(57)【要約】【課題】互いに重なりを有して一対の回路基板を半田接合するに当たり、十分な接合強度を実現することが可能な複合回路基板を提供すること。【解決手段】第１の回路基板１に備えられる第１ランド１１と、第２の回路基板２に備えられ、第１ランド１１の一部と対向して半田接合される第２ランド２１とを備えており、第１ランド１１と第２ランド２１とが半田接合されて複合回路基板３が構成される。第１ランド１１のうち第２ランド２１に対向しない非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４には半田フィレットが形成され、半田の接合強度を向上させることができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに重なりを有して接続される一対の回路基板を備える複合回路基板であって、
第１の回路基板に備えられる第１ランドと、
第２の回路基板に備えられ、少なくとも一部が前記第１ランドの一部と対向して半田接合される第２ランドとを備え、
前記第１ランドは、前記第２の回路基板が重ねられている領域において、前記第２ランドに対向しない非対向領域を有することを特徴とする複合回路基板。
【請求項２】
前記非対向領域は、前記第１ランドの少なくとも２方向の端部にあることを特徴とする請求項１に記載の複合回路基板。
【請求項３】
前記第１ランドは、前記第２ランドを包含することを特徴とする請求項２に記載の複合回路基板。
【請求項４】
前記第１ランドは多角形形状であり、
前記非対向領域は、相異なる少なくとも２方向の端辺にあることを特徴とする請求項２に記載の複合回路基板。
【請求項５】
前記第１ランドは多角形形状であり、互いに隣接して複数配置されてなり、
前記非対向領域は、前記第１ランドの配置領域の外縁のうち、相異なる少なくとも２方向の端辺に配置されている前記第１ランドの端部にあることを特徴とする請求項２に記載の複合回路基板。
【請求項６】
前記第１または第２の回路基板の少なくとも一方は、該第１または第２の回路基板に備えられる前記第１または第２ランドに連続して半田濡れ性の良好な側壁を有し、開孔の少なくとも一部領域が、前記第１または第２の回路基板の他方に備えられる前記第１または第２ランドに対向する貫通孔を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の複合回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板が重ねあわされて接続される複合回路基板に関するものであり、特に、一対の回路基板の各々に備えられているランドを対向させて半田接合により接続される複合回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示されているプリント配線板では、図１１に示すように、第１のプリント配線板１１と第２のプリント配線板１２とは同じ構造を有している。第１のパッド群１１ａ、１２ａと、第１のパッド群１１ａ、１２ａよりも先端部側に形成された第２のパッド群１１ｂ、１２ｂとを備えている。第１のプリント配線板１１と第２のプリント配線板１２とは、第１のパッド群１１ａと第２のパッド群１２ｂ、および第２のパッド群１１ｂと第１のパッド群１２ａとが対向して半田接合される。このとき、第１のパッド群１１ａは、破線で囲まれる領域として示すように、配線の引き出し方向の端部で第２のプリント配線板１２で覆い隠されない位置まで形成されている。裏面には、同様に、第１のパッド群１２ａが、配線の引き出し方向の端部で第１のプリント配線板１１で覆い隠されない位置まで形成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３０２８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１は、第１のパッド群１１ａ、１２ａの端部がプリント配線板に覆い隠されないため、第１のパッド群１１ａ、１２ａの端部に形成される半田フィレットを視認して半田接合の良否を確認することができ、また、この半田フィレットにより配線の引き出し方向への接合強度の向上を図るものではある。
【０００５】
しかしながら、半田フィレットは、配線の引き出し方向のみに形成されるため、引き出し方向とは異なる方向への接合強度を十分とすることができないおそれがあり問題である。
【０００６】
本発明は前記背景技術の課題に鑑みなされたものであり、互いに重なりを有して一対の回路基板を半田接合するに当たり、半田接合の良否を視認容易とすることができると共に、十分な接合強度を実現することが可能な複合回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、請求項１に係る複合回路基板は、互いに重なりを有して接続される一対の回路基板を備える複合回路基板であって、第１の回路基板に備えられる第１ランドと、第２の回路基板に備えられ、少なくとも一部が第１ランドの一部と対向して半田接合される第２ランドとを備え、第１ランドは、第２の回路基板が重ねられている領域において、第２ランドに対向しない非対向領域を有することを特徴とする。
【０００８】
請求項１の複合回路基板では、第１の回路基板と第２の回路基板とが重なりを有して接続されている。第１の回路基板に備えられる第１ランドは、その一部が第２の回路基板に備えられる第２ランドの少なくとも一部と対向して半田接合されている。また、第２の回路基板が重ねられている領域において、第２ランドに対向しない非対向領域を有している。
【０００９】
これにより、第１および第２の回路基板を重ね合わせて半田接合する際、各々の回路基板に備えられている第１および第２ランドが対向して半田接合される。このとき、第１ランドには、第２の回路基板が重ねられている領域において、第２ランドと対向する領域からの広がりを有して第２ランドと対向しない非対向領域が存在する。このため、半田接合の際、この非対向領域に半田フィレットが形成され、第１および第２ランド間の半田接合の接合強度を向上させることができる。
【００１０】
ここで、第２ランドの一部が第１ランドと対向する場合には、第２ランドにも、第１ランドと対向する領域からの広がりを有して第１ランドと対向しない領域が存在する。半田接合の際、この領域にも半田フィレットが形成される。第１ランドの非対向領域の半田フィレットとあわせて、第１および第２ランド間の半田接合の接合強度を更に向上させることができる。
【００１１】
また、請求項２に係る複合回路基板は、請求項１に記載の複合回路基板において、非対向領域は、第１ランドの少なくとも２方向の端部にあることを特徴とする。
【００１２】
請求項２の複合回路基板では、第１ランドと第２ランドとを半田接合した際、第１ランドの少なくとも２方向の端部に非対向領域が存在し、これらに半田フィレットが形成される。少なくとも２方向に半田フィレットが形成されることにより、少なくとも２方向で半田接合の接合強度を向上させることができる。
【００１３】
また、請求項３に係る複合回路基板は、請求項２に記載の複合回路基板において、第１ランドは、第２ランドを包含することを特徴とする。
【００１４】
これにより、第２ランドは第１ランドに包含されて半田接合されるので、第１ランドの周縁に非対向領域が形成され、半田フィレットが形成される。何れの方向に対しても半田接合の接合強度を向上させることができる。
【００１５】
また、請求項４に係る複合回路基板は、請求項２に記載の複合回路基板において、第１ランドは多角形形状であり、非対向領域は、少なくとも相異なる２方向の端辺にあることを特徴とする。
【００１６】
これにより、第１ランドにおける多角形形状の端辺のうち、異なる方向の少なくとも２つの端辺に非対向領域が形成されるので、相異なる少なくとも２方向に半田フィレットが形成される。相異なる少なくとも２方向への半田接合強度が向上する。
【００１７】
また、請求項５に係る複合回路基板は、請求項２に記載の複合回路基板において、第１ランドは多角形形状であり、互いに隣接して複数配置されてなり、非対向領域は、第１ランドの配置領域の外縁のうち、相異なる少なくとも２方向の端辺に配置されている第１ランドの端部にあることを特徴とする。
【００１８】
請求項５の複合回路基板では、多角形形状の第１ランドが、第１の回路基板に互いに隣接して複数配置されている。複数配置されている第１ランドの配置領域の外縁のうち、相異なる少なくとも２方向の端辺を構成する第１ランドの端部に非対向領域がある。
【００１９】
これにより、個々の第１ランドに非対向領域を備えていなくとも、複数の第１ランドが隣接して配置されている配置領域について、外縁の相異なる少なくとも２方向にある第１ランドの端部に非対向領域を備えて半田フィレットが形成される。配置領域の内方にある第１ランドは非対向領域を備えず、第１ランドの配置ピッチを狭ピッチとすることができる。加えて、配置領域の外縁については、相異なる少なくとも２方向にある第１ランドの端部に半田フィレットが形成されるので、少なくとも２方向への半田接合強度が強化される。第１ランドの配置密度と半田接合強度とを、共に向上させることができる。
【００２０】
また、請求項６に係る複合回路基板は、請求項１に記載の複合回路基板において、第１または第２の回路基板の少なくとも一方は、第１または第２の回路基板に備えられる第１または第２ランドに連続して半田濡れ性の良好な側壁を有し、開孔の少なくとも一部領域が、第１または第２の回路基板の他方に備えられる第１または第２ランドに対向する貫通孔を更に備えることを特徴とする。
【００２１】
請求項６の複合回路基板では、第１または第２の回路基板の少なくとも一方には貫通孔が備えられている。この貫通孔は、第１または第２の回路基板に備えられる前記第１または第２ランドに連続して半田濡れ性の良好な側壁を有しており、また開孔の少なくとも一部領域が、第１または第２の回路基板の他方に備えられる第１または第２ランドに対向する。
【００２２】
これにより、第１ランドと第２ランドとを半田接合する際、貫通孔の側壁も接合される。貫通孔の側壁から孔の中心に向かって延びる半田フィレットにより、側壁に向かうあらゆる方向に対して半田接合の接合強度を強化することができる。何れの方向に対しても半田接合の接合強度を向上させることができる。また、貫通孔に形成される半田フィレットが容易に視認できるので、第２の回路基板が重ねられた状態で半田接合の状態を容易に確認することができる。
【００２３】
ここで、貫通孔は、第１または第２の回路基板の何れに備えられていても良い。更に、第１の回路基板と第２の回路基板との双方に備えられていてもよい。第１の回路基板に備えられていれば、第２の回路基板に重ねられた第１の回路基板側から半田フィレットを視認することができる。第２の回路基板に備えられていれば、第１の回路基板に重ねられた第２の回路基板側から半田フィレットを視認することができる。第１および第２の回路基板に備えられていれば、何れの側からも視認することができる。尚、貫通孔が、第１および第２の回路基板の双方に備えられる場合には、各々の貫通孔は、第１および第２ランドを対向させた状態において、位置をずらして開孔されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、互いに重なりを有する第１および第２の回路基板が半田接合された複合回路基板について、各々の回路基板にある第１および第２ランドの間で半田接合するに当たり、第１および第２ランドの対向する領域を越えて第１および第２ランドが対向しない非対向領域を設けることにより、非対向領域に半田フィレットを形成して半田接合における接合強度を強化することができる複合回路基板を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の複合回路基板について具体化した実施形態を図１乃至図１０に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２６】
図３に示す本発明の第１実施形態の複合回路基板３は、図１に示す第１の回路基板１と、図２に示す第２の回路基板２とが、重なりを有して接続されたものである。第１の回路基板１には、コンデンサや抵抗等の受動素子、ダイオードやトランジスタ等の能動素子等の様々な回路部品が実装されている。これらの回路部品は、半田接合、圧着、ねじ止めなど、様々な方法により第１の回路基板１に実装される。更に、半田接合の場合には、基板の開孔に回路部品のリード端子を挿入して孔内に半田を充填して接合する接合方法のほか、近年では、高密度実装の要請から、表面実装技術により基板表面に半田接合される接合方法が多用されている。
【００２７】
第２の回路基板２は、第１の回路基板１と同様に、回路部品が実装された基板である場合のほか、配線パターンが形成されて、第１の回路基板１と不図示の回路基板やその他の装置との間を接続するプリント配線基板等であることが考えられる。ここで、配線パターンが形成されているプリント配線基板とは、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板等がある。以下の説明では、表面実装技術を利用して第１の回路基板１と第２の回路基板２とを半田接合する場合について説明する。
【００２８】
第１の回路基板１と第２の回路基板２とが、表面実装技術により半田接合される場合、両基板は、半田を介して半田濡れ性の良好な金属部が接合されることとなる。この金属部をランドと称する。第１の回路基板１には第１ランド１１が備えられており、第２の回路基板２には第２ランド２１が備えられている。第１および第２ランド１１、２１は、第１および第２の回路基板１、２に形成された金属配線に直結されて形成されている。一般的に、回路基板は、実装された金属配線の保護等のため、表面に絶縁物でコーティングされた保護膜が形成されていることが一般的である。第１および第２ランド１１、２１は、保護膜１５、２５（後述の図５、図６、図１０において図示）を除去して金属配線を露出して形成されている。
【００２９】
例えば、図１に示す第１の回路基板１においては、金属配線１３上の保護膜１５が一部除去されて、一辺長Ｌ１の正方形形状の第１ランド１１が形成されている。図２に示す第２の回路基板２においては、金属配線２３の端部で保護膜２５が一部除去され、一辺長Ｌ２の正方形形状の第２ランド２１が形成されている。ここで、一辺長Ｌ１は一辺長Ｌ２に比して長いとする（Ｌ１＞Ｌ２）。
【００３０】
尚、第１の回路基板１については、金属配線１３の配線パターンは不図示である。第１の回路基板１の配線パターンは、基板表面にあって保護膜直下に形成されることのほか、多層回路基板である場合、裏面または／および内層に配線される場合も考えられる。
【００３１】
複合回路基板３では、７本の配線が第１の回路基板１と第２の回路基板２との間で連結される。第１の回路基板１と第２の回路基板２との半田接合によりこれらの配線を連結させるため、第１ランド１１と第２ランド２１とは配線ごとに備えられる。第１ランド１１および第２ランド２１は、共に同一のピッチＰで列状に配置されている。
【００３２】
半田接合の際、第１の回路基板１と第２の回路基板２との位置あわせは、不図示のあわせマーク等を利用して行なわれる。例えば、列状に配置されているランド列の両端の第１および第２ランド１１、２１において位置合わせが行なわれる。ここで、第１の回路基板１と第２の回路基板２とを半田接合する際、第１ランド１１と第２ランド２１とを対向させる必要がある。一方の端部に配置されている第１ランド１１の外方の端辺の中点Ａ１１と、他方の端部に配置されている第２ランド２１の内方の端辺の中点Ａ２１とが位置合わせされる。更に、他方の端部に配置されている第１ランド１１の外方の端辺の中点Ａ１２と、一方の端部に配置されている第２ランド２１の内方の端辺の中点Ａ２２とが位置合わせされる。これにより、第１ランドの外方端辺と第２ランドの内方端辺とが一致すると共に、各々の端辺の中点が一致して、第１ランド１１と第２ランド２１とが対向する。
【００３３】
ここで、第１および第２ランド１１、１２の各々の一辺長Ｌ１、Ｌ２は、Ｌ１＞Ｌ２である。第２の回路基板２の第２ランド２１の外方端部から第２に回路基板２の端部Ｅまでの距離Ｅ１をＬ１−Ｌ２に比して短いと仮定する。この場合、第１ランド１１の外方端辺と第２ランド２１の内方端辺とを一致させた複合回路基板３では、重ねられた第２の回路基板２の端部Ｅを越えて、第１ランド１１の内方端部が飛び出した状態となる。飛び出しの長さは、Ｌ１−Ｌ２−Ｅ１である。第１ランド１１の一部を直接視認することができる。
【００３４】
複合回路基板３において、第１ランド１１と第２ランド２１とが対向している様子を図４に示す。（Ｙ’）側が複合回路基板３における第１の回路基板１の外方端側であり、第２の回路基板２は端部Ｅから（Ｙ’）側に向かって配置されている。図４では、第１の回路基板１と第２の回路基板２とが重ねられた状態で、第１ランド１１と第２ランド２１とが対向している状態を示す図である。
【００３５】
第１ランド１１と第２ランド２１とは、（Ｙ’）側で端辺とその中点とが一致して対向している。第１ランド１１の一辺長Ｌ１は第２ランド２１の一辺長Ｌ２に比して長いので、（Ｙ）、（Ｘ）、および（Ｘ’）側では、第１ランド１１のうち第２ランド２１に対向しない非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４が存在する。
【００３６】
非対向領域Ｒ１およびＲ２は、（Ｙ）側に存在する領域である。このうち、非対向領域Ｒ１は第２の回路基板２の端部Ｅを越えて外方に広がる領域である。複合回路基板３において第２の回路基板２が重ならない領域である。（Ｙ’）側から（Ｙ）側に広がる幅Ｗ１はＬ１−Ｌ２−Ｅ１である。また、非対向領域Ｒ２は第２の回路基板２の端部Ｅから（Ｙ’）側にある。複合回路基板３において第２の回路基板２が重なる領域である。（Ｙ’）側から（Ｙ）側に広がる幅Ｗ２はＥ１である。
【００３７】
非対向領域Ｒ３およびＲ４は、各々、（Ｘ）側および（Ｘ’）側に存在する領域である。第１ランド１１と第２ランド２１とが端辺の中点を一致させて重ねられているので、非対向領域Ｒ３およびＲ４は、左右対称の関係に立つ。共に第２の回路基板２が重なる領域にある。（Ｘ）−（Ｘ’）方向に広がる幅Ｗ３、Ｗ４は、共に（Ｌ１−Ｌ２）／２である。
【００３８】
第１ランド１１と第２ランド２１とが半田接合される際、各々のランドは半田濡れ性が良好であるので、溶融された半田は、第１ランド１１と第２ランド２１とが対向する領域から、なだらかな傾斜を有して非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４にも広がる。これにより、第１および第２ランド１１、２１の対向面を接合する半田接合に連続して、（Ｘ）、（Ｘ’）、および（Ｙ）側の３方向に半田フィレットが形成される。（Ｘ）−（Ｘ’）および（Ｙ）−（Ｙ’）の各方向への応力に対して半田強度を向上させることができる。
【００３９】
また、非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４のうちの一部である非対向領域Ｒ１は第２の回路基板２が重ねられておらず、半田フィレットの状態を直接視認することができる。第１および第２ランド１１、２１の半田接合の状態を容易に確認することができる。特に、非対向領域Ｒ１は、非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４のうち、第１および第２ランド１１、２１の対向面から最遠点にある領域である。最遠点にある非対向領域Ｒ１において半田フィレットの状態を確認することができる。より確実に半田接合の状態を確認することができる。
【００４０】
第１および第２ランド１１、２１の半田接合の状態を示す断面図を図５、図６に示す。図５が図４における（Ｘ）−（Ｘ’）断面であり、図６が図４における（Ｙ）−（Ｙ’）断面である。
【００４１】
基台１７、２７上に金属配線１３、２３により配線が形成され、その上に保護膜１５、２５がコーティングされた第１および第２の回路基板１、２は、第１および第２ランド１１、２１で保護膜が除去されて金属配線１３、２３が露出している。金属配線１３、２３が露出した第１および第２ランド１１、２１は、半田３１を介して金属配線１３、２３が接合されている。半田３１は、対向領域にとどまらず、第１ランド１１の非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４に広がる。非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４では、対向する金属配線などが無いため、半田形状はなだらかな傾きを有する半田フィレット形状となる。（Ｘ）−（Ｘ’）方向には、図５に示すように、非対向領域Ｒ３、Ｒ４に左右対称に半田フィレットが形成されている。
【００４２】
（Ｙ）−（Ｙ’）方向には、図６に示すように、非対向領域Ｒ１、Ｒ２に跨って半田フィレットが形成されている。このうち、非対向領域Ｒ１は第２の回路基板２が重ねられていないので、半田フィレットを確認することができる。
【００４３】
図７に示す第１実施形態の変形例では、第２ランド２１は第１実施形態と同様である。第１の回路基板１において、正方形形状の第１ランド１１に代えて、台形形状の第１ランド１１Ａ１、１１Ａ２が備えられている。ここで、第１ランド１１Ａ１は、第１ランド１１の一辺長Ｌ１と同じ長さを有する下底と、第２ランド２１の一辺長Ｌ２と同じ長さを有する上底とを備えている。第１の回路基板１では、ランドごとに上底および下底が交互に入れ替わって、第１ランド１１Ａ１、１１Ａ２が配置されている。
【００４４】
非対向領域Ｒ１Ａ１乃至Ｒ４Ａ１、Ｒ１Ａ２乃至Ｒ４Ａ２は、第１ランド１１の非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４（図４）と同様に、第１ランド１１Ａ１、１１Ａ２と第２ランド２１との位置合わせの辺から、縦横の３方向に広がっている。非対向領域Ｒ１Ａ１、Ｒ１Ａ２は、非対向領域Ｒ１と同様に第２の回路基板２の端部Ｅを越えて外方に広がる領域である。複合回路基板３において第２の回路基板２が重ならない領域である。非対向領域Ｒ２Ａ１、Ｒ２Ａ２は、端部Ｅから第２の回路基板２側にある領域である。複合回路基板３において第２の回路基板２が重なる領域である。非対向領域Ｒ３Ａ１、Ｒ３Ａ２およびＲ４Ａ１、Ｒ４Ａ２は、対向領域の両側に左右対称にある領域である。複合回路基板３において第２の回路基板２が重なる領域である。
【００４５】
各非対向領域Ｒ１Ａ１乃至Ｒ４Ａ１、Ｒ１Ａ２乃至Ｒ４Ａ２の形状は、第１ランド１１Ａ１、１１Ａ２の台形形状に合わせた形状である。非対向領域Ｒ１Ａ１、Ｒ２Ａ１は、第１ランド１１Ａ１の下底（一辺長Ｌ１）に向かって拡幅される台形形状であり、非対向領域Ｒ３Ａ１、Ｒ４Ａ１は、第１ランド１１Ａ１の下底（一辺長Ｌ１）に向かって拡幅される三角形形状である。また、非対向領域Ｒ１Ａ２、Ｒ２Ａ２は、第１ランド１１Ａ２の上底（一辺長Ｌ２）に向かって縮幅される台形形状であり、非対向領域Ｒ３Ａ２、Ｒ４Ａ２は、第１ランド１１Ａ２の上底（一辺長Ｌ２）に向かって縮幅される三角形形状である。
【００４６】
一辺長Ｌ１の下底を有する台形形状の第１ランド１１Ａ１を、交互にひっくり返して隣接させる変形例（図７）によれば、第１の回路基板１の配線方向および幅方向に半田フィレットが形成されて半田接合の接合強度が向上すると共に、その一部が視認容易であることにより半田接合の良否を容易に判断できるという第１実施形態（図４）の作用・効果を奏することができる。加えて、上底と下底とを交互に入れ替えて台形形状の第１ランド１１Ａ１、１１Ａ２を隣接配置することにより、正方形形状の第１ランド１１が配置される場合の配置ピッチＰに比して、配置ピッチＰＡを狭めることができる。１ピッチあたり短縮長は、ＰＡ−Ｐ＝（Ｌ１−Ｌ２）／２である。
【００４７】
図８に示す第２実施形態では、第２ランド２１は第１実施形態と同様である。第１ランドが一列に列状に配置されて第１ランド列を構成する第１の回路基板１において、第１ランドが隣接する端辺については非対向領域を備えない形状を有している。具体的には、第１ランド列の両端にある第１ランド１１Ｂ１、１１Ｂ３では、内方の端辺には非対向領域が備えられていない。列状方向の幅は一辺長Ｌ３である。ここで、Ｌ３＝Ｌ１−（Ｌ１−Ｌ２）／２である。第１ランド列の中間位置にある第１ランド１１Ｂ２では、第１ランド１１Ｂ２が隣接する両側の端辺において非対向領域が備えられていない。列状方向の幅は第２ランド２１と同じ一辺長Ｌ２である。
【００４８】
これにより、第２の回路基板２の端部Ｅを挟んで備えられる非対向領域Ｒ１Ｂ１、Ｒ２Ｂ１、Ｒ１Ｂ２、Ｒ２Ｂ２は、第１実施形態の場合と同様に、各々の第１ランド１１Ｂ１、１１Ｂ２、１１Ｂ３に備えられている。これに対して、非対向領域Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂは、第１ランド列の両端部に配置されている。一方の端部にある第１ランド１１Ｂ１の外方端部に向かっては非対向領域Ｒ３Ｂが備えられている。他方の端部にある第１ランド１１Ｂ３の外方端部に向かっては非対向領域Ｒ４Ｂが備えられている。
【００４９】
第２の回路基板２の配線方向に対しては、第１実施形態の場合と同様に、第１ランド１１Ｂ１乃至１１Ｂ３ごとに非対向領域Ｒ１Ｂ１、Ｒ２Ｂ１、Ｒ１Ｂ２、Ｒ２Ｂ２に半田フィレットが形成される。半田接合の接合強度が向上する。また、非対向領域Ｒ１Ｂ１、Ｒ１Ｂ２の半田フィレットが視認容易であることにより半田接合の良否を容易に判断できる。
【００５０】
また、第２の回路基板２の幅方向については、第１ランド１１Ｂ１乃至１１Ｂ３ごとには半田フィレットは形成されないものの、第１ランド列の両端部にある非対向領域Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂに形成される半田フィレットにより、幅方向の半田接合強度を確保することができる。
【００５１】
第２実施形態では、隣接する第１ランド間に非対向領域を備えないので、第１ランドの配置ピッチＰＢを、第１実施形態のピッチＰおよび変形例のピッチＰＡに対して短縮することができる。１ピッチあたり短縮長は、第１実施形態に対しては、ＰＢ−Ｐ＝Ｌ１−Ｌ２であり、変形例に対しては、ＰＢ−ＰＡ＝（Ｌ１−Ｌ２）／２である。
【００５２】
これにより、第１実施形態の場合と同様に、第２の回路基板２の配線方向および幅方向に半田フィレットが形成されて半田接合の接合強度が向上する。加えて、第１および第２ランド１１Ｂ１乃至１１Ｂ３、２１の配置ピッチＰＢを、第１実施形態および変形例に比して更に狭めることができる。
【００５３】
図９は第３実施形態である。（Ａ）として第２の回路基板２の第２ランド２１Ａを示し、（Ｂ）として第２ランド２１Ａの裏面を示す。第２ランド２１Ａ内に第２の回路基板２を貫く貫通孔Ｈ１を備えている。貫通孔Ｈ１は、その側壁および裏面の開孔外周縁２９に、半田濡れ性の良好な金属部材が備えられている。
【００５４】
図１０に、第２ランド２１Ａを第１ランドに対向させて半田接合した場合の断面図を示す。ここでは、第１ランドの一辺長は第２ランド２１Ａと同じであるとする。
【００５５】
第１および第２ランドを対向させて半田接合すると、対向するランドの間に半田３１が充填されると共に第２ランド２１Ａの貫通孔Ｈ１内にも半田が充填される。更に、半田３１は、裏面の開孔外周縁２９まで到達する。貫通孔３１の側壁および裏面の開孔外周縁２９は半田濡れ性の良好な金属部材で構成されているので、充填された半田３１は、第１および第２ランドと共に、貫通孔Ｈ１の側壁および裏面の開孔外周縁２９に接合される。
【００５６】
これにより、第１および第２ランドと貫通孔Ｈ１の側壁との間で半田接合されて、貫通孔Ｈ１の側壁のあらゆる方向に対しても半田の接合強度を確保することができる。同時に、貫通孔Ｈ１は第２の回路基板２を貫く開孔であり、この領域が非対向領域になる。貫通孔Ｈ１により半田接合の状態を容易に視認することができる。
【００５７】
以上、詳細に説明したように本実施形態によれば、第１および第２の回路基板１、２を重ね合わせて半田接合する際、各々の回路基板に備えられている第１ランド１１、１１Ａ１乃至１１Ａ２、１１Ｂ１乃至１１Ｂ３、および第２ランド２１、２１Ａが対向して半田接合される。このとき、第１ランド１１、１１Ａ１乃至１１Ａ２、１１Ｂ１乃至１１Ｂ３には、第２ランド２１、２１Ａと対向する領域からの広がりを有して第２ランド２１，２１Ａと対向しない非対向領域Ｒ１乃至Ｒ４、Ｒ１Ａ１乃至Ｒ４Ａ１、Ｒ１Ａ２乃至Ｒ４Ａ２、Ｒ１Ｂ１乃至Ｒ２Ｂ１、Ｒ１Ｂ２乃至Ｒ２Ｂ２、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ、および貫通孔Ｈ１による開孔部分が存在する。このため、半田接合の際、この非対向領域に半田フィレットが形成され、第１および第２ランド間の半田接合の接合強度を向上させることができる。
【００５８】
加えて、非対向領域の少なくとも一部の領域は第２の回路基板２が重ねられていないので、半田接合の際、半田フィレットを容易に視認することができる。半田接合の状態を容易に確認することができる。
【００５９】
また、第１実施形態の変形例（図４）によれば、第１ランド１１Ａ１、１１Ａ２が台形形状を有しており、第１の回路基板１において隣接する第１ランドごとに上底と下底とが反転して配置されているので、正方形形状の第１ランド１１を隣接配置する場合の配置ピッチＰに比して、配置ピッチＰＡを狭ピッチとすることができる。
【００６０】
また、第２実施形態（図８）では、一列に列状に配置される第１ランド１１Ｂ１乃至１１Ｂ３のうち隣接する端辺については非対向領域を備えず、第１ランド列の外周縁に非対向領域を備えて第１ランド列の全体で接合強度を確保する。これにより、更に第１ランド１１Ｂ１乃至１１Ｂ３の配置ピッチＰＢを更に狭ピッチとすることができる。
【００６１】
更に、第３実施形態に示したように、貫通孔Ｈ１が開孔された第２ランド２１Ａを用いれば、半田接合の状態を容易に確認することができると共に、貫通孔Ｈ１の側壁に半田接合されるため、あらゆる方向に対して半田接合を強化することができる。
【００６２】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは言うまでもない。例えば、本実施形態においては、第２の回路基板２としてＦＰＣ基板を例示して説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第２の回路基板２についても第１の回路基板１と同様の基板とすることができる。また、第１および第２の回路基板１，２を、共にＦＰＣ基板等のプリント配線基板とすることもできる。
【００６３】
また、ランド形状として、正方形形状（第１ランド１１、第２ランド２１）、台形形状（第１ランド１１Ａ１、１１Ａ２）、および矩形形状（第１ランド１１Ｂ１乃至１１Ｂ３）について説明したが、形状についてはこれ以外の形状についても同様の作用・効果を奏することは言うまでもない。更に、第２ランド２１Ａに備えられる貫通孔Ｈ１についても、第１および第２の回路基板１、２を半田接合するという第２ランドの基本機能が失われない範囲で、その大きさ、数について様々な変形が可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１実施形態の第１の回路基板を示す図である。
【図２】第１実施形態の第２の回路基板を示す図である。
【図３】第１の回路基板と第２の回路基板とが半田接合された第１実施形態の複合回路基板を示す図である
【図４】第１実施形態の複合回路基板において、第１ランドと第２ランドとの重なりを示す図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ’での半田接合の様子を示す断面図である。
【図６】図４のＹ−Ｙ’での半田接合の様子を示す断面図である。
【図７】第１ランドと第２ランドとの重なりを示す第１実施形態の変形例の図である。
【図８】第１ランドと第２ランドとの重なりを示す第２実施形態の図である。
【図９】第３実施形態の第２ランドを示す図である。
【図１０】第３実施形態の複合回路基板における半田接合の様子を示す断面図である。
【図１１】背景技術を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１      第１の回路基板
２      第２の回路基板
３      複合回路基板
１１、１１Ａ１、１１Ａ２、１１Ｂ１乃至１１Ｂ３      第１ランド
１３、２３      金属配線
１５、２５      保護膜
１７、２７      基台
２１、２１Ａ      第２ランド
２９      開孔外周縁
３１      半田
Ｅ      第２の回路基板２の端部
Ｈ１      貫通孔
Ｒ１乃至Ｒ４、Ｒ１Ａ１乃至Ｒ４Ａ１、Ｒ１Ａ２乃至Ｒ４Ａ２、Ｒ１Ｂ１、Ｒ２Ｂ１、Ｒ１Ｂ２、Ｒ２Ｂ２、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ      非対向領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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