(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザ結晶、波長変換結晶等の光学結晶の冷却を効果的に行える様にしたレーザ発信装置を提供する。【解決手段】レーザ結晶８、波長変換結晶９の光学結晶を有するレーザ発振装置において、少なくとも励起光１７の入射部分及び２次高調波２０が透過する開口部３２、３３、３４を残して、光学結晶の全面に金属系膜３５を形成し、形成した金属系膜３５の３５ａを介してレーザ結晶８と波長変換結晶９をハンダ付け接合する。また金属系膜３５及び３５ｂを介して共振器部３にレーザ結晶８及び波長変換結晶９をハンダ付けし、さらに共振器部３と放熱部材３６をハンダ３７で接合することで高い伝熱効率が得られる。【選択図】図１
2007081233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学結晶を有するレーザ発振装置に於いて、少なくとも励起光が入射する部分の開口部を残して光学結晶の全面に、金属系膜を形成したことを特徴とするレーザ発振装置。
【請求項２】
前記光学結晶は励起光を基本波に変換するレーザ結晶と、基本波を２次高調波に変換する波長変換結晶とを有し、前記金属系膜は両結晶それぞれに励起光、基本波、２次高調波が透過する部分を開口部として残置して形成され、前記レーザ結晶と前記波長変換結晶とは前記金属系膜を介在してハンダ付けされ、又は金属拡散により接合された請求項１のレーザ発振装置。
【請求項３】
前記レーザ結晶の入射面に第１誘電体反射膜、射出面に第３誘電体反射膜、前記波長変換結晶の入射端面に第４誘電体反射膜、射出面に第２誘電体反射膜がそれぞれ形成され、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜との間に前記金属系膜が介在し、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜とが光学的非接触状態とされる請求項２のレーザ発振装置。
【請求項４】
前記第１誘電体反射膜は励起光を高透過、基本波を高反射し、前記第２誘電体反射膜は基本波を高反射、２次高調波を高透過し、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜とのいずれか一方が前記２次高調波を高反射する様形成された請求項３のレーザ発振装置。
【請求項５】
前記光学結晶は金属系膜を介して放熱部材にハンダ付けされ、又は金属拡散により接合された請求項１のレーザ発振装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザを励起源としたレーザ発振装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
先ず、レーザ発振装置１の概略を説明する。
【０００３】
図７はレーザ発振装置１の一例である、１波長発振のＬＤ励起固体レーザを示している。
【０００４】
図７中、２は発光部、３は光共振部である。前記発光部２はＬＤ発光器４、集光レンズ５を具備し、更に前記光共振部３は第１誘電体反射膜７が形成された第１光学結晶（レーザ結晶８）、第２光学結晶（非線形光学結晶（ＮＬＯ）（波長変換結晶９））、第２誘電体反射膜１１が形成された凹面鏡１２を具備し、前記光共振部３に於いてレーザ光線をポンピングし、共振、増幅して出力している。尚、前記レーザ結晶８としては、Ｎｄ：ＹＶＯ4 、前記波長変換結晶９としてはＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4   リン酸チタニルカリウム）が挙げられる。
【０００５】
更に説明すると以下の通りである。
【０００６】
レーザ発振装置１は、例えば波長８０９ｎｍのレーザ光線を射出する為のものであり、半導体レーザである前記ＬＤ発光器４が使用されている。又、該ＬＤ発光器４が励起光を発生させるポンプ光発生装置としての機能を有する。尚、前記レーザ発振装置１は半導体レーザに限ることなく、レーザ光線を生じさせることができれば、何れの光源手段をも採用することができる。
【０００７】
前記レーザ結晶８は光の増幅を行う為のものである。該レーザ結晶８には、発振線が１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ4 が使用される。その他、Ｎｄ3+イオンをドープしたＹＡＧ（イットリウム  アルミニウム  ガーネット）等が採用され、ＹＡＧは、９４６ｎｍ、１０６４ｎｍ、１３１９ｎｍ等の発振線を有している。又、発振線が７００ｎｍ〜９００ｎｍのＴｉ（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）等を使用することができる。
【０００８】
前記レーザ結晶８の前記ＬＤ発光器４側には、前記第１誘電体反射膜７が形成されている。該第１誘電体反射膜７は、前記ＬＤ発光器４からのレーザ光線に対して高透過であり、且つ前記レーザ結晶８の発振波長に対して高反射であると共に、２次高調波（ＳＨＧ：ＳＥＣＯＮＤ  ＨＡＲＭＯＮＩＣ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ）に対しても高反射となっている。
【０００９】
前記凹面鏡１２は、前記レーザ結晶８に対向する様に構成されており、前記凹面鏡１２のレーザ結晶８側は、適宜の半径を有する凹面球面鏡の形状に加工されており、前記第２誘電体反射膜１１が形成されている。該第２誘電体反射膜１１は、前記レーザ結晶８の発振波長に対して高反射であり、２次高調波に対して高透過となっている。
【００１０】
以上の様に、前記レーザ結晶８の前記第１誘電体反射膜７と、前記凹面鏡１２の前記第２誘電体反射膜１１とを組合わせ、前記ＬＤ発光器４からのレーザ光線を前記集光レンズ５を介して前記レーザ結晶８にポンピングさせると、該レーザ結晶８の前記第１誘電体反射膜７と、前記第２誘電体反射膜１１との間で光が往復し、光を長時間閉込めることができるので、光を共振させて増幅させることができる。
【００１１】
前記レーザ結晶８の前記第１誘電体反射膜７と、前記凹面鏡１２とから構成された光共振器内に前記波長変換結晶９が挿入されている。該波長変換結晶９にレーザ光線の様に強力なコヒーレント光が入射すると、光周波数を２倍にする２次高調波が発生する。該２次高調波の発生は、ＳＥＣＯＮＤ  ＨＡＲＭＯＮＩＣ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮと呼ばれている。従って、前記レーザ発振装置１からは波長５３２ｎｍのレーザ光線が射出される。
【００１２】
前記したレーザ発振装置１は前記波長変換結晶９を、前記レーザ結晶８と前記凹面鏡１２とから構成された光共振器内に挿入しているので、内部型ＳＨＧと呼ばれており、変換出力は、励起光電力の２乗に比例するので、光共振器内の大きな光強度を直接利用できるという効果がある。
【００１３】
一般的に半導体レーザには大出力のレーザ光線を射出するものはなく、従って前記ＬＤ発光器４からのレーザ光線を励起光とするＬＤ励起固体レーザとしても大きな出力は得られないものであるが、近年の大出力化の要望に対応して、ＬＤ発光器４を複数の半導体レーザ１３で構成したものがある。
【００１４】
例えば、特許文献１に示されるレーザ発振装置では、図８に示される様に、前記ＬＤ発光器４が複数の半導体レーザ１３を具備し、該複数の半導体レーザ１３をアレイ状に配設し、各半導体レーザ１３から射出されたレーザ光線をロッドレンズ１４で対応する光ファイバ１５に集光させ、該光ファイバ１５を束ねてファイバケーブル１６とし高光強度の励起光１７として前記レーザ結晶８に入射させ、高出力化を図っている。
【００１５】
該レーザ結晶８に前記励起光１７を入射させると、前記レーザ結晶８に吸収されて該レーザ結晶８の端面で励起発振し、又吸収されなかった励起光１７のエネルギの一部が熱となる。この為、端面励起型のレーザ発振装置では前記レーザ結晶８の入射端面が最も温度が上昇する。又、放熱されなかった熱は、前記レーザ結晶８内に蓄熱され、該レーザ結晶８の温度を上昇させる。
【００１６】
該レーザ結晶８に入射させる励起光の光強度、即ち励起光のエネルギ密度が増大すると、前記レーザ結晶８の温度、特に入射端面温度が局部的に上昇し、而もレーザ結晶８自体熱伝導性は悪いので、光学的、機械的な歪みが生じ、レーザ発振しなくなる虞れがあり、又更に歪みが増大することで結晶の破壊に至る虞れが生じる。
【００１７】
励起光の光強度の増大に起因する前記レーザ結晶８、前記波長変換結晶９の温度上昇に対して、前記レーザ結晶８、前記波長変換結晶９を冷却することが行われており、特許文献１では図９で示される冷却構造を有している。尚、図９中、図７、図８中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【００１８】
前記発光部２、前記光共振部３はヒートシンクであるベース１９に固着され、前記発光部２、前記光共振部３は光軸１０（図７参照）上に配設され、前記発光部２と前記光共振部３との間には前記集光レンズ５を含むレンズユニット２１が配設されている。
【００１９】
前記ベース１９に光共振器ブロック２２が固着され、該光共振器ブロック２２は前記光軸１０上に前記レーザ結晶８を具備し、前記光共振器ブロック２２の反レンズユニット２１側には前記凹面鏡１２が設けられている。
【００２０】
前記光共振器ブロック２２には上方から凹部２３が形成され、該凹部２３内には波長変換結晶ホルダ２４に保持された前記波長変換結晶９が収納されている。前記波長変換結晶ホルダ２４は、球面座２５を介して前記光共振器ブロック２２に傾動可能に取付けられており、前記光軸１０と前記波長変換結晶ホルダ２４との光軸合せが可能となっている。又、前記光共振器ブロック２２には前記波長変換結晶９を冷却する為のペルチェ素子２６が設けられている。
【００２１】
前記レーザ結晶８の熱は、前記光共振器ブロック２２を介して前記ベース１９から放熱され、前記波長変換結晶９は前記ペルチェ素子２６によって冷却される構造となっている。
【００２２】
前記レーザ結晶８の冷却は、該レーザ結晶８から前記光共振器ブロック２２へ、更に該光共振器ブロック２２から前記ベース１９への熱伝導により行われる。前記レーザ結晶８自体は熱伝導性が悪く、機械強度も低いので、該レーザ結晶８と前記光共振器ブロック２２の熱伝達性を向上させる為にインジウム等の軟質の金属を介在して前記レーザ結晶８と前記光共振器ブロック２２との密着性を向上させることも考えられている。
【００２３】
ところが、前記レーザ結晶８で温度が最も高くなるのは前記励起光１７が入射する端面であり、該励起光１７は高エネルギで、エネルギ密度が高く、而も前記レーザ結晶８自体の熱伝導率が小さいことから、該レーザ結晶８の前記励起光１７の入射点での入熱量は熱伝導による熱移動量に比して大きくなる。この為、前記レーザ結晶８から前記光共振器ブロック２２への熱伝導による冷却では前記レーザ結晶８の端面の温度上昇を抑制することが難しく、入射点での温度が高温に上昇すると共に、入射点周辺との間で急激な温度勾配を生じてしまう。
【００２４】
従って、従来のレーザ結晶８から前記光共振器ブロック２２への熱伝導を介する冷却構造では前記レーザ結晶８、特に該レーザ結晶８の入射端面について充分な冷却を行うことが難しいという問題があった。
【００２５】
又、近年ではレーザ発振装置１の小型化、チップ化が促進されており、前記レーザ結晶８と波長変換結晶９とを接着剤により接着して一体化したのもが実現化されている。前記レーザ結晶８と前記波長変換結晶９とを一体化したものは、図１０に示され、前記レーザ結晶８の入射端面に前記第１誘電体反射膜７を形成すると共に前記波長変換結晶９の射出端面に前記第２誘電体反射膜１１を形成し、前記第１誘電体反射膜７と前記第２誘電体反射膜１１間で前記光共振部３を構成するものである。
【００２６】
前記レーザ結晶８と前記波長変換結晶９とを一体化した場合、前記レーザ結晶８の射出端面での放熱ができなくなり、又該レーザ結晶８の熱伝導率が小さいことから、前記波長変換結晶９を介する放熱量は少なく、前記レーザ結晶８への蓄熱作用が更に大きくなり、レーザ光線の大出力化の要請に反するものとなっていた。
【００２７】
又、前記光共振部３で発生した２次高調波の一部は、前記第１誘電体反射膜７によって反射され、前記光共振部３から射出される構成となっており、前記第１誘電体反射膜７で反射される過程で前記レーザ結晶８を通過する為、前記２次高調波の位相がずれ、前記光共振部３から射出される２次高調波２０は楕円偏光になる等の問題もあった。
【００２８】
【特許文献１】特開２００３−１２４５５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
本発明は斯かる実情に鑑み、レーザ結晶、波長変換結晶等の光学結晶の冷却を効果的に行える様にし、更に発生した２次高調波の偏光の位相がずれない様にしたものである。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明は、光学結晶を有するレーザ発振装置に於いて、少なくとも励起光が入射する部分の開口部を残して光学結晶の全面に、金属系膜を形成したレーザ発振装置に係り、又前記光学結晶は励起光を基本波に変換するレーザ結晶と、基本波を２次高調波に変換する波長変換結晶とを有し、前記金属系膜は両結晶それぞれに励起光、基本波、２次高調波が透過する部分を開口部として残置して形成され、前記レーザ結晶と前記波長変換結晶とは前記金属系膜を介在してハンダ付けされ、又は金属拡散により接合されたレーザ発振装置に係り、又前記レーザ結晶の入射面に第１誘電体反射膜、射出面に第３誘電体反射膜、前記波長変換結晶の入射端面に第４誘電体反射膜、射出面に第２誘電体反射膜がそれぞれ形成され、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜との間に前記金属系膜が介在し、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜とが光学的非接触状態とされるレーザ発振装置に係り、又前記第１誘電体反射膜は励起光を高透過、基本波を高反射し、前記第２誘電体反射膜は基本波を高反射、２次高調波を高透過し、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜とのいずれか一方が前記２次高調波を高反射する様形成されたレーザ発振装置に係り、更に又前記光学結晶は金属系膜を介して放熱部材にハンダ付けされ、又は金属拡散により接合されたレーザ発振装置に係るものである。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、光学結晶を有するレーザ発振装置に於いて、少なくとも励起光が入射する部分の開口部を残して光学結晶の全面に、金属系膜を形成したので、前記光学結晶で発熱し、該光学結晶で発熱された熱は前記金属系膜を介して効率よく周囲に拡散して前記光学結晶の温度上昇が抑制される。
【００３２】
又本発明によれば、前記光学結晶は励起光を基本波に変換するレーザ結晶と、基本波を２次高調波に変換する波長変換結晶とを有し、前記金属系膜は両結晶それぞれに励起光、基本波、２次高調波が透過する部分を開口部として残置して形成され、前記レーザ結晶と前記波長変換結晶とは前記金属系膜を介在してハンダ付けされ、又は金属拡散により接合されたので、前記レーザ結晶と前記波長変換結晶間で熱移動が容易になり、前記レーザ結晶と前記波長変換結晶全面から前記金属系膜を介して放熱されるので、放熱効果が大きく熱は効率よく周囲に拡散して前記光学結晶の温度上昇が抑制される。
【００３３】
又本発明によれば、前記レーザ結晶の入射面に第１誘電体反射膜、射出面に第３誘電体反射膜、前記波長変換結晶の入射端面に第４誘電体反射膜、射出面に第２誘電体反射膜がそれぞれ形成され、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜との間に前記金属系膜が介在し、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜とが光学的非接触状態とされるので、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜の生成が容易となる。
【００３４】
又本発明によれば、前記第１誘電体反射膜は励起光を高透過、基本波を高反射し、前記第２誘電体反射膜は基本波を高反射、２次高調波を高透過し、前記第３誘電体反射膜と前記第４誘電体反射膜とのいずれか一方が前記２次高調波を高反射する様形成されたので、２次高調波は前記レーザ結晶を通過しないので、偏光の位相がずれることがなくなる。
【００３５】
又本発明によれば、前記光学結晶は金属系膜を介して放熱部材にハンダ付けされ、又は金属拡散により接合されたので、該金属系膜に拡散した熱は前記放熱部材に熱伝導し、又前記光学結晶と前記放熱部材間の熱抵抗は小さいので、該放熱部材から効果的に放熱されるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００３７】
図１により本発明の第１の実施の形態の概略を説明する。図１中、発光部を省略して示し、図７中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【００３８】
Ｎｄ：ＹＶＯ4 等のレーザ結晶８の入射端面には励起光１７に対して高透過であり、前記レーザ結晶８の発振波（基本波１８）（図２参照）に対して高反射の第１誘電体反射膜７が形成され、又前記レーザ結晶８の他端面には前記基本波１８に対して高透過で、２次高調波２０に対して高反射の第３誘電体反射膜２９が形成される。
【００３９】
ＫＴＰ等の波長変換結晶９の入射端面には、前記基本波１８（図２参照）、前記２次高調波２０に対して高透過の第４誘電体反射膜３１が形成され、前記波長変換結晶９の射出端面には前記基本波１８に対して高反射、前記２次高調波２０に対して高透過の第２誘電体反射膜１１を形成する。
【００４０】
図２は基本波１８と２次高調波２０と前記第１誘電体反射膜７、前記第３誘電体反射膜２９、前記第４誘電体反射膜３１、前記第２誘電体反射膜１１との関係を示している。
【００４１】
前記レーザ結晶８、前記波長変換結晶９の前記励起光１７、前記基本波１８、前記２次高調波２０が透過する開口部３２，３３，３４を除き、全面に金属系膜３５が形成され、材質としては例えば金属のＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎが選択され、膜の材質としては、熱伝導性の高いものが好ましい。
【００４２】
又、膜生成の方法としては電鋳、蒸着等、前記第１誘電体反射膜７と前記金属系膜３５との間に物理的な隙間が生じない方法が採用される。
【００４３】
前記レーザ結晶８と前記波長変換結晶９とは前記レーザ結晶８と前記波長変換結晶９間に形成される金属系膜３５ａを介してハンダ付け、或は金属拡散によって接合される。
【００４４】
尚、前記レーザ結晶８と前記波長変換結晶９間に形成される前記金属系膜３５ａは前記第３誘電体反射膜２９と前記第４誘電体反射膜３１とを光学的に非接触とするスペーサとして機能し、前記第３誘電体反射膜２９、前記第４誘電体反射膜３１の反射率、透過率は境界面を空気として設定できるので、製作が容易となる。
【００４５】
又、光共振部３はヒートシンク等の放熱部材３６にハンダ付けにより接合される。前記金属系膜３５は、前記光共振部３を前記放熱部材３６にハンダ付けする場合の下地膜としても機能する。尚、前記光共振部３と前記放熱部材３６との接合は、前記金属系膜３５と前記放熱部材３６間の金属拡散であってもよく、或は前記金属系膜３５と前記放熱部材３６との間に他の金属膜を介在させた金属拡散であってもよい。尚、図１中、３７はハンダ層を示している。
【００４６】
前記光共振部３と前記放熱部材３６とは、ハンダ付け或は金属拡散による接合となるので、物理的に高度の密着性が得られ、前記光共振部３と前記放熱部材３６間は金属間同士の高い熱伝達率が得られる。
【００４７】
図１は、本発明に於ける熱の移動を示しており、前記レーザ結晶８、前記波長変換結晶９で発熱された熱は、それぞれ前記金属系膜３５に移動し、更に該金属系膜３５表面から周囲に放熱される。該金属系膜３５は金属膜であり、熱伝達率が大きので前記レーザ結晶８、前記波長変換結晶９からの熱移動の抵抗は少なく、放熱効率も高い。尚、前記金属系膜３５の材質を金とすると、熱移動、放熱効果は一層高くなる。
【００４８】
又、前記レーザ結晶８に蓄積された熱は、該レーザ結晶８の入射面から前記金属系膜３５に移動し、前記レーザ結晶８の端面から或は側面から放熱される。又、該レーザ結晶８の射出面からの熱は、前記金属系膜３５ａに移動し、前記光共振部３の側面から放熱され、又前記金属系膜３５ａから前記波長変換結晶９に移動し、該波長変換結晶９を介して放熱される。
【００４９】
上記した様に、前記レーザ結晶８、前記波長変換結晶９で発熱された熱は効率よく、拡散放熱され、温度の上昇が抑制される。特に、前記第１誘電体反射膜７の入射端面では、前記励起光１７の入射部での発熱が金属系膜３５ｂによって効率よく、周辺に拡散されるので、局部的な温度差が生じるのを防止する。
【００５０】
尚、前記放熱部材３６を前記光共振部３の構成の一部として、該光共振部３と前記放熱部材３６とを一体化してもよい。この場合、前記放熱部材３６にヒートシンク、或はペルチェ素子等を取付け、該放熱部材３６を介して前記光共振部３を冷却する様にしてもよい。
【００５１】
尚、上記説明は、２次高調波を出力する光共振部３について説明したが、基本波を出力する構成の光共振部３、或は３次高調波を出力する構成の光共振部３についても、同様に実施可能である。
【００５２】
又、上記実施の形態では、前記第３誘電体反射膜２９により前記２次高調波２０を高反射する様にしたが、前記第４誘電体反射膜３１を前記第３誘電体反射膜２９と同様の反射膜に変更し、前記波長変換結晶９の入射面で前記２次高調波２０を高反射してもよい。
【００５３】
更に、前記レーザ結晶８の射出端面、前記波長変換結晶９の入射端面に前記金属系膜３５ａを形成しないで、前記レーザ結晶８と前記波長変換結晶９とを接着してもよい。この場合、前記第３誘電体反射膜２９、前記第４誘電体反射膜３１の透過率、反射率はそれぞれ接着剤、光学部材に対して設定される。
【００５４】
図３〜図６を参照して、上記レーザ発振装置１が用いられたレーザ装置について説明する。
【００５５】
発光部２は、発光素子として複数のレーザダイオード３９が直線的に並設されて構成され、該レーザダイオード３９から発せられた複数の励起光１７はファイバレンズ４２を通して光束断面が整形され、光共振部３に向って平行に射出される。
【００５６】
該光共振部３はレーザ結晶８、波長変換結晶９を一体的に構成したものであり、複数の前記励起光１７を横切る様な棒形状を有している。図５に示される様に、前記光共振部３に複数の前記励起光１７が平行に入射すると、前記波長変換結晶９からはそれぞれの励起光１７に対応した複数の２次高調波２０が射出される。
【００５７】
該２次高調波２０の光路上には短冊状のハーフミラー４３が配設され、該ハーフミラー４３によって複数の前記２次高調波２０の一部がそれぞれモニタ光２０′として反射され、該モニタ光２０′は前記複数の２次高調波２０の間隔と同ピッチで配設された受光センサ４４に個々に受光される。図３中、４５は前記２次高調波２０以外の波長をカットするフィルタである。
【００５８】
個々の前記受光センサ４４によって前記複数の２次高調波２０の光強度が個々に検出され、検出結果は発光制御部４６に送出される。該発光制御部４６によって前記複数の２次高調波２０の光強度が一定になる様に、或は該複数の２次高調波２０の総光強度が所定値となる様に前記レーザダイオード３９の発光が制御される。
【００５９】
又、前記光共振部３は放熱部材３６を介し、ペルチェ素子等の冷却手段４７により冷却され、又前記放熱部材３６の温度（光共振部３の温度）は温度センサ４８によって検出され、該温度センサ４８により検出された検出温度は前記発光制御部４６に送出され、前記光共振部３が所定の温度となる様に前記冷却手段４７が駆動される。
【００６０】
尚図示していないが、前記光共振部３から射出された前記複数の２次高調波２０は光ファイバを介して束ねられ、所定光強度を有する１本のレーザ光線として出力される。本レーザ装置では前記複数の励起光１７を１つの光共振部３に同時に入射して前記励起光１７と同数の２次高調波２０を射出するので、小型で、而も簡単な構成で、高出力の２次高調波２０が得られる。
【００６１】
又、前記光共振部３は、前記複数の励起光１７から前記複数の２次高調波２０に変換して射出するので、発熱量も大きくなるが、前記放熱部材３６により前記レーザ結晶８、前記波長変換結晶９に蓄熱された熱が効率よく拡散され、温度の上昇が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態の要部を示す概略図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に於ける波長変換の様子を示す説明図である。
【図３】本発明に係るレーザ発振装置が用いられたレーザ装置の概略平面図である。
【図４】同前概略側面図である。
【図５】該レーザ装置に於ける光共振部の斜視図である。
【図６】該光共振部から射出される複数のレーザ光線をモニタリングする場合の説明図である。
【図７】レーザ発振装置の概略図である。
【図８】レーザ発振装置の発光部が複数の半導体レーザを有する場合の概略図である。
【図９】従来のレーザ発振装置を示す断面図である。
【図１０】レーザ発振装置のレーザ結晶と波長変換結晶とを一体化した場合を示す概略図である。
【符号の説明】
【００６３】
１              レーザ発振装置
２              発光部
３              光共振部
４              ＬＤ発光器
５              集光レンズ
８              レーザ結晶
９              波長変換結晶
１１            第２誘電体反射膜
１７            励起光
１８            基本波
２０            ２次高調波
２９            第３誘電体反射膜
３１            第４誘電体反射膜
３５            金属系膜
３７            ハンダ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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