(57)【要約】【課題】裏面むき出し構造の半導体装置（半導体パッケージ）を製造する上で有用な半導体用接着フィルム付き金属板を提供することをその目的とする。【解決手段】２５℃での伸び率が０〜１０％で、かつ１８０℃での伸び率が１５〜３０％である金属板の片面に、樹脂層Ａの少なくとも一層からなる半導体用接着フィルムを、該樹脂層Ａと該金属板が接するように積層してなり、前記金属板と前記樹脂層Ａとの２５℃における９０度ピール強度が５〜５００Ｎ／ｍであることを特徴とする半導体用接着フィルム付き金属板、これを用いてなる半導体用接着フィルム付き配線基板および半導体用接着フィルム付き半導体装置ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５℃での伸び率が０〜１０％で、かつ１８０℃での伸び率が１５〜３０％である金属板の片面に、樹脂層Ａの少なくとも一層からなる半導体用接着フィルムを、該樹脂層Ａと該金属板が接するように積層してなり、前記金属板と前記樹脂層Ａとの２５℃における９０度ピール強度が５〜５００Ｎ／ｍであることを特徴とする半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項２】
前記金属板が電解銅箔であることを特徴とする請求項１記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項３】
前記金属板の２５℃での抗張力が４００〜７００Ｎ／ｍｍ２で、かつ１８０℃での抗張力が５０〜３５０Ｎ／ｍｍ２であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項４】
前記金属板の厚さが１〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項５】
前記金属板が粗化面を有し、該粗化面が前記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａと接していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項６】
前記金属板の粗化面の表面粗さがＲｚ＝１〜２μｍであることを特徴とする請求項５に記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項７】
前記樹脂層Ａのガラス転移温度が１００〜３００℃であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項８】
前記樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度が３００℃以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項９】
前記樹脂層Ａの１５０℃における弾性率が０．１ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項１０】
前記樹脂層Ａが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基またはスルホン基を有する熱可塑性樹脂を含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項１１】
前記半導体用接着フィルムが、支持フィルムの片面または両面に前記樹脂層Ａが形成されたものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項１２】
前記半導体用接着フィルムが、支持フィルムの一方の面に前記樹脂層Ａが形成され、他方の面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されたものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項１３】
前記支持フィルムが、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトンおよびポリエチレンナフタレートからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含むものであることを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項１４】
前記樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と前記支持フィルムの厚さ（Ｙ）との比（Ｘ）／（Ｙ）が、０．５以下であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板の金属板をエッチングして配線回路を形成してなる半導体用接着フィルム付き配線基板。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板を用いてなることを特徴とする半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５記載の半導体用接着フィルム付き配線基板と、
前記配線基板の配線回路の露出面上の所定位置に搭載された半導体素子と、
前記配線回路と前記半導体素子とを接続するワイヤと、
前記配線回路の露出面、前記半導体素子および前記ワイヤを封止する封止樹脂層と、
を備えることを特徴とする半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板の金属板をエッチングして配線回路を形成する工程、
前記配線回路の露出面上の所定位置に半導体素子を搭載する工程、
前記半導体素子と前記配線回路とをワイヤで接続する工程、
前記配線回路の露出面、前記半導体素子および前記ワイヤを封止材で封止する工程、および
半導体用接着フィルムを前記配線回路および前記封止材から剥離する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記半導体素子を複数個搭載した場合において、前記封止工程後または前記半導体用接着フィルム剥離工程後に、該複数個の半導体素子を有する半導体装置を、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置となるように分割する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着フィルム付き金属板、当該半導体用接着フィルム付き金属板を用いてなる半導体用接着フィルム付き配線基板および半導体用接着フィルム付き半導体装置ならびに当該半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離してなる半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの小型・薄型化を図るため、リードフレームの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードを外部接続用に用いる構造の半導体パッケージが開発されてきた。この構造のパッケージはリードが封止樹脂から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる利点がある。この構造の半導体パッケージは、例えば、リードフレームの片面に接着テープを貼った後、リードフレームの反対面にチップを搭載し、ワイヤボンド、封止後、接着テープを剥がす方法により製造することが提案されている（例えば、特許文献１、２及び３参照）。
【０００３】
しかし、リードフレームを用いて上記のような裏面がむき出しの構造を有する半導体パッケージを製造する場合、リードフレームの厚さや材質に制限があるため、依然として、半導体パッケージの高さが高い、微細な配線を形成できないなどの問題がある。
【０００４】
一方、裏面がむき出しの構造を有する半導体パッケージを製造する別の方法として、仮の支持基板上に金属層を形成し、回路形成、チップ搭載、ワイヤボンド、封止後、仮の支持基板を剥がす方式が考案されているが、封止時に樹脂が配線回路と支持基板間に回り込むのを防いだり、支持基板を剥離した後に配線回路に糊残りを起こさないようにするために、仮の支持基板としてどのような特性が必要なのかが明らかでない（例えば、特許文献４参照）。
【特許文献１】特開平１０−０１２７７３号公報
【特許文献２】特開２０００−２９４５８０号公報
【特許文献３】国際公開第Ｗ００１／０３５４６０号パンフレット
【特許文献４】特開平１１−１２１６４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記を鑑みて、本発明は、裏面むき出し構造の半導体装置（半導体パッケージ）を製造する上で有用な半導体用接着フィルム付き金属板を提供することをその目的とするものであり、より具体的には、特定の物性を有する金属板（配線回路）の片面に、樹脂封止時には当該面に十分密着してこれを保護し、樹脂封止後には簡易に剥離可能な半導体用接着フィルムを備え、なおかつ半導体パッケージの製造プロセスにおいて要求される諸特性を兼ね備えた半導体用接着フィルム付き金属板、これを用いてなる半導体用接着フィルム付き配線基板および半導体用接着フィルム付き半導体装置ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
すなわち、本発明は、以下（１）〜（２０）に記載の事項をその特徴とするものである。
【０００７】
（１）２５℃での伸び率が０〜１０％で、かつ１８０℃での伸び率が１５〜３０％である金属板の片面に、樹脂層Ａの少なくとも一層からなる半導体用接着フィルムを、該樹脂層Ａと該金属板が接するように積層してなり、前記金属板と前記樹脂層Ａとの２５℃における９０度ピール強度が５〜５００Ｎ／ｍであることを特徴とする半導体用接着フィルム付き金属板。
【０００８】
（２）前記金属板が電解銅箔であることを特徴とする上記（１）記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【０００９】
（３）前記金属板の２５℃での抗張力が４００〜７００Ｎ／ｍｍ２で、かつ１８０℃での抗張力が５０〜３５０Ｎ／ｍｍ２であることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１０】
（４）前記金属板の厚さが１〜１００μｍであることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１１】
（５）前記金属板が粗化面を有し、該粗化面が前記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａと接していることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１２】
（６）前記金属板の粗化面の表面粗さがＲｚ＝１〜２μｍであることを特徴とする上記（５）に記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１３】
（７）前記樹脂層Ａのガラス転移温度が１００〜３００℃であることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１４】
（８）前記樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度が３００℃以上であることを特徴とする上記（１）〜（７）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１５】
（９）前記樹脂層Ａの１５０℃における弾性率が０．１ＭＰａ以上であることを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１６】
（１０）前記樹脂層Ａが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基またはスルホン基を有する熱可塑性樹脂を含有することを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１７】
（１１）前記半導体用接着フィルムが、支持フィルムの片面または両面に前記樹脂層Ａが形成されたものであることを特徴とする上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１８】
（１２）前記半導体用接着フィルムが、支持フィルムの一方の面に前記樹脂層Ａが形成され、他方の面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されたものであることを特徴とする上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００１９】
（１３）前記支持フィルムが、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトンおよびポリエチレンナフタレートからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含むものであることを特徴とする上記（１１）または（１２）に記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００２０】
（１４）前記樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と前記支持フィルムの厚さ（Ｙ）との比（Ｘ）／（Ｙ）が、０．５以下であることを特徴とする上記（１１）〜（１３）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板。
【００２１】
（１５）上記（１）〜（１４）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板の金属板をエッチングして配線回路を形成してなる半導体用接着フィルム付き配線基板。
【００２２】
（１６）上記（１）〜（１４）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板を用いてなることを特徴とする半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２３】
（１７）上記（１５）記載の半導体用接着フィルム付き配線基板と、前記配線基板の配線回路の露出面上の所定位置に搭載された半導体素子と、前記配線回路と前記半導体素子とを接続するワイヤと、前記配線回路の露出面、前記半導体素子および前記ワイヤを封止する封止樹脂層と、を備えることを特徴とする半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２４】
（１８）上記（１６）または（１７）に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られることを特徴とする半導体装置。
【００２５】
（１９）上記（１）〜（１４）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム付き金属板の金属板をエッチングして配線回路を形成する工程、前記配線回路の露出面上の所定位置に半導体素子を搭載する工程、前記半導体素子と前記配線回路とをワイヤで接続する工程、前記配線回路の露出面、前記半導体素子および前記ワイヤを封止材で封止する工程、および半導体用接着フィルムを前記配線回路および前記封止材から剥離する工程、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２６】
（２０）前記半導体素子を複数個搭載した場合において、前記封止工程後または前記半導体用接着フィルム剥離工程後に、該複数個の半導体素子を有する半導体装置を、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置となるように分割する工程をさらに含むことを特徴とする上記（１９）に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、裏面むき出し構造の半導体装置を製造する上で有用な半導体用接着フィルム付き金属板、これを用いてなる半導体用接着フィルム付き配線基板、半導体用接着フィルム付き半導体装置を提供することができ、その結果、生産性に優れ、高密度化、小面積化及び薄型化され、携帯電話などの情報機器に好適な半導体装置とその製造方法を提供することも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の半導体用接着フィルム付き金属板、本発明の半導体用接着フィルム付き配線基板、本発明の半導体用接着フィルム付き半導体装置、本発明の半導体装置およびこれらの製造方法について詳しく説明する。
【００２９】
１．半導体用接着フィルム付き金属板
本発明の半導体用接着フィルム付き金属板は、２５℃での伸び率が０〜１０％で、かつ１８０℃での伸び率が１５〜３０％である金属板の片面に、樹脂層Ａの少なくとも一層からなる半導体用接着フィルムを、該樹脂層Ａと該金属板が接するように積層してなり、金属板と樹脂層Ａとの２５℃における９０度ピール強度が５〜５００Ｎ／ｍであることを特徴とするものである。
【００３０】
上記金属板への半導体用接着フィルムの接着条件は、特に制限はないが、接着温度は１５０〜４００℃の間であることが好ましく、１８０〜３５０℃がより好ましく、２００〜３００℃がさらに好ましい。接着温度が１５０℃未満の場合、金属板と樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下する傾向があり、また４００℃を超えると、金属板が劣化する傾向がある。
【００３１】
また、上記金属板への半導体用接着フィルムの接着圧力は特に制限はないが、０．１〜３０ＭＰａの範囲が好ましく、１〜２０ＭＰａがより好ましく、３〜１５ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．５ＭＰａ未満の場合、樹脂層Ａと金属板との９０度ピール強度が低下する傾向があり、また３０ＭＰａを超えると、金属板が破損しやすい傾向がある。
【００３２】
また、上記金属板への半導体用接着フィルムの接着時間についても特に制限はないが、０．１〜６０秒の範囲が好ましく、１〜３０秒がより好ましく、３〜２０秒がさらに好ましい。接着時間が０．１秒未満の場合、樹脂層Ａと金属板との９０度ピール強度が低下しやすい傾向があり、また６０秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に、５〜６０秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。
【００３３】
樹脂層Ａと金属板との２５℃における９０度ピール強度については、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、金属板に対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定することができる。具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用接着フィルムを引きはがす際の９０度ピール強度を、９０度剥離試験機（テスタ産業製）で測定する。
【００３４】
本発明において、樹脂層Ａと金属板との２５℃における９０度ピール強度の下限は、５Ｎ／ｍとされ、１０Ｎ／ｍ以上が好ましく、５０Ｎ／ｍ以上がより好ましく、１００Ｎ／ｍ以上が特に好ましい。９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、金属板に配線回路を形成する際に、半導体用接着フィルムが配線回路から剥がれやすく、また封止工程時に、配線回路と樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込むなどの問題が生じる恐れがある。一方、９０度ピール強度の上限は、５００Ｎ／ｍとされ、３００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、２００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。９０度ピール強度が５００Ｎ／ｍを越えると、半導体用接着フィルムが封止材及び配線回路から剥がれ難くなり、剥離できたとしても樹脂層Ａの残渣が配線回路露出面に残ってしまう恐れがある。
【００３５】
以下では、本発明の半導体用接着フィルム付き金属板に用いる金属板および半導体用接着フィルムについて詳述する。
【００３６】
１．１．金属板
本発明の半導体用接着フィルム付き金属板に用いる金属板は、その２５℃での伸び率が１０％未満のものであり、１〜８％であることが好ましく、３〜８％であることが特に好ましい。２５℃での伸び率が１０％を超えると、半導体用接着フィルムを上記金属箔から形成される配線回路及び封止材から剥離する際に、当該配線回路が半導体装置から脱落し易くなる傾向にある。一方、２５℃での伸び率が０％の金属板は製造が難しい。
【００３７】
また、上記金属板の１８０℃での伸び率は、１５〜３０％とされ、１５〜２５％であることが特に好ましい。金属板の１８０℃での伸び率が１５％未満であると、半導体用接着フィルムを、当該金属板から形成される配線回路および封止材から剥離する際に、当該配線回路が半導体装置から脱落し易くなる傾向にある。一方、１８０℃での伸び率が３０％を超える金属板の製造は困難である。
【００３８】
また、上記金属板は、電解銅箔であることが好ましい。電解銅箔を用いることによって、半導体用接着フィルム付き金属板に配線回路を形成し、メッキする際の配線回路の欠損を低減することができる。なお、電解銅箔の代わりに圧延銅箔を用いた場合、半導体用接着フィルム付き金属板に配線回路を形成しメッキする際、配線回路の欠損が生じやすい。
【００３９】
また、上記金属板は、その片面もしくは両面が粗化されているものであることが好ましい。金属板の粗化面に半導体用接着フィルムの樹脂層Ａを積層することによって、半導体用接着フィルム付き金属板に配線回路を形成し、メッキする際、配線回路の欠損が生じ難くなる。また、金属板の粗化面の表面粗さは、Ｒｚ＝１〜２μｍであることが好ましい。表面粗さがＲｚ＝２μｍを超えると、半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から剥離する際に、配線回路が半導体装置から脱落しやすく、表面粗さがＲｚ＝１μｍ未満であると、半導体用接着フィルム付き金属板に配線回路を形成しメッキする際、配線回路の欠損が生じやすい。
【００４０】
また、上記金属板の２５℃での抗張力は、４００〜７００Ｎ／ｍｍ２であることが好ましく、４５０〜６５０Ｎ／ｍｍ２であることがより好ましく、５００〜６００Ｎ／ｍｍ２であることが特に好ましい。２５℃での抗張力が４００Ｎ／ｍｍ２未満であると、半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から剥離する際に、当該配線回路が半導体装置から脱落しやすい傾向にある。一方、２５℃での抗張力が７００Ｎ／ｍｍ２を超える金属板の製造は困難である。さらに、上記金属板の１８０℃での抗張力が５０〜３５０Ｎ／ｍｍ２であることが好ましい。
【００４１】
また、上記金属板の厚さは、特に制限はないが、薄い方が微細な配線回路形成に有利である。したがって、その厚さは、１〜１００μｍであることが好ましく、１〜５０μｍであることが特に好ましい。金属板の厚さが１００μｍを超えると回路形成に時間がかかり、また、半導体用接着フィルム付き配線基板の屈曲性が乏しくなるため、リールツーリール方式でこれを製造する場合、搬送工程等において不都合が生じる恐れがあり、さらには、半導体装置の厚さを薄くできなくなる。一方、金属板の厚さが１μｍ未満であると、当該金属板をエッチングしてなる配線回路（インナーリード）と半導体素子のワイヤボンドが難しく、導通不良が生じる恐れがある。
【００４２】
１．２．半導体用接着フィルム
本発明の半導体用接着フィルム付き金属板に用いる半導体用接着フィルムは、上記所定範囲のピール強度で上記金属層表面と接着する樹脂層Ａの少なくとも一層からなるものであればよく、例えば、樹脂層Ａ単層からなるものでも支持フィルム上に樹脂層Ａが形成されたものでもよい。好ましくは、支持フィルム上に樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムである。支持フィルム上に樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムの例としては、樹脂層Ａが支持フィルムの片面又は両面に形成されているものや支持フィルムの片面に樹脂層Ａが形成され、その反対面に他の樹脂層が形成されているものなどが挙げられる。樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺する観点からは、支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けたものが好ましく、支持フィルムの一方の面に樹脂層Ａを設け、他方の面に高温で軟化しにくい樹脂層を設けたものがより好ましく、支持フィルムの一方の面に樹脂層Ａを形成し、他方の面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成したものが特に好ましい。
【００４３】
支持フィルム上に樹脂層（樹脂層Ａや樹脂層Ｂ等）を形成する方法は、特に制限はないが、後述の、樹脂層の形成に用いられる樹脂（樹脂（ａ）や樹脂（ｂ））をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した接着剤ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去することにより、二層構造又は三層構造の接着フィルムを得ることができる。
【００４４】
また、ワニス塗布後に加熱処理などによって耐熱性樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）となる樹脂の前駆体（例えば、ポリアミド酸）を溶剤に溶解した前駆体ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去し、当該前駆体を耐熱性樹脂とする（例えば、イミド化）ことにより、二層構造又は三層構造の接着フィルムを得ることもできる。塗工面の表面状態等を考慮すると、接着剤ワニスを用いることが好ましい。また、樹脂層Ｂを形成する場合において、当該樹脂層Ｂを成す樹脂（ｂ）として、熱硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の組合せを用いる場合は、塗工後の加熱処理によって、熱硬化性樹脂を硬化させ、樹脂層Ｂの弾性率を１０ＭＰａ以上にすることもできる。この加熱処理は、溶剤の除去やイミド化と同時に行うこともできるし、別途行うこともできる。このような樹脂層Ｂは、溶剤除去時の体積減少又はイミド化や熱硬化性樹脂の硬化の際の収縮により、樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺することができる。
【００４５】
また、上記において、ワニスを塗工した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、塗工したワニスが接着剤ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異なる。接着剤ワニスの場合には、当該ワニス中の溶剤を除去できる温度であればよいが、前駆体ワニスの場合には、前駆体を耐熱性樹脂とするために、樹脂層（耐熱性樹脂）のガラス転移温度以上の温度で処理することが好ましい。
【００４６】
また、上記において、支持フィルムの片面または両面に塗布される接着剤ワニス又は前駆体ワニスの塗工方法は、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行うことができる。また、接着剤ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して（浸漬させて）塗工しても良い。
【００４７】
また、上記半導体用接着フィルムとして、支持フィルム上に樹脂層が形成されたもの、特に、支持フィルムの片面に樹脂層Ａが形成されたものを用いる場合、その厚さは特に制限はないが、剥離時の剥離角度を大きく取るほど剥離が容易になるので、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましい。また、樹脂層の厚さ（Ｘ）と支持フィルムの厚さ（Ｙ）との比（Ｘ）／（Ｙ）は、０．５以下であることが好ましく、０．３以下であることがより好ましく、０．２以下であることが特に好ましい。この比（Ｘ）／（Ｙ）が０．５を超える場合、塗工後の溶剤除去時の樹脂層の体積減少により接着フィルムがカールし易く、上記金属板に接着する際の作業性や生産性が低下し易い傾向にある。また、支持フィルムの両面に樹脂層を設けた場合には、両樹脂層の厚みの比を０．８：１〜１．２：１とすることが好ましく、０．９：１〜１．１：１とすることがより好ましく、１：１とすることが特に好ましい。なお、樹脂層Ａ単層の厚さは１〜２０μｍであることが好ましく、３〜１５μｍであることがより好ましく、４〜１０μｍであることがさらに好ましい。
【００４８】
１．２．１．樹脂層Ａ
上記樹脂層Ａは、前述のとおり、上記金属層表面と上記所定範囲のピール強度で接着する樹脂層であり、当該樹脂層Ａの形成に用いられる樹脂（ａ）としては、特に限定されないが、アミド基（−ＮＨＣＯ−）、エステル基（―ＣＯ−Ｏ−）、イミド基（−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−）、エーテル基（−Ｏ−）又はスルホン基（−ＳＯ２−）を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。具体的には、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド、芳香族ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらのなかでは、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドが、耐熱性、接着性の点から好ましい。
【００４９】
上記の樹脂はいずれも、塩基成分である芳香族ジアミン又はビスフェノールなどと、酸成分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸若しくは芳香族塩化物又はこれらの反応性誘導体を重縮合させて製造することができる。すなわち、アミンと酸との反応に用いられている公知の方法で行うことができ、諸条件等についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はこれらの反応性誘導体とジアミンの重縮合反応については、公知の方法が用いられる。
【００５０】
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる塩基成分としては、例えば、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）］ヘキサフルオロプロパン等のエーテル基を有する芳香族ジアミン；４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアミン）等のエーテル基を有しない芳香族ジアミン；１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミン；及び１，１２−ジアミノドデカン、１，６−ジアミノヘキサン等のα、ω−ジアミノアルカンが好適に用いられる。
【００５１】
塩基成分総量中、上記のエーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは４０〜１００モル％、より好ましくは５０〜９７モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミン、シロキサンジアミン及びα、ω−ジアミノアルカンから選ばれる少なくとも１種を好ましくは０〜６０モル％、より好ましくは３〜５０モル％の量で用いることが望ましい。
【００５２】
好ましい塩基成分の具体例としては、（１）エーテル基を有する芳香族ジアミン６０〜８９モル％、より好ましくは６８〜８２モル％、シロキサンジアミン１〜１０モル％、より好ましくは３〜７モル％及びα、ω−ジアミノアルカン１０〜３０モル％、より好ましくは１５〜２５モル％からなる塩基成分、（２）エーテル基を有する芳香族ジアミン９０〜９９モル％、より好ましくは９３〜９７モル％、及びシロキサンジアミン１〜１０モル％、より好ましくは３〜７モル％からなる塩基成分、（３）エーテル基を有する芳香族ジアミン４０〜７０モル％、より好ましくは４５〜６０モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミン３０〜６０モル％、より好ましくは４０〜５５モル％からなる塩基成分が挙げられる。
【００５３】
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる酸成分としては、例えば、（Ａ）無水トリメリット酸、無水トリメリット酸クロライド等の無水トリメリット酸の反応性誘導体、ピロメリット酸二無水物等の単核芳香族トリカルボン酸無水物又は単核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｂ）ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物、オキシジフタル酸無水物等の多核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｃ）テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロライド、イソフタル酸クロライド等のフタル酸の反応性誘導体等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。
【００５４】
なかでも、上記塩基成分（１）又は（２）１モル当たり、好ましくは上記酸成分（Ａ）０．９５〜１．０５モル、より好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミド及び上記塩基成分（３）１モル当たり、好ましくは上記酸成分（Ｂ）０．９５〜１．０５モル、より好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルイミドが樹脂（ａ）として好適に用いられる。
【００５５】
また、樹脂層Ａには、樹脂（ａ）の他に、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーやカップリング剤を添加してもよい。
【００５６】
上記フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して１〜３０重量部であることが好ましく、５〜１５重量部であることがより好ましい。
【００５７】
上記カップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が好ましい。
【００５８】
上記シランカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の末端に有機反応基を有するシランカップリング剤で、これらのうち、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましく用いられる。なお、ここで有機反応性基とは、エポキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基等の官能基である。また、シランカップリング剤を添加することで、樹脂層の支持フィルムに対する密着性を向上させ、１００〜３００℃の温度で引き剥がした際に、樹脂層と支持フィルムの界面で剥離することを防止することができる。
【００５９】
また、上記カップリング剤の添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して、１〜５０重量部であることが好ましく、１０〜４０重量部であることがより好ましい。
【００６０】
また、上記樹脂層Ａのガラス転移温度は１００〜３００℃であることが好ましく、１３０〜３００℃であることがより好ましく、１５０〜２５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度が１００℃未満の場合、半導体用接着フィルム（樹脂層Ａ）を配線回路及び封止材から引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じたり、樹脂層Ａが凝集破壊し易い傾向にある。また、配線回路及び封止材に樹脂層Ａの樹脂が残留しやすく、ワイヤボンド工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、ワイヤの接合不良が生じ易くなる傾向にある。さらには、封止工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、配線回路と樹脂層Ａ間に封止材が入り込むなどの不具合が起き易くなる傾向にある。一方、ガラス転移温度が３００℃を超えると、接着時に樹脂層Ａが十分軟化せず、２５℃における配線回路（金属板）との９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。なお、樹脂層のガラス転移温度は、樹脂層の単層フィルムを熱機械的分析装置（例えば、セイコー電子工業製、ＴＭＡ−１２０）により、昇温速度１０℃／分、荷重１０ｇの引っ張りモードで測定される。
【００６１】
また、上記樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度は、３００℃以上であることが好ましく、３５０℃以上であることがより好ましく、４００℃以上であることがさらに好ましい。樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度が３００℃未満の場合、金属板に半導体用接着フィルム（樹脂層Ａ）を接着する際の熱やワイヤボンド工程での熱で樹脂層Ａからアウトガスが生じ、これが配線回路やワイヤを汚染してしまう恐れがある。なお、樹脂層Ａの重量が５重量％減少する温度は、示差熱天秤（セイコー電子工業製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）により、昇温速度１０℃／分で測定される。
【００６２】
また、上記樹脂層Ａの１５０℃における弾性率は、０．１ＭＰａ以上であることが好ましく、１ＭＰａ以上であることがより好ましい。ワイヤボンド温度は、特に制限はないが、一般には１００〜２５０℃程度であり、１５０℃前後が広く用いられる。したがって、１５０℃における弾性率が０．１ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程での熱により樹脂層Ａが軟化し、ワイヤの接合不良が生じ易くなる傾向にある。一方、樹脂層Ａの１５０℃における弾性率の上限は、２０００ＭＰａであることが好ましく、１５００ＭＰａであることがより好ましく、１０００ＭＰａであることがさらに好ましい。なお、樹脂層Ａの２３０℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置、ＤＶＥ  ＲＨＥＯＳＰＥＣＴＯＬＥＲ（レオロジ社製）を用いて、昇温速度２℃／分、測定周波数１０Ｈｚの引張モードによって測定される。
【００６３】
１．２．２．支持フィルム
上記支持フィルムは、特に制限はないが、樹脂層Ａとなる樹脂ワニスの塗工、乾燥、半導体装置組立工程中などにおける熱に耐えられる樹脂からなるフィルムであることが好ましく、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリフェニレンスルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン等の絶縁性耐熱性樹脂からなるフィルムを使用することができ、より好ましくは、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる１種以上の樹脂からなるフィルムであることが好ましい。
【００６４】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、配線回路及び封止材から引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じ、配線回路及び封止材に樹脂層Ａが残留しやすい。したがって、上記支持フィルムは、耐熱性を有し、なおかつ樹脂層Ａに対する密着性が十分高いポリイミドフィルムが特に好ましく、芳香族ポリイミドフィルムが最も好ましい。
【００６５】
また、支持フィルムの材質を、上記した樹脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。支持フィルムをこれら金属とすることにより、金属板と支持フィルムの線膨張係数を近くし、半導体用接着フィルム付き金属板の反りを低減することができる。一方、樹脂系支持フィルムを用いて半導体用接着フィルム付き金属板の反りを低減するためには、支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下であることが好ましく、２．５×１０−５／℃以下であることがより好ましく、２．０×１０−５／℃以下であることが特に好ましい。さらに、樹脂系支持フィルムを２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましく、０．０５％以下であることが特に好ましい。
【００６６】
また、上記樹脂系支持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。このような耐熱性樹脂系支持フィルムを用いることにより、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程などの熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。
【００６７】
また、上記支持フィルムは、樹脂層Ａに対する密着性を十分高めるために、その表面を処理することが好ましい。支持フィルムの表面処理方法には特に制限はないが、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
【００６８】
また、上記支持フィルムの厚さは、特に制限はないが、半導体用接着フィルム付き金属板の反りを低減するために、上限は２００μｍであることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましい。また、下限は５μｍであることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。
【００６９】
１．２．３．樹脂層Ｂ
支持フィルムの、樹脂層Ａが形成されていない面に形成され、２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない上記樹脂層Ｂは、前述のとおり、半導体用接着フィルムのカールを相殺する目的で用いるものである。
【００７０】
上記樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上であることがより好ましく、１０００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程などの熱の加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに貼り付き易くなってしまう傾向にある。なお、この弾性率の上限は、２０００ＭＰａであることが好ましく、１５００ＭＰａであることがより好ましい。なお、樹脂層Ｂの２３０℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置、ＤＶＥ  ＲＨＥＯＳＰＥＣＴＯＬＥＲ（レオロジ社製）を用いて、昇温速度２℃／分、測定周波数１０Ｈｚの引張モードによって測定される。
【００７１】
上記樹脂層Ｂの金型やジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに張り付きがない程度に低ければ特に制限はないが、２５℃における樹脂層Ｂと金型やジグとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満であることが好ましく、１Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。なお、このピール強度は、例えば、樹脂層Ｂのサンプルを、真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した後、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さでこれを引きはがす際の９０度ピール強度を、９０度剥離試験機（テスタ産業製）で測定する。
【００７２】
また、上記樹脂層Ｂのガラス転移温度は、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程等で軟化しにくく、金型やジグに貼り付きにくくするため、１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上がより好ましく、２５０℃以上がさらに好ましい。なお、このガラス転移温度は、３５０以下であることが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。
【００７３】
また、上記樹脂層Ｂの形成に用いられる樹脂（ｂ）は、特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。樹脂（ｂ）として用いる熱可塑性樹脂は、特に制限はないが、前記した樹脂（ａ）と同様の、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、前述の塩基成分（３）１モルと、前述の酸成分（Ａ）０．９５〜１．０５モル、好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミドであることが好ましい。
【００７４】
また、樹脂（ｂ）として用いる熱硬化性樹脂は、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）等であることが好ましい。
【００７５】
また、樹脂（ｂ）として、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせた樹脂組成物を用いることもできる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせて用いる場合には、熱可塑性樹脂１００重量部に対し、熱硬化性樹脂５〜１００重量部とすることが好ましく、２０〜７０重量部とすることがより好ましい。
【００７６】
さらに、上記樹脂層Ｂには、上記樹脂（ｂ）の他に、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーやカップリング剤を添加することが好ましい。
【００７７】
上記フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜３０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部とすることがより好ましい。
【００７８】
上記カップリング剤としては、前述の樹脂（ａ）とともに添加しうるカップリング剤と同様のものを用いることができる。また、カップリング剤の添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜２０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部とすることがより好ましい。
【００７９】
２．半導体用接着フィルム付き配線基板
本発明の半導体用接着フィルム付き配線基板は、上記本発明の半導体用接着フィルム付き金属板をエッチングして配線回路を形成してなることを特徴とするものである。
【００８０】
具体的には、例えば、本発明の半導体用接着フィルム付き金属板の接着フィルムと反対面に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像した後、金属板を溶解する薬品（例えば、銅に対しては塩化第二鉄など）を用いてエッチングすることによってインナーリード、ダイパッド等を有する配線回路を形成することができる。また、配線回路を形成した後、回路上にニッケル、金、銀、パラジウム等のメッキを行ってもよい。
【００８１】
また、本発明の半導体用接着フィルム付き金属板の接着フィルムと反対面に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像した後、ニッケル、金、銀、パラジウム等のメッキを行い、その後、金属板を溶解する薬品（例えば、銅に対しては塩化第二鉄など）を用いてエッチングすることによってインナーリード、ダイパッド等を有する配線回路を形成することもできる。この場合、メッキ層をエッチング時のマスク層として利用することができる。なお、メッキの種類については特に制限はないが、電解メッキと無電解メッキのどちらを用いることもできる。また、メッキの材質についても特に制限はれないが、ニッケルメッキを施し、さらに金メッキを施す方法が一例として挙げられる。
【００８２】
３．半導体用接着フィルム付き半導体装置と半導体装置
本発明の半導体用接着フィルム付き半導体装置は、本発明の半導体用接着フィルム付き金属板または本発明の半導体用接着フィルム付き配線基板を用いてなることを特徴とするものである。例えば、本発明の半導体用接着フィルム付き配線基板を用いた場合には、当該配線基板と、配線基板の配線回路の露出面上の所定位置（例えば、ダイパッド上）に搭載された半導体素子と、配線回路と半導体素子とを接続するワイヤと、配線回路の露出面、半導体素子およびワイヤを封止する封止樹脂層と、を備える半導体用接着フィルム付き半導体装置を得ることができる。
【００８３】
本発明の半導体装置の構造としては、特に限定されないが、例えば、パッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリード（配線回路）を外部接続用に用いる構造のパッケージ（Ｎｏｎ  Ｌｅａｄ  Ｔｙｐｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。上記パッケージの具体例としては、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＧＡ  （Ｌａｎｄ    Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等が挙げられる。
【００８４】
上記のような構造を有する本発明の半導体装置は、例えば、本発明の半導体用接着フィルム付き半導体装置から、半導体用接着フィルムを剥離して製造することができる。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の半導体用接着フィルム付き金属板をエッチングして配線回路を形成する工程（本発明の半導体用接着フィルム付き配線基板）、配線回路の露出面上の所定位置に半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより、半導体素子と配線回路とをワイヤで接続する工程、配線回路の露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程並びに半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から剥離する工程を有する。より具体的には、（１）本発明の半導体用接着フィルム付き金属板をエッチングして配線回路（ダイパッドおよびインナーリードを含む）を形成する工程、（２）配線回路の露出面上のダイパッドに銀ペーストやダイボンドフィルム等の接着剤を用いて半導体素子を接着し、必要に応じて１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱を行うことにより接着剤を硬化する工程、（３）１５０〜２７０℃で３分〜３０分加熱して、配線回路のインナーリードと半導体素子とを金線等のワイヤにより接続する工程、（４）配線回路の露出面（半導体用接着フィルム接着面と反対の面）、半導体素子およびワイヤを封止材で封止し、１５０〜２００℃で４〜６時間の加熱を行うことにより、封止材を硬化させる工程、及び（５）半導体用接着フィルムを配線回路及び封止材から引き剥がす工程である。
【００８５】
また、上記工程（２）で半導体素子を複数個搭載した場合において、上記封止工程（４）後または上記半導体用接着フィルム剥離工程（５）後に、当該複数個の半導体素子を有する半導体装置を、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置となるように分割してもよい。
【００８６】
また、本発明において用いる封止材の材質には、特に制限はないが、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂などが挙げられる。封止材には、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質等の添加材を添加してもよい。封止材による封止条件は、特に制限はないが、通常、１５０〜２００℃、圧力１０〜１５ＭＰａで、２〜５分の加熱を行うことにより行われる。封止は半導体素子一つずつ別々の個片封止でも、多数の半導体素子を同時に封止する一括封止のどちらでもよい。
【００８７】
また、本発明において、半導体用接着フィルムを引き剥した際、配線回路及び封止材に樹脂層Ａが残らないことが好ましい。樹脂層Ａの残留量が多い場合、外観が劣るだけでなく、配線回路を外部接続用に用いる際、接触不良の原因になりやすい。従って、配線回路及び封止材に残留してしまった場合には、当該残留樹脂を機械的ブラッシング、溶剤等で除去することが好ましい。残留樹脂の除去に用いる溶剤は、特に制限はないが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等が好ましい。なお、引き剥がした半導体用接着フィルムは、樹脂の欠損、封止材の残留、配線回路の凹凸の転写等により表面状態が初期と異なっている場合が多く、実際上再使用できない。
【００８８】
以上、本発明の半導体用接着フィルム付き金属板を用いて製造される本発明の半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば携帯電話等の情報機器に好適である。
【実施例】
【００８９】
以下に、実施例により本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を制限するものではない。
【００９０】
製造例１
（実施例１〜４及び７に使用した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２５８．３ｇ（０．６３モル）及び１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン１０．４ｇ（０．０４２モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１４５０ｇに溶解した。
【００９１】
この溶液を７０℃に昇温し、１，１２−ジアミノドデカン３３．６ｇ（０．１６８モル）を溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、無水トリメリット酸クロライド１８０．４ｇ（０．８５７モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１３０ｇを添加し、室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。
【００９２】
得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離し、その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業（株）製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。
【００９３】
製造例２
（実施例５〜６に使用した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２５８．６ｇ（０．６３モル）及び１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン６７．０ｇ（０．２７モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５５０ｇに溶解した。
【００９４】
さらに、この溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１８７．３ｇ（０．８９モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１００ｇを添加し、室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。
【００９５】
次に、イミド化を完結させた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離し、その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業（株）製、商品名：ＳＨ６０４０）３．６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。
【００９６】
製造例３
（実施例５で樹脂層Ｂに用いた芳香族ポリエーテルアミドイミドワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）及び４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５５０ｇに溶解した。
【００９７】
さらに、この溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。
【００９８】
次に、イミド化を完結させた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇにシランカップリング剤（信越化学工業（株）製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミドワニスを得た。
【００９９】
製造例４
（実施例６で樹脂層Ｂに用いた芳香族ポリエーテルアミドイミド粉末の合成）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）及び１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１９５０ｇに溶解した。
【０１００】
さらに、この溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１００ｇを添加し、室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。
【０１０１】
次に、イミド化を完結させた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、メタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。
【０１０２】
製造例５
（実施例８及び１１に使用した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造）
製造例４で得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業（株）社製、商品名：ＳＨ６０４０）３６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。
【０１０３】
製造例６
（実施例９に使用した芳香族ポリエーテルイミド接着剤ワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１０２．５ｇ（０．２５モル）及び４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）９１．５ｇ（０．２５モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１９００ｇに溶解した。
【０１０４】
さらに、この溶液を０℃に冷却し、この温度でビスフェノールＡビストリメリテート二無水物２８２．２ｇ（０．４９モル）を添加した。その後、室温で２０分間、６０℃で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。
【０１０５】
次に、イミド化を完結させた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルイミド粉末を得た。得られたポリエーテルイミド粉末１２０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルイミド接着剤ワニスを得た。
【０１０６】
製造例７
（実施例１０に使用した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下で、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン２５０．９ｇ（０．５８モル）及び１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン７．４ｇ（０．０３モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５００ｇに溶解した。
【０１０７】
さらに、この溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１２６．３ｇ（０．６モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン６７ｇを添加し、室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。
【０１０８】
次に、イミド化を完結させた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離し、その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６．０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。
【０１０９】
実施例１
表面に化学処理を施した厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製  ユーピレックスＳＧＡ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを９０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、図１に示すような支持フィルムの片面に厚さ２５μｍの樹脂層Ａを被覆した半導体用接着フィルムを得た。なお、図１おいて、１は支持フィルム、２は樹脂層Ａである。また、上記樹脂層Ａは、ガラス転移温度が１９５℃、５重量％減少温度が４２１℃、１５０℃における弾性率が１９００ＭＰａのものであった。また、樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と、支持フィルムの厚さ（Ｙ）との比（Ｘ）／（Ｙ）は０．２であった。
【０１１０】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製  ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒の条件で、上記で得た半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１１１】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１１２】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔の、接着フィルムと反対面（銅箔表面）に感光性フィルムを貼った後、配線回路のマスクを重ねて露光し、感光性フィルムを現像した後、塩化第二鉄溶液を用いて銅箔をエッチングすることによって、インナーリード、ダイパッド等を有する配線回路を形成した。その後、当該配線回路表面に、ニッケル、金の順で無電解メッキを行なった。ついで、上記で得た配線回路のダイパッド部に半導体素子を接着した後、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。このようにして得られた半導体パッケージは、図２に示すような半導体パッケージが複数繋がった図３に示す構造を有するものである。なお、図２及び図３において、３は配線回路のインナーリード、４は半導体用接着フィルム、６はワイヤ、７は封止材、８は半導体素子、９は配線回路のダイパッドを表す。また、半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。また、ワイヤボンドは、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。また、封止工程は、封止材としてビフェニル封止材（日立化成工業（株）製、商品名：ＣＥＬ９２２０）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ及び時間３分の条件で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１１３】
上記封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、９０度ピール強度は１３０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止樹脂にほとんど残留しなかった。ごくわずかに残留した樹脂もＮ−メチル−２−ピロリドンで洗浄することにより、除去することができた。
【０１１４】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１１５】
実施例２
支持フィルムとして表面に化学処理を施した厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックスＳＧＡ）を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と、支持フィルムの厚さ（Ｙ）との比（Ｘ）／（Ｙ）は０．５であった。
【０１１６】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製、ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１１７】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１１８】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１１９】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１３０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１２０】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１２１】
実施例３
支持フィルムとして表面に化学処理を施した厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックスＳＧＡ）を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と、支持フィルムの厚さ（Ｙ）との厚さの比（Ｘ）／（Ｙ）は１．０であった。
【０１２２】
次に、厚さ９μｍの電解銅箔（日本電解（株）製  ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１２３】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１２４】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１２５】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１３０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１２６】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１２７】
実施例４
支持フィルムとして表面に化学処理を施した厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックスＳＧＡ）を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と、支持フィルムの厚さ（Ｙ）との比（Ｘ）／（Ｙ）は１．０であった。
【０１２８】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製  ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１２９】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１３０】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１３１】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１３０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１３２】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１３３】
実施例５
支持フィルムとして、表面にプラズマ処理を施した厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックスＳＰＡ）を用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａのガラス転移温度は１８７℃、５％重量減少温度は４２９℃、１５０℃における弾性率は１８００ＭＰａであった。また、樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と、支持フィルムの厚さ（Ｙ）との比（Ｘ）／（Ｙ）は０．４であった。
【０１３４】
さらに、ポリイミドフィルムの、樹脂層Ａが形成された反対の面に、製造例３で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。この接着性を有しない樹脂層Ｂのガラス転移温度は２６０℃、５％重量減少温度は４２１℃、２３０℃における弾性率は１７００ＭＰａであった。これにより図４に示すように、支持フィルムに樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。なお、図４において、１は支持フィルム、２は樹脂層Ａ、１０は樹脂層Ｂを示す。
【０１３５】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製  ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１３６】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１３７】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１３８】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１３０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１３９】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１４０】
実施例６
樹脂層Ｂの形成用に、製造例３で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを用いる代わりに、製造例４で製造したガラス転移温度２３０℃の芳香族ポリエーテルアミドイミド粉末とビス（４−マレイミドフェニル）メタンを６／４（前者／後者）の重量比で混合した樹脂ワニスを用いた以外は、実施例５と同様にして、支持フィルムに樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。なお、この場合の樹脂層Ｂの２３０℃における弾性率は５００ＭＰａであった。
【０１４１】
次に、厚さ１２μｍの電解銅箔（日本電解（株）製  ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１４２】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１４３】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１４４】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１３０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１４５】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１４６】
実施例７
支持フィルムとして、実施例１で用いた厚さ１２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、ユーピレックスＳＧＡ）に代えて、厚さ１２５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人（株）製、商品名：ＴＥＯＮＥＸ）を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。なお、樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と、支持フィルムの厚さ（Ｙ）との厚さの比（Ｘ）／（Ｙ）は０．２であった。
【０１４７】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製、ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１４８】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１４９】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１５０】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１３０Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１５１】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１５２】
実施例８
樹脂層Ａの形成用に、製造例５で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａのガラス転移温度は２３０℃、５重量％減少温度は４５１℃、１５０℃における弾性率は２０００ＭＰａであった。
【０１５３】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製  ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１５４】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１５５】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１５６】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１５７】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１５８】
実施例９
樹脂層Ａの形成用に、製造例６で製造した芳香族ポリエーテルイミド接着剤ワニスを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａのガラス転移温度は２４０℃、５％重量減少温度は４１０℃、１５０℃における弾性率は２２００ＭＰａであった。
【０１５９】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製  ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１６０】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１６１】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１６２】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１６３】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１６４】
実施例１０
支持フィルムとして、表面にサンドマット処理を施した厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線熱膨張係数が１５×１０−５／℃、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．０２％）を用いた。
【０１６５】
このポリイミドフィルムの片面に、製造例７で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを２５μｍの厚さに硫延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ４μｍの樹脂層Ａが支持フィルムの片面に形成された半導体用接着フィルムを得た。この樹脂層Ａのガラス転移温度は２６０℃、５％重量減少温度は４３０℃、１５０℃における弾性率は２２００ＭＰａであった。また、樹脂層Ａの厚さ（Ｘ）と、支持フィルムの厚さ（Ｙ）との比（Ｘ）／（Ｙ）は０．１６であった。
【０１６６】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製  ＨＬＢ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．４２μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１６７】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１６８】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１６９】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂層Ａの樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１７０】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１７１】
実施例１１
樹脂層Ａの形成用に、製造例５で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａのガラス転移温度は２３０℃、５重量％減少温度は４５１℃、１５０℃における弾性率は２０００ＭＰａであった。
【０１７２】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製、ＨＬＡ、２５℃での抗張力５５０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力１４７Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率６％、１８０℃での伸び率２２％、粗化面の表面粗さＲｚ＝２．６４μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１７３】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、２００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１７４】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示す構造のパッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１７５】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は３００Ｎ／ｍとやや高かったものの引き剥がせた。樹脂は配線回路及び封止材にほとんど付着残留しなかった。
【０１７６】
さらに、半導体素子が複数搭載された上記半導体パッケージをダイシングにより分割して各々１つの半導体素子を有する半導体パッケージ（図２）を作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１７７】
比較例１
樹脂層Ａの形成用に、製造例５で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａのガラス転移温度は２３０℃、５重量％減少温度は４５１℃、１５０℃における弾性率は２０００ＭＰａであった。
【０１７８】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（日本電解（株）製、ＵＳＬＰ、２５℃での抗張力５７０Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力２２０Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率４％、１８０℃での伸び率８．５％、粗化面の表面粗さＲｚ＝１．５６μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１７９】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、３００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１８０】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１８１】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は５００Ｎ／ｍと高く、配線回路の脱落が発生した。また、樹脂が配線回路に少量付着残留した。
【０１８２】
比較例２
樹脂層Ａの形成用に、製造例５で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを用いた以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａのガラス転移温度は２３０℃、５重量％減少温度は４５１℃、１５０℃における弾性率は２０００ＭＰａであった。
【０１８３】
次に、厚さ１８μｍの電解銅箔（三井金属鉱業（株）製、ＶＬＰ、２５℃での抗張力５００Ｎ／ｍｍ２、１８０℃での抗張力２５０Ｎ／ｍｍ２、２５℃での伸び率７％、１８０℃での伸び率４．５％、粗化面の表面粗さＲｚ＝３．８μｍ）の粗化面に、温度２５０℃、圧力８ＭＰａ及び時間１０秒の条件で上記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａ側を接着し、半導体用接着フィルム付き銅箔を得た。
【０１８４】
この半導体用接着フィルム付き銅箔について、２５℃における樹脂層Ａと銅箔との９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、３００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。
【０１８５】
さらに、この半導体用接着フィルム付き銅箔を用いて、実施例１と同様にして配線回路形成、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図３に示すような構造の半導体パッケージを作製したが、いずれの工程でも問題は生じなかった。
【０１８６】
封止工程後、２５℃で配線回路と封止材から半導体接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は５００Ｎ／ｍと高く、配線回路の脱落が発生した。また、樹脂が配線回路に少量付着残留した。
【０１８７】
実施例１〜１１及び比較例１〜２の結果より、２５℃での伸び率が０〜１０％で、かつ１８０℃での伸び率が１５〜３０％である金属板に、樹脂層Ａの少なくとも一層からなる半導体用接着フィルムを積層し、樹脂層Ａと金属板との２５℃における９０度ピール強度が５〜５００Ｎ／ｍである半導体用接着フィルム付き金属板を用いることにより、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造できることが示される。
【図面の簡単な説明】
【０１８８】
【図１】本発明の半導体用接着フィルム付き金属板の一実施形態を示す断面概略図である。
【図２】本発明の半導体装置の一実施形態を示す断面概略図である。
【図３】複数の半導体素子８を有する、本発明の半導体用接着フィルム付き半導体装置を示す断面概略図である。
【図４】本発明の半導体用接着フィルム付き金属板の一実施形態を示す断面概略図である。
【符号の説明】
【０１８９】
１  支持フィルム
２  樹脂層Ａ
３  インナーリード
４  半導体用接着フィルム
６  ワイヤ
７  封止材
８  半導体素子
９  ダイパッド
１０  樹脂層Ｂ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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