(57)【要約】【課題】保護層から不純物を好適に除去でき、製品寿命を向上できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】ＰＤＰの製造方法では、前面基板上に保護層を形成する保護層形成工程Ｓ１１２と、シールフリットにより背面基板および前面基板間に密封空間を形成する封着工程Ｓ１４０とを実施する。保護層形成工程Ｓ１１２および封着工程Ｓ１４０の間には、前面基板上に形成された保護層に対してプラズマ照射または紫外線照射を施す照射工程Ｓ１１３と、照射工程Ｓ１１３にて保護層から排出された不純物を除去する不純物除去工程とを実施する。保護層の表面に付着した有機物質などの不純物を保護層から確実に除去することができ、ＰＤＰの製品寿命を向上できる。【選択図】図６
2007335215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板間に密封空間を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板上に保護層を形成する保護層形成工程と、
前記一対の基板間において前記保護層の外周を囲む状態に設けられた封着材を加熱して当該封着材を所定の温度で軟化させ、前記一対の基板間の内部空間を封止することにより、前記密封空間を形成する封着工程と、を含んで構成されており、
前記保護層形成工程および前記封着工程の間には、
前記保護層形成工程にて前記一方の基板上に形成された前記保護層に対して、プラズマ照射または紫外線照射を施す照射工程と、
この照射工程にて前記保護層から排出された不純物を除去する不純物除去工程と、を実施する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記不純物除去工程は、前記保護層に対して焼成処理を施す保護層焼成工程である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層焼成工程では、前記一方の基板を３００℃以上７００℃以下で加熱する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記不純物除去工程は、前記一対の基板を所定の温度まで加熱した後、前記内部空間から排気を行う一次排気処理、および、当該内部空間へ置換ガスを導入する置換ガス導入処理を実施する排気／ガス置換工程である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記排気／ガス置換工程では、前記一対の基板を前記封着材の軟化開始温度まで加熱した後、前記一次排気処理および前記置換ガス導入処理を実施する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記排気／ガス置換工程と、前記封着工程と、この封着工程後に前記密封空間内の気体を排気する二次排気処理工程と、この二次排気処理工程後に前記密封空間内に放電ガスを導入するガス導入工程とを、同一の焼成装置内で、一連の処理によって実施する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層は、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）層である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記照射工程では、前記保護層に対してプラズマ照射を施す場合、不活性ガス９０％以上と、Ｏ２（酸素）１０％以下とを混合したガスを使用する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記照射工程では、前記保護層に対して紫外線照射を施す場合、Ｏ２（酸素）を含むガスを使用する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向配置された一対の基板間に密封空間を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）は、放電空間を介して互いに対向配置された一対のガラス基板である前面基板と背面基板とを備えている。前面基板の内面側には、例えば複数の表示電極、複数のブラックストライプ、誘電体層およびＭｇＯ（酸化マグネシウム）などからなる保護層などがそれぞれ設けられている。背面基板の内面側には、例えば前面基板の表示電極と略直交する複数のアドレス電極、アドレス電極保護層、放電空間を複数個の放電セルに区画する隔壁、放電セル内部のそれぞれに充填された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層などがそれぞれ設けられている。そして、これら複数の放電セル内には希ガスなどの放電ガスが注入されており、それぞれの放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示が可能とされている。
【０００３】
従来、このようなＰＤＰの製造プロセスにおいて、前面基板上に保護層を形成する保護層形成工程と、前面・背面基板製造の全工程を経た前面基板および背面基板を重ね合わせて、これら基板間に設けた低融点ガラスからなる封着材を所定の温度まで加熱して軟化溶融させて、当該基板間の内部空間を封止することにより、放電空間を含む密封空間を形成する封着工程とを実施するものがある。
そして、例えば、上記の保護層形成工程を経て形成されたＭｇＯ膜に対してプラズマ照射を行うことにより、ＭｇＯ膜の膜質改善を図るものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−８７２４９号公報（第５頁、図２等参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した特許文献１に記載の構成では、ＭｇＯ膜に対してプラズマ照射を行う点が記載されているが、それだけではＭｇＯ膜に付着した不純物を除去するという点では不十分であった。特にＭｇＯは不純物を吸着し易い材料であり、このように不純物がＭｇＯ膜に残ったまま、上記の封着工程を経てＰＤＰのパネル化を行ってしまうと、製品寿命が低下してしまうおそれがある、という問題が一例として挙げられる。
【０００６】
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、保護層から不純物を好適に除去でき、製品寿命を向上できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、対向配置された一対の基板間に密封空間を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の基板上に保護層を形成する保護層形成工程と、前記一対の基板間において前記保護層の外周を囲む状態に設けられた封着材を加熱して当該封着材を所定の温度で軟化させ、前記一対の基板間の内部空間を封止することにより、前記密封空間を形成する封着工程と、を含んで構成されており、前記保護層形成工程および前記封着工程の間には、前記保護層形成工程にて前記一方の基板上に形成された前記保護層に対して、プラズマ照射または紫外線照射を施す照射工程と、この照射工程にて前記保護層から排出された不純物を除去する不純物除去工程と、を実施することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（１）第１実施形態
以下、本発明の第１実施形態について図面に基づいて説明する。
図１は、第１実施形態に係るＰＤＰの内部構造を示した斜視図である。図２は、ＰＤＰの外観を示した正面図である。図３は、ＰＤＰの一部を拡大して示した平面図である。図４は図３におけるIV−IV線に沿う側断面図であり、図５は図３におけるV−V線に沿う側断面図である。
なお、これらの図面において、各種電極および放電セルの寸法は説明の簡易化のため基板に対して相対的に大きく、それらの数は実際よりも大幅に省略して表示してある。また、図２においては、ＰＤＰの平面視で、前面基板の内面側に設けられたシールフリットを実線で示し、その他の構成は適宜図示省略した。
【０００９】
(1-1)プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）の構成
図１および２において、１はＰＤＰであり、このＰＤＰ１はプラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、放電空間Ｈを介して対向配置された一対の基板である背面基板２および前面基板３を備えている。
【００１０】
背面基板２は、例えばガラス板材にて略長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、図１に示すように、アドレス電極２１と、アドレス電極保護層２２と、隔壁２３と、蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）と、通気孔２５（図２参照）となどがそれぞれ設けられている。
【００１１】
アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などの導電性材料にて、図２に示す背面基板２の長手方向（行方向）に直交する方向（列方向）に略沿う直線状に形成され、行方向で所定の間隔をおいて複数本配設されている。
【００１２】
アドレス電極保護層２２は、例えば誘電体ペーストなどにて形成され、図４および５に示すように、アドレス電極２１を被覆する状態で、背面基板２の略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。
【００１３】
隔壁２３は、図１および３に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分の誘電体ペーストにて略梯子状に形成されている。また、アドレス電極保護層２２上において、上記行方向に略沿って伸びた直線状の隙間Ｓ（図４）を間に挟んで並列する状態で、複数設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数の領域に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。
【００１４】
蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、図１，４および５に示すように、複数の放電セル２３１内部にそれぞれ順に充填された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペースト層である。これら蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で放電発光した際の紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光するようになっている。
【００１５】
通気孔２５は、図２に示すように、背面基板２の一隅に設けられた貫通孔である。この通気孔２５には、図示しないチップ管が取り付けられ、このチップ管を介して、後述する封着工程、排気工程、ガス導入工程および排気／ガス置換工程において、放電空間Ｈ内部に対して各種気体が導入・排出されるようになっている。
【００１６】
前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、背面基板２と同様に、例えばガラス板材にて略長方形状に形成されている。この前面基板３の内面上には、図１に示すように、表示電極対３１と、ブラックストライプ３２と、誘電体層３３と、保護層３４となどがそれぞれ設けられている。
【００１７】
表示電極対３１は、図１，３ないし５に示すように、放電ギャップＧ（図３参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
【００１８】
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図３に示すように、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００１９】
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、例えばＡｇ（銀）などの導電性材料にて、それぞれ上記列方向に略沿う直線状に形成されている。そして、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図３参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。
【００２０】
ブラックストライプ３２は、例えば黒色無機顔料などにて直線状に形成され、複数の表示電極対３１間にそれぞれ設けられている。このブラックストライプ３２にて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２１】
誘電体層３３は、例えば誘電体ペーストなどにて形成され、背面基板２上におけるアドレス電極保護層２２に対向する位置に、表示電極対３１およびブラックストライプ３２を被覆する状態で設けられている。この誘電体層３３上におけるバス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分には、図１および４に示すように、放電空間Ｈ側に向かって突出した嵩上げ誘電体層３３１が設けられている。この嵩上げ誘電体層３３１により、列方向に隣接する放電セル２３１同士間での誤放電が防止されるようになっている。
【００２２】
保護層３４は、蒸着法やスパッタリング法などの成膜法にて形成されたＭｇＯ（酸化マグネシウム）層であり、誘電体層３３の略全面を被覆する状態で設けられている。このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。
なお、この保護層３４の上に、さらにスプレー法にて図示しない単結晶ＭｇＯ層（保護層）を形成する構成としてもよい。このような単結晶ＭｇＯ層により、ＰＤＰ１の放電特性の改善（放電遅れの減少、放電確率の向上）を図ることが可能となる。
【００２３】
このような背面基板２および前面基板３の間には、図２に示すように、低融点ガラスを含む材料からなるシールフリット４（封着剤）が、アドレス電極保護層２２の周縁に略沿う状態（保護層３４の外周を囲む状態）で設けられている。このシールフリット４により、背面基板２および前面基板３が一体化されていると共に、背面基板２および前面基板３間に放電空間Ｈを含む密封空間が形成されている。この密封空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、また、当該密封空間内にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００２４】
(1-2)ＰＤＰの製造方法
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法について、主として図６に基づいて説明する。図６は、第１実施形態に係るＰＤＰの製造方法を示すフロー図である。
本第１実施形態において、ＰＤＰ１の製造は、図６に示すように、前面基板製造工程Ｓ１１０と、背面基板製造工程Ｓ１２０と、重ね合わせ工程Ｓ１３０と、封着工程Ｓ１４０と、排気工程Ｓ１５０と、ガス導入工程Ｓ１６０とを実施することにより行う。
【００２５】
前面基板製造工程Ｓ１１０は、上述した構成の前面基板３を製造するものであり、前工程Ｓ１１１と、保護層形成工程Ｓ１１２と、照射工程Ｓ１１３と、保護層焼成工程Ｓ１１４（不純物除去工程）とを含んで構成されている。
【００２６】
前工程Ｓ１１１では、十分に洗浄したガラス基板の内面側に、例えば、透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより透明電極３１１ａ，３１１ｂをパターン形成する。そして、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上にスクリーン印刷法などにより導電性ペーストのパターンを積層形成し、これを焼成してバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。この後、これら表示電極対３１間にスクリーン印刷法などにより黒色ペーストのパターンを形成して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、ダイコータなどにより表示電極対３１およびブラックストライプ３２を被覆する状態に誘電体ペーストを塗布し、これを焼成して誘電体層３３を形成する。
【００２７】
保護層形成工程Ｓ１１２では、前工程Ｓ１１１にて形成された誘電体層３３上に、蒸着法やスパッタリング法などの成膜法にて、保護層３４としてのＭｇＯ膜を形成する。
なお、この保護層３４の上に、さらにスプレー法にて単結晶ＭｇＯを含有した塗布液を塗布し、これを焼成して図示しない単結晶ＭｇＯ層（保護層）を形成する構成としてもよい。
【００２８】
照射工程Ｓ１１３では、保護層形成工程Ｓ１１２にて形成された保護層３４に対して、プラズマ照射またはＵＶ照射を施す。
具体的には、プラズマ照射を施す場合、例えば図７に示すような常圧プラズマ照射装置５を使用する。すなわち、この常圧プラズマ照射装置５では、まず、保護層３４が形成された前面基板３を図示しない搬送手段により反応容器５１内に搬入し、この反応容器５１内の気体を排気する。この後、反応ガス供給手段５２より高周波電極５３に対して反応ガスｇを導入すると共に、図示しない高周波電源から高周波電極５３に高周波電力を供給する。これにより、反応ガスｇは高周波電力でプラズマ化され、プラズマ化された反応ガスｇが保護層３４に対して供給されるようになっている。
【００２９】
このようなプラズマ照射により、保護層３４の表面に付着した有機物質などの不純物を保護層３４から排出させることができる。
ここで、反応ガスｇとしては、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガス９０％以上と、Ｏ２１０％以下とを混合したものを使用することができる。この場合、反応ガスｇ中にＯ２を混入することにより、高周波電力にてオゾンを発生させることができ、このオゾンにて保護層３４の表面上の不純物を分解・洗浄する効果が得られる。また、Ｏ２の使用によりＭｇＯ膜表面の改質効果も得られる。なお、不活性ガスが９０％より少なくＯ２が１０％よりも多い場合は、良好にプラズマを発生させることができない。
また、上記の常圧プラズマ照射装置５の他に、減圧プラズマ装置を使用してプラズマ照射する構成としても、同様の作用効果が得られる。
【００３０】
一方、保護層３４に対してＵＶ照射を施す場合、図示しないＵＶ洗浄装置を使用する。このＵＶ洗浄装置では、まず、保護層３４が形成された前面基板３を搬送手段により洗浄容器内に搬入し、この洗浄容器内の気体を排気する。この後、ガス供給手段より洗浄容器内に雰囲気ガスを導入し、光照射手段より１００〜３００ｎｍの紫外線を保護層３４に対して照射する。なお、雰囲気ガスの変わりに大気を用いても良い。
【００３１】
このようなＵＶ照射により、保護層３４の表面に付着した有機物質などの不純物を、保護層３４から排出させることができる。
ここで、上記の雰囲気ガスとしては、例えばＯ２を含むガスを使用することができる。この場合、Ｏ２を紫外線で直接励起させることでオゾンが発生し、このオゾンにて保護層３４の表面上の不純物を分解・洗浄する効果が得られる。また、Ｏ２によるＭｇＯ膜表面の改質効果も得られる。
【００３２】
保護層焼成工程Ｓ１１４では、照射工程Ｓ１１３にてプラズマ照射またはＵＶ照射を施した後の保護層３４（前面基板３）に対して、焼成処理を実施する。ここでの焼成温度は、保護層３４の表面における不純物が放出され易い３００℃以上７００℃以下、より好ましくは３５０℃以上４５０℃以下とすることが好ましい。なお、焼成温度が３００℃よりも低い場合または７００℃よりも高い場合は、優れた不純物の放出効果が得られない。
この保護層焼成工程Ｓ１１４を実施することにより、プラズマ照射またはＵＶ照射により分解されたものの依然として保護層３４の表面に残留している不純物を、除去することができる。また、保護層３４から一度放出された不純物が、保護層３４に再付着することを防止できる。そして、この状態の前面基板３を用いてパネル化することで、ＰＤＰ１の製品寿命を向上できる。なお、このことは後述する実施例にて確認されている。
【００３３】
背面基板製造工程Ｓ１２０では、上述した構成の背面基板２を製造する。すなわち、十分に洗浄したガラス基板の内面側に、例えば、Ａｌ膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極２１をパターン形成する。そして、このアドレス電極２１上に誘電体ペーストを塗布して、この誘電体ペーストを成形・焼成することにより、アドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。この後、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を形成する。
そして、このようにして製造した背面基板２には、例えば低融点ガラス粉末にアクリルなどの樹脂とターピネオールなどの溶剤で混練したペーストを用いて、図２に示すように、シールフリット４をアドレス電極保護層２２の周縁に略沿う状態に設けておく。
【００３４】
重ね合わせ工程Ｓ１３０では、上記の前面基板製造工程Ｓ１１０にて製造した前面基板３と、上記の背面基板製造工程Ｓ１２０にて製造した背面基板２とを、所定の位置関係で重ね合わせる。
【００３５】
封着工程Ｓ１４０では、重ね合わせ工程Ｓ１３０にて重ね合わされた前面基板３と背面基板２とを、シールフリット４中の低融点ガラスが溶解する温度以上の所定の温度（例えば、約４５０℃）まで加熱し、所定時間この温度を維持させて、低融点ガラスを軟化溶融させる。この後、低融点ガラスが凝固する温度まで降温させて、前面基板３および背面基板２間の内部空間を封止する。これにより、前面基板３および背面基板２間には、放電空間Ｈを含んだ密封空間が形成される。
【００３６】
排気工程Ｓ１５０では、封着工程Ｓ１４０後に前面基板３と背面基板２をシールフリット４が凝固する温度まで降温して、通気孔２５および図示しないチップ管を介して、封着工程Ｓ１４０にて形成した密封空間内部の気体を真空ポンプなどにより排気する。これにより、保護層焼成工程Ｓ１１４にて保護層３４から除去した不純物や、各種構造物中に含まれた樹脂や溶剤などのガス成分が、当該密封空間内部から排出される。
【００３７】
ガス導入工程Ｓ１６０では、通気孔２５および図示しないチップ管を介して、上記した密封空間内部に放電ガスを導入し、当該空間内部が、例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度となる状態に圧力調整する。そして、チップ管の先端を加熱してチップ管を溶融させ、チップ管自体を封止する。
以上で、ＰＤＰ１が完成する。
【００３８】
(1-3)ＰＤＰの製造方法の作用効果
上述した第１実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法によれば、以下の作用効果を奏することができる。
【００３９】
(1-3-1)本実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法は、対向配置された背面基板２および前面基板３間に密封空間を形成するものであって、保護層形成工程Ｓ１１２と、封着工程Ｓ１４０とを含んで構成されている。保護層形成工程Ｓ１１２では、前面基板３上に保護層３４を形成する。封着工程Ｓ１４０では、背面基板２および前面基板３間に設けられたシールフリット４を加熱して当該シールフリット４を所定の温度で軟化させ、背面基板２および前面基板３間の内部空間を封止することにより、密封空間を形成する。また、保護層形成工程Ｓ１１２および封着工程Ｓ１４０の間には、照射工程Ｓ１１３と、不純物除去工程（保護層焼成工程Ｓ１１４）とを実施する。照射工程Ｓ１１３では、保護層形成工程Ｓ１１２にて前面基板３上に形成された保護層３４に対して、プラズマ照射または紫外線照射を施す。不純物除去工程では、照射工程Ｓ１１３にて保護層３４から排出された不純物を除去する。
このように、照射工程Ｓ１１３において、保護層３４に対してプラズマ照射または紫外線照射を施すことで、保護層３４の表面に付着した有機物質などの不純物を保護層３４から排出させることができる。さらに、不純物除去工程を実施することにより、プラズマ照射またはＵＶ照射により分解されたものの、依然として保護層３４の表面に残留している不純物を除去することができる。また、一度放出された不純物の保護層３４への再付着を防止できる。そして、このような工程を経て製造した前面基板３を用いてパネル化することで、パネル駆動時に不純ガスを原因とした誤放電が生じることを抑制でき、ＰＤＰ１の表示特性を良好に維持することができる。つまり、ＰＤＰ１の製品寿命を向上できる。
【００４０】
(1-3-2)不純物除去工程は、保護層３４に対して焼成処理を施す保護層焼成工程Ｓ１１４である。
このように、保護層焼成工程Ｓ１１４において、前面基板３を加熱することにより、プラズマ照射またはＵＶ照射により分解されたものの、依然として保護層３４の表面に残留している有機物を、除去することができる。また、保護層３４から一度放出された不純物が、保護層３４に再付着することを防止できる。したがって、より確実に保護層３４から不純物を除去することができる。
【００４１】
(1-3-3)保護層焼成工程Ｓ１１４では、前面基板３を３００℃以上７００℃以下で加熱する。
このような温度範囲では保護層３４からの不純物の放出量が多いため、短時間で保護層焼成工程Ｓ１１４を終了させることができ、これにより製造時の消費電力量を低減できるなど、製造効率の向上および製造コストの低減を図ることができる。
【００４２】
(1-3-4)保護層３４は、ＭｇＯ層である。
ＭｇＯは特に不純物が吸着し易い物質であり、このＭｇＯからなる保護層３４に不純物が付着した状態でＰＤＰ１を製造した場合、当該不純物を原因とする誤放電が生じてしまう。この点、照射工程Ｓ１１３および不純物除去工程を実施することで当該不純物を好適に除去でき、特に保護層３４をＭｇＯで形成した場合にその効果がより発揮される。
【００４３】
(1-3-5)照射工程Ｓ１１３では、保護層３４に対してプラズマ照射を施す場合、反応ガスｇとして、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガス９０％以上と、Ｏ２１０％以下とを混合したものを使用することが好ましい。
このようなＯ２を含んだ反応ガスを使用することで、高周波電力にてオゾンを発生させることができ、このオゾンにて保護層３４の表面上の有機物を分解・洗浄することできる。つまり、不純物の除去効率を向上することができる。また、Ｏ２によるＭｇＯ膜表面の改質効果も得られる。
【００４４】
(1-3-6)照射工程Ｓ１１３では、保護層３４に対してＵＶ照射を施す場合、雰囲気ガスとしてはＯ２を含んだガスを使用することが好ましい。
この場合、Ｏ２を直接紫外線で励起させることでオゾンを発生させることができ、このオゾンにて保護層３４の表面上の有機物を分解・洗浄することができる。つまり、不純物の除去効率を向上することができる。また、Ｏ２によるＭｇＯ膜表面の改質効果も得られる。
【００４５】
(1-3-7)保護層形成工程Ｓ１１２では、保護層３４の上に、さらにスプレー法にて図示しない単結晶ＭｇＯを含有した塗布液を塗布し、これを焼成して単結晶ＭｇＯ層（保護層）を形成する構成としてもよい。
このような単結晶ＭｇＯ層により、ＰＤＰ１の放電特性の改善（放電遅れの減少、放電確率の向上）を図ることができる。
ここで、スプレー法を用いて単結晶ＭｇＯ層を形成する場合、塗布液中の溶媒は、焼成により除去するものの、焼成により完全に除去しきれずにＭｇＯ層の表面に僅かに残留してしまう場合がある。この点、照射工程Ｓ１１３および不純物除去工程を実施することで、当該溶媒をも確実に除去できる。したがって、上記放電特性の改善効果に加えて、さらにＰＤＰ１の製品寿命を向上することができる。
【００４６】
（２）第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について、主として図８に基づいて説明する。図８は、第２実施形態に係るＰＤＰの製造方法を示すフロー図である。
この図８に示す第２実施形態は、図６に示す第１実施形態におけるＰＤＰの製造方法のうち、不純物除去工程としての保護層焼成工程Ｓ１１４に代えて、排気／ガス置換工程Ｓ２４０を組み込んだものである。
【００４７】
(2-1)ＰＤＰの製造方法
第２実施形態に係るＰＤＰ１の製造方法では、図８に示すように、前面基板製造工程Ｓ２１０と、背面基板製造工程Ｓ２２０と、重ね合わせ工程Ｓ２３０と、排気／ガス置換工程Ｓ２４０（不純物除去工程）と、封着工程Ｓ２５０と、排気工程Ｓ２６０（二次排気処理工程）と、ガス導入工程Ｓ２７０とを実施する。また、前面基板製造工程Ｓ２１０では、前工程Ｓ２１１と、保護層形成工程Ｓ２１２と、照射工程Ｓ２１３とを実施する。
なお、この第２実施形態における前工程Ｓ２１１、保護層形成工程Ｓ２１２、照射工程Ｓ２１３、背面基板製造工程Ｓ２２０、重ね合わせ工程Ｓ２３０、封着工程Ｓ２５０、排気工程Ｓ２６０およびガス導入工程Ｓ２７０は、第１実施形態における前工程Ｓ１１１、保護層形成工程Ｓ１１２、照射工程Ｓ１１３、背面基板製造工程Ｓ１２０、重ね合わせ工程Ｓ１３０、封着工程Ｓ１４０、排気工程Ｓ１５０およびガス導入工程Ｓ１６０と同様の構成であるため、以下、説明を省略する。
【００４８】
排気／ガス置換工程Ｓ２４０では、背面基板２および前面基板３をシールフリット４の軟化開始温度まで加熱した後、内部空間から排気を行う一次排気処理、および、当該内部空間へ置換ガスを導入する置換ガス導入処理を実施する。
【００４９】
具体的には、まず、封着用の焼成装置であるベーク炉内において、重ね合わせ工程Ｓ２３０にて重ね合わせた背面基板２および前面基板３を、シールフリット４の軟化開始温度（例えば、約４２０℃）まで加熱する。このようにしてシールフリット４を軟化させることで、完全ではないが背面基板２および前面基板３間の内部空間を軽く封止した状態とすることができ、後の一次排気処理を確実に行うことが可能となる。
なお、シールフリット４の軟化開始温度は、保護層３４の表面における不純物が特に放出され易い３５０℃以上４５０℃以下の温度範囲内に収まっている。このため、この熱処理により、必然的に、照射工程Ｓ２１３におけるプラズマ照射またはＵＶ照射により分解されたものの依然として保護層３４の表面に残留している不純物を、除去することができる。また、保護層３４から一度放出された不純物が、保護層３４に再付着することを防止できる。
【００５０】
一次排気処理では、上記のようにして軟化開始温度まで加熱した直後に、背面基板２および前面基板３間の内部空間の気体を、通気孔２５および図示しないチップ管を介して、真空ポンプなどにより排気する。これにより、照射工程Ｓ２１３にて保護層３４から除去した不純物や、各種構造物中に含まれた樹脂や溶剤などのガス成分が、当該空間内部より排出される。
【００５１】
置換ガス導入処理では、排気処理後、背面基板２および前面基板３間の内部空間に、通気孔２５および図示しないチップ管を介して、置換ガスを導入する。置換ガスの導入圧力は、例えば、０．７６〜７６０Ｔｏｒｒ程度に設定される。このようにして置換ガスを当該内部空間中に充満させるので、保護層３４に不純物が再付着することを確実に防止できる。
ここで、置換ガスには、Ｈ２ＯおよびＣＯ２を含まないガスが使用され、例えば、Ａｒなどの不活性ガス、Ｈ２、Ｏ２、Ｎ２およびＣｌ２等のうち一種あるいは２種以上から構成されるガスを使用できる。特に、置換ガスとして、不活性ガスに微量のＨ２（約３％以下）を混合したものを使用する場合には、蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）の回復効果を得ることができる。また、置換ガスとして、不活性ガスに少量のＯ２（約２０％以下）を混合したものを使用する場合には、保護層３４の膜質の改善効果を得ることができる。
【００５２】
以上のように、排気／ガス置換工程Ｓ２４０により、保護層３４の表面から不純物を確実に除去できると共に、一度放出された不純物の保護層３４への再付着を確実に防止できる。そして、内部空間より不純物が十分に排気されないままパネル化されることを確実に防止できるので、ＰＤＰ１の製品寿命をより向上できる。このことは後述する実施例にて確認されている。
【００５３】
この排気／ガス置換工程Ｓ２４０の後は、上述のように、封着工程Ｓ２５０と、排気工程Ｓ２６０と、ガス導入工程Ｓ２７０とを実施する。
なお、これら排気／ガス置換工程Ｓ２４０、封着工程Ｓ２５０、排気工程Ｓ２６０およびガス導入工程Ｓ２７０は、同一の焼成装置であるベーク炉内で、一連の処理によって行われる構成としてもよい。
すなわち、排気／ガス置換工程Ｓ２４０では、ベーク炉内において、背面基板２および前面基板３をシールフリット４の軟化開始温度（例えば、約４２０℃）まで加熱する。そして、この温度を維持したまま、一次排気処理および置換ガス導入処理を実施し、さらに封着作業温度まで昇温し、連続して封着工程Ｓ２５０を実施する。この際、排気／ガス置換工程Ｓ２４０の時点でシールフリット４の軟化は始まっているため、封着工程Ｓ２５０における熱処理時間が比較的短くてもシールフリット４の軟化を十分に完了させることができ、封着工程Ｓ２５０に要する処理時間を短縮させることができる。この後、シールフリット４が凝固する温度まで降温し、同一のベーク炉内で、排気工程Ｓ２６０およびガス導入工程Ｓ２７０を実施する。
これら一連の処理の間、ベーク炉内の温度は、保護層３４の表面における不純物が特に放出され易い３５０〜４５０℃の温度範囲内にあるため、より確実に保護層３４から不純物を除去した状態で密封空間を形成してパネル化することができるので、ＰＤＰ１の製品寿命をより向上できる。
【００５４】
(2-2)ＰＤＰの製造方法の作用効果
上述したように、本第２実施形態のＰＤＰ１の製造方法によれば、第１実施形態が奏する上記(1-3-1)，(1-3-4)〜(1-3-7)に示す効果に加え、以下の作用効果を奏することができる。
【００５５】
(2-2-1)不純物除去工程は、背面基板２および前面基板３を所定の温度まで加熱した後、内部空間から排気を行う一次排気処理、および、当該内部空間へ置換ガスを導入する置換ガス導入処理を実施する排気／ガス置換工程Ｓ２４０である。
このような排気／ガス置換工程Ｓ２４０により、照射工程Ｓ２１３にて保護層３４から放出させた不純物を内部空間から排出できると共に、一度放出された不純物の保護層３４への再付着を確実に防止できる。このように、内部空間より不純物が十分に排気されないままパネル化される事態を確実に防止できるので、ＰＤＰ１の製品寿命をより向上できる。
また、この方法によれば、一次排気処理・置換ガス導入処理の各処理時間を長く設定したり、大がかりな真空封着装置を使用することなく、上記効果を発揮することができる。しかも、従来の製造装置においても簡単な変更や改造で実施することができるので、大幅に製造コストが上昇することはない。
【００５６】
(2-2-2)排気／ガス置換工程Ｓ２４０では、背面基板２および前面基板３をシールフリット４の軟化開始温度まで加熱した後、一次排気処理および置換ガス導入処理を実施する。
ここで、シールフリット４の軟化開始温度は、保護層３４の表面における不純物が放出され易い３５０〜４５０℃の温度範囲内に収まっている。このため、排気／ガス置換工程Ｓ２４０での熱処理により、必然的に、照射工程Ｓ２１３におけるプラズマ照射またはＵＶ照射により分解されたものの依然として保護層３４の表面に残留している不純物を、除去することができる。また、保護層３４から一度放出された不純物が、保護層３４に再付着することを防止できる。
しかも、排気／ガス置換工程Ｓ２４０は、封着工程Ｓ２５０の一部としても構成することができるので、保護層３４から不純物を除去するために別工程を設ける必要なく、シールフリット４の溶融処理と共にアウトガスの放出も併せて行うことができる。したがって、製造効率の更なる向上を図ることができる。
【００５７】
(2-2-3)排気／ガス置換工程Ｓ２４０、封着工程Ｓ２５０、排気工程Ｓ２６０およびガス導入工程Ｓ２７０は、同一の焼成装置であるベーク炉内で、一連の処理によって行われる構成としてもよい。
この場合、上記一連の処理の間、ベーク炉内の温度は、保護層３４の表面における不純物が特に放出され易い３５０〜４５０℃の温度範囲内にあるため、より確実に保護層３４から不純物を除去した状態で密封空間を形成して、パネル化することができる。したがって、ＰＤＰ１の製品寿命をより向上できる。
【００５８】
(2-2-4)置換ガスの導入処理では、置換ガスとして、不活性ガスに微量のＨ２（約３％以下）を混合したものを使用する。
この場合、蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）の回復効果を得ることができる。
【００５９】
(2-2-5)置換ガスの導入処理では、置換ガスとして、不活性ガスに少量のＯ２（約２０％以下）を混合したものを使用する。
この場合、保護層３４の膜質の改善効果を得ることができる。
【００６０】
（３）実施例
次に、上記実施形態の効果を確認するための実施例について説明する。
(3-1)保護層焼成工程の効果について
ＭｇＯ膜を蒸着により成膜した前面基板を準備し、前面基板を６０〜８００℃の温度範囲に加熱すると共に、ＭｇＯ膜に対してプラズマ照射を実施した（実施例１）。この際、プラズマ照射は減圧プラズマ照射装置を用い、反応容器内の圧力は６０ｋＰａに設定した。また、反応ガスにはＯ２を使用した。
そして、実験中の反応容器から排出された気体についてガス分析を行った。ガス分析にはＱｍａｓｓ（Quadrupole Mass Spectrometer：四重極質量分析計）を用いた。このＱｍａｓｓにより、ＭｇＯ膜表面に残留する有機物が分解することにより放出されたガス（以下アウトガス（脱ガス）とする）の分圧をガス種別に計測することができる。この結果を図９（Ａ）に示す。なお、図９（Ａ）において、縦軸は分圧（Ｔｏｒｒ）であり、横軸は加熱温度（℃）である。また、図中、実線で示したものはアウトガス（脱ガス）中のＣＯ２に対応し、一点鎖線で示したものはアウトガス（脱ガス）中のＣＯに対応する。
また、比較のために、上記の実施例１と同様の前面基板を準備し、ＭｇＯ膜に対してプラズマ照射を実施せずに、前面基板を６０〜８００℃で加熱した（比較例１）。そして、この際に発生したアウトガスをＱｍａｓｓにより分析した。この結果を図９（Ｂ）に示す。図９（Ｂ）においても、図中、実線で示したものはアウトガス（脱ガス）中のＣＯ２に対応し、一点鎖線で示したものはアウトガス（脱ガス）中のＣＯに対応する。
【００６１】
図９（Ａ）（Ｂ）より、各加熱温度において、分圧の値が大きい程、アウトガス（脱ガス）の放出量が大であり、ＭｇＯ膜表面の有機物の除去効率が高いことが言える。
この図９（Ａ）（Ｂ）からも明らかなように、プラズマ照射処理を実施した場合（実施例１）は、プラズマ照射処理を実施しない場合（比較例１）に比べて、２種のアウトガス（脱ガス）の放出量が全体的に多く、ＭｇＯ膜に付着した有機物が除去され易いことが分かる。
また、温度別に見てみると、実施例１のアウトガス（脱ガス）中のＣＯ２およびＣＯの放出量は、３００〜７００℃において多く、このうち、３５０〜４５０℃、５００〜６５０℃において更に多くなっていることが分かる。特に、３５０〜４５０℃における当該ＣＯ２およびＣＯの放出量は著しく多い。これは、ＭｇＯ膜に対するプラズマ照射に加えて上記温度範囲で加熱することで、ＭｇＯ膜から有機物がより放出され易くなり、かつ、一度放出された不純物の再付着が防止されたことによるものと考えられる。
【００６２】
以上より、ＭｇＯ膜に対してプラズマ照射処理を実施することで、ＭｇＯ膜に付着した有機物を好適に除去できることが分かった。また、ＭｇＯ膜に対するプラズマ照射に加えて加熱処理を行うことにより、不純物の再付着を防止でき、放出された不純物を適切に除去できることが分かった。さらに、加熱処理は３００℃以上７００℃以下、特に３５０℃以上４５０℃以下の温度範囲で実施することで、不純物の除去効率をより向上できることが分かった。
なお、これらの現象は、ＭｇＯ膜に対してＵＶ照射処理を実施した場合にも、同様な事が言えることが分かった。
【００６３】
(3-2)製品寿命について
ＰＤＰの製品寿命の１つである電圧寿命について、以下の実施例２−１，２−２および比較例２−１〜２−３のそれぞれに対して調査し、図１０にその結果を示した。なお、図中、縦軸は実施例２−１，２−２および比較例２−１〜２−３についての電圧寿命を示し、比較例２−３の電圧寿命を１００として相対的に数値化し、表したものである。
ここで、電圧寿命とは、継続的にＰＤＰを駆動させた際に、ＰＤＰの駆動可能な電圧値が変化して、誤放電が発生するようになるまでの使用時間を意味する。なお、この電圧値の変化は、一般的に、ＰＤＰの放電空間内に残留した不純物が、製品を使用していくうちに不純ガス化して放電ガス中に拡散し、今まで放電可能であった電圧値で放電しなくなってしまうことによるものと考えられている。すなわち、パネル内（放電空間内）の不純物がより確実に除去されていれば、電圧寿命が延びると言える。
【００６４】
■実施例２−１（封着前排気＋プラズマ照射）
上記した第２実施形態に対応するＰＤＰである。すなわち、この実施例２−１に係るＰＤＰは、図８に示すように、照射工程Ｓ２１３を含む前面基板製造工程Ｓ２１０と、背面基板製造工程Ｓ２２０と、重ね合わせ工程Ｓ２３０と、排気／ガス置換工程Ｓ２４０と、封着工程Ｓ２５０と、排気工程Ｓ２６０と、ガス導入工程Ｓ２７０とを実施して作製した。
■実施例２−２（通常封着ベーク＋ＭｇＯ空焼＋プラズマ照射）
上記した第１実施形態に対応する。すなわち、この実施例２−２に係るＰＤＰは、図６に示すように、照射工程Ｓ１１３および保護層焼成工程Ｓ１１４を含む前面基板製造工程Ｓ１１０と、背面基板製造工程Ｓ１２０と、重ね合わせ工程Ｓ１３０と、封着工程Ｓ１４０と、排気工程Ｓ１５０と、ガス導入工程Ｓ１６０とを実施して作製した。
■比較例２−１（通常封着ベーク）
比較例２−１に係るＰＤＰは、ＭｇＯ膜形成後すぐに重ね合わせて、封着工程および排気工程を経て作製した。すなわち、図６に示す第１実施形態の製造工程のうち、前面基板製造工程Ｓ１１０から照射工程Ｓ１１３および保護層焼成工程Ｓ１１４を除いたものに対応する。
■比較例２−２（通常封着ベーク＋プラズマ照射）
比較例２−２に係るＰＤＰは、ＭｇＯ膜形成後、プラズマ照射した後に重ね合わせて、封着工程および排気工程を経て作製した。すなわち、図６に示す第１実施形態の製造工程のうち、前面基板製造工程Ｓ１１０から保護層焼成工程Ｓ１１４を除いたものに対応する。つまり、上記特許文献１に記載の技術に対応する。
■比較例２−３（封着前排気）
比較例２−３に係るＰＤＰは、ＭｇＯ膜形成後すぐに重ね合わせて、一次排気／ガス置換工程、封着工程および二次排気工程を経て作製した。すなわち、図８に示す第２実施形態の製造工程のうち、前面基板製造工程Ｓ２１０から照射工程Ｓ２１３を除いたものに対応する。
【００６５】
図１０において、実施例２−１の電圧寿命は、比較例２−３の電圧寿命の１．４０倍となっている。これより、照射工程Ｓ２１３を実施することで、ＭｇＯ層から不純物を確実に除去でき、ＰＤＰの放電寿命を著しく向上できることが分かる。
また、実施例２−２の電圧寿命は、比較例２−１の電圧寿命の１．６３倍となっている。これより、照射工程Ｓ１１３および保護層焼成工程Ｓ１１４を実施することで、ＭｇＯ層から不純物を確実に除去でき、ＰＤＰの放電寿命を著しく向上できることが分かる。
さらに、実施例２−２の電圧寿命は、比較例２−２の電圧寿命の１．６３倍となっていることが分かる。これより、保護層焼成工程Ｓ１１４を実施することで、ＭｇＯ層から不純物を確実に除去でき、ＰＤＰの放電寿命を著しく向上できることが分かる。
【００６６】
（４）実施の形態の変形
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
【００６７】
例えば、前記実施形態では、前面基板３側に表示電極対３１および誘電体層３３を設け、かつ、背面基板２側にアドレス電極２１および蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を設けた、いわゆる反射型交流ＰＤＰを例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、本発明が適用可能なＰＤＰとしては、例えば、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成してこれらを誘電体層によって被覆し、背面基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰでもよい。また、例えば、前面基板側に蛍光体層を形成し、背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成してこれらを誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰでもよい。
また、前記実施の形態では、隔壁２３を井桁状に形成する構成を例示して説明したが、これに限らず、例えば、隔壁をストライプ状に形成する構成としてもよい。また、誘電体層３３に嵩上げ誘電体層３３１を設ける構成としたが、誘電体層３３に嵩上げ誘電体層３３１を設けない構成としてもよい。
つまり、本発明は、前面基板あるいは背面基板のいずれか一方の基板上に、保護層が設けられた構成であれば、いずれのタイプのＰＤＰに対しても適用できる。
【００６８】
前記第１実施形態では、「不純物除去工程」としての保護層焼成工程Ｓ１１４の例を挙げ、前記第２実施形態では、「不純物除去工程」としての排気／ガス置換工程Ｓ２４０の例を挙げ、個別に説明したが、保護層焼成工程Ｓ１１４と排気／ガス置換工程Ｓ２４０の両方を実施する構成としてもよい。その場合、「保護層焼成工程」→「重ね合わせ工程」→「排気／ガス置換工程」→「封着工程」の順となる。このような構成によれば、前記第１，２実施形態よりも、より確実に保護層３４から不純物を除去することができ、ＰＤＰの製品寿命をより向上させることができる。
【００６９】
前記第１実施形態では、照射工程Ｓ１１３と保護層焼成工程Ｓ１１４とを別々に実施する例を挙げたが、これに限らず、これらを同時に実施する構成としてもよい。すなわち、例えば図７に示す反応容器５１内あるいは前面基板３の載置部（図示しない）を、保護層焼成工程Ｓ１１４における温度条件と同条件で加熱する構成としてもよい。この場合、前記第１実施形態と同様に、保護層３４から不純物を除去することができ、さらに、両工程を１工程にまとめられるので、作業効率の向上を図ることができる。
【００７０】
（５）実施形態の作用効果
上述したように、上記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法は、背面基板２および前面基板３間に密封空間を形成するものであって、保護層形成工程Ｓ１１２と、封着工程Ｓ１４０とを含んで構成されている。保護層形成工程Ｓ１１２では、前面基板３上に保護層３４を形成する。封着工程Ｓ１４０では、背面基板２および前面基板３間に設けられたシールフリット４を加熱して当該シールフリット４を所定の温度で軟化させ、背面基板２および前面基板３間の内部空間を封止することにより、密封空間を形成する。また、保護層形成工程Ｓ１１２および封着工程Ｓ１４０の間には、照射工程Ｓ１１３と、不純物除去工程とを実施する。照射工程Ｓ１１３では、保護層形成工程Ｓ１１２にて前面基板３上に形成された保護層３４に対して、プラズマ照射または紫外線照射を施す。不純物除去工程では、照射工程Ｓ１１３にて保護層３４から排出された不純物を除去する。
このように、照射工程Ｓ１１３において、保護層３４に対してプラズマ照射または紫外線照射を施すことで、保護層３４の表面に付着した有機物質などの不純物を保護層３４から排出させることができる。さらに、不純物除去工程を実施することにより、不純物の保護層３４への再付着等を防止できる。このような工程を経て製造した前面基板３を用いてパネル化することで、パネル駆動時に不純ガスを原因とした誤放電が生じることを抑制でき、ＰＤＰ１の表示特性を良好に維持することができる。つまり、ＰＤＰ１の製品寿命を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＰＤＰの内部構造を示した斜視図である。
【図２】前記第１実施形態におけるＰＤＰの外観を示した正面図である。
【図３】前記第１実施形態におけるＰＤＰの一部を拡大して示した平面図である。
【図４】図３におけるIV−IV線に沿う側断面図である。
【図５】図３におけるV−V線に沿う側断面図である。
【図６】前記第１実施形態に係るＰＤＰの製造方法を示すフロー図である。
【図７】前記第１実施形態における常圧プラズマ照射装置を示した模式図である。
【図８】前記第２実施形態に係るＰＤＰの製造方法を示すフロー図である。
【図９】本発明の実施例におけるガス分析結果を示したグラフであり、（Ａ）は実施例１についての分析結果であり、（Ｂ）は比較例１についての分析結果である。
【図１０】前記実施例における各製法にて作製したＰＤＰの電圧寿命を示したグラフである。
【符号の説明】
【００７２】
１…ＰＤＰ
２…背面基板
３…前面基板
３４…保護層
４…シールフリット
Ｈ…放電空間
Ｓ１１０…前面基板製造工程
Ｓ１１２…保護層形成工程
Ｓ１１３…照射工程
Ｓ１１４…保護層焼成工程（不純物除去工程）
Ｓ１２０…背面基板製造工程
Ｓ１４０…封着工程
Ｓ２１０…前面基板製造工程
Ｓ２１２…保護層形成工程
Ｓ２１３…照射工程
Ｓ２２０…背面基板製造工程
Ｓ２４０…排気／ガス置換工程（不純物除去工程）
Ｓ２５０…封着工程
Ｓ２６０…排気工程（二次排気処理工程ともなる）
Ｓ２７０…ガス導入工程
【図１】
2007335215.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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