(57)【要約】  【課題】  窒化硅素からなる保護膜を形成する工程後において、ドレインオフ耐圧やリーク電流の増加がない窒化物半導体装置を提供する。  【解決手段】  基板上に、III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、アルミニウム含まないIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第２の窒化物半導体層を備え、この窒化物半導体層にショットキ接触するゲート電極と、オーミック接触するソース電極及びドレイン電極を備えている。そして第２の窒化物半導体層を絶縁性の高い微結晶構造とし、窒化膜で被覆することで、窒化膜の形成により生じるリーク電流の増加を緩和する。【選択図】図３
2007335736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも１つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むＶ族元素で構成されたIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、
前記基板上に積層した前記窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、
該第１の窒化物半導体層上に積層したアルミニウムを含まない前記III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつ前記第１の窒化物半導体層より成膜温度が低い微結晶構造からなる第２の窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層にショットキ接触するショットキ電極と、
前記窒化物半導体層にオーミック接触するオーミック電極とを備え、
少なくとも前記ショットキ電極と前記オーミック電極との間の前記第１の窒化物半導体層上に、前記第２の窒化物半導体層を介して窒化硅素からなる保護膜が積層されており、該窒化硅素からなる保護膜を形成することにより生じる前記ショットキ電極と前記オーミック電極間のリーク電流の増加を、前記第２の窒化物半導体層が緩和することを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の窒化物半導体装置において、前記ショットキ電極がゲート電極、前記オーミック電極がソース電極およびドレイン電極であり、前記第２の窒化物半導体層は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極あるいはソース電極間の前記リーク電流の増加を緩和することを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の窒化物半導体装置において、前記第２の窒化物半導体層は、前記ゲート電極にピンチオフ電圧を印加したときの、前記ソース電極と前記ドレイン電極間の前記リーク電流の増加を緩和することを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか記載の窒化物半導体装置において、前記基板と前記第１の窒化物半導体層の間に、前記第１の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−Ｖ族窒化物半導体からなる第３の窒化物半導体層を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、能動層に窒化物半導体を用いた窒化物半導体装置に関し、特に高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）や電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）のような、半導体装置にショットキ接触するゲート電極と、オーミック接触するソース電極及びドレイン電極等を有し、高周波、高出力のパワーアンプ等に用いられる窒化物半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、従来のIII−Ｖ族窒化物半導体からなる窒化物半導体装置の断面図を示している。図６に示す窒化物半導体装置は、いわゆるＨＥＭＴ構造を示しており、サファイア基板からなる基板１１上には、低温で成長した窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるバッファ層１２、ノンドープの窒化ガリウムからなるチャネル層１３、ノンドープの窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるショットキ層１４が順次積層した構造となっており、チャネル層１３とショットキ層１４とからなるヘテロ接合界面近傍に、ポテンシャル井戸からなる電子移動度が極めて大きい２次元電子ガス層が形成されている。このような構造の半導体装置では、ゲート電極１７に印加する電圧を制御することにより、ソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂとの間を流れるキャリア（２次元電子ガス）を制御している。この種の半導体装置では、表面保護のため、ソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂの間のキャリア供給層１４表面は、窒化硅素（ＳｉＮｘ）からなる保護膜である窒化膜１８で被覆されている。
【０００３】
図７は、別の従来のIII−Ｖ族窒化物半導体からなる窒化物半導体装置の断面図を示している。図７に示す窒化物半導体装置は、図６で説明した窒化物半導体装置のショットキ層１４上にノンドープの窒化ガリウムからなるキャップ層１９が形成されている。キャップ層１９上にゲート電極１７、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂが形成され、その表面保護にも窒化硅素からなる保護膜である窒化膜１８が用いられている。
【０００４】
図６及び図７のような窒化膜１８をノンドープの窒化アルミニウムガリウムやノンドープの窒化ガリウムからなる窒化物半導体層表面に形成する窒化物半導体装置では、窒化膜１８を形成する工程の前後で、特性が変動することが知られている。具体的には、ゲート電極１７にピンチオフ電圧を印加した状態で、ソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂ間の電流−電圧特性を測定すると、所定の電流値に達する（ブレークダウンする）電圧の値、即ちドレインオフ耐圧が低下することが知られている(例えば、非特許文献１)。
【０００５】
図８は、図６に示す構造の窒化物半導体装置のドレインオフ耐圧を測定した電圧−電流特性の一例を示している。図８において、横軸はソース電極、ドレイン電極間に印加するソース、ドレイン間電圧（Ｖｄｓ）、縦軸はソース電極、ドレイン電極間に流れるソース、ドレイン間電流（Ｉｄｓ）を示している。比較のため、上述の窒化膜１８を形成する前の測定結果を実線で示し、窒化膜１８を形成した後の測定結果を波線で示している。図８に示すように、窒化膜１８を形成する前には、２００Ｖ以上のドレインオフ耐圧（１ｍＡ／ｍｍに達する電圧）であったものが、窒化膜１８を形成した後には、６０Ｖ程度にドレインオフ耐圧が低下していることがわかる。このようなドレインオフ耐圧の低下は、図７に示す構造の窒化物半導体装置においても、同様に発生する。
【０００６】
一方ドレインオフ耐圧の低下は、保護膜としてＳｉＯ2やＳｉＯＮを用いれば、防止できることが知られている（非特許文献１）。しかしながら、この種の窒化物半導体装置の製造工程において、ＳｉＯ2やＳｉＯＮを形成することは、電流コラプスが発生する問題があり、窒化膜を保護膜として用いるのが好ましい。なお、このようなドレインオフ耐圧は、熱暴走ではなく、衝突イオン化に起因しており、ショットキ電極（ゲート電極）からチャネルに流れ込むトンネル電流に大きく支配されていることも報告されている(非特許文献２)。
【０００７】
また上述のようなＨＥＭＴ構造のドレインオフ耐圧の低下に限らず、ダイオード構造の窒化物半導体装置において、ショットキ電極とオーミック電極間のリーク電流が、窒化膜の形成前に比べて形成後に増加し、逆方向のリーク電流が増加することも知られている。その一例を図９に示す。図９において、窒化膜を形成する前（窒化膜無）の逆方向の電流−電圧特性を●印で示し、窒化膜を形成した後（窒化膜有）の逆方向の電流−電圧特性を○印で示している。図９に示すように、逆方向のリーク電流が、窒化膜の形成後に増加することがわかる。
【非特許文献１】S.Arukumaran他４名、「Surface passivation effect on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with SiO2,SiN4,and silicon oxynitride」、Appl. Phys. Lett.、2004年1月26日、Vol.84、No.4、p.613-615
【非特許文献２】Y.ohno他４名、「Study on Off-State Breakdown in AlGaN/Ga HEMTs」、International Conference on Nitride Semiconductor、2003年、Tu-P2.067
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように従来の窒化物半導体装置では、保護膜として窒化膜を用いると、窒化膜の形成工程前後で、ドレインオフ耐圧が低下したり、リーク電流が増加するという問題があった。一方、窒化膜は電流コラプスの発生が無く、特にＦＥＴやＨＥＭＴ構造の窒化物半導体装置の保護膜として好適である。本発明は、窒化膜を形成する工程後において、ドレインオフ耐圧の低下やリーク電流の増加がない窒化物半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本願請求項１に係る発明は、基板上に、ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも１つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むＶ族元素で構成されたIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、前記基板上に積層した前記窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層上に積層したアルミニウムを含まない前記III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつ前記第１の窒化物半導体層より成膜温度が低い微結晶構造からなる第２の窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層にショットキ接触するショットキ電極と、前記窒化物半導体層にオーミック接触するオーミック電極とを備え、少なくとも前記ショットキ電極と前記オーミック電極との間の前記第１の窒化物半導体層上に、前記第２の窒化物半導体層を介して窒化硅素からなる保護膜が積層されており、該窒化硅素からなる保護膜を形成することにより生じる前記ショットキ電極と前記オーミック電極間のリーク電流の増加を、前記第２の窒化物半導体層が緩和することを特徴とする。
【００１０】
本願請求項２に係る発明は、請求項１記載の窒化物半導体装置において、前記ショットキ電極がゲート電極、前記オーミック電極がソース電極およびドレイン電極であり、前記第２の窒化物半導体層は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極あるいはソース電極間の前記リーク電流の増加を緩和することを特徴とする。
【００１１】
本願請求項３に係る発明は、請求項２記載の窒化物半導体装置において、前記第２の窒化物半導体層は、前記ゲート電極にピンチオフ電圧を印加したときの、前記ソース電極と前記ドレイン電極間の前記リーク電流の増加を緩和することを特徴とする。
【００１２】
本願請求項４に係る発明は、請求項１乃至３いずれか記載の窒化物半導体装置において、前記基板と前記第１の窒化物半導体層の間に、前記第１の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−Ｖ族窒化物半導体からなる第３の窒化物半導体層を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による窒化物半導体装置は、少なくともアルミニウムを含まない微結晶構造とした絶縁性の高い窒化物半導体層（第２の窒化物半導体層）上に、保護膜として窒化膜を形成する構造とすることで、微結晶構造の窒化物半導体層のない場合と比較して、リーク電流の増加を緩和する構成とする。その結果、ドレインオフ耐圧や耐圧の劣化が緩和され、ドレインオフ耐圧や耐圧の高い窒化物半導体装置を提供することができる。絶縁性の高い窒化物半導体層の形成は、通常のエピタキシャル成長温度より、成長温度を低く設定してエピタキシャル成長させることで、簡便に形成することができる。
【００１４】
特に本発明によりＦＥＴやＨＥＭＴを形成する場合、２００Ｖを越えるドレインオフ耐圧が得られ、特性の優れたＦＥＴやＨＥＭＴを形成することができる。また、窒化膜を用いているため、電流コラプスの発生もない。さらにまた、ダイオードを形成する場合、高い逆方向電圧が得られ、特性の優れたダイオードを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の窒化物半導体装置は、保護膜として窒化硅素（ＳｉＮｘ）からなる膜（窒化膜）を、微結晶構造からなるアルミニウムを含まない窒化物半導体層（第２の窒化物半導体層）上に形成する構造とすることで、その高い絶縁性により、微結晶構造の窒化物半導体層を備えない場合と比較して、リーク電流の増加を緩和する構成となっている。即ち、微結晶構造の窒化物半導体層が、リーク電流の増加を緩和する機能を発揮する構成となっている。このようなリーク電流の増加の緩和は、例えば、ダイオード構造の窒化物半導体装置では、逆方向耐圧の劣化を、ＦＥＴ、ＨＥＭＴ構造の窒化物半導体装置では、ソース電極及びドレイン電極間に電圧を印加した状態において、ゲート電極から窒化物半導体層と窒化膜との界面に電流が流れ込まないようにすることで、チャネルへのトンネル電流が少なくなり、衝突イオン化に起因するドレインオフ耐圧の低下を防止するものである。以下、本発明の窒化物半導体装置について、詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は本発明のＨＥＭＴ構造の窒化物半導体装置の断面図であり、図２はその窒化物半導体装置の製造工程の説明図である。まず、サファイアからなる基板１１上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相堆積）法等を用いて、厚さ３０ｎｍ程度の低温成長した窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるバッファ層１２、後述するショットキ層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持ち、厚さ２.５μｍのノンドープ窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるチャネル層１３（第３の窒化物半導体層に相当）、チャネル層１３との界面にキャリアとなる２次元電子ガス層を形成する厚さ２５ｎｍのノンドープ窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるショットキ層１４（第１の窒化物半導体層に相当）とを基板温度１０８０℃で順次積層成長させる。その後、基板温度を５５０℃として、ノンドープ窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるキャップ層１５（第２の窒化物半導体層に相当）を順次成長させる（図２ａ）。このように基板温度を低くして成長させることにより、キャップ層１５は、微結晶構造となり、高い絶縁性を有する層となる。このキャップ層１５は、後述する窒化硅素からなる保護膜を形成する工程後に、ドレインオフ耐圧の低下やリーク電流の増加がないように、厚さ、シート抵抗値を所望の値に設定する。一例として、厚さ１０ｎｍ、シート抵抗１０9Ω／□以上とする。
【００１７】
その後、通常のリソグラフ法及びリフトオフ法により、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）／金（Ａｕ）からなる積層体を形成した後、８５０℃３０秒間のＲＴＡ処理を行うことにより、キャップ層１５上にオーミック接触するソース電極１６ａ、ドレイン電極１６ｂを形成する（図２ｂ）。
【００１８】
そして、通常のリソグラフ法及びリフトオフ法により、キャップ層１５上に、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）からなる積層体を積層してパターニングすることにより、キャップ層１５との間にショットキ接触するゲート電極１７を形成する（図２ｃ）。
【００１９】
その後、プラズマＣＶＤ法等により表面保護のため、窒化膜１８を形成する。ここで、窒化膜１８は、窒化物半導体層との密着性、応力、耐湿性等を考慮し、その膜質を選定する。一例としては、ストレス値が１９０ｄｙｎ／ｃｍ2で、屈折率が２．００の窒化膜を選定した。ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂ表面上の窒化膜１８を、ＳＦ6ガスを用いたドライエッチング法等により除去して、窒化物半導体装置を完成する（図２ｄ）。
【００２０】
以上のように形成した本発明の窒化物半導体装置について、ゲート電極に電圧を印加してピンチオフさせた状態で、ソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂ間に電圧を印加して測定した電流−電圧特性を示したグラフを図３に示す。図３において、横軸はソース電極、ドレイン電極間に印加するソース、ドレイン間電圧（Ｖｄｓ）、縦軸はソース電極、ドレイン電極間に流れるソース、ドレイン間電流（Ｉｄｓ）を示している。比較のため、上述の窒化膜１８を形成する前の同様の測定結果を実線で示し、本発明の窒化物半導体装置の測定結果を波線で示す。図３に示すように、窒化膜を形成することで、わずかに電流が増加するものの、２００Ｖのドレインオフ耐圧が維持されていることがわかる。図８に示す従来のこの種の窒化物半導体装置の窒化膜形成後におけるドレインオフ耐圧の低下と比較して、本発明の窒化物半導体装置のドレインオフ耐圧特性の低下が、非常に小さいことがわかる。
【００２１】
このように本発明の窒化物半導体装置では、キャップ層１５を微結晶構造の絶縁性の高い膜とすることで、ゲート電極１７からのリーク電流が大幅に減少し、ゲート電極１７から窒化膜１８とキャップ層１５との界面に流れ込む電流が低下し、チャネルに流れ込むトンネル電流に起因する衝突イオン化を少なくすることができ、その結果、窒化膜を用いているにもかかわらず、ドレインオフ耐圧の低下がないものと考えられる。
【実施例２】
【００２２】
次に上記実施例１で説明した窒化物半導体装置において、窒化膜１８の形成条件を変更した場合について説明する。上記実施例１では窒化膜の屈折率ｎがｎ＝２．００の場合について説明したが、屈折率ｎがｎ＝１．８２の場合についても同様に、ゲート電極に電圧を印加してピンチオフさせた状態で、ソース電極１６ａとドレイン電極１６ｂ間に電圧を印加して測定した電流−電圧特性を示したグラフを図４に示す。図４において、横軸はソース電極、ドレイン電極間に印加するソース、ドレイン間電圧（Ｖｄｓ）、縦軸はソース電極、ドレイン電極間に流れるソース、ドレイン間電流（Ｉｄｓ）を示している。比較のため、上述の窒化膜１８を形成する前の測定結果を実線で示し、窒化膜１８を形成した後の測定結果を波線で示す。
【００２３】
図４に示すように、窒化膜を形成することで、１８５Ｖであったドレインオフ耐圧が、１３５Ｖに低下したものの、十分なドレインオフ耐圧が維持されていることがわかる。図８に示す従来のこの種の窒化物半導体装置の窒化膜形成後におけるドレインオフ耐圧の大幅な低下と比較して、本発明の窒化物半導体装置のドレインオフ耐圧特性の低下が、非常に小さいことがわかる。
【００２４】
このように、屈折率の異なる窒化膜であっても、本発明の微結晶構造からなるキャップ層を備えることによって、窒化膜の形成によるリーク電流の増加を緩和することが確認された。なお本実施例は、実施例１と比較するため窒化膜の屈折率を除き、実施例１と同一構造としており、キャップ層の厚さやシート抵抗、窒化膜の厚さ等を最適化したものではないので、これらの最適化により、より特性向上が期待される。また、図３及び図４において、窒化膜のない場合の両者のドレインオフ耐圧に差があるが、窒化物半導体装置の特性バラツキに起因するものである。
【実施例３】
【００２５】
次に第３の実施例について説明する。本発明は、ダイオード構造の窒化物半導体装置においても、リーク電流の増加を緩和する効果を発揮する。具体的には、実施例１で説明した製造方法と同様の製造方法により、サファイアからなる基板上に、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるバッファ層、厚さ２５ｎｍ程度のｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるショットキ層（第１の窒化物半導体層に相当）を形成し、その後、基板温度を低く（５５０℃）してノンドープ窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるキャップ層（第２の窒化物半導体層に相当）を順次成長させる。その後、キャップ層上に、通常の製造方法により、ショットキ電極及びオーミック電極を形成し、アノード電極及びカソード電極とする。ダイオードの電極面積は１００μｍ□とした。
【００２６】
本発明のダイオード構造の窒化物半導体装置は、キャップ層が微結晶構造となり、高い絶縁性を示す層となる。このキャップ層は、後述する窒化硅素からなる保護膜を形成する工程の前後で、リーク電流が増大しないように、厚さ、シート抵抗値を所望の値に設定する。具体的には、厚さ１０ｎｍ、シート抵抗１０9Ω／□以上とする。
【００２７】
その後、プラズマＣＶＤ法等により表面保護のため、窒化膜を形成する。ここで、窒化膜は、窒化物半導体層との密着性、応力、耐湿性等を考慮し、その膜質を選定する必要がある。一例としては、屈折率が２．００の窒化膜を選定した。カソード電極及びアノード電極１６ｂ上の窒化膜を、ＳＦ6ガスを用いたドライエッチング法等により除去して、窒化物半導体装置を完成する。
【００２８】
以上のように形成した本発明の窒化物半導体装置について、カソード電極及びアノード電極間に電圧を印加して測定した電流−電圧特性を示したグラフを図５に示す。図５において、横軸は電圧、縦軸は順方向及び逆方向の電流を示している。比較のため、微結晶構造のキャップ層を備えず、上記ショットキ層上にカソード電極及びアノード電極を形成したときの窒化物半導体装置の測定結果を波線で示し、本発明の微結晶構造のキャップ層を備えた窒化物半導体装置の測定結果を実線で示す。図５に示すように、逆方向電流を比較すると、リーク電流に２桁程度の差が確認され、本発明の窒化物半導体装置ではリーク電流の増加が緩和されていることがわかる。なお、順方向電流を比較すると、キャップ層上にショットキ電極を形成することにより、順方向電圧も約０．８Ｖ大きいことが確認され、良好なダイオード特性が得られることが確認された。
【００２９】
このように本発明によれば、微結晶構造の窒化物半導体層を介して窒化膜からなる保護膜を形成することによって、窒化膜を形成する際に生じるリーク電流の増加を緩和できることが確認された。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく種々変更可能である。例えば、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の種類、窒化物半導体層の厚さ及び不純物濃度等は、適宜設定することができる。また窒化膜の厚さ、屈折率等についても、所望の特性が得られる範囲で、適宜設定することができる。
【００３０】
さらにまた、ＨＥＭＴ構造の窒化物半導体の代わりに、不純物が添加された窒化物半導体層を能動層（チャネル層、第１の窒化物半導体層に相当）とし、能動層上に微結晶構造の絶縁性の高い窒化物半導体層（第２の窒化物半導体層に相当）を備えたＦＥＴ構造とすることができる。さらに、窒化物半導体層は、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ系に限定されるものでなく、ゲート電極が形成される第２の窒化物半導体層（上記実施例ではキャップ層１５に相当）は、ＧａＮ、ＩｎＮあるいはこれらの混晶化合物を含み、かつアルミニウムを含まない層で構成することができる。また第１の窒化物半導体層（上記実施例ではショットキ層１４に相当）は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮあるいはこれらの混晶半導体を含む層で形成することができる。実施例において使用したサファイア基板の代わりに炭化珪素（ＳｉＣ）基板を用いてもかまわない。その場合は、バッファ層１２として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いる方が好ましい。またサファイア基板の代わりにシリコン（Ｓｉ）基板を用いてもかまわない。
【００３１】
なお第２の窒化物半導体層について微結晶構造と説明したが、これは微結晶粒の集合体あるいはそれらの再配列化した構造であり、成長温度、成長時の雰囲気ガス組成、成長させる基板の種類などによって、結晶粒の大きさや配列等は変わるものであり、所望のショットキ特性や絶縁特性等が得られる範囲で、成長温度を制御することによって得られるものである。第２の窒化物半導体層の成長温度は、第１の窒化物半導体層の成長温度より４００℃程度以上低い温度に設定すると、ＨＥＭＴあるいはＦＥＴの制御電極を形成する場合に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施例である窒化物半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の実施例である窒化物半導体装置の製造工程図である。
【図３】本発明の実施例１の窒化物半導体装置の電流−電圧特性を示す図である。
【図４】本発明の実施例２の窒化物半導体装置の電流−電圧特性を示す図である。
【図５】本発明の実施例３の窒化物半導体装置の電流−電圧特性を示す図である。
【図６】従来のこの種の窒化物半導体装置の断面図である。
【図７】従来のこの種の別の窒化物半導体装置の断面図である。
【図８】従来の窒化物半導体装置の電流−電圧特性を示す図である。
【図９】従来の別の窒化物半導体装置の電流−電圧特性を示す図である。
【符号の説明】
【００３３】
１１；基板、１２；バッファ層、１３；チャネル層、１４；ショットキ層、１５；キャップ層、１６ａ；ソース電極、１６ｂ；ドレイン電極、１７；ゲート電極  １８；窒化膜、１９；キャップ層
【図１】
2007335736.tif 000003
【図２】
2007335736.tif 000004
【図３】
2007335736.tif 000005
【図４】
2007335736.tif 000006
【図５】
2007335736.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007335736.tif 000009
【図８】
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【図９】
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