(57)【要約】【課題】１画素領域のサイズを大きくすることなく、多くの発光電流を流すことのできるアクティブマトリックス型表示装置を提供する。【解決手段】マトリクス状に配設された複数の画素部ＰＸと、画素部の列毎に接続された複数の映像信号線Ｘと、それぞれ画素部の行毎に接続された複数の第１制御信号線ＳＧおよび第２制御信号線ＢＧとを備え、各画素部は、低電位電源線と高電位電源線との間に接続される表示素子ＥＬと、高電位電源線と表示素子との間に接続され表示素子に供給される電流量を制御する駆動トランジスタＤＲＴと、駆動トランジスタのドレインと表示素子との間に接続される出力スイッチＢＣＴと、駆動トランジスタのゲート、ソース間に接続される保持容量Ｃｓとを有し、駆動トランジスタのチャネル幅方向の端部におけるチャネル長Ｌ２が、チャネル幅方向の中央部におけるチャネル長Ｌ１より長いアクティブマトリクス型表示装置である。【選択図】    図３
2007316513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部と、
前記画素部の列毎に接続された複数の映像信号線と、
それぞれ前記画素部の行毎に接続された複数の第１制御信号線および第２制御信号線と、を備え、
各画素部は、低電位の第１電圧電源線と高電位の第２電圧電源線との間に接続され、供給電流に応じて発光する表示素子と、前記第２電圧電源線と前記表示素子との間に接続されゲート制御電圧に応じて前記表示素子に供給される電流量を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインと前記表示素子との間に接続されているとともに、前記第１制御信号線からの制御信号によりオン、オフ制御される出力スイッチと、前記駆動トランジスタのゲート、ソース間に接続される保持容量と、を有し、
前記駆動トランジスタのチャネル幅方向の端部におけるチャネル長が、チャネル幅方向の中央部におけるチャネル長より長いことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
各画素部は、トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタのドレインと前記映像信号線との間に接続されているとともに、前記第２制御信号線からの制御信号によりオン、オフ制御され前記映像信号線からの映像信号を前記画素部に取り込む画素スイッチと、前記駆動トランジスタのゲート、ドレイン間に接続されているとともに、前記第２制御信号線からの制御信号によりオン、オフ制御されるスイッチとを更に有することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
それぞれ前記画素部の行毎に接続された複数の第３制御信号線を備え、
各画素部は、一方の電極が前記駆動トランジスタのゲートに接続された書込容量と、トランジスタにより形成され前記書込容量の他方の電極と前記映像信号線との間に接続されているとともに、前記第２制御信号線からの制御信号によりオン、オフ制御され前記映像信号線からの映像信号を前記画素部に取り込む画素スイッチと、前記駆動トランジスタのゲート、ドレイン間に接続されているとともに、前記第３制御信号線からの制御信号によりオン、オフ制御されるスイッチとを更に有することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する）素子のような表示素子を含む表示画素をマトリクス状に配列して表示画面を構成したアクティブマトリクス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、情報携帯端末あるいはテレビジョン等の表示装置として、平面型のアクティブマトリクス型表示装置が広く利用されている。近年、このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、有機ＥＬ素子のような自己発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。この有機ＥＬ表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適し、さらに低温で輝度低下しないために寒冷地でも使用できるという特徴を備えている。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ表示装置は、複数行、複数列に並んで設けられ表示画面を構成した複数の表示画素、表示画素の各行に沿って延びた複数の走査線、表示画素の各列に沿って延びた複数の信号線、各走査線を駆動する走査線駆動回路、各信号線を駆動する信号線駆動回路等を備えている。各表示画素は自己発光素子である有機ＥＬ素子、およびこの有機ＥＬ素子に駆動電流を供給する画素回路により構成されている。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示されているように、各画素回路は、有機ＥＬ素子に流れる電流のオン、オフ制御を行う出力スイッチ、有機ＥＬ素子に流す電流量を映像信号に基づいて制御する駆動トランジスタ、駆動トランジスタのゲート制御電圧を保持する保持容量、映像信号電流を画素回路に取り込む画素スイッチ、および、映像信号書き込み時に駆動トランジスタのゲートとドレインとを短絡させるスイッチを備えている。これらのスイッチおよび駆動トランジスタは、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）により構成されている。
【０００５】
映像信号電流の書き込み時、画素回路制御用の制御信号線電位をオンレベルに設定し、画素スイッチおよびスイッチをオンさせるとともに、ＥＬ発光制御用の制御信号線電位をオフレベルに設定し出力スイッチをオフさせる。これにより、映像信号電流が駆動トランジスタを流れる状態となり、駆動トランジスタのゲート電位は映像信号電流の電流量に応じた電位に設定される。その後、画素スイッチおよびスイッチをオフ状態とし、画素回路を映像信号配線と切り離す。この映像信号はゲート制御電圧として保持容量に書き込まれ所定期間保持される。続いて、出力スイッチをオン状態にすることで映像信号に応じた電流が駆動トランジスタおよび出力スイッチを経由して有機ＥＬ素子に供給され、有機ＥＬ素子を所望の輝度レベルで発光させる。
【特許文献１】特開２００３−２８０５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような画素回路においては、１画素領域のサイズを大きくすることなく、なるべく多くの発光電流を流せることが望ましい。  
有機ＥＬ素子に流れる電流が、駆動トランジスタ、出力スイッチ及び有機ＥＬ素子のそれぞれのＩＶ（電流−電圧）特性によって決定されることを考えると、駆動トランジスタのＩＶ特性を変更することで発光電流を増加させることが可能である。  
しかしながら、駆動トランジスタのＩＶ特性を変更する際には、その変更に伴う不具合の発生を防止することが必要であるところ、これまで発光電流の増加を図りつつ不具合の発生を防止する技術は公開されていない。
【０００７】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、１画素領域のサイズを大きくすることなく、多くの発光電流を流すことのできるアクティブマトリックス型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置は、基板上にマトリクス状に配設された複数の画素部と、前記画素部の列毎に接続された複数の映像信号線と、それぞれ前記画素部の行毎に接続された複数の第１制御信号線および第２制御信号線と、を備え、各画素部は、低電位の第１電圧電源線と高電位の第２電圧電源線との間に接続され、供給電流に応じて発光する表示素子と、前記第２電圧電源線と前記表示素子との間に接続されゲート制御電圧に応じて前記表示素子に供給される電流量を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインと前記表示素子との間に接続されているとともに、前記第１制御信号線からの制御信号によりオン、オフ制御される出力スイッチと、前記駆動トランジスタのゲート、ソース間に接続される保持容量と、を有し、前記駆動トランジスタのチャネル幅方向の端部におけるチャネル長が、チャネル幅方向の中央部におけるチャネル長より長いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明のアクティブマトリクス型表示装置によれば、１画素領域のサイズを大きくすることなく、多くの発光電流を流すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置について詳細に説明する。  
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネル１０および有機ＥＬパネル１０を制御するコントローラ１２を備えている。
【００１１】
有機ＥＬパネル１０は、ガラス板等の光透過性絶縁基板８上にマトリクス状に配列され表示領域１１を構成したｍ×ｎ個の表示画素ＰＸ、表示画素の行毎に接続されている。それとともにそれぞれ独立してｎ本ずつ設けられた書込制御線ＳＧ（１〜ｎ）および発光制御線ＢＧ（１〜ｎ）と、表示画素の列毎にそれぞれ接続されたｍ本の信号線Ｘ（１〜ｍ）を有し、さらに書込制御線ＳＧ（１〜ｎ）および発光制御線ＢＧ（１〜ｎ）を表示画素の行毎に順次駆動する走査線駆動回路１４、および複数の信号線Ｘ（１〜ｍ）を駆動する信号線駆動回路１５を備えている。
【００１２】
図１に示すコントローラ１２は有機ＥＬパネル１０の外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、走査線駆動回路１４および信号線駆動回路１５を制御する。コントローラ１２は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、および水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生し、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ走査線駆動回路１４および信号線駆動回路１５に供給すると共に、水平および垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を信号線駆動回路１５に供給する。
【００１３】
信号線駆動回路１５は水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号Ｄａｔａ１〜Ｄａｔａｍをアナログ形式に変換し電流信号として複数の信号線Ｘ（１〜ｍ）に並列的に供給する。走査線駆動回路１４は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される水平走査スタートパルスを順次次段に転送し、出力バッファを介して各行の表示画素ＰＸに２種類の制御信号、すなわち、制御信号Ｓａ、制御信号Ｓｂを供給する。これにより、各書込制御線ＳＧ（１〜ｎ）、発光制御線ＢＧ（１〜ｎ）には、それぞれ制御信号Ｓａ、制御信号Ｓｂが供給され、ＳＳＴ、ＴＣＴおよびＢＣＴが駆動される。
【００１４】
一方、各表示画素ＰＸは、表示素子として、自己発光素子である有機ＥＬ素子１６、およびこの有機ＥＬ素子に駆動電流を供給する画素回路１８を有している。  
図２に表示画素ＰＸの等価回路を示す。画素回路１８は電流信号からなる映像信号に応じて有機ＥＬ素子１６の発光を制御する電流信号方式の画素回路であり、薄膜トランジスタＳＳＴ（以下、ＳＳＴと称す）、薄膜トランジスタＤＲＴ（以下、ＤＲＴと称す）、薄膜トランジスタＴＣＴ（以下、ＴＣＴと称す）、薄膜トランジスタＢＣＴ（以下、ＢＣＴと称す）、および保持容量Ｃｓを備えている。  
ＳＳＴ、ＤＲＴ、ＴＣＴ、ＢＣＴは、同一導電型、例えばＰチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。
【００１５】
ＤＲＴ、ＢＣＴ、および有機ＥＬ素子１６は、高電位電源線Ｖｄｄと低電位電源線Ｖｓｓとの間で直列に接続されている。ＤＲＴのソースは高電位電源線Ｖｄｄに接続されている。有機ＥＬ素子１６は、一方の電極、ここでは陰極が低電位電源線Ｖｓｓに接続されている。ＢＣＴは、ソースがＤＲＴのドレインに、ドレインが有機ＥＬ素子１６の陽極にそれぞれ接続され、更に、ゲートが発光制御線ＢＧに接続されている。高電位電源線Ｖｄｄと低電位電源線Ｖｓｓは、例えば＋５Ｖおよび−５．５Ｖの電位にそれぞれ設定される。
【００１６】
ＤＲＴは、映像信号に応じた信号電流を有機ＥＬ素子１６に出力する。ＢＣＴは、発光制御線ＢＧからの制御信号によりオン（導通状態）、オフ（非導通状態）制御され、ＤＲＴと有機ＥＬ素子１６との接続、非接続を制御する。
【００１７】
保持容量Ｃｓは、ＤＲＴのソース、ゲート間に接続され、映像信号により決定されるＤＲＴのゲート制御電位を保持する。保持容量Ｃｓは互いに平行に対向した一対の平板状の電極を有し、ここでは、ＤＲＴのゲート電極膜と、ポリシリコン層とにより平行平板容量として形成されている。
【００１８】
ＳＳＴは、対応する信号線ＸとＤＲＴのドレインとの間に接続され、そのゲートは書込制御線ＳＧに接続されている。ＳＳＴは、書込制御線ＳＧから供給される制御信号に応答してオン（導通状態）、オフ（非導通状態）制御され、対応信号線Ｘから映像信号を取り込む。
【００１９】
ＴＣＴは、ＤＲＴのドレイン、ゲート間に接続され、そのゲートが書込制御線ＳＧに接続されている。ＴＣＴは、書込制御線ＳＧからの制御信号に応じてオン（導通状態）、オフ（非導通状態）制御され、ＤＲＴのゲート、ドレイン間の接続、非接続を制御する。
【００２０】
本実施形態において、画素回路１８を構成する薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。全て同一の導電型の薄膜トランジスタで構成することにより、製造工数の増大を抑制することができる。
【００２１】
次に、図２を参照しつつ、画素回路の動作について説明する。  
映像信号電流の書込時においては、走査線駆動回路１４は、発光制御線ＢＧにオフ電位を設定してＢＣＴを非導通状態とし、書込制御線ＳＧにオン電位を設定してＳＳＴとＴＣＴを導通状態とする。そして信号線駆動回路１５が、映像信号線Ｘより映像信号電流を流し、ＤＲＴのゲートソース間電圧を保持可能な保持容量Ｃｓに書き込む。これによって、ＤＲＴのゲート電位はこの電流量に応じた電位に設定される。  
映像表示時においては、走査線駆動回路１４は、書込制御線ＳＧにオフ電位を設定してＳＳＴとＴＣＴを非導通状態とすることによって、画素回路１８と映像信号線Ｘとを切り離すが、書き込まれた映像電流に対応したＤＲＴのゲート電位は、保持容量Ｃｓによって保持されている。  
次に走査線駆動回路１４は、発光制御線ＢＧにオン電位を設定してＢＣＴを導通状態とする。そうすると、ＤＲＴのゲートソース間電圧に対応した発光電流が有機ＥＬ素子１６に流れ、有機ＥＬ素子１６は、発光電流に対応した輝度で発光する。
【００２２】
図３は、画素に採用可能な構造を概略的に示す平面図であり、図４は、ＤＲＴおよび有機ＥＬ素子１６の構造を示す断面図である。本願発明は、ＤＲＴのチャネル形状に特徴を有している。  
図３、図４を参照して、ＤＲＴの構成を詳細に説明する。
【００２３】
ＤＲＴを構成したＰチャネル型の薄膜トランジスタは、絶縁基板８上に形成されたポリシリコンからなる半導体層５０を備え、この半導体層はソース領域５０ａ、ドレイン領域５０ｂ、およびソース、ドレイン領域間に位置したチャネル領域５０ｃを有している。半導体層５０に重ねてゲート絶縁膜５２が形成され、このゲート絶縁膜上にゲート電極Ｇが設けられチャネル領域５０ｃと対向している。ゲート電極Ｇに重ねて層間絶縁膜５４が形成され、この層間絶縁膜上にソース電極（ソース）Ｓおよびドレイン電極（ドレイン）Ｄが設けられている。  
ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、それぞれ層間絶縁膜５４およびゲート絶縁膜５２に貫通形成されたコンタクトを介して半導体層５０のソース領域５０ａおよびドレイン領域５０ｂにそれぞれ接続されている。ＤＲＴのドレイン電極Ｄは、層間絶縁膜５４上に形成された配線を介してＢＣＴに接続されている。なお、画素スイッチ２０、スイッチ２４、ＢＣＴを構成する各薄膜トランジスタも上記と同一の構造に形成されている。
【００２４】
層間絶縁膜５４上には映像信号配線Ｘを含む複数の配線が設けられている。また、層間絶縁膜５４上にはソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、配線を覆って保護膜５６が形成されている。保護膜５６上には、親水膜５８、隔壁膜６０が順に積層されている。
【００２５】
有機ＥＬ素子１６は、ルミネセンス性有機化合物を含む有機発光層６４を陽極６２および陰極６６間に挟持した構造を有している。陽極６２は、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明電極材料から形成され、保護膜５６上に設けられている。親水膜５８および隔壁膜６０の内、陽極６２と対応した部分はエッチングにより除去されている。そして、陽極６２上に陽極バッファ層６３および有機発光層６４が形成され、更に、有機発光層６４および隔壁膜６０に重ねてバリウム・アルミ合金から成る陰極６６が積層されている。
【００２６】
このような構造の有機ＥＬ素子１６では、陽極６２から注入されたホールと、陰極６６から注入された電子とが有機発光層６４の内部で再結合したときに、有機発光層を構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励起子が放射失活する過程で発光し、この光が有機発光層６４から透明な陽極６２および絶縁基板８を介して外部へ放出される。
【００２７】
ここで、陽極６２をＢＣＴおよびＰチャネル型のＤＲＴを介して高電位電源線Ｖｄｄに接続し、陰極６６を低電位電源線Ｖｓｓに接続する場合について説明したが、陰極６６をＢＣＴのドレインを介してＤＲＴのドレインに、陽極６２を低電位電源線Ｖｓｓに接続してもよい。いずれの場合も光出射面側を透明導電材料で形成する必要があり、例えば陰極６６を光出射面側に配置する場合には、アルカリ土類金属、希土類金属を光透過性を有する程度に薄く形成することで達成できる。
【００２８】
本実施の形態のＤＲＴのチャネル形状を図５に示し、従来のチャネル形状を図６に示す。本実施の形態のＤＲＴのチャネル形状は、図３、図５に示すようにチャネル幅方向の端部におけるチャネル長がチャネル中央部におけるチャネル長よりも長いことを特徴としている。
【００２９】
以下この技術思想について詳細に説明する。
【００３０】
図７は、ＤＲＴと有機ＥＬ素子のＩＶ（電流−電圧）特性をまとめて示す概念図である。図７の縦軸はＤＲＴと有機ＥＬ素子１６に流れる電流を表し、横軸はＤＲＴのソース−ドレイン間の印加電圧Ｖｄｓと、有機ＥＬ素子１６の陰極と陽極間の印加電圧を表している。そして、実線は白表示と黒表示の際のＤＲＴのＩＶ特性曲線３０、３１を表し、点線は有機ＥＬ素子１６のＩＶ特性曲線３５を表している。  
なお、両特性を一つの図面で表現するため、横軸の原点位置は低電位電源線Ｖｓｓの電位を表し、グラフの右端の位置は高電位電源線Ｖｄｄの電位を表している。従って、有機ＥＬ素子１６のＩＶ特性曲線３５では、印加電圧が増加（右方向に移動）するにつれて発光電流が増加することを表している。また、ＤＲＴのＩＶ特性曲線３０、３１では、印加電圧が増加（左方向に移動）するにつれて、ドレイン電流が増加することを表している。
【００３１】
白の映像信号電流の書込時においては、上述のように信号線駆動回路１５が、映像信号線Ｘより白の映像信号電流を流し、ＤＲＴのゲート−ソース間電圧を保持可能な保持容量Ｃｓに書き込む。これによって、ＤＲＴのゲート電位はこの映像信号電流量に応じた電位に設定される。このとき、ＤＲＴのＩＶ特性はＤＲＴのゲート電位によって定められ、図７では特性曲線３０がＤＲＴのＩＶ特性を表している。また、このときのソース−ドレイン間の印加電圧Ｖｄｓに対応する位置を白の書き込み動作点として示している。
【００３２】
映像表示時においては、上述のように走査線駆動回路１４は、発光制御線ＢＧにオン電位を設定してＢＣＴを導通状態とする。そうすると、高電位電源線Ｖｄｄと低電位電源線Ｖｓｓとの間で、ＤＲＴ、ＢＣＴ、有機ＥＬ素子１６が接続された回路が構成され、ＤＲＴのソース−ドレイン間電圧Ｖｄｓが変化する。その結果、ＤＲＴの新たなドレイン電圧は、特性曲線３０の白の発光動作点として示した位置になる。この点は、また有機ＥＬ素子１６の特性曲線３５上に位置しているため、この白の発光動作点で特定される電流が白の発光電流Ｉｅｌとなる。
【００３３】
黒の映像信号電流についても白の映像信号電流で説明した動作と同様にＤＲＴの特性曲線３１がＤＲＴのゲート電位によって特定され、黒の書込み動作点の位置が決定する。そして映像表示時において、黒の発光動作点の位置が決定され、従って、黒の発光動作点で特定される電流が黒の発光電流Ｉｅｌとなる。
【００３４】
ここで、白と黒のそれぞれの書込み動作点と発光動作点を比較する。白の書き込み動作点と発光動作点は共にＤＲＴのＩＶ特性の飽和領域に存在している。従って、両動作点において流れる電流はほぼ同一であることがわかる。このことは、書込み時に予定した発光電流を表示時において有機ＥＬ素子１６に流すことができることを示している。  
一方、黒の書き込み動作点と発光動作点が属する領域はＤＲＴのＩＶ特性によって異なっている。即ち、ＤＲＴのＩＶ特性には、電流が急激に増加するキンク領域が存在し、黒の発光動作点は、このキンク領域に属している。従って、両動作点で流れる電流に差が生じることがわかる。このことは、書込み時に予定した電流よりも大きな電流が表示時において有機ＥＬ素子１６に流れ、従って、黒輝度が浮いて表示されることを示している。
【００３５】
以上説明したように、ＤＲＴのＩＶ特性に存在するキンクによって黒表示における階調表示精度が低下することが明らかになった。  
ところで、一画素領域のサイズを大きくすることなく多くの発生電流を流すために、ＤＲＴのＬ長をなるべく短くすることが考えられる。そこで、この方法の有効性を確認するために、Ｗ／Ｌ比を変化させた場合の、ＩＶ特性の変化を測定した。
【００３６】
図８は、Ｗを一定としてＬを変化させたときのＩＶ特性を示す図である。  
この測定では、Ｗ／Ｌ＝６．５／９とＷ／Ｌ＝６．５／１２の２つの水準を用いた。測定結果、Ｗが一定の場合は、Ｌが短い方がキンクがきつい結果となった。  
従って、発光電流を大きくしようとしてＤＲＴのＬを短くすると、キンクがきつくなり、結果として上述の黒輝度についての階調表示精度が低下することとなるため、本方式は採用することができない。
【００３７】
図９は、Ｌを一定としてＷを変化させたときのＩＶ特性を示す図である。  
この測定では、Ｗ／Ｌ＝２５／１２とＷ／Ｌ＝６．５／１２の２つの水準を用いた。測定結果、Ｌが一定の場合には、Ｗが大きい方がキンクがゆるい結果となった。
【００３８】
図６を参照しつつこの２つの結果に基づいて、キンクの特性について考察する。図９の結果である、Ｗを大きくすることでキンクがゆるくなった点について、チャネルのＷ方向でキンク特性が異なっているものと考えられる。  
即ち、チャネル中央部の領域を大きくすることで、相対的にキンクが緩和されたものと考えれば、キンクの発生はチャネルエッジ部がより大きく影響し、中央部はエッジ部と比較してキンクの発生に及ぼす影響は小さいと考えられる。  
従って、図８の結果を考えると、発光電流を大きくするためにＬを短くするのであれば、中央部のＬを短くするとキンクが発生する程度は少ないと予想される。また、エッジ部については、むしろ中央部のＬを小さくしたことの補償として、Ｌを長くすることによってさらにキンクの影響を低減することができるものと考える。
【００３９】
以上の考察に基づき、図５に示すように、チャネル中央部のＬ長を短くすることで発光電流の増加を図りつつ、エッジ部についてはＬ長を長くすることで黒輝度が浮いて表示されることを防止することができる。
【００４０】
なお、ＤＲＴのチャネル形状は、図１０に示すように種々の形態をとることができる。  
図１０の（１）には、本実施の形態のチャネル形状を示している。図１０の（２）に示すようにエッジ部から中央部まで連続してＬが短くなる形状であっても良い。また、図の（３）、（４）に示すように、片側の形状を変化させても良い。さらに、変化の形状は直線でなく曲線によって表されるものであっても良い。
【００４１】
なお本発明は、実施の形態に示す電流を映像信号とするアクティブマトリクス型表示装置に限られず、電圧を映像信号とするアクティブマトリクス型表示装置にも適用することが可能である。  
図１１は、本発明の他の実施の形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の画素回路の等価回路図である。図１２は、本発明の他の実施の形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の画素回路の平面構成図である。なお、第１の実施の形態と同一の部位には同一の符号を付している。  
図１１に示すように、他の実施の形態に係るアクティブマトリクス型表示装置においても、ＤＲＴのチャネル幅方向の端部におけるチャネル長がチャネル中央部におけるチャネル長よりも長く構成されている。これにより、発光電流の増加を図りつつ、エッジ部についてはＬ長を長くすることで黒輝度が浮いて表示されることを防止することができる。
【００４２】
その他、本発明は前述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４３】
前述した実施形態では、画素回路を構成する薄膜トランジスタを全て同一の導電型、ここではＰチャネル型で構成する場合について説明したが、これに限定されず、全てをＮチャネル型の薄膜トランジスタで構成することも可能である。また、画素スイッチ、スイッチをＮチャネル型の薄膜トランジスタ、駆動トランジスタおよび出力スイッチをＰチャネル型の薄膜トランジスタでそれぞれ構成するなど、画素回路を異なる導電型の薄膜トランジスタを混在して形成することも可能である。
【００４４】
更に、薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコンで構成することも可能である。表示画素を構成する自己発光素子は、有機ＥＬ素子に限定されず自己発光可能な様々な発光素子を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す回路図。
【図２】上記有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す図。
【図３】上記有機ＥＬ表示装置の一部を示す断面図。
【図４】ＤＲＴおよび有機ＥＬ素子の構造を示す断面図。
【図５】ＤＲＴのチャネル形状示す図。
【図６】従来のチャネル形状を示す図。
【図７】ＤＲＴと有機ＥＬ素子のＩＶ（電流−電圧）特性をまとめて示す図。
【図８】Ｗを一定としてＬを変化させたときのＩＶ特性を示す図。
【図９】Ｌを一定としてＷを変化させたときのＩＶ特性を示す図。
【図１０】ＤＲＴのチャネル形状を示す図。
【図１１】他の実施の形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の画素回路の等価回路図。
【図１２】他の実施の形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の画素回路の平面構成図。
【符号の説明】
【００４６】
１２…コントローラ、１４…走査線駆動回路、１５…信号線駆動回路、１６…有機ＥＬ素子、１８…画素回路、５０ａ…ソース、５０ｂ…ドレイン、５０ｃ…ゲート、ＳＳＴ…画素スイッチ、ＤＲＴ…駆動トランジスタ、ＴＣＴ…スイッチ、ＢＣＴ…出力スイッチ、Ｘ…映像信号線、ＢＧ…発光制御線、ＳＧ…書込制御線、ＣＧ…キャンセル制御線、Ｓ…ソース電極、Ｇ…ゲート電極、Ｄ…ドレイン電極、ＳＨ…シールド電極、ＰＸ…表示画素、Ｖｄｄ…高電位電源線、Ｖｓｓ…低電位電源線、Ｘ…映像信号線。
【図１】
2007316513.tif 000003
【図２】
2007316513.tif 000004
【図３】
2007316513.tif 000005
【図４】
2007316513.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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