(57)【要約】【課題】焼き付き現象を抑制して表示品位の向上及び製造コストの低減を図る。【解決手段】２枚の基板１１，１２は、シール部材１３の内側に形成された表示領域１７と、表示領域１７の外側に形成された非表示領域１８とを有している。２枚の基板１１，１２の少なくとも一方には、非表示領域１８におけるシール部材１３の内側において、表示領域１７に形成された画素電極８とは異なる、不純物イオン吸着電極３０が形成され、不純物イオン吸着電極３０は、低熱伝導性膜３１によって覆われている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板が枠状のシール部材を介して貼り合わされ、前記シール部材の内側と前記２枚の基板との間に液晶層が封止された液晶表示装置であって、
前記２枚の基板は、前記シール部材の内側に形成された表示領域と、前記表示領域の外側に形成された非表示領域とを有し、
前記２枚の基板の少なくとも一方には、前記非表示領域における前記シール部材の内側において、前記表示領域に形成された画素電極とは異なる、不純物イオン吸着電極が形成され、
前記不純物イオン吸着電極は、低熱伝導性膜によって覆われていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記低熱伝導性膜は多孔質膜により構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記シール部材は、前記液晶層を取り囲む矩形枠状に形成され、
前記不純物イオン吸着電極は、前記シール部材の４辺のうち少なくとも１辺に沿って形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記表示領域には第１配向膜が形成される一方、前記非表示領域における前記シール部材の内側には第２配向膜が形成され、
前記第１配向膜及び第２配向膜は、イミド化率が互いに異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２配向膜のイミド化率は、前記第１配向膜のイミド化率よりも低いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記２つの基板の間には、前記表示領域及び非表示領域の双方に複数のスペーサが配置され、
前記低熱伝導性膜の膜厚は、前記表示領域及び非表示領域において、前記スペーサが配置されている位置における前記液晶層の厚みが同じになるように規定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記不純物イオン吸着電極に対し、最適対向電圧センター値又は画素入力信号センター値がプラス及びマイナスの何れかの極性にオフセットされた電圧を供給する供給部を備えている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記オフセット電圧の幅は、少なくとも０．４Ｖ以下に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶層の不純物イオンを吸着する電極を備えた液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス方式の液晶表示パネルでは、固定パターンなどの静止画を数分間以上表示した場合に、その画像が表示画面に残って残像として認識され、次に表示される別の画像に重なってしまうことがある。この残像現象は、一般に焼き付き現象と呼ばれ、液晶表示装置の構成部材のイオン汚染が主な原因であるといわれている。
【０００３】
イオン汚染の発生原因としては、液晶表示パネルの駆動時に直流電圧成分が液晶層に加わることによって、配向膜や液晶材料が分極したり劣化することが考えられる。また、他の発生原因としては、液晶表示パネルの製造工程において、液晶材料に不純物が混入することも考えられる。
【０００４】
さらに、液晶層に加えられる電気信号における電圧特性のバラツキにより、液晶層には電界強度が強い領域や弱い領域が生じる。液晶層に溶け出したイオン又は液晶層に混入したイオンは、液晶層又は配向膜の内部を泳動し、液晶表示パネルが一定時間の駆動すると、電界強度の強い液晶層の領域や配向膜に局所的に集中し電気二重層が形成される場合がある。その結果、焼き付き現象が発生し、液晶表示装置の表示品位を著しく低下させてしまう。
【０００５】
焼き付き現象による表示不良の原因としては、詳細には、(1)有機材料の配向膜、メインシール部材、及び封止部材等による汚染、(2)液晶材料自体に溶け込んだイオンによる汚染、(3)洗浄工程、ラビング処理、配向膜の印刷、焼成工程、及び液晶注入等の製造プロセスで混入するイオンによる汚染等がある。
【０００６】
そこで、焼き付き現象を低減するために、製造プロセスでは不純物イオンの混入が少なくなるように工程管理等を行うと共に、不純物イオンの非常に少ない液晶材料、イオンを吸着し難い配向膜材料、不純物イオンを溶出し難いメインシール部材及び封止部材の選定する必要がある。また、表示特性等の他の特性を低下させてでも、焼き付き現象の改善が必要なケースも見られる。
【０００７】
また、スイッチング素子の構造やその駆動方法においても、液晶層に加えられる電気信号の電圧特性のバラツキを低減し、可能な限り液晶表示パネルにおける電界強度の偏在を無くす工夫や、極性反転ＡＣ駆動及び対向電圧の最適化等を始めとする、直流成分自体を液晶層に印加しないようにする工夫等、様々な改善が試みられている。
【０００８】
焼き付き現象を改善する提案として、以下の技術文献が刊行物として挙げられる。
【０００９】
例えば、非表示領域にイオントラップ電極領域を設ける提案として、特許文献１及び２では、イオントラップ電極領域に直流成分を印加することにより、泳動するイオンを選択的に吸着し、焼き付き不良を改善するようにしている。また、特許文献３では、イオントラップ電極領域における配向膜の膜厚やプレティルト角を、表示領域に対して異なるように形成することにより、不純物イオンを選択的に吸着させるようにしている。また、イオントラップ電極領域に対して、ＤＣ電圧に１〜２Ｖオフセットした直流電圧を加えることにより、不純物イオンを吸着固定させることも開示している。
【００１０】
しかし、このように非表示領域にイオントラップ電極領域を設ける場合、不純物イオンを選択的にイオントラップ電極に吸着させるには、その電極自体に何等工夫がされていないために直流成分の印加がどうしても必要になる。一方、その直流成分を長時間印加した場合、イオントラップ電極上の配向膜は勿論、電極間の液晶層も劣化（分解）し、更なる不純物の流出を引き起こしてしまう。したがって、最終的には表示領域における表示品位の低下を招いてしまう。
【００１１】
また、１〜２Ｖもオフセット電圧を印加してしまうと、通常、イオントラップ電極上ではフリッカ（ちらつき）が発生してしまい、非表示領域が益々減少する近年の狭額縁化を考えると、表示領域内においてもフリッカ（ちらつき）が視認されてしまう可能性もあり、表示品位の低下が懸念される。
【００１２】
上記イオントラップ電極領域を設ける提案以外では、例えば特許文献４において、少なくとも一方のガラス基板の配向膜の膜厚を小さく（６０ｎｍ以下）することにより、配向膜への電荷蓄積量を減少させ、焼き付き現象の発生を抑制することが提案されている。しかし、配向膜の膜厚を特性限界（４０ｎｍ前後）までも小さくしても、焼き付き不良が発生する事例があり、実際には問題の解決に至っていないのが現状である。
【００１３】
さらに、特許文献５では、対向する２つの基板において、異種配向膜材料を用いること、又は同一の配向膜材料を用いると共に、製造条件の違い（焼成条件やラビング条件等）により、配向膜の表面状態を異なるように形成し、負イオン吸着膜には正のオフセット電圧を印加する一方、正イオン吸着膜には負のオフセット電圧を印加することが提案されている。
【００１４】
ところが、異種配向膜材料をそれぞれの基板に用いた場合、かえって焼き付きの増大を招くことがあり、製造ラインを考慮しても手間の掛かることになり、コストの増大や製造に要する時間の増大という新たな問題が生じてしまう。
【００１５】
また、特許文献６には、配向膜を２回成膜し、それぞれの焼成条件を異ならせることによって、ポリイミド及びポリアミック酸の２層からなる配向膜を形成し、その配向膜の表面における残留電位を低下させて焼き付きを低減することが開示されている。また、特許文献７には、配向膜の焼成条件を最適化することで、膜厚方向に対してイミド化率を変化させ、他の表示不良を発生させることなく、焼き付き不良を抑えることが提案されている。さらに、特許文献８には、液晶材料をシアノフェニルシクロヘキサン系に変更することや、イミド化率を５１％程度に低く抑えることにより、焼き付き現象を改善することが開示されている。しかし、下地（ガラス）基板の厚さに比べて、圧倒的に薄い配向膜における膜厚方向のイミド化率を、焼成条件のみによって制御するのは、実際の製造工程では極めて難しく、焼き付き現象が生じない高い表示品位を得ることは困難であるのが現状である。
【特許文献１】特開平６−２８９４０８号公報
【特許文献２】特開平８−２０１８３０号公報
【特許文献３】特開２００３−２３３０７５号公報
【特許文献４】特開平８−１４６４２２号公報
【特許文献５】特開平７−２１８９１６号公報
【特許文献６】特開平１０−３９３０８号公報
【特許文献７】特開２００２−４０４３８号公報
【特許文献８】特開２００２−３１１４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
上述したように、単に不純物イオン吸着電極を設けるだけでは、直流電圧成分の印加により配向膜が劣化してしまう問題があり、焼成条件のみによって配向膜の構成を制御するのは困難である。
【００１７】
一方、不純物イオン吸着電極の表面を配向膜で覆わないで露出させるようにすると、不純物イオンの吸着性及び保持性が低下しやすくなってしまう。すなわち、不純物イオンの保持性については、不純物イオン吸着電極の表面を配向膜である有機分子膜によって覆うと、分子間力等によって不純物イオンと配向膜と結合性を比較的高くすることが可能となる。また、不純物イオン吸着電極の表面を露出させると、その電極は、電気が通りやすい反面電気が抜けやすいために、不純物イオン吸着電極の保持性が低下すると考えられる。
【００１８】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、不純物イオンを効率よく吸着保持すると共に、直流電圧成分の印加に対しても劣化しにくい配向膜を容易に形成することにより、焼き付き現象を抑制して表示品位の向上を図ると共に製造コストを低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の目的を達成するために、この発明では、非表示領域に不純物イオン吸着電極を形成すると共に、その不純物イオン吸着電極を低熱伝導性膜によって覆うようにした。
【００２０】
具体的に、本発明に係る液晶表示装置は、２枚の基板が枠状のシール部材を介して貼り合わされ、前記シール部材の内側と前記２枚の基板との間に液晶層が封止された液晶表示装置であって、前記２枚の基板は、前記シール部材の内側に形成された表示領域と、前記表示領域の外側に形成された非表示領域とを有し、前記２枚の基板の少なくとも一方には、前記非表示領域における前記シール部材の内側において、前記表示領域に形成された画素電極とは異なる、不純物イオン吸着電極が形成され、前記不純物イオン吸着電極は、低熱伝導性膜によって覆われている。
【００２１】
前記低熱伝導性膜は多孔質膜により構成されていることが好ましい。
【００２２】
前記シール部材は、前記液晶層を取り囲む矩形枠状に形成され、前記不純物イオン吸着電極は、前記シール部材の４辺のうち少なくとも１辺に沿って形成されていてもよい。
【００２３】
前記表示領域には第１配向膜が形成される一方、前記非表示領域における前記シール部材の内側には第２配向膜が形成され、前記第１配向膜及び第２配向膜は、イミド化率が互いに異なっていることが好ましい。
【００２４】
前記第２配向膜のイミド化率は、前記第１配向膜のイミド化率よりも低いことが望ましい。
【００２５】
前記２つの基板の間には、前記表示領域及び非表示領域の双方に複数のスペーサが配置され、前記低熱伝導性膜の膜厚は、前記表示領域及び非表示領域において、前記スペーサが配置されている位置における前記液晶層の厚みが同じになるように規定されていることが好ましい。
【００２６】
前記不純物イオン吸着電極に対し、最適対向電圧センター値又は画素入力信号センター値がプラス及びマイナスの何れかの極性にオフセットされた電圧を供給する供給部を備えていてもよい。
【００２７】
前記オフセット電圧の幅は、少なくとも０．４Ｖ以下に設定されていることが好ましい。
【００２８】
−作用−
２枚の基板の少なくとも一方における非表示領域に低熱伝導性薄膜を形成することにより、配向膜が非表示領域において低熱伝導性薄膜に積層されると、その配向膜の焼成温度は表示領域に比べて低下する。そのため、同一の条件で基板に成膜処理を行ったとしても、表示領域の配向膜に比べて不純物イオンを吸着し易く比較的イオン極性が高い配向膜（つまり、イミド化率が低く、ポリアミック酸（ＰＡＡ）の成分がリッチである配向膜）を非表示領域に形成することが可能となる。
【００２９】
この非表示領域の配向膜は、ポリアミック酸リッチであって比較的絶縁性も低いため、直流電圧成分が長期的に印加されても配向膜自体の劣化（分解）を抑えることが可能となり、新たなイオン不純物の発生も抑えられる。
【００３０】
さらに、実際にイオンを吸着しても、配向膜表面に長期的な帯電が生じ難いため、表示切替等に伴う焼き付き現象は発生し難く、近年のパネルの狭額縁化にも十分対応可能である。
【００３１】
また、低熱伝導膜を多孔質膜によって構成した場合には、さらに熱伝導率を低下させることも可能であり、焼成温度や膜厚変化を調整することによって、配向膜のイミド化率をある程度制御することも可能である。加えて、イオン吸着面も増加するため、吸着効率も相乗的に高くなる。
【００３２】
仮に、不純物イオンの吸着効率を高めたい場合には、０．４Ｖ以下のオフセット電圧を印加することが可能である。０．４Ｖ以下であれば、液晶や配向膜等の材料自体の劣化を抑制し、且つフリッカ（ちらつき）の発生も抑えた状態で、不純物イオンを効率的に吸着保持することが可能となる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、非表示領域に不純物イオン吸着電極を形成すると共に、その不純物イオン吸着電極を低熱伝導性膜によって覆うようにしたので、不純物イオンを効率よく吸着保持すると共に、直流電圧成分の印加に対しても劣化しにくい配向膜を容易に形成することが可能となる。その結果、焼き付き現象を抑制して表示品位の向上を図ると共に製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３５】
《発明の実施形態１》
図１及び図２は、本発明の実施形態１を示している。図１は、液晶表示装置１を一部破断して示す平面図であり、図２は、図１におけるII−II線断面図である。
【００３６】
液晶表示装置１は、２つの基板である第１基板１１及び第２基板１２が、枠状のシール部材１３を介して貼り合わされ、シール部材１３の内側と第１基板１１及び第２基板１２との間に液晶層１４が封止された構造を有し、所謂アクティブマトリクス方式の液晶表示装置に構成されている。尚、上記枠状には、閉じたリング状だけでなく、一部が開いた略リング状である形状が含まれる。
【００３７】
シール部材１３は、液晶層１４を取り囲む矩形枠状に形成されている。詳細には、シール部材１３の４つの角部はＲ状に形成され、１つの辺に開口部（図示省略）が形成されている。この開口部が液晶材料をシール部材１３の内側へ注入するための注入口になっている。注入口は、シール部材１３の内側に液晶材料を充填した後に、封止部材１６によって塞がれる。
【００３８】
第１基板１１はアクティブマトリクス基板１１を構成し、第２基板１２はコモン基板１２を構成している。アクティブマトリクス基板１１及びコモン基板１２は、ガラス基板２１，２２をそれぞれ有し、シール部材１３の内側に形成された表示領域１７と、表示領域１７の外側に形成された非表示領域１８とをそれぞれ有している。非表示領域１８は、額縁領域とも称される。アクティブマトリクス基板１１とコモン基板１２との間隔は、これら各基板１１，１２の間に、表示領域１７及び非表示領域１８の双方に複数のビーズスペーサ１５が配置されることにより、一定に維持されている。
【００３９】
アクティブマトリクス基板１１は、表示領域１７のガラス基板２１上に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極８がマトリクス状に配置されている。各画素電極８には複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が接続されている。アクティブマトリクス基板１１は、コモン基板１２よりも側方に突出した実装領域１９を有している。
【００４０】
実装領域１９のコモン基板１２側の表面には、ＩＣドライバ（図示省略）等を実装するための複数の端子２０が形成されている。実装領域１９には、上記薄膜トランジスタに接続された配線（図示省略）が引き出されており、その端部に上記端子２０が形成されている。こうして、端子２０から上記薄膜トランジスタ入力される駆動信号によって、各画素電極がスイッチング駆動されるようになっている。
【００４１】
一方、コモン基板１２は、非表示領域１８（つまり額縁領域）のガラス基板２２上に、遮光膜であるブラックマトリクス２５が形成されている。つまり、額縁領域１８はブラックマトリクス２５等により遮光されている。さらに、ガラス基板２２にはＩＴＯ等により構成されたコモン電極２６が一様に形成されている。ブラックマトリクス２５の一部は、図２に示すように、コモン電極２６によって覆われている。こうして、コモン電極２６と画素電極８との間に所定の電位差を生じさせるようにしている。
【００４２】
そして、本発明の特徴として、例えばアクティブマトリクス基板１１には、非表示領域１８におけるシール部材１３の内側において、表示領域１７に形成された画素電極８とは異なる、不純物イオン吸着電極３０が形成されている。さらに、この不純物イオン吸着電極３０は、低熱伝導性膜３１によって覆われている。
【００４３】
尚、不純物イオン吸着電極３０は、アクティブマトリクス基板１１に限らず、アクティブマトリクス基板１１及びコモン基板１２の少なくとも一方に設けることが可能である。
【００４４】
不純物イオン吸着電極３０は、表示領域１７を囲むように、シール部材１３の４辺に沿って形成されている。
【００４５】
尚、不純物イオン吸着電極３０は、配置スペースが許す限り、シール部材１３の４辺の全てに沿って形成することが望ましいが、シール部材１３の４辺のうち少なくとも１辺に沿って形成すればよい。この場合、シール部材１３の注入口が形成されている辺や、表示領域１７を走査する電気信号の走査方向下手側の領域に、不純物イオン吸着電極３０を配置することが望ましい。そのことにより、本発明の効果をより良く発揮させることが可能になる。
【００４６】
不純物イオン吸着電極３０の表面には、選択的に低熱伝導性膜３１の薄膜が形成されている。低熱伝導性膜３１には、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化シリコン、窒化シリコン、窒化ホウ素、リン化ホウ素、及び薄膜ダイヤモンド等を適用することが可能であるが、熱伝導性が低い薄膜であれば、上記物質に限定するものではない。
【００４７】
ここで、低熱伝導性膜３１は、液晶表示装置１を構成する各膜（第１配向膜３３及び第２配向膜３４を除く）よりも低い熱伝導性（熱伝導率）を有することが好ましい。例えば、低熱伝導性膜３１は、画素電極８や不純物イオン吸着電極３０等の膜よりも熱伝導性が低くなっている。
【００４８】
低熱伝導性膜３１は、少なくとも不純物イオン吸着電極３０を覆うことが望ましく、且つブラックマトリクス２５が形成されている領域（つまり非表示領域１８）を超えない範囲に成膜することが望ましい。
【００４９】
表示領域１７には、画素電極８を覆う第１配向膜３３が形成されている。一方、非表示領域１８におけるシール部材１３の内側には第２配向膜３４が形成されている。第２配向膜３４は、少なくとも不純物イオン吸着電極３０上の低熱伝導性膜３１を覆うように形成されている。本実施形態では、図２に示すように、第２配向膜３４が不純物イオン吸着電極３０及び低熱伝導性膜３１の全体を覆っている。そして、第１配向膜３３及び第２配向膜３４は、そのイミド化率が互いに異なっている。特に、第２配向膜３４のイミド化率は、第１配向膜３３のイミド化率よりも低くなっている。
【００５０】
第１配向膜３３及び第２配向膜３４を形成する場合には、まず、画素電極８、不純物イオン吸着電極３０及び低熱伝導性膜３１が形成されたガラス基板２１に対して、表示領域１７及び非表示領域１８の全体に配向膜を成膜する。その後、上記配向膜の全体に焼成処理を施して、配向膜にイミド化反応を生じさせる。
【００５１】
そうすると、非表示領域１８において低熱伝導性膜３１を覆っている配向膜と、表示領域１７の配向膜とでは、その表面温度に差が生じるため、これら非表示領域１８と表示領域１７とではイミド化率が互いに異なる配向膜が形成される。その結果、表示領域１７にはイミド化率が比較的高い第１配向膜３３が形成される一方、非表示領域１８にはイミド化率が比較的低い第２配向膜３４が形成される。本実施形態では第１配向膜３３のイミド化率は約９０％であり、第２配向膜３４のイミド化率は約８０％になっている。尚、イミド化率の制御は、焼成温度、低熱伝導性薄膜の材質及びその膜厚等によって制御することが可能である。
【００５２】
また、通常の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板では、表示領域に比べ非表示領域の総膜厚が小さいため、セル厚ムラ（液晶層の厚みムラ）等の表示不良が発生し易い。本実施形態では、低熱伝導性膜３１の膜厚が、表示領域１７及び非表示領域１８において、上記スペーサ１５が配置されている位置における液晶層１４の厚みが同じになるように規定されている。換言すれば、低熱伝導性膜３１の膜厚を、表示領域１７と非表示領域１８での総膜厚を合わせるように制御している。したがって、セル厚ムラ等による表不良を抑制することが可能である。
【００５３】
そして、液晶表示装置１を製造する場合には、第１配向膜３３及び第２配向膜３４を形成したアクティブマトリクス基板１１と、コモン電極２６を覆うように第３配向膜３５が形成されたコモン基板１２とを、シール部材１３を介して貼り合わせる。その後、シール部材１３に形成された注入口から液晶材料を充填させて封止部材１６により注入口を封止する。そのことにより、アクティブマトリクス基板１１とコモン基板１２との間に液晶層１４を形成し、実装領域１９にＩＣドライバ等を実装して液晶表示装置１を製造する。
【００５４】
液晶表示装置１を駆動する場合には、ＩＣドライバから電気信号を各画素の薄膜トランジスタへ供給し、表示領域１７の各画素電極８をスイッチング駆動する。不純物イオン吸着電極３０には、画素電極８に入力する電気信号と同一の信号を入力しても、本発明の効果を得ることができ、液晶層１４の不純物イオンを吸着することが可能である。
【００５５】
通常のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置では、直流電圧成分による液晶材料の劣化が懸念されるため、ＡＣ駆動が採用される。本実施形態においても、画素電極８へ入力される信号と同一の入力ＡＣ信号とする。ただし、液晶表示装置１の駆動時には、常に不純物イオン吸着電極３０には、ある一定の電圧を印加した状態とし、選択的に不純物イオンの吸着を行う。
【００５６】
印加電圧の大きさにより不純物イオンの吸着効率は異なるが、少なくとも白表示時における印加電圧よりも高い電圧値であれば、本発明の効果は期待できる。本実施形態では、液晶層１４に４Ｖの電位差が生じるように信号を入力する。
【００５７】
実際に本実施形態の液晶表示装置１を点灯駆動したところ、不純物イオン吸着電極３０を設けてその吸着電極３０に所定電圧を印加した液晶表示装置１は、不純物イオン吸着電極３０を設けない液晶表示装置に比べて、焼き付き現象による表示不良を大幅に改善できることを確認できた。
【００５８】
また、不純物イオン吸着電極３０の上には、イミド化率が比較的低い（つまりＰＡＡリッチである）第２配向膜３４が成膜されているため、液晶表示装置１を連続的に駆動させた場合でも、表示領域１７への表示不良の拡大や、第２配向膜３４の劣化による新たな不純物イオンの拡散等による表示不良（シミ、ムラ、ちらつき及び白浮き等）もなく、長時間に亘って、高品位な表示を維持できることが確認された。
【００５９】
したがって、この実施形態１によると、非表示領域１８に不純物イオン吸着電極３０を形成したので、液晶層１４中の不純物イオンを吸着保持して焼き付き現象の発生を抑制し、表示品位の向上を図ることができる。そのことに加え、非表示領域１８に形成した不純物イオン吸着電極３０を覆うように低熱伝導性膜３１を形成したので、表示領域１７及び非表示領域１８の全体に配向膜を形成して同一の条件で焼成しても、低熱伝導性膜３１を覆う第２配向膜３４の焼成温度を、表示領域１７の第１配向膜３３の焼成温度よりも低下させることができる。その結果、第２配向膜３４のイミド化率を第１配向膜３３よりも低くする（つまり、ポリアミック酸（ＰＡＡ）の成分をリッチにする）ことができるため、絶縁性を低下させて、直流電圧成分の印加に対する劣化（分解）を抑制することができる。したがって、新たな不純物イオンの発生も抑えることができる。また、実際に不純物イオンを吸着しても、第２配向膜３４の表面に長期的な帯電が生じ難いため、表示切替等に伴う焼き付き現象は発生し難く、余裕領域（マージン領域）も殆ど必要ないので、近年のパネルの狭額縁化にも十分対応することが可能である。さらに、上述のように第１配向膜３３及び第２配向膜３４を一度に同じ条件で形成することができるため、製造コストの低減を図ることができる。
【００６０】
《発明の実施形態２》
図３及び図４は、本発明の実施形態２を示している。図３は、液晶表示装置１を一部破断して示す平面図であり、図４は、図３におけるIV−IV線断面図である。尚、以降では、図１及び図２と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６１】
本実施形態２の液晶表示装置１は、図３に示すように、不純物イオン吸着電極３０が、矩形状のシール部材１３の１辺に沿って形成されている。特に、不純物イオン吸着電極３０は、シール部材１３における注入口２８が形成されている辺に沿って配置されている。
【００６２】
本実施形態２では、低熱伝導性を有する多孔質膜４０を、不純物イオン吸着電極３０を覆うように形成している。さらに、第４配向膜３６を、多孔質膜４０を覆うように形成する。第４配向膜３６は、上記実施形態１と同様にして形成することができる。
【００６３】
このことにより、第４配向膜３６の焼成時にその第４配向膜３６の表面温度の上昇をより効果的に抑制することができる。その結果、第４配向膜３６と、表示領域１７における第１配向膜３３との表面温度の差をより大きくすることができ、第４配向膜３６のイミド化率を第１配向膜３３に対してより低下させることができる。本実施形態２では、表示領域１７における第１配向膜３３のイミド化率が９０％となる一方、非表示領域１８における第４配向膜３６のイミド化率を６０％となるように成膜する。
【００６４】
さらに、第４配向膜３６を多孔質膜４０の表面に形成することから、第４配向膜３６と液晶層１４との接触面積も劇的に増大させることができ、イオン吸着効率を相乗的に高めることが可能となる。
【００６５】
不純物イオン吸着電極３０は、表示領域１７の画素電極８と同一の信号を入力しても、その効果が期待できるが、不純物イオンの吸着効率をより高めるために、本実施形態２では、不純物イオン吸着電極３０に対し、最適対向電圧センター値又は画素入力信号センター値がプラス及びマイナスの何れかの極性にオフセットされた電圧を供給する供給部（図示省略）を設けるようにした。供給部は、例えば実装領域１９に実装されるＩＣドライバに形成される。そうすることにより、不純物イオン吸着電極３０には、オフセット電圧に起因する直流電圧成分が印加されるようになっている。
【００６６】
ただし、オフセット電圧を大きくし過ぎると、最適対向電位のズレによるちらつき（フリッカ）の発生や、液晶材料及び配向膜自体の劣化（分解）等が促進される虞れがあるため、少なくとも０．４Ｖ以下に設定することが望ましい。本実施形態２では、オフセット電圧を例えば０．２Ｖに設定して電圧印加を行った。また、液晶層１４には、上記実施形態１と同様に、４Ｖの電位差を生じさせるようにした。
【００６７】
実際に本実施形態２の液晶表示装置１を点灯駆動したところ、不純物イオン吸着電極３０を設けると共にその不純物イオン吸着電極３０に所定電圧を印加した液晶表示装置１は、不純物イオン吸着電極３０を設けない液晶表示装置に比べて、焼き付き現象による表示不良を大幅に改善できることを確認できた。
【００６８】
また、不純物イオン吸着電極３０の上には、イミド化率が比較的低い（つまりＰＡＡリッチである）第４配向膜３６が成膜されているため、液晶表示装置１を連続的に駆動させた場合でも、表示領域１７への表示不良の拡大や、第４配向膜３６の劣化による新たな不純物イオンの拡散等による表示不良（シミ、ムラ、ちらつき及び白浮き等）もなく、長時間に亘って、高品位な表示を維持できることが確認された。
【００６９】
このように、本実施形態２によると、低熱伝導膜として多孔質膜４０を適用したので、さらに熱伝導率を低下させることが可能となる。さらに、第４配向膜３６の焼成温度や膜厚変化を調整することによって、第４配向膜３６のイミド化率をある程度制御することも可能である。加えて、イオン吸着面を増加させることができるため、不純物イオンの吸着保持効率も相乗的に高くすることができる。
【００７０】
さらに、不純物イオン吸着電極３０に０．４Ｖ以下のオフセット電圧を印加するようにしたので、その不純物イオン吸着電極３０に直流電圧成分を印加させて不純物イオンの吸着効率を高めつつ、液晶材料や配向膜等の材料自体の劣化を抑制し、且つフリッカ（ちらつき）の発生も抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上説明したように、本発明は、液晶層の不純物イオンを吸着する電極を備えた液晶表示装置について有用であり、特に、焼き付き現象を抑制して表示品位の向上を図ると共に製造コストの低減を図る場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】実施形態１の液晶表示装置の構成を一部破断して示す平面図である。
【図２】図１におけるII−II線断面図である。
【図３】実施形態２の液晶表示装置の構成を一部破断して示す平面図である。
【図４】図３におけるIV−IV線断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１      液晶表示装置
８      画素電極
１１      アクティブマトリクス基板（第１基板）
１２      コモン基板（第２基板）
１３      シール部材
１４      液晶層
１５      ビーズスペーサ（スペーサ）
１７      表示領域
１８      非表示領域、額縁領域
２１，２２      ガラス基板
２５      ブラックマトリクス
２６      コモン電極
３０      不純物イオン吸着電極
３１      低熱伝導性膜
３３      第１配向膜
３４      第２配向膜
３５      第３配向膜
３６      第４配向膜
４０      多孔質膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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