(57)【要約】【課題】配線を含む導電体の腐食及び損傷を防止することができる平板表示装置及び平板表示装置の製造方法を提供すること【解決手段】本発明に係る平板表示装置は、導電体１０と、導電体１０の側端部に位置する保護膜パターン２０と、を含む。導電体１０の側端部に形成された保護膜パターン２０は、製造工程において透明導電膜のパターニング等に使用されるエッチング液等が導電体１０に接触することを防ぐことができる。よって、導電体１０がエッチング液等により腐食及び損傷されることを防ぐことができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体と、
前記導電体の側端部に位置する保護膜パターンと、
を備えることを特徴とする平板表示装置。
【請求項２】
前記導電体は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる導電層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記導電体は、順次に積層された第１導電層、第２導電層及び第３導電層を含み、
前記第２導電層は、アルミニウム又はアルミニウム合金であることを特徴とする、請求項２に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記第１導電層及び第３導電層のうち少なくとも一方は、クロム（Ｃｒ）、クロム合金（Ｃｒ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（ＭＯ）、モリブデン合金（ＭＯ  ａｌｌｏｙ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン合金（Ｗ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記第１導電層及び前記第３導電層のうち少なくとも一方は、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  ａｌｌｏｙ）、タンタル（Ｔａ）及びタンタル合金（Ｔａ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記保護膜パターンは、有機物からなることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記保護膜パターンは、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなることを特徴とする、請求項６に記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記保護膜パターンは、無機物からなることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項９】
前記保護膜パターンは、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなることを特徴とする、請求項８に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
互いに対向する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在され、かつ有機発光層を含む有機膜層と、を備える有機電界発光素子と、
前記有機電界発光素子に電気的に連結される配線と、
前記配線の少なくとも側端部に位置する保護膜パターンと、
を備えることを特徴とする、平板表示装置。
【請求項１１】
前記配線は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる導電層を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１２】
前記配線は、順次に積層された第１導電層、第２導電層及び第３導電層を含み、
前記第２導電層は、アルミニウム又はアルミニウム合金であることを特徴とする、請求項１１に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
前記第１導電層及び前記第３導電層のうち少なくとも一方は、クロム（Ｃｒ）、クロム合金（Ｃｒ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（ＭＯ）、モリブデン合金（ＭＯ  ａｌｌｏｙ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン合金（Ｗ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の平板表示装置。
【請求項１４】
前記第１導電層及び前記第３導電層のうち少なくとも一方は、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  ａｌｌｏｙ）、タンタル（Ｔａ）及びタンタル合金（Ｔａ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の平板表示装置。
【請求項１５】
前記保護膜パターンは、有機物からなることを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１６】
前記保護膜パターンは、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなることを特徴とする、請求項１５に記載の平板表示装置。
【請求項１７】
前記保護膜パターンは、無機物からなることを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１８】
前記保護膜パターンは、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなることを特徴とする、請求項１７に記載の平板表示装置。
【請求項１９】
前記配線は、前記有機電界発光素子の前記第２電極に電気的に連結されることを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項２０】
前記配線は、前記有機電界発光素子に電気的に連結される電源配線であることを特徴とする請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項２１】
前記配線は、前記有機電界発光素子に電気的に連結される信号配線であることを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項２２】
活性層と、
前記活性層から絶縁されたゲート電極と、
前記ゲート電極から絶縁され、かつ前記活性層に電気的に連結されるソース／ドレイン電極と、
前記ゲート電極及び前記ソース／ドレイン電極のうち少なくとも一方の側端部に位置する保護膜パターンと、
を備えることを特徴とする、平板表示装置。
【請求項２３】
前記ゲート電極及び前記ソース／ドレイン電極のうち少なくとも一方は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる導電層を含むことを特徴とする、請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項２４】
前記ゲート電極及び前記ソース／ドレイン電極のうち少なくとも一方は、順次に積層された第１導電層、第２導電層及び第３導電層を含み、
前記第２導電層は、アルミニウム又はアルミニウム合金であることを特徴とする、請求項２３に記載の平板表示装置。
【請求項２５】
前記第１導電層及び前記第３導電層のうち少なくとも一方は、クロム（Ｃｒ）、クロム合金（Ｃｒ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（ＭＯ）、モリブデン合金（ＭＯ  ａｌｌｏｙ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン合金（Ｗ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項２４に記載の平板表示装置。
【請求項２６】
前記第１導電層及び前記第３導電層のうち少なくとも一方は、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  ａｌｌｏｙ）、タンタル（Ｔａ）及びタンタル合金（Ｔａ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項２４に記載の平板表示装置。
【請求項２７】
前記保護膜パターンは、有機物からなることを特徴とする、請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項２８】
前記保護膜パターンは、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなることを特徴とする、請求項２７に記載の平板表示装置。
【請求項２９】
前記保護膜パターンは、無機物からなることを特徴とする、請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項３０】
前記保護膜パターンは、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなることを特徴とする、請求項２９に記載の平板表示装置。
【請求項３１】
ソース／ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、非発光領域に位置し、かつ前記薄膜トランジスタに電気的に連結される配線と、を備える基板と、
前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一方の一部を露出させる平坦化膜と、前記配線の側端部とに位置する保護膜パターンと、
前記薄膜トランジスタに電気的に連結される有機電界発光素子と、
を備えることを特徴とする、平板表示装置。
【請求項３２】
前記ソース／ドレイン電極及び前記配線は、Ｔｉ／Ａｌの積層膜、Ｔｉ／Ａｌ合金の積層膜、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜及びＴｉ／Ａｌ合金／Ｔｉの積層膜の中から選択されるいずれか１つからなることを特徴とする、請求項３１に記載の平板表示装置。
【請求項３３】
前記Ａｌ合金は、ＡｌＳｉ及びＡｌＮｄの中から選択されるいずれか１つであることを特徴とする、請求項３２に記載の平板表示装置。
【請求項３４】
前記平坦化膜及び前記保護膜パターンは、アクリル、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＰＣＢ）及びシリケートオンガラス（ＳＯＧ）の中から選択されるいずれか１つであることを特徴とする、請求項３１に記載の平板表示装置。
【請求項３５】
前記有機電界発光素子は、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のうちいずれか１つに電気的に連結される第１電極と、
前記第１電極の一部を露出させる開口部を含む画素定義膜と、
前記開口部により露出された第１電極上に位置する発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層の上部に位置する第２電極と、
を備えることを特徴とする、請求項３１に記載の平板表示装置。
【請求項３６】
前記第１電極は、インジウムを含む金属酸化物であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ及びこれらの等価物の中から選択されるいずれか１つを含む単一層又は多重層からなることを特徴とする、請求項３５に記載の平板表示装置。
【請求項３７】
前記薄膜トランジスタは、
前記基板上に位置し、かつ、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む活性層と、
前記活性層を含む基板の全面に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の前記活性層に対応する領域に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極を含む基板の全面に位置する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に位置し、かつ、前記ソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極と、
を備え、
前記ソース／ドレイン電極と同一層に位置する前記配線を含むことを特徴とする、請求項３１に記載の平板表示装置。
【請求項３８】
基板上に、ソース／ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、非発光領域に位置し、かつ、前記薄膜トランジスタに電気的に連結される配線とを形成し、
前記薄膜トランジスタ及び前記配線を含む前記基板の全面に平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜をパターニングして、前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一方の一部を露出させるビアホール及び前記配線の側端部に位置する保護膜パターンを形成し、
前記ソース／ドレイン電極に電気的に連結される有機電界発光素子を形成することを備えることを特徴とする、平板表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記ソース／ドレイン電極及び前記配線は、Ｔｉ／Ａｌの積層膜、Ｔｉ／Ａｌ合金の積層膜、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜及びＴｉ／Ａｌ合金／Ｔｉの積層膜の中から選択されるいずれか１つであることを特徴とする、請求項３８に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項４０】
前記Ａｌ合金は、ＡｌＳｉ及びＡｌＮｄの中から選択されるいずれか１つであることを特徴とする、請求項３９に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記平坦化膜及び前記保護膜パターンは、アクリル、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＰＣＢ）及びシリケートオンガラス（ＳＯＧ）の中から選択されるいずれか１つであることを特徴とする、請求項３８に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記平坦化膜は、スピンコート又はスリットコートにより形成されることを特徴とする、請求項３８に記載の平板表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置及び平板表示装置の製造方法に関し、より詳細には、電極や配線などの導電体が製造工程の進行中に腐食又はエッチングされることを防止することができる平板表示装置及び平板表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機電界発光素子及び無機電界発光素子等の平板表示装置は、配線抵抗を低減するために、アルミニウム系の金属を使用する。
【０００３】
このようなアルミニウム系の金属導電体は、製造工程中にエッチング液等により、容易に損傷を受ける。
【０００４】
このようなアルミニウム系の金属導電体の損傷を防止するために、特許文献１には、チタニウム、アルミニウム及び窒化チタニウムの三層構造の配線が開示されているが、製造工程が進行される過程で、中間層であるアルミニウム層が、エッチング液の浸透によって腐食される問題が依然として発生する。
【０００５】
この問題を解決するために、特許文献２によれば、三層構造の配線においてアルミニウム層の保護水準を高めるために、配線の側面に反射膜がさらに形成され、これを透明導電膜で取り囲む構造を提案している。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２４３８３４号公報
【特許文献２】特開２００４−１５８８２６号公報
【特許文献３】大韓民国特許公開第１０−０４４１４３４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献２の場合にも、配線の側面を取り囲む反射膜がアルミニウム系であるから、配線を保護するのに限界があり、反射膜をパターニングした後、透明導電膜のパターニング工程において同様にエッチング液による腐食が依然として発生するという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、配線を含む導電体の腐食及び損傷を防止することが可能な、新規かつ改良された平板表示装置及び平板表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、導電体と、導電体の側端部に位置する保護膜パターンと、を備えることを特徴とする平板表示装置が提供される。
【００１０】
また、導電体は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる導電層を含んでもよい。
【００１１】
また、導電体は、順次に積層された第１導電層、第２導電層及び第３導電層を含み、
第２導電層は、アルミニウム又はアルミニウム合金であってもよい。
【００１２】
また、第１導電層及び第３導電層のうち少なくとも一方は、クロム（Ｃｒ）、クロム合金（Ｃｒ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（ＭＯ）、モリブデン合金（ＭＯ  ａｌｌｏｙ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン合金（Ｗ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００１３】
また、第１導電層及び第３導電層のうち少なくとも一方は、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  ａｌｌｏｙ）、タンタル（Ｔａ）及びタンタル合金（Ｔａ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００１４】
また、保護膜パターンは、有機物からなってもよい。
【００１５】
また、保護膜パターンは、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなってもよい。
【００１６】
また、保護膜パターンは、無機物からなってもよい。
【００１７】
また、保護膜パターンは、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなってもよい。
【００１８】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、互いに対向する第１電極及び第２電極と、第１電極と第２電極との間に介在され、かつ有機発光層を含む有機膜層と、を備える有機電界発光素子と、有機電界発光素子に電気的に連結される配線と、配線の少なくとも側端部に位置する保護膜パターンと、を備えることを特徴とする、平板表示装置が提供される。
【００１９】
また、配線は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる導電層を含んでもよい。
【００２０】
また、配線は、順次に積層された第１導電層、第２導電層及び第３導電層を含み、
第２導電層は、アルミニウム又はアルミニウム合金であってもよい。
【００２１】
また、第１導電層及び第３導電層のうち少なくとも一方は、クロム（Ｃｒ）、クロム合金（Ｃｒ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（ＭＯ）、モリブデン合金（ＭＯ  ａｌｌｏｙ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン合金（Ｗ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００２２】
また、第１導電層及び第３導電層のうち少なくとも一方は、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  ａｌｌｏｙ）、タンタル（Ｔａ）及びタンタル合金（Ｔａ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００２３】
また、保護膜パターンは、有機物からなることを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置。
【００２４】
また、保護膜パターンは、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなってもよい。
【００２５】
また、保護膜パターンは、無機物からなってもよい。
【００２６】
また、保護膜パターンは、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなってもよい。
【００２７】
また、配線は、有機電界発光素子の第２電極に電気的に連結されてもよい。
【００２８】
また、配線は、有機電界発光素子に電気的に連結される電源配線であってもよい。
【００２９】
また、配線は、有機電界発光素子に電気的に連結される信号配線であってもよい。
【００３０】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、活性層と、活性層から絶縁されたゲート電極と、ゲート電極から絶縁され、かつ活性層に電気的に連結されるソース／ドレイン電極と、ゲート電極及びソース／ドレイン電極のうち少なくとも一方の側端部に位置する保護膜パターンと、を備えることを特徴とする、平板表示装置が提供される。
【００３１】
また、ゲート電極及びソース／ドレイン電極のうち少なくとも一方は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる導電層を含んでもよい。
【００３２】
また、ゲート電極及びソース／ドレイン電極のうち少なくとも一方は、順次に積層された第１導電層、第２導電層及び第３導電層を含み、第２導電層は、アルミニウム又はアルミニウム合金であってもよい。
【００３３】
また、第１導電層及び第３導電層のうち少なくとも一方は、クロム（Ｃｒ）、クロム合金（Ｃｒ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（ＭＯ）、モリブデン合金（ＭＯ  ａｌｌｏｙ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン合金（Ｗ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００３４】
また、第１導電層及び第３導電層のうち少なくとも一方は、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  ａｌｌｏｙ）、タンタル（Ｔａ）及びタンタル合金（Ｔａ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００３５】
また、保護膜パターンは、有機物からなってもよい。
【００３６】
また、保護膜パターンは、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなってもよい。
【００３７】
また、保護膜パターンは、無機物からなってもよい。
【００３８】
また、保護膜パターンは、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなってもよい。
【００３９】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ソース／ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、非発光領域に位置し、かつ薄膜トランジスタに電気的に連結される配線と、を備える基板と、ソース／ドレイン電極のうちいずれか一方の一部を露出させる平坦化膜と、配線の側端部とに位置する保護膜パターンと、薄膜トランジスタに電気的に連結される有機電界発光素子と、を備えることを特徴とする、平板表示装置が提供される。
【００４０】
また、ソース／ドレイン電極及び配線は、Ｔｉ／Ａｌの積層膜、Ｔｉ／Ａｌ合金の積層膜、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜及びＴｉ／Ａｌ合金／Ｔｉの積層膜の中から選択されるいずれか１つからなってもよい。
【００４１】
また、Ａｌ合金は、ＡｌＳｉ及びＡｌＮｄの中から選択されるいずれか１つであってもよい。
【００４２】
また、平坦化膜及び保護膜パターンは、アクリル、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＰＣＢ）及びシリケートオンガラス（ＳＯＧ）の中から選択されるいずれか１つであってもよい。
【００４３】
また、有機電界発光素子は、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のうちいずれか１つに電気的に連結される第１電極と、第１電極の一部を露出させる開口部を含む画素定義膜と、開口部により露出された第１電極上に位置する発光層を含む有機膜層と、有機膜層の上部に位置する第２電極と、を備えてもよい。
【００４４】
また、第１電極は、インジウムを含む金属酸化物であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ及びこれらの等価物の中から選択されるいずれか１つを含む単一層又は多重層からなってもよい。
【００４５】
また、薄膜トランジスタは、基板上に位置し、かつ、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む活性層と、活性層を含む基板の全面に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の活性層に対応する領域に位置するゲート電極と、ゲート電極を含む基板の全面に位置する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に位置し、かつ、ソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極と、を備え、ソース／ドレイン電極と同一層に位置する配線を含んでもよい。
【００４６】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板上に、ソース／ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、非発光領域に位置し、かつ、薄膜トランジスタに電気的に連結される配線とを形成し、薄膜トランジスタ及び配線を含む基板の全面に平坦化膜を形成し、平坦化膜をパターニングして、ソース／ドレイン電極のうちいずれか一方の一部を露出させるビアホール及び配線の側端部に位置する保護膜パターンを形成し、ソース／ドレイン電極に電気的に連結される有機電界発光素子を形成することを備えることを特徴とする、平板表示装置の製造方法が提供される。
【００４７】
また、ソース／ドレイン電極及び配線は、Ｔｉ／Ａｌの積層膜、Ｔｉ／Ａｌ合金の積層膜、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜及びＴｉ／Ａｌ合金／Ｔｉの積層膜の中から選択されるいずれか１つであってもよい。
【００４８】
また、Ａｌ合金は、ＡｌＳｉ及びＡｌＮｄの中から選択されるいずれか１つであってもよい。
【００４９】
また、平坦化膜及び保護膜パターンは、アクリル、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＰＣＢ）及びシリケートオンガラス（ＳＯＧ）の中から選択されるいずれか１つであってもよい。
【００５０】
また、平坦化膜は、スピンコート又はスリットコートにより形成されてもよい。
【発明の効果】
【００５１】
以上説明したように本発明によれば、配線を含む導電体の腐食及び損傷を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００５３】
（導電体の一例）
図１は、本発明の一実施形態に係る平板表示装置に設けられた導電体１０の一例を示す断面図である。この導電体１０は、平板表示装置に使われるデータ配線、スキャン配線、電源配線又はこれらの電圧降下を防止するためのバス配線として使用され、又は、後述するように、ＴＦＴやキャパシタなどの電極に使用されうる。
【００５４】
導電体１０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物のような金属物質を含むか、又は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ又はＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質を含むことができる。また、導電体１０として、伝導性有機物やＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕなど導電粒子が含まれた伝導性ペーストを使用することもできる。
【００５５】
このような導電体１０は、保護膜パターン２０によりその側面を取り囲まれる。保護膜パターン２０は、絶縁体からなり、かつ導電体１０の側面を取り囲んで、導電体１０の側面から流入されるエッチング液やその他のエッチャントなどから導電体１０を保護することができる。
【００５６】
このような保護膜パターン２０は、有機物からなることができるが、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなることができ、好ましくは、アクリル材、より好ましくは、感光性アクリル材で形成され、パターンの形成を一層容易にすることができる。
【００５７】
また、保護膜パターン２０は、無機物からなることができるが、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなることができる。
【００５８】
（導電体の他の例）
一方、この導電体１０は、図２に示すように、アルミニウム又はアルミニウム合金を含む多層構造で形成されてもよい。図２は、本発明の一実施形態に係る平板表示装置に設けられた導電帯の他の例を示す断面図である。
【００５９】
図２に示された導電体１０の他の例は、下側から第１導電層１１、第２導電層１２及び第３導電層１３が順次に積層された構造体を含むことができる。この際、第２導電層１２は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されてもよい。このアルミニウム又はアルミニウム合金の例として、例えば、Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＮｄ及びＡｌＣｕなどが挙げられる。
【００６０】
このように、第２導電層１２をアルミニウム系金属で形成する場合、第１導電層１１及び第３導電層１３のうち少なくとも一方は、クロム（Ｃｒ）、クロム合金（Ｃｒ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（ＭＯ）、モリブデン合金（ＭＯ  ａｌｌｏｙ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン合金（Ｗ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００６１】
このような構造の一例として、第１導電層１１及び第３導電層１３としてＭｏＷを使用し、第２導電層１２としてＡｌＮｄを使用した構造が用いられるが、本発明はかかる例に限定されない。
【００６２】
一方、第２導電層１２がアルミニウム系金属で形成される場合、第１導電層１１及び第３導電層１３のうち少なくとも一方は、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  ａｌｌｏｙ）、タンタル（Ｔａ）及びタンタル合金（Ｔａ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００６３】
このような構造の一例として、第１導電層１１及び第３導電層１３としてＴｉ系金属を使用し、第２導電層１２としてＡｌ系金属を使用した構造が用いられるが、本発明はかかる例に限定されない。
【００６４】
上記導電体１０の他の例は、三層構造の配線であるとしたが、本発明はかかる例に限定されるものではなく、例えば、上記三層構造の配線を使用することに加えて、別の層状構造をさらに備えてもよい。
【００６５】
このように、多層構造の導電体１０の場合にも、絶縁体で導電体１０の側端部を覆う保護膜パターン２０を形成することができる。この保護膜パターン２０の形成材料は、前述した通りである。
【００６６】
すなわち、保護膜パターン２０は、有機物からなる場合、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなることができ、好ましくは、アクリル材、より好ましくは、感光性アクリル材で形成され、パターンの形成を一層容易にすることができる。また、保護膜パターン２０は、無機物からなる場合、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなることができる。
【００６７】
このように、前記導電体１０を多層構造で形成することによって、導電性の良好なアルミニウム系第２導電層１２により、導電体１０全体の導電性を向上することができ、第１導電層１１及び第３導電層１３が第２導電層１２を保護することができる。そして、側面に形成された保護膜パターン２０により、エッチャント（エッチング液）などが浸透してアルミニウム系の第２導電層１２を腐食又はエッチングさせることを防止することができる。
【００６８】
前述のような構造は、平板表示装置の画素及び発光領域の外側など各種の領域において使用可能である。
【００６９】
（有機電界発光表示装置の一例）
図３は、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の一例を示す断面図。図３に示すように、基板３１上にＴＦＴ４０及び有機電界発光素子ＯＬＥＤが設けられる。
【００７０】
基板３１には、アクリル、ポリイミド、ポリカボネート、ポリエステル、マイラー（ｍｙｌａｒ）、その他のプラスチック材料が使われてもよいが、必ずしもこれらに限定されるものではなく、ＳＵＳ、タングステンなどのような金属箔をも使用可能であり、ガラス材をも使用可能である。
【００７１】
この基板３１の上面には、不純物イオンが拡散されることを防止し、水分や外気の浸透を防止し、かつ表面を平坦化するためのバリヤー層及び／又はバッファ層のような絶縁層３２が形成されることができる。
【００７２】
この絶縁層３２上に、ＴＦＴ４０の活性層４１が半導体材料により形成され、これを覆うようにゲート絶縁膜３３が形成される。活性層４１には、非晶質シリコン又は多結晶シリコンのような無機半導体や、有機半導体が使われてもよい。また、活性層４１は、ソース領域４１２と、ドレイン領域４１３と、これらの間に形成されたチャネル領域４１１とを含む。
【００７３】
ゲート絶縁膜３３上には、ゲート電極４２が形成され、これを覆うように層間絶縁膜３４が形成される。そして、層間絶縁膜３４上には、ソース電極４３及びドレイン電極４４が形成され、これを覆うようにパッシベーション膜３５が順次に形成される。
【００７４】
ゲート絶縁膜３３、層間絶縁膜３４及びパッシベーション膜３５は、絶縁体で形成されうるが、単層又は複数層の構造で形成されていて、有機物、無機物、又は有機／無機複合物で形成されてもよい。
【００７５】
前述したようなＴＦＴ４０の積層構造は、必ずしもこれらに限定されるものではなく、多様な構造のＴＦＴがいずれも適用可能である。
【００７６】
パッシベーション膜３５の上部には、有機発光素子ＯＬＥＤの１つの電極である第１電極５１が形成され、その上部に画素定義膜３７が形成され、この画素定義膜３７に所定の開口部３８を介して第１電極が露出された後、有機電界発光素子ＯＬＥＤの有機膜層５２が形成される。
【００７７】
有機発光素子ＯＬＥＤは、電流の流れによつて赤色、緑色及び青色の光を発光して所定の画像情報を示すものであって、ＴＦＴ４０のドレイン電極４４にビアホール３６を介してコンタクトされた第１電極５１と、画素全体を覆うように形成された第２電極５３と、これらの第１電極５１と第２電極５３との間に配置され、かつ発光層を含む有機膜層５２とで構成される。
【００７８】
第１電極５１と第２電極５３とは、有機膜層５２により互いに絶縁されており、有機膜層５２に異なる極性の電圧を印加して有機膜層５２を発光させる。
【００７９】
有機膜層５２は、低分子又は高分子有機膜が使われることができる。有機膜層５２に低分子有機膜を使用する場合、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）などが単一又は複合の構造で積層されて形成されることができる。そして、有機膜層５２に使用される有機材料としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン(Ｎ,Ｎ’―Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ―１―ｙｌ)―Ｎ，Ｎ’―ｄｉｐｈｅｎｙｌ―ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム(ｔｒｉｓ―８―ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  ａｌｕｍｉｎｕｍ)（Ａｌｑ３）などを初めとして多様に適用可能である。これらの低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。この際、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層などは、共通層であって、赤色、緑色及び青色の画素に共通に適用されうる。従って、図３とは異なって、これらの共通層は、第２電極５３と同様に、画素全体を覆うように形成されうる。
【００８０】
一方、有機膜層５２に高分子有機膜を使用する場合には、一般的に、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）からなる構造を有することができ、この際、正孔輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し、発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ―Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系など高分子有機物質を使用し、これをスクリン印刷やインクゼット印刷方法などで形成することができる。
【００８１】
前述のような有機膜層５２は、必ずしもこれらに限定されるものではなく、多様な実施形態が適用されうることはもちろんである。
【００８２】
第１電極５１は、アノード電極として機能し、第２電極５３は、カソード電極として機能するが、もちろん、これらの第１電極５１及び第２電極５３の極性は、反対になってもよい。
【００８３】
背面発光型（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｔｙｐｅ）である場合、前記第１電極５１は、透明電極からなることができ、第２電極５３は、反射電極からなることができる。この際、このような透明電極は、仕事関数が高く且つ透明なＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯなどを使用して形成することができ、第２電極５３である反射電極は、仕事関数が低いＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物などの金属材からなることができる。
【００８４】
一方、前面発光型（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｔｙｐｅ）である場合、前記第１電極５１は、反射電極からなることができ、第２電極５３は、透明電極からなることができる。この際、第１電極５１となる反射電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物などで反射膜を形成した後、その上に仕事関数が高いＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３又はＺｎＯなどを形成することができる。そして、第２電極５３となる反射電極は、仕事関数が低い金属、すなわちＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ又はＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質で補助電極層やバス電極ラインを形成することができる。
【００８５】
一方、有機電界発光表示装置が両面発光型の場合、前記第１電極５１及び第２電極５３の両方は、透明電極で形成されてもよい。
【００８６】
第１電極５１及び第２電極５３は、必ずしも前述したような物質で形成されるものに限らず、伝導性有機物や、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕなど導電粒子が含まれた伝導性ペイストなどで形成することもできる。このような伝導性ペイストを使用する場合、第１電極５１及び第２電極５３は、インクジェットプリント方法を使用してプリントされ、プリント後に焼成されて形成されうる。
【００８７】
このように、有機電界発光素子ＯＬＥＤを形成した後、その上部を封止して外気から遮断する。
【００８８】
一方、本実施形態において、ゲート電極４２、ソース電極４３及びドレイン電極４４は、前述した導電体１０と同様に、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物のような金属物質を含むか、又は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ又はＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質を含むことができる。また、ゲート電極４２、ソース電極４３及びドレイン電極４４として、伝導性有機物や、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕなど導電粒子が含まれた伝導性ペイストを使用することもできる。
【００８９】
尚、図２に示し前述したように、ゲート電極４２、ソース電極４３及びドレイン電極４４は、三層構造の積層体として形成されてもよい。
【００９０】
図３に示された本発明の一実施形態によれば、ゲート電極４２は、単層構造で形成されており、ソース電極４３及びドレイン電極４４は、三層構造で形成されているが、本発明は必ずしもこれらに限定されるものではなく、前述した図面全体で記述した構造の多様な組み合わせがいずれも適用可能である。以下では、図３に示すように、ゲート電極４２は、単層構造で形成されており、ソース電極４３及びドレイン電極４４は、三層構造で形成されているとして説明する。
【００９１】
ソース電極４３及びドレイン電極４４は、図３の下側から第１導電層４３１、４４１、第２導電層４３２、４４２、及び第３導電層４３３、４４３が順次に積層された構造体を含むことができる。この際、第２導電層４３２、４４２がアルミニウム又はアルミニウム合金で形成されてもよい。このアルミニウム又はアルミニウム合金の例として、例えば、Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＮｄ及びＡｌＣｕなどが挙げられる。
【００９２】
このように、第２導電層４３２、４４２をアルミニウム系金属で形成する場合、前述したように、第１導電層４３１、４４１及び第３導電層４３３、４４３のうち少なくとも一方は、クロム（Ｃｒ）、クロム合金（Ｃｒ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（ＭＯ）、モリブデン合金（ＭＯ  ａｌｌｏｙ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン合金（Ｗ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００９３】
このような構造の一例として、第１導電層４３１、４４１及び第３導電層４３３、４４３としてＭｏＷを使用し、第２導電層４３２、４４２としてＡｌＮｄを使用した構造が用いられるが、本発明はかかる例に限定されない。
【００９４】
一方、第２導電層４３２、４４２がアルミニウム系金属で形成される場合、第１導電層４３１、４４１及び第３導電層４３３、４４３のうち少なくとも一方は、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウム合金（Ｔｉ  ａｌｌｏｙ）、タンタル（Ｔａ）及びタンタル合金（Ｔａ  ａｌｌｏｙ）のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００９５】
このような構造の一例として、第１導電層４３１、４４１及び第３導電層４３３、４４３としてＴｉ系金属を使用し、第２導電層４３２、４４２としてＡｌ系金属を使用した構造が用いられるが、本発明はかかる例に限定されない。
【００９６】
上述のソース電極４３及びドレイン電極４４は、三層構造を有するとしたが、必ずこれらに限定されるものではなく、三層構造の配線を使用することに加えて、別の層状構造をさらに備えてもよい。
【００９７】
このように、多層構造のソース電極４３及びドレイン電極４４の場合にも、絶縁体でソース電極４３及びドレイン電極４４の側端部を覆う保護膜パターン４５を形成することができる。この保護膜パターン４５の形成材料は、上述した保護膜パターン２０の形成材量で説明した通りである。
【００９８】
すなわち、保護膜パターン４５は、有機物からなる場合、フェノール群を含む高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエテール系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの混合物からなる群より選択された少なくとも１つからなることができ、好ましくは、アクリル材、より好ましくは、感光性アクリル材で形成され、パターンの形成が一層容易になるようにすることができる。また、無機物からなる場合、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ及びＰＺＴからなる群より選択された少なくとも１つからなることができる。
【００９９】
このように、前記ソース電極４３及びドレイン電極４４を多層構造で形成することによって、導電性の良好なアルミニウム系の第２導電層４３２、４４２によりソース電極４３及びドレイン電極４４全体の導電性が向上することができ、第１導電層４３１、４４１及び第３導電層４３３、４４３が第２導電層４３２、４４２を保護することができる。そして、側面に形成された保護膜パターン４５により、エッチャントなどが浸透してアルミニウム系第２導電層４３２、４４２を腐食又はエッチングさせることを防止することができる。これは、特に第１電極５１のパターニング工程の際に、エッチャントの浸透からソース電極４３及びドレイン電極４４を保護するのに一層有用である。
【０１００】
一方、このように、ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する際、配線６０をさらに形成することができる。この配線６０は、Ｖｄｄ電源線として使用することができる。しかし、本発明は必ずしもこれに限定されるものではなく、有機電界発光表示装置の画素回路に設けられることができる各種の配線のいずれとしても使用可能である。ソース電極４３及びドレイン電極４４と同様に形成されたこの配線６０も、第１導電層６０１、第２導電層６０２及び第３導電層６０３を有してもよい。第１導電層６０１、第２導電層６０２及び第３導電層６０３を形成する物質は、前述した通りである。
【０１０１】
この配線６０を形成する場合にも、保護膜パターン６１を前述したように形成することができる。この保護膜パターン６１は、前述したソース電極４３及びドレイン電極４４の場合と同様なので、詳細な説明を省略する。
【０１０２】
ソース電極４３及びドレイン電極４４を形成する際に、画素内の配線６０以外に、さらに他の導電体が形成されうるが、その一例として、図３に示すように、第１電極５３とコンタクトされるバスライン７０が、更に形成されうる。ソース電極４３及びドレイン電極４４と同様に形成されたこのバスライン７０も、第１導電層７０１、第２導電層７０２及び第３導電層７０３を有してもよい。第１導電層７０１、第２導電層７０２及び第３導電層７０３を形成する物質は、前述した通りである。このバスライン７０は、パッベーション膜３５に形成されたビアホール３９により第２電極にコンタクトされ、これにより、第２電極５３に電源を供給する。
【０１０３】
このバスライン７０を形成する場合にも、保護膜パターン７１は、前述したように形成されうる。この保護膜パターン７１は、前述したソース電極４３及びドレイン電極４４の場合と同様なので、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
前述した保護膜パターンは、導電体の側端部を覆う構造を取っているが、必ずしもこれら限定されるものではなく、導電体全体を覆うように設けられてもよい。
【０１０５】
このように、本実施形態の保護膜パターンは、多様な導電体の構造のいずれにも適用可能である。更に、前述した本実施形態において、平板表示装置として有機電界発光表示装置について説明したが、本発明は、平板表示装置として、有機電界発光表示装置以外に、液晶表示装置など多様な種類の平板表示装置にも適用されることができる。
【０１０６】
（有機電界発光表示装置の製造方法）
図４ａ〜図４ｄは、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明した断面図である。
【０１０７】
図４ａに示すように、まず、基板３１上に、基板３１から金属イオンなどの不純物が拡散されて活性層４１に浸透することを防止するための絶縁層３２を形成する。
【０１０８】
絶縁層３２を形成した後、絶縁層３２上に非晶質シリコンを蒸着し結晶化させ、多結晶シリコン膜を形成し、パターニングして活性層４１を形成する。
【０１０９】
次に、活性層４１を含む基板の全面にゲート絶縁膜３３を蒸着し、ゲート絶縁膜上にゲートメタルを蒸着しパターニングしてゲート電極４２を形成する。
【０１１０】
ゲート電極４２を形成した後、ゲート電極４２をマスクとして使用して所定の導電型の不純物を活性層４１にドープしてソース／ドレイン領域４１２、４１３を形成する。前記ソース／ドレイン領域４１２、４１３間の、不純物がドープされていない領域は、ＴＦＴのチャネル領域４１１として作用する。
【０１１１】
活性層４１にソース／ドレイン領域４１２、４１３を形成した後、前記活性層４１を含む基板の全面にわたって層間絶縁膜３４を形成し、前記層間絶縁膜３４にソース／ドレイン領域４１２、４１３の一部を露出させるコンタクトホールを形成する。
【０１１２】
コンタクトホールを含む層間絶縁膜３４上に導電物質を蒸着した後、導電物質をパターニングしてコンタクトホールを介してソース／ドレイン領域４１２、４１３に連結されるソース／ドレイン電極４３、４４を形成し、活性層４１、ゲート電極４２及びソース／ドレイン電極４３、４４などで構成されるＴＦＴを形成する。
【０１１３】
一方、ソース／ドレイン電極４３、４４を形成すると同時に、基板３１の非発光領域には、外部回路モジュールとＴＦＴとを電気的に連結させ得る配線８０を形成する。すなわち、前記配線８０は、ＴＦＴ及び外部回路モジュールに電気的に連結される。
【０１１４】
この際、前記ソース／ドレイン電極４３、４４及び配線８０は、Ｔｉ／Ａｌの積層膜、Ｔｉ／Ａｌ合金（ＡｌＳｉ、ＡｌＮｄ及びこれらの等価物）の積層膜、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ積層膜及びＴｉ／Ａｌ合金／Ｔｉの積層膜の中から選択されるいずれか１つからなることが好ましい。これは、前記配線８０の外部環境に対する腐食抵抗性を向上させるためである。
【０１１５】
ソース／ドレイン電極４３、４４及び配線８０を形成した後、ソース／ドレイン電極４３、４４及び配線８０を含む基板上に平坦化膜４６を形成し、ＴＦＴパネルを完成する。この際、平坦化膜４６は、下部構造の段差を除去できるように、アクリル、ＰＩ、ＢＣＢ、ＳＯＧ及びこれらの等価物の中から選択されるいずれか１つからなることができ、好ましくは、平坦化膜４６は、上記の物質をスピンコートまたはスリットコートにより形成されうる。
【０１１６】
図４ｂに示すように、平坦化膜４６を形成した後、平坦化膜４６をパターニングして、ソース／ドレイン電極４３、４４のうちいずれか一方、例えばドレイン電極４４の一部を露出させるビアホール３６を形成する。この際、ビアホール３６を形成すると同時に、配線８０の一部を露出させる開口部８１ａを含み、かつ配線８０の側端部に位置する保護膜パターン８１を形成する。
【０１１７】
図４ｃに示すように、ビアホール３６及び保護膜パターン８１を形成した後、ビアホール３６を介してソース／ドレイン電極４３、４４のうちいずれか一方、例えば、ドレイン電極４４に電気的に連結される第１電極５１を形成する。
【０１１８】
この際、前記第１電極５１は、透明または半透明の導電膜で形成することができ、好ましくは、前記第１電極５１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ及びこれらの等価物、すなわちインジウムを含む金属酸化物の中から選択されるいずれか１つを少なくとも１層以上含む構造からなることができる。例えば、第１電極５１は、ＩＴＯ（またはＩＺＯもしくはＩＴＺＯ）／Ａｌ（またはＡｌ  ａｌｌｏｙ）、または、ＩＴＯ（またはＩＺＯもしくはＩＴＺＯ）／Ａｌ（またはＡｌ  ａｌｌｏｙ）／ＩＴＯ（またはＩＺＯもしくはＩＴＺＯ）のような形態からなることができる。
【０１１９】
図４ｄに示すように、第１電極５１を形成した後、第１電極５１を含む基板の全面に画素定義膜３７を蒸着しパターニングして、第１電極５１の一部を露出させる開口部３８を形成する。もちろん、この際、基板３１の非発光領域に位置する画素定義膜３７も除去される。
【０１２０】
次に、開口部３８を含む画素定義膜３７の上部に発光層を含む有機膜層５２を形成する。
【０１２１】
有機膜層５２は、その機能によって複数の層で構成されうるが、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、正孔抑制層（ＨＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）のうち少なくとも上記発光層を含んで１つ以上の層からなる。
【０１２２】
また、本実施形態では、図示してはいないが、有機膜層５２は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）などを形成し、開口部に発光層（ＥＭＬ）を形成した後、正孔抑制層（ＨＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）を形成することによって形成されてもよい。
【０１２３】
有機膜層５２を形成した後、有機膜層５２の上部に第２電極５３を形成し、第１電極５１、有機膜層５２及び第２電極５３で構成される有機電界発光素子を形成する。
【０１２４】
その後、図示してはいないが、上部に封止基板を安着させ、シーラントを用いて前記薄膜トランジスタ及び有機電界発光素子が形成された基板３１を封止した後、金属配線８０と外部回路モジュールとを電気的に連結し、本発明の有機電界発光表示装置を形成する。
【０１２５】
上述のような本実施形態に係る有機電界発光表示装置によれば、ソース／ドレイン電極４３、４４及び配線８０は、Ｔｉ／Ａｌの積層膜、Ｔｉ／Ａｌ合金（ＡｌＳｉ、ＡｌＮｄ及びこれらの等価物）の積層膜、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ積層膜及びＴｉ／Ａｌ合金／Ｔｉの積層膜の中から選択されるいずれか１つからなるため、金属配線８０の外部環境に対する腐食抵抗性を向上することができる。
【０１２６】
また、第１電極５１は、一般的にウェットエッチング（ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）によりパターニングされて形成されるが、配線８０が前述のような積層膜からなり、配線８０の側端部が保護膜パターン８１で保護されることによって、ウェットエッチングにより発生し得る配線８０のエッチングによる損傷を防止することができる。
【０１２７】
また、平坦化膜４６の一部が除去されることによって、ガス放出（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）効果が減少し、有機電界発光素子の寿命向上を図ることができる。
【０１２８】
以上説明したように、本発明の実施形態によれば、ＴＦＴパネルの非発光領域の金属配線の腐食抵抗性を向上することができる。
【０１２９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】本発明の一実施形態に係る平板表示装置に設けられた導電体の一例を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る平板表示装置に設けられた導電体の他の例を示す断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の一例を示す断面図。
【図４ａ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明する断面図。
【図４ｂ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明する断面図。
【図４ｃ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明する断面図。
【図４ｄ】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置の製造方法を説明する断面図。
【符号の説明】
【０１３１】
１０  導電体
１１  第１誘電層
１２  第２誘電層
１３  第３誘電層
２０  保護膜パターン
３１  基板
３２  絶縁層
３３  ゲート絶縁膜
３４  層間絶縁膜
３５  パッシベーション膜
３６  ビアホール
３７  画素定義膜
３８  開口部
３９  ビアホール
４０  ＴＦＴ
４１  活性層
４２  ゲート電極
４３  ソース電極
４４  ドレイン電極
４５  保護膜パターン
５１  第１電極
５２  有機膜層
５３  第２電極
６０  配線
６１  保護膜パターン
７０  バスライン
７１  保護膜パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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