(57)【要約】【課題】パターンの欠陥部に塗布された塗布材を短時間に確実に硬化させる。【解決手段】上面に所定形状の開口部１０を設け、パターンを形成したＴＦＴ液晶基板７を水平に保持するステージ１と、前記ステージ１の上方に配設され、水平・垂直の三次元方向に移動して前記ＴＦＴ液晶基板７のパターンの欠陥部を拡大観察する観察光学系２と、前記ステージ１の開口部１０内に配設され、待機位置から上昇して前記ＴＦＴ液晶基板７の裏面に面接触し、前記パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させる加熱手段６Ａ，６Ｂと、を備えたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に所定形状の開口部を設け、パターンが形成された基板を水平に保持するステージと、
前記ステージの上方に配設され、水平・垂直の三次元方向に移動して前記ステージに保持された基板のパターンの欠陥部を拡大観察する観察光学系と、
前記ステージの開口部内に配設され、待機位置から上昇して前記ステージに保持された基板の裏面に面接触し、前記パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させる加熱手段と、
を備えたことを特徴とするパターン修正装置。
【請求項２】
前記ステージは、一方向に長く形成された単位ステージを上面が同一平面をなすように所定間隔で複数個並べて隣接する単位ステージ間を開口部とし、該単位ステージの並び方向に前記基板を移動可能な構造とし、
前記加熱手段は、前記隣接する単位ステージ間の開口部内にそれぞれ配設され、前記単位ステージの長手方向に水平に移動し、前記パターンの欠陥部の位置で上昇する構造とした、
ことを特徴とする請求項１記載のパターン修正装置。
【請求項３】
前記単位ステージは、その上面に気体を吸引する複数個の吸引孔を形成し、前記基板を吸着して保持可能としたことを特徴とする請求項２記載のパターン修正装置。
【請求項４】
前記単位ステージは、その上面に気体を噴射する多数個の噴射孔と、気体を吸引する複数個の吸引孔とを形成し、前記気体の噴射と吸引とをバランスさせて前記基板を所定のエアギャップを介して前記ステージの上面に保持可能としたことを特徴とする請求項２記載のパターン修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に形成されたパターンの欠陥部に修正材を塗布して修正するパターン修正装置に関し、詳しくは、パターンの欠陥部に塗布された修正材を短時間に確実に硬化させることが可能なパターン修正装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のパターン修正装置は、基板を載置してＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能なＸＹテーブルと、上記基板に形成された凹凸のパターンを観察する観察光学系と、上記基板の凹凸パターンの欠陥部の位置で上下動して該欠陥部に修正材を充填する塗布針と、欠陥部に充填された修正材を硬化させるためのレーザ発振器とを備え、観察光学系で欠陥部を観察しながら、先端部に修正材を付着させた塗布針を上下動させて上記欠陥部に修正材を充填し、レーザ発振器を連続発振させてこの連続発振レーザを欠陥部に充填された修正材に照射し、修正材を焼成して硬化させるようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３１０３９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、このような従来のパターン修正装置においては、修正材の焼成に連続発振レーザを使用しているため、熱エネルギーを局所的に集中させることができて５秒程度の短時間の焼成が可能であるものの、熱エネルギーを修正材に均一に作用させることができない。そのため、修正材の表面しか硬化されず、硬化不良が発生することがあった。
【０００４】
上記修正材の焼成方法としては、上記連続発振レーザを修正材に照射して加熱する方法以外に、赤外線ランプを用いて赤外線を照射して加熱する方法や熱風を吹きつけて加熱する方法がある。しかし、赤外線ランプによる加熱方法は、熱の伝達効率が悪いため焼成時間が６０秒以上と長く、パターンの修正処理に長時間を要するという問題がある。また、熱風による加熱方法は、焼成時間が２０秒程度と上記連続発振レーザ及び赤外線ランプによる加熱方法の略中間であるが、熱風を基板に吹きつけるため埃が舞って基板に異物が付着し易いという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、パターンの欠陥部に塗布された修正材を短時間に確実に硬化させることが可能なパターン修正装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明によるパターン修正装置は、上面に所定形状の開口部を設け、パターンが形成された基板を水平に保持するステージと、前記ステージの上方に配設され、水平・垂直の三次元方向に移動して前記ステージに保持された基板のパターンの欠陥部を拡大観察する観察光学系と、前記ステージの開口部内に配設され、待機位置から上昇して前記ステージに保持された基板の裏面に面接触し、前記パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させる加熱手段と、を備えたものである。
【０００７】
このような構成により、上面に所定形状の開口部を設けたステージでパターンを形成した基板を水平に保持し、ステージの上方に配設された観察光学系で水平・垂直の三次元方向に移動してステージに保持された基板のパターンの欠陥部を拡大観察し、ステージの開口部内に配設された加熱手段を待機位置から上昇してステージに保持された基板の裏面に面接触し、パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させる。
【０００８】
また、前記ステージは、一方向に長く形成された単位ステージを上面が同一平面をなすように所定間隔で複数個並べて隣接する単位ステージ間を開口部とし、該単位ステージの並び方向に前記基板を移動可能な構造とし、前記加熱手段は、前記隣接する単位ステージ間の開口部内にそれぞれ配設され、前記単位ステージの長手方向に水平に移動し、前記パターンの欠陥部の位置で上昇する構造としたものである。これにより、一方向に長く形成された単位ステージを上面が同一平面をなすように所定間隔で複数並べ、隣接する単位ステージ間を開口部としたステージで基板を保持すると共に、単位ステージの並び方向に基板を移動させ、隣接する単位ステージ間の開口部内にそれぞれ配設された加熱手段を観察光学系の水平方向に移動に同期して単位ステージの長手方向に水平に移動し、パターンの欠陥部の位置で上昇させる。
【０００９】
さらに、前記ステージは、その上面に気体を吸引する複数個の吸引孔を形成し、前記基板を吸着して保持可能としたものである。これにより、上面に気体を吸引する複数個の吸引孔を形成しステージで基板を吸着して保持する。
【００１０】
そして、前記ステージは、その上面に気体を噴射する多数個の噴射孔と、気体を吸引する複数個の吸引孔とを形成し、前記気体の噴射と吸引とをバランスさせて前記基板を所定のエアギャップを介して前記ステージの上面に保持可能としたものである。これにより、上面に気体を噴射する多数個の噴射孔と、気体を吸引する複数個の吸引孔とを形成したステージで気体の噴射と吸引とをバランスさせて基板を所定のエアギャップを介してステージの上面に保持する。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に係るパターン修正装置の発明によれば、加熱手段を基板の裏面に面接触させて、基板の裏面からパターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させることができる。したがって、パターンの欠陥部に塗布された修正材に対する熱伝達効率が高くなり、修正材を短時間に確実に硬化させることができる。
【００１２】
また、請求項２に係る発明によれば、加熱手段が観察光学系の水平移動に同期して移動し、パターン欠陥部の位置で上昇して基板に面接触するので、パターンの欠陥部に塗布された修正材を確実に加熱することができる。さらに、基板を単位ステージの並び方向に移動可能な構造としたので、上記欠陥部の位置が単位ステージ上にあっても欠陥部に塗布された修正材を加熱する際には基板を移動して欠陥部を加熱手段上まで動かすことができる。したがって、基板上の如何なる部分の欠陥も修正することができる。
【００１３】
さらに、請求項３に係る発明によれば、基板を吸着保持できるので、加熱手段を基板の裏面に面接触させる際に加熱手段を基板に密着させることができる。したがって、パターンの欠陥部に塗布された修正材に対する熱伝達効率をより高くすることができ、修正材をより短時間に確実に硬化させることができる。
【００１４】
そして、請求項４に係る発明によれば、基板を所定のエアギャップを介してステージの上面に保持することができるので、ステージ上面を基板が移動する際に基板とステージとが擦れて基板に傷を付けるおそれがない。また、パターンの欠陥部に塗布された修正材を硬化させる際には、吸引のみとすれば基板をステージに吸着することができ、修正材に対する熱伝達効率をより高くすることができ、修正材をより短時間に確実に硬化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明によるパターン修正装置の実施形態を示す正面図である。このパターン修正装置は、基板に形成されたパターンの欠陥部に修正材を塗布して修正するもので、ステージ１と、観察光学系２と、照明光学系３と、レーザ光学系４と、塗布装置５と、加熱手段６Ａ，６Ｂとを備えている。以下、基板が例えばＴＦＴ液晶基板７の場合について説明する。
【００１６】
上記ステージ１は、ＴＦＴ液晶基板７を水平に保持するものであり、一方向に長く形成された単位ステージ８を上面が同一平面をなすように所定間隔で複数平行に並べて形成されている。そして、上記単位ステージ８の並び方向に直交する方向の両側端部には、図２に示すように、上記単位ステージ８の並び方向に長いサイドステージ９が配設されており、該サイドステージ９と上記隣接する単位ステージ８とに囲まれて開口部１０が形成されている。さらに、サイドステージ９の側方には、図２に示すように、例えば、多数個の搬送ローラ１１が並べられており、図１において矢印Ａ，Ｂで示す方向に上記ＴＦＴ液晶基板７を移動可能な構造となっている。この場合、上記搬送ローラ１１は、外力の作用により下方に弾性的に沈むように形成されている。なお、上記サイドステージ９は無くてもよく、この場合、隣接する単位ステージ８間が開口部１０となる。
【００１７】
上記単位ステージ８及びサイドステージ９は、図２に示すように、その上面に気体を噴射する多数個の噴射孔１２と、気体を吸引する複数個の吸引孔１３とを形成し、上記気体の噴射と吸引とをバランスさせてＴＦＴ液晶基板７を所定のエアギャップを介してステージ１の上面に保持できるようになっている。そして、各単位ステージ８及びサイドステージ９は、図３に示すように、基板支持体１４と、供給管１５と、排気管１６とを備えている。
【００１８】
上記基板支持体１４は、上部を開放した直方体状の箱体１７の内部に、上下方向に連続した多数の微細な空孔を有する直方体状の焼結体１８を上記箱体１７の内部に中空部１９が形成されるように該箱体１７の上部を塞いで設けたものであり、該焼結体１８の多数の空孔を上記噴射孔１２とし、上記焼結体１８に上下方向に貫通する孔を穿設して上記吸引孔１３としている。この場合、単位ステージ８には、図２に示すように焼結体１８の長手方向に沿って多数の吸引孔１３が例えば三列に形成されている。
【００１９】
上記基板支持体１４の箱体１７の底部には、少なくとも一本の供給管１５が設けられている。この供給管１５は、多数の噴射孔１２に圧縮気体、例えばクリーンエアを供給するものであり、一端部が上記箱体１７の中空部１９に接続され、他端部が図示省略の送気ブロワに接続されている。
【００２０】
上記基板支持体１４の焼結体１８に穿設した吸引孔１３には、一本の排気管１６が接続されている。この排気管１６は、多数の吸引孔１３を通して吸引された気体を排気するものであり、一端部側が上記吸引孔１３の数に合わせて枝管１６ａとして枝分かれし、それぞれその末端部が吸引孔１３内側に嵌着されており、他端部が図示省略の吸気ブロワに接続されている。
【００２１】
上記ステージ１の上方には、図１に示すように、観察光学系２が設けられている。この観察光学系２は、ＴＦＴ液晶基板７に形成されたパターンを撮像し、例えば配線パターンの断線等の欠陥部を検出するものであり、パターンを撮像して観察する観察用ＣＣＤカメラ２０を有し、二つのハーフミラー２１ａ、２１ｂと結像レンズ２２とを光学系機構部２３内に配設し、該光学系機構部２３の下端部に設けられ、ＴＦＴ液晶基板７面に平行方向に移動可能とされたレンズホルダー２４に低倍率から高倍率の五つの対物レンズ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅを着脱可能状態に保持させて備えている。
【００２２】
ここで、ハーフミラー２１ａは、観察光学系２３の光路と後述のレーザ光学系４５の光路とを同一光路に重ね合わせるためのものであり、ハーフミラー２１ｂは、観察光学系２３の光路と後述の照明光学系３の光路とを同一光路に重ね合わせるためのものである。
【００２３】
また、結像レンズ２２は、対物レンズ２５ａ〜２５ｅのいずれか一つと協働してＴＦＴ液晶基板７に形成された配線パターンやその欠陥部の像を観察用ＣＣＤカメラ２０の受光面に結像させるためのものであり、対物レンズ２５ａ〜２５ｅは、配線パターンの像を拡大するためのもので、五つの対物レンズ２５ａ〜２５ｅにより対物レンズ群を構成している。そして、上記対物レンズ群の各対物レンズ２５ａ〜２５ｅは、図示省略の制御手段に制御されて駆動するモータ２６Ａ，２６Ｂによりレンズホルダー２４をＸ，Ｙ軸（図２参照）方向に移動して選択され、選択された対物レンズ２５ａ〜２５ｅの光軸と上記観察光学系２の光路の光軸とを一致させると共に異なる倍率の画像が取得できるようになっている。
【００２４】
なお、このＸ，Ｙ軸方向への移動手段は、上記モータ２６Ａ，２６Ｂの他に該モータ２６Ａ，２６Ｂの回転動作をレンズホルダー２４の直進動作に変換するボールネジ２７（図１参照）と、図示省略のガイドレールを備えて構成する。また、後述の塗布装置５を外側面に備えた対物レンズ２５ｅは、他の対物レンズ２５ａ〜２５ｄと同焦点のものであり、対物レンズ２５ｅの作動距離を他の対物レンズ２５ａ〜２５ｄの作動距離より長いものとしているため、ディスペンサノズル２８が対物レンズ２５ｅの下面とＴＦＴ液晶基板７面との間で自由に移動できる間隔が確保されている。
【００２５】
上記対物レンズ２５ａ〜２５ｅを使用して欠陥部を観察するときには、各対物レンズ２５ａ〜２５ｅの結像面がＴＦＴ液晶基板７面に一致するようにＺ軸移動手段を制御手段により制御して上記光学系機構部２３を上下動させる。この場合、当然ながら対物レンズ２５ｅの結像面の位置と、その他の対物レンズ２５ａ〜２５ｄの結像面のＺ軸方向の位置関係は、対物レンズ２５ｅの結像面をＴＦＴ液晶基板７の表面に一致させたとき、その他の対物レンズ２５ａ〜２５ｄが基板に接触しない位置となっている。
【００２６】
上記観察光学系２の光路と一部が共通して照明光学系３が設けられている。この照明光学系３は、ＴＦＴ液晶基板７面を照明して上記観察用ＣＣＤカメラ２０によるパターンの撮像を可能にするものであり、光学系機構部２３の分岐部分に例えば光ファイバーで外部から導入された照明光を内側に反射する反射ミラー２９と、上記観察用ＣＣＤカメラ２０による観察領域内を均一に照明するためのフィールドレンズ３０とを備え、ハーフミラー２１ｂから対物レンズ（図１においては、対物レンズ２５ｅ）を通ってＴＦＴ液晶基板７面に至るまでの光路が観察光学系２の光路と共通となっている。
【００２７】
上記観察光学系２の光路と一部が共通してレーザ光学系４が設けられている。このレーザ光学系４は、例えばＴＦＴ液晶基板７の配線パターン上に形成された保護膜にコンタクトホールを形成するためのものであり、波長が例えば532ｎｍ又は355ｎｍのパルスレーザ光源３１を光学系機構部２３の上端部に有し、スリット３２を光学系機構部２３内に配設し、ハーフミラー２１ａから対物レンズ（図１においては、対物レンズ２５ｅ）を通ってカラーフィルタ基板７面に至るまでの光路が観察光学系２の光路と共通となっている。
【００２８】
上記対物レンズ２５ｅの外側面には、塗布装置５が着脱可能状態に設けられている。この塗布装置５は、上記欠陥部に修正材を適量吐出するものであり、図１に示すように修正材を貯留する容器３３と、該容器３３に取付けられて修正材を適量吐出するディスペンサノズル２８とを備えている。なお、ディスペンサノズル２８の先端部は、上記対物レンズ２５ｅの光軸上にてその焦点位置近傍に位置するようにされている。
【００２９】
上記容器３３には図示省略の配管チューブを介してエアが供給可能となっており、容器３３内に導入されたエアの正圧により例えばＡｇペーストの修正材を容器３３のディスペンサノズル２８から配線パターンの欠陥部に適量吐出させることができるようになっている。
【００３０】
上記ステージ１にて隣接する単位ステージ８間の開口部１０内には、加熱手段６Ａ，６Ｂがそれぞれ配設されている。この加熱手段６Ａ，６Ｂは、待機位置から上昇してＴＦＴ液晶基板７の裏面に面接触し、パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させるものであり、例えば、ホットプレートである。そして、観察光学系２が水平移動する際に、そのＹ軸方向への移動に同期してＹ軸方向（単位ステージ８の長手方向）に水平に移動し、パターンの欠陥部の位置で上昇する構造となっている。具体的には、加熱手段６Ａ，６Ｂは、例えば上記開口部１０内にＹ軸方向に敷かれたレール上をベルトに引っ張られて移動し、例えばモータとギアとを組み合わせた昇降機構で昇降するように構成され、ＴＦＴ液晶基板７の裏面に接触したことを検出するセンサーと、待機位置を検出するセンサーとを備えている。
【００３１】
次に、このように構成されたパターン修正装置の動作について説明する。
先ず、ＴＦＴ液晶基板７がステージ１上に載置され、ステージ１の上面に形成された噴射孔１２からの気体の噴射と、吸引孔１３への気体の吸引とのバランスにより、ＴＦＴ液晶基板７が所定のエアギャップを介してステージ１の上面に保持される。そして、図示省略のスイッチの操作によりパターン修正装置が起動されると、図示省略の照明灯が点灯してＴＦＴ液晶基板７面が照明される。
【００３２】
次に、モータ２６Ｂが駆動してレンズホルダー２４がＸ軸方向に移動され、低倍率の対物レンズ２５ａ〜２５ｃのうちいずれか一つが選択される。また、該選択された対物レンズ２５ａ〜２５ｃの光軸と観察光学系２の光路の光軸とを一致させるために、必要に応じてモータ２６Ａによってレンズホルダー２４がＹ軸方向に移動される。同時に、予め計測して記憶されたパターンの欠陥部の位置座標データに基づいて観察光学系２がＸ軸、Ｙ軸方向に移動され、上記選択された対物レンズ２５ａ〜２５ｃの視野内に欠陥部が収まるようにされる。このとき、３００℃〜３５０℃程度に加熱された加熱手段６Ａ，６Ｂが隣接する単位ステージ８間を観察光学系２のＹ軸方向への移動に同期してＹ軸方向へ水平移動する。
【００３３】
次に、観察用ＣＣＤカメラ２０で配線パターンを撮像し、その撮像画像に基づいて画像処理しながら、同時に光学系機構部２３を上下動させて画像が鮮明になるように選択された対物レンズ２５ａ〜２５ｃの結像面の位置を調整する。
【００３４】
このようにして、欠陥部が検出されると、該欠陥部の画像が観察用ＣＣＤカメラ２０の観察領域中央に位置付けられる。なお、このとき、欠陥部は、上記選択された対物レンズ２５ａ〜２５ｃの光軸と一致することになる。
【００３５】
上記欠陥部が観察用ＣＣＤカメラ２０の観察領域中央に位置付けられると、モータ２６Ｂが駆動され、レンズホルダー２４を移動して高倍率の例えば対物レンズ２５ｄが選択される。同時に、観察用ＣＣＤカメラ２０で撮像した画像により上述と同様にして焦点調整がなされる。さらに、観察光学系２を移動して、欠陥部が観察用ＣＣＤカメラ２０の観察領域中央に位置付けられる。
【００３６】
以下、図４及び図５を参照してパターン修正動作を説明する。
先ず、図４（ａ）又は図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ液晶基板７の例えば配線パターン３４上の欠陥部３５を挟んで両側の配線パターン３４の保護膜３６上にコンタクトホール３８Ａ，３８Ｂ（図５（ｂ）参照）を形成する位置が設定される。この位置設定は、例えば、制御用コンピュータのモニター画面上で配線パターン３４上の所定の２点Ｐ１，Ｐ２をクリックして、それぞれの位置座標を記憶することによって行なう。
【００３７】
次に、点Ｐ１，Ｐ２の位置座標を読み出して観察光学系２をＸ，Ｙ軸方向に移動し、対物レンズ２５ｄの光軸を点Ｐ１，Ｐ２上に順次位置付ける。そして、観察光学系２が点Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ位置づけられた状態で、図１に示すパルスレーザ光源３１からパルスレーザ３７（図４（ｂ）参照）を発射して点Ｐ１，Ｐ２に照射する。このとき、パルスレーザ３７は、スリット３２によりトリミングされて整形され、保護膜３６表面から配線パターン３４の表面に達するコンタクトホール３８Ａ，３８Ｂを形成する。
【００３８】
こうしてコンタクトホール３８Ａ，３８Ｂが形成されると、再度、点Ｐ１の位置座標が読み出され、観察光学系２を移動して対物レンズ２５ｄの光軸が点Ｐ１に位置付けられる。そして、この状態で、上述と同様にしてモータ２６Ｂを駆動してレンズホルダー２４を移動し、例えば上記対物レンズ２５ｄと同倍率であり塗布装置５を外側面に備えた対物レンズ２５ｅが選択される。この場合、上記対物レンズ２５ｅの結像面は、他の対物レンズ２５ａ〜２５ｄの結像面よりも上方に位置するようにされているので、上記対物レンズ２５ｅが選択されたときには、光学系機構部２３を下方に移動させ、対物レンズ２５ｅを下降させる。そして、観察用ＣＣＤカメラ２０によるコンタクトホール３８Ａの撮像画像の先鋭度を測りながら対物レンズ２５ｅの結像面をＴＦＴ液晶基板７面に一致させるように焦点調整する。これにより、上記塗布装置５のディスペンサノズル２８の先端部２８ａがコンタクトホール３８Ａに位置付けられることになる。
【００３９】
次に、図４（ｃ）又は図５（ｃ）に示すように、上記塗布装置５のディスペンサノズル２８の先端部２８ｂから修正材としてのＡｇペースト３９が吐出されてコンタクトホール３８Ａに充填される。さらに、ディスペンサノズル２８からＡｇペースト３９を吐出しながら点Ｐ１，Ｐ２の位置座標に基づいて観察光学系２が同図に示す矢印Ｃ方向に移動され、図４（ｄ）又は図５（ｄ）に示すように、Ａｇペースト３９のラインがコンタクトホール３８Ａからコンタクトホール３８Ｂまで引かれる。そして、点Ｐ２の位置で観察光学系２の移動が停止され、コンタクトホール３８ＢにＡｇペースト３９が充填される。これにより、図５（ｄ）に示すように、欠陥部３５がＡｇペースト３９によって接続されることとなる。
【００４０】
欠陥部３５に対するＡｇペースト３９の塗布が終了すると、観察光学系２のＸ軸方向の位置が観察光学系２の駆動機構に設けられたエンコーダによって読み取られ、該位置データと予め記憶された加熱手段６Ａ，６Ｂの中心位置のＸ軸方向の位置データとが比較され、最も距離の近い例えば加熱手段６Ａが選択される。そして、図２に示す搬送ローラ１１が駆動されて、図６（ａ）に示すように、上記選択された加熱手段６Ａの加熱領域ＡＲ内に欠陥部３５が位置付けられるようにＴＦＴ液晶基板７が例えば矢印Ａ方向に移動される。なお、欠陥部３５の位置がいずれかの加熱手段６Ａ，６Ｂの加熱領域ＡＲ内にある場合には、ＴＦＴ液晶基板７はその場に止まり移動されない。
【００４１】
選択された加熱手段６Ａの加熱領域ＡＲ内に欠陥部３５が位置付けられると、ステージ１の気体の噴射が止められ、ＴＦＴ液晶基板７は、図６（ｂ）に示すように矢印Ｄ方向に吸着されてステージ１に固定される。さらに、加熱手段６Ａが待機位置から上昇してＴＦＴ液晶基板７の裏面に面接触する。そして、３００℃程度の熱が約１０秒間付与されて、図４（ｄ）又は図５（ｄ）に示す欠陥部３５上に塗布されたＡｇペースト３９が焼成される。このようにして、パターンの欠陥部３５の修正が終了する。
【００４２】
なお、本発明のパターン修正装置は、ＴＦＴ液晶基板７の配線パターン３４の欠陥部３５の修正に用いられるものに限られず、基板に形成されたパターンの欠陥部を修正するものであれば如何なる装置にも適用することができる。
【００４３】
また、ステージ１は、一方向に長く形成された単位ステージ８を上面が同一平面をなすように所定間隔で複数平行に並べたものに限られず、中央部に開口部１０を有して枠状に形成され、パターンを形成した基板の縁部を保持し、加熱手段は、その上面がステージ１の開口部１０と略同等の大きさに形成されて待機位置から上昇して基板の裏面に面接触し、欠陥部３５に塗布された修正材を加熱して硬化させるようにしてもよい。これにより、全ての欠陥部３５に対する修正材の塗布が終了した後に一括して硬化させることができ、パターン修正処理時間をより短縮することができる。
【００４４】
さらには、ステージ１は、中央部に開口部１０を有して枠状に形成され、パターンを形成した基板の縁部を保持し、加熱手段は、その上面が所定の大きさに形成されて撮像手段の下方に対向して一つ配置され、該撮像手段の移動に同期してステージ１の開口部１０内を水平に二次元方向に移動し、パターン欠陥部３５の位置で上昇してＴＦＴ液晶基板７の裏面に面接触し、欠陥部３５に塗布された修正材を加熱して硬化させるようにしてもよい。これにより、加熱手段の加熱面が小さくても欠陥部３５に塗布された修正材を確実に加熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明によるパターン修正装置の実施形態を示す正面図である。
【図２】上記実施形態におけるステージ及び加熱手段の一構成例を示す平面図である。
【図３】図２のＯ−Ｏ線断面図である。
【図４】上記パターン修正装置によるパターン修正について説明する斜視図である。
【図５】上記パターン修正装置によるパターン修正について説明する縦断面図である。
【図６】上記実施形態において、基板の欠陥部が加熱手段上まで移動され、その後加熱手段が上昇して欠陥部を加熱する状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…ステージ
２…観察光学系
６Ａ，６Ｂ…加熱手段
７…ＴＦＴ液晶基板
８…単位ステージ
１２…噴射孔
１３…吸引孔
１０…開口部
３５…欠陥部
３９…Ａｇペースト（修正材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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