(57)【要約】【課題】  基板端部での割れを生じにくい窒化珪素基板、及びこれを用いた信頼性の高い窒化珪素回路基板を提供する。また、この窒化珪素基板を、破断がしやすく、破断の際のマイクロクラックが発生しにくく、低コストで得ることができる窒化珪素基板の製造方法を提供する。【解決手段】  窒化珪素基板の少なくとも一つの側面に複数の凹部及び凸部が設けられており、前記窒化珪素基板において前記凹凸部の粗さが大きくなっている側の前記窒化珪素基板の表面から前記側面の凹凸部をみたときに、凹凸部のＲｍａｘが０．１ｍｍ以下である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化珪素基板の少なくとも一つの側面に複数の凹部及び凸部が設けられており、前記窒化珪素基板において前記凹凸部の粗さが大きくなっている側の前記窒化珪素基板の表面から前記側面の凹凸部をみたときに、凹凸部の最大高さＲｍａｘが０．１ｍｍ以下であることを特徴とする窒化珪素基板。
【請求項２】
前記凹部は前記側面においてその形状が、Ｖ字型、Ｕ字型のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の窒化珪素基板。
【請求項３】
請求項２に記載の窒化珪素基板の側面において、
前記凹部が形成された側の前記窒化珪素基板の表面から前記Ｖ字型又はＵ字型の頂点の距離の最大値をＡ、前記窒化珪素基板の厚さをＴとしたとき、
前記側面において前記表面からＡ／２の距離を走査したときの表面粗さが、平均粗さＲａとして７．０〜１５．０μｍであるか、
または前記側面において前記表面の反対側の表面から（Ｔ−Ａ）／２の距離を走査したときの表面粗さが、平均粗さＲａとして２．０〜７．０μｍである
ことを特徴とする請求項２に記載の窒化珪素基板。
【請求項４】
前記側面において、単位長さ当たりの凹凸部の密度が５〜１５個／ｍｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化珪素基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化珪素基板と金属回路板とからなることを特徴とする、窒化珪素回路基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化珪素基板の製造方法であって、
窒化珪素焼結体の表面に間隔１００μｍ以下で複数の孔部を設け、次いでこの窒化珪素焼結体に応力を印加することによって、前記の連続して設けられた複数の孔部を結ぶ線に沿って前記窒化珪素焼結体を破断して分離することを特徴とする、窒化珪素基板の製造方法。
【請求項７】
前記孔部をレーザー加工によって形成することを特徴とする、請求項６に記載の窒化珪素基板の製造方法。
【請求項８】
前記孔部を設けた窒化珪素基板について前記破断に必要である負荷応力が、１００〜４００ＭＰａであることを特徴とする、請求項６に記載の窒化珪素基板の製造方法。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に大電力半導体モジュール用基板として用いられる窒化珪素基板、これを用いた窒化珪素回路基板、及び窒化珪素基板の製造方法に関する。 
【背景技術】
【０００２】
近年、各種のセラミックス（焼結体）基板が半導体モジュール用基板や構造用部材として広く用いられている。例えば、大電力で発熱量の大きな半導体素子を実装する半導体モジュール用基板としては、機械的強度の高さ、熱伝導率の高さが要求される。焼結体の窒化珪素基板はこれらの特性に優れているため、広く用いられている。 
【０００３】
一方、窒化珪素基板には、そのコストが高いという問題点がある。この原因としては、焼結体を製造する際の原料のコストが高いことや、窒化珪素の焼結に必要とされる焼結温度が高いためにその製造に要するコストが高いこと等がある。そのため、コストが安い窒化珪素基板の製造方法が求められている。 
【０００４】
こうした製造方法の一つとして、１枚の大きな窒化珪素焼結体を形成した後にこれを所望の形状、大きさに分割して複数の窒化珪素基板を得るという方法が用いられている。この方法においては、１枚の大きな窒化珪素焼結体に、レーザー加工等によってスクライブ（刻み込み）を複数形成した後で、これに応力を印可することによって窒化珪素焼結体を破断して分割し、所望の形状、大きさの複数の新たな窒化珪素基板を得る。これによれば、１枚の大きな窒化珪素焼結体から多数の窒化珪素基板が得られるため、初めから所望の大きさとなっている多数の窒化珪素基板を焼結して形成する場合と比べて、そのコストを大きく低減することができる。しかしながら、この破断時に窒化珪素基板にマイクロクラックが発生すると、基板の機械的強度が大きく劣化し、その信頼性を損なう。このため、例えば特許文献１においては、窒化珪素焼結体表面に形成するスクライブ形成の条件を規定することにより、破断時のマイクロクラックの発生を抑制し、安い製造コストで信頼性の高い窒化珪素基板を得ることが記載されている。 
【特許文献１】特開２００２−１７６１１９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この方法によって分割される窒化珪素焼結体において、その強度や破壊靱性値はその製造方法や原料に依存し、破断時のマイクロクラックの発生もこれに大きく依存する。強度や破壊靱性値が低い窒化珪素焼結体に対しては、上記の方法を適用した場合においてさえも、分割の際にマイクロクラックが発生しやすい。逆にこれらが高い窒化珪素基板においては、分割する際に大きな負荷応力が要求されるために、所望の大きさ、形状に破断することが困難であり、やはりマイクロクラックが発生する場合がある。また、これらの窒化珪素基板においては、破断時にマイクロクラックが発生するというだけではなく、破断後においても割れやクラックが発生しやすい。例えば、この窒化珪素基板上に金属回路を形成して窒化珪素回路基板を製造する工程で基板端部に割れが生じたり、この窒化珪素回路基板を用いた半導体モジュールにおいては、熱サイクルによってクラックが発生するという問題もある。従って、さまざまな特性をもった窒化珪素焼結体を破断分割して窒化珪素基板を得る場合には、これらの問題が発生しない窒化珪素基板を得ることが要求された。 
【０００６】
本発明は斯かる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板端部での割れを生じにくい窒化珪素基板、及びこれを用いた信頼性の高い窒化珪素回路基板を提供することにある。また、この窒化珪素基板を、破断がしやすく、破断の際のマイクロクラックが発生しにくく、低コストで得ることができる窒化珪素基板の製造方法を提供することにある。 
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。 
請求項１記載の発明の要旨は、窒化珪素基板の少なくとも一つの側面に複数の凹部及び凸部が設けられており、前記窒化珪素基板において前記凹凸部の粗さが大きくなっている側の前記窒化珪素基板の表面から前記側面の凹凸部をみたときに、凹凸部の最大高さＲｍａｘが０．１ｍｍ以下であることを特徴とする窒化珪素基板に存する。 
請求項２記載の発明の要旨は、前記凹部は前記側面においてその形状が、Ｖ字型、Ｕ字型のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の窒化珪素基板に存する。 
請求項３記載の発明の要旨は、請求項２に記載の窒化珪素基板の側面において、前記凹部が形成された側の前記窒化珪素基板の表面から前記Ｖ字型又はＵ字型の頂点の距離の最大値をＡ、前記窒化珪素基板の厚さをＴとしたとき、前記側面において前記表面からＡ／２の距離を走査したときの表面粗さが、平均粗さＲａとして７．０〜１５．０μｍであるか、または前記側面において前記表面の反対側の表面から（Ｔ−Ａ）／２の距離を走査したときの表面粗さが、平均粗さＲａとして２．０〜７．０μｍであることを特徴とする請求項２に記載の窒化珪素基板に存する。 
請求項４記載の発明の要旨は、前記側面において、単位長さ当たりの凹凸部の密度が５〜１５個／ｍｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化珪素基板に存する。 
請求項５記載の発明の要旨は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化珪素基板と金属回路板とからなることを特徴とする、窒化珪素回路基板に存する。 
請求項６記載の発明の要旨は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化珪素基板の製造方法であって、窒化珪素焼結体の表面に間隔１００μｍ以下で複数の孔部を設け、次いでこの窒化珪素焼結体に応力を印加することによって、前記の連続して設けられた複数の孔部を結ぶ線に沿って前記窒化珪素焼結体を破断して分離することを特徴とする、窒化珪素基板の製造方法に存する。 
請求項７記載の発明の要旨は、前記孔部をレーザー加工によって形成することを特徴とする、請求項６に記載の窒化珪素基板の製造方法に存する。 
請求項８記載の発明の要旨は、前記孔部を設けた窒化珪素基板について前記破断に必要である負荷応力が、１００〜４００ＭＰａであることを特徴とする、請求項６に記載の窒化珪素基板の製造方法に存する。 
【発明の効果】
【０００８】
本発明は以上のように構成されているので、窒化珪素基板の強度や破壊靱性値によらずに基板端部での割れを生じにくい窒化珪素基板を得ることができる。また、この窒化珪素基板を用いて信頼性の高い窒化珪素回路基板を得ることができる。本発明の製造方法によれば、破断がしやすく、破断の際のマイクロクラックが発生しにくく、低コストで本発明の窒化珪素基板を得ることができる。 
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。 
【００１０】
本発明の窒化珪素基板は、窒化珪素焼結体基板の少なくとも一つの表面に複数の孔部を形成した後に、これを破断して分割するという製造方法によって得られたものである。この窒化珪素基板においては、当該窒化珪素基板のどちらか一方の表面から見たときに、少なくともその一つの側面に複数の凹部及び凸部が存在する。この凹部は前記の孔部に対応し、その凹部の形状はこの孔部の断面形状に対応するため、この側面の形状はこの孔部の形成条件を反映したものとなっている。この孔部の形成条件は、後述する本発明の製造方法によって規定される。この製造方法によって製造されたマイクロクラックが少ない前記の窒化珪素基板においては、前記凹凸部の粗さが大きくなっている側の前記窒化珪素基板の表面から前記側面の凹凸部をみたときに、凹凸部の最大高さＲｍａｘが０．１ｍｍ以下である。この表面からみた前記側面の凹凸の形状の例が図１である。 
【００１１】
ここで、上記の表面粗さにおけるＲｍａｘは、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠した粗さの最大高さＲｚと同じ量である。すなわち、前記基板表面近くの前記の基板側面を触針式または光学式の粗さ計を用いて走査することにより、その粗さプロファイルを求め、これからＪＩＳＢ０６０１：２００１に基づいて算出できる。 
【００１２】
前記のＲｍａｘが０．１ｍｍよりも大きいと、この窒化珪素基板上に金属回路を形成する工程等で、この側面の粗さに起因して基板端部で割れが発生しやすくなる。 
【００１３】
この側面の凹部の形状は前記の孔部の断面形状に対応するため、Ｖ字型またはＵ字型、すなわち、これが形成された側の窒化珪素基板表面からその反対側の表面に向かって徐々にこの凹部の幅が小さくなっている形状となる。ただし、破断の際に、孔部のどの断面で窒化珪素焼結体が破断するかは一定ではないため、その断面形状がすべての孔部において同じになるとは限らない。そのため、このＶ字型またはＵ字型の形状や大きさは上記の側面においてすべての箇所で同じであるとは限らない。この側面における凹部の形状を例示したのが図２である。この凹部の形状は、例えば、この側面の光学顕微鏡写真から判断することができる。 
【００１４】
前記側面に複数個形成された凹部において、前記凹部が形成された側の窒化珪素基板の表面から前記Ｖ字型またはＵ字型の頂点の距離までの距離の最大値をＡとすると、これは破断前の窒化珪素焼結体の表面に設けられた孔部の深さに対応する。この凹部が形成された側の窒化珪素基板の表面からＡ／２の距離の箇所（孔部の半分の深さの箇所：以下、測定個所１と呼称）を走査したときの表面粗さは、この製造方法によって製造されたマイクロクラックが少ない前記の窒化珪素基板においては、その平均粗さＲａが７．０〜１５．０μｍである。また、窒化珪素基板の厚さをＴとすると、凹部が形成された側と反対側の表面から（Ｔ−Ａ）／２の距離の箇所（以下、測定個所２と呼称）は、前記のＶ字型またはＵ字型の形状の凹部の外側、すなわち破断前の孔部がなかった場所である。この箇所を走査したときの表面粗さは、この製造方法によって製造されたマイクロクラックが少ない前記の窒化珪素基板においては、Ｒａが２．０〜７．０μｍである。この凹凸は前記の孔部に起因して形成されるため、測定個所２におけるＲａは測定個所１におけるＲａよりも小さくなる。この窒化珪素基板側面における測定個所１と測定個所２について、図２中に示す。 
【００１５】
なお、上記の表面粗さにおけるＲａはＪＩＳＢ０６０１に準拠した平均粗さである。すなわち、基板側面における測定個所１、測定個所２を触針式または光学式の粗さ計を用いて走査することにより、その粗さプロファイルを求め、これからＪＩＳＢ０６０１に基づいてその粗さの平均値として算出できる。 
【００１６】
測定個所１におけるＲａが７．０μｍよりも小さい、または測定個所２におけるＲａが２．０μｍよりも小さい窒化珪素基板は、例えば前記の孔部の径を小さくした場合に相当する。この場合は、破断に要する負荷応力が大きくなるため、破断が困難である。測定個所１におけるＲａが１５．０μｍよりも大きい、または測定個所２におけるＲａが７．０μｍよりも大きい窒化珪素基板は、このような大きな凹凸の存在によって基板端部が割れやすくなっている状態であるため、この上に金属回路を形成する工程等で基板端部で割れが発生しやすい。 
【００１７】
基板側面の凹凸の数は破断前の窒化珪素焼結体の孔部の数に対応しており、この製造方法によって製造されたマイクロクラックが少ない前記の窒化珪素基板においては、単位長さ当たりの密度が５〜１５個／ｍｍである。この密度は、基板側面の顕微鏡写真から算出することができる。 
【００１８】
この密度が５個／ｍｍより小さい場合には、その製造時の破断に要する負荷応力が大きくなるため、破断が困難である。１５個／ｍｍより大きい場合には、容易に破断しやすくなるために、この基板上に金属回路を形成する工程等において基板端部で割れが発生しやすい。 
【００１９】
また、本発明の窒化珪素回路基板は、上記の本発明の窒化珪素基板と金属回路板とからなる。金属回路板は、金属層からなるパターンを有しており、このパターンは、一般には、パターンを有さない金属層をろう付け等の方法で窒化珪素基板に接合し、フォトリソグラフィ工程によってフォトレジストのパターンを形成し、エッチング工程、レジスト除去工程を経ることによって形成される。本発明の窒化珪素基板は、マイクロクラックが少なく、これらの工程によっても基板端部の割れ等を生じにくい。また、この窒化珪素回路基板を用いた半導体モジュールは、熱サイクルによるクラックが発生しにくいため、信頼性が高い。 
【００２０】
以上に述べた本発明の窒化珪素基板は、窒化珪素焼結体の表面に間隔１００μｍ以下で複数の孔部を設け、次いでこの窒化珪素焼結体に応力を印加することによって、前記の連続して設けられた複数の孔部を結ぶ線に沿って前記窒化珪素焼結体を破断して分離するという、本発明の窒化珪素基板の製造方法によって製造される。 
【００２１】
孔部の間隔が１００μｍより大きいと、破断時にマイクロクラックが発生する。また、破断後の窒化珪素基板上に金属回路を形成する工程で基板端部の割れが発生しやすい。 
【００２２】
この孔部を形成する手段として、例えばレーザー加工を用いて、窒化珪素焼結体の表面を部分的に溶融して行なうことができる。この場合、レーザー光の窒化珪素焼結体の表面でのスポットサイズを調整することにより、例えば孔部の径を１００μｍ程度とすることができ、これを上記の所定の間隔で設けることができる。 
【００２３】
孔部の深さは、自由に設定することが可能であるが、例えば数１００μｍとすることができる。孔部が窒化珪素焼結体を貫通する必要はなく、その場合にはその断面形状はＶ字型またはＵ字型となる。その深さは必ずしもすべての孔部で等しくなっている必要はないが、一般に用いられる窒化珪素基板の厚さは０．３２ｍｍ程度であり、この厚さの５０％程度が好ましい。孔部の深さがこれより浅いと、破断が困難になる。孔部の深さがこれより深いと、破断後の窒化珪素基板の強度が小さくなり、分割した基板上に金属回路を形成する工程等において基板端部で割れが発生しやすい。また、孔部の形成に時間がかかるため、製造コストが上昇する。 
【００２４】
好ましい窒化珪素基板を得るための孔部の破断面における単位長さ当たりの個数は５〜１５個／ｍｍである。５個／ｍｍより小さいと、破断に必要となる負荷応力が大きくなるため、破断が困難となる。１５個／ｍｍより大きいと、破断後の窒化珪素基板の強度が小さくなり、破断後の窒化珪素基板に対して後で金属回路を形成する工程で窒化珪素基板が小片化して割れることがある。また、孔部の形成に時間がかかるため、製造コストが上昇する。 
【００２５】
孔部を設けた後の破断は、孔部が設けられた面に対して引っ張り応力が働く方向に応力を加えることによって行うことができる。従って、例えば、孔部が設けられた面と反対側からこの焼結体にストレスを加えることにこれを破断することができる。本発明において、好ましい窒化珪素基板が得られる場合には、この破断に要する負荷応力は、１００〜４００ＭＰａである。 
【００２６】
この破断に要する負荷応力は、例えば、３点曲げ法（ＪＩＳＲ１６０１に準拠）によって測定することができる。 
【００２７】
この負荷応力が１００ＭＰａより小さい場合は、破断時に窒化珪素基板にマイクロクラックが多く発生しやすい。４００ＭＰａより大きい場合には破断が困難である。さらに、破断時に孔部の列に沿って割れずに、基板の寸法仕様から逸脱することがある。 
【実施例】
【００２８】
以下に、本発明の製造方法を実際の窒化珪素焼結体に適用して得られた窒化珪素基板について、比較例と共にその特性を調べた結果について説明する。 
【００２９】
本発明の実施例においては、窒化珪素焼結体として、大きさ：１２０ｍｍ×１１０ｍｍ、厚さ：０．３２ｍｍ、焼結助剤として３Ｗｔ％ＭｇＯおよび２Ｗｔ％Ｙ２Ｏ３を用い、焼成温度が１８５０℃×５ｈのものをを用い、これを破断して分割することにより５５ｍｍ×４５ｍｍ×０．３２ｍｍ厚さの窒化珪素基板を得た。 
【００３０】
この窒化珪素焼結体表面に孔部を形成するためのレーザー加工としては、YAGレーザーを用い、大きさが１００μｍの孔部を形成した。孔部が形成された窒化珪素焼結体の表面の写真の例を図３に示す。孔部の密度は、５５ｍｍ×４５ｍｍの窒化珪素基板を得る際の各辺において、５〜１４個／ｍｍとした。孔部の深さは、基板厚さに対する比率として３８〜５３％とした。 
【００３１】
孔部形成後の破断は、孔部が形成された面と反対側の面から窒化珪素焼結体に圧力を加えることによって行い、５５ｍｍ×４５ｍｍの窒化珪素基板をこの窒化珪素焼結体から４枚取り出した。 
【００３２】
以上のようにして製造された窒化珪素基板である発明例１〜１７につき、破断後の側面における前記のＲｍａｘ、測定個所１及び測定個所２におけるＲａ、孔部の深さ、破断に要した負荷応力、基板の寸法精度、破断後のマイクロクラック発生率、プロセス後のクラック発生率、この窒化珪素基板を用いた回路基板の信頼性を調べた。 
【００３３】
破断後の側面を孔部が形成された表面からみた写真の例を図４に示す。前記の孔部に対応して凹凸が形成されているが、その形状は一定ではない。この形状における凹凸の最大高さＲｍａｘを光学式３次元形状測定装置（EMS2002AD-3D：コムス社製）によって、走査速度１００μｍのレーザー光によって破断後の側面の長さ１０ｍｍにおける形状プロファイルを測定することにより求めた。測定個所１と測定個所２におけるＲａも同様にして求めた。 
【００３４】
孔部の深さとなるＡは破断後の側面の光学顕微鏡写真から求めた。その写真の例を図５に示す。この例においては、凹部はいずれもＶ字型の形状であった。 
【００３５】
破断に要した負荷応力は、ＪＩＳＲ１６０１に準拠した３点曲げ法によって測定した。この際、測定スパン（３点曲げ法における二つの支点間の距離）は３０ｍｍとし、クロスヘッド速度は０．５ｍｍ／ｍｉｎとした。 
【００３６】
基板の寸法精度として、破断後の基板が上記の寸法（５５ｍｍ×４５ｍｍ）となっているかどうかについて、寸法公差を０．２ｍｍとし、この寸法公差内に入っているかどうかを調べた。入る場合を○、入らない場合を×とした。寸法の測定はデジタルノギスにて行った。 
【００３７】
マイクロクラック発生率は、破断後の基板について、蛍光探傷法によって調べた。基板５００枚について、このクラックが認められた基板の割合を調べ、これをマイクロクラック発生率とした。これが２％以上あった場合を不良（不合格）と判定した。 
【００３８】
プロセス後のクラック発生率は、通常の半導体モジュール用基板を製造する場合と同じ工程である、金属回路を構成する金属層（銅配線材料）のろう付けによる接合、リソグラフィ工程及び金属層のエッチング工程からなるプロセスを破断後の基板について行った回路基板を製造し、その回路基板におけるクラックを前記と同様の方法で４００枚の基板について調べた。これをプロセス後クラック発生率とし、２％以上あった場合を不良（不合格）と判定した。なお、ここで用いた基板は、すべて破断後のマイクロクラックが生じていなかったものである。 
【００３９】
回路基板の信頼性の評価は、−４０℃〜室温〜１２５℃の温度サイクルを前記のプロセス後の回路基板に対して１００サイクル加え、その後のクラックを前記と同様の方法で調べた。この結果、クラックが発生した回路基板の割合を不良率とし、これが２％以上あった場合を不合格とした。なお、ここで用いた回路基板は、すべて前記のプロセス後のクラックが生じていなかったものである。 
【００４０】
比較例１、２としては、孔部形成に用いたレーザーパルス強度を上昇させ、孔部の径および深さを大きくすることにより、破断後の側面におけるＲｍａｘが本発明の範囲よりも大きくなる窒化珪素基板を作成した。比較例３、４としては、比較例１、２とは逆にレーザーパルス強度を低下させ、孔部のピッチ間隔を小さくすることにより、測定個所１におけるＲａが本発明の範囲よりも小さな窒化珪素基板を作成し、比較例５、６としては逆の設定によりＲａがこれより大きな窒化珪素基板を作成した。比較例７としては、レーザーパルス強度を低下させ、径および深さを小さくすることにより、測定個所２におけるＲａが本発明の範囲よりも小さな窒化珪素基板を作成し、比較例８としては逆にこれより大きな窒化珪素基板を作成した。比較例９としては、孔部の深さを浅くした窒化珪素基板を作成し、比較例１０としては、これとは逆に孔部を深くした窒化珪素基板を作成した。比較例１１としては、孔部の密度を本発明の範囲よりも小さくした窒化珪素基板を作成し、比較例１２としては、これとは逆に孔部の密度を高くした窒化珪素基板を作成した。比較例１３〜１６は、窒化珪素以外の材料からなる焼結体である窒化アルミニウム、アルミナに本発明の製造方法を適用して作成した基板である。 
【００４１】
以上の発明例１〜１７、比較例１〜１６についての上記の評価結果についてまとめたのが表１である。 
【００４２】
【表１】
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【００４３】
表１より、本発明の発明例１〜１７は、いずれの比較例に対してもマイクロクラック発生率、プロセス後のクラック発生率、及び信頼性評価結果が優れているという結果が得られた。 
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の窒化珪素基板の側面を凹部が形成された側の表面からみた形状を示す図である。
【図２】本発明の窒化珪素基板の側面に形成された凹部の形状を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における窒化珪素基板の製造方法における孔部形成後の窒化珪素焼結体の表面写真の一例である。
【図４】本発明の実施例における窒化珪素基板の製造方法における孔部形成、破断後の側面を凹部が形成された側の表面からみた写真の一例である。
【図５】本発明の実施例における窒化珪素基板の製造方法における孔部形成、破断後に得られた窒化珪素基板の側面の凹部の写真の一例である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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