これにより、図７（ａ）のｄ１期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）まで上昇する。
【０１４７】
このｄ１期間におけるバイアス電圧（Ｖｂ）の供給経路が図８に示されている。
【０１４８】
すなわち、図８に示すように、ｄ１期間では、バイアス電圧（Ｖｂ）が図示されないバイアス電圧源からバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）及びデータドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）を経てアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０１４９】
ここで、上述したように、バイアス電圧（Ｖｂ）は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは大きく、データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは小さく設定されており、このｄ１期間ではアドレス放電が発生しないようになっている。
【０１５０】
その後、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）がオン、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がオフされている状態で、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）がターンオフ（Ｔｕｒｎ  Ｏｆｆ）され、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）がターンオンされる。すると、図示されないデータ電圧源から、第１ノード（ｎ１）、トップスイッチ（Ｑｔ）及び第２ノード（ｎ２）を経てデータ信号の電圧（Ｖｄ）がアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０１５１】
これにより、図７（ａ）のｄ２期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）まで上昇する。
【０１５２】
このｄ２期間におけるデータ信号の電圧（Ｖｄ）の供給経路が図９に示されている。
【０１５３】
すなわち、図９に示すように、ｄ２期間では、データ信号の電圧（Ｖｄ）が図示されないデータ電圧源からデータ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）及びデータドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）を経てアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０１５４】
このアドレス電極（Ｘ）に供給されるデータ信号の電圧（Ｖｄ）とスキャン電極（Ｙ）に供給されるスキャン信号との電圧差によって、ｄ２期間でアドレス放電が発生する。これにより、表示したい放電セルが選択され、選択されたセルには壁電荷が形成される。
【０１５５】
その後、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）がオン、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がオフされている状態で、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）がターンオンされ、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）がターンオフされると、図示されないバイアス電圧源から、第１ノード（ｎ１）、トップスイッチ（Ｑｔ）及び第２ノード（ｎ２）を経てバイアス電圧（Ｖｂ）がアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０１５６】
これにより、図７のｄ３期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧がデータ信号の電圧（Ｖｄ）からバイアス電圧（Ｖｂ）まで降下する。
【０１５７】
このｄ３期間におけるバイアス電圧（Ｖｂ）の供給経路は、図８と同じである。
【０１５８】
ここで、上述したように、バイアス電圧（Ｖｂ）は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは大きく、データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは小さく設定されており、このｄ３期間でもアドレス放電が発生しないようになっている。
【０１５９】
その後、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）がターンオフされ、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がターンオンされると、基底電圧、すなわち、グランドレベル（ＧＮＤ）の電圧がデータドライブ集積素子７００のボトムスイッチ（Ｑｂ）を経てアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０１６０】
これにより、図７のｄ４期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）からグラウンドレベル（ＧＮＤ）まで降下する。
【０１６１】
このｄ４期間におけるグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧の供給経路が図１０に示されている。
【０１６２】
すなわち、図１０に示すように、ｄ４期間では、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧がデータドライブ集積素子７００のボトムスイッチ（Ｑｂ）を経てアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０１６３】
このように動作する本実施形態に係るデータ駆動部（プラズマディスプレイ装置）においては、図２４に示した従来技術に比べて、データドライブ集積素子に使われるスイッチング素子、すなわち、トップスイッチ（Ｑｔ）及びボトムスイッチ（Ｑｂ）の耐圧、耐熱特性が低くて済むという利点がある。以下、この点について説明する。
【０１６４】
例えば、データ電圧源から供給されるデータ信号の電圧（Ｖｄ）を６０Ｖとし、バイアス電圧源から供給されるバイアス電圧をデータ信号の電圧（Ｖｄ）の０．５倍である３０Ｖとする。
【０１６５】
また、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）の等価抵抗値がＲ１、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）の等価抵抗値がＲ２、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）の等価抵抗値がＲ３とする。
【０１６６】
このような場合に、データドライブ集積素子７００を通じてアドレス電極（Ｘ）にバイアス電圧（Ｖｂ）が供給されると、トップスイッチ（Ｑｔ１）に流れる電流と、トップスイッチ（Ｑｔ１）で消費する電力とは、次式（３）、（４）のようになる。
【０１６７】
ｉａ＝３０Ｖ／（Ｒ１＋Ｒ３）…（３）
Ｗａ＝ｉａ×３０Ｖ…（４）
【０１６８】
ここで、ｉａは、アドレス電極（Ｘ）にバイアス電圧（Ｖｂ）が供給される場合にデータドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）に流れる電流の大きさを示し、Ｗａは、この場合にトップスイッチ（Ｑｔ）で消費する電力の大きさを示す。
【０１６９】
上記式より、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）は、バイアス電圧（Ｖｂ）の供給時に、Ｗａ、すなわち、（ｉａ×３０Ｖ）程度の電力を消費することが分かる。この時、トップスイッチ（Ｑｔ）では、消費電力Ｗａに比例して熱が発生する。
【０１７０】
ここで、例えば、トップスイッチ（Ｑｔ）の抵抗値Ｒ１が、従来技術である図２４のトップスイッチＱｔ１と等しい３０Ωとし、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）の等価抵抗Ｒ３も３０Ωとすれば、トップスイッチ（Ｑｔ）では（３０／６０）×３０＝１５Ｗに応じた熱が発生するようになるのである。
【０１７１】
また、データドライブ集積素子７００を通じてアドレス電極（Ｘ）に供給される電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）になると、トップスイッチ（Ｑｔ１）に流れる電流と、トップスイッチ（Ｑｔ１）で消費する電力は、次式（５）、（６）のようになる。
【０１７２】
ｉｂ＝（６０−３０）Ｖ／（Ｒ１＋Ｒ２）…（５）
Ｗｂ＝ｉｂ×（６０−３０）Ｖ…（６）
【０１７３】
ここで、ｉｂは、アドレス電極（Ｘ）に供給される電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）となった場合にデータドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）に流れる電流の大きさを示し、Ｗｂは、この場合にトップスイッチ（Ｑｔ）で消費する電力の大きさを示す。
【０１７４】
ここで、上記式（５）、（６）に示すように、６０Ｖとしたデータ信号の電圧（Ｖｄ）が供給されると、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）にかかる電圧の大きさは３０Ｖである。
【０１７５】
その理由は、データ信号の電圧（Ｖｄ）が供給される前にバイアス電圧（Ｖｂ）が供給されているため、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）における電圧の変化量が３０Ｖになるからである。
【０１７６】
これにより、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）は、データ信号の電圧（Ｖｄ）の供給時に、消費電力Ｗｂ、すなわち、（ｉｂ×３０Ｖ）程度の電力を消費することが分かる。この時、トップスイッチ（Ｑｔ）では、消費電力Ｗｂに比例して熱が発生するようになる。
【０１７７】
ここで、例えば、トップスイッチ（Ｑｔ）の抵抗値Ｒ１が、従来技術である図２４のトップスイッチＱｔ１と等しい３０Ωであり、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）の等価抵抗Ｒ２も３０Ωとすれば、トップスイッチ（Ｑｔ）では（３０／６０）×３０＝１５Ｗに応じた熱が発生するようになる。
【０１７８】
以上の説明を総合すれば、図６におけるデータドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）に発生する熱は、バイアス電圧（Ｖｂ）の供給時の消費電力１５Ｗと、データ信号の電圧（Ｖｄ）の供給時の消費電力１５Ｗとを合わせたものに比例したものとなる。
【０１７９】
すなわち、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）では、その駆動時に３０Ｗの消費電力に比例して熱が発生することになるのである。
【０１８０】
この結果、本実施形態に係るデータ駆動部（すなわち、プラズマディスプレイ装置）において、一つのデータドライブ集積素子のトップスイッチ（Ｑｔ）で発生する熱は、図２４に示す従来技術の場合に対して、１／４程度になるのである。
【０１８１】
なお、以上ではデータドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）の場合を説明したが、ボトムスイッチ（Ｑｂ）の動作もトップスイッチ（Ｑｔ）と同様であるので、ボトムスイッチ（Ｑｂ）の動作時においても、従来に比べて熱の発生が低減されることは充分に推測できる。
【０１８２】
これにより、本実施形態に係るデータ駆動部（すなわち、プラズマディスプレイ装置）では、従来に比べてスイッチング素子の発熱量を抑えることができ、低い耐圧、耐熱特性を有するスイッチング素子を使用しても、安定的な動作が可能となるのである。
【０１８３】
また、別の面からみれば、このようにプラズマディスプレイ装置の駆動の時に発生する熱が減少することにより、プラズマディスプレイ装置に使用されるスイッチング素子の熱的、電気的損傷が防止されることにもなる。
【０１８４】
ところで、前述の図７（ａ）では、データドライブ集積回路（アドレス電極）に供給される（データ）電圧がグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧からバイアス電圧（Ｖｂ）まで上昇し、また、バイアス電圧（Ｖｂ）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）まで上昇する場合に、データ信号の電圧が急激に上昇するようになっているが、これは図面作成と説明の便宜のためのことである。
【０１８５】
望ましくは、（データ）電圧がグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧からバイアス電圧（Ｖｂ）まで上昇して、またバイアス電圧（Ｖｂ）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）まで上昇する場合に、所定の傾きを持って緩やかに上昇するようにする。これを示したものが図７（ｂ）である。
【０１８６】
すなわち、図７（ａ）には、ｄ１期間でデータ信号の電圧がグラウンドレベル（ＧＮＤ）からバイアス電圧（Ｖｂ）まで急激に上昇し、その後にバイアス電圧（Ｖｂ）を維持することが示されている。
【０１８７】
しかし、望ましくは、図７（ｂ）に示すように、ｄ１期間ではデータ電圧がグラウンドレベル（ＧＮＤ）からバイアス電圧（Ｖｂ）まで所定の傾きを持って漸進的に上昇して（漸増し）、その後、バイアス電圧（Ｖｂ）を一定時間維持するようにするのである。
【０１８８】
また、図７（ａ）には、ｄ２期間でデータ信号の電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）まで急激に上昇し、その後にデータ信号の電圧（Ｖｄ）をそのまま維持することが示されている。
【０１８９】
しかし、望ましくは、図７（ｂ）に示すように、ｄ２期間ではデータ電圧（Ｖｄ）がバイアス電圧（Ｖｂ）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）まで所定の傾きを持って漸進的に上昇し（漸増し）、その後、データ信号の電圧（Ｖｄ）を一定時間維持するようにし、さらにその後、データ信号の電圧（Ｖｄ）からバイアス電圧（Ｖｂ）へと所定の傾きを持って漸進的に下降する（漸減する）ようにするのである。
【０１９０】
さらに、図７（ａ）には、ｄ３期間でデータ信号の電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）を維持している途中に、バイアス電圧（Ｖｂ）からグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧まで急激に下降することが示されている。
【０１９１】
しかし、望ましくは、図７（ｂ）に示すように、ｄ３期間ではデータ電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）を一定時間維持している途中に、バイアス電圧（Ｖｂ）からグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧へと所定の傾きを持って漸進的に下降するのである。
【０１９２】
一方、図６に示すようなデータ駆動部には、そのスイッチング素子のスイッチング回数を低減させるために逆電流防止部をさらに含ませることができる。以下、このような逆電流防止部を追加された構造を説明する。
【０１９３】
図１１、１２は、逆電流防止部を追加したデータ駆動部を説明するための図である。
【０１９４】
先ず、図１１は、図６に示すデータ駆動部に対して、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）とデータドライブ集積素子７００との間の第１ノード（ｎ１）と、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）との間に逆電流防止部１０００が追加されたものである。
【０１９５】
この逆電流防止部１０００は、第１ノード（ｎ１）側からバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）を経てバイアス電圧源へと流れる逆電流を遮断する。
【０１９６】
ここで、このような逆電流防止部１０００は、逆電流防止ダイオード（Ｄ）を含んで構成されることが望ましい。
【０１９７】
そして、逆電流防止部１０００の逆電流防止ダイオード（Ｄ）は、そのアノード（Ａｎｏｄｅ）がバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）に接続され、そのカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）が第１ノード（ｎ１）に接続される。
【０１９８】
すなわち、逆電流防止部１０００の逆電流防止ダイオード（Ｄ）のアノードは、図示されないバイアス電圧源側に配置される。
【０１９９】
但し、逆電流防止部１０００の位置は、図１１に示すものに限られず、これを変更することができる。これを図１２に示す。
【０２００】
図１２は、図１１と同様、図６に示すデータ駆動部に対して、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）と、図示されないバイアス電圧源との間に逆電流防止部１００１が追加されたものである。
【０２０１】
この逆電流防止部１００１も、図１１の逆電流防止部１０００と同様に、第１ノード（ｎ１）側からバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）を経てバイアス電圧源へと流れる逆電流を遮断する。
【０２０２】
この逆電流防止部１００１も逆電流防止ダイオード（Ｄ）を含んで構成され、該逆電流防止ダイオード（Ｄ）は、そのカソードがバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）に接続され、そのアノードが図示されないバイアス電圧源に接続される。
【０２０３】
すなわち、逆電流防止部１００１の逆電流防止ダイオード（Ｄ）のアノードは図示されないバイアス電圧源側に配置される。
【０２０４】
ここで、図１１、１２に示すデータ駆動部の動作を説明する。
【０２０５】
図１３は、図１１、１２に示すデータ駆動部（プラズマディスプレイ装置）の動作タイミングを示す図である。
【０２０６】
図１１、１２において、アドレス期間にデータドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）がターンオン（Ｔｕｒｎ  Ｏｎ）され、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がターンオフ（Ｔｕｒｎ  Ｏｆｆ）され、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）がターンオンされる。すると、図示されないバイアス電圧源から、第１ノード（ｎ１）、トップスイッチ（Ｑｔ）及び第２ノード（ｎ２）を経てバイアス電圧（Ｖｂ）がアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０２０７】
これにより、図１３のｄ１期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）まで上昇する。
【０２０８】
このｄ１期間におけるバイアス電圧（Ｖｂ）の供給経路は、図８と同じであるので、ここでの説明は省略する。
【０２０９】
その後、データドライブ集積素子７００のトップスイッチ（Ｑｔ）がオン、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がオフされている状態で、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）がオン状態を維持したままで、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）がターンオンされる。すると、図示されないデータ電圧源から、第１ノード（ｎ１）、トップスイッチ（Ｑｔ）及び第２ノード（ｎ２）を経てデータ信号の電圧（Ｖｄ）がアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０２１０】
これにより、図１３のｄ２期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧がバイアス電圧（Ｖｂ）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）まで上昇する。
【０２１１】
このようなｄ２期間におけるデータ信号の電圧（Ｖｄ）の供給経路は、図９と同じであるので、ここでの説明は省略する。
【０２１２】
このｄ２期間において、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）がオン状態のままでデータ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）がオンされると、バイアス電圧（Ｖｂ）はデータ信号の電圧（Ｖｄ）よりも低いレベルの電圧であるから、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）側からバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）へと電流が流れることができる電圧配置になる。
【０２１３】
しかし、図１１、１２に示すように、逆電流防止部（１０００、１００１）が設けられているため、電流は、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）側からバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）へと流れることができない。これにより、ｄ２期間においてバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）がオンされた状態のままで、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）がオンされたとしても正常な動作が可能なのである（すなわち、スイッチング動作を減少できるのである）。
【０２１４】
なお、その後の動作は、図６に示すデータ駆動部の動作と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２１５】
ところで、以上の説明では、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）及びバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）に、一つのデータドライブ集積素子７００が接続される構造を示して説明した。
【０２１６】
しかし、これとは異なり、データ電圧供給制御スイッチ（７０１、Ｑａ）及びバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）に、複数のデータドライブ集積素子７００が接続されることも可能である。以下、これについて説明する。
【０２１７】
図１４は、他の構成のデータ駆動部を説明するための図である。
【０２１８】
図１４に示すように、本実施形態に係るデータ駆動部は、複数のデータドライブ集積素子（１２００ａ、１２００ｂ、１２００ｃ）と、バイアス電圧供給制御スイッチ（１２０２、Ｑｂ）及びデータ電圧供給制御スイッチ（１２０１、Ｑａ）を含む。
【０２１９】
なお、図１４において、データ電圧供給制御スイッチ（１２０１、Ｑａ）及びバイアス電圧供給制御スイッチ（１２０２、Ｑｂ）の構成は図６に示したデータ駆動部と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２２０】
図１４に示すように、複数のデータドライブ集積素子（１２００ａ、１２００ｂ、１２００ｃ）は、プラズマディスプレイパネルのアドレス電極（Ｘａ、Ｘｂ、Ｘｃ）にそれぞれ接続される。
【０２２１】
すなわち、第１データドライブ集積素子１２００ａは第２ノード（ｎ２）でアドレス電極Ｘａに接続され、第２データドライブ集積素子１２００ｂは第３ノード（ｎ３）でアドレス電極Ｘｂに接続され、第３データドライブ集積素子１２００ｃは第４ノード（ｎ４）でアドレス電極Ｘｃに接続される。
【０２２２】
そして、このような複数のデータドライブ集積素子（１２００ａ、１２００ｂ、１２００ｃ）は、それぞれ自分に供給される電圧を、あらかじめ定められたスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）動作を通じて、接続されたアドレス電極（Ｘ）に供給する。
【０２２３】
ところで、このような複数のデータドライブ集積素子（１２００ａ、１２００ｂ、１２００ｃ）は、データ電圧供給制御スイッチ（１２０１、Ｑａ）及びバイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）から独立した一つのモジュール（Ｍｏｄｕｌｅ）として構成されることが望ましい。
【０２２４】
例えば、第１データドライブ集積素子１２００ａと、第２データドライブ集積素子１２００ｂと、第３データドライブ集積素子１２００ｃとを集合させて一つのチップ（Ｃｈｉｐ）に形成することができる。
【０２２５】
ここで、図１４に示すデータ駆動部の動作を説明する。
【０２２６】
図１５は、図１４に示すデータ駆動部（プラズマディスプレイ装置）の動作タイミングを示す図である。
【０２２７】
図１５に示すように、複数のデータドライブ集積素子（１２００ａ、１２００ｂ、１２００ｃ）と接続されたバイアス電圧供給制御スイッチ（１２０２、Ｑｂ）は、該複数のデータドライブ集積素子（１２００ａ、１２００ｂ、１２００ｃ）のうちの少なくとも一つがアドレス電極（Ｘ）にバイアス電圧（Ｖｂ）またはデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給する間、ターンオンされる。
【０２２８】
例えば、バイアス電圧供給制御スイッチ（１２０２、Ｑｂ）は、第１データドライブ集積素子１２００ａがアドレス電極Ｘａにバイアス電圧（Ｖｂ）またはデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給する時にオンされる。
【０２２９】
また、バイアス電圧供給制御スイッチ（１２０２、Ｑｂ）は、第２データドライブ集積素子１２００ｂがアドレス電極Ｘｂにバイアス電圧（Ｖｂ）またはデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給する時や第３データドライブ集積素子１２００ｃがアドレス電極Ｘｃにバイアス電圧（Ｖｂ）またはデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給する時にもオンされる。
【０２３０】
一方、第１データドライブ集積素子１２００ａ、第２データドライブ集積素子１２００ｂ及び第３データドライブ集積素子１２００ｃが、それぞれ対応するアドレス電極（Ｘａ、Ｘｂ、Ｘｃ）にバイアス電圧（Ｖｂ）またはデータ信号の電圧（Ｖｄ）を供給しない場合、すなわち、第１データドライブ集積素子１２００ａのトップスイッチ（Ｑｔ１）、第２データドライブ集積素子１２００ｂのトップスイッチ（Ｑｔ２）及び第３データドライブ集積素子１２００ｃのトップスイッチ（Ｑｔ３）がすべてオフされる場合には、バイアス電圧供給制御スイッチ（７０２、Ｑｂ）はオフされる。
【０２３１】
なお、その後の動作は、図１０〜１３に関連してすでに説明したので、ここでの説明は省略する。
【０２３２】
また、以上の説明では、バイアス電圧供給制御スイッチが一個の例をあげた。
【０２３３】
しかし、これに限るものではなく、バイアス電圧供給制御スイッチを複数備えることも可能である。以下、その一例としてバイアス電圧供給制御スイッチが２個の場合について説明する。
【０２３４】
図１６は、バイアス電圧供給制御スイッチを２個備えたデータ駆動部を説明するための図である。
【０２３５】
図１６に示すデータ駆動部は、バイアス電圧（Ｖｂ１、Ｖｂ２）を供給するために、二つのバイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、１４０３）を有する。
【０２３６】
すなわち、本実施形態に係るデータ駆動部（プラズマディスプレイ装置）は、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）と、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）を含む。
【０２３７】
なお、図１６に示すデータ駆動部は、バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、１４０３）が二つである点を除き、図６に示すデータ駆動部とその構成が等しいので、重複する説明は省略する。
【０２３８】
ここで、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）は、図示されない第１バイアス電圧源に接続され、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）のデータドライブ集積素子１４００への供給を制御する。
【０２３９】
また、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）は、図示されない第２バイアス電圧源に接続され、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）のデータドライブ集積素子１４００への供給を制御する。
【０２４０】
ここで、図１６では、データ電圧供給制御スイッチ（１４０１、Ｑａ）とデータドライブ集積素子１４００との間の第１ノード（ｎ１）と、複数のバイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、１４０３）との間に、逆電流防止部１４０４がさらに含まれる場合を示している。
【０２４１】
しかし、このような逆電流防止部１４０４が省略された構成としてもよい。
【０２４２】
ここで、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）を通じて供給される第１、第２バイアス電圧（Ｖｂ１，Ｖｂ２）は、アドレス期間においてアドレス放電が発生しない程度の大きさの電圧である。
【０２４３】
そして、この第１バイアス電圧（Ｖｂ１）及び第２バイアス電圧（Ｖｂ２）は、それぞれグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高く、データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であること、すなわち、０Ｖ＜Ｖｂ１、Ｖｂ２＜Ｖｄの関係にあることが望ましい。
【０２４４】
ここで、図１６に示すデータ駆動部の動作を説明する。
【０２４５】
図１７は、図１６に示すデータ駆動部（プラズマディスプレイ装置）の動作タイミングを示す図である。
【０２４６】
図１６において、アドレス期間でデータドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）がターンオン（Ｔｕｒｎ  Ｏｎ）され、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がターンオフ（Ｔｕｒｎ  Ｏｆｆ）され、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）がターンオンされる。すると、図示されない第２バイアス電圧源から、第１ノード（ｎ１）、トップスイッチ（Ｑｔ）及び第２ノード（ｎ２）を経て第２バイアス電圧（Ｖｂ２）がアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０２４７】
これにより、図１７のｄ１期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧が第２バイアス電圧（Ｖｂ２）まで上昇する。
【０２４８】
ここで、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは大きく、データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは小さな電圧であり、かかるｄ１期間ではアドレス放電が発生しない。
【０２４９】
その後、アドレス期間でデータドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）がオン、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がオフされた状態で、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）がターンオフされ、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）がターンオンされると、図示されない第１バイアス電圧源から、第１ノード（ｎ１）、トップスイッチ（Ｑｔ）及び第２ノード（ｎ２）を経て第１バイアス電圧（Ｖｂ１）がアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０２５０】
これにより、図１７のｄ２期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧が第２バイアス電圧（Ｖｂ２）から第１バイアス電圧（Ｖｂ１）まで上昇する。
【０２５１】
ここで、上述したように、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）は、グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは大きく、データ信号の電圧（Ｖｄ）よりは小さな電圧として設定されており、このようなｄ２期間では、ｄ１期間と同様に、アドレス放電が発生しない。
【０２５２】
その後、アドレス期間でデータドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）がオン、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がオフされ、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）がオフ、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）がオンされた状態で、データ電圧供給制御スイッチ（１４０１、Ｑａ）がターンオンされる。すると、図示されないデータ電圧源から、第１ノード（ｎ１）、トップスイッチ（Ｑｔ）及び第２ノード（ｎ２）を経てデータ信号の電圧（Ｖｄ）がアドレス電極（Ｘ）に供給される。ここで、逆電流防止部１４０４が設けられているため、電流は、データ電圧供給制御スイッチ（１４０１、Ｑａ）側からバイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、１４０３、Ｑｂ１、Ｑｂ２）へと流れない。
【０２５３】
これにより、図１７のｄ３期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧が第１バイアス電圧（Ｖｂ１）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）まで上昇する。
【０２５４】
このアドレス電極（Ｘ）に供給されるデータ信号の電圧（Ｖｄ）とスキャン電極（Ｙ）に供給されるスキャン信号との電圧差によって、このｄ３期間でアドレス放電が発生するようになる。
【０２５５】
これによって、１ラインごとのスキャン動作が行われ、表示させたい放電セル（表示セル）にアドレス放電させて壁電荷を形成するのである。
【０２５６】
その後、アドレス期間でデータ電圧供給制御スイッチ（１４０１、Ｑａ）がターンオフされると、図示されないデータ電圧源からのデータ信号の電圧の供給が遮られる。
【０２５７】
これにより、図１７のｄ４期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧がデータ信号の電圧（Ｖｄ）から第１バイアス電圧（Ｖｂ１）まで降下する。
【０２５８】
なお、このようなｄ４期間では、前述のｄ１、ｄ２期間と同様に、アドレス放電が発生しない。
【０２５９】
その後、アドレス期間においてデータドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）がオン、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がオフされ、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）がターンオンされ、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）がターンオフされると、図示されない第１バイアス電圧源からの第１バイアス電圧（Ｖｂ１）の供給が遮られる。
【０２６０】
これにより、図１７のｄ５期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧が第１バイアス電圧（Ｖｂ１）から第２バイアス電圧（Ｖｂ２）まで降下する。
【０２６１】
なお、このようなｄ４期間では、前述のｄ１、ｄ２期間と同様に、アドレス放電が発生しない。
【０２６２】
その後、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）がオフされ、ボトムスイッチ（Ｑｂ）がオンされると、（基底電圧源から）グラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧がボトムスイッチ（Ｑｂ）を経てアドレス電極（Ｘ）に供給される。
【０２６３】
これにより、図１７のｄ６期間のように、アドレス電極（Ｘ）の電圧が第２バイアス電圧（Ｖｂ２）からグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧まで降下する。
【０２６４】
以上のように動作する図１６に示すデータ駆動部で発生する熱は、以下のようになる。
【０２６５】
例えば、データ信号の電圧（Ｖｄ）の大きさが６０Ｖで、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）の大きさがデータ信号の電圧（Ｖｄ）の２／３の４０Ｖであるとする。
【０２６６】
また、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）の大きさがデータ信号の電圧（Ｖｄ）の１／３の２０Ｖであるとする。
【０２６７】
さらに、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）の等価抵抗値がＲ１、データ電圧供給制御スイッチ（１４０１、Ｑａ）の等価抵抗値がＲ２、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）の等価抵抗値がＲ３、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）の等価抵抗値がＲ４とする。
【０２６８】
この場合、図１６においてデータドライブ集積素子１４００を通じてアドレス電極（Ｘ）に第２バイアス電圧（Ｖｂ２）が供給される時の、トップスイッチ（Ｑｔ１）に流れる電流と、トップスイッチ(Ｑｔ１)で消費する電力とは、次式（５）、（６）のようになる。
【０２６９】
ｉａ＝２０Ｖ／（Ｒ１＋Ｒ４）…（５）
Ｗａ＝ｉａ ×２０Ｖ…（６）
【０２７０】
ここで、ｉａは、アドレス電極（Ｘ）に第２バイアス電圧（Ｖｂ２）が供給される場合のデータドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）に流れる電流の大きさを示しており、Ｗａは、この時にトップスイッチ（Ｑｔ）で消費する電力の大きさを示す。
【０２７１】
つまり、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）は、２０Ｖである第２バイアス電圧（Ｖｂ２）の供給時に、消費電力Ｗａ、すなわち、（ｉａ×２０Ｖ）程度の電力を消費することが分かる。
【０２７２】
この時、トップスイッチ（Ｑｔ）では、かかる消費電力Ｗａ（＝ｉａ×２０）に比例して熱が発生するようになる。
【０２７３】
そして、例えば、トップスイッチ（Ｑｔ）の抵抗値Ｒ１が従来技術である図２４のトップスイッチＱｔ１と等しい３０Ωであり、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）の等価抵抗Ｒ４も３０Ωとすれば、トップスイッチ（Ｑｔ）では（２０／６０）×２０＝７Ｗに応じた熱が発生するようになるのである。
【０２７４】
また、図１６においてのデータドライブ集積素子１４００を通じてアドレス電極（Ｘ）に供給されるバイアス電圧が第２バイアス電圧（Ｖｂ２）から第１バイアス電圧（Ｖｂ１）となると、トップスイッチ（Ｑｔ１）に流れる電流と、トップスイッチ（Ｑｔ１）で消費する電力とは、次式（７）、（８）のようになる。
【０２７５】
ｉｂ＝（４０−２０）Ｖ／（Ｒ１＋Ｒ３）…（７）
Ｗｂ＝ｉｂ×（４０−２０）Ｖ…（８）
【０２７６】
ここで、ｉｂは、アドレス電極（Ｘ）に供給される電圧が第２バイアス電圧（Ｖｂ２）から第１バイアス電圧（Ｖｂ１）となった場合のデータドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）に流れる電流の大きさを示しており、Ｗｂは、この時にトップスイッチ（Ｑｔ）で消費する電力の大きさを示す。
【０２７７】
ここで、４０Ｖである第１バイアス電圧（Ｖｂ１）が供給される時に、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）にかかる電圧の大きさは２０Ｖである。
【０２７８】
その理由は、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）が供給される前に第２バイアス電圧（Ｖｂ２）が供給されていることから、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）における電圧の変化量は２０Ｖであるからである。
【０２７９】
これにより、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）は、４０Ｖである第１バイアス電圧（Ｖｂ１）の供給時に、Ｗｂ、すなわち、（ｉｂ×２０Ｖ）程度の電力を消費することが分かる。この時トップスイッチ（Ｑｔ）では、かかる消費電力Ｗｂ（＝ｉｂ×２０）に比例して熱が発生するようになる。
【０２８０】
例えば、トップスイッチ（Ｑｔ）の抵抗値Ｒ１が従来技術である図２４のトップスイッチＱｔ１と等しい３０Ωであり、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）の等価抵抗Ｒ３も３０Ωとすれば、トップスイッチ（Ｑｔ）では、（２０／６０）×２０＝７Ｗに応じた熱が発生するようになるのである。
【０２８１】
また、図１６においてデータドライブ集積素子１４００を通じてアドレス電極（Ｘ）に供給される電圧が第１バイアス電圧（Ｖｂ１）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）となると、トップスイッチ（Ｑｔ１）に流れる電流と、トップスイッチ（Ｑｔ１）で消費する電力とは、次式（９）、（１０）のようになる。
【０２８２】
ｉｃ＝（６０−４０）Ｖ／（Ｒ１＋Ｒ２）…（９）
Ｗｃ＝ｉｃ×（６０−４０）Ｖ…（１０）
【０２８３】
ここで、ｉｃは、アドレス電極（Ｘ）に供給される電圧が第１バイアス電圧（Ｖｂ１）からデータ信号の電圧（Ｖｄ）となった場合におけるデータドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）に流れる電流の大きさを示しており、Ｗｃは、この時にトップスイッチ（Ｑｔ）で消費する電力の大きさを示す。
【０２８４】
ここで、６０Ｖであるデータ信号の電圧（Ｖｄ）が供給される時に、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）にかかる電圧の大きさは２０Ｖである。
【０２８５】
その理由は、データ信号の電圧（Ｖｄ）が供給される前に第１バイアス電圧（Ｖｂ１）が供給されていることから、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）における電圧の変化量は２０Ｖであるからである。
【０２８６】
これにより、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）は、６０Ｖであるデータ信号の電圧（Ｖｄ）の供給時に、Ｗｃ、すなわち、（ｉｃ×２０Ｖ ）程度の電力を消費することが分かる。この時、トップスイッチ（Ｑｔ）では消費電力Ｗｃに比例して熱が発生するようになる。
【０２８７】
例えば、トップスイッチ（Ｑｔ）の抵抗値Ｒ１が、従来技術である図２４のトップスイッチＱｔ１と等しい３０Ωであり、データ電圧供給制御スイッチ（１４０１、Ｑａ）の等価抵抗Ｒ２も３０Ωとすれば、トップスイッチ（Ｑｔ）では（２０／６０）×２０＝７Ｗに応じた熱が発生するようになるのである。
【０２８８】
以上の説明を総合すれば、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）で発生する熱は、最大で、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）の供給時の７Ｗと、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）の供給時の７Ｗと、データ信号の電圧（Ｖｄ）の供給時の７Ｗとを合わせたものに比例することになる。
【０２８９】
すなわち、データドライブ集積素子１４００のトップスイッチ（Ｑｔ）では、その駆動時におおよそ２１Ｗの電力消費に比例した熱が発生するのである。
【０２９０】
この結果、本実施形態に係るデータ駆動部（及びこれを備えるプラズマディスプレイ装置）において、一つのデータドライブ集積素子のトップスイッチ（Ｑｔ）で発生する熱は、図２４に示す従来技術に対して、１／６程度になるのである。
【０２９１】
ここで、図１６において、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）と、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）とでそれぞれ発生する熱が偏らないように（すなわち、ほぼ等しくなるように）、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）の等価抵抗値Ｒ３と、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）の等価抵抗値Ｒ４とは、おおよそ等しく設定するのが望ましい。
【０２９２】
また、さらに望ましくは、図１６において、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、Ｑｂ１）と、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０３、Ｑｂ２）とでそれぞれ発生する熱が偏らないように、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と第２バイアス電圧（Ｖｂ２）の大きさを適切に調節できるようにする。
【０２９３】
より詳しく言えば、データ信号の電圧（Ｖｄ）と第１バイアス電圧（Ｖｂ１）との電圧差と、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との差が、ほぼ等しいのが望ましいのである。
【０２９４】
例えば、データ信号の電圧（Ｖｄ）を９０Ｖとすれば、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）をデータ信号の電圧（Ｖｄ）よりも３０Ｖ低い６０Ｖとし、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）を第１バイアス電圧（Ｖｂ１）より３０Ｖ低い３０Ｖとするのである。
【０２９５】
なお、図１６では、バイアス電圧供給制御スイッチ（１４０２、１４０３）の個数を２個としたが、これに限るものではない。つまり、バイアス電圧供給制御スイッチの個数を３個以上とすることも可能なのである。このようなバイアス電圧供給制御スイッチの個数は、駆動時に発生する熱の総量、データ信号の電圧（Ｖｄ）またはバイアス電圧（Ｖｂ）の大きさによって調節できる。
【０２９６】
但し、プラズマディスプレイ装置全体の製造コスト等を考慮すれば、バイアス電圧供給制御スイッチの個数は２個以上５個以下にするのが望ましく、２個または３個とするのがさらに望ましい。
【０２９７】
図１６ではバイアス電圧供給制御スイッチを２個としたが、以下では、バイアス電圧供給制御スイッチが３個である場合を説明する。
【０２９８】
図１８は、バイアス電圧供給制御スイッチを３個備えたデータ駆動部を説明するための図である。
【０２９９】
図１８に示すように、本実施形態では、バイアス電圧（Ｖｂ１、Ｖｂ２、Ｖｂ３）を供給するためのバイアス電圧供給制御スイッチ（１６０２、１６０３、１６０４）が３個である。
【０３００】
すなわち、本実施形態に係るデータ駆動部は、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０２、Ｑｂ１）と、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０３、Ｑｂ２）と、第３バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０４、Ｑｂ３）と、を含む。
【０３０１】
ここで、本実施形態に係るデータ駆動部は、バイアス電圧供給制御スイッチの個数が異なるだけで、その他については図６、図１６に示すデータ駆動部と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０３０２】
ここで、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０２、Ｑｂ１）は、図示されない第１バイアス電圧源に接続され、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）のデータドライブ集積素子１６００への供給を制御する。
【０３０３】
また、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０３、Ｑｂ２）は、図示されない第２バイアス電圧源に接続され、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）のデータドライブ集積素子１６００への供給を制御する。
【０３０４】
また、第３バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０４、Ｑｂ３）は、図示さない第３バイアス電圧源に接続され、第３バイアス電圧（Ｖｂ３）のデータドライブ集積素子１６００への供給を制御する。
【０３０５】
ここで、図１８では、データ電圧供給制御スイッチ（１６０１、Ｑａ）とデータドライブ集積素子１６００との間の第１ノード（ｎ１）と、複数のバイアス電圧供給制御スイッチ（１６０２、１６０３、１６０４）との間に逆電流防止部１６０５がさらに含まれる場合を示している。
【０３０６】
しかし、このような逆電流防止部１６０５を省略することも可能である。
【０３０７】
また、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０２、Ｑｂ１）、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０３、Ｑｂ２）、第３バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０４、Ｑｂ３）を通じて供給される第１バイアス電圧（Ｖｂ１）、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）、第３バイアス電圧（Ｖｂ３）は、アドレス期間でアドレス放電が発生しないような大きさの電圧となっている。
【０３０８】
なお、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）及び第３バイアス電圧（Ｖｂ３）は、それぞれグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは高くデータ信号の電圧（Ｖｄ）よりは低い電圧であることが望ましい。
【０３０９】
すなわち、０Ｖ＜Ｖｂ１、Ｖｂ２、Ｖｂ３＜Ｖｄの関係にあることが望ましい。
【０３１０】
また、図１８においても、図１６のように、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０２、Ｑｂ１）、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０３、Ｑｂ２）及び第３バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０４、Ｑｂ３）でそれぞれ発生する熱がいずれかに偏らないように、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０２、Ｑｂ１）の等価抵抗値と、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０３、Ｑｂ２）の等価抵抗値と、第３バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０４、Ｑｂ３）の等価抵値と、をほぼ等しく設定するのが望ましい。
【０３１１】
また、さらに望ましくは、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）及び第３バイアス電圧（Ｖｂ３）の大きさが適切に調節できるようにする。
【０３１２】
より詳しく言えば、データ信号の電圧（Ｖｄ）と第１バイアス電圧（Ｖｂ１）との電圧差、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）と第２バイアス電圧（Ｖｂ２）との電圧差及び第２バイアス電圧（Ｖｂ２）と第３バイアス電圧（Ｖｂ３）との電圧差が、ほぼ等しいのが望ましいのである。
【０３１３】
例えば、データ信号の電圧（Ｖｄ）を８０Ｖとすれば、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）をデータ信号の電圧（Ｖｄ）より２０Ｖ低い６０Ｖとする。
【０３１４】
また、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）を第１バイアス電圧（Ｖｂ１）より２０Ｖ低い４０Ｖとし、第３バイアス電圧（Ｖｂ３）を第２バイアス電圧（Ｖｂ２）より２０Ｖ低い２０Ｖとする。
【０３１５】
ここで、図１８に示すデータ駆動部の動作を説明する。
【０３１６】
図１９は、図１８に示すデータ駆動部（プラズマディスプレイ装置）の動作タイミングを示す図である。
【０３１７】
図１９に示すように、本実施形態においては、第３バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０４、Ｑｂ４）、第２バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０３、Ｑｂ２）、第１バイアス電圧供給制御スイッチ（１６０２、Ｑｂ１）、データ電圧供給制御スイッチ（１６０１、Ｑａ）が順にターンオンされることで、アドレス電極（Ｘ）の電圧が第３バイアス電圧（Ｖｂ３）、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）、データ信号の電圧（Ｖｄ）と階段式に上昇するのである。
【０３１８】
このような図１９に示す動作タイミングは、図１７とおおよそ等しく、図１７の説明を通じて容易に理解することができるので、ここではこれ以上の説明を省略する。
【０３１９】
ところで、すでに説明したように、複数のバイアス電圧供給制御スイッチを備える場合、各バイアス電圧供給制御スイッチを通じて供給されるバイアス電圧の大きさは、その個数にしたがって調節される。
【０３２０】
以下、これについて説明する。
【０３２１】
図２０は、バイアス電圧供給制御スイッチの個数にしたがってバイアス電圧の大きさを調節する方法の一例を説明するための図である。
【０３２２】
図２０には、バイアス電圧供給制御スイッチが５個である場合の各バイアス電圧の大きさが示されている。
【０３２３】
このような５個のバイアス電圧供給制御スイッチを通じてアドレス電極（Ｘ）に供給される電圧は、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）、第３バイアス電圧（Ｖｂ３）、第４バイアス電圧（Ｖｂ４）、第５バイアス電圧（Ｖｂ５）である。
【０３２４】
ここで、第５バイアス電圧（Ｖｂ５）が一番小さく、その次が第４バイアス電圧（Ｖｂ４）、その次が第３バイアス電圧（Ｖｂ３）、その次が第２バイアス電圧（Ｖｂ２）の順に大きくなり、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）が最大とする。
【０３２５】
この場合、第１バイアス電圧（Ｖｂ１）をデータ信号の電圧（Ｖｄ）の５／６とし、第２バイアス電圧（Ｖｂ２）をデータ信号の電圧の４／６とし、第３バイアス電圧（Ｖｂ３）をデータ信号の電圧（Ｖｄ）の３／６とし、第４バイアス電圧（Ｖｂ４）をデータ信号の電圧（Ｖｄ）の２／６とし、第５バイアス電圧（Ｖｂ５）をデータ信号の電圧（Ｖｄ）の１／６倍とする。
【０３２６】
このように、バイアス電圧（Ｖｂ）は、データ信号の電圧（Ｖｄ）を（バイアス電圧制御スイッチの個数＋１）で除算した値を基本単位とし、これをもとに各バイアス電圧を設定していくのである。各バイアス電圧の大きさを調節する理由は、すでに説明したように、いずれかのバイアス電圧供給スイッチで発生する熱が他のバイアス電圧供給スイッチよりも過度に大きくならないように、すなわち、いずれかのバイアス電圧供給スイッチで熱が集中的に発生されないようにするためだからである。
【０３２７】
以上説明したように、本実施形態に係るデータ駆動部（及びこれを備えるプラズマディスプレイ装置）は、スイッチング素子、データドライブ集積素子から発生する熱を従来に比べて大幅に減少させることができる。
【０３２８】
さらに、データドライブ集積素子で発生する熱を、ヒートシンク（Ｈｅａｔ Ｓｉｎｋ）を使ってより効果的に放熱させることができる。以下、このような例を説明する。
【０３２９】
図２１は、プラズマディスプレイ装置の駆動時にデータドライブ集積素子の熱を放出させるためにヒートシンク（Ｈｅａｔ  Ｓｉｎｋ）を用いた構造の一例を説明するための図である
【０３３０】
なお、図２１は、プラズマディスプレイ装置におけるデータドライブ集積素子から発生する熱を効果的に放出させるための構造の一例を示すものであり、本発明がかかる構造に限定されるものではない。
【０３３１】
図２１に示すように、プラズマディスプレイパネル１９００は、第１パネル１９００ａと第２パネル１９００ｂとが合着されて形成されており、このプラズマディスプレイパネル１９００には、図示されていないが複数のアドレス電極（Ｘ）が形成されている。プラズマディスプレイパネル１９００の背面にフレーム１９１０が配置される。
【０３３２】
フレーム１９１０上には、プラズマディスプレイパネル１９００に形成されたアドレス電極（Ｘ）に所定の駆動電圧を供給するためのデータボード１９４０が配置される。
【０３３３】
ここで、フレーム１９１０上に配置されたデータボード１９４０と、プラズマディスプレイパネル１９００に形成されたアドレス電極（Ｘ）とを電気的に連結するためにフィルム（Ｆｉｌｍ）型素子１９２０を用いる。
【０３３４】
なお、かかるフィルム型素子１９２０として、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ、Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）を用いるのが望ましい。
【０３３５】
このようなフィルム型素子１９２０上に、データドライブ集積回路（１９３０、Ｄａｔａ Ｄｒｉｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ ； Ｄａｔａ ＩＣ）が実装されている。
【０３３６】
データドライブ集積回路１９３０は、データボード（１９４０）で発生された駆動信号によって、データ信号の電圧（Ｖｄ）及びバイアス電圧（Ｖｂ）をプラズマディスプレイパネル１９００に形成されたアドレス電極（Ｘ）に印加するため、所定のスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）動作を行う。
【０３３７】
上述したように本実施形態に係るデータ駆動部（これを備えたプラズマディスプレイ装置）では、データ信号の電圧（Ｖｄ）及びバイアス電圧（Ｖｂ）を供給する際に、所定のスイッチング動作を行うことによって、従来のデータドライブ集積素子と比べて、駆動時にデータドライブ集積素子１９３０で発生する熱を低減させている。
【０３３８】
その上で、データドライブ集積素子１９３０の放熱のためにヒートシンク（Ｈｅａｔ Ｓｉｎｋ、１９５０）が用いることはさらに望ましい。
【０３３９】
その理由は、たとえ本実施形態に係るデータ駆動部（データドライブ集積素子）が、その駆動時に発生する熱を従来に比べて低減させたとしても、このようなデータドライブ集積素子が発生する熱をデータドライブ集積素子から外部に放出させることは、その動作の安全性、安定性の側面でさらに有利だからである。
【０３４０】
ところで、本実施形態では、データドライブ集積素子１９３０で発生する熱が従来よりも少ないことから、これを外部に放出させるためのヒートシンク（１９５０）も従来に比べてその体積を小さくすることができる。
【０３４１】
以下、この点について説明する。
【０３４２】
図２２、２３は、データドライブ集積素子から発生する熱を放出させるためのヒートシンクの構造の一例を説明するための図である。
【０３４３】
先ず、図２２（ａ）には、プラズマディスプレイ装置のデータドライブ集積素子から発生する熱を外部に放出させるための従来のヒートシンクが示されている。
【０３４４】
図２２（ａ）に示すように、データドライブ集積素子から発生する熱を外部に放出させるための従来のヒートシンクは、その横幅がＷ１で、一つの放熱フィン（Ｆｉｎ）の高さがｈ１である。
【０３４５】
データドライブ集積素子から発生する熱を放出させるヒートシンクの熱放出效率は、ヒートシンクの体積またはヒートシンクの表面積に比例して増加する。
【０３４６】
一方、図２２（ｂ）には、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のデータドライブ集積素子から発生する熱を外部に放出させるためのヒートシンクが示されている。
【０３４７】
図２２（ｂ）に示すように、本実施形態においては、プラズマディスプレイ装置のデータドライブ集積素子から発生する熱を外部に放出させるためのヒートシンクは、その横幅がＷ２で、一つの放熱フィンの高さがｈ２である。
【０３４８】
ここで、図２２（ａ）、（ｂ）から明らかなように、Ｗ２＜Ｗ１、及び、ｈ２＜ｈ１となっている。
【０３４９】
すなわち、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置においては、データドライブ集積素子から発生する熱を外部に放出させるためのヒートシンクが従来に比べて小さくなっている。
【０３５０】
より詳細には、図２２（ｂ）に示す本実施形態で用いるヒートシンクの表面積及び/または体積は、図２２（ａ）に示す従来のヒートシンクの表面積及び/または体積より非常に小さくなっている。
【０３５１】
このように、ヒートシンクを小さくすることができるのは、上述したような本発明に係るデータ駆動部（すなわち、プラズマディスプレイ装置）では、データドライブ集積素子から発生する熱を従来に比べて低減することができるからである。
【０３５２】
そして、ヒートシンクの体積及び表面積を従来に比べて小さくできることにより、省スペース化が図れることはもちろん、プラズマディスプレイ装置全体の製造コストを大きく低減することができるようになる。
【０３５３】
次に、図２３（ａ）には、図２２（ａ）と同様、従来のプラズマディスプレイ装置におけるデータドライブ集積素子から発生する熱を外部に放出させるためのヒートシンクが示されている。
【０３５４】
一方、図２３（ｂ）には、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のデータドライブ集積素子から発生する熱を外部に放出させるためのヒートシンクの他の例が示されている。
【０３５５】
図２３（ｂ）に示すように、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のデータドライブ集積素子から発生する熱を外部に放出させるためのヒートシンクは、その横幅が（ａ）のＷ１より小さなＷ２であり、さらに図２３（ａ）に示されている放熱フィン（Ｆｉｎ）が省略されたような形状になっている。
【０３５６】
ただし、図２３（ｂ）に示すヒートシンクでは、放熱フィンに対応する部分の表面が曲面に形成されている。つまり、放熱フィンを設けて表面積を確保するのではなく、その表面を曲面として形成することで表面積を増加させているのである。
【０３５７】
このように、（放熱フィンン（Ｆｉｎ）を省略できるようになった理由は、上述したような本発明に係るデータ駆動部（すなわち、プラズマディスプレイ装置）では、データドライブ集積素子から発生する熱を従来に比べて低減することができるからである。  
【０３５８】
そして、このように、ヒートシンクにおける放熱フィン（Ｆｉｎ）を省略することにより、ヒートシンクの体積及び表面積が従来に比べてさらに小さくなるだけでなく、ヒートシンクの製造がさらに容易になるという利点がある。この結果、ヒートシンク自体の製造コストはもちろん、プラズマディスプレイ装置全体の製造コストを大きく低減することができるようになる。
【０３５９】
以上説明したように、本発明によれば、データドライブ集積素子の熱的、電気的損傷を防止してプラズマディスプレイ装置全体としての動作の安全性を向上させる効果がある。
【０３６０】
また、本発明によれば、データドライブ集積素子の耐圧、耐熱特性を低くしても、その安定的な動作を確保することができ、これにより、プラズマディスプレイ全体の製造コストを低減することができる効果がある。
【０３６１】
さらに、本発明によれば、データドライブ集積素子から発生する熱を放出させるためのヒートシンクを従来に比べて小さくできるとともに、その製造も容易にすることができ、ヒートシンク及びプラズマディスプレイ装置全体の製造コストを低減することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０３６２】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの構造を説明するための図である。
【図３】プラズマディスプレイパネルの他の構造を説明するための図である。
【図４】実施形態に係るプラズマディスプレイ装置で階調映像を表示するためのフレームを説明するための図である。
【図５】データ駆動部、スキャン駆動部、サスティン駆動部を含む駆動部の動作を説明するための図である。
【図６】実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のデータ駆動部をより詳しく説明するための図である。
【図７】実施形態に係るプラズマディスプレイ装置（データ駆動部）の動作タイミングを示す図である。
【図８】実施形態に係るプラズマディスプレイ装置（データ駆動部）におけるバイアス電圧（Ｖｂ）、データ信号の電圧（Ｖｄ）の供給過程を説明するための図である。
【図９】実施形態に係るプラズマディスプレイ装置（データ駆動部）におけるバイアス電圧（Ｖｂ）、データ信号の電圧（Ｖｄ）の供給過程を説明するための図である。
【図１０】実施形態に係るプラズマディスプレイ装置（データ駆動部）におけるバイアス電圧（Ｖｂ）、データ信号の電圧（Ｖｄ）の供給過程を説明するための図である。
【図１１】図６のデータ駆動部に対し、逆電流防止部を追加したデータ駆動部を説明するための図である。
【図１２】図６のデータ駆動部に対し、逆電流防止部を追加したデータ駆動部を説明するための図である。
【図１３】逆電流防止部を追加したデータ駆動部の動作タイミングを示す図である。
【図１４】他の構成のデータ駆動部を説明するための図である。
【図１５】図１４に示すデータ駆動部の動作タイミングを示す図である。
【図１６】バイアス電圧供給制御スイッチを２個備えたデータ駆動部を説明するための図である。
【図１７】図１６に示すデータ駆動部の動作タイミングを示す図である。
【図１８】バイアス電圧供給制御スイッチを３個備えたデータ駆動部を説明するための図である。
【図１９】図１８に示すデータ駆動部の動作タイミングを示す図である。
【図２０】バイアス電圧供給制御スイッチの個数にしたがってバイアス電圧の大きさを調節する方法の一例を説明するための図である。
【図２１】データドライブ集積素子の熱を放出させるためにヒートシンクを用いた構造の一例を説明するための図である。
【図２２】上記ヒートシンクの構造の一例を説明するための図である。
【図２３】上記ヒートシンクの構造の他の例を説明するための図である。
【図２４】従来のデータドライブ集積素子を含むプラズマディスプレイ装置の構造の一例を説明するための図である。
【図２５】従来のプラズマディスプレイ装置の動作タイミングを説明するための図である。
【符号の説明】
【０３６３】
３００：プラズマディスプレイパネル
４００：第１パネル
４０２：スキャン電極（Ｙ）
４０３：サスティン電極（Ｚ）
４１０：第２パネル
４１３：アドレス電極
３０１：データ駆動部
３０２：スキャン駆動部
３０３：サスティン駆動部
７００，１４００，１６００：データドライブ集積素子
７０１，１４０１、１６０１：データ電圧供給制御スイッチ
７０２，１４０２，１４０３，１６０２，１６０３，１６０４：バイアス電圧供給制御スイッチ
【図１】
2007164140.tif 000003
【図２】
2007164140.tif 000004
【図３】
2007164140.tif 000005
【図４】
2007164140.tif 000006
【図５】
2007164140.tif 000007
【図６】
2007164140.tif 000008
【図７】
2007164140.tif 000009
【図８】
2007164140.tif 000010
【図９】
2007164140.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2007164140.tif 000013
【図１２】
2007164140.tif 000014
【図１３】
2007164140.tif 000015
【図１４】
2007164140.tif 000016
【図１５】
2007164140.tif 000017
【図１６】
2007164140.tif 000018
【図１７】
2007164140.tif 000019
【図１８】
2007164140.tif 000020
【図１９】
2007164140.tif 000021
【図２０】
2007164140.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
2007164140.tif 000024
【図２３】
2007164140.tif 000025
【図２４】
2007164140.tif 000026
【図２５】
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