(57)【要約】【課題】再生特性を著しく低下させることなくビットのエッジ部分のノイズによる悪影響を低減させることにより、磁気ヘッド及び情報記憶装置の品質向上を図り、ノイズ試験における歩留りを改善する。【解決手段】上部磁極層と下部磁極層との間にギャップ層を備え、該ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行う磁気ヘッドにおいて、該ギャップ層の幅方向で左右側面のギャップ長を非対称にする。【選択図】図３
2007164861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部磁極層と下部磁極層との間にギャップ層を備え、
該ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行う磁気ヘッドにおいて、
該ギャップ層の幅方向で左右側面のギャップ長が非対称であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁気ヘッドは前記記録媒体の内縁側及び外縁側に位置する際にはトラックの接線方向に対して角度をなしており、
前記ギャップ層は該角度の内側に位置する側の側面のギャップ長が小さいことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
ディスク状の記録媒体をモータにより回転駆動させる記録媒体駆動手段と、
上部磁極層と下部磁極層との間にギャップ層を備え、該ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行う記録及び／又は記録再生手段とを備えた情報記憶装置において、
前記記録及び／又は記録再生手段は前記ギャップ層の幅方向で左右側面のギャップ長が非対称であることを特徴とする情報記憶装置。
【請求項４】
前記記録及び／又は記録再生手段は前記記録媒体の内縁側及び外縁側に位置する際にはトラックの接線方向に対して角度をなしており、
前記ギャップ層は該角度の内側に位置する側の側面のギャップ長が小さいことを特徴とする請求項３記載の情報記憶装置。
【請求項５】
上部磁極層と下部磁極層との間にギャップ層を備え、該ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行う磁気ヘッドの製造方法において、
該ギャップ層の幅方向で左右側面のギャップ長を非対称にする工程からなることを特徴とする磁気ヘッド製造プロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に上部磁極層と下部磁極層、磁極層間のギャップ層が形成された磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記憶装置に用いられる磁気ヘッドとして、記録素子と磁気抵抗素子（ＭＲ素子）を用いた再生素子とを有する複合型のものが主に用いられる。
【０００３】
通常、記録素子は、上部磁極層と下部磁極層、磁極層間のギャップ層及びコイルから構成され、該コイルに電流を流すことで磁界を発生させている。そして、ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行っている。
【０００４】
このような磁気ヘッドを用いて情報記録の高記録密度化に対応するためには、記録媒体の単位面積当たりに記憶されるデ−タ量（記録密度）を高めなければならない。記録密度の向上は、記録素子の能力を向上させると共に、記録媒体の性能向上及び記録回路の高周波化を実現させることにより達成される。
【０００５】
そこで、記録密度を高める手段の一つとして、磁気ヘッドのギャップ長を小さくすることが考えられる。ギャップ長を小さくさせることで、記録されるデータの１ビットの間隔を小さくすることが可能となり、その結果、記録媒体のトラック一周におけるビット数が増加し、より多くのデータを書き込むことが可能となる。
【０００６】
記録密度を高めるもう一つの手段としては、記録媒体に記録できるトラックの数を増加させることが考えられる。通常、記録媒体に記録できるトラックの数は、ＴＰＩ（Track per Inch）として表現され、記録素子のＴＰＩ能力は、トラック幅を決めるヘッド寸法（ギャップ幅）を小さくすることによって高めることが可能となる。
【０００７】
一方で、このように記録媒体の記録密度を高めると、ギャップ層の幅方向において左右側面から漏洩する漏れ磁界（サイドフリンジング磁界）の記録媒体に与える影響がノイズとなり、データの再生特性（Ｓ/Ｎ比）を低下させてしまうという問題を発生させている。
【０００８】
そこで、磁気ヘッドのギャップ層に発生するサイドフリンジング磁界の発生を低減し、再生特性の低下を防止する技術が提案されている。
【特許文献１】特開平０８−００７２２３号公報  特許文献１には、上部磁極層及び下部磁極層の記録媒体に対向する側の面の一部分における磁気特性を、記録媒体の対向面から所定の深さだけ劣化させることにより、アンダーシュート及びサイドフリンジング磁界を防止できる形状を磁気的に実現するという技術が提案されている。
【０００９】
具体的には、上記形状をイオンミリング等による物理的加工で実現するのではなく、磁極層の一部の磁気的性質を劣化させることにより疑似的に実現するものである。その結果、物理的加工（例えば、磁極層をイオンミリングにより削る）に起因して生じる浮上特性の不安定性、歩留りの低下、加工精度の低下等を防止しつつ、アンダーシュート及びサイドフリンジング磁界の発生を効果的に防止することが可能となるということが記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来、製品出荷前のノイズ試験において再生特性を著しく低下させる程のノイズが検出された場合、該製品を不良と判定し、廃棄することにより、製品の品質問題に対応してきた。
【００１１】
しかし、近年では情報記録の高記録密度化に伴い、ノイズが原因であるとされる不良率は上昇傾向にある。また、製品不良の原因のうち、悪影響を及ぼすノイズは、磁気ヘッドのスキュー角度が大きな位置でのサイドフリンジング磁界に起因するものが大半であることも特に問題となっている。
【００１２】
図８は、従来におけるサイドフリンジング磁界である。図８は、記録素子４０を記録媒体５０対向面から見た図である。図８において、コイルに電流を流すことで、下部磁極層２２と上部磁極層２４の間に磁界６０が発生し、ギャップ層２３から漏れる磁界により記録媒体上にデータの書き込みを行っている。ここで、ギャップ長２８とは、ギャップ層２３におけるギャップ間隔の長さ（ギャップ層の膜の厚さ方向の長さ）のことであり、ギャップ幅２９とは、ギャップ層２３の幅（ヘッドスライダの幅方向の長さ）のことである。
通常、ギャップ層２３に発生する磁界６０は、ギャップ層２３の幅方向の左右側面から漏れないでいることが望ましいとされる。それは、ギャップ層２３の左右側面を回り込む磁束によって磁化された磁性粒子は、様々な方向を向いて磁化されてしまっているため、データとしての信頼性は低いものとなってしまっているからである。また、記録媒体５０上のトラックの幅はギャップ層２３の幅と同じ程度になるように設計されているため、ギャップ層２３の側面を回り込む磁束は、隣接したトラック間のエッジ部分で磁化の干渉を引き起こしている。そして、それらがノイズとなり、再生特性を低下させる原因となっている。
図１４は、サイドフリンジング磁界により磁化されたビットの図である。図１４において（ａ）は記録媒体の磁化パターンの例を示し、（ｂ）は湾曲状に磁化されたビットの例、（ｃ）はきれいに磁化されたビットの例を示す。サイドフリンジング磁界によりビット（記録された１データ）７０のエッジ部分には、（ｂ）が示すように湾曲状の磁化の乱れが生じている。 .
図１５は、スキュー角度の大きい位置での磁気ヘッドと記録データの関係を示す図である。図１５において、磁気ヘッド１０は記録媒体の円周方向（トラック方向）に対して所定角度傾いており、該磁気ヘッドが所定角度傾いた状態でデータの記録が行われるため、ビット７０もトラックに対して同じだけ傾いている。その際のビット７０のエッジ部分には、Ａが示すようにスキュー角度の内側に大きな湾曲が形成される。この湾曲が大きいほどノイズとしての悪影響が大きい。
このようなビット７０のエッジ部分の湾曲は、サイドフリンジング磁界により発生するため、ギャップ層２３の幅方向の左右側面から漏れる磁界量を制御できれば、ノイズを低減させることが可能となる。そこで、サイドフリンジング磁界を減らす手段として、例えば、ギャップ長２８を小さくする等の手段が考えられるが、このような手段では記録媒体上に記録する為の磁界も減ってしまう（記録性能の低下を招く）ため、大幅に小さくするには限界があり、実用化にはさらなる検討が必要であった。
【００１３】
従って、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、再生特性を著しく低下させることなくビットのエッジ部分のノイズによる悪影響を低減させることにより、磁気ヘッド及び情報記憶装置の品質向上を図り、ノイズ試験における歩留りを改善することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記問題点に鑑みて、発明者は、本発明において、サイドフリンジング磁界を低減するための手段として、ギャップ層２３の片側側面（サイドフリンジング磁界による湾曲が著しく現れる側）の漏れ磁界量を減らすことができれば、記録性能は確保したまま、記録時でのビット７０のエッジ部分のノイズによる悪影響を低減することが可能となるということを見出した。
【００１５】
具体的には、記録媒体５０の外縁でスキュー角度が大きくなる装置設計がされている場合には、ギャップ層２３の記録媒体内縁側での漏れ磁界を低減させ、内縁でスキュー角度が大きくなる装置設計がされている場合には、ギャップ層２３の記録媒体外縁側での漏れ磁界を低減させるようにするという原理である。即ち、磁気ヘッドのギャップ層２３を非平行もしくは左右の端部の形状を非対称となるように形成し、ギャップ層２３の幅方向の左右側面から漏洩する漏れ磁界量を左右非対称となるように制御することである。
【００１６】
そこで、本発明に係る磁気ヘッドによれば、上部磁極層と下部磁極層との間にギャップ層を備え、該ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行う磁気ヘッドにおいて、該ギャップ層の幅方向で左右側面のギャップ長を非対称としたので、記録性能を確保したまま、記録時におけるビットのエッジ部分のノイズによる悪影響を低減することが可能となった。
【００１７】
また、本発明に係る磁気ヘッドによれば、前記磁気ヘッドは前記記録媒体の内縁側及び外縁側に位置する際にはトラックの接線方向に対して角度をなしており、前記ギャップ層において該角度の内側に位置する側の側面のギャップ長を小さくしたので、スキュー角の大きい位置での再生特性の悪化を防ぐことが可能となった。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、磁気ヘッドのギャップ層を非平行もしくは左右端部で非対称となるように形成し、ギャップ層の幅方向の左右側面から漏洩する漏れ磁界量を左右非対称となるように制御したので、再生特性を著しく低下させることなくビットのエッジ部分のノイズによる悪影響を低減させることができ、磁気ヘッド及び情報記憶装置の品質向上及びノイズ試験における歩留りを改善することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
【００２０】
図１は、磁気ヘッドの記録素子及び再生素子の構成を示した図である。図１（ａ）は磁気ヘッド１０の側面図であり、図１（ｂ）は素子部２０を磁気ヘッド１０の側面方向から見た状態の図で、図１（ｃ）は素子部２０を記録媒体対向面から見た状態の図を示している。
【００２１】
図１（ｂ）において、２１はＭＲ素子、２２は下部磁極層、２３はギャップ層、２４は上部磁極層、２５はコイル、２６は非磁性層、２７は基板を示す。
【００２２】
再生素子３０は、磁界の強さに比例して抵抗値が変化するＭＲ素子２１により構成されており、該ＭＲ素子２１は非磁性層２６に介在されている。そして、磁気抵抗効果によって記録媒体面の微弱な磁界を検知して電圧に変換し、データの再生を行っている。異方性磁気抵抗素子（ＡＭＲ：Anisotropic Magnetic Resistance）や巨大磁気抵抗素子（ＧＭＲ：Giant Magnetic Resistance）、トンネル電流を利用してＭＲ効果を発生するトンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ：Tunneling Magnetic Resistance）などがよく知られている。
【００２３】
記録素子４０は、誘導型電磁変換素子が用いられており、再生素子３０の上に積層される。記録素子４０となる誘導型薄膜磁気変換素子は、下部磁極層２２、ギャップ層２３、上部磁極層２４及び絶縁膜により支持されたコイル２５等を有している。下部磁極層２２及び上部磁極層２４の先端部は、微小厚みのギャップ層２３を隔てて対向しており、該ギャップ層２３に発生する磁界によりデータの記録を行う。尚、下部磁極層２２及び上部磁極層２４は、記録媒体と対向する面とは反対側で磁気回路を完成するように互いに結合されている。
【００２４】
図１（ｃ）おいて、本実施形態におけるギャップ層２３は、ギャップ長２８で０．１μｍ、ギャップ幅２９で０．２５μｍの大きさをなしている。
【００２５】
図２はスキュー角度の概念を示している。図２において、記録媒体５０上には多数のトラックが設けられているが、図２では説明の便宜上、外縁部分と内縁部分での磁気ヘッド１０のオントラック例のみ示す。記録媒体５０の各トラックと磁気ヘッド１０の間にはそれぞれにスキュー角度が生じており、素子部２０の向きは記録媒体５０の円周方向に対してずれが生じている。
【００２６】
尚、スキュー角度とは、記録媒体の円周方向（接線方向）に対する記録媒体５０上にある磁気ヘッド１０の傾きのことである。図２の磁気ヘッド１０のオントラック例が示すようにトラックの接線(正接線)を基準とし、磁気ヘッド１０の傾きは内縁側ではプラスの角度となり、外縁側ではマイナスの角度となる。尚、本実施形態では、記録媒体の内縁側よりも記録媒体の外縁側の方がより大きなスキュー角度を成しており、内縁側では＋６°、外縁側では−１５°である。
【００２７】
次に、本発明における第１実施形態について説明する。
【００２８】
図３は、第１実施形態におけるサイドフリンジング磁界である。図３は、記録素子４０を記録媒体５０対向面から見た図である。図３において、コイルに電流を流すことで、下部磁極層２２と上部磁極層２４の間に磁界６０が発生し、ギャップ層２３から漏れる磁界６０により記録媒体５０上にデータの書き込みを行っている。ここで、ギャップ長２８とは、ギャップ層２３におけるギャップ間隔の長さのことであり、ギャップ幅２９とは、ギャップ層２３の幅のことである。
【００２９】
本実施形態における記録素子４０では、記録媒体の内縁側よりも記録媒体の外縁側の方が大きなスキュー角度を成しているという理由から、磁気ヘッド１０のギャップ層２３の記録媒体内側でのギャップ長２８が小さくなるように、ギャップ層の下部磁極面に傾斜を設けることとした。その結果、ギャップ層２３の記録媒体内側の漏れ磁界を低減させることができ、磁気ヘッドのスキュー角度が大きな位置でのサイドフリンジング磁界によるビット７０のエッジ部分の湾曲を防止することが可能となった。
【００３０】
尚、ギャップ長２８が小さい側[Ａ]のギャップ間隔は、ギャップ長２８が大きい側[Ｂ]のギャップ間隔に対して８０〜９０％程度になるように設計する。本実施形態では、約２．３°〜４．６°の傾斜角度となる。従って、ギャップ長２８をわずかに狭小させる構成にしているので、記録性能低下の影響は少ない。
【００３１】
以下に、磁気ヘッド１０の素子部２０の製造方法について図４−１、図４―２を用いて説明する。図４−１、図４―２は、いずれも磁気ヘッド１０の素子部２０を記録媒体対向面から見た状態の図である。この素子部２０は、基板２７の上面に下部磁極層２２、非磁性層２６が積層形成されている。下部磁極層２２は非磁性層２６の上に積層されており、該非磁性層２６には、ＭＲ素子２１が介在されている。
【００３２】
図４−１（ａ）は、素子部２０の製造方法の第１工程を示す図である。第１工程は、ギャップ層の形成領域を確定する工程である。
【００３３】
まず、図４−１（ａ）に示すように、基板２７の上面にＭＲ素子２１を内蔵する非磁性層２６を積層し、該非磁性層２６の上にさらに下部磁極層２２を積層した後、その表面全面にレジストを塗布し、パターニングすることによりギャップ層の形成領域を露出させたレジスト層８０を成膜する。
【００３４】
続いて、図４−１（ｂ）は、素子部２０の製造方法の第２工程を示す図である。第２工程は、下部磁極層２２の表面を所定の形状に形成する工程である。
【００３５】
（１）に示すように、下部磁極層２２の露出面上にマスク８１を形成し、所定の厚みだけ更に下部磁極層２２を積層する。その後、マスク８１を取り除き、（２）に示すように、前回よりも狭い範囲のマスク８１を形成し、更に所定の厚みだけ下部磁極層２２を積層する。その後、再びマスク８１を取り除き、（３）に示すように、前回よりも狭い範囲のマスク８１を形成し、更に所定の厚みだけ下部磁極層２２を積層する。この処理を繰り返すことで、下部磁極層２２の露出面を傾斜にすることが可能となる。図５では説明の便宜上、下部磁極層２２の露出面は階段状に表現されているが、マスクする範囲をより細かくずらしていけば、滑らかな傾斜面を形成することが可能である。
【００３６】
以後、下部磁極層２２の露出面は、滑らかな傾斜面に形成されたものとして説明する。
【００３７】
図４−２（ｃ）は、素子部２０の製造方法の第３工程を示す図である。第３工程は、スパッタリングする工程である。
【００３８】
図４−２（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2（酸化ケイ素）９０をスパッタリングしてレジスト層８０の上及び下部磁極層２２の露出面上に成膜する。
【００３９】
図４−２（ｄ）は、素子部２０の製造方法の第４工程を示す図である。第４工程は、レジスト層８０を剥がす工程である。
【００４０】
その後、図４−２（ｄ）に示すように、レジスト層８０を剥がしてリフトオフすることで、下部磁極層２２の表面に直接成膜されていたＳｉＯ2９０のみ残す。なお、この残ったＳｉＯ2９０の部分が、最終的にギャップ層となる。また、これによりＳｉＯ2９０で被われない下部磁極層２２の表面が露出する。
【００４１】
図４−２（ｅ）は、素子部２０の製造方法の第５工程を示す図である。第５工程は、下部磁極層２２にイオンミリングを施す工程である。
【００４２】
第５工程では、下部磁極層２２に同図の矢印で示されるようにイオンミリングを施すことにより、該下部磁極層２２のうち、マスクされていない部分の除去を行う。
【００４３】
図４−２（ｆ）は、素子部２０の製造方法の第６工程を示す図である。第６工程は、ギャップ層２３を成膜する工程である。
【００４４】
その後、ＳｉＯ2９０を除去し、ＳｉＯ2９０の除去された下部磁極層２２の上に、厚さ０．１μｍのＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）を用いたギャップ層２３がスパッタリング法により成膜され、その上には上部磁極層２４が積層される。
【００４５】
以上のプロセスにより、磁気ヘッド１０のギャップ層２３の記録媒体内側でのギャップ長２８が小さくなるように、ギャップ層２３の下部磁極層２２または上部磁極層２４のどちらか一方の磁極面に傾斜を設けることが可能である。
【００４６】
図５は、第２実施形態におけるサイドフリンジング磁界である。図５は、記録素子４０を記録媒体５０対向面から見た図である。図５において、コイルに電流を流すことで、下部磁極層２２と上部磁極層２４の間に磁界６０が発生し、ギャップ層２３から漏れる磁界６０により記録媒体５０上にデータの書き込みを行っている。ここで、ギャップ長２８とは、ギャップ層２３におけるギャップ間隔の長さのことであり、ギャップ幅２９とは、ギャップ層２３の幅のことである。
【００４７】
本実施形態における記録素子４０では、記録媒体の内縁側よりも記録媒体の外縁側の方が大きなスキュー角度を成しているという理由から、磁気ヘッド１０のギャップ層２３の記録媒体内側の端部でのギャップ長２８が小さくなるように、ギャップ層２３の下部磁極層２２または上部磁極層２４のどちらか一方の磁極面に段差を設けることとした。その結果、ギャップ層２３の記録媒体内側の漏れ磁界を低減させることができ、磁気ヘッドのスキュー角度が大きな位置でのサイドフリンジング磁界によるビット７０のエッジ部分の湾曲を防止することが可能となった。
【００４８】
尚、ギャップ長２８が小さい側[Ａ]のギャップ間隔は、ギャップ長２８が大きい側[Ｂ]のギャップ間隔に対して８０〜９０％程度になるように設計する。従って、ギャップ長２８をわずかに狭小させる構成にしているので、記録性能低下の影響は少ない。
【００４９】
図６では、磁気ヘッド１０素子部２０の製造方法の第２工程のみについて説明する。それ以外の工程については、上記の第１実施形態と同様の構成のため、ここでの説明は省略する。
【００５０】
図６は、磁気ヘッド１０の素子部２０を記録媒体対向面から見た状態の図である。この素子部２０は、基板２７の上面に下部磁極層２２、非磁性層２６が積層形成されている。下部磁極層２２は非磁性層２６の上に積層されており、該非磁性層２６には、ＭＲ素子２１が介在されている。下部磁極層２２上には、ギャップ層の形成領域を露出させるためのレジスト層８０を形成する。レジスト層８０の形成後、下部磁極層２２の露出面上に磁気ヘッド１０のギャップ層２３の記録媒体内側でのギャップ長２８が小さくなるようにマスク８１を形成し、下部磁極層２２に段差状の厚みを設ける。
【００５１】
図７は、第３実施形態におけるサイドフリンジング磁界である。図７は、記録素子４０を記録媒体５０対向面から見た図である。図７において、コイルに電流を流すことで、下部磁極層２２と上部磁極層２４の間に磁界６０が発生し、ギャップ層２３から漏れる磁界６０により記録媒体５０上にデータの書き込みを行っている。ここで、ギャップ長２８は、ギャップ層２３の厚みのことであり、ギャップ幅２９は、ギャップ層２３の幅のことである。
【００５２】
本実施形態における記録素子４０では、記録媒体の内縁側よりも記録媒体の外縁側の方が大きなスキュー角度を成しているという理由から、磁気ヘッド１０のギャップ層２３の記録媒体内側でのギャップ長２８が小さくなるように、ギャップ層２３の下部磁極層２２または上部磁極層２４のどちらか一方の磁極面に曲面を設けることとした。その結果、ギャップ層２３の記録媒体内側の漏れ磁界を低減させることができ、磁気ヘッドのスキュー角度が大きな位置でのサイドフリンジング磁界によるビット７０のエッジ部分の湾曲を防止することが可能となった。
【００５３】
尚、ギャップ長２８が小さい側[Ａ]のギャップ長２８は、ギャップ長２８が大きい側[Ｂ]のギャップ長２８に対して８０〜９０％程度になるように設計する。従って、ギャップ長２８をわずかに狭小させる構成にしているので、記録性能低下の影響は少ない。
【００５４】
本実施形態における磁気ヘッド１０素子部２０の製造方法の工程について、第２工程以外の工程は、上記の第１実施形態と同様の構成のため、ここでの説明は省略する。
【００５５】
本実施形態における磁気ヘッド１０素子部２０の製造方法の第２工程については、第１実施形態の第２工程でのマスク８１をずらす間隔を徐々に大きくさせていくことで形成することが可能である。即ち、ギャップ長２８を小さくする側[Ａ]のずらす間隔は小さくし、逆にギャップ長２８を大きくする側[Ｂ]のずらす間隔は大きくすればよい。
【００５６】
尚、本発明は、上記記載事項及び図面に示す実施形態に限定することなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施できるものである。
【００５７】
以上説明した本発明の実施の態様は、以下のとおりである。
（付記１）
上部磁極層と下部磁極層との間にギャップ層を備え、
該ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行う磁気ヘッドにおいて、
該ギャップ層の幅方向で左右側面のギャップ長が非対称であることを特徴とする磁気ヘッド。
（付記２）
前記磁気ヘッドは前記記録媒体の内縁側及び外縁側に位置する際にはトラックの接線方向に対して角度をなしており、
前記ギャップ層は該角度の内側に位置する側の側面のギャップ長が小さいことを特徴とする付記１記載の磁気ヘッド。
（付記３）
前記磁気ヘッドは前記下部磁極層のギャップ層に対向する表面を傾斜面に形成されてなることを特徴とする付記２記載の磁気ヘッド。
（付記４）
前記磁気ヘッドは前記下部磁極層のギャップ層に対向する表面を曲面に形成されてなることを特徴とする付記２記載の磁気ヘッド。
（付記５）
前記磁気ヘッドは前記下部磁極層のギャップ層に対向する表面を段差面に形成されてなることを特徴とする付記２記載の磁気ヘッド。
（付記６）
ディスク状の記録媒体をモータにより回転駆動させる記録媒体駆動手段と、
上部磁極層と下部磁極層との間にギャップ層を備え、該ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行う記録及び／又は記録再生手段とを備えた情報記憶装置において、
前記記録及び／又は記録再生手段は前記ギャップ層の幅方向で左右側面のギャップ長が非対称であることを特徴とする情報記憶装置。
（付記７）
前記記録及び／又は記録再生手段は前記記録媒体の内縁側及び外縁側に位置する際にはトラックの接線方向に対して角度をなしており、
前記ギャップ層は該角度の内側に位置する側の側面のギャップ長が小さいことを特徴とする付記６記載の情報記憶装置。
（付記８）
上部磁極層と下部磁極層との間にギャップ層を備え、該ギャップ層から漏れる磁界で記録媒体表面を磁化させることによりデータの記録を行う磁気ヘッドの製造方法において、
該ギャップ層の幅方向で左右側面のギャップ長を非対称にする工程からなることを特徴とする磁気ヘッド製造プロセス。
（付記９）
前記ギャップ層の幅方向の側面において、ギャップ長を小さくしたい部分にマスクを形成することを特徴とする付記８記載の磁気ヘッド製造プロセス。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
以上のように、本発明によれば、磁気ヘッドのギャップ層を非平行もしくは左右端部を非対称となるように形成し、ギャップ層の幅方向の左右側面から漏洩する漏れ磁界量を左右非対称となるように制御したので、再生特性を著しく低下させることなくビットのエッジ部分のノイズによる悪影響を低減させることができ、磁気ヘッド及び情報記憶装置の品質向上及びノイズ試験における歩留りを改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態における磁気ヘッドの記録素子及び再生素子の構成を示した図である。  （ａ）磁気ヘッドの側面図  （ｂ）素子部を磁気ヘッドの側面方向から見た状態の図  （ｃ）素子部を記録媒体対向面から見た状態の図
【図２】スキュー角の概念を示した図である。
【図３】第１実施形態におけるサイドフリンジング磁界を示した図である。
【図４−１】第１実施形態における磁気ヘッド素子部の製造方法について示した図である。  （ａ）第１工程について示した図である。  （ｂ）第２工程について示した図である。
【図４−２】第１実施形態における磁気ヘッド素子部の製造方法について示した図である。  （ｃ）第３工程について示した図である。  （ｄ）第４工程について示した図である。  （ｅ）第５工程について示した図である。  （ｆ）第６工程について示した図である。
【図５】第２実施形態におけるサイドフリンジング磁界を示した図である。
【図６】第２実施形態における磁気ヘッド素子部の製造方法の第２工程を示した図である。
【図７】第３実施形態におけるサイドフリンジング磁界を示した図である。
【図８】従来の磁気ヘッド素子部におけるサイドフリンジング磁界を示した図である。
【図９】サイドフリンジング磁界により磁化されたビットの図である。  （ａ）記録媒体の磁化パターン例  （ｂ）湾曲状に磁化されたビットの例  （ｃ）きれいに磁化されたビットの例
【図１０】スキュー角度の大きい位置での磁気ヘッドと記録されたデータとの関係を示した図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０  磁気ヘッド
２０  素子部
２１  ＭＲ素子
２２  下部磁極層
２３  ギャップ層
２４  上部磁極層
２５  コイル
２６  非磁性層
２７  基板
２８  ギャップ長
２９  ギャップ幅
３０  再生素子
４０  記録素子
５０  記録媒体
６０  磁界
７０  ビット
８０  レジスト層
８１  マスク
９０  ＳｉＯ2
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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