(57)【要約】【課題】  液晶装置等の電気光学装置において、ラビング処理等を必要とせず、且つ、画素内に発生するディスクリネーションを低減する。【解決手段】  電気光学装置は、一対の第１及び第２基板間に誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層が挟持されたホメオトロピック配向モードであり、第１基板に、(i)画素アレイ領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線とを備え、相互に隣接する２ｎ（ｎは自然数）本の走査線を一組として、該一組に対応する画素電極毎に供給される画像信号の電位の極性が基準電位に対して反転するように駆動される。【選択図】  図１１
2007003981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１及び第２基板間に誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層が挟持されたホメオトロピック配向モードの電気光学装置であって、
前記第１基板に、(i)画素アレイ領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線とを備え、
相互に隣接する２ｎ（ｎは自然数）本の前記走査線を一組として、該一組に対応する画素電極毎に供給される前記画像信号の電位の極性が基準電位に対して反転するように駆動される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画像信号の電位の極性が１フィールド期間毎に前記基準電位に対して反転して駆動するように、前記データ線に前記画像信号を供給する駆動部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
（ｋ＋１）番目（ｋは、自然数）のフィールド期間に、ｋ番目のフィールド期間の前記一組の前記走査線のうち、少なくとも１本の前記走査線分だけシフトした２ｎ本の前記走査線を新たな組として、前記一組の前記走査線に対応する前記画素電極に供給された前記画像信号の電位の極性とは基準信号に対して反転して駆動するように、前記走査線に走査信号を供給しつつ前記データ線に前記画像信号を供給することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
（ｋ＋１）番目（ｋは、自然数）のフィールド期間に、ｋ番目のフィールド期間の前記一組とされた２ｎ本の前記走査線のうち、ｎ本の前記走査線分だけシフトした２ｎ本の前記走査線を新たな組として、前記一組に前記走査線に対応する前記画素電極に供給された前記画像信号の電位の極性とは基準信号に対して反転して駆動するように、前記走査線に走査信号を供給しつつ前記データ線に前記画像信号を供給することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２基板に、（i）前記複数の画素電極に対向すると共に、前記走査線の方向に延在する帯状の複数の対向電極と、（ii）前記複数の対向電極同士の間に位置すると共に、前記一組の前記走査線のうち中央に位置する２本の前記走査線に対応する前記複数の画素電極間に対向する領域に位置する第１補助電極とを備え、
前記第１補助電極に対し、前記間隙に隣接する前記画素電極に供給された前記画像信号と前記基準信号に対して同極性の第１電位信号を供給し、
該第１電位信号の電位の前記基準電位に対する振幅は、前記画素電極の電位の前記基準電位に対する振幅よりも大きい
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
１フィールド期間毎に、前記一組の前記走査線のうち前記間隙によって２つに分割される一方のｎ本の前記走査線の組、前記第１補助電極、及び、前記分割される他方のｎ本の前記走査線の組の順に極性が反転するように駆動することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２基板に、ｎ本の前記走査線毎に、前記画素電極間の前記走査線方向の間隙に対応して設けられた複数の第２補助電極を更に備え、
前記第２補助電極に対し、対応する前記間隙の両側の前記複数の画素電極に供給された前記画像信号の極性が同じ場合には、前記画像信号と同じ極性を有する第２電位信号を供給し、異なる場合には、中間電位信号を供給し、
該第２電位信号の電位の前記基準電位に対する振幅は、前記画素電極の電位の前記基準電位に対する振幅よりも大きい
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項８】
１フィールド期間毎に、前記一組の前記走査線のうち前記間隙によって２つに分割される一方のｎ本の前記走査線の組、前記２つに分割する前記間隙に対応する前記第２補助電極、前記分割される他方のｎ本の前記走査線の組、及び、前記一組に隣接する間隙に対応する前記第２補助電極の順に極性が反転するように駆動することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１０】
一対の第１及び第２基板間に誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層が挟持されたホメオトロピック配向モードの電気光学装置であって、前記第１基板に、(i)画素アレイ領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線とを備える電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、
相互に隣接する２ｎ（ｎは自然数）本の前記走査線を一組として、該一組毎に対応する画素電極毎に供給される前記画像信号の電位の極性を反転させる
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置及びその駆動方法並びに電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶表示装置では、例えばＴＮ（Twisted Nematic）液晶、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等が用いられ、配向膜近傍の液晶分子にプレチルト或いは初期配向を与える必要がある。このようなプレチルトは、一般的にはラビング処理によって与えられるが、配向膜をラビングする際にラビング筋等の欠陥が生じやすく、表示画像の劣化を招くことになる。このため、ＭＶＡ（multi-domainverical alignment）、ＡＳＶ（Advanced Super View）、ＰＶＡ（Patterned Vertical Alignment）等のラビング処理を用いない方式が提案されている。これらの方式は、リブと呼ばれる突起物を基板に設けることによってプレチルトを与えたり、液晶に電界を斜めに印加したりすることによって液晶分子にプレチルトを与えるものである。例えば特許文献１では、対向電極に開口部を設け、開口部が形成された領域周辺の液晶に対する対向電極の影響を小さくすることで液晶分子にプレチルトを与えている。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３０１０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、これらの方式では、同一画素内で、液晶分子が異なる方向に配向する現象（以下「ディスクリネーション」という。）が生じてしまうおそれがある。このようなディスクリネーションが生じると画素における透過率が低下し、十分なコントラストが得られないという技術的な問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、ラビング処理等を必要とせず、且つ、画素内に発生するディスクリネーションを低減できる電気光学装置及びその駆動方法、並びにそのような電気光学装置を具備してなる各種電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層が挟持されたホメオトロピック配向モードの電気光学装置であって、前記第１基板に、(i)画素アレイ領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線とを備え、相互に隣接する２ｎ（ｎは自然数）本の前記走査線を一組として、該一組に対応する画素電極毎に供給される前記画像信号の電位の極性が基準電位に対して反転するように駆動される。
【０００７】
本発明の電気光学装置によれば、その駆動時には、ビデオデッキやパーソナルコンピュータ等からソース信号が供給される。そして、次のように駆動が行われる。
【０００８】
例えば駆動部は、例えば、１フィールド期間で、画素アレイ領域を垂直走査するように、画像信号を生成する。尚、「フィールド期間」とは、例えば１／３０秒（即ち、画像信号のフィールド周波数が３０ヘルツの場合）、１／６０秒（即ち、画像信号のフィールド周波数が６０ヘルツの場合）など、画像信号の種類毎に定められている。また、駆動部は、画像信号の電位を、基準電位に対して正極性及び負極性の電圧のいずれかに夫々調整しつつ生成する。具体的には、２ｎ本（ｎは自然数）本の走査線を走査する期間、即ち２ｎライン期間毎に、これらの極性を基準電位に対して反転させる。言い換えれば、例えば２ｎ本の走査線に接続されたスイッチング素子に対応する複数の画素電極からなると共に走査線に沿って延びる第１の画素電極群の各々に対しては、いずれの時刻においても、相互に同極性の電圧を有する画像信号が供給される。逆に、第１の画素電極群に挟まれる形で走査線に沿って延びる、第２の画素電極群の各々に対しては、いずれの時刻においても、相互に同極性の電圧の画像信号が供給されるが、第１の画素電極群とは相補の極性の電圧を有する画像信号が供給される。駆動部は、２ｎライン期間に、水平同期信号に基づくタイミングで走査信号を生成し、画素アレイ領域に、線順次に走査信号を出力する。尚、この際における線順次の順番は、端から順に（例えば、上端から下端へ向かって順に又はその逆に下端から上端に向かって順に）であることが、典型的であるが、それ以外の任意の順番でもかまわない。
【０００９】
例えば、駆動部から供給された画像信号が、画素アレイ領域において走査信号が供給されている走査線に対応するスイッチング素子にデータ線を介して供給される。これらのスイッチング素子に電気的に接続された画素電極には、例えば、走査線より走査信号が供給されて薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、”ＴＦＴ”と称する）等のスイッチング素子がオン状態とされることにより、スイッチング素子を介して対応するデータ線より画像信号が供給される。このため、誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層の電気光学物質を狭持する画素電極と対向電極との間に画像信号に基づいて電圧が印加され、画素電極と対向電極との間に縦電界、即ち、基板面に垂直である縦方向の電界が発生する。この縦電界によって、画素毎に液晶層が駆動され（即ち、液晶分子が駆動され）、画像表示が行われる。ここで、本発明に係る液晶分子の誘電率異方性は負であり、上述した駆動時には縦電界に交わるように、言い換えれば、等電位線に沿うように配向する性質を有する。本発明に係る電気光学装置は、ホメオトロピック配向モードであり、駆動していないとき、即ち基板間に電圧が印加されていないときには、基板面に対して液晶分子がほぼ垂直に配向する。このとき液晶分子は光を透過しない、即ちノーマリーブラックモードである。
【００１０】
ここで特に、例えば少なくとも画素アレイ領域の一部である部分領域について、液晶層を、相互に隣接する２ｎ本の走査線を一組として、該一組に対応する画素電極毎に供給される画像信号の電位の極性が、基準信号に対して反転するように駆動される。このように駆動されるので、仮にこのように２ｎ本の走査線を一組にしなかった場合、即ち、１ライン反転駆動方式の場合に生ずる、走査線毎に極性が異なるために生ずる比較的高密度の横電界に起因して画素部の中心付近の液晶分子が異なる方向を向いてしまう現象、即ちディスクリネーション或いはリバースチルトを低減できる。より具体的には、本発明の電気光学装置によれば、２ｎ本の走査線を一組として駆動しているので、一組毎に極性が異なるために生ずる横電界に起因して組毎の中心付近にディスクリネーションが発生しうるが、組毎の中心付近は、画素電極間の間隙に対応する領域であり、画像表示に殆ど影響を与えない領域である。よって、画素内にディスクリネーションが発生することを防止し、画素内の液晶分子の配向を揃えることができる。尚、画素電極間に生じるディスクリネーションについては、通常ブラックマトリックスと呼ばれる遮光膜によって遮光されるので、画像表示に影響を与えることはない。
【００１１】
更に、本発明の電気光学装置によれば、上述のように駆動されるため、プレチルトが不要、即ちラビング処理等が不要である。よって、歩留まりの改善、工程の簡略化が可能となる。
【００１２】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、ラビング処理等を行う必要がなく、且つ、画素内で発生するディスクリネーションを低減できる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画像信号の電位の極性が１フィールド期間毎に前記基準電位に対して反転して駆動するように、前記データ線に前記画像信号を供給する駆動部を備える。
【００１４】
この態様によれば、液晶層は、走査線の一組毎に供給される画像信号の極性を１フィールド期間毎に基準電位に対して反転して駆動される。よって、画像信号を取り除いても画像が残ってしまう現象、即ち焼き付きが生じることを防止できる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、（ｋ＋１）番目（ｋは、自然数）のフィールド期間に、ｋ番目のフィールド期間の前記一組の前記走査線のうち、少なくとも１本の前記走査線分だけシフトした２ｎ本の前記走査線を新たな組として、前記一組の前記走査線に対応する前記画素電極に供給された前記画像信号の電位の極性とは基準信号に対して反転して駆動するように、前記走査線に走査信号を供給しつつ前記データ線に前記画像信号を供給する。
【００１６】
この態様によれば、２ｎ本の走査線の一組は固定されていないので、例えば、これらの組間の境界に沿って画像表示に筋が見えてしまうなど、２ｎ本の走査線の組の特徴を反映した画像表示への影響を低減或いは無くすことができる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記駆動部は、前記液晶層を、（ｋ＋１）番目（ｋは、自然数）のフィールド期間に、ｋ番目のフィールド期間の前記一組とされた２ｎ本の前記走査線のうち、ｎ本の前記走査線分だけシフトした２ｎ本の前記走査線を新たな組として、前記一組に前記走査線に供給された前記画像信号の極性とは基準信号に対して反転して駆動するように、前記走査線に前記走査信号を供給しつつ前記データ線に前記画像信号を供給する。
【００１８】
この態様によれば、２ｎ本の走査線の一組は固定されていないので、例えば、これらの組間の境界に沿って画像表示に筋が見えてしまうなど、２ｎ本の走査線の組の特徴を反映した画像表示への影響を低減或いは無くすことができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２基板に、（i）前記複数の画素電極に対向すると共に、前記走査線の方向に延在する帯状の複数の対向電極と、（ii）前記複数の対向電極同士の間に位置すると共に、前記一組の前記走査線のうち中央に位置する２本の前記走査線に対応する前記複数の画素電極間に対向する領域に位置する第１補助電極とを備え、前記第１補助電極に対し、前記間隙に隣接する前記画素電極に供給された前記画像信号と前記基準信号に対して同極性の第１電位信号を供給し、該第１電位信号の電位の前記基準電位に対する振幅は、前記画素電極の電位の前記基準電位に対する振幅よりも大きい。
【００２０】
この態様によれば、ディスクリネーションが発生するとしても、その発生する位置を確実に画素電極間とすることができる。言い換えれば、画素内にディスクリネーションが発生することを確実に防止することができる。
【００２１】
上述した第１補助電極を備える態様では、１フィールド期間毎に、前記一組の前記走査線のうち前記間隙によって２つに分割される一方のｎ本の前記走査線の組、前記第１補助電極、及び、前記分割される他方のｎ本の前記走査線の組の順に極性が反転するように駆動してもよい。
【００２２】
このように駆動すれば、１フィールド期間毎の反転駆動時における、例えば、第１補助電極に供給された第１電位信号の極性が、対応する画素電極に供給された画像信号の極性と異なることに起因するディスクリネーションの発生を防止することができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２基板に、ｎ本の前記走査線毎に、前記画素電極間の前記走査線方向の間隙に対応して設けられた複数の第２補助電極を更に備え、前記第２補助電極に対し、対応する前記間隙の両側の前記複数の画素電極に供給された前記画像信号の極性が同じ場合には、前記画像信号と同じ極性を有する第２電位信号を供給し、異なる場合には、中間電位信号を供給し、該第２電位信号の電位の前記基準電位に対する振幅は、前記画素電極の電位の前記基準電位に対する振幅よりも大きい。
【００２４】
この態様によれば、２ｎ本の走査線の組を１フィールド期間毎にｎ本分だけシフトした２ｎ本の走査線を新たな組として、反転した極性を有する画像信号を供給するようにすることができる。よって、２ｎ本の走査線の一組は固定されていないので、例えば、これらの組間の境界に沿って画像表示に筋が見えてしまうなど、２ｎ本の走査線の組の特徴を反映した画像表示への影響を低減或いは無くすことができる。尚、中間電位信号は、基準信号と殆ど或いは完全に同じ電位を有する電位信号を意味する。
【００２５】
上述した第２補助電極を更に備える態様では、１フィールド期間毎に、前記一組の前記走査線のうち前記間隙によって２つに分割される一方のｎ本の前記走査線の組、前記２つに分割する前記間隙に対応する前記第２補助電極、前記分割される他方のｎ本の前記走査線の組、及び、前記一組に隣接する間隙に対応する前記第２補助電極の順に極性が反転するように駆動してもよい。
【００２６】
このように駆動すれば、１フィールド期間毎の反転駆動時における、例えば、第２補助電極に供給された第２電位信号の極性が、対応する画素電極に供給された画像信号の極性と異なることに起因するディスクリネーションの発生を防止することができる。
【００２７】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００２８】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００２９】
本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えるので、画素内で発生するディスクリネーションを低減できる。従って、高品位な画像表示が可能となる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層が挟持されたホメオトロピック配向モードの電気光学装置であって、前記第１基板に、(i)画素アレイ領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線とを備える電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、相互に隣接する２ｎ（ｎは自然数）本の前記走査線を一組として、該一組毎に対応する画素電極毎に供給される前記画像信号の電位の極性を反転させる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の駆動方法によれば、上述した本発明の電気光学装置の場合と同様に、相互に隣接する２ｎ（ｎは自然数）本の走査線を一組として、該一組毎に対応する画素電極毎に供給される画像信号の電位の極性を反転するように駆動するので、ラビング処理等を行う必要がなく、且つ、画素内で発生するディスクリネーションを低減できる。
【００３２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置を、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３４】
（第１実施形態）
第１実施形態の液晶装置について、図１から図１３を参照して説明する。
【００３５】
先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態の液晶装置の液晶パネルの全体構成について、説明する。ここに図１は、本実施形態の液晶装置の液晶パネルの構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線での断面図である。
【００３６】
図１及び図２において、本実施形態の液晶装置おける液晶パネル１００では、本発明に係る「第１基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と本発明に係る「第２基板」の一例としての対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素アレイ領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３７】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路１０１ｂが額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。
【００４０】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４１】
次に、図３を参照して、液晶装置の電気的な全体構成について説明する。ここに図３は、液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【００４２】
図３に示すように、液晶装置は、主要部として、液晶パネル１００、画像信号供給回路５０３、タイミング制御回路５０４、フレームメモリ６１、表示データ生成回路５０２、並びに電源回路７００を備える。
【００４３】
表示データ生成回路５０２は、例えばビデオデッキやパーソナルコンピュータ等から供給されるソース信号ＤＡＴＡに基づいて、水平同期信号Ｈｓ及び垂直同期信号Ｖｓ、ドットクロックＤＣＬＫ、並びに表示データＤ０を生成する。
【００４４】
タイミング制御回路５０４は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路５０４は、表示データ生成回路５０２から供給される水平同期信号Ｈｓ、垂直同期信号Ｖｓ及びドットクロックＤＣＬＫに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。更に、タイミング制御回路５０４において、走査信号の出力タイミングを決定するイネーブル信号ＥＮＢが生成される。
【００４５】
画像信号供給回路５０３には、表示データ生成回路５０２から水平同期信号Ｈｓ、垂直同期信号Ｖｓ、ドットクロックＤＣＬＫ、及び表示データＤ０が供給される。画像信号供給回路５０３は、表示データＤ０に基づいて、フィールドデータを生成し、後述するように一の走査線に対して走査信号が供給される周期で、生成したフィールドデータをフレームメモリ６１に一時期的に蓄えると共に、他方からは蓄積したフィールドデータを読み出す。尚、フィールドデータには、一画面を表示するための表示データが含まれている。
【００４６】
そして、画像信号供給回路５０３は、読み出したフィールドデータに対して所定の処理を行う。この所定の処理の一例として、画像信号供給回路５０３では、例えばフィールドデータをシリアル−パラレル変換して、即ち相展開して、Ｎ相、例えば６相（Ｎ＝６）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を生成することがある。更に、画像信号供給回路５０３は、生成した画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、・・・、６）の電圧を、所定の基準電位ｖ０に対して正極性及び負極性に反転した後、画像信号ＶＩＤｋを出力する。
【００４７】
また、電源回路７００は、所定の共通電位ＬＣＣの共通電源を、図２に示す対向電極２１に供給する。対向電極２１は、図２に示す対向基板２０の下側に、複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。
【００４８】
次に、図２及び図４を参照して、液晶パネル１００における電気的な構成について説明する。ここに図４は、液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。
【００４９】
図２に示すように、液晶パネル１００には、そのＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域に、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１を含む内部駆動回路が設けられている。
【００５０】
図４において、走査線駆動回路１０４は、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給されることによって、基本的な線順次の水平走査が可能となっている。更に、走査線駆動回路１０４は、供給されたイネーブル信号ＥＮＢに基づくタイミングで、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｙを出力する。
【００５１】
データ線駆動回路１０１の主要部には、サンプリング信号供給回路１０１ａ、及びサンプリング回路１０１ｂが含まれる。サンプリング信号供給回路１０１ａには、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。サンプリング信号供給回路１０１ａは、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｘを順次生成して出力する。
【００５２】
サンプリング回路１０１ｂは、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ２０２を複数備える。
【００５３】
液晶パネル１００は更に、そのＴＦＴアレイ基板の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線６ａ及び走査線１１ａを備え、それらの交点に対応する各画素部７７に、マトリクス状に配列された液晶素子１１８の画素電極９ａ及び画素電極９ａをスイッチング制御するための、本発明に係る「スイッチング素子」の一例としてのＴＦＴ３０を備える。
【００５４】
尚、本実施形態では特に、走査線１１ａの総本数をｙ本（但し、ｙは２以上の自然数）とし、データ線６ａの総本数をｘ本（但し、ｘは２以上の自然数）として説明する。
【００５５】
前述したように、例えば、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は夫々、画像信号線１７１を介して液晶パネル１００に供給される。
【００５６】
サンプリング回路１０１ｂにおいて、６個のサンプリングスイッチ２０２を１群とし、１群に属するサンプリングスイッチ２０２には夫々、サンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｘ）が入力される。１群に属するサンプリングスイッチ２０２は、６本のデータ線６ａを１群とし、１群に属するデータ線６ａに対し、サンプリング信号Ｓｉに応じて、画像信号ＶＩＤｋをサンプリングして供給する。即ち、１群に属するサンプリングスイッチ２０２を介して、１群に属するデータ線６ａと画像信号線１７１が電気的に接続される。従って、ｘ本のデータ線６ａを１群に属するデータ線６ａ毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。
【００５７】
図４中、一つの画素部７７の構成に着目すれば、ＴＦＴ３０のソース電極には、画像信号ＶＩＤｋが供給されるデータ線６ａが電気的に接続されている一方、ＴＦＴ３０のゲート電極には、走査信号Ｇｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｙ）が供給される走査線１１ａが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン電極には、液晶素子１１８の画素電極９ａが接続されている。ここで、各画素部７７において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。従って、各画素部７７は、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
【００５８】
液晶素子１１８の画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。本実施形態では特に、液晶分子の誘電率異方性は負であり、電圧が印加された際、電界に交わるように、言い換えれば、等電位線に沿うように配向する。また、本実施形態の電気光学装置は、ホメオトロピック配向モードであり、電圧が印加されていないときには、基板面に対して液晶分子がほぼ垂直に配向する。このとき液晶分子は光を透過しない、即ちノーマリーブラックモードである。従って、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶パネル１００からは画像信号ＶＩＤｋに応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５９】
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量７０が、液晶素子１１８と並列に付加されている。例えば、画素電極１１８の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００６０】
次に、図５から図７を参照して、画素部における具体的な構成について説明する。ここに図５及び図６は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５及び図６は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図５）と上層部分（図６）とを分かって図示している。図７は、図５及び図６を重ね合わせた場合のＡ−Ａ’断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６１】
先ず、図６において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、また、図５及び図６に示すように、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図５中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ’に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００６２】
次に、電気光学装置は、図５及び図６のＡ−Ａ’線断面図たる図７に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００６３】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図７に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６４】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態でＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の基板面に対してほぼ垂直の配向状態をとる。
【００６５】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図７に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。尚、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図５に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図６に図示されている。
【００６６】
（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図５のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図５のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図５のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００６７】
（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図７に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６８】
また、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図５に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００６９】
尚、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図７に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００７０】
（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００７１】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図５によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００７２】
また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００７３】
（積層構造・第３層の構成―蓄積容量等―）
さて、上述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００７４】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。但し、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。
【００７５】
容量電極３００は、後述する容量配線４００と電気的に接続され、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００７６】
誘電体膜７５は、図７に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。誘電体膜７５は、図７に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【００７７】
尚、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。
【００７８】
（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７９】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００８０】
（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
さて、前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図７に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図７における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図７における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図７における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【００８１】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図６に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００８２】
ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。
【００８３】
（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。更に、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【００８４】
（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
さて、前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。この容量配線４００は、平面的にみると、図６に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、交流電源部７１０と電気的に接続されることで、後述するように電位が変化する。
【００８５】
また、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。尚、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００８６】
他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【００８７】
（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００８８】
（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【００８９】
次に、図３、図４及び図８を参照して、液晶装置の駆動方法について説明する。ここに図８は、画像信号供給回路における画像信号の生成について説明するための説明図である。
【００９０】
この液晶装置によれば、その駆動時には、図３を参照して上述したようにビデオデッキやパーソナルコンピュータ等からソース信号ＤＡＴＡが供給される。そして、水平同期信号Ｈｓ及び垂直同期信号Ｖｓ並びに表示データＤ０に基づいて、液晶装置の画像表示領域１０ａにおいて、次のような方式の極性反転駆動が行われる。
【００９１】
図３及び図４において、本発明に係る「駆動部」の一例としての画像信号供給回路５０３は、１フィールド期間で、画像表示領域１０ａを垂直走査するように、画像信号ＶＩＤｋを生成する。また、画像信号供給回路５０３は、画像信号ＶＩＤｋを、基準電位ｖ０に対して正極性及び負極性の電圧のいずれかに夫々調整しつつ生成する。例えば、２ライン期間（即ち２本の走査線を走査する期間）毎及び１フィールド期間（即ち全ての走査線を走査し終える期間）毎に、これらの極性を基準電位ｖ０に対して反転させる。このため、直流電圧成分を液晶層５０に印加することによる液晶層５０の劣化を防止でき、画像信号を取り除いても画像が残ってしまう現象、即ち焼き付きが生じることを防止できる。また、例えば伝統的なフィールド反転駆動の際に見られるようなフィールド周波数の二分の一の周波数で発生するフリッカを低減することも可能である。画像信号供給回路５０３は、１フィールド期間に、水平同期信号Ｈｓに基づくタイミングで走査信号Ｇｊを生成し、画像表示領域１０ａに、線順次に走査信号を出力する。尚、この際における線順次の順番は、端から順に（例えば、上端から下端へ向かって順に又はその逆に下端から上端に向かって順に）であることが、典型的であるが、それ以外の任意の順番でもかまわない。
【００９２】
画像信号供給回路５０３から供給された画像信号ＶＩＤｋが、画像表示領域１０ａにおいて走査信号Ｇｊが供給されている走査線１１ａに対応するＴＦＴ３０にデータ線６ａを介して供給される。これらのＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａには、走査線１１ａより走査信号Ｇｊが供給されてＴＦＴ３０がオン状態とされることにより、ＴＦＴ３０を介して対応するデータ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが供給される。このため、液晶層５０を狭持する画素電極９ａと対向電極２１との間に画像信号ＶＩＤｋに基づいて電圧が印加され、画素電極９ａと対向電極２１との間に縦電界、即ち、基板面に垂直である縦方向の電界が発生する。この縦電界によって、画素毎に液晶層５０が駆動され、画像表示が行われる。
【００９３】
以上のような駆動方式では、例えば、図８に示すように、２ライン期間毎及び１フィールド期間毎に、画像信号ＶＩＤｋの極性が基準電位ｖ０に対して反転され、複数の画素電極９ａは、正フィールド或いは負フィールドに駆動される。即ち、２ライン１フィールド反転駆動方式の駆動が行われる。ここに図８には、正極性の画像信号ＶＩＤｋを画像信号Ａとし、負極性の画像信号ＶＩＤｋを画像信号Ｂとして示してある。
【００９４】
次に、図９を参照して、複数の画素電極の画像表示領域内における極性の分布について説明する。ここに図９は、複数の画素電極の画像表示領域内における極性の分布を示す分布図である。
【００９５】
図９に示すように、上述のような２ライン１フィールド反転駆動方式の駆動が行われると、任意の時刻において、２本の走査線毎に画素電極９ａの極性が異なることになる。即ち、２本の走査線に接続された画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図４参照）に対応する複数の画素電極９ａからなると共に走査線１１ａ（図４参照）に沿って延びる第１の画素電極群Ｇｒ１の各々に対しては、いずれの時刻においても、相互に同極性（即ち、図９においては「＋」で示す正極性）の電圧を有する画像信号ＶＩＤｋが供給される。逆に、第１の画素電極群Ｇｒ１に挟まれる形で走査線１１ａに沿って延びる、第２の画素電極群Ｇｒ２の各々に対しては、いずれの時刻においても、相互に同極性の電圧の画像信号が供給されるが、第１の画素電極群とは相補の極性（即ち、図９においては「＋」で示す正極性）の電圧を有する画像信号が供給される。ここに図９には、画素電極９ａに正極性の画像信号ＶＩＤｋが供給されていることを「＋」で示し、負極性の画像信号ＶＩＤｋが供給されていることを「−」で示してある。
【００９６】
次に、図１０及び図１１を参照して、液晶分子の配向状態について説明する。ここに図１０は、初期状態における液晶分子の配向状態を示す説明図であり、図１のＢ−Ｂ’断面図に相当するものである。図１１は、電圧印加時における液晶分子の配向状態を示す説明図であり、図１のＢ−Ｂ’断面図に相当するものである。尚、図１０及び図１１において、図５から図７に示した構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。また、第４層間絶縁膜４４より下層の構成については図示を省略してある。
【００９７】
図１０において、液晶層５０中の複数の”白棒”は夫々、液晶分子の配向方向ＤＲ１を示している。本実施形態の液晶装置は、ホメオトロピック配向モードであり、駆動していないとき、即ち画素電極９ａ及び対向電極２１間に電圧が印加されていないときには、基板面に対して液晶分子がほぼ垂直に配向する。液晶層５０は、ノーマリーブラックモードであり、電圧が印加されていない状態で、入射光に対する透過率は最小となり、液晶パネル１００はブラック（黒色）を示す。
【００９８】
図１１において、液晶層中の複数の”白棒”は夫々、液晶分子の配向方向ＤＲ２を示している。本実施形態では特に、上述したように２本の走査線１１ａを一組として駆動しているので、一組毎に極性が異なる。即ち、ある時刻においては、第１の画素電極群Ｇｒ１の画素電極９ａは正極性であり、第２の画素電極群Ｇｒ２の画素電極９ａは負極性である。このように駆動されるので、仮にこのように２本の走査線を一組にしなかった場合、即ち、例えば１ライン反転駆動方式の場合に生ずる、走査線毎に極性が異なるために生ずる比較的高密度の横電界に起因して画素部７７の中心付近の液晶分子が異なる方向を向いてしまう現象、即ちディスクリネーション或いはリバースチルトの発生を防止することができる。より具体的には、本実施形態の液晶装置では、その駆動時に、第１の画素電極群Ｇｒ１及び第２の画素電極群Ｇｒ２間には比較的高密度の横電界（図１１中、左右方向の電界）が生じる。ここで、図１１において、等電位線Ｌ１を点線で示してある。このような横電界を反映した等電位線Ｌ１に沿うように、液晶分子は配向方向ＤＲ２に夫々配向する。横電界の方向は、画素電極群を構成する２本の走査線毎に対して異なるので、２本の走査線の組毎の中心付近（即ち、図１１中、円Ｃ１参照）にディスクリネーションが発生し得る。しかし、組毎の中心付近は、画素電極９ａ間の間隙に対応する領域であり、画像表示に殆ど影響を与えない領域である。よって、画素内にディスクリネーションが発生することを防止し、画素内の液晶分子の配向を揃えることができる。尚、画素電極９ａ間に生じるディスクリネーションについては、本実施形態では、遮光膜２３によって遮光されるので、画像表示に殆ど好ましくは全く影響を与えることはない。
【００９９】
次に、図１２及び図１３を参照して、本実施形態の液晶装置の駆動方法について更に説明する。ここに図１２は、本実施形態に係る画素電極の極性の変化を示す説明図である。図１３は、変形例における図１２と同趣旨の説明図である。
【０１００】
図１２は、本実施形態における、各ライン（即ち各走査線１１ａ毎の画素電極９ａ）の、１フィールド期間毎（即ち、フィールド期間ｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ４、・・・毎）の極性の変化を示している。上述したように本実施形態では、２本の走査線１１ａの組毎に極性が反転される。即ち、図１２に示すように、例えば１ライン目及び２ライン目の２本の走査線が一組となって、１フィールド期間毎に極性が反転している（図１２中、「＋」で示す正極性及び「−」で示す負極性の画像信号が交互に供給されている。）。
【０１０１】
図１３に変形例として示すように、画像信号供給回路５０３は、液晶層５０を、例えば、ｆ２フィールド期間に、ｆ１フィールド期間の一組の走査線のうち、１本の走査線分だけシフトした２本の走査線を新たな組として、一組の走査線に供給された前記画像信号の極性とは基準信号に対して反転して駆動するように、走査線に前記走査信号を供給しつつデータ線に画像信号を供給してもよい。このようにすれば、２本の走査線の一組は固定されていないので、例えば、これらの組間の境界に沿って画像表示に筋が見えてしまうなど、２本の走査線の組の特徴を反映した画像表示への影響を低減或いは無くすことができる。尚、２ｎ本（ｎは自然数）の走査線を一組とする場合には、シフトする走査線の本数は１本に限られず、２本以上であってもよい。
【０１０２】
尚、画像信号ＶＩＤｋの電位が基準電位ｖ０に対して正極性及び負極性の電位となるように駆動する際に、対向電極の電位は一定である必要はない。即ち、対向電極の電位を所定の周期で変動させることで、上述の極性反転が行われるようにしてもよい。
【０１０３】
（第２実施形態）
次に、図１４から図１６を参照して、第２実施形態の液晶装置について説明する。
【０１０４】
先ず、図１４及び図１５を参照して、第２実施形態の液晶装置の構成及びその駆動方法について説明する。ここに図１４は、複数の画素電極、第１補助電極及び対向電極の画像表示領域内における配置及び極性の分布を示す説明図である。図１５は、第２実施形態における図１１と同趣旨の説明図である。尚、図１４及び図１５において、図１から図１３に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１０５】
図１４及び図１５において、第２実施形態の液晶装置は、上述した第１実施形態の液晶装置の構成に加えて、対向基板２０に第１補助電極６２を備えている。図１４に示すように、第１補助電極６２は、同極性となる２本の走査線に夫々電気的に接続された複数の画素電極９ａ間の、走査線１１ａに沿った間隙に対応する領域に形成されている。
【０１０６】
第２実施形態の液晶装置の駆動時には、第１補助電極６２に対し、該第１補助電極６２に隣接する画素電極９ａに供給された画像信号と基準信号に対して同極性の第１電位信号が、図３に示した画像信号供給回路５０３によって供給される。即ち、図１４中「＋」で示された正極性の画像信号が供給された画素電極９ａ間に位置することとなる第１補助電極６２ａには正極性の第１電位信号が供給され、図１４中「−」で示された負極性の画像信号が供給された画素電極９ａ間に位置することとなる第１補助電極６２ａには負極性の第１電位信号が供給される。ここで、本実施形態では、基準信号の電位は５Ｖ、正極性の画像信号の電位は５〜１０Ｖ、負極性の画像信号の電位は０Ｖ〜５Ｖ、正極性の第１電位信号の電位は１０Ｖ、及び、負極性の第１電位信号の電位は０Ｖとしている。
【０１０７】
図１５に示すように、第１補助電極６２に対し、上述したように正極性又は負極性の第１電位信号が供給されるので、等電位線Ｌ２は、第１補助電極６２が設けられた間隙付近において、対向基板２０に対して交わる方向に生じることになる。液晶分子は、等電位線Ｌ２に沿って配向方向ＤＲ３に夫々配向するので、ディスクリネーションの発生する位置を確実に画素電極９ａ間とすることができる。言い換えれば、画素内にディスクリネーションが発生することを確実に防止することができる。特に、隣接する逆極性の画素電極の電位の影響を受けて、画素電極の端付近でディスクリネーションが発生してしまうことを防止することができる。
【０１０８】
次に、図１６を参照して、本実施形態の液晶装置の駆動方法について更に説明する。ここに図１６は、第２実施形態に係る画素電極及び第１補助電極についての図１２と同趣旨の説明図である。尚、図１６において、図１２に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１０９】
図１６は、本実施形態における、各ライン（即ち各走査線１１ａ毎の画素電極９ａ）及び第１補助電極の、１フィールド期間毎（即ち、フィールド期間ｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ４、・・・毎）の極性の変化を示している。本実施形態では、１フィールド期間毎に、２本の走査線１１ａの組毎に対応する画素電極の電位の基準電位に対する極性が反転されると共にその２本の組に対応した第１補助電極６２に供給される第１電位信号の極性も反転される。このとき、第１電位信号の電位の基準電位ｖ０に対する振幅は、画素電極の電位の基準電位ｖ０に対する振幅よりも大きくなっている。即ち、上述したように、本実施形態では、基準電位ｖ０（即ち、共通電位ＬＣＣ）は５Ｖ、正極性の画像信号の電位は５〜１０Ｖ、負極性の画像信号の電位は０Ｖ〜５Ｖ、正極性の第１電位信号の電位は１０Ｖ、及び、負極性の第１電位信号の電位は０Ｖとしている。このような振幅の電位を有する第１電位信号を第１補助電極６２に供給することにより、ディスクリネーションの発生する画素内に発生することを一層確実に防止することができる。尚、本実施形態では、正極性の第１電位信号の電位を１０Ｖよりも高く、及び、負極性の第１電位信号の電位を０Ｖよりも低くしても、もちろんよい。
【０１１０】
更に、本実施形態では特に、第１補助電極６２及び対応する２本の走査線１１ａの組については、その組の１本目の走査線１１ａ、第１補助電極６２及び２本目の走査線１１ａの順に極性が反転するように駆動されている。即ち、例えば、図１６において、１ライン目、第１補助電極、２ライン目、３ライン目、・・・の順に極性が反転するように駆動されている。このように駆動されているので、１フィールド期間毎の反転駆動時における、例えば、第１補助電極６２に供給された第１電位信号の極性が、対応する画素電極９ａに供給された画像信号の極性と異なることに起因するディスクリネーションの発生を防止することができる。
【０１１１】
尚、第１補助電極６２に供給される第１電位信号の極性が反転されるタイミングは、対応する組の走査線１１ａのうち１本目の極性が反転されてから２本目の極性が反転されるまでの間であればよい。また、２本の走査線１１ａの組の極性を同時に反転できるマルチライン駆動の場合には、対応する第１補助電極６２の極性も同時に反転すればよい。
【０１１２】
以上説明したように、第２実施形態の液晶装置によれば、第１補助電極６２を更に備えるので、ディスクリネーションが画素内に発生することを一層確実に防止することができる。
【０１１３】
尚、画像信号ＶＩＤｋの電位が基準電位に対して正極性及び負極性の電位となるように駆動する際に、対向電極の電位は一定である必要はない。即ち、対向電極の電位を所定の周期で変動させることで、上述の極性反転が行われるようにしてもよい。
（第３実施形態）
次に、図１７から図２０を参照して、第３実施形態の液晶装置について説明する。
【０１１４】
先ず、図１７及び図１８を参照して、第３実施形態の液晶装置の構成及びその駆動方法について説明する。ここに図１７は、複数の画素電極、第２補助電極及び対向電極の画像表示領域内における配置及び極性の分布を示す説明図である。図１８は、第３実施形態における図１１と同趣旨の説明図である。尚、図１７及び図１８において、図１から図１３に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１１５】
図１７及び図１８において、第３実施形態の液晶装置は、上述した第１実施形態の液晶装置の構成に加えて、対向基板２０に第２補助電極６３を備えている。図１７に示すように、第２補助電極６３は、１本の走査線１１ａ毎に、画素電極９ａ間の走査線１１ａに沿った間隙に対応して設けられている。
【０１１６】
第３実施形態の液晶装置の駆動時には、第２補助電極６３に対し、対応する間隙の両側の複数の画素電極９ａに供給された画像信号の極性が同じ場合には、画像信号と同じ極性を有する第２電位信号が、図３に示した画像信号供給回路５０３によって供給される。一方、これらの極性が異なる場合には、中間電位信号が供給される。即ち、図１７中「＋」で示された正極性の画像信号が供給された画素電極９ａ間に位置することとなる第２補助電極６３ａには正極性の第２電位信号が供給され、図１７中「−」で示された負極性の画像信号が供給された画素電極９ａ間に位置することとなる第２補助電極６３ｂには負極性の第２電位信号が供給される。そして、図１７中、「＋」で示された正極性の画像信号が供給された画素電極９ａ及び「−」で示された負極性の画像信号が供給された画素電極９ａ間に位置することとなる第２補助電極６３ｃには、中間電位信号が供給される。ここで、本実施形態では、基準信号の電位（即ち、共通電位ＬＣＣ）は５Ｖ、正極性の画像信号の電位は５〜１０Ｖ、負極性の画像信号の電位は０Ｖ〜５Ｖ、正極性の第２電位信号の電位は１０Ｖ、負極性の第２電位信号の電位は０Ｖ、及び中間電位信号の電位は５Ｖとしている。
【０１１７】
図１８に示すように、第２補助電極６３に対し、上述したように正極性又は負極性の第２電位信号或いは中間電位信号が供給されるので、等電位線Ｌ３は、第２補助電極６３のうち、第２電位信号が供給される第２補助電極６３ａ又は６３ｂが設けられた間隙付近において、対向基板２０に対して交わる方向に生じることになる。よって、液晶分子は、等電位線Ｌ３に沿って配向方向ＤＲ４に夫々配向するので、ディスクリネーションの発生する位置を確実に画素電極９ａ間とすることができる。言い換えれば、画素内にディスクリネーションが発生することを確実に防止することができる。特に、隣接する逆極性の画素電極の電位の影響を受けて、画素電極の端付近でディスクリネーションが発生してしまうことを防止することができる。
【０１１８】
次に、図１９及び図２０を参照して、本実施形態の液晶装置の駆動方法について更に説明する。ここに図１９は、第３実施形態に係る画素電極及び第２補助電極についての図１２と同趣旨の説明図である。図２０は、図１９に対応して、画素電極及び第２補助電極の極性の反転の様子を平面的に示した説明図である。尚、図１９及び図２０において、図１から図１３に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１１９】
図１９は、本実施形態における、各ライン（即ち各走査線１１ａ毎の画素電極９ａ）及び第２補助電極の、１フィールド期間毎（即ち、フィールド期間ｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ４、・・・毎）の極性の変化を示している。図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）は、フィールド期間ｆ１、ｆ２、ｆ３及びｆ４における画素電極９ａ及び第２補助電極の極性の平面的な分布を夫々示している。本実施形態では特に、２本の走査線の組を１フィールド期間毎に１本分だけシフトした２本の走査線１１ａを新たな組として、反転した極性を有する画像信号が供給されている。そして、その新たな組に対応して第２補助電極６３に対して第２電位信号が供給されている。例えば、図１９及び図２０に示すように、フィールド期間ｆ１においては、１ライン目及び２ライン目の走査線が正極性を有する組をなしており、フィールド期間ｆ２においては、２ライン目及び３ライン目の走査線が正極性を有する組をなしている。尚、図１９及び図２０中、画素電極９ａに供給される画像信号の電位が正極性であることを「＋」で示し、負極性であることを「−」で示している。図１９中、第２補助電極６３に供給される第２電位信号の電位が正極性であることを「＋」で示し、負極性であることを「−」で示している。更に第２補助電極６３に中間電位信号が供給されていることを「Ｍ」で示している。
【０１２０】
上述のように、本実施形態では特に、２本の走査線１１ａの組を１フィールド期間毎に１本分だけシフトした２本の走査線１１ａを新たな組として、反転した極性を有する画像信号が供給されている。よって、２本の走査線１１ａの一組は固定されていないので、例えば、これらの組間の境界に沿って画像表示に筋が見えてしまうなど、２本の走査線１１ａの組の特徴を反映した画像表示への影響を低減或いは無くすことができる。
【０１２１】
更に本実施形態では特に、１フィールド期間毎に、２本の走査線１１ａの組毎に極性が反転されると共にその２本の組に対応した第２補助電極６３に供給される第２電位信号の極性も反転される。このとき、第２電位信号の電位の基準電位ｖ０に対する振幅は、画素電極の電位の基準電位ｖ０に対する振幅よりも大きくなっている。即ち、上述したように、本実施形態では、基準信号の電位（即ち、共通電位ＬＣＣ）は５Ｖ、正極性の画像信号の電位は５〜１０Ｖ、負極性の画像信号の電位は０Ｖ〜５Ｖ、正極性の第２電位信号の電位は１０Ｖ、負極性の第２電位信号の電位は０Ｖ、及び中間電位信号の電位は５Ｖとしている。このような振幅の電位を有する第２電位信号を第２補助電極６３に供給することにより、ディスクリネーションの発生する画素内に発生することを一層確実に防止することができる。尚、本実施形態では、正極性の第１電位信号の電位を１０Ｖよりも高く、及び、負極性の第１電位信号の電位を０Ｖよりも低くしても、もちろんよい。
【０１２２】
加えて、本実施形態では特に、第２補助電極６３及び対応する２本の走査線１１ａの組については、１フィールド期間毎に、一組の２本の走査線１１ａのうち一方の走査線１１ａ、この組に対応する第２補助電極６３、他方の走査線１１ａ、及び、この他方の走査線１１ａに隣接する第２補助電極６３の順に極性が反転するように駆動されている。即ち、例えば、図１９において、１ライン目、第２補助電極、２ライン目、第２補助電極、３ライン目、・・・の順に極性が反転するように駆動されている。このように駆動されているので、１フィールド期間毎の反転駆動時における、例えば、第２補助電極６３に供給された第２電位信号の極性が、対応する画素電極９ａに供給された画像信号の極性と異なることに起因するディスクリネーションの発生を防止することができる。
【０１２３】
尚、第２補助電極６３に正極性又は負極性の第２電位信号及び中間電位信号が供給されるタイミングは、隣接する走査線１１ａのうち１本目の極性が反転されてから２本目の極性が反転されるまでの間であればよい。また、２本の走査線１１ａの組の極性を同時に反転できるマルチライン駆動の場合には、対応する第２補助電極６３に対しても同時に正極性又は負極性の第２電位信号を供給するようにしてもよい。
【０１２４】
尚、画像信号ＶＩＤｋの電位が基準電位に対して正極性及び負極性の電位となるように駆動する際に、対向電極の電位は一定である必要はない。即ち、対向電極の電位を所定の周期で変動させることで、上述の極性反転が行われるようにしてもよい。
【０１２５】
以上説明したように、第３実施形態の液晶装置によれば、第２補助電極６３を更に備えるので、ディスクリネーションが画素内に発生することを一層確実に防止することができると共に、２本の走査線１１ａの組が固定されることにより生じ得る、例えば、これらの組間の境界に沿って画像表示に筋が見えてしまうなど、２本の走査線の組の特徴を反映した画像表示への影響を低減或いは無くすことができる。
【０１２６】
（電子機器）
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１２７】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図２１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図２１に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１２８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１２９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１３０】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１３１】
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図２２は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図２２において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１３２】
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図２３は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図２３において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１３３】
尚、図２１から図２３を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１３４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'の断面図である。
【図３】液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。
【図５】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図７における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図６】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図７における符号７０（蓄積容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図７】図５及び図６を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図である。
【図８】画像信号供給回路における画像信号の生成について説明するための説明図である。
【図９】複数の画素電極の画像表示領域内における極性の分布を示す分布図である。
【図１０】初期状態における液晶分子の配向状態を示す説明図である。
【図１１】電圧印加時における液晶分子の配向状態を示す説明図である。
【図１２】第１実施形態に係る画素電極の極性の変化を示す説明図である。
【図１３】変形例における図１２と同趣旨の説明図である。
【図１４】第２実施形態に係る複数の画素電極、第１補助電極及び対向電極の画像表示領域内における配置及び極性の分布を示す説明図である。
【図１５】第２実施形態における図１１と同趣旨の説明図である。
【図１６】第２実施形態に係る画素電極及び第１補助電極についての図１２と同趣旨の説明図である。
【図１７】第３実施形態に係る複数の画素電極、第２補助電極及び対向電極の画像表示領域内における配置及び極性の分布を示す説明図である。
【図１８】第３実施形態における図１１と同趣旨の説明図である。
【図１９】第３実施形態に係る画素電極及び第２補助電極についての図１２と同趣旨の説明図である。
【図２０】図１９に対応して、画素電極及び第２補助電極の極性の反転の様子を平面的に示した説明図である。
【図２１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図２２】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図２３】電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３６】
６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、５０３…画像信号供給回路、ｖ０…基準電位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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