(57)【要約】【課題】昇降に係る機構による悪影響を排除することにより、処理を均一に行うことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】昇降手段３５は、基板保持手段２３を内槽３内の処理位置に位置させたまま待機位置に移動可能であるので、処理液に基板Ｗを浸漬させて処理を行っている際には液流や液温を乱す要因が排除できる。したがって、昇降手段３５による処理への悪影響を排除することができ、基板Ｗに対する処理を均一に行うことができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
複数の基板を起立姿勢で保持し、複数の基板ごと処理液内に浸漬される基板保持手段と、
前記処理槽内部の処理位置と前記処理槽上方の待機位置とにわたって前記基板保持手段を昇降可能であり、かつ処理位置に前記基板保持手段を位置させたまま待機位置に移動可能な昇降手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理槽は、底面に前記基板保持手段を載置される台座部を備え、
前記基板保持手段は、係止部を備え、
前記昇降手段は、前記係止部を係止し、処理位置にて係止を解除する係止機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理槽は、底面に前記基板保持手段が載置される台座部を備え、
前記基板保持手段は、係止部を備え、
前記昇降手段は、前記係止部を挟持し、処理位置にて挟持を解除する挟持機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板処理装置において、
前記係止部は、基板の左右両周縁側にあたる前記基板保持手段の前後のいずれか一方側に配設されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項２または３に記載の基板処理装置において、
前記係止部は、基板の端面側にあたる前記基板保持手段の側部に配設されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板を処理液によって処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、例えば、処理液を貯留する処理槽と、複数の基板を起立姿勢で保持し、処理槽の内部にあたる処理位置と処理槽の上方にあたる待機位置とにわたって昇降自在の昇降機構とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。昇降機構は、処理槽の内壁に沿った鉛直姿勢の背板と、この背板の下端部から水平に延出され、基板の下縁を当接支持する支持部とを備えている。
【０００３】
基板を処理する際には、背板が下降されて支持部が処理位置に移動されるとともに、この状態が処理時間の間だけ維持される。そして、処理時間が経過すると、背板が上昇された支持部が待機位置にまで移動される。このようにして支持部に支持された基板に対して処理液による処理が行われる。
【特許文献１】特開２００１−１８９２９７号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理を行っている間中、処理槽内に背板が位置しているので、この背板が液流を妨げたり、液温を乱したりする。したがって、基板に対する処理が不均一になる恐れがある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、昇降機構による悪影響を排除することにより、処理を均一に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、複数の基板を起立姿勢で保持し、複数の基板ごと処理液内に浸漬される基板保持手段と、前記処理槽内部の処理位置と前記処理槽上方の待機位置とにわたって前記基板保持手段を昇降可能であり、かつ処理位置に前記基板保持手段を位置させたまま待機位置に移動可能な昇降手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、昇降手段は、基板保持手段を処理槽内の処理位置に位置させたまま待機位置に移動可能であるので、処理液に複数の基板を浸漬させて処理を行っている際には液流や液温を乱す要因が排除できる。したがって、昇降手段による悪影響を排除することができ、基板に対する処理を均一に行うことができる。
【０００８】
また、本発明において、前記処理槽は、底面に前記基板保持手段を載置される台座部を備え、前記基板保持手段は、係止部を備え、前記昇降手段は、前記係止部を係止し、処理位置にて係止を解除する係止機構を備えていることが好ましい（請求項２）。昇降手段の係止機構が基板保持手段の係止部を係止して処理位置に移動させ、基板保持手段を台座部に載置する。したがって、基板保持手段が液流によって力を受けても、処理位置にて安定させることができる。また、係止部を係止することで基板保持手段が昇降手段と一体化されるので、比較的簡易な構成とすることができる。
【０００９】
また、本発明において、前記処理槽は、底面に前記基板保持手段が載置される台座部を備え、前記基板保持手段は、係止部を備え、前記昇降手段は、前記係止部を挟持し、処理位置にて挟持を解除する挟持機構を備えていることが好ましい（請求項３）。昇降手段の挟持機構が基板保持手段の係止部を挟持して処理位置に移動させ、基板保持手段を台座部に載置する。したがって、基板保持手段が液流によって力を受けても、処理位置にて安定させることができる。また、係止部を挟持することで基板保持手段が昇降手段と一体化されるので、基板保持手段を安定して移動させることができる。
【００１０】
また、本発明において、前記係止部は、基板の表裏面側にあたる前記基板保持手段の前後のいずれか一方側に配設されていることが好ましい（請求項４）。基板保持手段の前後のいずれか一方側だけを挟持または係止するだけで、基板保持手段を昇降手段と一体化できるので、構成の簡易化を化張ることができる。
【００１１】
また、本発明において、前記係止部は、基板の左右両周縁側にあたる前記基板保持手段の側部に配設されていることが好ましい（請求項５）。基板の左右両周縁側にあたる側部を挟持または係止するので、安定して挟持または係止することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る基板処理装置によれば、昇降手段は、基板保持手段を処理槽内の処理位置に位置させたまま待機位置に移動可能であるので、処理液に複数の基板を浸漬させて処理を行っている際には液流や液温を乱す要因が排除できる。したがって、昇降手段による悪影響を排除することができ、基板に対する処理を均一に行うことができる。
【実施例１】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施例1について説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す図であり、図２は、台座部の概略構成を示す斜視図であり、図３は、基板保持手段の概略構成を示す斜視図である。また、図４（ａ），（ｂ）は、係止機構の動作説明図である。
【００１４】
この基板処理装置は、処理液を貯留し、ほぼ円形状を呈する基板Ｗを処理液に浸漬させて処理を行う処理槽１を備えている。処理槽１は、処理液を貯留する内槽３と、この内槽３から溢れた処理液を回収する外槽５とを備えている。外槽５に回収された処理液は、その底部から外部に排出され、図示しない排液処理系に排出される。内槽１の底部付近の両側には、噴出管７が設けられている。この噴出管７には、多数の小穴が形成されているとともに、供給配管９の一端側が連通接続されている。
【００１５】
供給配管９の他端側は、処理液供給源１１に連通接続されている。この処理液供給源１１は、基板Ｗの処理に必要な処理液、例えば、純水、硫酸と過酸化水素水の混合液、フッ化水素酸と純水の混合液などを内槽３へ供給するものである。供給配管９には、上流側から、処理液を送出するポンプ１３と、処理液を所定の温度に加熱するヒータ１５と、処理液中のパーティクル等を除去するフィルタ１７とが設けられている。
【００１６】
内槽３の底部には、台座部１９が配設されている。この台座部１９は、後述する基板保持手段を安定して載置するためのものである。台座部１９は、内槽３の長手方向（図１の紙面方向かつ図２の左右方向）に離間して少なくとも２つの台座２１を備えている。各台座２１は、載置された基板保持手段の位置ずれを防止するために、中央部が低く、両端部が高く形成されている。台座部１９は、各台座２１が基板保持手段の前後付近に当接して支持する。
【００１７】
基板保持手段２３は、前後に基部２５を備え、これらの間に３本の支持部材２７が取り付けられている。基部２５は、中央部の底面２９から左右側（図１の左右方向）に上方へ向かう傾斜面３１を備えている。この底面２９と傾斜面３１とは、上述した台座２１の上面にほぼ一致する形状を呈する。各支持部材２７は、基板Ｗの厚みより若干幅広の切れ込み部２８を複数個備えており、各々の基板Ｗを起立姿勢で当接支持する。後の基部２５（図３の右側の基部２５）は、係止部３３を後側に備えている。この係止部３３は、下向きに開口溝３５を備えた逆Ｌの字状の外観を呈する。
【００１８】
処理槽１には、昇降手段３５が配設されている。この昇降手段３５は、昇降部材３７とと、係止溝３９を備えた係止機構４１とを備えている。昇降部材３７は、内槽３の内部にあたる「処理位置」と、内槽３の上方にあたる「待機位置」（図１）とにわたって昇降可能に構成されている。処理位置においては、昇降部材３７を基板保持手段２３側に前後動可能に構成されているとともに、内槽１側の「係止位置」（図４の（ｂ）に示す位置）においては、係止部３３と係止機構４１との係止及び係止解除に要する短い距離の昇降動作が可能に構成されている。さらに、昇降手段３５は、基板Ｗを処理する際に、基板保持手段２３を処理位置に置いたまま待機位置に移動可能である。
【００１９】
次に、図５を参照して、上述した基板処理装置の動作について説明する。なお、図５（ａ），（ｂ）は、処理時における動作説明図である。
【００２０】
ここでは、処理液供給源１１から内槽３に対して、既に処理液が貯留され、外槽５に処理液が溢れている状態であるものとする。また、既に基板Ｗが基板保持手段２３に保持され、昇降手段３５によって基板保持手段２３が係止されて待機位置にあるものとする。このような状態において、待機位置にある基板保持手段２３（図中に二点鎖線で示す）が基板Ｗを保持した状態で処理位置にまで下降する（図中に実線で示す）。すると、基板保持手段２３の基部２５は、その底面２９と傾斜面３１が台座２１の上面に当接した状態となり、基板保持手段２３が台座部１９に安定して載置される。
【００２１】
次いで、昇降手段３５を係止位置にまで僅かに下降させて係止部３３と係止機構４１の係止を解除し、さらに昇降手段３５を後方に移動させる。そして、昇降手段３５だけを待機位置にまで上昇させる。これにより、基板Ｗを載置した基板保持手段２３は、内槽３の底部にあたる処理位置に置かれたままとなる。なお、この状態が維持されて所定の処理時間が経過した際には、上記とはほぼ逆の動作によって基板保持手段２３を昇降手段３５により待機位置にまで移動させる。
【００２２】
このように昇降手段３５は、基板保持手段２３を処理槽１内の処理位置に位置させたまま待機位置に移動可能であるので、処理液に基板Ｗを浸漬させて処理を行っている際には液流や液温を乱す要因が排除できる。したがって、昇降手段３５による処理への悪影響を排除することができ、基板Ｗに対する処理を均一に行うことが可能となる。
【００２３】
また、昇降手段３５の係止機構４１が基板保持手段２３の係止部３３を係止して処理位置に移動させ、基板保持手段２３を台座部１９に載置する。したがって、基板保持手段２３が液流によって力を受けても、処理位置にて安定させることができる。また、係止部３３を係止することで基板保持手段２３が昇降手段３５と一体化されるので、比較的簡易な構成にできる。
【００２４】
なお、上記の構成において、係止機構４１が係止部３３に対するロック機構を備えるようにしてもよい。これにより、基板保持手段２３を昇降させる際に係止が外れる不都合を回避できる。
【００２５】
また、上記の構成において、係止部３３及び昇降手段３５を前側だけに備える構成としてもよい。また、係止部３３及び昇降手段３５を前後に備え、両側を保持した状態で昇降させる構成を採用してもよい。これによりロック機構を不要としつつも、係止が外れる不都合を防止できる。
【実施例２】
【００２６】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図６は、実施例２に係る基板処理装置の要部を示す図である。なお、実施例１と共通する構成については、同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
【００２７】
基板保持手段４３は、上述した実施例１の基板保持手段２３に加えて、係止部４５を備えている。この係止部４５は、基部２５の左右両端に突出して配設されている。昇降手段４７は、挟持機構４９を備えている。挟持機構４９は、水平軸周りで揺動駆動される揺動アーム５１を懸垂状態で備える張り出し部５３を両側面に備えている。揺動アーム５１は、その下端部に、内側へ向かって張り出した鍔部５５を備えている。
【００２８】
このように構成された装置では、待機位置にて挟持機構４９が基板保持手段２３の係止部４５を挟持し、この状態で処理位置にまで下降する。そして、挟持機構４９が挟持を解除し、待機位置にまで昇降手段４７が上昇復帰する。これにより、基板保持手段４３が内槽３内の処理位置に載置されたままとなる。
【００２９】
このように昇降手段４７は、基板保持手段４３を処理槽１内の処理位置に位置させたまま待機位置に移動可能であるので、処理液に基板Ｗを浸漬させて処理を行っている際には液流や液温を乱す要因が排除できる。したがって、昇降手段４７による処理への悪影響を排除することができ、基板Ｗに対する処理を均一に行うことができる。
【００３０】
また、昇降手段４７の挟持機構４９が基板保持手段４３の係止部４５を挟持して処理位置に移動させ、基板保持手段４３を台座部１９に載置する。したがって、基板保持手段４３が内槽３内の液流によって力を受けても、処理位置にて安定させることができる。また、係止部４５を挟持することで基板保持手段４３が昇降手段４７と一体化されるので、基板保持手段４３を安定して移動させることができる。
【００３１】
なお、上述した実施例２において、係止部４５を内槽３の前後側に設け、挟持機構４９もそれに応じた構成を採用するようにしてもよい。
【００３２】
また、上記の実施例２において、図７のように変形実施が可能である。なお、図７は、変形例を示す図である。
【００３３】
本変形例における一体基部５７は、上述した台座２１と基部２５が一体化されたような構成である。一体基部５７の底面は、内槽３の底面形状にほぼ一致した形状を呈するのが好ましい。
【００３４】
このような一体基部５７の構成を採用することすることにより、上述した実施例１，２と同様の効果を奏しつつも、内槽３の底面の構造を従来のままとすることができるメリットがある。
【００３５】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００３６】
（１）上述した各実施例１，２及び変形例では、ほぼ円形状を呈する基板Ｗの処理を例に採って説明したが、矩形状の基板等においても適用可能である。
【００３７】
（２）外槽５で回収された処理液を排出する構成を採用しているが、再び内槽３へ戻して循環させる構成を採用してもよい。
【００３８】
（３）噴出管７から内槽３の底面に処理液を供給する構成の他に、例えば、内槽３の上部や、循環式とした場合の外槽５の上部に処理液を供給する構成を採ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】台座部の概略構成を示す斜視図である。
【図３】基板保持手段の概略構成を示す斜視図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は係止機構の動作説明図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は処理時における動作説明図である。
【図６】実施例２に係る基板処理装置の要部を示す図である。
【図７】本発明の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｗ  …  基板
１  …  処理槽
３  …  内槽
５  …  外槽
７  …  噴出管
９  …  供給管
１９  …  台座部
２１  …  台座
２３  …  基板保持手段
２５  …  基部
２７  …  支持部材
３３  …  係止部
３５  …  昇降手段
３７  …  昇降部材
３９  …  係止溝
４１  …  係止機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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