(57)【要約】【課題】成膜装置、エッチング装置の処理室に、基板を搬入する際、基板に付着された水分が、処理室の雰囲気中に混入されることを防止する電気光学装置用基板の処理方法を提供する。【解決手段】処理室に搬入された基板を、成膜処理またはエッチング処理する電気光学装置用基板の処理方法において、処理室に連設された予備室において、基板が予備加熱されるステップＳ２と、予備加熱された基板が予備室から処理室に搬入され、該処理室において、基板が処理基板温度まで本加熱されるステップＳ５と、を具備し、基板が予備加熱されるステップＳ２は、予備室における基板の温度が、処理室における処理基板温度よりも高くなるよう行われることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室に搬入された基板を、成膜処理またはエッチング処理する電気光学装置用基板の処理方法において、
前記処理室に連設された予備室において、前記基板が予備加熱される工程と、
前記予備加熱された前記基板が前記予備室から前記処理室に搬入され、該処理室において、前記基板が処理基板温度まで本加熱される工程と、
を具備し、
前記基板が予備加熱される工程は、前記予備室における前記基板の温度が、前記処理室における前記処理基板温度よりも高くなるまで行われることを特徴とする電気光学装置用基板の処理方法。
【請求項２】
前記基板が予備加熱される工程は、前記基板が本加熱される工程よりも、高真空下で行われることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の処理方法。
【請求項３】
前記基板が予備加熱される工程は、前記処理室において前記基板が成膜処理またはエッチング処理される工程と同じ時間、または前記基板が成膜処理またはエッチング処理される工程よりも長時間行われることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板の処理方法。
【請求項４】
前記基板が予備加熱される工程において、前記予備室の雰囲気中の水分量がモニタリングされる工程と、前記処理室の雰囲気中の水分量がモニタリングされる工程とを具備し、
前記予備室の雰囲気中の水分量が、前記処理室の雰囲気中の水分量よりも少なくなったことがモニタリングされた後、前記基板は、前記予備室から前記処理室に搬入されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の処理方法。
【請求項５】
処理室に搬入された基板を、成膜処理またはエッチング処理する電気光学装置用基板の処理方法において、
前記基板が搬入された、前記処理室に連設された予備室内が減圧される工程と、
前記予備室から前記基板が搬入された前記処理室内が処理圧力まで減圧される工程と、
を具備し、
前記予備室内が減圧される工程は、前記予備室内が前記処理圧力よりも減圧される高真空下で行われることを特徴とする電気光学装置用基板の処理方法。
【請求項６】
前記予備室内が減圧される工程は、前記基板の温度が、前記処理室内において前記基板が成膜処理またはエッチング処理される処理基板温度よりも高くなるまで加熱されて行われることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板の処理方法。
【請求項７】
前記予備室内が減圧される工程は、前記処理室において前記基板が成膜処理またはエッチング処理される工程と同じ時間、または前記基板が成膜処理またはエッチング処理される工程よりも長時間行われることを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置用基板の処理方法。
【請求項８】
前記予備室内が減圧される工程において、前記予備室の雰囲気中の水分量がモニタリングされる工程と、前記処理室の雰囲気中の水分量がモニタリングされる工程とを具備し、
前記予備室の雰囲気中の水分量が、前記処理室の雰囲気中の水分量よりも少なくなったことがモニタリングされた後、前記基板は、前記予備室から前記処理室に搬入されることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の処理方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の処理方法によって製造された電気光学装置用基板。
【請求項１０】
表示領域に複数の画素電極が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置される対向基板との間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置において、
請求項９に記載の前記電気光学装置用基板は、前記素子基板と前記対向基板との少なくとも一方を構成することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理室に搬入された基板を、成膜処理またはエッチング処理する電気光学装置用基板の処理方法、該処理方法により製造された電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に共通電極を配置して、両基板間に介在された液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えばガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する薄膜、絶縁性薄膜または導電性薄膜が積層されることによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程と各膜のエッチング工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
尚、ＴＦＴ基板及び対向基板に対する各種膜の成膜工程においては、成膜装置、例えば減圧化学気相成長（ＬＰ−ＣＶＤ）装置、スパッタ装置が用いられ、成膜された膜に対するエッチング工程においては、エッチング装置、例えばドライエッチング装置が用いられることが周知である。
【０００５】
ここで上述した各種成膜装置を用いて基板に成膜処理を行う際、またはドライエッチング装置を用いて基板に成膜された膜にエッチング処理を行う際においては、各装置の処理室において、高真空下及び高温下において各処理が行われるのが一般的である。
【０００６】
よって、各装置の処理室内を、各処理が行われる処理基板温度まで昇温し、各処理が行われる処理圧力まで減圧することにより高真空とする必要があるが、処理室に搬入された処理対象の基板の表面に水分が付着されていると、昇温、減圧により基板から水分が蒸発した結果、処理室の雰囲気中に水分が混入されてしまい、成膜処理の場合、基板に水分が含まれた膜が成膜されてしまうといった問題があった。
【０００７】
このような問題に鑑み、特許文献１には、基板を処理室に搬入する前に、基板の水分を除去するとともに、処理室搬入後、昇温、減圧により基板から発生した水分を、不活性ガスを処理室に導入して除去する技術の提案がなされている。
【特許文献１】実開平５−６９９４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、成膜装置、例えばスパッタ装置を用いて基板に対し成膜処理を行う際、基板に成膜されなかった膜等の副生成物は、処理室の内壁に付着する。
【０００９】
また、エッチング装置、例えばドライエッチング装置を用いて基板に成膜された膜に対しドライエッチング処理を行う際、副生成物が処理室の内壁に付着する。尚、処理室の内壁に付着した副生成物は、処理室の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離して、パーティクルとなる。
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示された技術では、水分が付着された基板を処理室に搬入後、不活性ガスを導入して、処理室内の昇温、減圧時に基板から発生する水分を除去するため、水分が付着された基板を処理室に搬入した時点で、水分が副生成物と反応し、該副生成物が処理室の内壁から剥離しパーティクルとして基板に落下してしまう。このため、処理後、液晶装置の良品率を向上させるには、このパーティクルを低減させる必要がある。
【００１１】
尚、このことは、処理室内に基板を搬入する前に、基板の水分を除去した場合であっても、処理室内の昇温、減圧に伴い、基板から搬入前に除去しきれなかった水分が蒸発するため同じである。
【００１２】
本発明の目的は上記問題点に着目してなされたものであり、成膜装置、エッチング装置の処理室に、基板を搬入する際、基板に付着された水分が、処理室の雰囲気中に混入されることを防止する電気光学装置用基板の処理方法、該処理方法により製造された電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置用基板の処理方法は、処理室に搬入された基板を、成膜処理またはエッチング処理する電気光学装置用基板の処理方法において、前記処理室に連設された予備室において、前記基板が予備加熱される工程と、前記予備加熱された前記基板が前記予備室から前記処理室に搬入され、該処理室において、前記基板が処理基板温度まで本加熱される工程と、を具備し、前記基板が予備加熱される工程は、前記予備室における前記基板の温度が、前記処理室における前記処理基板温度よりも高くなるまで行われることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、基板に対し成膜処理またはエッチング処理を行うため予備室から処理室に基板を搬入した際、処理室の雰囲気中に基板からの水分が混入されてしまうことを、基板に吸着、付着した水分を予備室における予備加熱にて除去するのみならず、処理室における基板の処理基板温度よりも予備室における基板の温度を高く設定しておくことで防止することができる。このことから処理室の内壁に付着した副生成物が、処理室の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、処理中の基板に付着されてしまうことを従来よりも低減することができるとともに、基板に膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができるといった効果を有する。
【００１５】
また、前記基板が予備加熱される工程は、前記基板が本加熱される工程よりも、高真空下で行われることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、基板に対し成膜処理またはエッチング処理を行うため予備室から処理室に基板を搬入した際、処理室の雰囲気中に基板からの水分が混入されてしまうことを、基板に吸着、付着した水分を予備室における予備加熱及び減圧で除去するのみならず、処理室における基板の処理基板温度よりも予備室における基板の温度を高く設定しておくとともに、予備室内を処理室内における処理時よりも高真空とすることで確実に防止することができる。このことから処理室の内壁に付着した副生成物が、処理室の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、処理中の基板に付着されてしまうことを従来よりも低減することができるとともに、基板に膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができるといった効果を有する。
【００１７】
さらに、前記基板が予備加熱される工程は、前記処理室において前記基板が成膜処理またはエッチング処理される工程と同じ時間、または前記基板が成膜処理またはエッチング処理される工程よりも長時間行われることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、予備加熱工程を成膜処理またはエッチング処理工程と同時間行うことにより、予備室から処理室に基板を搬入した際、処理室の雰囲気に基板からの水分が混入されてしまうことを防止することができるとともに、処理室における基板の成膜処理またはエッチング処理に合わせて、効率良く、基板を予備室から処理室に搬入することができる。また、予備加熱工程を成膜処理またはエッチング処理工程よりも長時間行うことにより、予備加熱工程において、確実に、基板に付着した水分を除去することができるといった効果を有する。
【００１９】
また、前記基板が予備加熱される工程において、前記予備室の雰囲気中の水分量がモニタリングされる工程と、前記処理室の雰囲気中の水分量がモニタリングされる工程とを具備し、前記予備室の雰囲気中の水分量が、前記処理室の雰囲気中の水分量よりも少なくなったことがモニタリングされた後、前記基板は、前記予備室から前記処理室に搬入されることを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、基板に対し成膜処理またはエッチング処理を行うため予備室から処理室に基板を搬入した際、処理室の雰囲気中に基板からの水分が混入されてしまうことを、基板に吸着、付着した水分を予備室における予備加熱及び減圧で除去するのみならず、処理室における基板の処理基板温度よりも予備室における基板の温度を高く設定し、予備室内を処理室内における処理時よりも高真空とするとともに、予備室の雰囲気中の水分量が、処理室の雰囲気中の水分量よりも少なくモニタリングされた後、基板を予備室から処理室に搬入することでより確実に防止することができる。このことから処理室の内壁に付着した副生成物が、処理室の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、処理中の基板に付着してしまうことを従来よりも低減することができるとともに、基板に膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができるといった効果を有する。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置用基板の処理方法は、処理室に搬入された基板を、成膜処理またはエッチング処理する電気光学装置用基板の処理方法において、前記基板が搬入された、前記処理室に連設された予備室内が減圧される工程と、前記予備室から前記基板が搬入された前記処理室内が処理圧力まで減圧される工程と、を具備し、前記予備室内が減圧される工程は、前記予備室内が前記処理圧力よりも減圧される高真空下で行われることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、基板に対し成膜処理またはエッチング処理を行うため予備室から処理室に基板を搬入した際、処理室の雰囲気中に基板からの水分が混入されてしまうことを、基板に吸着、付着した水分を予備室における減圧にて除去するのみならず、予備室内を処理室内における処理時よりも高真空としておくことで防止することができる。このことから処理室の内壁に付着した副生成物が、処理室の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、処理中の基板に付着してしまうことを従来よりも低減することができるとともに、基板に膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができるといった効果を有する。
【００２３】
また、前記予備室内が減圧される工程は、前記基板の温度が、前記処理室内において前記基板が成膜処理またはエッチング処理される処理基板温度よりも高くなるまで加熱されて行われることを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、基板に対し成膜処理またはエッチング処理を行うため予備室から処理室に基板を搬入した際、処理室の雰囲気中に基板からの水分が混入されてしまうことを、基板に吸着、付着した水分を予備室における減圧及び予備加熱で除去するのみならず、予備室内を処理室内における処理時よりも高真空としておくとともに、処理室における基板の処理基板温度よりも予備室における基板の温度を高く設定しておくことで確実に防止することができる。このことから処理室の内壁に付着した副生成物が、処理室の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、処理中の基板に付着してしまうことを従来よりも低減することができるとともに、基板に膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができるといった効果を有する。
【００２５】
さらに、前記予備室内が減圧される工程は、前記処理室において前記基板が成膜処理またはエッチング処理される工程と同じ時間、または前記基板が成膜処理またはエッチング処理される工程よりも長時間行われることを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、予備室内が減圧される工程を成膜処理またはエッチング処理工程と同時間行うことにより、予備室から処理室に基板を搬入した際、処理室の雰囲気中に基板からの水分が混入されてしまうことを防止することができるとともに、処理室における基板の成膜処理またはエッチング処理に合わせて、効率良く、基板を予備室から処理室に搬入することができる。また、予備室内が減圧される工程を成膜処理またはエッチング処理工程よりも長時間行うことにより、予備室内が減圧される工程において、確実に、基板に付着した水分を除去することができるといった効果を有する。
【００２７】
また、前記予備室内が減圧される工程において、前記予備室の雰囲気中の水分量がモニタリングされる工程と、前記処理室の雰囲気中の水分量がモニタリングされる工程とを具備し、前記予備室の雰囲気中の水分量が、前記処理室の雰囲気中の水分量よりも少なくなったことがモニタリングされた後、前記基板は、前記予備室から前記処理室に搬入されることを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、基板に対し成膜処理またはエッチング処理を行うため予備室から処理室に基板を搬入した際、処理室の雰囲気中に基板からの水分が混入されてしまうことを、基板に吸着、付着した水分を予備室における減圧及び予備加熱で除去するのみならず、予備室内の雰囲気を処理室内における処理時よりも高真空とし、処理室における基板の処理基板温度よりも予備室における基板の温度を高く設定するとともに、予備室の雰囲気中の水分量が、処理室の雰囲気中の水分量よりも少なくモニタリングされた後、基板を予備室から処理室に搬入することでより確実に防止することができる。このことから処理室の内壁に付着した副生成物が、処理室の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、処理中の基板に付着してしまうことを従来よりも低減することができるとともに、基板に膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができるといった効果を有する。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置用基板は、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の処理方法によって製造されたことを特徴とする。
【００３０】
本発明によれば、処理室の内壁から離脱、落下された副生成物がパーティクルとして付着されることが従来よりも低減できるとともに、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことが防止された電気光学装置用基板を提供することができる、このことから信頼性が向上され良品率が向上された電気光学装置用基板を提供することができるといった効果を有する。
【００３１】
本発明に係る電気光学装置は、表示領域に複数の画素電極が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置される対向基板との間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置において、請求項９に記載の前記電気光学装置用基板は、前記素子基板と前記対向基板との少なくとも一方を構成することを特徴とする。
【００３２】
本発明によれば、処理室の内壁から離脱、落下された副生成物がパーティクルとして付着されることが従来よりも低減できるとともに、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことが防止された素子基板と対向基板との少なくとも一方を構成する基板を提供することができる。このことから信頼性が向上され良品率が向上された素子基板と対向基板とからなる電気光学装置を提供することができるといった効果を有する。
【００３３】
本発明に係る電子機器は、請求項１０に記載の電気光学装置を有することを特徴とする。
【００３４】
本発明によれば、信頼性が向上され良品率が向上された素子基板と対向基板とからなる電気光学装置を有する電子機器を提供することができるといった効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態によって処理される電気光学装置用基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）と、ＴＦＴ基板に対向する基板（以下、対向基板と称す）と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に挟持される電気光学物質である液晶とを有する液晶装置の内、素子基板を例に挙げて説明する。
【００３６】
（第１実施の形態）
先ず、本実施の形態を示す処理方法によって処理される素子基板を有して構成された液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００３７】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板に複数の絶縁性薄膜または導電性薄膜等の薄膜が積層されたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板に複数の薄膜が積層された対向基板２０との間の内部空間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３８】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９と該画素電極９毎に接続されたスイッチング素子であるＴＦＴ３０がマトリクス状に配置されている。
【００３９】
また、対向基板２０の基板上の全面に、対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００４０】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００４１】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４２】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００４３】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４４】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成される。
【００４５】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４６】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４７】
続いて、このように構成された液晶装置１００のＴＦＴ基板１０を処理するに際し用いられる処理装置の構成について、ＴＦＴ基板１０の薄膜の積層工程において、成膜された薄膜を所定の形状にドライエッチング処理（以下、単にエッチングと称す）するドライエッチング装置の構成を例に挙げて説明する。
【００４８】
図３は、ドライエッチング装置の構成の概略を示す平面図、図４は、図３のドライエッチング装置の予備室と処理室との内部を透視して示す図である。
【００４９】
図３に示すように、ドライエッチング装置１は、複数のエッチング処理室（以下、単に処理室と称す）２と、該複数の処理室２が連設された予備室３と、該予備室３に連設された基板搬入室３３及び基板搬出室３４と、該基板搬入室３３及び基板搬出室３４に連設された基板搬送室３５と、該基板搬送室３５に連設された複数の基板収納カセット３６とにより主要部が構成されている。尚、処理室２と予備室３との間には、開閉扉９０が設けられている。
【００５０】
処理室２は、複数の薄膜が積層される途中のＴＦＴ基板１０（以下、完成前のＴＦＴ基板１０を基板１０ｐと称す）に成膜された薄膜を、プラズマを用いて所定の形状にエッチングする部屋である。
【００５１】
図４に示すように、処理室２は、ステージ台５と、該ステージ台５上に配置された陰極４３と、処理室２内の上部であって陰極４３と対向する位置に配設された陽極４７と、ステージ台５の内部に設けられたヒータ４２と、処理室２内を減圧する真空引き用ポンプ４４とを具備している。
【００５２】
尚、処理室２は、図示しないが、陰極４３及び陽極４７に高周波電力を印加する高周波電源や、エッチングのための反応ガスを供給する供給口や、反応ガスを排出する排出口、さらには、ステージ台５に載置された基板１０ｐの基板温度を、赤外線等を用いて測定する温度測定装置、処理室２内の圧力を測定する圧力測定装置等も具備している。
【００５３】
ステージ台５は、プラズマ耐性に優れた部材から基板１０ｐの表面積と略同面積で形成された、搬入された基板１０ｐが載置される台である。また、陰極４３及び陽極４７は、高周波電源により高周波電力が印加されることにより、陰極４３と陽極４７との間に、エッチングの際に用いるプラズマを発生させるものである。さらに、ヒータ４２は、ステージ台５に載置された基板１０ｐを、後述する所定の処理基板温度まで本加熱するものである。
【００５４】
予備室３は、基板１０ｐが処理室２に搬入される前の前室である。予備室３には、処理室２等への基板１０ｐの搬送出を行う、例えば多関節のアーム７１と、エッチング前またはエッチング後の基板１０ｐが載置されるステージ台７５と、ステージ台７５の内部に設けられた、ステージ台７５に載置された基板１０ｐを後述する所定の温度まで予備加熱するヒータ７２と、予備室３内を減圧する真空引き用ポンプ７４を具備している。尚、アーム７１は、基板搬入室３３及び基板搬出室３４に対しても、予備室３からの基板１０ｐの搬送出を行う。
【００５５】
また、予備室３は、ステージ台７５に載置された基板１０ｐの基板温度を、赤外線等を用いて測定する温度測定装置や、予備室３内の圧力を測定する圧力測定装置等も具備している。
【００５６】
基板収納カセット３６は、エッチング前またはエッチング後の複数枚の基板１０ｐを収納するものである。また、基板搬送室３５は、基板収納カセット３６から基板搬入室３３に基板１０ｐを搬送する、または基板搬出室３４から基板収納カセット３６に基板１０ｐを搬送するための、エッチング中も大気状態を保つ部屋である。
【００５７】
尚、基板収納カセット３６と基板搬送室３５との間、基板搬送室３５と基板搬入室３３及び基板搬出室３４との間は、アーム７１とは別の図示しないアーム等により、基板１０ｐが移動される。
【００５８】
基板搬入室３３は、基板搬送室３５からエッチング前の基板１０ｐを予備室３に搬入するための取出し口であり、基板搬出室３４は、予備室３からエッチング後の基板１０ｐを基板搬送室３５に搬出するための取り出し口である。
【００５９】
次に、このような構成のドライエッチング装置１を用いて、基板１０ｐに成膜された薄膜、例えば、ＴＦＴ基板１０のＴＦＴ３０の半導体層を構成するポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）膜を、所定の形状にエッチングする際の予備加熱及び本加熱の方法について、上述した、図３、図４、及び図５のフローチャート、図６の図表を用いて説明する。
【００６０】
図５は、本発明の第１実施形態を示すＴＦＴ基板のエッチング前の基板の加熱処理方法を示すフローチャート、図６は、各エッチング処理または各成膜処理の際の処理室の圧力、処理基板温度、処理時間を示す図表である。
【００６１】
図５に示すように、先ずステップＳ１において、基板収納カセット３６から基板搬送室３５を介して基板搬入室３３に搬入されたエッチング前の基板１０ｐが、アーム７１により、予備室３内に搬入された後、ステージ台７５に載置される。
【００６２】
続く、ステップＳ２では、予備室３内が、真空引き用ポンプ７４の作動により減圧され、予備室３内を高真空状態にするととともに、ヒータ７２により、ステージ台７５に載置された基板１０ｐが予備加熱される。
【００６３】
尚、予備加熱は、基板１０ｐに付着された水分をエッチング前に除去する等のために行われる。また、基板１０ｐの予備加熱は、ヒータ７２に限定されず、ランプアニールや赤外線を用いた加熱、窒素雰囲気等を用いた加熱であってもよい。
【００６４】
予備加熱において基板１０ｐは、処理室２内において、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜がエッチングされる場合は、図６に示すように、エッチングに用いる処理基板温度となる、例えば約７０℃よりも高温に、基板が壊れない程度の温度に加熱される。尚、ステージ台７５に載置された基板１０ｐの基板温度は、予備室３に具備された上述した温度測定装置により、赤外線等を用いて測定される。
【００６５】
また、この際、予備加熱は、図６に示すように、基板１０ｐのＰ−Ｓｉ膜が処理室２においてエッチングされる時間である３００ｓｅｃと同じ時間で処理基板温度となる約７０℃よりも高温に加熱されるとよい。これは、処理室２における基板１０ｐのエッチング時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入するためである。また、予備加熱は、３００ｓｅｃよりも長時間行うと、より確実に基板１０ｐに付着した水分が除去できる。
【００６６】
図５に戻って、続く、ステップＳ３では、予備室３における基板１０ｐの基板温度が、約７０℃よりも高温になったか否かが判定される。高温になっていなければ、ステップＳ２に戻り、約７０℃よりも高温になるまでヒータ７２による加熱が行われる。
【００６７】
ステップＳ３において、基板温度が約７０℃よりも高温になっておれば、ステップＳ４に移行し、該ステップＳ４では、基板１０ｐが、開成された開閉扉９０を介して処理室２内に、アーム７１により搬入され、搬入された基板１０ｐは、ステージ台５に載置される。
【００６８】
次いで、ステップＳ５において、真空引き用ポンプ４４により、処理室２内が、基板１０ｐのＰ−Ｓｉ膜が処理室２においてエッチングされる場合は、図６に示すように、処理圧力となる１.００×１０−３Ｐａまで減圧され、処理室２内が高真空状態にされるとともに、ヒータ４２により基板１０ｐが処理基板温度である約７０℃まで本加熱される。
【００６９】
その後は、高周波電源により陰極４３及び陽極４７に、高周波電力が印加されることにより、陰極４３と陽極４７との間に、ドライエッチングの際に用いるプラズマが発生され、その後、既知の手法により、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜がエッチングされる。
【００７０】
このように、本実施の形態においては、予備室３における基板１０ｐの予備加熱において、基板１０ｐの温度が、Ｐ−Ｓｉ膜エッチングの際の処理基板温度となる約７０℃よりも高温に加熱された後、予備室３から、アーム７１により基板１０ｐが処理室２に搬入されると示した。
【００７１】
このことによれば、Ｐ−Ｓｉ膜に対しエッチングを行うため予備室３から処理室２に基板１０ｐを搬入した際、処理室２の雰囲気中に基板１０ｐからの水分が混入されてしまうことを、基板１０ｐに吸着、付着した水分を予備室３における予備加熱にて除去するのみならず、処理室２における基板１０ｐの処理基板温度よりも予備室３における基板１０ｐの温度を高く設定しておくことで防止することができる。
【００７２】
よって、処理室２の内壁に付着している副生成物が、処理室２の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、処理中の基板１０ｐに付着されてしまうことを従来よりも低減することができる。
【００７３】
尚、以下変形例を示す。
【００７４】
本実施の形態においては、基板１０ｐに成膜された薄膜のエッチングは、Ｐ−Ｓｉ膜をエッチングする場合を例に挙げて示した。
【００７５】
これに限らず、基板１０ｐに成膜された、例えばＴＦＴ基板１０の既知のデータ線を構成するＡＬ膜をエッチングする場合には、予備室３における基板１０ｐの温度が、図６に示すように、処理基板温度となる約１００℃よりも高温に、基板が壊れない程度の温度に予備室３において加熱された後、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入すれば、本実施と同様の効果を得ることができる。
【００７６】
また、この場合であっても、図６に示すように、基板１０ｐのＡＬ膜が処理室２においてエッチングされる時間である２００ｓｅｃと同じ時間で、約１００℃よりも高温となるよう予備加熱されると、処理室２における基板１０ｐのエッチング時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することができる。また、予備加熱は、２００ｓｅｃよりも長時間行うと、より確実に基板１０ｐに付着した水分が除去できる。
【００７７】
また、エッチングに限らず、スパッタ装置等を用いた成膜処理に本実施の形態を適用しても良い。この場合、処理室２は成膜処理室となる。
【００７８】
具体的には、スパッタ装置を用いてＡＬ膜の成膜処理を行う場合には、予備室３における基板１０ｐの温度が、図６に示すように、処理基板温度となる約１５０℃よりも高温に、基板が壊れない程度の温度に加熱された後、予備室３から基板１０ｐを処理室２に搬入すれば、本実施の形態と同様の効果を得ることができるとともに、基板１０ｐに膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができる。
【００７９】
さらに、基板１０ｐに成膜された、例えばＴＦＴ基板１０の画素電極９を構成するＩＴＯ膜を、スパッタ装置を用いて成膜処理する場合であっても、予備室３における基板１０ｐの温度が、図６に示すように、処理基板温度となる約４５０℃よりも高温に、基板が壊れない程度の温度に加熱された後、予備室３から基板１０ｐを処理室２に搬入すれば、上述したＡＬ膜の成膜処理の場合と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
また、ＡＬ膜及びＩＴＯ膜を成膜処理する場合であっても、図６に示すように、ＡＬ膜及びＩＴＯ膜が処理室２において成膜処理される時間である６０ｓｅｃと同じ時間でＡＬ膜の場合は、約１５０℃、ＩＴＯ膜の場合は、約４５０℃より高温となるまで加熱されると、処理室２における基板１０ｐの成膜処理時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することができる。また、予備加熱は、６０ｓｅｃよりも長時間行うと、より確実に基板１０ｐに付着した水分が除去できる。
【００８１】
尚、以下、別の変形例を、図７を用いて示す。図７は、基板を処理室に搬入する前に、予備室と処理室との雰囲気中の水分量をモニタリングする変形例を示すフローチャートである。
【００８２】
本実施の形態においては、Ｐ−Ｓｉ膜をエッチングする際、図５に示すように、ステップＳ３において、基板１０ｐの温度が、エッチングの際の処理基板温度となる約７０℃よりも高温に加熱された後、ステップＳ４において、基板１０ｐが予備室３から処理室２に搬入されると示した。
【００８３】
これに限らず、ステップＳ３とステップＳ４の間に、予備室３内の雰囲気中の水分量をモニタリングする工程を有していてもよい。
【００８４】
具体的には、先ず、図５のステップＳ３において、予備室３における基板１０ｐの温度が基板処理温度となる約７０℃よりも高温に加熱されたと判定された後、次いで、図７に示すステップＳ６において、図４に示すように、予備室３内に設けられたモニタリング装置７９により、予備室３の雰囲気中の水分量が測定される。さらに、処理室２内に設けられたモニタリング装置４９により、処理室２の雰囲気中の水分量が測定される。
【００８５】
次いで、ステップＳ７において、予備室３の水分量が処理室２のエッチングの際の規定水分量、例えば図６に示すように、処理圧力１.００×１０−３Ｐａ中に含まれる水分量、２.００×１０−４Ｐａより少なくモニタリングされたか否かが判定された後、少なくモニタリングされれば、図５のステップＳ４に移行され、基板１０ｐが予備室３から処理室２に搬入されるようにしてもよい。
【００８６】
このことによれば、予備室３の雰囲気中の水分量が、処理室２の雰囲気中の水分量よりも少なくモニタリングされた後、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することで、本実施の形態よりも、より確実に、処理室２の雰囲気中に基板１０ｐから水分が混入されてしまうことを防止することができる。
【００８７】
（第２実施の形態）
図８は、本発明の第２実施形態を示すＴＦＴ基板のエッチング前の基板の加熱処理方法を示すフローチャートである。
【００８８】
尚、本実施の形態は、上述した第１実施の形態と比して、予備室３から処理室２への基板１０ｐの搬入を、基板の温度を基準にするのではなく、圧力を基準にして行う点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００８９】
尚、本実施の形態においても、電気光学装置用基板は、ＴＦＴ基板１０を例に挙げて説明する。また、基板の処理方法は、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜を、所定の形状にエッチングする際の予備室３の減圧処理方法を例に挙げて説明する。
【００９０】
図８に示すように、先ずステップＳ１０において、第１実施形態同様、基板収納カセット３６から基板搬送室３５を介して基板搬入室３３に搬入されたエッチング前の基板１０ｐが、アーム７１により、予備室３内に搬入された後、ステージ台７５に載置される。
【００９１】
続く、ステップＳ１１では、ヒータ７２により、ステージ台７５に載置された基板１０ｐが予備加熱されるとともに、予備室３内が真空引き用ポンプ７４の作動により減圧され、予備室３内が高真空状態となる。尚、予備室３内の減圧は、基板１０ｐに付着された水分を、エッチング前に除去する等のために行われる。
【００９２】
予備室３内は、処理室２内において、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜がエッチングされる場合は、図６に示すように、エッチングの際の処理圧力となる１.００×１０−３Ｐａより減圧される。尚、予備室３内の圧力は、予備室３に具備された上述した圧力測定装置により測定される。
【００９３】
また、この際、減圧処理は、図６に示すように、基板１０ｐのＰ−Ｓｉ膜が処理室２においてエッチングされる時間である３００ｓｅｃと同じ時間で処理圧力となる１.００×１０−３Ｐａよりも減圧されるとよい。これは、処理室２における基板１０ｐのエッチング時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入するためである。また、減圧処理を３００ｓｅｃよりも長時間行えば、より確実に基板１０ｐから水分を除去することができる。
【００９４】
図８に戻って、続く、ステップＳ１２では、予備室３内の圧力が、１.００×１０−３Ｐａよりも減圧されたか否かが判定される。減圧されていなければ、ステップＳ１１に戻り、１.００×１０−３Ｐよりも減圧されるまで、真空引き用ポンプ７４の作動による減圧処理が行われる。
【００９５】
ステップＳ１２において、予備室３内の圧力が、１.００×１０−３Ｐａよりも減圧されておれば、ステップＳ１３に移行し、該ステップＳ１３では、上述した第１実施形態同様、基板１０ｐが、開成された開閉扉９０を介して処理室２内にアーム７１により搬入され、搬入された基板１０ｐは、ステージ台５に載置される。
【００９６】
次いで、ステップＳ１４において、ヒータ４２により基板１０ｐが処理基板温度である約７０℃まで本加熱されるとともに、真空引き用ポンプ４４により、処理室２内が、図６に示すように、処理圧力である１.００×１０−３Ｐａまで減圧され、処理室２内が高真空状態となる。
【００９７】
その後は、高周波電源により陰極４３及び陽極４７に、高周波電力が印加されることにより、陰極４３と陽極４７との間に、ドライエッチングの際に用いるプラズマが発生され、その後、既知の手法により、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜がエッチングされる。
【００９８】
このように、本実施の形態においては、予備室３での減圧処理において、Ｐ−Ｓｉ膜エッチングの際の処理圧力１.００×１０−３Ｐａより減圧された後、予備室３から、アーム７１により基板１０ｐが処理室２に搬入されると示した。
【００９９】
このことによれば、Ｐ−Ｓｉ膜に対しエッチングを行うため予備室３から処理室２に基板１０ｐを搬入した際、処理室２の雰囲気中に基板１０ｐからの水分が混入されてしまうことを、基板１０ｐに吸着、付着した水分を予備室３における減圧処理にて除去するのみならず、予備室３内を処理室２内におけるエッチング処理時よりも高真空としておくことで防止することができる。
【０１００】
よって、処理室２の内壁に付着している副生成物が、処理室２の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、パーティクルとして処理中の基板１０ｐに付着されてしまうことを従来よりも低減することができる。
【０１０１】
尚、以下変形例を示す。
【０１０２】
本実施の形態においては、基板１０ｐに成膜された薄膜のエッチングは、Ｐ−Ｓｉ膜をエッチングする場合を例に挙げて示した。
【０１０３】
これに限らず、本実施の形態においても、基板１０ｐに成膜された、例えばＴＦＴ基板１０の既知のデータ線を構成するＡＬ膜を、エッチングする場合であっても、予備室３における圧力が、図６に示すように、処理圧力となる１.００×１０−３Ｐａよりも減圧された後、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入すれば、本実施と同様の効果を得ることができる。
【０１０４】
また、この場合であっても、図６に示すように、基板１０ｐのＡＬ膜が処理室２においてエッチングされる時間である２００ｓｅｃと同じ時間で１.００×１０−３Ｐａ以下に減圧されると、処理室２における基板１０ｐのエッチング時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することができる。また、２００ｓｅｃよりも長時間減圧処理を行うと、基板１０ｐの水分を確実に除去することができる。
【０１０５】
また、エッチングに限らず、スパッタ装置等を用いた成膜処理に本実施の形態を適用しても良い。この場合、処理室２は成膜処理室となる。
【０１０６】
具体的には、スパッタ装置を用いたＡＬ膜の成膜処理の場合には、予備室３の圧力が、図６に示すように、処理圧力となる１.００×１０−５Ｐａよりも減圧された後、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入すれば、本実施の形態と同様の効果を得ることができるとともに、基板１０ｐに膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができる。
【０１０７】
さらに、基板１０ｐに成膜されたＩＴＯ膜を、スパッタ装置を用いて成膜処理する場合であっても、予備室３の圧力が、図６に示すように、処理圧力となる１.００×１０−２Ｐａよりも減圧された後、予備室３から基板１０ｐを処理室２に搬入すれば、上述したＡＬ膜の成膜処理の場合と同様の効果を得ることができる。
【０１０８】
また、ＡＬ膜及びＩＴＯ膜を成膜処理する場合であっても、図６に示すように、ＡＬ膜及びＩＴＯ膜が処理室２において成膜処理される時間である６０ｓｅｃと同じ時間でＡＬ膜の場合は、１.００×１０−５Ｐａ、ＩＴＯ膜の場合は、１.００×１０−２Ｐａよりも減圧されると、処理室２における基板１０ｐの成膜処理時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することができる。また、減圧処理は、６０ｓｅｃより長時間行えば、より確実に基板１０ｐの水分を除去することができる。
【０１０９】
尚、以下、別の変形例を示す。
【０１１０】
本実施の形態においては、Ｐ−Ｓｉ膜をエッチングする際、図８に示すように、ステップＳ１２において、予備室３の圧力が、処理圧力１.００×１０−３Ｐａよりも減圧された後、ステップＳ１３において、基板１０ｐが予備室３から処理室２に搬入されると示した。
【０１１１】
これに限らず、ステップＳ１２とステップＳ１３との間に予備室３の雰囲気中の水分量をモニタリングする工程を有していてもよい。
【０１１２】
具体的には、図８のステップＳ１２において、予備室３の圧力が処理圧力１.００×１０−３Ｐａよりも減圧されたと判定された後、上述した第１実施の形態同様、次いで、図７に示すステップＳ６において、図４に示すように、モニタリング装置７９により、予備室３の雰囲気中の水分量が測定される。さらに、モニタリング装置４９により、処理室２の雰囲気中の水分量が測定される。
【０１１３】
次いで、ステップＳ７において、予備室３の水分量が処理室２のエッチングの際の規定水分量、例えば図６に示すように、処理圧力１.００×１０−３Ｐａ中に含まれる水分量、２.００×１０−４Ｐａより少なくモニタリングされたか否かが判定された後、少なくモニタリングされれば、図８のステップＳ１３に示すように、基板１０ｐが予備室３から処理室２に搬入されるようにしてもよい。
【０１１４】
このことによれば、予備室３の雰囲気中の水分量が、処理室２の雰囲気中の水分量よりも少なくモニタリングされた後、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することで、本実施の形態よりも、より確実に、処理室２の雰囲気に基板１０ｐからの水分が混入されてしまうことを防止することができる。
【０１１５】
（第３実施の形態）
図９は、本発明の第３実施形態を示すＴＦＴ基板のエッチング前の基板の加熱処理方法を示すフローチャートである。尚、本実施の形態は、上述した第１実施、第２実施の形態と比して、予備室３から処理室２への基板１０ｐの搬入を、基板の温度、圧力のいずれかを基準にするのではなく、双方を基準にして行う点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施、第２実施形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【０１１６】
尚、本実施の形態においても、電気光学装置用基板は、ＴＦＴ基板１０を例に挙げて説明する。また、基板の処理方法は、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜を、所定の形状にエッチングする際の減圧処理方法を例に挙げて説明する。
【０１１７】
図９に示すように、先ずステップＳ２０において、基板収納カセット３６から基板搬送室３５を介して基板搬入室３３に搬入されたエッチング前の基板１０ｐが、アーム７１により、予備室３内に搬入された後、ステージ台７５に載置される。
【０１１８】
続く、ステップＳ２１では、ヒータ７２により、ステージ台７５に載置された基板１０ｐが予備加熱される。予備加熱は、予備室３内において、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜がエッチングされる場合は、図６に示すように、エッチングに用いる処理基板温度となる約７０℃よりも高温に、基板が壊れない程度の温度に加熱される。
【０１１９】
続く、ステップＳ２２では、予備室３内が、真空引き用ポンプ７４の作動により減圧され、予備室３内を高真空状態にする。予備室３内は、処理室２内において、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜がエッチングされる場合は、図６に示すように、エッチングの際の処理圧力となる１.００×１０−３Ｐａより減圧される。
【０１２０】
また、この際、予備加熱、減圧処理は、図６に示すように、基板１０ｐのＰ−Ｓｉ膜が処理室２においてエッチングされる時間である３００ｓｅｃと同じ時間で処理基板温度となる約７０℃よりも高温に加熱されるとともに、処理圧力となる１.００×１０−３Ｐａよりも減圧されるとよい。これは、処理室２における基板１０ｐのエッチング時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入するためである。また、予備加熱、減圧処理を３００ｓｅｃ以上行えば、より確実に基板１０ｐから水分を除去することができる。
【０１２１】
ステップＳ２３では、予備室３における基板１０ｐの基板温度が、約７０℃よりも高温になったか否かが判定される。高温になっていなければ、ステップＳ２１に戻り、約７０℃よりも高温になるまでヒータ７２による加熱が行われる。ステップＳ２３において、基板温度が約７０℃よりも高温になっておれば、ステップＳ２４に移行する。
【０１２２】
続く、ステップＳ２４では、予備室３内の圧力が、１.００×１０−３Ｐａよりも減圧されたか否かが判定される。減圧されていなければ、ステップＳ２２に戻り、１.００×１０−３Ｐよりも減圧されるまで、真空引き用ポンプ７４の作動による減圧処理が行われる。
【０１２３】
ステップＳ２４において、予備室３内の圧力が、１.００×１０−３Ｐａよりも減圧されておれば、ステップＳ２５に移行し、該ステップＳ２５では、上述した第１、第２実施形態同様、基板１０ｐが、開成された開閉扉９０を介して処理室２内に、アーム７１により搬入され、搬入された基板１０ｐは、ステージ台５に載置される。
【０１２４】
次いで、ステップＳ２５において、基板１０ｐのＰ−Ｓｉ膜が処理室２においてエッチングされる場合は、ヒータ４２により基板１０ｐが処理基板温度である約７０℃まで本加熱されるとともに、真空引き用ポンプ４４により、処理室２内が、図６に示すように、処理圧力が、１.００×１０−３Ｐａまで減圧され、処理室２内を高真空状態にする。
【０１２５】
その後は、高周波電源により陰極４３及び陽極４７に、高周波電力が印加されることにより、陰極４３と陽極４７との間に、ドライエッチングの際に用いるプラズマが発生され、その後、既知の手法により、基板１０ｐに成膜されたＰ−Ｓｉ膜がエッチングされる。
【０１２６】
このように、本実施の形態においては、予備室３における基板１０ｐの予備加熱において、基板１０ｐの温度が、Ｐ−Ｓｉ膜エッチングの際の処理基板温度となる約７０℃よりも高温に加熱されるとともに、予備室３での減圧処理において、Ｐ−Ｓｉ膜エッチングの際の処理圧力１.００×１０−３Ｐａより減圧された後、予備室３から、アーム７１により基板１０ｐが処理室２に搬入されると示した。
【０１２７】
このことによれば、Ｐ−Ｓｉ膜に対しエッチングを行うため予備室３から処理室２に基板１０ｐを搬入した際、処理室２の雰囲気中に基板１０ｐからの水分が混入されてしまうことを、基板１０ｐに吸着、付着した水分を予備室３における減圧処理にて除去するのみならず、処理室２における基板１０ｐの処理基板温度よりも予備室３における基板１０ｐの温度を高く設定しておくとともに、予備室３内を処理室２内におけるエッチング処理時よりも高真空としておくことで防止することができる。
【０１２８】
よって、処理室２の内壁に付着している副生成物が、処理室２の雰囲気中の水分と反応、混合することにより内壁から剥離、落下され、処理中の基板１０ｐに付着されてしまうことを上述した第１及び第２実施の形態よりも低減することができる。
【０１２９】
尚、以下変形例を示す。
【０１３０】
本実施の形態においては、基板１０ｐに成膜された薄膜のエッチングは、Ｐ−Ｓｉ膜をエッチングする場合を例に挙げて示した。
【０１３１】
これに限らず、基板１０ｐに成膜された、例えばＴＦＴ基板１０の既知のデータ線を構成するＡＬ膜を、エッチングする場合にも、予備室３における基板１０ｐの温度が、図６に示すように、処理基板温度となる約１００℃よりも高温に、基板が壊れない程度の温度に予備室３において加熱されるとともに、予備室３における圧力が、図６に示すように、処理圧力となる１.００×１０−３Ｐａよりも減圧された後、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入すれば、本実施と同様の効果を得ることができる。
【０１３２】
また、この場合であっても、図６に示すように、基板１０ｐのＡＬ膜が処理室２においてエッチングされる時間である２００ｓｅｃと同じ時間で、約１００℃以上になるまで行われるとともに、１.００×１０−３Ｐａ以下に減圧されると、処理室２における基板１０ｐのエッチング時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することができる。また２００ｓｅｃより長時間行えば、より確実に基板１０ｐの水分を除去することができる。
【０１３３】
また、エッチングに限らず、スパッタ装置等を用いた成膜処理に本実施の形態を適用しても良い。この場合、処理室２は成膜処理室となる。
【０１３４】
具体的には、スパッタ装置を用いたＡＬ膜の成膜処理の場合には、予備室３における基板１０ｐの温度が、図６に示すように、処理基板温度となる約１５０℃よりも高温に、基板が壊れない程度の温度に加熱されるとともに、予備室３の圧力が、図６に示すように、処理圧力となる１.００×１０−５Ｐａよりも減圧された後、予備室３から基板１０ｐを処理室２に搬入すれば、本実施の形態と同様の効果を得ることができるとともに、基板１０ｐに膜を成膜する際、水分が含まれた膜が成膜されてしまうことを防止することができる。
【０１３５】
さらに、基板１０ｐに成膜されたＩＴＯ膜を、スパッタ装置を用いて成膜処理する場合であっても、予備室３における基板１０ｐの温度が、図６に示すように、処理基板温度となる約４５０℃よりも高温に、基板が壊れない程度の温度に加熱されるとともに、予備室３の圧力が、図６に示すように、処理圧力となる１.００×１０−２Ｐａよりも減圧された後、予備室３から基板１０ｐを処理室２に搬入すれば、上述したＡＬ膜の成膜処理の場合と同様の効果を得ることができる。
【０１３６】
また、ＡＬ膜及びＩＴＯ膜を成膜処理する場合であっても、図６に示すように、ＡＬ膜及びＩＴＯ膜が処理室２において成膜処理される時間である６０ｓｅｃと同じ時間で、約１５０℃、ＩＴＯ膜の場合は、約４５０℃になるまで加熱されるとともに、ＡＬ膜の場合は、１.００×１０−５Ｐａ、ＩＴＯ膜の場合は、１.００×１０−２Ｐａよりも減圧されると、処理室２における基板１０ｐの成膜処理時間に合わせて、効率良く、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することができる。また、６０ｓｅｃよりも長時間行えば、より確実に基板１０ｐに付着した水分を除去することができる。
【０１３７】
尚、以下、別の変形例を示す。
【０１３８】
本実施の形態においては、Ｐ−Ｓｉ膜をエッチングする際、図９に示すように、ステップＳ２３において、基板１０ｐの温度が、エッチングの際の処理基板温度となる約７０℃よりも高温に加熱されるとともに、ステップＳ２４において、予備室３の圧力が、処理圧力１.００×１０−３Ｐａよりも減圧された後、基板１０ｐが予備室３から処理室２に搬入されると示した。
【０１３９】
これに限らず、ステップＳ２４とステップＳ２５との間に、予備室３の雰囲気中の水分量をモニタリングする工程を有していてもよい。
【０１４０】
具体的には、先ず、図９のステップＳ２４において、予備室３の圧力が処理圧力１.００×１０−３Ｐａよりも減圧されたと判定された後、上述した第１、第２実施の形態同様、次いで、図７に示すステップＳ６において、図４に示すように、モニタリング装置７９により、予備室３の雰囲気中の水分量が測定される。さらに、モニタリング装置４９により、処理室２の雰囲気中の水分量が測定される。
【０１４１】
次いで、ステップＳ７において、予備室３の水分量が処理室２のエッチングの際の規定水分量、例えば図６に示すように、処理圧力１.００×１０−３Ｐａ中に含まれる水分量、２.００×１０−４Ｐａより少なくモニタリングされたか否かが判定され、少なくモニタリングされれば、図９のステップＳ２５に示すように、基板１０ｐが予備室３から処理室２に搬入されるようにしてもよい。
【０１４２】
このことによれば、予備室３の雰囲気中の水分量が、処理室２の雰囲気中の水分量よりも少なくモニタリングされた後、基板１０ｐを予備室３から処理室２に搬入することで、本実施の形態よりも、さらにより確実に、処理室２の雰囲気に基板１０ｐからの水分が混入されてしまうことを防止することができる。
【０１４３】
尚、上述した第１〜第３実施の形態においては、電気光学装置用基板は、ＴＦＴ基板１０における各薄膜を成膜する途中の基板１０ｐを例に挙げて説明したが、これに限らず、対向基板２０における各薄膜を成膜する途中の基板に適用しても良いことは云うまでもない。さらに、電気光学装置に限らず、半導体装置に用いる基板であっても構わない。
【０１４４】
また、上述した第１〜第３実施の形態においては、成膜装置またはドライエッチング装置を用いた場合の処理方法を例に挙げて説明したが、これに限らず、装置の内壁に処理後、副生成物が付着してしまう処理に用いる装置であれば、どのような装置に適用しても構わない。
【０１４５】
さらに、上述した第１〜第３実施の形態においては、基板１０ｐを１枚ずつ処理する枚葉式の処理方法を例に挙げて説明したが、これに限らず、複数枚の基板１０ｐを処理する方法に適用しても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
上述した実施の形態の処理方法により処理された基板が用いられた液晶装置１００は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１４７】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１４８】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【０１４９】
これらの電気光学装置に上述した第１〜第３実施の形態に示した処理方法により処理された基板を用いれば、従来に比べ信頼性が向上され良品率が向上された電気光学装置を提供することができる。
【０１５０】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図１０は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【０１５１】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【０１５２】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０１５３】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１５４】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【０１５５】
このプロジェクタ１１００に、上述した第１〜第３実施の形態に示した処理方法により処理された基板を用いた液晶装置１００を用いれば、従来に比べ信頼性が向上され良品率が向上されたプロジェクタ１１００を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】本発明の第１実施の形態を示す処理方法によって処理される素子基板を有して構成された液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】ドライエッチング装置の構成の概略を示す平面図。
【図４】図３のドライエッチング装置の予備室と処理室との内部を透視して示す図。
【図５】本発明の第１実施形態を示すＴＦＴ基板のエッチング前の基板の加熱処理方法を示すフローチャート。
【図６】各エッチング処理または各成膜処理の際の処理室の圧力、処理基板温度、処理時間を示す図表。
【図７】基板を処理室に搬入する前に、予備室と処理室との水分量をモニタリングする変形例を示すフローチャート。
【図８】本発明の第２実施形態を示すＴＦＴ基板のエッチング前の基板の加熱処理方法を示すフローチャート。
【図９】本発明の第３実施形態を示すＴＦＴ基板のエッチング前の基板の加熱処理方法を示すフローチャート。
【図１０】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【符号の説明】
【０１５７】
２…処理室、３…予備室、９…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｈ…表示領域、１０ｐ…基板、２０…対向基板、５０…液晶、１００…液晶装置、１１００…プロジェクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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