(57)【要約】【課題】  外部接続用電極の実装信頼性の向上を容易に図ることのできる半導体装置を提供する。【解決手段】  電極部５を有する半導体チップ２と、電極部５上に形成された接続部材６と、接続部材６を部分的に露出するようにして半導体チップ２の回路形成面４を被覆する被覆部８および被覆部８の回路形成面４とは反対側の面に突設された外部接続用電極１１のための少なくとも一つの突出部９を具備する絶縁層７と、突出部９を含む絶縁層７上に形成されており、露出した接続部材６と電気的に接続する導体層１０とを設けるとともに、被覆部８を形成する高分子組成物と突出部９を形成する高分子組成物との物性を互いに異ならせる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路形成面に電極部が設けられている半導体チップと、
前記電極部上に形成されている接続部材と、
前記接続部材を部分的に露出するようにして前記回路形成面を被覆する被覆部、および、前記被覆部の前記回路形成面とは反対側の面に突設された外部接続用電極のための少なくとも一つの突出部を具備する絶縁性を備えた高分子組成物により形成されている絶縁層と、
前記突出部を含む前記絶縁層上に形成されており、前記接続部材の露出部分に電気的に接続されている導体層とを有している半導体装置において、
前記被覆部を形成する高分子組成物と前記突出部を形成する高分子組成物とは物性が互いに異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
回路形成面に電極部が設けられている半導体チップと、
前記電極部に一端が電気的に接続されている接続部材と、
前記接続部材の他端を露出するようにして前記接続部材および前記半導体チップの少なくとも回路形成面を被覆する被覆部、および、前記被覆部の前記回路形成面とは反対側の面に突設された外部接続用電極のための少なくとも一つの突出部を具備する絶縁性を備えた高分子組成物により形成されている絶縁層と、
前記突出部を含む前記絶縁層上に形成されており、前記接続部材の他端に電気的に接続されている導体層とを有している半導体装置において、
前記被覆部を形成する高分子組成物と前記突出部を形成する高分子組成物とは物性が互いに異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記突出部の縦弾性係数が、前記被覆部の縦弾性係数より小さく形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記突出部の線膨張係数が、前記被覆部の線膨張係数より大きく形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記突出部が、複数であり、これら複数の突出部のうちの一部は、その先端面の面積が、他の突出部の先端面の面積より大きく形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の突出部が、マトリックス状に配列されているとともに、前記先端面の面積の大きな突出部が、前記複数の突出部の配列形状の外側角部に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板への実装に好適な半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置（半導体パッケージ）の回路基板への実装は、半導体装置の外部接続用電極と、回路基板の端子形成部に設けられた接続端子としてのチップ部品搭載用ランド（電極）とをはんだ付けなどによって電気的および機械的に接合するようになっている。この種の半導体装置としては、電気部品の小型化、軽量化、高機能化などの要求に応えるため、種々の形態のものが市場に供給されている。
【０００３】
例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置の外部接続用電極は、半田ボールを接合した構造となっている。このような半導体装置が回路基板上に実装された状態において、はんだボールには半導体チップの発熱などによる温度変化と、構造体の線膨張係数の違いに起因する機械的なストレスが加わり、最終的にははんだボールによる接合部において疲労破壊が生じることになる。
【０００４】
そこで、はんだボールを用いた場合に生じる疲労破壊による寿命を改善する目的で、はんだボールに代わり、樹脂により形成された突出部の表面に導体層を形成した柔構造の外部接続用電極が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ところで、半導体装置は、半導体チップ（ベアチップ）の電極部とインターポーザーと呼ばれる配線基板の電極部とをワイヤーボンディング法で接続した構造と、半導体チップの電極部上に金属のバンプを形成し、このバンプを介して配線基板の電極部と接続するフリップチップ法を用いた構造に大別される。
【０００６】
両者の構造ともに、半導体チップの電極部と配線基板の電極部との電極間の接続部分を保護するために、樹脂モールドやアンダーフィル樹脂の充填が行われている。これらの樹脂は、接続部分を保護する目的から、線膨張係数が小さく、縦弾性係数（ヤング率：弾性率）の大きい材料が使用されている。
【０００７】
【特許文献１】特許第３４４５４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、近年においては各種装置の高性能化が求められており、各種装置の高性能化の一つとして、樹脂により形成された突出部の表面に導体層を形成した柔構造の外部接続用電極を用いた半導体装置においても高性能化が求められており、このような半導体装置の高性能化の一つとして、実装信頼性（接続信頼性）の向上が求められている。
【０００９】
しかしながら、樹脂モールドやアンダーフィル樹脂に用いられる線膨張係数が小さく、縦弾性係数の大きい材料により突出部を形成した構成の半導体装置の場合、はんだボールを用いた場合に比較して、半導体チップの電極部と配線基板の電極部との接続部分の耐久性は向上するものの、外部接続用電極の柔軟性が低く、回路基板の電極部との接合部分への応力を緩和する特性が低いという問題点があった。
【００１０】
そこで、外部接続用電極の実装信頼性を向上させることのできる半導体装置が求められている。
【００１１】
本発明はこの点に鑑みてなされたものであり、外部接続用電極の実装信頼性の向上を容易に図ることのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述した目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の特徴は、回路形成面に電極部が設けられている半導体チップと、前記電極部上に形成されている接続部材と、前記接続部材を部分的に露出するようにして前記回路形成面を被覆する被覆部、および、前記被覆部の前記回路形成面とは反対側の面に突設された外部接続用電極のための少なくとも一つの突出部を具備する絶縁性を備えた高分子組成物により形成されている絶縁層と、前記突出部を含む前記絶縁層上に形成されており、前記接続部材の露出部分に電気的に接続されている導体層とを有している半導体装置において、前記被覆部を形成する高分子組成物と前記突出部を形成する高分子組成物とは物性が互いに異なる点にある。
【００１３】
本発明に係る他の半導体装置の特徴は、回路形成面に電極部が設けられている半導体チップと、前記電極部に一端が電気的に接続されている接続部材と、前記接続部材の他端を露出するようにして前記接続部材および前記半導体チップの少なくとも回路形成面を被覆する被覆部、および、前記被覆部の前記回路形成面とは反対側の面に突設された外部接続用電極のための少なくとも一つの突出部を具備する絶縁性を備えた高分子組成物により形成されている絶縁層と、前記突出部を含む前記絶縁層上に形成されており、前記接続部材の他端に電気的に接続されている導体層とを有している半導体装置において、前記被覆部を形成する高分子組成物と前記突出部を形成する高分子組成物とは物性が互いに異なる点にある。
【００１４】
本発明においては、前記突出部の縦弾性係数が、前記被覆部の縦弾性係数より小さく形成されていることが好ましく、また、前記突出部の線膨張係数が、前記被覆部の線膨張係数より大きく形成されていることが好ましい。さらに、前記突出部が、複数であり、これら複数の突出部のうちの一部は、その先端面の面積が、他の突出部の先端面の面積より大きく形成されていることが好ましく、さらにまた、前記複数の突出部が、マトリックス状に配列されているとともに、前記先端面の面積の大きな突出部が、配列形状の外側角部に配置されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る半導体装置によれば、被覆部を形成する高分子組成物と突出部を形成する高分子組成物とは物性が互いに異なるから、回路形成面を被覆する被覆部と、外部接続用電極のための突出部とのそれぞれに最適な機能を個別に付与することができるので、外部接続用電極の実装信頼性の向上を容易に図ることができるなどの極めて優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を図面に示す実施形態により説明する。
【００１７】
図１は本発明に係る半導体装置の第１実施形態の要部の構成を示す模式的断面図である。
【００１８】
本実施形態の半導体装置は、フリップチップ法を用いたＣＰＳ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ（Ｓｃａｌｅ）  Ｐａｃｋａｇｅ）構造のものを例示している。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態の半導体装置１は、平面矩形状に形成された半導体チップ（ベアチップ）２を有している。この半導体チップ２は、シリコンなどの半導体ウエハからなる基板３の一面たる下面に図示しない所望の回路（回路素子）および配線が形成されており、この回路の形成されている面は、回路形成面４とされている。そして、回路形成面４の周辺部には、電源および信号の入出力のための電極部としての複数のパッド５、例えば、アルミニウム層のボンディングパッドが全体としてほぼ四角枠状をなすように配列されて設けられており、これらのパッド５には、接続部材としてのバンプ（突起電極）６が設けられている。このバンプ６の材料としては、金、銅、鉛を含まない錫合金あるいは錫（無鉛はんだ）などを用いることができる。また、バンプ６の高さとしては、２０μｍ以上とすることがチップ上の配線とバンプの接続する配線パターン間の絶縁性を確保するという意味で好ましい。
【００２０】
なお、接続部材としては、バンプ６の代わりに、導電性ペースト、異方性導電材などを用いてもよい。異方性導電材としては、フィルム状に形成されている異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、ペースト状に形成されている異方性導電ペーストなどを挙げることができる。
【００２１】
また、回路形成面４のパッド５の形成部位を除く部位には、回路を保護するための窒化ケイ素などにより形成されたパッシべーション膜（表面保護膜）が設けられているのが一般的である。
【００２２】
前記半導体チップ２の下面には、絶縁層７が形成されている。この絶縁層７は、バンプ６を部分的に露出するようにして回路形成面４を被覆するほぼ平板状の被覆部８と、この被覆部８の回路形成面４とは反対側の面（図１下面）にその先端が下方に向かって突設された外部接続用電極１１のための複数の突出部９とを有している。これらの突出部９は、例えば、全体としてほぼ四角枠状をなすようにマトリックス状に配列されている。
【００２３】
前記被覆部８の厚さは、バンプ６の高さに基づいて設定され、例えば、バンプ６の高さが５０〜７０μｍ程度の場合、被覆部８の厚さを２５〜５０μｍ程度に形成するとよい。また、突出部９の高さは、接合信頼性を考慮すると、２５μｍ以上、好ましくは３０〜５０μｍとするとよい。さらに、突出部９の形状、ピッチ、配列パターンなどは、接続に供する回路基板の端子形成部に設けられた接続端子としてのチップ部品搭載用ランド（電極部）の形状に応じて適宜選択することができる。
【００２４】
本実施形態の絶縁層７の被覆部８を形成する高分子組成物と突出部９を形成する高分子組成物とは物性が互いに異なっている。
【００２５】
一方の被覆部８の材料としては、線膨張係数が小さく、また縦弾性係数が大きい絶縁性を有する高分子組成物、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂、汎用エンプラ、スーパーエンプラなどの熱可塑性樹脂などを用いることができる。また、２種類以上の材料をその製造工程中において化学的方法あるいは機械的方法で混合（ポリマーブレンド）して用いてもよい。このような被覆部８を形成するための高分子組成物には、線膨張係数を小さくするために、球状シリカ、球状アルミナなどの球状充填材や、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素などの無機充填材を単独もしくは組み合わせて配合してもよい。また、使用目的、設計目的、好ましい物理特性、加工性のバランス、寸法安定性などの必要性に応じて、ガラス繊維などの他の充填材、着色剤などの種々のものを配合することができる。
【００２６】
本実施形態の被覆部８の材料としては、線膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以下と小さく、また縦弾性係数が１４００ＭＰａ以上と大きい絶縁性を有する高分子組成物、例えば、変性エポキシ樹脂、特殊フェノール樹脂などが用いられている。
【００２７】
他方の突出部９の材料としては、被覆部８の材料より縦弾性係数が小さい高分子組成物、および／または、被覆部８の材料より線膨張係数が大きい高分子組成物、例えば、メタクリル樹脂、やアクリル系樹脂などの熱可塑性樹脂あるいは感光性樹脂や、ゴムなどを用いることができる。また、２種類以上の材料をその製造工程中において化学的方法あるいは機械的方法で混合（ポリマーブレンド）して用いてもよい。さらに、使用目的、設計目的、好ましい物理特性、加工性のバランス、寸法安定性などの必要性に応じて、他の充填材、着色剤などの種々のものを配合することができる。
【００２８】
なお、絶縁層７を構成する被覆部８および突出部９を形成する高分子組成物としては、ともに、半導体装置１と回路基板との接続に用いる接合部材の種類に応じた耐熱性を有していることが好ましい。例えば、接合部材としてはんだを用いる場合には、はんだの溶融温度に対する耐熱性を有するものが好ましい。
【００２９】
前記突出部９を含む絶縁層７上には、導体層１０が形成されている。この導体層１０は、予め設定された突出部９の先端部分を被覆するとともに、この突出部９に対応する予め設定されたバンプ６とを電気的に接続するようにパターニングされている。なお、導体層１０としては、層間絶縁層を介して積層された多層構造のものであってもよい。
【００３０】
すなわち、本実施形態の半導体装置１におけるチップ部品搭載用ランドとの接続に供される外部接続用電極１１は、突出部９の先端部分を被覆するように形成されている。
【００３１】
なお、外部接続用電極１１とチップ部品搭載用ランドと接続する接合部材としてはんだを用いる場合には、外部接続用電極１１の表面にはんだメッキ、あるいは、ニッケル下地金メッキを施すことが、はんだ付け性を良好にすることが容易にできるという意味で好ましい。
【００３２】
前記導体層１０の材料としては、銅、アルミニウムなどを用いることができる。また、導体層１０の厚さとしては、パターン精度を考慮すると、５〜１８μｍ程度であることが好ましい。
【００３３】
前記導体層１０の表面には、部分的に、特に外部接続用電極１１の先端部分を外部に露出するようにして、導体層１０を保護するための保護層としての機能を併せ持つ配線基板としての絶縁性基板１２が設けられている。この絶縁性基板１２の材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリル酸メチルなどの絶縁性を有する各種の樹脂を用いることができる。なお、配線基板としては、絶縁性基板１２の代わりに、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化型のソルダーレジストや、アクリル樹脂を主成分とする脂紫外線硬化型のソルダーレジストを用いてもよい。
【００３４】
前記絶縁性基板１２の外部接続用電極１１の形成位置には、絶縁性基板１２を厚さ方向に貫通する貫通孔１２ａが形成されており、この貫通孔１２ａにより、内部に突出部９を収納した外部接続用電極１１の先端部分が、外部に露出されている。
【００３５】
本実施形態の半導体装置１の製造方法としては、半導体チップ２にバンプ６を形成したものと、それ以外の下部構造とを個別に形成して、両者を貼り合わせる方法を例示することができる。
【００３６】
なお、突出部９の形成には、例えば、銅により形成された導体層の両面にポリメタクリル酸メチルなどの感光性樹脂を積層したものをブランクとし、このブランクの両面をフォトリソ法により露光・現像することで、ブランクの上面に所定パターンの感光性樹脂からなる突出部およびを露出した所定パターンの導体層を形成するとともに、ブランクの下面に、突出部の形成位置に導体層の下面が露出する突出部のサイズより大きい開口を形成し、その後、突出部の上端から所定の加重を加えてプレスすることで、内部に突出部が収納された外部接続用電極を形成する方法を挙げることができる。すなわち、突出部を開口の内部に押し込むことで、開口の周囲の導体層を塑性変形し、突出部の先端面を覆う導体層を開口から突出して、外部接続用電極を形成する。
【００３７】
また、半導体装置１は、個別に形成しても、多面取り用の大きな面積を有するマザー基板から分割形成してもよい。
【００３８】
つぎに、前述した構成からなる本実施形態の作用について説明する。
【００３９】
本実施形態の半導体装置１によれば、被覆部８を形成する高分子組成物と突出部９を形成する高分子組成物とは物性が互いに異なるので、回路形成面４を被覆する被覆部８と、外部接続用電極１１のための突出部９とのそれぞれに最適な相互に二律背反する機能を付与することができる。
【００４０】
すなわち、本実施形態の半導体装置１によれば、被覆部８には、バンプ６を介したパッド５と外部接続用電極１１との接続部分を保護する機能に優れた、線膨張係数が小さく、縦弾性係数の大きい材料を容易に用いることができ、突出部９には、外部接続用電極１１の柔軟性が高く、回路基板のチップ部品搭載用ランドとの接合部分への応力を緩和する特性に優れた機能を有する材料を用いることができる。
【００４１】
したがって、本実施形態の半導体装置１によれば、外部接続用電極１１の実装信頼性を確実かつ容易に向上させることができる。すなわち、高性能化を容易に図ることができる。
【００４２】
また、本実施形態の半導体装置１によれば、突出部９の縦弾性係数が、被覆部８の縦弾性係数より小さく形成されているので、外部接続用電極１１の柔軟性を高くして、回路基板のチップ部品搭載用ランドとの接合部分への応力を緩和する特性をより確実に向上させることができる。
【００４３】
さらに、本実施形態の半導体装置１によれば、突出部９の線膨張係数が、被覆部８の線膨張係数より大きく形成されているので、外部接続用電極１１の柔軟性を高くして、回路基板のチップ部品搭載用ランドとの接合部分への応力を緩和する特性をより確実に向上させることができる。
【００４４】
図２は、本発明に係る半導体装置の第２実施形態の要部の構成を示す模式的断面図である。なお、前述した第１実施形態の半導体装置１と同一ないし相当する構成については図面中に同一の符号を付してある。
【００４５】
本実施形態の半導体装置１Ａは、ワイヤーボンディング法を用いたＢＧＡタイプのものを例示している。
【００４６】
すなわち、本実施形態の半導体装置１Ａにおいては、図２に示すように、半導体チップ２の基板３の上面に回路形成面４が形成されており、この基板３の上面に形成された回路形成面４の周辺部に、電極部としての複数のパッド５が全体としてほぼ四角枠状をなすように配列されて設けられている。そして、各パッド５には、接続部材としての金の細線などにより形成されたリード線１３の一端が接続されている。
【００４７】
前記半導体チップ２の下面には、平面矩形の平板状に形成された中間絶縁層１４が設けられている。この中間絶縁層１４の下面は、半導体チップ２より大面積に形成された平面矩形の平板状に形成された保護層としての機能を併せ持つ配線基板としての絶縁性基板１２Ａの上面の中央部分に配置されている。なお、中間絶縁層１４は、設計コンセプトなどの必要に応じて設ければよい。
【００４８】
前記絶縁性基板１２Ａの上面には、絶縁層７Ａが形成されている。この絶縁層７Ａは、リード線１３の他端を部分的に露出するようにして半導体チップ２およびリード線１３を被覆するほぼ平板状の被覆部８Ａと、この被覆部８Ａの回路形成面４とは反対側の面（図２下面）にその先端が下方に向かって突設された複数の突出部９Ａとを有している。これらの突出部９Ａは、例えば、半導体チップ２の外周を取り囲む位置に、全体としてほぼ四角枠状をなすように配列されている。
【００４９】
本実施形態の絶縁層７Ａは、前述した第１実施形態の半導体装置１と同様に、被覆部８Ａを形成する高分子組成物と突出部９Ａを形成する高分子組成物とは物性が互いに異なっている。
【００５０】
前記被覆部８Ａおよび突出部９Ａの材料としては、前述した第１実施形態の半導体装置１の被覆部８および突出部９の材料を用いることができる。
【００５１】
本実施形態の被覆部８Ａの材料としては、線膨張係数が２．５ｐｐｍ／℃以下と小さく、また縦弾性係数が１８００ＭＰａ以上と大きい絶縁性を有する高分子組成物、例えば、変性エポキシ樹脂などが用いられている。
【００５２】
前記突出部９Ａを含む絶縁層７Ａの下面上には、導体層１０Ａが形成されている。この導体層１０Ａは、予め設定された突出部９Ａの先端部分を被覆するとともに、この突出部９Ａに対応する予め設定されたパッド５に一端が接続されたリード線１３の他端と電気的に接続するようにパターニングされている。なお、導体層１０Ａとしては、層間絶縁層を介して積層された多層構造のものであってもよい。
【００５３】
すなわち、本実施形態の半導体装置１Ａにおけるチップ部品搭載用ランドとの接続に供される外部接続用電極１１Ａは、突出部９Ａの先端部分を被覆するように形成されている。
【００５４】
前記絶縁性基板１２Ａの外部接続用電極１１Ａの形成位置には、絶縁性基板１２Ａを厚さ方向に貫通する貫通孔１２Ａａが形成されており、この貫通孔１２Ａａにより、内部に突出部９Ａを収納した外部接続用電極１１Ａの先端部分が、外部に露出されている。
【００５５】
なお、絶縁性基板１２Ａの半導体チップ２側の面には、リード線１３との接続部分を除いて導体層１０Ａを覆う絶縁膜を設けてもよい。
【００５６】
その他の構成については、前述した第１実施形態の半導体装置１と同様とされているので、その詳しい説明については省略する。
【００５７】
このような構成からなる本実施形態の半導体装置１Ａによれば、前述した第１実施形態の半導体装置１と同様の効果を奏することができる。
【００５８】
すなわち、本実施形態の半導体装置１Ａによれば、被覆部８Ａを形成する高分子組成物と突出部９Ａを形成する高分子組成物とは物性が互いに異なるので、回路形成面４を被覆する被覆部８Ａと、外部接続用電極１１Ａのための突出部９Ａとのそれぞれに最適な相互に二律背反する機能を付与することができる。
【００５９】
したがって、本実施形態の半導体装置１Ａによれば、外部接続用電極１１Ａの実装信頼性を確実かつ容易に向上させることができる。すなわち、高性能化を容易に図ることができる。
【００６０】
また、本実施形態の半導体装置１Ａによれば、突出部９Ａの縦弾性係数が、被覆部８Ａの縦弾性係数より小さく形成されているので、外部接続用電極１１Ａの柔軟性を高くして、回路基板の電極部との接合部分への応力を緩和する特性をより確実に向上させることができる。
【００６１】
さらに、本実施形態の半導体装置１Ａによれば、突出部９Ａの線膨張係数が、被覆部８Ａの線膨張係数より大きく形成されているので、外部接続用電極１１Ａの柔軟性を高くして、回路基板の電極部との接合部分への応力を緩和する特性をより確実に向上させることができる。
【００６２】
図３は本発明に係る半導体装置の第３実施形態の要部の構成を示す模式的下面図である。なお、前述した第２実施形態の半導体装置１Ａと同一ないし相当する構成については図面中に同一の符号を付してある。
【００６３】
本実施形態の半導体装置１Ｂは、前述した第２実施形態の半導体装置１Ａの変形例を示すものである。
【００６４】
なわち、本実施形態の半導体装置１Ｂは、図３に示すように、絶縁層７Ｂの一部を構成する突出部９Ｂが、全体としてほぼ四角枠状をなすように２行２列のマトリックス状に配列されている。そして、これらの突出部９Ｂのうちの一部、本実施形態においては、配列形状の外側角部である四角には、先端面の面積が、他の突出部９Ｂの先端面の面積より大きい大突出部９Ｂａとされている。
【００６５】
換言すると、本実施形態の半導体装置１Ｂは、突出部９Ｂが、複数であり、これら複数の突出部９Ｂのうちの一部は、その先端面の面積が、他の突出部９Ｂの先端面の面積より大きく形成されている。また、複数の突出部９Ｂが、マトリックス状に配列されているとともに、先端面の面積の大きな突出部９Ｂである大突出部９Ｂａが、配列形状の外側角部に配置されている。
【００６６】
したがって、本実施形態の半導体装置１Ｂおいて、所定パターンの導体層１０Ｂにより形成されている複数の外部接続用電極１１Ｂのうちの配列形状の４角（半導体装置１Ｂの中心部から最も距離が遠い位置）に設けられている外部接続用電極１１Ｂａは、チップ部品搭載用ランドとの電気的な接続に用いる部分の面積が、それ以外のものより大きく形成されている大外部接続用電極１１Ｂａとされている。
【００６７】
また、絶縁性基板１２Ｂの各外部接続用電極１１Ｂの形成位置には、絶縁性基板１２Ｂを厚さ方向に貫通する貫通孔１２Ｂａが形成されており、この貫通孔１２Ｂａの配列形状の外側角部に位置する貫通孔１２Ｂａは、大突出部９Ｂａが挿通される大貫通孔１２Ｂａａとされている。そして、内部に突出部９Ｂを収納した外部接続用電極１１Ｂの先端部分が、貫通孔１２Ｂａを介して外部に露出されている。また、内部に大突出部９Ｂａを収納した大外部接続用電極１１Ｂａの先端部分が、大貫通孔１２Ｂａａを介して外部に露出されている。
【００６８】
なお、大突出部９Ｂａおよび大外部接続用電極１１Ｂａは、前述した第１実施形態の半導体装置１に設けることができる。
【００６９】
その他の構成については、前述した第２実施形態の半導体装置１Ａと同様とされているので、その詳しい説明については省略する。
【００７０】
このような構成からなる本実施形態の半導体装置１Ｂによれば、前述した第２実施形態の半導体装置１Ａと同様の効果を奏することができるとともに、外部接続用電極１１Ｂの実装信頼性をより向上させることができる。
【００７１】
すなわち、本実施形態の半導体装置１Ｂによれば、チップ部品搭載用ランドとの電気的な接続に用いる外部接続用電極１１Ｂのうちの少なくとも一部を、大突出部９Ｂａを内部に収納した大外部接続用電極１１Ｂａとすることで、接合部分の接合強度を大きくすることが容易にできる。
【００７２】
その結果、半導体装置１Ｂの外部接続用電極１１Ｂと回路基板のチップ部品搭載用ランドとをはんだ付けなどによって接合した場合に生じる半導体装置１Ｂと回路基板との間の熱ストレスにともなって発生する歪みによる接合部分の破壊を抑制する機能をもたせることができる。
【００７３】
特に、熱ストレスにともなって発生する歪みは、半導体装置１Ｂの中心部から最も距離が遠い外側角部に配置されている外部接続用電極１１Ｂａによる接合部分において最大となるので、突出部９Ｂの配列形状の外側角部に大突出部９Ｂａを配置することにより、熱ストレスにともなって発生する歪みによる接合部分の破壊を抑制する機能をもつ大外部接続用電極１１Ｂａを最も効果的な位置に配置することができる。
【００７４】
なお、大突出部９Ｂａの形成位置に配置される大外部接続用電極１１Ｂａにリード線１３を接続しない構成とすることで、半導体装置１Ｂの４隅に回路基板へ搭載後の落下衝撃に対する強度を向上するためダミー電極を設けることができる。すなわち、落下衝撃に対する強度を向上するためダミー電極を容易に形成することができる。
【００７５】
なお、本発明は、前述した各実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明に係る半導体装置の第１実施形態の要部の構成を示す模式的断面図
【図２】本発明に係る半導体装置の第２実施形態の要部の構成を示す模式的断面図
【図３】本発明に係る半導体装置の第３実施形態の要部の構成を示す模式的下面図
【符号の説明】
【００７７】
１、１Ａ、１Ｂ  半導体装置
２  半導体チップ
４  回路形成面
５  パッド
６  バンプ
７、７Ａ、７Ｂ  絶縁層
８、８Ａ  被覆部
９、９Ａ、９Ｂ  突出部
９Ｂａ  大突出部
１０、１０Ａ、１０Ｂ  導体層
１１、１１Ａ、１１Ｂ  外部接続用電極
１１Ｂａ  大外部接続用電極
１２、１２ａ、１２Ｂ  絶縁性基板
１３  リード線
【図１】
2007081298.tif 000003
【図２】
2007081298.tif 000004
【図３】
2007081298.tif 000005