(57)【要約】【課題】端面処理の粗さに起因して発生する不良を低減することができるウェーハの端面処理方法を提供する。【解決手段】複数の平板状のウェーハ１を積層し、仮接着剤２により各ウェーハ１間を接着して積層ブロック１０を形成する積層ブロック化工程と、積層ブロック化工程により積層した積層ブロック１０の四方側面をラッピングするラッピング工程と、ラッピング工程によりラッピングした積層ブロック１０の四方側面を所定のエッチング液３１によりエッチングするエッチング工程と、エッチング工程によりエッチングした積層ブロック１０から仮接着剤２を除去して各ウェーハ１を剥離する剥離工程とからなる。【選択図】図１
2007335433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の平板状のウェーハを積層し、各ウェーハ間の仮接着剤により接着して積層ブロッ
クを形成する積層ブロック化工程と、
前記積層ブロックの四方側面を所定のエッチング液によりエッチングするエッチング工
程と、
前記エッチング工程によりエッチングした前記積層ブロックから前記仮接着剤を除去し
て各ウェーハを剥離する剥離工程と、
を備えたことを特徴とするウェーハの端面処理方法。
【請求項２】
複数の平板状のウェーハを積層し、各ウェーハ間の仮接着剤により接着して積層ブロッ
クを形成する積層ブロック化工程と、
前記積層ブロック化工程により積層した積層ブロックの四方側面をラッピングするラッ
ピング工程と、
前記ラッピング工程によりラッピングした前記積層ブロックの四方側面を所定のエッチ
ング液によりエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程によりエッチングした前記積層ブロックから前記仮接着剤を除去し
て各ウェーハを剥離する剥離工程と、
を備えたことを特徴とするウェーハの端面処理方法。
【請求項３】
前記ウェーハが水晶ウェーハであることを特徴とする請求項１又は２に記載の端面処理
方法。
【請求項４】
前記エッチング液がフッ酸系のエッチング液であることを特徴とする請求項１乃至３の
何れか１項に記載のウェーハの端面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶ウェーハ等の端面処理に好適なウェーハの端面処理方法に関するもので
ある。
【背景技術】
【０００２】
従来から水晶振動子用の水晶個片を切り出すための水晶ウェーハは、ラッピング或いは
ポリッシングにより両主面を研磨加工した後、水晶基板に分割され、エッチングによる周
波数調整の後、各種の水晶デバイスに利用されている。
ところで、前記したような水晶ウェーハは、外周側面（エッジ）が粗いままだと、例え
ばラッピング或いはポリッシングといった研磨工程において、エッジから微少粒子が脱落
し、この微小粒子が研磨剤に混入して、水晶基板の両主面にはスクラッチ、輪郭部には欠
け不良が発生する。また水晶ウェーハのエッジが粗いままだと、一点に応力が集中してし
まい、ウェーハが割れたりすることがあった。
【０００３】
なお、特許文献１には、１２インチあるいはそれ以上の大口径ウェーハの周縁面取り部
をポリッシュすることで歩留まりを向上させるようにしたエッジポリッシング装置が開示
されている。
また、特許文献２には、反りのない良好な状態の水晶ウェーハを得ることができ、デバ
イス歩留まりの向上を図ることができる水晶ウェーハの加工方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１８８５９０号公報
【特許文献２】特開平９−１５７０８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、従来は水晶ウェーハのエッジから微少粒子が脱落するのを防止するため、通常
のラッピングによる端面処理を行った後、さらに細かい研磨剤を使用してラッピングを行
い端面処理していた。
しかしながら、その場合は、端面処理にかかる時間が非常に長くなるため、生産効率が
著しく低下して生産コストが高くなるという欠点があった。
また特許文献１に開示されているエッジポリッシング装置は、ウェーハの端面をポリッ
シングシートに押しつける構造であるため、水晶ウェーハのような極薄ウェーハに適用す
ることができない。また専用の装置が必要になるため費用がかかるという欠点があった。
そこで、本発明は上記した点を鑑みたものであり、端面処理の粗さに起因して発生する
不良を低減することができるウェーハの端面処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明は、複数の平板状のウェーハを積層し、各ウェーハ間
を仮接着剤により接着して積層ブロックを形成する積層ブロック化工程と、積層ブロック
の四方側面を所定のエッチング液によりエッチングするエッチング工程と、エッチング工
程によりエッチングした積層ブロックから前記仮接着剤を除去して各ウェーハを剥離する
剥離工程と、を備えるようにした。
このような本発明の端面処理方法によれば、積層ブロック化工程において形成した積層
ブロックの四方側面をエッチング工程においてエッチングしてウェーハの端面を滑らかに
することで、ウェーハの端面の粗さに起因して発生するヒキ不良やスクラッチ不良、ウェ
ーハの割れを低減することができる。
【０００６】
また、本発明は、複数の平板状のウェーハを積層し、各ウェーハ間を仮接着剤により接
着して積層ブロックを形成する積層ブロック化工程と、積層ブロック化工程により積層し
た積層ブロックの四方側面をラッピングするラッピング工程と、ラッピング工程によりラ
ッピングした積層ブロックの四方側面を所定のエッチング液によりエッチングするエッチ
ング工程と、エッチング工程によりエッチングした積層ブロックから仮接着剤を除去して
各ウェーハを剥離する剥離工程と、を備えるようにした。
このような本発明によれば、積層ブロック化工程において形成した積層ブロックの四方
側面をラッピング工程でラッピングした後、エッチング工程においてエッチングすること
で、短時間でウェーハの端面を滑らかにすることができるので、生産効率を損なうことな
く、ウェーハの端面の粗さに起因して発生するヒキ不良やスクラッチ不良、ウェーハの割
れを低減することができる。
【０００７】
また、本発明はウェーハを水晶ウェーハとし、エッチング液としてフッ酸系のエッチン
グ液を用いることで極薄の水晶ウェーハの端面処理を行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るウェーハの端面処理工程の一例を示した図である。な
お、本実施形態ではウェーハ１が水晶基板であるものとして説明する。
図１に示すように、本実施形態に係るウェーハの端面処理工程は、積層ブロック化工程
、ラッピング工程、エッチング工程、及び剥離工程という４つの工程からなる。
【０００９】
積層ブロック化工程では、複数枚の平板状のウェーハ１を積層してワックス等の仮接着
剤２により各ウェーハ１間を接着して固定することにより、図１（ａ）に示すような積層
ブロック１０を形成する。このとき積層ブロック１０の両側には、製造工程においてキズ
等がつくおそれがあるので、例えばガラス板などのダミーウェーハ３とすることが好まし
い。
【００１０】
ラッピング工程では、例えば図１（ｂ）に示すように、上定盤２１及び下定盤２２を備
えた両面研磨機２０を利用して積層ブロック１０の２面を同時にラッピングする。研磨ス
ラリーは、例えばＧＣ＃１０００（グリーンカーボンランダム１０００番）が用いられる
。
【００１１】
次に、エッチング工程では、図１（ｃ）に示すように、エッチング槽３０により積層ブ
ロック１０の四方側面を夫々エッチングする。このとき、積層ブロック１０のエッチング
量は１μｍ以上とすることが好ましい。また単位時間あたりのエッチング量（エッチング
レート）は、エッチング液３１の濃度と温度により任意設定可能である。
エッチングに使用するエッチング液３１は、積層ブロック１０を構成しているウェーハ
１が水晶基板であれば、ＮＨ4ＦＨＦ、ＨＦ、ＮＨ4Ｆ、ＢＨＦ（ＨＦとＮＨ4の混合液）
等のフッ酸系のエッチング液を使用する。
なお、エッチング液３１の濃度を飽和状態、エッチング液の温度を７５℃〜８５℃に設
定すると約２分〜５分程度の時間でエッチング処理が完了する。
【００１２】
剥離工程では、積層ブロック１０から仮接着剤２を除去して各ウェーハ１を剥離して、
図１（ｄ）に示すように個々のウェーハ１に分離する。
このように本実施形態に係るウェーハの端面処理工程では、積層ブロック化工程におい
て、多数の平板状のウェーハ１を積層し、ワックスなどの仮接着剤２により各ウェーハ１
間を接着して積層ブロックを形成した後、ラッピング工程において、積層ブロック１０の
四方側面をラッピングする。この後、エッチング工程において、ラッピングした積層ブロ
ック１０の四方側面をフッ酸系のエッチング液によりエッチングし、剥離工程において積
層ブロック１０からワックスなどの仮接着剤２を除去してウェーハ１を剥離するようにし
た。
【００１３】
このようにすれば、例えば２分〜５分程度のエッチング時間で、積層ブロック１０の四
方側面、つまりウェーハ１の端面を滑らかにすることができるので、ウェーハ１の端面の
粗さに起因して発生するヒキ不良やスクラッチ不良、ウェーハの割れを低減することがで
きる。因みに、積層ブロック１０の四方側面を両面研磨機により、例えばＧＣ＃３０００
と呼ばれる粒子の細かい研磨パッドを用いて、前記したエッチング処理と同等の滑らかさ
になるまでラッピングするには、１時間〜２時間程度必要になる。
従って、本実施形態のように、エッチング工程を設けてウェーハの端面処理を行うよう
にすれば、短時間でウェーハ１の端面を滑らかに加工できるため、生産効率を損なうとい
ったこともない。
【００１４】
また、本実施形態では、複数枚のウェーハ１を積層してブロック状に貼り合わせた積層
ブロック１０の状態で、エッチング処理を行うようにしているので、積層ブロック１０の
両端部にダミーウェーハ３を配置すれば、ウェーハ１の両主面がエッチングにより汚染さ
れることがなく、ウェーハ１のエッジ部分だけを滑らかに加工することができる。
【００１５】
ここで、本発明者らは、従来の端面処理方法と、本実施形態の端面処理方法とにより夫
々端面処理を行った後、鏡面加工を行った段階での不良発生率を比較した。なお、この場
合の不良率は、スクラッチ不良、欠け不良、割れ不良、その他外観不良といった水晶ウェ
ーハ全体の不良率を示している。その結果、ウェーハ１の端面をダイヤ＃４００と呼ばれ
るダイヤモンドホイールにより研削して仕上げた場合は不良率が６．３％、ダイヤ＃４０
０のダイヤモンドホイールで研削を行った後、ＧＣ＃１０００の研磨スラリーによりラッ
ピングした場合は不良率が４．０％であったのに対して、本実施形態のようにＧＣ＃１０
００の研磨スラリーによりラッピングした後、エッチング処理した場合は不良率が２．１
％であった。この結果からも、本実施形態のようにラッピング加工を行った後、エッチン
グ加工を行うようにすれば、ウェーハ１の不良率を低減できることが確認された。
【００１６】
また、図１に示したウェーハの端面処理工程では、積層ブロック化工程、ラッピング工
程、エッチング工程、及び剥離工程を行うようにしているが、エッチング工程におけるエ
ッチングレートやエッチング時間を適宜設定すれば、ラッピング工程は省略することが可
能である。即ち、図２に示すように、積層ブロック化工程、エッチング工程、及び剥離工
程によりウェーハの端面処理を行うことも可能である。
【００１７】
なお、本実施形態の端面処理方法では、ウェーハ１が水晶基板である場合を例に挙げて
説明したが、これはあくまでも一例であり、エッチング工程において使用するエッチング
液を替えれば、ガラス基板、半導体基板等のウェーハの端面処理を行うことが可能である
。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係るウェーハの端面処理工程の一例を示した図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係るウェーハの端面処理工程を示した図である。
【符号の説明】
【００１９】
１…ウェーハ、２…仮接着剤、３…ダミーウェーハ、１０…積層ブロック、２０…両面
研磨機、２１…上定盤、２２…下定盤、３０…エッチング槽、３１…エッチング液
【図１】
2007335433.tif 000003
【図２】
2007335433.tif 000004