(57)【要約】【課題】金型Ｂ内に送り込んで半導体製品Ｍをモールド加工するための樹脂材を、熱硬化性の合成樹脂材のパウダーレジン４とし、これを金型Ｂの下型ｂに設けたキャビティｄ内に投入しておいて、これに、裏返しの姿勢とした基板１を載置し、加圧と加熱とにより半導体製品Ｍにモールド加工する手段に生じている、金型Ｂ内にパウダーレジン４が飛散し、金型内面に付着して半導体製品の外面に転写され、汚れ製品を生ぜしめる問題、および基板１に組付けたＩＣチップ２・接続端子３の目抜けにより製品の形状にバラツキを生ぜしめる問題を解消せしめることにある。【解決手段】上面側にＩＣチップ２とそれにボンディングした接続端子３とを組付けた基板１の上面に、所定量のパウダーレジン４を供給して、そのパウダーレジン４を１８０度Ｃ〜２５０度Ｃ程度に予熱してゲル化させ、その基板１を金型Ｂに供給して、真空加圧鋳造によりモールド加工を行う。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面側にＩＣチップ２とそれにボンディングした接続端子３とを組付けた基板１の上面に、所定量のパウダーレジン４を供給して、そのパウダーレジン４を１８０度Ｃ〜２５０度Ｃ程度に予熱してゲル化させ、その基板１を金型Ｂに供給して、真空加圧鋳造によりモールド加工を行うことを特徴とする半導体製品の樹脂成形方法。
【請求項２】
基板１の上面に対しパウダーレジン４を供給する工程を、基板１の上面に、その基板１の樹脂材によりモールドすべき部分と対応する部位を窓穴状の枠穴６３１とした枠状のプレート６３を載置して、そのプレート６３の上にパウダーレジン４を盛り付け、それをプレート６３上面に沿いすり切りプレート６３の枠穴６３１内にパウダーレジン４を残すことで行うようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体製品の樹脂成形方法。
【請求項３】
ＩＣチップ２とそれにボンディングした接続端子３とが上面側に組付けられた基板１に対しその上面側にパウダーレジン４を供給するパウダーレジン供給装置６と、基板１の上面側に供給されたパウダーレジン４を予熱してゲル化させる予熱装置７と、予熱装置７によりパウダーレジン４のゲル化処理を終えた基板１をクランプして運び出す搬送装置ｈと、その搬送装置ｈで運び出される基板１を、上型ａと下型ｂとの間に受け入れ、真空加鋳造により基板１とＩＣチップ２と接続端子３とレジン４とを一体に成形する金型Ｂと、からなる半導体製品の樹脂成形装置。
【請求項４】
パウダーレジン供給装置６を、金型Ｂの隣側位置に配設せる架台６０に載置せる平盤状の台盤６１の上面に載置した基板載置台６２と、その基板載置台６２上に載置する基板１の上面側に被せる枠状のプレート６３と、基板載置台６２の上方に、その基板載置台６２の上面に沿い往復動するように配設するパウダーレジン供給用のコンテナ６５と、そのコンテナ６５に装填せるパウダーレジン４を底面の繰出口６５１から繰出すようそのコンテナ６５内に組込んだ繰出翼車６５２と、前記基板載置台６２上に載置せる基板１に被せたプレート６の上面に摺接して動くようコンテナ６５の一端側に設けたスクレパー６５４と、からなり、コンテナ６５から基板載置台６２上の基板１の上面側に被せたプレート６３の上面に繰り出したパウダーレジン４を、スクレパー６５４によりプレート６の枠内にすり切ることで基板１の上面側に供給するようにしたことを特徴とする請求項３記載の半導体製品の樹脂成形装置。
【請求項５】
基板１を載置する基板載置台６２の内部に、通電により昇温作動するヒータ７０を埋設して、予熱装置７を基板載置台６２により構成したことを特徴とする請求項３記載の半導体製品の樹脂成形装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレートに形成した基板の上面にＩＣのチップを載置して固着し、そのＩＣのチップに接続端子をボンディングして、そのＩＣのチップの周囲を、基板の上面側に盛り付けるように合成樹脂材でモールドして形成する半導体製品において、その接続端子をボンディングしたＩＣのチップの周囲を合成樹脂材でモールドするときの樹脂成形方法についての改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子のＩＣチップを、基板の上面に固着し、それにワイヤー状の接続端子をボンディングして、それの周囲を合成樹脂材で押し固めて形成する半導体製品は、通常、次の工程で作られている。
【０００３】
まず、図１にあるように短冊状のプレートに成形しておく基板１の上面に、ＩＣのチップ２を、所定の間隔をおいて載置し、基板１に対し固着する。次いで、このチップ２の上に、ワイヤー状の多数の接続端子３がネット状に形成してある金属板を被せてボンディングし、次いで、その上に合成樹脂材４を盛り付けるように被せ、それを押し固めるようにモールド加工して、図２に示しているように、所定の間隔をおいて基板１上に固着したＩＣのチップ２の周囲を、帯状に連続する合成樹脂材４でモールドした状態とし、次いで、これを、図３にあるように、１つのＩＣのチップごとに切り離して、これにより、図４の内部を透視した図および図５の断面図にあるようにＩＣのチップ２に接続端子３が結合して、基板１上に合成樹脂材４で押し固められた状態の半導体製品Ｍに組立てるようにしている。なお、図５において、基板１の下面側に設けられている小突起５は、接続用に設けたハンダの小球である。
【０００４】
そして、この半導体製品Ｍを作るときに、ＩＣのチップ２と接続端子３を組付けた基板１の周囲を合成樹脂材４によりモールドするよう行う樹脂成形の工程は、通常、図６および図７に示しているように、機枠に固定支架せる上型ａと、この上型ａに対し、昇降する下型ｂとその下型ｂを昇降作動させる昇降装置ｃとからなる金型Ｂを用い、これに、ＩＣチップ２および接続端子３を組付けた基板１と、合成樹脂材４とを供給して、金型Ｂを作動させて、上昇する下型ｂの作動とその下型ｂに組込んだヒータにより加圧と加熱を行って成形する。
【０００５】
このとき、金型Ｂに供給する合成樹脂材４には、粉末にした熱可塑性のパウダーレジン４を用い、これを、図８にあるように、金型Ｂの下型ｂの上面に形設しておくキャビティｄ内に投入しておくようにするが、その投入する合成樹脂材のパウダーレジン４の量は、基板１に組付けたＩＣチップ２および接続端子３の周囲を押し固めるのに必要とする量をセンサにより計算して予め計算しておき、これを、前述の図８にあるように、金型Ｂの上型ａと下降させた下型ｂとの間隔内に差し込み及び引き抜き自在としたトレーｅの上面に載置せる供給枠ｆの枠内に装填し、これをトレーｅの差し込みにより前記図８において鎖線に示す状態位置を占めさせ、次いで、供給枠ｆをその位置に固定しておいてトレーｅを順次引き抜いていくことで、図９にあるように、供給枠ｆの枠内のパウダーレジン４を下型ｂに設けたキャビティｄ内に落とし込んでそこに装填していくようにしている。
【０００６】
また、金型Ｂ内に供給する基板１は、それに組付けたＩＣチップ２および接続端子３が下面側に位置する裏返しの姿勢とし、これを、吸気により吸盤状に作用する吸着保持器ｇを有する搬送装置ｈに吸着保持させて、金型Ｂ内に図１０にあるように装入し、次いで、吸気を止め搬送装置ｈの吸着保持器ｇから基板１を離してその基板１を下型ｂの上面のキャビティｄ内に盛り付けたパウダーレジン４の上に落とし、搬送装置ｈを引き抜くことで図１１の状態とし、この状態から、下型ｂを上昇させて加圧し、同時に、下型ｂ内に組み込んであるヒータを通電により作動させて加熱してパウダーレジン４を成形加工し、次いで、金型Ｂを開いて、搬送装置ｈを差し込み、図１３にあるように、それの吸着保持器ｇにより基板１を吸着保持せしめて金属の外に取り出す、という工程で行っている。
【０００７】
このような工程をもって行われる従前の半導体製品の樹脂成形手段は、基板１上に組付けたＩＣチップ２とそれにボンディングした接続端子３とを、合成樹脂材４でモールド加工して半導体製品Ｍに組立てるこの従前の半導体製品における樹脂成形手段は、金型Ｂの下型ｂの上面側に形設しておくキャビティｄに、合成樹脂材を粉末としたパウダーレジン４を、盛りつけるように投入しておき、この上に、基板１を組付けたＩＣチップ２とそれにボンディングした接続端子３が下方に向かう裏返しの姿勢として被せるように載置して、金型Ｂの上型ａと下型ｂを閉じ合わせて、加圧・加熱することでモールド加工を行なうことから、このモールド加工の工程の際に、パウダーレジン４が金型Ｂ内で飛散し、舞い上がって、金型Ｂ内面に付着し、それが成形する半導体製品の表面に転写され、汚れた製品を生ぜしめる問題がある。
【０００８】
また、キャビティｄに盛りつけるように投入するパウダーレジン４は、ＩＣチップ２と接続端子３とを組付けた基板１の上面をモールドするのに必要とする量に計量して投入するが、基板１に組付けたＩＣチップ２および接続端子の目抜けが均一にはならないことで、モールド加工したしたときに、成形した製品の外面形状が不揃いになり製品の形状にバラツキが生じる問題がある。
【０００９】
また、金型Ｂの下型ｂの上面に設けておくキャビティｄへのパウダーレジン４の投入は半導体製品がサイズの大きいＭＡＰタイプであれば形成しておくキャビティｄがそのサイズに応じて大きくしておくことで容易に行なえるが、サイズの小さい半導体製品、例えばＰＯＰタイプのように1０ミリ×１０ミリサイズのものでは、これに応じた大きさとなるキャビティｄに対するパウダーレジン４の投入が困難になってくることで、半導体製品についてのモールド加工を行なうモールド装置を、サイズの大きい半導体製品のモールド加工にしか対応させ得ない問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明において解決しようとする課題は、金型Ｂ内に送り込んで半導体製品Ｍをモールド加工するための樹脂材を、熱硬化性の合成樹脂材のパウダーレジン４とし、これを金型Ｂの下型ｂに設けたキャビティｄ内に投入しておいて、これに、組付けたＩＣチップ２と接続端子３とが下方に向かう裏返しの姿勢とした基板１を被せるように載置し、金型Ｂを閉じ合わせて、加圧と加熱を行なう工程により半導体製品Ｍにモールド加工する従前の半導体製品の樹脂成形手段において生じている、金型Ｂ内にパウダーレジン４が飛散し、金型内面に付着して半導体製品の外面に転写され、汚れ製品を生ぜしめる問題、および基板１に組付けたＩＣチップ２・接続端子３の目抜けにより製品の形状にバラツキを生ぜしめる問題ならびに、半導体製品のサイズにより適応させ得ない問題を解消せしめることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明においては、この課題を解決するための手段として、請求項１に記載したように、
上面側にＩＣチップ２とそれにボンディングした接続端子３とを組付けた基板１の上面に、所定量のパウダーレジン４を供給して、そのパウダーレジン４を１８０度Ｃ〜２５０度Ｃ程度に予熱してゲル化させ、その基板１を金型Ｂに供給して、真空加圧鋳造によりモールド加工を行うことを特徴とする半導体製品の樹脂成形方法。
を提起するものである。
また、これに併せて、
ＩＣチップ２とそれにボンディングした接続端子３とが上面側に組付けられた基板１に対しその上面側にパウダーレジン４を供給するパウダーレジン供給装置６と、基板１の上面側に供給されたパウダーレジン４を予熱してゲル化させる予熱装置７と、予熱装置７によりパウダーレジン４のゲル化処理を終えた基板１をクランプして運び出す搬送装置ｈと、その搬送装置ｈで運び出される基板１を、上型ａと下型ｂとの間に受け入れ、真空加鋳造により基板１とＩＣチップ２と接続端子３とレジン４とを一体に成形する金型Ｂと、からなる半導体製品の樹脂成形装置。
を提起するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明手段においては、パウダーレジンを金型の外において、基板の上面に盛り付け、それを予熱処理によりゲル化させた状態として、基板と一緒に金型内に供給することから、金型内にパウダーレジンの飛散がないことで、汚れ製品が生ずることがなく、また、基板の上面に対するパウダーレジンの供給を、基板の上面に枠状のプレートを載置して、それの枠の上にパウダーレジンを盛り付け、それをすり切り必要量のパウダーレジンを枠内に残すことで所定量のレジンの供給がなされるようにしていることで、計量が簡単に行なえ、しかも、すり切りの際に、目抜け部分にもパウダーレジンが填め込まれることで、その計量も適確になり成形する製品にバラツキを生ぜしめないようになる。
【００１３】
さらに、基板の上面側に角枠状のプレートを載置し、その上にパウダーレジンを盛り付けてすり切ることで、基板の上面側に必要所定量のパウダーレジンを供給することから、基板の大きさサイズに影響を受けることなく、各種サイズの基板に必要な所定量のパウダーレジンを供給しう得るようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、本発明手段の実施の態様を、実施例につき図面に従い詳述する。
【実施例１】
【００１５】
図１４及び図１５は、本発明による半導体製品の樹脂成形手段の実施に用いる樹脂成形装置の全体の概要正面図と同上の概要上面図を示している。
【００１６】
この樹脂成形装置Ｗは、基板１に対し、その基板１の上面に組付けたＩＣチップ２と接続端子３の周囲を押し固めるための熱硬化性の合成樹脂材よりなる粉状のパウダーレジン４を、必要な所定量に計測して供給するパウダーレジン供給装置６と、基板１に対し供給した合成樹脂材よりなる粉状のパウダーレジン４を金型Ｂに供給する前に、１８０度Ｃ〜２５０度Ｃ程度に昇温させてゲル化させるための予熱装置７と、合成樹脂材のパウダーレジン４を盛り付けてゲル化させた基板１を金型Ｂに供給する搬送装置ｈと、基板１に盛り付けた合成樹脂材のパウダーレジン４とを真空加圧鋳造によりモールド加工するための金型Ｂと、樹脂材のモールド加工を終えた基板１を金型Ｂから取り出す搬出装置ｉとからなる。
【００１７】
パウダーレジン供給装置６は、図１４にあるように、設置された金型Ｂの隣側に配位して立設せる架台６０の上面に載架した前後に長い平盤状の台盤６１と、それの上面に前後にスライドするよう装架される基板載置台６２と、その基板載置台６２上に載置される基板１の周囲を取り囲む角枠状に形成して、その基板１に被せるように基板載置台６２上に載置するプレート６３と、前記台盤６１の上面の前半側の左右の両側に配設せる無端の搬送ベルト６４・６４により、前記基板載置台６２上に載置せるプレート６３の上面を前後に往復動するパウダーレジン供給用のコンテナ６５とからなり、そのコンテナ６５内には、図１７にあるように、軸６５０中心に矢印方向に駆動回転してパウダーレジンを、コンテナ６５の底面に設けた繰出口６５１から繰り出す繰出翼車６５２が軸支してある。このコンテナ６５の底面には、前記基板載置台６２上に載置せるプレート６３の上面に摺接して、このコンテナ６５が往復動するときのプレート６３上面に対する高さ位置を一定の位置に保持するよう規制するガイド定規６５３が設けてあり、かつ、このコンテナ６５の移動方向の一端側には、下面が前記ガイド定規６５３の底面に一致するスクレパー６５４が設けてある。
【００１８】
そして、このパウダーレジン供給装置６は、図１６、図１７にあるように、台盤６１上に載置された基板載置台６２の上面に、ＩＣチップ２と接続端子３とが組付けられた基板１が載架され、その上から角枠状のプレート６３が被せられたところで、図１８にあるように、パウダーレジン供給用のコンテナ６５を、それの内部に装填してあるパウダーレジン４を繰出翼車６５２の作動で、繰出口６５１から繰出させながら、基板１の長手方向の一端側から他端側に向けて移動させ、繰出口６５１から繰出すパウダーレジン４を、基板１の上面に落下させ、それを、コンテナ６５の一端側に設けてあるスクレパー６５４が、枠状のプレート６３の周囲の枠縁の上面に摺接して進行していくことで、パウダーレジン４を枠状のプレート６３の枠内の充填された状態にすり切っていき、この工程を終えたところで、角枠状のプレート６３を抜き上げることで、図２０にあるように、角枠状のプレート６３の枠内部の容積形状により規定された量のパウダーレジン４が、ＩＣチップ２と接続端子３の周囲を包み込む台形状に成形されて盛りつけられるようになる。
【００１９】
また、前記基板載置台６２には、それの上面に載架される基板１を、吸引排気により載置位置に吸着保持せしめるための吸引管路ｋと、基板載置台６２上に載置せる基板１を昇温させるヒータ７０とが埋設してある。そして、この基板載置台６２に組込んだヒータ７０により、基板載置台６２上に載置せる基板１の上面側に前述のパウダーレジン供給用のコンテナ６５から供給した合成樹脂材のパウダーレジン４を、１８０度Ｃ〜２５０度Ｃ程度に昇温させてゲル化させる予熱装置７を構成している。
【００２０】
搬送装置ｈは、前記基板載置台６２上に載置させた基板１の上面に、前述パウダーレジン供給装置６によりパウダーレジン４が供給され、そのパウダーレジン４が予熱装置７による加熱でゲル化した状態となったところで、その基板１を掴んで金型Ｂに供給する搬送手段で、基板１を左右から挟み込んで保持する一対の挟持具ｊ・ｊは、図面では省略しているボディに開閉作動を行うよう装架され、そのボディが、別に配設される移動機構に支架されて、図１５において二重線の矢印により示しているように、基板載置台６２の上方から台盤６１の後半側の上方との間と、その台盤６１の後半側の上方から金型Ｂの内部との間とを、往復動するように動き、基板載置台６２上に載架されてパウダーレジン４が盛り付けられた基板１を金型Ｂ内に供給するように作動する。
【００２１】
金型Ｂは、機枠に固定支架せる上型ａと、これに対し昇降する下型ｂと、その下型ｂを昇降作動させる油圧ジャッキ等の昇降装置ｃとからなり、供給される基板１と熱硬化性のレジンよりなるパウダーレジン４とを、上型ａと下型ｂとの閉じ合わせと金型Ｂに装備せる減圧装置および加熱装置とにより、金型Ｂ内を、１００トール〜１トール程度の減圧下において真空加圧鋳造により、一体にインサート成形する通常の金型であるが、この実施例装置の金型Ｂは、供給するパウダーレジン４を収容するキャビティｄを、上型ａの下面側に形設し、下型ｂはそれの上面側を平面に形成しておいて、そこに、基板１を、それに組付けたＩＣチップ２と接続端子３とが上面側に向かう正常な姿勢として載置するようにしてある。
【００２２】
そして、この金型Ｂは、上型ａと下型ｂとを閉じ合わせて、供給した基板１および樹脂材を加圧・加熱して、樹脂材によるモールド加工を行なうとき、図２３において、二重線の矢印に示しているように、閉じ合わされた上型ａにあっては、バネ（図示省略）のバネ力による押し下げ方向の付勢を受け、下型ｂにあっては、昇降装置ｃの作動による押し上げ方向の付勢を受けるように構成してある。
【００２３】
これにより、前述の台盤６１上に設置した基板載置台６２の上面に、組付けたＩＣチップ２と接続端子３とが上面側に位置する姿勢として載置された基板１が、その上面側に前記パウダーレジン供給装置６からパウダーレジン４の供給を受け、そのパウダーレジン４が基板載置台６２に組込んだ予熱装置７により予熱されてゲル化したところで、基板１をその状態姿勢のまま、搬送装置ｈで運び出し、その姿勢のままで金型Ｂの下型ｂの上面に供給し、それを、金型Ｂの上型ａと下型ｂとを閉じ合わせて、加圧・加熱することでモールド成形し、半導体製品Ｍに成形加工していくようにしてある。
【００２４】
搬出装置ｉは上述の工程により樹脂材によるモールド加工が終了して製造された半導体製品Ｍを、金型Ｂから搬出する搬送手段で、図面では省略しているが、前述の搬送装置ｈと同様に構成されているものである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】従前の半導体製品の樹脂成形手段におけるモールド工程の説明図で、モールド前の状態の斜視図である。
【図２】同上の半導体製品のモールド加工工程の説明図で、モールド加工を行なった後の状態の斜視図である。
【図３】同上のモールド加工を終えた後に、単独の半導体製品ごとに切り離した状態の斜視図である。
【図４】単独の半導体製品ごとに切り離された状態の半導体製品の内部を透視した斜視図である。
【図５】同上の半導体製品の縦断面図である。
【図６】半導体製品のモールド加工に用いる従前の金型の概要正面図である。
【図７】同上金型の横断平面図である。
【図８】同上金型の上型と下型との間に、計量したパウダーレジンを装入していく工程の説明図である。
【図９】同上金型の下型に形設したキャビティに計量したパウダーレジンを投入していく工程の説明図である。
【図１０】同上工程後のパウダーレジンの上に、基板を裏返しにして装入していく工程の説明図である。
【図１１】同上の工程を終えた状態の説明図である。
【図１２】金型を閉じ合わせてモールド加工を行なっている工程の説明図である。
【図１３】モールド加工の工程を終えて成形した半導体製品を金型から取り出す工程の説明図である。
【図１４】本発明手段に用いる半導体製品の樹脂成形装置の概要正面図である。
【図１５】同上装置の概要平面図である。
【図１６】本発明手段の、基板載置台の上に、基板を載置し、その上から枠状のプレートを被せていく工程の説明図である。
【図１７】基板載置台に基板を載置し、その上に枠状のプレートを被せたところに、パウダーレジン供給用のコンテナを移動させていく工程の説明図である。
【図１８】同上のコンテナに組込んだ繰出翼車により、そのコンテナ内に装填されているパウダーレジンをプレートの枠内に繰出していく工程の説明図である。
【図１９】コンテナの移動により繰出したパウダーレジンを、コンテナの一端側に設けたスクレパーによりプレートの枠内にすり切っていく工程の説明図である。
【図２０】パウダーレジンのすり切りを終えて、プレートを持ち上げ、基板の上面側にパウダーレジンが、プレートの枠内に倣う形状に盛り付けられた状態を示す説明図である。
【図２１】基板に盛り付けたパウダーレジンを基板載置台に組込んだヒータにより予熱してゲル化させる工程の説明図である。
【図２２】同上の予熱処理を終えた基板を金型内に装入した状態の説明図である。
【図２３】同上の基板を金型により真空加圧鋳造を行っている工程の説明図である。
【図２４】同上の工程を終えてモールド成形した半導体製品を金型から取り出す工程の説明図である。
【符号の説明】
【００２６】
Ｂ…金型、Ｍ…半導体製品、Ｗ…樹脂成形装置、ａ…上型、ｂ…下型、ｃ…昇降装置、ｄ…キャビティ、ｅ…トレー、ｆ…供給枠、ｇ…吸着保持器、ｈ…搬送装置、ｉ…搬出装置、ｊ…挟持具、ｋ…吸引管路、１…基板、２…ＩＣチップ、３…接続端子、４…パウダーレジン、５…小突起、６…パウダーレジン供給装置、６０…架台、６１…台盤、６２…基板載置台、６３…プレート、６３１…枠穴、６４…搬送ベルト、６５…コンテナ、６５０…軸、６５１…繰出口、６５２…繰出翼車、６５３…ガイド定規、６５４…スクレパー、７…予熱装置、７０…ヒータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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