(57)【要約】【課題】比較的製造が容易な構造で、等価直列インダクタンスのさらなる低減を図ることが可能な積層コンデンサを提供すること。【解決手段】積層コンデンサＣ１は、内層部３０に含まれる各第１の内部電極４１〜４４，１２１，１４１は第１引き出し導体４６Ａ〜４６Ｄ，１４Ａ〜１４Ｄ，１３４Ａ〜１３４Ｄを有して、該第１引き出し導体は第１の端子電極とそれぞれ電気的に接続され、各第２の内部電極５１〜５４，１２２，１４２は第２引き出し導体５６Ａ〜５６Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，１３５Ａ〜１３５Ｄを有して、該第２引き出し導体は第２の端子電極と電気的に接続され、外層部１０，６０には、第１の内部電極のうち最も外層部１０，６０寄りに位置する第１の内部電極１２１，１４１と第１の端子電極とを電気的に接続する導通路が形成されていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の内部電極と複数の第２の内部電極とが誘電体層を介して積層された内層部と、該内層部を挟むように位置すると共に複数の誘電体層が積層された外層部とを有する積層体と、
前記積層体に形成されて互いに絶縁された複数の第１の端子電極と複数の第２の端子電極と、を備え、
複数の第１の端子電極と複数の第２の端子電極とは、前記積層体の積層方向と平行な側面上に形成された部分をそれぞれ有し、
各前記第１の内部電極は、前記第１の端子電極の前記積層体の前記側面上に形成された前記部分と電気的に接続された第１引き出し導体を有し、
各前記第２の内部電極は、前記第２の端子電極の前記積層体の前記側面上に形成された前記部分と電気的に接続された第２引き出し導体を有し、
前記外層部には、前記複数の第１の内部電極のうち最も前記外層部寄りに位置する第１の内部電極と少なくとも１つの前記第１の端子電極とを電気的に接続する導通路が形成されていることを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
前記導通路と接続された前記第１の端子電極は、前記積層体の積層方向と垂直な側面上に形成された部分を更に有し、
前記導通路は、前記外層部を積層方向に貫通するスルーホール導体を含み、
前記スルーホール導体の一端は、前記第１の内部電極のうち最も前記外層部寄りに位置する前記第１の内部電極と電気的に接続され、
前記スルーホール導体の他端は、前記第１の端子電極の前記積層体の積層方向と垂直な側面上に形成された前記部分と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記導通路は、
前記外層部に配されると共に、前記第１の端子電極と電気的に接続された第３引き出し導体と、
前記第１の内部電極のうち最も前記外層部寄りに位置する前記第１の内部電極と前記第３引き出し導体とに電気的に接続され、前記外層部を積層方向に貫通するスルーホール導体と、
を含んでいることを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記導通路は、前記第３引き出し導体を複数含んでおり、
前記複数の第３引き出し導体は、積層方向に併置され、
前記スルーホール導体は、前記複数の第３引き出し導体と電気的に接続されていることを特徴とする請求項３記載の積層コンデンサ。
【請求項５】
前記導通路は、前記スルーホール導体を複数含んでおり、
前記複数のスルーホール導体は、前記第３引き出し導体と電気的に接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の積層コンデンサ。
【請求項６】
前記外層部には、前記第２の内部電極のうち最も前記外層部寄りに位置する第２の内部電極と少なくとも１つの前記第２の端子電極とを電気的に接続する導通路が更に形成されていることを特徴とする請求項１〜５に記載の積層コンデンサ。
【請求項７】
前記第１の内部電極は、前記第１引き出し導体を、前記複数の第１の端子電極にそれぞれ対応するように複数有し、
前記第２の内部電極は、前記第２引き出し導体を、前記複数の第２の端子電極にそれぞれ対応するように複数有していることを特徴とする請求項１〜６に記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に用いられる電源回路の高周波数化に伴い、電源回路に適用される積層コンデンサに対し、高周波回路に対応することがより一層求められている。高周波回路においても低インピーダンスを実現するため、積層コンデンサにおいては、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低減することが要求されている。こうした要求に応えるため、特許文献１には、複数の端子電極を隣り合う端子電極の極性が逆になるように配置して発生する磁場を相殺させ、等価直列インダクタンスの低減を図る積層コンデンサが開示されている。  
【特許文献１】特開２００２−２９９１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明者らは、積層コンデンサの等価直列インダクタンスをさらに低減することを目的として開発を行った。しかし、開発過程において、等価直列インダクタンスを低減する効果のある構造であっても、製造工程が複雑化するために積層コンデンサの製造が困難になってしまうという問題が発生した。
【０００４】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、比較的製造が容易な構造で、等価直列インダクタンスのさらなる低減を図ることが可能な積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的を達成するために、本発明の積層コンデンサは、複数の第１の内部電極と複数の第２の内部電極とが誘電体層を介して積層された内層部と、該内層部を挟むように位置すると共に複数の誘電体層が積層された外層部とを有する積層体と、積層体に形成されて互いに絶縁された複数の第１の端子電極と複数の第２の端子電極と、を備え、複数の第１の端子電極と複数の第２の端子電極とは、積層体の積層方向と平行な側面上に形成された部分をそれぞれ有し、各第１の内部電極は、第１の端子電極の積層体の側面上に形成された部分と電気的に接続された第１引き出し導体を有し、各第２の内部電極は、第２の端子電極の積層体の側面上に形成された部分と電気的に接続された第２引き出し導体を有し、外層部には、複数の第１の内部電極のうち最も外層部寄りに位置する第１の内部電極と少なくとも１つの第１の端子電極とを電気的に接続する導通路が形成されていることを特徴とする。
【０００６】
本発明の積層コンデンサでは、外層部に、第１の内部電極と第１の端子電極（積層体の積層方向と平行な側面上に形成された部分）とを電気的に接続する導通路が形成されているので、第１の端子電極と第１の内部電極との間を流れる電流は、第１引き出し導体を流れる分と導通路を流れる分とに分流される。よって、等価直列インダクタンスを低減することができる。また、導通路は、第１の内部電極のうち最も外層部寄りに位置する第１の内部電極と電気的に接続されるので、導通路の線路長を比較的短くすることができる。よって、導通路に発生する等価直列インダクタンスを抑制することができる。また、外層部に導通路を形成しているので、導通路の形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０００７】
好ましくは、導通路と接続された第１の端子電極は、積層体の積層方向と垂直な側面上に形成された部分を更に有し、導通路は、外層部を積層方向に貫通するスルーホール導体を含み、スルーホール導体の一端は、第１の内部電極のうち最も外層部寄りに位置する第１の内部電極と電気的に接続され、スルーホール導体の他端は、第１の端子電極の積層体の積層方向と垂直な側面上に形成された部分と電気的に接続されている。
【０００８】
この場合、導通路は、第１の端子電極（積層体の積層方向と垂直な側面上に形成された部分）と第１の内部電極のうち最も外層部寄りに位置する第１の内部電極と電気的に接続されるので、導通路の長さが短くなる。よって、導通路に発生する等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。外層部にスルーホール導体を形成しているので、スルーホール導体の形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０００９】
好ましくは、導通路は、外層部に配されると共に、第１の端子電極と電気的に接続された第３引き出し導体と、第１の内部電極のうち最も外層部寄りに位置する第１の内部電極と第３引き出し導体とに電気的に接続され、外層部を積層方向に貫通するスルーホール導体と、を含んでいる。
【００１０】
このように、導通路が、第３引き出し導体とスルーホール導体を含んでいるので、第３引き出し導体によっても電流が分流されることとなる。よって、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【００１１】
好ましくは、導通路は、第３引き出し導体を複数含んでおり、複数の第３引き出し導体は、積層方向に併置され、スルーホール導体は、複数の第３引き出し導体と電気的に接続されている。このように導通路が第３引き出し導体を複数有することにより、より多くの分流路が形成されることとなり、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【００１２】
好ましくは、導通路は、スルーホール導体を複数含んでおり、複数のスルーホール導体は、第３引き出し導体と電気的に接続されている。このように導通路がスルーホール導体を複数有することにより、より多くの分流路が形成されることとなり、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【００１３】
好ましくは、外層部には、第２の内部電極のうち最も外層部寄りに位置する第２の内部電極と少なくとも１つの第２の端子電極とを電気的に接続する導通路が更に形成されている。このように構成することにより、第１の端子電極側だけでなく、第２の端子電極側においても電流が分流されるこことなる。よって、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【００１４】
好ましくは、第１の内部電極は、第１引き出し導体を、複数の第１の端子電極にそれぞれ対応するように複数有し、第２の内部電極は、第２引き出し導体を、複数の第２の端子電極にそれぞれ対応するように複数有している。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、比較的製造が容易な構造で、等価直列インダクタンスのさらなる低減を図ることが可能な積層コンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【００１８】
積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、積層体１と、当該積層体１に形成された複数（本実施形態では、４つ）の第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと、積層体１に形成された複数（本実施形態では、４つ）の第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとを備える。
【００１９】
積層体１は、後述するように複数の誘電体層と第１及び第２の内部電極とが積層されて直方体形状を成している。積層体１は、誘電体層と第１及び第２の内部電極が積層された方向（以下、単に積層方向と称する）と平行で且つ互いに対向する一対の側面１ａ，１ｂと、側面１ａと積層方向とに垂直で且つ互いに平行な一対の側面１ｃ，１ｄと、側面１ａ〜１ｄに垂直で且つ互いに対向する一対の端面１ｅ，１ｆとを有する。
【００２０】
第１の端子電極３Ａ，３Ｂと第２の端子電極５Ａ，５Ｂとは、積層体１の側面１ａ側に位置している。第１の端子電極３Ｃ，３Ｄと第２の端子電極５Ｃ，５Ｄとは、積層体１の側面１ｂ側に位置している。第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとは、互いに電気的に絶縁されている。
【００２１】
第１の端子電極３Ａ，３Ｂは、積層方向にわたるように積層体１の側面１ａの一部を覆う第１端子導体部３０１Ａ，３０１Ｂと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部３０２Ａ，３０２Ｂと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部３０３Ａ，３０３Ｂとをそれぞれ有する。第１の端子電極３Ａの第２端子導体部３０２Ａは、側面１ｃ上に形成されている。第１の端子電極３Ａの第２端子導体部３０３Ａは、側面１ｄ上に形成されている。第１の端子電極３Ｂの第２端子導体部３０２Ｂは、側面１ｃ上に形成されている。第１の端子電極３Ｂの第２端子導体部３０３Ｂは、側面１ｄ上に形成されている。第１の端子電極３Ａ，３Ｂの第１端子導体部３０１Ａ，３０１Ｂは、側面１ａ上に形成されている。
【００２２】
第１の端子電極３Ｃ，３Ｄは、積層方向にわたるように積層体１の側面１ｂの一部を覆う第１端子導体部３０１Ｃ，３０１Ｄと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部３０２Ｃ，３０２Ｄと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部３０３Ｃ，３０３Ｄとをそれぞれ有する。第１の端子電極３Ｃの第２端子導体部３０２Ｃは、側面１ｃ上に形成されている。第１の端子電極３Ｃの第２端子導体部３０３Ｃは、側面１ｄ上に形成されている。第１の端子電極３Ｄの第２端子導体部３０２Ｄは、側面１ｃ上に形成されている。第１の端子電極３Ｄの第２端子導体部３０３Ｄは、側面１ｄ上に形成されている。第１の端子電極３Ｃ，３Ｄの第１端子導体部３０１Ｃ，３０１Ｄは、側面１ｂ上に形成されている。
【００２３】
第２の端子電極５Ａ，５Ｂは、積層方向にわたるように積層体１の側面１ａの一部を覆う第１端子導体部５０１Ａ，５０１Ｂと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部５０２Ａ，５０２Ｂと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部５０３Ａ，５０３Ｂとをそれぞれ有する。第２の端子電極５Ａの第２端子導体部５０２Ａは、側面１ｃ上に形成されている。第２の端子電極５Ａの第２端子導体部５０３Ａは、側面１ｄ上に形成されている。第２の端子電極５Ｂの第２端子導体部５０２Ｂは、側面１ｃ上に形成されている。第２の端子電極５Ｂの第２端子導体部５０３Ｂは、側面１ｄ上に形成されている。第２の端子電極５Ａ，５Ｂの第１端子導体部５０１Ａ，５０１Ｂは、側面１ａ上に形成されている。
【００２４】
第２の端子電極５Ｃ，５Ｄは、積層方向にわたるように積層体１の側面１ｂの一部を覆う第１端子導体部５０１Ｃ，５０１Ｄと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部５０２Ｃ，５０２Ｄと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部５０３Ｃ，５０３Ｄとをそれぞれ有する。第２の端子電極５Ｃの第２端子導体部５０２Ｃは、側面１ｃ上に形成されている。第２の端子電極５Ｃの第２端子導体部５０３Ｃは、側面１ｄ上に形成されている。第２の端子電極５Ｄの第２端子導体部５０２Ｄは、側面１ｃ上に形成されている。第２の端子電極５Ｄの第２端子導体部５０３Ｄは、側面１ｄ上に形成されている。第２の端子電極５Ｃ，５Ｄの第１端子導体部５０１Ｃ，５０１Ｄは、側面１ｂ上に形成されている。
【００２５】
積層体１は、図２に示されるように、内層部３０と、内層部３０を間に挟むように積層された一対の外層部１０，６０とを有する。内層部３０、外層部１０，６０についてそれぞれ説明する。
【００２６】
外層部１０は、複数（本実施形態では３層）の誘電体層１１〜１３が積層されることにより構成される。実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層１１〜１３の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２７】
誘電体層１１と誘電体層１２との間には、互いに絶縁された引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ（第３引き出し導体）が積層されている。誘電体層１２と誘電体層１３との間には、互いに絶縁された引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ（第３引き出し導体）が積層されている。
【００２８】
引き出し導体１４Ａは、第１の端子電極３Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ａと電気的に接続される。引き出し導体１４Ｂは、第１の端子電極３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１４Ｃは、第１の端子電極３Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１４Ｄは、第１の端子電極３Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｄと電気的に接続される。
【００２９】
引き出し導体１５Ａは、第２の端子電極５Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ａと電気的に接続される。引き出し導体１５Ｂは、第２の端子電極５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１５Ｃは、第２の端子電極５Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１５Ｄは、第２の端子電極５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｄと電気的に接続される。
【００３０】
誘電体層１１と誘電体層１２との間に積層された引き出し導体１４Ａと，誘電体層１２と誘電体層１３との間に積層された引き出し導体１４Ａとは、積層方向から見て誘電体層１２を介して互いに重なりあうように位置している。誘電体層１１と誘電体層１２との間に積層された引き出し導体１４Ｂ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄと、誘電体層１２と誘電体層１３との間に積層された引き出し導体１４Ｂ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄとは、積層方向から見て誘電体層１２を介してそれぞれ対応する引き出し導体１４Ｂ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ同士が互いに重なりあうように位置している。
【００３１】
誘電体層１１における引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄにそれぞれ対応する位置には、誘電体層１１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１６ａ〜１６ｄ，１７ａ〜１７ｄが形成されている。
【００３２】
スルーホール導体１６ａは、その一端において第１の端子電極３Ａの第２端子導体部３０２Ａと電気的に接続され、その他端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１４Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１６ｂは、その一端において第１の端子電極３Ｂの第２端子導体部３０２Ｂと電気的に接続され、その他端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１４Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１６ｃは、その一端において第１の端子電極３Ｃの第２端子導体部３０２Ｃと電気的に接続され、その他端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１４Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１６ｄは、その一端において第１の端子電極３Ｄの第２端子導体部３０２Ｄと電気的に接続され、その他端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１４Ｄと電気的に接続されている。
【００３３】
スルーホール導体１７ａは、その一端において第２の端子電極５Ａの第２端子導体部５０２Ａと電気的に接続され、その他端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１５Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１７ｂは、その一端において第２の端子電極５Ｂの第２端子導体部５０２Ｂと電気的に接続され、その他端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１５Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１７ｃは、その一端において第２の端子電極５Ｃの第２端子導体部５０２Ｃと電気的に接続され、その他端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１５Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１７ｄは、その一端において第２の端子電極５Ｄの第２端子導体部５０２Ｄと電気的に接続され、その他端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１５Ｄと電気的に接続されている。
【００３４】
誘電体層１２における引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄにそれぞれ対応する位置には、誘電体層１２を厚み方向に貫通するスルーホール導体１８ａ〜１８ｄ，１９ａ〜１９ｄが形成されている。
【００３５】
スルーホール導体１８ａは、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１４Ａと電気的に接続され、その他端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１４Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１８ｂは、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１４Ｂと電気的に接続され、その他端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１４Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１８ｃは、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１４Ｃと電気的に接続され、その他端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１４Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１８ｄは、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１４Ｄと電気的に接続され、その他端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１４Ｄと電気的に接続されている。
【００３６】
スルーホール導体１９ａは、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１５Ａと電気的に接続され、その他端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１５Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１９ｂは、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１５Ｂと電気的に接続され、その他端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１５Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１９ｃは、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１５Ｃと電気的に接続され、その他端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１５Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１９ｄは、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する引き出し導体１５Ｄと電気的に接続され、その他端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１５Ｄと電気的に接続されている。
【００３７】
誘電体層１３における各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄにそれぞれ対応する位置には、誘電体層１３を厚み方向に貫通するスルーホール導体１１６ａ〜１１６ｄ，１１７ａ〜１１７ｄがそれぞれ形成されている。
【００３８】
スルーホール導体１１６ａは、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１４Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１１６ｂは、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１４Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１１６ｃは、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１４Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１１６ｄは、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１４Ｄと電気的に接続されている。
【００３９】
スルーホール導体１１７ａは、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１５Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１１７ｂは、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１５Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１１７ｃは、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１５Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１１７ｄは、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する引き出し導体１５Ｄと電気的に接続されている。
【００４０】
内層部３０には、複数（本実施形態では６層）の第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１と複数（本実施形態では６層）の第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２とが、各誘電体層１１１，１１２，３１〜３８，１３１と交互に積層されている。実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層１１１，１１２，３１〜３８，１３１の間の境界が視認できない程度に一体化されている。以下、内層部３０について、第１内層部２０と、第１内層部２０を挟むように積層された第２内層部１１０，１３０とに分けて説明する。
【００４１】
第２内層部１１０は、上記の第１の内部電極１２１と、第２の内部電極１２２と、誘電体層１１１，１１２とを含んでいる。第１の内部電極１２１は、内層部３０に含まれる第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部１０寄りに位置している。第２の内部電極１２２は、内層部３０に含まれる第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部１０寄りに位置している。
【００４２】
第２内層部１３０は、上記の第１の内部電極１４１と、第２の内部電極１４２と、誘電体層１３１とを含んでいる。第１の内部電極１４１は、内層部３０に含まれる第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部６０寄りに位置している。第２の内部電極１４２は、内層部３０に含まれる第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部６０寄りに位置している。
【００４３】
第１内層部２０は、第１の内部電極４１〜４４と第２の内部電極５１〜５４と誘電体層３１〜３８とを含んでいる。引き続いて、各第１，第２内層部２０，１１０，１３０について積層順により詳細に説明する。
【００４４】
第２の内層部１１０には、図２に示されるように、第１の内部電極１２１と誘電体層１１１と第２の内部電極１２２と誘電体層１１２とが順に積層されている。第１の内部電極１２１及び第２の内部電極１２２は、矩形形状を呈している。第１の内部電極１２１及び第２の内部電極１２２は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【００４５】
第１の内部電極１２１は、第１の内部電極１２１と一体に形成された引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｄ（第１引き出し導体）を有する。引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｄは、それぞれスルーホール導体１１６ａ〜１１６ｄに対応する位置に形成され、それぞれ対応するスルーホール導体１１６ａ〜１１６ｄの一端と電気的に接続されている。引き出し導体１１５Ａ〜１１５Ｄは、それぞれスルーホール導体１１７ａ〜１１７ｄに対応する位置に形成され、それぞれ対応するスルーホール導体１１７ａ〜１１７ｄの一端と電気的に接続されている。
【００４６】
引き出し導体１１４Ａは、第１の端子電極３Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ａの第１端子導体部３０１Ａと電気的に接続される。引き出し導体１１４Ｂは、第１の端子電極３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｂの第１端子導体部３０１Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１１４Ｃは、第１の端子電極３Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｃの第１端子導体部３０１Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１１４Ｄは、第１の端子電極３Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｄの第１端子導体部３０１Ｄと電気的に接続される。第１の内部電極１２１は、引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｄを通して第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと電気的に接続されている。
【００４７】
第２の内部電極１２２は、第２の内部電極１２２と一体に形成された引き出し導体１１５Ａ〜１１５Ｄ（第２引き出し導体）を有する。引き出し導体１１５Ａ〜１１５Ｄは、引き出し導体１５Ａ〜１５Ｄに対応する位置に形成されている。
【００４８】
引き出し導体１１５Ａは、第２の端子電極５Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ａの第１端子導体部５０１Ａと電気的に接続される。引き出し導体１１５Ｂは、第２の端子電極５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｂの第１端子導体部５０１Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１１５Ｃは、第２の端子電極５Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｃの第１端子導体部５０１Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１１５Ｄは、第２の端子電極５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｄの第１端子導体部５０１Ｄと電気的に接続される。第２の内部電極１２２は、引き出し導体１１５Ａ〜１１５Ｄを通して第２の端子電極５Ａ〜５Ｄと電気的に接続されている。
【００４９】
誘電体層１１１における引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｄ，１１５Ａ〜１１５Ｄにそれぞれ対応する位置には、誘電体層１１１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１１８ａ〜１１８ｄ，１１９ａ〜１１９ｄがそれぞれ形成されている。
【００５０】
スルーホール導体１１８ａは、その一端において誘電体層１３，１１１の間に位置する引き出し導体１１４Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１１８ｂは、その一端において誘電体層１３，１１１の間に位置する引き出し導体１１４Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１１８ｃは、その一端において誘電体層１３，１１１の間に位置する引き出し導体１１４Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１１８ｄは、その一端において誘電体層１３，１１１の間に位置する引き出し導体１１４Ｄと電気的に接続されている。
【００５１】
スルーホール導体１１９ａは、その一端において誘電体層１１１，１１２の間に位置する引き出し導体１１５Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１１９ｂは、その一端において誘電体層１１１，１１２の間に位置する引き出し導体１１５Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１１９ｃは、その一端において誘電体層１１１，１１２の間に位置する引き出し導体１１５Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１１９ｄは、その一端において誘電体層１１１，１１２の間に位置する引き出し導体１１５Ｄと電気的に接続されている。
【００５２】
第１の内部電極１２１におけるスルーホール導体１１７ａ〜１１７ｄに対応する領域は、誘電体層１１１が露出するように形成されている。すなわち、第１の内部電極１２１は、スルーホール導体１１７ａ〜１１７ｄ，１１９ａ〜１１９ｄと電気的に絶縁されている。また、第２の内部電極１２２におけるスルーホール導体１１８ａ〜１１８ｄに対応する領域は、誘電体層１２が露出するように形成されている。すなわち、第２の内部電極１２２は、スルーホール導体１１８ａ〜１１８ｄと電気的に絶縁されている。
【００５３】
外層部１０と第２内層部１１０とが積層されることにより、スルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａが、相互に電気的に接続され、積層方向と平行に配された略直線状の一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａが構成される。外層部１０と第２内層部１１０とが積層されることにより、積層方向と平行な略直線状の、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂ、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃ、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄ、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａ、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂ、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃ、及び一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄがそれぞれ構成される。
【００５４】
一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａは、外層部１０及び誘電体層１１１を貫通して、その一端が第１の内部電極１２１と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第１の端子電極３Ａの第２端子導体部３０２Ａと物理的かつ電気的に接続されている。第１の内部電極１２１は、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部１０寄りに位置している。一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａは、第１の端子電極３Ａと電気的に接続された２つの引き出し導体１４Ａと物理的かつ電気的に接続されている。
【００５５】
すなわち、一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａと２つの引き出し導体１４Ａとにより導通路が構成される。この導通路は、第１の端子電極３Ａにおける異なる３箇所と、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部１０寄りに位置する第１の内部電極１２１と、を電気的に接続している。
【００５６】
一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂは、外層部１０及び誘電体層１１１を貫通して、その一端が第１の内部電極１２１と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第１の端子電極３Ｂの第２端子導体部３０２Ｂと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂは、第１の端子電極３Ｂと電気的に接続された２つの引き出し導体１４Ｂと物理的かつ電気的に接続されている。
【００５７】
すなわち、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂと２つの引き出し導体１４Ｂとにより導通路が構成される。この導通路は、第１の端子電極３Ｂにおける異なる３箇所と、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部１０寄りに位置する第１の内部電極１２１と、を電気的に接続している。
【００５８】
一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃは、外層部１０及び誘電体層１１１を貫通して、その一端が第１の内部電極１２１と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第１の端子電極３Ｃの第２端子導体部３０２Ｃと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃは、第１の端子電極３Ｃと電気的に接続された２つの引き出し導体１４Ｃと物理的かつ電気的に接続されている。
【００５９】
すなわち、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃと２つの引き出し導体１４Ｃとにより導通路が構成される。この導通路は、第１の端子電極３Ｃにおける異なる３箇所と、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部１０寄りに位置する第１の内部電極１２１と、を電気的に接続している。
【００６０】
一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄは、外層部１０及び誘電体層１１１を貫通して、その一端が第１の内部電極１２１と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第１の端子電極３Ｄの第２端子導体部３０２Ｄと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄは、第１の端子電極３Ｄと電気的に接続された２つの引き出し導体１４Ｄと物理的かつ電気的に接続されている。
【００６１】
すなわち、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄと２つの引き出し導体１４Ｄとにより導通路が構成される。この導通路は、第１の端子電極３Ｄにおける異なる３箇所と、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部１０寄りに位置する第１の内部電極１２１と、を電気的に接続している。
【００６２】
一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａは、外層部１０及び誘電体層１１１を貫通して、その一端が第２の内部電極１２２と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第２の端子電極５Ａの第２端子導体部５０２Ａと物理的かつ電気的に接続されている。第２の内部電極１２２は、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうちで最も外層部１０寄りに位置している。一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａは、第２の端子電極５Ａと電気的に接続された２つの引き出し導体１５Ａと物理的かつ電気的に接続されている。
【００６３】
すなわち、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａと２つの引き出し導体１５Ａとにより導通路が構成される。この導通路は、第２の端子電極５Ａにおける異なる３箇所と、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部１０寄りに位置する第２の内部電極１２２と、を電気的に接続している。
【００６４】
一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂは、外層部１０及び誘電体層１１１を貫通して、その一端が第２の内部電極１２２と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第２の端子電極５Ｂの第２端子導体部５０２Ｂと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂは、第２の端子電極５Ｂと電気的に接続された２つの引き出し導体１５Ｂと物理的かつ電気的に接続されている。
【００６５】
すなわち、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂと２つの引き出し導体１５Ｂとにより導通路が構成される。この導通路は、第２の端子電極５Ｂにおける異なる３箇所と、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうちで最も外層部１０寄りに位置する第２の内部電極１２２と、を電気的に接続している。
【００６６】
一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃは、外層部１０及び誘電体層１１１を貫通して、その一端が第２の内部電極１２２と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第２の端子電極５Ｃの第２端子導体部５０２Ｃと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃは、第２の端子電極５Ｃと電気的に接続された２つの引き出し導体１５Ｃと物理的かつ電気的に接続されている。
【００６７】
すなわち、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃと２つの引き出し導体１５Ｃとにより導通路が構成される。この導通路は、第２の端子電極５Ｃにおける異なる３箇所と、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうちで最も外層部１０寄りに位置する第２の内部電極１２２と、を電気的に接続している。
【００６８】
一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄは、外層部１０及び誘電体層１１１を貫通して、その一端が第２の内部電極１２２と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第２の端子電極５Ｄの第２端子導体部５０２Ｄと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄは、第２の端子電極５Ｄと電気的に接続された２つの引き出し導体１５Ｄと物理的かつ電気的に接続されている。
【００６９】
すなわち、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄと２つの引き出し導体１５Ｄとにより導通路が構成される。この導通路は、第２の端子電極５Ｄにおける異なる３箇所と、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部１０寄りに位置する第２の内部電極１２２と、を電気的に接続している。
【００７０】
第１の内層部１２０は、図２に示されるように、複数（本実施形態では、各４層）の第１の内部電極４１〜４４と複数（本実施形態では、各４層）の第２の内部電極５１〜５４とが交互に各複数（本実施形態では、８層）の誘電体層３１〜３８を介して積層されることにより構成される。
【００７１】
各第１の内部電極４１〜４４は、矩形形状を呈している。第１の内部電極４１〜４４は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【００７２】
第１の内部電極４１は、第１の端子電極３Ａの第１端子導体部３０１Ａと物理的かつ電気的に接続された引き出し導体４６Ａ（第１引き出し導体）を有している。第１の内部電極４２は、第１の端子電極３Ｂの第１端子導体部３０１Ｂと物理的かつ電気的に接続された引き出し導体４６Ｂ（第１引き出し導体）を有している。第１の内部電極４３は、第１の端子電極３Ｃの第１端子導体部３０１Ｃと物理的かつ電気的に接続された引き出し導体４６Ｃ（第１引き出し導体）を有している。第１の内部電極４４は、第１の端子電極３Ｄの第１端子導体部３０１Ｄと物理的かつ電気的に接続された引き出し導体４６Ｄ（第１引き出し導体）を有している。これにより、複数の第１の端子電極３Ａ〜３Ｄはそれぞれ、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｄを通して複数の第１の内部電極４１〜４４の少なくとも１つに電気的に接続される。
【００７３】
引き出し導体４６Ａはそれぞれ、第１の内部電極４１と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように第１の内部電極４１から伸びている。引き出し導体４６Ｂは、第１の内部電極１４２と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように第１の内部電極４２から伸びている。引き出し導体４６Ｃは、第１の内部電極４３と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように第１の内部電極４３から伸びている。引き出し導体４６Ｄは、第１の内部電極４４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように、第１の内部電極４４から伸びている。
【００７４】
各第２の内部電極５１〜５４は、矩形形状を呈している。第２の内部電極５１〜５４は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【００７５】
第２の内部電極５１は、第２の端子電極５Ａの第１端子導体部５０１Ａと物理的かつ電気的に接続された引き出し導体５６Ａ（第２引き出し導体）を有している。第２の内部電極５２は、第２の端子電極５Ｂの第１端子導体部５０１Ｂと物理的かつ電気的に接続された引き出し導体５６Ｂ（第２引き出し導体）を有している。第２の内部電極５３は、第２の端子電極５Ｃの第１端子導体部５０１Ｃと物理的かつ電気的に接続された引き出し導体５６Ｃ（第２引き出し導体）を有している。第２の内部電極５４は、第２の端子電極５Ｄの第１端子導体部５０１Ｄと物理的かつ電気的に接続された引き出し導体５６Ｄ（第２引き出し導体）を有している。これにより、複数の第２の端子電極５Ａ〜５Ｄはそれぞれ、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｄを通して複数の第２の内部電極５１〜５４の少なくとも１つに電気的に接続される。
【００７６】
引き出し導体５６Ａは、対応する第２の内部電極５１と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように第２の内部電極５１から伸びている。引き出し導体５６Ｂは、第２の内部電極５２と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように第２の内部電極５２から伸びている。引き出し導体５６Ｃは、第２の内部電極５３と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように第２の内部電極５３から伸びている。引き出し導体５６Ｄは、第２の内部電極５４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように、第２の内部電極５４から伸びている。
【００７７】
第２の内層部１３０には、図２に示されるように、第１の内部電極１４１と誘電体層１３１と第２の内部電極１４２とが順に積層されている。第１の内部電極１４１及び第２の内部電極１４２は、矩形形状を呈している。第１の内部電極１４１及び第２の内部電極１４２は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【００７８】
第１の内部電極１４１は、第１の内部電極１４１と一体に形成された引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｄ（第１引き出し導体）を有する。
【００７９】
引き出し導体１３４Ａは、第１の端子電極３Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ａの第１端子導体部３０１Ａと電気的に接続される。引き出し導体１３４Ｂは、第１の端子電極３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｂの第１端子導体部３０１Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１３４Ｃは、第１の端子電極３Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｃの第１端子導体部３０１Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１３４Ｄは、第１の端子電極３Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｄの第１端子導体部３０１Ｄと電気的に接続される。第１の内部電極１４１は、引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｄを通して第１の端子電極３Ａ〜３Ｄに電気的に接続されている。
【００８０】
第２の内部電極１４２は、第２の内部電極１４２と一体に形成された引き出し導体１３５Ａ〜１３５Ｄ（第２引き出し導体）を有する。引き出し導体１３５Ａ〜１３５Ｄは、引き出し導体１５Ａ〜１５Ｄに対応する位置に形成されている。
【００８１】
引き出し導体１３５Ａは、第２の端子電極５Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ａの第１端子導体部５０１Ａと電気的に接続される。引き出し導体１３５Ｂは、第２の端子電極５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｂの第１端子導体部５０１Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１３５Ｃは、第２の端子電極５Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｃの第１端子導体部５０１Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１３５Ｄは、第２の端子電極５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｄの第１端子導体部５０１Ｄと電気的に接続される。第２の内部電極１４２は、引き出し導体１３５Ａ〜１３５Ｄを通して第２の端子電極５Ａ〜５Ｄに電気的に接続されている。
【００８２】
誘電体層１３１における引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｄ，１３５Ａ〜１３５Ｄにそれぞれ対応する位置には、誘電体層１３１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３６ａ〜１３６ｄ，１３７ａ〜１３７ｄがそれぞれ形成されている。
【００８３】
スルーホール導体１３６ａは、その一端において誘電体層３８，１３１の間に位置する引き出し導体１３４Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１３６ｂは、その一端において誘電体層３８，１３１の間に位置する引き出し導体１３４Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１３６ｃは、その一端において誘電体層３８，１３１の間に位置する引き出し導体１３４Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１３６ｄは、その一端において誘電体層３８，１３１の間に位置する引き出し導体１３４Ｄと電気的に接続されている。
【００８４】
スルーホール導体１３７ａは、その一端において引き出し導体１３５Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１３７ｂは、その一端において引き出し導体１３５Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１３７ｃは、その一端において引き出し導体１３５Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１３７ｄは、その一端において引き出し導体１３５Ｄと電気的に接続されている。
【００８５】
第１の内部電極１４１におけるスルーホール導体１３７ａ〜１３７ｄに対応する領域は、誘電体層１３１が露出するように形成されている。すなわち、第１の内部電極１４１は、スルーホール導体１３７ａ〜１３７ｄと電気的に絶縁されている。第２の内部電極１４２におけるスルーホール導体１３６ａ〜１３６ｄに対応する領域は、外層部６０に含まれて第２の内部電極１４２と隣接する誘電体層６１が露出するように形成されている。すなわち、第２の内部電極１４２は、スルーホール導体１３６ａ〜１３６ｄと電気的に絶縁されている。
【００８６】
外層部６０は、複数（本実施形態では３層）の誘電体層６１〜６３が積層されることにより構成される。誘電体層６１，６２の間には、互いに絶縁された引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄ（第３引き出し導体）が積層されている。また、誘電体層６２，６３の間には、互いに絶縁された引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄ（第３引き出し導体）が積層されている。引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄは、それぞれ引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｄ，１３５Ａ〜１３５Ｄに対応する位置に積層されている。
【００８７】
引き出し導体６４Ａは、第１の端子電極３Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ａと電気的に接続される。引き出し導体６４Ｂは、第１の端子電極３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｂと電気的に接続される。引き出し導体６４Ｃは、第１の端子電極３Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｃと電気的に接続される。引き出し導体６４Ｄは、第１の端子電極３Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｄと電気的に接続される。
【００８８】
引き出し導体６５Ａは、第２の端子電極５Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ａと電気的に接続される。引き出し導体６５Ｂは、第２の端子電極５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｂと電気的に接続される。引き出し導体６５Ｃは、第２の端子電極５Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｃと電気的に接続される。引き出し導体６５Ｄは、第２の端子電極５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｄと電気的に接続される。
【００８９】
誘電体層６１における各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄにそれぞれ対応する位置には、誘電体層６１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３８ａ〜１３８ｄ，１３９ａ〜１３９ｄがそれぞれ形成されている。
【００９０】
スルーホール導体１３８ａは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６４Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１３８ｂは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６４Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１３８ｃは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６４Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１３８ｄは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６４Ｄと電気的に接続されている。
【００９１】
スルーホール導体１３９ａは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６５Ａと電気的に接続され、その他端において誘電体層１３１，６１の間に位置する引き出し導体１３５Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体１３９ｂは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６５Ｂと電気的に接続され、その他端において誘電体層１３１，６１の間に位置する引き出し導体１３５Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体１３９ｃは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６５Ｃと電気的に接続され、その他端において誘電体層１３１，６１の間に位置する引き出し導体１３５Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体１３９ｄは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６５Ｄと電気的に接続され、その他端において誘電体層１３１，６１の間に位置する引き出し導体１３５Ｄと電気的に接続されている。
【００９２】
誘電体層６２における各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄにそれぞれ対応する位置には、誘電体層６２を厚み方向に貫通するスルーホール導体６６ａ〜６６ｄ，６７ａ〜６７ｄがそれぞれ形成されている。
【００９３】
スルーホール導体６６ａは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６４Ａと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６４Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体６６ｂは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６４Ｂと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６４Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体６６ｃは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６４Ｃと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６４Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体６６ｄは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６４Ｄと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６４Ｄと電気的に接続されている。
【００９４】
スルーホール導体６７ａは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６５Ａと電気的に接続され、他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６５Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体６７ｂは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６５Ｂと電気的に接続され、他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６５Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体６７ｃは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６５Ｃと電気的に接続され、他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６５Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体６７ｄは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する引き出し導体６５Ｄと電気的に接続され、他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６５Ｄと電気的に接続されている。
【００９５】
誘電体層６３における各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄにそれぞれ対応する位置には、誘電体層６３を厚み方向に貫通するスルーホール導体６８ａ〜６８ｄ，６９ａ〜６９ｄがそれぞれ形成されている。
【００９６】
スルーホール導体６８ａは、その一端において第１の端子電極３Ａの第２端子導体部３０３Ａと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６４Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体６８ｂは、その一端において第１の端子電極３Ｂの第２端子導体部３０３Ｂと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６４Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体６８ｃは、その一端において第１の端子電極３Ｃの第２端子導体部３０３Ｃと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６４Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体６８ｄは、その一端において第１の端子電極３Ｄの第２端子導体部３０３Ｄと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６４Ｄと電気的に接続されている。
【００９７】
スルーホール導体６９ａは、その一端において第２の端子電極５Ａの第２端子導体部５０３Ａと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６５Ａと電気的に接続されている。スルーホール導体６９ｂは、その一端において第２の端子電極５Ｂの第２端子導体部５０３Ｂと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６５Ｂと電気的に接続されている。スルーホール導体６９ｃは、その一端において第２の端子電極５Ｃの第２端子導体部５０３Ｃと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６５Ｃと電気的に接続されている。スルーホール導体６９ｄは、その一端において第２の端子電極５Ｄの第２端子導体部５０３Ｄと電気的に接続され、その他端において誘電体層６２，６３の間に位置する引き出し導体６５Ｄと電気的に接続されている。
【００９８】
第２内層部１３０と外層部６０とが積層されることにより、スルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａが相互に電気的に接続され、積層方向と平行に配された略直線状の一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａが構成される。外層部６０と第２内層部１３０とが積層されることにより、積層方向と平行な略直線状の、一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６６ｂ，６８ｂ、一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６６ｃ，６８ｃ、一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６６ｄ，６８ｄ、一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６７ａ，６９ａ、一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６７ｂ，６９ｂ、一連のスルーホール導体１３７ｃ，１３９ｃ，６７ｃ，６９ｃ、及び一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄがそれぞれ構成される。
【００９９】
一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａは、外層部６０及び誘電体層１３１を貫通して、その一端が第１の内部電極１４１と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第１の端子電極３Ａの第２端子導体部３０３Ａと物理的かつ電気的に接続されている。第１の内部電極１４１は、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部６０寄りに位置している。一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａは、第１の端子電極３Ａと電気的に接続された２つの引き出し導体６４Ａと物理的かつ電気的に接続されている。
【０１００】
すなわち、一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａと２つの引き出し導体６４Ａとにより導通路が構成される。この導通路は、第１の端子電極３Ａにおける異なる３箇所と、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部６０寄りに位置する第１の内部電極１４１と、を電気的に接続している。
【０１０１】
一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６６ｂ，６８ｂは、外層部６０及び誘電体層１３１を貫通して、その一端が第１の内部電極１４１と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第１の端子電極３Ｂの第２端子導体部３０３Ｂと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６６ｂ，６８ｂは、第１の端子電極３Ｂと電気的に接続された２つの引き出し導体６４Ｂと物理的かつ電気的に接続されている。
【０１０２】
すなわち、一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６６ｂ，６８ｂと２つの引き出し導体６４Ｂとにより導通路が構成される。この導通路は、第１の端子電極３Ｂにおける異なる３箇所と、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部６０寄りに位置する第１の内部電極１４１と、を電気的に接続している。
【０１０３】
一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６６ｃ，６８ｃは、外層部６０及び誘電体層１３１を貫通して、その一端が第１の内部電極１４１と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第１の端子電極３Ｃの第２端子導体部３０３Ｃと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６６ｃ，６８ｃは、第１の端子電極３Ｃと電気的に接続された２つの引き出し導体６４Ｃと物理的かつ電気的に接続されている。
【０１０４】
すなわち、一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６６ｃ，６８ｃと２つの引き出し導体６４Ｃとにより導通路が構成される。この導通路は、第１の端子電極３Ｃにおける異なる３箇所と、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部６０寄りに位置する第１の内部電極１４１と、を電気的に接続している。
【０１０５】
一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６６ｄ，６８ｄは、外層部６０及び誘電体層１３１を貫通して、その一端が第１の内部電極１４１と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第１の端子電極３Ｄの第２端子導体部３０３Ｄと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６６ｄ，６８ｄは、第１の端子電極３Ｄと電気的に接続された２つの引き出し導体６４Ｄと物理的かつ電気的に接続されている。
【０１０６】
すなわち、一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６６ｄ，６８ｄと２つの引き出し導体６４Ｄとにより導通路が構成される。この導通路は、第１の端子電極３Ｄにおける異なる３箇所と、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部６０寄りに位置する第１の内部電極１４１と、を電気的に接続している。
【０１０７】
一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６７ａ，６９ａは、外層部６０及び誘電体層１３１を貫通して、その一端が第２の内部電極１４２と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第２の端子電極５Ａの第２端子導体部５０３Ａと物理的かつ電気的に接続されている。第２の内部電極１４２は、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部６０寄りに位置している。一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６７ａ，６９ａは、第２の端子電極５Ａと電気的に接続された２つの引き出し導体６５Ａと物理的かつ電気的に接続されている。
【０１０８】
すなわち、一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６７ａ，６９ａと２つの引き出し導体６５Ａとにより導通路が構成される。この導通路は、第２の端子電極５Ａにおける異なる３箇所と、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部６０寄りに位置する第２の内部電極１４２と、を電気的に接続している。
【０１０９】
一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６７ｂ，６９ｂは、外層部６０及び誘電体層１３１を貫通して、その一端が第２の内部電極１４２と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第２の端子電極５Ｂの第２端子導体部５０３Ｂと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６７ｂ，６９ｂは、第２の端子電極５Ｂと電気的に接続された２つの引き出し導体６５Ｂと物理的かつ電気的に接続されている。
【０１１０】
すなわち、一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６７ｂ，６９ｂと２つの引き出し導体６５Ｂとにより導通路が構成される。この導通路は、第２の端子電極５Ｂにおける異なる３箇所と、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部６０寄りに位置する第２の内部電極１４２と、を電気的に接続している。
【０１１１】
一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄは、外層部６０及び誘電体層１３１を貫通して、その一端が第２の内部電極１４２と物理的かつ電気的に接続され、その他端が第２の端子電極５Ｄの第２端子導体部５０３Ｄと物理的かつ電気的に接続されている。一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄは、第２の端子電極５Ｄと電気的に接続された２つの引き出し導体６５Ｄと物理的かつ電気的に接続されている。
【０１１２】
すなわち、一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄと２つの引き出し導体６５Ｄとにより導通路が構成される。この導通路は、第２の端子電極５Ｄにおける異なる３箇所と、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部６０寄りに位置する第２の内部電極１４２と、を電気的に接続している。
【０１１３】
図３を参照して、積層コンデンサＣ１を基板に実装した際に、積層コンデンサＣ１を流れる電流について説明する。図３は、基板８０に実装された積層コンデンサＣ１を示す、図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。積層コンデンサＣ１の側面１ｄが基板８０の実装面と対向して配置されている。外層部６０は、積層コンデンサＣ１の内層部３０と基板８０の実装面との間に位置する。
【０１１４】
図３に示すように、積層コンデンサＣ１の第１の端子電極３Ａが基板８０上に形成された陽極ランド８１と、第２の端子電極５Ｄが基板８０上に形成された陰極ランド８２とそれぞれ接続されるように、積層コンデンサＣ１が実装されている。陽極ランド８１、陰極ランド８２にはそれぞれ、基板内に設けられた配線８３、８４が接続されている。また、図３において、誘電体層１１〜１３，１１１，１１２，３１〜３８，１３１，６１〜６３及び配線８３，８４に相当する領域のハッチングは、図面を見やすくするため、省略している。
【０１１５】
第１の端子電極３Ａから第１の内部電極１２１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａ及び２つの引き出し導体１４Ａを含む導通路と、引き出し導体１１４Ａと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａを流れる電流と、引き出し導体１４Ａ及びスルーホール導体１８ａ，１１６ａを流れる電流と、引き出し導体１４Ａ及びスルーホール導体１１６ａを流れる電流と、に分流される。すなわち、第１の端子電極３Ａにおける４箇所から第１の内部電極１２１へ電流が流れる。
【０１１６】
第１の端子電極３Ａから第１の内部電極１４１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａ及び２つの引き出し導体６４Ａを含む導通路と、引き出し導体３４Ａと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体６８ａ，６６ａ，１３８ａ，１３６ａを流れる電流と、引き出し導体６４Ａ及びスルーホール導体６６ａ，１３８ａ，１３６ａを流れる電流と、引き出し導体６４Ａ及びスルーホール導体１３８ａ，１３６ａを流れる電流と、に分流される。すなわち、第１の端子電極３Ａにおける４箇所から第１の内部電極１４１へ電流が流れる。スルーホール導体６８ａ，６６ａ，１３８ａ，１３６ａを流れる電流経路は、第１の端子電極３Ａの第１端子導体部３０１Ａ及び引き出し導体１３４Ａを通して第１の内部電極１４１へ流れる電流経路よりも短い。
【０１１７】
第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｄへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄ及び２つの引き出し導体１５Ｄを含む導通路と、引き出し導体１１５Ｄと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体１１９ｄ，１１７ｄ，１９ｄ，１７ｄを流れる電流と、スルーホール導体１１９ｄ，１１７ｄ，１９ｄ及び引き出し導体１５Ｄを流れる電流と、スルーホール導体１１９ｄ，１１７ｄ及び引き出し導体１５Ｄを流れる電流と、に分流される。すなわち、第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｄにおける４箇所へ電流が流れる。
【０１１８】
第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｄへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄ及び２つの引き出し導体６５Ｄを含む導通路と、引き出し導体１３５Ｄと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄを流れる電流と、スルーホール導体１３９ｄ及び引き出し導体６５Ｄを流れる電流と、スルーホール導体１３９ｄ，６７ｄ及び引き出し導体６５Ｄを流れる電流と、に分流される。すなわち、第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｄにおける４箇所へ電流が流れる。スルーホール導体１３９ｄ，１６７ｄ，６９ｄを流れる電流経路は、引き出し導体１３５Ｄを通して第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｄへ流れる電流経路よりも短い。
【０１１９】
断面を図示しない他の第１の端子電極３Ｂ〜３Ｄから第１の内部電極１２１，１４１へ流れる電流、及び、他の第２の内部電極１２２，１４２から断面を図示しない第２の端子電極５Ｂ〜５Ｄへ流れる電流も、上記と同様に導通路によって分流して流れる。
【０１２０】
第１の端子電極３Ｂから第１の内部電極１２１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂ及び２つの引き出し導体１４Ｂを含む導通路と、引き出し導体１１４Ｂと、に分流して流れる。すなわち、第１の端子電極３Ｂにおける４箇所から第１の内部電極１２１へ電流が流れる。第１の端子電極３Ｂから第１の内部電極１４１へ流れる電流は、引き出し導体１３４Ｂと、一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６６ｂ，６８ｂと２つの引き出し導体６４Ｂとを含む導通路と、に分流して流れる。すなわち、第１の端子電極３Ｂにおける４箇所から第１の内部電極１４１へ電流が流れる。
【０１２１】
第１の端子電極３Ｃから第１の内部電極１２１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃ及び２つの引き出し導体１４Ｃを含む導通路と、引き出し導体１１４Ｃと、に分流して流れる。すなわち、第１の端子電極３Ｃにおける４箇所から第１の内部電極１２１へ電流が流れる。第１の端子電極３Ｃから第１の内部電極１４１へ流れる電流は、引き出し導体１３４Ｃと、一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６６ｃ，６８ｃ及び２つの引き出し導体６４Ｃを含む導通路と、に分流して流れる。すなわち、第１の端子電極３Ｃにおける４箇所から第１の内部電極１４１へ電流が流れる。
【０１２２】
第１の端子電極３Ｄから第１の内部電極１２１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄ及び２つの引き出し導体１４Ｄを含む導通路と、引き出し導体１１４Ｄと、に分流して流れる。すなわち、第１の端子電極３Ｄにおける４箇所から第１の内部電極１２１へ電流が流れる。第１の端子電極３Ｄから第１の内部電極１４１へ流れる電流は、引き出し導体１３４Ｄと、一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６６ｄ，６８ｄ及び２つの引き出し導体６４Ｄを含む導通路と、に分流して流れる。すなわち、第１の端子電極３Ｄにおける４箇所から第１の内部電極１４１へ電流が流れる。
【０１２３】
第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ａへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａ及び２つの引き出し導体１５Ａを含む導通路と、引き出し導体１１５Ａと、に分流して流れる。すなわち、第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ａにおける４箇所へ電流が流れる。第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ａへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６７ａ，６９ａ及び２つの引き出し導体６５Ａを含む導通路と、引き出し導体１３５Ａと、に分流して流れる。すなわち、第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ａにおける４箇所へ電流が流れる。
【０１２４】
第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｂへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂ及び２つの引き出し導体１５Ｂを含む導通路と、引き出し導体１１５Ｂと、に分流して流れる。すなわち、第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｂにおける４箇所へ電流が流れる。第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｂへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６７ｂ，６９ｂ及び２つの引き出し導体６５Ｂを含む導通路と、引き出し導体１３５Ｂと、に分流して流れる。すなわち、第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｂにおける４箇所へ電流が流れる。
【０１２５】
第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｃへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃ及び２つの引き出し導体１５Ｃを含む導通路と、引き出し導体１１５Ｃと、に分流して流れる。すなわち、第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｃにおける４箇所へ電流が流れる。第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｃへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３７ｃ，１３９ｃ，６７ｃ，６９ｃ及び２つの引き出し導体６５Ｃを含む導通路と、引き出し導体１３５Ｃと、に分流して流れる。すなわち、第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｃにおける４箇所へ電流が流れる。
第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｄへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄ及び２つの引き出し導体１５Ｄを含む導通路と、引き出し導体１１５Ｄと、に分流して流れる。すなわち、第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｄにおける４箇所へ電流が流れる。第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｄへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄ及び２つの引き出し導体６５Ｄを含む導通路と、引き出し導体１３５Ｄと、に分流して流れる。すなわち、第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｄにおける４箇所へ電流が流れる。
【０１２６】
以上説明したように、積層コンデンサＣ１では、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄを通して、第１の内部電極１２１と第１の端子電極３Ａ〜３Ｄとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第１の内部電極１２１との間を流れる電流は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｄを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。積層コンデンサＣ１では、引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄを通して、第１の内部電極１４１と第１の端子電極３Ａ〜３Ｄとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第１の内部電極１４１との間を流れる電流は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｄを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。したがって、等価直列インダクタンスを低減することができる。
また、積層コンデンサＣ１では、引き出し導体１５Ａ〜１５Ｄを通して、第２の内部電極１２２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第２の内部電極１２２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとの間を流れる電流は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｄを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。積層コンデンサＣ１では、引き出し導体６５Ａ〜６５Ｄを通して、第２の内部電極１４２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第２の内部電極１４２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとの間を流れる電流は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｄを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。したがって、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０１２７】
外層部１０に形成された各導通路は、第１の内部電極のうち最も外層部１０寄りに位置する第１の内部電極１２１と電気的に接続され、あるいは、第２の内部電極のうち最も外層部１０寄りに位置する第２の内部電極１２２と電気的に接続されている。これにより、外層部１０に形成された各導通路の線路長を比較的短くすることができる。外層部６０に形成された各導通路は、第１の内部電極のうち最も外層部６０寄りに位置する第１の内部電極１４１と電気的に接続され、あるいは、第２の内部電極のうち最も外層部６０寄りに位置する第２の内部電極１４２と電気的に接続されている。これにより、外層部６０に形成された各導通路の線路長を比較的短くすることができる。これらの結果、各導通路に発生する等価直列インダクタンスを抑制することができる。
【０１２８】
ところで、それぞれの導通路を構成するスルーホール導体は、各誘電体層を貫通する開口部を形成した後に、導体ペーストを充填することによって形成される。この開口部は、誘電体層毎に形成される。本実施形態の積層コンデンサＣ１においては、この開口部を形成するのは誘電体層１１，１２，１３，１１１，１３１，６１，６２，６３のみでよい。したがって、積層コンデンサＣ１では、導通路の形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０１２９】
各導通路は、対応する第１の端子電極３Ａ〜３Ｄの第１端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｄ，３０３Ａ〜３０３Ｄと第１の内部電極１２１，１４１とを物理的かつ電気的に接続する、あるいは、対応する第２の端子電極５Ａ〜５Ｄの第１端子導体部５０２Ａ〜５０２Ｄ，５０３Ａ〜５０３Ｄと第２の内部電極１２２，１４２とを物理的かつ電気的に接続している。これらにより、各導通路の長さが短くなる。したがって、導通路に発生する等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
誘電体層１１、１２、１３，１１１，１３１，６１，６２、６３にスルーホール導体１６ａ〜１６ｄ，１７ａ〜１７ｄ，１８ａ〜１８ｄ，１９ａ〜１９ｄ，１１６ａ〜１１６ｄ，１１７ａ〜１１７ｄ，１１８ａ〜１１８ｄ，１１９ａ〜１１９ｄ，１３６ａ〜１３６ｄ，１３７ａ〜１３７ｄ，１３８ａ〜１３８ｄ，１３９ａ〜１３９ｄ，６６ａ〜６６ｄ，６７ａ〜６７ｄ，６８ａ〜６８ｄ，６９ａ〜６９ｄが形成されている。これにより、スルーホール導体１６ａ〜１６ｄ，１７ａ〜１７ｄ，１８ａ〜１８ｄ，１９ａ〜１９ｄ，１１６ａ〜１１６ｄ，１１７ａ〜１１７ｄ，１１８ａ〜１１８ｄ，１１９ａ〜１１９ｄ，１３６ａ〜１３６ｄ，１３７ａ〜１３７ｄ，１３８ａ〜１３８ｄ，１３９ａ〜１３９ｄ，６６ａ〜６６ｄ，６７ａ〜６７ｄ，６８ａ〜６８ｄ，６９ａ〜６９ｄの形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０１３０】
上記導通路は、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄを含んでいる。各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄは、対応する第１の端子電極３Ａ〜３Ｄ又は第２の端子電極５Ａ〜５Ｄと、対応するスルーホール導体１６ａ〜１６ｄ，１７ａ〜１７ｄ，１８ａ〜１８ｄ，１９ａ〜１９ｄ，１１６ａ〜１１６ｄ，１１７ａ〜１１７ｄ，１１８ａ〜１１８ｄ，１１９ａ〜１１９ｄ，１３６ａ〜１３６ｄ，１３７ａ〜１３７ｄ，１３８ａ〜１３８ｄ，１３９ａ〜１３９ｄ，６６ａ〜６６ｄ，６７ａ〜６７ｄ，６８ａ〜６８ｄ，６９ａ〜６９ｄとに電気的に接続されている。これにより、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄに電流が分流されて、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０１３１】
上記導通路は、一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａ、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂ、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃ、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄ、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａ、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂ、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃ、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄ、一連のスルーホール導体６６ａ，６８ａ，１３６ａ，１３８ａ、一連のスルーホール導体６６ｂ，６８ｂ，１３６ｂ，１３８ｂ、一連のスルーホール導体６６ｃ，６８ｃ，１３６ｃ，１３８ｃ、一連のスルーホール導体６６ｄ，６８ｄ，１３６ｄ，１３８ｄ、一連のスルーホール導体６７ａ，６９ａ，１３７ａ，１３９ａ、一連のスルーホール導体６７ｂ，６９ｂ，１３７ｂ，１３９ｂ、一連のスルーホール導体６７ｃ，６９ｃ，１３７ｃ１，１３９ｃ、及び一連のスルーホール導体６７ｄ，６９ｄ，１３７ｄ，１３９ｄそれぞれに対して、対応する引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄを複数有するので、より多くの分流路が形成される。この結果、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０１３２】
積層コンデンサＣ１では、第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとが交互に配置されている。第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとを互いに逆極性とすると、隣り合う引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，１１４Ａ〜１１４Ｄ，１１５Ａ〜１１５Ｄ，４６Ａ〜４６Ｄ、５６Ａ〜５６Ｄ，１３４Ａ〜１３４Ｄ，１３５Ａ〜１３５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄを流れる電流の向きが互いに逆向きとなる。このため、各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，１１４Ａ〜１１４Ｄ，１１５Ａ〜１１５Ｄ，４６Ａ〜４６Ｄ、５６Ａ〜５６Ｄ，１３４Ａ〜１３４Ｄ，１３５Ａ〜１３５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄで発生する磁場が相殺される。その結果、積層コンデンサＣ１では、等価直列インダクタンスがさらに低減される。
【０１３３】
図４及び図５を参照して、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の変形例を説明する。図４は、第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例を示す斜視図である。図５は第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例に含まれる積層体の分解斜視図である。積層コンデンサＣ１とその変形例である積層コンデンサＣ１ａとの相違点について説明する。
【０１３４】
積層コンデンサＣ１ａは、誘電体層１１を貫通して引き出し導体１４Ａと物理的かつ電気的に接続されたスルーホール導体１６ａを複数（本変形例では２つ）備える。２つのスルーホール導体１６ａは、互いに平行に形成されている。同様に、積層コンデンサＣ１ａは、各誘電体層１１，１２，１３，１１１，１３１，６１，６２，６３を貫通して各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄと物理的かつ電気的に接続されたスルーホール導体１６ｂ〜１６ｄ，１７ａ〜１７ｄ，１８ａ〜１８ｄ，１９ａ〜１９ｄ，１１６ｂ〜１１６ｄ，１１７ａ〜１１７ｄ，１１８ａ〜１１８ｄ，１１９ａ〜１１９ｄ，６６ｂ〜６６ｄ，６７ａ〜６７ｄ，６８ａ〜６８ｄ，６９ａ〜６９ｄ，１３６ｂ〜１３６ｄ，１３７ａ〜１３７ｄ，１３８ａ〜１３８ｄ，１３９ａ〜１３９ｄをそれぞれ２つずつ備える。
【０１３５】
よって、積層コンデンサＣ１ａに含まれる各導通路は、各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄとそれぞれ物理的かつ電気的に接続された一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａ、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂ、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃ、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄ、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａ、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂ、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃ、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄ、一連のスルーホール導体６６ａ，６８ａ，１３６ａ，１３８ａ、一連のスルーホール導体６６ｂ，６８ｂ，１３６ｂ，１３８ｂ、一連のスルーホール導体６６ｃ，６８ｃ，１３６ｃ，１３８ｃ、一連のスルーホール導体６６ｄ，６８ｄ，１３６ｄ，１３８ｄ、一連のスルーホール導体６７ａ，６９ａ，１３７ａ，１３９ａ、一連のスルーホール導体６７ｂ，６９ｂ，１３７ｂ，１３９ｂ、一連のスルーホール導体６７ｃ，６９ｃ，１３７ｃ，１３９ｃ、一連のスルーホール導体６７ｄ，６９ｄ，１３７ｄ，１３９ｄ、をそれぞれ２つずつ有する。各導通路における１対の一連のスルーホール導体は互いに平行に形成されている。
【０１３６】
このように各導通路が一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａ、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂ、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃ、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄ、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａ、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂ、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃ、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄ、一連のスルーホール導体６６ａ，６８ａ，１３６ａ，１３８ａ、一連のスルーホール導体６６ｂ，６８ｂ，１３６ｂ，１３８ｂ、一連のスルーホール導体６６ｃ，６８ｃ，１３６ｃ，１３８ｃ、一連のスルーホール導体６６ｄ，６８ｄ，１３６ｄ，１３８ｄ、一連のスルーホール導体６７ａ，６９ａ，１３７ａ，１３９ａ、一連のスルーホール導体６７ｂ，６９ｂ，１３７ｂ，１３９ｂ、一連のスルーホール導体６７ｃ，６９ｃ，１３７ｃ，１３９ｃ、一連のスルーホール導体６７ｄ，６９ｄ，１３７ｄ，１３９ｄ、を複数有することにより、より多くの分流路が形成され、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。外層部に形成された各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄとそれぞれ物理的かつ電気的に接続された上記一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａ、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂ、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃ、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄ、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａ、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂ、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃ、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄ、一連のスルーホール導体６６ａ，６８ａ，１３６ａ，１３８ａ、一連のスルーホール導体６６ｂ，６８ｂ，１３６ｂ，１３８ｂ、一連のスルーホール導体６６ｃ，６８ｃ，１３６ｃ，１３８ｃ、一連のスルーホール導体６６ｄ，６８ｄ，１３６ｄ，１３８ｄ、一連のスルーホール導体６７ａ，６９ａ，１３７ａ，１３９ａ、一連のスルーホール導体６７ｂ，６９ｂ，１３７ｂ，１３９ｂ、一連のスルーホール導体６７ｃ，６９ｃ，１３７ｃ，１３９ｃ、一連のスルーホール導体６７ｄ，６９ｄ，１３７ｄ，１３９ｄをそれぞれ２以上ずつ備えるようにしてもよい。
【０１３７】
（第２実施形態）
図６を参照して、第２実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第２実施形態に係る積層コンデンサは、以下の点で、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。第２実施形態では、各第１の内部電極４１〜４４が複数の第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと引き出し導体を通して接続されると共に、各第２の内部電極５１〜５４が複数の第２の端子電極５Ａ〜５Ｄと引き出し導体を通して接続されている。第１実施形態と第２実施形態とでは、外層部１０，６０における引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄの数と誘電体層の積層数とが相違する。図６は、第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【０１３８】
第２実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、積層体１と、積層体１に形成された第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと、積層体１に形成された第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとを備えている。また、各端子電極３Ａ〜３Ｄ，５Ａ〜５Ｄは、第１端子導体部３０１Ａ〜３０１Ｄ，５０１Ａ〜５０１Ｄ及び第２端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｄ，３０３Ａ〜３０３Ｄ，５０２Ａ〜５０２Ｄ，５０３Ａ〜５０３Ｄを含む。
【０１３９】
積層体１は、図６に示すように、内層部３０と、内層部３０を間に挟む一対の外層部１０，６０とを有する。
【０１４０】
外層部１０は、複数（本実施形態では２層）の誘電体層１１，１２の間に引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄが積層されることにより構成される。
【０１４１】
各引き出し導体１４Ａ，１４Ｂは、第１の端子電極３Ａ，３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において対応する第１の端子電極３Ａ，３Ｂとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体１５Ａ，１５Ｂは、第２の端子電極５Ａ，５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において対応する第２の端子電極５Ａ，５Ｂとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体１４Ｃ、１４Ｄは、第１の端子電極３Ｃ，３Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において対応する第１の端子電極３Ｃ，３Ｄとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体１５Ｃ，１５Ｄは、第２の端子電極５Ｃ，５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において対応する第２の端子電極５Ｃ，５Ｄとそれぞれ電気的に接続される。
【０１４２】
誘電体層１１における引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄそれぞれに対応する位置には、誘電体層１１を厚み方向に貫通する各スルーホール導体１６ａ〜１６ｄ，１７ａ〜１７ｄが形成されている。誘電体層１２における引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄそれぞれに対応する位置には、誘電体層１２を厚み方向に貫通する各スルーホール導体１８ａ〜１８ｄ，１９ａ〜１９ｄが形成されている。スルーホール導体１６ａ〜１６ｄはそれぞれ、その一端において第１の端子電極３Ａ〜３Ｄの第２端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｄと電気的に接続され、他端において誘電体層１１，１２の間に位置する各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄと電気的に接続されている。スルーホール導体１７ａ〜１７ｄはそれぞれ、その一端において第２の端子電極５Ａ〜５Ｄの第２端子導体部５０２Ａ〜５０２Ｄと電気的に接続され、他端において誘電体層１１，１２の間に位置する各引き出し導体１５Ａ〜１５Ｄと電気的に接続されている。スルーホール導体１８ａ〜１８ｄ，１９ａ〜１９ｄはそれぞれ、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄと電気的に接続されている。
【０１４３】
第２実施形態にかかる積層コンデンサに含まれる積層体１の第２内層部１１０は、以下の点を除いて、第１実施形態の積層体１に含まれる第２内層部１１０と同じ構造である。引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｄは、それぞれ対応するスルーホール導体１８ａ〜１８ｄの一端と電気的に接続されている。
【０１４４】
したがって、外層部１０と誘電体層１１１，１１２とが積層されることにより、一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１８ａ、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１８ｂ、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１８ｃ、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１８ｄ、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１９ａ、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１９ｂ、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１９ｃ、及び一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１９ｄが形成される。これらの一連のスルーホール導体は、それぞれ対応する引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄと協働して、外層部１０に８つの導通路を形成する。
【０１４５】
各導通路は、第１又は第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ，５Ａ〜５Ｄそれぞれにおける異なる２箇所と、対応する第１の内部電極１２１または第２の内部電極１４２と、を電気的に接続している。
【０１４６】
内層部２０は、図６にも示されるように、複数（本実施形態では、８層）の誘電体層３１〜３８と、複数（本実施形態では、各４層）の第１及び第２の内部電極４１〜４４，５１〜５４とが交互に積層されることにより構成される。実際の第２実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層３１〜３８の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【０１４７】
各第１の内部電極４１〜４４は、矩形形状を呈している。第１の内部電極４１〜４４は、積層方向に平行な積層体１の側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【０１４８】
各第１の内部電極４１〜４４は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｄを通して複数の第１の端子電極３Ａ〜３Ｄの第１端子導体部３０１Ａ〜３０１Ｄそれぞれに電気的に接続されている。引き出し導体４６Ａ，４６Ｂはいずれも、第１の内部電極４１〜４４と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように第１の内部電極４１〜４４それぞれから伸びている。引き出し導体４６Ｃ、４６Ｄはいずれも、第１の内部電極４１〜４４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように第１の内部電極４１〜４４それぞれから伸びている。
【０１４９】
各第２の内部電極５１〜５４は、矩形形状を呈している。第２の内部電極５１〜５４は、積層方向に平行な積層体１の側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【０１５０】
各第２の内部電極５１〜５４は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｄを通して複数の第２の端子電極５Ａ〜５Ｄの第１端子導体部５０１Ａ〜５０１Ｄそれぞれに電気的に接続されている。引き出し導体５６Ａ，５６Ｂはいずれも、第２の内部電極５１〜５４と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように第２の内部電極５１〜５４それぞれから伸びている。引き出し導体５６Ｃ、５６Ｄはいずれも、第２の内部電極５１〜５４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように第２の内部電極５１〜５４それぞれから伸びている。
【０１５１】
第２実施形態にかかる積層コンデンサに含まれる積層体１の第２内層部１３０は、第１実施形態の積層体１に含まれる第２内層部１３０と同じ構造である。
【０１５２】
外層部６０は、複数（本実施形態では２層）の誘電体層６１，６３の間に引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄが積層されることにより構成される。
【０１５３】
各引き出し導体６４Ａ，６４Ｂは、第１の端子電極３Ａ，３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において対応する第１の端子電極３Ａ，３Ｂとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体６５Ａ，６５Ｂは、第２の端子電極５Ａ，５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において対応する第２の端子電極５Ａ，５Ｂとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体６４Ｃ，６４Ｄは、第１の端子電極３Ｃ，３Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において対応する第１の端子電極３Ｃ，３Ｄとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体６５Ｃ，６５Ｄは、第２の端子電極５Ｃ，５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において対応する第２の端子電極５Ｃ，５Ｄとそれぞれ電気的に接続される。
【０１５４】
誘電体層６１における引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄそれぞれに対応する位置には、誘電体層６１を厚み方向に貫通する各スルーホール導体１３８ａ〜１３８ｄ，１３９ａ〜１３９ｄが形成されている。誘電体層６３における引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄそれぞれに対応する位置には、誘電体層６３を厚み方向に貫通する各スルーホール導体６８ａ〜６８ｄ，６９ａ〜６９ｄが形成されている。
【０１５５】
スルーホール導体１３８ａ〜１３８ｄはそれぞれ、その一端において誘電体層６１，６３の間に位置する各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄと電気的に接続されている。スルーホール導体１３９ａ〜１３９ｄは、その一端において引き出し電極１３５Ａ〜１３５Ｄとそれぞれ電気的に接続され、他端において引き出し導体６５Ａ〜６５Ｄとそれぞれ電気的に接続されている。スルーホール導体６８ａ〜６８ｄ，６９ａ〜６９ｄはそれぞれ、その一端において各第１の端子電極３Ａ〜３Ｄの第２端子導体部３０３Ａ〜３０３Ｄ、各第２の端子電極５Ａ〜５Ｄの第２端子導体部５０３Ａ〜５０３Ｄと電気的に接続され、他端において誘電体層６１，６３の間に位置する各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄと電気的に接続されている。
【０１５６】
したがって、誘電体層１３１，６１，６３が積層されることにより、一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６８ａ、一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６８ｂ、一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６８ｃ、一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６８ｄ、一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６９ａ、一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６９ｂ、一連のスルーホール導体１３７ｃ，１３９ｃ，６９ｃ、及び一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６９ｄ、が形成される。これらの一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６８ａ、一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６８ｂ、一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６８ｃ、一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６８ｄ、一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６９ａ、一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６９ｂ、一連のスルーホール導体１３７ｃ，１３９ｃ，６９ｃ、及び一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６９ｄは、それぞれ対応する引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄと協働して、外層部６０に８つの導通路を形成する。
【０１５７】
各導通路は、第１又は第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ，５Ａ〜５Ｄそれぞれにおける異なる２箇所と、対応する第１の内部電極１４１または第２の内部電極１４２と、を電気的に接続している。
【０１５８】
図７は、基板８０に実装された、第２実施形態に係る積層コンデンサを示す断面図である。図７に示す断面図は、図１に示されたＩ−Ｉ線に対応する線にて第２実施形態に係る積層コンデンサを切断した際の断面図である。図７において、誘電体層１１，１２，１１１，１１２，１３１〜１３７，１３１，６１，６３及び配線８３，８４に相当する領域のハッチングは、図面を見やすくするため、省略している。
【０１５９】
第１の端子電極３Ａから第１の内部電極１２１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１８ａ及び１つの引き出し導体１４Ａを含む導通路と、引き出し導体１１４Ａと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体１６ａ，１１８ａを流れる電流と、引き出し導体１４Ａ及びスルーホール導体１８ａを流れる電流と、に分流される。すなわち、第１の端子電極３Ａにおける３箇所から第１の内部電極１２１へ電流が流れる。
【０１６０】
第１の端子電極３Ａから第１の内部電極１４１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６８ａ及び１つの引き出し導体６４Ａを含む導通路と、引き出し導体１３４Ａと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体６８ａ，１３８ａ，１３６ａを流れる電流と、引き出し導体６４Ａ及びスルーホール導体１３８ａ，１３６ａを流れる電流と、に分流される。すなわち、第１の端子電極３Ａにおける３箇所から第１の内部電極１４１へ電流が流れる。スルーホール導体６８ａ，１３８ａ，１３６ａを流れる電流経路は、引き出し導体１３４Ａを通して第１の内部電極１４１へ流れる電流経路よりも短い。
【０１６１】
第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｄへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１９ｄ及び１つの引き出し導体１５Ｄを含む導通路と、引き出し導体１１５Ｄと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体１１９ｄ，１９ｄ，１７ｄを流れる電流と、スルーホール導体１１９ｄ，１９ｄ及び引き出し導体１５Ｄを流れる電流と、に分流される。すなわち、第２の内部電極１２２から第２の端子電極５Ｄにおける３箇所へ電流が流れる。
【０１６２】
第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｄへ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６９ｄ及び２つの引き出し導体６５Ｄを含む導通路と、引き出し導体１３５Ｄと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体１３９ｄ，６９ｄを流れる電流と、スルーホール導体１３９ｄ及び引き出し導体６５Ｄを流れる電流と、に分流される。すなわち、第２の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｄにおける３箇所へ電流が流れる。スルーホール導体１３９ｄ，６９ｄを流れる電流経路は、引き出し導体１３５Ｄを通して第１の内部電極１４２から第２の端子電極５Ｄへ流れる電流経路よりも短い。
【０１６３】
断面を図示しない第１の端子電極３Ｂ〜３Ｄから第１の内部電極１２１，１４１へ流れる電流、及び、第２の内部電極１２２，１４２から断面を図示しない第２の端子電極５Ｂ〜５Ｄへ流れる電流も上記と同様に導通路によって分流して流れる。
【０１６４】
以上説明したように、第２実施形態にかかる積層コンデンサでは、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄを通して、第１の内部電極１２１と第１の端子電極３Ａ〜３Ｄとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第１の内部電極１２１との間を流れる電流は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｄを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。第２実施形態にかかる積層コンデンサでは、引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄを通して、第１の内部電極１４１と第１の端子電極３Ａ〜３Ｄとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第１の内部電極１４１との間を流れる電流は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｄを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。したがって、等価直列インダクタンスを低減することができる。
また、第２実施形態にかかる積層コンデンサでは、引き出し導体１５Ａ〜１５Ｄを通して、第２の内部電極１２２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第２の内部電極１２２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとの間を流れる電流は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｄを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。第２実施形態にかかる積層コンデンサでは、引き出し導体６５Ａ〜６５Ｄを通して、第２の内部電極１４２と、第２の端子電極５Ａ〜５Ｄと、を電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第２の内部電極１４２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとの間を流れる電流は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｄを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。したがって、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０１６５】
外層部１０に形成された各導通路は、複数の第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部１０寄りに位置する第１の内部電極１２１と電気的に接続され、あるいは、複数の第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部１０寄りに位置する第２の内部電極１２２と電気的に接続されている。これにより、外層部１０に形成された各導通路の線路長を比較的短くすることができる。外層部６０に形成された各導通路は、第１の内部電極１２１，４１〜４４，１４１のうち最も外層部６０寄りに位置する第１の内部電極１４１と電気的に接続され、あるいは、第２の内部電極１２２，５１〜５４，１４２のうち最も外層部６０寄りに位置する第２の内部電極１４２とそれぞれ電気的に接続される。これにより、外層部６０に形成された各導通路の線路長を比較的短くすることができる。これらの結果、各導通路に発生する等価直列インダクタンスを抑制することができる。また、第２実施形態にかかる積層コンデンサでは、上記各導通路の形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０１６６】
上記各導通路は、対応する第１の端子電極３Ａ〜３Ｄの第１端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｄ，３０３Ａ〜３０３Ｄと第１の内部電極１２１，１４１とを物理的かつ電気的に接続し、あるいは、対応する第２の端子電極５Ａ〜５Ｄの第１端子導体部５０２Ａ〜５０２Ｄ，５０３Ａ〜５０３Ｄと第２の内部電極１２２，１４２とを物理的かつ電気的に接続している。これらにより、各導通路の長さが短くなる。したがつて、導通路に発生する等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。また、スルーホール導体の形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０１６７】
上記導通路は、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄを含んでいる。各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄは、対応する第１の端子電極３Ａ〜３Ｄ又は第２の端子電極５Ａ〜５Ｄと、対応するスルーホール導体１６ａ〜１６ｄ，１７ａ〜１７ｄ，１８ａ〜１８ｄ，１９ａ〜１９ｄ，１１６ａ〜１１６ｄ，１１７ａ〜１１７ｄ，１１８ａ〜１１８ｄ，１１９ａ〜１１９ｄ，１３６ａ〜１３６ｄ，１３７ａ〜１３７ｄ，１３８ａ〜１３８ｄ，１３９ａ〜１３９ｄ，６６ａ〜６６ｄ，６７ａ〜６７ｄ，６８ａ〜６８ｄ，６９ａ〜６９ｄとに電気的に接続されている。これにより、電流が引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ，１５Ａ〜１５Ｄ，６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄに分流されて、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０１６８】
（第３実施形態）
図８及び図９を参照して、第３実施形態に係る積層コンデンサＣ２の構成について説明する。第３実施形態に係る積層コンデンサＣ２は、第１及び第２の端子電極の数が、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図８は、第３実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図９は、第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【０１６９】
積層コンデンサＣ２は、図８に示されるように、内層部３０と外層部１０、６０とを含む積層体１と、積層体１に形成された複数（本実施形態では、５つ）の第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと、同じく積層体１に形成された複数（本実施形態では、５つ）の第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとを備える。
【０１７０】
第１の端子電極３Ａ，３Ｂと第２の端子電極５Ａ，５Ｂとは、積層体１の側面１ａ側に位置している。第１の端子電極３Ｄ，３Ｅと第２の端子電極５Ｃ，５Ｄとは、積層体１の側面１ｂ側に位置している。第１の端子電極３Ｃは、積層体１の端面１ｅ側に位置している。第２の端子電極５Ｅは、積層体１の端面１ｆ側に位置している。第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとは、積層体１の外表面上において互いに電気的に絶縁されている。
【０１７１】
第１の端子電極３Ａ，３Ｂは、積層方向にわたるように積層体１の側面１ａの一部を覆う第１端子導体部３０１Ａ，３０１Ｂと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部３０２Ａ，３０２Ｂと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部３０３Ａ，３０３Ｂとをそれぞれ有する。第１の端子電極３Ａの第１端子導体部３０１Ａは、側面１ａに形成されている。第１の端子電極３Ａの第２端子導体部３０２Ａは、側面１ｃに形成されている。第１の端子電極３Ａの第２端子導体部３０３Ａは、側面１ｄに形成されている。第１の端子電極３Ｂの第１端子導体部３０１Ｂは、側面１ａに形成されている。第１の端子電極３Ｂの第２端子導体部３０２Ｂは、側面１ｃに形成されている。第１の端子電極３Ｂの第２端子導体部３０３Ｂは、側面１ｄに形成されている。
【０１７２】
第１の端子電極３Ｃは、積層方向にわたるように積層体１の端面１ｅの一部を覆う第１端子導体部３０１Ｃと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部３０２Ｃと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部３０３Ｃとを有する。第１の端子電極３Ｃの第１端子導体部３０１Ｃは、端面１ｅに形成されている。第１の端子電極３Ｃの第２端子導体部３０２Ｃは、側面１ｃに形成されている。第１の端子電極３Ｃの第２端子導体部３０３Ｃは、側面１ｄに形成されている。
【０１７３】
第１の端子電極３Ｄ，３Ｅは、積層方向にわたるように積層体１の側面１ｂの一部を覆う第１端子導体部３０１Ｄ，３０１Ｅと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部３０２Ｄ，３０２Ｅと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部３０３Ｄ，３０３Ｅとをそれぞれ有する。第１の端子電極３Ｄの第１端子導体部３０１Ｄは、側面１ｂに形成されている。第１の端子電極３Ｄの第２端子導体部３０２Ｄは、側面１ｃに形成されている。第１の端子電極３Ｄの第２端子導体部３０３Ｄは側面１ｄに形成されている。第１の端子電極３Ｅの第１端子導体部３０１Ｅは、側面１ｂに形成されている。第１の端子電極３Ｅの第２端子導体部３０２Ｅは、側面１ｃに形成されている。第１の端子電極３Ｅの第２端子導体部３０３Ｅは、側面１ｄに形成されている。
【０１７４】
第２の端子電極５Ａ，５Ｂは、積層方向にわたるように積層体１の側面１ａの一部を覆う第１端子導体部５０１Ａ，５０１Ｂと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部５０２Ａ，５０２Ｂと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部５０３Ａ，５０３Ｂとをそれぞれ有する。第２の端子電極５Ａの第１端子導体部５０１Ａは、側面１ａに形成されている。第２の端子電極５Ａの第２端子導体部５０２Ａは、側面１ｃに形成されている。第２の端子電極５Ａの第２端子導体部５０３Ａは、側面１ｄに形成されている。第２の端子電極５Ｂの第１端子導体部５０１Ｂは、側面１ａに形成されている。第２の端子電極５Ｂの第２端子導体部５０２Ｂは、側面１ｃに形成されている。第２の端子電極５Ｂの第２端子導体部５０３Ｂは、側面１ｄに形成されている。
【０１７５】
第２の端子電極５Ｃ，５Ｄは、積層方向にわたるように積層体１の側面１ｂの一部を覆う第１端子導体部５０１Ｃ，５０１Ｄと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部５０２Ｃ，５０２Ｄと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部５０３Ｃ，５０３Ｄとをそれぞれ有する。第２の端子電極５Ｃの第１端子導体部５０１Ｃは、側面１ｂに形成されている。第２の端子電極５Ｃの第２端子導体部５０２Ｃは、側面１ｃに形成されている。第２の端子電極５Ｃの第２端子導体部５０３Ｃは、側面１ｄに形成されている。第２の端子電極５Ｄの第１端子導体部５０１Ｄは側面１ｂに形成されている。第２の端子電極５Ｄの第２端子導体部５０２Ｄは、側面１ｃに形成されている。第２の端子電極５Ｄの第２端子導体部５０３Ｄは、側面１ｄに形成されている。
【０１７６】
第２の端子電極５Ｅは、積層方向にわたるように積層体１の端面１ｆの一部を覆う第１端子導体部５０１Ｅと、側面１ｃに回り込んだ第２端子導体部５０２Ｅと、側面１ｄに回り込んだ第２端子導体部５０３Ｅとを有する。第２の端子電極５Ｅの第１端子導体部５０１Ｅは、端面１ｆに形成されている。第２の端子電極５Ｅの第２端子導体部５０２Ｅは側面１ｃに形成されている。第２の端子電極５Ｅの第２端子導体部５０３Ｅは、側面１ｄに形成されている。
【０１７７】
積層体１は、図９に示されるように、内層部３０と、内層部３０を間に挟む一対の外層部１０，６０とを有する。
【０１７８】
外層部１０は、複数（本実施形態では３層）の誘電体層１１〜１３及び引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅが交互に積層されることにより構成される。実際の積層コンデンサＣ２では、誘電体層１１〜１３の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【０１７９】
誘電体層１１，１２の間及び誘電体層１２，１３の間にはそれぞれ、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅが積層されている。すなわち、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅは、１層の誘電体層を介して、外層部１０内の複数の誘電体層１１〜１３の間に積層されている。
【０１８０】
各引き出し導体１４Ａ，１４Ｂは、第１の端子電極３Ａ，３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において対応する第１の端子電極３Ａ，３Ｂとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体１５Ａ，１５Ｂは、第２の端子電極５Ａ，５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において対応する第２の端子電極５Ａ，５Ｂとそれぞれ電気的に接続される。引き出し導体１４Ｃは、第１の端子電極３Ｃが形成されている積層体１の端面１ｅに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｃと電気的に接続される。各引き出し導体１４Ｄ，１４Ｅは、第１の端子電極３Ｄ，３Ｅが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において対応する第１の端子電極３Ｄ，３Ｅとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体１５Ｃ，１５Ｄは、第２の端子電極５Ｃ，５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において対応する第２の端子電極５Ｃ，５Ｄとそれぞれ電気的に接続される。引き出し導体１５Ｅは、第２の端子電極５Ｅが形成されている積層体１の端面１ｆに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｅと電気的に接続される。
【０１８１】
誘電体層１１における引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅそれぞれに対応する位置には、誘電体層１１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅが形成されている。スルーホール導体１６ａ〜１６ｅはそれぞれ、その一端において第１の端子電極３Ａ〜３Ｅの第２端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｅと接続され、他端において誘電体層１１，１２の間に位置する各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅと電気的に接続されている。スルーホール導体１７ａ〜１７ｅはそれぞれ、その一端において第２の端子電極５Ａ〜５Ｅの第２端子導体部５０２Ａ〜５０２Ｅと接続され、他端において誘電体層１１，１２の間に位置する各引き出し導体１５Ａ〜１５Ｅと電気的に接続されている。
【０１８２】
誘電体層１２における引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅそれぞれに対応する位置には、誘電体層１２を厚み方向に貫通するスルーホール導体１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅが形成されている。スルーホール導体１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅはそれぞれ、その一端において誘電体層１１，１２の間に位置する各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅと、他端において誘電体層１２，１３の間に位置する各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅと電気的に接続されている。
【０１８３】
誘電体層１３における引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅそれぞれに対応する位置には、誘電体層１３を厚み方向に貫通するスルーホール導体１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅが形成されている。スルーホール導体１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅはそれぞれ、その一端において誘電体層１２，１３の間に位置する各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅと電気的に接続されている。
【０１８４】
第２の内層部１１０には、図９に示されるように、第１の内部電極１２１と誘電体層１１１と第２の内部電極１２２と誘電体層１１２とが順に積層されている。第１の内部電極１２１及び第２の内部電極１２２は、矩形形状を呈している。第１の内部電極１２１及び第２の内部電極１２２は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【０１８５】
第１の内部電極１２１は、第１の内部電極１２１と一体に形成された引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｅを有する。引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｅは、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅに対応する位置に形成されている。よって、引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｅは、それぞれ対応するスルーホール導体１１６ａ〜１１６ｅの一端と電気的に接続されている。
【０１８６】
引き出し導体１１４Ａは、第１の端子電極３Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ａの第１端子導体部３０１Ａと電気的に接続される。引き出し導体１１４Ｂは、第１の端子電極３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｂの第１端子導体部３０１Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１１４Ｃは、第１の端子電極３Ｃが形成されている積層体１の端面１ｅに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｃの第１端子導体部３０１Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１１４Ｄは、第１の端子電極３Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｄの第１端子導体部３０１Ｄと電気的に接続される。引き出し導体１１４Ｅは、第１の端子電極３Ｅが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｅの第１端子導体部３０１Ｅと電気的に接続される。第１の内部電極１２１は、引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｅを通して第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと電気的に接続されている。
【０１８７】
第２の内部電極１２２は、第２の内部電極１２２と一体に形成された引き出し導体１１５Ａ〜１１５Ｅを有する。引き出し導体１１５Ａ〜１１５Ｅは、引き出し導体１５Ａ〜１５Ｅに対応する位置に形成されている。
【０１８８】
引き出し導体１１５Ａは、第２の端子電極５Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ａの第１端子導体部５０１Ａと電気的に接続される。引き出し導体１１５Ｂは、第２の端子電極５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｂの第１端子導体部５０１Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１１５Ｃは、第２の端子電極５Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｃの第１端子導体部５０１Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１１５Ｄは、第２の端子電極５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｄの第１端子導体部５０１Ｄと電気的に接続される。引き出し導体１１５Ｅは、第２の端子電極５Ｅが形成されている積層体１の端面１ｆに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｅの第１端子導体部５０１Ｅと電気的に接続される。第２の内部電極１２２は、引き出し導体１１５Ａ〜１１５Ｅを通して第２の端子電極５Ａ〜５Ｅと電気的に接続されている。
【０１８９】
誘電体層１１１における引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｅ，１１５Ａ〜１１５Ｅにそれぞれ対応する位置には、誘電体層１１１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１１８ａ〜１１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅがそれぞれ形成されている。
【０１９０】
スルーホール導体１１８ａ〜１１８ｅは、それぞれ一端において誘電体層１３，１１１の間に位置する引き出し導体１１４Ａ〜１１４Ｅと電気的に接続されている。スルーホール導体１１９ａ〜１１９ｅは、それぞれ一端において誘電体層１１１，１１２の間に位置する引き出し導体１１５Ａ〜１１５Ｅと電気的に接続されている。
【０１９１】
第１の内部電極１２１におけるスルーホール導体１１７ａ〜１１７ｅに対応する領域は、誘電体層１１１が露出するように形成されている。すなわち、第１の内部電極１２１は、スルーホール導体１１７ａ〜１１７ｅ，１１９ａ〜１１９ｅと電気的に絶縁されている。第２の内部電極１２２におけるスルーホール導体１１８ａ〜１１８ｅに対応する領域は、誘電体層１２が露出するように形成されている。すなわち、第２の内部電極１２２は、スルーホール導体１１６ａ〜１１６ｅ，１１８ａ〜１１８ｅと電気的に絶縁されている。
【０１９２】
したがって、誘電体層１１〜１３，１１１，１１２が積層されることにより、一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａ、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂ、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃ、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄ、一連のスルーホール導体１６ｅ，１８ｅ，１１６ｅ，１１８ｅ、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａ、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂ、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃ、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄ、及び、一連のスルーホール導体１７ｅ，１９ｅ，１１７ｅ，１１９ｅが形成される。一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａ、一連のスルーホール導体１６ｂ，１８ｂ，１１６ｂ，１１８ｂ、一連のスルーホール導体１６ｃ，１８ｃ，１１６ｃ，１１８ｃ、一連のスルーホール導体１６ｄ，１８ｄ，１１６ｄ，１１８ｄ、一連のスルーホール導体１６ｅ，１８ｅ，１１６ｅ，１１８ｅ、一連のスルーホール導体１７ａ，１９ａ，１１７ａ，１１９ａ、一連のスルーホール導体１７ｂ，１９ｂ，１１７ｂ，１１９ｂ、一連のスルーホール導体１７ｃ，１９ｃ，１１７ｃ，１１９ｃ、一連のスルーホール導体１７ｄ，１９ｄ，１１７ｄ，１１９ｄ、及び、一連のスルーホール導体１７ｅ，１９ｅ，１１７ｅ，１１９ｅは、それぞれ対応する引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅと協働して、外層部１０に１０の導通路を形成する。
【０１９３】
各導通路は、第１の端子電極３Ａ〜３Ｅ、第２の端子電極５Ａ〜５Ｅそれぞれにおける異なる２箇所と、対応する第１の内部電極１２１、第２の内部電極１２２と、をそれぞれ電気的に接続している。
【０１９４】
第１内層部２０は、図９に示されるように、複数（本実施形態では、１０層）の誘電体層３１〜４０と、複数（本実施形態では、各５層）の第１及び第２の内部電極４１〜４５，５１〜５５とが交互に積層されることにより構成される。実際の積層コンデンサＣ２では、誘電体層３１〜４０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【０１９５】
各第１の内部電極４１〜４５は、矩形形状を呈している。第１の内部電極４１〜４５は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
第１の内部電極４１は、引き出し導体４６Ａを通して第１の端子電極３Ａの第１端子導体部３０１Ａに電気的に接続されている。第１の内部電極４２は、引き出し導体４６Ｂを通して第１の端子電極３Ｂの第１端子導体部３０１Ｂに電気的に接続されている。第１の内部電極４３は、引き出し導体４６Ｃを通して第１の端子電極３Ｃの第１端子導体部３０１Ｃに電気的に接続されている。第１の内部電極４４は、引き出し導体４６Ｄを通して第１の端子電極３Ｄの第１端子導体部３０１Ｄに電気的に接続されている。第１の内部電極４５は、引き出し導体４６Ｅを通して第１の端子電極３Ｅの第１端子導体部３０１Ｅに電気的に接続されている。これにより、複数の第１の端子電極部３Ａ〜３Ｅはそれぞれ、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｅを通して複数の第１の内部電極４１〜４５の少なくとも１つに電気的に接続される。
【０１９６】
引き出し導体４６Ａ，４６Ｂはそれぞれ、対応する第１の内部電極４１，４２と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように、各第１の内部電極４１，４２から伸びている。引き出し導体４６Ｃは、対応する第１の内部電極４３と一体に形成されており、積層体１の端面１ｅに臨むように、各第１の内部電極４３から伸びている。引き出し導体４６Ｄ，４６Ｅはそれぞれ、対応する第１の内部電極４４，４５と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように、各第１の内部電極４４，４５から伸びている。
【０１９７】
各第２の内部電極５１〜５５は、矩形形状を呈している。第２の内部電極５１〜５５は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【０１９８】
第２の内部電極５１は、引き出し導体５６Ａを通して第２の端子電極５Ａの第１端子導体部５０１Ａに電気的に接続されている。第２の内部電極５２は、引き出し導体５６Ｂを通して第２の端子電極５Ｂの第１端子導体部５０１Ｂに電気的に接続されている。第２の内部電極５３は、引き出し導体５６Ｃを通して第２の端子電極５Ｃの第１端子導体部５０１Ｃに電気的に接続されている。第２の内部電極５４は、引き出し導体５６Ｄを通して第２の端子電極５Ｄの第１端子導体部５０１Ｄに電気的に接続されている。第２の内部電極５５は、引き出し導体５６Ｅを通して第２の端子電極５Ｅの第１端子導体部５０１Ｅに電気的に接続されている。これにより、複数の第２の端子電極５Ａ〜５Ｅはそれぞれ、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｅを通して複数の第２の内部電極５１〜５５の少なくとも１つに電気的に接続される。
【０１９９】
引き出し導体５６Ａ，５６Ｂはそれぞれ、対応する第２の内部電極５１，５２と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように、各第２の内部電極５１，５２から伸びている。引き出し導体５６Ｃ，５６Ｄはそれぞれ、対応する第２の内部電極５３，５４と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように、各第２の内部電極５３，５４から伸びている。引き出し導体５６Ｅは、対応する第２の内部電極５５と一体に形成されており、積層体１の端面１ｆに臨むように、第２の内部電極５５から伸びている。
【０２００】
第２の内層部１３０には、図９に示されるように、第１の内部電極１４１と誘電体層１３１と第２の内部電極１４２とが順に積層されている。第１の内部電極１４１及び第２の内部電極１４２は、矩形形状を呈している。第１の内部電極１４１及び第２の内部電極１４２は、積層体１における積層方向に平行な側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【０２０１】
第１の内部電極１４１は、第１の内部電極１４１と一体に形成された引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｅを有する。引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｅは、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅに対応する位置に形成されている。
【０２０２】
引き出し導体１３４Ａは、第１の端子電極３Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ａの第１端子導体部３０１Ａと電気的に接続される。引き出し導体１３４Ｂは、第１の端子電極３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｂの第１端子導体部３０１Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１３４Ｃは、第１の端子電極３Ｃが形成されている積層体１の端面１ｅに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｃの第１端子導体部３０１Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１３４Ｄは、第１の端子電極３Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｄの第１端子導体部３０１Ｄと電気的に接続される。引き出し導体１３４Ｅは、第１の端子電極３Ｅが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｅの第１端子導体部３０１Ｅと電気的に接続される。第１の内部電極１４１は、引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｅを通して第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと電気的に接続されている。
【０２０３】
第２の内部電極１４２は、第２の内部電極１４２と一体に形成された引き出し導体１３５Ａ〜１３５Ｅを有する。引き出し導体１３５Ａ〜１３５Ｅは、引き出し導体１５Ａ〜１５Ｅに対応する位置に形成されている。
【０２０４】
引き出し導体１３５Ａは、第２の端子電極５Ａが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ａの第１端子導体部５０１Ａと電気的に接続される。引き出し導体１３５Ｂは、第２の端子電極５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｂの第１端子導体部５０１Ｂと電気的に接続される。引き出し導体１３５Ｃは、第２の端子電極５Ｃが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｃの第１端子導体部５０１Ｃと電気的に接続される。引き出し導体１３５Ｄは、第２の端子電極５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｄの第１端子導体部５０１Ｄと電気的に接続される。引き出し導体１３５Ｅは、第２の端子電極５Ｅが形成されている積層体１の端面１ｆに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｅの第１端子導体部５０１Ｅと電気的に接続される。第２の内部電極１４２は、引き出し導体１３５Ａ〜１３５Ｅを通して第２の端子電極５Ａ〜５Ｅと電気的に接続されている。
【０２０５】
誘電体層１３１における引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｅ，１３５Ａ〜１３５Ｅにそれぞれ対応する位置には、誘電体層１３１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅがそれぞれ形成されている。
【０２０６】
スルーホール導体１３８ａ〜１３８ｅは、それぞれ一端において引き出し導体１３４Ａ〜１３４Ｅと電気的に接続されている。スルーホール導体１３９ａ〜１３９ｅは、それぞれ一端において引き出し導体１３５Ａ〜１３５Ｅと電気的に接続されている。
【０２０７】
第１の内部電極１４１におけるスルーホール導体１３７ａ〜１３７ｅに対応する領域は、誘電体層１３１が露出するように形成されている。すなわち、第１の内部電極１４１は、スルーホール導体１３７ａ〜１３７ｅ，１３９ａ〜１３９ｅと電気的に絶縁されている。第２の内部電極１４２におけるスルーホール導体１３８ａ〜１３８ｅに対応する領域は、１第２の内部電極１４２と隣接する誘電体層６１が露出するように形成されている。すなわち、第２の内部電極１４２は、スルーホール導体１３６ａ〜１３６ｅと電気的に絶縁されている。
【０２０８】
外層部６０は、複数（本実施形態では３層）の誘電体層６１〜６３及び引き出し導体６４Ａ〜６４Ｄ，６５Ａ〜６５Ｄが交互に積層されることにより構成される。実際の積層コンデンサＣ２では、誘電体層６１〜６３の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【０２０９】
誘電体層６１，６２の間及び誘電体層６２，６３の間にはそれぞれ、引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅが積層されている。すなわち、引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅは、１層の誘電体層を介して、複数の誘電体層６１〜６３の間に積層されている。
【０２１０】
各引き出し導体６４Ａ，６４Ｂは、第１の端子電極３Ａ，３Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において対応する第１の端子電極３Ａ，３Ｂとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体６５Ａ，６５Ｂは、第２の端子電極５Ａ，５Ｂが形成されている積層体１の側面１ａに引き出されるように伸び、その一端において対応する第２の端子電極５Ａ，５Ｂとそれぞれ電気的に接続される。引き出し導体６４Ｃは、第１の端子電極３Ｃが形成されている積層体１の端面１ｅに引き出されるように伸び、その一端において第１の端子電極３Ｃと電気的に接続される。各引き出し導体６４Ｄ，６４Ｅは、第１の端子電極３Ｄ，３Ｅが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において対応する第１の端子電極３Ｄ，３Ｅとそれぞれ電気的に接続される。各引き出し導体６５Ｃ，６５Ｄは、第２の端子電極５Ｃ，５Ｄが形成されている積層体１の側面１ｂに引き出されるように伸び、その一端において対応する第２の端子電極５Ｃ，５Ｄとそれぞれ電気的に接続される。引き出し導体６５Ｅは、第２の端子電極５Ｅが形成されている積層体１の端面１ｆに引き出されるように伸び、その一端において第２の端子電極５Ｅと電気的に接続される。
【０２１１】
誘電体層６１における引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅそれぞれに対応する位置には、誘電体層６１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅが形成されている。スルーホール導体１３８ａ〜１３８ｅは、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅと電気的に接続されている。スルーホール導体１３９ａ〜１３９ｅはそれぞれ、その一端において引き出し導体１３５Ａ〜１３５Ｅと接続され、他端において誘電体層６１，６２の間に位置する各引き出し導体６５Ａ〜６５Ｅと電気的に接続されている。
【０２１２】
誘電体層６２における引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅそれぞれに対応する位置には、誘電体層６２を厚み方向に貫通するスルーホール導体６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅが形成されている。スルーホール導体６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅはそれぞれ、その一端において誘電体層６１，６２の間に位置する各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅと、他端において誘電体層６２，６３の間に位置する各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅと電気的に接続されている。
【０２１３】
誘電体層６３における引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅそれぞれに対応する位置には、誘電体層６１を厚み方向に貫通するスルーホール導体６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅが形成されている。スルーホール導体６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅはそれぞれ、その一端において各端子電極３Ａ〜３Ｅ，５Ａ〜５Ｅの第２端子導体部３０３Ａ〜３０３Ｅ，５０３Ａ〜５０３Ｅと接続され、他端において誘電体層６２、６３の間に位置する各引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅと電気的に接続されている。
【０２１４】
したがって、誘電体層１３１，６１〜６３が積層されることにより、一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａ、一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６６ｂ，６８ｂ、一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６６ｃ，６８ｃ、一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６６ｄ，６８ｄ、一連のスルーホール導体１３６ｅ，１３８ｅ，６６ｅ，６８ｅ、一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６７ａ，６９ａ、一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６７ｂ，６９ｂ、一連のスルーホール導体１３７ｃ，１３９ｃ，６７ｃ，６９ｃ、一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄ、及び、一連のスルーホール導体１３７ｅ，１３９ｅ，６７ｅ，６９ｅが形成される。これらの一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａ、一連のスルーホール導体１３６ｂ，１３８ｂ，６６ｂ，６８ｂ、一連のスルーホール導体１３６ｃ，１３８ｃ，６６ｃ，６８ｃ、一連のスルーホール導体１３６ｄ，１３８ｄ，６６ｄ，６８ｄ、一連のスルーホール導体１３６ｅ，１３８ｅ，６６ｅ，６８ｅ、一連のスルーホール導体１３７ａ，１３９ａ，６７ａ，６９ａ、一連のスルーホール導体１３７ｂ，１３９ｂ，６７ｂ，６９ｂ、一連のスルーホール導体１３７ｃ，１３９ｃ，６７ｃ，６９ｃ、一連のスルーホール導体１３７ｄ，１３９ｄ，６７ｄ，６９ｄ、及び、一連のスルーホール導体１３７ｅ，１３９ｅ，６７ｅ，６９ｅは、それぞれ対応する引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅと協働して、外層部６０に１０の導通路を形成する。
【０２１５】
各導通路は、第１又は第２の端子電極３Ａ〜３Ｅ，５Ａ〜５Ｅそれぞれにおける異なる２箇所と、対応する第１の内部電極１４１または第２の内部電極１４２と、を電気的に接続している。
【０２１６】
図１０は、基板８０に実装された積層コンデンサＣ２を示す断面図である。図１０に示す断面図は、図８に示されたII−II線に対応する線にて積層コンデンサＣ２を切断した際の断面図である。積層コンデンサＣ２の第１の端子電極３Ａが基板８０上に形成された陽極ランド８１と、第１の端子電極３Ｅが基板８０上に形成された陽極ランド８６とそれぞれ接続されるように、積層コンデンサＣ２が実装されている。陽極ランド８１，８６にはそれぞれ、基板内に設けられた配線８３，８５が接続されている。図１０において、誘電体層１１〜１３，１１１，１１２，３１〜４０，１３１，６１〜６３及び配線８３，８５に相当する領域のハッチングは、図面を見やすくするため、省略している。
【０２１７】
第１の端子電極３Ａから第１の内部電極１２１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１６ａ，１８ａ，１１６ａ，１１８ａ及び２つの引き出し導体１４Ａを含む導通路と、引き出し導体１１４Ａと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体１６ａ，１１８ａ，１１６ａを流れる電流と、引き出し導体１４Ａ及びスルーホール導体１８ａ，１１６ａを流れる電流と、引き出し導体１４Ａ及びスルーホール導体１１６ａを流れる電流と、に分流される。すなわち、第１の端子電極３Ａにおける４箇所から第１の内部電極１２１へ電流が流れる。
【０２１８】
第１の端子電極３Ａから第１の内部電極１４１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３６ａ，１３８ａ，６６ａ，６８ａ及び２つの引き出し導体６４Ａを含む導通路と、引き出し導体１３４Ａと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体６８ａ，６６ａ，１３８ａ，１３６ａを流れる電流と、引き出し導体６４Ａ及びスルーホール導体６６ａ，１３８ａ，１３６ａを流れる電流と、引き出し導体６４Ａ及びスルーホール導体１３８ａ，１３６ａを流れる電流と、に分流される。すなわち、第１の端子電極３Ａにおける４箇所から第１の内部電極１４１へ電流が流れる。スルーホール導体６８ａ，６６ａ，１３８ａ，１３６ａを流れる電流経路は、引き出し導体１３４Ａを通して第１の内部電極１４１へ流れる電流経路よりも短い。
【０２１９】
第１の端子電極３Ｅから第１の内部電極１２１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１６ｅ，１８ｅ，１１６ｅ，１１８ｅ及び２つの引き出し導体１４Ｅを含む導通路と、引き出し導体１１４Ｅと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体１６ｅ，１８ｅ，１１６ｅを流れる電流と、引き出し導体１４Ｅ及びスルーホール導体１８ｅ，１１６ｅを流れる電流と、引き出し導体１４Ｅ及びスルーホール導体１１６ｅを流れる電流と、に分流される。すなわち、第１の端子電極３Ｅにおける４箇所から第１の内部電極１２１へ電流が流れる。
【０２２０】
第１の端子電極３Ｅから第１の内部電極１４１へ流れる電流は、一連のスルーホール導体１３６ｅ，１３８ｅ，６６ｅ，６８ｅ及び２つの引き出し導体６４Ｅを含む導通路と、引き出し導体１３４Ｅと、に分流して流れる。この導通路を流れる電流は、更に、スルーホール導体６８ｅ，６６ｅ，１３８ｅ，１３６ｅを流れる電流と、引き出し導体６４Ｅ及びスルーホール導体６６ｅ，１３８ｅ，１３６ｅを流れる電流と、引き出し導体６４Ｅ及びスルーホール導体１３８ｅ，１３６ｅを流れる電流と、に分流される。すなわち、第１の端子電極３Ｅにおける４箇所から第１の内部電極１４１へ電流が流れる。スルーホール導体６８ｅ，６６ｅ，１３８ｅ，１３６ｅを流れる電流経路は、引き出し導体１３４Ｅを通して第１の内部電極１４１へ流れる電流経路よりも短い。
【０２２１】
断面を図示しない他の第１の端子電極３Ｂ〜３Ｅから第１の内部電極１２１，１４１へ流れる電流、及び、第２の内部電極１２２，１４２から断面を図示しない第２の端子電極５Ａ〜５Ｅへ流れる電流も上記と同様に導通路によって分流して流れる。
【０２２２】
以上説明したように、第３実施形態にかかる積層コンデンサＣ２では、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅを通して、第１の内部電極１２１と第１の端子電極３Ａ〜３Ｅとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと第１の内部電極１２１との間を流れる電流は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｅを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。また、積層コンデンサＣ２では、引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅを通して、第１の内部電極１４１と第１の端子電極３Ａ〜３Ｅとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと第１の内部電極１４１との間を流れる電流は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｅを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。したがって、等価直列インダクタンスを低減することができる。
また、第３実施形態にかかる積層コンデンサＣ２では、引き出し導体１５Ａ〜１５Ｅを通して、第２の内部電極１２２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第２の内部電極１２２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとの間を流れる電流は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｅを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。また、積層コンデンサＣ２では、引き出し導体６５Ａ〜６５Ｅを通して、第２の内部電極１４２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第２の内部電極１４２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとの間を流れる電流は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｅを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。したがって、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０２２３】
外層部１０に形成された各導通路は、第１の内部電極のうち最も外層部１０寄りに位置する第１の内部電極１２１と電気的に接続され、あるいは、第２の内部電極のうち最も外層部１０寄りに位置する第２の内部電極１２２と電気的に接続されている。これにより、外層部１０に形成された各導通路の線路長を比較的短くすることができる。外層部６０に形成された各導通路は、第１の内部電極のうち最も外層部６０寄りに位置する第１の内部電極１４１と電気的に接続され、あるいは、第２の内部電極のうち最も外層部６０寄りに位置する第２の内部電極１４２と電気的に接続されている。これにより、外層部６０に形成された各導通路の線路長を比較的短くすることができる。これらの結果、各導通路に発生する等価直列インダクタンスを抑制することができる。また、積層コンデンサＣ２では、導通路の形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０２２４】
各導通路は、対応する第１の端子電極３Ａ〜３Ｅの第１端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｅ，３０３Ａ〜３０３Ｅと第１の内部電極１２１，１４１とを物理的かつ電気的に接続する、あるいは、対応する第２の端子電極５Ａ〜５Ｅの第１端子導体部５０２Ａ〜５０２Ｅ，５０３Ａ〜５０３Ｅと第２の内部電極１２２，１４２とを物理的かつ電気的に接続している。これらにより、各導通路の長さが短くなる。したがって、導通路に発生する等価直列インダクタンスを低減することができる。第２実施形態と同様に、スルーホール導体１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅ，１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅ，１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅ，６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅ，６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅ，１３６ａ〜１３６ｅ，１３７ａ〜１３７ｅ，１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅの形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０２２５】
各導通路は、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅを含んでいる。各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅは、対応する第１の端子電極３Ａ〜３Ｅ又は第２の端子電極５Ａ〜５Ｅと、対応するスルーホール導体１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅ，１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅ，１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅ，１３６ａ〜１３６ｅ，１３７ａ〜１３７ｅ，１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅ，６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅ，６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅとに電気的に接続されている。これにより、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０２２６】
（第４実施形態）
図１１を参照して、第４実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第４実施形態に係る積層コンデンサは、各第１の内部電極４１，４２が複数の第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと引き出し導体を通して接続されると共に、各第２の内部電極５１，５２が複数の第２の端子電極５Ａ〜５Ｅと引き出し導体を通して接続されている点で第３実施形態に係る積層コンデンサＣ２と相違する。図１１は、第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【０２２７】
第４実施形態に係る積層コンデンサは、図示は省略するが、第３実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同じく、積層体１と、積層体１に形成された第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと、積層体１に形成された第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとを備えている。第１の端子電極３Ａ〜３Ｅは、第１端子導体部３０１Ａ〜３０１Ｅ及び第２端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｅ，３０３Ａ〜３０３Ｅを含んでいる。第２の端子電極５Ａ〜５Ｅは、第１端子導体部５０１Ａ〜５０１Ｅ及び第２端子導体部５０２Ａ〜５０２Ｅ，５０３Ａ〜５０３Ｅを含んでいる。
【０２２８】
積層体１は、図１１に示すように、内層部３０と、内層部３０を間に挟む一対の外層部１０，６０と、を有している。第４実施形態に係る積層コンデンサの各外層部１０，６０の構成は、上記積層コンデンサＣ２の各外層部１０，６０と同様である。内層部３０は、第１内層部２０と当該第１内層部２０を間に挟む一対の第２内層部１１０，１３０とを有している。第４実施形態に係る積層コンデンサの各第２内層部１１０，１３０の構成は、上記積層コンデンサＣ２の各第２内層部１１０，１３０と同様である。
【０２２９】
第１内層部２０は、図１１にも示されるように、複数（本実施形態では、４層）の誘電体層３１〜３４と、複数（本実施形態では、各２層）の第１の内部電極４１，４２及び第２の内部電極５１，５２とが交互に積層されることにより構成される。実際の第４実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層３１〜３４の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【０２３０】
各第１の内部電極４１，４２は、矩形形状を呈している。第１の内部電極４１，４２は、積層方向に平行な積層体１の側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【０２３１】
第１の内部電極４１，４２は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｅを通して複数の第１の端子電極３Ａ〜３Ｅの第１端子導体部３０１Ａ〜３０１Ｅそれぞれに電気的に接続されている。各引き出し導体４６Ａ，４６Ｂは、第１の内部電極４１，４２と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように第１の内部電極４１，４２それぞれから伸びている。引き出し導体４６Ｃは、第１の内部電極４１，４２と一体に形成されており、積層体１の端面１ｅに臨むように第１の内部電極４１，４２それぞれから伸びている。各引き出し導体４６Ｄ，４６Ｅは、第１の内部電極４１，４２と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように各第１の内部電極４１，４２から伸びている。
【０２３２】
各第２の内部電極５１，５２は、矩形形状を呈している。第２の内部電極５１，５２は、積層方向に平行な積層体１の側面から所定の間隔を有した位置にそれぞれ形成されている。
【０２３３】
第２の内部電極５１，５２は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｅを通して複数の第２の端子電極５Ａ〜５Ｅの第１端子導体部５０１Ａ〜５０１Ｅそれぞれに電気的に接続されている。各引き出し導体５６Ａ，５６Ｂは、第２の内部電極５１，５２と一体に形成されており、積層体１の側面１ａに臨むように各第２の内部電極５１，５２から伸びている。各引き出し導体５６Ｃ，５６Ｄは、第２の内部電極５１，５２と一体に形成されており、積層体１の側面１ｂに臨むように各第２の内部電極５１，５２から伸びている。引き出し導体５６Ｅは、第２の内部電極５１，５２と一体に形成されており、積層体１の端面１ｆに臨むように各第２の内部電極５１，５２から伸びている。
【０２３４】
図１２は、基板８０に実装された、第４実施形態に係る積層コンデンサを示す断面図である。図１２に示す断面図は、図８に示されたII−II線に対応する線にて第４実施形態に係る積層コンデンサを切断した際の断面図である。図１２において、誘電体層１１〜１３，１１１，１１２，３１〜３４，１３１，６１〜６３及び配線８３，８５に相当する領域のハッチングは、図面を見やすくするため、省略している。
【０２３５】
第４実施形態に係る積層コンデンサには、第３実施形態に係る積層コンデンサＣ２と同様に、外層部１０，６０に各１０の導通路が形成されている。よって、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅを通して、第１の内部電極１２１と第１の端子電極３Ａ〜３Ｅとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと第１の内部電極１２１との間を流れる電流は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｅを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。また、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体６４Ａ〜６４Ｅを通して、第１の内部電極１４１と第１の端子電極３Ａ〜３Ｅとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第１の端子電極３Ａ〜３Ｅと第１の内部電極１４１との間を流れる電流は、引き出し導体４６Ａ〜４６Ｅを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。したがって、等価直列インダクタンスを低減することができる。
また、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体１５Ａ〜１５Ｅを通して、第２の内部電極１２２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第２の内部電極１２２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとの間を流れる電流は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｅを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。また、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、引き出し導体６５Ａ〜６５Ｅを通して、第２の内部電極１４２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとを電気的に接続する導通路が形成されている。よって、第２の内部電極１４２と第２の端子電極５Ａ〜５Ｅとの間を流れる電流は、引き出し導体５６Ａ〜５６Ｅを流れる成分と、上記導通路を流れる成分と、に分流される。したがって、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０２３６】
外層部１０に形成された各導通路は、第１の内部電極のうち最も外層部１０寄りに位置する第１の内部電極１２１と電気的に接続され、あるいは、第２の内部電極のうち最も外層部１０寄りに位置する第２の内部電極１２２と電気的に接続されている。これにより、外層部１０に形成された各導通路の線路長を比較的短くすることができる。外層部６０に形成された各導通路は、第１の内部電極のうち最も外層部６０寄りに位置する第１の内部電極１４１と電気的に接続され、あるいは、第２の内部電極のうち最も外層部６０寄りに位置する第２の内部電極１４２と電気的に接続されている。これにより、外層部６０に形成された各導通路の線路長を比較的短くすることができる。これらの結果、各導通路に発生する等価直列インダクタンスを抑制することができる。また、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、導通路の形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０２３７】
各導通路は、対応する第１の端子電極３Ａ〜３Ｅの第１端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｅ，３０３Ａ〜３０３Ｅと第１の内部電極１２１，１４１とを物理的かつ電気的に接続する、あるいは、対応する第２の端子電極５Ａ〜５Ｅの第１端子導体部５０２Ａ〜５０２Ｅ，５０３Ａ〜５０３Ｅと第２の内部電極１２２，１４２とを物理的かつ電気的に接続している。これらにより、各導通路の長さが短くなる。したがって、導通路に発生する等価直列インダクタンスを低減することができる。第２実施形態と同様に、スルーホール導体１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅ，１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅ，１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅ，６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅ，６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅ，１３６ａ〜１３６ｅ，１３７ａ〜１３７ｅ，１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅの形成が簡易であり、製造が比較的容易な構造とすることができる。
【０２３８】
各導通路は、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅを含んでいる。各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅは、対応する第１の端子電極３Ａ〜３Ｅ又は第２の端子電極５Ａ〜５Ｅと、対応するスルーホール導体１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅ，１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅ，１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅ，１３６ａ〜１３６ｅ，１３７ａ〜１３７ｅ，１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅ，６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅ，６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅとに電気的に接続されている。これにより、等価直列インダクタンスをより一層低減することができる。
【０２３９】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。例えば、各端子電極３Ａ〜３Ｅ，５Ａ〜５Ｅの第２端子導体部３０２Ａ〜３０２Ｅ，３０３Ａ〜３０３Ｅ，５０２Ａ〜５０２Ｅ，５０３Ａ〜５０３Ｅと引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，６４Ｅ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅとを電気的に接続しなくてもよい。すなわち、外層部１０，６０の誘電体層１１，６３にスルーホール導体１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅ，１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅ，１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅ，６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅ，６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅ，１３６ａ〜１３６ｅ，１３７ａ〜１３７ｅ，１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅを形成しなくてもよい。
【０２４０】
また、外層部１０，６０に形成される引き出し導体１４Ｅ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，６４Ｅ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅのいずれかは３つ以上形成され、これら３つ以上の引き出し導体がスルーホール導体１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅ，１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅ，１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅ，６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅ，６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅ，１３６ａ〜１３６ｅ，１３７ａ〜１３７ｅ，１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅのいずれかによって電気的に接続されていてもよい。この場合、導通路が実質的に複数形成されることとなるため、等価直列インダクタンスをさらに低減することが可能となる。
【０２４１】
また、引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ、１５Ａ〜１５Ｅ、６４Ａ〜６４Ｅ、６５Ａ〜６５Ｅの形状は、上記実施形態及び変形例に係る積層コンデンサが備える引き出し導体の形状に限られない。図１３（ａ）〜（ｃ）及び図１４（ａ）〜（ｃ）に、外層部１０、６０内に積層される引き出し導体１４Ａ〜１４Ｄ、１５Ａ〜１５Ｄ、６４Ａ〜６４Ｄ、６５Ａ〜６５Ｄの形状の変形例を示す。図１３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ１つのスルーホール導体によって外層部に積層される各引き出し導体が電気的に接続される場合の引き出し導体の形状を表す。図１４（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ複数のスルーホール導体によって外層部に積層される各引き出し導体が電気的に接続される場合の引き出し導体の形状を表す。
【０２４２】
外層部１０，６０に積層される引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ、１５Ａ〜１５Ｅ、６４Ａ〜６４Ｅ、６５Ａ〜６５Ｅは、図１３（ａ）及び図１４（ａ）に示すように引き出し部分を有する円形状であっても、あるいは図１３（ｂ）及び図１４（ｂ）に示すように引き出し部分を有する四角形状であっても、あるいは図１３（ｂ）及び図１４（ｃ）に示すように台形状であってもよい。図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１４（ａ）、及び図１４（ｂ）に示す形状の引き出し導体では、例えば引き出し部分が積層体の側面に引き出され、端子電極と電気的に接続される。図１３（ｃ）及び図１４（ｃ）に示す形状の引き出し導体では、例えば台形の一辺が積層体の側面に引き出され、端子電極と電気的に接続される。
【０２４３】
また、外層部１０、６０内に積層された引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，６４Ａ〜６４Ｅ、６５Ａ〜６５Ｅそれぞれの数は、上記実施形態及び変形例に係る積層コンデンサでは各２層であったが、これに限らず、それぞれ１層であっても、あるいは３層以上であってもよい。
【０２４４】
また、外層部１０，６０及び第２内層部１１０，１３０に含まれる各誘電体層１１〜１３，１１１，１３１，６１〜６３を貫通して、各引き出し導体１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，６４Ａ〜６４Ｅ，６５Ａ〜６５Ｅとそれぞれ機械的かつ電気的に接続されたスルーホール導体１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅ，１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅ，６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅ，６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅ，１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅ，１３６ａ〜１３６ｅ，１３７ａ〜１３７ｅ，１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅの数は、それぞれ１つであっても、あるいは２つ以上であってもよい。
【０２４５】
また、誘電体層１１〜１３，１１１，１１２，３１〜４０，１３１，６１〜６３の積層数及び第１及び第２の内部電極４１〜４５，５１〜５５，１２１，１２２，１４１，１４２の積層数は、上述した実施形態及び変形例に記載された数に限られない。また、積層体１が備える外層部１０、６０は２つではなく、例えば外層部６０だけでもよい。また、第１の端子電極３Ａ〜３Ｅ及び第２の端子電極５Ａ〜５Ｅの数も、上述した実施形態及び変形例に記載された数に限られない。さらに、第１の端子電極３Ａ〜３Ｅ及び第２の端子電極５Ａ〜５Ｅの形状も上述した実施形態及び変形例に記載された形状に限らない。例えば第１の端子電極３Ａ〜３Ｅ及び第２の端子電極５Ａ〜５Ｅは、第２端子導体部を有していなくてもよい。
【０２４６】
また、導通路は、外層部１０、６０の双方に形成されてなくてもよく、例えば基板８０等の実装面と対向する側面側の外層部（例えば外層部６０）にのみ形成されていてもよい。さらには、積層コンデンサが備えるすべての第１、第２の端子電極に対して導通路が形成されていなくてもよい。例えば、第１又は第２の端子電極に対してのみ導通路が形成されていてもよい。この場合、すべての第１、第２の端子電極に対して導通路が形成されていても、あるいは一部の第１又は第２の端子電極に対してのみ導通路が形成されていてもよい。ただし、効率よく等価直列インダクタンス値を低減するためには、同数の第１及び第２の端子電極に対して導通路が形成されていることが好ましく、すべての第１及び第２の端子電極に対して導通路が形成されていることがより好ましい。また、本発明に係る積層コンデンサを実装するのは、基板に限られない。
【図面の簡単な説明】
【０２４７】
【図１】第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図３】基板に実装された、第１実施形態に係る積層コンデンサを示す断面図である。
【図４】第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例を示す斜視図である。
【図５】第１実施形態に係る積層コンデンサの変形例に含まれる積層体の分解斜視図である。
【図６】第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図７】基板に実装された、第２実施形態に係る積層コンデンサを示す断面図である。
【図８】第３実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図９】第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図１０】基板に実装された、第３実施形態に係る積層コンデンサを示す断面図である。
【図１１】第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図１２】基板に実装された、第４実施形態に係る積層コンデンサを示す断面図である。
【図１３】外層部に含まれる引き出し導体の形状の変形例を示す。
【図１４】外層部に含まれる引き出し導体の形状の変形例を示す。
【符号の説明】
【０２４８】
Ｃ１，Ｃ２…積層コンデンサ、１…積層体、３Ａ〜３Ｅ…第１の端子電極、５Ａ〜５Ｅ…第２の端子電極、１０，６０…外層部、３０…内層部、２０…第１内層部、１１０，１３０…第２内層部、１１〜１３，３１〜３９，６１〜６３，１１１，１２，１３１…誘電体層、１４Ａ〜１４Ｅ，１５Ａ〜１５Ｅ，４６Ａ〜４６Ｅ，５６Ａ〜５６Ｅ，１１４Ａ〜１１４Ｅ，１１５Ａ〜１１５Ｅ，１３４Ａ〜１３４Ｅ，１３５Ａ〜１３５Ｅ…引き出し導体、４１〜４５，１２１，１４１…第１の内部電極、５１〜５５，１２２，１４２…第２の内部電極、１６ａ〜１６ｅ，１７ａ〜１７ｅ，１８ａ〜１８ｅ，１９ａ〜１９ｅ，６６ａ〜６６ｅ，６７ａ〜６７ｅ，６８ａ〜６８ｅ，６９ａ〜６９ｅ，１１６ａ〜１１６ｅ，１１７ａ〜１１７ｅ，１１８ａ〜１１８ｅ，１１９ａ〜１１９ｅ，１３６ａ〜１３６ｅ，１３７ａ〜１３７ｅ，１３８ａ〜１３８ｅ，１３９ａ〜１３９ｅ…スルーホール導体、８０…基板、８１，８６…陽極ランド、８２…陰極ランド、８３，８４，８５…配線。
【図１】
2007081377.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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