(57)【要約】      （修正有）【課題】高分子フィルム等の薄膜形成用基材表面に所定のパターンを有する薄膜を、スパッタリング法により形成するに際し、高品質なパターンを効率よく形成することができるマグネトロン型スパッタ装置、及び成膜方法を提供する。【解決手段】内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットと、外周面に所定のパターンで形成された開口を有し、前記ターゲットの外周を取り囲むように、前記ターゲットと離間して設置された円筒形状のマスク部材とを備え、前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜するマグネトロン型スパッタ装置、及びこの成膜装置を用いる成膜方法。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットと、
外周面に所定のパターンで形成された開口を有し、前記ターゲットの外周を取り囲むように、前記ターゲットと離間して設置された円筒形状のマスク部材とを備え、
前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、
前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜するマグネトロン型スパッタ装置。
【請求項２】
前記薄膜形成用基材が高分子フィルムである請求項１に記載のマグネトロン型スパッタ装置。
【請求項３】
内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットを用いて、スパッタリング法により、薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜する成膜方法であって、
外周面に所定のパターンで形成された開口を有する円筒形状のマスク部材を、前記ターゲットの外周を取り囲むように前記ターゲットと離間して設置し、
さらに、前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、
前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
前記薄膜形成用基材として高分子フィルムを用いる請求項３に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記マスク部材の外周面に長尺の薄膜形成用基材を配置し、前記マスク部材が回転するのと同時に、長尺のマスクパターン形成材料を一定方向に搬送することにより、前記長尺の薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を連続的に成膜することを特徴とする請求項３または４に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子フィルム等の薄膜形成用基材の表面に、電極パターンや配線パターン等の所定のパターンを有する薄膜を、スパッタリング法により形成するに際し、効率よく高品質なパターン形成が可能なマグネトロン型スパッタ装置、及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、透明導電性フィルム、有機・無機ＥＬ素子、液晶ディスプレイ、フレキシブルプリント配線基板、電磁波シールドフィルム、ウインドフィルム、コンデンサ金属化フィルム等の分野においては、電極パターンや配線パターン等の薄膜の形成に、フレキシブルな長尺な基材表面に、所定のパターンを有する薄膜を連続的に成膜する方法が知られている。
【０００３】
このような方法として、例えば、特許文献１、２には、長尺のパターン形成用マスクと長尺の薄膜形成用基材とを密着させた状態で一定方向に搬送させながら、前記パターン形成用マスクをマスクとして、長尺のパターン形成用基材表面に、所定のパターンを有する薄膜を成膜した後、前記パターン形成用マスクと長尺のパターン形成用基材とを剥離して、それぞれ巻き取り回収する技術が開示されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１、２に開示された技術においては、長尺のパターン形成用マスクを別途用意する工程、及び長尺のパターン形成用マスクと長尺の薄膜形成用基材とを密着させる（又は重ね合わせる）工程が必要であり、操作が煩雑となり、また、用いるスパッタ装置も大掛かりなものとなる。
そのため、より簡便にかつ高い生産効率で、フレキシブルな長尺な基材表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜する技術が求められていた。
【０００５】
本発明に関連して、ターゲットが円筒型で円筒内部に磁石と冷却水配管を有し、冷却水が内部全体を満たしてターゲットを冷却し、ターゲットを円筒軸のまわりに回転させながら放電を行うスパッタリング法が知られている（特許文献３〜５等）。この方法は、従来のプレーナ型ターゲットに比して、単位時間あたり大きなパワーを投入できるため、高速成膜が可能であるとされる。
【特許文献１】特開２００２−２３５１６６号公報
【特許文献２】特開２００３−２０７６０８号公報
【特許文献３】特表昭５８−５００１７４号公報
【特許文献４】特開平５−２６３２２５号公報
【特許文献５】特表平５−５０１５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、高分子フィルム等の薄膜形成用基材表面に、電極パターンや配線パターン等の、所定のパターンを有する薄膜をスパッタリング法により形成するに際し、高品質なパターンを効率よく形成することが可能なマグネトロン型スパッタ装置、及び成膜方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットを有するマグネトロン型スパッタ装置において、円筒状部材であって、その外周面に所定のパターンで形成された開口を有するマスク部材を、前記ターゲットの外周を取り囲むように前記ターゲットと離間して設置し、さらに、前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜することを着想した。そして、この方法によれば、従来のように長尺のパターン形成用マスクを必要とせず、スパッタリングとパターニングとを一工程で行うことが可能であり、また、マスク部材が熱の影響を受けることが少ないので、正確性の優れたパターニングが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
かくして本発明の第１によれば、内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットと、
外周面に所定のパターンで形成された開口を有し、前記ターゲットの外周を取り囲むように、前記ターゲットと離間して設置された円筒形状のマスク部材とを備え、
前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、
前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜するマグネトロン型スパッタ装置が提供される。
本発明のスパッタ装置においては、前記薄膜形成用基材が高分子フィルムであることが好ましい。
【０００９】
本発明の第２によれば、内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットを用いて、スパッタリング法により、薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜する成膜方法であって、
外周面に所定のパターンで形成された開口を有する円筒形状のマスク部材を、前記ターゲットの外周を取り囲むように前記ターゲットと離間して設置し、
さらに、前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、
前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜することを特徴とする成膜方法が提供される。
【００１０】
本発明の成膜方法においては、前記薄膜形成用基材として高分子フィルムを用いることが好ましく、前記マスク部材の外周面に長尺の薄膜形成用基材を配置し、前記マスク部材が回転するのと同時に、長尺のマスクパターン形成材料を一定方向に搬送することにより、前記長尺の薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を連続的に成膜することが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のスパッタ装置及び成膜方法によれば、従来のように長尺のパターン形成用マスクを必要とせず、スパッタリングとパターニングとを一工程で行うことが可能であり、また、マスク部材が熱の影響を受けることが少ないので、正確性の優れたパターニングが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明のマグネトロン型スパッタ装置の部分拡大図を図１に示す。
図１中、１は円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲット（以下、「ターゲット１」と略記する）、２は円筒軸、３はマスク部材である。
図１中、ターゲット１は、円筒軸２の部分で装置本体（図示を省略）に固定されており、円筒軸が回転するとターゲット１の円筒部分も回転する。円筒軸２は、図示を省略する回転モータにより所定の回転速度で回転するようになっている。
【００１３】
ターゲット１の拡大図を図２（ａ）に示す。図２（ａ）に示すターゲット１の大きさは特に制限されない。例えば、円筒部分の直径を１００〜２００ｍｍ、長さを１００〜５００ｍｍとすることができる。
【００１４】
ターゲットの円筒軸部分の材料としては、例えば、ステンレス、銅、チタン、モリブデン等が挙げられる。
【００１５】
ターゲット１は、内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されている。
【００１６】
ターゲット１の断面図を図２（ｂ）、（ｃ）に示す。図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、ターゲット１の内側には、鉄製のコア１１を中心として、合計８本の直方体形状の永久磁石１２（図２（ｄ））が、互いにＮ極とＳ極が逆符合となるように収容されている。なお、本実施形態では、磁場発生手段として永久磁石を用いる例を示したが、電磁石であってもよい。
【００１７】
ターゲット１の内側の隙間には、冷却手段として冷却用液体用の配管（図示を省略）が配設されており、該配管の中を水等の冷却用液体を循環させて、ターゲット１内部の冷却を行うことができる。
【００１８】
また、図２（ｃ）に示すように、ターゲット１の外周面にはスパッタ材料の層１３が形成されている。
【００１９】
スパッタ材料としては、特に限定されないが、プラズマスパッタ法による成膜が容易で、且つ円筒形の外周面に層形成が可能であることなどの理由から、ＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ)、Ｓｉ、Ａｌ、Ａｇ、ＳｉＣ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｓｉ−Ｚｒ、Ｓｉ−Ｓｎ、ＡｌドープＺｎＯ、ＳｎドープＺｎＯ等の、金属や酸化物、窒化物、炭化物、珪化物、金属間化合物等の無機材料が好ましい。
【００２０】
スパッタ材料の層を形成する方法としては特に制限されず、従来公知の方法が採用できる。例えば、特開２００２−１５５３５６号公報に記載されている方法等が挙げられる。
【００２１】
マスク部材３は、図３（ａ）に示すように、円筒形状を有し、その外周面に所定のパターンで開口３１が形成されてなる。
【００２２】
開口３１のパターン形状は、特に制限されない。開口３１のパターン形状の一例を図３（ｂ）に示す。図３（ｂ）に示す開口３１は、縦２０ｍｍ×横５０ｍｍの長方形を有している。
マスク部材３は、スパッタリング法による成膜を行う場合のマスクとしての役割を果たすものであるから、開口３１のパターン形状がそのまま、薄膜形成用基材表面に成膜される薄膜のパターン形状となる。
【００２３】
マスク部材３の材質は、特に制限されず、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０６等）やアルミニウム、銅等が挙げられる。
また、マスク部材３の外周面に所定のパターンを有する開口３１を形成する方法としては、打ち抜き、レーザーカット等が挙げられる。
【００２４】
マスク部材３は、ターゲット１と離間して、該ターゲット１の外周を取り囲むように設置される。例えば、図１に示すように、マスク部材３の中心がターゲット１の中心と同一となるように、マスク部材３を固定することができる。なお、ターゲット１は、円筒軸２の周りに回転するが、マスク部材３は、ターゲット１と必ずしも同期して回転する必要はない。
【００２５】
また、後述するように、マスク部材３は、長尺の高分子フィルムを支持するとともに、一定方向に回転することにより、高分子フィルムを一定方向に搬送する役割も有する。
【００２６】
図１に示すマグネトロン型スパッタ装置をチャンバー５内に設置して、長尺の高分子フィルム８の表面に、所定のパターンを有する薄膜を連続的に成膜する方法の概要図を図４に示す。
【００２７】
図４中、４はチャンバー壁、５は内部を密閉可能なチャンバーである。チャンバー５内には、本発明のマグネトロン型スパッタ装置が設置されている。本発明のマグネトロン型スパッタ装置のターゲット１は、図示しないスパッタ用電源に繋がっており、チャンバー５内で、スパッタが行われるようになっている。
【００２８】
チャンバー５には、チャンバー５内を減圧にする排気ポンプ６が連結されている。また、図４に示すように、排気ポンプ６には、さらにロータリーポンプが連結されていてもよい。
【００２９】
チャンバー５には、ガス導入管７が取りつけられており、ガス導入管７により、外部から不活性ガス又は反応性ガスを導入可能となっている。ガス導入管７からのガスの流量は調節可能であり、例えば、図示しないガス分圧測定器によりガス分圧を測定し、その測定値に応じて、ガス流量を自動的に調節することができる。
【００３０】
ガス導入管７より導入するガスとしては、成膜する薄膜の種類によるが、例えば、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス等の不活性ガス；窒素ガス、酸素ガス、水素ガス等の反応性ガス；及びこれらのガスの２種以上からなる混合ガス；等が挙げられる。
【００３１】
成膜する際には、排気ポンプ６を用いて、チャンバー５内の圧力を減圧（例えば、１×１０−５Ｐａ〜１×１０−４Ｐａ）とした後、ガス導入管７より、一定量のガスを導入して、チャンバー５内の圧力を、０．０１Ｐａ〜１０Ｐａ、好ましくは０．１〜１．０Ｐａとする。
【００３２】
図４中、８は長尺の高分子フィルムである。長尺の高分子フィルム８は、フィルム送り出し部９からマスク部材３の周囲を経由してフィルム巻き戻し部１０へ、図中矢印の方向に一定速度で搬送されている。
搬送速度は、通常、０．１ｍ／分〜５０ｍ／分である。図４中においては、高分子フィルム８の搬送速度は、マスク部材３の回転速度と同じになっている。
【００３３】
本実施形態では、好適な薄膜形成用基材として、単層からなる長尺の高分子フィルムを用いている。本発明はこれに限定されず、スパッタリング法により、表面に薄膜を形成できる基材であればよく、例えば、金属基材表面に高分子膜が積層された積層体であってもよい。
【００３４】
本実施形態に用いる薄膜形成用基材を構成する高分子フィルムとしては、特に制約はない。例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、芳香族系重合体等の一種以上からなるフィルムが挙げられる。これらの中でも、ガスバリア性等を有する高分子フィルムとしての需要が多く、優れたガスバリア性等を有するイオン注入層が得られることから、ポリエステル、ポリアミド又はシクロオレフィン系ポリマーからなるフィルムが好ましく、ポリエステル又はシクロオレフィン系ポリマーからなるフィルムが特に好ましい。
【００３５】
ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート等が挙げられる。
ポリアミドとしては、全芳香族ポリアミド；ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン共重合体等が挙げられる。
【００３６】
シクロオレフィン系ポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。その具体例としては、アペル（三井化学(株)製のエチレン−シクロオレフィン共重合体）、アートン（ＪＳＲ(株)製のノルボルネン系重合体）、ゼオノア（日本ゼオン(株)製のノルボルネン系重合体）等が挙げられる。
【００３７】
用いる薄膜形成用基材フィルムの厚みとしては特に制約はなく、通常１〜１０００μｍ、好ましくは５〜５００μｍ、実用性の面から５０〜２００μｍである。
【００３８】
薄膜形成用基材フィルムの幅は、用途等に合わせて適宜決定すればよいが、実用性の面から、通常１００〜１０００ｍｍ程度である。
【００３９】
本発明に用いる薄膜形成用基材フィルムは長尺のものであれば、その長さは特に制限されず、用途、製造規模等に合わせて適宜決定することができる。
【００４０】
薄膜の成膜は、長尺の高分子フィルム８がマスク部材３の周囲を図中矢印の方向に一定速度で搬送される間に行われる。すなわち、減圧下で、ターゲット１にパルス電圧を印加することにより、チャンバー５内にプラズマイオンが発生する。印加電力は特に限定されないが、通常３００Ｗ〜３０００Ｗである。
【００４１】
発生したプラズマイオンは、図２（ｃ）に示すように、磁石間で形成された磁界１４内に閉じ込められ、パルス電圧により加速されて、スパッタ材料の層１３に衝突してスパッタ材料をたたき出す。たたき出されたスパッタ材料は、マスク部材３の開口３１を通過して、高分子フィルム８表面に到達し、該フィルム表面にスパッタ材料の薄膜が形成される。
【００４２】
この場合、たたき出されたスパッタ材料が飛散して、フィルム送り出し部９、あるいはフィルム巻き取り部１０付近にあるフィルム表面が成膜されるのを防止するために、図４に示すように、シールド１５を設置するのが好ましい。シールド１５の材料としては、特に制限されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。
【００４３】
以上のようにして、マスク部材３の開口３１のパターンの形状が正確に反映されたパターンを有する薄膜を高分子フィルム表面に成膜することができる。
【００４４】
本発明においては、スパッタ材料と導入するガスの組み合わせを変化させることにより、種々の薄膜を形成することができる。かかる薄膜としては、例えば、ＩＴＯ膜、ＳｉＯ絶縁膜、ＳｉＮ絶縁膜、ＳｉＯＮ絶縁膜、ＴｉＯ膜等が挙げられる。
【００４５】
得られる薄膜の膜厚は、用いるスパッタ材料と導入するガスの種類や、スパッタを行う時間にも依存するが、通常、３〜２００ｎｍ程度である。
【００４６】
本発明のスパッタ装置および成膜方法により得られる薄膜形成基材は、透明導電フィルム、ガスバリアフィルム、電磁波シールドフィルム、ウィンドフィルム、フレキシブルプリント配線基板、コンデンサ用金属化フィルム、液晶ディスプレイ、有機・無機ＥＬ素子等の分野における、電極パターンや配線パターン等が形成されたフレキシブルな巻き取り状基材として有用である。
【実施例】
【００４７】
次に、実施例及び比較例により、本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（１）マグネトロン型スパッタ装置
図１に示すのと同様の構成を有するマグネトロン型スパッタ装置（ロック技研工業（株）製）を使用した。
（ｉ）マグネトロン型回転カソードターゲット
図２（ａ）に示すものと同様の形状のものを使用した（円筒部分の直径は１００ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、内部に装着した永久磁石の大きさは１５ｍｍ×１５ｍｍ×２５０ｍｍである。）。
（ｉｉ）マスク部材
図３（ａ）に示すものと同様の形状のものを使用した（直径は５００ｍｍ、高さは３００ｍｍ、厚みは３ｍｍである。）。また、開口の形状は、図３（ｂ）に示すような形状とした（開口の大きさは５０ｍｍ×２０ｍｍである。）。
【００４８】
（２）表面抵抗率の測定
成膜された薄膜付きフィルムの一片（２ｃｍ×５ｃｍ）を切り取り、低抵抗率計（型式：Ｌａｒｅｓｔａ−ＧＰ、三菱化学社製）を用いて、その表面の抵抗率を測定した。
（３）膜厚の測定
成膜された薄膜付きフィルムの薄膜の膜厚を、触針式段差・表面形状測定装置（ＸＰ−１，ＡＭＢｉＯＳテクノロジー社製）を用いて測定した。
（４）表面観察
成膜された薄膜付きフィルムの薄膜の表面形状を、電界放出型走査型電子顕微鏡（Ｓ−４７００１ＩＩ、日立製作所社製）を用いて観察した。
【００４９】
［実施例１］
図４に示すように、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、「ＰＥＴフイルム」と略記する）（商品名：ルミラー、東レ社製、厚さ１００μｍ、幅２００ｍｍ）に、チャンバー内に設置されたマグネトロン型スパッタ装置を用いて、搬送速度０．２ｍ／ｍｉｎ．、アルゴン・酸素雰囲気下（Ａｒ：Ｏ２＝１００：５（ｃｃｍ））におけるチャンバー内圧力２．０×１０−１Ｐａ、スパッタ材料としてＩＴＯの層を有するターゲットに、１５００ＷのＤＣ電力を印加し、ＰＥＴフィルム表面にパターニングされた透明導電膜を形成した。なお、スパッタ時間は５０ｓｅｃである。
【００５０】
［実施例２］
実施例１において、ターゲットに印加する電力を、５００ＷのＤＣ電力とした以外は実施例１と同様にして成膜を行った。
【００５１】
［実施例３］
実施例１において、ターゲットに印加する電力を２０００ＷのＤＣ電力とした以外は実施例１と同様にして成膜を行った。
【００５２】
［実施例４］
実施例１において、スパッタ材料としてＩＴＯの層を有するターゲットに代えて、スパッタ材料としてＳｉ層を有するターゲットとし、アルゴン・酸素雰囲気下（Ａｒ：Ｏ２＝１００：５０（ｃｃｍ）で、ターゲットに印加する電力を２５００ＷのＤＣ電力とした以外は実施例１と同様にして成膜を行った。
【００５３】
［実施例５］
実施例４において、アルゴン・窒素雰囲気下（Ａｒ：Ｎ２＝１００：６０（ｃｃｍ））とした以外は実施例４と同様にして成膜を行った。
【００５４】
実施例１〜５で得られた薄膜の表面抵抗率（Ω／□）、膜厚（ｎｍ）をそれぞれ測定した。第１表に、薄膜の種類、表面抵抗率（Ω／□）、膜厚（ｎｍ）をまとめて示す。第１表中、ＳｉＯｘ（０＜ｘ≦２）はケイ素酸化物、ＳｉＮｙ（０＜ｙ≦４／３）はケイ素窒化物を表す。
【００５５】
【表１】
2007254790.tif 000003
【００５６】
第１表より、実施例１〜５より、本発明の薄膜を成膜するマグネトロン型スパッタ装置を用いることにより、長尺のＰＥＴフィルム表面に、目的とする薄膜を連続的に効率よく成膜することができた。
また、実施例１〜５で得られた薄膜を電子顕微鏡で表面の形状を観察した結果、マスク部材の開口のパターンと同一パターンを有する薄膜が成膜されていることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のマグネトロン型スパッタ装置の部分拡大図である。
【図２】ターゲットを詳細に説明する図であり、（ａ）はターゲットの拡大図、（ｂ）はターゲットの断面を斜め上から見た図、（ｃ）はターゲットの断面図、（ｄ）は永久磁石の拡大図である。
【図３】マスク部材を説明する図であり、（ａ）はマスク部材の拡大図、（ｂ）は開口部分の部分拡大図である。
【図４】チャンバー内に本発明のマグネトロン型スパッタ装置を設置して、長尺の高分子フィルム表面に薄膜を連続的に成膜する方法の概要を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１…マグネトロン型回転カソードターゲット、２…円筒軸、３…マスク部材、４…チャンバー壁、５…チャンバー、６…排気ポンプ、７…ガス導入管、８…長尺の高分子フィルム、９…フィルム送り出し部、１０…フィルム巻き戻し部、１１…鉄製のコア、１２…永久磁石、１３…スパッタ材料の層、１４…磁界、１５…シールド、３１…開口
【図１】
2007254790.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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