(57)【要約】【課題】  インクジェット法等の液状材料を選択的に塗布する方法により層間接続配線を形成する際に、パターニング等の工程を増やすことなく、液滴の着弾ばらつきや広がりの影響を抑制して配線を形成することができる配線基板及びその製造方法、並びに、それらを用いて得られる電子デバイス機器及び表示装置を提供する。【解決手段】  基板上に下層導電部、絶縁層及び上層導電部をこの順に備える配線基板であって、上記上層導電部は、開口部で隔てられた内側領域と外側領域とが、少なくとも１つの導通部を介して接続された構造を有し、上記絶縁層は、上層導電部の開口部の少なくとも１つに連結された貫通孔を有し、上記配線基板は、少なくとも絶縁層の貫通孔内及び上層導電部の開口部内に形成された層間接続配線を介して下層導電部と上層導電部とが接続された配線基板である。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下層導電部、絶縁層及び上層導電部をこの順に備える配線基板であって、
該上層導電部は、開口部で隔てられた内側領域と外側領域とが、少なくとも１つの導通部を介して接続された構造を有し、
該絶縁層は、上層導電部の開口部の少なくとも１つに連結された貫通孔を有し、
該配線基板は、少なくとも絶縁層の貫通孔内及び上層導電部の開口部内に形成された層間接続配線を介して下層導電部と上層導電部とが接続された
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記層間接続配線は、導電性物質を含有する液状材料を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記層間接続配線は、上層導電部の内側領域上にも形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記上層導電部の内側領域は、対向する一対の開口部が少なくとも１組設けられて形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項５】
前記上層導電部の導通部は、１つの内側領域につき、１つ設けられていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項６】
前記上層導電部は、導通部近傍の内側領域内に開口部を有することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線基板は、アクティブマトリクス基板であり、
前記下層導電部は、薄膜トランジスタのドレイン電極であり、
前記上層導電部は、画素電極である
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項８】
下層導電部と、開口部を有する上層導電層とが、該開口部の少なくとも１つに連結された貫通孔を有する絶縁層を介して積層された構造を基板上に有する配線基板の製造方法であって、
該製造方法は、開口部で隔てられた内側領域と外側領域とが、少なくとも１つの導通部を介して接続された構造を有する上層導電層を形成する工程と、
導電性物質を含有する液状材料を上層導電部の内側領域上に滴下する工程を含む
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記滴下工程は、インクジェット法を用いて行われることを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の配線基板を備えることを特徴とする電子デバイス機器。
【請求項１１】
請求項８記載の配線基板の製造方法により得られた配線基板を備えることを特徴とする電子デバイス機器。
【請求項１２】
請求項１記載の配線基板を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
前記表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
請求項８記載の配線基板の製造方法により得られた配線基板を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
前記表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項１４記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。より詳しくは、液晶表示装置や有機エレクトロルミネセンス表示装置等の電子デバイス機器に用いられるアクティブマトリクス基板に好適な配線基板及びその製造方法、並びに、それらを用いて得られる電子デバイス機器及び表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（以下「ＬＣＤ」ともいう）、有機エレクトロルミネセンス表示装置（以下「有機ＥＬディスプレイ」ともいう）等の薄型表示装置は、近年、テレビジョン、パーソナルコンピュータ用モニター、プロジェクション等の幅広い用途で実用化され、急激に普及が進んでいる。これらの薄型表示装置においては、一般的に、配線、回路素子等が基板上に設けられてなる配線基板が使用されており、表示画像を構成する画素の駆動制御等に利用されている。近年、薄型表示装置における表示画像の高精細化が進展するにつれ、配線基板において配線の細線化、高密度化が進んでいる。例えば、薄型表示装置の駆動方式として、アクティブ素子を用いて画素の駆動制御を行うアクティブマトリクス駆動方式が主流となってきており、これに用いられる配線基板には、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」ともいう）等のアクティブ素子が画素毎に設けられるとともに、各ＴＦＴの電極を接続するための配線が設けられている。このような配線基板においては、高精細な配線パターンが必要となることから、マイクロオーダーの配線を高い精度で形成する技術が求められるようになってきている。
【０００３】
配線基板の製造工程においては、通常、導電膜等をパターン加工（パターニング）することにより、例えば、配線、ＴＦＴの半導体層、電極等のパターンがそれぞれ形成される。
ここで、高精細なパターンを形成するとしては、極めて高精度の開口パターンを有するフォトマスクを用いてフォトリソグラフィを行う方法が好適である。しかしながら、この方法では、各パターンのパターニング毎に個別に高価なフォトマスクが必要となる点や生産効率の点で改善の余地があった。したがって、配線基板の製造工程におけるフォトマスクの使用枚数を削減し、生産効率を向上させることで配線基板の製造コストを低減させることが求められていた。
【０００４】
これに対して、配線基板における配線形成の方法として、近年、インクジェット法等の液状材料を塗布する方法が注目されている。インクジェット法による配線形成は、通常では、インクジェット装置を用いて配線形成材料を含む液状材料を基板上に吐出し、その後焼成して金属配線を形成することにより行われる。
このようなインクジェット装置を用いた配線形成は、生産効率や配線の基本性能の面で有利である。すなわち、インクジェット法による配線形成の利点としては、スパッタ、エッチングが不要で投資削減効果があること、配線材料の利用効率が向上すること、配線の厚膜化による低抵抗線の形成が可能であること等が挙げられる。
【０００５】
また、配線基板においては、配線を高密度に配置する技術として多層化技術が一般的に用いられている。多層化配線基板では、短絡等を防止しつつ、所望の配線構成を実現するために、配線、ＴＦＴの半導体層、電極等が絶縁膜を介して積層配置され、それらがコンタクトホール(絶縁膜の貫通孔)内に形成された層間接続配線を介して接続されることになる。これにより、半導体部品の高集積化等が可能となる。
【０００６】
そこで、多層化配線基板を製造する技術として、コンタクトホール内への層間接続配線形成にインクジェット法を利用する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ここで、特許文献１には、コンタクトホールの上側開口部近傍の層間絶縁膜上に電極部分を有する埋め込み配線（層間接続配線）の形成方法が開示されている。しかしながら、電極部分の形状を一定に制御するためには、インクジェット装置から吐出される液滴の着弾ばらつきや広がりの影響を充分に抑制する必要があり、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ等を別途行い、構造物を設ける必要があると考えられる。また、特許文献１には、インクジェット法により埋め込み配線をあらかじめ形成した後、フォトレジスト膜を除去する際に埋め込み配線の上部を合わせて除去する方法、及び、真空引きや超音波振動により液滴を落とし込む方法も開示されている。これらの方法によれば、構造物を設けることなく、インクジェット装置から吐出される液滴の着弾ばらつきや広がりの影響を抑制することができるが、製造プロセスが複雑化してしまうことになる。
【０００７】
また、配線形成表面に光触媒物質を形成し、光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２によれば、インクジェット法を用いて配線を形成する場合に、この方法を用いることで液滴の広がりを抑制して線幅の小さい配線を形成することができると記載されている。しかしながら、この方法でも、光触媒活性を得るために、光照射工程が別途必要となることから、やはり製造プロセスが複雑化してしまうことになる。
したがって、従来の多層化配線基板の製造方法においては、コンタクトホール内にインクジェット法等を利用して層間接続配線を形成する際に、製造工程を増加させることなく、液滴の着弾ばらつきや広がりの影響を充分に抑制することが極めて困難であり、未だ改善の余地があった。
【特許文献１】特開２００３−２４３３２７号公報
【特許文献２】特開２００５−１０９３９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、インクジェット法等の液状材料を選択的に塗布する方法により層間接続配線を形成する際に、パターニング等の工程を増やすことなく、液滴の着弾ばらつきや広がりの影響を抑制して配線を形成することができる配線基板及びその製造方法、並びに、それらを用いて得られる電子デバイス機器及び表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、インクジェット法、スクリーン印刷法等の選択的塗布法によりコンタクトホール内に層間接続配線を形成する際に、液滴の着弾ばらつきや広がりの影響を抑制することができる配線基板について種々検討したところ、コンタクトホールの形状及び液滴を着弾させる位置に着目した。そして、上層導電部を、開口部で隔てられた内側領域と外側領域とが少なくとも１つの導通部を介して接続された構造とすることにより、液滴を内側領域に滴下させれば、液滴がコンタクトホール外への漏れ広がりを制御できることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【００１０】
すなわち、本発明は、基板上に下層導電部、絶縁層及び上層導電部をこの順に備える配線基板であって、上記上層導電部は、開口部で隔てられた内側領域と外側領域とが、少なくとも１つの導通部を介して接続された構造を有し、上記絶縁層は、上層導電部の開口部の少なくとも１つに連結された貫通孔を有し、上記配線基板は、少なくとも絶縁層の貫通孔内及び上層導電部の開口部内に形成された層間接続配線を介して下層導電部と上層導電部とが接続された配線基板である。
以下に本発明を詳述する。
【００１１】
本発明の配線基板は、基板上に下層導電部、絶縁層及び上層導電部をこの順に備えるものである。
本発明において、上記上層導電部は開口部を有し、上記絶縁層は、上層導電部の開口部の少なくとも１つに連結された貫通孔を有する。本発明においては、この上層導電部の開口部と絶縁層の貫通孔とがコンタクトホール（層間接続配線形成用の穴）の機能を果たす。
すなわち、本発明の配線基板においては、少なくとも絶縁層の貫通孔内及び上層導電部の開口部内に形成された層間接続配線を介して下層導電部と上層導電部とが接続される。
【００１２】
本発明においては、下層導電部と上層導電部とが絶縁層を介して積層され、かつ層間接続配線を介して接続された構造（以下「接続構造」ともいう）が少なくとも１つ設けられていればよく、上層導電部の上層に、更に絶縁層及び導電部が積層され、接続構造が２以上設けられていてもよい。例えば、上記接続構造が２つの場合であれば、（ａ）第１の下層導電部、第１の絶縁層、第２の下層導電部、第２の絶縁層及び上層導電部がこの順に積層され、第１の下層導電部と上層導電部とが第１の層間接続配線を介して接続され、第２の下層導電部と上層導電部とが第２の層間接続配線を介して接続された構造や、（ｂ）第１の下層導電部、第１の絶縁層、第１の上層導電部（第２の下層導電部）、第２の絶縁層及び第２の上層導電部がこの順に積層され、第１の下層導電部と第１の上層導電部（第２の下層導電部）とが第１の層間接続配線を介して接続され、第１の上層導電部（第２の下層導電部）と第２の上層導電部とが第２の層間接続配線を介して接続された構造等が挙げられる。
このように本発明においては、配線基板に形成される下層導電部、絶縁層及び上層導電部の数は特に限定されず、異なる階層に２以上設けられてもよいし、同一の階層に２以上設けられてもよい。また、上記（ａ）の形態における第１の下層導電部と上層導電部の関係のように、下層導電部と上層導電部との間に設けられる絶縁層は、２以上であってもよい。
【００１３】
上記上層導電部は、開口部で隔てられた内側領域と外側領域とが、少なくとも１つの導通部を介して接続された構造を有する。すなわち、上層導電部は、内側領域、導通部、外側領域により構成され、内側領域と外側領域とは、導通部により一部が接続され、開口部により大部分が分離されている。このように、上層導電部の内側領域の周囲にコンタクトホールを配置することで、インクジェット法等で導電性物質を含有する液滴を吐出して層間接続配線を形成する際に、液滴を内側領域内に滴下すれば、液滴の自発的広がりによって、液滴を周囲のコンタクトホールに流し込むことができるので、液滴が外側領域にまで広がることを効果的に抑制することができる。また、インクジェット装置から吐出される液滴の着弾精度に応じて、液滴の着弾地点である内側領域の面積を設計することができるので、液滴の着弾ばらつきの影響を低減することができる。更に、内側領域が開口部によって完全には取り囲まれておらず、少なくとも一箇所以上の導通部を介して外側領域と繋がっていることにより、内側領域と外側領域との導通を確実に確保することが可能である。
【００１４】
なお、本発明の配線基板の構成としては、上述の構成要素を必須の構成要素として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。
【００１５】
上記層間接続配線は、導電性物質を含有する液状材料を用いて形成されたものであることが好ましい。これにより、インクジェット法等の選択的塗布法を用いて、簡便にコンタクトホール内に層間接続配線を形成することができる。なお、上記液状材料としては、金属等からなる導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液、金属ペースト、金属等の導電性物質を溶媒に溶解させた溶液等を用いることできる。
また、上記層間接続配線の好ましい形態としては、上層導電部の内側領域上にも形成されている形態が挙げられる。このように、層間接続配線をコンタクトホール内だけでなく、上層導電部の内側領域上にも形成することで、上層導電部と層間接続配線との接触面積が増加し、その結果、上層導電部と下層導電部との間の抵抗を小さくすることができる。
【００１６】
上記上層導電部の好ましい形態としては、（ｐ）内側領域が、対向する一対の開口部が少なくとも１組設けられて形成されたものである形態、（ｑ）導通部が、１つの内側領域につき、１つ設けられている形態が挙げられる。なお、上記（ｑ）の形態は、例えば、開口部の形態を略Ｃ字型、略Ｕ字型等にすることで形成されるものである。上記（ｐ）、（ｑ）の形態によれば、上層導電部の内側領域にインクジェット法等により導電性物質を含有する液滴を滴下した場合に、上層導電部の外側領域に液滴が漏れ広がることを充分効果的に制御することができる。なかでも、上記（ｑ）の形態によれば、液滴の進行経路の大部分を塞ぐことができ、液滴の漏れ広がりを特に効果的に制御することができる。
また、上記上層導電部は、導通部近傍の内側領域内に開口部を有することが好ましい。これにより、内側領域と外側領域との導通を確保しつつ、導電性物質を含有する液滴の導通部から外側領域への漏れ広がりを特に効果的に抑制することができる。
【００１７】
上記配線基板は、アクティブマトリクス基板であり、上記下層導電部は、薄膜トランジスタのドレイン電極であり、上記上層導電部は、画素電極であることが好ましい。このように薄膜トランジスタの上層に画素電極が配置された構造は、画素電極の面積比率の拡大、すなわち高開口率化に有利な構造であり、本発明の配線基板が有する構造の好適な一例である。
【００１８】
本発明はまた、下層導電部と、開口部を有する上層導電層とが、上記開口部の少なくとも１つに連結された貫通孔を有する絶縁層を介して積層された構造を基板上に有する配線基板の製造方法であって、上記製造方法は、（１）開口部で隔てられた内側領域と外側領域とが、少なくとも１つの導通部を介して接続された構造を有する上層導電層を形成する工程と、（２）導電性物質を含有する液状材料を上層導電部の内側領域上に滴下する工程とを含む配線基板の製造方法でもある。このような本発明の配線基板の製造方法においては、上層導電部の内側領域の周囲に開口部を設けることから、内側領域上に導電性物質を含有する液状材料を滴下した際に、液状材料の液滴の着弾ばらつきや広がりの影響を抑制することができる。したがって、層間接続配線を形成するにあたってフォトレジスト膜の形成やエッチング処理等を行う必要がなく、高い生産性で層間接続配線を選択的に形成することができる。また、内側領域上にも層間接続配線が形成されることで、上層導電部と層間接続配線との接触面積が増加し、その結果、上層導電部と下層導電部との間の抵抗を小さくすることができる。
【００１９】
上記（１）の上層導電層形成工程は、スパッタ法等により導電膜を形成した後、フォトリソグラフィにより所望の形状にパターニングすることにより行うことができる。
【００２０】
上記（２）の導電性物質の滴下工程は、インクジェット法を用いて行われることが好ましい。インクジェット法によれば、フォトマスクを使用せずに層間接続配線を形成することができるので、設備投資の抑制や生産効率の向上が可能となる。また、配線形成部分に導電性物質を含有する液状材料を選択的に滴下することができるので、スパッタ法等に比べて、配線材料の利用効率の向上が期待できる。
なお、インクジェット法の方式としては、圧電素子の体積変化を用いるピエゾ方式でもよいし、発熱体による熱膨張を用いるサーマル方式でもよい。
【００２１】
本発明はまた、上記配線基板、又は、上記配線基板の製造方法により得られた配線基板を備える電子デバイス機器及び表示装置でもある。本発明の電子デバイス機器及び表示装置は、層間接続配線形成時に、フォトマスクを使用する必要がないことから、生産性に優れており、特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板等の複雑な配線構成を有する配線基板に好適である。したがって、本発明の表示装置としては、液晶表示装置及び有機エレクトロルミネセンス表示装置等が好適である。中でも、コンタクトホール内の層間接続配線をインクジェット法により形成するのに適することから、大型の液晶表示装置及び大型の有機エレクトロルミネセンス表示装置に特に好適である。その他、マイクロカプセル型の電気泳動表示装置、トナーを用いた表示装置、エレクトロクロミック表示装置等の比較的低い電圧で駆動可能な表示装置は、ＴＦＴによる駆動制御が可能であることから、本発明の配線基板が好適に用いられる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の配線基板によれば、内側領域の周囲にコンタクトホールを配置しているため、インクジェット法等で導電性物質を含有する液状材料を内側領域内に滴下すれば、液滴は自発的に広がり、周囲のコンタクトホールに流れ込むことになる。その結果、液状材料がコンタクトホールより外側へ漏れ広がるのを制御できる。また、インクジェット装置から吐出される液滴の着弾精度に応じて、液滴の着弾地点である内側領域の面積を設計することができるので、液滴の着弾ばらつきの影響を低減することができる。更に、内側領域上にも層間接続配線が形成された場合には、上層導電部と層間接続配線との接触面積が増加し、上層導電部と下層導電部との間の抵抗を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に実施例を掲げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００２４】
（実施例１）
以下に、本発明の配線基板の一例として、ＴＦＴパネル（アクティブマトリクス基板）の構成を、図１及び図２を用いて説明する。
図１は、実施例１のＴＦＴパネルの画素部を示す上面模式図である。
図１に示すように、本実施例のＴＦＴパネルにおいては、ガラス基板等の絶縁性基板上に、ゲート配線１０とソース配線１１とがゲート絶縁膜を介して互いに直交するように配置されており、ゲート配線１０とソース配線１１とが交差する付近に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３が配置されている。ＴＦＴ１３のドレイン電極（下層導電部）１２は、画素電極（上層導電部）１５の中心付近まで延伸され、かつ、コンタクトホール１４内の層間接続配線を介して画素電極１５と接続されている。
【００２５】
図２（ａ）は、図１に示すＴＦＴパネルのコンタクトホール部を線分Ａ−Ａ’にて切断したときの断面を示す拡大模式図である。
図２（ａ）に示すように、本実施例のＴＦＴパネルにおいては、画素電極１５とＴＦＴ１３との層間には層間絶縁膜（絶縁層）２０が設けられており、画素電極１５と層間絶縁膜２０とにコンタクトホール１４が形成されている。コンタクトホール１４内及びコンタクトホール１４に挟まれた画素電極１５上には導電性材料からなる層間接続配線２１が設けられている。これにより、画素電極１５とドレイン電極１２との導通が確保されている。
【００２６】
図２（ｂ）は、コンタクトホール１４部の上面を示す拡大模式図である。図中の中心部に破線で示した円は、インクジェット滴下工程における液滴の着弾点を示している。
図２（ｂ）に示すように、本実施例においては、液滴の着弾点を囲んで、対向する二組の長方形のコンタクトホール１４が計４個配置され、内側領域と外側領域とが４つの導通部を介して接続されている。
【００２７】
本実施例のＴＦＴパネルにおいては、画素電極１５の内側領域の周囲にコンタクトホール１４が配置されていることから、インクジェット法等の選択的塗布法により層間接続配線２１を容易に形成することが可能な構成となっている。すなわち、導電性物質を含有する液滴を吐出して層間接続配線２１を形成する際に、液滴を内側領域内に滴下すれば、液滴の自発的広がりによって、液滴を周囲のコンタクトホール１４に流し込むことができるので、液滴が外側領域にまで広がることを効果的に抑制することができる。また、液滴の着弾精度に応じて、液滴の着弾地点である内側領域の面積を設計することができるので、液滴の着弾ばらつきの影響を低減することができる。
更に、本実施例においては、内側領域上にも層間接続配線２１が形成されているので、画素電極１５と層間接続配線２１との接触面積を充分に確保されており、上層導電部１５と下層導電部１２との間の抵抗の低減が図られている。
そして、本実施例においては、内側領域がコンタクトホール１４によって完全には取り囲まれておらず、少なくとも一箇所以上の導通部を介して外側領域と繋がっているので、内側領域と外側領域との導通を確実に確保することが可能である。
【００２８】
なお、本発明において、コンタクトホール１４の形状及び配置は、図２（ｂ）に示した形態以外であってもよく、例えば、図３に示すような形態であってもよい。
図３は、本発明に係るコンタクトホール１４部の各種形態を示す上面模式図である。図３（ａ）は、液滴の着弾点を囲んで、対向する二組の台形のコンタクトホール１４が計４個配置され、内側領域と外側領域とが４つの導通部を介して接続されている形態を示す。図３（ｂ）は、液滴の着弾点を囲んで、対向する二組の三角形のコンタクトホール１４が底辺を向け合って計４個配置され、内側領域と外側領域とが４つの導通部を介して接続されている形態を示す。図３（ｃ）は、液滴の着弾点を囲んで、対向する二組のＬ字型のコンタクトホール１４が四角形を形成するように計４個配置され、内側領域と外側領域とが４つの導通部を介して接続されている形態を示す。図３（ｄ）は、液滴の着弾点を囲んで、対向する二組の三角形のコンタクトホール１４が頂点を向け合って計４個配置され、内側領域と外側領域とが４つの導通部を介して接続されている形態を示す。図３（ｅ）は、液滴の着弾点を囲んで、対向する一組の半円形のコンタクトホール１４が計２個配置され、内側領域と外側領域とが２つの導通部を介して接続されている形態を示す。図３（ｆ）は、液滴の着弾点を囲んで、略Ｃ字型のコンタクトホール１４が１個配置され、内側領域と外側領域とが１つの導通部を介して接続されている形態を示す。図３（ｇ）は、（ｆ）で示した形態の導通部近傍の内側領域に長方形のコンタクトホール１４が１個加えられた形態を示す。
【００２９】
（実験例１）
本実験例では、コンタクトホールの大きさ、及び、インクジェット装置から吐出する液滴の量（吐出量）を変更することで、層間接続配線の特性、及び、液滴の濡れ広がり方がどのように変化するかを確認した。
【００３０】
本実験例において作製した試料の製造方法について、図４を参照して説明する。
まず、ガラス基板上に、下層電極（下層導電部）１２としてチタン（Ｔｉ）膜をスパッタ法により成膜した。次に、層間絶縁膜２０として窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学蒸着）法により積層した。そして、画素電極（上層導電部）１５としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜をスパッタ法により成膜した。
続いて、画素電極１５上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて所望のパターンにパターニングした。更に、レジストをマスクに用いたウェットエッチング法により、コンタクトホール形成部分の画素電極１５を除去し、更にドライエッチング法により、コンタクトホール１４形成部分の層間絶縁膜２０を除去した。これにより、コンタクトホール１４が完成した。そして、レジストを剥離した後、図４（ａ）に示すように、Ａｇを含有する分散液（導電性物質を含有する液滴）２１ａをコンタクトホール１４によって囲まれた画素電極１５の略中心部上にインクジェット装置を用いて吐出した。吐出された分散液は画素電極１５上を自発的に濡れ広がり、図４（ｂ）に示すように、コンタクトホール１４内に流れ込んだ。その後、適当な温度で加熱した。これにより、画素電極１５と下層電極１２とがＡｇからなる層間接続配線２１により接続された本実験例の試料が完成した。
なお、本実験例では、図２（ｂ）に示すように、コンタクトホール１４を配置して画素電極１５の内側領域を形成した。ここで、本実施例においては、コンタクトホール１４の大きさを３通りに変更して試料を作製し、それぞれの試料に対し、内側領域１箇所あたりの吐出量を４．０〜２４ｐｌにして分散液を滴下した。
【００３１】
本実験例で形成した３種のコンタクトホール（コンタクトホール（i）〜（iii））の寸法について、下記表１に示す。表１中、寸法Ａ〜Ｄは、それぞれ下記のように定義される。なお、寸法Ａ〜Ｄについては、図２（ｂ）中に図示した。
Ａ：一対の対向しているコンタクトホールにおける外側間の距離
Ｂ：一対の対向しているコンタクトホールにおける内側間の距離
Ｃ：長方形のコンタクトホールの長辺
Ｄ：長方形のコンタクトホールの短辺
【００３２】
【表１】
2007047602.tif 000003
【００３３】
次に、得られた層間接続配線２１について、抵抗率測定及び目視外観確認を行い、特性評価を行った。抵抗率測定においては、下層電極１２と画素電極１５との間の接触抵抗を測定した。
上記特性評価の結果を下記表２に示した。表中において、×は抵抗率が１．０×１０１５Ω以上であり、導通が充分ではなかった場合を示し、△は抵抗率が１．０×１０８Ω以下と充分に導通していたものの、コンタクトホール１４に囲まれた領域の外側まで液滴が漏れ出し、層間接続配線２１が画素電極１５の外側領域まで形成されていた場合を示している。
【００３４】
【表２】
2007047602.tif 000004
【００３５】
上記表２では、コンタクトホール（i）〜（iii）の形状、個数及び寸法等を変更させることなく、吐出量だけを変化させたときの層間接続配線２１の特性変化を示している。表２に示す結果より、コンタクトホール１４の容積と液滴の外側領域への漏れ出し及び接触抵抗とに相関があり、それぞれの寸法のコンタクトホール（i）〜（iii）において、抵抗率が低くなる吐出量の好適な範囲があることが確認できる。本実験例において、コンタクトホール（i）では吐出量２４ｐｌ以下の全ての場合で外側領域への漏れ出しがなく、コンタクトホール（ii）では吐出量２０ｐｌ以上で外側領域への漏れ出しが確認され、コンタクトホール（iii）では吐出量１６ｐｌ以上で外側領域への漏れ出しが確認された。また、本実験例においては、コンタクトホール（i）に対して吐出量を２０ｐｌとしたものが、最小の抵抗値を示した。
【００３６】
一方、コンタクトホール１４が画素内に１つだけ設けられ、図５（ａ）に示すように、コンタクトホール１４に向けて分散液が直接滴下される場合には、吐出量が少ないと、図５（ｂ）に示すように、唯一の層間接続配線２１が画素電極１５の側面のみと接触することになるため、充分な導通が得られない可能性が高い。また、吐出量が多いと、図５（ｃ）に示すように、直ちに分散液が画素電極１５の外側領域上に漏れ出すことになってしまう。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施例１のＴＦＴパネルの画素部を示す上面模式図である。
【図２】（ａ）は、図１に示すＴＦＴパネルのコンタクトホール部を線分Ａ−Ａ’にて切断したときの断面を示す拡大模式図であり、（ｂ）は、コンタクトホール部の上面を示す拡大模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、本発明に係るコンタクトホール部の各種形態を示す上面模式図である。
【図４】（ａ）は、本発明に係るコンタクトホール部に導電性材料を含有する液滴を滴下する様子を示す図であり、（ｂ）は、本発明に係るコンタクトホール部に導電性材料を含有する液滴が着弾した後の様子を示す図である。
【図５】（ａ）は、従来のコンタクトホール部に導電性材料を含有する液滴を滴下する様子を示す図であり、（ｂ）は、従来のコンタクトホール部に少量の導電性材料を含有する液滴が着弾した後の様子を示す図であり、（ｃ）は、従来のコンタクトホール部に多量の導電性材料を含有する液滴が着弾した後の様子を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０：ゲート配線
１１：ソース配線
１２：ドレイン電極（下層導電部）
１３：ＴＦＴ
１４：コンタクトホール
１５：画素電極（上層導電部）
２０：層間絶縁膜
２１：層間接続配線
２１ａ：導電性物質を含有する液滴
【図１】
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【図２】
2007047602.tif 000006
【図３】
2007047602.tif 000007
【図４】
2007047602.tif 000008
【図５】
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