(57)【要約】【課題】ＦＰＤ用大型マスクブランクにおいて、大型アルカリ金属含有ガラス基板を使用する場合について、基板が大型であることに起因して生じる問題を解消する。【解決手段】大型のアルカリ金属含有ガラス基板であって、前記基板内部のアルカリ金属イオン濃度よりも、前記基板表面のアルカリ金属イオン濃度が小さいアルカリ金属含有ガラス基板上に、少なくとも遮光性膜が形成されていることを特徴とする、ＦＰＤデバイスを製造するための大型マスクブランク。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
大型のアルカリ金属含有ガラス基板であって、前記基板内部のアルカリ金属イオン濃度よりも、前記基板表面のアルカリ金属イオン濃度が小さいアルカリ金属含有ガラス基板上に、少なくとも遮光性膜が形成されていることを特徴とする、ＦＰＤデバイスを製造するための大型マスクブランク。
【請求項２】
前記アルカリ金属含有ガラス基板と、前記遮光性膜との間に、アルカリ金属の拡散を防止する機能を有するアルカリ金属拡散防止膜が形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
【請求項３】
前記基板表層が改質された状態のアルカリ金属含有ガラス基板と、前記遮光性膜との間に、窒化クロム系のアルカリ金属拡散防止膜が形成されてなることを特徴とする請求項２記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
【請求項４】
前記遮光性膜は、窒化クロム系の下地膜兼アルカリ金属拡散防止膜と、その上に形成された炭化クロム系遮光膜と、その上に形成された酸窒化クロム系反射防止膜で構成される膜であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
【請求項５】
請求項１乃至４記載のマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランク及びフォトマスクに関し、特に、ＬＣＤデバイスやＦＰＤデバイス（以下、ＬＣＤ、ＦＰＤを総称してＦＰＤと称す）を製造するためのマスクブランク（フォトマスク用のブランク）、係るマスクブランクを用いて製造されたフォトマスク（転写マスク）等に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロプロセッサ、半導体メモリ、システムＬＳＩなどの半導体ディバイスを製造するためのＬＳＩ用マスクは、最大でも６インチ角程度と相対的に小型であって、ステッパ（ショット−ステップ露光）方式による縮小投影露光装置に搭載されて使用されることが多い。
これに対し、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）製造用大型マスクは、３３０ｍｍ×４５０ｍｍから１２２０ｍｍ×１４００ｍｍと相対的に大型であって、ミラープロジェクション（スキャニング露光方式による、等倍投影露光）方式やレンズを使ったレンズプロジェクション方式の露光装置に搭載されて使用されることが多い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ＬＳＩ用マスクを製造するための小型マスクブランクにおいては、現在では、高精度、高精細などの要請から高品質な合成石英基板が使用されている。
ＦＰＤ用大型マスクを製造するための大型マスクブランクにおいても、高精度、高精細の用途の場合は合成石英基板が使用される。これは、大サイズマスクの場合ガラス基板の熱膨張率が重要なファクターとなるからである。詳しくは、３５０ｍｍの間隔で１℃温度が変化した場合の熱膨張によるパターン誤差は、ソーダライムガラス（ＳＬＷ）で約３μｍ、低膨張ガラス（アルミノホウ珪酸ガラス（ＬＥ）、ホウ珪酸ガラス（ＮＡ，ＡＸ））で約２μｍ弱発生するが、合成石英ガラス（ＱＺ）では約０．２μｍと非常に小さい（非特許文献１）。
しかしながら、ＦＰＤ用大型マスクを製造するための大型マスクブランクにおいては、高価な大型合成石英基板を使用するよりも、むしろコスト面を重視してアルカリ金属含有ガラス基板を使用する場合がある。
【非特許文献１】「超ＬＳＩ、液晶、プリント板を支えるフォトマスク技術のはなし」、田辺功、竹花洋一、法元盛久共著、工業調査会刊、「第４章ＬＣＤ用フォトマスクの実際」p.151-180
【０００４】
以上のように、ＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクでは、ＬＳＩ用マスクではあまり使用されなくなったアルカリ金属含有ガラス基板が使用されるため、係るアルカリ金属含有ガラス基板をＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクに適用した場合に基板が大型であることに起因して生じる問題について検討する必要がある。
本願の目的は、ＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクにおいて、アルカリ金属含有ガラス基板を使用する場合について、係るアルカリ金属含有ガラス基板をＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクに適用した場合に基板が大型であることに起因して生じる問題を解消することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的の下、本発明者は、ＦＰＤ用大型マスクブランク及びＦＰＤ用大型フォトマスクに関し、鋭意研究、開発を行った。
その結果、アルカリ金属含有ガラス基板をＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクに適用するに際し、基板からのアルカリ金属の溶出の問題に対処するために、ガラス基板と遮光性膜との間に、アルカリ金属の拡散を防止する（バリアする）機能を有する膜（以下、拡散防止膜という）を形成する技術を適用した場合であっても、成膜後（マスクブランク形成後）２週間から３ヶ月で遮光膜にピンホールが発生し問題となることが判明した。この原因を究明したところ、ＦＰＤ用大型マスクブランクでは基板が大型であるため拡散防止膜の膜厚バラツキが大きく、拡散防止膜の膜厚が相対的に薄い箇所で遮光膜にピンホールが発生することがあり、大型基板では十分な効果が挙げられない場合があることが判明した。尚、膜厚を厚くして対処する手法も考えられるが、遮光膜の下にあまり厚い層を形成することは、膜厚バラツキが大きくなりパターン精度が悪化し、また成膜時のやパターニング時の処理時間が長くなるので、好ましくない。
また、アルカリ金属含有ガラス基板をＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクに適用するに際し、基板からのアルカリ金属の溶出の問題に対処するために、基板からのアルカリ金属の溶出を防止し得るとされるガラス表面改質処理する技術（具体的には基板を熱濃硫酸処理する技術）を大型基板に適用した場合について研究した。その結果、係る場合においても、基板上に遮光膜を成膜後２週間から３ヶ月で遮光膜にピンホールが発生し問題となることが判明した。この原因を究明したところ、（１）表面改質の度合いが不十分であること、（２）ＦＰＤ用大型マスクブランクでは基板が大型であるため、表面改質の度合いのバラツキがあること、などが影響しているものと考えられることが判明した。
そこで、これらの影響を考慮し、鋭意開発を行った。このとき、アルカリ金属含有ガラス基板を用いる意図である低コスト化を十分考慮に入れて開発を行った。その結果、大型のアルカリ金属含有ガラス基板について、基板内部のアルカリ金属イオン濃度よりも、基板表面のアルカリ金属イオン濃度が小さく所定のガラス基板表層の状態を有するアルカリ金属含有ガラス基板を用いこの基板上に遮光性膜を形成する対策が、基板上に遮光膜を成膜後（マスクブランク形成後）２週間から３ヶ月の間に遮光膜にピンホールが発生する問題に対する対策として有効であることを見出し、第一の発明に至った。
更に、上記所定のガラス基板表層の状態に加え、この基板表面上にアルカリ金属の拡散を防止する拡散防止膜を形成した場合、成膜後（マスクブランク形成後）３ヶ月間は遮光膜にピンホールが発生せず、対策として非常に有効であることを見出し、第二の発明に至った。
【０００６】
本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）
大型のアルカリ金属含有ガラス基板であって、前記基板内部のアルカリ金属イオン濃度よりも、前記基板表面のアルカリ金属イオン濃度が小さいアルカリ金属含有ガラス基板上に、少なくとも遮光性膜が形成されていることを特徴とする、ＦＰＤデバイスを製造するための大型マスクブランク。
（構成２）
前記アルカリ金属含有ガラス基板と、前記遮光性膜との間に、アルカリ金属の拡散を防止する機能を有するアルカリ金属拡散防止膜が形成されてなることを特徴とする構成１記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
（構成３）
前記基板表層が改質された状態のアルカリ金属含有ガラス基板と、前記遮光性膜との間に、窒化クロム系のアルカリ金属拡散防止膜が形成されてなることを特徴とする構成２記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
（構成４）
前記遮光性膜は、窒化クロム系のアルカリ金属拡散防止膜と、その上に形成された炭化クロム系遮光膜と、その上に形成された酸窒化クロム系反射防止膜で構成される膜であることを特徴とする、構成１乃至３のいずれか一に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
（構成５）
構成１乃至４記載のマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスク。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ＦＰＤ用大型マスクブランク及びマスクにおいて、大型アルカリ金属含有ガラス基板を使用する場合について、基板が大型であることに起因して生じる問題を解消できる。
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクにおいては、大型のアルカリ金属含有ガラス基板であって、前記基板内部のアルカリ金属イオン濃度よりも、前記基板表面のアルカリ金属イオン濃度が小さいアルカリ金属含有ガラス基板上に、少なくとも遮光性膜が形成されていることを特徴とする（構成１）。
上記のように、基板表層を所定の状態とすることによって、基板上に遮光膜を成膜後（マスクブランク形成後）２週間から３ヶ月の間に遮光膜にピンホールが発生する問題に対する対策として有効である。
アルカリ金属含有ガラス基板の基板表層を上記所定の状態とする手段としては、高温の溶媒処理が挙げられる。溶媒としては、酸、アルカリなどの水溶液の他に、温水であってもかまわない。酸としては、フッ酸、ケイフッ酸、硝酸、硫酸、これらの混酸などが挙げられ、アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。
本発明では、高温の酸の水溶液又は高温のアルカリの水溶液による処理の後、温水処理することが、より高い効果を得る観点から望ましい。
処理時間は、１分〜３０分、好ましくは５分〜２０分が望ましい。
処理温度は、６０℃以上、好ましくは８０℃以上が望ましい。
ここで、アルカリ金属含有ガラス基板の基板表層を所定の状態とした場合におけるガラス内部のアルカリ金属含有量の分布を、図１に示す。図１に示すように、基板表層に近づくにつれてアルカリ金属イオン濃度が減少していく状態（例えば放物線に類似した緩やかな曲線を描き減少していく状態）が好ましい。
所定の状態についての指標とするアルカリ金属としては、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ等が挙げられ、このうちアルカリ金属含有ガラスに比較的多く含まれるＮａを指標とすることが好ましい。図１におけるガラス内部のアルカリ金属含有量の分布は、オージェ電子分光法で測定することができる。
【０００９】
本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクにおいては、上記所定のガラス基板表層の状態を有するアルカリ金属含有ガラス基板と、前記遮光性膜との間に、アルカリ金属の拡散を防止する機能を有するアルカリ金属拡散防止膜が形成されてなることが好ましい（構成２）。
このように、上記所定のガラス基板表層の状態に加え、この所定の基板表面上にアルカリ金属の拡散を防止する拡散防止膜を形成した場合には、成膜後（マスクブランク形成後）３ヶ月間は遮光膜にピンホールが発生せず、対策として非常に有効である。また、この場合、上記所定のガラス基板表層の状態を有しない場合に比べ、拡散防止膜の膜厚を薄くできるので非常に有効である。
本発明において、拡散防止膜の膜厚は、４５〜６００オングストローム程度が好ましい。
尚、コスト面を重視するとなるべく工程は少ない方が良いのであるが、成膜後（マスクブランク形成後）３ヶ月間は遮光膜にピンホールが発生しないことから、費用対効果を考慮すると実施する意義が十分にあることが判った。
【００１０】
尚、拡散防止膜の膜材料について検討した結果、以下のことがわかった。
（ｉ）拡散防止膜が、クロム酸化膜系膜（例えばＣｒＯ膜など）であると、膜中にＯを含むため（膜中のＯが多いため）、結晶粒径（グレインサイズ）がＣｒに比べ大きくなる。
（ｉｉ）クロム窒化系膜（例えばＣｒＮ、ＣｒＣＮ，ＣｒＯＮ）では、結晶粒径（グレインサイズ）がＣｒに比べ小さくなる。
（ｉｉｉ）ＣｒＯＮに比べ、ＣｒＮ、ＣｒＣＮでは、膜中にＯを含まないため、結晶粒径（グレインサイズ）が小さくなる。
以上の膜の結晶粒径（グレインサイズ）を考慮すると、拡散防止膜としては、クロム窒化系膜が好ましいことが判る（構成３）。
尚、拡散防止膜がＣｒＮであると、膜の結晶粒径（グレインサイズ）が小さく、緻密で、拡散防止機能の高い膜を形成することが可能であり、しかもＣｒＮ拡散防止膜は膜厚が薄くても（例えば１５０オングストローム程度でも）拡散防止機能の優れる（具体的には３か月以上ピンホールの発生を防止できる）ので、非常に好ましい。
ＣｒＮ拡散防止膜の膜厚は、４５〜３００オングストローム程度が好ましい。
【００１１】
本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクにおいて、遮光性膜の材料としては、例えば、窒化クロム系の拡散防止膜と、その上に形成された炭化クロム系遮光性膜と、その上に形成された酸窒化クロム系反射防止膜で構成される膜であることが特に好ましい（構成４）。
この理由は、炭化クロム系遮光性膜の上下に結晶粒径（グレインサイズ）が小さいクロム窒化系膜が形成され、これによって、湿度等の環境変化に強く、ピンホール発生防止を補助する作用があると考えられるからである。
係る作用をより効果的に得る観点から、窒化クロム系の拡散防止膜と、その上に形成された炭化クロム系遮光性膜と、その上に形成された酸窒化クロム系反射防止膜で構成される膜は、インラインスパッタリング装置によって連続一体的に形成された組成傾斜膜であることが更に好ましい。
【００１２】
本発明において、大型アルカリ金属含有ガラス基板としては、ソーダライムガラス（ＳＬＷ）基板、低膨張ガラス基板（アルミノホウ珪酸ガラス（ＬＥ）基板、ホウ珪酸ガラス（ＮＡ，ＡＸ）基板）などの大型基板が挙げられる。
本発明で言う「大型のアルカリ金属含有ガラス基板」とは、３３０ｍｍ×４５０ｍｍ以上のサイズのアルカリ金属含有ガラス基板を言う。
本発明において、遮光性膜の材料としては、例えば、クロムや、クロムの窒化物、クロムの炭化物、クロムのフッ化物、それらを少なくとも１つ含む材料が好ましい。
【００１３】
本発明において、ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクとしては、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイなどのＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクが挙げられる。
ここで、ＬＣＤ製造用マスクには、ＬＣＤの製造に必要なすべてのマスクが含まれ、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、特にＴＦＴチャンネル部やコンタクトホール部、低温ポリシリコンＴＦＴ、カラーフィルタ、反射板、などを形成するためのマスクが含まれる。他の表示デバイス製造用マスクには、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、プラズマディスプレイなどの製造に必要なすべてのマスクが含まれる。
【００１４】
本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスクは、上記本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクを用いて製造される（構成６）。例えば、ウエットエッチング等によってマスクブランク上に形成された遮光性膜等の薄膜のパターニングを施し、マスクパターンを形成して製造される。
【００１５】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
大型ガラス基板（ソーダライム、１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）について、基板内部のアルカリ金属イオン濃度よりも、基板表面のアルカリ金属イオン濃度が小さくなるように、基板表層の処理を行った。具体的には、大型ガラス基板の表面を研磨、洗浄後、熱濃硫酸（１００℃、１０分）で処理した後、温水（６５℃、５分）で処理して、ガラス基板表層が所定の状態を有するアルカリ金属含有ガラス基板を得た。
上記基板表層の所定の処理を行った大型ソーダライムガラス基板１上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、拡散防止膜、遮光膜及び反射防止膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペース（スパッタ室）にＣｒターゲットを各々配置し、まずＡｒとＮ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＮ膜（拡散防止膜としての機能に加え、ガラスに対する付着力増強を目的とした下地膜としての機能を有するように作製された膜）２を１５０オングストローム、次いでＡｒとＣＨ４ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＣ膜（遮光膜）３を６５０オングストローム、次いでＡｒとＮＯガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯＮ膜（膜面反射防止膜）４を２５０オングストローム、連続成膜して、マスクブランクを作製した（図２参照）。尚、各膜はそれぞれ組成傾斜膜であった。
上記マスクブランクを清浄環境下で３ヶ月間保管し、その後ピンホールの発生について調べたところ、アルカリ溶出に起因すると考えられるピンホールの発生は認められなかった。
【００１６】
（実施例２）
大型ガラス基板（ソーダライム、１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）について、基板内部のアルカリ金属イオン濃度よりも、基板表面のアルカリ金属イオン濃度が小さくなるように、上述の実施例１と同様の処理条件にて、基板表層の処理を行った。
上記基板表層の所定の処理を行った大型ソーダライムガラス基板上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、遮光膜及び反射防止膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に各々配置されたＣｒターゲットを用い、ＡｒとＣＨ４ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＣ膜（遮光膜）を６２０オングストローム成膜し、次いでＡｒとＮＯガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯＮ膜（膜面反射防止膜）４を２５０オングストローム連続成膜して、マスクブランクを作製した。
上記マスクブランクを清浄環境下で１ヶ月間保管し、その後ピンホールの発生について調べたところ、アルカリ溶出に起因すると考えられるピンホールの発生は認められなかった。ただし、１ヶ月経過後２ヶ月以内に遮光膜にアルカリ溶出に起因すると考えられるピンホールが発生が認められた。
【００１７】
（実施例３）
大型ガラス基板（ソーダライム、１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）について、基板内部のアルカリ金属イオン濃度よりも、基板表面のアルカリ金属イオン濃度が小さくなるように、上述の実施例１と同様の処理条件にて、基板表層の処理を行った。
上記基板表層の所定の処理を行った大型ソーダライムガラス基板１上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、拡散防止膜、遮光性膜及び反射防止膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペース（スパッタ室）にＣｒターゲットを各々配置し、まずＡｒとＣＯ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯ膜（拡散防止膜）２を８０オングストローム、次いでＡｒをスパッタリングガスとしてＣｒ膜（遮光性膜）３を９５０オングストローム、次いでＡｒとＣＯ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯ膜（膜面反射防止膜）４を３００オングストローム、連続成膜して、マスクブランクを作製した（図３参照）。
上記マスクブランクを清浄環境下で１ヶ月間保管し、その後ピンホールの発生について調べたところ、アルカリ溶出に起因すると考えられるピンホールの発生は認められなかった。ただし、１ヶ月経過後２ヶ月以内に遮光膜にアルカリ溶出に起因すると考えられるピンホールが発生が認められた。
【００１８】
（比較例１）
大型ガラス基板（ソーダライム、１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）について、従来より公知の基板表層の改質処理を行った。具体的には、熱濃硫酸（１００℃、１０分）処理で基板表層の改質処理を行った。
上記の基板表層の改質処理を行った大型ソーダライムガラス基板上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、遮光膜及び反射防止膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に各々配置されたＣｒターゲットを用い、ＡｒガスをスパッタリングガスとしてＣｒ膜（遮光膜）を９５０オングストローム成膜し、次いで、ＡｒとＣＯ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯ膜（膜面反射防止膜）４を３００オングストローム連続成膜して、マスクブランクを作製した。
上記マスクブランクを清浄環境下で保管し、経時的にピンホールの発生について調べたところ、２週間から１ヶ月で遮光膜にアルカリ溶出に起因すると考えられるピンホールが発生が認められた。
【００１９】
（比較例２）
大型ガラス基板（ソーダライム、１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）について、実施例１に記載した基板表層の所定の処理を行うことなく、係る大型ソーダライムガラス基板上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、拡散防止膜兼下地膜、遮光膜及び反射防止膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペース（スパッタ室）にＣｒターゲットを各々配置し、まずＡｒとＣＯ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯ膜（拡散防止膜）を８０オングストローム、次いでＡｒをスパッタリングガスとしてＣｒ膜（遮光性膜）を９５０オングストローム、次いでＡｒとＣＯ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯ膜（膜面反射防止膜）を３００オングストローム、連続成膜して、マスクブランクを作製した。尚、各膜はそれぞれ組成傾斜膜であった。
上記マスクブランクを清浄環境下で保管し、経時的にピンホールの発生について調べたところ、２週間から１ヶ月で遮光膜にアルカリ溶出に起因すると考えられるピンホールが発生が認められた。
【００２０】
（比較例３）
大型ガラス基板（ソーダライム、１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）について、実施例１に記載した基板表層の所定の処理を行うことなく、係る大型ソーダライムガラス基板上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、遮光膜及び反射防止膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に各々配置されたＣｒターゲットを用い、まずＡｒをスパッタリングガスとしてＣｒ膜（遮光性膜）を９５０オングストローム、次いでＡｒとＣＯ２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯ膜（膜面反射防止膜）を３００オングストローム、連続成膜して、マスクブランクを作製した。
上記マスクブランクを清浄環境下で保管し、経時的にピンホールの発生について調べたところ、２週間から１ヶ月で遮光膜にアルカリ溶出に起因すると考えられるピンホールの発生が多数認められた。
【００２１】
（マスクの作製）
上記実施例１〜３及び比較例１〜３で作製したマスクブランクを用い、ＦＰＤ用大型マスクを作製した。
この結果、実施例１〜３のマスクブランクを使用した場合は、欠陥（白欠陥）はなかったが、比較例１〜３のマスクブランクを使用した場合は、欠陥（白欠陥）が多数認められた。
【００２２】
以上、好ましい実施例を掲げて本発明を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】アルカリ金属含有ガラス基板の基板表層の所定の状態を説明するための図である。
【図２】実施例１で作成したマスクブランクの模式図である。
【図３】実施例３で作成したマスクブランクの模式図である。
【符号の説明】
【００２４】
１      大型アルカリ金属含有ガラス基板
２      拡散防止膜
３      遮光性膜
４      反射防止膜
【図１】
2007212705.tif 000002
【図２】
2007212705.tif 000003
【図３】
2007212705.tif 000004