(57)【要約】【課題】  発熱する回路素子に接続された蓄熱部材を備える回路装置において、回路素子から蓄熱部材への熱伝導を効果的に行うとともに、回路装置を薄型化・小型化する技術を提供する。【解決手段】  回路装置５０は、絶縁層３，５と導電層２，４，６からなる多層配線基板２０ａと、多層配線基板２０ａの上面側に設けられた回路素子（ＬＳＩチップ８ａ，チップ抵抗８ｂ）と、多層配線基板２０ａの下面側に設けられた蓄熱部２０ｂとによって構成される。蓄熱部２０ｂと接する導電層２は、凹凸形状の表面を有し、蓄熱部２０ｂにおける蓄熱体１４と接している。絶縁層３，５には、絶縁層の熱伝導率を高くするためにフィラーが添加されている。【選択図】図１
2007234731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と導電層を含む配線基板と、
前記配線基板の一方の面上に設けられた回路素子と、
前記配線基板の他方の面上に設けられ、温度上昇に伴って相変化または化学変化を生じる蓄熱体を有する蓄熱部と、を備えることを特徴とした回路装置。
【請求項２】
前記配線基板は、その他方の面側に前記蓄熱体と接する導電層を備え、
前記蓄熱体と接する導電層は、前記蓄熱体と接する側に凹凸形状の表面を有していることを特徴とした請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、樹脂を主成分とする絶縁層を含み、
前記樹脂を主成分とする絶縁層には、前記絶縁層の熱伝導率を高くするためのフィラーが添加されていることを特徴とした請求項１または２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記回路素子の下方に位置する領域に設けられ、前記凹凸形状の表面を有する導電層に達する開口部を含み、
前記絶縁層上の導電層は、前記開口部を介して前記凹凸形状の表面を有する導電層に接触するように形成されているとともに、前記開口部を介してこの導電層に熱を伝達する機能を有することを特徴とした請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置に関し、特に、回路素子を備えた回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等の電子機器は、ますます高性能、高機能化してきているが、これに伴い機器内部で使用する電子部品の消費電力も増加する傾向にある。特に、高度な画像処理を行う高性能ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit：大規模集積回路）等は消費電力が大きく、発熱量も大きいが、ＬＣＤ等の表示装置の特性に影響を及ぼすため、十分な放熱対策が求められる。
【０００３】
従来、電子機器の放熱対策としては、金属製のヒートシンクやファンを用いた放熱構造が取られてきたが、携帯機器は小型化の要求が強いため、スペース的な制約があり、十分な放熱構造をとることが難しいという問題があった。
【０００４】
特許文献１では、電子機器（携帯型情報端末）における半導体素子の冷却構造として、発熱する半導体素子に接続された蓄熱部材を備えた回路装置が提案されている。
【０００５】
図７は、特許文献１に開示された従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。従来の回路装置においては、発熱する半導体素子１０２が配線基板１１０上に搭載されている。半導体素子１０２上には、熱伝導性シート１１２および蓄熱部材を収納した冷却デバイス１０３が搭載されている。さらに冷却デバイス１０３の加熱面の温度分布が均一になるように、冷却デバイス１０３と熱伝導性シート１１２の間には、ヒートスプレッダ１１３が設置されている。このヒートスプレッダ１１３によって、半導体素子１０２からの熱がヒートスプレッダ１１３の面方向に広がり、冷却デバイス１０３の全面に効率的に熱を伝えることができるようになっている。なお、冷却デバイス１０３内の蓄熱部材は、例えば、パラフィン等のように吸熱して所定の温度で固体から液体に変化する相変化型のものや、相変化がなくても熱容量の大きい部材が用いられる。
【特許文献１】特開２００４−１１１６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の回路装置では、半導体素子１０２と冷却デバイス１０３との間には、両者を接着させる熱伝導性シート１１２やヒートスプレッダ１１３を介在させて熱的に接続する必要があり、回路装置の薄型化を実現することは難しかった。また、配線基板１１０の上に複数個の半導体素子１０２を設ける場合には、半導体素子１０２の高さ（厚さ）が半導体素子１０２ごとに異なるため、半導体素子１０２に対して冷却デバイス１０３を共通化することが難しく、従来は半導体素子１０２ごとに冷却デバイス１０３を設ける必要があり、回路装置の小型化（小面積化）を実現することは難しかった。
【０００７】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、本発明の目的は、回路素子から蓄熱部材への熱伝導を効果的に行うとともに、回路装置を薄型化・小型化する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の回路装置は、絶縁層と導電層を含む配線基板と、配線基板の一方の面上に設けられた回路素子と、配線基板の他方の面上に設けられ、温度上昇に伴って相変化または化学変化を生じる蓄熱体を有する蓄熱部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
この態様によると、回路素子で発生した熱は、回路素子が設けられている配線基板を介して蓄熱部に伝導され、蓄熱部内の蓄熱体の相変化、例えば、固体から液体に状態変化する際の潜熱として蓄熱されることにより、回路装置（回路素子）の温度を所定の温度以下に保つことができる。
【００１０】
また、この態様においては、配線基板が、回路素子と蓄熱部との間で中継基板（インターポーザ）として機能し、且つ、回路素子からの熱を蓄熱部に伝導させるように機能するので、従来のように回路素子と蓄熱部との間で熱的な接続をするために設けられた熱伝導性シートやヒートスプレッダを回路装置から削減できるようになる。このようにする場合、熱伝導性シートやヒートスプレッダの占有分の回路装置の薄膜化を実現することが可能となる。
【００１１】
さらに、この態様においては、配線基板の一方の面に回路素子を設け、且つ、他方の面に蓄熱部を設けている。このため、配線基板に複数の回路素子が搭載され、各回路素子の大きさ（面積や高さ）が異なる場合において、複数の回路素子に対して蓄熱部を共通化することができるので、回路装置の小型化（小面積化）を実現することが可能となる。また、従来のように回路素子ごとに設ける必要のあった蓄熱部を１つにまで削減できるので、回路装置を低コストで提供することが可能となる。
【００１２】
上記構成において、好ましくは、配線基板は、その他方の面側に蓄熱体と接する導電層を備え、蓄熱体と接する導電層は、蓄熱体と接する側に凹凸形状の表面を有している。このようにすることで、蓄熱体と接する導電層の凹凸表面において蓄熱体に乱流が生じ、蓄熱体と接する導電層と蓄熱体の間での熱伝達効率を高めることができるので、回路素子で発生した熱を効果的に蓄熱部に伝導することができる。
【００１３】
この場合、好ましくは、絶縁層は、樹脂を主成分とする絶縁層を含み、樹脂を主成分とする絶縁層には、絶縁層の熱伝導率を高くするためのフィラーが添加されている。このように構成すれば、樹脂を主成分とする絶縁層の熱伝導率が高くなるので、回路素子で発生した熱をさらに効果的に蓄熱部に伝導させることができる。また、蓄熱体を有する蓄熱部を配線基板の支持体として機能させる場合には、支持体のない配線基板に求められる剛性に比べて、蓄熱部上の配線基板に求められる剛性を小さく設定することができるようになる。この結果、絶縁層におけるフィラーの高密度化もしくは絶縁層の薄型化を実現できるとともに、配線基板全体の熱伝導性が高まり、回路素子で発生した熱をさらに効果的に蓄熱部に伝導させることができるようになる。
【００１４】
上記構成において、好ましくは、絶縁層は、回路素子の下方に位置する領域に設けられ、凹凸形状の表面を有する導電層に達する開口部を含み、絶縁層上の導電層は、開口部を介して凹凸形状の表面を有する導電層に接触するように形成されているとともに、開口部を介してこの導電層に熱を伝達する機能を有する。このように構成すれば、回路素子から多量の熱が発生した場合に、その熱を凹凸形状の表面を有する導電層に接触する導電層（絶縁層上の導電層）を介して蓄熱部側に容易に熱を伝導させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、回路素子から蓄熱部材への熱伝導を効果的に行うとともに、回路装置を薄型化・小型化する技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明の実施形態による回路装置を示した断面図である。まず、図１を参照して、本実施形態による回路装置５０の構造について説明する。
【００１７】
本実施形態による回路装置５０は、図１に示すように、絶縁層３，５と導電層２，４，６からなる多層配線基板２０ａと、多層配線基板２０ａの上面側に設けられた回路素子８ａ，８ｂと、多層配線基板２０ａの下面側に設けられた蓄熱部２０ｂとによって構成される。なお、多層配線基板２０ａは、本発明の「配線基板」の一例である。
【００１８】
多層配線基板２０ａは、後述する蓄熱部２０ｂと接する最下層（最外層）に銅（Ｃｕ）からなる導電層２が配置されている。この導電層２の下面側（蓄熱部側）は、凹凸形状の表面を有し、蓄熱部２０ｂにおける蓄熱体１４と接している。このように導電層２の表面に凹凸をつけることにより、蓄熱体１４が液化している際の流れに乱流が生じ、導電層２と蓄熱体１４の間での熱伝達効率を高めることができる。ここで、導電層２の表面に付与される凹凸の表面粗度Ｒａは、熱伝達効率を高める観点から、約０．３μｍ〜約１０μｍが好ましく、中でも約１μｍ〜約３μｍがより好ましい。なお、導電層２の表面のＲａは、触針式表面形状測定器で計測することができる。
【００１９】
この導電層２の上面上には、約６０μｍ〜約１６０μｍの厚みを有するエポキシ樹脂を主成分とする１層目の絶縁層３が形成されている。
【００２０】
ここで、本実施形態では、エポキシ樹脂を主成分とする絶縁層３の熱伝導率を高くするために、約３０μｍ以上の大きい直径を有するフィラー（充填剤）が絶縁層３に添加されている。このフィラーとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、及び窒化ホウ素（ＢＮ）などがある。また、フィラーの重量充填率は、約６０％〜約８０％である。なお、アルミナやシリカなどのフィラーが添加されたエポキシ樹脂の熱伝導率は、約２Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、フィラーが添加されていないエポキシ樹脂の熱伝導率（約０．６Ｗ／（ｍ・Ｋ））よりも高い。
【００２１】
また、本実施形態では、後述するＬＳＩチップ８ａの下方に位置する絶縁層３の所定領域に、約１００μｍの直径を有するとともに、絶縁層３を貫通する４つのビアホール３ａおよび２つのビアホール３ｂが形成されている。そして、絶縁層３上の所定領域には、約１５μｍの厚みを有するとともに、サーマルビア部４ａと、配線部４ｂ〜４ｄとを含む１層目の銅からなる導電層４が形成されている。導電層４のサーマルビア部４ａは、ＬＳＩチップ８ａの下方の領域に配置されているとともに、導電層２の表面に接触するように、ビアホール３ａ内に埋め込まれた部分を有する。この導電層４のサーマルビア部４ａは、導電層２を介して蓄熱部２０ｂに熱を伝導する機能を有する。なお、ビアホール３ａ内に導電層４が埋め込まれた状態での樹脂層３の熱伝導率は、約６Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜約８Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。また、導電層４の配線部４ｂは、導電層２に接続するようにビアホール３ｂ内に埋め込まれた部分を有する。なお、導電層４の配線部４ｂ〜４ｄは、後述するＬＳＩチップ８ａ（サーマルビア部３ａ）の周辺領域に配置されている。
【００２２】
さらに、導電層４を覆うように、上記した１層目の絶縁層３と同じ厚みおよび組成を有する２層目の絶縁層５が形成されているとともに、絶縁層５上の所定領域に、上記した１層目の導電層４と同じ厚みを有する２層目の銅からなる導電層６が形成されている。
【００２３】
具体的には、絶縁層５のＬＳＩチップ８ａの下方に位置する領域に、約１００μｍの直径を有するとともに、絶縁層４を貫通する４つのビアホール５ａが形成されている。この４つのビアホール５ａは、それぞれ、４つのビアホール３ａに対応する位置に形成されている。また、絶縁層５には、導電層４の配線部４ｃおよび４ｄに対応する領域に、約１００μｍの直径を有するとともに、絶縁層５を貫通するビアホール５ｂおよび５ｄが形成されている。また、導電層６は、サーマルビア部６ａと、ワイヤボンディング部６ｃおよび６ｄと、配線部６ｂおよび６ｆとを含む。そして、導電層６のサーマルビア部６ａは、ＬＳＩチップ８ａの下方の領域に配置されているとともに、導電層４のサーマルビア部４ａの表面に接触するように、ビアホール５ａ内に埋め込まれた部分を有する。この導電層６のサーマルビア部６ａは、ＬＳＩチップ８ａで発生した熱を導電層４のサーマルビア部４ａに伝達して放熱する機能を有する。また、導電層６のワイヤボンディング部６ｃおよび６ｄは、それぞれビアホール５ｃおよび５ｄに対応する領域に配置されているとともに、導電層４の配線部４ｃおよび４ｄの表面に接触するように、ビアホール５ｃおよび５ｄ内に埋め込まれた部分を有する。なお、導電層６の配線部６ｂは、チップ抵抗８ｂの下方の領域に配置されている。
【００２４】
以上により、絶縁層３，５と導電層２，４，６からなる多層配線基板２０ａが構成される。
【００２５】
また、多層配線基板２０ａの導電層６を覆うように、導電層６のワイヤボンディング部６ｃおよび６ｄ、配線部６ｂに対応する領域に開口部を有するソルダーレジスト層７が形成されている。このソルダーレジスト層７は、導電層６の保護膜として機能する。また、ソルダーレジスト層７は、メラミン誘導体、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂およびポリアミドビスマレイミドなどの熱硬化性樹脂からなる。なお、液晶ポリマー、エポキシ樹脂およびメラミン誘導体は、高周波特性に優れているので、ソルダーレジスト層７の材料として好ましい。また、ソルダーレジスト層７に、ＳｉＯ２などのフィラーを添加してもよい。ＬＳＩチップ８ａは、導電層６のサーマルビア部６ａ上のソルダーレジスト層７上に、約２０μｍの厚みを有するエポキシ樹脂からなる樹脂層（図示せず）を介して装着されている。なお、ＬＳＩチップ８ａでは、単結晶シリコン基板（図示せず）が用いられており、熱膨張係数は、約４ｐｐｍ／℃である。このＬＳＩチップ８ａは、ワイヤ９によって、導電層６のワイヤボンディング部６ｃおよび６ｄに電気的に接続されている。また、チップ抵抗８ｂは、導電層６の配線部６ｂ上に、半田などのロウ材からなる融着層１０を介して装着されているとともに、融着層１０により配線部６ｂに電気的に接続されている。なお、ＬＳＩチップ８ａおよびチップ抵抗８ｂは、本発明の「回路素子」の一例である。
【００２６】
また、図１に示すように、装置内部に装着されたＬＳＩチップ８ａおよびチップ抵抗８ｂなどを保護するために、ＬＳＩチップ８ａおよびチップ抵抗８ｂを覆うように、エポキシ樹脂からなる封止樹脂層１１が形成されている。
【００２７】
さらに、多層配線基板２０ａの下面側の導電層２に対して金属ケース１３と蓄熱体１４からなる蓄熱部２０ｂが設けられている。具体的には、多層配線基板２０ａの導電層２と、蓄熱部２０ｂを構成する金属ケース１３とが接着層１２を介して接合され、その内部に潜熱蓄熱材料である蓄熱体１４が密封されている。接着層１２としては、例えば、コバール（Ｆｅ−２９Ｎｉ−Ｃｏ合金）、低融点ガラスまたは樹脂系接着剤などが用いられる。蓄熱体１４としては、ｎ−パラフィン（炭素鎖数２０〜４０の場合、凝固点５０〜８０℃）、ポリエチレングリコール（凝固点４０〜５０℃）、Ｂｉ／Ｐｂ／Ｓｎ／Ｉｎ合金（融点５７℃）またはＢｉ／Ｓｎ／Ｉｎ合金（融点７７℃）などが用いられる。
【００２８】
本実施形態では、上記のように、ＬＳＩチップ８ａで発生した熱は、ＬＳＩチップ８ａが設けられている多層配線基板２０ａを介して蓄熱部２０ｂに伝導され、蓄熱部２０ｂ内の蓄熱体１４の相変化（固体から液体への状態変化）する際の潜熱として蓄熱されることにより、回路装置５０（ＬＳＩチップ８ａ）の温度を所定の温度以下に保つことができる。また、多層配線基板２０ａが、ＬＳＩチップ８ａと蓄熱部２０ｂとの間で中継基板（インターポーザ）として機能し、且つ、ＬＳＩチップ８ａからの熱を蓄熱部２０ｂに伝導させるように機能するので、従来のように回路素子と蓄熱部との間で熱的な接続をするために設けられた熱伝導性シートやヒートスプレッダを回路装置から削減できるようになる。このようにする場合、熱伝導性シートやヒートスプレッダの占有分の回路装置の薄膜化を実現することが可能となる。さらに、本実施形態では、多層配線基板２０ａの一方の面にＬＳＩチップ８ａおよびチップ抵抗８ｂを設け、且つ、他方の面に蓄熱部２０ｂを設けている。ＬＳＩチップ８ａおよびチップ抵抗８ｂの大きさ（面積や高さ）は異なるものの、これらの回路素子（ＬＳＩチップ８ａ、チップ抵抗８ｂ）に対して蓄熱部２０ｂを共通化して設けているので、回路装置５０の小型化（小面積化）を実現することが可能となる。また、従来のように回路素子ごとに設ける必要のあった蓄熱部を１つにまで削減しているので、回路装置５０を低コストで提供することが可能となる。
【００２９】
また、本実施形態では、多層配線基板２０ａは、その他方の面側に蓄熱体１４と接する導電層２を備え、蓄熱体１４と接する導電層２は、蓄熱体１４と接する面に凹凸形状の表面を有している。このようにすることで、蓄熱体１４と接する導電層２の凹凸表面において蓄熱体１４に乱流が生じ、蓄熱体１４と接する導電層２と蓄熱体１４の間での熱伝達効率を高めることができるので、回路素子（ＬＳＩチップ８ａ，チップ抵抗８ｂ）で発生した熱を効果的に蓄熱部２０ｂに伝導することができる。
【００３０】
また、本実施形態では、絶縁層３，５は、樹脂を主成分とする絶縁層を含み、樹脂を主成分とする絶縁層には、絶縁層の熱伝導率を高くするためのフィラーが添加されている。このように構成すれば、樹脂を主成分とする絶縁層の熱伝導率が高くなるので、回路素子（ＬＳＩチップ８ａ，チップ抵抗８ｂ）で発生した熱をさらに効果的に蓄熱部２０ｂに伝導させることができる。また、蓄熱体１４を有する蓄熱部２０ｂを多層配線基板２０ａの支持体として機能させる場合には、支持体のない多層配線基板に求められる剛性に比べて、蓄熱部上の多層配線基板に求められる剛性を小さく設定することができるようになる。この結果、絶縁層３，５におけるフィラーの高密度化もしくは絶縁層３，５の薄型化を実現できるとともに、多層配線基板２０ａ全体の熱伝導性が高まり、回路素子（ＬＳＩチップ８ａ，チップ抵抗８ｂ）で発生した熱をさらに効果的に蓄熱部２０ｂに伝導させることができるようになる。
【００３１】
また、本実施形態では、絶縁層３は、回路素子（ＬＳＩチップ８ａ）の下方に位置する領域に設けられ、凹凸形状の表面を有する導電層２に達する開口部３ａを含み、絶縁層３上の導電層４は、開口部３ａを介して凹凸形状の表面を有する導電層２に接触するように形成されているとともに、開口部３ａを介してこの導電層２に熱を伝達する機能を有する。このように構成すれば、回路素子（ＬＳＩチップ８ａ）から多量の熱が発生した場合に、その熱を凹凸形状の表面を有する導電層２に接触する導電層４を介して蓄熱部２０ｂ側に容易に熱を伝導させることができる。
【００３２】
以上のように、本実施形態では、発熱する回路素子（ＬＳＩチップ８ａ，チップ抵抗８ｂ）に接続された蓄熱部材１４を備える回路装置５０において、回路素子から蓄熱部材１４への熱伝導を効果的に行うとともに、回路装置５０の薄型化・小型化を実現することができる。
【００３３】
図２〜図６は、図１に示した本実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１〜図６を参照して、本実施形態による回路装置の製造プロセスについて説明する。
【００３４】
まず、図２（Ａ）に示すように、銅（Ｃｕ）からなる導電層２ａを備えた基材１を用意する。基材１は、多層配線基板２０ａを形成した後に導電層２ａから剥離可能な材料により構成することができる。このような材料として、たとえばＰＥＴフィルムを用いることができる。
【００３５】
図２（Ｂ）に示すように、導電層２ａの表面上に、アルミナまたはシリカなどのフィラーが添加されたエポキシ樹脂を塗布することによって、約６０μｍ〜約１６０μｍの厚みを有する絶縁層３を形成する。この後、絶縁層３上に、約３μｍの厚みを有する銅箔４ｚを圧着する。
【００３６】
次に、図２（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、ビアホール３ａおよび３ｂ（図１参照）の形成領域上に位置する銅箔４ｚを除去する。これにより、絶縁層３のビアホール３ａおよび３ｂの形成領域が露出される。
【００３７】
次に、図２（Ｄ）に示すように、銅箔４ｚの上方から炭酸ガスレーザまたはＵＶレーザを照射することによって、絶縁層３の露出した表面から導電層２ａに達するまでの領域を除去する。これにより、絶縁層３に、約１００μｍの直径を有するとともに、絶縁層３を貫通する４つのビアホール３ａおよび２つのビアホール３ｂを形成する。この内、ビアホール３ａは、後述するサーマルビア部３ａを形成するために設けられる。
【００３８】
次に、図２（Ｅ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔４ｚの上面およびビアホール３ａおよび３ｂの内面上に、銅を約０．５μｍの厚みでめっきする。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔４ｚの上面およびビアホール３ａおよび３ｂの内部にめっきする。なお、本実施形態では、めっき液中に、抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔４ｚの上面上に吸着させるとともに、促進剤をビアホール３ａおよび３ｂの内面上に吸着させる。これにより、ビアホール３ａおよび３ｂの内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、ビアホール３ａおよび３ｂ内に銅を埋め込むことができる。その結果、図２（Ｅ）に示すように、絶縁層３上に、約１５μｍの厚みを有する導電層４が形成されるとともに、ビアホール３ａおよび３ｂ内に、導電層４が埋め込まれる。
【００３９】
次に、図３（Ｆ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、導電層４をパターニングする。これにより、ＬＳＩチップ８ａ（図１参照）の下方の領域に位置するサーマルビア部４ａと、配線部４ｂ〜４ｄを形成する。
【００４０】
次に、図３（Ｇ）に示すように、導電層４を覆うように、アルミナまたはシリカなどのフィラーが添加されたエポキシ樹脂を塗布することによって、約６０μｍ〜約１６０μｍの厚みを有する絶縁層５を形成する。この後、絶縁層５上に、約３μｍの厚みを有する銅箔６ｚを圧着する。
【００４１】
次に、図３（Ｈ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、ビアホール５ａ，５ｃ，５ｄ（図１参照）の形成領域上に位置する銅箔６ｚを除去する。これにより、絶縁層５のビアホール５ａ，５ｃ，５ｄの形成領域が露出される。
【００４２】
次に、図３（Ｉ）に示すように、銅箔６ｚの上方から炭酸ガスレーザまたはＵＶレーザを照射することによって、絶縁層５の露出した表面から導電層４の表面に達するまでの領域を除去する。これにより、絶縁層５に約１００μｍの直径を有するとともに、絶縁層５を貫通する４つのビアホール５ａを形成する。さらにこの工程では、絶縁層５に約１００μｍの直径を有するとともに、絶縁層５を貫通するビアホール５ｃおよび５ｄを同時に形成する。
【００４３】
次に、図４（Ｊ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔６ｚの上面およびビアホール５ａ，５ｃ，５ｄの内面上に、銅を約０．５μｍの厚みでめっきする。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔６ｚの上面およびビアホール５ａ，５ｃ，５ｄの内部に、めっきする。ビアホール５ａ，５ｃ，５ｄでは、この際、めっき液中に、抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔６ｚの上面上に吸着させるとともに、促進剤をビアホール５ａ，５ｃ，５ｄの内面上に吸着させる。これにより、ビアホール５ａ，５ｃ，５ｄの内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、ビアホール５ａ，５ｃ，５ｄ内に銅を埋め込むことができる。その結果、絶縁層５上に、約１５μｍの厚みを有する導電層６が形成されるとともに、ビアホール５ａ，５ｃ，５ｄ内に、導電層６が埋め込まれ充填される。
【００４４】
次に、図４（Ｋ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、導電層６をパターニングする。これにより、これにより、ＬＳＩチップ８ａ（図１参照）の下方の領域に位置するサーマルビア部６ａと、サーマルビア部６ａの端部から所定の間隔を隔てた領域に位置するワイヤボンディング部６ｃおよび６ｄと、チップ抵抗８ｂ（図１参照）の下方の領域に位置する配線部６ｂと、リード（図示せず）の下方の領域に位置する配線部６ｆとを形成する。
【００４５】
次に、図４（Ｌ）に示すように、導電層６を覆うように、導電層６のワイヤボンディング部６ｃおよび６ｄに対応する領域に開口部を有するソルダーレジスト層７を形成する。そして、導電層６のサーマルビア部６ａ上のソルダーレジスト層７上に、約５０μｍの厚みを有するエポキシ樹脂からなる接着層（図示せず）を介してＬＳＩチップ８ａを装着する。このＬＳＩチップ８ａを装着した後の接着層の厚みは、約２０μｍとなる。この後、ＬＳＩチップ８ａと導電層６のワイヤボンディング部６ｃおよび６ｄとをワイヤ９により電気的に接続する。また、導電層６の配線部６ｂ上に、半田などのロウ材からなる融着層１０を介してチップ抵抗８ｂを装着する。なお、チップ抵抗８ｂは、融着層１０を介して配線部６ｂに電気的に接続される。
【００４６】
次に、図５（Ｍ）に示すように、ＬＳＩチップ８ａおよびチップ抵抗８ｂを保護するために、ＬＳＩチップ８ａおよびチップ抵抗８ｂを覆うように、エポキシ樹脂からなる封止樹脂層１１を形成する。
【００４７】
次に、図５（Ｎ）に示すように、導電層２ａから基材１を剥離する。
【００４８】
次に、図５（Ｏ）に示すように、露出した導電層２ａの外縁部に沿って樹脂系接着剤１２を形成する。
【００４９】
次に、図６（Ｐ）に示すように、露出した導電層２ａに対して、サンドブラスト技術、ウェットブラスト技術またはウェットエッチング技術を用いて、導電層２ａの表面（多層配線基板２０ａの裏面側の面）を、算術平均粗さＲａが約１〜約３μｍの凹凸形状になるように粗面化する。なお、サンドブラスト技術とは、研磨剤をコンプレッサからの圧縮空気で加速させることにより、被加工物（ワーク）に研磨剤を吹き付ける技術である。また、ウェットブラスト技術とは、研磨剤を混合した液体をコンプレッサからの圧縮空気で加速させることにより、被加工物（ワーク）に研磨剤を吹き付ける技術である。この結果、導電層２ａは、基材１を除去することによって露出した面に凹凸形状を有する導電層２となる。
【００５０】
次に、図６（Ｑ）に示すように、露出した面に凹凸形状を有する導電層２の外縁部に沿って樹脂系接着剤１２を介して金属ケース１３を接着（固着）する。
【００５１】
最後に、図１に示したように、金属ケース１３に設けてあった微小な穴（図示せず）から、溶融した状態の潜熱蓄熱材料（蓄熱体）１４を流し込む。潜熱蓄熱材料１４としては、先に示した材料の中から、回路装置５０に求められる熱特性に応じて適宜選択する。ここでは、ｎ−パラフィン（炭素鎖数２０〜４０、凝固点５０〜８０℃）を採用した。その後、レーザ溶接などで金属ケース１３の穴を塞ぎ、多層配線基板２０ａの導電層２と金属ケース１３によって構成される蓄熱部２０ｂ内に蓄熱体１４を密封する。なお、蓄熱体１４の相変化によって体積が増加するので、あらかじめ封入する量を若干少なくしておくと、蓄熱部２０ｂの信頼性が向上する。
【００５２】
以上の工程を経ることによって、本実施形態による回路素子に接続された蓄熱部材を備える回路装置５０が形成される。
【００５３】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５４】
例えば、上記実施形態では、ＬＳＩチップが装着された回路装置に本発明を適用したが、本発明はこれに限らず、ＬＳＩチップ以外の回路素子が装着された回路装置や回路装置以外の半導体集積回路装置にも適用可能である。
【００５５】
さらに、上記実施形態では、１層目の導電層上に２層目の絶縁層および導電層が順次形成された２層構造の配線基板を備えた回路装置に本発明を適用する例を説明したが、本発明はこれに限らず、１層構造の配線基板を備えた回路装置にも適用可能である。また、２層目の導電層上に、さらに３層目の絶縁層および導電層が順次形成された配線基板を備えた回路装置にも適用可能である。また、４層以上の多層構造の配線基板を備えた回路装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施形態による回路装置を示した断面図である。
【図２】本発明の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施形態による回路装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
２  蓄熱部と接する導電層
３  絶縁層（フィラーが添加された絶縁層）
３ａ，３ｂ  ビアホール
４  導電層
４ａ  サーマルビア部
４ｂ，４ｃ，４ｄ  配線部
５  絶縁層（フィラーが添加された絶縁層）
５ａ，５ｃ，５ｄ  ビアホール
６  導電層
６ａ  サーマルビア部
６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｆ  配線部
７  ソルダーレジスト層
８ａ  ＬＳＩチップ（回路素子）
８ｂ  チップ抵抗（回路素子）
９  ワイヤ
１０  融着層
１１  封止樹脂層
１２  接着層
１３  金属ケース
１４  蓄熱体
２０ａ  配線基板
２０ｂ  蓄熱部
５０  回路装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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