(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳ素子部品等のマイクロ構造体の粗面を滑面処理し、品質向上等を図る。【解決手段】基板１１にドライエッチング又はサンドブラストにて貫通孔１１ａを形成する。貫通孔１１ａの内周面は数百ナノ〜数ミクロンオーダーの粗面になっている。大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに貫通孔１１ａの内周面に接触させ、貫通孔１１ａの内周面にシリコン酸化膜１４を形成する。シリコン酸化膜１４の表面は、滑面になる。これにより、貫通孔１１ａと充填金属１６との間に隙間が出来るのを防止でき、ＭＥＭＳ素子１０の内部空間１０ａの気密性を確保できる。【選択図】図１
2007144569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ構造体における粗面を滑面処理する方法であって、
大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記マイクロ構造体の粗面に接触させ、前記粗面上にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするマイクロ構造体の滑面処理方法。
【請求項２】
マイクロ構造体の周側面を滑面処理する方法であって、
大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記マイクロ構造体の周側面に接触させ、前記周側面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするマイクロ構造体の滑面処理方法。
【請求項３】
マイクロ構造体に形成された孔の内周面を滑面処理する方法であって、
大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記孔の内周面に接触させ、前記孔の内周面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするマイクロ構造体の滑面処理方法。
【請求項４】
ＭＥＭＳ素子用の基板に貫通孔をドライエッチング又はサンドブラストにて形成する工程と、
大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記貫通孔の内周面に接触させ、前記貫通孔の内周面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜形成後の貫通孔にフィールドスルー配線となるべき金属を充填する工程と、
前記基板の表側面に設けた素子本体と前記フィールドスルー配線とを電気的に接続する工程と、
前記素子本体と前記フィールドスルー配線の表側端部を覆うようにして前記基板の表側面に封止カバーを被せ、この封止カバーと基板との間に密閉空間を形成する工程と、
を実行することを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項５】
樹脂製マイクロ構造体を成形するための金型を製造する方法であって、
シリコンをドライエッチングすることにより前記樹脂製マイクロ構造体の型見本を形成する工程と、
大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記型見本の周側面に接触させ、前記周側面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記型見本に金属めっきを行なう工程と、
前記型見本をエッチングして除去することにより前記金属めっきからなる金型を得る工程と、
を実行することを特徴とするマイクロ構造体用金型の製造方法。
【請求項６】
貫通孔を有する基板と、
この基板の表側面に設けられた素子本体と、
前記貫通孔の内周面に被膜されたシリコン酸化膜と、
このシリコン酸化膜が被膜された貫通孔の内部に充填された金属からなり、前記素子本体と電気的に接続されたフィールドスルー配線と、
前記素子本体と前記フィールドスルー配線の表側端部を覆うようにして前記基板の表側面に被せられ、前記基板との間に密閉空間を形成する封止カバーと、
を有し、前記シリコン酸化膜の表面が、前記シリコン基板の貫通孔の内周面より滑らかであることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子の基板等のミクロンオーダーのマイクロ構造体を製造する方法等に関し、特に、マイクロ構造体に形成された孔の内周面や凸部の外周面をナノオーダーの微細レベルまで滑らかにするのに適した方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ素子の基板には、例えばフィールドスルーが設けられている。これは、数百ミクロン厚の基板に直線状の貫通孔を形成し、この貫通孔にＣｕ等の良伝導金属を充填したものである。この充填金属がフィールドスルー配線となる。このフィールドスルー配線が、基板の表側面のＭＥＭＳ素子本体と電気的に接続される。基板にはカバーが被せられ、素子本体が気密に封止される。
【特許文献１】特開平５−２７５４０１号公報
【特許文献２】特開２００３−２１７９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記の貫通孔は、ドライエッチングやサンドブラストで形成されるが、一度に基板を貫通する深さにするのはレジストのエッチング耐性等との関係で困難であるため、何回かに分けて徐々に深くしていく。このため、前の回で掘られた部分と次の回で掘られた部分との間には凸凹が形成されやすい。この凸凹の大きさは、数百ナノオーダー〜数ミクロンオーダーのレベルであり、極めて微小である。しかし、その後フィールドスルー配線用の金属を充填する際、貫通孔の内周面と充填金属との間に隙間が出来やすくなる。この隙間を通して、基板とカバーとの間の密封空間からリークが起きるおそれがある。そうするとＭＥＭＳ素子の信頼性を損ねてしまう。
このように、マイクロ構造体においては、数百ナノ〜数ミクロンオーダーの凸凹であっても、その後の製造工程や製品の品質に影響を与えかねない。本発明は、このようなマイクロ構造体の粗面を滑面化することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、マイクロ構造体における例えば数百ナノ〜数ミクロンオーダーの粗面を滑面処理する方法であって、
大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記マイクロ構造体の粗面に接触させ、前記粗面上にシリコン酸化膜を形成することを第１特徴とする。このシリコン酸化膜の表面は、数ナノオーダーの凸凹レベルになり、所望の滑面を得ることができる。
【０００５】
前記マイクロ構造体が、孔を有し、この孔の内周面が滑面処理されるべき粗面になっていてもよく、前記マイクロ構造体が、凸部を有し、この凸部の外周面が滑面処理されるべき粗面になっていてもよい。前記マイクロ構造体の周側面（前記孔の内周面及び前記凸部の外周面を含む）が、滑面処理されるべき粗面になっていてもよい。
前記マイクロ構造体は、ＭＥＭＳ素子の部品をはじめ、該部品を製作するための型見本又は金型などを含む。
【０００６】
本発明は、ＭＥＭＳ素子用の基板に貫通孔をドライエッチング又はサンドブラストにて形成する工程と、
大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記貫通孔の内周面に接触させ、前記貫通孔の内周面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜形成後の貫通孔にフィールドスルー配線となるべき金属を充填する工程と、
前記基板の表側面に設けた素子本体と前記フィールドスルー配線とを電気的に接続する工程と、
前記素子本体と前記フィールドスルー配線の表側端部を覆うようにして前記基板の表側面に封止カバーを被せ、この封止カバーと基板との間に密閉空間を形成する工程と、
を実行するＭＥＭＳ素子の製造方法を第２特徴とする。
【０００７】
本発明は、樹脂製マイクロ構造体を成形するための金型を製造する方法であって、
シリコンをドライエッチングすることにより前記樹脂製マイクロ構造体の型見本を形成する工程と、
大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記型見本の周側面に接触させ、前記周側面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記型見本に金属めっきを行なう工程と、
前記型見本をエッチングして除去することにより前記金属めっきからなる金型を得る工程と、
を実行することを第３特徴とする。
【０００８】
本発明は、貫通孔を有する基板と、
この基板の表側面に設けられた素子本体と、
前記貫通孔の内周面に被膜されたシリコン酸化膜と、
このシリコン酸化膜が被膜された貫通孔の内部に充填された金属からなり、前記素子本体と電気的に接続されたフィールドスルー配線と、
前記素子本体と前記フィールドスルー配線の表側端部を覆うようにして前記基板の表側面に被せられ、前記基板との間に密閉空間を形成する封止カバーと、
を有し、前記シリコン酸化膜の表面が、前記シリコン基板の貫通孔の内周面より滑らかであるＭＥＭＳ素子を第４特徴とする。
前記シリコン酸化膜は、大気圧近傍下において、有機シリコン化合物と活性化された無機酸とを互いに接触させるとともに前記貫通孔の内周面に接触させることにより、前記貫通孔の内周面に堆積させたものであることが望ましい。
【０００９】
ここで、大気圧近傍（略常圧）とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整が容易で装置構成の簡便化を考慮すると、好ましくは、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａであり、より好ましくは、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａである。
【００１０】
膜原料の有機シリコン化合物は、シリコンを含有する有機金属アルコキシドが好ましい。
シリコンを含有する有機金属アルコキシドとして、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＭＯＳ（テトラメトキシシラン）等のアルコキシシランを用いることができる。
有機シリコン化合物として、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）をはじめとするシロキサンを用いてもよい。ＯＭＣＴＳ（オクタメチルシクロテトラシロキサン）、ＴＭＣＴＳ（テトラメチルシクロテトラシロキサン）、ＴＰＯＳ（テトラプロポキシシラン）などを用いてもよい。
【００１１】
無機酸として、例えばＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏ等を用いることができる。
無機酸の活性化手段として、オゾナイザーや大気圧プラズマ放電処理装置を用いることができ、これにより、オゾン、酸素ラジカル、酸素イオン等の活性化された無機酸を得ることができる。
【００１２】
大気圧プラズマ放電処理装置を用いる場合、無機酸だけを大気圧プラズマ放電処理装置の大気圧プラズマに通して活性化（プラズマ化、ラジカル化、イオン化等）させ、この活性化された無機酸に有機シリコン化合物を接触させるとともに前記孔の内壁に接触させるのが好ましい。無機酸と有機シリコン化合物を共に大気圧プラズマで活性化させ、前記孔の内壁に接触させることにしてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、マイクロ構造体の粗面にシリコン酸化膜を被膜することにより、滑面を得ることができる。これにより、マイクロ構造体の品質向上等を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を説明する。
第１実施形態
図１は、自己気密型のＭＥＭＳ素子１０を示したものである。
【００１５】
ＭＥＭＳ素子１０は、基板１１と、この基板１１の表側面に設けられた素子本体１２と、封止カバー１３を備えている。
基板１１は、数百ミクロンの厚さのシリコンにて構成されている。（基板１１は、特許請求の範囲の「マイクロ構造体」を構成している。）
【００１６】
シリコン基板１１には、フィールドスルー用の貫通孔１１ａが形成されている。図２に拡大して示すように、貫通孔１１ａの内周面は、後述する製造上の理由により凸凹な粗面になっている。この貫通孔１１ａの内周面の凹部の底から凸部１１ｂの頂部までの高さは数百ｎｍ程度である。
【００１７】
貫通孔１１ａの内周面にはシリコン酸化物の膜１４が被膜されている。シリコン酸化膜１４の表面の凹部の底から凸部の頂部までの高さは数ｎｍ程度であり、貫通孔１１ａの凸凹に比べると極めて小さく、シリコン酸化膜１４の表面は、ほとんど滑らかになっている。
以下、シリコン酸化膜１４で画成された孔をフィールドスルー孔１５と言う。
【００１８】
上記フィールドスルー孔１５の内部に、良伝導性の金属であるＣｕがめっきにて充填されている。この充填Ｃｕによってフィールドスルー配線１６が構成されている。
図１に示すように、フィールドスルー配線１６は、リード配線１７を介して素子本体１２と電気的に接続されている。フィールドスルー配線１６を介して素子本体１２への信号の入出力などが行なわれるようになっている。
【００１９】
基板１１の表側面にはガラス製の封止カバー１３が被せられている。封止カバー１３の周縁部と基板１１とは、真空下で陽極接合されている。これによって、封止カバー１３と基板１１の間に、真空の密閉空間１０ａが画成されている。この密閉空間１０ａ内に素子本体１２とフィールドスルー配線１６の表側端部が収容されている。
【００２０】
上記構成のＭＥＭＳ素子１０の製造方法を、フィールドスルー孔１５の形成工程を中心に説明する。
複数個のＭＥＭＳ素子１０に対応する面積のシリコン基板を用意する。このシリコン基板の複数の所定位置にフィールドスルー孔１５となる貫通孔１１ａをドライエッチングにて形成する。エッチング用のガスは、ＳＦ６とＯ２の混合ガス、又はＣ４Ｆ８とＯ２の混合ガス等を用いるのが好ましい。一回のエッチング操作で基板１１を貫通させるのはレジストのエッチング耐性等との関係から困難である。そこで、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、エッチング操作を複数回繰り返し、孔を段々に深くしていく。これにより、孔１１ａの内壁には、前の回のエッチングで掘られた部分と、次の回のエッチングで掘られた部分との間に、くびれ状の凸部１１ｂが形成される。凸部１１ｂの高さは、数百ｎｍである。図４に示すように、孔１１ａの内周面は、全体として凸凹になる。孔１１ａの内径は、一番狭くなる凸部１１ｂの頂点においても、所望のフィールドスルー孔１５の内径より大きくなるようにする。
【００２１】
貫通孔１１ａの形成工程の後、成膜工程を実行する。
図５に示すように、成膜工程は、大気圧プラズマＣＶＤ装置２０を用いて大気圧環境で行なう。大気圧プラズマＣＶＤ装置２０は、第１及び第２ガス源２１，２２と、電源２３と、処理ヘッド３０を備えている。
【００２２】
第１ガス源２１は、膜原料の有機シリコン化合物を含む第１ガスを処理ヘッド３０に供給するようになっている。有機シリコン化合物として、有機金属アルコキシドのＴＭＯＳが用いられている。ＴＭＯＳの流量は、０．１〜１．０ｇ／ｍｉｎ程度が好ましい。
ＴＭＯＳに代えて、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いてもよく、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）、ＯＭＣＴＳ（オクタメチルシクロテトラシロキサン）、ＴＭＣＴＳ（テトラメチルシクロテトラシロキサン）などのシロキサンを用いてもよく、その他、ＴＰＯＳ（テトラプロポキシシラン）などを用いてもよい。第１ガスには有機シリコン化合物のキャリアガスとして窒素を含ませてもよい。
【００２３】
第２ガス源２２は、第２ガスとして酸素（Ｏ２）を処理ヘッド３０に供給するようになっている。酸素の流量は、５〜１０Ｌ／ｍｉｎ程度が好ましい。第２ガスは、無機酸であれば酸素に限定されるものではなく、Ｈ２ＯやＮ２Ｏ等の他の無機酸を用いてもよい。
【００２４】
基板の上方には、処理ヘッド３０が配置される。処理ヘッド３０には、一対の電極３１，３２が設けられている。一方の電極３１は、電源２３に接続され、他方の電極３２は接地されている。電源２３からの電圧供給により電極３１，３２間に大気圧プラズマ放電が形成されるようになっている。供給電力は例えば１０〜２０Ｗ程度である。この大気圧プラズマ放電空間３０ａに第２ガス源２２からの酸素が導入される。これによって、活性化された無機酸として酸素ラジカル等の酸素系活性種が得られる。
この酸素系活性種が、処理ヘッド３０の下端部から吹出される。
一方、第１ガス源１２からのＴＭＯＳは、大気圧プラズマ放電空間３０ａを経ることなく、処理ヘッド３０の下端部から吹出される。
【００２５】
処理ヘッド３０から吹出されたＴＭＯＳと酸素系活性種とは、貫通孔１１ａの内部に流入し、互いに接触するとともに貫通孔１１ａの内壁に接触する。基板１１の温度は、好ましくは２００〜４００℃程度に設定しておく。これにより、大気圧下においてＴＭＯＳと酸素系活性種との反応が起き、貫通孔１１ａの内壁にシリコン酸化膜１４が成長していく。反応時間は例えば１〜１０ｍｉｎ程度である。
【００２６】
図６に示すように、シリコン酸化膜１４は、貫通孔１１ａの内壁の凸凹に沿うように堆積する。したがって、シリコン酸化膜１４の表面は、初めは凸凹になっている。しかし、図６の矢印に示すように次第に凸凹が均されて行き、図７に示すように、最終的なシリコン酸化膜１４の表面の凸凹は数ｎｍのレベルになり、十分に滑面化される。これは、生成されたばかりのシリコン酸化膜１４が自己流動性を有しているためと考えられる。
このシリコン酸化膜１４の滑らかな表面によって、フィールドスルー孔１５の内周面が画成される。
シリコン酸化膜１４の成膜操作は、一回に限られず、複数回行うことにしてもよい。これにより、複数積層されたシリコン酸化膜を得ることができる。積層を重ねるほど、フィールドスルー孔１５の内周面がより滑らかになる。
【００２７】
次に、この滑らかなフィールドスルー孔１５の内部にスパッタ法によりシード層を形成する。
そして、図２に示すように、フィールドスルー孔１５の内部にＣｕをめっきにて充填し、フィールドスルー配線１７とする。フィールドスルー孔１５の内周面が滑らかになっているので、フィールドスルー孔１５の内周面とフィールドスルー配線１７との間に隙間ができるのを確実に防止することができる。
【００２８】
次に、基板１１に素子本体１２を固定する。この素子本体１２とフィールドスルー配線１７をリード線１８で繋ぐ。そして、封止カバー１３を真空下で陽極接合し、基材１１と封止カバー１３の間の空間１０ａを真空密閉する。フィールドスルー孔１５の滑らかな内周面とフィールドスルー配線１７との間が確実に密着されているので、そこからリークが起きるのを防止でき、空間１０ａを確実に密閉空間とすることができる。この結果、密閉空間１０ａ内の素子本体１２の信頼性を高めることができる。
【００２９】
その後、１個のＭＥＭＳ素子１０ごとに基板１１及び封止カバー１３を切り出す。これにより、自己気密型のＭＥＭＳ素子１０が完成する。
【００３０】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
第２実施形態
上記第１実施形態のＭＥＭＳ素子１０では、基板１１としてシリコン基板を用いていたが、これに代えてガラス基板を用いてもよい。この場合、貫通孔は、ドライエッチングに代えて、サンドブラストを用いるとよい。サンドブラストの場合も複数回繰返して行い、孔を段階的に深くしていく。このため、貫通孔の内壁には、一回のサンドブラストで形成した部分と次のサンドブラストで形成した部分との間に、高さ数μｍ程度の凸部が形成され、貫通孔の内周面が凸凹な粗面になる。そこで、第１実施形態と同様の成膜装置２０を用いて、大気圧下で貫通孔の内壁にシリコン酸化膜を形成する。すると、シリコン酸化膜の表面は、貫通孔の凸凹に拘わらず滑面になる。ひいては、フィールドスルー孔の内周面を滑面化することができる。
【００３１】
第３実施形態
本発明は、マイクロ構造体の孔の内周面の滑面処理に限られず、凸部の外周面の滑面処理にも適用できる。本発明の適用対象であるマイクロ構造体は、最終製品であるＭＥＭＳ素子の部品に限られず、ＭＥＭＳ素子部品を得るための製造手段を構成する型見本や金型をも含む。
図１３及び図１４は、金型４０を用いてマイクロ構造体の硬質樹脂部品５０を成形する実施形態を示したものである。金型４０は、ニッケルにて構成されている。１つの金型４０に複数の樹脂製マイクロ部品５０のための成形型部分４１が形成されている。成形型部分４１は、最終目的物である樹脂製マイクロ部品５０を反転させた形状を有している。
【００３２】
樹脂製マイクロ部品５０は、直線状の凸部５２を有している。これに対応して、金型４０には、直線状の凹部４２が形成されている。
図１３に示すように、成形時にはマイクロ部品５０となるべき樹脂の一部が金型４０の凹部４２に充填される。この凹部４２内の樹脂がマイクロ部品５０の凸部５２となる。図１４に示すように、離型時には凸部５２が凹部４２から引き抜かれることになる。このとき、金型４０の凹部４２の内周面が凸凹になっていると、離型性が悪く、マイクロ部品５０や金型の破損、性能低下、短寿命化などを招く結果となる。
そこで、本発明の滑面化方法により金型４０の凹部４２の内周面が凸凹にならないようにしたものである。
【００３３】
金型４０の製造工程を説明する。
まず、最終目的物である樹脂製マイクロ部品５０の型見本を製作する。型見本の材料にはシリコン基板を用いる。このシリコン基板をドライエッチングすることにより、図８に示すように、シリコン製の型見本６０を形成する。
【００３４】
型見本６０には、複数の樹脂製マイクロ部品５０に対応する型見本部分６１が形成されている。各型見本部分６１は、直線状の凸部６２を有し、最終目的物である樹脂製マイクロ部品５０と同一形状をしている。（型見本部分６１は、特許請求の範囲の「マイクロ構造体」を構成している。）
一方、型見本６０は、第１実施形態と同様にドライエッチングを複数回繰り返して所定の形状にしていくため、図９に拡大して示すように、直線状凸部６２の外周面は、数百ｎｍの凸凹になっている。
【００３５】
次に、成膜工程を実行する。成膜装置として、第１実施形態と同様の大気圧プラズマＣＶＤ装置２０を用いることができる。大気圧下において装置２０の処理ヘッド３０から有機シリコン化合物のＴＭＯＳと放電空間３０ａでプラズマ化した酸素とを吹出し、型見本６０の直線状凸部６２の外周面に接触させる。型見本６０の直線状凸部６２以外の部分にはマスキングをしておくとよい。型見本６０の温度は、４００℃程度に設定しておくのが好ましい。これによって、図１０に示すように、直線状凸部６２の外周面にシリコン酸化膜６３が被膜される。シリコン酸化膜６３の表面は、自己流動性によって滑らかになっていく。
【００３６】
以下、シリコン酸化膜６３が被膜された直線状凸部６２を「被膜凸部６４」という。被膜凸部６４の外径が、樹脂マイクロ部品５０の直線状凸部５２の外径と等しくなるように、上記ドライエッチング時に直線状凸部６２の外径を設定しておく。
【００３７】
次に、図１１に示すように、型見本６０に金属めっきを行なう。めっき材料は、離型性の良いニッケルが好ましい。このめっきが、金型４０となる。
【００３８】
金型４０となるべきめっきは、型見本６０の被膜凸部６４を含む型面部に被さる。図１１において円部を拡大して示すように、金型４０となるべきめっきが被膜凸部６４と接触する面は、被膜凸部６４の外周面に倣って滑らかになる。
【００３９】
次に、図１２の仮想線に示すように、シリコン製の型見本６０をエッチングにて除去する。エッチング用ガスは、ＳＦ６とＯ２の混合ガス、又はＣ４Ｆ８とＯ２の混合ガス等を用いるのが好ましい。このエッチングによって、直線状凸部６２は勿論、外周のシリコン酸化膜６３も除去される。これによって、金型４０が完成する。出来上がった金型４０の直線状凹部４２の内周面は平滑になっている。
【００４０】
図１３に示すように、この金型４０を用いて樹脂マイクロ部品５０の成形を行なう。すなわち、マイクロ部品５０となるべき樹脂を金型４０の各成形型部分４１に充填する。この樹脂は、成形型部分４１の直線状凹部４２にも充填される。
【００４１】
次に、図１４に示すように、樹脂５０を金型４０から離型する。金型４０の直線状凹部４２の内周面は滑らかになっているので、直線状凹部４２内の樹脂が引っ掛かることがなく、直線状凹部４２からスムーズに引き抜くことができる。これによって、離型作業を容易に行なうことができる。ひいては、金型４０やマイクロ部品５０が破損するのを防止することができる。
【００４２】
本発明は、上記実施形態に限られず、種々の改変をなすことができる。
例えば、本発明の滑面処理方法は、マイクロ構造体の孔の内周面や凸部の外周面等の周側面に限られず、孔の底面、凸部の端面、表側面、裏側面等、マイクロ構造体の種々の面部分に広く適用することができる。
大気圧プラズマＣＶＤ装置２０に代えてオゾナイザーを用い、活性化された無機酸としてオゾンを得るようにし、このオゾンとＴＭＯＳ等の有機シリコン化合物とを接触させることにしてもよい。
有機シリコン化合物をもＣＶＤ装置２０のプラズマ放電空間３０ａに通すことにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
この発明は、ＭＥＭＳ素子等のマイクロ構造体の製造技術に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るマイクロ構造体の断面図である。
【図２】上記マイクロ構造体のフィールドスルー部を拡大して示す断面図である。
【図３】（ａ）は、上記フィールドスルー用の貫通孔を形成するための最初のドライエッチングを行なった状態を示し、（ｂ）は次のドライエッチングを行なった状態を示す断面図である。
【図４】上記フィールドスルー用の貫通孔の断面図である。
【図５】上記フィールドスルー用の貫通孔の内周面を滑面処理するための成膜工程を示す断面図である。
【図６】上記フィールドスルー用の貫通孔の内周面にシリコン酸化膜が堆積した直後の状態を示す断面図である。
【図７】上記フィールドスルー用の貫通孔の内周面にシリコン酸化膜を被膜することにより滑面処理した状態を示す断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係るシリコン製型見本の断面図である。
【図９】上記シリコン製型見本の直線状凸部を拡大して示す断面図である。
【図１０】上記直線状凸部の外周面にシリコン酸化膜を被膜することにより滑面処理した状態を示す断面図である。
【図１１】上記型見本に樹脂製マイクロ部材用の金型となるべきニッケルめっきを施した状態を示す断面図であり、併せて上記シリコン酸化膜を被膜した直線状凸部の外周部分を拡大して示す。
【図１２】上記ニッケルめっきから型見本をエッチングし、金型を得る状態を示す断面図であり、併せて上記直線状凸部に対応する直線状凹部の内周部分を拡大して示す。
【図１３】上記金型で樹脂製マイクロ部材を成膜する状態を示す断面図である。
【図１４】上記金型から樹脂製マイクロ部材を抜き出す状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０    ＭＥＭＳ素子
１０ａ  密閉空間
１１    基板（マイクロ構造体）
１１ａ  貫通孔
１１ｂ  凸部
１２    素子本体
１３    封止カバー
１４    シリコン酸化膜
１５    フィールドスルー孔（シリコン酸化膜形成後の貫通孔）
１６    フィールドスルー配線
１７    リード配線
２０    大気圧プラズマ放電処理装置（無機酸の活性化手段）
２１    第１ガス源（有機シリコン化合物源）
２２    第２ガス源（無機酸源）
２３    電源
３０    処理ヘッド
３０ａ  大気圧プラズマ放電空間
３１，３２  電極
４０    金型
４１    成形型部分
４２    直線状凹部
５０    樹脂製マイクロ構造体
５２    直線状凸部
６０    シリコン製型見本
６１    型見本部分（マイクロ構造体）
６２    直線状凸部
６３    シリコン酸化膜
６４    被膜凸部（シリコン酸化膜形成後の直線状凸部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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