(57)【要約】【課題】強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向性が良好に制御された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、基体１０と、前記基体の上方に設けられた絶縁層１２と、前記絶縁層を貫通するプラグ３４と、前記プラグの上方に設けられた第１バリア層４２と、前記第１バリア層４２の上方に設けられた金属酸化物層４４と、前記金属酸化物層の上方に設けられ、所定の配向を有する第２バリア層４６と、前記第２バリア層の上方に設けられた第１電極４０と、前記第１電極の上方に設けられた強誘電体層５０と、前記強誘電体層の上方に設けられた第２電極６０と、を含む。【選択図】図１
2007150178.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体の上方に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層を貫通するプラグと、
前記プラグの上方に設けられた第１バリア層と、
前記第１バリア層の上方に設けられた金属酸化物層と、
前記金属酸化物層の上方に設けられ、所定の配向を有する第２バリア層と、
前記第２バリア層の上方に設けられた第１電極と、
前記第１電極の上方に設けられた強誘電体層と、
前記強誘電体層の上方に設けられた第２電極と、を含む、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１バリア層は、第１ＴｉＮ層と該第１ＴｉＮ層上に設けられた第１ＴｉＡｌＮ層とを含む、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記金属酸化物層は、酸化アルミニウム層である、半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第２バリア層は、（１１１）配向を有している、半導体装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第２バリア層は、第２ＴｉＮ層と該第２ＴｉＮ層上に設けられた第２ＴｉＡｌＮ層とを含む、半導体装置。
【請求項６】
（ａ）基体の上方に絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）前記絶縁層を貫通するプラグを形成する工程と、
（ｃ）前記プラグの上に第１バリア層を形成する工程と、
（ｄ）前記第１バリア層の上に金属酸化物層を形成する工程と、
（ｅ）アンモニアガスのプラズマを励起して、前記金属酸化物層の表面に該プラズマを照射する工程と、
（ｆ）少なくとも前記金属酸化物層の上方に所定の配向を有する第２バリア層を形成する工程と、
（ｇ）前記第２バリア層の上方に第１電極、強誘電体層および上部電極を順次積層する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記（ｂ）工程と前記（ｃ）工程との間に、アンモニアガスのプラズマを励起して、少なくとも前記絶縁層の表面に該プラズマを照射する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記第１バリア層は、ＴｉＡｌＮ層を含み、
前記（ｃ）工程で形成される前記金属酸化物層は、前記ＴｉＡｌＮ層を酸化させることにより形成する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体メモリとして、強誘電体キャパシタを選択用トランジスタにスタックする構造が知られている。強誘電体キャパシタと選択用トランジスタの間には、絶縁層が介在し、絶縁層のコンタクトホールに埋め込まれたプラグによって両者の電気的接続が図られている。
【０００３】
強誘電体メモリを構成する強誘電体キャパシタの強誘電特性を最大限に発揮させるためには、強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向性が極めて重要である。
【特許文献１】特開２０００−２７７７０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向性が良好に制御された半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明にかかる半導体装置は、
基体と、
前記基体の上方に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層を貫通するプラグと、
前記プラグの上方に設けられた第１バリア層と、
前記第１バリア層の上方に設けられた金属酸化物層と、
前記金属酸化物層の上方に設けられ、所定の配向を有する第２バリア層と、
前記第２バリア層の上方に設けられた第１電極と、
前記第１電極の上方に設けられた強誘電体層と、
前記強誘電体層の上方に設けられた第２電極と、を含む。
【０００６】
本発明にかかる半導体装置は、所定の結晶配向を有する第２バリア層の上に、所望の結晶配向を有する第１電極および強誘電体層とが設けられている。そのため、ヒステリシス特性に優れた強誘電体キャパシタを有する半導体装置を提供することができる。
【０００７】
なお、本発明において、特定のＡ層（以下、「Ａ層」という。）の上方に設けられた特定のＢ層（以下、「Ｂ層」という。）というとき、Ａ層の上に直接Ｂ層が設けられた場合と、Ａ層の上に他の層を介してＢ層が設けられた場合とを含む意味である。
【０００８】
本発明にかかる半導体装置は、さらに、下記の態様をとることができる。
【０００９】
（２）本発明にかかる半導体装置において、
前記第１バリア層は、第１ＴｉＮ層と該第１ＴｉＮ層上に設けられた第１ＴｉＡｌＮ層とを含むことができる。
【００１０】
（３）本発明にかかる半導体装置において、
前記金属酸化物層は、酸化アルミニウム層であることができる。
【００１１】
（４）本発明にかかる半導体装置において、
前記第２バリア層は、（１１１）配向を有していることができる。
【００１２】
（５）本発明にかかる半導体装置において、
前記第２バリア層は、第２ＴｉＮ層と該第２ＴｉＮ層上に設けられた第２ＴｉＡｌＮ層とを含むことができる。
【００１３】
（６）本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
（ａ）基体の上方に絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）前記絶縁層を貫通するプラグを形成する工程と、
（ｃ）前記プラグの上に第１バリア層を形成する工程と、
（ｄ）前記第１バリア層の上に金属酸化物層を形成する工程と、
（ｅ）アンモニアガスのプラズマを励起して、前記金属酸化物層の表面に該プラズマを照射する工程と、
（ｆ）少なくとも前記金属酸化物層の上方に所定の配向を有する第２バリア層を形成する工程と、
（ｇ）前記第２バリア層の上方に第１電極、強誘電体層および上部電極を順次積層する工程と、を含む。
【００１４】
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、工程（ｅ）の処理を終えた後に金属酸化物層の上に第２バリア層を形成することで、所定の配向性を有するバリア層を形成することができる。第２バリア層の結晶配向性は、第１電極に反映され、ひいては、第１電極の上方に形成される強誘電体層に反映されることとなる。そのため、強誘電体層に求められる配向（構成原子の規則的な配置）と合致する配向性を有する第２バリア層を形成することで、強誘電体層の配向性を向上させることができる。その結果、ヒステリシス特性の優れた強誘電体キャパシタを含む半導体装置を製造することができる。
【００１５】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、さらに、下記の態様をとることができる。
【００１６】
（７）本発明にかかる半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程と前記（ｃ）工程との間に、アンモニアガスのプラズマを励起して、少なくとも前記絶縁層の表面に該プラズマを照射する工程を含むことができる。
【００１７】
（８）本発明にかかる半導体装置の製造方法において、
前記第１バリア層は、ＴｉＡｌＮ層を含み、
前記（ｃ）工程で形成される前記金属酸化物層は、前記ＴｉＡｌＮ層を酸化させることにより形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態の一例について、図面を参照しつつ説明する。
【００１９】
１．第１の実施の形態
１．１．半導体装置
まず、本実施の形態にかかる半導体装置について、図１を参照しつつ説明する。図１は、本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、基体１０と、絶縁層１２と、コンタクトホール２０と、コンタクト部３０と、強誘電体キャパシタ１００と、を含む。
【００２１】
基体１０は、半導体基板（たとえばシリコン基板）である。基体１０には、複数のトランジスタ（図示しない）が形成されている。トランジスタは、ソース領域又はドレイン領域となる不純物領域と、ゲート絶縁層と、ゲート電極と、を含む。各トランジスタの間には素子分離領域（図示しない）が形成され、トランジスタ間の電気的絶縁が図られている。本実施の形態に係る半導体装置は、たとえば１Ｔ１Ｃ型のスタック構造を有する。
【００２２】
絶縁層１２は、基体１０上に形成されている。絶縁層１２は、たとえば酸化シリコン層（ＳｉＯ２層）、窒化シリコン層（ＳｉＮ層）および窒化酸化シリコン層（ＳｉＯＮ層）の少なくともいずれか１層から形成され、単一層であってもよいし、複数層であってもよい。
【００２３】
コンタクトホール２０は、絶縁層１２を貫通している。コンタクトホール２０の内部には、電気的導電性を有するコンタクト部３０が形成されている。
【００２４】
コンタクト部３０は、基体１０の面に垂直方向に延出して形成され、絶縁層１２を貫通している。コンタクト部３０の一方の端部には、基体１０のトランジスタ（ソース領域およびドレイン領域のいずれか一方）が電気的に接続され、他方の端部には強誘電体キャパシタ１００が電気的に接続されている。すなわち、コンタクト部３０は、トランジスタおよび強誘電体キャパシタ１００を電気的に接続する。
【００２５】
コンタクト部３０は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホール２０と、コンタクトホール２０内に設けられたプラグ３４とを含む。また、本実施の形態にかかる半導体装置においては、コンタクト部３０は、コンタクトホール２０の内面（底面および側面）に沿って形成されたバリア層３２をさらに含む。バリア層３２は、たとえば、窒化チタンアルミニウム層（ＴｉＡｌＮ層）および窒化チタン層（ＴｉＮ層）のいずれか少なくとも１層から構成されていることができる。バリア層３２が設けられていることにより、プラグ３４の拡散防止および酸化防止が可能になり、コンタクト部３０の低抵抗化を図ることができる。
【００２６】
強誘電体キャパシタ１００は、少なくともコンタクト部３０の上であって、コンタクト部３０を含む領域に形成されている。すなわち、基体１０の面から垂直方向の平面視において、強誘電体キャパシタ１００の平面領域は、プラグ３４およびその周辺領域（絶縁層１２）を含む。
【００２７】
強誘電体キャパシタ１００は、コンタクト部３０の上方およびコンタクト部３０の周囲の絶縁層１２の上に設けられた第１バリア層４２、金属酸化物層４４および第２バリア層４６を介して形成されている。つまり、下部電極４０と、コンタクト部３０および絶縁層１２との間には、第１バリア層４２、金属酸化物層４４および第２バリア層４６の積層体が設けられている。
【００２８】
第１バリア層４２としては、窒化チタン層（ＴｉＮ層）及び当該窒化チタン層（ＴｉＮ層）の上に設けられた窒化チタンアルミニウム層（ＴｉＡｌＮ層）から構成される。窒化チタン層（ＴｉＮ層）または窒化チタンアルミニウム層（ＴｉＡｌＮ層）のいずれか少なくとも１層から構成されていてもよい。また、第２バリア層４６として、第１バリア層４２と同様の構成、同様の材質を用いることができる。第２バリア層４６は、所定の配向を有しており、第２バリア層４６として、たとえば、（１１１）配向を有するＴｉＮ層を用いることができる。ここで、所定の配向とは、強誘電体層に求められている配向（強誘電体層の構成原子の規則的な配列）と合致することができる配向のことをいう。
【００２９】
また、第１バリア層４２および第２バリア層４６は、面内で部分的に配向性が異なる層である。具体的には、絶縁層１２の上（上方）に位置する第１部分４２ａ、４６ａと、コンタクト部３０の上（上方）に位置する第２部分４２ｂ、４６ｂとで異なっている。第１部分４２ａ、４６ａと第２部分４２ｂ、４６ｂとの差について、第１バリア層４２および第２バリア層４６がＴｉＮ層である場合を例として説明する。ＴｉＮ層である場合の所定の配向とは、（１１１）配向であるが、それぞれの層において、（１１１）配向の割合が異なる。第１部分４２ａ、４６ａは、第２部分４２ｂ、４６ｂと比して（１１１）配向の割合が高い。さらに、第２部分４６ｂは、第２部分４２ｂと比して（１１１）配向の割合が高い部分である。
【００３０】
金属酸化物層４４としては、たとえば、酸化アルミニウム層、酸化ゲルマニウム層、酸化ガリウム層、酸化インジウム層などを用いることができる。特に好ましくは、酸化アルミニウム層である。金属酸化物層４４は、その全体が同一の材質で構成されていなくてもよい。２バリア層４６と接する面（金属酸化物層４４の上面）に金属酸化物が存在している層であればよい。たとえば、ＴｉＡｌＮ層に表面酸化を施して、その表面に薄膜の酸化アルミニウム層が形成された層であってもよい。
【００３１】
強誘電体キャパシタ１００は、下部電極（第１電極）４２、強誘電体層５０、上部電極（第２電極）４６が順に積層して形成されている。下部電極４０は、コンタクト部３０の上方、具体的には、第２バリア層４６の上に形成されている。下部電極４０は、コンタクト部３０に電気的に接続されている。詳しくは、強誘電体キャパシタ１００の下部電極４０は、トランジスタのソース領域又はドレイン領域のいずれかに電気的に接続されている。本実施の形態に係る半導体装置では、強誘電体キャパシタ１００の下部電極４０がトランジスタを介してビット線に電気的に接続され、強誘電体キャパシタ１００の上部電極６０がプレート線に電気的に接続され、トランジスタのゲート電極がワード線に電気的に接続されている。
【００３２】
下部電極４０および上部電極６０は、たとえばＰｔ、Ｉｒ、Ｉｒ酸化物（ＩｒＯｘ）、Ｒｕ、Ｒｕ酸化物（ＲｕＯｘ）、ＳｒＲｕ複合酸化物（ＳｒＲｕＯｘ）などから形成される。下部電極４０および上部電極６０のそれぞれは、単一層から形成されていてもよいし、複数層から形成されていてもよい。
【００３３】
強誘電体層５０は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを構成元素として含む酸化物からなるＰＺＴ系強誘電体を用いて形成されていてもよい。あるいは、ＴｉサイトにＮｂをドーピングしたＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ）Ｏ３（ＰＺＴＮ系）を適用してもよい。あるいは、強誘電体層５０はこれらの材料に限定されるものではなく、たとえばＳＢＴ系、ＢＳＴ系、ＢＩＴ系、ＢＬＴ系のいずれを適用してもよい。
【００３４】
本実施の形態にかかる半導体装置によれば、下部電極４０が所定の配向を有する第２バリア層４６の上に形成されている。そのため、所望の配向の下部電極４０ひいては強誘電体層５０を設けることができる。その結果、ヒステリシス特性に優れた強誘電体キャパシタを有し、微細化が実現された半導体装置を提供することができる。
【００３５】
１．２．半導体装置の製造方法
次に、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について、図２ないし図１０を参照しつつ説明する。図２ないし図１０は、本実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００３６】
（１）まず、図２に示すように、基体１０上に絶縁層１２を形成する。絶縁層１２は、基体１０における複数のトランジスタが形成された面上に形成する。絶縁層１２は、ＣＶＤ法などの公知技術を適用して形成することができる。
【００３７】
（２）次に、図３に示すように、絶縁層１２を貫通するコンタクトホール２０を形成する。その場合、フォトリソグラフィ技術を適用してもよい。詳しくは、絶縁層１２の一部を開口するようにレジスト層（図示しない）を形成し、該レジスト層からの開口部をエッチングすることによって、絶縁層１２を貫通するコンタクトホール２０を形成する。コンタクトホール２０からは基体１０が露出している。
【００３８】
（３）次に、コンタクトホール２０にコンタクト部３０（図１参照）を形成する。コンタクト部３０の形成では、まず、図４に示すように、コンタクトホール２０の内面に沿ってバリア層（他のバリア層）３１を形成する。バリア層３１は、スパッタリング等によって成膜することができる。バリア層３１は、コンタクトホール２０の側面（絶縁層１２の端面）およびコンタクトホール２０の底面（基体１０の上面）に形成し、コンタクトホール２０の内面に形成する部分と連続して絶縁層１２の上面にも形成する。ただし、バリア層３１は、コンタクトホール２０を埋めないように形成する。
【００３９】
（４）次に、図５に示すように、コンタクトホール２０の内部および絶縁層１２上に第１の導電層３３を形成する。第１の導電層３３は、コンタクトホール２０の内部（詳しくはバリア層３１で囲まれた内側）を埋め込むように形成する。バリア層３１を形成する場合には、バリア層３１上に第１の導電層３３を形成する。第１の導電層３３は、たとえば、ＣＶＤ法により成膜することができる。
【００４０】
（５）次に、図６に示すように、第１の導電層３３を研磨する。本実施の形態では、第１の導電層３３の一部およびバリア層３１の一部を研磨および除去する。すなわち、第１の導電層３３（およびバリア層３１）をストッパとなる絶縁層１２が露出するまで研磨する。研磨工程では、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａl  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｍｅｎｔ）法による工程を適用することができる。以上の工程により、コンタクト部３０を形成することができる。
【００４１】
ついで、アンモニアガスのプラズマを励起して、絶縁層１２およびプラグ３４の露出面ンに、該プラズマを照射する（以下、「アンモニアプラズマ処理」ともいう。）。このアンモニアプラズマ処理により、絶縁層１２の表面が−ＮＨで終端され、後述する工程でバリア層４１を成膜する際に、バリア層４１を構成する原子が絶縁層１２の表面上でマイグレーションしやすくなる。その結果、バリア層４１の構成原子がその自己配向性に起因して、規則的な配列になるように促進され、結晶配向性に優れたバリア層４１を成膜することができるのである。
【００４２】
（６）次に、図７に示すように、絶縁層１２およびコンタクト部３０（プラグ３４およびバリア層３２）の上面にバリア層４１を形成する。バリア層４１は、後述する工程でパターニングされ、第１バリア層４２（図１参照）となる。バリア層４１としては、プラグ３４の酸化防止の役割と後述する下部電極との密着性を高めることができる材質を用いる。以下に、バリア層４１として、（１１１）配向を有するＴｉＮ層及び（１１１）配向を有するＴｉＡｌＮ層を形成する場合について具体的に説明する。まず、絶縁層１２およびコンタクト部３０の露出面上にＴｉ層を形成する。このＴｉ層は、自己配向性（（１００）配向しやすい性質）を有する材質であるが、上記工程（５）のアンモニアプラズマ処理により、さらに（１００）配向割合が大きい層を形成することができる。ついで、窒素雰囲気で熱処理を施し、Ｔｉ層を窒化することができ、ＴｉＮ層を形成することができる。これにより、（１１１）配向を有するＴｉＮ層を形成することができる。その後、ＴｉＮ層上に、（１１１）配向を有するＴｉＡｌＮ層を形成する。ＴｉＡｌＮ層は、たとえば、スパッタリング法により形成することができる。必要に応じ、この段階でＣＭＰ研磨を実施して表面を平坦化しても良い。なお、Ｔｉ層の（１００）配向と、ＴｉＮ層の（１１１）配向とでは、構成原子の配列の規則性が同一である。また、工程（５）のアンモニアプラズマ処理は、酸化物に対して効果を発揮する処理である。そのため、絶縁層１２上に位置している第１部分４１ａと、コンタクト部３０上に位置する第２部分４１ｂとで、（１１１）配向割合の異なるバリア層４１が形成される。第２部分４１ｂは、第１部分４１ａと比して（１１１）配向の割合が低い部分である。
【００４３】
（７）次に、図８に示すように、バリア層４１の上に、金属酸化物層４３を形成する。金属酸化物層４３は後述する工程でパターニングされて、金属酸化物層４４（図１参照）となる。本実施の形態では、金属酸化物層４３として、最表面のみが酸化アルミニウム層である金属酸化物層４３を形成する場合を例として説明する。金属酸化物層４３の形成は、ＴｉＡｌＮ層に表面酸化処理を施すことで形成することができる。これにより、表面には酸化アルミニウム層を有する金属酸化物層４３を形成することができる。このようにして形成されるＴｉＡｌＮ層は、下方に位置するバリア層４１の結晶配向性が反映された結晶配向性を有する層となる。また、金属酸化物層４３としては、ＴｉＡｌＮ層に代えて、ＴｉＧｅＮ層、ＴｉＧａＮ層およびＴｉＩｎＮ層などを形成した後、表面酸化処理を施すことで、それぞれの最表面に酸化ゲルマニウム層、酸化ガリウム層および酸化インジウム層を有する層を形成することができる。
【００４４】
ついで、金属酸化物層４３の表面にアンモニアプラズマを照射する。アンモニアプラズマ処理は、工程（５）と同様にして行うことができる。これにより、後の工程で金属酸化物層４３の上に形成される層の配向性を制御することができる。この工程のアンモニアプラズマ処理は、コンタクト部３０上の結晶配向性を改善するために行われる。
【００４５】
（８）次に、図９に示すように、金属酸化物層４３の上にバリア層４５を形成する。バリア層４５は、後述する工程でパターニングされ第２バリア層４６（図１参照）となる。バリア層４５には、前述したバリア層４１と同様の材質を形成することができる。また、その形成方法についても、バリア層４１と同様に行うことができる。バリア層４５は、絶縁層１２の上方に位置し、（１１１）配向を有する第１部分４５ａと、コンタクト部３０の上方に位置し、（１１１）配向の程度が低い第２部分４５ｂとを有する。また、バリア層４５の第２部分４５ｂは、工程（７）のアンモニアプラズマ処理の効果によりバリア層４１の第２部分４１ｂと比して（１１１）配向の割合が大きい。
【００４６】
（９）次に、図１０に示すように、バリア層４５の上であって、コンタクト部３０を含む領域の上に、強誘電体キャパシタ１００を形成する。具体的には、下部電極（第１電極）４０、強誘電体層５０、上部電極（第２電極）６０を順に積層して積層体１０１を形成し、積層体１０１を所定形状にパターニングする。
【００４７】
下部電極４０の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを適用することができる。強誘電体層５０の形成方法としては、溶液塗布法（ゾル・ゲル法、ＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）法などを含む）、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法などを適用することができる。なお、上部電極６０は下部電極４０と同様の方法を適用して形成することができる。ついで、積層体１０１の上に、たとえば、レジスト層Ｒ１を形成する。レジスト層Ｒ１は、フォトリソグラフィ技術を適用して形成することができる。
【００４８】
（１０）次に、図１に示すように、積層体１０１のうちレジスト層Ｒ１に覆われない部分を除去する。積層体１０１の除去は、公知のエッチング技術を適用して行うことができる。また、この工程で、第１バリア層４２、金属酸化物層４４および第２バリア層４６が形成される。積層体１０１をパターニングして強誘電体キャパシタ１００を形成した後、強誘電体層５０の安定化（たとえばエッチングダメージ回復）のため酸素雰囲気下でアニール処理を行う。
【００４９】
以上の工程により、本実施の形態にかかる半導体装置を製造することができる。
【００５０】
本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法では、コンタクト部３０の上方に金属酸化物層４３を形成した後にアンモニアプラズマ処理が行われている。そのため、コンタクト部３０の上であっても所望の配向割合が向上した第１バリア層４２を形成することができる。下部電極４０および強誘電体層５０は、第１バリア層４２の配向を反映して形成されるため、本実施の形態のように、第１バリア層４２の配向性を面内で全体的に向上させることができることで、所望の配向を有する強誘電体層５０を形成することができる。その結果、ヒステリシス特性が良好である強誘電体キャパシタ１００を形成できることとなり、特性および微細化が向上した半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００５１】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１の実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図。
【図２】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図３】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図４】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５３】
１０…基体、  １２…絶縁層、  ２０…コンタクトホール、  ３０…コンタクト部、  ３１、３２、４１、４５…バリア層、  ３３…第１の導電層、  ３４…プラグ、  ４０…下部電極、  ４２…第１バリア層、  ４３…金属酸化物層、  ４４…金属酸化物層（酸化アルミニウム層）、  ４６…第２バリア層、  ５０…強誘電体層、  ６０…上部電極、  １００…強誘電体キャパシタ、  １０１…積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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