(57)【要約】【課題】輝度、特性及び信頼性を向上させた窒化物系半導体発光素子を提供すること。【解決手段】窒化物系半導体発光素子１００は、基板１１０と、該基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層１２０と、該ｎ型窒化物半導体層上の所定領域に形成された活性層１３０と、該活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層１４０と、該ｐ型窒化物半導体層上に形成されたｐ型電極１６０と、前記活性層の形成されていないｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極１７０と、を備え、前記ｐ型電極と前記ｎ型電極は、オーミック接触層３１０、アルミニウムまたは銀含有の化合物層３２０、及び劣化防止層３３０が順次積層した多層構造である。【選択図】        図３
2007081400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層上の所定領域に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層と、
前記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたｐ型電極と、
前記活性層の形成されていないｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極と、を備え、
前記ｐ型電極と前記ｎ型電極はそれぞれ、オーミック接触層、アルミニウムまたは銀含有の化合物層及び劣化防止層が順次積層した多層構造からなることを特徴とする、窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】
ｎ型電極と、
前記ｎ型電極の下面に形成されたｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層の下面に形成された活性層と、
前記活性層の下面に形成されたｐ型窒化物半導体層と、
前記ｐ型窒化物半導体層の下面に形成されたｐ型電極と、
前記ｐ型電極の下面に形成された構造支持層と、を備え、
前記ｐ型電極と前記ｎ型電極はそれぞれ、隣接した窒化物半導体層の表面からオーミック接触層、アルミニウムまたは銀含有の化合物層及び劣化防止層が順次積層した多層構造からなることを特徴とする、窒化物系半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｐ型窒化物半導体層と前記ｐ型電極間の界面に電流拡散層をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項４】
前記オーミック接触層は、ＣｒまたはＣｒ含有の化合物層からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項５】
前記オーミック接触層は、１Å〜２００Å範囲の厚さを有することを特徴とする、請求項４に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項６】
前記アルミニウムまたは銀含有の化合物層は、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ及びＮｉからなる群より選ばれた１以上の金属添加物が加えられたことを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項７】
前記アルミニウムまたは銀含有の化合物層は、５００Å〜２０，０００Å範囲の厚さを有することを特徴とする、請求項６に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項８】
前記劣化防止層は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕからなる群より選らばれた１以上の耐熱性金属からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項９】
前記劣化防止層は、５０Å〜１０，０００Å範囲の厚さを有することを特徴とする、請求項８に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項１０】
前記ｐ型電極及び前記ｎ型電極は、前記劣化防止層上に形成されている酸化防止層をさらに備えてなることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項１１】
前記酸化防止層は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕからなる群のうち、前記劣化防止層に使用されなかった元素の組み合わせ及びそれらを含む化合物からなることを特徴とする、請求項１０に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項１２】
前記酸化防止層は、５０Å〜１０，０００Å範囲の厚さを有することを特徴とする、請求項１０に記載の窒化物系半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、窒化物系半導体発光素子に係り、より詳細には、オーミック接触抵抗を低く維持し、かつ、光抽出効率を向上させることができる窒化物系半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、窒化物系半導体は、比較的高いエネルギーバンドギャップを有する物質（例；ＧａＮ半導体の場合、約３．４ｅＶ）で、青色または緑色などの短波長光を生成するための光素子に積極的に採用されている。このような窒化物系半導体としては、ＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎの組成式（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である。）を有する物質が広く使用されている。
【０００３】
しかしながら、上記窒化物系半導体は、比較的大きいエネルギーバンドギャップを有することから、電極とオーミック接触を形成し難い。すなわち、ｐ型及びｎ型窒化物半導体層は、大きいエネルギーバンドギャップを有するため、ｐ型及びｎ型電極と接触部位で接触抵抗が高まり、これによって、素子の動作電圧が増加し発熱量が増加するという問題があった。また、従来技術による窒化物系半導体発光素子のｐ型及びｎ型電極は、反射率の低いＣｒ／Ａｕで形成されているため、活性層から発光する光を全反射させずに一部を吸収し、光抽出効率が低下するという問題があった。
【０００４】
このような窒化物系半導体発光素子は、水平構造の発光素子（laterally structured light emitting diodes）と垂直構造の発光素子（vertically structured light emitting diodes）とに大別される。
【０００５】
以下、図１及び図２を参照して、従来技術による窒化物系半導体発光素子について詳細に説明する。
【０００６】
まず、図１を参照して、従来技術による窒化物系半導体発光素子のうち、水平構造窒化物系半導体発光素子について説明する。
【０００７】
図１は、従来技術による水平構造の窒化物系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【０００８】
図１に示すように、従来技術による水平構造の窒化物系半導体発光素子１００は、サファイア基板１１０と、ＧａＮバッファー層（図示せず）と、ｎ型窒化物半導体層１２０と、活性層１３０と、ｐ型窒化物半導体層１４０とが順次結晶成長しており、ｐ型窒化物半導体層１４０とＧａＮ／ＩｎＧａＮ活性層１３０は、メサエッチング（mesa etching）工程によってその一部領域が除去され、それによって、ｎ型窒化物半導体層１２０の上面一部が露出された構造となる。
【０００９】
この露出されたｎ型窒化物半導体層１２０上には、Ｃｒ／Ａｕからなるｎ型電極１７０が形成されており、ｐ型窒化物半導体層１４０上にはＣｒ／Ａｕからなるｐ型電極１６０が形成されている。
【００１０】
このようなｎ型窒化物半導体層１２０とｐ型窒化物半導体層１４０は大きいエネルギーバンドギャップを有するため、ｎ型電極１７０及びｐ型電極１６０とそれぞれ接触すると、接触抵抗が増加し、これにより素子の動作電圧が増加し発熱量の増加を招くという問題があった。
【００１１】
また、ｐ型電極１６０及びｎ型電極１７０は両方ともＣｒ／Ａｕからなるため、ｐ型及びｎ型窒化物半導体層１４０，１２０と同時にオーミック接触し、工程を単純化させるというメリットがあるが、活性層から発光する光の一部を吸収し、素子の全体的な発光効率を低下させるという問題があった。すなわち、Ｃｒ／Ａｕからなる従来のｐ型電極及びｎ型電極は反射率が低く、そのため、活性層から発光する光のうち、ｐ型電極及びｎ型電極に向かう光を吸収し消滅させるので、光抽出効率を低下させ輝度を減少させるという問題があった。
【００１２】
次に、図２を参照して、従来技術による垂直構造の窒化物系半導体発光素子について説明する。
【００１３】
図２は、従来技術による垂直構造の窒化物系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【００１４】
図２に示すように、従来技術による垂直構造の窒化物系半導体発光素子２００は、ｎ型電極１７０と、ｎ型電極１７０の下面に形成されているｎ型窒化物半導体層１２０と、ｎ型窒化物半導体層１２０の下面に形成されている活性層１３０と、活性層１３０の下面に形成されているｐ型窒化物半導体層１４０と、ｐ型窒化物半導体層１４０の下面に形成されているｐ型電極１６０と、ｐ型電極１６０の下面に形成されている構造支持層２１０と、を備えてなる。
【００１５】
このような垂直構造の窒化物系半導体発光素子も同様に、ｎ型窒化物半導体層１２０及びｐ型窒化物半導体層１４０が高いエネルギーバンドギャップを有するため、ｎ型電極１７０及びｐ型電極１６０とそれぞれ接触すると、接触抵抗が増加し、これによって素子の動作電圧が増加し発熱量の増加を招くという問題があった。
【００１６】
また、ｐ型電極１６０及びｎ型電極１７０は両方ともＣｒ／Ａｕからなるため、活性層から発光する光の一部を吸収し、素子の全体的な発光効率を低下させるという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層上に、低いオーミック接触抵抗を有し、反射率及び耐熱性に優れた物質からなる多層構造のｎ型及びｐ型電極をそれぞれ形成することによって、素子の発熱量を減少させて信頼性を向上させ、かつ、活性層から発光する光の一部がｎ型及びｐ型電極に吸収し消滅されるのを防止して光抽出効率を向上させることができる窒化物系半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、一態様において、本発明は、基板と、前記基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層上の所定領域に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたｐ型電極と、前記活性層の形成されていないｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極と、を備え、前記ｐ型電極と前記ｎ型電極はそれぞれ、オーミック接触層、アルミニウムまたは銀含有の化合物層及び劣化防止層が順次積層した多層構造からなることを特徴とする窒化物系半導体発光素子を提供する。
【００１９】
また、本発明の窒化物系半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層と前記ｐ型電極間の界面に電流拡散層をさらに備えることが好ましい。
【００２０】
上記目的を達成するために、一態様において、本発明は、ｎ型電極と、前記ｎ型電極の下面に形成されたｎ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層の下面に形成された活性層と、前記活性層の下面に形成されたｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層の下面に形成されたｐ型電極と、前記ｐ型電極の下面に形成された構造支持層と、を備え、前記ｐ型電極と前記ｎ型電極はそれぞれ、隣接した窒化物半導体層の表面からオーミック接触層、アルミニウムまたは銀含有の化合物層及び劣化防止層が順次積層した多層構造からなることを特徴とする窒化物系半導体発光素子を提供する。これは、比較的エネルギーバンドギャップの大きい前記ｐ型及びｎ型窒化物半導体層のオーミック接触抵抗を改善する役割、及び前記ｐ型及びｎ型窒化物半導体層と前記アルミニウムまたは銀含有の化合物層との接着力を向上させる役割を果たす。
【００２１】
また、前記オーミック接触層は、ｐ型電極及びｎ型電極の高い反射率を確保するために、２００Å以下の厚さを有し、オーミック接触抵抗及び接着力を向上させるために１Å以上の厚さを有しなければならないので、好ましくは、１Å〜２００Å範囲の厚さにする。
【００２２】
また、本発明の窒化物系半導体発光素子において、前記アルミニウムまたは銀含有の化合物層は、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ及びＮｉからなる群より選ばれた１以上の金属添加物を加えたものであることが好ましい。これは、前記ｐ型及びｎ型電極を構成するアルミニウムまたは銀のような物質に熱工程などに伴うヒルロック現象が発生し劣化することを防止し、アルミニウムまたは銀が持つ低いオーミック接触抵抗及び高い反射率をそのまま維持するためである。
【００２３】
また、前記化合物層は、５００Å〜２０，０００Å範囲の厚さにすることが好ましい。
【００２４】
また、前記本発明の窒化物系半導体発光素子において、前記劣化防止層は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕからなる群より選ばれた１以上の耐熱性金属からなることが好ましい。これにより、熱に弱いアルミニウムまたは銀を含有する化合物層が熱によって劣化することを防止できる。このとき、前記劣化防止層は、５０Å〜１０，０００Å範囲の厚さにすることが好ましい。
【００２５】
また、本発明の窒化物系半導体発光素子において、前記ｐ型電極及び前記ｎ型電極は、前記劣化防止層上に形成されている酸化防止層をさらに備えてなることが好ましい。前記酸化防止層は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕからなる群のうち、前記劣化防止層に使用されなかった元素の組み合わせ及びそれらを含む化合物からなるが、これは、前記劣化防止層が大気に晒されて酸化するのを防止するためである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層上にそれぞれ、低いオーミック接触抵抗、高い反射率、及び優れた耐熱性を有する物質が積層した多層構造のｎ型及びｐ型電極を備えることによって、素子の発熱量を下げて信頼性を向上させ、活性層から発光する光の一部がｎ型及びｐ型電極に吸収して消滅されるのを防止して光抽出効率を向上させることができる。
【００２７】
その結果、本発明によれば、窒化物系半導体発光素子の輝度、特性及び信頼性を向上させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付の図面に基づき、本発明の好適な実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を持つ者が容易に実施できるように、詳細に説明する。
【００２９】
図面中、明確な表現のために、数個の層及び領域は厚さを拡大して示し、同一の構成要素については、可能な限り同一の参照符号及び番号を共通使用するものとする。
【００３０】
＜第１実施形態＞
まず、図３を参照して、本発明の第１実施形態による窒化物系半導体発光素子について詳細に説明する。図３は、本発明の第１実施形態による窒化物系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【００３１】
図３に示すように、本実施形態による窒化物系半導体発光素子１００は、基板１１０上に、バッファー層（図示せず）、ｎ型窒化物半導体層１２０、活性層１３０及びｐ型窒化物半導体層１４０が順次積層されてなる。
【００３２】
基板１１０は、好ましくは、サファイアを含む透明な材料から形成され、サファイアの外にも、酸化亜鉛（zinc oxide：ＺｎＯ）、窒化ガリウム（gallium nitride：ＧａＮ）、炭化ケイ素（silicon carbide：ＳｉＣ）または窒化アルミニウム（aluminum nitride：ＡｌＮ）から形成されてもよい。
【００３３】
バッファー層（図示せず）は、ＧａＮから形成されるが、このバッファ層は省かれてもよい。
【００３４】
ｎ型またはｐ型窒化物半導体層１２０，１４０は、各導電型不純物ドープのＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層から形成され、活性層１３０は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ層からなる多重量子井戸（Multi-Quantum Well）構造で形成される。
【００３５】
一方、活性層１３０は、単一の量子井戸層またはダブルヘテロ構造で形成することができる。また、活性層１３０は、構成材料であるインジウム（Ｉｎ）の量によって、ダイオードが緑色発光素子か青色発光素子かが決まる。具体的には、青色光を持つ発光素子に対しては、約２２％範囲のインジウムが使用され、緑色光を持つ発光素子に対しては、約４０％範囲のインジウムが使用される。すなわち、活性層１３０の形成に使用されるインジウムの量は、必要とする青色または緑色波長によって変わる。
【００３６】
また、活性層１３０とｐ型窒化物半導体層１４０の一部はメサエッチング（mesa etching）で除去され、これにより、底面にｎ型窒化物半導体層１２０が露出される溝が形成される。
【００３７】
ｐ型窒化物半導体層１４０上には、電流拡散層（図示せず）が形成されるが、これは、電流の拡散に優れている場合または工程特性及び素子特性によっては省いてもよい。
【００３８】
また、溝の底面に露出されたｎ型窒化物半導体層１２０及びｐ型窒化物半導体層１４０上には、多層構造からなり、反射及び電極の役割を同時に行うｎ型電極１７０及びｐ型電極１６０がそれぞれ形成されている。ここで、ｎ型電極１７０とｐ型電極１６０は、同じ層に同じ物質が形成されており、ｎ型窒化物半導体層１２０とｐ型窒化物半導体層１４０が同時にオーミック接触するため、ｎ型電極１７０及びｐ型電極１６０を形成する工程を単純化させることができる。
【００３９】
このように反射及び電極の役割を同時に行う本発明の第１実施形態によるｐ型電極１６０及びｎ型電極１７０について詳細に説明すると、下記の通りである。
【００４０】
本発明の第１実施形態によるｐ型電極１６０及びｎ型電極１７０は、ｐ型及びｎ型窒化物半導体層１２０，１４０の表面からそれぞれ、オーミック接触層３１０、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）含有の化合物層３２０、及び劣化防止層３３０が順次積層した多層構造とされる。
【００４１】
まず、オーミック接触層３１０は、ＣｒまたはＣｒ含有の化合物層からなることが好ましい。これは、比較的エネルギーバンドギャップの大きいｎ型及びｐ型窒化物半導体層１２０，１４０のオーミック接触抵抗を改善する役割、及びｎ型及びｐ型窒化物半導体層１２０，１４０とアルミニウムまたは銀含有の化合物層３２０との接着力を向上させる役割を担う。この場合、オーミック接触層３１０は、オーミック接触抵抗及び接着力の向上の面から１Å以上の厚さを有し、２００Å以上の厚さを有するとｎ型電極１７０及びｐ型電極１６０の反射率が低くなるので１Å〜２００Å範囲の厚さを有することが好ましく、本実施形態では、２Å〜５０Å範囲の厚さにした。
【００４２】
また、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）含有の化合物層３２０は、化合物として、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ及びＮｉからなる群より選ばれた１以上の耐熱性金属添加物を加えたものを使用することが好ましい。これは、化合物層３２０を構成するアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）が、熱工程などにより劣化するのを防止するためである。
【００４３】
すなわち、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）含有の化合物層３２０のアルミニウムまたは銀は、熱工程などに伴うヒルロックが発生するなど劣化し易く、このように劣化すると、アルミニウムまたは銀の固有特性である低いオーミック接触抵抗及び高い反射率をそのまま維持できないという問題から、本実施形態によるアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）含有の化合物層３２０は、アルミニウムまたは銀に耐熱性金属添加物を加え、熱工程などによる劣化を防止し、低いオーミック接触抵抗及び高い反射率をそのまま維持させている。ここで、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）含有の化合物層３２０は、５００Å以下の厚さにすると反射機能を有することができなく、２０，０００Å以上の厚さにすると厚い電極厚によってストレスが発生し接触性が低下する問題につながるため、５００Å〜２０，０００Å範囲の厚さにすることが好ましい。
【００４４】
また、劣化防止層３３０は、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）含有の化合物層３２０が劣化するのをさらに防止する役割を担う層であり、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕからなる群より選ばれた１以上の耐熱性金属からなることが好ましい。この劣化防止層３３０は、５０Å以下の厚さにすると劣化防止の役割を果たすことができなくなり、１０，０００Å以上の厚さにすると厚い厚さによってストレスが発生し劣化防止層３３０の接触性が低下する問題につながるため、５０Å〜１０，０００Å範囲の厚さにすることが好ましい。
【００４５】
図４Ａ及び図４Ｂは、図３に示す窒化物系半導体発光素子のｐ型及びｎ型のオーミック接触（I-V 曲線）をそれぞれ示すグラフであり、図５は、図１及び図３に示す窒化物系半導体発光素子の反射率を比較した図である。
【００４６】
図４Ａ及び図４Ｂから、本発明の第１実施形態によってオーミック接触層３１０、アルミニウムまたは銀含有の化合物層３２０及び劣化防止層３３０が順次積層した多層構造のｐ型電極１６０及びｎ型電極１７０はいずれも、熱処理を加えても低いオーミック接触抵抗を維持するということが分かる。
【００４７】
また、図５を参照すると、本発明の実施形態によってオーミック接触層３１０、アルミニウムまたは銀含有の化合物層３２０及び劣化防止層３３０が順次積層した多層構造のｎ型電極１７０及びｐ型電極１６０のシリコン（Ｓｉ）に対する反射率は、約１９０％であり、従来技術によってＣｒ／Ａｕで形成された従来のｎ型電極のシリコン（Ｓｉ）に対する反射率は、約１０４％であった。すなわち、本発明の第１実施形態によるｎ型及びｐ型電極は、従来技術によるｎ型及びｐ型電極に比べて約８６％の反射率上昇効果を得ることができるため、活性層から発光する光のうち、ｎ型電極に向かう光を全反射させ、再び発光面に放出させることによって、発光素子の光抽出効率を向上させることができる。
【００４８】
一方、本発明は、ｎ型電極１７０及びｐ型電極１６０が、オーミック接触層３１０、アルミニウムまたは銀含有の化合物層３２０、及び劣化防止層３３０が順次積層した三重層構造上に酸化防止層（図示せず）がさらに形成されている、すなわち、オーミック接触層３１０、アルミニウムまたは銀含有の化合物層３２０、劣化防止層３３０及び酸化防止層（図示せず）が順次積層した四重層構造に形成してもよい。
【００４９】
このように、劣化防止層３３０上に酸化防止層が形成されると、劣化防止層３３０が大気に晒されて酸化することを防止することができる。
【００５０】
ここで、酸化防止層は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕからなる群のうち、劣化防止層に使用されなかった元素の組み合わせ及びそれらを含む化合物からなることが好ましい。また、酸化防止層は、５０Å以下の厚さにすると酸化防止の役割を担うことができなく、１０，０００Å以上の厚さにすると、厚い厚さによってストレスが発生し酸化防止層２３０の接触性が低下する問題につながるため、５０Å〜２０，０００Å範囲の厚さにすることが好ましい。
【００５１】
＜第２実施形態＞
以下、図６を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。ただし、下記の説明において、第１実施形態と同じ構成については説明を省略するものとする。
【００５２】
図６は、本発明の第２実施形態による窒化物系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【００５３】
図６に示すように、第２実施形態による窒化物系半導体発光素子２００は、第１実施形態による窒化物系半導体発光素子とほぼ同様に構成される。ただし、多層構造のｎ型電極１７０が、活性層１３０及びｐ型窒化物半導体層１４０などの一部分が除去されて露出されるｎ型窒化物半導体層１２０上に形成されるのではなく、活性層１３０の形成されたｎ型窒化物半導体層１２０の後面に形成されている。また、ｐ型窒化物半導体層１４０上に形成された多層構造のｐ型電極１６０の後面に、導電性接合層（図示せず）によって構造支持層２１０が接合されている。ここで、構造支持層２１０は、最終的なＬＥＤ素子の支持層及び電極としての役割を担うもので、シリコン（Ｓｉ）基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板または金属層などからなる。ここで、金属層は、電解メッキ、無電解メッキ、熱蒸着（Thermal evaporator）、電子線蒸着（e-beam evaporator）、スパッター（Sputter）、化学気相蒸着（ＣＶＤ）などの方法によって形成されたものが使用可能である。
【００５４】
すなわち、第１実施形態は水平構造の発光素子、第２実施形態は垂直構造の発光素子を例示したもので、第２実施形態は、第１実施形態と同じ作用及び効果が得られる。
【００５５】
以上では具体的な実施形態に挙げて本発明を説明してきたが、上記実施形態から様々な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということは、当該技術分野における通常の知識を持つ者にとっては明らかである。したがって、本発明の権利範囲は、上記の具体例に限定されるものではなく、添付の請求範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者による種々の変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】従来技術による水平構造の窒化物系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【図２】従来技術による垂直構造の窒化物系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による窒化物系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【図４Ａ】図３に示す窒化物系半導体発光素子のｐ型のオーミック接触（I-V 曲線）を示すグラフである。
【図４Ｂ】図３に示す窒化物系半導体発光素子のｎ型のオーミック接触（I-V 曲線）を示すグラフである。
【図５】図１及び図３に示す窒化物系半導体発光素子の反射率を比較した図である。
【図６】本発明の第２実施形態による窒化物系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１１０  基板
１２０  ｎ型窒化物半導体層
１３０  活性層
１４０  ｐ型窒化物半導体層
１６０  ｐ型電極
１７０  ｎ型電極
３１０  オーミック接触層
３２０  アルミニウムまたは銀含有の化合物層
３３０  劣化防止層
２１０  構造支持層
【図１】
2007081400.tif 000003
【図２】
2007081400.tif 000004
【図３】
2007081400.tif 000005
【図４Ａ】
2007081400.tif 000006
【図４Ｂ】
2007081400.tif 000007
【図５】
2007081400.tif 000008
【図６】
2007081400.tif 000009