(57)【要約】【課題】十分な熱伝導率を確保することができると共に、冷却器と接続される表面の冷却器との熱膨張係数差が小さい放熱体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュールを提供すること。【解決手段】一方の面にハンダ付けまたはロウ付けすることで冷却器と接続され、鉄ニッケル系合金１１と金属性の高熱伝導材１２とで構成された銅インバー焼結層１５と、前記高熱伝導材１２で構成され、前記銅インバー焼結層１５の前記一方の面側に一体的に成形、焼結することで積層された第１銅焼結層１６とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面にハンダ付けまたはロウ付けすることで冷却器と接続される放熱体において、
鉄ニッケル系合金と金属性の高熱伝導材とで構成された混合粉末焼結層と、
前記高熱伝導材で構成され、前記混合粉末焼結層の前記一方の面側に一体的に成形、焼結することで積層された高熱伝導焼結層とを有することを特徴とする放熱体。
【請求項２】
前記混合粉末焼結層の他方の面側の表面に、前記高熱伝導材で構成された他の高熱伝導焼結層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の放熱体。
【請求項３】
表現
前記高熱伝導材が、銅または銅合金からなることを特徴とする請求項１または２に記載の放熱体。
【請求項４】
前記鉄ニッケル系合金の粉末の含有率が、該鉄ニッケル系合金と前記高熱伝導材との合計に対して１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の放熱体。
【請求項５】
表面にＮｉメッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の放熱体。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか1項に記載の放熱体と、該放熱体の前記一方の面にハンダ付けまたはロウ付けして接続された冷却器とを備えることを特徴とする放熱装置。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項に記載の放熱体と、該放熱体の他方の面にハンダ付けまたはロウ付けして接続された絶縁回路基板とを備えること特徴とするパワーモジュール用基板。
【請求項８】
請求項７に記載のパワーモジュール用基板と、該パワーモジュール用基板の絶縁回路基板上に搭載された電子部品とを備えることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項９】
前記パワーモジュール用基板の放熱体の一方の面に冷却器がハンダ付けまたはロウ付けされていることを特徴とする請求項８に記載のパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体チップなどの電子部品が実装された回路基板で発生した熱を放散させる放熱体及びこれを備える放熱装置、パワーモジュール用基板、パワーモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＤＢＡ（Ａｌ／ＡｌＮ／Ａｌ）やＤＢＣ（Ｃｕ／ＡｌＮ／Ｃｕ）などのように、絶縁セラミックスの両面に接合によって金属層を形成した絶縁回路基板を有するパワーモジュールが知られている。
この種のパワーモジュールとして、絶縁回路基板と、ハンダ層を介して一方の金属層が配置された放熱体と、この放熱体が熱伝導グリース層を介して設けられた液冷式ヒートシンクとを備える構成が提案されている。このように絶縁回路基板とヒートシンクとを放熱体を介して接続することで、放熱体がヒートスプレッダとして機能し、絶縁回路基板で発生した熱をヒートシンクに効率よく放散させることが可能となる。
そして、このような放熱体として、加工性を良好とすることや軽量化、ソリの防止を目的として、インバー粉末と銅粉末とを混合して成形、焼結した放熱体や、インバー粉末と銅粉末とを成形、焼結した焼結体に、例えば銅板を圧延して挟着した放熱体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ここで、放熱体を冷却器と接続する際は、放熱体と冷却器との熱膨張係数の差によって生ずる放熱体と冷却器との間隙を充填して放熱体と冷却器とにおける熱伝導性の劣化を抑制するために、熱伝導グリース層を介して行われている。
ところが、熱伝導グリース層にも界面での熱抵抗が大きいことや、放熱体と冷却器との接続面における放熱性にバラツキが生じることから、熱伝導グリース層を介さずハンダ付けやロウ付けによって放熱体と冷却器とを接続して冷却器との熱伝導性をより向上させることが望まれている。
【特許文献１】特開２００４−２００５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の放熱体には、以下の課題が残されている。すなわち、上記従来の放熱体では、インバー粉末と銅粉末とを混合して成形、焼結しているため、表面にインバー粉末が露出する。そして、インバー粉末の焼結層と冷却器との熱膨張係数の差が大きいため、冷却器とのハンダ付けやロウ付けによって接続した場合に接続部分にクラックが発生することがあり、接続が困難となる。また、焼結体に銅板を圧延によって挟着することで放熱体の表面と冷却器との熱膨張係数の差を小さくすることができるが、銅板と焼結体との結合を強固にするために挟着後の焼結時間を長くする必要があり、インバー粉末と銅粉末との反応が過度に進行して熱伝導率が低くなるという問題がある。
【０００５】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、十分な熱伝導率を確保することができると共に、冷却器と接続される表面の冷却器との熱膨張係数差が小さい放熱体、放熱装置、パワーモジュール用基板及びパワーモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の冷却器は、一方の面にハンダ付けまたはロウ付けすることで冷却器と接続される放熱体において、鉄ニッケル系合金と金属性の高熱伝導材とで構成された混合粉末焼結層と、前記高熱伝導材で構成され、前記混合粉末焼結層の前記一方の面側に一体的に成形、焼結することで積層された高熱伝導焼結層とを有することを特徴とする。
【０００７】
この発明では、一体的に成形、焼結して混合粉末焼結層の一方の面側に高熱伝導材による高熱伝導焼結層を形成することで、放熱体における一方の面側の表面に鉄ニッケル系合金が露出することを防止し、一方の面側と冷却器の熱膨張係数差を小さくすることができる。これにより、放熱体と冷却器との接続部分にクラックを生じさせることなく、放熱体と冷却器とをハンダ付けやロウ付けにより接続することが可能となる。したがって、放熱体と冷却器との間での熱抵抗を小さくして放熱性を高めると共に、放熱体と冷却器との接続面における放熱性を均一化することができる。
また、各粉末を混合して成形、焼結することで形成されているので、焼結時間を短くして粉末同士の合金化を防止しても高熱伝導焼結層と他の部分との結合を強固にすることができる。したがって、十分な熱伝導率を確保される。
さらに、表面に高熱伝導焼結層が形成されているので、表面にメッキ層を形成する場合に、メッキ層との密着性が向上する。
【０００８】
また、本発明の放熱体は、前記混合粉末焼結層の他方の面側の表面に、前記高熱伝導材で構成された他の高熱伝導焼結層が設けられていることが好ましい。
この発明では、他方の面側にも高熱伝導焼結層を形成することで、放熱体を介して冷却器と発熱体とを接続するときに、放熱体を発熱体とハンダ層を介して接続することができる。
また、上述と同様に、表面にＮｉメッキ層を良好に形成することができる。
【０００９】
また、本発明の放熱体は、前記高熱伝導材が、銅または銅合金からなることが好ましい。
この発明では、高熱伝導材として銅または銅合金を用いることで、鉄ニッケル系合金と確実に接合することができる。
【００１０】
また、本発明の放熱体は、前記鉄ニッケル系合金の粉末の含有率が、該鉄ニッケル系合金と前記高熱伝導材との合計に対して１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることが好ましい。
この発明では、鉄ニッケル軽合金の含有量を１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とすることで、熱膨張係数と熱伝導率とのバランスの取れた放熱体を取得することができる。さらに望ましくは、３５ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とするとよい。
【００１１】
また、本発明の放熱体は、表面にＮｉメッキ層が形成されていることが好ましい。
この発明では、放熱体と他の部材とのハンダ付けを行うときにハンダとの良好な接合性が得られるので、放熱体と他の部材との間の熱伝導性を維持することができる。したがって、製品寿命が向上する。
そして、以上のような放熱体と、該放熱体の前記一方の面にハンダ付けまたはロウ付けして接続された冷却器とを備えるものとすることにより、放熱装置が構成される。
【００１２】
また、本発明のパワーモジュール用基板は、上記記載の放熱体と、該放熱体の他方の面にハンダ付けまたはロウ付けして接続された絶縁回路基板とを備えることを特徴とする。
この発明では、上述した放熱体を有しているので、放熱体と冷却器とをハンダ付けまたはロウ付けして接続して放熱性を高めて十分な熱伝導率を確保すると共に、接続面における放熱性を均一化することができる。
【００１３】
また、本発明のパワーモジュールは、上記記載のパワーモジュール用基板と、該パワーモジュール用基板の絶縁回路基板上に搭載された電子部品とを備えることを特徴とする。
この発明では、上述した放熱体を有しているので、放熱体と冷却器とをハンダ付けまたはロウ付けして接続して電子部品で発生した熱の放熱性を高めて十分な熱伝導率を確保すると共に、接続面における放熱性を均一化することができる。
【００１４】
また、本発明のパワーモジュールは、前記パワーモジュール用基板の放熱体の一方の面に冷却器がハンダ付けまたはロウ付けされていることが好ましい。
この発明では、上述と同様に、放熱性を高めて十分な熱伝導率を確保すると共に、接続面における放熱性を均一化することができる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明にかかる放熱体、放熱装置、パワーモジュール用基板及びパワーモジュールによれば、放熱体と冷却器との接続部分にクラックを生じさせることなく、放熱体と冷却器とをハンダ付けまたはロウ付けして接続して放熱性を高め、十分な熱伝導率を確保することができる。また、放熱体と冷却器との接続面における放熱性を均一化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明による放熱体、放熱装置、パワーモジュール用基板及びパワーモジュールの一実施形態を図面に基づいて説明する。
本実施形態におけるパワーモジュール１は、図１に示すように、放熱体２と、放熱体２が搭載される冷却器３と、放熱体２に搭載される絶縁回路基板４とによって構成されており、絶縁回路基板４で発生した熱を冷却器３で放散させる。ここで、放熱体２と絶縁回路基板４とによってパワーモジュール用基板５が構成され、放熱体２と冷却器３とによって放熱装置６が構成されている。
【００１７】
放熱体２は、図２に示すように、熱膨張係数の小さい特性を有する材料からなる鉄ニッケル系合金１１の粉末と、金属製の高熱伝導材１２の粉末とを成形、焼結させることで形成されている。この放熱体２の熱膨張係数は、６×１０−６／℃以上１６×１０−６／℃以下となっている。
ここで、鉄ニッケル系合金１１には、例えばインバー合金などの鉄ニッケル系合金が用いられている。このインバー合金は、室温付近でほとんど熱膨張が生じない合金であって、Ｆｅ（鉄）が６４．６ｍｏｌ％、Ｎｉ（ニッケル）が３５．４ｍｏｌ％の組成となっている。ただし、本明細書においては、Ｆｅ中にＦｅ以外の不可避不純物が含まれたものもインバー合金として含まれる。
また、高熱伝導材１２には、熱伝導率の良好な、例えばＣｕ（銅）や銅合金が用いられている。
【００１８】
また、放熱体２は、鉄ニッケル系合金１１の粉末と高熱伝導材１２の粉末とによって形成されており、鉄ニッケル系合金１１が高熱伝導材１２中に分散された銅インバー焼結層（混合粉末焼結層）１５と、高熱伝導材１２の粉末で構成されて銅インバー焼結層１５を挟むように積層された第１銅焼結層（高熱伝導焼結層）１６及び第２銅焼結層（他の高熱伝導焼結層）１７とによって構成されている。そして、鉄ニッケル系合金１１と高熱伝導材１２との合計に対する鉄ニッケル系合金１１の含有量は、１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下となっている。ここで、鉄ニッケル系合金１１の含有量に対する放熱体２の熱膨張係数及び熱伝導率を、図３に示す。
銅インバー焼結層１５の層厚は例えば１．５ｍｍであり、第１銅焼結層１６の層厚は例えば０．５ｍｍであり、第２銅焼結層１７の層厚は例えば０．２ｍｍとなっている。
そして、放熱体２の表面には、図１に示すように、電解メッキ法によって、Ｎｉメッキ層１９が形成されている。
【００１９】
冷却器３は、Ａｌ（アルミニウム）−Ｓｉ（ケイ素）−Ｃｕ系合金を用いてダイカスト成型することによって構成されており、内部に形成された流路２１に冷却水２２を流通させることで熱を冷却水に放散させる水冷式のヒートシンクである。
また、冷却器３における放熱体２が搭載される搭載面には、無電解メッキ法によってＮｉ−Ｐ（リン）メッキ層２３が形成されている。そして、この搭載面上に、放熱体２がハンダ層２４を介して接続されている。ここで、ハンダ層２４として、例えば９５％Ｐｂ（鉛）−５％Ｓｎ（スズ）や、Ｓｎ−Ａｇ（銀）−Ｃｕ系のハンダ材が適用可能である。なお、９５％Ｐｂ−５％Ｓｎのハンダには、Ａｇを含有するものを適用してもよい。
【００２０】
絶縁回路基板４は、絶縁セラミックス３１と、絶縁セラミックス３１の一方の面に配置された回路層３２と、絶縁セラミックス３１の他方の面に配置された金属層３３とによって構成されている。そして、絶縁回路基板４の回路層３２の上面に、発熱体である電子部品３４が配置されている。
絶縁セラミックス３１は、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）などの板状のセラミックス材料によって構成されている。
【００２１】
回路層３２は、例えば、純度９９．９９％のＡｌのような高熱伝導率を有する金属によって形成されており、絶縁セラミックス３１にロウ付け固定されている。ここで用いられるロウ材としては、さまざまなものが適用可能であるが、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｇｅ（ゲルマニウム）系、Ａｌ−Ｍｎ（マンガン）系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ（マグネシウム）系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｎ系及びＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｍｎ系のロウ材から選択された１種または２種以上であることが好ましい。
また、回路層３２には、回路層３２を分断するように適宜、例えばエッチングなどを行うことで、回路が形成されており、電子部品３４がハンダ層３５によって固着されている。電子部品３４としては、例えば半導体チップが適用可能であり、半導体チップとしてＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワーデバイスがあげられる。そして、ハンダ層３５として適用可能なハンダ材は、上述したハンダ層２４と同様である。
さらに、回路層３２の表面には、無電解メッキ法によるＮｉ−Ｐ（リン）メッキ層３６が形成されている。
【００２２】
金属層３３は、例えば、Ａｌ（１０５０：ＪＩＳ規格）のように、回路層３２と同様に高熱伝導率を有する金属によって形成されており、絶縁セラミックス３１にロウ付け固定されている。ここで用いられるロウ材は、回路層３２と同様である。
また、金属層３３の表面には、無電解メッキ法により、Ｎｉ−Ｐメッキ層３７が形成されている。
そして、金属層３３は、放熱体２の第２銅焼結層１７上にハンダ層３８によって固定されている。このハンダ層３８として適用可能なハンダ材は、上述したハンダ層２４、３５と同様である。
【００２３】
上述した放熱体２は、図４に示すような焼結金型４１を用いて形成される。
この焼結金型４１は、ダイ４２と、ダイ４２と共に充填部４３を形成する上パンチ４４及び下パンチ４５と、上及び下パンチ４４、４５に電圧を印加して充填部４３内に充填された粉末の圧粉体を通電加熱する電源４６とを備えており、通電加熱することで充填部４３に充填された圧粉体が昇温して焼結される。
放熱体２の製造方法は、まず、充填部４３内に、高熱伝導材１２の粉末層、鉄ニッケル系合金１１及び高熱伝導材１２の混合粉末層、高熱伝導材１２の粉末層の順で積層する。
ここで、各粉末層の層厚の比は、５：１５：２となっている。そして、上及び下パンチ４４、４５により、充填部４３内に充填された粉末を圧粉成形する。その後、この状態で、電源４６が上及び下パンチ４４、４５に電圧を印加して直流通電焼結法による圧粉体の焼結を行う。ここで、焼結条件は、鉄ニッケル系合金１１の粉末と高熱伝導材１２の粉末との反応層が１０μｍ以下となるような、焼結時間、焼結温度となっている。ここで、焼結時間は３０秒、焼結温度は８５０℃となっている。これにより、銅インバー焼結層１５と第１及び第２銅焼結層１６、１７とが形成される。なお、直流通電焼結法を用いることで、焼結を短時間で行え、反応層を薄くできる。なお、焼結時間は５秒〜１８０秒、焼結温度は８００℃〜９００℃の範囲で適宜変更してもよい。
そして、焼結体の表面に、電解メッキ法によって層厚が０．１μｍ以上１０μｍ以下のＮｉメッキ層１９を形成する。以上のように、放熱体２を製造する。
【００２４】
このようにして製造された放熱体２の第２銅焼結層１７上に、ハンダ層３８によって絶縁回路基板４を固定する。以上のように、パワーモジュール用基板５を製造する。
さらに、このパワーモジュール用基板５の放熱体２の第１銅焼結層１６の下面にハンダ層３５によって冷却器３を接続する。以上のようにして、パワーモジュール１を製造する。
【００２５】
このようなパワーモジュール１において、電子部品３４を駆動すると、発生した熱が回路層３２及び絶縁セラミックス３１を介して金属層３３に至る。そして、金属層３３に至った熱が、ハンダ層３８を介して放熱体２に伝導し、冷却器３内の冷却水に放散される。
ここで、放熱体２と冷却器３とがハンダ付けされており、熱的界面がないので、放熱体２と冷却器３との間の熱の伝達が効率よく、かつ冷却器３の搭載面内で均一に行われる。以上のように、電子部品３４の冷却を行う。
【００２６】
このように構成された放熱体２、パワーモジュール用基板５及びパワーモジュール１によれば、銅インバー焼結層１５を挟み込むように第１及び第２銅焼結層１６、１７を形成することで、放熱体２の冷却器３側の表面に鉄ニッケル系合金１１が露出することを防止する。したがって、放熱体２と冷却器３との接続部分にクラックを生じさせることなく放熱体２に冷却器３をハンダ付けして接続して放熱性を高め、十分な熱伝導率を確保することができる。また、冷却器３における放熱体２の搭載面での放熱性を均一化することができる。
さらに、第１及び第２銅焼結層１６、１７を形成することにより、メッキ層１９の密着性が良好となる。そして、メッキ層１９を形成することで、ハンダ層２４、３８との良好な接続が得られ、冷却器３や絶縁回路基板４との接続が確実に行われる。
ここで、鉄ニッケル系合金１１の含有量を１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下とすることで、良好な熱伝導率を得ることができると共に、熱膨張係数と熱伝導率とのバランスをとることができる。
【００２７】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、直流通電焼結法によって鉄ニッケル系合金１１と高熱伝導材１２との混合粉末を焼結しているが、放電焼結法やパルス放電焼結法を用いて混合粉末を焼結してもよい。
このようにしても、上述と同様に、十分な熱伝導率を確保すると共に、冷却器３の搭載面における放熱性を均一化することができる。
また、鉄ニッケル系合金１１としてＦｅが６４．６ｍｏｌ％、Ｎｉが３５．４ｍｏｌ％の組成を有するインバー合金を用いているが、この鉄ニッケル系合金１１の室温から２００℃の間における平均熱膨張係数が５．０×１０−６／℃以下の材料であれば他の組成比であってもよく、０．５×１０−６／℃以上２．０×１０−６／℃以下の材料であることが特に好ましい。
また、鉄ニッケル系合金１１と高熱伝導材１２との合計に対する鉄ニッケル系合金１１の含有量１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下としているが、十分な熱伝導率を確保することができると共に、冷却器３と接続される表面の冷却器３との熱膨張係数差が例えば１０×１０−６／℃以下程度に小さければ、１０ｗｔ％より小さくても、５０ｗｔ％より大きくてもよい。
また、高熱伝導材１２としてＣｕを用いているが、銅合金など、他の材料を用いてもよい。
また、放熱体２が第１及び第２銅焼結層１６、１７を有しているが、少なくとも冷却器３と接続される面側に設けられる第１銅焼結層１６を有する構成であればよい。この場合、鉄ニッケル系合金１１の含有率は、銅インバー焼結層１５と第１銅焼結層１６とを合わせた中で１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることが好ましい。
また、銅インバー焼結層１５や第１及び第２銅焼結層１６、１７の層厚は、設計に応じて適宜変更してもよい。
また、放熱体２の表面に電解メッキ法によるメッキ層１９が形成されているが、メッキ層を設けない構成としてもよい。
また、放熱体２と冷却器３とをハンダ付けにより接続しているが、ロウ付けによって接続してもよい。ここで用いられるロウ材としては、さまざまなものが適用可能であるが、回路層３２と絶縁セラミックス３１との固着に用いられるロウ材を適用できる。
【００２８】
また、冷却器３がＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金を用いてダイカスト成型することによって構成されているが、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金（ＡＣ４Ｃ：ＪＩＳ規格）を用いたアルミニウム合金などのように、他の材料によって構成されてもよい。さらに、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金（６０６３：ＪＩＳ規格）による押し出し材に別途フィンをロウ付けした構成のように、他の成形方法によって成形されてもよい。
また、冷却器３における放熱体２の搭載面に無電解メッキ法によってＮｉ−Ｐメッキ層が形成されているが、電解メッキ法によってＮｉメッキ層を形成してもよい。また、メッキ層１９を形成せずに、冷却器３の搭載面上に放熱体２をＡｌ−Ｚｎ（亜鉛）系のハンダ材を用いて接続し、放熱体２上に絶縁回路基板４をハンダ付けしてもよい。
【００２９】
また、絶縁回路基板４が放熱体上に２つ設けられているが、１つでも３つ以上であってもよく、電子部品３４などの発熱体が設けられていないものを組み合わせた構成としてもよい。
また、絶縁セラミックス３１はＡｌＮによって構成されているが、発熱体で発生した熱を効率よく蓋体に伝達することができる絶縁性物質であればよく、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）やＳｉ３Ｎ４（窒化珪素）、ＳｉＣ（炭化珪素）などを用いてもよい。
また、回路層３２が純度９９．９９％のＡｌによって形成され、金属層３３がＡｌ（１０５０：ＪＩＳ規格）によって形成されているが、Ａｌ合金や純Ｃｕ、Ｃｕ合金など、他の金属材料を用いてもよい。
また、回路層３２及び金属層３３の表面に無電解メッキ法によるＮｉ−Ｐメッキ層３６、３７が形成されているが、Ｎｉ−Ｐメッキ層３６、３７の表面にさらに電解メッキ法によってＮｉメッキ層を形成してもよく、メッキ層３６、３７を形成しない構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
この発明によれば、放熱体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュールに関して、十分な熱伝導率を確保することができると共に、冷却器と接続される表面の冷却器との熱膨張係数差が小さいので、産業上の利用可能性が認められる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態におけるパワーモジュールを示す全体図である。
【図２】図１の放熱体を示す説明図である。
【図３】鉄ニッケル系合金の含有量と、放熱体の熱膨張係数及び熱伝導率との関係を示すグラフである。
【図４】焼結金型を示す該略図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  パワーモジュール２  放熱体３  冷却器４  絶縁回路基板５  パワーモジュール用基板６  放熱装置１１  鉄ニッケル系合金１２  高熱伝導材１５  銅インバー焼結層（混合粉末焼結層）１６  第１銅焼結層（高熱伝導焼結層）１７  第２銅焼結層（他の高熱伝導焼結層）１９  Ｎｉメッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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