(57)【要約】【課題】製造工程が簡略化され、大面積化が実現できるとともに、高い発光効率および高い耐久性が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。【解決手段】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極とに挟まれた１層または２層以上の有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも１層に、燐光発光性化合物と高分子化合物とを含み、前記高分子化合物が、特定のトリフェニルアミン誘導体から導かれる構造単位と、２つ以上のヘテロ原子を含有するヘテロ環を有する単量体から導かれる構造単位とを含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極とに挟まれた１層または２層以上の有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層に、燐光発光性化合物と高分子化合物とを含み、
前記高分子化合物が、下記式（１）で表される単量体から導かれる構造単位と、２つ以上のヘテロ原子を含有するヘテロ環を有する単量体から導かれる構造単位とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2007081392.tif 000025
（式中、Ｒ1〜Ｒ27は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基
、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ5〜Ｒ9、Ｒ10〜Ｒ14、およびＲ15〜Ｒ19の、それぞれにおいて、ベンゼン環上に隣接する炭素原子に結合している２つの基は、互いに結合して縮合環を形成してもよい。Ｘ1
は、単結合、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ
−（Ｒは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、または炭素数１〜２０の２価の有機基（該有機基は、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−（Ｒは、水素原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基、またはフェニル基を表す。）および−ＣＯ−からなる群から選択される原子もしくは基によって置換されていてもよい。）を表し、Ｙ1は、重合性官能基を表す。ｐは、０
または１を示す。）
【請求項２】
前記ヘテロ環を有する単量体が、オキサジアゾール誘導体またはトリアゾール誘導体であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記ヘテロ環を有する単量体が、下記式（２）〜（５）で表される単量体からなる群から選択されることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２】
2007081392.tif 000026
（式（２）〜（５）中、Ｒ28〜Ｒ71は、それぞれ、前記式（１）中のＲ1と同義であり、
Ｒ28〜Ｒ31、Ｒ32〜Ｒ36、Ｒ37〜Ｒ40、Ｒ42〜Ｒ44、Ｒ45〜Ｒ49、Ｒ50〜Ｒ54、Ｒ58〜Ｒ62、Ｒ63〜Ｒ66、およびＲ67〜Ｒ71の、それぞれにおいて、ベンゼン環上に隣接する炭素原子に結合している２つの基は、互いに結合して縮合環を形成してもよく、Ｘ2〜Ｘ5は、それぞれ、前記式（１）中のＸ1と同義であり、Ｙ2〜Ｙ5は、それぞれ、前記式（１）中
のＹ1と同義である。前記式（５）中、Ａｒは、フェニル基またはナフチル基を表す。）
【請求項４】
前記燐光発光性化合物が、イリジウム錯体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像表示装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた面発光光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、燐光発光性化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳しくは、本発明は、燐光発光性化合物と高分子化合物とを含有する有機層を含み、製造工程が簡略化され、大面積化が実現できるとともに、高い発光効率および高い耐久性が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（本明細書において、有機ＥＬ素子ともいう）の用途を拡大するために、高い発光効率を有する燐光発光性化合物を用いた材料開発が活発に行われている。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子は、一般的に、陽極と陰極とに挟まれた１層または２層以上の有機層を含む構成をとる。これらの層を形成する材料として、高分子化合物を用いると、これを溶解した溶液を塗布して、簡便に成膜でき、素子の大面積化および量産化が可能となる。
【０００４】
例えば、特許文献１には、ホール輸送性のカルバゾール誘導体および電子輸送性のオキサジアゾール誘導体から導かれる構造単位を有する高分子化合物と、燐光発光性化合物とからなる層を有する有機ＥＬ素子が開示されている。
【０００５】
しかしながら、高分子化合物に、カルバゾール誘導体から導かれる構造単位が含まれる場合は、高い発光効率が得られず、素子の耐久性も低いという問題があった。
これに対して、特許文献２では、高い発光効率を得るために、ホール輸送性化合物として、カルバゾール誘導体に代えてトリフェニルアミン誘導体を用いる試みがされている。具体的には、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、および燐光発光性化合物から導かれる構造単位を有する高分子化合物が開示されている。
【０００６】
しかしながら、用いる単量体の組み合わせによっては、個々の化合物の重合性の相違のため、高分子化合物中で、各々の単量体から導かれる構造単位の分布が不均一となる場合があった。分布が不均一な高分子化合物を用いた有機ＥＬ素子では、高い発光効率は得られず、素子の耐久性も低いという問題があった。
【０００７】
このため、大面積化および量産化に適するとともに、高い発光効率および高い耐久性が得られる材料の開発が望まれていた。
【特許文献１】特開２００２−３６３２２７号公報
【特許文献２】特開２００５−９７５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、製造工程が簡略化され、大面積化が実現できるとともに、高い発光効率および高い耐久性が得られる有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、
燐光発光性化合物と、特定のトリフェニルアミン誘導体から導かれる構造単位および特定のヘテロ環誘導体から導かれる構造単位を含む高分子化合物とを用いることにより、上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は以下のとおりに要約される。
［１］  陽極と陰極とに挟まれた１層または２層以上の有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記有機層の少なくとも１層に、燐光発光性化合物と高分子化合物とを含み、
上記高分子化合物が、下記式（１）で表される単量体から導かれる構造単位と、２つ以上のヘテロ原子を含有するヘテロ環を有する単量体から導かれる構造単位とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１１】
【化１】
2007081392.tif 000002
【００１２】
（式中、Ｒ1〜Ｒ27は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基
、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ5〜Ｒ9、Ｒ10〜Ｒ14、およびＲ15〜Ｒ19の、それぞれにおいて、ベンゼン環上に隣接する炭素原子に結合している２つの基は、互いに結合して縮合環を形成してもよい。Ｘ1
は、単結合、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ
−（Ｒは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、またはフェニル基を表す。）、−ＣＯ−、または炭素数１〜２０の２価の有機基（該有機基は、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−（Ｒは、水素原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基、またはフェニル基を表す。）および−ＣＯ−からなる群から選択される原子もしくは基によって置換されていてもよい。）を表し、Ｙ1は、重合性官能基を表す。ｐは、０
または１を示す。）
［２］上記ヘテロ環を有する単量体が、オキサジアゾール誘導体またはトリアゾール誘導体であることを特徴とする上記［１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１３】
［３］上記ヘテロ環を有する単量体が、下記式（２）〜（５）で表される単量体からなる群から選択されることを特徴とする上記［２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１４】
【化２】
2007081392.tif 000003
【００１５】
（式（２）〜（５）中、Ｒ28〜Ｒ71は、それぞれ、上記式（１）中のＲ1と同義であり、
Ｒ28〜Ｒ31、Ｒ32〜Ｒ36、Ｒ37〜Ｒ40、Ｒ42〜Ｒ44、Ｒ45〜Ｒ49、Ｒ50〜Ｒ54、Ｒ58〜Ｒ62、Ｒ63〜Ｒ66、およびＲ67〜Ｒ71の、それぞれにおいて、ベンゼン環上に隣接する炭素原子に結合している２つの基は、互いに結合して縮合環を形成してもよく、Ｘ2〜Ｘ5は、それぞれ、上記式（１）中のＸ1と同義であり、Ｙ2〜Ｙ5は、それぞれ、上記式（１）中
のＹ1と同義である。上記式（５）中、Ａｒは、フェニル基またはナフチル基を表す。）
［４］前記燐光発光性化合物が、イリジウム錯体であることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１６】
［５］上記［１］〜［４］のいずれかに記載の有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置。
［６］上記［１］〜［４］のいずれかに記載の有機ＥＬ素子を用いた面発光光源。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、製造工程が簡略化され、大面積化が実現できるとともに、高い発光効率および高い耐久性が得られる有機ＥＬ素子を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明に係る有機ＥＬ素子は、陽極と陰極とに挟まれた１層または２層以上の有機層を含み、該有機層の少なくとも１層に、燐光発光性化合物と特定の高分子化合物とを含む。
【００１９】
１．高分子化合物
本発明に用いられる高分子化合物は、上記式（１）で表される単量体と、特定のヘテロ
環を有する単量体とを共重合して得られる。なお、上記高分子化合物の重合においては、１種または２種以上の上記式（１）で表される単量体と、１種または２種以上の上記ヘテロ環を有する単量体とを組み合わせて用いてもよい。
【００２０】
上記式（１）で表される単量体は、ホール輸送性化合物であり、上記ヘテロ環を有する単量体は、電子輸送性化合物であるため、本発明に用いられる高分子化合物は、ホール輸送性部位と電子輸送性部位とを有する。このため、本発明に係る有機ＥＬ素子においては、上記高分子化合物と同一の有機層に含まれる燐光発光性化合物上で、ホールと電子とが効率よく再結合し、高い発光効率が得られる。
【００２１】
上記式（１）で表される単量体は、トリフェニルアミン誘導体であり、この単量体から導かれる構造単位を含む高分子化合物を用いれば、燐光発光性化合物とともに有機層を形成したときに、高い発光効率および高い耐久性が得られる。
【００２２】
上記式（１）中、Ｒ1〜Ｒ27は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基
、アミノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。
【００２３】
上記ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素が挙げられる。
上記炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、アミル基、ヘキシル基などが挙げられる。
【００２４】
上記炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロプキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、およびターシャルブトキシ基などが挙げられる。
【００２５】
これらのうちで、Ｒ1〜Ｒ27は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜
８の直鎖アルキル基であることが好ましい。
Ｒ1〜Ｒ4において、ベンゼン環上に隣接する炭素原子に結合している２つの基は、互いに結合して縮合環を形成してもよい。Ｒ5〜Ｒ9、Ｒ10〜Ｒ14、およびＲ15〜Ｒ19の、それぞれにおいても、Ｒ1〜Ｒ4と同様である。これらのうちで、Ｒ10とＲ11とで、Ｒ8とＲ9とで、互いに結合して縮合環を形成している単量体が好ましい。
【００２６】
Ｘ1は、連結基であり、単結合、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、−ＳＯ−
、−ＳＯ2−、−ＮＲ−（Ｒは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、またはフェニル
基を表す。）、−ＣＯ−、または炭素数１〜２０の２価の有機基（該有機基は、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−（Ｒは、水素原子、
炭素数１〜４のアルキル基、またはフェニル基を表す。）および−ＣＯ−からなる群から選択される原子もしくは基によって置換されていてもよい。）を表す。酸素原子（−Ｏ−）は、１つまたは２つ以上含まれていてもよく、硫黄原子（−Ｓ−）、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−、−ＣＯ−についても同様である。また、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子
（−Ｓ−）、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−および−ＣＯ−からなる群から選択される
原子もしくは基を、２種以上含んでいてもよい。
【００２７】
これらのうちで、Ｘ1は、単結合、酸素原子（−Ｏ−）、下記式（Ｓ１）〜（Ｓ３）で
表される連結基であることが好ましい。下記式（Ｓ１）中、ｎは、０〜５の整数を示す。
【００２８】
【化３】
2007081392.tif 000004
【００２９】
また、Ｘ1は、フェニル基に結合している窒素原子Ｎに対して、パラ位に結合している
ことが好ましい。
Ｙ1は、重合性官能基を表し、該官能基は、ラジカル重合性、カチオン重合性、アニオ
ン重合性、付加重合性、および縮合重合性の官能基のいずれであってもよい。これらのうちで、ラジカル重合性の官能基は、共重合体の製造が容易であるため好ましい。
【００３０】
Ｙ1としては、例えば、アリル基、アルケニル基、アクリレート基、メタクリレート基
、メタクリロイルオキシエチルカルバメート基等のウレタン（メタ）アクリレート基、ビニルアミド基およびそれらの誘導体などを挙げることができる。これらのうちで、アルケニル基が好ましい。
【００３１】
Ｘ1およびＹ1で形成される部分構造としては、具体的には、下記式（Ａ１）〜（Ａ１２）で表される部分構造であることが好ましい。これらのうちで、下記式（Ａ１）、（Ａ５）、（Ａ８）、（Ａ１２）で表される部分構造は、官能基が容易に導入できるためさらに好ましい。
【００３２】
【化４】
2007081392.tif 000005
【００３３】
ｐは、０または１を示す。
上記式（１）で表される単量体としては、高分子化合物中でのキャリア移動度の観点から、具体的には、下記式（Ｂ１）〜（Ｂ６）で表される単量体が好適に用いられ、下記式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ５）で表される単量体がより好適に用いられる。
【００３４】
【化５】
2007081392.tif 000006
【００３５】
本発明に用いられるヘテロ環を有する単量体において、該ヘテロ環は、２つ以上のヘテロ原子を含む。上記単量体は、このようなヘテロ環を１つまたは２つ以上含んでいてもよい。上記単量体から導かれる構造単位を含む高分子化合物は、燐光発光性化合物とともに有機層を形成したときに、高い発光効率および高い耐久性が得られる。
【００３６】
上記ヘテロ環としては、例えば、イミダゾール、ピラゾール、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、オキサジゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、およびそれらの縮合環などが挙げられる。これらのうちで、オキサジアゾール、トリアゾールが好ましい。すなわち、上記ヘテロ環を有する単量体としては、オキサジアゾール誘導体およびトリアゾール誘導体が好ましい。
【００３７】
上記ヘテロ環を有する単量体としては、上記式（２）〜（５）で表される単量体がより好ましい。
上記式（２）〜（５）において、Ｒ28〜Ｒ71は、それぞれ、前記式（１）中のＲ1と同
義である。これらのうちで、Ｒ28〜Ｒ71は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８の直鎖アルキル基、ターシャリーブチル基であることが好ましい。上記式（２）においては、Ｒ34は、ターシャリーブチル基であることがより好ましく、上記式（３）においては、Ｒ47は、ターシャリーブチル基であることがより好ましい。
【００３８】
Ｒ28〜Ｒ31において、ベンゼン環上に隣接する炭素原子に結合している２つの基は、互いに結合して縮合環を形成してもよく、Ｒ32〜Ｒ36、Ｒ37〜Ｒ40、Ｒ42〜Ｒ44、Ｒ45〜Ｒ49、Ｒ50〜Ｒ54、Ｒ58〜Ｒ62、Ｒ63〜Ｒ66、およびＲ67〜Ｒ71の、それぞれにおいても、Ｒ28〜Ｒ31と同様である。上記式（２）においては、Ｒ28とＲ29とで、Ｒ32とＲ33とで、互いに結合して縮合環を形成している単量体が好ましい。
【００３９】
上記式（５）において、Ａｒは、フェニル基またはナフチル基を表す。
Ｘ2は、上記式（１）中のＸ1と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｘ3〜Ｘ5についても、それぞれ、Ｘ2と同様である。
【００４０】
Ｙ2は、上記式（１）中のＹ1と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｙ3〜Ｙ5についても、それぞれ、Ｙ2と同様である。
Ｘ2とＹ2とで、Ｘ3とＹ3とで、Ｘ4とＹ4とで、およびＸ5とＹ5とで形成される部分構造としては、具体的には、それぞれ、上記式（Ａ１）〜（Ａ１２）で表される部分構造であることが好ましい。これらのうちで、上記式（Ａ１）、（Ａ５）、（Ａ８）、（Ａ１２）で表される部分構造は、ヘテロ環を有する単量体に官能基が容易に導入できるためさらに好ましい。
【００４１】
上記ヘテロ環を有する単量体としては、高分子化合物中でのキャリア移動度の観点から、具体的には、下記式（Ｃ１）〜（Ｃ４）で表される単量体が好適に用いられ、下記式（Ｃ１）〜（Ｃ３）で表される単量体がより好適に用いられる。
【００４２】
【化６】
2007081392.tif 000007
【００４３】
本発明に用いられる高分子化合物としては、具体的には、上記式（Ｂ２）および上記式（Ｃ１）から導かれる構造単位を含む高分子化合物、上記式（Ｂ５）および上記式（Ｃ２）から導かれる構造単位を含む高分子化合物、ならびに上記式（Ｂ１）および上記式（Ｃ３）から導かれる構造単位を含む高分子化合物が好適に用いられる。これらの高分子化合物を用いると、燐光発光性化合物上で、ホールと電子とがより効率よく再結合し、より高い発光効率が得られる。また、燐光発光性化合物とともに、均一な分布の有機層を形成でき、耐久性に優れた有機ＥＬ素子が得られる。
【００４４】
なお、上記高分子化合物は、本願の目的に反しない範囲で、さらに、他の重合性化合物から導かれる構造単位を含んでいてもよい。このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル、スチレンおよびその誘導体などのキャリア輸送性を有しない化合物が挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。
【００４５】
また、本発明に用いられる高分子化合物の重量平均分子量は、１，０００〜２，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜１，０００，０００であることがより好ましい。本明細書における分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法を用いて測定されるポリスチレン換算分子量をいう。上記分子量がこの範囲にあると、重合体が有機溶媒に可溶であり、均一な薄膜を得られるため好ましい。
【００４６】
上記高分子化合物は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、および交互共重合体のいずれでもよい。
上記高分子化合物中、上記式（１）で表される単量体から導かれる構造単位の含有量は、好ましくは５〜９５ｍｏｌ％、より好ましくは２０〜８０ｍｏｌ％であり、上記へテロ環を有する単量体から導かれる構造単位の含有量は、好ましくは５〜９５ｍｏｌ％、より好ましくは２０〜８０ｍｏｌ％である（ここで、上記式（１）で表される単量体から導かれる構造単位の含有量および上記へテロ環を有する単量体から導かれる構造単位の含有量の合計は１００ｍｏｌ％である。）。
【００４７】
上記高分子化合物の重合方法は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、および付加重合のいずれでもよいが、ラジカル重合が好ましい。上記高分子化合物を、構造単位の含有量が上記範囲に入るように、上記単量体を用いて重合することが望ましい。
【００４８】
２．燐光発光性化合物
本発明に用いる燐光発光性化合物は、室温で燐光を発光する低分子化合物であれば、特に制限されない。なお、本発明において、上記燐光発光性化合物は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
本発明に係る有機ＥＬ素子に用いる、燐光発光性化合物と高分子化合物とを含む有機層においては、上記燐光発光性化合物が、高分子化合物で形成されるマトリックス中に分散した状態で含まれている。このため、通常は利用が困難な発光、すなわち燐光発光性化合物の三重項励起状態を経由する発光が得られる。したがって、上記有機層を用いる場合は、高い発光効率が得られる。
【００５０】
上記燐光発光性化合物としては、遷移金属錯体が好ましく用いられる。この遷移金属錯体に用いられる遷移金属とは、周期律表の第一遷移元素系列すなわち原子番号２１のＳｃから３０のＺｎまで、第二遷移元素系列すなわち原子番号３９のＹから４８のＣｄまで、第三遷移元素系列すなわち原子番号７２のＨｆから８０のＨｇまでのいずれかの金属原子である。これらうちで、上記遷移金属錯体としては、パラジウム錯体、オスミウム錯体、イリジウム錯体、プラチナ錯体、および金錯体が好ましく、イリジウム錯体およびプラチナ錯体がより好ましく、イリジウム錯体が最も好ましい。
【００５１】
上記イリジウム錯体としては、具体的には、高い発光効率と共に、長寿命の有機ＥＬ素子が得られるため、下記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−３４）で表される錯体が好ましく、下記式（Ｅ−１）、（Ｅ−２）、（Ｅ−１７）、（Ｅ−３２）〜（Ｅ−３４）で表される錯体がより好ましい。
【００５２】
【化７】
2007081392.tif 000008
【００５３】
【化８】
2007081392.tif 000009
【００５４】
【化９】
2007081392.tif 000010
【００５５】
【化１０】
2007081392.tif 000011
【００５６】
上記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−３４）で表されるイリジウム錯体は、公知の方法によって得られる。
３．有機ＥＬ素子
＜燐光発光性化合物と高分子化合物とを含む有機層＞
本発明に係る有機ＥＬ素子は、陽極と陰極とに挟まれた１層または２層以上の有機層を含み、該有機層の少なくとも１層に、上記燐光発光性化合物と上記高分子化合物とを含む。
【００５７】
本発明に係る有機ＥＬ素子の構成の一例を図１に示すが、本発明に係る有機ＥＬ素子の構成は、これに限定されない。図１では、透明基板（１）上に設けた陽極（２）および陰極（６）の間に、ホール輸送層（３）、発光層（４）および電子輸送層（５）を、この順で設けている。上記有機ＥＬ素子では、例えば、陽極（２）と陰極（６）の間に、１）ホール輸送層／発光層、２）発光層／電子輸送層、３）発光層のみのいずれかを設けてもよい。また、発光層を２層以上積層してもよい。
【００５８】
上記において、上記燐光発光性化合物と上記高分子化合物とを含む有機層は、ホール輸送性および電子輸送性を併せ持つ発光層として利用できる。このため、他の有機材料からなる層を設けなくても、高い発光効率を有する有機ＥＬ素子を作成できる利点がある。
【００５９】
上記有機層に含まれる化合物の組み合わせとしては、具体的には、上記式（Ｂ２）および上記式（Ｃ１）から導かれる構造単位を含む高分子化合物と、上記式（Ｅ−２）で表されるイリジウム錯体との組み合わせ、上記式（Ｂ５）および上記式（Ｃ２）から導かれる構造単位を含む高分子化合物と、上記式（Ｅ−３３）で表されるイリジウム錯体との組み合わせ、上記式（Ｂ１）および上記式（Ｃ３）から導かれる構造単位を含む高分子化合物と、上記式（Ｅ−１７）で表されるイリジウム錯体との組み合わせ、ならびに上記式（Ｂ１）および上記式（Ｃ３）から導かれる構造単位を含む高分子化合物と、上記式（Ｅ−３４）で表されるイリジウム錯体との組み合わせが特に好ましい。これらの組み合わせによって、より均一な分布の有機層が得られ、優れた耐久性とともに、より高い発光効率を示す素子が得られる。
【００６０】
上記燐光発光性化合物と上記高分子化合物とを含む有機層は、上記高分子化合物１００重量部に対して、上記燐光発光性化合物を好ましくは０．１〜５０重量部、より好ましくは１〜２０重量部含むことが望ましい。
【００６１】
上記有機層の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、以下のように製造することができる。まず、上記燐光発光性化合物と上記高分子化合物とを溶解した溶液を調製する。なお、上記溶液を、上記燐光発光性化合物の含有量が上記範囲となるように、上記燐光発光性化合物および上記高分子化合物を用いて調製することが好ましい。上記溶液の調製に用いる溶媒としては、特に限定されないが、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒などが用いられる。次いで、このように調製した溶液を、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法または印刷法などを用いて基板上に成膜する。上記溶液中、上記燐光発光性化合物および上記高分子化合物の濃度の合計は、用いる化合物および成膜条件などに依存するが、例えば、スピンコート法やディップコート法の場合には、０．１〜１０ｗｔ％であることが好ましい。このように、上記有機層は簡便に成膜されるため、製造工程の簡略化が実現できるとともに、素子の大面積化が図れる。
＜その他の材料＞
上記の各層は、バインダとして高分子材料を混合して、形成されていてもよい。上記高分子材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイドなどが挙げられる。
【００６２】
また、上記の各層に用いられる材料は、機能の異なる材料、例えば、発光材料、ホール輸送材料、電子輸送材料などを混合して、各層を形成していてもよい。上記燐光発光性化合物と上記高分子化合物とを含む有機層においても、キャリア輸送性を補う目的で、さらに他のホール輸送材料および／または電子輸送材料が含まれていてもよい。このような輸送材料としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。
【００６３】
上記ホール輸送層を形成するホール輸送材料、または発光層中に混合させるホール輸送材料としては、例えば、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン）；α−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）；ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）等の低分子トリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；前記トリフェニルアミン誘導体に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物；ポリパラフェニレンビニレン、ポリジアルキルフルオレン等の蛍光発光性高分子化合物などが挙げられる。上記高分子化合物としては、例えば、特開平８−１５７５７５号公報に開示されているトリフェニルアミン骨格の高分子化合物などが挙げられる。上記ホール輸送材料は、１種単独でも、２種以上を混合して用いてもよく、異なるホール輸送材料を積層して用いてもよい。ホール輸送層の厚さは、ホール輸送層の導電率などに依存するため、一概に限定できないが、好ましくは１ｎｍ〜５μｍ、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、特に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが望ましい。
【００６４】
上記電子輸送層を形成する電子輸送材料、または発光層中に混合させる電子輸送材料としては、例えば、Ａｌｑ３（アルミニウムトリスキノリノレート）等のキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、トリアリールボラン誘導体等の低分子化合物；上記の低分子化合物に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物などが挙げられる。上記高分子化合物としては、例えば、特開平１０−１６６５号公報に開示されているポリＰＢＤなどが挙げられる。上記電子輸送材料は、１種単独でも、２種以上を混合して用いてもよく、異なる電子輸送材料を積層して用いてもよい。電子輸送層の厚さは、電子輸送層の導電率などに依存するため、一概に限定できないが、好ましくは１ｎｍ〜５μｍ、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍ、特に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが望ましい。
【００６５】
また、発光層の陰極側に隣接して、ホールが発光層を通過することを抑え、発光層内でホールと電子とを効率よく再結合させる目的で、ホール・ブロック層が設けられていてもよい。上記ホール・ブロック層を形成するために、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体などの公知の材料が用いられる。
【００６６】
陽極とホール輸送層との間、または陽極と陽極に隣接して積層される有機層との間に、ホール注入において注入障壁を緩和するために、バッファ層が設けられていてもよい。上記バッファ層を形成するために、銅フタロシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）などの公知の材料が用いられる。
【００６７】
陰極と電子輸送層との間、または陰極と陰極に隣接して積層される有機層との間に、電子注入効率を向上するために、厚さ０．１〜１０ｎｍの絶縁層が設けられていてもよい。上記絶縁層を形成するために、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、アルミナなどの公知の材料が用いられる。
【００６８】
上記陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、酸化錫、酸化亜鉛、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子など、公知の透明導電材料が用いられる。この透明導電材料によって形成された電極の表面抵抗は、１〜５０Ω／□（オーム／スクエアー）であることが好ましい。陽極の厚さは５０〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００６９】
上記陰極材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等のアルカリ金属；Ｍｇ、Ｃａ
、Ｂａ等のアルカリ土類金属；Ａｌ；ＭｇＡｇ合金；ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ等のＡｌとアルカリ土類金属またはアルカリ金属との合金など、公知の陰極材料が用いられる。陰極の厚さは、好ましくは１０ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは５０〜５００ｎｍであることが望ましい。アルカリ金属、アルカリ土類金属などの活性の高い金属を陰極として使用する場合には、陰極の厚さは、好ましくは０．１〜１００ｎｍ、より好ましくは０．５〜５０ｎｍであることが望ましい。また、この場合には、上記陰極金属を保護する目的で、この陰極上に、大気に対して安定な金属層が積層される。上記金属層を形成する金属として、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒなどが挙げられる。上記金属層の厚さは、好ましくは１０ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは５０〜５００ｎｍであることが望ましい。
【００７０】
本発明に係る有機ＥＬ素子の基板としては、上記発光材料の発光波長に対して透明な絶縁性基板が使用され、ガラスのほか、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリカーボネート等の透明プラスチックなどが用いられる。
【００７１】
上記のホール輸送層、発光層および電子輸送層の成膜方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法などが用いられる。低分子化合物の場合は、抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が好適に用いられ、高分子材料の場合は、インクジェット法、スピンコート法、または印刷法が好適に用いられる。
【００７２】
また、上記陽極材料の成膜方法としては、例えば、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学反応法、コーティング法などが用いられ、上記陰極材料の成膜方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが用いられる。
【００７３】
４．用途
本発明に係る有機ＥＬ素子は、公知の方法で、マトリックス方式またはセグメント方式による画素として画像表示装置に好適に用いられる。また、上記有機ＥＬ素子は、画素を形成せずに、面発光光源としても好適に用いられる。
【００７４】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、具体的には、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信などに好適に用いられる。
【００７５】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例］
［合成例１］高分子化合物（Ｉ）の合成
密閉容器に、上記式（Ｂ２）で表される化合物（特許文献２に記載の方法に従って合成した）５００ｍｇおよび上記式（Ｃ１）で表される化合物（特開平１０−１６６５号公報に記載の方法に従って合成した）５００ｍｇを入れ、脱水トルエン（９．９ｍＬ）を加えた。次いで、Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、１９８μＬ）を加え、凍結脱気操作を５回繰り返した。真空のまま密閉し、６０℃で６０時間撹拌した。反応後、反応液をアセトン５００ｍＬ中に滴下し、沈殿を得た。さらにトルエン−アセトンでの再沈殿精製を２回繰り返した後、５０℃で一晩真空乾燥して、高分子化合物（Ｉ）を得た。
【００７６】
高分子化合物（Ｉ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は６８１００、分子量分布指数（Ｍｗ／
Ｍｎ）１．９６であった。13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（Ｉ）における上記式（Ｂ２）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｘと上記式（Ｃ１）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙとの比（Ｘ：Ｙ）は４０：６０であった。
［合成例２］高分子化合物（ＩＩ）の合成
（２−１）上記式（Ｃ２）で表される化合物の合成
【００７７】
【化１１】
2007081392.tif 000012
【００７８】
スキーム（１）のように合成した。４−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸５．０ｇ（２８ｍｍｏｌ）および４−ビニル安息香酸４．２ｇ（２８ｍｍｏｌ）に３０ｍＬの塩化チオニルを加え、３時間加熱還流した。得られた溶液を減圧乾固し、残渣にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２０ｍＬおよびピリジン４．５ｇ（５７ｍｍｏｌ）を加えて溶解し、イソフタル酸ジヒドラジド５．４ｇ（２８ｍｍｏｌ）を加えて室温で５時間撹拌した。反応液を５００ｍＬの水中に投入し、生じた沈殿を濾取して乾燥した。得られた固体にオキシ塩化リン１５ｇおよびクロロホルム３０ｍＬを加えて３時間加熱還流した。反応液を５００ｍＬの飽和炭酸ナトリウム水溶液に投入し、１００ｍＬのクロロホルムを加えて、有機層を減圧濃縮した。これにメタノールを加えて−５０℃に冷却し、生じた固体を濾取して乾燥した。さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、上記式（Ｃ２）で表される化合物１．１ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を得た。
【００７９】
化合物（Ｃ２）の同定データは以下の通りである。
元素分析：  計算値（Ｃ28Ｈ24Ｎ4Ｏ2）  Ｃ，７４．９８；Ｈ，５．３９；Ｎ，１２．４９．  測定値  Ｃ，７５．３０；Ｈ，５．１８；Ｎ，１２．２６．
質量分析(ＥＩ)：  ４４８（Ｍ+）．
（２−２）高分子化合物（ＩＩ）の合成
上記式（Ｂ２）で表される化合物および上記式（Ｃ１）で表される化合物の代わりに、上記式（Ｂ５）で表される化合物（特許文献２に記載の方法に従って合成した）および上記式（Ｃ２）で表される化合物を用いたほかは、合成例１と同様にして、高分子化合物（ＩＩ）を得た。
【００８０】
高分子化合物（ＩＩ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１００５００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）２．３３であった。13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（ＩＩ）における上記式（Ｂ５）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｘと上記式（Ｃ２）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙとの比（Ｘ：Ｙ）は４８：５２であった。
［合成例３］高分子化合物（ＩＩＩ）の合成
（３−１）上記式（Ｃ３）で表される化合物の合成
【００８１】
【化１２】
2007081392.tif 000013
【００８２】
スキーム（２）のように合成した。４−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸メチル３．５ｇ（１８ｍｍｏｌ）をエタノール５０ｍＬに溶解し、ヒドラジン一水和物２.０ｇ（４０ｍｍｏ
ｌ）を加えて１０時間加熱還流した。得られた反応混合物を３００ｍＬの水中に投入し、固体を濾取して乾燥した。この固体にピリジン２０ｍＬおよび４−ブロモベンゾイルクロライド４．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加えて、室温で５時間撹拌した。得られた溶液を３００ｍＬの水中に投入し、固体を濾取して乾燥した。この固体にｏ−ジクロロベンゼン２０ｍＬ、アニリン１．８ｇ（１９ｍｍｏｌ）および三塩化リン６．５ｇ（４７ｍｍｏｌ）を加えて３時間加熱還流した。反応液を３００ｍＬの水中に投入してクロロホルムで有機物を抽出した。抽出液を減圧濃縮後、１，２−ジメトキシエタン５０ｍＬ、４−ビニルフェニルボロン酸３．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．２３ｇ（０．２０ｍｍｏｌ）および炭酸ナトリウム６．３ｇ（５９ｍｍｏｌ）を含む水溶液５０ｍＬを加えて、３時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却後、有機層を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、上記式（Ｃ３）で表される化合物２．８ｇ（６．１ｍｍｏｌ）を得た。
【００８３】
化合物（Ｃ３）の同定データは以下の通りである。
元素分析：  計算値（Ｃ32Ｈ29Ｎ3）  Ｃ，８４．３６；Ｈ，６．４２；Ｎ，９．２２．
測定値  Ｃ，８４．５７；Ｈ，６．３３；Ｎ，９．０４．
質量分析(ＥＩ)：  ４５５（Ｍ+）．
（３−２）高分子化合物（ＩＩＩ）の合成
上記式（Ｂ２）で表される化合物および上記式（Ｃ１）で表される化合物の代わりに、上記式（Ｂ１）で表される化合物（特許文献２に記載の方法に従って合成した）および上記式（Ｃ３）で表される化合物を用いたほかは、合成例１と同様にして、高分子化合物（ＩＩＩ）を得た。
【００８４】
高分子化合物（ＩＩＩ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は５５９００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）２．０４であった。13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（ＩＩＩ）における上記式（Ｂ１）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｘと上記式（Ｃ３）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙとの比（Ｘ：Ｙ）は４５：５５であった。
［合成例４］イリジウム錯体（Ｅ−２）の合成
【００８５】
【化１３】
2007081392.tif 000014
【００８６】
（４−１）化合物（ａ）の合成
スキーム（３）のように合成した。２−ブロモピリジン６．０ｇ（３８ｍｍｏｌ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸６．８ｇ（３８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５０ｇ（０．４３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１４ｇ（１００ｍｍｏｌ）を含む水溶液５０ｍＬ、および１，２−ジメトキシエタン５０ｍＬを混合し、３時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチルを加えて、有機層を分取し、減圧で溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物（ａ）７．５ｇ（３５ｍｍｏｌ）を得た。
（４−２）イリジウム錯体（ｂ）の合成
化合物（ａ）４．９ｇ（２３ｍｍｏｌ）および三塩化イリジウム三水和物４．０ｇ（１１ｍｍｏｌ）の混合物に、２−エトキシエタノール７５ｍＬおよび水２５ｍＬを加え、２４時間加熱還流した。生じた沈殿を濾取し、冷メタノールで洗浄した後、乾燥して、イリジウム錯体（ｂ）７．０ｇ（５．４ｍｍｏｌ）を得た。
（４−３）イリジウム錯体（Ｅ−２）の合成
イリジウム錯体（ｂ）３．０ｇ（２．３ｍｍｏｌ）および化合物（ａ）３．０ｇ（１４ｍｍｏｌ）の混合物にグリセリン２０ｍＬを加え、２００℃で２４時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水２００ｍＬを加え、沈殿を濾取し、乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、イリジウム錯体（Ｅ−２）１．６ｇ（１．９ｍｍｏｌ）を得た。
【００８７】
イリジウム錯体（Ｅ−２）の同定データは以下の通りである。
元素分析：  計算値（Ｃ45Ｈ48ＩｒＮ3）  Ｃ，６５．６６；Ｈ，５．８８；Ｎ，５．１
１．  測定値  Ｃ，６５．７３；Ｈ，５．８２；Ｎ，５．０６．
質量分析（ＦＡＢ）：  ８２３（Ｍ+）．
［合成例５］イリジウム錯体（Ｅ−１７）の合成
【００８８】
【化１４】
2007081392.tif 000015
【００８９】
スキーム（４）のように合成した。２−ブロモピリジンの代わりに１−クロロイソキノリンを用いたほかは、化合物（ａ）の合成と同様な方法で、化合物（ｃ）を合成した。次に、化合物（ａ）の代わりに化合物（ｃ）を用いたほかは、イリジウム錯体（ｂ）の合成と同様な方法で、イリジウム錯体（ｄ）を合成した。イリジウム錯体（ｄ）１．２ｇ（０．８０ｍｍｏｌ）および化合物（ｃ）１．０ｇ（３．８ｍｍｏｌ）の混合物にグリセリン２０ｍＬを加え、２００℃で２４時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水２００ｍＬを加え、沈殿を濾取し、乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、イリジウム錯体（Ｅ−１７）０．３０ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）を得た。
【００９０】
イリジウム錯体（Ｅ−１７）の同定データは以下の通りである。
元素分析：  計算値（Ｃ57Ｈ54ＩｒＮ3）  Ｃ，７０．３４；Ｈ，５．５９；Ｎ，４．３
２．  測定値  Ｃ，７０．５１；Ｈ，５．５０；Ｎ，４．１９．
質量分析（ＦＡＢ）：  ９７３（Ｍ+）．
［合成例６］高分子化合物（ＩＶ）の合成
上記式（Ｂ２）で表される化合物の代わりに、Ｎ−ビニルカルバゾールを用いたほかは、合成例１と同様にして、高分子化合物（ＩＶ）を得た。
【００９１】
高分子化合物（ＩＶ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は５１０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）２．３１であった。13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（ＩＶ）におけるＮ−ビニルカルバゾールから導かれる構造単位の数ｘと上記式（Ｃ１）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙとの比（Ｘ：Ｙ）は６７：３３であった。
［合成例７］高分子化合物（Ｖ）の合成
（７−１）化合物（ｆ）の合成
【００９２】
【化１５】
2007081392.tif 000016
【００９３】
スキーム（５）のように合成した。４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸の代わりに４−ブロモフェニルボロン酸を用いたほかは、化合物（ａ）の合成と同様な方法で、化合物（ｅ）を合成した。マグネシウム０．４８ｇ（２０ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ｍＬを加え、これに、化合物（ｅ）４．０ｇ（１７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液４０ｍＬを１時間かけて滴下した。滴下後さらに室温で１時間撹拌し、氷冷しながらアセトン３．０ｇ（５２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液２０ｍＬを滴下した。室温で１時間撹拌後、得られた反応液に水５００ｍＬを加えた。酢酸エチルで有機物を抽出し、水および飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。この溶液を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物（ｆ）２．１ｇ（９．８ｍｍｏｌ）を得た。
（７−２）イリジウム錯体（ｇ）の合成
【００９４】
【化１６】
2007081392.tif 000017
【００９５】
スキーム（６）のように合成した。イリジウム錯体（ｂ）０．５０ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）および化合物（ｆ）０．１５ｇ（０．７０ｍｍｏｌ）の混合物に、グリセリン１０ｍＬを加え、２００℃で１２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、１００ｍＬの水を加え、沈殿を濾取し、乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、イリジウム錯体（ｇ）０．２２ｇ（０．２７ｍｍｏｌ）を得た。
【００９６】
イリジウム錯体（ｇ）の同定データは以下の通りである。
元素分析：  計算値（Ｃ44Ｈ44ＩｒＮ3）  Ｃ，６５．４８；Ｈ，５．５０；Ｎ，５．２
１．  測定値  Ｃ，６５．７７；Ｈ，５．３６；Ｎ，５．０４．
質量分析（ＦＡＢ）：  ８０７（Ｍ+）．
（７−３）高分子化合物（Ｖ）の合成
密閉容器に、イリジウム錯体（ｇ）８０ｍｇ、上記式（Ｂ２）で表される化合物４６０ｍｇ、および上記式（Ｃ１）で表される化合物４６０ｍｇを入れ、脱水トルエン（９．９ｍＬ）を加えた。次いで、Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）のトルエン溶液（０．１Ｍ、１９８μＬ）を加え、凍結脱気操作を５回繰り返した。真空のまま密閉し、６０℃で
６０時間撹拌した。反応後、反応液をアセトン５００ｍＬ中に滴下し、沈殿を得た。さらにトルエン−アセトンでの再沈殿精製を２回繰り返した後、５０℃で一晩真空乾燥して、高分子化合物（Ｖ）を得た。
【００９７】
高分子化合物（Ｖ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は７０５００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）１．８６であった。ＩＣＰ元素分析および13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（Ｖ）におけるイリジウム錯体（ｇ）から導かれる構造単位の数ｚ、上記式（Ｂ２）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｘおよび上記式（Ｃ１）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙの比（Ｚ：Ｘ：Ｙ）は５：３８：５７であった。
［合成例８］高分子化合物（ＶＩ）の合成
上記式（Ｂ２）で表される化合物および上記式（Ｃ１）で表される化合物の代わりに、９−エチル−３−ビニルカルバゾール（特許文献１に記載の方法に従って合成した）および上記式（Ｃ２）で表される化合物を用いたほかは、合成例１と同様にして、高分子化合物（ＶＩ）を得た。
【００９８】
高分子化合物（ＶＩ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は８１５００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）２．３１であった。13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（ＶＩ）における９−エチル−３−ビニルカルバゾールから導かれる構造単位の数ｘと上記式（Ｃ２）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙとの比（Ｘ：Ｙ）は７０：３０であった。
［合成例９］高分子化合物（ＶＩＩ）の合成
イリジウム錯体（ｇ）、上記式（Ｂ２）で表される化合物、および上記式（Ｃ１）で表される化合物の代わりに、下記式で表されるイリジウム錯体（ｈ）（特開２００３−２０６３２０号公報に記載の方法に従って合成した）、上記式（Ｂ５）で表される化合物、および上記式（Ｃ２）で表される化合物を用いたほかは、合成例７（７−３）と同様にして、高分子化合物（ＶＩＩ）を得た。
【００９９】
高分子化合物（ＶＩＩ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は９４５００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）２．５５であった。ＩＣＰ元素分析および13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（ＶＩＩ）におけるイリジウム錯体（ｈ）から導かれる構造単位の数ｚ、上記式（Ｂ５）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｘおよび上記式（Ｃ２）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙの比（Ｚ：Ｘ：Ｙ）は６：４７：４７であった。
【０１００】
【化１７】
2007081392.tif 000018
【０１０１】
［合成例１０］高分子化合物（ＶＩＩＩ）の合成
上記式（Ｂ２）で表される化合物および上記式（Ｃ１）で表される化合物の代わりに、Ｎ−ビニルカルバゾールおよび上記式（Ｃ３）で表される化合物を用いたほかは、合成例１と同様にして、高分子化合物（ＶＩＩＩ）を得た。
【０１０２】
高分子化合物（ＶＩＩＩ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は５１０００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）２．２５であった。13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（
ＶＩＩＩ）におけるＮ−ビニルカルバゾールから導かれる構造単位の数ｘと上記式（Ｃ３）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙとの比（Ｘ：Ｙ）は６８：３２であった。
［合成例１１］高分子化合物（ＩＸ）の合成
（１１−１）化合物（ｉ）の合成
【０１０３】
【化１８】
2007081392.tif 000019
【０１０４】
スキーム（７）のように合成した。１−クロロイソキノリン５．０ｇ（３３ｍｍｏｌ）、４−アセチルフェニルボロン酸５．５ｇ（３４ｍｍｏｌ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３５ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン５０ｍＬに溶解し、炭酸カリウム１２．３ｇ（８９ｍｍｏｌ）の水溶液５０ｍＬを加えて３時間加熱還流した。得られた反応液を室温まで放冷後、水１００ｍＬおよび酢酸エチル１００ｍＬを加え、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣にジエチルエーテル５０ｍＬ、およびメチルリチウムのジエチルエーテル溶液（１．０ｍｏｌ／ｌ）３５ｍＬ（３５ｍｍｏｌ）を加えて、室温で２時間撹拌した。溶媒を留去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物（ｉ）４．８ｇ（１９ｍｍｏｌ）を得た。
（１１−２）イリジウム錯体（ｊ）の合成
【０１０５】
【化１９】
2007081392.tif 000020
【０１０６】
スキーム（８）のように合成した。イリジウム錯体（ｄ）０．６１ｇ（０．４１ｍｍｏｌ）と化合物（ｉ）０．２２ｇ（０．８８ｍｍｏｌ）の混合物にグリセリン１０ｍＬを加え、２００℃で１２時間加熱撹拌した。反応液を室温にまで冷却した後、１００ｍＬの水を加え、沈殿を濾取、乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、イリジウム錯体（ｊ）０．１６ｇ（０．１７ｍｍｏｌ）を得た。
【０１０７】
イリジウム錯体（ｊ）の同定データは以下の通りである。
元素分析：  計算値（Ｃ56Ｈ50ＩｒＮ3）  Ｃ，７０．２６；Ｈ，５．２６；Ｎ，４．３
９．  測定値  Ｃ，６９．９０；Ｈ，５．３８；Ｎ，４．６１．
質量分析（ＦＡＢ）：  ９５７（Ｍ+）．
（１１−３）高分子化合物（ＩＸ）の合成
イリジウム錯体（ｇ）、上記式（Ｂ２）で表される化合物、および上記式（Ｃ１）で表される化合物の代わりに、イリジウム錯体（ｊ）、上記式（Ｂ１）で表される化合物、および上記式（Ｃ３）で表される化合物を用いたほかは、合成例７（７−３）と同様にして、高分子化合物（ＩＸ）を得た。
【０１０８】
高分子化合物（ＩＸ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は６１９００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）２．１８であった。ＩＣＰ元素分析および13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（ＩＸ）におけるイリジウム錯体（ｊ）から導かれる構造単位の数ｚ、上記式（Ｂ１）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｘおよび上記式（Ｃ３）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙの比（Ｚ：Ｘ：Ｙ）は５：４３：５２であった。［合成例１２］イリジウム錯体（Ｅ−３４）の合成
【０１０９】
【化２０】
2007081392.tif 000021
【０１１０】
スキーム（９）のように合成した。４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸の代わりに４−ｎ−ブチルフェニルボロン酸を用いたほかは、化合物（ｃ）の合成と同様な方法で、化合物（ｋ）を合成した。次に、化合物（ａ）の代わりに化合物（ｋ）を用いたほかは、イリジウム錯体（ｂ）の合成と同様な方法で、イリジウム錯体（ｌ）を合成した。イリジウム錯体（ｌ）２．４ｇ（１．６ｍｍｏｌ）および化合物（ｋ）２．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）の混合物にグリセリン２０ｍｌを加え、２００℃で２４時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水２００ｍＬを加え、沈殿を濾取し、乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、イリジウム錯体（Ｅ−３４）０．６０ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を得た。
【０１１１】
イリジウム錯体（Ｅ−３４）の同定データは以下の通りである。
元素分析：  計算値（Ｃ57Ｈ54ＩｒＮ3）  Ｃ，７０．３４；Ｈ，５．５９；Ｎ，４．３
２．  測定値  Ｃ，７０．３８；Ｈ，５．６１；Ｎ，４．１９．
質量分析（ＦＡＢ）：  ９７３（Ｍ+）．
［合成例１３］高分子化合物（Ｘ）の合成
（１３−１）化合物（ｎ）の合成
【０１１２】
【化２１】
2007081392.tif 000022
【０１１３】
スキーム（１０）のように合成した。２−ブロモピリジンの代わりに１−クロロイソキノリンを用いたほかは、化合物（ｅ）の合成と同様な方法で、化合物（ｍ）を合成した。化合物（ｍ）１．５ｇ（５．３ｍｍｏｌ）とジクロロ（ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン）ニッケル０．１０ｇ（０．１８ｍｍｏｌ）を２０ｍｌのＴＨＦに溶解した。この溶液に氷冷しながら臭化５−ヘキセニルマグネシウムのＴＨＦ溶液（０．５０Ｍ）１５ｍｌ（７．５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で５時間撹拌した。得られた反応液に５ｍｌのメタノールを加えた後、減圧で溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することによって、化合物（ｎ）０．９０ｇ（３．１ｍｍｏｌ）を得た。
（１３−２）イリジウム錯体（ｏ）の合成
【０１１４】
【化２２】
2007081392.tif 000023
【０１１５】
スキーム（１１）のように合成した。イリジウム錯体（ｌ）０．５０ｇ（０．３３ｍｍｏｌ）と化合物（ｎ）０．２０ｇ（０．７０ｍｍｏｌ）の混合物にグリセリン１０ｍｌを加え、１８０℃で４８時間加熱撹拌した。反応液を室温にまで冷却した後、１００ｍｌの水を加え、沈殿を濾取、乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、イリジウム錯体（ｏ）０．１０ｇ（０．１０ｍｍｏｌ）を得た。
【０１１６】
イリジウム錯体（ｏ）の同定データは以下の通りである。
元素分析：  計算値（Ｃ59Ｈ56ＩｒＮ3）  Ｃ，７０．９１；Ｈ，５．６５；Ｎ，４．２
０．  測定値  Ｃ，７０．６５；Ｈ，５．８２；Ｎ，４．４４．
質量分析（ＦＡＢ）：  ９９９（Ｍ+）．
（１３−３）高分子化合物（Ｘ）の合成
イリジウム錯体（ｇ）、上記式（Ｂ２）で表される化合物、および上記式（Ｃ１）で表
される化合物の代わりに、イリジウム錯体（ｏ）、上記式（Ｂ１）で表される化合物、および上記式（Ｃ３）で表される化合物を用いたほかは、合成例７（７−３）と同様にして、高分子化合物（Ｘ）を得た。
【０１１７】
高分子化合物（Ｘ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は６１９００、分子量分布指数（Ｍｗ／Ｍｎ）２．５０であった。ＩＣＰ元素分析および13Ｃ−ＮＭＲ測定の結果から見積もった高分子化合物（ＩＸ）におけるイリジウム錯体（ｊ）から導かれる構造単位の数ｚ、上記式（Ｂ１）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｘおよび上記式（Ｃ３）で表される化合物から導かれる構造単位の数ｙの比（Ｚ：Ｘ：Ｙ）は４：４５：５１であった。
［合成例１４］塗布溶液（Ｉ）
高分子化合物（Ｉ）９２ｍｇおよびイリジウム錯体（Ｅ−２）８ｍｇをトルエン２９００ｍｇに溶解し、この溶液を孔径０．２μｍのフィルターでろ過し、塗布溶液（Ｉ）を調製した。
［合成例１５］塗布溶液（ＩＩ）
高分子化合物（Ｉ）およびイリジウム錯体（Ｅ−２）の代わりに、高分子化合物（ＩＩ）およびイリジウム錯体（Ｅ−３３）（特表２００４−５０６３０５号公報に記載の方法に従って合成した）を用いたほかは、合成例１４と同様にして、塗布溶液（ＩＩ）を調製した。
［合成例１６］塗布溶液（ＩＩＩ）
高分子化合物（Ｉ）およびイリジウム錯体（Ｅ−２）の代わりに、高分子化合物（ＩＩＩ）およびイリジウム錯体（Ｅ−１７）を用いたほかは、合成例１４と同様にして、塗布溶液（ＩＩＩ）を調製した。
［合成例１７］塗布溶液（ＩＶ）
高分子化合物（Ｉ）およびイリジウム錯体（Ｅ−２）の代わりに、高分子化合物（ＩＶ）およびイリジウム錯体（Ｅ−２）を用いたほかは、合成例１４と同様にして、塗布溶液（ＩＶ）を調製した。
［合成例１８］塗布溶液（Ｖ）
高分子化合物（Ｖ）１００ｍｇをトルエン２９００ｍｇに溶解し、この溶液を孔径０．２μｍのフィルターでろ過し、塗布溶液（Ｖ）を調製した。
［合成例１９］塗布溶液（ＶＩ）
高分子化合物（Ｉ）およびイリジウム錯体（Ｅ−２）の代わりに、高分子化合物（ＶＩ）およびイリジウム錯体（Ｅ−３３）を用いたほかは、合成例１４と同様にして、塗布溶液（ＶＩ）を調製した。
［合成例２０］塗布溶液（ＶＩＩ）
高分子化合物（Ｖ）の代わりに高分子化合物（ＶＩＩ）を用いたほかは、合成例１８と同様にして、塗布溶液（ＶＩＩ）を調製した。
［合成例２１］塗布溶液（ＶＩＩＩ）
高分子化合物（Ｉ）およびイリジウム錯体（Ｅ−２）の代わりに、高分子化合物（ＶＩＩＩ）およびイリジウム錯体（Ｅ−１７）を用いたほかは、合成例１４と同様にして、塗布溶液（ＶＩＩＩ）を調製した。
［合成例２２］塗布溶液（ＩＸ）
高分子化合物（Ｖ）の代わりに高分子化合物（ＩＸ）を用いたほかは、合成例１８と同様にして、塗布溶液（ＩＸ）を調製した。
［合成例２３］塗布溶液（Ｘ）
高分子化合物（Ｉ）およびイリジウム錯体（Ｅ−２）の代わりに、高分子化合物（ＩＩＩ）およびイリジウム錯体（Ｅ−３４）を用いたほかは、合成例１４と同様にして、塗布溶液（Ｘ）を調製した。
［合成例２４］塗布溶液（ＸＩ）
高分子化合物（Ｉ）およびイリジウム錯体（Ｅ−２）の代わりに、高分子化合物（ＶＩＩＩ）およびイリジウム錯体（Ｅ−３４）を用いたほかは、合成例１４と同様にして、塗
布溶液（ＸＩ）を調製した。
［合成例２５］塗布溶液（ＸＩＩ）
高分子化合物（Ｖ）の代わりに、高分子化合物（Ｘ）を用いたほかは、合成例１８と同様にして、塗布溶液（ＸＩＩ）を調製した。
［実施例１］有機ＥＬ素子の作製および発光特性の評価
ＩＴＯ付き基板（ニッポ電機（株）製）を用いた。これは、２５ｍｍ角のガラス基板の一方の面に、幅４ｍｍのＩＴＯ（酸化インジウム錫）電極（陽極）が、ストライプ状に２本形成された基板であった。
【０１１８】
まず、上記ＩＴＯ付き基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸（バイエル（株）製、商品名「バイトロンＰ」）を、回転数３５００ｒｐｍ、塗布時間４０秒の条件で、スピンコート法により塗布した。その後、真空乾燥器で減圧下、６０℃で２時間乾燥し、陽極バッファ層を形成した。得られた陽極バッファ層の膜厚は、約５０ｎｍであった。
【０１１９】
次に、上記陽極バッファ層上に、塗布溶液（Ｉ）を、回転数３０００ｒｐｍ、塗布時間３０秒の条件で、スピンコート法により塗布した。塗布後、室温（２５℃）で３０分間乾燥し、発光層を形成した。得られた発光層の膜厚は、約１００ｎｍであった。
【０１２０】
次に、発光層を形成した基板を蒸着装置内に載置した。次いで、カルシウムおよびアルミニウムを重量比１：１０で共蒸着し、陽極の延在方向に対して直交するように、幅３ｍｍの陰極をストライプ状に２本形成した。得られた陰極の膜厚は、約５０ｎｍであった。
【０１２１】
最後に、アルゴン雰囲気中で、陽極と陰極とにリード線（配線）を取り付けて、縦４ｍｍ×横３ｍｍの有機ＥＬ素子を４個作製した。上記有機ＥＬ素子に、プログラマブル直流電圧／電流源（ＴＲ６１４３、（株）アドバンテスト社製）を用いて電圧を印加して発光させた。その発光輝度を、輝度計（ＢＭ−８、（株）トプコン社製）を用いて測定した。作製した有機ＥＬ素子の発光色、最大発光外部量子効率、１００ｃｄ／ｍ2点灯時の輝度
半減寿命を表１に示す。
［実施例２〜４および比較例１〜８］有機ＥＬ素子の作製および発光特性の評価
塗布溶液を表１に示す溶液に変更したほかは、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製し、測定を行った。作製した有機ＥＬ素子の発光色、最大発光外部量子効率、１００ｃｄ／ｍ2点灯時の輝度半減寿命を表１に示す。
【０１２２】
【表１】
2007081392.tif 000024
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】図１は、本発明に係る有機ＥＬ素子の例の断面図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１：      ガラス基板
２：      陽極
３：      ホール輸送層
４：      発光層
５：      電子輸送層
６：      陰極
【図１】
2007081392.tif 000027