(57)【要約】【課題】基板上に形成された自発光部を効率よく封止すること、引出し配線と配線基板や外部回路等との接続不良を防止すること、封止工程に要する時間を短縮すること、等。【解決手段】基板１上に、一対の電極（下部電極２，上部電極４）により狭持された発光層（成膜層３）を備える自発光素子５を一つ又は複数個配置してなる自発光部６を形成し、当該自発光部６を接着層３００を介して封止用部材３１により封止して自発光パネル１００を製造する際に、自発光部６の封止時に、基板１上に形成された自発光部６を覆う接着層３００を形成する第１工程と、自発光部６上に接着層３００を介して、自発光部より大きい封止用部材３１を配置する第２工程と、封止用部材３１と基板１間に自発光部６及び接着層３００が形成された状態で封止用部材３１と基板１間以外の接着層３００を除去して、自発光部６を封止する第３工程とを行う。【選択図】図６
2007234332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一対の電極により狭持された成膜層を備える自発光素子を一つ又は複数個配置してなる自発光部を形成し、当該自発光部上に接着層を介して封止用部材を配置して封止される自発光パネルの製造方法であって、
前記基板上の自発光部を覆う接着層を形成する第１工程と、
基板上に前記接着層を介して封止用部材を配置する第２工程と、
少なくとも当該封止用部材と前記基板間以外の接着層を除去する第３工程と
を有することを特徴とする自発光パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第２工程は、前記封止用部材を、前記基板上に形成された引出し配線の上部領域を除いた位置に、前記接着層を介して配置し、
前記第３工程は、前記封止用部材が配置された状態で、前記引出し配線上に形成されている接着層を除去する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の自発光パネルの製造方法。
引出し配線
【請求項３】
前記第３工程は、ドライエッチング法前記接着層を除去する工程を有することを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか一に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項４】
前記封止用部材は、一自発光部に対応した形状に形成され、
前記第２工程は、前記一自発光部に対して前記一封止用部材を配置する封止用部材の配置工程を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項５】
前記封止用部材は、導電性材料であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１工程は、シート状または液状の接着材料により前記接着層を形成することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第３の工程後、前記引出し配線上に、配線基板または外部回路を電気的な接続をさせることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項８】
一対の電極により狭持された成膜層を備える自発光素子を一つ又は複数個配置してなる自発光部を基板上に形成し、該自発光部を覆う接着層を形成し、該自発光部上に前記接着層を介して封止用部材を配置して封止した自発光パネルであって、
前記自発光部を覆う接着層の側面に、ドライエッチング処理面が形成されていることを特徴とする自発光パネル。
【請求項９】
前記接着層の側面に、前記自発光部側に向かって凹形状のドライエッチング処理面が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の自発光パネル。
【請求項１０】
前記基板上に形成された引出し配線の表面がドライエッチング処理されていることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の自発光パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光パネルの製造方法、および自発光パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
自発光素子は、ＬＥＤ（Light emitting diode）、ＥＬ（Electroluminescence ）、ＦＥＤ（Field emission display）等、各種のものがあり、表示、照明等の多方面の用途に用いられているが、有機ＥＬ素子は、薄膜の積層構造を基本構成とすることで、極薄膜のディスプレイ、更には可塑性を有するペーパーディスプレイ等を実現可能な自発光素子として注目されている。
【０００３】
このような自発光素子は、有機EL素子を例にとれば、支持基板上に直接又は他の層を介して、第１の電極層を形成し、第１の電極層の上に自発光層を含む成膜層（発光機能層）を積層し、成膜層上に第２の電極層を形成する構造を有しており、第１の電極層と第２の電極層との間に電圧を印加することによって、第１及び第２の電極層の一方に形成される陰極側から電子が注入され、第１及び第２の電極層の他方に形成される陽極側から正孔が注入されて、それらが発光層等で再結合することで発光が得られるものである。
【０００４】
ところで、一般的な有機ＥＬパネルでは、有機層や電極が外気にさらされると特性が劣化することが知られている。これは、例えば有機層と電極との界面に水分が浸入することにより電子や正孔等の進入が妨げられ、未発光領域としてのダークスポットが発生したり、電極が腐食する現象によるもので、有機ＥＬ素子の安定性や耐久性を高めるためには、有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止技術が不可欠となっている。この封止技術に関しては、電極および有機層が形成された基板上に、この電極および有機層を覆う防湿性の封止部材を、接着剤を介して接着する手段等が一般的に採用されている。
【０００５】
また、一般的に有機ＥＬパネルを量産して生産効率を向上させるために、製造工程において多面取り（多数個取り）が行われている。多面取りとは、一枚の大きな支持基板上に複数の自発光部（複数の画素がマトリクス状に形成された表示面を備える）を成膜した後、支持基板を切り分けて複数個の自発光パネルを作製することである。この多面取りの際の封止方法としては、例えば支持基板上に形成された複数の自発光部毎に接着剤を塗布し、その接着剤を介して封止基板を貼り合わせる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３１１２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし上述した方法では、自発光部毎に接着剤を塗布して封止基板を貼り付けるので、その工程を行うのに自発光部の全面に接着剤を均一に塗布したり、封止基板を接着層を介して支持基板へ貼り合わせする際に気泡等の混入がないよう注意を要する工程であるため作業が比較的長く、作業効率も悪い。また自発光部に電気的に接続する引出配線（引出し配線）が異物や接着剤等で汚れていると、例えば引出し配線上にフレキシブル基板（配線基板）や外部回路を導電性粒子が混在した異方性導電フィルム（ACF）や絶縁性フィルム（NCF）を介して圧着または圧接する場合、それらの間に接続不良が生じること、またはACFやNCFが支持基板に対する接着不良が発生するという虞がある。また接続不良が生じるとパネルの表示不良等の不具合が生じる虞がある。
また、例えば自発光部上に接着剤を塗布する際に、引出し配線側に未硬化の接着剤が拡散するのを防止するために、引出し配線の周囲を囲むように拡散防止用の防護壁を形成する方法では、その防護壁の形成工程に要する工程を新たに設ける必要があり、結果として製造時間を短縮することが困難である。また引出し配線上にシール部材を貼り付けて防護壁を形成する方法では、そのシール材を剥離する際に、シール材や粘着成分等が引出し配線上に残り、引出し配線の表面が汚染される虞がある。その状態で引出し配線に配線基板や外部回路等を圧着すると、圧着不良や接続不良などが生じる虞がある。
【０００８】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、基板上に形成された自発光部を効率よく封止すること、封止時に引出し配線の汚染を防止すること、引出し配線と配線基板や外部回路等との圧着不良または接続不良を防止すること、封止工程に要する時間を短縮すること、等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
請求項１に記載の発明は、基板上に、一対の電極により狭持された成膜層を備える自発光素子を一つ又は複数個配置してなる自発光部を形成し、当該自発光部上に接着層を介して封止用部材を配置して封止される自発光パネルの製造方法であって、前記基板上の自発光部を覆う接着層を形成する第１工程と、基板上に前記接着層を介して封止用部材を配置する第２工程と、少なくとも当該封止用部材と前記基板間以外の接着層を除去する第３工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
請求項８に記載の発明は、一対の電極により狭持された成膜層を備える自発光素子を一つ又は複数個配置してなる自発光部を基板上に形成し、該自発光部を覆う接着層を形成し、該自発光部上に前記接着層を介して封止用部材を配置して封止した自発光パネルであって、前記自発光部を覆う接着層の側面に、ドライエッチング処理面が形成されていることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法は、基板上に、一対の電極により狭持された成膜層を備える自発光素子を一つ又は複数個配置してなる自発光部を形成し、当該自発光部上に接着層を介して封止用部材を配置して封止する。詳細には、自発光パネルの製造方法は、自発光部の封止時に、基板上に形成された自発光部を覆う接着層を形成する第１工程と、自発光部上に接着層を介して、自発光部より大きい封止用部材を配置する第２工程と、前記封止用部材と前記基板間に前記自発光部及び接着層が形成された状態で、少なくとも当該封止用部材と基板間以外の接着層を除去して、自発光部を封止する第３工程とを有する。好適には、第２工程において封止用部材を、基板上に形成された引出し配線の上部領域を除いた位置に、接着層を介して配置し、第３工程において封止用部材が配置された状態で、引出し配線上に形成されている接着層をドライエッチング法により除去する。
上記製造方法により作製された自発光パネルは、上記自発光部を覆う接着層の側面にドライエッチング処理面が形成されている。このドライエッチング処理面は自発光部側に向かって凹形状に形成されている。また基板上に形成された引出し配線の表面がドライエッチング処理されている。
【００１２】
上記自発光パネルの製造方法では、自発光部を覆う接着層を形成し、自発光部上に接着層を介して封止用部材を配置して、その状態で少なくとも当該封止用部材と基板間以外の接着層を除去して自発光部を封止するので、簡単な製造工程により、基板上に形成された自発光部を効率よく封止することができる。また引出し配線上の接着層を除去するので、封止時に引出し配線の汚染を防止することができる。また引出し配線の表面がエッチング処理されて濡れ性が改善されているので、引出し配線と配線基板や外部回路等との接続不良を防止することができる。
また自発光部毎に接着剤を塗布した後、封止用部材を貼り付ける従来の製造方法と比べて、本発明に係る自発光パネルの製造方法は、自発光部が形成された基板上に接着層を形成して、自発光部上に接着層を介して封止用部材を配置し、封止用部材と基板間以外の接着層を除去するので、封止工程に要する時間を短縮することができる。特に多面取りにより自発光パネルを製造する場合には、大幅に製造時間を短縮することができる。
以下、本発明の一実施形態に係る自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法を、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルを説明するための図である。図１（ａ）は自発光パネルの上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示した自発光パネルの断面図である。本実施形態に係る自発光パネル１００として、ボトムエミッション方式のパッシブ駆動型有機ＥＬパネルを説明する。なお本発明に係る自発光パネルは、この形態に限られるものではなく、例えばトップエミッション方式の有機ＥＬパネルであってもよいし、アクティブ駆動型有機ＥＬパネルであってもよい。
【００１４】
本実施形態に係る自発光パネル１００は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板（基板）１上に、直接又は他の層（被覆層）１Ａを介して第１電極（下部電極）２が形成され、下部電極２上に例えば正孔輸送層３Ａ，発光層３Ｂ，電子輸送層３Ｃ等を含む成膜層３が形成され、成膜層３上に第２電極（上部電極）４が形成されている。この下部電極２及び上部電極４にて成膜層３を狭持して自発光素子５が形成されている。この自発光素子５は画素毎に形成され、この一つ又は複数個の自発光素子５がマトリクス状に配列して自発光部６を形成する。本実施形態に係る自発光部６は、図示の例では、下部電極２が絶縁材料からなる区画層７にて区画されており、区画された領域では、各自発光素子５からなる単位表示領域（７Ｒ，７Ｇ、７Ｂ）が形成されている。上記構成の自発光部６上には、例えば封止性能を有する各種接着層３００を介して封止用部材３１が貼り付けられて、自発光部６が封止されている。自発光部６を封止することにより、湿気等による自発光部６の劣化を防止している。
接着層３００は、例えば２液硬化型、熱硬化型、光硬化型樹脂などの封止機能を有する各種材料を採用することができる。接着層３００には、特に接着性や封止性が良好な材料を採用することが好ましい。また例えば液状、シート状など各種形態の接着材料を接着層３００として採用してもよい。接着層３００は本発明に係る接着層の一実施形態に相当する。また封止用部材３１は本発明に係る封止用部材の一実施形態に相当する。
封止用部材３１は、外気からのガスや水分の浸透を抑止するバリア機能を有する。封止用部材３１の形成材料は、例えばガラス等のセラミック、アルミニウムなどの金属材料等を採用することができる。具体的には封止用部材３１として、ガラス基板や、ステンレス（ＳＵＳ：Stainless Used Steel）板等を採用する。また後述するように自発光パネル製造時に不要な接着層３００を除去する工程でドライエッチング法を採用した場合、封止用部材３１のチャージアップを防止するために、封止用部材３１を導電性材料により構成することが好ましい。
【００１５】
また基板１の引出し配線領域１Ｂには、下部電極２または上部電極４と電気的に接続する引出配線（引出し配線）８が形成されている。この引出し配線８は、下部電極２を延出して封止領域外に引き出して形成してもよいし、上部電極４を延出して封止領域外に引き出して形成してもよい。引出し配線８には、図１（ａ），（ｂ）に示すように、導電性粒子が混在する異方性導電フィルム（ACF）や絶縁性材料からなるフィルム（NCF）などの圧着用フィルム４０Ａを介して配線基板（フレキシブル基板）４０が圧着して接続される。また駆動回路等の各種外部回路４１と自発光部６とが配線基板４０を介して電気的に接続される。
【００１６】
以下、本発明の一実施形態に係る自発光パネル１００の製造方法を説明する。
図２は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明するためのフローチャートである。図２を参照しながら、本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する。本実施形態では、自発光パネル１００を量産して生産効率を向上させるために多面取り（多数個取り）を行う。
【００１７】
［自発光部形成工程（Ｓ１）］
図３は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法の自発光部形成工程を説明するための図である。図３（ａ）は支持基板の上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示した支持基板の断面図である。
先ず図３（ａ），（ｂ），図１（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板１ａ上に、一対の電極（下部電極２，上部電極４）により狭持された成膜層（発光層を含む）を備える自発光素子５を一つ又は複数個配置してなる自発光部６を形成する。詳細には、支持基板１ａ上に下部電極２をストライプ状に形成し、絶縁材料により区画層７を形成した後、区画層７により区画形成された開口部内に、発光層等を含む成膜層３を積層し、その上に上部電極４を積層して、下部電極２、成膜層３、及び上部電極４からなる自発光素子５を形成する。自発光素子５は画素毎に形成され、この一つ又は複数個の自発光素子５がマトリクス状に配列して自発光部６が形成されている。
【００１８】
［接着層形成工程（Ｓ２）］
図４は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法の接着部材形成工程を説明するための図である。図４（ａ）は支持基板の上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示した支持基板の断面図である。接着層形成工程（Ｓ２）は本発明に係る第１工程の一実施形態に相当する。
次に図４に示すように、自発光部６の封止時に、支持基板１ａ上に形成された自発光部６を覆う接着層３００を形成する。詳細には図４に示すように、複数の自発光部６が形成された支持基板１ａの略全面に、接着層３００を形成する封止部材を配置する。この際、液状の接着剤を塗布してもよいし、シート状の接着部材を配置してもよい。この際、引出し配線８上にも接着層３００を形成する。
【００１９】
［封止用部材配置工程（Ｓ３）］
図５は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法の封止用部材配置工程を説明するための図である。図５（ａ）は支持基板の上面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示した支持基板の断面図である。封止用部材配置工程（Ｓ３）は本発明に係る第２工程の一実施形態に相当する。
次に図５に示すように、自発光部６上に接着層３００を介して、自発光部６より大きい封止用部材３１を配置する。この際、封止用部材３１を、基板１ａ上に形成された引出し配線８の上部領域Ｒ８１を除いた位置（詳細には封止領域Ｒ３０）に接着層３００を介して配置する。つまり図５（ａ），（ｂ）に示すように、少なくとも引出し配線８の上部には封止用部材３１が配置されていない。この封止領域Ｒ３０は、自発光部６の形成領域Ｒ６１より大きい。
また本実施形態に係る自発光パネルの製造方法では、一つの自発光部６それぞれに対して、一自発光部６に対応した形状に形成された一つの封止用部材３１を配置する。こうすることで後述する接着層除去工程にて余分な接着層３００を一度に除去することができる。
【００２０】
［接着層除去工程（Ｓ４）］
図６は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法の接着層除去工程（接着層パターニング）を説明するための図である。図６（ａ）は支持基板の上面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示した支持基板の断面図である。接着層除去工程（Ｓ４）は本発明に係る第３工程の一実施形態に相当する。
次に図５，６に示すように、封止用部材３１と支持基板１ａ間に自発光部６及び接着層３００が形成された状態で、少なくとも封止用部材３１と支持基板１ａ間以外の接着層３００を除去して自発光部６を封止する。詳細には、図６に示すように、少なくとも封止領域Ｒ３０以外の領域に形成された接着層３００を除去する。また封止用部材３１が配置された状態で、引出し配線８上に形成されている接着層３００を除去する。詳細には、少なくとも基板１ａ上の引出し配線８の上部領域Ｒ８１に形成された接着層３００を除去する。
【００２１】
本実施形態に係る接着層除去工程は、ドライエッチング法により上記除去処理を行う。ドライエッチング法は、例えば酸素（Ｏ2）、四フッ化炭素（ＣＦ4）等の各種ガスを用いたリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）、集束イオンビームエッチング（ＦＩＢＥ）、レーザーアブレーション法などの各種エッチング法を採用することができる。ドライエッチング法を採用することにより、上記封止用部材３１がシャドーマスクとして機能して、封止用部材３１と支持基板１ａ間の封止領域Ｒ３０以外に形成された接着層３００を簡単に除去することができる。特に封止領域Ｒ３０に形成された接着層３００をそのままの状態で、引出し配線８の上部領域Ｒ８１に形成された接着層３００を簡単に除去することができる。上述のエッチングガスには、封止部材や引出し配線をエッチングしにくく、接着層をよりエッチングしやすい、つまり選択比が高いガスを用いることが好ましく、例えば、封止部材が無機材料で構成されている場合には酸素（Ｏ2）を用いることが挙げられる。
【００２２】
［切り分け工程（Ｓ５）］
次に図６に示すように点線（ＣＬ１）に沿って自発光部６単位で支持基板１ａを切断して切り分ける。上記製造工程（多面取り）により、一度に複数個の自発光パネル１００を短時間に作製することができる。
【００２３】
図７は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルを説明するための断面図である。上記製造工程により作製された自発光パネル１００は、上記接着層除去工程（Ｓ５）においてドライエッチング処理を採用した場合には、図７に示すように、自発光部６を覆う接着層３００の側面に、ドライエッチング処理面３００Ａが形成される。詳細には、このドライエッチング処理面３００Ａは、自発光部側に向かって凹形状に形成されている。これは封止用部材３１をシャドーマスクとしてドライエッチング法により不要な接着層３００を除去した際に、例えば接着層３００の側面の一部の接着層３００も除去されるためである。結果として図７に示すように接着層３００は封止領域Ｒ３０よりも略小さい領域に形成される。このドライエッチング法を採用した場合、所望の自発光パネル１００が得られるように、例えば接着層３００の形成材料、膜厚、封止用部材３１の材質、厚み等の各種条件に応じて、エッチング時間等のエッチングパラメータを適宜設定する。
【００２４】
［圧着工程（Ｓ６）］
次に、上記自発光パネル１００の引出し配線８上に配線基板（フレキシブル基板）や外部回路を圧着する工程を行う。詳細には、例えば図１（ａ），（ｂ）に示すように、引出し配線８上に異方性導電フィルム（ACF）等の導電層４０Ａを介して配線基板（フレキシブル基板）４０を圧着して接続する。
前記異方性導電フィルム（ACF）以外に、絶縁性フィルム（NCF）を用いて圧接により接続しても構わない。
【００２５】
図８は、自発光パネル１００の引出し配線８上に外部回路を圧着する工程を説明するための図である。図８（ａ）は本発明の一実施形態に係るに自発光パネルの製造工程の圧着工程前の状態を説明するための図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示した状態で圧着した場合を説明するための図である。図８（ｃ）は引出し配線８が汚れている場合の圧着工程前の状態を説明するための図であり、図８（ｄ）は図８（ｃ）に示した状態で圧着した場合を説明するための図である。
ＩＣ（Integrated Circuit）チップ状の駆動回路４１Ａ（外部回路４１）を、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）等の導電層、または絶縁性フィルム（NCF：Non Conductive Film）４０Ａを介して、引出し配線８に圧着、または圧接する場合を説明する。ＡＣＦは、例えば図８（ａ）に示すように、金属粒子や金属コートプラスチック粒子等の導電性粒子（導電性材料）４０ａが、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、合成ゴム等の樹脂４０ｂに略均一に分散したテープ形状の接着剤である。このＡＣＦは、被圧着部材間で加圧や加熱されることにより、面方向に絶縁性を示し厚み方向に導電性を示す異方導電性を有する。ＮＣＦはＡＣＦ中に混在する導電性粒子がないフィルムであり、ＩＣ側の電極（バンプ４１Ｂ）と引出し配線８との電気的に接続した状態（圧接された状態）を維持する機能を有する。
【００２６】
本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法では、ＡＣＦを用いた場合であれば、図８（ａ）に示すように、ドライエッチングにより、引出し配線８上の接着層３００や汚れが除去されている。図８（ｂ）に示すように、この状態でバンプ４１Ｂが形成された駆動回路４１Ａを引出し配線８に圧着すると、引出し配線８とバンプ４１Ｂが、導電性粒子４０ａを介して電気的に接続する。
一方、従来の封止方法では、例えば図８（ｃ）に示すように、引出し配線８上にシート材や接着剤等の汚れ５００が付着した状態で圧着して、図８（ｄ）に示すように、バンプ４１Ｂと引出し配線８とが電気的に接続不良が生じる場合がある。
上述したように本発明に係る自発光パネルの製造方法では、エッチングにより引出し配線８上の接着層３００や汚れ５００を除去しているので、引出し配線８と配線基板４０や外部回路４１等を確実に電気的に接続することができる。つまり接続不良を防止することができる。
【００２７】
本発明に係る自発光パネル１００の製造方法は、上述した実施形態に限られるものではない。以下、自発光パネル１００の製造方法の一具体例を説明する。
【００２８】
［パッシブ駆動型自発光パネルの製造方法（パターン１）］
先ず、支持基板１ａ上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide等）等の各種材料により下部電極２をストライプ状に形成した後、その支持基板１ａに水洗い工程やＵＶ照射工程を施して、基板の前洗浄工程を行う。次に、その支持基板１ａ上に、例えばポリイミド等の材料により絶縁層をパターン状に形成することにより区画層７を形成した後、上部電極分断用の隔壁を形成する。次に有機層（自発光層）などの成膜層３を成膜し、その成膜層３上に、例えばアルミニウムなどの材料により上部電極４を形成する。上記製造工程により、支持基板１ａ上に一つ又は複数の自発光素子５からなる自発光部６が形成される。
次に、基板上に接着層３００を形成する。詳細には、接着層３００は、例えば液状の接着剤を自発光部６上に塗布して硬化形成してもよいし、樹脂フィルムを自発光部６を覆うように貼り合わせることにより形成してもよい。次に封止用部材３１を上述したように自発光部６上に接着層３００を介して貼り合わせ、その状態で例えばＣＦ４を用いたリアクティブ・イオン・エッチング等の各種ドライエッチング法により、上記不要な接着層３００を除去する。そして、支持基板１ａを自発光パネル１００単位で切断した後、所定の配線基板４０を圧着する。この製造方法により、簡単にパッシブ駆動型自発光パネル１００を作製することができる。
【００２９】
［パッシブ駆動型自発光パネルの製造方法（パターン２）］
上記製造方法と同一な工程については説明を省略する。本具体例に係る製造方法では、上述した基板上に接着層を形成する工程を、封止用部材３１上に接着層３００を形成した後、その状態で自発光部６上に、接着層３００を介して封止用部材３１を配置する工程に置き換える。それ以外の工程は、上記具体例と同様である。この製造方法により、簡単にパッシブ駆動型自発光パネル１００を作製することができる。
【００３０】
［アクティブ駆動型自発光パネルの製造方法（パターン１）］
先ず、支持基板１ａ上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）および下部電極２を形成した後、その支持基板１ａを、その支持基板１ａに水洗い工程や加熱処理などを施して、基板の前洗浄工程を行う。次に、その支持基板１ａ上に、例えばポリイミド等の材料により絶縁層をパターン状に形成することにより区画層７を形成した後、ＵＶ照射等により支持基板１ａの前洗浄工程を行う。次に、有機層（自発光層）などの成膜層３を成膜し、その成膜層上に、例えばアルミニウムなどの材料により上部電極４を形成する。上記製造工程により、支持基板１ａ上に一つ又は複数の自発光素子５からなる自発光部６が形成される。
次に、基板上に接着層３００を形成する。詳細には、接着層３００は、例えば液状の接着剤を自発光部６上に塗布して硬化形成してもよいし、樹脂フィルムを自発光部６を覆うように貼り合わせることにより形成してもよい。次に封止用部材３１を上述したように自発光部６上に接着層３００を介して貼り合わせ、その状態で例えばＣＦ４を用いたリアクティブ・イオン・エッチング等の各種ドライエッチング法により、上記不要な接着層３００を除去する。そして、支持基板１ａを自発光パネル１００単位で切断した後、所定の配線基板４０を圧着する。この製造方法により、簡単にアクティブ駆動型自発光パネル１００を作製することができる。
【００３１】
［アクティブ駆動型自発光パネルの製造方法（パターン２）］
上記製造方法と同一な工程については説明を省略する。本具体例に係る製造方法では、上述した基板上に接着層を形成する工程を、封止用部材３１上に接着層３００を形成した後、その状態で自発光部６上に、接着層３００を介して封止用部材３１を配置する工程に置き換える。それ以外の工程は、上記具体例と同様である。この製造方法により、簡単にアクディブ駆動型自発光パネル１００を作製することができる。
【００３２】
なお、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。上述した実施形態や具体例を組み合わせてもよい。
また上述したように、本発明の実施形態に係る自発光パネルの製造方法により形成される有機ＥＬパネルについて、本発明をなんら限定しない細部を以下に説明する。
まず、有機ＥＬ素子について説明すると、一般的に有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に有機ＥＬ機能層を挟み込んだ構造をとっている。両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機ＥＬ機能層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機ＥＬ機能層内に注入・輸送された電子がこの層内（発光層）で再結合することで発光を得るものである。基板上に、下部電極，有機ＥＬ機能層からなる成膜層，上部電極を積層した有機ＥＬ素子の具体的構成および材料例を示すと以下の通りである。
【００３３】
基板については、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチックを用いることができる。
下部又は上部電極ついては、一方が陰極、他方が陽極に設定されることになる。この場合、陽極は仕事関数が高い材料で構成されるのがよく、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜，或いはＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等による透明導電膜が用いられる。そして、陰極は仕事関数の低い金属で構成されるのがよく、特に、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ），アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ），希土類といった仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金を用いることができる。また下部電極、上部電極ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成とすることもできる。
【００３４】
また下部電極又は上部電極から封止空間に外側に引き出される引出し配線は、有機ＥＬパネルとそれを駆動するＩＣ（集積回路），ドライバ等の駆動手段とを接続するために設けられる配線電極であって、好ましくはＡｇ，Ｃｒ，Ａｌ等などの低抵抗金属材料やそれらの合金を用いるのがよい。
【００３５】
一般に、下部電極と引出し配線の形成は、ＩＴＯ，ＩＺＯ等によって下部電極及び引出し配線のための薄膜を蒸着或いはスパッタリング等の方法で形成し、フォトリソグラフィ法などによってパターン形成がなされる。下部電極と引出し配線（特に低抵抗化の必要な引出し配線）に関しては、前述のＩＴＯ，ＩＺＯ等の下地層にＡｇ，Ａｌ，Ｃｒ等の低抵抗金属もしくはその合金を積層した２層構造にしたもの、或いはＡｇ等の保護層としてＣｕ，Ｃｒ，Ｔａ等の耐酸化性の高い材料を更に積層した３層構造にしたものを採用することができる。
【００３６】
下部電極と上部電極との間に成膜される有機ＥＬ機能層としては、下部電極を陽極，上部電極を陰極とした場合には、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の積層構造が一般的であるが（下部電極を陰極、上部電極を陽極とした場合にはその逆の積層順となる）、発光層、正孔輸送層、電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略して発光層のみにしても構わない。また有機ＥＬ機能層としては、正孔注入層，電子注入層，正孔障壁層，電子障壁層等の有機機能層を用途に応じて挿入することができる。
【００３７】
有機ＥＬ機能層の材料は、有機ＥＬ素子の用途に合わせて適宜選択可能である。以下に例を示すがこれらに限定されるものではない。
正孔輸送層としては、正孔移動度が高い機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポルフィリン化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベンゼン等のスチルベンゼン化合物、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。またポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた高分子分散系の材料も使用できる。好ましくは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が封止用樹脂を加熱硬化させる温度より高い材料が好ましく、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェルミアミノ］−ビフェニル（ＮＰＢ）が挙げられる。
【００３８】
発光層は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料を使用できる。上述したような発光材料のみから構成したものでもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光ドーパント等が含有されてもよい。またこれらが高分子材料又は無機材料中に分散されていてもよい。
【００３９】
電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。
【００４０】
上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層は、本発明に係る成膜工程および加熱工程を同時又は交互に行う層を除いては、スピンコーティング法、ディッピング法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等のウェットプロセス、又は蒸着法、レーザ転写法等のドライプロセスで形成することができる。
【００４１】
そして、有機ＥＬ素子は、単一の有機ＥＬ素子を形成するものであってもよいし、所望のパターン構造を有して、複数の画素を構成するものであってもよい。後者の場合には、その表示方式は、単色発光でも２色以上の複数色発光でもよく、特に複数色発光の有機ＥＬ素子パネルを実現するためには、ＲＧＢに対応した３種類の発光機能層を形成する方式を含む２色以上の発光機能層を形成する方式（塗り分け方式）、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、異なる発光色の低分子有機材料を予め異なるフィルム上に成膜してレーザによる熱転写で一つの基板上に転写するレーザ転写方式等によって行うことができる。
また必要に応じて、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素等の無機材料からなる保護層を形成しても構わない。
【００４２】
また前述した封止部材としては、気密性を確保できる材料であればよく、特に限定されるものではないが、接着剤を加熱硬化させる都合上、熱膨張や経時的変化の少ない材料を用いることが好ましく、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス等のガラス材、ステンレス、アルミニウム等の金属材、プラスチック等を採用することができる。
【００４３】
また封止用部材と基板１とを接着する接着剤としては、熱硬化型、化学硬化型（二液混合）、光（紫外線）硬化型等を用いることができ、材料としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いる。特に、紫外線硬化型のエポキシ樹脂製の使用が好ましい。
【００４４】
基板と封止部材間の封止領域には、乾燥手段（乾燥剤）を配備してもよく、この乾燥手段は、ゼオライト、シリカゲル、カーボン、カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物、金属ハロゲン化合物，過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン，キシレン，脂肪族有機溶剤等の石油系溶剤に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン，ポリイソプレン，ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。
【００４５】
また本発明の実施形態が採用される有機ＥＬパネルに関しては、有機ＥＬ素子の光の取り出し方式は基板側から光を取り出すボトムエミッション方式であっても、基板側とは逆側（上部電極側）から光を取り出すトップエミッション方式であってもよい。また上述したように有機ＥＬ素子の駆動方式はパッシブ駆動方式であってもよいし、アクティブ駆動方式であってもよい。
【００４６】
以上説明したように、基板１上に、一対の電極（下部電極２，上部電極４）により狭持された発光層（成膜層３）を備える自発光素子５を一つ又は複数個配置してなる自発光部６を形成し、当該自発光部６を接着層３００を介して封止用部材３１により封止して自発光パネル１００を製造する際に、自発光部６の封止時に、基板１上に形成された自発光部６を覆う接着層３００を形成する第１工程（Ｓ２）と、自発光部６上に接着層３００を介して、自発光部より大きい封止用部材３１を配置する第２工程（Ｓ３）と、封止用部材３１と基板１間に自発光部６及び接着層３００が形成された状態で、少なくとも当該封止用部材３１と基板１間以外の接着層３００を除去して、自発光部６を封止する第３工程（Ｓ４）とを有するので、簡単な製造工程により、基板１上に形成された自発光部６を効率よく封止することができる。また引出し配線８上の接着層３００を除去することで、封止時に引出し配線８の汚染を防止することができる。また引出し配線８の表面がエッチング処理されて汚れがないので、引出し配線８と配線基板４０や外部回路４１等との接続不良を防止することができる。
また自発光部６毎に接着剤３００を塗布したあと封止用部材を貼り付ける従来の製造方法と比べて、本発明に係る自発光パネルの製造方法では、自発光部６が形成された基板１上に接着層３００を形成して、自発光部６上に接着層３００を介して封止用部材３１を配置し、封止用部材３１と基板間以外の接着層３００を除去するので、封止工程に要する時間を短縮することができる。特に多面取りにより自発光パネル１００を製造する場合には、大幅に製造時間を短縮することができる。
また本発明に係る自発光パネル１００の製造方法では、封止用部材３１をシャドーマスクとして機能させてドライエッチングを行うので、例えば接着層を予めパターン状に形成する従来の封止工程を省略することができる。また例えば接着層を高精度にパターン形成する従来の製造方法と比べて、本発明に係る自発光パネル１００の製造方法では、例えば接着剤を基板上にベタ塗りした状態でエッチングを行うので、従来技術のように予め高精度に接着層をパターン形成することなく、簡単に自発光部６を封止することができる。
また封止用部材３１を配置した状態で、ドライエッチング法により上記除去処理を行うので、簡単に封止領域Ｒ３０以外の領域に形成された接着層３００を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係る自発光パネルを説明するための図である。（ａ）は自発光パネルの上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した自発光パネルの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法の自発光部形成工程を説明するための図である。（ａ）は支持基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した支持基板の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法の接着部材形成工程を説明するための図である。（ａ）は支持基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した支持基板の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法の封止用部材配置工程を説明するための図である。（ａ）は支持基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した支持基板の断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法の接着層除去工程（接着層パターニング）を説明するための図である。（ａ）は支持基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した支持基板の断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る自発光パネルを説明するための断面図である。
【図８】自発光パネル１００の引出し配線８上に外部回路を圧着する工程を説明するための図である。（ａ）は本発明の一実施形態に係るに自発光パネルの製造工程の圧着工程前の状態を説明するための図であり、（ｂ）は（ａ）に示した状態で圧着した場合を説明するための図である。（ｃ）は引出し配線８が汚れている場合の圧着工程前の状態を説明するための図であり、（ｄ）は（ｃ）に示した状態で圧着した場合を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  基板
１ａ  支持基板
２  下部電極（第１電極）
３  成膜層
３Ａ  正孔輸送層
３Ｂ  自発光層
３Ｃ  電子輸送層
４  上部電極（第２電極）
５  自発光素子
６  自発光部
７  区画層（絶縁層）
８  引出し配線
９  保護層
３１  封止用部材
１００  自発光パネル
３００  接着層（封止材料）
Ｒ６１  自発光部の形成領域
Ｒ３００  封止領域
【図１】
2007234332.tif 000003
【図２】
2007234332.tif 000004
【図３】
2007234332.tif 000005
【図４】
2007234332.tif 000006
【図５】
2007234332.tif 000007
【図６】
2007234332.tif 000008
【図７】
2007234332.tif 000009
【図８】
2007234332.tif 000010