(57)【要約】【課題】樹脂フィルム内での気泡の発生を抑制できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置、押圧治具、樹脂フィルムの提供を目的とする。【解決手段】ＩＣチップ１をインターポーザ５にフリップチップ実装する実装装置１００であって、インターポーザ５の表面にＡＣＦ３の下面を接着する接着ツール３０と、ＡＣＦ３の上面に平面視で放射状の溝部を形成する溝形成ツール４０と、放射状の溝部が形成されたＡＣＦ３の上面にＩＣチップ１を押し当てて、ＩＣチップ１をインターポーザ５に実装する熱圧着ツール５０と、を備える。熱圧着工程で、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間から放射状の溝部を通して空気を効率良く排出することができる。【選択図】図１
2007150204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を配線基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する工程と、
前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部を形成する工程と、
前記溝部が形成された前記樹脂フィルムの前記他方の面に前記半導体素子を押し当てて当該半導体素子を前記配線基板に実装する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂フィルムの前記他方の面に前記溝部を形成する工程では、
平面視で前記外周に近づくほど前記溝部の断面積が大きくなるように当該溝部を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体素子を前記配線基板に実装する工程では、
平面視で前記半導体素子の中心と前記任意の点とが重なり合うように当該半導体素子を前記樹脂フィルムの前記他方の面に押し当てて、当該半導体素子を前記配線基板に実装することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体素子を配線基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造装置であって、
前記配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する接着手段と、
前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部を形成する溝形成手段と、
前記溝部が形成された前記樹脂フィルムの前記他方の面に前記半導体素子を押し当てて当該半導体素子を前記配線基板に実装する実装手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
半導体素子を配線基板にフリップチップ実装するために当該配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する半導体装置の製造装置であって、
前記配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する接着手段と、
前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部を形成する溝形成手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項６】
半導体素子を配線基板にフリップチップ実装するために当該配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する半導体装置の製造装置、に着脱可能に取り付けられる押圧治具であって、
前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面を押圧するための押圧面を有し、
前記押圧面には、平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる凸部が設けられていることを特徴とする押圧治具。
【請求項７】
半導体素子を配線基板にフリップチップ実装するために当該配線基板の表面に一方の面が接着される樹脂フィルムであって、前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部、を有することを特徴とする樹脂フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置、押圧治具、樹脂フィルムに関し、特に、樹脂フィルム内での気泡の発生を抑制できるようにした技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からＩＣチップ実装の一方式として、例えば、ＩＣチップのバンプ電極を下側（即ち、インターポーザ側）に向け、そのバンプ電極とインターポーザのパッド電極とをＡＣＦ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）、又はＮＣＦ（ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）等の接合用の樹脂フィルムを介して電気的に接合する、いわゆるフリップチップ実装（「フェースダウン実装」とも呼ばれている。）が知られている。
【０００３】
図１０（Ａ）〜図１１は従来例に係るＩＣチップの実装方法を示す工程図である。
図１０（Ａ）では、まず始めに、ステージ９１を例えば９０℃程度に加熱して、その上に載置されたインターポーザ５を加熱する。次に、治具ツール９５でＡＣＦ３をインターポーザ５に押し当てて、その下面をインターポーザ５の表面に接着する。
次に、図１０（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１の回路が形成された面（以下、「能動面」という。）を下側に向けた状態で、能動面とは反対側の面を熱圧着ツール９６で吸着保持する。そして、図１１に示すように、ＩＣチップ１のスタッドバンプ１ａをＡＣＦ３を介してインターポーザ５表面のパッド電極５ａに熱圧着する。この熱圧着によってスタッドバンプ１ａとパッド電極５ａとの電気的接続が達成される。また、この熱圧着の過程で、ＡＣＦ３は熱及び圧力によって溶けて流動化し、図１１に示すように、その一部はＩＣチップ１の能動面とインターポーザ５との間からはみ出てそのまま固まる。
【特許文献１】特開２００３−１８８３０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の技術では、スタッドバンプ１ａをパッド電極５ａに熱圧着する際にＩＣチップ１とＡＣＦ３との間に空気を巻き込み易く、図１１に示すように、ＩＣチップ１の能動面とインターポーザ５との間からはみ出たＡＣＦ３内にエアーボイドＢが発生してしまうことがあった。ＡＣＦ３内にエアーボイドＢが多数発生すると、これらのエアーボイド（以下、「気泡」ともいう。）Ｂが互いに横方向、縦方向もしくは高さ方向に繋がる可能性があり、その連鎖によってＡＣＦ（以下、「樹脂フィルム」ともいう。）３とＩＣチップ１との間に隙間が生じてしまうおそれがあった。
【０００５】
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、樹脂フィルム内での気泡の発生を抑制できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置、押圧治具、樹脂フィルムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１の半導体装置の製造方法は、半導体素子を配線基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法であって、前記配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する工程と、前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部を形成する工程と、前記溝部が形成された前記樹脂フィルムの前記他方の面に前記半導体素子を押し当てて当該半導体素子を前記配線基板に実装する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【０００７】
ここで、「配線基板」とは、例えば、インターポーザやマザーボード等のことである。また、「樹脂フィルム」とは、例えばＡＣＦやＮＣＦ等のことである。さらに、「任意の点」とは、例えば、半導体素子を実装する領域の中心点、又はその中心近傍の点のことである。
発明１の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子を配線基板に実装する際に、半導体素子と樹脂フィルムとの間から溝部を通して空気を効率良く排出することができる。従って、半導体素子と樹脂フィルムとの間での空気の巻き込みを低減することができ、樹脂フィルム内での気泡の発生を抑制することができる。
【０００８】
〔発明２、３〕  発明２の半導体装置の製造方法は、発明１の半導体装置の製造方法において、前記樹脂フィルムの前記他方の面に前記溝部を形成する工程では、平面視で前記外周に近づくほど前記溝部の断面積が大きくなるように当該溝部を形成することを特徴とするものである。
【０００９】
発明３の半導体装置の製造方法は、発明１又は発明２の半導体装置の製造方法において、前記半導体素子を前記配線基板に実装する工程では、平面視で前記半導体素子の中心と前記任意の点とが重なり合うように当該半導体素子を前記樹脂フィルムの前記他方の面に押し当てて、当該半導体素子を前記配線基板に実装することを特徴とするものである。
発明２、３の半導体装置の製造方法によれば、溝部を通した空気の排出性が特に高い。
【００１０】
〔発明４〕  発明４の半導体装置の製造装置は、半導体素子を配線基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造装置であって、前記配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する接着手段と、前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部を形成する溝形成手段と、前記溝部が形成された前記樹脂フィルムの前記他方の面に前記半導体素子を押し当てて当該半導体素子を前記配線基板に実装する実装手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１１】
このような構成であれば、半導体素子を配線基板に実装する際に、半導体素子と樹脂フィルムとの間から溝部を通して空気を効率良く排出することができる。従って、半導体素子と樹脂フィルムとの間での空気の巻き込みを低減することができ、樹脂フィルム内での気泡の発生を抑制することができる。
【００１２】
〔発明５〕  発明５の半導体装置の製造装置は、半導体素子を配線基板にフリップチップ実装するために当該配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する半導体装置の製造装置であって、前記配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する接着手段と、前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部を形成する溝形成手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
このような構成であれば、半導体素子を配線基板に実装する際に、半導体素子と樹脂フィルムとの間から溝部を通して空気を効率良く排出することができる。これにより、半導体素子と樹脂フィルムとの間での空気の巻き込みを低減することができ、樹脂フィルム内での気泡の発生を抑制することができる。
【００１４】
〔発明６〕  発明６の押圧治具は、半導体素子を配線基板にフリップチップ実装するために当該配線基板の表面に樹脂フィルムの一方の面を接着する半導体装置の製造装置、に着脱可能に取り付けられる押圧治具であって、前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面を押圧するための押圧面を有し、前記押圧面には、平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる凸部が設けられていることを特徴とするものである。
【００１５】
このような構成であれば、例えば、既存の製造装置を用いて、樹脂フィルムの他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部を形成することができるので、設備投資コストの抑制が可能である。
【００１６】
〔発明７〕  発明７の樹脂フィルムは、半導体素子を配線基板にフリップチップ実装するために当該配線基板の表面に一方の面が接着される樹脂フィルムであって、前記樹脂フィルムの前記一方の面とは反対側の他方の面に平面視で任意の点を中心に外周に向けて放射状に延びる溝部、を有することを特徴とするものである。
【００１７】
このような構成であれば、半導体素子を配線基板に実装する際に、半導体素子と樹脂フィルムとの間から溝部を通して空気を効率良く排出することができる。従って、半導体素子と樹脂フィルムとの間での空気の巻き込みを低減することができ、樹脂フィルム内での気泡の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るＩＣチップの実装装置１００の構成例を示す概念図である。この実装装置１００は、ＩＣチップ１をインターポーザ５にフリップチップ実装する装置である。図１に示すように、この実装装置１００は、ステージ１１と、供給リール２０と、接着ツール３０と、溝形成ツール４０と、熱圧着ツール５０と、を含んだ構成となっている。ステージ１１は、インターポーザ５を下側から支える台であり、その内部にヒータ（図示せず）を有し、インターポーザ５を下側から加熱することが可能となっている。
【００１９】
供給リール２０は、ステージ１１上に載置されたインターポーザ５の表面上に、ミシン目の入ったテープ状のＡＣＦ３を供給するものである。ＡＣＦ３は、例えば、樹脂中に導電性粒子が分散されており、導電性粒子を挟み込む所定の導通部分だけその間隙が導電性粒子の粒形以下になることで導通状態が得られ、他は絶縁状態となる特性を有する。ＡＣＦ３は、基材層と粘着層とからなる。
【００２０】
接着ツール３０は、ＡＣＦ３の下面（即ち、接着層）をインターポーザ５の表面に押し当てて接着させるものである。この接着ツール３０は例えば金属からなり、治具ツールとも呼ばれる。接着ツール３０のＡＣＦ３と接触する面（以下、「接触面」という。）は、図２（Ａ）に示すように、凸凹のない平坦な面である。
溝形成ツール４０は、インターポーザ５の表面に接着されたＡＣＦ３の上面（即ち、基材層）を押圧して所定の溝部を形成するものである。この溝形成ツール４０は例えば金属からなる。溝形成ツール４０のＡＣＦ３を押圧する面（以下、「押圧面」という。）には、図２（Ｂ）に示すように、例えば、平面視で中心点から外周にかけて放射状に延び、且つ平面視で外周に近づくほど幅の広くなる凸部（以下、「放射状の凸部」という。）４２が設けられている。この放射状の凸部４２の高さは押圧面４１内で一定となっている。
【００２１】
図１に戻って、熱圧着ツール５０は、溝部が形成されたＡＣＦ３の上面にＩＣチップ１の能動面を接触させ、熱及び圧力を加えることによってＩＣチップ１のスタッドバンプ１ａをインターポーザ５のパッド電極に接合するものである。この熱圧着ツール５０はその内部にヒータ（図示せず）を有し、ＩＣチップ１を上側から加熱することが可能となっている。この熱圧着ツール５０は、熱伝導性を考慮して、例えば金属で構成されている。
【００２２】
また、この実装装置１００では、接着ツール３０と、溝形成ツール４０と、熱圧着ツール５０とがそれぞれの位置をステージ１１上で入れ換えるえることができるようになっている。次に、この実装装置１００を用いてインターポーザ５にＩＣチップ１をフリップチップ実装する場合について説明する。
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係るＩＣチップの実装方法を示す工程図である。図３（Ａ）において、まず始めに、ステージ１１上にインターポーザ５を配置すると共に、供給リール２０からステージ１１上にＡＣＦ３を引き出す。そして、引き出されたＡＣＦ３の下面をインターポーザ５の上面に接着する。
【００２３】
このＡＣＦ３を接着する工程（以下、「ＡＣＦアタッチ工程」と言う。）では、最初に、接着ツール３０をインターポーザ５の真上に配置する。また、ステージ１１を例えば９０℃程度に加熱しておく。次に、ステージ１１を加熱した状態で、接着ツール３０を真下方向に下降させてその接触面３１をＡＣＦ３の上面に接触させる。さらに、接着ツール３０を真下方向に軽く押圧することによって、ＡＣＦ３の下面とインターポーザ５の上面とを接着する。その後、接着ツール３０を真上方向に上昇させてＡＣＦアタッチ工程を終了する。図２（Ａ）に示したように、接着ツール３０の接触面は凸凹のない平坦な面であるため、図４（Ａ）に示すように、ＡＣＦ３の上面には接着ツール３０の痕跡はほとんど残らない。
【００２４】
次に、図３（Ｂ）において、インターポーザ５の接着されたＡＣＦ３の上面に溝部を形成する。この溝部を形成する工程（以下、「溝形成工程」という。）では、接着ツール３０と溝形成ツール４０との位置を入れ替えて、溝形成ツール４０をインターポーザ５の真上に配置する。そして、この状態で、溝形成ツール４０を真下方向に下降させてその押圧面をＡＣＦ３の上面に接触させ、そのまま真下方向に強く押圧する。これにより、ＡＣＦ３の上面には、溝形成ツール４０の押圧面の凸部４２（図２（Ｂ）参照。）が凹凸逆転した形で転写され、図４（Ｂ）に示すように、ＡＣＦ３の上面には、例えば、平面視で中心点から外周にかけて放射状に延び、且つ平面視で外周に近づくほど幅の広くなる溝部（以下、「放射状の溝部」という。）４が形成される。その後、溝形成ツール４０を真上方向に上昇させて溝形成工程を終了する。
【００２５】
図５は、ＡＣＦ３の断面構造の一例を示す概念図である。図５に示すように、放射状の溝部４は基材層３ａに形成されるが、この溝部４の寸法幅をαとし、溝部４の両側にある凸部６の寸法幅をβとしたとき、αとβの比は例えば、α：β＝１：１〜２程度である。本発明では、このような放射状の溝部４を、図４（Ｂ）に示すように、１周あたり数本〜十数本程度形成することが好ましい。
【００２６】
また、溝形成ツール４０をＡＣＦ３に強く押圧するときの押圧力の最適値は、基材層３ａの材質やその厚さ、所望する溝の深さ、粘着層３ｂの材質及び厚さ等によってケース毎に異なる。従って、実際に使用するＡＣＦ３と溝形成ツール４０とを用いて予め実験を行い、その実験結果に基づいて押圧力の最適値を求めておくことが好ましい。
次に、図３（Ｃ）に戻って、放射状の溝部が形成されたＡＣＦ３を介して、ＩＣチップ１をインターポーザ５に熱圧着して実装する。この熱圧着工程では、ＩＣチップ１の能動面とは反対側の面を熱圧着ツール５０で吸着保持し、この状態で溝形成ツール４０と熱圧着ツール５０との位置を入れ替えて、熱圧着ツール５０をインターポーザ５の真上に配置する。そして、図４（Ｃ）に示すように、平面視でＩＣチップ１の中心と放射状の溝が形成されたＡＣＦ３の中心とを重ねあわせる。次に、ＩＣチップ１の中心とＡＣＦ３の中心とを重ね合わせた状態を維持したまま、図３（Ｃ）に示すように、熱圧着ツール５０を真下方向に下降させてＩＣチップ１をＡＣＦ３の上面に接触させ、そのままインターポーザ５に熱圧着する。このとき、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間から、図４（Ｂ）及び（Ｃ）に示した放射状の溝部４を通して空気を効率良く排出することができる。
【００２７】
その後、図３（Ｃ）において熱圧着ツール５０を真上方向に上昇させて熱圧着工程を終了する。このＡＣＦ３を介した熱圧着によって、導電性粒子を挟み込むスタッドバンプとパッド電極とだけその間隙が導電性粒子の粒形以下になることで導通状態が得られ、他は絶縁状態となる。
このように、本発明の第１実施形態によれば、ＩＣチップ１をインターポーザ５に熱圧着する際に、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間から放射状の溝部４を通して空気を効率良く排出することができる。従って、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間での空気の巻き込みを低減することができ、ＡＣＦ３内でのエアーボイドＢの発生を抑制することができる。
【００２８】
また、この第１実施形態によれば、放射状の溝部４は、平面視で外周に近づくほどその幅が広くなり、その深さはＡＣＦ３の中心付近と外周付近とで同じとなっている。つまり、放射状の溝部４の断面積は外周に近づくほど大きくなっている。従って、空気の排出性が特に高い。
この第１実施形態では、ＩＣチップ１が本発明の「半導体素子」に対応し、接着ツール３０が本発明の「接着手段」に対応している。また、溝形成ツール４０が本発明の「溝形成手段」に対応し、熱圧着ツール５０が本発明の「実装手段」に対応している。さらに、実装装置１００が本発明４、５の「半導体装置の製造装置」に対応している。また、溝部４が形成されたＡＣＦ３が本発明の「樹脂フィルム」に対応し、基材層３ａが本発明の「樹脂フィルムの他方の面」に対応し、粘着層３ｂが本発明の「樹脂フィルムの一方の面」に対応している。
【００２９】
なお、この第１実施形態では、ＡＣＦ３に形成される放射状の溝部４の深さを一定としつつ、その幅を外周に近づくほど広くすることで、その断面積を外周に近づくほど大きくする場合について説明した。しかしながら、放射状の溝部４の断面積を大きくする方法はこれに限られることはない。例えば、放射状の溝部４の幅を一定としつつ、その深さを外周に近づくほど大きくしても良い。このような構成であっても、ＡＣＦ３に形成される放射状の溝部４の断面積は外周に近づくほど大きくなるので、空気の排出性を高めることができる。
【００３０】
また、この第１実施形態では、図４（Ｂ）に示したように、ＡＣＦ３の上面にその中心点から外周にかけて放射状の溝部４を形成する場合について説明した。しかしながら、空気の排出性を考えた場合、ＡＣＦ３の中心付近については特に溝部が無くても良い。
例えば、図９（Ａ）に示すように、溝形成ツール４０の押圧面４１に平面視で日章旗のような放射状の凹部４３と、これに隣接する凸部４２´を設けておく。そして、この溝形成ツール４０を用いてＡＣＦ３の上面を押圧して、図９（Ｂ）に示すように、ＡＣＦ３上面の中心付近を除く領域に放射状の溝部４´を形成する。このような構成であっても、ＩＣチップ１をインターポーザ５に熱圧着する際に、放射状の溝部４´を通して空気を効率良く排出することができるので、ＡＣＦ３内でのエアーボイドＢの発生を抑制することができる。
【００３１】
（２）第２実施形態
図６は、本発明の第２実施形態に係るＩＣチップの実装装置２００の構成例を示す概念図である。図６において、図１と同一の構成及び機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。図６に示すように、この実装装置２００は、ステージ１１と、供給リール２０と、治具ツール６０と、熱圧着ツール５０と、を含んだ構成となっている。
【００３２】
これらの中で、治具ツール６０とは、第１実施形態で説明した接着ツール３０と溝形成ツール４０との機能を合わせもったものであり、その押圧面６１には溝形成ツール４０と同様に放射状の凸部（図２（Ｂ）参照。）４２が設けられている。
この実装装置２００を用いて、インターポーザ５にＩＣチップ１をフリップチップ実装する場合について説明する。ＡＣＦアタッチ工程では、治具ツール６０の押圧面６１でＡＣＦ３の上面を真下方向に軽く押圧する。これにより、ＡＣＦ３の下面とインターポーザ５の上面との接着を行う。また、溝形成工程では、治具ツール６０の押圧面６１でＡＣＦ３の上面を真下方向に強く押圧する。これにより、ＡＣＦ３の上面には、溝形成ツール４０の押圧面６１の凹凸模様が凹凸逆転した形で転写され、図４（Ｂ）に示したような、放射状の溝部４が形成される。その後の熱圧着工程では、第１実施形態と同様に、熱圧着ツール５０を用いてＩＣチップ１をインターポーザ５に熱圧着する。
【００３３】
このような構成であれば、第１実施形態と同様、ＩＣチップ１をインターポーザ５に熱圧着する際に、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間から放射状の溝部を通して空気を効率良く排出することができる。従って、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間での空気の巻き込みを低減することができ、ＡＣＦ３内でのエアーボイドＢの発生を抑制することができる。第２実施形態では、治具ツール６０が本発明の「接着手段」と「溝形成手段」とに対応し、実装装置２００が本発明４、５の「半導体装置の製造装置」に対応している。
【００３４】
（３）第３実施形態
図７は、本発明の第３実施形態に係るＡＣＦ３の取付装置３００の構成例を示す概念図である。図７において、図１と同一の構成及び機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。この取付装置３００は、第１実施形態で説明した、「ＡＣＦアタッチ工程」と「溝形成工程」とを行う装置であり、ステージ１１と、供給リール２０と、接着ツール３０と、溝形成ツール４０とを含んだ構成となっている。熱圧着ツール５０は含んでおらず、熱圧着工程は他の装置を用いて行う。
【００３５】
このような構成であれば、図４（Ｂ）に示したような放射状の溝部４をＡＣＦ３の上面に形成することができる。従って、他の装置を用いた熱圧着工程で、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間から放射状の溝部４を通して空気を効率良く排出することができる。これにより、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間での空気の巻き込みを低減することができ、ＡＣＦ３内でのエアーボイドＢの発生を抑制することができる。第３実施形態では、取付装置３００が本発明５の「半導体装置の製造装置」に対応している。
【００３６】
（４）第４実施形態
図８は、本発明の第４実施形態に係るアタッチメント８０の構成例を示す概念図である。図８において、図１又は図１０（Ａ）と同一の機能を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図１に示すアタッチメント８０は、例えば既存の治具ツール９５のステージ１１と向かい合う面に着脱可能に取り付けられるものである。このアタッチメント８０は、そのステージ１１と向かい合う面にＡＣＦ３の上面を押圧する押圧面８１を有し、この押圧面８１には、図２（Ｂ）に示したような放射状の凸部４２が形成されている。
【００３７】
このような構成であれば、アタッチメント８０の押圧面８１でＡＣＦ３の上面を真下方向に強く押圧することで、ＡＣＦ３の上面に、図４（Ｂ）に示したような放射状の溝部４を形成することができる。既存の治具ツール９５にアタッチメント８０を取り付けることで、ＡＣＦ３に放射状の溝部４を形成することができるので、治具ツールを買い換える必要がない。設備投資コストの抑制が可能である。第４実施形態では、アタッチメント８０が本発明の「押圧治具」に対応している。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１実施形態に係るＩＣチップの実装装置１００の構成例を示す図。
【図２】接触面３１の構成例と、押圧面４１の構成例とを示す平面図。
【図３】第１実施形態に係るＩＣチップ１の実装方法を示す図。
【図４】ＡＣＦ３の上面に形成される放射状の溝部４の構成例を示す平面図。
【図５】ＡＣＦ３の断面構造の一例を示す図。
【図６】第２実施形態に係るＩＣチップの実装装置２００の構成例を示す図。
【図７】第３実施形態に係るＡＣＦ３の取付装置３００の構成例を示す図。
【図８】第４実施形態に係るアタッチメント８０の構成例を示す図。
【図９】押圧面４１と、ＡＣＦ３の他の例を示す平面図。
【図１０】従来例に係るＩＣチップの実装方法を示す図（その１）。
【図１１】従来例に係るＩＣチップの実装方法を示す図（その２）。
【符号の説明】
【００３９】
１  ＩＣチップ、１ａ  スタッドバンプ、３  ＡＣＦ、３ａ  基材層、３ｂ  粘着層、４、４´  溝部、５  インターポーザ、１１  ステージ、２０  供給リール、３０  接着ツール、３１、接触面、４０、溝形成ツール、４１、６１、８１押圧面、４２、４２´  凸部、４３  凹部、５０  熱圧着ツール、６０  治具ツール、８０  アタッチメント、１００、２００  実装装置、３００  取付装置
【図１】
2007150204.tif 000003
【図２】
2007150204.tif 000004
【図３】
2007150204.tif 000005
【図４】
2007150204.tif 000006
【図５】
2007150204.tif 000007
【図６】
2007150204.tif 000008
【図７】
2007150204.tif 000009
【図８】
2007150204.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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