(57)【要約】【課題】最小限の工程数にて、電気光学装置に用いる基板の表面または裏面から導電膜を除去することのできる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】マザー基板に、ポリシリコン膜を形成するステップＳ２と、マザー基板の表面のポリシリコン膜を除去するステップＳ３と、マザー基板の表面に、薄膜を形成するステップＳ４と、薄膜を形成した後に、マザー基板の裏面のポリシリコン膜を除去するステップＳ６と、を具備し、ステップＳ３とステップＳ６との少なくとも一方の工程は、マザー基板を回転させ、マザー基板のポリシリコン膜を除去する面に対してマザー基板の回転中心にフッ硝酸を供給し、ポリシリコン膜を除去する面と反対側の面に対しては、マザー基板の回転中心にＮ２を吐出することを特徴とする。【選択図】図４
2007249175.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記基板の表側の表面の前記導電膜を除去する表面導電膜除去工程と、
前記基板の前記表面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜を形成した後に、前記基板の裏側の裏面の前記導電膜を除去する裏面導電膜除去工程と、
を具備し、
前記表面導電膜除去工程と前記裏面導電膜除去工程との少なくとも一方の工程は、前記基板を回転させ、前記基板の前記導電膜を除去する面に対して前記基板の回転中心にエッチング性を有する薬剤を供給し、前記導電膜を除去する面と反対側の面に対しては、前記基板の回転中心に乾燥ガスを吐出することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置における、前記薄膜形成前の前記第１の基板と前記薄膜形成前の前記第２の基板との少なくとも一方であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、大板の基板に構成されており、
前記導電膜形成工程と前記表面導電膜除去工程と前記裏面導電膜除去工程とは、前記大板の基板に対して行うことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜形成工程は、前記基板の表面に、最上層に前記電気光学物質に駆動電圧を印加する電極を形成するまで複数の前記薄膜を層状に形成する工程であることを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記裏面導電膜除去工程は、前記電極を形成した後に行うことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電膜を除去する面は、前記基板の前記表面であり、前記導電膜を除去する面と反対側の面は、前記基板の前記裏面であり、
前記表面導電膜除去工程は、回転する前記基板の前記表面の前記導電膜の回転中心に、前記薬剤を供給するとともに、回転する前記基板の前記裏面の前記導電膜の回転中心に乾燥ガスを吐出して行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電膜を除去する面は、前記基板の前記裏面であり、前記導電膜を除去する面と反対側の面は、前記基板の前記表面であり、
前記裏面導電膜除去工程は、回転する前記基板の前記表面の回転中心に、前記乾燥ガスを吐出するとともに、回転する前記基板の前記裏面の前記導電膜の回転中心に前記薬剤を供給して行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記薬剤は、前記導電膜のみをウエットエッチングにより除去する薬液であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記導電膜は、ポリシリコン膜であり、前記薬剤は、前記ポリシリコン膜のみを除去するフッ硝酸であることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記乾燥ガスは、Ｎ２ガスであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
基板に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記基板の一方の面の前記導電膜を除去する第１の導電膜除去工程と、
前記基板の前記一方の面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜を形成した後に、前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面の前記導電膜を除去する第２の導電膜除去工程と、
を具備し、前記第１の導電膜除去工程と前記第２の導電膜除去工程との少なくとも一方の工程は、前記基板を回転させ、前記基板の前記導電膜を除去する面に対して前記基板にエッチング性を有する薬剤を供給し、前記導電膜を除去する面と反対側の面に対しては、乾燥ガスを吐出することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転する基板上に薬剤を供給して基板上の導電膜を除去する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば複数の薄膜トランジスタ（以下、単にトランジスタと称す）等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
即ち、トランジスタ等のスイッチング素子によってマトリクス状に配列された複数の画素電極に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
また、トランジスタを配置した素子基板と、この素子基板に対向して配置される対向基板とは、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する薄膜、絶縁性薄膜または導電性薄膜が積層されることによってそれぞれ構成される。層毎に各種薄膜の形成工程と各種薄膜のエッチング工程とを繰り返すことによってそれぞれ形成されるのである。
【０００５】
尚、素子基板及び対向基板に対する各種薄膜の成膜工程においては、成膜装置、例えば減圧化学気相成長（ＬＰ−ＣＶＤ）装置、スパッタ装置が用いられ、形成された薄膜に対するエッチング工程においては、エッチング装置、例えばドライエッチング装置、ウエットエッチング装置が用いられることが周知である。
【０００６】
ここで、上述した成膜工程、エッチング工程を行う際、成膜処理、エッチング処理は、素子基板、対向基板をそれぞれ構成する各石英基板の各表面に対して行われるため、枚葉式の処理の場合は、各石英基板の裏面は、成膜装置、エッチング装置のステージ等に載置して行うことが一般的であるが、この際、各石英基板の裏面に、ステージ等からの接触傷が形成されてしまう場合があった。また、各石英基板を運搬するに際しても、運搬の際、載置される運搬台から各石英基板の裏面に接触傷が形成されてしまう場合があった。
【０００７】
このような事情に鑑み、特許文献１では、石英基板の表面に各種薄膜を形成するに先だって、石英基板の表面及び裏面の全面に、導電膜であるポリシリコン膜を形成した後、石英基板の表面のポリシリコン膜上に各種薄膜の形成及びエッチングを行うことにより、成膜工程、エッチング工程において、石英基板の裏面に、接触傷が形成されてしまうことを裏面のポリシリコン膜により防止する電気光学装置の製造方法が提案されている。
【０００８】
また、成膜装置、エッチング装置のステージに載置した石英基板を、ステージに固定する手法としては、成膜工程、エッチング工程における石英基板内の熱伝導の均一化を図るとともに石英基板の温度をコントロールする目的で、既知の静電チャックを用いて行うことが周知であるが、石英基板自在は絶縁体であることから、ステージと石英基板との間に、電圧印加後、静電力が発生しない。
【０００９】
しかしながら、特許文献１に示すように、石英基板の裏面にポリシリコン膜を形成すれば、ポリシリコン膜は、導電膜であることから、電圧印加後、ポリシリコン膜とステージとの間に発生する静電力により、静電チャックを用いて、容易に石英基板をステージに固定することができる。尚、石英基板の表面に各種薄膜が形成された後は、石英基板の裏面のポリシリコン膜は、不要となるため、エッチング等により一括して除去される。
【特許文献１】特開２００１−３３９０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、石英基板の裏面からポリシリコン膜を除去するに際し、上述した特許文献１に示した電気光学装置の製造方法においては、石英基板の表面に形成された各種薄膜を保護するため、各種薄膜の最上層に、各種薄膜を全面的に覆うレジストを形成し、石英基板の反転させた後、例えば薬液を用いて石英基板の裏面のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去し、最後にレジストを、例えばＯ２プラズマにて除去するといった手法が用いられている。
【００１１】
しかしながら、このような手法を用いると、石英基板の裏面のポリシリコン膜を除去する際、上述したように、レジスト形成、石英基板反転、ウエットエッチング、レジスト除去の４工程を行わなければならない。
【００１２】
このことから、電気光学装置の製造工程を削減するために、最小限の工程数で、石英基板の裏面からポリシリコン膜を除去できる手法が望まれていた。尚、このことは、石英基板の表面に各種薄膜を形成するに先立って、表面のポリシリコン膜を一括して除去する場合であっても同じである。
【００１３】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的は、最小限の工程数にて、電気光学装置に用いる基板の表面または裏面から導電膜を除去することのできる電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記基板の表側の表面の前記導電膜を除去する表面導電膜除去工程と、前記基板の前記表面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、前記薄膜を形成した後に、前記基板の裏側の裏面の前記導電膜を除去する裏面導電膜除去工程と、を具備し、前記表面導電膜除去工程と前記裏面導電膜除去工程との少なくとも一方の工程は、前記基板を回転させ、前記基板の前記導電膜を除去する面に対して前記基板の回転中心にエッチング性を有する薬剤を供給し、前記導電膜を除去する面と反対側の面に対しては、前記基板の回転中心に乾燥ガスを吐出することを特徴とする。
【００１５】
また、前記基板は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置における、前記薄膜形成前の前記第１の基板と前記薄膜形成前の前記第２の基板との少なくとも一方であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、製造工程中、電気光学装置に用いる第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の薄膜形成前の基板の裏面に接触傷等が形成されてしまうことを防止し、基板加熱の際の基板における熱伝導を均一化するとともに、静電チャックを用いて基板をステージ等に固定するために基板の裏面に形成された導電膜を、基板の表面または裏面から除去するに際し、最小限の工程数にて簡単に行うことができるといった効果を有する。
【００１７】
さらに、前記基板は、大板の基板に構成されており、前記導電膜形成工程と前記表面導電膜除去工程と前記裏面導電膜除去工程とは、前記大板の基板に対して行うことを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、大板の基板に構成された電気光学装置に用いる第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板を製造する際であっても、製造工程中、大板の基板の裏面に接触傷等が形成されてしまうことを防止し、大板の基板加熱の際の大板の基板における熱伝導を均一化するとともに、静電チャックを用いて大板の基板を成膜装置、エッチング装置のステージ等に固定するために大板の基板の裏面に形成された導電膜を、大板の基板の表面または裏面から除去するに際し、最小限の工程数にて簡単に行うことができるといった効果を有する。
【００１９】
また、前記薄膜形成工程は、前記基板の表面に、最上層に前記電気光学物質に駆動電圧を印加する電極を形成するまで複数の前記薄膜を層状に形成する工程であることを特徴とする。
【００２０】
さらに、前記裏面導電膜除去工程は、前記電極を形成した後に行うことを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、電極形成後、裏面導電膜除去工程を行うことにより、基板の表面に最上層に電極を形成するまで薄膜を層状に形成する際、基板裏面に導電膜が形成されていることから、製造工程中、基板の裏面に接触傷等が形成されてしまうことを防止し、基板加熱の際の基板における熱伝導を均一化するとともに、静電チャックを用いて基板を成膜装置、エッチング装置のステージ等に固定する際、確実に基板とステージとの間に静電力を発生させることができ、基板を確実にステージに固定することができるといった効果を有する。
【００２２】
また、前記導電膜を除去する面は、前記基板の前記表面であり、前記導電膜を除去する面と反対側の面は、前記基板の前記裏面であり、前記表面導電膜除去工程は、回転する前記基板の前記表面の前記導電膜の回転中心に、前記薬剤を供給するとともに、回転する前記基板の前記裏面の前記導電膜の回転中心に乾燥ガスを吐出して行うことを特徴とする。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、基板の表面の導電膜を除去するに際し、回転する基板の表面の導電膜の回転中心に薬剤を供給し、裏面の導電膜の回転中心に乾燥ガスを吐出するスピン方式を用いることにより、基板裏面の導電膜が薬剤の液垂れにより除去されてしまうことを乾燥ガスにより防ぐことができ、基板表面の導電膜のみを最小限の工程数にて簡単かつ確実に除去することができるといった効果を有する。
【００２４】
さらに、前記導電膜を除去する面は、前記基板の前記裏面であり、前記導電膜を除去する面と反対側の面は、前記基板の前記表面であり、前記裏面導電膜除去工程は、回転する前記基板の前記表面の回転中心に、前記乾燥ガスを吐出するとともに、回転する前記基板の前記裏面の前記導電膜の回転中心に前記薬剤を供給して行うことを特徴とする。
【００２５】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、基板の裏面の導電膜を除去するに際し、回転する基板の裏面の導電膜の回転中心に薬剤を供給し、表面の回転中心に乾燥ガスを吐出するスピン方式を用いることにより、基板表面に形成された各種薄膜が薬剤の液垂れにより除去されてしまうことを乾燥ガスにより防ぐことができ、基板裏面の導電膜のみを最小限の工程数にて簡単かつ確実に除去することができる。
【００２６】
また、前記薬剤は、前記導電膜のみをウエットエッチングにより除去する薬液であることを特徴とする。
【００２７】
さらに、前記導電膜は、ポリシリコン膜であり、前記薬剤は、前記ポリシリコン膜のみを除去するフッ硝酸であることを特徴とする。
【００２８】
また、前記乾燥ガスは、Ｎ２ガスであることを特徴とする。
【００２９】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、基板の表面のポリシリコン膜を除去するに際し、回転する基板の表面のポリシリコン膜の回転中心にポリシリコン膜のみを除去するフッ硝酸を供給し、裏面のポリシリコン膜の回転中心にＮ２ガスを吐出するスピン方式を用いることにより、基板裏面のポリシリコン膜がフッ硝酸の液垂れにより除去されてしまうことをＮ２ガスにより防ぐことができ、基板表面のポリシリコン膜のみを最小限の工程数にて簡単かつ確実に、フッ硝酸を用いたウエットエッチングにより除去することができる。また、基板の裏面のポリシリコン膜を除去するに際し、回転する基板の裏面のポリシリコン膜の回転中心にポリシリコン膜のみを除去するフッ硝酸を供給し、表面の回転中心にＮ２ガスを吐出するスピン方式を用いることにより、基板表面に形成された各種薄膜がフッ硝酸の液垂れにより除去されてしまうことをＮ２ガスにより防ぐことができ、基板裏面のポリシリコン膜のみを最小限の工程数にて簡単かつ確実に、フッ硝酸を用いたウエットエッチングにより除去することができる。
【００３０】
さらに、基板に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記基板の一方の面の前記導電膜を除去する第１の導電膜除去工程と、前記基板の前記一方の面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、前記薄膜を形成した後に、前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面の前記導電膜を除去する第２の導電膜除去工程と、を具備し、前記第１の導電膜除去工程と前記第２の導電膜除去工程との少なくとも一方の工程は、前記基板を回転させ、前記基板の前記導電膜を除去する面に対して前記基板にエッチング性を有する薬剤を供給し、前記導電膜を除去する面と反対側の面に対しては、乾燥ガスを吐出することを特徴とする。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、製造工程中、電気光学装置に用いる第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の薄膜形成前の基板の他方の面に接触傷等が形成されてしまうことを防止し、基板加熱の際の基板における熱伝導を均一化するとともに、静電チャックを用いて基板をステージ等に固定するために基板の他方の面に形成された導電膜を、基板の一方の面または他方の面から除去するに際し、最小限の工程数にて簡単に行うことができるといった効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する第２の基板である対向基板を例に挙げて説明する。
【００３３】
先ず、本実施の形態の製造方法によって製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図、図３は、一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図である。
【００３４】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板やガラス基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３５】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する表面１０ｆ側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する電極である画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００３６】
また、対向基板２０の基板上の液晶５０と接する表面２０ｆの全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する電極である対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する表面２０ｆ側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００３７】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３８】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線１１ａ（図３参照）と複数本のデータ線６ａ（図３参照）とが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）３０（図３参照）が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００３９】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００４０】
また、画素電極９ａと並列に、蓄積容量７０（図３参照）が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。また、蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４１】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４２】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００４３】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００４４】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４５】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａ及びゲート電極３ａに、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００４６】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４７】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４８】
また、図３に示すように、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス基板等のＴＦＴ基板１０を構成する基板の表面上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。
【００４９】
この積層構造は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層（成膜層）、ゲート電極３ａを具備するＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、各層間には、後述する層間絶縁膜がそれぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
【００５０】
第１層に、例えば、タングステンシリサイドからなる走査線１１ａが、平面形状がストライプ状となるようパターニングされて成膜されている。また、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る遮光機能をも有している。走査線１１ａ上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２が、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ法等により成膜されている。
【００５１】
第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、例えばポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜からなる半導体層１と、ゲート電極３ａと、ゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜２とから主要部が構成されている。
【００５２】
半導体層１は、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａと、低濃度ソース領域１ｂと、低濃度ドレイン領域１ｃと、高濃度ソース領域１ｄと、高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。そして、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。
【００５３】
下地絶縁膜１２に、平面的にみて半導体層１の両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１のチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。該コンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは、同電位となる。
【００５４】
第３層に、容量部である蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００５５】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００５６】
第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８１が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００５７】
また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８３が開孔されている。
【００５８】
さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００５９】
第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。
【００６０】
また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６ａ１と容量電極３００とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００６１】
第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。
【００６２】
第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０３、及び第３中継電極４０２と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００６３】
第６層に、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下に、第４層間絶縁膜４４が形成されている。また、第４層間絶縁膜４４に、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するために介在されたコンタクトホール８９が開孔されている。
【００６４】
尚、上述した液晶装置の構成は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００６５】
次に、このように構成された液晶装置１００の製造方法を、上述した図１〜図３、図４〜図１１を用いて説明する。尚、以下、液晶装置１００の製造方法は、ＴＦＴ基板１０の製造方法を一例に挙げて説明する。また、各種薄膜成膜前のＴＦＴ基板１０を構成する基板は、石英から構成された大板の基板に複数構成される。即ち、大板の基板の一部がＴＦＴ基板１０を構成する基板を構成するものとして説明する。
【００６６】
図４は、ＴＦＴ基板の製造方法の一部を示すフローチャート、図５は、大板の基板の表面、裏面を洗浄、乾燥するとともに、大板の基板の表面、裏面から導電膜を除去するスピン装置を示す図、図６は、図５のスピン装置のスピンベース及びチャックピンを示す上面図、図７は、図５のスピン装置を用いて、大板の基板の表面及び裏面を洗浄、乾燥する工程を示す図である。
【００６７】
また、図８は、図７の大板の基板の表面及び裏面及び端面に薄膜を形成した状態を示す図、図９は、図５のスピン装置を用いて、図８の大板の基板の表面及び端面の薄膜を除去する工程を示す図、図１０は、図９の大板の基板の表面のＴＦＴ基板を構成する複数の領域に、それぞれ複数の薄膜を積層して形成した状態を示す図、図１１は、図５のスピン装置を用いて、図１０の大板の基板の裏面の薄膜を除去する工程を示す図である。
【００６８】
先ず、図４のステップＳ１に示すように、石英から構成された大板の基板（以下、マザー基板と称す）１１０（図５参照）を、図５に示すスピン装置１５０を用いて洗浄処理し、その後、乾燥処理する。
【００６９】
ここで、スピン装置１５０の構成を簡単に説明すると、スピン装置１５０は、図５、図６に示すように、例えば円板状のステージ台である回転自在なスピンベース１５１と、該スピンベース１５１の外周に、例えば等間隔に６個固定された大板の基板保持用のチャックピン１５２と、スピンベース１５１と平面上略同じ大きさを有する円板状の回転自在なシールド板１５３とにより主要部が構成されている。尚、このような構成を有するスピン装置１５０としては、例えば大日本スクリーン製造株式会社のＭＰ３０００が周知である。
【００７０】
スピンベース１５１の回転中心に、６個のチャックピン１５２に保持された大板の基板１１０の他方の面である裏面１１０ｒに、後述する各種流体を供給する流体供給管路１６１の供給口１６１ｋが開口されている。
【００７１】
同様に、シールド板１５３の回転中心に、６個のチャックピン１５２に保持された大板の基板１１０の一方の面である表面１１０ｆに、後述する各種流体を供給する流体供給管路１６２の供給口１６２ｋが開口されている。
【００７２】
６個のチャックピン１５２は、スピンベース１５１の外周から、上方に延出するよう、スピンベース１５１の外周に固定されており、スピンベース１５１が回転した際、６個のチャックピン１５２は、スピンベース１５１と一緒に回転する。尚、チャックピン１５２の個数は６個に限定されない。
【００７３】
また、６個のチャックピン１５２の上方への延出端部の近傍に、スピンベース１５１の内周方向に突出する載置部１５２ｔがそれぞれ形成されている、尚、６個の載置部１５２ｔの各上面に、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの外周部位が当接されることにより、マザー基板１１０は、６個のチャックピン１５２の各載置部１５２ｔに載置される。
【００７４】
また、６個のチャックピン１５２は、スピンベース１５１の外周から、上方に延出するよう固定されているため、６個のチャックピン１５２の各載置部１５２ｔに載置されたマザー基板１１０は、スピンベース１５１から、例えば５ｍｍ程度上方に離間して位置される。
【００７５】
さらに、６個のチャックピン１５２は、スピンベース１５１の径方向に移動自在となるよう、スピンベース１５１に固定されている。このことにより、６個の載置部１５２ｔにマザー基板１１０が載置された後、６個のチャックピン１５２をスピンベース１５１の内周方向に移動させることにより、６個の載置部１５２ｔに載置されたマザー基板１１０の端面を６個のチャックピン１５２の各内周面で挟持することができ、チャックピン１５２は、確実にマザー基板１１０を固定して保持することができる。
【００７６】
このように構成されたスピン装置１５０を用いて、マザー基板１１０を、洗浄処理、乾燥処理する。具体的には、マザー基板１１０を、スピン装置１５０の上述したように６個のチャックピン１５２に固定した後、スピンベース１５１を回転させて、マザー基板１１０を回転させる。尚、この際、シールド板１５３も回転させる。
【００７７】
その後、図７に示すように、先ず、回転するマザー基板１１０の表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒの各回転中心に、流体供給管路１６２の供給口１６２ｋ及び流体供給管路１６１の供給口１６１ｋから、Ｏ３（オゾン）水、純水、ＨＦ（フッ酸）、純水、Ｏ３水、純水の順に各液体を、例えば６０ｓｅｃずつ供給し、マザー基板１１０の表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒを洗浄処理する。尚、この際、マザー基板１１０は回転しているため、表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒの全面に、各種液体は供給される。
【００７８】
次いで、各流体供給管路１６１、１６２の各供給口から液体を供給しない状態で、スピンベース１５１を、例えば６０ｓｅｃ回転させることにより、洗浄処理後のマザー基板１１０をスピン乾燥する乾燥処理を行う。尚、上述した洗浄処理、乾燥処理は、スピン装置１５０以外を用いて行っても構わない。
【００７９】
次いで、マザー基板１１０を、スピン装置１５０から取り外した後、マザー基板１１０の歪みを防止するため、マザー基板１１０に対して、例えば１０００℃の環境下において、３００ｓｅｃ程度、Ｎ２（窒素）ガスを用いてアニール処理を行う。
【００８０】
図４に戻って、その後、ステップＳ２において、例えば、既知のバッチ式の縦型のＬＰ−ＣＶＤ装置等を用いて、図８に示すように、マザー基板１１０の表面１１０ｆの全面と裏面１１０ｒの全面に、導電膜であるポリシリコン膜１８０を、例えば１００〜５００ｎｍの膜厚に形成する導電膜形成工程を行い、その後、形成されたポリシリコン膜１８０の膜厚を測定する。
【００８１】
尚、ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いたポリシリコン膜１８０の形成は、例えば、６２０℃の環境下において、モノシラン（ＳｉＨ４）ガスを、装置内に導入することにより行われる。また、マザー基板１１０の端面１１０ｔにも、ポリシリコン膜１８０が形成される。
【００８２】
また、以下、マザー基板１１０の表面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｆを付し、裏面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｒを付し、さらに、端面１１０ｔに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｔを付す。
【００８３】
さらに、ポリシリコン膜１８０の膜厚は、マザー基板１１０の裏面１１０ｒに接触傷等が形成されないよう保護するために必要な膜厚、及びマザー基板１１０を、枚葉式の成膜装置、ドライエッチング装置の各ステージに、静電チャックを用いて固定する際、固定に十分な静電力を発生させるのに必要な膜厚に形成される。
【００８４】
また、縦型のＬＰ−ＣＶＤ装置を用いたマザー基板１１０に対するポリシリコン膜の形成は、同時に、数枚のマザー基板１１０に対して行ってもよい。さらに、マザー基板１１０の表面１１０ｆ、裏面１１０ｒに形成する導電膜は、ポリシリコン膜に限定されず、例えばリンをドープしたポリシリコンや、アモルファスシリコンや他の導電膜であっても構わない。
【００８５】
マザー基板１１０の表面１１０ｆにポリシリコン膜１８０ｆを形成し、裏面１１０ｒにポリシリコン膜１８０ｒを形成し、端面１１０ｔにポリシリコン膜１８０ｔを形成した後、図４のステップＳ３において、マザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆ及び端面１１０ｔのポリシリコン膜１８０ｔを、スピン方式にて全て除去する第１の導電膜除去工程である表面導電膜除去工程を行う。
【００８６】
具体的には、先ず、上述したように、マザー基板１１０を、スピン装置１５０の６個のチャックピン１５２に載置、固定した後、スピンベース１５１を回転させて、マザー基板１１０を回転させる。尚、この際、シールド板１５３も回転させる。
【００８７】
その後、図９に示すように、回転するマザー基板１１０のポリシリコン膜を除去する面である表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、上方、即ち、流体供給管路１６２の供給口１６２ｋから、薬剤、例えば５０％濃度のフッ酸（ＨＦ）と、６０％濃度の硝酸（ＨＮＯ３）を体積比１：６０で混ぜた薬液であるフッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ３）を、２３℃の環境下において、２５ｓｅｃ以上供給することにより、マザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、ウエットエッチングにより除去する。尚、フッ硝酸を、マザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆに供給する際は、供給口１６２ｋの配置又は向き等を適宜設定することにより、マザー基板１１０全面に薬液が広がるように回転中心以外に供給しても構わない。
【００８８】
また、この際、マザー基板１１０は回転しているため、ポリシリコン膜１８０ｆの全面に、フッ硝酸は供給される。また、表面１１０ｆに供給されたフッ硝酸は、端面１１０ｔにも液垂れするため、端面１１０ｔのポリシリコン膜１８０ｔも除去される。
【００８９】
尚、ポリシリコン膜１８０ｆ、１８０ｔの除去に、フッ硝酸を用いたのは、フッ硝酸は、石英をほとんどエッチングせずに、ポリシリコン膜のみをエッチングすることができるためである。このウエットエッチング液はポリシリコンエッチング量：石英（ＳｉＯ２）エッチング量＝1:0.02以上の選択性をもった薬液が望ましい。よって、石英をエッチングせずに、ポリシリコン膜のみをエッチングすることができる薬液であれば、フッ硝酸に限らず、どんなものであっても構わない。また、薬剤としては、薬液に限らず、ガス等であっても構わない。
【００９０】
また、フッ硝酸の供給量を増減させることにより、マザー基板１１０の表面１１０ｆ、端面１１０ｔから除去するポリシリコン膜１８０ｆ、１８０ｔの量を可変させることができる。
【００９１】
ここで、回転するマザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、流体供給管路１６２の供給口１６２ｋからフッ硝酸を供給すると略同時に、図９に示すように、回転するマザー基板１１０の導電膜を除去する面と反対側の面である裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心に、下方、即ち、流体供給管路１６１の供給口１６１ｋから乾燥ガスであるＮ２ガスを、例えば１００リットル／分量吐出する。尚、乾燥ガスは、Ｎ２ガスに限らず、単なるエアであっても構わない。また、Ｎ２ガスを、マザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒに供給する際は、供給口１６１ｋの配置又は向き等を適宜設定することにより、マザー基板１１０全面にＮ２ガスが広がるように回転中心以外に供給しても構わない。
【００９２】
このことにより、裏面１１０ｒに吐出されたＮ２ガスにより、マザー基板１１０の表面１１０ｆに供給されたフッ硝酸が、端面１１０ｔより裏面１１０ｒ側に回り込んでしまうことがない。即ち、表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを除去するに際し、裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒが除去されてしまうことがない。
【００９３】
尚、表面導電膜除去工程後、マザー基板１１０は、裏面１１０ｒの全面のみに、ポリシリコン膜１８０ｒが形成されることになる。尚、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、製造工程中、マザー基板１１０の裏面１１０ｒに接触傷等が形成されてしまうことを形成されたポリシリコン膜１８０ｒにより防止するためである。
【００９４】
さらに、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、静電チャックを用いてマザー基板１１０の裏面１１０ｒを枚葉式の成膜装置、エッチング装置の各ステージに載置して、該ステージにマザー基板１１０を固定する際、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０とステージとの間に静電力を発生させ、確実にマザー基板１１０をステージに固定するためである。
【００９５】
また、マザー基板１１０の裏面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、マザー基板１１０を加熱する際、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０における熱の伝導を均一化させるためである。
【００９６】
表面導電膜除去工程後、回転するマザー基板１１０の表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒの各回転中心に、流体供給管路１６２の供給口１６２ｋ及び流体供給管路１６１の供給口１６１ｋから、純水を、例えば６０ｓｅｃ供給し、マザー基板１１０の表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒを洗浄処理する。尚、この際も、マザー基板１１０は回転しているため、表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒの全面に、純水は供給される。
【００９７】
次いで、各流体供給管路１６１、１６２の各供給口から液体を供給しない状態で、スピンベース１５１を、例えば６０ｓｅｃ回転させることにより、洗浄処理後のマザー基板１１０をスピン乾燥する乾燥処理を行う。
【００９８】
尚、上述した洗浄処理、乾燥処理は、スピン装置１５０以外を用いて行っても構わない。
【００９９】
次いで、図４のステップＳ４において、図１０に示すように、マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆが除去された表面１１０ｆにマザー基板１１０に複数のＴＦＴ基板１０を構成するため、ＴＦＴ基板１０毎に、成膜装置、及びエッチング装置を用いて、表面１０ｆに、上述した図３に示した、複数の薄膜である第１層〜第６層までを、最上層に画素電極９ａを形成するまでそれぞれ積層して層状に形成する薄膜形成工程を行う。尚、この段階では、第６層の配向膜１６は形成しない。
【０１００】
尚、この第１層〜第６層までの積層工程は、周知であるため、その説明は省略する。また、第１層〜第６層を積層して形成する際は、必要に応じて、マザー基板１１０を、枚葉式の成膜装置、ドライエッチング装置の各ステージに、該ステージとマザー基板１１０の裏面１１０ｒとの間に電圧印加後に発生する静電力を用いる静電チャックにより固定して行う。
【０１０１】
次いで、図４のステップＳ５において、マザー基板１１０を、スピン装置１５０から取り外した後、形成された各種薄膜の歪みを防止するため、マザー基板１１０に対して、例えば３００℃の環境下において、３００ｓｅｃ程度、Ｎ２（窒素）ガスを用いてアニール処理を行う。
【０１０２】
この際、マザー基板１１０の裏面１１０ｒには、ポリシリコン膜１８０ｒが形成されているため、熱は、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０に均一に熱伝導される。
【０１０３】
最後に、図４のステップＳ６において、マザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを、スピン方式にて全て除去する第２の導電膜除去工程である裏面導電膜除去工程を行う。
【０１０４】
具体的には、先ず、上述したように、マザー基板１１０を、スピン装置１５０の６個のチャックピン１５２に載置、固定した後、スピンベース１５１を回転させて、マザー基板１１０を回転させる。尚、この際、シールド板１５３も回転させる。
【０１０５】
その後、図１１に示すように、回転するマザー基板１１０の導電膜を除去する面である裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心に、下方、即ち、流体供給管路１６１の供給口１６１ｋから、薬剤、例えば５０％濃度のフッ酸（ＨＦ）と、６０％濃度の硝酸（ＨＮＯ３）を体積比１：６０で混ぜた薬液であるフッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ３）を、２３℃の環境下において、２５ｓｅｃ以上供給することにより、マザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを、ウエットエッチングにより除去する。尚、この際、マザー基板１１０は回転しているため、ポリシリコン膜１８０ｒの全面に、フッ硝酸は供給される。また、この場合も、フッ硝酸を、マザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒに供給する際は、供給口１６１ｋの配置又は向き等を適宜設定することにより、マザー基板１１０全面に薬液が広がるように回転中心以外に供給しても構わない。
【０１０６】
尚、この場合であっても、薬液は、フッ硝酸に限らず、どんなものであっても構わない。また、薬剤としては、薬液に限らず、ガス等であっても構わない。また、フッ硝酸の供給量を増減させることにより、マザー基板１１０の裏面１１０ｒから除去するポリシリコン膜１８０ｒの量を可変させることができる。
【０１０７】
ここで、回転するマザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心に、流体供給管路１６１の供給口１６１ｋからフッ硝酸を供給すると略同時に、図１１に示すように、回転するマザー基板１１０の導電膜を除去する面と反対側の面である表面１１０ｆの回転中心に、上方、即ち、流体供給管路１６２の供給口１６２ｋから乾燥ガスであるＮ２ガスを、例えば１００リットル／分量供給する。また、この場合も乾燥ガスは、Ｎ２ガスに限らず、単なるエアであっても構わない。さらに、Ｎ２ガスを、マザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆに供給する際は、供給口１６２ｋの配置又は向き等を適宜設定することにより、マザー基板１１０全面にＮ２ガスが広がるように回転中心以外に供給しても構わない。
【０１０８】
このことにより、マザー基板１１０の裏面１１０ｒに供給されたフッ硝酸が、表面１１０ｆに吐出されたＮ２ガスにより、端面１１０ｔより表面１１０ｆ側に回り込んでしまうことがない。即ち、裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを除去するに際し、表面１１０ｆの各ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆに形成された各種薄膜が除去されてしまうことがない。
【０１０９】
裏面導電膜除去工程後、回転するマザー基板１１０の表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒの各回転中心に、流体供給管路１６２の供給口１６２ｋ及び流体供給管路１６１の供給口１６１ｋから、純水を、例えば６０ｓｅｃ供給し、マザー基板１１０の表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒを洗浄処理する。尚、この際も、マザー基板１１０は回転しているため、表面１１０ｆ及び裏面１１０ｒの全面に、純水は供給される。
【０１１０】
次いで、各流体供給管路１６１、１６２の各供給口から液体を供給しない状態で、スピンベース１５１を、例えば６０ｓｅｃ回転させることにより、洗浄処理後のマザー基板１１０をスピン乾燥する乾燥処理を行う。尚、上述した洗浄処理、乾燥処理は、スピン装置１５０以外を用いて行っても構わない。
【０１１１】
乾燥処理工程後、画素電極９ａ上に上述した配向膜１６を形成し、該配向膜１６に既知のラビング処理を施す。その後、マザー基板１１０から、複数構成された各ＴＦＴ基板１０を、例えばダイシングにより分断することにより、ＴＦＴ基板１０を複数製造する。尚、ＴＦＴ基板１０は、マザー基板１１０に１個のみ構成して、分断後、１個のみ形成してもよい。
【０１１２】
尚、以上の工程は、対向基板２０であっても同様である。また、以下の説明においては、洗浄工程、乾燥工程、アニール処理工程等は、省略して記載するが、実際は、ＴＦＴ基板１０の場合と同様に行う。
【０１１３】
簡単に説明すると、先ず、石英から構成されたマザー基板１１０の表面１１０ｆの全面と裏面１１０ｒの全面とに、導電膜であるポリシリコン膜１８０を、例えば１００〜５００ｎｍの膜厚に形成する導電膜形成工程を行った後、マザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、スピン装置１５０にて、表面１１０ｆの全面から全て除去する表面導電膜除去工程を行う。
【０１１４】
次いで、マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆが除去された表面１１０ｆの全面に、対向電極２１を形成する薄膜形成工程を行う。尚、この段階では、配向膜２６は形成しない。次いで、マザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを、スピン装置１５０にて、裏面１１０ｒの全面から全て除去する裏面導電膜除去工程を行う。
【０１１５】
裏面導電膜除去工程後、マザー基板１１０の表面１１０ｆの対向電極２１上に上述した配向膜２６を形成し、該配向膜２６に既知のラビング処理を施す。その後、マザー基板１１０を、所定の大きさに、例えばダイシングにより分断することにより、マザー基板１１０から、複数の対向基板２０を分断して対向基板２０を複数製造する。尚、対向基板２０は、マザー基板１１０に１個のみ構成して、分断後、１個のみ形成してもよい。
【０１１６】
最後に、それぞれ上述したように製造されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを、各表面１０ｆと２０ｆとが対向するようシール材５２によって貼り合わせて対向配置した後、既知の液晶注入方式であれば、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とのシール材５２で囲まれた領域に、液晶５０を注入して、液晶装置１００を製造する。
【０１１７】
このように、本実施の形態においては、基板の製造工程において、マザー基板１１０の表面１１０ｆからポリシリコン膜１８０ｆを除去するに際し、スピン装置１５０を用いて、表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に対しフッ硝酸を供給し、裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心に、Ｎ２ガスを吐出して行うと示した。
【０１１８】
このことによれば、回転するマザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆの回転中心にポリシリコン膜１８０ｆを除去するフッ硝酸を供給し、裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心にＮ２ガスを吐出するスピン方式を用いることにより、マザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒがフッ硝酸の液垂れにより除去されてしまうことをＮ２ガスにより防ぐことができ、マザー基板１１０の表面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆ及び端面１１０ｔのポリシリコン膜１８０ｔのみを、レジスト等を用いることなく、最小限の工程数にて簡単かつ確実に、フッ硝酸を用いたウエットエッチングにより除去することができる電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【０１１９】
また、マザー基板１１０の裏面１１０ｒに接触傷が形成されてしまうのを防止し、マザー基板１１０を加熱する際、該基板１１０における熱の伝導を均一化させるとともに、成膜装置、エッチング装置等の各ステージにマザー基板１１０を静電チャックにより固定するためにマザー基板１１０の裏面１１０ｒに形成するポリシリコン膜１８０ｒを、マザー基板１１０の裏面１１０ｒから除去するに際し、スピン装置１５０を用いて、裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心に対しフッ硝酸を供給し、表面１１０ｆの回転中心に、Ｎ２ガスを吐出して行うと示した。
【０１２０】
このことによれば、回転するマザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心にポリシリコン膜１８０ｒを除去するフッ硝酸を供給し、表面１１０ｆの回転中心にＮ２ガスを吐出するスピン方式を用いることにより、マザー基板１１０の表面１１０ｆに形成された各種薄膜が裏面からのフッ硝酸の液垂れにより除去されてしまうことをＮ２ガスにより防ぐことができ、マザー基板１１０の裏面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを、レジスト等を用いることなく、さらに、マザー基板１１０を反転させることなく、最小限の工程数にて簡単かつ確実に、フッ硝酸を用いたウエットエッチングにより除去することができる。
【０１２１】
尚、本実施の形態においては、薄膜形成前のＴＦＴ基板１０、対向基板２０を構成する基板は、それぞれ石英基板から構成されていると示したが、これに限らず、ガラス基板から構成されていても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２２】
また、本実施の形態においては、マザー基板１１０に、ＴＦＴ基板１０を構成する基板、または対向基板２０を構成する基板を複数構成する例を挙げて示したが、これに限らず、１個のみ構成する場合に適用してもよい。即ち、ＴＦＴ基板１０を構成する基板、または対向基板２０を構成する基板の表面、裏面からポリシリコン膜を除去する際に用いても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１２４】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１２５】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１２６】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本実施の形態によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図。
【図４】ＴＦＴ基板の製造方法の一部を示すフローチャート。
【図５】大板の基板の表面、裏面を洗浄、乾燥するとともに、大板の基板の表面、裏面から導電膜を除去するスピン装置を示す図。
【図６】図５のスピン装置のスピンベース及びチャックピンを示す上面図。
【図７】図５のスピン装置を用いて、大板の基板の表面及び裏面を洗浄、乾燥する工程を示す図。
【図８】図７の大板の基板の表面及び裏面及び端面に薄膜を形成した状態を示す図。
【図９】図５のスピン装置を用いて、図８の大板の基板の表面及び端面の薄膜を除去する工程を示す図。
【図１０】図９の大板の基板の表面のＴＦＴ基板を構成する複数の領域に、それぞれ複数の薄膜を積層して形成した状態を示す図。
【図１１】図５のスピン装置を用いて、図１０の大板の基板の裏面の薄膜を除去する工程を示す図。
【符号の説明】
【０１２８】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｆ…ＴＦＴ基板の表面、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、４０…表示領域、５０…液晶、５２…シール材、１００…液晶装置、１１０…マザー基板、１１０ｆ…マザー基板の表面、１１０ｒ…マザー基板の裏面、１１０ｔ…マザー基板の端面、１８０…ポリシリコン膜、１８０ｆ…表面のポリシリコン膜、１８０ｒ…裏面のポリシリコン膜、１８０ｔ…端面のポリシリコン膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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