(57)【要約】【課題】製造効率が高く小スペースで製造可能な表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。【解決手段】表示装置１０の製造方法は、長尺の絶縁性基材１５を巻物状にした基材巻物５５から絶縁性基材１５を引き出して基材表面に複数のフォトスペーサ１６を形成するステップと、基材表面に複数のフォトスペーサ１６が形成された絶縁性基材１５を巻き取って再度巻物状にしたフォトスペーサ付き基材巻物６０を作製するステップと、フォトスペーサ付き基材巻物６０から絶縁性基材１５を引き出して基材表面のフォトスペーサ１６間にそれらよりも高さの低い素子を形成するステップと、フォトスペーサ１６及びＴＦＴ素子１９が形成された絶縁性基材１５から基板を切り出すステップと、を備える。【選択図】図１
2007164056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺の絶縁性基材を巻物状にした基材巻物から該絶縁性基材を引き出して基材表面に複数のスペーサを形成するステップと、
上記基材表面に複数のスペーサが形成された絶縁性基材を巻き取って再度巻物状にしたスペーサ付き基材巻物を作製するステップと、
上記スペーサ付き基材巻物から絶縁性基材を引き出して基材表面のスペーサ間にそれらよりも高さの低い素子を形成するステップと、
上記スペーサ及び素子が形成された絶縁性基材から基板を切り出すステップと、
を備えた表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記多数のスペーサを、絶縁性基材の幅方向の中心に対して対称に配設されるように形成する表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記複数のスペーサを、上記絶縁性基材の遮光部予定位置に形成する表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記複数のスペーサを、黒色材料で形成する表示装置の製造方法。
【請求項５】
互いに対向するように設けられてそれぞれ可撓性を有する絶縁性基板で構成された第１及び第２基板を有する表示パネルを備えた表示装置であって、
上記表示パネルは、上記第１又は／及び第２基板の絶縁性基板上に複数のスペーサが直接形成されている表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のディスプレイ分野では、高精細で画質のきれいな液晶ディスプレイが携帯電話などの小型ディスプレイから大型のテレビまで幅広い分野で大量に製造されている。そして近年では、フレキシブル性、耐衝撃性や軽量性の点でガラス基板に比べて大きなメリットのあるプラスチック基板等を用いたフレキシブル基板が非常に注目を浴びており、ガラス基板のディスプレイでは不可能であった新たなディスプレイが創出される可能性を秘めている。加えて、フレキシブル基板を用いた場合、ロール状態に成形したフレキシブル基板を巻出し巻取りする事によって製造工程を高速に搬送する事ができる（いわゆるロールツウロール搬送方式）為、ガラス基板に比べて製造時のタクトを大幅に改善する事ができ、製造コストを大幅に縮小できるという大きなメリットもある。さらに、基板をロール状に巻き取って保管すると、大量生産時の基板を保管する為の基板保管装置を非常に小さくする事も可能となる。
【０００３】
通常、基板をロール状に巻き取る場合、基板の表面が外側の基板の裏面に接触するという問題がある。このような問題に対しては、従来より、予め基板の裏面もしくは表面に凸形状のエンボスと呼ばれる突起を散りばめたり、幅の狭いスペーサーフィルムを基板の両端に挟み込んだりして、基板間の接触を防いだり、接触圧力を低減する工夫がされている。
【０００４】
そのようなものとして、特許文献１には、基材に透明導電膜を設けた導電フィルムとハードコート層および／またはアンチグレア層を有する透明基体とを接着層を介して接着積層した透明導電性フィルムを、透明導電膜の両端部にスペーサを供給しながら巻芯に巻き重ねて基板を製造する方法が開示されている。そして、このような構成によれば、接着剤層を形成してロール体に巻き取ったために発生する「打痕」を抑え、ディスプレーとした場合に画像の歪み等による表示品位の低下を規制することができる、と記載されている。
【特許文献１】特開2004-199643号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、これらの従来技術を例えば液晶表示装置製造工程に用いた場合、液晶表示装置の画素選択素子として用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が非常に微細かつ微量のコンタミネーションに対して敏感である為、製造工程中に基板表面を接触する事は絶対にできない。その為、エンボスやスペーサーフィルムの大きさや高さがある程度必要になってしまう。また、本発明者による実験によって、厚さ１．０ｍｍ、幅５００ｍｍのロール状の基板を完全に非接触にする為には、幅２０ｍｍ、高さ約０．５ｍｍのスペーサーフィルムを両端に挟み込まないといけない事が分かっている。このスペーサーフィルムを基板といっしょに巻き取ってしまうと、基板の厚みが１．５倍になってしまうのと同じ事になるので、非常に巻き取り径が大きくなってしまうと共に、両端から２０ｍｍの領域は使用できない事になる。さらに、基板の幅を広くとると非接触を保つ事が難しくなってしまうため、基板の幅が制限されてロール状基板の大面積化が妨げられる事になり、大きな課題となっていた。
【０００６】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造効率が高く小スペースで製造可能な表示装置の製造方法及び表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置の製造方法は、長尺の絶縁性基材を巻物状にした基材巻物から絶縁性基材を引き出して基材表面に複数のスペーサを形成するステップと、基材表面に複数のスペーサが形成された絶縁性基材を巻き取って再度巻物状にしたスペーサ付き基材巻物を作製するステップと、スペーサ付き基材巻物から絶縁性基材を引き出して基材表面のスペーサ間にそれらよりも高さの低い素子を形成するステップと、スペーサ及び素子が形成された絶縁性基材から基板を切り出すステップと、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、長尺の絶縁性基材を巻物状にした基材巻物から絶縁性基材を引き出して所定の処理を施し、その後再度巻物状に巻き取る、いわゆるロールツウロール搬送による基板の製造において、絶縁性基材にトランジスタやカラーフィルタ等の素子を形成する前に複数のスペーサを形成している。このため、素子を形成した絶縁性基材を再度巻物状に巻き取る際、絶縁性基材の表面に複数のスペーサがあることにより、絶縁性基材上の素子が巻物状に巻き取られて上に重なる絶縁性基材の裏面に接触することなく、基板の巻き取り径を基板単体のみの場合とほぼ同じ巻き取り径で巻き取ることができる。従って、小スペースでの表示装置の製造が可能となる。さらに、巻き取られて重なることにより生じる基板の素子の接触を規制する部材を、そのまま表示装置の基板間の間隙保持として用いるスペーサとしている。このため、製造工程の簡略化が実現されて表示装置の製造効率が高くなる。
【０００９】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、多数のスペーサを、絶縁性基材の幅方向の中心に対して対称に配設されるように形成してもよい。
【００１０】
このような構成によれば、絶縁性基材が巻物状に巻かれたときに多数のスペーサが他の基板を裏面から均一に押圧する。このため、基板が幅方向に局所的にゆがんで巻き取られることがなく、ロールツウロール搬送の精度が高くなる。また、基板の局所的な歪みに起因する基板間の接触を規制することができる。
【００１１】
さらに、本発明に係る表示装置の製造方法は、複数のスペーサを、絶縁性基材の遮光部予定位置に形成してもよい。
【００１２】
このような構成によれば、複数のスペーサを絶縁性基材の遮光部予定位置に形成するため、表示部に影響を与えることがなく、開口率の低下を規制することができる。
【００１３】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、複数のスペーサを、黒色材料で形成してもよい。
【００１４】
このような構成によれば、複数のスペーサが黒色材料で形成されているため、表示装置の表示に影響を与えることがなく、表示品位の低下を規制することができる。
【００１５】
本発明に係る表示装置は、互いに対向するように設けられてそれぞれ可撓性を有する絶縁性基板で構成された第１及び第２基板を有する表示パネルを備えた表示装置であって、表示パネルは、第１又は／及び第２基板の絶縁性基板上に複数のスペーサが直接形成されていることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、表示パネルの第１又は／及び第２基板は、その絶縁性基板上に複数のスペーサが直接形成されているので、ロールツウロール搬送による表示装置の製造において、可撓性を有する基板を構成する絶縁性基材にトランジスタやカラーフィルタ等の素子を形成する前に複数のスペーサが形成されている。このため、素子を形成した絶縁性基材を再度巻物状に巻き取る際、絶縁性基材の表面に複数のスペーサがあることにより、絶縁性基材上の素子が巻物状に巻き取られて上に重なる絶縁性基材の裏面に接触することなく、基材の巻き取り径を基材単体のみの場合とほぼ同じ巻き取り径で巻き取ることができる。従って、小スペースでの表示装置の製造が可能となる。さらに、巻き取られて重なることにより生じる基材の素子の接触を規制する部材を、そのまま表示装置の基板間の間隙保持として用いるスペーサとしている。このため、製造工程の簡略化が実現されて表示装置の製造効率が高くなる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、製造効率が高く小スペースで製造可能な表示装置の製造方法及び表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。また、本実施形態では、表示装置として液晶表示装置を用いて説明する。
【００１９】
尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２０】
（液晶表示装置１０の構成）
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置１０を示す。
【００２１】
液晶表示装置１０は、対向する薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板１１）及びカラーフィルタ基板（ＣＦ基板１２）、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル１４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。
【００２２】
ＴＦＴ基板１１は、絶縁性基板１５、絶縁性基板１５の表面に形成されたフォトスペーサ１６、絶縁性基板１５上に形成されたゲート絶縁膜１７、ゲート絶縁膜１７上に形成された画素電極１８、ＴＦＴ素子１９、画素電極１８及びＴＦＴ素子１９上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。ここで、図２は、ＴＦＴ基板１１の平面図を示す。
【００２３】
絶縁性基板１５は、可撓性を有する材料で構成されている。例えば、絶縁性基板１５は、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）又はポリイミド等のプラスチックで構成されていてもよく、ＳＵＳ等のメタホイルで構成されていてもよい。さらに、絶縁性基板１５には、無機材料や有機材料で形成されたベースコートが備わっていてもよい。
【００２４】
フォトスペーサ１６は、絶縁性基板１５上に直接形成されている。フォトスペーサ１６は、絶縁性基板１５の幅方向の中心に対して対称に複数配設されている。フォトスペーサ１６は、その形状はどのようなものであってもよく、例えば、円柱状、角柱状又はそれらの先細形状等に形成されている。フォトスペーサ１６は、黒色に着色された樹脂製材料で形成されている。フォトスペーサ１６は、その構成材料としては、基板に対する押圧力に対抗できるものであれば特に限定されず、セラミック製材料等であってもよい。フォトスペーサ１６は、ＴＦＴ素子１９よりも高さが高く形成されている。フォトスペーサ１６は、遮光予定位置に形成するのが好ましく、本実施形態のように周りにソース配線２１を形成するのもよいが、その他の形態として、周りにゲート配線２２を形成してもよい。また、これらは後述のＣＦ基板１２のブラックマトリクス２３と基板の貼り合わせによって液晶表示パネル１４の平面視で重なる領域に形成されている。フォトスペーサ１６は、液晶表示パネル１４のＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２の間隙の制御、及び、ロールツウロール搬送による基板製造時の基板間の接触による各素子の損傷等の規制の両方の働きをする。
【００２５】
ＴＦＴ素子１９は、ソース配線２１、ゲート配線２２、ａ−Ｓｉ半導体膜２４及びｎ型ａ−Ｓｉ半導体膜２５等で構成されている。
【００２６】
画素電極１８は、ゲート絶縁膜１７の平坦な表面上に形成されている。画素電極１８は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等を用いて形成されており、透明電極を構成している。画素電極１８は、一つの角にＴＦＴ素子１９を形成するための切り欠き部２６を有する矩形状に形成されている。画素電極１８によって表示部分９３が規定される。
【００２７】
このように、ＴＦＴ基板１１は各々の画素にスイッチとなるＴＦＴ素子１９を形成して、このスイッチで各々の画素をソース配線２１に対して導通／非導通状態に選択するアクティブマトリクス基板を構成している。
【００２８】
ＣＦ基板１２は、絶縁性基板３０、絶縁性基板３０上に形成されたＣＦ層３１、ＣＦ層３１上に形成された対向電極３２、対向電極３２上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。
【００２９】
絶縁性基板３０は、可撓性を有する材料で構成されている。例えば、絶縁性基板３０は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）又はポリイミド等のプラスチックで構成されていてもよく、ＳＵＳ等のメタホイルで構成されていてもよい。さらに、絶縁性基板３０には、無機材料や有機材料で形成されたベースコートが備わっていてもよい。
【００３０】
ＣＦ層３１は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色からなる画素パターンで構成されている。これらの画素パターンは、その間に、コントラストを得るための縁取りとしてブラックマトリクス２３が設けられている。そして、このブラックマトリクス２３で画素パターンが区切られている。画素パターンを構成するものとしては、ＲＧＢの組合せ以外に、シアン、マゼンタ、イエローの補色を用いてもよく、無色としてもよい。
【００３１】
対向電極３２は、ＣＦ層３１上に形成されている。対向電極３２は、ＩＴＯ等を用いて形成されており、透明電極を構成している。
【００３２】
液晶層１３は、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２の間に設けられている。液晶層１３は、誘電異方性が負のネマティック液晶材料を含み、必要に応じてカイラル剤をさらに含む。液晶層１３は、電圧無印加状態において、その液晶材料の液晶分子がＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２に概ね垂直に配向されている。
【００３３】
尚、本実施形態では、ＴＦＴ基板１１の絶縁性基板１５上に直接フォトスペーサ１６が形成されているが、図３のようにＣＦ基板１２の絶縁性基板３０上に直接フォトスペーサ１６が形成されたものであってもよい。また、ＴＦＴ基板１１の絶縁性基板１５上及びＣＦ基板１２の絶縁性基板３０上のいずれにもフォトスペーサ１６が形成されたものであってもよい。
【００３４】
ここで、絶縁性基板３０上に直接フォトスペーサ１６が形成されたＣＦ基板１２の構造について説明する。図４は、ＣＦ基板１２の平面図を示す。図３は、図４の破線II−II’におけるＣＦ基板１２の断面図を示す。ＣＦ基板１２は、絶縁性基板３０上に直接フォトスペーサ１６が形成されている。フォトスペーサ１６の周囲で且つ絶縁性基板３０上には、ブラックマトリクス２３が形成されている。ブラックマトリクス２３の間には、表示領域を規定する赤（Ｒ）３５、緑（Ｇ）３６、青（Ｂ）３７の色層がそれぞれ形成されている。色層３５〜３７上には、対向電極３２が形成されており、対向電極３２上には不図示の配向膜が形成されている。
【００３５】
（液晶表示装置１０の製造方法）
次に、液晶表示装置１０の製造方法について説明する。
【００３６】
まず、液晶表示装置１０を製造するにあたり、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２をそれぞれ作製する。また、本実施形態において基板の各処理は、ロールツウロール搬送によって行う。
【００３７】
（ロールツウロール搬送による基板の製造方法）
ここで、ロールツウロール搬送について説明する。図５は、本発明の実施形態に係るロールツウロール搬送による基板処理装置５０の概略図を示す。
【００３８】
基板処理装置５０は、それぞれ基板を構成する基材を巻物状に巻き付けた巻き出しロール５１及び巻き取りロール５２がプロセス処理槽５３の両側に設置されて構成されている。
【００３９】
プロセス処理槽５３では、スパッタ等のデポ処理や露光・現像等のフォト処理等が行われる。
【００４０】
巻き出しロール５１には可撓性を有する長尺の絶縁性基材５４が巻物状に巻き付けられており、この絶縁性基材５４は基材巻物５５を構成している。巻物状に巻かれた絶縁性基材５４は、除々に引き出されてプロセス処理槽５３へ送られる。プロセス処理槽５３に送られた絶縁性基材５４は所定の処理を施された後、今度は反対側にある巻き取りロール５２に巻物状に巻き取られる。このように再び巻き取られた巻物状の絶縁性基材５４は、次の処理工程では再度引き出されてプロセス処理槽５３に運ばれる。そこで所定の処理を施されて巻き取りロール５２に巻物状に巻き取られる。このようなロールツウロール搬送によって各工程が次々とスムースに消化されていく。
【００４１】
（ＴＦＴ基板１１の製造工程）
次に、本実施形態に係るロールツウロール搬送によるＴＦＴ基板１１の製造工程について説明する。
【００４２】
まず、厚さ１．０ｍｍ、幅５００ｍｍの長尺の絶縁性基材５４を用意し、巻き出しロール５１に巻き付けて基材巻物５５を作製する。
【００４３】
次に、基材巻物５５から絶縁性基材５４を引き出してプロセス処理槽５３に搬送する。
【００４４】
プロセス処理槽５３に搬送された絶縁性基材５４に対し、厚み４μｍのカーボンを含有した黒色感光性樹脂を、ラミネーターを用いて貼り付け後１００℃でベークする事によって、基板上に密着させる。
【００４５】
次いで黒色感光性樹脂を密着させた絶縁性基材５４をさらに搬送して巻き取りロール５２で巻物状に巻き取る。
【００４６】
次いで、黒色感光性樹脂を密着させた絶縁性基材５４が巻き付けられた巻き取りロール５２を基板処理装置５０の巻き出し位置にセットし、これを巻き出しロール５１として再度絶縁性基材５４を引き出してプロセス処理槽５３に搬送する。
【００４７】
プロセス処理槽５３に搬送されたスペーサが形成された絶縁性基材５４に対し、図６に示すように露光、現像、ベークのフォトグラフィー工程によってフォトスペーサ１６を微細に成形する。ここで、露光、現像等の各工程ごとに、上記と同様にロールツウロール搬送を繰り返す。また、ここでは、大きさ５μｍ角、高さ３μｍの非常に小さなサイズに微細加工した。フォトスペーサ１６の設置間隔は、画素領域ごと（約５０μｍ）に最低１つずつ配置することにより、基板をロール状に巻き取って図７に示すようにスペーサ付き基材巻物６０を作製した時にフォトスペーサ１６の高さが３μｍでも基材表面が接触しない。フォトスペーサ１６は、絶縁性基材５４の遮光部予定位置であって且つ絶縁性基材５４の幅方向の中心に対して対称に配設されるように形成する。
【００４８】
次に、スペーサ付き基材巻物６０が巻き付けられた巻き取りロール５２を再び基板処理装置５０の巻き出し位置にセットして巻き出しロール５１とし、絶縁性基材５４を引き出してプロセス処理槽５３に搬送する。
【００４９】
ここからは、通常の薄膜トランジスタ製造プロセス処理を行う。上記のようにフォトスペーサ１６が形成された絶縁性基材５４の表面に、まずゲート配線メタルとしてＴｉを厚さ１０００Åでスパッタ装置にて成膜後、フォトグラフィー工程及びエッチング工程によって線幅１０μｍに成形する。次に、半導体層としてＣＶＤ膜(ゲート絶縁膜１７／ａ−Ｓｉ半導体膜２４／ｎ型ａ−Ｓｉ半導体膜２５)をそれぞれ４０００Å／１５００Å／５００Åの膜厚で成膜し、フォトグラフィー工程及びエッチング工程によってトランジスタ領域を形成する。さらに、ソース配線メタルとしてＴｉを厚さ１０００Åでスパッタ装置にて成膜後、フォトグラフィー工程及びエッチング工程によって線幅１５μｍに成形する。最後に、ＩＴＯを同様に厚さ８００Åでスパッタ装置にて成膜後、フォトグラフィー工程及びエッチング工程によって画素領域に成形し、所定の位置において絶縁性基材１５を切り出すことにより、図８に示すＴＦＴ基板１１を製造する。尚、図８は図２に示すＴＦＴ基板１１の破線I-I’における断面図である。
【００５０】
尚、上記の各工程は、それぞれの処理ごとにロールツウロール搬送する。即ち、各処理ごとに処理が終わった絶縁性基材５４を巻き取り位置で巻き取りロール５２によって巻き取り、また再度巻き出し位置にセットして巻き出しロール５１から引き出してプロセス処理槽５３に搬送することにより次々と行われる。
【００５１】
このように、本実施形態に係るＴＦＴ基板１１の製造工程において、予めフォトスペーサ１６を形成した絶縁性基材１５上にＴＦＴ素子１９を次々と形成していくものである。このため、巻き取りロール５２で巻物状に巻き取られても、図７に示すように、フォトスペーサ１６が基材間の接触規制部材となって絶縁性基材１５の表面に形成されたＴＦＴ素子１９が上に重なる絶縁性基材１５の裏面と接触しない。
【００５２】
（ＣＦ基板１２の製造工程）
次に、ロールツウロール搬送によるＣＦ基板１２の製造工程について説明する。尚、各工程は、上記のＴＦＴ基板１１の製造工程と同様に、それぞれの処理ごとにロールツウロール搬送を用いて次々と行われる。
【００５３】
まず、厚さ１．０ｍｍ、幅５００ｍｍの長尺の絶縁性基材３０に対し、その遮光部分となる領域に幅約５０μｍのブラックマトリクス２３をスパッタリング法により形成する。
【００５４】
次に、表示部分となる領域に赤の顔料が分散された樹脂フィルム（ドライフィルム）を全面にラミネートし、露光、現像及びベーク（熱処理）を行って、第１色層３５（赤）を形成する。次に、第１色層３５に重ねて、緑色の顔料が分散された樹脂フィルムを全面にラミネートし、露光、現像及びベーク（熱処理）を行って、第２色層３６（緑）を形成する。同様に、第３色層３７（青）を形成する。
【００５５】
尚、色層３５〜３７の形成方法は、ドライフィルムをラミネートする代わりに、顔料が分散された感光性樹脂材料をスピン、スリットコートにより全面に塗布してもよい。更に、各色の形成順序は、特に限定されず、他の順序でもよい。
【００５６】
次いで、色層３５〜３７及びブラックマトリクス２３上にＩＴＯを蒸着し、対向電極３２を形成する。
【００５７】
次いで、対向電極３２上に垂直配向膜を形成した後、所定の位置で絶縁性基材３０を切り出すことにより、ＣＦ基板１２が完成する。
【００５８】
尚、ＣＦ基板１２の絶縁性基板３０上にも直接フォトスペーサ１６をしてもよい。この場合も各工程ごとにロールツウロール搬送を用いてプロセス処理槽５３で所定の処理を施す。また、製造工程は、図９に示すように、まず絶縁性基材３０上に直接フォトスペーサ１６を遮光部予定位置に形成した後、ＣＦ層３１、ブラックマトリクス２３、対向電極３２及び配向膜を形成する。最後に絶縁性基材３０を所定の位置で切り出すことによりＣＦ基板１２を製造する。
【００５９】
このように、予めフォトスペーサ１６を形成した絶縁性基材３０上にＣＦ層３１、ブラックマトリクス２３等のＣＦ素子を次々と形成していくため、巻き取りロール５２で巻物状に巻き取られても、フォトスペーサ１６が接触規制部材となってＣＦ素子２３，３１が上に重なる絶縁性基材３０の裏面と接触しない。
【００６０】
尚、この場合はＴＦＴ基板１１上に直接形成したフォトスペーサ１６と両基板の貼り合わせのときに重ならないような位置に形成するか、ＴＦＴ基板１１上にはフォトスペーサ１６は形成しないようにする。
【００６１】
（液晶表示パネル１４の形成工程）
以上のように、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２を作製したら、次に、ディスペンサ等を用いて液晶材料をＴＦＴ基板１１に滴下する。この際、液晶材料はＴＦＴ基板１１の遮光領域外周囲に枠状に塗布したシール剤の内方に滴下する。続いて、液晶材料が滴下されたＴＦＴ基板１１にＣＦ基板１２を位置合わせして貼り付ける。この工程は真空中で行われる。次いで、大気中に戻すと貼り合わされたＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２間の液晶材料が大気圧により拡散する。次に、シール剤の塗布領域に沿ってＵＶ光源を移動させながらＵＶ光をシール剤に照射し、シール剤を硬化させる。このようにして、拡散した液晶材料は２枚の基板間に封止されて液晶表示パネル１４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて液晶表示装置１０を完成させる。
【００６２】
また、液晶表示パネル１４は、本実施形態のように形成されなくてもよく、液晶表示パネル１４の側方に液晶注入口を設けて、そこへ液晶材料を注入し、その後液晶注入口を紫外線硬化樹脂等で封止するものであってもよい。
【００６３】
また、本実施形態では、表示装置として、ＬＣＤ（liquid crystal display；液晶表示ディスプレイ）について示したが、ＰＤＰ（plasma display panel；プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬＣＤ（plasma addressed liquid crystal display；プラズマアドレス液晶ディスプレイ）、有機ＥＬ（organic electroluminescence ）、ＦＥＤ（field emission display；電界放出ディスプレイ）、ＳＥＤ（surface-conduction electron-emitter display；表面電界ディスプレイ）又は、電子ペーパー等の表示装置であってもよい。
【００６４】
（作用効果）
次に、作用効果について説明する。
【００６５】
本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、長尺の絶縁性基材１５，３０を巻物状にした基材巻物５５から絶縁性基材１５，３０を引き出して基材表面に複数のフォトスペーサ１６を形成するステップと、基材表面に複数のフォトスペーサ１６が形成された絶縁性基材１５，３０を巻き取って再度巻物状にしたフォトスペーサ付き基材巻物６０を作製するステップと、フォトスペーサ付き基材巻物６０から絶縁性基材１５，３０を引き出して基材表面のフォトスペーサ１６間にそれらよりも高さの低い素子を形成するステップと、フォトスペーサ１６及びＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１が形成された絶縁性基材１５，３０から基板を切り出すステップと、を備えたことを特徴とする。
【００６６】
このような構成によれば、長尺の絶縁性基材１５，３０を巻物状にした基材巻物５５から絶縁性基材１５，３０を引き出して所定の処理を施し、その後再度巻物状に巻き取る、いわゆるロールツウロール搬送による基板の製造において、絶縁性基材１５，３０にＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１を形成する前に複数のフォトスペーサ１６を形成している。このため、ＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１を形成した絶縁性基材１５，３０を再度巻物状に巻き取る際、絶縁性基材１５，３０の表面に複数のフォトスペーサ１６があることにより、絶縁性基材１５，３０上のＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１が巻物状に巻き取られて上に重なる絶縁性基材１５，３０の裏面に接触することなく、基板の巻き取り径を基板単体のみの場合とほぼ同じ巻き取り径で巻き取ることができる。従って、小スペースでの液晶表示装置１０の製造が可能となる。さらに、巻き取られて重なることにより生じる基板のＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１の接触を規制する部材を、そのまま液晶表示装置１０の基板間の間隙保持として用いるフォトスペーサ１６としている。このため、製造工程の簡略化が実現されて液晶表示装置１０の製造効率が高くなる。
【００６７】
また、本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、多数のフォトスペーサ１６を、絶縁性基材１５，３０の幅方向の中心に対して対称に配設されるように形成してもよい。
【００６８】
このような構成によれば、絶縁性基材１５，３０が巻物状に巻かれたときに多数のフォトスペーサ１６が他の基板を裏面から均一に押圧する。このため、基板が幅方向に局所的にゆがんで巻き取られることがなく、ロールツウロール搬送の精度が高くなる。また、基板の局所的な歪みに起因する基板間の接触を規制することができる。
【００６９】
さらに、本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、複数のフォトスペーサ１６を、絶縁性基材１５，３０の遮光部予定位置に形成してもよい。
【００７０】
このような構成によれば、複数のフォトスペーサ１６を絶縁性基材１５，３０の遮光部予定位置に形成するため、表示部に影響を与えることがなく、開口率の低下を規制することができる。
【００７１】
また、本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、複数のフォトスペーサ１６を、黒色材料で形成してもよい。
【００７２】
このような構成によれば、複数のフォトスペーサ１６が黒色材料で形成されているため、液晶表示装置１０の表示に影響を与えることがなく、表示品位の低下を規制することができる。
【００７３】
本実施形態に係る液晶表示装置１０は、互いに対向するように設けられてそれぞれ可撓性を有する絶縁性基材１５，３０で構成されたＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２を有する液晶表示パネル１４を備えた液晶表示装置１０であって、液晶表示パネル１４は、ＴＦＴ基板１１及び／又はＣＦ基板１２の絶縁性基材１５，３０上に複数のフォトスペーサ１６が直接形成されていることを特徴とする。
【００７４】
このような構成によれば、液晶表示パネル１４のＴＦＴ基板１１及び／又はＣＦ基板１２は、その絶縁性基板１５，３０上に複数のフォトスペーサ１６が直接形成されているので、ロールツウロール搬送による液晶表示装置１０の製造において、可撓性を有する基板を構成する絶縁性基材１５，３０にＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１を形成する前に複数のフォトスペーサ１６が形成されている。このため、ＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１を形成した絶縁性基材１５，３０を再度巻物状に巻き取る際、絶縁性基材１５，３０の表面に複数のフォトスペーサ１６があることにより、絶縁性基材１５，３０上のＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１が巻物状に巻き取られて上に重なる絶縁性基材１５，３０の裏面に接触することなく、基材の巻き取り径を基材単体のみの場合とほぼ同じ巻き取り径で巻き取ることができる。従って、小スペースでの液晶表示装置１０の製造が可能となる。さらに、巻き取られて重なることにより生じる絶縁性基材１５，３０のＴＦＴ素子１９又はＣＦ素子２３，３１の接触を規制する部材を、そのまま液晶表示装置１０の基板間の間隙保持として用いるフォトスペーサ１６としている。このため、製造工程の簡略化が実現されて液晶表示装置１０の製造効率が高くなる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
以上説明したように、本発明は、表示装置の製造方法及び表示装置について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置１０の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るＴＦＴ基板１１の平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る絶縁性基材３０上に直接フォトスペーサ１６が形成されたＣＦ基板１２の断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るＣＦ基板１２の平面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置５０の概略図である。
【図６】ＴＦＴ基板１１の製造工程における絶縁性基材１５上に直接フォトスペーサ１６が形成された様子を示す図である。
【図７】巻き出しロール５１及び巻き取りロール５２でフォトスペーサ１６が直接形成された絶縁性基材５４を巻き取った様子を示す概略図である。
【図８】ＴＦＴ基板１１の製造工程における直接フォトスペーサ１６が形成された絶縁性基材１５上にＴＦＴ素子１９が形成された様子を示す図である。
【図９】ＣＦ基板１２の製造工程における絶縁性基材３０上に直接フォトスペーサ１６が形成された様子を示す図である。
【符号の説明】
【００７７】
１０  液晶表示装置
１１  ＴＦＴ基板
１２  ＣＦ基板
１４  液晶表示パネル
１５，３０  絶縁性基材、絶縁性基板
１６  フォトスペーサ
１９  ＴＦＴ素子
２１  ソース配線
２２  ゲート配線
２３  ブラックマトリクス
２３，３１  ＣＦ素子
３１  ＣＦ層
５０  基板処理装置
５１  巻き出しロール
５２  巻き取りロール
５３  プロセス処理槽
５５  基材巻物
６０  フォトスペーサ付き基材巻物
【図１】
2007164056.tif 000003
【図２】
2007164056.tif 000004
【図３】
2007164056.tif 000005
【図４】
2007164056.tif 000006
【図５】
2007164056.tif 000007
【図６】
2007164056.tif 000008
【図７】
2007164056.tif 000009
【図８】
2007164056.tif 000010
【図９】
2007164056.tif 000011