(57)【要約】  本発明は、記憶容量拡張メモリモジュール、メモリモジュールシステム、メモリモジュールに関し、少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）と、メモリモジュール（100, 200）をコンピュータ（１）に接続するための一つのコネクタ手段（110, 210）とを含み、上記メモリモジュール（100, 200）は、さらに、上記メモリモジュール（100, 200）に対し、記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）を接続するための表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）を含む。本発明のメモリモジュール（100, 101）の製造方法に関し、上記少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）と、上記少なくとも一つのコネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）とを、上記メモリモジュール（100, 200）に対し、単一の製造ステップにて接続する。【選択図】図３
2007018516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）を含むメモリモジュール（100, 200）であって、
さらに、上記メモリモジュール（100, 200）に対し、記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）を接続するための表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）を含むメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２】
上記メモリモジュール（100, 200）に対し、他の記憶容量拡張メモリモジュール（101）を接続するための、他の表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）をさらに含む請求項１に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項３】
上記表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）は、上記メモリモジュール（100, 200）の表面側に接続されている請求項１または２に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項４】
上記他の記憶容量拡張メモリモジュールは、上記メモリモジュール（100）の裏面側に接続されている請求項２に記載のメモリモジュール（100）。
【請求項５】
上記表面実装コネクタ手段は、上記メモリモジュール（100, 200）の裏面側に接続されている請求項１または２に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項６】
上記他の記憶容量拡張メモリモジュールは、上記メモリモジュール（100, 200）の表面に接続されている請求項２に記載のメモリモジュール（100）。
【請求項７】
上記メモリモジュール（100, 200）の表面側に接続されている、複数の表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）を含む請求項３に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項８】
上記メモリモジュール（100, 200）の裏面側に接続されている、複数の表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）を含む請求項５に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項９】
上記表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）は、メッザニーンコネクタである請求項１ないし８の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１０】
上記他の記憶容量拡張メモリモジュールは、メッザニーンコネクタである請求項２、４または６に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１１】
上記メモリモジュール（100, 200）を、コンピュータシステム（１）に接続するためのコネクタ手段（110, 210）をさらに含む請求項１ないし１０の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１２】
上記メモリモジュール（100, 200）を、上記コンピュータシステム（１）に接続するためのコネクタ手段（110, 210）は、エッジコネクタ部（110）である請求項１１に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１３】
上記エッジコネクタ部（110）は、ＤＩＭＭメモリカードのエッジコネクタ部である請求項１２に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１４】
上記エッジコネクタ部（110）は、ＳＩＭＭメモリカードのエッジコネクタ部である請求項１２に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１５】
少なくとも一つの行方向に沿って、互いに隣り合って配置されている、複数のメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）を含む請求項１ないし１４の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１６】
上記表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）は、上記少なくとも一つの行方向の各メモリデバイスと、上記メモリモジュール（100, 200）とコンピュータ（１）とを接続するためのコネクタ手段（110, 210）との間に配置されている請求項１５に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１７】
上記表面実装コネクタ手段は、上記少なくとも一つの行方向の各メモリデバイスの間に配置されている請求項１５に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１８】
上記表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）は、細長い形状を有し、上記表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）の長手方向を、上記エッジコネクタ部（110）が設けられた上記メモリモジュールの端部と平行に延びるように設定されている請求項１２ないし１７の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項１９】
上記表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）は、細長い形状を有し、上記表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）の長手方向を、上記エッジコネクタ部（110）が設けられた上記メモリモジュールの端部に対し直交する方向に延びるように設定されている請求項１２ないし１７の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２０】
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）は、ＤＲＡＭメモリデバイスである請求項１ないし１９の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２１】
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）は、積層型のＤＲＡＭである請求項２０に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２２】
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）は、表面実装型のハウジング内に配置されている請求項１ないし２１の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２３】
上記メモリモジュール（100, 200）の表面側と裏面側とに配置されている複数の各メモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）を含む請求項１ないし２２の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２４】
上記メモリモジュールの表面側に配置された上記各メモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）は、上記メモリモジュールの裏面側に配置された各メモリデバイスと同じ大きさである請求項２３記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２５】
上記メモリモジュールの表面側に配置された上記各メモリデバイスと、上記メモリモジュールの裏面側に配置された各メモリデバイスとは、互いに異なる外形寸法である請求項２３記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２６】
上記メモリモジュール（100, 200）を、コンピュータシステム（１）に登録するためのＥＰＲＯＭをさらに含む請求項１ないし２５の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項２７】
少なくとも一つのメモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）を含む記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）であって、
メモリモジュール（100, 200）に対し、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）を接続するための表面実装コネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）を含む記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項２８】
上記表面実装コネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）は、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の裏面側に接続されている請求項２７に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項２９】
上記表面実装コネクタ手段は、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の表面側に接続されている請求項２７に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３０】
上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の裏面側に接続されている、表面実装コネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）を、複数含む請求項２８に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３１】
上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の表面側に接続されている、表面実装コネクタ手段を、複数含む請求項２９に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３２】
上記表面実装コネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）は、メッザニーンコネクタである請求項２７ないし３１の何れか１項に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３３】
少なくとも一つの行方向に沿って、互いに隣り合って配置されているメモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）を、複数含む請求項２７ないし３２の何れか１項に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３４】
上記表面実装コネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）は、上記少なくとも一つの行の各メモリデバイスとモジュールの端部との間に位置している請求項３３に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３５】
上記表面実装コネクタ手段は、上記少なくとも一つの行の各メモリデバイスの間に位置している請求項３３に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３６】
上記記憶容量拡張メモリモジュールの表面側と裏面側との双方に配置されている、複数のメモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）を含む請求項２７ないし３５の何れか１項に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３７】
上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の裏面側に配置されている、上記各メモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）は、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の表面側に配置されている、上記各メモリデバイスと同じ大きさである請求項３６に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３８】
上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の裏面側に配置されている、上記各メモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）と、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の表面側に配置されている、上記各メモリデバイスとは、互いに異なる外形寸法である請求項３６に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項３９】
請求項１ないし２６の何れか１項に記載のメモリモジュール（100, 200）、および請求項２７ないし３８の何れか１項に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）を含み、
上記メモリモジュール（100, 200）と上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）とは、それぞれ、少なくとも一つの表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c, 103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）を備え、
上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）は、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の少なくとも一つの表面実装コネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）と、上記メモリモジュール（100, 200）の少なくとも一つの表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）とを介して、上記メモリモジュール（100, 200）に対し接続されているメモリモジュールシステム。
【請求項４０】
上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）は、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）および上記メモリモジュール（100, 200）の少なくとも一つの表面実装コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c, 103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）を介し、ケーブル無にて直接的に上記メモリモジュール（100, 200）に対し接続されている請求項３９に記載のメモリモジュールシステム。
【請求項４１】
メモリモジュール（100）の製造方法であって、
少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b）と、メモリモジュール（100）に対し、記憶容量拡張メモリモジュール（102）を接続するための、少なくとも一つのコネクタ手段（103a, 103b, 103c）とを含み、
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b）と、上記少なくとも一つのコネクタ手段（103a, 103b, 103c）とを、上記メモリモジュール（100）に対し、単一の製造ステップにて接続する、メモリモジュール（100）の製造方法。
【請求項４２】
上記メモリデバイス（111a, 111b, 111c, 111d）、および上記コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f）に設けられている各端子を、それらに対応する、上記メモリモジュール（100, 101）の表面上に設けられている各端子上に載せるステップを、さらに含む請求項４１に記載のメモリモジュール（100）の製造方法。
【請求項４３】
上記単一の製造ステップの間において、上記メモリデバイス（111a, 111b）、および上記コネクタ手段（103a, 103b, 103c）に設けられている各端子と、それらに対応する、上記メモリモジュール（100）の表面上に設けられている各端子とを、はんだ付けする請求項４２に記載のメモリモジュール（100）の製造方法。
【請求項４４】
上記単一の製造ステップの間において、上記メモリモジュール（100）を、オーブン内にて加熱する請求項４３に記載のメモリモジュール（100）の製造方法。
【請求項４５】
記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の製造方法であって、
少なくとも一つのメモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）、およびメモリモジュール（100, 200）に対し、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）を接続するための少なくとも一つのコネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）を含み、
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）、および上記少なくとも一つのコネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）を、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）に対し、単一の製造ステップにて接続する、記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）の製造方法。
【請求項４６】
少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）と、メモリモジュール（100, 200）に対し、記憶容量拡張メモリモジュール（102, 102）を接続するための、少なくとも一つのコネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）とを含み、
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）、および上記少なくとも一つのコネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）が、上記メモリモジュール（100, 200）に対し、単一の製造ステップにて接続されているメモリモジュール（100, 200）。
【請求項４７】
上記少なくとも一つのコネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）は、表面実装型コネクタ手段（103a, 103b, 103c, 203a, 203b, 203c）であり、
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）は、表面実装型メモリデバイス（111a, 111b, 212a, 212b）である請求項４６に記載のメモリモジュール（100, 200）。
【請求項４８】
少なくとも一つのメモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）と、メモリモジュール（100, 200）に対し、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）を接続するための少なくとも一つのコネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）とを含み、
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）、および上記少なくとも一つのコネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）が、上記記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）に対し、単一の製造ステップにて接続されている、記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【請求項４９】
上記少なくとも一つのコネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）は、表面実装型コネクタ手段（103g, 103h, 103i, 203g, 203h, 203i）であり、
上記少なくとも一つのメモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）は、表面実装型メモリデバイス（111e, 111f, 211e, 211f）である請求項４８に記載の記憶容量拡張メモリモジュール（102, 202）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリモジュール、記憶容量拡張メモリモジュール、メモリモジュールシステム、および、メモリモジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のコンピュータ（例えば、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、ラップトップコンピュータ、ノートパソコン、ワークステーションコンピュータ、サーバコンピュータなど）は、一般的に、主要なプリント基板（いわゆるマザーボード）を含んでいる。このプリント基板の上には、１つまたは複数のＣＰＵが、１つまたは複数のメモリモジュール用のプラグイン端子部、適切なＢＩＯＳ構成要素、コプロセッサ、キャッシュメモリデバイス、発振器、および、（他の）プラグインカード用の１つまたは複数の他のプラグイン端子部などと共に、備えられている。
【０００３】
様々なマザーボードの構成要素（例えば、上記のメモリモジュール、ＣＰＵなど）は、データ、アドレス、および／または、制御信号を交換するために、１つまたは複数のバスシステムを介して互いに接続されている。
【０００４】
上記のメモリモジュール用のプラグイン端子部に挿入されるメモリモジュールとして、例えばしかるべきＳＩＭＭメモリカードまたはＤＩＭＭメモリカードが用いられる（ＳＩＭＭ＝Single In-Line Memory Module、ＤＩＭＭ＝Dual In-Line Memory Module）。それらはそれぞれ、複数のメモリデバイス（例えば、複数のＤＲＡＭメモリデバイス（ＤＲＡＭ＝Dynamic Random Access Memory））を含んでいる。
【０００５】
ＳＩＭＭメモリカードの場合、メモリデバイスは、メモリカードの一面にのみ備えられており、ＤＩＭＭメモリカードの場合、その裏面側および表面側（つまり両面）に各メモリデバイスがそれぞれ備えられている。
【０００６】
ＳＩＭＭメモリカードは、メモリモジュール用のプラグイン端子部のスロットに挿入される、例えば７２個の端子を有するプラグイン手段を含む。ＤＩＭＭメモリカードは、例えば１６８個の端子（面毎に８４個の端子）、１８４個の端子、２００個の端子、２１４個の端子、または、２４０個の端子を有する、プラグイン手段を含む。
【０００７】
メモリカードに備えられた１つ１つのＤＲＡＭメモリデバイスも、例えば、１２８ＭＢｉｔ、２５６ＭＢｉｔ、５１２ＭＢｉｔ、または、１ＧＢｉｔなどの記憶容量を有している。メモリカードが有する全記憶容量は、メモリカードに備えられたＤＲＡＭメモリデバイスの数に応じて、および、個々のＤＲＡＭメモリデバイスの記憶容量に応じて決まり、例えば、１ＧＢｙｔｅ、２ＧＢｙｔｅ、８ＧＢｙｔｅなどである。
【０００８】
ＤＲＡＭメモリデバイスには、様々なハウジングが用いられている。それらは、例えば、表面実装可能なハウジング（ＳＭＤハウジング（ＳＭＤ＝Surface Mounted Device））、または、プラグ実装可能なハウジング（例えば、ＤＩＬハウジング（ＤＩＬ＝Dual-In-Line）など）である。
【０００９】
ＤＩＬハウジングの場合、メモリデバイスハウジングに設けられた各端子は、メモリカード内に設けられた、対応する各ホールに挿入され、上記の各端子は、上記メモリカードの裏面側にて、はんだ付けされる。
【００１０】
これに対して、ＳＭＤハウジング（例えばＢＧＡハウジングまたはＴＳＯＰハウジング）の場合、メモリデバイスに設けられた各端子が、メモリカードの表面側に設けられた各端子の上に配置される。その後、このメモリカードをはんだ槽に浸すことにより、メモリカードとメモリデバイスとにおける、互いに配置された各端子は、それぞれ、はんだ付けされる。
【００１１】
メモリデバイスハウジングが、マザーボードに対し直接はんだ付けされていないが、上記のメモリカードに対しはんだ付けされており、上記メモリカードが、対応するマザーボードのプラグイン端子部に挿入可能なことにより、個々のコンピュータのために設けられる記憶容量の総量を、ユーザの個々の要求に対し容易に合わせることができる。
【００１２】
コンピュータの記憶容量に対する要求は、絶え間なく増加している。これらの要求を満たすために、記憶容量が今まで増加し続けてきたＤＲＡＭメモリデバイスが用いられてきた。同時に、個々のメモリカードに備えられるＤＲＡＭメモリデバイスの数も増加している。
【００１３】
しかし、メモリカードに備えられるＤＲＡＭメモリデバイスの最大実装数は、規格によって予め定められたメモリカードの物理的寸法によって制限される。
【００１４】
メモリカードの記憶容量を増やすために、単一のメモリデバイスの代わりに、それぞれ２つ以上のメモリデバイスを例えば互いに上下に（つまり積層させて）配置したメモリデバイスハウジングを用いることもできる。
【００１５】
また、メモリカードの記憶容量をさらに増加させるために、記憶容量拡張メモリカードを用いてもよい。この記憶容量拡張メモリカードは、例えばねじ込み式接続方式、または、はんだ付け接続方式によって、対応する（主な）メモリカードに対し機械的に実装されている。上記記憶容量拡張メモリカードは、主なメモリカードと記憶容量拡張メモリカードとの間の、データ、アドレス、および／または、制御信号を交換するために、リボンケーブルによって主なメモリカードに電気的に接続されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記従来では、特に、製造コストが比較的高いという不都合を生じている。
【００１７】
本発明の目的は、新規なメモリモジュール、新規な記憶容量拡張メモリモジュール、新規なメモリモジュールシステムと共に、メモリモジュールの新規な製造方法を提供し、特に、比較的簡便で、容易に製造できる、メモリモジュール、記憶容量拡張メモリモジュール、メモリモジュールシステムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的およびさらに他の各目的は、本願の現行請求項１、２７、３９、４１、４６、４８に記載の各発明の要旨によって達成される。本発明の、有効な、さらなる各実施形態については、各従属請求項にそれぞれ示されている。
【００１９】
本発明の第一の観点によれば、少なくとも一つのメモリデバイスを含むメモリモジュールが提供され、上記メモリモジュールは、さらに、上記メモリモジュールに対し、記憶容量拡張メモリモジュールを接続するための表面実装型のコネクタ手段を含む。
【００２０】
さらに有効なものとして、上記のさらなるコネクタ手段および上記少なくとも一つのメモリデバイスを、単一の共通の表面実装ステップにて、上記メモリモジュールに対し、電気的に接続し、かつ機械的に結合してもよい。
【００２１】
それゆえ、本発明のメモリモジュールは、記憶容量拡張メモリモジュールの接続のために設計された従来のメモリモジュールよりも、製造が容易で安価にできる。
【００２２】
本発明の第二の観点によれば、少なくとも一つのメモリデバイスを含む記憶容量拡張メモリモジュールが提供され、上記記憶容量拡張メモリモジュールは、上記記憶容量拡張メモリモジュールをメモリモジュールに接続するための表面実装型のコネクタ手段を含む。
【００２３】
本発明の他の観点によれば、少なくとも一つのメモリモジュールと、少なくとも一つの記憶容量拡張メモリモジュールとを含むメモリモジュールシステムが提供され、上記メモリモジュール、および上記記憶容量拡張メモリモジュールは、それぞれ、少なくとも一つの表面実装型のコネクタ手段を含み、かつ、上記記憶容量拡張メモリモジュールは、上記記憶容量拡張メモリモジュールの上記少なくとも一つの表面実装型のコネクタ手段および上記メモリモジュールの上記少なくとも一つの表面実装型のコネクタ手段を介して、上記メモリモジュールに接続されている。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係るメモリモジュール、記憶容量拡張メモリモジュール、メモリモジュールシステムは、以上のように、少なくとも一つの表面実装型のコネクタ手段を含むので、メモリモジュールに対して、記憶容量拡張メモリモジュールを表面実装型のコネクタ手段によって実装できる。
【００２５】
それゆえ、上記構成は、従来のはんだ付けや、リボンケーブルでの接続と比べて、上記実装を簡便化でき、かつ安価にできるという効果を奏する。
【００２６】
本発明のメモリモジュールの製造方法は、以上のように、上記のさらなるコネクタ手段および上記少なくとも一つのメモリデバイスを、単一の共通の表面実装ステップにて、上記メモリモジュールに対し、電気的に接続し、かつ機械的に結合する方法である。
【００２７】
それゆえ、上記方法は、記憶容量拡張メモリモジュールの接続のために設計された従来のメモリモジュールよりも、製造が容易で安価にできるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下で、複数の各実施形態および添付の各図を参照して本発明をより詳しく説明する。マザーボード１は、一般的に、電気絶縁性を備えた、略長方形板状の基板上にて形成され、ＣＰＵ２と、メモリモジュール用の複数のプラグイン端子部３と、（他の）メモリカード用の複数の他のプラグイン端子部４と、コプロセッサ構成要素５と、発振器６と、ＤＭＡ構成要素７（ＤＭＡ＝Direct Memory Access）と、ＲＯＭ−ＢＩＯＳ構成要素９(ＲＯＭ＝Read Only Memory; ＢＩＯＳ＝Basic Input Output System)と、複数のキャッシュメモリ素子とを、マザーボード１の基板の少なくとの一面上に備えている。
【００２９】
図１から分かるように、マザーボード１の複数の各構成要素（例えば、ＣＰＵ２、メモリモジュール用のプラグイン端子部３、他のプラグイン端子部４など）は、対応するデータバス、アドレスバスおよび／または制御バスを有する１つまたは複数のバスシステムを介して（例えば、ＰＣＩ（Peripheral Component Interconnect）バスシステム１０を介して）相互に結合されている。
【００３０】
ユーザの要求に沿って、１つまたは複数のプラグインカード（例えば、グラフィックカード、モデムカード、サウンドカードなど）を、他のプラグイン端子部４に挿入することができるようになっている。
【００３１】
各メモリモジュール用のプラグイン端子部３は、従来のメモリモジュール用のプラグイン端子部に対応して同様に、または同一に設計されていてもよい。特に、対応するメモリモジュール用のプラグイン端子部３に、従来のメモリモジュールを１つずつ組み込むことができるように設計されていてもよい。例として、例えば２４０個の端子を有する従来のＤＩＭＭメモリカード（または、他の数の（例えば、１８４個、２００個、または２１４個の）端子を有するＤＩＭＭメモリカード、または、例えばＳＩＭＭメモリカードなど）は、組み込み後、ＤＩＭＭ（または、ＳＩＭＭ）メモリカードの各端子が、メモリモジュール用のプラグイン端子部３の対応する各端子と電気的に接続するように設計されていてもよい。
【００３２】
従来のメモリモジュールの代わりに、図２ないし図１３を参照して説明される（以下でさらに詳しく説明される本発明の各実施形態の）、略長方形板状の各メモリモジュール１００、２００、３００、４００、５００、６００の１つを、上記メモリモジュール用のプラグイン端子部３の１つに、または、複数に、または、全てに挿入することが好ましい。
【００３３】
全てのメモリモジュール用のプラグイン端子部３に、図２ないし図１３に記載のメモリモジュール１００、２００、３００、４００、５００、６００が挿入されていない場合は、残っているメモリモジュール用のプラグイン端子部３は、使用されないままであってもよいし、または、従来のメモリモジュールによって使用されていてもよい。
【００３４】
図２に、本発明の第１実施形態の、メモリモジュール１００またはプリント基板／メモリカード１００の表面側を示す。このメモリモジュール１００またはプリント基板／メモリカード１００は、図１に示すマザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３に対し、離間した上方位置から垂直方向（上記マザーボードの各表面方向に対し直交する方向）に沿って挿入することができるように形成されている。
【００３５】
図２から分かるように、メモリモジュール１００は、従来のＤＩＭＭメモリカード（または、従来のＳＩＭＭメモリカード）と同じように、モジュール下端（モジュールの長手方向の一側部端）にプラグイン端子部１１０（ここではプリント基板エッジコネクタ部）を備えている。プラグイン端子部１１０は、従来のＤＩＭＭメモリカードに対応して同じように、メモリモジュール用のプラグイン端子部３の各端子の数に対応する例えば２４０個の各端子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ．．．（または、例えば１８４個、２００個または２１４個の端子）を備えていてもよい。
【００３６】
メモリモジュール１００のプラグイン端子部１１０は、マザーボード１のプラグイン端子部３の１つにメモリモジュール１００が組み込まれたとき、メモリモジュール１００のプラグイン端子部１１０のメモリモジュールの各端子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ．．．が、マザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３の対応する各端子とそれぞれ電気的に接続されるように設計されている。
【００３７】
メモリモジュール１００の外のり寸法は、従来のＤＩＭＭメモリカード（または、従来のＳＩＭＭメモリカード）に対応して同様または同一であってもよい。メモリモジュール１００は、例えば、高さが２ｃｍ〜１０ｃｍであり、長さが４ｃｍ〜２０ｃｍであってもよい。
【００３８】
同じく、メモリモジュール１００は、従来のＤＩＭＭメモリカード（または、従来のＳＩＭＭメモリカード）に類似して、または、同様に、複数の各ＲＡＭメモリデバイス、特に複数の各ＤＲＡＭメモリデバイス（ＲＡＭ＝Random Access Memory; ＤＲＡＭ＝Dynamic Random Access Memory）などの複数の各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂを備えている。
【００３９】
従来のＤＩＭＭメモリカードに対応している、各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂは、メモリモジュール１００の表面側と裏面側との双方に配置されている（または、代わりに、ＳＩＭＭメモリカードに対応して、メモリモジュールの一方側にだけ配置されていてもよい）。
【００４０】
図２から分かるように、各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂは、メモリモジュール１００の基板の表面側および裏面側に、横の行方向（メモリモジュール１００の長手方向に）に沿って並んでそれぞれ配置されていてもよい。上記基板としては、電気絶縁性を有する、長方形板状のものが挙げられる。
【００４１】
メモリモジュール１００に備えられた各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂの１つ１つが、例えば、１２８ＭＢｉｔ、２５６ＭＢｉｔ、５１２ＭＢｉｔ、１ＧＢｉｔ、または、２ＧＢｉｔなどの記憶容量を有していてもよい。これにより、トータルにて、例えば、１ＧＢｙｔｅ、２ＧＢｙｔｅ、４ＧＢｙｔｅなどの記憶容量が、メモリモジュール１００に備えられた各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂの数と、個々のメモリデバイス１１１ａ、１１１ｂの記憶容量とに応じて、メモリモジュール１００に対し提供される。
【００４２】
メモリモジュール１００に備えられたＤＲＡＭ等の各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂは、例えば記憶容量が全て同じであってもよく、または、記憶容量が互いに異なっていてもよい。メモリモジュール１００の表面側に配置されたＤＲＡＭ等のメモリデバイス１１１ａ、１１１ｂの各々は、例えば、第１記憶容量を有しており、メモリモジュール１００の裏面側に配置されたＤＲＡＭ等のメモリデバイスの各々は、第１記憶容量とは異なる第２記憶容量を有していてもよい。
【００４３】
各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂが、表面実装によってメモリモジュール１００に装着された各ハウジング（ＳＭＤハウジング（ＳＭＤ＝Surface Mounted Device、例えば、ＢＧＡハウジングまたはＴＳＯＰハウジング）に、それぞれ配置されている場合は特に好ましい。または、プラグイン実装によってメモリモジュール１００に装着されたメモリデバイスハウジング（例えば、ＤＩＬハウジング（ＤＩＬ＝Dual-In-Line）など）を使用してもよい。
【００４４】
メモリデバイスハウジングとして、メモリデバイスが１つずつ配置されているハウジングを使用することができる。または、１つの単一のメモリデバイスの代わりに、２つまたはそれ以上の各メモリデバイスが例えば上下に、または、互いに積層して配置されている各ハウジングを使用することが特に有利である（ＤＲＡＭメモリデバイスでは、いわゆる「スタックド（積層型）ＤＲＡＭ」が、好ましくは使用される）。
【００４５】
図２から分かるように、本発明のメモリモジュール１００では、従来のＤＩＭＭメモリカードとは異なり、行方向上に並んでそれぞれ配置されている各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂと、モジュール下端のほぼ全長に渡って延びているプラグイン端子部１１０との間のメモリモジュールの表面側および裏面側に、複数の特別な増設コネクタ（表面実装型のコネクタ手段）１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃが配置されている。
【００４６】
この実施形態では、３つの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、メモリモジュール１００の表面側と裏面側との双方に設けられている。または、増設コネクタの数は、より多くてもまたはより少なくてもよい（例えば１つの側につき、たった１つまたは２つまたは３つ以上のコネクタが設けられていてもよい）。
【００４７】
各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、メモリモジュール１００の表面側と裏面側とに、水平の行方向に並んで互いに等間隔に配置されていてもよい。
【００４８】
メモリモジュール１００の表面側に設けられたコネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃの各々は、メモリモジュール１００の裏面側に設けられた対応するコネクタにそれぞれ対向するように配置されている。
【００４９】
各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃとして、ＳＭＴコネクタ（ＳＭＴ＝Surface Mounted Technique、表面実装型）を使用することが好ましい。ＳＭＴコネクタの例としては、いわゆるメッザニーン（ＭＥＺＺＡＮＩＮＥ）コネクタがあげられる。このようなコネクタは、以下でさらに詳しく説明されるように、表面実装によってメモリモジュール１００に装着されている。メッザニーンコネクタとは、マザーボード、およびそのマザーボードに装着されたドーターボードの少なくとも一方に対し、メモリ等の拡張ボードや拡張カードを装着するためのコネクタをいう。
【００５０】
図２から分かるように、ＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、ほぼ長方形の、細長い形状をそれぞれ有しており、メモリモジュール１００に水平方向にそれぞれ取り付けられている（その結果、ＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃの長手方向は、メモリモジュール１００のモジュール下端（モジュールの長手方向の側端）に対して平行となるように延びている）。
【００５１】
メモリモジュール１００の表面側に取り付けられており（メモリモジュールの裏面側にあるＳＭＴの各増設コネクタにも対応している）ＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃの端子の合計数は、プラグイン端子部１１０の（ここでは、メモリモジュール１００のプリント基板エッジコネクタ部１１０の）各端子の数、または、マザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３の各端子の数にそれぞれ対応している。あるいは、ＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、より多い数の端子（例えば、２４０個の端子（または、例えば１８４個、２００個、または２１４個の端子））を有している。
【００５２】
メモリモジュール１００における、ＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、以下のように設計されている。すなわち、各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃをメモリモジュール１００に実装したとき、各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃの各端子が、メモリモジュール１００の表面側に設けられた、対応する各端子と電気的に接続するように設計されている。
【００５３】
メモリモジュール１００の記憶容量を増やす場合は、図２および図３を参照して以下でより詳しく説明するような第１および／または第２の拡張メモリモジュール（記憶容量拡張モジュール）１０１、１０２、または、第１および／または第２の拡張メモリプリント基板／拡張メモリカード１０１、１０２を、それぞれ、本発明の第１実施形態に基づいて使用してもよい。
【００５４】
図２に、第１拡張メモリモジュール１０１の表面側と、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側とを示す。
【００５５】
各拡張メモリモジュール１０１、１０２は、それぞれ、従来のＤＩＭＭメモリカードまたはＳＩＭＭメモリカードに対応して同一に、または、類似するように、および、図２に示すメモリモジュール１００に対応して類似するように、または、同一に、複数の各メモリデバイス（例えば、複数のＲＡＭメモリデバイス、特にＤＲＡＭメモリデバイス）１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆをそれぞれ備えている。
【００５６】
各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆはそれぞれ、従来のＤＩＭＭメモリカードおよび図２に示すメモリモジュール１００に対応して、拡張メモリモジュール１０１、１０２の表面側と裏面側との双方に配置されている（または、ＳＩＭＭメモリカードに対応して、各拡張メモリモジュールの一方の面側にのみ配置されていてもよい）。
【００５７】
図２から分かるように、各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆは、それぞれ、各拡張メモリモジュール１０１、１０２の表面側および裏面側に、水平の行方向に沿って並んでそれぞれ配置されていてもよい。
【００５８】
拡張メモリモジュール１０１、１０２上に設けられた各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆの各々は、それぞれ、例えば、１２８ＭＢｉｔ、２５６ＭＢｉｔ、５１２ＭＢｉｔ、１ＧＢｉｔ、または２ＧＢｉｔなどの記憶容量を有している。
【００５９】
その結果、各拡張メモリモジュール１０１、１０２の記憶容量は、各拡張メモリモジュール１０１、１０２に設けられた各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆの数と、個々の各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆの記憶容量とに応じて、例えば合計で１ＧＢｙｔｅ、２ＧＢｙｔｅ、４ＧＢｙｔｅなどになる。
【００６０】
拡張メモリモジュール１０１、１０２上に設けられたＤＲＡＭ等の各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆは、例えば記憶容量が全て同じであってもよく、または、記憶容量が互いに異なっていてもよい。
【００６１】
第１拡張メモリモジュール１０１の表面側と、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側とにそれぞれ配置されたＤＲＡＭ等の各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆの各々は、例えば、第１記憶容量を有していてもよく、第１拡張メモリモジュール１０１の裏面側と、第２拡張メモリモジュールの表面側とに配置されたＤＲＡＭ等の各メモリデバイスの各々は、第１記憶容量とは異なる第２記憶容量を有していてもよい。
【００６２】
各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆが、それぞれ、表面実装によって拡張メモリモジュール１０１、１０２上に装着されたハウジング（ＳＭＤハウジング）に（例えば、ＢＧＡハウジングまたはＴＳＯＰハウジングに）、それぞれ配置されている場合は特に好ましい。または、プラグイン実装によって拡張メモリモジュール１０１、１０２上に装着されたメモリデバイスハウジング（例えば、ＤＩＬハウジングなど）を使用してもよい。
【００６３】
メモリデバイスハウジングとして、メモリモジュールが１つずつ配置されているハウジングを使用することができる。または、１つの単一のメモリデバイスの代わりに、２つまたはそれ以上のメモリデバイスが例えば上下に、または、積層するように配置されているハウジングを使用することが特に有利である（ＤＲＡＭメモリデバイスでは、いわゆる「スタックドＤＲＡＭ」が好ましくは使用される）。
【００６４】
拡張メモリモジュール１０１、１０２の外のり寸法は、従来のＤＩＭＭまたはＳＩＭＭメモリカードの外のり寸法、または、図２に示すメモリモジュール１００にそれぞれほぼ対応している。しかしながら、高さ（および、場合によっては長さ）は、図２に示すメモリモジュール１００よりも多少小さい（高さは、例えば、約０．５ｃｍ〜２ｃｍだけ、メモリモジュール１００よりも小さく、長さが約４ｃｍ〜１８ｃｍである場合は高さは約１．５ｃｍ〜９ｃｍであってもよい）。
【００６５】
さらに、図２から分かるように、拡張メモリモジュール１０１、１０２は、従来のＤＩＭＭまたはＳＩＭＭメモリカードおよび図２に示すメモリモジュール１００とは異なり、モジュール下端にプリント基板エッジコネクタ部が設けられていない。
【００６６】
その代わり、拡張メモリモジュール１０１の表面側と拡張メモリモジュール１０２の裏面側とに、複数の特別な各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆまたは各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉがそれぞれ設けられている。これらの各コネクタは、従来のＤＩＭＭまたはＳＩＭＭメモリカードのプリント基板エッジコネクタ部の機能を有している。また、これらコネクタについて、以下でより詳しく説明する。
【００６７】
拡張メモリモジュール１０２の裏面側に設けられた各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉの数は、メモリモジュール１００の表面側に設けられた（増設）コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃの数に対応している。また、拡張メモリモジュール１０１の表面側に設けられたコネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆの数は、メモリモジュール１００の裏面側に設けられた（増設）コネクタの数（ここでは、３つ、または例えば、たった１つ、または２つ、または３つ以上）に対応している。
【００６８】
拡張メモリモジュール１０１、１０２の各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆまたは各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉは、それぞれ並んで行上に並んで配置されている各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆと、モジュール下端との間に、横の行方向に沿って、並んで、互いに等間隔を開けてそれぞれ配置されている。
【００６９】
各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆまたは各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉとして、前述のＳＭＴのコネクタをそれぞれ使用することが好ましい。ＳＭＴのコネクタの例としては、いわゆる前述のメッザニーンコネクタがあげられる。このようなコネクタは、以下でさらに詳しく説明されるように、表面実装によって各メモリモジュール１０１、１０２に対しそれぞれ装着されている。
【００７０】
図２から分かるように、ＳＭＴの各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆまたは各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉは、ほぼ長方形の、細長い形状をそれぞれ有しており、各拡張メモリモジュール１０１、１０２に対し、水平方向に沿って取り付けられている（その結果、各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆまたは各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉの長手方向は、拡張メモリモジュール１０１、１０２のモジュール下端に対して平行となるように延びている）。
【００７１】
第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側のコネクタ１０３ｇは、メモリモジュール１００の表面側のコネクタ１０３ａに対応しており、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側のコネクタ１０３ｈは、メモリモジュール１００の表面側のコネクタ１０３ｂに対応しており、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側のコネクタ１０３ｉは、メモリモジュール１００の表面側のコネクタ１０３ｃに対応した位置にそれぞれ配されている。
【００７２】
同じく、第１拡張メモリモジュール１０１の表面側の各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆは、それぞれ、メモリモジュール１００の裏面側に設けられたＳＭＴの各増設コネクタに対応して、配されている。
【００７３】
メモリモジュール１００の記憶容量を増やす場合は、図３に示すように、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側とメモリモジュール１００の表面側とが相互に平行に直接対面している位置から、第２拡張メモリモジュール１０２を、メモリモジュール１００に向けて水平方向（矢印Ａ）に移動させる。この移動により、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側にあるＳＭＴのコネクタ１０３ｇをメモリモジュール１００の表面側の対応するＳＭＴのコネクタ１０３ａに係合し、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側にあるＳＭＴのコネクタ１０３ｈをメモリモジュール１００の表面側の対応するＳＭＴのコネクタ１０３ｂに係合し、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側にあるＳＭＴのコネクタ１０３ｉをメモリモジュール１００の表面側の対応するＳＭＴのコネクタ１０３ｃに係合する。
【００７４】
各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃおよび各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉは、各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃに各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉを係合したとき、各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉの各端子が、それぞれ対応する各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃの各端子と電気的に接触するように設計されている。すなわち、第２拡張メモリモジュール１０２は、ケーブルを全く使用せずに、メモリモジュール１００に対し電気的に接続される。
【００７５】
この場合、メモリモジュール１００の各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、例えばメス型であり、拡張メモリモジュール１０２の各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉは、例えば接続部のオス型である。
【００７６】
ＳＭＴの各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉをＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃに係合することにより、第２拡張メモリモジュール１０２とメモリモジュール１００とが互いにずれないように機械的に結合され、固定される。すなわち、第２拡張メモリモジュール１０２は他の接続（例えば、適切なねじ込み式接続方式）を用いなくても、メモリモジュール１００に対し機械的に結合される。
【００７７】
拡張メモリモジュール１０２の代わりに、または、拡張メモリモジュール１０２に加えて、メモリモジュール１００の記憶容量を（さらに）（例えば１２ＧＢｙｔｅなどに）増大するため、さらに図３に示すように、第１拡張メモリモジュール１０１をメモリモジュール１００に対し電気的に接続し、かつ機械的に結合してもよい。
【００７８】
このため、第１拡張メモリモジュール１０１の表面側とメモリモジュール１００の裏面側とが相互に平行に直接対面している位置から、第１拡張メモリモジュール１０１を、メモリモジュール１００に向けて水平方向（矢印Ｂ）に動かし、第１拡張メモリモジュール１０１の表面側のＳＭＴの各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆを、メモリモジュール１００の裏面側の対応するＳＭＴの各増設コネクタに係合する。
【００７９】
第１拡張メモリモジュールの表面側の各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆと、メモリモジュール１００の裏面側の対応するＳＭＴの各増設コネクタとは、以下のように設計されている。すなわち、ＳＭＴの各増設コネクタ同士が係合したとき、第１拡張メモリモジュールの表面側のＳＭＴの各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆの各端子が、メモリモジュール１００の裏面側のＳＭＴの各増設コネクタの対応する各端子にそれぞれ電気的に接触する。すなわち、第１拡張メモリモジュール１０１は、ケーブルを全く使用せずに、メモリモジュール１００に対し電気的に接続される。
【００８０】
このとき、メモリモジュール１００のＳＭＴの各増設コネクタは、例えば接続部のメス型の形状に設定されており、拡張メモリモジュール１０１のＳＭＴの各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆは例えば、オス型に設定されている。
【００８１】
第１拡張メモリモジュールの表面側のＳＭＴの各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆを、メモリモジュール１００の裏面側の対応するＳＭＴの各増設コネクタにそれぞれ係合すると、第１拡張メモリモジュール１０１とメモリモジュール１００とは、上記各係合によって互いにずれないように機械的に結合され、固定される。すなわち、第１拡張メモリモジュール１０１は、他の接続（例えば、適切なねじ込み式接続方式）を用いなくても、メモリモジュール１００に対し機械的に結合される。
【００８２】
図３から分かるように、各拡張メモリモジュール１０１、１０２をメモリモジュール１００に接続したとき、各拡張メモリモジュール１０１、１０２のモジュール上端は、メモリモジュール１００のモジュール上端とほぼ同じレベルであり、各拡張メモリモジュール１０１、１０２のモジュール下端は、メモリモジュール１００のモジュール下端を多少上回っている。各拡張メモリモジュール１０１、１０２は、相互に平行であり、メモリモジュール１００に対しても平行である。
【００８３】
各拡張メモリモジュール１０１、１０２を、メモリモジュール１００に対し、上記で説明したように電気的に接続することにより、各拡張メモリモジュール１０１、１０２の（第１または第２拡張メモリモジュールのＤＲＡＭ等の各メモリデバイス１１１ｃ、１１１ｄまたは各メモリデバイス１１１ｅ、１１１ｆのそれぞれを、各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆまたは各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉにそれぞれ接続している）バスシステムの１つまたは複数は、メモリモジュール１００に備えられた１つまたは複数の（例えば各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃを、プラグイン端子部１１０またはプリント基板エッジコネクタ部１１０にそれぞれ接続する（場合によっては、さらに、メモリモジュール１００のＤＲＡＭ等の各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂおよびプラグイン端子部１１０またはプリント基板エッジコネクタ部１１０にそれぞれ接続する））バスシステムに接続される。
【００８４】
したがって、ＣＰＵ２を用いて、メモリモジュール１００または各拡張メモリモジュール１０１、１０２に備えられたＤＲＡＭ等の各メモリデバイス１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｅ、１１１ｆの何れかにデータを格納することができ、後から再び読み出すことができる。
【００８５】
各メモリモジュール１００、１０１、１０２の各々の第１および第２のＳＭＴの各コネクタ（例えば、ＳＭＴの各コネクタ１０３ａ、１０３ｃ、１０３ｄ、１０３ｆ、１０３ｇ、１０３ｉ）を介して、対応するデータ信号を転送してもよく、各メモリモジュール１００、１０１、１０２の各々の第３のＳＭＴの各コネクタ（例えば、ＳＭＴの各コネクタ１０３ｂ、１０３ｅ、１０３ｈ）を介して、対応する制御信号およびアドレス信号を転送してもよい。
【００８６】
これにより、メモリモジュール１００のエッジコネクタ部１１０のそれぞれ１つの端子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃを、各メモリモジュール１０１、１０２のＳＭＴの各コネクタの１つの端子に接続してもよい。あるいは、各メモリモジュール１０１、１０２のＳＭＴの各コネクタの１つの端子に接続してもよい。
【００８７】
メモリモジュール１００の記憶容量を、元の記憶容量に減少させるべき場合、第２拡張メモリモジュール１０２に対し、矢印Ａとは逆向きの水平方向となる、適度な大きさの引っ張り張力を一時に与えることにより、第２拡張メモリモジュール１０２の裏面側に位置するＳＭＴの各コネクタ１０３ｇ、１０３ｈ、１０３ｉが、メモリモジュール１００の表面側の、対応するＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃから引き抜かれる。
【００８８】
その結果、第２拡張メモリモジュール１０２とメモリモジュール１００とにおける、電気的接続が切断され、かつ、機械的結合が解除される。
【００８９】
代わりに、または、さらに、第１拡張メモリモジュール１０１に対し、矢印Ｂとは逆向きの水平方向に、適度な大きさの引っ張り力を一時に与えてもよい。これにより、第１拡張メモリモジュール１０１の表面側に位置するＳＭＴの各コネクタ１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆが、メモリモジュール１００の裏面側の、対応するＳＭＴの各増設コネクタから引き抜かれる。したがって、メモリモジュール１００の記憶容量を、モジュール単位にて変えることができる。
【００９０】
図４は、図１に示したマザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３に対し、上方から垂直方向に挿入されるように構成されている、本発明の第２の実施形態の一変形例に関するメモリモジュール２００（つまりプリント基板２００）の表面側を示している。
【００９１】
図４から分かるように、メモリモジュール２００は、従来のＤＩＭＭメモリカード（または、従来のＳＩＭＭメモリカード）と同じように、モジュール下端のプラグイン端子部２１０（ここでは、プリント基板のエッジコネクタ部）を備えている。このプラグイン端子部２１０は、従来のＤＩＭＭメモリカードと同じように、例えば２４０個の各端子２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ．．．（または、例えば１８４個、２００個、または２１４個の端子など）を備えている。上記の端子の数は、メモリモジュール用のプラグイン端子部３の各端子の数に対応している。
【００９２】
メモリモジュール２００のプラグイン端子部２１０の設計は、マザーボード１の各プラグイン端子部３のうちの１つにメモリモジュール２００を組み込んだとき、メモリモジュール２００のプラグイン端子部２１０のメモリモジュールの各端子２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ．．．が、それぞれ、マザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３の各端子に対し、それぞれ電気的に接続されるようになっている。
【００９３】
メモリモジュール２００の外のり寸法は、従来のＤＩＭＭメモリカード（または、従来のＳＩＭＭメモリカード）と類似しているかまたは同じであってもよい。メモリモジュール２００の高さは、例えば３ｃｍ〜１２ｃｍであってもよく、その長さは、例えば４ｃｍ〜２０ｃｍであってもよい。
【００９４】
メモリモジュール２００は、（ここでも従来のＤＩＭＭメモリカード（または、従来のＳＩＭＭメモリカードと類似してまたは同じく）複数の各メモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂ、例えば、複数のＲＡＭメモリデバイス、特にＤＲＡＭメモリデバイスを含んでいる。
【００９５】
各メモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂは、（従来のＤＩＭＭメモリカードと同様に）メモリモジュール２００の表面側と裏面側との両方に配置されている（あるいは、代わりに、ＳＩＭＭメモリカードと同様に、メモリモジュールの一方の面にのみ配置されていてもよい）。
【００９６】
図４から分かるように、各メモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂは、メモリモジュール２００の表面側と裏面側とに、互いに上下方向（メモリモジュール２００の短手方向）に沿って配置される、水平のいくつかの行方向に（ここでは、互いに上下に位置する２つの各行２１３ａ、２１３ｂに）並んで、互いに上下方向に沿ってそれぞれ配置されていてもよい。
【００９７】
メモリモジュール２００に備えられた各メモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂの１つ１つが、例えば、１２８ＭＢｉｔ、２５６ＭＢｉｔ、５１２ＭＢｉｔ、１ＧＢｉｔ、または、２ＧＢｉｔなどの記憶容量を有していてもよい。これにより、トータルにて例えば１ＧＢｙｔｅ、２ＧＢｙｔｅ、４ＧＢｙｔｅなどの記憶容量が、メモリモジュール２００に備えられた各メモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂの数に応じて、および、個々のメモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂの記憶容量に応じて、メモリモジュール２００により提供される。
【００９８】
メモリモジュール２００に備えられた各ＤＲＡＭメモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂの記憶容量が、例えば同じであってもよく、あるいは、それらの記憶容量が互いに異なっていてもよい。メモリモジュール２００の表面側に配置されたＤＲＡＭメモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂのそれぞれが、例えば第１記憶容量を有していてもよく、メモリモジュール２００の裏面側に配置されたＤＲＡＭメモリデバイスのそれぞれが、第１記憶容量とは異なる第２記憶容量を有していてもよい。
【００９９】
各メモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂがそれぞれ、表面実装によってメモリモジュール２００に装着されているハウジング（ＳＭＤハウジング、例えば、ＢＧＡハウジングまたはＴＳＯＰハウジング）に配置されていることが、特に好ましい。それに代わるものとして、プラグイン実装（例えば、ＤＩＬハウジングなど）によってメモリモジュール２００に装着されているメモリデバイスハウジングを用いてもよい。
【０１００】
メモリデバイスハウジングとして、単一のメモリデバイスがそれぞれに配置されているハウジングを用いてもよい。あるいは、（このことは特に有効であるのだが）単一のメモリデバイスの代わりに、２つ以上のメモリデバイスが例えば互いに上下にまたは互いに積層されてそれぞれに配置されているハウジングを用いてもよい（したがって、ＤＲＡＭメモリデバイスの場合、いわゆる「スタックドＤＲＡＭ」を好ましく用いてもよい）。
【０１０１】
図４から分かるように、メモリモジュール２００の場合、従来のＤＩＭＭメモリカードとは違って、複数（ここでは３つの）の特別な各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃが、メモリデバイスの下の行２１３ａと、メモリモジュールの下端の長さ全長にわたって延びているプラグイン端子部２１０との間のメモリモジュールの表面側に配置されている。
【０１０２】
それに代わるものとして、増設コネクタの数を多くしてもよいし、少なくしてもよく、例えば、単一または２つ、あるいは３つよりも多いコネクタであってもよい。
【０１０３】
各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃは、水平の行方向に並んで配置されており、互いに等間隔にて離間して配置されている。
【０１０４】
各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃとして、ＳＭＴの各増設コネクタ（ＳＭＴ＝Surface Mounted Technique）を用いることが好ましい。ＳＭＴの各増設コネクタ（いわゆる前述のメッザニーンコネクタ）は、例えば、（以下で説明するように）表面実装によってメモリモジュール２００に装着される。
【０１０５】
図４から分かるように、ＳＭＴの各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃは、それぞれ、ほぼ長方形の細長い形状をしており、メモリモジュール２００に対し水平方向に沿って装着されている。（したがって、各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃの長手方向の軸は、メモリモジュール２００のモジュール下端に対して平行に延びるように設定されている。）
【０１０６】
メモリモジュール２００の表面側に装着された各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃの各端子の全数は、プラグイン端子部２１０（ここでは、メモリモジュール２００のプリント基板のエッジコネクタ部２１０）の数に対応するか、または、マザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３に含まれる各端子の数に対応しているか、または、例えば２４０個の端子（または、例えば、１８４個、２００個、または２１４個の端子など）よりも多くてもよい。
【０１０７】
メモリモジュール２００のＳＭＴの各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃの設計は、メモリモジュール２００に各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃを実装したときに、各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃの各端子が、メモリモジュール２００の表面側に設けられた、対応する各端子とそれぞれ電気的に接続されるようになっている。
【０１０８】
図４および図５を用いて以下に詳述するように、メモリモジュール２００の記憶容量を増加すべき場合、本発明の第２実施形態にしたがった拡張メモリモジュール２０２（つまり拡張メモリプリント基板２０２）を用いてもよい。図４は、拡張メモリモジュール２０２の表面側を示している。
【０１０９】
拡張メモリモジュール２０２は、従来のＤＩＭＭメモリカードまたはＳＩＭＭメモリカードと同一かまたは類似して同様に、図４に示したメモリモジュール２００と類似しているかまたは同一にて同様に、複数の各メモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆを含んでいる。各メモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆとしては、例えば複数のＲＡＭメモリデバイス、特にＤＲＡＭメモリデバイスが挙げられる。
【０１１０】
各メモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆは、従来のＤＩＭＭメモリカードおよび図４に示したメモリモジュール２００と同様に、拡張メモリモジュール２０２の表面側と裏面側との両方に配置されている（または、ＳＩＭＭメモリカードと同様に、個々の拡張メモリモジュールの一方の面にのみ配置されていてもよい）。
【０１１１】
図４から分かるように、各メモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆは、拡張メモリモジュール２０２の表面側と裏面側とに、互いに上下に位置する水平方向のいくつかの行方向に沿って（ここでは、互いに上下に位置する２つの各行２１３ｃ、２１３ｄに）、並んで互いに上下に配置されていてもよい。
【０１１２】
拡張メモリモジュール２０２に備えられた各メモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆのいずれも、例えば、１２８ＭＢｉｔ、２５６ＭＢｉｔ、５１２ＭＢｉｔ、１ＧＢｉｔ、または２ＧＢｉｔなどの記憶容量を有していてもよい。これにより、全部で例えば１ＧＢｙｔｅ、２ＧＢｙｔｅ、４ＧＢｙｔｅなどの記憶容量が、拡張メモリモジュール２０２に備えられた各メモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆの数に応じて、および、個々のメモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆの記憶容量に応じて、拡張メモリモジュール２０２により提供される。
【０１１３】
拡張メモリモジュール２０２に備えられたＤＲＡＭメモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆの記憶容量は、例えば同じであってもよく、あるいは、記憶容量が互いに異なっていてもよい。拡張メモリモジュール２０２の表面側に配置されたＤＲＡＭメモリデバイスのそれぞれが、例えば第１記憶容量を有していてもよく、第２拡張メモリモジュール２０２の裏面側に配置されたＤＲＡＭメモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆのそれぞれが、第１記憶容量と相違する第２記憶容量を有していてもよい。
【０１１４】
各メモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆがそれぞれ、表面実装によって拡張メモリモジュール２０２に装着されているハウジング（ＳＭＤハウジング、例えば、ＢＧＡハウジングまたはＴＳＯＰハウジング）に配置されていることが、特に好ましい。それに代わるものとして、プラグイン実装（例えば、ＤＩＬハウジングなど）によって拡張メモリモジュール２０２に装着されているメモリデバイスハウジングを用いてもよい。
【０１１５】
メモリデバイスハウジングとして、単一のメモリデバイスがそれぞれに配置されているハウジングを用いてもよい。あるいは、（このことは特に有効であるのだが）単一のメモリデバイスの代わりに、２つ以上のメモリデバイスが例えば互いに上下にまたは積層されてそれぞれに配置されているハウジングを用いてもよい（したがって、ＤＲＡＭメモリデバイスの場合、いわゆる「スタックドＤＲＡＭ」を好ましく用いてもよい）。
【０１１６】
拡張メモリモジュール２０２の外のり寸法は、従来のＤＩＭＭメモリカードまたは従来のＳＩＭＭメモリカードの外のり寸法にほぼ同様である。あるいは、図４に示したメモリモジュール２００と同様である。しかし、高さ（および、可能であれば長さ）は、図４に示したメモリモジュール２００よりも少し小さい。（例えば、高さは、例えば、メモリモジュール２００の高さよりも約０．５ｃｍ〜２ｃｍ小さく、２ｃｍ〜１１ｃｍであってもよく、長さは、例えば４ｃｍ〜１８ｃｍであってもよい。）
【０１１７】
さらに、図４から分かるように、拡張メモリモジュール２０２は、従来のＤＩＭＭメモリカードまたはＳＩＭＭメモリカード、および、図４に示したメモリモジュール２００とは違って、モジュール下端にプリント基板のエッジコネクタ部を有していない。
【０１１８】
その代わりに、拡張メモリモジュール２０２の裏面側には、従来のＤＩＭＭメモリカードまたはＳＩＭＭメモリカードのプリント基板のエッジコネクタ部の機能を持つ複数の特定の各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉが備えられている。これらのコネクタについては、以下に詳述する。
【０１１９】
拡張メモリモジュール２０２の裏面側に備えられた各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉの数は、メモリモジュール２００の表面側に備えられた（他の）各コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃの数（ここでは３つ、あるいは、例えば単一または２つ、または、３つより多いコネクタ）に対応している。
【０１２０】
拡張メモリモジュール２０２の各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉは、それぞれ、各メモリデバイスの行２１３ｃと、（拡張メモリモジュール２０２を組み込んだときの）底部に位置するモジュール端部との間に、つまり、水平方向の行方向に沿って互いに並んで、等間隔にて離間して配置されている。
【０１２１】
各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉとして、前述のＳＭＴの各コネクタを用いることが好ましい。ＳＭＴの各コネクタ（例えば、いわゆる前述のメッザニーンコネクタ）は、以下で詳述されるように、表面実装によって拡張メモリモジュール２０２に対しそれぞれ装着される。
【０１２２】
図４から分かるように、ＳＭＴの各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉは、それぞれ、ほぼ長方形の細長い形状をしており、拡張メモリモジュール２０２に水平方向に装着されている。その結果、各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉの長手方向の軸が、拡張メモリモジュール２０２を組み込んだときに底部に位置する拡張メモリモジュール２０２の上記モジュール端部に対して平行に延びるように設定されている。
【０１２３】
拡張メモリモジュール２０２の裏面側に位置するコネクタ２０３ｇは、メモリモジュール２００の表面側の増設コネクタ２０３ａに対応している。第２拡張メモリモジュール２０２の裏面側のコネクタ２０３ｈは、メモリモジュール２００の表面側の増設コネクタ２０３ｂに対応している。第２拡張メモリモジュール２０２の裏面側のコネクタ２０３ｉは、メモリモジュール２００の表面側の増設コネクタ２０３ｃに対応している。
【０１２４】
メモリモジュール２００の記憶容量を増やす場合（例えば、８ＧＢｙｔｅなどに）、拡張メモリモジュール２０２を、（図５に示すように）（拡張メモリモジュール２０２の裏面側と、メモリモジュール２００の表面側とが互いに平行に直接対面している位置から）水平方向（矢印Ｃ）にメモリモジュール２００の方へ移動させればよい。
【０１２５】
この移動を、拡張メモリモジュール２０２の裏面側のコネクタ２０３ｇがメモリモジュール２００の表面側の増設コネクタ２０３ａに係合し、拡張メモリモジュール２０２の裏面側のコネクタ２０３ｈがメモリモジュール２００の表面側の増設コネクタ２０３ｂに係合し、拡張メモリモジュール２０２の裏面側のコネクタ２０３ｉがメモリモジュール２００の表面側の増設コネクタ２０３ｃに係合するまでそれぞれ行う。
【０１２６】
各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、および、各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉの設計は、各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉが各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃにそれぞれ係合したとき、各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉの各端子が、それらに対応する各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃの各端子に対し、それぞれ電気的に接続されるように、つまり、拡張メモリモジュール２０２が、ケーブルを用いずに、メモリモジュール２００に対し電気的に接続されるようになっている。
【０１２７】
このとき、メモリモジュール２００の各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃは、例えば、接続に関してメス型であってもよく、拡張メモリモジュール２０２の各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉは、例えばオス型であってもよい。
【０１２８】
各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉを各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃにそれぞれ係合することにより、それと同時に、拡張メモリモジュール２０２とメモリモジュール２００とは、互いの相対的なずれを防止できるように機械的に固定される。つまり、拡張メモリモジュール２０２は、例えば適したねじ込み式接続方式のような他の接続を用いなくても、メモリモジュール２００に対し機械的に結合される。
【０１２９】
図５から分かるように、拡張メモリモジュール２０２をメモリモジュール２００に接続したとき、拡張メモリモジュール２０２のモジュール上端は、メモリモジュール２００のモジュール上端とほぼ同じレベルにあり、拡張メモリモジュール２０２のモジュール下端は、メモリモジュール２００のモジュール下端よりもやや上にある。拡張メモリモジュール２０２は、メモリモジュール２００に対して平行である。
【０１３０】
拡張メモリモジュール２０２の各ＤＲＡＭメモリデバイス２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆをＳＭＴの各増設コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉに接続している、拡張メモリモジュール２０２の１つまたは複数のバスシステムは、拡張メモリモジュール２０２とメモリモジュール２００との上記の電気的接続により、メモリモジュール２００に備えられた１つまたは複数のバスシステムに接続されている。
【０１３１】
上記バスシステムでは、例えば、各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃを、プラグイン端子部２１０またはプリント基板のエッジコネクタ部２１０にそれぞれ接続しており、さらに、メモリモジュール２００のＤＲＡＭメモリデバイス２１１ａ、２１１ｂを、プラグイン端子部２１０またはプリント基板のエッジコネクタ部２１０にそれぞれ接続していてもよい。
【０１３２】
したがって、ＣＰＵ２によって、メモリモジュール２００または拡張メモリモジュール２０２に備えられた全ての各ＤＲＡＭメモリデバイス２１１ａ、２１１ｂ、２１２ａ、２１２ｂ、２１１ｅ、２１１ｆ、２１２ｅ、２１２ｆに対し、データを格納でき、このデータを後に再び読み出すことができる。
【０１３３】
メモリモジュール２００の記憶容量を、元の記憶容量に減少させる場合、拡張メモリモジュール２０２に、矢印Ｃとは逆向きの水平方向に適度な大きさの引っ張り力を一時に与えると、これにより、拡張メモリモジュール２０２の裏面側に位置する各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉが、メモリモジュール２００の表面側に位置する各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃから引き抜かれる。
【０１３４】
その結果、拡張メモリモジュール２０２とメモリモジュール２００とにおける、電気的接続が切断され、かつ、機械的結合が解除される。
【０１３５】
図６および図７、図８および図９、図１０および図１１、並びに、図１２および図１３は、それぞれ、本発明における、さらなる他の各実施形態を示している。図６は、本発明の第３の他の実施形態にかかる、拡張メモリモジュール３０２の裏面側と、メモリモジュール３００の表面側とを示している。メモリモジュール３００は、（図１に示したマザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３に）上方から垂直方向に挿入されていてもよい。
【０１３６】
拡張メモリモジュール３０２およびメモリモジュール３００は、図４および図５に示した拡張メモリモジュール２０２と同様の構造を有している。異なる点は、拡張メモリモジュール３０２とメモリモジュール３００との表面側および裏面側に配置された各メモリデバイス３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｅ、３１１ｆが、各モジュール側面において、互いに上下に位置するいくつかの水平方向の各行２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ、２１３ｄに沿って並んで、かつ上下に配置されていないが、各モジュール側面において単一の水平方向の各行３１３ａ、３１３ｃに沿って並んで配置されているという点である。
【０１３７】
さらに、図４および図５に示したメモリモジュール２００、２０２の３つのＳＭＴの各増設コネクタ２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、または、ＳＭＴの各コネクタ２０３ｇ、２０３ｈ、２０３ｉのそれぞれの代わりに、単に、４つのＳＭＴの各増設コネクタ３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃ、３０３ｄ、または、ＳＭＴの各コネクタ３０３ｇ、３０３ｈ、３０３ｉ、３０３ｋが、それぞれ、メモリモジュール３００の表面側および拡張メモリモジュール３０２の裏面側に備えられている。また、ＳＭＴの各増設コネクタ３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃ、３０３ｄ、または、ＳＭＴの各コネクタ３０３ｇ、３０３ｈ、３０３ｉ、３０３ｋは、それぞれ、図４および図５に示した実施形態とは異なるように配置されている。
【０１３８】
図６から分かるように、メモリモジュール３００の各増設コネクタ３０３ａ、３０３ｂ、または、拡張メモリモジュール３０２の各コネクタ３０３ｇ、３０３ｈは、それぞれ、メモリデバイスの行３１３ａまたは行３１３ｃと、（メモリモジュール３００または拡張メモリモジュール３０２を組み込んだときに）底部に位置するモジュール端部との間に位置している。
【０１３９】
これに対して、メモリモジュール３００の各増設コネクタ３０３ｃ、３０３ｄ、または、拡張メモリモジュール３０２の各コネクタ３０３ｉ、３０３ｋは、それぞれ、メモリデバイスの各行３１３ａ、３１３ｃ方向に沿って、対応する２つの互いに隣り合う各メモリデバイスの間に位置している。
【０１４０】
図６から分かるように、各増設コネクタ３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃ、３０３ｄ、および各コネクタ３０３ｇ、３０３ｈ、３０３ｉ、３０３ｋのそれぞれは、ほぼ長方形の細長い形状をしている。
【０１４１】
メモリモジュール３００の各増設コネクタ３０３ａ、３０３ｂと、拡張メモリモジュール３０２の各コネクタ３０３ｇ、３０３ｈとは、それぞれ、水平方向に、各メモリモジュール３００、３０２に取り付けられている。（したがって、各増設コネクタ３０３ａ、３０３ｂ、または、各コネクタ３０３ｇ、３０３ｈの長手方向の軸は、それぞれ、メモリモジュール３００、３０２を組み込んだとき、底部に位置する上記モジュール端部に対して平行に延びている。）
【０１４２】
これに対して、メモリモジュール３００の各増設コネクタ３０３ｃ、３０３ｄ、および、拡張メモリモジュール３０２の各コネクタ３０３ｉ、３０３ｋは、それぞれ、各メモリモジュール３００、３０２の上記モジュール端部に対して垂直方向となるように取り付けられている。したがって、各増設コネクタ３０３ｃ、３０３ｄ、または、各コネクタ３０３ｉ、３０３ｋの長手方向の軸は、それぞれ、メモリモジュール３００、３０２を組み込んだときに、底部に位置する上記モジュール端部の長手方向に対して垂直となるように延びるように設定されている。
【０１４３】
メモリモジュール３００の記憶容量を増加すべき場合、拡張メモリモジュール３０２を、図７に示すように、拡張メモリモジュール３０２の裏面側と、メモリモジュール３００の表面側とが互いに平行に直接対面している位置から、水平方向（矢印Ｄ）にメモリモジュール３００の方へ移動させればよい。この移動を、拡張メモリモジュール３０２の裏面側の各コネクタ３０３ｇ、３０３ｈ、３０３ｉ、３０３ｋが、メモリモジュール３００の表面側の各増設コネクタ３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃ、３０３ｄに対しそれぞれ係合するまで行う。その結果、拡張メモリモジュール３０２は、メモリモジュール３００に電気的に接続され、機械的に結合される。
【０１４４】
図８は、本発明の第４の他の実施形態に関する、第１拡張メモリモジュール４０１の表面側と、第２拡張メモリモジュール４０２の裏面側と、メモリモジュール４００の表面側とを示している。メモリモジュール４００は、図１に示したマザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３に、上方から垂直方向に挿入されていてもよい。
【０１４５】
拡張メモリモジュール４０１、４０２、および、メモリモジュール４００という構造は、図２および図３に示した拡張メモリモジュール１０１、１０２の構造、または、図２および図３に示したメモリモジュール１００の構造と同様なものである。異なる点は、メモリモジュール４００と拡張メモリモジュール４０１、４０２との表面側および裏面側に配置された各メモリデバイス４１１ａ、４１１ｂ、４１２ａ、４１２ｂ、４１１ｃ、４１１ｄ、４１２ｃ、４１２ｄ、４１１ｅ、４１１ｆ、４１２ｅ、４１２ｆが、各モジュール側面において、１つの水平方向の行に並んで配置されているのではなく、互いに上下に配置されているいくつかの水平方向の各行４１３ａ、４１３ｂ、４１３ｃ、４１３ｄ、４１３ｅ、４１３ｆに互いに上下に並んで配置されている点である。
【０１４６】
メモリモジュール４００の記憶容量を増加すべき場合、各拡張メモリモジュール４０１、４０２は、図９に示すように、拡張メモリモジュール４０２の裏面側およびメモリモジュール４００の表面側、または、拡張メモリモジュール４０１の表面側およびメモリモジュール４００の裏面側が、互いに平行に直接対面している位置から、水平方向（矢印Ｅまたは矢印Ｆ）にメモリモジュール４００の方へ移動させればよい。
【０１４７】
この移動を、拡張メモリモジュール４０２の裏面側のＳＭＴの各コネクタ４０３ｇ、４０３ｈ、４０３ｉがメモリモジュール４００の表面側のＳＭＴの各増設コネクタ４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃにそれぞれ係合し、拡張メモリモジュール４０１の表面側のＳＭＴの各コネクタ４０３ｄ、４０３ｅ、４０３ｆがメモリモジュール４００の裏面側の対応するＳＭＴの各増設コネクタにそれぞれ係合するまで行う。
【０１４８】
その結果、各拡張メモリモジュール４０１、４０２が、メモリモジュール４００に対し電気的に接続され、かつ機械的に結合される。
【０１４９】
図１０は、本発明の第５の他の実施形態に関する、拡張メモリモジュール５０２の裏面側と、メモリモジュール５００の表面側とを示している。メモリモジュール５００は、図１に示したマザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３に、上方から垂直方向に挿入されていてもよい。
【０１５０】
拡張メモリモジュール５０２およびメモリモジュール５００の構造は、図４および図５に示した拡張メモリモジュール２０２の構造、または、図４および図５に示したメモリモジュール２００の構造と同様である。
【０１５１】
図１０および図１１に示すように、異なる点は、メモリモジュール５００の表面側および裏面側に配置された各メモリデバイス５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｅ、５１１ｆ、５１２ａ、５１２ｅが、各モジュール側面において、図４に示すように互いに上下に配置されている水平方向のいくつかの各行２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ、２１３ｄに互いに上下に並んで配置されているのではなく、各モジュール側面において、１つの水平方向の各行５１３ａ、５１３ｃに並んで配置されている点である。
【０１５２】
さらに、図４および図５に示した実施形態とは違って、メモリモジュール５００と拡張メモリモジュール５０２との表面側および裏面側に備えられた各メモリデバイス５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｅ、５１１ｆ、５１２ａ、５１２ｅの記憶容量の大きさは同一ではなく、また、ハウジングの大きさも同じではない。
【０１５３】
その代わりに、図１１から分かるように、メモリモジュール５００の表面側と拡張メモリモジュール５０２の裏面側とに備えられた各メモリデバイス５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｅ、５１１ｆの記憶容量は、メモリモジュール５００の裏面側および拡張メモリモジュール５０２の表面側に備えられた各メモリデバイス５１２ａ、５１２ｅよりも小さく、上記の各メモリデバイス５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｅ、５１１ｆは、上記各メモリデバイス５１２ａ、５１２ｅよりも小さなハウジングに配置されている。
【０１５４】
メモリモジュール５００の裏面側および拡張メモリモジュール５０２の表面側に備えられた上記各メモリデバイス５１２ａ、５１２ｅは、例えば、１Ｇｂｉｔの（例えばそれぞれ同じ）記憶容量を有していてもよく、メモリモジュール５００の表面側および拡張メモリモジュール５０２の裏面側に備えられた各メモリデバイス５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｅ、５１１ｆは、例えば５１２ＭＢｉｔの（例えばそれぞれ同じ）記憶容量を有していてもよい。
【０１５５】
メモリモジュール５００の記憶容量を増加すべき場合、拡張メモリモジュール５０２は、図１１に示すように、拡張メモリモジュール５０２の裏面側と、メモリモジュール５００の表面側とが、互いに平行に直接対面している位置から、水平方向（矢印Ｇ）にメモリモジュール５００の方へ移動させればよい。この移動を、拡張メモリモジュール５０２の裏面側のＳＭＴの各コネクタ５０３ｇ、５０３ｈ、５０３ｉがメモリモジュール５００の表面側のＳＭＴの各増設コネクタ５０３ａ、５０３ｂ、５０３ｃにそれぞれ係合するまで行う。
【０１５６】
その結果、拡張メモリモジュール５０２が、メモリモジュール５００に対し電気的に接続され、かつ、機械的に結合される。
【０１５７】
図１１から分かるように、拡張メモリモジュール５０２をメモリモジュール５００に接続した後、拡張メモリモジュール５０２のモジュール上端は、メモリモジュール５００のモジュール上端とほぼ同じレベルにあり、拡張メモリモジュール５０２のモジュール下端は、メモリモジュール５００のモジュール下端よりもやや上にある。
【０１５８】
その上、メモリモジュール５００の表面側に装着された各増設コネクタ５０３ａ、５０３ｂ、５０３ｃの下端、および、拡張メモリモジュール５０２の裏面側に装着された各コネクタ５０３ｇ、５０３ｈ、５０３ｉの下端は、メモリモジュール５００の裏面側に装着されたメモリデバイス５１２ａの下端、および、拡張メモリモジュール５０２の表面側に装着されたメモリデバイス５１２ｅの下端とほぼ同じレベルである。
【０１５９】
図１２は、本発明の第６の他の実施形態に関する、第１拡張メモリモジュール６０１の表面側と、第２拡張メモリモジュール６０２の裏面側と、メモリモジュール６００の表面側とを示している。メモリモジュール６００は、図１に示したマザーボード１のメモリモジュール用のプラグイン端子部３に、上方から垂直方向に挿入できるようになっている。
【０１６０】
各拡張メモリモジュール６０１、６０２、および、メモリモジュール６００の構造は、図２および図３に示した各拡張メモリモジュール１０１、１０２の構造、または、図２および図３に示したメモリモジュール１００の構造と類似している。
【０１６１】
しかし、図２および図３に示した実施形態とは違って、図１２および図１３に示すように、メモリモジュール６００と各拡張メモリモジュール６０１、６０２との表面側および裏面側に備えられた各メモリデバイス６１１ａ、６１１ｂ、６１１ｃ、６１１ｄ、６１１ｅ、６１１ｆ、６１２ａ、６１２ｅの各記憶容量は同じではなく、ハウジングの大きさも同じではない。
【０１６２】
その代わりに、図１３から分かるように、メモリモジュール６００の表面側および裏面側と、拡張メモリモジュール６０２の裏面側と、拡張メモリモジュール６０１の表面側とに備えられた各メモリデバイス６１１ａ、６１１ｂ、６１１ｃ、６１１ｄ、６１１ｅ、６１１ｆの記憶容量は、拡張メモリモジュール６０１の裏面側および拡張メモリモジュール６０２の表面側に備えられた各メモリデバイス６１２ａ、６１２ｅよりも小さく、上記の各メモリデバイス６１１ａ、６１１ｂ、６１１ｃ、６１１ｄ、６１１ｅ、６１１ｆは、各メモリデバイス６１２ａ、６１２ｅよりも小さなハウジングにそれぞれ配置されている。
【０１６３】
拡張メモリモジュール６０１の裏面側および拡張メモリモジュール６０２の表面側に備えられた各メモリデバイス６１２ａ、６１２ｅは、例えば、１Ｇｂｉｔの（例えばそれぞれ同じ）記憶容量を有していてもよく、メモリモジュール６００の表面側および裏面側と、拡張メモリモジュール６０２の裏面側と、拡張メモリモジュール６０１の表面側とに備えられた各メモリデバイス６１１ａ、６１１ｂ、６１１ｃ、６１１ｄ、６１１ｅ、６１１ｆは、例えば５１２ＭＢｉｔの（例えばそれぞれ同じ）記憶容量を有していてもよい。
【０１６４】
メモリモジュール６００の記憶容量を増加すべき場合、拡張メモリモジュール６０１、６０２は、図１３に示すように、拡張メモリモジュール６０２の裏面側およびメモリモジュール６００の表面側、または、拡張メモリモジュール６０１の表面側およびメモリモジュール６００の裏面側が、互いに平行に直接対面している位置から水平方向（矢印Ｈ、矢印Ｉ）にメモリモジュール６００の方へ移動させればよい。
【０１６５】
この移動を、拡張メモリモジュール６０２の裏面側のＳＭＴの各コネクタ６０３ｇ、６０３ｈ、６０３ｉがメモリモジュール６００の表面側のＳＭＴの各増設コネクタ６０３ａ、６０３ｂ、６０３ｃにそれぞれ係合し、拡張メモリモジュール６０１の表面側のＳＭＴの各コネクタ６０３ｄ、６０３ｅ、６０３ｆがメモリモジュール６００の裏面側の対応するＳＭＴの各増設コネクタにそれぞれ係合するまで行う。その結果、各拡張メモリモジュール６０１、６０２が、メモリモジュール６００に対し電気的に接続され、かつ、機械的に結合される。
【０１６６】
図１３から分かるように、各拡張メモリモジュール６０１、６０２をメモリモジュール６００に接続した後、各拡張メモリモジュール６０１、６０２のモジュール上端は、メモリモジュール６００のモジュール上端とほぼ同じレベルにあり、各拡張メモリモジュール６０１，６０２のモジュール下端は、メモリモジュール６００のモジュール下端よりもやや上にある。
【０１６７】
さらに、メモリモジュール６００の表面側および裏面側に装着された各増設コネクタ６０３ａ、６０３ｂ、６０３ｃの下端と、拡張メモリモジュール６０２の裏面側に装着された各コネクタ６０３ｇ、６０３ｈ、６０３ｉの下端と、拡張メモリモジュール６０１の表面側に装着された各コネクタ６０３ｄ、６０３ｅ、６０３ｆの下端とは、拡張メモリモジュール６０１の裏面側に装着されたメモリデバイス６１２ａの下端、および、拡張メモリモジュール６０２の表面側に装着されたメモリデバイス６１２ｅの下端とほぼ同じレベルである。
【０１６８】
また、上述した各メモリモジュール１００、２００、３００、４００、５００、６００（または、上記の各メモリモジュール１００、２００、３００、４００、５００、６００と、上記の各拡張メモリモジュール１０１、１０２、２０２、３０２、４０１、４０２、５０２、６０１、６０２との両方）に対して、上記のＤＲＡＭメモリデバイスに加えて、１つのＥＰＲＯＭデバイス（ＥＰＲＯＭ＝Erasable Programmable Read Only Memory）が備えられていてもよい。
【０１６９】
このＥＰＲＯＭデバイスには、コンピュータを起動している間に、マザーボード１に備えられたＣＰＵ２またはこのＣＰＵに割り当てられたメモリコントローラによって読み出されたデータ、および、システムに用いられるＤＲＡＭメモリデバイスおよび上記のＤＲＡＭメモリデバイスのアドレス指定方法をＣＰＵ２に送信するデータが格納されている。
【０１７０】
したがって、ＣＰＵ２によって、各メモリモジュール１００、２００、３００、４００、５００、６００と、各拡張メモリモジュール１０１、１０２、２０２、３０２、４０１、４０２、５０２、６０１、６０２とに備えられたＤＲＡＭメモリデバイスの何れかにデータを格納でき、そのデータを後で再度読み出すことができる。
【０１７１】
ＰＣ（Personal Computer）に代えて、本明細書にて例を挙げて説明してきたように、上記の、または、同様に形成された、各メモリモジュール１００、２００、３００、４００、５００、６００、および、それら各拡張メモリモジュール１０１、１０２、２０２、３０２、４０１、４０２、５０２、６０１、６０２を、例えば、ラップトップコンピュータ、ノートパソコン、ワークステーションコンピュータ、サーバコンピュータ、または、他の様々な電気デバイスまたは電子デバイスに用いてもよい。
【０１７２】
図１４は、一例として、図２ないし図１４に示した各メモリモジュール１００、２００、３００、４００、５００、６００、または、各拡張メモリモジュール１０１、１０２、２０２、３０２、４０１、４０２、５０２、６０１、６０２のうちの何れかの、製造中に実行される方法工程のフローチャートを示している。（ここでは、図２および図３に示したメモリモジュール１００を取り上げている。）
【０１７３】
第１工程Ｉでは、メモリモジュール１００の表面側に装着される、ＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、および、各ＤＲＡＭメモリデバイス１１１ａ、１１１ｂを、メモリモジュール１００の表面側の面に配置する。この配置の結果、各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃおよび各ＤＲＡＭメモリデバイス１１１ａ、１１１ｂに設けられている各端子が、メモリモジュール１００の表面側の面に位置する対応する各端子にそれぞれ配置されて、それぞれ配置された各端子同士が接触状態となる。より詳細には、上記各接触点には、はんだペーストが供給される。
【０１７４】
その後、メモリモジュール１００を裏返す。次に、メモリモジュール１００の裏面側に装着されているＳＭＴの各増設コネクタおよびＤＲＡＭメモリデバイスを、メモリモジュール１００の裏面側の面に配置する。この配置の結果、各増設コネクタおよびＤＲＡＭメモリデバイスの各端子が、メモリモジュール１００の裏面側の面に位置する対応する各端子にそれぞれ配置されて、それぞれ配置された各端子同士が接触状態となる。より詳細には、上記各接触点には、はんだペーストが供給される。
【０１７５】
次の工程ＩＩでは、メモリモジュール１００を炉（オーブン）の中で加熱する。それにより、上記のＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃの各端子と、上記のＤＲＡＭメモリデバイス１１１ａ、１１１ｂの各端子とが、メモリモジュール１００の表面側および裏面側の面に位置する各端子に対して、それぞれ、はんだ付けされる。
【０１７６】
言い換えると、ＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、および、各ＤＲＡＭメモリデバイス１１１ａ、１１１ｂは、単一で、共通の表面実装工程（単一の製造工程）において、メモリモジュール１００の表面側および裏面側に対し、それぞれ電気的に接続され、かつ、機械的に結合される。
【０１７７】
したがって、ＳＭＴの各増設コネクタ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃの実装を、各ＤＲＡＭメモリデバイス１１１ａ、１１１ｂの実装と同時にできるので、ＳＭＴのコネクタの実装したメモリモジュールの全製造コストを低く維持できる。
【産業上の利用可能性】
【０１７８】
本発明に係るメモリモジュール、記憶容量拡張メモリモジュール、メモリモジュールシステム、およびメモリモジュールの製造方法は、記憶容量拡張メモリモジュールの増設を簡便化でき、より安価にできて、上記増設の製造コストを低減できるので、ボード状のモジュールを用いるコンピュータ等の電子分野および電気分野に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】本発明の一実施形態のメモリモジュールを挿入することのできるコンピュータのマザーボードの一例を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態の、メモリモジュールの表面側と、第１拡張メモリモジュールの表面側と、第２拡張メモリモジュールの裏面側とを、第１および第２の各拡張メモリモジュールを取り外した状態で示す平面図である。
【図３】図２に示すメモリモジュールに、第１および第２の拡張メモリモジュールを実装した状態を示す概略的な側面図である。
【図４】本発明の第２実施形態の、メモリモジュールの表面側と、拡張メモリモジュールの裏面側とを、上記メモリモジュールに対し拡張メモリモジュールを取り外した状態で示す平面図である。
【図５】図４に示すメモリモジュールに、拡張メモリモジュールを実装した状態を示す概略的な側面図である。
【図６】本発明の第３実施形態の、メモリモジュールの表面側と、拡張メモリモジュールの裏面側とを、上記メモリモジュールに対し拡張メモリモジュールを取り外した状態で示す平面図である。
【図７】図６に示すメモリモジュールに、拡張メモリモジュールを実装した状態を示す概略的な側面図である。
【図８】本発明の第４実施形態の、メモリモジュールの表面側と、第１拡張メモリモジュールの表面側と、第２拡張メモリモジュールの裏面側とを、上記メモリモジュールに対し第１および第２の拡張メモリモジュールを取り外した状態で示す平面図である。
【図９】図８に示すメモリモジュールに、第１および第２の各拡張メモリモジュールを実装した状態を示す概略的な側面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態の、メモリモジュールの表面側と、拡張メモリモジュールの裏面側とを、上記メモリモジュールに対し拡張メモリモジュールを取り外した状態で示す平面図である。
【図１１】図１０に示すメモリモジュールに、拡張メモリモジュールを実装した状態を示す概略的な側面図である。
【図１２】本発明の第６実施形態の、メモリモジュールの表面側と、第１拡張メモリモジュールの表面側と、第２拡張メモリモジュールの裏面側とを、上記メモリモジュールに対し第１および第２の各拡張メモリモジュールを取り外した状態で示す平面図である。
【図１３】図１２に示すメモリモジュールに、上記メモリモジュールに対し第１および第２の各拡張メモリモジュールを実装した状態を示す概略的な側面図である。
【図１４】図２ないし図１４に記載のメモリモジュールまたは拡張メモリモジュールの１つを製造するときに行われる方法の工程の要部を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１８０】
１        マザーボード
２        ＣＰＵ
３        メモリモジュール用のプラグイン端子部
４        他のプラグイン端子部
５        コプロセッサ構成要素
６        発振器
７        ＤＭＡ構成要素
９        ＲＯＭ−ＢＩＯＳ構成要素
１０      バスシステム
１００    メモリモジュール
１０１、１０２  拡張メモリモジュール
１０３ａ〜１０３ｃ  ＳＭＴの増設コネクタ
１０３ｄ〜１０３ｉ  ＳＭＴのコネクタ
１１０    プラグインコネクタ部
１１０ａ〜１１０ｃ  端子
１１１ａ〜１１１ｆ  ＤＲＡＭメモリデバイス
２００    メモリモジュール
２０２    拡張メモリモジュール
２０３ａ〜２０３ｃ  ＳＭＴの増設コネクタ
２０３ｇ〜２０３ｉ  ＳＭＴのコネクタ
２１０    プラグインコネクタ部
２１０ａ〜２１０ｃ  端子
２１１ａ〜２１２ｆ  ＤＲＡＭメモリデバイス
２１３ａ〜２１３ｄ  デバイスの行
３００    メモリモジュール
３０２    拡張メモリモジュール
３０３ａ〜３０３ｄ  ＳＭＴの増設コネクタ
３０３ｇ〜３０３ｋ  ＳＭＴのコネクタ
３１０    プラグインコネクタ部
３１０ａ〜３１０ｃ  端子
３１１ａ〜３１１ｆ  ＤＲＡＭメモリデバイス
３１３ａ、３１３ｃ  デバイスの行
４００    メモリモジュール
４０１、４０２  拡張メモリモジュール
４０３ａ〜４０３ｃ  ＳＭＴの増設コネクタ
４０３ｄ〜４０３ｉ  ＳＭＴのコネクタ
４１０    プラグインコネクタ部
４１１ａ〜４１２ｆ  ＤＲＡＭメモリデバイス
４１３ａ〜４１３ｆ  デバイスの行
５００    メモリモジュール
５０２    拡張メモリモジュール
５０３ａ〜５０３ｃ  ＳＭＴの増設コネクタ
５０３ｇ〜５０３ｉ  ＳＭＴのコネクタ
５１０    プラグインコネクタ部
５１１ａ〜５１１ｆ  ＤＲＡＭメモリデバイス
５１３ａ、５１３ｃ  デバイスの行
５１２ａ、５１２ｅ  ＤＲＡＭメモリデバイス
６００    メモリモジュール
６０１、６０２  拡張メモリモジュール
６０３ａ〜６０３ｃ  ＳＭＴの増設コネクタ
６０３ｄ〜６０３ｉ  ＳＭＴのコネクタ
６１０    プラグインコネクタ部
６１１ａ〜６１１ｆ  ＤＲＡＭメモリデバイス
６１２ａ、６１２ｅ  ＤＲＡＭメモリデバイス
【図１】
2007018516.tif 000003
【図２】
2007018516.tif 000004
【図３】
2007018516.tif 000005
【図４】
2007018516.tif 000006
【図５】
2007018516.tif 000007
【図６】
2007018516.tif 000008
【図７】
2007018516.tif 000009
【図８】
2007018516.tif 000010
【図９】
2007018516.tif 000011
【図１０】
2007018516.tif 000012
【図１１】
2007018516.tif 000013
【図１２】
2007018516.tif 000014
【図１３】
2007018516.tif 000015
【図１４】
2007018516.tif 000016