(57)【要約】【課題】  ユースポイントに供給する研磨液の流量調整を正確かつ簡単に行うことを可能にする。【解決手段】  ユースポイントＵＰ（研磨パッド４２の下面）に所要流量の研磨液を供給する研磨液供給装置７０が、研磨液圧送源７１より圧送された研磨液をユースポイントＵＰに導く研磨液通路７２と、この研磨液通路７２の中間部における研磨液の通過流量を計測する流量計７３と、流量計７３の下流側に設けられ、開度に応じた流量の研磨液を通過させる流量調整弁７４と、流量計７３において計測された研磨液の通過流量に応じて流量調整弁７４の開度調整を行い、上記ユースポイントＵＰから流出する研磨液の流量を所望の値に制御する研磨液流量制御装置７５とを備えて構成される。【選択図】  図１
2007222949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユースポイントに所要流量の液体を供給する液体供給装置において、
液体圧送源より圧送された液体を前記ユースポイントに導く液体通路と、
前記液体通路の中間部における液体の通過流量を計測する流量計測手段と、
前記流量計測手段の下流側に設けられ、開度に応じた流量の液体を通過させる流量調整弁と、
前記流量計測手段において計測された液体の通過流量に応じて前記流量調整弁の開度調整を行い、前記ユースポイントから流出する液体の流量を所望の値に制御する液体流量制御手段とを備えたことを特徴とする液体供給装置。
【請求項２】
前記液体通路における前記流量計測手段の上流側に定圧弁を備えたことを特徴とする請求項１記載の液体供給装置。
【請求項３】
被研磨物を保持する定盤と、前記定盤に保持された前記被研磨物の被研磨面と対向する面に研磨パッドが取り付けられた研磨ヘッドと、前記被研磨物と前記研磨パッドとの接触面に研磨液を供給する研磨液供給手段を有して構成され、前記研磨パッドを前記被研磨物の前記被研磨面に接触させるとともに、前記研磨パッドの面をユースポイントとして前記研磨液供給手段より研磨液を供給しつつ、前記被研磨物と前記研磨ヘッドとを相対移動させて前記被研磨面の研磨を行う研磨装置において、
前記研磨液供給手段が請求項１又は２記載の液体供給装置からなることを特徴とする研磨装置。
【請求項４】
前記ユースポイントが前記研磨面と前記研磨パッドとの接触面であることを特徴とする請求項３記載の研磨装置。
【請求項５】
前記被研磨物が半導体ウエハであり、請求項３又は４記載の研磨装置を用いて前記半導体ウエハの表面を研磨加工する工程を有したことを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば研磨装置において被研磨物の被研磨面と研磨パッドとの接触面に液体（研磨液）を供給する液体供給装置に関する。また本発明は、この液体供給装置を備えて構成される研磨装置及びこの研磨装置を用いて半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣ構造の微細化・複雑化に伴って半導体ウエハに形成する多層配線の層数は増加する傾向にあり、各薄膜形成後に行うウエハ表面の平坦化はより重要なものになってきている。各薄膜形成後に行う表面平坦化の精度が悪く凹凸が増えると表面段差が大きくなってしまい、配線間の絶縁不良やショート等が発生するおそれがある。また、リソグラフィ工程においては、ウエハの表面に凹凸が多いとピンぼけが生じることがあり、微細なパターンが形成できなくなることもある。
【０００３】
従来、半導体ウエハ表面を精度良く平坦化する技術としてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）法が知られており、この方法を実施する装置としてＣＭＰ装置と呼ばれる研磨装置が用いられている。このＣＭＰ装置は、一般には、シリカ粒子を含んだ研磨液（スラリーと呼ばれる）をウエハ表面（被研磨面）と研磨パッドとの接触面に供給しながら、研磨ヘッドをウエハに対して相対移動させて研磨する構成となっている。
【０００４】
このようなＣＭＰ装置等の研磨装置において、研磨液は半導体ウエハと研磨パッドとの間の接触圧や相対移動速度、更には研磨パッドのへたり具合などの諸条件を考慮して定められた所定流量でユースポイント（ここではウエハの被研磨面と研磨パッドとの接触面）に供給される。これによりウエハの研磨レートは所要の値に維持されるので、精度よい研磨を行うことができるようになっている。
【特許文献１】特表２００１−５１５４１２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の研磨装置において、研磨液の流量調整をダイヤフラムポンプの回転数調整により行う構成である場合には、（１）ダイヤフラムポンプはその構成上、研磨液の吸入路及び吐出路中にチェック弁が必要であるが、これらチェック弁は研磨液が固化した場合（いわゆるスクラッチ現象）には液漏れが生じて所要の流量制御性能を発揮できなくなることがある。（２）研磨液圧送源の圧力変動（いわゆる脈動）の影響が大きいため、研磨開始前のキャリブレーションにおいて多くのサンプル点での計測が必要であり、実際の研磨中において上記ユースポイントに供給し得る研磨液の流量は必ずしも正確にはできない、という問題があった。
【０００６】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、ユースポイントに供給する液体（例えば研磨液）の流量調整を正確かつ簡単に行うことが可能な構成の液体供給装置を提供することを目的としている。また本発明は、このような液体供給装置を備えて構成される研磨装置及びこの研磨装置を用いて半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するため、請求項１に係る発明の液体供給装置は、ユースポイントに所要流量の液体を供給する液体供給装置において、液体圧送源より圧送された液体を前記ユースポイントに導く液体通路と、前記液体通路の中間部における液体の通過流量を計測する流量計測手段と、前記流量計測手段の下流側に設けられ、開度に応じた流量の液体を通過させる流量調整弁と、前記流量計測手段において計測された液体の通過流量に応じて前記流量調整弁の開度調整を行い、前記ユースポイントから流出する液体の流量を所望の値に制御する液体流量制御手段とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
請求項２に係る発明の液体供給装置は、請求項１記載の液体供給装置において、前記液体通路における前記流量計測手段の上流側に定圧弁を備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項３に係る発明の研磨装置は、被研磨物を保持する定盤と、前記定盤に保持された前記被研磨物の被研磨面と対向する面に研磨パッドが取り付けられた研磨ヘッドと、前記被研磨物と前記研磨パッドとの接触面に研磨液を供給する研磨液供給手段を有して構成され、前記研磨パッドを前記被研磨物の前記被研磨面に接触させるとともに、前記研磨パッドの面をユースポイントとして前記研磨液供給手段より研磨液を供給しつつ、前記被研磨物と前記研磨ヘッドとを相対移動させて前記被研磨面の研磨を行う研磨装置において、前記研磨液供給手段が請求項１又は２記載の液体供給装置からなることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に係る発明の研磨装置は、請求項３記載の研磨装置において、前記ユースポイントが前記研磨面と前記研磨パッドとの接触面であることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に係る発明の半導体デバイス製造方法は、前記被研磨物が半導体ウエハであり、請求項３又は４記載の研磨装置を用いて前記半導体ウエハの表面を研磨加工する工程を有したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る液体供給装置では、流量計測手段において計測した実際の液体流量に基づいて、その下流側に配置された流量調整弁の開度調整を行う構成になっているので、ユースポイントに供給される液体の流量調整を正確かつ簡単に行うことが可能である。また、本発明に係る研磨装置によれば、上述した液体供給装置が設けられているため、研磨レートを所要の値に保持した効率よい正確な研磨を行うことが可能である。また、本発明に係るデバイス製造方法では、上述した研磨装置を用いて研磨工程（ＣＭＰ工程）を行うため研磨工程の歩留まりが向上し、従来のデバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。図２は本発明の一実施形態に係る液体供給装置が適用されたＣＭＰ装置１であり、このＣＭＰ装置１が本発明の一実施形態に係る研磨装置に該当する。このＣＭＰ装置１は、被研磨物たる半導体ウエハ（以下、単にウエハと称する）Ｗをその表面（被研磨面）が上方に露出する状態で保持する回転定盤５と、この回転定盤５の上方に設置され、回転定盤５に保持されたウエハＷの表面（被研磨面）と対向する研磨パッド４２を下面に有した研磨ヘッド２０とを備えて構成されている。このＣＭＰ装置１では、研磨パッド４２の直径はウエハＷの直径よりも小さく、研磨パッド４２をウエハＷに上方から接触させた状態で双方を相対移動させることによりウエハＷの表面全体を研磨できるようになっている。
【００１４】
回転定盤５及び研磨ヘッド２０を支持する支持フレーム２は、水平な基台３と、この基台３上にＹ方向（紙面に垂直な方向）に延びて設けられたレール（図示せず）上を移動自在に設けられた第１ステージ６と、この第１ステージ６から垂直に延びて設けられた垂直フレーム７と、この垂直フレーム７上を移動自在に設けられた第２ステージ８と、この第２ステージ８から水平に延びて設けられた水平フレーム９と、この水平フレーム９上を移動自在に設けられた第３ステージ１０とを有して構成されている。
【００１５】
第１ステージ６内には第１電動モータＭ１が設けられており、これを研磨作動制御装置６０より回転駆動することにより第１ステージ６を上記レールに沿って（すなわちＹ方向に）移動させることができる。第２ステージ８内には第２電動モータＭ２が設けられており、これを研磨作動制御装置６０より回転駆動することにより第２ステージ８を垂直フレーム７に沿って（すなわちＺ方向に）移動させることができる。また、第３ステージ１０内には第３電動モータＭ３が設けられており、これを研磨作動制御装置６０より回転駆動することにより第３ステージ１０を水平フレーム９に沿って（すなわちＸ方向に）移動させることができる。このため、上記電動モータＭ１，Ｍ２，Ｍ３の回転動作を組み合わせることにより、第３ステージ１０を回転定盤５上方の任意の位置に移動させることが可能である。
【００１６】
回転定盤５は基台３上に設けられたテーブル支持部４から上方に延びて設けられた回転軸５ａの上端部に水平に取り付けられている。この回転軸５ａはテーブル支持部４内に設けられた第４電動モータＭ４を研磨作動制御装置６０より回転駆動することによりＺ軸回りに回転させることができ、これにより回転定盤５をＸＹ面内で回転させることができる。
【００１７】
研磨ヘッド２０は第３ステージ１０から下方に延びて設けられたスピンドル１６の下端部に取り付けられている。このスピンドル１６は第３ステージ１０内に設けられた第５電動モータＭ５を研磨作動制御装置６０より回転駆動することによりＺ軸回りに回転させることができ、これにより研磨ヘッド２０全体を回転させて研磨パッド４２をＸＹ面内で回転させることができる。また、スピンドル１６は第３ステージ１０内に設けられた研磨ヘッド２０を昇降移動させる昇降機構としてのエアシリンダ１７の駆動により上下方向に移動可能となっている
【００１８】
研磨ヘッド２０は図３に示すように、ウエハＷの上方においてウエハＷの表面（被研磨面）と対向するように下方に開口した中空形状の研磨体保持体２１と、この研磨体保持体２１の下部に水平に取り付けられた円盤状のドライブリング２６と、このドライブリング２６の下面にドライブリング２６と一定間隔をおいて設けられた円盤状のダイヤフラム２７と、このダイヤフラム２７の下面側に設けられた厚板円盤状の第１プレート２９と、この第１プレート２９の下面に吸着取り付けされた研磨体４０とを有して構成されている。
【００１９】
研磨体保持体２１はスピンドル１６の下部に取り付けられた筒状部２２と、筒状部２２に螺子Ｎ１により結合されて下方に拡がる形状を有した傘状部２３と、傘状部２３の下部に螺子Ｎ２により結合されたストッパ部材保持リング２４と、このストッパ部材保持リング２４の下部に螺子Ｎ３により結合され、内周面の下部に内方に突出して延びて設けられたストッパ２５ａを有したストッパ部材２５とから構成されている。
【００２０】
ドライブリング２６は可撓性のある（例えば金属製の）薄板部材からなっており、ダイヤフラム２７はゴム等の弾性材料から構成されている。これらドライブリング２６とダイヤフラム２７は、ストッパ部材保持リング２４と、ストッパ部材保持リング２４の下方に設けられた薄板状の金属板からなるリング状プレート２８との間に挟持されるようにして取り付けられている。リング状プレート２８は螺子Ｎ４によりストッパ部材保持リング２４に結合されており、したがってドライブリング２６及びダイヤフラム２７はそれぞれの外周縁が研磨体保持体２１に対して固定された状態となっている。
【００２１】
第１プレート２９は上面がダイヤフラム２７の下面と接触した状態で、螺子Ｎ５，Ｎ６により結合用プレート３０とともに共締めされる。第１プレート２９の内部には下面に複数の吸着開口を有する空気吸入路２９ａが形成されており、この空気吸入路２９ａの一端側は結合用プレート３０内を延びて外部（結合用プレート３０の上方）に開口している。この開口部にはスピンドル１６の内部を上下方向に貫通形成されたエア供給路１６ａ内を上下方向に延びた空気吸入管５１の端部が接続されている。
【００２２】
研磨体４０は第１プレート２９とほぼ同じ外径を有する厚板円盤状の第２プレート４１と、この第２プレート４１の下面に取り付けられた円盤状の研磨パッド４２とから構成される。研磨パッド４２はウエハＷの研磨により次第に摩耗劣化していく消耗品であり、その交換作業を容易にするため、第２プレート４１の下面に接着剤や粘着テープ等により着脱自在に取り付け可能になっている。ここで、研磨体４０は、第１プレート２９の下面側に第２プレート４１を位置させた状態で真空源５０より上記空気吸入管５１及び空気吸入路２９ａを介して空気を吸入することにより、第２プレート４１を第１プレート２９の下面に吸着取り付けすることが可能である。なお、第２プレート４１はこれに取り付けられる芯出しピン４３と位置決めピン４４とにより、第１プレート２９に対する芯出しと回転方向の位置決めとがなされるようになっている。
【００２３】
第１プレート２９は、研磨パッド４２がウエハＷの表面と接触していない状態では、研磨体保持体２１のストッパ２５ａに上方から当接した状態となる。但し、第１プレート２９は上述のように螺子Ｎ５，Ｎ６によりドライブリング２６に結合されているため、第１プレート２９がストッパ２５ａに当接している状態では、ドライブリング２６は塑性変形しない範囲で（弾性領域の範囲内で）下方に撓んだ姿勢をとる。
【００２４】
スピンドル１６の内部に形成された上記エア供給路１６ａはエア圧送装置１５と繋がっており、このエア圧送装置１５からエア（高圧空気）を圧送供給することにより研磨体保持体２１の傘状部２３の内壁とダイヤフラム２７とにより形成される圧力室３１内に空気圧を供給して圧力室３１内の圧力を高め、ドライブリング２６を介して研磨体４０全体を下方に付勢することができるようになっている。なお、この圧力室３１内の圧力の大きさを加減することにより、ウエハＷ表面に研磨パッド４２を接触させたときの接触圧を所望に調整することが可能である。
【００２５】
また、スピンドル１６のエア供給路１６ａ内には研磨液供給装置７０と繋がる研磨液供給管５３が延びており、その端部が結合用プレート３０内を上下方向に貫通する研磨液流路３０ａに上方から接続されている。また、芯出しピン４３内には研磨液流路４３ａが上下方向に延びて設けられており、この研磨液流路４３ａは第２プレート４１内を延びてその下面に開口した研磨液流路４１ａに連通している。
【００２６】
次に、このＣＭＰ装置１を用いてウエハＷの研磨を行う手順について説明する。これには先ず、回転定盤５の上面に研磨対象となるウエハＷを吸着取り付けする。回転定盤５にウエハＷが取り付けられたら、研磨作動制御装置６０より電動モータＭ４を駆動して回転定盤５を水平面内で回転させる。次に研磨作動制御装置６０より電動モータＭ１〜Ｍ３を駆動して第３移動ステージ１０をウエハＷの上方に位置させ、電動モータＭ５によりスピンドル１６を駆動して研磨ヘッド２０を回転させる。続いてエアシリンダ１７を研磨作動制御装置６０より駆動して研磨ヘッド２０を下降させ、研磨パッド４２がウエハＷの表面に上方から接触するようにする。
【００２７】
研磨パッド４２がウエハＷの表面に接触したら、前述のエア圧送装置１５からエアを圧送供給して圧力室３１内の圧力を高め、この圧力によりドライブリング２６、第１プレート２９及び第２プレート４１を介して研磨体４０をウエハＷの表面に押し付けるようにする。そして、圧力室３１内に供給するエアの圧力を調整してウエハＷと研磨パッド４２との接触圧が所望の値になったら、研磨作動制御装置６０より電動モータＭ1，Ｍ２を駆動して研磨ヘッド２０をＸＹ方向（ウエハＷと研磨パッド４２との接触面の面内方向）に揺動させる。また、ウエハＷの研磨中には、前述の研磨液供給装置７０より研磨液（シリカ粒を含んだスラリー）を圧送して研磨パッド４２の下面側に研磨液が供給されるようにする。
【００２８】
このようにウエハＷの表面は、研磨液の供給を受けつつウエハＷ自身の回転運動と研磨ヘッド２０の（すなわち研磨パッド４２の）回転及び揺動運動とにより満遍なく研磨される。ここで、第１プレート２９は前述のように可撓性のあるドライブリング２６を介して取り付けられているため面外方向への微小変形が可能であり、本ＣＭＰ装置１各部の組み付け誤差等により、回転定盤５の回転軸５ａと研磨ヘッド２０の回転軸（スピンドル１６）との平行度が充分でなかった場合であっても、第１プレート２９及び第２プレート４１はこれに応じてフレキシブルに傾動（追従）するので、ウエハＷと研磨パッド４２との接触状態は良好に保たれる。
【００２９】
ここで、研磨液供給装置７０からは常に所定流量の研磨液が供給される必要がある。次に、この研磨液供給装置７０の構成について説明する。
【００３０】
研磨液供給装置７０は、図１に示すように、ＣＭＰ装置１の外部に設けられた研磨液圧送源７１と、この研磨液圧送源７１より圧送された研磨液をユースポイントＵＰであるウエハＷの表面（被研磨面）と研磨パッド４２との接触面（すなわち研磨パッド４２の下面）に導く研磨液通路７２と、この研磨液通路７２の中間部における研磨液の通過流量を計測する流量計７３と、この流量計７３の下流側に設けられ、開度に応じた流量の研磨液を通過させる流量調整弁７４と、流量計７３において計測された研磨液の通過流量に応じて流量調整弁７４の開度調整を行い、上記ユースポイントＵＰから流出する研磨液の流量を所望の値に制御する研磨液流量制御装置７５とを備える。また、流量計７３の上流側には空気駆動型開閉弁７６、定圧弁７７及びフィルタ７８がこの順で設けられている。
【００３１】
流量計７３は、自身を通過する研磨液の流量に応じて発生した出力電流を研磨液流量制御装置７５に出力し、研磨液流量制御装置７５はその電流に応じた開度になるように流量調整弁７４を操作する。ここで、研磨液流量制御装置７５には、流量計７３より出力された電流の値と流量調整弁７４の開度との関係を予め定めたデータが記憶されている。このため、ユースポイントＵＰから流出する研磨液の流量は流量計７３において計測された研磨液の流量に応じた所望の値に制御されることとなる。ここで、例えば流量計７３が出力する電流が、この流量計７３を通過する研磨液の流量に比例したものであるならば（すなわち流量リニアリティが確保されているのであれば）、流量調整弁７４における流量調整制御が容易であるのみならず、設定しようとする流量ごとにキャリブレーションを行う必要がなくなる。
【００３２】
定圧弁７７は、その上流（一次）側（すなわち研磨液圧送源７１側）の通路７２ｂ内の圧力をこれよりも小さい一定の圧力に制御して下流（二次）側（すなわち流量計７３側）の通路７２ｃ内に供給する働きをする。これにより研磨液圧送源７１側の圧力の変動、いわゆる脈動が抑えられるので（図４参照）、上流側の圧力変動の影響により下流側における流量制御が困難になり、或いは流量制御の精度が低下する事態を効果的に防止することができる。なお、定圧弁７７の設定圧は、エア供給源８１からエア供給路８２内に供給されるエアをレギュレータバルブ８３に調圧して操作エアを得、これを定圧弁７７に与えることにより自由に変化させることができる。このため、目標研磨レート等の諸条件に応じて下流側の通路７２ｃ内の圧力を所望の値に設定することができ、状況に合わせた効率のよい研磨を行うことが可能である。
【００３３】
空気駆動型開閉弁７６は三方弁であり、その上流側に位置する通路７２ａと下流側に位置する通路７２ｂのほか、フラッシング用管路９２と繋がっている。このフラッシング用管路９２はフラッシング用の洗浄液供給源９１と繋がっており、フラッシング用管路９２中には空気駆動型の開閉弁９３が介装されている。フラッシング、すなわち洗浄を行うときには、空気駆動型開閉弁７６により上流側に位置する通路７２ａと下流側に位置する通路７２ｂとの連通を遮断するとともに、フラッシング用管路９２と下流側に位置する通路７２ｂとを連通させた状態に開閉弁９３を切り換え、研磨液流量制御装置７５から流量調整弁７４を全開にする操作を行う。これにより洗浄液供給源９１から圧送された洗浄液がフラッシング用管路９２から空気駆動型開閉弁７６経由で下流側に位置する通路７２ｂ内に供給され、ユースポイントＵＰに至るまでの通路内に付着した研磨液のかす等を洗浄・除去することができる。
【００３４】
このように本研磨液供給装置７０では、流量計７３において計測した実際の研磨液流量に基づいて、その下流側に配置された流量調整弁７４の開度調整を行う構成になっているので、ユースポイントＵＰに供給される研磨液の流量調整を正確かつ簡単に行うことが可能である。また、本研磨液供給装置７０を備えたＣＭＰ装置１によれば、上述した研磨液供給装置７０を有しているため、研磨レートを所要の値に保持した効率よい正確な研磨を行うことが可能である。なお、上述の実施形態において示した研磨液圧送源７１は、例えば工場内に固定設置された設備として構成されるものは勿論、研磨液が蓄えられた研磨液収容容器とこれに繋がるポンプ、開閉バルブ等が一体に形成された移動可能な設備として構成されているものであってもよい。
【００３５】
次に、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施形態について説明する。図５は半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。半導体製造プロセスをスタートすると、先ずステップＳ２００で次に挙げるステップＳ２０１〜Ｓ２０４の中から適切な処理工程を選択し、いずれかのステップに進む。ここで、ステップＳ２０１はウエハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップＳ２０２はＣＶＤ等によりウエハ表面に絶縁膜や誘電体膜を形成するＣＶＤ工程である。ステップＳ２０３はウエハに電極を蒸着等により形成する電極形成工程である。ステップＳ２０４はウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
【００３６】
ＣＶＤ工程(Ｓ２０２)若しくは電極形成工程(Ｓ２０３)の後で、ステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０５はＣＭＰ工程である。ＣＭＰ工程では本発明による研磨装置（上述のＣＭＰ装置１）により、層間絶縁膜の平坦化や半導体デバイス表面の金属膜の研磨、誘電体膜の研磨等によるダマシン（damascene）の形成等が行われる。
【００３７】
ＣＭＰ工程(Ｓ２０５)若しくは酸化工程(Ｓ２０１)の後でステップＳ２０６に進む。ステップＳ２０６はフォトソリグラフィ工程である。この工程ではウエハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるウエハへの回路パターンの焼き付け、露光したウエハの現像が行われる。更に、次のステップＳ２０７は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
【００３８】
次に、ステップＳ２０８で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップＳ２００に戻り、先のステップを繰り返してウエハ上に回路パターンが形成される。ステップＳ２０８で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。
【００３９】
本発明による半導体デバイス製造方法では、ＣＭＰ工程において本発明に係る研磨装置を用いて半導体ウエハＷの表面を研磨加工する工程を有しているため、研磨工程（ＣＭＰ工程）の歩留まりが向上する。これにより、従来のデバイス製造方法に比べて低コストでデバイス（ここでは半導体デバイス）を製造することができるという効果がある。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスのＣＭＰ工程に本発明による研磨装置を用いても良い。
【００４０】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明してきたが、本発明の範囲は上述のものに限定されない。例えば、上述の実施形態では、本発明に係る液体供給装置としてシリカ粒を含んだスラリーをユースポイントに供給する研磨液供給装置を例に説明したが、これは一例であり、スラリーに限られず薬液その他の液体を供給する装置として構成することができるのは勿論である。また、上述の実施形態において示した研磨装置（ＣＭＰ装置１）では、ウエハＷの直径よりも研磨パッド４２の直径の方が小さい構成であったが、これはウエハＷの直径が研磨パッド４２の直径よりも大きい構成であっても構わない。この場合は、研磨パッド４２の露出面（ウエハＷが接触していない部分）をユースポイントＵＰとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態に係る液体供給装置としての研磨液供給装置の構成を示す図である。
【図２】上記研磨液供給装置を備えて構成された本発明の一実施形態に係る研磨装置としてのＣＭＰ装置の構成を示す図である。
【図３】上記ＣＭＰ装置の研磨ヘッドの構成を示す断面図である。
【図４】定圧弁の働きにより研磨液通路内の圧力変動が抑えられている様子を示すグラフである。
【図５】本発明に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４２】
１      ＣＭＰ装置（研磨装置）
５      回転定盤（定盤）
２０    研磨ヘッド
４０    研磨体
４２    研磨パッド
７０    研磨液供給装置（液体供給装置、研磨液供給手段）
７１    研磨液圧送源（液体圧送源）
７２    研磨液通路（液体通路）
７２ａ，７２ｂ，７２ｃ  通路
７３    流量計（流量計測手段）
７４    流量調整弁
７５    研磨液流量制御装置（液体流量制御手段）
７６    空気駆動型開閉弁
７７    定圧弁
７８    フィルタ
８１    エア供給源
８２    エア供給路
８３    レギュレータバルブ
ＵＰ    ユースポイント
Ｗ      半導体ウエハ（被研磨物）
【図１】
2007222949.tif 000003
【図２】
2007222949.tif 000004
【図３】
2007222949.tif 000005
【図４】
2007222949.tif 000006
【図５】
2007222949.tif 000007