(57)【要約】    【課題】プラズマディスプレイパネルの電極に供給される複数の駆動信号を同一の電圧源から発生させる。    【解決手段】プラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネル１００、スキャン電極に印加される負極性スキャン信号の電圧、下降ランプ信号の電圧及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を同一の電圧源から発生させる駆動部１０２、及び／又は、サスティン電極に印加されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）及びサスティンバイアス電圧を同一の電圧源から発生させる駆動部１０３を含んで構成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極に印加される負極性スキャン信号の電圧及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を同一の電圧源から発生させる駆動部と、
を含んで構成されるプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記駆動部は、前記負極性スキャン信号の電圧をサスティン電圧源から発生させることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記駆動部は、
前記スキャン電極に印加される前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の供給を制御するサスティン電圧供給制御部と、
前記負極性スキャン信号の電圧を発生させる負極性スキャン電圧発生部と、
前記スキャン電極に印加される前記負極性スキャン信号の電圧の供給を制御するスキャン電圧供給制御部と、
を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記負極性スキャン電圧発生部は、
前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部を含むことを特徴とする請求項３記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記負極性スキャン電圧発生部は、前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵するキャパシタと、該キャパシタに直列に接続される抵抗とを含むことを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記負極性スキャン電圧発生部は、
前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部と、
前記電圧貯蔵部に貯蔵される電圧の大きさを調節する電圧調節部と、
を含むことを特徴とする請求項３記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記電圧調節部は、可変電圧源（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｏｕｒｃｅ）であることを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記電圧調節部は、その一端が前記アドレス電極にデータ信号の電圧を供給するデータ電圧源に接続され、他端が接地（ＧＮＤ）されることを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
スキャン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極に印加される負極性スキャン信号の電圧、漸進的に立ち下がる下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を同一の電圧源から発生させる駆動部と、
を含んで構成されるプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記駆動部は、前記負極性スキャン信号の電圧及び前記下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧を、サスティン電圧源から発生させることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記駆動部は、
前記スキャン電極に印加される前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の供給を制御するサスティン電圧供給制御部と、
前記負極性スキャン信号の電圧を発生させる負極性スキャン電圧発生部と、
前記スキャン電極に印加される前記負極性スキャン信号の電圧の供給を制御するスキャン電圧供給制御部と、
前記スキャン電極に印加される前記下降ランプ信号の電圧の供給を制御する下降ランプ供給制御部と、
を含むことを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記負極性スキャン電圧発生部は、
前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部を含むことを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記負極性スキャン電圧発生部は、
前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部と、
前記電圧貯蔵部に貯蔵される電圧の大きさを調節する電圧調節部と、
を含むことを特徴とする請求項１1記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記電圧調節部は、可変電圧源（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｏｕｒｃｅ）であることを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記可変電圧源が供給する電圧は、１Ｖ〜３０Ｖの電圧であることを特徴とする請求項１４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記電圧調節部は、その一端が前記アドレス電極にデータ信号の電圧を供給するためのデータ電圧源に接続され、他端が設置（ＧＮＤ）されることを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記データ電圧源が供給する電圧は、１５Ｖ、５Ｖ、−５Ｖのうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
サスティン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記サスティン電極に印加されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）及びサスティンバイアス電圧を同一の電圧源から発生させる駆動部と、
を含んで構成されるプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記駆動部は、
前記サスティン電極に印加される前記サスティン信号の電圧の供給を制御するサスティン電圧供給制御部と、
前記サスティンバイアス電圧を発生させるバイアス電圧発生部と、
前記サスティン電極に印加される前記サスティンバイアス電圧の供給を制御するバイアス電圧供給制御部と、
を含むことを特徴とする請求項１８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記バイアス電圧発生部は、
前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部を含むことを特徴とする請求項１９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記バイアス電圧発生部は、
前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部と、
前記電圧貯蔵部に貯蔵される電圧の大きさを調節する電圧調節部と、
を含むことを特徴とする請求項１９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記電圧貯蔵部に貯蔵される電圧の大きさは、前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）と前記電圧調節部にかかる電圧との差と実質的に等しいことを特徴とする請求項２１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２３】
前記電圧調節部は、その一端が前記サスティン信号の電圧よりも低い電圧を供給する低電圧供給源と接続されるとともに、他端が前記電圧貯蔵部の一端と共通接続され、
前記低電圧供給源が供給する電圧を貯蔵することで前記電圧貯蔵部の貯蔵される電圧の大きさを調整することを特徴とする請求項２１記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、このプラズマディスプレイパネルを駆動するための駆動部とを含んでいる。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、通常、前面パネルと背面パネルとの間に形成された隔壁によって仕切られる複数の放電セルを有しており、各放電セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）またはネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノン（Ｘｅ）を含む不活性ガスが充填されている。
【０００４】
このような放電セルが複数個集まって一つのピクセル（Ｐｉｘｅｌ）を成す。例えば、赤色（Ｒｅｄ、Ｒ）放電セル、緑（Ｇｒｅｅｎ、Ｇ）放電セル、青色（Ｂｌｕｅ、Ｂ）放電セルの３色のセルが集まって一つのピクセルを成すのである。
【０００５】
そして、このようなプラズマディスプレイパネルは、高周波電圧によって放電される時に、不活性ガスが真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｒａｙｓ）を発生し、隔壁の間に形成（塗布）された蛍光体を励起して可視光を発生させる（すなわち、画像が具現化される）。このようなプラズマディスプレイパネルは、薄く軽い構成が可能なので次世代表示装置として脚光を浴びている。
【０００６】
プラズマディスプレイパネルには、複数の電極、例えば、スキャン電極（Ｙ）、サスティン電極（Ｚ）、アドレス電極（Ｘ）が形成され、このような複数の電極に所定の駆動電圧が供給されて放電が発生することで映像が具現化される。
【０００７】
つまり、映像を具現化するために、プラズマディスプレイパネルの各電極には、所定の駆動電圧を供給する駆動部が接続されている。
【０００８】
このように、プラズマディスプレイ装置は、通常、複数の電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、このプラズマディスプレイパネルの複数の電極に所定の駆動電圧を供給するための駆動部とを含んで構成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、従来のプラズマディスプレイ装置では、プラズマディスプレイパネルの電極に供給する駆動電圧を発生させるために複数の電圧源を用いていた。
【００１０】
例えば、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）でサスティン信号の電圧（サスティンパルス：Ｖｓ）を供給するためにサスティン電圧源を用い、上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号の電圧、すなわち、セットアップ電圧を供給するためにセットアップ電圧源を用い、下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧、すなわち、セットダウン電圧や負極性のスキャン信号の電圧を供給するために負極性スキャン電圧源を用いていた。
【００１１】
さらに、プラズマディスプレイパネルのサスティン電極（Ｚ）でサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を供給するためにサスティン電圧源を用いることに加えて、サスティン基準電圧を供給するためにサスティン基準電圧源を用いる場合もあった。
【００１２】
このように、従来プラズマディスプレイ装置では、プラズマディスプレイパネルの電極で供給する駆動電圧を発生させる電圧源を多数使用しているため、その分、スペースを必要とし、また、部品点数も多くなり、製造面やコスト面で改善の余地があった。
【００１３】
本発明は、このような実情に着目してなされたものであり、その目的は、プラズマディスプレイパネルの電極に供給する駆動電圧を発生させるための複数の電圧源を、一つの共通電圧源に統合することで、装置の小型化や製造の容易化を図るとともに、装置全体としての製造単価を低減できるプラズマディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極に印加される負極性スキャン信号の電圧及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を同一の電圧源から発生させる駆動部とを含んで構成される。
【００１５】
ここで、前記駆動部は、前記負極性スキャン信号の電圧を前記サスティン信号の電圧を発生させるサスティン電圧源から発生させることが望ましい。
【００１６】
また、前記駆動部は、前記スキャン電極に印加される前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の供給を制御するサスティン電圧供給制御部、前記負極性スキャン信号の電圧を発生させる負極性スキャン電圧発生部及び前記スキャン電極に印加される前記負極性スキャン信号の電圧の制御を制御するスキャン電圧供給制御部を含む。
【００１７】
前記負極性スキャン電圧発生部は、前記サスティン信号の電圧の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部を含む。
【００１８】
前記負極性スキャン電圧発生部は、前記サスティン信号の電圧の一部又は全部を貯蔵するキャパシタと、該キャパシタに直列に接続される抵抗とを含む。ここで、キャパシタは、その一端が前記サスティン電圧供給制御部に接続されるとともに、他端が前記抵抗の一端に接続されるのが望ましく、前記抵抗の他端は、逆電流遮断用のダイオードを介して接地されるのが望ましい。
【００１９】
また、前記負極性スキャン電圧発生部は、前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）を貯蔵する電圧貯蔵部に加えて、該電圧貯蔵部に貯蔵される電圧の大きさを調節する電圧調節部を含むようにしてもよい。
【００２０】
なお、前記電圧調節部としては、可変電圧源（Ａｄｊｕｓｔａｂｌｅ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｏｕｒｃｅ）であるのが望ましい。
【００２１】
ここで、前記電圧調節部は、その一端が前記サスティン電圧より低い電圧を供給する低電圧供給源と接続され、他端が接地（ＧＮＤ）されているのが望ましく、さらに望ましくは、前記低電圧供給源が、前記アドレス電極にデータ信号（の電圧）を供給するためのデータ電圧源である。
【００２２】
また、本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極に印加される負極性スキャン信号の電圧、漸進的に立ち下がる（漸減する）下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を同一の電圧源から発生させる駆動部とを含んで構成される。
【００２３】
ここで、前記駆動部は、前記負極性スキャン信号の電圧及び前記下降ランプ信号の電圧を、前記サスティン信号の電圧を発生させるサスティン電圧源から発生させることが望ましい。
【００２４】
前記駆動部は、前記スキャン電極に印加される前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の供給を制御するサスティン電圧供給制御部、前記負極性スキャン信号の電圧を発生させる負極性スキャン電圧発生部、前記スキャン電極に印加される前記負極性スキャン信号の電圧の供給を制御するスキャン電圧供給制御部及び前記スキャン電極に印加される前記下降ランプ信号の電圧の供給を制御する下降ランプ供給制御部を含む。
【００２５】
前記負極性スキャン電圧発生部は、前記サスティン信号の電圧の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部を含む。かかる電圧貯蔵部としては、例えば、キャパシタが該当する。
【００２６】
また、前記負極性スキャン電圧発生部は、前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部に加えて、該電圧貯蔵部に貯蔵される電圧の大きさを調節する電圧調節部を含むようにしてもよい。
【００２７】
なお、前記電圧調節部は、可変電圧源（Ａｄｊｕｓｔａｂｌｅ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｏｕｒｃｅ）であるのが望ましい。
【００２８】
前記電圧調節部は、その一端が前記サスティン信号の電圧より低い電圧を供給する低電圧供給源と接続され、他端が接地（ＧＮＤ）されるのが望ましく、さらに望ましくは、前記低電圧供給源がアドレス電極にデータ信号（の電圧）を供給するためのデータ電圧源である。
【００２９】
本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、サスティン電極及びアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記サスティン電極に印加されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）及びサスティンバイアス電圧を同一の電圧源から発生させる駆動部とを含んで構成される。
【００３０】
前記駆動部は、前記サスティン電極に印加される前記サスティン信号の電圧の供給を制御するサスティン電圧供給制御部、前記サスティンバイアス電圧を発生させるバイアス電圧発生部及び前記サスティン電極に印加される前記サスティンバイアス電圧の供給を制御するバイアス電圧供給制御部を含む。
【００３１】
前記バイアス電圧発生部は、前記サスティン信号の電圧の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部を含む。かかる電圧貯蔵部としては、例えば、キャパシタが該当する。
【００３２】
また、前記バイアス電圧発生部は、前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部又は全部を貯蔵する電圧貯蔵部に加えて、該電圧貯蔵部に貯蔵される電圧の大きさを調節する電圧調節部を含むようにしてもよい。
【００３３】
前記電圧貯蔵部に貯蔵される電圧の大きさは、前記サスティン信号の電圧（Ｖｓ）と前記電圧調節部にかかる電圧との差と実質的に等しいのが望ましい。
【００３４】
また、前記電圧調節部は、その一端が前記サスティン信号の電圧よりも低い電圧を供給する低電圧供給源と接続されるとともに、他端が前記電圧貯蔵部の一端と共通接続され、
前記低電圧供給源が供給する電圧を貯蔵することで前記電圧貯蔵部の貯蔵される電圧の大きさを調整するよう構成するのが望ましい。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極に印加されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）、さらには、下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧を一つの電圧源を利用して発生させるようにしたり、あるいは、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）とバイアス電圧（Ｖｚｂ）を一つの電圧源を利用して発生させるようにしたりできるので、プラズマディスプレイ装置を小型化し、部品点数を減らし、装置全体の製造単価を低減できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下では、添付図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
【００３７】
図１は、実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【００３８】
図１に示すように、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１００と、このプラズマディスプレイパネル１００の電極に所定の駆動電圧を供給するための駆動部とを含んで構成され、望ましくは、駆動部は、データ駆動部１０１、スキャン駆動部１０２及びサスティン駆動部１０３を含む。
【００３９】
プラズマディスプレイパネル１００は、前面パネル（図示せず）と背面パネル（図示せず）とが一定な間隔を置いて合着されており、複数の電極、例えば、スキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）とが複数個形成される。
【００４０】
ここで、プラズマディスプレイパネル１００の構造をより詳細に説明する
【００４１】
図２は、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図である。
【００４２】
図２に示すように、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネル１００は、画像がディスプレイされる表示面である前面基板２０１にスキャン電極（２０２、Ｙ）及びサスティン電極（２０３、Ｚ）が形成された前面パネル２００と、背面を成す背面基板２１１上に前述のスキャン電極（２０２、Ｙ）及びサスティン電極（２０３、Ｚ）と交差するように配列された複数のアドレス電極(２１３、Ｘ）が形成された背面パネル２１０とが、一定の距離を置いて結合されて構成される。
【００４３】
前面パネル２００は、一つの放電空間（すなわち、放電セル）で相互放電させて放電セルの発光を維持するためのスキャン電極（２０２、Ｙ）及びサスティン電極（２０３、Ｚ）、より具体的には、透明なＩＴＯ物質で形成された透明電極（ａ）と金属材質で形成されたバス電極（ｂ）とを備えるスキャン電極（２０２、Ｙ）及びサスティン電極（２０３、Ｚ）が対を成して含まれる。
スキャン電極（２０２、Ｙ）及びサスティン電極（２０３、Ｚ）は、放電電流を制限して電極対の間を絶縁する一つ以上の上部誘電体層２０４によって覆われており、この上部誘電体層２０４上面には電極を保護し、放電条件を安定等させるために酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層２０５が形成される。
【００４４】
一方、背面パネル２１０は、複数個の放電空間、すなわち、放電セルを形成するためのストライプタイプ(またはウェルタイプ)の隔壁２１２が平行に配列される。また、アドレス放電を行って真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極(２１３、Ｘ）が隔壁２１２に対して平行に配置される。
【００４５】
背面パネル２１０の上側面には、アドレス放電時に、画像表示のための可視光線を放出すＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体２１４が塗布される。アドレス電極(２１３、Ｘ）と蛍光体２１４との間には、アドレス電極(２１３、Ｘ）を保護するための下部誘電体層２１５が形成される。
【００４６】
なお、図２は、本発明が適用され得るプラズマディスプレイパネルの一例を示しているに過ぎず、本発明が図２の構造のプラズマディスプレイパネルに限定されるのではない。
【００４７】
例えば、図２では、スキャン電極（２０２、Ｙ）、サスティン電極（２０３、Ｚ）が、それぞれ透明電極（ａ）とバス電極（ｂ）とで成ることを示しているが、これとは異なりスキャン電極（２０２、Ｙ）及びサスティン電極（２０３、Ｚ）の少なくとも一つが、バス電極（ｂ）だけで成るとか、または、透明電極（ａ）だけで成ることも可能である。
【００４８】
また、図２では、スキャン電極（２０２、Ｙ）とサスティン電極（２０３、Ｚ）とが前面パネル２００に含まれ、アドレス電極(２１３、Ｘ）が背面パネル２１０に含まれることを示しているが、前面パネル２００にすべての電極が形成されたり、または、スキャン電極（２０２、Ｙ）、サスティン電極（２０３、Ｚ）及びアドレス電極(２１３、Ｘ）のうちの少なくとも一つの電極が隔壁２１２上に形成されたりすることも可能である。
【００４９】
つまり、本発明が適用され得るプラズマディスプレイパネルは、駆動電圧を供給するためのスキャン電極（２０２、Ｙ）、サスティン電極（２０３、Ｚ）及びアドレス電極(２１３、Ｘ）が形成されていればよく、その以外の条件は特に問わないのである。
【００５０】
ここで、再び図１に戻って説明を続ける。
【００５１】
データ駆動部１０１は、アドレス期間に、プラズマディスプレイパネル１００のアドレス電極（Ｘ）にデータ信号の電圧（データパルス：Ｖｄ）を供給する方法でアドレス電極（Ｘ）を駆動させる。
【００５２】
サスティン駆動部１０３は、画像を表示するサスティン期間に、サスティン電極（Ｚ）にサスティン信号の電圧（サスティンパルス：Ｖｓ）を供給し、また、アドレス期間に、サスティンバイアス電圧を供給する方法でサスティン電極（Ｚ）を駆動させる。
【００５３】
スキャン駆動部１０２は、リセット期間に、プラズマディスプレイパネル１００のスキャン電極（Ｙ）に下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧、すなわち、セットダウン電圧を供給し、アドレス期間に、スキャン信号の負極性スキャン信号の電圧（負極性スキャンパルス）を供給し、サスティン期間に、サスティン信号の電圧（サスティンパルス：Ｖｓ）を供給する方法でアドレス電極（Ｘ）を駆動させる。
【００５４】
ここで、本実施形態において、スキャン駆動部１０２は、サスティン期間にてスキャン電極（Ｙ）に供給するサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と、サスティン期間前のアドレス期間にてスキャン電極（Ｙ）に供給する負極性スキャン信号の電圧と、アドレス期間前のリセット期間にてスキャン電極（Ｙ）に供給され、漸進的に立ち下がる（漸減する）下降ランプ信号の電圧、すなわち、セットダウン電圧とを、同一の電圧源から発生させる。
【００５５】
なお、このようなサスティン信号の電圧（Ｖｓ）、負極性スキャン信号の電圧及び下降ランプパルスの電圧（セットダウン電圧）を発生させる一つの電圧源としては、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）を供給する（発生させる）ために設けられたサスティン電圧源であることが望ましい。すなわち、スキャン駆動部１０２は、サスティン電圧源から供給される電圧（サスティン信号の電圧）を利用して、負極性スキャン信号の電圧、又は／及び下降ランプ信号の電圧を発生させるように構成される。
【００５６】
次に、スキャン駆動部１０２の構成を説明する。
【００５７】
図３は、スキャン駆動部１０２の構成をより詳しく説明するための図である。
【００５８】
図３に示すように、スキャン駆動部は、サスティン電圧供給制御部３００、基底電圧供給制御部３１０、負極性スキャン電圧発生部３２０、下降ランプ供給制御部３３０、スキャン電圧供給制御部３４０及びブロッキング部３５０を含んで構成される。
【００５９】
サスティン電圧供給制御部３００は、サスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）を含み、このサスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）のスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）動作によって、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）のスキャン電極（Ｙ）への供給を制御する。
【００６０】
基底電圧供給制御部３１０は、基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）を含み、この基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）のスイッチング動作によってスキャン電極（Ｙ）への基底電圧（ＧＮＤ）の供給を制御する。
【００６１】
負極性スキャン電圧発生部３２０は、サスティン電圧供給制御部３００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と、基底電圧供給制御部３１０の制御によって供給される基底電圧（ＧＮＤ）とでサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と反対の極性の負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）を発生させる。
【００６２】
スキャン電圧供給制御部３４０は、スキャン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ４）を含み、このスキャン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ４）のスイッチング動作によってスキャン電極（Ｙ）への負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の供給を制御する。
【００６３】
下降ランプ供給制御部３３０は、下降ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ３）と、この下降ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ３）のゲート端子に接続される第１可変抵抗（ＶＲ１）とを含む。
【００６４】
ブロッキング部３５０は、逆電流遮断用スイッチ（Ｓｂ）を含み、この逆電流遮断用スイッチ（Ｓｂ）を利用して、下サスティン電圧供給制御部３００や基底電圧供給制御部３１０から負極性スキャン信号発生部３２０や下降ランプ供給制御部３３０の方向に流れる逆電流を遮断する。
【００６５】
下降ランプ供給制御部３３０は、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）に下降ランプ信号を発生させる。より詳細には、下降ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ３）がオン（Ｏｎ）されると、下降ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ３）のチャンネル（Ｃｈａｎｎｅｌ）幅が第１可変抵抗（ＶＲ１）によって調節されて電圧が漸進的に立ち下がる（漸減する）下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の波形を発生させる。
【００６６】
また、同時に、下降ランプ供給制御部３３０は、発生させた下降ランプ信号のスキャン電極（Ｙ）への供給を制御する。これにより、スキャン電極（Ｙ）の電圧が徐々に下がることになる。
【００６７】
ここで、スキャン電圧供給制御部３４０及び下降ランプ供給制御部３３０に供給される負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）を発生させる負極性スキャン電圧発生部３２０を説明すると、次のようである。
【００６８】
負極性スキャン電圧発生部３２０は、電圧貯蔵部３２１と緩衝部３２２とを含む。
【００６９】
電圧貯蔵部３２１は、第１キャパシタ（Ｃ１）を含み、この第１キャパシタ（Ｃ１）を利用してサスティン電圧供給制御部３００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部または全部（に相当する電圧）を貯蔵する。
【００７０】
例えば、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の大きさが２００Ｖであれば、第１キャパシタ（Ｃ１）は最大２００Ｖまでの電圧を貯蔵することができる。
【００７１】
ここで、後述される緩衝部３２２にかかる電圧を０Ｖとすれば、第１キャパシタ（Ｃ１）に貯蔵される電圧は２００Ｖとなる。
【００７２】
この第１キャパシタ（Ｃ１）に貯蔵される電圧の大きさが、下降ランプ供給制御部３３０及びスキャン電圧供給制御部３４０に供給される負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）になる。
【００７３】
電圧貯蔵部３２１の一端は、第１ノード（ｎ１）で、サスティン電圧供給制御部３００、基底電圧供給制御部３１０及びブロッキング部３５０の一端と共通接続される。より詳しく説明すれば、電圧貯蔵部３２１の一端は、サスティン電圧源と接地（ＧＮＤ）との間に直列に配置されるサスティン電圧供給制御部３００と基底電圧供給制御部３１０との間に位置する第１ノード（ｎ１）にブロッキング部３５０の一端とともに接続されている。
【００７４】
また、電圧貯蔵部３２１の他端は、第２ノード（ｎ２）で、後述する緩衝部３２２、スキャン電圧供給制御部３４０及び下降ランプ供給制御部３３０の一端と共通接続される。なお、図からも明らかなように、第２ノード（ｎ２）は、第１ノード（ｎ１）と接地（ＧＮＤ）との間に直列に配置される第１キャパシタ（Ｃ１）と抵抗（Ｒ１）との間に位置している。
【００７５】
また、ブロッキング部３５０の他端は、第４ノード（ｎ４）で、スキャン電圧供給制御部３４０及び下降ランプ供給制御部３３０の他端と共通接続される。
【００７６】
緩衝部３２２は、電圧貯蔵部３２１と連動する。より詳しく言えば、緩衝部３２２は、（ロード低減用）抵抗（Ｒ１）と逆電流遮断用ダイオード（Ｄ１）とを含み、特に、電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）と（抵抗（Ｒ１）と）によって、電圧貯蔵部３２１の動作を安定化させる。
【００７７】
ここで、抵抗（Ｒ１）及び逆電流遮断用ダイオード（Ｄ１）は、スキャン電圧供給制御部３４０及び下降ランプ供給制御部３３０の一端と電圧貯蔵部３２１の他端との接続部、すなわち、第２ノード（ｎ２）と接地（ＧＮＤ）との間に直列（Ｓｅｒｉａｌ）配置される。
【００７８】
また、逆電流遮断用ダイオード（Ｄ１）は、カソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）が接地（ＧＮＤ）側に、アノード（Ａｎｏｄｅ）がスキャン電圧供給制御部３４０及び下降ランプ供給制御部３３０の一端と電圧貯蔵部３２１の他端との接続部、すなわち、第２ノード（ｎ２）側に配置される。
【００７９】
このような構成の緩衝部３２２は、その一端がスキャン電圧供給制御部３４０及び下降ランプ供給制御部３３０の一端と電圧貯蔵部３２１の他端との接続部、すなわち、第２ノード（ｎ２）と共通接続されて、他端は接地（ＧＮＤ）されることが望ましい。
【００８０】
この図３では、スキャン電極（Ｙ）にサスティン信号の電圧（Ｖｓ）、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）及び下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧を供給するためのスキャン駆動部の構成を示している。
具体的には、スイッチＳ１、Ｓｂがオンとなることにより、サスティン電圧源からスイッチＳ１、Ｓｂを経てスキャン電極（Ｙ）に至る経路を形成し、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）がスキャン電極（Ｙ）に供給される。また、スイッチＳ１、Ｓｂがオフとなり、スイッチＳ２、Ｓ３がオンとなると、スキャン電極（Ｙ）からスイッチＳ３、第１キャパシタＣ１、スイッチＳ２を経て接地（ＧＮＤ）に至る経路が形成され、第１可変抵抗Ｒ１が適宜調整されることでスキャン電極（Ｙ）の電圧が低下する。また、スイッチＳ３がオフとなり、スイッチＳ４がオンとなると、スキャン電極（Ｙ）からスイッチＳ４、第１キャパシタＣ１、スイッチＳ２を経て接地（ＧＮＤ）に至る経路が形成され、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）がスキャン電極（Ｙ）に供給される。
【００８１】
但し、このような図３のスキャン駆動部に所定の素子をさらに付け加えて、スキャン電極（Ｙ）に負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）及び漸進的に立ち下がる（漸減する）下降ランプ信号の電圧だけではなく、漸進的に立ち上がる（漸増する）上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号電圧やスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）などをも供給することができるスキャン駆動部として構成することもできる。
【００８２】
このような拡張されたスキャン駆動部について、図４を参照して説明する。
【００８３】
図４は、拡張されたスキャン駆動部の構成を説明するための図である。
【００８４】
先ず、図４（ａ）に示すように、拡張されたスキャン駆動部は、サスティン電圧供給制御部３００、基底電圧供給制御部３１０、負極性スキャン電圧発生部３２０、スキャン電圧供給制御部３４０及び下降ランプ供給制御部３３０を含み、さらに、エネルギー回収回路部４００、上昇ランプ供給制御部４１０、第１ブロッキングスイッチ部４２０、第２ブロッキングスイッチ部４３０、電流経路選択部４４０、スキャン基準電圧供給制御部４５０及びスキャンドライブ集積回路部（Ｓｃａｎ  Ｄｒｉｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）４６０を含んで構成される。
【００８５】
上昇ランプ供給制御部４１０は、上昇ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ５）と、この上昇ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ５）のゲート（Ｇａｔｅ）端子に接続される第２可変抵抗（ＶＲ２）とを含む。
【００８６】
上昇ランプ供給制御部４１０は、セットアップ電圧源から供給されるセットアップ電圧で漸進的に立ち上がる上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号を発生させる。より詳細には、上昇ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ５）がオン（Ｏｎ）になると、上昇ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ５）のチャンネル（Ｃｈａｎｎｅｌ）幅が第２可変抵抗（ＶＲ２）によって調節されて電圧が漸進的に立ち上がる（漸増する）上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）の信号を発生させる。
【００８７】
また、上昇ランプ供給制御部４１０は、発生させた上昇ランプ信号の電圧のスキャン電極（Ｙ）への供給を制御する。例えば、リセット期間にスキャン電極（Ｙ）への上昇ランプ信号の電圧、すなわち、セットアップ電圧の供給を制御する。
【００８８】
第１ブロッキングスイッチ部４２０は、第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）を含み、この第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）がオフ（Ｏｆｆ）された状態で、第３ノード（ｎ３）の電圧または第４ノード（ｎ４）の電圧が相対的に高い電圧レベル（Ｌｅｖｅｌ）を持つ場合に、第３ノード（ｎ３）の電圧または第４ノード（ｎ４）の電圧が接地（ＧＮＤ）に抜けることを防止するために配置される。つまり、第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）がオフされた状態では、第３ノード（ｎ３）又は第４ノード（ｎ４）側から接地（ＧＮＤ）方向へと電流が流れない。
【００８９】
第２ブロッキングスイッチ部４３０は、第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）を含み、この第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）がオフされた状態で、第１ノード（ｎ１）の電圧または第３ノード（ｎ３）の電圧が相対的に高い電圧レベル（Ｌｅｖｅｌ）を持つ場合に、第１ノード（ｎ１）の電圧または第３ノード（ｎ３）の電圧が第４ノード（ｎ４）の方向に抜けることを防止するために配置される。つまり、第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）がオフされた状態では、第３ノード（ｎ３）側から第４ノード（ｎ４）側へと電流が流れない。
【００９０】
ここで、第２ブロッキングスイッチ部４３０は、図３のブロッキング部３５０と同じような機能を有するものであるが、ここ（図４）では、説明の便宜のために「第２」ブロッキングスイッチ部４３０としている。
【００９１】
なお、第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）がオンされた状態で、第１ノード（ｎ１）の電圧または第３ノード（ｎ３）の電圧が第４ノード（ｎ４）に比べて相対的に高い電圧レベル（Ｌｅｖｅｌ）を持つ場合には、第１ノード（ｎ１）の電圧または第３ノード（ｎ３）の電圧が第４ノード（ｎ４）方向に抜けることができる（第１ノード（ｎ１）または第３ノード（ｎ３）側から第４ノード（ｎ４）側へと電流が流れる）ことは当然である。
【００９２】
スキャン基準電圧供給制御部４５０は、スキャン基準電圧供給制御用スイッチ（Ｓ９）を含み、スキャン基準電圧源が供給するスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）のスキャン電極（Ｙ）への供給を制御する。
【００９３】
スキャンドライブ集積回路部４６０は、トップスイッチ（Ｓ１０）とボトム（Ｂｏｔｔｏｍ）スイッチ（Ｓ１１）とを含み、該スキャンドライブ集積回路４６０に供給される電圧を所定のスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）動作を通じてスキャン電極（Ｙ）に供給する。
【００９４】
例えば、スキャン基準電圧供給制御部４５０がスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）をスキャン電極（Ｙ）へと供給しようとする場合には、スキャンドライブ集積回路部４６０はトップスイッチ（Ｓ１０）をオンさせてスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）がスキャン電極（Ｙ）に供給されるようにする。
【００９５】
電流経路選択部４４０は、電流経路選択用スイッチ（Ｓ８）を含み、この電流経路選択用スイッチ（Ｓ８）の所定のスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）動作を通じて、電圧がスキャン電極（Ｙ）に供給される経路か、または、電圧がスキャン電極（Ｙ）から回収される経路を形成する。
【００９６】
例えば、電流経路選択部４４０の電流経路選択用スイッチ（Ｓ８）は、エネルギー回収回路部４００がプラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）上の無効エネルギーを回収する過程で、第１ブロッキングスイッチ部４２０の第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）とともにオンされると、（オフ状態の）スキャンドライブ集積回路部４６０のトップスイッチ（Ｓ１０）、電流経路選択用スイッチ（Ｓ８）、（オフ状態の）第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）及び第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）を経て、エネルギー回収回路部４００に無効エネルギーが回収される経路を形成する。
【００９７】
エネルギー回収回路部４００は、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）に、あらかじめ貯蔵されていたエネルギーを供給し、また、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）上の無効エネルギーを回収する。
【００９８】
かかるエネルギー回収回路部４００のより詳細な構成が図４（ｂ）に示されている。
【００９９】
図４（ｂ）に示すように、エネルギー回収回路部４００は、エネルギー貯蔵部４０１、エネルギー供給制御部４０２、エネルギー回収制御部４０３及びインダクター部４０４を含んで構成される。かかるエネルギー回収回路部４００は、次のように動作する。
【０１００】
先ず、エネルギー供給段階では、エネルギー貯蔵部４０１にサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の１／２倍の電圧、すなわち、Ｖｓ／２の電圧のエネルギーが貯蔵されていると仮定する。この時、エネルギー供給制御部４０２がオンになると、エネルギー貯蔵部４０１のエネルギー貯蔵用キャパシタ（ＣＲ）に貯蔵されていたエネルギーが、エネルギー供給制御部４０２、インダクター部４０４を経ながら、インダクター部４０４のインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）とパネルキャパシタンス（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）ＣｐとによるＬＣ共振によって、第１ノード（ｎ１）を経てスキャン電極（Ｙ）に供給される電圧がＶｓまで立ち上がることになる。なお、このとき、図４（ａ）における第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）及びトップスイッチ（Ｓ１０）はオンされている。
次に、エネルギー回収段階では、エネルギー回収制御部４０３がオンになると、パネルのスキャン電極（Ｙ）上の無効エネルギーがインダクター部４０４とパネルキャパシタンスＣｐとによるＬＣ共振を通じてエネルギー貯蔵部４０１に貯蔵される。なお、このとき、図４（ａ）における電流経路選択用スイッチ（Ｓ８）またはボトムスイッチ（Ｓ１１）と、第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）とがオンされている。
【０１０１】
なお、図４（ｂ）で説明したエネルギー回収回路部４００は、本発明のプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部に適用できる一例を説明したものに過ぎず、図４（ｂ）に示されたエネルギー回収回路部４００に限定されるものではないことを明らかにしておく。
【０１０２】
例えば、図４（ｂ）では、一つのインダクター部がエネルギー供給経路（エネルギー供給制御部４０２を経る経路）とエネルギー回収経路（エネルギー回収制御部４０３を経る経路）とに共通で使われる構造を示しているが、これに限るものではなく、例えば、エネルギー供給経路とエネルギー回収経路とのそれぞれで互いに異なる大きさのインダクター部を配置した構成のエネルギー回収回路部としてもよい。
【０１０３】
以上説明したスキャン駆動部は、次のように動作する。
【０１０４】
図５は、本実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のスキャン駆動部の動作を説明するための図である。
【０１０５】
なお、図５には、スキャン駆動部が発生させる駆動波形の一例が示されている。
【０１０６】
先ず、図４（ａ）において、基底電圧供給制御部３１０の基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）、第１ブロッキングスイッチ部４２０の第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）及び電流経路選択部４４０の電流経路選択用スイッチ（Ｓ８）がオンになると、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）からスイッチＳ１０、Ｓ８、Ｓ７、Ｓ６、Ｓ２を経て接地（ＧＮＤ）に至る経路が形成され、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）に基底電圧が供給されることになる。
【０１０７】
これにより、図５のｄ１期間のように、スキャン電極（Ｙ）の電圧が基底レベル（ＧＮＤ）の電圧になる。
【０１０８】
次に、基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）がオフされて、サスティン電圧供給制御部３００のサスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）及び第２ブロッキングスイッチ部４３０の第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）がオンになると、サスティン電圧源からスイッチＳ１、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ１１を経てプラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）にいたる経路が形成される。
【０１０９】
これにより、スキャン電極（Ｙ）にサスティン信号の電圧（Ｖｓ）が供給され、図５のｄ２期間のように、スキャン電極（Ｙ）の電圧がサスティン信号の電圧（Ｖｓ）レベルまで立ち上がる。
【０１１０】
次に、第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）がオフされて、上昇ランプ供給制御部４１０の上昇ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ５）がオンになると、第２可変抵抗（ＶＲ２）が調整されて、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）に漸進的に立ち上がる上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号の電圧、すなわち、セットアップ電圧（Ｖｓｅｔｕｐ）が供給される。
これにより、図５のｄ３期間のように、スキャン電極（Ｙ）の電圧がサスティン信号の電圧（Ｖｓ）から、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）とセットアップ電圧（Ｖｓｅｔｕｐ）とを合わせた電圧まで漸進的に立ち上がるようになる。
【０１１１】
次に、サスティン電圧供給制御部３００のサスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）がオンされた状態で、上昇ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ５）がオフされ、第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）がオンになると、セットアップ電圧（Ｖｓｅｔｕｐ）の供給が停止され、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）にサスティン信号の電圧（Ｖｓ）が供給されることになる（スキャン電極（Ｙ）の電圧がサスティン信号の電圧（Ｖｓ）まで低下する）。
【０１１２】
これにより、図５のｄ４期間のように、スキャン電極（Ｙ）の電圧がサスティン信号の電圧（Ｖｓ）レベルまで立ち下がる。
【０１１３】
次に、サスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）及び第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）がオフされ、基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）及び下降ランプ供給制御部３３０の下降ランプ供給制御用スイッチ（Ｓ３）がオンされると、スキャン電極（Ｙ）からスイッチＳ１１、スイッチＳ３、第１キャパシタＣ１、スイッチＳ２を経て接地（ＧＮＤ）に至る経路が形成され、第１可変抵抗（ＶＲ１）が適宜調整されることにより、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）に、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）から発生されて電圧が漸進的に立ち下がる下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧、すなわちセットダウン電圧（Ｖｄｏｗｎ）が供給されることになる（スキャン電極（Ｙ）の電圧が徐々に低下する）。
【０１１４】
これにより、図５のｄ５期間のように、スキャン電極（Ｙ）の電圧がサスティン信号の電圧（Ｖｓ）から該サスティン信号の電圧（Ｖｓ）よりも低い所定の電圧まで漸進的に立ち下がる（漸減する）ようになる。
【０１１５】
このｄ５期間において、スキャン電極（Ｙ）の電圧は、最大負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）まで立ち下がることができる。
【０１１６】
ここで、図５に示すように、以上説明したｄ２期間からｄ５期間までをリセット期間として区分することができる。さらに詳しくは、ｄ２期間とｄ３期間をセットアップ期間、ｄ４期間とｄ５期間をセットダウン期間に区分することができる。
【０１１７】
ここで、リセット期間のセットアップ期間、すなわち、図５のｄ２及びｄ３期間においてスキャン電極（Ｙ）に上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号の電圧（セットアップ電圧）が供給されることで、この上昇ランプ信号の電圧によって全画面の放電セル内には弱い暗放電（Ｄａｒｋ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が起きる。
【０１１８】
これを「セットアップ放電」と言う。このセットアップ放電によって放電セル内に（正極性の）壁電荷（Ｗａｌｌ）がおおよそ均一に蓄積するようになる。
【０１１９】
セットダウン期間、すなわち、図５のｄ４及びｄ５期間では、上昇ランプ信号の電圧（セットアップ電圧）が供給された後、上昇ランプ信号の電圧よりも低いサスティン信号の電圧（Ｖｓ）から落ち始めて基底（ＧＮＤ）電圧以下の特定電圧レベルまで落ちる下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧（セットダウン電圧）が供給され、このセットダウン電圧によって放電セル内に微弱な消去放電を起こすことで放電セル内に過度に形成された壁電荷を充分に消去させるようになる。
【０１２０】
このセットダウン放電によって、アドレス放電が安定して起きることができる程度の壁電荷が放電セル内に均一に残留される。
【０１２１】
ところでｄ５期間では、すでに説明したように、負極性スキャン電圧発生部３２０が、サスティン電圧供給制御部３００を通じて供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を利用して下降ランプ信号の電圧（セットダウン電圧）を発生させる。以下、説明する。
【０１２２】
図６（ａ）、（ｂ）は、負極性スキャン電圧発生部から負極性スキャン信号の電圧を発生させる過程をより詳しく説明するための図である。
【０１２３】
先ず、図６（ａ）に示すように、基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）がオフされた状態でサスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）がオンされる。
【０１２４】
これにより、サスティン電圧源が供給するサスティン信号の電圧（Ｖｓ）がサスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）を経て、負極性スキャン電圧発生部３２０の電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）に充電（貯蔵）され始める。
【０１２５】
この時、緩衝部３２２に含まれるロード低減用抵抗（Ｒ１）によって、サスティン電圧源から接地（ＧＮＤ）へと瞬間的に過度に大きい電流が流れるのが抑制（防止）される。
【０１２６】
ここで、電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）に貯蔵される電圧の大きさは、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）と緩衝部３２２にかかる電圧との差とほぼ等しい。
【０１２７】
すなわち、緩衝部３２２にかかる電圧と電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）に貯蔵される電圧との合計は、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）とほぼ等しい。
【０１２８】
もし、緩衝部３２２に含まれるロード低減用抵抗（Ｒ１）の抵抗値が無視できるものであり、逆電流防止用ダイオード（Ｄ１）が理想的な（Ｉｄｅａｌ）ダイオードであると仮定すれば、電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）に貯蔵される電圧はサスティン信号の電圧（Ｖｓ）となる。
【０１２９】
このように、電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）に電圧が貯蔵される間に、第２ブロッキング部の逆電流遮断用スイッチ、すなわち、第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）はオンまたはオフされることができる。
【０１３０】
そして、望ましくは電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）に電圧が貯蔵される間に、第２ブロッキング部の逆電流遮断用スイッチ、すなわち、第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）がオンされる。
【０１３１】
このようにすることで、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）に、サスティン電圧（Ｖｓ）を供給する過程と、電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）に負極性スキャン電圧を充電する過程とを一つの過程に統合することができるようになる。
【０１３２】
次に、図６（ｂ）に示すように、基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）がオンされて、サスティン信号の電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）がオフされる。また、同時に第２ブロッキング部の逆電流遮断用スイッチ、すなわち、第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）がオフ状態となる。
【０１３３】
ここで、緩衝部３２２に含まれる逆電流防止用ダイオード（Ｄ１）によって接地から緩衝部３２２に流れる逆電流が遮断されており、第１ノード（ｎ１）から基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）を経由して接地（ＧＮＤ）に至る電流経路が形成される。したがって、第１キャパシタ（Ｃ１）に貯蔵された電圧は、基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）を介して接地（ＧＮＤ）で放電する。
【０１３４】
なお、電圧貯蔵部３２１（第１キャパシタＣ１）には、その一方（第１ノード側）に正極性（＋）、他方（第２ノード側）に負極性（−）のスキャン電圧（Ｖｙ）が貯蔵されている。
【０１３５】
これにより、下降ランプ供給制御部３３０及びスキャン電圧供給制御部３４０から見れば、電圧貯蔵部３２１（第１キャパシタＣ１）に貯蔵されている電圧は負極性（−）のスキャン電圧（Ｖｙ）、すなわち、−Ｖｙとなる。
【０１３６】
このため、下降ランプ供給制御部３３０及びスキャン電圧供給制御部３４０には負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）が供給されることになるである。
【０１３７】
以上の図６（ａ）、（ｂ）から理解できるように、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）及び下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧（セットダウン電圧）は、サスティン期間にスキャン電極（Ｙ）に供給されるサスティン信号を供給するためのサスティン信号の電圧（Ｖｓ）から発生される（つまり、サスティン電圧源から発生される）。
【０１３８】
したがって、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）及び下降ランプ信号の電圧（セットダウン電圧）を発生させるための電圧源を別に設けなくてもよく、結果的にプラズマディスプレイ装置の部品点数を減少させるとともに、装置全体の製造単価を低減することになる。
【０１３９】
ここで、再び図５に戻って説明する。
【０１４０】
ｄ２期間からｄ５期間までのリセット期間後に、スキャン基準電圧供給制御部４５０のスキャン基準電圧供給制御用スイッチ（Ｓ９）及びスキャンドライブ集積回路部４６０のトップスイッチ（Ｓ１０）がオンになると、スキャン基準電圧源からスイッチＳ９、Ｓ１０を経てプラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）に至る経路が形成され、スキャン電極（Ｙ）にスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）が供給される。
【０１４１】
これにより、図５のｄ６期間のように、スキャン電極（Ｙ）の電圧が下降ランプ信号の電圧の下端、すなわち、セットダウン電圧の下端からスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）まで立ち上がる。
【０１４２】
このようなｄ６期間において、あらかじめ指定された時点にスキャン電圧供給制御部３４０のスキャン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ４）及び基底電圧供給制御部３１０の基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）がオンになると、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極（Ｙ）に負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）が供給される。
【０１４３】
これにより、図５のｄ６′期間のように、スキャン電極（Ｙ）の電圧がスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）から負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）まで立ち下がる。
【０１４４】
この負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の大きさは、電圧貯蔵部３２１に貯蔵される電圧の大きさとほぼ等しい。
【０１４５】
例えば、電圧貯蔵部３２１に貯蔵される電圧の大きさがサスティン信号の電圧（Ｖｓ）とほぼ等しい電圧だと仮定すれば、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の大きさもサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の大きさとほぼ等しくなる。
【０１４６】
ここで、ｄ６′期間のように、スキャン電極（Ｙ）に供給される負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）が発生される過程は、すでに図６（ａ）、図６（ｂ）で説明したので、ここでの説明は省略する。
【０１４７】
このようなｄ６′期間を含むｄ６期間は、図５に示すように、アドレス期間として区分することができる。このアドレス期間には、スキャン基準電圧（Ｖｓｃ）から立ち下がる負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）がスキャン電極（Ｙ）に順に印加され、これと同時にスキャン信号に対応してアドレス電極（Ｘ）に正極性のデータ信号の電圧（データパルス）が印加される。
【０１４８】
このスキャン信号とデータ信号との電圧差に、リセット期間に生成された壁電荷が加わりながら、データ信号の電圧が印加される放電セル内にはアドレス放電が発生される。
【０１４９】
アドレス放電によって選択された放電セル内には、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）が印加される時に放電が起きることができる程度の壁電荷が形成される。
【０１５０】
ｄ６期間後のｄ７期間では、第１ブロッキングスイッチ（Ｓ６）、第２ブロッキングスイッチ（Ｓ７）及び電流経路選択用スイッチ（Ｓ８）はすべてオン状態とし、サスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１）と基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ２）とは交互にオン／オフされる。
【０１５１】
この時、エネルギー回収回路部４００、例えば、図４（ｂ）と同じエネルギー回収回路部４００が、スキャン電極（Ｙ）にエネルギーの供給動作と回収動作とを交互に行うようにすれば、スキャン電極（Ｙ）の電圧がサスティン信号の電圧（Ｖｓ）まで上昇してから基底電圧（ＧＮＤ）まで立ち下がるようになる。すなわち、スキャン電極（Ｙ）にサスティン信号が供給されるようになる。
【０１５２】
このようなｄ７期間では、サスティン電圧供給制御部３００と、ブロッキング部、すなわち、第２ブロッキングスイッチ部４３０がともにオンされるから、すでに説明した図６（ａ）のように、電圧貯蔵部３２１の第１キャパシタ（Ｃ１）に負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）が充電されるのである。
【０１５３】
次に、他の構成のスキャン駆動部を説明する。
【０１５４】
図７は、他の構成のスキャン駆動部を説明するための図である。
【０１５５】
図７に示すように、本実施形態に係るスキャン駆動部は、サスティン電圧供給制御部７００、基底電圧供給制御部７１０、負極性スキャン電圧発生部７２０、スキャン電圧供給制御部７４０、下降ランプ供給制御部７３０及びブロッキング部７５０を含んで構成される。
【０１５６】
負極性スキャン電圧発生部７２０は、電圧貯蔵部７２１、緩衝部７２２及び電圧調節部７２３を含む。
【０１５７】
電圧貯蔵部７２１は、サスティン電圧供給制御部７００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部（に相当する電圧）を貯蔵する。
【０１５８】
緩衝部７２２は、電圧貯蔵部７２１と連動し、電圧貯蔵部７２１の動作を安定させる。
【０１５９】
電圧調節部７２３は、電圧貯蔵部７２１に貯蔵される電圧の大きさを調節する。
【０１６０】
ここで、電圧貯蔵部７２１には、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）から電圧調節部７２３にかかる電圧を除いた残りが貯蔵される。すなわち、電圧貯蔵部７２１に貯蔵される電圧の大きさは、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）と電圧調節部７２３にかかる電圧との差にほぼ等しい。
【０１６１】
この結果、電圧貯蔵部７２１に貯蔵される電圧の大きさが電圧調節部７２３によって調節されるのである。
【０１６２】
ここで、サスティン電圧供給制御部７００、基底電圧供給制御部７１０、スキャン電圧供給制御部７４０、下降ランプ供給制御部７３０及びブロッキング部７５０については、すでに図３または図４（ａ）で説明したので、ここでの説明は省略する。また、その他についてもすでに説明された内容は適宜省略する。
【０１６３】
負極性スキャン電圧発生部７２０は、サスティン電圧供給制御部７００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と、基底電圧供給制御部７１０の制御によって供給される基底電圧（ＧＮＤ）とでサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と反対の極性の負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）を発生させる。
【０１６４】
負極性スキャン電圧発生部７２０の電圧貯蔵部７２１は、サスティン電圧供給制御部７００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部（に相当する電圧）を貯蔵するための第１キャパシタ（Ｃ１）を含む。
【０１６５】
例えば、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）の大きさが２００Ｖで、電圧調節部７２３にかかる電圧の５０Ｖと仮定すれば、第１キャパシタ（Ｃ１）は最大１５０Ｖまでの電圧を貯蔵するようになる。
【０１６６】
電圧貯蔵部７２１の一端は、第１ノード（ｎ１）で、サスティン電圧供給制御部７００、基底電圧供給制御部７１０及びブロッキング部７５０の一端と共通接続される。なお、第１ノード（ｎ１）は、サスティン電圧源と接地（ＧＮＤ）との間に直列配置されるサスティン電圧供給制御部７００と基底電圧供給制御部７１０との間に位置する。
【０１６７】
また、電圧貯蔵部７２１の他端は、第２ノード（ｎ２）で、後述する緩衝部７２２、スキャン電圧供給制御部７４０及び下降ランプ供給制御部７３０の一端と共通接続される。なお、第２ノード（ｎ２）は、直列配置された電圧貯蔵部７２１（第１キャパシタＣ１）と緩衝部７２２（抵抗Ｒ１）との間に位置する。
【０１６８】
スキャン電圧供給制御部７４０の他端及び下降ランプ供給制御部７３０の他端は、ブロッキング部７５０の他端と共通接続される。
【０１６９】
緩衝部７２２は、その一端がスキャン電圧供給制御部７４０及び下降ランプ供給制御部７３０の一端と、電圧貯蔵部７２１の他端との接続部、すなわち、第２ノード（ｎ２）で共通接続されて、他端は電圧調節部７２３の一端と接続される。
【０１７０】
なお、電圧調節部７２３の一端は緩衝部７２２の他端と接続され、他端は接地（ＧＮＤ）されることが望ましい。
【０１７１】
ここで、図７に示すスキャン駆動部も、図４（ａ）、図４（ｂ）のように、所定の素子をさらに付け加えてスキャン電極（Ｙ）に負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）及び下降ランプ信号の電圧（セットダウン電圧）だけではなく、上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号の電圧（セットアップ電圧）やスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）などをも供給することができるスキャン駆動部として構成することもできる。
【０１７２】
かかる内容については、すでに図４（ａ）、図４（ｂ）で説明したので、ここでの説明は省略する。
【０１７３】
このようなスキャン駆動部は、次のように動作する。
【０１７４】
図８は、図７に示すスキャン駆動部における負極性スキャン電圧発生部の動作を説明するための図である。
【０１７５】
図８に示すように、負極性スキャン電圧発生部にかかるすべて電圧の大きさがサスティン信号の電圧（Ｖｓ）で、電圧調節部７２３にかかる電圧がＶ１だと仮定する。この時、電圧貯蔵部７２１にかかる電圧の大きさはおおよそ（Ｖｓ−Ｖ１）である。なお、緩衝部７２２にかかる電圧の大きさは０Ｖとした。
【０１７６】
電圧貯蔵部７２１に貯蔵された（Ｖｓ−Ｖ１）の電圧は、前述の図６（ａ）、６（ｂ）と同じ過程を通じて−（Ｖｓ−Ｖ１）の電圧に反転されて、この反転された−（Ｖｓ−Ｖ１）の電圧が、下降ランプ供給制御部７３０またはスキャン電圧供給制御部７４０に供給されることになる。
【０１７７】
この図７では、下降ランプ供給制御部７３０またはスキャン電圧供給制御部７４０に供給される負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の大きさが、図３の場合に比べて減少していることが分かる。
【０１７８】
このように、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の大きさを調節するようにできれば、多様な条件で最適の放電環境を提供することができるようになる。
【０１７９】
例えば、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の大きさ、すなわち、Ｖｙをサスティン信号の電圧（Ｖｓ）とほぼ等しく設定すると、特定の状況下ではアドレス放電が過度に強くなってアドレス放電が不安定になる可能性があるが、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の大きさを、電圧調節部７２３を利用して、多様に調節すれば、アドレス放電が不安定になる問題を解決することができるようになる。
【０１８０】
ここで、電圧調節部７２３は可変電圧源（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｏｕｒｃｅ）で構成されるのが望ましい。このような電圧調節部７２３の一例を説明すれば、次のようである。
【０１８１】
図９（ａ）、図９（ｂ）は、電圧調節部に適用される可変電圧源の一例を説明するための図である。
【０１８２】
先ず、図９（ａ）に示すように、電圧調節部に適用される前記可変電圧源は電圧分配部９２０、電圧決定スイッチ部９００、電圧決定制御部９１０を含んで構成される。
【０１８３】
電圧分配部９２０は、図７の緩衝部７２２を通じて供給される電圧をあらかじめ決めてある割合で分配する。このような電圧分配部９２０は、互いに直列に配置される第１抵抗部９２１と第２抵抗部９２２とを含む。
【０１８４】
電圧決定スイッチ部９００は、所定のスイッチング動作を通じて電圧分配部９２０にかかる最大電圧を決める。このような電圧決定スイッチ部９００は、電圧分配部９２０と並列配置されるＰタイプ（Ｔｙｐｅ）トランジスターからなる電圧決定用スイッチ（Ｓｐ）を含む。
【０１８５】
この図９（ａ）には、電圧決定用スイッチがＰタイプの電界効果トランジスター、すなわち、ＰＭＯＳからなる場合が示されてある。
【０１８６】
電圧決定制御部９１０は、電圧分配部９２０によって分配された電圧によって電圧決定スイッチ部９００のスイッチング動作を制御する。
【０１８７】
このような電圧決定制御部９１０は、基準電圧（Ｖｒｅｆ）、望ましくは電圧分配部９２０の第２抵抗部９２２にかかる電圧があらかじめ決められた電圧以上の場合にオン（Ｏｎ）されるツェナースイッチング部９１２と、このツェナースイッチング部９１２と直列配置される第３抵抗部９１１を含む。
【０１８８】
ここで、電圧分配部９２０の第１抵抗部９２１は、第３可変抵抗（ＶＲ３）を含む可変抵抗であり、前記第１抵抗部９２１の他端と第２抵抗部９２２の一端とは、第ｄノード（ｎｄ）で互いに接続される。
【０１８９】
また、前記Ｐタイプ（Ｔｙｐｅ）トランジスターからなる電圧決定用スイッチ（Ｓｐ）のソース（Ｓｏｕｒｃｅ）端子は、前記第１抵抗部９２１の一端及び第３抵抗部９１１の一端と第ａノード（ｎａ）で共通接続され、ドレーン（Ｄｒａｉｎ）端子は、ツェナースイッチング部９１２のアノード端子及び第２抵抗部９２２の他端と第ｃノード（ｎｃ）で共通接続され、ゲート（Ｇａｔｅ）端子は、第３抵抗部９１１の他端及びツェナースイッチング部９１２のカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）端子と第ｂノード（ｎｂ）で共通接続され、ツェナースイッチング部９１２の基準端子（Ｒｅｆ）は、第１抵抗部９２１の他端及び第２抵抗部９２２の１端と第ｄノード（ｎｄ）で共通接続される。
【０１９０】
図９（ａ）に示す可変電圧源は、次のように動作する。
【０１９１】
先ず、ツェナースイッチング部９１２が、基準電圧、すなわち、基準端子（Ｒｅｆ）とアノード端子との間の電圧が２．５Ｖの場合に、カソードからアノード方向に導通するＴＬ４３１レギュレーター（Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）であると仮定する。
【０１９２】
このようなＴＬ４３１レギュレーターが使われる機能ブロックの名前をツェナースイッチング部と名付けた理由は、ＴＬ４３１レギュレーターは基準端子（Ｒｅｆ）とアノード端子との間の電圧があらかじめ設定された電圧、例えば２．５Ｖを超えるようになると導通する特性を持っており、このような特性がツェナーダイオード（Ｚｅｎｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）と類似するからである。
【０１９３】
また、第１抵抗部９２１の抵抗値と第２抵抗部９２２の抵抗値との比が９：１、例えば、第１抵抗部９２１の抵抗値が９００Ωで第２抵抗部９２２の抵抗値が１００Ωであると仮定する。
【０１９４】
ここで、サスティン供給制御部がオンされて、緩衝部７２２を通じてサスティン電圧が第ａノード（ｎａ）に供給されれば、電圧分配部９２０に所定の電圧がかかり始める。これにより、電圧分配部９２０の第１抵抗部９２１と第２抵抗部９２２とのそれぞれに所定の電圧がかかるようになる。
【０１９５】
例えば、第ａノード（ｎａ）から第ｃノード（ｎｃ）の間にかかる電圧が２５Ｖになる場合に、第２抵抗部９２２にかかる電圧は２５×１００／（９００＋１００）＝２．５Ｖになる。
【０１９６】
これにより、ツェナースイッチング部９１２が動作するための基準電圧の条件が充足されてツェナースイッチング部９１２が（ターン）オンされる。
【０１９７】
この結果、第３抵抗部９１１に所定の電圧がかかるようになり、電圧決定用スイッチ（Ｓｐ）のソース−ゲート間の電圧が増加して電圧決定用スイッチ（Ｓｐ）がオンされる。この結果、第ａノード（ｎａ）から電圧決定用スイッチ（Ｓｐ）を経由して第ｃノード（ｎｃ）に到逹する電流経路が形成される。
【０１９８】
このように第ａノード（ｎａ）、電圧決定用スイッチ（Ｓｐ）、第ｃノード（ｎｃ）を経由する電流経路が形成されると、電圧分配部９２０にかかるすべて電圧、すなわち、第aノード（ｎａ）から第ｃノード（ｎｃ）の間にかかる電圧が減少し始める。
【０１９９】
そして、電圧分配部９２０にかかるすべて電圧、すなわち、第aノード（ｎａ）から第ｃノード（ｎｃ）の間にかかる電圧が２５Ｖ以下になると、ツェナースイッチング部９１２がオフされて、電圧決定用スイッチ（Ｓｐ）が（ターン）オフされ、これにより、電圧分配部９２０の電圧が再び２５Ｖまで立ち上がるようになる。
【０２００】
このような過程を繰り返すことで、電圧分配部９２０にかかる電圧がほぼ２５Ｖで維持されることになる。
【０２０１】
その結果、図８の電圧貯蔵部７２１にかかる電圧（Ｖｓ−Ｖ１）の大きさが（Ｖｓ−２５Ｖ）になるのである。
【０２０２】
なお、ここでは、可変電圧源で供給する電圧を２５Ｖで仮定したが、可変電圧源で供給する電圧は１Ｖ〜３０Ｖの範囲内で可変することができる。
【０２０３】
ここで、図９（ａ）の第１抵抗部９２１の第３可変抵抗値を調節するようにすれば、電圧分配部９２０にかかる全体電圧の大きさを調節することができるようになるし、その結果、図８の電圧貯蔵部７２１にかかる電圧（Ｖｓ−Ｖ１）の大きさを調節することができるようになる。
【０２０４】
また、図９（ａ）では、電圧決定用スイッチ（Ｓｐ）をＰタイプ（Ｔｙｐｅ）電界効果トランジスター、すなわち、ＰＭＯＳを用いた例を説明しているが、これに限るものではなく、図９（ｂ）に示すように、Ｐタイプバイポーラー接合トランジスター（Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ：  ＢＪＴ）を適用することも可能である。
【０２０５】
このようなＰ型ＢＪＴは、図９（ａ）で説明したＰＭＯＳに対して、ソース端子がエミッタ（Ｅｍｉｔｔｅｒ）端子、ドレーン（Ｄｒａｉｎ）端子がコレクター（Ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ）端子、ゲート（Ｇａｔｅ）端子がベース（Ｂａｓｅ）端子で取り替えられるだけで実質的には等しく適用されるから、これ以上の説明は省略する。
【０２０６】
以上では、電圧調節部７２３を可変電圧源として負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の大きさを調節するようにしたが、外部の他の電圧源を利用して負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）の大きさを調節することも可能であり、例えば、次のようなものである。
【０２０７】
図１０は、更に他の構成のスキャン駆動部を説明するための図である。
【０２０８】
図１０に示すように、本実施形態に係るスキャン駆動部は、サスティン電圧供給制御部１０００、基底電圧供給制御部１０１０、負極性スキャン電圧発生部１０２０、スキャン電圧供給制御部１０４０、下降ランプ供給制御部１０３０及びブロッキング部１０５０を含んで構成される。
【０２０９】
負極性スキャン電圧発生部１０２０は、電圧貯蔵部１０２１、緩衝部１０２２及び電圧調節部１０２３を含む。
【０２１０】
なお、サスティン電圧供給制御部１０００、基底電圧供給制御部１０１０、スキャン電圧供給制御部１０４０、下降ランプ供給制御部１０３０及びブロッキング部１０５０はすでに説明したものと同じであるので、ここでの説明は省略する。また、すでに説明された内容についても適宜省略する。
【０２１１】
負極性スキャン電圧発生部１０２０は、サスティン電圧供給制御部１０００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と、基底電圧供給制御部１０１０の制御によって供給される基底電圧（ＧＮＤ）とによってサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と反対の極性の負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）を発生させる。
【０２１２】
負極性スキャン電圧発生部１０２０は、第１キャパシタ（Ｃ１）を含む電圧貯蔵部１０２１と、ロード低減用抵抗（Ｒ１）及び逆電流防止用ダイオード（Ｄ１）を含む緩衝部１０２２と、電圧調節部１０２３とを含む。
【０２１３】
電圧調節部１０２３は、低キャパシタである第２キャパシタ（Ｃ２）を含み、この第２キャパシタ（Ｃ２）は外部の低電圧供給源が供給する電圧を貯蔵するのに利用される。
【０２１４】
ここで、緩衝部１０２２の一端は、第２ノード（ｎ２）で電圧貯蔵部１０２１、下降ランプ供給制御部１０３０及びスキャン電圧供給制御部１０４０の一端と共通接続され、他端は、第５ノード（ｎ５）で電圧調節部１０２３の一端及びサスティン電圧（Ｖｓ）よりも低い電圧を供給する低電圧供給源と共通接続される。また、電圧調節部１０２３の他端は接地（ＧＮＤ）される。
【０２１５】
ここで、低電圧供給源としては、アドレス期間にてアドレス電極（Ｘ）にデータ信号の電圧、すなわち、データ電圧（Ｖｄ）を供給するためのデータ電圧源であるか、あるいは、スキャン駆動部の駆動を制御するための所定の制御信号の電圧を供給するための直流電圧源であることが望ましい。
【０２１６】
図１０に示すスキャン駆動部も、すでに説明した図４（ａ）、（ｂ）のように、所定の素子をさらに付け加えてスキャン電極（Ｙ）に負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）及び下降ランプ信号の電圧（セットダウン電圧）だけではなく、上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号の電圧（セットアップ電圧）やスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）などを供給することができるスキャン駆動部として構成することもできる。
【０２１７】
かかる内容については、すでに図４（ａ）、（ｂ）に関連して説明したので、ここでの説明は省略する。
【０２１８】
図１０に示すスキャン駆動部は、次のように動作する。
【０２１９】
図１１は、図１０のスキャン駆動部における負極性スキャン電圧発生部の動作を説明するための図である。
【０２２０】
図１１は、負極性スキャン電圧発生部にかかるすべて電圧の大きさがサスティン信号の電圧（Ｖｓ）である場合が示されている。
【０２２１】
ここで、低電圧供給源で供給する電圧がスキャン駆動部のスイッチング素子の動作を制御するための１５Ｖの制御信号である場合に、電圧調節部１０２３の第２キャパシタ（Ｃ２）にはＶ２電圧、すなわち、低電圧供給源が供給する１５Ｖの電圧が貯蔵される。
【０２２２】
ここではスイッチング素子の動作を制御するための制御信号を１５Ｖ信号で仮定したが、５Ｖまたは−１５Ｖなど多様な大きさまたはレベルの電圧信号とすることもできる。
【０２２３】
これにより、電圧貯蔵部１０２１にかかる電圧の大きさは、ほぼ（Ｖｓ−１５Ｖ）になる。なお、ここでは緩衝部１０２２にかかる電圧の大きさは０Ｖと仮定した。
【０２２４】
電圧貯蔵部１０２１に貯蔵された（Ｖｓ−１５Ｖ）の電圧は、前述の図６（ａ）、図６ｂと同じ過程を通じて、−（Ｖｓ−１５Ｖ）の電圧に（極性が）反転され、この反転された−（Ｖｓ−１５Ｖ）の電圧が下降ランプ供給制御部１０３０またはスキャン電圧供給制御部１０４０に供給される。
【０２２５】
なお、以上の説明では、複数以上の電圧源を一つの共通電圧源に統合して用いることをスキャン駆動部によって説明したが、このような思想は、サスティン駆動部にも適用することができるものである。以下、サスティン駆動に適用した場合を説明する。
【０２２６】
図１２は、実施形態に係るサスティン駆動部の構成を説明するための図である。
【０２２７】
図１２に示すサスティン駆動部は、サスティン期間に、プラズマディスプレイパネルのサスティン電極（Ｚ）に供給するサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と、サスティン期間前のアドレス期間に、サスティン電極（Ｚ）に供給するサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）とを同一の電圧源から発生させる。
【０２２８】
このように、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）とサスティン信号の電圧（Ｖｓ）とを一つの電圧源から発生させるようにすれば、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を発生させるための別途の電圧源を設けなくても良いから、結果的に、プラズマディスプレイ装置の部品点数を減少させ、装置全体の製造単価を低減させることにもなる。
【０２２９】
ここで、同一の電圧源はサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を供給するサスティン電圧源であることが望ましい。すなわち、サスティンバイアス電圧をサスティン電圧源から供給される構成とする。
【０２３０】
このようなサスティン駆動部は、望ましくは、サスティン電圧供給制御部１２００、基底電圧供給制御部１２１０、バイアス電圧発生部１２２０及びバイアス電圧供給制御部１２３０を含んで構成される。
【０２３１】
サスティン電圧供給制御部１２００は、サスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１２）を含み、このサスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１２）のスイッチング動作によってサスティン電極（Ｚ）へのサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の供給を制御する。
【０２３２】
基底電圧供給制御部１２１０は、基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１３）を含み、この基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１３）のスイッチング動作によってサスティン電極（Ｚ）への基底電圧（ＧＮＤ）の供給を制御する。
【０２３３】
バイアス電圧発生部１２２０は、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）と基底電圧（ＧＮＤ）によってサスティン電圧供給制御部１２００が供給するサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と同じ極性（正極性）のサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を発生させる。
【０２３４】
また、バイアス電圧供給制御部１２３０は、サスティン電極（Ｚ）へのサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）の供給を制御する。
【０２３５】
バイアス電圧供給制御部１２３０は、内部ダイオードが互いに逆方向である二つのバイアス電圧供給制御用スイッチ(Ｓ１４、Ｓ１５)を含む。
【０２３６】
このような二つのバイアス電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１４、Ｓ１５）は、交互にオンまたはオフになることで、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）をサスティン電極（Ｚ）で供給するようになる。
【０２３７】
ここで、バイアス電圧供給制御部１２３０に供給されるサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を発生させるバイアス電圧発生部１２２０を説明すれば、次のようである。
【０２３８】
バイアス電圧発生部１２２０は、電圧貯蔵部１２２１と緩衝部１２２２を含む。
【０２３９】
緩衝部１２２２は、後述する電圧貯蔵部１２２１と連動して電圧貯蔵部１２２１の動作を安定化させる。緩衝部１２２２の一端は、第６ノード（ｎ６）でサスティン電圧供給制御部１２００、基底電圧供給制御部１２１０及びバイアス電圧供給制御部１２３０の一端と共通接続される。
【０２４０】
また、緩衝部１２２２の他端は、第７ノード（ｎ７）で電圧貯蔵部１２２１の一端及びバイアス電圧供給制御部１２３０の他端と共通接続される。
【０２４１】
緩衝部１２２２は、ロード低減用抵抗（Ｒ２）と逆電流遮断用ダイオード（Ｄ２）とを含む。
【０２４２】
ここで、ロード低減用抵抗（Ｒ２）及び逆電流遮断用ダイオード（Ｄ２）は、サスティン電圧供給制御部１２００、基底電圧供給制御部１２１０及びバイアス電圧供給制御部１２３０の一端の接続部、すなわち、第６ノード（ｎ６）と、バイアス電圧供給制御部１２３０の他端と電圧貯蔵部１２２１の一端との接続部、すなわち、第７ノード（ｎ７）との間に直列（Ｓｅｒｉａｌ）に配置される。
【０２４３】
また、逆電流遮断用ダイオード（Ｄ２）は、カソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）が第７ノード（ｎ７）側で、アノード（Ａｎｏｄｅ）が第６ノード（ｎ６）側に配置される。
【０２４４】
電圧貯蔵部１２２１は、第３キャパシタ（Ｃ３）を含み、この第３キャパシタ（Ｃ３）を利用してサスティン電圧供給制御部１２００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部または全部（に相当する電圧）を貯蔵する。
【０２４５】
この第３キャパシタ（Ｃ３）に貯蔵される電圧がバイアス電圧供給制御部１２３０に供給されるサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）になる。
【０２４６】
なお、電圧貯蔵部１２２１は、その一端が第７ノード（ｎ７）でバイアス電圧供給制御部１２３０及び緩衝部１２２２の他端と共通接続され、他端が接地（ＧＮＤ）されることが望ましい。
【０２４７】
この図１２では、サスティン電極（Ｙ）にサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を供給するためのサスティン駆動部の構成を示す。
【０２４８】
このような図１２のサスティン駆動部に所定の素子をさらに付け加えてサスティン電極（Ｙ）にサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を供給するだけでなく、サスティン電極（Ｚ）上の無効エネルギーを回収することができる拡張されたサスティン駆動部を構成することもできる。以下、かかる構成のサスティン駆動部を説明する。
【０２４９】
図１３は、拡張されたサスティン駆動部の構成を説明するための図である。
【０２５０】
図１３に示すサスティン駆動部は、図１２に示された構成にエネルギー回収回路部１３００をさらに含んで構成される。
【０２５１】
エネルギー回収回路部１３００は、サスティン電圧供給制御部１２００と基底電圧供給制御部１２１０の接続部、すなわち、第６ノード（ｎ６）に接続される。
【０２５２】
エネルギー回収回路部１３００は、プラズマディスプレイパネルのサスティン電極（Ｚ）に、あらかじめ貯蔵されていたエネルギーを供給し、また、プラズマディスプレイパネルのサスティン電極（Ｚ）上の無効エネルギーを回収する。
【０２５３】
エネルギー回収回路部１３００については、すでに図４（ｂ）で説明した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２５４】
図１３に示すサスティン駆動部は、次のように動作する。
【０２５５】
図１４は、図１３に示すサスティン駆動部の動作を説明するための図である。
【０２５６】
図１４は、図１３に示すサスティン駆動部が発生させる駆動波形の一例が示している。
【０２５７】
図１３の基底電圧供給制御部１２１０の基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１３）がオンになると、プラズマディスプレイパネルのサスティン電極（Ｚ）からスイッチＳ１３を経て接地（ＧＮＤ）に至る経路が形成され、サスティン電極（Ｚ）に基底電圧が供給される。これにより、図１４のｄ１期間のように、サスティン電極（Ｚ）の電圧が基底レベル（ＧＮＤ）の電圧になる。
【０２５８】
次に、基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１３）がオフされ、バイアス電圧供給制御部１２３０のバイアス電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１５）がオンになると、第３キャパシタＣ３からスイッチＳ１５、Ｓ１４を経てサスティン電極（Ｚ）に至る経路が形成され、バイアス電圧発生部１２２０の電圧貯蔵部１２２１の第３キャパシタ（Ｃ３）に貯蔵された電圧、すなわち、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）がプラズマディスプレイパネルのサスティン電極（Ｚ）に供給される。
【０２５９】
これにより、図１４のｄ２期間のように、サスティン電極（Ｚ）の電圧がサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）になる。
【０２６０】
なお、このようにサスティン電極（Ｚ）にサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を供給するためには、先ずバイアス電圧発生部１２２０の電圧貯蔵部１２２１にサスティン電圧（Ｖｓ）の一部または全部に相当する電圧、すなわち、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）が貯蔵されていなければならない。
【０２６１】
ここで、電圧貯蔵部１２２１にサスティン信号の電圧（Ｖｓ）（に相当する電圧）を貯蔵するためには、サスティン電圧供給制御部１２００のサスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１２）がオンされる必要がある。
【０２６２】
サスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１２）がオンになると、サスティン電圧供給制御部１２００から緩衝部１２２２及び電圧貯蔵部１２２１を経て接地（ＧＮＤ）に向かう電流経路（Ｐａｔｈ）が形成される。これにより、電圧貯蔵部１２２１の第１キャパシタ（Ｃ３）にサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部または全部（に相当する電圧）、すなわち、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）が貯蔵されるようになる。
【０２６３】
このように電圧貯蔵部１２２１にサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を貯蔵するためにサスティン供給制御用スイッチ（Ｓ１２）を別にスイッチング制御することもできるが、サスティン期間（ｄ３期間）にて、サスティン電極（Ｚ）にサスティン信号を供給する過程で電圧貯蔵部１２２１にサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を貯蔵することも可能である。
【０２６４】
サスティン電極（Ｚ）にサスティン信号の電圧を供給する過程でサスティン電圧供給制御部１２００のサスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１２）がオンになることにより、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）の貯蔵も行えるからである。
【０２６５】
このように、サスティン電極（Ｚ）にサスティン信号の電圧を供給する場合には、バイアス電圧供給制御部１２３０の二つのバイアス電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１４、Ｓ１５）がオフになって、サスティン電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１２）と基底電圧供給制御用スイッチ（Ｓ１３）とは交互にオン／オフされる。
【０２６６】
そして、サスティン電圧制御用スイッチ（Ｓ１２）がオンになると、電圧貯蔵部１２２１にサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）が貯蔵されることになる。
【０２６７】
同時にエネルギー回収回路部１３００、例えば、図４（ｂ）と同じエネルギー回収回路部がスキャン電極（Ｙ）へのエネルギーの供給及びスキャン電極（Ｙ）からのエネルギー回収動作を交互に行うようにすれば、スキャン電極（Ｙ）の電圧がサスティン電圧（Ｖｓ）まで上昇してから基底電圧（ＧＮＤ）レベルまで立ち下がるようになる。すなわち、スキャン電極（Ｙ）にサスティン信号が供給されるようになる。
【０２６８】
次に、他の構成のサスティン駆動部を説明する。
【０２６９】
図１５は、他の構成のサスティン駆動部を説明するための図である。
【０２７０】
図１５に示すように、本実施形態に係るサスティン駆動部は、サスティン電圧供給制御部１５００、基底電圧供給制御部１５１０、バイアス電圧発生部１５２０及びバイアス電圧供給制御部１５３０を含み、ここでバイアス電圧発生部１５２０は電圧貯蔵部１５２１、緩衝部１５２２及び電圧調節部１５２３を含んで構成される。
【０２７１】
電圧貯蔵部１５２１は、サスティン電圧供給制御部１５００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部（に相当する電圧）を貯蔵する。この電圧貯蔵部１５２１に貯蔵される電圧がサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）である。
【０２７２】
緩衝部１５２２は、電圧貯蔵部１５２１と連動して電圧貯蔵部１５２１の動作を安定させる。
【０２７３】
電圧調節部１５２３は、電圧貯蔵部１５２１に貯蔵される電圧の大きさを調節する。
【０２７４】
電圧貯蔵部１５２１には、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）から電圧調節部１５２３にかかる電圧を除いた残りが貯蔵される。すなわち、電圧貯蔵部１５２１に貯蔵される電圧の大きさは、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）と電圧調節部１５２３にかかる電圧との差にほぼ等しい。
【０２７５】
この結果、電圧貯蔵部１５２１に貯蔵される電圧の大きさが電圧調節部１５２３によって調節されるのである。
【０２７６】
なお、サスティン電圧供給制御部１５００、基底電圧供給制御部１５１０、バイアス電圧供給制御部１５３０は、図１２、図１３ですでに説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。また、すでに説明した内容についても適宜省略することにする。
【０２７７】
バイアス電圧発生部１５２０は、サスティン電圧供給制御部１５００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と、基底電圧供給制御部１５１０の制御によって供給される基底電圧（ＧＮＤ）とサスティン信号の電圧（Ｖｓ）と同じ極性のサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を発生させる。
【０２７８】
バイアス電圧発生部１５２０の電圧貯蔵部１５２１は、サスティン電圧供給制御部１５００の制御によって供給されるサスティン信号の電圧（Ｖｓ）の一部を貯蔵するための第３キャパシタ（Ｃ３）を含む。
【０２７９】
電圧貯蔵部１５２１の一端は、第７ノード（ｎ７）でバイアス電圧供給制御部１５３０の他端及び電圧調節部１５２３の他端と共通接続される。また、電圧貯蔵部１５２１の他端は接地（ＧＮＤ）される。
【０２８０】
緩衝部１５２２は、その一端がサスティン電圧供給制御部１５００、基底電圧供給制御部１５１０及びバイアス電圧供給制御部１５３０の一端の接続部、すなわち、第６ノード（ｎ６）に共通接続され、他端は電圧調節部１５２３の一端と接続される。
【０２８１】
また、電圧調節部１５２３の一端は、緩衝部１５２２の他端と接続され、他端は第７ノード（ｎ７）でバイアス電圧供給制御部１５３０の他端及び電圧貯蔵部１５２１の一端と共通接続される。
【０２８２】
図１５に示すサスティン駆動部もすでに説明した図４（ａ）、（ｂ）のように所定の素子をさらに付け加えてスキャン電極（Ｙ）に負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）及び下降ランプ信号の電圧（セットダウン電圧）だけではなく、上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号の電圧（セットアップ電圧）やスキャン基準電圧（Ｖｓｃ）などを供給することができるスキャン駆動部として構成することもできる。かかる内容については、すでに図４（ａ）、（ｂ）で説明したので、ここでの説明は省略する。
【０２８３】
かかるサスティン駆動部は、次のように動作する。
【０２８４】
図１６は、図１５のサスティン駆動部でのバイアス電圧発生部の動作を説明するための図面である
【０２８５】
図１６に示すように、バイアス電圧発生部にかかるすべて電圧の大きさがサスティン電圧（Ｖｓ）で、電圧調節部１５２３にかかる電圧がＶ３だと仮定する。この時、電圧貯蔵部１５２１にかかる電圧の大きさはおおよそ（Ｖｓ−Ｖ３）である。なお、緩衝部１５２２にかかる電圧の大きさは０Ｖにした。
【０２８６】
これにより、電圧貯蔵部１５２１には（Ｖｓ−Ｖ３）の電圧が貯蔵され、この貯蔵された（Ｖｓ−Ｖ３）がサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）になるのである。したがって、電圧調節部１５２３の電圧を調整することで、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）の大きさを多様に調節することができる。
【０２８７】
ここで、電圧調節部１５２３は、可変電圧源であるのが望ましい。このような電圧調節部の例としては、すでに図９（ａ）、図９（ｂ）において説明している。
【０２８８】
なお、以上では電圧調節部１５２３が可変電圧源を含む構成としてサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）の大きさを調節するようにしているが、外部の他の電圧源を利用してサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）の大きさを調節することも可能である。以下、これを説明する。
【０２８９】
図１７は、更なる他の構成のサスティン駆動部を説明するための図である。
【０２９０】
図１７に示すように、本実施形態に係るサスティン駆動部は、サスティン電圧供給制御部１７００、基底電圧供給制御部１７１０、バイアス電圧発生部１７２０及びバイアス電圧供給制御部１７３０を含んで構成される。
【０２９１】
バイアス電圧発生部１７２０は、電圧貯蔵部１７２１、緩衝部１７２２及び電圧調節部１７２３を含む。
【０２９２】
サスティン電圧供給制御部１７００、基底電圧供給制御部１７１０及びバイアス供給制御部１７３０は、すでに説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。また、すでに説明した内容と同様のものについても適宜その説明を省略することにする。
【０２９３】
バイアス電圧発生部１７２０は、第３キャパシタ（Ｃ３）を含む電圧貯蔵部１７２１と、ロード低減用抵抗（Ｒ２）及び逆電流防止用ダイオード（Ｄ２）を含む緩衝部１０２２と、電圧調節部１７２３とを含む。
【０２９４】
電圧調節部１７２３は、低キャパシタである第４キャパシタ（Ｃ４）を含み、この第４キャパシタ（Ｃ４）は外部の低電圧供給源が供給する電圧を貯蔵するのに利用される。
【０２９５】
緩衝部１７２２の一端は、第６ノード（ｎ６）でサスティン電圧供給制御部１７００、基底電圧供給制御部１７１０及びバイアス電圧供給制御部１７３０の一端と共通接続され、他端は、第８ノード（ｎ８）で電圧調節部１７２３の一端及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）よりも低い電圧を供給する低電圧供給源と共通接続される。
【０２９６】
また、電圧調節部１７２３の一端は、低電圧供給源及び緩衝部１７２２の他端と共通接続され、他端は、第７ノード（ｎ７）でバイアス電圧供給制御部１７３０の他端及び電圧貯蔵部１７２１の一端と共通接続される。電圧貯蔵部１７２１の他端は接地（ＧＮＤ）される。
【０２９７】
ここで、低電圧供給源は、アドレス期間でアドレス電極（Ｘ）にデータ信号の電圧、すなわちデータ電圧（Ｖｄ）を供給するためのデータ電圧源であるか、あるいは、スキャン駆動部の駆動を制御するための所定の制御信号の電圧を供給する直流電圧源であることが望ましい。
【０２９８】
図１７に示すスキャン駆動部もすでに説明した図４（ａ）、図４（ｂ）のように所定の素子をさらに付け加えてスキャン電極（Ｙ）に負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）及び下降ランプ信号の電圧だけではなく、上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号の電圧、スキャン基準電圧（Ｖｓｃ）などを供給することができるスキャン駆動部として構成することもできる。
【０２９９】
かかる内容等については、すでに図４（ａ）、（ｂ）で説明したので、ここでの説明は省略する。
【０３００】
図１７に示すサスティン駆動部は、次のように動作する。
【０３０１】
図１８は、図１７のサスティン駆動部におけるバイアス電圧発生部の動作を説明するための図である。
【０３０２】
図１８は、バイアス電圧発生部にかかるすべて電圧の大きさがサスティン信号の電圧（Ｖｓ）である場合が示されている。
【０３０３】
ここで、低電圧供給源で供給する電圧が、サスティン駆動部のスイッチング素子の動作を制御するための１５Ｖの制御信号である場合に、電圧調節部１７２３の第４キャパシタ（Ｃ４）には、電圧Ｖ４、すなわち、低電圧供給源が供給する１５Ｖの電圧が貯蔵される。
【０３０４】
なお、ここではスイッチング素子の動作を制御するための制御信号を１５Ｖの信号としたが、５Ｖまたは−１５Ｖなど多様な大きさまたはレベルの電圧信号とすることも可能である。
【０３０５】
低電圧供給源で供給する電圧を１５Ｖとすると電圧貯蔵部１７２１にかかる電圧の大きさはほぼ（Ｖｓ−１５Ｖ）になる。ここで、緩衝部１７２２にかかる電圧の大きさは０Ｖで仮定した。
【０３０６】
この電圧貯蔵部１７２１に貯蔵された（Ｖｓ−１５Ｖ）の電圧が、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）であり、このサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）がバイアス電圧供給制御部１７３０に供給される。
【０３０７】
ここで、前述したスキャン駆動部とサスティン駆動部とを共に（併せて）適用することも可能であり、以下、かかる場合について説明する。
【０３０８】
図１９は、本実施形態に係るスキャン駆動部とサスティン駆動部とを共に（併せて）適用した場合の一例を説明するための図である。
【０３０９】
図１９に示すように、図３から図１１までで詳しく説明したスキャン駆動部が、パネルのスキャン電極（Ｙ）に接続され、図１２から１８までで詳しく説明したサスティン駆動部が、パネルのサスティン電極（Ｚ）に接続される。
【０３１０】
すなわち、図１９には、図３から図１１までで詳しく説明したスキャン駆動部と、図１２から１８までで詳しく説明したサスティン駆動部とが共に（併せて）適用したものが示されている。
【０３１１】
この図１９のように構成すると、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）、下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を一つの電圧源を利用して発生させるスキャン駆動部と、サスティン信号の電圧（Ｖｓ）、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を一つの電圧源を利用して発生させるサスティン駆動部とが共に適用されることとなり、この結果、スキャン電極（Ｙ）に供給する負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）及び下降ランプ信号の電圧を発生させるための別途の電圧源や、サスティン電極（Ｚ）に供給するサスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）を発生させるための別途の電圧源を設けなくても良いことになるから、結果的にプラズマディスプレイ装置の部品点数をさらに減少させ、装置全体の製造単価をさらに低減できるようになる。
【０３１２】
なお、図１９に示す構成の説明については、すでに行った図３〜図１８に関する説明と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０３１３】
以上においては、特定の実施形態により本発明を記述してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、当業者によって様々な改良や変更がなされ得ることを理解すべきである。
【０３１４】
例えば、以上ではプラズマディスプレイ装置の駆動部においてスキャン駆動部とサスティン駆動部をとそれぞれ別途の駆動ボードに形成した一例を図示して説明したが、スキャン駆動部とサスティン駆動部とを一つのボードに形成することもできる。
【０３１５】
また、以上の説明では駆動部に使われるスイッチング素子を電界効果トランジスター（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＦＥＴ）で形成した例を図示して説明したが、他のトランジスター、例えば、絶縁ゲート両極性トランジスター（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＩＧＢＴ）も適用されることができる。
【０３１６】
以上説明したように、本発明によれば、負極性スキャン信号の電圧（−Ｖｙ）、下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号の電圧及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を一つの電圧源を利用して発生させ、サスティンバイアス電圧（Ｖｚｂ）及びサスティン信号の電圧（Ｖｓ）を一つの電圧源を利用して発生させることができる、プラズマディスプレイ装置の部品点数を減少させつつ、装置全体の製造単価を低減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０３１７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの構造を説明するための図である。
【図３】本実施形態に係るスキャン駆動部の構成を説明するための図である。
【図４】拡張されたスキャン駆動部の構成を説明するための図である。
【図５】スキャン駆動部の動作を説明するための図である。
【図６】負極性スキャン信号の電圧を発生させる過程（負極性スキャン電圧発生部）を説明するための図である。
【図７】他の構成のスキャン駆動部を説明するための図である。
【図８】図７に示すスキャン駆動部の負極性スキャン電圧発生部の動作を説明するための図である。
【図９】図７に示すスキャン駆動部の電圧調節部に適用される可変電圧源の一例を説明するための図である。
【図１０】さらに他の構成のスキャン駆動部を説明するための図である。
【図１１】図１０に示すスキャン駆動部の負極性スキャン電圧発生部の動作を説明するための図である。
【図１２】本実施形態に係るサスティン駆動部の構成を説明するための図である。
【図１３】拡張されたサスティン駆動部の構成を説明するための図である。
【図１４】サスティン駆動部の動作を説明するための図である。
【図１５】他の構成のサスティン駆動部を説明するための図である。
【図１６】図１５に示すサスティン駆動部のバイアス電圧発生部の動作を説明するための図である。
【図１７】さらに他の構成のサスティン駆動部を説明するための図である。
【図１８】図１７に示すサスティン駆動部のバイアス電圧発生部の動作を説明するための図である。
【図１９】本実施形態に係るスキャン駆動部及びサスティン駆動部を適用した場合の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
【０３１８】
１００：プラズマディスプレイパネル
１０１：データ駆動部
１０２：スキャン駆動部
１０３：サスティン駆動部
３００，７００，１０００，１２００，１５００，１７００：サスティン電圧供給制御部
３１０，７１０，１０１０，１２１０，１５１０，１７１０：基底電圧供給制御部
３２０，７２０：負極性スキャン電圧発生部
３２１，７２１，１０２１，１２２１，１５２１，１７２１：電圧貯蔵部
３２２，７２２，１０２２，１２２２，１５２２，１７２２：緩衝部
３３０，７３０，１０３０：下降ランプ供給制御部
３４０，７４０，１０４０：スキャン電圧供給制御部
３５０，７５０，１０５１：ブロッキング部
４００，１３００：エネルギー回収部
４０１：エネルギー貯蔵部
４０２：エネルギー供給制御部
４０３：エネルギー回収制御部
４０４：インダクター部
４１０：上昇ランプ供給制御部
４２０：第１ブロッキングスイッチ部
４３０：第２ブロッキングスイッチ部
４４０：電流経路選択部
４５０：スキャン基準電圧供給制御部
４６０：スキャンドライブ集積回路部
７２３，１５２３，１７２３：電圧調節部
１２２０，１５２０，１７２０：バイアス電圧発生部
１２３０，１５３０，１７３０：バイアス電圧供給制御部
【図１】
2007164138.tif 000003
【図２】
2007164138.tif 000004
【図３】
2007164138.tif 000005
【図４】
2007164138.tif 000006
【図５】
2007164138.tif 000007
【図６】
2007164138.tif 000008
【図７】
2007164138.tif 000009
【図８】
2007164138.tif 000010
【図９】
2007164138.tif 000011
【図１０】
2007164138.tif 000012
【図１１】
2007164138.tif 000013
【図１２】
2007164138.tif 000014
【図１３】
2007164138.tif 000015
【図１４】
2007164138.tif 000016
【図１５】
2007164138.tif 000017
【図１６】
2007164138.tif 000018
【図１７】
2007164138.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2007164138.tif 000021