(57)【要約】【課題】素子部周辺の突出量を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを得る。また、発熱体の電極引出線における局所的な温度上昇を防止可能な薄膜磁気ヘッドを得る。【解決手段】上下シールド層間に形成された再生素子と、上部シールド層上に積層された記録素子と、記録素子のコイル層よりも下層に形成され、通電時に発熱して再生素子を熱膨張により記録媒体側へ突出させる発熱体と、該発熱体に対する一対の電極引出線とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上記一対の電極引出線は、発熱体のハイト方向後端に接し、上部シールド層と積層方向で重なるオーバーラップ領域と、該オーバーラップ領域からハイト方向及びトラック幅方向に延出させた放熱領域とを有する。さらに、一対の電極引出配線の接続配線部を、上部シールド層及び記録素子の磁性層で積層方向に挟まれる領域に設ける。【選択図】図１
2007335062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部シールド層と上部シールド層の間に形成された再生素子と、上部シールド層の上に積層された記録素子と、この記録素子の一部であるコイル層よりも下層に形成され、通電時に発熱して前記再生素子及び前記記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させる発熱体と、該発熱体に対する一対の電極引出線とを備え、
前記一対の電極引出線は、
前記発熱体のハイト方向後端に接し、前記上部シールド層と積層方向で重なるオーバーラップ領域と、該オーバーラップ領域からハイト方向及びトラック幅方向に延出させた放熱領域とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記放熱領域の面積は、前記オーバーラップ領域の面積よりも大きい薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記オーバーラップ領域の面積は、前記発熱体の発熱領域の面積よりも大きく設けられている薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記発熱体及び前記一対の電極引出線は、前記コイル層の直下位置に形成される絶縁層内に埋設されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記一対の電極引出線は、前記発熱体と同一材料により、該発熱体と一体に形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
下部シールド層と上部シールド層の間に形成された再生素子と、上部シールド層の上に積層された記録素子と、この記録素子の一部であるコイル層よりも下層に形成され、通電時に発熱して前記再生素子及び前記記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させる発熱体と、該発熱体に対する一対の電極引出線とを備え、
前記一対の電極引出線は、前記発熱体の線幅より幅広の幅広配線部と、この幅広配線部と前記発熱体のハイト方向後端部の間を接続する接続配線部とを有し、この接続配線部が前記上部シールド層と前記記録素子の磁性層で積層方向に挟まれる領域に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項６記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記接続配線部は、前記幅広配線部から前記発熱体のハイト方向後端部に向かって線幅が狭くなる平面台形状に形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項６または７記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記発熱体及び前記一対の電極引出線は、前記コイル層の直下位置に形成される絶縁層内に埋設されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記一対の電極引出線は、前記発熱体と同一材料により、該発熱体と一体に形成されている薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱膨張により素子部を局所的に記録媒体側へ突出させ、浮上量を制御する薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドは、下部シールド層と上部シールド層の間に磁気抵抗効果を発揮する多層膜を有し、多層膜の抵抗変化に基づいて記録媒体から磁気情報を読み出す再生素子と、媒体対向面で磁気ギャップ層を介して対向する一対の磁気コア層を有し、磁気ギャップ層から漏れる記録磁界を記録媒体に与えて磁気情報を記録する記録素子との少なくとも一方を備えている。再生素子と記録素子の両方を備えるいわゆる複合型の薄膜磁気ヘッドでは、再生素子の上に記録素子が積層されている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドでは、ヘッド特性（再生特性、記録特性）を向上させるため、再生素子及び記録素子の少なくとも一方を含む素子部と記録媒体との対向間隔を小さく制御することが望ましい。そこで従来では、通電により発熱する発熱体を用いて、素子部を熱膨張により記録媒体側に数ｎｍ程度突出させるものが種々提案されている。発熱体は、薄膜磁気ヘッドを構成する各層の膜面に対して平行な平面パターンで形成され、いずれかの層間に配置される。具体的には、下部コア層の下層や上部コア層の上層に、または下部コア層と上部コア層の間に、あるいは表面保護層内になどに配置される。このような発熱体を備えた薄膜磁気ヘッドは、例えば特許文献１、２に記載されている。
【特許文献１】特開２００４−５５０６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１１４１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来構造では、素子部を記録媒体側へ突出させようとすると、素子部周辺も熱膨張してしまい、素子部で最も突出するように制御することが難しい。素子部よりも素子部周辺での突出量が大きくなった場合には、素子部周辺が素子部よりも先に記録媒体に接触し、記録再生特性が悪化するだけでなく、記録媒体を傷つけてしまう虞もある。素子部周辺での突出量を抑えるには素子部周辺の熱を外部へ逃がす放熱板を設けることが検討されているが、工程が煩雑であったり放熱板の形成層の制約があったりなど実現には至っていない。
【０００５】
また従来構造では、発熱体を通電する電極引出線の局所的な温度上昇が課題となっている。発熱体の電極引出線は通常、アルミナからなる絶縁層内に形成され、電気抵抗を低減するため大部分が発熱体の線幅より幅広をなし、この幅広配線部と発熱体のハイト方向後端部との間を接続する幅狭の接続配線部を有する。接続配線部では、幅広配線部に比べて電気抵抗が大きいことから、電極引出線に電流が流れることにより局所的に発熱が生じる。電極引出線の局所的な温度上昇は、マイグレーションによる断線を引き起こすおそれがあり、信頼性が悪化する。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、素子部周辺の突出量を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とする。また本発明は、発熱体の電極引出線における局所的な温度上昇を防止可能な薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、発熱体に対する一対の電極引出線の平面的な大きさを広げることで、該一対の電極引出線を、再生動作時は発熱体を通電するための配線パターンとして、記録動作時はコイルからの熱を外部に逃がす放熱板としてそれぞれ機能させ、これにより素子部周辺の突出量を抑制できることに着目して完成されたものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、下部シールド層と上部シールド層の間に形成された再生素子と、上部シールド層の上に積層された、一対の磁性層及び該一対の磁性層に記録磁界を与えるコイル層を有する記録素子と、コイル層より下層に形成された、通電により発熱して再生素子及び記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させる発熱体と、該発熱体に対する一対の電極引出線とを備え、一対の電極引出線は、発熱体のハイト方向後端に接し、上部シールド層と積層方向で重なるオーバーラップ領域と、該オーバーラップ領域からハイト方向及びトラック幅方向に延出させた放熱領域とを有することを特徴としている。
【０００９】
放熱領域の面積は、オーバーラップ領域の面積よりも大きいことが好ましい。また、オーバーラップ領域の面積は、シールド層からの熱を受けやすいように、発熱体の発熱領域の面積よりも大きいことが好ましい。
【００１０】
発熱体及び一対の電極引出線は、コイル層の直下位置に形成される絶縁層内に埋設して設けることができる。放熱領域の配設位置がコイル層に近いほど高い放熱効果が得られる。この一対の電極引出線は、発熱体と同一材料により、該発熱体と一体に形成することが実際的である。発熱体と一対の電極引出線を同時に、すなわち、同一工程で形成することにより、製造工程も容易となる。
【００１１】
また本発明は、金属材料からなる上部シールド層と記録素子の磁性層で積層方向に挟まれた領域では、素子周辺に形成される絶縁層（アルミナ）より上部シールド層及び磁性層の熱伝導率が高いことから、電極引出線の接続配線部からの発熱があっても該上部シールド層及び磁性層を介して拡散され、電極引出線の局所的な温度上昇を抑えられることに着目して完成されたものである。
【００１２】
すなわち、本発明は、下部シールド層と上部シールド層の間に形成された再生素子と、上部シールド層の上に積層された記録素子と、この記録素子の一部であるコイル層よりも下層に形成され、通電時に発熱して再生素子及び記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させる発熱体と、該発熱体に対する一対の電極引出線とを備え、一対の電極引出線は、発熱体の線幅より幅広の幅広配線部と、この幅広配線部と発熱体のハイト方向後端部の間を接続する接続配線部とを有し、この接続配線部が上部シールド層と記録素子の磁性層で積層方向に挟まれる領域に形成されていることを特徴としている。記録素子の磁性層は、長手記録方式であれば下部コア層または上部コア層であり、垂直記録方式であればリターンヨーク層である。
【００１３】
接続配線部は、幅広配線部から発熱体のハイト方向後端部に向かって線幅が狭くなる平面台形状に形成することができる。
【００１４】
発熱体及び一対の電極引出線は、コイル層の直下位置に形成される絶縁層内に埋設することができる。
【００１５】
一対の電極引出線は、発熱体と同一材料により、該発熱体と一体に形成することが実際的である。発熱体と一対の電極引出線を同時に、すなわち、同一工程で形成することにより、製造工程も容易となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、発熱体に対する一対の電極引出線が上部シールド層と積層方向で重なるオーバーラップ領域と該オーバーラップ領域よりもハイト方向及びトラック幅方向に延出する放熱領域とを有しているので、記録時には各電極引出線の放熱領域が放熱板として機能し、これによって素子部周辺の突出量が抑制される。
【００１７】
また本発明によれば、発熱体への通電時に電極引出線の接続配線部が発熱しても上部シールド層及び記録素子の磁性層を介して拡散されるので、電極引出線における局所的な温度上昇を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。各図においてＸ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層方向及び記録媒体の移動方向で定義される。
【００１９】
図１〜図３は、本発明の第１実施形態による薄膜磁気ヘッドを示している。図１は薄膜磁気ヘッドの構造を下層コイル１０７の上方から見て示す平面図であり、図２は図１のII−II線に沿う断面図であり、図３は図１のIII−IIIに沿う断面図である。
【００２０】
薄膜磁気ヘッドは、スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂに薄膜を積層してなる再生部Ｒと記録部Ｗを有する垂直磁気記録ヘッドである。再生部Ｒは磁気抵抗効果を利用して記録媒体Ｍからの磁気情報を読み出し、記録部Ｗは記録媒体Ｍに垂直磁界Φを与えることで記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させて記録動作する。
【００２１】
記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有している。この記録媒体Ｍは、例えばディスク状であり、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。スライダ１００はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１００の媒体対向面１００ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１００が記録媒体Ｍの表面から浮上する。
【００２２】
スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂには、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの非磁性絶縁材料による保護層１０１が形成され、この保護層１０１の上に、再生部Ｒが形成されている。再生部Ｒは、下部シールド層１０２と、上部シールド層１０５と、この下部シールド層１０２及び上部シールド層１０５の間を埋めるギャップ絶縁層１０４と、このギャップ絶縁層１０４内に位置する再生素子１０３とを有している。再生素子１０３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００２３】
上部シールド層１０５の上には記録部Ｗが積層されている。記録部Ｗは、上部シールド層１０５の上にコイル絶縁層１０６を介して形成された複数本の下層コイル１０７と、主磁極層（磁気コア層）１１０と、磁気ギャップ層１１３と、この磁気ギャップ層１１３の上にコイル絶縁層１１４を介して形成された複数本の上層コイル１１５と、リターンヨーク層（磁気コア層）１１８とを有している。
【００２４】
下層コイル１０７は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。下層コイル１０７の周囲には下層コイル絶縁層１０８が形成されている。
【００２５】
下層コイル絶縁層１０８内には、下層コイル１０７の下に位置させて、通電により発熱する発熱体１３０が埋設されている。発熱体１３０は、再生素子１０３のトラック幅方向の両側からハイト方向後方に向かって延びる逆Ω形状またはミヤンダ形状の発熱体パターンからなり、例えばＮｉＦｅ、ＣｕＮｉまたはＣｕＭｎによりスパッタ法を用いて形成される。この発熱体１３０は、下層コイル１０７と平行になるエッジ部１３１（図１、図３）を媒体対向面側に有し、エッジ部１３１が下層コイル１０７のピッチ間に位置するように配置されている。発熱体１３０は、ハイト方向後方に延出する一対の電極引出線１３２を介して通電される。発熱体１３０の通電により、再生素子１０３が熱膨張して記録媒体Ｍ側へ突出する。再生素子１０３の突出量は、発熱体１３０の発熱温度、すなわち、発熱体１３０に流す電流の大きさや時間により制御可能である。コイル絶縁層１０６は、上部シールド層１０５と発熱体１３０の間に介在する第１絶縁層１０６Ａと、この第１絶縁層１０６Ａ上に発熱体１３０を覆って形成された第２絶縁層１０６Ｂとにより構成されている。
【００２６】
下層コイル絶縁層１０８の上には、主磁極層１１０と、該主磁極層１１０に磁気的に接続された補助ヨーク層１０９が形成されている。補助ヨーク層１０９は、主磁極層１１０よりも磁束飽和密度の低い磁性材料で該主磁極層１１０の直下に形成されており、磁気的に主磁極層１１０の一部として機能する。この補助ヨーク層１０９と下層コイル絶縁層１０８の上面は平坦化されていて、この平坦面の上にメッキ下地層が形成され、さらにメッキ下地層の上に、主磁極層１１０が形成されている。主磁極層１１０は、記録媒体Ｍとの対向面Ｆ（以下、単に対向面Ｆという）から図示Ｙ方向に所定長さを有し、且つ、対向面Ｆに露出する先端面１１０ａの図示Ｘ方向の寸法が記録トラック幅Ｔｗに規定されている。この主磁極層１１０は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料で、メッキにより形成されている。
【００２７】
磁気ギャップ層１１３は、主磁極層１１０及びその周囲（主磁極層１１０の図示Ｘ方向の両側及び図示Ｙ方向の後方）を埋める絶縁材料層１１１の上に形成されている。磁気ギャップ層１１３上であって対向面Ｆから所定距離離れた位置には、無機または有機材料によってスロートハイト決め層１１７が形成されている。この対向面Ｆからスロートハイト決め層１１７の前端縁までの距離により、薄膜磁気ヘッドＨのスロートハイトが規定される。
【００２８】
上層コイル１１５は下層コイル１０７と同様に、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいは、これら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。上層コイル１１５の周囲には上層コイル絶縁層１１６が形成されている。
【００２９】
上記下層コイル１０７と上層コイル１１５とは、ソレノイド状になるように、それぞれの図示Ｘ方向における端部同士が電気的に接続されている。コイル層の形状は特にソレノイド形状に限定されるものではなく、主磁極層１１０とリターンヨーク層１１８の間で接続部１１８ｂの周囲に巻回されるスパイラル形状であってもよい。
【００３０】
リターンヨーク層１１８は、上層コイル絶縁層１１６の上から磁気ギャップ層１１３上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料により形成されている。このリターンヨーク層１１８は、対向面Ｆに露出する先端面１１８ａを有し、この対向面Ｆでギャップ間隔をあけて主磁極層１１０と対向している。リターンヨーク層１１８のハイト方向の後端部は、主磁極層１１０と接続する接続部１１８ｂである。リターンヨーク層１１８は表面保護層１２０で覆われている。
【００３１】
以上の全体構成を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、発熱体１３０に対する一対の電極引出線１３２は、発熱体１３０のハイト方向後端に接し、上部シールド層１０５と積層方向（図３の上下方向）で重なるオーバーラップ領域αと、このオーバーラップ領域αよりもハイト方向及びトラック方向に延出する放熱領域βとを有している。オーバーラップ領域αは、発熱体１３０の発熱領域よりも大面積で形成されている。放熱領域βは、薄膜磁気ヘッドの記録動作時に放熱板として機能する領域であり、その平面的な大きさはオーバーラップ領域αよりも大きくなっている。放熱領域βの面積は、大きいほど高い放熱効果が得られるので好ましいが、実際的にはオーバーラップ領域αの面積の１．１倍以上であるとよい。本実施形態の一対の電極引出線１３２は、発熱体１３０と同一材料により該発熱体１３０と一体に形成されているが、発熱体１３０とは別の導電材料、例えば発熱体１３０よりも熱伝導性に優れた導電材料で形成してもよい。
【００３２】
上記一対の電極引出線１３２は、発熱体１３０と外部回路接続用の電極パッド（不図示）とを電気的に接続するための配線パターンである。薄膜磁気ヘッドＨの再生動作時には、一対の電極引出線１３２を介して発熱体１３０を通電することにより、発熱体１３０が発熱する。発熱体１３０から発せられた熱は、発熱体１３０から対向面Ｆ側に向かって伝わり、再生素子１０３の周囲をトラック幅方向の両側及びハイト方向後端側から熱する。これにより、再生素子１０３の周囲が熱膨張し、再生素子１０３を局所的に記録媒体Ｍ側へ突出させる。このように再生素子１０３が局所的に記録媒体Ｍ側へ突出すれば、再生素子１０３と記録媒体Ｍとの対向間隔が短くなるので再生出力が向上し、再生性能が高まる。
【００３３】
一方、薄膜磁気ヘッドＨの記録動作時には、発熱体１３０は非通電とし、下層コイル１０７及び上層コイル１１５を通電して、該下層コイル１０７及び上層コイル１１５に誘導された垂直磁界Φを記録媒体Ｍに与える。下層コイル１０７及び上層コイル１１５は通電により発熱し、下層コイル１０７及び上層コイル１１５からの熱は下層コイル１０７の直下に位置する上部シールド層１０５に伝わるが、上部シールド層１０５の熱は発熱体１３０、一対の電極引出線１３２のオーバーラップ領域α、及び放熱領域βへと伝わり、放熱領域βから外方へ逃げる。上述したように放熱領域βは、上部シールド層１０５よりもハイト方向及びトラック幅方向に広がっているから上部シールド層１０５の熱を素子外方へ逃がしやすくなっており、その平面的な大きさが大きいほど放熱効果が高い。これにより、素子周辺部の熱膨張による突出量が抑制される。
【００３４】
上記発熱体１３０及び一対の電極引出線１３２は、以下の工程により、製造することができる。まず、上部シールド層１０５上の第１絶縁層１０６Ａの上に、ＮｉＦｅ、ＣｕＮｉまたはＣｕＭｎ等の導電材料からなる金属膜を全面的に形成する。金属膜は、例えばスパッタ法により形成することができる。次に、上記金属膜を、パターニングにより、所定の発熱体形状及び電極引出線形状とする。発熱体形状及び電極引出線形状は任意に設定可能であり、このとき、電極引出線のオーバーラップ領域及び放熱領域の平面的な形状（面積）も同時に設定される。電極引出線の放熱領域の面積はオーバーラップ領域の面積よりも大きく、オーバーラップ領域の面積は発熱体の発熱領域の面積よりも大きいことが好ましい。このパターニングにより、第１絶縁層１０６Ａの上に、発熱体１３０と一対の電極引出線１３２が得られる。パターニング後は、発熱体１３０及び一対の電極引出線１３２を含む第１絶縁層１０６Ａの上に第２絶縁層１０６Ｂを形成し、この第１絶縁層１０６Ａと第２絶縁層１０６Ｂからなるコイル絶縁層１０６内に、発熱体１３０及び一対の電極引出線１３２を埋設する。これにより、図１〜図３に示される発熱体１３０及び一対の電極引出線１３２が得られる。本実施形態のように発熱体１３０と一対の電極引出線１３２を一体に形成すれば製造工程が容易となるが、発熱体１３０と一対の電極引出線１３２は異なる導電材料により別々の工程で形成してもよいのはもちろんである。発熱体１３０と一対の電極引出線１３２を異なる導電材料により形成する場合、発熱体１３０を形成する導電材料よりも熱伝導性に優れた導電材料を用いて一対の電極引出線１３２を形成することが好ましい。
【００３５】
以上のように第１実施形態では、上部シールド層１０５と積層方向で重なるオーバーラップ領域αと該オーバーラップ領域よりもトラック幅方向及びハイト方向に広がる放熱領域βを有する一対の電極引出線１３２を設けたので、この一対の電極引出線１３２が、再生時は発熱体通電用の配線パターンとして、記録時は下層コイル１０７の熱を逃がす放熱板としてそれぞれ機能する。よって、再生時と記録時のいずれでも、素子周辺部の突出量は抑制され、素子部（再生部Ｒ）を記録媒体Ｍ側へ局所的に突出させることができる。これにより、再生性能及び記録性能は向上し、同時に、素子部（再生部Ｒ、記録部Ｗ）以外の部分が記録媒体Ｍに接触することがないので記録媒体Ｍを損傷させることがない。
【００３６】
図４〜図６は、本発明の第２実施形態による薄膜磁気ヘッドを示している。図４は薄膜磁気ヘッドの構造を下層コイル１０７の上方から見て示す平面図であり、図５は図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図であり、図６は図４のＶＩ−ＶＩに沿う断面図である。
【００３７】
薄膜磁気ヘッドは、スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂに薄膜を積層してなる再生部Ｒと記録部Ｗを有する垂直磁気記録ヘッドである。再生部Ｒは磁気抵抗効果を利用して記録媒体Ｍからの磁気情報を読み出し、記録部Ｗは記録媒体Ｍに垂直磁界Φを与えることで記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させて記録動作する。
【００３８】
記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有している。この記録媒体Ｍは、例えばディスク状であり、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。スライダ１００はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１００の媒体対向面１００ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１００が記録媒体Ｍの表面から浮上する。
【００３９】
スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂには、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの非磁性絶縁材料による保護層１０１が形成され、この保護層１０１の上に、再生部Ｒが形成されている。再生部Ｒは、下部シールド層１０２と、上部シールド層１０５と、この下部シールド層１０２及び上部シールド層１０５の間を埋めるギャップ絶縁層１０４と、このギャップ絶縁層１０４内に位置する再生素子１０３とを有している。再生素子１０３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００４０】
上部シールド層１０５の上には記録部Ｗが積層されている。記録部Ｗは、上部シールド層１０５の上にコイル絶縁層１０６を介して形成された複数本の下層コイル１０７と、磁性層である主磁極層１１０と、磁気ギャップ層１１３と、この磁気ギャップ層１１３の上にコイル絶縁層１１４を介して形成された複数本の上層コイル１１５と、磁性層であるリターンヨーク層１１８とを有している。
【００４１】
下層コイル１０７は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。下層コイル１０７の周囲には下層コイル絶縁層１０８が形成されている。
【００４２】
下層コイル絶縁層１０８内には、下層コイル１０７の下に位置させて、通電により発熱する発熱体１３０が埋設されている。発熱体１３０は、再生素子１０３のトラック幅方向の両側からハイト方向後方に向かって延びる逆Ω形状またはミヤンダ形状の発熱体パターンからなり、例えばＮｉＦｅ、ＣｕＮｉまたはＣｕＭｎによりスパッタ法を用いて形成される。この発熱体１３０は、下層コイル１０７と平行になるエッジ部１３１（図４、図６）を媒体対向面側に有し、エッジ部１３１が下層コイル１０７のピッチ間に位置するように配置されている。発熱体１３０は、ハイト方向後方に延出する一対の電極引出線２３２を介して通電される。発熱体１３０の通電により、再生素子１０３が熱膨張して記録媒体Ｍ側へ突出する。再生素子１０３の突出量は、発熱体１３０の発熱温度、すなわち、発熱体１３０に流す電流の大きさや時間により制御可能である。コイル絶縁層１０６は、上部シールド層１０５と発熱体１３０の間に介在する第１絶縁層１０６Ａと、この第１絶縁層１０６Ａ上に発熱体１３０を覆って形成された第２絶縁層１０６Ｂとにより構成されている。
【００４３】
下層コイル絶縁層１０８の上には、主磁極層１１０と、該主磁極層１１０に磁気的に接続された補助ヨーク層１０９が形成されている。補助ヨーク層１０９は、主磁極層１１０よりも磁束飽和密度の低い磁性材料で該主磁極層１１０の直下に形成されており、磁気的に主磁極層１１０の一部として機能する。この補助ヨーク層１０９と下層コイル絶縁層１０８の上面は平坦化されていて、この平坦面の上にメッキ下地層が形成され、さらにメッキ下地層の上に、主磁極層１１０が形成されている。主磁極層１１０は、記録媒体Ｍとの対向面Ｆ（以下、単に対向面Ｆという）から図示Ｙ方向に所定長さを有し、且つ、対向面Ｆに露出する先端面１１０ａの図示Ｘ方向の寸法が記録トラック幅Ｔｗに規定されている。この主磁極層１１０は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料で、メッキにより形成されている。
【００４４】
磁気ギャップ層１１３は、主磁極層１１０及びその周囲（主磁極層１１０の図示Ｘ方向の両側及び図示Ｙ方向の後方）を埋める絶縁材料層１１１の上に形成されている。磁気ギャップ層１１３上であって対向面Ｆから所定距離離れた位置には、無機または有機材料によってスロートハイト決め層１１７が形成されている。この対向面Ｆからスロートハイト決め層１１７の前端縁までの距離により、薄膜磁気ヘッドＨのスロートハイトが規定される。
【００４５】
上層コイル１１５は下層コイル１０７と同様に、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいは、これら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。上層コイル１１５の周囲には上層コイル絶縁層１１６が形成されている。
【００４６】
上記下層コイル１０７と上層コイル１１５とは、ソレノイド状になるように、それぞれの図示Ｘ方向における端部同士が電気的に接続されている。コイル層の形状は特にソレノイド形状に限定されるものではなく、主磁極層１１０とリターンヨーク層１１８の間で接続部１１８ｂの周囲に巻回されるスパイラル形状であってもよい。
【００４７】
リターンヨーク層１１８は、上層コイル絶縁層１１６の上から磁気ギャップ層１１３上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料により形成されている。このリターンヨーク層１１８は、対向面Ｆに露出する先端面１１８ａを有し、この対向面Ｆでギャップ間隔をあけて主磁極層１１０と対向している。リターンヨーク層１１８のハイト方向の後端部は、主磁極層１１０と接続する接続部１１８ｂである。リターンヨーク層１１８は表面保護層１２０で覆われている。
【００４８】
以上の全体構成を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、発熱体１３０に対する一対の電極引出線２３２は、発熱体１３０の線幅ｗ１より幅広の幅広配線部２３２ａと、この幅広配線部２３２ａと発熱体１３０のハイト方向後端部の間を接続する接続配線部２３２ｂとを有している。幅広配線部２３２ａは、一定の線幅ｗ２でハイト方向に細長く延びる直線パターンをなし、接続配線部２３２ｂに接続する側とは反対側の端部でヘッド表面の電極パッド（不図示）に電気的に接続されている。接続配線部２３２ｂは、幅広配線部２３２ａから発熱体１３０に向かって徐々に線幅ｗ３（ｗ１≦ｗ３≦ｗ２）が狭くなる平面台形パターンで、発熱体１３０のハイト方向後端部に接する一端部の線幅が該発熱体１３０の線幅ｗ１に一致し、幅広配線部２３２ａに接する他端部の線幅が該幅広配線部２３２ａの線幅ｗ２に一致している。
【００４９】
この接続配線部２３２ｂは、上部シールド層１０５とリターンヨーク層１１８で積層方向に挟まれる領域内に形成されている。このシールド領域内では、例えばＮｉＦｅ等の磁性材料からなる上部シールド層１０５およびリターンヨーク層１１８が素子内及び素子周辺に存在するＡｌ2Ｏ3（ギャップ絶縁層１０４、コイル絶縁層１０６、下層コイル絶縁層１０８、絶縁材料層１１１及び表面保護層１２０など）より熱伝導率が高いことから、該上部シールド層１０５及びリターンヨーク層１０８を介して熱拡散されやすく、局所的な温度上昇を防止できる。本実施形態では、上部シールド層１０５とリターンヨーク層１１８の平面形状を一致させて形成してある。よって、上記シールド領域は、上部シールド層１０５の形成領域及びリターンヨーク１１８の形成領域に等しい。
【００５０】
発熱体１３０の通電時には、発熱体１３０だけでなく、電極引出線２３２自体も該電極引出線２３２を流れる電流によって発熱する。電極引出線２３２では、線幅ｗ２、ｗ３の大小関係に対応して幅広配線部２３２ａより接続配線部２３２ｂで電気抵抗が大きく、特に、接続配線部２３２ｂからの発熱量が大きくなる。しかしながら、上述したように接続配線部２３２ｂはシールド領域内に形成されているから、接続配線部２３２ｂから発せられた熱は上部シールド層１０５及びリターンヨーク層１０８に伝わり、両層１０５、１０８を介してシールド領域全体に拡散され、接続配線部２３２ｂのみが局所的に高温となることはない。これにより、接続配線部２３２ｂでの温度上昇によるマイグレーション、延いてはマイグレーションによる断線を防止することができる。
【００５１】
本実施形態では、上述したように同一平面形状の上部シールド層１０５とリターンヨーク層１１８を備えているが、上部シールド層及びリターンヨーク層１１８の平面形状は任意に設定可能である。異なる平面形状の上部シールド層とリターンヨーク層を備える場合には、該上部シールド層の形成領域とリターンヨーク層の形成領域が積層方向に重なる部分が上記シールド領域となる。
【００５２】
上記一対の電極引出線２３２は、発熱体１３０と同一材料を用いて、発熱体１３０を形成する工程で同時に、すなわち、発熱体１３０と一体に形成することができる。発熱体１３０と一対の電極引出線２３２を同一工程で形成することにより、製造工程を簡易化することができる。一対の電極引出線２３２は、発熱体１３０とは別の電極材料、例えば発熱体１３０より電気抵抗の低い導電材料で形成してもよいのは勿論である。
【００５３】
以上では、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドＨに本発明を適用した実施形態について説明したが、本発明は長手記録方式の薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。また本発明は、ソレノイド状のコイル層を備える薄膜磁気ヘッドに限らず、一対の磁気コア層（主磁極層、リターンヨーク層）の間で該磁気コア層の接続部の周囲に巻回されたスパイラル形状のコイル層を備えた薄膜磁気ヘッドにも、同様にして適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜磁気ヘッドを積層方向上側から見て示す平面図であって、発熱体に対する一対の電極引出線を説明する図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態による薄膜磁気ヘッドを積層方向上側から見て示す平面図であって、発熱体に対する一対の電極引出線を説明する図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０３  再生素子
１０４  ギャップ絶縁層
１０５  上部シールド層
１０６  コイル絶縁層
１０７  下層コイル
１０８  下層コイル絶縁層
１１５  上層コイル
１３０  発熱体
１３２、２３２  電極引出線
２３２ａ  幅広配線部
２３２ｂ  狭配線部
α  オーバーラップ領域
β  放熱領域
Ｈ  薄膜磁気ヘッド
Ｍ  記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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