(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウエハ上に形成された各被試験集積回路チップのバーンイン試験を半導体ウエハ状態で一括して実施することができる試験方法の提供。【解決手段】ウエハ状態でバーンイン試験対象である半導体ウエハ１に対応して、表面にバーンイン試験のための電圧を発生する起電デバイス１０が設けたシールド２を貼り付ける。該起電デバイス１０は、該半導体ウエハ１の外部に設けた電波発生部７０からの電波を受信して該バーンイン試験のための電力を発生する。該起電デバイス１０の第２ＧＮＤ端子１５および第２電源端子１６を、該ウエハ１において対応するそれぞれ第１ＧＮＤ端子および第１電源端子と接続用スルーホール９を介して接続する。該起電デバイス１０はアンテナを備えており、該ウエハ１の外部からの電波を受信して交流電力を生成する。該ウエハ１の内部に形成した整流回路は該交流電力を直流電力に変換して該バーンイン試験のための電力とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーンイン試験対象である複数の被試験集積回路チップが搭載されてなる半導体ウエハにおいて、
前記複数の被試験集積回路チップのそれぞれに対応して設けられた、バーンイン試験のための起電力を発生する複数の起電部を含み、
該起電部は、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく与えられるエネルギーを受けて前記起電力を発生することを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２】
前記起電部が、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく電波を受信して前記起電力を発生するアンテナを備えてなることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ。
【請求項３】
前記起電部が、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく光照射を受けて前記起電力を発生する太陽電池を備えてなることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ。
【請求項４】
前記半導体ウエハに接触することなく与えられるエネルギーを受けて各被試験集積回路チップ自体が誤動作してしまうことを防止する機能を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ。
【請求項５】
前記被試験集積回路チップが、電波吸収材にてシールドされていることを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハ。
【請求項６】
前記被試験集積回路チップが、光を透過しない材料にてシールドされていることを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体ウエハに、非接触の状態で外部からエネルギーを付与し、該半導体ウエハに搭載された各被試験集積回路チップに対応して設けられた起電部に起電力を発生させてバーンイン試験を行うことを特徴とするバーンイン試験方法。
【請求項８】
請求項２記載の半導体ウエハに、非接触の状態で外部から電波を付与し、該半導体ウエハに搭載された各被試験集積回路チップに対応して設けられた各アンテナに起電力を発生させてバーンイン試験を行うことを特徴とするバーンイン試験方法。
【請求項９】
請求項３記載の半導体ウエハに、非接触の状態で外部から光を照射し、該半導体ウエハに搭載された各被試験集積回路チップに対応して設けられた各太陽電池に起電力を発生させてバーンイン試験を行うことを特徴とするバーンイン試験方法。
【請求項１０】
前記バーンイン試験の実施後、前記起電部によるバーンイン試験のための電力供給を停止するための処理を施す電力供給停止処理工程を含むことを特徴とする請求項６記載のバーイン試験方法。
【請求項１１】
前記電力供給停止処理工程は、前記起電部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１０記載のバーンイン試験方法。
【請求項１２】
前記電力供給停止処理工程は、前記起電部の起電力発生機能を停止させる工程を含むことを特徴とする請求項１０記載のバーンイン試験方法。
【請求項１３】
バーンイン試験対象である複数の被試験集積回路チップが搭載されてなる半導体ウエハの製造方法において、
前記複数の被試験集積回路チップのそれぞれに対応して、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく与えられるエネルギーを受けて、バーンイン試験のための起電力を発生する複数の起電部を形成する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の被試験集積回路チップが搭載された半導体ウエハ、その製造方法およびウエハ状態での被試験集積回路チップのバーンイン試験方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の検査工程では、半導体ウエハ状態の集積回路チップに対し、最終的にスクリーニングにかけ初期信頼性不良を抽出するバーンイン試験が行なわれる。このバーンイン試験は、ウエハ状態の集積回路チップに対して温度と電圧によるストレスを意図的に与え、初期故障を除くためのものであり、従来、同一ウエハ上に形成された多数の集積回路チップ毎にプローブピンを立てて電力を供給して試験をする方法、あるいは各集積回路チップ毎にスクライビングを施した後にパッケージングを施して、その後にリードピンから電力を供給してスクリーニング試験をする方法が採用されていた。
【０００３】
しかしながら、このように集積回路チップ毎に行う方法は、手数が複雑であり、しかも試験工数を多く取るため、ウエハ状態の複数の集積回路チップに同時にバーンインするようにしたものが、多々開示されている。
【０００４】
例えば、特許文献１に、プローブシートを使用してウエハ全面のバンプにコンタクトし、ウエハバーンインを行う方法が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２に、ウエハ上のチップとチップの間の領域に配線を行い、すべてのチップを接続しウエハバーンインを行う方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献３に、ウエハの保護膜上に配線を行い、ウエハバーンイン後保護膜上の配線を除去する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平８−５６６６公報（公開日：１９９３年１１月５日）
【特許文献２】特開平３−３４５５５公報（公開日：１９９３年１１月５日）
【特許文献３】特開平８−３１８８９公報（公開日：１９９６年２月２日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ウエハバーンインを行う為には、プローブカードや、配線を使用して、ウエハの各チップに、ウエハ外部の電源から電圧を与える必要がある。例えば、上記特許文献１の構成では、ウエハ上のチップが多く、コンタクトする端子が多くなると、プローブカードの接触端子が多くなり高価になるか、対応できなくなる。
【０００８】
また、特許文献２および３の方法では、チップ間の配線や、保護膜上の配線を行う場合、チップ数が多くなると電源電圧を与える場所から遠いチップでは電圧降下が発生し、正常動作ができない場合が発生するといった問題がある。
【０００９】
さらに、プローブカードや配線を介して、ウエハ外部の電源よりウエハ上の各チップへ電圧を与えるためにはウエハを保持しておく必要があるが、ウエハは薄く割れやすいため、強固な保冶工具が必要となる。
【００１０】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウエハ上に形成された各被試験集積回路チップのバーンイン試験を半導体ウエハ状態で一括して、正確かつ簡易に実施することができるバーンイン方法、半導体ウエハおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の半導体ウエハは、バーンイン試験対象である複数の被試験集積回路チップが搭載されてなる半導体ウエハにおいて、上記の課題を解決するために、
前記複数の被試験集積回路チップのそれぞれに対応して設けられた、バーンイン試験のための起電力を発生する複数の起電部を含み、
該起電部は、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく与えられるエネルギーを受けて前記起電力を発生することを特徴としている。
【００１２】
上記の構成によれば、各被試験集積回路チップに対応して、前記バーンイン試験のための起電力を発生する起電部が設けられており、該起電部が、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく印加されるエネルギーをうけてバーイン試験のための起電力を発生している。このため、半導体ウエハをバーンインする際に、ウエハ外部の電源より電圧を与える必要がない。
【００１３】
このため、従来のように、半導体ウエハに搭載された被試験集積回路チップの数に応じて、接触端子が増え、コストが高くなるといった問題を解消することができる。また、各被試験集積回路チップが前記バーンイン試験のための電圧を発生する上記起電部を備えているため、電源から遠い位置に搭載される各被試験集積回路チップが、電圧降下のために正常に動作できなくなるといった問題も生じない。さらに、プローブカード等ウエハと外部を接続する冶工具を必要としない。
【００１４】
また、プローブカードや配線を介して、ウエハ外部の電源よりウエハ上の各チップへ電圧を与える必要が無いため、ウエハを保持する冶工具も必要としない。
【００１５】
この結果、半導体ウエハ上に形成された各集積回路チップのバーンイン試験を半導体ウエハ状態で一括して、正確かつ簡易に実施することができる半導体ウエハを提供することができる。
【００１６】
上記構成において、前記半導体ウエハに接触することなく与えられるエネルギーを受けて各被試験集積回路チップ自体が誤動作してしまうことを防止する機能を備えた構成とすることが望ましい。この機能は、例えば、各被試験集積回路チップをシールドで覆うことにより実現できる。
【００１７】
上記の構成において、前記各起電部が、例えば、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく電波を受信して前記起電力を発生するアンテナを備えた構成とすることができる。
【００１８】
この場合、前記被試験集積回路チップが、電波を吸収する材料にてシールドされていることが望ましい。
【００１９】
例えば、電波を用いて起電力を発生させる場合、強い電波を照射する必要があるため、下層の半導体チップ自体も、電波により誤動作する可能性がある。そこで、前記被試験集積回路チップを電波を通さないシールドで覆うことにより、前記被試験集積回路チップの誤動作の問題を回避することができる。
【００２０】
また、前記各起電部が、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく光照射を受けて前記起電力を発生する太陽電池を備えた構成としてもよい。
【００２１】
この場合、前記被試験集積回路チップが、光を透過しない材料にてシールドされていることが望ましい。
【００２２】
例えば、光起電の太陽電池を用いて起電力を発生させる場合、強い光を照射する必要があるため、下層の半導体チップ自体も、上記光照射により起電し、誤動作する可能性がある。そこで、前記被試験集積回路チップを光を通さないシールドで覆うことにより、前記被試験集積回路チップの誤動作の問題を回避することができる。
【００２３】
本発明のバーンイン試験方法は、上記の半導体ウエハに対するバーンイン試験方法であって、上記の課題を解決するために、非接触の状態で外部からエネルギーを付与し、該半導体ウエハに搭載された各被試験集積回路チップに対応して設けられた起電部に起電力を発生させてバーンイン試験を行うことを特徴としている。
【００２４】
上記の構成によれば、半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく印加されるエネルギーをうけてバーイン試験のための起電力を発生している。このため、半導体ウエハをバーンインする際に、ウエハ外部の電源より電圧を与える必要がない。
【００２５】
このため、従来のように、半導体ウエハに搭載された被試験集積回路チップの数に応じて、接触端子が増え、コストが高くなるといった問題を解消することができる。また、各被試験集積回路チップが前記バーンイン試験のための電圧を発生する上記起電部を備えているため、電源から遠い位置に搭載される各被試験集積回路チップが、電圧降下のために正常に動作できなくなるといった問題も生じない。さらに、プローブカード等ウエハと外部を接続する冶工具を必要としない。
【００２６】
また、ウエハ外部の電源より電圧を与える必要がないため、ウエハを保持する冶工具も必要としない。
【００２７】
この結果、半導体ウエハ上に形成された各集積回路チップのバーンイン試験を半導体ウエハ状態で一括して、正確かつ簡易に実施することができる半導体ウエハのバーンイン試験方法を提供することができる。
【００２８】
本発明のバーンイン試験方法は、各被試験集積回路チップに対応して設けられた前記起電部が、前記半導体ウエハの外部から、非接触状態で電波を受信して前記起電力を発生するアンテナを備えた構成の半導体ウエハに対しては、非接触の状態で外部から電波を付与し、各アンテナに起電力を発生させてバーンイン試験を行うことができる。
【００２９】
また、本発明のバーンイン試験方法は、各被試験集積回路チップに対応して設けられた前記起電部が、前記半導体ウエハの外部から、非接触状態で光照射を受け起電力を発生する太陽電池を備えた構成の半導体ウエハに対しては、非接触の状態で外部から光を照射し、各太陽電池に起電力を発生させてバーンイン試験を行うことができる。
【００３０】
上記の構成において、前記バーンイン試験の実施後、前記起電部によるバーンイン試験のための電力供給を停止するための処理を施す電力供給停止処理工程を含む構成とすることが望ましい。
【００３１】
上記の構成によれば、前記バーンイン試験の実施後、前記起電部によるバーンイン試験のための電力供給を停止するための処理を施す電力供給停止処理工程を含んでいるため、バーイン試験のための起電力による各被試験集積回路チップへの影響を回避することができる。
【００３２】
上記のバーンイン試験方法は、前記電力供給停止処理工程が、前記起電部を取り除く工程を含む構成とすることができる。
【００３３】
上記の構成によれば、バーンイン試験実施後の通常動作時において、上記起電力による各被試験集積回路チップへの悪影響、すなわち、各被試験集積回路チップ自体が、上記起電力が発生することにより意図しない動作をしてしまうことを容易に回避することができる。
【００３４】
上記のバーンイン試験方法は、前記電力供給停止処理工程が、前記起電部の起電力発生機能を停止させる工程を含む構成とすることができる。例えば、前記起電部が、太陽電池を備えた構成においては、太陽電池を樹脂で覆うことにより、前記起電部の起電力発生機能を停止させることができるため、起電部自体を除去する必要はない。
【００３５】
上記の構成によれば、バーンイン試験実施後の通常動作時において、上記起電力による各被試験集積回路チップへの悪影響、すなわち、各各被試験集積回路チップ自体が、上記起電力が発生することにより意図しない動作をしてしまうことを容易に回避することができる。
【００３６】
また、本発明の半導体ウエハの製造方法は、上記の課題を解決するために、バーンイン試験対象である複数の被試験集積回路チップが搭載されてなる半導体ウエハの製造方法において、前記複数の被試験集積回路チップのそれぞれに対応して、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく与えられるエネルギーを受けて、バーンイン試験のための起電力を発生する複数の起電部を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００３７】
なお、上記起電部は、ＩＣカード、ＩＣチップ、ＩＤタグ等に一般に用いられているアンテナ、太陽電池等を用いて製造することができ、例えば、特開２００５−３３９４６６号に記載のＩＤカードに搭載されるアンテナ、整流回路、特開２００６−９３３５号に記載のＩＣチップに搭載される太陽電池等の部材を用いて製造することができる。
【発明の効果】
【００３８】
以上のように、本発明の半導体ウエハは、バーンイン試験対象である複数の被試験集積回路チップが搭載されてなる半導体ウエハにおいて、前記複数の被試験集積回路チップのそれぞれに対応して設けられた、バーンイン試験のための起電力を発生する複数の起電部を含み、該起電部は、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく与えられるエネルギーを受けて前記起電力を発生することを特徴としている。
【００３９】
また、本発明の半導体ウエハの製造方法は、バーンイン試験対象である複数の被試験集積回路チップが搭載されてなる半導体ウエハの製造方法において、前記複数の被試験集積回路チップのそれぞれに対応して、前記半導体ウエハの外部から、該半導体ウエハに接触することなく与えられるエネルギーを受けて、バーンイン試験のための起電力を発生する複数の起電部を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００４０】
上記の構成によれば、半導体ウエハ上に形成された各集積回路チップのバーンイン試験を半導体ウエハ状態で一括して、正確かつ簡易に実施することができる半導体ウエハを提供することができる。
【００４１】
また、本発明の半導体ウエハのバーンイン試験方法は、非接触の状態で外部からエネルギーを付与し、該半導体ウエハに搭載された各被試験集積回路チップに対応して設けられた起電部に起電力を発生させてバーンイン試験を行うことを特徴としている。
【００４２】
上記の構成によれば、半導体ウエハ上に形成された各集積回路チップのバーンイン試験を半導体ウエハ状態で一括して、正確かつ簡易に実施することができる半導体ウエハのバーンイン試験方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
〔本実施の形態１〕
本発明の一実施の形態について図１ないし図４、および図８ないし図１０を参照し以下に説明する。図２は、本実施形態にかかるバーンイン検査対象の半導体ウエハ１を示す説明図である。
【００４４】
図２に示すように、半導体ウエハ１には、複数の半導体チップ（被試験集積回路チップ）４が搭載されている。各半導体チップ４は、第１ＧＮＤ端子５、第１電源端子６、テスト端子７を備えている。テスト端子７は半導体チップ４の中に構成されるテスト回路（図示せず）の動作の開始を示す信号端子である。テスト端子７が第１電源端子６と同電位の場合、テスト回路は動作を開始し、バーンイン動作を開始する。テスト端子７がオープンもしくは、第１ＧＮＤ端子５と同電位の場合は、テスト回路は動作しない。
【００４５】
各半導体チップ４には、チップ表面に形成した回路を保護する保護膜（図示せず）が形成されている。さらに、上記保護膜上には、保護膜上配線８が第１電源端子６とテスト端子７との間を電気的に接続するように形成されている。上記保護膜としては、例えば、ＳｉＯ２を用いることができる。
【００４６】
保護膜上配線８は、バーンイン試験を実施する際に、第１電源端子６とテスト端子７とを短絡して、テスト端子７を第１電源端子６と同電位にするように構成されている。
【００４７】
上記の構成の半導体ウエハ１上には、図３に示すシールド２が貼り付けられている。シールド２は、後述する起電デバイス１０に、半導体ウエハ１に接触することなく与えられるエネルギーを受けて各半導体チップ４自体が起電してしまうことを防止し、半導体チップ４の誤動作を防止するものであれば良く、例えば、光起電の起電デバイス１０に対しては光を透過しない膜等を使用することにより実現できる。また電波による起電デバイス１０に対しては、電波を吸収する材料等にて構成すればよい。なお、起電デバイスに対して、半導体ウエハ１に接触することなく与えられるエネルギーを受けも半導体チップ４自体が起電しない場合は、半導体チップ４をシールドする必要はない。
【００４８】
シールド２には、図３に示すように、各半導体チップ４に設けられた第１電源端子６および第１ＧＮＤ端子５の形成面と同レベルに達するように接続用ホール９が形成されている。
【００４９】
さらに、図４に示すように、シールド２上には、被試験集積回路チップである各半導体チップ４に対応して、起電デバイス１０、第２電源端子１６および第２ＧＮＤ端子１５が形成されている。各起電デバイス１０には、第２電源端子１６と第２ＧＮＤ端子１５とが接続されている。
【００５０】
図１は、半導体ウエハ１、シールド２および該シールド２上に設けられた起電デバイス１０の位置関係を示す説明図である。
【００５１】
図１に示すように、各起電デバイス１０に接続された第２電源端子１６、第２ＧＮＤ端子１５は、半導体ウエハ１上の対応する半導体チップ４の第１電源端子６、第１ＧＮＤ端子５にそれぞれ接続用ホール９を介して接続される。
【００５２】
本実施の形態にかかる起電デバイス１０は、アンテナ１０ａを備えている。起電デバイス１０がアンテナ１０ａを備えた構成例を図８の模式図および図９のブロック図に示している。各アンテナ１０ａは、図８に示す電波発生部７０から発生した電波を受信し、受信した電波により交流電流を生成するように構成されている。
【００５３】
図９に示すように、アンテナ１０ａから出力される交流電流は、さらに、半導体ウエハ１上の各半導体チップ４に形成された整流回路（起電部）３により直流電圧に変換される。
【００５４】
バーンイン試験実施時には、整流回路３からの出力電圧（起電力）が第１電源端子６と第１ＧＮＤ端子５との間に与えられる。
【００５５】
なお、アンテナ１０ａとしては、ＩＣカード、ＩＣチップ、ＩＤタグ等に一般に用いられているアンテナを用いて製造することができ、例えば、特開２００５−３３９４６６号に記載のＩＤカードに搭載されるアンテナを用いることができる。
【００５６】
なお、本実施の形態にかかる起電デバイス１０は、上述のアンテナ１０ａに替えて、後述する実施の形態２で用いる太陽電池を備えた構成としてもよい。
【００５７】
起電デバイス１０が、太陽電池１０ｂを備えた構成例を図１０に示している。各太陽電池１０ｂは、図１０に示す光源８０から照射された光を受光し、受光した光により、バーンイン試験のための直流電流を発生する。この場合、整流回路４は省略することができる。
【００５８】
バーンイン試験実施時には、太陽電池１０ｂからの出力電流が第１電源端子６と第１ＧＮＤ端子５との間に与えられる。ここで、上述の通り、保護膜上配線８で接続されたテスト端子７と第１電源端子６とは短絡されているため、テスト端子７は第１電源端子６と同電位となる。
【００５９】
なお、太陽電池１０ｂは、ＩＣカード、ＩＣチップ、ＩＤタグ等に一般に用いられている太陽電池を用いて製造することができ、例えば、特開２００６−９３３５号に記載のＩＣチップに搭載される太陽電池を用いることができる。
【００６０】
上記構成により、半導体チップには動作を行うための電源および、テスト回路が動作する端子設定が与えられ、各半導体チップ４の内部に設けられた発振回路を含むバーンイン回路（図示せず）が動作を開始し、バーンイン試験が実行される。
【００６１】
以上のように、本実施の形態にかかる半導体ウエハ１は、バーンイン試験対象である複数の半導体チップ４が搭載されてなる半導体ウエハ１であって、複数の半導体チップ４に対応してそれぞれ設けられた、バーンイン試験のための起電力を発生するための複数の起電デバイス１０を備え、起電デバイス１０が、半導体ウエハ１の外部から、半導体ウエハ１に接触することなく与えられるエネルギーを受けて上記起電力を発生することを特徴としている。
【００６２】
また、本実施の形態にかかるバーンイン試験方法は、半導体ウエハ１に対するバーンイン試験方法であって、非接触の状態で外部からエネルギーを付与し、半導体ウエハ１に搭載された各半導体チップ４に対応して設けられた起電デバイス１０に起電力を発生させてバーンイン試験を行うことを特徴としている。
【００６３】
上記の構成によれば、半導体ウエハ１をバーンインする際に、ウエハ外部の電源より電圧を与える必要がない。
【００６４】
このため、従来のように、半導体ウエハに搭載された被試験集積回路チップの数に応じて、接触端子が増え、コストが高くなるといった問題を解消することができる。また、各半導体チップ４に対応して、前記バーンイン試験のための電圧を発生する起電デバイス１０を備えているため、電源から遠い位置に搭載される各半導体チップ４が、電圧降下のために正常に動作できなくなるといった問題も生じない。さらに、プローブカード等ウエハと外部を接続する冶工具を必要としない。
【００６５】
また、ウエハ外部の電源より電圧を与える必要がないため、ウエハを保持する冶工具も必要としない。
【００６６】
この結果、半導体ウエハ１上に形成された各半導体チップ４のバーンイン試験を半導体ウエハ状態で一括して、正確かつ簡易に実施することができる半導体ウエハおよびバーンイン試験方法を提供することができる。
【００６７】
また、本実施の形態に係る半導体ウエハ１は、半導体ウエハ１に接触することなく与えられるエネルギーを受けて各被試験半導体チップ４自体が誤動作してしまうことを防止する機能を有するシールド２で覆われている。
【００６８】
起電デバイス１０として、アンテナ１０ｂを用いた場合、上記の機能を有するシールド２として、電波を吸収する材料からなるシールド２を用いることが望ましい。一方、起電デバイス１０として、太陽電池１０ｂを用いた場合、光を透過しない材料からなるシールド２を用いることが望ましい。
【００６９】
例えば、光起電の太陽電池１０ｂを動作させる場合、強い光を照射する必要があるため、下層の半導体チップ４自体も、上記光照射により誤動作する可能性がある。そこで、上記のように、光を通さないシールド２で覆うことにより、半導体チップ４の誤動作の問題を回避することができる。
【００７０】
また、アンテナ１０ａを用いた構成では、電磁波吸収剤を用いることにより、起電デバイス１０に非接触で与える電磁波による各被試験半導体チップ４への悪影響を防止することができる。
【００７１】
バーンイン試験の終了後は、シールド２上に形成された各起電デバイス１０をシールド２ごとエッチング等により除去する。さらに、保護膜上配線８を除去することにより、第１電源端子６とテスト端子７との間をオープンにすることができ、通常のウエハテストが可能となる。
【００７２】
本ウエハテストを行い良品のみを出荷する。ここで、良品半導体チップとは、上記バーンイン試験により、初期故障が除かれた半導体チップを意味する。
【００７３】
また、本発明の半導体ウエハ１の製造方法は、バーンイン試験対象である複数の被試験集積回路チップ４が搭載されてなる半導体ウエハ１の製造方法において、各半導体チップ４に対応するように、半導体ウエハ１の外部から、半導体ウエハ１に接触することなく与えられるエネルギーを受けて、バーンイン試験のための電圧を発生する起電デバイス１０を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００７４】
なお、上述の通り、起電デバイス１０は、ＩＣカード、ＩＣチップ、ＩＤタグ等に一般に用いられているアンテナ、太陽電池等を用いて製造することができ、例えば、特開２００５−３３９４６６号に記載のＩＤカードに搭載されるアンテナ、整流回路、特開２００６−９３３５号に記載のＩＣチップに搭載される太陽電池等の部材を用いて製造することができる。
【００７５】
〔本実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図５ないし図７及び図１０を参照し以下に説明する。
【００７６】
図５は、本実施形態にかかるバーンイン検査対象の半導体ウエハ３０を示す説明図である。
【００７７】
図５に示すように、半導体ウエハ３０に搭載された各半導体チップ３４は、ＧＮＤ端子３５、電源端子３６、テスト端子３７、パッド３１、ヒューズ配線３２を備えている。
【００７８】
パッド３１は、半導体チップ３４の動作を制御する制御信号（図示せず）を受け入れ、半導体チップ３４の動作により作成される信号を出力するように構成されている。
【００７９】
テスト端子３７は半導体チップ３４の中に構成されるテスト回路（図示せず）の動作の開始を示す信号端子である。テスト端子３７が、電源端子３６と同電位の場合、テスト回路は動作を開始し、バーンイン動作を開始する。テスト端子３７がオープンもしくは、第１ＧＮＤ端子３５と同電位の場合は、テスト回路は動作しない。
【００８０】
実施の形態１では、第１電源端子６とテスト端子７との間が保護膜上配線８により接続される構成としていた。本実施の形態では、各半導体チップ３４の電源端子３６とテスト配線３７とを、ヒューズ配線３２にて接続している点で、実施の形態１とは異なっている。
【００８１】
ヒューズ配線３２は、バーンイン試験を実施する際に、電源端子３６とテスト端子３７とを短絡して、テスト端子３７を電源端子３６と同電位にするように構成されている。
【００８２】
半導体ウエハ３０上には、実施の形態１と同様に、図６に示すシールド４０が貼り合わされている。シールド４０は光を透過しない膜であれば特に限定されるものではなく、例えば、ソルダーレジストを用いることができる。
【００８３】
シールド４０には、各半導体チップ３４に設けられた電源端子３６およびＧＮＤ端子３５の形成面と同レベルに達するように接続用ホール３９が形成されている。さらに、シールド４０上は、図７に示すように、被試験集積回路チップである各半導体チップ３４に対応して、起電デバイス５０が形成されており、各起電デバイス５０には、電源端子３６とＧＮＤ端子３５とが接続されている。
【００８４】
本実施の形態では、実施の形態１と同様に、各起電デバイス５０に接続された電源端子５６と第１ＧＮＤ端子５５と、パッド５１とは、図６に示す接続用ホール９を介して図５の半導体ウエハ３０上の対応する半導体チップ３４の電源端子３６、ＧＮＤ端子３５およびパッド３１にそれぞれ接続される。
【００８５】
本実施の形態にかかる起電デバイス５０には、光源からの光を受け、起電力を発生する太陽電池を用いている。
【００８６】
起電デバイス５０に太陽電池１０ｂを用いた構成例を図１０の模式図に示している。各太陽電池１０ｂは、光源８０から照射された光を受光し、受光した光により直流電流を生成するものである。この場合、整流回路４は省略することができる。バーンイン試験実施時には、太陽電池１０ｂからの出力電圧が電源端子３６とＧＮＤ端子３５との間に与えられる。
【００８７】
ここで、上述の通り、ヒューズ配線３２で接続されたテスト端子３７と電源端子３６とは短絡されているため、テスト端子３７は電源端子３６と同電位となる。
【００８８】
これにより、各半導体チップ３４の内部に設けられた発振回路を含むバーンイン回路（図示せず）が動作を開始し、バーンイン試験が実行される。
【００８９】
本実施の形態においては、ヒューズ配線３２から電源端子３６とテスト端子３７との間にヒューズが溶断する電圧を与えることにより、電源端子３６とテスト端子３７とをオープンにすることができるように構成されている。
【００９０】
バーンイン試験の終了後は、上記のように、ヒューズ配線３２を溶断する。その後、半導体ウエハテストを行い良品を出荷する。実施の形態１と異なり、実施の形態２では、パッド３１上に、シールド４０に接続用ホール３９が設けてある為、プローブカードにてプロービングを行い半導体チップ３４の動作テストが可能である。出荷時には起電デバイス５０に樹脂等で封止を行うことにより、起電デバイス５０の動作が行なわれないようにする。
【００９１】
すなわち、本実施の形態の構成では、起電デバイス５０やシールド４０を除去せずに、短絡を解除することができる。ただし、この場合、起電デバイス５０を無効にする必要がある。本実施の形態では、起電デバイス５０として光起電の太陽電池１０ｂを用いているため、樹脂で覆うことにより起電デバイス５０による発電（起電力発生機能）を停止することができる。尚、上記の良品半導体チップは、バーンインにより、初期故障が除かれた半導体チップである。
【００９２】
以上のように、本実施の形態にかかる半導体ウエハ３０は、バーンイン試験対象の各半導体チップ３４が、起電部５０からの出力電圧が印加される電源端子３６と、テスト端子３７とを備え、電源端子３６とテスト端子３７とが、ヒューズ配線３２により接続されている。
【００９３】
上記の構成によれば、電源端子３６とテスト端子３７とがヒューズ配線３２により接続されている。このため、バーンイン試験の終了後は、例えば、ヒューズ配線３２から電源端子３６とテスト端子３７との間にヒューズが溶断する電圧を与えることにより電気的に切断すれば、容易にバーイン試験のモードから、通常の動作モードへ切り替えることが可能となる。
【００９４】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は、ウエハ状態で一括してバーンイン試験を行うバーンイン試験方法および該バーンイン試験の実施対象の各被試験半導体チップが複数搭載された半導体ウエハおよびその製造方法に適している。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の一実施の形態にかかるバーンイン検査対象の半導体ウエハを示す模式図である。
【図２】図１に示す半導体ウエハに搭載された各半導体チップの構成を示す説明図である。
【図３】図２に示す半導体ウエハに張り合わされるシールドの構成を示す説明図である。
【図４】図２に示す半導体ウエハに張り合わされるシールド上に、各半導体チップに対応して形成される起電デバイスの構成を示す説明図である。
【図５】他の実施の形態にかかるバーンイン検査対象の半導体ウエハに搭載された各半導体チップの構成を示す説明図である。
【図６】図５に示す半導体ウエハに張り合わされるシールドの構成を示す説明図である。
【図７】図６に示す半導体ウエハに張り合わされるシールド上に、各半導体チップに対応して形成される起電デバイスの構成を示す説明図である。
【図８】アンテナを備えた起電デバイスの構成を示す模式図である。
【図９】アンテナを備えた起電デバイスの構成を示すブロック図である。
【図１０】太陽電池を備えた起電デバイスの構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９７】
１    半導体ウエハ
２    シールド
３    整流回路（起電部）
４    半導体チップ（被試験集積回路チップ）
５    第１ＧＮＤ端子
６    第１電源端子（電源端子）
７    テスト端子
８    保護膜上配線
９    接続用ホール
１０    起電デバイス（起電部）
１０ａ  アンテナ（起電部）
１０ｂ  太陽電池（起電部）
１５    第２ＧＮＤ端子
１６    第２電源端子
３０    ウエハ
３１    パッド
３２    ヒューズ配線
３４    半導体チップ（被試験集積回路チップ）
３５    ＧＮＤ端子
３６    電源端子
３７    テスト端子
４０    シールド
４９    接続用ホール
５０    起電デバイス（起電部）
５１    パッド
５５    ＧＮＤ端子
５６    電源端子
７０    電波発生部
８０    光源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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