(57)【要約】【課題】優れた圧電性能を有し、かつ高湿度環境下において高電圧で駆動しても絶縁性の低下がなく高い信頼性を有する圧電薄膜素子、この圧電体薄膜素子を用いたインクジェットヘッド、及び前記インクジェットヘッドを印字手段として備えたインクジェット式記録装置を得ること。【解決手段】圧電体層１４を、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層１４ａ（１〜３）と、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層１４ｂ（１，２）との積層構造にする。Ｐｂ組成量の多い層１４ａに高湿度環境下で電気化学的な反応によって発生する二酸化鉛によるリークパスが発生したとしても、Ｐｂ組成量の少ない層１４ｂではリークパスが発生しないので、上下電極間での絶縁性の低下を防ぐことができる。また、Ｐｂ組成量の少ない層１４ｂだけの単層膜と比較して、Ｐｂ組成量の多い層１４ａを含むので、製造マージンの低下も防ぐことができ、良好な圧電性能が実現できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペロブスカイト型結晶構造を有するＰｂを含む酸化物で成膜した圧電体層と、前記圧電体層の厚み方向両側の層面それぞれに成膜した電極層とを備えている圧電体薄膜素子において、
前記圧電体層は、一方の電極層と他方の電極層との間の成膜構造が化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層と化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層との積層構造であることを特徴とする圧電体薄膜素子。
【請求項２】
前記圧電体層は、＜１１１＞面または＜００１＞面のいずれかに優先配向し、その配向率は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層の方が化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜素子。
【請求項３】
前記圧電体層は、引張り応力の場合には、その絶対値は化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層の方が化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層よりも小さく、圧縮応力の場合には、その絶対値は化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層の方が化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜素子。
【請求項４】
前記圧電体層の圧電定数は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層の方が化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜素子。
【請求項５】
前記圧電体層の比誘電率は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層の方が化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層より大きいことを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜素子。
【請求項６】
前記圧電体層は、柱状構造を有し、その粒子径は化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層の方が化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜素子。
【請求項７】
前記圧電体層は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層の厚みが０．１μｍ〜１μｍの範囲内であり、結晶粒径が０．１以上であるであることを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜素子。
【請求項８】
請求項１に記載の圧電体薄膜素子と、
前記圧電体薄膜素子のいずれか一方の電極層側の面に設けられた振動板層と、
前記振動板層の前記圧電体薄膜素子とは反対側の面に接合され、前記圧電体薄膜素子の圧電効果による前記振動板層の層厚方向への変位に応じてインク吐出を行う圧力室と、
を備えていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項９】
請求項８に記載のインクジェットヘッドと、
前記インクジェットヘッドと記録媒体とを相対移動させる相対移動手段と、
前記相対移動手段によってインクジェットヘッドが記録媒体に対して相対移動しているときに、前記インクジェットヘッドにおいて圧力室に連通するように設けたノズル孔から前記圧力室のインクを記録媒体に吐出させて記録を行うように前記インクジェットヘッドが備える請求項１に記載の圧電体薄膜素子を駆動する手段と、
を備えていることを特徴とするインクジェット式記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気機械変換機能を呈する圧電体薄膜素子、この圧電体薄膜素子を用いたインクジェットヘッド、及び前記インクジェットヘッドを印字手段として備えたインクジェット式記録装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気機械変換機能を呈する圧電体素子は、一般に、圧電体材料をその厚み方向両側に設けた２つの電極で挟んだ構成である。圧電体材料の代表的なものは、ペロブスカイト型結晶構造の酸化物であるチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）（以降「ＰＺＴ」と記す）や、このＰＺＴにマグネシウム、マンガン、ニッケル、ニオブなどを添加したものなどがある。
【０００３】
特に、ペロブスカイト型結晶構造の正方晶系ＰＺＴの場合には、＜００１＞軸方向（Ｃ軸方向）に大きな圧電変位が得られ、菱面体晶系ＰＺＴの場合には、＜１１１＞軸方向に大きな圧電変位が得られる。しかし、多くの圧電体材料は、結晶粒子の集合体からなる多結晶体であり、各結晶軸はでたらめな方向を向いている。そのため、自発分極Ｐｓもでたらめに配列しているが、圧電体素子の場合には、それらのベクトルの総和が電界方向と平行になるように作られている。そして、この圧電体素子の１つの利用形態である圧電体アクチュエータにおいては、両電極間に電圧を印加すると、その電圧の大きさに比例した機械的変位が得られる。インクジェットヘッドは、この圧電体アクチュエータに振動板を取り付けてインク吐出の駆動源として用いている。
【０００４】
ところで、圧電体素子では、湿度の高い雰囲気中に長時間曝された状態で高電圧を印加すると、圧電体材料の電気絶縁性が低下して絶縁破壊が起こる場合がある。このような現象は、圧電体素子の信頼性を低下させる大きな問題の１つとされてきた。
【０００５】
そこで、このような絶縁破壊の発生を防止する目的で従来から色々な工夫がなされてきた。なかでも絶縁破壊に最も関係深いとされている電極材のマイグレーションの発生を防止するため、マイグレーションの起こり難い金や白金を電極材料に選択する措置が採られてきた。そして、電極材料に金や白金を用いて電極材のマイグレーションを防止する措置を採ることによって、圧電体材料の絶縁抵抗が低下する現象が明らかになった。
【０００６】
即ち、この絶縁抵抗を低下させる原因は、水分が直接的に圧電体材料を攻撃することによるものであった。この絶縁抵抗の低下を防止する方法として、例えば、内部に乾燥剤を入れた金属密閉容器に圧電体薄膜素子の全体を収納し、当該容器を完全に密閉するようにすれば、圧電体薄膜が絶縁劣化しないことが実証された（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
一方、近年の電子機器の小型化に伴って圧電体素子に対しても小型化が強く要求されるようになっている。即ち、その要求を満たすために、圧電体素子の圧電体材料を、従来から多く使用されてきた焼結体に比べ著しく体積の小さい薄膜の形態に成膜して使用する圧電体素子の薄膜化が研究開発され、実用化が行われている。
【０００８】
即ち、圧電体薄膜素子は、一般に、圧電体薄膜をその厚み方向に２つの電極で挟んでなる積層体を備えている。この圧電体薄膜をＰＺＴ膜で形成する方法としては、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法、ゾルゲル法などがあるが、それぞれ、成膜条件の調節や熱処理条件の工夫によって高特性の圧電薄膜が得られるようになってきている。
【０００９】
そして、小型化のために、圧電体薄膜素子は、上記のように金属製の密閉容器に入れずにむき出しの状態で使用することが要望されている。そのため、密閉容器に入れずに高湿度環境下で使用しても劣化しないようにする工夫もなされている。例えば、圧電体薄膜素子を構成する圧電体薄膜の傍に発熱膜を設け、この発熱膜によって圧電体薄膜を積極的に加熱することで、圧電体薄膜が湿気を吸収するのを防止する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
ここで、ＰＺＴ等の鉛化合物を含む圧電体材料は、高温下で合成される。これは薄膜形態であっても同様であり、高温時の鉛の蒸気圧が高いので、例えばＰＺＴ薄膜の場合、作製時の安定性などから、化学量論組成のＰＺＴ［化学量論組成がＰｂ（Ｚｒ1-XＴｉX）Ｏ3（０＜ｘ＜１）で、化学量論組成比がＰｂ：Ｚｒ＋Ｔｉ：Ｏ＝１：１：３である］よりも幾分、鉛過剰の組成にすることが通常になっている（例えば、特許文献３参照）。
【００１１】
上記鉛過剰の圧電体薄膜を用いた圧電体薄膜素子において、湿気の高い環境下で高電圧を印加したときに絶縁破壊が起こる原因は、以下のメカニズムだと考えられる。即ち、圧電薄膜は、例えばスパッタリング法で作製された圧電薄膜の厚み方向の一方向から他方向に向いている複数の柱状結晶粒子によって構成された集合体から成る場合が多く、それらの柱状粒子同士の境界部分が結晶粒界として存在する。また、柱状結晶の集合体の形態を示さない場合であっても、多くの結晶粒界を有している。さらに、薄膜形成時に存在する異物などの影響によって厚み方向に小さな空孔などが存在する。そして、この圧電体薄膜の結晶粒界や空孔表面には、過剰の鉛が酸化物の形態で存在し、この結晶粒界に存在する鉛化合物が、湿気と反応して吸収された水分と電気化学的な反応を起こして変質する。
【００１２】
従来の圧電体薄膜素子において、絶縁破壊が発生する原因は、水分が電極膜のピンホールを通って圧電薄膜の結晶粒界に侵入し、その結晶粒界に存在している酸化鉛が、その水分による水酸化鉛を経て、導電性を有する二酸化鉛に変質する。
【００１３】
この考え方から、ＰＺＴなどの鉛化合物を含む圧電体材料への水分による攻撃を無くする措置を採ればよいことになる。そのための方法として、圧電体薄膜素子を製造する場合に、圧電体薄膜と、それを厚み方向の両側に成膜する第１及び第２の電極層との積層体を作製した後に、第１の電極層と第２の電極層のいずれか一方の電極層を、ジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムアセチルアセトネート、ジルコニウムカルボキシレート等の化学物質に曝してその化学物質を電極層から圧電体薄膜に吸収させ、圧電体薄膜の結晶粒界に存在している酸化鉛や水酸化鉛を、電気化学的に安定な酸化ジルコニウムで被覆することで、リーク電流が結晶粒界を通って流れることを防ぐ方法が考えられる。
【００１４】
このように、結晶粒界を酸化ジルコニウムからなる絶縁膜で覆うので、結晶粒界の電気化学的な性質は、結晶粒界に存在している酸化ジルコニウムに支配される。それゆえに、結晶粒界を電気化学的に安定した状態にすることができるので、リーク電流が結晶粒界を通って流れる絶縁破壊の発生を防ぐことができる。これによって、高湿度下においても絶縁破壊の発生を防ぐことができる。しかしながら、上記の方法では、積層体を作製した後にジルコニア処理を行う必要がある。そのため、製造工程が複雑になってしまうという問題がある。
【００１５】
そこで、圧電体薄膜に含まれる鉛組成を化学量論組成よりも少ない量にした圧電体薄膜素子が提案されている（例えば、特許文献４参照）。この提案によれば、過剰鉛をなくすことにより、上述したＰＺＴなどのＰｂを含む酸化物薄膜においては、電気化学的な反応が生じないために、高湿度下において絶縁破壊の発生を防ぐことができる。
【００１６】
なお、（特許文献５）では、成膜した圧電体薄膜の圧電定数を測定する技術が開示されている。また、（特許文献６）では、コンピュータの記憶装置等として用いられるディスク装置のディスクに対する情報の記録および再生に使用されるヘッドの支持機構に使用される薄膜圧電体アクチュエータが開示されている。
【特許文献１】特開平４−３４９６７５号公報
【特許文献２】特開２０００−４３２５９号公報
【特許文献３】特開平１０−２９００３３号公報
【特許文献４】特開２００５−２４４１７４号公報
【特許文献５】特開２００２−２２５２８５号公報
【特許文献６】特開２００１−３３２０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上記鉛組成が化学量論組成よりも少ないペロブスカイト型の圧電体薄膜を得るためには作製時にかなりの工夫が必要であり、製造マージンが狭いばかりでなく、良好な圧電性能が得られ難い。また、発生する鉛欠損によって圧電体薄膜の結晶配向性の制御が難しく、高い圧電性能が得られ難い。さらに、内部応力の制御も難しく、耐電圧が低下し高湿度環境下以外でも絶縁性能が劣化してしまう。
【００１８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、優れた圧電性能を有し、かつ高湿度環境下において高電圧で駆動しても絶縁性の低下がなく高い信頼性を有する圧電薄膜素子、この圧電体薄膜素子を用いたインクジェットヘッド、及び前記インクジェットヘッドを印字手段として備えたインクジェット式記録装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述した目的を達成するために、この発明は、ペロブスカイト型結晶構造を有するＰｂを含む酸化物で成膜した圧電体層と、前記圧電体層の厚み方向両側の層面それぞれに成膜した電極層とを備えている圧電体薄膜素子において、前記圧電体層は、一方の電極層と他方の電極層との間の成膜構造が化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層と化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層との積層構造であることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層に高湿度環境下で電気化学的な反応によって発生する二酸化鉛によるリークパスが発生したとしても、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層ではリークパスが発生しないので、上下電極間での絶縁性の低下を防ぐことができる。また、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層だけの単層膜と比較して、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層を含むので、製造マージンの低下も防ぐことができ、良好な圧電性能が実現できる。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、優れた圧電性能を有し、かつ高湿度環境下において高電圧で駆動しても絶縁性の低下がなく高い信頼性を有する圧電体薄膜素子が得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に図面を参照して、この発明にかかる圧電体薄膜素子、インクジェットヘッド、及びインクジェット式記録装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１による圧電体薄膜素子の構成を示す断面図である。図１に示す本実施の形態１による圧電体薄膜素子は、基板１１の上に、密着層１２、下部電極である第１の電極層１３、ペロブスカイト型結晶構造を有するＰｂを含む酸化物で成膜した圧電体薄膜である圧電体層１４および上部電極である第２の圧電体層１４をこの順に成膜して形成する圧電体薄膜素子において、圧電体層１４を、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造としたものである。
【００２４】
図１に示す例では、圧電体層１４は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い３つの圧電体層１４ａ（１〜３）と、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない２つの圧電体層１４ｂ（１，２）との５層構造になっている。なお、積層する順番や積層数はこれに限らず、任意である。
【００２５】
この構成によれば、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａに高湿度環境下で電気化学的な反応によって発生する二酸化鉛によるリークパスが発生したとしても、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂではリークパスが発生しないので、上下電極間での絶縁性の低下を防ぐことができる。また、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂだけの単層膜と比較して、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａを含むので、製造マージンの低下も防ぐことができ、良好な圧電性能が実現できる。圧電体層１４での積層膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ゾルゲル法など通常の薄膜形成方法を用いて製造可能である。
【００２６】
圧電体材料である「ペロブスカイト型結晶構造を有するＰｂを含む酸化物」としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）や、このＰＺＴにＬａ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ａｌなどの添加物を含有したものなどがあるが、要するにＰＺＴを主成分とした圧電体材料であり、ＰＭＮであるかＰＺＮであるかは問わない。
【００２７】
この実施の形態１で用いるＰＺＴの組成は、正方晶系と菱面体晶系との境界（モルフォトロピック相境界）付近の組成（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７）であるが、圧電体層１４におけるＺｒ／Ｔｉ組成は、その組成Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７に限らず、Ｚｒ／Ｔｉ＝３０／７０〜７０／３０の範囲内であればよい。
【００２８】
化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａでの過剰Ｐｂ量は、２５モル％以下が望ましく、より望ましくは１５モル％以下であれば良い。一方、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂでのＰｂ欠損量は、１０モル％以下が望ましく、より望ましくは５モル％以下であれば良い。
【００２９】
そして、圧電体層１４の各層では、共に、＜１１１＞面または＜００１＞面のいずれかの同じ面に優先配向するように成膜して優れた圧電特性が得られようにしている。その配向率は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａの方が、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂよりも高い。数値例で言えば、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａの方の配向率は７０％以上が望ましく、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂの方の配向率はそれよりも少ない５０％以上が望ましい。
【００３０】
ここで、＜１１１＞面での配向率をα＜１１１＞と表記し、＜００１＞面での配向率をα＜００１＞と表記すれば、α＜１１１＞＝Ｉ＜１１１＞／ΣＩ（ｈｋｌ）、α＜００１＞＝Ｉ＜００１＞／ΣＩ（ｈｋｌ）と定義している。ΣＩ（ｈｋｌ）は、Ｘ線回折法において、Ｃｕ−Ｋα線を用いたときの２θが１０°〜７０°でのペロブスカイト型結晶構造のＰＺＴにおける各結晶面からの回折ピーク強度の総和である。
【００３１】
ペロブスカイト型結晶構造を有するＰｂを含む酸化物の場合は、上述したように結晶配向によって圧電性能を向上させることができるが、一方で、圧電体薄膜に発生する内部応力は大きくなる。図１に示すように圧電体層１４を積層膜で構成する場合に、優れた圧電性能は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａの影響を大きく受け、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂの影響を受ける度合いは少ない。つまり、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂの結晶配向性を、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａよりも低下させることによって、圧電性能の低下を抑えることができ、かつ圧電体薄膜トータルでの内部応力を抑えることが可能となる。
【００３２】
また、圧電体層１４は、引っ張り応力を有する場合と圧縮応力を有する場合とがある。応力状態が引っ張り応力である場合は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量に多い圧電体層１４ａの方での引っ張り応力の絶対値を化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂよりも小さくする。また、応力状態が圧縮応力の場合は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａの方での圧縮応力の絶対値を化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂよりも大きくする。これは、圧電性能に強く影響を及ぼす化学量論組成と比較してＰｂ組成量が多い圧電体層１４ａの応力状態を、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂの応力によって調整するためである。なぜなら、圧電薄膜の内部応力は、耐電圧などの信頼性に影響を及ぼすが、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａは、高い圧電性能を得ることを最優先に作製するので、必ずしも高い信頼性を有さないことがある。そこで、作製時に圧電薄膜の圧電性能への影響が小さい、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が少ない圧電体層１４ｂの応力を調整することにより、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が多い圧電体層１４ａの応力状態を制御するのである。具体的な数値で言えば、応力状態が引っ張り応力であっても圧縮応力であっても、その絶対値が３００ＭＰａ以下であればよいが、１００ＭＰａ以下であることがより望ましい。
【００３３】
次に、圧電体層１４の圧電定数に関しては、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａの圧電定数は化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂよりも大きくなるようにしている。上述したように、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂは、高湿度環境下での絶縁耐圧の確保、応力状態のコントロールを行う。そのため、それらの調整が圧電性能に与える影響を小さくするためである。
【００３４】
次に、圧電体層１４の比誘電率に関しては、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａは、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂよりも大きくなるようにしている。これも圧電定数の場合と同様、圧電体層１４の圧電性能に与える影響を小さくするためである。
【００３５】
次に、圧電体層１４の層厚は、０．５μｍ〜５．０μｍの範囲内であればよいが、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂにおいては、厚みが０．１〜１μｍであり、結晶粒径が０．１μｍ以上であるものとする。厚みが０．１μｍ以下であると、高湿度下でのリークパスの防止機能が十分でなく、１μｍ以上であると、圧電体層１４の圧電性能の低下が大きくなるためである。また、結晶粒径が０．１μｍ以下の場合は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂの圧電性能が大きく低下するためである。
【００３６】
次に、圧電体層１４は、柱状構造を有し、その粒子径は、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａが、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂよりも大きくなっている。化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａは、薄膜形成の際に厚み方向に生じる小さな空孔に加えて、結晶粒界に存在する過剰鉛の高湿度下での電気化学的な反応によってリークパスが形成され絶縁性能が低下する。化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａの結晶粒径を大きくすることにより、そのリークパスの発生箇所を少なくすることができる。
【００３７】
次に、圧電体層１４の周辺に配置される要素について説明する。基板１１は、シリコン基板や、ガラス基板、金属基板、セラミックス基板等である。密着層１２は、基板１１と第１の電極層１３との密着性を高めるためのものである。この実施の形態１では、一般性を保つ趣旨から密着層１２を設ける場合を示すが、基板１１と第１の電極層１３との密着性に問題がなければ、設ける必要はない。密着層１２の膜厚は、０．００５〜１μｍの範囲内であればよい。密着層１２に用いる材料は、この実施の形態１ではチタン（Ｔｉ）を用いているが、その他に、タンタル、鉄、コバルト、ニッケル若しくはクロムまたはそれらの化合物等でもよい。
【００３８】
第１の電極層１３に用いる材料は、通常は白金（Ｐｔ）を用いるが、Ｐｔ、イリジウム、パラジウム及びルテニウムの群から選ばれた少なくとも１種の貴金属又はそれらの化合物であればよく、膜厚は、０．０５〜２μｍの範囲内であればよい。また、第２の電極層１５は、通常は白金（Ｐｔ）を用いるが、任意の導電材料を用いてよい。その厚さは、０．１〜０．４μｍの範囲内であればよい。
【００３９】
以下に、６つの実施例を示してこの実施の形態１による措置の優位性を明らかにする。なお、この圧電体薄膜素子の成膜法には、スパッタリング法、真空蒸着法、レーザーアブレーション法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、ＰＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法、ＭＯＤ法など各種あるが、ここでは、スパッタリング法を用いて説明する。
【００４０】
（実施例１）
基板１１は、厚さが０．３ｍｍ、直径が４インチの円盤状シリコンウェハ基板である。この円盤状シリコンの基板１１の上面に、厚さ０．０２μｍの密着層１２、厚さ０．２２μｍの第１の電極層１３、厚さ３．２μｍのＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造とした圧電体層１４及び厚さ０．０２μｍの第２の電極層をスパッタリング法によって順に成膜することで、圧電体薄膜素子を作製した。
【００４１】
密着層１２は、例えばチタン（Ｔｉ）ターゲットを用いて、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において基板１１を４００℃に加熱しながら１００Ｗの高周波電力を１分間印加して厚さ０．０２μｍに成膜した。第１の電極層１３は、例えば白金（Ｐｔ）ターゲットを用い、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において基板１１を４００℃に加熱しながら２００Ｗの高周波電力を１２分間印加して厚さ０．２２μに成膜した。第２の電極層１５は、例えば白金（Ｐｔ）ターゲットを用い、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において、基板１１を室温に維持して２００Ｗの高周波電力を１０分間印加して成膜した。
【００４２】
さて、厚さ３．２μｍの圧電体層１４は、多元スパッタ装置を用いて作製した。ターゲットである菱面体晶系または正方晶系のペロブスカイト型結晶構造を有するＰＺＴには、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａ（１〜３）は、ＰＺＴ（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７、Ｐｂ量が２０モル％過剰）の焼結体ターゲットを用い、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂ（１，２）はＰＺＴ（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７、Ｐｂ量が５モル％過剰）を用いた。
【００４３】
図１に示す構成であれば、圧電体層１４ａ１，１４ｂ１，１４ａ２，１４ｂ２，１４ａ３の順に成膜することになる。圧電体層１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３は、それぞれ、真空度０．３Ｐａのアルゴンと酸素との混合雰囲気中（ガス体積比Ａｒ：Ｏ2＝１８：２）において、基板１１を５８０℃で加熱しながら、２５０Ｗの高周波電力を４５分間印加して厚み０．８μｍに成膜した。また、圧電体層１４ｂ１，１４ｂ２は、それぞれ、真空度０．３Ｐａのアルゴンと酸素との混合雰囲気中（ガス体積比Ａｒ：Ｏ2＝１８：２）において、基板１１を６５０℃で加熱しながら、２００Ｗの高周波電力を３５分間印加して厚み０．４μｍに成膜した。
【００４４】
そして、以上のような成膜条件で作製した圧電体薄膜素子における圧電体層１４について各種の観察を行った。まず、Ｘ線マイクロアナライザーによって調べたＰｂ組成は、圧電体層１４ａ（１〜３）は、Ｐｂ量が１０モル％過剰の組成であり、圧電体層１４ｂ（１，２）は、Ｐｂ量が２モル％少ない組成であった。
【００４５】
また、ＳＥＭ観察の結果、圧電体層１４は柱状構造を有しており、その柱状粒子径は、圧電体層１４ａ（１〜３）が０．４μｍであり、圧電体層１４ｂ（１，２）が０．２μｍであった。圧電体層１４ａ（１〜３）の１層の厚みは０．８μｍであり、圧電体層１４ｂ（１，２）の１層の厚みは０．４μｍであり、圧電体層１４のトータルの厚みは、３．２μｍであった。
【００４６】
上述した成膜条件で作製した圧電体層１４の結晶構造、結晶配向性、内部応力をＸ線回折及びｓｉｎ2ψ法によって調べた。その結果、得られた圧電体層１４は、菱面体晶系ペロブスカイト型結晶構造を有しており、＜１１１＞面に配向をしていた。また、＜１１１＞結晶配向性は、圧電体層１４ａ（１〜３）では、＜１１１＞配向率が９９％であり、圧電体層１４ｂ（１，２）では、＜１１１＞配向率が７０％であった。また、それぞれの層の内部応力は、引っ張り応力であって、圧電体層１４ａ（１〜３）では、１２ＭＰａであり、圧電体層１４ｂ（１，２）では、３６ＭＰａであった。
【００４７】
次に、第２の電極層１５を形成する前の状態のものから、ダイシングにより１５ｍｍ×２ｍｍに切り出したカンチレバーを１００個作製し、０．２μｍ厚の第２の電極層１５をスパッタリング法によって形成して圧電定数の測定を行った。なお、測定方法は、（特許文献５）と基本的に同じである。その結果、カンチレバーの圧電定数は平均１５２ｐＣ／Ｎであり、ばらつきσは、σ＝３．４％であった。
【００４８】
そして、上述した成膜条件で、第１の電極層１３上に、圧電体層１４ａの１層のみを形成したサンプル１Ａと、サンプル１Ａの上に圧電体層１４ｂの１層のみを形成したサンプル１Ｂと、さらにサンプル１Ｂの上に圧電体層１４ａの１層形成したサンプル１Ｃとを作製し、それぞれについて同様に圧電定数を測定し、そこで得られた３つのサンプル（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）の各圧電定数の値から、圧電体層１４ａと圧電体層１４ｂとの各圧電定数を換算して求めた。その結果、圧電体層１４ａの圧電定数は、１６８ｐＣ／Ｎであり、圧電体層１４ｂの圧電定数は、１２０ｐＣ／Ｎであった。また、圧電体層１４ａ，１４ｂの比誘電率も同様の方法で求めた結果、圧電体層１４ａでは８５０であり、圧電体層１４ｂでは７７０であった。
【００４９】
次に、圧電定数の測定系を高温高湿層内に入れ、４０℃、湿度８０％の雰囲気中で、上記カンチレバーに波高値４０Ｖ、周波数２００Ｈｚのｓｉｎ波電圧を連続して印加した状態で、３０個のサンプルに対して圧電定数の変化を調べた。その結果、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造をした圧電体層１４では、測定した３０個全てにおいて２００時間連続して電圧を印加し続けても圧電定数の低下は見られず、３００時間後に２６個のサンプルで２〜２０％の低下が見られた。
【００５０】
しかし、圧電定数の測定後にＤＣ５０Ｖの電圧を３０個全てのサンプルに印加してリーク電流を測定した結果、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構成の圧電体層１４では、リーク電流が５×１０-7（Ａ／ｃｍ2）以下であり、測定開始前と同じ値であった。したがって、３００時間後に圧電特性に低下が見られたのは、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層にリークが発生したことが原因であると考えられるが、上下電極層間の膜厚方向に、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層が存在するので、上下電極層間でのリーク電流が増加しなかったと考えることができる。
【００５１】
（実施例２）
この実施例２は、実施例１に対する比較例であって、圧電体層１４を、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造ではなく、従来の構成例の一つである化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａのみの単層構成としたもので、実施例１と同様の成膜条件で各層を成膜して作製した。
【００５２】
この化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層のみの単層構成の圧電体層１４ａでは、膜厚は３．２μｍであり、＜１１１＞に優先配向していた。Ｘ線マイクロアナライザーによって調べたＰｂ組成は、化学量論組成と比較してＰｂ量が１０モル％過剰であった。
【００５３】
そして、第２の電極層１５を形成する前の状態のものをダイシングによって１５ｍｍ×２ｍｍに切り出したカンチレバーを１００個作製し、０．２μｍ厚の第２の電極層１５をスパッタリング法によって形成し、圧電定数の測定を行った。その結果、カンチレバーの圧電定数は、平均１７０ｐＣ／Ｎであり、ばらつきσは、実施例１（σ＝３．４％）よりも少ないσ＝２．９％であった。また、比誘電率は８７０であった。
【００５４】
次に、圧電定数の測定系を高温高湿層内に入れ、３０個のサンプルに対して４０℃、湿度８０％の雰囲気中で、上記カンチレバーに波高値４０Ｖ、周波数２００Ｈｚのｓｉｎ波電圧を連続して印加した状態で、３０個のサンプルに対して圧電定数の変化を調べた結果、単層構成の圧電体層１４では、測定した３０個全てにおいて１０時間後に圧電定数が３０％以上低下し、５０時間後には測定不能となった。
【００５５】
そして、圧電定数の測定後に、ＤＣ５０Ｖの電圧を３０個全てのサンプルに印加してリーク電流を測定した結果、単層構成の圧電体層１４では、リーク電流が１×１０-3（Ａ／ｃｍ2）以上であり、明らかにリークが発生していた。
【００５６】
以上の実施例１，２の比較から、＜１１１＞面に優先配向しているので、両者はほぼ同等の圧電性能を有しているが、絶縁性は、実施例１の方が優れている。つまり、圧電体層を化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造とした場合には、圧電体層を化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層の単層構成とした場合と比較して、ほぼ同等の圧電性能を有し、かつ優れた信頼性を有していることが解る。
【００５７】
（実施例３）
この実施例３は、実施例１に対する比較例であって、圧電体層１４を、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造ではなく、従来の構成例の一つである化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂのみの単層構成としたもので、実施例１と同様の成膜条件で各層を成膜して作製した。
【００５８】
この化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層のみの単層構成の圧電体層１４ｂでは膜厚は３．２μｍであり、＜１１１＞に優先配向していた。Ｘ線マイクロアナライザーにて調べたＰｂ組成は、化学量論組成と比較してＰｂ量が２モル％少ない組成であった。
【００５９】
そして、第２の電極層１５を形成する前の状態のものをダイシングによって１５ｍｍ×２ｍｍに切り出したカンチレバーを１００個作製し、０．２μｍ厚の第２の電極層１５をスパッタリング法によって形成し、圧電定数の測定を行った。その結果、カンチレバーの圧電定数は、平均１１２ｐＣ／Ｎであり、ばらつきσは、実施例１（σ＝３．４％）よりも多いσ＝９．６％であった。また、比誘電率は８７０であった。
【００６０】
次に、圧電定数の測定系を高温高湿層内に入れ、４０℃、湿度８０％の雰囲気中で、上記カンチレバーに波高値４０Ｖ、周波数２００Ｈｚのｓｉｎ波電圧を連続して印加した状態で、３０個のサンプルに対して圧電定数の変化を調べた。その結果、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層の単層構造をした圧電体層１４ｂでは、測定した３０個全てにおいて３００時間連続して電圧を印加し続けても圧電定数の低下は見られなかった。
【００６１】
そして、圧電定数の測定後に、ＤＣ５０Ｖの電圧を３０個全てのサンプルに印加してリーク電流を測定した結果、実施例１と同様に、リーク電流が５×１０-7（Ａ／ｃｍ2）以下であり、測定開始前と同じ値であった。
【００６２】
以上の実施例１，３の比較から、＜１１１＞面に優先配向しているので、両者はほぼ同等の圧電性能を有している。そして、両者の絶縁性もほぼ同等である。つまり、圧電体層を化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造とした場合には、圧電体層を化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層の単層構成とした場合と比較して、ほぼ同等の信頼性を有し、かつ優れた圧電特性を有していることが解る。
【００６３】
（実施例４）
この実施例４では、基板１１にＭｇＯ単結晶基板を用いて、実施例１と同様の化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造とした圧電体層１４を作製する。即ち、ＭｇＯ単結晶の基板１１上に、密着層１２、第１の電極層１３、Ｐｂ組成量が異なる複数層の積層構造とした圧電体層１４、および第２の電極層１５を、スパッタリング法によって順次成膜することにより、圧電体薄膜素子を作製した。
【００６４】
密着層１２は、Ｔｉターゲットを用い、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において、基板１１を４００℃に加熱しながら１００Ｗの高周波電力を１分間印加して成膜した。第１の電極層１３は、Ｐｔターゲットを用い、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において、基板１１を６００℃に加熱しながら１８０Ｗの高周波電力を１２分間印加して成膜した。第２の電極層１５は、Ｐｔターゲットを用い、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において、基板１１を室温に維持して２００Ｗの高周波電力を１０分間印加して成膜した。
【００６５】
さて、圧電体層１４は、多元スパッタ装置を用いて作製した。ターゲットである菱面体晶系または正方晶系のペロブスカイト型結晶構造を有するＰＺＴには、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａ（１〜３）は、ＰＺＴ（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７、Ｐｂ量が２５モル％過剰）の焼結体ターゲットを用い、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂ（１，２）はＰＺＴ（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７、Ｐｂ量が１０モル％過剰）を用いた。
【００６６】
図１に示す構成であれば、圧電体層１４ａ１，１４ｂ１，１４ａ２，１４ｂ２，１４ａ３の順に成膜することになる。圧電体層１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３は、それぞれ、真空度０．３Ｐａのアルゴンと酸素との混合雰囲気中（ガス体積比Ａｒ：Ｏ2＝１９：１）において、基板１１を６００℃で加熱しながら、２５０Ｗの高周波電力を４５分間印加して厚み０．８μｍに成膜した。また、圧電体層１４ｂ１，１４ｂ２は、それぞれ、真空度０．３Ｐａのアルゴンと酸素との混合雰囲気中（ガス体積比Ａｒ：Ｏ2＝１９．６：０．４）において、基板１１を６８０℃で加熱しながら、２００Ｗの高周波電力を３５分間印加して厚み０．４μｍに成膜した。
【００６７】
そして、以上のような成膜条件で作製した圧電体薄膜素子における圧電体層１４について各種の観察を行った。まず、Ｘ線マイクロアナライザーによって調べたＰｂ組成は、圧電体層１４ａ（１〜３）は、Ｐｂ量が１２モル％過剰の組成であり、圧電体層１４ｂ（１，２）は、Ｐｂ量が２モル％少ない組成であった。
【００６８】
また、ＳＥＭ観察の結果、圧電体層１４は柱状構造を有しており、その柱状粒子径は、圧電体層１４ａ（１〜３）が０．６μｍであり、圧電体層１４ｂ（１，２）が０．３μｍであった。圧電体層１４ａ（１〜３）の１層の厚みは０．８μｍであり、圧電体層１４ｂ（１，２）の１層の厚みは０．４μｍであり、圧電体層１４のトータルの厚みは、３．２μｍであった。
【００６９】
上述した成膜条件で作製した圧電体層１４の結晶構造、結晶配向性、内部応力をＸ線回折及びｓｉｎ2ψ法によって調べた。その結果、得られた圧電体層１４は、正方晶系ペロブスカイト型結晶構造を有しており、＜００１＞面に配向をしていた。また、＜００１＞結晶配向性は、圧電体層１４ａ（１〜３）では、＜００１＞配向率が９９％であり、圧電体層１４ｂ（１，２）では、＜００１＞配向率が６５％であった。また、それぞれの層の内部応力は、圧縮応力であって、圧電体層１４ａ（１〜３）では、３８ＭＰａであり、圧電体層１４ｂ（１，２）では、２４ＭＰａであった。
【００７０】
次に、第２の電極層１５を形成する前の状態のものから、ダイシングにより１５ｍｍ×２ｍｍに切り出したカンチレバーを１００個作製し、０．２μｍ厚の第２の電極層１５をスパッタリング法によって形成して圧電定数の測定を行った。なお、測定方法は、（特許文献５）と基本的に同じである。その結果、カンチレバーの圧電定数は平均１３５ｐＣ／Ｎであり、ばらつきσは、σ＝２．６％であった。
【００７１】
そして、上述した成膜条件で、第１の電極層１３上に、圧電体層１４ａの１層のみを形成したサンプル１Ａと、サンプル１Ａの上に圧電体層１４ｂの１層のみを形成したサンプル１Ｂと、さらにサンプル１Ｂの上に圧電体層１４ａの１層形成したサンプル１Ｃとを作製し、それぞれについて同様に圧電定数を測定し、そこで得られた３つのサンプル（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）の各圧電定数の値から、圧電体層１４ａと圧電体層１４ｂとの各圧電定数を換算して求めた。その結果、圧電体層１４ａの圧電定数は、１４５ｐＣ／Ｎであり、圧電体層１４ｂの圧電定数は、１０８ｐＣ／Ｎであった。また、圧電体層１４ａ，１４ｂの比誘電率も同様の方法で求めた結果、圧電体層１４ａでは３４０であり、圧電体層１４ｂでは２８０であった。
【００７２】
次に、圧電定数の測定系を高温高湿層内に入れ、４０℃、湿度８０％の雰囲気中で、上記カンチレバーに波高値４０Ｖ、周波数２００Ｈｚのｓｉｎ波電圧を連続して印加した状態で、３０個のサンプルに対して圧電定数の変化を調べた。その結果、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造をした圧電体層１４では、測定した３０個全てにおいて２００時間連続して電圧を印加し続けても圧電定数の低下は見られず、３００時間後に２４個のサンプルで約５〜１５％の低下が見られた。
【００７３】
しかし、圧電定数の測定後にＤＣ５０Ｖの電圧を３０個全てのサンプルに印加してリーク電流を測定した結果、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構成の圧電体層１４では、リーク電流が５×１０-7（Ａ／ｃｍ2）以下であり、測定開始前と同じ値であった。したがって、３００時間後に圧電特性に低下が見られたのは、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層にリークが発生したことが原因であると考えられるが、上下電極層間の膜厚方向に、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層が存在するので、上下電極層間でのリーク電流が増加しなかったと考えることができる。
【００７４】
（実施例５）
この実施例５は、実施例４に対する比較例であって、圧電体層１４を、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造ではなく、従来の構成例の一つである化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａのみの単層構成としたもので、実施例４と同様の成膜条件で各層を成膜して作製した。
【００７５】
この化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層のみの単層構成の圧電体層１４では、膜厚は３．２μｍであり、＜００１＞に優先配向していた。Ｘ線マイクロアナライザーによって調べたＰｂ組成は、化学量論組成と比較してＰｂ量が１２モル％過剰であった。
【００７６】
そして、第２の電極層１５を形成する前の状態のものをダイシングによって１５ｍｍ×２ｍｍに切り出したカンチレバーを１００個作製し、０．２μｍ厚の第２の電極層１５をスパッタリング法によって形成し、圧電定数の測定を行った。その結果、カンチレバーの圧電定数は、平均１４７ｐＣ／Ｎであり、ばらつきσは、実施例４（σ＝２．６％）よりも少ないσ＝２．４％であった。また、比誘電率は３４５であった。
【００７７】
次に、圧電定数の測定系を高温高湿層内に入れ、３０個のサンプルに対して４０℃、湿度８０％の雰囲気中で、上記カンチレバーに波高値４０Ｖ、周波数２００Ｈｚのｓｉｎ波電圧を連続して印加した状態で、３０個のサンプルに対して圧電定数の変化を調べた結果、単層構成の圧電体層１４では、測定した３０個全てにおいて１０時間後に圧電定数が３０％以上低下し、５０時間後には測定不能となった。
【００７８】
そして、圧電定数の測定後に、ＤＣ５０Ｖの電圧を３０個全てのサンプルに印加してリーク電流を測定した結果、単層構成の圧電体層１４では、リーク電流が１×１０-3（Ａ／ｃｍ2）以上であり、明らかにリークが発生していた。
【００７９】
以上の実施例４，５の比較から、＜００１＞面に優先配向しているので、両者はほぼ同等の圧電性能を有しているが、絶縁性は、実施例４の方が優れている。つまり、圧電体層を化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造とした場合には、圧電体層を化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い層の単層構成とした場合と比較して、ほぼ同等の圧電性能を有し、かつ優れた信頼性を有していることが解る。
【００８０】
（実施例６）
この実施例６は、実施例４に対する比較例であって、圧電体層１４を、化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造ではなく、従来の構成例の一つである化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂのみの単層構成としたもので、実施例４と同様の成膜条件で各層を成膜して作製した。
【００８１】
この化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層のみの単層構成の圧電体層１４では膜厚は３．２μｍであり、＜００１＞に優先配向していた。Ｘ線マイクロアナライザーにて調べたＰｂ組成は、化学量論組成と比較してＰｂ量が２モル％少ない組成であった。
【００８２】
そして、第２の電極層１５を形成する前の状態のものをダイシングによって１５ｍｍ×２ｍｍに切り出したカンチレバーを１００個作製し、０．２μｍ厚の第２の電極層１５をスパッタリング法によって形成し、圧電定数の測定を行った。その結果、カンチレバーの圧電定数は、平均１０２ｐＣ／Ｎであり、ばらつきσは、実施例４（σ＝２．６％）よりも多いσ＝１０．３％であった。また、比誘電率は２４５であった。
【００８３】
次に、圧電定数の測定系を高温高湿層内に入れ、４０℃、湿度８０％の雰囲気中で、上記カンチレバーに波高値４０Ｖ、周波数２００Ｈｚのｓｉｎ波電圧を連続して印加した状態で、３０個のサンプルに対して圧電定数の変化を調べた。その結果、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層の単層構造をした圧電体層１４では、測定した３０個全てにおいて３００時間連続して電圧を印加し続けても圧電定数の低下は見られなかった。
【００８４】
そして、圧電定数の測定後に、ＤＣ５０Ｖの電圧を３０個全てのサンプルに印加してリーク電流を測定した結果、実施例１と同様に、リーク電流が５×１０-7（Ａ／ｃｍ2）以下であり、測定開始前と同じ値であった。
【００８５】
以上の実施例４，６の比較から、＜００１＞面に優先配向しているので、両者はほぼ同等の圧電性能を有している。そして、両者の絶縁性もほぼ同等である。つまり、圧電体層を化学量論組成と比較してＰｂ組成量が異なる複数層の積層構造とした場合には、圧電体層を化学量論組成と比較してＰｂ組成量の少ない層の単層構成とした場合と比較して、ほぼ同等の信頼性を有し、かつ優れた圧電特性を有していることが解る。
【００８６】
（実施の形態２）
この実施の形態２では、実施の形態１による圧電体薄膜素子をインク吐出の駆動源となる振動子として用いるインクジェットヘッドの構成例を示す。端的には、このインクジェットヘッドは、実施の形態１による圧電体薄膜素子のいずれかの電極側の面に設けた振動板層と、前記振動板層の前記圧電体薄膜素子とは反対側の面に接合され、インクを収容する圧力室を有する圧力室部材とを備え、前記圧電体薄膜素子の圧電効果によって前記振動板層を層厚方向に変位させて前記圧力室のインクを吐出させるように構成される。以下、具体的な構成例（図２〜図４）とその製造手順（図５〜図１０）とを示す。
【００８７】
図２は、本発明の実施の形態２によるインクジェットヘッドの全体構成を示す外観図である。図３は、図２に示すインクジェットヘッドの要部の構成を示す斜視図である。図２、図３に示すように、インクジェットヘッド１００は、主な要素として、圧力室部材Ａとアクチュエータ部Ｂとインク流路部材Ｃとノズル板Ｄとを備えている。
【００８８】
図２、図３において、圧力室部材Ａには、その厚み方向（上下方向）に貫通する圧力室に多数の開口部１０１が千鳥状に形成されている。この多数の開口部１０１は、その上端開口部を共通に被覆するように配置されるアクチュエータ部Ｂと、その下端開口部を共通に被覆するように配置されるインク流路部材Ｃとによってその上下端が閉塞されることで、個別の圧力室１０２となる。
【００８９】
インク流路部材Ｃは、インク供給方向に並ぶ圧力室１０２間で共用する共通液室１０５と、この共通液室１０５のインクを圧力室１０２に供給するための供給口１０６と、圧力室１０２内のインクを吐出させるためのインク流路１０７とを有している。ノズル板Ｄには、インク流路１０７に連通するノズル孔１０８が形成されている。また、ＩＣチップＥから各個別電極１０３に対してボンディングワイヤＢＷを通して電圧をそれぞれ供給するようになっている。
【００９０】
次に、図４は、図２に示すインクジェットヘッドの要部であるアクチュエータ部の構成を示す断面図である。図４では、図２に示したインク供給方向とは直交する方向での断面構成が示され、上記直交方向に並ぶ４個の圧力室１０２を持つ圧力室部材Ａが参照的に描かれている。４個の圧力室１０２は、区画壁１０２ａで仕切られている。
【００９１】
図４に示すように、アクチュエータ部Ｂは、各圧力室１０２に共通の天井面を構成する部材として、区画壁１０２ａの上端面に接着剤１１４にて接着される中間層（区画壁１０２ａの側壁面と面一に形成される）１１３と、その上に積層される振動層１１１と、その上に積層される共通電極である第２の電極層１１２とを備えている。
【００９２】
そして、アクチュエータ部Ｂは、圧力室１０２毎の駆動手段として、第２の電極層１１２の上面における各圧力室１０２の直上位置に設けられる圧電体層１１０と、その上に積層される個別電極である第１の電極層１０３とを備えている。
【００９３】
つまり、アクチュエータ部Ｂは、圧力室１０２毎に、第２の電極層１１２、圧電体層１１０、及び第１の電極層１０３が順に積層される構成の圧電体薄膜素子を備えている。そして、振動層１１１が共通電極である第２の電極層１１２側に設けられている。第１の電極層１０３、圧電体層１１０及び第２の電極層１１２の各構成材料は、実施の形態１にて説明した第１の電極層１３、圧電体層１４及び第２の電極層１５のそれぞれと同様である。但し、構成元素の含有量が異なるものもある。また、圧電体層１１０の構造も、圧電体層１４と同様であり、化学量論組成と比較してＰｂ組成量の多い圧電体層１４ａとＰｂ組成量の少ない圧電体層１４ｂとの積層構造である。
【００９４】
アクチュエータ部Ｂでは、この構成によれば、１つの圧力室１０２に対する圧電体層１１０の圧電効果によって振動層１１１が層厚方向に変位し振動することで、その圧力室１０２の容積を変化させることができる。
【００９５】
なお、圧力室部材Ａとアクチュエータ部Ｂとは、接着剤１１４によって接着されているが、各中間層１１３は、この接着剤１１４を用いた接着時に、その一部の接着剤１１４が区画壁１０２ａの外方にはみ出した場合でも、この接着剤１１４が振動層１１１に付着しないで振動層１１１が所期通りの変位及び振動を起こすように、区画壁１０２ａの上端面である圧力室１０２の上面と振動層１１１の下面との距離を拡げる役割を有している。したがって、中間層１１３を設けずに、区画壁１０２ａの上端面に直接振動層１１１を支持させる構成を採る場合もある。
【００９６】
次に、図５〜図９を参照して、図２に示すＩＣチップＥを除く要部、つまり、図３に示す圧力室部材Ａ、アクチュエータ部Ｂ、インク流路部材Ｃ及びノズル板Ｄからなるインクジェットヘッドの製造方法について説明する。
【００９７】
図５は、図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（積層工程、圧力室用開口部の形成工程及び接着剤の付着工程）を説明する断面図である。図５（ａ）に示すように、基板１２０上に、順次、密着層１２１、第１の電極層１０３、圧電体層１１０、第２の電極層１１２、振動層１１１、中間層（最終的には縦壁になる）１１３をスパッタリング法によって成膜して積層する。
【００９８】
なお、密着層１２１は、実施の形態１にて説明した密着層１２と同様であって、基板１２０と第１の電極層１０３との密着性を高めるために両者間に介在させてある。つまり、密着層１２１は、必須のものではない。後述するように、密着層１２１は、基板１２０と同様に除去される。
【００９９】
ここで、基板１２０は、成膜用の基板、つまり、１つの圧電体薄膜素子を作製する単位となる基板である。この基板１２０は、実施の形態１にて説明した基板１１と同様であって、シリコン（Ｓｉ）基板や、ガラス基板、金属基板、セラミックス基板のいずれで構成してもよい。そして、形状は、実施例１にて示したように適宜厚さの円盤状でもよいが、ここでは、基板１２０には、例えば厚さ１８ｍｍの四角形状に切り落としたＳｉ基板を用いた。
【０１００】
そして、密着層１２１、第１の電極層１０３、圧電体層１１０、および第２の電極層１１２は、上記した実施例１と同様の方法で作製し、圧電体層１１０は、実施例１にて説明した内容のＰｂ組成量が異なる層の積層構成になっている。ここでは、追加要素である振動層１１１及び中間層１１３の材料と作製方法とを説明する。
【０１０１】
即ち、振動層１１１は、Ｃｒ、ニッケル、アルミニウム、タンタル、タングステン、シリコン等の単体又はこれらの酸化物若しくは窒化物（例えば二酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化シリコン）等のいずれか一つ、例えばＣｒターゲットを用いて、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において基板１２０を室温に維持して２００Ｗの高周波電力を６時間印加して膜厚３μｍに成膜した。振動層１１１の膜厚は、２μｍ〜５μｍの範囲内であればよい。
【０１０２】
また、中間層１１３は、ＴｉやＣｒ等の導電性金属、例えばＴｉターゲットを用いて、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において基板１２０を室温に維持して２００Ｗの高周波電力を５時間印加して膜厚５μｍに成膜した。中間層１１３の膜厚は、３μｍ〜１０μｍの範囲内であればよい。
【０１０３】
次に、図５（ｂ）（ｃ）及び図１０に示すように圧力室部材Ａを形成する。なお、図１０は、成膜用基板と圧力室部材用基板との関係を説明する平面図である。図１０に示すように、圧力室部材Ａで使用する基板１３０は、必要数のＳｉ基板１２０が搭載できる程度に大きいサイズのＳｉウェハ基板である。具体的には、基板１３０は、径が２インチ〜１０インチの範囲内の適宜直径（ここでは４インチとした）の円盤状をしている。
【０１０４】
圧力室部材Ａは、このＳｉ基板１３０を使用して形成される。具体的には、先ず、Ｓｉ基板１３０に対して複数の圧力室用開口部１０１をパターンニングする。このパターンニングは、図５（ｂ）から判るように、４つの圧力室用開口部１０１を１組として、各組を区画する区画壁１０２ｂの幅厚は、各組内の圧力室用開口部１０１を区画する区画壁１０２ａの幅の約２倍に設定される。
【０１０５】
その後、上記パターンニングされたＳｉ基板１３０をケミカルエッチング又はドライエッチング等で加工して各組で４個の圧力室用開口部１０１を形成することで、圧力室部材Ａを得る。
【０１０６】
その後は、図５（ｃ）に示すように、圧力室部材ＡとＳｉ基板１３０とを接着剤にて接着する。この接着剤の形成は電着による。図５（ｃ）において、まず、圧力室部材Ａ側の接着面として圧力室の区画壁１０２ａ，１０２ｂの上面に接着剤１１４を電着によって付着させる。具体的には、図示しないが、区画壁１０２ａ，１０２ｂの上面に、下地電極膜として、光が透過する程度に薄い数百ÅのＮｉ薄膜をスパッタ法によって形成し、その後、当該Ｎｉ薄膜上に、パターニングされた接着剤１１４を形成する。
【０１０７】
ここで、電着液としては、アクリル樹脂系水分散液に０〜５０重量部の純水を加え、良く攪拌混合した溶液を使用する。また、Ｎｉ薄膜の膜厚を光が透過するほど薄く設定するのは、Ｓｉ基板１３０に接着樹脂が完全に付着したことを容易に視認できるようにするためである。電着条件は、実験によると、液温約２５℃、直流電圧３０Ｖ、通電時間６０秒が好適である。この条件下で約３μｍ〜１０μｍのアクリル樹脂を、圧力室部材用Ｓｉ基板１３０のＮｉ薄膜上に電着形成する。
【０１０８】
次に、図６は、図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（成膜後の成膜用基板と圧力室部材との接着工程及び縦壁の形成工程）を説明する断面図である。図６（ａ）に示すように、上記のように積層された成膜用Ｓｉ基板１２０の所定数と圧力室部材Ａ（つまりＳｉ基板１３０）とを上記のように電着された接着剤１１４を用いて接着する。この接着は、Ｓｉ基板１２０に成膜された中間層１１３を基板側接着面として行う。
【０１０９】
図１０は、この状態を示している。図１０に示す例では、Ｓｉ基板１２０は１８ｍｍ角の矩形状であるのに対し、Ｓｉ基板１３０の盤面は、４インチサイズという大きな円形状をしているので、１４個の成膜用Ｓｉ基板１２０が圧力室部材Ａで使用する１つのＳｉ基板１３０に貼り付けられている。
【０１１０】
この貼り付けは、図６（ａ）に示すように、各Ｓｉ基板１２０の中心が圧力室部材Ａの区画壁１０２ｂの中心に位置するように位置決めした状態で行われる。貼り付け後、圧力室部材ＡをＳｉ基板１２０側に押圧、密着させて、両者の接着を液密性高くする。さらに、上記接着したＳｉ基板１２０及び圧力室部材Ａを加熱炉において徐々に昇温加熱して接着剤１１４を完全に硬化させる。続いて、図６（ｂ）に示すように、プラズマ処理を行って接着剤１１４のうち、圧力室用開口部１０１内にはみ出した断片を除去する。また、圧力室部材Ａの各区画壁１０２ａ，１０２ｂをマスクとして中間層１１３をエッチングし、各区画壁１０２ａ，１０２ｂの縦壁に連続するような所定形状に仕上げる。
【０１１１】
なお、図６（ａ）では、成膜後のＳｉ基板１２０と圧力室部材Ａとを接着したが、圧力室用開口部１０１を形成しない段階の圧力室部材用Ｓｉ基板１３０を成膜後のＳｉ基板１２０と接着してもよい。
【０１１２】
次に、図７は、図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（成膜後の成膜用基板及び密着層の除去工程及び第１の電極層の個別化工程）を説明する断面図である。図７（ａ）に示すように、図６（ｂ）とした後に、成膜後の成膜用基板１２０及び密着層１２１をエッチングによって除去する。その後、図７（ｂ）に示すように、圧力室部材Ａ上に位置する第１の電極層１０３について、フォトリソグラフィー技術を用いてエッチングして、各圧力室１０２に個別化する。
【０１１３】
次に、図８は、図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（圧電体層の個別化工程及び圧力室部材用基板の切断工程）を説明する断面図である。図８（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて圧電体層１１０をエッチングして第１の電極層１０３と同様の形状に個別化する。これらエッチングでは、第１の電極層１０３及び圧電体層１１０が、圧力室１０２の各々の上方に位置し、かつ第１の電極層１０３及び圧電体層１１０の幅方向の中心が対応する圧力室１０２の幅方向の中心に対し高精度に一致するように形成される。
【０１１４】
このように第１の電極層１０３及び圧電体層１１０を圧力室１０２毎に個別化した後、図８（ｂ）に示すように、圧力室部材用基板（Ｓｉ基板１３０）を各区画壁１０２ｂの部分で切断し、４つの圧力室１０２を持つ圧力室部材Ａとその上面に固定されたアクチュエータ部Ｂとが４組完成する。
【０１１５】
次に、図９は、図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（インク流路部材及びノズル板の生成工程、インク流路部材とノズル板との接着工程、圧力室部材とインク流路部材との接着工程及び完成したインクジェットヘッド）を説明する断面図である。
【０１１６】
その後、図９（ａ）に示すように、インク流路部材Ｃに共通液室１０５、供給口１０６及びインク流路１０７を形成するとともに、ノズル板Ｄにノズル孔１０８を形成する。次いで、図９（ｂ）に示すように、インク流路部材Ｃとノズル板Ｄとを接着剤１０９を用いて接着する。
【０１１７】
その後、図９（ｃ）に示すように、圧力室部材Ａの下端面又はインク流路部材Ｃの上端面に接着剤（図示せず）を転写し、圧力室部材Ａとインク流路部材Ｃとのアライメント調整を行ってこの両者を上記接着剤により接着する。以上によって、図９（ｄ）に示すように、圧力室部材Ａ、アクチュエータ部Ｂ、インク流路部材Ｃ及びノズル板Ｄを持つインクジェットヘッドが完成する。
【０１１８】
以上のようにして作製したインクジェットヘッドは、実施の形態１における実施例１による組成条件で作製した積層構成の圧電体薄膜（圧電体層）を有する圧電体薄膜素子を用いている。このインクジェットヘッドにおいて、第１の電極層１０３及び第の２電極層１１２間に、周波数が２０ｋＨｚで波高値３０Ｖの交流電圧を１００日間印加し続けたが、インクの吐出不良は全くなく、吐出性能の低下は見られなかった。
【０１１９】
一方、実施の形態１における実施例２による方法で作製した単層構成の圧電体薄膜（圧電体層）を有する圧電体薄膜素子を用いるインクジェットヘッドを作製し、このインクジェットヘッドについて同様の試験を実施したところ、全圧力室１０２に対応する部分でインク吐出不良が発生した。これは、インクの詰まり等ではないことから、アクチュエータ部Ｂ（圧電体薄膜素子）にクラックが発生しリーク電流が発生したと考えられる。
【０１２０】
したがって、実施の形態１における実施例１による組成条件で作製した積層構成の圧電体薄膜（圧電体層）を有する圧電体薄膜素子を用いるこの実施の形態２によるインクジェットヘッドは、高湿度下での信頼性に優れていることが判る。
【０１２１】
（実施の形態３）
図１１は、本発明の実施の形態３によるインクジェットヘッドの主要部の構成を示す断面図である。この実施の形態３では、実施の形態２にて示した成膜用基板と圧力室部材用基板とを１つの基板で兼用する場合の構成例を示す。そのため、図１１では、主要部として圧力室部材Ａ及びアクチュエータ部Ｂに関わる部分を中心に示してある。
【０１２２】
図１１において、符号４０１は、成膜用基板と圧力室部材用基板とを兼用する基板であり、ここでは圧力室基板と称している。この圧力室基板４０１は、Ｓｉ基板１３０で構成されている。
【０１２３】
具体的には、圧力室基板４０１は、直径が４インチで厚さが２００μｍの円盤状をしたＳｉ基板である。この圧力室基板４０１の片面（図示例では下面）にエッチング加工を施して圧力室４０２が形成されている。圧力室４０２は、側壁４１３で囲まれている。図１１では、圧力室４０２は、１つ示すが、多数の圧力室４０２が側壁４１３で分離される形で配置されている。
【０１２４】
側壁４１３の一端側面（図中下端側の面）には、ノズル孔４１０を有するノズル板４１２が各圧力室４０２の開口部を塞ぐように設けられている。そして、側壁４１３の他端側面（図中上端側の面）には、各圧力室４０２の天井を構成する振動層４０３、密着層４０４及び第１の電極層（共通電極）４０６がこの順に積層され、その上に、当該圧力室４０２用の圧電体薄膜素子を構成する圧電体層４０８及び第２の電極層（個別電極）４０９がこの順に積層されている。
【０１２５】
密着層４０４、第１の電極層４０６、圧電体層４０８及び第２の電極層４０９の各構成材料は、実施の形態２にて説明した密着層１２１、第１の電極層１０３、圧電体層１１０及び第２の電極層１１２とそれぞれ同様である。また、圧電体層４０８の構造も圧電体層１１０と同様に、実施の形態１での実施例１にて説明した３層構成のものである。なお、密着層４０４は、振動層４０３と第１の電極層４０６との密着性を高めるものであり、密着性を問題としない場合には、実施の形態２における密着層１２１と同様に、設けなくともよい。
【０１２６】
ここで、振動層４０３は、実施の形態２にて説明した材料、即ち、ニッケルやクロム等の単体又はその酸化物若しくは窒化物（例えば二酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化シリコン）のいずれか一つ、例えば二酸化シリコンを膜厚２．８μｍに成膜して形成した。なお、振動層１１１の膜厚は、０．５μm〜１０μmの範囲内であればよい。
【０１２７】
次に、この実施の形態３によるインクジェットヘッドの製造方法について説明する。ここでは、図１２を参照して、主要部である図１１に示す圧力室部材及びアクチュエータ部の製造方法について説明する。なお、図１２は、図１１に示す圧力室部材及びアクチュエータ部の製造手順（積層工程及び圧力室形成工程）を説明する断面図である。
【０１２８】
図１２（ａ）に示すように、まず、圧力室４０２が形成されていない圧力室基板４０１の上面に、振動層４０３、密着層４０４、第１の電極層４０６、圧電体層４０８及び第２の電極層４０９をスパッタ法により順次形成する。
【０１２９】
振動層４０３は、二酸化シリコン焼結体のターゲットを用いて、真空度０．４Ｐａのアルゴンと酸素との混合雰囲気（ガス体積比Ａｒ：Ｏ2＝５：２５）中において、圧力室基板４０１を室温に維持して、３００Ｗの高周波電力を８時間印加して２．８μｍの膜厚に成膜した。振動層４０３の膜厚は、０．５μｍ〜１０μｍの範囲内であればよい。なお、この振動層４０３の成膜法としては、スパッタリング法に限らず、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法等であってもよく、圧力室基板４０１の熱酸化処理で形成する方法であってもよい。
【０１３０】
密着層４０４は、Ｔｉ、タンタル、鉄、コバルト、ニッケル若しくはクロム又はそれら（Ｔｉを含む）の化合物のいずれか一つ、例えばＴｉターゲットを用いて、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において、圧力室基板４０１を４００℃に加熱しながら１００Ｗの高周波電力を１分間印加して０．０３μmの膜厚に成膜した。なお、密着層４０４の膜厚は、０．００５μｍ〜０．１μｍの範囲内であればよい。
【０１３１】
第１の電極層４０６は、例えばＰｔターゲットを用い、真空度１Ｐａのアルゴンガス中において基板１２０を６００℃に加熱しながら２００Ｗの高周波電力を１２分間印加して０．２μmの膜厚に成膜した。この第１の電極層１０３は、実施の形態１における第１の電極層１３と同様に、Ｐｔ、イリジウム、パラジウム及びルテニウムの群から選ばれた少なくとも１種の貴金属又はそれらの化合物であればよい。また、膜厚は、０．０５μm〜２μmの範囲内であればよい。
【０１３２】
圧電体層４０８は、実施例１と同様に、多元スパッタ装置を用いて作製した。作製方法やスパッタ条件は、実施例１と同様であり、菱面体晶系又は正方晶系のペロブスカイト型結晶構造を有するＰＺＴを３層構造に成膜した。実施例１と同様に、＜１１１＞面に配向している。ＰＺＴのＺｒ／Ｔｉ組成等に関しては、実施の形態１と同様である。
【０１３３】
次に、以上のように積層構造に成膜した圧電体層の上に、第２の電極層４０９を、導電性材料である例えばＰｔターゲットを用いて、真空度１Ｐａのアルゴンガス中の室温において、２００Ｗの高周波電力を１０分間印加して０．２μｍの膜厚に成膜した。なお、膜厚は、０．１μｍ〜０．４μmの範囲内であればよい。
【０１３４】
次いで、第２の電極層４０９の上に、レジストをスピンコートによって塗布し、圧力室４０２が形成されるべき位置に合わせて露光・現像を行ってパターニングする。そして、図１２（ｂ）に示すように、第２の電極層４０９、圧電体層４０８をエッチングして個別化する。このエッチングは、アルゴンとフッ素元素を含む有機ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングで行う。
【０１３５】
そして、図１２（ｂ）に示すように、個別化した第２の電極層４０９、圧電体層４０８の配置位置直下の圧力室基板４０１に、下方に向けて開口する圧力室４０２をエッチングして形成する。この圧力室４０２の形成は、六フッ化硫黄ガス、フッ素元素を含む有機ガス又はこれらの混合ガスを使用した異方性ドライエッチングで行う。つまり、圧力室基板４０１の上記各膜を形成した上面とは反対側の下面において、上記各膜の幅方向両端位置を内端とする側壁４１３となる部分にエッチングマスクを形成して、異方性ドライエッチングによって、上記各膜の幅方向分の開口部を有する圧力室４０２を形成する。
【０１３６】
そして、予めノズル孔４１０を形成したノズル板４１２を側壁４１３の下端面に接着剤を用いて接合することで、図１１に示したインクジェットヘッドが完成する。
【０１３７】
上記ノズル孔４１０は、リソグラフィ法、レーザー加工法、放電加工法等によって、ノズル板４１２の所定位置に開口する。ノズル板４１２を圧力室基板４０１の側壁４１３の下端面に接合する際に、各ノズル孔４１０が圧力室４０２の開口中央などの適切な位置に配置されるように位置合わせを行う。
【０１３８】
上記のようにして得られたインクジェットヘッドの第１及び第２電極層４０６，４０９間に、周波数が２０ｋＨｚで波高値３０Ｖの交流電圧を１００日間印加し続けたが、インクの吐出不良は全くなく、吐出性能の低下は見られなかった。
【０１３９】
一方、実施の形態１における実施例２による方法で作製した単層構成の圧電体薄膜（圧電体層）を有する圧電体薄膜素子を用いるインクジェットヘッドを作製し、このインクジェットヘッドについて同様の試験を実施したところ、全圧力室４０２に対応する部分でインク吐出不良が発生した。これは、インクの詰まり等ではないことから、アクチュエータ部Ｂ（圧電体薄膜素子）にリーク電流が発生したことによると考えられる。
【０１４０】
したがって、実施の形態１における実施例１による組成条件で作製した積層構成の圧電体薄膜（圧電体層）を有する圧電体薄膜素子を用いるこの実施の形態３によるインクジェットヘッドは、高湿度環境下での信頼性に優れていることが解る。
【０１４１】
（実施の形態４）
この実施の形態４では、実施の形態２または３によるインクジェットヘッドを用いたインクジェット式記録装置の構成例を示す。端的には、このインクジェット式記録装置は、実施の形態１における実施例１による組成条件で作製した３層構成の圧電体薄膜（圧電体層）を有する圧電体薄膜素子を用いる実施の形態２または３によるインクジェットヘッドと、前記インクジェットヘッドと記録媒体とを相対移動させる相対移動手段とを備え、前記相対移動手段にて前記インクジェットヘッドが記録媒体に対して相対移動しているときに、前記インクジェットヘッドにおいて圧力室に連通するように設けたノズル孔から前記圧力室のインクを記録媒体に吐出させて記録を行うように構成される。以下、具体的な構成例（図１３）を示す。
【０１４２】
図１３は、本発明の実施の形態４によるインクジェット記録装置の構成を示す概略斜視図である。図１３に示すインクジェット記録装置２７は、実施の形態２または３によるインクジェットヘッド２８を備えている。このインクジェットヘッド２８において圧力室（実施の形態２における圧力室１０２）に連通するように設けたノズル孔（実施の形態２におけるノズル孔１０８）から当該圧力室内のインクを記録用紙等の記録媒体２９に吐出させて記録を行うように構成されている。
【０１４３】
インクジェットヘッド２８は、主走査方向Ｘに延びるキャリッジ軸３０に設けられたキャリッジ３１に搭載され、このキャリッジ３１がキャリッジ軸３０に沿って往復動するのに応じて主走査方向Ｘに往復動するように構成されている。このことで、キャリッジ３１は、インクジェットヘッド２８と記録媒体２９とを主走査方向Ｘに相対移動させる相対移動手段を構成することになる。
【０１４４】
また、このインクジェット式記録装置２７は、記録媒体２９をインクジェットヘッド２８の主走査方向Ｘ（幅方向）と略垂直方向の副走査方向Ｙに移動させる複数のローラ３２を備えている。このことで、複数のローラ３２は、インクジェットヘッド２８と記録媒体２９とを副走査方向Ｙに相対移動させる相対移動手段を構成することになる。なお、図１３中、Ｚは上下方向である。
【０１４５】
そして、インクジェットヘッド２８がキャリッジ３１によって主走査方向Ｘに移動しているときにインクジェットヘッド２８のノズル孔からインクを記録媒体２９に吐出させ、この一走査の記録が終了すると、上記ローラ３２によって記録媒体２９を所定量移動させて次の一走査の記録を行うように、上記相対移動手段が制御される。
【０１４６】
このように、実施の形態４によるインクジェット式記録装置は、実施の形態１における実施例１による組成条件で作製した３層構成の圧電体薄膜（圧電体層）を有する圧電体薄膜素子を用いる実施の形態２または３によるインクジェットヘッド２８を備えるので、良好な印字性能及び耐久性を有することができる。
【０１４７】
なお、この明細書では、実施の形態１による圧電体薄膜素子の好適な適用例として、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置への適用例を示したが、この発明はこれに限定されるものではなく、薄膜コンデンサ、不揮発性メモリ素子の電荷蓄積キャパシタ、各種アクチュエータ、赤外センサー、超音波センサー、圧力センサー、角速度サンセー、加速度センサー、流量センサー、ショックセンサー、圧電トランス、圧電点火素子、圧電スピーカー、圧電マイクロフォン、圧電フィルタ、圧電ピックアップ、音叉発振子、遅延線等にも適用可能である。特に、例えば（特許文献６）に開示されるディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータに好適である。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
以上のように、この発明にかかる圧電体薄膜素子は、優れた圧電性能を有し、かつ高湿度環境下において高電圧で駆動しても絶縁性の低下させずに高い信頼性を得るのに有用であり、特に、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置の耐久性能を向上させるのに好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】本発明の実施の形態１による圧電体薄膜素子の構成を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態２によるインクジェットヘッドの全体構成を示す外観図
【図３】図２に示すインクジェットヘッドの要部の構成を示す斜視図
【図４】図２に示すインクジェットヘッドの要部であるアクチュエータ部の構成を示す断面図
【図５】図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（積層工程、圧力室用開口部の形成工程及び接着剤の付着工程）を説明する断面図
【図６】図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（成膜後の成膜用基板と圧力室部材との接着工程及び縦壁の形成工程）を説明する断面図
【図７】図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（成膜後の成膜用基板及び密着層の除去工程及び第１の電極層の個別化工程）を説明する断面図
【図８】図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（圧電体層の個別化工程及び圧力室部材用基板の切断工程）を説明する断面図
【図９】図２に示すインクジェットヘッドの製造手順（インク流路部材及びノズル板の生成工程、インク流路部材とノズル板との接着工程、圧力室部材とインク流路部材との接着工程及び完成したインクジェットヘッド）を説明する断面図
【図１０】図５に示す製造過程で成膜された基板（成膜用基板）と圧力室部材で用いる基板（圧力室部材用基板）との関係を説明する平面図
【図１１】本発明の実施の形態３によるインクジェットヘッドにおける主要部（圧力室部材及びアクチュエータ部）を示す断面図
【図１２】図１１に示す圧力室部材及びアクチュエータ部の製造手順（積層工程及び圧力室形成工程）を説明する断面図
【図１３】本発明の実施の形態４によるインクジェット記録装置の構成を示す概略斜視図
【符号の説明】
【０１５０】
１１    基板
１２    密着層
１３    第１の電極層
１４    圧電体層
１４ａ（１〜３）    圧電体層
１４ｂ（１，２）    圧電体層
１５    第２の電極層
２７    インクジェット式記録装置
２８    インクジェットヘッド
２９    記録媒体
３０    キャリッジ軸
３１    キャリッジ（相対移動手段）
５０    薄膜アクチュエータ
５１    支持部
５２    密着層
５３    第１の電極層
５４    圧電体層
５５    第２の電極層
１００    インクジェットヘッド
１０１    開口部
１０２    圧力室
１０２ａ，１０２ｂ    区画壁
１０３    第１の電極層（個別電極）
１０５    共通液室
１０６    供給口
１０７    インク流路
１０８    ノズル孔
１０９    接着剤
１１０    圧電体層
１１１    振動層
１１２    第２の電極層（共通電極）
１１３    中間層（縦壁）
１１４    接着剤
１２０    基板（成膜用）
１２１    密着層
１３０    基板（圧力室部材用）
４０１    圧力室基板（兼用基板）
４０２    圧力室
４０３    振動層
４０４    密着層
４０６    第１の電極層（共通電極）
４０８    圧電体層
４０９    第２の電極層（個別電極）
４１０    ノズル孔
４１２    ノズル板
４１３    側壁
Ａ    圧力室部材
Ｂ    アクチュエータ部
Ｃ    インク流路部材
Ｄ    ノズル板
Ｅ    ＩＣチップ
【図１】
2007335779.tif 000003
【図２】
2007335779.tif 000004
【図３】
2007335779.tif 000005
【図４】
2007335779.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2007335779.tif 000009
【図８】
2007335779.tif 000010
【図９】
2007335779.tif 000011
【図１０】
2007335779.tif 000012
【図１１】
2007335779.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2007335779.tif 000015