(57)【要約】【課題】本発明の目的は、液晶装置の開口率の向上と透過率・反射率の向上、広視野角の実現にある。【解決手段】データ線１１０とタイミング（ゲート）線１０２が格子状に配置され、前記データ線１１０とタイミング（ゲート）線１０２の交点に駆動手段１１２が配置された基板１０１を一方の基板とした液晶装置１００であって、凸部に形成された１つ以上のストライプ構造の共通電極１０６と１つ以上のストライプ構造の画素電極１０８が相対向するように載置される。【選択図】図２
2007240911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板と第２基板との間に液晶層が挟持され、前記第１基板の前記液晶
層側には、棒状電極を有する第１電極と、前記第１電極の前記液晶層側において前記第１
電極を覆う領域に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の前記液晶層側に設けられて
互いに電気的に接続されるとともに間隙を隔てて前記所定方向に延在して設けられた複数
の棒状電極を有する第２電極と、が備えられた液晶装置であって、
前記第１電極と前記第１基板との間には、前記所定方向に延在する凸部を有した第２絶
縁膜が設けられており、前記凸部が前記第２電極の複数の前記棒状電極の間に配置されて
いることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２電極の前記所定方向と交差した一方の側における前記第１電極上の前記第１絶
縁膜の厚みが、前記一方の側と反対側とされる前記第２電極の他方の側における前記第１
電極上の前記絶縁膜の厚みと異なっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１電極は、互いに電気的に接続されるとともに間隙を隔てて前記所定方向に延在し
て設けられた複数の棒状電極を有し、前記第１電極の複数の前記棒状電極は、前記第２電
極の複数の前記棒状電極の間隙に対応して配置されていることを特徴とする請求項１又は
２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第２絶縁膜は複数設けられ、当該複数の前記第２絶縁膜上に前記第１電極の複数の前
記棒状電極が配置されていることを特徴とする請求項３記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第２絶縁膜には、複数の前記凸部と、該複数の凸部の間に設けられた凹部とが形成さ
れ、前記凸部及び前記凹部に対応して前記第１電極の複数の前記棒状電極が配置されると
ともに、前記凸部及び前記凹部が前記第２電極の複数の前記棒状電極の間に配置されてい
ることを特徴とする請求項３又は４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記所定方向に延在する凸部を有した前記第２絶縁膜が複数設けられ、該複数の前記第２
絶縁膜上に前記凸部を覆ってそれぞれ前記第１電極が設けられ、前記凸部を有した複数の
前記第２絶縁膜は、互いに間隙を隔てて離間して設けられ、該間隙には前記第１電極は設
けられていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１電極は、前記第１基板に対して所定の角度で傾斜する傾斜面を有しており、前
記絶縁膜は、前記傾斜面の傾斜方向において連続的に変化する膜厚を有していることを特
徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第１電極は、前記液晶層側から入射した光を反射する反射膜で構成されていること
を特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第２電極はスイッチング素子に接続された画素電極であることを特徴とする請求項
１乃至８のいずれか１項に記載の液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置に関する。特に広視野角、高透過率・高反射率と高開口率を有する
液晶装置の電極構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、狭い視野角特性のＴＮ表示モードの液晶表示素子に代わって液晶分子を駆動させる
電極が全て同一の基板上に形成されるＩＰＳ（Ｉn-Ｐlane Switching）モードが下記文献
１に記載されているように提案された。図１３は従来のＩＰＳモードの液晶表示素子の例
である。下部基板１０上に金属膜を例えば２５００及至３０００オングストロームの厚み
に形成する。金属膜はアルミニュム、チタン、タンタル、クロム及びこれらを組み合わせ
たものから形成される。金属膜の所定部分をパターニングし、ゲートバスライン１１と対
向電極１２を形成する。図１３に示すように対向電極１２と画素電極１４との間で発生す
るほぼ基板に平行な形態の電界が形成される。これにより、液晶内の液晶分子（図示せず
）は、それの誘電率異方性特性により、電界方向と略平行な方向に配向制御され、それの
光軸が電界と平行に捻じれる。このため使用する人はいずれの方向からも液晶分子の長軸
を見るようになり、液晶装置の視野角が改善される。
【非特許文献１】Ｍ．ｏｈ−ｅ，Ｍ．ｏｈｔａ，Ｓ．Ａｒａｔａｎｉ，ａｎｄＫ．Ｋｏｎｄｏ  ｉｎ“Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  １５ｔｈｉｎｔｅｎｎａｔｉｏｎａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ“，Ｐ．５７７  ｂｙ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ａｎｄ  ｔｈｅ  ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｏｆ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ，１９９５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、ＩＰＳ−ＬＣＤは次のような問題が存在する。（１）光が透過する面である下部
基板１０上にアルミニュムなどのような不透明金属からなる対向電極１２と画素電極１４
が配置される。（２）これにより、液晶表示装置の開口面積が減少し、透過率が低下する
。この結果から適正な輝度を得るためには、強いバックライトを使用する必要があり、こ
のため消費電力が増加する問題がある。（３）対向電極１２と画素電極１４間に適正な強
さの電界を得るためには電極１２，１４が比較的広い幅例えば１０〜２０μｍほどの幅を
有する。このような構造のため電極１２，１４間には、基板とほぼ平行な電界が形成され
るが、広い幅を有する電極１２，１４上部の大部分の領域にある液晶には電界の影響が及
ばなくて、等電位面が生じるようになる。これにより対向電極１２と画素電極１４を透明
物質で形成しても電極上部の液晶分子が初期の配列状態を維持するので、透過率は殆ど変
わらない。
【０００４】
そこで、本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、本発明の目的
は、液晶表示装置の開口率の向上と透過率・反射率の向上、広い視野角の実現することを
目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、対向配置された第１基板と第２基板と
の間に液晶層が挟持され、前記第１基板の前記液晶層側には、棒状電極を有する第１電極
と、前記第１電極の前記液晶層側において前記第１電極を覆う領域に設けられた第１絶縁
膜と、前記第１絶縁膜の前記液晶層側に設けられて互いに電気的に接続されるとともに間
隙を隔てて前記所定方向に延在して設けられた複数の棒状（ストライプ形状、屈曲形状、
曲線形状等）電極を有する第２電極と、が備えられた液晶装置であって、前記第１電極と
前記第１基板との間には、前記所定方向に延在する凸部（稜線、頂部）を有した第２絶縁
膜が設けられており、前記凸部が前記第２電極の複数の前記棒状電極の間に配置されてい
ることを特徴とする。
【０００６】
本発明によれば、第１電極と第１基板との間に、所定方向に延在する凸部（稜線、頂部
）を有した第２絶縁膜上に形成された棒状（ストライプ形状、屈曲形状、曲線形状等）電
極を有する第１電極に向う複数の棒状（ストライプ形状、屈曲形状、曲線形状等）電極を
有する第２電極からの電界は凸部において第２電極と第１電極の距離が短くなるため、垂
直方向の電界が強くなるため電界分布を水平方向に広くとることができる。凸部の反対側
においては第２電極と第１電極の距離が長いため電界分布を垂直方向に深くすることがで
きる。水平方向及び垂直方向とも第２電極から第１電極に向かう電界強度を水平方向、垂
直方向に大きくすることがでる。更に第２電極の両端の垂直方向、水平方向の電界の差を
大きくできるため第２電極上の電界の変化を大きくすることができ第２電極上部の液晶層
の配列を十分に変化させることができるので、上記目的である高視野角、開口率、透過率
向上が達成することができる。
【０００７】
また、本発明の液晶装置は、前記第２電極の前記所定方向と交差した一方の側（平面方
向の側）における前記第１電極上の前記第１絶縁膜の厚みが、前記一方の側と反対側とさ
れる前記第２電極の他方の側における前記第１電極上の前記絶縁膜の厚みと異なっている
ことを特徴とする。
本発明によれば第２電極の１方の側（平行方向の側）における第１電極の絶縁層の厚さが
薄いため第２電極と第１電極の距離が短いため垂直方向の電界が強くなるため電界分布を
水平方向に広くとることができ、第２電極の１方の側と反対側とされる第２電極の他方の
側における第１電極の絶縁層の厚さが厚いため第２電極と第１電極の距離が長いため電界
分布を垂直方向に深くすることができる。水平方向及び垂直方向とも第２電極から第１電
極に向かう電界強度を水平方向、垂直方向に大きくすることができ、更に第２電極の両端
の垂直方向、水平方向の電界の差を大きくできるため第２電極上の電界の変化を大きくす
ることができ第２電極上部の液晶層の配列を十分に変化させることができるので、上記目
的である高視野角、開口率、透過率向上が達成することができる。
【０００８】
また、本発明の液晶装置は、前記第１電極は、互いに電気的に接続されるとともに間隙
を隔てて前記所定方向に延在して設けられた複数の棒状（ストライプ形状、屈曲形状、曲
線形状等）電極を有し、前記第１電極の複数の前記棒状電極は、前記第２電極の複数の前
記棒状電極の間隙に対応して配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、第１電極は互いに電気的に接続されて隙間を隔てて延在する複数の棒状
電極を有し、複数の棒状電極は第２電極の複数の棒状電極の隙間に対応するため第２電極
から第１電極に向う電界を片側は第２電極と第１電極の距離が近いため垂直方向の電界強
度が強いため電界を水平方向に電界を広げることができる。もう一方の片側は第２電極と
第１電極の距離が遠いため水平方向に狭め、垂直方向に電界を深くすることができる。第
２電極の複数の前記棒状電極の間隙に対応して配置された第１電極により第２電極上部、
第２電極間の液晶層を十分に変化させるので、上記目的である高視野角、開口率、透過率
向上を達成することができる。
また、本発明の液晶装置は上記において、前記第２絶縁膜は複数設けられ、当該複数の前
記第２絶縁膜上に前記第１電極の複数の前記棒状電極が配置されていることを特徴とする
。
【０００９】
本発明によれば、第２絶縁膜は複数設けられ、複数の第２絶縁膜上において複数の棒状
第１電極が配置されることにより第１電極の表面積を大きくすることができるため、上記
目的である開口率、透過率向上を達成することができる。
また、本発明の液晶装置は、前記第２絶縁膜には、複数の前記凸部（稜線、頂部、山）と
、該複数の凸部の間に設けられた凹部（谷、溝）とが形成され、前記凸部及び前記凹部に
対応して前記第１電極の複数の前記棒状電極が配置されるとともに、前記凸部及び前記凹
部が前記第２電極の複数の前記棒状電極の間に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、第２絶縁膜には、複数の凸部（稜線、頂部、山）と、複数の凸部の間
に設けられた凹部（谷、溝）とが形成され、凸部及び凹部に対応して第１電極の複数の棒
状電極が配置されるとともに、凸部及び凹部が第２電極の複数の棒状電極間に配置されて
いるため第２電極から第１電極に向う電界は複数の凸部では第２電極と第１電極の距離が
近いため垂直方向の電界強度が強いため凸部に対して電界を水平方向に電界を広げること
ができる。複数の凸部の間に設けられた凹部では第２電極と第１電極の距離が遠いため凹
部に対して水平方向に狭め、垂直方向に電界を深くすることができる。凸部、凹部に形成
された第１電極とも第２電極上部、第２電極間の液晶層を十分に変化させるので、上記目
的である高視野角、開口率、透過率向上を達成することができる。
また、本発明の液晶装置は、前記所定方向に延在する凸部を有した前記第２絶縁膜が複数
設けられ、該複数の前記第２絶縁膜上に前記凸部を覆ってそれぞれ前記第１電極が設けら
れ、前記凸部を有した複数の前記第２絶縁膜は、互いに間隙（スペース）を隔てて離間し
て設けられ、該間隙には前記第１電極は設けられていないことを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、所定方向に延在する凸部を有した第２絶縁膜が複数設けられ、複数の
第２絶縁膜上に凸部を覆ってそれぞれ第１電極が設けられるため第２電極から第１電極に
向う電界は複数の凸部では第２電極と第１電極の距離が近いため垂直方向の電界強度が強
いため凸部に対して電界を水平方向に電界を広げることができる。凸部を有した複数の第
２絶縁膜は、互いに間隙（スペース）を隔てて離間して設けられる、間隙上には第２電極
が設けられ間隙には第１電極は設けられていない。第２絶縁膜は、互いに間隙を隔てて離
間して設けられているため間隙上の第２電極からの電界は間隙の両側の第２絶縁膜上の第
１電極に向かうため間隙下には第１電極は設けられていないにもかかわらず間隙上の第２
電極からの電界を左右に水平方向、垂直方向に大きく曲げることができるため間隙上の第
２電極上部、第２電極間の液晶層を十分に変化させるので、上記目的である高視野角、開
口率、透過率向上を達成することができる。また間隙には第１電極が設けられていないた
め透過率を更に向上することができる。
また、本発明の液晶装置は、前記第１電極は、前記第１基板に対して所定の角度で傾斜す
る傾斜面を有しており、前記絶縁膜は、前記傾斜面の傾斜方向において連続的に変化する
膜厚を有していることを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、第１電極は、第１基板に対して所定の角度で傾斜する傾斜面を有して
おり、絶縁膜は、傾斜面の傾斜方向において連続的に変化する膜厚を有していることによ
り第１電極面積を大きくするので、上記目的である開口率、透過率向上を達成することが
できる。
また、本発明の液晶装置は、前記第１電極は、前記液晶層側から入射した光を反射する反
射膜で構成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、第１電極の面積を大きくすることができるので、反射タイプ液晶表示
装置において上記目的である反射率の向上を達成することができる。
【００１４】
また、本発明の液晶装置は、前記第２電極はスイッチング素子に接続された画素電極で
あることを特徴とする。駆動手段としてのスイッチング素子はＴＦＴ、ＴＦＤで構成され
ている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置１００の平面図であり、図２は図１
の１−１’部における断面図であり、図３は駆動（スイッチング素子）部２−２’部の断
面図である。図４の（a）は３−３’部、（ｂ）は４−４’部、（ｃ）は５−５’部、（
ｄ）は６−６’部の断面図である。
【００１７】
図１において、絶縁性の第１基板上に有機絶縁体を所定の形状に形成した後、フォトリ
ソグラフィーにより１つ以上の凸部を形成し、１０６Ａ部に稜部を１０６Ｂ部に谷部を形
成する。１０６Ａ部、１０６Ｂ部の上部にＡｌ等による反射金属を全面蒸着しパターニン
グによりストライプ構造の共通電極１０６−１，１０６−２、１０６−３，１０６−４，
１０６−５を形成する。共通電極１０６−１，１０６−２、１０６−３，１０６−４，１
０６−５の上部に透明樹脂による平坦化層を形成し、平坦化層の上に金属層を全面蒸着し
、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）、タイミング（ゲート
）線１０２(b)に凸部を設けたゲート電極１０３を形成する。ゲート電極１０３の上部に
ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ構造の
画素電極（第２電極）１０８、画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−１，１０８
−２，１０８−３，１０８−４を形成する。ゲート絶縁層の上に形成されるa-Ｓｉによる
チャネル層１０９を形成し、ゲート電極１０３をマスクとしてイオン注入によりソース、
ドレイン形成を行う。ゲート絶縁膜上に形成された金属層によりパターニングされたデー
タ線１１０とチャネル層１０９の−側にオーバーラップしたコンタクト電極（１）（ソー
ス電極）１１１と、チャネル層１０９の他端とオーバーラップした画素電極（第２電極）
１０８の直線部分１０８−１とコンタクトされるコンタクト電極（２）（ドレイン電極）
１１３よりなる。
【００１８】
ここにおいて画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−１，１０８−２，１０８−
３，１０８−４の幅を１〜９μｍとするプロセス解像度５μｍでは５μｍとなる。画素電
極（第２電極）１０８間の距離ｄ１、ｄ２についても幅を１〜９μｍとする。プロセス解
像度５μｍでは５μｍとなる。ストライプ構造の共通電極１０６−１，１０６−２、１０
６−３，１０６−４，１０６−５についても幅を１〜９μｍとするがプロセス解像度５μ
ｍでは５〜７μｍとする。画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−１，１０８−２
，１０８−３，１０８−４と共通電極１０６−１，１０６−２、１０６−３，１０６−４
，１０６−５は平面的なオーバーラップ部がある場合は蓄積キャパシタＣｓｔの一部分と
なる。
【００１９】
図２において、絶縁性の第１基板１０１の上に有機絶縁体１０５を全面形成し、フォト
リソグラフィーにより１つ以上の凸部（１０５−１、１０５−２）を形成する。この有機
絶縁体１０５の凸部の頂部（稜線）１０６Ａは、画素電極１０８の直線部１０８−１、１
０８−２、１０８−３，１０８−４の延在する方向に沿って形成されている。有機絶縁体
１０５による凸部（１０５−１、１０５−２）の上部にＡｌ等による反射金属を全面蒸着
しパターニングにより幅ｄ３、ｄ４の共通電極１０６−２、１０６−３が形成される。共
通電極１０６−１，１０６−２、１０６−３，１０６−４，１０６−５についても幅を１
〜９μｍとするがプロセス解像度５μｍでは５〜７μｍとする。共通電極１０６（直線部
１０６−１，１０６−２，１０６−３，１０６−４、１０６−５）と各共通電極の直線部
の一方の端部をそれぞれ接続する共通線（ａ）、（ｂ）を同時に形成する。共通電極１０
６（１０６−１，１０６−２、１０６−３、１０６−４、１０６−５）、共通線（ａ）、
（ｂ）の上に平坦化層１１８を透明樹脂等にて形成する。平坦化層１１８の上に金属層を
全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線とタイミング（ゲート）線の一部
を突出させたゲート電極を形成する。そして、ゲート電極の上部にゲート絶縁膜を形成し
、ゲート絶縁膜の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ構造の画素電極１０８（１０
８−１、１０８−２、１０８−３、１０８−４）を形成する。このストライプ構造の画素
電極（１０８−１、１０８−２、１０８−３、１０８−４）は、タイミング（ゲート）線
１０２(b)の上層（平面的に重なる領域）において一方の端部がそれぞれ電気的に接続さ
れている。
図２に示すように有機絶縁体１０５はフォトリソグラフィーにより１つ以上の断面が左右
で対称なあるいは非対称な凸部（１０５−１、１０５−２）を形成してもよいし、加熱焼
成する過程でパターニングして溶融状態として、溶融状態における表面張力により断面が
左右で対称なあるいは非対称な２次曲線状の凸部としてもよい。
図２に示すように画素電極１０８から共通電極１０６に向けての電界は、有機絶縁体１０
５の凸部に形成された共通電極（１０６−２、１０６−４）において画素電極１０８−１
、１０８−２（及び１０８−３、１０８−４）間からの電界が合わさるため強化され電界
分布は略ハート状となる。また従来例に比べ共通電極が傾くため基板の垂直方向の電界の
変化が大きくなり、画素電極上の電界、及び画素電極間の電界の変化がない領域がなくな
るため画素電極上の液晶、及び画素電極間上の液晶が十分に変化するため透過率が向上す
る。また従来例に比べ共通電極が傾くため水平方向の電界の変化が大きくなり見る角度に
影響されなくなるため、高視野角が実現できる。
また従来、画素電極と共通電極はＡｌ等の光非透過性の金属で形成されていたが本発明で
は画素電極１０８（直線部１０８−１，１０８−２，１０８−３，１０８−４）は光透過
性のＩＴＯで形成されているため開口率が向上する。
本発明の第１の実施例は、図１に示すように、駆動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ
）１１２はタイミング（ゲート）線１０２（ｂ）、及びデータ線１１０の交点の付近にそ
れぞれ形成される。図３に示すように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１２は絶縁第１基板
上１０１に形成された有機絶縁体１０５−１、平坦化層１１８上に形成されたタイミング
（ゲート）線１０２（ｂ）の凸部であるゲート電極１０３、ゲート電極１０３上部のゲー
ト絶縁層１０７の上に形成されるチャネル層１０９と、チャネル層１０９の−側とオーバ
ーラップしたデータ線１１０から伸びたコンタクト電極（１）（ソース電極）１１１と、
チャネル層１０９の他端とオーバーラップした画素電極１０８（１０８−１）の所定部分
とコンタクトされるコンタクト電極（２）（ドレイン電極）１１３とを含む。
データ線１１０、タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）は遮光性を有する導電性
物質（Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌといった金属もしくはそれらにＳｉを含む金属さらに
は不純物により抵抗を下げたＳｉ等）にて形成する。ゲート絶縁層１０７、画素電極１０
８の上には配向膜１１５が形成される。
蓄積キャパシタＣｓｔは共通電極１０６と画素電極１０８がオーバーラップした部分で発
生する。蓄積キャパシタＣｓｔは図２において共通電極１０６と画素電極１０８がオーバ
ーラップした部分で発生する。図２に示すように、上記した構造を有する下部第１基板１
０１上には、所定距離（セルギャップ）ｄを隔てて上部第２基板１１７が配置される。上
部第２基板１１７の下部第１基板１０１に対向する面には配向層１１５、カラーフィルタ
ー１１６が形成される。
本発明の第１の実施形態に係る液晶装置１００において、有機絶縁体１０５を形成しフォ
トリソグラフィーにより１つ以上の凸部（１０５−１、１０５−２）を形成する。有機絶
縁体１０５による凸部（１０５−１、１０５−２）の上部に金属層を蒸着した後に共通電
極１０６の直線部（１０６−１，１０６−２，１０６−３，１０６−４，１０６−５）と
共通線１０４をパターニングによって同時に形成する。図４(a)の共通線１０４（ａ）、
（ｂ）の上部に形成された平坦化層１１８の上に金属層をパターンニングしてタイミング
（ゲート）線１０２（ａ）、１０２（ｂ）を形成する。タイミング（ゲート）線１０２（
ａ）、（ｂ）の下部に光非透過性の共通線１０４（ａ）、（ｂ）を形成することによって
、従来共通線１０４（ａ）、（ｂ）でさえぎられていた部分に光が透過するようになり、
光透過面積が増えるため開口率が改善されるところに特徴がある。
【００２０】
また、図４（a）は３−３’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０
５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機
絶縁体１０５の凸部１０５−１、１０５−２の上に有機絶縁体１０５の凸部の上部に金属
層を全面蒸着し、パターニングにより金属層でできたストライプ構造の共通電極（第１電
極）１０６−１、１０６−２，１０６−３，１０６−４，１０６−５と共通線１０４（ａ
）、（ｂ）を同時に形成する。共通電極（第１電極）１０６−１、１０６−２，１０６−
３，１０６−４，１０６−５と共通線１０４（ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦
化層１１８を形成し、平坦化層１１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイ
ミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）を形成する。タイミング（ゲート）線１０２（
ａ）、（ｂ）の上部にゲート絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上にＩＴＯを
パターニングしてストライプ構造の画素電極（第２電極）１０８及び画素電極（第２電極
）１０８の直線部１０８−２を形成する。
【００２１】
また、図４（b）は４−４’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０
５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機
絶縁体１０５の凸部１０５−１の上部に金属層を全面蒸着し、パターニングにより金属層
でできたストライプ構造の凸部１０６Ａにストライプ構造の共通電極（第１電極）１０６
−２と共通線１０４（ａ）、（ｂ）を同時に形成される。共通電極（第１電極）１０６−
２、共通線１０４（ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦
化層１１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２
（ａ）、（ｂ）を形成する。タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上部にゲー
ト絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上にＩＴＯをパターニングしてストライ
プ構造の画素電極（第２電極）１０８を形成する。
【００２２】
また、図４（c）は５−５’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０
５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機
絶縁体１０５の凸部１０５−１の上部に金属層を全面蒸着し、パターニングにより金属層
でできたストライプ構造の共通電極（第１電極）１０６−１と共通線１０４（ａ）、（ｂ
）を同時に形成する。共通電極（第１電極）１０６−１、共通線１０４（ａ）、（ｂ）の
上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層１１８の上に金属層を全面蒸着
し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）及びタイミング（ゲ
ート）線１０２（ｂ）に凸部を設けたゲート電極１０３を形成する。ゲート電極１０３の
上部にゲート絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上に画素電極（第２電極）１
０８の直線部１０８−１とコンタクトされるコンタクト電極（２）（ドレイン電極）１１
３を形成する。
【００２３】
また、図４（d）は６−６’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０
５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機
絶縁体１０５の凸部１０５−１の上部に金属層を全面蒸着し、１０６Ｂ部にパターニング
により金属層でできたストライプ構造の共通電極（第１電極）１０６−１、共通線１０４
（ａ）、（ｂ）を同時に形成される。共通電極（第１電極）１０６−１、共通線１０４（
ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層１１８の上に金
属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上
部にゲート絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上に形成された金属層によりパ
ターニングされたデータ線とチャネル層の−側にオーバーラップしたコンタクト電極（１
）（ソース電極）１１１を形成する。
【００２４】
共通線１０４（ａ）、（ｂ）を見えなくすることができるため同一光度で画素面積を小
さくできるためより高精細度化ができる。
【００２５】
また、画素電極１０８を平面上に形成できるため従来例にくらべて表面の段差がなくな
るため配向層１１５の形成が容易になる特徴がある。
［第１の実施の形態の変形例］
以下、本発明の第１の実施の形態の変形例について、上述した第１の実施の形態と同じ
部分の説明は省略し、異なる特徴部分について以下に説明することにする。
【００２６】
本発明の第１の実施の形態の変形例では、有機絶縁体１０５の凸部（１０５−１，１０
５−２）の上に形成される共通線１０４（a）、１０４（ｂ）及び共通電極１０６（直線
部１０６−１，１０６−２，１０６−３，１０６−４，１０６−５）が一体的にＡｌ等の
金属層によって形成されており、上側絶縁基板１１７側から入射した外光を利用した反射
型表示が可能とされている。共通線１０４（a）、１０４（ｂ）、及び共通電極１０６（
直線部１０６−１，１０６−２，１０６−３，１０６−４，１０６−５）は、有機絶縁体
１０５の凸部（１０５−１，１０５−２）上にＡｌ等の金属層が全面に蒸着されたのち、
パターン形成によって設けられている。
【００２７】
これにより、従来例の画素電極と共通電極はＡｌ等の光非透過性の金属で形成され反射
層を形成していたが面積分の反射領域しかなく反射効率が悪かった。本発明では、画素電
極１０８を透明電極で形成し、共通電極１０６はＡｌ等による光反射性の金属層で形成さ
れ凸部を有するため反射効率がよく反射タイプの液晶装置に適する。
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態について図面を参照して説明する。
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置１００の平面図であり、図６は図５の
１−１’部における断面図であり、図７は駆動（スイッチング素子）部２−２’部の断面
図である。図８の（a）は３−３’部、（ｂ）は４−４’部、（ｃ）は５−５’部、（ｄ
）は６−６’部、（ｅ）は７−７’部の断面図である。
【００２８】
図５において、絶縁性の第１基板上に有機絶縁体１０５を所定の形状に形成した後、フ
ォトリソグラフィーにより１つ以上の凸部を形成し、有機絶縁体の間の隙間１１９が形成
される。１０６Ａ部に稜部を１０６Ｂ部に谷部を形成する。１０６Ａ部、１０６Ｂ部の上
部にＡｌ等による反射金属１０６−１、１０６−２を全面蒸着し、反射金属１０６−１、
１０６−２の上部に透明樹脂による平坦化層を形成し、平坦化層の上部にゲート絶縁膜を
形成し、ゲート絶縁膜の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ構造の画素電極（第２
電極）１０８、画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−１，１０８−２，１０８−
３，１０８−４を形成する。有機絶縁体の間の隙間１１９の上には画素電極（第２電極）
１０８の直線部１０８−５が形成される。ゲート絶縁層の上に形成されるa-Ｓｉによるチ
ャネル層１０９を形成し、ゲート電極１０３をマスクとしてイオン注入によりソース、ド
レイン形成を行う。ゲート絶縁膜上に形成された金属層によりパターニングされたデータ
線１１０とチャネル層１０９の−側にオーバーラップしたコンタクト電極（１）（ソース
電極）１１１と、チャネル層１０９の他端とオーバーラップした画素電極（第２電極）１
０８の直線部分１０８−１とコンタクトされるコンタクト電極（２）（ドレイン電極）１
１３よりなる。ここにおいて画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−１、１０８−
２、１０８−３、１０８−４、１０８−５の幅を１〜９μｍとするプロセス解像度５μｍ
では５μｍとなる。
【００２９】
図６において第１電極１０６と第１基板１０１との間に、所定方向に延在する凸部１０
６Ａ（稜線、頂部）を有した第２絶縁膜１０５−１，１０５−２上に形成された棒状（ス
トライプ形状、屈曲形状、曲線形状等）電極を有する第１電極１０６に向う複数の棒状（
ストライプ形状、屈曲形状、曲線形状等）電極を有する第２電極１０８−１，１０８−２
からの電界は凸部１０６Ａにおいて第２電極１０８−１，１０８−２と第１電極１０６（
１０６−１，１０６−２）の距離が短くなるため垂直方向の電界が強くなるため電界分布
を水平方向に広くとることができる。凸部１０６Ａの反対側１０６Ｂにおいては第２電極
１０８−２と第１電極１０６−２の距離が長いため電界分布を垂直方向に深くすることが
できる。画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−１，１０８−２，１０８−３，１
０８−４から共通電極（第１電極）１０６に向けての電界は共通電極（第１電極）１０６
の稜部１０６Ａにおいて画素電極（第２電極）の直線部１０８−１、１０８−２からの電
界が合わさるため強化され電界分布は略ハート状となる。また従来例に比べ共通電極（第
１電極）が傾くため垂直方向の電界の変化が大きくなり、画素電極（第２電極）上の電界
、及び画素電極（第２電極）間の電界の変化がない領域がなくなるため画素電極（第２電
極）１０８−１，１０８−２上の液晶１１４、及び画素電極（第２電極）１０８−１，１
０８−２間上の液晶１１４が十分に変化するため透過率が向上する。また従来例に比べ共
通電極（第１電極）１０６−１，１０６−２が傾くため水平方向の電界の変化が大きくな
り見る角度に影響されなくなるため、高視野角が実現できる。画素電極（第２電極）１０
８間の距離ｄ１、ｄ２についても幅を１〜９μｍとする。プロセス解像度５μｍでは５μ
ｍとなる。ストライプ構造の共通電極１０６−１、１０６−２についても幅を３〜１０μ
ｍとするがプロセス解像度５μｍでは５〜９μｍとする。隙間１１９についても幅を３〜
８μｍとするがプロセス解像度５μｍでは５〜７μｍとする。
有機絶縁体１０５はフォトリソグラフィーにより１つ以上の断面が対称なあるいは非対称
な凸部（１０５−１、１０５−２）を形成してもよいし、加熱焼成する過程でパターニン
グして溶融状態として、溶融状態における表面張力により断面が対称なあるいは非対称な
２次曲線状の凸部としてもよい。
図６に示すように画素電極１０８（１０８−１，１０８−２，１０８−３，１０８−４，
１０８−５）から共通電極１０６（１０６−１，１０６−２）に向けての電界は、共通電
極１０６−１と共通電極１０６−２が接して構成される凸部（稜線）において、画素電極
１０８−１と画素電極１０８−２の間、及び画素電極１０８−３と画素電極１０８−４の
間からの電界が合わさるため強化され電界分布は略ハート状となる。また従来例に比べ共
通電極が傾くため基板の垂直方向の電界の変化が大きくなり、画素電極上の電界、及び画
素電極間の電界の変化がない領域がなくなるため画素電極上の液晶、及び画素電極間上の
液晶が十分に変化するため透過率が向上する。また従来例に比べ共通電極が傾くため水平
方向の電界の変化が大きくなり見る角度に影響されなくなるため、広視野角が実現できる
。
また従来、画素電極と共通電極はＡｌ等の光非透過性の金属で形成されていたが本発明で
は画素電極１０８（１０８−１，１０８−２，１０８−３，１０８−４、１０８−５）は
光透過性のＩＴＯで形成されているため開口率が向上する。
本発明の第２の実施例を図７に示すように、駆動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１１２は図５においてタイミング（ゲート）線１０２（ｂ）、及びデータ線１１０の交点
の付近にそれぞれ形成される。図７に示すように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１２は第
１基板１０１上に形成された有機絶縁体１０５−１、有機絶縁体１０５−１の上に金属層
による共通電極１０６−１が形成される。有機絶縁体１０５−１、共通電極１０６−１の
上には平坦化層１１８が形成される。平坦化層１１８上に形成されたタイミング（ゲート
）線の凸部であるゲート電極１０３、ゲート電極１０３上部のゲート絶縁層１０７の上に
形成されるチャネル層１０９と、チャネル層１０９の−側とオーバーラップしたデータ線
１１０から伸びたコンタクト電極（１）（ソース電極）１１１と、チャネル層１０９の他
端とオーバーラップした画素電極１０８（１０８−１）の所定部分とコンタクトされるコ
ンタクト電極（２）（ドレイン電極）１１３とを含む。
図５に示すようにデータ線１１０、タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）は遮光
性を有する導電性物質（Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌといった金属もしくはそれらにＳｉ
を含む金属さらには不純物により抵抗を下げたＳｉ等）にて形成する。図６に示すように
ゲート絶縁層１０７、画素電極１０８（１０８−１、１０８−２、１０８−３、１０８−
４、１０８−５）の上には配向膜１１５が形成される。
蓄積キャパシタCstは図６において共通電極１０６（１０６−１、１０６−２）と画素電
極１０８（１０８−１、１０８−２、１０８−３、１０８−４、１０８−４）がオーバー
ラップした部分で発生する。図６に示すように上記した構造を有する下部第１基板１０１
上には、所定距離（セルギャップ）ｄをおいて上部第２基板１１７が配置される。上部第
２基板１１７の下部第１基板１０１に対向する面には配向層１１５、カラーフィルター１
１６が形成される。
【００３０】
本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置１００において、有機絶縁体１０５を形成し
フォトリソグラフィーにより１つ以上の凸部（１０５−１、１０５−２）を形成し、有機
絶縁体１０５による凸部（１０５−１、１０５−２）の上部に形成された金属層をパター
ニングして反射共通電極１０６−１，１０６−２及び共通線１０４（ａ）、（ｂ）を同時
に形成する。図８（ａ）の反射共通電極１０６−１，１０６−２、共通線１０４（ａ）、
（ｂ）の上部に形成された平坦化層１１８の上に金属層をパターンニングしてタイミング
（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）を形成する。タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、
（ｂ）の下部に光非透過性の共通線１０４（ａ）、（ｂ）を形成することにより従来共通
線１０４（ａ）、（ｂ）でさえぎられていた部分に光が透過するようになり、光透過面積
が増えるため開口率が改善されるところに特徴がある。
【００３１】
又、図６にてわかるように有機絶縁体１０５による２つの凸部（１０５−１、１０５−
２）の間にスペース１１９を設けることにより、スペース１１９の上部には透明導電膜が
無いため、第１基板１０１からの光が通りやすくなり光透過率がアップする。
【００３２】
図６においてそれぞれの有機絶縁体上に設けられた２つの第１電極１０６は、互いに間
隙１１９を隔てて離間して設けられている。間隙上の第２電極１０８−５からの電界は間
隙１１９の両側の第２絶縁膜の凸部１０５−１，１０５−２上にそれぞれ設けられた第１
電極１０６−２，１０６−１に向かうため、間隙１１９下には第１電極は設けられていな
いにもかかわらず間隙１１９上の第２電極１０８−５からの電界を左右に水平方向、垂直
方向に大きく曲げることができるため、間隙１１９上の第２電極１０８−５上部、第２電
極１０８−２，１０８−３間の液晶層１１４を十分に変化させるので、高視野角、開口率
、透過率向上を達成することができる。
【００３３】
図８（ａ）は３−３’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０５を形
成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機絶縁体
１０５の凸部１０５−１の上部に金属層でできたストライプ構造の反射共通電極１０６−
２、共通線１０４（ａ）、（ｂ）が同時に形成される。ストライプ構造の共通電極（第１
電極）１０６−２、共通線１０４（ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８
を形成し、平坦化層１１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲ
ート）線１０２(a)、(b)を形成する。タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上
部にゲート絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上にＩＴＯをパターニングして
ストライプ構造の画素電極（第２電極）１０８及び画素電極（第２電極）１０８の直線部
１０８−２を形成する。
【００３４】
また、図８（ｂ）は４−４’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０
５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機
絶縁体１０５の凸部１０５−１の上に金属層を全面蒸着しパターニングにより反射共通電
極１０６Ａ、共通線１０４（ａ）、（ｂ）を同時に形成する。反射共通電極１０６Ａ、共
通線１０４（ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層１
１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）
、（ｂ）を形成する。 タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上部にゲート絶
縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ構
造の画素電極（第２電極）１０８を形成する。
【００３５】
また、図８（ｃ）は５−５’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０
５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機
絶縁体１０５の凸部１０５−１の上に金属層を全面蒸着しパターニングにより反射共通電
極１０６−１と共通線１０４（ａ）、（ｂ）を同時に形成する。反射共通電極１０６−１
、共通線１０４（ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化
層１１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（
ａ）、（ｂ）及びタイミング（ゲート）線１０２（ｂ）に凸部を設けたゲート電極１０３
を形成する。ゲート電極１０３の上部にゲート絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０
７の上に画素電極（第２電極）の直線部とコンタクトされるコンタクト電極（２）（ドレ
イン電極）１１３を形成する。
【００３６】
また、図８（ｄ）は６−６’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０
５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機
絶縁体１０５の凸部１０５−１の上に金属層を全面蒸着し反射共通電極１０６−１、共通
線１０４（ａ）、（ｂ）を同時に形成する。反射共通電極１０６−１、共通線１０４（ａ
）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層１１８の上に金属
層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）を形成
する。タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上部にゲート絶縁膜１０７を形成
し、ゲート絶縁膜１０７の上に形成された金属層によりパターニングされたデータ線とチ
ャネル層の−側にオーバーラップしたコンタクト電極（１）（ソース電極）１１１を形成
する。
【００３７】
また、図８（ｅ）は７−７’部の断面図であり、第１基板１０１の上に金属層を全面蒸
着しパターニングして共通線１０４（ａ）、（ｂ）を形成する。共通線１０４（ａ）、（
ｂ）の上には透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層１１８の上に金属層を全
面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）を形成する。
タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上部にゲート絶縁膜１０７を形成し、ゲ
ート絶縁膜１０７の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ構造の画素電極（第２電極
）１０８及び画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−５を形成する。
【００３８】
図８（ａ）〜（ｅ）に示すように共通線１０４（ａ）、（ｂ）を見えなくすることがで
きるため同一光度で画素面積を小さくできるためより高精細度化ができる。
【００３９】
又画素電極１０８を平面上に形成できるため従来例にくらべて表面の段差がなくなるた
め配向層１１５の形成が容易になる特徴がある。
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨にもとづいて種々
の変形をすることが可能であり、それらは本発明の範囲から除外するものではない。
又、本発明は駆動素子としてＴＦＴタイプのものを説明行ったがデータ線１１０からの突
起部に絶縁層を設け画素電極とのコンタクトをメタル層でおこなったＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ
−Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−Ｍｅｔａｌ）タイプのＴＦＤにおいてもＴＦＴ１１２と同様な構
造の適用により高開口率、高透過率・高反射率、広視野角の効果を得ることができる。
［第３の実施の形態］
以下、本発明の第３の実施の形態について図面を参照して説明する。
図９は、本発明の第３の実施の形態に係る液晶装置１００の平面図であり、図１０は図９
の１−１’部における断面図であり、図１１は駆動（スイッチング素子）部２−２’部の
断面図である。図１２の（ａ）は３−３’部、（ｂ）は４−４’部、（ｃ）は５−５’部
、（ｄ）は６−６’部の断面図である。
図９において、絶縁性の第１基板上に有機絶縁体１０５を所定の形状に形成した後、フォ
トリソグラフィーにより１つ以上の凸部１０５−１，１０５−２を形成し、有機絶縁体１
０５−１、１０５−２の間には隙間１１９が形成される。１０６Ａ部に稜部を１０６Ｂ部
に谷部を形成する。１０６Ａ部、１０６Ｂ部の上部にＡｌ等による反射金属を全面蒸着し
パターニングによりストライプ構造の共通電極１０６−１，１０６−２、１０６−３，１
０６−４，１０６−５、１０６−６を形成する。反射金属１０６−１、１０６−２、１０
６−３，１０６−４，１０６−５、１０６−６の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を
形成し、平坦化層１１８の上部にゲート絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上
にＩＴＯをパターニングしてストライプ構造の画素電極（第２電極）１０８、画素電極（
第２電極）１０８の直線部１０８−１，１０８−２，１０８−３，１０８−４を形成する
。有機絶縁体１０５−１、１０５−２の間の隙間１１９の上には画素電極（第２電極）１
０８の直線部１０８−５が形成される。ゲート絶縁層の上に形成されるa-Ｓｉによるチャ
ネル層１０９を形成し、ゲート電極１０３をマスクとしてイオン注入によりソース、ドレ
イン形成を行う。ゲート絶縁膜上に形成された金属層によりパターニングされたデータ線
１１０とチャネル層１０９の−側にオーバーラップしたコンタクト電極（１）（ソース電
極）１１１と、チャネル層１０９の他端とオーバーラップした画素電極（第２電極）１０
８の直線部分１０８−１とコンタクトされるコンタクト電極（２）（ドレイン電極）１１
３よりなる。
図１０において絶縁第１基板１０１の上に有機絶縁体１０５を全面形成し、フォトリソグ
ラフィーにより間に、有機絶縁体１０５が形成されないスペース１１９を介在させるよう
に、１つ以上の凸部（１０５−１、１０５−２）を形成する。有機絶縁体１０５による凸
部（１０５−１、１０５−２）及びスペース１１９の上部にＡｌ等の金属層を蒸着してパ
ターニングして共通電極１０６（１０６−１、１０６−２、１０６−３、１０６−４、１
０６−５、１０６−６）、共通線（ａ）、（ｂ）を同時に形成する。また、共通電極１０
６（１０６−１、１０６−２、１０６−３、１０６−４、１０６−５、１０６−６）、共
通線（ａ）、（ｂ）の上に平坦化層１１８を透明樹脂等にて形成する。そして、平坦化層
１１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線とタイミン
グ（ゲート）線から画素(サブ画素)に対応させて一部を突出（凸部）させたゲート電極を
形成する。タイミング（ゲート）線、ゲート電極の上部にゲート絶縁膜１０７を形成し、
ゲート絶縁膜１０７の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ構造の画素電極１０８（
１０８−１、１０８−２、１０８−３、１０８−４、１０８−５）を形成する。ここにお
いて画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−１、１０８−２、１０８−３、１０８
−４、１０８−５の幅を１〜９μｍとするプロセス解像度５μｍでは５μｍとなる。画素
電極（第２電極）１０８間の距離ｄ１、ｄ２についても幅を１〜９μｍとする。プロセス
解像度５μｍでは５μｍとなる。ストライプ構造の共通電極１０６−１、１０６−２、１
０６−３、１０６−４、１０６−５についても幅を１〜９μｍとするがプロセス解像度５
μｍでは５〜７μｍとする。
有機絶縁体１０５はフォトリソグラフィーにより１つ以上の断面が対称なあるいは非対称
な凸部（１０５−１、１０５−２）を形成してもよいし、加熱焼成する過程でパターニン
グして溶融状態として、溶融状態における表面張力により断面が対称なあるいは非対称な
２次曲線状の凸部としてもよい。
図１０に示すように画素電極１０８から共通電極１０６に向けての電界は、有機絶縁体１
０５の凸部（１０５−１、１０５−２）に対応して設けられた共通電極１０６−２、１０
６−５において、画素電極１０８−１と１０８−２の間、及び画素電極１０８−３と１０
８−４の間からの電界が合わさるため強化され電界分布は略ハート状となる。また従来例
に比べ共通電極が傾くため基板の垂直方向の電界の変化が大きくなり、画素電極上の電界
、及び画素電極間の電界の変化がない領域がなくなるため画素電極上の液晶、及び画素電
極間上の液晶が十分に変化するため透過率が向上する。また従来例に比べ共通電極が傾く
ため水平方向の電界の変化が大きくなり見る角度に影響されなくなるため、広視野角が実
現できる。
また従来、画素電極と共通電極の両方がＡｌ等の光非透過性の金属で形成されていたが本
発明では画素電極１０８（１０８−１，１０８−２，１０８−３，１０８−４、１０８−
５）は光透過性のＩＴＯで形成されているため開口率が向上する。
本発明の第３の実施例を図９に示すように、駆動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１１２はタイミング（ゲート）線１０２（ｂ）、及びデータ線１１０の交点の付近にそれ
ぞれ形成される。図１１に示すように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１２は絶縁第１基板
上１０１に有機絶縁体１０５−１が形成される。有機絶縁体１０５−１の上に平坦化層１
１８が形成される。平坦化層１１８上に形成されたタイミング（ゲート）線の凸部である
ゲート電極１０３、ゲート電極１０３上部のゲート絶縁層１０７の上に形成されるチャネ
ル層１０９と、チャネル層１０９の−側とオーバーラップしたデータ線１１０から伸びた
コンタクト電極（１）（ソース電極）１１１と、チャネル層１０９の他端とオーバーラッ
プした画素電極１０８の所定部分とコンタクトされるコンタクト電極（２）（ドレイン電
極）１１３とを含む。
データ線１１０、タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）は遮光性を有する導電性
物質（Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌといった金属もしくはそれらにＳｉを含む金属さらに
は不純物により抵抗を下げたＳｉ等）にて形成する。ゲート絶縁層１０７、画素電極１０
８の上には配向膜１１５が形成される。
蓄積キャパシタＣｓｔは図１０において共通電極１０６と画素電極１０８がオーバーラッ
プした部分で発生する。図１０に示すように、上記した構造を有する下部第１基板１０１
上には、所定距離（セルギャップ）ｄをおいて上部第２基板１１７が配置される。上部第
２基板１１７の下部第１基板１０１に対向する面には配向層１１５、カラーフィルター１
１６が形成される。
本発明を実施するための最良の形態３に係る液晶装置１００において、有機絶縁体１０５
を形成しフォトリソグラフィーにより、間に有機絶縁体１０５が形成されないスペース１
１９を持つように、１つ以上の凸部（１０５−１、１０５−２）を形成し、有機絶縁体１
０５による凸部（１０５−１、１０５−２）の上部にＡｌ等の金属層を蒸着してパターニ
ングして共通電極１０６（１０６−１、１０６−２、１０６−３、１０６−４、１０６−
５、１０６−６）と共通線１０４（ａ）、１０４（ｂ）を同時に形成する。図１２（ａ）
の共通線１０４（ａ）、１０４（ｂ）の上部に形成された平坦化層１１８の上に金属層を
パターンニングしてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）を形成する。タイミン
グ（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の下部に光非透過性の共通線１０４（ａ）、（ｂ）
を形成することにより従来共通線１０４（ａ）、（ｂ）でさえぎられていた部分に光が透
過するようになり、光透過面積が増えるため開口率が改善されるところに特徴がある。
又、図１０にてわかるように有機絶縁体１０５による凸部（１０５−１、１０５−２）上
にはストライプ状の共通電極１０６（１０６−１、１０６−２、１０６−３、１０６−４
、１０６−５、１０６−６）を設けて第２基板１１７からの光が反射しやすくし、更に凸
部（１０５−１、１０５−２）の間にスペース１１９を設けることによりスペース１１９
の上には導電極がないため絶縁第１基板１０１からの光を通りやすくして光透過率をアッ
プしている特徴がある。
【００４０】
図１０においてそれぞれの有機絶縁体上に設けられた２つの第１電極１０６は、互いに
間隙１１９を隔てて離間して設けられている。間隙上の第２電極１０８−５からの電界は
間隙１１９の両側の第２絶縁膜の凸部１０５−１，１０５−２上にそれぞれ設けられた第
１電極１０６−３，１０６−４に向かうため、間隙１１９下には第１電極は設けられてい
ないにもかかわらず間隙１１９上の第２電極１０８−５からの電界を左右に水平方向、垂
直方向に大きく曲げることができるため、間隙１１９上の第２電極１０８−５上部、第２
電極１０８−２，１０８−３間の液晶層１１４を十分に変化させるので、高視野角、開口
率、透過率向上を達成することができる。
【００４１】
第１電極の１０６−１、１０６−２、１０６−３、１０６−４、１０６−５、１０６−
６はＡｌ等による反射電極として働き、第１電極の１０６−１、１０６−２、１０６−３
、１０６−４、１０６−５、１０６−６以外の場所は下部からの光を透過する透過層とし
て働くが傾斜面を利用しているため反射面積、透過面積を大きくできるため反射率、透過
率向上を達成することができる。
【００４２】
図１２（ａ）は３−３’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１０５を
形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有機絶縁
体１０５の凸部１０５−１の上部には金属層を全面蒸着し、パターニングにより金属層で
できたストライプ構造の共通線１０４（ａ）、（ｂ）が形成される。ストライプ構造の共
通線１０４（ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層１
１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）
、（ｂ）を形成する。タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上部にゲート絶縁
膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ構造
の画素電極（第２電極）１０８及び画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−２を形
成する。
【００４３】
また、図１２（ｂ）は４−４’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１
０５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有
機絶縁体１０５の凸部１０５−１の上に金属層を全面蒸着しパターニングにより反射共通
電極１０６Ａと共通線１０４（ａ）、（ｂ）を同時に形成する。反射共通電極１０６Ａ、
共通線１０４（ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層
１１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ
）、（ｂ）を形成する。 タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上部にゲート
絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０７の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ
構造の画素電極（第２電極）１０８を形成する。
【００４４】
また、図１２（ｃ）は５−５’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１
０５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有
機絶縁体１０５の凸部１０５−１の上に金属層を全面蒸着しパターニングにより反射共通
電極１０６−１、共通線１０４（ａ）、（ｂ）を同時に形成する。反射共通電極１０６−
１、共通線１０４（ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦
化層１１８の上に金属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２
（ａ）、（ｂ）及びタイミング（ゲート）線１０２(b)に凸部を設けたゲート電極１０３
を形成する。ゲート電極１０３の上部にゲート絶縁膜１０７を形成し、ゲート絶縁膜１０
７の上に画素電極（第２電極）の直線部とコンタクトされるコンタクト電極（２）（ドレ
イン電極）１１３を形成する。
【００４５】
また、図１２（ｄ）は６−６’部の断面図であり、第１基板１０１の上に有機絶縁体１
０５を形成しフォトグラフィーにより有機絶縁体１０５の凸部１０５−１を形成する。有
機絶縁体１０５の凸部１０５−１の上に金属層を全面蒸着し反射共通電極１０６−１、共
通線１０４（ａ）、（ｂ）を同時に形成する。反射共通電極１０６−１、共通線１０４（
ａ）、（ｂ）の上部に透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層１１８の上に金
属層を全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）を形
成する。タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上部にゲート絶縁膜１０７を形
成し、ゲート絶縁膜１０７の上に形成された金属層によりパターニングされたデータ線と
チャネル層の−側にオーバーラップしたコンタクト電極（１）（ソース電極）１１１を形
成する。
【００４６】
また、図１２（ｅ）は７−７’部の断面図であり、第１基板１０１の上に金属層を全面
蒸着しパターニングして共通線１０４（ａ）、（ｂ）を形成する。共通線１０４（ａ）、
（ｂ）の上には透明樹脂による平坦化層１１８を形成し、平坦化層１１８の上に金属層を
全面蒸着し、パターニングにてタイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）を形成する
。タイミング（ゲート）線１０２（ａ）、（ｂ）の上部にゲート絶縁膜１０７を形成し、
ゲート絶縁膜１０７の上にＩＴＯをパターニングしてストライプ構造の画素電極（第２電
極）１０８及び画素電極（第２電極）１０８の直線部１０８−５を形成する。
【００４７】
図１２（ａ）〜（ｅ）に示すように共通線１０４（ａ）、（ｂ）を見えなくすることが
できるため同一光度で配線面積を小さくできるためより高精細度化ができる。
【００４８】
又画素電極１０８を平面上に形成できるため従来例にくらべて表面の段差がなくなるた
め配向層１１５の形成が容易になる特徴がある。
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨にもとづいて種々
の変形をすることが可能であり、それらは本発明の範囲から除外するものではない。
又、本発明は駆動素子としてＴＦＴタイプのものを説明行ったがデータ線１１０からの突
起部に絶縁層を設け画素電極とのコンタクトをメタル層でおこなったＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ
−Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−Ｍｅｔａｌ）タイプのＴＦＤにおいてもＴＦＴ１１２と同様な構
造の適用により高開口率、高透過率・高反射率、広視野角の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によると凸部を有し、ストライプ構造に形成された共通電極に対向するストライプ
構造に形成された画素電極の上部、及び画素電極の間上の電界を略ハート状にすることに
より画素電極の上部、及び画素電極間上の液晶を全て動かすため開口率の向上と透過率・
反射率の向上、高視野角の実現ができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明を実施するための最良の形態１に係わる液晶装置１００の平面図である。
【図２】図１の１−１’部における断面図である。
【図３】図１の駆動（スイッチング素子）部２−２’部の断面図である。
【図４】（ａ）は図１の３−３’部、（ｂ）は図１の４−４’部、（ｃ）は図１の５−５’部、（ｄ）は図１の６−６’部の断面図である。
【図５】本発明を実施するための最良の形態２に係わる液晶装置１００の平面図である。
【図６】図５の１−１’部における断面図である。
【図７】図５の駆動（スイッチング素子）部２−２’部の断面図である。
【図８】（ａ）は図５の３−３’部、（ｂ）は図５の４−４’部、（ｃ）は図５の５−５’部、（ｄ）は図５の６−６’部、（ｅ）は図５の７−７’部の断面図である。
【図９】本発明を実施するための最良の形態３に係わる液晶装置１００の平面図である。
【図１０】図９の１−１’部における断面図である。
【図１１】図９の駆動（スイッチング素子）部２−２’部の断面図である。
【図１２】（a）は図９の３−３’部、（ｂ）は図９の４−４’部、（ｃ）は図９の５−５’部、（ｄ）は図９の６−６’部、（ｅ）は図９の７−７’部の断面図である。
【図１３】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１００…液晶装置、１０１…第１基板、１０２…タイミング（ゲート）線、１０３…ゲー
ト電極、１０４（a），１０４（ｂ）…共通線、１０５…有機絶縁体、１０５−１, １０
５−２…有機絶縁体の凸部、１０６…共通電極（第１電極）、１０６−１，１０６−２，
１０６−３，１０６−４…共通電極の直線部、１０６Ａ…稜部、１０６Ｂ…谷部、１０７
…ゲート絶縁層、１０８…画素電極（第２電極）、１０８−１，１０８−２，１０８−３
，１０８−４…画素電極の直線部、１０９…チャネル層、１１０…データ線、１１１…コ
ンタクト層（１）、１１２…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１１３…コンタクト層（２）
、１１４…液晶層、１１５…配向膜、１１６…カラーフィルター、１１７…第２基板、１
１８…平坦化層、１１９…スペーサ
【図１】
2007240911.tif 000003
【図２】
2007240911.tif 000004
【図３】
2007240911.tif 000005
【図４】
2007240911.tif 000006
【図５】
2007240911.tif 000007
【図６】
2007240911.tif 000008
【図７】
2007240911.tif 000009
【図８】
2007240911.tif 000010
【図９】
2007240911.tif 000011
【図１０】
2007240911.tif 000012
【図１１】
2007240911.tif 000013
【図１２】
2007240911.tif 000014
【図１３】
2007240911.tif 000015