(57)【要約】【課題】  アンダーバンプメタルの自己応力によってキャパシタ部を覆う保護層にクラックが生ずることを抑制した薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】  基板と、キャパシタ部と、前記キャパシタ部を覆うように形成された保護層と、前記保護層を貫通し前記キャパシタ部のいずれかの電極層に接続する引き出し導体と、を有する薄膜キャパシタであって、前記引き出し導体は前記電極層に接触している側から順に少なくとも密着層と、下地導体層と、アンダーバンプメタル層と、からなり、前記密着層は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層よりも薄く、前記下地導体層の外周端と前記アンダーバンプメタル層の外周端がずらされているとともに、前記密着層の外周端は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層の外周端よりも外側まで延びて形成されている。【選択図】        図１
2007081325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
少なくとも２層の電極層と少なくとも１層の誘電体薄膜とを有してなり前記基板上に形成されたキャパシタ部と、
前記キャパシタ部を覆うように形成された保護層と、
前記保護層を貫通し前記キャパシタ部のいずれかの電極層に接続する引き出し導体と、を有する薄膜キャパシタであって、
前記引き出し導体は前記電極層に接触している側から順に少なくとも密着層と、下地導体層と、アンダーバンプメタル層と、からなり、
前記密着層は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層よりも薄く、
前記下地導体層の外周端と前記アンダーバンプメタル層の外周端がずらされているとともに、前記密着層の外周端は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層の外周端よりも外側まで延びて形成されていることを特徴とする薄膜キャパシタ。
【請求項２】
前記下地導体層の外周端は、前記アンダーバンプメタル層の外周端よりも外側まで延びて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜キャパシタ。
【請求項３】
前記アンダーバンプメタル層は、Ｎｉからなることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の薄膜キャパシタ。
【請求項４】
前記保護層は、窒化ケイ素からなる層を備えてなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか一項に記載の薄膜キャパシタ。
【請求項５】
前記引き出し導体上に半田バンプを備えることを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか一項に記載の薄膜キャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路のデカップリング用などに使用される薄膜キャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路のデカップリング用などとして使用される薄膜キャパシタとして、特許文献１に記載された薄膜キャパシタがある。この薄膜キャパシタは、図９（ａ）に示すように、金属からなる電極１１１，１１３と金属酸化物からなる誘電体層１１２を有するキャパシタ部１１０と、樹脂材料からなる保護絶縁層１０３と、保護絶縁層１０３とキャパシタ部１１０との間に形成された非導電性無機質材料からなるバリア層１０２を有する。さらに、キャパシタ部１１０の電極１１１，１１３と接続する電極パッド１０４が保護絶縁層１０３とバリア層１０２を貫通するように設けられ、電極パッド１０４上には半田バンプ１０５が接続されている。
【特許文献１】特開２００４−２１４５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載された薄膜キャパシタにおいて、電極パッド１０４は半田バンプ１０５を形成するためのアンダーバンプメタルとして設けられているものであるが、アンダーバンプメタルは半田による侵食（いわゆる半田喰われ）を受けるため、一定以上の厚みを有することが必要である。
【０００４】
ところで、電極パッド１０４が厚くなるほど、成膜時の自己応力が大きくなる。自己応力は図９（ｂ）に矢印で示すように電極パッド１０４の外周から中心に向かう方向に発生するため、自己応力によって保護絶縁層１０３やバリア層１０２にクラック１０６を生じることがあった。特に、半田による侵食を受けにくいことからアンダーバンプメタルに多用されるＮｉは自己応力が強いことで知られており、電極パッド１０４をＮｉで形成した場合にはクラック１０６の発生を抑制することは難しい。
【０００５】
特許文献１に記載された発明では保護絶縁層１０３はバンプからの機械的応力の吸収を目的とし、バリア層１０２は保護絶縁層１０３の成分がキャパシタ部１１０へ拡散することを防止することを目的としているが、一般に、耐湿性向上の目的でキャパシタ部１１０を覆うように保護層を設けることも多く、かかる場合にクラックが発生すると、キャパシタの耐湿信頼性の低下を招く。その他の目的で保護層を形成する場合にも、クラックの発生はキャパシタの信頼性の低下を招く。
【０００６】
よって本発明は、アンダーバンプメタルの自己応力によってキャパシタ部を覆う保護層にクラックが生ずることを抑制した薄膜キャパシタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するため本発明に係る薄膜キャパシタは、基板と、少なくとも２層の電極層と少なくとも１層の誘電体薄膜とを有してなり前記基板上に形成されたキャパシタ部と、前記キャパシタ部を覆うように形成された保護層と、前記保護層を貫通し前記キャパシタ部のいずれかの電極層に接続する引き出し導体と、を有する薄膜キャパシタであって、前記引き出し導体は前記電極層に接触している側から順に少なくとも密着層と、下地導体層と、アンダーバンプメタル層と、からなり、前記密着層は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層よりも薄く、前記下地導体層の外周端と前記アンダーバンプメタル層の外周端がずらされているとともに、前記密着層の外周端は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層の外周端よりも外側まで延びて形成されていることを特徴とする。
【０００８】
さらに好ましくは、前記下地導体層の外周端は、前記アンダーバンプメタル層の外周端よりも外側まで延びて形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の薄膜キャパシタにおいて、前記アンダーバンプメタル層は、例えばＮｉからなり、前記保護層は、窒化ケイ素からなる層を備えてなる。
【００１０】
さらにまた、前記引き出し導体上に半田バンプを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
引き出し導体層に発生する自己応力は、引き出し導体層の端部で保護層に応力を及ぼし、引き出し導体層の端面と同一面上にクラックを発生させる確率が高い。そこで本発明では、引き出し導体層を構成する下地導体層とアンダーバンプメタル層の外周端をずらすことにより、下地導体層による応力とアンダーバンプメタル層による応力を異なる面に分散し、クラックの発生を抑制することができる。
【００１２】
さらに、密着層はごく薄く形成しても密着効果を得られるため、密着層の膜厚を薄くして自己応力を低減するとともに、密着層の外周端が下地導体層およびアンダーバンプメタル層よりも外側まで延びるように形成することにより、下地導体層およびアンダーバンプメタル層の端面によって応力を受ける面を密着層によって補強し、クラックの発生を抑制することができる。
【００１３】
また、アンダーバンプメタル層は半田喰われを防止するために一定以上の厚みを必要とするので下地導体層よりも自己応力が大きくなる。そこで、下地導体層の外周端がアンダーバンプメタル層の外周端よりも外側まで延びるようにすることにより、アンダーバンプメタル層の端面によって応力を受ける面を下地導体層によって補強することができるので、クラックを抑制することができる。
【００１４】
アンダーバンプメタル層としては半田喰われを抑制する観点からＮｉを用いることができるが、Ｎｉは自己応力が大きいことが知られている。本発明を適用することによってアンダーバンプメタル層にＮｉを用いた場合でも効果的にクラックを抑制することができる。
【００１５】
また、保護層に窒化ケイ素からなる層を備えることによって薄膜キャパシタの耐湿性を向上させることができるが、窒化ケイ素は比較的脆い材料であってクラックの発生を防ぐことが困難であった。そして、窒化ケイ素からなる層にクラックが発生した場合には、薄膜キャパシタの耐湿性を向上させることができない。本発明によれば保護層に窒化ケイ素からなる層を備える場合であってもクラックの発生を抑制することができ、薄膜キャパシタの耐湿性を向上させることができる。
【００１６】
なお、本発明において「窒化ケイ素」とは、ケイ素と窒素のモル比率が３：４の化学量論組成であるＳｉ3Ｎ4であることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではなく、非導電性で耐湿性を有する限りにおいてケイ素と窒素の比率が上記化学量論組成とは異なるものをも含む。以下、この意味での「窒化ケイ素」をＳｉＮxと表記することがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下において添付図面を参照しつつ本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は本発明の第１の実施例に係る薄膜キャパシタを示す断面図である。この薄膜キャパシタは、基板１０と、基板１０上に形成されたキャパシタ部２０と、キャパシタ部２０を覆うように形成されたバリア層３１および第１の樹脂層３２を有している。本実施例では耐湿性を高めるためのバリア層３１および第１の樹脂層３２がキャパシタ部２０を保護する保護層３０として機能している。
【００１９】
キャパシタ部２０は、下部電極２１、誘電体薄膜２２、該誘電体薄膜２２を挟んで下部電極２１と対向する上部電極２３とからなり、キャパシタ部２０と基板１０との間には密着性を高めるための基板密着層１１が形成されている。また、キャパシタ部２０とバリア層３１との間には、バリア層３１の成分が誘電体薄膜２２へ拡散して誘電体薄膜２２の特性を低下させることを防止するために、誘電体薄膜２２と同一の材料からなる拡散防止層２４が形成されている。拡散防止層２４を誘電体薄膜２２と同一の材料としたのは、拡散防止層２４の成分が誘電体薄膜２２へ拡散して誘電体薄膜２２の特性を低下させてしまうことを防止するためである。
【００２０】
第１の樹脂層３２およびバリア層３１を貫通するように、密着層４１と下地導体層４２とアンダーバンプメタル層４３とからなる引き出し導体が形成されており、複数の引き出し導体のうちの一部は上部電極２３と接続し、その他の引き出し導体は下部電極２１と接続している。下地導体層４２の外周端はアンダーバンプメタル層４３の外周端よりも外側まで延びて形成されており、密着層４１の外周端は下地導体層４２の外周端よりも外側まで延びて形成されている。これにより、第１の樹脂層３２およびバリア層３１にクラックが発生することを防止できる。
【００２１】
そのメカニズムについて説明すると、図２に示すように密着層４１、下地導体層４２、アンダーバンプメタル層４３の端面がそろうように形成されていると、成膜時にそれぞれの端面で作用する自己応力が図２に仮想線Ａで示す同一の面に集中し、この面に沿ってバリア層３１や第１の樹脂層３２にクラックが発生する。また、成膜後にも、熱応力を受けることによってバリア層３１や第１の樹脂層３２、第２の樹脂層５１にクラックが発生することがある。
【００２２】
これに対して、本発明では密着層４１、下地導体層４２、アンダーバンプメタル層４３の端面がそろっていないので、同一面に応力が集中することがなく、さらに保護層３０（第１の樹脂層３２およびバリア層３１）には膜厚が薄く自己応力の小さい密着層４１が接しているので保護層３０に対して直接大きな応力が及ぶことがない。さらに大きな自己応力を持つアンダーバンプメタル層４３の端面よりも下地導体層４２および密着層４１が外側まで形成されているので、アンダーバンプメタル層４３の端面の応力を下地導体層４２および密着層４１で緩和している。また、下地導体層４２の端面の応力も密着層４１により緩和されている。
【００２３】
次にこの薄膜キャパシタの製造方法について説明する。まず、図３（ａ）に示すように熱酸化膜（図示省略）付きのＳｉからなる基板１０を用意し、Ｂａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝７：３：１０（モル比）となるように調製されたチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）のＭＯＤ原料溶液をスピンコートによって塗布した後に乾燥させた後に６５０℃で３０分間の熱処理を行い、厚さ１００ｎｍのＢＳＴからなる基板密着層１１を形成した。さらに、スパッタ法によって厚さ２００ｎｍのＰｔからなる下部電極２１を形成し、下部電極２１上に密着層１１の成膜に用いたものと同じＭＯＤ原料溶液を塗布・乾燥させた後に６５０℃で３０分間の熱処理を行って厚さ１００ｎｍのＢＳＴからなる誘電体薄膜２２を形成し、誘電体薄膜２２上にスパッタ法で厚さ２００ｎｍのＰｔからなる上部電極２３を形成した。
【００２４】
次に、上部電極２３上にレジストを塗布して露光および現像を行ってレジストを所定の形状にパターニングしてからイオンミリングを行うことにより、図３（ｂ）に示すように上部電極２３をパターニングした。
【００２５】
次に、密着層１１および誘電体薄膜２２の成膜に用いたものと同じＭＯＤ原料溶液を塗布・乾燥させた後に６５０℃で３０分間の熱処理を行って、図３（ｃ）に示すように厚さ１００ｎｍのＢＳＴからなる拡散防止層２４を形成した。ここでさらに８５０℃で３０分間の熱処理を行うことにより、誘電体薄膜２２の結晶性を向上させた。
【００２６】
次に、拡散防止層２４上にレジストを塗布して露光および現像を行ってレジストを所定の形状にパターニングしてからウェットエッチングを行うことにより、拡散防止層２４と誘電体薄膜２２の一部を除去し、図３（ｄ）に示すように下部電極２１および上部電極２３の一部を露出させた。
【００２７】
次に、レジストを塗布して露光および現像を行ってレジストを所定の形状にパターニングしてからイオンミリングを行うことにより、図３（ｅ）に示すように基板１０の端部近傍の密着層１１、下部電極２１、誘電体薄膜２２、上部電極２３および密着層１１を除去した。
【００２８】
次に、スパッタ法によって厚さ５００ｎｍのＳｉＮxからなるバリア層３１を形成し、さらに感光性ポリイミドからなる厚さ２．５μｍの第１の樹脂層３２を形成し、第１の樹脂層３２をマスクとして反応性イオンエッチングを行い、バリア層３１の一部を除去した。これにより、第１の樹脂層３２およびバリア層３１に上部電極２３あるいは下部電極２１を底面とする貫通孔が形成された（図３（ｆ））。
【００２９】
次に、図４（ｇ）に示すように、スパッタ法によって厚さ１００ｎｍのＴｉからなる密着層４１および厚さ５００ｎｍのＣｕからなる下地導体層４２を形成した。密着層４１は第１の樹脂層３２およびバリア層３１に直接接触しているので、自己応力を小さくするためにできるだけ薄く形成することが好ましい。また、下地導体層４２は次の電解めっき工程において給電層となるので、導電性の高い材料で形成されるとともに一定以上の厚みを有することが好ましい。
【００３０】
次に、下地導体層４２上にレジストを塗布して露光および現像を行ってレジストを所定の形状にパターニングしてから下地導体層４２を陰極として電解めっきを行うことにより、図４（ｈ）に示すように、厚さ２μｍのＮｉからなるアンダーバンプメタル層４３を形成した。アンダーバンプメタル層４３は、半田喰われを防止するためにＮｉやＦｅ，Ｎｉ−Ｆｅ合金などを使用するとともに、一定以上の厚みを有することが好ましい。具体的にはＮｉを使用する場合には１μｍ以上とすることが好ましい。ただし、半田の組成やリフロー条件、下地導体層４２の厚みによっては、アンダーバンプメタル層４３がこれより薄くてもよい。
【００３１】
次に、アンダーバンプメタル層４３よりも径の大きいレジストパターンを形成してウェットエッチングを行って下地導体層４２の一部を除去し、さらにレジストパターンを残した状態で反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって密着層４１の一部を除去した。これにより、図４（ｉ）に示すように、密着層４１および下地導体層４２が、第１の樹脂層３２およびバリア層３１を貫通して形成された貫通孔の底面で上部電極２３あるいは下部電極２１と接続し、貫通孔の底面から側面を経て第１の樹脂層３２の上面まで引き出され、第１の樹脂層３２の上面で下地導体層４２はアンダーバンプメタル層４３よりも外側まで延びて形成され、密着層４１は下地導体層４２よりも外側まで延びて形成された状態となる。
【００３２】
下地導体層４２はウェットエッチングによってパターニングされるため、サイドエッチングによってレジストパターンよりも小径になるが、密着層４１はＲＩＥによってパターニングされるので、レジストパターンとほぼ同径になる。これにより図４（ｉ）に示すように、密着層４１が下地導体層４２よりも大径にパターニングされる。なお、下地導体層４２がサイドエッチングされてもアンダーバンプメタル層４３よりも大径になるように、レジストパターンはアンダーバンプメタル層４３よりも十分大径に形成する必要がある。
【００３３】
本実施例では、密着層４１、下地導体層４２、アンダーバンプメタル層４３がほぼ同心で、密着層４１の直径が１５０μｍ、下地導体層４２の直径が１４０μｍ、アンダーバンプメタル層４３の直径が１２０μｍとなるように形成した。各層の材質や厚みにもよるが、端面が数μｍ程度ずれるように形成すれば概ね十分な効果を得ることができる。
【００３４】
このとき、アンダーバンプメタル層４３の外周端で比較的大きな応力が発生しているが、下地導体層４２および密着層４１がアンダーバンプメタル層４３の外周端よりも外側まで延びるように形成されているため、アンダーバンプメタル層４３外周端の応力が緩和され、第１の樹脂層３２やバリア層３１にクラックを生じることがない。
【００３５】
次に、感光性ポリイミドを用いて３００℃でキュアすることにより、図４（ｊ）に示すように厚さ２．５μｍの第２の樹脂層５１を形成した。第２の樹脂層５１は第１の樹脂層３２を覆っているとともに、アンダーバンプメタル層４３上に開口部を有している。
【００３６】
次に、アンダーバンプメタル層４３の開口部に無電解めっきによって厚さ１５０ｎｍのＡｕからなる半田密着層４４を形成し、さらに印刷法によってＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の半田ペーストを塗布してからリフロー処理を行うことによって半田バンプ５２を形成して、図１に示す薄膜キャパシタが完成した。
【実施例２】
【００３７】
次に、本発明の第２の実施例について説明する。図５は第２の実施例に係る薄膜キャパシタを示す断面図である。なお、図５，図６においては図１ないし図４と同一の符号を使用し、実施例１と共通する部分については適宜説明を省略する。
【００３８】
本実施例の薄膜キャパシタでは、下地導体層４２がアンダーバンプメタル層４３よりも小径に形成されており、下地導体層４２とアンダーバンプメタル層４３の端縁がずれているので、下地導体層４２による自己応力とアンダーバンプメタル４３層による自己応力が同一面に集中することがない。また、密着層４１がアンダーバンプメタル層４３および下地導体層４２よりも大径に形成されているため、アンダーバンプメタル層４３および下地導体層４２の外周端によって自己応力を受ける面を密着層４１が補強することになり、第１の樹脂層３２やバリア層３１にクラックが及ぶことを防止できる。
【００３９】
次にこの薄膜キャパシタの製造方法について説明する。図６（ａ）は図４（ｈ）と同一であり、ここまでの製造工程は実施例１と共通である。本実施例ではここで図６（ｂ）に示すように、アンダーバンプメタル層４３上に厚さ１５０ｎｍのＡｕからなる半田密着層４４を形成した。
【００４０】
次に、半田密着層４４およびアンダーバンプメタル層４３をマスクとしてウェットエッチングによって下地導体層４２の一部を除去し、続いて半田密着層４４およびアンダーバンプメタル層４３より大径のレジストパターンを形成してからウェットエッチングによって密着層４１の一部を除去した。これにより、図６（ｃ）に示すように、下地導体層４２がアンダーバンプメタル層４３よりも小径となるとともに、アンダーバンプメタル層４３よりも大径の密着層４１が形成された。
【００４１】
これにより、この段階ではアンダーバンプメタル層４３の外周端は中空に浮いた状態となるので、アンダーバンプメタル層４３の外周端の応力が第１の樹脂層３２やバリア層３１に及ぶことがない。また、下地導体層４２の外周端よりも密着層４１が外側まで延びて形成されているので、下地導体層４２の外周端の応力は密着層４１によって緩和され、第１の樹脂層３２やバリア層３１に直接的に及ぶことがなく、クラックの発生を防止している。
【００４２】
本実施例では、密着層４１、下地導体層４２、アンダーバンプメタル層４３がほぼ同心で、密着層４１の直径が１４０μｍ、下地導体層４２の直径が１１０μｍ、アンダーバンプメタル層４３の直径が１２０μｍとなるように形成した。各層の材質や厚みにもよるが、密着層４１がアンダーバンプメタル層４３の外周端よりも数μｍ程度外側へ延びるように形成すれば概ね十分な効果を得ることができる。
【００４３】
次に、感光性ポリイミドを用いて３００℃でキュアすることにより、図６（ｄ）に示すように厚さ２．５μｍの第２の樹脂層５１を形成した。第２の樹脂層５１は第１の樹脂層３２を覆っているとともに、半田密着層４４上に開口部を有している。
【００４４】
このとき、第２の樹脂層５１がアンダーバンプメタル層４３の下に入り込む構造となる。これにより、半田リフローなどの後のプロセスで熱応力を受けても、アンダーバンプメタル層４３の外周端に発生する応力をアンダーバンプメタル層４３の下に入り込んだポリイミド樹脂が緩和し、保護層（第１の樹脂層３２およびバリア層３１）側に大きな応力が及ぶことがなく、クラックの発生を防止できる。
【００４５】
次に、半田密着層４４の開口部に印刷法によってＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の半田ペーストを塗布してからリフロー処理を行うことによって半田バンプ５２を形成して、図５に示す薄膜キャパシタが完成した。
【実施例３】
【００４６】
次に、本発明の第３の実施例について説明する。図７は第３の実施例に係る薄膜キャパシタの製造工程を示す断面図である。なお、図７においては図１ないし図６と同一の符号を使用し、実施例１、２と共通する部分については適宜説明を省略する。
【００４７】
本実施例の薄膜キャパシタは、構成は実施例１の薄膜キャパシタとほぼ共通しているので、製造方法から説明する。
【００４８】
図７（ａ）は図３（ｆ）と同一であり、ここまでの製造工程は実施例１と共通である。本実施例ではここで図７（ｂ）に示すように、スパッタ法によって厚さ１００ｎｍのＴｉからなる密着層４１と、厚さ２μｍのＣｕからなる下地導体層４２とを順に成膜した。本実施例においては後述するようにアンダーバンプメタル層をリフトオフ法によって成膜するため、アンダーバンプメタル層の膜厚を厚くすることが難しいので、下地導体層４２を実施例１，２よりも厚く成膜することによって引き出し導体の半田喰われを防止する。
【００４９】
次に、下地導体層４２上にレジストを塗布して露光および現像を行ってレジストを所定の形状にパターニングしてから厚さ６００ｎｍのＮｉおよび厚さ２００ｎｍのＡｕを成膜し、Ｎｉ膜およびＡｕ膜の一部をレジストとともに除去することによって、図７（ｃ）に示すように、Ｎｉからなるアンダーバンプメタル層４３とＡｕからなる半田密着層４４とを形成した。なお、リフトオフ法でＮｉを成膜する場合、膜厚を厚くするとＮｉの応力によってレジストが下地導体層４２から剥離してしまうため、アンダーバンプメタル層４３の膜厚は実施例１，２よりも薄い６００ｎｍとした。
【００５０】
次に、アンダーバンプメタル層４３よりも径の大きいレジストパターンを形成してウェットエッチングを行って下地導体層４２の一部を除去し、さらにレジストパターンを残した状態で反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって密着層４１の一部を除去した。これにより、図７（ｄ）に示すように、下地導体層４２はアンダーバンプメタル層４３よりも大径に形成され、密着層４１は下地導体層４２よりも大径に形成される。そのメカニズムについては実施例１で説明したとおりである。
【００５１】
本実施例では、密着層４１、下地導体層４２、アンダーバンプメタル層４３がほぼ同心で、密着層４１の直径が１６０μｍ、下地導体層４２の直径が１４０μｍ、アンダーバンプメタル層４３の直径が１２０μｍとなるように形成した。各層の材質や厚みにもよるが、端面が数μｍ程度ずれるように形成すれば概ね十分な効果を得ることができる。
【００５２】
次に、実施例１，２と同じ方法で図８に示すように第２の樹脂層５１および半田バンプ５２を形成して薄膜キャパシタが完成した。本実施例の薄膜キャパシタにおいても、実施例１で説明した作用と同様の作用により、クラックの発生を防止できる。
【００５３】
なお、上記実施例は本発明の例示に過ぎず、本発明が上記実施例に限定されるものではない。例えば、密着層としては保護層と引き出し導体の密着性を確保できる材料であればＴｉに限定されず、具体的には例えばＣｒを用いてもよい。アンダーバンプメタル層には半田喰われしにくい材料を用いることが好ましく、Ｎｉの他にＦｅ，Ｆｅ−Ｎｉ合金などであってもよい。また、上記実施例では、保護層がバリア層と第１の樹脂層の２層構造になっているが、単層構造であっても、３層以上の多層構造であってもかまわない。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施例に係る薄膜キャパシタを示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る薄膜キャパシタの要部を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る薄膜キャパシタの製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る薄膜キャパシタの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係る薄膜キャパシタを示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例に係る薄膜キャパシタの製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施例に係る薄膜キャパシタの製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施例に係る薄膜キャパシタを示す断面図である。
【図９】従来の薄膜キャパシタを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０    基板
１１    基板密着層
２０    キャパシタ部
２１    下部電極
２２    誘電体薄膜
２３    上部電極
２４    拡散抑制層
３０    保護層
３１    バリア層
３２    第１の樹脂層
４１    密着層
４２    下地導体層
４３    アンダーバンプメタル層
４４    半田密着層
５１    第２の樹脂層
５２    半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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