(57)【要約】【課題】光利用効率を低下させることなく、混色の発生を抑制した有機発光表示装置を提供する。【解決手段】格子（井桁）状の隔壁ＢＮＫに囲まれた領域に複数の発光素子ＯＬＥＤを備え、当該発光素子ＯＬＥＤの発光によりストライプ状の同色画素が並んで表示される画像表示装置において、同色画素間の隔壁ＢＮＫの高さＺ１が異色画素間の隔壁の高さＺ２よりも低く形成することにより、同色画素形成時に互いに隣接する異色画素への濡れ広がりが抑止される。【選択図】図１
2007234232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と対向して周縁部に封止部材を介在させて気密封止された透光性基板の主面内に複数の発光素子を有し、前記発光素子の各々は前記透光性基板の主面上に形成された複数の第１の電極と、前記複数の第１の電極を覆って形成され、且つ発光能を有する発光層と、前記発光層上に前記複数の発光素子に共通に形成された第２の電極とを含み、前記複数の発光素子は相互間が隔壁により区画された画素を形成し、前記発光層からの発光を前記第１の電極を介して前記透光性基板側に出射する画像表示装置であって、
前記発光層は、当該発光層の発光によりストライプ状の同色画素が並んで設置され、前記同色画素間の前記隔壁の高さが異色画素間の前記隔壁に高さよりも低いことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記隔壁は、有機材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記有機材料は、低分子材料系とすることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記有機材料は、高分子材料系とすることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は、無機材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記隔壁は、有機材料と無機材料との積層体からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記発光層は、インクジェット法により成膜される有機発光層であること特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記発光層は、蒸着法により成膜される無機発光層であることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に発光層を設け、一対の電極により発光層に電界を印加させて発光させる複数の発光素子を有する画像表示装置に係わり、特に発光素子の非発光部としての隔壁に起因する混色の発生を抑制させる隔壁の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電子放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないし実用化研究段階にある。その中でも、有機発光表示装置は、薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。有機発光表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。
【０００３】
ボトムエミッション型の有機発光表示装置は、ガラス基板を好適とする透光性基板上に第１の電極または一方の電極としての透光性電極と、電界の印加により発光する有機発光層（有機多層膜とも言う）と、第２の電極または他方の電極としての反射性金属電極とを順次積層した発光機構により有機発光素子が構成される。この有機発光素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶とも称する絶縁性基板により封着させて上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。
【０００４】
そして、例えば透光性電極を陽極とし、反射性金属電極を陰極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機発光層にキャリア（電子と正孔）が注入され、この有機発光層が発光する。この発光光を透光性基板側から外部に出射する構成となっている。
【０００５】
一方、トップエミッション型の有機発光表示装置は、上述した一方の電極を反射性金属電極とし、他方の電極を透光性電極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機発光層が発光し、この発光を上述した他方の電極（透光性電極）側から出射する構成となっている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶として透光性基板が使用される。
【０００６】
この種の有機発光表示装置において、それぞれが異なる色を発色する有機発光素子を複数個備えた多色表示有機発光表示装置では、従来から赤，緑，青の３原色で発光する有機材料をマトリックス状に配置することが行われている。３原色の有機材料を高精度にマトリックス状に配置することが必要であることから、複雑な光露光プロセスやエッチングプロセス等が必須となっていた。そこで、３原色の有機材料の配置を簡便に行うために予めバンク（隔壁）を形成しておき、このバンクを利用して有機材料のパターニングを行う手段が用いられている。
【０００７】
このように３原色の有機材料を区画するバンクの構造としては、特開２００３−２２９２５６号公報（特許文献１）に開示されているようにバンクの形状を格子状に形成し、この格子状バンクの縦横を同じ厚さとすることが記載されている。また、他のバンク構造としては、特開２００５−７１６５６号公報（特許文献２）に開示されているようにバンクの形状を格子状に形成せずに、ストライプ状に形成することが記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２２９２５６号公報
【特許文献２】特開２００５−７１６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に開示された有機ＥＬ装置は、格子状バンクの縦横を同じ厚さとする構造とすることにより、バンクの高さを超える量の有機材料がバンクで囲まれた領域に供給されると、バンクを越えて隣接する画素領域にその有機材料が広がってしまう。有機材料が異なる色を発光する発光層である場合にこのような状態が発生すると、電気特性や発光スペクトルが変化してしまう。また、バンクで囲まれた領域にＣＦ（カラーフィルタ）層やＣＣＭ（色変換方式）層を形成する場合にこのような状態が発生すると、発光スペクトルが変化してしまうという課題があった。
【００１０】
また、特許文献２に開示された有機ＥＬディスプレイは、格子状にバンクを設けずにストライプ状にバンクを形成することにより、格子状に形成した場合に比較して多量の有機材料が必要になるのみならず、画素電極の縦端部においてリーク電流が発生し、発光効率の低下が懸念される。また、有機発光層で発光した光が画面に出て行かないために光利用効率が低下してしまうという課題があった。
【００１１】
したがって、本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、光利用効率を低下させることなく、混色の発生を抑制した有機発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的を達成するために本発明による画像表示装置は、格子（井桁）状の隔壁に囲まれた領域に複数の発光素子を備え、当該発光素子の発光によりストライプ状の同色画素が並んで設置される画像表示装置において、同色画素間の隔壁の高さが異色画素間の隔壁の高さよりも低く形成することにより、同色画素形成時に互いに隣接する異色画素への濡れ広がりが抑止されるので、背景技術の課題を解決することができる。
【００１３】
なお、本発明は、上記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による画像表示装置によれば、異色画素と隣接する隔壁の高さよりも同色画素と隣接する隔壁の高さを低くすることにより、隣接する画素形成領域に異色画素材料が広がり難くなるので、光利用効率を低下させることなく、混色の発生を抑止することができ、解像度が大幅に増大し、表示品位の高い画像表示得られるという極めて優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例では、画像表示装置としてボトムエミッション型の有機発光表示装置を例として説明する。また、有機発光素子には、発光に寄与する部分に使用する有機材料として低分子材料系と高分子材料系とがあるが、本発明はこれらに限定されるものではなく、上記低分子材料系と高分子材料系との双方を混成した有機発光層であってもよい。
【００１６】
低分子材料系の有機発光素子の層構成は、一般的に透光性メイン基板側からアノード電極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／カソード電極の順である。一方、高分子材料系の有機発光素子の層構成は、一般的に透光性メイン基板側からアノード電極／ホール輸送層／発光層／カソード電極の順である。高分子材料系の有機発光素子の場合には、低分子材料系の有機発光素子のホール注入層／ホール輸送層をホール輸送層が両方の特性を兼ねる場合があり、さらに高分子材料系の有機発光素子では、低分子材料系の有機発光素子の電子輸送層／カソード電極をカソード電極のみで代用する場合がある。また、本発明は、以下の実施例で用いた材料及び組成に限定されるものではない。
【実施例１】
【００１７】
図１は、本発明に係わる有機発光表示装置の実施例１を説明するための全体構成例を示す図であり、図１（ａ）は要部平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´線に沿って切断した断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ´線に沿って切断した断面図である。また、図２は図１の斜視図である。また、図３は図１（ａ）のＸ方向で切断した薄膜トランジスタ及び走査配線部の要部断面図、図４は図１（ａ）のＸ方向で切断したデータ線及び隔壁部の要部断面図、図５は図１（ａ）のＹ方向で切断した薄膜トランジスタ，走査配線及び低隔壁部の要部断面図である。
【００１８】
これらの図において、この有機発光表示装置は、図３乃至図５に示すようにアクティブ・マトリクス型であり、透光性メイン基板ＳＵＢ側から表示光を出射する所謂ボトムエミッション型の画像表示装置である。
【００１９】
この有機発光表示装置では、図１及び図２に示すように透光性ガラスを好適とする透光性メイン基板ＳＵＢの主面（内面）に格子（井桁）状に成膜された隔壁（バンクとも称する）ＢＮＫに囲まれた凹部内にストライプ状に赤色有機発光層ＯＬＥ（Ｒ），緑色有機発光層ＯＬＥ（Ｇ）及び青色有機発光層ＯＬＥ（Ｂ）が並んで配設されている。
【００２０】
この有機発光表示装置は、図３〜図５に示すように透光性ガラスを好適とする透光性メイン基板ＳＵＢの主面（内面）にアクティブ素子としての薄膜トランジスタＴＦＴを有し、この薄膜トランジスタＴＦＴで駆動される一方の電極（ここでは陽極）ＡＤと、他方の電極（ここでは陰極）ＣＤとの間にそれぞれ赤色有機発光層ＯＬＥ（Ｒ），緑色有機発光層ＯＬＥ（Ｇ）及び青色有機発光層ＯＬＥ（Ｂ）を挟んで有機発光素子を構成している。
【００２１】
また、これらの赤色有機発光層ＯＬＥ（Ｒ），緑色有機発光層ＯＬＥ（Ｇ）及び青色有機発光層ＯＬＥ（Ｂ）には、それぞれ上記薄膜トランジスタＴＦＴが接続されて画素回路を構成している。これらの薄膜トランジスタＴＦＴは、ポリシリコン半導体層ＰＳＩと、電源配線ＰＬと、データ信号配線ＤＬと、図示しない走査信号配線とから構成され、それぞれ複数の層間絶縁層を介して形成されている。
【００２２】
そして、この薄膜トランジスタＴＦＴを含む画素回路は、透光性メイン基板ＳＵＢの主面にそれぞれ形成された赤色有機発光層ＯＬＥ（Ｒ），緑色有機発光層ＯＬＥ（Ｇ）及び青色有機発光層ＯＬＥ（Ｂ）に隔壁ＢＮＫの下層内に隠れて設けられている。
【００２３】
また、画素電極である陽極ＡＤは、パッシベーション層ＰＡＳの上層に成膜されたＩＴＯ（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ）またはＩＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）などの透明導電薄膜により形成され、パッシベーション層ＰＡＳと層間絶縁層とに穿設されたコンタクトホール内に形成された陽極コンタクトＡＤＣを介して電源配線ＰＬに電気的に接続されている。また、有機発光層ＯＬＥは、陽極ＡＤ上に塗布した例えばアクリル樹脂またはＳｉＮ等の絶縁層により形成された隔壁ＢＮＫで囲まれた凹部にインクジェット法または蒸着法等の塗布手段により形成される。
【００２４】
この隔壁ＢＮＫの構造は、詳細は後述するが、格子（井桁）状に形成され、同じ色を発光する画素（以下、同色画素と称する）間の隔壁ＢＮＫの高さが異なる色を発光する画素（以下、異色画素と称する）間の隔壁の高さよりも低くして形成されている。
【００２５】
この隔壁ＢＮＫは、各有機発光層ＯＬＥの有機層の形成プロセスで特にその発光層の形成プロセスで領域制限のために利用される。この隔壁ＢＮＫの領域は表示には利用されない。また、上記画素回路を構成する薄膜トランジスタＴＦＴ等はこの隔壁ＢＮＫで隠される部分に形成されている。そして、この有機発光層ＯＬＥと隔壁ＢＮＫとを覆って陰極ＣＤがアルミニウム薄膜またはクロム薄膜などの導電性のベタ膜で形成されている。
【００２６】
この有機ＥＬ表示装置は、所謂ボトムエミッション型と称するものであり、有機発光層ＯＬＥからの発光光Ｌはメイン基板ＳＵＢの外面（表面）から外部に矢印で示す方向に出射される。したがって、陰極ＣＤは光反射能を有する導電性薄膜が用いられる。メイン基板ＳＵＢの主面側には、図示しないが、封止缶とも称される封止ガラス基板を対向させてその周縁部に封止部材を介在させて気密封止され、その内部が真空状態に維持されている。
【００２７】
この隔壁ＢＮＫは、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すようにメイン基板ＳＵＢの上方に図示しない透光性の層間絶縁膜を介してＸ−Ｙ面からＺ方向に突出し、Ｘ方向の隔壁ＢＮＫＸがＹ方向の隔壁ＢＮＫＹよりもＺ方向の高さが低い格子（井桁）状に形成され、これらの隔壁ＢＮＫＸと隔壁ＢＮＫＹとにより格子に囲まれた凹状の各領域が画素形成領域ＴＥＲとしている。
【００２８】
この隔壁ＢＮＫの構造は、図１（ｂ）に示すようにＹ方向に沿って形成される隔壁ＢＮＫＹのＺ方向の高さＺ１が、図１（ｃ）に示すようにＸ方向に沿って形成される隔壁ＢＮＫＸのＺ方向の高さＨ１に対してＺ２＞Ｚ１の関係を有して一体的に形成されている。つまり、Ｙ方向の隔壁ＢＮＫＹの高さＺ２がＸ方向の隔壁ＢＮＫＸの高さＺ１よりもＺ方向の高さが大きくして形成されている。
【００２９】
また、Ｘ方向の隔壁ＢＮＫＸ及びＹ方向の隔壁ＢＮＫＹに囲まれた各画素形成領域ＴＥＲは、図２に示すようにＸ方向に沿って配列される各画素形成領域ＴＥＲが異色画素の配列を構成し、Ｙ方向に沿って配列される各画素形成領域ＴＥＲが同色画素の配列を構成する。
【００３０】
Ｘ方向とＹ方向とで高さの異なる隔壁ＢＮＫの形成方法としては、ある隔壁の高さに対してハーフ露光により１フォトリソプロセスまたは同じ高さの隔壁を形成した後に高い隔壁を継ぎ足す２フォトリソプロセスにより容易に形成することができる。また、この隔壁ＢＮＫの形成材料としては、例えばアクリル樹脂，ポリイミド樹脂またはノボラック樹脂などの有機材料またはＳｉＮ，ＳｉＯなどの無機材料が用いられる。
【００３１】
なお、隔壁ＢＮＫを有機材料により形成した場合には、成膜後、この隔壁ＢＮＫに撥インク性を付与するために例えばＳＦ6プラズマ処理を施してその表面を撥水化させる。また、画素形成領域ＴＥＲ内に有機発光層を形成する有機材料として高分子系または低分子系有機材料をそれぞれ溶解可能な溶媒で溶解し、均質溶液とし、所定の膜厚となるように例えばインクジェット法により滴下して乾燥する。有機発光層を形成した後は電極を形成して封止する。
【００３２】
このように構成された隔壁ＢＮＫは、Ｙ方向の隔壁ＢＮＫＹの高さＺ２をＸ方向の隔壁ＢＮＫＸの高さＺ１よりも高くして形成したことにより、図６に斜視図で示したようにＹ方向の隔壁ＢＮＫＹに沿って配列された画素形成領域ＴＥＲ内に図７に示すように同じ色を発光する有機材料溶液、例えば赤色発光有機材料溶液ＯＬＥＲをこの画素形成領域ＴＥＲの内容積ＶＲ１＝ＶＲ２＝・・・ＶＲｎに応じた溶液濃度の溶液量を矢印Ａ方向にライン状に滴下して塗布した後、この有機材料溶液ＯＬＥＲを乾燥させることによってＸ方向の隔壁ＢＮＫＸ上の有機材料溶液ＯＬＥＲは撥水作用により弾かれて図８に斜視図で示すようにＹ方向の各画素形成領域ＴＥＲ内に均質な赤色発光有機発光層ＯＬＥ（Ｒ）が形成される。
【００３３】
また、図７に示すように赤色発光有機発光層ＯＬＥ（Ｒ）に隔壁ＢＮＫを介して隣接する青色用画素形成領域ＴＥＲＢに青色発光有機材料溶液をその内容積ＶＢ１＝ＶＢ２＝・・・ＶＢｎに応じた溶液濃度の溶液量をライン状に滴下して塗布した後、この青色発光有機材料溶液を乾燥させることによってＸ方向の隔壁ＢＮＫＸ上の青色発光有機材料溶液は撥水作用により弾かれてＹ方向の各画素形成領域ＴＥＲＢ内に均質な青色発光有機発光層を形成することができる。
【００３４】
つまり、本実施例では、隔壁ＢＮＫは異色画素と隣接する隔壁ＢＮＫＹの高さよりも同色画素と隣接する隔壁ＢＮＫＸの高さを低くしている。現行では、隔壁の高さを均一の高さにすることではなく、また、同色画素と隣接する隔壁の高さをゼロとすることではなく、異色画素と隣接する隔壁の高さより低く、ゼロよりも高くしている。具体的には、塗布された有機材料溶液が異色画素へ濡れ広がらない高い隔壁と、塗布された有機材料溶液が濡れ広がっても良いが、画素端部でリーク電流が発生しない程度の厚さを備えた低い隔壁と組み合せることにより、混色の発生を抑制している。
【００３５】
したがって、Ｙ方向の隔壁ＢＮＫＹの高さがＸ方向の隔壁ＢＮＫＸよりも高く形成されているので、図７に示すように赤色発光有機材料溶液ＯＬＥＲがＹ方向の隔壁ＢＮＫＹを矢印Ｂで示す方向に乗り越えて隣接する異色画素形成領域、例えば青色画素形成領域ＴＥＲＢ内に濡れ広がることを抑止できるので、異色発光有機層を混色させることはない。また、隣接する異色発光の有機材料溶液についても全く同様である。
【００３６】
現行では、高分子系有機発光層を作製しているインクジェット法は、隔壁内に一定量の有機材料溶液を滴下しているが、溶液射出量や溶液滴下位置のバラツキ及びインク混色などの問題が生じていることから、容易なプロセスとは言い難い。また、画像表示装置の高解像度化に伴い、上記問題はより困難なプロセスが強いられる。これに対して本実施例では、同色画素間の隔壁ＢＮＫＸの高さＺ１が異色画素間の隔壁ＢＮＫＹの高さＺ２よりも低く形成することにより、Ｙ方向の隔壁ＢＮＫＹ間に同一濃度の有機材料溶液ＳＯＬを滴下し、隔壁内容積に応じた溶液量を塗布（注入）することによって成膜することができるので、簡単で且つ容易なプロセスで均質な有機発光層の形成が可能となる。また、容易なプロセスにより高解像度化が容易に実現できる。
【００３７】
次に、上記実施例１の構成において、画素形成領域ＴＥＲ内に有機発光層を形成する方法について説明する。まず、薄膜トランジスタＴＦＴを形成した透光性メイン基板ＳＵＢ１の画素電極である陽極上にホール注入層としてＰＥＤＴ（ポリエチレンジオキシチヨフェン）／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）を約４０ｎｍの厚さに成膜した後、各色の発光層として、青色発光層は、Ｆ８（ポリジオクチルフルオレン）を約４５ｎｍの厚さに成膜した。また、緑色発光層は、ＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）を約３０ｎｍ，Ｆ８を約４５ｎｍの厚さに積層して成膜した。
【００３８】
さらに、赤色発光層は、Ｒ-ＰＰＶを約４０ｎｍ，Ｆ８を約４５ｎｍの厚さに積層して成膜した。その後、ＬｉＦ（フッ化リチウム）を約２ｎｍの厚さに成膜した。さらに陰極材料としてＣａ（カルシウム）を約１００ｎｍ，Ａｌ（アルミニウム）を約２００ｎｍの厚さに積層して成膜した。最後にＳｉＮ（窒化シリコン）を約５０ｎｍ厚さで３層積層した。このようにして形成された有機発光素子に陽極と陰極との間に直流電圧約６Ｖを印加すると、輝度が約８００ｃｄ／ｍ2以上の白色発光を得ることができた。
【００３９】
また、上記実施例１の構成において、画素形成領域ＴＥＲ内に有機発光層を形成する他の方法について説明する。まず、薄膜トランジスタＴＦＴを形成した透光性メイン基板ＳＵＢ１の画素電極である陽極上にホール注入層としてＰＥＤＴ（ポリエチレンジオキシチヨフェン）／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）を約４０ｎｍの厚さに成膜した後、各色の発光層として、青色発光層は、Ｆ８（ポリジオクチルフルオレン）を約４５ｎｍの厚さに成膜した。また、緑色発光層は、ＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）を約３０ｎｍ，Ｆ８を約４５ｎｍの厚さに積層して成膜した。
【００４０】
さらに、赤色発光層は、Ｒ-ＰＰＶを約４０ｎｍ，Ｆ８を約４５ｎｍの厚さに積層して成膜した。その後、ＬｉＦを約２ｎｍの厚さに成膜した。陰極材料としてＣａ／Ａｌを約５ｎｍの厚さに積層して成膜した。最後にＳｉＮを約５０ｎｍ厚さで３層積層した。このようにして形成された有機発光素子に陽極と陰極との間に直流電圧約６Ｖを印加すると、輝度が約８００ｃｄ／ｍ2以上の白色発光を得ることができた。
【００４１】
また、上記実施例１の構成において、画素形成領域ＴＥＲ内に有機発光層を形成するさらに他の方法について説明する。まず、薄膜トランジスタＴＦＴを形成した透光性メイン基板ＳＵＢ１の画素電極である陽極上にホール注入層としてＭＴＤＡＴＡ（４，４’４”-トリス[-Ｎ-（-３-メチルフェニル）-Ｎ-フェニルアミド]トリフェニルアミン）を約７０ｎｍ，α-ＮＰＤを約１０ｎｍ，ジスチリルベンゼン誘導体（ＤＴＶＢｉ）／ペリレンを約６０ｎｍ（５％），トリス（８-ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（Ａｌｑ）を約６０ｎｍの厚さに順次成膜した。
【００４２】
その後、緑色発光層は、ＭＴＤＡＴＡを約７０ｎｍ，α-ＮＰＤを約１０ｎｍ，Ａｌｑ／キナクドリンを約６０ｎｍ（５％），Ａｌｑを約６０ｎｍの厚さにそれぞれ積層して成膜した。また、赤色発光層は、ＭＴＤＡＴＡを約７０ｎｍ，α-ＮＰＤを約１０ｎｍ，Ａｌｑ／ＤＣＭ２を約６０ｎｍ（２％），Ａｌｑを約６０ｎｍの厚さに順次成膜した。最後に陰極材料としてＡｌを約７０ｎｍ形成し、約５０ｎｍのＳｉＮ（窒化シリコン）を３層積層形成した。このようにして形成された有機発光素子に陽極と陰極との間に直流電圧約６Ｖを印加すると、輝度が約８００ｃｄ／ｍ2以上の白色発光を得ることができた。
【００４３】
次に、上記実施例１の構成において、画素形成領域ＴＥＲ内に有機発光層を形成する他の方法について説明する。まず、薄膜トランジスタＴＦＴを形成した透光性メイン基板ＳＵＢ１の画素電極である陽極上にホール注入層としてＭＴＤＡＴＡを約７０ｎｍ，α-ＮＰＤを約１０ｎｍ，ジスチリルベンゼン誘導体（ＤＴＶＢｉ）／ペリレンを約６０ｎｍ（５％），トリス（８-ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（Ａｌｑ）を約６０ｎｍの厚さに順次成膜した。
【００４４】
その後、緑色発光層は、ＭＴＤＡＴＡを約７０ｎｍ，α-ＮＰＤを約１０ｎｍ，Ａｌｑ／キナクドリンを約６０ｎｍ（５％），Ａｌｑを約６０ｎｍの厚さにそれぞれ積層して成膜した。また、赤色発光層は、ＭＴＤＡＴＡを約７０ｎｍ，α-ＮＰＤを約１０ｎｍ，Ａｌｑ／ＤＣＭ２を約６０ｎｍ（２％），Ａｌｑを約６０ｎｍの厚さに順次成膜した。最後に陰極材料としてＬｉＦを約０．５ｎｍ，Ｍｇ／Ａｇを約５ｎｍ形成し、約５０ｎｍのＳｉＮを３層積層形成した。このようにして形成された有機発光素子に陽極と陰極との間に直流電圧約６Ｖを印加すると、輝度が約８００ｃｄ／ｍ2以上の白色発光を得ることができた。
【００４５】
図９は、有機発光表示装置の全体構成例の説明図である。図１で説明した構成を有する画素（ＰＸ）をマトリクス状に配置して２次元の有機発光表示装置を構成している。各画素（ＰＸ）は、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１と、第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２と、コンデンサＣｓと、有機発光素子ＯＬＥＤとから構成される。有機発光素子ＯＬＥＤは、図１で説明した構造の画素を構成する。表示領域ＡＲ内には、各画素に駆動信号を供給するためのドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとが交差配置されている。メイン基板ＳＵＢ１の一部は封止ガラス基板ＳＵＢ２よりサイズが大きく、封止ガラス基板ＳＵＢ２からはみ出している。このはみ出し部分にドレインドライバＤＤＲが搭載され、ドレイン線ＤＬに表示信号を供給する。
【００４６】
一方、ゲートドライバＧＤＲは、封止ガラス基板ＳＵＢ２で覆われるメイン基板ＳＵＢ１上に所謂システム・オン・グラスと称する形態で直接形成されている。このゲートドライバＧＤＲにゲート線ＧＬが接続されている。なお、表示領域ＡＲには電源線ＣＬが配置されている。この電源線ＣＬは電源線バス線を介して図示しない端子で外部電源に接続されている。
【００４７】
ゲート線ＧＬは、画素ＰＸを構成する第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース・ドレイン電極の一方（ここではゲート電極）に接続し、ドレイン線ＤＬはソース・ドレイン電極の一方（ここではソース電極）に接続されている。この第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１は、画素ＰＸに表示信号を取り込むためのスイッチであり、ゲート線ＧＬで選択されてオンとなったときドレイン線ＤＬから供給される表示信号に応じた電荷を容量Ｃｓに蓄積する。第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２は、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１がオフした時点でオンとなり、容量Ｃｓに蓄積された表示信号の大きさに応じた電流を電源線ＣＬから有機発光素子ＯＬＥＤに供給する。有機発光素子ＯＬＥＤは供給された電流量に応じて発光する。
【００４８】
なお、前述した実施例においては、ボトムエミッション型の有機発光表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、トップエミッション型の有機発光表示装置に適用しても、前述した各実施例と同様の作用効果が得られることは勿論である。
【００４９】
また、前述した実施例においては、画像表示装置として有機発光素子を搭載する有機発光表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機発光素子を搭載したＴＶ，ＰＣモニタ，ノート型ＰＣ，ＰＤＡ，携帯電話器，デジタルスチルカメラ，デジタルビデオカメラまたはカーナビ用モニタ等の全般に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明による画像表示装置の実施例１を説明する有機発光表示装置の構成を模式的に示す図であり、図１（ａ）は要部平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´線に沿って切断した断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ´線に沿って切断した断面図である。
【図２】図１の斜視図である。
【図３】図１（ａ）のＸ方向で切断した薄膜トランジスタ及び走査配線部の要部断面図である。
【図４】図１（ａ）Ｘ方向で切断したデータ線及び隔壁部の要部断面図である。
【図５】図１（ａ）のＹ方向で切断した薄膜トランジスタ，走査配線及び低隔壁部の要部断面図である。
【図６】隔壁内に有機材料溶塗布後の状態を示す要部斜視図である。
【図７】隔壁内に有機材料溶塗布後の状態を示す要部拡大斜視図である。
【図８】隔壁内に有機材料溶塗布後、乾燥後の状態を示す要部斜視図である。
【図９】有機発光表示装置の全体構成例の説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
ＳＵＢ・・・メイン基板（透光性基板）、ＳＵＢ１・・・メイン基板（透光性基板）、ＳＵＢ２・・・封止ガラス基板（絶縁性基板）、ＴＦＴ・・・薄膜トランジスタ、ＡＤ・・・陽極（第１の電極）、ＣＤ・・・陰極（第２の電極）、ＯＬＥ・・・有機発光層、ＯＬＥ（Ｒ）・・・赤色有機発光層、ＯＬＥ（Ｇ）・・・緑色有機発光層、ＯＬＥ（Ｂ）・・・青色有機発光層、ＯＬＥＤ・・・有機発光素子、ＰＳＩ・・・ポリシリコン半導体層、ＩＬ・・・層間絶縁膜、ＤＬ・・・データ信号配線、ＰＬ・・・電源配線、ＰＳＶ・・・パッシベーション層、Ｌ・・・発光光、ＢＮＫ・・・隔壁（バンク）、ＢＮＫＸ・・・Ｘ方向の隔壁、ＢＮＫＹ・・・Ｙ方向の隔壁、ＳＯＬ・・・有機材料溶液、ＴＥＲ・・・画素形成領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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