(57)【要約】【課題】素子としてポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置に関し、正確な抵抗値の抵抗を確実に得られる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に、ポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置において、
前記ポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層上に、前記ポリシリコン層の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層とから構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ポリシリコン抵抗は、前記不純物拡散層の濃度分布を変えることによって抵抗値が設定されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上にポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置の製造方法において、
前記ポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層とから構成され、
前記不純物拡散層は、前記ポリシリコン層が所望の形状に成形された後に前記ポリシリコン層上に、前記ポリシリコン層の形状よりも内側に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記不純物拡散層の濃度分布を変えることによって抵抗値を設定することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係り、特に、素子としてポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、抵抗が搭載されている。半導体装置に搭載される抵抗として、ポリシリコン抵抗が知られている。
【０００３】
図６、図７に従来の半導体装置のポリシリコン抵抗の製造方法を説明するための図を示す。
【０００４】
ポリシリコン抵抗は、まず、図６（Ａ）に示すように半導体基板１１上に絶縁層１２を介してポリシリコン層１３を成長させ、さらに、ポリシリコン層１３の表面を酸化させることにより絶縁層１４を形成する。
【０００５】
次に、図６（Ｂ）に示すように全面に不純物をイオン注入し、アニーリングすることにより、ポリシリコン層１３の全面にわたって不純物を拡散させる。
【０００６】
次に図６（Ｃ）に示すように抵抗の形状にレジスト１５を形成し、エッチングを行うことにより、図７（Ａ）に示すように絶縁膜１４及び不純物が拡散されたポリシリコン層１３がレジスト１５の下部を残して除去される。
【０００７】
次に図７（Ｂ）に示すようにレジスト１５を除去することにより所望の形状の抵抗が形成される。
【０００８】
図８に従来のポリシリコン抵抗の構成図を示す。図８（Ａ）は平面図、図８（Ｂ）は断面図を示す。
【０００９】
このとき、従来のポリシリコン抵抗は、不純物が拡散されたポリシリコン層１３をエッチングにより所望の形状に成形していたので、パターンが密になると、エッチングを行う薬液やガスがレジストパターンの間に入り難くなるので、例えば、図８の破線で示すようにエッチング後のポリシリコン層１３の形状が安定しない。
【００１０】
このため、抵抗値が安定しなくなるなどの問題点があった。
【００１１】
なお、ポリシリコン抵抗の抵抗値を安定化させるために半導体基板上に絶縁層を介してポリシリコン層を形成し、ポリシリコン層上に酸化膜を形成し、不純物を拡散することにより抵抗を形成する方法が提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平８−１９５４７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかるに、従来のポリシリコン層上に酸化膜を形成し、ポリシリコン層全面に不純物を拡散することにより抵抗を形成する方法では、パターンのレイアウトに依ってはエッチング後のポリシリコン層の形状が安定せず、正確な抵抗値が得られないなどの問題点があった。
【００１３】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、正確な抵抗値の抵抗を確実に得られる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に、ポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成されていることを特徴とする。
【００１５】
ポリシリコン抵抗は、不純物拡散層（１１４）の濃度分布を変えることによって抵抗値を設定可能とされていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板（１１１）上にポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置の製造方法において、ポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成され、不純物拡散層（１１４）をポリシリコン層（１１３）が所望の形状に成形された後にポリシリコン層（１１３）上にポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に形成されることを特徴とする。
【００１７】
このとき、不純物拡散層（１１４）の濃度分布を変えることによって抵抗値を設定することを特徴とする。
【００１８】
なお、上記参照符号はあくまでも参考であり、これによって特許請求の範囲が限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ポリシリコン抵抗の所望の形状に成形されたポリシリコン層と、ポリシリコン層にポリシリコン層の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層とから構成することにより、抵抗値がエッチングにより成形されるポリシリコン層の形状に左右されず、拡散によって形成される不純物拡散層の濃度分布によって決定できるため、正確な抵抗値の抵抗を確実に得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１に本発明の一実施例の構成図を示す。図１（Ａ）に平面図、図２（Ｂ）に断面図を示す。
【００２１】
本実施例の半導体装置１００は、半導体基板１１１上に絶縁層１１２を介して形成されたポリシリコン層１１３に不純物拡散層１１４を形成し、絶縁層１４１で覆った構成とされている。
【００２２】
半導体基板１１１は、シリコンなどから構成された半導体基板である。絶縁層１１２は、酸化シリコンであり、半導体基板１１１を酸化することにより形成される。なお、半導体基板１１１上に酸化シリコンを積層することにより形成するようにしてもよい。
【００２３】
ポリシリコン層１１３は、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ-Ｓｉ）を絶縁層１１２上に全面にわたって形成した後、レジストを塗布し、エッチングすることにより所望の形状に成形されている。ポリシリコン層１１３は、エッチングにより成形されるため、形状の精度は十分に保証されるものではない。
【００２４】
不純物拡散層１１４は、エッチングにより所望の形状に成形されたポリシリコン層１１３上にポリシリコン層１１３の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成されている。このとき、不純物拡散層１１４は、その深さがポリシリコン層１１３の深さより浅く、かつ、その幅がポリシリコン層１１３の幅より狭く設定される。不純物拡散層１１４は、エッチングを用いないので、精度良く成形することが可能である。
【００２５】
絶縁層１４１は、酸化シリコンから構成されており、不純物拡散層１１４が形成されたポリシリコン層１１３上に形成され、ポリシリコン層１１３を保護している。絶縁層１４１には、開口部１２１が形成されている。開口部１２１は、不純物拡散層１１４の両端部に形成されており、配線を不純物拡散層１１４に接触させる。
【００２６】
本実施例の半導体装置１００によれば、ポリシリコン層１１３上に不純物を拡散させることにより不純物拡散層１１４を形成することによって確実に所望の形状を維持でき、よって、安定した抵抗値を得ることができる。
【００２７】
〔製造方法〕
図２，図３に発明の一実施例の半導体装置の製造工程を説明するための図を示す。
【００２８】
まず、図２（Ａ）に示すように半導体基板１１１の抵抗形成部分を全面にわたって絶縁層１１２、ポリシリコン層１１３、絶縁層１１５を形成する。
【００２９】
絶縁層１１２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）から構成されており、例えば、半導体基板１１１を酸化させることにより形成される。なお、絶縁層１１２は、酸化シリコンなどの酸化物を積層して形成するようにしてもよい。
【００３０】
ポリシリコン層１１３は、絶縁層１１２上にポリシリコンを成長させることにより形成される。絶縁層１１５は、ポリシリコン層１１３の表面を酸化させることにより形成されている。
【００３１】
次に、図２（Ｂ）に示すように抵抗の形状にレジスト１３１を形成する。次に、図２（Ｃ）に示すようにエッチングを行うことにより、ポリシリコン層１１３及び絶縁層１１５をレジスト１３１の形状に成形し、図２（Ｄ）に示すようにレジスト１３１及び絶縁層１１５を除去する。
【００３２】
次に、図３（Ａ）に示すように絶縁層１４１及びレジスト１５１を形成する。レジスト１５１には、開口部１６１が形成されている。絶縁層１４１は、例えば、ポリシリコン層１１３を酸化することによって形成される。開口部１６１は、不純物拡散層１１４を形成する形状、すなわち、ポリシリコン層１１３の形状に対応した形状に成形されている。
【００３３】
次に、図３（Ｂ）に示すように開口部１６１から不純物を注入することにより、不純物拡散層１１４を形成する。
【００３４】
次に、図３（Ｃ）に示すようにレジスト１５１を除去することにより、本実施例のポリシリコン抵抗が作成される。
【００３５】
図４に本発明の一実施例の動作説明図を示す。
【００３６】
本実施例によれば、図４に示すように本実施例のポリシリコン抵抗１００ａ、１００ｂを隣接して配置しても、異なるポリシリコン層１１３上に不純物拡散層１１４が形成されるので、ポリシリコン抵抗１００ａとポリシリコン抵抗１００ｂとで不純物拡散層１１４が相互に作用することがなく、よって、安定した抵抗値を得ることができる。
【００３７】
図５は本発明の変形例の構成図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３８】
図１では、直線上の抵抗について説明したが、直線パターンを折り返した形状に形成するようにしてもよい。ポリシリコン層１１３は、エッチングにより直線パターンを折り返した形状とされている。また、不純物拡散層１１４は、ポリシリコン層１１３上にポリシリコン層１１３の形状に対応した形状に形成される。
【００３９】
また、不純物拡散層１１４を構成する不純物はポリシリコン層１１３をｎ型にするもの、ｐ型にするものいずれのものであってもよい。
【００４０】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変形例が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】本発明の一実施例の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
【図３】本発明の一実施例の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施例の動作説明図である。
【図５】本発明の変形例の構成図である。
【図６】従来の半導体装置のポリシリコン抵抗の作成方法を説明するための図である。
【図７】従来の半導体装置のポリシリコン抵抗の作成方法を説明するための図である。
【図８】従来のポリシリコン抵抗の構成図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００  半導体装置
１１１  半導体基板、１１２、１１５、１４１  絶縁層、１１３  ポリシリコン層
１１４  不純物拡散層
１２１  開口部
【図１】
2007335580.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007335580.tif 000005
【図４】
2007335580.tif 000006
【図５】
2007335580.tif 000007
【図６】
2007335580.tif 000008
【図７】
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【図８】
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