(57)【要約】 【課題】  透過率等の光学特性に優れ、偏光素子や回折格子等として好適に用いることができる光学素子を簡便に製造できる方法を提供する。【解決手段】  本発明の光学素子の製造方法は、基板１１Ａ上に、ノボラック系レジストからなる第１レジスト層３０を形成する工程と、第１レジスト層３０上にシリル化剤を含む化学増幅型レジストからなる第２レジスト層３１を形成する工程と、第２レジスト層３１に対して、レーザー光を選択的に照射する工程と、レーザー光を照射後、酸素によるドライエッチングを行い、第２レジスト層３１の露光部又は非露光部と、その下層の第１レジスト層３０とを選択的に除去して溝部３４を形成する工程と、溝部３４において、無電解めっきにより金属層を形成する工程と、残存する第１レジスト層３０と第２レジスト層３１とを除去する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】    図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体からなる基板上に、ノボラック系レジストからなる第１レジスト層を形成する工程と、
前記第１レジスト層上にシリル化剤を含む化学増幅型レジストからなる第２レジスト層を形成する工程と、
前記第２レジスト層に対して、照射部が縞状となるように、レーザー光を選択的に照射する工程と、
前記レーザー光を照射後、酸素によるドライエッチングを行い、前記第２レジスト層の露光部又は非露光部と、その下層の第１レジスト層とを選択的に除去して、残存する第１レジスト層と第２レジスト層とによって囲まれてできる溝部を形成する工程と、
前記溝部において、無電解めっきにより金属層を形成する工程と、
前記残存する第１レジスト層と第２レジスト層とを除去する工程と、を含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
前記第２レジスト層を形成する工程において、前記シリル化剤として、トリメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、1,1,3,3-トリメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザンのいずれかを用いることを特徴とする請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー光を照射する工程において、多光束干渉光を照射することを特徴とする請求項１又は２に記載の光学素子の製造方法。
【請求項４】
前記無電解めっきを行う前に、前記溝部を取り囲む第１レジスト層及び第２レジスト層の側面に塩化スズを塗布する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記無電解めっきにより金属層を形成する工程において、当該金属として、銀、金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、インジウム、ビスマス、若しくはその合金のいずれかを用いることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項６】
光源装置と、該光源装置から射出された光を変調する光変調装置と、該光変調装置により変調された光を投射する投射装置とを備える投射型表示装置であって、
前記光変調装置の光入射側と光射出側とに偏光素子が配設されてなり、該偏光素子が請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法により製造された光学素子により構成されてなることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の製造方法、及び投射型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクタ等の投射型表示装置における光変調装置として、液晶装置が用いられている。このような液晶装置としては、対向配置された一対の基板間に液晶層が挟持された構成のものが知られており、この一対の基板の内側には、液晶層に電圧を印加するための電極が形成されている。また、この電極の内側には、電圧無印加時において液晶分子の配列を制御する配向膜が形成され、配向膜としてはポリイミド膜の表面にラビング処理を施したものが公知である。
【０００３】
一方、一対の基板の外側（液晶層に対向する面とは異なる面側）には偏光板が配設されており、液晶層に対して所定の偏光が入射される構成となっている。偏光板としては、有機化合物の樹脂フィルムを一方向に延伸することによってヨウ素や二色性染料を一定方向に配向させて製造される偏光フィルムの他、特許文献１に開示されたような微細パターンの偏光素子（光学素子）が知られている。
【特許文献１】特開平８−８２７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上記特許文献１では、微細パターンを得るためには、基板側から導電層、下層レジスト、中間層、上層レジストの４層を形成する積層工程を行わなければならない。また、上層レジストをパターニング後、下層レジストに前記パターンを転写するためには、最低でも２回のドライエッチング工程が必要である。さらに、積層工程及びドライエッチング工程後も、導電層の不要な部分を除去するためにはレーザー照射を行わなければならず、いずれの場合も煩雑な工程が必要となる。
【０００５】
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、透過率等の光学特性に優れ、偏光素子や回折格子等として好適に用いることができる光学素子を簡便に製造できる方法を提供することを目的とし、さらに当該方法により製造された光学素子を備えた投射型表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の光学素子の製造方法は、誘電体からなる基板上に、ノボラック系レジストからなる第１レジスト層を形成する工程と、前記第１レジスト層上にシリル化剤を含む化学増幅型レジストからなる第２レジスト層を形成する工程と、前記第２レジスト層に対して、照射部が縞状となるように、レーザー光を選択的に照射する工程と、前記レーザー光を照射後、酸素によるドライエッチングを行い、前記第２レジスト層の露光部又は非露光部と、その下層の第１レジスト層とを選択的に除去して、残存する第１レジスト層と第２レジスト層とによって囲まれてできる溝部を形成する工程と、前記溝部において、無電解めっきにより金属層を形成する工程と、前記残存する第１レジスト層と第２レジスト層とを除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
このような製造方法によると、有機材料を用いない光学素子を製造することができ、該製造される光学素子は耐光性及び耐熱性に非常に優れたものとなる。
また、誘電体からなる基板上に、導電体としての金属層を縞状に形成することができ、この縞のピッチを可視光の波長以下に設定すれば金属ワイヤーグリッド型の偏光素子を提供することができる。また、この場合、基板と金属層との誘電率の相違により、当該光学素子を例えばプロジェクタ等の投射型表示装置の偏光素子として用いた場合には、透過率やコントラスト等が高く好適なものとなる。
また、金属層をレジストによって形成された溝部に無電解めっきにより形成しているため、特許文献１のような４層にもなる積層工程を必要とせず、また該特許文献１では最低でもドライエッチングを２回必要としていたが、本発明では１回で済み、したがってプロセスの簡略化を図ることができるものとなっている。さらに、無電解めっきによる金属層の形成では当該金属層のドライエッチングを省くことができ、その結果、塩素化合物やホウ素化合物等の有害な物質を製造プロセス中に排出しない利点もある。
【０００８】
また、本発明の製造工程のうち、前記第２レジスト層を形成する工程において、シリル化剤はレジストのＯＨ基と反応して、レジスト表面にＳｉ原子を導入する。ポジ型の化学増幅レジストを用いた場合、未露光部はポリマー中のＯＨ基がシリル化されるが、露光部では発生した酸によりポリマーが架橋するためシリル化されにくい。よって、このような露光部と未露光部のシリル化コントラストの差により、ドライ現像でパターンが形成されることになる。これに対してネガ型レジストの場合は、未露光部のＯＨ基が酸脱離基によりブロックされているために、シリル化されず露光部がドライ現像される。シリル化剤としては、トリメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、1,1,3,3-トリメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザンのいずれかを用いることができる。このようなシリル化剤を用いることで、上述した露光の有無に基づくパターン形成を確実に行うことができるようになる。
【０００９】
また、本発明の製造工程のうち、前記レーザー光を照射する工程において、多光束干渉光を照射することを特徴とする。このような多光束干渉光（２光束ないしそれ以上の光束による干渉光）の照射により、レーザー光の波長オーダーの周期照射を実現することができる。例えば、２光束干渉による照射の場合、その光束間の角度を制御することにより、周期の間隔を制御することもできる。
【００１０】
また、本発明の製造工程のうち、前記無電解めっきを行う工程の前に、前記溝部を取り囲む第１レジスト層及び第２レジスト層の側面に塩化スズを塗布する工程を含むものとすることができる。このような塩化スズをレジスト側面に塗布すれば、当該レジスト側面のめっき時の濡れ性が向上することとなる。
【００１１】
また、本発明の製造工程のうち、前記無電解めっきにより金属層を形成する工程において、当該金属として、銀、金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、インジウム、ビスマス、若しくはその合金のいずれかを用いることができる。
【００１２】
次に、上記課題を解決するために、本発明の投射型表示装置は、光源装置と、該光源装置から射出された光を変調する光変調装置と、該光変調装置により変調された光を投射する投射装置とを備える投射型表示装置であって、前記光変調装置の光入射側と光射出側とに偏光素子が配設されてなり、該偏光素子が上述した方法により製造された光学素子により構成されてなることを特徴とする。
【００１３】
このような投射型表示装置は信頼性が非常に高いものとなる。つまり、上述した方法により製造された光学素子は、有機材料を含まない構成であるため耐光性や耐熱性に優れるとともに、透過率及びコントラスト等の光学特性が優れ、しかも製造効率が良いため、当該投射型表示装置を安価に提供することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１５】
［プロジェクタ］
図１は、本発明の投射型表示装置の一実施形態として、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。本実施形態のプロジェクタは、光変調装置として液晶装置を用いた液晶プロジェクタである。
【００１６】
図１において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶装置からなる光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズ、８３１、８３２、８３３は入射側の偏光板（光学素子）、８３４、８３５、８３６は出射側の偏光板である。
【００１７】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。なお、光源８１０としては、メタルハライド以外にも超高圧水銀ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等を用いることも可能である。
【００１８】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、偏光板８３１を介して赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、偏光板８３２を介して緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が偏光板８３３を介して青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００１９】
各光変調装置８２２〜８２４により変調された３つの色光は、各色偏光板８３４〜８３６を介してクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００２０】
ここで、本実施形態のプロジェクタにおいては、偏光板８３１〜８３６として、無機材料からなるものを採用している。メタルハライドランプ８１１からなる光源８１０は高エネルギーの発光が行われるものであるため、有機材料では当該高エネルギーの光により分解ないし変形が生じる惧れがある。そこで、耐光性及び耐熱性の高い無機材料（金属材料を含む）で偏光板８３１〜８３６を構成している。
【００２１】
図２は偏光板８３１〜８３６（以下、これらを総称して偏光板１とも言う）の概略構成を示す斜視図、図３は偏光板１の平面模式図、図４は偏光板１の断面模式図、図５は偏光板１を光が透過する際の作用を示す説明図である。
【００２２】
偏光板１は、本発明の光学素子に係るもので、光源８１０から射出された各色光を、偏光選択して直線偏光のみを透過させるものである。具体的には図２に示すように、ガラス基板等の誘電材料からなる透光性の基材１１Ａ上に、ストライプ状に配置された複数の非有機材料（無機材料及び／又は金属材料）からなる格子（微細構造体）１２を備えて構成されている。
【００２３】
図３に示すように、格子１２のピッチＰは入射光の波長よりも小さい値であり、例えば１４０ｎｍ以下に設定されている。また、格子１２の幅は、例えば７０ｎｍ以下に設定されており、製造上の都合もあるが、入射光の波長の１／１０程度にするとより好ましい。なお、格子１２の隙間に形成される線状の溝パターン１３は空間とされているが、例えば当該格子１２と異なる透光性の材料を挿入するものとしても良い。
【００２４】
なお、格子１２の高さは１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度となっている。また、格子１２を構成する金属材料としては、アルミニウム以外にも、銀、金、銅、パラジウム、白金、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、インジウム、ビスマス、又はこれらの合金などを用いることができる。
【００２５】
このような偏光板１は、図５に示すように、格子１２の屈折率ｎＡと、格子１２間に介在する空間１１Ｂの屈折率ｎＢとが異なるため、偏光板１に入射した光の偏光方向により、偏光選択が行なわれる。具体的には、格子１２の延在方向と垂直な方向に偏光軸を有する直線偏光Ｘを透過させ、格子１２の延在方向と平行な方向に偏光軸を有する直線偏光Ｙを反射する。したがって、本実施形態の偏光板１は、光反射型偏光子と同じ作用、すなわち光軸（透過軸）と平行な偏光を透過させ、垂直な偏光に対しては反射させる作用を有している。
【００２６】
偏光板１を透過して生成された直線偏光は、光変調手段としての液晶装置８２２〜８２４に入射する。液晶装置８２２〜８２４は、例えば図６に示したような構成を備えている。図６は、液晶装置８２２〜８２４の断面模式図である。
【００２７】
液晶装置８２２〜８２４は、ガラスやプラスチック等の透明基板で構成される２枚の基板（素子基板１０，対向基板２０）を含んで構成され、該一対の基板１０，２０間に液晶層５０が挟持されている。素子基板１０の液晶層５０側にはＩＴＯ等で構成された透明電極９がマトリクス状に形成されており、透明電極９のさらに液晶層５０側には、液晶分子の配向規制を行う配向膜１１が基板全面に形成されている。
【００２８】
一方、対向基板２０の液晶層５０側には、基板全面にベタ状の透明電極２３が形成されており、透明電極２３のさらに液晶層５０側には、液晶分子の配向規制を行う配向膜２１が基板全面にベタ状に形成されている。
【００２９】
図６の構成においては、一対の基板１０，２０が、シール材（図示略）を介して貼り合わせられ、その内部に液晶が封入されている。この場合、液晶層５０の液晶モードとしてＴＮ（Twisted Nematic）モードが採用されているが、その他にもＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モード等を採用することができる。
【００３０】
素子基板１０は、ガラスや石英等の透光性の基板であって、画素電極９に対する電圧印加をスイッチング駆動するＴＦＴ素子（図示略）を備えている。画素電極９はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性且つ導電性の材料にて構成されており、膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度（例えば８５ｎｍ）とされている。また、配向膜１１はＳｉＯ２の斜方蒸着材料から構成されており、液晶分子の配向を規制している。なお、配向膜１１の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度（例えば２５ｎｍ）とされている。
【００３１】
一方、対向基板２０は、素子基板１０と同様、ガラスや石英等の透光性の基板から構成されており、その液晶層側にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性且つ導電性の材料にて構成された共通電極２３が、膜厚５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度（例えば１４０ｎｍ）に形成されている。また、共通電極２３のさらに液晶層側には、ＳｉＯ２の斜方蒸着材料から構成される配向膜２１が形成されており、その膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度（例えば２５ｎｍ）とされている。
【００３２】
このような液晶装置８２２〜８２４では、図１に示した偏光板８３１，８３２，８３３を介して入射する直線偏光の位相制御が行われる。つまり、電極９，２３に対する印加電圧により液晶層５０の駆動制御を行い、当該入射光の位相を制御するものとしている。位相制御された光は、光射出側に配設された偏光板８３４，８３５，８３６に入射して変調される。
【００３３】
液晶装置８２２〜８２４及び偏光板８３１〜８３６で変調された各色光は、上述した通り、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射して形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００３４】
本実施の形態では、偏光板１（８３１〜８３６）に関して有機材料を用いないものとしている。つまり、メタルハライドランプから供給される高エネルギー光により劣化する惧れのある有機材料を排除して、無機材料及び／又は金属材料から偏光板１（８３１〜８３６）を構成している。また、当該偏光板１（８３１〜８３６）は、以下に示すような方法により製造しているため、製造コストも安価で、非常に信頼性の高いものとなっている。
【００３５】
［偏光板の製造方法］
以下、図２〜図４に示した偏光板（光学素子）１の製造方法の一例について、図７〜図１３を参照して説明する。
まず、図７に示すように、透光性の誘電体材料であるＳｉＯ２からなる基板１１Ａに対して、ノボラック系レジストとして例えば東京応化社製ＯＦＰＲをスピンコートにより塗布し、これをベークして、第１レジスト層３０を形成する。
【００３６】
さらに、同じく図７に示すように、第１レジスト層３０上にシリル化剤（シリコン化合物）を含む化学増幅型レジストとして例えばポジ型の東京応化社製ＴＤＵＲ−Ｐ／Ｎをスピンコートにより塗布し、これをベークして、第２レジスト層３１を形成する。
【００３７】
ここで、シリル化剤とは、図１０に示すように、レジスト３１のＯＨ基と反応して、レジスト３１表面にＳｉ原子を導入する材料のことである。例えば、第２レジスト層３１にポジ型の化学増幅レジストを用いた場合、これを選択的に露光した際、未露光部はポリマー中のＯＨ基がシリル化されるが、露光部では発生した酸によりポリマーが架橋するためシリル化されにくい。よって、このような露光部と未露光部のシリル化コントラストの差により、ドライ現像でパターンが形成されることになる。これに対してネガ型レジストの場合は、未露光部のＯＨ基が酸脱離基によりブロックされているために、シリル化されず露光部がドライ現像される。このようなシリル化剤としては、例えばトリメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、1,1,3,3-トリメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン等を用いることができる。
【００３８】
次に、形成した第２レジスト層３１に対して選択的にレーザー照射を行う。ここでは、図８に示すように、露光部３２と非露光部３１とが縞状となるように選択照射するものとしている。具体的には、干渉露光法（ここでは二光束干渉露光）を用いてピッチが１４０ｎｍの微細な縞状パターンとなるように露光を行っている。このような露光を行った後、ベーク（ＰＥＢ）を行うと、非露光部３１においてはシリル化剤が作用してシリル化が行われる一方、露光部３２ではレジストを構成するポリマーが架橋するため、シリル化が行われないものとなる。
【００３９】
続いて、露光後、図９に示すように酸素によるドライエッチングにより、上記露光部３２と、該露光部３２の下層にある第１レジスト層３０とを選択的に除去する工程を行う。このようなエッチング工程により、微細な縞状の溝部３４が現像された第１レジスト層３０及び第２レジスト層３１により囲まれて形成される。なお、ドライエッチングにより現像される非露光部３１の上層がＳｉＯ２化され、当該非露光部３１の上層が撥液性を有することとなる。
【００４０】
さらに、図１１に示すように、めっき時の濡れ性を良くするために、触媒として塩化スズを第１レジスト層３０及び第２レジスト層３１により取り囲まれた溝部３４に塗布する工程を行う。ここでは、溝部３４の底面及び側面（つまり溝部３４を取り囲むレジスト層３０，３１の側面）に塗布し、当該位置に親液層３３を形成する。
【００４１】
その後、溝部３４において、無電解めっきにより金属層１２を析出させる工程を行う。ここでは、銀鏡反応（無電解めっき）により銀薄膜を形成するものとしている。つまり、還元剤（Ｒ）の存在下、水溶液中で銀イオンを還元して、銀を溝部３４に析出させる方法を採用している。なお金属層１２を構成する金属としては、銀以外にも、例えば金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、インジウム、ビスマス、若しくはその合金のいずれかを用いることもできる。
【００４２】
最後に、残存する第１レジスト層３０及び第２レジスト層３１をエッチングにより除去する工程を行う。ここでは、エッチング液として東京応化社製剥離液１０６を用いて、これら第１レジスト層３０及び第２レジスト層３１を選択除去し、図１３に示すような、基板１１Ａ上に微細な金属層（ワイヤーグリッド）１２が所定周期で形成されてなる偏光板１を製造することができる。
【００４３】
このような偏光板の製造方法によると、有機材料を用いない偏光板１を簡便に製造することができ、該製造される偏光板１は耐光性及び耐熱性に非常に優れたものとなる。また、誘電体からなる基板１１Ａ上に、導電体としての金属層１２を縞状に形成することができ、この縞のピッチを１４０ｎｍ（可視光の波長以下）に設定しているため、金属ワイヤーグリッド型の偏光板１として機能することとなる。
【００４４】
また、金属層１２をレジスト３０，３１によって形成された溝部３４に無電解めっきにより形成しているため、複雑な積層工程を必要とせず、また１回のドライエッチングで済み、プロセスの簡略化が図られている。さらに、レジスト間に形成された溝部３４に対する無電解めっきによる金属層１２の形成では、当該金属層１２のドライエッチングを省くことができ、その結果、塩素化合物やホウ素化合物等の有害な物質を製造プロセス中に排出しない利点もある。
【００４５】
なお、本実施の形態では、微細構造を有する光学素子を偏光素子（偏光板）として用いる例を示したが、その他にも回折素子やＰＢＳ（Polarized Beam Splitter）、位相差板として用いることも可能である。また、本実施の形態では、プロジェクタとして投射型のものを例示したが、直視型のプロジェクタに対しても、上記偏光板１を用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本実施形態のプロジェクタの概略構成を示す模式図。
【図２】偏光板の一実施形態を模式的に示す斜視図。
【図３】偏光板の一実施形態を模式的に示す平面図。
【図４】偏光板の一実施形態を模式的に示す断面図。
【図５】偏光板の作用を示す説明図。
【図６】光変調装置として用いた液晶装置の一実施形態を模式的に示す断面図。
【図７】偏光板の製造方法における一工程を示す説明図。
【図８】図７に続く一工程を示す説明図。
【図９】図８に続く一工程を示す説明図。
【図１０】シリル化反応について模式的に示す説明図。
【図１１】図９に続く一工程を示す説明図。
【図１２】図１１に続く一工程を示す説明図。
【図１３】図１２に続く一工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００４７】
１，８３１〜８３６…偏光板、１１Ａ…基板、１２…金属層（格子、微細構造体）、１３…溝パターン、３０…第１レジスト層、３１…第２レジスト層、３２…露光部、３４…溝部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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