(57)【要約】【課題】ターゲットの不所望付着物をより容易に確実に除去可能であり、ターゲット自体の損傷を防止可能な、基板処理装置のクリーニング方法の提供。【解決手段】耐酸容器３１中にターゲット１１を設置し、フッ硝酸系水溶液を注入し、耐酸容器に超音波発生器３０を用いて超音波による物理的刺激を加え、不所望付着物を硝酸の作用により酸化して、フッ酸の作用によりターゲット１１から浮かせ、浮かせた不所望付着物を超音波の刺激によってターゲットから分離させる工程を同一水溶液中で同時に行い、より容易に確実に不所望付着物を除去する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ酸、硝酸、及び水を含むフッ硝酸系水溶液を用いると共に、物理的刺激を加えて基板処理装置のクリーニングを行うことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
ジェット噴霧、煮沸、または超音波による物理的刺激を加えて基板処理装置のクリーニングを行うことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
基板処理装置の金属ターゲットをクリーニングすることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
基板処理装置の高融点金属ターゲットをクリーニングすることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
金属にハロゲンラジカルを作用させ、金属成分とハロゲンとの前駆体を生成し、前記前駆体を堆積させると共に、堆積された前駆体をハロゲンラジカルにより還元して基板処理を行う基板処理装置のクリーニングを行うことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
金属にハロゲンラジカルを作用させ、金属成分とハロゲンとの前駆体を生成し、前記前駆体を堆積させると共に、堆積された前駆体をハロゲンラジカルにより還元して基板処理を行う基板処理装置の金属ターゲットから金属ターゲットに付着した不所望付着物のみを除去することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
金属ターゲットから金属ターゲットに付着した塩化物または窒化物のみを除去することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項８】
請求項６に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
高融点金属ターゲットから高融点金属ターゲットに付着した不所望付着物のみを除去することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
高融点金属ターゲットから高融点金属ターゲットに付着した塩化物または窒化物のみを除去することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れかに記載の基板処理装置のクリーニング方法において、
フッ硝酸系水溶液が、フッ酸：硝酸：水＝ｘ：３：６（０＜ｘ≦１）且つフッ酸：フッ硝酸系水溶液＝ｙ：１０（０＜ｙ≦１）の重量比で混合された水溶液であることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置の金属ターゲットに付着した金属化合物を除去する方法に関し、特に除去が困難な高融点金属化合物のみを高融点金属ターゲットから除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体の製造等で基板に金属成分含有膜を作成する場合に、金属ターゲットを用いた基板処理装置が用いられている。特に埋め込み性の良好な成膜が可能である基板処理装置として、ハロゲンラジカルを利用し、金属をハロゲン化して再び還元して金属を堆積させたり（特許文献１参照）、ハロゲン化した金属に窒素含有ガスプラズマを作用させて金属窒化膜として堆積させたり（特許文献２参照）する、金属含有膜作成装置がある。
【０００３】
この装置を用い、例えば金属膜を作成する場合は、チャンバ内に金属（Ｍ）ターゲットを備え、ハロゲンガスを供給し、誘導プラズマを発生させてハロゲンガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、ハロゲンラジカルでターゲットをエッチングすることによりターゲットに含まれる金属成分とハロゲンガス成分との前駆体を生成し、ターゲットよりも低い温度の基板上において、前駆体をハロゲンラジカルにより還元し、金属成分を基板表面に吸着させる。
【０００４】
この一連の反応はハロゲンを塩素とした場合、次式の様に示される。
（１）プラズマの解離反応；Ｃｌ２→２Ｃｌ＊
（２）エッチング反応；Ｍ＋Ｃｌ＊→ＭＣｌ（ｇ）
（３）基板への吸着反応；ＭＣｌ（ｇ）→ＭＣｌ（ａｄ）
（４）成膜反応；ＭＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ＊→Ｍ＋Ｃｌ２↑
式中のＣｌ＊は塩素ラジカル、（ｇ）はガス状態、（ａｄ）は吸着状態を示す。金属Ｍには高蒸気圧ハロゲン化物を作る物質（銅など）が使用される。
【０００５】
この一連の反応式を利用することにより、場合によっては反応を逆に進めることや、成膜とは逆のエッチングを行うことも可能である。
【０００６】
基板処理装置で用いられる金属ターゲットは、不所望物質の付着が生じやすいため、必要に応じてクリーニングを行う場合が多い。特に、ハロゲンラジカルを金属ターゲットに反応させて金属含有膜を作成する装置においては、金属ターゲットにハロゲン化金属が付着しやすく、ハロゲン化金属の除去が必要となる。
【０００７】
これまで、基板処理装置の金属ターゲットのクリーニングは様々な方法が用いられてきた。中でも多量の金属化合物を金属ターゲットから容易に除去する方法として、酸を用いた湿式クリーニングが挙げられる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１４７５３４号公報
【特許文献２】特開２００３−２４７０７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしこれまでに、酸液を用い、金属ターゲットを過剰に溶解せずに不所望物質のみを除去可能であり、また高融点金属ターゲットに強固に付着した高融点金属化合物の除去も可能である、多種の金属ターゲットに対応可能なクリーニング方法は報告されていない。
【００１０】
本発明は上記の状況に鑑み、金属ターゲットを過剰に溶解せずに不所望物質のみを除去可能であり、また高融点金属ターゲットに強固に付着した高融点金属化合物の除去も可能である、多種の金属ターゲットに対応可能な酸液を用いた基板処理装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するための請求項１に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、フッ酸、硝酸、及び水を含むフッ硝酸系水溶液を用いると共に、物理的刺激を加えて基板処理装置のクリーニングを行うことを特徴とする。
【００１２】
請求項１に係る本発明では、不所望付着物を硝酸の作用により酸化し、フッ酸の作用により基板処理装置から浮かせ、浮かせた不所望な付着物を物理的刺激によって基板処理装置から分離させる工程を同一水溶液中で同時に行うことにより、より容易に確実に不所望付着物を除去することが可能となる。
【００１３】
そして請求項２に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項１に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、ジェット噴霧、煮沸、または超音波による物理的刺激を加えて基板処理装置のクリーニングを行うことを特徴とする。
【００１４】
請求項２に係る本発明では、ジェット噴霧、煮沸、または超音波による物理的刺激を加えることにより、より容易に不所望物質を分離させることが可能となり、効果的なクリーニングを行うことができる。
【００１５】
また、請求項３に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項１又は２に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、基板処理装置の金属ターゲットをクリーニングすることを特徴とする。
【００１６】
請求項３に係る本発明では、効果的な金属ターゲットのクリーニングを行うことができる。
【００１７】
また、請求項４に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項１〜３の何れかに記載の基板処理装置のクリーニング方法において、基板処理装置の高融点金属ターゲットをクリーニングすることを特徴とする。
【００１８】
請求項４に係る本発明では、効果的な高融点金属ターゲットのクリーニングを行うことができる。
【００１９】
また、請求項５に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項１〜４の何れかに記載の基板処理装置のクリーニング方法において、金属にハロゲンラジカルを作用させ、金属成分とハロゲンとの前駆体を生成し、前記前駆体を堆積させると共に、堆積された前駆体をハロゲンラジカルにより還元して基板処理を行う基板処理装置のクリーニングを行うことを特徴とする。
【００２０】
請求項５に係る本発明では、特にハロゲン化物からなる不所望付着物を効果的に除去することができる。
【００２１】
また、請求項６に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項３又は４に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、金属にハロゲンラジカルを作用させ、金属成分とハロゲンとの前駆体を生成し、前記前駆体を堆積させると共に、堆積された前駆体をハロゲンラジカルにより還元して基板処理を行う基板処理装置の金属ターゲットから金属ターゲットに付着した不所望付着物のみを除去することを特徴とする。
【００２２】
請求項６に係る本発明では、特にハロゲン化物からなる不所望付着物を金属ターゲットから効果的に除去することができる。
【００２３】
また、請求項７に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項６に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、金属ターゲットから金属ターゲットに付着した塩化物または窒化物のみを除去することを特徴とする。
【００２４】
請求項７に係る本発明では、金属ターゲットに付着した塩化物または窒化物のみを金属ターゲットから効果的に除去することができる。
【００２５】
また、請求項８に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項６に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、高融点金属ターゲットから高融点金属ターゲットに付着した不所望付着物のみを除去することを特徴とする。
【００２６】
請求項８に係る本発明では、高融点金属ターゲットに付着した不所望付着物のみを高融点金属ターゲットから効果的に除去することができる。
【００２７】
また、請求項９に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項８に記載の基板処理装置のクリーニング方法において、高融点金属ターゲットから高融点金属ターゲットに付着した塩化物または窒化物のみを除去することを特徴とする。
【００２８】
請求項９に係る本発明では、高融点金属ターゲットに付着した塩化物または窒化物のみを高融点金属ターゲットから効果的に除去することができる。
【００２９】
また、請求項１０に係る本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項１〜９の何れかに記載の基板処理装置のクリーニング方法において、フッ硝酸系水溶液が、フッ酸：硝酸：水＝ｘ：３：６（０＜ｘ≦１）且つフッ酸：フッ硝酸系水溶液＝ｙ：１０（０＜ｙ≦１）の重量比で混合された水溶液であることを特徴とする。
【００３０】
請求項１０に係る本発明では、硝酸：水＝１：２の重量比で混合された酸液を用いてクリーニングを行うことにより、硝酸過剰による過度な酸化を防止しながら適度な酸化を行うことができ、不所望物質のみを基板処理装置から除去することができる。また、フッ酸はフッ硝酸系水溶液の１０Ｗ％で十分な効果が得られるため、フッ酸をフッ硝酸系水溶液の１０Ｗ％を超さない割合で混合することにより、フッ酸の過剰な使用を防止することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、フッ酸、硝酸、及び水を含むフッ硝酸系水溶液を用いると共に、物理的刺激を加えて基板処理装置のクリーニングを行うことにより、不所望付着物を硝酸の作用により酸化し、フッ酸の作用により基板処理装置から浮かせ、浮かせた不所望な付着物を物理的刺激によって基板処理装置から分離させる工程を同一水溶液中で同時に行うことにより、より容易に確実に不所望付着物を除去することが可能となり、また基板処理装置自体を過剰に溶解することなく不所望物質のみを基板処理装置から除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（第１実施形態）
本発明は基板処理装置のクリーニング方法に関し、本実施形態においては、クリーニングの対象を、高融点金属にハロゲンラジカルを作用させ、高融点金属成分とハロゲンガス成分との前駆体を生成し、前駆体を基板上に輸送し、基板上で再び還元して高融点金属膜を作成する基板処理装置のターゲットとする。
【００３３】
上記の高融点金属膜の作成は、具体的には、真空チャンバ内に高融点金属（Ｍ）製のターゲットを備え、ハロゲンガスを供給し、誘導プラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、ハロゲンラジカルでターゲットをエッチングすることにより高融点金属成分とハロゲンガス成分との前駆体を生成し、ターゲットよりも低い温度の基板上において、前駆体をハロゲンラジカルにより還元し、高融点金属成分を基板表面に吸着させるものである。
【００３４】
この一連の反応はハロゲンを塩素とした場合、次式の様に示される。
（１）プラズマの解離反応；Ｃｌ２→２Ｃｌ＊
（２）エッチング反応；Ｍ＋Ｃｌ＊→ＭＣｌ（ｇ）
（３）基板への吸着反応；ＭＣｌ（ｇ）→ＭＣｌ（ａｄ）
（４）成膜反応；ＭＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ＊→Ｍ＋Ｃｌ２↑
式中のＣｌ＊は塩素ラジカル、（ｇ）はガス状態、（ａｄ）は吸着状態を示す。高融点金属Ｍには高蒸気圧ハロゲン化物を作る物質（タンタルなど）が使用される。
【００３５】
図１にこの一連の反応を利用した基板処理を行う基板処理装置の断面概略図を示す。
【００３６】
円筒状に形成されたチャンバ１の底部近傍に支持台２が設けられ、支持台２には基板３が載置される。基板３は支持台２に備えられたヒーター４及び冷媒流通手段５を備えた温度制御手段６により所定温度に制御される。
【００３７】
チャンバ１の上面は開口部とされ、開口部は天井板７によって塞がれている。天井板７の上方にはチャンバ１の内部をプラズマ化するためのプラズマアンテナ８が設けられ、プラズマアンテナ８には整合器９及び高周波電源１０が接続されて高周波が供給される。プラズマアンテナ８、整合器９及び高周波電源１０により誘導プラズマを発生させるプラズマ発生手段が構成されている。チャンバ１内の基板３の上部には高融点金属からなるターゲット１１が円環部材１２に支持されて設けられ、原料となる高融点金属が供給される。ターゲット１１（金属ターゲット）は図２の通りリング部２０に長尺部２１が支持された形状を有する。
【００３８】
ターゲット１１の上方にはチャンバ１の内部にハロゲンガス１３を供給するハロゲンガス供給手段としてガス供給のためのノズル１４が設けられている。ノズル１４には流量及び圧力が制御される流量制御器１５を介してハロゲンガス１３が送られる。
【００３９】
装置内に供給されたガスは排気口１６から排気され、真空装置１７によって所定の圧力に維持される。
【００４０】
所定の圧力に維持されたチャンバ１の内部にハロゲンガス１３を供給し、プラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、ハロゲンラジカルにより高融点金属からなるターゲット１１をエッチングし、高融点金属成分とハロゲンとの前駆体を生成し、前駆体を基板３上に吸着させ、基板３上で前駆体を還元することで、高融点金属成分のみが堆積される。
【００４１】
このハロゲンラジカルを利用する高融点金属の成膜においては、ターゲット１１にターゲット成分の塩化物が付着する場合が有り、付着量が多い場合は他の不所望付着物と共に除去を要する。
【００４２】
本実施形態は、図１及び図２に示した基板処理装置のターゲットから高融点金属塩化物を含む不所望付着物を除去するクリーニング方法に係るものである。以下に本実施形態を詳細に説明する。
【００４３】
図３に超音波を利用して図１及び図２に示した基板処理装置のターゲットのクリーニングを行う場合に使用する装置の概略図を示す。超音波発生器３０の上にテフロン（登録商標）からなる耐酸容器３１が載置され、耐酸容器３１内にテフロン（登録商標）製の網状支持台３２が設置され、網状支持台３２上にターゲット１１が載置される。耐酸容器３１内にフッ硝酸系水溶液３３が注入され、超音波発生器３０を用いて超音波を発生させる。フッ硝酸系水溶液３３はフッ酸：硝酸：水＝１：３：６の重量比で混合されたものである。
【００４４】
ターゲット１１を図３のフッ硝酸系水溶液３３中に浸漬し、超音波を発生させて、ターゲット１１成分の塩化物である高融点金属塩化物をターゲット１１から除去する。これにより、不所望付着物を硝酸の作用により酸化し、フッ酸の作用によりターゲット１１から浮かせ、浮かせた不所望な付着物を超音波の刺激によってターゲット１１から分離させる工程が同一水溶液中で同時に行われ、より容易に確実に不所望付着物を除去することが可能となる。また、フッ酸：硝酸：水＝１：３：６の重量比で混合されたフッ硝酸系水溶液３３を用いることにより、硝酸過多による過度な酸化を防止しながら適度な酸化を行うことができ、不所望物質のみをターゲットから除去することができる。さらに、フッ酸はフッ硝酸系水溶液３３の１０Ｗ％で十分な効果が得られるため、フッ酸をフッ硝酸系水溶液３３の１０Ｗ％を超さない割合で混合することにより、フッ酸の過剰な使用を防止することができる。
【００４５】
本実施形態においては、物理的刺激を与えるために超音波発生器３０を用いたが、超音波発生器３０のかわりにヒーター（不図示）を用い、熱を加えて煮沸することによっても、不所望付着物をターゲットから分離させることができる。また、耐酸容器３１の材質は耐フッ硝酸性のものであればテフロン（登録商標）に限定されず、形状も限定されない。同様に網状支持台３２は網状でない形状のものを用いても良く、材質も耐フッ硝酸性のものであればテフロン（登録商標）に限らない。また、網状支持台３２は用いなくても良い。
【００４６】
クリーニングの対象物はハロゲンラジカルを利用した基板処理装置の高融点金属ターゲット１１に限定されず、対象物の材質も石英などの絶縁性部品や、ターゲット１１以外の金属部品などでも良い。クリーニングの対象物がフッ硝酸系水溶液３３に溶解するものであっても、フッ硝酸系水溶液３３への浸漬を短時間とし、その後瞬時に水洗浄を行えば、本発明のクリーニング方法を利用して容易に塩化物などの不所望付着物を除去することができる。また、クリーニング対象物の形状も限定されず、複数の部品をまとめて洗浄しても個別に洗浄してもよい。
【００４７】
フッ硝酸系水溶液３３には、例えば酢酸など、他の酸が加えられても良い。その場合の酸及び水の混合比は対象や状況などに適した条件で使用する。除去する不所望付着物は塩化物に限定されず、窒化物やその他の物質を含む。また、除去された不所望付着物の固形物を除去するトラップや、クリーニング後の溶液を有効に再利用したり安全に廃棄したりするためのシステムが併設されていても良い。
【００４８】
図１の装置においてターゲット１１の下方に窒素含有ガス供給手段（不図示）及び必要に応じて窒素含有ガスプラズマ発生手段（不図示）を追加し、ターゲット１１の下方で窒素含有ガスプラズマを発生させることにより、基板３上に金属窒化膜を作成することができる。すなわち、図１のターゲット１１近傍において（２）式に示したエッチング反応により生じたＭＣｌ（ｇ）に、窒素ガス含有プラズマに作用させることにより、窒化金属（ＭＮ）を生成させ、基板３上に窒化金属膜を作成することが可能である。窒化金属膜の作成においては、基板処理装置に付着した不所望な窒化物の除去を要する場合がある。このような窒化物のクリーニングにも本実施形態に示した本発明の基板処理装置のクリーニング方法は有効である。
【００４９】
（第２実施形態）
本実施形態においても、第１実施形態と同様に、高融点金属にハロゲンラジカルを作用させ、金属成分とハロゲンガス成分との前駆体を生成し、前駆体を基板上に輸送し、基板上で再び還元して高融点金属膜を作成する、図１及び図２に記載の基板処理装置のターゲット１１をクリーニングの対象とする。ハロゲンを利用した成膜においては、ターゲットにターゲット成分の塩化物が付着する場合が有り、付着量が多い場合は他の不所望付着物と共に除去を要する。
【００５０】
以下に第２実施形態に係る基板処理装置のクリーニング方法を図面に基づき詳細に説明する。
【００５１】
図４にジェット噴霧を利用して基板処理装置のクリーニングを行う場合のクリーニング装置の概略図を示す。耐酸容器３１内にテフロン（登録商標）製の網状支持台３２が設置され、網状支持台上にターゲット１１が載置される。可動ジェット噴霧ノズル３４を用いてターゲット１１にフッ硝酸系水溶液３３がジェット噴霧される。フッ硝酸系水溶液３３はフッ酸：硝酸：水＝１：３：６の重量比で混合されたものである。
【００５２】
ターゲット１１にフッ硝酸系水溶液３３をジェット噴霧し、ターゲット１１成分の塩化物である高融点金属塩化物をターゲット１１から除去する。これにより、不所望付着物を硝酸の作用により酸化し、フッ酸の作用によりターゲット１１から浮かせ、浮かせた不所望な付着物をジェット噴霧の刺激によってターゲット１１から分離させる工程が同時に行われ、より容易に確実に不所望付着物を除去することが可能となる。また、フッ酸：硝酸：水＝１：３：６の重量比で混合されたフッ硝酸系水溶液３３を用いることにより、硝酸過多による過度な酸化を防止しながら適度な酸化を行うことができ、不所望物質のみをターゲット１１から除去することができる。さらに、フッ酸はフッ硝酸系水溶液３３の１０Ｗ％で十分な効果が得られるため、フッ酸をフッ硝酸系水溶液３３の１０Ｗ％を超さない割合で混合することにより、フッ酸の過剰な使用を防止することができる。フッ硝酸系水溶液は、加熱して用いても良い。
【００５３】
耐酸容器３１の材質は耐フッ硝酸性のものであればテフロン（登録商標）に限定されず、形状も限定されない。同様に網状支持台３２は網状でない形状のものを用いても良く、材質も耐フッ硝酸性のものであればテフロン（登録商標）に限らない。また、網状支持台３２は用いなくても良い。
【００５４】
クリーニングの対象物はハロゲンラジカルを利用した基板処理装置の高融点金属ターゲット１１に限定されず、対象物の材質も石英などの絶縁性部品や、ターゲット１１以外の金属部品などでも良い。クリーニングの対象物がフッ硝酸系水溶液３３に溶解するものであっても、フッ硝酸系水溶液３３のジェット噴霧を短時間とし、その後瞬時に水洗浄を行えば、本発明のクリーニング方法を利用して容易に塩化物などの不所望付着物を除去することができる。また、クリーニング対象物の形状も限定されず、複数の部品をまとめて洗浄しても個別に洗浄してもよい。
【００５５】
フッ硝酸系水溶液には、例えば酢酸など、他の酸が加えられても良い。その場合の酸及び水の混合比は対象や状況などに適した条件で使用する。除去する不所望付着物は塩化物に限定されず、窒化物やその他の物質を含む。また、除去された不所望付着物の固形物を除去するトラップや、クリーニング後の溶液を有効に再利用したり安全に廃棄したりするためのシステムが併設されていても良い。
【００５６】
図１の装置においてターゲット１１の下方に窒素含有ガス供給手段（不図示）及び必要に応じて窒素含有ガスプラズマ発生手段（不図示）を追加し、ターゲット１１の下方で窒素含有ガスプラズマを発生させることにより、基板３上に金属窒化膜を作成することができる。すなわち、図１のターゲット１１近傍において（２）式に示したエッチング反応により生じたＭＣｌ（ｇ）に、窒素ガス含有プラズマに作用させることにより、窒化金属（ＭＮ）を生成させ、基板３上に窒化金属膜を作成することが可能である。窒化金属膜の作成においては、基板処理装置に付着した不所望な窒化物の除去を要する場合がある。このような窒化物のクリーニングにも本実施形態に示した本発明の基板処理装置のクリーニング方法は有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１実施形態及び第２実施形態に係るクリーニングの対象となるターゲットが用いられる基板処理装置の断面概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態及び第２実施形態でクリーニング処理される基板処理装置のターゲットの概略図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のクリーニング用装置の断面概略図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置のクリーニング用装置の断面概略図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  チャンバ
２  支持台
３  基板
４  ヒーター
５  冷媒流通手段
６  温度制御手段
７  天井板
８  プラズマアンテナ
９  整合器
１０  高周波電源
１１  ターゲット
１２  円環部材
１３  ハロゲンガス
１４  ノズル
１５  流量制御器
１６  排気口
１７  真空装置
２０  リング部
２１  長尺部
３０  超音波発生器
３１  耐酸容器
３２  網状支持台
３３  フッ硝酸系水溶液
３４  可動ジェット噴霧ノズル
【図１】
2007234825.tif 000003
【図２】
2007234825.tif 000004
【図３】
2007234825.tif 000005
【図４】
2007234825.tif 000006