(57)【要約】【課題】  ＩＣモジュールの封止樹脂が規定領域から流出し難くし、かつ規定領域から流出した不良品のＩＣモジュールを目視でも簡単に判別し易くする技術を提供する。【解決手段】  本ＩＣモジュールは、ＣＯＴ面上における単位のＩＣカード用ＩＣモジュールにおいて、当該単位のＩＣモジュールは、端子基板１０と接触型ＩＣチップ３とからなり、端子基板１０は、絶縁性基材と当該絶縁性基材のＩＣカードの外面となる片面にラミネートされた銅箔とからなり、当該銅箔面は所定の複数の端子板に区画するための溝７ｍがエッチング形成され、前記絶縁性基材には、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔５と、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝８ｍが形成されていることを特徴とする。ＩＣモジュールは、接触・非接触両用型ＩＣチップを搭載した両面銅箔貼りの端子基板１０を使用したＩＣモジュールとすることもできる。【選択図】  図１
2007249599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯＴ面上における単位のＩＣカード用ＩＣモジュールにおいて、当該単位のＩＣモジュールは、端子基板と接触型ＩＣチップとからなり、端子基板は、絶縁性基材と当該絶縁性基材のＩＣカードの外面となる片面にラミネートされた銅箔とからなり、当該銅箔面は所定の複数の端子板に区画するための溝がエッチング形成され、前記絶縁性基材には、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔と、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が形成されていることを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュール。
【請求項２】
ＣＯＴ面上における単位のＩＣカード用ＩＣモジュールにおいて、当該単位のＩＣモジュールは、端子基板と接触・非接触両用型ＩＣチップとからなり、端子基板は、絶縁性基材と当該絶縁性基材の両面にラミネートされた銅箔とからなり、当該銅箔のうち、ＩＣカードの外面となる銅箔面は所定の複数の端子板に区画するための溝がエッチング形成され、ＩＣカードの内面となる銅箔面には、アンテナ接続用端子と当該端子のリード部をエッチングにより残し、前記絶縁性基材には、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔と、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が形成されていることを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュール。
【請求項３】
ＩＣカードの外面となる銅箔面を端子板に区画するための溝と絶縁性基材に形成する封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とが、交差しないように形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＩＣカード用ＩＣモジュール。
【請求項４】
前記絶縁性基材の封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が、近接した二重の枠形状の溝により形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＩＣカード用ＩＣモジュール。
【請求項５】
ＩＣチップ搭載部領域が前記絶縁性基材から打ち抜かれていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＩＣカード用ＩＣモジュール。
【請求項６】
前記絶縁性基材の封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝の端部が、半円形状にされていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＩＣカード用ＩＣモジュール。
【請求項７】
以下の（１）から（６）の工程、
（１）端子基板に用いられる絶縁性基材に、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とを打ち抜きして形成する工程、
（２）打ち抜きした前記絶縁性基材の片面に銅箔をラミネートする工程、
（３）銅箔面をエッチングして、前記絶縁性基材のワイヤボンディング用貫通孔と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とが、端子板の所定位置に合致するように位置合わせして、所定の複数の端子板に区画するための溝を形成する工程、
（４）接触型ＩＣチップをダイボンディングする工程、
（５）ワイヤボンディング用貫通孔から臨む前記銅箔の裏面と、ＩＣチップの各パッドとの間をワイヤボンディングする工程、
（６）ＩＣチップおよびワイヤボンディング部を封止樹脂により樹脂封止する工程、
を有することを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記（１）の工程の際、ＩＣチップ搭載部領域の絶縁性基材も同時に打ち抜きすることを特徴とする請求項７記載のＩＣカード用ＩＣモジュールの製造方法。
【請求項９】
以下の（１）から（７）の工程、
（１）端子基板に用いられる絶縁性基材に、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とを打ち抜きして形成する工程、
（２）打ち抜きした前記絶縁性基材の両面に銅箔をラミネートする工程、
（３）ＩＣカードの外面になる銅箔面をエッチングして、前記絶縁性基材のワイヤボンディング用貫通孔と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とが、端子板の所定位置に合致するように位置合わせして、所定の複数の端子板に区画するための溝を形成する工程、
（４）ＩＣカードの内面になる銅箔面をエッチングして、アンテナ接続用端子と当該端子のリード部を形成する工程、
（５）接触・非接触両用型ＩＣチップをダイボンディングする工程、
（６）ワイヤボンディング用貫通孔から臨む前記銅箔の裏面とＩＣチップの各パッド、およびアンテナ接続用端子のリード部とＩＣチップのパッドとの間をワイヤボンディングする工程、
（７）ＩＣチップおよびワイヤボンディング部を封止樹脂により樹脂封止する工程、
を有することを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記（１）の工程の際、ＩＣチップ搭載部領域の絶縁性基材も同時に打ち抜きすることを特徴とする請求項９記載のＩＣカード用ＩＣモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＩＣカード用ＩＣモジュールとＩＣモジュールの製造方法に関する。
詳しくは、接触式および接触・非接触両用ＩＣカード（デュアルインターフェース式）の製造工程に用いるＣＯＴ面上のＩＣモジュールであって、端子基板の裏面の樹脂モールド部構造に特徴を有するものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣカードは大きく分けて外部端子がカード表面に露出している接触式、ＩＣチップおよび通信用のアンテナコイルがカード内部に埋め込まれ外部端子がない非接触式、および両者の機能を同一のＩＣチップで行う接触・非接触両用式ＩＣカード（コンビ式またはデュアルインターフェース式）、の３種類がある。このうち、本発明では端子基板を有するＩＣカードである、接触式と接触・非接触両用式ＩＣカードを対象とする。
【０００３】
コンビ式またはデュアルインターフェース式と呼ばれるＩＣカードは、ＩＣモジュールの裏側（接触端子板面の反対面）に、カード基体内のアンテナコイルの両端（通常２箇所）と接続するための端子であって、ＩＣチップの所定パッドと導通がとれているアンテナ接続用端子が設けられており、これがカードのＩＣモジュール装着用凹部に露出するアンテナコイルの両端と導電ペースト（導電性接着剤）または導電シート等を介して電気的に接続されることで非接触ＩＣカードとして機能することになる。
【０００４】
ところで、接触式ＩＣモジュール、デュアルインターフェース式用ＩＣモジュール（接触・非接触両用型ＩＣモジュール）のいずれも、そのモジュール形態は製造コスト、量産性を考慮してフレキシブルなテープ状部材（ＣＯＴ；Chip On Tape）に形成されることが近年では通常である。ＣＯＴは通常の半導体技術を用いてダイボンディング（ＩＣチップを基板に搭載すること）、ワイヤボンディング（端子板またはリード端子とＩＣチップのパッドとを金ワイヤで接続すること）、樹脂モールド（ＩＣチップと金ワイヤ部分を樹脂で封止すること）の工程を経てＩＣモジュールが完成する。その際、所定のＩＣチップ検査（動作検査、電気特性検査等）を経て、不良品にはパンチ穴またはマーキングすることで後工程（ＩＣカードへの搭載工程）での不良品識別をし、良品のみを所定形状に打ち抜きし、あらかじめモジュール形状に対応するざぐり加工がされたＩＣカード基材に、接着剤を介して挿入固定されてＩＣカードが完成する。
【０００５】
コンビ式またはデュアルインターフェース式ＩＣカードの場合は、ＣＯＴ裏面に形成されたアンテナ接続用端子と、カードのザグリ加工で露出したカード基体内部に内蔵されたアンテナコイルの両端とをＣＯＴ挿入接着時に、ＣＯＴ固定用接着剤とは別の導電性接着剤を介して両者間を電気的にも接続する。
【０００６】
図８は、コンビ式またはデュアルインターフェース式ＩＣカードを示す図である。ＩＣカード１００ｄは、接触・非接触両用ＩＣモジュールの端子基板１０をカード表面に有し、カード基体１１内に埋設されたアンテナコイル２を有している。アンテナコイル２の両端部は、接触・非接触両用ＩＣモジュールの装着用凹部の下面に臨むように配置され、ＩＣモジュール装着用凹部を掘削した際に両端部が露出するようにされている。当該両端部とＩＣモジュールのアンテナ接続用端子とを電気的に接続する。
アンテナコイル２が鎖線で図示されているのは、カード基体１１内に埋め込まれていて、外観からは見えないことを意味している。従って、接触式ＩＣカードは非接触インターフェースであるアンテナコイル２が無いことを除き、デュアルインターフェース式ＩＣカードと同一であり、平面外観的には同一に見える。
【０００７】
ＩＣカード用ＩＣモジュールの端子板位置については、ＩＳＯ７８１６／ＪＩＳＸ６３０３で規定されていて、カードの所定位置に配置するようにされている（図９参照）。
各接触端子板の機能も規定されていて、図９の各端子板は、Ｃ１（Ｖｃｃ；供給電圧）、Ｃ２（ＲＳＴ；リセット信号）、Ｃ３（ＣＬＫ；クロック信号）、Ｃ５（ＧＮＤ；接地）、Ｃ６（ＶＰＰ；プログラム等の可変供給電圧）、Ｃ７（Ｉ／Ｏ；データ入出力）、Ｃ４とＣ８（ＲＦＵ；Reserved for Future Use ）とされている。したがって、下側２つの端子（Ｃ４とＣ８）は通常使用されない。Ｃ６も使用しないことが多い。
【０００８】
図７は、従来のＩＣカード用ＩＣモジュール（接触式）の背面図である。樹脂モールド直前の背面図であるが、表面側端子形状を透視して図示し、表裏の関係が明瞭になるようにしている。Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３端子、およびＣ５，Ｃ７端子部分にワイヤボンディング用貫通孔５が形成され、当該貫通孔５から臨む、表面側銅箔の裏面と、ＩＣチップ３のパッド間が金ワイヤ１５で接続されている。図７中の一点鎖線で示す矩形状の枠ｋの内部が樹脂モールド部となる領域であって、ＩＣチップ３や金ワイヤ接続部が樹脂封止されて保護される。図７中、各端子板を区画する溝７ｍは、銅箔７を絶縁性基材に至るまでエッチングして形成した凹溝であり、各端子板間の絶縁性を確保したものである。
【０００９】
ところで、ＩＣモジュールの樹脂モールド部（ＩＣチップを保護する樹脂封止部）の寸法や位置が予定された仕様値に対して許容以上ずれていると、当該樹脂モールド部の大きさに対応して形成されたＩＣカード側のＩＣモジュール装着用凹部の寸法と不整合が生じ、ＣＯＴの樹脂モールド部側面が、当該装着用凹部に接触し、装着工程において無理な負荷を受ける等して、ＣＯＴに損傷を与えることになる。例えば、ＣＯＴの樹脂モールド部にクラック（亀裂）が入る等して、ＩＣチップが故障または長期的な動作不良を生じる場合には、製品信頼性を著しく低下させてしまう危険性（リスク）を生じる。そのため、製造出荷するＣＯＴ製造メーカー側、受け入れしてカード加工するカードメーカー側の双方は、樹脂モールド部の寸法、位置について万全の検査・保証を行う必要がある。
【００１０】
しかし、ＩＣモジュールの樹脂モールド部の形状が仕様どおりの寸法、位置に納まっているか否かは、顕微鏡等を組み合わせた専用の測長機を使用すれば正確な寸法、位置を確認できるが、全ＣＯＴの形状について測定検査することは高額な設備を導入する必要がある等、容易には実現できない問題がある。そのため、出荷側、受け入れ側ともに目視で簡易的にモールド寸法、位置の正確性が判断できる手法が必要とされる。
また、モールド樹脂の粘度やモールド方式（特にポッティング方式、印刷方式）によっては、モールド樹脂が規定領域に正確に納まるような塗布が困難な場合もあり、樹脂の流れ止めの工夫を講じる必要もある。
【００１１】
そこで本願は、ＩＣモジュールの樹脂モールド部を規定の寸法、位置に安定的に納める対策を端子基板１０の絶縁性基材に溝を設けることにより行おうとするものである。
本願に直接関連する先行技術を見出すことはできないが、封止樹脂の流れ止めのために、リードフレームに連結片を設ける技術について、特許文献１がある。また、ＩＣカード用ＩＣモジュールのデザイン設計等に関して、特許文献２、特許文献３等がある。
【００１２】
【特許文献１】特開平１−３１０５７１号公報
【特許文献２】特開平４−１８２１９８号公報
【特許文献３】特開２００４−３５５６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従来のＩＣカード用ＩＣモジュールでは、端子基板の絶縁性基材側に封止樹脂の流れを止めるような工夫がされていなかったため、樹脂モールド部の形状が不安定になる問題があった。樹脂モールド部が所定の大きさでなかったり、規定の位置からずれている場合は、ＩＣモジュール装着用凹部との不適合からＩＣモジュールのワイヤ接続やＩＣチップ自体に損傷を生じ、ＩＣカードの不良品となる問題があった。
そこで、端子基板の絶縁性基材に溝を形成して封止樹脂の位置を目視でも容易に判別できるように区画することにより、このような問題を解決すべく研究して、本発明を完成したものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決する本発明の要旨の第１は、ＣＯＴ面上における単位のＩＣカード用ＩＣモジュールにおいて、当該単位のＩＣモジュールは、端子基板と接触型ＩＣチップとからなり、端子基板は、絶縁性基材と当該絶縁性基材のＩＣカードの外面となる片面にラミネートされた銅箔とからなり、当該銅箔面は所定の複数の端子板に区画するための溝がエッチング形成され、前記絶縁性基材には、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔と、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が形成されていることを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュール、にある。
【００１５】
上記課題を解決する本発明の要旨の第２は、ＣＯＴ面上における単位のＩＣカード用ＩＣモジュールにおいて、当該単位のＩＣモジュールは、端子基板と接触・非接触両用型ＩＣチップとからなり、端子基板は、絶縁性基材と当該絶縁性基材の両面にラミネートされた銅箔とからなり、当該銅箔のうち、ＩＣカードの外面となる銅箔面は所定の複数の端子板に区画するための溝がエッチング形成され、ＩＣカードの内面となる銅箔面には、アンテナ接続用端子と当該端子のリード部をエッチングにより残し、前記絶縁性基材には、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔と、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が形成されていることを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュール、にある。
【００１６】
上記において、ＩＣカードの外面となる銅箔面を端子板に区画するための溝と絶縁性基材に形成する封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が、交差しないようにされていること、が好ましい。封止樹脂が端子基板側に洩れないようにするためである。
また、前記絶縁性基材の封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が、近接した二重の枠形状の溝により形成されている、ようにしてもよい。封止樹脂の流出を二重の枠形状の溝により完全に防止できるからである。
また、ＩＣチップ搭載部領域が前記絶縁性基材から打ち抜かれている、ようにすれば、端子基板からの樹脂モールド部の突出高さを小さくできる。
また、前記絶縁性基材の封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝の端部が、半円形状にされている、ようにすれば溝の端部からのひび割れや亀裂を防止できる。
【００１７】
上記課題を解決する本発明の要旨の第３は、以下の（１）から（６）の工程、（１）端子基板に用いられる絶縁性基材に、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とを打ち抜きして形成する工程、（２）打ち抜きした前記絶縁性基材の片面に銅箔をラミネートする工程、（３）銅箔面をエッチングして、前記絶縁性基材のワイヤボンディング用貫通孔と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とが、端子板の所定位置に合致するように位置合わせして、所定の複数の端子板に区画するための溝を形成する工程、（４）接触型ＩＣチップをダイボンディングする工程、
（５）ワイヤボンディング用貫通孔から臨む前記銅箔の裏面と、ＩＣチップの各パッドとの間をワイヤボンディングする工程、（６）ＩＣチップおよびワイヤボンディング部を封止樹脂により樹脂封止する工程、を有することを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュールの製造方法、にある。
【００１８】
上記課題を解決する本発明の要旨の第４は、以下の（１）から（７）の工程、（１）端子基板に用いられる絶縁性基材に、各端子板毎に形成するワイヤボンディング用貫通孔と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とを打ち抜きして形成する工程、（２）打ち抜きした前記絶縁性基材の両面に銅箔をラミネートする工程、（３）ＩＣカードの外面になる銅箔面をエッチングして、前記絶縁性基材のワイヤボンディング用貫通孔と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝とが、端子板の所定位置に合致するように位置合わせして、所定の複数の端子板に区画するための溝を形成する工程、（４）ＩＣカードの内面になる銅箔面をエッチングして、アンテナ接続用端子と当該端子のリード部を形成する工程、
（５）接触・非接触両用型ＩＣチップをダイボンディングする工程、（６）ワイヤボンディング用貫通孔から臨む前記銅箔の裏面とＩＣチップの各パッド、およびアンテナ接続用端子のリード部とＩＣチップのパッドとの間をワイヤボンディングする工程、（７）ＩＣチップおよびワイヤボンディング部を封止樹脂により樹脂封止する工程、を有することを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュールの製造方法、にある。
【００１９】
上記、本発明の要旨第３、第４において、（１）の工程の際、ＩＣチップ搭載部領域の絶縁性基材も同時に打ち抜き、してもよい。この場合はＩＣチップを外面側銅箔の裏面にダイボンディングできるので、ＩＣモジュールの樹脂モールド部の高さを小さくすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
（１）本発明のＩＣカード用ＩＣモジュールは、通常の端子デザインでのＣＯＴ製造方法とまったく同じ方法で製造でき、製造負荷を高める要素はない。                      （２）ＩＣモジュール端子板の絶縁性基材に、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が形成されているので、高価な検査機を使用することなく、簡単な目視検査で所定の区画範囲外にモールド樹脂が流れているＩＣモジュールを外観検査で判別できる。
（３）本発明のＩＣカード用ＩＣモジュールの製造方法では、ＩＣモジュール端子板の絶縁性基材に、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝が形成されているので、樹脂の流れ止め効果を併せ持ち、低粘度の流動性の高い樹脂を使用する場合も、あるいは流れ易い方式（ポッティング方式、印刷方式）による封止方法に左右されず、高精度なモールド形状の実現が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明のＩＣカード用ＩＣモジュールについて、以下、図面を参照して説明する。
図１は、本発明のＩＣカード用ＩＣモジュールの第１実施形態の背面図、図２は、第１実施形態の樹脂モールド後の断面図、図３は、第２実施形態の背面図、図４は、第２実施形態の樹脂モールド後の断面図、図５は、第１実施形態の変形例を示す図、図６は、第２実施形態のＩＣモジュールをＩＣカードに装着した断面図、である。
【００２２】
図１は、本発明のＩＣカード用ＩＣモジュールの第１実施形態（請求項１）の背面図であって樹脂モールド前の図であるが、表面側端子板形状を透視して図示し、表裏の関係が明瞭になるようにしている。以降の図３、図５も同様である。
第１実施形態は接触型ＩＣモジュール１であって、端子基板１０は絶縁性基材と外面側銅箔とから構成されている。絶縁性基材には接触型ＩＣチップ３がダイボンディングされている。当該端子基板１０では、内面側銅箔を使用しないのでＩＣチップ３側にリード端子を形成しない。そのため、絶縁性基材にワイヤボンディング用貫通孔５を必要数穿ち、各端子板毎に設けた当該ワイヤボンディング用貫通孔５に臨む銅箔裏面とＩＣチップ３の各パッド間を金ワイヤ１５によりワイヤボンディングする。ただし、通常使用しないＣ４とＣ８端子、Ｃ６端子は、図１では金ワイヤ接続していない。
【００２３】
封止樹脂によりモールドするのは、ＩＣチップ３およびワイヤボンディング部を保護する目的であり、通常、図１の一点鎖線ｋで囲むような、略矩形状の領域が樹脂モールド部１７となる。以上の形態は、一般的なＩＣモジュールに共通する形態である。
本発明のＩＣモジュール１の特徴は、樹脂モールド部１７の外周に、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝８ｍが形成されていることにある。あるいは、溝８ｍはＩＣモジュールをカード基体に装着する際に、この範囲に封止樹脂が納まっていれば製造工程上、支障とならない限界域を示すものとして形成されていると考えてもよい。
【００２４】
図１の場合、溝８ｍは樹脂モールド部１７の外周に全体として略矩形状（略矩形の輪環状）に形成されているが、封止樹脂が当該溝８ｍを超えて流出し難くされている。実際には当該溝８ｍと樹脂モールド部１７の輪郭が一致する場合も生じる。封止樹脂の流動状況、モールド条件等によっては樹脂モールド部１７の外形が拡大してしまうからである。
ただし、当該溝８ｍを超えて流出していない場合は良品として使用できるとする判定基準にすることができる。従って、樹脂モールド部１７の外形が溝８ｍを超えていない場合は、後加工でＩＣモジュールが破損したりする問題が生じないことを保証する目安とできる必要がある。この判定は高価な専用の測定器によらず、目視によって確実に確認できる利点がある。
【００２５】
溝８ｍは通常、ワイヤボンディング用貫通孔５と、（必要によりＩＣチップ搭載部領域も同時に）一緒に打ち抜きして形成する。したがって、溝８ｍは通常、貫通孔になるが、貫通させずに押し罫のように、ハーフカット（凹溝）するものでもよい。溝８ｍの幅は、０．１ｍｍから１．５ｍｍ程度の範囲でよい。
【００２６】
通常、絶縁性基材８にはガラスエポキシ等の厚み７０μｍ〜１６０μｍのもの（一般的には、１２０μｍ）が用いられる。ＩＣチップ３は絶縁性基材８面に搭載してもよいので、ＩＣチップ搭載部領域は打ち抜きしなくてもよい。ただし、ＩＣチップ搭載部領域を打ち抜きすれば、ＩＣチップを銅箔面に直接ダイボンディングして、ＣＯＴの厚みを小さくできる効果が生じる。
【００２７】
表面側端子板形状を区画する溝７ｍと溝８ｍは交差または接触しないようにすることが好ましい。溝８ｍを絶縁性基材８を貫通させる場合は、交差した部分では端子基板１０の全体を貫通することになり、封止樹脂が端子基板１０の外面に抜けてしまい易く、かつ外観も損ねるからである。溝７ｍとの交差、接触を避ける結果、溝８ｍは実際には断続した複数の溝群になる。端子板間の溝７ｍの幅は、通常０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度の範囲である。端子基板１０の外周にもエッチングして銅箔を除去した部分７ｎが設けられるが、ＣＯＴ面上ではより広い領域をエッチング除去した後、ＣＯＴをＩＣカードに装着する際に、ＣＯＴの周囲が所定の幅（通常０．２ｍｍ以上）になるように打ち抜きするものである。なお、本発明で端子板という場合は、Ｃ１，Ｃ２，等の各接点の端子板をいい、端子基板１０という場合は、銅箔と絶縁性基材からなり、端子板Ｃ１，Ｃ２，・の集合体の全体を含む基板をいうものとする。
【００２８】
図２は、第１実施形態の樹脂モールド後の断面図であるが、金ワイヤ１５に沿う断面を模式的に示している。ＩＣモジュール１の端子基板１０は、銅箔７と絶縁性基材８とから構成されている。ＩＣチップ３や金ワイヤ１５部分を樹脂モールドすると、樹脂モールド部１７は、前記溝８ｍの輪郭の内側に納まり外部に流出し難くなる。前記溝８ｍが液溜まりの役割をして流出する樹脂を吸収するからである。
また、万一、封止樹脂が溝８ｍを超えて流出したＩＣモジュールが発生しても、前記のように、当該溝８ｍを基準にして、良品と不良品を視覚により容易に判断でき排除できるので、不良品のＩＣモジュールを使用して、カード加工し、不良品を生じたり、製品化後に問題を生じることも回避できる。
【００２９】
図３は、ＩＣモジュールの第２実施形態（請求項２）の背面図、図４は、樹脂モールド後の断面図である。第２実施形態は接触・非接触両用型ＩＣモジュール１ｄであって、端子基板１０は、図４のように、絶縁性基材８と外面側銅箔７と内面側銅箔９とから構成されている。また、銅箔７に、接触・非接触両用型ＩＣチップ３ｄが直接ダイボンディングされている。従って、絶縁性基材８のＩＣチップ搭載部領域を打ち抜きしてから、表裏の銅箔７，９をラミネートし、その後、当該ＩＣチップ搭載部領域を覆う内面側銅箔９もエッチング除去することになる。さらに、当該端子基板１０では、内面側銅箔９を使用して、アンテナ接続用端子１４ａ，１４ｂと当該接続用端子のリード部１４Ｌをエッチングにより残して形成する。アンテナ接続用端子１４は、通常、２つの端子であるが、接続を確実にするため各端子を２つに分岐させて４端子にする場合もある。なお、上記のＩＣチップ搭載方法は、第１実施形態の接触型ＩＣモジュールにも採用できるものである。
【００３０】
ワイヤボンディング用貫通孔５を穿った絶縁性基材８に、当該ワイヤボンディング用貫通孔５に臨む外面側銅箔７の各端子板毎の裏面とＩＣチップの各パッドの間を、金ワイヤ１５によりボンディングするのは、実施形態１と同じである。アンテナ接続用端子１４のリード部１４ＬとＩＣチップ３ｄのパッドとの間も、同様にワイヤボンディングする。
第２実施形態のＩＣモジュール１ｄの特徴も、樹脂モールド部１７の外周に、封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝８ｍが形成されていることにある。
【００３１】
図３の場合、溝８ｍは樹脂モールド部１７の外周に沿って同様に略矩形状（略矩形の輪環状）に形成されているが、各溝８ｍの端部が半円形の形状にされている特徴がある。
これらは、型抜きの刃型形状によるもので、長円形や長丸形状の抜き型を用いて行うことができる。端部が半円形の形状の場合は直線状の場合に比較して、絶縁性基材８の当該端部からのひび割れや亀裂が生じ難くなる効果がある。すなわち、直角の打ち抜き形状の場合、基材のたわみ、ねじれ等の応力が直角コーナー部に集中し、ここから亀裂を生じやすくなる。特に、絶縁性基材８としてよく使われるガラスエポキシ基材は、ガラス繊維が縦横に編まれた構造上、テープの流れ方向、幅方向に沿って亀裂が進行しやすい、ということがあり、端部を半円形にすることで、応力分散を図ることができる。
このような打ち抜き形状は、第１実施形態に用いてもよいものである。
【００３２】
図４は、第２実施形態の樹脂モールド後の断面図であるが、金ワイヤ１５に沿う断面を模式的に示している。溝８ｍが液溜まりの役割をして、封止樹脂が溝８ｍの輪郭の内側に納まり外部に流出し難くなるのは同様である。万一、封止樹脂が流出したＩＣモジュールが発生しても、前記のように、当該溝８ｍを基準にして、良品と不良品を目視の外観検査により容易に判断できるのも同様である。
第２実施形態の場合、アンテナ接続用端子１４ａ，１４ｂは、樹脂モールド部１７の外部に出ている。後述するように当該端子により、カード基体１１内のアンテナ２の端部に接続するためである。
【００３３】
図５は、第１実施形態の変形例を示す図である。この場合は、絶縁性基材８の前記溝８ｍの外周に、第２の溝８ｎをさらに設けている特徴がある。このようにする場合は、二重の略矩形状（略矩形の輪環状）の枠形状の溝により樹脂の流れ止め効果を持つことになり、目視による外観検査も一層容易になる。また、二重の枠形状を製品により使い分け、内側枠に合わせて樹脂モールドする製品、外側の枠に合わせて樹脂モールドする製品の双方に対応させることができる。第１の溝８ｍと第２の溝８ｎは同心的に平行して設け、接触しない限り、できるだけ接近していることが好ましい。
２つの溝の間隔は通常、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度となる。溝８ｍと溝８ｎのいずれかまたは双方がハーフカット（凹溝）であってもよい。ＩＣモジュール化した後の断面形状は図示してないが、第１実施形態と同様に表れる。この変形例を第２実施形態に用いてもよいことは当然のことである。
【００３４】
図６は、第２実施形態のＩＣモジュールをＩＣカードに装着した断面図である。第２実施形態は、接触・非接触両用型ＩＣチップ３ｄを使用するので、デュアルインターフェース式ＩＣカード１００ｄになる。ＩＣモジュール１ｄは、カード基体１１に掘削したＩＣモジュール装着用凹部２０に装着されている。アンテナ接続用端子１４ａ，１４ｂはそれぞれ、カード基体内のアンテナコイル２の両端部２ａ，２ｂに、導電性接着剤１３等により電気的に接続される。端子基板１０のその他の外周部分は、ＩＣモジュール装着用凹部２０の段部に、通常のホットメルト接着シート（不図示）等により固定されている。
なお、図６の場合、ＩＣチップ３ｄは絶縁性基材８にダイボンディングされている。
【００３５】
次に、本発明のＩＣカード用ＩＣモジュールの製造方法について説明する。なお、ＣＯＴは連続したテープ状基材面に形成するので、各材料はウェブ状のものを使用し、各工程も走行するウェブ状材料に対して行われる。
【００３６】
［絶縁性基材の型抜き］
まず、ＩＣモジュール用の絶縁性基材８を準備する。絶縁性基材８は、例えば、ガラスエポキシ、ポリイミド、ＢＴ樹脂等の耐熱性と寸法安定性のある絶縁材料を使用する。
厚みは、前記のように、７０μｍから１６０μｍが適切であり、通常１２０μｍ程度である。絶縁性基材８には、あらかじめワイヤボンディング用貫通孔５と封止樹脂が満たされる範囲を区画する溝８ｍ（および溝８ｎ）、必要によりＩＣチップ搭載部領域、を抜き型やパンチング等により形成しておく。
【００３７】
銅箔７，９と絶縁性基材８の間に接着層または接着シートを用いる場合は、接着シート等と共にワイヤボンディング用貫通孔５と溝８ｍを形成する。貫通孔５は溝８ｍの内側領域に形成する。Ｃ４，Ｃ８端子は使用しないので金ワイヤ接続しなくてもよく貫通孔５を設ける必要もない。Ｃ６端子も同様である。ワイヤボンディング用貫通孔５は、径０．３ｍｍ〜１．５ｍｍ程度のものでよい。円形の他、長円形、楕円形、長方形でもよい。
【００３８】
［銅箔ラミネート］
次に、絶縁性基材８の片面または両面に銅箔をラミネートする。接触・非接触式両用型ＩＣモジュールの場合は、両面に銅箔７，９をラミネートする。この場合、ＩＣチップ３ｄ面側の銅箔９はアンテナ接続用端子１４とそのリード端子１４Ｌのために使用する。
接触型専用のＩＣモジュールの場合は、ＩＣチップ３側の銅箔をラミネートしない。
銅箔７，９には厚み、１５μｍから１００μｍ程度のもの、通常３５μｍ厚のものを使用する。
【００３９】
［銅箔のエッチング］
外面側銅箔７の端子基板１０形状とめっき用リード線を残すようにして、フォトエッチングする。この際、絶縁性基材８に形成した溝８ｍと外面側銅箔７の溝７ｍが交差または接触しないようにし、また、ワイヤボンディング用貫通孔５が所定の端子板内の位置に定まるように、パターンの位置合わせを行って、フォトマスクを銅箔面の感光剤に焼き付けする。フォトマスクに限らず、印刷レジストを見当合わせして印刷するものでもよい。
その後、塩化鉄液によりエッチングする。
【００４０】
［ニッケル・金めっき］
フォトエッチング後、銅箔表面の酸化防止、耐久性向上のため、厚み１μｍ〜５μｍ程度のニッケルめっきと厚み０．１μｍ〜５μｍ程度の金めっきを施す。これらめっきパターンは銅箔パターン上に電解めっきまたは無電解めっきにより形成されるので、当然ながら同一パターンに形成される。裏面になるワイヤボンディング用貫通孔５や打ち抜きしたチップ搭載部領域、および溝８ｍに対しても端子板面と同様にめっき層を形成する。
当該工程は、請求項には記載されていないが定常的に行われる工程である。
【００４１】
［ＩＣチップ搭載・ワイヤボンディング］
ＩＣチップ３を接着剤を介して端子基板１０にダイボンディングして搭載し、高温状態にて接着剤を硬化させる。絶縁性基材８のＩＣチップ搭載部領域を打ち抜きした場合は、外面側銅箔７の裏面にダイボンディングすることになる。次いで、ＩＣチップ３の各パッドとワイヤボンディ用貫通孔５内の外面側銅箔７裏面との接続を金ワイヤ１５をボンディングして行う。接触・非接触両用型ＩＣモジュール１ｄの場合は、ＩＣチップ３とアンテナ接続用端子１４との接続を同端子から引き回されたリード部１４ＬとＩＣチップのパッド間を金ワイヤボンディングすることにより同様に行う。
【００４２】
［樹脂モールド］
最後に、ＩＣチップ３とワイヤボンディング部の全体をモールド樹脂により樹脂封止する。樹脂封止はトランスファーモールド方式、ポッティング方式、印刷方式等により行う。これにより、本発明のＩＣカード用ＩＣモジュール１が完成する。
【実施例】
【００４３】
厚み１２０μｍのガラスエポキシ基材１０に、熱硬化性接着シートを両面に接着してから、所定の位置（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７端子）にワイヤボンディング用パッドとするためのワイヤボンディング用貫通孔５を、径０．８ｍｍの円形の大きさで打ち抜きして形成した。また、溝８ｍとＩＣチップ搭載部領域の貫通孔を、図３の形状に同時に打ち抜きした。なお、溝８ｍは０．４ｍｍの幅で端部が半円形になるように打ち抜きした。
【００４４】
次に、基材１０の接着シートの両面に厚み３５μｍの銅箔７，９をラミネートした後、外面側銅箔７に溝７ｍを含む端子基板１０の外形形状と、内面側銅箔９に２つのアンテナ接続用端子１４ａ，１４ｂとリード部１４Ｌをフォトエッチングして形成した。
その後、ニッケルめっき（１〜５μｍ）と金めっき（０．１〜５μｍ）を行った。なお、端子基板１０の大きさは、縦１１．５ｍｍ×横１２．５ｍｍになるようにした。各端子板間を分離する溝７ｍは、幅０．２ｍｍとした。
【００４５】
ＩＣチップ３ｄを熱硬化性ダイペーストを用いて、ＩＣチップ搭載部領域の貫通孔内の銅箔７裏面に接着して加熱硬化させた。その後、ＩＣチップ３ｄの各パッドと前記ワイヤボンディング用貫通孔５から臨む銅箔７の裏面間、アンテナ接続用端子１４ａ，１４ｂに繋がるリード部１４ＬとＩＣチップ３の非接触インターフェースパッド間と、を直径２５μｍの金ワイヤ１５で熱圧・超音波併用式のワイヤボンダーを使用してワイヤボンディグした。さらに、ＩＣチップ３ｄとワイヤボンディグ部全体を熱硬化性エポキシ樹脂を主成分とする封止樹脂をポッティング方式により樹脂封止を行った。封止樹脂は溝８ｍから流出することもなく、樹脂モールド部１７を形成した。これにより、本発明のＩＣカード用ＩＣモジュール１ｄが完成した。
【００４６】
上記により完成したＩＣカード用ＩＣモジュール１ｄは、目視で樹脂モールド部１７の良否判定が容易にでき、ＩＣカード化した後も不具合を生じることがなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明のＩＣカード用ＩＣモジュールの第１実施形態の背面図である。
【図２】第１実施形態の樹脂モールド後の断面図である。
【図３】第２実施形態を示す図である。
【図４】第２実施形態の樹脂モールド後の断面図である。
【図５】第１実施形態の変形例を示す図である。
【図６】第２実施形態のＩＣモジュールをＩＣカードに装着した断面図である。
【図７】従来のＩＣカード用ＩＣモジュール（接触式）の背面図である。
【図８】コンビ式又はデュアルインターフェース式ＩＣカードを示す図である。
【図９】ＩＣカード用ＩＣモジュールの端子板位置を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１    ＩＣカード用ＩＣモジュール
１ｄ  ＩＣカード用ＩＣモジュール（接触・非接触両用型）
２    アンテナコイル
３    ＩＣチップ
３ｄ  ＩＣチップ（接触・非接触両用型）
５    ワイヤボンディング用貫通孔
７    外面側銅箔
７ｍ  溝
８    絶縁性基材
８ｍ，８ｎ  溝
９    内面側銅箔
１０    端子基板
１１    カード基体
１３    導電性接着剤
１４，１４ａ，１４ｂ    アンテナ接続用端子
１５    金ワイヤ
１７    樹脂モールド部
２０    ＩＣモジュール装着用凹部
１００ｄ  ＩＣカード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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