(57)【要約】【課題】ウエハなどの基板の外観検査を速やかに行えるようにすることを主な目的とする。【解決手段】外観検査装置１は、ウエハＷを回転させる回転ステージ１１と、ウエハＷを直線的に移動させるスキャンステージ１０とを有し、ライン照明１４で照明したウエハＷの表面の画像をラインセンサカメラ２０で撮像するように構成されている。制御部３は、ラインセンサカメラ２０が１ライン分の画像を取り込むたびに、スキャンステージ１０と、回転ステージ１１とを所定量ずつ駆動させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を所定長さで撮像可能な撮像手段と、前記撮像手段で得られる画像を記憶する画像記憶手段と、前記撮像手段の像面に対して前記基板を中心回りに相対的に回転させる回転手段と、前記撮像手段で取得する画像の長さ方向に直交する方向に前記基板を直線移動させる走査手段と、予め定められた回転角度だけ前記基板を回転させつつ前記撮像手段で画像を取得するたびに前記走査手段を所定量ずつ駆動させる制御部とを含む外観検査装置。
【請求項２】
前記走査手段を固定して前記回転手段を予め定められた角度ごとに前記撮像手段によって撮像した画像データを取得し、撮像に最適な回転角度を算出する最適角度算出手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項３】
前記基板の表面に加えて周縁部の裏面及びエッジ部位も同時に撮像可能な撮像手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項４】
撮像した画像に基づいて画像処理によって欠陥抽出を行う欠陥抽出手段を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の外観検査装置。
【請求項５】
画像を座標変換する座標変換手段を備えることを特徴とする請求項４に記載の外観検査装置。
【請求項６】
前記座標変換手段で変換可能な座標系を選択可能に表示すると共に、選択された座標系の画像と前記欠陥抽出手段で抽出した欠陥の情報との少なくとも一方を表示する表示手段を備えることを特徴とする請求項４に記載の外観検査装置。
【請求項７】
前記基板の同心円形状の幅を直線形状に変換して計測する直線計測手段を備えることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の外観検査装置。
【請求項８】
前記最適角度検出手段が最適な回転角度を算出する過程で生成する中間データと、最適な回転角度との少なくとも一方を表示する表示手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の外観検査装置。
【請求項９】
撮像した画像に基づいて画像処理によって欠陥抽出を行う欠陥抽出手段を備えることを特徴とする請求項８に記載の外観検査装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記基板を一回転させるたびに前記走査手段を所定量だけ駆動させることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの基板の外観を検査する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程では、最初に前工程として半導体ウエハ（以下、単にウエハと称する）の表面上に、例えば酸化膜（ＳｉＯ２）を形成し、この酸化膜上にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させることがある。次に、フォトリソグラフィー工程に移ってウエハの表面上にフォトレジスト（感光性樹脂）の薄膜を塗布する。その後、ウエハのウエハエッジ部にリンス液を適量滴下してウエハのウエハエッジ部のフォトレジストを所定幅だけカットする。
【０００３】
次に、ステッパーなどの露光機において、半導体の回路パターンが形成されたマスクを通して紫外線をフォトレジストを塗布したウエハに照射し、半導体の回路パターンをフォトレジストに転写する。回路パターンを現像して、例えば露光部のフォトレジストを溶剤で溶解させると、露光されなかったレジストパターンが残るので、ウエハの表面上に残ったレジストパターンをマスクにしてウエハの表面上の酸化膜とシリコン窒化膜とを連続的に選択除去（エッチング）する。その後、ウエハの表面上のレジストパターンをアッシングで除去してから（レジスト剥離）、ウエハを洗浄して不純物を取り除く。
【０００４】
このような半導体の製造工程においては、製造工程ごとに外観欠陥検査が行われる。この外観欠陥検査では、例えば半導体ウエハの表面上の傷や塵の付着、クラック、汚れ、むらなどの欠陥部の有無や状態が調べられる。このような目的に使用される検査装置には、ウエハを回転させながら撮像装置でウエハ表面の画像を取得するように構成したものがある（例えば、特許文献１参照）。さらに、近年では、ウエハのエッジカット量や分布などの観察が要求されている。クラックが生じるとウエハが割れることがあり、フォトレジストのカット幅（以下、エッジカットライン幅と称する）を検出することも、それ以降の工程で処理を進めて良品の半導体ウエハを製造する上で重要な検査項目となる。ウエハエッジ部の検査を行う検査装置は、回転テーブル上のウエハのエッジ部分に撮像装置を向けた構成を有する（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特表２００１−５２４２０５号公報
【特許文献２】再公表第ＷＯ２００３／０２８０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ウエハ表面には種々の形状のパターンなどが形成されているので、光学系に対するウエハの撮像角度によっては、ウエハから撮像手段に入る光量が著しく異なることがある。このため、従来の外観検査装置では、良好な光学条件を設定するための作業を外観検査に先立って実施する必要であった。このような作業は、煩雑で時間を要するため、半導体の製造工程で生産性を向上させるためには、このような作業を迅速に行えるようにすることが望まれていた。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ウエハなどの基板の外観検査を速やかに行えるようにすることを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決する本発明は、基板の表面を所定長さで撮像可能な撮像手段と、前記撮像手段で得られる画像を記憶する画像記憶手段と、前記撮像手段の像面に対して前記基板を中心回りに相対的に回転させる回転手段と、前記撮像手段で取得する画像の長さ方向に直交する方向に前記基板を直線移動させる走査手段と、予め定められた回転角度だけ前記基板を回転させつつ前記撮像手段で画像を取得するたびに前記走査手段を所定量ずつ駆動させる制御部とを含む外観検査装置とした。
【０００７】
この外観検査装置は、撮像対象となる表面について、撮像装置でサンプリングできる全てのポイントについて全角度方向からの撮像を行う。この際に得られる生データの画像は、基板を回転手段によって回転方向に３６０°回転させる度に走査手段により直線移動させた連続した画像になる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板を全ての回転方向から撮像した情報を一括して取得することができる。したがって、撮像角度によって画像が異なる基板を撮像するときに、予め撮像角度を調整する必要がなくなる。また、従来のように直線運動によって基板の全面を撮像した後に、基板の回転角度を変えて同じ処理を繰り返す場合に比べて、処理時間を大幅に短縮することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、各実施の形態において同じ構成要素には、同一の符号を付してある。また、各実施の形態において重複する説明は省略する。
（第１の実施の形態）
図１に示すように、基板の外観検査装置１は、円形の基板である半導体ウエハＷ（以下、ウエハＷする）の検査を行う検査部２と、検査部２の制御やデータ処理を行う制御部３とを有する。
検査部２は、一軸方向に移動可能な走査手段であるスキャンステージ１０を有する。スキャンステージ１０には、例えば、リニアガイドなどが用いられる。スキャンステージ１０上には、ウエハＷを載置する回転ステージ１１が設けられている。回転ステージ１１は、回転機構にウエハＷと同心円形状の載置部１２が取り付けられた回転手段である。回転ステージ１１の上方には、撮像手段１３が配置されている。撮像手段１３は、像面がウエハＷの中心を通るように配置されたラインセンサカメラ２０と、シリンドリカルレンズ２１によって構成されている。さらに、載置部１２を挟んで照明手段として、像面を照明するライン照明１４を有する。ラインセンサカメラ２０の撮像素子は、その長手方向がスキャンステージ１０の移動方向と直交するように配置されている。さらに、ラインセンサカメラ２０のウエハＷ表面の撮像範囲は、直線状になっており、その長さがウエハＷの半径よりも長いがウエハＷの直径よりは短くなっている。なお、スキャンステージ１０の走査範囲は、ウエハＷの全面をラインセンサカメラ２０で撮像できるような範囲である。
【００１０】
制御部３は、中央処理装置、内部メモリ、外部記憶装置などを有する制御コンピュータである。制御部３は、駆動撮像制御手段３０と、画像記憶手段３１と、座標変換手段３２と、欠陥抽出手段３３と、表示手段３４と、直線計測手段３５とに機能分割することができる。
駆動撮像制御手段３０は、ラインセンサカメラ２０と、回転ステージ１１とに接続されており、ラインセンサカメラ２０から１ラインずつの画像データを出力させる出力指示と、回転ステージ１１の駆動指示とを連動して生成する。さらに、スキャンステージ１０にも接続されており、ラインセンサカメラ２０の出力とスキャンステージ１０の走査とを連動できるようになっている。なお、駆動撮像制御手段３０の具体的な構成例としては、コンピュータにラインセンサカメラ２０を制御する撮像ボードと、スキャンステージ１０、回転ステージ１１の走査及び回転駆動を制御する２軸モータ制御ボードなどを有し、それぞれのボードを個別に動作させるドライバソフトと、それらドライバソフトを連動させるアプリケーションソフトがインストールされたシステムなどがあげられる。
【００１１】
画像記憶手段３１は、ラインセンサカメラ２０から出力される１ラインごとのデータ（生データ）を順次記憶する。
座標変換手段３２は、例えば、生データから直交座標のデータに変換したり、生データから極座標のデータに変換したりする処理をする。座標変換手段３２によって変換するデータとしては、ウエハＷの画像である画像データ、ウエハＷから抽出した欠陥の座標や欠陥の有無を示す欠陥位置データ、特定の位置を測定した場合の測定位置の座標からなる測定位置データの３種類がある。なお、欠陥位置データ、測定データは、画像上の点を示す座標、領域を示す座標のため共通の変換式を使用できる。
欠陥抽出手段３３は、良品のウエハＷを撮像した良品画像と、検査した実際の画像との画素比較などを公知の画像処理技術によって実施し、欠陥位置データを作成する。ここで、比較する画像の座標系は、生データ、直交座標、極座標の３種類を使用できるようになっている。画素比較する画像は、座標系を問わないので、画像座標系の違いに依らずに同一の手法で抽出処理を行える。
【００１２】
表示手段３４は、例えば、図２に一例を示すようなＧＵＩ（Graphical User Interface）を提供し、表示可能な座標系及びデータを選択させ、その内容を表示する。ＧＵＩは、座標系選択部４１と、表示データ部４２と、画像４３とを有する。座標系選択部４１は、直交座標と、極座標と、生データとを択一に選択できるラジオボタンを有する。表示データ部４２は、画像と、計測位置と、欠陥位置とを重複可能に選択できるチェックボックスを有する。画像４３は、座標系選択部４１と表示データ部４２とで選択された画像を表示する。なお、計測位置とは、画像上の任意の２点間を直線で結び、その直線距離を求めた場合の２つの点の座標である。図８では、ウエハＷのエッジ幅を６ヶ所で計測しており、計測した２点の座標を計測位置４７として表示している。
直線計測手段３５は、極座標が選択され、ウエハＷ上の同心円形状が直線形状として画像化されたときに、測定したい部位間の距離を輝度の変化から測長するなど、一般的な画像計測方法を実施する。
【００１３】
次に、この実施の形態の作用について説明する。
この外観検査装置１では、図３のフローに従って画像を撮像する。
最初に、駆動撮像制御手段３０がラインセンサカメラ２０で撮像する領域を設定する。まず、ラインセンサカメラ２０のライン幅数Ｗｄを設定する（ステップＳ１０１）。なお、１画素の撮像幅はＤ（μｍ）で固定されているものとする。次に、ラインセンサカメラ２０で回転撮像するライン数Ｈｒを設定し（ステップＳ１０２）、さらにスキャン撮像するライン数Ｈｙを設定する（ステップＳ１０３）。また、１ライン当たりの回転ステージ１１で回転量Ｒ（°）を設定し（ステップＳ１０４）、１ライン当たりのスキャンステージ１０で移動量Ｕ（μｍ）を設定する（ステップＳ１０５）。
【００１４】
回転ステージ１１を開始位置に移動させたら（ステップＳ１０６）、ラインセンサカメラ２０で１ライン分の撮像を開始する（ステップＳ１０７）。撮像が完了したら、回転撮像ライン数Ｈｒに達したか確認する（ステップＳ１０８）。回転撮像ライン数Ｈｒに達していないときには（ステップＳ１０８でＮｏ）、回転ステージ１１を一定量Ｒだけ回転させ（ステップＳ１０９）、ステップＳ１０７に戻る。そして、回転撮像ライン数Ｈｒに達したら（ステップＳ１０８でＹｅｓ）、回転ステージ１１を開始位置に戻す（ステップＳ１１０）。撮像が完了したら、スキャン撮像ライン数Ｈｙに達したか確認する（ステップＳ１１１）。スキャン撮像ライン数Ｈｙに達していなければ（ステップＳ１１１でＮｏ）、スキャンステージ１０を一定量Ｒだけ移動させ（ステップＳ１１２）、ステップＳ１０７に戻る。スキャン撮像ライン数Ｈｙに達したら（ステップＳ１１１でＹｅｓ）、ここでの処理を終了する。
【００１５】
これによって、スキャン方向にＵ×Ｈｙ（μｍ）の長さで、半径Ｗｄ×Ｄ（μｍ）の領域において、スキャン方向にＵ（μｍ）だけ進む度に、Ｈｒ×Ｒ（°）回転した画像が撮像される。このときラインセンサカメラから出力されるデータが、生データ（サイクロイドデータ）になる。図４に示すように、生データは、同じスキャンステップ量で回転角度量が１ステップずつ変化したラインデータ（１ラインごとの画像データ）を配列したものになる。なお、図中のＭは、ライン数Ｈｙに相当し、Ｎはライン数Ｈｒに相当する。
生データの座標系における画像は、前記した図２の画像４３のようになる。図２には、ラインセンサカメラ２０で取得した全ての画像の一部のみが示されており、画像４３をスクロールさせれば残りの領域を表示させることができる。ＧＵＩ上では、座標系選択部４１において生データ座標のラジオボタンがＯＮになり、表示データ部４２において画像のチェックボックスがＯＮになっている。
【００１６】
生データを直交座標データに変換するときには、座標変換手段３２がラインデータの配列を並べ替える。具体的には、図５に示すように、ラインデータが回転ステップ量でスキャンステップ量が１ステップずつ変化するように並び替えられる。このデータ配列は、回転角度が１ステップずつ異なる直交画像をＮ枚連続させたときの配列に相当する。図６に、直交座標で表示される画像の一例を示す。画像４４は、幅方向にＷｄピクセル、高さ方向にＨｒ×Ｈｙピクセルの画像になっており、ウエハＷの外観と、ウエハＷ上のパターンとが表示される。なお、ＧＵＩ上では、座標系選択部４１において直交座標のラジオボタンがＯＮになり、表示データ部４２において画像のチェックボックスがＯＮになっている。直交座標に変換して画像表示させることで、作業者が基板画像を直感的に認識し易くなる。
【００１７】
ここで、欠陥抽出した結果を確認したいときには、表示データ部４２において画像のチェックボックスに加えて、欠陥位置のチェックボックスもＯＮにする。図７に示すように、欠陥抽出手段３３によって抽出されたウエハＷの欠陥位置を示す画像がオーバーレイされる。ウエハＷなどの矩形データが繰り返して表面にあるような基板では、露光装置の合焦の不良（デフォーカス）による欠陥など直交座標系に対して直線的に繰り返して欠陥などが発生することがある。直交座標系の画像４４では、そのような欠陥を予め登録されている情報、又は作業者の目視によって容易に分類することができる。また、撮像角度範囲を選択した上で、生画像から直交座標系に変換すると、各回転ステップ量ごとの画像データが複数生成されているので、指定したある回転ステップ量のみで欠陥抽出することができる。また、一定範囲内の角度に含まれる複数の画像に対して欠陥抽出することもできる。
【００１８】
また、生データから極座標のデータへの変換では、座標変換手段３２が生データを直交座標のデータ配列に変換した後に、直交座標から極座標に変換する。具体的には、生データのラインデータの配列を直交座標の配列に並べ替えた後、各角度の直交画像について、変換先を（Ｘｉ，Ｙｉ）、変換元を（ｘｉ，ｙｉ）として以下の式を用いて座標変換する。
【００１９】
【数１】
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【００２０】
図８に極座標系の画像を表示させた例を示す。ＧＵＩ上では、座標系選択部４１において極座標のラジオボタンがＯＮになっている。表示データ部４２は、画像のチェックボックスと、計測位置のチェックボックスの両方がＯＮになっている。また、図８では、表示データ部４２で計測位置もＯＮになっており、計測位置を示す画像４７が画像４６にオーバーレイされている。
【００２１】
図９に示すように、極座標系の画像５０を表示させる場合には、ウエハＷの同心円形状を直線形状として表示させることができ、ウエハＷの回転方向の変化が、直線方向の変化として表示される。なお、図９には、ウエハＷの周縁のエッジＷ１と、エッジカット部Ｗ２と、ノッチＮ１とが図示されている。このため、ウエハＷを回転ステージ１１から交換したときなどに、ウエハＷの載置位置がずれた場合には、画像を直線方向にシフトさせるだけで回転方向の誤差を容易に補正できる。そのため、アライメント時に回転方向の検出を省略することができる。例えば、図９の画像５０が得られ場合には、画像処理によってノッチを検出して領域５１に相当する画像分だけラインデータをシフトするように並べ替えると、図１０に示すような画像５２が得られる。この画像５２は、上方向に直線移動させた画像であるが、実際には、θ方向に回転させた画像に相当する。従来、直交座標系の画像では、直交座標のＸＹ方向のずれ量については予め登録したパターンによるマッチング処理等で容易かつ短時間で補正可能なのに対して、回転ずれの補正には画像処理に時間が掛かかっていた。しかしながら、極座標系を選択することで、ラインデータのシフトだけで足りるので、処理が非常に高速になる。また、検出した欠陥を特定する際には、直交画像では特定し難い同心円形状の欠陥が直線成分として現れるので、欠陥抽出の処理が容易になる。
【００２２】
また、直線計測手段３５を用いて、エッジカット計測を行う場合について説明する。図１１に示すように、測定したい部位Ｌ１の画像の輝度プロファイルを取得する。部位Ｌ１の長さは、直交座標系では同心円の径方向の幅に相当する長さである。ここで、ウエハＷのエッジＷ１と外部の境界は、輝度の変化が大きい。また、エッジカットして露出したウエハＷの表面（エッジカット部Ｗ２）と、レジスト等を塗布した内面と境界も輝度の変化が大きい。このため、これら境界に相当する部分にピークを有する輝度プロファイルＰ１が得られるので、予め設定してある閥値Ｋ１との交点間の長さＬＧ１で測長する。なお、測定結果は、表示手段３４に表示される。
【００２３】
この実施の形態によれば、ウエハＷを所定量回転させるたびに、スキャン方向に所定量だけ進ませながら画像を撮像するようにしたので、ウエハＷの各画素について、全ての回転方向から撮像した情報が得られる。これによって撮像方向によって画像が異なるウエハＷを撮像するときに、予め撮像角度を調整する必要がなくなる。したがって、一括撮像した画像で有効な欠陥検出ができる。一般的にステージスキャンを移動する速さより、回転ステージを回転する方が圧倒的に速いため、従来のように回転方向を固定した上でウエハＷの全領域をスキャンする方法よりもウエハＷ全面を撮像する処理時間を大幅に短縮することが可能になる。
また、撮像した画像のデータの配列を適宜変更することで直線的な配列や欠陥、回転方向に延びるような配列や欠陥をそれぞれを確認し易くなる。回転方向の位置ずれは、ラインデータをシフトさせるだけで足りるので、ずれ補正に要する時間を短縮できる。
【００２４】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態の構成に加えて、最適角度検出手段をさらに有することを特徴とする。
図１２に示すように、最適角度検出手段６１は、スキャンステージ１０を固定した状態で極座標画像内で所定のラインに対して回転ステージ１１を回転させてウエハＷの表面の角度別の輝度分布を取得し、最適な角度を検出する。例えば、図１３に示す部位Ｌ２の角度ごとのラインデータを取得し、平均輝度値のグラフ６２を作成する。このグラフ６２を用いると平均輝度値が最大の角度θ１を最適な角度として算出できる。
【００２５】
このグラフ６２は、最適角度を算出する過程の中間データとして、表示手段３４によって表示させることが可能である。表示手段３４に表示させると作業者が確認し易くなる。この場合には、算出された最適角度の値を検出角度の表示部６３に合わせて表示させるとさらに分かり易くなる。表示手段３４は、検出角度の表示部６３のみを表示させても良い。なお、グラフ６２と検出角度の表示部６３の両方を表示させる場合には、作業者がグラフ６２を確認した上で検出角度の表示部６３に所定の角度を入力し、この角度を最適角度に設定しても良い。
【００２６】
最適角度が算出、又は入力された場合には、以降はその角度に固定して検査を実施するだけでも欠陥の検出等が可能になる。最適角度で固定した状態で画像を取得する場合の駆動撮像制御手段３０の処理を図１４に示す。まず、ラインセンサカメラ２０でスキャンして撮像するライン数を設定する（ステップＳ２０１）。回転ステージ１１を最適角度位置に移動させる（ステップＳ２０２）。さらに、スキャンステージ１０で１ライン当たりの移動量を設定する（ステップＳ２０３）。
次に、ラインセンサカメラ２０で１ライン分のデータの撮像を開始する（ステップＳ２０４）。撮像が完了したら、スキャン撮像するライン数に達したか確認する（ステップＳ２０４）。ライン数に達していなかったら（ステップＳ２０４でＮｏ）、スキャンステージ１０を一定量移動させ（ステップＳ２０５）、ステップＳ２０４に戻る。そして、規定のライン数に達したら（ステップＳ２０４でＹｅｓ）、ここでの処理を終了する。
【００２７】
このように、処理が簡単になると共に、全てのデータを毎回取得する必要がなくなるので、検査のタクトタイムを短縮できる。その他の効果は、前記の実施の形態と同様である。
【００２８】
なお、本発明は、前記の各実施の形態に限定されずに広く応用することができる。
例えば、ラインセンサカメラ２０の代わりにエリアセンサを使用し、ライン照明２１の代わりにエリア照明を使用しても良い。
また、光学系の構造は、明視野、暗視野、干渉光、回折光など、適宜選択できる。
高速回転ステージ(スピンコータ)を回転ステージ１１に使用しても良い。同様の画像を取得する機構の変形例としては、回転ステージ１１を回転させる代わりに撮像手段１３をウエハＷを中心にして回転させても良い。この場合、ウエハＷを保持する方法として、ウエハＷのエッジＷ１を保持するロボットなどを使用しても良い。さらに、ロボットでウエハＷを裏返えすと、ウエハＷの裏面に対しても同様の撮像ができる。
照明の明るさや、カメラの感度をウエハＷの円中心付近とエッジ部分で同じ明るさになるように予め設定しておけばウエハＷ全体を同じ明るさで撮像することもできる。この場合には、例えば、中心から外周に向かって明るく撮像できるように照明条件や、感度を設定する。
また、本発明の実施の形態では、照明手段からウエハＷで正反射した光を撮像するものとして説明したが、照明手段と撮像手段にウエハ撮像位置を中心にして回転するように回動手段を設けて、回折光や散乱光を撮像するようにしても良い。
【００２９】
図１７に示すように、撮像手段１３が１ラインでウエハＷ全面を撮像できるラインセンサカメラ２０とシリンドリカルレンズ２１を有し、照明手段としてライン照明１４を有する場合には、１ラインのラインセンサカメラ２０ＡをウエハＷ中心で２分割して撮像することで、スキャンステージ１０のスキャン範囲をウエハＷの長さの半分だけ移動するだけでウエハＷの全範囲を撮像することができる。この場合には、回転ステージ１１の回転角度量を３６０°から１８０°にすることができる。
この外観検査装置１の検査対象は、半導体ウエハに限定されない。ガラス基板等のその他の基板でも良い。基板の外形は、円形に限定されずに四角形でも良い。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態に係る外観検査装置の概略構造を示す図である。
【図２】生データの画像表示の一例を示す図である。
【図３】外観検査装置の処理を示すフローチャートである。
【図４】生データのデータ配列を示す図である。
【図５】生データを直交座標用のデータ配列に変換した図である。
【図６】直交座標系で表示される画像の一例を示す図である。
【図７】直交座標系で表示した画像に欠陥位置をオーバーレイした図である。
【図８】極座標系で表示した画像に測定位置をオーバーレイした図である。
【図９】極座標系で表示した画像であって、ウエハの周縁部を拡大して表示した図である。
【図１０】図９の画像を周方向にシフトさせた図である。
【図１１】ウエハのエッジ部分の長さを測定する処理を説明する図である。
【図１２】外観検査装置の概略構成を示す図である。
【図１３】最適角度を算出する処理を説明する図である。
【図１４】最適角度における撮像時の処理を説明するフローチャートである。
【図１５】撮像手段の他の形態を示す図である。
【符号の説明】
【００３１】
１      外観検査装置
３      制御部
１０      スキャンステージ（走査手段）
１１      回転ステージ（回転手段）
１３      撮像手段
３１      画像記憶手段
３２      画像変換手段
３３      欠陥抽出手段
３４      表示手段
３５      直線計測手段
６１      最適角度検出手段
６２      グラフ（中間データ）
６３      検出角度の表示部
Ｗ      ウエハ（基板）
Ｗ１      エッジ（エッジ部位）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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