(57)【要約】【課題】反射領域と透過領域の色再現性の差を補償するためのカラーフィルタを形成するのに適した露光マスクとこれを用いた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】入射光を制御して薄膜の一部領域が薄膜パターンとして残される第１領域と、前記第１領域と相反して前記入射光を制御して前記薄膜の残り領域が除去される第２領域と、前記第１領域の角部から延びて、前記薄膜パターンが前記第１領域に対応して形成されるようにするダミー領域とを備える。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を制御して薄膜の一部領域が薄膜パターンとして残される第１領域と、
前記第１領域と相反して前記入射光を制御して前記薄膜の残り領域が除去される第２領域と、
前記第１領域の角部から延びて、前記薄膜パターンが前記第１領域に対応して形成されるようにするダミー領域とを備えることを特徴とする露光マスク。
【請求項２】
前記第１領域は入射光を透過する透過部であり、前記第２領域は前記入射光を遮断する遮断部であり、前記ダミー領域は前記透過部の角部から延びたダミー透過部であることを特徴とする請求項１に記載の露光マスク。
【請求項３】
前記第１領域は入射光を遮断する遮断部であり、前記第２領域は前記入射光を透過する透過部であり、前記ダミー領域は前記遮断部の角部から延びたダミー遮断部であることを特徴とする請求項１に記載の露光マスク。
【請求項４】
前記ダミー領域は、前記第１領域の終端から一方向に延びて形成されることを特徴とする請求項１に記載の露光マスク。
【請求項５】
隣接する前記第１領域それぞれから延びた前記ダミー領域は互いに連結され、前記第２領域はダミー領域の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の露光マスク。
【請求項６】
絶縁基板上にカラーフォトレジストを形成する段階と、
入射光に対し相反する制御を行う第１領域及び第２領域と、前記第１領域の角部から延びたダミー領域とを有する露光マスクを用いて前記カラーフォトレジストを露光する段階と、
前記カラーフォトレジストを現像して前記露光マスクの第１領域に対応するカラーフィルタを形成する段階とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記カラーフォトレジストを露光する段階は、前記露光マスクの第１領域である透過部を通じて前記カラーフォトレジストの一部領域を露光し、前記第２領域である遮断部を通じて前記カラーフォトレジストの残り領域に対する露光を遮断し、前記ダミー領域であるダミー透過部を通じて前記第１領域である透過部の角部の露光量を増加させる段階を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記カラーフォトレジストを露光する段階は、前記露光マスクの第１領域である遮断部を通じて前記カラーフォトレジストの一部領域に対する露光を遮断し、前記第２領域である透過部を通じて前記カラーフォトレジストの残り領域を露光し、前記ダミー領域であるダミー遮断部を通じて前記第１領域である遮断部の角部に対する露光量を減少させる段階を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記露光マスクにおいて、隣接する前記第１領域それぞれから延びた前記ダミー領域は互いに連結され、前記第２領域はダミー領域の間に配置されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記カラーフィルタを形成する段階は、反射領域と透過領域を含む各サブ画素領域の内の対応するサブ画素領域にカラーフィルタを形成する段階と、前記カラーフィルタの反射領域に前記第２領域に対応するスリットを形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記スリットを形成する段階において、スリットは前記サブ画素領域の短辺方向に長く形成されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記スリットを形成する段階において、スリットは前記サブ画素領域の長辺方向に長く形成されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記カラーフィルタが形成された絶縁基板上に配向膜を形成する段階をさらに有し、
前記スリットを形成する段階において、スリットは前記配向膜のラビング方向に長く形成されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記露光マスクにおいて、前記カラーフィルタと対応する前記第１領域が前記カラーフィルタのスリットと対応し、前記第２領域が第１領域の間に配置される場合、前記第１領域それぞれの角部から第２領域側に延びた前記ダミー領域は互いに連結され、前記第２領域が孤立するようにすることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
反射領域と透過領域を含む各サブ画素領域に対応する色別に形成されるカラーフィルタと、
前記カラーフィルタが形成された絶縁基板上に形成される配向膜と、
前記反射領域のカラーフィルタに、前記配向膜のラビング方向に沿って長く形成されるスリットとを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
前記カラーフィルタのスリットは、前記各サブ画素領域の長辺方向に沿って長く形成されることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記カラーフィルタ上に形成されるオーバコート層をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に反射領域と透過領域の色再現性の差を補償するためのカラーフィルタを形成するのに適した露光マスクとこれを用いた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は液晶の電気的及び光学的特性を用いて画像を表示する。このため、液晶表示装置は画素マトリックスを通じて画像を表示する液晶表示パネル（以下、液晶パネルと称する）と、液晶パネルを駆動する駆動回路と、液晶パネルに光を供給するバックライトユニットを備える。このような液晶表示装置は移動通信端末機、携帯用コンピュータ、モニター、液晶テレビなどのように小型表示装置から大型表示装置まで幅広く使われる。
【０００３】
液晶表示装置は光源を用いる方法によって内部光を用いた透過型と、外部光を用いる反射型と、内部光及び外部光を全て利用する半透過型とに大別される。これらのうち半透過型液晶表示装置は外部光が十分であれば反射モードで、不十分であればバックライトユニットを用いた透過モードで画像を表示することにより消費電力を削減できる反射型の長所と外部光の制約を受けない透過型の長所を全て有する。このため、半透過型液晶表示装置の画素マトリックスを構成する各サブ画素は反射領域と透過領域を含む。
【０００４】
ところが、半透過型液晶表示装置の各サブ画素において外部から反射領域に入射される外部光はカラーフィルタ基板→液晶層反射電極→液晶層→カラーフィルタ基板を経て出射され、バックライトユニットから透過領域に入射される内部光は薄膜トランジスタ基板→液晶層→カラーフィルタ基板を経て出射される。これにより、反射領域の外部光はカラーフィルタを２回経る一方、透過領域の内部光はカラーフィルタを１回通過するので反射領域と透過領域の色再現性の差が発生し、その結果、輝度差が発生する問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の半透過型液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、反射領域と透過領域の色再現性の差を補償するためのカラーフィルタを形成するのに適した露光マスクとこれを用いた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による露光マスクは、入射光を制御して薄膜の一部領域が薄膜パターンとして残される第１領域と、前記第１領域と相反して前記入射光を制御して前記薄膜の残り領域が除去される第２領域と、前記第１領域の角部から延びて、前記薄膜パターンが前記第１領域に対応して形成されるようにするダミー領域とを備えることを特徴とする。
【０００７】
ここで、前記第１領域は入射光を透過する透過部であり、前記第２領域は前記入射光を遮断する遮断部であり、前記ダミー領域は前記透過部の角部から延びたダミー透過部であることが好ましい。
一方、前記第１領域は入射光を遮断する遮断部であり、前記第２領域は前記入射光を透過する透過部であり、前記ダミー領域は前記遮断部の角部から延びたダミー遮断部でありうる。
前記ダミー領域は前記第１領域の終端から一方向に延びて形成されることが好ましい。
隣接する前記第１領域それぞれから延びた前記ダミー領域は互いに連結され、前記第２領域はダミー領域の間に配置されることが好ましい。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置の製造方法は、絶縁基板上にカラーフォトレジストを形成する段階と、入射光に対し相反する制御を行う第１領域及び第２領域と、前記第１領域の角部から延びたダミー領域とを有する露光マスクを用いて前記カラーフォトレジストを露光する段階と、前記カラーフォトレジストを現像して前記露光マスクの第１領域に対応するカラーフィルタを形成する段階とを有することを特徴とする。
【０００９】
ここで、前記カラーフォトレジストを露光する段階は前記露光マスクの第１領域である透過部を通じて前記カラーフォトレジストの一部領域を露光し、前記第２領域である遮断部を通じて前記カラーフォトレジストの残り領域に対する露光を遮断し、前記ダミー領域であるダミー透過部を通じて前記第１領域である透過部の角部の露光量を増加させる段階を含むことが好ましい。
一方、前記カラーフォトレジストを露光する段階は前記露光マスクの第１領域である遮断部を通じて前記カラーフォトレジストの一部領域に対する露光を遮断し、前記第２領域である透過部を通じて前記カラーフォトレジストの残り領域を露光し、前記ダミー領域であるダミー遮断部を通じて前記第１領域である遮断部の角部に対する露光量を減少させる段階を含むこともまた好ましい。
前記露光マスクにおいて、隣接する前記第１領域それぞれから延びた前記ダミー領域は互いに連結され、前記第２領域はダミー領域の間に配置されることが好ましい。
前記カラーフィルタを形成する段階は、反射領域と透過領域を含む各サブ画素領域の内の対応するサブ画素領域にカラーフィルタを形成する段階と、前記カラーフィルタの反射領域に前記第２領域に対応するスリットを形成する段階とをさらに含むことが好ましい。
前記スリットを形成する段階において、スリットは前記サブ画素領域の短辺方向に長く形成されることが好ましい。
前記スリットを形成する段階において、スリットは前記サブ画素領域の長辺方向に長く形成されることが好ましい。
前記カラーフィルタが形成された絶縁基板上に配向膜を形成する段階をさらに有し、前記スリットを形成する段階において、スリットは前記配向膜のラビング方向に長く形成されることが好ましい。
前記露光マスクにおいて、前記カラーフィルタと対応する前記第１領域が前記カラーフィルタのスリットと対応し、前記第２領域が第１領域の間に配置される場合、前記第１領域それぞれの角部から第２領域側に延びた前記ダミー領域は互いに連結され、前記第２領域が孤立するようにすることが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、反射領域と透過領域を含む各サブ画素領域に対応する色別に形成されるカラーフィルタと、前記カラーフィルタが形成された絶縁基板上に形成される配向膜と、前記反射領域のカラーフィルタに、前記配向膜のラビング方向に沿って長く形成されるスリットとを備えることを特徴とする。
【００１１】
前記カラーフィルタのスリットは、前記各サブ画素領域の長辺方向に沿って長く形成されることが好ましい。
前記カラーフィルタ上に形成されるオーバコート層をさらに有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る露光マスクとこれを用いた液晶表示装置及びその製造方法によれば、マスクの透過部（又は遮断部）に対応するカラーフィルタを形成するためにその透過部（又は遮断部）の角部から延びたダミー透過部（又はダミー遮断部）をさらに備えることをによりカラーフィルタの角部がエッチング過多されて除去されることを防止することができるという効果がある。
これにより、各サブ画素領域の反射領域にカラーフィルタのスリットを形成する場合にもそのスリットの間に存在するカラーフィルタが所望の形態に形成されることによりコラムスぺーサをカラーフィルタの境界部上に安定的に形成してセルギャップを均一に維持することができるという効果がある。
【００１３】
また、カラーフィルタの角部がエッチング過多で除去された場合よりカラーフィルタの段差部の面積が縮まるのでラビング不良が減少して画質を向上させることができ、反射領域のスリットの間に小幅で存在するカラーフィルタが所望の面積で形成されるため視認性を向上させることができるという効果がある。
また、反射領域に形成されるカラーフィルタのスリットをラビング方向に長く形成することによりカラーフィルタの段差によるラビング不良を最小化して画質をさらに向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明に係る露光マスクとこれを用いた液晶表示装置及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１５】
以下、図１〜図８に基づき本発明の望ましい実施形態を詳述する。
図１は本発明の一実施形態に係る半透過型液晶表示装置を示した断面図である。
図１に示す半透過型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された薄膜トランジスタ基板２５とカラーフィルタ５２が形成されたカラーフィルタ基板５５が液晶層を挟んで合わされた構造を有する。
【００１６】
薄膜トランジスタ基板２５はゲートライン（図示せず）及びデータライン（図示せず）と接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と接続され、各サブ画素領域（ＳＰＡ）に形成された画素電極３６と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と接続され、各サブ画素領域（ＳＰＡ）の反射領域（ＲＡ）と透過領域（ＴＡ）を限定する反射電極３８を備える。
【００１７】
具体的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はゲートラインと接続されたゲート電極２２、ゲート絶縁膜２４を挟んでゲート電極２２と重畳した活性層２６、データラインと接続され、活性層２６の一側部と接続されたソース電極３０、活性層２６の他側部と接続されたドレイン電極３２を備える。また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はソース電極３０及びドレイン電極３２と活性層２６との間のオーミックコンタクトのためのオーミックコンタクト層２８をさらに備える。
【００１８】
ゲート電極２２はゲートラインと共に絶縁基板２０上に形成され、活性層２６及びオーミックコンタクト層２８はゲート絶縁膜２４上に積層され、その上にソース電極３０とドレイン電極３２がデータラインと共に形成される。そして、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はその上に形成された有機絶縁膜３４を貫通するコンタクトホール３７を通じて画素電極３６及び反射電極３８と接続される。これにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はゲートラインのゲート信号に応答してデータラインのデータ信号を画素電極３６及び反射電極３８に供給する。
【００１９】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上に形成された有機絶縁膜３４はドレイン電極３２を露出させるコンタクトホール３７と共に透過領域（ＴＡ）に形成された透過ホール３５を備える。透過ホール３５は反射領域（ＲＡ）から液晶層を２回経て出射される外部光と、透過領域（ＴＡ）で液晶層を１回経由して出射される内部光の光経路差を補償する。このような透過ホール３５は有機絶縁膜３４を貫通してゲート絶縁膜２４を露出させるか、ゲート絶縁膜２４まで貫通して絶縁基板２０を露出させる。又、有機絶縁膜３４の上部及び／又は下部には無機絶縁膜がさらに形成される場合もある。
【００２０】
画素電極３６は各サブ画素領域（ＳＰＡ）に有機絶縁膜３４と透過ホール３５を経て形成され、コンタクトホール３７を介してドレイン電極３２と接続される。画素電極３６は透過率の高い透明導電物質で形成されバックライトユニットからの内部光を透過させる。
【００２１】
反射電極３８は各サブ画素領域（ＳＰＡ）の反射領域（ＲＡ）に形成され、その下部の画素電極３６を通じてドレイン電極３２と接続される。各サブ画素領域（ＳＰＡ）において反射電極３８が形成された領域は反射領域（ＲＡ）で反射電極３８が形成されていない領域、すなわち反射電極３８の貫通孔を通じて画素電極３６が露出された領域は透過領域（ＴＡ）に限定される。
【００２２】
反射電極３８は反射率の高い導電物質で形成され外部光を反射させる。反射効率を高めるため、反射電極３８がエンボシング表面を有するように有機絶縁膜３４の表面がエンボシング表面を有するように形成される。又、反射電極３８の外郭部が各サブ画素領域（ＳＰＡ）を定義するゲートライン及びデータラインの一側部と重畳するように形成され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と重畳するように形成され光漏れを遮断するので、光漏れ防止のためにカラーフィルタ基板２５に形成されるブラックマトリックスを省略する場合もある。
【００２３】
カラーフィルタ基板５５は絶縁基板５０上（図１では下に、以下同様）に形成されたカラーフィルタ５２と、カラーフィルタ５２上に積層されたコラムスぺーサ５８及び共通電極５４を備える。また、カラーフィルタ基板５５はカラーフィルタ５２の平坦化のためのオーバコート層５３をさらに具備することもある。
【００２４】
カラーフィルタ５２は絶縁基板５０上に赤色（以下、Ｒ）、緑色（以下、Ｇ）、青（以下、Ｂ）サブ画素領域（ＳＰＡ）別に形成されＲ、Ｇ、Ｂサブ画素を限定する。各サブ画素領域（ＳＰＡ）のカラーフィルタ５２は反射領域（ＲＡ）と透過領域（ＴＡ）の色再現性の差を補償するために反射領域（ＲＡ）に形成された多数のスリット５１を備える。
【００２５】
オーバコート層５３はカラーフィルタ５２上に形成され、スリット５１によるカラーフィルタ５２の段差とＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルタ５２間の段差を補償して平坦な表面を有するようにする。コラムスぺーサ５８はオーバコート層５３上に柱状に形成され薄膜トランジスタ基板２５とカラーフィルタ基板５５との間のセルギャップを一定に維持させる役割を果たす。コラムスぺーサ５８が形成されたオーバコート層５３上には透明導電物質で共通電極５４が形成される。
【００２６】
そして、薄膜トランジスタ基板２５とカラーフィルタ基板５５で液晶層と接する最上部層には液晶配向のために一定方向にラビングされた下部配向膜４０と上部配向膜５６がさらに形成される。
【００２７】
図２及び図３は、本発明の一実施形態によるサブ画素領域のカラーフィルタ構造を示した平面図である。
【００２８】
図２に示す一つのサブ画素領域（ＳＰＡ）のカラーフィルタ５２は反射領域（ＲＡ）から水平方向、すなわちサブ画素領域（ＳＰＡ）の短辺方向に長く形成された多数のスリット５１を備える。
【００２９】
図３に示す一つのサブ画素領域（ＳＰＡ）のカラーフィルタ５２は反射領域（ＲＡ）から配向膜のラビング方向である垂直方向、すなわちサブ画素領域（ＳＰＡ）の長辺方向に長く形成された多数のスリット５７を備える。
【００３０】
図２のようにカラーフィルタ５２のスリット５１が水平方向に長く形成され、それに対し図１に示した上部配向膜５６のラビング方向が直交するの場合、スリット５１によるカラーフィルタ５２の段差部でラビング不良が発生して液晶配向が正しくなされなくて光漏れが発生する恐れがある。
これは、図１に示したオーバコート層５３でカラーフィルタ５２の段差部を補償するとしてもスリット５１の幅が広くてカラーフィルタ５２の段差部が完全に補償されない場合が発生しうるからである。
【００３１】
一方、図３のようにカラーフィルタ５２のスリット５７がラビング方向と同じ垂直方向に長く形成されると、スリット５７によるカラーフィルタ５２の段差部のうちラビング方向と直交する面積が著しく縮まるのでラビング不良を最小化することができる。また、カラーフィルタ５２のスリット５７がサブ画素領域（ＳＰＡ）の長辺方向である垂直方向に長く形成されると、図２のように短辺方向に長く形成されたスリット５１より面積が増加するので、図３のようにスリット５７の幅を縮められる。
【００３２】
これにより、スリット５７の幅が狭くなるとそのスリット５７によるカラーフィルタ５２の段差がオーバコート層５３により十分に補償可能なので、オーバコート層５３の平坦度が向上される。その結果、オーバコート層５３上に積層された共通電極５４と上部配向膜５６の平坦度も向上され、段差によるラビング不良を防止できるようになる。また、平坦度が向上されたオーバコート層５３上にコラムスぺーサ５８が安定的に形成されるので、薄膜トランジスタ基板２５とカラーフィルタ基板５５との間のセルギャップを一定に維持できるようになる。
【００３３】
次に、図１に示したカラーフィルタ５２の製造方法を図４〜図８を参照して具体的に説明する。説明の便宜上図２に示したカラーフィルタ５２構造だけを例として説明する。
【００３４】
図４を参照すれば、絶縁基板５０上にＲ、Ｇ、Ｂのうちいずれか一色で着色されたカラーフォトレジストを塗布し、マスク６０を用いたフォトリソグラフィ（以下、フォトと称する）工程によりパターニングすることによりカラーフィルタ５２を形成する。この際、各サブ画素領域（ＳＰＡ）の反射領域（ＲＡ）にはカラーフィルタ５２を貫通する多数のスリット５１が形成される。
【００３５】
カラーフィルタ５２を形成するためのマスク６０は紫外線を遮断するためにマスク基板６１上に遮断パターン６３が形成された遮断部６２と、基板６０上に遮断パターンが形成されなくて紫外線を透過する透過部６４とに区分される。カラーフォトレジストがネガティブタイプの場合マスク６０の透過部６４を通じて紫外線に露光された領域のカラーフォトレジストが残されてカラーフィルタ５２になり、遮断部６２により紫外線が遮断された領域のカラーフォトレジストは現像液により除去される。
【００３６】
ここで、マスク６０の透過部６４の角部で紫外線の回折により露光量が足りなくて図５に示すようにマスク６０の透過部６４に対応して形成されたカラーフィルタ５２の角部がエッチング過多で除去されうる。この場合カラーフィルタ５２の角部のエッチング過多でカラーフィルタ５２の段差部が増加してラビング不良が増加する場合がある。特に、図５のように反射領域（ＲＡ）のスリット５１の間に相対的に小幅で存在するカラーフィルタ５２の両側境界部上にコラムスぺーサ５８を形成すべき場合カラーフィルタ５２の角部のエッチング過多による段差部にコラムスぺーサ５８が不安定に形成されセルギャップが不均一になる場合がある。
【００３７】
これを解決するため、本発明に係るマスク６０は図６に示すように透過部６４の四つの角部それぞれから上部又は下部に延びたダミー透過部６５をさらに備える。一方、カラーフィルタ５２のスリット５１の幅が狭い場合、すなわち図７に示すように、マスク６０の透過部６４間の間隔が狭い場合ダミー透過部６５は互いに連結される場合もある。この場合、カラーフィルタ５２のスリット５１を形成するための遮断部６２はダミー透過部６５を通じて連結された透過部６４の間に孤立した形態に形成される。このようなマスク６０の突出透過部６５により透過部６４に対応するカラーフィルタ５２の角部に紫外線が十分に照射されるので、カラーフィルタ５２の角部のエッチング過多を防止できるようになる。
【００３８】
その結果、図８に示すようにカラーフィルタ５２はその角部がエッチング過多にならない状態で、すなわち図６及び図７に示したマスク６０の透過部６４に対応する所望の形態に形成されうるようになる。従って、反射領域（ＲＡ）のスリット５１の間に相対的に狭い幅で存在するカラーフィルタ５２の境界部上にもコラムスぺーサ５８が安定的に形成されセルギャップを均一に維持できるようにする。又、カラーフィルタ５２の角部がエッチング過多で除去された場合よりカラーフィルタ５２の段差部面積が縮められるので、ラビング不良を減らすことができ、反射領域（ＲＡ）のスリット５１の間に狭い幅に存在するカラーフィルタ５２が所望の面積で形成されるのので視認性が向上される。
【００３９】
一方、カラーフォトレジストがポジティブタイプの場合は上述した実施形態のマスクにおいて、遮断部と透過部が互いに入れ変わった構造を用いれば良い。この場合、マスクの遮断部に対応するカラーフォトレジストだけ残存してカラーフィルタになるため、マスクは遮断部の角部から延びたダミー遮断部をさらに備える。ここで、ダミー遮断部は遮断部の角部が回折された紫外線により露光されることを遮断することによって、カラーフィルタの角部のエッチング過多を防ぐことができる。
【００４０】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態による半透過型液晶パネルの一部を示した断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による一つのサブ画素領域のカラーフィルタを示した平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による一つのサブ画素領域のカラーフィルタを示した平面図である。
【図４】本発明の一実施形態によるカラーフィルタ形成方法を説明するための断面図である。
【図５】従来技術の実施形態のカラーフィルタ形成用露光マスクを示した平面図である。
【図６】本発明の一実施形態のカラーフィルタ形成用露光マスクを示した平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態のカラーフィルタ形成用露光マスクを示した平面図である。
【図８】本発明の実施形態によるカラーフィルタの反射領域を拡大して示した平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
２０、５０    絶縁基板
２２        ゲート電極
２４        ゲート絶縁膜
２５        薄膜トランジスタ基板
２６        活性層
２８        オーミックコンタクト層
３０        ソース電極
３２        ドレイン電極
３４        有機絶縁膜
３５        透過ホール
３６        画素電極
３７        コンタクトホール
３８        反射電極
４０、５６    配向膜
５１、５７    スリット
５２        カラーフィルタ
５３        オーバコート層
５４        共通電極
５５        カラーフィルタ基板
５８        コラムスぺーサ
６０        露光マスク
６１        マスク基板
６２        遮断部
６３        遮断パターン
６４        透過部
６５        ダミー透過部
ＳＰＡ      サブ画素領域
ＴＡ        透過領域
ＲＡ        反射領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007199725.tif 000007
【図６】
2007199725.tif 000008
【図７】
2007199725.tif 000009
【図８】
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