(57)【要約】      （修正有）【課題】厚いキャリヤウェハを貫通させることなく、背面照射型センサ上でウェハレベルの検査を実行可能にする方法や装置を提供する。【解決手段】センサチップ５０ａは複数の延伸結合パッド２００を含み、このパッドの各には、第１結合パッド群２１０と、第２結合パッド群２２０が設けられる。第１結合パッド群２１０は、金属延伸部２３０を介して第２パッド群２２０に電気的に接続されている。第２結合パッド群２２０は、スクライブ領域５１０に配置されている。ダイが切り離される前に第２結合パッド群２２０がプローブ検査される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の前面上に配置された第１結合パッドと、
前記基板の背面からアクセス可能となるように配置された第２結合パッドと、
金属延伸結合パッドを形成するように前記第１および第２結合パッドを接合する電気接続部と、を含んだ背面照射型画像センサ。
【請求項２】
前記第１結合パッドは前記背面照射型画像センサの周辺部内に配置され、
前記第２結合パッドは前記背面照射型画像センサ付近のスクライブ線領域内に配置されることを特徴とする請求項１記載の背面照射型画像センサ。
【請求項３】
前記第１結合パッドは、複数の金属層にパッドを含んだ第１結合パッド群の一部をなし、かつ、前記電気接続部は、少なくとも１つの前記複数の金属層内にある、前記第２結合パッドに延伸した金属線によって構成されることを特徴とする請求項２記載の背面照射型画像センサ。
【請求項４】
前記第２結合パッドは、前記基板の背面に配置されることを特徴とする請求項１記載の背面照射型画像センサ。
【請求項５】
前記第２結合パッドは前記第１結合パッドと実質的に垂直に配列されていることを特徴とする請求項４記載の背面照射型画像センサ。
【請求項６】
前記電気接続部は一乃至複数のビアであることを特徴とする請求項４記載の背面照射型画像センサ。
【請求項７】
前記第２結合パッドの背面からプローブ検査するために前記基板内に形成された開口部をさらに含んだ請求項４記載の背面照射型画像センサ。
【請求項８】
前記開口部の幅は約３０μｍ〜約２００μｍであることを特徴とする請求項７記載の背面照射型画像センサ。
【請求項９】
前記第２結合パッドの前記背面を覆う金属バリヤ層をさらに含んだ請求項７記載の背面照射型画像センサ。
【請求項１０】
基板の前面上の背面照射型画像センサ内に第１パッド群を設けるステップと、
前記基板に関して、前記第１パッド群の下に直接配置された少なくとも１つの第２パッドを設けるステップと、
前記第１パッド群に前記少なくとも１つの第２パッドを電気的に接続するステップと、
前記基板の背面に前記少なくとも１つの第２パッドを露出するステップと、
を含んだ背面照射型画像センサに金属延伸部を設ける方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの第２パッドを露出してプローブ検査を行うために前記基板内に開口部を設けるステップをさらに含んだ請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記開口部の幅は約３０μｍ〜約２００μｍであることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの第２パッドに金属バリヤ層を形成するステップをさらに含んだ請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
複数の露出延伸結合パッドが設けられた上面と、キャリヤ機構の一部をなす下面と、を有した背面照射型画像センサと、
前記下面を通して前記背面照射型画像センサを係合しかつ固定する保持部分を有したキャビティと、複数の外部接続部と、を含んだパッケージと、
前記複数の露出延伸結合パッドと前記複数の外部接続部との間に接続された、複数の電気導体と、
を備えたパッケージ化された背面照射型画像センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、背面照射型画像センサに関するものであり、より詳細には、厚いキャリヤウェハを貫通させることなく、背面照射型画像センサ上でウェハレベルの検査を実行可能にする方法や装置に関するものである。
【０００２】
本願は、２００５年１１月２３日に出願されかつ参照のために正式に本明細書に援用される米国特許出願第６０／７３９，６８５号に係る出願日の優先権を主張するものである。
【背景技術】
【０００３】
画像センサは、光の強さや明るさを記録するために、感光ダイオードつまりフォトダイオード、リセットトランジスタ、ソース追随トランジスタ、ピン止め層ダイオード、および／または移動トランジスタ、等の格子状のピクセル（画素）を設けている。このピクセルは、電荷を蓄積することによって光に応答する。つまり、光が多量であればあるほど、電荷も高くなる。次いで、この電荷は、デジタルカメラ等の適切な用途においてその色や明るさが用いられるように、別の回路で使用される。通常形式のピクセル格子は、電荷結合素子（ＣＣＤ）画像センサや相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）画像センサを含む。
【０００４】
背面照射型センサは、基板の背面に向けて投影された露光量を検出するために使用される。基板の前面にはピクセルが配置され、この基板は、基板の背面に向けて投影された光がピクセルに到達し得るように十分に薄いものとなっている。背面照射型センサは、前面照射型センサに比べて、高い充填比と、相殺的干渉の抑制を提供する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
背面照射型センサに関わる問題は、十分な放射線透過を可能にするには基板がやや薄いことである。この薄い基板に対応するために、このキャリヤウェハ等の補助デバイスを取り付けるのが通常であり、このウェハの前面（金属線および他のバックエンド層）上に、一乃至複数のセンサが組み付けられる。通常、キャリヤウェハは、シリコン等の半導体材料またはガラス等の光を通す素材であり、２００μｍより大きな厚さを有する。しかしながら、キャリヤウェハは、ウェハ上の個々のセンサの結合パッドへの即時アクセスを遮断つまり阻止してしまう。これにより、プローブ検査や設計性能検査等のある種のウェハ受入れ検査は実行不可能になってしまう。プローブ検査は、トランジスタ性能、線間隔、および線、等のデバイス性能つまり処理パラメータを測定して、これらの値が仕様の範囲内にあることを保証する。設計性能検査は、チップの機能性を検査して、これが設計性能仕様の範囲内にあることを保証する。
【０００６】
従って、厚いキャリヤウェハを貫通させることなく、背面照射型センサ上でウェハレベルの検査を実行可能にする方法や装置が要求されている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る背面照射型画像センサは、基板と、基板の前面上に配置された第１結合パッドと、基板の背面からアクセス可能となるように配置された第２結合パッドと、金属延伸結合パッドを形成するように第１および第２結合パッドを接合する電気接続部と、を含む。
【０００８】
本発明に係る背面照射型画像センサに金属延伸部を設ける方法は、基板の前面上の背面照射型画像センサ内に第１パッド群を設けるステップと、基板に関して、第１パッド群の下に直接配置された少なくとも１つの第２パッドを設けるステップと、第１パッド群に少なくとも１つの第２パッドを電気的に接続するステップと、基板の背面に前記少なくとも１つの第２パッドを露出するステップと、を含む。
【０００９】
さらに、本発明に係るパッケージ化された背面照射型画像センサは、複数の露出延伸結合パッドが設けられた上面と、キャリヤ機構の一部をなす下面と、を有した背面照射型画像センサと、背面照射型画像センサの下面を通して背面照射型画像センサを係合しかつ固定する保持部分を有したキャビティと、複数の外部接続部と、を含んだパッケージと、複数の露出延伸結合パッドと複数の外部接続部との間に接続された、複数の電気導体と、を備える。
【００１０】
本明細書に開示された態様は、添付の図面を参照すれば、以下の詳細な説明から最も良く理解されるだろう。この分野の通常の慣行に従って、種々の特徴が一定の縮尺で描かれていないことを強調したい。実際には、種々の特徴の寸法は、説明を明確にするために適宜、拡大または縮小されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下の開示内容は、種々の態様の異なる機能を達成するために、多くの異なる態様や実施例を提供するものであることに留意されたい。部品や配置構成の具体例が、本願の開示を平易にするように以下に記載されている。これらは、もちろん、単なる例示であって、限定を意図したものではない。加えて、本明細書は、種々の実施例において参照番号および／または文字を繰り返し使用する。この繰り返しは、説明を平易かつ明確にするためであり、これ自体が種々の態様および／または構成の間の関係を決定づけるものではない。さらに、本明細書中において第１機構を第２機構上にまたはそれより上に第１機構を形成するという記載は、第１および第２機構が直接接触して形成される態様を含むだけでなく、第１および第２機構の間に入る追加の機構が形成されて、第１および第２機構が直接接触しない態様をも含んでもよいことを意味する。
【００１２】
図１を参照すると、画像センサ５０は複数のピクセル１００を含む。ある実施例では、個々のピクセル１００は、フォトダイオードと、リセットトランジスタと、ソース追随トランジスタと、セレクトトランジスタと、を含む。この型式の画像センサは、３Ｔ ＣＭＯＳ画像センサ（３Ｔ ＣＩＳ）として知られている。３Ｔ ＣＭＯＳ画像センサ等の画像センサの中で、各々のピクセル１００は、フォトダイオードと最大３つまでのトランジスタとを含んでもよい。別の実施例では、個々のピクセル１００は、ピン止め層フォトダイオードと、リセットトランジスタと、ソース追随トランジスタと、セレクトトランジスタと、移動トランジスタと、を含む。この型式の画像センサは、４Ｔ ＣＭＯＳ画像センサ（４Ｔ ＣＩＳ）として知られている。４Ｔ ＣＭＯＳ画像センサ等の画像センサの中で、各々のピクセル１００は、ピン止め層フォトダイオードと最大４つまでのトランジスタとを含んでもよい。上記型式に加えて、画像センサ５０は、種々の異なった形式のものでもよく、電荷結合素子（ＣＣＤ）、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）画像センサ（ＣＩＳ）、アクティブピクセルセンサ（ＡＣＰ）、またはパッシブピクセルセンサが挙げられる。追加回路と入出力とが、格子状のピクセル１００付近に通常設けられ、ピクセルの動作環境を実現し、ピクセルの外部通信を支援する。
【００１３】
図２を参照すると、図示の実施例では、画像センサ５０は、ケイ素（シリコン）、ゲルマニウム、ダイアモンド等からなる典型的な半導体が設けられた基板１１０を含む。あるいは、センサ５０は、ケイ素および酸化ケイ素、エピタキシャル層、または他の層の組み合わせ、からなるシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）を含む。また、他の実施例では、基板１１０は、炭化ケイ素、ガリウム砒素、砒化インジウム、リン化インジウム、等の化合物半導体からなってもよい。基板１１０は、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンゲルマニウム、リン化ガリウム砒素、リン化ガリウムインジウム、等の合金半導体から構成されてもよい。
【００１４】
本実施例では、基板１１０は、酸化ケイ素からなるベース上に形成されたＰ型シリコンを含む。シリコンドーピングは、種々のステップを伴うイオン注入法やイオン拡散法等の手法を用いて実行可能である。基板１１０は、この基板上に形成された異なったデバイスを分離するために横方向の絶縁機能を備えてもよい。基板１１０の厚さは、基板の背面へのエッチングが可能となるよう薄くなっている。基板１１０の厚さの減少は、背面研削、ダイアモンド洗浄、化学機械平坦化（ＣＭＰ）、ウェットエッチングもしくはドライエッチング、または他の同様な技術によって、達成されてもよい。
【００１５】
センサ５０は、半導体基板１１０の前面に形成された複数のピクセル１００を含む。例示のために、ピクセルは、赤と緑とからなる例示的な光波長にそれぞれ対応するように、さらに１００Ｒと１００Ｇと表示される。あるいは、複数のピクセル１００は、青からなる光波長等の他の光波長を含んでもよい。センサ５０は追加の層をさらに含み、これらは第１・第２・第３金属層１２０，１２２，１２３と、これらの金属層の間または他の層の間における一乃至複数の金属間誘電体（ＩＭＤ）層１２４と、を含む。これらの金属層１２０，１２２，１２３は、ダマシン技術によって作られた、アルミニウム系の材料とまたは銅系の材料であってもよい。通常、金属層の数は、３レベルの金属相互接続となっている。ロジック内蔵回路等のシステムオンチップ（ＳＯＣ）の用途においては、金属層の数は、４レベルの金属相互接続または６レベルの金属相互接続であってもよい。一乃至複数の誘電体層は、二酸化ケイ素の誘電率と比較すれば、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法）によって形成された低誘電率（low-k）材料を含んでもよい。ＳＯＣの用途では、誘電体層１２４の誘電率は約３．２より小さい。
【００１６】
また、使用されるピクセル１００の形式や検出される光の種類に対処する適切な機能を付与するために、補助回路がある。幾つかの実施例では、センサ５０は、システムオンチップ（ＳＯＣ）の一部であってもよい。例示のために、赤の波長と緑の波長と青の波長とが付与され、例示のために、ピクセル１００がフォトダイオードであるものとして概略図示されている。加えて、金属層１２０，１２２が、説明のために図２に示されている。追加の金属層は、本発明の開示の趣旨と範囲を逸脱するものでなければ、画像センサ５０内に含まれていてもよい。
【００１７】
センサ５０は、ゲート機構、金属線等の他の物体による光学経路への如何なる妨害を除去しつつ、光検出領域の照射光への露出を最大にしながら、半導体基板１１０の背面に向けられた光１５０を受け取るように設計される。この照射光１５０は可視光線に限らず、赤外線（ＩＲ）、紫外線（ＵＶ）、および他の放射線であってもよい。
【００１８】
センサ５０は、カラー（色）フィルタ層１６０をさらに含む。カラーフィルタ層１６０は、幾つかの異なったカラーフィルタ（例えば、赤、緑、および青）に対応することができ、入射光がこのフィルタに案内され、かつ、ここを通過してように、このカラーフィルタ層を配置してもよい。ある実施例では、このような光透明層は、高分子材料（例えば、アクリルポリマー系のネガティブフォトレジスト）や樹脂を含んでもよい。カラーフィルタ層１６０は、着色顔料を含んだアクリルポリマー系のネガティブフォトレジストを含んでもよい。この実施例の説明を続けると、カラーフィルタ１６０Ｒ，１６０Ｇが、ピクセル１００Ｒ，１００Ｇにそれぞれ対応する。
【００１９】
センサ５０は、マイクロレンズ等の複数のレンズ１７０を含んでいてもよく、これは、背面照射された光１５０が光検出領域上に集光可能となるように、ピクセル１００とカラーフィルタ１６０とともに様々な位置に構成される。
【００２０】
ウェハ製造中のある時点または製造完了時点で、センサ５０や対応するウェハ上の他のセンサに、保持装置が適用される。本実施例では、画像センサ５０の最上位の層がキャリヤ機構たるキャリヤウェハ１４０と結合される。これは、もちろん、誘電体層、保護（パシべーション）層、ポリイミド、または他の適切な層であってもよいことに留意されたい。キャリヤウェハ１４０は、基板１１０の薄型化に起因した画像センサ５０の構造に対して更なる保持を付与するように、約２００μｍより大きな厚さを有する。しかしながら、キャリヤウェハ１４０を厚くすると、以下に詳述するように、結合パッドまたは試験パッド等のパッドと接触する厚いキャリヤウェハ１４０にプローブが貫通しそうにないために、プローブや設計性能検査等のウェハレベル検査の実行が難しくなる。
【００２１】
ここで図３を参照すると、センサチップは参照符号５０ａで指示されており、本発明の一乃至複数の実施例に従って変更可能な第１結合パッド群２１０を含む。この第１結合パッド群２１０は、金属層１２０，１２２，１２３内に第１結合パッドたる金属パッド２４０，２５０，２５０をそれぞれ含み、これらの間に複数の接触部つまりビア２８０（通常、ビアと呼ばれる）を備える。この三層構造は単に例示のために供されていることに留意されたい。延伸された結合パッド２００は、センサチップ５０ａの端部２５１を越え、かつ、このセンサチップが存在するウェハのスクライブ線領域に入るように、一乃至複数の金属パッド２３０，２４０，２５０を延伸させる（図３の実施例では金属パッド２３０が延伸されている）ことによって形成される。
【００２２】
この延伸結合パッド２００は、センサチップ５０ａの端部２５１の外側に（全体的にまたは部分的に）配置され、破線によって図示された第２結合パッド群２２０をさらに含む。この図に示すように、第２結合パッド群２２０も、金属パッド２６０，２７０，２３０をそれぞれ備えた３つの金属層１２０，１２２，１２３に及ぶ。本実施例では、第２結合パッド群２２０全体が共通のウェハ基板上の２つの隣接したセンサチップ５０ａの間のスクライブ線領域内に位置する。
【００２３】
第２結合パッド群２２０はスクライブ線領域に配置されているため、このパッドは、本方法以外の方法で生じるような、センサチップ５０ａの損傷やこのセンサチップへの影響を与えることなく、基板１１０内において容易にアクセス可能となる。あるいは、第２結合パッド群２２０が組立に用いられる場合には、センサチップ５０ａの周囲でアクセス可能となり、スクライブ領域ではアクセス可能とならない。開口部３００が、従来の方法を用いて基板１１０に形成可能である。例えば、パターン化されたフォトレジスト層が基板１１０の背面に適用されてもよく、開口部３００がその内部へエッチングされてもよい。あるいは、この開口部３００を形成するために、他の化学的および／または機械的な処理を使用してもよい。この開口部３００は、キャリヤウェハ１４０内の開口部に比べると、基板１１０が比較的薄いという特徴があるため、比較的加工が容易である。この開口部３００は、直に第２結合パッド群２２０上に配置され、第１金属層１２０上の金属パッド２６０が、検査プローブ３０２によって図示されるように、プローブ検査可能あるいはアクセス可能となる。パッド２６０にアクセス口を設けることにより、センサチップ５０ａをウェハ上に依然置いたまま（つまり、組立前に）、延伸結合パッド２００を用いて検査測定を実行できる。
【００２４】
ここで図４Ａを参照すると、別の実施例において、センサチップが参照符号５０ｂで指示されており、かつ、金属延伸部４００を含む。金属延伸部４００は、図３に開示されたパッドと類似した第１結合パッド群２１０を含む。この第１結合パッド群２１０は、金属層１２０，１２２，１２３内に金属パッド２４０，２５０，２３０をそれぞれ含み、これらのパッドの間に複数のビア２８０を備える。
【００２５】
図３の金属延伸部２００とは違って、基板１１０の背面または背面近傍に、もう１つの金属パッド（第２結合パッド）４６０を含み、パッド２４０とパッド４６０との間に複数のビア４７０を備える。金属パッド４６０はパワーパッドでもグラウンドパッドでもよい。十分な機械的強度を得るために、金属パッド４６０の厚さや面積は第１結合パッド群２１０の厚さや面積よりも大きく、好ましくは、第１結合パッド群２１０の厚さや面積の１．５倍より大きい。本実施例では、２つのパッド２４０，４６０の間にある中間誘電体層１２４や基板１１０を含んだ如何なる既存の層にも、ビア４７０が延伸して、第２パッド４６０と第１パッド群２１０とを電気的に接続する。加えて、第１金属層１２０上のパッド２４０がプローブつまりワイヤ４８０によってアクセス可能となるとなるように、パッド４６０がパッド２４０の上に直接配置される。パッド４６０へプローブつまりワイヤのアクセス性を付与することによって、キャリヤウェハ１４０を貫通させることなく、パッド４６０の検査測定を行うことが可能となる。従って、ウェハレベル検査が直ちに実行可能となる。この実施例は、説明のために、基板１１０の上に１つのパッド４６０を含む。他の実施例は、本明細書で開示された趣旨および範囲を逸脱することがなければ、基板１１０の内部、上部、または下部に一乃至複数のパッドを含んでもよい。
【００２６】
ここで、図４Ｂを参照すると、さらに別の実施例において、センサチップが参照符号５０ｃによって指示されており、これは金属延伸部４００を含む。金属延伸部４００は、図３に開示されたパッドに類似した第１結合パッド群２１０を含む。この第１結合パッド群２１０は、金属層１２０，１２２，１２３に金属パッド２４０，２５０，２３０をそれぞれ含み、これらの層の間に複数のビア２８０を備える。ワイヤつまりプローブ４８０による直接アクセスは、基板１１０内の開口部４８２を通して金属パッド２４０の背面から実現する。この図示の実施例では、開口部４８２は、シリコン基板と層間誘電体（ＩＬＤ）とをエッチングすることによって形成されてもよい。このＩＬＤは、ドープされた酸化ケイ素や低誘電率（low-k）誘電体材料からなるものでもよい。開口部４８２の幅は、好ましくは、３０μｍ〜２００μｍである。また、この図示の実施例では、金属バリヤ層４９０は、開口部４８２のライニング（裏地）面であるとともに金属パッド２４０の背面側に設けられる。次いで、この金属バリヤ層４９０は、導電層４９２に覆われる。図５は、上述の図３の実施例に従って、ウェハ５００上の背面照射型画像センサチップ５０ａを示す。
【００２７】
図５に示すように、センサチップ５０ａは複数の延伸結合パッド２００を含み、このパッドの各々には、第１結合パッド群２１０と第２結合パッド群２２０とがそれぞれ設けられる。本実施例では、第１パッド群２１０は、センサチップ５０の周辺部に配置される。上述したように、第１結合パッド群２１０は、金属延伸部２３０を介して第２パッド群２２０に電気的に接続されている。第２パッド群２２０は、スクライブ領域５１０に配置されている。スクライブ領域５１０は、チップ５０ａの外側の領域であり、ウェハ５００を切断して個々のダイ（チップ５０）にするために使用可能である。この図示の実施例では、ダイが切り離される前に第２パッド群２２０がプローブ検査つまりワイヤボンドされ得るようにスクライブ領域５１０が拡大されている。スクライブ線領域５１０に第２パッド群２２０を設けることによって、検査目的の測定を行うのに、プローブやワイヤが背面金属層２４０に接続されたパッドに容易に到達し得る。
【００２８】
他の実施例では、センサチップ５０ａ上の一部の結合パッドのみが、延伸結合パッド２００を含む。さらに、第１結合パッド群２００がセンサチップ５０の周辺部に配置され、および／または、第２結合パッド群がスクライブ線領域に配置されることは必要とされていない。例えば、第２結合パッド群はチップ５０の別の部分に配置されてもよく、これにより、組立ウェハ検査やプローブ検査において第２結合パッド群を所望の位置に維持できる。
【００２９】
図６は、上述の図４の実施例に従って、ウェハ５００上の背面照射型画像センサチップ５０ｂを示す。図６に示すように、チップ５０ｂは、第１結合パッド群２１０と第２パッド４６０とを含む。しかしながら、パッド４６０が第１結合パッド群２１０の上に直接配置されているために、図５のセンサチップ５０ｂとは違って、双方のパッド２１０，４６０はチップ５０ｂの内側に配置され、スクライブ線領域５１０には配置されない。プローブつまりワイヤによるアクセスをパッド４６０に与えることによって、キャリヤウェハ１４０を貫通させることなく、接続部つまりビア４７０を介して、第１パッド群２１０から検査測定を直接行うことが可能となる。従って、ウェハレベル検査が直ちに実行可能となる。
【００３０】
図７を参照すると、背面照射型画像センサたるセンサチップ５０がウェハから除去され、パッケージ（筐体）７００に収納されている。パッケージ７００は、保持部材７１０と、ガラス等の透明部材７２０と、一連の、ピン、バンプ（突出部）、ボールまたは他の外部接続７３０と、を含む。この接続部７３０は、上述の延伸結合パッドに電気的に接続可能である。本実施例では、電気導体たる結合ワイヤ７４０がバンプ７７０を介してチップ５０ａ（図３）の第２結合パッド群２２０へ接続する。また、この接続は、チップ５０ｂ（図４）の第２パッド４６０を用いた場合でも可能である。
【００３１】
従って、本発明により、新規な背面照射型センサが提供される。ある実施例では、前記センサは、基板と、第１結合パッドと、第２結合パッドと、これら２つのパッドの間の電気接続部と、を含む。第１結合パッドは基板の前面上に配置され、第２結合パッドは基板の背面側からアクセス可能となるように配置される。
【００３２】
幾つかの実施例では、第１結合パッドは背面照射型センサの周辺部に配置され、第２結合パッドは背面照射型センサ付近のスクライブ領域に配置される。
【００３３】
幾つかの実施例では、第２結合パッドは基板の背面上に配置される。
【００３４】
また、本発明により、  背面照射型センサに金属延伸部を設ける新規な方法が提供される。ある実施例では、前記方法は、基板を設けるステップと、第１パッド群と第２パッド群とを基板の前面側に設けるステップと、を含む。この方法は、さらに、第１パッド群に少なくとも１つの第２パッドを電気的に接続するために金属層に金属延伸部を設けるステップと、検査のため第２パッド群の１つを基板の背面に向けて露出するステップと、をさらに含む。
【００３５】
別の実施例では、背面照射型センサに金属延伸部を設ける方法は、基板の前面上に背面照射型センサ内の第１パッド群を設けるステップと、前記第１パッド群の下に直接配置された少なくとも１つの第２パッドを設けるステップと、を含む。この方法は、前記第１パッド群に前記少なくとも１つの第２パッドを電気的に接続するステップと、前記基板に対し前記少なくとも１つの第２パッドを露出するステップと、をさらに含む。
【００３６】
本明細書に開示された態様は、添付の図面を参照しつつ以下の詳細な説明から最も良く理解されよう。この分野の通常の慣行に従って、種々の特徴が一定の縮尺で描かれていない。実際には、種々の特徴の寸法は、説明を明確にするために適宜、拡大または縮小されている。また、添付図面は、本発明の典型的な実施例を図示しており、従って、範囲を制限するものとして解釈されるべきでなく、本発明が他の実施例にも等しく適用されることを強調したい。
【００３７】
本発明のほんの僅かな実施例のみを上記のように詳細に説明してきたが、当業者であれば、本発明の当該新規の教示や利点から実質的に逸脱することなく、前記典型的な態様から多くの改良が可能であることを即座に想到するであろう。上記ステップの種々の異なる組み合わせが、種々の順序で、または並列して、使用可能であり、重要あるいは必須の特定のステップがあるわけではない。また、幾つかの実施例との関連で図示および検討した特徴は、他の実施例との関連で図示および検討した特徴と組み合わせてもよい。従って、これら全ての改良は、本発明の特許請求の範囲内に含められることを意図されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】複数のピクセルを備えたセンサを示した図である。
【図２】キャリヤウェハが取り付けられた背面照射型センサの垂直断面図である。
【図３】本発明のある実施例による背面照射型センサの垂直断面図である。
【図４Ａ】本発明の別の実施例による背面照射型センサの垂直断面図である。
【図４Ｂ】本発明の別の実施例による背面照射型センサの垂直断面図である。
【図５】図３に対応する背面照射型センサの上面図である。
【図６】図４に対応する背面照射型センサの上面図である。
【図７】組み付け後の背面照射型センサの垂直断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１１０  基板
１２０  金属層（第１金属層）
１２２  金属層（第２金属層）
１２３  金属層（第３金属層）
１４０  キャリヤウェハ（キャリヤ機構）
２１０  第１結合パッド群
２２０  第２結合パッド群
２３０  金属パッド、金属延伸部（第１結合パッド、金属延伸結合パッド）
２４０  金属パッド（第１結合パッド）
２５０  金属パッド（第１結合パッド）
２６０  金属パッド
５０，５０ａ，５０ｂ，５０ｃ  背面照射型画像センサ（センサチップ）
４６０  金属パッド（第２結合パッド、第２パッド）
４７０  ビア
４８０  ワイヤまたはプローブ
３００，４８２  開口部
４９０  金属バリヤ層
７００  パッケージ
７１０  保持部材
７３０  外部接続部
７４０  結合ワイヤ（電気導体）
７７０  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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