(57)【要約】【課題】外部接続端子に対して外部電極を超音波接合で支障無く接合することができる外部接続端子を備える半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体モジュール１０は半導体素子等の電子部品１２と、一端側が電子部品１２に電気的に接続された板状の外部接続端子１３，１４とを備えている。外部接続端子１３，１４は、電子部品１２が配設されたベース部１１の上方に設けられた樹脂製の支持部１５を貫通するとともに、支持部１５より上側の部分が該支持部１５の上面に沿って延びるとともに先端がベース部１１側に屈曲した形状に形成されている。外部接続端子１３，１４は、先端が支持部１５に埋設された状態で支持部１５に固定されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端側が電子部品に電気的に接続された板状の外部接続端子を備えた半導体モジュールであって、
前記板状の外部接続端子は、前記電子部品が配設されたベース部の上方に設けられた樹脂製の支持部を貫通するとともに、前記支持部より上側の部分が該支持部の上面に沿って延びるとともに先端が前記ベース部側に屈曲した形状に形成されている半導体モジュール。
【請求項２】
前記支持部は前記ベース部から立設するように設けられるとともに、前記外部接続端子は、前記支持部にインサート成形で一体に形成されている請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記支持部は、前記電子部品を収容するハウジングのカバーを構成し、前記外部接続端子は、前記支持部を貫通して前記支持部より上側に突出した部分が屈曲されるとともに前記支持部に対して樹脂で固定されている請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記支持部は、前記ハウジングの本体に固定されている請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記支持部は、前記ベース部と対向する側に、前記ベース部側に設けられた構造物との干渉を回避する空間が設けられている請求項２〜４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに係り、詳しくは電力の制御に使用するのに好適な半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
電力用半導体モジュールを例えばコンデンサと接続する場合、図９に示すように、半導体モジュールのカバー４０に支持された正側及び負側外部接続端子４１，４２に対して、一端がコンデンサ４３のプラス端子４３ａ及びマイナス端子４３ｂに接続された銅板製の配線バー４４，４５がねじ４６で締め付け固定される。
【０００３】
半導体モジュールの外部接続端子の支持構造として、図１０に示すように、半導体モジュールのケース４７に板状の外部接続端子４８をインサート成形するとともに、外部接続端子４８の端部４８ａがケース４７の上面に当接するように屈曲形成された構成が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、大電力半導体装置（大電力半導体モジュール）において、基板上に固着された半導体チップの電極端子が基板上に形成された電極端子台に接続され、この電極端子台には少なくとも接合端部が板状の外部電極端子の一端が、超音波接合により接続された構成が開示されている（例えば、特許文献２参照）。この外部電極端子の一部、前記基板、前記基板上に固着された半導体チップ及び電極端子台は樹脂ケース内に収納されている。
【特許文献１】特開２０００−１８３２７８号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５７２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電力用半導体モジュールでは、正側及び負側外部接続端子４１，４２とコンデンサ４３のプラス端子４３ａ及びマイナス端子４３ｂとの間の配線インダクタンスを小さくする必要がある。このうち、配線バー４４，４５が上下に並行に配置された部分のインダクタンスは、配線バー４４，４５を流れる電流の向きが逆方向のためにほぼ零になる。しかし、正側及び負側外部接続端子４１，４２と配線バー４４，４５との接続部分においては、両外部接続端子４１，４２と両配線バー４４，４５との接続がねじ４６による締め付けで行われているため、見かけ上面接触となるが、実際はねじ４６による締め付け箇所の点（線）接触となり、インダクタンスは低減されない。その結果、半導体モジュールを構成する電力用半導体素子のスイッチング時におけるサージ電圧により半導体モジュールの破損や耐久性の低下を招く。また、ねじ４６による固定の場合は、ねじ４６の頭の高さ分、半導体モジュールの高さが高くなり、半導体モジュールの体格の薄型化に支障を来す。また、ねじ４６で締め付けるには、ねじ４６が挿通される孔を両外部接続端子４１，４２及び配線バー４４，４５に形成する必要があり、その分、接触面積が小さくなる。従って、必要な接触面積を確保するためには、少なくとも孔の分は両外部接続端子４１，４２及び配線バー４４，４５の接合部における面積を大きくする必要がある。
【０００６】
正側及び負側外部接続端子４１，４２と配線バー４４，４５との接続部分におけるインダクタンスの発生を抑制する方法として、正側及び負側外部接続端子４１，４２と配線バー４４，４５とを超音波接合により面全体で接合する方法が考えられる。しかし、超音波接合を行う場合は、接合箇所を接合ツール（ホーン）によって強く押圧した状態で振動を加える必要があるため、接合対象物を支持する部分が押圧力で変形しない強度を有する必要と、振動で水平方向へずれるのを抑制する必要がある。そのため、電極端子のように支持部から浮いた状態にあるものや撓み易い支持部で支持された物に対する超音波接合は難しい。
【０００７】
特許文献１には超音波接合に関しては、何ら記載はないが、外部接続端子４８の端部がケース４７の上面に当接するように屈曲形成された構成が開示されている。この構成では
外部接続端子４８の端部に配線バーを超音波接合で接合する場合、接合ツールによる押圧力に対応することはできるが、振動で水平方向へずれるのを抑制することは難しい。
【０００８】
また、特許文献２では板状の外部電極端子が超音波接合により電極端子台に接続されている。しかし、特許文献２には電極端子のように支持部から浮いた状態にあるものや撓み易い支持部で支持された物に対する超音波接合に対しては何ら記載されていない。
【０００９】
本発明の目的は、外部接続端子に対して外部電極を超音波接合で支障無く接合することができる外部接続端子を備えることにより、外部接続端子と外部電極との接合部におけるインダクタンスの発生を抑制することができるとともに、モジュール体格の小型化、薄型化を可能にすることができる半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、一端側が電子部品に電気的に接続された板状の外部接続端子を備えた半導体モジュールである。そして、前記板状の外部接続端子は、前記電子部品が配設されたベース部の上方に設けられた樹脂製の支持部を貫通するとともに、前記支持部より上側の部分が該支持部の上面に沿って延びるとともに先端が前記ベース部側に屈曲した形状に形成されている。
【００１１】
この発明では、板状の外部接続端子は樹脂製の支持部を貫通するとともに、前記支持部より上側の部分が該支持部の上面に沿って延びるとともに先端がベース部側に屈曲した形状に形成されている。そのため、外部接続端子に対して外部電極を超音波接合で接合するために外部電極を介して接合ツールから外部接続端子に押圧力及び水平方向の振動が加わっても、外部接続端子が一定位置に保持されて超音波接合を支障なく行うことが可能になる。その結果、外部接続端子と外部電極との接合部におけるインダクタンスの発生を抑制することができるとともに、モジュール体格の小型化、薄型化（低背化）を可能にすることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記支持部は前記ベース部から立設するように設けられるとともに、前記外部接続端子は、前記支持部にインサート成形で一体に形成されている。この発明では、支持部とベース部との間に空間がある構成に比較して、外部接続端子に外部電極を超音波接合する際に接合ツールから支持部に作用する押圧力を支持部が担い易い。また、外部接続端子はインサート成形で支持部と対向する面が支持部に密着した状態にあるため、外部電極に対して接合ツールから振動が加えられた場合に、支持部との相対移動が防止されて超音波接合を良好に行うことができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記支持部は、前記電子部品を収容するハウジングのカバーを構成し、前記外部接続端子は、前記支持部を貫通して前記支持部より上側に突出した部分が屈曲されるとともに前記支持部に対して樹脂で固定されている。ここで「樹脂で固定されている。」とは、屈曲された部分が支持部に形成された凹部と対応する位置に配置された状態で、凹部が熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂で埋められたり、屈曲された部分が支持部に形成された切り欠き部と対応する位置に配置された状態で、接着剤で支持部に接着されたりすることを意味する。
【００１４】
この発明では、外部接続端子が半導体モジュールのハウジングのカバーに設けられた場合において、外部接続端子に外部電極を超音波接合で支障無く接合することができる。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記支持部は、前記ハウジングの本体に固定されている。この発明では、外部接続端子に外部電極を接合する際に、外部接続端子が振動でより移動され難くなる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項２〜４のいずれか一項に記載の発明において、前記支持部は、前記ベース部と対向する側に、前記ベース部側に設けられた構造物との干渉を回避する空間が設けられている。この発明では、前記空間を設けない構成に比較して、半導体モジュールの体格を小さく形成することが可能になる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、外部接続端子に対して外部電極を超音波接合で支障無く接合することができる外部接続端子を備えることにより、外部接続端子と外部電極との接合部におけるインダクタンスの発生を抑制することができるとともに、モジュール体格の小型化、薄型化を可能にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図１及び図２にしたがって説明する。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体モジュール１０は、ベース部１１と、ベース部１１上に設けられた電力用半導体素子としての電子部品１２（図１（ａ）に図示）と、一端が電子部品１２にボンディングワイヤ１２ａを介して電気的に接続された板状の外部接続端子１３，１４とを備えている。
【００１８】
両外部接続端子１３，１４は、ベース部１１から立設するように設けられた樹脂製の支持部１５を貫通するとともに、支持部１５より上側の部分が該支持部１５の上面に沿って延びるとともに先端がベース部１１側に屈曲した形状に形成されている。支持部１５の材料としては、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等が使用される。この実施形態では外部接続端子１３，１４は支持部１５にインサート成形で一体に形成されている。即ち、外部接続端子１３，１４は支持部１５の上面に沿って延びる部分の上面が支持部１５から露出するとともに、下面や先端の屈曲部が支持部１５に密着状態で支持されている。
【００１９】
次に前記のように構成された半導体モジュール１０の作用を説明する。この半導体モジュール１０は、例えば、自動車の電源装置の一部を構成するものとして使用され、図２に示すように、両外部接続端子１３，１４が板状の外部電極１６，１７を介してコンデンサ１８のプラス端子１８ａ及びマイナス端子１８ｂに電気的に接続される。両外部電極１６，１７は、外部接続端子１３，１４と接合される部分を除いた部分に電気的絶縁部材（図示せず）が介在された状態で接合される。また、出力端子１９は配線を介してモータ（いずれも図示せず）に接続される。
【００２０】
外部電極１６，１７は、その一端において外部接続端子１３，１４にそれぞれ超音波接合により対向する面全体で接合される。超音波接合の際には、外部接続端子１３，１４の上に外部電極１６，１７が載置され、超音波接合用の図示しない接合ツール（ホーン）により外部電極１６，１７の上面が押圧されるとともに水平方向の振動を加えられる。その際、支持部１５はベース部１１から立設されているため、外部電極１６，１７及び外部接続端子１３，１４に押圧力が加わっても支持部１５によりその押圧力が担われて、外部接続端子１３，１４及び外部電極１６，１７の撓みが抑制された状態で超音波接合行われる。
【００２１】
また、外部接続端子１３，１４は先端が支持部１５の上面と平行に延びるのではなく、ベース部１１側に屈曲する状態に形成されているため、前記ツールから水平方向の振動が外部電極１６，１７に加わっても、支持部１５と相対移動せずに一定位置に保持される。その結果、外部電極１６，１７が外部接続端子１３，１４に対して高い振動数の相対滑り運動を起こし、超音波接合が良好に行われる。
【００２２】
前記のように外部接続端子１３，１４に対して外部電極１６，１７が超音波接合により電気的に接続された半導体モジュール１０を使用すると、外部接続端子１３，１４と外部電極１６，１７との接合部にインダクタンスが発生するのが抑制される。従って、半導体モジュール１０を構成する電力用半導体素子のスイッチング時におけるサージ電圧の発生が抑制される。その結果、サージ電圧による半導体モジュール１０の破損が抑制されるとともに、半導体モジュール１０を構成する電子部品１２として耐圧の低いものを使用することが可能となり、コスト低下に寄与する。
【００２３】
また、ねじにより外部接続端子１３，１４と外部電極１６，１７とを締め付ける場合と異なり、ねじの頭の高さ分、半導体モジュール１０の高さを低くでき、半導体モジュール１０の体格の薄型化が可能になる。また、ねじが挿通される孔を外部接続端子１３，１４及び外部電極１６，１７に形成する必要がなく、その分、必要な接触面積を確保するために必要な両外部接続端子１３，１４及び外部電極１６，１７の接合部における面積を小さくすることができ、半導体モジュール１０の小型化が可能になる。
【００２４】
この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）半導体モジュール１０は、半導体素子等の電子部品１２と、一端側が電子部品１２に電気的に接続された板状の外部接続端子１３，１４とを備えている。そして、外部接続端子１３，１４は、電子部品１２が配設されたベース部１１の上方に設けられた樹脂製の支持部１５を貫通するとともに、支持部１５より上側の部分が該支持部１５の上面に沿って延びるとともに先端がベース部１１側に屈曲した形状に形成されている。従って、外部接続端子１３，１４に対して外部電極１６，１７を超音波接合で支障なく接合することができる。その結果、半導体モジュール１０の使用時に、外部接続端子１３，１４と外部電極１６，１７との接合部におけるインダクタンスの発生を抑制することができるとともに、電子部品１２として耐圧の低いものを使用することができる。また、外部接続端子１３，１４と外部電極１６，１７との接合にねじを使用する場合に比較して、半導体モジュール１０の体格の小型化、薄型化（低背化）を可能にすることができる。
【００２５】
（２）支持部１５はベース部１１から立設するように設けられているため、支持部１５とベース部１１との間に空間がある構成に比較して、外部接続端子１３，１４に外部電極１６，１７を超音波接合する際に接合ツールから支持部１５に作用する押圧力を支持部１５が担い易い。
【００２６】
（３）外部接続端子１３，１４はインサート成形で支持部１５と対向する面が支持部１５に密着した状態にあるため、外部電極１６，１７に対して接合ツールから振動が加えられた場合に、支持部１５との相対移動が防止されて超音波接合をより良好に行うことができる。
【００２７】
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した第２の実施形態を図３〜図５を参照しながら説明する。この第２の実施形態は、外部接続端子１３，１４の他端側を支持する支持部が、電子部品１２を収容するハウジングのカバーを構成している点が前記第１の実施形態と大きく異なっている。第１の実施形態と基本的に同様の部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００２８】
図３及び図４に示すように、半導体モジュール１０のハウジング２０は、ベース部１１を備えた本体２１と、本体２１の側壁２２ａ，２２ｂ，２２ｃの上部に固定された支持部としてのカバー２３とを備えている。図４に示すように、側壁２２ａ，２２ｂの上部にはカバー２３の横方向の移動を規制する段差部が形成され、カバー２３は段差部に係合するように取り付けられている。また、カバー２３と各側壁２２ａ〜２２ｃの上部との間には図示しない接着剤が塗布され、カバー２３は本体２１に固定されている。
【００２９】
外部接続端子１３，１４は、対向する一対の側壁２２ａ，２２ｂ間に設けられた側壁２２ｃに一部が埋設されるとともに、ボンディングワイヤ１２ａが接続される一端側がベース部１１と平行に延びる状態で露出し、他端側が側壁２２ｃの上端から突出するようにインサート成形されている。そして、側壁２２ｃの上端から突出した部分がカバー２３を貫通してカバー２３より上側に突出するとともに、その突出した部分がカバー２３の上面に沿って延びるとともに先端部がベース部１１側に屈曲した形状に形成されている。
【００３０】
カバー２３の上面には凹部２３ａが形成され、外部接続端子１３，１４のベース部１１側に屈曲した部分は、凹部２３ａと対応する位置に配置された状態で、凹部２３ａを埋めた樹脂２４（例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂）でカバー２３に対して固定されている。
【００３１】
カバー２３は、外部接続端子１３，１４に対して外部電極１６，１７を超音波接合する際に、外部接続端子１３，１４に作用する押圧力を担うために、凹部２３ａが形成された部分の厚さが他の部分の厚さより厚く形成されている。しかし、前記凹部２３ａと対応する部分と、ベース部１１との間には、電子部品１２と外部接続端子１３，１４とを接続する構造物としてのボンディングワイヤ１２ａとカバー２３との干渉を回避するための空間Ｓが設けられている。即ち、カバー２３は、ベース部１１と対向する側に、ベース部１１側に設けられた構造物との干渉を回避する空間Ｓが設けられるように形成されている。
【００３２】
次に半導体モジュール１０の製造方法における一工程である本体２１に対するカバー２３の取付け方法及び外部接続端子１３，１４のカバー２３に対する取付け方法を説明する。
【００３３】
外部接続端子１３，１４の一端と電子部品１２とのボンディングワイヤ１２ａによる接続作業等の本体２１内の作業が完了した後、図５に示すように、外部接続端子１３，１４の側壁２２ｃの上端から突出する部分が真っ直ぐ延びる状態でカバー２３を貫通するように、カバー２３が本体２１に取り付けられる。なお、図示しない出力端子１９も同様にカバー２３を貫通する。
【００３４】
次に外部接続端子１３，１４の先端の凹部２３ａに対応する部分が凹部２３ａ側に屈曲された後、外部接続端子１３，１４のカバー２３からの突出部がカバー２３の上面に沿ってほぼ当接する状態で延びるように屈曲されて、外部接続端子１３，１４の先端が凹部２３ａに収容された状態になる。次に凹部２３ａ内に熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂が注入された後、加熱硬化されて外部接続端子１３，１４の先端が凹部２３ａに樹脂２４で固定された状態となる。また、図示しない出力端子１９のカバー２３の上側に突出した部分がカバー２３の上面に沿うように屈曲されて、本体２１に対するカバー２３の取付け及び外部接続端子１３，１４のカバー２３に対する取付けが完了する。
【００３５】
この実施形態の半導体モジュール１０も第１の実施形態の半導体モジュール１０と同様に、両外部接続端子１３，１４に超音波接合で接合される外部電極１６，１７を介してコンデンサ１８に電気的に接続されて使用される。外部接続端子１３，１４は、カバー２３を貫通するように先端側がカバー２３に挿通された後、突出部が屈曲されてカバー２３に取り付けられるが、先端が樹脂２４で固定されている。従って、超音波接合の際に１６，１７を介して水平方向、即ちカバー２３の上面に沿った方向への振動が加えられても、カバー２３に対する相対移動が防止され、超音波接合が支障無く行われる。
【００３６】
従って、この実施形態によれば、第１の実施形態における（１）と同様の効果の他に次の効果を得ることができる。
（４）外部接続端子１３，１４の外部電極１６，１７に接合される部分を支持する支持部が、電子部品１２を収容するハウジング２０のカバー２３を構成し、外部接続端子１３，１４は、カバー２３を貫通してカバー２３より上側に突出した部分が屈曲されるとともにカバー２３に対して樹脂２４で固定されている。従って、外部接続端子１３，１４が半導体モジュール１０のハウジング２０のカバー２３に設けられた場合において、外部接続端子１３，１４に外部電極１６，１７を超音波接合で支障無く接合することができる。
【００３７】
（５）カバー２３は、ハウジング２０の本体２１に固定されている。従って、外部接続端子１３，１４に外部電極１６，１７を接合する際に、外部接続端子１３，１４が外部電極１６，１７に加えられる振動でより移動され難くなる。その結果、外部電極１６，１７が外部接続端子１３，１４に対して高い振動数の相対滑り運動を起こし易くなり、超音波接合をより良好に行うことができる。
【００３８】
（６）カバー２３は、ベース部１１と対向する側に、ベース部１１側に設けられた構造物としてのボンディングワイヤ１２ａとの干渉を回避する空間Ｓが設けられている。従って、空間Ｓを設けない構成に比較して、半導体モジュール１０の体格を小さく形成することが可能になる。
【００３９】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  外部接続端子１３，１４の外部電極１６，１７に接合される部分を支持する支持部のベース部１１と対向する側に、ベース部１１側に設けられた構造物との干渉を回避する空間Ｓを設ける構成は第２の実施形態のように、カバー２３をハウジング２０の側壁２２ａ〜２２ｃの上部に固定して構造物との間に空間Ｓを設ける構成に限らない。例えば、図６（ａ）に示すように、支持部１５がベース部１１から立設された構成において、支持部１５のベース部１１と対向する側に、ボンディングワイヤ１２ａとの干渉を回避する空間Ｓを設けてもよい。
【００４０】
○  第１の実施形態のように支持部１５がベース部１１から立設された構成において、支持部１５の上部に支持される外部接続端子１３，１４の先端部は支持部１５に埋設された構成に限らない。例えば、図６（ｂ）に示すように、外部接続端子１３，１４の先端部を、屈曲部の外面が露出した状態にインサート成形してもよい。
【００４１】
○  ハウジング２０は、本体２１の側壁２２ａ〜２２ｃの上部にカバー２３が取り付けられた構成に限らない。例えば、図７に示すように、カバー２３の下面に側壁２３ｂが突設され、側壁の下端がベース部１１に接着剤で固定される構成としてもよい。また、側壁２３ｂに代えて複数の脚部をカバー２３の下面から突出するように形成し、脚部の下端をベース部１１に固定する構成としてもよい。
【００４２】
○  支持部１５がベース部１１から立設された構成において、外部接続端子１３，１４を支持部１５の上側に真っ直ぐに突出するようにインサート成形した後、突出した部分を支持部１５の上面に沿うように、かつ先端をベース部１１側に向くように屈曲形成してもよい。そして、外部接続端子１３，１４と支持部１５との間に隙間が有る場合、その隙間に接着剤を注入して外部接続端子１３，１４を支持部１５に固定してもよい。
【００４３】
○  カバー２３はベース部１１の上方を全て覆う構成に限らず、例えば、図８に示すように、カバー２３をベース部１１の外部接続端子１３，１４側を覆うように設けるとともに、カバー２３で覆われない部分を外部接続端子１３，１４に接合される外部電極１６，１７の一部で覆う構成としてもよい。
【００４４】
○  支持部１５がベース部１１から立設された構成において、外部接続端子１３，１４の支持部１５からの突出部を屈曲して外部電極１６，１７の接合部を形成する構成において、支持部１５の上面に外部接続端子１３，１４の幅と同じ幅で、かつ外部接続端子１３，１４の先端の折り曲げを許容する長さの凹部又は切り欠きを形成する。そして、外部接続端子１３，１４の先端を凹部又は切り欠き内に収容するように折り曲げた後、凹部又は切り欠き内に樹脂を充填してもよい。
【００４５】
○  第２の実施形態において凹部２３ａに充填される樹脂２４は、熱硬化性樹脂に限らず、光硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂であってもよい。光硬化性樹脂の場合は未硬化の光硬化性樹脂を充填した後、光を照射して硬化させる。また、熱可塑性樹脂の場合は、樹脂を加熱溶融させて凹部２３ａに充填した後、冷却する。
【００４６】
○  カバー２３あるいは支持部１５の外部接続端子１３，１４の下方と対応する位置に設けられる空間Ｓに収容される構造物はボンディングワイヤ１２ａに限らず、電子部品１２の一部を収容してもよい。
【００４７】
○  カバー２３を側壁２２ａ，２２ｂに形成された段差部に取り付ける構成においては、カバー２３は接着剤等を使用せずに側壁２２ａ，２２ｂに嵌合するだけで側壁２２ａ，２２ｂに固定してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１の実施形態を示し、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線模式断面図、（ｂ）は半導体モジュールの部分概略平面図。
【図２】半導体モジュールとコンデンサとを接続した状態の概略平面図。
【図３】第２の実施形態における半導体モジュールの模式断面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線模式断面図。
【図５】製造途中の模式断面図。
【図６】（ａ），（ｂ）は別の実施形態の部分断面図。
【図７】別の実施形態の模式断面図。
【図８】別の実施形態における模式平面図。
【図９】従来技術の模式平面図。
【図１０】別の従来技術の模式断面図。
【符号の説明】
【００４９】
Ｓ…空間、１０…半導体モジュール、１１…ベース部、１２…電子部品、１３，１４…外部接続端子、１５…支持部、２０…ハウジング、２１…本体、２３…カバー、２４…樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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