(57)【要約】【課題】プラズマエッチング装置を使用して半導体基板に配線加工を行うドライエッチング方法において、配線の断線や曲がりを発生させずに、配線加工を行う。【解決手段】プラズマエッチング装置を使用して半導体基板に配線加工を行うドライエッチング方法であって、被エッチング材１２の上に設けたホトレジスト１５およびＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ等の無機膜１４，１３からなるマスクパターンを用いて被エッチング材１２をエッチングする工程において、塩素含有ガスまたは臭素含有ガス等のハロゲン系ガスと、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３からなるフッ素含有ガスうちの少なくとも一つのフッ素含有ガスとの混合ガスを用いて被エッチング材１２の加工中に前記マスクパターンと被エッチング材の加工寸法を同じ程度に縮小化させる。【選択図】図２（Ｄ）
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチング装置を使用して半導体基板に配線加工を行うドライエッチング方法であって、
被エッチング材の上に設けたＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ等の無機膜からなるマスクパターンを用いて前記被エッチング材をエッチングする工程において、前記被エッチング材の加工中に前記マスクパターンと前記被エッチング材の加工寸法を同じ程度に縮小化させることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
前記加工寸法の縮小化を、塩素含有ガスまたは臭素含有ガス等のハロゲン系ガスと、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３からなるフッ素含有ガスうちの少なくとも一つのフッ素含有ガスとの混合ガスを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】
前記加工寸法の縮小化を、塩素含有ガスまたは臭素含有ガス等のハロゲン系ガスと、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３からなるフッ素含有ガスのうち少なくとも一つのフッ素含有ガスとの混合ガスを用いて行い、前記フッ素含有ガスを前記混合ガスの４０〜９０％の比率で用いることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項４】
前記加工寸法の縮小化を、前記プラズマエッチング装置のＲＦバイアスを制御して行い、前記被エッチング材の縮小化率を調整することを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項５】
前記加工寸法の縮小化を、塩素含有ガスまたは臭素含有ガス等のハロゲン系ガスと、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３からなるフッ素含有ガスうちの少なくとも一つのフッ素含有ガスとの混合ガスを用いて行うとともに前記プラズマエッチング装置のＲＦバイアスを制御して前記被エッチング材の縮小化率を調整することを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項６】
プラズマエッチング装置を使用して半導体基板に配線加工を行うドライエッチング方法であって、
被エッチング材の上に設けたホトレジストおよびＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ等の無機膜のマスクパターンを用いて前記被エッチング材をエッチングする工程において、前記被エッチング材の加工中に前記マスクパターンと前記被エッチング材の加工寸法を同じ程度に縮小化させることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項７】
前記加工寸法の縮小化を、塩素含有ガスまたは臭素含有ガス等のハロゲン系ガスと、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３からなるフッ素含有ガスうちの少なくとも一つのフッ素含有ガスとの混合ガスを用いて行うことを特徴とする請求項６に記載のドライエッチング方法。
【請求項８】
前記加工寸法の縮小化を、塩素含有ガスまたは臭素含有ガス等のハロゲン系ガスと、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３からなるフッ素含有ガスのうち少なくとも一つのフッ素含有ガスとの混合ガスを用いて行い、前記フッ素含有ガスを前記混合ガスの４０〜９０％の比率で用いることを特徴とする請求項６に記載のドライエッチング方法。
【請求項９】
前記加工寸法の縮小化を、前記プラズマエッチング装置のＲＦバイアスを制御して行い、前記被エッチング材の縮小化率を調整することを特徴とする請求項６に記載のドライエッチング方法。
【請求項１０】
前記加工寸法の縮小化を、塩素含有ガスまたは臭素含有ガス等のハロゲン系ガスと、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３からなるフッ素含有ガスうちの少なくとも一つのフッ素含有ガスとの混合ガスを用いて行うとともに、前記プラズマエッチング装置のＲＦバイアスを制御して前記被エッチング材の縮小化率を調整することを特徴とする請求項６に記載のドライエッチング方法。
【請求項１１】
プラズマエッチング装置を使用してホトレジストおよびＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ等の無機膜のマスクパターンを用いて半導体基板に設けた配線層に配線加工を行うドライエッチング方法であって、
前記ホトレジストを用いて形成したマスクパターンをＯ２を用いて縮小化する第１の工程と、
前記縮小化したホトレジストを用いて形成したマスクパターンを使用してＣＦ４およびＣＨＦ３の混合ガスを用いてＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ等の無機膜の前記マスクパターンを異方性エッチングする第２の工程と、
前記ホトレジストおよびＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ等の無機膜のマスクパターンを使用してＣｌ２およびＣＦ４の混合ガスを用いて前記配線層をエッチングするとともに前記マスクパターンを縮小化する第３の工程と、
第３の工程に続いてＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ等の無機膜のマスクパターンを使用してＨＢｒおよびＯ２の混合ガスを用いて配線層をエッチングする第４の工程と、
を有することを特徴とするドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスのエッチング方法に関する。さらに詳細には、半導体基板に設けた配線層である被エッチング材を加工しながら加工寸法を縮小化させることにより、パターン欠陥を発生させずに配線寸法の縮小化を行うドライエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの処理速度の高速化に伴なう高集積化の進展により、ゲート材等の加工技術においても微細化加工が求められている。ドライエッチングの分野では、一般的にパターンの微細化を行うために、被エッチング材を加工する前に、マスクとなるホトレジストパターンをドライエッチングにより縮小化させることで、被エッチング材の加工寸法を縮小化する方法が行われてきた。
【０００３】
さらに微細化が進むと、ホトレジストマスクの素材を、従来よりも高精度に微細パターンが形成できるＡｒＦレーザを用いて露光するＡｒＦレジストが採用されるようになった。しかし、ＡｒＦレジストは従来のマスク材と比べると厚く膜付けできず、しかもエッチング速度が速いことからエッチングに対して弱いという性質を有している。このため、ＡｒＦレジストは、被エッチング材を加工する間にマスクが無くなり、高精度な被エッチング材の微細配線加工ができないという問題を有している。この問題を解決するために、ホトレジストマスクと被エッチング材との間にＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ等の無機膜層を設け、縮小化したホトレジストマスクのパターンを元にドライエッチングにより無機膜層を加工し、エッチング速度の遅い無機膜マスクを形成することで、安定して被エッチング材の加工が行えるようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２３７７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ドライエッチングによるホトレジストパターン寸法の縮小化方法では、無機膜層の加工に必要なホトレジストマスク量を確保することが必要であり、加工寸法の縮小量に限界が生じるという問題がある。
【０００５】
本発明は、被エッチング材の加工中に加工寸法を縮小化することが可能となり、マスク欠損による被エッチング材の断線や曲がり等の問題を発生させずに、微細加工を行うことができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題は、パターンニングされたホトレジストをマスクとし、ドライエッチングにより無機膜層を加工して無機膜マスクの形成を行った後、被エッチング材のエッチング過程で、無機膜マスクと被エッチング材とを同時に縮小化させることにより達成できる。
【０００７】
この加工方法では、無機膜マスクを形成した後にこの無機膜マスクのパターン寸法の縮小化を行うので、ホトレジストマスク倒れ等の問題が発生しない。
【０００８】
また、従来から行っているドライエッチングによるホトレジストマスク寸法の縮小化を併用する場合でも、過剰なホトレジストマスクの縮小化を行う必要が無く、このためパターン縮小による倒れや配線層の断線等の問題が発生しない。
【発明の効果】
【０００９】
上記の方法により、本発明によれば、加工寸法の縮小化に伴う被エッチング材の配線の断線や曲がりを発生させること無く、加工寸法を大幅に縮小させることができ、微細な配線加工を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明によるプラズマエッチング方法について説明する。図１は、本発明にかかるドライエッチング方法が適用されるプラズマエッチング装置を示す。このプラズマエッチング装置は、プラズマ生成手段にマイクロ波と磁界を利用したマイクロ波プラズマエッチング装置の例である。マイクロ波は、マグネトロン１で発振され，導波管２を経て石英板３を通過して真空容器へ入射される。真空容器の周りにはソレノイドコイル４が設けてあり、これより発生する磁界と入射してくるマイクロ波により、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を起こす。これによりプロセスガスは、効率良く高密度にプラズマ５化される。処理ウエハ６は、静電吸着電源７で試料台８に直流電圧を印加することで、静電吸着力により電極に固定される。また，電極には高周波電源９が接続してあり，高周波電力（ＲＦバイアス）を印加して，プラズマ中のイオンにウエハに対して垂直方向の加速電位を与える。エッチング後のガスは装置下部に設けられた排気口から、ターボポンプ・ドライポンプ（図省略）により排気される。
【００１１】
なお、プラズマエッチング処理装置としては、マイクロ波プラズマエッチング装置、誘導結合型プラズマエッチング装置、ヘリコン波プラズマエッチング装置、２周波励起平行平板型プラズマエッチング装置などが採用される。
【００１２】
図２は、図１のプラズマエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法を示す図である。図２（Ａ）は本実施例で使用する試料の構造を、図２（Ｂ）はホトレジストマスクの加工寸法の縮小工程を、図２（Ｃ）はＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜のマスク形成工程を、図２（Ｄ）はマスクおよびポリシリコン膜の加工および加工寸法の縮小工程を、図２（Ｅ）はポリシリコン膜の加工工程を示す。
【００１３】
本発明の一実施例で使用した試料の構造の例を、図２（Ａ）に示す。直径１２インチのシリコン基板１０の上にゲート酸化膜（２ｎｍ）１１、ポリシリコン膜（膜厚１００ｎｍ）１２、ＳｉＮ膜（５０ｎｍ）１３、ＳｉＯＮ膜（２５ｎｍ）１４、ホトレジスト（２５０ｎｍ）１５を順に形成し、フォトリソグラフィ技術等よってマスクパターンを形成する。
【００１４】
図２（Ｂ）は、従来から行われているホトレジストマスクの加工寸法の縮小工程であり、例えば、ＡｒガスにＯ２ガスを添加した混合ガスを用い、処理圧力を０．２Ｐａに設定し、マイクロ波を６００Ｗとして生成したプラズマでエッチングを行う。Ｏ２ガス流量はホトレジストの縮小速度を律しており、１．５ｎｍ／ｓｅｃ程度の縮小速度とするため１０％程度添加した。Ｏ２ガスの添加量を増加させると縮小速度は上昇する。本実施例では、初期ホトレジストパターン寸法が１００ｎｍであるパターンに対して４３秒処理を行い、ホトレジストパターン寸法を３５ｎｍまで細らせた。
【００１５】
図２（Ｃ）に示すマスク形成工程ではホトレジスト１５をマスクとして、ＳｉＯＮ膜１４およびＳｉＮ膜１３をエッチングする。エッチング処理中は、ＥＰＤ（Ｅｎｄ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）等のエッチングモニターで、ポリシリコン膜１２との界面を検出しながらエッチング処理を行う。処理条件として、例えば、ＣＦ４ガスとＣＨＦ３ガス１：１の混合ガスを用い、処理圧力を０．８Ｐａとし、マイクロ波９００Ｗで生成したプラズマにＲＦバイアス１００Ｗを印加しエッチングする。ポリシリコン膜１２の表面を検出した時点でＳｉＮ膜１３のエッチングを終了する。
【００１６】
図２（Ｄ）に示すポリシリコン膜の加工寸法の縮小工程は、本発明の特徴とする工程であり、図２（Ｃ）により形成されたＳｉＯＮ膜１４およびＳｉＮ膜１３のパターンをマスクとして深さ方向のエッチングを進行させながら、横方向のエッチングを同時に行うことでパターン寸法の縮小化を行う。Ｃｌ２と共にＣＦ４を用いることで、ポリシリコン膜１２のエッチングと同時に、マスク材もエッチングすることができる。処理条件として例えば、Ｃｌ２ガスとＣＦ４ガス１：３の混合ガスを用い、処理圧力を０．２Ｐａとし、マイクロ波９００Ｗで生成したプラズマにＲＦバイアス３０Ｗを印加し深さ方向および横方向をエッチングする。
【００１７】
ここで、ポリシリコンの横方向のエッチング量は、図３（Ａ）に示すように、ＲＦバイアスの印加量に依存することが分かり、この実施例では、処理条件は深さ方向に対する横方向の縮小比率を０．３２程度に最適化を行った。本実施例では、ポリシリコン膜１２の厚１００ｎｍに対して半分の５０ｎｍ程度をこの処理条件で処理を行い、前記ホトレジスト１４およびＳｉＯＮ膜１４ならびにＳｉＮ膜１３の加工寸法縮小工程により３５ｎｍまで縮小化されたパターンを、さらに１６ｎｍの縮小化を行い１９ｎｍのパターン寸法を形成した。この処理工程によって、ホトレジスト１４は全てエッチングされ、これ以降ＳｉＯＮ膜１４およびＳｉＮ膜１３がマスクとして使用される。この工程は、ホトレジスト１４がなくなるまでもしくは所望の（例えば、１９ｎｍ）マスク幅となるまでは、等方性エッチを続けることができる。図３（Ａ）における、縮小量とは、図３（Ｂ）に示すようにマスクの幅の初期寸法Ａからエッチング後の寸法Ｂを差引いた値であり、縮小率は、この縮小量をポリシリコン膜のエッチング深さで除した値である。
【００１８】
図２（Ｅ）に示すポリシリコン膜１２の加工工程は、前工程にて縮小化されたポリシリコンの加工寸法を維持しながら残りのポリシリコン膜のエッチングを行う。処理条件としては、例えば、ＨＢｒガスにＯ２ガスをＨＢｒガス流量の４％程度添加した混合ガスを用い、処理圧力を０．４Ｐａとし、マイクロ波９００Ｗで生成したプラズマにＲＦバイアス３０Ｗを印加してエッチングする。ここで使用するエッチング条件では、ポリシリコンの横方向のエッチングは起こらず、上層で形成された加工寸法を維持したままエッチング加工される。
【００１９】
これにより本実施例では、１００ｎｍの初期寸法を示すマスクパターンを用いて、被エッチング材に断線の発生や曲がり（サイドエッチング）の無い１９ｎｍ幅のポリシリコン配線加工を実現することができた。
【００２０】
同様に、従来技術である図２（Ｂ）のホトレジスト１５のパターン寸法の縮小化だけで、１９ｎｍのポリシリコンの加工を実現しようとすると、ホトレジストでの縮小化を８０ｎｍ程度行う必要があり、ホトレジストパターンが倒れてしまい、ポリシリコン配線の断線や曲がり（サイドエッチング）等の問題が発生した。
【００２１】
従来技術により大幅なホトレジスト１５のパターン寸法の縮小化を進めると、ＳｉＯＮ膜１４およびＳｉＮ膜１３をエッチングするための十分なマスク量が保てなくなる。仮にマスク量を確保できた場合でも、ホトレジストパターンが薄膜化されることにより対プラズマ耐性が著しく低下し、パターン曲り等の問題が発生する。
【００２２】
また、図２（Ｄ）で処理した処理条件（Ｃｌ２ガス：ＣＦ４ガス＝１：３）は、本実施例の試料に合せて最適化された条件であり、ＣＦ４の添加量は形状制御の面から考えると４０％〜９０％が適当である。４０％以下のＣＦ４添加量ではフッ素による横方向のエッチングが進行しにくくなり縮小化が難しくなる。一方、９０％以上のＣＦ４添加量になるとフッ素による等方性エッチングが強くなりサイドエッチングが強くなって垂直形状が得られなくなる。図３に示す縮小速度制御方法すなわち前記処理条件の他に、Ｃｌ２ガスとＣＦ４ガスに、Ｏ２ガスを添加すること、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３等のフッ素含有ガスを添加すること、もしくはＣＦ４ガスに変えてＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３等のフッ素含有ガスを使用することでも縮小速度を制御することができる。また同様に、Ｃｌ２ガスの代わりにＨＢｒガス等のハロゲン系ガスを用いることでも、縮小速度を調整することができる。
【００２３】
本実施例は、半導体デバイスの試料について最適化を行ったプロセス条件であり、ポリシリコン膜１２、ＳｉＮ膜１３、ＳｉＯＮ膜１４、ホトレジスト１５のエッチング方法については、本実施例の条件に限られたものではない。
【００２４】
本発明は、ポリシリコンの配線加工工程について記載したが、それに限るものではなく、半導体デバイス製造工程において、ポリシリコン以外の材質の配線加工についても本発明の方法が適応可能であり、例えば、ポリシリコン膜１２の上にタングステンシリサイド（ＷＳｉ）膜を形成し、その上にＳｉＮ膜１３およびＳｉＯＮ膜１４ならびにホトレジスト１５等を形成した場合の配線加工などにも応用することができる。加工する材料によって、縮小速度が違う為、材質に応じて使用するガスや処理条件の適性値を求めることが好ましい。
【００２５】
本試験では、ホトレジストマスクの試料を用いたが、ＳｉＮや、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の無機膜マスクを用いた試料、すなわち図２（Ｄ）のホトレジスト１５が取り除かれた状態にされた試料についても、本発明の方法が適応可能である。
【００２６】
なお、本発明は、マイクロ波と磁場を用いたプラズマエッチング装置を使用したが、プラズマの生成方法の如何に関わらず適用可能であり、例えば、ヘリコン波プラズマエッチング装置、誘導結合型プラズマエッチング装置、容量結合型プラズマエッチング装置等によって実施しても同等の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明のエッチング方法が適用されるマイクロ波プラズマエッチング装置の概略断面図。
【図２（Ａ）】本発明の一実施例を説明するための半導体基板の要所断面図（レジストマスク形成後）。
【図２（Ｂ）】本発明の一実施例を説明するための半導体基板の要所断面図（レジストマスク縮小処理）。
【図２（Ｃ）】本発明の一実施例を説明するための半導体基板の要所断面図（ＳｉＯＮ膜およびＳｉＮ膜エッチング処理）。
【図２（Ｄ）】本発明の一実施例を説明するための半導体基板の要所断面図（ＳｉＯＮ膜およびＳｉＮ膜縮小およびポリシリコン膜縮小エッチング処理）。
【図２（Ｅ）】本発明の一実施例を説明するための半導体基板の要所断面図（ポリシリコン膜エッチング処理）。
【図３（Ａ）】本発明の一縮小化速度のＲＦバイアス依存性を説明するグラフ。
【図３（Ｂ）】図３（Ａ）のエッチング深さとマスクの横方向エッチングを説明する図。
【符号の説明】
【００２８】
１…マグネトロン、２…導波管、３…石英版、４…ソレノイドコイル、５…プラズマ、６…ウエハ、７…静電吸着電源、８…試料台、９…高周波電源、１０…シリコン基板、１１…ゲート酸化膜、１２…ポリシリコン膜、１３…ＳｉＮ膜、１４…ＳｉＯＮ膜、１５…ホトレジスト
【図１】
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【図２（Ａ）】
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【図２（Ｂ）】
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【図２（Ｃ）】
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【図２（Ｄ）】
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【図２（Ｅ）】
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【図３（Ａ）】
2007234870.tif 000009
【図３（Ｂ）】
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