(57)【要約】【課題】広い温度範囲に対応した高信頼な防振構造を有する。【解決手段】ハードディスク３を格納する外箱２と、両面に突起部を有し、ハードディスク３と外箱２の間に突起部が接触面積を有するように配置され、接触面積とヤング率の逆数との温度変化による変化率が等価な防振ゴム１と、が構成される。したがって、温度変化によって、防振ゴム１の突起部とハードディスク３または外箱２との接触面積の変化率と防振ゴム１のヤング率の逆数の変化率とが等しくなり、温度変化によらず、ばね定数が一定に維持される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
防振構造を有する電子ユニットを備える電子装置において、
前記電子ユニットを格納する外箱と、
片面または両面に突起部を有し、前記電子ユニットと前記外箱の間に前記突起部が接触面積を有するように配置され、前記接触面積とヤング率の逆数との温度変化による変化率が等価な防振体と、
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記電子ユニットが、ハードディスクであることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記電子ユニットが、光通信モジュールユニットであることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項４】
前記防振体が、シリコンゴムまたはシリコンゲルにより構成されることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項５】
前記防振体が、ウレタンゴムまたはウレタンゲルにより構成されることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項６】
前記防振体が、エチレンプロピレンゴムにより構成されることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項７】
前記防振体の形状が、楕円体の一部であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項８】
前記防振体の形状が、先端部を切断した円錐形であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項９】
前記防振体の前記突起部が、線状突起であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項１０】
前記防振体の前記突起部が、点状突起であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子装置に関し、特に広温度範囲に対応した防振構造を有する電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポータブル機器用のハードディスクが搭載されたノートパソコンなどの精密機器において、ハードディスクに対する外部からの振動衝撃を防ぐ手段として、ゴムの弾性特性を利用した防振構造が一般に利用されている。図１５は、可搬型ハードディスクの防振構造の模式図である。図１５に示すように、ハードディスク１０２は、直方体状の防振ゴム１０３が周囲に配置され、外箱１０１の中に格納されている。この可搬型ハードディスクの防振構造１００のように、防振ゴム１０３を設置することにより、ゴムの弾性特性によって外部からの振動衝撃が減衰されて、ハードディスク１０２は安定して動作することが可能となる。
【０００３】
一般的に、既述のようにゴムを用いた防振構造が室温付近の限定された温度範囲で使用される場合、ゴムの弾性特性による振動衝撃の減衰効果が得られる。しかし、室温よりも高い温度や低い温度の環境下の防振ゴム１０３では、ゴムの弾性特性が変化するため、ハードディスク１０２に対する外部からの振動衝撃が十分に減衰されないという問題がある。すなわち、ゴムの特性には温度依存性があり、一般に、低温で硬化し、高温で軟化してしまう。したがって、温度変化にともなって防振ゴム１０３のばね定数が変化するため、外部からの振動衝撃の減衰率も同様に変化してしまうことになる。
【０００４】
そこで、温度変化によって変化した防振ゴムのばね定数を補償する手段として、例えば、防振ゴムに、形状記憶合金にて形成された温度補償部材を取り付ける手段が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
防振ゴムに温度補償部材を取り付ける場合について以下に説明する。
図１６は、温度におけるばね定数のばね変位依存性のグラフである。
一般に、ばね定数ｋの弾性体に、変位δを生じさせる時、力Ｆは次の式（１）のように表すことができる。
【０００６】
Ｆ＝ｋ×δ  ・・・（１）
例えば、防振ゴムを使用する温度が２０℃から６０℃に変化する場合、図１６に示すように、２０℃において、変位δ20の防振ゴム（Ａ点）は、６０℃に温度が上がることによって、ばね定数が低下する（Ｂ点）。温度が上がることによって防振ゴムのばね定数が低下すると共に、形状記憶合金にて形成された温度補償部材の形状も変化する。この温度補償部材の形状の変化によって、防振ゴムが加圧され、変位Δδ圧縮されて、防振ゴムの変位が変位δ60となる。よって、防振ゴムのばね定数が増加し、２０℃のときのばね定数が維持される（Ｃ点）。
【０００７】
以上から、温度補償部材を防振ゴムに取り付けることによって、広い温度範囲でも、防振ゴムの弾性特性が維持され、外部からの振動衝撃を減衰させることができる。
【特許文献１】特開平６−９６５６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、この方法に関しては、温度変化による形状記憶合金の形状変化を利用するということで、追加部材が必要となり、さらに特殊な形状記憶合金を利用するためにコストが増加してしまうといった問題点があった。
【０００９】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、広い温度範囲に対応した高信頼な防振構造を有する電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では上記課題を解決するために、図１に示すように、防振構造を有するハードディスク３を備える電子装置において、ハードディスク３を格納する外箱２と、片面または両面に突起部を有し、ハードディスク３と外箱２の間に突起部が接触面積を有するように配置され、接触面積とヤング率の逆数との温度変化による変化率が等価な防振ゴム１と、を有することを特徴とする電子装置が提供される。
【００１１】
上記の構成によれば、ハードディスク３を格納する外箱２と、両面に突起部を有し、ハードディスク３と外箱２の間に突起部が接触面積を有するように配置され、接触面積とヤング率の逆数との温度変化による変化率が等価な防振ゴム１と、が構成される。したがって、温度変化によって、防振ゴム１の突起部とハードディスク３または外箱２との接触面積の変化率と防振ゴム１のヤング率の逆数の変化率とが等しくなり、温度変化によらず、ばね定数が一定に維持される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、防振を必要とする電子装置を格納する外箱と、片面または両面に突起部を有し、防振を必要とする電子装置と外箱の間に突起部が接触面積を有するように配置され、接触面積とヤング率の逆数との温度変化による変化率が等価な防振ゴムと、を構成するようにした。これにより、温度変化に依存せずに防振ゴムのばね定数をほぼ一定に維持することができ、広い温度範囲において高信頼な防振構造を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず、本発明の概要について以下に説明する。
図１は、本発明の室温時の要部断面模式図、図２は、本発明の室温より高い温度時の要部断面模式図である。
【００１４】
図１に示すように、ハードディスク３と外箱２との間に防振ゴム１が配置されている。ただし、防振ゴム１には、防振ゴム１とハードディスク３および外箱２と接触する部分に複数の突起部が形成されている。
【００１５】
以下、複数の突起部が形成された防振ゴム１について説明する。
防振ゴム１の突起部とハードディスク３および外箱２との接触面積Ｓ、および防振ゴム１の厚さｄとする。
【００１６】
このとき、防振ゴム１のばね定数ｋは、防振ゴム１のヤング率Ｅを用いて、次の式（２）のように表すことができる。
ｋ＝Ｅ×（Ｓ／ｄ）  ・・・（２）
この防振ゴム１は、使用環境の温度によって、ばね定数ｋ、ヤング率Ｅなどの特性の変化が生じる。そこで、式（２）において、次の式（３）の条件を設ける。
【００１７】
Δ（Ｓ／ｄ）＝Δ（１／Ｅ）  ・・・（３）
すなわち、防振ゴム１の材料によってヤング率Ｅの温度依存性は異なるが、式（３）を満たすように、防振ゴム１の形状を形成することによって、使用環境の温度が変化しても、ばね定数ｋをほぼ一定に維持することが可能になる。
【００１８】
そこで、本発明では、図１に示すように、防振ゴム１の突起部を形成することによって、例えば、図２に示すように、使用環境の温度が図１における室温より高い温度になった場合、防振ゴム１ａの膨張率によって、防振ゴム１ａの突起部とハードディスク３および外箱２との接触面積Ｓが増加する。そして、この接触面積Ｓの変化率と温度変化によるヤング率Ｅの逆数の変化率とを等価にすると、式（３）が満たされ、使用環境の温度が変化しても、ばね定数ｋをほぼ一定に維持することが可能となる。
【００１９】
以上のように、本発明においては、防振ゴム１，１ａが突起部を有するために、使用環境の温度変化によって、突起部とハードディスク３および外箱２との接触面積Ｓが変化できるようにした。そして、この接触面積Ｓの変化率と同様に温度変化による防振ゴム１，１ａのヤング率Ｅの逆数の変化率とを等価にすることによって、使用環境の温度が変化しても、防振ゴム１，１ａのばね定数ｋをほぼ一定に維持することが可能となった。このため、広い温度範囲に対応した高信頼な防振構造を得ることが可能となる。
【００２０】
なお、本発明の概要の説明では、使用環境の温度が室温より高い温度に変化した場合を例に説明したが、使用環境の温度が室温より低い温度に変化した場合でも同様の効果を得ることができる。
【００２１】
なお、防振ゴム１，１ａが設置される外箱２とハードディスク３の隙間の使用環境の温度変化による変化率は、ハードディスク３および外箱２が金属の場合、熱膨張係数が防振ゴム１の場合に比べて、１〜２桁小さいため、無視してもほとんど影響は無い。
【００２２】
また、防振ゴム１，１ａの材料としては、防振材料として市販されているシリコンゴム（シリコンゲル）、ウレタンゴム（ウレタンゲル）、エチレンプロピレンゴムなどが特に適している。これらの材料は外部からの振動衝撃の減衰率を高めるため、使用温度範囲の中心付近で、損失係数ηが大きい領域になるように分子配列されている。また、上記の材料以外でも、本発明と同様の効果を得ることができる材料であれば、防振ゴム１，１ａの材料として構成することができる。なお、図３は、弾性素材の温度挙動のグラフである。図３に示すように、損失係数ηが大きい領域では、ヤング率Ｅの温度変化も大きく、本発明が特に有効に発揮される。
【００２３】
そして、本発明では、電子ユニットとして、ハードディスクの場合について説明したが、例えば、光通信モジュールユニットなど、防振の必要な精密機器の場合でも同様の効果を得ることができる。光通信モジュールユニットで防振が必要な例としては、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いた光スイッチがあげられる。それは大きさが１ｍｍ以下の微小ミラーを電気的に駆動し、光を反射する方向を切り替えて光接続経路を切り替えるというものである。この場合、可動構造のミラーは外部から振動衝撃の影響を受けやすく、防振が必用である。
【００２４】
次に、第１の実施の形態について説明する。
図４は、第１の実施の形態の室温時における要部断面模式図、図５は、第１の実施の形態の室温よりも高い温度時における要部断面模式図、図６は、第１の実施の形態における接触面積変化率の圧縮距離依存性のグラフである。
【００２５】
第１の実施の形態では、図４、図５に示すように、防振ゴム１０，１０ａの突起部が楕円体の一部の単体であり、この防振ゴム１０，１０ａを図示しないハードディスクと外箱の間に配置する場合を例にあげて説明する。なお、楕円体の長辺ａ、短辺ｂ、円周率πとする。
【００２６】
まず、図４に示すように、室温時において、防振ゴム１０の圧縮距離ｓの時の接触面積Ｓelは次の式（４）のように表すことができる。
Ｓel＝π（ｂ／ａ）2×ｓ×（２ａ−ｓ）  ・・・（４）
そして、図５に示すように、室温よりも高い温度時において、圧縮距離ｓ＋ｔとなるように防振ゴム１０ａが圧縮された時の接触面積Ｓehは次の式（５）のように表すことができる。
【００２７】
Ｓeh＝π（ｂ／ａ）2×（ｓ＋ｔ）×（２ａ−ｓ−ｔ）  ・・・（５）
ここで、例えば、ａ＝２ｍｍ、ｂ＝１ｍｍとして、ｓ＝１０μｍ、２０μｍ、４０μｍの場合について、接触面積変化率（Ｓeh／Ｓel）を算出する。そして、その結果をグラフにしたものが、図６であり、図６から防振ゴム１０，１０ａの圧縮量を読み取ることができる。
【００２８】
例えば、使用温度範囲で、防振ゴム１０が４０μｍ圧縮変形して、防振ゴム１０ａとなった場合、その防振ゴム１０，１０ａのヤング率Ｅの変化が約１／５倍であるならば、接触面積変化率が約５倍となるように、ｓ＝１０μｍとすることによって、ばね定数ｋをほぼ一定にすることができる。同様に、ヤング率Ｅの変化が約１／３倍であるならば、接触面積変化率が約３倍となるように、ｓ＝２０μｍとし、また、ヤング率Ｅの変化が約１／２倍であるならば、接触面積変化率が約２倍となるように、ｓ＝４０μｍとすればよい。
【００２９】
ちなみに、第１の実施の形態では、防振ゴム１０，１０ａが楕円体の場合を例にして説明したが、防振ゴム１０，１０ａが半球形の場合は、長辺ａ＝短辺ｂとすることで、式（４）、式（５）をそのまま利用することができる。
【００３０】
以上のように、第１の実施の形態においては、防振ゴム１０，１０ａが突起部を有するために、使用環境の温度変化によって、突起部とハードディスクおよび外箱との接触面積が変化できるようにした。そして、この接触面積の変化率と同様に温度変化による防振ゴム１０，１０ａのヤング率Ｅの逆数の変化率とを等価にすることによって、使用環境の温度が変化しても、防振ゴム１０，１０ａのばね定数ｋをほぼ一定に維持することが可能となった。このため、広い温度範囲に対応した高信頼な防振構造を得ることが可能となる。
【００３１】
なお、第１の実施の形態の説明では、使用環境の温度が室温より高い温度に変化した場合を例に説明したが、使用環境の温度が室温より低い温度に変化した場合でも同様の効果を得ることができる。
【００３２】
なお、防振ゴム１０，１０ａが設置される外箱とハードディスクの隙間の使用環境の温度変化による変化率は、ハードディスクおよび外箱が金属の場合、熱膨張係数が防振ゴム１０，１０ａの場合に比べて、１〜２桁小さいため、無視してもほとんど影響は無い。
【００３３】
また、防振ゴム１０，１０ａの材料としては、防振材料として市販されているシリコンゴム（シリコンゲル）、ウレタンゴム（ウレタンゲル）、エチレンプロピレンゴムなどが特に適している。これらの材料は外部からの振動衝撃の減衰率を高めるため、使用温度範囲の中心付近で、損失係数ηが大きい領域になるように分子配列されている。また、上記の材料以外でも、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる材料であれば、防振ゴム１０，１０ａの材料として構成することができる。図３に示すように、損失係数ηが大きい領域では、ヤング率Ｅの温度変化も大きく、第１の実施の形態が特に有効に発揮される。
【００３４】
そして、第１の実施の形態では、電子ユニットとして、ハードディスクの場合について説明したが、例えば、光通信モジュールユニットの場合でも同様の効果を得ることができる。
【００３５】
次に第２の実施の形態について説明する。
図７は、第２の実施の形態の室温時における要部断面模式図、図８は、第２の実施の形態の室温よりも高い温度時における要部断面模式図、図９は、第２の実施の形態における接触面積変化率の圧縮距離依存性のグラフである。
【００３６】
第２の実施の形態では、防振ゴム２０，２０ａの突起部が第１の実施の形態と異なり、先頭部を切断した円錐形の単体であり、この防振ゴム２０，２０ａを図示しないハードディスクと外箱の間に配置する場合を例にして説明する。なお、円錐形の頂点の角度２θ、円周率πとする。
【００３７】
まず、図７に示すように、室温時において、防振ゴム２０の圧縮距離ｓの時の接触面積Ｓclは次の式（６）のように表すことができる。
Ｓcl＝π×ｓ2×ｔａｎ2θ  ・・・（６）
そして、図８に示すように、室温よりも高い温度時において、圧縮距離ｓ＋ｔとなるように防振ゴム２０ａが圧縮された時の接触面積Ｓchは次の式（７）のように表すことができる。
【００３８】
Ｓch＝π×（ｓ＋ｔ）2×ｔａｎ2θ  ・・・（７）
ここで、例えば、θ＝３０度として、ｓ＝１０μｍ、２０μｍ、４０μｍの場合について、接触面積変化率（Ｓch／Ｓcl）を算出する。そして、その結果をグラフにしたものが、図９であり、図９から防振ゴム２０，２０ａの圧縮量を読み取ることができ、第１の実施の形態と同様に、ヤング率Ｅの変化率に応じて圧縮距離を決定することができる。なお、第１の実施の形態の防振ゴム１０，１０ａが楕円体の一部の場合と比べて、第２の実施の形態の防振ゴム２０，２０ａが、先頭部が切断された円錐形の場合のほうが、接触面積変化率が大きいため、防振ゴムのヤング率Ｅの変化率が大きい場合は、先頭部が円錐形の方が防振ゴムとして適している。
【００３９】
以上のように、第２の実施の形態においては、防振ゴム２０，２０ａが突起部を有するために、使用環境の温度変化によって、突起部とハードディスクおよび外箱との接触面積が変化できるようにした。そして、この接触面積の変化率と同様に温度変化による防振ゴム２０，２０ａのヤング率Ｅの逆数の変化率とを等価にすることによって、使用環境の温度が変化しても、防振ゴム２０，２０ａのばね定数ｋをほぼ一定に維持することが可能となった。このため、広い温度範囲に対応した高信頼な防振構造を得ることが可能となる。
【００４０】
なお、第２の実施の形態では、使用環境の温度が室温より高い温度に変化した場合を例に説明したが、使用環境の温度が室温より低い温度に変化した場合でも同様の効果を得ることができる。
【００４１】
なお、防振ゴム２０，２０ａが設置される外箱とハードディスクの隙間の使用環境の温度変化による変化率は、ハードディスクおよび外箱が金属の場合、熱膨張係数が防振ゴム２０，２０ａの場合に比べて、１〜２桁小さいため、無視してもほとんど影響は無い。
【００４２】
また、防振ゴム２０，２０ａの材料としては、防振材料として市販されているシリコンゴム（シリコンゲル）、ウレタンゴム（ウレタンゲル）、エチレンプロピレンゴムなどが特に適している。これらは外部からの振動の減衰率を高めるため、使用温度範囲の中心付近で、損失係数ηが大きい領域になるように分子配列されている。なお、上記の材料以外でも、防振ゴム２０，２０ａの材料としては、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる材料により構成することができる。図３に示すように、損失係数ηが大きい領域では、ヤング率Ｅの温度変化も大きく、第２の実施の形態が特に有効に発揮される。
【００４３】
そして、第２の実施の形態では、電子ユニットとして、ハードディスクの場合について説明したが、例えば、光通信モジュールユニットの場合でも同様の効果を得ることができる。
【００４４】
また、第１，第２の実施の形態の突起部のような楕円体の一部および先頭部を切断した円錐形以外の形状でも同様の効果を得ることができる。
図１０は、線状配列された突起部を有する防振ゴムの斜視模式図、図１１は、点状配列された突起部を有する防振ゴムの斜視模式図である。第１，第２の実施の形態の楕円体の一部および先頭部を切断した円錐形の他に、図１０、図１１に示すように、防振ゴムの突起部を線状や点状にしても第１，第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
以下の第３の実施の形態にて、図１１の場合を例にあげて説明する。
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１２は、第３の実施の形態の防振ゴムの要部断面模式図、図１３は、外部からの振動衝撃の周波数ごとのシリコンゴムのヤング率Ｅの温度依存性のグラフ、図１４は、第３の実施の形態における接触面積変化率の圧縮距離依存性のグラフである。
【００４６】
第３の実施の形態において、図１２に示すように、防振ゴム３０をシリコンゴム（熱膨張係数：２×１０-4／℃）により構成し、この防振ゴム３０を図示しないハードディスクと外箱との間に設置する。そして、防振ゴム３０は、例えば、突起部が曲率半径ｒ＝１ｍｍの半球体で、先端の平坦部が頂点からｓ＝５０μｍであって、厚さｄ＝３ｍｍのゴムブロックとする。
【００４７】
この防振ゴム３０の使用環境の温度が、例えば、０℃から４０℃に変化した場合、図１３に示すように、温度変化に伴って、外部からの振動衝撃の周波数ごとの防振ゴム３０のヤング率Ｅは約２／３倍となる。
【００４８】
一方、０℃から４０℃に使用環境が温度変化した場合、図１４に示すように、防振ゴム３０の圧縮距離が２４μｍ増加する。この圧縮距離の増加によって、温度変化前後の接触面積は約３／２倍となる。よって、ヤング率Ｅが約２／３倍、接触面積変化率が約３／２倍となるために、第３の実施の形態において、式（３）が満たされる。
【００４９】
以上のように、第３の実施の形態においては、防振ゴム３０が突起部を有するために、使用環境の温度変化によって、突起部とハードディスクおよび外箱との接触面積が変化できるようにした。そして、この接触面積の変化率と同様に温度変化による防振ゴム３０のヤング率Ｅの逆数の変化率とを等価にすることによって、使用環境の温度が変化しても、防振ゴム３０のばね定数ｋをほぼ一定に維持することが可能となった。このため、広い温度範囲に対応した高信頼な防振構造を得ることが可能となる。
【００５０】
なお、第３の実施の形態では、使用環境の温度が室温より高い温度に変化した場合を例に説明したが、使用環境の温度が室温より低い温度に変化した場合でも同様の効果を得ることができる。
【００５１】
なお、防振ゴム３０が設置される外箱とハードディスクの隙間の使用環境の温度変化による変化率は、ハードディスクおよび外箱が金属の場合、熱膨張係数が防振ゴム３０の場合に比べて、１〜２桁小さいため、無視してもほとんど影響は無い。
【００５２】
また、防振ゴム３０の材料としては、防振材料として市販されているシリコンゴム（シリコンゲル）、ウレタンゴム（ウレタンゲル）、エチレンプロピレンゴムなどが特に適している。これらの材料は外部からの振動衝撃の減衰率を高めるため、使用温度範囲の中心付近で、損失係数ηが大きい領域になるように分子配列されている。また、上記の材料以外でも、第３の実施の形態と同様の効果を得ることができる材料であれば、防振ゴム３０の材料として構成することができる。図３に示すように、損失係数ηが大きい領域では、ヤング率Ｅの温度変化も大きく、第３の実施の形態が特に有効に発揮される。
【００５３】
そして、第３の実施の形態では、電子ユニットとして、ハードディスクの場合について説明したが、例えば、光通信モジュールユニットの場合でも同様の効果を得ることができる。
【００５４】
（付記１）  防振構造を有する電子ユニットを備えた電子装置において、
前記電子ユニットを格納する外箱と、
片面または両面に突起部を有し、前記電子ユニットと前記外箱の間に前記突起部が接触面積を有するように配置され、前記接触面積とヤング率の逆数との温度変化による変化率が等価な防振体と、
を有することを特徴とする電子装置。
【００５５】
（付記２）  前記電子ユニットが、ハードディスクであることを特徴とする付記１記載の電子装置。
（付記３）  前記電子ユニットが、光通信モジュールユニットであることを特徴とする付記１記載の電子装置。
【００５６】
（付記４）  前記防振体が、シリコンゴムまたはシリコンゲルにより構成されることを特徴とする付記１記載の電子装置。
（付記５）  前記防振体が、ウレタンゴムまたはウレタンゲルにより構成されることを特徴とする付記１記載の電子装置。
【００５７】
（付記６）  前記防振体が、エチレンプロピレンゴムにより構成されることを特徴とする付記１記載の電子装置。
（付記７）  前記防振体の形状が、楕円体の一部であることを特徴とする付記１記載の電子装置。
【００５８】
（付記８）  前記防振体の形状が、半球体であることを特徴とする付記１記載の電子装置。
（付記９）  前記防振体の形状が、先端部を切断した円錐形であることを特徴とする付記１記載の電子装置。
【００５９】
（付記１０）  前記防振体の前記突起部が、線状突起であることを特徴とする付記１記載の電子装置。
（付記１１）  前記防振体の前記突起部が、点状突起であることを特徴とする付記１記載の電子装置。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の室温時の要部断面模式図である。
【図２】本発明の室温より高い温度時の要部断面模式図である。
【図３】弾性素材の温度挙動のグラフである。
【図４】第１の実施の形態の室温時における要部断面模式図である。
【図５】第１の実施の形態の室温よりも高い温度時における要部断面模式図である。
【図６】第１の実施の形態における接触面積変化率の圧縮距離依存性のグラフである。
【図７】第２の実施の形態の室温時における要部断面模式図である。
【図８】第２の実施の形態の室温よりも高い温度時における要部断面模式図である。
【図９】第２の実施の形態における接触面積変化率の圧縮距離依存性のグラフである。
【図１０】線状配列された突起部を有する防振ゴムの斜視模式図である。
【図１１】点状配列された突起部を有する防振ゴムの斜視模式図である。
【図１２】第３の実施の形態の防振ゴムの要部断面模式図である。
【図１３】外部からの振動衝撃の周波数ごとのシリコンゴムのヤング率Ｅの温度依存性のグラフである。
【図１４】第３の実施の形態における接触面積変化率の圧縮距離依存性のグラフである。
【図１５】可搬型ハードディスクの防振構造の模式図である。
【図１６】温度におけるばね定数のばね変位依存性のグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１  防振ゴム
２  外箱
３  ハードディスク
【図１】
2007335622.tif 000003
【図２】
2007335622.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007335622.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2007335622.tif 000012
【図１１】
2007335622.tif 000013
【図１２】
2007335622.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2007335622.tif 000018