(57)【要約】【課題】  Ａｌ等から成る光反射膜が浸食されることを確実に防止でき、しかも、下地膜上に設けられた光反射膜のその下地膜に対する密着性を高く維持できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】  液晶層５を挟持する一対の基板３，４と、一方の基板３に設けられた光反射膜２２と、光反射膜２２上に設けられていて表面に凹凸パターンを有する絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた画素電極２４とを有する液晶表示装置１である。絶縁膜２３の光屈折率（ｎ１）と液晶層５の光屈折率（ｎ２）は互いに異なっているので、反射膜２２は平坦でも反射光Ｌ０は所望の散乱特性を持つことができる。【選択図】        図１
2007079207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板と、
該一対の基板のうちの一方の基板に設けられた光反射膜と、
該光反射膜上に設けられていて表面に凹凸パターンを有する第１樹脂膜と、
該第１樹脂膜上に設けられた透明導電膜と、を有し、
前記第１樹脂膜の光屈折率と前記液晶層の光屈折率は互いに異なる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記一方の基板と前記光反射膜との間には、平坦な表面を有する第２樹脂膜をさらに有し、
前記光反射膜は前記第２樹脂膜の平坦な表面上に直接設けられる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置において、
前記第１樹脂膜と前記第２樹脂膜は同じ感光性樹脂材料によって形成される
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３記載の液晶表示装置において、
それぞれが表示の最小単位である複数のサブ画素のそれぞれに対応して前記一方の基板に設けられたスイッチング素子をさらに有し、
前記第２樹脂膜は前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶表示装置において、
前記第１樹脂膜の光屈折率をｎ１とし、前記液晶層の光屈折率をｎ２とするとき、
ｎ１＜ｎ２
であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶表示装置において、
前記第１樹脂膜の光屈折率をｎ１とし、前記液晶層の光屈折率をｎ２とするとき、
ｎ１＞ｎ２
であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶表示装置において、前記光反射膜はアルミニウム又はアルミニウム合金によって形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の液晶表示装置において、前記透明導電膜はインジウムスズ酸化物によって形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の液晶表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶を用いて表示を行う液晶表示装置に関する。また、本発明は、液晶表示装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった電子機器に液晶表示装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する情報を視覚的に表示するために液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置として、従来、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過反射型液晶表示装置といった各種の液晶表示装置が知られている。
【０００３】
透過型液晶表示装置は、液晶層を１回透過した光によって表示を行う表示形態である。また、反射型液晶表示装置は、液晶層を１回透過した後に光反射膜で反射して再度液晶層を透過した光によって表示を行う表示形態である。半透過反射型液晶表示装置は、上記の透過型表示及び上記の反射型表示の一方を選択的に行う表示形態である。
【０００４】
反射型液晶表示装置又は半透過反射型液晶表示装置のように反射型表示の機能を有する液晶表示装置として、従来、光反射膜及び透明電極を有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１では、Ａｌ（アルミニウム）によって形成された反射電極（すなわち、光反射膜）の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によって形成された透明電極を設ける構成が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３２５８２２号公報（第８頁、図２）
【特許文献２】特開２００１−１９４６７７号公報（第３頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示された従来の液晶表示装置では、Ａｌの光反射膜の上にＩＴＯの透明電極が直接に接触している。この装置を製造する際には、ＩＴＯに対してフォトリソグラフィ処理を施すときに、Ａｌがレジスト剥離液に浸食されるおそれがある。また、この装置を製造する際、ＩＴＯに対してエッチング処理を施すときに、Ａｌがエッチャント、すなわちエッチング液に浸食されるおそれがある。
【０００７】
これらの浸食は電池反応によるもの、すなわちＩＴＯとＡｌとの間で電池が構成されてしまうことが原因であると考えられる。このような電池反応を抑制する技術として、ＡｌにＭｏ（モリブデン）を積層する技術が知られている（例えば、特許文献２、第３頁、[０００９]段落）。しかしながらこの技術ではＡｌとその下地膜である絶縁膜との密着性が低下するおそれがある。
【０００８】
この密着性の低下を改善するため、Ａｌに積層したＭｏを窒化する（すなわち、ＡｌにＭｏＮを積層する）技術が知られている（例えば、特許文献２、第３頁、[００１５]段落）。しかしながら、この技術を採用した場合でも、下地膜に対するＡｌの密着性は十分とは言えないのが現状である。ところで液晶表示装置においては、Ａｌで反射した光を散乱光とするためにそのＡｌの表面に凹凸パターンを設けることがある。このようにＡｌの表面に凹凸パターンを設けることも、下地膜に対するＡｌの密着性を低下させる１つの原因であると考えられる。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、Ａｌ等から成る光反射膜が浸食されることを確実に防止でき、しかも、下地膜上に設けられた光反射膜のその下地膜に対する密着性を高く維持できる液晶表示装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板に設けられた光反射膜と、該光反射膜上に設けられていて表面に凹凸パターンを有する第１樹脂膜と、該第１樹脂膜上に設けられた透明導電膜とを有し、前記第１樹脂膜の光屈折率と前記液晶層の光屈折率は互いに異なることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、凹凸パターンを有する第１樹脂膜の光屈折率と液晶層の光屈折率とを互いに異ならせたので、液晶層を通過した後に第１樹脂膜へ入射し、次に光反射膜で反射し、次に第１樹脂膜から出射する光に所望の光散乱特性を持たせることができる。また、光反射膜と透明導電膜との間に第１樹脂膜が介在するので、光反射膜がエッチャントや剥離液によって浸食されることを確実に防止できる。また、光反射膜は第１樹脂膜によって押えられる状態になるので、光反射膜はその下地要素、例えば適宜の樹脂膜に対して高い密着性を保持できる。
【００１２】
次に、本発明に係る液晶表示装置においては、前記一方の基板と前記光反射膜との間に平坦な表面を有する第２樹脂膜が設けられ、前記光反射膜は前記第２樹脂膜の平坦な表面上に直接設けられることが望ましい。この構成は、光反射膜の下地膜として第２樹脂膜を設けた構成である。この構成によれば、第２樹脂膜と光反射膜の接触面が平坦であるので、それらの接触面に凹凸パターンを持たせる場合に比べて、第２樹脂膜に対する光反射膜の密着性をより一層高めることができる。
【００１３】
次に、第２樹脂膜を用いる構成の本発明に係る液晶表示装置において、前記第１樹脂膜と前記第２樹脂膜は同じ感光性樹脂材料によって形成されることが望ましい。こうすれば、材料コストを低く抑えることができる。
【００１４】
次に、第２樹脂膜を用いる構成の本発明に係る液晶表示装置は、それぞれが表示の最小単位である複数のサブ画素のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子をさらに有することができる。そしてその場合、前記第２樹脂膜は前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜であることが望ましい。この層間絶縁膜は、スイッチング素子と透明電極とを互いに別々の層に分けて、それらを互いに電気的に絶縁する要素である。この層間絶縁膜を設けることにより、透明電極は平面的に見てスイッチング素子に重なる領域にも設けることができ、その場合には、サブ画素内での透明電極の面積を大きくすることができ、それ故、明るい表示を提供できる。
【００１５】
スイッチング素子は各サブ画素内に存在する一対の電極へ印加する電圧を制御するための素子であり、このスイッチング素子としては、例えば、３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子や、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等を用いることができる。
【００１６】
次に、本発明に係る液晶表示装置においては、前記第１樹脂膜の光屈折率をｎ１とし、前記液晶層の光屈折率をｎ２とするとき、ｎ１＜ｎ２とすることができる。また、ｎ１＞ｎ２とすることもできる。
【００１７】
次に、本発明に係る液晶表示装置において、前記光反射膜はアルミニウム又はアルミニウム合金によって形成されることが望ましい。また、前記透明導電膜はインジウムスズ酸化物によって形成されることが望ましい。これらの物質は、現在の液晶表示装置の分野において広く実用されている物質であり、安定した特性が得られることが知られている。
【００１８】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶表示装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶表示装置によれば、凹凸パターンを有する第１樹脂膜の光屈折率と液晶層の光屈折率とを互いに異ならせたので、液晶層を通過した後に第１樹脂膜へ入射し、次に光反射膜で反射し、次に第１樹脂膜から出射する光に所望の光散乱特性を持たせることができる。また、光反射膜と透明導電膜との間に第１樹脂膜が介在するので、光反射膜がエッチャントや剥離液によって浸食されることを確実に防止できる。また、光反射膜は第１樹脂膜に押えられることによりその下地要素に対して高い密着性を保持できる。本発明の電子機器はその構成要件として本発明に係る液晶表示装置を有するので、その液晶表示装置が奏する上記の効果と同じ効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（液晶表示装置の実施形態）
以下、本発明に係る液晶表示装置をその一実施形態を挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。
【００２０】
本実施形態は、スイッチング素子として３端子型のアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置であって、反射光を用いて表示を行う反射型液晶表示装置に本発明を適用するものである。
【００２１】
図１は本発明に係る液晶表示装置の一実施形態を示している。ここに示す液晶表示装置１は、互いに対向する一対の基板である基板３と基板４とをそれらの周辺部分でシール材（図示せず）によって互いに貼り合せて成るパネル構造体である液晶パネル２を有している。この液晶パネル２に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側である。一般には、この液晶パネル２に配線基板が接続されたり、液晶駆動用ＩＣが実装されたり、金属フレームが装着されたりする。
【００２２】
基板３はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板４はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。素子基板３とカラーフィルタ基板４との間に間隙、いわゆるセルギャップＧが形成され、このセルギャップＧ内に電気光学物質としての液晶が注入されて液晶層５が形成されている。セルギャップＧの厚さを一定に維持するためにそのセルギャップＧ内にスペーサを設けることが望ましい。
【００２３】
素子基板３は、第１の透光性の基板３ａを有する。この第１透光性基板３ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板３ａの外側表面には偏光板６ａが、例えば貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板３ａの内側表面には、信号線としてのソース電極線１７が列方向Ｙ（すなわち、左右方向）に延びている。また、同じく信号線としてのゲート電極線１８が行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。ソース電極線１７とゲート電極線１８は矢印Ａ方向から平面的に見て互いに直角に交差しており、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１１がその交差部の近傍でソース電極線１７及びゲート電極線１９に接続している。
【００２４】
それらのＴＦＴ素子１１、ソース電極線１７及びゲート電極線１８の上に、それらを覆う第２樹脂膜としての層間絶縁膜２１が形成され、その上に平坦状の光反射膜２２が形成され、その上に第１樹脂膜としての絶縁膜２３が形成され、その上に透明導電膜としての画素電極２４が形成され、その上に配向膜２５ａが形成されている。この配向膜２５ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板３の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００２５】
層間絶縁膜２１は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。また、光反射膜２２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。絶縁膜２３は、例えば層間絶縁膜２１と同じ材料、すなわち透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。そして、配向膜２５ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００２６】
光反射膜２２及び画素電極２４は、素子基板３上に矢印Ａ方向から見てドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２２及び画素電極２４は、各ソース電極線１７と各ゲート電極線１８とが交差する位置に設けられていて、個々のＴＦＴ素子１１に接続されている。
【００２７】
層間絶縁膜２１には、画素電極２４とＴＦＴ素子１１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２６が形成されている。このコンタクトホール２６は、層間絶縁膜２２を厚み方向に貫通する穴であり、平面的に見てすなわち平面視でＴＦＴ素子１１の素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極２４と重なる位置に形成される。
【００２８】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子１１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子１１は、ゲート電極１２、ゲート絶縁層１３、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層１４、ソース電極１５、そしてドレイン電極１６を有する。ドレイン電極１６は、その一端が半導体層１４に接続し、その他端がコンタクトホール２６を介して画素電極２４に接続する。他方、ソース電極１５は図１の左右方向（すなわち、列方向Ｙ）に延びるソース電極線１７の一部として形成されている。このソース電極線１７は画素電極２４へデータ信号を供給するためのデータ線として機能する。すなわち、また、ゲート電極１２は、ソース電極線１７と直角の方向すなわち図１の紙面垂直方向（行方向Ｘ）に延びるゲート電極線１８から延びている。このゲート電極線１８は画素電極２４へ走査信号を供給するための走査線として機能する。
【００２９】
本実施形態では、画素電極２４の下に層間絶縁膜２１を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＴ素子１１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＴ素子１１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板３の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶表示装置１において鮮明な表示を行うことができる。
【００３０】
素子基板３に対向するカラーフィルタ基板４は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板４ａを有する。この第２透光性基板４ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板４ａの外側表面には偏光板６ｂが、例えば貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００３１】
第２透光性基板４ａの内側表面には、着色膜３１が形成され、その周囲に遮光膜３２が形成され、着色膜３１及び遮光膜３２の上にオーバーコート層３３が形成され、その上に共通電極３４が形成され、その上に配向膜２５ｂが形成されている。配向膜２５ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００３２】
着色膜３１の１つは、矢印Ａ方向から平面的に見て、長方形のドット状に形成されている。また、着色膜３１は複数個が行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。これらの着色膜３１の個々はＢ（青色）、Ｇ（緑色）、Ｒ（赤色）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの各色の着色膜３１が平面的に見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。なお、着色膜３１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜３１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。
【００３３】
遮光膜３２は、矢印Ａ方向から平面的に見て、各着色膜３１を囲む格子状に形成されている。遮光膜３２は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜３２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）等といった遮光性の材料が考えられる。
【００３４】
着色膜３１及び遮光膜３２の上に形成されたオーバーコート層３３は、着色膜３１及び遮光膜３２の表面を平坦化するものであり、共通電極３４はこうして平坦化されたオーバーコート層３３の上に形成される。共通電極３４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。共通電極３４の上に形成された配向膜２５ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板４の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００３５】
共通電極３４は、カラーフィルタ基板４の表面の全面に設けられている。一方、素子基板３上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２４とカラーフィルタ基板４上に設けられた共通電極３４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状領域で重なっている。このように重なり合ったドット状の領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の有効表示領域が形成され、この有効表示領域内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００３６】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜３１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜３１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。
【００３７】
矢印Ａ方向から平面的に見て個々のサブ画素Ｄ内の全域に光反射膜２２が設けられている。矢印Ａで示す観察側から液晶パネル２内の個々のサブ画素Ｄ内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層５を通過した後に光反射膜２２で反射して、再び液晶層５を通過した後、観察側の外部へ出射する。
【００３８】
絶縁膜２３のうち画素電極２４に接する側の表面には、凸部又は凹部が形成されて光散乱手段としての凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。画素電極２４は、そのような凹凸パターンが形成されている絶縁膜２３の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。
【００３９】
以上のように構成された液晶表示装置１では、太陽光や室内光等といった外部光Ｌ０を用いて反射型の表示が行われる。具体的には、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板４を通して液晶パネル２内へ外部光Ｌ０が入射する。入射した外部光Ｌ０は液晶層５を通過して素子基板３内へ入った後、光反射膜２２で反射して再び液晶層５へ供給される。このようにして液晶層５へ光が供給される間、素子基板３側の画素電極２４とカラーフィルタ基板４側の共通電極３４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層５の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層５に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板４側の偏光板６ｂを通過するとき、その偏光板の偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を規制され、これにより、カラーフィルタ基板４の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００４０】
本実施形態の液晶表示装置１においては、絶縁膜２３の光屈折率をｎ１とし、液晶層５の光屈折率をｎ２とするとき、それらの光屈折率が互いに異なるように（すなわち、ｎ１≠ｎ２）に設定している。具体的には、ｎ１＜ｎ２又はｎ１＞ｎ２に設定している。例えば、液晶層５として光屈折率がｎ２＝１．６であるものを用い、絶縁膜２３として光屈折率がｎ１＝１．５のものを用いる。このような絶縁膜２３としては、例えばＳＦ−Ｐ３０１０（東レ製）を用いることができる。
【００４１】
仮に、絶縁膜２３の光屈折率ｎ１と液晶層５の光屈折率ｎ２とを同じに設定すると、図２（ａ）に示すように、液晶層５を通過して絶縁膜２３へ入射した光Ｌ１は両者の境界部分で屈折することなく直進する。また、光反射膜２２で反射した光Ｌ２は、絶縁膜２３と液晶層５の境界部分で屈折することなく直進して液晶層５へ再び入射する。このように、絶縁膜２３の光屈折率ｎ１と液晶層５の光屈折率ｎ２とを同じに設定すると、光反射膜２２に入射した光は散乱することなく鏡面反射する。この鏡面反射した光を表示のための光源として用いると、表示したい画像の背景に鏡面反射像が映り込んでしまい、好ましい表示が得られない。
【００４２】
これに対し、本実施形態では、絶縁膜２３の光屈折率ｎ１と液晶層５の光屈折率ｎ２とを異ならせている。こうすれば、液晶層５を通過して絶縁膜２３へ入射する光Ｌ１は両者の境界部分で屈折した後、光反射膜２２で反射する。そして、その反射光Ｌ２は絶縁膜２３と液晶層５の境界部分で屈折した後、液晶層５へ再び入射する。この結果、液晶層５を通過して絶縁膜２３へ入射する光の入射角度と、絶縁膜２３から液晶層５へ出射する光の出射角度は異なることになり、このことはすなわち、光反射膜２２で反射した光が散乱光となったことを意味している。このように光反射膜２２で反射した光が散乱光となれば、この光を用いて表示を行ったとき、表示したい画像の背景は均一な白色又は無彩色となり、好ましい表示を得ることができる。
【００４３】
例えば、液晶層５の光屈折率ｎ２を絶縁膜２３の光屈折率ｎ１よりも小さく（すなわち、ｎ２＜ｎ１に）すれば、液晶層５から絶縁膜２３へ入射した光の入射角度をθ２とし、絶縁膜２３の表面で屈折した後の光の進行角度をθ１としたとき、θ１＜θ２となる。そして、光反射膜２２で反射して液晶層５へ向かう光についても絶縁膜２３の表面で同様の屈折が発生する。このため、液晶層５を通過して絶縁膜２３へ入射する光Ｌ１の入射角度と、絶縁膜２３から液晶層５へ出射する光Ｌ２の出射角度は異なることになり、こうして散乱光が得られる。
【００４４】
また、本実施形態では、図１に示すように、光反射膜２２と画素電極２４との間に絶縁膜２３が介在している。このことの効果について説明すれば、次の通りである。光反射膜２２の上に設けられる画素電極２４はフォトエッチング処理によってパターニングされるのであるが、このパターニングの際、仮に光反射膜２２の上に直接に画素電極２４が設けられているとすれば、光反射膜２２がエッチャントや剥離液によって浸食されるおそれがある。これに対し、光反射膜２２と画素電極２４との間に絶縁膜２３が介在している本実施形態では、画素電極２４をパターニングする際に光反射膜２２は絶縁膜２３に保護されて上記のような侵食が生じる心配がない。
【００４５】
また、本実施形態によれば、光反射膜２２は絶縁膜２３の下地要素である層間絶縁膜２１へ押し付けられる状態になっているので、光反射膜２２は層間絶縁膜２１に対して高い密着性を保持できる。換言すれば、光反射膜２２はその上下から樹脂膜によって挟持されているので容易には剥がれない状態となっている。また、本実施形態では、光反射膜２２それ自体には凹凸パターンが設けられておらず、平坦な状態に形成されているので、この光反射膜２２の層間絶縁膜２１に対する密着性はより一層より一層高くなっている。
【００４６】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の実施形態では反射光を用いて表示を行う反射型液晶表示装置に本発明を適用したが、本発明は液晶層を１回だけ透過する光によって表示を行う透過型表示機能も併せて有する半透過反射型の液晶表示装置にも適用できる。この場合には、図１のサブ画素Ｄの領域内に、光反射膜を設けた光反射領域と光反射膜を設けない光透過領域との２つの領域が設けられる。また、矢印Ａが描かれた観察側の反対側に、すなわち素子基板３に対向する位置に、照明装置がバックライトとして設けられる。
【００４７】
また、上記の実施形態では、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いたが、これに代えて、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いることができる。
【００４８】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００４９】
図３は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１００とを有する。制御回路１００は、表示情報出力源１０４、表示情報処理回路１０５、電源回路１０６及びタイミングジェネレータ１０７によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０２及び駆動回路１０３を有する。
【００５０】
表示情報出力源１０４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０５に供給する。
【００５１】
次に、表示情報処理回路１０５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０３へ供給する。ここで、駆動回路１０３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【００５２】
液晶表示装置１０１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。本実施形態に係る液晶表示装置１は、凹凸パターンを有する絶縁膜２３の光屈折率ｎ１と液晶層５の光屈折率ｎ２とを互いに異ならせたので、液晶層５を通過した後に絶縁膜２３へ入射し、次に光反射膜２２で反射し、次に絶縁膜２３から出射する光に所望の光散乱特性を持たせることができる。また、光反射膜２２と画素電極２４との間に絶縁膜２３が介在するので、画素電極２４の形成処理の際に光反射膜２２がエッチャントや剥離液によって浸食されることを確実に防止できる。また、光反射膜２２は絶縁膜２３と層間絶縁膜２１とによって挟持されるので高い密着性を確保できる。従って、液晶表示装置１を有する本実施形態の電子機器においても液晶表示装置１が奏する上記の効果と同じ効果を得ることができる。
【００５３】
図４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【００５４】
表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【００５５】
表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。本実施形態に係る液晶表示装置１は、凹凸パターンを有する絶縁膜２３の光屈折率ｎ１と液晶層５の光屈折率ｎ２とを互いに異ならせたので、液晶層５を通過した後に絶縁膜２３へ入射し、次に光反射膜２２で反射し、次に絶縁膜２３から出射する光に所望の光散乱特性を持たせることができる。また、光反射膜２２と画素電極２４との間に絶縁膜２３が介在するので、画素電極２４の形成処理の際に光反射膜２２がエッチャントや剥離液によって浸食されることを確実に防止できる。また、光反射膜２２は絶縁膜２３と層間絶縁膜２１とによって挟持されるので高い密着性を確保できる。従って、液晶表示装置１を有する本実施形態の電子機器においても液晶表示装置１が奏する上記の効果と同じ効果を得ることができる。
【００５６】
（その他の実施形態）
電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の一実施形態の要部を示す側面断面図である。
【図２】図１の液晶表示装置内での光の進行状態を従来例と比較して示す図である。
【図３】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図４】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５８】
１．液晶表示装置、  ２．液晶パネル、  ３．素子基板、３ａ．第１透光性基板、
４．カラーフィルタ基板、  ４ａ．第２透光性基板、  ５．液晶層、  
１１．ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、  １２．ゲート電極、  １３．ゲート絶縁膜、
１４．半導体層、  １５．ソース電極、  １６．ドレイン電極、  １７．ソース電極線、
１８．ゲート電極線、  ２１．層間絶縁膜（第２樹脂膜）、  ２２．光反射膜、  
２３．絶縁膜（第１樹脂膜）、  ２４．画素電極（透明導電膜）、  
２５ａ，２５ｂ．配向膜、  ２６．コンタクトホール、  ３１．着色膜、  
３２．遮光膜、  ３３．オーバーコート層、  ３４．共通電極、  １００．制御回路、
１０１．液晶表示装置、  １０２．液晶パネル、  １０３．駆動回路、
１１０．携帯電話機（電子機器）、  １１１．本体部、  １１２．表示体部、
１１３．表示装置、  １１４．表示画面、  １１５．操作ボタン、  １１６．アンテナ、
１１７．受話部、  １１８．送話部、  Ｄ．サブ画素、  Ｇ．セルギャップ、  
Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２．光、  ｎ１，ｎ２．光屈折率
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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