(57)【要約】      （修正有）【課題】集積回路の設計において、ＯＰＣ処理による補正誤差をより適確に認識して適切に設計が行えるようにする。【解決手段】レイアウトパターンデータ51により規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法であって、ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出するステップ53と、ＯＰＣ処理後パターンとレイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出するステップ54と、を備える。【選択図】図３
2007199256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法であって、
前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出するステップと、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出するステップと、を備えることを特徴とする集積回路の設計方法。
【請求項２】
レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法であって、
前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出するステップと、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出するステップと、
前記ＯＰＣ処理において定められた前記ＯＰＣ補正誤差の許容範囲の限界値を考慮して限界回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記限界回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記限界回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップと、
前記動作シミュレーションが良好でない場合に、良好でない部分について前記ＯＰＣ補正誤差を考慮して回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップと、を備えることを特徴とする集積回路の設計方法。
【請求項３】
レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法であって、
前記ＯＰＣ処理において定められた前記ＯＰＣ補正誤差の許容範囲の限界値を考慮して限界回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記限界回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記限界回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップと、
前記動作シミュレーションが良好でない場合に、良好でない部分について前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出するステップと、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出するステップと、
前記ＯＰＣ補正誤差を考慮して回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップと、を備えることを特徴とする集積回路の設計方法。
【請求項４】
レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計装置であって、
前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出する手段と、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出する手段と、を備えることを特徴とする集積回路の設計装置。
【請求項５】
コンピュータに、レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計を行わせるプログラムであって、
前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出し、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出させることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ(Optical Proximity effect Correction)処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法、設計装置及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路を設計・製造するには、所望の動作を実現する回路図を設計する機能設計を行い、回路図の回路要素の配置及び配線を設計するレイアウト設計を行い、レイアウト設計に基づいてレイアウトパターンを設計する。そしてレイアウトパターンに基づいて露光パターンを作成し、製造プロセスを行う。レイアウト設計後、露光パターンを生成するまでの設計手順を説明する。
【０００３】
まず、レイアウト設計に基づいてレイアウトパターンデータを生成する。次に、生成したレイアウトパターンデータで所望の動作が行われるかを検証するため動作シミュレーションが行われ、動作シミュレーションの結果が判定され、所望の動作が行われないという結果が出た場合には、元に戻って問題箇所についてレイアウトパターンデータの一部を修正するなどの処理を行い、動作シミュレーションを行う。問題がある場合には、このような動作を繰り返して所望の動作が行われてレイアウトパターンデータを設計する。所望の動作が行われる場合には、ＯＰＣ(Optical Proximity effect Correction)処理を行い、露光パターンを生成する。なお、動作シミュレーションだけでなく、他に各種の処理を行う場合もあるが、ここでは動作シミュレーションを例として説明する。
【０００４】
ＯＰＣ処理は、例えば特許文献１及び２などに記載されており、広く知られている。図１は、ＯＰＣ処理を説明する図である。例えば、図１の（Ａ）に示すように、破線１１で示すレイアウトパターンデータの通りの幅の単独ラインのパターンを露光してプロセス処理を行った場合、実際に得られるパターンは実線１２で示すように非常に細くなり、長さも短くなる。また、図１の（Ｂ）で破線１１で示すレイアウトパターンデータに隣接して配列された複数のラインで、さらに一方端に対向して別のラインが存在するパターンを露光すると、実際に得られるパターンは実線１２で示すように中央のラインは線幅が広くなり、隣接するラインの間隔は短くなる。また、別のラインが存在する側ではラインは長くなるが、別のラインが存在しない側ではラインは短くなる。また、ラインのコーナーの部分は鈍る。
【０００５】
そこで、図１の（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、破線１１で示すパターンに対しては実線１３で示すような露光パターンを作成し、実際に得られるパターンがレイアウトパターンデータが規定するパターンにできるだけ近づくようにしている。このようなパターンの補正を、線幅、線間距離、線長、コーナーの丸まり、端点からの距離、密度などについて行う必要がある。
【０００６】
ＯＰＣ処理としては、モデルベースＯＰＣ処理とルールベースＯＰＣ処理が広く使用され、それらを組み合わせたハイブリッドＯＰＣ処理も使用されている。一般的に、補正精度は、モデルベースＯＰＣ処理がもっとも良好で、ハイブリッドＯＰＣ処理、ルールベースＯＰＣ処理の順で補正精度が低下するが、ＯＰＣ処理に要する時間は、ルールベースＯＰＣ処理がもっとも短く、ハイブリッドＯＰＣ処理、モデルベースＯＰＣ処理の順で処理時間が増加する。
【０００７】
ＯＰＣ処理でのパターンエッジの位置変更は段階的に行われる。これは、マスク／レチクルにおけるパターンエッジの作成位置が段階的に変更できるためと、段階数を増加させるとＯＰＣ処理に要する時間が増加するためである。いずれにしろ、ＯＰＣ処理はパターンのすべての部分について補正を行う必要があり、非常に処理時間の長い処理である。ＯＰＣ処理については、特許文献１及び２などに記載されており、広く知られているので、ここではこれ以上の説明は省略する。
【０００８】
上記のように、ＯＰＣ処理でのパターンエッジの位置変更は段階的に行われる。図２は、ＯＰＣ処理でのパターンエッジの位置変更が段階的に行われることに起因する単一ラインの線幅における誤差の発生、言い換えれば、実際に得られる単一ラインパターンの、レイアウトパターンデータが規定するパターンからの線幅誤差の発生を説明する図である。
【０００９】
図２において、単一ラインパターンは、「ＯＰＣ処理前」の線幅に応じて、線幅が補正され、実際に得られるパターンは「ＯＰＣ処理後」で示すような線幅になる。実際には、露光時の誤差やプロセス誤差などがあり、得られるラインの線幅は、「ＯＰＣ処理後」で示す線幅からバラツクが、これは本発明には直接関係しないので割愛する。
【００１０】
ＯＰＣ処理は、段階的に行われるため、「ＯＰＣ処理後」の線幅は図示のように、ＯＰＣ処理の１段階の幅（ここでは１０ｎｍ）内にある。言い換えれば、ＯＰＣ処理後の線幅は、レイアウトパターンデータが規定するパターンの線幅に対して最大ＯＰＣ処理の１段階の半分（ここでは±５ｎｍ）の補正誤差を有することになる。
【００１１】
以前の動作シミュレーションは、レイアウトパターンデータが規定するパターンに対して行われていたが、ＯＰＣ処理で補正誤差が必然的に発生し、補正誤差を考慮しないため動作シミュレーションの精度が不十分であるという問題が生じていた。そこで、ＯＰＣ処理で発生する補正誤差の上限（図２では＋３ｎｍ）の幅になる場合と、下限（図２では−３ｎｍ）の幅になる場合について動作シミュレーションを行い、両方のシミュレーションで所望の動作が行われるレイアウトパターンデータを生成していた。なお、ここでは、線幅についてのみ説明したが、他の線間、線長などについても同様である。このように、従来は、ＯＰＣによる補正誤差の限界値を一律に適用して動作シミュレーションを行っていた。なお、この段階で動作シミュレーション以外の処理を行う場合にも、同様にＯＰＣによる補正誤差の限界値を一律に適用して処理を行っていた。
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−３２２９４５号公報
【特許文献２】特開２００３−３４４９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記のように、従来は、ＯＰＣによる補正誤差の限界値を一律に適用して動作シミュレーションなどの処理を行っていた。従来のように設計ルール、すなわち線幅が大きく、ＯＰＣ処理による補正誤差が、線幅に対して相対的に小さい場合には、大きな問題は生じなかった。しかし、近年のように微細化が進行し、線幅が非常に狭くなってくると、動作シミュレーションなどの処理におけるＯＰＣによる補正誤差の影響が無視できなくなってきた。例えば、線幅が６０ｎｍで、ＯＰＣによる補正誤差が１０ｎｍ（±５ｎｍ）の場合には、この補正誤差の分のみで±８％強となり、バラツキ問題が顕在化している現在、無視できない大きな誤差になってきた。
【００１４】
従来例では、動作シミュレーションで所望の動作が実現されない時にはレイアウトパターンデータを修正するか再設計している。しかし、この動作シミュレーションは、ＯＰＣによる補正誤差の限界値を一律に適用したものであり、実際にはＯＰＣ処理の補正誤差が小さく所望の動作が実現される場合もあり得る。例えば、図２において、Ｐで示すＯＰＣ処理後の線幅は、レイアウトパターンデータが規定する線幅に対して−４％の誤差であり、＋８％又は−８％の限界値で動作シミュレーションをした場合には所望の動作が実現されなくても、実際の−４％の補正誤差で動作シミュレーションをした場合、結果的にこの誤差はシミュレーション時のバラツキとして一律に適用され、過剰なバラツキ保証の一因となる。
【００１５】
本発明は、上記のような問題を解決するもので、集積回路の設計において、ＯＰＣ処理による補正誤差をより適確に認識して適切に設計が行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を実現するため、本発明は、集積回路の設計において、実際にＯＰＣ処理を行う前に、ＯＰＣ処理による補正誤差を算出して利用できるようにする。
【００１７】
すなわち、本発明の集積回路の設計方法は、レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法であって、前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出するステップと、前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出するステップと、を備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、実際にＯＰＣ処理を行う前に、ＯＰＣ処理による補正誤差を算出するので、ＯＰＣ処理による補正誤差の影響を適確に判断して設計が行えるようになる。
【００１９】
例えば、動作シミュレーションを行う場合には、回路素子補正誤差の算出や素子パラメータの抽出をＯＰＣ補正誤差を考慮して行い、それに基づいて動作シミュレーションが行えるので、より実際に近い条件でシミュレーションが行えるようになり、精度が向上する。さらに、これに伴って、動作シミュレーションの結果が不必要に悪化する事態が防止されるので、無駄なレイアウトパターンデータの修正が防止でき、設計のスループットが向上する。
【００２０】
また、算出したＯＰＣ処理による補正誤差の許容範囲を、次の工程で実際に行われるＯＰＣ処理の誤差範囲より小さくなるように設定し、算出したＯＰＣ処理による補正誤差がこの許容範囲内になるように、レイアウトパターンデータを修正すれば、実際のＯＰＣ処理で補正不能という事態を回避できる。
【００２１】
なお、ＯＰＣ処理による補正誤差の算出を行った上で、従来と同様にＯＰＣによる補正誤差の限界値を一律に適用して動作シミュレーションを行い、所望の動作が実現できない部分についてのみ、算出したＯＰＣ処理による補正誤差を適用して動作シミュレーションを行い、所望の動作が実現できるか確認するようにしてもよい。この場合、算出したＯＰＣ処理による補正誤差がＯＰＣによる補正誤差の限界値に近い場合には、算出したＯＰＣ処理による補正誤差を適用して再度動作シミュレーションを行っても所望の動作が実現できる可能性は低いので、算出したＯＰＣ処理による補正誤差がＯＰＣによる補正誤差の限界値との差が大きい場合のみ行うようにしてもよい。
【００２２】
さらに、従来と同様にＯＰＣによる補正誤差の限界値を一律に適用して動作シミュレーションを行い、所望の動作が実現できない部分についてのみ、ＯＰＣ処理による補正誤差の算出を行い、算出したＯＰＣ処理による補正誤差を適用して動作シミュレーションを行い、所望の動作が実現できるか確認するようにしてもよい。この場合も、算出したＯＰＣ処理による補正誤差がＯＰＣによる補正誤差の限界値との差が大きい場合のみ、算出したＯＰＣ処理による補正誤差を適用した動作シミュレーションを行うようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、集積回路の設計において、ＯＰＣ処理による補正誤差をより適確に認識して設計が行えるようになり、設計精度が向上するだけでなく、無駄なレイアウトパターンの再設計や動作シミュレーションが低減されるので、設計のスループットが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図３の（Ａ）は、本発明の第１実施例の設計装置（ツール）の構成を示す図である。設計ツールは、コンピュータシステムとそれにインストールされるプログラムで実現される。本発明の設計対象の集積回路は、レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路であり、現在の集積回路はほぼすべて対象となる。
【００２５】
図示のように、第１実施例の設計ツールは、記憶装置に記憶されたレイアウトパターンデータ５１及びＯＰＣ処理を行うための情報を記憶したＯＰＣ処理テーブル５２と、レイアウトパターンデータ５１に対してＯＰＣ処理テーブル５２の情報に基づいてＯＰＣ処理を行った後のパターンを算出するＯＰＣ処理後パターン算出手段５３と、ＯＰＣ処理後の各パターンをレイアウトパターンデータ５１と比較してＯＰＣ処理による補正誤差を算出する各パターン毎の比較手段５４と、ＯＰＣ補正誤差を考慮して回路素子補正誤差を算出する素子補正誤差算出手段５５と、回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出する素子パラメータ抽出手段５６と、回路素子補正誤差を含んだ素子パラメータのネットリストを出力するネットリスト出力手段５７と、有する。
【００２６】
図３の（Ｂ）は、ネットリストの例を示し、ここではＮチャンネルトランジスタのチャンネル長とチャンネル幅に加えて補正誤差が記載される。
【００２７】
第１実施例の設計ツールには、集積回路の動作シミュレーションを行う手段が設けられるが、これは従来のものと同じであり、ネットリストに含まれる素子パラメータに基づいて動作シミュレーションを行う。ただし、動作シミュレーションは、回路素子補正誤差を含んだ素子パラメータに基づいて行われる。
【００２８】
ＯＰＣ処理テーブルは、後で行うＯＰＣ処理と同じ結果が得られる情報を記憶していることが望ましく、ＯＰＣ処理で使用するテーブルと同じものが使用できる。しかし、動作シミュレーションなどに大きな影響を及ぼさない部分については簡易的でもよい。図４は、簡易的なＯＰＣ処理テーブルの例を示す図であり、線幅と隣接線間の距離に応じてＯＰＣ処理を行う量を示す。いずれにしろ、ＯＰＣ処理ではレイアウトパターンデータで規定されるすべてのパターンについて補正量を演算するのに対して、ＯＰＣ処理後パターン算出手段５３は動作シミュレーションに必要なパターンについてのみＯＰＣ処理を行えばよいので、処理量が少なくてよく、処理は短時間に行える。
【００２９】
図５は、第１実施例での設計手順を示すフローチャートである。ステップ２０１では、レイアウトパターンデータ５１により規定されるパターンに対してＯＰＣ処理テーブル５２に記載されたＯＰＣ補正情報に従ってＯＰＣ処理を行い、ＯＰＣ処理後パターンを算出する。
【００３０】
ステップ２０２では、ＯＰＣ処理後パターンとレイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出する。ステップ２０３では、比較結果、すなわち算出したＯＰＣ補正誤差を通知する。この通知されたＯＰＣ補正誤差を利用して各種の処理が行えるが、第１実施例では動作シミュレーションに利用する。
【００３１】
ステップ２０４では、ＯＰＣ補正誤差を考慮して回路素子補正誤差を算出する。ステップ２０５では、算出した回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出する。そして、ステップ２０６では、回路素子補正誤差を含んだ素子パラメータのネットリストを出力する。
【００３２】
この後、素子パラメータに基づいて集積回路の動作シミュレーションを行うが、ここでは素子パラメータに回路素子補正誤差が含まれており、ＯＰＣ補正誤差を考慮して集積回路の動作シミュレーションが行われることになる。
【００３３】
第１実施例では、ＯＰＣ補正誤差を動作シミュレーションに利用したが、他に使用することも可能であり、第２実施例では、算出したＯＰＣ補正誤差をレイアウトパターンデータにフィードバックしてＯＰＣ補正誤差が所定の目標値より小さくなるようにする。これにより、後でＯＰＣ処理を行った時に実際に発生するＯＰＣ補正誤差が小さくなると共に、動作シミュレーションなどもこのＯＰＣ補正誤差で行えばよく、適切なバラツキ保証が行えることになる。
【００３４】
図６は、本発明の第２実施例の設計手順を示すフローチャートである。第２実施例の設計装置の構成は、第１実施例と同じである。
【００３５】
ステップ３０１では、レイアウトパターンデータが作成され、通常物理設計と呼ばれる。ステップ３０２では、作成されたレイアウトパターンデータについてデザインルールに沿っているかのチェックが行われ、これを物理検証と呼んでいる。図示していないが、デザインルールに沿わない場合は、もちろんレイアウトパターンデータが修正される。
【００３６】
ステップ３０３では、図５のステップ２０１と２０２の処理を行ってＯＰＣ補正誤差が算出される。ステップ３０４では、ＯＰＣ補正誤差が目標値、例えば、ＯＰＣ処理での補正誤差の半分の値より小さいかを判定する。大きい場合には、ステップ３０５に進み、ＯＰＣ補正誤差が目標値より大きいエラー箇所を通知して、ステップ３０１に戻り、エラー箇所についてレイアウトパターンデータを修正する。この処理を、ＯＰＣ補正誤差が目標値より小さくなるまで繰り返す。
【００３７】
ＯＰＣ補正誤差が目標値より小さい時にはステップ３０６に進み、動作シミュレーションを行う。ステップ３０７では、動作シミュレーションの結果を判定し、問題があればステップ３０１に戻ってレイアウトパターンデータを修正し、問題がなければ次のＯＰＣ処理工程に進む。
【００３８】
前述のように、従来はＯＰＣによる補正誤差の限界値を一律に適用して動作シミュレーションを行っていた。動作シミュレーションで所望の動作が実現されない時にはレイアウトパターンデータを修正するか再設計しているが、ＯＰＣによる補正誤差の限界値を一律に適用した場合、本来変更する必要のないレイアウトパターンデータを修正する場合も起こり、余分な設計時間を要していた。第３実施例では、算出したＯＰＣ補正誤差を利用してこのような無駄を省く。
【００３９】
図７は、本発明の第３実施例の設計手順を示すフローチャートである。第３実施例の設計装置の構成は、第１実施例と同じである。
【００４０】
第２実施例で説明したように、ステップ４０１ではレイアウトパターンデータを生成し、ステップ４０２ではＯＰＣ補正誤差を算出する。ステップ４０３ではＯＰＣ補正誤差を記憶する。
【００４１】
ステップ４０４では、従来と同様に、ＯＰＣによる補正誤差の限界値を考慮して限界回路素子補正誤差を算出し、ステップ４０５では素子パラメータを抽出し、ステップ４０６では集積回路の動作シミュレーションを行い、ステップ４０６では動作シミュレーションの結果を判定し、問題がなければ次の工程のＯＰＣ処理に進む。以上のステップ４０４から４０７は従来例と同じである。
【００４２】
ステップ４０７で所望の動作シミュレーション結果が得られなかった場合には、ステップ４０８に進み、問題のある（ＮＧ）部分について、ステップ４０２で算出したＯＰＣ補正誤差を考慮した素子パラメータを抽出し、ステップ４０９ではその部分について動作シミュレーションを行う。ステップ４１０では、ステップ４０９の動作シミュレーションの結果を判定し、問題がなければ次の工程のＯＰＣ処理に進み、なお問題があればステップ４０１に戻り、レイアウトパターンデータの問題箇所を修正して問題がなくなるまで処理を繰り返す。
【００４３】
なお、ステップ４０８で、ＯＰＣ補正誤差を考慮した素子パラメータを抽出する場合、算出したＯＰＣ処理補正誤差がＯＰＣによる補正誤差の限界値に近い場合には、ステップ４０６の動作シミュレーションと同じような結果が得られると予測されるので、再度動作シミュレーションを行っても無駄になる。そこで、算出したＯＰＣ補正誤差とＯＰＣによる補正誤差の限界値との差が小さい場合には、ステップ４０８から４１０を行わずにステップ４０１に戻り、ＯＰＣ補正誤差とＯＰＣによる補正誤差の限界値との差さが大きい場合のみ、ステップ４０８から４１０を行うようにしてもよい。
【００４４】
図８は、本発明の第４実施例の設計手順を示すフローチャートである。第３実施例では、従来のＯＰＣによる補正誤差の限界値を考慮した動作シミュレーションを行う前にＯＰＣ補正誤差を算出したが、第４実施例では、ＯＰＣによる補正誤差の限界値を考慮した動作シミュレーションを行い、所望の動作が得られない部分についてのみＯＰＣ補正誤差を算出してその部分についてのみ再度動作シミュレーションを行う。他の部分は第３実施例と同じであるので、説明は省略する。
【００４５】
（付記１）
レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法であって、
前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出するステップと、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出するステップと、を備えることを特徴とする集積回路の設計方法。
（付記２）
前記ＯＰＣ補正誤差を考慮して回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータのネットリストを出力するステップと、をさらに備える付記１に記載の集積回路の設計方法。
（付記３）
前記ネットリストに含まれる前記回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップをさらに備える付記２に記載の集積回路の設計方法。
（付記４）
前記ＯＰＣ補正誤差を算出した後、前記ＯＰＣ補正誤差が所定値以下であるかを判定するステップをさらに備え、
前記ＯＰＣ補正誤差が前記所定値以上の時には、前記ＯＰＣ補正誤差が前記所定値以上である部分について前記レイアウトパターンデータを再設計して、前記ＯＰＣ補正誤差が前記所定値以下になるようにする付記１に記載の集積回路の設計方法。
（付記５）
レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法であって、
前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出するステップと、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出するステップと、
前記ＯＰＣ処理において定められた前記ＯＰＣ補正誤差の許容範囲の限界値を考慮して限界回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記限界回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記限界回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップと、
前記動作シミュレーションが良好でない場合に、良好でない部分について前記ＯＰＣ補正誤差を考慮して回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップと、を備えることを特徴とする集積回路の設計方法。
（付記６）
レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計方法であって、
前記ＯＰＣ処理において定められた前記ＯＰＣ補正誤差の許容範囲の限界値を考慮して限界回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記限界回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記限界回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップと、
前記動作シミュレーションが良好でない場合に、良好でない部分について前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出するステップと、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出するステップと、
前記ＯＰＣ補正誤差を考慮して回路素子補正誤差を算出するステップと、
前記回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出するステップと、
前記回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行うステップと、を備えることを特徴とする集積回路の設計方法。
（付記７）
レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計装置であって、
前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出する手段と、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出する手段と、を備えることを特徴とする集積回路の設計装置。
（付記８）
前記ＯＰＣ補正誤差を考慮して回路素子補正誤差を算出する手段と、
前記回路素子補正誤差に基づいて素子パラメータを抽出する手段と、
前記回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータのネットリストを出力する手段と、をさらに備える付記７に記載の集積回路の設計装置。
（付記９）
前記ネットリストに含まれる前記回路素子補正誤差を含んだ前記素子パラメータに基づいて、前記集積回路の動作シミュレーションを行う手段をさらに備える付記８に記載の集積回路の設計装置。
（付記１０）
コンピュータに、レイアウトパターンデータにより規定されるパターンに対してＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用して製造する集積回路の設計を行わせるプログラムであって、
前記ＯＰＣ処理を行って製作したマスク／レチクルを使用することにより得られるＯＰＣ処理後パターンを算出し、
前記ＯＰＣ処理後パターンと前記レイアウトパターンデータにより規定されるパターンとを比較してＯＰＣ補正誤差を算出させることを特徴とするプログラム。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、露光パターン製作時にＯＰＣ処理を行って製造する集積回路を設計する場合にはどのような場合にも適用可能であり、そのような集積回路を設計する方法、設計装置、コンピュータで設計装置を実現するためのプログラム、及びそのような方法、装置及びプログラムを利用して設計された集積回路に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１はＯＰＣ処理の例を示す図である。
【図２】図２はＯＰＣ処理による補正誤差の発生を説明する図である。
【図３】図３は本発明の第１実施例の集積回路の設計装置（ツール）の構成と、出力されるネットリストの例を示す図である。
【図４】図４は第１実施例で使用される簡易的なＯＰＣ処理テーブルの例を示す図である。
【図５】図５は第１実施例の設計手順を示すフローチャートである。
【図６】図６は第２実施例の設計手順を示すフローチャートである。
【図７】図７は第３実施例の設計手順を示すフローチャートである。
【図８】図８は第４実施例の設計手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４８】
５１    レイアウトパターンデータ
５２    ＯＰＣ処理テーブル
５３    ＯＰＣ処理後パターン算出手段
５４    各パターンごとの比較手段
５５    素子補正誤差算出手段
５６    素子パラメータ抽出手段
５７    ネットリスト生成手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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