(57)【要約】【課題】  静電記録体を、電荷の移動度が大きく、読取光の照射に対する電荷検出の応答性がよく、高速読取りでも鮮鋭度の低下の少ないものとする。【解決手段】  記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導電体層１、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層２、前記第１の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部３１、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層４、前記読取用電磁波に対して透過性を有する第２の導電体層５をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する静電記録体において、読取用光導電層４を無機酸化物とする。【選択図】          図１
2007003907.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、前記第１の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、前記読取用電磁波に対して透過性を有する第２の導電体層をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する静電記録体において、
前記読取用光導電層が無機酸化物からなることを特徴とする静電記録体。
【請求項２】
前記無機酸化物が二元系酸化物であることを特徴とする請求項１記載の静電記録体。
【請求項３】
前記二元系酸化物が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項２記載の静電記録体。
【請求項４】
前記無機酸化物が色素増感されたものであることを特徴とする請求項１、２または３記載の静電記録体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像情報をＸ線等の放射線の照射により形成される静電電荷パターン（静電潜像）として記録することのできる静電記録体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療用放射線撮影において、被験者の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のために、放射線に感応する光導電体を用いた画像記録媒体が多く利用されている。この光導電体を用いた画像記録媒体に放射線が照射されると、画像記録媒体に放射線の線量に応じて電荷（潜像電荷）が蓄積される。その後、画像記録媒体に蓄積された電荷を検出することによって放射線画像情報を読み出すことができる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、記録用光導電層と読取用光導電層とを、正電荷に対してのみ導電体として作用する電荷輸送層を介して積層した３層構造とし、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に電荷を蓄積することにより画像情報を静電潜像として記録し得るように構成した静電記録体が記載されている。この静電記録体によれば、静電記録体に静電潜像を記録するに際しては、３層構造を挟む両導電体層を所定の電位に帯電させて記録用の放射線を記録用光導電層に照射するだけでよく、記録に先立って一様露光を行って静電記録体を１次帯電させておく必要がないから、一様露光のための露光手段を備える必要がなく記録装置を簡易なものとすることが可能である。また、記録用の放射線の潜像電荷にオフセット的に加わる暗電子を極めて低く抑えることができるので、Ｓ／Ｎのよいものが容易に実現できる。
【０００４】
ところで、静電記録体の読取用光導電層に好適な材料として特許文献１には、ａ−Ｓｅ，ＰｂＩ2 ，無金属フタロシアニン，金属フタロシアニン，Ｂｉ12（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ20，ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−プロピル），ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−ネオペンチル）が記載されている。
【０００５】
上記Ｓｅは光吸収が青色で、読取放射光の選択の自由度が小さいという問題、アモルファスセレン等のアモルファス物質は、結晶材料と比べて電荷の移動速度が非常に遅いため、読取光の照射に対する電荷検出の応答性が芳しくなく、そのため、読取光の走査速度を速くした場合には、高速に読取を行うことができるが、検出電荷量が少なくなるために良好な画質の画像を得ることができず（高速読取モード）、また、読取光の走査速度を遅くした場合には、検出電荷量が多くなるため良好な画質の画像を得ることができるが、読取に時間が掛かってしまう（高画質モード）という問題がある。また、ＨｇＩ2、ＰｂＩ2、ＢｉＩ3のような金属ヨウ化物では、暗電流が高く、バックグラウンドノイズが悪化するという問題がある。フタロシアニンは吸収光の選択の自由度は高いものの、電荷の移動度μが低く、応答時間が遅いという問題がある。Ｂｉ12（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ20はＳｅに比べると移動度μは高いが、電荷寿命τが短いためμτ積で劣るという問題があり、電荷収集の点で不利である。ペリレンビスイミドもまたフタロシアニンと同様の問題を有する。
【０００６】
上記のような問題を解決するため、特許文献２にはアモルファス物質で形成された読取用光導電層を備えた固体検出器を用いた画像読取装置において、高速読取モードと高画質モードとを選択的に使用可能とする画像読取装置が記載されている。
【特許文献１】特開２０００−１０５２７９号
【特許文献２】特開２００４−１４７２５５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記特許文献２は装置側から高速読取モードと高画質モードとを選択的に使用可能として、アモルファス物質の電荷の移動速度の問題、読取光の照射に対する電荷検出の応答性の問題を解決しようとするものであって、材料そのものについての検討はなされていないため、抜本的な解決には至っていない。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、電荷の移動度が大きく、読取光の照射に対する電荷検出の応答性がよく、高速読取りでも鮮鋭度の低下の少ない読取用光導電層を備えた静電記録体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の静電記録体は、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、前記第１の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、前記読取用電磁波に対して透過性を有する第２の導電体層をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する静電記録体において、前記読取用光導電層が無機酸化物からなることを特徴とするものである。
【００１０】
ここで、無機酸化物からなるとは無機酸化物以外の物質を含んでいてもよいという趣旨ではなく、無機酸化物を製造する過程においてやむを得ず含まれてしまうような不純物を含むような場合までも排除するものではないことを意味する。
【００１１】
前記無機酸化物は二元系酸化物であることが好ましい。ここで二元系酸化物とは、Ｔｉ，Ｇａ，Ｂｉ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｔａ，Ｖ，Ｐｂ，Ｆｅ、Ｃｕ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｙ，Ｗ、Ｌａ等の金属元素と酸素からなる酸化物を意味する。前記二元系酸化物は酸化亜鉛であることが好ましい。
【００１２】
前記無機酸化物は色素増感されたものであってもよい。ここで、色素増感とは、長波長感度の拡張を目的として色素を吸着することによる増感処理を意味する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の静電記録体は、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、前記第１の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、前記読取用電磁波に対して透過性を有する第２の導電体層をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する静電記録体において、読取用光導電層が無機酸化物からなるため、電荷の移動度が大きく、読取光の照射に対する電荷検出の応答性がよく、高速読取りでも鮮鋭度の低下の少ない静電記録体とすることができる。
【００１４】
特に無機酸化物として酸化亜鉛を選択した場合、酸化亜鉛は毒性のない物質であるため、製造過程において回収ライン等を必要としないので、製造コストを抑えることが可能である。また、電荷の移動度が大きいので低電圧印加でもよく、応答時間が早いので  高速読取りでも鮮鋭度の低下の少ない静電記録体とすることができる。また、原料として高純度の酸化亜鉛を使用して読取用光導電層を製造すれば真性半導体に近づけることが容易であって、高抵抗で、暗電流の小さい静電記録体とすることができる。
【００１５】
なお、無機酸化物は分光増感が可能であるため、読取光を紫外光以外の可視光、赤外光にも拡張可能であるという利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の静電記録体は、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、前記第１の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、前記読取用電磁波に対して透過性を有する第２の導電体層をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する静電記録体において、読取用光導電層が無機酸化物からなることを特徴とする。
【００１７】
無機酸化物は二元系酸化物であることが好ましく、特には酸化亜鉛（ＺｎＯ）であることが好ましい。ＺｎＯ粒子製法としては湿式法、乾式法いずれでもよく、硫酸亜鉛または塩化亜鉛の水溶液に炭酸ソーダを添加してできる塩基性炭酸亜鉛を水洗乾燥後、仮焼成するいわゆるドイツ法や金属亜鉛のリサイクルの結果得られた水酸化亜鉛を水洗乾燥後、仮焼成する方法に代表される湿式法、溶融させた金属亜鉛をレトルト内で1000℃に加熱し、発生する亜鉛蒸気を空気で酸化する間接法（フランス法）や、ＺｎＳにカーボンなどの還元剤で焙焼して発生する亜鉛蒸気を空気で酸化する直接法（アメリカ法）等の乾式法のいずれでもよい。高純度の酸化亜鉛が得られるという観点からすれば、フランス法が好ましい。湿式法の酸化亜鉛粒子の合成法は、電子写真学会誌23巻4号（1984）の213〜221頁に竹内らによって記載されている。
【００１８】
読取用光導電層を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、公知のスパッタ法（特開2001-22110号）、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、電解法（特開2001-22110号）、イオンプレーティング法、パルスレーザー蒸着法、スプレイ熱分解法（特開2001-22110号、特開2000-227670号）、塗布法、ゾルゲル法（特開平5-294622号）、多孔質焼結膜形成法（特開2000-162799）、エアロゾルデポジション法等から適宜選択して形成することができる。塗布法に用いる粒子分散液のバインダーは、特に限定はしないが、ポリエステル系ポリマー、シリコン樹脂が好ましく用いられる。
【００１９】
無機酸化物は色素増感されたものであってもよい。色素増感剤としては、無金属フタロシアニン色素、アルミニウムフタロシアニン（Ａｌ−Ｐｃ）色素、チタニルフタロシアニン（ＴｉＯ−Ｐｃ）色素、コバルトフタロシアニン（Ｃｏ−Ｐｃ）色素、銅フタロシアニン（Ｃｕ−Ｐｃ）色素、スズフタロシアニン（Ｓｎ−Ｐｃ）色素のようなフタロシアニン色素、ローズベンガル、ブロムフェノールブルー、エオシン、ローダミン、キサンテン系色素、フェノールスルホフタレイン系色素、チアジン系色素、トリフェニルメタン系色素、アクリジン系色素、シアニン系色素、メロシアニン色素、スクアリリウム色素、ルテニウム錯体色素のような金属錯体色素、等から適宜選択して用いることができる。
【００２０】
無機酸化物を色素増感するには、焼結した無機酸化物粒子間の空隙に色素増感剤を吸着または充填させる。より具体的には、色素増感剤を溶解した溶液に、無機酸化物焼結体を一定時間浸漬させた後、引き上げて溶媒を蒸発除去する方法、無機酸化物焼結体上に色素増感剤を直接昇華させる方法および酸化亜鉛粒子分散液に、色素増感剤を溶解した溶液を添加する方法等により行うことができる。
【００２１】
静電記録体には、放射線を直接電荷に変換し電荷を蓄積する直接変換方式と、放射線を一度ＣｓＩなどのシンチレータで光に変換し、その光をa−Ｓｉフォトダイオードで電荷に変換し蓄積する間接変換方式があるが、本発明の光導電層は前者の直接変換方式に用いるものである。なお、放射線としてはＸ線の他、γ線、α線、β線などについて使用することが可能である。
【００２２】
図１は本発明の読取用光導電層を有する静電記録体の一実施の形態を示す断面図を示すものである。この静電記録体10は、後述する記録用の放射線L1に対して透過性を有する第１の導電層１、この導電層１を透過した放射線L1の照射を受けることにより導電性を呈する記録用放射線導電層２、導電層１に帯電される電荷（潜像極性電荷；例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ、電荷輸送層３、後述する読取用の読取光L2の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層４、電磁波L2に対して透過性を有する第２の導電層５を、この順に積層してなるものである。
【００２３】
ここで、導電層１としては、10〜1000nm程度の貴金属（白金、金、銀）が適当である。導電層５としては、例えば、透明ガラス板上に導電性物質を一様に塗布したもの（ネサ皮膜等）が適当である。より具体的には、ＩＴＯ（Ｉn2Ｏ3：Ｓｎ）、ＩＺＡ（Ｉn2Ｏ3：Ｚｎ）、ＡＴＯ（ＳｎＯ2：Ｓｂ）、ＦＴＯ（ＳｎＯ2：Ｆ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ：Ｇａ）等が好ましい。
【００２４】
電荷輸送層３としては、導電層１に帯電される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移動度の差が大きいものが好ましく用いられる。ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＶＫ，ポリビニルアルコール）分散物，Ｃｌを10〜200ppmドープしたａ−Ｓｅ、Ａｓ2Ｓｅ3、Ｓｂ2Ｓ3、シリコンオイル、ＴＰＤを含まないポリカーボネート等が適当である。特に、有機系化合物（ＰＶＫ，ＴＰＤ、ディスコティック液晶、シリコンオイル、ポリカーボネート等）は光不感性を有するため好ましい。
【００２５】
読取用光導電層４には、上述した無機酸化物、好ましくは二元系酸化物、特には酸化亜鉛が好ましい。記録用光導電層の厚みは、0.3〜30μmで、好ましくは1〜15μmである。
【００２６】
記録用放射線導電層２には、ａ−Ｓｅ、安定化a-Ｓｅ（Ａｓ0.2〜0.5％，Ｃｌ10〜20ppm）、Ｂｉ12ＭＯ20 (M：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ)、Ｂｉ4Ｍ3Ｏ12 (M：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ)、Ｂｉ2Ｏ3、ＢｉＭＯ4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Ｂｉ2ＷＯ6、Ｂｉ24Ｂ2Ｏ39、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＰｂＯ，ＨｇI2、ＰｂＩ2 、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＢｉＩ3のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。記録用光導電層の厚みは、50〜1200μmで、好ましくは100〜1000μmである。
【００２７】
続いて、静電潜像を読み取るために光を用いる方式について簡単に説明する。図２は静電記録体10を用いた記録読取システム（静電潜像記録装置と静電潜像読取装置を一体にしたもの）の概略構成図を示すものである。この記録読取システムは、静電記録体10、記録用照射手段90、電源50、電流検出手段70、読取用露光手段92並びに接続手段S1、S2とからなり、静電潜像記録装置部分は静電記録体10、電源50、記録用照射手段90、接続手段S1とからなり、静電潜像読取装置部分は静電記録体10、電流検出手段70、接続手段S2とからなる。
【００２８】
静電記録体10の導電層１は接続手段S1を介して電源50の負極に接続されるとともに、接続手段S2の一端にも接続されている。接続手段S2の他端の一方は電流検出手段70に接続され、静電記録体10の導電層５、電源50の正極並びに接続手段S2の他端の他方は接地されている。電流検出手段70はオペアンプからなる検出アンプ70aと帰還抵抗70b とからなり、いわゆる電流電圧変換回路を構成している。
【００２９】
導電層１の上面には被写体９が配設されており、被写体９は放射線L1に対して透過性を有する部分9aと透過性を有しない遮断部（遮光部）9bが存在する。記録用照射手段90は放射線L1を被写体９に一様に曝射するものであり、読取用露光手段92は赤外線レーザ光やＬＥＤ、ＥＬ等の読取光L2を図３中の矢印方向へ走査露光するものであり、読取光L2は細径に収束されたビーム形状をしていることが望ましい。
【００３０】
以下、上記構成の記録読取システムにおける静電潜像記録過程について電荷モデル（図３）を参照しながら説明する。図２において接続手段S2を開放状態（接地、電流検出手段70の何れにも接続させない）にして、接続手段S1をオンし導電層１と導電層５との間に電源50による直流電圧Edを印加し、電源50から負の電荷を導電層１に、正の電荷を導電層５に帯電させる（図３(A)参照）。これにより、静電記録体10には導電層１と５との間に平行な電場が形成される。
【００３１】
次に記録用照射手段90から放射線L1を被写体９に向けて一様に曝射する。放射線L1は被写体９の透過部9aを透過し、さらに導電層１をも透過する。放射線導電層２はこの透過した放射線L1を受け導電性を呈するようになる。これは放射線L1の線量に応じて可変の抵抗値を示す可変抵抗器として作用することで理解され、抵抗値は放射線L1によって電子（負電荷）とホール（正電荷）の電荷対が生じることに依存し、被写体９を透過した放射線L1の線量が少なければ大きな抵抗値を示すものである（図３(B)参照）。なお、放射線L1によって生成される負電荷（−）および正電荷（＋）を、図面上では−または＋を○で囲んで表している。
【００３２】
記録用放射線導電層２中に生じた正電荷は記録用放射線導電層２中を導電層１に向かって高速に移動し、導電層１と放射線導電層２との界面で導電層１に帯電している負電荷と電荷再結合して消滅する（図３(C),(D)を参照）。一方、記録用放射線導電層２中に生じた負電荷は記録用放射線導電層２中を電荷輸送層３に向かって移動する。電荷輸送層３は導電層１に帯電した電荷と同じ極性の電荷（本例では負電荷）に対して絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆の極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層するものであるから、記録用放射線導電層２中を移動してきた負電荷は記録用放射線導電層２と電荷輸送層３との界面で停止し、この界面（蓄電部31）に蓄積されることになる（図３(C),(D)を参照）。蓄積される電荷量は放射線導電層２中に生じる負電荷の量、即ち、放射線L1の被写体９を透過した線量によって定まるものである。
【００３３】
ここで、蓄電部31は放射線導電層２と電荷輸送層３の界面としたが、静電記録体10に電荷輸送層３が含まれない場合、蓄電部31は記録用放射線導電層２と読取用光導電層４の界面となる。
【００３４】
一方、放射線L1は被写体９の遮光部9bを透過しないから、静電記録体10の遮光部9bの下部にあたる部分は何ら変化を生じない（ 図３(B)〜(D)を参照）。このようにして、被写体９に放射線L1を曝射することにより、被写体像に応じた電荷を放射線導電層２と電荷輸送層３との界面に蓄積することができるようになる。なお、この蓄積せしめられた電荷による被写体像を静電潜像という。
【００３５】
次に静電潜像読取過程について電荷モデル（図４）を参照しつつ説明する。接続手段S1を開放し電源供給を停止すると共に、S2を一旦接地側に接続し、静電潜像が記録された静電記録体10の導電層１および５を同電位に帯電させて電荷の再配列を行った後に（図４(A)参照）、接続手段S2を電流検出手段70側に接続する。
【００３６】
読取用露光手段92により読取光L2を静電記録体10の導電層５側に走査露光すると、読取光L2は導電層５を透過し、この透過した読取光L2が照射された光導電層４は走査露光に応じて導電性を呈するようになる。これは上記放射線導電層２が放射線L1の照射を受けて正負の電荷対が生じることにより導電性を呈するのと同様に、読取光L2の照射を受けて正負の電荷対が生じることに依存するものである（図４(B)参照）。なお、記録過程と同様に、読取光L2によって生成される負電荷（−）および正電荷（＋）を、図面上では−または＋を○で囲んで表している。
【００３７】
電荷輸送層３は正電荷に対しては導電体として作用するものであるから、光導電層４に生じた正電荷は蓄積電荷に引きつけられるように電荷輸送層３の中を急速に移動し、放射線導電層２と電荷輸送層３との界面で蓄積電荷と電荷再結合し消滅する（図４(C)参照）。一方、光導電層４に生じた負電荷は導電層５の正電荷と電荷再結合し消滅する（図４(C)参照）。光導電層４は読取光L2により十分な光量でもって走査露光されており、放射線導電層２と電荷輸送層３との界面に蓄積されている蓄積電荷、即ち静電潜像が全て電荷再結合により消滅せしめられる。このように、静電記録体10に蓄積されていた電荷が消滅するということは、静電記録体10に電荷の移動による電流Ｉが流れたことを意味するものであり、この状態は静電記録体10を電流量が蓄積電荷量に依存する電流源で表した図４(D)のような等価回路でもって示すことができる。
【００３８】
このように、読取光L2を走査露光しながら、静電記録体10から流れ出す電流を検出することにより、走査露光された各部（画素に対応する）の蓄積電荷量を順次読み取ることができ、これにより静電潜像を読み取ることができる。なお、本放射線検出部動作については特開2000-105297号等に記載されている。
【００３９】
以下に本発明の読取用光導電層を有する静電記録体の実施例を示す。
【実施例】
【００４０】
（実施例１）
ＦＴＯ層が設けられた５cm角ガラス基板に櫛型電極を作製し、基板Ｓ−１を作製した。特開平11-52597号に記載されている実施例を参考にし、基盤の温度を250℃にして、基板Ｓ−１上に高周波スパッタ法により約３μm厚のＺｎＯ層を調製した。ターゲットは、フランス法の酸化亜鉛を加圧成型した焼結膜を用い、スパッタ-蒸着装置を10-5Ｐａ程度の真空として、基盤温度が250℃となった段階で、高純度アルゴンガスと高純度酸素ガスの流量比を１／１とし、全流量を15sccmとして作製した。
【００４１】
酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）粉末と酸化チタン（ＴｉＯ2）粉末をＢｉ：Ｔｉ = 12.0：1となるように配合し、酸化ジルコニウムボールを用いてエタノール中でボールミル混合を行った。その後、回収、乾燥し、800℃，８時間の仮焼成処理で酸化ビスマスと酸化チタンの固相反応によりＢｉ12ＴｉＯ20粉末を合成した。仮焼成Ｂｉ12ＴｉＯ20粉末を乳鉢で150μm以下に粗く粉砕した後、酸化ジルコニウムボールを用いたエタノール中のボールミルで粉砕、分散を行った。なおこの時分散を促進する分散剤として0.4wt％のポリビニルブチラール（PVB）を添加した。その後、バインダとして3.7wt％のポリビニルブチラールと可塑剤として0.8wt％のフタル酸ジオクチルを加えた後、さらにボールミルを継続しシート成型用のスラリーを調整した。ボールミル混合後、回収したスラリーは真空脱泡処理によりスラリーの脱泡と濃縮を行い、スラリーの粘度を調整した。
【００４２】
粘度調整を行ったスラリーはコーターを用いて離型剤の付いたフィルムベース上に塗布してシート状に成型した。成型体は室温にて24時間放置して乾燥させた後、フィルムベースから剥離し、これをサファイア単結晶上に置いて、Ａｒ雰囲気中、焼結温度850℃で焼結を行い、約200μｍ厚のＢｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１を得た。先に作製したＺｎＯ層にポリカーボネートの層を塗布で付設し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１と接合した。最後に、Ｂｉ12ＴｉＯ20膜上に、60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−１）。
【００４３】
（実施例２）
実施例１で作製した基板Ｓ−１に、特開2000-227670号に記載されている実施例４を参考にし、硝酸亜鉛溶液を用いて、スプレイ熱分解法を何回も成膜を繰り返すことにより約３μｍ厚のＺｎＯ層を調製した。基盤温度は、300℃とし、酸素ガス/Ａｒガスの混合雰囲気で成膜した。この層にポリカーボネートの層を塗布で付設し、実施例１で作製したＢｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１と接合した。最後に、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−２）。
【００４４】
（実施例３）
実施例１で作製した基板Ｓ−１に、塩化亜鉛のジエタノールアミン水溶液をスピンコート法で塗布し、450℃焼成を繰り返し、特開平5−294622号の実施例２を参考にしたゾルゲル法により約3μm厚のＺｎＯ層を調製した。この層にポリカーボネートの層を塗布で付設し、実施例１で作製したＢｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１と接合した。最後に、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−３）。
【００４５】
（実施例４）
高純度化学研究所製の５Ｎ酸化亜鉛（１μｍ）に対して重量比で30％のポリエチレングリコール（分子量50万）で分散したスラリー液を調製し、実施例１で作製した基板Ｓ−１にドクターブレード法で塗布した。450℃１時間焼成することで、膜厚約5μｍのＺｎＯ多孔膜を調製した。この層にポリカーボネートの層を塗布で付設し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１と接合し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に、60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−４）。
【００４６】
（実施例５）
実施例４において、ポリカーボネートをシリコンオイルに変えた以外は、実施例４と全く同様にしてデバイスを作製した（ＢＴＺ−５）。
【００４７】
（実施例６）
ＩＺＯ層が設けられたガラス基板に櫛型電極を作製して基板Ｓ−２を作製した。フランス法で調製したＺｎＯ粒子（立方体状１μｍ）を重量比50％の割合でポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡製）に分散してスラリー液を調製し、ポリカーボネートが塗布されたＢｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１にドクターブレード法で６μｍ厚の膜になるように塗布した。乾燥後、クラレ製ＰＶＡ205の１％溶液を塗布し、濃縮後、基板Ｓ−２に接合した。最後に、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−６）。
【００４８】
（実施例７）
フランス法で調製したＺｎＯ粒子（立方体状１μｍ）を重量比50％の割合でポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡製）に分散し、スラリー液を調製し、基板Ｓ−２にドクターブレード法で６μｍ厚の膜になるように塗布した。さらに、ポリカーボネートの層を塗布で付設し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ-1と接合した。最後に、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−７）。
【００４９】
（実施例８）
高純度化学研究所製５Ｎの塩化亜鉛0.25モル／ｌを含む水溶液１ｌと、２−アミノエタノール0.3モル／ｌを含む水溶液１ｌを混合し、攪拌しつつ90℃で１時間加熱して、ヒドロキシ塩化亜鉛の沈殿を生成し、固液分離して沈殿を濾取し水洗およびエタノール洗浄の後、120℃で２時間乾燥してから、昇温速度10℃／分で850℃まで昇温し、同温度で30分焼成して配向性フレーク状のＺｎＯ粒子24ｇ（径0.3μｍ、厚さ0.02μｍ）を得た。このＺｎＯ粒子を重量比50％の割合でポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡製）に分散して、スラリー液を調製し、ポリカーボネートが塗布されたＢｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１にドクターブレード法で６μｍ厚の膜になるように塗布した。乾燥後、クラレ製ＰＶＡ205の１％溶液を塗布し、濃縮後、基板Ｓ−２に接合した。最後にＢｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に、60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−８）。
【００５０】
（実施例９）
実施例４で作製したＺｎＯ多孔膜を無金属フタロシアニン溶液に浸漬させて分光増感を施し、その後、この層にポリカーボネートの層を塗布で付設し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１と接合した。最後に、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−９）。
【００５１】
（実施例10）
実施例４で作製したＺｎＯ多孔膜をエオシンＹ溶液に浸漬させて分光増感を施し、その後、この層にポリカーボネートの層を塗布で付設し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１と接合した。最後に、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ−10）。
【００５２】
（実施例11）
実施例４で作製したＺｎＯ多孔膜をローズベンガル溶液に浸漬させて分光増感を施し、その後、この層にポリカーボネートの層を塗布で付設し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１と接合し、続いてＢｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に、60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＺ-11）。
【００５３】
（実施例12）
実施例８において、酸化亜鉛スラリー液にエオシンＹを添加した以外は、実施例８と全く同様にしてデバイスを作製した（ＢＴＺ-12）。
【００５４】
（実施例13）
Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１を作製する際に、仮焼成粉を高純度化学研究所製５ＮＺｎＯ、バインダをポリビニルアルコール、焼結温度を1250℃、最終膜厚を700μｍに調整した以外は、全く同様にして、ＺｎＯ焼結膜を作製した。実施例10において、このＺｎＯ焼結膜を用いた以外は、全く同様にしてデバイスを作製した（ＺＺ-13）。
【００５５】
（実施例14）
実施例10において、ＺｎＯのスラリー液をソーラロニクス社製ＴｉＯ2分散液を用いて調整した以外は、全く同様にしてデバイスを作製した（ＢＴＴ-14）。
【００５６】
（実施例15）
実施例10において、ＺｎＯを高純度化学研究所製５Ｎ酸化インジウムに変更した以外は、全く同様にしてデバイスを作製した（ＢＴＩ-15）。
【００５７】
（実施例16）
実施例10において、ＺｎＯを高純度化学研究所製４Ｎ五酸化ニオブに変更した以外は、全く同様にしてデバイスを作製した（ＢＴＮ-1６）。
【００５８】
（実施例17）
実施例10において、ＺｎＯを高純度化学研究所製４Ｎ二酸化錫に変更した以外は、全く同様にしてデバイスを作製した（ＢＴＳ-17）。
【００５９】
（実施例18）
実施例10において、ＺｎＯを高純度化学研究所製６Ｎ酸化ビスマスに変更した以外は、全く同様にしてデバイスを作製した（ＢＴＢ-18）。
【００６０】
（比較例１）
Ｓ−２基板に真空蒸着装置で、1000μｍの非晶質のＡｓドープ（0.35％）Ｓｅを蒸着させ、この層にシリコンオイルの層を塗布で付設し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜ＢＴ−１と接合し、Ｂｉ12ＴｉＯ20焼結膜上に、60nmの厚みでＡｕをスパッタして上部電極を作製した（ＢＴＳ-１）。
【００６１】
実施例１〜18および比較例のデバイスをまとめたものを表１に示す。  
【表１】
2007003907.tif 000003
【００６２】
実施例１〜18および比較例のデバイスを、特開2004-147255号に記載の画像読取装置において、読取光源を面上光源から、ＬＥＤを一直線状に配列したライン状の光源を機械的に走査するものに変更した画像読取装置を用意した。特開2004-147255号に記載の高速モードにて、読取光源をそれぞれ、ＢＴＺ１〜８は、385nmＬＥＤ、ＢＴＺ-９,10,12，ＺＺ-13、ＢＴＴ-14、ＢＴＩ-15、ＢＴＮ-16、ＢＴＳ-17、ＢＴＢ-18、ＢＴＳ-1は480nmＬＥＤ、ＢＴＺ-11は563nmＬＥＤを用いて鮮鋭度を測定した。その結果、比較例以外は良好な鮮鋭度を示した。
【００６３】
以上にように、本発明の静電記録体は記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、第１の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、読取用電磁波に対して透過性を有する第２の導電体層をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する静電記録体において、読取用光導電層が無機酸化物からなるため、電荷の移動度が大きく、読取光の照射に対する電荷検出の応答性がよく、高速読取りでも鮮鋭度の低下の少ない静電記録体とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の読取用光導電層を有する静電記録体の一実施の形態を示す断面図
【図２】静電記録体を用いた記録読取システムの概略構成図
【図３】記録読取システムにおける静電潜像記録過程を電荷モデルにより示した図
【図４】記録読取システムにおける静電潜像読取過程を電荷モデルにより示した図
【符号の説明】
【００６５】
１    導電層
２    記録用放射線導電層
３    電荷輸送層
４    読取用光導電層
５    導電層
１０  静電記録体
７０  電流検出手段
【図１】
2007003907.tif 000004
【図２】
2007003907.tif 000005
【図３】
2007003907.tif 000006
【図４】
2007003907.tif 000007