(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置の多ピン化を図りつつ配線に電解めっきを施すことを可能にする手段を提供する。【解決手段】主面のデバイス領域３ｖ内においてボンディングリード３ｊの内側領域に給電用のリング状の共通配線３ｐが形成されたパッケージ基板３を用いることで、共通配線３ｐに接続する複数の給電用の第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕを配置できるため、裏面の全てのランド部に対して電解めっき用の給電線を配置することができる。これにより、パッケージ基板３の主面と前記裏面の配線に対して電解めっきを施すことが可能になり、前記裏面の全周に亘って複数列の前記ランド部が設けられていても全ての前記ランド部に電解めっきを施すことができ、その結果、半導体装置の多ピン化を図りつつ、配線に電解めっきを施すことができる。【選択図】図９
2007335581.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面に形成された複数のボンディング電極と、前記主面に対向する裏面に形成された複数のランド部と、前記主面の前記ボンディング電極の内側領域に形成された給電用の共通配線と、前記共通配線と電気的に接続する複数の給電用引き出し配線とを有する配線基板のデバイス領域内において、前記給電用引き出し配線を介して給電を行って各配線及び電極にメッキを形成した後、前記共通配線と前記給電用引き出し配線とを分離して形成された前記配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記配線基板の前記主面上に半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの電極と前記配線基板の前記ボンディング電極とを電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記配線基板の前記ランド部に外部端子を設ける工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記共通配線は、リング状に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程で準備する前記配線基板は、前記リング状の共通配線とその内側領域が除去された基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記共通配線と接続し、かつ前記配線基板の端部まで延在する前記給電用引き出し配線が前記主面の角部に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板は、前記ランド部に接続する引き出し配線によって平面方向に引き出されて配置された第１ビア部と、前記ランド部上に配置された第２ビア部とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程で準備する前記配線基板は、エッチングによって前記共通配線と前記給電用引き出し配線とが切断分離された基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程で、エッチングによって前記共通配線と前記給電用引き出し配線とが切断分離された前記配線基板を準備し、前記（ｂ）工程において、前記エッチングによって形成された凹部を覆うように前記半導体チップを前記配線基板の主面上に搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の裏面に複数列で前記複数のランド部が設けられ、前記複数列のうち最内周と内側から２列目の前記ランド部は、これらのランド部に接続する引き出し配線によって平面方向に引き出されてビア部と接続し、さらに主面側で内方に延在して前記共通配線に接続する前記給電用引き出し配線と前記ビア部とが接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の給電用引き出し配線に繋がるそれぞれの前記ランド部は、信号用のランド部であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の給電用引き出し配線のうち、電源もしくはグランド用の複数の給電用引き出し配線は、前記共通配線の一部によって繋がっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の裏面に５列で前記複数のランド部が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の裏面に５列で前記複数のランド部が設けられ、前記５列のうち最外周の前記ランド部に、前記配線基板の端部まで延在する前記給電用引き出し配線が接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の裏面に５列で前記複数のランド部が設けられ、前記５列のうち外側から２列目と３列目の前記ランド部は、これらのランド部に接続する引き出し配線によって平面方向に引き出されてビア部と接続し、さらに主面側で前記配線基板の端部まで延在する前記給電用引き出し配線と前記ビア部とが接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の裏面に５列で前記複数のランド部が設けられ、前記５列のうち最内周と内側から２列目の前記ランド部は、これらのランド部に接続する引き出し配線によって平面方向に引き出されてビア部と接続し、さらに主面側で内方に延在して前記共通配線に接続する前記給電用引き出し配線と前記ビア部とが接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程の後、樹脂封止して前記半導体チップを樹脂体によって覆うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、給電線が設けられた配線基板を用いる半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
製品部分に、第２の導体配線パターンの複数を短絡させるための第１の引き出し配線、及びこれを途中で短絡させないで接続させるための繋ぎ線が設けられ、第１の導体配線パターンを介して第２の導体配線パターンに電解めっき皮膜が施された後、繋ぎ線が削除されて複数の第２の導体配線パターン間が断線される削除部を有してなる技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、基板の一面側に、外側ヴィア群よりも外側に形成しためっき用バスラインと、外側ヴィア群の各ヴィアとを導体パターンによって接続すると共に、基板の他面側に、内側ヴィア群よりも内側に形成し、内側ヴィア群の各ヴィアと導体パターンによって接続しためっき用共通ラインと、基板の他面側で且つ外側ヴィア群よりも外側に形成しためっき用バスラインから給電して電解めっきを施す技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−７９１２９号公報（図１）
【特許文献２】特開２００２−５０７１５号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板上に半導体チップが搭載されたＢＧＡ（Ball Grid Array)等の半導体装置では、その高機能化に伴って、ボンディング電極の数が増大する傾向にある。近年では、半導体装置の小型化も同時に要求されるため、配線基板の主面に設けられた複数のボンディング電極は複数列に配置しなければ、配線基板サイズを低減することは困難である。
【０００５】
ここで、配線基板上の配線には、基板の製造段階でめっき形成が行われる。このめっき形成工程は、後のワイヤボンディング工程におけるワイヤとボンディング電極との接合強度を向上させるために、ボンディング電極の表面上にめっき膜を形成するものである。また、ランド部においても半田ボールとの接合強度を向上するためのめっき膜を形成するものでもある。めっきは、例えば、ニッケルと金のそれぞれの膜からなる。めっき形成の方法としては、主に、電解めっき方法と無電解めっき方法とが知られているが、電解めっき方法によって形成されためっき膜の方が無電解めっき方法に比較してワイヤボンディングに対する接合強度が高く、さらに電解めっき方法の方がめっきの膜厚をコントロールするのが容易である等のメリットがある。
【０００６】
したがって、電解めっき方法を採用することが好ましいが、電解めっき方法を採用する場合には、配線基板にめっき用の給電線を設けることが必要になる。
【０００７】
ところが、小型化・多ピン化が図られたＢＧＡ等では、上記したように配線基板の主面側においてボンディング電極が複数列に亘って配置されている。そのため、配線基板の外周に沿って複数のボンディング電極、及び複数のボンディング電極と複数の給電用引出し配線を介して繋がる複数のスルーホール部が密集して配置されているため、内周（内側）に配置された複数のボンディング電極に電解を供給するための給電線を配線基板の端部（各辺）まで延在させることは困難である。一方、配線基板の裏面側においても半導体装置の小型化・多ピン化に伴い、半田ボールが設けられる複数のランド部が格子状に配置され、隣り合うランド部間のピッチも狭ピッチ化（例えば、ピッチ０．４ｍｍ）されるため、隣り合ったランド部の間に給電線を通すことは困難な状態である。すなわち、配線基板の裏面側において、全てのランド部（特に配線基板の中心側に配置されたランド部）に対して基板の端部まで延在する電解めっき用の給電線を配置することは困難であるという問題が発生する。
【０００８】
なお、前記特許文献１（特開２００５−７９１２９号公報）及び特許文献２（特開２００２−５０７１５号公報）には、電解めっき方法によるめっき形成が開示されており、両者とも基板の裏面の内側箇所（中央部）で電解めっき用の引き出し配線の共通化を行っている。
【０００９】
この構造で、半導体装置が多ピンの場合、例えば、基板の裏面に全周に亘って５列でランド部が設けられている場合には、内側から２列目以降のランド部からはスペースが無いため内側（中央部）に向けて給電用の引き出し配線を配置することができず、中央部での電解めっき用の引き出し配線の共通化が図れない。同様に、基板の裏面には全周に亘って５列でランド部が設けられているため、中央部の共通配線から基板外側に向けて電解めっき用の引き出し配線を引き出すこともできない（最外周列に配置された隣り合うランド部の間は、最外周列から２列目に配置されたランド部と繋がる給電線が通せるだけのスペースしかない）。さらに、基板の裏面に共通配線が設けられていると、レジスト（ソルダレジスト）塗布後、エッチングによって共通配線を分離した後、共通配線の端部がレジストから露出した状態となり、吸湿の問題や導電性異物付着による電気的ショートの問題等が発生する。
【００１０】
本発明の目的は、半導体装置の多ピン化を図りつつ、配線に電解めっきを施すことを可能にすることができる技術を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の小型化を図りつつ、配線に電解めっきを施すことを可能にすることができる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
すなわち、本発明は、主面に形成された複数のボンディング電極と、主面のボンディング電極の内側領域に形成された給電用の共通配線と、共通配線と電気的に接続する複数の給電用引き出し配線とを有する配線基板のデバイス領域内において、給電用引き出し配線を介して給電を行って各配線及び電極にメッキを形成した後、共通配線と給電用引き出し配線とを分離して形成された配線基板を準備する工程を含むものである。さらに、配線基板の主面上に半導体チップを搭載する工程と、半導体チップの電極と配線基板のボンディング電極とを電気的に接続する工程と、配線基板の裏面のランド部に外部端子を設ける工程とを含んでいる。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
主面のデバイス領域内においてボンディング電極の内側領域に給電用の共通配線が形成された配線基板を用いることで、共通配線に接続する複数の給電用引き出し配線を配置することができ、全てのランド部に対して電解めっき用の給電線を配置することができる。その結果、配線基板の裏面の全周に亘って複数列のランド部が設けられていても全てのランド部に電解めっきを施すことができ、半導体装置の多ピン化を図りつつ、配線に電解めっきを施すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１８】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１９】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図２は図１に示すＡ部の構造を示す拡大部分断面図、図３は図１に示す半導体装置の内部構造の一例を樹脂体を透過して示す拡大部分平面図、図４は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。また、図５は図１に示す半導体装置の最外周のランド部と接続する給電線の一例を示す拡大部分断面図、図６は外側から２列目のランド部と接続する給電線の一例を示す拡大部分断面図、図７は外側から３列目と４列目のランド部と接続する配線の一例を示す拡大部分断面図、図８は図１に示す半導体装置の最内周のランド部と接続する給電線の一例を示す拡大部分断面図である。さらに、図９は図１に示す半導体装置の組み立てで用いられる配線基板の主面の配線パターンの一例を示す平面図、図１０は図９に示す配線基板の裏面の配線パターンの一例を示す平面図、図１１は図９に示す配線基板の主面側のレジスト膜の開口部のレイアウトの一例を示す平面図、図１２は図９に示す配線基板の製造におけるエッチバック時のマスクエリアの一例を示す平面図である。
【００２２】
また、図１３は図９に示す配線基板の製造におけるエッチバック後の構造の一例を示す平面図、図１４は図９に示す配線基板の製造におけるエッチバック前の処理手順の一例を示す断面図、図１５は図９に示す配線基板の製造におけるエッチバック前後の処理手順の一例を示す断面図、図１６は変形例の配線基板の主面の配線パターンを示す平面図である。さらに、図１７は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す断面図、図１８は図１７に示すダイボンディング後の構造の一例を示す平面図、図１９はワイヤボンディング後の構造の一例を示す断面図、図２０は樹脂モールディング後の構造の一例を示す断面図、図２１は半田ボール搭載後の構造の一例を示す断面図である。
【００２３】
本実施の形態の半導体装置は、配線基板上に半導体チップ１が搭載された樹脂封止型の半導体パッケージであり、本実施の形態ではその一例として、図１〜図４に示すようなＢＧＡ７を取り上げて説明する。なお、ＢＧＡ７は、例えば、３００ピン以上の外部端子を有しており、比較的ピン数が多い半導体パッケージである。図４に示すように、配線基板の裏面３ｂに複数の外部端子である半田ボール８が格子状に配置されて取り付けられている。
【００２４】
図１〜図４に示すＢＧＡ７の構造について説明すると、パッケージ基板（配線基板）３と、パッケージ基板３の主面３ａ上に搭載された半導体チップ１と、半導体チップ１のパッド（電極）１ｃとパッケージ基板３の主面３ａのボンディングリード（ボンディング電極）３ｊとを電気的に接続する導電性のワイヤ４と、パッケージ基板３の裏面３ｂのランド部３ｄ上に設けられた複数の半田ボール（外部端子）８と、樹脂体６とからなる。
【００２５】
半導体チップ１は、例えば、シリコンなどによって形成され、その主面１ａには集積回路が形成されている。また、半導体チップ１におけるその厚さと交差する平面形状は方形状であり、本実施の形態では正方形である。さらに、図３に示すように主面１ａの周縁部には集積回路と電気的に接続される複数のパッド１ｃが形成されている。また、このパッド１ｃと、パッケージ基板３の主面３ａ上に形成されたボンディングリード３ｊとが導電性のワイヤ４によってそれぞれ電気的に接続されている。このワイヤ４は、例えば、金線等である。
【００２６】
また、半導体チップ１は、図１に示すように、その裏面１ｂが、ペースト剤やダイアタッチフィルム等の接着剤２を介してパッケージ基板３に固着され、主面１ａを上方に向けた状態でパッケージ基板３に搭載されている。
【００２７】
また、樹脂体６は、例えば、エポキシ系樹脂等からなるとともに、パッケージ基板３の主面３ａ側に形成されており、半導体チップ１及び複数の導電性のワイヤ４を樹脂封止するものである。
【００２８】
また、パッケージ基板３の裏面３ｂに設けられた複数の外部端子である半田ボール８は、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ等の半田からなり、図４に示すように、パッケージ基板３の裏面３ｂに、例えば５列配置で格子状に設けられている。
【００２９】
ここで、パッケージ基板３は、図１及び図２に示すように、主面３ａと、主面３ａに対向する裏面３ｂと、コア材３ｃと、主面３ａに形成された複数の導体パターンと、裏面３ｂに形成された複数の導体パターンと、前記導体パターンの一部を除いてこの導体パターンを覆う絶縁膜であるソルダレジスト膜３ｋとを有している。
【００３０】
すなわち、本実施の形態のパッケージ基板３は、その主面３ａと裏面３ｂとに前記導体パターンが形成された２層配線構造の基板である。なお、ソルダレジスト膜３ｋは、主面３ａ及び裏面３ｂそれぞれの表面に形成されており、主面３ａ側では、ソルダレジスト膜３ｋの開口部３ｆに複数のボンディングリード３ｊが露出している。一方、裏面３ｂでは、それぞれのランド部３ｄがソルダレジスト膜３ｋから露出している。
【００３１】
また、パッケージ基板３の主面３ａには、図３及び図９に示すように、複数のボンディングリード３ｊと、それぞれのボンディングリード３ｊに配線部３ｉを介して接続された複数のビア部（スルーホール）とが形成されている。複数のボンディングリード３ｊは、主面３ａの周縁部及びその内側に２列に並んで配置されている。
【００３２】
一方、パッケージ基板３の裏面３ｂには、図２及び図１０に示すように複数のランド部３ｄと、複数のランド部３ｄのうちの一部のランド部３ｄに接続された引き出し配線３ｈと、引き出し配線３ｈに接続されたビア部（スルーホール）とがそれぞれ複数形成されている。その際、複数のランド部３ｄは裏面３ｂの外周部に沿って５列に並んで形成されている。
【００３３】
したがって、主面３ａに設けられた複数のボンディングリード３ｊは、それぞれ対応するビア部（スルーホール）を介して裏面３ｂのランド部３ｄに電気的に接続されている。なお、主面３ａのボンディングリード３ｊ、配線部３ｉ、ビア部（スルーホール）、裏面３ｂのランド部３ｄ、配線部３ｉ及びビア部（スルーホール）等の導体パターンは、例えば、銅合金によって形成されており、前記導体パターンには電解めっき処理が施されている。すなわち、各導体パターンには、給電線が接続されており、給電線から給電を行って各導体パターンにおけるソルダレジスト膜３ｋから露出した面（複数のボンディングリード、複数のランド部）にめっき膜３ｚを形成している。めっき膜３ｚは、例えば、金とニッケルのそれぞれの膜からなる。
【００３４】
また、パッケージ基板３におけるその厚さと交差する平面形状は方形状であり、本実施の形態では正方形である。
【００３５】
さらに、本実施の形態のパッケージ基板３に形成された複数のビア部は、図２に示すように、ランド部３ｄに接続する引き出し配線３ｈによって平面方向に引き出されて配置された第１スルーホール部（第１ビア部）３ｅと、ランド部３ｄ上（ランド部３ｄと平面的に重なる位置）に配置された、所謂パッドオンビアと呼称される第２スルーホール部（第２ビア部）３ｇとを含んでいる。すなわち、パッケージ基板３には、ランド部３ｄから平面方向に引き出されて配置された第１スルーホール部３ｅと、パッドオンビアである第２スルーホール部３ｇとが混載して設けられており、それぞれが複数個設けられている。
【００３６】
また、第１スルーホール部３ｅ及び第２スルーホール部３ｇ等の前記ビア部は、コア材３ｃに形成された貫通孔３ｎと、貫通孔３ｎの内部に配置された導体膜３ｍとから形成されている。すなわち、貫通孔３ｎの内壁に導体膜３ｍが形成されており、この導体膜３ｍが主面３ａ側の導体パターン及び裏面３ｂ側の導体パターンと接続されている。なお、貫通孔３ｎの内部には、導体膜３ｍのみが充填されていてもよいし、また、導体膜３ｍと絶縁膜が配置されていてもよい。
【００３７】
ここで、パッドオンビア（第２スルーホール部３ｇ）は、ランド部３ｄ上に直接配置するため、引き出し配線３ｈを必要とせず、したがって、狭い限られた領域であっても配置することができる。すなわち、パッドオンビアは、配線密度が比較的高い領域に形成する方がより有効である。
【００３８】
しかしながら一方で、パッドオンビアは、引き出し配線３ｈによって引き出される第１スルーホール部３ｅと比較すると、その内部に配置される導体部の強度が低い。そのため、ワイヤボンディング時には付与されるボンディング荷重（キャピラリによる荷重）により、引き出し配線３ｈを介して平面的に離間されたビア部と接続されるボンディングリード３ｊと比較して、導体膜３ｍにクラックが生じ易い。したがって、パッドオンビアを基板内の応力が集中し易い領域に配置することは避けた方が好ましく、応力が集中しにくい領域に配置することが好ましい。
【００３９】
すなわち、パッケージ基板３において、引き出し配線３ｈによって引き出される第１スルーホール部３ｅと、パッドオンビアである第２スルーホール部３ｇの混載を行う際には、パッドオンビアの配置位置を考慮して設けなければならない。
【００４０】
例えば、パッケージ基板３においては、パッケージ基板３の中心から遠い位置ほど、応力が集中し易い。したがって、パッドオンビアである第２スルーホール部３ｇは、引き出し配線３ｈによって引き出される第１スルーホール部３ｅに比べてその内部に配置される導体膜３ｍの強度が低いため、最外周のランド部３ｄには第２スルーホール部３ｇを配置しない方が好ましい。すなわち、複数のランド部３ｄのうち、最外周に配置されたランド部３ｄは、引き出し配線３ｈを介して第１スルーホール部３ｅに接続されている方が好ましい。
【００４１】
さらに、図３に示すように、パッケージ基板３の半導体チップ１の対角線の延長線上には強度が高い第１スルーホール部３ｅが配置されていることが好ましい。すなわち、パッケージ基板３の対角線上を含む角部付近には応力が集中し易いため、比較的内部の導体膜３ｍの強度が高い第１スルーホール部３ｅを配置し、パッドオンビア（第２スルーホール部３ｇ）は配置しないようにすることが好ましい。
【００４２】
また、図２に示すように、パッケージ基板３の主面３ａに形成されたボンディングリード３ｊは、引き出し配線３ｈを介して平面的に離間した位置に形成されたビア部（第１スルーホール部３ｅ、第２スルーホール部３ｇ）と接続されることが好ましい。これは、上記したようにビアの直径がボンディングリード３ｊの配置ピッチよりも大きいため、ボンディングリード３ｊの直下にビア部を形成してパッケージ基板３の裏面３ｂ側に引き回すそうとした場合、１つのビア部が複数のボンディングリード３ｊに跨って配置されてしまうため、隣り合ったボンディングリード同士がビア部を介して電気的にショートしてしまう。このショートを抑制するためにはボンディングリード３ｊの配置ピッチをビア部の直径よりも大きくしなければならず、これによりパッケージ基板３の小型化が困難となる。したがって、ボンディングリード３ｊにはパッドオンビア（第２スルーホール部３ｇ）を配置しないで、引き出し配線３ｈを介して平面的に離間した位置に形成されたビア部（第１スルーホール部３ｅ、第２スルーホール部３ｇ）を接続されることが好ましい。
【００４３】
また、本実施の形態のＢＧＡ７では、パッケージ基板３の主面３ａには、図９に示すように、複数のボンディングリード３ｊが周縁部とその内側に２列に並んで配置されている。一方、裏面３ｂには、図１０に示すように、複数のランド部３ｄが外周部に沿って５列に並んで形成されている。
【００４４】
すなわち、図９に示すように、主面３ａの最外周には複数のボンディングリード（第１のボンディングリード）３ｊが配置されており、さらに、その内側に３列に亘って第１スルーホール部３ｅ及び第２スルーホール部３ｇ等のビア部が配置され、その内側に複数のボンディングリード（第２のボンディングリード）３ｊが配置されている。そこで、ボンディングリード３ｊの直下で、かつ最外周にはパッドオンビア（第２スルーホール部３ｇ）は配置しない方が好ましいため、裏面３ｂの最外周には、引き出し配線３ｈを介して第１スルーホール部３ｅに接続するランド部３ｄが配置されている。
【００４５】
また、内側のボンディングリード３ｊは、外側から３列目のランド部３ｄと４列目のランド部３ｄの間に対応するパッケージ基板３の主面３ａ側に配置されており、ボンディングリード３ｊの直下にはパッドオンビア（第２スルーホール部３ｇ）を配置しない方が好ましいため、主面３ａの内側のボンディングリード３ｊの直下にも、引き出し配線３ｈを介して第１スルーホール部３ｅに接続するランド部３ｄが配置されており、この列のランド部３ｄが外側から３列目のランド部３ｄの列となっている。
【００４６】
したがって、パッケージ基板３の裏面３ｂにおいて、複数のパッドオンビア（第２スルーホール部３ｇ）は、主面３ａ側の最外周のボンディングリード３ｊと内側のボンディングリード３ｊの間の領域に対応して、５列のランド部３ｄのうちの外側から２列目のランド部３ｄ上に配置されている。
【００４７】
その際、裏面３ｂにおいて、最外周のランド部３ｄに接続する引き出し配線３ｈは内側に向けて引き出され、その端部に第１スルーホール部３ｅが接続されており、かつ外側から３列目のランド部３ｄに接続する引き出し配線３ｈは外側に向けて引き出され、その端部に第１スルーホール部３ｅが接続されている。
【００４８】
したがって、外側から２列目のランド部３ｄ上に配置されたパッドオンビア（第２スルーホール部３ｇ）は、外側から内側に向かう方向において第１スルーホール部３ｅによって挟まれて配置されている。
【００４９】
すなわち、最外周のランド部３ｄと外側から３列目のランド部３ｄとの間の領域には、外側から２列目のランド部３ｄと、加えてその周囲に第１スルーホール部３ｅが配置されているため、非常に高密度配線の領域となる。したがって、この領域に引き出し配線３ｈを必要としないパッドオンビアである第２スルーホール部３ｇを配置することは、配線スペースが少ないという観点からも非常に有効である。
【００５０】
なお、最外周のボンディングリード３ｊから外方に延在するめっき線１０は、デバイス領域３ｖの外周の境界線を跨がってさらに外方に延在している。
【００５１】
ここで、本実施の形態のＢＧＡ７のパッケージ基板３では、前述したように主面３ａのボンディングリード３ｊ、配線部３ｉ、ビア部（スルーホール）、裏面３ｂのランド部３ｄ、配線部３ｉ及びビア部（スルーホール）等の導体パターンに電解めっき処理が施されている。すなわち、各導体パターンには、給電線が接続されており、給電線から給電を行って各導体パターンの表面にめっきを形成している。
【００５２】
ただし、前述したようにパッケージ基板３の裏面３ｂにおいて、全周に亘って５列にランド部３ｄが敷き詰められているとともに、最外周のランド部３ｄと外側から３列目のランド部３ｄとの間の領域には、外側から２列目のランド部３ｄと、加えてその周囲に第１スルーホール部３ｅが配置されているため、非常に高密度配線の領域となっており、各導体パターンに単純に給電線を接続するのは困難な状態となっている。
【００５３】
そこで、本実施の形態のＢＧＡ７のパッケージ基板３では、給電線の引き回しに特徴を有している。
【００５４】
図９に示すように、パッケージ基板３のデバイス領域３ｖの主面３ａには、全周に亘って２列で形成された複数のボンディングリード３ｊの内側領域に給電用の共通配線３ｐが形成されている。この共通配線３ｐは、リング状に形成されている。すなわち、パッケージ基板３の主面３ａにおいて、２列配置で形成された複数のボンディングリード３ｊの内側領域の中央付近に四角形を成すリング状の給電用の共通配線３ｐが形成されている。
【００５５】
さらに、四角形のリング状の給電用の共通配線３ｐには、その４つの辺それぞれに対して複数のめっき線（給電用引き出し配線）３ｑが接続され、４方向の基板外方に向かってそれぞれ複数のめっき線３ｑが延在しており、各めっき線３ｑは、２列配置のボンディングリード３ｊのうちの内側のボンディングリード３ｊや、さらにその内側に配置された第１スルーホール部３ｅ（ビア部）に接続されている。
【００５６】
したがって、裏面３ｂの５列に配置されたランド部３ｄのうち、最内周と内側から２列目のランド部３ｄは、ビア部を介して主面３ａのめっき線３ｑ（第１めっき線３ｒ）に接続され、この第１めっき線３ｒが共通配線３ｐに接続されており、また、外側から２列目と３列目のランド部３ｄは、ビア部を介して主面３ａの第２めっき線３ｓに接続され、この第２めっき線３ｓがパッケージ基板３の端部まで延在している。さらに、最外周のランド部３ｄは、裏面３ｂにおいてランド部３ｄに接続する第３めっき線３ｔがパッケージ基板３の端部まで直接延在している。ここで、図９に示すように、最外周のランド部３ｄにおいて、パッケージ基板３の外周のボンディングリード（第１ボンディングリード）３ｊと電気的に接続される場合には、最外周のランド部３ｄはビア部を介してパッケージ基板３の主面３ａの外周のボンディングリード３ｊに接続し、さらに外周のボンディングリード３ｊから外方に延在するめっき線１０に接続してもよい。
【００５７】
また、主面３ａの２列のボンディングリード３ｊのうち外側のボンディングリード３ｊはこれと接続するめっき線１０がパッケージ基板３の端部まで直接延在しており、一方、内側のボンディングリード３ｊでは、第１めっき線３ｒによって共通配線３ｐに接続されているものと、第１スルーホール部３ｅを介して裏面３ｂ側でパッケージ基板３の端部まで延在しているものとが混在している。
【００５８】
さらに、パッケージ基板３の主面３ａの４つの角部には共通配線３ｐから基板端部まで延在する第４めっき線３ｕが設けられている。
【００５９】
したがって、本実施の形態のパッケージ基板３では、裏面３ｂの最外周〜３列目までのランド部３ｄ、さらに主面３ａの外側のボンディングリード３ｊ及び一部の内側のボンディングリード３ｊについては、基板の端部まで延在する給電線を介して直接給電が行われ、裏面３ｂの最内周〜２列目までのランド部３ｄ及び主面３ａの一部の内側のボンディングリード３ｊについては、第４めっき線３ｕ、共通配線３ｐ及び第１めっき線３ｒを介して給電が行われる。
【００６０】
ここで、裏面３ｂのランド部３ｄの配線引き回しの詳細について説明する。まず、図５及び図１０に示すように、パッケージ基板３の裏面３ｂの最外周の各ランド部３ｄには、パッケージ基板３の端部まで延在する第３めっき線３ｔがそれぞれ接続されている。すなわち、最外周のランド部３ｄは、基板の端部までが極めて近いため、直接外部と第３めっき線３ｔによって接続されている。したがって、めっき形成の際の最外周の各ランド部３ｄに対する給電は、外部から裏面３ｂの第３めっき線３ｔを介して直接行われる。
【００６１】
また、図６及び図１０に示すように、パッケージ基板３の裏面３ｂの外側から２列目及び３列目のランド部３ｄには、それぞれ第２スルーホール部３ｇ（図２参照、パッドオンビア）と引き出し配線３ｈが接続されている。外側から２列目のランド部３ｄは第２スルーホール部３ｇを介して主面３ａ側でパッケージ基板３の端部まで延在する第２めっき線３ｓと接続されている。また、３列目のランド部３ｄは、引き出し配線３ｈによって平面方向に引き出されて第１スルーホール部３ｅと接続し、さらに主面３ａ側でパッケージ基板３の端部まで延在する第２めっき線３ｓと接続されている。すなわち、外側から２列目及び３列目のランド部３ｄは、第２スルーホール部３ｇまたは第１スルーホール部３ｅによって主面３ａ側に引き出され、主面３ａ側で第２めっき線３ｓによって基板の端部に引き出されている。
【００６２】
したがって、めっき形成の際の外側から２列目及び３列目のランド部３ｄに対する給電は、外部から主面３ａの第２めっき線３ｓと、第２スルーホール部３ｇまたは第１スルーホール部３ｅと、裏面３ｂの引き出し配線３ｈとを介して行われる。
【００６３】
また、図７，８及び図１０に示すように、パッケージ基板３の裏面３ｂの最内周と内側から２列目のランド部３ｄには引き出し配線３ｈが接続され、この引き出し配線３ｈによって平面方向に引き出されて第１スルーホール部３ｅと接続し、さらに主面３ａ側で内方に延在して共通配線３ｐに接続する第１めっき線３ｒと接続されている。すなわち、最内周及び内側から２列目のランド部３ｄは、第１スルーホール部３ｅによって主面３ａ側に引き出され、主面３ａ側で第１めっき線３ｒによって共通配線３ｐに接続されている。
【００６４】
さらに、図９に示すように、パッケージ基板３の主面３ａの４つの角部には共通配線３ｐに接続し、かつこの共通配線３ｐから基板端部まで延在する第４めっき線３ｕが設けられている。すなわち、パッケージ基板３の主面３ａの角部には、ボンディングリード３ｊの２列の配列上、スペースが僅かに残されているため、そこに基板の端部から共通配線３ｐまで延在する第４めっき線３ｕが設けられている。このスペースが残されている理由について説明すると、図1に示すように、パッケージ基板３の主面３ａの内側のボンディングリード３ｊの列に囲まれた領域には、半導体チップ１が搭載される。半導体チップ１を搭載した後、半導体チップ１のパッド１ｃとパッケージ基板３の外側のボンディングリード３ｊ及び内側のボンディングリード３ｊとをそれぞれ複数のワイヤ４を介して電気的に接続する。このとき、半導体チップ１の1辺の長さは、パッケージ基板３の1辺の長さよりも短いため、外側のボンディングリード３ｊがパッケージ基板３の角部付近まで配置されていると、パッケージ基板３の角部付近のボンディングリード３ｊと、それに対応する半導体チップ１のパッド１ｃとを電気的に接続するワイヤ４の長さが長くなるので、安定したワイヤ４のループ形状を形成することが困難となる。このような理由から、パッケージ基板３の角部付近にはボンディングリード３ｊが配置されていないため、パッケージ基板３の内側のめっき線３ｑを引き回すことが可能である。一方、パッケージ基板３の裏面３ｂ側は、図4に示すように、複数のランド部３ｄが格子状に配置されているため、パッケージ基板３の裏面３ｂにおける角部付近は、主面３ａ側の角部付近に比べるとスペースがない。
【００６５】
したがって、めっき形成の際の最内周及び２列目のランド部３ｄに対する給電は、外部から主面３ａの第４めっき線３ｕと共通配線３ｐと第１めっき線３ｒと第１スルーホール部３ｅと裏面３ｂの引き出し配線３ｈを介して行われる。
【００６６】
このようにパッケージ基板３の裏面３ｂにおいてその全周に亘って５列にランド部３ｄが敷き詰められ、かつ最外周のランド部３ｄと外側から３列目のランド部３ｄとの間の領域が高密度配線になっている多ピンのＢＧＡ７であっても、各ランド部３ｄに給電線用のめっき線３ｑを接続することができ、めっき用の給電を行って配線及び電極上に金及びニッケルのめっき膜を形成することが可能である。
【００６７】
なお、めっき形成後は、エッチング（エッチバック）により、リング状の共通配線３ｐと、これに繋がる複数の第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕとを切断分離してそれぞれの給電用引き出し配線を絶縁する。
【００６８】
また、共通配線３ｐに接続された複数の第１めっき線３ｒに繋がるそれぞれのランド部３ｄは、信号用のランド部３ｄであってもよいし、電源もしくはグランド用のランド部３ｄであってもよい。すなわち、信号用のランド部３ｄである場合には、めっき形成後、エッチングによって共通配線３ｐと第１めっき線３ｒとを切断分離することで、それぞれの第１めっき線３ｒ及びこれに繋がるランド部３ｄが絶縁されるため、これらのランド部３ｄが信号用のものであってもよい。また、電源もしくはグランド用のランド部３ｄである場合には、これらのランド部３ｄが第１めっき線３ｒを介して共通配線３ｐに接続する一部のみを、エッチングせずに残すことにより、電源もしくはグランドとして共通化することが可能であり、電源もしくはグランドの安定化を図ることができる。
【００６９】
なお、図９及び図１０に示すように、パッケージ基板３の主面３ａ及び裏面３ｂの略中央には複数の小さな四角形のダミーパターン３ｗが設けられている。これらのダミーパターン３ｗは基板の空きスペースに略均等な間隔で複数設けられており、これによって基板における局所的な応力集中を緩和して基板の反りを低減することができる。
【００７０】
次に、図１４及び図１５に示す製造フローにしたがって、給電用引き出し配線を切断分離するエッチバックを含むパッケージ基板３の形成方法について説明する。
【００７１】
まず、図１４のステップＳ１に示すように、両面銅張板準備を行う。すなわち、コア材３ｃの表裏両面に銅材３ｙが張り付けられた板材を準備する。その後、ステップＳ２に示すドリル加工を行って複数の貫通孔３ｎを形成する。すなわち、ドリル加工によって所定の位置に複数の貫通孔３ｎを形成する。
【００７２】
その後、ステップＳ３に示すスルーホールメッキ形成を行う。ここでは、電解めっきによって前記板材の表裏面及び貫通孔３ｎ内に金とニッケルのめっき膜３ｚをそれぞれ形成する。その際、本実施の形態のパッケージ基板３では、その各ランド部３ｄに給電線用のめっき線３ｑが直接もしくは共通配線３ｐを介して電気的に接続されているため、めっき用の給電を行うことで、各配線及び電極上に金及びニッケルのめっき膜３ｚを形成することができる。
【００７３】
その後、ステップＳ４に示すレジスト塗布を行う。ここでは、レジストを塗布して表裏面のめっき膜３ｚを覆うようにレジスト膜５を形成する。その後、ステップＳ５に示すパターニングを行う。すなわち、パターンに合わせてレジスト膜５の所定箇所を開口させる。
【００７４】
その後、ステップＳ６に示す銅エッチングを行う。ここでは、ステップＳ５のパターニングで開口した箇所の下部のめっき膜３ｚと銅材３ｙをエッチングによって除去する。その後、ステップＳ７に示すレジスト除去を行う。ここでは、ステップＳ４で表裏面に形成したレジスト膜５を除去する。
【００７５】
これによって、図９及び図１０に示す表裏面の配線パターンが形成される。
【００７６】
その後、図１５のステップＳ８に示すＳＲ（ソルダレジスト膜３ｋ）塗布を行う。すなわち、めっき膜３ｚの表裏面と開口された箇所とにソルダレジスト膜３ｋを塗布する。
【００７７】
その後、ステップＳ９に示す露光現像を行う。ここでは、最終的にエッチバックを行う箇所を含む所定の複数箇所の露光現像を行って、ソルダレジスト膜３ｋに図１１に示すように開口部３ｆを形成する。その後、ステップＳ１０に示すフィルム貼り付けを行う。ここでは、エッチバックを行う箇所（基板の主面３ａ側の共通配線３ｐの周囲）のみ開口したフィルム９を、ソルダレジスト膜３ｋの上から貼り付ける。すなわち、図１２に示すように、エッチバックを行う領域のみをリング状に開口させ、その他の領域をフィルム９で覆う。
【００７８】
その後、ステップＳ１１に示すエッチング（エッチバック）を行う。ここでは、エッチングによって所定箇所の銅材３ｙとめっき膜３ｚを除去する。すなわち、図１２に示すようにマスクであるフィルム９で覆った状態でエッチングを行い（図１２の斜線部がフィルム９）、これによって共通配線３ｐと、第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕとを切断分離する。
【００７９】
その後、ステップＳ１２に示すフィルム剥離を行う。すなわち、表裏面のフィルム９を剥がすことにより、図１３に示すように共通配線３ｐの周囲にリング状に凹部３ｘが形成され、その結果、リング状の共通配線３ｐと、第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕとが切断分離する。
【００８０】
その後、ステップＳ１３に示す表面処理を行う。ここではソルダレジスト膜３ｋの不要な開口部３ｆを埋める処理を施す。
【００８１】
これにより、パッケージ基板３の製造完了となる。
【００８２】
次に、図１６に示す本実施の形態の変形例について説明する。
【００８３】
図１６の変形例は、図１５のステップＳ１１のエッチバックで、リング状の共通配線３ｐとその内側領域全てが除去されたものであり、これによって、共通配線３ｐとこれに繋がる第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕとを分離したものである。すなわち、エッチバックの領域としては、図１３に示すように共通配線３ｐの周囲をリング状にエッチングして、共通配線３ｐとこれに繋がる第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕを切断分離してもよいし、図１６の変形例に示すように、リング状の共通配線３ｐとその内側領域全てをエッチングして、共通配線３ｐとこれに繋がる第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕを分離してもよい。
【００８４】
ただし、共通配線３ｐの内側のダミーパターン３ｗは、残しておいた方が好ましい。すなわち、図１３に示すように、共通配線３ｐの周囲をリング状にだけエッチングして、複数のダミーパターン３ｗはそのまま残すことにより、基板の反りを低減することができる。
【００８５】
次に、本実施の形態のＢＧＡ７の組み立てについて説明する。
【００８６】
まず、パッケージ基板３のデバイス領域３ｖ内において、共通配線３ｐとめっき線３ｑを介して給電を行って各配線及び電極にメッキを形成した後、共通配線３ｐとめっき線３ｑ（第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕ）を分離して形成されたパッケージ基板３を準備する。すなわち、主面３ａ側のデバイス領域３ｖ内に図１３に示す配線パターンが形成され、一方、裏面３ｂ側のデバイス領域３ｖ内に図１０に示す配線パターンが形成された多数個取り基板（パッケージ基板３）を準備する。なお、各デバイス領域には、図２に示すようなランド部３ｄから引き出し配線３ｈによって引き出された第１スルーホール部３ｅと、ランド部３ｄ上に配置された第２スルーホール部３ｇ（パッドオンビア）とが混載されている多数個取り基板を準備する。
【００８７】
その後、ダイボンディングを行って、図１７及び図１８に示すように、パッケージ基板３の主面３ａ上に接着剤２を介して半導体チップ１を固着する。その際、基板製造工程のエッチング（エッチバック）によって形成された凹部３ｘを覆うように半導体チップ１をパッケージ基板３の主面３ａ上に搭載して固着する。なお、図１８は半導体チップ１を透過してチップ下部の配線パターンも示す図となっている。
【００８８】
その後、ワイヤボンディングを行う。ここでは、図１９に示すように、半導体チップ１の主面１ａのパッド１ｃと、これに対応するパッケージ基板３のボンディングリード３ｊとを金線等の導電性のワイヤ４によって電気的に接続する。
【００８９】
その後、樹脂モールディングを行う。ここでは、パッケージ基板３の主面３ａ上において、複数の半導体チップ１や複数のワイヤ４を一括して覆って樹脂封止する。これによって、図２０に示すように、半導体チップ１や複数のワイヤ４が樹脂体６によって覆われる。なお、封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等である。
【００９０】
その後、図２１に示すように、ボールマウントを行ってパッケージ基板３の裏面３ｂの各ランド部３ｄに外部端子である半田ボール８を接続する。
【００９１】
その後、個片化を行う。例えば、ダイシングによって切断して各ＢＧＡ７に個片化する。個片化により、デバイス領域３ｖの外周の境界線を跨がっているめっき線１０は、前記境界線で切断されるため、切断後（個片化後）のパッケージ基板３からは外部に突出しない。
【００９２】
本実施の形態のＢＧＡ（半導体装置）７の製造方法によれば、主面３ａのデバイス領域３ｖ内においてボンディングリード３ｊの内側領域に給電用のリング状の共通配線３ｐが形成されたパッケージ基板３を用いることで、複数のランド部３ｄが敷き詰められた裏面３ｂ側に比べて主面３ａ側はスペースがあるため、共通配線３ｐに接続する複数の給電用のめっき線３ｑ（第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕ）を引き回すことができる。したがって、ビア部（第１スルーホール部３ｅまたは第２スルーホール部３ｇ）を介して裏面３ｂ側の全てのランド部３ｄに対して電解めっき用の給電線を配置することが可能になる。
【００９３】
すなわち、主面３ａ側は２列配置のボンディングリード３ｊのみであるため、ある程度スペースがある。特に角部にスペースがあるため、共通配線３ｐに接続し、かつ基板の端部まで延在する第４めっき線３ｕを角部に配置することで、外部から共通配線３ｐに対して給電を行う際にもこの第４めっき線３ｕを介して行うことが可能である。
【００９４】
その結果、パッケージ基板３の主面３ａと裏面３ｂの配線や電極に対して電解めっきを施すことが可能になり、裏面３ｂの全周に亘って複数列のランド部３ｄが敷き詰められた半導体装置においても全てのランド部３ｄに電解めっきを施すことができる。
【００９５】
その結果、半導体装置（ＢＧＡ７）の多ピン化を図りつつ、配線や電極に電解めっきを施すことが可能になる。
【００９６】
また、複数列のランド部３ｄが狭ピッチで配置されていても全てのランド部３ｄに電解めっきを施すことができるため、半導体装置（ＢＧＡ７）の小型化を図りつつ、配線や電解めっきを施すことが可能になる。
【００９７】
さらに、主面３ａに共通配線３ｐが形成され、かつ電解めっきを施した後、共通配線３ｐの周囲をエッチング（エッチバック）して共通配線３ｐと、これに繋がる第１めっき線３ｒ及び第４めっき線３ｕとを切断分離したパッケージ基板３であることにより、エッチバックによって形成された凹部３ｘを半導体チップ１の搭載で覆うことができ、さらに、半導体チップ１を封止用樹脂（樹脂体６）によって覆うことができる。
【００９８】
これにより、給電用引き出し配線切断による配線の端部が露出することを阻止でき、共通配線３ｐの周囲をエッチバックして形成された凹部３ｘからの吸湿の発生、もしくは導電性異物の付着による電気的ショートの発生を防止することができる。
【００９９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１００】
例えば、前記実施の形態では、外部端子が半田ボール８の場合を説明したが、外部端子は半田ボール８以外の場合であってもよい。すなわち、共通配線３ｐを介した給電による電解めっき形成が行われて製造された配線基板を用いて組み立てられる多ピンの半導体装置であれば、ＬＧＡ（Land Grid Array)等の半導体装置であってもよい。その際、外部端子の配列数は、５列以外の複数列であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、配線基板を有する電子装置の製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示すＡ部の構造を示す拡大部分断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の内部構造の一例を樹脂体を透過して示す拡大部分平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の最外周のランド部と接続する給電線の一例を示す拡大部分断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の外側から２列目のランド部と接続する給電線の一例を示す拡大部分断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の外側から３列目と４列目のランド部と接続する配線の一例を示す拡大部分断面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の最内周のランド部と接続する給電線の一例を示す拡大部分断面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の組み立てで用いられる配線基板の主面の配線パターンの一例を示す平面図である。
【図１０】図９に示す配線基板の裏面の配線パターンの一例を示す平面図である。
【図１１】図９に示す配線基板の主面側のレジスト膜の開口部のレイアウトの一例を示す平面図である。
【図１２】図９に示す配線基板の製造におけるエッチバック時のマスクエリアの一例を示す平面図である。
【図１３】図９に示す配線基板の製造におけるエッチバック後の構造の一例を示す平面図である。
【図１４】図９に示す配線基板の製造におけるエッチバック前の処理手順の一例を示す断面図である。
【図１５】図９に示す配線基板の製造におけるエッチバック前後の処理手順の一例を示す断面図である。
【図１６】変形例の配線基板の主面の配線パターンを示す平面図である。
【図１７】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す断面図である。
【図１８】図１７に示すダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図１９】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す断面図である。
【図２０】図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を示す断面図である。
【図２１】図１に示す半導体装置の組み立てにおける半田ボール搭載後の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１  半導体チップ
１ａ  主面
１ｂ  裏面
１ｃ  パッド（電極）
２  接着剤
３  パッケージ基板（配線基板）
３ａ  主面
３ｂ  裏面
３ｃ  コア材
３ｄ  ランド部
３ｅ  第１スルーホール部（第１ビア部）
３ｆ  開口部
３ｇ  第２スルーホール部（第２ビア部）
３ｈ  引き出し配線
３ｉ  配線部
３ｊ  ボンディングリード（ボンディング電極）
３ｋ  ソルダレジスト膜
３ｍ  導体膜
３ｎ  貫通孔
３ｐ  共通配線
３ｑ  めっき線（給電用引き出し配線）
３ｒ  第１めっき線（給電用引き出し配線）
３ｓ  第２めっき線（給電用引き出し配線）
３ｔ  第３めっき線（給電用引き出し配線）
３ｕ  第４めっき線（給電用引き出し配線）
３ｖ  デバイス領域
３ｗ  ダミーパターン
３ｘ  凹部
３ｙ  銅材
３ｚ  めっき膜
４  ワイヤ
５  レジスト膜
６  樹脂体
７  ＢＧＡ（半導体装置）
８  半田ボール（外部端子）
９  フィルム
１０  めっき線
【図１】
2007335581.tif 000003
【図２】
2007335581.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2007335581.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2007335581.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2007335581.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2007335581.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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