(57)【要約】【課題】フリンジ電界の影響を受けられない液晶分子を最小化し、液晶衝突などによる残像を最小化する。【解決手段】本発明は液晶表示装置に関する。本発明による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、第１及び第２副画素電極を含む画素電極とを含み、前記第１及び第２副画素電極は連結部を通じて連結されており、前記連結部の長さは１０μｍ以上である。【選択図】図１
2007316643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成され、第１副画素電極と第２副画素電極とを備える画素電極と、
を含み、
前記第１副画素電極及び第２副画素電極は連結部を通じて連結されており、
前記連結部の長さは１０μｍ以上である、液晶表示装置。
【請求項２】
前記連結部の長さは２０〜２８μｍである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記連結部の幅は１０μｍ以下である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記連結部の幅は６〜７μｍである、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１副画素電極及び第２副画素電極の間に形成されている維持電極をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板上に形成されているゲート線と、
前記ゲート線と交差し、ソース電極を有するデータ線と、
前記ソース電極と対向するドレイン電極と、
をさらに含み、
前記ドレイン電極の一部と前記維持電極の一部とは互いに重畳している、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記維持電極と前記ドレイン電極とが重畳する部分で、前記画素電極の一部と前記ドレイン電極の一部とが連結されている、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記連結部を挟んで形成されている一対の分岐部をさらに含み、
前記画素電極の一部と前記ドレイン電極の一部は、前記分岐部と重畳する部分で互いに連結されている、請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記分岐部は、前記連結部に対して右側方向にのびている第１分岐部と、上記連結部に対して左側方向にのびている第２分岐部とを含む、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１分岐部と重畳する第１コンタクトホールと、前記第２分岐部と重畳する第２コンタクトホールとをさらに含む、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１副画素電極及び第２副画素電極は丸みを帯びた角を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１基板と対向している第２基板と、
前記第２基板に形成されている共通電極と、
をさらに含み、
前記第１副画素電極及び第２副画素電極それぞれの中心と対応する複数の傾斜方向決定部が前記共通電極に形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記傾斜方向決定部は、円形の切開部である、請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記ゲート線と重畳するように、前記第２基板上に形成されている遮光部材をさらに含む、請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１副画素電極の面積と前記第２副画素電極の面積とは実質的に同一である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
【０００３】
このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を表示板に対し垂直をなすように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｍｏｄｅ）の液晶表示装置が、コントラスト比が大きく、基準視野角が広くて脚光を浴びている。
垂直配向方式の液晶表示装置において、広い基準視野角を実現するための具体的な方法としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と、電場生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部及び突起は、液晶分子が傾く方向（ｔｉｌｔ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を決定するので、これらを適切に配置して液晶分子の傾斜方向をいろいろな方向に分散させることにより、基準視野角を広くすることができる。  
【０００４】
しかし、切開パターンを形成する場合、角または連結部などに位置する液晶は、上下部切開部によって形成されるフリンジ電界（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）の影響を受けられない。したがって、液晶表示装置が駆動される場合にこの部分の液晶が任意の方向に配向されるようになる。液晶が任意の方向に配向される場合、液晶の衝突による瞬間残像などが発生することがあり、衝突した地点が同一の場所ではなく任意の部分で発生するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明の目的は、フリンジ電界の影響を受けられない液晶分子を最小化し、液晶衝突などによる残像を最小化することである。
また、本発明の他の目的は、液晶表示装置の開口率を極大化することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は前述した課題を解決するために、発明１は
・第１基板と、
・前記第１基板上に形成され、第１副画素電極と第２副画素電極とを備える画素電極と、
を含み、
前記第１副画素電極及び第２副画素電極は連結部を通じて連結されており、前記連結部の長さは１０μｍ以上である、液晶表示装置を提供する。
【０００７】
発明２は、前記発明１において、前記連結部の長さは２０〜２８μｍである、液晶表示装置を提供する。
発明３は、前記発明１において、前記連結部の幅は１０μｍ以下である、液晶表示装置を提供する。
発明４は、前記発明３において、前記連結部の幅は６〜７μｍである、液晶表示装置を提供する。
【０００８】
発明５は、前記発明１において、前記第１副画素電極及び第２副画素電極の間に形成されている維持電極をさらに含む、液晶表示装置を提供する。
発明６は、前記発明５において、前記第１基板上に形成されているゲート線と、前記ゲート線と交差し、ソース電極を有するデータ線と、前記ソース電極と対向するドレイン電極と、をさらに含み、
前記ドレイン電極の一部と前記維持電極の一部とは互いに重畳している液晶表示装置を提供する。
【０００９】
発明７は、前記発明６において、前記維持電極と前記ドレイン電極とが重畳する部分で、前記画素電極の一部と前記ドレイン電極の一部とが連結されている、液晶表示装置を提供する。
発明８は、前記発明７において、前記連結部を挟んで形成されている一対の分岐部をさらに含み、前記画素電極の一部と前記ドレイン電極の一部は、前記分岐部と重畳する部分で互いに連結されている、液晶表示装置を提供する。
【００１０】
発明９は、前記発明８において、前記分岐部は、前記連結部に対して右側方向にのびている第１分岐部と、上記連結部に対して左側方向にのびている第２分岐部とを含む、請求項８に記載の液晶表示装置。
発明１０は、前記発明９において、前記第１分岐部と重畳する第１コンタクトホールと、前記第２分岐部と重畳する第２コンタクトホールとをさらに含む、請求項９に記載の液晶表示装置。
【００１１】
発明１１は、前記発明１において、前記第１副画素電極及び第２副画素電極は、丸みを帯びた角を有する、液晶表示装置を提供する。
発明１２は、前記発明１において、前記第１基板と対向している第２基板と、前記第２基板に形成されている共通電極と、をさらに含み、
前記第１副画素電極及び第２副画素電極それぞれの中心と対応する複数の傾斜方向決定部が前記共通電極に形成されている、液晶表示装置を提供する。
【００１２】
発明１３は、前記発明１２において、前記傾斜方向決定部は、円形の切開部である液晶表示装置を提供する。
発明１４は、前記発明１２において、前記ゲート線と重畳するように、前記第２基板上に形成されている遮光部材をさらに含む、液晶表示装置を提供する。
発明１５は、前記発明１において、前記第１副画素電極の面積と前記第２副画素電極の面積とは実質的に同一である液晶表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フリンジ電界の影響を受けられない液晶分子を最小化し、液晶衝突などによる残像を最小化することができ、液晶表示装置の開口率を極大化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異な形態で実現でき、ここに説明する実施形態に限定されない。
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００１５】
以下、本発明の一実施形態による液晶表示装置について、図１乃至図６を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。図２は図１の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図３は、図１の液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。図４、図５及び図６は、各々図１の液晶表示装置のＩＶ−ＩＶ、Ｖ−Ｖ及びＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【００１６】
図１乃至図６を参照すれば、本発明の実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、そして二つの表示板１００、２００の間に入っている液晶層３を含む。
まず、下部表示板１００について説明する。
図１、図２、図４、図５及び図６を参照すれば、透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、複数のゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１及び複数の維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｌｉｎｅ）１３１が形成されている。
【００１７】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向にのびている。各ゲート線１２１は、上に突出した複数のゲート電極（ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、絶縁基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されたり、絶縁基板１１０上に直接装着されたり、絶縁基板１１０に集積できる。ゲート駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延長されてこれと直接連結され得る。
【００１８】
維持電極線１３１は、所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほとんど平行にのびる。各維持電極線１３１は、隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、二つのゲート線１２１とほとんど同一の距離を有している。維持電極線１３１は、下上に拡張された維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３７を含む。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は多様に変更することができる。
【００１９】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで作ることができる。しかし、これらは、物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように抵抗率（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで作られる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで作られる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも多様な金属または導電体で作ることができる。
【００２０】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は、絶縁基板１１０面に対し傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であることが好ましい。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。
【００２１】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは、略してａ‐Ｓｉと記す）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などで作られた複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向にのびていて、ゲート電極１２４に向かってのび出た複数の突出部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）１５４を含む。
【００２２】
線状半導体１５１上には、複数の線状オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６１及び島型オーミックコンタクト部材１６５が形成されている。オーミックコンタクト部材１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質、またはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で作ることができる。線状オーミックコンタクト部材は複数の突出部１６３を有していて、この突出部１６３と島型オーミックコンタクト部材１６５とは対をなして線状半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
【００２３】
線状半導体１５１、半導体突出部１５４とオーミックコンタクト部材１６３、１６５の側面も基板１１０面に対し傾斜しており、傾斜角は３０゜〜８０゜程度である。
オーミックコンタクト部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１及び複数のドレイン電極（ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。
【００２４】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かってのびた複数のソース電極（ｓｏｕｒｃｅｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、絶縁基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、絶縁基板１１０上に直接装着されたり、絶縁基板１１０に集積できる。データ駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延長されてこれと直接連結され得る。
【００２５】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。
各ドレイン電極１７５は、広い一端部と、棒状の他端部とを含む。広い端部は維持電極１３７と重畳し、棒状の端部は環状に曲がったソース電極１７３によって一部取り囲まれている。
【００２６】
一つのゲート電極１２４は、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の半導体の突出部１５４に形成される。
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）、またはこれらの合金で作ることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５は、その他にも多様な金属または導電体で作ることができる。
【００２７】
データ線１７１及びドレイン電極１７５もその側面が基板１１０面に対し３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
オーミックコンタクト部材１６３、１６５は、その下の半導体突出部１５４とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５との間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体突出部１５４には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５によって覆われずに露出した部分がある。
【００２８】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出した半導体突出部１５４部分の上には、保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。
保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などで作られ、その表面は平坦であり得る。無機絶縁物の例としては窒化ケイ素と酸化ケイ素がある。有機絶縁物は、溶媒にＰＡＣ（Ｐｈｏｔｏ-Ａｃｔｉｖｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、樹脂、及び密着性向上剤と界面活性剤などからなる添加物などを混合して構成することができ、その誘電定数（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）は、約４．０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出した半導体突出部１５４部分に損傷を与えないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。
【００２９】
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９及びドレイン電極１７５を各々露出する複数のコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数のコンタクトホール１８１が形成されている。
保護膜１８０上には、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１及び複数のコンタクト補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属で作ることができる。
【００３０】
各画素電極１９１は、第１副画素電極１９１ａ及び第２１９１ｂを含む。第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂは、行方向に互いに隣接し、第１副画素電極１９１ａの面積と第２副画素電極１９１ｂの面積とは実質的に同一である。
第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂは、連結部１９３を通じて互いに連結されている。連結部１９３は、データ線１７１と実質的に平行に形成されており、長さ（Ｌ）と幅（Ｗ）を有する。第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ａは、互いに十分に遠く配置されているので、連結部１９３の長さ（Ｌ）は１０μｍ以上であり、２０〜２８μｍであることが好ましい。また、連結部１９３の幅（Ｗ）は１０μｍ以下であり、６〜８μｍであることが好ましい。
【００３１】
第１副画素電極１９１ａは、ゲート線１２１またはデータ線１７１とほとんど平行する４つの主辺１９５ａ、１９５ｂ、１９５ｃ、１９５ｄを有し、４つの角が１９６に示されるように丸くなっている。第２副画素電極１９１ｂは、ゲート線１２１またはデータ線１７１とほとんど平行する４つの主辺１９５ｅ、１９５ｆ、１９５ｇ、１９５ｈを有し、４つの角が１９６に示されるように丸くなっている。
【００３２】
連結部１９３の両側面には、分岐部１９４ａ、１９４ｂが形成されている。分岐部１９４ａ、１９４ｂは、維持電極１３７及びドレイン電極１７５の拡張部１７７と重畳する。
分岐部１９４ａ、１９４ｂにおける画素電極１９１は、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧を印加受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧（ｃｏｍｍｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子３１の方向を決定する。このように決定された液晶分子３１の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０は、キャパシタ[以下、“液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）”と言う]を構成し、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【００３３】
画素電極１９１及びこれと連結されたドレイン電極１７５の端部１７７は、維持電極１３７をはじめとする維持電極線１３１と重畳し、画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重畳してなるキャパシタを“ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）”と言い、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
【００３４】
コンタクト補助部材８１、８２は、各々コンタクトホール１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。コンタクト補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
次に、共通電極表示板２００について説明する。
【００３５】
図１、図３乃至図５を参照すれば、透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板２１０上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）とも言い、画素電極１９１と対向する複数の開口領域を定義する一方、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と重畳するように主に横方向にのびている。
【００３６】
絶縁基板２１０上には、また、複数のカラーフィルタ（ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ）２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、画素電極１９１に沿って縦方向に長くのび、帯（ｓｔｒｉｐｅ）をなすことができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。
【００３７】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。蓋膜２５０は、有機絶縁物で作ることができ、カラーフィルタ２３０を保護してカラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、ＩＴＯやＩＺＯなど透明な導電導電体で作ることが好ましい。
【００３８】
共通電極２７０には、複数の第１及び第２切開部７１ａ、７１ｂが形成されている。第１及び第２切開部７１ａ、７１ｂは円形の形態を有し、第１及び第２切開部７１ａ、７１ｂは、各々第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの中心部分と対応する。
表示板１００、２００の内側面には、配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜であり得る。表示板１００、２００の外側面には、偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）１２、２２が備えられており、二つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交する。
【００３９】
本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相遅延膜（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ  ｆｉｌｍ）（図示せず）をさらに含むことができる。液晶表示装置は、また、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  ｕｎｉｔ）（図示せず）を含むことができる。
液晶層３は、負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３１は、電場がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対しほとんど垂直をなすように配向されている。したがって、入射光は直交偏光子１２、２２を通過できずに遮断される。
【００４０】
共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加すれば、表示板１００、２００の表面にほとんど垂直である電場（電界）が生成される[以下、画素電極１９１と共通電極２７１をすべて電場生成電極と言う]。液晶分子３１は、電場に応答し、その長軸が電場の方向に垂直をなすように方向を変えようとする。
電場生成電極１９１、２７０の切開部７１ａ、７１ｂと画素電極１９１の辺は、電場を歪曲して液晶分子３１の傾斜方向を決定する水平成分を作りだす。電場の水平成分は切開部７１ａ、７１ｂと画素電極１９１の辺にほとんど垂直である。
【００４１】
図１を参照すれば、電場の水平成分は、共通電極２７０の切開部７１ａ、７１ｂと第１副画素電極１９１ａのゲート線１２１に平行な第１及び第２辺１９５ａ、１９５ｂ、データ線１７１に平行な第３及び第４辺１９５ｃ、１９５ｄ、及び第２副画素電極１９１ｂのゲート線１２１に平行な第１及び第２辺１９５ｅ、１９５ｆ、データ線１７１に平行な第３及び第４辺１９５ｇ、１９５ｈ並びに各辺の間の丸い角１９６によって形成される。したがって、液晶分子３１は円形の切開部７１ａ、７１ｂの接線に垂直する方向に傾く。このように、液晶分子３１が傾く方向を多様にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００４２】
少なくとも一つの切開部７１ａ、７１ｂは、突起（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）（図示せず）や陥没部（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）（図示せず）に代替することができる。突起は有機物または無機物で作ることができ、電場生成電極１９１、２７０の上または下に配置される。
一方、第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ａの間の連結部１９３は電場歪曲を生じさせ、この部分に位置する液晶が任意の方向に配向されて衝突が発生することがある。しかし、本発明のように連結部１９３の長さ（Ｌ）を十分に長くし、幅（Ｗ）は十分に小さくすれば、連結部１９３の電場歪曲が第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ａ部分の液晶分子３１に与える影響を最小化することができる。したがって、液晶分子３１が任意の方向に配向されないので、液晶衝突による瞬間残像が発生することを防止することができる。
【００４３】
また、第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂの連結部１９３と重畳するように維持電極線１３１を配置し、画素電極１９１とドレイン電極１７５を接続するコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの間に配置することによって、画素全体の開口率を極大化することができる。
保護膜１８０にコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂによる段差が生じる。画素電極１９１の連結部１９３が、このような段差が上に存在すれば、連結部１９３が切れる恐れがある。したがって、本発明のように連結部１９３から延長形成されている分岐部１９４ａ、１９４ｂにコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを形成すれば、保護膜１８０の段差によって第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの連結が切れることを防止することができる。
【００４４】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、添付した請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。
【図４】図１に示す液晶表示装置のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】図１に示す液晶表示装置のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図６】図１に示す液晶表示装置のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
３  液晶層
１１、２１  配向膜
１２、２２  偏光板
７１ａ、７１ｂ  切開部
８１、８２  コンタクト補助部材
１００  下部表示板
１１０、２１０  絶縁基板
１２１、１２９  ゲート線
１２４  ゲート電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４  半導体
１６１、１６３、１６５  オーミックコンタクト部材
１７１、１７９  データ線
１７３  ソース電極
１７５、１７７  ドレイン電極
１８０  保護膜
１８１、１８２、１８５ａ、１８５ｂ  コンタクトホール
１９１、１９１ａ、１９１ｂ  画素電極
１９３  連結部
１９４ａ、１９４ｂ  分岐部
２００  上部表示板
２１０  絶縁基板
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２５０  蓋膜
２７０  共通電極  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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