(57)【要約】【課題】エミュレーションモード時に書き込みモードと誤検出することを未然に防止し、ＴＣＸＯの製造歩留まりの改善を図る発振器の検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリアルパラレル変換部２は、温度補償データの１ビット目を記憶するＤ１フリップフロップ９と、２ビット目を記憶するＤ２フリップフロップ１０と、以降ｎビット目を記憶するＤｎフリップフロップ１１と、により構成し、メモリ部３は、同一な回路構成を有する第一のメモリ回路部１２と、第二のメモリ回路部１３と、以降第ｎのメモリ回路部１４と、により構成されている。そこで、エミュレーションモードの制御信号の条件は、Ｔ１信号をＨレベルとし、Ｔ２信号をＬレベルとし、一方、書き込みモードの制御信号の条件は、Ｔ１信号をＨレベルとし、Ｔ２信号もＨレベルとした。【選択図】図３
2007335940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一時的にデータを記憶する第一のメモリと、不揮発性メモリからなる第二のメモリと、
外部から入力される第一及び第二の制御信号が共にハイレベルのときに前記第一のメモリ
のデータを前記第二のメモリに書き込むように制御する制御手段と、を備えたことを特徴
とするメモリ回路。
【請求項２】
少なくとも発振回路と温度補償回路を含んだ温度補償発振回路と、
温度補償データをメモリするためのメモリ回路と、を備え、
前記メモリ回路は、一時的にデータを記憶する第一のメモリと、不揮発性メモリからな
る第二のメモリと、外部から入力される第一及び第二の制御信号が共にハイレベルのとき
に前記第一のメモリのデータを前記第二のメモリに書き込むように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする発振器。
【請求項３】
入力される第一の制御信号をハイレベル、入力される第二の制御信号をローレベルにし
て一時的にデータを記憶する第一のメモリに記憶させた仮データに基づいて特性検査を行
う工程と、前記第一及び第二の制御信号を共にハイレベルにして前記第一のメモリに記憶
させた正規データを不揮発性メモリからなる第二のメモリへ書き込む工程と、前記第２の
メモリへ正規データを書き込んだ状態で特性検査を行う工程と、からなることを特徴とす
る発振器の検査方法。
【請求項４】
第一の制御信号が入力される第一の入力端子、或いは第二の制御信号が入力される第二
の入力端子が正常に機能していることを確認する工程と、
前記第一の制御信号をハイレベル、前記第二の制御信号をローレベルにして一時的にデ
ータを記憶する第一のメモリへ記憶させた仮データに基づいて特性検査を行う工程と、前
記第一及び第二の制御信号を共にハイレベルにして前記第一のメモリに記憶させた正規デ
ータを不揮発性メモリからなる第二のメモリへ書き込む工程と、前記第２のメモリへ正規
データを書き込んだ状態で特性検査を行う工程と、からなることを特徴とする発振器の検
査方法。
【請求項５】
前記第一の入力端子或いは前記第二の入力端子が正常に機能しているか否かの確認は、
前記第一の入力端子或いは前記第二の入力端子とグランド間に所定の電圧を印加したとき
に所定電流が流れるか否かによって確認することを特徴とする請求項４に記載の発振器の
検査方法。
【請求項６】
前記発振器は、温度補償水晶発振器であり、前記データは温度補償データであることを
特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載の発振器の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリ回路、発振器、発振器の検査方法に関わり、特に、メモリに記憶した
補償データを用いて発振器の発振周波数を周囲温度の変化に対して安定化する温度補償発
振器に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
圧電発振器の出力周波数は種々の要因で変化するが、比較的周波数の安定度が高い水晶
発振器においても、周囲温度、電源電圧、及び、出力負荷等の条件変化による周波数変動
が発生する。そこで、これらに対応する手段は種々のものが提案されており、例えば温度
変化に関しては水晶発振器に温度補償回路を付加し、この温度補償水晶発振器（以降、Ｔ
ＣＸＯと称す）の発振ループの負荷容量を変化させて、水晶振動子固有の温度−周波数特
性変動を相殺している。
【０００３】
従来、ＴＣＸＯの小型化や、製造工程の簡易化を図るため、温度補償データをメモリに
格納して温度補償回路や発振回路などをＩＣ化したＴＣＸＯの開発がなされ、実用化され
ている。
従来、ＴＣＸＯを生産する際は、ＴＣＸＯの組み立て終了後、ＴＣＸＯに内蔵したメモ
リに温度補償データを書き込む必要があるため、所定の特性検査の工程が必要である。
ＴＣＸＯに内蔵したメモリに温度補償データを書き込むためには、先ず、個々のＴＣＸ
Ｏの温度特性を知る必要がある。そこで、従来はメモリに温度補償データを書き込む前に
標準的な仮の温度補償データを記憶させ、仮の温度補償データを用いて所定の温度特性検
査を行う。その結果に基づいて、個々のＴＣＸＯに見合った温度補償データを算出し、算
出した最適な温度補償データをメモリに書き込む。この後、温度特性検査を行ってＴＣＸ
Ｏの性能を確認し、特性検査の工程が終了する。
【０００４】
なお、ＩＣ化されたＴＣＸＯの参考文献としては、特許文献１として示した特開平９−
２６６４０９号公報により開示された手法がある。これによれば、ＴＣＸＯは、制御電圧
として半導体集積回路により発生した関数を用い、この関数の係数および定数を記憶する
ためにＲＡＭ（Random Access Memory）とＰ−ＲＯＭ（Programmable Read Only Memory
）とを選択可能に設け、ＲＡＭを用いて得られた最適な係数および定数をＰ−ＲＯＭに記
憶するものである。
【特許文献１】特開平９−２６６４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＩＣ化されたＴＣＸＯにおいては、内蔵しているメモリにアクセスする場合、クロック
信号とともにデータを入力し、所望の温度補償データをメモリに書き込んでいる。このメ
モリに書き込める回数は、メモリの種類により異なり、複数回の書き込みが可能なＥＥＰ
−ＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）を使用した方
式と、１回の書き込みが可能なヒューズ溶断形のＰ−ＲＯＭを使用した方式などがある。
近年では、ＴＣＸＯの小型化や、低コスト化に有利なＰ−ＲＯＭを使用した方式が主流と
なりつつある。
【０００６】
前述したように、従来、ヒューズ溶断形のＰ−ＲＯＭを使用した方式においては、メモ
リへの書き込み回数が１回のみであるため、ＴＣＸＯに内蔵したメモリに温度補償データ
を書き込む前に、予め仮の温度補償データを用いた温度特性の検査を実施している。その
結果得られた温度特性データをもとに最適な温度補償データを算出してメモリ部に書き込
みを行っていた。このため、従来のＴＣＸＯは、温度補償データを一時的に格納するエミ
ュレーションモードを備えている。
【０００７】
図６は、従来のメモリへアクセスする際のタイミングチャートである。図６（ａ）は、
仮の温度補償データをメモリに一時的に格納するエミュレーションモードのタイミングチ
ャートである。
ＴＣＸＯは、外部からメモリへのアクセスを制御する制御信号として、第一の制御信号
ＴＥＳＴ１（以降、Ｔ１信号と称す）と、第二の制御信号ＴＥＳＴ２（以降、Ｔ２信号と
称す）とが入力可能に構成されている。そして従来のＴＣＸＯにおいては、エミュレーシ
ョンモードの制御信号の条件は、Ｔ１信号、Ｔ２信号がともにＨ（ハイ）レベルの場合と
なっている。
【０００８】
一方、図６（ｂ）は、エミュレーションモードにより求めた最適な温度補償データをメ
モリに書き込む書き込みモードのタイミングチャートであり、メモリに温度補償データを
書き込むために最適な温度補償データを１ビットずつ書き込む際のタイミングを示す。従
来のＴＣＸＯにおいては、書き込みモードの制御信号の条件は、Ｔ１信号がＨレベル、Ｔ
２信号はＬ（ロー）レベルの場合である。書き込みモード時に最適な温度補償データがメ
モリに書き込まれることになる。
【０００９】
しかしながら、従来のＴＣＸＯは、エミュレーションモードの工程の際に、生産上の、
例えば、部品の接触不良や、断線などの何らかのトラブルが生じ、Ｔ２信号がＨレベルで
あることを検出できなかった場合、Ｔ１信号がＨレベルであることのみを検出する。する
と、本来はエミュレーションモードであるのにも関わらず、このモードを書き込みモード
と誤判定してしまうこととなる。その結果、メモリには誤った仮の温度補償データが書き
込まれることになり、ＴＣＸＯが不良品となって使用不能になってしまうという問題点が
あった。
【００１０】
本発明は、上述したような問題を解決するためになされてものであって、エミュレーシ
ョンモード時に書き込みモードと誤検出することを未然に防止し、ＴＣＸＯの製造歩留ま
りの改善を図ることができるメモリ回路、発振器、及び発振器の検査方法を提供すること
を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明に係るメモリ回路は、一時的にデータを記憶する第
一のメモリと、不揮発性メモリからなる第二のメモリと、外部から入力される第一及び第
二の制御信号が共にハイレベルのときに第一のメモリのデータを第二のメモリに書き込む
ように制御する制御手段と、を備えた。
本発明によれば、第一及び第二の制御信号が共にハイレベルのときに第一のメモリに記
憶されているデータを第二のメモリへ書き込むようにしているので、接触不良などにより
第一及び第二の制御信号が正常に入力されなかった場合に、第一のメモリに一時的に記憶
したデータが誤って第二のメモリに書き込まれるのを防止することができる。
【００１２】
また本発明の発振器は、少なくとも発振回路と温度補償回路を含んだ温度補償発振回路
と、温度補償データをメモリするためのメモリ回路と、を備え、メモリ回路は、一時的に
データを記憶する第一のメモリと、不揮発性メモリからなる第二のメモリと、外部から入
力される第一及び第二の制御信号が共にハイレベルのときに第一のメモリのデータを第二
のメモリに書き込むように制御する制御手段と、備えた。
本発明によれば、第一及び第二の制御信号が共にハイレベルのときに第一のメモリに記
憶されているデータを第二のメモリへ書き込むようにしているので、接触不良などにより
第一及び第二の制御信号が正常に入力されなかった場合に、第一のメモリに一時的に記憶
したデータが誤って第二のメモリに書き込まれるのを防止することができる。これにより
、発振器が不良品となることを未然に防止し、発振器が製造歩留まりの改善を図る上で大
きな効果を発揮する。
【００１３】
また本発明の発振器の検査方法は、入力される第一の制御信号をハイレベル、入力され
る第二の制御信号をローレベルにして一時的にデータを記憶する第一のメモリに記憶させ
た仮データに基づいて特性検査を行う工程と、第一及び第二の制御信号を共にハイレベル
にして第一のメモリに記憶させた正規データを不揮発性メモリからなる第二のメモリへ書
き込む工程と、第２のメモリへ正規データを書き込んだ状態で特性検査を行う工程と、か
らなる。
本発明によれば、第一及び第二の制御信号が共にハイレベルのときに第一のメモリのデ
ータを第二のメモリへ書き込むようにしているので、接触不良などにより第一及び第二の
制御信号が正常に入力されなかった場合に、第一のメモリに一時的に記憶したデータが誤
って第二のメモリに書き込まれるのを防止することができる。これにより、発振器が不良
品となることを未然に防止し、発振器が製造歩留まりの改善を図る上で大きな効果を発揮
する。
【００１４】
また本発明の発振器の検査方法は、第一の制御信号が入力される第一の入力端子、或い
は第二の制御信号が入力される第二の入力端子が正常に機能していることを確認する工程
と、第一の制御信号をハイレベル、第二の制御信号をローレベルにして一時的にデータを
記憶する第一のメモリへ記憶させた仮データに基づいて特性検査を行う工程と、第一及び
第二の制御信号を共にハイレベルにして第一のメモリに記憶させた正規データを不揮発性
メモリからなる第二のメモリへ書き込む工程と、第２のメモリへ正規データを書き込んだ
状態で特性検査を行う工程と、からなる。
本発明によれば、第一の制御信号が入力される第一の入力端子、或いは第二の制御信号
が入力される第二の入力端子が正常に機能しているか否か確認するようにしているので、
不揮発性メモリである第二のメモリに誤ったデータを書き込んでしまうのを防ぐことがで
きる。これにより、発振器が不良品となることを未然に防止し、発振器が製造歩留まりの
改善を図る上で大きな効果を発揮する。
【００１５】
また本発明の発振器の検査方法は、第一の入力端子或いは第二の入力端子が正常に機能
しているか否かの確認は、第一の入力端子或いは第二の入力端子とグランド間に所定の電
圧を印加したときに所定電流が流れるか否かによって確認する。
本発明によれば、第一の入力端子或いは第二の入力端子とグランド間に所定の電圧を印
加し、流れる電流を測定するだけで、第一の入力端子或いは第二の制御信号が入力される
第二の入力端子が正常に機能しているか否か確認できるので、発振器の特性検査の工程を
複雑にすることなく容易な方法で実現することができる。
【００１６】
また本発明の発振器の検査方法では、発振器が温度補償水晶発振器であり、データを温
度補償データとすれば、温度補償発振器の検査に好適なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図示した実施形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
（第一の実施形態）
図１は、本発明の発振器の実施形態に係るＴＣＸＯの全体構成を示すブロック図である
。
この図１に示す本実施形態のＴＣＸＯ１は、温度補償データをメモリ回路として、外部
よりシリアルデータで入力される温度補償データをパラレルデータに変換すると共に、変
換した温度補償データを一時的に記憶できるシリアルパラレル変換部（第一のメモリ）２
と、このシリアルパラレル変換部２が記憶した温度補償データを入力し、例えばＰ−ＲＯ
Ｍ等の不揮発性メモリに書き込むメモリ部３とを備える。
また温度補償発振回路として、メモリ部３に書き込まれた温度補償データに応じて発振
ループの負荷容量を可変させるための補償電圧を発生する補償電圧発生部（温度補償回路
）４と、水晶振動子６を圧電素子として用いた発振部（発振回路）５とを備える。
さらに発振周波数を自動制御する自動周波数（ＡＦＣ；Automatic Frequency Control
）部７と、発振部５が出力する発振出力を所望のレベルの信号に変換する出力バッファ部
８とにより構成される。
【００１８】
図２は、図１に示したシリアルパラレル変換部とメモリ部の構成を示す回路図である。
なお、本実施形態では温度補償データのビット数をｎビットとする。
この図２において、シリアルパラレル変換部２は、シリアルな温度補償データを入力し
てパラレルデータに変換する機能を有し、温度補償データの１ビット目を記憶するＤ１フ
リップフロップ９と、２ビット目を記憶するＤ２フリップフロップ１０と、以降ｎビット
目を記憶するＤｎフリップフロップ１１とにより構成する。
そこで、シリアルパラレル変換部２は、クロック信号と共に入力されるｎビットのデー
タを、Ｄ１フリップフロップ９から順次シフトさせて入力し記憶するシフトレジスタの機
能を有する。また、各フリップフロップに記憶した温度補償データはメモリ部３の夫々対
応するメモリに書き込まれる。
【００１９】
メモリ部３は、同一な回路構成を有するｎ個のメモリ回路部１２、１３、１４を備えて
構成されている。
メモリ回路部１２〜１４には、外部から入力される第一の制御信号であるＴ１信号と、
第二の制御信号であるＴ２信号をもとにメモリ１６への書き込み条件を設定する３入力Ａ
ＮＤ回路１５と、書き込みモード時にシリアルパラレル変換部２に記憶された温度補償デ
ータが書き込まれるメモリ１６とを備えている。メモリ１６は、不揮発性メモリ、例えば
１回の書き込みが可能なヒューズ溶断形のＰ−ＲＯＭである。
また、メモリ回路部１３には、制御手段として、補償電圧発生部に出力する温度補償デ
ータをシリアルパラレル変換部２が記憶している仮の温度補償データとするか、或いはメ
モリ１６に書き込まれた最適な温度補償データとするかを選択する条件を設定するインバ
ータ１７と、３入力ＡＮＤ回路１８とを備えている。さらに３入力ＡＮＤ回路１８が出力
する信号により、補償電圧発生部に出力する温度補償データをシリアルパラレル変換部２
が一時的に記憶しているデータとするか、或いはメモリ１６に記憶しているデータとする
かを切り替えるＳＥＬ１９を備えている。
【００２０】
このように構成される本実施形態のＴＣＸＯにおいては、メモリ部３へのアクセスを制
御するＴ１信号がＨレベル、Ｔ２信号がＬレベルのときにエミュレーションモードとして
機能させ、Ｔ１信号及びＴ２信号がともにＨレベルのときに書き込みモードとして機能す
るように構成している。
このようにＴ１信号及びＴ２信号が共にHレベルのときにシリアルパラレル変換部（第
一のメモリ）２に記憶されているデータを不揮発性メモリであるメモリ（第二のメモリ）
１６へ書き込むようにすると、接触不良などによりＴ１信号及びＴ２信号が正常に入力さ
れなかった場合に、シリアルパラレル変換部２に一時的に記憶した仮の温度補償データが
誤ってメモリ１６に書き込まれるのを防止することができる。
【００２１】
図３は、本実施形態の発振器のメモリ部３へアクセスする際のタイミングチャートであ
る。図３（ａ）はエミュレーションモードのタイミングチャートである。
前述したように本実施形態のＴＣＸＯにおけるエミュレーションモードの制御信号の条
件は、Ｔ１信号をＨレベル、Ｔ２信号をＬレベルとした。エミュレーションモード時にお
いては、ｎビットの仮の温度補償データをｎ個のクロック信号を用いて順次シリアルパラ
レル変換部２のフリップフロップに記憶する。
【００２２】
図３（ａ）のタイミングチャートにおいては、温度補償データとして、「１０１１０・
・・」をシリアルパラレル変換部２へ記憶する場合を例としている。このとき、メモリ１
６への書き込み条件を設定する３入力ＡＮＤ回路１５は、Ｔ２信号がＬレベルであるので
出力はＬレベルとなりメモリ１６への書き込みは行わない。
一方、図３（ｂ）は、エミュレーションモードにおいて求めた最適な温度補償データを
メモリ部３に書き込むための書き込みモードのタイミングチャートであり、メモリ部３に
温度補償データを書き込むために、シリアルパラレル変換部２に最適な温度補償データを
１ビットずつ記憶させるためのタイミングを示す。本発明における書き込みモードの制御
信号の条件は、Ｔ１信号がＨレベルであり、Ｔ２信号もＨレベルとした。
【００２３】
ＴＣＸＯは、書き込みモード時において、温度補償データをビット単位でメモリ１６へ
の書き込みを行う。例えば、図３（ｂ）に示したタイミングチャートの例のように、２ビ
ット目の温度補償データをＤ２フリップフロップ１０に記憶する場合、２個のクロック信
号とともに温度補償データを入力する。次に、書き込みモードの制御信号の条件が、Ｔ１
信号がＨレベルであり、Ｔ２信号もＨレベルとなると、メモリ１６への書き込み条件を設
定する３入力ＡＮＤ回路１５は、Ｄ２フリップフロップ１０に記憶された温度補償データ
が「１」であると、Ｈレベルを出力する。これにより、メモリ１６に温度補償データ「１
」が書き込まれる。書き込みモード時において、第二のメモリ回路部１３に備えたＳＥＬ
１９は、メモリ１６に書き込まれた温度補償データを選択しており、第二のメモリ部１３
からは、最適な温度補償データが出力される。また、メモリ１６は、Ｔ１信号とＴ２信号
がともにＨレベルのときのみヒューズが切断されてデータを記憶することになる。
【００２４】
従って、書き込みモードの工程の際に、生産上の、例えば、部品の接触不良や、断線な
どの何らかのトラブルが生じ、Ｔ２信号がＨレベルであることをメモリ部３が検出できな
かった場合は、メモリ１６にデータが書き込まれないので、従来のように誤った仮の温度
補償データが書き込まれることによりＴＣＸＯが不良品となって使用不能になってしまう
という問題が解決され、ＴＣＸＯの製造歩留まりの向上が図られる。
【００２５】
（第二の実施形態）
第二の実施形態においては、第一の実施形態のようにエミュレーションモードと、書き
込みモードにおける制御信号の条件を変更することをせずに、特性検査の作業工程に新た
な工程を加えることにより、ＴＣＸＯの製造歩留まりの向上を図った。
即ち、従来のＴＣＸＯの特性検査の問題点は、生産上の、例えば、部品の接触不良や、
断線などの何らかのトラブルが生じて外部からのＴ２信号が正常にＴＣＸＯに備えたメモ
リ部で検出されないことであった。
そこで、第二の実施形態においては、ＴＣＸＯの特性検査を実施する前に、メモリ部の
Ｔ２信号入力ポイントにおいて正常にＴ２信号を受信できるか否か確認することとした。
ＩＣ化されたメモリ部のＴ２信号入力ポイントには、ＩＣを過電圧から保護するため、静
電気保護ダイオードが挿入されている。このダイオードの特性を、ＴＣＸＯのＴ２信号入
力端子とグランド間に所定の電圧を印加することにより測定し、正常であれば生産上のト
ラブルは発生していないものと判定し、通常の特性検査の工程を進めることとした。
【００２６】
次に、ＴＣＸＯに正常なＴ２信号が入力されているか否かを確認する手段について説明
する。
図４は、静電気保護ダイオードの特性チェックの方法を示す図である。図４に示すよう
に、ＩＣ回路の各入力ポイントには、Ｄ１ダイオード１９及びＤ２ダイオード２０からな
る静電気保護ダイオードが挿入されている。そこで、ＴＣＸＯのＴ２信号入力端子とグラ
ンド間に、例えば、−０．３Ｖ程度の電圧を印加し、静電気保護ダイオードとして機能す
るＤ２ダイオード２０の順方向のＶ−I特性を測定し、正常な特性を有しているかどうか
を確認する。正常な特性を有していれば、ＴＣＸＯは、正常にＴ２信号を入力可能である
。
【００２７】
このように本実施形態によれば、Ｔ１信号が入力される入力端子、或いはＴ２信号が入
力される入力端子が正常に機能しているか否か確認するようにしているので、不揮発性メ
モリであるメモリ１６に誤ったデータを書き込んでしまうのを防ぐことができる。これに
より、発振器が不良品となることを未然に防止し、発振器が製造歩留まりの改善を図る上
で大きな効果を発揮する。
またＴ１信号が入力される入力端子或いはＴ２信号が入力される入力端子が正常に機能
しているか否かの確認は、入力端子とグランド間に所定の電圧を印加したときに所定電流
が流れるか否かによって確認するようにしているので、入力端子とグランド間に所定の電
圧を印加し、流れる電流を測定するだけで、入力端子が正常に機能しているか否か確認で
きるので、発振器の特性検査の工程を複雑にすることなく容易な方法で実現することがで
きる。
【００２８】
また、本実施形態では、本発明に係るＴＣＸＯの検査方法について、第一の実施形態と
第二の実施形態を説明したが、第一の実施形態は、ＩＣを新たに開発する場合に有効であ
り、特性検査の工程を増やすことなくＴＣＸＯの製造歩留まりの改善を図ることができる
。一方、第二の実施形態は、従来のＩＣをそのまま使用でき、ＩＣの開発コストを発生さ
せずにＴＣＸＯの製造歩留まりの改善を図ることが可能である。
【００２９】
次に、本実施形態における特性検査の工程の手順について説明する。
図５は、本発明の第２の実施形態に係るＴＣＸＯの特性検査の流れを示すフローチャー
トである。図５を説明すると、ＴＣＸＯの組み立てが完了後、特性検査の工程に進む（Ｓ
１）。先ず、特性検査の工程の第一段階として図４に示した方法により、メモリ部のＴ２
信号入力ポイントに対して正常にＴ２信号が入力されているか否か確認する（Ｓ２）。正
常であれば、次の工程であるエミュレーションモードでの温度検査に進む。一方、異常で
あると、生産上の、例えば、部品の接触不良や、断線などの何らかのトラブルが考えられ
、チェック及び手直し後、ステップＳ２の工程に移行する。
次に、エミュレーションモードでの温度検査は、仮となる標準的な温度補償データをＴ
ＣＸＯに備えたシリアルパラレル変換部に記憶させ、例えば、−３０℃、０℃、２５℃、
６０℃、８５℃などの各温度においてＴＣＸＯの温度試験を実施する（Ｓ４）。
【００３０】
次に、エミュレーションモードでのＴＣＸＯの温度検査の結果得られた特性をもとに、
所定の計算式を用いて個々のＴＣＸＯに固有な最適な温度補償データを算出する（Ｓ５）
。そこで、求めた最適な温度補償データをメモリ部３のメモリ１６のヒューズを溶断する
ことによりＴＣＸＯに書き込み（Ｓ６）、この後、最終的な温度検査を実施する（Ｓ７）
。最終的な温度検査はエミュレーションモード時に実施した検査と同様であって、例えば
、−３０℃、０℃、２５℃、６０℃、８５℃などの各温度においてＴＣＸＯの温度試験を
実施する。その結果、ＴＣＸＯが所定の性能を満足すればＴＣＸＯの特性検査は終了する
（Ｓ８）。なお、第１の実施形態に係るＴＣＸＯの特性検査は、図５に示したステップＳ
２、Ｓ３を削除すれば良い。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態に係るＴＣＸＯの構成を示すブロック図である。
【図２】本発明に係るシリアルパラレル変換部とメモリ部の構成を示す回路図である。
【図３】本発明において、メモリ部へアクセスする際のタイミングチャートである。
【図４】静電気保護ダイオードの特性チェックの方法を示す図である。
【図５】本発明に係るＴＣＸＯの特性検査の流れを示すフローチャートである。
【図６】従来のメモリ部へアクセスする際のタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００３２】
１・・ＴＣＸＯ、２・・シリアルパラレル変換部、３・・メモリ部、４・・補償電圧発
生部、５・・発振部、６・・水晶振動子、７・・ＡＦＣ部、８・・出力バッファ部、９・
・Ｄ１フリップフロップ、１０・・Ｄ２フリップフロップ、１１・・Ｄｎフリップフロッ
プ、１２、１３、１４  メモリ回路部、１５、１８・・３入力ＡＮＤ回路、１６・・メモ
リ、１７・・インバータ、１９・・Ｄ１ダイオード、２０・・Ｄ２ダイオード
【図１】
2007335940.tif 000003
【図２】
2007335940.tif 000004
【図３】
2007335940.tif 000005
【図４】
2007335940.tif 000006
【図５】
2007335940.tif 000007
【図６】
2007335940.tif 000008