(57)【要約】【課題】トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離された導電領域を有する半導体装置であって、トレンチ内への水分の浸入や異物の侵入が防止できると共に、安価に製造することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】埋め込み酸化膜２２を有するＳＯＩ基板のＳＯＩ層２１に対して、埋め込み酸化膜２２に達するトレンチ加工を施し、トレンチＴ２１により取り囲まれて、周囲から絶縁分離されたＳＯＩ層２１からなる導電領域Ｒ１〜Ｒ３を有する半導体装置２０であって、導電領域Ｒ１〜Ｒ３におけるＳＯＩ層２１の表面に、パッド電極Ｐ１〜Ｐ３が設けられ、パッド電極Ｐ１〜Ｐ３を露出する開口部Ｋ１〜Ｋ３が形成され、トレンチＴ２１を覆ってトレンチＴ２１を外部から密封するキャップ２３が、ＳＯＩ基板上に貼り合わされてなる半導体装置２０とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ基板のＳＯＩ層に対して、前記埋め込み酸化膜に達するトレンチ加工を施し、前記トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離されたＳＯＩ層からなる導電領域を有する半導体装置であって、
前記導電領域におけるＳＯＩ層の表面に、パッド電極が設けられ、
前記パッド電極を露出する開口部が形成され、前記トレンチを覆ってトレンチを外部から密封するキャップが、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わされてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電領域が、
前記埋め込み酸化膜の一部を犠牲層エッチングすることにより、変位可能に形成された可動電極を有する可動導電領域と、
前記可動電極と対向する固定電極を有する固定導電領域とからなり、
前記可動電極と固定電極の対向面で静電容量が形成され、
印加される力学量に応じて、前記可動電極が前記対向面に対して垂直方向に変位し、
前記可動電極の上方において、前記キャップの内面に凹部が形成されてなり、
前記半導体装置が、
前記可動電極と固定電極の間の距離変化に伴う前記静電容量の変化を測定して、前記印加される力学量を検出する半導体装置であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記力学量が、加速度または角速度であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記キャップの開口部が、キャップの外面に向って広がるテーパ形状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記キャップの開口部に、前記パッド電極のみが露出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記キャップが、樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記キャップが、表面に酸化膜が形成されたシリコン（Ｓｉ）からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記キャップが、基板貼り合わせ技術により、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わされてなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記キャップが、接着剤により、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わされてなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記キャップが、熱可塑性樹脂からなり、
前記キャップが、熱処理によって、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わされてなることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記キャップが、ガラスからなり、
前記キャップが、陽極接合によって、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わされてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離された導電領域を有する半導体装置に関するもので、特に、可動導電領域と固定導電領域を有し、印加された力学量を静電容量の変化によって検出する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
印加された力学量を静電容量の変化によって検出する半導体装置が、例えば、特開２００４−３３３１３３号公報（特許文献１）に開示されている。
【０００３】
図５（ａ），（ｂ）は、特許文献１に開示された半導体装置（慣性力センサ）を示す図で、図５（ａ）は、慣性力センサの平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すＡ−Ａでの断面図である。なお、以下では便宜上、図５（ａ）及び図５（ｂ）における位置関係における左右方向を「横方向」といい、平面視でこれと垂直な方向を「縦方向」といっている。
【０００４】
図５（ａ）、（ｂ）に示す慣性力センサには、一体加工により、ばね１と、アンカー２と、梁３と、質量体４と、アイランド電極７ａ、７ｂと、枠１０とが一体形成されたデバイス層１１が設けられている。そして、デバイス層１１の下面と上面とには、それぞれ、下面基板１２と上面基板１３とが接合され、デバイス層１１は、両基板１２、１３により密封されている。
【０００５】
アイランド電極７ａは、可動電極５を外部に電気的に接続するためのもの（可動電極用電極部）であり、アイランド電極７ｂは、固定電極６を外部に電気的に接続するためのもの（固定電極用電極部）である。そして、各アイランド電極７ａ、７ｂの上面には、それぞれ、外部機器との電気接続のための金属パッド８が付設されている。なお、上面基板１３には、各金属パッド８と対応する位置にそれぞれ貫通穴９が設けられ、各金属パッド８は外部に露出している。図示していないが、各金属パッド８は、貫通穴９を通り抜けるワイヤボンディングを介して外部のＩＣ等に電気的に接続される。
【０００６】
図５（ａ）、（ｂ）に示す慣性力センサでは、アンカー２は下面基板１２に固定（接合）され、アイランド電極７ａ、７ｂ及び枠１０は、両基板１２、１３に固定（接合）されている。なお、ばね１、梁３及び質量体４は、いずれの基板１２、１３にも固定されていない。ここで、各梁３は、それぞれ対応するアンカー２によって支持され、質量体４は２つの梁３によって横方向に変位可能に支持されている。また、各ばね１は、それぞれ対応するアンカー２とアイランド電極７ａとを連結している。そして、アンカー２とアイランド電極７ａとは、対応するばね１によって電気的に接続されている。
【０００７】
縦方向にみて質量体４の両側にはそれぞれ可動電極５が付設されている。他方、固定電極用の各アイランド電極７ｂには、それぞれ固定電極６が付設されている。そして、質量体４の両側では、それぞれ、可動電極５と固定電極６とが横方向に対向している。ここで、慣性力センサに横方向の慣性力が作用すると、該慣性力により質量体４が横方向に変位し、可動電極５と固定電極６との横方向の位置関係（間隔）が変化する。これに伴って、可動電極５と固定電極６との間の静電容量が変化するので、この静電容量変化により該慣性力センサに作用する慣性力を検出することができる。
【特許文献１】特開２００４−３３３１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図５（ａ）、（ｂ）に示す慣性力センサでは、デバイス層１１において、可動電極５、質量体４、梁３およびばね１の厚さが、アイランド電極７ａ、７ｂの厚さより小さくなっている。これによって、両側の平坦な基板１２、１３との間に空隙Ｓ１，Ｓ２が形成され、可動電極５、質量体４、梁３およびばね１が、変位可能な状態となっている。しかしながら、上記デバイス層１１の構造を形成するためには、デバイス層１１の両側から可動電極５、質量体４、梁３およびばね１の形成部分のみをエッチングする必要があり、製造工程が複雑になって、製造コストが増大する。
【０００９】
一方、図５（ａ）、（ｂ）に示す慣性力センサにおいては、各アイランド電極７ａ、７ｂは、デバイス層１１を縦方向に貫通するトレンチＴ１１により取り囲まれて、互いに電気的に絶縁されている。そして、質量体４に付設された可動電極５は、順に、梁３と、アンカー２と、ばね１とを介して可動電極用のアイランド電極７ａに電気的に接続されている。他方、固定電極用の各アイランド電極７ｂに電気的に接続される。また、デバイス層１１の下面及び上面は、それぞれ絶縁性の下面基板１２及び上面基板１３で密封され、これにより、トレンチＴ１１とアンカー２、梁３、質量体４等からなる微細な可動構造体が外界から保護されている。
【００１０】
上記デバイス層１１の絶縁分離構造は、簡略化して言えば、デバイス層１１に縦方向に貫通するトレンチＴ１１を形成し、トレンチＴ１１により取り囲またそれぞれの領域を、周囲から絶縁分離された導電領域とする構造である。しかしながら、上記デバイス層１１の絶縁分離構造を実現するためには、それぞれ絶縁性の下面基板１２及び上面基板１３が必要である。下面基板１２及び上面基板１３は、例えば強化ガラスで形成され、陽極接合法によってデバイス層１１に貼り合わされるが、下面基板１２及び上面基板１３の材料やデバイス層１１への接合方法への制約が多く、これらも上記慣性力センサの製造コストの増大要因となっている。
【００１１】
そこで本発明は、トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離された導電領域を有する半導体装置であって、トレンチ内への水分の浸入や異物の侵入が防止できると共に、安価に製造することのできる半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板のＳＯＩ層に対して、前記埋め込み酸化膜に達するトレンチ加工を施し、前記トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離されたＳＯＩ層からなる導電領域を有する半導体装置であって、前記導電領域におけるＳＯＩ層の表面に、パッド電極が設けられ、前記パッド電極を露出する開口部が形成され、前記トレンチを覆ってトレンチを外部から密封するキャップが、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わされてなることを特徴としている。
【００１３】
上記半導体装置は、基板貼り合わせ技術を用いて製造される埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ基板が用いられており、埋め込み酸化膜に達するトレンチ加工を施すだけで、周囲から絶縁分離された導電領域を形成することができる。このように、上記半導体装置は、一回のトレンチ加工工程によって製造される。また、上記半導体装置に形成されたトレンチは、キャップにより覆われて、外部から密封されている。従って、トレンチ内への水分の浸入等による導電領域の絶縁不良が防止される。
【００１４】
以上のようにして、上記半導体装置は、トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離された導電領域を有する半導体装置であって、トレンチ内への水分の浸入や異物の侵入が防止できると共に、安価に製造することのできる半導体装置となっている。
【００１５】
特に上記半導体装置は、請求項２に記載のように、前記導電領域が、前記埋め込み酸化膜の一部を犠牲層エッチングすることにより、変位可能に形成された可動電極を有する可動導電領域と、前記可動電極と対向する固定電極を有する固定導電領域とからなり、前記可動電極と固定電極の対向面で静電容量が形成され、印加される力学量に応じて、前記可動電極が前記対向面に対して垂直方向に変位し、前記可動電極の上方において、前記キャップの内面に凹部が形成されてなり、前記半導体装置が、前記可動電極と固定電極の間の距離変化に伴う前記静電容量の変化を測定して、前記印加される力学量を検出する半導体装置であってよい。
【００１６】
当該半導体装置のように、前記導電領域が、変位可能に形成された可動電極を有する可動導電領域であっても、埋め込み酸化膜に達するトレンチ加工を施し、埋め込み酸化膜の一部を犠牲層エッチングするだけで、可動電極を変位可能とすることができる。従って、可動電極を有する半導体装置であっても、従来の慣性力センサのように、トレンチ加工に加えて、可動電極等の形成部分のみを両側からエッチング加工するため、デバイス層にさらに２回のエッチング加工を施す必要が無い。また、当該半導体装置においては、可動電極の上方において内面に凹部が形成されたキャップが、可動導電領域と固定導電領域を取り囲むトレンチを覆うため、可動電極の変位が阻害されることなく、トレンチ内への水分の浸入や異物の侵入が防止される。
【００１７】
以上のようにして、当該半導体装置は、トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離された可動導電領域と固定導電領域を有しており、印加された力学量を静電容量の変化によって検出する半導体装置であって、トレンチ内への水分の浸入や異物の侵入が防止できると共に、安価に製造することのできる半導体装置となっている。
【００１８】
上記半導体装置は、例えば請求項３に記載のように、前記力学量が、加速度または角速度である、加速度センサや角速度センサとすることができる。
【００１９】
上記半導体装置においては、請求項４に記載のように、前記キャップの開口部が、キャップの外面に向って広がるテーパ形状であることが好ましい。これによれば、パッド電極へのワイヤボンディングに際して、ボンディングツールの挿入が容易になる。
【００２０】
上記半導体装置においては、例えば請求項５に記載のように、前記キャップの開口部に、前記パッド電極のみが露出する構成とすることができる。この場合には、キャップの開口部に不要なＳＯＩ層表面が露出しないだけでなく、例えばＳＯＩ基板上にキャップを貼り合わせた後、パッド電極をストッパとして、後加工でキャップに開口部を形成することができる。
【００２１】
上記半導体装置においては、例えば請求項６に記載のように、前記キャップを、安価で成形が容易な樹脂とすることができる。
【００２２】
また、請求項７に記載のように、前記キャップを、表面に酸化膜が形成されたシリコン（Ｓｉ）としてもよい。シリコンは、一般的な半導体装置の製造技術により精密な加工が可能である。また、表面に酸化膜を形成することでキャップの絶縁性が確保される。
【００２３】
また、上記半導体装置においては、請求項８に記載のように、例えば以下に示す接着剤を用いずに、基板貼り合わせ技術を用いてＳＯＩ基板上にキャップを貼り合わせることもできる。
【００２４】
上記半導体装置においては、一般的には請求項９に記載のように、前記キャップが、接着剤により、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わされてなることが好ましい。接着剤は安価であり、キャップとＳＯＩ基板を容易に貼り合わせることができ、製造コストを低減して安価な半導体装置とすることができる。
【００２５】
一方、上記半導体装置においては、請求項１０に記載のように、前記キャップを、熱可塑性樹脂として、前記キャップを、接着剤を用いずに熱処理によって、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わせることも可能である。
【００２６】
また、請求項１１に記載のように、前記キャップを、ガラスとして、前記キャップを、接着剤を用いずに陽極接合によって、前記ＳＯＩ基板上に貼り合わせることも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。
【００２８】
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の一例で、図１（ａ）は半導体装置２０の模式的な上面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の半導体装置２０のキャップ２３を外した状態の模式的な上面図である。また、図１（ｃ）は、図１（ａ），（ｂ）に示す一点鎖線Ｂ−Ｂでの半導体装置２０の断面図である。
【００２９】
半導体装置２０では、図１（ｃ）に示すように、埋め込み酸化膜２２を有するＳＯＩ基板のＳＯＩ層２１に対して、埋め込み酸化膜２２に達するトレンチ加工が施されている。このトレンチ加工によって、半導体装置２０は、図１（ｂ）に示すように、トレンチＴ２１により取り囲まれて、周囲から絶縁分離されたＳＯＩ層からなる３つの導電領域Ｒ１〜Ｒ３を有する半導体装置となっている。３つの導電領域Ｒ１〜Ｒ３におけるＳＯＩ層２１の表面には、パッド電極Ｐ１〜Ｐ３が設けられている。
【００３０】
また、半導体装置２０には、図１（ａ），（ｃ）に示すように、安価で成形が容易な樹脂からなるキャップ２３が、接着剤２４によりＳＯＩ基板上に貼り合わされている。キャップ２３には、パッド電極Ｐ１〜Ｐ３を露出する開口部Ｋ１〜Ｋ３が形成されており、キャップ２３が、３つの導電領域Ｒ１〜Ｒ３を分離するトレンチＴ２１を覆って、トレンチＴ２１を外部から密封している。
【００３１】
図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置２０の３つの導電領域Ｒ１〜Ｒ３は、埋め込み酸化膜２２の一部を犠牲層エッチングすることにより、変位可能に形成された可動電極Ｄ１を有する可動導電領域Ｒ１と、可動電極Ｄ１と対向する固定電極Ｄ２，Ｄ３を有する２つの固定導電領域Ｒ２，Ｒ３とからなる。尚、半導体装置２０のキャップ２３には、可動電極Ｄ１の上方において、内面に凹部Ｏ１が形成されており、キャップ２３によって、可動電極Ｄ１の変位が阻害されることはない。半導体装置２０は、図５（ａ）、（ｂ）に示した従来の慣性力センサと同様に、加速度センサや角速度センサとして用いられる半導体装置で、加速度や角速度等の力学量を検出する。
【００３２】
半導体装置２０では、図１（ａ），（ｂ）に示すように、可動電極Ｄ１と固定電極Ｄ２，Ｄ３の対向面で静電容量が形成されており、可動導電領域Ｒ１の可動部に印加される力学量に応じて、可動電極Ｄ１が対向面に対して垂直方向に変位する。半導体装置２０は、可動電極Ｄ１と固定電極Ｄ２，Ｄ３の間の距離変化に伴う静電容量の変化を測定して、可動導電領域Ｒ１の可動部に印加される力学量を検出する。
【００３３】
図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置２０は、基板貼り合わせ技術を用いて製造される埋め込み酸化膜２２を有するＳＯＩ基板が用いられており、埋め込み酸化膜２２に達するトレンチ加工を施すだけで、周囲から絶縁分離された導電領域Ｒ１〜Ｒ３を形成することができる。このように、半導体装置２０は、一回のトレンチ加工工程によって製造される。特に、半導体装置２０では、導電領域Ｒ１が変位可能に形成された可動電極Ｄ１を有する可動導電領域であるが、この場合でも、埋め込み酸化膜２２に達するトレンチ加工を施し、埋め込み酸化膜２２の一部を犠牲層エッチングするだけで、可動電極Ｄ１を変位可能とすることができる。従って、図１（ａ）〜（ｃ）の半導体装置２０のように可動電極Ｄ１を有する半導体装置であっても、図５（ａ），（ｂ）に示す従来の慣性力センサのように、トレンチＴ１１の加工に加えて、可動電極等の形成部分のみを両側からエッチング加工するため、デバイス層１１にさらに２回のエッチング加工を施す必要が無い。
【００３４】
また、半導体装置２０に形成されたトレンチＴ２１は、キャップ２３により覆われて、外部から密封されている。従って、トレンチＴ２１内への水分の浸入等による導電領域Ｒ１〜Ｒ３の絶縁不良が防止される。特に、半導体装置２０においては、可動電極Ｄ１の上方において内面に凹部Ｏ１が形成されたキャップ２３が、可動導電領域Ｒ１と固定導電領域Ｒ２，Ｒ３を取り囲むトレンチＴ２１を覆うため、可動電極Ｄ１の変位が阻害されることなく、トレンチＴ２１内への水分の浸入や異物の侵入が防止される。
【００３５】
以上のようにして、図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置２０は、トレンチＴ２１により取り囲まれて、周囲から絶縁分離された導電領域Ｒ１〜Ｒ３を有する半導体装置であって、トレンチＴ２１内への水分の浸入や異物の侵入が防止できると共に、安価に製造することのできる半導体装置となっている。
【００３６】
特に、図１（ａ）〜（ｃ）の半導体装置２０は、トレンチＴ２１により取り囲まれて、周囲から絶縁分離された可動導電領域Ｒ１と固定導電領域Ｒ２，Ｒ３を有しており、印加された力学量を静電容量の変化によって検出する半導体装置であった。本発明の半導体装置は、このような可動導電領域Ｒ１を有する、加速度センサや角速度センサとして好適である。しかしながら、本発明の半導体装置はこれに限らず、埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ基板のＳＯＩ層に対して、埋め込み酸化膜に達するトレンチ加工を施し、トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離されたＳＯＩ層からなる導電領域を有する任意の半導体装置であってよい。
【００３７】
図２（ａ），（ｂ）は、本発明における別の半導体装置の例で、図２（ａ）は半導体装置３０の模式的な上面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す一点鎖線Ｃ−Ｃでの半導体装置３０の断面図である。尚、図２（ａ），（ｂ）に示す半導体装置３０において、図１（ａ）〜（ｃ）に示した半導体装置２０と同様の部分については、同じ符号を付した。また、半導体装置３０のキャップ３３を外した状態は、図２（ｂ）で示した半導体装置２０のキャップ２３を外した状態と同じである。
【００３８】
図２（ａ），（ｂ）に示す半導体装置３０においては、図１（ａ），（ｃ）に示した半導体装置２０と異なり、キャップ３３の開口部Ｋ４〜Ｋ６が、キャップ３３の外面に向って広がるテーパ形状である。これによって、パッド電極Ｐ１〜Ｐ３へのワイヤボンディングに際して、ボンディングツールの挿入が容易になる。
【００３９】
図３（ａ），（ｂ）も、本発明における別の半導体装置の例で、図３（ａ）は半導体装置４０の模式的な上面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す一点鎖線Ｄ−Ｄでの半導体装置４０の断面図である。尚、図３（ａ），（ｂ）に示す半導体装置４０において、図２（ａ），（ｂ）に示した半導体装置３０と同様の部分については、同じ符号を付した。また、半導体装置４０のキャップ３３を外した状態は、パッド電極Ｐ４〜Ｐ６が異なる点を除いて、図２（ｂ）で示した半導体装置２０のキャップ２３を外した状態と同じである。
【００４０】
図３（ａ），（ｂ）に示す半導体装置４０においては、図２（ａ），（ｂ）に示した半導体装置３０と異なり、キャップ３３の開口部Ｋ４〜Ｋ６に、パッド電極Ｐ４〜Ｐ６のみが露出する構成となっている。この場合には、キャップ３３の開口部Ｋ４〜Ｋ６に不要なＳＯＩ層２１の表面が露出しないだけでなく、例えばＳＯＩ基板上にキャップ３３を貼り合わせた後、パッド電極Ｐ４〜Ｐ６をストッパとして、後加工でキャップ３３に開口部Ｋ４〜Ｋ６を形成することができる。また、パッド電極Ｐ４〜Ｐ６への接続は、ワイヤボンディングに限らず、半田ボール等による半田付けであってもよい。
【００４１】
図４（ａ）〜（ｄ）も、本発明における別の半導体装置の例で、それぞれ、半導体装置５０〜８０の模式的な断面図である。尚、図４（ａ）〜（ｄ）に示す各半導体装置５０〜８０において、図１（ａ）〜（ｃ）に示した半導体装置２０と同様の部分については、同じ符号を付した。また、各半導体装置５０〜８０の上面図およびそれぞれのキャップ５３，７３を外した状態は、図２（ａ），（ｂ）で示した半導体装置２０の上面図およびキャップ２３を外した状態と同じである
図１（ａ）〜（ｃ）に示した半導体装置２０では、キャップ２３が、安価で射出成形等により成形が容易な樹脂であった。これに対して、図４（ａ），（ｂ）に示す各半導体装置５０，６０では、キャップ５３を、表面に酸化膜５３ｂが形成されたシリコン（Ｓｉ）５３ａとしている。シリコン５３ｂは、一般的な半導体装置の製造技術により精密な加工が可能である。例えば、アルカリエッチング等を用いて、開口部Ｋ２と凹部Ｏ１を精密に形成することができる。また、表面に酸化膜５３ａを形成することで、キャップ５３の絶縁性が確保される。図４（ａ）の半導体装置５０では、キャップ５３を接着剤２４によりＳＯＩ基板上に貼り合わせており、図４（ｂ）の半導体装置６０では、接着剤を用いずに、基板貼り合わせ技術を用いてＳＯＩ基板上にキャップ５３を貼り合わせている。
【００４２】
また、図４（ｃ）に示す半導体装置７０では、キャップ７３を、熱可塑性樹脂として、キャップ７３を、熱処理によって、ＳＯＩ基板上に貼り合わせている。図４（ｄ）に示す半導体装置８０では、キャップ８３を、ガラスとして、キャップ８３を、陽極接合によって、ＳＯＩ基板上に貼り合わせている。
【００４３】
図４（ｂ）〜（ｄ）の半導体装置６０〜８０のように、接着剤を用いずに、キャップをＳＯＩ基板上に貼り合わせることも可能である。
【００４４】
以上に示したように、本発明の半導体装置は、いずれも、埋め込み酸化膜２２を有するＳＯＩ基板のＳＯＩ層２１に対して、埋め込み酸化膜２２に達するトレンチ加工を施し、トレンチＴ２１により取り囲まれて、周囲から絶縁分離されたＳＯＩ層２１からなる導電領域Ｒ１〜Ｒ３を有する半導体装置であって、トレンチＴ２１内への水分の浸入や異物の侵入が防止できると共に、安価に製造することのできる半導体装置となっている。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の半導体装置の一例で、（ａ）は半導体装置２０の模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）の半導体装置２０のキャップ２３を外した状態の模式的な上面図である。また、（ｃ）は、（ａ），（ｂ）に示す一点鎖線Ｂ−Ｂでの半導体装置２０の断面図である。
【図２】本発明における別の半導体装置の例で、（ａ）は半導体装置３０の模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す一点鎖線Ｃ−Ｃでの半導体装置３０の断面図である。
【図３】本発明における別の半導体装置の例で、（ａ）は半導体装置４０の模式的な上面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す一点鎖線Ｄ−Ｄでの半導体装置４０の断面図である。
【図４】本発明における別の半導体装置の例で、それぞれ、半導体装置５０〜８０の模式的な断面図である。
【図５】特許文献１に開示された従来の半導体装置（慣性力センサ）を示す図で、（ａ）は、慣性力センサの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すＡ−Ａでの断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０  半導体装置
２１  ＳＯＩ層
２２  埋め込み酸化膜
Ｔ２１  トレンチ
Ｒ１  （可動）導電領域
Ｒ２，Ｒ３  （固定）導電領域
Ｄ１  可動電極
Ｄ２，Ｄ３  固定電極
Ｐ１〜Ｐ６  パッド電極
２３，３３，５３，７３，８３  キャップ
Ｋ１〜Ｋ６  開口部
Ｏ１  凹部
２４  接着剤
【図１】
2007150098.tif 000003
【図２】
2007150098.tif 000004
【図３】
2007150098.tif 000005
【図４】
2007150098.tif 000006
【図５】
2007150098.tif 000007