(57)【要約】【課題】データ線が形成される基板上に遮光膜を形成する構造の電気光学装置において、データ線があるにもかかわらず遮光膜の幅を広くできるようにする。【解決手段】第１透光性基板７ａと液晶層１２との間に設けられた第１樹脂膜２２と、第１樹脂膜２２と液晶層１２との間に設けられた第２樹脂膜２３と、基板７ａと第１樹脂膜２２との間に設けられたデータ線１９と、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の間に設けられた遮光膜２８とを有する電気光学装置である。この電気光学装置では、データ線１９と遮光膜２８とを異なる平面上に設けたので、遮光膜２８の幅をデータ線１９と平面的に重なる領域まで広くできる。それ故、基板７ａを透過した透過光が光反射膜２４同士の間から反射表示領域Ｒ内に漏れ出ることを防止できる。【選択図】図３
2007199340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を支持する基板と、該基板と前記電気光学物質との間に設けられた第１樹脂膜と、該第１樹脂膜と前記電気光学物質との間に設けられた第２樹脂膜と、前記基板と前記第１樹脂膜との間に設けられた導電膜と、前記第１樹脂膜と前記第２樹脂膜の間に設けられた遮光膜とを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記基板上にはサブ画素が複数並べて設けられ、個々の前記サブ画素の領域内には光反射膜が設けられ、前記遮光膜は、互いに隣接する前記サブ画素同士の境界であって、互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記遮光膜の幅をａとし、互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域の幅をｂとしたとき、
ａ＞ｂ
であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
電気光学物質を支持する基板と、該基板と前記電気光学物質との間に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜と前記電気光学物質との間に設けられた第２樹脂膜と、該第２樹脂膜内に設けられた凹部と、前記基板と前記第１樹脂膜との間に設けられた導電膜と、前記基板と前記第１樹脂膜の間であって前記凹部に対向して設けられた第１遮光膜と、前記第１樹脂膜と前記第２樹脂膜の間であって前記凹部の両側の側面に隣接して設けられた第２遮光膜とを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４記載の電気光学装置において、前記基板上にはサブ画素が平面的に複数並べて設けられ、前記凹部は互いに隣接する前記サブ画素同士の境界に沿った溝形状に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５記載の電気光学装置において、個々の前記サブ画素の領域内には光反射膜が設けられ、前記凹部は互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域に設けられ、前記第１遮光膜は互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域に設けられ、前記第２遮光膜は前記凹部の両側に当該凹部の側面に隣接して設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項４から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記第１遮光膜の幅をｃとし、互いに隣接する前記第２遮光膜同士の間隔をｄとしたとき、
ｃ≧ｄ
であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項４から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜によって遮光される領域の幅をｅとし、互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域の幅をｆとしたとき、
ｅ＞ｆ
であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機の各種の電子機器では、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、電気光学装置が用いられている。この電気光学装置としては、例えば、電気光学物質である液晶によって光を変調することにより文字、数字、図形等といった像を表示する液晶表示装置等が多く用いられている。液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を有する一対の基板間にシール材によって囲まれた空間を形成し、その空間内に液晶を封止する構造を有する。それらの電極を平面的に重ねて見ると、電極が重なる領域が行方向及び列方向にマトリクス状に並び、これらの各領域でサブ画素を構成する。そして、個々のサブ画素内に存在する液晶に印加する電圧を画素ごとに制御して液晶の配向を制御することにより表示が行われる。
【０００３】
この液晶表示装置として、例えば、透光性のガラス基板上にＴＦＤ（Thin-Film-Diode）素子等のスイッチング素子や信号線等の導電パターンを形成し、その上に樹脂膜を形成し、その上に光反射膜を形成した構造のものが知られている。このような構造の液晶表示装置として、例えば半透過反射型の液晶表示装置がある。半透過反射型液晶表示装置では、表示が行われるときのその表示の最小単位であるサブ画素内に、光反射膜によって反射された反射光を用いて表示を行う反射表示領域と、透過光を用いて表示を行う透過表示領域とが設けられる。
【０００４】
このような電気光学装置として、従来、互いに隣接するサブ画素同士の間の領域に遮光膜を設けたものが知られている（例えば、特許文献１又は特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２４１８５９号公報（第１３頁、図５）
【特許文献２】特開平１１−２１２１１８号公報（第７頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電気光学装置において、遮光膜は、互いに隣接する光反射膜の間の領域に設けられ、当該光反射膜で反射した光を用いて表示を行う反射表示領域内に透過光が漏れ出ないように遮光する機能を有する。光反射膜は光反射性の材料をエッチング等によってパターニングすることにより所定の形状に形成されることが多い。また、遮光膜は、電極や信号線等といった導電パターンと同じ金属材料を用いてそれらの導電パターンと同時にパターニングすることにより形成されることが多い。この場合、導電パターンと遮光膜とは同一平面上に形成されることになる。
【０００７】
上記の遮光膜は、一般に、互いに隣接する光反射膜の間の領域の幅よりも広い幅に形成される。これは、光反射膜をパターニングする際の製作誤差等によって遮光膜と光反射膜との位置が所定の位置からずれた場合を考慮したものである。
【０００８】
ところで、特許文献１に開示された電気光学装置において、遮光膜は、基板の表面に直接に設けられている。このような構成の電気光学装置において、遮光膜を導電パターンと同じ金属材料を用いて形成した場合、遮光膜の幅を広く形成したときには、導電パターンと遮光膜とが電気的に短絡するおそれがあった。そのため、遮光膜の幅を広くすることが難しかった。この点を考慮して、遮光膜の幅を狭くすると、仮に遮光膜と光反射膜との相対的な位置がずれた場合、透過光が遮光膜の端部から反射表示領域内に漏れ出て、その結果電気光学装置の表示のコントラストが低下するおそれがあった。
【０００９】
また、特許文献２に開示された電気光学装置では、樹脂膜上に遮光膜を設けているが、この遮光膜は、主に液晶の配向不良や外部光に対するスイッチング素子の遮光を目的としたものであり、透過光の遮光に関しては考慮されていない。
【００１０】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、導電パターン等の導電膜が形成される基板上に遮光膜を形成する構成の電気光学装置において、導電膜があるにもかかわらず、遮光膜の幅を広くできるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る第１の電気光学装置は、電気光学物質を支持する基板と、該基板と前記電気光学物質との間に設けられた第１樹脂膜と、該第１樹脂膜と前記電気光学物質との間に設けられた第２樹脂膜と、前記基板と前記第１樹脂膜との間に設けられた導電膜と、前記第１樹脂膜と前記第２樹脂膜の間に設けられた遮光膜とを有することを特徴とする。
【００１２】
上記の電気光学装置では、基板と第１樹脂膜との間に導電膜を設け、第１樹脂膜と第２樹脂膜との間に遮光膜を設けることにした。すなわち、導電膜と遮光膜とを、第１樹脂膜を挟んで異なる平面上に設けることにより、導電膜と遮光膜とが接触して電気的に短絡することがなくなり、遮光膜の幅を平面的に見て遮光膜に近接又は重なる位置まで広く設けることができる。その結果、基板を透過する光を遮光膜によって確実に遮光できる。
【００１３】
また、上記構成の電気光学装置では、一般に、表示を行うための画素を構成する電極が樹脂膜上に設けられる。このような構成の場合、電極と導電膜との間隔が狭いときには、特に、電極とそれに接続されていない方の隣接する導電膜との間に寄生容量が生じることがある。この寄生容量は、例えば縦方向のクロストーク（いわゆる、縦クロストーク）を生じさせる。ここで縦クロストークとは、灰色などを背景色として、赤、青、緑等の単色、あるいは赤、青、緑の各色に対して補色の関係にある、シアン、マゼンタ、イエロー等の色を矩形状に表示したときに、その矩形状の表示領域の上下方向に位置する領域が、本来表示されるべき背景色より明るく表示されてしまい、且つ、微妙に色づいて表示されてしまう現象をいう。
【００１４】
本発明の電気光学装置では、基板上に第１樹脂膜と第２樹脂膜の２層の樹脂膜を設けることにより、基板上に厚い樹脂膜を設けることができる。これにより、基板上に設けられた導電膜と樹脂膜上に設けられた電極との間隔を広く設けることができるので、これらの導電膜と電極との間における寄生容量を低減し、クロストークの発生を防止できる。
【００１５】
次に、本発明に係る第１の電気光学装置において、前記基板上にはサブ画素が複数並べて設けられ、個々の前記サブ画素の領域内には光反射膜が設けられ、前記遮光膜は、互いに隣接する前記サブ画素同士の境界であり、互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域に設けられることが望ましい。
【００１６】
本発明態様の電気光学装置において、サブ画素内の領域には、光反射膜が設けられた部分と光反射膜が設けられない部分とがある。光反射膜が設けられた領域では、例えば室内光等といった外部光を光反射膜によって反射して、その反射光を電気光学装置の表示に利用する、すなわち反射型の表示が行われる。他方、光反射膜が設けられない領域では、例えばバックライト等といった照明手段からの光が基板を透過して電気光学物質に供給されることによって、その透過光を電気光学装置の表示に利用する、いわゆる透過型の表示が行われる。
【００１７】
本発明態様の電気光学装置は、互いに隣接する光反射膜同士の間の領域に遮光膜を設けることにより、光反射膜が設けられた領域、すなわち反射型の表示が行われる領域に透過光が漏れ出ることを防止できる。また、遮光膜を広い幅に設けることができるので、互いに隣接する光反射膜同士の間隔を広く設定しても、光反射膜の間からの光漏れを遮光膜によって防止できる。このように光反射膜同士の間隔を広くとることができれば、互いに隣接する光反射膜同士が接触して電気的に短絡することを防止できる。
【００１８】
次に、本発明に係る第１の電気光学装置において、前記遮光膜の幅をａとし、互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域の幅をｂとしたとき、
ａ＞ｂ
であることが望ましい。こうすれば、光反射膜をフォトエッチング処理によってパターニングする際にオーバーエッチングが生じて、それらの光反射膜の間隔が所定の間隔より広く形成された場合であっても、幅が広い遮光膜により透過光を確実に遮光できる。
【００１９】
次に、本発明に係る第２の電気光学装置は、電気光学物質を支持する基板と、該基板と前記電気光学物質との間に設けられた第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜と前記電気光学物質との間に設けられた第２樹脂膜と、該第２樹脂膜内に設けられた凹部と、前記基板と前記第１樹脂膜との間に設けられた導電膜と、前記基板と前記第１樹脂膜との間の前記凹部に対向して設けられた第１遮光膜と、前記第１樹脂膜と前記第２樹脂膜との間の前記凹部の両側の側面に隣接して設けられた第２遮光膜とを有することを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る第２の電気光学装置において、第２樹脂膜内に設けられた凹部は、例えば第２樹脂膜上に設けられる膜要素である配向膜等を均一な膜厚に形成するためのものである。また、凹部の側面に隣接する第２遮光膜は、第２樹脂膜によって完全に覆うこともでき、凹部の側面から凹部の内側に露出するように設けることもできる。
【００２１】
上記構成の電気光学装置では、第１樹脂膜の凹部に対向して設けられた第１遮光膜に加えて、第１樹脂膜と第２樹脂膜との間であって凹部の両側の側面に隣接して第２遮光膜を設けることにした。これにより、第１樹脂膜の下に設けた導電膜と第１樹脂膜の上に設けた第２遮光膜とが接触して電気的に短絡することがないので、第２遮光膜の幅を広く設けることができる。これにより、基板を透過する光を第１遮光膜と第２遮光膜の両方によって確実に遮光できる。また、基板上に第１樹脂膜と第２樹脂膜の２層の樹脂膜を設けることにより、基板上に厚い樹脂膜を設けることができるので、基板上に設けられた導電膜と樹脂膜上に設けられた電極との間における寄生容量を低減し、クロストーク発生を防止できる。
【００２２】
次に、本発明に係る第２の電気光学装置において、前記基板上にはサブ画素が平面的に複数並べて設けられ、前記凹部は互いに隣接する前記サブ画素同士の境界に沿った溝形状に設けられることが望ましい。本発明態様において、溝形状に設けられた凹部は、互いに隣接するサブ画素同士の境界に沿って、複数のサブ画素にわたって連通する溝として設けられている。このような溝形状の凹部を設ければ、基板上の全域において、第２樹脂膜上の膜要素、例えば配向膜を均一な膜厚に形成できる。
【００２３】
次に、本発明に係る第２の電気光学装置において、個々の前記サブ画素の領域内には光反射膜が設けられ、前記凹部は互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域に設けられ、前記第１遮光膜は互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域に設けられ、前記第２遮光膜は前記凹部の両側に当該凹部の側面に隣接して設けられることが望ましい。
【００２４】
本発明態様の電気光学装置は、互いに隣接する光反射膜同士の間の領域に第１遮光膜及び第２遮光膜を有するので、光反射膜が設けられた領域、すなわち反射型の表示が行われる領域に透過光が漏れ出ることを第１遮光膜及び第２遮光膜によって防止できる。また、第１遮光膜と第２遮光膜とを設けることにより、遮光膜全体の幅を広く設けることができるので、互いに隣接する光反射膜同士の間隔を広くした場合でも光漏れを防止できる。光反射膜同士の間隔を広くできれば、互いに隣接する光反射膜同士が接触して電気的に短絡することを防止できる。
【００２５】
次に、本発明に係る第２の電気光学装置において、前記第１遮光膜の幅をｃとし、互いに隣接する前記第２遮光膜同士の間隔をｄとしたとき、
ｃ≧ｄ
であることが望ましい。こうすれば、第１遮光膜と第２遮光膜との間で平面的に見て隙間が空くことがないので、それら第１遮光膜及び第２遮光膜が設けられた領域において透過光を確実に遮光できる。
【００２６】
次に、本発明に係る第２の電気光学装置において、前記第１遮光膜及び前記第２遮光膜によって遮光される領域の幅をｅとし、互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域の幅をｆとしたとき、
ｅ＞ｆ
であることが望ましい。こうすれば、光反射膜をフォトエッチング処理によってパターニングする際にオーバーエッチングが生じて、光反射膜の間隔が所定の間隔より広く形成された場合であっても、第１遮光膜と第２遮光膜から成る幅の広い遮光膜により透過光を確実に遮光できる。
【００２７】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶表示装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置では、基板と第１樹脂膜との間に導電膜を設け、第１樹脂膜と第２樹脂膜との間に遮光膜を設けることにした。すなわち、導電膜と遮光膜とを第１樹脂膜を挟んで異なる平面上に設けることにした。これにより、導電膜と遮光膜とが接触して電気的に短絡することがないので、遮光膜の幅を広く設けることができる。その結果、基板を透過する光を確実に遮光できることになった。また、基板上に第１樹脂膜と第２樹脂膜の２層の樹脂膜を設けることにより、基板上に厚い樹脂膜を設けることができるので、基板上に設けられた導電膜と樹脂膜上に設けられた電極との間で寄生容量を低減してクロストークを防止できる。従って、この電気光学装置を用いた本発明に係る電子機器においても、透過光の光漏れを確実に防止し、且つクロストークを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、電気光学装置の一例として、半透過反射型でＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動方式でカラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。また、本実施形態では、液晶モードとしてＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence：電界制御複屈折モード）を採用した液晶表示装置に本発明を適用するものとする。なお、本発明がその実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。
【００２９】
図１は、本発明に係る液晶表示装置の全体の側面断面構造を示している。また、図２は、図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示している。また、図３（ａ）は、図２の矢印Ａに従った平面構造を示している。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）の矢印Ｚ２−Ｚ２線に従った断面を示している。なお、図１は、図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った断面図である。
【００３０】
図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００３１】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。一方の基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、他方の基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板８が配置され、観察側から見て背面に素子基板７が配置される。
【００３２】
シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で電気光学物質の層としての液晶層１２を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶を滴下する方法も採用できる。なお、本実施形態では、液晶として、正の誘電異方性を有するネマティック液晶を用いることができる。
【００３３】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００３４】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００３５】
素子基板７は、第１の透光性基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ１で示す部分の拡大図である図２にも示すように、導電膜としてのデータ線１９が列方向Ｙ（すなわち、図２の左右方向）に延びている。そして、アクティブ素子として機能するスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子２１がデータ線１９に接続して形成されている。
【００３６】
このデータ線１９は、矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に沿って互いに等間隔で平行に並べられている。データ線１９は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）等といった金属によって形成されている。また、ＴＦＤ素子２１は複数個が各データ線１９に沿って等間隔に設けられている。
【００３７】
それらのＴＦＤ素子２１及びデータ線１９の上に、それらを覆う第１樹脂膜２２が形成され、その上に遮光膜２８が形成され、その上に第２樹脂膜２３が形成され、その上に光反射膜２４が形成され、その上に画素電極２５が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の配向が決められる。なお、本実施形態において、液晶分子の配向は、液晶に電界を印加していない状態で水平配向になるように設定されている。
【００３８】
第１樹脂膜２２及び第２樹脂膜２３は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成されている。遮光膜２８は、例えば、ＣｒやＡｌ（アルミニウム）等といった金属材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。この遮光膜２８に関しては後に詳しく説明する。
【００３９】
光反射膜２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングして形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等の塗布により形成される。
【００４０】
光反射膜２４及び画素電極２５は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２４及び画素電極２５は、図３（ａ）に示すように、個々のＴＦＤ素子２１に接続されて各データ線１９に沿って設けられている。
【００４１】
図２において、ＴＦＤ素子２１は、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素３１ａ及び３１ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素３１ａは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、そして第２素子電極３４ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素３１ｂは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、そして第２素子電極３４ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極３２は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜３３は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３４ａ，３４ｂは、例えばＣｒによって形成される。
【００４２】
第１樹脂膜２２及び第２樹脂膜２３には、画素電極２５とＴＦＤ素子２１とを電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール２７が形成されている。このコンタクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子２１の素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極２５と重なる位置に形成される。
【００４３】
図３（ａ）において、第１ＴＦＤ要素３１ａ内の第２素子電極３４ａはデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素３１ｂ内の第２素子電極３４ｂはコンタクトホール２７を介して画素電極２５に接続されている。データ線１９から画素電極２５へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素３１ａと第２ＴＦＤ要素３１ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれる。本実施形態では、バック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００４４】
本実施形態では、図２に示すように、画素電極２５の下に、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３とから成る層間絶縁膜を設けることにより画素電極２５の層とＴＦＤ素子２１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２５とＴＦＤ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、以下のような利点を有する。
【００４５】
まず、ＴＦＤ素子２１とデータ線１９とを覆う層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜上に画素電極２５を形成しているため、画素電極２５とＴＦＤ素子２１、及び画素電極２５とデータ線１９の間の寄生容量を低減することができる。この場合、仮に層間絶縁膜を単層の樹脂膜によって形成すると、高粘度の樹脂材料を用いないと層間絶縁膜の膜厚を厚くすることができない。しかしながら、高粘度の樹脂材料を用いると、層間絶縁膜の膜厚を均一にすることが難しくなる。これに対し、本実施形態のように、層間絶縁膜を第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の２つの層を積層して形成することにより、個々の樹脂膜２２，２３を低粘度の樹脂材料で形成することができ、層間絶縁膜の膜厚の均一性と膜厚を厚くすることの両方を両立できる。層間絶縁膜の膜厚を均一で且つ厚く形成できれば、寄生容量を均一に低減できる。
【００４６】
また、層間絶縁膜を介して画素電極２５とＴＦＤ素子２１、及び画素電極２５とデータ線１９とを積層構造にて形成しているため、ＴＦＤ素子２１及びデータ線１９を覆う形にて画素電極２５を構成することができ、画素電極２５をＴＦＤ素子２１及びデータ線１９と同一平面上に形成する場合に比して、画素電極２５を大きく構成することができ、ひいては有効画素領域を大きくとることができるようになる。
【００４７】
以上のような効果を齎す結果、非常に信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となり、特に表示装置では、開口率の大きい視認性に優れた表示を実現することが可能となる。
【００４８】
図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、プラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。なお、本実施形態においては、偏光板１８ａと１８ｂとをクロスニコル配置としている。そして、液晶表示装置の表示モードは、ノーマリホワイトモード、すなわち電圧無印加時に白表示になり、電圧印加時には黒表示になる表示モードに設定されている。
【００４９】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図２にも示すように、着色膜４１と対向遮光膜４２とが形成され、これら着色膜４１及び対向遮光膜４２の上にオーバーコート膜４３が形成され、その上に帯状電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極４４は、図２の行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００５０】
着色膜４１はカラーフィルタを構成する要素であり、個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。対向遮光膜４２は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、列方向Ｙに延びる帯状に形成され、その帯状の対向遮光膜４２の複数本が、行方向Ｘに関して互いに隣接する着色膜４１の間に設けられている。
【００５１】
着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。対向遮光膜４２は、異なる色の着色膜４１を重ねたり、あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。
【００５２】
図２において、着色膜４１及び対向遮光膜４２の上に形成されたオーバーコート層４３は、着色膜４１及び対向遮光膜４２の表面を平坦化するものであり、帯状電極４４はこうして平坦化されたオーバーコート層４３の上に形成される。帯状電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。帯状電極４４は、矢印Ａ方向から見てカラーフィルタ基板８上に複数本が互いに平行に並ぶように設けられている。個々の帯状電極４４は行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。図２において帯状電極４４の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の配向が決められる。
【００５３】
図１において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２５は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。一方、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極４４は、行方向Ｘに並ぶ複数の画素電極２５と矢印Ａ方向から平面的に見て重なるようにストライプ状に並んでいる。このように画素電極２５と帯状電極４４とは矢印Ａ方向から見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５４】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。
【００５５】
図２において、素子基板７の光反射膜２４は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２４はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｔは図３（ａ）に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域である。一方、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の残りの領域であって、本実施形態では領域Ｔをコ字状に囲む領域である。画素電極２５はサブ画素Ｄの全体にわたって設けられ、光反射膜２４はコ字状の領域Ｒに一致して設けられている。
【００５６】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２４が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２４が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図２において矢印Ａ方向から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒ内で光反射膜２４で反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図２の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００５７】
第２樹脂膜２３の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には、複数の凹部及び複数の凸部が矢印Ａ方向から平面的に見てランダムに形成され、これにより凹凸パターンが設けられている。光反射膜２４は、凹凸パターンが形成されている第２樹脂膜２３の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンの形状を呈している。このように光反射膜２４に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２４で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。
【００５８】
次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４５を有している。この張出し部４５の表面には、配線４６がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４６は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４５の辺端には複数の外部接続用端子４７が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７が設けられた張出し部４５の辺端に、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板（図示せず）が接続される。
【００５９】
複数の配線４６は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４６の一部は、シール材６によって囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びてデータ線１９に繋がっている。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材６の中に含まれる導通材４８を介してカラーフィルタ基板８上の各帯状電極４４につながっている。
【００６０】
張出し部４５の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４９を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５０が実装されている。駆動用ＩＣ５０は、データ線１９へデータ信号を伝送し、帯状電極４４へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ５０は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ５０を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４５上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。
【００６１】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６２】
上記の反射型表示を行う場合、図２において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔ、すなわち光反射膜２４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００６３】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２５とカラーフィルタ基板８側の帯状電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を規制され、これにより、素子基板７の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６４】
以下、図２の遮光膜２８について詳しく説明する。遮光膜２８は、図２に示すように、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の間に設けられている。この遮光膜２８は、図３（ａ）において斜線で示す領域、すなわち、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の境界で、互いに隣接する光反射膜２４同士の間の領域に設けられている。本実施形態において、遮光膜２８は、列方向Ｙ（すなわち、図の上下方向）に延びる帯状に形成され、その帯状の遮光膜２８の複数本が、行方向Ｘに関して互いに隣接する光反射膜２４の間に設けられている。
【００６５】
本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、帯状に形成された遮光膜２８の幅を「ａ」とし、互いに隣接する光反射膜２４の間の領域の幅を「ｂ」としたとき、
ａ＞ｂ
としている。こうすることにより、図３（ａ）に示すように、遮光膜２８の一部と光反射膜２４の一部とが平面的に見て重なるようになっている。
【００６６】
また、本実施形態において、遮光膜２８は遮光性を有した金属材料を、例えばフォトエッチング処理によってパターニングすることにより形成できる。この金属材料としては、例えば、データ線１９と同じ材料、例えばＣｒ等を用いることができる。また、光反射膜２４と同じ材料、例えばＡｌやＡｌ合金等を用いることもできる。これらのＣｒ，Ａｌ，Ａｌ合金等は導電性の材料である。
【００６７】
ところで、従来の液晶表示装置において、遮光膜は、データ線等の導電膜と同一平面上にある基板の表面に設けられることが多い。そして、このような構造の液晶表示装置においては、遮光膜とデータ線等の導電膜とを同じ金属材料、例えばＣｒ等を用いて同時に形成することが多い。また、基板上に設けられる遮光膜は、当該遮光膜の幅を広くすることが望ましい。これは、遮光膜の幅を広くすることにより、光反射膜と遮光膜とが平面的に重なる領域を設け、照明装置からの透過光が反射表示領域内に漏れ出ることを確実に防止するためである。
【００６８】
しかしながら、遮光膜とデータ線とを同一平面上において同じ材料を用いて形成した場合、遮光膜の幅を広く形成したときには、データ線と遮光膜とが電気的に短絡するおそれがあった。そのため、遮光膜の幅を広くすることが難しく、その幅を狭くせざるを得なかった。仮に光反射膜をパターニングする際のエッチング処理において、光反射膜の材料であるＡｌがオーバーエッチングされる等して遮光膜と光反射膜との相対的な位置がずれた場合、透過光が反射表示領域内に漏れ出て、その結果、液晶表示装置の透過表示時の表示のコントラストが低下するおそれがあった。
【００６９】
これに対し、本実施形態の液晶表示装置では、図３（ｂ）において、第１透光性基板７ａと第１樹脂膜２２との間にデータ線１９を設け、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３との間に遮光膜２８を設けることにした。すなわち、データ線１９と遮光膜２８とを第１樹脂膜２２を挟んで異なる平面上に設けることにした。これにより、データ線１９と遮光膜２８とが接触して電気的に短絡することがないので、遮光膜２８の幅を広く設けることができる。
【００７０】
また、本実施形態では、遮光膜２８は、図３（ａ）において斜線で示すように、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の境界であって互いに隣接する光反射膜２４同士の間の領域に設けられている。そしてこの遮光膜２８は、列方向Ｙ（すなわち、図３（ａ）の上下方向）に延びる帯状に形成され、その帯状の遮光膜２８の複数本が、行方向Ｘ（すなわち、図３（ａ）の左右方向）に関して互いに隣接する光反射膜２４の間に設けられている。そして、帯状に形成された遮光膜２８の幅を「ａ」とし、互いに隣接する光反射膜２４の間の領域の幅を「ｂ」としたとき、
ａ＞ｂ
の関係に設定している。
【００７１】
このように、帯状の遮光膜２８の幅ａを、互いに隣接する光反射膜２４の間の領域の幅ｂより広くすれば、仮に光反射膜２４をパターニングする際のオーバーエッチング等によって光反射膜２４と遮光膜２８との相対的な位置がずれたとしても、光反射膜２４と遮光膜２８とが平面視で部分的に重なることができる。従って、基板７ａを透過する光Ｌ１が光反射膜２４同士の間から漏れ出ることを遮光膜２８によって確実に防止してコントラストの低下を防止できる。
【００７２】
また、基板７ａ上に第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の２つの層の樹脂膜を設けた。こうすれば、１つの層で層間絶縁膜を形成する場合に比べて、基板７ａ上に膜厚が厚い層間絶縁膜を均一な膜厚で設けることができる。その結果、データ線１９と画素電極２５との間隔を長く設定できるので、データ線１９と画素電極２５との間の寄生容量を低減できる。それ故、クロストークを防止できる。
【００７３】
（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を説明する。本実施形態においても、電気光学装置の実施形態として液晶表示装置を例示して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図４は、本発明に係る液晶表示装置の主要部を示しており、図１の液晶表示装置におけるサブ画素部分を拡大して平面的に示す図である。また、図５は、図４の矢印Ｚ４−Ｚ４線に従った断面を示している。
【００７４】
既述の第１実施形態では、図３（ｂ）に示したように、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３との間であって互いに隣接する光反射膜２４同士の間の領域に遮光膜２８が設けられている。この遮光膜２８の幅ａと互いに隣接する前記光反射膜同士の間の領域の幅ｂとは、
ａ＞ｂ
の関係に設定されている。
【００７５】
これに対し本実施形態では、図５に示すように、第２樹脂膜２３に溝状の凹部５１を設けている。そして、第１透光性基板７ａと第１樹脂膜２２の間に第１遮光膜５２を設け、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の間に第２遮光膜５３を設けている。以下、本実施形態を図３（ａ）及び図３（ｂ）に示した実施形態と異なる点を中心に説明する。なお、本実施形態において、第１実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付すことにして、その説明は省略することにする。
【００７６】
本実施形態において、図５の第２樹脂膜２３、第１遮光膜５２、及び第２遮光膜５３以外の液晶表示装置１の構成要素は、図１，図２及び図３で示した第１実施形態の場合と同じとすることできる。
【００７７】
図５において、第２樹脂膜２３内には、凹部５１が設けられている。この凹部５１は、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の境界に設けられている。個々の凹部５１は、図４に平面的に示すように、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の境界に沿って、列方向Ｙ（すなわち、図４の上下方向）に延びる直線状の溝形状に形成されている。そしてその溝形状に形成された凹部５１の複数が、行方向Ｘに関して互いに隣接するサブ画素Ｄの境界に設けられている。この凹部５１は、例えばフォトリソグラフィ処理によって凹部５１に対応する領域の第２樹脂膜２３を除去することにより設けることができる。
【００７８】
次に、第１遮光膜５２は、図５に示すように、第１透光性基板７ａと第１樹脂膜２２との間であって、凹部５１に対向する位置、すなわち互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の境界、すなわち互いに隣接する光反射膜２４同士の間の領域に設けられている。この第１遮光膜５２は、図４において平面的に見た状態で左下がりの斜線で示すように、列方向Ｙ（すなわち、図４の上下方向）に延びる帯状に形成されている。そしてその帯状の第１遮光膜５２の複数本が、行方向Ｘ（すなわち、図４の左右方向）に関して互いに隣接する光反射膜２４の間に設けられている。
【００７９】
次に、第２遮光膜５３は、図５に示すように、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３との間に設けられている。この第２遮光膜５３は、凹部５１の両側に、当該凹部５１の側面に隣接して設けられている。この第２遮光膜５３は、図４において平面的に見た状態で右下がりの斜線で示すように、個々の凹部５１の側面に沿って列方向Ｙ（すなわち、図４の上下方向）に延びる帯状に形成されている。
【００８０】
上記の第１遮光膜５２及び第２遮光膜５３は、遮光性を有した金属材料を、例えばフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成できる。この金属材料としては、例えば、データ線１９と同じ材料、例えばＣｒ等を用いることができる。また、光反射膜２４と同じ材料、例えばＡｌやＡｌ合金等を用いることもできる。なお、第１遮光膜５２はデータ線１９と同一平面上に設けられており、第１遮光膜５２とデータ線１９とを同じ材料によって同時に形成することが望ましい。
【００８１】
（第１遮光膜と第２遮光膜の位置）
ここで、図５において、帯状に形成された第１遮光膜５２の幅を「ｃ」とし、凹部５１を挟んで互いに隣接する第２遮光膜５３同士の間隔を「ｄ」としたとき、
ｃ≧ｄ
であることが望ましい。本実施形態では、
ｃ＞ｄ
である場合を例示している。このような関係に設けられた第１遮光膜５２と第２遮光膜５３とは、図４に示すように、第１遮光膜５２の両端部と第２遮光膜５３の一方の端部とが平面的に見て重なっている。このように第１遮光膜５２と第２遮光膜５３とが平面的に重なることにより、第１遮光膜５２と第２遮光膜５３とによって遮光される領域の幅は、図４及び図５において「ｅ」で示された幅とすることができる。
【００８２】
また、本実施形態では、図５において、互いに隣接する光反射膜２４同士の間隔を「ｆ」としたとき、第１遮光膜５２と第２遮光膜５３とによって遮光される領域の幅「ｅ」との関係は、
ｅ＞ｆ
である。
【００８３】
本実施形態においては、第２樹脂膜２３に溝形状の凹部５１を設けた。これにより、画素電極２５上に配向膜２６ａをローラ転写法に基づく印刷によって形成する際に、配向膜２６ａを凹部５１に流し込むことによって広く均一に行きわたらせることができるので、素子基板７の全域において配向膜２６ａを均一に設けることができる。
【００８４】
また、本実施形態では、帯状に形成された第１遮光膜５２の幅を「ｃ」とし、凹部５１を挟んで互いに隣接する第２遮光膜５３同士の間隔を「ｄ」としたとき、それら「ｃ」と「ｄ」の関係が、
ｃ＞ｄ
となるように設定した。これにより、第１遮光膜５２と第２遮光膜５３との間で平面的に見て隙間が空くことがないので、それら第１遮光膜５２及び第２遮光膜５３が設けられた領域において透過光を確実に遮光できる。
【００８５】
またさらに、第１遮光膜５２と第２遮光膜５３とによって遮光される領域の幅を「ｅ」とし、互いに隣接する光反射膜２４同士の間隔を「ｆ」としたとき、それら「ｅ」と「ｆ」の関係が、
ｅ＞ｆ
となるように設定した。こうすれば、互いに隣接する光反射膜２４同士の間隔ｅに対して遮光膜が設けられる幅を十分に広くすることができるので、仮に光反射膜２４をパターニングする際にオーバーエッチングが生じて、それらの光反射膜２４の間隔が所定の間隔より広く形成された場合であっても、第１遮光膜５２と第２遮光膜５３から成る幅の広い遮光膜により透過光を確実に遮光できる。
【００８６】
なお、第１遮光膜５２と第２遮光膜５３によって遮光される領域の幅「ｅ」は、図４に斜線で示すように、平面的に見て十分に広い幅に設定されている。しかしながら、データ線１９と第２遮光膜５３とを第１樹脂膜２２を挟んで異なる平面上に設けたので、データ線１９と第２遮光膜５３とが接触して電気的に短絡することはなく、実質的な遮光領域を広く確保できる。
【００８７】
また、基板７ａ上に第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の２層の樹脂膜を設けたことにより、１つの層で層間絶縁膜を形成する場合に比べて、基板７ａ上に膜厚が厚い層間絶縁膜を均一に設けることができる。その結果、データ線１９と画素電極２５との間の距離を長く設定できるので、データ線１９と画素電極２５との間の寄生容量を低減できる。それ故、クロストークを防止できる。
【００８８】
（電気光学装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態においても、電気光学装置の実施形態として液晶表示装置を例示して説明する。本実施形態に係る液晶表示装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図６は、本発明に係る液晶表示装置の主要部を示しており、図１の液晶表示装置におけるサブ画素部分を拡大して平面的に示す図である。また、図７（ａ）は、図６の矢印Ｚ５−Ｚ５線に従った断面を示している。また、図７（ｂ）は、図６の矢印Ｚ６−Ｚ６線に従った断面を示している。
【００８９】
既述の第１実施形態では、図３（ａ）に平面的に示したように、光反射膜２４は個々のサブ画素Ｄの領域内にコ字状に設けられて反射表示領域Ｒを形成している。そして、コ字状の光反射膜２４に囲まれて透過表示領域Ｔを形成している。そして、遮光膜２８は、互いに隣接する光反射膜２４同士の間の領域に、サブ画素Ｄの複数個にわたって帯状に設けられている。
【００９０】
これに対し本実施形態では、図６に示すように、光反射膜６４は個々のサブ画素Ｄの領域内の一部に長方形状に設けられて反射表示領域Ｒを形成している。そして、サブ画素Ｄの領域内の他の長方形状の領域が透過表示領域Ｔとなっている。そして、遮光膜６８は、互いに隣接する光反射膜６４同士の間の領域、すなわち、互いに隣接するサブ画素Ｄの境界の一部に設けられている。以下、本実施形態を図３（ａ）及び図３（ｂ）に示した実施形態と異なる点を中心に説明する。なお、本実施形態において、第１実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付すことにして、その説明は省略することにする。
【００９１】
本実施形態において、遮光膜６８は、反射表示領域Ｒの断面、すなわち図６のＺ５−Ｚ５線に従った断面である図７（ａ）に示すように、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の間に設けられている。そして遮光膜６８は、列方向Ｙ（すなわち、図７（ａ）の紙面垂直方向）に延びる帯状に形成され、その帯状の遮光膜６８の複数本が、行方向Ｘ（すなわち、図７（ａ）の左右方向）に関して互いに隣接する光反射膜６４の間に設けられている。
【００９２】
本実施形態において光反射膜６４は、図６において列方向Ｙに長い長方形状に形成されたサブ画素Ｄのうちの上側に長方形状に設けられ反射表示領域Ｒが形成されている。他方、サブ画素Ｄの下側には光反射膜６４は設けられずに透過表示領域Ｔが形成されている。そして遮光膜６８は、図６において斜線で示す領域に設けられている。この領域は、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の境界であって互いに隣接する光反射膜６４同士の間の領域である。すなわち、互いに隣接する反射表示領域Ｒ同士の間の領域である。このように遮光膜６８を反射表示領域Ｒに対応する位置に設ければ、照明装置３（図１参照）からの透過光Ｌ１（図２参照）が反射表示領域Ｒ内に漏れ出ることを防止できる。
【００９３】
他方、透過表示領域Ｔの断面、すなわち図６のＺ６−Ｚ６線に従った断面である図７（ｂ）に示すように、互いに隣接する透過表示領域Ｔ同士の間には遮光膜は設けられていない。これにより、透過表示領域Ｔの開口率を高くすることができるので、より明るい透過型の表示を行うことができる。
【００９４】
図６の実施形態においては、遮光膜６８を互いに隣接する光反射膜６４同士の間、すなわち互いに隣接する反射表示領域Ｒの間にのみ設けるようにした。しかしながら、遮光膜６８は互いに隣接する透過表示領域Ｔの間、すなわち光反射膜６４が無い領域にわたって連続して設けることもできる。この場合、互いに隣接する透過表示領域Ｔの間においては、遮光膜６８の幅を狭く、具体的には、カラーフィルタ基板８上の対向遮光膜４２と同じかそれより狭い幅に形成することにより、透過表示領域Ｔにおける開口率を高く維持できる。
【００９５】
（電気光学装置に関するその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明に係る電気光学装置を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。例えば、図５に示す実施形態において、第２樹脂膜２３内の凹部５１は、列方向Ｙにストライプ状に設けている。しかしながら、凹部５１はサブ画素Ｄを囲む格子状に設けることもできる。
【００９６】
また、上記の各実施形態は、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ素子を用いる電気光学装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、ＴＦＴ素子等といった３端子型のスイッチング素子を用いる電気光学装置にも適用できる。例えば、本発明は、チャネルエッチ型あるいは、それ以外の構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、アモルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。
【００９７】
また、上記の各実施形態では、ＥＣＢ方式の液晶モードを採用した液晶表示装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モードや、ＶＡ（Vertically Aligned）モード等の液晶モードを採用した液晶表示装置にも適用できる。
【００９８】
（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００９９】
図８は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。
【０１００】
表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。
【０１０１】
次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１０２】
液晶表示装置１０１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１は、図２において、基板７ａと第１樹脂膜２２との間にデータ線１９を設け、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３との間に遮光膜２８を設けることにした。すなわち、データ線１９と遮光膜２８とを第１樹脂膜２２を挟んで異なる平面上に設けることにした。これにより、データ線１９と遮光膜２８とが接触して電気的に短絡することがなくなるので、遮光膜２８の幅を広く設けることができる。その結果、基板７ａを透過する光を確実に遮光できることになった。
【０１０３】
また、基板７ａ上に第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の２層の樹脂膜を設けることにより、基板７ａ上に厚い樹脂膜を均一な膜厚で設けることができるので、データ線１９と樹脂膜上に設けられる画素電極２５との間における寄生容量を低減できる。従って、この液晶表示装置を用いた本実施形態の電子機器においても、透過光を遮光すべき領域で確実に遮光してコントラストの高い表示を行うことができ、且つ寄生容量を低減してクロストークのない鮮明な表示を行うことができる。
【０１０４】
（電子機器の第２実施形態）
図９は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【０１０５】
表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【０１０６】
表示装置１１３は、例えば、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１は、図２において、基板７ａと第１樹脂膜２２との間にデータ線１９を設け、第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３との間に遮光膜２８を設けることにした。すなわち、データ線１９と遮光膜２８とを第１樹脂膜２２を挟んで異なる平面上に設けることにした。これにより、データ線１９と遮光膜２８とが接触して電気的に短絡することがなくなるので、遮光膜２８の幅を広く設けることができる。その結果、基板７ａを透過する光を確実に遮光できることになった。
【０１０７】
また、基板７ａ上に第１樹脂膜２２と第２樹脂膜２３の２層の樹脂膜を設けることにより、基板７ａ上に厚い樹脂膜を均一な膜厚で設けることができるので、データ線１９と樹脂膜上に設けられる画素電極２５との間における寄生容量を低減できる。従って、この液晶表示装置を用いた本実施形態の電子機器においても、透過光を遮光すべき領域で確実に遮光してコントラストの高い表示を行うことができ、且つ寄生容量を低減してクロストークのない鮮明な表示を行うことができる。
【０１０８】
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す側面断面図。
【図２】図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示す断面図。
【図３】サブ画素近傍の構造を示す図であり、（ａ）は、図２の矢印Ａに従って示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従った断面図。
【図４】本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の要部を示す平面図。
【図５】図４のＺ４−Ｚ４線に従った断面図。
【図６】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部を示す平面図。
【図７】（ａ）は、図５のＺ５−Ｚ５線に従った断面図であり、（ｂ）は、図５のＺ６−Ｚ６線に従った断面図。
【図８】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図。
【図９】本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図。
【符号の説明】
【０１１０】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、
６．シール材、  ７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、
８ａ．第２透光性基板、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、
１４ａ．光入射面、  １４ｂ．光出射面、  １６．光反射層、  １７．光拡散層、
１８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．データ線（導電膜）、  ２１．ＴＦＤ素子、
２２．第１樹脂膜、  ２３．第２樹脂膜、  ２４，６４．光反射膜、  ２５．画素電極、
２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．コンタクトホール、  ２８，６８．遮光膜、
３１ａ．第１ＴＦＤ要素、  ３１ｂ．第２ＴＦＤ要素、  ３２．第１素子電極、
３３．絶縁膜、  ３４ａ，３４ｂ．第２素子電極、  ４１．着色膜、  
４２．対向遮光膜、  ４３．オーバーコート膜、  ４４．帯状電極、  ４５．張出し部、
５０．駆動用ＩＣ、  ５１．凹部、  ５２．第１遮光膜、  ５３．第２遮光膜、  
１０１．液晶表示装置（電気光学装置）、  １０２．制御回路、  １０３．液晶パネル、
１０４．駆動回路、  １１０．携帯電話機（電子機器）、  １１１．本体部、  
１１２．表示体部、  １１３．表示装置、  １１４．表示画面、  Ｄ．サブ画素、  
Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０，Ｌ１．光、  Ｒ．反射表示領域、  Ｔ．透過表示領域、  
Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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