(57)【要約】【課題】クロム単層のハード膜下地よりもハード膜の保磁力を高められるとともに、ハード膜下地の厚さが薄い箇所においてもハード膜の保磁力を維持させることができるハード膜下地の構成を備えることで、リード素子のフリー層の磁化方向を好適に安定させることができる磁気再生ヘッドを提供する。【解決手段】リード素子３０と、リード素子３０を上下から挟む上部シールド４４および下部シールド３２と、上部シールド４４と下部シールド３２との間に設けられ、リード素子３０を両側面から挟むハード膜３８と、下部シールド３２とハード膜３８との間に形成されたハード膜下地３６とを備えた磁気再生ヘッドにおいて、ハード膜下地３６は、クロム層３６ａと、クロム・チタン合金層３６ｂとから成る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード素子と、
該リード素子を上下から挟む上部シールドおよび下部シールドと、
前記上部シールドと前記下部シールドとの間に設けられ、前記リード素子を両側面から挟むハード膜と、
前記下部シールドと前記ハード膜との間に形成されたハード膜下地とを備えた磁気再生ヘッドにおいて、
前記ハード膜下地は、クロム層と、クロム・チタン合金層とから成ることを特徴とする磁気再生ヘッド。
【請求項２】
前記ハード膜は、コバルト・クロム・白金合金から成ることを特徴とする請求項１記載の磁気再生ヘッド。
【請求項３】
前記ハード膜下地は、前記下部シールド側がクロム層であり、前記ハード膜側がクロム・チタン合金層となるよう設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の磁気再生ヘッド。
【請求項４】
前記ハード膜下地は、前記下部シールド側がクロム・チタン合金層であり、前記ハード膜側がクロム層となるよう設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の磁気再生ヘッド。
【請求項５】
前記クロム・チタン合金層の厚さは、１８Å以下であることを特徴とする請求項４記載の磁気再生ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リード素子と、リード素子を上下から挟む上部シールドおよび下部シールドと、上部シールドと下部シールドとの間に設けられ、前記リード素子を両側面から挟むハード膜と、前記下部シールドと前記ハード膜との間に形成されたハード膜下地とを備えた磁気再生ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク等の磁気媒体の再生（読み取り）に使用される従来の磁気再生ヘッドの構成の一例が、特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の磁気再生ヘッドの構成を、図９に示す。図９の従来の磁気再生ヘッドは、リード素子（ＧＭＲ素子）としての軟磁性薄膜１３，非磁性導電性薄膜１４，および磁気抵抗効果膜１５と、ギャップ層１２２，１２１を介して前記リード素子を上下から挟む上部シールド１１２および下部シールド１１１と、上部シールド１１２と下部シールド１１１との間に設けられ、前記リード素子を両側面から挟むハード膜（硬磁性薄膜）２６と、下部シールド１１１とハード膜２６との間に形成されたハード膜下地（下地膜）２５２とを備える。
【０００３】
特許文献１には、従来より、ハード膜としてはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト・クロム・白金合金）系等の薄膜が用いられ、また、ハード膜下地（下地膜）としてはＣｒ（クロム）等の非磁性膜が用いられることが記載されている（特許文献１  段落０００７，００１０，００１１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−６３６４３号公報（段落０００７，００１０，００１１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、ハード膜の保磁力は、ハード膜下地の性質や状態により影響を受けるため、ハード膜下地の構成が従来より種々研究されている。
さて、ハード膜下地の材料としてクロムを採用した場合には、ハード膜の保磁力が不十分であり、リード素子のフリー層の磁化方向を安定化させることが難しく、それがノイズ等の要因となっているという課題がある。
【０００６】
例えば、厚さが２０〜４０Å程度のクロムのハード膜下地上に、コバルト・クロム・白金合金から成るハ−ド膜を設けた場合、図１０のグラフに示すようにハード膜の保磁力Ｈｃは１３００Ｏｅ程度となるが、リード素子のフリー層の磁化方向を好適に安定させるためには、好ましくは、ハード膜の保磁力は１５００Ｏｅ程度以上が望まれている。
【０００７】
この点、本願発明者は、ハード膜下地の材料としてクロム・チタン合金を用いると、ハード膜の保磁力を１５００Ｏｅ程度以上とすることができることを見出した。具体的には、厚さが３０〜４０Å程度のクロム・チタン合金から成るハード膜下地上に、コバルト・クロム・白金合金から成るハ−ド膜を設けた場合、図１０のグラフから分かるとおり、ハード膜の保磁力Ｈｃは１５００Ｏｅ程度以上となる。
【０００８】
さて、図９に示されるように、磁気再生ヘッドにおいて、ハード膜下地２５２の厚さは、前記リード素子の両側面のテーパ部１６上において薄くなる。これは、ハード膜下地２５２を形成する際に、前記リード素子の上面にレジスト層を形成した上で、下部シールド１１１（下部ギャップ層１２１）上および前記リード素子の両側面上に、イオンビームスパッタ法でハード膜下地２５２を形成するため、レジスト層の脇であってなおかつテーパ状に形成された前記リード素子の両側面には、ハード膜下地２５２が付きにくいからである。
【０００９】
このように、磁気再生ヘッドにおいては、リード素子の側面にハード膜下地を厚く形成することが困難であるため、ハード膜下地の厚さが薄くても、ハード膜の保磁力を維持できることが望まれている。
この点、図１０のグラフから分かるとおり、クロムのハード膜下地では厚さが約２０Åまで保磁力１３００Ｏｅ程度を維持できるのに対し、クロム・チタン合金から成るハード膜下地では、その厚さが３０Å程度を切るとハード膜の保磁力が１０００Ｏｅ以下にまで低くなってしまい、したがってリード素子の近傍での保磁力が維持できず、実用が難しいという課題がある。
【００１０】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、クロム単層のハード膜下地よりもハード膜の保磁力を高められるとともに、ハード膜下地の厚さが薄い箇所においてもハード膜の保磁力を維持させることができるハード膜下地の構成を備えることで、リード素子のフリー層の磁化方向を好適に安定させることができる磁気再生ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ハード膜下地の構成を、クロム層と、クロム・チタン合金層との二層構造することにより、クロム単層のハード膜下地よりもハード膜の保磁力を高められるとともに、ハード膜下地の厚さが薄くとも、ハード膜の保磁力を維持させることができることを見出し、本願発明を完成させた。
【００１２】
本発明に係る磁気再生ヘッドは、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、リード素子と、該リード素子を上下から挟む上部シールドおよび下部シールドと、前記上部シールドと前記下部シールドとの間に設けられ、前記リード素子を両側面から挟むハード膜と、前記下部シールドと前記ハード膜との間に形成されたハード膜下地とを備えた磁気再生ヘッドにおいて、前記ハード膜下地は、クロム層と、クロム・チタン合金層とから成ることを特徴とする。
【００１３】
さらに、前記ハード膜は、コバルト・クロム・白金合金から成ることを特徴とする。
【００１４】
また、前記ハード膜下地は、前記下部シールド側がクロム層であり、前記ハード膜側がクロム・チタン合金層となるよう設けられていることを特徴とする。
【００１５】
また、前記ハード膜下地は、前記下部シールド側がクロム・チタン合金層であり、前記ハード膜側がクロム層となるよう設けられていることを特徴とする。
【００１６】
さらに、前記クロム・チタン合金層の厚さは、１８Å以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る磁気再生ヘッドによれば、クロム単層のハード膜下地よりもハード膜の保磁力を高められるとともに、ハード膜下地の厚さが薄い箇所においてもハード膜の保磁力を維持させることができるハード膜下地の構成を備えることで、リード素子のフリー層の磁化方向を好適に安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る磁気再生ヘッドを実施するための最良の形態を説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本実施例１に係る磁気再生ヘッドの、リード素子としてのＧＭＲ素子３０近傍の構成を示す部分断面説明図である。図１に示した磁気再生ヘッドは、リード素子としてのＧＭＲ素子３０と、それぞれ絶縁膜４２および絶縁膜３４を介してＧＭＲ素子３０を上下から挟む上部シールド４４および下部シールド３２と、上部シールド４４と下部シールド３２との間に設けられ、ＧＭＲ素子３０を両側面から挟む、コバルト・クロム・白金合金から成るハード膜３８と、下部シールド３２とハード膜３８との間に形成されたハード膜下地３６と、ハード膜３８と上部シールド４４側の絶縁膜４２との間に形成されたリード端子４０とを備える。
【００２０】
本実施例１に係る磁気再生ヘッドは、ハード膜下地３６の構成に特徴がある。ハード膜下地３６は、下層（下部シールド側）がクロムから成るクロム層３６ａ、上層（ハード膜３８側）がクロム・チタン合金から成るクロム・チタン合金層３６ｂの、２層構造に構成される。
【００２１】
本磁気再生ヘッドを製造する際には、下部シールド３２および絶縁膜３４上にＧＭＲ素子３０を形成し、ＧＭＲ素子３０の上面にレジスト層（図示せず）を形成した後、下部シールド３２（絶縁膜３４）上およびＧＭＲ素子３０の両側面上に、イオンビームスパッタ法でクロム層３６ａ（ハード膜下地３６の一層目）を形成し、さらにイオンビームスパッタ法でクロム・チタン合金層３６ｂ（ハード膜下地３６の二層目）を形成する。
そして、さらにそのハード膜下地３６上に、公知の製造方法と同様に、コバルト・クロム・白金合金のハード膜３８等を形成する。
【００２２】
クロム層３６ａとクロム・チタン合金層３６ｂとの２層構造のハード膜下地３６上に、コバルト・クロム・白金合金のハード膜３８を形成した場合の、ハード膜３８の保磁力Ｈｃおよび角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）の測定結果を、図２および図３の各グラフに示す。
図２は、ハード膜下地３６の厚さ、すなわち、クロム層３６ａとクロム・チタン合金層３６ｂとの厚さの合計が２５Åとなるよう形成し、クロム層３６ａの厚さＸ（すなわちクロム・チタン合金層３６ｂの厚さは（２５Å−Ｘ））と、ハード膜３８の保磁力Ｈｃ（図２（ａ））および角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）（図２（ｂ））との関係を測定した結果を示すグラフである。
【００２３】
図１０に示した通り、ハード膜下地をクロム層の単層とした従来の構成の場合、ハード膜の保磁力は１３００Ｏｅ程度であり、また、ハード膜下地をクロム・チタン合金層の単層とした場合、その厚さが３０Å程度以下ではハード膜の保磁力は１０００Ｏｅ以下である。
他方、本実施例１に係る磁気再生ヘッドのように、ハード膜下地３６をクロム層３６ａとクロム・チタン合金層３６ｂとの２層構造とすれば、２５Åの厚さでも、１６００Ｏｅ以上のハード膜３８の保磁力Ｈｃを得られる（クロム層３６ａの厚さＸを８〜１７Åとした場合。図２（ａ）参照）。また、角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）は、クロム層３６ａの厚さが１１Å以上、より好適には１５Å以上で、１に近い理想的な値を得られることが分かる（図２（ｂ）参照）。
【００２４】
図３は、ハード膜下地３６の厚さ、すなわち、クロム層３６ａとクロム・チタン合金層３６ｂとの厚さの合計が２０Åとなるよう形成し、クロム層３６ａの厚さＸ（すなわちクロム・チタン合金層３６ｂの厚さは（２０Å−Ｘ））と、ハード膜３８の保磁力Ｈｃ（図３（ａ））および角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）（図３（ｂ））との関係を測定した結果を示すグラフである。
【００２５】
この場合でも、クロム層３６ａの厚さが１５Å程度のとき、保磁力１６００Ｏｅ程度、角型比０．９弱程度の好適な結果が得られる。すなわち、ハード膜下地３６の厚さを２０Åにまで薄くしても、クロム層またはクロムチタン層の単層のハード膜下地と比較して優位性が認められる。
【００２６】
図２および図３から分かるように、ハード膜下地３６をクロム層３６ａとクロム・チタン合金層３６ｂとの２層構造とした本実施例１の構成において、特に、クロム層３６ａの厚さは１１Å以上、より好適には１５Å以上とし、また、ハード膜下地３６全体の厚さに占めるクロム層３６ａの厚さの割合は、４５％〜７５％、より好適には５０％〜７０％とすると、ハード膜下地３６が薄くても好適な保磁力特性および角型比特性が得られる。
【００２７】
したがって、本実施例１に係る磁気再生ヘッドによれば、従来のクロム層の単層のハード膜下地の構成に比較して、より高いハード膜の保磁力を得られると同時に、ＧＭＲ素子３０の側面の、ハード膜下地３６の厚さが薄くなる箇所においても、従来より高いハード膜の保磁力を得られる。
【００２８】
なお、本実施例１に係る磁気再生ヘッドのハード膜下地３６の構成は、ＧＭＲ素子３０を備えた磁気再生ヘッドだけでなく、いわゆる垂直磁気記録用のリード素子であるＴＭＲ素子を備えた磁気再生ヘッドのハード膜下地の構成に応用することももちろん可能である。
【００２９】
図４は、垂直磁気記録用のリード素子であるＴＭＲ素子５０を備え、上記ハード膜下地の構成を応用した磁気再生ヘッドの、ＴＭＲ素子５０近傍の構成を示す部分断面説明図である。図４に示した磁気再生ヘッドは、リード素子としてのＴＭＲ素子５０と、ＴＭＲ素子５０を上下から挟む上部シールド６０および下部シールド５２と、下部シールド５２上およびＴＭＲ素子５０の側面上に設けられた絶縁膜５４と、絶縁膜５４上の、上部シールド６０と下部シールド５２との間に設けられ、ＴＭＲ素子５０を両側面から挟む、コバルト・クロム・白金合金から成るハード膜５８と、下部シールド５２（絶縁膜５４）とハード膜５８との間に形成されたハード膜下地５６とを備える。
【００３０】
ハード膜下地５６は、下層（下部シールド側）がクロムから成るクロム層５６ａ、上層（ハード膜３８側）がクロム・チタン合金から成るクロム・チタン合金層５６ｂの、２層構造に構成され、それらの厚さは、図１のＧＭＲ素子３０を備えた磁気再生ヘッドと同様に設定される。
【００３１】
図４のＴＭＲ素子５０を備える磁気再生ヘッドにおいても、上記構成のハード膜下地５６を備えることにより、従来のクロム層の単層のハード膜下地の構成に比較して、より高いハード膜５８の保磁力を得られるとともに、ＴＭＲ素子５０の側面の、ハード膜下地５６の厚さが薄くなる箇所においても、従来より高いハード膜５８の保磁力を得られる。
【実施例２】
【００３２】
次に、実施例２に係る磁気再生ヘッドの構成について説明する。図５は、本実施例２に係る磁気再生ヘッドの、リード素子としてのＧＭＲ素子３０近傍の構成を示す部分断面説明図である。
なお、実施例２において、実施例１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３３】
本実施例２に係る磁気再生ヘッドは、ハード膜下地６２の構成が、実施例１の磁気再生ヘッドと異なっている。ハード膜下地６２は、下層（下部シールド側）がクロム・チタン合金から成るクロム・チタン合金層６２ａ、上層（ハード膜３８側）がクロムから成るクロム層６２ｂの、２層構造に構成される。
【００３４】
本磁気再生ヘッドを製造する際には、下部シールド３２および絶縁膜３４上にＧＭＲ素子３０を形成し、ＧＭＲ素子３０の上面にレジスト層（図示せず）を形成した後、下部シールド３２（絶縁膜３４）上およびＧＭＲ素子３０の両側面上に、イオンビームスパッタ法でクロム・チタン合金層６２ａ（ハード膜下地６２の一層目）を形成し、さらにイオンビームスパッタ法でクロム層６２ｂ（ハード膜下地６２の二層目）を形成する。
そして、さらにそのハード膜下地６２上に、公知の製造方法と同様に、コバルト・クロム・白金合金のハード膜３８等を形成する。
【００３５】
クロム・チタン合金層６２ａとクロム層６２ｂとの２層構造のハード膜下地６２上に、コバルト・クロム・白金合金のハード膜３８を形成した場合の、ハード膜３８の保磁力Ｈｃおよび角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）の測定結果を、図６および図７の各グラフに示す。
図６は、ハード膜下地６２の厚さ、すなわち、クロム・チタン合金層６２ａとクロム層６２ｂとの厚さの合計が２５Åとなるよう形成し、クロム・チタン合金層６２ａの厚さＸ（すなわちクロム層６２ｂの厚さは（２５Å−Ｘ））と、ハード膜３８の保磁力Ｈｃ（図６（ａ））および角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）（図６（ｂ））との関係を測定した結果を示すグラフである。
【００３６】
本実施例２に係る磁気再生ヘッドのように、ハード膜下地６２をクロム・チタン合金層６２ａとクロム層６２ｂとの２層構造とすれば、２５Åの厚さでも、１４００〜１６００Ｏｅのハード膜３８の保磁力Ｈｃを得られる（クロム・チタン合金層６２ａの厚さＸを１８Å以下とした場合。図６（ａ）参照）。また、角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）は、クロム・チタン合金層６２ａの厚さが１８Å以下で、１に近い理想的な値を得られることが分かる（図６（ｂ）参照）。
【００３７】
図７は、ハード膜下地６２の厚さ、すなわち、クロム・チタン合金層６２ａとクロム層６２ｂとの厚さの合計が２０Åとなるよう形成し、クロム・チタン合金層６２ａの厚さＸ（すなわちクロム層６２ｂの厚さは（２０Å−Ｘ））と、ハード膜３８の保磁力Ｈｃ（図７（ａ））および角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）（図７（ｂ））との関係を測定した結果を示すグラフである。
この場合、クロム・チタン合金層６２ａの厚さが１０Å以下のとき、保磁力１４００Ｏｅ程度以上、角型比０．８程度以上の結果が得られる。
【００３８】
図６および図７から分かるように、ハード膜下地６２をクロム・チタン合金層６２ａとクロム層６２ｂとの２層構造とした本実施例２の構成において、特に、ハード膜下地６２の厚さが２５Åのときクロム・チタン合金層６２ａの厚さは１８Å以下、より好適には１８Å程度とするとよい。また、ハード膜下地６２全体の厚さに占めるクロム・チタン合金層６２ａの厚さの割合は、７５％以下とすると、ハード膜下地６２が薄くても好適な保磁力特性および角型比特性が得られる。
【００３９】
本実施例２に係る磁気再生ヘッドによれば、従来のクロム層の単層のハード膜下地の構成に比較して、より高いハード膜の保磁力を得られると同時に、ＧＭＲ素子３０の側面の、ハード膜下地３６の厚さが薄くなる箇所においても、従来より高いハード膜の保磁力を得られる。
【００４０】
なお、本実施例２に係る磁気再生ヘッドのハード膜下地６２の構成は、ＧＭＲ素子３０を備えた磁気再生ヘッドだけでなく、いわゆる垂直磁気記録用のリード素子であるＴＭＲ素子を備えた磁気再生ヘッドのハード膜下地の構成に応用することももちろん可能である。
【００４１】
図８は、垂直磁気記録用のリード素子であるＴＭＲ素子５０を備え、上記ハード膜下地の構成を応用した磁気再生ヘッドの、ＴＭＲ素子５０近傍の構成を示す部分断面説明図である。
なお、図８の磁気再生ヘッドにおいて、図４の磁気再生ヘッドと同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
図８に示した磁気再生ヘッドは、リード素子としてのＴＭＲ素子５０と、ＴＭＲ素子５０を上下から挟む上部シールド６０および下部シールド５２と、下部シールド５２上およびＴＭＲ素子５０の側面上に設けられた絶縁膜５４と、絶縁膜５４上の、上部シールド６０と下部シールド５２との間に設けられ、ＴＭＲ素子５０を両側面から挟む、コバルト・クロム・白金合金から成るハード膜５８と、下部シールド５２（絶縁膜５４）とハード膜５８との間に形成されたハード膜下地６４とを備える。
【００４３】
ハード膜下地６４は、下層（下部シールド側）がクロム・チタン合金から成るクロム・チタン合金層６４ａ、上層（ハード膜３８側）がクロムから成るクロム層６４ｂの、２層構造に構成され、それらの厚さは、図４のＧＭＲ素子３０を備えた磁気再生ヘッドと同様に設定される。
【００４４】
図８のＴＭＲ素子５０を備える磁気再生ヘッドにおいても、上記構成のハード膜下地６４を備えることにより、従来のクロム層の単層のハード膜下地の構成に比較して、より高いハード膜５８の保磁力を得られるとともに、ＴＭＲ素子５０の側面の、ハード膜下地６４の厚さが薄くなる箇所においても、従来より高いハード膜５８の保磁力を得られる。
【００４５】
（付記１）
リード素子と、該リード素子を上下から挟む上部シールドおよび下部シールドと、前記上部シールドと前記下部シールドとの間に設けられ、前記リード素子を両側面から挟むハード膜と、前記下部シールドと前記ハード膜との間に形成されたハード膜下地とを備えた磁気再生ヘッドにおいて、前記ハード膜下地は、クロム層と、クロム・チタン合金層とから成ることを特徴とする磁気再生ヘッド。
（付記２）
前記ハード膜は、コバルト・クロム・白金合金から成ることを特徴とする付記１記載の磁気再生ヘッド。
（付記３）
前記ハード膜下地は、前記下部シールド側がクロム層であり、前記ハード膜側がクロム・チタン合金層となるよう設けられていることを特徴とする付記１または２記載の磁気再生ヘッド。
（付記４）
前記クロム層の厚さは、１１Å以上であることを特徴とする付記３記載の磁気再生ヘッド。
（付記５）
前記ハード膜下地の厚さに占める前記クロム層の厚さの割合は、４５％〜７５％であることを特徴とする付記３または４記載の磁気再生ヘッド。
（付記６）
前記ハード膜下地は、前記下部シールド側がクロム・チタン合金層であり、前記ハード膜側がクロム層となるよう設けられていることを特徴とする付記１または２記載の磁気再生ヘッド。
（付記７）
前記クロム・チタン合金層の厚さは、１８Å以下であることを特徴とする付記６記載の磁気再生ヘッド。
（付記８）
前記ハード膜下地の厚さに占める前記クロム・チタン合金層の厚さの割合は、７５％以下であることを特徴とする付記６または７記載の磁気再生ヘッド。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施例１に係る磁気再生ヘッドの部分断面説明図である。
【図２】ハード膜下地の厚さを２５Åに設定した実施例１に係る磁気再生ヘッドにおいて、クロム層の厚さと、ハード膜の保磁力Ｈｃ（ａ）および角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）（ｂ）との関係を測定した結果を示すグラフである。
【図３】ハード膜下地の厚さを２０Åに設定した実施例１に係る磁気再生ヘッドにおいて、クロム層の厚さと、ハード膜の保磁力Ｈｃ（ａ）および角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）（ｂ）との関係を測定した結果を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例１に係る磁気再生ヘッドの別の構成例を示す部分断面説明図である。
【図５】本発明の実施例２に係る磁気再生ヘッドの部分断面説明図である。
【図６】ハード膜下地の厚さを２５Åに設定した実施例２に係る磁気再生ヘッドにおいて、クロム層の厚さと、ハード膜の保磁力Ｈｃ（ａ）および角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）（ｂ）との関係を測定した結果を示すグラフである。
【図７】ハード膜下地の厚さを２０Åに設定した実施例２に係る磁気再生ヘッドにおいて、クロム層の厚さと、ハード膜の保磁力Ｈｃ（ａ）および角型比（Ｍｒ／Ｍｓ）（ｂ）との関係を測定した結果を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例２に係る磁気再生ヘッドの別の構成例を示す部分断面説明図である。
【図９】従来の磁気再生ヘッドの部分断面説明図である。
【図１０】従来の磁気再生ヘッドの、ハード膜下地の厚さと、ハード膜の保磁力との関係を測定した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４７】
３０  ＧＭＲ素子（リード素子）
３２，５２  下部シールド
３６，５６  ハード膜下地
３６ａ，５６ａ  クロム層
３６ｂ，５６ｂ  クロム・チタン合金層
３８，５８  ハード膜
４０  リード端子
４４，６０  上部シールド
５０  ＴＭＲ素子（リード素子）
６２，６４  ハード膜下地
６２ａ，６４ａ  クロム・チタン合金層
６２ｂ，６４ｂ  クロム層
【図１】
2007335030.tif 000003
【図４】
2007335030.tif 000004
【図５】
2007335030.tif 000005
【図８】
2007335030.tif 000006
【図２】
2007335030.tif 000007
【図３】
2007335030.tif 000008
【図６】
2007335030.tif 000009
【図７】
2007335030.tif 000010
【図９】
2007335030.tif 000011
【図１０】
2007335030.tif 000012