(57)【要約】【課題】  絶縁膜に形成される段差において電極と信号線とが短絡することを防止し、常に安定して正常に動作することができる電気光学装置を提供する。【解決手段】  表面に凹凸パターンを有し、ソース電極線１９上に設けられ、基板７ａの平面に対して厚み方向に段差Ｓを有する層間絶縁膜２２と、絶縁膜２２上に設けられる画素電極２４と、絶縁膜２２の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差Ｓの間の領域に設けられる平坦部Ｆとを有する電気光学装置である。平坦部Ｆを設けたことにより、露光及び現像処理によって絶縁膜２２に段差Ｓが形成される際、段差Ｓが電極２４が設けられるべき領域までオーバー現像、すなわち過剰除去されることを防止できる。このため電極２４と絶縁されるように絶縁膜２２によって覆われているべき部分のソース電極線１９が段差Ｓから露出することを防止でき、ソース電極線１９と電極２４とが短絡することを防止できる。【選択図】        図５
2007047533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
電気光学物質の層と、
前記基板上に設けられた信号線と、
表面に凹凸パターンを有し、前記信号線上に設けられ、前記基板の平面に対して厚み方向に段差を有する絶縁膜と、
該絶縁膜上に設けられた電極と、
前記絶縁膜の表面であって前記凹凸パターンが設けられた領域と前記段差との間の領域に設けられた平坦部と
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記基板の平面から前記凹凸パターンの凸部の頂点までの高さをＨ１、前記基板の平面から前記平坦部までの高さをＨ２とするとき、
Ｈ１＞Ｈ２
であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記絶縁膜は表示の最小単位であるサブ画素ごとに設けられ、前記信号線は互いに隣接するサブ画素にわたって設けられ、前記段差は互いに隣接する前記サブ画素同士の間に位置することを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記信号線は互いに隣接する前記サブ画素の間に沿って設けられる遮光膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記サブ画素は、反射光によって表示を行う反射表示領域と、透過光によって表示を行う透過表示領域とを備え、前記凹凸パターンは反射表示領域において光を散乱させるための光散乱パターンであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５記載の電気光学装置において、前記段差は前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界に位置することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置、ＥＬ装置、プラズマディスプレイ等といった電気光学装置が産業界及び民生分野で広く用いられている。この種の電気光学装置の中には、例えは、透光性のガラス基板上にＴＦＴ（Thin-Film-Transistor）素子等といったアクティブ素子や、導電パターン等を形成し、その上に絶縁膜を設け、その上に光反射膜を設け、さらにその上に画素電極を設けた構造のものがある。電気光学装置として液晶表示装置を考えれば、上記の画素電極の上には、さらに、配向膜や、電気光学物質としての液晶の層が形成される。なお、光反射膜と画素電極とを同一の部材によって形成することもある。
【０００３】
上記の絶縁膜は、例えば、アクティブ素子と画素電極とを絶縁状態に設定するために用いられる。また、この絶縁膜は、例えば、上記の光反射膜に散乱特性や指向性を持たせるための凹凸パターンを形成するために用いられる。具体的には、その絶縁膜の表面に凹凸パターンを形成することにより、その絶縁膜の上に設けられる光反射膜に凹凸パターンを付与し、その凹凸パターンで光を反射することにより反射光を散乱させたり、反射光に指向性を持たせたりする。
【０００４】
上記のような電気光学装置として、従来、互いに隣接する画素と画素の間に絶縁膜が設けられていない構造のものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この絶縁膜が設けられていない部分は、例えば、絶縁膜の材料のうちの当該部分を、フォトリソグラフィ処理を用いて除去することによって形成される。このようにして絶縁膜の一部が除去された部分には、その絶縁膜の厚み方向に段差が形成されることになる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−５６４６４号公報（第７頁、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示された電気光学装置では、絶縁膜の表面に凹凸パターンが設けられるので、隣接する画素間の部分の絶縁膜材料をフォトリソグラフィ処理等によって除去した際、段差が凹凸パターンの形状に沿って所期の形状に対して余分に除去されることがある。しかしながら、特許文献１に開示された電気光学装置では、このような、材料の過剰な除去に関してなんらの考慮もされていなかった。そのため、絶縁膜の下層に形成された信号線等といった導電パターンが過剰除去のために絶縁膜の外側へ露出することがあり、その場合には、絶縁膜の上層に画素電極等が形成されたときに、その画素電極と露出した導電パターンとが接触するおそれがあった。こうなると、電極と信号線とが短絡することによって電気光学装置が動作不良を起こすおそれがあった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、絶縁膜に形成される段差において電極と信号線とが短絡することを防止し、常に安定して正常に動作することができる電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は、（１）基板と、（２）電気光学物質の層と、（３）前記基板上に設けられた信号線と、（４）表面に凹凸パターンを有し、前記信号線上に設けられ、前記基板の平面に対して厚み方向に段差を有する絶縁膜と、（５）該絶縁膜上に設けられた電極と、（６）前記絶縁膜の表面であって前記凹凸パターンが設けられた領域と前記段差との間の領域に設けられた平坦部とを有することを特徴とする。
【０００９】
ここでいう段差とは、基板上において絶縁膜を設けた部分と設けない部分との境界であり、基板の平面に対して略垂直に立った形状に形成された絶縁膜の端部である。また、平坦部は、絶縁膜の表面において凹凸パターンが形成されていない部分である。
【００１０】
絶縁膜の表面に平坦部を設けていない従来の電気光学装置では、例えば図１３（ａ）に平面的に示すように、基板１５１上の領域Ｔ１にあった絶縁膜１５２の材料をフォトリソグラフィ処理等によって除去して段差Ｓ０が形成される際、段差Ｓ０における絶縁膜１５２が所期の形状に対して過剰に除去されることがある。このように過剰除去される領域は、例えば、図１３（ａ）に斜線で示す領域であり、絶縁膜１５２の表面に形成された凹凸パターンのうちの段差Ｓ０に面した外郭に沿った形状になる。このように絶縁膜１５２が過剰除去されると、図１３（ｂ）に示すように、基板１５１と絶縁膜１５２の間に設けられていた信号線１５４が段差Ｓ０から絶縁膜１５２の外側に露出してしまうことがある。
【００１１】
一般に絶縁膜１５２の上には電極１５３が設けられるのであるが、上記のように信号線１５４が絶縁膜１５２の外側に露出すると、信号線１５４と絶縁膜１５２上に設けられた電極１５３とが矢印Ｑで示す部分で接触し、両者が短絡するおそれがあった。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置では、絶縁膜の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差との間の領域に、凹凸パターンが無い平坦部を設けた。これにより、絶縁膜に段差が形成される際、その段差が絶縁膜の表面に形成される凹凸パターンの形状に沿って過剰除去されることを防止できる。従って、絶縁膜によって覆われているべき部分の信号線が、段差から絶縁膜の外側に露出することがなくなる。その結果、絶縁膜と基板の間に設けられた信号線と、絶縁膜上に設けられた電極とが短絡することを防止できるので、電気光学装置の動作を常に安定させることができる。
【００１３】
次に、本発明に係る電気光学装置は、前記基板の平面から前記凹凸パターンの凸部の頂点までの高さをＨ１、前記基板の平面から前記平坦部までの高さをＨ２とするとき、
Ｈ１＞Ｈ２
であることが望ましい。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の構成において、平坦部は、絶縁膜の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差との間の領域に設けられている。また、絶縁膜上に設けられる電極は、一般に、絶縁膜の表面の凹凸パターン部、平坦部、段差、及び基板の各表面にわたって形成されることが多い。仮に、基板の平面から平坦部までの高さＨ２と基板の平面から凹凸パターンの凸部の頂点までの高さＨ１との関係がＨ１＜Ｈ２であるとすれば、平坦部は絶縁膜の表面から突出した形状となる。このような形状の絶縁膜上に電極を設けた場合には、平坦部と凹凸パターンとの境界において電極が急激に曲る形状となるので、その平坦部において電極が断線するおそれがある。これに対し、基板の平面から平坦部までの高さＨ２と基板の平面から凹凸パターンの凸部の頂点までの高さＨ１との関係がＨ１＞Ｈ２であれば、絶縁膜は、凸部の頂点から平坦部、段差、基板の各表面へと段階的に低くなるように形成される。こうなれば、電極は平坦部において急激に曲がることがなくなるので、平坦部と凹凸パターンの境界において電極が断線することを防止できる。
【００１５】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記絶縁膜は表示の最小単位であるサブ画素ごとに設けられ、前記信号線は互いに隣接するサブ画素にわたって設けられ、前記段差は互いに隣接する前記サブ画素同士の間に位置することができる。そしてその場合には、サブ画素同士の間に位置する段差に沿って平坦部を設けることが望ましい。ここでいう信号線は、例えば、各サブ画素に信号を送るためのデータ線や走査線等といった配線が考えられる。また、電極としては、サブ画素ごとに設けられる画素電極が考えられる。このような電気光学装置において、信号線は、互いに隣接するサブ画素同士の間においては段差から露出するが、サブ画素の領域内、すなわち画素電極が設けられる領域内においては絶縁膜によって覆われている。しかしながら、段差が過剰除去されると、信号線は、サブ画素領域内で絶縁膜に覆われているべき部分が段差から露出して、画素電極と接触するおそれがある。
【００１６】
この電気光学装置においても、絶縁膜の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と互いに隣接するサブ画素同士の間に位置する段差との間の領域に凹凸パターンが無い平坦部を設けることができる。これにより、絶縁膜に段差が形成される際、その段差が絶縁膜の表面に形成された凹凸パターンの形状に沿って過剰除去されることを防止できる。従って、絶縁膜によって覆われているべき部分の信号線が、段差から露出することがなくなる。その結果、絶縁膜と基板の間に設けられた信号線と、絶縁膜上に設けられた電極とが短絡することを防止できるので、電気光学装置の動作を常に安定させることができる。
【００１７】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記信号線は互いに隣接する前記サブ画素の間に沿って設けられる遮光膜であることが望ましい。遮光膜は、例えば、Ｃｒ（クロム）等といった金属によって、互いに隣接するサブ画素間を埋めるように形成することができる。このような遮光膜を信号線として用いる場合には、互いに隣接するサブ画素間において絶縁膜から信号線が露出した状態におかれる。
【００１８】
このような構成の電気光学装置においても、互いに隣接するサブ画素同士の間には段差が設けられることがあるので、その絶縁膜の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差との間の領域に凹凸パターンが無い平坦部を設ければ、絶縁膜に段差が形成される際、その段差が絶縁膜の表面に形成された凹凸パターンの形状に沿って過剰除去されることを防止できる。従って、絶縁膜によって覆われているべき部分の信号線が、段差から露出することがなくなる。その結果、絶縁膜と基板の間に設けられた信号線と、絶縁膜上に設けられた電極とが短絡することを防止できるので、電気光学装置の動作を常に安定させることができる。
【００１９】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記サブ画素領域は、反射光によって表示を行う反射表示領域と、透過光によって表示を行う透過表示領域とを備え、前記凹凸パターンは反射表示領域において光を散乱させるための光散乱パターンであることが望ましい。この電気光学装置は、いわゆる半透過反射型の電気光学装置である。この電気光学装置では、反射表示領域に絶縁層を設け、透過表示領域に絶縁膜を設けないことにより、絶縁膜の上に配置される電気光学物質層（例えば、液晶層）の層厚を異ならせる構造、いわゆるマルチギャップ構造が採用されることがある。このマルチギャップ構造においては、反射表示領域と透過表示領域との境界に段差が形成される。
【００２０】
このように反射表示領域と透過表示領域との間に段差が形成された構造の電気光学装置では、反射表示領域と透過表示領域とにわたって設けられる画素電極が段差を通過することになる。従って、反射表示領域と透過表示領域との境界に形成された段差が過剰除去されると、信号線が段差から露出して電極と接触することがある。このような電気光学装置に関しても、絶縁膜の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差との間の領域に凹凸パターンが無い平坦部を設ければ、絶縁膜に段差が形成される際、その段差が絶縁膜の表面に形成された凹凸パターンの形状に沿って過剰除去されることを防止できる。従って、絶縁膜によって覆われているべき部分の信号線が、段差から絶縁膜の外側に露出することがなくなる。その結果、絶縁膜と基板の間に設けられた信号線と、絶縁膜上に設けられた電極とが短絡することを防止できるので、電気光学装置の動作を常に安定させることができる。
【００２１】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、絶縁膜の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差との間の領域に凹凸パターンが無い平坦部を設けることにより、絶縁膜と基板の間に設けられた信号線と、絶縁膜上に設けられた電極とが短絡することを防止できるので、電気光学装置の動作を常に安定させることができる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、その動作を常に安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置をその一実施形態を挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。
【００２３】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置の一実施形態を示している。図２は、図１のＺ１−Ｚ１線に従った側面断面図である。図３は、図１の液晶表示装置における１つの画素部分を拡大して示す図であって、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従ってサブ画素の短手側の断面構造を示している。図４は、図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を示している。
【００２４】
図１において、電気光学装置としての液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。液晶パネル２にはＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４が接続されている。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００２５】
液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６は図２に示すように素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６は図１に示すようにその一部に液晶注入口６ａを有し、この液晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての液晶が注入される。注入された液晶は図２に示すようにセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。図１の液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口６ａを通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。
【００２６】
図２において、セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００２７】
図１において、照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００２８】
素子基板７は、図２において、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｂで示す部分の拡大図である図４にも示すように、信号線としてのソース電極線１９が列方向Ｙ（すなわち、左右方向）に延びている。また、ゲート電極線２１が行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子３１がソース電極線１９及びゲート電極線２１に接続して形成されている。
【００２９】
また、図３（ａ）に示すように、複数の遮光膜１５ａが列方向Ｙ（すなわち、上下方向）に延びて、行方向Ｘ（すなわち、左右方向）に等間隔に並んで設けられている。これらの遮光膜１５ａは、例えば、Ｃｒ等といった遮光性を有した金属によって形成されている。
【００３０】
図４において、ＴＦＴ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１の上に、それらを覆う絶縁膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。この層間絶縁膜２２に関しては後に詳しく説明する。
【００３１】
また、光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００３２】
光反射膜２３及び画素電極２４は、図１に示すように、素子基板７上にドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、個々のＴＦＴ素子３１に接続されて各ソース電極線１９と各ゲート電極線２１とが交差する位置に設けられている。複数の画素電極２４は図示の通り個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向へマトリクス状に並ぶように形成される。図４の配向膜２６ａは図１において素子基板７の表面の略全域に形成される。そして、この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００３３】
図４において、層間絶縁膜２２には、光反射膜２３とＴＦＴ素子３１とを電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール２５が形成される。このコンタクトホール２５は、平面的に見てすなわち平面視で、ＴＦＴ素子３１の素子本体部分に重ならない位置であって、光反射膜２３と重なる位置に形成される。
【００３４】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子３１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子３１は、ゲート電極３２、ゲート絶縁膜３３、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層３４、ソース電極３５、そしてドレイン電極３６を有する。ドレイン電極３６は、その一端が半導体層３４に接続し、その他端が画素電極２４にコンタクトホール２５を介して接続する。ソース電極３５は図４の左右方向（列方向Ｙ）に延びるソース電極線１９の一部として形成されている。また、ゲート電極３２は、ソース電極線１９と直角の方向すなわち図４の紙面垂直方向（行方向Ｘ）に延びるゲート電極線２１から延びている。
【００３５】
本実施形態では、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＴ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶表示装置１において表示を見易くできる。
【００３６】
図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００３７】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図４にも示すように、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜１５ｂが形成され、着色膜４１及び遮光膜１５ｂの上にオーバーコート層４３が形成され、その上に共通電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００３８】
着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ（図４の紙面垂直方向）及び列方向Ｙ（図４の左右方向）にマトリクス状に配列されている。遮光膜１５ｂは、複数本が行方向Ｘに延びて設けられている。それらの遮光膜１５ｂは、互いに隣接する着色膜４１を区画するように列方向Ｙにストライプ状に並んで設けられている。これらの遮光膜１５ｂは、図３（ａ）に示すように、素子基板７上に設けられた遮光膜１５ａと平面的に見て直交している。これにより着色膜４１は、平面的に見て、遮光膜１５ａと遮光膜１５ｂとによって格子状に囲まれている。
【００３９】
着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。
【００４０】
なお、着色膜４１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜１５ｂは、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜１５ｂは、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ等といった遮光性の材料が考えられる。
【００４１】
着色膜４１及び遮光膜１５ｂの上に形成されたオーバーコート層４３は、着色膜４１及び遮光膜１５ｂの表面を平坦化するものであり、共通電極４４はこうして平坦化されたオーバーコート層４３の上に形成される。共通電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。共通電極４４は、図１に示すように、カラーフィルタ基板８上の一面に設けられている。図４において共通電極４４の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００４２】
図２において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２４とカラーフィルタ基板８上に設けられた共通電極４４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット部分で重なっている。このように重なり合った領域の個々が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより図１の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００４３】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図３（ａ）に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。
【００４４】
図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った断面図である図４において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｔは図３（ａ）に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域である。一方、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の残りの領域であって、領域Ｔをコ字状に囲む領域である。
【００４５】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図４において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒで反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図４の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００４６】
図３（ａ）において、素子基板７に形成された遮光膜１５ａ及びカラーフィルタ基板８に形成された遮光膜１５ｂは、鎖線で示すようにサブ画素Ｄの周囲を取り囲むように形成されている。これらの遮光膜１５ａ及び１５ｂは、サブ画素Ｄの周囲から光が漏れ出るのを防止して表示のコントラストを向上させる。
【００４７】
次に、図２において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４６を有している。この張出し部４６の表面には、配線４７がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４７は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４６の辺端には複数の外部接続用端子４８が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。図１に示したＦＰＣ基板４に形成される配線は、図２の外部接続用端子４８に導電接続する。
【００４８】
複数の配線４７は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４７の一部は、素子基板７上のソース電極線１９（図４参照）に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４７の他の一部は、シール材６に囲まれた領域内において素子基板７の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるように形成されている。これらの配線４７は、素子基板７上のゲート電極線２１（図４参照）に直接に繋がって走査線として機能する。
【００４９】
図２の張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５１を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５２が実装されている。駆動用ＩＣ５２は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５２は、ソース電極線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５２，５２は、ゲート電極線２１へ走査信号を伝送する。
【００５０】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００５１】
上記の反射型表示を行う場合、図４において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００５２】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の共通電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００５３】
以下、層間絶縁膜２２について詳しく説明する。図４において、層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には、例えばフォトリソグラフィ処理（すなわち、露光処理及び現像処理を含む処理）によって凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。
【００５４】
層間絶縁膜２２は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１２の層厚を調整するための層厚調整膜として機能する。具体的には、図４において、光反射膜２３が設けられる反射表示領域Ｒに所定の層厚を有する層間絶縁膜２２が設けられている。これにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１２の層厚ｔ０が薄く設定される。一方、光反射膜２３が設けられない透過表示領域Ｔには層間絶縁膜２２を設けていない。これにより、透過表示領域Ｔに対応する液晶層１２の層厚ｔ１が反射領域Ｒ内の層厚ｔ０に比べて厚く、すなわちｔ１＞ｔ０に設定される。層間絶縁膜２２のパターニングは、例えば凹凸パターンの形成と同時にフォトリソグラフィ処理によって行われる。
【００５５】
反射型表示が行われる際、反射光Ｌ０は液晶層１２を往復で２回通過する。これに対し、透過表示が行われる際、透過光Ｌ１は液晶層１２を１回だけ通過する。従って、液晶層１２がｔ１＝ｔ０に設定されていると、反射型表示と透過型表示との間で表示の濃さが不均一になるおそれがある。これに対し、本実施形態のようにｔ１＞ｔ０に設定すれば、反射光Ｌ０と透過光Ｌ１との間で液晶層１２を通過する光路の長さを等しく又は近づけることができ、それ故、反射型表示と透過型表示との間で濃さが均一な表示を行うことができる。
【００５６】
図３（ａ）において、層間絶縁膜２２は、サブ画素Ｄごとに設けられ、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間には設けられていない。そのため、この層間絶縁膜２２が設けられた部分と設けられていない部分との境界には、図３（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの平面に対して略垂直（すなわち、層間絶縁膜２２の厚み方向）に立った形状の段差Ｓ（Ｓ１）が形成されている。
【００５７】
図５（ａ）は、図３（ａ）において矢印Ｐ０で示す部分、すなわち段差Ｓ（Ｓ１）の近傍を拡大して示している。また、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った断面構造を示している。図５（ａ）において、層間絶縁膜２２の表面には、先に説明したように、反射表示領域Ｒにおいて反射する光を散乱するための凹凸パターンが形成されているのであるが、この層間絶縁膜２２の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差Ｓ（Ｓ１）との間の領域には、凹凸パターンが形成されない領域である平坦部Ｆが図の左右方向へ帯状に設けられている。この平坦部Ｆは、例えば凹凸パターンの形成と同時にフォトリソグラフィ処理によって形成される。
【００５８】
このように平坦部Ｆを設けたことにより、層間絶縁膜２２に段差Ｓ（Ｓ１）がフォトリソグラフィ処理等によって形成される際、その段差Ｓ（Ｓ１）が層間絶縁膜２２の表面に形成される凹凸パターンの形状に沿ってオーバー現像、すなわち過剰除去されることを防止できる。従って、層間絶縁膜２２によって覆われているべき部分の信号線１９が、段差Ｓ（Ｓ１）から露出することがなくなる。その結果、層間絶縁膜２２と基板７ａとの間に設けられたソース電極線１９と層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４とが短絡することを防止できるので、液晶表示装置１の動作を常に安定させることができる。
【００５９】
次に、以上に説明した層間絶縁膜２２と、その層間絶縁膜２２に設けられる凹凸パターン、平坦部Ｆ及び段差Ｓ（Ｓ１）を形成するための方法を説明する。この方法としては種々のものが考えられるが、本実施形態では、（１）図６において、光透過率が異なる複数の領域を有した露光マスク、いわゆるハーフトーンマスクを用いて１度の露光工程で形成する場合と、（２）図７及び図８において、異なる遮光パターンを有した２つの露光マスクを用いて２度の露光工程で形成する場合とを説明する。
【００６０】
まず、上記（１）のハーフトーンマスクを用いる方法を説明する。図６（ａ）は、基板７ａ上にソース電極線１９が形成された状態を示している。この基板７ａ上には、実際には図４のＴＦＴ素子３１及びゲート電極線２１も形成されているのであるが、段差Ｓ（Ｓ１）及び平坦部Ｆを中心に説明するため、ここではそれらの図示を省略する。まず、図６（ａ）の基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図６（ｂ）に示すように、基板７ａの上にソース電極線１９を覆うように、層間絶縁膜２２の材料、例えばポジ型レジストである感光性樹脂２２’をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。
【００６１】
次に、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂２２’内の溶媒を除去する。次に、図６（ｃ）に示すように、素子基板７ａを露光装置の所定位置に設置し、さらに、ハーフトーンマスク、すなわちハーフトーン型の多階調露光マスク５６Ａを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。ハーフトーンマスク５６Ａは、光透過性がそれぞれ異なる３つの領域を有するハーフトーンマスクであり、より具体的には、完全光透過領域Ａ０、部分光透過領域Ａ１、及び完全遮光領域Ａ２を有するハーフトーンマスクである。
【００６２】
本実施形態では、層間絶縁膜２２に形成するパターンの違いに応じて露光量を異ならせている。具体的には、
（１）凹凸パターンのうちの凸部を形成すべき部分に完全遮光領域Ａ２を合わせ、
（２）凹凸パターンのうちの凹部及び平坦部Ｆを形成すべき部分に部分光透過領域Ａ１を合わせ、さらに、
（３）段差Ｓを壁とする貫通開口部を形成すべき部分に完全光透過領域Ａ０を合わせる。この開口部は、サブ画素Ｄ間の領域であったり、光透過領域であったりする。
【００６３】
凸部に対応する完全遮光領域Ａ２の光透過率をＴ２とし、凹部及び平坦部Ｆに対応する部分光透過領域Ａ１の光透過率をＴ１とし、段差Ｓに対応する完全光透過領域Ａ０の光透過率をＴ０とするとき、本実施形態では、
Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔ０
に設定する。また、
Ｔ２＝０％、  Ｔ０＝１００％
に設定する。
【００６４】
このように光透過率に変化を持たせることは、例えば、光透過率の異なる材料を領域ごとに設けることによって実現できる。例えば、完全光透過領域Ａ０はマスク基板上に遮光材料を何も載せないことによって実現できる。また、部分光透過領域Ａ１は、光を減衰して透過させる材料、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ又はＭｏＳｉ２）をマスク基板上に載せることによって実現できる。光透過率をいくつに設定するかは、マスク基板上に載せる膜の膜厚によって決めることができる。また、完全遮光領域Ａ２は、光を完全に透過させない材料、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯＸ（酸化クロム）の２層構造を有する積層クロムをマスク基板上に載せることによって実現できる。
【００６５】
以上の構成を有するハーフトーンマスク５６Ａを通して感光性樹脂２２’へ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。具体的には、光透過率Ｔ２＝０％（領域Ａ２）で露光された部分は露光量が少ないので凹凸パターンの凸部に対応する露光像が形成される。また、中間の光透過率Ｔ１（領域Ａ１）で露光された部分は露光量が比較的少ないので凹凸パターンの凹部、及び平坦部Ｆに対応する露光像が形成される。
【００６６】
また、光透過率Ｔ０＝１００％（領域Ａ０）で露光された部分は露光量が多いので、感光性樹脂２２’の膜を貫通する露光像が形成される。以上により、感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンに対応する露光像と平坦部Ｆの露光像が形成され、さらにその段差Ｓ（Ｓ１）に対応する露光像が形成され、それらの露光像よりも上の部分が可溶化する。
【００６７】
次に、図６（ｃ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図６（ｃ）において可溶化した部分の感光性樹脂２２’が除去されて、図６（ｄ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンと平坦部Ｆとを有し、基板７ａの平面に対して略垂直に立った形状の段差Ｓ（Ｓ１）を有する層間絶縁膜２２が形成される。
【００６８】
なお、層間絶縁膜２２の材料である感光性樹脂２２’はその性質上、未反応の感光性基に由来する黄色の光を多く通過させる傾向にある。そこで、望ましくは、図６（ｄ）の層間絶縁膜２２に適宜の光量の紫外線を照射し光反応を完結する処理、いわゆるブリーチ露光を行う。これにより、層間絶縁膜２２の黄色化を抑制し、透過率を向上させる。次に、図６（ｄ）の基板７ａ及び層間絶縁膜２２を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、層間絶縁膜２２の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、表面に凹凸パターンと平坦部Ｆを有し、段差Ｓ（Ｓ１）を有する層間絶縁膜２２が完成する。
【００６９】
次に、２度の露光工程で層間絶縁膜２２を形成する方法を説明する。なお、ハーフトーンマスク５６Ａを用いる方法と異なる点を中心として説明するものとし、共通する構成については説明を省略する。
【００７０】
まず、図７（ａ）の基板７ａ、すなわちソース電極線１９が形成されている基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図７（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの上にソース電極線１９を覆うように、層間絶縁膜２２の材料、例えばポジ型レジストである感光性樹脂２２’をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂２２’内の溶媒を除去する。
【００７１】
次に、反射表示領域Ｒ（図４参照）に対応する領域の感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンの露光像、及び平坦部Ｆ（図４（ｂ）参照）の露光像を形成するための１次露光処理を実行する。具体的には、図７（ｃ）に示すように、素子基板７ａを露光装置、例えばステッパの所定位置に設置し、さらに、露光マスク５６Ｂを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５６Ｂは、完全光透過領域と完全遮光領域の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。
【００７２】
１次露光処理では、露光マスク５６Ｂを通して露光量Ｅ１の露光光Ｌ３で感光性樹脂２２’を露光する。この露光により、破線で示す露光像（すなわち、凹凸パターンの露光像及び平坦部Ｆの露光像）よりも上の部分の樹脂部分が可溶化する。
【００７３】
次に、段差Ｓ（Ｓ１）を壁とする貫通開口部の露光像を形成するための２次露光処理を実行する。具体的には、図８（ｄ）に示すように、素子基板７ａを露光装置の所定位置に設置し、さらに露光マスク５６Ｃを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５６Ｃは、完全光透過領域と完全遮光領域の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。２次露光処理では、露光マスク５６Ｃを通して露光量Ｅ２の露光光Ｌ４で感光性樹脂２２’を露光する。この露光により、破線で示す段差Ｓ（Ｓ１）よりも図の右側の部分が可溶化される。また、一次露光と二次露光の順序を入れ替えても差し支えない。
【００７４】
次に、現像処理を行う。具体的には、図８（ｄ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図７（ｃ）及び図８（ｄ）において可溶化した部分の感光性樹脂２２’が除去されて、図８（ｅ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターン及び平坦部Ｆを有し、さらにサブ画素Ｄの周辺領域が除去されて基板７ａの平面に対して略垂直に立った形状の段差Ｓ（Ｓ１）を有した層間絶縁膜２２が形成される。
【００７５】
次に、図８（ｅ）の層間絶縁膜２２に適宜の光量の紫外線を照射することによって、いわゆるブリーチ露光を行って、層間絶縁膜２２の黄ばみを除去する。そして次に、図８（ｅ）の基板７ａ及び層間絶縁膜２２を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、層間絶縁膜２２の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、表面に凹凸パターンと平坦部Ｆを有し、端部に段差Ｓ（Ｓ１）を有する層間絶縁膜２２が完成する。
【００７６】
平坦部Ｆは、図５（ｂ）に示すように、基板７ａの平面から平坦部Ｆの表面までの高さＨ２と、基板７ａの平面から凹凸パターンの凸部の頂点までの高さＨ１とが、Ｈ１＞Ｈ２の関係になるように形成されている。このような関係に形成するのは次の理由によるものである。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２であるとすると、平坦部Ｆは層間絶縁膜２２の表面から突出した形状となり、このような形状の層間絶縁膜２２上に画素電極２４を設けた場合には、平坦部Ｆと凹凸パターンの境界において画素電極２４が急激に曲る形状となるので、その境界において画素電極２４が断線するおそれがある。これに対して、基板７ａの平面から平坦部Ｆまでの高さＨ２と基板７ａの平面から凹凸パターンの凸部の頂点までの高さＨ１との関係がＨ１＞Ｈ２であれば、絶縁膜は、凸部の頂点から平坦部、段差、基板の各表面へと段階的に低くなるように形成される。こうなれば、画素電極２４が平坦部Ｆにおいて急激に曲がることがなくなるので、その部分において画素電極２４が断線することを防止できるからである。
【００７７】
ところで、図１３に示す平坦部Ｆを有していない従来の液晶表示装置を考えれば、図６（ｄ）又は図８（ｅ）において、感光性樹脂２２’をフォトリソグラフィ処理等によって除去して層間絶縁膜２２、従って段差Ｓ（Ｓ１）を形成する際、段差Ｓ（Ｓ１）における層間絶縁膜２２が所期の形状に対して過剰除去されることがある。このように過剰除去された場合には、層間絶縁膜２２上に画素電極を形成する際、過剰除去された部分の段差Ｓ（Ｓ１）の上にもその画素電極が形成されてしまう。こうなると、画素電極と層間絶縁膜２２の下に設けられたソース電極線１９とが段差Ｓ（Ｓ１）において直接に接触して、両者が短絡するおそれがあった。
【００７８】
これに対し、本実施形態の液晶表示装置１は、図５に示すように、層間絶縁膜２２の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差Ｓ（Ｓ１）との間に凹凸パターンが無い平坦部Ｆを設けた。これにより、層間絶縁膜２２に段差Ｓ（Ｓ１）が形成される際、段差Ｓ（Ｓ１）が層間絶縁膜２２の表面に形成された凹凸パターンの形状に沿って過剰除去されることを防止できる。従って、層間絶縁膜２２によって覆われているべき部分の信号線１９が、段差Ｓ（Ｓ１）から露出することがなくなる。その結果、層間絶縁膜２２と基板７ａとの間に設けられたソース電極線１９と層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４とが短絡することを防止できるので、液晶表示装置１の動作を常に安定させることができる。
【００７９】
（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を説明する。本実施形態においても、先の第１実施形態と同じく図１の液晶表示装置１に関して本発明を実施するものとする。先の第１実施形態では、図３（ａ）において、段差Ｓ（Ｓ１）は互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間に形成されていた。そして、矢印Ｐ０で示す位置には、図５に示すように、層間絶縁膜２２の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差Ｓ（Ｓ１）との間の領域に平坦部Ｆを設けた。これに対し本実施形態では、図３（ａ）において矢印Ｐ１で示す部分、すなわち反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界に段差Ｓ（Ｓ２）が形成され、そして、層間絶縁膜２２の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差Ｓ（Ｓ２）の間の領域に平坦部Ｆを設けるようにした。なお、層間絶縁膜２２、凹凸パターン、平坦部Ｆ、段差Ｓ（Ｓ２）を形成する方法としては、先の実施形態で図６〜図８を用いて説明した方法を用いることができるので、その説明は省略する。
【００８０】
図９（ａ）は、図３（ａ）において矢印Ｐ１で示す部分、すなわち段差Ｓ（Ｓ２）近傍を拡大して示している。また、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従った断面構造を示している。図９（ａ）において、層間絶縁膜２２の表面には、先に説明したように、反射表示領域Ｒにおいて反射する光を拡散するための凹凸パターンが形成されているのであるが、この層間絶縁膜２２の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差Ｓ（Ｓ２）の間の領域には、凹凸パターンが形成されない領域である平坦部Ｆが図９（ａ）の上下方向へ帯状に設けられている。
【００８１】
また本実施形態では、図９（ａ）に示すように、信号線であるソース電極線１９は、段差Ｓ（Ｓ２）と平行（すなわち、列方向Ｙ）に延びている。そしてソース電極線１９は、少なくとも、図３（ａ）において矢印Ｐ１で示す領域、すなわち段差Ｓ（Ｓ２）が形成された範囲において層間絶縁膜２２に覆われている。
【００８２】
本実施形態において平坦部Ｆは、図９（ｂ）に示すように、基板７ａの平面から平坦部Ｆの表面までの高さＨ２と、基板７ａの平面から凹凸パターンの凸部の頂点までの高さＨ１とが、Ｈ１＞Ｈ２の関係になるように形成されている。こうすれば、図５（ｂ）に示す実施形態と同じく、図９（ｂ）の画素電極２４が平坦部Ｆと凹凸パターンの境界において急激に曲がることがなくなるので、その部分において画素電極２４が断線することを防止できる。
【００８３】
また、平坦部Ｆは、図９（ｂ）に示すように、段差Ｓ（Ｓ２）から幅Ｗ０の範囲に設けられている。従来の液晶表示装置において凹凸パターンの最外縁が図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように段差Ｓ０に一致することを考えれば、図９（ａ）及び（ｂ）に示す本実施形態において平坦部Ｆは、層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンが設けられた領域から、層間絶縁膜２２が設けられていない領域（すなわち、透過表示領域Ｔ）へ向けて幅Ｗ０だけ突出した領域であると考えられる。従って、本実施形態の液晶表示装置では、従来の平坦部を設けていない液晶表示装置と比べれば、平坦部Ｆの幅Ｗ０だけ透過表示領域Ｔが狭くなると考えられる。また、平坦部Ｆで反射した光は散乱しないので、仮に、平坦部Ｆの幅Ｗ０を大きく設定した場合には、液晶表示装置の表示のコントラストが低下する等といった影響が考えられる。以上の２つの理由から、上記の平坦部Ｆの幅Ｗ０は、透過表示に影響を及ぼすことなく、且つ、表示のコントラストを低下させる等の障害を起こさない程度に小さく設定することが望ましい。具体的には、Ｗ０＝３μｍとすることが望ましい。
【００８４】
本実施形態においては、図９に示すように、段差Ｓ（Ｓ２）に隣接する層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンが無い平坦部Ｆを設けた。これにより、本実施形態においても、層間絶縁膜２２に段差Ｓ（Ｓ２）がフォトリソグラフィ処理等によって形成される際、その段差Ｓ（Ｓ２）が層間絶縁膜２２の表面に形成される凹凸パターンの形状に沿って過剰除去されることを防止できる。従って、層間絶縁膜２２によって覆われているべきソース電極線１９が、段差Ｓ（Ｓ２）から露出することを確実に防止できる。その結果、層間絶縁膜２２と基板７ａの間に設けられたソース電極線１９と、層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４とが短絡することを防止できるので、液晶表示装置１の動作を常に安定させることができる。
【００８５】
（電気光学装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態においても、第１実施形態及び第２実施形態と同じく、図１の液晶表示装置１に関して本発明を実施するものとする。第１実施形態では、図３（ａ）に矢印Ｐ０で示すように、列方向Ｙに関して互いに隣り合うサブ画素Ｄ同士の間に存在する段差Ｓ（Ｓ１）に着目して絶縁膜２２の縁部に平坦部Ｆ（図５（ａ）参照）を設けた。また、第２実施形態では、図３（ａ）に矢印Ｐ１で示すように、サブ画素Ｄの内部領域であって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部分に着目して絶縁膜２２の縁部に平坦部Ｆ（図９（ａ）参照）を設けた。これらに対し、本実施形態では、図３（ａ）に矢印Ｐ２で示すように、行方向Ｘに関して互いに隣り合うサブ画素Ｄ同士の間に存在する段差Ｓ（Ｓ３）に着目して絶縁膜２２の縁部に平坦部Ｆを設けるものである。なお、層間絶縁膜２２、凹凸パターン、平坦部Ｆ、段差Ｓ（Ｓ３）を形成する方法としては、先の実施形態で図６〜図８を用いて説明した方法を用いることができるので、その説明は省略する。
【００８６】
図１０（ａ）は、図３（ａ）において矢印Ｐ２で示す部分、すなわち段差Ｓ（Ｓ３）近傍を拡大して示している。また、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＺ６−Ｚ６線に従った断面構造を示している。図１０（ａ）において、層間絶縁膜２２の表面には、先に説明したように、反射表示領域Ｒにおいて反射する光を拡散するための凹凸パターンが形成されているのであるが、この層間絶縁膜２２の表面のうちの段差Ｓ（Ｓ３）に隣接する部分には、凹凸パターンが形成されない領域である平坦部Ｆが上下方向に帯状に設けられている。
【００８７】
本実施形態において平坦部Ｆは、図１０（ｂ）に示すように、基板７ａの平面から平坦部Ｆの表面までの高さＨ２と、基板７ａの平面から凹凸パターンの凸部の頂点までの高さＨ１とが、Ｈ１＞Ｈ２の関係になるように形成されている。こうすれば、図５（ｂ）に示す実施形態と同じく、図１０（ｂ）の画素電極２４が平坦部Ｆと凹凸パターンの境界において急激に曲がることがなくなるので、その部分において画素電極２４が断線することを防止できる。
【００８８】
遮光膜１５ａは、図３（ｂ）に示すように、行方向Ｘに関して互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間に設けられている。また、図３（ａ）に示すように、遮光膜１５ａの幅Ｗ２は、互いに隣接するサブ画素Ｄの間の幅Ｗ３より大きく形成されており、この遮光膜１５ａの両側端部は、互いに隣接サブ画素Ｄに平面的に重なっている。この遮光膜１５ａは、先の実施形態で説明したように、例えば、Ｃｒ等といった金属によって形成される。このようにＣｒで形成された遮光膜１５ａは導電性を有している。本実施形態において、導電性を有する遮光膜１５ａは、信号線として用いることができる。例えば、列方向Ｙに延びる配線１９の代わりにソース電極線として用いることができる。このような場合に、段差Ｓ（Ｓ３）がフォトリソグラフィ処理の際に過剰に除去されると、サブ画素Ｄに平面的に重なっている部分の遮光膜１５ａが段差Ｓ（Ｓ３）の外側へ露出して、画素電極２４とソース電極線１９とが短絡するおそれがある。
【００８９】
本実施形態においては、図１０に示すように、段差Ｓ（Ｓ３）に隣接する層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンが無い平坦部Ｆを設けた。これにより、本実施形態においても、層間絶縁膜２２をフォトリソグラフィ処理によって形成する際に段差Ｓ（Ｓ３）が形成されるとき、段差Ｓ（Ｓ３）が層間絶縁膜２２の表面に形成される凹凸パターンの形状に沿って過剰に除去されることを防止できる。従って、層間絶縁膜２２によって覆われているべき部分の遮光膜１５ａが、段差Ｓ（Ｓ３）から露出することがなくなる。その結果、層間絶縁膜２２と基板７ａの間に設けられた遮光膜１５ａと、層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４とが短絡することを防止できるので、液晶表示装置１の動作を常に安定させることができる。
【００９０】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、以上に説明した実施形態では、スイッチング素子として３端子型素子であるアモルファスシリコンＴＦＴを用いたが、その他の３端子型素子、例えば低温ポリシリコンＴＦＴ、高温ポリシリコンＴＦＴを用いることもできる。また、スイッチング素子として２端子型素子を用いることもできる。この２端子型素子としては、例えば、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いることができる。
【００９１】
また、以上に説明した実施形態では、絶縁膜の材料としてポジ型の感光性樹脂を用いたが、これに代えて、ネガ型の（すなわち、光を受けた部分が固化する性質を有する）感光性樹脂を用いることができる。また、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置を製造する場合にも用いることができる。
【００９２】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００９３】
図１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１００とを有する。制御回路１００は、表示情報出力源１０４、表示情報処理回路１０５、電源回路１０６及びタイミングジェネレータ１０７によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０２及び駆動回路１０３を有する。
【００９４】
表示情報出力源１０４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０５に供給する。
【００９５】
次に、表示情報処理回路１０５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０３へ供給する。ここで、駆動回路１０３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【００９６】
液晶表示装置１０１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１においては、図５（ｂ），図９（ｂ），図１０（ｂ）に示すように、層間絶縁膜２２の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差Ｓの間の領域に凹凸パターンが無い平坦部Ｆを設けることにより、層間絶縁膜２２と基板７ａの間に設けられたソース電極線１９等と、層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４とが短絡することを防止できるので、液晶表示装置１の動作を常に安定させることができる。従って、この液晶表示装置１を用いた電子機器においても、その動作を常に安定させることができる。
【００９７】
図１２は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【００９８】
表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【００９９】
表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１においては、図５（ｂ），図９（ｂ），図１０（ｂ）に示すように、層間絶縁膜２２の表面であって凹凸パターンが設けられた領域と段差Ｓの間の領域に凹凸パターンが無い平坦部Ｆを設けることにより、層間絶縁膜２２と基板７ａの間に設けられたソース電極線１９等と、層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４とが短絡することを防止できるので、液晶表示装置１の動作を常に安定させることができる。従って、この液晶表示装置１を用いた電子機器においても、その動作を常に安定させることができる。
【０１００】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【０１０１】
（比較例１）
図９（ｂ）の素子基板７において、平坦部Ｆを設けずに、段差Ｓ（Ｓ２）からソース電極線１９の端部までの距離Ｗ１を３μｍとして設計を行い、図６〜図８に示す方法に従って層間絶縁膜２２の試作を行った。
【０１０２】
その結果、層間絶縁膜２２の段差Ｓ（Ｓ２）が、層間絶縁膜２２の表面に形成される凹凸パターンの形状に沿って過剰に除去され、ソース電極線１９が段差Ｓ（Ｓ２）の外側に露出した。そして、層間絶縁膜２２上に光反射膜２３及び画素電極２４を設けたところ、画素電極２４とソース電極線１９とが段差Ｓ（Ｓ２）において短絡した。その結果、この構成の素子基板７を用いて形成した図１の液晶表示装置１は安定した動作を行うことができなかった。
【実施例１】
【０１０３】
図９（ｂ）の素子基板７において、平坦部Ｆの幅Ｗ０を３μｍとし、段差Ｓ（Ｓ２）と反対側の平坦部Ｆの端部からソース電極線１９の端部までの距離Ｗ１を３μｍとして設計を行い、図６〜図８に示す方法に従って層間絶縁膜２２の試作を行った。
【０１０４】
その結果、層間絶縁膜２２を設計通りの寸法に形成することができた。また、ソース電極線１９は、基板７ａ上において層間絶縁膜２２に覆われて、段差Ｓ（Ｓ２）の外側に露出することはなかった。そして、層間絶縁膜２２上に光反射膜２３及び画素電極２４を設けたところ、画素電極２４とソース電極線１９とが短絡することはなかった。その結果、この構成の素子基板７を用いて形成した図１の液晶表示装置１は安定した正常な動作を行うことができた。なお、透過光を利用した透過型表示を行った場合においても液晶表示装置１の表示に異常はなく、また、表示のコントラストが低下する等の障害も発生しなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示すの斜視図である。
【図２】図１のＺ１−Ｚ１線に従った断面図である。
【図３】図２の液晶表示装置の１つの画素部分を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従った行部分の断面図である。
【図４】図２の矢印Ｂで示す部分を拡大して示す図、従って図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った列部分の断面図である。
【図５】図３（ａ）の矢印Ｐ０で示す部分を拡大して示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った断面図である。
【図６】図５（ｂ）の層間絶縁膜の製造方法の一例を説明するための図である。
【図７】図５（ｂ）の層間絶縁膜の製造方法の他の例を説明するための図である。
【図８】図７に引続く層間絶縁膜の構造変遷図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の主要部を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従った断面図である。
【図１０】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の主要部を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ６−Ｚ６線に従った断面図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【図１３】従来の電気光学装置における絶縁膜の段差の一例を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ０−Ｚ０線に従った断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル（電気光学パネル）、  
３．照明装置、  ４．ＦＰＣ基板、  ６．シール材、  ７．素子基板、
７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、  ８ａ．第２透光性基板、
１２．液晶層（電気光学物質の層）、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、  
１５ａ，１５ｂ．遮光膜、  １６．光反射層、  １７．光拡散層、  
１８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．ソース電極線（信号線）、  ２１．ゲート電極線、
２２．層間絶縁膜（絶縁膜）、  ２３．光反射膜、  ２４．画素電極、  
２５．コンタクトホール、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ３１．ＴＦＴ素子、  
３２．ゲート電極、  ３３．ゲート絶縁膜、  ３４．半導体層、  ３５．ソース電極、
３６．ドレイン電極、  ４１．着色膜、  ４３．オーバーコート層、  ４４．共通電極、
４６．張出し部、  ４７．配線、  ４８．外部接続用端子、  ５１．ＡＣＦ、  
５２．駆動用ＩＣ、５６Ａ．ハーフトーンマスク、  ５６Ｂ，５６Ｃ．露光マスク、  
Ｄ．サブ画素、  Ｆ．平坦部、  Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０，Ｌ１．光、  
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４．露光光、  Ｒ．反射表示領域、  
Ｓ，Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３．段差、  Ｔ．透過表示領域、  Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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