(57)【要約】【課題】同一データを得るために再接近する必要なしに高速でデータ処理を行えるＤＤＲを用いたデータスキャンシステムおよびその方法を提供する。【解決手段】データの入力部１０、水平方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いてデータを保存する第１および第２ＤＤＲメモリ５７,５８、これらにデータを保存するように制御するとともに、これらから保存されたデータを読むように制御し、第１または第２ＤＤＲメモリから保存されたデータを読むとき、ページの二列以上のデータから同じ行に該当するデータを同時に読むように制御するＤＤＲコンコトローラ５４、同時に読んだデータを保存する出力バッファ５６、およびＤＤＲコンコトローラ５４によって読まれたデータおよび出力バッファ５６に保存された残りの列のデータを出力する出力部８０を含んでＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムを構成する。【選択図】        図６
2007047750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムにおいて、
前記データの入力を受ける入力部、
水平方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いて前記データを保存する第１および第２ＤＤＲメモリ、
前記第１または第２ＤＤＲメモリに前記データを保存するように制御するとともに、前記第１または第２ＤＤＲメモリから保存された前記データを読むように制御し、前記第１または第２ＤＤＲメモリから保存された前記データを読むとき、前記ページの二列以上のデータから同じ行に該当するデータを同時に読むように制御するＤＤＲコンコトローラ、
同時に読んだ前記データを保存する出力バッファ、および
前記ＤＤＲコンコトローラによって読まれた前記データおよび前記出力バッファに保存された前記残りの列のデータを出力する出力部
を含むＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項２】
前記ＤＤＲコンコトローラによって前記データが第１または第２ＤＤＲメモリに保存されるとき、連続的に増加するバーストモードが用いられることを特徴とする請求項１に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項３】
前記ＤＤＲコンコトローラによって前記データが第１または第２ＤＤＲメモリから読まれるとき、バーストモードが用いられることを特徴とする請求項１または２に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項４】
前記ＤＤＲコンコトローラは、前記出力部が、前記最初の列のデータを出力した後で前記残りの列のデータを出力するように制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項５】
前記出力バッファは、１列以上含まれることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項６】
ＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムにおいて、
前記データの入力を受ける入力部、
入力を受けた前記データを保存する入力バッファ、
垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いて前記データを保存する第１および第２ＤＤＲメモリ、
前記第１または第２ＤＤＲメモリに前記データを保存するように制御するとともに、前記第１または第２ＤＤＲメモリから保存された前記データを読むように制御し、前記第１または第２ＤＤＲメモリに前記データを保存するとき、前記入力バッファに保存された行のデータと現在入力部に入力される行のデータから同じ列に該当するデータを同時に保存するように制御するＤＤＲコンコトローラ、および
前記ＤＤＲコンコトローラによって読まれた前記データを出力する出力部
を含むＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項７】
前記ＤＤＲコンコトローラによって前記データが第１または第２ＤＤＲメモリから読まれるとき、連続的に増加するバーストモードが用いられることを特徴とする請求項６に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項８】
前記ＤＤＲコンコトローラによって前記データが第１または第２ＤＤＲメモリに保存されるとき、バーストモードが用いられることを特徴とする請求項６または７に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項９】
前記ＤＤＲコンコトローラは、前記最後の行のデータを除いた前記残りの行のデータを、前記最後の行のデータが保存される前に、前記第１または第２メモリに保存するように制御することを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項１０】
前記入力バッファは、１行以上含まれることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項１１】
前記ページのＣＯＬアドレスの配置は、前記ＤＤＲメモリに予めセッティングされたバーストモードによって変わることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項１２】
前記第１または第２ＤＤＲメモリのメモリセルのデータビット数は、前記データの一ピクセルデータより大きいことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項１３】
前記ＤＤＲコンコトローラは、前記第１ＤＤＲメモリおよび前記第２ＤＤＲメモリのうちいずれか一つのＤＤＲメモリに前記データが保存されるように制御する間、他のＤＤＲメモリから前記データを読むように制御することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項１４】
前記ＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムは、前記データの入力方向および出力方向を異にするディスプレイ装置に適用されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャンシステム。
【請求項１５】
ＤＤＲを用いたデータのスキャン方法において、
データの入力を受ける段階、
前記データを、水平方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いて第１または第２ＤＤＲメモリに保存する段階、
前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存された前記データを前記ページを用いて読む込むとき、前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存された前記データの前記ページの二列以上のデータから同じ行に該当するデータを同時に読む段階、
同時に読んだ前記データを出力バッファに保存する段階、および
前記データを出力する段階
を含むＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項１６】
前記データを第１または第２ＤＤＲメモリに保存する段階では、連続的に増加するバーストモードを用いることを特徴とする請求項１５に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項１７】
前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存されたデータを読む段階では、バーストモードを用いることを特徴とする請求項１５または１６に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項１８】
前記残りの列のデータは、前記最初の列のデータが出力された後で出力されることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項１９】
ＤＤＲを用いたデータのスキャン方法において、
データの入力を受ける段階、
入力を受けた前記データを入力バッファに保存する段階、
前記データを、垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いて第１または第２ＤＤＲメモリに保存するとき、前記入力バッファに保存された行のデータおよび現在入力を受けた行のデータから同じ列に該当するデータを同時に保存する段階、
前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存された前記データを前記ページを用いて読む段階、および
前記データを出力する段階
を含むＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項２０】
前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存されたデータを読む段階では、連続的に増加するバーストモードを用いることを特徴とする請求項１９に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項２１】
前記データを第１または第２ＤＤＲメモリに保存する段階では、バーストモードを用いることを特徴とする請求項１９または２０に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項２２】
前記残りの行のデータは、前記最後の行のデータが保存される前に前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存することを特徴とする請求項１９〜２１のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項２３】
前記ページのＣＯＬアドレスの配置は、前記ＤＤＲメモリに予めセッティングされたバーストモードによって変わることを特徴とする請求項１５〜２２のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項２４】
前記第１または第２ＤＤＲメモリのメモリセルのデータビット数は、前記データの一ピクセルデータと同じか、それより大きいことを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【請求項２５】
前記データを第１または第２ＤＤＲメモリに保存する段階と、前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存された前記データを読む段階は、同時に行われることを特徴とする請求項１５〜２４のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたスキャン方法。
【請求項２６】
前記ＤＤＲを用いたスキャン方法は、前記データの入力方向および出力方向を異にするディスプレイ装置に適用されることを特徴とする請求項１５〜２５のいずれか一項に記載のＤＤＲを用いたデータのスキャン方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムおよびその方法に関するものであり、特にＳＯＭ（Ｓｐａｔｉａｌ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）またはＧＬＶ（Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｌｉｇｈｔ  Ｖａｌｖｅｓ）を用いたディスプレイ装置等に適用し得るＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムおよびその方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＣＲＴまたはＬＣＤなどのディスプレイ装置では、映像信号の入力方向および出力方向が同一であるが、ＳＯＭまたはＧＬＶを用いたディスプレイ装置では、映像データを水平方向に保存して垂直方向に出力するので、映像データの入力方向および出力方向が相異なる。
【０００３】
本発明に係るＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムおよびその方法は、ＳＯＭまたはＧＬＶを用いたディスプレイ装置に適用される。すなわち、水平方向にデータを保存した後、垂直方向にデータを同時にディスプレイする。このとき、水平方向に入力されるデータを垂直方向に出力するためには、一フレームに該当するデータを保存してから、次のフレームのデータが入力される間に出力すべきである。したがって、このディスプレイ装置に用いられるメモリにおいては、短時間内に大容量のデータを処理する高速データ処理が可能になるべきである。
【０００４】
一般に、大容量のデータを保存できるメモリとしては、ＤＲＡＭの一例であるＳＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＤＲ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ）−ＳＤＲＡＭ、ＤＤＲ２-ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ（Ｒａｍｂｕｓ−ＤＲＡＭ）などが挙げられ、ＧＬＶを用いたディスプレイ装置には、ＳＤＲＡＭがデータ保存手段として用いられる。
【０００５】
図１−ａは、ＤＲＡＭアドレス構造を示した図で、図１−ｂは、複数個のセルからなるページ（以下「ページ」という）の構造を示した図である。
【０００６】
ディスプレイ画面は、一つのフレーム５００をなしており、図１−ａに示すように、一つのフレームは、複数のページ１００−１，１００−２，１００−３、・・・に分割される。また、それぞれのページ１００−１，１００ー２，・・・，１００−ｎには、ＲＯＷアドレスが割り当てられる。ＤＲＡＭでは、ＬＯＷアドレスマッピングを通して、多数のページ１００−１，１００−２，・・・，１００−ｎのうち所望のページを活性化し、該当するメモリに接近（アクセス）することができる。
【０００７】
また、図１−ｂに示すように、一つのページ１００−１内には、多数のメモリセルが含まれており、それぞれのメモリセルは、ＣＯＬアドレスを有する。図１−ｂのページ１００は、ＣＯＬアドレスが水平方向に増加し、０〜１５の１６個のＣＯＬアドレスを有する。
【０００８】
一方、データの読み／書きにおいて、同じページ内のメモリセルに接近するときは比較的速く接近できるが、他のページ内のセルに接近するときは新しいＲＯＷアドレスを指定すべきである。すなわち、ページ１００−１に含まれた各メモリセルの間では比較的速く接近できるが、ページ１００−１からページ１００−２に含まれたメモリセルに接近する場合は、ページ１００−２に該当するＲＯＷアドレスを新しく指定すべきである。また、上記の過程で、ページミス（ｐａｇｅ−ｍｉｓｓ）によるディレイ（ｄｅｌａｙ）が発生することになる。かかるディレイは、メモリ接近速度の減少を引き起こすもので、高速データ処理を可能にするためには、ページミスの回数を減少する必要がある。
【０００９】
一方、ページミスの回数を減少して高速データ処理を可能にするための試みとして、バーストモードおよびメモリバンクを用いる技術が特許文献１に開示されている。前記特許文献１に開示された技術では、第１メモリバンク内のメモリページをバーストアクセスする間に、第２メモリバンクのメモリページを活性化することで、ページミスを減少する。また、同じ方法で、第２メモリバンク内のページをバーストアクセスする間に、第１メモリバンクのページを活性化する。
【００１０】
併せて、２個のメモリバンクの他に、追加的なメモリバンクが用いられるが、４個のメモリバンクを有するメモリ装置を例に挙げて説明すると、第１ページは、第１メモリバンクの第１メモリページに、第２ページは、第２メモリバンクの第１メモリページに、第３ページは、第３メモリバンクの第１メモリページに、第４ページは、第４メモリバンクの第１メモリページに、第５ページは第１メモリバンクの第２メモリページにそれぞれ保存される。上記のようなパターンで、フレームの全体ページを、第１乃至第４メモリバンクの他のメモリページに保存する。
【００１１】
また、他のＲＯＷアドレスを有する第１ページおよび第２ページが保存された第１メモリバンク、第２メモリバンクを同時に活性化することで、第１ページから第２ページに接近するときに起きるページミスを防止する。すなわち、上記の技術は、他のＲＯＷアドレスを有するページであっても、保存されたメモリバンクが異なる場合、同時に活性化しうる点を用いることで、ディレイを減少して高速データ処理を実現しようとしたものである。
【００１２】
しかしながら、上述したバーストモードおよびメモリバンクの技術では、ＳＯＭまたはＧＬＶを用いたディスプレイ装置が、ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ、ＤＤＲ２−ＳＤＲＡＭ（以下、「ＤＤＲメモリ」という）などのＤＤＲを保存手段にする場合、ＤＤＲ固有の特性を発揮できないという問題点があった。
【００１３】
図２は、バーストモードを用いた場合のＤＤＲメモリのデータ接近方式を示した図である。
【００１４】
図２に示すように、一クロック周期の間に、ＤＤＲメモリには命令（ＣＯＭＭＡＮＤ）として「ＲＥＡＤ」命令および「ＮＯＰ」命令が交互に与えられる。しかし、ＤＤＲメモリがバーストモードを用いているので、一クロック周期の間にＱＡ１に対する「ＲＥＡＤ」命令のみが与えられても、ＣＯＬアドレスを増加してＱＡ２のデータを同一周期の間に読むことができる。このような方法で、一クロック周期の間にＱＡ０、ＱＡ１のデータを同時に読む。
【００１５】
しかしながら、ＱＡ０、ＱＡ１のデータを同時に読むことが可能であるとしても、ＱＡ０のデータを読むために接近した時点ではＱＡ１のデータが必要でないので、データが用いられずに捨てられる。また、その後、ＱＡ１のデータを得るべき時点で、再びＱＡ１のデータを読むために接近する。すなわち、従来のバーストモード、メモリバンクの技術をそのままＤＤＲに適用する場合、ＱＡ０、ＱＡ１のデータを同時に一クロックの間に読むことはできたが、ＱＡ１のデータが捨てられ、次のクロックで再びＱＡ１を読むために接近することが必要であった。
【００１６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／０１０９６９９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来の技術では、ＳＤＲＡＭとは異なって、一クロックに２回のデータ接近が行われるＤＤＲメモリの特性が、高速データ処理に用いられないという問題点があった。
【００１８】
本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、ＤＤＲを用いたデータスキャンシステムおよびその方法において、入力バッファまたは出力バッファを含んで、一クロックの間に保存または出力される二つのデータのうち一つのデータを入力バッファまたは出力バッファに保存することで、再び同一のデータを得るために接近する必要なしに、高速でデータ処理を行えるＤＤＲを用いたデータスキャンシステムおよびその方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述の目的を達成するための本発明の一態様に係るＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムは、前記データの入力を受ける入力部、水平方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いて前記データを保存する第１および第２ＤＤＲメモリ、前記第１または第２ＤＤＲメモリに前記データを保存するように制御するとともに、前記第１または第２ＤＤＲメモリから保存された前記データを読むように制御し、前記第１または第２ＤＤＲメモリから保存された前記データを読むとき、前記ページの二列以上のデータから同じ行に該当するデータを同時に読むように制御するＤＤＲコンコトローラ、同時に読んだ前記データを保存する出力バッファ、および前記ＤＤＲコンコトローラによって読まれた前記データおよび前記出力バッファに保存された前記残りの列のデータを出力する出力部を含む。
【００２０】
ここで、一実施形態では、前記ＤＤＲコンコトローラによって前記データが第１または第２ＤＤＲメモリに保存されるとき、連続的に増加するバーストモードが用いられ、また、前記ＤＤＲコンコトローラによって前記データが第１または第２ＤＤＲメモリから読まれるとき、バーストモードが用いられる。
【００２１】
また、一実施形態では、前記ＤＤＲコンコトローラは、前記出力部が、前記最初の列のデータを出力した後で前記残りの列のデータを出力するように制御し、前記出力バッファは、１列以上含まれる。
【００２２】
また、本発明の他の態様に係るＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムは、前記データの入力を受ける入力部、入力を受けた前記データを保存する入力バッファ、垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いて前記データを保存する第１および第２ＤＤＲメモリ、前記第１または第２ＤＤＲメモリに前記データを保存するように制御するとともに、前記第１または第２ＤＤＲメモリから保存された前記データを読むように制御し、前記第１または第２ＤＤＲメモリに前記データを保存するとき、前記入力バッファに保存された行のデータと現在入力部に入力される行のデータから同じ列に該当するデータを同時に保存するように制御するＤＤＲコンコトローラ、および前記ＤＤＲコンコトローラによって読まれた前記データを出力する出力部を含む。
【００２３】
また、一実施形態では、前記ＤＤＲコンコトローラによって前記データが第１または第２ＤＤＲメモリから読まれるとき、連続的に増加するバーストモードが用いられ、前記ＤＤＲコンコトローラによって前記データが第１または第２ＤＤＲメモリに保存されるとき、バーストモードが用いられる。
【００２４】
また、一実施形態では、前記ＤＤＲコンコトローラは、前記最後の行のデータを除いた前記残りの行のデータを、前記最後の行のデータが保存される前に、前記第１または第２メモリに保存するように制御し、前記入力バッファは、１行以上含まれる。
【００２５】
好ましくは、前記ページのＣＯＬアドレスの配置は、前記ＤＤＲメモリに予めセッティングされたバーストモードによって変わり、前記第１または第２ＤＤＲメモリのメモリセルのデータビット数は、前記データの一ピクセルデータと同じであるか、またはそれより大きい。
【００２６】
また、一実施形態では、前記ＤＤＲコンコトローラは、前記第１ＤＤＲメモリおよび前記第２ＤＤＲメモリのうちいずれか一つのＤＤＲメモリに前記データが保存されるように制御する間、他のＤＤＲメモリから前記データを読むように制御し、前記ＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムは、前記データの入力方向および出力方向を異にするディスプレイ装置に適用される。
【００２７】
一方、本発明のまた別の態様によるＤＤＲを用いたデータのスキャン方法は、データの入力を受ける段階、前記データを、水平方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いて第１または第２ＤＤＲメモリに保存する段階、前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存された前記データを前記ページを用いて読む込むとき、前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存された前記データの前記ページの少なくとも二列のデータから同じ行に該当するデータを同時に読む段階、同時に読んだ前記データを出力バッファに保存する段階、および前記データを出力する段階を含む。
【００２８】
また、一実施形態では、前記データを第１または第２ＤＤＲメモリに保存する段階では、連続的に増加するバーストモードを用い、前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存されたデータを読む段階では、バーストモードを用いる。また、前記残りの列のデータは、前記最初の列のデータが出力された後で出力される。
【００２９】
本発明のさらに別の態様に係るＤＤＲを用いたデータのスキャン方法は、データの入力を受ける段階、入力を受けた前記データを入力バッファに保存する段階、前記データを、垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いて第１または第２ＤＤＲメモリに保存するとき、前記入力バッファに保存された行のデータおよび現在入力を受けた行のデータから同じ列に該当するデータを同時に保存する段階、前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存された前記データを前記ページを用いて読む段階、および前記データを出力する段階を含む。
【００３０】
ここで、一実施形態では、前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存されたデータを読む段階では、連続的に増加するバーストモードを用い、前記データを第１または第２ＤＤＲメモリに保存する段階では、バーストモードを用いる。また、前記残りの行のデータは、前記最後の行のデータが保存される前に前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存する。
【００３１】
好ましくは、一実施形態では、前記ページのＣＯＬアドレスの配置は、前記ＤＤＲメモリに予めセッティングされたバーストモードによって変わり、前記第１または第２ＤＤＲメモリのメモリセルのデータビット数は、前記データの一ピクセルデータと同じか、それより大きく、前記データを第１または第２ＤＤＲメモリに保存する段階と、前記第１または第２ＤＤＲメモリに保存された前記データを読む段階は、同時に行われる。
【００３２】
また、一実施形態では、前記ＤＤＲを用いたスキャン方法は、前記データの入力方向および出力方向を異にするディスプレイ装置に適用される。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に係るＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムおよびその方法においては、入力バッファまたは出力バッファを含んで、一クロックの間に保存または出力される二つのデータのうち一つのデータを入力バッファまたは出力バッファに保存するので、再び同一のデータを得るために接近する必要なしに、高速データ処理が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下に、本発明の好ましい実施の形態に対し、図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。このとき、従来技術として示した図１および図２の図面符号のうち、本発明と同一構成には同じ図面符号を適用した。
【００３５】
図３は、データの入力方向および出力方向を異にするディスプレイ装置に適用される、ＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムを示したブロック図である。
【００３６】
図３に示すように、本発明に係るスキャンシステムは、入力部１０、処理部５０および出力部８０を含んでいる。
【００３７】
入力部１０は、ピクセルからなるデータのフレームを処理部５０に提供する。次いで、処理部５０は、入力部１０から受けたフレームをページを用いて保存し（「書き」に該当）、保存されたデータを再び読んで（「読み」に該当）、出力部８０に提供する。すなわち、処理部５０は、データを保存し、この保存されたデータを再び読み込む役割をするが、保存して読み込むときのデータの入力方向および出力方向は互いに異なる。
【００３８】
以下、処理部５０で用いられるページのアドレス配置において、水平方向にＣＯＬアドレスが増加する場合および垂直方向にＣＯＬアドレスが増加する場合に対する、本発明に係るＤＤＲを用いるスキャンシステムの実施形態を説明する。
【実施例１】
【００３９】
（実施形態１）
図４は、処理部５０で用いられるページであり、水平方向にＣＯＬアドレスが増加する場合を示した図である。
【００４０】
図４に示すように、ページ１００−１は、８＊８の構造を有し、水平方向にＣＯＬアドレスが１ずつ増加する。図４に示したページ１００−１は、水平方向にＣＯＬアドレスが増加するように配置されたので、水平方向に入力されるデータを保存するとき、連続的なバーストモードを用いる。
【００４１】
このバーストモードを用いると、入力されるデータを一つのページ１００−１内のＣＯＬアドレスが増加する順のメモリセルに、使用者からの別途の命令なしに保存することができる。すなわち、図４に示したページ１００−１にバーストモードの長さが８のバーストモードを用いると、ＣＯＬアドレス０，１，２，３，４，５，６，７の順に、使用者からの別途の命令なしに、メモリセルに入力されるデータを保存することができる。
【００４２】
図４に示した第１ページ１００−１の第１ＲＯＷ１０２のデータ保存が終了すると、他のＲＯＷアドレスを有する他のページ１００−２に接近し、同じく、他のページ１００−２の第１ＲＯＷにデータを保存する。このような方法で、第１フレームのデータを、バーストモードを用いて全てのページ１００−Ｎの第１ＲＯＷに順に保存する。次いで、全てのページ１００−Ｎの第１ＲＯＷの保存が終了すると、全てのページ１００−Ｎの第２ＲＯＷにデータを保存する。このような方法で、第１フレームのデータは、ページ１００−Ｎを用いて保存される。
【００４３】
また、第１フレームのデータを全て保存した後、同一の方法で第２フレームのデータを保存する。第２フレームのデータを保存する間、予め保存された第１フレームのデータは垂直方向に出力される。すなわち、ＣＯＬアドレス０，８，１６，２４，３２，４０，４８，５６の順にデータを出力する。
【００４４】
データを出力するとき、バーストモードの長さが２のバーストモードを用いると、使用者からの別途の命令なしに、一クロックにＣＯＬアドレス０のデータ、ＣＯＬアドレス１のデータを同時に読む。図４のページ構造に基づいて説明すると、ＣＯＬアドレス０と１、８と９、１６と１７、２４と２５、３２と３３、４０と４１、４８と４９、５６と５７のデータが順に読まれる。すなわち、第１列１１２のデータを読む間に、第２列１１４のデータを同時に読む。
【００４５】
一方、本実施形態では、第２列１１４のデータをバッファに保存する。したがって、第１列１１２のデータを読む間、同時に読まれる第２列１１４のデータを捨てずに保存することができ、これによって、再び第２列１１４のデータを読む過程を省略できる。同時に読まれる第１列１１２のデータおよび第２列１１４のデータのうち、第１列１１２のデータは出力され、その後、第２列１１４のデータがバッファから出力される。
【００４６】
第１列１１２および第２列１１４のデータが出力される間、同じ方法で第３列１１６および第４列１１８のデータを読む。また、第３列１１６のデータは出力され、第４列１１８のデータはバッファに保存される。上記の過程を繰り返すことで、垂直方向に最後の列のデータまで読む過程が完了する。
【００４７】
図５は、１９２０＊１０８０の解像度を有するデータを、図４に示した構造のページ１００を用いて読むことを説明するための図である。
【００４８】
図５に示すように、一つのフレームは、複数のページを有する。一つのページが８＊８の構造を有するので、１９２０＊１０８０の解像度を有するデータを処理するためには、横方向、列方向にそれぞれ１９２０／８、１０８０／８、すなわち２４０ページ、１３５ページを有するようになる。
【００４９】
ＤＤＲメモリに保存されたメモリセルを読む順序は、図５に示したページに表記されている。第１ページ１００−１の第１列１１２、第２列１１４に該当するデータを順に一緒に読んでいき、第１ページ１００−１の第１列１１２、第２列１１４のデータを読むことが完了すると、第２ページ１００−２の第１列１２２、第２列１２４のデータ、第３ページの第１列、第２列のデータを読む。上記の方法で、第１３５ページ１００−１３５の第１列１９２、第２列１９４のデータまで読んだ後、再び第１ページ１００−１に戻って第３列１１６、第４列１１８のデータを読む。これと同様に、第１３５ページ１００−１３５の第３列１９６、第４列１９８のデータまで読む。図５を参照すると、１９２０＊１０８０の解像度を有する映像を、図４に示したページを用いて読む順序が全て説明される。
【００５０】
図６は、本発明の一実施形態に係るスキャンシステムを一層具体化したブロック図である。
【００５１】
図６に示すように、本発明に係るスキャンシステムは、入力部１０、ＤＤＲコンコトローラ５４、出力バッファ５６、第１ＤＤＲメモリ５７および第２ＤＤＲメモリ５８を含んでいる。
【００５２】
入力部１０にはデータが入力されるが、入力部１０は、ＤＤＲコンコトローラ５４に連結されるため、入力されたデータがＤＤＲコンコトローラ５４に送られる。また、ＤＤＲコンコトローラ５４は、第１ＤＤＲメモリ５７および第２ＤＤＲメモリ５８に連結されるため、入力されたデータが第１ＤＤＲメモリ５７または第２ＤＤＲメモリ５８に送られる。
【００５３】
このとき、第１ＤＤＲメモリ５７および第２ＤＤＲメモリ５８は、それぞれ独立的なメモリ手段であり、データが第１および第２ＤＤＲメモリ５７，５８のうち一つに保存される間、他のＤＤＲメモリからデータが読まれる。すなわち、同じ周期のクロックの間に、第１ＤＤＲメモリにはデータを保存し、第２ＤＤＲメモリからデータを読み出すことができる。
【００５４】
具体的に説明すると、入力されたデータの第１フレームが第１ＤＤＲメモリ５７に保存される。その後、データの第２フレームが第２ＤＤＲメモリ５８に保存される。データの第２フレームが第２ＤＤＲメモリ５８に保存される間、第１ＤＤＲメモリ５７に保存された第１フレームが第１ＤＤＲメモリ５７から読まれる。このように、第２フレームが保存されると同時に、第１フレームのデータが読まれ、このような方法で、第１ＤＤＲメモリ５７および第２ＤＤＲメモリ５８は、交互に読み／書き動作をフレームごとに繰り返すようになる。
【００５５】
図４の構造を有するページを用いてデータのフレームを処理する場合、まず、ＤＤＲコンコトローラ５４は、第１フレームを第１ＤＤＲメモリ５７に保存する。このとき、第１フレームが第１ＤＤＲメモリ５７に保存される過程を説明すると、図４に示したページ１００−Ｎを水平方向にＣＯＬアドレスが増加するように配置したので、バーストモードを用いて、入力されるデータをＣＯＬアドレスが増加する順のメモリセルに保存する。このような方法で、第１フレームは、バーストモードを用いて全て保存することができる。
【００５６】
第１フレームが第１ＤＤＲメモリ５７に全て保存されると、ＤＤＲコンコトローラ５４は、第２フレームのデータを第２ＤＤＲメモリ５８に保存する。このとき、第１ＤＤＲメモリ５７に保存された第１フレームを垂直方向に出力する。ＤＤＲコンコトローラ５４は、第１ＤＤＲメモリ５７から第１フレームの第１列１１２、第２列１１４に保存されたデータを同時に読み込み、第１列１１２のデータは出力部８０に提供し、第２列１１４のデータは出力バッファ５６に保存しておく。よって、第２列１１４のデータを第１ＤＤＲメモリ５７から再び読み込む過程を省略し、第３列１１６のデータを読むことができる。
【００５７】
すなわち、第２ＤＤＲメモリ５８に第２フレームを保存する間、第１ＤＤＲメモリ５７の第１列１１２、第２列１１４のデータを読み、第１列１１２のデータは出力され、第２列１１４のデータは出力バッファ５６に保存される。そして、第１列１１２のデータの出力が終了すると、ＤＤＲコンコトローラ５４は、出力バッファ５６から第２列１１４のデータを出力する。このような方法で、第１フレームの全体列のデータ出力を行う。
【実施例２】
【００５８】
（実施形態２）
図７は、本願発明の他の実施形態であり、処理部５０で用いられるページを示した図である。上述した第１実施形態とは異なって、第２実施形態では、垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するページを用いる。
【００５９】
図７に示すように、ページ２００−１は、８＊８の構造を有し、垂直方向にＣＯＬアドレスが増加する。図７に示したページ２００−１を垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するように配置したので、水平方向に連続的なバーストモードが用いられず、垂直方向に連続的なバーストモードが用いられる。
【００６０】
データが入力されるとき、データの入力方向は水平方向であるので、水平方向にデータを読む。すなわち、データの第１行が入力される。読まれた第１行のデータはバッファに保存され、その後、データの第２行が入力されるとき、第１行のデータが図７に示した構造のページ２００−１に保存される。このとき、バーストモードの長さが２のバーストモードを用いると、使用者からの別途の命令なしに、ＣＯＬアドレス０のメモリセルにデータを保存しながら自動にＣＯＬアドレスを増加し、ＣＯＬアドレス１のメモリセルにデータを同時に保存することができる。
【００６１】
したがって、データの第１行、第２行のデータがページ２００−１の第１行２０２、第２行２０４に同時に保存される。すなわち、ＣＯＬアドレス０と１、８と９、１６と１７、２４と２５、３２と３３、４０と４１、４９と５０、５６と５７であるＤＤＲメモリのメモリセルに、データがそれぞれ同時に保存される。このような方法で、同じ列の二つのメモリセルにデータを連続的に保存し、一フレームの全てのデータを保存する。
【００６２】
図８は、１９２０＊１０８０の解像度を有するデータを、図７に示した構造のページを用いて書くことを説明するための図である。
【００６３】
図８に示すように、一つのフレームは複数のページを有する。一つのページが８＊８の構造を有するので、１９２０＊１０８０の解像度を有するデータを処理するためには、横方向、列方向にそれぞれ１９２０／８、１０８０／８、すなわち、２４０ページ、１３５ページを有するようになる。
【００６４】
ＤＤＲメモリのメモリセルにデータを保存し、そしてデータを 読む順序は、図８に示したページに表記されている。第１ページ２００−１の第１行２０２、第２行２０４に該当するデータを順に共に保存し、第１ページ２００−１の第１行２０２、第２行２０４にデータを保存することが完了すると、第２ページ２００−２の第１行２１２、第２行２１４のデータ、第３ページの第１行、第２行にデータを保存する。また、このような順序でＤＤＲメモリに保存されたデータを読むになる。
【００６５】
このような方法で、第２４０ページ２００−２４０の第１行２９２、第２行２９４のデータまでを読んだ後、再び第１ページ２００−１に戻って第３行２０６、第４行２０８のデータを読む。これと同様に、第２４０ページ１００−１３５の第３行２９６、第４行２９８のデータまで読む。図８を参照すると、１９２０＊１０８０の解像度を有する映像を図７に示したページを用いて読む順序が全て説明される。
【００６６】
一フレームのデータがＤＤＲメモリに全て保存されてから、次のフレームがＤＤＲメモリに保存され、このとき、以前のフレームのデータは出力される。データが出力される方向は垂直方向で、図７に示したページは垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するので、垂直方向に連続的なバーストモードが用いられる。
【００６７】
図７に示したページ２００−１は、８＊８の構造を有するので、０、１、２、３、４、５、６、７まで使用者の別途の命令なしにＣＯＬアドレスを増加し、メモリセルのデータを出力する。すなわち、バーストモードの長さが８のバーストモードが用いられる。
【００６８】
図９は、図３のスキャンシステムを一層具体化したもので、本発明の他の実施形態に係るスキャンシステムを示したブロック図である。
【００６９】
図９に示したスキャンシステムは、入力部１０、入力バッファ５２、ＤＤＲコンコトローラ５４、第１ＤＤＲメモリ５７、第２ＤＤＲメモリ５８および出力部８０を含む。
【００７０】
入力部１０にはデータが入力され、ＤＤＲコンコトローラ５２は、第１ＤＤＲメモリ５７および第２ＤＤＲメモリ５８に連結される。第１ＤＤＲメモリ５７および第２ＤＤＲメモリ５８は、それぞれ独立的なメモリ手段であり、データが第１および第２ＤＤＲメモリ５７，５８のうち一つに保存される間、他の一つからはデータが読まれる（「読む」に該当）。
【００７１】
すなわち、第２フレームが保存されると同時に、第１フレームのデータが読まれ、このような方法で、第１ＤＤＲメモリ５７および第２ＤＤＲメモリ５８は、交互に読み／書き動作をフレームごとに繰り返すようになる。
【００７２】
図９に示したスキャンシステムのＤＤＲコンコトローラ５４は、入力されたデータの第１フレームの第１ページを水平方向に読んでいき、ＤＤＲメモリにデータを保存する。データの第１行が入力されると、この入力された第１行のデータは入力バッファ５２に保存され、その後、データの第２行が入力されるとき、バーストモードを用いて、入力バッファ５２に保存された第１行のデータおよび第２行のデータを共に第１ＤＤＲメモリ５７に保存する。すなわち、第１ＤＤＲメモリ５７の第１ページのＣＯＬアドレス０と１、８と９、１６と１７、２４と２５、３２と３３、４０と４１、４９と５０、５６と５７にデータがそれぞれ同時に保存される。このような方法で、同じ列の二つのメモリセルにデータを連続的に保存し、一フレームの全てのデータを保存する。
【００７３】
その後、データの第２フレームが保存されるが、第２フレームが保存される過程は、第１フレームが保存される過程と同一である。すなわち、第２フレームのデータが第２ＤＤＲメモリ５８の１ページの第１列、第２列のメモリセルに同時に保存される。また、データの第２フレームが第２ＤＤＲメモリ５８に保存される間、第１ＤＤＲメモリ５７に保存された第１フレームは第１ＤＤＲメモリ５７から読まれる。
【００７４】
すなわち、データの第２フレームが保存されるときと同じクロック周期に、第１フレームのデータは出力される。ＤＤＲコンコトローラ５４が第１ＤＤＲメモリ５７からデータを出力するとき、データの出力方向は垂直方向である。図７に示したページは垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するので、垂直方向に連続的なバーストモードを用いることができる。すなわち、データを出力するときは、垂直方向に連続的なバーストモードを用いて、０、１、２、３、４、５、６、７のＣＯＬアドレスに該当するデータを使用者の別途の命令なしに連続的に出力する。
【００７５】
上述した実施形態では、６４個の異なるＣＯＬアドレスを有する８＊８構造のページを用いる場合を例に挙げて説明した。入力バッファ５２または出力バッファ５６を用いるために、一メモリセルのデータビット数は、一ピクセルデータ（８ビットＲＧＢの場合、２４ビット）と同じか、それより大きくなるべきである。このために、小さいビット数のメモリディバイスを多数個並列に構成し、一ピクセルのデータを処理するように構成することもできる。
【００７６】
また、本発明は、入力バッファ５２または出力バッファ５４の大きさを増加し、多数の行または列のデータを保存した後で書くか、読んだ後で保存することができる。例えば、水平方向にバーストモードを用いた場合、メモリからデータを読むとき、バーストモードを４にセッティングした後、０−１−２−３のデータを２クロックにかけて読んだ後で保存し、８−９−１０−１１のデータを読んだ後で保存し、次の行のデータを読む方法で用いることもできる。また、このような方法で、垂直方向にバーストモードを用いて同じ方式でデータを書くこともできる。
【００７７】
また、本発明は、入力バッファ５２または出力バッファ５４の大きさを１行または１列に構成してデータを保存することができる。例えば、水平方向にバーストモードを用いた場合、メモリからデータを読むとき、０−１のデータを一クロックにかけて読み込んだ後、０のデータは直に出力し、１のデータは保存して一列のデータを全て出力した後、保存された列のデータを出力することもできる。また、このような方法で、垂直方向にバーストモードを用いて同じ方式でデータを書くこともできる。
【００７８】
また、図４および図７に示したページのＣＯＬアドレスの配置は、必ず連続的である必要がなく、ＤＤＲメモリのセッティングによって、使用可能なバーストモードの順序にしたがって配置することができる。すなわち、２−３−０−１の順でデータ自動接近が可能なバーストモードがセッティングされたＤＤＲメモリの場合、図４および図７に示した０−１−２−３の順に増加するＣＯＬアドレスの配置でなく、２−３−０−１の順にＣＯＬアドレスを配置することができる。
【００７９】
以上説明した本発明の好ましい実施形態は、例示のために開示されたもので、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、多様な置換、変形および変更が可能である。また、これら置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものと見なすべきである。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
以上のように、本発明にかかるＤＤＲを用いたデータのスキャンシステムおよびその方法は、ＳＯＭまたはＧＬＶを用いたディスプレイ装置に有用であり、特に、高速データ処理に適している。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１−ａ】ＤＲＡＭアドレス構造を示した図である。
【図１−ｂ】多数個のセルからなるページの構造を示した図である。
【図２】バーストモードを用いた場合のＤＤＲのデータ接近方式を示した図である。
【図３】本発明に係るスキャンシステムを示したブロック図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る水平方向にＣＯＬアドレスが増加するページを示した図である。
【図５】１９２０＊１０８０の解像度を有するデータを、図４に示した構造のページを用いて読むことを説明するための図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るスキャンシステムを一層具体化したブロック図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る垂直方向にＣＯＬアドレスが増加するページを示した図である。
【図８】１９２０*１０８０の解像度を有するデータを、図７に示した構造のページを用いて書くことを説明するための図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係るスキャンシステムを一層具体化したブロック図である。
【符号の説明】
【００８２】
１００−１，１００−２，１００−３，・・・，１００−Ｎ  ページ
５００  フレーム
１０  入力部
５０  処理部
５２  入力バッファ
５４  ＤＤＲコンコトローラ
５６  出力バッファ
５７  第１ＤＤＲメモリ
５８  第２ＤＤＲメモリ
８０  出力部
【図１−ａ】
2007047750.tif 000003
【図１−ｂ】
2007047750.tif 000004
【図２】
2007047750.tif 000005
【図３】
2007047750.tif 000006
【図４】
2007047750.tif 000007
【図５】
2007047750.tif 000008
【図６】
2007047750.tif 000009
【図７】
2007047750.tif 000010
【図８】
2007047750.tif 000011
【図９】
2007047750.tif 000012