(57)【要約】【課題】  スルーホールに充填材を充填し、その上に導体層を設けた場合に、その導体層がデラミネーションを発生することなく、密着性に優れた配線基板を提供する。【解決手段】  板厚方向に貫通するスルーホール１２内に筒状のスルーホール導体３０及びその内側を充填する充填材３１が形成されたコア部２を備える配線基板１であって、  前記充填材３１は無機フィラーを含む樹脂材料で構成され、該無機フィラーの平均粒径をＸ（μｍ）としたとき、当該充填材３１の端面３１ａにおけるＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する十点平均粗さ（Ｒｚ）がＲｚ≦Ｘ／２を満たし、当該充填材３１の端面３１ａが前記スルーホール導体３０と接続された蓋状導体２１に覆われてなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板厚方向に貫通するスルーホール内に筒状のスルーホール導体及びその内側を充填する充填材が形成されたコア部を備える配線基板であって、
前記充填材は無機フィラーを含む樹脂材料で構成され、該無機フィラーの平均粒径をＸ（μｍ）としたとき、当該充填材の端面におけるＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する十点平均粗さ（Ｒｚ）がＲｚ≦Ｘ／２を満たし、当該充填材の端面が前記スルーホール導体と接続された蓋状導体に覆われてなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記充填材の端面の十点平均粗さ（Ｒｚ）がＸ／３≦Ｒｚである請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記コア部の主面上に形成された樹脂絶縁層と、当該樹脂絶縁層に埋設され前記蓋状導体と接続されたビア導体とを備え、当該ビア導体が前記スルーホール上に位置する請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ビア導体が前記スルーホール上の中央領域に位置する請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記コア部の主面上に２層以上の樹脂絶縁層が導体層を介して形成され前記ビア導体が板厚方向に連なってスタックドビアを構成するとともに、当該スタックドビアが前記蓋状導体上に位置する請求項３または４に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、その一主面にＬＳＩやＩＣチップ等の電子部品を搭載する際に用いる多数の導体（電極）を備えており、他方の主面にはマザーボードなどと接続するための多数の導体（電極）及びそれに設置された接続端子（例えば、ハンダボール）を備えたものとされている。このようなタイプの配線基板においては、搭載するＬＳＩやＩＣチップあるいはチップコンデンサなどの電子部品の高集積化および高密度化を図るために、小型化や接続端子数（例えば、ボール数）の増大化等が進められている。
【０００３】
従来技術として特許文献１には、高密度の配線機能を有する配線基板の内部構造として、絶縁性の基板に形成されたスルーホール内に充填材を充填し、この上に導体層を設け、この導体層に直接接続するビア導体を形成したものが開示されている。この技術によれば、スルーホール上にもビア導体を形成することができるため、配線の高集積化および高密度化を図ることができる。
【特許文献１】特開平６−２７５９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、充填材に多官能エポキシ樹脂等の流動性有機系前駆体が挙げられているが、この場合、高温多湿等の過酷な条件下ではスルーホール充填材端面上に形成される導体層のデラミネーションが発生し、その導体層に直接接続するビア導体とスルーホール導体との電気的接続信頼性が得られないという問題があった。
【０００５】
デラミネーションの発生は、樹脂材と金属材との間に生じる熱膨張率の差が起因している（樹脂材のほうが金属材のそれよりも大きい）。例えば配線基板１が加熱された場合（図５（ａ）参照）に、金属材であるスルーホール導体３０と、樹脂材料であるコア部２を構成する樹脂材２５と、スルーホール１２内に充填される充填材３１とは、それぞれ板厚方向に膨張する。このとき、スルーホール導体３０の熱膨張率に比べて、そのスルーホール導体の接する周囲樹脂材（樹脂材２５及び充填材３０）の熱膨張率の方が大きいため蓋状導体２１は突き上げられる。また、逆に配線基板が冷却された場合（図５（ｂ）参照）には、加熱された場合と逆の現象が起きる。その樹脂材料（樹脂材２５及び充填材３０）の収縮により蓋状導体２１は引き下げられる。この温度サイクルにより、蓋状導体２１に過度の応力集中が生じ、図５（ｃ）に示すように、蓋状導体２１と充填材の端面３１ａの間に空隙５０が生じてしまう。即ち、蓋状導体２１は、充填材の端面３１ａから剥離（デラミネーション）してしまう。
【０００６】
そこで、そのような条件下でも蓋状導体２１と充填材の端面３１ａとの接続信頼性を低下させない配線基板が求められ、蓋状導体２１と充填材の端面３１ａとの密着強度をより強めるために充填材の端面３１ａに粗化処理を行い、その端面３１ａを粗面化することで蓋状導体にアンカー効果を持たせたものが一般的に知られている。しかしながら、充填材の端面に粗化処理を行い、蓋状導体にアンカー効果をもたせたものでも、その蓋状導体が充填材の端面から剥離（デラミネーション）が発生してしまう場合があり、信頼性のある十分な密着強度が得られないという問題があった。
【０００７】
本発明の課題は、上記実情に鑑みてなされたものであり、スルーホールに充填材を充填し、その上に導体層を設けた場合に、その導体層がデラミネーションを発生することなく、密着性に優れた配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び効果】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、
板厚方向に貫通するスルーホール内に筒状のスルーホール導体及びその内側を充填する充填材が形成されたコア部を備える配線基板であって、
充填材は無機フィラーを含む樹脂材料で構成され、該無機フィラーの平均粒径をＸ（μｍ）としたとき、当該充填材の端面におけるＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する十点平均粗さ（Ｒｚ）がＲｚ≦Ｘ／２を満たし、当該充填材の端面がスルーホール導体と接続された蓋状導体に覆われてなることを特徴とする。
【０００９】
上記本発明によれば、充填材の端面のＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定の十点平均粗さＲｚを充填材に含まれる無機フィラーの平均粒径の半分以下とすることで、粗面化による充填材端面から一部露出する無機フィラーの充填材と接触して接着している領域を十分に確保することができるため、無機フィラーが充填材から脱落することを防止することができる。よって、無機フィラーが充填材から脱落しないので、蓋状導体を充填材の端面上により密着した状態で備えることができる。すなわち、上記温度サイクルによる過度の応力集中が生じてもデラミネーションを発生することなく、密着性が良好な蓋状導体を充填材端面上に備えることができ、ひいては電気的接続性に優れる高密度な配線基板を提供することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、
充填材の端面の十点平均粗さ（Ｒｚ）をＸ／３≦Ｒｚとすることができる。これにより、充填材の端面の平均粗さＲｚを充填材に含まれる無機フィラーの平均粒径の３分の１以上とすることで、十分なアンカー効果が得られる表面粗さとすることができる。よって、蓋状導体を充填材の端面上に密着した状態で備えることができる。すなわち、上記温度サイクルによる過度の応力集中が生じてもデラミネーションを発生することなく、密着性が良好な蓋状導体を充填材端面上に備えることができ、ひいては電気的接続性に優れる高密度な配線基板を提供することが可能となる
【００１１】
なお、充填材に含まれるシリカフィラー等の無機フィラーの平均粒径は２μｍ〜５μｍの範囲を満たしていることが望ましい。より好ましくは、無機フィラーの平均粒径を２μｍ〜４μｍの範囲を満たしていることが望ましい。無機フィラーの平均粒径が大きすぎると充填材の端面が粗面化されたときに、その端面から無機フィラーの露出する領域が広くなり、充填材と接触して接着している領域を十分に確保することができないため無機フィラーは充填材から脱落してしまい、ひいては蓋状導体との十分な密着性が望めない。また、無機フィラーの平均粒径が小さすぎると、表面粗さも小さくなるため十分なアンカー効果を有する表面粗さとすることができず、蓋状導体との十分な密着性が望めない。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、
コア部の主面上に形成された樹脂絶縁層に埋設され蓋状導体と接続されたビア導体を備え、当該ビア導体が前記スルーホール上に位置することができる。また、ビア導体がスルーホール上の中央領域に位置することもできる。
【００１３】
前述したように、樹脂材と金属材とは熱膨張率が異なるので、ビア導体（金属材）と樹脂絶縁層（樹脂材）との間にも熱膨張率の差が生じることから、温度サイクルによる膨張及び収縮の影響をうける。このビア導体が蓋状導体上に形成されると、ビア導体が蓋状導体上に形成されない場合と比して蓋状導体により大きな応力が生じ、蓋状導体は充填材の端面から剥離（デラミネーション）し易くなる。また、その応力は、ビア導体をスルーホール上の中央領域に形成したときに一番大きく生じ、蓋状導体は充填材の端面から剥離（デラミネーション）し易くなる。本発明の配線基板では、そのような状況下でも剥離（デラミネーション）が生じることなく安定して蓋状導体上にビア導体を設けることができ、さらには、一番大きく応力が生じるスルーホール上の中央領域にもビア導体を設けることができる。ここで、本発明におけるスルーホール上とは、コア部から板厚方向に樹脂絶縁層を形成（積層）していく方向を上向きとしている。
【００１４】
また、本発明の配線基板は、
コア部の主面上に形成された２層以上の樹脂絶縁層にそれぞれビア導体が埋設され、該ビア導体が板厚方向に連なってスタックドビアを構成するとともに、当該スタックドビアが前記蓋状導体上に位置することができる。通常、スタックドビアは、複数のビア導体が板厚方向に連なって形成されており、ビア導体である金属材と樹脂絶縁層である樹脂材との接する距離が長い（面積が広い）ため、その一番下方にあるビア導体と接続される蓋状導体により大きな応力が生じる。しかし、そのような状況下においても蓋状導体が充填材の端面から剥離（デラミネーション）が生じることなく安定して蓋状導体上にスタックドビアを設けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板１は、耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア（コア部）２の両表面ＭＰ１,ＭＰ２に、所定の配線パターンをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層又は接地層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させる内面メッキ層（スルーホール導体）３０が形成されている。
【００１６】
また、スルーホール１２には、平均粒径Ｘ（μｍ）が２〜５μｍとなるシリカフィラー等の無機フィラーを含むエポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材(充填材)３１がスルーホール導体３０の内側に充填形成されており、その充填材３１の端面３１ａは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する十点平均粗さ（Ｒｚ）がＸ／３≦Ｒｚ≦Ｘ／２（本実施例においては、２．５μｍ以下）となるように粗面化されて形成されている。充填材３１の端面３１ａ上には、スルーホール導体３０の端部と接続されたＣｕメッキからなる蓋状導体２１が粗面化された端面３１ａと密着して形成されている。
【００１７】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、コア導体層Ｍ１,Ｍ１１も含め配線積層部Ｌ１,Ｌ２が形成されている。具体的には、感光性または熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１樹脂絶縁層（ビルドアップ樹脂絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ所定パターンをなす金属配線７を有する第１導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、第１樹脂絶縁層Ｖ１に形成されたビアホール（図３参照）にＣｕメッキが充填され、その形成されたビア導体によってコア導体層Ｍ１,Ｍ１１と第１導体層Ｍ２,Ｍ１２とが接続されている。また、ビア３４は、図１に示すように、蓋状導体２１と接続されスルホール１２上に位置して形成されている。
【００１８】
同様に、第１導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、感光性または熱硬化樹脂組成物６を用いた第２樹脂絶縁層（ビルドアップ樹脂絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面には、金属端子パッド１０，１７を有する第２導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。このビア３４は、第２樹脂絶縁層Ｖ２に形成されたビアホール（図３参照）にＣｕメッキが充填され、その形成されたビア導体によってコア導体層Ｍ２,Ｍ１２と第２導体層Ｍ３,Ｍ１３とが接続されている。また、ビア３４は、図１に示すように、第１樹脂絶縁層に形成されたビア３４（蓋状導体２１と接続されスルホール１２上に位置して形成されている）と接続され、且つ、そのビア３４と板厚方向に連なるように位置して形成されている。これにより、蓋状導体２１に接続されスルーホール１２上に位置するスタックドビアが形成されている。
【００１９】
板状コア２の表面ＭＰ１においては、コア導体層Ｍ１、第１樹脂絶縁層Ｖ１、第１導体層Ｍ２及び第２樹脂絶縁層Ｖ２が積層され第１の配線積層部Ｌ１が形成されている。また、板状コア２の表面ＭＰ２においては、コア導体層Ｍ１１、第１樹脂絶縁層Ｖ１１、第１導体層Ｍ１２及び第２樹脂絶縁層Ｖ１２が積層され第２の配線積層部Ｌ２が形成されている。配線積層部Ｌ１,Ｌ２は、いずれも樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されたものであり、板状コア２から遠い側の主表面ＣＰには、金属端子パッド１０,１７がそれぞれ形成されている。
【００２０】
次に、その板状コア２から遠い側の主表面ＣＰ上には、金属端子パッド１０,１７が内部に露出するように開口部８ａ,１８ａを有するソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ２が形成されている。具体的には、ソルダーレジスト層ＳＲ１,ＳＲ２は、第２樹脂絶縁層Ｖ２,Ｖ１２及び第３導体層Ｍ３,Ｍ１３上に感光性または熱硬化性樹脂組成物８,１８を用いて形成されている。また、開口部８ａ,１８ａは、ソルダーレジスト層ＳＲ１,ＳＲ２を感光性樹脂を用いる場合には、所定パターンにマスクされて紫外線で露光、現像することにより形成される。また、熱硬化性樹脂を用いる場合には、レーザまたはプラズマによって穿孔し形成される。以上のように、配線基板１は形成されている。
【００２１】
なお、第１配線積層部Ｌ１側の金属端子パッド１０は、集積回路チップなどをフリップチップ接続するためのパッドである半田パッドを構成し、半田バンプ１１を備える。また、第２配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７は、配線基板自身をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）等により接続するための裏面パッドとして利用されるものである。また、配線基板１において信号伝送経路は、板状コア２の一主表面側（第１配線積層部Ｌ１側）に形成された金属端子パッド１０から、他方の主表面側（第２配線積層部Ｌ２側）に形成された金属端子パッド１７に至る形で形成される。
【００２２】
次に、図２及び３を参照しながら本発明の配線基板１の製造方法について説明する。まず、耐熱性樹脂板（例えば、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板）または繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）などで形成される板状コア２に、ドリル等の方法でスルーホール１２を穿孔する（工程１参照）。次に、そのスルーホールの内周面と板状コア２の両表面ＭＰ１,ＭＰ２上に無電解メッキを施し、その上に電解メッキを行い導体層を形成する。
【００２３】
次に、スルーホール導体３０内に、平均粒径２〜５μｍであるシリカフィラーなどの無機フィラーを含むエポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材（充填材）３１を印刷充填し、これを加熱して半硬化させる。その後、板状コア２の両主表面ＭＰ１,ＭＰ２から膨出した余分な樹脂を研磨除去する（工程２参照）。そして、スルーホール導体３０内に充填された充填材３１の端面３１ａをメッキの密着性を向上させるために、過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液で粗化処理する。このとき充填材の端面３１ａのＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する十点平均粗さＲｚを充填材３１に含まれるシリカフィラーの平均粒径の半分以下とすると、後に端面３１ａに密着性に優れたＣｕメッキを施すことができる。さらに、半硬化の樹脂材（充填材）を加熱硬化させて、スルーホール充填材３１を形成する。（工程３参照）。
【００２４】
ここで、充填材の端面３１ａを粗化液を用いて粗化処理する場合に、あらかじめ樹脂材（充填材）を有機溶媒を含む液で膨潤させ、水洗いした後過マンガン酸カリウム溶液等の粗化液に浸漬して粗化処理を行う。この場合に、膨潤処理および粗化処理を行う温度,処理時間によって充填材の端面３１ａの表面粗さを調整することができる。
【００２５】
次に、板状コア２の両表面上、即ち、上記コア導体層Ｍ１，Ｍ１１及び充填材の端面３１ａの上に、さらにＣｕメッキ層（導体層）を形成する。具体的には、無電解メッキを施し、その上に電解メッキをする。そして、上記コア導体層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出する導体層をエッチング除去することにより、板状コア２の両表面ＭＰ１,ＭＰ２上に所定パターンのコア導体層Ｍ１,Ｍ１１が形成され、また、充填材の端面３１ａ及びスルーホール導体３０の端部上には、平面視略円盤状の蓋状導体２１が形成される（工程４参照）。
【００２６】
次に、コア導体層Ｍ１,Ｍ１１および蓋状導体２１上に、感光性または熱硬化性樹脂組成物６等からなる樹脂絶縁層Ｖ１,Ｖ１１を形成する。その後、例えば樹脂絶縁層Ｖ１,Ｖ１１の所定の位置（ここでは、蓋状導体上に位置する）をレーザまたはプラズマにより穿孔（熱硬化性樹脂を用いた場合）して、樹脂絶縁層Ｖ１,Ｖ１１を貫通し、底面に蓋状導体２１などのコア導体層Ｍ１,Ｍ１１が露出するビアホール３４ｈを形成する。または、所定パターンにマスクされて紫外線で露光,現像（感光性樹脂を用いた場合）することにより底面に蓋状導体２１などのコア導体層Ｍ１,Ｍ１１が露出するビアホール３４ｈを形成する（工程５参照）。
【００２７】
次に、上述した工程と同様にして、樹脂絶縁層Ｖ１，Ｖ１１上にＣｕメッキ層（導体層）を形成すると共に、ビアホール３４ｈ内をＣｕメッキで充填して、フィルドビアであるビア３４を形成する。具体的には、無電解メッキを施し、その上に電解メッキをする。その後、メッキ層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するメッキ層をエッチング除去することにより、ビア３４を含む第１導体層Ｍ２,Ｍ１２を形成する（工程６参照）。この工程により、コア導体層Ｍ１と導体層Ｍ２とが複数のビア３４で接続される。これを繰り返すことにより、絶縁層Ｖ２,Ｖ１２や第二導体層Ｍ３,Ｍ１３、及びソルダーレジスト層ＳＲ１，ＳＲ１１を積層していくことができ、配線積層部Ｌ１，Ｌ２を形成することができる（工程７参照）。
【００２８】
また、図３（工程７）に示すように、第２樹脂絶縁層Ｖ２,Ｖ１２にビア３４を形成する場合に、第１樹脂絶縁層Ｖ１,Ｖ１１に形成するビア３４と接続する位置（板厚方向に連なる位置）にパターン形成することで、蓋状導体２１上にスタックドビアを形成することができる。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明の効果を確認するために次の実験を行った。試用した試験品は以下の通りである。
まず、厚さ０．８ｍｍの板状コア（松下電工製：松下Ｒ−１５１５Ｔ）に、直径３００μｍのスルーホールを穿孔し、前述した工程で平均粒径５μｍに調整されたシリカフィラーを含むエポキシ樹脂をスルーホール導体内に充填する。これを２０サンプル作製する。
【００３０】
次に、スルーホールに充填した充填材を以下の３サンプルずつ４条件で粗化処理を行い評価した。実施例１は、約７０℃×約５分間の膨潤処理を行った後、過マンガン酸カリウムで約７０℃×約６分間の粗化処理を行ったものである。実施例２は、約７０℃×約１０分間の膨潤処理を行った後、過マンガン酸カリウムで約７０℃×約１４分間の粗化処理を行ったものである。実施例３は、約７０℃×約１４分間の膨潤処理を行った後、過マンガン酸カリウムで約７０℃×約１４分間の粗化処理を行ったものである。比較例１は、約７０℃×約１５分間の膨潤処理を行った後、過マンガン酸カリウムで約７０℃×約２１分間の粗化処理を行ったものである。この粗化処理後にＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する十点平均粗さ（Ｒｚ）を測定した。
【００３１】
次に、粗化処理を施した充填材の端面に無電解メッキ及び電解メッキにより厚さ２５（誤差±０〜５μｍ）μｍのＣｕメッキである蓋状導体を形成した。
続いて、この蓋状導体（メッキ部分）を幅１０ｍｍに切り出し、基板上に対して蓋状導体を垂直方向に引っ張り測定し、これをピール強度（密着強度）とした。この試験の結果である十点平均粗さＲｚ（μｍ）、ピール強度（ｋｇｆ／ｃｍ２）を表１に示す。また、表１に実施例１ないし３及び比較例１のピール強度（ｋｇｆ／ｃｍ２）の平均値を示した。なお、ピール強度はＣｕメッキの厚さを２５μｍとした場合の換算値を示す。図４は、表１に対応する図であり、実施例１ないし３及び比較例１におけるピール強度（ｋｇｆ／ｃｍ２）が示されている。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
次に、実施例の結果として、十点平均粗さ（Ｒｚ）がシリカフィラーの平均粒径の約半分具体的には約２．５μｍ（実施例３）のとき、比較例１（十点平均粗さ（Ｒｚ）が２．８〜３．０μｍ）と比べてピール強度（密着強度）は良好であった。また、表１の結果からも分かるように、十点平均粗さ（Ｒｚ）がシリカフィラーの平均粒径の半分以下（実施例１〜３）の場合は、Ｒｚが高いほどピール強度が高くなる傾向があった。一方、十点平均粗さ（Ｒｚ）がシリカフィラーの平均粒径の半分以上となると、明らかにピール強度が低くなる傾向があった。つまり、十点平均粗さ（Ｒｚ）がシリカフィラーの平均粒径の半分より大きいと、シリカフィラーの脱落により十分なピール強度を得ることができなかった。
また、２．０μｍ以上２．５μｍ以下（２Ｘ／５≦Ｒｚ≦Ｘ／２）のときピール強度（密着強度）は特に良好であった。十点平均粗さ（Ｒｚ）が１．６μｍより下回ると、シリカフィラーの脱落は見られなかったが、粗度が十分に得られないため、十分なピール強度を得ることができなかった。
【００３４】
なお、本発明において、上記実施例に限定されるものではなく、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る配線基板の断面構造の一例を示す図。
【図２】本発明に係る配線基板の製造工程説明図
【図３】図２に続く配線基板の製造工程説明図
【図４】表１に対応する図
【図５】配線基板の不具合を説明する図
【符号の説明】
【００３６】
１    配線基板（樹脂製配線基板）
２    板状コア（コア部）
１２  スルーホール
２１  蓋状導体
３０  スルーホール導体
３１  充填材
３１ａ  端面
３４  ビア導体
５０  空隙部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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