(57)【要約】【課題】配線を確実に形成することができる配線形成方法を提供すること。【解決手段】本発明の配線形成方法は、インクジェット方式による配線形成方法であって、アライメントマークを形成するために配線材料を吐出する吐出領域と、吐出領域に繋がり、かつ基板位置の計測に用いられる計測部となる計測部形成領域とを有するアライメントマーク形成領域と、配線が形成される配線形成領域を基板上に形成し、前記吐出領域に配線材料を吐出し、配線材料を計測部形成領域にまで広げることによって計測部を有するアライメントマークを形成し、形成したアライメントマークの計測部の位置を計測することにより基板の位置を調整し、その後、配線形成領域に配線材料を吐出して配線を形成する工程を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット方式による配線形成方法であって、
アライメントマークを形成するために配線材料を吐出する吐出領域と、吐出領域に繋がり、かつ基板位置の計測に用いられる計測部となる計測部形成領域とを有するアライメントマーク形成領域と、配線が形成される配線形成領域を基板上に形成し、
前記吐出領域に配線材料を吐出し、配線材料を計測部形成領域にまで広げることによって計測部を有するアライメントマークを形成し、
形成したアライメントマークの計測部の位置を計測することにより基板の位置を調整し、
その後、配線形成領域に配線材料を吐出して配線を形成する工程を備える配線形成方法。
【請求項２】
計測部形成領域は、吐出領域よりも親液性が高い請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アライメントマーク形成領域は、吐出領域を２つ以上有し、
アライメントマークは、全ての吐出領域に配線材料を吐出することによって形成する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アライメントマークを形成する前に、吐出領域の位置を計測することにより基板の位置を粗調整する工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４に記載の配線形成方法を用いて作成された配線基板とこれに対向して配置される対向基板とで液晶材料を挟持することによって形成される液晶装置の製造方法であって、配線基板と対向基板とは、前記計測部の位置を計測することにより位置合わせされる液晶装置の製造方法。
【請求項６】
アライメントマークを形成するために配線材料を吐出する吐出領域と、吐出領域に繋がり、かつ基板位置の計測に用いられる計測部となる計測部形成領域とを有するアライメントマーク形成領域と、配線が形成される配線形成領域を有する基板上に配線を形成する配線形成装置であって、
アライメントマークを形成する前に基板の位置を粗調整するために前記吐出領域の位置を計測する第１光学系と、
計測部を有するアライメントマークを形成した後に基板の位置を微調整するためにアライメントマークの計測部の位置を計測する第２光学系と、
基板の位置を粗調整した後に前記吐出領域に配線材料を吐出し、配線材料を計測部形成領域にまで広げることによって計測部を有するアライメントマークを形成し、かつ基板の位置を微調整した後に配線形成領域に配線材料を吐出して配線を形成するインクジェットヘッドとを備える配線形成装置。
【請求項７】
第２光学系は、第１光学系よりも高倍率である請求項６に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット方式による配線形成方法、液晶装置の製造方法及び配線形成装置に関する。本発明は、例えば、液晶装置の配線基板（ＴＦＴ基板等）の配線（ゲート、ソース及びドレイン電極用配線等）を形成するために好適に用いることができる。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラスなどからなる基板上に液状の配線材料をライン状に吐出することにより、配線を形成する方法が知られている（特許文献１〜３を参照。）。この方法では、単に基板上に配線材料を吐出するだけでは、形成される配線の寸法や位置の制御が困難である。そのため、予め基板全体に撥液化処理を施し、さらに配線を形成する領域のみに親液化処理を施し、親液化処理を施した領域（以下、「親液性領域」と呼ぶ。）に配線材料を吐出し、親液性領域にのみ配線材料が塗布されるようにして、配線の寸法及び位置を制御している。
【特許文献１】特開２００５−１７５４６８号公報
【特許文献２】特開２００５−１５９３２７号公報
【特許文献３】特開２００５−１５９３２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、親液性領域は、配線が形成される領域であるため、通常、その幅は２０μｍ程度である。このため、この領域に確実に配線材料を吐出するためには、基板の位置をインクジェット装置に対して高精度に調整する必要がある。
【０００４】
基板の位置調整は、通常、基板上に形成されたアライメントマークの位置を計測することによって行う。しかし、特許文献１等に記載の技術を用いる場合、透明な基板上に透明な材料でアライメントマークが形成されることがあり、この場合、アライメントマークの視認性が非常に悪く（従って、ＣＣＤカメラ等で撮像しにくく）、高精度な位置調整が困難になる。このため、上記親液性領域に配線材料が吐出されず（すなわち、撥液性領域に配線材料が吐出されて）、配線が適切に形成されないことがある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、配線を確実に形成することができる配線形成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００６】
本発明の配線形成方法は、インクジェット方式による配線形成方法であって、アライメントマークを形成するために配線材料を吐出する吐出領域と、吐出領域に繋がり、かつ基板位置の計測に用いられる計測部となる計測部形成領域とを有するアライメントマーク形成領域と、配線が形成される配線形成領域を基板上に形成し、前記吐出領域に配線材料を吐出し、配線材料を計測部形成領域にまで広げることによって計測部を有するアライメントマークを形成し、形成したアライメントマークの計測部の位置を計測することにより基板の位置を調整し、その後、配線形成領域に配線材料を吐出して配線を形成する工程を備える。
【０００７】
以下、本発明の概要を説明する。
まず、基板上のアライメントマーク形成領域に配線材料を吐出してアライメントマークを形成する。配線材料は、銀ペーストなどからなり、通常、視認性が高い。従って、この工程によって、視認性の高いアライメントマークが得られる。また、配線材料は、アライメントマーク形成領域の吐出領域に吐出される。吐出領域は、通常、形成される配線の幅と比べて幅の広い領域なので、配線材料は確実に吐出領域に吐出され、吐出領域に繋がった計測部形成領域に広がり、最終的にアライメントマーク形成領域全体に広がる。計測部形成領域が、形成されるアライメントマークの計測部となる。
【０００８】
次に、計測部の位置を計測して基板の位置を調整する。ここでの位置調整は、視認性の高い計測部を用いて行うことができるので、比較的高精度に行うことができる。
【０００９】
次に、基板の位置調整後、基板上の配線形成領域に配線材料を吐出して配線を形成する。前工程で基板位置が高精度に調整される、この工程では配線形成領域に配線材料を確実に吐出することができる。従って、本発明によれば、配線を確実に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
１．配線形成方法
本発明の配線形成方法は、インクジェット方式による配線形成方法であって、アライメントマークを形成するために配線材料を吐出する吐出領域と、吐出領域に繋がり、かつ基板位置の計測に用いられる計測部となる計測部形成領域とを有するアライメントマーク形成領域と、配線が形成される配線形成領域を基板上に形成し、前記吐出領域に配線材料を吐出し、配線材料を計測部形成領域にまで広げることによって計測部を有するアライメントマークを形成し、形成したアライメントマークの計測部の位置を計測することにより基板の位置を調整し、その後、配線形成領域に配線材料を吐出して配線を形成する工程を備える。
【００１１】
１−１．基板
配線を形成する基板は、Ｓｉウエハー、石英ガラス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板などからなり、基板上に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが形成されたものであってもよい。
【００１２】
基板上には、アライメントマークが形成されるアライメントマーク形成領域と、配線が形成される配線形成領域が形成される。アライメントマーク形成領域は、例えば、基板の４隅にそれぞれ設ける。
【００１３】
アライメントマーク形成領域及び配線形成領域は、例えば、それぞれ、基板表面のこれらの領域以外の領域よりも親液性が高くなるように形成する。このようにすることにより、アライメントマーク形成領域及び配線形成領域に吐出された、配線材料がこれらの領域に留まり、これらの領域に確実に、アライメントマーク及び配線を形成することができるからである。
【００１４】
「配線材料」は、導電体微粒子を分散媒中に分散させて構成される。導電体微粒子は、金、銀、銅などの金属などからなり、分散媒は、導電性微粒子を分散可能なものであればよく、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物などからなる。配線材料の粘度等は、インクジェット方式による吐出に適するように適宜調節する。
【００１５】
アライメントマーク形成領域及び配線形成領域は、例えば、基板全面に撥液化処理を施し、その後、これらの領域のみを親液化処理を施すことによって形成することができる。撥液化処理及び親液化処理は、特許文献１〜３に記載された方法など、種々の方法で行うことができる。具体例として、撥液化処理は、基板上にフルオロアルキルシラン等の自己組織化膜を形成する方法、基板上にフッ化重合膜を形成する方法、空気・酸素又は窒素を処理ガスとして基板表面をプラズマ処理する方法などが挙げられ、親液化処理は、酸素を処理ガスとして基板表面をプラズマ処理するか、波長１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射して上記自己組織化膜又はフッ化重合膜を除去する方法や、基板表面に紫外レーザーや赤外レーザーなどを照射する方法が挙げられる。
【００１６】
「撥液化」、「親液化」とは、それぞれ、対象物を撥液性、親液性にすることを意味する。撥液化、親液化処理が施された領域をそれぞれ「撥液性領域」、「親液性領域」と呼ぶ。「撥液性」とは、配線材料に対して濡れ性の低い状態を意味する。「親液性」とは、配線材料に対して濡れ性が相対的に高い状態を意味する。「濡れ性」の尺度として、配線材料に対する接触角の大きさを用いることができ、接触角が大きいほど、濡れ性が低い。接触角は、１／２θ法により測定することができる。
【００１７】
配線材料に対する撥液性領域の接触角は、好ましくは３０度以上、さらに好ましくは４５度以上、さらに好ましくは６０度以上である。また、配線材料に対する、アライメントマーク形成領域及び配線形成領域の接触角は、撥液性領域に対する接触角よりも、好ましくは１０度以上、さらに好ましくは２０度以上以上小さい。
【００１８】
（１）アライメントマーク形成領域
アライメントマーク形成領域は、アライメントマークを形成するために配線材料を吐出する吐出領域と、吐出領域に繋がり、かつ基板位置の計測に用いられる計測部となる計測部形成領域とを有する。
【００１９】
吐出領域は、インクジェットヘッドから吐出させた配線材料が適切に着弾しやすいように、比較的幅の広い領域（例えば、計測部形成領域を構成する線よりも幅の広い領域）であることが好ましい。吐出領域は、楕円状、円状、矩形状等何れの形状であってもよい。吐出領域の幅は、好ましくは、計測部形成領域に向かって先細りである。幅を徐々に狭くすることによって、配線材料が計測部形成領域に移動しやすいからである。吐出領域の幅は、使用するインクジェット装置の精度にもよるが、例えば、６０〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００２０】
計測部形成領域は、吐出領域に繋がった領域であり、吐出領域に吐出された配線材料がこの領域にまで広がって塗布される。計測部形成領域は、配線材料が塗布されて後工程で基板位置の計測に用いられる計測部となる。このため、計測部形成領域は、後工程での計測誤差を小さくするため、比較的幅の細い（例えば、形成される配線と同程度の幅の）２本以上の線を交差させて構成することが好ましい。計測部形成領域は、十字状、Ｘ状、星状、Ｙ状等何れの形状であってもよい。計測部形成領域は、吐出領域よりも親液性を高くすることが好ましい。この場合、吐出領域に吐出された配線材料が速やかに計測部形成領域にまで広がるからである。
【００２１】
アライメントマーク形成領域は、好ましくは、吐出領域を２つ以上有する。例えば、計測部形成領域が二本の細幅線が交差して構成されている場合、吐出領域は、好ましくはすべて（４つ）の端部に設けられる（図４参照。）。このとき、アライメントマークは、好ましくは、全ての吐出領域に配線材料を吐出することによって形成される。この場合、配線材料が計測部形成領域全体に素早く広がるからである。
【００２２】
（２）配線形成領域
配線形成領域には、後工程で配線材料が吐出されて配線が形成される。ここでの「配線」とは、例えば、液晶装置のＴＦＴ基板に形成されるゲート電極配線、ソース電極配線及びドレイン電極配線である。本発明の「配線」が形成される対象は、液晶装置に限定されず、本発明の配線形成方法は、高精度なアライメントが要求される種々の電子機器の配線形成工程に適用可能である。
【００２３】
１−２．アライメントマーク形成工程
この工程では、アライメントマーク形成領域の吐出領域に配線材料を吐出し、配線材料を計測部形成領域にまで広げることによって計測部を有するアライメントマークを形成する。配線材料は、通常、アライメントマーク形成領域の全体に広がり、アライメントマークとアライメントマーク形成領域の形状が実質的に同じになる。計測部形成領域が配線材料で覆われて、計測部となる。
【００２４】
アライメントマーク形成領域は、透明基板上に透明材料で形成された場合等には視認性が悪いため、この領域の位置を計測して基板の位置調整を行っても高精度の位置調整は困難である。そこで、この領域に配線材料を吐出して視認性の高いアライメントマークを形成して、このマークを用いて高精度な基板位置調整を行う。
【００２５】
アライメントマークを形成する前に、通常は、基板の位置を粗調整する工程を備える。基板位置の粗調整は、例えば、別途設けられた粗調整用のサイズの大きなアライメントマークを用いて行うか、上記吐出領域の位置を計測することにより行う。上記吐出領域は、比較的サイズが大きいので、粗調整用の光学系でも認識するのが容易だからである。
【００２６】
１−３．基板位置調整工程
形成したアライメントマークの計測部の位置を計測することにより基板の位置を調整する。より具体的には、例えば、光学系がアライメントマークの計測部を撮像し、画像処理によって計測部の中心の位置を計測し、計測部の中心が光学系の視野の中心に位置するように基板を移動させることによって行う。基板の移動は、例えば、基板を載置する二軸（Ｘ軸、Ｙ軸）ステージを駆動することによって行う。上記基板の粗調整も同様の方法で行う。
【００２７】
１−４．配線形成工程
基板位置の調整後、配線形成領域に配線材料を吐出して配線を形成する。前工程で基板位置が高精度に調整可能なので、この工程では配線形成領域に配線材料を確実に吐出することができる。
【００２８】
２．液晶装置の製造方法
本発明の液晶装置の製造方法は、上記記載の配線形成方法を用いて作成された配線基板とこれに対向して配置される対向基板とで液晶材料を挟持することによって形成される液晶装置の製造方法であって、配線基板と対向基板とは、前記計測部の位置を計測することにより位置合わせされる。
【００２９】
配線基板とは、画素電極とこれを制御するための配線が形成された基板である。画素電極を制御するのにＴＦＴが用いられている場合は、ＴＦＴ基板である。上記配線形成方法によって、例えばゲート電極配線を形成し、さらにチャネル層、ソース・ドレイン電極配線、画素電極等を形成し、配線基板を作製する。
【００３０】
対向基板は、配線基板に対向して配置される基板であり、配線基板と対向基板とで液晶材料を挟持する。カラー表示可能な液晶装置では、対向基板にはカラーフィルターが形成される。
【００３１】
特に、対向基板にカラーフィルターが形成されている場合は、配線基板の画素電極と対向基板のカラーフィルターの相対位置を高精度に合わせる必要がある。一画素分でも両者の相対位置がずれると、表示される色が変わるからである。
【００３２】
そこで、本発明の方法では、アライメントマークの計測部を用いて、高精度な位置合わせを行う。
【００３３】
３．配線形成装置
本発明の配線形成装置は、アライメントマークを形成するために配線材料を吐出する吐出領域と、吐出領域に繋がり、かつ基板位置の計測に用いられる計測部となる計測部形成領域とを有するアライメントマーク形成領域と、配線が形成される配線形成領域を有する基板上に配線を形成する配線形成装置であって、アライメントマークを形成する前に基板の位置を粗調整するために前記吐出領域の位置を計測する第１光学系と、計測部を有するアライメントマークを形成した後に基板の位置を微調整するためにアライメントマークの計測部の位置を計測する第２光学系と、基板の位置を粗調整した後に前記吐出領域に配線材料を吐出し、配線材料を計測部形成領域にまで広げることによって計測部を有するアライメントマークを形成し、かつ基板の位置を微調整した後に配線形成領域に配線材料を吐出して配線を形成するインクジェットヘッドとを備える。
【００３４】
この装置は、上記配線形成方法の実施に適している。第２光学系は、好ましくは、第１光学系よりも高倍率である。倍率の異なる２つの光学系を備え、第１光学系を用いて基板位置の粗調整を行い、第２光学系を用いて基板位置の微調整を行うことにより、基板位置の高精度な調整を容易に行うことができる。
【実施例１】
【００３５】
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。本発明の範囲は、この実施例の内容に限定されない。
【００３６】
１．基板
まず、図１を用いて、本実施例において配線を形成する基板１について説明する。基板１は、アライメントマークを形成するために配線材料を吐出する吐出領域３ａと、吐出領域３ａに繋がり、かつ基板１の位置の計測に用いられる計測部となる計測部形成領域３ｂとを有するアライメントマーク形成領域３と、配線が形成される配線形成領域５を有する。アライメントマーク形成領域３には、後工程で配線材料が吐出されて、微調整用アライメントマークが形成される。また、基板１には、粗調整用アライメントマーク７も形成されている。本実施例で形成される配線は、液晶装置のＴＦＴ基板のゲート電極配線であり、図示しない液晶駆動回路に接続される。
【００３７】
上述した方法により、基板１の表面全体は、撥液化処理され、その後、アライメントマーク形成領域３、配線形成領域５及び粗調整用アライメントマーク７（以下、これらを合わせて、「アライメントマーク形成領域３等」と呼ぶ）が親液化処理される。これによって、基板上に、撥液性領域と親液性領域が形成される。
【００３８】
アライメントマーク形成領域３等が透明絶縁膜や透明導電膜などで形成される場合、アライメントマーク形成領域３等は、非常に視認性が悪く、そのエッジ部分での濃淡差しか検出できない場合がある。そこで本実施例では、アライメントマーク形成領域３等に配線材料（具体的には銀ペースト）を塗布することによって、アライメントマーク形成領域３等の視認性を高めている。
【００３９】
２．配線形成装置
次に、基板１に配線を形成するのに使用する配線形成装置について説明する。図２は、この装置のシステム構成図である。
【００４０】
この配線形成装置は、基板１を載置するステージ１３と、基板１の位置の粗調整に用いる第１光学系１５と、基板１の位置の微調整に用いる第２光学系１７と、基板１に配線材料と吐出するインクジェットヘッド１９と、これらを制御するコンピュータからなる制御部２１とを備える。
【００４１】
ステージ１３は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及び回転方向に移動可能であり、ステージ１３が移動することによって、インクジェットヘッド１９に対する基板１の位置が調整される。
【００４２】
第１光学系１５は、基板１上の粗調整用アライメントマーク７の位置を計測し、制御部２１は、計測結果に基づいてステージ１３を移動させて基板１の位置の粗調整を行う。第１光学系１５は、吐出領域３ａの位置を計測するようにしてもよい。
【００４３】
基板１の位置の粗調整後、インクジェットヘッド１９は、基板１上の吐出領域３ａに配線材料と吐出する。この配線材料は、アライメントマーク形成領域３全体に広がり、微調整用アライメントマークが形成される。
【００４４】
第２光学系１７は、微調整用アライメントマークの計測部の位置を計測し、制御部２１は、計測結果に基づいてステージ１３を移動させて基板位置の微調整を行う。
【００４５】
基板１の位置の微調整後、インクジェットヘッド１９は、基板１上の配線形成領域５に配線材料と吐出する。これによって配線が形成される。インクジェットヘッド１９に複数のノズルを設け、複数の配線を同時に形成するようにしてもよい。
【００４６】
第１及び第２光学系１５，１７は、アライメントマークの位置を計測するために、ＣＣＤカメラを内蔵しており、第２光学系１７は、基板１の位置の微調整に用いられるため、基板１の位置の粗調整に用いられる第１光学系１５よりも高倍率になっている。第１及び第２光学系１５，１７の倍率は、それぞれ、外部から配線形成装置に基板を搬入してステージに設置する際の位置精度や、インクジェットヘッド１９から配線材料を吐出する際の位置精度などに基づいて適宜決定することができる。
【００４７】
３．配線形成
次に、本実施例での配線形成の各工程を詳細に説明する。
３−１．基板搬入工程
まず、配線を形成する基板１を上記配線形成装置内に搬入し、基板１をステージ１３に吸着固定する。基板１の搬入は、図示しない基板搬入系を用いて行う。基板搬入時のステージ１３のＸ軸方向、Ｙ軸方向及び回転方向の位置は常に一定であり、基板搬入系の位置決め精度でステージ１３に基板１が固定される。
【００４８】
３−２．基板位置粗調整工程
次に、基板１の位置を粗調整する。具体的には、第１光学系１５で粗調整用アライメントマーク７を撮像し、アライメントマーク７の中心の位置を計測し、アライメントマーク７の中心が第１光学系１５の視野の中心になるように、ステージ１３をＸ軸方向、Ｙ軸方向及び回転方向に移動させる。アライメントマーク７は、視認性が悪く、そのエッジのみが検出可能である。そのため、高精度の位置調整は困難であるが、本実施例では配線材料は比較的幅の広い吐出領域３ａに吐出されるので、高精度な位置調整はここでは必要ない。
【００４９】
なお、基材１の位置の粗調整は、粗調整用アライメントマーク７を用いる代わりに、アライメントマーク形成領域３の吐出領域３ａを用いて行ってもよい。この場合、粗調整用アライメントマーク７を省略することができる。
【００５０】
３−３．微調整用アライメントマーク形成工程
次に、アライメントマーク形成領域３の吐出領域３ａの上方にインクジェットヘッド１９を移動させる。既に基板１の位置の粗調整を行っており、吐出領域３ａは比較的幅が広いので、インクジェットヘッド１９は、確実に吐出領域３ａの上方に配置される。
【００５１】
次に、アライメントマーク形成領域３の吐出領域３ａに、インクジェットヘッド１９から配線材料を吐出して、微調整用アライメントマークを形成する。図３に示すように、吐出領域３ａの点線円部分に吐出された配線材料は、矢印で示すように広がり、さらに計測部形成領域３ｂにまで広がり、最終的に、アライメントマーク形成領域３の全体が配線材料で覆われる（従って、配線材料は、アライメントマーク形成領域３の全体を覆うのに十分な量を吐出する。）。計測部形成領域３ｂが配線材料で覆われて、計測部となる。
【００５２】
アライメントマーク形成領域３は、親液性であり、この周りの領域は、撥液性であるため、配線材料は、アライメントマーク形成領域３からはみ出さず、形成される微調整用アライメントマークの形状は、アライメントマーク形成領域３の形状と実質的に同じになる。
【００５３】
図１に示す４つのアライメントマーク形成領域３に、同様の方法により、微調整用アライメントマークを形成する。また、粗調整用アライメントマーク７を後工程（例えば、液晶装置を製造する際の、ＴＦＴ基板とその対向基板とを位置合わせする工程）で使用する場合には、粗調整用アライメントマーク７にも配線材料を吐出しておいてもよい。粗調整用アライメントマーク７には、後の配線形成工程の際に、配線材料を吐出してもよい。
【００５４】
３−４．基板位置微調整工程
次に、基板１の位置を微調整する。具体的には、第２光学系１７で微調整用アライメントマークの計測部を撮像し、計測部の中心の位置を計測し、計測部の中心が第２光学系１７の視野の中心になるように、ステージ１３をＸ軸方向、Ｙ軸方向及び回転方向に移動させる。微調整用アライメントマークの計測部は、配線材料で覆われているため視認性がよく、エッジのみでなく、計測部全体が検出可能である。そのため、高精度の位置調整が可能である。
【００５５】
３−５．配線形成工程
次に、基板１上に配線を形成する。基板１の位置が高精度に調整されているので、配線形成領域５に配線材料を確実に吐出することができる。制御部２１の制御指令により、ステージ１３を動作させ、配線形成領域５にインクジェットヘッド１９から配線材料を連続的に吐出することにより、配線を形成する。
【実施例２】
【００５６】
実施例２では、基板１上に形成されるアライメントマーク形成領域３の形状が、実施例１のものとは異なっている。本実施例のアライメントマーク形成領域３の形状を図４に示す。図４に示すように、本実施例のアライメントマーク形成領域３は、４つの吐出領域３ａを有しており、また、微調整用アライメントマーク形成工程では、４つの吐出領域３ａの全てに配線材料を吐出する。これによって、短時間で計測部形成領域３ｂを配線材料で覆うことができる。
【実施例３】
【００５７】
実施例３では、図５に示すように、粗調整用アライメントマーク７とアライメントマーク形成領域３とが繋がっている。この場合、配線材料を一度吐出するだけで、粗調整用アライメントマーク７とアライメントマーク形成領域３の両方を配線材料で覆うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施例１で配線を形成する基板を示す平面図である。
【図２】本発明の実施例１で配線を形成するのに使用する配線形成装置のシステム構成図である。
【図３】本発明の実施例１で配線材料が広がる様子を示す平面図である。
【図４】本発明の実施例２で配線を形成する基板に形成されるアライメントマーク形成領域を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例３で配線を形成する基板に形成される粗調整用アライメントマーク及びアライメントマーク形成領域を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１：基板  ３：アライメントマーク形成領域  ３ａ：吐出領域  ３ｂ：計測部形成領域  ５：配線形成領域  ７：粗調整用アライメントマーク  １３：ステージ  １５：第１光学系  １７：第２光学系  １９：インクジェットヘッド  ２１：制御部
【図１】
2007047305.tif 000003
【図２】
2007047305.tif 000004
【図３】
2007047305.tif 000005
【図４】
2007047305.tif 000006
【図５】
2007047305.tif 000007