(57)【要約】【課題】ＣＭＰによる高い研磨速度を示し、金属表面粗さおよび金属膜と絶縁性樹脂膜間の段差が小さいＣＭＰ処理を可能にする研磨材及び研磨方法を提供する。【解決手段】少なくとも有機絶縁材料および銅または銅合金を表面に有する被研磨面の研磨に用いられる研磨材において、砥粒および酸化剤を含有し、ｐＨが１．５から３．５であり、かつ水酸化カリウムによる中和滴定量が０．０５ｍｏｌ／ｋｇ以上である研磨材。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、砥粒、酸化剤、無機酸及びアミノ酸を含有し、ｐＨが１．５以上３．５以下である研磨材であって、該研磨材のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量が研磨材１ｋｇ当たり０．０５ｍｏｌ以上であることを特徴とする銅膜及び絶縁材料膜用研磨材。
【請求項２】
前記砥粒が、平均粒径１００ｎｍ以下のコロイダルシリカであることを特徴とする請求項１記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材。
【請求項３】
前記酸化剤が、過酸化水素、過硫酸または過硫酸塩より選ばれた少なくとも１種の酸化剤であることを特徴とする請求項１記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材。
【請求項４】
前記無機酸が、硫酸またはリン酸もしくはそれらの混合物であることを特徴とする請求項１記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材。
【請求項５】
前記アミノ酸の２５℃における第一段の酸解離指数が、２以上３以下であることを特徴とする請求項１記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材。
【請求項６】
銅表面に対する保護膜形成剤を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材。
【請求項７】
前記保護膜形成剤が、ベンゾトリアゾール及びその誘導体から選ばれた少なくとも１種の保護膜形成剤であることを特徴とする請求項６記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材。
【請求項８】
水溶性高分子を含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材を用いて、銅膜及び絶縁材料膜を含む被研磨膜が形成された基板を研磨することを特徴とする研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅膜及び絶縁材料膜用研磨材及び研磨方法に関するものであり、特に高性能配線板の銅配線形成に適した化学機械研磨（以下、ＣＭＰという）工程で使用する研磨材およびそれを用いた研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩを高性能化するために、配線材料として従来のアルミニウム合金配線に替わって銅合金配線の利用が進んでいる。銅合金配線は従来のアルミニウム合金配線の形成で頻繁に用いられたドライエッチング法による微細加工が困難であるため、あらかじめ溝を形成してある絶縁膜上に銅合金薄膜を堆積して埋め込み、溝部以外の銅合金薄膜をＣＭＰにより除去して埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシン法が主に採用されている（特許文献１）。銅や銅合金等の金属膜を研磨する金属ＣＭＰの一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を金属膜用研磨材で浸し、基板の金属膜を形成した面を押し付けて、その裏面から所定の圧力（以下研磨圧力と記す）を加えた状態で研磨定盤を回し、研磨材と金属膜の凸部との機械的摩擦によって凸部の金属膜を除去するものである。
【０００３】
ＣＭＰ処理に用いられる金属膜用研磨材は、一般には酸化剤及び砥粒からなっている。酸化剤によって金属膜の表面を酸化し、その酸化層を砥粒によって削り取るのが基本的なメカニズムと考えられている。凹部の金属膜表面の酸化層は研磨パッドにあまり触れず、砥粒による削り取りの効果が及ばないので、ＣＭＰ処理の進行とともに凸部の酸化層が除去されて基板表面は平坦化される。また、必要に応じてさらに酸などの酸化金属溶解剤、金属膜表面に対する保護膜形成剤が添加される。酸化金属溶解剤を添加すると研磨速度を向上させることが可能であり、併せて金属膜表面に対する保護膜形成剤を添加すると凹部の金属膜表面に保護膜を形成するので、実用的な研磨速度を保ちつつ平坦性を確保することができる（特許文献２）。
【０００４】
近年、ＬＳＩの製造に続いてパッケージ等の高性能・微細配線板においても、高精度の配線形成が可能なＣＭＰ法の適用が検討されている。ＬＳＩの製造において使用される銅または銅合金等の金属膜の厚さは１μｍ程度であるのに対し、高性能・微細配線版に使用される金属膜の厚さは１０μｍ程度と厚いため、研磨速度０．５μｍ／ｍｉｎ程度の従来のＬＳＩ用の研磨材を使用すると（特許文献３）、ＣＭＰ処理に時間がかかり、生産性が悪くなるという問題があった。
【特許文献１】特開平２−２７８８２２号公報
【特許文献２】特開平８−８３７８０号公報
【特許文献３】特開２００３−１２４１６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、銅および銅合金膜を２μｍ／ｍｉｎ以上の高い研磨速度で研磨することが可能で、高性能配線板などの厚い銅膜の研磨が必要とされる製品の製造においても、短時間で研磨処理が可能で十分な生産性を確保できる研磨材及び研磨方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、（１）水、砥粒、酸化剤、無機酸及びアミノ酸を含有し、ｐＨが１．５以上３．５以下である研磨材であって、該研磨材のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量が研磨材１ｋｇ当たり０．０５ｍｏｌ以上であることを特徴とする銅膜及び絶縁材料膜用研磨材に関する。
【０００７】
また、本発明は、（２）前記砥粒が、平均粒径１００ｎｍ以下のコロイダルシリカであることを特徴とする前記（１）記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材に関する。
【０００８】
また、本発明は、（３）前記酸化剤が、過酸化水素、過硫酸または過硫酸塩より選ばれた少なくとも１種の酸化剤であることを特徴とする前記（１）記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材に関する。
【０００９】
また、本発明は、（４）前記無機酸が、硫酸またはリン酸もしくはそれらの混合物であることを特徴とする前記（１）記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材に関する。
【００１０】
また、本発明は、（５）前記アミノ酸が、２５℃における第一段の酸解離指数が２以上３以下であることを特徴とする前記（１）記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材に関する。
【００１１】
また、本発明は、（６）銅表面に対する保護膜形成剤を含有することを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材に関する。
【００１２】
また、本発明は、（７）前記保護膜形成剤が、ベンゾトリアゾ−ル及びその誘導体から選ばれた少なくとも１種の保護膜形成剤であることを特徴とする前記（６）記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材に関する。
【００１３】
また、本発明は、（８）水溶性高分子を含有することを特徴とする前記（１）〜（７）のいずれか一項に記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材に関する。
【００１４】
また、本発明は、（９）前記（１）〜（８）のいずれか一項に記載の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材を用いて、銅膜及び絶縁材料膜が形成された基板を含む被研磨膜を研磨することを特徴とする研磨方法に関する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の研磨材として、ｐＨが１．５〜３．５の緩衝溶液を得ることができる。このため被研磨物である銅および銅合金が研磨材中に溶解してもｐＨ変動が起こりにくく、高い研磨速度を維持することができる。本発明の研磨材及び研磨方法は、高い研磨速度と金属膜上の表面粗さの抑制が可能であり、生産性の向上と、製品歩留まりの向上を両立できるので、高性能配線板等の製造工程に適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材は、水、砥粒、酸化剤、無機酸及びアミノ酸を含有し、ｐＨが１．５以上３．５以下である研磨材であって、該研磨材のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量が研磨材１ｋｇ当たり０．０５ｍｏｌ以上であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材のｐＨは、銅膜のＣＭＰによる研磨速度が大きく、銅膜に腐食を生じさせないという点でｐＨ１．５以上３．５以下であり、ｐＨ２以上ｐＨ３以下が好ましい。ｐＨ１．５未満では、銅膜の表面粗さが大きくなり、また、ｐＨ３．５を超えるとＣＭＰによる研磨速度が遅くなり実用的な研磨材とはなり得ない。本発明では、無機酸及びアミノ酸の配合量を適宜選択することにより研磨材のｐＨを上記範囲に調整する。無機酸は一般的に強酸であり、多量に添加するとｐＨが低下してしまいｐＨを所望の範囲に調整するのは困難であるが、アミノ酸を添加することによりｐＨを所望の範囲に容易に調整することができる。
【００１８】
本発明の銅膜及び絶縁材料膜用研磨材は、研磨材のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量が研磨材１ｋｇ当たり０．０５ｍｏｌ以上である。該水酸化カリウムの量が０．０５ｍｏｌ未満では、研磨速度が低下してしまう。該水酸化カリウムの量を研磨材１ｋｇ当たり０．０５ｍｏｌ以上とする方法は、添加する無機酸の配合量を適宜選択することにより行なわれる。
【００１９】
ＣＭＰ処理中には被研磨物である銅膜が研磨され、研磨材中に銅イオンとして溶解する。無機酸の配合量が少ないと、銅膜の溶解により水素イオンが消費され研磨材のｐＨが上昇し、研磨速度が低下してしまう。一方、無機酸の配合量が充分であると、研磨材はｐＨ緩衝作用を有するため、銅イオンが多量に溶解しても、ｐＨの上昇は抑制され、研磨速度は低下することなく安定した研磨が可能になる。そのために必要な研磨材中の無機酸の量は、研磨速度、研磨中における研磨材流量にもよるが８インチの円盤状の基板を研磨する場合には、研磨材のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量として研磨材１ｋｇ当たり０．０５ｍｏｌ以上に相当する量である。
【００２０】
本発明における砥粒は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、炭化珪素等の無機物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機物砥粒のいずれでもよいが、研磨材中での分散安定性が良く、ＣＭＰにより発生する研磨傷（スクラッチ）の発生数の少ない、平均粒径が１００ｎｍ以下のコロイダルシリカ、コロイダルアルミナが好ましく、平均粒径１００ｎｍ以下のコロイダルシリカがより好ましい。コロイダルシリカはシリコンアルコキシドの加水分解または珪酸ナトリウムのイオン交換による製造方法が知られており、コロイダルアルミナは硝酸アルミニウムの加水分解による製造方法が知られている。
【００２１】
本発明における砥粒の配合量は、研磨材全重量に対して０．１質量％〜１０質量％であることが好ましく、１質量％〜５質量％であることがより好ましい。砥粒の配合量が０．１質量％未満である場合は、物理的な研削作用が小さいため研磨速度が低下する傾向にあり、１０質量％を超える場合は、研磨速度は飽和し、それ以上加えても研磨速度の増加は認められない傾向にある。
【００２２】
本発明における酸化剤としては、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、過硫酸、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸カリウム等が挙げられ、これらの中でも過酸化水素、過硫酸、過硫酸塩が好ましく、過酸化水素がより好ましい。
【００２３】
本発明における酸化剤の配合量は、研磨材全重量に対して、０．１ｍｏｌ／ｋｇ〜５ｍｏｌ／ｋｇであることが好ましく、０．５ｍｏｌ／ｋｇ〜４ｍｏｌ／ｋｇであることがより好ましい。酸化剤の配合量が０．１ｍｏｌ／ｋｇ未満である場合は、研磨速度が低下する傾向にあり、５ｍｏｌ／ｋｇを超える場合も研磨速度が低下する傾向にある。
【００２４】
本発明における無機酸としては、硝酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、リン酸等が挙げられ、これらの中でも硫酸またはリン酸もしくは硫酸とリン酸の混合物がＣＭＰによる研磨速度が大きく、銅および銅合金膜の表面粗さを低減できるという点で好ましい。
【００２５】
本発明における無機酸の配合量は、研磨材のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量が研磨材１ｋｇ当たり０．０５ｍｏｌ以上となる量である。
【００２６】
本発明におけるアミノ酸としては、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リシン、アルギニン、フェニルアラニン、チロシン、ヒスチジン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン等が挙げられる。これらの中でも、２５℃における第一段の酸解離指数（ｐＫ１）が２以上３以下であるアミノ酸が、銅膜及び絶縁材料膜用研磨材のｐＨを１．５以上４以下に調整しやすいという点で好ましい。具体的にはアラニン、アルギニン、イソロイシン、グリシン、グルタミン酸、トリプトファン、トレオニン、バリン、メチオニン、リシン、ロイシン、セリン、チロシン、フェニルアラニン等が好ましく、グリシンが特に好ましい。なお、本発明における酸解離指数（ｐＫａ）とは、酸解離定数の逆数の対数値で、例えば「化学便覧基礎編」改定４版（平成５年９月３０日発行）、丸善株式会社、ＩＩ−３１７〜３２１頁に詳細な記載がある。
【００２７】
本発明の研磨材は、銅表面に対する保護膜形成剤を含有することが好ましい。保護膜形成剤としては特に限定されず、例えば、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、ＢＴＡ誘導体、例えばＢＴＡのベンゼン環の一つの水素原子をメチル基で置換したもの（トリルトリアゾール）もしくはカルボキシル基等で置換したもの（ベンゾトリアゾール−４−カルボン酸およびベンゾトリアゾール−４−カルボン酸のメチル、エチル、プロピル、ブチル及びオクチルエステル）、トリアゾール、キナルジン酸、アントニル酸、サリチルアルドキシム等が挙げられる。これらの中でも、ＢＴＡもしくはその誘導体もしくはそれらの混合物であることが好ましい。
【００２８】
本発明における保護膜形成剤の配合量は、研磨材全重量に対して、０．０５質量％から１質量％であることが好ましく、０．１質量％〜０．５質量％であることがより好ましい。保護膜形成剤の配合量が０．０５質量％未満では研磨表面の表面粗さが大きくなる傾向があり、１質量％を超えると研磨速度が小さくなる傾向がある。
【００２９】
また、本発明の研磨材は、水溶性高分子を含有することが好ましい。水溶性高分子としては特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアクリルアミド等のカルボキシル基を持つモノマーを基本構成単位とするポリマーおよびその塩、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等のビニル基を持つモノマーを基本構成単位とするポリマーが挙げられる。これらの中でも、ポリアクリル酸もしくはその塩、ポリメタクリル酸もしくはその塩であることが好ましい。これら水溶性高分子の重量平均分子量は５００以上であることが好ましい。これらの水溶性高分子を添加することにより、研磨速度および平坦性（銅膜／縁膜性樹膜間段差）が向上する傾向にある。
【００３０】
本発明における水溶性高分子の配合量は、研磨材全重量に対して、０．０１質量％〜２．０質量％とすることが好ましく、０．１質量％〜１．０質量％とすることがより好ましい。水溶性高分子の配合量が０．０１質量％未満では、研磨速度を向上させる作用は認められにくく、２．０質量％を超えると、砥粒の分散安定性を低下させる傾向がある。
【００３１】
本発明の研磨材は、砥粒が水中にスラリー状に分散したものである。水の配合量は前述した各種成分の合計量に対する残分となる。
【００３２】
本発明の研磨方法は、上記本発明の研磨材を用いて銅膜及び絶縁材料膜を含む被研磨膜が形成された基板を研磨することを特徴とする。研磨対象である被研磨膜は銅膜及び絶縁材料膜であり、これらそれぞれの膜は単層でも積層でも構わない。銅膜としては銅または銅合金である。銅膜はスパッタ法やメッキ法などの公知の方法により成膜される。
【００３３】
基板としては、半導体装置製造に係る基板、例えば回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に、絶縁層が形成された基板などが挙げられる。
【００３４】
被研磨膜の研磨は化学機械研磨により行なわれ、具体的には、被研磨面が形成された基板を研磨定盤の研磨布（パッド）上に押圧した状態で、本発明の研磨材を供給しながら研磨定盤と基板とを相対的に動かすことによって被研磨面を研磨する。他に、金属製または樹脂製のブラシを被研磨面に接触させる方法、研磨材を所定の圧力で吹きつける方法が挙げられる。
【００３５】
研磨する装置としては、例えば研磨布により研磨する場合、研磨される基板を保持できるホルダと、回転数が変更可能なモータ等に接続し、研磨布を貼り付けられる定盤とを有する一般的な研磨装置が使用できる。例えば、株式会社荏原製作所製研磨装置：型番ＥＰＯ１１１が使用できる。
【００３６】
研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましい。被研磨面を有する基板の研磨布への押し付け圧力（研磨圧力）が１〜１００ｋＰａであることが好ましく、ＣＭＰ速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、５〜５０ｋＰａであることがより好ましい。
【００３７】
研磨している間、研磨布には研磨材をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨材で覆われていることが好ましい。
【００３８】
研磨終了後の基板は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。研磨布の表面状態を常に同一にしてＣＭＰを行うために、研磨の前に研磨布のコンディショニング工程を入れるのが好ましい。例えば、ダイヤモンド粒子のついたドレッサを用いて少なくとも水を含む液で研磨布のコンディショニングを行う。続いて本発明によるＣＭＰ研磨工程を実施し、さらに、基板洗浄工程を加えるのが好ましい。
【実施例】
【００３９】
以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。
【００４０】
（実施例１）
（銅および銅合金用研磨材の作製方法）
硫酸０．０５ｍｏｌ（濃度９６％の硫酸５．１ｇ）、グリシン２５ｇ、ベンゾトリアゾール３ｇ、平均粒径７０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｇに水６４６．９ｇを加えて溶解し、過酸化水素水（試薬特級、３０％水溶液）３００ｇを加え銅膜及び絶縁材料膜用研磨材（Ａ）を作製した。
【００４１】
なお、コロイダルシリカは、常法に従いテトラエトキシシランのアンモニア溶液中での加水分解により作製した。
【００４２】
研磨材（Ａ）のｐＨは２．６であった。また、研磨材（Ａ）のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量は研磨材（Ａ）１ｋｇ当たり０．０９ｍｏｌ／ｋｇであった。
【００４３】
上記研磨材（Ａ）を定盤に貼り付けたパッドに滴下しながら、下記に示す基板を使用し、下記に示す研磨条件でＣＭＰ処理を行い、下記に示す評価を行った。
【００４４】
（評価基板）
基板１：ガラスエポキシ基板上に厚さ１８μｍの銅膜を形成した直径（φ）８インチのブランケット基板。
【００４５】
基板２：ガラスエポキシ基板上に感光性の永久レジストを使用して深さ５μｍ、溝幅１００μｍのストライプ状のパターンを形成後、スパッタ法によって厚さ０．２μｍの銅のメッキシード層を形成し、続いてめっき法により厚さ１０μｍの銅膜を形成した、直径（φ）８インチのパターン形成基板。
【００４６】
（研磨条件）
研磨装置：定盤寸法６００ｍｍφ、ロータリータイプ
研磨パッド：独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂
研磨圧力：３５ｋＰａ
基板と研磨定盤との相対速度：７０ｍ／ｍｉｎ
研磨材流量：２００ｍｌ／ｍｉｎ
（評価項目および評価方法）
ＣＭＰによる銅研磨速度：基板１のＣＭＰ処理前後での膜厚差をシート抵抗変化から換算して求め、研磨時間とから算出した。
【００４７】
表面粗さ（算術平均粗さＲａ）：基板１のＣＭＰ処理後の銅膜表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定した。
【００４８】
銅膜／縁膜性樹膜間段差：基板２のＣＭＰ処理後の銅膜／縁膜性樹膜間境界段差を触針式の段差計で評価した。
【００４９】
評価の結果、銅膜の研磨速度は２．２μｍ／ｍｉｎ、表面粗さはＲａで２．７ｎｍ、銅膜／縁膜性樹膜間段差は０．３５μｍであった。
【００５０】
（実施例２）
リン酸を０．０２ｍｏｌ（濃度８５％のリン酸２．３ｇ）をさらに加え、水の添加量を６４４．６ｇとすること以外は実施例１と同様に操作して銅膜及び絶縁材料膜用研磨材（Ｂ）を作製した。
【００５１】
研磨材（Ｂ）のｐＨは２．５であった。また、研磨材（Ｂ）のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量は研磨材（Ｂ）１ｋｇ当たり０．１１ｍｏｌ／ｋｇであった。
【００５２】
研磨材（Ｂ）を使用して実施例１と同様にＣＭＰ処理を行い、評価を行った。評価の結果、銅膜の研磨速度は２．７μｍ／ｍｉｎ、表面粗さはＲａで１．３ｎｍ、銅膜／縁膜性樹膜間段差は０．２８μｍであり、研磨速度が増加し表面粗さおよび銅膜／縁膜性樹膜間段差が向上した。
【００５３】
（実施例３）
重量平均分子量２万のポリアクリル酸５ｇをさらに加え、水の添加量を６３９．６ｇとすること以外は実施例２と同様に操作して銅膜及び絶縁材料膜用研磨材（Ｃ）を作製した。
【００５４】
研磨材（Ｃ）のｐＨは２．５であった。また、研磨材（Ｃ）のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量は研磨材（Ｃ）１ｋｇ当たり０．１２ｍｏｌ／ｋｇであった。
【００５５】
研磨材（Ｃ）を使用して実施例１と同様にＣＭＰ処理を行い、評価を行った。評価の結果、銅膜の研磨速度は２．９μｍ／ｍｉｎ、表面粗さはＲａで１．１ｎｍ、銅膜／縁膜性樹膜間段差は０．１９μｍであり、研磨速度が増加し表面粗さおよび銅膜／縁膜性樹膜間段差が向上した。
【００５６】
（比較例１）
グリシンを添加しないこと、水の添加量を６６４．６ｇとすること以外は実施例１と同様に操作して銅膜及び絶縁材料膜用研磨材（Ｄ）を作製した。
【００５７】
研磨材（Ｄ）のｐＨは１．２であった。また、研磨材（Ｄ）のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量は研磨材（Ｄ）１ｋｇ当たり０．０９ｍｏｌ／ｋｇであった。
【００５８】
研磨材（Ｄ）を使用して実施例１と同様にＣＭＰ処理を行い、評価を行った。評価の結果、銅膜の研磨速度は２．１μｍ／ｍｉｎ、表面粗さはＲａで３５．６ｎｍ、銅膜／縁膜性樹膜間段差は１．２μｍであり、研磨速度の大きな変化は見られなかったが、表面粗さおよび銅膜／縁膜性樹膜間段差が低下した。
【００５９】
（比較例２）
硫酸の添加量を０．０１ｍｏｌ（濃度９６％の硫酸１．０２ｇ）とすること以外は実施例１と同様に操作して銅膜及び絶縁材料膜用研磨材（Ｅ）を作製した。
【００６０】
研磨材（Ｅ）のｐＨは３．３であった。また、研磨材（Ｅ）のｐＨを４まで増加するのに要する水酸化カリウムの量は研磨材（Ｅ）１ｋｇ当たり０．０１８ｍｏｌ／ｋｇであった。
【００６１】
研磨材（Ｅ）を使用して実施例１と同様にＣＭＰ処理を行い、評価を行った。評価の結果、銅膜の研磨速度は０．８μｍ／ｍｉｎ、表面粗さはＲａで２．１ｎｍ、銅膜／縁膜性樹膜間段差は０．３μｍであり、研磨速度が大幅に低下した。