(57)【要約】【課題】  端子強度や気密性を失うことなく、高周波損失を低減できるRF気密端子を提供すること。【解決手段】  高周波電流が流される中心導体と、この中心導体の周囲に、所定のギャップ部分の長さGを除いて設けられた金属めっきと、前記ギャップ部分の長さＧの金属めっきを設けられた部分を含めて、前記中心導体の周囲に長さＤだけ設けられた誘電体と、この誘電体を介して前記中心導体とにより同軸構造を形成する外導体と、を備えて成る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電流が流される中心導体と、
この中心導体の周囲に、所定のギャップ部分の長さGを除いて設けられた金属めっきと、
前記ギャップ部分の長さＧの金属めっきを設けられた部分を含めて、前記中心導体の周囲に長さＤだけ設けられた誘電体と、
この誘電体を介して前記中心導体とにより同軸部を形成する外導体と、
を備えて成ることを特徴とする高周波気密端子。
【請求項２】
前記ギャップ部分の長さＧは、前記誘電体の長さＤのほぼ１／２０〜７／１０の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の高周波気密端子。
【請求項３】
高周波電流が流される中心導体を製造する工程と、
この工程により製造された前記中心導体の周囲に、所定の長さＧのギャップ部分を除いて金属めっきを施す工程と、
前記ギャップ部分を含み前記中心導体の周囲に、前記ギャップ部分の長さＧより長いＤだけ誘電体を設ける誘電体形成工程と、
この工程により設けられた前記誘電体の周囲に前記中心導体とにより同軸部を形成する外導体を設ける工程と、
を有することを特徴とする高周波気密端子の製造方法。
【請求項４】
前記誘電体形成工程は、前記ギャップ部分の長さＧが、前記誘電体の長さＤのほぼ１／２０〜７／１０の範囲内になるように、前記誘電体を形成することを特徴とする請求項３記載の高周波気密端子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メタルパッケージなどに設けられる高周波気密端子の構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波に用いられるメタルパッケージなどでは、パッケージ内部の気密性を維持することが必要であり、信号を外部に取り出す同軸ケーブルの周囲の気密性を維持するために高周波（ＲＦ）気密端子が用いられる。
【０００３】
このような場合の従来のＲＦ気密端子の断面図を図４に示す。このＲＦ気密端子は、中心導体４１と外導体４２の間に誘電体４３を充填し、中心導体４１は誘電体４３が設けられている同軸部４４以外には金属めっき４５が施された構造である。
【０００４】
一般に、誘電体４３と中心導体４１の膨張率などが大きく異なると、密着性が悪くこれらの間に間隙が生じて気密性が失われることになる。この気密性の観点から、通常、誘電体４３としてアルミナセラミックやガラスなどを用いることが多いが、そうすると中心導体４１としては密着性、ひいては気密性の点から、鉄（Fe）、ニッケル（Ni）、コバルト（Co）の合金が適当とされ、使用されている。
【０００５】
しかし、このような合金は導電率があまり高くなく、マイクロ波など周波数が高くなるに従って表皮効果の影響による抵抗分の増大を招き、高周波損失、つまり電力損失が大きくなるという問題がある。そこで表皮効果の影響を少なくするために、上記中心導体４１の周囲に導電性の高い金めっきを施す処理がなされる（例えば特許文献１）。
【０００６】
しかし、同軸構造となっている同軸部４４の長さｄの部分には、金属めっき４５が施されていないので、この部分では電流が流れにくく高周波損失を生じてしまうという問題がある。
【特許文献１】特開平１０−１３０８８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記のような従来のRF気密端子における問題点にかんがみてなされたもので、端子強度と気密性を失うことなくしかも高周波損失を低減できるRF気密端子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１によれば、高周波電流が流される中心導体と、この中心導体の周囲に、所定のギャップ部分の長さGを除いて設けられた金属めっきと、前記ギャップ部分の長さＧの金属めっきを設けられた部分を含めて、前記中心導体の周囲に長さＤだけ設けられた誘電体と、この誘電体を介して前記中心導体とにより同軸構造を形成する外導体と、を備えて成ることを特徴とする高周波気密端子を提供する。
【０００９】
本発明の請求項３によれば、高周波電流が流される中心導体を製造する工程と、この工程により製造された前記中心導体の周囲に、所定の長さＧのギャップ部分を除いて金属めっきを施す工程と、前記ギャップ部分を含み前記中心導体の周囲に、前記ギャップ部分の長さＧより長いＤだけ誘電体を設ける誘電体形成工程と、この工程により設けられた前記誘電体の周囲に前記中心導体とにより同軸部を形成する外導体を設ける工程と、を有することを特徴とする高周波気密端子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、端子強度と気密性を失うことなく、高周波損失を低減できるRF気密端子およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【００１２】
図１に本発明の一実施形態によるRF気密端子の断面図を示し、図２にこの実施形態のＲＦ気密端子の外観図を示す。図１は、図２に示したRF気密端子のA―A間の断面図である。
【００１３】
このＲＦ気密端子１０は、高周波電流が流れる中心導体１１と、この中心導体１１とにより同軸構造を成す外導体１２と、中心導体１１と外導体１２を分ける誘電体１３と、この誘電体１３と直接接触する部分１４を除いて中心導体１１の周囲に施される高導電率の金属めっき１５とから構成される。
【００１４】
中心導体１１および、外導体１２には、鉄（Fe）、ニッケル（Ni）、コバルト（Co）の合金を用いて製造される。中心導体１１と外導体１２を分ける誘電体１３には、ガラスを使用し、長さ１６（長さＤ）で充填する。また、中心導体１１には、誘電体１３内の所定部分１４（ギャップ長G）を除き、周囲に例えば金を材料とした金属めっき１５を施された構造となっている。
【００１５】
上記ギャップ長Gは、短いほど中心導体１１における高周波損失は少なくできる。反面、この部分が非常に短くなると、中心導体１１と誘電体１３との間の密着性が弱くなり、気密性が損なわれるおそれもある。
【００１６】
このギャップ長Ｇは、種々の実験の結果、同軸部１６の誘電体１３の長さＤの１／２０〜７／１０程度であれば、端子強度や気密性を低下させることなく、高周波損失を低減できることがわかった。
【００１７】
このように、誘電体１３内の中心導体１１に金属めっきが施されていない部分１４を適度の長さにして、その他の部分の周囲を金属めっき１５で被覆することによって、端子強度と気密性を失うことなく、高周波損失を低減することができる。
【００１８】
次に、本発明によるRF気密端子の製造方法の一実施形態を、図３に示すフローチャートを用いて説明する。まず、ステップＳ３０１で製造した中心導体１１を用意する。次にステップＳ３０２で、この中心導体１１の周囲に、長さＧのギャップ部分１４を除いて、金属めっき１５を施す。上記ギャップ部分１４の長さＧは、前述したように誘電体１３の長さＤの１／２０〜７／１０の範囲内の長さ、例えば１／２とする。
【００１９】
次に、ステップＳ３０３において、上記ギャップ部分１４の長さGの中心が誘電体１３の長さ方向に対して中心に一致するようにして、長さＤだけ誘電体１３を充填する。この後、ステップＳＳ３０４において、誘電体１３の外側に誘電体１３と同じ長さＤで外導体１２を設ける。
【００２０】
このようにして本実施形態で示したRF気密端子を容易に製造することができる。
【００２１】
なお、金めっきが施されていないギャップ部分は、誘電体が設けられている部分の中央に必ずしも来る必要はないが、密着性の点から、ギャップ部分が誘電体の設けられている部分以内に入ることが好ましい。
【００２２】
なお、金属めっきの材料としては、金のほかニッケルなどを用いることができる。金属めっきの厚さは、上述のように表皮効果の関係で決められるが、通常使用される周波数では３μｍ以上、好ましくは４μｍ以上の厚さがあれば実質的に高周波損失を非常に小さくすることができる。
【００２３】
また、本発明の同軸部の誘電体の半径は、使用周波数の１／１６程度であることが好ましいが、１／４より小さければ、それほど問題は生じない。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態によるRF気密端子の断面を示す図。
【図２】本発明の一実施形態によるRF気密端子の外観を示す図。
【図３】本発明のＲＦ気密端子の製造方法の一実施形態のフローチャートを示す図。
【図４】本発明の従来のRF気密端子の一例の断面を示す図。
【符号の説明】
【００２５】
１１・・・中心導体、
１２・・・外導体、
１３・・・誘電体、
１４・・・ギャップ部分
１５・・・金属めっき、
１６・・・同軸部、
Ｄ・・・誘電体の長さ、
Ｇ・・・ギャップ部分の長さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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