(57)【要約】【課題】生産効率を低下させることなく、被処理基板の帯電を抑制すると共に、イオン注入のばらつきを抑制する。【解決手段】不純物イオンを含むプラズマＰ１を発生させるプラズマ室２１と、プラズマ室２１で発生させた不純物イオンを加速して不純物イオンビーム１を生成するための加速部１１と、被処理基板１０が収容され、その被処理基板１０に対し、不純物イオンビーム１を照射させるための第１処理室２２とを備えたイオンドーピング装置３０ａであって、第１処理室２２の開口部Ａを介して隣接すると共に、不活性イオンビーム２が内部に供給される第２処理室２４を有し、開口部Ａには、第１処理室２２で被処理基板１０に対し不純物イオンビーム１によって２次電子４を放出すると共に、第２処理室２４で堆積物４が不活性イオンビーム２によって除去される金属体１５ａが設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
不純物イオンを含むプラズマを発生させるプラズマ室と、
上記プラズマ室で発生させた不純物イオンを加速して不純物イオンビームを生成するための加速部と、
被処理基板が収容され、該被処理基板に対し、上記加速部で生成された不純物イオンビームを照射させるための第１処理室とを備えたイオンドーピング装置であって、
上記第１処理室の壁に設けられた開口部を介して該第１処理室に隣接すると共に、不活性イオンビームが内部に供給される第２処理室を有し、
上記開口部には、上記第１処理室において上記被処理基板に対し上記不純物イオンビームによって２次電子を放出すると共に、上記第２処理室において上記第１処理室で付着した堆積物が上記不活性イオンビームによって除去される金属体が設けられていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたイオンドーピング装置において、
上記金属体は、上記開口部に設けられた回転軸を中心に回転するように設けられていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項３】
請求項１に記載されたイオンドーピング装置において、
上記金属体は、上記第１処理室及び第２処理室の間を移動可能に設けられていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項４】
請求項１に記載されたイオンドーピング装置において、
上記第２処理室には、不活性イオンを含むプラズマを発生させるプラズマ室と、該プラズマ室で発生させた不活性イオンを加速して上記不活性イオンビームを生成する加速部とが連設されていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項５】
請求項１に記載されたイオンドーピング装置において、
上記金属体は、モリブデン板であることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項６】
請求項１に記載されたイオンドーピング装置において、
上記不活性イオンは、アルゴンイオンであることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項７】
請求項２に記載されたイオンドーピング装置において、
上記金属体は、上記被処理基板に対する上記不純物イオンビームの照射が終了したときに回転するように構成されていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項８】
請求項２に記載されたイオンドーピング装置において、
上記金属体は、上記第１処理室において上記不純物イオンビームが上記被処理基板に対し照射されていると共に、上記第２処理室において上記不活性イオンビームが供給されているときに、常に回転するように構成されていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項９】
請求項３に記載されたイオンドーピング装置において、
上記金属体は、上記不純物イオンビームが上記第１処理室において上記被処理基板に対し照射されていないときに、上記堆積物の付着した領域が上記第２処理室に移動するように構成されていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオンドーピング装置に関し、特に、液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタを作製するためのイオンドーピング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置は、画像の最小単位である各画素ごとにスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）を備え、精細な動画表示が可能であるので、液晶テレビや携帯電話などに広く利用されている。
【０００３】
上記ＴＦＴを構成する半導体膜としては、アモルファスシリコン膜よりも高い電子移動度を有するポリシリコン膜がよく用いられている。そして、ＴＦＴを作製する際には、基板上のポリシリコン膜に対し、イオンドーピング装置を用いて、不純物としてリンイオンやボロンイオンなどを注入することにより、例えば、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域が形成される。
【０００４】
ここで、上記イオンドーピング装置は、イオンを生成するためのイオン源（プラズマ室）と、そのイオン源で生成されたイオンをイオンビームに生成するための加速部と、その加速部で生成されたイオンビームを内部に導入して、内部に収容された被処理基板に対しイオン注入するための処理室とを備えている。
【０００５】
また、イオンドーピング装置では、イオン注入を重ねることによって、処理室の内壁面に堆積物が付着すると、イオンビーム中の電子が減少して、イオンビームにおいて正の電荷が過剰になることにより、電荷の反発に起因するビーム発散や被処理基板における帯電に起因する静電破壊が発生するおそれがある。
【０００６】
そこで、特許文献１には、処理室の側壁部にフィラメントを設け、そのフィラメントから引き出した１次電子を対向面の金属ライナーに当て、そこから放出された２次電子を被処理基板に供給することにより、被処理基板における帯電を防止するという技術が開示されている。
【特許文献１】特開平５−１２８９９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に示す帯電防止技術では、イオンビーム中に電子を供給することになるので、イオンビーム中のイオン種やビーム状態が変わったりして、イオン注入された半導体膜の品質がばらつくおそれがある。
【０００８】
また、被処理基板の帯電を防止するために、イオンドーピング装置を大気に一旦開放して、処理室の内壁面に付着した堆積物を除去することも考えられるが、イオンドーピング装置のような真空装置を大気に開放してクリーニングするという大掛かりなメンテナンスは、生産効率を極端に低下させてしまう。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、生産効率を低下させることなく、被処理基板の帯電を抑制すると共に、イオン注入のばらつきを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、第１処理室において２次電子を放出すると共に、第２処理室において堆積物が除去される金属板を設けるようにしたものである。
【００１１】
具体的に本発明に係るイオンドーピング装置は、不純物イオンを含むプラズマを発生させるプラズマ室と、上記プラズマ室で発生させた不純物イオンを加速して不純物イオンビームを生成するための加速部と、被処理基板が収容され、該被処理基板に対し、上記加速部で生成された不純物イオンビームを照射させるための第１処理室とを備えたイオンドーピング装置であって、上記第１処理室の壁に設けられた開口部を介して該第１処理室に隣接すると共に、不活性イオンビームが内部に供給される第２処理室を有し、上記開口部には、上記第１処理室において上記被処理基板に対し上記不純物イオンビームによって２次電子を放出すると共に、上記第２処理室において上記第１処理室で付着した堆積物が上記不活性イオンビームによって除去される金属体が設けられていることを特徴とする。
【００１２】
上記の構成によれば、第１処理室及び第２処理室が開口部を介して隣り合っており、その開口部には、第１処理室において被処理基板に対し不純物イオンビームによって２次電子を放出すると共に、第２処理室において第１処理室で付着した堆積物が不活性イオンビームによって除去される金属板が設けられている。
【００１３】
そのため、まず、金属体の表面に堆積物が付着していない場合には、第１処理室において金属体の表面に不純物イオンビームの一部を照射させることによって、２次電子が被処理基板に対して放出され、被処理基板の帯電が抑制される。
【００１４】
また、金属体の表面に堆積物が付着して、不純物イオンビームの照射による２次電子の放出する能力、すなわち、金属体の２次電子放出能が低下した場合には、金属体を第２処理室の内部に移動させて、その表面に不活性イオンビームを照射させることによって、金属板の表面の堆積物が除去され、金属体の表面がクリーニングされる。これにより、金属体の２次電子放出能が堆積物の付着前のレベルに戻り、その金属体を再び第１処理室の内部に移動させて不純物イオンビームを照射させることによって、２次電子が放出され、被処理基板の帯電を抑制しながら、イオン注入を行うことが可能になる。
【００１５】
さらに、不活性イオンビームは、不純物イオンビームが照射される第１処理室とは別に設けられた第２処理室において照射されるので、イオン注入するための不純物イオンビームのイオン種やビーム状態に影響を与えることが少なく、イオン注入のばらつきが抑制される。
【００１６】
また、上記のように、被処理基板の帯電、及びイオン注入のばらつきを抑制するために金属体を処理する際には、イオンドーピング装置を大気に開放する必要がないので、生産効率を低下させることがない。
【００１７】
したがって、生産効率を低下させることなく、被処理基板の帯電が抑制されると共に、イオン注入のばらつきが抑制される。
【００１８】
上記金属体は、上記開口部に設けられた回転軸を中心に回転するように設けられていてもよい。
【００１９】
上記の構成によれば、金属体を開口部に設けられた回転軸を中心に回転させることにより、金属体の一方側が第１処理室内に収容されて２次電子の供給源となり、金属体の他方側が第２処理室に収容されてクリーニングされる。
【００２０】
上記金属体は、上記第１処理室及び第２処理室の間を移動可能に設けられていてもよい。
【００２１】
上記の構成によれば、金属体を第１処理室及び第２処理室の間で行き来させることにより、金属体は、第１処理室に収容されているときに２次電子の供給源となり、第２処理室に収容されているときにクリーニングされる。
【００２２】
上記第２処理室には、不活性イオンを含むプラズマを発生させるプラズマ室と、該プラズマ室で発生させた不活性イオンを加速して上記不活性イオンビームを生成する加速部とが連設されていてもよい。
【００２３】
上記の構成によれば、プラズマ室及び加速部によって、不活性イオンビームが具体的に第２処理室の内部に供給されることになる。
【００２４】
上記金属体は、モリブデン板であってもよい。
【００２５】
上記の構成によれば、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２６】
上記不活性イオンは、アルゴンイオンであってもよい。
【００２７】
上記の構成によれば、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２８】
上記金属体は、上記被処理基板に対する上記不純物イオンビームの照射が終了したときに回転するように構成されていてもよい。
【００２９】
上記の構成によれば、金属体が被処理基板に対する不純物イオンビームの照射が終了したときに、すなわち、所定枚数（例えば、一枚又は複数枚）の被処理基板に対するイオン注入が終了するごとに回転するので、第１処理室において金属体の一方側を介在させて被処理基板に対しイオン注入を行っている間に、第２処理室において金属体の他方側がクリーニングされるので、金属体をクリーニングするためにイオンドーピング装置を停止させる必要がなく、生産効率の向上を図ることが可能になる。
【００３０】
上記金属体は、上記第１処理室において上記不純物イオンビームが上記被処理基板に対し照射されていると共に、上記第２処理室において上記不活性イオンビームが供給されているときに、常に回転するように構成されていてもよい。
【００３１】
上記の構成によれば、金属体が常に回転して、第１処理室において金属体の一部を介在させて被処理基板に対しイオン注入を行っている間に、第２処理室において金属体がクリーニングされるので、金属体をクリーニングするためにイオンドーピング装置を停止させる必要がなく、生産効率の向上を図ることが可能になる。また、金属体が常に回転することにより、金属体のクリーニング状態が一定になるので、イオン注入のばらつきがいっそう抑制される。
【００３２】
上記金属体は、上記不純物イオンビームが上記第１処理室において上記被処理基板に対し照射されていないときに、上記堆積物の付着した領域が上記第２処理室に移動するように構成されていてもよい。
【００３３】
上記の構成によれば、不純物イオンビームが第１処理室で被処理基板に対し照射されていないときに、金属体の堆積物の付着した領域が第２処理室に移動してクリーニングされるので、第１処理室には、第２処理室でクリーニングされた金属体が収容されることになる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、第１処理室において２次電子を放出すると共に、第２処理室において堆積物が除去される金属板が設けられているため、生産効率を低下させることなく、被処理基板の帯電を抑制すると共に、イオン注入のばらつきを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３６】
《発明の実施形態１》
図１〜図３は、本発明に係るイオンドーピング装置の実施形態１を示している。ここで、図１は、本実施形態のイオンドーピング装置３０ａの上面図であり、図２は、図１中のII−II線に沿ったイオンドーピング装置３０ａの断面図である。
【００３７】
イオンドーピング装置３０ａは、図１に示すように、リンイオンやボロンイオンなどの不純物イオンを含むプラズマＰ１を発生させるプラズマ室２１と、プラズマ室２１で発生させた不純物イオンを加速して不純物イオンビーム１を生成するための加速部１１と、被処理基板１０が収容され、その被処理基板１０に対し、加速部１１で生成された不純物イオンビーム１を照射させるための第１処理室２２と、アルゴンイオンなどの不活性イオンを含むプラズマＰ２を発生させるプラズマ室２３と、プラズマ室２３で発生させた不活性イオンを加速して不活性イオンビーム２を生成するための加速部１２と、後述する金属体１５ａに対し、加速部１２で生成された不活性イオンビーム２を照射させるための第２処理室２４とを備えている。
【００３８】
プラズマ室２１は、電子を放出させるために側壁に設けられた３つのフィラメント１３と、内部にガスを導入するために設けられたガス導入口（不図示）と、プラズマ密度を増加させると共にプラズマの均一性を向上させるために外部に環状に設けられた環状磁石（不図示）と、内側壁に設けられたアーク電極（不図示）とを備えている。
【００３９】
各フィラメント１３には、直流電源（不図示）がそれぞれ接続されている。
【００４０】
各フィラメント１３とアーク電極との間には、直流電源（不図示）及び電流計（不図示）が設けられている。
【００４１】
加速部１１では、図１に示すように、右から順に、引出電極１１ａ、第１加速電極１１ｂ、第２加速電極１１ｃ及び抑制電極１１ｄが、互いに対向して配置するように設けられている。ここで、引出電極１１ａ、第１加速電極１１ｂ、第２加速電極１１ｃ及び抑制電極１１ｄは、プラズマ室２１で生成させた不純物イオンを引き出すための多数の貫通孔が形成された金属板である。
【００４２】
第１処理室２２は、被処理基板１０が取り付けられるプラテンなどの基板保持部（不図示）と、イオンビーム１の電流又は電流密度を検知するためにファラデーカップなどにより構成された計測部（不図示）とを内部に有し、側壁に開口部Ａが設けられている。
【００４３】
プラズマ室２３は、プラズマ室２１に隣り合って設けられ、電子を放出させるためのフィラメント１４と、内部にガスを導入するために設けられたガス導入口（不図示）とを有し、プラズマ室２１と同様な構成になっている。
【００４４】
加速部１２では、多数の貫通孔を有する板状の第１加速電極１２ａ及び第２加速電極１２ｂが、互いに対向して配置するように設けられている。
【００４５】
第１処理室２２及び第２処理室２３には、開口部Ａに設けられた回転軸Ｒを中心に回転する金属体１５ａが収容されている。
【００４６】
金属体１５ａは、例えば、矩形状のモリブデン板であり、第１処理室２２において被処理基板１０に対し不純物イオンビーム１の照射によって２次電子４を放出すると共に、第２処理室２４において第１処理室２２で付着した堆積物３が不活性イオンビーム２の照射によって除去されるように構成されている。
【００４７】
なお、第１処理室２２には、真空ポンプなどにより構成された排気部（不図示）が接続され、プラズマ室２１及び２３、第１処理室２２、並びに第２処理室２４の内部の圧力が適切に維持されるように構成されている。
【００４８】
次に、上記構成のイオンドーピング装置３０ａの動作について、各構成要素ごとに説明する。
【００４９】
まず、第１処理室２２に連設されたプラズマ室２１では、フィラメント１３に所定の電圧を印加することにより、各フィラメント１３に電流が流れる。そして、各フィラメント１３とアーク電極との間に所定の電圧を印加することにより、フィラメント１３によって加熱された電子がフィラメント１３からプラズマ室２１の内部に放出されると共に、アーク電極に到達してアーク放電が生じる。このとき、ガス導入口からイオンドーピングすべき元素を含む気体をプラズマ室２１の内部に導入することにより、フィラメント１３から放出された電子とガス導入口から導入された気体とが衝突して、不純物イオンを含むプラズマＰ１が生成される。
【００５０】
また、加速部１１では、第１に、引出電極１１ａと第１加速電極１１ｂとの間に所定の電圧を印加することにより、プラズマ室２１で生成されたプラズマＰ１をプラズマ室２１から引き出すと共に、その引き出されたプラズマ（イオン）を方向づけてイオンの直線性を向上させる。第２に、第１加速電極１１ｂと第２加速電極１１ｃとの間に所定の電圧を印加することにより、直線性が向上されたイオンを加速させる。第３に、第２加速電極１１ｃと抑制電極１１ｄとの間に接地電位に対して負の所定電圧を印加することにより、被処理基板１０からの電子がプラズマ室２１に戻ることを抑制しながら、不純物イオンを含む不純物イオンビーム１が生成される。
【００５１】
さらに、第１処理室２２では、被処理基板１０に不純物イオンビーム１が照射され、被処理基板１０上に設けられた半導体膜に不純物イオンが注入される。
【００５２】
また、第２処理室２４に連設されたプラズマ室２３では、フィラメント１４に所定の電圧を印加することにより、各フィラメント１４に電流が流れる。そして、各フィラメント１４とアーク電極との間に所定の電圧を印加することにより、フィラメント１４によって加熱された電子がフィラメント１４からプラズマ室２３の内部へ放出されると共に、アーク電極に到達してアーク放電が生じる。このとき、ガス導入口から不活性な気体がプラズマ室２３の内部に導入されることにより、フィラメント１４から放出された電子と不活性な気体とが衝突して、不活性イオンを含むプラズマＰ２が生成される。
【００５３】
さらに、加速部１２では、第１加速電極１２ａと第２加速電極１２ｂとの間に所定の電圧を印加することにより、プラズマ室２３で生成されたプラズマＰ２をプラズマ室２３から引き出すと共に、その引き出されたプラズマ（イオン）を加速して、不活性イオンを含む不活性イオンビーム２が生成される。
【００５４】
そして、第２処理室２４では、不活性イオンビーム２が金属体１５ａの表面に照射され、その表面に付着した堆積物３がスパッタリングにより除去される。
【００５５】
ここで、金属体１５ａは、その表面に付着した堆積物の状況、例えば、付着した位置及び付着量に応じて回転軸Ｒを中心に適宜回転するように構成されている。
【００５６】
次に、上記構成のイオンドーピング装置３０ａを用いたイオンドーピング方法について説明する。
【００５７】
まず、イオンドーピングの対象である被処理基板１０は、ガラス基板と、そのガラス基板の表面に形成されたポリシリコン膜やアモルファスシリコンなどの半導体膜と、その半導体膜の表面に形成されたゲート絶縁膜とを備えている。なお、半導体膜の膜厚は、例えば、４５ｎｍであり、ゲート絶縁膜の膜厚は、例えば、６０ｎｍである。
【００５８】
また、イオンドーピングすべき元素を含む気体としては、例えば、Ｎ型ドーパントとなるリンを不純物イオンとして注入する気体としてホスフィン（ＰＨ３）、及びＰ型ドーパントとなるボロンを不純物イオンとして注入する気体としてジボラン（Ｂ２Ｈ６）が用いられる。
【００５９】
以下に、被処理基板１０に対し、リンイオンを注入するイオンドーピング方法について説明する。本実施形態のイオンドーピング方法は、イオンドーピング工程及びクリーニング工程を備えている。
【００６０】
〜イオンドーピング工程〜
まず、第１処理室２２の内部の基板保持部に被処理基板１０をセットする。
【００６１】
続いて、プラズマ室２１及び加速部１１を作動させることにより、リンイオンを含む不純物イオンビーム１を生成させて、被処理基板１０の表面に不純物イオンビーム１を照射させる。これにより、被処理基板１０の半導体膜の所定領域にリンイオンが注入される。このとき、不純物イオンビーム１の一部は、図１に示すように、金属体１５ａの表面にも照射されるので、その金属体１５ａから２次電子４が被処理基板１０に放出され、被処理基板１０の帯電を抑制することができる。ここで、イオンドーピング工程が繰り返されると、図３に示すように、金属体１５ａの表面に堆積物３が付着してしまい、被処理基板１０に対する帯電抑制効果が弱まることになる。そこで、以下のクリーニング工程を行う。
【００６２】
〜クリーニング工程〜
まず、金属体１５ａを回転軸Ｒを中心に１８０°回転させ、堆積物３が付着した金属体１５ａの一方側を第２処理室２４の内部に収容させる。このとき、金属体１５ａの第１処理室２２の内部に収容された他方側の表面には、堆積物３が付着していないので、第１処理室２２では、金属体１５ａの他方側によって２次電子４が次順、すなわち、２番目に処理される被処理基板１０に放出され、次順の被処理基板１０の帯電を抑制しながら、次順の被処理基板１０にリンイオンが注入され、上記イオンドーピング工程が行われる。なお、被処理基板１０は、第１処理室２２に連設する真空予備室（不図示）に収容されたカセット内に複数枚セットされている。
【００６３】
続いて、プラズマ室２３及び加速部１２を作動させることにより、アルゴンイオンを含む不活性イオンビーム２を生成させて、金属体１５ａの一方側の表面に不活性イオンビーム２を照射させる。これにより、金属体１５ａの一方側の表面に付着した堆積物３がスパッタリングにより除去される。
【００６４】
その後、金属板１５ａを回転軸Ｒを中心に１８０°回転させ、堆積物３が除去された金属体１５ａの一方側を第１処理室２２に収容させて次順、すなわち、３番目に処理される被処理基板１０に対して上記イオンドーピング工程を行うと共に、新たに堆積物３が付着した金属体１５ａの他方側を第２処理室２４に収容させて上記クリーニング工程を行う。
【００６５】
以上のようにして、被処理基板１０にリンイオンを注入することができる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態のイオンドーピング装置３０ａによれば、第１処理室２２及び第２処理室２４が開口部Ａを介して隣り合っており、その開口部Ａには、回転軸Ｒを中心に回転し、第１処理室２２において被処理基板１０に対し不純物イオンビーム１によって２次電子４を放出することにより２次電子４の供給源になると共に、第２処理室２４において第１処理室２２で付着した堆積物３が不活性イオンビーム２によって除去される金属板１５ａが設けられている。
【００６７】
そのため、まず、金属体１５ａの表面に堆積物３が付着していない場合には、第１処理室２２において金属体１５ａの表面に不純物イオンビーム１の一部を照射させることによって、２次電子４が被処理基板１０に対して放出され、被処理基板１０の帯電を抑制することができる。
【００６８】
そして、金属体１５ａの一方側の表面に堆積物３が付着して、不純物イオンビーム１の照射による２次電子４の放出する能力、すなわち、金属体１５ａの２次電子放出能が低下した場合には、金属体１５ａの一方側を第２処理室２４の内部に移動させて、その表面に不活性イオンビーム２を照射させることによって、金属板１５ａの表面の堆積物３が除去され、金属体１５ａの一方側の表面がクリーニングされる。これにより、金属体１５ａの２次電子放出能が堆積物３の付着前のレベルに戻り、その金属体１５ａの一方側を再び第１処理室２２の内部に移動させて不純物イオンビーム１を照射させることによって、２次電子４が放出され、被処理基板１０の帯電を抑制しながらイオン注入を行うことができる。
【００６９】
さらに、不活性イオンビーム２は、不純物イオンビーム１が照射される第１処理室２２とは別に設けられた第２処理室２４において照射されるので、イオン注入するための不純物イオンビーム１のイオン種やビーム状態に影響を与えることが少なく、イオン注入のばらつきを抑制することができる。
【００７０】
また、上記のように、被処理基板１０の帯電、及びイオン注入のばらつきを抑制するために、金属体１５ａを処理する際には、イオンドーピング装置３０ａを大気に開放する必要がないので、生産効率を低下させることがない。
【００７１】
したがって、生産効率を低下させることなく、被処理基板１０の帯電を抑制すると共に、イオン注入のばらつきを抑制することができる。
【００７２】
また、本実施形態のイオンドーピング装置３０ａによれば、金属体１５ａが被処理基板１０に対する不純物イオンビーム１の照射が終了したときに、すなわち、所定枚数の被処理基板１０に対するイオン注入が終了するごとに回転するので、第１処理室２２において金属体１５ａの一方側を介在させて被処理基板１０に対しイオン注入を行っている間に、第２処理室２４において金属体１５ａの他方側がクリーニングされるので、金属体をクリーニングするためにイオンドーピング装置を停止させる必要がなく、生産効率の向上を図ることができる。
【００７３】
さらに、本実施形態では、金属体１５ａが不純物イオンビーム１の照射が終了したときに回転するイオンドーピング装置３０ａを例示したが、本発明は、金属体１５ａが第１処理室２２において不純物イオンビーム１が被処理基板１０に対し照射されていると共に、第２処理室２４において不活性イオンビーム２が供給されているときに、常に回転するように構成されていてもよい。これによれば、第１処理室２２において金属体１５ａの一部を介在させて被処理基板１０に対しイオン注入を行っている間に、第２処理室２４において金属体１５ａが随時クリーニングされるので、金属体１５ａをクリーニングするためにイオンドーピング装置３０ａを停止させる必要がなく、生産効率の向上を図ることができる。また、金属体１５ａが常に回転することにより、金属体１５ａのクリーニング状態が一定になるので、イオン注入のばらつきをいっそう抑制することができる。
【００７４】
《発明の実施形態２》
図４は、図２に対応する本実施形態のイオンドーピング装置３０ｂの断面図である。なお、以下の実施形態において、図１〜図３と同じ部分については、同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００７５】
イオンドーピング装置３０ｂでは、例えば、矩形状のモリブデン板である金属体１５ｂが図４に示すように第１処理室２２及び第２処理室２４の間をスライドレールＳに沿って摺動可能に設けられている。具体的に、金属体１５ｂは、第１処理室２２において不純物イオンビーム１が被処理基板１０に対し照射されていないときに、少なくとも堆積物３の付着した領域が第２処理室２４の内部に移動するように構成されている。これによれば、金属体１５ｂは、第１処理室２２に収容されているときに２次電子４の供給源となり、第２処理室２４に収容されているときに表面に付着した堆積物３が除去され、クリーニングされることになる。したがって、イオンドーピング装置３０ｂにおいても、生産効率を低下させることなく、被処理基板１０の帯電を抑制すると共に、イオン注入のばらつきを抑制することができる。
【００７６】
なお、本発明は、上記各実施形態に説明したイオンドーピング装置だけでなく、半導体装置の製造に用いられるイオン注入装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
以上説明したように、本発明は、生産効率を低下させることなく、被処理基板の帯電を抑制すると共に、イオン注入のばらつきを抑制することができるので、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置の製造に用いられるイオンドーピング装置について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】実施形態１に係るイオンドーピング装置３０ａの第１の使用状態を示す上面図である。
【図２】図１中のII−II線に沿ったイオンドーピング装置３０ａの断面図である。
【図３】イオンドーピング装置３０ａの第２の使用状態を示す上面図である。
【図４】実施形態２に係るイオンドーピング装置３０ｂの図２に対応する断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
Ａ      開口部
Ｐ１，Ｐ２        プラズマ
Ｒ      回転軸
１      不純物イオンビーム
２      不活性イオンビーム
３      堆積物
４      ２次電子
１０    被処理基板
１１    加速部
１５ａ，１５ｂ    金属体
２１，２３        プラズマ室
２２    第１処理室
２４    第２処理室
３０ａ，３０ｂ    イオンドーピング装置
【図１】
2007335813.tif 000003
【図２】
2007335813.tif 000004
【図３】
2007335813.tif 000005
【図４】
2007335813.tif 000006