(57)【要約】【課題】入力ダイナミックレンジが大きく、入力信号光の変形が防止され、導波路の形成が容易な光波長変換器を提供する。【解決手段】光波長変換器は、マッハーツェンダー干渉計を構成し、波長変換用の半導体光増幅器が挿入され、両方に直流光、一方に入力信号光が入力されている第１および第２の分岐路に、上記入力信号光が入力されるポートで、上記入力信号光を増幅する信号増幅用の半導体光増幅器が結合されている光波長変換器において、上記入力信号光の波長での上記信号増幅用の半導体光増幅器の微分利得が上記直流光の波長での上記波長変換用の半導体光増幅器の微分利得未満である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マッハーツェンダー干渉計を構成し、波長変換用の半導体光増幅器が挿入され、両方に直流光、一方に入力信号光が入力されている第１および第２の分岐路に、上記入力信号光が入力されるポートで、上記入力信号光を増幅する信号増幅用の半導体光増幅器が結合されている光波長変換器において、
上記入力信号光の波長での上記信号増幅用の半導体光増幅器の微分利得が上記直流光の波長での上記波長変換用の半導体光増幅器の微分利得未満であることを特徴とする光波長変換器。
【請求項２】
上記信号増幅用の半導体光増幅器の長さが上記波長変換用の半導体光増幅器の長さ未満であることを特徴とする請求項１に記載の光波長変換器。
【請求項３】
上記信号増幅用の半導体光増幅器の光閉じ込め係数対活性層の断面積の比が上記波長変換用の半導体光増幅器の光閉じ込め係数対活性層の断面積の比未満であることを特徴とする請求項１に記載の光波長変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、伝送される光信号の性能を保持しながら一の波長を他の波長に変換するために通信分野で用いられる光波長変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体光増幅器（以下、Ｓｅｍｉｃｏｎｄｏｃｔｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒの頭文字ＳＯＡと略記する。）中の位相の変化を利用する光波長変換器は、マッハーツェンダー（以下、Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒの頭文字ＭＺと略記する。）干渉計の両方の枝にＳＯＡが挿入されている。その一方に入力信号光を入力し、両方の枝に直流光を入力し、入力信号光によってＳＯＡにおいて引き起こされた位相変化により、このＭＺ干渉計の出力信号光が変調される。入力信号光による誘導放出の増加によってキャリア密度が減少し、その結果、プラズマ効果により屈折率が増加することにより位相変化が生じる。
【０００３】
そして、光波長変換器の入力ダイナミックレンジを大きくするために、入力信号光を増幅する信号増幅用のＳＯＡを入力ポートの直後に配置し、入力信号光の強度のばらつきに対応している。
しかし、信号増幅用のＳＯＡとして、ＭＺ干渉計の分枝に挿入されている波長変換用のＳＯＡと同じ構造のＳＯＡを用いていると、光閉じ込め係数が０．６のように信号増幅用のＳＯＡとしては大きすぎる値であるので、ＳＯＡの利得が飽和しやすく、例えば４０Ｇｂｐｓを超えるような高速で微弱な入力信号光のとき波形が歪んでしまうという不具合が生じる。
そこで、信号増幅用のＳＯＡの作動面積対光閉じ込め係数の比が波長変換用のＳＯＡの作動面積対光閉じ込め係数の比より大きくなるように構成し、入力信号光の変形を防止している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３１９４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ＳＯＡの作動導波路の作動面積を異なるように形成するとき、例えば導波路の幅が０．５μｍ位であるので、精度良く導波路を形成することが厳しいという問題がある。
【０００６】
この発明の目的は、入力ダイナミックレンジが大きく、入力信号光の変形が防止され、導波路の形成が容易な光波長変換器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係わる光波長変換器は、マッハーツェンダー干渉計を構成し、波長変換用の半導体光増幅器が挿入され、両方に直流光、一方に入力信号光が入力されている第１および第２の分岐路に、上記入力信号光が入力されるポートで、上記入力信号光を増幅する信号増幅用の半導体光増幅器が結合されている光波長変換器において、上記入力信号光の波長での上記信号増幅用の半導体光増幅器の微分利得が上記直流光の波長での上記波長変換用の半導体光増幅器の微分利得未満である。
【発明の効果】
【０００８】
この発明に係わる光波長変換器は、入力信号光の波長での信号増幅用のＳＯＡの微分利得が直流光の波長での波長変換用のＳＯＡの微分利得未満になるように入力信号光と直流光との波長を選択しているので、入力ダイナミックレンジを広く維持しながら、入力信号光の強度が大きくなっても信号の変形が防げる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係わる光波長変換器の平面図である。図２は、実施の形態１に係わるＳＯＡのＡ−Ａ断面での断面図である。図３は、実施の形態１に係わる導波路のＢ−Ｂ断面での断面図である。図４は、実施の形態１に係わるＳＯＡと導波路との接合の様子を示すＣ−Ｃ断面での断面図である。図５は、実施の形態１に係わる光波長変換器の製造の手順を示すフローチャートである。図６は、実施の形態１に係わるＳＯＡの波長に対する微分利得のデータである。
【００１０】
この発明の実施の形態１に係わる光波長変換器１は、半導体基板としてのｎ−ＩｎＰ基板２上にＭＺ干渉計として構成されている。ＭＺ干渉計は、波長変換用のＳＯＡ３が挿入されているＭＺ干渉計の２本の分岐路としての２本の波長変換導波路４、それぞれの波長変換導波路４の一方の端からＹ分岐されて延びている４本の分岐導波路５、波長変換導波路４からそれぞれＹ分岐された分岐導波路５のうちの２本が結合される入力導波路６、２本の波長変換導波路４の他方の端同士が結合される出力導波路７から構成されている。
また、波長変換導波路４にそれぞれ波長変換用のＳＯＡ３、入力導波路６につながらない分岐導波路５の入力信号光の入力ポートにそれぞれ信号増幅用のＳＯＡ８が挿入されている。なお、信号増幅用のＳＯＡ８の一方は、予備として設けられている。
そして、信号増幅用のＳＯＡ８の一方に入力信号光が入力されている。また、入力導波路６に直流光が入力されている。また、出力導波路７から出力信号光が出力される。
【００１１】
波長変換用のＳＯＡ３では、図２に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板２上にｎ−ＩｎＰクラッド層１１、活性層としてのＩｎＧａＡｓＰ層１２、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層１３が順次幅１μｍ、長さ２ｍｍで積層されている。
また、幅方向の両側に第１のｐ−ＩｎＰ層１４、ｎ−ＩｎＰ層１５、第２のｐ−ＩｎＰ層１６が埋め込まれている。
さらに、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層１３と第２のｐ−ＩｎＰ層１６とを覆うように第２のｐ−ＩｎＰクラッド層１７、その第２のｐ−ＩｎＰクラッド層１７を覆うようにコンタクト層１８が積層されている。
さらに、コンタクト層１８の一部を除いて覆い、埋め込まれた第１のｐ−ＩｎＰ層１４、ｎ−ＩｎＰ層１５、第２のｐ−ＩｎＰ層１６および第２のｐ−ＩｎＰクラッド層１７の側面を覆う絶縁膜１９が積層されている。
さらに、絶縁膜１９および絶縁膜１９の開口から現れているコンタクト層１８を覆うコンタクト用電極２０が積層されている。一方、ｎ−ＩｎＰ基板２の裏面に電極２１が形成されている。
【００１２】
信号増幅用のＳＯＡ８は、図２に示した波長変換用のＳＯＡ３と同様である。
【００１３】
ＭＺ干渉計を構成する波長変換導波路４、分岐導波路５、入力導波路６および出力導波路７（以下、まとめて導波路と称す。）は、図３に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板２上に第１のｉ−ＩｎＰ層２３、導波路層としてのＩｎＧａＡｓＰ層２４、第２のｉ−ＩｎＰ層２５が順次幅１μｍで積層されている。このＩｎＧａＡｓＰ層２４は、活性層としてのＩｎＧａＡｓＰ層１２とは組成が異なっている。
さらに、幅方向の両側に第１のｐ−ＩｎＰ層１４、ｎ−ＩｎＰ層１５、第２のｐ−ＩｎＰ層１６が埋め込まれている。
さらに、第２のｉ−ＩｎＰ層２５と第２のｐ−ＩｎＰ層１６とを覆うように第２のｐ−ＩｎＰクラッド層１７が積層されている。
さらに、第２のｐ−ＩｎＰクラッド層１７を覆い、埋め込まれた第１のｐ−ＩｎＰ層１４、ｎ−ＩｎＰ層１５、第２のｐ−ＩｎＰ層１６の側面を覆う絶縁膜１９が積層されている。
【００１４】
また、波長変換用のＳＯＡ３および信号増幅用のＳＯＡ８と導波路は、図４に示すように、突付き接合（バットジョイント）されている。
【００１５】
次に、実施の形態１に係わる光波長変換器１の製造の手順を図５を参照して説明する。
Ｓ１０１で、ｎ−ＩｎＰ基板２上に有機金属気相エピタキシー法によりｎ−ＩｎＰクラッド層１１、活性層としてのＩｎＧａＡｓＰ層１２、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層１３をその順序で全面に亘って成長させる。
Ｓ１０２で、ＳＯＡを配置する位置にメサ膜からなるマスクを形成し、エッチングを行う。
Ｓ１０３で、第１のｉ−ＩｎＰ層２３、導波路層としてのＩｎＧａＡｓＰ層２４、第２のｉ−ＩｎＰ層２５を成長させる。このとき、活性層と導波路層とが突付き接合されるように成長させる。
Ｓ１０４で、導波路を配置する位置にメサ膜からなるマスクを形成し、エッチングを行って導波路を残す。
Ｓ１０５で、ＳＯＡを配置する位置に残されたｎ−ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰ層１２、ｐ−ＩｎＰクラッド層１３の両脇と、導波路を配置する位置に残されたｉ−ＩｎＰ層２３、ＩｎＧａＡｓ層２４、ｉ−ＩｎＰ層２５の両脇とに、ｐ−ＩｎＰ層１４、ｎ−ＩｎＰ層１５、ｐ−ＩｎＰ層１６を埋込成長させる。
Ｓ１０６で、ＳＯＡを配置する位置に残されたｐ−ＩｎＰクラッド層１３、導波路を配置する位置に残されたｉ−ＩｎＰ層２５および埋込成長されたｐ−ＩｎＰ層１６上にｐ−ＩｎＰ層１７、コンタクト層１８をこの順序で成長させる。それから、ＳＯＡを配置する位置のコンタクト層１８だけを残すようにエッチングする。
Ｓ１０７で、全面に絶縁膜１９を形成し、ＳＯＡのコンタクト層１８を覆う絶縁膜１９をエッチングして開口を設ける。
Ｓ１０８で、ＳＯＡのコンタクト層１８と重畳する位置にコンタクト用電極２０を形成する。
Ｓ１０９で、ｎ−ＩｎＰ基板２の裏面を研磨して厚み１００μｍ程度まで薄くし、裏面に電極２１を形成する。
【００１６】
次に、この実施の形態１に係わる光波長変換器１の動作の条件について説明する。
光波長変換器１の波長変換用のＳＯＡ３と信号増幅用のＳＯＡ８との微分利得は、図６に示すように、波長１５３０ｎｍから１６００ｎｍの間では、波長が長いほど微分利得が小さくなる。
また、光波長変換器１には、波長λＳの入力信号光ＰＳと波長λ０の直流光Ｐ０が入力されている。そして、波長λ０は、波長λＳよりも短いように選択されている。
例えば、図６に示すように、波長λＳを１５７０ｎｍ、波長λ０を１５５０ｎｍとすると、微分利得はそれぞれ６、９である。
【００１７】
ＳＯＡに入力された光をＳＯＡにおいて増幅するときに、増幅された光が飽和する現象に関連するＳＯＡの特性は、ＳＯＡの光閉じ込め係数、微分利得、長さ、活性層の断面積であり、光閉じ込め係数と微分利得と長さとの積を断面積で除算した商が小さいほど飽和しにくくなる。
そして、実施の形態１に係わる波長変換用のＳＯＡ３と信号増幅用のＳＯＡ８との光閉じ込め係数、長さおよび活性層の断面積は同じであるが、微分利得の小さな波長の光が入力信号光ＰＳとして用いられているので、光強度の大きな光が入力されても、活性層に閉じ込められる光の増加分が小さく、信号の増幅における飽和を防ぐことができる。一方、光強度の小さな光が入力されても、信号増幅用のＳＯＡ８において増幅されるので、入力ダイナミックレンジは広い。
【００１８】
このような光波長変換器１は、入力信号光の波長での信号増幅用のＳＯＡ８の微分利得が直流光の波長での波長変換用のＳＯＡ３の微分利得未満になるように入力信号光と直流光との波長を選択しているので、入力ダイナミックレンジを広く維持しながら、入力信号光の強度が大きくても信号の変形が防げる。
【００１９】
実施の形態２．
図７は、この発明の実施の形態２に係わる波長変換用ＳＯＡおよび信号増幅用ＳＯＡの波長に対する微分利得のデータである。図８は、実施の形態２に係わる光波長変換器の製造の手順を示すフローチャートである。
実施の形態２に係わる光波長変換器は、実施の形態１に係わる光波長変換器１と信号増幅用のＳＯＡが異なっており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記して説明は省略する。
信号増幅用のＳＯＡは、活性層としてのＩｎＧａＡｓＰ層１２の組成が波長変換用のＳＯＡ３と異なっている。そして、信号増幅用のＳＯＡの微分利得は、図７に示すように、波長変換用のＳＯＡ３の微分利得に比べて、波長１５３０ｎｍから１６００ｎｍの間では、小さい。
【００２０】
例えば、波長λＳを１５４５ｎｍ、波長λ０を１５５０ｎｍとしても、微分利得がそれぞれ５．５、９であるので、入力信号光の強度が大きくても、微分利得が小さくて信号の変形を防止することができる。
【００２１】
次に、実施の形態２に係わる光波長変換器の製造の手順を図８を参照して説明する。
図８のフローチャートにおけるＳ２０１、Ｓ２０２およびＳ２０５〜Ｓ２１１は、それぞれ図５のＳ１０１〜Ｓ１０９と同様な手順であり、説明は省略する。
Ｓ２０１とＳ２０２で、波長変換用のＳＯＡ３の活性層とクラッド層とがパターニングされている。
次に、Ｓ２０３で、ｎ−ＩｎＰ基板２上に有機金属気相エピタキシー法によりｎ−ＩｎＰクラッド層１１、活性層としてのＩｎＧａＡｓＰ層１２、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層１３をその順序で全面に亘って成長させる。このとき、ＩｎＧａＡｓＰ層の形成における有機金属分子の濃度が波長変換用のＳＯＡ３のＩｎＧａＡｓＰ層を成長させるときと異なっている。
Ｓ２０４で、信号増幅用のＳＯＡを配置する位置にメサ膜からなるマスクを形成し、エッチングを行う。その後は、実施の形態１と同様に導波路の形成に進む。
【００２２】
このような光波長変換器は、ＳＯＡの微分利得を活性層としてのＩｎＧａＡｓＰ層の組成を変えることにより変えているので、直流光の波長に対して入力信号光の取り得る波長の範囲が広く、幅広い波長の変換に適用することができる。
【００２３】
実施の形態３．
図９は、この発明の実施の形態３に係わる波長変換用のＳＯＡの断面図である。図１０は、実施の形態３に係わる波長変換用ＳＯＡおよび信号増幅用ＳＯＡの波長に対する微分利得のデータである。図１１は、実施の形態３に係わる光波長変換器の製造の手順を示すフローチャートである。
実施の形態３に係わる光波長変換器は、実施の形態１に係わる光波長変換器１と波長変換用のＳＯＡ３Ｃが異なっており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記して説明は省略する。
【００２４】
波長変換用のＳＯＡ３Ｃは、図９に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板２上にＡｌＩｎＡｓクラッド層３１、活性層としてのＡｌＧａＩｎＡｓ層３２、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層１３が順次幅１μｍ、長さ２ｍｍで積層されている。
さらに、幅方向の両側に第１のｐ−ＩｎＰ層１４、ｎ−ＩｎＰ層１５、第２のｐ−ＩｎＰ層１６が埋め込まれている。
さらに、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層１３と第２のｐ−ＩｎＰ層１６とを覆うように第２のｐ−ＩｎＰクラッド層１７、その第２のｐ−ＩｎＰクラッド層１７を覆うようにコンタクト層１８が積層されている。
さらに、コンタクト層１８の一部を除いて覆い、埋め込まれた第１のｐ−ＩｎＰ層１４、ｎ−ＩｎＰ層１５、第２のｐ−ＩｎＰ層１６および第２のｐ−ＩｎＰクラッド層１７の側面を覆う絶縁膜１９が積層されている。
さらに、絶縁膜１９および絶縁膜１９の開口から現れているコンタクト層１８を覆うコンタクト用電極２０が積層されている。一方、ｎ−ＩｎＰ基板２の裏面に電極２１が形成されている。
【００２５】
活性層としてのＡｌＧａＩｎＡｓ層３２がＡｌＩｎＡｓクラッド層３１とＩｎＰクラッド層１３によりクラッドされているので、波長変換用のＳＯＡ３Ｃの微分利得は、図１０に示すように、信号増幅用のＳＯＡ８の微分利得に比べて、波長１５３０ｎｍから１６００ｎｍの間では、数倍大きい。
【００２６】
例えば、波長λＳを１５４０ｎｍ、波長λ０を１５６０ｎｍとしたとき、微分利得はそれぞれ９と３３である。そのため、入力信号光の増幅において微分利得が小さいので、入力信号光の強度が大きくても、信号の変形を防止することができるとともに出力信号光の飽和出力を増加することができる。
【００２７】
次に、実施の形態３に係わる光波長変換器の製造の手順を図１１を参照して説明する。
図１１のフローチャートにおけるＳ３０３〜Ｓ３１１は、それぞれ図５のフローチャートにおけるＳ１０１〜Ｓ１０９に対応する手順であり、同じ内容であるので説明は省略する。
Ｓ３０１で、ｎ−ＩｎＰ基板２上に有機金属気相エピタキシー法によりＡｌＩｎＡｓクラッド層３１、活性層としてのＡｌＧａＩｎＡｓ層３２、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層１３をその順序で全面に亘って成長させる。
Ｓ３０２で、波長変換用のＳＯＡを配置する位置にメサ膜からなるマスクを形成し、エッチングを行う。その後は、Ｓ３０３で、実施の形態１と同様に、ｎ−ＩｎＰ基板２上に有機金属気相エピタキシー法によりｎ−ＩｎＰクラッド層１１、活性層としてのＩｎＧａＡｓＰ層１２、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層１３をその順序で全面に亘って成長させる。
Ｓ３０４で、信号増幅用のＳＯＡ８を配置する位置にメサ膜からなるマスクを形成し、エッチングを行う。これ以降は、導波路の形成に進む。
【００２８】
このような光波長変換器は、波長変換用のＳＯＡ３Ｃの活性層としてＡｌＧａＩｎＡｓを採用し、信号増幅用のＳＯＡ８の活性層としてＩｎＧａＡｓＰを用いて、信号増幅用のＳＯＡ８の微分利得を波長変換用のＳＯＡ３Ｃの微分利得未満になるように構成されており、ＡｌＧａＩｎＡｓを採用することによりＩｎＧａＡｓＰに比べて微分利得が数倍大きいので、入力信号光と直流光の波長の選択の制限が緩和される。
【００２９】
実施の形態４．
この発明の実施の形態４に係わる光波長変換器は、実施の形態１に係わる光波長変換器１と信号増幅用のＳＯＡが異なっており、その他は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記して説明は省略する。
実施の形態１乃至３に係わる波長変換用のＳＯＡと信号増幅用のＳＯＡとの光閉じ込め係数、長さおよび活性層の断面積は同じで、微分利得だけが異なるように構成しているが、実施の形態４においてはＳＯＡの長さと微分利得とが異なるように構成している。
【００３０】
実施の形態１に係わる波長変換用のＳＯＡ３および信号増幅用のＳＯＡ８は、同じ構造であり、活性層の長さは２ｍｍであるが、実施の形態４に係わる信号増幅用のＳＯＡは、活性層の長さが０．５ｍｍ短くなって１．５ｍｍであり、実施の形態４に係わる波長変換用のＳＯＡは、活性層の長さはそのまま２ｍｍである。
【００３１】
このように信号増幅用のＳＯＡの活性層の長さを短くすることにより、入力信号光により誘起される光が少なくなるので、微分利得だけを小さくする場合に比べて入力信号光として取り得る波長の範囲を拡げることができる。
【００３２】
実施の形態５．
この発明の実施の形態５に係わる光波長変換器は、実施の形態１に係わる光波長変換器１と信号増幅用のＳＯＡが異なっており、その他は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記して説明は省略する。
実施の形態１乃至３に係わる波長変換用のＳＯＡと信号増幅用のＳＯＡとの光閉じ込め係数、長さおよび活性層の断面積は同じで、微分利得だけが異なるように構成しているが、実施の形態５においてはＳＯＡの活性層の幅と微分利得とが異なるように構成している。
【００３３】
実施の形態１に係わる波長変換用のＳＯＡ３および信号増幅用のＳＯＡ８は、同じ構造であり、活性層の幅は１μｍであるが、実施の形態５に係わる信号増幅用のＳＯＡは、活性層の幅が０．１μｍ広くなって１．１μｍであり、実施の形態５に係わる波長変換用のＳＯＡは、活性層の幅はそのまま１．０μｍである。このようにすると信号増幅用のＳＯＡの活性層の断面積が波長変換用のＳＯＡの活性層の断面積より大きくなるので、飽和がしづらくなる。なお、活性層の幅を広くすると光閉じ込め係数も大きくなるが、光閉じ込め係数を断面積で除算した商は小さくなるので、そのまま飽和しづらい。
【００３４】
このように信号増幅用のＳＯＡの活性層の幅を広くすることにより、活性層に閉じ込められる光が少なくなるので、微分利得だけを小さくする場合に比べて入力信号光として取り得る波長の範囲を拡げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の実施の形態１に係わる光波長変換器の平面図である。
【図２】実施の形態１に係わるＳＯＡの断面図である。
【図３】実施の形態１に係わる導波路の断面図である。
【図４】実施の形態１に係わるＳＯＡと導波路との接合の様子を示す断面図である。
【図５】実施の形態１に係わる光波長変換器の製造の手順を示すフローチャートである。
【図６】実施の形態１に係わるＳＯＡの波長に対する微分利得のデータである。
【図７】この発明の実施の形態２に係わる波長変換用ＳＯＡおよび信号増幅用ＳＯＡの波長に対する微分利得のデータである。
【図８】実施の形態２に係わる光波長変換器の製造の手順を示すフローチャートである。
【図９】この発明の実施の形態３に係わる波長変換用のＳＯＡの断面図である。
【図１０】実施の形態３に係わる波長変換用ＳＯＡおよび信号増幅用ＳＯＡの波長に対する微分利得のデータである。
【図１１】実施の形態３に係わる光波長変換器の製造の手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３６】
１  光波長変換器、２  ｎ−ＩｎＰ基板、３  波長変換用のＳＯＡ、４  波長変換導波路、５  分岐導波路、６  入力導波路、７  出力導波路、８  信号増幅用のＳＯＡ、１１  ｎ−ＩｎＰクラッド層、１２、２４  ＩｎＧａＡｓＰ層、１３、１７  ｐ−ＩｎＰクラッド層、１４、１６  ｐ−ＩｎＰ層、１５  ｎ−ＩｎＰ層、１８  コンタクト層、１９  絶縁膜、２０  コンタクト用電極、２１  電極、２３、２５  ｉ−ＩｎＰ層、３１  ＡｌＩｎＡｓクラッド層、３２  ＡｌＧａＩｎＡｓ層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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