(57)【要約】【課題】液晶パネルの電極部の多ピン化や狭ピッチ化の要求に適切かつ容易に対応することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２を異方性導電フィルムを用いて接続するのに先立って、液晶パネル１の電極部５を覆う有機配向膜又は無機配向膜をウォータジェットの照射により除去する前処理工程と、その後に液晶パネル１を乾燥させる乾燥工程と、その後に液晶パネル１の電極部５とフレキシブルプリント配線基板２の電極部を互いに突き合わせた状態で、異方性導電フィルムにより液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２とを電気的かつ機械的に接続する接続工程とを行うものとした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の被接続部材に設けられた第１の電極部及び第２の被接続部材に設けられた第２の電極部のうち、少なくとも一方の被接続部材の電極部に付着した有機物又は無機物をウォータジェットの照射によって除去する前処理工程と、
前記前処理工程の後に、前記第１の電極部と前記第２の電極部を互いに突き合わせた状態で前記第１の被接続部材と前記第２の被接続部材とを電気的かつ機械的に接続する接続工程と
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記前処理工程でウォータジェットの照射がなされた被接続部材を、前記接続工程の前に乾燥させる乾燥工程を含む
ことを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記前処理工程において、ウォータジェットに超音波を印加する
ことを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記前処理工程において、ウォータジェットに研磨剤を付加する
ことを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１の被接続部材及び前記第２の被接続部材のうち、いずれか一方の被接続部材は液晶パネルであり、
前記前処理工程においては、前記液晶パネルの電極部を覆う有機配向膜又は無機配向膜をウォータジェットの照射によって除去する
ことを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関し、特に、液晶表示装置の製造方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程では、画素電極が形成されたアレイ基板とコモン電極が形成された対向基板を、液晶層を介して貼り合わせることにより、液晶パネル（ＬＣＤパネル）を作製している。液晶パネルを構成するアレイ基板には、対向基板と対向する側の面でかつ対向基板との貼り合わせ領域の外側に、外部接続用の電極部が形成されている。液晶パネルは、この電極部を用いて、例えば、フレキシブルプリント配線基板や半導体チップ（ＬＳＩチップ等）などの外部部材と電気的かつ機械的に接続される。
【０００３】
従来では、液晶パネルと外部部材との接続を異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いて行っている（例えば、特許文献１及び特許文献２を参照）。異方性導電フィルムを用いた接続では、液晶パネルの電極部と外部部材の電極部との間に異方性導電フィルムを介在させた状態で、双方の電極部を互いに突き合わせて加圧（圧着）することにより、異方性導電フィルムに含まれる導電粒子で電極部間の導通をとっている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３７３４０号公報
【特許文献２】特開２００１−１１９１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、液晶パネルの製造工程では、液晶分子を規則正しく配列させるために、アレイ基板と対向基板の各対向面に、例えばポリイミド等の有機物からなる有機配向膜又は酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機物からなる無機配向膜を形成している。このような配向膜をアレイ基板に形成するにあたっては、アレイ基板全面にスピンコート法等によって配向膜を塗布した後、配向膜の表面をラビング布で擦るラビング法によって配向制御を行っている。
【０００６】
このように配向膜をアレイ基板に形成すると、アレイ基板の表層部で電極部が配向膜で覆われた状態となる。配向膜は、電気的には絶縁物となる。このため、アレイ基板の電極部が配向膜で覆われた状態では、液晶パネルと外部部材の各電極部を異方性導電フィルムで接続する際に、配向膜が邪魔になって電極部間の導通がとりにくくなる。
【０００７】
また、アレイ基板の電極部が配向膜で覆われた状態で、液晶パネルと外部部材の各電極部を異方性導電フィルムで電気的に接続するには、異方性導電フィルムに含まれる導電粒子で配向膜を突き破る必要がある。その際、配向膜を確実に突き破るには、導電粒子の粒径を配向膜の膜厚よりも大きくする必要がある。
【０００８】
しかしながら、近年では、表示画像の高精細化（多画素化）や液晶パネルの小型化に伴って、電極部の多ピン化や狭ピッチ化が求められているため、異方性導電フィルムの導電粒子を大きくするにも限界がある。この理由は、導電粒子を大きくすると、電極部のピッチを狭めたときに、隣接する電極部間で短絡不良が発生しやすくなるためである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電子デバイスの製造方法は、第１の被接続部材に設けられた第１の接続部及び第２の被接続部材に設けられた第２の接続部のうち、少なくとも一方の被接続部材の接続部に付着した有機物又は無機物をウォータジェットの照射によって除去する前処理工程と、この前処理工程の後に、第１の接続部と第２の接続部を互いに突き合わせた状態で第１の被接続部材と第２の被接続部材とを電気的かつ機械的に接続する接続工程とを有するものである。
【００１０】
本発明に係る電子デバイスの製造方法においては、例えば、第１の被接続部材を液晶パネルとし、第２の被接続部材をフレキシブルプリント配線基板等の外部部材として、第１の被接続部材と第２の被接続部材を異方性導電フィルムにより接合する場合に、第１の被接続部材の電極部に付着した有機物又は無機物を前処理工程でウォータジェットの照射により除去し、その後、第１の接続部と第２の接続部を互いに突き合わせた状態で第１の被接続部材と第２の被接続部材とを電気的かつ機械的に接続することにより、異方性導電フィルムの導電粒子の大小にかかわらず、液晶パネルと外部部材との電極部間で確実に導通をとることが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、液晶パネルやこれを備える液晶表示装置等の電子デバイスにおいて、電極部の多ピン化や狭ピッチ化の要求に適切かつ容易に対応することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１３】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態においては、電子デバイスとなる液晶表示装置の製造工程のなかで、液晶パネルとフレキシブルプリント配線基板を、異方性導電フィルムを用いたＦＯＧ(Film On Glass)接合によって接続する場合を例に挙げて説明する。
【００１４】
まず、接続対象となる２つの被接続部材として、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）２を用意する。液晶パネル１は、周知の基板作製プロセスと基板組み立てプロセスを経て得られるものである。液晶パネル１は、大きくは、画素電極が形成されたアレイ基板３とコモン電極が形成された対向基板４とを、図示しない液晶層を介して貼り合わせた構成となっている。また、アレイ基板３には複数の電極部（接続部）５が形成されている。
【００１５】
一方、フレキシブルプリント配線基板２は、周知の基板製造プロセスにより得られるものである。フレキシブルプリント配線基板２には、上記複数の電極部５に対応して、例えばアルミニウム、銅等の低抵抗金属からなる複数の配線パターン６が形成されている。そして、各々の配線パターン６の終端部に、例えば金メッキ処理された図示しない電極部（接続部）が形成されている。この場合、液晶パネル１側に設けられた電極部５と、これに対応してフレキシブルプリント配線基板２側に設けられた電極部とは、互いに同じピッチで配列されている。
【００１６】
図２は液晶パネル１の電極部５の形成部位を拡大した断面図である。図においては、アレイ基板３のベースとなるガラス基板７上に電極部５が形成されている。電極部５は、酸化シリコン等の絶縁膜８を部分的に開口した状態で形成されている。また、電極部５は、ガラス基板７上に金属層９とＩＴＯ(Indium Tin Oxide)層１０を順に積層してなる２層構造となっている。金属層９は、例えばアルミニウム等の低抵抗金属を用いて形成されるものである。ＩＴＯ層１０は、アレイ基板３にＩＴＯを用いて画素電極を形成するときに、この画素電極と同時に金属層９上に形成されるものである。ガラス基板７上には、電極部５と絶縁膜８を覆う状態で配向膜１１が形成されている。配向膜１１は、ポリイミド等の有機物（有機配向膜）又は酸化シリコン等の無機物（無機配向膜）からなるもので、アレイ基板３の片面全面に一様な膜厚で形成されている。有機配向膜としては、ダイヤモンドライクカーボンのように炭素を含む薄膜であってもよい。
【００１７】
図３はフレキシブルプリント配線基板２の電極部の形成部位を拡大した断面図である。図においては、フレキシブルプリント配線基板２のベースとなるフィルム基板１２上に配線層１３が形成されている。配線層１３は、上記配線パターン６を形成するもので、樹脂等の絶縁材料からなるレジスト膜１４により覆われている。また、配線層１３の終端部には、金メッキ層からなる電極部１５が形成されている。
【００１８】
こうした構成の液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２を用意したら、ＦＯＧ接合による接続工程に先立って、液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２を対象に、ウォータジェット照射による前処理と、乾燥処理を順に行う。
【００１９】
フレキシブルプリント配線基板２の前処理では、図４に示すように、フレキシブルプリント配線基板２の電極部１５（図３参照）の形成部位、あるいは当該形成部位を含むフレキシブルプリント配線基板２の片面全面に、ウォータジェットを照射することにより、フレキシブルプリント配線基板２の電極部１５に付着している有機物（有機化合物等）のゴミを除去する。
【００２０】
一方、液晶パネル１の前処理では、図５に示すように、液晶パネル１の電極部５の形成部位にウォータジェットを照射することにより、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、ガラス基板７上で電極部５と絶縁膜８を覆っている配向膜１１を除去する。その際、液晶パネル１の基板貼り合わせ部分などにウォータジェットの液体が飛散しないように、筒状の飛散防止カバー１６を電極部５の形成部位にかぶせて設置することが望ましい。
【００２１】
ここで、ウォータジェットとは、ノズルから液体を高圧で噴射させることにより得られるものである。より具体的には、例えば、図７に示すように、タンク１７に貯留された液体をポンプ１８で汲み上げるとともに、この汲み上げた液体に加圧器１９で高い圧力を加えてノズル２０に送り込むことにより、ジェット噴流となってノズル２０から噴射されるものである。こうして生成されるウォータジェットを液晶パネル１に垂直の向きで照射すると、その照射部分ではウォータジェットによる衝撃で液晶パネル１（アレイ基板３）の表層部が薄く削られる。
【００２２】
ウォータジェットの生成に用いられる液体としては、電極部１５の金メッキや液晶パネル１にダメージを与えず、かつ有機物や無機物を効果的に除去できるものが望ましい。具体的には、純水、過酸化水素水などの水、エタノール、アセトン、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機薬品液、希釈されたフッ酸や硫酸、アンモニアなどの無機薬品液を、ウォータジェットの液体として用いることができる。また、ウォータジェットによる除去効果を上げるために、ウォータジェットに超音波を印加したり、ウォータジェットに研磨剤（例えば、シリカ）を付加したりすることも可能である。さらに、ウォータジェットに用いる液体をヒータ等により加熱することにより、当該液体の温度を常温よりも高く上げた状態で、ウォータジェット噴射ノズルから噴射させることも可能である。
【００２３】
なお、フレキシブルプリント配線基板２の電極部を覆う有機物のゴミは、主に保管中や搬送中に付着するため、保管の仕方や搬送の環境によっては付着量を少量に抑えることができる。したがって、フレキシブルプリント配線基板２に対するウォータジェットの照射は、必要に応じて行うようにすればよい。
【００２４】
以上のような前処理工程を行った後は、ウォータジェットの照射によって濡れた液晶パネル１やフレキシブルプリント配線基板２を乾燥させる乾燥工程に進む。乾燥工程では、図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、液晶パネル１やフレキシブルプリント配線基板２に対して、クリーンなドライエアーを吹き付ける。乾燥処理に使用するドライエアーとしては、大気、窒素、酸素、アルゴンなど、常温でガス状態である物質であって、ガスの純度が高いことが望ましい。また、ドライエアーを吹き付けている最中や所定の時間だけ吹き付けた後に、例えば、常温よりも高い高温雰囲気（例えば、８０℃の雰囲気）に液晶パネル１やフレキシブルプリント配線基板２を投入したり、オーブン等を用いて常温よりも高い高温雰囲気（例えば、１００℃の雰囲気）に液晶パネル１やフレキシブルプリント配線基板２を保管したりしてもよい。
【００２５】
このように乾燥工程でドライエアーの吹き付けによる乾燥と加熱による乾燥を併用することにより、前処理（ウォータジェット照射）を終えた液晶パネル１やフレキシブルプリント配線基板２を、より迅速かつ確実に乾燥させることができる。また、液晶パネル１の乾燥処理では、例えば図９に示すように、液晶パネル１を円板型のステージ２１上に載置固定し、この状態でステージ２１と一体に液晶パネル１を高速で回転させる振り切り乾燥方式を適用又は併用することも可能である。
【００２６】
こうして乾燥工程を行った後は、接続工程に進む。接続工程では、図１０に示すように、液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２の電極部５，１５同士を位置合わせするとともに、それらの電極部５，１５間に異方性導電フィルム（不図示）を介在させた状態で電極部５，１５を突き合わせ、この突き合わせ状態で電極部分を加熱・加圧することにより、液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２とを電気的かつ機械的に接続する。
【００２７】
これにより、液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２は、図１１に示すように、異方性導電フィルム２２を介して接続される。このとき、液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２の電気的な接続は、異方性導電フィルム２２のフィルム中に分散された導電粒子２３によって行われる。また、液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２の機械的な接続は、異方性導電フィルム２２の基材となる接着性フィルムによって行われる。この場合、液晶パネル１の電極部５上では、上記前処理工程でウォータジェット照射により配向膜１１を除去済みである。このため、異方性導電フィルム２２の導電粒子２３の大小にかかわらず、液晶パネル１とフレキシブルプリント配線基板２の電極部５，１５間で確実に導通をとることができる。また、異方性導電フィルム２２を用いて電極部５，１５間に安定した導通状態が得られるため、電気抵抗のばらつきや短絡不良等の発生を低減することができる。したがって、液晶パネル１の電極部５の多ピン化や狭ピッチ化の要求に適切かつ容易に対応することが可能となる。
【００２８】
なお、上記第１実施形態においては、液晶パネル１の電極部５の形成部位にウォータジェットを照射することにより、電極部５を構成するＩＴＯ層１０上から配向膜１１を除去するものとしたが、その際に、電極部５の形成部位で、配向膜１１とともにＩＴＯ層１０の一部（上層部）又は全部をウォータジェット照射により除去するものとしてもよい。その場合は、ＩＴＯ層１０の厚み寸法を許容量として、ウォータジェットによる削り量をラフに設定することができる。また、配向膜１１とともにＩＴＯ層１０を除去する場合は、ＩＴＯ層１０と同時に絶縁膜８の一部（上層部）も除去され、ＩＴＯ層１０の全部を除去する場合は、図１２に示すように、金属層９のみによって電極部５が形成されたものとなる。したがって、上記同様の作用効果が得られる。また、ＩＴＯ膜１０を全て除去した場合は、フレキシブルプリント配線基板２の電極部１５が異方性導電フィルム２２を用いて直に金属層９に接続されるようになるため、接続部の電気抵抗を低減することができる。
【００２９】
また、上記第１実施形態においては、電子デバイスとして液晶表示装置を例示したが、本発明はこれに限らず、液晶表示装置以外の電子デバイスの製造方法にも広く適用可能である。以下に、具体的な事例を本発明の他の実施形態として順に説明する。
【００３０】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態においては、半導体装置を備える電子デバイスの製造工程のなかで、例えば、ＳＩＰ(System In Package)構造を実現するために、大小２つの半導体チップをチップ・オン・チップ（ＣＯＣ）構造でＦＣＢ(Flip Chip Bonding)接合する場合を例に挙げて説明する。
【００３１】
まず、接続対象となる２つの被接続部材として、図１３（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１の半導体チップ３１と第２の半導体チップ３２を用意する。第１の半導体チップ３１は、例えばＤＡＣ(Digital-to-analog converter)-ＩＣチップからなり、第２の半導体チップ３２は、例えばメモリＩＣチップからなるものである。各々の半導体チップ３１，３２は、例えばシリコン基板等の半導体基板をベースに構成されたもので、それぞれ周知の半導体製造プロセスにより得られるものである。第１の半導体チップ３１の平面サイズは、第２の半導体チップ３２の平面サイズよりも小となっている。
【００３２】
また、第１の半導体チップ３１上には複数の電極部３３が形成され、これに対応して第２の半導体チップ３２上にも複数の電極部３４が形成されている。各々の電極部３３，３４は１対１の対応関係で第１の半導体チップ３１と第２の半導体チップ３２に形成されている。さらに詳述すると、電極部３３は第１の半導体チップ３１上に所定のピッチで２列（２列×８個で合計１６個）に配列されており、電極部３４は第２の半導体チップ３２上に電極部３３と同じピッチで２列（２列×８個で合計１６個）に配列されている。また、第２の半導体チップ３２上には、上記複数の電極部３４とは別に、外部接続用の複数の電極部３５が形成されている。電極部３５は、第２の半導体チップ３２上で、第１の半導体チップ３１がＦＣＢ接合される領域（電極部３４の形成領域）から外れた位置に形成されている。各々の電極部３３，３４，３５は、例えばアルミニウム等の低抵抗金属からなる電極パッドによって形成されるものであるが、これ以外にも、例えば低融点半田からなる金属バンプによって形成されるものであってもよい。
【００３３】
図１４（Ａ）は第１の半導体チップ３１の電極部３３の形成部位を拡大した断面図であり、図１４（Ｂ）は第２の半導体チップ３２の電極部３４の形成部位を拡大した断面図である。図において、第１の半導体チップ３１の電極部３３上には有機物のゴミ３６が付着している。また、第２の半導体チップ３２の電極部３４上にも有機物のゴミ３７が付着している。有機物のゴミ３６は、第１の半導体チップ３１の保管中や搬送中に付着するもので、有機物のゴミ３７は、第２の半導体チップ３２の保管中や搬送中に付着するものである。
【００３４】
このように電極部３３，３４に有機物のゴミ３６，３７が付着していると、これが原因で接合不良を招く恐れがある。そこで、第１の半導体チップ３１と第２の半導体チップ３２をＦＣＢ接合により接続するのに先立って、各々の半導体チップ３１，３２を対象に、ウォータジェット照射による前処理と、乾燥処理を順に行う。
【００３５】
第１の半導体チップ３１の前処理では、図１５（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ３１の電極部３３の形成部位にウォータジェットを照射することにより、各々の電極部３３に付着している有機物のゴミ３６を除去する。同様に、第２の半導体チップ３２の前処理では、図１５（Ｂ）に示すように、第２の半導体チップ３２の電極部３４の形成部位にウォータジェットを照射することにより、各々の電極部３４に付着している有機物のゴミ３７を除去する。ウォータジェットの生成に用いられる液体としては、上記第１実施形態と同様のものを用いることができる。また、ウォータジェットによる除去効果を上げるために、ウォータジェットに超音波を印加したり、ウォータジェットに研磨剤を付加したり、ウォータジェットに用いる液体の温度を上げたりすることも可能である。
【００３６】
以上のような前処理工程を行った後は、ウォータジェットの照射によって濡れた各々の半導体チップ３１，３２を乾燥させる乾燥工程に進む。乾燥工程では、図１６（Ａ），（Ｂ）に示すように、各々の半導体チップ３１，３２に対して、クリーンなドライエアーを吹き付ける。乾燥処理に使用するドライエアーとしては、上記第１実施形態で例示したものを用いることができる。また、必要に応じて、加熱による乾燥処理や回転振り切りによる乾燥処理を適用又は併用することも可能である。
【００３７】
こうして乾燥工程を行った後は、接続工程に進む。接続工程では、図１７（Ａ），（Ｂ）に示すように、第２の半導体チップ３２上で双方の電極部３３，３４がきちんと向かい合うように第１の半導体チップ３１をフェースダウンで位置合わせし、この状態で図１８に示すように第１の半導体チップ３１の電極部３３と第２の半導体チップ３２の電極部３４を突き合わせて加熱・加圧あるいは必要に応じて超音波を付加することにより、２つの半導体チップ３１，３２をＦＣＢ接合にて電気的かつ機械的に接続する。なお、接合方式としては、ＦＣＢ接合だけでなく、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)接合などでも適用可能である。
【００３８】
以上の製造方法においては、各々の半導体チップ３１，３２をＦＣＢ接合する前に、電極部３３，３４に付着した有機物のゴミ３６，３７をウォータジェットの照射により除去するため、各々の半導体チップ３１，３２の電極部３３，３４間で確実に導通をとることができる。また、両者の電極部３３，３４間に安定した導通状態が得られるため、電気抵抗のばらつきや短絡不良等の発生を低減することができる。
【００３９】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態においては、半導体装置を備える電子デバイスの製造工程のなかで、半導体チップとフレキシブルプリント配線基板をＣＯＦ(Chip On Film)接合によって接続する場合を例に挙げて説明する。
【００４０】
まず、接続対象となる２つの被接続部材として、図１９（Ａ），（Ｂ）に示すように、半導体チップ４１とフレキシブルプリント配線基板４２を用意する。半導体チップ４１は、例えばＩＣドライバからなるもので、周知の半導体製造プロセスにより得られるものである。フレキシブルプリント配線基板４２は、周知の基板製造プロセスにより得られるものである。
【００４１】
半導体チップ４１上には複数の電極部４３が形成され、これに対応してフレキシブルプリント配線基板４２にも複数の電極部４４が形成されている。各々の電極部４３，４４は１対１の対応関係で半導体チップ４１とフレキシブルプリント配線基板４２に形成されている。さらに詳述すると、電極部４３は半導体チップ４１上に所定のピッチで２列（２列×８個で合計１６個）に配列されており、電極部４４はフレキシブルプリント配線基板４２上に電極部４３と同じピッチで２列（２列×８個で合計１６個）に配列されている。半導体チップ４１の電極部４３には金メッキ処理が施され、フレキシブルプリント配線基板４２の電極部４４にはスズ（Ｓｎ）メッキ処理が施されている。
【００４２】
図２０（Ａ）は半導体チップ４１の電極部４３の形成部位を拡大した断面図であり、図２０（Ｂ）はフレキシブルプリント配線基板４２の電極部４４の形成部位を拡大した断面図である。図において、半導体チップ４１の電極部４３上には有機物のゴミ４５が付着している。有機物のゴミ４５は、半導体チップ４１の保管中や搬送中に付着するものである。一方、フレキシブルプリント配線基板４２のベースとなるフィルム基板４６上には、樹脂等の絶縁材料からなるレジスト膜４７を部分的に開口させた状態で電極部４４が形成され、この電極部４４上に有機物のゴミ４８が付着している。有機物のゴミ４８は、フレキシブルプリント配線基板２の保管中や搬送中に付着するものである。
【００４３】
このように電極部４３，４４に有機物のゴミ４５，４８が付着していると、これが原因で接合不良を招く恐れがある。そこで、半導体チップ４１とフレキシブルプリント配線基板４２をＣＯＦ接合により接続するのに先立って、半導体チップ４１とフレキシブルプリント配線基板４２を対象に、ウォータジェット照射による前処理と、乾燥処理を順に行う。
【００４４】
半導体チップ４１の前処理では、図２１（Ａ）に示すように、半導体チップ４１の電極部４３の形成部位にウォータジェットを照射することにより、各々の電極部４３に付着している有機物のゴミ４５を除去する。同様に、フレキシブルプリント配線基板４２の前処理では、図２１（Ｂ）に示すように、フレキシブルプリント配線基板４２の電極部４４の形成部位にウォータジェットを照射することにより、各々の電極部４４に付着している有機物のゴミ４８を除去する。ウォータジェットの生成に用いられる液体としては、上記第１実施形態と同様のものを用いることができる。また、ウォータジェットによる除去効果を上げるために、ウォータジェットに超音波を印加したり、ウォータジェットに研磨剤を付加したり、ウォータジェットに用いる液体の温度を上げたりすることも可能である。
【００４５】
以上のような前処理工程を行った後は、ウォータジェットの照射によって濡れた半導体チップ４１とフレキシブルプリント配線基板４２を乾燥させる乾燥工程に進む。乾燥工程では、図２２（Ａ），（Ｂ）に示すように、半導体チップ４１やフレキシブルプリント配線基板４２に対して、クリーンなドライエアーを吹き付ける。乾燥処理に使用するドライエアーとしては、上記第１実施形態で例示したものを用いることができる。また、必要に応じて、加熱による乾燥処理や回転振り切りによる乾燥処理を適用又は併用することも可能である。
【００４６】
こうして乾燥工程を行った後は、接続工程に進む。接続工程では、図２３（Ａ），（Ｂ）に示すように、フレキシブルプリント配線基板４２上で双方の電極部４３，４４がきちんと向かい合うように半導体チップ４１をフェースダウンで位置合わせし、この状態で図２４に示すように半導体チップ４１の電極部４３とフレキシブルプリント配線基板４２の電極部４４を突き合わせて加熱・加圧あるいは必要に応じて超音波を付加することにより、半導体チップ４１とフレキシブルプリント配線基板４２をＡｕ-Ｓｎ共晶結合によるＣＯＦ接合によって電気的かつ機械的に接続する。
【００４７】
以上の製造方法においては、半導体チップ４１とフレキシブルプリント配線基板４２をＣＯＦ接合する前に、電極部４３，４４に付着した有機物のゴミ４５，４８をウォータジェットの照射により除去するため、半導体チップ４１とフレキシブルプリント配線基板４２の電極部４３，４４間で確実に導通をとることができる。また、両者の電極部４３，４４間に安定した導通状態が得られるため、電気抵抗のばらつきや短絡不良等の発生を低減することができる。
【００４８】
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態においては、半導体装置を備える電子デバイス（例えば、光ディスク装置の光ピックアップの発光器）の製造工程のなかで、大小２つの半導体チップを異方性導電フィルムを用いてＣＯＣ構造で接続する場合を例に挙げて説明する。
【００４９】
まず、接続対象となる２つの被接続部材として、図２５（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１の半導体チップ５１と第２の半導体チップ５２を用意する。第１の半導体チップ５１は、例えばガリウムと窒素を材料とした化合物系の半導体レーザからなり、第２の半導体チップ５２は、例えば半導体レーザを駆動する駆動ＩＣチップからなるものである。半導体チップ５１は、周知の半導体レーザ製造プロセスによって得られ、半導体チップ５２は、周知の半導体製造プロセスによって得られるものである。第１の半導体チップ５１の平面サイズは、第２の半導体チップ５２の平面サイズよりも小となっている。
【００５０】
また、第１の半導体チップ５１上には複数の電極部５３が形成され、これに対応して第２の半導体チップ５２上にも複数の電極部５４が形成されている。各々の電極部５３，５４は１対１の対応関係で第１の半導体チップ５１と第２の半導体チップ５２に形成されている。さらに詳述すると、電極部５３は第１の半導体チップ５１上に所定のピッチで４つ設けられ、電極部５４は第２の半導体チップ５２上に電極部５３と同じピッチで４つ設けられている。また、第２の半導体チップ５２上には、上記複数の電極部５４とは別に、外部接続用の複数の電極部５５が形成されている。電極部５５は、第２の半導体チップ５２上で、第１の半導体チップ５１が接合される領域（電極部５４の形成領域）から外れた位置に形成されている。各々の電極部５３，５４，５５は、例えばアルミニウム等の低抵抗金属からなる電極パッドによって形成されるものである。
【００５１】
図２６（Ａ）は第１の半導体チップ５１の電極部５３の形成部位を拡大した断面図であり、図２６（Ｂ）は第２の半導体チップ５２の電極部５４の形成部位を拡大した断面図である。図において、第１の半導体チップ５１の電極部５３上には有機物のゴミ５６が付着している。また、第２の半導体チップ５２の電極部５４上にも有機物のゴミ５７が付着している。有機物のゴミ５６は、第１の半導体チップ５１の保管中や搬送中に付着するもので、有機物のゴミ５７は、第２の半導体チップ５２の保管中や搬送中に付着するものである。
【００５２】
このように電極部５３，５４に有機物のゴミ５６，５７が付着していると、これが原因で接合不良を招く恐れがある。そこで、第１の半導体チップ５１と第２の半導体チップ５２を異方性導電フィルムで接合（接続）するのに先立って、各々の半導体チップ５１，５２を対象に、ウォータジェット照射による前処理と、乾燥処理を順に行う。
【００５３】
第１の半導体チップ５１の前処理では、図２７（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ５１の電極部５３の形成部位にウォータジェットを照射することにより、各々の電極部５３に付着している有機物のゴミ５６を除去する。同様に、第２の半導体チップ５２の前処理では、図２７（Ｂ）に示すように、第２の半導体チップ５２の電極部５４の形成部位にウォータジェットを照射することにより、各々の電極部５４に付着している有機物のゴミ５７を除去する。ウォータジェットの生成に用いられる液体としては、上記第１実施形態と同様のものを用いることができる。また、ウォータジェットによる除去効果を上げるために、ウォータジェットに超音波を印加したり、ウォータジェットに研磨剤を付加したり、ウォータジェットに用いる液体の温度を上げたりすることも可能である。
【００５４】
以上のような前処理工程を行った後は、ウォータジェットの照射によって濡れた各々の半導体チップ５１，５２を乾燥させる乾燥工程に進む。乾燥工程では、図２８（Ａ），（Ｂ）に示すように、各々の半導体チップ５１，５２に対して、クリーンなドライエアーを吹き付ける。乾燥処理に使用するドライエアーとしては、上記第１実施形態で例示したものを用いることができる。また、必要に応じて、加熱による乾燥処理や回転振り切りによる乾燥処理を適用又は併用することも可能である。
【００５５】
こうして乾燥工程を行った後は、接続工程に進む。接続工程では、図２９（Ａ），（Ｂ）に示すように、第２の半導体チップ５２上で双方の電極部５３，５４がきちんと向かい合うように第１の半導体チップ５１をフェースダウンで位置合わせし、この状態で図３０に示すように第１の半導体チップ５１の電極部５３と第２の半導体チップ５２の電極部５４との間に異方性導電フィルム５８を介在させた状態で電極部５３，５４同士を突き合わせて加熱・加圧あるいは必要に応じて超音波を付加することにより、２つの半導体チップ５１，５２を異方性導電フィルム５８で電気的かつ機械的に接続する。
【００５６】
以上の製造方法においては、各々の半導体チップ５１，５２を接合する前に、電極部５３，５４に付着した有機物のゴミ５６，５７をウォータジェットの照射により除去するため、各々の半導体チップ５１，５２の電極部５３，５４間で確実に導通をとることができる。また、両者の電極部５３，５４間に安定した導通状態が得られるため、電気抵抗のばらつきや短絡不良等の発生を低減することができる。
【００５７】
なお、本発明は、上記各実施形態で例示したものに限らず、例えば、シリコン基板等からなるインターポーザに半導体チップを実装する場合や、ガラス、硬質樹脂、ガラスエポキシ、セラミックス等を基材としたリジットなプリント配線基板に半導体チップを実装する場合、あるいは発光ダイオードと基体を接続したり、発光レーザと基体を接続したりする場合などにも広く適用可能である。
【００５８】
また、半導体チップとしては、シリコンや、シリコンとゲルマニウムの化合物を用いたものに限らず、例えば、ゲルマニウム、ガリウムと窒素の化合物、ガリウムとリンの化合物、ガリウムとインジウムの化合物、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどの半導体材料を用いたものであってもよい。また、半導体チップが備える機能としては、ＩＣ（集積回路）、半導体レーザ、ＤＬＰ（デジタル・ライト・プロセッシング）デバイス、発光ダイオード、太陽電池などが考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その１）である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その２）である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その３）である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その４）である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その５）である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その６）である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その７）である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その８）である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その９）である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その１０）である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その１１）である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その１２）である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その１）である。
【図１４】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その２）である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その３）である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その４）である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その５）である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その６）である。
【図１９】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その１）である。
【図２０】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その２）である。
【図２１】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その３）である。
【図２２】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その４）である。
【図２３】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その５）である。
【図２４】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その６）である。
【図２５】本発明の第４実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その１）である。
【図２６】本発明の第４実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その２）である。
【図２７】本発明の第４実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その３）である。
【図２８】本発明の第４実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その４）である。
【図２９】本発明の第４実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その５）である。
【図３０】本発明の第４実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図（その６）である。
【符号の説明】
【００６０】
１…液晶パネル、２，４２…フレキシブルプリント配線基板、５，１５，３３，３４，４３，４４，５３，５４…電極部、１１…配向膜、２２，５８…異方性導電フィルム、２３…導電粒子、３１，３２，４１，５１，５２…半導体チップ、３６，３７，５６，５７…有機物のゴミ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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