(57)【要約】【課題】容器の開口部の一部を覆う樹脂製のカバーに板状の外部接続端子が支持された構成の半導体モジュールにおいて、前記外部接続端子に対して外部電極を超音波接合で支障無く接合することができる半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体モジュール１０は電子部品１１が収容された容器１２と、容器１２の開口部の一部を覆うカバー１３とを備えている。電子部品が容器内に収容された半導体モジュールである。電子部品１１に一端がボンディングワイヤ１１ａを介して電気的に接続された板状の外部接続端子１７，１８は、その他端側がカバー１３に支持されるとともにカバー１３の外面に沿って延びるように形成されている。カバー１３の外部接続端子１７，１８の他端側と対応する位置に補強部材２０が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品がハウジング内に収容された半導体モジュールであって、
前記電子部品に一端側が電気的に接続された板状の外部接続端子は、その他端側が前記ハウジングの外部に延出されるとともに前記ハウジングの外面に沿う状態で設けられ、前記ハウジングの少なくとも前記外部接続端子の他端側と対応する位置に補強部材が設けられている半導体モジュール。
【請求項２】
前記ハウジングは、前記電子部品が収容された容器と、前記容器の開口部の少なくとも一部を覆うカバーとを備え、前記外部接続端子は、その他端側が前記カバーに支持されるとともに前記カバーの外面に沿って延びるように形成され、前記カバーの少なくとも前記外部接続端子の他端側と対応する位置に補強部材が設けられている請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記カバーは樹脂製の本体部に、前記補強部材が前記容器の底部側と反対側の面が前記外部接続端子の他端側と当接可能に露出する状態で設けられ、かつ前記外部接続端子の他端側と当接可能な面が粗面の状態に形成されている請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記カバーには、前記外部接続端子に押圧力が加えられた際に前記カバーの撓みを抑制可能な撓み抑制部材が前記補強部材より前記容器の底部側に設けられている請求項２又は請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記撓み抑制部材は、前記容器のカバーと交差する方向に延びる一対の壁部に跨る状態で設けられている請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記補強部材と前記撓み抑制部材とが一体に形成されている請求項４又は請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記外部接続端子は複数設けられ、前記補強部材及び前記撓み抑制部材は金属製で、前記補強部材は電気的絶縁材を介して相互に絶縁された状態で前記撓み抑制部材上に設けられている請求項４又は請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記補強部材及び前記撓み抑制部材は、インサート成形で前記カバーと一体に形成されている請求項２〜請求項７のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに係り、詳しくは電力の制御に使用するのに好適な半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
電力用半導体モジュールを例えばコンデンサと接続する場合、図１４に示すように、半導体モジュールのカバー４０に支持された正側及び負側外部接続端子４１，４２に対して、一端がコンデンサ４３のプラス端子４３ａ及びマイナス端子４３ｂに接続された銅板製の配線バー（外部電極）４４，４５がねじ４６で締め付け固定される。
【０００３】
また、大電力半導体装置（大電力半導体モジュール）において、基板上に固着された半導体チップの電極端子が基板上に形成された電極端子台に接続され、この電極端子台には少なくとも接合端部が板状の外部電極端子の一端が、超音波接合により接続された構成が開示されている（例えば、特許文献１参照）。この外部電極端子の一部、前記基板、前記基板上に固着された半導体チップ及び電極端子台は樹脂ケース内に収納されている。
【特許文献１】特開平１１−１９５７２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電力用半導体モジュールでは、正側及び負側外部接続端子４１，４２とコンデンサ４３のプラス端子４３ａ及びマイナス端子４３ｂとの間の配線インダクタンスを小さくする必要がある。このうち、配線バー４４，４５が上下に並行に配置された部分のインダクタンスは、配線バー４４，４５を流れる電流の向きが逆方向のためにほぼ零になる。しかし、正側及び負側外部接続端子４１，４２と配線バー４４，４５との接続部分においては、両外部接続端子４１，４２と両配線バー４４，４５との接続がねじ４６による締め付けで行われているため、見かけ上面接触となるが、実際はねじ４６による締め付け箇所の点（線）接触となり、インダクタンスは低減されない。その結果、半導体モジュールを構成する電力用半導体素子のスイッチング時におけるサージ電圧により半導体モジュールの破損や耐久性の低下を招く。また、ねじ４６による固定の場合は、ねじ４６の頭の高さ分、半導体モジュールの高さが高くなり、半導体モジュールの体格の薄型化に支障を来す。また、ねじ４６で締め付けるには、ねじ４６が挿通される孔を両外部接続端子４１，４２及び配線バー４４，４５に形成する必要があり、その分、接触面積が小さくなる。従って、必要な接触面積を確保するためには、少なくとも孔の分は両外部接続端子４１，４２及び配線バー４４，４５の接合部における面積を大きくする必要がある。
【０００５】
正側及び負側外部接続端子４１，４２と配線バー４４，４５との接続部分におけるインダクタンスの発生を抑制する方法として、正側及び負側外部接続端子４１，４２と配線バー４４，４５とを超音波接合により面全体で接合する方法が考えられる。しかし、超音波接合を行う場合は、接合箇所を接合ツール（ホーン）によって強く押圧した状態で振動を加える必要があるため、接合対象物を支持する部分が押圧力で変形しない強度を有する必要がある。しかし、正側及び負側外部接続端子４１，４２が容器の樹脂製のカバーに支持された構成の場合、接合ツールにより配線バー４４，４５を介して外部接続端子４１，４２に押圧力が加えられた場合、カバーの材質によっては外部接続端子４１，４２と対応する部分でカバーがへこみ、超音波接合に支障を来す。また、接合ツールにより加えられる押圧力によってカバー全体の撓みが大きくなると、超音波接合に支障を来す。
【０００６】
特許文献１では板状の外部電極端子が超音波接合により電極端子台に接続されているため、電極端子のように支持部から浮いた状態にあるものや撓み易い支持部で支持された物に対する超音波接合に対する前記問題に関しては何ら配慮がなされていない。
【０００７】
本発明の目的は、ハウジング内に収容された電子部品に一端側が電気的に接続された板状の外部接続端子の他端が、ハウジングの外面に露出する状態で設けられた構成の半導体モジュールにおいて、前記外部接続端子に対して外部電極を超音波接合で支障無く接合することができる半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、電子部品がハウジング内に収容された半導体モジュールである。そして、前記電子部品に一端側が電気的に接続された板状の外部接続端子は、その他端側が前記ハウジングの外部に延出されるとともに前記ハウジングの外面に沿う状態で設けられ、前記ハウジングの少なくとも前記外部接続端子の他端側と対応する位置に補強部材が設けられている。
【０００９】
この発明では、外部接続端子に外部電極を超音波接合で接合するため、接合ツールが外部電極を押圧した状態で振動を行う際、外部接続端子に作用する押圧力が補強部材で担われるため、外部接続端子がへこむことが抑制される。その結果、外部電極と外部接続端子との対向面が平面を維持して接触した状態で、外部電極が外部接続端子に対して相対滑り運動を行い、外部接続端子に対する外部電極の超音波接合を良好に行うことができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ハウジングは、前記電子部品が収容された容器と、前記容器の開口部の少なくとも一部を覆うカバーとを備え、前記外部接続端子は、その他端側が前記カバーに支持されるとともに前記カバーの外面に沿って延びるように形成され、前記カバーの少なくとも前記外部接続端子の他端側と対応する位置に補強部材が設けられている。
【００１１】
カバーは、容器の内部と外部を区画する役割を果たすため、内側に空間が存在するので外側から押圧力が作用すると撓み易い。しかし、この発明では、外部接続端子に外部電極を超音波接合で接合するため、接合ツールが外部電極を押圧した状態で振動を行う際、外部接続端子に作用する押圧力が補強部材で担われるため、外部接続端子に対する外部電極の超音波接合を良好に行うことができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記カバーは樹脂製の本体部に、前記補強部材が前記容器の底部側と反対側の面が前記外部接続端子の他端側と当接可能に露出する状態で設けられ、かつ前記外部接続端子の他端側と当接可能な面が粗面の状態に形成されている。ここで「粗面」とは、外部電極を外部接続端子に超音波接合するため補強部材に押圧された状態で押圧面に沿う方向の力が加わった際に、外部接続端子が補強部材に対して相対移動不能な摩擦抵抗を生じる粗さの面を意味する。
【００１３】
この発明では、外部接続端子に外部電極を超音波接合で接合するため、外部接続端子上に配置された外部電極を接合ツールが押圧した状態で高周波振動を行った場合、外部接続端子は補強部材の粗面部分に押圧されているため、外部接続端子が補強部材に対して相対移動することが防止される。その結果、接合ツールが外部電極を押圧した状態で高周波振動を加えた場合に、外部電極が外部接続端子に対して高い振動数の相対滑り運動を起こし、外部接続端子に対する外部電極の超音波接合を良好に行うことができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は請求項３に記載の発明において、前記カバーには、前記外部接続端子に押圧力が加えられた際に前記カバーの撓みを抑制可能な撓み抑制部材が前記補強部材より前記容器の底部側に設けられている。外部接続端子に外部電極を超音波接合するため、接合ツールで外部電極を押圧した状態で振動を加える場合、外部接続端子がへこむことが抑制された状態であっても、カバー全体が撓むと、撓み状態によっては超音波接合に支障を来す。しかし、この発明では、撓み抑制部材の存在によりカバーの撓みが抑制され、外部接続端子に対する外部電極の超音波接合を良好に行うことができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記撓み抑制部材は、前記容器のカバーと交差する方向に延びる一対の壁部に跨る状態で設けられている。この発明では、撓み抑制部材をカバーと交差する方向に延びる一対の壁部の間と対応する位置に設ける場合に比較して、カバーの撓みをより抑制することができる。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は請求項５に記載の発明において、前記補強部材と前記撓み抑制部材とが一体に形成されている。この発明では、補強部材と撓み抑制部材とが別体に形成されたものに比較して、補強部材及び撓み抑制部材を備えたカバーを容易に製造することができる。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、請求項４又は請求項５に記載の発明において、前記外部接続端子は複数設けられ、前記補強部材及び前記撓み抑制部材は金属製で、前記補強部材は電気的絶縁材を介して前記撓み抑制部材上に設けられている。この発明では、補強部材及び撓み抑制部材を金属製とした場合は他の材質、例えば、複合材製とした場合に比較して製造コストを低減できる。また、複数の外部接続端子同士の短絡が電気的絶縁材により防止される。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、請求項２〜請求項７のいずれか一項に記載の発明において、前記補強部材及び前記撓み抑制部材は、インサート成形で前記カバーと一体に形成されている。従って、この発明では、補強部材をカバーに形成された凹部に収容して接着剤で接着固定したり、撓み抑制部材をカバーに貼付したりして形成する場合に比較して、製造が簡単になる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、容器の開口部の一部を覆う樹脂製のカバーに板状の外部接続端子が支持された構成の半導体モジュールにおいて、前記外部接続端子に対して外部電極を超音波接合で支障無く接合することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、半導体モジュール１０は、電子部品１１が収容された容器１２と、容器１２の開口部の一部を覆うカバー１３とを備えている。容器１２及びカバー１３で、ハウジングが構成されている。容器１２は、底部としてのベース部１４と、ベース部１４の周縁に突設された側壁１５ａ，１５ｂ，１５ｃとを備えている。図１（ｂ）に示すように、側壁１５ａ，１５ｂの上部にはカバー１３を横方向への移動を規制した状態で支持する段差部１６が形成され、カバー１３は段差部１６に係合するように取り付けられている。カバー１３と段差部１６との間には図示しない接着剤が塗布され、カバー１３は容器１２に固定されている。
【００２１】
電子部品１１はベース部１４上に設けられ、電子部品１１としては電力用半導体素子やダイオード等がある。電子部品１１に一端がボンディングワイヤ１１ａを介して電気的に接続された板状の外部接続端子１７，１８は、その他端側がカバー１３に支持されるとともにカバー１３の外面に沿って延びるように形成されている。
【００２２】
外部接続端子１７，１８は、対向する一対の側壁１５ａ，１５ｂ間に設けられた側壁１５ｃに一部が埋設されるとともに、ボンディングワイヤ１１ａが接続される一端側がベース部１４と平行に延びる状態で露出し、他端側が側壁１５ｃの上端から突出するようにインサート成形されている。そして、側壁１５ｃの上端から突出した部分がカバー１３を貫通してカバー１３より上側に突出するとともに、その突出した部分がカバー１３の上面に沿って延びるように屈曲した形状に形成されている。また、一端側が電子部品１１に電気的に接続された板状の出力端子１９も、他端側が側壁１５ｃの上端から突出するようにインサート成形されている。そして、側壁１５ｃの上端から突出した部分がカバー１３を貫通してカバー１３より上側に突出するとともに、その突出した部分がカバー１３の上面に沿って延びるように屈曲した形状に形成されている。
【００２３】
カバー１３は、ベース部１４と対向する側に、ベース部１４側に設けられた構造物との干渉を回避する空間Ｓが設けられるように形成されている。この実施形態では、ボンディングワイヤ１１ａが前記構造物となる。
【００２４】
カバー１３は樹脂製の本体部１３ａに、補強部材２０が外部接続端子１７，１８の他端側と当接可能に露出する状態で設けられている。また、カバー１３には出力端子１９の他端側と対応する位置にも補強部材２０が設けられている。補強部材２０は容器１２のベース部１４側と反対側の面２０ａが外部接続端子１７，１８及び出力端子１９の他端側と当接可能に露出する状態で、カバー１３に設けられている。カバー１３は樹脂製で、補強部材２０はインサート成形でカバー１３と一体に形成されている。補強部材２０は金属製（例えば、鉄製）で、外部接続端子１７，１８と当接可能な面２０ａが粗面の状態に形成されている。粗面の状態は、例えば、面２０ａにローレット加工を施したり、サンドブラストで面２０ａを荒らしたりすることにより形成される。
【００２５】
次に半導体モジュール１０の製造方法における一工程である容器１２に対するカバー１３の取付け方法及び外部接続端子１７，１８及び出力端子１９のカバー１３に対する取付け方法を説明する。
【００２６】
外部接続端子１７，１８の一端と電子部品１１とのボンディングワイヤ１１ａによる接続作業等の容器１２内の作業が完了した後、図２（ａ）に示すように、外部接続端子１７，１８の側壁１５ｃの上端から突出する部分が真っ直ぐ延びる状態でカバー１３を貫通するように、カバー１３が容器１２に取り付けられる。なお、出力端子１９も同様にカバー１３を貫通する。
【００２７】
次に図２（ｂ）に示すように、外部接続端子１７，１８及び出力端子１９のカバー１３からの突出部がカバー１３の上面、即ち補強部材２０の面２０ａに沿ってほぼ当接する状態で延びるように屈曲される。以上により、容器１２に対するカバー１３の取付け及び外部接続端子１７，１８及び出力端子１９のカバー１３に対する取付けが完了する。
【００２８】
次に前記のように構成された半導体モジュール１０の作用を説明する。この半導体モジュール１０は、例えば、自動車の電源装置の一部を構成するものとして使用され、図３に示すように、両外部接続端子１７，１８が板状の外部電極２１，２２を介してコンデンサ２３のプラス端子２３ａ及びマイナス端子２３ｂに電気的に接続される。両外部電極２１，２２は、外部接続端子１７，１８と接合される部分を除いた部分に電気的絶縁部材（図示せず）が介在された状態で、外部接続端子１７，１８に接合される。また、出力端子１９は配線を介してモータ（いずれも図示せず）に接続される。
【００２９】
外部電極２１，２２は、その一端において外部接続端子１７，１８にそれぞれ超音波接合により接合される。超音波接合の際には、外部接続端子１７，１８の上に外部電極２１，２２の端部が載置されるとともに、外部電極２１，２２の端部上面に超音波接合用の接合ツール２４（ホーン）が押圧されて水平方向の振動が加えられる。なお、図４は外部接続端子１８と外部電極２２との超音波接合の状態を示している。外部接続端子１７，１８の接合部はカバー１３からの突出部が補強部材２０の面２０ａに沿うように屈曲されただけで特に接着剤等で固着されていないため、面２０ａとの間に隙間が存在する場合もある。しかし、接合ツール２４により外部電極２１，２２を介して押圧力が加えられることで、補強部材２０の面２０ａに押圧された状態となる。補強部材２０は金属製のため外部接続端子１７，１８を介して押圧力を受けてもへこむことがなく平面を保持する。
【００３０】
そして、その状態で外部電極２１，２２に接合ツール２４の振動が加わり、外部電極２１，２２は水平方向に振動される。外部接続端子１７，１８の外部電極２１，２２に対する接触面と反対側の面と、補強部材２０の面２０ａとの摩擦抵抗が小さな場合は、外部接続端子１７，１８が水平方向への力を受けると面２０ａに沿って相対移動し易い。そのため、外部接続端子１７，１８が外部電極２１，２２と共に振動する状態となり、外部電極２１，２２が外部接続端子１７，１８に対して相対移動されない状態となる。しかし、面２０ａが粗面に形成されているため、外部接続端子１７，１８の面２０ａに対する相対移動が確実に阻止され、外部電極２１，２２が外部接続端子１７，１８に対して高い振動数の相対滑り運動を起こし、超音波接合が良好に行われる。出力端子１９に対する配線の接続も超音波接合により行われる。
【００３１】
なお、外部接続端子１７，１８の上面は同じ高さであるが、外部電極２１，２２は絶縁材を挟んで上下に重なる状態で配置されるため、上側に配置される外部電極２２は外部接続端子１８に接合される端部が一段低くなるように屈曲形成されている。
【００３２】
前記のように外部接続端子１７，１８に対して外部電極２１，２２が超音波接合により電気的に接続された半導体モジュール１０を使用すると、外部接続端子１７，１８と外部電極２１，２２との接合部にインダクタンスが発生するのが抑制される。従って、半導体モジュール１０を構成する電力用半導体素子のスイッチング時におけるサージ電圧の発生が抑制される。その結果、サージ電圧による半導体モジュール１０の破損が抑制されるとともに、半導体モジュール１０を構成する電子部品１１として耐圧の低いものを使用することが可能となり、コスト低下に寄与する。
【００３３】
また、ねじにより外部接続端子１７，１８と外部電極２１，２２とを締め付ける場合と異なり、ねじの頭の高さ分、半導体モジュール１０の高さを低くでき、半導体モジュール１０の体格の薄型化が可能になる。また、ねじが挿通される孔を外部接続端子１７，１８及び外部電極２１，２２に形成する必要がなく、その分、必要な接触面積を確保するために必要な両外部接続端子１７，１８及び外部電極２１，２２の接合部における面積を小さくすることができ、半導体モジュール１０の小型化が可能になる。
【００３４】
この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）半導体モジュール１０は、容器１２内に収容された半導体素子等の電子部品１１に一端側が電気的に接続された板状の外部接続端子１７，１８を備えている。そして、外部接続端子１７，１８は、その他端側が容器１２の開口部の一部を覆うカバー１３に支持されるとともにカバー１３の外面に沿って延びるように形成され、カバー１３の少なくとも外部接続端子１７，１８の他端側と対応する位置に補強部材２０が設けられている。従って、外部接続端子１７，１８に外部電極２１，２２を超音波接合で接合するため、接合ツールが外部電極２１，２２を押圧した状態で振動を行う際、外部接続端子１７，１８に作用する押圧力が補強部材２０で担われるため、外部接続端子１７，１８がへこむことが抑制される。その結果、外部電極２１，２２と外部接続端子１７，１８との対向面が平面を維持して接触した状態で、外部電極２１，２２が外部接続端子１７，１８に対して相対滑り運動を行い、外部接続端子１７，１８に対する外部電極２１，２２の超音波接合を良好に行うことができる。その結果、半導体モジュール１０の使用時に、外部接続端子１７，１８と外部電極２１，２２との接合部におけるインダクタンスの発生を抑制することができるとともに、電子部品１１として耐圧の低いものを使用することができる。また、外部接続端子１７，１８と外部電極２１，２２との接合にねじを使用する場合に比較して、半導体モジュール１０の体格の小型化、薄型化（低背化）を可能にすることができる。
【００３５】
（２）カバー１３は樹脂製の本体部１３ａに、補強部材２０が容器１２の底部側と反対側の面２０ａが外部接続端子１７，１８の他端側と当接可能に露出する状態で設けられ、かつ外部接続端子１７，１８の他端側と当接可能な面２０ａが粗面の状態に形成されている。従って、超音波接合を行うため、外部接続端子１７，１８上に配置された外部電極２１，２２を接合ツール２４が押圧した状態で高周波振動を行った場合、外部接続端子１７，１８は補強部材２０の粗面部分に押圧されているため、外部接続端子１７，１８が補強部材２０に対して相対移動することが防止される。その結果、接合ツール２４が外部電極２１，２２を押圧した状態で高周波振動を加えた場合に、外部電極２１，２２が外部接続端子１７，１８に対して高い振動数の相対滑り運動を起こし、外部接続端子１７，１８に対する外部電極２１，２２の超音波接合を良好に行うことができる。
【００３６】
（３）補強部材２０はインサート成形で前記カバー１３と一体に形成されている。従って、補強部材２０をカバー１３に形成された凹部に収容して接着剤で接着固定して形成する場合に比較して、製造が簡単になるとともに製造コストを低減できる。
【００３７】
（４）カバー１３は、容器１２の側壁１５ａ，１５ｂに固定されている。従って、外部接続端子１７，１８に外部電極２１，２２を接合する際に、外部接続端子１７，１８が外部電極２１，２２に加えられる振動でより移動され難くなる。その結果、外部電極２１，２２が外部接続端子１７，１８に対して高い振動数の相対滑り運動を起こし易くなり、超音波接合をより良好に行うことができる。
【００３８】
（５）カバー１３は、ベース部１４と対向する側に、ベース部１４側に設けられた構造物としてのボンディングワイヤ１１ａとの干渉を回避する空間Ｓが設けられている。従って、空間Ｓを設けない構成に比較して、半導体モジュール１０の体格を小さく形成することが可能になる。
【００３９】
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した第２の実施形態を図５及び図６を参照しながら説明する。この第２の実施形態は、カバーの構造が前記第１の実施形態と異なっており、その他の構成は第１の実施形態と基本的に同様である。第１の実施形態と基本的に同様の部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４０】
図５に示すように、カバー１３には、外部接続端子１７，１８あるいは出力端子１９に押圧力が加えられた際にカバー１３の撓みを抑制可能な撓み抑制部材２５が補強部材２０より容器１２の底部側（ベース部１４側）に設けられている。撓み抑制部材２５は、側壁１５ａ，１５ｂの段差部１６間に跨る長さに形成されている。即ち、撓み抑制部材２５は、容器１２のカバー１３と交差する方向に延びる一対の壁部である側壁１５ａ，１５ｂに跨る状態で設けられている。補強部材２０及び撓み抑制部材２５は、インサート成形でカバー１３と一体に形成されている。撓み抑制部材２５は金属製のため、補強部材２０相互の電気的絶縁を確保するため、隣り合う補強部材２０間及び補強部材２０と撓み抑制部材２５との間に電気的絶縁材である本体部１３ａの樹脂が存在する状態にインサート成形されている。即ち、外部接続端子１７，１８は複数設けられ、補強部材２０及び撓み抑制部材２５は金属製で、補強部材２０は電気的絶縁材を介して撓み抑制部材上に設けられている。
【００４１】
従って、この実施形態によれば、第１の実施形態における（１）〜（５）と同様の効果の他に次の効果を得ることができる。
（６）カバー１３には、外部接続端子１７，１８に押圧力が加えられた際にカバー１３の撓みを抑制可能な撓み抑制部材２５が補強部材２０より容器１２の底部側に設けられている。外部接続端子１７，１８に外部電極２１，２２を超音波接合するため、接合ツール２４で外部電極２１，２２を押圧した状態で振動を加える場合、外部接続端子１７，１８がへこむことが抑制された状態であっても、カバー１３全体が撓む場合がある。そして、本体部１３ａを構成する樹脂の種類や厚さによっては、図６（ｂ）に示すように、カバー１３全体が超音波接合に支障を来す状態になるまで撓む場合がある。しかし、この実施形態では、撓み抑制部材２５の存在により図６（ａ）に示すように、カバー１３の撓みが抑制され、外部接続端子１７，１８に対する外部電極２１，２２の超音波接合を良好に行うことができる。なお、図６（ｂ）は、模式的に撓みを強調して描いている。
【００４２】
（７）撓み抑制部材２５は、容器１２のカバー１３と交差する方向に延びる一対の壁部（側壁１５ａ，１５ｂ）に跨る状態で設けられている。従って、撓み抑制部材２５を側壁１５ａ，１５ｂの間と対応する位置に設ける場合に比較して、カバー１３の撓みをより抑制することができる。
【００４３】
（８）外部接続端子１７，１８は複数設けられ、補強部材２０及び撓み抑制部材２５は金属製で、補強部材２０は電気的絶縁材を介して撓み抑制部材２５上に設けられている。従って、補強部材２０及び撓み抑制部材２５を金属製とした場合は他の材質、例えば、複合材製とした場合に比較して製造コストを低減できる。また、複数の外部接続端子１７，１８同士の短絡が電気的絶縁材により防止される。
【００４４】
（９）補強部材２０及び撓み抑制部材２５は、インサート成形でカバー１３と一体に形成されている。従って、補強部材２０をカバー１３に形成された凹部に収容して接着剤で接着固定したり、撓み抑制部材２５をカバー１３に貼付したりして形成する場合に比較して、製造が簡単になるとともに製造コストを低減できる。
【００４５】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  複数の補強部材２０と撓み抑制部材２５とを全て別体で構成する代わりに一部を一体に形成してもよい。例えば、図７（ａ）に示すように、一つの補強部材２０と撓み抑制部材２５とを、撓み抑制部材２５の中央に補強部材２０が配置された状態に金属製で一体に形成する。そして、他の補強部材２０は撓み抑制部材２５と別に形成するとともに樹脂を介して中央の補強部材２０の両側に配置した状態でカバー１３を形成する。また、中央の補強部材２０に代えて、いずれか一方の端部側の補強部材２０を撓み抑制部材２５と一体に形成してもよい。これらの場合、補強部材２０と撓み抑制部材２５とが別体に形成されたものに比較して、部品点数が少なくなって補強部材２０及び撓み抑制部材２５を備えたカバー１３を容易に製造することができる。
【００４６】
○  補強部材２０は金属製に限らず、接合ツール２４により加えられる押圧力に耐える強度を備えていればよく、例えば、繊維強化樹脂等の複合材で形成してもよい。補強部材２０を電気的絶縁材製の複合材で形成する場合、補強部材２０と撓み抑制部材２５とを一体に形成してもよい。補強部材２０及び撓み抑制部材２５を一体に形成する場合、図７（ｂ）に示すように撓み抑制部材２５の上に複数の補強部材２０が突出する形状に形成し、隣接する補強部材２０の間に樹脂を充填したり、補強部材２０及び撓み抑制部材２５を補強部材２０の面２０ａを除いて樹脂でモールドしたりしてもよい。また、カバー１３全体を電気的絶縁材製の複合材で形成して、カバー１３が補強部材２０及び撓み抑制部材２５を兼用してもよい。
【００４７】
○  補強部材２０は必ずしも面２０ａがカバー１３から露出して外部接続端子１７，１８に当接可能に設けられた構成に限らず、面２０ａが樹脂で被覆された構成としてもよい。
【００４８】
○  撓み抑制部材２５は、容器１２のカバー１３と交差する方向に延びる一対の壁部（側壁１５ａ，１５ｂ）に跨る状態で設けられる構成に限らず、図８に示すように、撓み抑制部材２５をカバー１３と交差する方向に延びる一対の壁部（側壁１５ａ，１５ｂ）の間と対応する位置に設けてもよい。しかし、一対の側壁１５ａ，１５ｂに跨る構成の方がカバー１３の撓みを抑制することができる。
【００４９】
○  外部電極２１，２２の外部接続端子１７，１８に対して超音波接合で接合される部分の形状は、単純な長方形状に限らず、図９に示すように、櫛歯状に形成して各櫛歯部２１ａ，２２ａがそれぞれ外部接続端子１７，１８に接合される構成にしてもよい。また、外部接続端子１７，１８の形状も櫛歯部２１ａ，２２ａに対応する櫛歯状に形成してもよい。櫛歯部２１ａ，２２ａ各櫛歯の幅Ｗは、例えば、１０ｍｍ以下が好ましい。この場合、各櫛歯部２１ａ，２２ａを順に接合ツール２４により外部接続端子１７，１８に超音波接合で接合できるため、全体としての接合部の面積が同じ場合に、超音波接合に必要な接合ツール２４のエネルギーを少なくすることができる。
【００５０】
○  出力端子１９に接続される配線は必ずしも板状に限らず、配線の出力端子１９に対する接合も超音波接合に限らず、ねじで締め付けて電気的に接続してもよい。従って、出力端子１９の他端側と対応する位置には補強部材２０を設けず、外部接続端子１７，１８と対応する位置にのみ補強部材２０を設けてもよい。
【００５１】
○  カバー１３はベース部１４の上方を全て覆う構成に限らず、例えば、図１０に示すように、二点鎖線で示す外部電極２１，２２で覆われる部分を除いた部分を覆う構成としてもよい。
【００５２】
○  外部接続端子１７，１８に外部電極２１，２２を超音波接合する際に、接合ツール２４による押圧力でカバー１３が撓むのを抑制するため、例えば、図１１に示すように、両側壁１５ａ，１５ｂ間に支柱１５ｄを設けてもよい。支柱１５ｄは、外部接続端子１７，１８や出力端子１９と干渉しない位置に設けられ、上端がカバー１３の下面に当接した状態でカバー１３を支持する。
【００５３】
○  外部接続端子１７，１８は、他端がカバー１３を貫通した状態で外部に延出されてカバー１３の外面に沿う状態で設けられる構成に限らない。例えば、図１２に示すように、容器１２の側壁１５ｃを貫通するように外部接続端子１７，１８を延出するとともに、側壁１５ｃの外面に沿う状態で設けてもよい。そして、側壁１５ｃに、補強部材２０が外部接続端子１７，１８の他端側と当接可能に露出する状態で設ける。この場合、外部接続端子１７，１８の長さを短くできる。また、カバー１３は必須ではなくなり、カバー１３を設ける場合でもカバー１３を薄くでき、半導体モジュール１０の小型化に貢献する。
【００５４】
○  外部接続端子１７，１８の他端側をベース部１４と平行な状態で設ける場合であっても、外部接続端子１７，１８の他端側をカバー１３を貫通して容器１２（ハウジング）の外部に延出された構成に限らない。例えば、図１３に示すように、外部接続端子１７，１８の他端側が側壁１５ｃを貫通して側壁１５ｃの上側に延出するとともに、側壁１５ｃの上面に沿う状態で設けてもよい。そして、側壁１５ｃの上面に、補強部材２０を外部接続端子１７，１８の他端側と当接可能に露出する状態で設ける。補強部材２０は金属製（例えば、鉄製）で、外部接続端子１７，１８と当接可能な面２０ａが粗面の状態に形成されている。補強部材２０を設けずに、外部接続端子１７，１８の他端側が側壁１５ｃを貫通して側壁１５ｃの上側に延出するとともに、側壁１５ｃの上面に沿って設けられる構成の場合、カバー１３の場合に比較して、接合ツール２４で押圧された時に変形し難い。しかし、側壁１５ｃが樹脂製の場合、樹脂の種類によっては接合ツール２４の押圧状態での振動に耐えられず、超音波接合が行えない場合もある。しかし、金属製で粗面加工が施された補強部材２０に当接するように設けることで、そのような問題を回避することができる。この場合もハウジングは、カバー１３がなくても、あってもよい。
【００５５】
○  カバー１３の下方と対応する位置に設けられる空間Ｓに収容される構造物はボンディングワイヤ１１ａに限らず、電子部品１１の一部を収容してもよい。
○  カバー１３を側壁１５ａ，１５ｂに形成された段差部１６に取り付ける構成においては、カバー１３は接着剤等を使用せずに側壁１５ａ，１５ｂに嵌合するだけで側壁１５ａ，１５ｂに固定してもよい。
【００５６】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）請求項１〜請求項８に記載の発明において、前記外部接続端子の前記補強部材と対応する部分は櫛歯状に形成されている。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第１の実施形態を示し、（ａ）は半導体モジュールの部分概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線模式断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線模式断面図。
【図２】（ａ），（ｂ）は半導体モジュールの製造途中の部分模式断面図
【図３】半導体モジュールとコンデンサとを接続した状態の部分概略平面図。
【図４】超音波接合状態を示す模式断面図。
【図５】第２の実施形態における半導体モジュールの模式断面図。
【図６】（ａ），（ｂ）は超音波接合時の作用を説明する模式断面図。
【図７】（ａ），（ｂ）は別の実施形態の部分模式断面図。
【図８】別の実施形態の模式断面図。
【図９】別の実施形態の部分模式平面図。
【図１０】別の実施形態の模式断面図。
【図１１】別の実施形態の模式断面図。
【図１２】別の実施形態の模式断面図。
【図１３】別の実施形態の模式断面図。
【図１４】従来技術の模式平面図。
【符号の説明】
【００５８】
１０…半導体モジュール、１１…電子部品、１２…ハウジングを構成する容器、１３…同じくカバー、１３ａ…本体部、１７，１８…外部接続端子、２０…補強部材、２０ａ…面、２５…撓み抑制部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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