(57)【要約】【課題】  本発明は、レチクル等の基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを除去するパーティクル除去装置および露光装置に関し、基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において容易に除去することを目的とする。【解決手段】  基板に付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、前記基板を保持する保持手段と、前記基板に振動を付与する振動付与手段とを有することを特徴とする。また、前記基板はレチクルであり、前記保持手段にパターン面を下方に向けて保持されていることを特徴とする。【選択図】      図７
2007335665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、
前記基板を保持する保持手段と、
前記基板に振動を付与する振動付与手段と、
を有することを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項２】
請求項１記載のパーティクル除去装置において、
前記基板はレチクルであり、前記保持手段にパターン面を下方に向けて保持されていることを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項３】
請求項２記載のパーティクル除去装置において、
前記基板は、前記基板を保護する保護カバーを介して前記保持手段に保持されていることを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のパーティクル除去装置において、
前記振動付与手段は、前記保持手段に配置される振動子を有することを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項５】
請求項２記載のパーティクル除去装置において、
前記保持手段は、前記基板を吸着する吸着面を下面に有する静電チャックであることを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項６】
請求項５記載のパーティクル除去装置において、
前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項７】
請求項５記載のパーティクル除去装置において、
前記静電チャックは前記基板の位置を微調整する微動テーブルの下面に固定され、前記振動付与手段は前記微動テーブルであることを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項８】
静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、
前記静電チャックを保持する保持手段と、
前記静電チャックに振動を付与する振動付与手段と、
を有することを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項９】
請求項８記載のパーティクル除去装置において、
前記静電チャックは、基板を吸着する吸着面を下面に有することを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９記載のパーティクル除去装置において、
前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項１１】
請求項９記載のパーティクル除去装置において、
前記保持手段は前記基板の位置を微調整する微動テーブルであり、前記振動付与手段は前記微動テーブルであることを特徴とするパーティクル除去装置。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれか１項記載のパーティクル除去装置を有することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクル等の基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを除去するパーティクル除去装置および露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レチクルのパターン面へのパーティクルの付着は、パターンの転写精度を低下させることになるため、ＥＵＶ露光装置では、粒径５０ｎｍ程度のパーティクルが問題となる。また、レチクルと静電チャックとの間に、粒径１μｍ以上のパーティクルが存在する場合には、レチクルの吸着時にレチクルを弾性変形させ、レチクルの平面度を低下させる。
従来、このようなパーティクルを真空雰囲気内で除去する方法として、熱泳動力を用いた熱泳動法、抗力を用いた希薄ガスジェット法が知られている。
【特許文献１】特開平７−１６１６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した方法では、レチクルあるいは静電チャックに付着したパーティクルを除去するためパーティクルの分子間力を超えるだけの力を発生させるためには、相当の温度勾配あるいは噴射流量が必要であり、温度や振動管理の厳しいレチクルステージの近傍に適用することが困難であるという問題があった。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において容易に除去することができるパーティクル除去装置および露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
第１の発明のパーティクル除去装置は、基板に付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、前記基板を保持する保持手段と、前記基板に振動を付与する振動付与手段とを有することを特徴とする。
第２の発明のパーティクル除去装置は、第１の発明のパーティクル除去装置において、前記基板はレチクルであり、前記保持手段にパターン面を下方に向けて保持されていることを特徴とする。
【０００５】
第３の発明のパーティクル除去装置は、第２の発明のパーティクル除去装置において、前記基板は、前記基板を保護する保護カバーを介して前記保持手段に保持されていることを特徴とする。
第４の発明のパーティクル除去装置は、第１ないし第３のいずれか１の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記保持手段に配置される振動子を有することを特徴とする。
【０００６】
第５の発明のパーティクル除去装置は、第２の発明のパーティクル除去装置において、前記保持手段は、前記基板を吸着する吸着面を下面に有する静電チャックであることを特徴とする。
第６の発明のパーティクル除去装置は、第５の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とする。
【０００７】
第７の発明のパーティクル除去装置は、第５の発明のパーティクル除去装置において、前記静電チャックは前記基板の位置を微調整する微動テーブルの下面に固定され、前記振動付与手段は前記微動テーブルであることを特徴とする。
第８の発明のパーティクル除去装置は、静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、前記静電チャックを保持する保持手段と、前記静電チャックに振動を付与する振動付与手段とを有することを特徴とする。
【０００８】
第９の発明のパーティクル除去装置は、第８の発明のパーティクル除去装置において、前記静電チャックは、基板を吸着する吸着面を下面に有することを特徴とする。
第１０の発明のパーティクル除去装置は、第８または第９の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とする。
【０００９】
第１１の発明のパーティクル除去装置は、第９の発明のパーティクル除去装置において、前記保持手段は前記基板の位置を微調整する微動テーブルであり、前記振動付与手段は前記微動テーブルであることを特徴とする。
第１２の発明の露光装置は、第１ないし第１１のいずれか１の発明のパーティクル除去装置を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において容易に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
(第１の実施形態)
図１は、本発明のパーティクル除去装置の第１の実施形態が配置されるＥＵＶ露光装置を示している。
露光チャンバ１１には、レチクルステージ１２が配置されている。露光チャンバ１１の一側には、真空ロボット１３が配置されるロボットチャンバ１４が設けられている。ロボットチャンバ１４の片側には、真空レチクルライブラリ１５が設けられ、他側には、クリーンフィルタポッドオープナ(以下ＣＦＰオープナという)１６が設けられている。露光チャンバ１１、ロボットチャンバ１４、真空レチクルライブラリ１５およびＣＦＰオープナ１６は、真空雰囲気とされている。
【００１２】
ロボットチャンバ１４の露光チャンバ１１に対向する位置には、ロードロック室１７が配置されている。ロードロック室１７は、第２のゲートバルブ１８を介してロボットチャンバ１４に連通されている。また、第１のゲートバルブ１９を介して大気中に連通されている。
ロードロック室１７の外側には、第２の大気ロボット２０を介してレチクルキャリアオープナ２１が配置されている。レチクルキャリアオープナ２１の外側には、第１の大気ロボット２２を介して大気レチクルライブラリ２３が配置されている。
【００１３】
上述した露光装置では、大気レチクルライブラリ２３には、図２に示すように、露光に使用されるＥＵＶＬ用のレチクル２５が、レチクルキャリア２６およびクリーンフィルタポッド(以下ＣＦＰという)２７により２重に保護された状態で置かれている。ＣＦＰ２７は減圧雰囲気中においてレチクル２５を保護する保護カバーとしての機能を有する。
大気レチクルライブラリ２３に置かれたレチクルキャリア２６は、第１の大気ロボット２２によりレチクルキャリアオープナ２１に搬送される。そして、レチクルキャリアＩＤリーダ２８によりレチクルキャリア２６が識別される。このレチクルキャリアオープナ２１において、レチクルキャリア２６が開かれＣＦＰ２７が露出される。露出されたＣＦＰ２７は温度補償ランプ２９により２〜３℃程度昇温される。昇温されたＣＦＰ２７は第２の大気ロボット２０により、第１のゲートバルブ１９のみが開いた状態のロードロック室１７内に搬送される。なお、レチクルキャリアオープナ２１からロードロック室１７に至る順路は清浄雰囲気とされている。
【００１４】
ロードロック室１７では、第１のゲートバルブ１９および第２のゲートバルブ１８を閉じた状態でＣＦＰ２７ごと真空引きが行われる。ロードロック室１７内が所定の真空状態になると、第２のゲートバルブ１８のみが開かれ、ＣＦＰ２７が真空ロボット１３により真空レチクルライブラリ１５に搬送される。
真空レチクルライブラリ１５には、例えば５枚程度のレチクル２５がＣＦＰ２７に収容された状態で保存される。レチクル２５は温度調整機構(図示せず)により所定の温度に維持される。ＣＦＰ２７に収容された状態のレチクル２５は、レチクルＩＤリーダ３０により識別される。識別されたレチクル２５は、真空ロボット１３によりＣＦＰ２７に収容された状態でＣＦＰオープナ１６に搬送される。
【００１５】
ＣＦＰオープナ１６では、ＣＦＰ２７が開かれレチクル２５が露出される。
この実施形態では、図３に示すように、ＣＦＰオープナ１６に搬送されたＣＦＰ２７は、ＣＦＰステージ３１上に載置される。ＣＦＰ２７は、上カバー部材(上蓋)３２と下カバー部材(下蓋)３３とからなる。そして、図４に示すように、ＣＦＰステージ３１を下降させることにより、上カバー部材３２の外周部が支持部材３４の上端の係止部材３５に係止されレチクル２５が露出される。
【００１６】
レチクル２５は、図４に示すように下カバー部材３３内にパターン面２５ａを下にして収容されている。また、下カバー部材３３の底面３３ａに形成される突起部３３ｂに支持されている。これにより、レチクル２５のパターン面２５ａと下カバー部材３３の底面３３ａとの間に空間部３６が形成されている。
ＣＦＰステージ３１には、レチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルを除去するパーティクル除去装置３７が配置されている。
【００１７】
パーティクル除去装置３７は、振動子３８と、振動子駆動手段３９とを有している。振動子３８には圧電素子が使用されている。振動子３８はＣＦＰステージ３１に配置されている。ＣＦＰステージ３１の上面には凹部３１ａが形成され、凹部３１ａ内に振動子３８が収容されている。振動子３８は、その上面がＣＦＰステージ３１の上面と同一面になるように凹部３１ａに固定されている。なお、振動子３８をＣＦＰステージ３１内に埋設するようにしても良い。
【００１８】
振動子駆動手段３９は、振動子３８の圧電素子に電圧を印加して振動子３８を上下方向に振動させる。なお、振動子３８を水平方向にも振動可能にしても良い。この実施形態では、振動子駆動手段３９は、振動子３８を周波数０．１ＫＨｚ、振幅１００μｍ以下で振動させる。そして、レチクル２５のパターン面２５ａ等に付着した粒径１００μｍ以下のパーティクルを除去する。
【００１９】
図４に示した状態で振動子駆動手段３９を作動すると、振動子３８が振動し、振動が下カバー部材３３および突起部３３ｂを介してレチクル２５に伝達される。レチクル２５の振動によりレチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルＰが分離し、レチクル２５のパターン面２５ａと下カバー部材３３の底面３３ａとの間の空間部３６に落下する。落下したパーティクルＰは、ＣＦＰオープナ１６内が真空雰囲気であるため、大きく舞い上がることなく下カバー部材３３の底面３３ａに滞在する。
【００２０】
パターン面２５ａに付着したパーティクルＰが分離されたレチクル２５は、図５に示すように、ＣＦＰ２７の下カバー部材３３に収容された状態で、真空ロボット１３の搬送アーム４１によりレチクルステージ１２に搬送される。レチクルステージ１２には、静電チャック４２が吸着面４２ａを下向きにして配置されている。そして、搬送アーム４１により下カバー部材３３を介してレチクル２５を静電チャック４２の吸着面４２ａに押圧した状態で、静電チャック４２をオンすることによりレチクル２５の上面が吸着面４２ａにチャックされる。
【００２１】
レチクル２５のチャック後に、搬送アーム４１は下カバー部材３３をＣＦＰオープナ１６まで搬送し、図４に示したように下降位置にあるＣＦＰステージ３１上にレチクル２５の載置されない下カバー部材３３を載置する。なお、この搬送時には、下カバー部材３３にレチクル２５が載置されないため、下カバー部材３３の底面３３ａに滞在するパーティクルＰが、真空ポンプ(不図示)の排気による流れに吸引され除去される。そして、図６に示すように、ＣＦＰステージ３１を上昇させることでＣＦＰ２７の上カバー部材３２と下カバー部材３３とが密着し、上カバー部材３２と下カバー部材３３の内部が密閉される。閉じられたＣＦＰ２７は、そのままの状態でＣＦＰオープナ１６内に露光中待機される。
【００２２】
露光が終了し、レチクルステージ１２のレチクル２５の交換を行う際には、図６に示したような状態で待機していたＣＦＰ２７の上カバー部材３２と下カバー部材３３とを、ＣＦＰステージ３１を下降させ下カバー部材３３を下降することにより分離(図４でレチクル２５が無い状態に対応)し、下カバー部材３３を搬送アーム４１によりレチクル２５の交換位置まで搬送する。
【００２３】
そして、静電チャック４２に吸着されているレチクル２５の下方に下カバー部材３３を位置させた状態(図５参照)で、静電チャック４２からレチクル２５を離脱する。
この状態で、搬送アーム４１によりレチクル２５をＣＦＰオープナ１６に搬送し、図４に示したように下降位置にあるＣＦＰステージ３１上に、レチクル２５が収容される下カバー部材３３を載置する。そして、ＣＦＰステージ３１を上昇させることでＣＦＰ２７の上カバー部材３２と下カバー部材３３とが密着(図３参照)し、ＣＦＰ２７内にレチクル２５を保持した状態でＣＦＰ２７が密閉される。
【００２４】
上述した実施形態では、ＣＦＰオープナ１６のＣＦＰステージ３１にレチクル２５を振動するパーティクル除去装置３７を設けたので、レチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルＰを真空雰囲気内において容易，確実に除去することができる。
(第２の実施形態)
図７は、本発明のパーティクル除去装置の第２の実施形態を示している。この実施形態では本発明がレチクルステージ１２に適用される。
【００２５】
なお、この実施形態において第１の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
レチクルステージ１２は、静電チャック４２と、微動テーブル４３と、粗動テーブル４４とを有している。静電チャック４２の下面には、レチクル２５を吸着する吸着面４２ａが形成されている。静電チャック４２の上面は微動テーブル４３の下面に固定されている。微動テーブル４３は水平方向(Ｘ，Ｙ方向)および上下方向(Ｚ方向)に微動可能とされている。そして、静電チャック４２に吸着されるレチクル２５の位置を微調整する。微動テーブル４３の上面は粗動テーブル４４の下面に固定されている。粗動テーブル４４は水平方向(Ｘ，Ｙ方向)および上下方向(Ｚ方向)に粗動可能とされている。そして、静電チャック４２に吸着されるレチクル２５の位置を粗調整する。
【００２６】
この実施形態では、静電チャック４２には、静電チャック４２の吸着面４２ａおよびレチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルＰを除去するパーティクル除去装置４５が配置されている。
パーティクル除去装置４５は、振動子３８と、振動子駆動手段３９とを有している。振動子３８には圧電素子が使用されている。振動子３８は静電チャック４２に配置されている。静電チャック４２の上面には凹部４２ｂが形成され、凹部４２ｂ内に振動子３８が収容されている。振動子３８は、その上面が微動テーブル４３の下面と同一面になるように凹部４２ｂに固定されている。なお、振動子３８を静電チャック４２内に埋設し静電チャック４２を振動するようにしても良い。また、微動テーブル４３側に配置して静電チャック４２または微動テーブル４３を振動するようにしても良い。
【００２７】
振動子駆動手段３９は、振動子３８の圧電素子に電圧を印加して振動子３８を上下方向に振動させる。なお、振動子３８を水平方向にも振動可能にしても良い。この実施形態では、振動子駆動手段３９は、振動子３８を周波数０．１ＫＨｚ、振幅１００μｍ以下で振動させる。そして、レチクル２５のパターン面２５ａおよび静電チャック４２の吸着面４２ａに付着した粒径１００μｍ以下のパーティクルＰを除去する。
【００２８】
この実施形態では、図８に示すように、静電チャック４２にレチクル２５を吸着していない状態で、振動子駆動手段３９が作動される。この作動は静電チャック４２にレチクル２５を吸着する前に行われる。静電チャック４２の電源をオフにした状態で振動子駆動手段３９を作動すると、振動子３８が振動し、静電チャック４２の吸着面４２ａに付着したパーティクルＰが分離し、静電チャック４２の下方の空間に落下する。落下したパーティクルＰは、レチクルステージ１２が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。これにより、静電チャック４２の吸着面４２ａには、例えば粒径１μｍ以上のパーティクルＰが存在することがなくなる。従って、レチクル２５の吸着時にパーティクルＰによりレチクル２５が弾性変形することがなくなりレチクル２５の平面度を確実に確保することができる。
【００２９】
また、この実施形態では、図７に示したように、静電チャック４２にレチクル２５を吸着した後に、振動子駆動手段３９が作動される。振動子駆動手段３９を作動すると、振動子３８が振動し静電チャック４２が振動する。静電チャック４２の振動によりレチクル２５が振動しレチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルＰが分離し、レチクル２５の下方の空間に落下する。落下したパーティクルＰは、レチクルステージ１２が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。
【００３０】
この実施形態では、レチクルステージ１２に、静電チャック４２を振動するパーティクル除去装置４５を設けたので、静電チャック４２の吸着面４２ａおよびレチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルＰを真空雰囲気内において容易，確実に除去することができる。
(第３の実施形態)
図９は、本発明のパーティクル除去装置の第３の実施形態を示している。この実施形態では本発明がレチクルステージ１２に適用される。
【００３１】
なお、この実施形態において第１または第２の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、微動テーブル４３を制御する制御手段４６は、位置調整モードＭ１と、振動モードＭ２とを有している。制御手段４６は、露光装置の全体を制御する主コントローラ４７により制御され、主コントローラ４７からの信号により位置調整モードＭ１または振動モードＭ２が選択される。位置調整モードＭ１が選択されている時には、制御手段４６は微動テーブル４３を駆動するボイスコイルモータ(不図示)を制御して微動テーブル４３の位置を微調整する。振動モードＭ２が選択されている時には、制御手段４６はボイスコイルモータ(不図示)により微動テーブル４３を上下方向に振動し、静電チャック４２の吸着面４２ａあるいはレチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルＰを除去する。なお、微動テーブル４３を水平方向にも振動しても良い。
【００３２】
振動モードＭ２では、制御手段４６は、微動テーブル４３を周波数１ＫＨｚ以下、振幅１μｍ以下で振動させる。そして、レチクル２５のパターン面２５ａあるいは静電チャック４２の吸着面４２ａに付着した粒径１μｍ以上の比較的大きいパーティクルＰを除去する。
この実施形態では、図１０に示すように静電チャック４２にレチクル２５を吸着していない状態で振動モードＭ２が選択され、微動テーブル４３が振動される。静電チャック４２の電源をオフにした状態で微動テーブル４３を振動すると、静電チャック４２の吸着面４２ａに付着したパーティクルＰが分離し、静電チャック４２の下方の空間に落下する。落下したパーティクルＰは、レチクルステージ１２が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。
【００３３】
また、この実施形態では、図９に示したように、静電チャック４２にレチクル２５を吸着した後に、振動モードＭ２が選択され、微動テーブル４３が振動される。微動テーブル４３を振動すると、静電チャック４２およびレチクル２５が振動しレチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルＰが分離し、レチクル２５の下方の空間に落下する。落下したパーティクルＰは、レチクルステージ１２が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。
【００３４】
この実施形態では、レチクルステージ１２の微動テーブル４３を制御する制御手段４６に、微動テーブル４３を振動する振動モードＭ２を設けたので、静電チャック４２の吸着面４２ａおよびレチクル２５のパターン面２５ａに付着したパーティクルＰを真空雰囲気内において容易，確実に除去することができる。
(露光装置の実施形態)
図１１は、図１の露光装置のＥＵＶ光リソグラフィシステムを模式化して示している。なお、この実施形態において上述した実施形態と同一の部材には、同一の符号を付している。
【００３５】
この実施形態では、露光の照明光としてＥＵＶ光が用いられる。ＥＵＶ光は０．１〜４００ｎｍの間の波長を持つもので、この実施形態では特に１〜５０ｎｍ程度の波長が好ましい。投影像は像光学系システム１０１を用いたもので、ウエハＷ上にレチクル２５によるパターンの縮小像を形成するものである。
ウエハＷ上に照射されるパターンは、レチクルステージ１２の下側に静電チャック４２を介して配置されている反射型のレチクル２５により決められる。この反射型のレチクル２５は、上述した実施形態の真空ロボット１３によって搬入および搬出される（真空ロボット１３の図示は省略する）。また、ウエハＷはウエハステージ１０３の上に載せられている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。
【００３６】
露光時の照明光として使用するＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いので、ＥＵＶ光が通過する光経路は、適当な真空ポンプ１０７を用いて真空に保たれた真空チャンバ１０６に囲まれている。またＥＵＶ光はレーザプラズマＸ線源によって生成される。レーザプラズマＸ線源はレーザ源１０８（励起光源として作用）とキセノンガス供給装置１０９からなっている。レーザプラズマＸ線源は真空チャンバ１１０によって取り囲まれている。レーザプラズマＸ線源によって生成されたＥＵＶ光は真空チャンバ１１０の窓１１１を通過する。
【００３７】
レーザ源１０８は紫外線以下の波長を持つレーザ光を発生させるものであって、例えば、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザが使用される。レーザ源１０８からのレーザ光は集光され、ノズル１１２から放出されたキセノンガス（キセノンガス供給装置１０９から供給されている）の流れに照射される。キセノンガスの流れにレーザ光を照射するとレーザ光がキセノンガスを十分に暖め、プラズマを生じさせる。レーザで励起されたキセノンガスの分子が低いエネルギ状態に落ちる時、ＥＵＶ光の光子が放出される。
【００３８】
放物面ミラー１１３は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー１１３はプラズマによって生成されたＥＵＶ光を集光する。放物面ミラー１１３は集光光学系を構成し、ノズル１１２からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。ＥＵＶ光は放物面ミラー１１３の多層膜で反射し、真空チャンバ１１０の窓１１１を通じて集光ミラー１１４へと達する。集光ミラー１１４は反射型のレチクル２５へとＥＵＶ光を集光、反射させる。ＥＵＶ光は集光ミラー１１４で反射され、レチクル２５の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー１１３と集光ミラー１１４はこの装置の照明システムを構成する。
【００３９】
レチクル２５は、ＥＵＶ光を反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を持っている。レチクル２５でＥＵＶ光が反射されることによりＥＵＶ光は「パターン化」される。パターン化されたＥＵＶ光は投影システム１０１を通じてウエハＷに達する。
この実施形態の像光学システム１０１は、凹面第１ミラー１１５ａ、凸面第２ミラー１１５ｂ、凸面第３ミラー１１５ｃ、凹面第４ミラー１１５ｄの４つの反射ミラーからなっている。各ミラー１１５ａ〜１１５ｄにはＥＵＶ光を反射する多層膜が備えられている。
【００４０】
レチクル２５により反射されたＥＵＶ光は第１ミラー１１５ａから第４ミラー１１５ｄまで順次反射されて、レチクルパターンの縮小（例えば、１／４、１／５、１／６）された像を形成する。像光学系システム１０１は、像の側（ウエハＷの側）でテレセントリックになるようになっている。
レチクル２５は可動のレチクルステージ１２によって少なくともＸ−Ｙ平面内で支持されている。ウエハＷは、好ましくはＸ，Ｙ，Ｚ方向に可動なウエハステージ１０３によって支持されている。ウエハＷ上のダイを露光するときには、ＥＵＶ光が照明システムによりレチクル２５の所定の領域に照射され、レチクル２５とウエハＷは像光学系システム１０１に対して像光学システム１０１の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウエハＷ上の所定の露光範囲（ダイに対して）に露光される。
【００４１】
露光の際には、ウエハＷ上のレジストから生じるガスが像光学システム１０１のミラー１１５ａ〜１１５ｄに影響を与えないように、ウエハＷはパーティション１１６の後ろに配置されることが望ましい。パーティション１１６は開口１１６ａを持っており、それを通じてＥＵＶ光がミラー１１５ｄからウエハＷへと照射される。パーティション１１６内の空間は真空ポンプ１１７により真空排気されている。このように、レジストに照射することにより生じるガス状のゴミがミラー１１５ａ〜１１５ｄあるいはレチクル２５に付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化を防いでいる。
【００４２】
この実施形態の露光装置では、上述したパーティクル除去装置によりレチクル２５および静電チャック４２に付着したパーティクルＰを除去するようにしたので、露光精度を向上することができる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
【００４３】
(１)上述した第１の実施形態では、ＣＦＰステージ３１においてパーティクルＰの除去を行った例について説明したが、別途、パーティクルＰを除去する専用のステージ等を設けても良い。
(２)上述した実施形態では、ＣＦＰステージ３１またはレチクルステージ１２の一方でパーティクルＰの除去を行った例について説明したが、ＣＦＰステージ３１とレチクルステージ１２の両方でパーティクルＰの除去を行うようにしても良い。
【００４４】
(３)上述した実施形態では、圧電素子を用いて振動子３８を構成した例について説明したが、例えば励歪素子等を用いて振動子を構成しても良い。
(４)上述した実施形態では、ＣＦＰステージ３１あるいは静電チャック４２に１つの振動子３８を配置した例について説明したが、複数の振動子３８を配置しても良い。例えば、図１２に示すように矩形状の静電チャック４２の４つの側面にそれぞれ振動子３８を配置し水平方向に振動することにより、静電チャック４２の吸着面４２ａの全面を確実に振動することができる。
【００４５】
(５)上述した第１の実施形態では、下カバー部材３３の突起部３３ｂにレチクル２５を単に載置した例について説明したが、例えば、図１３に示すようにレチクル２５の側面をバネ部材４８を介して下カバー部材３３の突起部３３ｃに押圧するようにしても良い。これにより、レチクル２５が大きく移動することがなくなり、突起部３３ｂとの間の摩擦により新たな異物が発生することを防止することができる。
【００４６】
(６)上述した実施形態では、ＥＵＶ光を用いた露光装置の例を説明したが、真空雰囲気内で露光を行う露光装置に広く適用することができる。
(７)上述した第１の実施形態、第２の実施形態、および第３の実施形態は、一つのシステムの中で組み合わせて使用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明のパーティクル除去装置の第１の実施形態を示す説明図である。
【図２】図１のレチクルキャリアを示す説明図である。
【図３】図１のＣＦＰステージの詳細を示す説明図である。
【図４】図３においてＣＦＰからレチクルを露出した状態を示す説明図である。
【図５】図１のＣＦＰステージからレチクルをレチクルステージに搬送する状態を示す説明図である。
【図６】図１のＣＦＰステージにＣＦＰを待機している状態を示す説明図である。
【図７】本発明のパーティクル除去装置の第２の実施形態を示す説明図である。
【図８】図７の静電チャックからレチクルを離脱した状態を示す説明図である。
【図９】本発明のパーティクル除去装置の第３の実施形態を示す説明図である。
【図１０】図９の静電チャックからレチクルを離脱した状態を示す説明図である。
【図１１】本発明の露光装置の一実施形態を示す説明図である。
【図１２】静電チャックに振動子を複数配置した例を示す説明図である。
【図１３】下カバー部材にバネ部材を介してレチクルを配置した例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１２：レチクルステージ、２５：レチクル、２５ａ：パターン面、３３：下カバー部材、３８：振動子、３９：振動子駆動手段、３７，４５：パーティクル除去装置、４２：静電チャック、４３：微動テーブル、４６：制御手段、Ｐ：パーティクル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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