(57)【要約】【課題】マスクの再生を容易かつ確実に行い得るマスクの再生方法を提供することにある。【解決手段】本発明のマスクの再生方法は、シリコンおよび／またはガラスで構成され、導電性を有する無機物質を成膜する際に使用されるマスクを、使用後に再生する方法であり、マスクに、硝酸およびリン酸のうちの少なくとも一方を含む第１の処理液を接触させて、マスクに付着した無機物質を除去する第１の工程と、マスクに、アンモニアおよび過酸化水素を含有する第２の処理液を接触させて、マスクに付着・残存する不要物を除去する第２の工程とを有する。【選択図】図１
2007162102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンおよび／またはガラスで構成され、導電性を有する無機物質を気相成膜法により成膜する際に使用されるマスクを、使用後に再生するマスクの再生方法であって、
前記マスクに、硝酸およびリン酸のうちの少なくとも一方を含む第１の処理液を接触させて、前記マスクに付着した前記無機物質を除去する第１の工程と、
前記マスクに、アンモニアおよび過酸化水素を含む第２の処理液を接触させて、前記マスクに付着・残存する不要物を除去する第２の工程とを有することを特徴とするマスクの再生方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、前記第１の処理液の前記マスクへの接触は、前記マスクを前記第１の処理液中に浸漬することにより行われる請求項１に記載のマスクの再生方法。
【請求項３】
前記マスクの前記第１の処理液への浸漬時間は、０．５〜５時間である請求項２に記載のマスクの再生方法。
【請求項４】
前記第１の工程において、前記第１の処理液の温度は、０〜４０℃である請求項１ないし３のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項５】
前記第１の工程において、前記マスクおよび前記第１の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与える請求項１ないし４のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項６】
前記第１の処理液は、前記硝酸および前記リン酸の双方を含み、
前記第１の処理液中における前記硝酸と前記リン酸との配合比は、重量比で５０：１〜１：５０である請求項１ないし５のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項７】
前記第１の処理液中における前記硝酸および前記リン酸の合計の含有量は、２０〜６０ｗｔ％である請求項１ないし６のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項８】
前記第１の処理液は、さらに有機酸を含む請求項７に記載のマスクの再生方法。
【請求項９】
前記第１の処理液中における前記有機酸の含有量は、０．１〜１０ｗｔ％である請求項８に記載のマスクの再生方法。
【請求項１０】
前記有機酸は、酢酸を主成分とするものである請求項８または９に記載のマスクの再生方法。
【請求項１１】
前記無機物質は、アルミニウムである請求項１ないし１０のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１２】
前記第２の工程において、前記第２の処理液の前記マスクへの接触は、前記マスクを前記第２の処理液中に浸漬することにより行われる請求項１ないし１１のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１３】
前記マスクの前記第２の処理液への浸漬時間は、１〜６０分間である請求項１２に記載のマスクの再生方法。
【請求項１４】
前記第２の工程において、前記第２の処理液の温度は、２０〜９０℃である請求項１ないし１３のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１５】
前記第２の工程において、前記マスクおよび前記第２の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与える請求項１ないし１４のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１６】
前記第２の処理液中における前記アンモニアと前記過酸化水素との配合比は、体積比で２：８〜８：２である請求項１ないし１５のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１７】
前記第２の工程の後、アルコールを用いて前記マスクの乾燥を行う第３の工程を有する請求項１ないし１６のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１８】
前記第３の工程の後、前記マスクに熱処理を施す第４の工程を有する請求項１７に記載のマスクの再生方法。
【請求項１９】
前記第４の工程の後、前記マスクの表面に、前記無機物質と前記マスクとの密着性を低減する密着性低減処理を施す第５の工程を有する請求項１８に記載のマスクの再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクの再生方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
成膜方法には、例えば、スパッタリング法や蒸着法等があり、マスクを用いて成膜することにより、薄膜をパターニングすることがある。
ところが、マスクを用いる成膜では、基板（被処理体）の表面と同時に、マスクにも薄膜が形成されてしまう。このため、同一のマスクを繰り返して使用すると、マスクに付着した薄膜も厚くなってマスクの精度が悪くなり、その結果、基板に形成される薄膜の寸法精度も低下する。
そこで、マスクを複数回使用した後には、マスクに形成された薄膜を除去して、マスクの再生が行われる（例えは、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載には、予めマスクの表面にポリパラキシリレンまたはその誘導体の蒸着層を形成しておき、マスクを複数回使用後、マスクに形成された薄膜を、前記蒸着層毎、除去する方法が開示されている。
ところが、かかる方法では、蒸着層を除去する度に、マスクの表面に新たな蒸着層を形成しなければならず、その操作が煩雑であるという問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２１７９６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、マスクの再生を容易かつ確実に行い得るマスクの再生方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のマスクの再生方法は、シリコンおよび／またはガラスで構成され、導電性を有する無機物質を気相成膜法により成膜する際に使用されるマスクを、使用後に再生するマスクの再生方法であって、
前記マスクに、硝酸およびリン酸のうちの少なくとも一方を含む第１の処理液を接触させて、前記マスクに付着した前記無機物質を除去する第１の工程と、
前記マスクに、アンモニアおよび過酸化水素を含む第２の処理液を接触させて、前記マスクに付着・残存する不要物を除去する第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、マスクの変質・劣化を防止しつつ、無機物質を除去して、マスクの再生を容易かつ確実に行なうことができる。
【０００７】
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の工程において、前記第１の処理液の前記マスクへの接触は、前記マスクを前記第１の処理液中に浸漬することにより行われることが好ましい。
浸漬法によれば、比較的容易に無機物質の除去を行うことができ、また、多量のマスクを同時に処理し得ることからも好ましい。
【０００８】
本発明のマスクの再生方法では、前記マスクの前記第１の処理液への浸漬時間は、０．５〜５時間であることが好ましい。
このような時間、第１の処理液中にマスクを浸漬することにより、マスクに付着した無機物質をより確実に除去することができる。特にマスクを蒸着法による成膜に適用した場合において、無機物質のスプラッシュ（塊状物）が付着した場合でも、このスプラッシュをも確実に除去することができる。
【０００９】
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の工程において、前記第１の処理液の温度は、０〜４０℃であることが好ましい。
このような温度に第１の処理液を設定することにより、第１の処理液の無機物質に対する溶解度を十分に高い状態に維持することができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の工程において、前記マスクおよび前記第１の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与えることが好ましい。
これにより、無機物質の除去効率をより確実に向上させることができる。
【００１０】
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の処理液は、前記硝酸および前記リン酸の双方を含み、
前記第１の処理液中における前記硝酸と前記リン酸との配合比は、重量比で５０：１〜１：５０であることが好ましい。
このような配合比で、硝酸とリン酸とを含むことにより、第１の処理液の無機物質に対する溶解度が特に高いものとなる。
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の処理液中における前記硝酸および前記リン酸の合計の含有量は、２０〜６０ｗｔ％であることが好ましい。
このような量で硝酸および／またはリン酸を含有することにより、第１の処理液による無機物質の除去効率（除去速度）をより向上させることができる。
【００１１】
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の処理液は、さらに有機酸を含むことが好ましい。
硝酸およびリン酸の双方を含むと、これらの相乗効果により第１の処理液の無機物質に対する溶解度がより高まり、かつ、有機酸を配合（混合）することにより、第１の処理液の無機物質に対する溶解度を高い状態に維持しつつシリコンやガラスの溶解度が不要に高くなるのを防止することができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の処理液中における前記有機酸の含有量は、０．１〜１０ｗｔ％であることが好ましい。
第１の処理液が、このようなで有機酸を含むことで、第１の処理液のシリコンやガラスの溶解度が不要に高くなるのを防止する効果が十分に得られる。
【００１２】
本発明のマスクの再生方法では、前記有機酸は、酢酸を主成分とするものであることが好ましい。
酢酸を主成分とする有機酸を用いることにより、第１の処理液中に少量配合するだけで、前述したような第１の処理液のシリコンやガラスの溶解度が不要に高くなるのを防止する効果が十分に得られる。
本発明のマスクの再生方法では、前記無機物質は、アルミニウムであることが好ましい。
第１の処理液は、Ａｌに対する溶解度が特に高いことから、本発明は、Ａｌの成膜に用いるマスクの再生に適用するのが好適である。
【００１３】
本発明のマスクの再生方法では、前記第２の工程において、前記第２の処理液の前記マスクへの接触は、前記マスクを前記第２の処理液中に浸漬することにより行われることが好ましい。
浸漬法によれば、比較的容易に不要物の除去を行うことができ、また、多量のマスクを同時に処理し得ることからも好ましい。
本発明のマスクの再生方法では、前記マスクの前記第２の処理液への浸漬時間は、１〜６０分間であることが好ましい。
このような時間、第２の処理液中にマスクを浸漬することにより、マスクの変質・劣化を防止しつつ、マスクに付着した不要物をより確実に除去することができる。
【００１４】
本発明のマスクの再生方法では、前記第２の工程において、前記第２の処理液の温度は、２０〜９０℃であることが好ましい。
このような温度に第２の処理液を設定することにより、マスクに付着した不要物を短時間で（効率よく）除去することができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記第２の工程において、前記マスクおよび前記第２の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与えることが好ましい。
これにより、不要物の除去効率をより確実に向上させることができる。
【００１５】
本発明のマスクの再生方法では、前記第２の処理液中における前記アンモニアと前記過酸化水素との配合比は、体積比で２：８〜８：２であることが好ましい。
このような配合比で、アンモニアと過酸化水素とを含むことにより、第２の処理液のマスク（シリコンやガラス）に対する溶解度が極端に高くなるのを防止しつつ、不要物とマスクとの間に十分大きい静電的な反発力を生じさせることができる。
【００１６】
本発明のマスクの再生方法では、前記第２の工程の後、アルコールを用いて前記マスクの乾燥を行う第３の工程を有することが好ましい。
かかる方法によれば、マスクに付着する水分を確実に除去することができるとともに、ウォータマークの発生や、パーティクルの付着を好適に防止または抑制することができる。
【００１７】
本発明のマスクの再生方法では、前記第３の工程の後、前記マスクに熱処理を施す第４の工程を有することが好ましい。
これにより、マスクに残存（付着）する水等の液体や、有機物等を確実に除去することができる。これら（特に液体）の除去を十分に行っておくことにより、成膜時にチャンバー内を減圧したとき、これらの蒸発（気化）による圧力変化が生じず、チャンバー内を成膜に必要な高い真空度に確実に維持することができる。その結果、均一かつ均質な無機膜を形成（成膜）することができる。
【００１８】
本発明のマスクの再生方法では、前記第４の工程の後、前記マスクの表面に、前記無機物質と前記マスクとの密着性を低減する密着性低減処理を施す第５の工程を有することが好ましい。
これにより、マスクを再使用する際に、マスクへの無機物質の付着量を低減することができ、１回の再生処理後、次の再生処理を行うまでの使用回数を増大することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のマスクの再生方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明のマスクの再生方法の実施形態のフローを示す図、図２は、マスクの一例を示す斜視図である。
本発明のマスクの再生方法は、シリコンおよび／またはガラスで構成され、導電性を有する無機物質（金属および／または金属酸化物）を気相成膜法により成膜する際に使用されるマスクを、使用後に再生する方法である。これにより、マスクを再利用することができる。
【００２０】
かかるマスクとしては、例えば、シリコンで構成されたマスク、ガラスで構成されたマスク、ガラスで構成された支持基板（枠体）に、シリコンで構成されたチップ（小片状の単位マスク）を複数接合したマスク（図２参照）等が挙げられる。
なお、支持基板にチップを接合する方法としては、例えば、陽極接合、エポキシ系接着剤等の耐薬品性に優れる接着剤による接着等が挙げられる。
また、無機物質を成膜する方法（気相成膜法）としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ、イオンプレーティング等が挙げられる。
【００２１】
図１に示すマスクの再生方法は、使用済み（所定回数成膜に使用した後）のマスクを第１の処理液により処理する第１の処理工程１０と、処理後のマスクを水洗する水洗工程２０と、水洗後のマスクを乾燥する乾燥工程３０と、乾燥後のマスクを第２の処理液により処理する第２の処理工程４０と、処理後のマスクを水洗する水洗工程５０と、水洗後のマスクを乾燥する乾燥工程６０と、乾燥後のマスクに熱処理を施す熱処理工程７０と、熱処理後のマスクに密着性低減処理を施す密着性低減処理工程８０とを有している。
【００２２】
以下、各工程について順次説明する。
［Ｉ］  第１の処理工程（第１の工程）１０
まず、使用済みのマスクに、第１の処理液を接触させる。これにより、マスクに付着した無機物質（金属元素を含む無機物質）を除去する。
第１の処理液には、硝酸およびリン酸のうちの少なくとも一方を含む水溶液を用いる。硝酸およびリン酸は、いずれも、無機物質（金属や金属酸化物）の溶解度が高い一方で、シリコンやガラスに対する溶解度が極めて低い。
このため、かかる第１の処理液をマスクに接触させると、第１の処理液に無機物質が溶解して、マスクから除去される。また、かかる第１の処理液は、酸性を示すため、シリコンやガラスに対する溶解度が低いため、マスクの変質・劣化を防止することができる。
【００２３】
ここで、無機物質としては、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）またはこれらを含む合金等の金属、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物が挙げられる。中でも、第１の処理液は、Ａｌに対する溶解度が特に高いことから、本発明は、Ａｌの成膜に用いるマスクの再生に適用するのが好適である。
【００２４】
第１の処理液中における硝酸およびリン酸の合計の含有量（含有率）は、特に限定されないが、２０〜６０ｗｔ％（重量％）程度であるのが好ましく、３０〜５０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。このような量で硝酸および／またはリン酸を含有することにより、第１の処理液による無機物質の除去効率（除去速度）をより向上させることができる。
また、第１の処理液は、硝酸およびリン酸のうちの少なくとも一方を含めばよいが、これらの双方を含むものが好ましい。硝酸およびリン酸の双方を含むと、これらの相乗効果により第１の処理液の無機物質に対する溶解度がより高まる。これにより、マスクから、より迅速に無機物質を溶解・除去することが可能となる。
この場合、硝酸とリン酸との配合比は、重量比で５０：１〜１：５０であるのが好ましく、４０：１〜１：４０であるのがより好ましい。このような配合比で、硝酸とリン酸とを含むことにより、第１の処理液の無機物質に対する溶解度が特に高いものとなる。特に、無機物質がＡｌである場合、硝酸に対してリン酸の配合量が多くなるように、第１の処理液を調製するのが好ましい。
【００２５】
また、硝酸およびリン酸の双方を含む場合、第１の処理液は、さらに有機酸を含むものが好ましい。硝酸およびリン酸の双方を含むと、これらの配合比（混合比）、温度等によっては、第１の処理液のシリコンやガラスの溶解度が高くなる傾向を示すことがあるが、有機酸を配合（混合）することにより、第１の処理液の無機物質に対する溶解度を高い状態に維持しつつ、シリコンやガラスの溶解度が不要に高くなるのを防止することができる。これにより、マスクの変質・劣化を確実に防止して、マスクの繰り返して使用可能な回数の増大を図ることができる。
【００２６】
このような有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、ソルビン酸、フマル酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、有機酸としては、酢酸を主成分とするものを用いるのが好ましい。酢酸を主成分とする有機酸を用いることにより、第１の処理液中に少量配合するだけで、前述したような第１の処理液のシリコンやガラスの溶解度が不要に高くなるのを防止する効果が十分に得られる。
【００２７】
第１の処理液に有機酸を配合する場合、第１の処理液中における有機酸の含有量は、０．１〜１０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１〜５ｗｔ％程度であるのがより好ましい。第１の処理液が、このようなで有機酸を含むことで、第１の処理液のシリコンやガラスの溶解度が不要に高くなるのを防止する効果が十分に得られる。
なお、除去すべき無機物質の種類によっては、有機酸に代えて、例えば、塩酸、硫酸等の他の無機酸を配合（混合）するようにしてもよく、有機酸と他の無機酸とを組み合わせて配合するようにしてもよい。
【００２８】
マスクに第１の処理液を接触させる方法としては、例えば、第１の処理液中にマスクを浸漬する方法（浸漬法）、第１の処理液をマスクに塗布する方法（塗布法）、第１の処理液をマスクに霧状（ミスト状）に供給する方法（噴霧法）等が挙げられるが、中でも、浸漬法を用いるのが好ましい。浸漬法によれば、比較的容易に無機物質の除去を行うことができ、また、多量のマスクを同時に処理し得ることからも好ましい。
【００２９】
この場合、第１の処理液中にマスクを浸漬する時間は、無機物質の付着量（被着量）、第１の処理液の組成、温度等によっても若干異なり、特に限定されないが、０．５〜５時間程度であるのが好ましく、１〜３時間程度であるのがより好ましい。このような時間、第１の処理液中にマスクを浸漬することにより、マスクに付着した無機物質をより確実に除去することができる。特にマスクを蒸着法による成膜に適用した場合において、無機物質のスプラッシュ（塊状物）が付着した場合でも、このスプラッシュをも確実に除去することができる。
【００３０】
また、第１の処理液の温度は、特に限定されないが、０〜４０℃程度であるのが好ましく、１０〜３０℃程度であるのがより好ましい。このような温度に第１の処理液を設定することにより、第１の処理液の無機物質に対する溶解度を十分に高い状態に維持することができる。なお、第１の処理液の温度を前記上限値を超えて高くすると、第１の処理液中の液性成分（水分）が揮発し易くなり、第１の処理液の組成、ｐＨ等を一定に保持することが難しくなる。
【００３１】
また、本工程［Ｉ］は、マスクおよび第１の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与えつつ行うのが好ましい。これにより、無機物質の除去効率をより確実に向上させることができる。
与える超音波としては、周波数が好ましくは２０〜７０ｋＨｚ程度、より好ましくは３０〜５０ｋＨｚ程度、出力が好ましくは１００〜７５０Ｗ程度、より好ましくは３００〜５００Ｗ程度が好適である。
なお、前述した浸漬法を用いる場合、マスクの全体を第１の処理液に浸漬するようにしてもよく、無機物質が付着（被着）した部分を、選択的に第１の処理液に接触させるようにしてもよい。
【００３２】
［II］  水洗工程（洗浄工程）２０
次に、第１の処理液による処理後のマスクを水洗する。これにより、マスクに付着した第１の処理液を除去する。
用いる水としては、特に限定されないが、例えば、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水、ＲＯ水等が挙げられる。
【００３３】
また、水洗の方法としては、例えば、流水にマスクを曝す方法、水槽に貯留された水を所定時間毎に交換しつつ、水中にマスクを浸漬する方法等が挙げられるが、中でも、流水にマスクを曝す方法が好ましい。
この場合、マスクを流水に曝す時間は、特に限定されないが、１〜３０分間程度であるのが好ましく、５〜２０分間程度であるのがより好ましい。
また、水の温度は、常温程度とするのが好ましい。
【００３４】
［III］  乾燥工程３０
次に、水洗後のマスクを乾燥する。これにより、マスクに付着する水分を除去することができ、次工程［IV］における処理をより迅速に行うことができる。
マスクを乾燥する方法としては、例えば、Ａ：マスクをアルコール蒸気に接触させる方法（例えば蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、ロタゴニ乾燥等）、Ｂ：マスクにアルコールを接触させ、アルコールとともに水を蒸発させる方法（ベーパ乾燥）、Ｃ：マスクにガス（例えば不活性ガス等）を吹付ける方法（ブロー乾燥）、Ｄ：マスクを加熱する方法（加熱乾燥）、Ｅ：マスクを回転させる方法（スピン乾燥）、Ｆ：マスクを減圧雰囲気下に置く方法（減圧（真空）乾燥）等が挙げられるが、中でも、ＡまたはＢの方法（すなわち、アルコールを用いてマスクの乾燥を行う方法）が好ましい。これらの方法によれば、マスクに付着する水分を確実に除去することができるとともに、ウォータマークの発生や、パーティクルの付着を好適に防止または抑制することができる。
【００３５】
また、用いるアルコールは、水の沸点である１００℃（常圧）より十分低い沸点のものであればよく、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、本工程［III］および前記工程［II］は、それぞれ、必要に応じて行えばよく、省略することもできる。
【００３６】
［IV］  第２の処理工程（第２の工程）４０
次に、乾燥後のマスクに、第２の処理液を接触させる。これにより、前記工程［Ｉ］の後、マスクに付着・残存する不要物を除去して、マスクの表面を清浄化する。
ここで、不要物（残存物）としては、例えば、前記工程［Ｉ］においてマスクから一旦除去された後、再度マスクに付着した塊状の無機物質、第１の処理液中に含まれる塊状の不純物等のパーティクル（塊状の異物）が挙げられる。
【００３７】
第２の処理液には、アンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液を用いる。かかる第２の処理液をマスクに接触させると、マスクの表面（極浅い部分）が除去（エッチング）されること、不要物とマスクとの間に静電的な反発力が生じること等により、不要物が第２の処理液中に遊離して、マスクから除去される。
このように、マスクから不要物を除去することにより、マスクの開口部の開口率が低下することや、成膜すべき基板（被処理部材）との間に不要物が介在して、基板に対してマスクに位置ズレが生じること等を防止することができ、その結果、マスクを繰り返し使用しても、高い寸法精度で無機物膜を形成（成膜）することができる。
【００３８】
なお、第２の処理液は、シリコンやガラスの除去速度（エッチングレート）が非常に小さい（例えば１０Å／分以下）ため、マスクに機能的に問題となるダメージを与えない。
また、第２の処理液は、アルカリ性（塩基性）を示すため、マスクに前述した第１の処理液（酸水溶液）が付着・残存した場合でも、これを中和することができる。このため、前記工程［II］や工程［III］を省略したり、これらの工程を厳密に行うことを必要としないという利点がある。
【００３９】
第２の処理液中におけるアンモニアと過酸化水素との配合比は、体積比で２：８〜８：２程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。このような配合比で、アンモニアと過酸化水素とを含むことにより、第２の処理液のマスク（シリコンやガラス）に対する溶解度が極端に高くなるのを防止しつつ、不要物とマスクとの間に十分大きい静電的な反発力を生じさせることができる。
なお、第２の処理液中におけるアンモニアの含有量は、５〜３０ｖｏｌ％（容量％）程度であるのが好ましく、１０〜２０ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。
【００４０】
マスクに第２の処理液を接触させる方法としては、前述したような浸漬法、塗布法、噴霧法等が挙げられるが、中でも、浸漬法を用いるのが好ましい。浸漬法によれば、比較的容易に不要物の除去を行うことができ、また、多量のマスクを同時に処理し得ることからも好ましい。
この場合、第２の処理液中にマスクを浸漬する時間は、不要物の付着量、第２の処理液の組成、温度等によっても若干異なり、特に限定されないが、１〜６０分間程度であるのが好ましく、５〜４５分間程度であるのがより好ましい。このような時間、第２の処理液中にマスクを浸漬することにより、マスクの変質・劣化を防止しつつ、マスクに付着した不要物をより確実に除去することができる。
また、第２の処理液の温度は、特に限定されないが、２０〜９０℃程度であるのが好ましく、４０〜８０℃程度であるのがより好ましい。このような温度に第２の処理液を設定することにより、マスクに付着した不要物を短時間で（効率よく）除去することができる。
【００４１】
また、本工程［IV］も、前記工程［Ｉ］と同様の条件で、マスクおよび第２の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与えつつ行うのが好ましい。これにより、不要物の除去効率をより確実に向上させることができる。
なお、前述した浸漬法を用いる場合、マスクの全体を第２の処理液に浸漬するようにしてもよく、不要物が付着した部分を、選択的に第２の処理液に接触させるようにしてもよい。
【００４２】
［Ｖ］  水洗工程（洗浄工程）５０
次に、処理後のマスクを水洗する。これにより、マスクに付着した第２の処理液を除去する。
これは、前記工程［II］と同様にして行うことができる。
［VI］  乾燥工程（第３の工程）６０
次に、水洗後のマスク乾燥する。
これは、前記工程［III］と同様にして行うことができる。
【００４３】
［VII］  熱処理工程（第４の工程）７０
次に、乾燥後のマスクに熱処理を施す。これにより、マスクに残存（付着）する水等の液体や、有機物等を確実に除去することができる。
これら（特に液体）の除去を十分に行っておくことにより、成膜時にチャンバー内を減圧したとき、これらの蒸発（気化）による圧力変化が生じず、チャンバー内を成膜に必要な高い真空度（蒸着法の場合、１０−６Ｔｏｒｒ台）に確実に維持することができる。その結果、均一かつ均質な無機膜を形成（成膜）することができる。
【００４４】
この熱処理における温度は、特に限定されないが、７５〜２５０℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。
熱処理の時間も、特に限定されないが、前記温度範囲の場合、１〜７５分間程度であるのが好ましく、１０〜６０分間程度であるのがより好ましい。
また、熱処理の雰囲気は、例えば、大気、還元雰囲気、不活性雰囲気等が挙げられる。
【００４５】
［VIII］  密着性低減処理工程（第５の工程）８０
次に、熱処理後のマスクに、無機物質との密着性を低減する密着性低減処理を施す。これにより、マスクを再使用する際に、マスクへの無機物質の付着量を低減することができ、１回の再生処理後、次の再生処理を行うまでの使用回数を増大することができる。
この密着性低減処理としては、マスクの表面に、例えば、フッ化炭素系ガスを用いて気相成膜により被膜を形成する方法、フッ素系樹脂を用いて液相成膜により樹脂膜（樹脂層）を形成する方法等が挙げられるが、中でも、前者の方法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、極めて薄い被膜を形成することができることから好ましい。
なお、本工程［VIII］、および前記工程［Ｖ］〜［VII］は、それぞれ、必要に応じて行えばよく、省略することもできる。
【００４６】
以上のような工程を経て、マスクの再生を行うことができる。
なお、本発明のマスクの再生方法を用いれば、マスク上に、除去すべき無機物質よりイオン化傾向が小さい金属（貴金属）を成膜しておけば、かかる貴金属による膜を除去することなく、マスク上に残存させることができる。除去すべき無機物質がＡｌである場合、貴金属としては、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）等が挙げられる。このような貴金属による膜により、例えば、基板（被処理部材）に対してマスクの位置決めを行うアライメントマークを構成することができる。
以上、本発明のマスクの再生方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明のマスクの再生方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
【実施例】
【００４７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．再生用マスクの準備
図２に示すようなマスク３を所定個数用意した。このマスク３は、支持基板４に、複数のチップ５が取り付けられて構成されている。
支持基板４は、平面視で長方形をなすとともに厚さ方向に貫通する開口領域４２を有している。そして、支持基板４には、開口領域４２の周囲に、支持基板４に対してチップ５の位置決めを行うマーク４４が形成されている。
また、支持基板４には、その外周部に、マスク３の使用時において、基板（被処理部材）に対してマスク３の位置決めを行うアライメントマーク４６が形成されている。
【００４８】
複数のチップ５は、支持基板４の開口領域４２を塞ぐように、互いに間隔を隔てて、支持基板４上に行列をなすように配置・接合されている。
各チップ５には、互いに平行に一定間隔で、複数の貫通部５２が形成されている。各貫通部５２は、平面視で線状をなすとともに厚さ方向に貫通し、支持基板４の開口領域４２の長手方向と直交する向きに延在している。
【００４９】
このようなマスク３において、支持基板４を無アルカリガラス（日本電気ガラス社製、「ＯＡ−１０」）を用いて形成し、チップ５を面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用いて形成し、これらをエポキシ系接着剤を用いて固定した。また、アライメントマーク４６は、Ｃｒ製の金属膜で構成した。
各マスク３を用いて、それぞれ、蒸着法により基板上にＡｌを成膜した。この操作を、マスクに約３μｍのＡｌ膜が形成されるまで複数回繰り返して行った。
【００５０】
２．マスクの再生および評価
（実施例１）
＜１＞  まず、４２ｗｔ％のリン酸水溶液と、６１ｗｔ％の硝酸水溶液と、９９．５ｗｔ％以上の酢酸水溶液とを、体積比４０：１：２で混合して、混酸水溶液（第１の処理液）を調製した。
したがって、混酸水溶液中において、硝酸とリン酸との配合比は、重量比で約１：２８であり、硝酸およびリン酸の合計の含有量は、約４０ｗｔ％であり、酢酸の含有量は約５ｗｔ％である。
この混酸水溶液（２０℃）中にマスクを２時間浸漬した。なお、この際、混酸水溶液に４５ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を与えた。
＜２＞  次に、純水の流水下に、マスクを２０分間水洗した。
＜３＞  次に、ｉ−プロピルアルコールを用いて、マスクをマランゴニ乾燥した。
【００５１】
＜４＞  次に、アンモニアと過酸化水素と水とを、体積比で１：１：５で混合して、アンモニア過水（第２の処理液）を調製した。
したがって、アンモニア過酸化水素水溶液中におけるアンモニアの含有量は、約１４．３ｖｏｌ％である。
このアンモニア過酸化水素水溶液（７０℃）中にマスクを１０分間浸漬した。なお、この際、アンモニア過酸化水素水溶液に４５ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を与えた。
＜５＞  次に、純水の流水下に、マスクを２０分間水洗した。
＜６＞  次に、ｉ−プロピルアルコールを用いて、マスクをマランゴニ乾燥した。
【００５２】
（実施例２）
前記工程＜１＞において、リン酸水溶液と、硝酸水溶液と、酢酸水溶液とを、体積比２０：２：１で混合して、混酸水溶液（第１の処理液）を調製した以外は、前記実施例１と同様にして、マスクの再生を行った。
したがって、混酸水溶液中において、硝酸とリン酸との配合比は、重量比で約１：７であり、硝酸およびリン酸の合計の含有量は、約４２ｗｔ％であり、酢酸の含有量は約４ｗｔ％である。
【００５３】
（実施例３）
前記工程＜１＞において、リン酸水溶液と、硝酸水溶液と、酢酸水溶液とを、体積比２０：５：１で混合して、混酸水溶液（第１の処理液）を調製した以外は、前記実施例１と同様にして、マスクの再生を行った。
したがって、混酸水溶液中において、硝酸とリン酸との配合比は、重量比で約１：３であり、硝酸およびリン酸の合計の含有量は、約４４ｗｔ％であり、酢酸の含有量は約４ｗｔ％である。
【００５４】
（実施例４）
前記工程＜１＞において、４２ｗｔ％のリン酸水溶液を単独で用いた以外は、前記実施例１と同様にして、マスクの再生を行った。
（実施例５）
前記工程＜１＞において、６１ｗｔ％の硝酸水溶液を単独で用いた以外は、前記実施例１と同様にして、マスクの再生を行った。
【００５５】
（比較例）
前記工程＜１＞において、９９．５ｗｔ％以上の酢酸水溶液を単独で用いた以外は、前記実施例１と同様にして、マスクの再生を行った。
各実施例および比較例において、再生後のマスクの表面を金属顕微鏡により観察した。
その結果、各実施例では、いずれもＡｌおよびパーティクルの付着はいずれも確認されず、清浄化していた。また、マスクの表面の荒れも確認されず、アライメントマークもほぼ元の形状で残存していることが確認された。
これに対して、比較例では、Ａｌが除去されず、マスクの表面に付着していた。
【００５６】
３．酸水溶液のＡｌの溶解速度の確認
各実施例および比較例の酸水溶液について、それぞれ、Ａｌの溶解速度（エッチングレート）を測定したところ、下記表１に示すような結果が得られた。
【００５７】
【表１】
2007162102.tif 000003
【００５８】
表１に示すように、リン酸水溶液、硝酸水溶液単独に対して、混酸水溶液では、いずれも明らかにＡｌの溶解速度が高かった。
これは、混酸水溶液を用いることにより、マスクの再生をより短時間で行い得ることを示唆する結果である。
また、ＩＴＯ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕの成膜を行ったマスクの再生を、硝酸、リン酸および酢酸（または他の酸）の配合量を変更して、前記と同様にして行った。その結果、マスクの変質・劣化を伴うことなく、ＩＴＯ、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕの除去が可能であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明のマスクの再生方法の実施形態のフローを示す図である。
【図２】マスクの一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
３……マスク  ４……支持基板  ４２……開口領域  ４４……マーク  ４６……アライメントマーク  ５……チップ  ５２……貫通部
【図１】
2007162102.tif 000004
【図２】
2007162102.tif 000005