(57)【要約】      （修正有）【課題】固体撮像装置のマイクロレンズ上にスピンコート法を用いて材料塗布を行う場合において、塗布を均一且つ塗布ムラ無く形成し、画像シミのない固体撮像装置を実現することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像装置1として、隣接する撮像領域9の間におけるダイシング領域5Xにおいて、各撮像領域9を囲繞するように、段差緩和構造体として方形断面形状を持つ障壁パターン7を形成し、この障壁パターン7により、スピンコート法による反射防止膜形成工程時において、マイクロレンズ6上の反射防止膜8を従来に比べて均一に塗布する。これにより、製造工程時にマイクロレンズ6上の反射防止膜8が、従来に比べて均一に塗布される効果が奏され、良好な撮像性能が呈される。【選択図】図１
2007150260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の片面に一群の受光素子が実装され、当該各受光素子の上にマイクロレンズが積層され、一の画像がマイクロレンズを通じて前記一群の受光素子に撮像される撮像領域が、当該基板表面において四隅を有するように配設された固体撮像装置であって、
前記半導体基板の前記片面には、少なくとも前記撮像領域の四隅を囲繞するように、障壁パターンが形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記障壁パターンは、前記撮像領域の周囲を1重以上にわたり方形に囲むように配されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記障壁パターンは、前記撮像領域の周囲を1重以上にわたり円形に囲むように配されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記半導体基板の厚み方向に沿った前記障壁パターンの高さが、前記障壁パターンが囲繞する撮像領域から遠ざかるにつれて漸減する
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記障壁パターンは、前記半導体基板の平面方向に対し、前記撮像領域から漸減するように傾斜した頂部を有する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記障壁パターンは、前記撮像領域において各受光素子上に積層される前記マイクロレンズと同様のマイクロレンズが、複数にわたり形成されてなる
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
マイクロレンズが配された半導体基板表面の撮像領域に対し、その外縁部に障壁パターンを形成する障壁パターン形成工程と、前記障壁パターン形成工程後に前記マイクロレンズ表面に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程とを経る固体撮像装置の製造方法であって、
前記障壁パターン形成工程では、縮小投影光学系及びグレースケールマスクを用いたフォトリソグラフィー法により、前記撮像領域の基板厚み方向高さよりも高く前記撮像領域を囲繞するように、段差緩和構造体としての障壁パターンを形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記障壁パターン形成工程では、グレースケールマスクとして、黒画素の粗密で表現された濃淡パターンとして透明シート等上に印刷してなる原画を、縮小投影光学系を用いて原画の各画素の像がぼけて隣接する画素の像と平均化されて解像できない倍率において、写真感材に複写したものを用いる
ことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像装置に関し、特にマイクロレンズ上に反射防止膜を成膜する際の塗布ムラを解消し、歩留り効率を向上させるための改良技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に複数のフォトダイオード等の受光素子を形成してなる固体撮像装置は、小型、軽量、長寿命、低残像、低消費電力などの優れた特徴を有し、近年はビデオカメラやデジタルスチルカメラの受光素子としての利用が急速に拡大している。
固体撮像装置は例えば特許文献1、2のように、一枚の半導体基板（ウェハ）上に一度に多数形成され、ダイシングにより分離される。各固体撮像装置のサイズについては微細化が進んでおり、十分な高感度性を得るために集光を行う目的で、製造工程ではウェハ上における各々の受光素子にマイクロレンズを積層するように形成される。
【０００３】
マイクロレンズは、広くはアクリル樹脂やポリスチレンなどの透明樹脂により形成されるが、反射率が10％程度存在するので、これを抑制するために反射防止膜を塗布する必要がある。
反射防止膜は、例えば図14〜図16に示すように、水槽101に入れた水102の表面で、滑車手段104〜106により側面から圧力を掛けて固体膜状態を維持させた親水基1072及び疎水基1072を持つ単分子の膜107を、基板Pで何回かすくい上げて成膜（M1、M2、M3）させるLB（Langmuir-Blodgett）法で形成される（特許文献3）。この他、水面キャスト法や、いわゆるスピンコート法により成膜する方法も採用することができる。スピンコート法はウェハ上に反射防止膜材料を滴下し、当該ウェハを所定の回転速度で回転させて前記反射防止膜材料を拡散させて薄く成膜させる方法である。
【特許文献１】特開2005−223130号公報
【特許文献２】特開2002−176156号公報
【特許文献３】特開平4−275459号公報
【特許文献４】特開平5−55371号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、スピンコート法を用いた反射防止膜形成工程では、当該スピンコート時に掛かる遠心力は基本的にウェハ表面に沿って作用するため、当該ウェハ表面から突出して設けられた微細なマイクロレンズの各々の表面に均一な塗布を施すことは困難であって、比較的塗布ムラを生じやすいという問題がある。
すなわち、半導体基板上にはマイクロレンズの形状に起因する微細な凹凸が存在するため、スピンコート法により高速でウェハ表面に拡散された塗布材料がレンズ頂部にまで届きにくく、結果的に各々のマイクロレンズ間で不均一な膜厚や塗布ムラ、画像シミが生じることがある。なお、このような問題については特許文献1にも記載されており、従来からの課題とされている。
【０００５】
このような問題に対し、特許文献4に記載の対策（図17）では、半導体装置のダイシングライン交差点に方形のいわゆるダミーパターンを障壁パターン（段差緩和構造体）として形成しておき、これを障壁として、スピンコート時におけるウェハ表面上の塗布材料の流速を調節して塗布ムラを防止する試みがなされている。しかしながら、当該技術は本来ウェハ表面自体への材料塗布を考慮したもので、ウェハ表面から突出して設けられるマイクロレンズについて塗布ムラや不均一な膜厚を改善する対策としては不十分である。
【０００６】
このように現在では、マイクロレンズ上に塗布を施す工程において、未だ改善する余地が存在する。
本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、固体撮像装置のマイクロレンズ上にスピンコート法を用いて材料塗布を行う場合において、塗布膜を均一且つ塗布ムラ無く形成し、画像シミのない固体撮像装置を実現することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は、半導体基板の片面に一群の受光素子が実装され、当該各受光素子の上にマイクロレンズが積層され、一の画像がマイクロレンズを通じて前記一群の受光素子に撮像される撮像領域が、当該基板表面において四隅を有するように配設された固体撮像装置であって、前記半導体基板の前記片面には、少なくとも前記撮像領域の四隅を囲繞するように、障壁パターンが形成されている構成とした。
【０００８】
ここで前記障壁パターンは、前記撮像領域の周囲を1重以上にわたり方形に囲むように配することもできる。
また、前記障壁パターンは、前記撮像領域の周囲を1重以上にわたり円形に囲むように配することもできる。
さらに前記半導体基板の厚み方向に沿った前記障壁パターンの高さが、前記障壁パターンが囲繞する撮像領域から遠ざかるにつれて漸減するように形成することもできる。
【０００９】
ここで前記障壁パターンは、前記半導体基板の平面方向に対し、前記撮像領域から漸減するように傾斜した頂部を有する構成とすることもできる。
また、前記障壁パターンは、前記撮像領域において各受光素子上に積層される前記マイクロレンズと同様のマイクロレンズが、複数にわたり形成されるようにすることもできる。
【００１０】
さらに本発明は、マイクロレンズが配された半導体基板表面の撮像領域に対し、その外縁部に障壁パターンを形成する障壁パターン形成工程と、前記障壁パターン形成工程後に前記マイクロレンズ表面に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程とを経る固体撮像装置の製造方法であって、前記障壁パターン形成工程では、縮小投影光学系及びグレースケールマスクを用いたフォトリソグラフィー法により、前記撮像領域の基板厚み方向高さよりも高く前記撮像領域を囲繞するように、段差緩和構造体としての障壁パターンを形成するものとした。
【００１１】
ここで前記障壁パターン形成工程では、グレースケールマスクとして、黒画素の粗密で表現された濃淡パターンとして透明シート等上に印刷してなる原画を、縮小投影光学系を用いて原画の各画素の像がぼけて隣接する画素の像と平均化されて解像できない倍率において、写真感材に複写したものを用いることもできる。
【発明の効果】
【００１２】
以上の特徴を持つ本発明の固体撮像装置によれば、撮像領域の四隅を囲繞するように、障壁パターンが配されているので、マイクロレンズ上に塗布材料を塗布した際には、当該塗布材料がすぐに流れ去るのを防止し、当該障壁パターンで囲まれる領域に一定の塗布材料を貯留することが可能である。そのため、スピンコート法でマイクロレンズ上に塗布する場合においても前記貯留された塗布材料を有効活用し、当該塗布に係る材料が不足するのを防いで、前記撮像領域に属する各マイクロレンズの上部にまで当該塗布材料を十分に供給できる。その結果、前記撮像領域に属するマイクロレンズ上に均一に塗布を施すことができ、画像シミ等の問題の発生を抑制することができる。
【００１３】
ここで本発明は、固体撮像装置の撮像領域の周囲に障壁パターンを設けることを特徴としているが、ここで言う「撮像領域」とは一定のマイクロレンズ集合体を示し、「撮像領域の周囲」とは、隣接する前記マイクロレンズ集合体の間を示すものとする。
なお、障壁パターンの断面形状としては、単一の方形状のみならずスロープ形状や階段状に高さが変化する形状のいずれかをとることができる。この場合、スロープ形状と階段状に高さが変化する形状においては隣り合うマイクロレンズ集合体同士の間隔の中間点にて、当該障壁パターンの高さが最低となることが必要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施の形態及び実施例を説明するが、当然ながら本発明はこれらの形式に限定されるものでなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。
（実施の形態1）  
＜固体撮像装置1の構成＞
図1は本実施の形態1の固体撮像装置1の模式的な部分拡大断面図である。また、図2は当該装置の模式的な部分上面図である。
【００１５】
図1に示す固体撮像装置1では、基板10の片面に受光素子（フォトダイオード）からなる一群の受光部2がマトリクス状に実装され、各受光部2の間に転送電極3が所定間隔毎に配設されている。各転送電極3は、遮光性絶縁膜4により被覆され、転送電極3の金属光沢により受光部2の外光検出が妨げられないように工夫されている。
基板10には、受光部2、転送電極3、遮光性絶縁膜4のいずれも覆うように、透明アクリル樹脂からなる平坦化膜5が面一に形成され、これにより平坦化膜5を備えた半導体基板11（ウェハ）が形成されている。
【００１６】
平坦化膜5の表面において、前記受光部2に対応する位置には、さらにアクリル系ポジ型感光性樹脂からなるマイクロレンズ6が形成されている。
これにより固体撮像装置1では、基板10に対し、前記受光部2及びマイクロレンズ6が同順に積層され、且つ、マトリクス状に集合形成されてなる1のユニットが撮像部9Xとして構成される。当該撮像部9xは、半導体基板の上面から見下ろした場合に、マイクロレンズの集合領域に対応した撮像領域9として認識される。図2では、撮像領域9の上面方向からのパターンはマトリクス状にマイクロレンズ6を集合させたパターンとしているが、当該マトリクス状に限らず、ハニカム状等、これ以外のパターンであってもよい。
【００１７】
ここにおいて本実施の形態1の固体撮像装置1の特徴は、隣接する撮像領域9の間におけるダイシング領域5Xにおいて、各撮像領域9を囲繞するように方形断面形状を持つダミーパターンとして、障壁パターン7が形成された点にある。この障壁パターン7により、以下に示す反射防止膜形成工程時において、マイクロレンズ6上の反射防止膜8が従来に比べて均一に塗布され、良好な撮像性能が呈されるようになっている。
【００１８】
固体撮像装置1の製造方法は、以下のように、マイクロレンズ形成工程、障壁パターン形成工程、反射防止膜形成工程を順次経ることにより行うことができる。
基板10片面に配設された各々の受光部2に対し、アクリル系ポジ型感光性樹脂を用いてマイクロレンズを形成する（マイクロレンズ形成工程）。
その後、マイクロレンズが配された半導体基板表面の撮像領域9に対し、その外縁部に障壁パターンを形成する。（障壁パターン形成工程）。
【００１９】
ここで障壁パターン7の形成工程としては、一例として、まず前記マイクロレンズ6が形成されたウェハ表面に、ポジ型感光性材料を3〜5cc程度滴下する。そして、スピンコーターを1500〜3000rpmでメイン回転させ、塗布形成する。
続いて、滴下したポジ型感光性材料中の溶剤を80℃〜100℃の温度で30秒〜80秒程度加熱して、これを揮発させる。この状態において、撮像領域9以外の領域を遮光するパターンを有するフォトマスクを用い、紫外線露光および現像を行う。
【００２０】
ここで「撮像領域9以外の領域」とは、周辺回路のみならずスクライブ位置を含む撮像領域9以外の領域である。
以上の工程によって、撮像領域9以外の領域に方形状の障壁パターン7を形成することができる。
その後はマイクロレンズ6上に所定の塗布材料を塗布し、反射防止膜を形成する（反射防止膜形成工程）。
【００２１】
＜反射防止膜形成工程時の効果について＞
次に、本発明の反射防止膜形成工程時の効果につき、従来技術で発生する塗布不良の考察とともに説明する。
図18はマイクロレンズ6上への塗布形態を示す断面図であり、図面左側が膜厚均一な状態、図面右側が膜厚均一ではないが表面が平滑な状態をそれぞれ示す。一方、図19は塗布ムラ8Yが発生した様子を模式的に表す断面図である。
【００２２】
図19のように、スピンコート時にマイクロレンズ6に塗布材料8Xを塗布する際に発生する塗布ムラ8Yの程度は、巨視的にはマイクロレンズ6を被覆する材料表面の粗さとなって現れる。言い換えれば、「塗布ムラがない」という状態は、図18右側のようにマイクロレンズ6上に塗布材料8Xにより平滑な表面を持つ膜が形成された状態を指す。
具体的には、「塗布ムラ」とはマイクロレンズ6上への塗布材料の表面に不要な凹凸の厚みの差が生じたものであるが、この厚みの凹凸は、外観的にはマイクロレンズ6表面に配された塗布材料において、一定の長さを持った溝となって現れる。
【００２３】
一般に固体撮像装置では、マイクロレンズ6の全体的な厚み等の理由により、マイクロレンズ6が周辺の半導体基板の表面から0．5〜2μｍ程度高くなっているので、当該基板全体として凹凸断面形状を持つ前記溝が多数存在する形状となっている。このような基板表面に通常のスピンコート法に基づいて、ウェハをスピンさせても、当該スピンによる遠心力は単にウェハ表面に沿って及ぶだけであるため、マイクロレンズ6における塗布材料の拡散程度がその部分においてばらつき易い。
【００２４】
すなわちマイクロレンズの構造上、マイクロレンズ下部では表面積が広く、頂部に近づくにつれて表面積が小さいため、スピンコート時にはマイクロレンズの下部と上部で単一時間中に塗布材料が拡散される範囲に違いが生じ、マイクロレンズの下部を良好に塗布できても、同一の条件で頂部まで均一に塗布することは困難である。
以上の原理により、ウェハに滴下した材料をそのままマイクロレンズ全体にスピンコートしようとしても、マイクロレンズの頂部まで塗布材料が良好に届かない他、塗布ムラや膜厚の不均一が生じる。そしてこの問題により、最終的には撮像画像に筋状の像（いわゆる「画像シミ」）が現れるという固体撮像装置の画像特性劣化が生じうる。
【００２５】
そこで本実施の形態1では、撮像領域9の周辺部を障壁パターン7で囲繞するものとした。ここで、より好ましくは当該撮像領域9中のマイクロレンズ6の高さよりも障壁パターン7を高く設定することで、当該塗布ムラ等の問題を低減することができる。
なお「周辺部」とは、具体的にはマイクロレンズ6が集積した箇所以外の領域を意味し、マイクロレンズ6以外の周辺回路，OB部，パッドおよびダイシング（スクライブ）位置が含まれる。
【００２６】
すなわち本発明よれば、スピンコート法による塗布時には、以下のステップで本発明の効果が得られる。
1、塗布材料がウェハ表面に滴下されると、まず障壁パターン7内に塗布材料が貯留される。これにより、障壁パターン7内におけるマイクロレンズ6のすぐ近傍で、当該マイクロレンズ6の頂部に塗布するための十分な塗布材料が蓄えられる。
【００２７】
2，その後、ウェハがスピンされると、前記貯留された塗布材料にウェハ平面に沿って遠心力が働き、塗布材料が水平移動することで、当該材料がマイクロレンズ6の頂部までリフトアップされる。このためスピンコートによってもマイクロレンズ6の形状にほぼ依存しないで、当該マイクロレンズ6の全表面にわたり塗布材料が良好に拡散される。  
3、以上の原理により、マイクロレンズ6の全体にわたり、均一に塗布を施すことが可能となる。
【００２８】
なお、上記塗布材料の貯留を良好に行い、リフトアップの効果を図るために、障壁パターン7の高さはマイクロレンズ6の高さ以上とすることがより好ましい。
また、上記実施の形態1ではマイクロレンズ6にポジ型レジストを塗布する場合について述べたが、ネガ型レジストにおいてもフォトマスクにより遮光領域を適切に選択することにより同様の構造を形成することができる。
（実施の形態2及び3）  
以下、実施の形態2について、実施の形態1との差異を中心に説明する。図3、図4はそれぞれ実施の形態2の固体撮像装置1aの断面図、上面図を表す。
【００２９】
固体撮像装置1aの特徴は、図3に示すように、各撮像領域9を囲繞する障壁パターン7aの断面形状を略直角三角形とし、その斜面（スロープ）高さが撮像領域9から遠ざかる方向に漸減するように構成した点にある。また、ダイシング領域5Xには障壁パターン7aを配設していない。前記障壁パターン7aの高さは実施の形態1と同様である。
当該障壁パターン7aは実施の形態1と同様の感光性材料で構成されるが、前記スロープの形成には異なり透過率が0％以上100％以下の間で連続的な透過率分布を有しているグレイスケールマスクを利用する。
【００３０】
具体的には、いわゆるフォトリソグラフィー法に基づき、マイクロレンズ6以外の領域に感光性材料を配設し、微細パターンの開口面積比で透過率を調整したグレイスケールマスクを介して露光することで、透過率が0％以上100％以下の間で連続的に変化させた感光量により前記感光性材料を露光できる。その結果、前記スロープ形状の障壁パターン7aを形成を形成することができる。スロープの角度は、前記グレイスケールマスクの透過率を予め調節することで、自由に制御可能であり、塗布材料の粘度や溶剤種に応じて感光性材料の厚み調節を容易に行える。
【００３１】
前記グレイスケールマスクについては、次のように作製することができる。まず、黒画素の粗密で表現された濃淡パターンとして透明シート等上に原画を印刷する。その原画を縮小投影光学系を用いて、原画の各画素の像がぼけて隣接する画素の像と平均化されて解像できない倍率で写真感材に複写する。以上で前記グレースケールマスクが形成される。
以上の構成を持つ実施の形態2の固体撮像装置1aにおいても、実施の形態1とほぼ同様に、塗布ムラの少ない塗布が行える効果が奏されるほか、略直角三角形の断面形状を持つ障壁パターン7aでは上記方形状の断面形状を持つ障壁パターン7よりも体積が小さいので、当該障壁パターン7aを形成する上で材料が少なくて済むというメリットがある。
【００３２】
なお、実施の形態2の固体撮像装置1aでは、上面から見て方形状の障壁パターン7aとしたが、本発明はこれに限定されず、図5の実施の形態3に掛かる固体撮像装置1bに示すように、円形若しくは楕円形の障壁パターン7bとしてもよい。障壁パターンをこのような角のない形状にすれば、スピンコート時にはダイシング領域5Xにおいて、余分な塗布材料が早く流れ去り、良好に回収等できるので、塗布効率の向上が期待できる。
（実施の形態4及び5）
以下、実施の形態4について、その特徴点を中心に説明する。本発明の実施の形態4の断面図を図6に、上面図を図7に示す。
【００３３】
本実施の形態4の固体撮像装置1cの特徴は、実施の形態2をベースとし、撮像領域9の周囲に幅の狭いリング状体を一定間隔をおいて何重にも配設することで、障壁パターン7cを構成した点にある。障壁パターン7cにおける各リング状体は、撮像領域9から遠ざかるにつれて低く設定されている。
このような障壁パターン7cをもつ実施の形態4の固体撮像装置1cにおいても、実施の形態2とほぼ同様の効果が奏される。また、スピンコートした場合に基板表面の中心から放射状に流れる塗布材料が、撮像領域9に流れ込む際に、前記リング状体によって速度的及び量的に調整され、飛び散り等の問題発生が抑制されるといった効果も期待できる。
【００３４】
なお、実施の形態4では図8に示すように、障壁パターン7c’において、前記ウェハの平面方向に対し、前記撮像領域から漸減するように傾斜したスロープ状の頂部を形成することもできる。このような構成にすれば、実施の形態3と同様に、当該障壁パターン7c’を形成する上で、当該パターンに用いる材料を低減できるメリットがある。
また、実施の形態4では、上面から見て方形状の障壁パターン7cとしたが、本発明はこれに限定されず、図9の実施の形態5の固体撮像装置1dに示すように、円形若しくは楕円形の障壁パターン7dとしてもよい。こうすれば実施の形態3と同様に、障壁パターンをこのような角のない形状にすることで、スピンコート時にダイシング領域5Xにおいて、ウェハ表面から余分な塗布材料が早く流れ去るので、前記塗布効率を改善することが望める。
（実施の形態6）
以下、実施の形態6について、その特徴点を中心に説明する。本発明の実施の形態6の断面図を図10に、上面図を図11に示す。
【００３５】
本実施の形態6の固体撮像装置1eの特徴は、実施の形態2をベースとし、方形状の撮像領域9の四隅にのみ障壁パターン7eを設けた特徴を有する。当該障壁パターン7eの作製方法としては、実施の形態2と同様にグレースケールマスクを利用した感光性材料により作製することができる。
このような構成をもつ実施の形態6の固体撮像装置1eにおいても、実施の形態2とほぼ同様の塗布ムラのない塗布効果が奏されるほか、以下の効果も期待できる。
【００３６】
すなわち、例えば塗布材料の粘度が或程度高い場合には、スピンコート法において滴下した塗布材料がすぐには拡散しにくいので、このような障壁パターン7eの構成でもある程度撮像領域9内に塗布材料を貯留させることが可能となる。
また通常、マイクロレンズ集合体は方形パターンに配置されるため、マイクロレンズ集合体の角部（四隅のうちいずれか）がウェハ中心に近接している。ここで主要な塗布ムラは、この近接したマイクロレンズ6の形状による材料供給の不均一によって発生するため、この角部近傍に部分的なスロープを設ける必要がある。これに対し本実施の形態6は、障壁パターン7eが実施の形態2と同様に傾斜面を有しているため、ウェハ表面内で最も低い位置から、塗布材料が前記障壁パターン7eのスロープに沿ってマイクロレンズ6の頂部までリフトされる効果も期待できる。この効果により、撮像領域9の四隅近傍における塗布の不均一性を減らすことができる。
【００３７】
さらに、スピンコート時には塗布材料は遠心力により方形状の撮像領域9の四隅に集中しやすいので、少なくとも当該撮像領域9の四隅において塗布材料を確実にサポートできれば、マイクロレンズ6頂部までリフトアップでき、ほぼ確実に塗布することが期待される。
なお、障壁パターン7eの高さについては、実施の形態1と同様にマイクロレンズ6の高さと同一もしくはそれ以上であることが望ましい。
（実施の形態7）
図12は、実施の形態7の固体撮像装置1fの断面図、図13は装置1fの上面図である。
【００３８】
本実施の形態7の特徴は、ウェハ表面の全体にマイクロレンズを配設し、このうちダイシング領域に位置するマイクロレンズをダミーのレンズ6aとした点にある。撮像領域９は、実施の形態1と同様にマトリクス状に形成されている。なお、当図では便宜上、マイクロレンズ6、6aを区別できるように図示してるが、実際は外観上の違いはない。
このような構成によれば、スピンコート時においてウェハ表面に滴下される塗布材料は、当該ウェハ表面の全体領域に対して均一に拡散されるため、各マイクロレンズ6、6aへの塗布条件を同じにすることができる。その結果、マイクロレンズ6、6a毎に発生する塗布ムラを抑制できるので、マイクロレンズ6への塗布をバラツキなく行う上では好適な構成と言える。  
（その他の事項）
なお、本発明において各実施の形態で言及している障壁パターンは、マイクロレンズ6上の塗布に供されることを主眼とするものであるが、障壁パターン自体についてはダミーパターンとしてウェハ加工において従来から他の目的で用いられる場合がある。従って、本発明で用いる障壁パターンを、従来のダミーパターンと共用化させるように工夫してもよい。この場合、ダミーパターンを2度別々に用いるよりも合理的であり、製造コストの低減効果も望めるので有利である。
【００３９】
具体的には、例えば、従来から多用されている中空パッケージ構造に代えて、受光部及び浮遊拡散部が形成された半導体基板に透光性板材を透光性接着剤で直接貼着する直貼り構造を用いる場合には、浮遊拡散部上に透光性接着剤が覆われるのを防止するため、堰部に接着剤付着防止用ダミーパターンが用いられることがある。このような場合には、当該接着剤付着防止用ダミーパターンと本発明の障壁パターンとを共用化させることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、半導体基板を用いて形成される固体撮像装置に利用可能であって、特にその製造工程において、マイクロレンズ構造の上部に液状物質を均一に塗布することが出来、固体撮像装置の高付加価値化に寄与できる点で有用である。なお、マイクロレンズは固体撮像装置のみに限定されず液晶プロジェクターや光通信コネクターに用いられているため、この分野においても効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態1の固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態1の固体撮像装置の構成を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態2の固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態2の固体撮像装置の構成を示す上面図である。
【図５】本発明の実施の形態3の固体撮像装置の構成を示す上面図である。
【図６】本発明の実施の形態4の固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態4の固体撮像装置の構成を示す上面図である。
【図８】本発明の実施の形態4の変形例の固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態5の固体撮像装置の構成を示す上面図である。
【図１０】本発明の実施の形態6の固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態6の固体撮像装置の構成を示す上面図である。
【図１２】本発明の実施の形態7の固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態7の固体撮像装置の構成を示す上面図である。
【図１４】LB法による成膜の概要を模式的に示す図である。
【図１５】LB法による成膜の概要を模式的に示す図である。
【図１６】LB法による成膜の概要を模式的に示す図である。。
【図１７】従来のダミーパターン形状を示す固体撮像装置の上面図である。
【図１８】従来のマイクロレンズ上への塗布形態（断面図）を示す図である。
【図１９】マイクロレンズ上に塗布ムラが発生した様子を模式的に表す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
1    半導体基板（ウェハ）
2    受光部
3    転送電極
4    遮光性絶縁膜
5    平坦化膜
5X    ダイシング領域
6    マイクロレンズ
7、7a〜7e、7c’    障壁パターン（ダミーパターン）
8    反射防止膜
9    撮像領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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