(57)【要約】【課題】ＯＣＢモードの液晶表示装置において初期化に要する時間を短縮する。【解決手段】アレイ基板１２と対向基板１４との間に挟持された液晶層ＬＱを備え、マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸからなる表示部１０Ａを有するＯＣＢモードの液晶表示装置であって、アレイ基板１２は、複数の表示画素ＰＸのそれぞれに対応して配置された画素電極ＰＥを有し、対向基板１４は、複数の画素電極ＰＥに対向する対向電極ＣＥを有し、アレイ基板１２および対向基板１４は、画素電極ＰＥおよび対向電極ＣＥ上にそれぞれ配置されているとともに、ラビング処理によって液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の配向状態を制御する一対の配向膜、を備え、各表示画素ＰＸにおいて、前記配向膜のラビング方向Ｄ１の終端側に、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の配向状態を非表示状態から表示状態へ転移させるための電界を形成する転移形成部Ａ１が設けられている液晶表示装置。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層を備え、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部を有するＯＣＢモードの液晶表示装置であって、
前記第１基板は、前記複数の表示画素のそれぞれに対応して配置された画素電極を有し、
前記第２基板は、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有し、
前記第１基板および前記第２基板は、前記画素電極および前記対向電極上にそれぞれ配置されているとともに、ラビング処理によって前記液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を制御する一対の配向膜、を備え、
各表示画素において、前記配向膜のラビング方向の終端側に、前記液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を非表示状態から表示状態へ転移させるための電界を形成する転移形成部が設けられている液晶表示装置。
【請求項２】
前記転移形成部は、矩形状の表示画素の長辺上に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記転移形成部は、矩形状の表示画素の短辺上に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
さらに、ラビング方向の始端側に転移形成部が設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記転移形成部は、等間隔に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記転移形成部は、矩形状の表示画素の長辺と短辺との交差部側に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記転移形成部は、前記長辺の前記短辺と交差する一端側までの間隔が前記長辺の他端側までの間隔より小さくなるような位置に設けられた請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記転移形成部は、前記画素電極と、前記画素電極とは異なる電位であって且つ前記画素電極と絶縁層を介して少なくともその一部が対向する配線とで構成された請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極は、前記転移形成部において凹部を有し、
前記配線は、前記凹部と重なるように配置されている請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極は、前記転移形成部において凸部を有し、
前記配線は、前記凸部と重なるように配置されている請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記配線は、表示画素が配列する列に沿って配置された信号線、表示画素が配列する行に沿って配置された走査線、及び、前記走査線と並んで配置された補助容量線の少なくとも１つである請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記補助容量線は、表示画素が配列される列に沿って延びた分岐部を有する請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
外部の温度を測定する測定手段と、
液晶分子の配向状態を表示状態へ転移させる際に、前記測定手段によって測定された温度が所定温度よりも低い場合に、前記対向電極に印加する電圧を制御して前記液晶層に印加される電圧を所定温度のときの設定電圧より大きく設定するコントローラと、をさらに備えた請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記コントローラは、前記測定手段によって測定された温度が所定温度よりも低い場合に、前記対向電極に印加される電圧値と前記画素電極に印加される電圧の中央値との差が大きくなるように前記対向電極に印加される電圧を制御する手段を有する請求項１３記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
ラビング方向は、前記走査線及び前記信号線に交差する方向に設定された請求項１１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶表示装置は、マトリクス状に配置された表示画素からなる表示部を有する液晶表示パネルを備えている。この液晶表示パネルは、互いに対向する一対の基板、すなわち、アレイ基板および対向基板と、一対の基板間に挟持された液晶層とを有している。
【０００３】
アレイ基板は、前記複数の表示画素のそれぞれに対応して配置された画素電極を有し、対向基板は複数の画素電極に対向する対向電極を有している。
【０００４】
ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードによる液晶表示装置は、ＴＮモード等の液晶表示装置に較べて、高速応答・高視野角であるという特徴を有する。このことから、ＯＣＢモードの液晶表示装置は、例えば、今後の市場拡大が期待されている液晶テレビ製品向けとして適当である。
【０００５】
このＯＣＢモードの液晶表示装置では、液晶層に電圧が印加されていないときには、液晶層に含まれる液晶分子の配向状態が非表示状態であるスプレイ配向となっているため、ＯＣＢモードの液晶表示装置を起動する際には、非表示状態での液晶分子の配向状態から、表示状態での液晶分子の配向状態（ベンド配向）へ配向状態を変化（以下、転移という）させて初期化する必要がある。
【０００６】
従来、隣合う画素電極間で横電界を生じさせて、画像を表示させる前に液晶分子の配向状態を非表示状態の配向状態から表示状態の配向状態への転移を促進し、これにより速やかに画像を表示させる液晶表示装置が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３５７８０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、転移の際には、液晶分子の配向状態は画素電極および対向電極上に配置された配向膜のラビング方向と逆方向に最も早く転移が進むが、上記の液晶表示装置では、配向膜のラビング方向が考慮されておらず、転移が開始される位置によっては、転移が開始されてから初期化が完了するまで時間を要する場合があり、画素サイズが大きいパネルにおいては、初期化が完了するまでの時間をさらに要する場合があった。
【０００８】
また、特に、低温環境においては液晶材料の粘性が増し、初期化に必要な時間がさらに増大する場合があった。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、ＯＣＢモードの液晶表示装置において、初期化に要する時間を短縮することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の態様による液晶表示装置は、第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層を備え、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部を有するＯＣＢモードの液晶表示装置であって、前記第１基板は、前記複数の表示画素のそれぞれに対応して配置された画素電極を有し、前記第２基板は、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有し、前記第１基板および前記第２基板は、前記画素電極および前記対向電極上にそれぞれ配置されているとともに、ラビング処理によって前記液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を制御する一対の配向膜、を備え、各表示画素において、前記配向膜のラビング方向の終端側に、前記液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を非表示状態から表示状態へ転移させるための電界を形成する転移形成部が設けられている。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、ＯＣＢモードの液晶表示装置において、初期化に要する時間を短縮する液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、図１に示すように、略矩形平板状の液晶表示パネル１０を備えている。液晶表示パネル１０は、互いに対向する一対の基板、すなわちアレイ基板１２および対向基板１４を有している。アレイ基板１２と対向基板１４との間には液晶層ＬＱが挟持されている。
【００１３】
液晶表示パネル１０は、マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸからなる表示部１０Ａと、表示部１０Ａの周囲の周辺部１０Ｂとを有している。
【００１４】
表示部１０Ａには、複数の表示画素ＰＸが配置された行に沿って複数の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｍ）が配置され、複数の表示画素ＰＸが配置された列に沿って複数の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｎ）が配置されている。複数の走査線Ｙは、周辺部１０Ｂに配置された走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数の信号線Ｘは、周辺部１０Ｂに配置された信号線駆動回路ＳＤに接続されている。
【００１５】
各表示画素ＰＸは、アレイ基板１２上に、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）からなる画素スイッチＳＷを有している。画素スイッチＳＷのゲート電極ＧＥは、図２に示すように、対応する走査線Ｙに接続されている（あるいは一体に形成されている）。画素スイッチＳＷのソース電極ＳＥは、対応する信号線Ｘに接続されている（あるいは一体に形成されている）。画素スイッチＳＷのドレイン電極ＤＥは、アレイ基板１２上において、各表示画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥにコンタクトホールＣＨによって接続されている。
【００１６】
本実施形態において、画素電極ＰＥは略矩形状であって、対向基板１４上に配置された対向電極ＣＥに対向するように配置されている。画素電極ＰＥおよび対向電極ＣＥ上には、ラビング処理によって液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の配向状態を制御する一対の配向膜（図示せず）が配置されている。本実施形態に係る液晶表示装置では、配向膜は図２に示すＤ１方向にラビングされている。
【００１７】
図２に示すように、各表示画素には、配向膜のラビング方向Ｄ１の終端側に、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の配向状態を転移させるための転移核Ａ２を形成する転移形成部Ａ１が設けられている。本実施形態の場合、転移形成部Ａ１は、矩形状の表示画素ＰＸの長辺側に設けられている。
【００１８】
転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと、画素電極ＰＥとは異なる電位となる配線、すなわち信号線Ｘとによって構成されている。すなわち、図２および図４に示すように、転移形成部Ａ１において、画素電極ＰＥは、ラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１に略矩形状の凹部ＰＥＡを有している。信号線Ｘは、画素電極ＰＥの端辺ＰＥ１側に延びた凸部ＣＶＸを有し、画素電極ＰＥ１の凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部ＣＶＸとは絶縁層を介して少なくとも一部で対向するように配置されている。
【００１９】
ここで、ラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１とは、図３に示すように、核表示画素において、画素電極ＰＥの端辺のうち、ラビング方向Ｄ１と２回目以降に交差する端辺である。すなわち、本実施形態の場合は、ラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１は、画素スイッチＳＷに隣接する端辺となる。すなわち、本実施形態では、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡは、画素電極ＰＥの長辺であってラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１に配置されている。
【００２０】
上記のように、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部ＣＶＸとを配置すると、画素電極ＰＥと信号線Ｘとに異なる電位となったときに、図５に示すように、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部ＣＶＸとの間に電界が発生する。この電界は、画素電極ＰＥの面方向と略平行な平面上で凹部ＰＥＡの端辺と略直交する方向に発生する。すなわち、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に発生する電界は異なる平面上に電界が発生することになる。本実施形態の場合、凹部ＰＥＡの端辺に沿って１８０°の範囲に電界が発生する。
【００２１】
液晶層ＬＱ内に電界が発生すると、この電界近傍にある液晶分子は電界の方向に配列する。そうすると、本実施形態の様に、凹部ＰＥＡの端辺にそって１８０°の範囲に凹部ＰＥＡの端辺に対して略直交する方向に電界が発生する場合には、局所的に、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に発生する電界とは異なる方向の電界が発生する事になる。このような領域は液晶分子の配向状態の変化が生じやすくなる。
【００２２】
従って、転移形成部Ａ１によって、初期化する際に液晶分子の配向状態を図６に示すように非表示状態（スプレイ配向）から表示状態（ベンド配向）へ変化させるための転移核Ａ２が形成されることになる。
【００２３】
また、図２に示す場合では、画素スイッチＳＷが配置された領域も同様に、画素電極ＰＥと画素スイッチＳＷとの間に電界が生じ、転移核Ａ２となる。したがって、本実施形態の場合には、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部が重なる位置、すなわち転移形成部Ａ１と画素スイッチＳＷとの２箇所に転移核Ａ２が形成され、これらの転移核Ａ２によって、初期化の際に液晶分子の転移が促されることになる。
【００２４】
ここで、図７に示すように、表示画素ＰＸに転移核Ａ２が発生した場合、各表示画素ＰＸにおいて転移が進む速さはラビング方向Ｄ１に対して逆の方向に最も速くなる。すなわち、ラビング方向Ｄ１に対して逆方向であるＤ２方向に進む速さが最も早くなる。
【００２５】
このことから、各表示画素ＰＸにおいて、上記の様に転移核Ａ２をラビング方向Ｄ１の終端側に形成することによって、転移が進む方向Ｄ２が表示画素ＰＸを横断する方向とになり、液晶分子の配向状態の転移が迅速に進むことになる。
【００２６】
さらに、図１に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は、信号線駆動回路ＳＤ及び走査線駆動回路ＧＤ等を制御するコントローラＣＴＲ、および、液晶表示装置の外部の温度を測定するためのセンサＳをさらに有している。コントローラＣＴＲは、液晶表示装置が起動する際に、センサＳからの測定結果によって液晶層ＬＱに印加される電圧を制御する初期制御部ＣＩを有している。
【００２７】
コントローラＣＴＲは走査線駆動回路ＧＤを制御して、タイミング信号ＹＴに合わせて走査線Ｙを選択させる。すなわち、走査線Ｙは走査線駆動回路ＧＤからの走査信号Ｖｇによって順次選択される。走査線Ｙが選択されると、選択された走査線Ｙに接続された画素スイッチＳＷが導通する。コントローラＣＴＲは信号線駆動回路ＳＤを制御して、タイミング信号ＸＴに合わせて信号線Ｘに画像データＶｓを送信させる。信号線駆動回路ＳＤから信号線Ｘに出力された画像データＶｓは、画素スイッチＳＷを介して画素電極ＰＥに印加される。
【００２８】
コントローラＣＴＲの初期制御部ＣＩは、液晶表示装置の初期化の際に、図８に示すように、走査信号Ｖｇ、画像データＶｓ、および、コモン信号Ｖｃｏｍを液晶表示パネル１０に送信する。このときに、コントローラＣＴＲの初期制御部ＣＩは、センサＳに外部の温度を測定させて、センサＳの測定結果によって液晶表示パネル１０に送信するコモン信号Ｖｃｏｍの大きさを制御する。
【００２９】
すなわち、外部の温度が低くなると液晶材料の粘性が増し液晶分子の配列状態の変化が抑制される。そのため、初期制御部ＣＩは、センサＳの測定結果がある一定の温度よりも低い場合には、画像データＶｓの中央値Ｖｓｃに対してコモン信号Ｖｃｏｍを大きく設定する。すなわち、｜Ｖｃｏｍ−Ｖｓｃ｜の値を大きくする。
【００３０】
そうすると、液晶材料の粘性が高い場合には、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に挟持された液晶層ＬＱに印加される電圧が高くなる、すなわち、液晶分子の配列状態を非表示状態から表示状態へと変化させるための電圧が大きくなるため、液晶分子の転移に要する時間が短縮されることになる。
【００３１】
したがって、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、ＯＣＢモードの液晶表示装置において初期化に要する時間を短縮することができ、特に、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供できる。
【００３２】
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、第１実施形態に係る液晶表示装置と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００３３】
本実施形態に係る液晶表示装置は、前述の第１実施形態に係る液晶表示装置と同様に、各表示画素ＰＸにおいてラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有している。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置では、転移形成部Ａ１は、ラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１であって、矩形状の表示画素ＰＸの短辺側に設けられている。
【００３４】
転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと、絶縁層を介して凹部ＰＥＡと一部において対向するとともに画素電極ＰＥとは異なる電位となる配線、すなわち走査線Ｙとによって構成されている。画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡは、走査線Ｙと絶縁層を介して少なくともその一部が対向するように配置されている。
【００３５】
すなわち、画素電極ＰＥは、短辺であってラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１に凹部ＰＥＡを有している。走査線Ｙは、図９および図１０に示すように、画素電極ＰＥの端辺ＰＥ１側に延びた凸部ＣＶＸを有している。画素電極ＰＥ１の凹部ＰＥＡと走査線Ｙの凸部ＣＶＸとは、絶縁層を介して少なくとも一部で対向するように配置されている。
【００３６】
上記のように、転移形成部Ａ１において画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと走査線Ｙの凸部ＣＶＸとを配置すると、図５に示す場合と同様に、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡの端辺に略直交する方向に電界が発生する。そうすると、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと走査線Ｙの凸部ＣＶＸとが重なる位置、すなわち転移形成部Ａ１に転移核Ａ２が形成されることになる。初期化の際には、この転移核Ａ２によって転移が促される。
【００３７】
このとき、前述の第１実施形態の場合と同様に、転移が進む速さはラビング方向Ｄ１に対して逆方向Ｄ２に最も速くなる。従って、上記の様に各表示画素ＰＸにおいてラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有することによって、初期化に要する時間を短縮することができる。
【００３８】
従って、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、ＯＣＢモードの液晶表示装置において初期化に要する時間を短縮することができる。また、第１実施形態と同様にコントローラＣＴＲが初期制御部ＣＩを備える場合には、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供できる。
【００３９】
次に、本発明の第３実施形態について図面を参照して説明する。
【００４０】
本実施形態に係る液晶表示装置は、前述の第１実施形態に係る液晶表示装置と同様に、各表示画素においてラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有している。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置は、各表示画素ＰＸにおいて、配向膜のラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１である長辺側に転移形成部Ａ１を有している。
【００４１】
転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと、絶縁膜を介して凹部ＰＥＡと一部において対向するとともに画素電極ＰＥとは異なる電位となる配線、すなわち補助容量線Ｃｓとによって構成されている。すなわち、図１１に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置の液晶表示パネル１０は、表示部１０Ａにおいて走査線Ｙと略平行に延びる補助容量線Ｃｓを有している。補助容量線Ｃｓは画素電極ＰＥを横断するように配置されている。
【００４２】
画素電極ＰＥは、前述の第１実施形態の場合と同様に、配向膜のラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１に凹部ＰＥＡを有している。凹部ＰＥＡは、補助容量線Ｃｓが配置されている位置に形成されている。すなわち、図１２に示すように、補助容量線Ｃｓ上には絶縁膜が配置され、画素電極ＰＥ１の凹部ＰＥＡと補助容量線Ｃｓとは、この絶縁層を介して対向するように配置されている。
【００４３】
上記の様に、補助容量線Ｃｓと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとを配置すると、図５に示す信号線Ｘと画素電極ＰＥとの間と同様に、補助容量線Ｃｓと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとの間で、凹部ＰＥＡの端辺に対して略直交する方向に電界が発生する。そうすると、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと補助容量線Ｃｓとが重なる位置、すなわち転移形成部Ａ１に、転移核Ａ２が形成される。初期化の際にはこの転移核Ａ２において転移が促される。
【００４４】
このとき、前述の第１実施形態の場合と同様に、転移が進む速さはラビング方向Ｄ１に対して逆方向Ｄ２に最も速くなる。従って、上記の様に各表示画素ＰＸにおいてラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有することによって、初期化に要する時間を短縮することができる。
【００４５】
すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、前述の第１実施形態の場合と同様に、ＯＣＢモードの液晶表示装置において初期化に要する時間を短縮することができる。また、第１実施形態と同様にコントローラＣＴＲが初期制御部ＣＩを備える場合には、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供できる。
【００４６】
次に、本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、前述の第１実施形態の場合と同様に、各表示画素ＰＸにおいてラビング方向の終端側に転移形成部Ａ１を有している。本実施形態に係る液晶表示装置は、各表示画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥのラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１である長辺側と、ラビング方向Ｄ１の始端側の端辺である長辺側とに転移形成部Ａ１を有している。
【００４７】
転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと画素電極ＰＥとは異なる電位となる配線、すなわち補助容量線Ｃｓとによって構成されている。すなわち、図１３に示すように、表示部１０Ａにおいて走査線Ｙに対して略平行に延びる補助容量線Ｃｓを有している。補助容量線Ｃｓは、表示画素ＰＸが配列する行に沿って配置された分岐部ＣｓＡを有している。すなわち、分岐部ＣｓＡは、図１３に示すように、信号線Ｘに沿って延びている。分岐部ＣｓＡは、画素電極ＰＥ側に突出した凸部ＣＶＸを有している。
【００４８】
画素電極ＰＥは、補助容量線Ｃｓの分岐部ＣｓＡの凸部ＣＶＸおよびとその一部が対向する凹部ＰＥＡを有している。凹部ＰＥＡは、少なくとも画素電極ＰＥのラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１に形成されている。本実施形態の場合、凹部ＰＥＡは画素電極ＰＥの２つの長辺に形成されている。
【００４９】
図１４に示すように、補助容量線Ｃｓ上に絶縁膜が配置され、この絶縁膜上において補助容量線Ｃｓが配置された間に信号線Ｘが配置されている。信号線Ｘ上にはさらに絶縁膜が配置され、この絶縁膜を介して分岐部ＣｓＡの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとがその一部において対向するように配置されている。
【００５０】
上記の様に、分岐部ＣｓＡの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとを配置すると、図５に示す信号線Ｘと画素電極ＰＥとの間と同様に、補助容量線Ｃｓの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとの間で、凹部ＰＥＡの端辺に対して略直交する方向に電界が発生する。そうすると、凸部ＣＶＸと凹部ＰＥＡとのが配置された位置、すなわち転移核形成部Ａ１に転移核Ａ２が発生する。
【００５１】
すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、前述の第１実施形態の場合と同様に、ＯＣＢモードの液晶表示装置において初期化に要する時間を短縮することができる。また、第１実施形態と同様にコントローラＣＴＲが初期制御部ＣＩを有することによって、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供できる。
【００５２】
さらに、本実施形態に係る液晶表示装置では、上記のように補助容量線Ｃｓが信号線Ｘに沿って延びる分岐部ＣｓＡを有し、分岐部ＣｓＡに沿って転移形成部Ａ１を配置することができることから、前述の第３実施形態の場合と比較して、複数の転移形成部Ａ１を配置することが容易となる。従って、各表示画素ＰＸにおいて、複数の転移核Ａ２を形成することが容易となり、初期化に要する時間をより短縮することができる。
【００５３】
次に、第５実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、本実施形態に係る液晶表示装置は、前述の第１実施形態と同様に、各表示画素ＰＸにおいてラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有している。本実施形態に係る液晶表示装置は、各表示画素ＰＸにおいて、図１５に示すように略矩形状の画素電極ＰＥを有している。本実施形態では、画素電極ＰＥの信号線Ｘに対して略平行に延びる端辺と、走査線Ｙに対して略平行に延びる端辺とが略同一の長さとなっている。
【００５４】
この場合、画素電極ＰＥには、配向膜のラビング方向の終端側の端辺ＰＥ１側に少なくとも１つの凹部ＰＥＡを配置する。本実施形態の場合、図１５に示すように画素電極ＰＥはラビング方向Ｄ１の終端側に２つの端辺ＰＥ１を有し、それぞれの端辺ＰＥ１側に１つの転移形成部Ａ１を配置している。
【００５５】
転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと、画素電極ＰＥとは異なる電位となる配線、すなわち信号線Ｘおよび走査線Ｙとによって構成されている。すなわち、画素電極ＰＥは、ラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１に凹部ＰＥＡを有している。この凹部ＰＥＡが配置された画素電極ＰＥの端辺ＰＥ１に沿って延びた信号線Ｘおよび走査線Ｙは、それぞれ画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡの位置に対応して凸部ＣＶＸを有している。画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘおよび走査線Ｙの凸部ＣＶＸとは、それぞれ絶縁層を介してその一部において対向するように配置されている。
【００５６】
本実施形態に係る液晶表示装置のように、各表示画素ＰＸが端辺の長さが略同一である略矩形状である画素電極ＰＥを有する場合、上記のように、画素電極ＰＥ、信号線Ｘ、および走査線Ｙを配置すると、図５に示す場合と同様に、信号線Ｘの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとの間、および、走査線Ｙの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとの間で凹部ＰＥＡの端辺に略直交する方向に電界が発生する。
【００５７】
そうすると、信号線Ｘの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとが配置された位置、および、走査線Ｙの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとのが配置された位置、すなわち転移形成部Ａ１に転移核Ａ２が形成される。
【００５８】
このとき、前述の第１実施形態の場合と同様に、転移が進む速さはラビング方向Ｄ１に対して逆方向Ｄ２に最も速くなる。従って、上記の様に各表示画素ＰＸにおいてラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有することによって、初期化に要する時間を短縮することができる。
【００５９】
すなわち、本実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示装置のように、略矩形状であって全ての端辺の長さが略等しい画素電極ＰＥを有する場合に、上記の様に、転移核Ａ２を形成することによって、初期化に要する時間を効果的に短縮することができる。また、第１実施形態と同様にコントローラＣＴＲが初期制御部ＣＩを有することによって、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供できる。
【００６０】
次に、本発明の第６実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、前述の第１実施形態に係る液晶表示装置と同様に、各表示画素ＰＸにおいて、すくなくともラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有している。本実施形態にかかる液晶表示装置は、図１６に示すように、各表示画素ＰＸにおいて、ラビング方向Ｄ１の終端側と始端側とにそれそれ転移形成部Ａ１を有している。
【００６１】
この転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと、画素電極ＰＥとは異なる電位となる配線、すなわち信号線Ｘとから構成されている。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置は、図１６に示すように、略矩形状の画素電極ＰＥを有している。画素電極ＰＥは、第１実施形態の場合と同様に、配向膜のラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１である長辺側に凹部ＰＥＡを有している。
【００６２】
さらに、画素電極ＰＥは、配向膜のラビング方向Ｄ１の終端側でない端辺である長辺側にも凹部ＰＥＡを有している。すなわち、画素電極ＰＥの長辺にそれぞれ凹部ＰＥＡが、配置されている。
【００６３】
画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡが配置された端辺に沿って延びている信号線Ｘは、凹部ＰＥＡと重なる位置に凸部ＣＶＸを有している。すなわち、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと、信号線Ｘの凸部ＣＶＸとは、絶縁層を介してその一部において対向するように配置されている。
【００６４】
上記の様に、画素電極ＰＥおよび信号線Ｘを配置すると、図５に示す場合と同様に、信号線Ｘと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとの間で凹部ＰＥＡの端辺に対して略直交する方向に電界が発生する。そうすると、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部とが配置された位置、すなわち、各表示画素ＰＸのラビング方向のＤ１の終端側と始端側との転移形成部Ａ１に転移核Ａ２が形成される。
【００６５】
このとき、前述の第１実施形態の場合と同様に、転移が進む速さはラビング方向Ｄ１に対して逆方向Ｄ２に最も速くなる。従って、上記の様に各表示画素ＰＸにおいてラビング方向Ｄ１の終端側および始端側に転移形成部Ａ１を有することによって、初期化に要する時間をより短縮することができる。
【００６６】
また、第１実施形態と同様にコントローラＣＴＲが初期制御部ＣＩを有することによって、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供できる。
【００６７】
次に、第７実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、前述の第１実施形態に係る液晶表示装置と同様に、各表示画素ＰＸにおいて、ラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有している。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置は、各表示画素ＰＸにおいて、ラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１である長辺側に２つの転移形成部Ａ１を有している。
【００６８】
この転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと画素電極ＰＥとは異なる電位となる配線、すなわち信号線Ｘとによって構成されている。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置は、図１７に示すように、略矩形状の画素電極ＰＥを有している。画素電極ＰＥは、配向膜のラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１である長辺に２つの凹部ＰＥＡを有している。この凹部ＰＥＡは、端辺ＰＥ１において等間隔に配置されている。つまり、本実施形態の場合、各凹部ＰＥＡから最も近い画素電極ＰＥの短辺までの距離と、凹部ＰＥＡ間の距離とが略同一となるように配置されている。
【００６９】
信号線Ｘは、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡの位置に対応した凸部ＣＶＸを有している。すなわち、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部ＣＶＸとは絶縁層を介してその一部が対向するように配置されている。
【００７０】
上記の様に、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡおよび信号線Ｘの凸部ＣＶＸを配置すると、図５に示す場合と同様に、信号線Ｘの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとの間で凹部ＰＥＡの端辺に対して略直交する方向に電界が発生する。したがって、本実施形態の場合、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部とが配置された位置、すなわち転移形成部Ａ１に転移核Ａ２が形成される。
【００７１】
このとき、前述の第１実施形態の場合と同様に、転移が進む速さはラビング方向Ｄ１に対して逆方向Ｄ２に最も速くなる。従って、上記の様に各表示画素ＰＸにおいてラビング方向Ｄ１の終端側に２つの転移形成部Ａ１を等間隔に配置し、これに対応した転移核Ａ２を形成することによって、第１実施形態の場合と比較して初期化に要する時間を短縮することができる。
【００７２】
また、第１実施形態と同様にコントローラＣＴＲが初期制御部ＣＩを有することによって、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供できる。
【００７３】
次に、第８実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、前述の第１実施形態に係る液晶表示装置と同様に、各表示画素ＰＸにおいて、ラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を有している。すなわち、転移形成部Ａ１は、各表示画素において、表示画素ＰＥのラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１である長辺側に設けられている。
【００７４】
この転移形成部Ａ１は、矩形状の表示画素ＰＸの長辺と短辺との交差部側、すなわち、長辺の短辺と交差する一端側までの間隔が、長辺の他端側までの間隔より小さくなるような位置に設けられている。つまり、転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの長辺の短辺と交差する一端であって、画素スイッチＳＷが配置されている側までの間隔が、他端側までの間隔よりも小さくなるように配置されている。すなわち、ラビング方向Ｄ１の終端側の２つの端辺ＰＥ１が互いに交差する側までの間隔が、他端側までの間隔よりも小さくなるような位置に設けられている。
【００７５】
転移形成部Ａ１は、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと画素電極ＰＥとは異なる電位となる配線、すなわち信号線Ｘとによって構成されている。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置は、図１８に示すように、各表示画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥのラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１に凹部ＰＥＡを有している。信号線Ｘは、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡに対応する位置に凸部ＣＶＸを有している。画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部ＣＶＸとは、絶縁層を介してその一部で対向するように配置されている。
【００７６】
上記の様に、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡおよび信号線Ｘの凸部ＣＶＸを配置すると、図５に示す場合と同様に、信号線Ｘの凸部ＣＶＸと画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡとの間で凹部ＰＥＡの端辺に対して略直交する方向に電界が発生する。したがって、本実施形態の場合、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘの凸部とが配置された位置、すなわち転移形成部Ａ１に転移核Ａ２が形成される。
【００７７】
このとき、前述の第１実施形態の場合と同様に、転移が進む速さはラビング方向Ｄ１に対して逆方向Ｄ２に最も速くなる。従って、上記の様に各表示画素ＰＸにおいてラビング方向Ｄ１の終端側に転移形成部Ａ１を配置し、転移核Ａ２を形成することによって、初期化に要する時間を短縮することができる。
【００７８】
さらに、本実施形態の様に、転移形成部Ａ１をラビング方向Ｄ１の終端側の端辺において、等間隔に配置せずに、ラビング方向Ｄ１の終端側において、端辺ＰＥ１が交差する側までの間隔が、他端までの間隔よりも小さくなる位置に配置することによって、最も転移が進む速さが速くなる方向Ｄ２において、転移核Ａ２と表示画素ＰＸの端部までの距離が長くなり、初期化に要する時間をより短縮することができる。
【００７９】
なお、上記の説明では、各表示画素ＰＸにおいて転移形成部Ａ１が１つ設けられる場合について、説明したが、図１９に示すように、複数の転移形成部Ａ１が設けられる場合にも、本実施形態を適用することができる。この場合にも、転移形成部Ａ１が、長辺の短辺と交差する一端側までの間隔が、長辺の他端側までの間隔より小さくなるような位置に設けられることによって、上記の転移形成部Ａ１が１つの場合と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
また、第１実施形態と同様にコントローラＣＴＲが初期制御部ＣＩを有することによって、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供できる。
【００８１】
従って、上述したように、本発明に係る液晶表示装置によれば、ＯＣＢモードの液晶表示装置において初期化に要する時間を短縮することができ、特に、低温環境下であっても初期転移時間を短縮することができる液晶表示装置を提供することができる。
【００８２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
【００８３】
例えば、前述の各実施形態に係る液晶表示装置では、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡと信号線Ｘ等の他の導電層の凸部ＣＶＸとが重なるように配置されている位置に、転移が促進される転移核Ａ２を発生させた。しかし、転移核Ａ２を発生させる構成はこれに限らない。例えば、図２０に示すように、画素電極ＰＥに凸部ＣＶＸを形成し、その凸部ＣＶＸを信号線Ｘ等の他の導電層と重なるように配置することによっても、図５に示す場合と同様に画素電極ＰＥの凸部ＣＶＸの端辺のそれぞれに略直交する方向に電界が発生し、転移核Ａ２が形成される。したがって、前述の各実施形態において、図２０に示すように画素電極ＰＥの凸部ＣＶＸとその他の導電層とを配置することによっても同様の効果を得ることが可能である。
【００８４】
また、前述の実施形態に係る液晶表示装置では、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡが信号線Ｘ、走査線Ｙ又は補助容量線Ｃｓと重なるように配置して転移核Ａ２を形成したが、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡが他の導電層と重なる様に配置されていれば良く、例えば、図２１に示すように、特別の信号が印加されない島状の導電層ＦＥと重なるように配置されていてもよい。この場合にも、各実施形態に係る液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を概略的に示す図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の表示画素の構成例を説明するための図。
【図３】図２に示す表示画素のラビング方向の終端側の端辺を説明するための図。
【図４】図２に示す表示画素を線IV−IVで切断した断面の一例を概略的に示す図。
【図５】図２に示す表示画素の転移形成部の構成例を説明するための図。
【図６】ＯＣＢモードの液晶表示装置を初期化する際の液晶分子の配向状態の変化を説明するための図。
【図７】図６に示す液晶分子の変化と配向膜のラビング方向との関係を説明するための図。
【図８】図１に示す液晶表示装置のコントローラの動作例を説明するための図。
【図９】本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の表示画素の構成例を説明するための図。
【図１０】図９に示す表示画素を線Ｘ−Ｘで切断した断面の一例を概略的に示す図。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の表示画素の構成例を説明するための図。
【図１２】図１１に示す表示画素を線XII−XIIで切断した断面の一例を概略的に示す図。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置の表示画素の構成例を説明するための図。
【図１４】図１３に示す表示画素を線XIV−XIVで切断した断面の一例を概略的に示す図。
【図１５】本発明の第５実施形態に係る液晶表示装置の表示画素の構成例を説明するための図。
【図１６】本発明の第６実施形態に係る液晶表示装置の表示画素の構成例を説明するための図。
【図１７】本発明の第７実施形態に係る液晶表示装置の表示画素の構成例を説明するための図。
【図１８】本発明の第８実施形態に係る液晶表示装置の表示画素の構成例を説明するための図。
【図１９】本発明の第８実施形態に係る液晶表示装置の表示画素の他の構成例を説明するための図。
【図２０】本発明に係る液晶表示装置の表示画素の転移形成部の他の構成例を説明するための図。
【図２１】本発明に係る液晶表示装置の表示画素の他の構成例を説明するための図。
【符号の説明】
【００８７】
１２…アレイ基板、１４…対向基板、ＬＱ…液晶層、ＰＸ…表示画素、１０Ａ…表示部、ＰＥ…画素電極、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…対向電極、Ｄ１…ラビング方向、Ａ１…転移形成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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