(57)【要約】【課題】  イオンドーピング装置を用いた場合、ドーピング用ガスとしてジボランを用い、微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加して、しきい値を制御することは困難であった。【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体膜を得た後、その上に材料層を形成し、イオンドーピング装置を用いてＢＦ3（三フッ化ホウ素ガス）をドーピング用ガスとしてボロンイオンを添加する。こうすることによって、結晶構造を有する半導体膜に対して微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加して、しきい値を制御することを特徴としている。【選択図】  図２
2007081327.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に結晶構造を有する半導体層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層上に材料層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層及び前記材料層にＢＦ3をドーピングガスとして添加し、
前記材料層を除去する半導体装置の作製方法であり、
前記ＢＦ3をドーピングガスとして添加する際、前記結晶構造を有する半導体層にはフッ素よりもボロンを多く添加し、前記材料層にはボロンよりもフッ素を多く添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記結晶構造を有する半導体層に含まれるボロン濃度は、１×１０15以上、５×１０17以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記材料層を除去する前に加熱処理を行い、結晶構造を有する半導体層に含まれる不純物を前記材料層に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に非晶質造を有する半導体層を形成し、
非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の加熱処理を行って結晶化して結晶構造を有する半導体層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層上に材料層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層及び前記材料層にＢＦ3をドーピングガスとして添加し、
第２の加熱処理を行い、結晶構造を有する半導体層に含まれる前記金属元素を前記材料層に移動させ、
前記材料層を除去する半導体装置の作製方法であり、
前記ＢＦ3をドーピングガスとして添加する際、前記結晶構造を有する半導体層にはフッ素よりもボロンを多く添加し、前記材料層にはボロンよりもフッ素を多く添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記結晶構造を有する半導体層の形成と、前記材料層の形成の間に、前記結晶構造を有する半導体層上に酸化膜または窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記材料層は、非晶質構造または結晶構造を有する半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に非晶質造を有する半導体層を形成し、
非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の加熱処理を行って結晶化して結晶構造を有する半導体層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層上に絶縁層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層にＢＦ3をドーピングガスとして選択的に添加した領域を形成し、
第２の加熱処理を行い、結晶構造を有する半導体層に含まれる前記金属元素を前記領域に移動させる半導体装置の作製方法であり、
前記ＢＦ3をドーピングガスとして添加した領域は、前記金属元素、ボロン及びフッ素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
【０００４】
結晶構造を有する半導体膜（代表的にはポリシリコン）を半導体層として用いたＴＦＴは、非晶質構造を有する半導体膜（代表的にはアモルファスシリコン）に比べて、電界効果移動度が大きいため、盛んに使用されるようになっている。
【０００５】
しかし、ポリシリコンを半導体層に用いたＴＦＴは、アモルファスシリコンを半導体層に用いたＴＦＴに比べ多くの優位点を有しているが、チャネル形成領域に存在する不純物や欠陥等がＴＦＴの電気特性、特にしきい値特性に大きな影響を与えてしまうという問題があった。
【０００６】
例えば、ＴＦＴのしきい値が０Ｖよりもマイナス側になった場合には、ｎチャネル型ＴＦＴにおいてはノーマリーオン状態となるため、正常なスイッチング動作が困難となる。そこで、このような問題に対して、イオンドーピング装置またはイオン注入装置を用いてチャネル形成領域にボロンイオンなどを添加して、ＴＦＴのしきい値が０Ｖに近づくようなしきい値制御方法が知られている。
【０００７】
イオン注入装置は、不純物イオンを電界加速し、さらに質量分離を行って目的のイオン種のみを選択的に注入する装置であり、高精度である点が特徴である。しかし、イオン注入装置は、スループットが悪く、非常に高価な製造装置である。特に、大型基板を処理する場合には、イオン注入装置は不利である。一方、イオンドーピング装置は、大面積の半導体薄膜に一括で不純物イオンを添加することができ、量産に向いている。このイオンドーピング装置は、チャンバ内に原料気体を流し、その原料気体を公知の方法によりプラズマ化させ、含有されている不純物イオンをイオン化して半導体膜に添加する。イオン注入装置のように質量分離を行わないため、目的のイオン種以外のイオンが添加されてしまうが、スループットに優れている。
【０００８】
また、本出願人は、ハロゲン元素を含む化合物（ＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6、ＢＦ3、ＳｉＦ4など）を半導体膜にドーピングし、その半導体膜をゲッタリングサイトとする技術を特許文献１で提案している。
【特許文献１】特開２００４−２２９００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記したしきい値を制御する方法において、チャネル形成領域となる部分に添加するボロンイオンの量は、非常に微量な量とすることが必要とされている。しかしながら、イオンドーピング装置を用いた場合、ドーピング用ガスとしてジボランを用い、微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加して、しきい値を制御することは困難であった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、結晶構造を有する半導体膜を得た後、その上に材料層を形成し、イオンドーピング装置を用いてＢＦ3（三フッ化ホウ素ガス）をドーピング用ガスとしてボロンイオンを添加する。こうすることによって、結晶構造を有する半導体膜に対して微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加して、しきい値を制御することを特徴としている。イオンドーピング装置を用いてＢＦ3をドーピングガスとしてホウ素及びフッ素を添加すると、フッ素元素が最大濃度に達する深さと、ホウ素元素が最大濃度に達する深さが異なる。
【００１１】
図１はイオン注入装置を用いて、それぞれの濃度プロファイルが互いに近づくように加速電圧を調節してＢ+と、ＢＦ+とＢＦ2+を半導体シリコンウェハーに添加した結果である。図１は、加速電圧が３０ｋｅＶの条件でドープを行ったＢ+の濃度プロファイル、加速電圧が７０ｋｅＶの条件でドープを行ったＢＦ+の濃度プロファイル、加速電圧が１０５ｋｅＶの条件でドープを行ったＢＦ2+の濃度プロファイルを示している。イオンドーピング装置を用いてＢＦ3をドーピングガスとしてホウ素及びフッ素を添加する場合、加速電圧は共通となるため、例えば加速電圧を３０ｋｅＶとすると、Ｂ+の最大濃度に達する深さに比べてＢＦ+の最大濃度に達する深さは半分程度浅くなり、Ｂ+の最大濃度に達する深さに比べてＢＦ2+の最大濃度に達する深さは３分の１程度浅くなる。この深さの差を利用することによって、材料層の膜厚を調節して結晶構造を有する半導体膜に対して微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加する。
【００１２】
本明細書で開示する発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に結晶構造を有する半導体層を形成し、前記結晶構造を有する半導体層上に材料層を形成し、前記結晶構造を有する半導体層及び前記材料層にＢＦ3をドーピングガスとしてＢ及びＦを添加し、
前記材料層を除去する半導体装置の作製方法であり、前記ＢＦ3をドーピングガスとして添加する際、前記結晶構造を有する半導体層にはフッ素よりもボロンを多く添加し、前記材料層にはボロンよりもフッ素を多く添加することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１３】
上記構成において、前記結晶構造を有する半導体層に含まれるボロン濃度は、１×１０15以上、５×１０17以下とすることでＴＦＴのしきい値制御を行うことを特徴としている。
【００１４】
また、結晶構造を有する半導体膜は、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法で堆積した非晶質半導体膜を、加熱処理やレーザーアニール法（レーザー光の照射により半導体膜を結晶化させる技術）により作製されている。
【００１５】
こうして作製される結晶構造を有する半導体膜は多数の結晶粒の集合体であり、その結晶方位は任意な方向に配向して制御不能であるため、ＴＦＴの特性を制限する要因となっている。このような問題点に対し、特開平７−１８３５４０号公報で開示される技術は、ニッケルなど半導体膜の結晶化を助長する金属元素を添加し、結晶構造を有する半導体膜を作製するものであり、結晶化に必要とする加熱温度を低下させる効果ばかりでなく、結晶方位の配向性を単一方向に高めることが可能である。このような結晶構造を有する半導体膜でＴＦＴを形成すると、電界効果移動度の向上のみでなく、サブスレッショルド係数（Ｓ値）が小さくなり、飛躍的に電気的特性を向上させることが可能となっている。
【００１６】
結晶化を助長する金属元素を用いることによって、結晶化における核発生が制御可能となるため、核発生がランダムである他の結晶化方法に比べて得られる膜質は均一であり、理想的には、完全に金属元素を除去または許容範囲までに低減することが望ましい。しかし、結晶化を助長する金属元素を添加する故に、結晶構造を有する半導体膜の膜中或いは膜表面には、当該金属元素が残存し、得られる素子の特性をばらつかせるなどの問題がある。その一例は、ＴＦＴにおいてオフ電流が増加し、個々の素子間でばらつくなどの問題がある。即ち、結晶化を助長する金属元素は、一旦、結晶構造を有する半導体膜が形成されてしまえば、かえって不要な存在となってしまう。
【００１７】
また、材料層を除去する前に加熱処理を行うと、チャネル形成領域となる部分に混入してしまった不純物を材料層に移動させることができる。不純物を低減または除去された結晶構造を有する半導体膜をチャネル形成領域として用いることで、電気特性の向上、特にオフ電流を低減することができる。材料層に対して元素単体を添加するのではなく、ＢＦ+やＢＦ2+を添加することによって、より多くの未結合手を形成し、不純物を捕獲するゲッタリングサイトとして機能させることができる。
【００１８】
ゲッタリング技術は単結晶シリコンウエハーを用いる集積回路の製造技術において主要な技術として位置付けられている。ゲッタリングは半導体中に取り込まれた金属不純物が、何らかのエネルギーでゲッタリングサイトに偏析して、素子の能動領域の不純物濃度を低減させる技術として知られている。この技術は、エクストリンシックゲッタリング(Extrinsic Gettering)とイントリンシックゲッタリング(Intrinsic Gettering)の二つに大別されている。エクストリンシックゲッタリングは外部から歪場や化学作用を与えてゲッタリング効果をもたらすものである。イントリンシックゲッタリングは単結晶シリコンウエハーの内部に生成された酸素が関与する格子欠陥の歪場を利用したものとして知られている。
【００１９】
本発明は、上記したエクストリンシックゲッタリングやイントリンシックゲッタリングとは異なるゲッタリングのメカニズムを利用して、厚さ１０〜２００nm程度の結晶構造を有する半導体膜に適用するために以下の手段を採用するものである。
【００２０】
また、他の発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に非晶質造を有する半導体層を形成し、非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、第１の加熱処理を行って結晶化して結晶構造を有する半導体層を形成し、前記結晶構造を有する半導体層上に材料層を形成し、前記結晶構造を有する半導体層及び前記材料層にＢＦ3をドーピングガスとしてＢ及びＦを添加し、第２の加熱処理を行い、結晶構造を有する半導体層に含まれる前記金属元素を前記材料層に移動させ、前記材料層を除去する半導体装置の作製方法であり、前記ＢＦ3をドーピングガスとして添加する際、前記結晶構造を有する半導体層にはフッ素よりもボロンを多く添加し、前記材料層にはボロンよりもフッ素を多く添加することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２１】
また、他の発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に非晶質造を有する半導体層を形成し、非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、第１の加熱処理を行って結晶化して結晶構造を有する半導体層を形成し、前記結晶構造を有する半導体層上に絶縁層（ゲート絶縁膜）を形成し、前記結晶構造を有する半導体層にＢＦ3をドーピングガスとして選択的に添加した領域を形成し、第２の加熱処理を行い、結晶構造を有する半導体層に含まれる前記金属元素を前記領域に移動させる半導体装置の作製方法であり、前記ＢＦ3をドーピングガスとして添加した領域は、前記金属元素、ボロン及びフッ素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２２】
上記構成において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴としている。
【００２３】
また、上記各構成において、前記結晶構造を有する半導体層の形成と、前記材料層の形成の間に、前記結晶構造を有する半導体層上に酸化膜または窒化膜を形成してもよい。材料層は後で除去するため、材料層の材料としては、結晶構造を有する半導体膜と異なる材料が好ましい。例えば、材料層の材料として窒化珪素膜や酸化珪素膜を用いる。また、材料層として同じ材料、例えば非晶質構造または結晶構造を有する半導体膜を用いてもよいが、その場合には、材料層と結晶構造を有する半導体膜との間にエッチングストッパーとなる膜を設けることが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、薄膜トランジスタのチャネル形成領域となる部分に微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加して、薄膜トランジスタのしきい値を制御し、個々の薄膜トランジスタ間でのバラツキを低減して均一な電気特性を有する半導体装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００２６】
（実施の形態１）
以下に本発明を用いた代表的なＴＦＴの作製手順を簡略に図２を用いて示す。ここではプラズマＣＶＤ装置で半導体膜と、該半導体膜上に材料膜の成膜を行った後、ＢＦ3をドーピングガスとしてＢ及びＦを添加する例を示す。
【００２７】
図２（Ａ）中、１００は、絶縁表面を有する基板、１０１はブロッキング層となる絶縁膜、１０２は非晶質構造を有する半導体膜である。
【００２８】
基板１００はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
【００２９】
まず、基板１００上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯxＮy）等の絶縁膜から成る下地絶縁膜１０１を形成する。代表的な一例は下地絶縁膜１０１として２層構造から成り、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される窒化酸化珪素膜を５０〜１００ｎｍ、ＳｉＨ4、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜を１００〜１５０ｎｍの厚さに積層形成する構造が採用される。また、下地絶縁膜１０１の一層として膜厚１０ｎｍ以下の窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、或いは酸化窒化珪素膜（ＳｉＮxＯy膜（Ｘ）Ｙ））を用いることが好ましい。ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、半導体膜と接する下地絶縁膜を窒化シリコン膜とすることは極めて有効である。また、窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化シリコン膜とを順次積層した３層構造を用いてもよい。
【００３０】
次いで、図２（Ａ）に示すように、下地絶縁膜上に半導体膜１０２を形成する。半導体膜１０２は、代表的には、非晶質半導体膜、結晶構造を含む半導体膜、非晶質構造を含む化合物半導体膜などを用いることができ、具体的にはアモルファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコンなどを用いることができる。結晶構造を含む半導体膜は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行えばよい。この半導体膜１０２の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム合金などで形成すると良い。
【００３１】
次いで、図２（Ｂ）に示すように、半導体膜１０２上に材料膜１０３を形成する。材料膜１０３の材料は特に限定されないが、材料膜１０３は、後の工程で除去するため、除去する際のエッチング条件において半導体膜１０２と選択比が大きい材料を選択することが好ましい。また、材料膜１０３の材料として半導体膜１０２と同じ材料を用いる場合には、半導体膜１０２と材料膜１０３との間にエッチングストッパーとなる膜を形成すればよい。また、材料膜１０３の膜厚は、後に行われるＢＦ3ガスを用いたドーピング条件を基に決定すればよい。材料膜１０３の膜厚を調節し、半導体膜に添加されたＢの濃度が１×１０15以上、５×１０17以下の濃度範囲に入るようにする。
【００３２】
次いで、図２（Ｃ）に示すように、イオンドーピング装置を用い、ＢＦ3ガスを用いたドーピング処理を行う。添加されるイオン種は、Ｂ+イオン、ＢＦ+イオン、ＢＦ2+イオンであり、それぞれのイオンが最大濃度に達する深さが異なる。ＢＦ+イオン、ＢＦ2+イオンは、Ｂ+イオンに比べて浅く添加される。ＢＦ3ガスを用いたドーピング処理を行う目的は、微量のホウ素を材料膜１０３を介して半導体膜１０２に添加して、後に形成されるＴＦＴのしきい値を制御するためである。ドーピング条件によっては、フッ素も半導体膜に添加されることもあるが、特にＴＦＴの電気特性に影響はない。
【００３３】
次いで、図２（Ｄ）に示すように、熱処理を行う。炉で熱処理で行う場合は、不活性雰囲気中、代表的には窒素雰囲気中で４５０〜８００℃、１〜２４時間、例えば５５０℃にて４時間の熱処理を行えばよい。また、予め４５０〜８００℃に加熱された炉に基板を導入する場合、例えば７００℃に加熱された炉の中に３分間配置して熱処理を行えばよい。また、熱処理に加えて強光を照射してもよい。熱処理として強光を照射する場合は、基板が耐えうる範囲で照射しつづけてよく、例えば、加熱用のランプ光源を約３分間点灯させ、瞬間的には半導体膜が７００℃に加熱されるようにする。或いは、加熱用のランプ光源を１〜６０秒、好ましくは３０〜６０秒点灯させ、それを１〜１０回、好ましくは２〜６回繰り返す。ランプ光源の発光強度は任意なものとするが、瞬間的には６００〜１０００℃、好ましくは７００〜７５０℃程度に半導体膜が加熱されるようにする。
【００３４】
この熱処理によって、図２（Ｄ）中の矢印に示す方向に半導体膜１０２中の不純物を材料膜１０３に移動させることができる。この熱処理による半導体膜１０２中の不純物低減も、ＴＦＴのしきい値制御を行う上で効果がある。ただし、ここでの熱処理が必要ない場合には熱処理を省略してもよい。
【００３５】
また、半導体膜１０２として、特開平8-78329号公報記載の技術を用いて結晶化させた結晶構造を有する半導体膜を用いる場合、上記熱処理によって半導体膜中に含まれる金属元素の除去、または金属元素の濃度の低減を行うことができる。なお、特開平8-78329号公報記載の技術は、非晶質構造を有する半導体膜の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素（ここでは、ニッケル）を重量換算で１〜１００ppm含む酢酸ニッケル溶液をスピナーで塗布してニッケル含有層を形成し、加熱処理を行い、結晶化を行う技術である。
【００３６】
次いで、材料膜１０３のみを選択的に除去する。次いで、半導体膜を公知のパターニング技術を用いて所望の形状の半導体層１０５を形成する。（図２（Ｅ））
【００３７】
所望の形状の半導体層１０５を形成する工程が終了したら、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄し、ゲート絶縁膜１０６となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。
【００３８】
次いで、ゲート絶縁膜１０６の表面を洗浄した後、ゲート電極１０７を形成する。次いで、半導体にｎ型を付与する不純物元素（Ｐ、Ａｓ等）、ここではリンを適宜添加して、ソース領域１０８及びドレイン領域１０９を形成する。添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい活性化手段である。
【００３９】
また、ソース領域１０８とドレイン領域１０９との間には、ゲート絶縁膜１０６を介してゲート電極１０７と重なるチャネル形成領域１１０が設けられる。
【００４０】
以降の工程は、層間絶縁膜１１１を形成し、水素化を行って、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース電極１１２、ドレイン電極１１３を形成してＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）を完成させる。（図２（Ｆ））
【００４１】
また、本発明は図２（Ｆ）のＴＦＴ構造に限定されず、必要があればチャネル形成領域とドレイン領域（またはソース領域）との間にＬＤＤ領域を有する低濃度ドレイン（ＬＤＤ：Lightly Doped Drain）構造としてもよい。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をＬＤＤ領域と呼んでいる。さらにゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるＧＯＬＤ（Gate-drain Overlapped LDD）構造としてもよい。
【００４２】
また、ここではｎチャネル型ＴＦＴを用いて説明したが、ｎ型不純物元素に代えてｐ型不純物元素を用いることによってｐチャネル型ＴＦＴを形成することができることは言うまでもない。
【００４３】
また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。
【００４４】
（実施の形態２）
ここでは、本発明を用いたｐチャネル型ＴＦＴの作製手順を簡略に図３を用いて示す。
【００４５】
図３（Ａ）中、１０は、絶縁表面を有する基板、１１はブロッキング層となる絶縁膜、１２は非晶質構造を有する半導体膜である。
【００４６】
まず、図２（Ａ）に示すように基板１０上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯxＮy）等の絶縁膜から成る下地絶縁膜１１を形成する。
【００４７】
次いで、下地絶縁膜上に非晶質構造を有する半導体膜１２を形成する。半導体膜１２は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはスパッタ法で１０〜１００nmの厚さに形成する。後の結晶化で良質な結晶構造を有する半導体膜を得るためには、非晶質構造を有する半導体膜１２の膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物濃度を５×１０18/cm3（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）にて測定した原子濃度）以下に低減させておくと良い。これらの不純物は後の結晶化を妨害する要因となり、また、結晶化後においても捕獲中心や再結合中心の密度を増加させる要因となる。そのために、高純度の材料ガスを用いることはもとより、反応室内の鏡面処理（電界研磨処理）やオイルフリーの真空排気系を備えた超高真空対応のＣＶＤ装置を用いることが望ましい。
【００４８】
次いで、非晶質構造を有する半導体膜１２を結晶化させる技術としてここでは特開平8-78329号公報記載の技術を用いて結晶化させる。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜とも呼ばれる）に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶構造を有する半導体膜を形成するものである。まず、非晶質構造を有する半導体膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素（ここでは、ニッケル）を重量換算で１〜１００ppm含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布してニッケル含有層１３を形成する。（図３（Ｂ））塗布によるニッケル含有層１３の形成方法以外の他の手段として、スパッタ法、蒸着法、またはプラズマ処理により極薄い膜を形成する手段を用いてもよい。また、ここでは、全面に塗布する例を示したが、マスクを形成して選択的にニッケル含有層を形成してもよい。
【００４９】
次いで、加熱処理を行い、結晶化を行う。この場合、結晶化は半導体の結晶化を助長する金属元素が接した半導体膜の部分でシリサイドが形成され、それを核として結晶化が進行する。こうして、図３（Ｃ）に示す結晶構造を有する半導体膜１４が形成される。なお、結晶化後での半導体膜１４に含まれる酸素濃度は、５×１０18／ｃｍ3以下とすることが望ましい。ここでは、脱水素化のための熱処理（４５０℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃〜６５０℃で４〜２４時間）を行う。また、強光の照射により結晶化を行う場合は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いる。ランプ光源は、必要な時間点灯させて加熱してもよいし、１〜６０秒、好ましくは３０〜６０秒点灯させ、それを１回〜１０回繰り返し、半導体膜が瞬間的に６００〜１０００℃程度にまで加熱すればよい。なお、必要であれば、強光を照射する前に非晶質構造を有する半導体膜１４に含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、熱処理と強光の照射とを同時に行って結晶化を行ってもよい。生産性を考慮すると、結晶化は強光の照射により結晶化を行うことが望ましい。
【００５０】
このようにして得られる結晶構造を有する半導体膜１４には、金属元素（ここではニッケル）が残存している。それは膜中において一様に分布していないにしろ、平均的な濃度とすれば、１×１０19/cm3を越える濃度で残存している。勿論、このような状態でもＴＦＴをはじめ各種半導体素子を形成することが可能であるが、以降に示す本発明のゲッタリング方法で当該元素を除去する。
【００５１】
次いで、結晶化率（膜の全体積における結晶成分の割合）を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶構造を有する半導体膜１４に対してレーザー光を照射することが好ましい。レーザー光を照射した場合、表面に薄い酸化膜（図示しない）が形成される。このレーザー光としてはパルス発振であるレーザ光源から射出される波長４００nm以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いればよい。また、レーザー光としては連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波を用いてもよい。代表的には、Ｎｄ:ＹＶＯ4レーザー（基本波１０６４nm）の第２高調波（５３２nm）や第３高調波（３５５ｎｍ）を適用すればよい。
【００５２】
次いで、半導体膜を公知のパターニング技術を用いて所望の形状の半導体層１７を形成する。次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄し、ゲート絶縁膜１８となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。
【００５３】
次いで、図３（Ｅ）に示すように、ゲート絶縁膜１８の表面を洗浄した後、ゲート電極１９を形成する。
【００５４】
次いで、図３（Ｆ）に示すように、イオンドーピング装置を用い、ＢＦ3ガスを用いたドーピング処理を選択的に行う。なお、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する領域にはマスクで覆って添加されないようにしてもよい。ＢＦ3ガスを用いたドーピング処理は、ジボランを用いたドーピング処理に比べ、半導体層１７中にボロンを多く添加することができ、さらに結晶破壊を誘起させることができる。半導体層に添加されるイオン種は、Ｂ+イオン、ＢＦ+イオン、ＢＦ2+イオンである。ただし、加速電圧が同じ場合、ＢＦ+イオンやＢＦ2+イオンに比べてＢ+イオンは、最大濃度に達する深さが深いので、主に半導体層に対してＢＦ+イオン、またはＢＦ2+イオンが添加されるドーピング条件とすることが好ましい。本工程でＢＦ3ガスを用いたドーピング処理を行う目的は、２つある。一つは、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域を形成することであり、もう一つは、ゲッタリングサイトとして機能する領域を形成するためである。
【００５５】
ここでは、ゲート電極１９をマスクとして自己整合的に添加して、ソース領域２０及びドレイン領域２１を形成する。
【００５６】
次いで、不純物元素、ここではボロン元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。また、活性化するために加熱処理と同時に図３（Ｇ）の矢印の方向にチャネル形成領域２２となる領域中の金属元素、ここでは主にニッケルをソース領域２０及びドレイン領域２１に移動させることができる。
【００５７】
また、この加熱処理の条件によっては、ゲッタリングと同時に結晶粒内に残される欠陥を補修する、即ち結晶性の改善を行うことができる。
【００５８】
本明細書において、ゲッタリングとは、被ゲッタリング領域（ここでは第１の半導体膜）にある金属元素が熱エネルギーにより放出され、拡散によりゲッタリングサイトに移動することを指している。
【００５９】
また、上記加熱処理を行う前に５０ｎｍ程度の酸化珪素膜や酸化窒化珪素膜などの保護膜を形成することが好ましい。保護膜を形成した後に加熱処理を行えば、酸化による半導体膜の膜減りを抑えることができる。
【００６０】
以降の工程は、層間絶縁膜２３を形成し、水素化を行って、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース電極２４、ドレイン電極２５を形成してＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）を完成させる。（図３（Ｈ））
【００６１】
こうして得られたＴＦＴのチャネル形成領域２２に含まれる金属元素の濃度は１×１０17／ｃｍ3未満とすることができる。
【００６２】
上記工程により、十分に結晶化を助長する金属元素が低減または除去された結晶構造を有する半導体膜を得ることができ、該半導体膜を活性層とするＴＦＴにおいて電気特性の向上、及び、個々の素子間でのバラツキを低減することができる。特に、液晶表示装置においては、ＴＦＴ特性のバラツキに起因する表示むらを低減できる。
【００６３】
加えて、ＯＬＥＤを有する半導体装置においては、画素電極に一定の電流が流れるように配置されたＴＦＴ（駆動回路または画素に配置されるＯＬＥＤに電流を供給するＴＦＴ）のオン電流（Ｉon）のバラツキを低減することができ、輝度のバラツキを低減できる。
【００６４】
また、上記工程により、結晶化を助長する金属元素だけでなく、不純物となる他の金属元素（Ｆｅ、Ｃｕなど）も除去または低減することができる。
【００６５】
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００６６】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【実施例１】
【００６７】
本実施例では、画素部と駆動回路と端子部とを同一基板上に形成し、両方の基板から光を取り出すことのできる発光装置の例を図４に示す。
【００６８】
基板６１０上に下地絶縁膜を形成した後、各半導体層を形成する。また、これらの半導体層は、実施の形態１または実施の形態２に従って作製すればよく、チャネル形成領域となる場所に所望のボロン濃度を含んでいる。次いで、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成した後、各ゲート電極、端子電極を形成する。次いで、ｎチャネル型ＴＦＴ６３６を形成するため、半導体にｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、またはＡｓ）をドープし、ｐチャネル型ＴＦＴ６３７を形成するため、半導体にｐ型を付与する不純物元素（代表的にはボロン）をドープしてソース領域およびドレイン領域、必要であればＬＤＤ領域を適宜形成する。次いで、ＰＣＶＤ法により得られる水素を含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮＯ膜）を形成した後、半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を行う。
【００６９】
次いで、層間絶縁膜となる平坦化絶縁膜６１６を形成する。平坦化絶縁膜６１６としては、塗布法によって得られるシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。
【００７０】
次いで、マスクを用いて平坦化絶縁膜にコンタクトホールを形成すると同時に周縁部の平坦化絶縁膜を除去する。
【００７１】
次いで、平坦化絶縁膜６１６をマスクとしてエッチングを行い、露呈している水素を含むＳｉＮＯ膜またはゲート絶縁膜を選択的に除去する。
【００７２】
次いで、導電膜を形成した後、マスクを用いてエッチングを行い、ドレイン配線やソース配線を形成する。
【００７３】
次いで、第１の電極６２３、即ち、有機発光素子の陽極（或いは陰極）を形成する。
【００７４】
次いで、塗布法により得られるＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）をパターニングして、第１の電極６２３の端部を覆う絶縁物６２９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。
【００７５】
次いで、有機化合物を含む層６２４を、蒸着法または塗布法を用いて形成する。次いで、透明導電膜からなる第２の電極６２５、即ち、有機発光素子の陰極（或いは陽極）を形成する。次いで、蒸着法またはスパッタ法により透明保護層６２６を形成する。透明保護層６２６は、第２の電極６２５を保護する。
【００７６】
次いで、透明な封止基板６３３をシール材６２８で貼り合わせて発光素子を封止する。即ち、発光表示装置は、表示領域の外周をシール材で囲み、一対の基板で封止される。ＴＦＴの層間絶縁膜は、基板全面に設けられているため、シール材のパターンが層間絶縁膜の外周縁よりも内側に描画された場合、シール材のパターンの外側に位置する層間絶縁膜の一部から水分や不純物が浸入する恐れがある。従って、ＴＦＴの層間絶縁膜として用いる平坦化絶縁膜の外周は、シール材のパターンの内側、好ましくは、シール材パターンと重なるようにして平坦化絶縁膜の端部をシール材が覆うようにする。なお、シール材６２８で囲まれた領域には透明な充填材６２７を充填する。
【００７７】
最後にＦＰＣ６３２を異方性導電膜６３１により公知の方法で端子電極と貼りつける。端子電極は、透明導電膜を用いることが好ましく、ゲート配線と同時に形成された端子電極上に形成する。（図４）
【００７８】
また、発光素子の光は、基板６１０及び封止基板６３３を通過して両側に取り出される。図４に示す構造は、基板と封止基板の両方を通過させて光を取り出す構造の発光装置である。
【００７９】
以上の工程によって、画素部と駆動回路と端子部とを同一基板上に形成することができる。
【００８０】
また、本実施例は実施の形態１、または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
【実施例２】
【００８１】
本実施例では、画素部と駆動回路と端子部とを同一基板上に形成した液晶表示装置の例を図５に示す。図５は、カラーフィルタを用いない液晶パネルの断面図を示している。
【００８２】
カラーフィルタを用いない液晶パネルを光シャッタとして機能させ、ＲＧＢの３色のバックライト光源を高速で点滅させるフィールドシーケンシャル方式の駆動方法を用いる。フィールドシーケンシャル方式は、人間の目の時間的な分解能力の限界を利用し、連続時間的な加法混色によってカラー表示を実現するものである。
【００８３】
第１の基板７０１上には、下地絶縁膜７０２と、下地絶縁膜上に３つのＴＦＴ７０３を設けている。これらのＴＦＴは、チャネル形成領域７２０と、低濃度不純物領域７２５、７２６と、ソース領域またはドレイン領域７２１、７２２とを活性層とし、ゲート絶縁膜７０５と、ゲート電極７２３ａ、７２３ｂと、層間絶縁膜７０６とを有するｎチャネル型ＴＦＴである。また、これらのＴＦＴは、実施の形態１または実施の形態２に従って作製すればよく、チャネル形成領域に所望のボロン濃度を含んでいる。また、ゲート電極は２層となっており、テーパー形状となっている下層７２３ａと、上層７２３ｂとで構成されている。
【００８４】
また、平坦化絶縁膜７０７は、塗布法による平坦な層間絶縁膜である。
【００８５】
また、ＴＦＴのドレイン配線、またはソース配線７２４ａ、７２４ｂ、７２４ｃは、３層構造としている。ここでは、Ｔｉ膜と、Ａｌ単体膜、Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜との積層膜を用いる。ＴＦＴのドレイン配線、またはソース配線は、層間絶縁膜のカバレッジを考慮して、テーパー形状とすることが好ましい。
【００８６】
また、画素電極７０８は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＴＳＯ（ＩＴＯに酸化珪素が２〜１０重量％含まれたターゲットを用いてスパッタリング法で得られる酸化珪素を含む酸化インジウムスズ）、酸化珪素を含み酸化インジウムに２〜２０ａｔｏｍｓ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透光性酸化物導電膜（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むＡＴＯ（アンチモン・チン・オキサイド）などの透明導電膜を用いることができる。
【００８７】
また、柱状スペーサ７１４は樹脂であり、基板間隔を一定に保つ役目を果たしている。従って、柱状スペーサ７１４は、等間隔で配置されている。また、高速応答させるため、基板間隔は２μｍ以下にすることが好ましく、柱状スペーサ７１４の高さを適宜調節する。また、２インチ角以下の小さい画面サイズの場合には、柱状スペーサは特に設けなくともよく、シール材に含ませるフィラーなどのギャップ材のみで基板間隔を調節してもよい。
【００８８】
また、柱状スペーサ７１４及び画素電極７０８を覆う配向膜７１０も設ける。対向基板となる第２の基板７１６にも配向膜７１２を設け、シール材（図示しない）で第１の基板７０１と第２の基板７１６を貼り合わせている。
【００８９】
また、第１の基板７０１と第２の基板７１６との間の間隔には、液晶材料７１１を充填する。液晶材料７１１は、シール材を閉パターンとして気泡が入らないように減圧下で液晶の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる方法を用いてもよいし、開口部を有するシールパターンを設け、ＴＦＴ基板を貼りあわせた後に毛細管現象を用いて液晶を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いてもよい。
【００９０】
本実施例の液晶パネルは、いわゆるπセル構造を有しており、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モードという表示モードを用いる。πセル構造とは、液晶分子のプレチルト角がアクティブマトリクス基板と対向基板との基板間の中心面に対して面対称の関係で配向された構造である。πセル構造の配向状態は、基板間に電圧が印加されていない時はスプレイ配向となり、電圧を印加するとベンド配向に移行する。さらに電圧を印加するとベンド配向の液晶分子が両基板が基板と垂直に配向し、光が透過する状態となる。なお、ＯＣＢモードにすると、従来のＴＮモードより約１０倍速い高速応答性を実現できる。
【００９１】
また、液晶パネルは一対の光学フィルム（偏光板、位相差板など）７３１、７３２の間に挟む。加えて、ＯＣＢモードによる表示においては、リタデーションの視角依存性を３次元的に補償するため、２軸性位相差板を用いることが好ましい。
【００９２】
図５に示す液晶パネルのバックライトとしてＲＧＢの３色のＬＥＤ７３５として用いる。ＬＥＤ７３５の光は導光板７３４によって導出される。フィールドシーケンシャル駆動方法においては、ＬＥＤ点灯期間ＴR期間、ＴG期間およびＴB期間に、それぞれＲ、Ｇ、ＢのＬＥＤが順に点灯する。赤のＬＥＤの点灯期間（ＴR）には、赤に対応したビデオ信号（Ｒ1）が液晶パネルに供給され、液晶パネルに赤の画像１画面分が書き込まれる。また、緑のＬＥＤの点灯期間（ＴG）には、緑に対応したビデオデータ（Ｇ1）が液晶パネルに供給され、液晶パネルに緑の画像１画面分が書き込まれる。また、青のＬＥＤの点灯期間（ＴB）には、青に対応したビデオデータ（Ｂ1）が液晶表示装置に供給され、液晶表示装置に青の画像１画面分が書き込まれる。これらの３回の画像の書き込みにより、１フレームが形成される。
【００９３】
また、本実施例は実施の形態１、または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
【実施例３】
【００９４】
本発明を実施して得たＥＬパネルまたは液晶パネルを組み込むことによって様々な電子機器を作製することができる。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ））等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図６に示す。
【００９５】
図６（Ａ）はテレビであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明はテレビに内蔵している半導体集積回路、および表示部２００３に適用し、消費電力が低減されたテレビを実現することができる。なお、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用のテレビが含まれる。
【００９６】
図６（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明は、デジタルカメラに内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２１０２に適用し、電気特性のバラツキが少ないデジタルカメラとすることができる。
【００９７】
図６（Ｃ）はパーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明は、パーソナルコンピュータに内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２２０３に適用し、表示部に配置されるＴＦＴと、ＣＰＵを構成するＣＭＯＳ回路とに用いられる配線や接触抵抗を低減することが可能となり、電気特性のバラツキが少ないパーソナルコンピュータを実現することができる。
【００９８】
図６（Ｄ）は電子書籍であり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明は、電子書籍に内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２３０２に適用し、電気特性のバラツキが少ない電子書籍を実現することができる。
【００９９】
図６（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読込部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示する。本発明は画像再生装置に内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用し、電気特性のバラツキが少ない画像再生装置を実現することができる。
【０１００】
図６（Ｆ）は携帯型のゲーム機器であり、本体２５０１、表示部２５０５、操作スイッチ２５０４等を含む。ゲーム機器に内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２５０５に適用し、電気特性のバラツキが少ない携帯型のゲーム機器を実現することができる。
【０１０１】
図６（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、接眼部２６０９等を含む。本発明は、ビデオカメラに内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２６０２に適用し、電気特性のバラツキが少ないビデオカメラを実現することができる。
【０１０２】
図６（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明は、携帯電話に内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵや高周波回路など）、および表示部２７０３に適用し、電気特性のバラツキが少ない携帯電話を実現できる。
【０１０３】
また、本発明で得られたＴＦＴを有する薄膜集積回路に加えてアンテナなどを形成することによって、非接触型薄膜集積回路装置（無線ＩＣタグ、ＲＦＩＤ（無線認証、Radio Frequency Identification）とも呼ばれる）として用いることもできる。個々の電気特性のばらつきの少ない非接触型薄膜集積回路装置を実現できる。また、ＩＣタグを様々な電子機器に貼り付けることにより、電子機器の流通経路などを明確にすることができる。
【０１０４】
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、実施例１、または実施例２と自由に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】濃度プロファイルを示すグラフ。
【図２】薄膜トランジスタの作製工程を示す図。（実施の形態１）
【図３】薄膜トランジスタの作製工程を示す図。（実施の形態２）
【図４】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の断面構造図。（実施例１）
【図５】アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。（実施例２）
【図６】電子機器の一例を示す図。（実施例３）
【符号の説明】
【０１０６】
１０  基板
１１  絶縁膜
１２  半導体膜
１３  ニッケル含有層
１４  半導体膜
１７  半導体層
１８  ゲート絶縁膜
１９  ゲート電極
２０  ソース領域
２１  ドレイン領域
２２  チャネル形成領域
２３  層間絶縁膜
２４  ソース電極
２５  ドレイン電極
１００  基板
１０１  絶縁膜
１０２  半導体膜
１０３  材料膜
１０５  半導体層
１０６  ゲート絶縁膜
１０７  ゲート電極
１０８  ソース領域
１０９  ドレイン領域
１１０  チャネル形成領域
１１１  層間絶縁膜
１１２  ソース電極
１１３  ドレイン電極
【図２】
2007081327.tif 000003
【図３】
2007081327.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１】
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