(57)【要約】【課題】  フラッシュメモリに過多の不良ブロックがあっても、使用不能と判定されることがないフラッシュメモリの管理方法を提供する。【解決手段】  主にフラッシュメモリが有する正常ブロックと不良ブロックの総数を計算し、フラッシュメモリが擁するセクション数に基づきそれぞれを平均し、かつ分配後のデータを正常ブロック中に記録する。こうして、フラッシュメモリが初期化動作を執行する時に、コントロールチップは該データを保存するブロックを捜し出し、ブロックの情報を読み出しコントロールチップ中のSRAM内に保存する。また該SRAM内に保存するデータに基づき、対応するセクション内のブロックに対して対応表を作成する。こうして管理の目的を達成し、さらに比較的少ない容量でフラッシュメモリを使用可能とした。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリの管理方法において、先ずフラッシュメモリ中に有する正常ブロックと不良ブロックの総数を計算し、フラッシュメモリが擁するセクション数に基づきそれぞれを平均し、しかも、分配後のデータを正常ブロックに記録し、こうしてフラッシュメモリが初期化を執行する時に、コントロールチップは該データを保存するブロックを探し出し、該ブロックのデータを読み出し、コントロールチップ中のSRAM内に保存し、該SRAM内に保存するデータに基づき、対応するセクション内のブロックに対して対応表を作成することを特徴とするフラッシュメモリの管理方法。
【請求項２】
前記データは、セクション数、各セクションの正常ブロック数及びボーダーデータであることを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリの管理方法。
【請求項３】
フラッシュメモリの管理方法において、セクション数、各セクションの正常ブロック及びボーダーデータを記録するフラッシュメモリにおいて初期化動作を執行する時には、
(A) コントロールチップはフラッシュメモリ内のセクション数、各セクションの正常ブロック数及びボーダーデータを保存するブロックを探し出し、該ブロックが記録するデータをコントロールチップ中のSRAMに保存し、
(B) SRAM内のボーダー及びセクションデータに基づき、該フラッシュメモリ内にボーダー及びセクションを作り、
(C)各セクション中の正常ブロックを検査し、
(D) セクション内のブロック対応表を作成する、
上記の(A)から(D)のステップ順に基づいて行うことを特徴とするフラッシュメモリの管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種のフラッシュメモリの管理方法に関する。特に、一種のフラッシュメモリ中の正常ブロックの数を利用し、フラッシュメモリの容量を調整することにより、フラッシュメモリを比較的少ない容量で使用することができるフラッシュメモリの管理方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリはMASK-ROM、OTP ROM 、EPROM 、EEPROMからフラッシュメモリへと発展を遂げたが、フラッシュメモリは不揮発性メモリの既存の長所を具えながら、アクセス速度が速く、かつ電力を消耗する必要なくデータを保存できるという特徴を具えるため、半導体産業において急速に成長している製品である。業界ではコントロールチップをフラッシュメモリと結合し、ポータブルメディア、メモリカードなど新しいストレージデバイスも製造されている。またフラッシュメモリはエネルギー消費が低く、不揮発性で、耐震、保存密度が高いなどの特性を具え、しかもモーター、磁気ヘッドなどの部品を必要としないため、大幅に体積を縮小可能で、デジカメ、ＭＰ３ポータブルメディア、ＰＤＡなど電子製品のニーズを満たすストレージメディアの注目株である。
一方、フラッシュメモリの開発の方向は大容量へと向かっており、既にフラッシュメモリ１個の容量は512MBに達している。しかも、そのブロック数も4096個にも達しているが、コントロールチップ上のSRAM(Static Random Access Memory)には限界があるため、フラッシュメモリ内のブロックはセクションに分けて管理され、スワップの動作を経て、全ブロック管理の目的を達成し、かつ各セクションの選択は平均に分配される。例えば、4096個のブロックを持つフラッシュメモリは４セクションに分けられ、各セクションは1024ブロックを持つ。
この管理方式は、管理を簡単にするが、フラッシュメモリ中に数個の不良ブロックが現れ、かつ該不良ブロックがある同一のセクションに集中している場合には、該セクションにデータを書き込む過程において、該セクション内に交換可能なブロックがないため、該フラッシュメモリは全くアクセスできない状態となり、フラッシュメモリにより作られるストレージデバイスは使用できなくなる。
こうなってしまえば、消費者は新しいストレージデバイスを購入しなければならず、非常に無駄である。
【特許文献１】特開２００２−３６６４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
公知構造には以下の欠点があった。
すなわち、現在のフラッシュメモリは非常に大容量で、512MBのメモリの場合には4096ブロックにも達しているが、コントロールチップ上のSRAMには限界があるため、フラッシュメモリ内のブロックはセクションに分けて管理される。
しかし、フラッシュメモリ中に数個の不良ブロックが現れ、かつ、該不良ブロックがある同一のセクションに集中している場合には、該セクションにデータを書き込む過程において、該セクション内に交換可能なブロックがないため、該フラッシュメモリは全くアクセスできない状態となり、フラッシュメモリにより作られるストレージデバイスは使用できなくなってしまう。
本発明は上記構造の問題点を解決したフラッシュメモリの管理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するため、本発明は下記のフラッシュメモリの管理方法を提供する。それは主にフラッシュメモリ中の正常ブロック数を利用し、フラッシュメモリの容量及びその対応するセクション数と各セクションが含む正常ブロック数を調整し、こうして比較的少ない容量でフラッシュメモリを使用可能とし、フラッシュメモリの管理方法にフレキシブルな空間を具えることを特徴とするフラッシュメモリの管理方法である。
【０００５】
すなわち、請求項１の発明は、フラッシュメモリの管理方法において、先ずフラッシュメモリ中に有する正常ブロックと不良ブロックの総数を計算し、フラッシュメモリが擁するセクション数に基づきそれぞれを平均し、しかも、分配後のデータを正常ブロックに記録し、こうしてフラッシュメモリが初期化を執行する時に、コントロールチップは該データを保存するブロックを探し出し、該ブロックのデータを読み出し、コントロールチップ中のSRAM内に保存し、該SRAM内に保存するデータに基づき、対応するセクション内のブロックに対して対応表を作成することを特徴とするフラッシュメモリの管理方法である。
【０００６】
請求項２の発明は、前記データは、セクション数、各セクションの正常ブロック数及びボーダーデータであることを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリの管理方法である。
【０００７】
請求項３の発明は、フラッシュメモリの管理方法において、セクション数、各セクションの正常ブロック及びボーダーデータを記録するフラッシュメモリにおいて初期化動作を執行する時には、
(A) コントロールチップはフラッシュメモリ内のセクション数、各セクションの正常ブロック数及びボーダーデータを保存するブロックを探し出し、該ブロックが記録するデータをコントロールチップ中のSRAMに保存し、
(B) SRAM内のボーダー及びセクションデータに基づき、該フラッシュメモリ内にボーダー及びセクションを作り、
(C)各セクション中の正常ブロックを検査し、
(D) セクション内のブロック対応表を作成する、
上記の(A)から(D)のステップ順に基づいて行うことを特徴とするフラッシュメモリの管理方法である。
【発明の効果】
【０００８】
上記のように、本発明はフラッシュメモリが有する正常ブロックと不良ブロックの総数を計算し、フラッシュメモリが擁するセクション数に基づきそれぞれを平均し、コントロールチップ中のSRAMに記録することにより、フラッシュメモリが初期化動作を執行する時に、コントロールチップはSRAM内に保存するデータに基づき、対応するセクション内のブロックに対して対応表を作成する。
こうして管理の初期の目的を達成させ、さらに比較的少ない容量でフラッシュメモリを使用可能とし、フラッシュメモリに過多の不良ブロックがあっても使用不能と判定されることはなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の好適なフラッシュメモリの管理方法の実施例を図面を参照して説明する。
図１、２に示すように、使用者がフラッシュメモリ１を使用する前に、コントロールチップ(図示なし)はすべての正常ブロック１１と不良ブロック１２の総数を先に計算し、該フラッシュメモリ１が持つセクション数に基づきそれぞれ平均し、ある正常ブロック１１を選択し、該セクション数、各セクションの正常ブロック１１数及びボーダーデータなどを記録する。
該フラッシュメモリ１を初期化する時、該コントロールチップはこのセクション数、各セクションの正常ブロック１１数、及びボーダーデータを記録するブロック(図１のデータブロック)を探し出し、該ブロックの情報を読み出し、該コントロールチップ中のSRAM(Static Random Access Memory)内に保存する。
【００１０】
各セクション別に初期化動作を行う時には、該コントロールチップはSRAM内に保存する情報に基づき、対応するセクション内のブロックに対して対応表を作成し、管理の目的を達成する。
例えば、あるフラッシュメモリ１が4096個のブロックを有し、その不良ブロック１２数が128個であり、もし４セクションに分けて計算するとすると、各セクションが有する正常ブロック１１の数は(4096-128)/4=992となる。
さらに、最初から計算し正常ブロック１１の数が992個に達すると、ボーダー記録を行う。こうして、４セクションに記録することができるが、記録内容は以下の通りである。
F(0)=0,〜F(1)
F(1)〜F(2),
F(2)〜F(3),
F(3)〜F(4)＜＝4096
記録内容を、その内の正常ブロック１１に書き込み、該フラッシュメモリ１を初期化する時には、該コントロールチップはこの記録を保存するブロックを探し出し、該ブロックの情報を読み出し、該コントロールチップ中のSRAM内に保存する。個別セクションに対して初期化の動作を行う時には、該コントロールチップはSRAM内に保存する情報に基づき、対応するセクション内のブロックに対して対応表を作成する。こうして管理の目的を達成する。
【００１１】
フラッシュメモリ１に過多の不良ブロック１２がある時には、本発明は正常ブロック１１数に対して該フラッシュメモリ１の容量を調整し、その対応するセクション数と各セクション内に含む正常ブロック１１数を利用する。こうして比較的少ない容量で該フラッシュメモリ１を使用することができ、該フラッシュメモリ１の管理においてフレキシブルな空間を具えることができる。
【００１２】
次に、図１、２、３に示すように、セクション数、各セクションの正常ブロック１１数及びボーダーデータを記録するフラッシュメモリ１が初期化動作を実行する時には以下のステップに従い行われる。
(100) コントロールチップはフラッシュメモリ１内のセクション数、各セクションの正常ブロック１１数及びボーダーデータを保存するブロックを探し出し、該ブロックが記録するデータをコントロールチップ中のSRAMに保存する。
(110) SRAM内のボーダー及びセクションデータに基づき、該フラッシュメモリ１内にボーダー及びセクションを作る。
(120) 各セクション中の正常ブロック１１を検査する。
(130) セクション内のブロック対応表を作成する。
こうして比較的少ない容量でフラッシュメモリ１を使用可能となり、該フラッシュメモリ１の管理においてフレキシブルな空間を具えることができる。
【００１３】
こうして、フラッシュメモリが初期化動作を執行する時に、コントロールチップは該データを保存するブロックを捜し出し、ブロックの情報を読み出し、コントロールチップ中のSRAM内に保存する。また該SRAM内に保存するデータに基づき、対応するセクション内のブロックに対して対応表を作成する。こうして管理の目的を達成し、さらに比較的少ない容量でフラッシュメモリを使用可能とし、フラッシュメモリに過多の不良ブロックがあっても使用不能と判定されることはなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のブロック計算指示図である。
【図２】本発明のブロック管理指示図である。
【図３】本発明のフラッシュメモリ初期化のフローチャートである。
【符号の説明】
【００１５】
１  フラッシュメモリ
１１  正常ブロック
１２  不良ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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