(57)【要約】【課題】基板を加熱することが可能であるとともに、基板を十分な回転数で回転させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】スピンチャック２１により基板Ｗが保持される。スピンチャック２１は、回転駆動機構１３６により回転可能な回転軸２５の上端に固定されている。スピンチャック２１の内部には、円盤形状の発熱板１が設けられている。さらに、発熱板１の上面に密着するように電磁シールド板２が設けられている。スピンチャック２１の下方で近接するように、円環形状を有するコイルケーシング５Ｓが設けられている。コイルケーシング５Ｓの内部には、複数のコイル４が設けられている。これらの複数のコイル４は、ハウジング４１の外部に設けられたコイル電源装置５と電気的に接続されている。コイル電源装置５は複数のコイル４に所定の周波数で交流電流を供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させることにより、基板をその基板の表面とほぼ直交する軸の周りで回転させる基板回転機構と、
前記基板保持手段に保持された基板の一面側において交番磁界を発生する磁界発生手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の一面に対向するように設けられ、前記磁界発生手段により発生される交番磁界を受けて電磁誘導により発熱する発熱部材と、
前記基板保持手段に保持された基板と前記発熱部材との間に設けられ、前記磁界発生手段から発生される電磁波を遮断する遮断部材とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記発熱部材は、１００℃における体積抵抗率が７．０×１０−８  （Ω・ｍ）以上である導電性材料からなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記遮断部材は、１００℃における体積抵抗率が５．０×１０−８  （Ω・ｍ）以下である導電性材料からなることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持手段により保持された基板に流体を供給する流体供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記流体供給手段は、前記流体として洗浄液を供給することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板回転機構は、前記流体供給手段による洗浄液の供給後に前記基板保持手段を回転させることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記流体供給手段は、前記流体として基板の表面を処理する処理流体を供給することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記流体は、加熱された流体であることを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記磁界発生手段は、
前記基板保持手段に保持された基板の一面側に配置された１または複数のコイルと、
前記１または複数のコイルに交流電流を供給する電流供給手段とを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板保持手段の温度または前記基板保持手段に保持された基板の温度を非接触で検出する温度検出手段をさらに備え、
前記電流供給手段は、前記温度検出手段により検出された温度に基づいて前記１または複数のコイルに供給する交流電流を制御することを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板保持手段を冷却する冷却手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記冷却手段は、前記基板保持手段の温度よりも低い温度を有する液体を前記基板保持手段に供給する冷却液供給手段を含むことを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記冷却手段は、前記温度検出手段により検出された温度に基づいて、動作が制御されることを特徴とする請求項１１または１２記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板および光ディスク用ガラス基板等の各種基板の処理工程においては、基板を加熱する加熱処理、基板を洗浄する洗浄処理および基板を乾燥する乾燥処理等が行われる。
【０００３】
加熱処理は、例えばヒータを内蔵するホットプレート上に基板を載置することにより行うことができる。洗浄処理は、例えば回転する基板に洗浄液を吐出することにより行うことができる。乾燥処理は、基板を回転させてその基板の表面に付着する液滴を振り切ることにより行うことができる（振り切り乾燥）。
【特許文献１】特開２００２−７５９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１には、回転駆動機構により回転可能な回転軸の上端にホットプレートを設けた気相エッチング処理部が記載されている。
【０００５】
この気相エッチング処理部においては、ホットプレートの内部にヒータが設けられる。このヒータの電気的な配線を外部へ取り出すために、例えばロータリーコネクタが用いられる。ロータリーコネクタとは、液状の水銀を用いることにより、回転体内部の配線に回転体外部からの配線を接続するものである。上記の気相エッチング処理部では、ホットプレートおよび回転軸が回転体に相当する。
【０００６】
上記の気相エッチング処理部では、基板を所定の温度に保ちつつフッ酸蒸気を回転する基板の表面に供給することにより気相エッチング処理を行うことができる。
【０００７】
しかしながら、上記の気相エッチング処理部では、ロータリーコネクタにより回転軸内部の配線と外部の配線との接続を維持できる回転軸の回転数には上限がある。具体的には、例えばロータリーコネクタを用いた場合に許容される回転軸の回転数は最大約３００ｒｐｍである。
【０００８】
この回転数は、一般的な振り切り乾燥で用いられる回転数（例えば、約３０００ｒｐｍ）よりも非常に低い。したがって、上記の気相エッチング処理部では、基板の振り切り乾燥を行うことはできない。そのため、特許文献１の気相エッチング処理部で処理された基板は水洗・乾燥処理部に搬送される。そして、その水洗・乾燥処理部において基板の水洗処理および振り切り乾燥処理が行われる。
【０００９】
本発明の目的は、基板を加熱することが可能であるとともに、基板を高い回転数で回転させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段を回転させることにより、基板をその基板の表面とほぼ直交する軸の周りで回転させる基板回転機構と、基板保持手段に保持された基板の一面側において交番磁界を発生する磁界発生手段と、基板保持手段に保持された基板の一面に対向するように設けられ、磁界発生手段により発生される交番磁界を受けて電磁誘導により発熱する発熱部材と、基板保持手段に保持された基板と発熱部材との間に設けられ、磁界発生手段から発生される電磁波を遮断する遮断部材とを備えたものである。
【００１１】
この基板処理装置においては、基板保持手段により基板が保持される。この状態で、磁界発生手段により基板の一面側に交番磁界が発生される。これにより、基板保持手段により保持された基板の一面と対向するように設けられた発熱部材が電磁誘導により発熱する。発熱部材により発生された熱が、基板に伝達される。その結果、基板が加熱される。
【００１２】
なお、交番磁界とは、時間とともに方向および大きさが変化を繰り返すような磁界のことである。たとえば具体的には、時間とともに方向および大きさが変化を繰り返す電流（交流電流）が導体（発熱部材）に流れた場合、それによって生じる磁界もまた時間とともに方向および大きさが変化を繰り返す。これが交番磁界である。
【００１３】
基板保持手段により保持された基板と発熱部材との間に遮断部材が設けられている。これにより、磁界発生手段から発生される電磁波が、基板に到達する前に遮断部材により遮断される。それにより、基板上に形成された回路素子が電磁波の影響により破損することが防止される。
【００１４】
また、この基板処理装置においては、基板保持手段により保持された基板が基板回転機構により回転される。ここで、基板の加熱は電磁誘導作用を利用することにより行われる。これにより、発熱部材が基板とともに回転する場合でも発熱部材に電気的な配線を接続する必要がないので、基板の回転数を十分に高く設定することができる。
【００１５】
上記のように、この基板処理装置によれば、基板を発熱部材により加熱することができるとともに、基板を高い回転数で回転させることができる。それにより、基板の加熱処理、洗浄処理および乾燥処理を同一の基板処理装置内で行うことができる。したがって、基板の処理のスループットが向上するとともに、設備コストが低減される。また、基板の乾燥処理に要する時間を十分に低減することができる。さらに、外部の雰囲気中のパーティクルが基板に付着することが防止され、基板の処理不良が十分に低減される。
【００１６】
（２）発熱部材は、１００℃における体積抵抗率が７．０×１０−８  （Ω・ｍ）以上である導電性材料からなってもよい。この場合、発熱部材は、磁界発生手段により発生される交番磁界を受けることにより、電磁誘導により容易かつ十分に発熱する。
【００１７】
（３）遮断部材は、１００℃における体積抵抗率が５．０×１０−８  （Ω・ｍ）以下である導電性材料からなってもよい。この場合、遮断部材は、磁界発生手段から発生される電磁波の通過を十分に防止する。これにより、基板上に形成される回路素子の破損が十分に防止される。
【００１８】
（４）基板処理装置は、基板保持手段により保持された基板に流体を供給する流体供給手段をさらに備えてもよい。この場合、流体供給手段により、流体が基板に供給される。これにより、基板保持手段により保持された基板を回転させることにより、流体供給手段から供給される流体を基板の全面に均一に供給することができる。
【００１９】
（５）流体供給手段は、流体として洗浄液を供給してもよい。この場合、流体供給手段により、洗浄液が基板に供給される。これにより、基板保持手段により保持された基板を回転させることにより、流体供給手段から供給される洗浄液を基板の全面に均一に供給することができる。それにより、基板の全面を均一に洗浄することができる。
【００２０】
（６）基板回転機構は、流体供給手段による洗浄液の供給後に基板保持手段を回転させてもよい。この場合、基板の回転数を十分に高く設定することができる。これにより、基板の表面に付着する洗浄液の液滴を十分に振り切るとともに、短時間で基板を乾燥させることができる。また、基板を加熱しつつ回転させることにより、さらに短時間で基板を乾燥させることもできる。
【００２１】
（７）流体供給手段は、流体として基板の表面を処理する処理流体を供給してもよい。この場合、流体供給手段により、処理流体が基板に供給される。これにより、基板保持手段により保持された基板を回転させることにより、流体供給手段から供給される処理流体を基板の全面に均一に供給することができる。それにより、基板の全面を均一に処理することができる。
【００２２】
（８）流体は、加熱された流体であってもよい。この場合、加熱された流体を基板に供給する際に、予め基板を加熱することができる。これにより、加熱された流体が基板に接触する際に、流体の温度と基板の温度とをほぼ同じにすることができる。それにより、温度条件を最適な状態に維持しつつ、基板の処理を行うことができる。
【００２３】
（９）磁界発生手段は、基板保持手段に保持された基板の一面側に配置された１または複数のコイルと、１または複数のコイルに交流電流を供給する電流供給手段とを含んでもよい。
【００２４】
この場合、磁界発生手段においては、基板保持手段に保持された基板の一面側に配置された１または複数のコイルに、電流供給手段により交流電流が供給される。これにより、交番磁界が発生される。それにより、発熱部材を電磁誘導により発熱させることができる。
【００２５】
（１０）基板処理装置は、基板保持手段の温度または基板保持手段に保持された基板の温度を非接触で検出する温度検出手段をさらに備え、電流供給手段は、温度検出手段により検出された温度に基づいて１または複数のコイルに供給する交流電流を制御してもよい。
【００２６】
この場合、基板保持手段の温度または基板保持手段に保持された基板の温度が、温度検出手段により検出される。そして、検出された温度に基づいて電流供給手段により１または複数のコイルに供給する交流電流が制御される。これにより、基板の温度を正確に調整することができる。
【００２７】
また、温度検出手段による基板の温度の検出は非接触で行われる。それにより、基板が回転されるときでも、基板の温度を容易に検出することができる。
【００２８】
（１１）基板処理装置は、基板保持手段を冷却する冷却手段をさらに備えてもよい。この場合、基板保持手段が冷却手段により冷却される。それにより、基板保持手段により保持される基板の温度を低くすることができる。それにより、基板の温度を基板の処理に応じてより正確に調整することができる。
【００２９】
（１２）冷却手段は、基板保持手段の温度よりも低い温度を有する液体を基板保持手段に供給する冷却液供給手段を含んでもよい。この場合、基板保持手段の温度よりも低い温度を有する液体が、冷却液供給手段により基板保持手段に供給される。これにより、確実に基板保持手段を冷却することができるとともに、基板保持手段に保持された基板を確実に冷却することができる。
【００３０】
（１３）冷却手段は、温度検出手段により検出された温度に基づいて、動作が制御されてもよい。この場合、冷却手段の動作が、基板保持手段または基板の温度に基づいて制御される。それにより、基板の温度を最適に設定しつつ基板の処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係る基板処理装置によれば、基板を加熱することが可能であるとともに、基板を高い回転数で回転させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。
【００３３】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００３４】
１．第１の実施の形態
（１）  基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を説明するための模式的断面図である。この基板処理装置１００においては、基板Ｗの表面に形成された酸化膜がフッ酸蒸気により選択的に除去され（気相エッチング処理）、酸化膜が除去された基板Ｗが純水により洗浄され、洗浄後の基板Ｗが回転されることにより乾燥（振り切り乾燥）される。
【００３５】
図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、ハウジング４１内に、フッ酸水溶液４２を密閉状態で貯留するフッ酸蒸気発生容器４３を備える。
【００３６】
フッ酸蒸気発生容器４３は、フッ酸水溶液４２を貯留するための貯留槽ＴＡを備える。また、フッ酸蒸気発生容器４３は、貯留槽ＴＡ内のフッ酸水溶液４２が蒸発することにより生成されるフッ酸蒸気を基板Ｗへ供給するためのフッ酸蒸気供給部９１を備える。
【００３７】
フッ酸蒸気供給部９１は、フッ酸蒸気発生容器４３の下部に形成されている。フッ酸蒸気供給部９１の底面として、複数の貫通孔４４ａが形成された円板状のパンチングプレート４４が設けられている。
【００３８】
フッ酸蒸気発生容器４３により発生されるフッ酸蒸気は、パンチングプレート４４に形成された多数の貫通孔４４ａを通過して基板Ｗの表面に供給される。フッ酸蒸気発生容器４３におけるフッ酸蒸気の発生については後述する。
【００３９】
パンチングプレート４４には、後述する温度センサ６および純水ノズル７が設けられている。パンチングプレート４４の下方には、処理対象となる基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持するスピンチャック２１が設けられている。
【００４０】
スピンチャック２１により基板Ｗが保持されることにより、保持された基板Ｗの表面とパンチングプレート４４とが対向する。スピンチャック２１は、回転駆動機構１３６により回転可能な回転軸２５の上端に固定されている。
【００４１】
スピンチャック２１の内部には、円盤形状の発熱板１が設けられている。さらに、発熱板１の上面に密着するように電磁シールド板２が設けられている。
【００４２】
スピンチャック２１の下方には、円環形状を有するコイルケーシング５Ｓがスピンチャック２１の下面に近接して設けられている。コイルケーシング５Ｓの内部には、複数のコイル４が設けられている。これらの複数のコイル４は、ハウジング４１の外部に設けられたコイル電源装置５と電気的に接続されている。
【００４３】
コイル電源装置５は複数のコイル４に所定の周波数の交流電流を供給する。これにより、複数のコイル４の周辺に交番磁界が発生する。スピンチャック２１の発熱板１は、この交番磁界を受けることにより電磁誘導により発熱する。発熱板１の発熱の原理については後述する。
【００４４】
発熱板１において発生された熱が電磁シールド板２を介して基板Ｗに伝達され、基板Ｗが所定の温度に加熱される。基板Ｗの加熱は、例えば気相エッチング処理時、純水による基板Ｗの洗浄時、および基板Ｗの振り切り乾燥時の間に行われる。
【００４５】
上述のように、パンチングプレート４４の下面に温度センサ６が設けられている。温度センサ６は、例えば物体から放射される赤外線エネルギーを検出することによりその物体の温度を測定する放射温度計である。これにより、温度センサ６は、基板Ｗの上面の温度を非接触で測定する。
【００４６】
スピンチャック２１を取り囲むようにベローズ４８が設けられている。このベローズ４８は、下端がハウジング４１の底面４１ａに取り付けられるとともに、上端が上下方向に伸縮可能となっている。
【００４７】
ベローズ４８の上端には円環形状の当接部４８ａが設けられている。当接部４８ａは、パンチングプレート４４の下面に当接する密閉位置ＵＰと、パンチングプレート４４の下面から下方に離れた退避位置ＤＰとの間で、図示しない移動機構により移動される。
【００４８】
なお、気相エッチング処理時、純水による基板Ｗの洗浄処理時、および基板Ｗの振り切り乾燥時には、当接部４８ａは密閉位置ＵＰに位置する。
【００４９】
ハウジング４１の底面４１ａには排気口４９ａおよび排液口１４９ａが設けられている。排気口４９ａには排気配管４９が接続されている。排液口１４９ａには排液配管１４９が接続されている。
【００５０】
ベローズ４８の内部雰囲気は、排気口４９ａおよび排気配管４９を介して排気源５５により排気することが可能である。これにより、例えば気相エッチング処理時には、ベローズ４８の内部空間にフッ酸蒸気が充満するが、気相エッチング処理の終了とともにその空間内のフッ酸蒸気を容易に排気することができる。
【００５１】
純水による基板Ｗの洗浄処理時には、純水ノズル７からスピンチャック２１により回転される基板Ｗの表面に純水が供給される。これにより、ベローズ４８の内部で飛散する洗浄処理後の純水は、気相エッチング処理後の残留物とともに排液口１４９ａおよび排液配管１４９を通じて基板処理装置１００の外部に排出される。
【００５２】
スピンチャック２１を挟んで対向するハウジング４１の２つの側壁には、搬入用開口１２１および搬出用開口１２２が形成され、搬入用開口１２１および搬出用開口１２２をそれぞれ開閉可能なシャッタ３８，３９が設けられている。
【００５３】
基板処理装置１００への基板Ｗの搬入時、すなわち、スピンチャック２１上に基板Ｗが載置される際には、ベローズ４８の当接部４８ａが退避位置ＤＰに下降するとともに、シャッタ３８が搬入用開口１２１を開く。それにより、外部の図示しない搬送ロボットにより基板Ｗがスピンチャック２１上に載置される。その後、ベローズ４８の当接部４８ａが密閉位置ＵＰに上昇する。
【００５４】
基板処理装置１００からの基板Ｗの搬出時、すなわち、スピンチャック２１により保持された基板Ｗの外部の搬送ロボットへの受け渡しの際には、ベローズ４８の当接部４８ａが退避位置ＤＰに下降するとともに、シャッタ３９が搬出用開口１２２を開く。それにより、搬送ロボットによりスピンチャック２１上の基板Ｗが搬出される。その後、ベローズ４８の当接部４８ａが密閉位置ＵＰに上昇する。
【００５５】
なお、基板処理装置１００における基板Ｗの搬入および搬出時には、スピンチャック２１の上面から図示しない昇降ピンが突出する。昇降ピンの構成および動作の詳細は後述する。
【００５６】
（２）  フッ酸蒸気の発生
図１に示すように、基板処理装置１００の外部には窒素（Ｎ２  ）ガス供給源３１が設けられている。窒素ガス供給源３１から配管３１ａが延びている。配管３１ａは、２つの配管３４および配管５４に分岐している。
【００５７】
フッ酸蒸気発生容器４３の貯留槽ＴＡの底板には、温度調節水流路９０が形成されている。温度調節水流路９０には所定温度の温度調節水が流れる。これにより、貯留槽ＴＡ内のフッ酸水溶液４２の温度が調節され、所定の温度に維持される。
【００５８】
貯留槽ＴＡの内部におけるフッ酸水溶液４２の液面上の空間３５と連通するように配管５４が設けられている。配管５４には、上流側から順に流量コントローラ５２およびバルブ５３が介挿されている。
【００５９】
貯留槽ＴＡの下部に位置するフッ酸蒸気供給部９１に、配管３４が接続されている。配管３４には、上流側から順に流量コントローラ３２およびバルブ３３が介挿されている。
【００６０】
貯留槽ＴＡのフッ酸水溶液４２の液面上の空間３５と、配管３４のバルブ３３の下流側の内部空間とが、流入路ＳＴにより連通している。流入路ＳＴには、バルブ３７が介挿されている。
【００６１】
流量コントローラ５２，３２およびバルブ５３，３３，３７はともに制御部８０と電気的に接続されている。制御部８０は、流量コントローラ５２，３２およびバルブ５３，３３，３７の動作を制御する。
【００６２】
これにより、気相エッチング処理時には、配管３４に、窒素ガス供給源３１から窒素ガスが供給される。また、配管３４に、流入路ＳＴから所定濃度のフッ酸蒸気が供給される。
【００６３】
そして、フッ酸蒸気がフッ酸蒸気供給部９１に流入する。それにより、高温のフッ酸蒸気が、パンチングプレート４４の複数の貫通孔４４ａからスピンチャック２１により保持された基板Ｗの表面に供給され、気相エッチング処理が行われる。
【００６４】
なお、気相エッチング処理時には、基板Ｗが振り切り乾燥時よりも低い回転数で回転される。これにより、基板Ｗの全面に対して均一にフッ酸蒸気を供給することができる。
【００６５】
（３）  基板加熱系およびその周辺の構造
本実施の形態においては、上述のコイル電源装置５、スピンチャック２１、コイルケーシング５Ｓ内の複数のコイル４および制御部８０が基板加熱系を構成する。基板加熱系およびその周辺構造の詳細を説明する。
【００６６】
図２は、図１の基板処理装置１００における基板加熱系およびその周辺構造の詳細を説明するための図である。図２（ａ）に基板加熱系およびその周辺構造の側面図が示され、図２（ｂ）に平面図が示されている。
【００６７】
なお、図２（ａ）では、理解を容易にするため、スピンチャック２１、コイルケーシング５Ｓおよび基板Ｗの外観形状を一点鎖線により示し、スピンチャック２１およびコイルケーシング５Ｓの内部構造を実線により示している。
【００６８】
また、図２（ｂ）では、基板Ｗの図示を省略し、スピンチャック２１の外観形状を一点鎖線により示すとともに、コイルケーシング５Ｓの内部構造、および後述する基板Ｗの昇降機構のみを実線で示す。
【００６９】
図２（ａ）に示すように、スピンチャック２１の上面には複数の保持ピン２１Ｓが設けられている。基板Ｗはこれらの保持ピン２１Ｓによりスピンチャック２１上で保持される。さらに、スピンチャック２１の上方には、基板Ｗの表面の温度を測定する温度センサ６が設けられている。
【００７０】
上述のように、スピンチャック２１の内部には、円盤形状を有する発熱板１が設けられている。また、発熱板１の上面に密着するように発熱板１と同一形状の電磁シールド板２が設けられている。また、スピンチャック２１においては、その上面側の空間と下面側の空間とを連通する複数（本実施の形態では３つ）の貫通孔２１ｈが形成されている。
【００７１】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、スピンチャック２１の下部に設けられたコイルケーシング５Ｓ内には、その中央部に１つのコイル４が設けられるとともに、その１つのコイル４を取り囲むように８つのコイル４が設けられている。
【００７２】
これらの複数のコイル４は、水平面内において、スピンチャック２１により保持される基板Ｗの全面に対して磁界が略均一な分布となるように互いに等間隔に配置される。さらに、コイルケーシング５Ｓにおいても、スピンチャック２１と同様に、その上面側の空間と下面側の空間とを連通させる複数（本実施の形態では３つ）の貫通孔５Ｓｈが設けられている。
【００７３】
コイルケーシング５Ｓの複数の貫通孔５Ｓｈに上下方向に延びる複数の昇降ピン２１０が挿入されている。複数の昇降ピン２１０の下端は、円環部材２００に固定されている。円環部材２００は、水平方向に延びる支持部材２２０の一端に固定されている。支持部材２２０の他端はピン昇降機構２３０に上下動可能に取り付けられている。
【００７４】
基板処理装置１００内に基板Ｗが搬入される際には、ピン昇降機構２３０が支持部材２２０を上昇させる。それにより、支持部材２２０および円環部材２００により支持される複数の昇降ピン２１０が、コイルケーシング５Ｓの複数の貫通孔５Ｓｈおよびスピンチャック２１の複数の貫通孔２１ｈを通じてスピンチャック２１の上方へ突出する。
【００７５】
それにより、搬送ロボットにより外部から基板処理装置１００内に搬入される基板Ｗが複数の昇降ピン２１０の上端で支持される。その後、ピン昇降機構２３０が昇降ピン２１０を下降させることにより、基板Ｗが下降し、スピンチャック２１上に載置される。
【００７６】
一方、基板処理装置１００から基板Ｗが搬出される際にも、ピン昇降機構２３０が支持部材２２０を上昇させる。それにより、基板Ｗが複数の昇降ピン２１０により保持された状態で上昇する。そして、スピンチャック２１上で待機する基板Ｗが搬送ロボットにより外部に取り出される。
【００７７】
ここで、制御部８０は、上述のように複数の流量コントローラ５２，３２およびバルブ５３，３３，３７の動作を制御するとともに、温度センサ６により検出された基板Ｗの温度に基づいてコイル電源装置５の動作を制御し、基板処理装置１００における基板Ｗの搬入および搬出のタイミングに応じてピン昇降機構２３０の動作を制御する。
【００７８】
（４）  基板加熱系による基板の加熱および電磁波の抑制
基板加熱系による基板Ｗの加熱の原理について説明する。図３は、図１の基板処理装置１００における基板加熱系による基板Ｗの加熱の原理を説明するための図である。図３では、説明が容易となるように基板Ｗ、発熱板１、電磁シールド板２、コイル４およびコイル電源装置５のみを図示する。
【００７９】
図３に示すように、コイル電源装置５によりコイル４に交流電流ｉ１が供給される。これにより、コイル４の軸心に沿って向きおよび大きさが周期的に変化する交番磁界ＡＲ１が発生する。なお、コイル電源装置５により複数のコイル４に供給される交流電流ｉ１は、例えば約１００ｋＨｚの高周波電流である。
【００８０】
本実施の形態において、発熱板１には導電性を有する金属材料が用いられる。これにより、コイル４により発生される交番磁界ＡＲ１の変化を妨げるように渦電流ｉ２が発生する。その結果、発熱板１の抵抗により発熱板１が発熱する。
【００８１】
発熱体１から発生された熱は、白抜きの矢印ＡＲ３で示すように電磁シールド板２を通して基板Ｗに伝達される。それにより、基板Ｗが加熱される。
【００８２】
このようにコイル４に交流電流が供給されると、コイル４から電磁波が発生する。ここで、処理対象となる基板Ｗ上には、導体、絶縁体および半導体パターンにより構成される回路素子が形成されている。この場合、コイル４で発生する電磁波が基板Ｗに到達すると、基板Ｗ上に形成された回路素子が電磁波の影響により破損するおそれがある。
【００８３】
そこで、本実施の形態では、複数のコイル４において発生した電磁波が基板Ｗに到達することを十分に防止するために、発熱板１と基板Ｗとの間に電磁波を十分に遮断するための電磁シールド板２が設けられている。これにより、加熱時における基板Ｗ上に形成された回路素子の破損が防止される。
【００８４】
（５）  発熱板および電磁シールド板
本実施の形態においては、発熱板１および電磁シールド板２を除くスピンチャック２１の部分は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２  Ｏ３  ）等の耐薬品性に優れたセラミックス材料により形成される。
【００８５】
上述のように、発熱板１は導電性を有する金属材料により形成されるが、発熱板１は渦電流による銅損が大きい材料、すなわち渦電流を熱エネルギーに変換しやすい材料を用いることが好ましい。例えば、発熱板１には、１００℃における体積抵抗率が７．０×１０−８  （Ω・ｍ）以上であるものを用いることが好ましい。
【００８６】
より具体的には、発熱板１の材料としては、鉄、ニッケル、錫、またはこれらのいずれかを含む合金等を用いることが好ましい。
【００８７】
なお、発熱板１が導電性を有する磁性体である場合には、発熱板１は、複数のコイル４から発生される交番磁界を遮断する磁気シールドとしても作用する。それにより、発熱板１から基板Ｗに到達する電磁波が低減される。
【００８８】
電磁シールド板２には、導電性の高い金属材料（良導体）が用いられる。例えば、電磁シールド板２には、１００℃における体積抵抗率が５．０×１０−８  （Ω・ｍ）以下であるものを用いることが好ましい。より具体的には、発熱板１の材料としては、アルミニウム、銅、金、銀、またはこれらのいずれかを含む合金等を用いることが好ましい。
【００８９】
上述のように、発熱板１は、磁性体である場合に磁気シールドとして作用するが、磁性体の材料からなる磁気シールドでは電磁波を十分に遮断できない。しかしながら、電磁シールド板２を用いることにより、発熱板１を通過する電磁波が電磁シールド板２により十分に遮断される。
【００９０】
その結果、基板Ｗ上に形成される回路素子に電磁波により誘導起電力が発生することが防止される。それにより、回路素子の破損が防止される。なお、電磁シールド板２は、発熱板１と基板Ｗとの間を完全に遮断するように板状に形成されることが好ましいが、網目状に形成されてもよい。
【００９１】
（６）  効果
（６−ａ）
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、スピンチャック２１内の発熱板１が、下方に設けられた複数のコイル４による誘導加熱により発熱する。
【００９２】
したがって、基板Ｗとともに回転する発熱板１に外部から電気的な配線を行う必要がない。これにより、基板Ｗを発熱板１により加熱することが可能であるとともに、基板Ｗを十分に高い回転数（例えば、約３０００ｒｐｍ）で回転させることができる。
【００９３】
それにより、基板Ｗの加熱処理、洗浄処理および乾燥処理（振り切り乾燥）を同一の基板処理装置１００内で行うことができる。したがって、基板Ｗの処理のスループットが向上するとともに設備コストが低減される。また、基板Ｗの乾燥処理に要する時間を十分に低減することができる。
【００９４】
（６−ｂ）
また、本実施の形態では、スピンチャック２１により保持される基板Ｗと発熱板１との間に電磁シールド板２が配置されている。これにより、発熱板１を通過する電磁波および発熱板１に流れる渦電流により発生する電磁波が電磁シールド板２により十分に遮断される。それにより、基板Ｗ上に形成された回路素子が破損することが防止される。
【００９５】
（６−ｃ）
さらに、気相エッチング処理後の基板を外部の雰囲気にさらすことなく同一の基板処理装置１００内で加熱処理、洗浄処理および乾燥処理することができる。これにより、外部の雰囲気中のパーティクルが基板Ｗに付着することが防止され、基板Ｗの処理不良が十分に低減される。
【００９６】
また、基板Ｗの気相エッチング処理、洗浄処理および乾燥処理の間、基板Ｗの加熱処理を行うことができるので、基板Ｗの温度を一定に維持することもできる。
【００９７】
（６−ｄ）
さらに、温度センサ６により検出された基板Ｗの温度に基づいてコイル電源装置５の動作を制御することができるので、処理条件に応じて基板Ｗを加熱することができるとともに、基板Ｗの処理温度を管理することが容易となる。
【００９８】
（７）  他の構成例およびその効果
基板処理装置１００は以下の構成を有してもよい。
【００９９】
（７−ａ）
図４は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００の他の構成を説明するための図である。図４では、説明を容易にするため、基板処理装置１００における基板加熱系およびその周辺構造のみを図示している。
【０１００】
図４に示すように、本例の基板処理装置１００では、基板Ｗの表面の温度を測定する温度センサ６に加えて、スピンチャック２１の上面の温度を測定する温度センサ６ａが設けられている。この温度センサ６ａには、温度センサ６と同様に非接触で対象物の温度を測定する放射温度計が用いられる。
【０１０１】
また、本例の基板処理装置１００においては、スピンチャック２１の外周部近傍に冷却水ノズル８ａが設けられている。この冷却水ノズル８ａは、スピンチャック２１の上面に所定温度に調整された冷却水を供給する。
【０１０２】
本例の基板処理装置１００においては、図２の制御部８０に予めスピンチャック２１の表面の温度と、発熱板１により加熱される基板Ｗの表面の温度との対応関係が設定されている。
【０１０３】
これにより、制御部８０は、温度センサ６ａにより測定されるスピンチャック２１の温度を監視するとともに、測定されたスピンチャック２１の温度に基づいて図２の複数のコイル４に供給する電流の大きさを調整する。
【０１０４】
スピンチャック２１の温度が高くなりすぎた場合、制御部８０は、図示しない冷却水供給系を制御して冷却水ノズル８ａに冷却水を供給する。これにより、冷却水ノズル８ａからスピンチャック２１の表面に冷却水が供給される。それにより、スピンチャック２１の温度を低下させ、基板Ｗの温度を低下させる。
【０１０５】
その結果、基板Ｗのスピンチャック２１による加熱時に、オーバーシュートによる基板Ｗの過熱が防止される。また、基板Ｗを加熱するとともに、冷却することができるので、基板Ｗの温度を正確に調整することが可能となる。
【０１０６】
さらに、制御部８０は、温度センサ６により測定される基板Ｗの表面の温度も監視している。ここで、制御部８０には、予め定められた基板Ｗの処理温度に対して所定の許容範囲が設定されていてもよい。この場合、制御部８０は、基板Ｗの処理時に基板Ｗの表面の温度が当該許容範囲を超えたときに、図示しない警報装置を動作させる。それにより、作業者は、基板Ｗの処理異常を容易に知ることができる。
【０１０７】
また、温度センサ６ａに近接して気体噴射ノズル８ｂが設けられている。この気体噴射ノズル８ｂは、温度センサ６ａによるスピンチャック２１の温度測定箇所に窒素ガスを噴射する。
【０１０８】
これにより、冷却水ノズル８ａからスピンチャック２１に供給された冷却水がスピンチャック２１の表面を流れる場合でも、スピンチャック２１の温度測定箇所に流れる冷却水が除去される。それにより、温度センサ６ａは冷却水の影響を受けることなく正確にスピンチャック２１の温度を測定する。その結果、基板Ｗの温度を正確かつ確実に調整することが可能となる。
【０１０９】
（７−ｂ）
スピンチャック２１に冷却水を供給する構成は上記に限られない。基板処理装置１００は以下の構成を有してもよい。
【０１１０】
図５は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００のさらに他の構成を説明するための図である。図５においても図４と同様に、基板処理装置１００における基板加熱系およびその周辺構造のみを図示している。
【０１１１】
図５に示すように、本例では、スピンチャック２１の表面に冷却水を供給するために、回転軸２５の内部に冷却水供給管２５ｉが設けられている。スピンチャック２１の中央部に、冷却水供給経路２５ｊとして貫通孔が形成されている。
【０１１２】
冷却水供給管２５ｉの上端が冷却水供給経路２５ｊの下端に接続されることにより、冷却水供給管２５ｉおよび冷却水供給経路２５ｊの内部空間が連通している。
【０１１３】
冷却水供給経路２５ｊの内径は、上方に向かって漸次増加するように形成されている。冷却水供給経路２５ｊの上端部には、傘部材２１ａが設けられている。
【０１１４】
上記と同様、スピンチャック２１の温度が高くなりすぎた場合には、図示しない冷却水供給系から冷却水供給管２５ｉに冷却水が供給される。これにより、矢印で示すように、冷却水がスピンチャック２１の冷却水供給経路２５ｊ内に供給される。
【０１１５】
スピンチャック２１が回転しているときに冷却水供給経路２５ｊ内に供給された冷却水は、スピンチャック２１の上面中央からスピンチャック２１の上面全域に放射状に広がる。それにより、スピンチャック２１の温度が低下する。この場合においても、基板Ｗの温度を正確かつ確実に調整することが可能となる。
【０１１６】
なお、傘部材２１ａは、冷却水供給経路２５ｊにおいて基板Ｗの裏面に向かって供給される冷却水が、基板Ｗの裏面に接触することを防止するために設けられている。
【０１１７】
（７−ｃ）
本実施の形態に係る基板処理装置１００において、コイルケーシング５Ｓには、図２に示したように、９つのコイル４が設けられているが、スピンチャック２１に設けられる発熱板１の全体に均一な強度分布で磁界を与えることができるのであれば、コイル４の個数は限定されない。コイル４は１つであってもよい。
【０１１８】
（７−ｄ）
基板Ｗの気相エッチング処理には、高温のフッ酸蒸気に限らず、高温の他の蒸気を用いることもできる。
【０１１９】
また、基板Ｗの洗浄処理には、純水に限らず、他の処理液（リンス液）を用いることもできる。他の処理液として、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤を用いることができる。
【０１２０】
２．第２の実施の形態
（１）  基板処理装置の構成
図６は第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を説明するための模式的断面図であり、図７は図６の基板処理装置の一部を拡大した図である。なお、図７では、構造の詳細を説明するために、構成要素の一部が切り欠いて示されている。
【０１２１】
この基板処理装置３００には、エッチング処理後のレジストが形成された基板Ｗが搬入される。そして、基板Ｗ上に形成されたレジストがレジスト剥離液により剥離され（レジスト剥離処理）、レジストが剥離された基板Ｗが純水により洗浄され、洗浄後の基板Ｗが回転されることにより乾燥（振り切り乾燥）される。
【０１２２】
なお、本実施の形態において、レジスト剥離液としては高温に加熱された硫酸（Ｈ２ ＳＯ４ ）と過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ）との混合液（以下、ＳＰＭと略記する。）が用いられる。
【０１２３】
以下、第２の実施の形態に係る基板処理装置３００の構成について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１２４】
図６および図７に示すように、本実施の形態においても、基板処理装置３００には、処理対象となる基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持するスピンチャック２１が設けられている。
【０１２５】
スピンチャック２１は、回転軸２５の上端に固定され、回転駆動機構１３６による回転軸２５の回転とともに回転する。スピンチャック２１内には、第１の実施の形態と同様に、発熱板１および電磁シールド板２が設けられている。
【０１２６】
スピンチャック２１の下側に、台座ハウジングＤＨが設けられている。台座ハウジングＤＨは、図１のコイルケーシング５Ｓと同様に、その内部に複数のコイル４を保持する。これらの複数のコイル４は、コイル電源装置５と電気的に接続されている。
【０１２７】
スピンチャック２１の上方には、中心部に開口部を有する円板状の遮断板３５０が設けられている。遮断板３５０は略円筒形状を有する回転支持軸３５１の下端部に略水平に取り付けられ、回転支持軸３５１は水平方向に延びるアーム３６０により基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転可能に保持されている。これにより、遮断板３５０がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面と対向する。
【０１２８】
遮断板３５０の内部には、円盤形状の発熱板１が設けられている。さらに、発熱板１の下面に密着するように電磁シールド板２が設けられている。
【０１２９】
遮断板３５０の上側には、遮断板３５０の上面と近接するようにコイルケーシング５Ｓが設けられている。コイルケーシング５Ｓは、アーム３６０に固定されている。コイルケーシング５Ｓの内部には、第１の実施の形態と同様に複数のコイル４が設けられている。これらのコイル４も、台座ハウジングＤＨ内の複数のコイル４と同様に、コイル電源装置５と電気的に接続されている。
【０１３０】
図７に示すように、回転支持軸３５１の上端部には不活性ガス供給管３５２が取り付けられている。回転支持軸３５１および不活性ガス供給管３５２の内部空間は連通しており、その内部空間には処理液供給管３６１、ノズル３７０および温度センサ６が設けられている。
【０１３１】
図６に示すように、アーム３６０には、遮断板昇降駆動機構３３７、遮断板回転駆動機構３３８およびノズル昇降駆動機構３３９が接続されている。遮断板昇降駆動機構３３７は、遮断板３５０をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック２１から上方に離れた所定位置との間で上下動作させる。
【０１３２】
遮断板回転駆動機構３３８は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの回転に応じて回転支持軸３５１を基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転させる。これにより、遮断板３５０が基板Ｗの回転速度とほぼ同じ回転速度で回転される。
【０１３３】
ノズル昇降駆動機構３３９は、回転支持軸３５１および不活性ガス供給管３５２の内部空間に位置する処理液供給管３６１（図７）およびノズル３７０（図７）をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック２１から上方に離れた所定位置との間で上下動作させる。
【０１３４】
不活性ガス供給管３５２および処理液供給管３６１には流体供給装置３９０から流体が供給される。
【０１３５】
図７に示すように、流体供給装置３９０には、ＳＰＭ制御バルブ３９１および純水制御バルブ３９２が設けられている。これにより、所定のタイミングでＳＰＭおよび純水のいずれか一方を選択的にノズル３７０から吐出させることができる。それにより、基板Ｗの上面へＳＰＭおよび純水を供給することができる。
【０１３６】
また、回転支持軸３５１および不活性ガス供給管３５２の内部空間には流体供給装置３９０から窒素ガス等の不活性ガスが供給される。なお、不活性ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）ガスを用いることもできる。
【０１３７】
流体供給装置３９０には不活性ガス制御バルブ３９３が設けられている。これにより、所定のタイミングで回転支持軸３５１および不活性ガス供給管３５２の内部空間を通じて遮断板３５０の開口部から不活性ガスを基板Ｗの上面へ供給することができる。
【０１３８】
スピンチャック２１は、処理カップ５２３内に収容されている。処理カップ５２３の内側には、筒状の仕切壁５３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの洗浄に用いられた純水を排液するための排液空間５３１が形成されている。さらに、排液空間５３１を取り囲むように、処理カップ５２３と仕切壁５３３の間に基板Ｗのレジスト剥離処理に用いられたＳＰＭを回収するための回収液空間５３２が形成されている。
【０１３９】
排液空間５３１には、排液処理装置（図示せず）へ基板Ｗの洗浄に用いられた純水を導くための排液管５３４が接続され、回収液空間５３２には、回収処理装置（図示せず）へＳＰＭを導くための回収管５３５が接続されている。
【０１４０】
処理カップ５２３の上方には、基板ＷからのＳＰＭおよび純水が外方へ飛散することを防止するためのガード５２４が設けられている。このガード５２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード５２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝５４１が環状に形成されている。
【０１４１】
また、ガード５２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部５４２が形成されている。回収液案内部５４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁５３３を受け入れるための仕切壁収納溝５４３が形成されている。
【０１４２】
このガード５２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード５２４を、回収液案内部５４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝５４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。
【０１４３】
ガード５２４が回収位置（図６に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したＳＰＭが回収液案内部５４２により回収液空間５３２に導かれ、回収管５３５を通して回収される。
【０１４４】
一方、ガード５２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した純水が排液案内溝５４１により排液空間５３１に導かれ、排液管５３４を通して排液される。以上の構成により、基板Ｗに供給されるＳＰＭの回収および純水の排液が行われる。
【０１４５】
上記構成を有する基板処理装置３００においては、さらに、第１の実施の形態と同様に、基板Ｗの昇降用に複数の昇降ピン（図示せず）が設けられている。また、図７に示すように、温度センサ６はノズル３７０に取り付けられている。この温度センサ６は、基板Ｗの表面の温度を測定する。これにより、制御部８０は、温度センサ６により検出された基板Ｗの温度に基づいてコイル電源装置５の動作を制御する。
【０１４６】
（２）  効果
第２の実施の形態に係る基板処理装置３００は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００により得られる効果に加え、次の効果を有する。
【０１４７】
本実施の形態に係る基板処理装置３００においては、基板Ｗの両面に対向するように配置された複数のコイル４にコイル電源装置５により交流電流を供給する。これにより、基板Ｗの上面に対向する遮断板３５０の発熱板１が発熱し、基板Ｗの下面に対向するスピンチャック２１の発熱板１が発熱する。それにより、基板Ｗを両面から均一かつ迅速に加熱することができる。
【０１４８】
（３）  他の構成例およびその効果
本実施の形態に係る基板処理装置３００においても、スピンチャック２１の温度を測定する図４および図５の温度センサ６ａを設けてもよく、基板Ｗを保持するスピンチャック２１に冷却水を供給する図４の冷却水ノズル８ａを設けてもよい。また、この冷却水ノズル８ａに代えて、回転軸２５の内部に図５の冷却水供給管２５ｉを設け、スピンチャック２１に冷却水供給経路２５ｊを形成してもよい。この場合、第１の実施の形態と同様に、基板Ｗの温度を正確に調整することが可能となる。
【０１４９】
この基板処理装置３００の構成においては、高温のＳＰＭに限らず、高温の他の処理液（薬液）を基板Ｗに供給することができる。他の処理液としては、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液を用いることができる。
【０１５０】
３．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以上、第１および第２の実施の形態においては、スピンチャック２１が基板保持手段に相当し、回転駆動機構１３６が基板回転機構に相当し、コイル４およびコイル電源装置５が磁界発生手段に相当し、発熱板１が発熱部材に相当し、電磁シールド板２が遮断部材に相当する。
【０１５１】
また、純水ノズル７、フッ酸蒸気発生容器４３およびノズル３７０が流体供給手段に相当し、純水が洗浄液に相当し、高温に加熱されたフッ酸蒸気およびＳＰＭが処理流体および加熱された流体に相当し、コイル電源装置５が電流供給装置に相当し、温度センサ６，６ａが温度検出手段に相当し、冷却水ノズル８ａが冷却手段および冷却液供給手段に相当する。
【産業上の利用可能性】
【０１５２】
本発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板製造等のために利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を説明するための模式的断面図である。
【図２】図１の基板処理装置における基板加熱系およびその周辺構造の詳細を説明するための図である。
【図３】図１の基板処理装置における基板加熱系による基板Ｗの加熱の原理を説明するための図である。
【図４】第１の実施の形態に係る基板処理装置の他の構成を説明するための図である。
【図５】第１の実施の形態に係る基板処理装置のさらに他の構成を説明するための図である。
【図６】第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を説明するための模式的断面図である。
【図７】図６の基板処理装置の一部を拡大した図である。
【符号の説明】
【０１５４】
１  発熱板
２  電磁シールド板
４  コイル
５  コイル電源装置
６，６ａ  温度センサ
７  純水ノズル
８ａ  冷却水ノズル
２１  スピンチャック
４３  フッ酸蒸気発生容器
１００  基板処理装置
１３６  回転駆動機構
３７０  ノズル
Ｗ  基板
【図１】
2007335709.tif 000003
【図２】
2007335709.tif 000004
【図３】
2007335709.tif 000005
【図４】
2007335709.tif 000006
【図５】
2007335709.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007335709.tif 000009