(57)【要約】【課題】磁気ディスク装置の更なるデータ転送速度の高速化と高記録密度化のためには、薄膜磁気ヘッドの磁気コア部の高記録周波数帯域における透磁率μの低下を少なくする必要がある。【解決手段】上部磁気コア３７及び下部磁気コア３１に、浴温30±1゜C、pH 2.0+0.5/−1.0、浴組成が、金属イオン濃度Ni2+5〜25(g/l)，Fe2+5〜15(g/l)、サッカリンナトリウム1.5±1.0(g/l)、塩化ナトリウム25±5(g/l)、ほう酸25±5(g/l)のめっき浴を用いて、結晶構造が面心立方相(fcc)と体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜を交互に積層した多層磁性膜を用いる。上下の磁性めっき薄膜の結晶構造が異なるので、膜ごとにエピタキシャル成長が断ち切られ、結晶粒径を小さく制御することができる。結晶粒径を小さ制御することにより高記録周波数帯域における透磁率μの低下を少なくすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが交互に積層された多層磁性膜を含むことを特徴とする磁性膜。
【請求項２】
前記結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚が、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の磁性膜。
【請求項３】
前記結晶構造が体心立方相及び面心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚が、0.5〜20nｍであることを特徴とする請求項２記載の磁性膜。
【請求項４】
前記多層磁性膜は、結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが少なくとも４層以上交互に積層されたものであることを特徴とする請求項１記載の磁性膜。
【請求項５】
前記多層磁性膜全体の組成は15≦Ni≦60wt％、40≦Fe≦85wt％であることを特徴とする請求項１記載の磁性膜。
【請求項６】
前記結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜の組成は10≦Ni≦30wt％、70≦Fe≦90wt％であり、前記結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜の組成は55≦Ni≦75wt％、25≦Fe≦45wt％であることを特徴とする請求項１記載の磁性膜。
【請求項７】
組成が55≦Ni≦75wt％、25≦Fe≦45wt％である磁性薄膜をめっきにより形成する第１のステップと、
組成が10≦Ni≦30wt％、70≦Fe≦90wt％である磁性薄膜をめっきにより形成する第２のステップと、を含み、
前記第１のステップと第２のステップを交互に実行することにより、多層磁性膜を含む磁性膜を形成することを特徴とする磁性膜の製造方法。
【請求項８】
前記第２のステップで形成する磁性めっき薄膜の膜厚が、前記第１のステップで形成する磁性めっき薄膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項７記載の磁性膜の製造方法。
【請求項９】
前記第１のステップ及び第２のステップで形成する磁性めっき薄膜の膜厚が、0.5〜20nｍであることを特徴とする請求項８記載の磁性膜の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のステップ及び第２のステップを実行するめっき浴は、浴温が30±1゜C、ｐHが2.0+0.5/-1.0であり、浴組成は金属イオン濃度がNi2+5〜25(g/l)、Fe2+5〜15(g/l)、サッカリンナトリウムが1.5±1.0(g/l)、塩化ナトリウムが25±5(g/l)、ほう酸が25±5(g/l)であることを特徴とする請求項７記載の磁性膜の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のステップにおけるめっき電流は200mA〜600mAであり、前記第２のステップにおけるめっき電流は800mA〜1200mAであり、前記第１のステップにおけるめっき時間は前記第２のステップにおけるめっき時間よりも短く設定されることを特徴とする請求項１０記載の磁性膜の製造方法。
【請求項１２】
再生ヘッドと、
該再生ヘッドに隣接して設けられた、複数の磁性膜を有する記録ヘッドと、を有し、
前記記録ヘッドを構成する複数の磁性膜の少なくとも１つが、結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが交互に積層された多層磁性膜を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚が、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記結晶構造が体心立方相及び面心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚が、0.5〜20nｍであることを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記多層磁性膜は、結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが少なくとも４層以上交互に積層されたものであることを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記多層磁性膜全体の組成は15≦Ni≦60wt％、40≦Fe≦85wt％であることを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記多層磁性膜の結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜の組成は10≦Ni≦30wt％、70≦Fe≦90wt％であり、前記結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜の組成は55≦Ni≦75wt％、25≦Fe≦45wt％であることを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１８】
前記記録ヘッドは、下部磁気コアと、コイルと、上部磁気コアとを備え、該下部磁気コア及び上部磁気コアのいずれか一方または両方が、結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが交互に積層された多層磁性膜を含むことを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記記録ヘッドは、副磁極と、コイルと、主磁極と、ヨークとを備え、前記副磁極が、結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが交互に積層された多層磁性膜を含むことを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項２０】
前記ヨークが、結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが交互に積層された多層磁性膜を含むことを特徴とする請求項１９記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性膜、磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドに係り、特に磁性膜の構造及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置に代表される磁気記録装置は、デ−タ転送速度の高速化と高記録密度化が要求されている。これに伴い高保磁力特性を有する記録媒体が使用され、薄膜磁気ヘッドとしては、データ転送速度の高速化に対応して記録周波数の高周波数化を図る為、コイル電流の記録磁界変換効率を最大限に向上すべく、磁気コア部においてヒステリシス損失を低減する必要から困難軸方向の保磁力（Hc）或いは異方性磁界（Hk）が低い材料を使用することが望まれている。更に渦電流損失を低減する必要から比抵抗（ρ）が高い材料を使用することが望まれている。
従来、磁気コア部には低Hc（1.0〜1.5Oe）かつ高ρ（40〜50μΩcm）を有する52〜58wt%FeNi系合金めっき膜（Hk:5〜10Oe、Bs:1.65〜1.75T）を使用してきた。
【０００３】
更に特許文献１に記載されているように、低Hc（0.5〜1.5Oe）、低Hk（0.5〜1.5Oe）かつ高Bs（2.1〜2.3T）を有する84〜92wt%FeNi系合金めっき膜が開発され、高記録周波数特性向上を実現するに至った。これはめっき浴のpHを1.5〜2.3と酸性側で制御することで、Fe≧60wt%においてめっき面荒れによる白濁及び黒濁の発生を抑制し、光沢膜の形成を可能としたことによる。この材料を使用した薄膜磁気ヘッドの周波数特性は、評価指標としているL=0.006μHにおいて52〜58wt%FeNiがf=500〜600MHzに対し、84〜92wt%FeNiはf=700〜800MHzと上昇し、更に熱処理を行うとf=900〜1000MHzにまで向上する事が分かった。即ち高周波数に対し記録磁界が減少せず、必要な磁界出力が得られるという事である。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−６３４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
磁気ディスク装置の更なるデータ転送速度の高速化と高記録密度化のためには、薄膜磁気ヘッドの磁気コアとして、高記録周波数帯域におけるヒステリシス損失と渦電流損失が少なく、尚且つ高周波数側まで透磁率μの低下が少ない高磁界特性を有する磁性膜を採用しなければならない。材料特性としては低Hc、低Hk、高ρ、高Bsが要求される。
この問題を解決すべく、特許文献１に記載のFe84〜92wt%組成領域で光沢かつ均一なFeNi系合金めっき膜が開発され、この材料を基に、上部磁気コアに低Hc(0.8 Oe)、低Hk(1.0 Oe)、高Bs(2.2T)、高ρ(35μΩcm)を有する88Fe12Niめっき膜を採用し、下部磁気コアにρ:40μΩcm、Hc:1.4 Oe、Hk:2.0 Oe、Bs:2.0 Tを有する 88Fe11Ni1Crめっき膜を採用する事が出来た。しかしながら、従来の記録周波数700〜800MHzに対して、さらに高記録周波数1000〜2000MHzが要求される面内記録型薄膜ヘッド、あるいは垂直記録型薄膜ヘッドにおいては記録特性を十分満足する事は出来ない。
本発明の目的は、かかる困難を鑑みて、高記録周波数帯域における透磁率μの低下が少ない磁性膜を提供することにある。
本発明の他の目的は、高記録周波数帯域においても高性能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明の磁性膜は、結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが交互に積層された多層磁性膜を含むものである。
前記結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚が、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚よりも大きいことが望ましい。
前記結晶構造が体心立方相及び面心立方相の磁性めっき薄膜の膜厚は、0.5〜20nｍであることが望ましい。
前記多層磁性膜全体の組成は、15≦Ni≦60wt％、40≦Fe≦85wt％であることが望ましい。
前記結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜の組成は10≦Ni≦30wt％、70≦Fe≦90wt％であり、前記結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜の組成は55≦Ni≦75wt％、25≦Fe≦45wt％であることが望ましい。
【０００７】
上記目的を達成するための本発明の磁性膜の製造方法は、
組成が55≦Ni≦75wt％、25≦Fe≦45wt％である磁性薄膜をめっきにより形成する第１のステップと、
組成が10≦Ni≦30wt％、70≦Fe≦90wt％である磁性薄膜をめっきにより形成する第２のステップと、を含み、
前記第１のステップと第２のステップを交互に実行することにより、多層磁性膜を含む磁性膜を形成するものである。
前記第１のステップ及び第２のステップを実行するめっき浴は、浴温が30±1゜C、ｐHが2.0+0.5/-1.0であり、浴組成は金属イオン濃度がNi2+5〜25(g/l)、Fe2+5〜15(g/l)、サッカリンナトリウムが1.5±1.0(g/l)、塩化ナトリウムが25±5(g/l)、ほう酸が25±5(g/l)であることが望ましい。
【０００８】
上記他の目的を達成するための本発明の薄膜磁気ヘッドは、
再生ヘッドと、
再生ヘッドに隣接して設けられた、複数の磁性膜を有する記録ヘッドと、を有し、
前記記録ヘッドを構成する複数の磁性膜の少なくとも１つが、結晶構造が体心立方相の磁性めっき薄膜と、結晶構造が面心立方相の磁性めっき薄膜とが交互に積層された多層磁性膜を含むものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高記録周波数帯域における透磁率μの低下が少ない磁性膜を提供することができる。また、高記録周波数帯域においても高性能な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に図面を参照して、本発明の実施例による磁性膜の構成及び製造方法、薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。まず、図８を参照して再生ヘッド２０と記録ヘッド３０とを有する面内記録型薄膜磁気ヘッド（以下、薄膜磁気ヘッド）１０の構成を説明する。図８は、ヘッド素子部をヘッド奥行き方向に沿って切断した断面図である。再生ヘッド２０は図示しない基板の上に形成された下部磁気シールド２２と、上部磁気シールド２６と、下部磁気シールド２２と上部磁気シールド２６の間に下部ギャップ膜２３及び上部ギャップ膜２５を介して形成された再生素子２４とを有する。再生素子２４にはMR(Magnetoresistive)センサ、GMR(Giant Magnetoresistive)センサ、TMR(Tunneling Magnetoresistive)センサ等を用いることができる。記録ヘッド３０は再生ヘッド２０の上部に絶縁体の分離膜２８を介して形成された誘導型磁気ヘッドであり、下部磁気コア３１と、下部磁極３２と、下部コイル３３と、磁気ギャップ膜３４と、上部磁極３５と、上部コイル３６と、上部磁気コア３７とを有する。なお、下部コイル３３及び上部コイル３６は有機絶縁膜の中に形成される。
【００１１】
上記薄膜磁気ヘッド１０の記録ヘッド３０に用いられている上部磁気コア３７及び下部磁気コア３１は、高周波特性を改善するために、結晶粒径を小さく制御された磁性膜である。以下に示す実施例では、上部磁気コア３７及び下部磁気コア３１となる磁性膜を、結晶構造が異なる磁性めっき薄膜を交互に積層して構成するものであり、各層において下の膜からのエピタキシャル成長を断ち切り、結晶粒径を小さく制御するものである。
【００１２】
磁気コアとなる磁性膜を製膜するための条件及び方法について説明する。５インチ径セラミック基板、ガラス基板またはSi基板を用意し、めっき導通下地膜としてスパッタリングにより積層膜Au/Cr=20/5nmを形成する。続いて図２に示す組成のめっき浴を用いて、めっきを行う。図２に示すめっき浴は、めっき浴温30±1゜Ｃ、pH 2.0+0.5/-1.0、浴組成は金属イオン濃度が、Ni2+5〜25(g/l)、Fe2+5〜15(g/l)、サッカリンナトリウム1.5±1.0(g/l)、塩化ナトリウム25±5(g/l)、ほう酸25±5(g/l)であり、貯槽でのめっき浴容量250L（N2攪拌パ−ジ有り）を使用した。ここで、めっき浴中におけるFeイオン濃度とNiイオン濃度は、その比がNiイオン/Feイオン≧1.5であることが望ましい。結晶粒成長を抑制するためにはpH 2.5以下とする必要があり、また、pH 1以下では水素発生が主反応となり、めっき析出効率が著しく低下してしまう。
【００１３】
めっき電源は定電流電源を使用し、パソコンを用いて時間と電流値を14段階まで設定可能にした。時間設定はDC電流の場合１sec単位でパルス電流の場合１msec単位で、電流設定は１mA単位で設定可能である。めっき中の印加磁場は1kOe(80kA/m)である。膜厚・膜組成測定は蛍光X線分析装置を使用し、磁気特性Hc,Hk,Bsの測定は薄膜用B-Hトレ−サを使用した。
【００１４】
図２に示しためっき浴を用い、めっき電流値を変化させたときの、膜中のFe濃度の変化を図４に示す。めっき電流値が低いとき、膜中にはNiが多く含まれるのに対し、電流値を大きくしていくとほぼ直線的に膜中に含まれるFeの量が増加していくことがわかる。図２に記載のめっき浴からは電流値を変化させることにより、5≦Ni≦90wt％、10≦Fe≦95wt％となるめっき膜の作製が可能である。一方、図２に記載のめっき浴濃度範囲外のめっき浴では、めっき電流値を変化させても図４に示すような広い範囲でめっき膜の組成を変化させることはできない。
【００１５】
上記の条件で作成した磁性膜のX線回折パターンを図５に示す。これからわかるように、膜中のNi濃度が高い（Ni＞70wt％）場合、膜の結晶構造は面心立方相(fcc)からなり、Fe濃度が高い（Fe＞70wt％）場合には体心立方相(bcc)からなることがわかる。また、これらの中間の濃度では、fccとbccが混在した膜となっている。
【００１６】
第１の実施例として、図２に記載のめっき浴を使用し、図３に記載の電流レシピにてめっき開始から終了まで、同一のめっき槽でめっきを行って磁気コアとなる磁性膜を作製した。なお、図３において、time 0’05”は、0分5秒を表している。ここで、step1,3,5,7では、膜組成がNi73Fe27wt％なる磁性めっき薄膜を4.26nm、また、step２,4,6,8では膜組成がNi22Fe78wt％なる磁性めっき薄膜を4.5nm作製し、step1〜step8を25回繰り返すことにより、膜厚876nm、膜全体の組成がNi46.8 Fe53.2 wt％である多層磁性膜を作製した。この多層磁性膜は、磁性膜全体で高いBsを実現するために、Feが比較的多く含まれる結晶構造がbccの磁性めっき薄膜を主体とし、結晶成長を断ち切るために結晶構造がfccの磁性めっき薄膜を挿入したものである。結晶成長を断ち切るためには結晶構造がfccの磁性めっき薄膜の膜厚は0.5nm以上であることが望ましい。
【００１７】
この磁性膜のB-Hカーブを図６に示す。この膜の磁気特性は、困難軸方向の保磁力Hchが0.4Oe(32kA/m)、容易軸方向の保磁力Hceが2.4Oe (192kA/m)、異方性磁界Hkが6.0Oe(480kA/m)、磁歪定数λが45-7、飽和磁束密度Bsが1.74Tであり、Ni46 Fe54 wt％単層膜の磁気特性とほぼ同等である。
【００１８】
図３に示す電流値、めっき時間を制御することにより、膜全体の組成が15≦Ni≦60wt％、40≦Fe≦85wt％である磁性膜の作製が可能である。このようにして作製しためっき膜の断面TEM写真を図１に示す。これは、膜の断面TEMにて、Feマッピングを行ったものである。図中、白く見える層はFe rich層、黒く見える層はNi rich層である。この結果から、各磁性めっき薄膜の膜厚はほぼ目標どおりに制御できていることが確認できた。なお、面心立方相の磁性めっき薄膜形成時におけるめっき電流は200mA〜600mA、体心立方相の磁性めっき薄膜形成時におけるめっき電流は800mA〜1200mAであれば、上記実施例と同様の磁性膜を形成することができる。
【００１９】
上記磁性膜は、結晶構造が体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜と面心立方相(fcc)の磁性めっき薄膜が交互に積層された多層磁性膜であり、各薄膜間で結晶構造が異なることによりエピタキシャル成長は断ち切られており、各薄膜の結晶粒径は最大で膜厚程度に小さく制御されている。なお、磁性膜全体が多層膜である必要はなく、上部あるいは下部などの一部に、結晶構造が体心立方相(bcc)の薄膜と面心立方相(fcc)の薄膜が交互に積層された多層膜部分を含む構成でも良い。
【００２０】
図７に上記多層磁性膜と従来の単層膜の透磁率μの周波数依存性を調べた結果を示す。どちらの膜も、膜全体の組成はNi46Fe54wt％とした。上記多層磁性膜は単層膜と比べ、高周波数側まで透磁率μの低下が少なく、高周波特性が改善できていることがわかる。上記実施例では、磁性めっき薄膜の膜厚を4.26nmと4.5nmに設定したが、膜厚の範囲は、0.5〜20nｍの範囲で、面心立方相(fcc)の磁性めっき薄膜の膜厚を体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜の膜厚より薄くすることで上記実施例と同様の周波数特性が得られる。また、面心立方相の磁性めっき薄膜の組成は55≦Ni≦75wt％、25≦Fe≦45wt％、体心立方相の磁性めっき薄膜の組成は10≦Ni≦30wt％、70≦Fe≦90wt％であれば、上記実施例と同様の周波数特性が得られる。
【００２１】
次に、再び図８を参照して、上記NiFe多層磁性膜を記録ヘッドの上部及び下部磁気コアに使用した、第２の実施例による薄膜磁気ヘッドの構成を製造工程に従って説明する。非磁性基板（図示せず）上に下部磁気シールド２２、下部ギャップ膜２３を形成し、この上に再生素子２４としてMR、GMRまたはTMRセンサを形成する。再生素子２４の両脇に図示しない磁区制御層及び電極膜を形成し、再生素子２４及び電極膜上に上部ギャップ膜２５を形成後、上部磁気シールド２６を形成して、再生ヘッド２０が完成する。
【００２２】
続いて再生ヘッド２０の上部に絶縁体の分離膜２８を形成し、その上に下部磁気コア３１を形成する。下部磁気コア３１は以下のように作製する。分離膜２８を形成後、めっき下地膜として、40〜100nmのNi80Fe20wt％をスパッタリングにより形成する。この際、下地膜の形成前に密着層として、数nm程度のNiCr膜あるいはTa膜などを形成しても良い。下地膜の上に、下部磁気コア３１を作製するためのレジストパターンを形成し、レジストパターンの開口部にめっきを行う。レジストパターンの開口部のみにめっき膜が成長するので、電流密度が図３に示したレシピと等しくなるように設定し、さらに、所望の膜厚となるよう繰り返し回数を設定し、図２に示しためっき浴から多層磁性膜を作製する。この多層磁性膜は上記第１の実施例の膜組成Ni46.8Fe53.2wt％とほぼ同じ組成となる。
【００２３】
この後、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、CMPにより下部磁気コア３１を平坦化した後、さらに下部磁極３２として、CoNiFe膜をスパッタリングで100nm形成後、めっき法でCoNiFe膜を所定の厚さまでめっきする。続いて前後の下部磁極３２の間に絶縁膜、有機絶縁膜及び下部コイル３３を形成後、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、CMPにより下部磁極３２を平坦化する。この上にライトギャップ膜を50〜100nm形成後、下地膜をスパッタリングで100nm形成し、上部磁極３５を形成するためのレジストフレームを形成し、CoNiFe膜、46NiFe膜を順次めっき法にて作製する。
【００２４】
続いてレジスト、余分な下地膜を除去し、さらに上部磁極３５及び下部磁極３２を所定のトラック幅とするために、イオンミリング等によりトリミング加工を行う。この後、アルミナ膜をスパッタリングにより形成し、CMPにより上部磁極３５を平坦化した後、さらに有機絶縁膜及び上部コイル３６を形成し、この上に上部磁気コア３７として多層磁性膜をめっきにて形成する。上部磁気コア３７は以下のように作製する。40〜100nmの磁性膜をめっき下地膜としてスパッタリングにより形成する。下地膜の形成前に密着層として、数nm程度のNiCr膜あるいはTa膜などを形成しても良い。下地膜の上に上部磁気コア３７を作製するためのレジストパターンを形成し、電流密度、繰り返し回数を設定し、膜全体の組成がFe64Ni36wt％なる多層磁性膜を同一めっき浴から作製する。
【００２５】
上記薄膜磁気ヘッドは、上部及び下部磁気コアに多層磁性膜を用いているので、高記録周波数領域における透磁率μの低下を低減することができる。また、この薄膜磁気ヘッドのオーバーライトの周波数特性を測定した結果を図９に示す。本実施例の薄膜磁気ヘッドは、1000MHｚ以上の高周波帯域においてもオーバーライト（O/W）特性の低下は見られない。さらに、このヘッドのライト後リードノイズを測定した結果を図１０に示す。ライト後リードノイズとは、磁気ディスクにデータを記録した後、再生を行う時にその再生出力にノイズが生じる現象である。横軸にノイズの最大発生頻度(WRNMax)、縦軸にノイズの発生しなかった割合（OK比率）をとったものである。図１０に示すように従来技術による薄膜磁気ヘッドでは、ライト後リードノイズが見られるのに対し、本実施例による薄膜磁気ヘッドでは、上部磁気コア及び下部磁気コアの結晶粒径が小さく制御されているのでこの結晶粒に存在する磁区構造の乱れが少なく、再生ヘッドへの影響が少なくライト後リードノイズは見られない。したがって、再生ヘッドのノイズ低減にも有効であることが確認できた。
【００２６】
なお、上記第２の実施例においては、上部磁気コア及び下部磁気コアに多層磁性膜を用いたが、これに限られることはなく、上部磁気コア及び下部磁気コアのいずれか一方に多層磁性膜を用いた場合でも上記と同様の効果は得られる。また、上部及び下部磁気コア全体が多層膜である必要はなく、磁性膜の一部に、結晶構造が面心立方相(fcc)の薄膜と体心立方相(bcc)の薄膜が交互に積層された多層膜部分を含む構成でも良い。
【００２７】
次に図１１に、第３の実施例として上記多層磁性膜を用いた垂直記録型薄膜磁気ヘッドを示す。再生ヘッド２０は上記第２の実施例と同じ構成である。垂直記録ヘッド４０は再生ヘッド２０の上部に分離膜２８を介して形成した、副磁極４１と、下部コイル４２と、副磁極４１と後部で磁気的に接続されたヨーク４３と、ヨーク４３の先端に設けられた主磁極４４と、ラップアラウンドシールド４６と、上部コイル４５と、ラップアラウンドシールド接続部４７とを有する。主磁極４４としてFeCoNiめっき膜（飽和磁束密度Bs＞2.4T）を作製し、副磁極４１として膜全体の組成がNi46Fe54wt％の上記第１の実施例と同じ構成の多層磁性膜をめっき法により作製した。その結果、従来の垂直記録型薄膜磁気ヘッドと比較して、高記録周波数領域における透磁率μの低下が少なく、O/W特性の低下もなく、ライト後リードノイズも低減できることを確認した。また、ヨーク４３に上記多層磁性膜を用いた場合も高周波特性において同様の効果が得られる。また、主磁極にスパッタ膜を用いた場合でも、得られる効果は変わらない。
【００２８】
上記面内記録型薄膜磁気ヘッドあるいは垂直記録型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を図１２に示す。磁気ディスク装置100は、情報を記録する磁気ディスク105と、磁気ディスク105を回転させるモ−タ106と、磁気ディスク105に情報を記録又は再生する薄膜磁気ヘッド107と、薄膜磁気ヘッド107を支持するサスペンション110と、サスペンション110を介して薄膜磁気ヘッド107を磁気ディスク105の目標位置に位置決めするアクチュエ−タ108と、ボイスコイルモ−タ109とを備える。さらに図示は省略しているが磁気ディスク回転制御回路、ヘッド位置決め制御回路、記録/再生信号処理回路とを備えている。薄膜磁気ヘッド107として、上記実施例による面内記録型薄膜磁気ヘッドあるいは垂直記録型薄膜磁気ヘッドが用いられる。
この磁気ディスク装置は、高記録周波数領域における磁気特性に優れ、さらにライト後リードノイズの少ない高性能かつ高品質な磁気ディスク装置である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１の実施例による磁気コアとなる多層磁性膜のTEM写真による断面図である。
【図２】多層磁性膜を形成するためのめっき浴組成を示す図である。
【図３】多層磁性膜を形成するための電流レシピを示す図である。
【図４】図２に示すめっき浴で形成したFeNiめっき薄膜のFe濃度とめっき電流値の関係を示す図である。
【図５】図２に示すめっき浴で形成したFeNiめっき薄膜のX線回折パターンを示す図である。
【図６】第１の実施例による磁気コアとなる多層磁性膜のB-Hカーブを示す図である。
【図７】第１の実施例による磁気コアとなる多層磁性膜の透磁率と周波数の関係を示す図である。
【図８】第２の実施例による薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図９】第２の実施例による薄膜磁気ヘッドのオーバーライトの周波数特性を示す図である。
【図１０】第２の実施例による薄膜磁気ヘッドのライト後リードノイズを示す図である。
【図１１】第３の実施例による垂直記録型薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１２】磁気ディスク装置の概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０…薄膜磁気ヘッド、２０…再生ヘッド、２２…下部磁気シールド、２３…下部ギャップ膜、２４…再生素子、２５…上部ギャップ膜、２６…上部磁気シールド、２８…分離膜、３０…記録ヘッド、３１…下部磁気コア、３２…下部磁極、３３…下部コイル、３４…ライトギャップ、３５…上部磁極、３６…上部コイル、３７…上部磁気コア、４０…垂直記録ヘッド、４１…副磁極、４２…下部コイル、４３…ヨーク、４４…主磁極、４５…上部コイル、４６…ラップアラウンドシールド、４７…ラップアラウンドシールド接続部、５０…垂直記録型薄膜磁気ヘッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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