(57)【要約】【課題】絶縁基板に対する応力を均等化すると共に、配線パターン中を流れる信号電流に対する逆電流の発生が妨げられることを容易に防止できる多層配線板を提供すること。【解決手段】第１から第３絶縁基板１１を介して導電材料によって構成された第１から第３配線パターン１２及び第１から第３ダミーパターン１３ａ、１３ｂを複数積層し、ダミーパターンは、その外周面積が０．０１ｍｍ２以上であると共に、導電材料の非形成領域である第１から第３クリアパターン１５ａ、１５ｂを有し、ダミーパターンのうちクリアパターンを除いた面積が、外周面積に対して６０％以上９９．５％以下である。【選択図】図１
2007150060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板を介して導電材料によって構成された配線パターン及び少なくとも１つのダミーパターンを複数積層した多層配線板において、
前記ダミーパターンは、その外周面積が０．０１ｍｍ２以上であると共に、前記導電材料の非形成領域であるクリアパターンを有し、
前記ダミーパターンのうち前記クリアパターンを除いた面積が、前記外周面積に対して６０％以上９９．５％以下であることを特徴とする多層配線板。
【請求項２】
前記配線パターンの外縁部と前記ダミーパターンの外縁部との距離が、５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線板。
【請求項３】
前記クリアパターンの縁部のうち任意の２点間の距離が、５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線板。
【請求項４】
前記積層されたダミーパターン同士が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の多層配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子機器などに使用される半導体装置を搭載する多層配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を直接搭載、接続する回路基板や、リードフレームに搭載、接続した状態の半導体装置と接続される外部回路として、絶縁基板を介して配線パターンを複数積層することで配線パターンの配線密度を向上させた多層配線板が用いられている。
このような多層配線板では、上面に配線パターンが形成されているか否かにより、絶縁基板に対して以下のような問題が発生する。まず、絶縁基板のうち配線パターンが形成された領域と形成されていない領域とが存在することで表面が平坦化せず、積層される配線パターンの形成工程において配線パターンの再現性に不具合が発生することがある。また、配線パターンと絶縁基板とを熱圧着によって積層しているが、絶縁基板と配線パターンとの熱挙動が異なることから応力が絶縁基板に均等にかからず、絶縁基板に歪みやソリが発生することがある。
【０００３】
そこで、このような問題を解決するために絶縁基板のうち配線パターンが形成されていない領域に、配線パターンと同じ材料によって構成されたダミーパターンを配線パターンと電気的に独立するように形成することで表面の平坦化や応力の均等化を図った多層配線板が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開平９−３１２４７１号公報
【特許文献２】特開２００４−２００２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の多層配線板には、以下の課題が残されている。すなわち、前者の多層配線板では、ダミーパターンが配線パターンの非形成領域を覆うように形成されたベタパターンであるため、配線パターンが形成された領域とダミーパターンが形成された領域とで残銅率（ある領域で、銅で覆われた面積が占める割合）が異なる。そのため、配線パターンの形成領域とダミーパターンの形成領域とで応力が均等にかからず、歪みやソリが発生するという問題がある。
また、配線パターン中を信号電流が流れたときに信号電流に対する逆電流が発生するが、この逆電流の発生を妨げないように、後者の多層配線板では複数の微小なダミーパターンを電気的に接続してグラウンドと接続している。そのため、各ダミーパターンを電気的に接続するために構造が複雑化するという問題がある。
【０００５】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、絶縁基板に対する応力を均等化すると共に、配線パターン中を流れる信号電流に対する逆電流の発生が妨げられることを容易に防止できる多層配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の多層配線板は、絶縁基板を介して導電材料によって構成された配線パターン及び少なくとも１つのダミーパターンを複数積層した多層配線板において、前記ダミーパターンは、その外周面積が０．０１ｍｍ２以上であると共に、前記導電材料の非形成領域であるクリアパターンを有し、前記ダミーパターンのうち前記クリアパターンを除いた面積が、前記外周面積に対して６０％以上９９．５％以下であることを特徴とする。
【０００７】
この発明では、ダミーパターンの外周面積を０．０１ｍｍ２以上とすることで、ダミーパターンを互いに電気的に接続することが容易となる。このため、電気的に接続されたダミーパターンをグラウンドと接続することで配線パターン中を流れる信号電流に対する逆電流の発生を妨げることを容易に防止できる。したがって、配線パターンから発生する電磁波による電気特性の劣化の防止が図れる。また、ダミーパターンの外周面積に対する面積率を６０％以上９９．５％以下とすることで、絶縁基板のうち配線パターンの形成領域とダミーパターンの形成領域とにおける応力を均等にすることができる。
以上より、絶縁基板に対する応力を均等にすると共に、良好な電気特性を得ることができる。
なお、ダミーパターンの外周面積に対する面積率は、７０％以上９９．５％以下であることが望ましい。このようにすることで、絶縁基板の強度を十分に維持することができる。
【０００８】
また、本発明の多層配線板は、前記配線パターンの外縁部と前記ダミーパターンの外縁部との距離が、５００μｍ以下であることが好ましい。
この発明では、配線パターンの外縁部とダミーパターンの外縁部との距離を５００μｍ以下とすることで、配線パターン及びダミーパターンと絶縁基板とを接着剤を用いて接着する際、配線パターンとダミーパターンとの間に塗布された接着剤中に気泡の噛み込みが発生することを防止できる。
なお、配線パターンの外縁部とダミーパターンの外縁部との距離は、４００μｍ以下とすることが望ましい。このようにすることで、より確実に気泡の噛み込みを防止できる。
【０００９】
また、本発明の多層配線板は、前記クリアパターンの縁部のうち任意の２点間の距離が、５００μｍ以下であることが好ましい。
この発明では、クリアパターンの縁部のうちの任意の２点間の距離を５００μｍ以下とするとで、配線パターン及びダミーパターンと絶縁基板とを接着剤を用いて接着する際、クリアパターン内に塗布された接着剤中に気泡の噛み込みが発生することを防止できる。
なお、クリアパターンの縁部のうちの任意の２点間の距離は、４００μｍ以下であることが望ましい。このようにすることで、より確実に気泡の噛み込みを防止できる。
【００１０】
また、本発明の多層配線板は、前記積層されたダミーパターン同士が電気的に接続されていることが好ましい。
この発明では、積層されたダミーパターン同士が互いに電気的に接続され、これらをグラウンドに接続することで、配線パターン中を流れる信号電流に対する逆電流の発生を妨げることがないようにできる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の多層配線板によれば、ダミーパターンの外周面積を０．０１ｍｍ２以上とすることで、ダミーパターンを互いに電気的に接続することが容易となる。また、ダミーパターンの外周面積に対する面積率を６０％以上９９．５％以下とすることで、絶縁基板にかかる応力を均等にすることができる。したがって、絶縁基板に対する応力を均等にすると共に、良好な電気特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明にかかる多層配線板の一実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。
本実施形態における多層配線板１は、図１及び図２に示すように、第１から第３配線基板２〜４を第１及び第２接着層５、６を介して積層した構成となっている。なお、便宜上図１のパターンと図２のパターンとは一致していない。
【００１３】
第１配線基板２は、第１絶縁基板１１と、第１絶縁基板１１の上面に形成された第１配線パターン１２及び第１ダミーパターン１３ａ、１３ｂとを備えている。
第１絶縁基板１１は、例えばポリイミドのような絶縁性のフィルムによって構成されており、その厚さが例えば２５μｍ〜３０μｍとなっている。また、第１絶縁基板１１にはその厚さ方向で貫通するビア１４ａ、１４ｂが形成されており、ビア１４ａ、１４ｂには導電材料が充填されている。このビア１４ａ、１４ｂにより、第１絶縁基板１１の上下両面の電気的な接続が確保される。
【００１４】
第１配線パターン１２は、第１絶縁基板１１の上面に設けられた導体層をパターニングすることによって形成された線状のパターンであって、その厚さが約１０μｍとなっている。また、第１配線パターン１２は、第１絶縁基板１１に形成されたビア１４ａにより、後述する第２配線パターン２２と電気的に接続されている。
【００１５】
第１ダミーパターン１３ａ、１３ｂは、第１配線パターン１２と同様に、第１絶縁基板１１上に設けられた導体層をパターニングすることによって形成されており、第１絶縁基板１１上の２箇所に分割して形成されている。ここで、第１ダミーパターン１３ａ、１３ｂは、それぞれその厚さが約１０μｍ、外周面積が０．０１ｍｍ２以上となっている。
また、第１ダミーパターン１３ａ、１３ｂには、それぞれ導体層を除去することで形成された第１クリアパターン１５ａ、１５ｂが複数形成されている。
【００１６】
この第１クリアパターン１５ａ、１５ｂは、それぞれの外周が例えば直径１００μｍの円形を有している。ここで、第１ダミーパターン１３ａのうち第１クリアパターン１５ａを除いた部分の面積が、第１ダミーパターン１３ａの外周面積に対して７０％以上９９．５％以下となっている。同様に、第１ダミーパターン１３ｂのうち第１クリアパターン１５ｂを除いた部分の面積が、第１ダミーパターン１３ｂの外周面積に対して７０％以上９９．５％以下となっている。また、第１配線基板２において、第１配線パターン１２の形成領域と第１ダミーパターン１３ａ、１３ｂの形成領域との残銅率は、ほぼ等しくなっている。
また、第１ダミーパターン１３ａ、１３ｂは、第１絶縁基板１１に形成されたビア１４ｂを介して後述する第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂと電気的に接続されている。
【００１７】
第２配線基板３は、第１配線基板２と同様に、第２絶縁基板２１と、第２絶縁基板２１の上面に形成された第２配線パターン２２及び第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂと、第２絶縁基板２１の下面に形成された第２配線パターン２４及び第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂとを備えている。
第２絶縁基板２１は、第１絶縁基板１１と同様に、絶縁性のフィルムによって構成され、その厚さが例えば２５μｍ〜３０μｍとなっている。また、第２絶縁基板２１にはその厚さ方向で貫通するビア２６ａ、２６ｂが形成されており、第２絶縁基板２１の上下両面の電気的な接続が確保される。
【００１８】
第２配線パターン２２は、第２絶縁基板２１の上面に形成された線状のパターンであって、その厚さが約１０μｍとなっている。また、第２配線パターン２２は、上述したビア１４ａにより第１配線パターン１２と電気的に接続されていると共に、上述したビア２６ａを介して第２配線パターン２４と電気的に接続されている。
一方、第２配線パターン２４は、第２絶縁基板２１の下面に形成された線状のパターンであって、その厚さが約１０μｍとなっている。また、第２配線パターン２４は、上述したビア２６ａにより、第２配線パターン２２と電気的に接続されていると共に、第３絶縁基板３１に形成された後述するビア３４ａを介して後述する第３配線パターン３２と電気的に接続されている。
【００１９】
第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂは、第２配線パターン２２と同様に、第２絶縁基板２１の上面に形成されたパターンであって、第２絶縁基板２１の上面の２箇所に分割して形成されている。ここで、第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂは、それぞれその厚さが約１０μｍ、外周面積が０．０１ｍｍ２以上となっている。また、第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂと第２配線パターン２２との距離は、４００μｍ以下となっている。そして、第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂは、上述したビア１４ｂを介して第１ダミーパターン１３ａ、１３ｂと電気的に接続されていると共に、上述したビア２６ｂを介して第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂと電気的に接続されている。また、第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂには、それぞれ第２クリアパターン２７ａ、２７ｂが複数形成されている。
【００２０】
第２クリアパターン２７ａ、２７ｂは、それぞれの外周が例えば直径１００μｍの円形を有している。ここで、第２ダミーパターン２３ａのうち第２クリアパターン２７ａを除いた部分の面積が、第２ダミーパターン２３ａの外周面積に対して７０％以上９９．５％以下となっている。同様に、第２ダミーパターン２３ｂのうち第２クリアパターン２７ｂを除いた部分の面積が、第２ダミーパターン２３ｂの外周面積に対して７０％以上９９．５％以下となっている。また、第２配線基板３において、第２配線パターン２２の形成領域と第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂの形成領域との残銅率は、ほぼ等しくなっている。
【００２１】
一方、第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂは、第２配線パターン２４と同様に、第２絶縁基板２１の下面に形成されたパターンであって、第２絶縁基板２１の下面の２箇所に分割して形成されている。ここで、第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂは、それぞれその厚さが約１０μｍ、外周面積が０．０１ｍｍ２以上となっている。また、第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂと第２配線パターン２４との距離は、４００μｍ以下となっている。そして、第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂは、後述するビア３４ｂを介して後述する第３ダミーパターン３３ａ、３３ｂと電気的に接続されている。また、第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂには、それぞれ第２クリアパターン２８ａ、２８ｂが複数形成されている。
【００２２】
第２クリアパターン２８ａ、２８ｂは、それぞれの外周が例えば直径１００μｍの円形を有している。ここで、第２ダミーパターン２５ａのうち第２クリアパターン２８ａを除いた部分の面積が、第２ダミーパターン２５ａの外周面積に対して７０％以上９９．５％以下となっている。同様に、第２ダミーパターン２５ｂのうち第２クリアパターン２８ｂを除いた部分の面積が、第２ダミーパターン２５ｂの外周面積に対して７０％以上９９．５％以下となっている。また、第２配線基板３において、第２配線パターン２４の形成領域と第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂの形成領域との残銅率は、ほぼ等しくなっている。
【００２３】
第３配線基板４は、第１及び第２配線基板２、３と同様に、第３絶縁基板３１と、第３絶縁基板３１の下面に形成された第３配線パターン３２及び第３ダミーパターン３３ａ、３３ｂとを備えている。
第３絶縁基板３１は、第１及び第２絶縁基板１１、２１と同様に、絶縁性のフィルムによって構成され、その厚さが例えば２５μｍ〜３０μｍとなっている。また、第３絶縁基板３１にはその厚さ方向で貫通するビア３４ａ、３４ｂが形成されており、第３絶縁基板３１の上下両面の電気的な接続が確保される。
【００２４】
第３配線パターン３２は、第３絶縁基板３１の下面に形成された線状のパターンであって、その厚さが約１０μｍとなっている。また、第３配線パターン３２は、上述したビア３４ａにより第２配線パターン２４と電気的に接続されている。
第３ダミーパターン３３ａ、３３ｂは、第３配線パターン３２と同様に、第３絶縁基板３１の下面に形成されたパターンであって、第３絶縁基板３１の下面の２箇所に分割して形成されている。ここで、第３ダミーパターン３３ａ、３３ｂは、それぞれその厚さが約１０μｍ、外周面積が０．０１ｍｍ２以上となっている。
また、第３ダミーパターン３３ａ、３３ｂは、上述したビア３４ｂにより第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂと電気的に接続されている。そして、第１から第３ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂは、ビア１４ｂ、２６ｂ、３４ｂを介してそれぞれ電気的に接続されている。なお、これら第１から第３ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂは、グラウンドに接続されている。
また、第３ダミーパターン３３ａ、３３ｂには、それぞれ第３クリアパターン３５ａ、３５ｂが複数形成されている。
【００２５】
第３クリアパターン３５ａ、３５ｂは、それぞれの外周が例えば直径１００μｍの円形を有している。ここで、第３ダミーパターン３３ａのうち第３クリアパターン３５ａを除いた部分の面積が、第３ダミーパターン３３ａの外周面積に対して７０％以上９９．５％以下となっている。同様に、第３ダミーパターン３３ｂのうち第３クリアパターン３５ｂを除いた部分の面積が、第３ダミーパターン３３ｂの外周面積に対して７０％以上９９．５％以下となっている。また、第３配線基板４において、第３配線パターン３２の形成領域と第３ダミーパターン３３ａ、３３ｂの形成領域との残銅率は、ほぼ等しくなっている。
【００２６】
第１及び第２接着層５、６は、第１及び第２配線基板２、３、第２及び第３配線基板３、４をそれぞれ接着しており、その厚さがそれぞれ例えば２０μｍとなっている。
ここで、第１接着層５には、平面視でビア１４ａ、１４ｂと重なる領域にその厚さ方向で貫通する貫通孔が形成されている。また、第２接着層６には、平面視でビア３４ａ、３４ｂと重なる領域にその厚さ方向で貫通する貫通孔が形成されている。
【００２７】
次に、以上のような構成の多層配線板１の製造方法を、図３及び図４を用いて説明する。
最初に、絶縁性のポリイミドフィルムで構成された第２配線基板３の両面に銅箔を貼り付け、化学研磨により１０μｍ程度まで研磨して第２導体層４１、４２を形成する（図３（ａ））。
そして、第２導体層４１、４２が形成された第２絶縁基板２１に脱脂処理を施した後、レーザ加工により第２導体層４１及び第２絶縁基板２１を貫通するビア２６ａ、２６ｂを形成する（図３（ｂ））。
【００２８】
次に、ビア２６ａ、２６ｂにデスミア処理を施した後、無電解銅メッキ処理及び電解銅メッキ処理を施してメッキ層を形成することでビア２６ａ、２６ｂ内に導電材料を充填する。その後、硫酸と過酸化水素水との混合液により化学研磨を行い、第２導体層４１、４２の層厚を１０μｍにする（図３（ｃ））。
そして、第２導体層４１、４２上に液状レジストを塗布することでレジスト層４３、４４をそれぞれ形成する（図３（ｄ））。
【００２９】
その後、レジスト層４３にフォトリソグラフィ技術を用いた露光、現像を行うことで、第２導体層４１上に第２配線パターン２２及び第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂと同様の形状を有するパターン用マスク４５を形成する。同様に、レジスト層４４にフォトリソグラフィ技術によって第２配線パターン２４及び第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂと同様の形状を有するパターン用マスク４６を形成する。ここで、パターン用マスク４５、４６には、それぞれ第２クリアパターン２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂと同様の形状のマスクパターンを形成しておく（図４（ａ））。
【００３０】
続いて、パターン用マスク４５、４６上から第２導体層４１、４２に向けてエッチング液をスプレー噴霧することにより、パターン用マスク４５、４６の開口領域の第２導体層４１、４２にエッチング処理を施す。これにより、第２配線パターン２２及び第２ダミーパターン２３ａ、２３ｂと第２配線パターン２４及び第２ダミーパターン２５ａ、２５ｂとが形成される（図４（ｂ））。以上のようにして第２配線基板３を形成する。
【００３１】
次に、第２配線基板３の上面に第１接着層５を介して表面に銅箔を貼り付けることによって第１導体層４７が形成された第１絶縁基板１１を貼り合せる。同様に、第２配線基板３の下面に第２接着層６を介して第３導体層４８が形成された第３絶縁基板３１を貼り合せる（図４（ｃ））。
そして、上述と同様にフォトリソグラフィ技術及びエッチング処理を用いることにより、第１及び第３配線基板４を形成する（図４（ｄ））。以上のようにして多層配線板１を形成する。
【００３２】
このように構成された多層配線板１によれば、各ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂの外周面積を０．０１ｍｍ２以上とすることで、各ダミーパターンを互いに電気的に接続することが容易となる。また、各ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂの外周面積に対する面積率を７０％以上９９．５％以下とすることで、各絶縁基板１１、２１、３１の強度を十分に維持することができる。したがって、各絶縁基板１１、２１、３１それぞれに対する応力を均等にして歪みやソリの発生を抑制すると共に、良好な電気特性を得ることができる。
そして、各絶縁基板１１、２１、３１にかかる応力を均等にすることで、各配線基板２〜４の積層時における位置決めが容易となる。
【００３３】
また、各配線基板２〜４において、各配線パターン１２、２２、２４、３２の外縁部と各ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂの外縁部との距離を４００μｍ以下としているので、各配線基板２〜４を接着層５、６を介して接着する際、各配線パターン１２、２２、２４、３２と各ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂとの間に塗布された接着剤中に気泡の噛み込みが発生することを防止できる。
同様に、各配線基板２〜４において、各クリアパターン１５ａ、１５ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂの形状を平面視で直径１００μｍの円形としており、縁部のうちの任意の２点間の距離を１００μｍ以下とすることで、各クリアパターン１５ａ、１５ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂ内に塗布された接着剤中に気泡の噛み込みが発生することを防止できる。
さらに、積層された各ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂ同士が互いに電気的に接続され、これらをグラウンドに接続することで、各配線パターン１２、２２、２４、３２中を流れる信号電流に対する逆電流の発生を妨げることがないようにできる。
【実施例１】
【００３４】
次に、本発明にかかる多層配線板を実施例により具体的に説明する。
まず、第２絶縁基板の両面に銅箔で構成された第２導体層が貼り合わされた、幅１０５ｍｍの両面銅箔付ポリイミド基板を用いて上述した製造方法により多層配線板を形成した。ここで、第１配線基板には、第１ダミーパターンが３箇所に分割して形成されており、それぞれの外周面積、ダミーパターンのうちクリアパターンを除いた部分の面積及び残銅率は以下のようになった。
外周面積（ｍｍ２）  クリアパターンを除いた面積（ｍｍ２）    残銅率（％）
Ａ    ２２２．３                １６３．７                      ７３．６
Ｂ      ６８．２                  ５１．１                      ７４．９
Ｃ        ２．３                    ２．０                      ８７．０
そして、第１配線基板全体における銅面積率は、６８．４％となった。
【００３５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態において、多層配線板１は第１から第３配線基板２〜４を３層積層した構成となっているが、２層以上積層されていればよい。
また、第１から第３配線基板２〜４の積層方法としては、枚葉基板に限らず、テープ上のフレキシブル基板を用いたロール・ツー・ロールによる連続製造方法を用いてもよい。
【００３６】
また、第１から第３絶縁基板１１、２１、３１としてポリイミドを用いているが、ガラスエポキシやＢＴレジンなど、他の絶縁性材料を用いてもよい。
また、第１から第３絶縁基板１１、２１、３１にビア１４ａ、１４ｂ、２６ａ、２６ｂを形成し、第１から第３配線基板２〜４の間で電気的な接続をする必要なければ形成しなくてもよい。また、ビア１４ａ、１４ｂ、２６ａ、２６ｂの形成位置及び形成数は、設計に応じて適宜変更してもよい。さらに、ビア１４ａ、１４ｂ、２６ａ、２６ｂは、コンフォーマルビアやフィルドビア、スタックビアであってもよい。
【００３７】
また、第１から第３ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂの外周面積に対する面積率を７０％以上９９．５％以下としているが、面積率は６０％以上９９．５％以下であればよい。また、ダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂを絶縁基板１１、２１、３１上の２箇所に分割して形成しているが、ダミーパターンの外周面積が０．０１ｍｍ２以上であればダミーパターンの形成箇所を１箇所としても３箇所以上としてもよい。
また、第１から第３クリアパターン１５ａ、１５ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂの形状は円形に限らず、多角形など他の形状であってもよい。
また、第１から第３クリアパターン１５ａ、１５ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂの形成位置及び形成数は、設計に応じて適宜変更してもよい。
【００３８】
また、第１から第３配線パターン１２、２２、２４、３２の外縁部とダミーパターン１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ、３３ａ、３３ｂの外縁部との距離を４００μｍ以下としているが、５００μｍ以下であればよく、気泡の噛み込みが発生しないのでれば５００μｍより大きくてもよい。
同様に、第１から第３クリアパターン１５ａ、１５ｂ、２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂの縁部のうちの任意の２点間の距離を１００μｍ以下としているが、５００μｍ以下であればよく、気泡の噛み込みが発生しないのでれば５００μｍより大きくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態における多層配線板を示す平面図である。
【図２】図１の多層配線板を示す断面図である。
【図３】一実施形態における多層配線板の製造工程を示す断面図である。
【図４】同様に、一実施形態における多層配線板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  多層配線板
２  第１配線基板
３  第２配線基板
４  第３配線基板
１１  第１絶縁基板
１２  第１配線パターン
１３ａ、１３ｂ  第１ダミーパターン
１５ａ、１５ｂ  第１クリアパターン
２１  第２絶縁基板
２２、２４  第２配線パターン
２３ａ、２３ｂ、２５ａ、２５ｂ  第２ダミーパターン
２７ａ、２７ｂ、２８ａ、２８ｂ  第２クリアパターン
３１  第３絶縁基板
３２  第３配線パターン
３３ａ、３３ｂ  第３ダミーパターン
３５ａ、３５ｂ  第３クリアパターン
【図１】
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【図２】
2007150060.tif 000004
【図３】
2007150060.tif 000005
【図４】
2007150060.tif 000006