(57)【要約】【課題】  検体の狭い間隔で２次元に配置された電極に導通できるプローブユニット及びその製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁性の基板と、前記基板上の直線状のリード非形成領域の両側に形成されている複数のリードと、前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層と、前記析出領域上に形成され前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部と、を備える。【選択図】    図１
2007003207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板と、
前記基板上の直線状のリード非形成領域の両側に形成されている複数のリードと、
前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層と、
前記析出領域上に形成され前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部と、
を備えるプローブユニット。
【請求項２】
前記基板は可塑性の材料で形成されており、前記接触部の配列方向に前記基板を伸張させるために保持される保持部を有する請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
前記保持部は貫通孔である請求項２に記載のプローブユニット。
【請求項４】
前記リードは、前記基板が内側になるように前記基板とともに折り曲げられ、
前記基板間に狭持される弾性部材を更に備える請求項１から３のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項５】
前記基板は、前記リード非形成領域の両側の前記接触部間で前記弾性部材と接触することにより、前記リード非形成領域の両側の前記接触部間の部位が外側に突に曲がっている請求項４に記載のプローブユニット。
【請求項６】
絶縁性の基板上の直線状のリード非形成領域の両側に複数のリードを形成する段階と、
前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層を前記基板上に形成する段階と、
前記析出領域上に前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部を電解めっきで形成する段階と、
を含むプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブユニット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１、２には、検体の電極に接触する複数の接触部が基板上に２次元に配置されているプローブユニットが記載されている。複数の接触部が基板上に２次元に配置されているプローブユニットは、電極が２次元に配置された検体と導通できる。
しかしながら、特許文献１に記載のプローブユニットでは、絶縁層のリードの一部を露出させる開口部に導電性物質を充填することにより接触部を形成している。したがって微細な接触部を狭い間隔で配置するためには、それらに対応する開口部を絶縁層に形成する必要がある。ところが絶縁層に微細な開口部を狭い間隔で形成することは容易ではない。一方、特許文献２に記載のプローブユニットでは、並列するリード上に接触部を形成しているため、製造プロセスにより規定されるリード間の最小間隔以下の間隔で接触部を配置することができないという問題がある。
【特許文献１】特許３１７７９２３
【特許文献２】特開２００３−１４７８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、検体の狭い間隔で２次元に配置された電極に導通できるプローブユニット及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）上記目的を達成するためのプローブユニットは、絶縁性の基板と、前記基板上の直線状のリード非形成領域の両側に形成されている複数のリードと、前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する前記基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層と、前記析出領域上に形成され前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部と、を備える。
リードのリード非形成領域による分離幅をリードの製造プロセスにより規定されるリード間の最小間隔（以下、リードの最小間隔という。）以上にすれば、リード非形成領域の両側のリードを互いの配置に制約されることなく基板上に形成することができる。さらにリード非形成領域の両側にリード非形成領域の長手方向に交互に位置するリードの析出領域上に接触部を形成することにより、リードの最小間隔以下の間隔で接触部を２次元に配列できるため、検体の狭い間隔で２次元に配置された電極に導通することができる。
【０００５】
（２）前記基板は可塑性の材料で形成されており、前記接触部の配列方向に前記基板を伸張させるために保持される保持部を有してもよい。
保持部を保持して接触部の配列方向に基板を伸張させることにより、製造後に接触部の間隔を広げることができる。例えば接触部のピッチを予め適正なピッチよりも狭く製造することにより、製造後に接触部のピッチを適正なピッチに調整することができる。
【０００６】
（３）前記保持部は貫通孔であってもよい。
貫通孔に治具等を貫通させることにより、基板を確実に保持することができる。
【０００７】
（４）前記リードは、前記基板が内側になるように前記基板とともに折り曲げられ、前記基板間に狭持される弾性部材を更に備えてもよい。
接触部と検体との過度な接触圧を弾性部材により抑制することができる。
【０００８】
（５）前記基板は、前記リード非形成領域の両側の前記接触部間で前記弾性部材と接触することにより、前記リード非形成領域の両側の前記接触部間の部位が外側に突に曲がっていてもよい。
リード非形成領域の両側の接触部は基板の曲がりに応じてＶの字状に傾斜する。この状態で検体にプローブユニットを相対的に接近させると、プローブユニットはリード非形成領域の両側の接触部の対向する端部で検体に接触するため、大きな接触圧で確実に検体と導通することができる。
【０００９】
（６）上記目的を達成するためのプローブユニットの製造方法は、絶縁性の基板上の直線状のリード非形成領域の両側に複数のリードを形成する段階と、前記リード非形成領域の両側に前記リード非形成領域の長手方向に交互に位置する前記リードの析出領域と、隣り合う前記析出領域間に位置する基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層を前記基板上に形成する段階と、前記析出領域上に前記リード上の前記絶縁層より厚い接触部を電解めっきで形成する段階と、を含む。
リード非形成領域の両側にリード非形成領域の長手方向に交互に位置するリードの析出領域と、隣り合う析出部間に位置する基板の領域とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層の形状は、リードの析出領域のみを露出させる複数の開口部を有する絶縁層の形状と比較して単純な形状である。このように単純な形状の絶縁層をマスクとしてリードの析出部上に接触部を電解めっきで形成することにより、絶縁層の製造公差に制約されることなく、狭い間隔で２次元に配列された接触部を形成することができる。
【００１０】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」ことと、「・・・上に中間物を介して形成する」ことの両方を含む意味とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を複数の実施例に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
（第一実施例）
図１は本発明の第一実施例によるプローブユニットの模式図である。（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ線による断面図である。図２及び図３は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図である。以下、図２及び図３に基づいて図１に示すプローブユニット１の製造方法について説明する。
【００１２】
はじめに、絶縁性の基板１０上にスパッタ等によりシード層１２を形成する（図２（Ａ１）、（Ｂ１）参照）。基板１０は、例えばポリイミド等の樹脂で厚さ２５μｍのフィルム状に形成されている。シード層１２は、リードを電解めっきで形成するための導電性を有し、例えばＮｉ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｃｏ等のＮｉ合金やＣｕ等で形成される。シード層１２の膜厚は例えばリードの膜厚の半分以下とする。尚、基板１０は、ジルコニア、アルミナなどのセラミック、ガラス、ガラスセラミック等の無機材料、無機材料と樹脂等の有機材料との複合材でもよい。また、シード層１２の形成前に基板１０上に密着層を形成してもよい。密着層は、シード層１２よりも基板１０との接合強度が高く、基板１０よりもシード層１２との接合強度が高くなるＴｉ、Ｃｒ等で形成する。また、シード層１２の形成方法はスパッタに限定されるものではなく、例えばシード層１２としての銅箔を基板１０に接着してもよい。
【００１３】
次に、リードを形成するための複数のスリット１６（図２（Ａ３）、（Ｂ３）参照）を有するレジスト層１４をシード層１２上に形成する（図２（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。スリット１６は基板１０上のリード非形成領域１８の両側に形成されており、リード非形成領域１８には形成されていない。ここでリード非形成領域１８とは、リードの製造プロセスにより規定されるリード間の最小間隔以上の幅でその両側のスリット１６内に形成されるリードを分離するための領域である。リードはリード非形成領域１８の両側にリードの最小間隔以上離間して形成されるため、リード非形成領域１８の両側に形成されるリードの配置は互いの配置に制約されない。スリット１６からはシード層１２の一部が露出している。レジスト層１４は、感光性レジストを塗布し、スリット１６の形状に対応するマスクで感光、現像することにより形成する。感光性レジストの現像でレジスト層１４を形成することにより、微細なスリット１６を形成することができる。この結果、微細なリードを形成することができる。
【００１４】
次に、電解めっきによりレジスト層１４のスリット１６内にリード２０を形成する（図２（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。リード２０は、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｃｕ等の金属で形成される。尚、リード２０の表面上にＡｕ、Ａｕ合金、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ等の金属で表面層を形成してもよい。リード２０の表面上に表面層を形成することにより、リード２０の酸化を防止したり、リード２０の電気抵抗を低減することができる。特に高周波の電気信号は表皮効果によって表面層を伝わるため、高周波の信号に対する導体損を効果的に低減することができる。
【００１５】
次に、レジスト層１４を除去する（図３（Ａ５）、（Ｂ５）参照）。レジスト層１４の除去には、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）等のレジスト剥離液を用いる。
次に、リード２０から露出しているシード層１２を酸性又はアルカリ性のエッチング液を用いて除去する（図３（Ａ６）、（Ｂ６）参照）。尚、シード層１２はイオンミリング等により除去してもよい。以上説明した一連の工程が請求項に記載の「リードを形成する段階」に相当する。
【００１６】
次に、リード非形成領域１８の両側にリード非形成領域１８の長手方向（矢印１５０参照）に交互に位置するリード２０の析出領域２２と、隣り合う析出領域２２間に位置する基板１０の領域（図３（Ｂ７）に斜線で示す領域参照）２４とを少なくとも除いた領域を覆う絶縁層３０を基板１０上に形成する（図３（Ａ７）、（Ｂ７）参照）。絶縁層３０はアクリル樹脂等の絶縁物質で形成される。このような絶縁層３０は、複数の矩形の島部（例えば島部３０ａ、島部３０ｂ、島部３０ｃ）の組み合わせ等の単純な形状で形成可能である。この工程が請求項に記載の「絶縁層を形成する段階」に相当する。
【００１７】
尚、絶縁層３０は図３（Ａ７）、（Ｂ７）に例示した形状に限定されない。例えば絶縁層３０は、図４に示すようにリード非形成領域１８の両側のリード２０の先端部２０ａを含む析出領域２２を交互に露出させ、リード非形成領域１８の両側の隣り合う析出領域２２の間に位置する基板１０の領域をそれぞれに露出させる２つの矩形の島部２３０ａ、島部２３０ｂで構成されてもよい。また、絶縁層３０は、図５に示すようにリード非形成領域１８の両側のリード２０の析出領域２２をそれぞれに露出させ、リード非形成領域１８の両側の隣り合う析出領域２２の間に位置する基板１０の領域をそれぞれに露出させる開口部２６と開口部２７を有する形状でもよいし、図５に示した絶縁層３０の開口部２６と開口部２７とをリード非形成領域１８側に拡大して連通させた１つの開口部を有する形状でもよい。
【００１８】
次に、図３（Ａ８）、（Ｂ８）に示すように、絶縁層３０をマスクとした電解めっきにより、リード２０の析出領域２２上にリード２０上の絶縁層３０より厚い接触部４０を形成する。すなわち接触部４０は、リード２０の厚さ（ｔｒ）と絶縁層３０の厚さ（ｔｉ）と接触部４０の厚さ（ｔｃ）とに次式（１）に示す関係が成立するように形成される。
ｔｃ＞ｔｉ−ｔｒ・・・（１）
この結果、基板１０を基準とした高さが絶縁層３０より高く絶縁層３０から突出した接触部４０を形成することができる。例えばリード２０を厚さ（ｔｒ）１０μｍ、絶縁層３０を厚さ（ｔｉ）２５μｍ、接触部４０を厚さ（ｔｃ）１８μｍに形成した場合、リード２０上の絶縁層３０の厚さは１５μｍ（＝ｔｉ−ｔｒ）となるため、基板１０を基準とした高さが絶縁層３０より３μｍ高く絶縁層３０から突出した接触部４０を形成することができる。
【００１９】
図６は、プローブユニット１の隣り合うリード２０の間隔（ｄ）とリード２０の配列方向の幅（ｗ）と接触部４０の厚さ（ｔｃ）との関係を示す模式図である。
接触部４０は電解めっきにより等方的に成長するため、隣り合うリード２０が接触部４０により短絡するおそれがある。この接触部４０によるリード２０の短絡を防止するため、接触部４０は、式（１）に加えて、リード２０間の間隔（ｄ）とリード２０の配列方向の幅（ｗ）と接触部４０の厚さ（ｔｃ）とに次式（２）に示す関係が成立するように形成される。
ｄ−ｗ＞ｔｃ×２・・・（２）
接触部４０は、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｃｕ等の金属で形成される。接触部４０は、リード２０と同一材料で形成されてもよいし、リード２０と異なる材料で形成されてもよい。この工程が請求項に記載の「接触部を形成する段階」に相当する。
【００２０】
以上説明した本発明によるプローブユニットの製造方法によると、リード２０をリード非形成領域１８で分離することにより、リード非形成領域１８の両側のリード２０を互いの配置に制約されることなく基板１０上に形成することができる。さらに、リード２０のリード非形成領域１８の両側にリード非形成領域１８の長手方向に交互に位置する析出領域２２上に接触部４０を形成することにより、リード２０の最小間隔以下の間隔で接触部４０を２次元に配列することができる。つまり本発明によるプローブユニットの製造方法によると、検体の狭い間隔で２次元に配置された電極に導通可能なプローブユニットを製造することができる。
また、単純な形状の絶縁層３０をマスクとして電解めっきで接触部４０を形成することにより、絶縁層３０の製造公差に制約されることなく、接触部を狭い間隔で２次元に配列することができる。
【００２１】
次に、上述の製造方法で製造されるプローブユニットについて説明する。
図１に示すプローブユニット１は、液晶パネルやＩＣ（Integrated Circuit）等の検体の電気的特性を検査するための検査装置（以下、プローバという。）に装着されるものである。プローブユニット１は、基板１０、リード２０、絶縁層３０、接触部４０等から構成されている。リード２０は、基板１０上のリード非形成領域１８の両側に形成されている。接触部４０は、リード非形成領域１８の両側にリード非形成領域１８の長手方向に交互にリード２０上に形成されている。接触部４０は、リード２０上の絶縁層３０より厚く形成され、絶縁層３０から突出している。絶縁層３０は、検体の検査時に接触部４０を検体の電極に接触させる際に、リード２０が検体に接触することによって検体又はリード２０が短絡することを防止する。
【００２２】
尚、先端部２０ａがリード非形成領域１８の両側にリード非形成領域１８の長手方向に交互に配列された直線状の複数のリード２０を例示した。しかし、リード２０は接触部４０が形成される析出領域２２（図３（Ｂ７）に斜線で示す領域参照）がリード非形成領域１８の両側にリード非形成領域１８の長手方向に交互に配列可能な形状であればよく、リード２０は蛇行していてもよいし、複数のリード２０は並列していなくてもよい。
【００２３】
次に、図７から図９を用いてプローブユニット１の２種類の使用例について説明する。
図７及び図８は、プローブユニット１の第一の使用例を説明するための図である。プローブユニット１のリード２０は、配線基板１００と中継基板１１０を介してプローバと電気的に接続されている。
図７に示すように、リード非形成領域１８の一方側のリード２０は、基板１０が内側になるように基板１０とともに折り曲げられる。この結果、リード非形成領域１８の一方側のリード２０の基端部２０ｂは、リード非形成領域１８の他方側のリード２０の基端部２０ｂ側に折り返される。図８に示すように、折り曲げた基板１０間にはゴム等の弾性部材１２０が狭持させる。接触部４０と検体５０との接触圧に応じて弾性部材１２０が変形することより、接触部４０と検体５０との過度な接触圧を抑制することができる。
【００２４】
図７に示すように、リード非形成領域１８の他端側のリード２０は、配線基板１００の対応するリード１０２に接続される。リード非形成領域１８の一方側のリード２０は、中継基板１１０の対応するリード１１２を介して、配線基板１００の対応するリード１０４に接続される。プローブユニット１と配線基板１００、プローブユニット１と中継基板１１０、中継基板１１０と配線基板１００は、例えばＡＣＦ圧着等で固定すればよい。配線基板１００の絶縁層１０６、１０８及び中継基板１１０の絶縁層１１６は、他の導電性の部材との接触により、それぞれ配線基板１００のリード１０２、１０４及び中継基板１１０のリード１１２が短絡することを防止するためのものである。
【００２５】
図８に示すように、プローブユニット１はプローバの治具１３０に固定される。はじめに、検体５０の電極５２と接触部４０とが一対一で対応するように、プローブユニット１を検体５０に対して相対的に移動させる。次に、検体５０にプローブユニット１を相対的に接近させることにより、検体５０の電極５２に接触部４０を接触させる。上述したようにプローブユニット１の接触部４０は狭い間隔で２次元に配列可能であるため、検体５０の狭い間隔で２次元に配置された電極５２に導通することができる。
【００２６】
図９は、プローブユニット１の第二の使用例を説明するための図である。
プローブユニット１の第二の使用例は、第一の使用例と弾性部材１２０の形状及び基板１０が弾性部材１２０に接触する部位が異なる。プローブユニット１の第二の使用例では、基板１０は、リード非形成領域１８の両側の接触部４０間で弾性部材１２０と接触し、その他の部位では弾性部材１２０と接触していない。この結果、基板１０は、リード非形成領域１８の両側の接触部４０間の部分が折り曲げられた基板１０の外側、すなわち検体５０側に突に曲がり、リード非形成領域１８の両側の接触部４０は、基板１０の曲がりに応じてＶの字状に傾斜する。この状態で検体５０にプローブユニット１を相対的に接近させると、プローブユニット１はリード非形成領域１８の両側の接触部４０の対向する端部４０ａで検体５０の電極５２に接触するため、大きな接触圧で確実に検体５０と導通することができる。
【００２７】
（第二実施例）
図１０は、本発明の第二実施例によるプローブユニット２の平面図である。
プローブユニット２は、第一実施例によるプローブユニット１の使用例で説明したように、リード非形成領域１８の一方側のリード２０を基板１０が内側になるように基板１０とともに折り曲げて使用される。プローブユニット２の各構成要素は、基板１０に切り欠き部２００が形成されていることを除き、第一実施例によるプローブユニット１の対応する構成要素と実質的に同一である。
【００２８】
切り欠き部２００は、基板１０の接触部４０の配列方向の両側に形成され、上述したリード２０の折り曲げの位置を示している。リード２０を切り欠き部２００が示す位置（点線１６０参照）で折り曲げることにより、リード２０を容易に折り曲げることができ、リード２０を適正な位置で折り曲げることができる。例えば基板１０がフィルム状の樹脂である場合、切り欠き部２００を有する基板１０は、切り欠き部２００に対応する形状の型で母材から打ち抜くことにより形成することができる。尚、基板１０の接触部４０の配列方向の両側に２つの切り欠き部２００が形成されたプローブユニット２を例示したが、切り欠き部２００は基板１０の両側に１つ形成されてもよいし、３つ以上形成されてもよいし、基板１０の接触部４０の配列方向の片側に形成してもよい。また切り欠き部２００はどのような形状でもよい。
【００２９】
（第三実施例）
図１１は、本発明の第三実施例によるプローブユニット３の平面図である。
プローブユニット３の各構成要素は、基板１０にマーク３００が付されていることを除き、第一実施例に係るプローブユニット１と実質的に同一である。
プローブユニット３は第二実施例と同様に折り曲げられて使用される。またマーク３００は、基板１０上の第二実施例に係る切り欠き部２００と同様の位置に付されている。リード２０をマーク３００の位置で折り曲げることにより、リード２０を適正な位置で折り曲げることができる。基板１０上にリード２０を形成する工程においてリード２０と同一材料でマーク３００をリード２０と同時に形成することにより、基板１０にマーク３００を精度よく付すことができる。尚、基板１０の接触部４０の配列方向の両側に１つ又は２つのマーク３００が付されたプローブユニット３を例示したが、マーク３００は基板１０の両側に３つ以上付されてもよいし、基板１０の接触部４０の配列方向の片側に付されてもよい。またマーク３００はどのような形状でもよい。
【００３０】
（第四実施例）
図１２は、本発明の第四実施例によるプローブユニット４の平面図である。
プローブユニット４の各構成要素は、基板４１０を除き、第一実施例に係るプローブユニット１と実質的に同一である。
基板４１０は可塑性の材料で形成されている。基板４１０には、その外縁の一部が接触部４０の配列方向の両側に突出する突出部４００が形成されている。プローブユニット４の使用者は、保持部としての突出部４００を保持して接触部４０の配列方向に基板４１０を伸張させることにより、プローブユニット４の製造後に接触部４０の間隔を広げることができる。例えば接触部４０のピッチを予め適正なピッチよりも狭く製造することにより、製造後に接触部４０のピッチを適正なピッチに調整することができる。尚、接触部４０の配列方向の両側の１箇所に突出部４００が形成された基板４１０を例示したが、突出部４００は基板４１０の接触部４０の配列方向の両側の複数箇所に形成してもよい。また突出部４００は接触部４０の配列方向に基板４１０を伸張するために保持できればよく、その形状はどのような形状でもよい。また突出部４００は基板４１０と別体であってもよい。
【００３１】
（第五実施例）
図１３は、本発明の第五実施例によるプローブユニット５の平面図である。
プローブユニット５の各構成要素は、基板５１０に形成されている保持部の形状を除き、第四実施例に係るプローブユニット４と実質的に同一である。
基板５１０の接触部４０の配列方向の両側には貫通孔５００が形成されている。プローブユニット５の使用者は、保持部としての貫通孔５００に治具等を貫通させることにより基板５１０を確実に保持しながら、第四実施例に係るプローブユニット４と同様にしてプローブユニット５の製造後に接触部４０の間隔を広げることができる。貫通孔５００の周囲には、貫通孔５００を補強するためのパターン５０２を形成することが望ましい。パターン５０２は、例えば基板５１０上にリード２０を形成する工程においてリード２０と同一材料でリード２０と同時に形成する。尚、接触部４０の配列方向の両側の１箇所に貫通孔５００が形成された基板５１０を例示したが、貫通孔５００は基板５１０の接触部４０の配列方向の両側の複数箇所に形成してもよい。また貫通孔５００は接触部４０の配列方向に基板５１０を伸張するために保持できればよく、その形状はどのような形状でもよい。
【００３２】
（第六実施例）
図１４は、本発明の第六実施例によるプローブユニット６の平面図である。
プローブユニット６の構成要素は、基板６１０を除き、第一実施例に係るプローブユニット１と実質的に同一である。
プローブユニット６は第二実施例と同様に折り曲げられて使用される。基板６１０の接触部４０側に付されたアライメントマーク６００を基板６１０の接触部４０と反対側から認識できるように、基板６１０は光が透過するように例えば透明樹脂等で形成されている。基板６１０は、折り曲げられた状態で接触部４０が形成されている側の面（矢印１５２参照）にその面に対向する面（矢印１５４参照）が重ならない部位（領域１１４参照）ができるように形成されている。そして基板６１０の折り曲げられた状態で重ならない部位にはアライメントマーク６００が付されている。基板６１０の折り曲げられた状態で重ならない部位の透明度は折り曲げられた状態で重なる部位の透明度より高いため、プローブユニット６では、アライメントマーク６００を精度よく認識することができ、アライメントマーク６００により検体５０の電極５２と接触部４０とを精度よく位置合わせすることができる。
尚、第二実施例から第六実施例に説明した特徴的な構成要素を組み合わせてもよい。例えば、図１５に示すプローブユニット７のように、第六実施例によるプローブユニット６の基板６１０に第四実施例に係る突出部４００を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第一実施例によるプローブユニットの模式図。
【図２】本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図３】本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【図４】（Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの変形例を示す平面図。（Ｂ）は（Ａ）のＩＶ−ＩＶ線による断面図。
【図５】本発明の第一実施例によるプローブユニットの変形例の平面図。
【図６】リードの間隔とリードの幅と接触部の厚さとの関係を示す模式図。
【図７】本発明の第一実施例によるプローブユニットの使用例を示す模式図。
【図８】本発明の第一実施例によるプローブユニットの使用例を示す模式図。
【図９】本発明の第一実施例によるプローブユニットの使用例を示す模式図。
【図１０】本発明の第二実施例によるプローブユニットの平面図。
【図１１】本発明の第三実施例によるプローブユニットの平面図。
【図１２】本発明の第四実施例によるプローブユニットの平面図。
【図１３】本発明の第五実施例によるプローブユニットの平面図。
【図１４】本発明の第六実施例によるプローブユニットの平面図。
【図１５】本発明によるプローブユニットの変形例を示す平面図。
【符号の説明】
【００３４】
１、２、３、４、５、６、７  プローブユニット、１０、４１０、５１０、６１０、７１０  基板、１８  リード非形成領域、２０  リード、２２  析出領域、３０  絶縁層、４０  接触部、５０  検体、１２０  弾性部材、４００  突出部（保持部）、５００  貫通孔（保持部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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