(57)【要約】【課題】高いアライメント精度でパターンを形成する。【解決手段】アライメントマークＡＭを用いて基板Ｐ上の隔壁Ｂ１間にパターン形成材料を含む液体材料を配置してパターン８０を形成する。パターン８０の形成前に、アライメントマークＡＭに対応したマーク用隔壁Ｂ１を形成する工程と、マーク用隔壁Ｂ１の間にアライメントマーク形成材料を含む液体材料を配置する工程とを有する。【選択図】図６
2007150258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アライメントマークを用いて基板上の隔壁間にパターン形成材料を含む液体材料を配置してパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記パターンの形成前に、前記アライメントマークに対応したマーク用隔壁を形成する工程と、
前記マーク用隔壁の間に前記アライメントマーク形成材料を含む液体材料を配置する工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のパターン形成方法において、
前記基板の表面を表面処理する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のパターン形成方法において、
前記マーク用隔壁の間に配置された前記アライメントマーク形成材料を含む液体材料の伸長距離を測定して、前記表面処理が適正かどうかを判断する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記隔壁と前記マーク用隔壁とを同一工程で形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記パターンは、前記基板上に異なる材料で順次積層された第１パターン及び第２パターンを有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
請求項５記載のパターン形成方法において、
前記アライメントマークと前記第１パターンとを同じ材料で形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項６記載のパターン形成方法において、
前記アライメントマークと前記第１パターンとを同一工程で形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記第１パターンは、前記第２パターンよりも前記基板に対する密着性が高い材料で形成されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記パターンが配線パターンであることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記アライメントマークを用いて画素電極を形成する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記アライメントマークを用いて半導体層を形成する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法により形成されたパターンを備えたことを特徴とする膜構造体。
【請求項１３】
請求項１２記載の膜構造体を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、膜構造体、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、導電性パターンの形成方法としては、例えばガラス基板等の表面に撥液部と親液部とを形成し、親液部に金属微粒子を含有する液体を配置させてパターンを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法は、有機分子からなる撥液膜を基板上に形成した後に、当該撥液部の一部を除去することで親液部を形成し、更に、導電性パターンの材料となる金属微粒子等を含有した液体を吐出ヘッドに充填し、当該吐出ヘッドと基板とを相対移動させながら吐出ヘッドから液体を親液部に吐出するものである。
【０００３】
また、このような液体吐出法を行うに先立って、基板に予めアライメントマークと呼ばれる目印を設け、液体吐出装置の検出部がこのアライメントマークを検出し、これを所定の位置となるように調整することで、基板を所定の位置に決定され、吐出ヘッドの液体が吐出される始点が設定される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１６４６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
レジスト等を用いてアライメントマークを形成する場合、アライメントマークの形状に対応するバンク（隔壁）を形成するが、バンクは透過率が高いため、ＣＣＤカメラ等のアライメント顕微鏡を用いてアライメントマークを観察しても認識精度が低くなり、結果としてアライメント精度が低下する可能性がある。
特に、積層膜からなる配線パターンを形成する場合や、基板全面に薄膜が形成される場合には、積層精度が低下する虞がある。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、高いアライメント精度でパターンを形成できるパターン形成方法、及びこのパターン形成方法を用いて製造された膜構造体、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明のパターン形成方法は、アライメントマークを用いて基板上の隔壁間にパターン形成材料を含む液体材料を配置してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記パターンの形成前に、前記アライメントマークに対応したマーク用隔壁を形成する工程と、前記マーク用隔壁の間に前記アライメントマーク形成材料を含む液体材料を配置する工程とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明のパターン形成方法では、透過率の低いアライメントマーク形成材料を含む液体材料をマーク用隔壁間に配置することにより、高い認識精度でアライメントマークを計測することが可能になる。そのため、パターン形成時のアライメント精度が高くなり、高い位置精度でパターンを形成することができる。
なお、前記方法は、パターンが配線パターンからなる場合に特に有効である。
【０００９】
また、本発明では、前記基板の表面を表面処理する工程を含むことが好ましい。
これにより、本発明では、基板上に配置される液滴の挙動を抑制することができるから、所望のパターンを形成することが可能になる。
【００１０】
また、本発明では、前記マーク用隔壁の間に配置された前記アライメントマーク形成材料を含む液体材料の伸長距離を測定して、表面処理が適正かどうかを判断する工程を含むことが好ましい。
これにより、本発明では、基板上の表面状態が良好の場合は描画を実行し、良好でない場合は描画を中止して基板を再生することができるので、材料の無駄を少なくすることが可能になる。
【００１１】
また、本発明では、前記隔壁と前記マーク用隔壁とを同一工程で形成する手順を好適に採用できる。
これにより、本発明では、両隔壁を別工程で形成する必要がなくなり、製造効率を向上させることが可能になる。
【００１２】
また、本発明では、前記パターンとして、前記基板上に異なる材料で順次積層された第１パターン及び第２パターンを有する構成を採用できる。この場合、本発明ではより簡単にアライメント精度のよい積層パターンを形成することが可能となる。
また、この場合、前記アライメントマークと前記第１パターンとを同じ材料で形成することにより、準備作業が容易になるとともに、コンタミも防止できる。
さらに、この構成では、前記アライメントマークと前記第１パターンとを同一工程で形成することが、製造効率を向上させることができて好ましい。
【００１３】
また、前記第１パターンとしては、前記第２パターンよりも前記基板に対する密着性が高い材料で形成されることが好ましい。
これにより、本発明では、１層目に密着性付与のための層（中間層）を配置することで、基板との密着性が高く、剥がれ等による不良の生じにくいパターンを形成することが可能になる。
【００１４】
また、本発明では、前記アライメントマークを用いて半導体層や画素電極を形成する工程を有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、配線パターン等のパターンと半導体層や画素電極とを高精度に位置合わせすることが可能になる。
【００１５】
また、本発明の膜構造体は、上述の方法により形成されたパターンを備えたことを特徴とする。この膜構造体では、パターンのアライメントを精度よく行うことができるため、パターンを高密度化することが可能となる。また、アライメントマークの形成が液滴吐出法を用いて行われるため、膜構造体を安価に形成することができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置は、上述の膜構造体を備えたことを特徴とする。ここで、電気光学装置としては、例えば液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等を例示することができる。また、本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本構成によれば、高品質なパターンを有する電気光学装置、電子機器を安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のパターン形成方法、膜構造体、電気光学装置及び電子機器の実施の形態を、図１ないし図１４を参照して説明する。
なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００１８】
（電気光学装置）
まず、本発明の電気光学装置の一実施形態について説明する。
図１は、本発明の電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置１００を示す等価回路図である。この液晶表示装置１００において、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットには、画素電極１９と該画素電極１９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ６０とがそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線（電極配線）１６が該ＴＦＴ６０のソースに電気的に接続されている。データ線１６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順で線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線１６に対してグループ毎に供給される。また、走査線（電極配線）１８ａがＴＦＴ６０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線１８ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極１９はＴＦＴ６０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ６０を一定期間だけオンすることにより、データ線１６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００１９】
画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。そして、この印加される電圧レベルに応じて液晶の分子集合の配向や秩序が変化するのを利用して光を変調し、任意の階調表示を可能にしている。また各ドットには、液晶に書き込まれた画像信号がリークするのを防止するために、画素電極１９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が付加されている。符号１８ｂはこの蓄積容量１７の一側の電極に接続された容量線である。
【００２０】
次に、図２は、液晶表示装置１００の全体構成図である。液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２５とが、平面視略矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされた構成を備えており、前記両基板１０、２５の間に挟持された液晶が、シール材５２によって前記基板間に封入されたものとなっている。なお、図２では、対向基板２５の外周端が、シール材５２の外周端に平面視で一致するように表示している。
【００２１】
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が矩形枠状に形成されている。シール材５２の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路２０１と実装端子２０２とがＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って配設されており、この一辺と隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４、１０４が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、前記走査線駆動回路１０４、１０４間を接続する複数の配線１０５が形成されている。また、対向基板２５の角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２５との間で電気的導通をとるための複数の基板間導通材１０６が配設されている。
【００２２】
次に、図３は、液晶表示装置１００の画素構成を説明するための図であって、平面構成を模式的に示した図である。図３に示すように、液晶表示装置１００の表示領域には、複数の走査線１８ａが一方向に延在しており、これらの走査線１８ａに交差する方向に複数のデータ線１６が延在している。図３において、走査線１８ａとデータ線１６とに囲まれた平面視矩形状の領域がドット領域である。１つのドット領域に対応して３原色のうち１色のカラーフィルタが形成され、図示した３つのドット領域で３色の着色部２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂを有する１つの画素領域を形成している。これらの着色部２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂは、液晶表示装置１００の表示領域内に周期的に配列されている。
【００２３】
図３に示す各ドット領域内には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性の導電膜からなる平面視略矩形状の画素電極１９が設けられており、画素電極１９と、走査線１８ａ、データ線１６との間に、ＴＦＴ６０が配設されている。ＴＦＴ６０は、半導体層３３と、半導体層３３の下層側（基板側）に設けられたゲート電極８０と、半導体層３３の上層側に設けられたソース電極３４と、ドレイン電極３５とを備えて構成されている。半導体層３３とゲート電極８０とが対向する領域には、ＴＦＴ６０のチャネル領域が形成されており、その両側の半導体層には、ソース領域、及びドレイン領域が形成されている。
【００２４】
ゲート電極８０は、走査線１８ａの一部をデータ線１６の延在方向に分岐して形成されており、その先端部において、半導体層３３と図示略の絶縁膜（ゲート絶縁膜）を介して紙面垂直方向で対向している。ソース電極３４は、データ線１６の一部を走査線１８ａの延在方向に分岐して形成されており、半導体層３３（ソース領域）と電気的に接続されている。ドレイン電極３５の一端（図示左端）側は、前記半導体層３３（ドレイン領域）と電気的に接続されており、ドレイン電極３５の他端（図示右端）側は画素電極１９と電気的に接続されている。
前記構成のもとＴＦＴ６０は、走査線１８ａを介して入力されるゲート信号により所定期間だけオン状態とされることで、データ線１６を介して供給される画像信号を、所定のタイミングで液晶に対して書き込むスイッチング素子として機能するようになっている。
【００２５】
図４は、図３のＢ−Ｂ’線に沿うＴＦＴアレイ基板１０の要部断面構成図である。図４に示すようにＴＦＴアレイ基板１０は、本発明に係るＴＦＴ６０をガラス基板（基板）Ｐの内面側（図示上面側）に形成し、さらに画素電極１９を形成して構成されたものである。ガラス基板Ｐ上には、一部が開口された第１バンクＢ１が形成され、このバンクＢ１の開口部には、ゲート電極８０とこれを覆うゲート絶縁膜８３の一部とが埋設されている。
【００２６】
ゲート電極８０は、ガラス基板Ｐ上に、密着層として機能するＭｎやＴｉ、Ｗ等の金属材料からなる第１電極層（第１パターン）８０ａと、主導電層として機能するＡｇやＣｕ、Ａｌ等の金属材料からなる第２電極層（第２パターン）８０ｂ、Ｎｉ、ＴｉＮ等の金属材料からなるキャップ層８１とを積層して構成されたものである。
【００２７】
第１バンクＢ１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜８３を介して第２バンクＢ２が形成されており、この第２バンクＢ２には、前記ゲート電極８０を含む領域を露出させる開口が形成されている。この開口内には、前記ゲート電極８０と平面的に重なる位置に、前記ゲート絶縁膜８３を介して半導体層３３が形成されている。半導体層３３は、アモルファスシリコン層８４と、このアモルファスシリコン層８４上に積層されたＮ+シリコン層８５とからなっている。Ｎ+シリコン層８５は、アモルファスシリコン層８４上で平面的に離間された２つの部位に分割されており、一方のＮ+シリコン層８５は、ゲート絶縁膜８３上と該Ｎ+シリコン層８５上とに跨って形成されたソース電極３４と電気的に接続され、他方のＮ+シリコン層８５は、ゲート絶縁膜８３上と該Ｎ+シリコン層８５とに跨って形成されたドレイン電極３５と電気的に接続されている。アモルファスシリコン層８４、オーミック接合を得るためのＮ+シリコン層８５は、ケイ素化合物、及びドーパント源を含有する液体材料を使用してインクジェットにより形成することもできる。ケイ素化合物の具体的な例としては、シクロペンタシランなど、一個以上の環状構造をもったものに、紫外線を照射することによって光重合させた高次シランとしたものが挙げられる。また、ドーパント源の具体例としては、リンなどの５族元素あるいは、ホウ素などの３族元素を含有する物質が挙げられる。
【００２８】
ソース電極３４とドレイン電極３５とは、第２バンクＢ２の前記開口内に形成された第２バンクＢ３によって分離されたもので、後述するように第２バンクＢ２、Ｂ３とに区画された領域内に、後述するように液滴吐出法で形成されたものである。また、ソース電極３４及びドレイン電極３５上には、前記の開口内を埋めるように絶縁材料８６が配置されている。この絶縁材料８６には、コンタクトホール８７が形成されており、このコンタクトホール８７を介して、第２バンクＢ２及び絶縁材料８６上に形成された画素電極１９が、ドレイン電極３５に導通させられている。そして、このような構成のもとに、本発明に係るＴＦＴ６０が形成されている。
【００２９】
なお、図３に示したように、データ線１６とソース電極３４、及び走査線１８ａとゲート電極８０とは、それぞれ一体に形成されているので、データ線１６はソース電極３４と同様に絶縁材料８６で覆われた構造となっており、走査線１８ａはゲート電極８０と同様にキャップ層８１に覆われた構造となっている。
【００３０】
また、実際には、画素電極１９、及び第２バンクＢ２、Ｂ３、絶縁材料８６の表面上には、液晶の初期配向状態を制御するための配向膜が形成されており、ガラス基板Ｐの外面側には、液晶層に入射する光の偏光状態を制御するための位相差板や偏光板が設けられている。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の外側（パネル背面側）には、透過型ないし半透過反射型の液晶表示装置の場合の照明手段として用いられるバックライトが設けられている。
【００３１】
対向基板２５については、詳細な図示は省略するが、ガラス基板Ｐと同様の基板の内面（ＴＦＴアレイ基板との対向面）側に、図３に示した着色部２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂを配列形成してなるカラーフィルタ層と、平面ベタ状の透光性導電膜からなる対向電極とを積層した構成を備えている。また、前記対向電極上にＴＦＴアレイ基板と同様の配向膜が形成されており、基板外面側には、必要に応じて位相差板や偏光板が配設されたものとなっている。
【００３２】
また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２５との間に封止された液晶層は、主として液晶分子で構成されている。この液晶層を構成する液晶分子としては、ネマチック液晶、スメクチック液晶など配向し得るものであればいかなる液晶分子を用いても構わないが、ＴＮ型液晶パネルの場合、ネマチック液晶を形成させるものが好ましく、例えば、フェニルシクロヘキサン誘導体液晶、ビフェニル誘導体液晶、ビフェニルシクロヘキサン誘導体液晶、テルフェニル誘導体液晶、フェニルエーテル誘導体液晶、フェニルエステル誘導体液晶、ビシクロヘキサン誘導体液晶、アゾメチン誘導体液晶、アゾキシ誘導体液晶、ピリミジン誘導体液晶、ジオキサン誘導体液晶、キュバン誘導体液晶等が挙げられる。
【００３３】
以上の構成を備えた本実施形態の液晶表示装置１００は、バックライトから入射した光を、電圧印加により配向状態を制御された液晶層で変調することで、任意の階調表示を行えるようになっている。また各ドットに着色部２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂが設けられているので、各画素毎に３原色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の色光を混色して任意のカラー表示を行えるようになっている。
【００３４】
（薄膜トランジスタの製造方法）
次に、前記ＴＦＴ６０の製造方法を基に、本発明に係るパターン形成方法の一実施形態を説明する。前記ＴＦＴ６０においては、ゲート電極８０、ソース電極３４、ドレイン電極３５を、液滴吐出法を用いてパターン形成するとともに、画素電極１９についても液滴吐出法を用いて形成している。
【００３５】
［液滴吐出装置］
まず、本実施形態の製造方法において用いられる、液滴吐出装置について説明する。本製造方法では、液滴吐出装置に備えられた液滴吐出ヘッドのノズルから、導電性微粒子や他の機能材料を含むインク（機能液）を液滴状に吐出し、薄膜トランジスタを構成する各構成要素を形成するものとしている。本実施形態で用いる液滴吐出装置としては、図５に示した構成のものを採用することができる。
【００３６】
図５（ａ）は、本実施形態で用いる液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。  液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ軸方向駆動軸３０４と、Ｙ軸方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。
ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（機能液）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００３７】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、前述したインク（機能液）が吐出されるようになっている。
【００３８】
Ｘ軸方向駆動軸３０４には、Ｘ軸方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ軸方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ軸方向に移動する。
【００３９】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００４０】
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も、制御装置ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４１】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図５（ａ）では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することができる。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節できるようにしてもよい。
【００４２】
図５（ｂ）は、ピエゾ方式によるインクの吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドの概略構成図である。
図５（ｂ）において、インク（機能液）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、インクを収容する材料タンクを含むインク供給系３２３を介してインクが供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させて液体室３２１を弾性変形させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル３２５から液体材料が吐出されるようになっている。
この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４３】
［インク（機能液）］
ここで、本実施形態の製造方法において、前記ゲート電極８０、ソース電極３４、ドレイン電極３５等の導電パターンの形成に用いられる、インク（機能液）について説明する。
本実施形態で用いられる導電パターン用のインク（機能液）は、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液、若しくはその前駆体からなるものである。導電性微粒子として、例えば金、銀、銅、パラジウム、ニオブ及びニッケル等を含有する金属微粒子の他、これらの前駆体、合金、酸化物、並びに導電性ポリマーやインジウム錫酸化物等の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ〜０．１μｍ程度であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、液体吐出ヘッド３０１のノズルに目詰まりが生じるおそれがあるだけでなく、得られる膜の緻密性が悪化する可能性がある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００４４】
分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００４５】
前記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ〜０．０７Ｎ／ｍの範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００４６】
前記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ〜５０ｍＰａ・ｓであることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるだけでなく、液滴の吐出量が減少する。
【００４７】
また、特に第１バンクＢ１及び第２バンクＢ２の形成に用いられる材料としては、例えばポリシラザン液が用いられる。このポリシラザン液は、固形分としてポリシラザンを主成分とするもので、例えばポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン液が用いられる。この感光性ポリシラザン液は、ポジ型レジストとして機能するようになるもので、露光処理と現像処理とによって直接パターニングすることができるものである。なお、このような感光性ポリシラザンとしては、例えば特開２００２−７２５０４号公報に記載された感光性ポリシラザンを例示することができる。また、この感光性ポリシラザン中に含有される光酸発生剤についても、特開２００２−７２５０４号公報に記載されたものが用いられる。
【００４８】
このようなポリシラザンは、例えばポリシラザンが以下の化学式（１）に示すポリメチルシラザンである場合、後述するように加湿処理を行うことで化学式（２）または化学式（３）に示すように一部加水分解し、さらに３５０℃未満の加熱処理を行うことにより、化学式（４）〜化学式（６）に示すように縮合してポリメチルシロキサン［−（ＳｉＣＨ３Ｏ１．５）ｎ−］となる。また、化学式では示さないものの、３５０℃以上の加熱処理を行うと、側鎖のメチル基の脱離が起こり、特に４００℃から４５０℃で加熱処理を行うと、側鎖のメチル基がほぼ脱離してポリシロキサンとなる。なお、化学式（２）〜化学式（６）においては、反応機構を説明するため、化学式を簡略化して化合物中の基本構成単位（繰り返し単位）のみを示している。
【００４９】
このようにして形成されるポリメチルシロキサンまたはポリシロキサンは、無機質であるポリシロキサンを骨格としているので、例えば液滴吐出法で配置され、さらに焼成されて形成された金属層に比べ、十分に緻密性を有するものとなる。したがって、形成される層（膜）表面の平坦性についても、良好なものとなる。また、熱処理に対して高い耐性を有することから、バンク材料としても好適なものとなる。
・化学式（１）；−（ＳｉＣＨ3（ＮＨ）1.5）ｎ−
・化学式（２）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）1.5＋Ｈ2Ｏ  
→ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）＋０．５ＮＨ3
・化学式（３）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）1.5＋２Ｈ2Ｏ
→ＳｉＣＨ3（ＮＨ）０．５（ＯＨ）2＋ＮＨ3
・化学式（４）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）＋ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）＋Ｈ2Ｏ
→２ＳｉＣＨ3Ｏ1.5＋２ＮＨ3 
・化学式（５）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）＋ＳｉＣＨ3（ＮＨ）０．５（ＯＨ）2
→２ＳｉＣＨ3Ｏ1.5＋１．５ＮＨ3
・化学式（６）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）0.5（ＯＨ）2＋ＳｉＣＨ3（ＮＨ）0.5（Ｏ
Ｈ）2
→２ＳｉＣＨ3Ｏ1.5＋ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ
【００５０】
［ＴＦＴアレイ基板の製造方法］
以下、ＴＦＴ６０の製造方法を含む、ＴＦＴアレイ基板１０の各製造工程について、図６から図１１を参照して説明する。なお、図７から図１１は、本実施形態の製造方法における一連の工程を示す断面工程図である。
【００５１】
＜ゲート電極形成工程＞
この工程では、図６に示すように、基板Ｐ上にゲート電極８０（及び走査線１８ａ）と、当該ゲート電極８０やＴＦＴ６０を形成する際に用いる十字状の複数（図６では７つ）のアライメントマークＡＭとを形成する。
なお、基板Ｐに対して、走査線１８ａが伸びる方向（Ｘ方向）及びこの方向と直交する方向Ｙ方向並びに、基板Ｐの表面と直交する軸（Ｚ軸）周りの方向のアラインメントを実施するために、アライメントマークＡＭは３箇所（図６中、左上、右上、右下）形成されるが、ここでは第２電極層８０ｂや半導体層３３を形成する際に用いるために、各箇所で複数個ずつ形成する（ただし、図６では左上に位置するアライメントマークのみ複数個図示している）。
【００５２】
図７、図８の各図に示すように、基体として無アルカリガラス等からなるガラス基板Ｐを用意し、その一面側に第１バンクＢ１を形成した後、この第１バンクＢ１に形成した開口部３０に対し、所定のインク（機能液）を滴下することで、開口部３０内にゲート電極８０を形成する。このゲート電極形成工程は、バンク形成工程と、撥液化処理工程と、第１電極層形成工程と、第２電極層形成工程と、焼成工程と、を含むものとなっている。
【００５３】
｛第１バンク形成工程｝
まず、ゲート電極８０（及び走査線１８ａ）をガラス基板上に所定パターンで形成するために、ガラス基板Ｐ上に所定パターンの開口部を有する第１バンクを形成する。この第１バンクは、基板面を平面的に区画する仕切部材であり、このバンクの形成には、特にフォトリソグラフィ法が好適に用いられる。具体的には、まず、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の方法で、図７（ａ）に示すようにガラス基板Ｐ上に形成するバンクの高さに合わせて前記の感光性ポリシラザン液を塗布し、ポリシラザン薄膜ＢＬ１を形成する。
【００５４】
続いて、得られたポリシラザン薄膜ＢＬ１を、例えばホットプレート上にて１１０℃で１分程度プレベークする。
次いで、図７（ｂ）に示すようにマスクＭを用いてポリシラザン薄膜ＢＬ１を露光する。このマスクＭには、ゲート電極８０（及び走査線１８ａ）の形状・位置に対応する開口部Ｍ１と、アライメントマークＡＭの形状・位置に対応する開口部Ｍ２が形成されている。
【００５５】
このとき、このポリシラザン薄膜ＢＬ１は前述したようにポジ型レジストとして機能するので、後の現像処理によって除去する箇所を、選択的に露光する。露光光源としては、前記感光性ポリシラザン液の組成や感光特性に応じ、従来のフォトレジストの露光で用いられている高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザ、Ｘ線、電子線等から適宜選択され用いられる。照射光のエネルギー量については、光源や膜厚にもよるものの、通常は０．０５ｍＪ／ｃｍ2以上、望ましくは０．１ｍＪ／ｃｍ2以上とされる。上限は特にないものの、あまりに照射量を多く設定すると処理時間の関係から実用的でなく、通常は１００００ｍＪ／ｃｍ2以下とされる。露光は、一般に周囲雰囲気（大気中）あるいは窒素雰囲気とすればよいが、ポリシラザンの分解を促進するため、酸素含有量を富化した雰囲気を採用してもよい。
【００５６】
このような露光処理により、光酸発生剤を含有する感光性ポリシラザン薄膜ＢＬ１は、特に露光部分において膜内で選択的に酸が発生し、これによりポリシラザンのＳｉ−Ｎ結合が解裂する。そして、雰囲気中の水分と反応し、前記の化学式（２）または化学式（３）に示したようにポリシラザン薄膜ＢＬ１は一部加水分解し、最終的にシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合が生成し、ポリシラザンが分解する。
【００５７】
次いで、このようなシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合の生成、ポリシラザンの分解をより進めるため、図７（ｃ）に示すように露光後のポリシラザン薄膜ＢＬ１を、例えば２５℃、相対湿度８５％の環境下にて５分程度加湿処理する。このようにしてポリシラザン薄膜ＢＬ１内に水分を継続的に供給すると、一旦ポリシラザンのＳｉ−Ｎ結合の解裂に寄与した酸が繰り返し解裂触媒として働く。このＳｉ−ＯＨ結合は露光中においても起こるが、露光後、露光された膜を加湿処理することにより、ポリシラザンのＳｉ−ＯＨ化がより一層促進される。
【００５８】
なお、このような加湿処理における処理雰囲気の湿度については、高ければ高いほどＳｉＯＨ化速度を速くすることができる。ただし、あまり高くなると膜表面に結露してしまうおそれがあり、したがってこの観点から相対湿度９０％以下とするのが実用的である。  また、このような加湿処理については、水分を含有した気体を、ポリシラザン薄膜ＢＬ１に接触させるようにしてやればよく、したがって、加湿処理装置内に露光された基板Ｐを置き、水分含有気体をこの加湿処理装置に連続的に導入するようにすればよい。または、予め水分含有気体が導入されて調湿された状態の加湿処理装置内に、露光された基板Ｐを入れ、所望時間放置するようにしてもよい。
【００５９】
次いで、例えば濃度２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）液によって加湿処理後のポリシラザン薄膜ＢＬ１を２５℃で現像処理し、被露光部を選択的に除去することにより、図８（ａ）に示すように、ゲート電極８０の形成領域に対応した開口部３０と、アライメントマークＡＭの形成領域に対応した開口部３１とを有し、ゲート電極８０形成時の隔壁及びアライメントマークＡＭ形成時のマーク用隔壁となる第１バンクの前駆体ＢＰ１を一工程で形成する。なお、現像液としては、ＴＭＡＨ以外の他のアルカリ現像液、例えばコリン、珪酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることもできる。
【００６０】
｛撥液化処理工程｝
次に、必要に応じて純水でリンスした後、第１バンクの前駆体ＢＰ１に対し、必要に応じて撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０ｋＷ〜１０００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量が５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板搬送速度が０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０℃〜９０℃である。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
このような撥液化処理を行うことにより、第１バンクの前駆体ＢＰ１には、これを構成するアルキル基などにフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。
【００６１】
また、前記撥液化処理に先立って、開口部３０、３１の底面に露出されたガラス基板Ｐの表面を清浄化する目的で、Ｏ2プラズマを用いたアッシング処理やＵＶ（紫外線）照射処理を行っておくことが好ましい。この処理を行うことで、ガラス基板Ｐ表面のバンク材料の残渣を除去することができ、撥液化処理後の前駆体ＢＰ１に対する接触角と該基板表面に対する接触角との差を大きくすることができ、後段の工程で開口部３０、３１内に配される液滴を正確に開口部３０、３１の内側に閉じ込めることができる。
【００６２】
前記Ｏ2アッシング処理は、具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。処理条件としては、例えばプラズマパワーが５０Ｗ〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５１０ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０℃〜９０℃である。
なお、第１バンクの前駆体ＢＰ１に対する撥液化処理（ＣＦ4プラズマ処理）は、先の残渣処理で親液化された基板Ｐ表面に対して多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こりにくいため、基板Ｐの親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
【００６３】
｛第１電極層形成工程｝
次に、開口部３１に対して、液滴吐出装置ＩＪの液滴吐出ヘッド３０１から第１電極層形成用インク（図示せず）と同一材料のインクをアライメントマーク形成用インクとして滴下する。ここでは、導電性微粒子としてＭｎ（マンガン）を用い、溶媒（分散媒）としてテトラデカンを用いたインクを吐出配置する。このとき、第１バンクＢ１の表面には撥液性が付与されており、開口部３１の底面部の基板表面には親液性が付与されているので、吐出された液滴の一部が第１バンクＢ１に載っても、バンク表面で弾かれて開口部３１内に滑り込むようになっている。
【００６４】
次いで、アライメントマーク形成用インクからなる液滴を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。本実施形態では、例えば１８０℃で６０分間程度の加熱を行う。この加熱は窒素ガス雰囲気下など、必ずしも大気中で行う必要はない。
【００６５】
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ〜５０００Ｗの範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ〜１０００Ｗの範囲で十分である。この中間乾燥工程を行うことにより、図８（ｂ）に示すように、開口部３１に固体のアライメントマークＡＭが形成される。
【００６６】
続いて、前行程で形成されたアライメントマークＡＭを図示しないＣＣＤカメラ等で撮像し、当該撮像結果に基づいて液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐとを位置合わせする。その後、アライメントマークＡＭを形成したときと同じ材料のインク滴を開口部３０に吐出し、上述した乾燥処理を実施する。これにより、図９（ａ）に示すように、開口部３０に固体の第１電極層８０ａが形成される。
【００６７】
｛第２電極層形成工程｝
次に、液滴吐出装置による液滴吐出法を用いて、第２電極層形成用インク（図示せず）を、第１バンクの前駆体ＢＰ１の開口部３０に配置する。このときも、前行程で形成されたアライメントマークＡＭを図示しないＣＣＤカメラ等で撮像し、当該撮像結果に基づいて液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐとを予め位置合わせする。
ここでは、導電性微粒子としてＡｇ（銀）を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエールを用いたインク（液体材料）を吐出配置する。このとき、第１バンクの前駆体ＢＰ１の表面には撥液性が付与されており、開口部３０の底面部の基板表面には親液性が付与されているので、吐出された液滴の一部が前駆体ＢＰ１に載っても、バンク表面で弾かれて開口部３０内に滑り込むようになっている。ただし、開口部３０の内部に先に形成されている第１電極層８０ａの表面は、本工程で滴下するインクに対して高い親和性を有しているとは限らないため、インクの滴下に先立って、第１電極層８０ａ上にインクの濡れ性を改善するための中間層を形成してもよい。この中間層は、インクを構成する分散媒の種類に応じて適宜選択されるが、本実施形態のようにインクが水系の分散媒を用いている場合には、例えば酸化チタンからなる中間層を形成しておけば、中間層表面で極めて良好な濡れ性が得られる。
【００６８】
液滴を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて上記と同様の乾燥処理をする。
乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。処理条件は、例えば加熱温度１８０℃、加熱時間６０分間程度である。この加熱についても、窒素ガス雰囲気下など、必ずしも大気中で行う必要はない。
【００６９】
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、先の第１電極層形成工程後の中間乾燥工程で挙げたものを用いることができる。また加熱時の出力も同様に１００Ｗ〜１０００Ｗの範囲とすることができる。この中間乾燥工程を行うことにより、図９（ｂ）に示すように、第１電極層８０ａ上に固体の第２電極層８０ｂが形成される。
この後、第１電極層８０ａ及び第２電極層８０ｂと同様に、有機系分散媒にＮｉ等の導電性微粒子を分散させたインクを開口部３０内に吐出し、乾燥処理を施すことにより、図９（ｃ）に示すように、第２電極層８０ｂ上にキャップ層８１を形成する。
【００７０】
｛焼成工程｝
吐出工程後の乾燥膜については、導電性微粒子間の電気的接触を向上させるため、分散媒を完全に除去する必要がある。また、液中での分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤が導電性微粒子の表面にコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理を施す。
【００７１】
この熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行うが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定されるが、係る構成でも、前記第１電極層８０ａ及び第２電極層８０ｂ、キャップ層８１が先に挙げた材料を用いて形成されているので、３００℃以下の焼成温度とすることができる。
【００７２】
以上の工程により、吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保されて導電性膜に変換され、図９（ｃ）に示したように、第１電極層８０ａと第２電極層８０ｂ、キャップ層８１とが積層されてなるゲート電極８０が形成される。また、図３に示したように、ゲート電極８０と一体の走査線１８ａも前記工程によってガラス基板Ｐ上に形成される。
【００７３】
＜半導体層形成工程＞
次に、図１０（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜８３と、アモルファスシリコン層８４及びＮ+シリコン層８５からなる半導体層３３とを原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。アモルファスシリコン層８４及びＮ+シリコン層８５は、アモルファスシリコン膜と、Ｎ+シリコン膜とをプラズマＣＶＤ法等により積層形成し、フォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで得られる。パターニングに際しては、Ｎ+シリコン膜の表面に、図示の半導体層３３の側断面形状と同様の略凹形のレジストを選択配置し、係るレジストをマスクにしてエッチングを行う。このようなパターニング法によりゲート電極８０と平面的に重なる領域にてＮ+シリコン層８５が選択的に除去されて２つの領域に分割され、これらのＮ+シリコン層８５、８５が、それぞれソースコンタクト領域及びドレインコンタクト領域を形成する。
【００７４】
半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１０（ｂ）に示すように、第２バンクＢ２をゲート絶縁膜８３上に形成するとともに、第２バンクＢ３を前記の２つの領域に分割されたＮ+シリコン層８５、８５間上にフォトリソグラフィ法に基づいて所定形状にパターニングして形成する。この第２バンクＢ３により、Ｎ+シリコン層８５、８５間が電気的に分離される。
【００７５】
上記半導体層形成工程及び第２層目のバンク形成工程で、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行う際には、上述したアライメントマークＡＭを計測することにより、マスクと基板Ｐとの位置合わせを行う。
このとき、アライメントマークＡＭを観察するＣＣＤカメラでは、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜８３、アモルファスシリコン膜及びＮ+シリコン膜に対して透過性が高く、且つアライメントマークＡＭ（Ｍｎ）に対して透過性の低い光源で照明することが、アライメントマークＡＭを認識しやすくなることから好ましい。また、アライメントマークＡＭは、この後の工程でも使用されるため、アモルファスシリコン膜及びＮ+シリコン膜をパターニングする際には、アライメントマークＡＭ形成領域からアモルファスシリコン膜及びＮ+シリコン膜を除去することが好ましい。
【００７６】
＜電極形成工程＞
次いで、半導体層３３が形成されたガラス基板Ｐ上に、図４に示したソース電極３４及びドレイン電極３５を形成する。
【００７７】
｛撥液化処理工程｝
まず、前記の第２バンクＢ２、Ｂ３に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用することができる。
【００７８】
｛電極膜形成工程｝
次に、図４に示したソース電極３４、ドレイン電極３５を形成するためのインク（機能液）を、再度上記アライメントマークＡＭを用いて基板Ｐと位置合わせされた前記液滴吐出装置ＩＪを用いて第２バンク部Ｂ２、Ｂ３に囲まれた領域に塗布する。ここでは、導電性微粒子として銀を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いたインクを吐出する。このようにして液滴を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。本実施形態では、例えば１８０℃加熱を６０分間程度行う。この加熱はＮ２雰囲気下など、必ずしも大気中で行う必要はない。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、先の第１電極層形成工程後の中間乾燥工程で挙げたものを用いることができる。また加熱時の出力も同様に１００Ｗ〜１０００Ｗの範囲とすることができる。
【００７９】
｛焼成工程｝
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐに、熱処理及び／又は光処理を施す。この熱処理及び／又は光処理については、前記ゲート電極８０の形成の際の焼成処理条件と同様にして行うことができる。
このような工程により、吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保されて導電性膜に変換され、図１１（ａ）に示したように、一方のＮ+シリコン層８５に接続し導通するソース電極３４と、他方のＮ+シリコン層８５に接続し導通するドレイン電極３５とが形成される。
【００８０】
次に、第２バンクＢ２、Ｂ３によって区画され、ソース電極３４及びドレイン電極３５が形成された凹部（開口）内に、図１１（ｂ）に示すように該凹部（開口）を埋めるようにして絶縁材料８６を配置する。
次いで、図１１（ｃ）に示すようにドレイン電極３５側の絶縁材料８６にコンタクトホール８７を形成する。その後、ＩＴＯ等からなる透明電極層を液滴吐出法（インクジェット法）やスパッタ法や蒸着法等の気相法で形成し、あるいは液滴吐出法等の液相法で形成し、さらに必要に応じてパターニングすることにより、画素電極１９を形成する。
いずれの工程においても、基板Ｐを位置合わせする際には、上記アライメントマークＡＭを観察した結果が用いられる。
以上の工程により、本発明に係るＴＦＴ６０をガラス基板Ｐの内面側（図示上面側）に形成し、さらに画素電極１９を形成してなる膜構造体を有するＴＦＴアレイ基板１０が得られる。
【００８１】
以上、説明したように、本実施形態では、第１バンクＢ１の開口部３１に透過率の低いアライメントマークＡＭを形成するため、高い認識精度でアライメントマークＡＭを認識することが可能になる。そのため、本実施形態では、基板Ｐを液滴吐出ヘッド３０１やフォトリソ工程等で用いるマスクに対して高精度に位置合わせすることが可能になり、ゲート電極８０や半導体層３３等のパターンを高精度で形成することができる。
また、本実施形態では、これら基板Ｐ上に積層されるパターンを同一のアライメントマークＡＭを用いて形成しているので、各層に形成されたパターン（ゲート電極８０等の配線と半導体層３３）の重ね合わせ精度も向上させることができる。
【００８２】
また、本実施形態では、アライメントマークＡＭと直後の液滴吐出工程で形成する第１電極層８０ａとを同一材料で形成しているので、インクの交換等の準備作業が不要になり、製造効率が向上するとともに、コンタミも防止することができる。加えて、本実施形態では、アライメントマークＡＭとゲート電極８０（走査線１８ａ）を形成する際に用いるバンクが同一のバンクＢ１であり、且つ同一工程で形成されるため、より製造効率を向上させることが可能になる。
さらに、本実施形態では、第１電極層８０ａが第２電極層８０ｂよりも基板Ｐに対する密着性が高い材料で形成されているため、基板Ｐとの密着性が高く、剥がれ等による不良の生じにくいゲート電極８０を形成することが可能になる。
【００８３】
次に、本発明の電気光学装置の一例として、プラズマ型表示装置について説明する。
図１２は本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。
【００８４】
ガラス基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１とガラス基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。また、隔壁５１５によって区画されるストライプ状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部および側面には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部および側面には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部および側面には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００８５】
一方、ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の透明導電膜からなる表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、抵抗の高い表示電極５１２を補うために表示電極５１２上にバス電極５１２ａが形成されている。またこれらを覆って誘電体層５１３が形成され、更にＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
ガラス基板５０１とガラス基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になった部分と、一対の表示電極に囲まれた領域が１画素を構成するように配置されている。
前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００８６】
本実施形態では、前記バス電極５１２ａ、およびアドレス電極５１１が先に示したパターン形成方法を用いて形成されている。そのため、バス電極５１２ａとアドレス電極５１１の密着性が高く、配線不良が生じにくいとともに、高精度に位置合わせされる。また、配線のアライメントを精度よく行うことができるため、配線を高密度化することが可能となる。この際、アライメントマークの形成が液滴吐出手段を用いて行われるため、例えばこれをフォトリソグラフィ技術によって形成する場合に比べて工程が簡単になり、デバイスコストを抑えることもできる。
なお、中間層がマンガン化合物（マンガンの酸化物）からなる場合、マンガンの酸化物は非導電性であるものの、そのマンガン層を非常に薄くかつポーラス状にすることで、表示電極５１２とバス電極５１２ａとの必要な導電性は確保される。また、この場合、中間層が黒くなることから、この中間層がブラックマトリクス的な効果を奏し、表示コントラストの向上を図ることができる。
【００８７】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１３（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１３（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１３（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１３（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１３（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１３（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、高品質化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００８８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００８９】
例えば、上記実施形態では、アライメントマークＡＭを形成するための液滴吐出工程と、第１電極層８０ａを形成するための液滴吐出工程とを別工程とする手順としたが、これに限定されるものではなく、同一工程として、さらに生産性を向上させる手順としてもよい。
【００９０】
また、上記実施形態では、配線パターンを第１電極層８０ａ、第２電極層８０ｂの２層構造としたが、前記配線パターンは単層膜或いは３層以上の多層膜であってもよい。パターンを３層以上の多層膜とした場合には、基板に対して最も密着力の高い膜を１層目（即ち、最も基板側）に配置することが好ましい。これにより、基板とパターンとの密着力が高まり、剥がれ等による不良が生じにくくなる。
【００９１】
また、上記実施形態では、アライメントマークＡＭを平面視十字状としたが、これ以外の形状であってもよい。例えば、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、幅広の拡径部ＡＭ１と幅狭の縮径部ＡＭ２とからなるアライメントマークＡＭとしてもよい。
この場合、拡径部ＡＭ１に液滴を吐出して、自己流動により縮径部に液滴を充填させて、液滴配置に要する時間を短くすることも可能になる。
【００９２】
また、アライメントマークＡＭはこれ以外の形状であってもよい。例えば、図１５（ａ）〜（ｇ）に示すような形状にしてもよい。図１５（ａ）において、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２とが交差しており、アライメントマークＡＭは、幅広の拡径部ＡＭ１と幅狭の縮径部ＡＭ２とから構成されている。そして、拡径部ＡＭ１が液滴の着弾点でもある。ここで、この縮径部ＡＭ２のサイズを幅ｂで表し、拡径部ＡＭ１のサイズを直径Ｄで表すことができる。同図に示すように、直径Ｄ＞幅ｂである。また、縮径部ＡＭ２の長さはガラス基板Ｐの表面状態（濡れ性）に応じて形成される。ガラス基板Ｐの濡れ性が良好であれば（親液性が高い状態）縮径部ＡＭ２の長さが長く形成され、濡れ性が良好でなければ（撥液性が高い状態）縮径部ＡＭ２の長さが短く形成される傾向になる。そして、この縮径部ＡＭ２の長さの程度によって、所望の表面処理がガラス基板Ｐの表面に施されているかどうかを判定することができる。そして、この判定結果に基づいて、ガラス基板Ｐ上に引き続き描画を実行してもよいかどうかを判断することができる。ガラス基板Ｐの表面状態が所望の状態であることが確認できれば描画を実行し、所望の状態でないときには描画を中止して基板を再生することができるので、材料を無駄にすることがなくなるとともに、無駄な作業をすることもなくなる。図１５（ｂ）において、液滴の着弾点が２箇所あり、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２とが交差している。アライメントマークＡＭは、幅広の拡径部ＡＭ１と幅狭の縮径部ＡＭ２とが２箇所ずつあり、これらにより構成されている。図１５（ｃ）において、液滴の着弾点が１箇所あり、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２とが交差している。アライメントマークＡＭは、１箇所の幅広の拡径部ＡＭ１と２箇所の幅狭の縮径部ＡＭ２とで構成されている。図１５（ｄ）において、矩形状の液滴の着弾点が２箇所あり、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２とが交差している。アライメントマークＡＭは、矩形状に形成された幅広の拡径部ＡＭ１と幅狭の縮径部ＡＭ２とが２箇所ずつあり、これらにより構成されている。この縮径部ＡＭ２のサイズを幅ｂで表し、矩形状に形成された幅広の拡径部ＡＭ１のサイズを幅Ｂで表すことができる。図１５（ｅ）において、液滴の着弾点が２箇所あり、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２とが交差している。アライメントマークＡＭは、幅広の拡径部ＡＭ１と幅狭の縮径部ＡＭ２とが２箇所ずつあり、これらにより構成されている。そして、同図に示すように、基板Ｐを平面視してその側面に対して、アライメントマークＡＭを傾斜させて配置している。図１５（ｆ）において、液滴の着弾点が２箇所あり、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２とが交差している。アライメントマークＡＭは、幅広の拡径部ＡＭ１と幅狭の縮径部ＡＭ２とが２箇所ずつあり、これらにより構成されている。そして、同図に示すように、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２との、なす角αが９０度より狭くなるように形成されている。図１５（ｇ）において、液滴の着弾点が２箇所あり、第１の線パターン９０���と、第２の線パターン９０２とが交差している。アライメントマークＡＭは、幅広の拡径部ＡＭ１と幅狭の縮径部ＡＭ２とが２箇所ずつあり、これらにより構成されている。そして、同図に示すように、第１の線パターン９０１の線幅ｂ１より、第２の線パターン９０２の線幅ｂ２が狭くなるように形成されている。さらに、アライメントマーク形成材料としては、反射率の高い材料を用いることにより、ＣＣＤカメラ等で撮像した際に照明光の反射が大きくなり、コントラストが大きくなるものを用いてもよい。このように、アライメントマーク形成材料としては、撮像手段の撮像特性に基づいて選択することが好ましい。
【００９３】
また、上記の実施形態で把握される技術的思想は、以下のとおりである。
【００９４】
（技術的思想１）
請求項１〜請求項１１のいずれかに記載のパターン形成方法において、前記アライメントマークが、第１の線パターンと、前記第１の線パターンに交差するように形成された第２の線パターンと、を有していることを特徴とするパターン形成方法。
【００９５】
このようにすれば、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２と、が交差するように配置させると、これら第１の線パターン９０１と第２の線パターン９０２とを利用することで、アライメントを容易に実施することができる。
【００９６】
（技術的思想２）
請求項１〜請求項１１のいずれかに記載のパターン形成方法において、前記アライメントマークが、第１の線パターンと、前記第１の線パターンに交差するように形成された第２の線パターンと、を有しており、前記第１の線パターン及び前記第２の線パターンの線幅が、液滴着弾部の大きさより狭く形成されていることを特徴とするパターン形成方法。
【００９７】
このようにすれば、第１の線パターン９０１と、第２の線パターン９０２と、を利用すると、液滴着弾部としての拡径部ＡＭ１の直径Ｄより線幅ｂが狭く形成されていることから、より高精度なアライメントを実現することができるので、品質の良好な液晶表示装置１００を提供できる。
【００９８】
（技術的思想３）
請求項１〜請求項１１のいずれかに記載のパターン形成方法において、前記アライメントマークが、第１の線パターンと、前記第１の線パターンに交差するように形成された第２の線パターンと、を有しており、前記第１の線パターンの線幅と、前記第２の線パターンの線幅との内のいずれか一方が狭く形成されていることを特徴とするパターン形成方法。
【００９９】
このようにすれば、第１の線パターン９０１の線幅ｂ１と、第２の線パターン９０２の線幅ｂ２との内のいずれか一方を狭く形成することで、さまざまな幅の配線パターンに対応することができるので、色々な種類の液晶表示装置１００を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、液晶表示装置の等価回路図である。
【図２】同、全体構成を示す平面図である。
【図３】同、１画素領域を示す平面構成図である。
【図４】同、ＴＦＴアレイ基板の部分断面構成図である。
【図５】（ａ）は液滴吐出装置の一例を示す図、（ｂ）は吐出ヘッドの概略図である。
【図６】ゲート電極形成工程における基板の平面図である。
【図７】ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面工程図である。
【図８】ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面工程図である。
【図９】ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面工程図である。
【図１０】ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面工程図である。
【図１１】ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面工程図である。
【図１２】本発明の電気光学装置を、プラズマ型表示装置に適用した例を示す分解斜視図である。
【図１３】電子機器の一例を示す斜視構成図である。
【図１４】アライメントマークの他の形状例を示す平面図である。
【図１５】アライメントマークの他の形状例を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
ＡＭ…アライメントマーク、Ｂ１…第１バンク（隔壁、マーク用隔壁）、ＩＪ…液滴吐出装置、Ｐ…ガラス基板（基板）、３３…半導体層、８０ａ…第１電極層（第１パターン）、８０ｂ…第２電極層（第２パターン）、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、５００…プラズマ型表示装置（電気光学装置）、６００…携帯電話本体（電子機器）、７００…情報処理装置（電子機器）、８００…時計本体（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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