(57)【要約】【課題】光記録媒体の基板上に形成されたピットとランドの形状の物理的に転写して製造され海賊版光記録媒体の判定ができるようにする。耐候性に優れた長期保存信頼性を有する該光記録媒体を提供する。【解決手段】ピットおよびランドの組み合わせによる主データが記録された基板上にＡｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、ＸがＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒのうち少なくとも１種以上の元素である反射膜が形成され、この反射膜への追記記録副データの記録マーク再生信号レベルは上昇し、上記基板の上記ピットおよびランドの表面形状を物理的に転写して作製した光記録媒体では再生信号レベルが低下するマークを形成することができるようにして海賊版光記録媒体の判定ができるようにする。【選択図】図１
2007335003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に少なくとも追記記録可能な金属反射膜とカバー層とが積層形成され、
上記基板にピットおよびランドの組み合わせによる主データが記録され、
上記追記記録可能な金属反射膜はレーザ光照射による熱記録による追記記録が可能とされ、
上記追記記録可能な金属反射膜への追記記録レーザ光の照射により形成されたマークによって副データの記録がなされ、
所定長の上記ランドを対象として、上記マークの形成部分での再生信号レベルは上昇し、
且つ上記基板の上記ピットおよびランドの表面形状を物理的に転写して作製した光ディスク記録媒体では上記マークの形成部分での再生信号レベルが低下する上記マークが形成され、
上記追記記録可能な金属反射膜はＡｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙ（ｘ，ｙは原子％）のＡｇ合金膜よりなり、
上記ＸはＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒの元素のうち少なくとも1種以上の元素であり、
かつ上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体。
【請求項２】
上記追記記録可能な金属反射膜が上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、
上記ＸはＴｉであり、
上記Ａｇ合金膜中のＴｉの組成ｘが４．５≦ｘ≦１７[原子％]に選定されて成り、
上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする請求項１記載の追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体。
【請求項３】
上記追記記録可能な金属反射膜が上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、
上記ＸはＷであり、
上記Ａｇ合金膜中のＷの組成ｘが２．５≦ｘ≦１１[原子％]に選定されて成り、
上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする請求項１記載の追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体。
【請求項４】
上記追記記録可能な金属反射膜が上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、
上記ＸはＴａであり、
上記Ａｇ合金膜中のＴａの組成ｘが０．６≦ｘ≦１０．５[原子％]に選定されて成り、
上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする請求項１記載の追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体。
【請求項５】
上記追記記録可能な金属反射膜が上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、
上記ＸはＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒのうち少なくとも２種以上の元素であり、
上記Ａｇ合金膜中のＸの合計した組成ｘが０．６≦ｘ≦１７[原子％]に選定されて成り、
上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする請求項１記載の追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体特に不法複製版の検出ないしは排除を有効に行うことができるようにした追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体としての光ディスク、特に再生専用のＲＯＭ（Read only Memory）ディスクは、１つのスタンパからプラスチックの射出成形によって短時間で大量のレプリカ基板を安価に製造可能であることから、パッケージメディアとして世界中で広く利用されている。
例えばＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等は、音楽や映像等の情報を記録するＲＯＭディスクとして広く一般に普及している。
【０００３】
従来から、パッケージメディアとして販売されるＲＯＭディスクを基に、その記録データを違法コピーした複製版いわゆる海賊版ディスクが作製されており、著作権の侵害が問題になっている。
一般的に海賊版ディスクは、正規版ディスクから再生した信号を基にマスタリング工程によりスタンパを作製して複製版ディスクを製造している。
或いは正規版ディスクから再生した信号を記録可能なディスクにコピーすることによって製造される。
【０００４】
海賊版ディスクの製造を防止するために種々の手法の提案、研究がなされている。
その１つとして、例えばディスクごとに個々に異なる識別情報を付加する手法が知られている。このようにディスク個々に異なる識別情報を付加する手法をとることによって、再生装置側が、ディスクの識別情報を読み取ってこれをネットワーク経由で外部のサーバ装置に送信するというようなシステムを構築することができる。このようなシステムを用いれば、例えば海賊版ディスクが作製・販売された場合には上記サーバ装置によって同一の識別情報が大量に検出されるので、海賊版ディスクの存在を検知することができる。さらに、検出された識別情報を送信してきた再生装置を特定することで、海賊版業者を特定できる可能性もある。
【０００５】
しかし、このようにディスク個々に固有となる識別情報付加する場合であっても、市販のドライブ装置で簡単に再生、コピーできないような手法によって記録されていることが、著作権保護として有用である。
そこで、ディスクの反射膜に上記識別情報マークを形成して微少な反射率変化を与えることで記録する方法の提案がなされている（例えば特許文献１参照）。
この特許文献１に記載のディスクでは、ピットおよびランドの組み合わせにより主データ（コンテンツデータや管理情報等のデータ）が記録されると共に、所定のピット又はランド上の反射膜に対して微少な反射率変化を与えるマークを形成することで、主のデータ以外の副のデータ（識別情報）を記録するようにされている。
【０００６】
上述した反射膜に対するマークの記録は、再生時のレーザパワーよりも高い記録パワーによるレーザ照射により行われる。このとき、マークによる反射率変化は微少なものとなるようにされて、ピット・ランドの組み合わせにより記録される主データの再生に影響を与えることがないようになされている。すなわち、主データについての通常の再生動作では副データが再生されないようにしている。
【０００７】
そして、この副データ自体の再生は、別途に再生系を設けて、主データの再生信号中のこのような微少な反射率変化が与えられた部分を多数サンプリングしてこれらの例えば積分値を求めるなどによって行う。
この場合、副データの記録装置側と再生装置側とでは、予め定められた所定のアルゴリズムによって副データとしてのマークを形成すべき位置が決定されている。これにより、正規の再生装置では記録時に用いたものと同様のアルゴリズムによりマークが記録されるべき位置を特定できるため、適正に副データとしての識別情報を再生することができるようになされている。
【０００８】
ところで、海賊版ディスクとしては、正規版のＲＯＭディスクの再生信号から作製されることを前提としたが、他の手法として、ＲＯＭディスクの基板の物理的形状をそのまま転写してスタンパを作製する手法がある。
具体的には、まず、正規版ディスクのカバー層や反射膜を基板から剥離することで、基板に形成されたピットおよびランドの形状を表出させ、この表出された凹凸形状を物理的に転写することで、ディスクに記録された内容を複製するという方法によるものである。
【０００９】
上述した特許文献１に記載のディスクでは、反射膜に対して形成したマークによりディスク個々の識別情報を記録するものである。これによれば、上述した基板からカバー層と反射膜を剥離させる必要のある物理的転写の手法では、反射膜に形成されたマーク（識別情報）までを転写することができないことになるので、海賊版ディスクの製造を防止できると考えられる。
ところが、実際には、反射膜に対するマークの記録は、比較的高出力なレーザの照射により行われることから、目的とするマークの記録に際し、この記録部が昇温し、ディスク基板に局部的熱膨張を発生させるなどの、基板自体にマークに応じた変形を発生させるなどのおそれがある。
つまりは、反射膜にのみ形成されるべきマークが、基板に対しても物理的に転写されてしまう可能性があり、この基板が物理的に転写されることで主データと共に副データまでが複製されてしまう可能性がある。
【００１０】
この転写について、次の図３３を参照して説明する。
図３３（ａ）は、上述のようにして反射膜に対してマークが形成された光ディスク１００の断面構造である。
この光ディスク１００は、基板１０１上に少なくとも反射膜１０２、カバー層１０３が形成されて成る。そして基板１０１と反射膜１０２との間に形成される凹凸の断面形状が、ピットとランドの組み合わせにより主データが記録される部分である。
また、上述したように、所定のピット又はランド上の反射膜に対して、符号Ｘを付して示すように、副データとしてのマークが記録される。図の例では、所定のランド上の反射膜１０２に対してマークＸが記録される例を示している。
なお、本明細書におけるランドの呼称は、光ディスク等の光記録媒体上の凹凸面において、凹凸面に対する光入射光源に対して光学的に近い、すなわち光入射側に向って凸である形状部をランドと呼称するものとする。
【００１１】
この場合、上述したように、副データとしてのマークの記録時には、比較的高出力なレーザが反射膜１０２に対して照射されることで、マークの形成箇所Ｘではその温度上昇に伴う熱膨張等による変形が生じる可能性がある。
この変形に伴い、基板１０１の反射膜１０２と接する面には凹形状の窪みが転写されてしまう。つまり、この場合においてカバー層１０３、反射膜１０２を剥離して基板１０１を表出させると、図３３（ｂ）に示されるようにして、基板１０１の表面には反射膜１０２にのみ形成されるべきマークに応じた凹形状が転写されたものとなる。
【００１２】
このようにして転写された凹形状部分は、他のランド部分に対して反射率が微少に低下する部分となる。つまりは、このような基板１０１の凹形状がそのまま転写されて作製されたレプリカ（複製）基板としては、副データとしてのマークをそのまま再現したものとなってしまう。
そして、このようなレプリカ基板について通常の製造工程と同様に反射膜およびカバー層の積層を行えば、正規版のディスクに記録された主データと副データとをそっくりコピーした海賊版ディスクを製造することができてしまうものである。
【特許文献１】特許第３４５４４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
一方、本出願人は、先に、特願２００５−２０５４３９号出願（特願２００５−３０２７２号出願に基づく優先権主張による出願）で、上述したように、複製防止ないしは検出用の副データの物理的転写が発生した場合においても、違法複製によるいわゆる海賊版光記録媒体では、極性反転等の正規版とは異なる再生がなされる再生装置、再生方法、記録装置、記録方法、光ディスクの製造方法、光ディスク記録媒体を提案した。
【００１４】
本発明は、この提案にあって、更に、鋭意研究によって、より確実に、転写された副データが正規版とは異なる性状を示すようにして、海賊版の検出や、この海賊版の再生を拒否ないしは大きな特性低下を来たすことができるようにした追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体を提供するものである。
さらに本発明は、この光記録媒体にあって、その反射膜の耐候性を飛躍的に向上させることによって、長期保存信頼性を高めた追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体は、基板に少なくとも追記記録可能な金属反射膜とカバー層とが積層形成され、上記基板にピットおよびランドの組み合わせによる主データが記録され、上記追記記録可能な金属反射膜はレーザ光照射による熱記録による追記記録が可能とされ、上記追記記録可能な金属反射膜への追記記録レーザ光の照射により形成されたマークによって副データの記録がなされ、所定長の上記ランドを対象として、上記マークの形成部分での再生信号レベルは上昇し、且つ上記基板の上記ピットおよびランドの表面形状を物理的に転写して作製した光ディスク記録媒体では上記マークの形成部分での再生信号レベルが低下する上記マークが形成され、上記追記記録可能な金属反射膜はＡｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙ（ｘ，ｙは原子％）のＡｇ合金膜よりなり、上記ＸはＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒの元素のうち少なくとも1種以上の元素であり、かつ上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする。
【００１６】
この構成による光記録媒体にあっては、後述するように、副データ記録のマーク形成部分での再生信号レベルが上昇し、且つこの光記録媒体の基板形状を物理的に転写して作製した光記録媒体では、上記マークの形成部分で再生信号レベルが低下する特性を呈するものであることが確認されたものである。
【００１７】
また、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体は、上述の構成にあって、上記追記記録可能な金属反射膜が上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、上記ＸはＴｉであり、上記Ａｇ合金膜中のＴｉの組成ｘが４．５≦ｘ≦１７[原子％]に選定されて成り、上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体は、上述の構成にあって、上記追記記録可能な金属反射膜が、上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、上記ＸはＷであり、上記Ａｇ合金膜中のＷの組成ｘが２．５≦ｘ≦１１[原子％]に選定されて成り、上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体は、上述の構成にあって、上記追記記録可能な金属反射膜が、上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、上記ＸはＴａであり、上記Ａｇ合金膜中のＴａの組成ｘが０．６１≦ｘ≦１０．５[原子％]に選定されて成り、上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体は、上述の構成にあって、上記追記記録可能な金属反射膜が、上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜よりなり、上記ＸはＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒのうち少なくとも２種以上の元素であり、上記Ａｇ合金膜中のＸの合計した組成ｘが０．６≦ｘ≦１７[原子％]に選定されて成り、上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成ることを特徴とする。
【００２１】
上述した、追記記録可能な金属反射膜のＣｕを含むＡｇ合金組成Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金の、元素Ｘの特定と、その組成比の特定によって光記録媒体の正規版と海賊版とでそれぞれ得られる副データの極性を確実に逆とすることができることを確認できた。
なお、上述した本発明による正規版では再生信号レベルが上昇し違法のコピーの複製版いわゆる海賊版では再生信号レベルが低下する特性が得られるのは、ランド側を対象としてマークを記録したときであった。
【００２２】
なお、本発明で「基板の形状を物理的に転写して作製した光記録媒体」とは、基板の形状を物理的に転写して作製したスタンパを基に作製したレプリカ基板に反射膜を成膜して作製した光記録媒体、或いは反射膜を剥離した基板に再度反射膜を成膜して作製した光記録媒体を指称する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体によれば、追記記録可能な金属反射膜に、複データの記録として正規版のマーク形成を行うことができるものであり、この正規版でのマーク形成部分では再生信号レベルが上昇し且つ海賊版でのマーク形成部分では再生信号レベルが低下する光記録媒体を構成することができるものである。これによって正規版と海賊版とで再生される副データの値の極性が逆となる光記録媒体を構成できることから海賊版の判知を行うことができるものである。
【００２４】
また、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体によれば、主データの再生ならびに副データの記録および再生に用いられる反射膜の耐候性が向上することによって光記録媒体の長期保存信頼性の向上が図られる。
【００２５】
本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体によれば、そのＡｇ合金による反射膜において、ＣｕをＡｇの一部に置換するものであり、このＣｕを２〜１３原子％の範囲でＡｇに置換するときは、反射率において、Ｃｕを置換しても反射率を低下させることがなく、耐久性が向上することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の実施の形態を例示して説明するが、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体は、これらに限定されるものではない。
図１は、本発明による光記録媒体の実施の形態として例示する再生専用のＲＯＭ型の光ディスク１００の一例の概略断面図である。
この光ディスク１００は、具体的には例えばブルーレイディスクと称されるディスクに準拠したディスク構造およびフォーマットが採用される。
この光ディスク１００は、図示するようにして基板１０１上に追記記録可能な金属反射膜１０２とカバー層１０３とが積層されて成る。
基板１０１は、例えばポリカーボネート等によるプラスチック基板であり、この基板１０１における追記記録可能な金属反射膜１０２と接する面は凹凸の断面形状が与えられている。凹状の断面部はピットＰであり、凸状の断面部はランドＬである。すなわち、カバー層１０３からレーザ光１０５が照射され、このレーザ光１０５の入射側に向って凸状の断面部がランドＬである。これらピットＰとランドＬの組み合わせ、具体的にはピットＰとランドＬのそれぞれの長さにより主データ情報の記録がなされている。
このピットＰとランドＬとが形成された基板１０１の凹凸面に追記記録可能な金属反射膜１０２が積層される。そして、この追記記録可能な金属反射膜１０２上に、さらにポリカーボネート等によるカバー層１０３が積層されている。
【００２７】
追記記録可能な金属反射膜１０２は、基板１０１上に積層されることでピットＰとランドＬの形状に応じた凹凸の断面形状が与えられる。
また、追記記録可能な金属反射膜１０２は、図示するようにして対物レンズ１０４によって集光されるレーザ光１０５がカバー層１０３を介して照射された際に、上記凹凸に応じた反射光が得られるようになされている。
【００２８】
追記記録可能な金属反射膜１０２は、Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙ（ｘ，ｙは原子％）のＡｇ合金膜よりなる。ここで、ＸはＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒの元素のうち少なくとも1種以上の元素であり、かつ上記Ａｇ合金膜中のＣｕの組成ｙが２≦ｙ≦１３［原子％］に選定されて成る。
【００２９】
すなわち、ＸがＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒの元素のうち少なくとも1種以上の元素とするときは、いずれにあっても、Ａｇに置換されるＣｕの組成ｙは２≦ｙ≦１３［原子％］に選定される。
【００３０】
そして、上記ＸがＴｉである場合、上記Ａｇ合金膜中のＴｉの組成ｘは４．５≦ｘ≦１７[原子％]に選定される。
また、上記ＸがＷである場合、上記Ａｇ合金膜中のＷの組成ｘは２．５≦ｘ≦１１[原子％]に選定される。
また、上記ＸがＴａである場合、上記Ａｇ合金膜中のＴａの組成ｘは０．６≦ｘ≦１０．５[原子％]に選定される。
【００３１】
また、上記追記記録可能な金属反射膜の組成の、上記Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜組成において、ＸがＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒのうちの２種以上の元素とする場合、上記Ａｇ合金膜中のＸの合計した組成ｘが０．６≦ｘ≦１７[原子％]に選定される。
【００３２】
本発明による追記記録可能な金属反射膜の実施の形態例において、光ディスクの構成を明確化するために、まず、この光ディスク１００の製造工程を説明する。図２は、光ディスク１００の製造工程の説明図である。
この場合、先ずユーザデータのフォーマット化工程Ｓ１１を実行する。このフォーマット化工程Ｓ１１は、例えばコンピュータ等を用いて行う。
このフォーマット化工程Ｓ１１では、光ディスク１００に対して記録されるべきコンテンツデータ（ユーザデータ）について、所定の規格に応じたフォーマットデータ列が得られるように変換動作を行う。すなわち、この実施の形態の場合は、後に図３で説明するようなブルーレイディスクの規格に応じたデータ列が得られるように変換動作を行う。また、実際には、ユーザデータに対する誤り検出符号および誤り訂正符号の付加、インターリーブ処理等も行うようにされる。
【００３３】
次に、可変長変調工程Ｓ１２がなされる。この工程Ｓ１２では、フォーマット化工程Ｓ１１により生成されたデータ列に対して可変長変調処理を施す。この実施の形態の場合では、ＲＬＬ（１，７）ＰＰ（Parity preserve/prohibit、ＲＬＬ：Run Length Limited）変調処理およびＮＲＺＩ（Non Return to Zero Inverse）変調処理を施すことになる。
この可変長変調工程Ｓ１２により得られたデータ列の”０””１”パターンが、実際にディスク１００に対して形成されるピットとランドのパターンとなる。
このようにユーザデータについてフォーマット化、可変長変調処理が施されて得られたデータを、ここでは主データと呼称する。
【００３４】
続いて、原盤作製工程Ｓ１３を行う。原盤作製工程Ｓ１３は、周知のマスタリング装置を用いて行う。
原盤作製工程Ｓ１３では、先ずガラス原盤に対してフォトレジストを塗布する。そして、このようにフォトレジストが塗布されたガラス原盤を回転駆動した状態で上記可変長変調工程Ｓ１２にて生成した主データに応じて変調したレーザ光を照射し、現像処理することで、記録トラックに沿った凹凸のパターンを形成する。つまり、ピットとランドを形成する。
次いで、ピットとランドが形成されたガラス原盤上に電解メッキを施し、これを剥離して金属原盤Ｄ１４を作製する。
【００３５】
このようにして得た金属原盤Ｄ１４を用いて、ディスク形成工程Ｓ１５を行う。
ディスク形成工程Ｓ１５では、先ず上記金属原盤Ｄ１４をもとにスタンパを作製する。そして、このスタンパを成型金型内に配置して、射出成型機を用いてポリカーボネートやアクリル等の透明樹脂により基板１０１を形成する。この基板１０１には、先の変調工程Ｓ１２にて生成された主データに応じたピットとランドのパターンが記録トラックに沿って形成されることになる。
そして、この基板１０１に対して、本発明による追記記録可能な金属反射膜成膜用金属合金ターゲットを用いて、追記記録可能な金属反射膜１０２を蒸着、スパッタ等により積層し、さらにこの追記記録可能な金属反射膜１０２上にカバー層１０３を積層する。これによって先ずは主データのみが記録された光ディスク（主データ記録ディスク）Ｄ１６を形成する。
【００３６】
続いて、副データ記録工程Ｓ１７を行う。すなわち、上述したピットとランドのパターンによって記録される主データ以外に、副データを記録する。
この場合、副データは、そのデータ内容部分となる実データ作製として、主データの記録がなされたディスクＤ１６の個々に、ユニークとなる例えばシリアル番号情報を記録する。すなわち、これによって当該副データ記録工程Ｓ１７により作製される各光ディスク１００として、それぞれ固有の識別情報（識別番号）が付加される。
また、この副データとしては、実データとしての識別情報に加え、例えばエラー訂正符号も付加するようにされる。このエラー訂正符号が付されることで、再生時に上記識別情報についてのエラー訂正処理を行うことができる。
【００３７】
副データは、後述するようにしてピットとランドとによる上記主データの特定区間における、特定の位置に対して、反射膜１０２に記録パワーによるレーザ光照射によるマークの形成によって記録される。
【００３８】
副データは、この場合は識別情報とエラー訂正符号を含むものとするが、他のデータを付加することもできる。
【００３９】
図３は、上記製造工程により製造される光ディスク１００に記録される主データのデータ構造を示す図である。
先ず、図示するようにしてＲＵＢと称される１つの記録単位が定義される。１つのＲＵＢは、１６個のセクターと２つのリンキングフレームから成る。リンキングフレームは、各ＲＵＢ間の緩衝領域として設けられている。
１セクターは、この場合１つのアドレス単位を形成する。
そして、それぞれのセクターは、図示するようにして３１個のフレームから成る。さらに１つのフレームは１９３２チャンネルビットのデータから成る。
【００４０】
この実施の形態で例示しているブルーレイディスクにおいて、主データはＲＬＬ（１，７）ＰＰ変調ルールに従ったものとなるで、符号”０”と”１”との連続数（つまりピット長とランド長）は何れも２Ｔ（チャンネルビット）から８Ｔの長さに制約されている。
各フレームの先頭に位置するｓｙｎｃでは、この変調ルールに従わない９Ｔによる連続符号が挿入されて再生時のフレーム同期信号の検出に用いられる。
【００４１】
次に、上述した主データ記録を有し、副データ記録がなされる本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の実施例について説明する。しかしながら、本発明は、これら実施例に限定されるものではないことはいうまでもない。
まず、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体において、その追記記録可能な金属反射膜の組成、Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＡｇ合金膜組成にあって、ｙ＝０、すなわちＣｕが含有されない場合の追記記録可能な金属反射膜によって構成した光記録媒体について例示する。
【００４２】
（例１）
前述したように、主データによるピットとランドの凹凸パターンが表面に形成された基板１０１が用意される。
この基板１０１上に、Ａｇ１００−ｘＷｘ［原子％］で表されるＡｇ合金膜による反射膜１０２を、ＡｇとＷとの同時スパッタリング法によって、この場合の合金膜の厚さ、すなわち反射膜１０２の厚さ４０ｎｍに成膜して形成した。
そして、この構成において、Ｗ組成に対する特性の違いを確認するため、ｘ＝３．５、ｘ＝７、ｘ＝１０のサンプルを用意した。
【００４３】
（例２）
例１と同様の基板１０１上に、この例ではＡｇ１００−ｘＴａｘ［原子％］で表されるＡｇ合金膜を、ＡｇとＴａの同時スパッタリング法によって、厚さ４０ｎｍの反射膜１０２を成膜した。
そして、Ｔａ組成に対する特性の違いを確認するため、ｘ＝１．８、ｘ＝７、ｘ＝１０のサンプルを用意した。
【００４４】
（例３）
例１と同様の基板１０１上に、Ａｇ１００−ｘＴｉｘ［原子％］で表されるＡｇ合金膜による反射膜を、ＡｇとＴｉの同時スパッタリング法で成膜した。その厚さは４０ｎｍとした。また、Ｔｉ組成に対する特性の違いを確認するため、ｘ＝７、ｘ＝１０、ｘ＝１３のサンプルを用意した。
【００４５】
（例４）
例１と同様の基板１０１上に、Ａｇ９０Ｔｉ５Ｖ５［原子％］で表されるＡｇ合金膜による反射膜を、ＡｇとＴｉ，Ｖの同時スパッタリング法で成膜した。その厚さは４０ｎｍと
した。
【００４６】
図４は、例１の反射膜１０２をＡｇ１００−ｘＷｘ［原子％］によって構成した正規版の光ディスクにおいて、ｘ＝３．５、ｘ＝７、ｘ＝１０としたときの、マーク形成部分での再生信号レベルを、それぞれ「○」、「□」、「△」印をもってプロットした図である。
【００４７】
図４において、縦軸のAmplitude（Ａｍｐ）は、再生信号ＲＦの値として、マークの記録部分から未記録部分を減算した値を積分した値を示している。つまり、この値が大きいほどマーク記録部分での再生信号ＲＦの値が高いことを示す。なお、本発明では良好に副データ信号を検出できる値をＡｍｐ≧３００と定めた。また横軸のＰｗ（ｍＷ）は記録時のレーザパワーを示す。
【００４８】
なお、この図４に示す実験結果を得るにあたって設定した記録時の条件は次の通りとした。
先ず、マーク記録は、光ディスク１００の所定長のランドとして、６Ｔのランドを対象として行った。また、光ディスク１００の反射膜１０２は、膜厚４０nm上述したＡｇＷ合金膜とした。
また、この光ディスク１００を製造するにあたり、副データ記録装置５０で設定した各条件は以下のとおりである。
開口数Ｎ．Ａ．＝０．８５、レーザ波長λ＝４０５ｎｍ、記録線速度＝４．９ｍ／ｓ、マーク記録パルス＝３０ｎｓ。
また、光ディスク１００（主データ記録ディスクＤ１６）の構造としては、実施の形態で例示しているブルーレイディスクに準拠したもので、トラックピッチＴｐは３２０ｎｍ、とし、１Ｔの長さが７８ｎｍ、ピット幅はＴｐ／３、ピット深さはλ／５である。
【００４９】
Ｗ含有量３．５[原子％]に対応する正規版ディスクでは、おおよそ１７ｍＷ以上のレーザパワーの範囲で、縦軸のAmplitudeの値(Ａｍｐ)が０レベルよりも大きな値で上昇し、２８ｍＷ以上でＡｍｐ≧３００となっていることがわかる。つまりＷ含有量３．５[原子％]では良好な副データ信号を得るために少なくとも２８ｍＷ以上の記録パワーが必要であることがわかる。
【００５０】
同様にＷ含有量７[原子％]では最小必要記録パワーが１８ｍＷ、Ｗ含有量１０[原子％]では最小必要記録パワーが１２．５ｍＷであった。ＡｇＷ合金膜のＷ含有量に対して副データ信号の良好な検出に必要な最小記録パワー値をプロットしたものを図５に示す。
【００５１】
図５により、Ｗ含有量が少なくなると必要な記録パワー値が増加していくことがわかる。この記録パワーは無制限に増加できるものではなく、正規版ディスク製造上の量産性・経済性の観点からは出来るだけ小さいほうが望ましい。この例ではその上限値を３０ｍＷと見積もった。図５により３０ｍＷ以下のレーザパワーで副データを記録しても良好な信号を検出できるＷ含有量は３[原子％]以上であるということがわかる。
【００５２】
次にＷ含有量がそれぞれ３．５、７、１０[原子％]の３種の光ディスクの主データ再生信号における反射率特性を図６に示す。
ここで、Ｒ８Ｈとはブルーレイディスクの規格に定義され、主データの最長マーク（８Ｔマーク）に対応する信号の最大反射率のことであり、情報層が1層（単層ディスク）の再生専用型ブルーレイディスクではその値が３５％以上必要であると考えられる。
【００５３】
図６により、Ｗ含有量が多くなるとＲ８Ｈは減少していくことがわかり、Ｒ８Ｈ≧３５％を満たすＷ含有量は１１[原子％]以下であることがわかる。
【００５４】
以上の検討により、ＡｇＷ合金においてはＷ含有量が３〜１１[原子％]であるディスクが、良好な主データ信号および副データ信号を提供することが可能であることがわかった。
【００５５】
例１と同様に例２（ＡｇＴａ合金）、例３（ＡｇＴｉ合金）に関しても良好な主データ信号および副データ信号を提供する添加元素の含有量を求めた。
例２に関しては含有量ｘ＝１．８、ｘ＝７、ｘ＝１０[原子％]の光ディスクについて調べ、また例３に関しては含有量ｘ＝４、ｘ＝７、ｘ＝１０[原子％]の光ディスクについて調べた。これら例２および例３の各データを図７〜図９および図１０〜図１２に示す。
【００５６】
例２および例３についても例１に対する各光ディスクにおけると同様の見地から、それぞれの反射膜構成がＡｇＴａ合金においてはＴａ含有量ｘが１．１〜１０．５[原子％]、ＡｇＴｉ号合金においてはＴｉ含有量ｘが５〜１７[原子％]とすることによって光ディスクにおいて良好な主データ信号および副データ信号を提供することができることがわかった。
【００５７】
例４についても図１３に示されるように、マーク形成部分での再生信号レベルが上昇する特性が得られる光ディスクを提供することができることがわかった。例４のように、ＡｇにＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒのうち少なくとも２種以上の元素を添加することでも、所定長の上記ランドを対象として、上記マークの形成部分での再生信号レベルは上昇し、且つ上記光ディスク１００の基板１０１の形状が物理的に転写されて生成された光ディスクでは、マークの形成部分での再生信号レベルが低下するようなマークが形成される光ディスクすなわち追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体が構成される。
【００５８】
次に、例１、例２、および例３の光ディスクのうち、例１、２については、添加元素含有量が１０[原子％]に対応するディスクを用いることによって、例３については、添加元素含有量が７[原子％]に対応するディスクを用いることによって、正規版ディスクと海賊版ディスクとで副データ信号の極性が反転することを確認する実験を行った。
この場合、既に正規版として副データ信号の記録と再生を確認した光ディスク１００から反射膜１０２およびカバー層１０３を剥離した。剥離は反射膜１０２をウェットプロセスによって溶解させ、カバー層１０３も同時に除去する方法を用いた。
このようにして、反射膜１０２、カバー層１０３の剥離がなされた基板１０１を十分に乾燥させ、その後新たに反射膜１０２、カバー層１０３を形成した。このとき、基板１０１の表面は、先の剥離プロセスによって変質などの影響を受けていないことを予め確認した。反射膜１０２はＡｇへの添加元素の総量が１[原子％]以下のＡｇ合金のスパッタ膜によって構成した。
【００５９】
図１４、図１５および図１６は、それぞれＡｇ１００−ｘＸｘの正規版と海賊版の各光ディスクにおける副データ信号極性を対比して示したグラフである。
図１４は例１においてｘ＝１０、すなわちＡｇ９０Ｗ１０とした場合、図１５は例２においてｘ＝１０、すなわちＡｇ９０Ｔａ１０とした場合、図１６は例３においてｘ＝７、すなわちＡｇ９３Ｔｉ７とした場合である。そして、各図において、実線および破線曲線は、それぞれ正規版光ディスク（正規品）および海賊版光ディスク（海賊品）における、記録レーザパワーに対する副データ再生信号の測定結果プロットした図である。
いずれにおいても、極性の反転が生じている。
【００６０】
次に、このような現象の発生を、例５および６によって考察した。
これら例によって、Ａｇ合金を用いてランドを対象として記録を行った場合のマーク記録部分での正規版ディスクにおける再生信号レベルの特性と、この正規版ディスクから物理転写、すなわち基板の形状を物理的に転写して作製したディスクにより作製された海賊版ディスクの再生信号レベルの特性をみた。
【００６１】
（例５）
表面が平滑で鏡面となっているポリカーボネート製の直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのディスク基板を用意し、この上に６．８原子％のＴｉを含有するＡｇ合金による薄膜すなわち反射膜を厚さ４０ｎｍに成膜した。
この薄膜上に厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート製フィルムを紫外線硬化樹脂によって接着し、紫外線を照射して硬化し、カバー層とし、ディスクを作製した。このディスク構造はブルーレイディスクの再生専用型ディスクの基本構造と同様である。
次にこのディスクに対し、短軸が約１μｍ、長軸が約２００μｍの楕円形状のスポット形状を有し、波長が８１０ｎｍのレーザ光をカバー層側から、照射することによって加熱した。
このレーザ光照射による加熱はディスクの回転速度３ｍ／ｓｅｃで行なった。この場合、照射したレーザパワーは約１０ｍＷ／μｍ２であった。ディスク上の加熱領域は、半径約３５ｍｍから約４５ｍｍまでの幅１０ｍｍ程度のリング状の領域とした。
【００６２】
（例６）
例５と同様のポリカーボネート製基板を用意し、この上にこの例では、１０．０原子%のＴａを有するＡｇ合金による厚さ４０ｎｍの薄膜すなわち反射膜を成膜した。
この薄膜上に、例５と同様に、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート製フィルムを紫外線硬化樹脂で接着し、紫外線を照射して硬化し、カバー層とし、ディスクを作製した。
次にこのディスクに対し、短軸が約１μｍ、長軸が約２００μｍの楕円形状のスポット形状を有し、波長が８１０ｎｍのレーザ光をカバー層側から、照射することによって加熱した。
このレーザ光による加熱の際はディスクの回転速度は６ｍ／ｓｅｃとした。照射したレーザパワーは約５ｍＷ／μｍ２であった。このレーザ光照射によるディスク上の加熱領域は、半径約３５ｍｍから約４５ｍｍまでの幅１０ｍｍ程度のリング状の領域とした。
【００６３】
上述した例５および６のディスクについて、上述したレーザ光照射による加熱がされていない領域（加熱なし）と、レーザ光照射がなされた領域（加熱あり）について、それぞれの反射率を測定した結果を、図１７の表１に示した。この測定は、分光エリプソメータを用いて波長４１０ｎｍ、６７０ｎｍ、７９０ｎｍでの反射率を測定した。
【００６４】
図１７の表１によれば、例５および６のいずれのディスクにおいても、加熱していない領域に比して加熱した領域すなわち副データの記録部の反射率は、いずれの測定波長においても高い方向に変化している。
【００６５】
図１８は、副データを記録した領域と記録していない領域との差分信号の出力の、記録マーク部の反射率とマーク深さとの関係のシミュレーション結果を示した図である。
この図６８は、差分の等高線を示したもので、縦軸は記録マーク部の深さをとったものである。また、横軸は反射率が変化しない値を１として示したものである。
【００６６】
マーク部の深さは、冒頭に述べたように、光記録媒体の例えばポリカーボネート基板上に形成された反射膜に対して副データ記録による加熱部で、局所的な変形による窪みの深さである。
この窪みは、例えば透過電子顕微鏡によって、その断面を観察すると、その深さは約7ｎｍ程度であることが測定された。
そして、図１７で説明したように、本発明によるにおけるＡｇ合金膜による光ディスクは、記録後（加熱後）の反射率が高まる。このとき、例えば点Ｐ１で示す差分信号の出力極性は＋（プラス）である。
これに対して、正規品から物理転写等の手段で海賊品ディスクを作製した場合、反射率は元に戻りマークの深さのみ変化したままなので差分信号の出力は図１８の点Ｐ２で示す−（マイナス）となる。このように、海賊品ディスクの信号出力が正規品と極性が逆になることが理解される。
【００６７】
上述したところはＣｕを含まないＡｇ１００−ｘＸｘによって追記記録可能な金属反射膜を構成した場合の追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の説明である。
次に本発明によるＣｕを含むＡｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙによる組成、すなわちＣｕを含む追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体について、その実施例を挙げて説明する。
そして、この実施例によってＣｕが特定された組成範囲で含まれる追記記録可能な金属反射膜は、上記Ｃｕを含まない追記記録可能な金属反射膜における構成元素Ｘの好適な組成の範囲の下限値を低減させ、範囲を広げることがわかった。この理由を以下の実施例で説明する。
【００６８】
［実施例１］
前述した例１と同様に、主データによるピットとランドの凹凸パターンが表面に形成された基板１０１が用意される。
この基板１０１上に、主データによるピットとランドの凹凸パターンが表面に形成された基板１０１が用意される。
この基板１０１上に、Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙ［原子％］で表されＸがＷであるＡｇ合金膜による反射膜１０２を、ＡｇとＷとの同時スパッタリング法によって、厚さ４０ｎｍに成膜して形成した。
そして、この構成において、Ｃｕ組成に対する特性の違いを確認するため、ｙ＝０、ｙ＝８、ｙ＝１０、ｙ＝１２．７、ｙ＝１７．３のサンプルを用意した。
【００６９】
［実施例２］
実施例１と同様に基板１０１上に、Ａｇ９５−ｙＴａ５Ｃｕｙ［原子％］で表されるＡｇ合金膜による反射膜１０２を、組成Ａｇ９５Ｔａ５、Ａｇ９１．５Ｔａ５Ｃｕ３．５、組成Ａｇ９０．５Ｔａ５Ｃｕ４．５である３種類の追記記録可能な金属反射膜成膜用金属合金ターゲットを用意し、その金属合金ターゲットを、枚葉式スパッタリング装置を用いてスパッタリング法によって厚さおよそ４０ｎｍに成膜することによって形成した。これによりＣｕ組成に対する特性の違いを確認するための、ｙ＝０、ｙ＝３．５、ｙ＝４．５のサンプルを用意した。
そして、この構成において、Ｃｕ組成に対する特性の違いを確認するため、ｙ＝０、ｙ＝３．５、ｙ＝４．５のサンプルを用意した。
【００７０】
図１９は実施例１の追記記録可能な金属反射膜１０２をＡｇ９６−ｙＴａ４Ｃｕｙ［原子％］によって構成した正規版の光ディスクにおいて、ｙ＝０、ｙ＝８、ｙ＝１２．７、ｙ＝１７．３としたときの主データ再生信号における反射率特性である。「○」印が初期特性に相当し、「□」印は８０℃・８５％（相対湿度）の加速試験テストを２００時間終えた後の反射率特性である。ここで、Ｒ８Ｈとはブルーレイディスクの規格に定義され、主データの最長マーク（８Ｔマーク）に対応する信号の最大反射率のことである。
Ｃｕを添加していくと、１２．７原子％までは、初期および２００時間の加速試験後もＣｕを添加しない場合（ｙ＝０）の反射率と比較してほとんど有意差がないが、それ以上の添加でＣｕが原因と考えられる反射率低下が生じる。
図１９からＣｕは１３原子％程度の添加までは反射率特性にとってＡｇと等価の機能を果たすといえる。
【００７１】
図２０は実施例２の追記記録可能な金属反射膜１０２をＡｇ９５−ｙＴａ５Ｃｕｙ［原子％］によって構成した正規版の光ディスクにおいて、ｙ＝０、ｙ＝３．５、ｙ＝４．５としたときのマーク形成部分での記録パワーＰｗを変化させた場合の再生信号レベルを、ｙ＝０とした場合を「□」印、ｙ＝３．５とした場合を「△」印、ｙ＝４．５を「◆」印をもってそれぞれプロットした図である。
図２１は、図２０から、ｙ＝０のときに所望のＡｍｐ値（３００とする）を得るのに要する記録パワーを求め（約１９ｍＷ）、同様にｙ＝３．５、ｙ＝４．５における必要記録パワーを求めてＡｇ９５−ｙＴａ５Ｃｕｙ合金膜のＣｕ含有量に対して副データ信号の良好な検出に必要な最小記録パワー値をプロットして示した図である。ＣｕをＡｇで代替したことにより必要記録パワーを低減させることができ、ｙ＝２．０の場合でもｙ＝３．５、４．５と同等程度の低減効果が得られることが理解される。
【００７２】
図２２は、前述の図８の、追記記録可能な金属反射膜をＡｇ１００−ｘＴａｘとしたときのＴａ量ｘと記録パワーとの関係を図２０、図２１で示したと同様のＡｇ９５−ｙＴａ５Ｃｕｙの組成（Ｔａ量ｘ＝５）において、ｙ＝０としたときのパワーを「■」印としてプロットし、また、ｙ=３．５および４．５としたときのパワーを「□」印としてプロットして示した図である。これによれば、図２１および図２２のｙ＝０の組成が図８の曲線に一致している。そして、Ｃｕを含まないｙ＝０に比し、Ｃｕ含有量ｙが３．５、４．５［原子%］のものは最少記録パワーが小さくなる。このことは例２において導いたＴａ添加量の下限値がＣｕの添加によりさらに低減できることを意味する。図２２中に「□」印を通り、ｙ＝０の場合の「■」印を通る曲線に沿った補助線を示すとＡｇをＣｕで代替することによるＴａ添加量の下限値の低減効果は少なくとも０．５［原子%］以上ある。つまりＣｕ添加によってＴａ添加量の好適な組成範囲は０．５［原子%］広がり、下限値が０．６％以上となる。そして、このことはＸ元素をＴａとする場合に限らず、ＴｉやＷの場合においても成り立つ。
Ｗ、Ｔｉの場合についてもＡｇをＣｕで代替したことによる効果を、図８と図２２の関係と同様に、図５および図１１のそれぞれに対応して図示したものを図２３および図２４に示す。
【００７３】
実施例１および実施例２の結果により、例１〜４にて導かれたＣｕを含まない場合のＡｇ１００−ｘＸｘ［原子％］におけるＸ元素をＴｉ、Ｔａ、Ｗとするそれぞれに対応するｘの範囲は、Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙ［原子％］においてＣｕの添加量が２原子％以上１３原子％以下であれば、反射率特性が損なわれること無く、またｘの下限値を０．５原子％低減させても副データ生成のための特性効果が保存されることが容易に導かれる。
【００７４】
さらにＣｕを含む場合においても段落番号［００７２］および図１７で説明した現象は成り立ち、海賊品ディスクの信号出力が正規品と極性が逆になる。
【００７５】
次に、追記記録可能な金属反射膜において、Ｃｕを含む場合、Ｃｕを含まない組成における場合に比して新たに向上する特性、すなわちＡｇ合金膜において生じやすいＡｇの粗大粒成長（以下、ヒロック（Hillock）称す）の抑制効果について、以下に示す実施例を基に説明する。
【００７６】
［実施例３］
Ａｇ９６Ｔａ４およびＡｇ９６−αＴａ４（Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇｅ，Ｎｄ，Ｍｎ，Ａｕ）α薄膜を有する上述実施例と同様の構成によるディスクを作製し、８０℃、８５％、９６時間の環境試験（加速試験）後のヒロック発生挙動に関する評価を行った。図２５（ａ）の上段の写真図および下段の写真図は、それぞれＡｇＴａ４．０Ｃｕ４．０による追記記録可能な金属反射膜の５千倍および２０万倍のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope)写真図を示し、図２５(b)の上段の写真図および下段の写真図は、それぞれＣｕを含まないＡｇＴａ４．０による追記記録可能な金属反射膜の５千倍および２０万倍のＳＥＭ写真図を示す。
これによれば、Ａｇ９６Ｔａ４で発生するヒロックがＣｕ添加により効果的に抑制されていることがわかる。そして、Ｃｕ以外の添加元素例えばＡｕ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｎｄ、Ｍｎの添加によっては、ヒロック抑制効果がないか、むしろ増大させてしまうことが、同様のＳＥＭによる観察によって確認された。
【００７７】
［実施例４］
Ａｇ１００−ｘ−ｙＴａｘＣｕｙ薄膜を有するサンプルを作製し、８０℃、８５％、９６時間の環境試験後のヒロック発生挙動を評価した。ｘはおよそ４原子％とし、ｙ＝１．６、ｙ＝２．３、ｙ＝３．３、ｙ＝５．６原子％とした４種類のサンプルを用意した。  これらサンプルはポリカーボネート基板上に上記組成の薄膜を４０ｎｍ形成したもので、その上にカバーなどの保護層は形成されていない。
図２６は、これら４種類のサンプルの環境試験（加速試験）後の表面の様子を示す５千倍のＳＥＭ写真図である。図２６において、上段左、上段右、下段左、下段右にそれぞれｙ＝１．６（比較例としてのサンプル１）、ｙ＝２．３（サンプル２）、ｙ＝３．３（サンプル３）、ｙ＝５．６（サンプル４）のＳＥＭ写真図である。
【００７８】
これによれば、Ｃｕ量ｙが１．６原子％のものはヒロックの抑制に効果がないが、Ｃｕ量が２．３原子％のものはヒロック抑制に効果があることが確認された。このヒロックは水などの外的要因が発生のトリガーとなることからカバーなどの保護層がない本実施例のサンプル構造は、本発明で想定する光記録媒体の構造と比較すると耐候性が低い構造と言える。したがって、図２６の結果から勘案すると少なくともＣｕを２原子％添加すれば、追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体において、耐ヒロック発生性能、つまり耐候性を飛躍的に向上することができることがわかる。
そして、これらＳＥＭ写真の下欄には、各サンプルの環境試験による反射率の変化量ΔＲ（％）の測定結果を記載した。
これによれば、サンプル１は、環境試験後は初期反射率に対して２４．２１％低下するため、再生信号の変化量として大き過ぎる。一方、サンプル２〜４については、反射率の低下が３％未満であることから、再生信号の変化量は許容の範囲でありその読み出しが良好になされる。
【００７９】
［実施例５］
Ａｇ１００−ｘ−ｙＸｘＣｕｙのＸ＝Ｔａ以外の例として、Ｘ＝Ｔｉ、Ｘ＝Ｗにおけるサンプルを作製し、それぞれ、８０℃、８５％、９６時間の環境試験後のヒロック発生挙動を評価した。用意したサンプルはＸ＝Ｔｉのとき（ｘ，ｙ）＝（３．９，０．５）（比較例としてのサンプル５）と、（５．５，５．１）（サンプル６）の２種類と、Ｘ＝Ｗのとき（ｘ，ｙ）＝（７．１，０）（比較例としてのサンプル７）と、（ｘ，ｙ）＝（５．９，３．８）（サンプル８）の２種類である。各Ｘに対し、Ｃｕ量が２原子％未満のものと２原子％以上のものとで比較できる。
図２７は、これら４種類のサンプルの上記環境試験による加速試験後の表面の５千倍のＳＥＭ写真図である。上段左および上段右に上記サンプル５およびサンプル６の場合、下段左および下段右にサンプル７およびサンプル８の場合である。これらによれば、Ｘ＝Ｔｉ、Ｗのいずれにおいても、Ｘ＝Ｔａの場合と同様に、Ｃｕ量が２．０原子％未満のものはヒロックが発生しているのに対し、２．０原子％以上のものは全く発生しておらず、ヒロックが効果的に抑制されていることがわかる。
【００８０】
そして、同様に各ＳＥＭ写真の下欄には、各サンプルの環境試験による反射率の変化量ΔＲ（％）の測定結果を記載した。
これによれば、サンプル５および７は、環境試験後は初期反射率に対しておよそ９％程度低下し、やはり再生信号の変化量が大きいが、サンプル６および８については、反射率の低下が３％未満であることから、再生信号の変化量は許容の範囲でありその読み出しが良好になされる。
【００８１】
図２６および図２７で示したサンプル１〜８において、上述した加速試験による反射率Ｒの変化量の測定結果を、それぞれのＳＥＭ写真図の下欄に示した。比較例としてのサンプル１および７以外の本発明によるサンプル２〜６および８と、上述した実施例３、実施例４、実施例５の各結果により、唯一Ｃｕの添加によりＡｇ合金膜において生じやすいヒロックを制御でき、かつその添加量は２原子％以上が望ましいことが導かれた。これは前述した実施例１および実施例２から導かれたＣｕ量の下限値２原子％と合致する結果である。
【００８２】
次に、上述した本発明による光記録媒体例えば光ディスク１６に対して上述した副データを記録する副データ記録装置の一例を説明する。
（副データ記録装置）
図３２は、この副データ記録装置の一例の構成図である。
副データは、前述したように、そのデータ内容として各光ディスク１００に固有の識別情報を記録するものとしている。従ってこの副データ記録装置５０は、装填される光ディスク１００（Ｄ１６）ごとに異なるパターンによる副データを記録するようにされる。
また、副データは、光ディスクＤ１６上において予めこれを記録する区間が定められ、さらにこの区間内においてそれぞれのマークを挿入する位置としても予め定められている。副データ記録装置５０としては、このような予め定められた特定の位置にマークが記録できるように構成されている。
【００８３】
先ず、光ディスクＤ１６は、ターンテーブル（図示せず）に載置された状態でスピンドルモータ５１によって所定の回転駆動方式に従って回転駆動される。このように回転駆動される光ディスクＤ１６に対し、光ピックアップＯＰが記録信号（主データ）の読み出しを行う。
この光ピックアップＯＰには、レーザ光源となるレーザダイオードＬＤ、レーザ光を光ディスク１００の記録面に集光・照射するための対物レンズ５２、光ディスクＤ１６からの上記レーザ光照射に基づく反射光を検出するフォトディテクタＰＤ等が備えられている。
【００８４】
光ピックアップＯＰ内のフォトディテクタＰＤによって検出された反射光情報は、Ｉ‐Ｖ変換回路５３にて電気信号に変換された後、マトリクス回路５４に供給される。マトリクス回路５４は、Ｉ‐Ｖ変換回路５３からの反射光情報に基づいて再生信号ＲＦ、トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥを生成する。
【００８５】
サーボ回路５５は、マトリクス回路５４からのトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥに基づき、２軸駆動回路５６が出力するトラッキングドライブ信号ＴＤおよびフォーカスドライブ信号ＦＤを制御する。これらトラッキングドライブ信号ＴＤ・フォーカスドライブ信号ＦＤは、光ピックアップＯＰ内にて対物レンズ５２を保持する２軸機構（図示せず）に対して供給され、これらの信号に基づき対物レンズ５２がトラッキング方向、フォーカス方向に駆動されるようになっている。
【００８６】
これらサーボ回路５５、２軸駆動回路５６、２軸機構によるトラッキングサーボ・フォーカスサーボ系において、上記サーボ回路５５が上記トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥに基づく制御を行うことで、光ディスクＤ１６に照射されるレーザ光のビームスポットが光ディスクＤ１６に形成されるピット列（記録トラック）をトレースし且つ適正なフォーカス状態で維持されるように制御が行われるようになっている。
【００８７】
また、マトリクス回路５４にて生成された再生信号ＲＦは２値化回路５７に供給され、ここで“０”“１”の２値化データに変換される。この２値化データは同期検出回路５８、およびＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路５９に対して供給される。
【００８８】
ＰＬＬ回路５９は、供給される２値化データに同期したクロックＣＬＫを生成し、これを必要な各部の動作クロックとして供給する。特に、このクロックＣＬＫは上記２値化回路５７、および次に説明する同期検出回路５８、アドレス検出回路６０、および副データ発生回路６１の動作クロックとしても供給される。
【００８９】
同期検出回路５８は、供給される２値化データから先の図３に示したフレームごとに挿入されるｓｙｎｃパターンを検出する。具体的には、この場合のｓｙｎｃパターンとされる９Ｔ区間を検出してフレーム同期検出を行う。
フレーム同期信号はアドレス検出回路６０を始めとした必要な各部に対して供給される。
【００９０】
アドレス検出回路６０は、上記フレーム同期信号と供給される２値化データとに基づき、アドレス情報の検出を行う。検出されたアドレス情報は当該副データ記録装置５０の全体制御を行う図示されないコントローラに供給されてシーク動作等に用いられる。また、このアドレス情報は、副データ発生回路６１における記録パルス生成回路６３に対しても供給される。
【００９１】
副データ発生回路６１は、図示するようにして記録パルス生成回路６３、ＲＡＭ（Random Access Memory）６２を備えている。この副データ発生回路６１は、入力される副データ、および上記アドレス検出回路６０から供給されるアドレス情報とＰＬＬ回路５９から供給されるクロックＣＬＫとに基き、光ディスクＤ１６に対して記録されるべき副データを後述する図２９の形態により記録するための記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。
【００９２】
レーザパワー制御部６４は、上記副データ発生回路６１から出力される記録パルス信号Ｗｒｐに基づき、光ピックアップＯＰ内のレーザダイオードＬＤのレーザパワーを制御する。具体的にこの場合のレーザパワー制御部６４は、記録パルス信号ＷｒｐがＬ（低）レベルのときは再生パワーによるレーザ出力が得られるように制御する。また、記録パルス信号ＷｒｐがＨ（高）レベルのときは記録パワーとなるように制御を行う。
このレーザパワー制御部６４の制御によって記録パワーによるレーザ照射が行われることで、このレーザ照射部分における反射膜１０２にマークが形成されることになる。このように反射膜１０２に形成されるマークによって光ディスクＤ１６上に副データが記録されることになる。
【００９３】
図２９は、上記した副データ発生回路６１の動作によって実現しようとする副データの記録形態について説明するための図である。
この図２９では、副データを構成する１ビットの符号として“０”を記録する場合と“１”を記録する場合のそれぞれの例を示している。
先ず、符号の表現方法としては、主データ中に存在する所定長のランドについて、隣接する奇数番目（ｏｄｄ）と偶数番目（ｅｖｅｎ）とを１組として考える。そして、これら所定長のランドの隣接する奇数番目と偶数番目の１組ごとについて、奇数番目に対してマークを記録した場合は符号“０”、偶数番目にマークを記録した場合は“１”と定義付ける。
この図２９の例では、所定長ランドとして、５Ｔのランドに対してマークを記録する例を示している。なお、ここでは所定長のランドに対してマークを形成する例を説明するが、所定長のピットに対して形成することもできる。
【００９４】
そして、この場合は、副データを構成する１ビットの符号の記録に割り当てる区間として、１アドレス単位となる１アドレスユニットを割り当てている。
つまり、この図に示されるようにして、１アドレスユニット内の隣接する奇数番目と偶数番目の所定長ランドの組ごとに、同一の符号を表現する形態でマークを記録していく。具体的に、符号“０”を記録するとした場合は、図示するようにして１アドレスユニット内の所定長ランドの奇数番目のみにマークを記録するようにされる。
また、符号“１”を記録するとしたときは１アドレスユニット内の所定長ランドの偶数番目に対してのみマークを記録するようにする。
【００９５】
再生時においては、１アドレスユニット内の所定長ランドの隣接する奇数番目と偶数番目の組ごとに再生信号ＲＦについてサンプリングを行い、奇数番目でサンプリングした再生信号ＲＦの値から偶数番目でサンプリングした再生信号ＲＦの値を減算する（「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」）。
ここで、記録したマークの再生信号レベルがマーク未記録部分での再生信号レベルに比べ高くなる例で考えると、奇数番目にのみマークが記録された符号“０”の場合、このような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の演算を行うと、理想的には隣接する所定長ランドごとに正の値が得られる。すなわち、このように各隣接する所定長ランドごとに演算された「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値を積分すると、確実に正の値が得られこれを検出することができる。逆に、偶数番目にのみマークが記録される符号“１”の場合、隣接する所定長ランドごとに演算される「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値は理想的には負の値となる。従ってこれを積分することで確実に負の値が得られてこれを検出することが可能となる。
【００９６】
なお、光ディスク１００としては、マーク形成部分での再生信号レベルが上昇するようにされるので、実際には奇数番目にのみマーク記録が行われた場合は負の値が検出され、偶数番目にのみマーク記録が行われた場合は正の値が検出されることになる。
【００９７】
ここで、上記のように特定の区間にわたって同一の記録パターンを繰り返して記録し、再生時にはこれら複数の同一記録パターンに基づいて１つの値を判定するようにされていることで、マーク記録により与える反射率変化は微少なもので足るものとすることができる。このようにマーク記録に伴う反射率変化を微小なものとできることで、記録されたマークが主データの２値化処理に影響を与えないようにすることができる。
【００９８】
副データを構成する他の符号についても、上述したと同様の手法によりマークを記録していく。
つまりこの場合、副データは、これを構成する符号と同数のアドレスユニットにわたって記録されることになる。
このように副データを記録する区間（以下、副データ記録対象区間とも呼ぶ）は、予め副データ記録装置５０と再生装置との間で定められている。従って副データ記録装置５０では、このように予め定められた副データ記録対象区間としての複数のアドレスユニットにわたって上述したマークの記録を実行するように構成されている。
【００９９】
ここで、上述した記録手法において、注意すべきは、所定長ランドに対して記録するマークがエッジ部分に対して記録されてしまった場合には、主データの２値化が適正に行われなくなってしまう可能性があるということである。すなわち、このようにして所定長ランドのエッジ部分にマークが記録された場合、マーク記録部分では反射率がその分高くなる傾向となるので、２値化処理において誤ったランド長（又はピット長）が検出されてしまう可能性がある。
そこでマークとしては、記録対象となるランドの中央部に記録するものとしている。これによればエッジ部分は通常どおり得ることができるので、この点でも２値化処理に影響を与えないように図られている。
【０１００】
以上のような記録動作が得られるように、図２８に示した副データ発生回路６１内の記録パルス生成回路６３は、図２９中に示されるようなタイミングによる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。つまりは、符号“０”に対応しては、奇数番目の所定長ランドにおける中央部のみでＨレベルとなる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。また符号“１”に対応しては偶数番目の所定長ランドにおける中央部のみでＨレベルとなる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。
【０１０１】
次に、反射膜１０２に対して形成されたマークによって副データが記録された光ディスク１００に対する再生を行う再生装置の一例を説明する。
（再生装置）
図３０は、この再生装置１の構成を示すブロック図である。
なお、図３０では、主に副データの再生に係る部分のみを抽出して示しており、主データの再生系の構成として特に２値化処理後段の復調系の構成については省略している。また、反転回路１５および判定回路１６についても、その説明を省略する。
【０１０２】
この再生装置１において、光ディスク１００は、ターンテーブル（図示せず）に載置された状態でスピンドルモータ２によって所定の回転駆動方式に従って回転駆動される。この回転駆動される光ディスク１００に対し、この場合も図示する光ピックアップＯＰが記録信号（主データ）の読み出しを行う。
なお、図示は省略したが、この場合の光ピックアップＯＰにおいても、レーザ光源となるレーザダイオード、レーザ光を光ディスク１００の記録面に集光・照射するための対物レンズ、対物レンズをトラッキング方向およびフォーカス方向に変位可能に保持する２軸機構、光ディスク１００からの上記レーザ光照射に基づく反射光を検出するフォトディテクタ等が備えられている。
また、再生装置１において光ディスク１００に照射するレーザ光は再生パワーによるものである。
【０１０３】
上記光ピックアップＯＰ内のフォトディテクタによって検出された反射光情報は、Ｉ‐Ｖ変換回路３にて電気信号に変換された後、マトリクス回路４に供給される。マトリクス回路４は、Ｉ‐Ｖ変換回路３からの反射光情報に基づいて再生信号ＲＦを生成する。
また、図示はしていないが、このマトリクス回路４にて生成される信号としてはトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥもある。これらは図示されないサーボ回路に供給されてそれぞれトラッキングサーボ、フォーカスサーボ制御動作に用いられる。
【０１０４】
マトリクス回路４にて生成された再生信号ＲＦは、２値化回路５に供給されると共に、後述するＡ／Ｄコンバータ１１に対しても分岐して供給される。
２値化回路５は、供給される再生信号ＲＦを“０”“１”の２値化データに変換する。
そして、この２値化データをＰＬＬ回路８、同期検出回路９、アドレス検出回路１０に対して供給する。
また、２値化データは後述する検出パルス生成部１２内の検出パルス生成回路１２ａに対しても供給される。
【０１０５】
ＰＬＬ回路８は、供給される２値化データに同期したクロックＣＬＫを生成し、これを必要な各部の動作クロックとして供給する。特に、この場合のクロックＣＬＫは上記検出パルス生成回路１２ａに対しても供給される（図示せず）。
同期検出回路９は、供給される２値化データから、先の図３に示したフレームごとに挿入されるｓｙｎｃ部分を検出する。具体的には、この場合のｓｙｎｃパターンとされる９Ｔ区間を検出してフレーム同期検出を行う。
フレーム同期信号はアドレス検出回路１０を始めとした必要な各部に供給される。
【０１０６】
アドレス検出回路１０は、上記フレーム同期信号に基づき、供給される２値化データからアドレス情報の検出を行う。検出されたアドレス情報は当該再生装置１の全体制御を行う図示されないコントローラに供給されてシーク動作等に用いられる。また、このアドレス情報は、検出パルス生成部１２内の検出パルス生成回路１２ａに対しても供給される。
【０１０７】
なお、確認のために述べておくと、これまでに説明した光ピックアップＯＰ、Ｉ‐Ｖ変換回路３、マトリクス回路４、２値化回路５、ＰＬＬ回路８、同期検出回路９、アドレス検出回路１０は、光ディスク１００に対して記録された主データについての再生時にも用いられる部分である。つまりはこれらの各部は、副データの再生にあたり主データの再生系の構成を共用している部分である。
【０１０８】
検出パルス生成部１２は、副データとしての識別情報の再生にあたり、先の副データ記録装置５０との間で共通となるようにして定められたマークの記録方法に応じた検出ポイントを示す検出パルス信号Ｄｐを生成する。
この検出パルス生成部１２内には、検出パルス生成回路１２ａとＲＡＭ１２ｂとが備えられる。検出パルス生成回路１２ａは、ＲＡＭ１２ｂに格納した情報に基づいて上記検出パルスＤｐを生成する。そして、生成した検出パルス信号ＤｐをＡ／Ｄコンバータ１１に対して供給する。
【０１０９】
Ａ／Ｄコンバータ１１にはマトリクス回路４からの再生信号ＲＦが供給されている。このＡ／Ｄコンバータ１１は、供給される再生信号ＲＦを上記検出パルス信号Ｄｐによって指示されるタイミングでサンプリングし、その値を副データ検出回路１３に供給する。副データ検出回路１３は、Ａ／Ｄコンバータ１１から供給される値について所定演算を行って副データの各値を検出する。つまり、例えばこの場合は先に述べた「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」に対応する演算を行った結果に基づいて副データの各値を検出する。
【０１１０】
副データ検出回路１３にて検出された副データの値は、ＥＣＣ（Error Correcting Code）回路１４に供給される。
この場合の副データとしては、識別情報とエラー訂正符号を含むものである。このＥＣＣ回路１４では、副データ中の上記エラー訂正符号に基づきエラー訂正処理を行うことによって上記識別情報を再生する。
【０１１１】
再生された識別情報は、図示するホストコンピュータ６に供給される。
ホストコンピュータ６は、当該再生装置１の全体制御を行う図示されないコントローラに対してコマンドの送出を行って各種の動作を指示する。例えば、光ディスク１００に記録される主データの再生を指示するコマンドの送出を行う。これに応じて光ディスク１００から再生された主データは、２値化回路５にて２値化された後に図示されない復調系にて復調（ＲＬＬ１−７ＰＰ復調）やエラー訂正処理等が為されてこのホストコンピュータ６に供給されることになる。
また、このホストコンピュータ６に対しては、所要のネットワークを介したデータ通信を行うためのネットワークインタフェース７が備えられている。これによりホストコンピュータ６は例えばインターネット等の所定のネットワークを介した外部機器、特に図示する管理サーバ７０との間でデータ通信が可能とされている。
【０１１２】
上記構成による再生装置１において行われる副データの値の検出動作について、次の図２０を参照して説明する。
図３１では、光ディスク１００上の１アドレスユニットに対し、副データの１ビットの値としてそれぞれ“０”が割り当てられた場合と“１”が割り当てられた場合とでのマークの記録状態を示している。なお、この図では説明のため、主データとしてのピットとランドが同じパターンで形成された場合を示している。
【０１１３】
先ず、先にも説明したように副データとしては、光ディスク１００上の所定の副データ記録対象区間において、各アドレスユニットごとにそれぞれ１ビットの情報を割り当てるようにして記録される。
また、符号の表現方法としては、この場合、所定長のランドのうち奇数番目にマークを記録した場合は“０”、偶数番目にマークを記録した場合は”１”を定義している。つまり、図示するようにして符号“０”のときは、そのアドレスユニット内では所定長のランドのうちの奇数番目にのみマークが記録される。また、符号“１”のとき、そのアドレスユニット内では所定長のランドのうちの偶数番目にのみマークが記録されたものとなる。
【０１１４】
ここで、マークが記録された部分は、例えば反射率が微少に増加する部分となる。このことから再生信号ＲＦの波形としては、図示するようにしてマークの記録された部分でそのレベルが増加することになる。
副データの再生では、このようなマーク記録部分での微少な反射率の増加に基き各値を判定する動作を行うことになる。
【０１１５】
なお、先にも説明したように、副データの記録時において各マークは所定長ランドの中央部に対して記録するようにされている。このようにランドの中央部にマークが記録されることで、この図に示される再生信号ＲＦの波形を参照してわかるように、マークが記録されるランドではその中央部のみでレベルが増加するようにされてエッジ部分の波形は通常どおり得られる。このことで、先に述べたようにして主データの２値化に影響を与えないようにすることができる。
【０１１６】
ここで、上記説明によれば、符号“０”のときは奇数番目の所定長ランドでのみ再生信号ＲＦの値が微少に増加することになる。また、符号“１”のときは偶数番目の所定長ランドでのみ再生信号ＲＦの値が微少に増加する。
従ってこの場合、各アドレスユニットに割り与えられた副データの各値を判定するにあたっては、そのアドレスユニット内の所定長ランドについて奇数番目と偶数番目のどちらが再生信号ＲＦの値が増加しているかを検出すればよいことになる。
【０１１７】
マーク記録部分での再生信号ＲＦの値の増加は、例えばマーク未記録部分での再生信号ＲＦの値からの差を求めることで検出できる。
この際、上述のようにして符号“０”のときは奇数番目のみ、符号“１”のときは偶数番目のみにマークが記録されるということは、換言すれば、符号“０”のときは必ず偶数番目が未記録部分、“１”のときは奇数番目が必ず未記録部分となる。
このことから、隣合う奇数番目（ｏｄｄ）と偶数番目（ｅｖｅｎ）について、「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」による演算を行うことで、ｏｄｄとｅｖｅｎのどちらが再生信号ＲＦの値が増加している（マークが記録されている）かを調べることができる。
具体的に、この「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」が正の値であれば奇数番目での再生信号ＲＦの値が増加しているものであり、よって奇数番目にマークが記録されていることがわかる。逆に「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」が負の値であれば偶数番目の再生信号の値が増加しているものであり、偶数番目にマークが記録されていることがわかる。
【０１１８】
但し、実際において、再生信号ＲＦにはノイズ成分が重畳される。マーク記録部分での再生信号ＲＦの値の低下は微少なものであり、このようなノイズ成分に埋もれる可能性もある。従って所定長ランドの隣り合う偶数番目の１組についてのみ上記「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」による検出を行ったのでは確実に値を判定することが困難となる。
このため、副データの再生動作としては、上記のように隣り合う奇数番目と偶数番目の組ごとに算出した「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値を積分し、この積分値に基づいてそのアドレスユニットに割り当てられた１ビットの値を判定するものとしている。このようにすることで、副データの値をより確実に検出することができる。
【０１１９】
ところで、上記のような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の算出のためには、ｏｄｄとｅｖｅｎ、すなわち奇数番目と偶数番目の双方の所定長ランドの中央部分で得られる再生信号ＲＦの値をサンプリングする必要がある。この「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」算出のためのサンプリングタイミングを指示するための信号として、図３０に示した検出パルス生成部１２は、図中検出パルス信号Ｄｐを生成する。
【０１２０】
ここで、上記のような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」算出のための検出パルス信号Ｄｐとしては、図３０を参照してわかるように、主データ中に得られる所定長ランドの中央部でのみＨレベルとなる信号を生成すればよい。
そして、このような検出パルス信号Ｄｐの生成にあたっては、先の副データ記録装置５０の場合での記録パルス信号Ｗｒｐの生成と同様に、光ディスク１００上の副データ記録対象区間において記録される主データの内容から該当するタイミングを生成すればよい。
【０１２１】
但し、再生装置１としては、副データ記録装置５０の場合のように光ディスク製造側で使用されるものではないことから、光ディスク１００に記録されている内容を予め装置内部に格納するということはできない。そこで再生装置１としては、装填された光ディスク１００から副データ記録対象区間の主データを読み出し、これを装置内部に格納して上記検出パルス信号Ｄｐの生成に用いるようにしている。
【０１２２】
このように読み出された副データ記録対象区間の主データを格納するためのメモリとして、再生装置１では、図３０に示した検出パルス生成部１２内のＲＡＭ１２ｂを設けている。そのデータ構造は、図３２に示されるように、各アドレス対応に読み出された主データが格納されるものとなる。
検出パルス生成部１２内の検出パルス生成回路１２ａでは、このようにＲＡＭ１２ｂに格納される記録対象区間内の主データの内容に基づいて、先の記録パルス信号Ｗｒｐ生成の場合と同様に、該当するタイミングでのみ“１”となりそれ以外が全て“０”となるデータ列を生成する。そして、このように生成したデータ列に基づく検出パルス信号Ｄｐを生成してこれをＡ／Ｄコンバータ１１に供給する。この検出パルス信号Ｄｐにより指示されるタイミングでＡ／Ｄコンバータ１１が再生信号ＲＦの値をサンプリングすることで、図３１で示したような適切なタイミングで再生信号ＲＦの値をサンプリングすることができる。
【０１２３】
上述したように、本発明による光記録媒体は、その反射膜の組成の選定によって、反射膜に対して副データの記録部を、未記録に比して高い再生レベルをもって再生することができる光記録媒体を確実に得ることができるものである。
したがって、本発明による光記録媒体によれば、図３３によって冒頭に説明したように、この光記録媒体から、カバー層および反射膜を剥離して、副データマークの形成に際して発生する熱変形による窪みを有する基板１０１から、その副データマークによる窪みを含めて基板表面の凹凸を転写して、海賊版ディスクを作製する場合、副データの読み出しを実質的に不可能にすることができる。
すなわち、図３３（ｂ）で示した窪みによって形成された記録マークにあっては、未記録部に比してその再生レベルは、低下するものであることから、上述した本発明による光記録媒体におけるように、副データで再生レベルを高めるようにした、正規の副データを有する海賊版ディスクを得ることはできない。あるいは直ちに海賊版であることを判知することができる。
【０１２４】
上述したように、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体は、違法コピーによる海賊版において再生信号の極性反転が生じさせることができることから、海賊版光記録媒体の判知、ひいては再生不能とするなどの処理が可能となり、著作権侵害を有効に防止することができるものである。
【０１２５】
また上述したように、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体は、用いられているＡｇ合金膜のヒロック発生が抑制され、優れた耐候性を有することから、データの長期保存信頼性が著しく高められる。
すなわち、従来、光記録媒体における反射膜としてＡｇ合金に種々の元素が添加された金属合金反射膜の提案がなされているが、本発明においては、追記による副データ記録を、その再生において、違法コピーによる海賊版における再生信号と、顕著に極性反転が生じるようにすることができ、しかも耐候性にすぐれた長期保存信頼性にすぐれた追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体が得られたものである。
【０１２６】
なお、上述においては、主として光ディスクとしたものであるが、基板形状等が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の一例の概略断面図である。
【図２】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の一例の製造工程の説明図である。
【図３】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体に記録される主データの説明図である。
【図４】本発明の説明に供するＡｇＷ合金反射膜による光記録媒体の副データ記録レーザパワーに対する副データ再生信号レベルを示す図である。
【図５】本発明の説明に供するＡｇＷ合金反射膜による光記録媒体のＷ添加量に対する副データ再生信号が良好に検出可能な最小レーザパワーを示す図である。
【図６】本発明の説明に供するＡｇＷ合金反射膜による光記録媒体のＷ添加量に対する主データ再生信号の反射率（Ｒ８Ｈ）を示す図である。
【図７】本発明の説明に供するＡｇＴａ合金反射膜による光記録媒体の副データ記録時の記録レーザパワーに対する副データ再生信号レベルを示す図である。
【図８】本発明の説明に供するＡｇＴａ合金反射膜による光記録媒体のＷ添加量に対する副データ再生信号が良好に検出可能な最小レーザパワーを示す図である。
【図９】本発明の説明に供するＡｇＴａ合金反射膜による光記録媒体のＷ添加量に対する主データ再生信号の反射率（Ｒ８Ｈ）を示す図である。
【図１０】本発明の説明に供するＡｇＴｉ合金反射膜による光記録媒体の副データ記録時の記録レーザパワーに対する副データ再生信号レベルを示す図である。
【図１１】本発明の説明に供するＡｇＴｉ合金膜反射膜による光記録媒体のＷ添加量に対する副データ再生信号が良好に検出可能な最小レーザパワーを示す図である。
【図１２】本発明の説明に供するＡｇＴｉ合金反射膜による光記録媒体のＷ添加量に対する主データ再生信号の反射率（Ｒ８Ｈ）を示す図である。
【図１３】本発明の説明に供するＡｇＴｉＶ合金反射膜による光記録媒体の副データ記録時の記録レーザパワーに対する副データ再生信号レベルを示す図である。
【図１４】本発明の説明に供するＡｇＷ合金反射膜による光記録媒体の正規版光記録媒体の正規版と海賊版の各光ディスクにおける副データ信号極性を対比して示したグラフである。
【図１５】本発明の説明に供するＡｇＴａ合金反射膜による光記録媒体の正規版光記録媒体の正規版と海賊版の各光ディスクにおける副データ信号極性を対比して示したグラフである。
【図１６】本発明に供するＡｇＴｉＷ合金反射膜による光記録媒体の正規版光記録媒体の正規版と海賊版の各光ディスクにおける副データ信号極性を対比して示したグラフである。
【図１７】本発明の説明に供するＡｇＴｉ合金反射膜およびＡｇＴａ合金反射膜のＴ追記記録可能な金属反射膜の組成の基本組成の例示とその反射率の測定結果を示す表図（表１）である。
【図１８】副データの記録部と記録していない領域との差分信号の出力の、反射率とマーク深さとの関係のシミュレーション結果を示した図である。
【図１９】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の一例のＡｇＴａＣｕ合金反射膜におけるＣｕ添加量と、主データ再生信号の反射率（Ｒ８Ｈ）との関係を加速試験テスト後とテスト前とで測定した結果を示した図である。
【図２０】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の一例のＡｇＴａＣｕ合金反射膜におけるＣｕの添加量を変化させたときの副データ記録時の記録レーザパワーと副データ再生信号レベルとの関係の測定結果を示した図である。
【図２１】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の一例のＡｇＴａＣｕ合金反射膜におけるＣｕの添加量と副データ信号が良好に検出可能な最小記録パワー値を示した図である。
【図２２】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の一例のＡｇＴａＣｕ合金反射膜におけるＴａの添加量と副データ信号が良好に検出可能な最小記録パワー値を示した図である。
【図２３】本発明の説明に供するＡｇＷ合金反射膜におけるＷの添加量と副データ信号が良好に検出可能な最小記録パワー値を示した図である。
【図２４】本発明の説明に供するＡｇＣｕ合金反射膜におけるＣｕの添加量と副データ信号が良好に検出可能な最小記録パワー値を示した図である。
【図２５】（ａ）および（ｂ）は、本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の一例および対比例の追記記録可能な金属反射膜表面のＳＥＭ写真図である。
【図２６】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の例および比較例の追記記録可能な金属反射膜表面のＳＥＭ写真図である。
【図２７】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の例および比較例の追記記録可能な金属反射膜表面のＳＥＭ写真図である。
【図２８】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体が用いられる副データの記録装置の一例の構成図である。
【図２９】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の副データの記録の説明図である。
【図３０】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体が用いられる副データの再生装置の一例の構成図である。
【図３１】本発明による追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体の副データの再生の説明図である。
【図３２】再生装置の格納データの構造図である。
【図３３】（ａ）図は、光記録媒体の反射膜に対するデータの記録状態における断面図であり、（ｂ）図は、その基板の変形状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２８】
１……再生装置、２……スピンドルモータ、３……Ｉ−Ｖ変換回路、４……マトリクス回路、５……２値化回路、６……ホストコンピュータ、７……ネットワークインタフェース、８……ＰＬＬ回路、９……同期検出回路、１０……アドレス検出回路、１１……Ａ／Ｄコンバータ、１２……検出パルス生成部、１２ａ……検出パルス生成回路、１２ｂ……ＲＡＭ、１３……副データ検出回路、１４……ＥＣＣ回路、１５……反転回路、１６……判定回路、７０……管理サーバ、１００……光記録媒体（追記記録可能な金属反射膜を有する光記録媒体（ディスク））、１０１……基板、１０２……反射膜、１０３……カバー層、１０４……対物レンズ、１０５……レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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