(57)【要約】      （修正有）【課題】熱電対を加熱容器の内側に配置し、その測温接点がある同熱電対の上端部側を加熱プレートの背面に埋め込んだ構造においても、正確に且つ障害なく温度を測定出来るようにする。【解決手段】背面電子衝撃加熱装置は、加熱容器１の天板となっている加熱プレート２の背後から加速された電子を衝突させて電子衝撃加熱するフィラメント９を有するものである。前記加熱プレート２の温度を測定する熱電対５の測温接点側の端部を加熱プレート２に絶縁状態で埋め込むことにより、この熱電対５をアース接続されている加熱容器１と電気的に絶縁すると共に、フィラメント９から放出される熱電子に対して熱電対５を遮蔽部材１３で遮蔽した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱容器（１）の天板となっている加熱プレート（２）の背後から加速された電子を衝突させて電子衝撃加熱するフィラメント（９）と、前記加熱プレート（２）の温度を測定する熱電対（５）とを有する背面電子衝撃加熱装置において、熱電対（５）の測温接点側の端部を加熱プレート（２）に絶縁状態で埋め込むことにより、熱電対（５）をアース接続されている加熱容器（１）と電気的に絶縁すると共に、フィラメント（９）から放出される熱電子に対して熱電対（５）を遮蔽部材（１３）で遮蔽したことを特徴とする背面電子衝撃加熱装置。
【請求項２】
熱電対（５）の測温接点側の端部は加熱プレート（２）に埋め込まれたセラミック製の受け座（１２）を介して加熱プレート（２）に埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の背面電子衝撃加熱装置。
【請求項３】
熱電対（５）をセラミックからなるパイプ状の遮蔽部材（１５）に挿入したことを特徴とする請求項１に記載の背面電子衝撃加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の加熱物を加熱プレートの上に載せて高温に加熱するの装置に関し、特に加熱プレートの背後から加速された電子を衝突させて加熱すると共に、同加熱プレートの温度制御等のために、その背後に配置した熱電対で加熱プレートの温度を測定する形式の背面電子衝撃加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ等の処理プロセスにおいて、その半導体ウェハ等の板状部材（以下「基板」と称する。）を加熱するための加熱手段として、加熱プレートに基板を載せて加熱する形式のヒータが使用されている。例えば、図７は加速された電子を加熱プレート２２の背後から衝突させて同加熱プレート２２を加熱し、その加熱プレート２２に載せた基板等の加熱物３０を加熱する方式の背面電子衝撃加熱装置である。
【０００３】
図７には示していないが、ステンレス鋼等の金属からなるテーブル２６の上に真空チャンバが載せて固定されており、この真空チャンバの中に加熱容器２１が設置されている。この加熱容器２１は、下面が開いた容器状のものであって、シリコンウエハ等の薄形板状の加熱物３０を載せる天板が平坦な加熱プレート２２となったものである。
【０００４】
テーブル２６の加熱容器２１の下端フランジ部分を載せる部分には、テーブル２６の中心軸の周りに溝が設けられ、この溝に真空シール材２８が嵌め込まれている。この溝に嵌め込まれた真空シール材２８の上に、前記加熱容器１の周壁１３の下端フランジ部分が載せられ、固定されている。
【０００５】
さらに、この加熱容器１の内部に立設された支柱により、加熱プレート２２の背後側にフィラメント２９が取り付けられている。このフィラメント２９には、フィラメント加熱電源２５が接続されている。さらに、このフィラメント２９と加熱プレート２２との間には、電子加速電源２７により加速電圧が印加される。なお加熱プレート２２を有する加熱容器２１は接地され、フィラメント９に対して正電位に保持される。
前記フィラメント２９の下方に位置するようにリフレクタ２３が取り付けられている。このリフレクタ２３は、フィラメント２９に導通しており、同２フィラメント２９と同電位のマイナス電位とされる。
【０００６】
このような背面電子衝撃加熱装置では、加熱容器２１の中のフィラメント２９に通電して加熱することにより、熱電子を発生さると共に、電子加速電源２７によりフィラメント２９と加熱プレート２２との間に高電圧を印加することで、熱電子を加速し、正電位に維持された加熱プレート２２に衝突させる。この熱電子の衝突による衝撃によって加熱プレート２２が加熱され、加熱物３０を加熱することが出来る。
【０００７】
この背面電子衝撃加熱装置では、加熱プレート２２の温度を測定しながら、加熱物３０の加熱温度を適正に制御する必要がある。このような加熱プレート２２の温度測定手段として、従来では図７に示すように、熱電対が使用されている。加熱プレート２２の側方からその中心に向けて穴を設け、ここのシース形熱電対２４を引き込み、その先端の測温接点で加熱プレート２２の温度を測定する。
【０００８】
また他の温度測定手段としては、図８に示すように、輻射温度計４６を使用して非接触で温度の測定を行うものがある。真空チャンバ４１にビューポート４５を設け、このビューポート４５を通して加熱容器４３の上に載った加熱物４４の温度を非接触で測定する。
【０００９】
この背面電子衝撃加熱装置において、加熱容器２１側を接地しないと、加熱容器２１と真空チャンバ及びテーブル２６との間に高電圧が印加されることになる。この状態では、加熱容器２１と真空チャンバ及びテーブル２６との間を絶縁しないと漏電することなる。高電圧の絶縁自体は技術的に困難では無いが、人が絶対に加熱容器２１に触れないように柵やケースで覆っても、電源を切らずに修理したりすることも考えられるので、安全性を考慮して加熱容器２１を接地することが必要である。
【００１０】
背面電子衝撃加熱装置を化学的気相堆積装置（ＣＶＤ装置）に適用すると、図７に示した熱電対を使用した温度測定手段では、薄膜形成のための反応ガスによってシース型熱電対２４のシースが腐食しやすい。シース型熱電対２４のシースが腐食すると、熱電対２４が起電力不良を起こす。また、熱電対２４の絶縁のため切れ目のある碍子を使用した碍子型では、すぐに起電力異常を起こし、長時間運転は不可能であった。また、図８に示した輻射温度計を使用した温度測定手段では、気相で生じる化学反応生成物がビューポト４５に付着して曇り、正確な温度測定が出来ない。
【００１１】
図９は、シース型熱電対を使用した背面電子衝撃加熱装置の他の例であり、図７と同じ部分は同じ符合で示しているる。この例は、シース型熱電対２４を加熱容器２２の中に設置し、その測温接点がある端部を加熱プレート２１の背面に埋め込んだものである。
【００１２】
この方式の背面電子衝撃加熱装置では、フィラメント２９から加熱容器２２の中に加速された電子が放出されるため、金属製のシースに熱電子が流れ、このときの電流によってシースが加熱さる。このため、本来の加熱プレート２１の温度を測定することが出来ず、正確な加熱温度制御が不可能である。
【００１３】
仮に、シース型熱電対の代わりに絶縁体である碍子を用いて熱電対の絶縁を図った碍子型熱電対を用いても、碍子の切れ目を通して熱電対に熱電子が流れる。このため、計測系に高電圧が印加されて計測回路が破損してしまう。
これらの理由から、熱電対を加熱容器２１の内側に設置することは現実上不可能であり、図７のように、熱電子の影響を受けない加熱容器２１の外側に熱電対２４を設ける所以である。
【００１４】
さらに、シース型熱電対２４を加熱容器２２内に設置した背面電子衝撃加熱装置における別の問題として加熱プレート２１の温度分布の偏りがある。シース型熱電対を２４を加熱容器２２の内側に設置すると、熱電対２４のシースに熱電子による電流が流れることにより、加熱容器２１内の熱電子の放出分布が偏る。すなわち、シース型熱電対２４の端部を埋め込んだ加熱プレート２２の中央部分に熱電子が集中する。この結果、加熱プレート２１の中央部の温度が高く、その周辺部の温度が低い、いわゆる山形の温度分布となってしまう。
【００１５】
加熱容器２１は、円筒形になっており、その天板が加熱プレート２２であり、この加熱プレート２２が電子衝撃により加熱される。そのため、加熱プレート２２の熱が加熱容器２１の周壁を通ってその下端フランジ部分からテーブル２６側に流れる。従って、加熱プレート２１はどうしてもその中央部に比べて周辺部の温度が低くなる傾向にある。
【００１６】
通常はこの温度分布の偏りを補正するため、加熱プレート２１の周辺部の熱負荷を大きく、加熱プレート２１の中央部の熱負荷を小さくすることによって温度分布の均一化を図っている。このような温度分布の均一化は、この種の背面電子衝撃加熱装置では一般に採用されている手段であるが、加熱容器２１の中にシース型熱電対を設置すると、このような対策によっても温度部分の偏りが生じることなる。
【００１７】
図９のように、加熱容器２１の中にシース型熱電対２４を設置する場合に、加熱プレート２１の温度分布の均一化を図る対策として考えられる手段として、シース型熱電対２４のシースからの放熱を図ることがある。例えば、シース型熱電対２４のシースを太くしてシース型熱電対２４が取り付けられているテーブル２６への放熱量を大きくし、その分加熱プレート２１の中央に集中する熱量を減少させ、温度分布を均一化する。
【００１８】
しかしこの対策手段は、熱ロスを大きくするという問題の他、テーブル２６の真空シール２８を保護するため、テーブル２６や加熱容器２１の下端フランジ部を水冷する必要がある等、付加装置の取り付けとテーブル２６や加熱容器２１の下端フランジ部の形状の複雑化がコストアップをもたらす。ましてや、シース型熱電対２４のシースを通しての放熱量は、温度条件によって異なるため、温度制御と併せてシースの太さを決定しなければならない。このような設計は熱計算上極めて困難であり、温度制御及びシースの径の決定が共に不可能なケースもある。
【特許文献１】特開２００４−１１１５８６号公報
【特許文献２】特開２０００−３６３７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明では、前記従来の背面電子衝撃加熱装置の熱電対を使用した温度測定手段の課題に鑑み、熱電対を加熱容器の内側に配置し、その測温接点がある端部側を加熱プレートの背面に埋め込んだ構造においても、正確に且つ障害なく温度を測定出来るようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明では、前記の目的を達成するため、熱電対５の測温接点側である端部を加熱プレート２１に絶縁状態で埋め込むことにより、熱電対５をアースされている加熱容器１に対して電気的に絶縁し、且つフィラメント９から放出される熱電子に対して熱電対５を遮蔽部材１３で覆い、熱電子が熱電対５に流れないようにした。
【００２１】
すなわち、本発明による背面電子衝撃加熱装置は、加熱容器１の天板となっている加熱プレート２の背後から加速された電子を衝突させて電子衝撃加熱するフィラメント９を有するものであり、前記加熱プレート２の温度を測定する熱電対５の測温接点側の端部を加熱プレート２に絶縁状態で埋め込むことにより、この熱電対５をアース接続されている加熱容器１と電気的に絶縁すると共に、フィラメント９から放出される熱電子に対して熱電対５を遮蔽部材１３で遮蔽したものである。
【００２２】
このような背面電子衝撃加熱装置では、熱電対５が熱電子に対して遮蔽部材１３で遮蔽されているため、フィラメント９から放出される熱電子が熱電対５に流れない。このため、熱電対５が熱電子に衝撃されることがなく、その温度測定値の影響がない。しかも、熱電対５をアース接続されている加熱容器１と電気的に絶縁しているため、加熱容器１側から熱電対５に電流が流れないため、やはり熱電対５に対する温度測定値の影響がない。
【００２３】
具体的には、熱電対５の測温接点側の端部を加熱プレート２に埋め込まれたセラミック製の受け座１２を介して加熱プレート２に埋め込む。また、熱電対５をセラミックからなるパイプ状の遮蔽部材１３、１５に挿入する。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明した通り、本発明による背面電子衝撃加熱装置では、熱電対５に対する熱電子の電子衝撃が無く、また熱電対５に熱電子が流れることも無いので、熱電対５の熱電子による温度上昇や熱衝撃による破損等が生じない。これにより、安定した測定が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明では、熱電対５に熱電子が衝突したり流れたりすることが無いようにし、これにより安定した正確な温度測定を可能にした。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、実施例をあげて詳細に説明する。
【００２６】
図１は、背面電子衝撃加熱装置の一例を示す図である。図示していないが、ステンレス鋼等の金属からなるテーブル６の上に真空チャンバが載せて固定されており、この真空チャンバの中に加熱容器１が設置されている。この加熱容器１は、下面が開いた容器状のものであって、その平坦な天板がシリコンウエハ等の薄形板状の加熱物７、例えば基板を載せる加熱プレート２となっている。より具体的には、加熱容器１は、加熱プレート２が天板となってその上面側が閉じられ、加熱プレート２の周囲の下方には、下面側が開口した円筒形状の周壁が設けられている。加熱容器１の周壁の下端部はフランジ状になっている。
【００２７】
テーブル６の加熱容器１の下端フランジ部分を載せる位置には、テーブル６の中心軸の周りに溝が設けられ、この溝に真空シール材８が嵌め込まれている。この溝に嵌め込まれた真空シール材８の上に、前記加熱容器１の周壁１３の下端フランジ部分が載せられ、気密に固定されている。
さらに、この加熱容器１の内部には、テーブル６から支柱1４が立設され、この支柱1４の上端側に平板状のホルダ１２が支持されている。さらにこのホルダ１２の上にリフレクタ３が支持されている。
【００２８】
真空チャンバのテーブル６に設けたセラミック封止部９、９を通してフィラメントサポートを兼ねる柱状の電極１５、１５が挿入、立設されており、この電極１５、１５にフィラメント９が取り付けられている。このフィラメント９は、加熱容器１の中でその加熱プレート２の背後に設けられている。またこのフィラメント９には、電極１５、１５を介して図１では図示していないフィラメント加熱電源が接続されている。さらに、このフィラメント９と加熱プレート２との間には、高電圧電源により加速電圧が印加される。なお加熱プレート２を有する加熱容器１は接地され、フィラメント９に対して正電位に保持される。また、前記のリフレクタ３は、フィラメント９に導通しており、同フィラメント９と同電位のマイナス電位とされる。
【００２９】
真空チャンバのテーブル６に設けたセラミック封止部４を通してシース型熱電対５が加熱容器１の中に挿入されており、その測温接点がある上端部が加熱プレート２の下面からその中に埋め込まれている。具体的には、加熱プレート２の下面に設けたネジ穴にセラミック製の受け座１２がねじ込み式で取り付けられ、この受け座１２に設けた穴にシース型熱電対５の測温接点がある上端部が嵌合されている。熱電対５のシースは加熱プレート２に対して絶縁されている。
【００３０】
さらに、この熱電対５の上端に近いフィラメント９に囲まれた部分は、円筒形の導体からなる遮蔽部材１３により覆われている。この遮蔽部材１３は、フィラメント９と同電位のリフレクタ３に接触しており、フィラメント９から放出される熱電子を反射する機能を有する。
【００３１】
既に述べた通り、熱電対５は、テーブル６側に設けたセラミック封止部４を通して加熱容器１の内部に挿入されているが、このセラミック封止部４は、熱電対５をテーブル６側と電気的に絶縁するセラミックスリーブ１６を有している。これにより熱電対５は、このセラミックスリーブ１６と前記セラミック製の受け座１２とにより、加熱容器１と電気的に絶縁されている。熱電対５のセラミック封止部４からの引出部はロウ付け等により気密にシールされ、この引出端部はアダプタ８を介して補償導線１７と接続されている。この補償導線１７との接続部分は、前記セラミック封止部４からの引出部と共にフッ素系樹脂やシリコーン系樹脂等からなる熱収縮チューブ１１により金属シースを絶縁している。
【００３２】
この背面電子衝撃加熱装置では、熱電対５がリフレクタ３と同電位の遮蔽部材１３で遮蔽されているため、遮蔽部材１３が熱電子を反射し、フィラメント９から放出される熱電子が熱電対５に流れない。また、熱電対５をアース接続されている加熱容器１と電気的に絶縁しているため、加熱容器１側から熱電対５に電流が流れない。
【００３３】
図２は、本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置の特に熱電対５の上端の近くの部分を示している。この実施例では、熱電対５の周囲を囲む遮蔽部材１３がリフレクタ３を保持するホルダ１２に固定されて支持されている。これにより、遮蔽部材１３はホルダ１２とその支柱を介してリフレクタ３に電気的に接続され、同リフレクタ３と同電位とされる。
図２（ａ）は、遮蔽部材１３の上端をセラミック製の受け座１２から離して設けた例であり、図２（ｂ）は、遮蔽部材１３の上端をセラミック製の受け座１２の下端に掛けて取り付けた例である。
【００３４】
図３は、本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置の特に熱電対５の上端の近くの部分を示している。この実施例では、熱電対５の周囲を囲む遮蔽部材１３がリフレクタ３に固定されて支持されている。これにより、遮蔽部材１３はリフレクタ３に電気的に接続され、同リフレクタ３と同電位とされる。
図３（ａ）は、遮蔽部材１３の上端をセラミック製の受け座１２から離して設けた例であり、図３（ｂ）は、遮蔽部材１３の上端をセラミック製の受け座１２の下端に掛けて取り付けた例である。
【００３５】
図４は、本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置の特に熱電対５の上端の近くの部分を示している。この実施例では、熱電対５の周囲を囲む遮蔽部材１３の上端が加熱プレート２の下面に固定されて支持されている。但しこの例では、遮蔽部材１３はセラミック等の耐熱性のある絶縁材により作られたものを使用する必要がある。
図４（ａ）は、遮蔽部材１３の上端を加熱プレート２の下面にネジ止めした例であり、図４（ｂ）は、遮蔽部材１３の上端をセラミック製の受け座１２の下端外周にネジ込んで取り付けた例である。
【００３６】
図５は、本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置を示しており、同図（ａ）が加熱容器２１の中に配置された熱電対５の全体部分、同図（ｂ）がその上端付近部分、同図（ｃ）がその下端部付近部分である。この実施例では、熱電対５として、その素線１７、１７を円柱形の複数のセラミック碍子１６、１６…に開けた２つの孔に通して互いに絶縁した碍子型熱電対を用いている。図５（ａ）に示すように、セラミック碍子１６、１６…は縦に並べられ、これに熱電対５の素線１７、１７が通される。図５（ｂ）に示すように、最上端のセラミック碍子１８には窪みが設けられ。この中で素線１７、１７の端部が接合され、測温接点が設けられる。さらに、図５（ａ）に示すように、この熱電対５の素線１７、１７を通した碍子を、セラミックからなるパイプ状の遮蔽部材１５の中に収納する。この遮蔽部材１５の上端は閉じており、この部分に前記熱電対５の測温接点が挿入され、この遮蔽部材１５の上端が加熱プレート２に埋め込まれる。
【００３７】
熱電対５の素線１７、１７の下端側は、テーブル６に設けたセラミック封止部４”のセラミック端子２２を通してリード線２１、２１として真空チャンバから引き出されている。図５（ｃ）に示すように、セラミック端子２２と熱膨張係数が近いコバールやファーニーからなる引出用細管２０、２０をセラミックに貫通し、この引出用細管２０、２０を通して素線１７、１７を外部に引き出し、引出用細管２０、２０の端部をロウ付け等の手段でセラミック端子２２気密に封止している。
【００３８】
図６は、本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置の特に熱電対５の上端の近くの部分を示している。この実施例では、熱電対５の周囲を囲む遮蔽部材１３、１３’が二重に設けられている。内側の遮蔽部材１３の上端は加熱プレート２に埋め込んだセラミック製の受け座１２の下端外周にネジ込んで取り付けられている。外側の遮蔽部材１３’がリフレクタ３と接触し、同リフレクタ３と同電位となっている。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明による背面電子衝撃加熱装置の一実施例を示す概略縦断側面図である。
【図２】本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置の特に熱電対の上端の近くの部分を示す概略縦断側面図である。
【図３】本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置の特に熱電対の上端の近くの部分を示す概略縦断側面図である。
【図４】本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置の特に熱電対の上端の近くの部分を示す概略縦断側面図である。
【図５】本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置を示しており、（ａ）が熱電対の加熱容器の中に配置された部分の全体、（ｂ）がその上端部、同図（ｃ）がその下端部付近の概略断面図である。
【図６】本発明の他の実施例である背面電子衝撃加熱装置の特に熱電対の上端の近くの部分を示す概略縦断側面図である。
【図７】温度測定手段として熱電対を備えた背面電子衝撃加熱装置の従来例を示す概略縦断側面図である。
【図８】温度測定手段として輻射温度計を備えた背面電子衝撃加熱装置の従来例を示す概略縦断側面図である。
【図９】温度測定手段として熱電対を加熱容器の中に備えた背面電子衝撃加熱装置の例を示す概略縦断側面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１    加熱容器
２    加熱プレート
５    熱電対
９    フィラメント
１２  セラミック製の受け座
１３  遮蔽部材
【図１】
2007335339.tif 000003
【図２】
2007335339.tif 000004
【図３】
2007335339.tif 000005
【図４】
2007335339.tif 000006
【図５】
2007335339.tif 000007
【図６】
2007335339.tif 000008
【図７】
2007335339.tif 000009
【図８】
2007335339.tif 000010
【図９】
2007335339.tif 000011