(57)【要約】【課題】集積回路における複数の個所の供給電圧を簡素な構成によって確実に検出できるようにするとともに、集積回路への供給電圧の設定精度を、集積回路内部の位置に係わらず向上させる。【解決手段】集積回路２０内部に、複数の電圧センス個所２２−１〜２２−７と、これら複数の電圧センス個所２２−１〜２２−７とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて複数の電圧センス個所２２−１〜２２−７のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路２４と、この選択回路２４に接続され、この選択回路２４によって選択された一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路２０の外部に出力するための電圧センス端子２５とをそなえて構成する。【選択図】図１
2007303874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路内部に設けられ、当該集積回路における供給電圧を検出するための電源センス回路であって、
複数の電圧センス個所と、
該複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、
該選択回路に接続され、該選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえて構成されていることを特徴とする、電源センス回路。
【請求項２】
前記複数の電圧センス個所が、該集積回路の複数の回路ブロックに対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項１記載の電源センス回路。
【請求項３】
前記選択回路が当該集積回路に搭載されたスキャンチェインに接続され、前記入力信号が前記スキャンチェインを介して入力されることを特徴とする、請求項１または請求項２記載の電源センス回路。
【請求項４】
集積回路に電力を供給する電源供給部をそなえるとともに、
前記集積回路内部に、
複数の電圧センス個所と、
該複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、
該選択回路に接続され、該選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえ、
前記電源供給部が、前記電圧センス端子から出力された前記電圧に基づいて前記集積回路に供給する電力を調整することを特徴とする、電源供給システム。
【請求項５】
供給電圧を検出するための電源センス回路を搭載され、
該電源センス回路が、
複数の電圧センス個所と、
該複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、
該選択回路に接続され、該選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえて構成されていることを特徴とする、集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路（例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integration））へ所定の電力を供給するための技術に関し、特に、大きな消費電力を必要とする集積回路の供給電圧設定精度を向上させるための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、集積回路（例えば、ＬＳＩ）への供給電圧を検出（以下、センスともいう）して、集積回路への供給電圧を所望の値に設定する技術がある。
この技術は、例えば、どの電圧まで集積回路が正常に動作するかを処理速度に応じて調べるような、集積回路の評価試験に用いられる。
なお、集積回路への供給電圧を検出する技術に関し、集積回路における複数のコンパレータのそれぞれの比較基準電圧を、スイッチを切り換えて測定する技術が従来からある（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００３】
図５は従来の集積回路への供給電圧をセンスして設定する技術を説明するための図である。この図５に示す電源供給システム１００では、基板１０１にＬＳＩ（集積回路）１１０が搭載されている。
そして、基板１０１は電源供給を受けるための電源端子１０２とＧＮＤ（ground）端子１０３とをそなえ、電源端子１０２が電源ユニット１２０のＶＤＤ出力部１２１に接続され、ＧＮＤ端子１０３が電源ユニット１２０のＧＮＤ出力部１２２に接続されており、これにより、基板１０１は電源ユニット１２０から電力を供給される。
【０００４】
また、基板１０１は、外部に電源電圧（電圧値）を出力するための第１電源電圧センス端子１０４及び第１ＧＮＤセンス端子１０５をそなえて構成されており、第１電源電圧センス端子１０４が電源ユニット１２０のＶＤＤセンス部１２３に接続され、第１ＧＮＤ電圧センス端子１０５が電源ユニット１２０のＧＮＤセンス部１２４に接続されている。これにより、基板１０１における電圧（ここではＬＳＩ１１０への供給電圧）が、第１電源電圧センス端子１０４及び第１ＧＮＤセンス端子１０５を介して電源ユニット１２０にセンスされる。
【０００５】
基板１０１に搭載されたＬＳＩ１１０は、複数の信号端子（図中“Ｓ”が付されたセル参照）をそなえるとともに、複数の電源端子（図中“Ｖ”が付されたセル参照）のうちの一つを第２電源電圧センス端子１１１（図中“ＶＳ”が付されたセル参照）としてそなえ、複数のＧＮＤ端子（図中“Ｇ”が付されたセル参照）のうちの一つを第２ＧＮＤ電源センス端子１１２（図中“ＧＳ”が付されたセル参照）としてそなえている。
【０００６】
さらに、第２電源電圧センス端子１１１及び第２ＧＮＤセンス端子１１２は、供給電圧をセンスしてＬＳＩ１１０の外部に出力するための端子であり、第２電源電圧センス端子１１１が基板１０１上の配線を介して第１電源電圧センス端子１０４に接続され、第２ＧＮＤセンス端子１１２が基板１０１上の配線を介して第１ＧＮＤセンス端子１０５に接続されている。
【０００７】
また、ＬＳＩ１１０の電源端子と基板１０１の電源端子１０２とが基板１０１上の配線（図示略）を介して接続され、ＬＳＩ１１０のＧＮＤ端子と基板１０１のＧＮＤ端子１０３とが基板１０１上の配線（図示略）を介して接続されている。
このような構成により、ＬＳＩ１１０における電圧値が、第２電源電圧センス端子１１１及び第２ＧＮＤセンス端子１１２によって検出されて、第１電源電圧センス端子１０４及び第１ＧＮＤセンス端子１０５を介して電源ユニット１２０のＶＤＤセンス部１２３及びＧＮＤセンス部１２４に出力され、電源ユニット１２０にセンスされる。
【０００８】
さらに、ＬＳＩ１１０への供給電圧をセンスした電源ユニット１２０では、その電圧値に基づいて、ＬＳＩ１１０への供給電圧を所望の値に調整するように構成されている。
したがって、図５に示す電源供給システム１００では、例えば、１Ｖの電圧をかけたときにＬＳＩ１１０が正常に動作するか否かを評価する場合に、ＬＳＩ１１０の第２電源電圧センス端子１１１及び第２ＧＮＤ電圧センス端子１１２からセンスされた電圧値に基づいて、ＬＳＩ１１０における実際の供給電圧値を、試験を行ないたい電圧値（１Ｖ）に設定することができる。
【０００９】
しかしながら、近年の大きな消費電力を必要とする集積回路では、例えば図６に示すごとく、回路ブロックが複数のブロック１１３ａ〜１１３ｉに分割されており、試験する回路ブロック１１３ａ〜１１３ｉの規模や動作内容によって消費する電力が大幅に異なるため、ＬＳＩ１１０内部の物理的な位置によって供給される電圧が変化する。
そのため、図５や図６に示すように、ＬＳＩ１１０の内部の第２電源電圧センス端子１１１及び第２ＧＮＤ電圧センス端子１１２による一点における供給電圧だけに基づいて電源ユニット１２０が供給電圧を決定すると、かかる一点とは異なる位置においては、実際の供給電圧値と、試験を行ないたい電圧値とに誤差が生じてしまう。
【００１０】
例えば、ＬＳＩ１１０において、かかる一点における電圧値と第５メモリにかかる回路ブロック１１３ｉにおける電圧値とに差がある場合、第５メモリにかかる回路ブロック１１３ｉにおいては、実際の供給電圧値と、試験を行ないたい電圧値とに誤差が生じてしまう。
そして、この誤差が原因となり、第５メモリの評価試験の精度が低下してしまう。
【００１１】
そのため、集積回路における複数の内部回路（回路ブロック）のそれぞれ、もしくは、特定の内部回路への供給電圧を調整する電源回路と、当該内部回路における電圧値を測定する測定部と、これら電源回路及び測定部を制御する制御部とを、当該集積回路の内部に搭載する技術が提案されている（例えば、下記特許文献２参照）。
【特許文献１】特開昭６３−１８１４５７号公報
【特許文献２】特開２００２−３６５３３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記の特許文献２に開示されたような従来技術では、集積回路の内部に電源回路，測定部，制御部等をそなえなければならないため、回路構成が複雑化し、設置スペースが多く必要になってしまうとともに、製造コストも嵩んでしまう。
しかも、かかる従来技術では、より正確な評価試験を望む場合、すべての内部回路に電源回路をそなえなければならず、この場合には回路構成がさらに複雑化し、より多くの設置スペースが必要になるとともに、より高コスト化してしまう。
【００１３】
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、集積回路における複数の個所の供給電圧を簡素な構成によって確実に検出できるようにするとともに、集積回路への供給電圧の設定精度を、集積回路内部の位置に係わらず向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の電源センス回路は、集積回路内部に設けられ、当該集積回路における供給電圧を検出するためのものであって、複数の電圧センス個所と、これら複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、この選択回路に接続され、この選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえて構成されていることを特徴としている（請求項１）。
【００１５】
なお、前記複数の電圧センス個所が、該集積回路の複数の回路ブロック、もしくは、複数のチップ部品に対応した位置にそれぞれ設けられていることが好ましい（請求項２）。
さらに、前記選択回路が当該集積回路に搭載されたスキャンチェインに接続され、前記入力信号が前記スキャンチェインを介して入力されることが好ましい（請求項３）。
また、上記目的を達成するために、本発明の電源供給システムは、集積回路に電力を供給する電源供給部をそなえるとともに、前記集積回路内部に、複数の電圧センス個所と、これら複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、この選択回路に接続され、この選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえ、前記電源供給部が、前記電圧センス端子から出力された前記電圧に基づいて前記集積回路に供給する電力を調整することを特徴としている（請求項４）。
【００１６】
また、上記目的を達成するために、本発明の集積回路は、供給電圧を検出するための電源センス回路を搭載され、この電源センス回路が、複数の電圧センス個所と、これら複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、この選択回路に接続され、この選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえて構成されていることを特徴としている（請求項５）。
【発明の効果】
【００１７】
このように、本発明によれば、複数の電圧センス個所と、これら複数の電圧センス個所のうちの一つを選択する選択回路と、この選択回路によって選択された一の電圧センス個所の電圧を外部に出力するための電圧センス端子とをそなえて構成されているので、選択回路が入力信号に応じて複数の電圧センス個所を選択することにより、集積回路における様々な場所の供給電圧を確実に検出することができる。
【００１８】
しかも、上記図５を参照しながら説明した従来技術に対して、複数の電圧センス個所と選択回路とを加えるだけで実現できるので、非常に簡素な構成によって上述した効果を実現することができる。
さらに、選択回路によって電圧をセンスするための電圧センス個所を動的に変更できるので、集積回路上の所望の位置の電圧を確実にセンスすることができ、このセンスした電圧値に基づいて供給電圧を調整することにより、集積回路への供給電圧の設定精度を集積回路内部の位置に係わらず向上させることができる。
【００１９】
また、複数の電圧センス個所が集積回路の回路ブロックもしくはチップ部品に対応する位置にそれぞれ配設されるので、回路ブロックもしくはチップ部品に供給されている電圧をより高精度に検出することができ、その結果、回路ブロックもしくはチップ部品への供給電圧の設定精度をより向上させることができる。
なお、選択回路への入力信号がスキャンチェインを介して入力されるので、かかる入力信号を入力するための機構を集積回路上に新たに設ける必要がなく、高密度実装が望まれる集積回路の実装面を有効に利用することができるとともに、低コスト化にも寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
〔１〕本発明の一実施形態について
図１は本発明の一実施形態としての電源供給システムの構成を示すブロック図であり、この図１に示すように、本実施形態の電源供給システム１は、基板１０に集積回路（ここでは、ＬＳＩ（Large Scale Integration）；以下、ＬＳＩという）２０が搭載され、さらに、基板１０に電源ユニット（電源供給部）３０が接続されて構成されている。
【００２１】
基板１０は、電源ユニット３０から電力供給を受けるための電源端子１１（図中“Ｖ”参照）とＧＮＤ（ground）端子１２（図中“Ｇ”参照）とをそなえ、電源端子１１は電源ユニット３０のＶＤＤ出力部３１に接続され、ＧＮＤ端子１２は電源ユニット３０のＧＮＤ出力部３２に接続されており、これにより、基板１０は電源ユニット３０から電力を供給される。
【００２２】
なお、図１には示していないが、基板１０の電源端子１１及びＧＮＤ端子１２は、基板１０上の配線（図示略）を介して、ＬＳＩ２０の電源端子（図示略）及びＧＮＤ端子（図示略）とそれぞれ接続されており、これにより、基板１０に搭載されたＬＳＩ２０に電源ユニット３０からの電力が供給される。
また、ＬＳＩ２０のかかる電源端子は、例えば上記図５に示す電源端子“V”と同等のものであり、かかるＧＮＤ端子は、例えば上記図５に示すＧＮＤ端子“Ｇ”と同等のものである。
【００２３】
さらに、基板１０は、基板１０上の電圧値（ここではＬＳＩ２０における電圧値）を外部に出力するための第１電源電圧センス端子１３（図中“ＶＳ”参照）及び第１ＧＮＤ電圧センス端子１４（図中“ＧＳ”参照）をそなえて構成されている。
そして、第１電源電圧センス端子１３は電源ユニット３０のＶＤＤセンス部３３に接続され、第１ＧＮＤ電圧センス端子１４は電源ユニット３０のＧＮＤセンス部３４に接続されており、これにより、基板１０における電圧値（ここではＬＳＩ２０における電圧値）を電源ユニット３０がセンス（モニタ）できるようになっている。
【００２４】
さらに、電源ユニット３０は、ＶＤＤセンス部３３及びＧＮＤセンス部３４によってセンスされた電圧値に基づいて、基板１０のＬＳＩ２０に供給する電力（供給電圧）を調整する調整部３５をそなえて構成されている。
ＬＳＩ２０は、回路ブロック２１−１〜２１−９，電圧センス個所２２−１〜２２−７，接続線２３−１ａ〜２３−７ａ，２３−１ｂ〜２３−７ｂ，セレクタ（選択回路）２４，及び電圧センス端子２５をそなえて構成されている。
【００２５】
ＬＳＩ２０は、複数の回路ブロック２１−１〜２１−９に分割されており、回路ブロック２１−１は第１ＩＯ（Input/Output）として機能するものであり、回路ブロック２１−２は第１演算器として機能するものであり、回路ブロック２１−３は第１メモリとして機能するものであり、回路ブロック２１−４は第２演算器として機能するものであり、回路ブロック２１−５は第２ＩＯとして機能するものであり、回路ブロック２１−６は第２メモリとして機能するものであり、回路ブロック２１−７は第３メモリとして機能するものであり、回路ブロック２１−８は第４メモリとして機能するものであり、回路ブロック２１−９は第５メモリとして機能するものである。
【００２６】
複数の電圧センス個所２２−１〜２２−７（以下、これらの複数の電圧センス個所を特に区別しない場合には、単に符号“２２”を用いて説明する。）は、それぞれ、供給電圧を検知するためのものであり、ＶＤＤセンス個所２２ａ及びＧＮＤセンス個所２２ｂから構成されている。なお、図１において、ＶＤＤセンス個所（図中黒塗の正方形ブロック参照）の符号“２２ａ”及びＧＮＤセンス個所（図中横しま模様の正方形ブロック参照）の符号“２２ｂ”は、図の簡略化のため、代表して電圧センス個所２２−１に対してのみ付している。
【００２７】
また、ＬＳＩ２０において、電圧センス個所２２−１は回路ブロック２１−１と回路ブロック２１−２との間に設けられ、電圧センス個所２２−２は回路ブロック２１−２と回路ブロック２１−３との間に設けられ、電圧センス個所２２−３は回路ブロック２１−３と回路ブロック２１−４との間に設けられ、電圧センス個所２２−４は回路ブロック２１−４と回路ブロック２１−５との間に設けられ、電圧センス個所２２−５は回路ブロック２１−６と回路ブロック２１−７との間に設けられ、電圧センス個所２２−６は回路ブロック２１−７と回路ブロック２１−８との間に設けられ、電圧センス個所２２−７は回路ブロック２１−８と回路ブロック２１−９との間に設けられている。
【００２８】
このように、複数の電圧センス個所２２−１〜２２−７は、複数の回路ブロック２１−１〜２１−９（以下、これらの複数の回路ブロックを特に区別しない場合には、単に符号“２１”を用いて説明する。）に対応した位置にそれぞれ設けられ、つまり、電圧センス個所２２は回路ブロック２１に近づくように配設され、各回路ブロック２１の近傍には少なくとも１つの電圧センス個所２２が配置されるようになっている。
【００２９】
ここでは、複数の電圧センス個所２２は２つの回路ブロック２１の間にそれぞれ配置され、ＬＳＩ２０全体的に分散するように配設されている。
また、電圧センス個所２２−１〜２２−７としてのＶＤＤセンス個所２２ａ及びＧＮＤセンス個所２２ｂは、それぞれ、接続線２３−１ａ〜２３−７ａ，２３−１ｂ〜２３−７ｂによってセレクタ２４に接続されている。
【００３０】
ここで、図１に示すごとく、接続線２３−１ａ〜２３−７ａ，２３−１ｂ〜２３−７ｂの符号において、右端から２番目の符号“１〜７”は、電圧センス個所２２−１〜２２−７の右端の符号“１〜７”に対応しており、この符号が同一のもの同士が互いに接続されているとともに、右端の符号“ａ”はＶＤＤセンス個所２２ａに接続されていることを表わし、符号“ｂ”はＧＮＤセンス個所２２ｂに接続されていることを表わしている。例えば、接続線２３−１ａは電圧センス個所２２−１のＶＤＤセンス個所２２ａに接続され、接続線２３−１ｂは電圧センス個所２２−１のＧＮＤセンス個所２２ｂに接続されている。
【００３１】
セレクタ２４は、接続線２３−１ａ〜２３−７ａ，２３−１ｂ〜２３−７ｂを介して複数の電圧センス個所２２とそれぞれ接続され、外部からの入力信号に基づいて複数の電圧センス個所２２のうちの一の電圧センス個所２２を選択するものであり、さらに、セレクタ２４は、電圧センス個所２２の電圧をＬＳＩ２０の外部に出力するための電圧センス端子２５に接続されている。
【００３２】
図２，図３はセレクタ２４の構成を示す回路図である。図２に示すように、セレクタ２４は、トランジスタ２４ａとＮＯＴゲート２４ｂとからなる選択用回路２４−１ａ〜２４−７ａをそなえて構成されており、これら選択用回路２４−１ａ〜２４−７ａには、ＶＤＤセンス個所２２ａに接続された接続線２３−１ａ〜２３−７ａがそれぞれ接続されている。
【００３３】
なお、図２に示すごとく、選択用回路２４−１ａ〜２４−７ａの符号において、右端から２番目の符号“１〜７”は、接続線２３−１ａ〜２３−７ａの右端の符号“１〜７”に対応しており、この符号が同一のもの同士が互いに接続されている。
そして、セレクタ２４の選択用回路２４−１ａ〜２４−７ａのそれぞれは、電圧センス端子２５の第２電源電圧センス端子２５ａ（図中“ＶＳ”参照）に接続されている。
【００３４】
また、図３に示すように、セレクタ２４は、トランジスタ２４ａとＮＯＴゲート２４ｂとからなる選択用回路２４−１ｂ〜２４−７ｂをそなえて構成されており、これらの選択用回路２４−１ｂ〜２４−７ｂには、ＧＮＤセンス個所２２ｂに接続された接続線２３−１ｂ〜２３−７ｂがそれぞれ接続されている。
なお、図３に示すごとく、選択用回路２４−１ｂ〜２４−７ｂの符号において、右端から２番目の符号“１〜７”は、接続線２３−１ｂ〜２３−７ｂの右端の符号“１〜７”に対応しており、この符号が同一のもの同士が互いに接続されている。
【００３５】
そして、セレクタ２４の選択用回路２４−１ｂ〜２４−７ｂのそれぞれは、電圧センス端子２５の第２ＧＮＤセンス端子２５ｂ（図中“ＧＳ”参照）に接続されている。
したがって、例えば、セレクタ２４に電圧センス個所２２−１を選択するための入力信号（図中“ＳＥＬ１”と表記）が入力されると、セレクタ２４では、接続線２３−１ａが接続された選択用回路２４−１ａによって、電圧センス個所２２−１のＶＤＤセンス個所２２ａの電圧が電圧センス端子２５の第２電源電圧センス端子２５ａに出力されるとともに、接続線２３−１ｂが接続された選択用回路２４−１ｂによって、電圧センス個所２２−１のＧＮＤセンス個所２２ｂの電圧が電圧センス端子２５の第２ＧＮＤセンス端子２５ｂに出力される。
【００３６】
電圧センス端子２５は、上述のごとく、電圧センス個所２２の電圧をＬＳＩ２０の外部に出力するものであり、第２電源電圧センス端子２５ａ及び第２ＧＮＤセンス端子２５ｂをそなえて構成されている。
そして、第２電源電圧センス端子２５ａは、基板１０上の配線を介して、基板１０にそなえられた第１電源電圧センス端子１３と接続され、第２ＧＮＤセンス端子２５ｂは、基板１０上の配線を介して、基板１０の第１ＧＮＤセンス端子１４に接続されており、これにより、セレクタ２４によって選択された電圧センス個所２２の電圧が、第１電源電圧センス端子１３及び第１ＧＮＤセンス端子１４を介して電源ユニット３０に出力され、当該電圧がセンスされる。
【００３７】
なお、本電源供給システム１において、少なくとも、複数の電圧センス個所２２，セレクタ２４，及び電圧センス端子２５は、ＬＳＩ２０における電源ユニット３０からの供給電圧を検出するための電源センス回路２６として機能する。
したがって、本電源供給システム１によれば、例えば、回路ブロック２１−１を評価試験の対象とする場合には、この回路ブロック２１−１への供給電圧をセンスすべく、この回路ブロック２１−１近傍の電圧センス個所２２−１を選択するための入力信号（ＳＥＬ１）がセレクタ２４に入力される。
【００３８】
すると、セレクタ２４において、入力信号に基づいて、電圧センス個所２２−１のＶＤＤセンス個所２２ａに接続線２３−１ａを介して接続された選択用回路２４−１ａ及び電圧センス個所２２−１のＧＮＤセンス個所２２ｂに接続線２３−１ｂを介して接続された選択用回路２４−１ｂが活性化され、電圧センス個所２２−１における電圧が電圧センス端子２５に出力される。
【００３９】
次いで、電圧センス個所２２−１の電圧は、電圧センス端子２５から第１電源電圧センス端子１３及び第１ＧＮＤセンス端子１４を介して電源ユニット３０に出力され、電源ユニット３０にセンスされる。
そして、電源ユニット３０の調整部３５は、センスされた電圧センス個所２２−１の電圧値に基づいて、基板１０上のＬＳＩ２０へ供給する電源電圧を所望の値に調整する。例えば、評価試験が、供給電圧が１Ｖのときの回路ブロック２１−１の動作を検証するものである場合、調整部３５は、回路ブロック２１−１における実際の供給電圧値（つまり、センスされた電圧センス個所２２−１の電圧値）が、試験を行ないたい電圧値（ここでは１Ｖ）になるように、センスされた電圧値に基づいてフィードバック制御を行ない、回路ブロック２１−１における実際の供給電圧値を、試験を行ないたい電圧値に調整する。
【００４０】
次に、図４を参照しながら、ＬＳＩ２０のセレクタ２４へ入力信号を入力するための構成について説明する。この図４に示すように、ＬＳＩ２０は、入力端子２７ａ，出力端子２７ｂ，及び複数のフリップフロップ（順路回路素子）２７−１〜２７−５が数珠状に連なって構成されたスキャンチェイン２７をそなえて構成されている。このスキャンチェイン（シフトレジスタ）２７は、例えば、ＢＩＳＴ（Built In Self Test）に用いられるものであり、ＬＳＩ２０は、従来は他の用途に用いられている既存のスキャンチェイン２７を利用して、電圧センス個所２２を選択するための入力信号をセレクタ２４に入力している。
【００４１】
具体的には、フリップフロップ２７−４，２７−５がセレクタ２４にそれぞれ接続され、入力端子２７ａから入力された入力信号が、フリップフロップ２７−４，２７−５からセレクタ２４に入力されるようになっている。
したがって、ＬＳＩ２０によれば、セレクタ２４に入力信号を入力するための機構を新たに設けることなく、既存のスキャンチェイン２７を利用して入力信号が入力されるので、高密度実装が望まれるＬＳＩ２０の実装面を有効利用することができるとともに、低コスト化にも寄与することができる。
【００４２】
このように、本発明の一実施形態としての電源供給システム１（電源センス回路２６）によれば、複数の電圧センス個所２２と、これら複数の電圧センス個所２２のうちの一つを選択するセレクタ２４と、このセレクタ２４によって選択された一の電圧センス個所２２の電圧をＬＳＩ２０の外部に出力するための電圧センス端子２５とをそなえて構成されているので、セレクタ２４が入力信号に応じて複数の電圧センス個所２２を選択することにより、ＬＳＩ２０内部における様々な場所の供給電圧を確実にセンスすることができる。
【００４３】
しかも、上記図５を参照しながら説明した従来技術に対して、複数の電圧センス個所２２とセレクタ２４とを加えるだけで実現することができ、非常に簡素な構成によって、ＬＳＩ２０内部における様々な位置の供給電圧をセンスすることができる。
そのため、例えば上述した特許文献２に開示された従来技術のように、複数の電源回路や電圧の測定部や制御部などをＬＳＩ２０上に搭載する必要がなく、省スペース化及び低コスト化を実現することができる。
【００４４】
さらに、セレクタ２４によって電圧をセンスするための電圧センス個所２２を動的に変更できるので、ＬＳＩ２０の評価試験を行なうにあたり、セレクタ２４によって電圧をセンスする位置を複数の電圧センス個所２２のうちの試験対象の回路ブロック付近の電圧センス個所２２に切り替えることで、試験対象の回路ブロック２１付近の実際の電圧値を精度良く検出することができる。そして、この電圧値に基づいて調整部３５が供給電圧を調整するので、試験対象の回路ブロック２１への供給電圧を、試験を行ないたい所望の電圧に確実に一致させることができる。つまり、ＬＳＩ２０への供給電圧の設定精度をＬＳＩ２０内部の位置に係わらず向上させることができる。
【００４５】
このように、ＬＳＩ２０の評価試験を行なう場合に、試験対象の回路ブロック２１への供給電圧を、試験を行ないたい所望の電圧に高精度に設定することができ、その結果、高精度な評価試験が可能になる。
また、ＬＳＩ２０の実稼働中においても、稼動している回路ブロック２１付近の電圧センス個所２２をセレクタ２４によって選択することにより、稼働中の回路ブロック２１の電圧値を高精度に検出することができ、この電圧値に基づいて調整部３５が供給電圧を調整するので、稼動中の回路ブロック２１に対して正確な電源供給を行なうことができる。
【００４６】
なお、セレクタ２４をアナログスイッチなどの単純な回路で構成することにより、電源センス回路２６をより単純な簡素なものにすることができる。
また、複数の電圧センス個所２２が回路ブロック２１に対応する位置にそれぞれ配設されているので、回路ブロック２１に供給されている電圧をより高精度に検出することができ、その結果、回路ブロック２１への供給電圧の設定精度をより向上させることができる。
【００４７】
〔２〕その他
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、本発明において電圧センス個所２２を配置する位置は複数の回路ブロック２２の間に限定されるものではなく、電圧センス個所２２の実装可能なスペース（つまり、接続線２３−１ａ〜２３−７ａ，２３−１ｂ〜２３−７ｂの配線可能なスペース）を考慮して、少なくとも回路ブロック２１に近づくように配置すればよい。
【００４８】
さらに、上述した実施形態では、電源供給システム１の基板１０が一つのＬＳＩ２０をそなえて構成されている例をあげて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、基板１０が複数のＬＳＩを搭載していてもよい。この場合、本発明の電源供給システム１の電源センス回路２６は、基板１０に搭載された複数のＬＳＩのすべてにそなえられることが好ましい。
【００４９】
また、本発明が、専用機能を持った少数のチップ部品を搭載して実現されたシステムＬＳＩに適用される場合には、複数の電圧センス個所２２は、システムＬＳＩに搭載された複数のチップ部品に対応した位置にそれぞれ設けられることが好ましく、これにより、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５０】
〔３〕付記
（付記１）
集積回路内部に設けられ、当該集積回路における供給電圧を検出するための電源センス回路であって、
複数の電圧センス個所と、
該複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、
該選択回路に接続され、該選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえて構成されていることを特徴とする、電源センス回路。
【００５１】
（付記２）
前記複数の電圧センス個所が、該集積回路の複数の回路ブロックに対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする、付記１記載の電源センス回路。
（付記３）
前記複数の電圧センス個所が、該集積回路に搭載された複数のチップ部品に対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする、付記１記載の電源センス回路。
【００５２】
（付記４）
前記選択回路が当該集積回路に搭載されたスキャンチェインに接続され、前記入力信号が前記スキャンチェインを介して入力されることを特徴とする、付記１〜付記３のいずれか１項に記載の電源センス回路。
（付記５）
集積回路に電力を供給する電源供給部をそなえるとともに、
前記集積回路内部に、
複数の電圧センス個所と、
該複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、
該選択回路に接続され、該選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえ、
前記電源供給部が、前記電圧センス端子から出力された前記電圧に基づいて前記集積回路に供給する電力を調整することを特徴とする、電源供給システム。
【００５３】
（付記６）
前記複数の電圧センス個所が、該集積回路の複数の回路ブロックに対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする、付記５記載の電源供給システム。
（付記７）
前記複数の電圧センス個所が、該集積回路に搭載された複数のチップ部品に対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする、付記５記載の電源供給システム。
【００５４】
（付記８）
前記選択回路が当該集積回路に搭載されたスキャンチェインに接続され、前記入力信号が前記スキャンチェインを介して入力されることを特徴とする、付記５〜付記７のいずれか１項に記載の電源供給システム。
（付記９）
供給電圧を検出するための電源センス回路を搭載され、
該電源センス回路が、
複数の電圧センス個所と、
該複数の電圧センス個所とそれぞれ接続され、入力信号に基づいて前記複数の電圧センス個所のうちの一の電圧センス個所を選択する選択回路と、
該選択回路に接続され、該選択回路によって選択された前記一の電圧センス個所の電圧を当該集積回路の外部に出力するための電圧センス端子とをそなえて構成されていることを特徴とする、集積回路。
【００５５】
（付記１０）
前記電源センス回路の前記複数の電圧センス個所が、該集積回路の複数の回路ブロックに対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする、付記９記載の集積回路。
（付記１１）
前記電源センス回路の前記複数の電圧センス個所が、該集積回路に搭載された複数のチップ部品に対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする、付記９記載の集積回路。
【００５６】
（付記１２）
前記電源センス回路の前記選択回路が当該集積回路に搭載されたスキャンチェインに接続され、前記入力信号が前記スキャンチェインを介して入力されることを特徴とする、付記９〜付記１１のいずれか１項に記載の集積回路。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態としての電源供給システムの構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態としての電源供給システムのセレクタの構成を説明するための回路図である。
【図３】本発明の一実施形態としての電源供給システムのセレクタの構成を説明するための回路図である。
【図４】本発明の一実施形態としての電源供給システムにそなえられたスキャンチェインの構成を示すブロック図である。
【図５】従来の電源供給システムの構成を説明するための図である。
【図６】従来の集積回路の構成例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１，１００  電源供給システム
１０，１０１  基板
１１，１０２  電源端子
１２，１０３  ＧＮＤ端子
１３，１０４  第１電源電圧センス端子
１４，１０５  第１ＧＮＤセンス端子
２０，１１０  ＬＳＩ（集積回路）
２１−１〜２１−９，１１３ａ〜１１３ｉ  回路ブロック
２２−１〜２２−７  電圧センス個所
２２ａ  ＶＤＤセンス個所
２２ｂ  ＧＮＤセンス個所
２３−１ａ〜２３−７ａ，２３−１ｂ〜２３−７ｂ  接続線
２４  セレクタ（選択回路）
２４−１ａ〜２４−７ａ，２４−１ｂ〜２４−７ｂ  選択用回路
２４ａ  トランジスタ
２４ｂ  ＮＯＴゲート
２５  電圧センス端子
２５ａ，１１１  第２電源電圧センス端子
２５ｂ，１１２  第２ＧＮＤセンス端子
２６  電源センス回路
２７  スキャンチェイン
２７−１〜２７−５  フリップフロップ
２７ａ  入力端子
２７ｂ  出力端子
３０，１２０  電源ユニット（電源供給部）
３１，１２１  ＶＤＤ出力部
３２，１２２  ＧＮＤ出力部
３３，１２３  ＶＤＤセンス部
３４，１２４  ＧＮＤセンス部
３５  調整部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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