(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】プラズマエッチング装置のサセプタ６上に半導体ウエーハＷを配置するとともに、ウエーハＷの外周部が過剰にエッチングされるのを防止するためにウエーハＷの外周部上にリング状の治具５を配置し、半導体ウエーハＷに対してプラズマエッチングを行う。その後、ウエーハＷの外周部の２箇所以上でエッチング量を測定し、２箇所以上で測定したエッチング量の差が小さくなるようにリング状の治具５に対する半導体ウエーハＷの相対位置を調整して次の半導体ウエーハのプラズマエッチングを行う。【選択図】図１
2007150070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハをプラズマエッチングする方法であって、プラズマエッチング装置のサセプタ上に半導体ウエーハを配置するとともに、該ウエーハの外周部が過剰にエッチングされるのを防止するために該ウエーハの外周部上にリング状の治具を配置し、前記半導体ウエーハに対してプラズマエッチングを行った後、該ウエーハの外周部の２箇所以上でエッチング量を測定し、該２箇所以上で測定したエッチング量の差が小さくなるように前記リング状の治具に対する半導体ウエーハの相対位置を調整して次の半導体ウエーハのプラズマエッチングを行うことを特徴とする半導体ウエーハのプラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記プラズマエッチング後のエッチング量の測定を、前記ウエーハの外周部に沿って等間隔となる４箇所以上で行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハのプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記リング状の治具に対する半導体ウエーハの相対位置の調整を、該ウエーハを搬送するロボットが該ウエーハを前記プラズマエッチング装置のサセプタ上に配置する位置を調整することによって行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体ウエーハのプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記プラズマエッチング後のエッチング量の測定と、前記リング状の治具に対する半導体ウエーハの相対位置の調整を、前記エッチング量の差が所定の値以下となるまで繰り返すことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウエーハのプラズマエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防止するとともに、均一にエッチングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハの製造では、まず、チョクラルスキー法（ＣＺ法）や浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）等により半導体インゴットを育成し、この育成したインゴットをウエーハの形状にスライスする。次いで、ウエーハの外周の欠けを防止するための面取り工程、厚さのばらつきをなくすためのラッピング工程、加工歪みや汚染物を除去するためのエッチング工程、ウエーハ主表面を鏡面化する研磨工程等が順次行われる。
【０００３】
近年の半導体デバイスの微細化やデバイス作製領域の拡大の観点から、ウエーハの最外周付近でも高い平坦度が要求されるようになり、ウエーハの最外周付近の平坦度や表面変位量に対する関心が高まっている。最近では、ウェーハの最外周付近の形状を評価するため、ウェーハ最外周部のダレ量と跳ね上げ量を定量的に表したエッジロールオフ（単にロールオフという場合もある）と呼ばれる指標が用いられている。
例えば直径３００ｍｍ（半径１５０ｍｍ）のシリコンウエーハであれば、ウエーハの中心から１４７〜１４９ｍｍの間の表面の高さ変位量をロールオフとしたり、あるいはウエーハの表面形状が加速度的にダレた形状に変化し始める位置から、外縁により近い所定の位置までの表面変位量をロールオフとして評価されている。
【０００４】
半導体ウエーハの外周部の平坦度は、研磨工程で悪化することがある。例えばシリコンウエーハを研磨すると、ウエーハの外周部が過剰に研磨され易く、図６に示したようにウエーハＷの外周部がダレた形状になり易い。このような外周ダレ２０が生じた領域は平坦度が低く、デバイス歩留りの低下やデバイス不良の原因となる。
【０００５】
一方、ウエーハの表面を更に高精度に平坦化するため、ウエーハを研磨した後にプラズマエッチング（ドライエッチング）による平坦化（ＤＣＰ：ドライケミカルプラナリゼーション）が行われることがある。例えば、ウエーハの表面を局所的にエッチングすることにより平坦度を高める方法として、プラズマアシスト化学エッチング（ＰＡＣＥ：Ｐｌａｓｍａ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈｉｎｇ）を採用することができる。ＰＡＣＥは、プラズマガスによりウエーハの表面を局所的にエッチングしながらウエーハの厚さを均一化する方法であり、ウエーハの厚さ分布を光学干渉法や静電容量法で測定した後、その厚さ分布に応じてプラズマガスによるエッチング除去量を制御することで、ウエーハ面内を高平坦度化することができる（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００６】
図７は、ＰＡＣＥを行う際に使用する装置の一例の概略を示している。この装置２１は、ガス供給管２２、マイクロ波発信器２３、放電管２４、導波管２５、チャンバ２６、ノズル２７、サセプタ２８（静電チャック）、真空ポンプ２９等を備えている。ＰＡＣＥを行う際は、チャンバ２６内に半導体ウエーハＷを搬送し、ウエーハＷをサセプタ（静電チャック）２８上に吸着保持させる。そして、真空ポンプ２９を駆動してチャンバ２６内を減圧状態にする。
【０００７】
次に、ガス供給管２２を通じて放電管２４内にＣＦ４、ＳＦ６等の原料ガスを供給するとともに、マイクロ波発振器２３を駆動して高周波放電させる。これにより原料ガスがマイクロ波によってプラズマ化し、Ｆラジカル等のプラズマガスが生成される。そして、生成したプラズマガスをノズル２７を通じて半導体ウエーハＷの表面に照射することによって、局所的にプラズマエッチングすることができる。
従って、予め測定した半導体ウエーハＷの厚さ分布に基づき、ウエーハＷに対してノズル２７を相対的に面内を平行に走査させることでウエーハＷの表面の微小な凹凸を改善することができ、平坦度を向上させることができる。なお、エッチング量は特に限定されるものではないが、通常は１μｍ程度に設定される。
【０００８】
しかし、上記のような装置２１を用いてＰＡＣＥを行っても、ウエーハＷの外周部は過剰にエッチングされ易く、ロールオフが充分改善されない場合がある。
そこで、ウエーハの外周部における過剰なエッチングを防ぐため、図８に示したようなリング状の治具３０を用いてプラズマエッチングを行う方法が提案されている（特許文献４参照）。図９に示したようにウエーハＷをサセプタ２８上に配置し、リング状の治具３０（エッジマスクと呼ばれる場合がある）を、ウエーハＷの外周部の上に位置するように配置する。このような治具３０を用いれば、ノズル２７からプラズマガスを照射してエッチングを行っても、内側に突出するフランジ部３１で覆われているウエーハＷの外周部ではエッチングが抑制されることになる。また、このようなリング状の治具３０を用いるとともに、ウエーハＷの外周部付近ではノズル２７の相対速度を上げることで、外周部における過剰なエッチングを一層抑制する方法もある。
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−２５６２０５号公報
【特許文献２】特開平１１−２６０７７１号公報
【特許文献３】特開２００２−２５９８０号公報
【特許文献４】特開２００４−３４９５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、本発明者らの調査によると、上記のようなリング状の治具３０を用いてプラズマエッチングを行う場合、ウエーハの外周部における過剰なエッチングを抑制することができる反面、治具（リング）の中心とウエーハの中心がずれていると、ウエーハの外周部におけるエッチング量に差が生じ、かえって平坦度を悪化させてしまうという問題があることがわかった。
【００１１】
上記問題点に鑑み、本発明は、半導体ウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、半導体ウエーハをプラズマエッチングする方法であって、プラズマエッチング装置のサセプタ上に半導体ウエーハを配置するとともに、該ウエーハの外周部が過剰にエッチングされるのを防止するために該ウエーハの外周部上にリング状の治具を配置し、前記半導体ウエーハに対してプラズマエッチングを行った後、該ウエーハの外周部の２箇所以上でエッチング量を測定し、該２箇所以上で測定したエッチング量の差が小さくなるように前記リング状の治具に対する半導体ウエーハの相対位置を調整して次の半導体ウエーハのプラズマエッチングを行うことを特徴とする半導体ウエーハのプラズマエッチング方法が提供される（請求項１）。
【００１３】
プラズマエッチング後のウエーハの外周部におけるエッチング量を測定すれば、そのエッチング量のばらつきから治具（リング）とウエーハとのずれを把握することができる。従って、ウエーハの外周部において測定したエッチング量の差が小さくなるように治具とウエーハとの相対位置を調整して次のウエーハのプラズマエッチングを行えば、治具（リング）の中心とウエーハの中心とが合わさった状態でエッチングされる。従って、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができ、局所的なロールオフの悪化を防ぐことができる。
【００１４】
この場合、前記プラズマエッチング後のエッチング量の測定を、前記ウエーハの外周部に沿って等間隔となる４箇所以上で行うことが好ましい（請求項２）。
ウエーハの外周部に沿って等間隔となる４箇所以上でエッチング量の測定を行えば、治具（リング）とウエーハとのずれをより正確に把握することができる。従って、治具とウエーハとの相対位置の調整をより適切に行うことができ、ウエーハの外周部におけるエッチング量のばらつきをより確実に低減することができる。
【００１５】
前記リング状の治具に対する半導体ウエーハの相対位置の調整は、該ウエーハを搬送するロボットが該ウエーハを前記プラズマエッチング装置のサセプタ上に配置する位置を調整することによって行うことができる（請求項３）。
ウエーハを搬送するロボットによってウエーハをサセプタ上に配置する際にウエーハの位置を調整すれば、サセプタ上に配置した後にウエーハの位置を調整する必要がなく、効率的である。また、治具とウエーハとの相対位置を調整するための手段を別途設ける必要もなく、コスト上も好ましい。
【００１６】
また、前記プラズマエッチング後のエッチング量の測定と、前記リング状の治具に対する半導体ウエーハの相対位置の調整を、前記エッチング量の差が所定の値以下となるまで繰り返して行ってもよい（請求項４）。
エッチング量の測定と、治具とウエーハとの相対位置の調整を繰り返すことで、治具とウエーハとのずれを徐々に修正することができ、エッチング量のばらつきを極めて小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体ウエーハの外周部上に過剰なエッチングを防ぐためのリング状の治具を配置してプラズマエッチングを行う際、エッチング後のウエーハの外周部におけるエッチング量を測定し、各測定点でのエッチング量の差が小さくなるようにリング状の治具に対する半導体ウエーハの相対位置を調整して次の半導体ウエーハのプラズマエッチングを行う。このような方法によれば、ウエーハの中心とリング状治具の中心とのずれを修正し、各々の中心が一致した状態でプラズマエッチングを行うことができる。従って、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができ、局所的なロールオフの悪化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明によりシリコンウエーハをプラズマエッチングする場合について具体的に説明する。
図１は、本発明によりウエーハをプラズマエッチングする際に使用する装置の構成を概略的に示し、図２は、この装置１を用いた本発明に係るプラズマエッチングの工程を示すフロー図である。プラズマエッチング装置１は、プラズマエッチングを行う加工用チャンバー４のほか、ウエーハを搬送するロボットアーム７，８、ウエーハの位置決めを行うアライナー３等が設けられている。
【００１９】
チャンバー４内にはウエーハＷが配置されるサセプタ（静電チャック）６、ウエーハＷの外周部における過剰なエッチングを防止するためのリング状の治具（エッジマスク）５等が設けられている。エッジマスク５はチャンバー４内で上下動可能であり、ウエーハＷをサセプタ６上に配置する時には上方に退避し、プラズマエッチングを行う際には下降させてウエーハの外周部上にウエーハを囲うようにして配置することができる。
【００２０】
ロボットアーム７，８は、それぞれコンピュータ９，１０により数値制御され、ウエーハの所定の位置を保持し、所定の位置に配置することができる。なお、ウエーハの位置はより細かい単位で調整ができることが好ましく、特にアライナー３とチャンバー４との間でウエーハを搬送するロボットアーム８については、０．１ｍｍ以下の単位でウエーハの位置を調整する機能を有するものが好ましい。
【００２１】
このような構成の装置１を用いてプラズマエッチングを行う場合、ウエーハが収納された収納容器（ＦＯＳＢ等）２が搬送ロボットにより搬送され、ローダー１１に配置される。
次いで、ロボットアーム７によって収納ボックス２からウエーハが取り出され、アライナー３に搬送される。アライナー３ではウエーハをチャンバー４内に搬送する前に位置決めを行う。ウエーハにノッチが形成されている場合は、例えばウエーハに赤外レーザーを当てながらウエーハを回転させてノッチ位置を基準にしてウエーハ位置を決定することができる。なお、ウエーハにオリエンテーションフラット（オリフラ）が形成されている場合には、同様の方法によりオリフラ位置を基準にしてウエーハ位置を決定すればよい。
【００２２】
後述するように、本発明では、ウエーハに対してプラズマエッチングを行った後、ウエーハの外周部の２箇所以上でエッチング量を測定する必要がある。そこで、ウエーハＷの外周部の２箇所以上、好ましくは、外周部に沿って等間隔となる４箇所以上で厚さを測定しておく（図２（Ａ））。例えば、光学式（レーザー）の形状測定器であるナノメトロ３００ＴＴ（黒田精工社製）を用いることでウエーハの外周部における厚さを高精度に測定することができる。
このようにウエーハの外周部の所定の箇所で厚さを測定するタイミングとしては、ウエーハをアライナー３に搬送する前に予め測定しておけばよいが、アライナー３に形状測定器を設けておき、アライナー３でウエーハの位置決めをしたときに測定してもよい。
【００２３】
アライニング後、ロボットアーム８によってアライナー３から加工用チャンバー４にウエーハを搬送し、サセプタ６上に配置する。このとき、ロボットアーム８は、コンピュータ１０の数値制御によってウエーハＷをサセプタ６上の所定の位置に配置することができる。
【００２４】
ウエーハＷをサセプタ６上の所定の位置に配置した後、エッジマスク５を下降させてウエーハＷの外周部上に配置し、プラズマエッチングを行う（図２（Ｂ））。このとき、ウエーハＷの中心とエッジマスク５の中心がずれていると、ウエーハＷの外周部におけるエッチング量がばらつくことになる。従って、プラズマエッチング後、ウエーハＷの外周部のエッチング量のばらつきを調べれば、各箇所のエッチング量の差から、ウエーハＷの中心がエッジマスク５の中心からどちらの方向にどれだけずれているかを認識することができる。
【００２５】
そこで、ウエーハの外周部におけるエッチング量の差を調べるため、ウエーハに対してプラズマエッチングを行った後、エッチング前に測定した箇所と同じ箇所において同様に厚さを測定する（図２（Ｃ））。エッチング前後において所定の箇所で厚さを測定すれば、各箇所におけるエッチング量を算出することができ、各箇所でのエッチング量の差を比較することができる（図２（Ｄ））。
【００２６】
図３（Ａ）は、直径３００ｍｍのシリコンウエーハに対し、エッジマスクをしてプラズマエッチングを行った場合の外周４箇所ａ，ｂ，ｃ，ｄにおけるエッチング量の一例を示している。ウエーハの中心から１４６ｍｍ辺りまではエッチング量の差は小さいが、さらに外側の領域ではエッチング量にばらつきが生じ、ｂ、ｃ、ａ、ｄの順でエッチング量が小さくなっている。エッチング量が大きい箇所では過剰にエッチングされており、ウエーハＷの中心とマスク５の中心とがずれているということになる。
【００２７】
このような各箇所におけるエッチング量の差から、図３（Ｂ）に示したように、ウエーハＷの中心はエッジマスク５の中心に対してＸ軸、Ｙ軸とも−方向にずれていたと判断することができる。そこで、次のウエーハをチャンバー４内に搬送してプラズマエッチングを行う前に、エッチング量の差が小さくなるようにエッジマスク５に対するウエーハの相対位置を調整する（図２（Ｅ））。これは、例えばロボットアーム８は数値制御されているので、ロボットアーム８がウエーハをサセプタ６上に配置する位置をＸ軸、Ｙ軸とも所定の量だけ＋方向にずらすことで、ウエーハＷとエッジマスク５とのずれを修正することができる。
【００２８】
なお、ウエーハの外周部におけるエッチング量の差を知るためには、少なくとも２箇所で測定する必要があり、測定箇所が多いほどエッジマスクとウエーハとのずれをより正確に把握することができるが、測定箇所を多くすると、測定に要する時間が長くなるなど、生産性の低下を招くおそれがある。従って、ウエーハとエッジマスクとの相対位置の修正と生産性を考慮すると、ウエーハの外周部に沿って等間隔となる４〜８箇所でエッチング量を測定することが好ましい。
【００２９】
各箇所におけるエッチング量の差に基づき、エッジマスク５に対するウエーハの相対位置を調整した後、次のウエーハのプラズマエッチングを行う（図２（Ｆ））。このとき、ウエーハとエッジマスクとのずれが修正された状態でプラズマエッチングが行われるため、ウエーハの外周部でのエッチング量のばらつきは前回よりも小さくなる。ただし、上記のようにウエーハの位置を調整して次のウエーハ（２枚目）のプラズマエッチングを行っても、１回だけの調整ではウエーハの外周部のエッチング量の差がまだ十分小さくならないこともあり得る。
【００３０】
そこで、次のウエーハ（２枚目）についても同様にエッチング量の測定を行い、エッチング量の差が所定の値以下となっていない場合には、エッジマスクに対するウエーハの相対位置を再度調整することが好ましい（図２（Ｇ）、（Ｅ））。このようにプラズマエッチング後のエッチング量の測定と、エッジマスクに対するウエーハの相対位置の調整を、エッチング量の差が所定の値以下となるまで繰り返せば、マスクとウエーハとのずれを徐々に小さくすることができ、ウエーハの外周部におけるエッチング量のばらつきを極めて小さくすることができる。この場合、次にプラズマエッチングするウエーハとは、１回目にプラズマエッチングしたウエーハとは別のウエーハをエッチングしてもよいし、１回目と同じウエーハに再度プラズマエッチングを施すようにしてもよい。
【００３１】
プラズマエッチング後のウエーハの外周部におけるエッチング量の差が所定値以下となった場合には、そのままプラズマエッチングを定常操業すればよい（図２（Ｇ）、（Ｈ））。この場合、エッチング量の差の所定値とは、規格等により決定すればよいが、０．４μｍ以内、より好ましくは０．２μｍ以内である。
以上のような工程を経てエッジマスクに対するウエーハの相対位置を調整した上でウエーハのプラズマエッチングを行えば、エッジマスクの中心とウエーハの中心とが一致した状態でエッチングが行われる。従って、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができ、局所的なロールオフの悪化を防ぐことができる。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
直径３００ｍｍのシリコンウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部における過剰なエッチングを防ぐためのリング状の治具（エッジマスク）を作製した。この治具を図１のように構成したプラズマエッチング装置のチャンバー内において、サセプタの上方に上下動可能に取り付けた。
ウエーハを収納したＦＯＳＢからウエーハを取り出し、ウエーハの外周に沿って等間隔となる４箇所でウエーハの厚さを測定した。
【００３３】
アライニング後、ロボットアームによりチャンバー内のサセプタ（静電チャック）上の所定の位置にウエーハを配置した。次いで、エッジマスクを下降させてウエーハの外周部上に配置し、プラズマエッチングを行った。
プラズマエッチング後、プラズマエッチング前に測定した同じ４箇所でウエーハの厚さを測定した。
【００３４】
図４（Ａ）は、各箇所におけるエッチング量の差を示している。ウエーハの外周部におけるエッチング量は、ｄの箇所で最も多く、ｂの箇所で最も少なくなっている。このようなエッチング量の差から、図４（Ｂ）に示したように、ウエーハの中心はエッジマスクの中心に対してＸ軸、Ｙ軸ともに＋方向にずれていたと考えられる。そこで、次のウエーハをエッジマスク下へ搬送する前に、ウエーハがＸ軸、Ｙ軸とも−方向に０．３ｍｍ移動した位置に配置されるようにロボットアームの数値制御を修正した。
【００３５】
上記のようにプラズマエッチング後のエッチング量の測定と、エッジマスクに対するウエーハの相対位置の調整を２回繰り返し、３枚目のウエーハに対して同様にプラズマエッチングを行った。ウエーハの外周部における４箇所のエッチング量を測定したところ、図５のような結果が得られた。４箇所におけるエッチング量の差は極めて少なく、外周部においてもほぼ均一にエッチングすることができた。
【００３６】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３７】
例えば、リング状の治具に対する半導体ウエーハの相対位置の調整に関し、上記実施形態では、ロボットアームがウエーハをサセプタ上に配置する位置を調整する場合について説明したが、リング状の治具を水平方向に移動させることにより、サセプタ上に配置されたウエーハに対して相対的に位置を調整するようにしてもよい。
【００３８】
また、上記実施形態では直径３００ｍｍのシリコンウエーハをプラズマエッチングする場合について説明したが、半導体ウエーハの種類、大きさ、治具の大きさ等は限定されるものではない。例えば治具の大きさは、プラズマエッチングする半導体ウエーハの大きさに応じて適宜設計すればよい。
さらに、上記実施形態ではＰＡＣＥを行う場合について説明したが、本発明は半導体ウエーハを局所的にエッチングする場合に限定されず、いわゆるＤＣＰ装置を用いて半導体ウエーハをプラズマエッチングにより平坦化する場合であれば、特に限定されずに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明によりプラズマエッチングを行う際に使用するプラズマエッチング装置の構成の一例を示す概略図である。
【図２】本発明に係るプラズマエッチングの工程の一例を示すフロー図である。
【図３】ウエーハのエッチング量（Ａ）とウエーハのずれ方向（Ｂ）を示す図である。
【図４】実施例におけるウエーハのエッチング量（Ａ）とウエーハのずれ方向（Ｂ）を示す図である。
【図５】実施例においてリング状治具とウエーハの相対位置を調整した後のエッチング量を示す図である。
【図６】ウエーハの外周ダレを拡大して示す概略図である。
【図７】ＰＡＣＥを行う際に使用するプラズマエッチング装置の一例を示す概略構成図である。
【図８】ウエーハの外周部における過剰なエッチングを防ぐために使用するリング状治具の一例を示す図である。（Ａ）平面図  （Ｂ）Ｃ−Ｃ線断面図
【図９】図８に示すリング状の治具をウエーハの外周部上に配置した状態を部分的に拡大して示す概略図である。
【符号の説明】
【００４０】
１…プラズマエッチング装置、  ２…ウエーハ収納容器、  ３…アライナー、  ４…チャンバー、  ５…リング状治具（エッジマスク）、  ６…サセプタ（静電チャック）、  ７，８…ロボットアーム、  Ｗ…ウエーハ。
【図１】
2007150070.tif 000003
【図２】
2007150070.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007150070.tif 000006
【図５】
2007150070.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007150070.tif 000009
【図８】
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【図９】
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