(57)【要約】【課題】熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、電極のハンダ付け不良による機械的強度の低下を防止する。【解決手段】熱電半導体結晶202の略中央部を支持基板201により保持すると共に、熱電半導体結晶202の両端面に電極203，204を接続した構造を有する。支持基板201の上面には、ホットメルト材シート205が真空ラミネート法などにより接合されている。製造工程にて加熱により溶解したホットメルト材により、熱電半導体結晶202が支持基板201に溶着される。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、前記熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、
前記基板と前記熱電半導体結晶とが熱溶着により固定されていることを特徴とする熱電モジュール。
【請求項２】
請求項１記載の熱電モジュールにおいて、
前記基板の表面に熱溶着材が接合されており、該熱溶着材の熱溶着により固定されていることを特徴とする熱電モジュール。
【請求項３】
請求項１記載の熱電モジュールにおいて、
前記基板が熱可塑性樹脂からなり、該基板自身の熱溶着により固定されていることを特徴とする熱電モジュール。
【請求項４】
請求項３記載の熱電モジュールにおいて、
前記熱可塑性樹脂は、前記熱溶着温度よりも高い所定の温度に達したときに架橋する特性を有することを特徴とする熱電モジュール。
【請求項５】
複数の貫通孔を有する基板の前記貫通孔に熱電半導体結晶を挿入する工程と、
前記基板を加熱することにより、前記基板と、前記熱電半導体結晶とを熱溶着する工程と
を備えたことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の熱電モジュールの製造方法において、
前記基板を加熱する前に、前記基板の表面に熱溶着材を接合する工程を備えたことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の熱電モジュールの製造方法において、
熱可塑性樹脂からなる基板を用い、該基板自身により熱溶着することを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７の何れかに記載の熱電モジュールの製造方法において、
前記基板に熱溶着された熱電半導体結晶に電極を真空中でハンダ付けする工程を備えたことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュール、及びその製造方法に関し、詳細には、熱電半導体結晶に対する電極のハンダ付け不良、及び熱電半導体結晶の基板からの突出長の不揃いに起因する熱応力及び機械的応力のアンバランスによる破壊を防止できる熱電モジュール及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＳＩやコンピュータのＣＰＵなどの冷却装置や、保温冷蔵庫などの電子冷却装置には、ＢｉＴｅ（ビスマス・テルル）などの熱電半導体結晶を備えた熱電モジュールが使用されている。図４はこのような従来の一般的な熱電モジュールを示すものである。この図においてＡは正面図、Ｂは斜視図である。
【０００３】
この熱電モジュールは、熱電半導体結晶101と、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミックスなどの熱良導性で電気絶縁性を有する材料からなり、熱電半導体結晶101を上下から保持する上側基板102及び下側基板103を備えている。熱電半導体結晶101は、ＢｉＴｅにSｅ（セレニウム）等を所定量配合してなるｎ型熱電半導体結晶を角型に切断してなるｎ型熱電半導体結晶101n及び、ＢｉＴｅにSｂ（アンチモン）等所定量を配合してなるｐ型熱電半導体結晶101pが交互に配列されており、ｎ型熱電半導体結晶101n及びｐ型熱電半導体結晶101pの上側及び下側の各々の端面間にそれぞれ銅板などで構成された上側電極104及び下側電極105がハンダ付けされ、ｎ型熱電半導体結晶101n及びｐ型熱電半導体結晶101pが交互に電気的に直列に接続される。また、上下の電極104，105が基板102，103に接合され固定されている。
【０００４】
両端の下側電極105にはリード線106,107を介して直流電源が接続されており、この直流電源から電流を流すと、ペルチェ効果により一方の端面側の電極（図では上側電極104 ）で吸熱が起こり、他方の端面側の電極（図では下側電極105）で発熱が起こる。この熱電モジュールは、例えば、吸熱側となる上側基板102の上に冷却対象を配置し、放熱側となる下側基板103の下にヒートシンクとファンとの組み合わせなどからなる熱交換部材を配置して使用される。
【０００５】
しかし、前述した熱電モジュールにおいては、一方の基板が吸熱により冷却されて収縮し、他方の基板が放熱により温度上昇することにより膨張するために、熱歪みにより熱電半導体結晶101n，101pと上側電極104，下側電極105との間の接合が外れてしまうことがある。これは特に上下の基板の温度差が高い、即ち、上下基板の膨張伸縮量が大きいときに、また、繰り返される熱歪の回数が大きいとき、更には上下基板の大きさが大きいときに熱疲労によって熱電モジュールが破壊されることが多く、実質的に上下に基板を有する熱電モジュールに置いては上下の基板の大きさは50mm角程度、上下の温度差は50℃程度、繰り返し数は10000回〜50000回程度と制限されていた。更に、熱電半導体結晶101と熱交換部材との間に基板102，103が介在するため、基板102，103の熱抵抗により熱交換効率が低減されてしまう。
【０００６】
そこで、本願の出願人等は、図５に示すような上下の基板のない構造の熱電モジュールを提案した（特許文献２、３）。この熱電モジュールは、セラミックスやガラスエポキシ樹脂などからなる支持基板201に対して、ｐ型熱電半導体結晶202p及びｎ型熱電半導体結晶202nからなる熱電半導体結晶202が貫通した状態で固定された構造を有する。熱電半導体結晶202の上面には銅板などで構成された上側電極203が、下面には銅板などで構成された下側電極204が、いずれもハンダにより接合されており、これらの電極（上側電極203及び下側電極204）により、ｐ型熱電半導体結晶202p及びｎ型熱電半導体結晶202nが交互に電気的に直列に接続される。この直列接続の両端の電極にはリード線（図示せず）が接続されており、直流電源から電流を所定の方向に供給すると、ペルチェ効果により上側電極203で吸熱が起こり、下側電極204で発熱が起こる。電流を逆方向に供給することにより、下側電極204で吸熱させ、上側電極203で発熱させることも可能である。
【０００７】
この熱電モジュールによれば、支持基板201により冷却側と放熱側との間の空気の対流を防げるため、図４に示す従来型に比し、大きな温度差を実現することができる。また、支持基板201 が熱電半導体結晶202を略中央で保持し、上下の電極203，204がアルミナセラミックスなどの基板に固定されていない柔構造であるため、剛構造の従来型に比し、駆動電圧のオン／オフ制御、あるいは駆動電圧の極性可逆制御など、熱歪みの影響を大きく受ける制御方式で制御したときに比類のない長寿命を実現することができた。また、この支持基板201の持つ熱電半導体結晶202の保持力と、電極部の柔構造とにより、従来型よりも大きなサイズ（基板面積）の熱電モジュールの製造が可能になり、用途も多様化してきた。
【特許文献１】特開昭63-110680号公報（図１）
【特許文献２】特許第3151759号公報
【特許文献３】特許第3493390号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図５に示す構造の熱電モジュールを製造する際に、特許文献２及び３に開示されているような、複数の貫通孔を有する複数枚の支持基板をそれぞれの貫通孔が対向するように前後方向に配列し、複数本の針状の熱電半導体結晶を複数枚の支持基板の貫通孔に挿入し、接着した後に、針状の熱電半導体結晶を支持基板の間の部分で切断する工程を用いるのではなく、インゴット状の熱電半導体結晶を板状にスライスし、板の両面に所定のメッキを施した後、サイコロ状にカットし、サイコロ状の熱電半導体結晶を支持基板の貫通孔に挿入し、接着する工程を採用することが考えられている。なお、この工程を採用する熱電モジュールの製造方法及び特許文献２及び３に開示されている熱電モジュールの製造方法の何れにおいても、熱電半導体結晶を支持基板に接着により固定した後、熱電半導体結晶に電極をハンダ付けする。
【０００９】
ここで、一般に熱電モジュールに用いられているＢｉＴｅの電気抵抗は950μΩ・cmであり、銅（1.5μΩ・cm）の600倍程大きいため、十分な冷却能力を実現するために必要な数〜10Ａ程度の電流値を得るには、サイコロ状の熱電半導体結晶の高さを１〜２mm程度まで小さくする必要がある。このため、貫通孔に挿入された熱電半導体結晶の側面と貫通孔との間に0.1mm程度の隙間（クリアランス）を設けたとしても、図６Ａに示すように、熱電半導体結晶202と支持基板201との間に塗布した接着剤がｂ1に示すように這い上がったり、ｂ2に示すように垂れ落ちたりすることで、熱電半導体結晶202の電極接続面である上端面及び下端面に付着してしまい、確実なハンダ付けを阻害するおそれがある。
【００１０】
また、熱電半導体結晶202の寸法は機械的強度を確保するために大きくとることが好ましいが、一方、熱電モジュールの吸熱・発熱量は、単位面積当たりのｐ、ｎ素子対の数に比例するため、通常その素子のサイズは1.6〜2.3mm程度である。ところがこのサイズはリード線やＩＣチップ等に比べ、かなり大きく、図６Ｂに示すように、熱電半導体結晶202と電極のハンダ付け時にハンダｃ内にボイドｃ1が発生してしまい、ハンダ付けの強度が低下する、更にはボイドが発生するためにハンダを介して移動するときの熱抵抗が高くなる欠点がある。
【００１１】
さらに、ハンダ付けは通常、常温の大気圧のもと行うため、ハンダとしてＳｎＰｂや、ＳｎＺｎ等の共晶合金、或いは、応力下でのウィスカーの発生を抑えるために、Ｓｎに少量のＢｉ等を配合したものを使用している。しかしながら、ＳｎＺｎや、ＳｎＢｉ等のハンダ材料は酸化しやすいため、Ｓｎの酸化膜発生防止のためにハンダ内にロジン等の還元性材料を含むフラックスを配合する、或いはハンダ塗布面に予め吹きつけ等の方法で塗布し、高温加熱時に電極面を還元することで電極とハンダの濡れ性を高めて使用している。しかしながらフラックスが残渣として残り、電極／ハンダ界面での腐食を促進することで、ハンダ付けの強度が経時的に低下するおそれがある。
【００１２】
また、図６Ｃに示すように、熱電半導体結晶202を支持基板201の貫通孔に挿入したとき、熱電半導体結晶202の上下方向の中心と貫通孔の上下方向の中心とが一致せず、上下に数十μmずれることがある。このようにずれた位置で接着され、固定されると、使用時に熱抵抗のバラツキ、及び機械的応力のバラツキが生じるため、長期間の使用により破壊に至るおそれがある。
【００１３】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、熱電半導体結晶に対する電極のハンダ付け不良による機械的強度の低下を低減することであり、第２の目的は、上記熱電モジュールにおいて、熱電半導体結晶の基板からの突出長の不揃いに起因する熱応力及び機械的応力のアンバランスによる破壊を低減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１の発明は、熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、前記熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、前記基板と前記熱電半導体結晶とが熱溶着により固定されていることを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載の熱電モジュールにおいて、前記基板の表面に熱溶着材が接合されており、該熱溶着材の熱溶着により固定されていることを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１記載の熱電モジュールにおいて、前記基板が熱可塑性樹脂からなり、該基板自身の熱溶着により固定されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３記載の熱電モジュールにおいて、前記熱可塑性樹脂は、前記熱溶着温度よりも高い所定の温度に達したときに架橋する特性を有することを特徴とする。
請求項５の発明は、複数の貫通孔を有する基板の前記貫通孔に熱電半導体結晶を挿入する工程と、前記基板を加熱することにより、前記基板と、前記熱電半導体結晶とを熱溶着する工程とを備えたことを特徴とする熱電モジュールの製造方法である。
請求項６の発明は、請求項５記載の熱電モジュールの製造方法において、前記基板を加熱する前に、前記基板の表面に熱溶着材を接合する工程を備えたことを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項５記載の熱電モジュールの製造方法において、熱可塑性樹脂からなる基板を用い、該基板自身により熱溶着することを特徴とする。
請求項８の発明は、請求項５〜７の何れかに記載の熱電モジュールの製造方法において、前記基板に熱溶着された熱電半導体結晶に電極を真空中でハンダ付けする工程を備えたことを特徴とする。
【００１５】
（作用）
請求項１及び５の発明によれば、基板と熱電半導体結晶とが熱溶着により固定される。
請求項２及び６の発明によれば、基板と熱電半導体結晶とが、基板の表面に接合された熱溶着材により熱溶着され、固定される。
請求項３及び７の発明によれば、基板と熱電半導体結晶とが、熱可塑性樹脂からなる基板自身の熱溶着により固定される。
請求項４の発明によれば、基板と熱電半導体結晶とが、熱可塑性樹脂からなる基板自身の熱溶着により固定され、さらに熱溶着温度よりも高い所定の温度でハンダ付けされることで、基板の熱可塑性樹脂が架橋し、熱可塑性がなくなるため、耐熱性が向上する。
請求項８の発明によれば、真空中でハンダ付けすることで、ボイドの発生を防止するとともに、フラックス残渣によるハンダの酸化を防止する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、その熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、熱電半導体結晶に対する電極のハンダ付け不良による機械的強度の低下を低減し、熱電半導体結晶の基板からの突出長の不揃いに起因する熱応力及び機械的応力のアンバランスによる破壊を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明の実施形態の熱電モジュールの正面図である。この熱電モジュールは、支持基板201に対してｐ型熱電半導体結晶202p及びｎ型熱電半導体結晶202nからなる熱電半導体結晶202が貫通した状態で固定された構造を有する。つまり、支持基板201に空けられた貫通孔に熱電半導体結晶202が挿入され、固定されている。
【００１８】
支持基板201は、厚みが0.2〜0.3mm程度のＦＲＰ、ＰＥＴ、ポリエステル樹脂などのような、ガラスエポキシ樹脂よりも柔軟な樹脂（軟質樹脂）からなる。ｐ型熱電半導体結晶202p及びｎ型熱電半導体結晶202nは、例えばそれぞれＷ（幅）×Ｄ（奥行）×Ｈ（高さ）が２mm×２mm×2.5mmの直方体のＢｉＴｅ系熱電半導体単結晶であり、支持基板201の両側に1mm程度突出している。支持基板201に空けられた貫通孔は例えば2.1mm×2.1mmである。この場合、熱電半導体結晶202の中心軸線を貫通孔の中心軸船に合わせて挿入したときに、熱電半導体結晶202の周りに0.05mmのクリアランスが形成され、後述する製造工程にて加熱により溶解したホットメルト材がクリアランスに流入し、固化することで、それらの結晶が支持基板201に固定されている。
【００１９】
ｐ型熱電半導体結晶202pとｎ型熱電半導体結晶202nとはマトリックス状に交互に配列されている。ｐ型熱電半導体結晶202pとｎ型熱電半導体結晶202nの上面及び下面には、それぞれ厚みが300μｍ程度の銅板で構成された上側電極203及び下側電極204がハンダにより接合されている。ｐ型熱電半導体結晶202ｐとｎ型熱電半導体結晶202ｎは、上面と下面で電極に交互に接合され、最終的には全部の熱電半導体結晶が電気的に直列に接続される。また、支持基板201の上面には、ホットメルト材シート205が真空ラミネート法などにより接合されている。
【００２０】
以上の構成を有する熱電モジュールの製造方法について、図２及び３を参照しながら説明する。ここで、図２及び３では各部材の断面を示しており、熱電半導体結晶202以外にはハッチングを付した。
【００２１】
まず図２Ａに示すように、支持基板201の上面に、ホットメルト材シート205を接合し、支持基板201とホットメルト材シート205の積層体（以下、支持基板・ホットメルト材シート積層体と言う）を構成する。ここでは、支持基板201は厚さ３mmのＰＥＴシート（軟化点80〜120℃）からなり、ホットメルト材シート205は厚さ0.15mmのＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）系接着剤（軟化点95℃）を真空ラミネート加工により貼り合せている。
【００２２】
次に図２Ｂに示すように、支持基板・ホットメルト材シート積層体に対し、熱電半導体結晶202を挿入するための貫通孔206を打ち抜きにより形成する。ここで、貫通孔206及び挿入される熱電半導体結晶202のサイズは前述したとおりである。
【００２３】
次いで図２Ｃに示すように、貫通孔206が空けられた支持基板・ホットメルト材シート積層体を熱電半導体素子挿入用形枠207の上面に載せる。熱電半導体素子挿入用形枠207の上面には、貫通孔206と対向する所定の深さの穴207aが形成されている。
【００２４】
次に図２Ｄに示すように、熱電半導体結晶202を支持基板・ホットメルト材シート積層体の上面側から貫通孔206の位置に合わせて、貫通孔206内に挿入する。熱電半導体結晶202の下端は穴207aの底面に接触して止まる。
【００２５】
ここで、熱電半導体結晶202は、予めインゴット状のＢｉＴｅ結晶を円板状にスライスし、その両面にＮｉメッキを施し、さらにそのメッキ層上にＰｂ（鉛）フリーハンダであるＳｎＢｉメッキを施し、ダイシングして、前述したサイズの結晶小片にしておく。このＮｉメッキ層は、熱電モジュールに通電したときに、上側電極203及び下側電極204中の銅イオンや、ハンダ中の銀イオンが、マイグレーションにより熱電半導体結晶に侵入することを防止する。なお、Ｎｉメッキに代えて、銅イオン及び銀イオンをトラップする材料、例えばＳｎＳｂを10μm程度の厚みで熱電半導体結晶の両端面に形成してもよい。また、Ｎi、或いはＳｎＳｂの形成方法は、メッキに限らず、真空蒸着、スパッタ、ハンダペーストを塗布した後の熱溶融などを用いてもよい。
【００２６】
次いで図２Ｄに示す状態で、図示されていない加熱手段により、支持基板・ホットメルト材シート積層体をその上側から加熱する。これにより、ホットメルト材シート205が溶解して、加熱前には存在したクリアランス208内（図２Ｅ参照）に流入し、クリアランス208に充填される（図２Ｆ参照）。その後、加熱を解除するとともに、熱電半導体素子挿入用形枠207を除去すると、ホットメルト材シート205が固化するため、図２Ｇに示すように、ｐ型熱電半導体結晶202pとｎ型熱電半導体結晶202nが支持基板201に固定される。
【００２７】
ここで、加熱手段としては高周波誘導加熱（周波数：100〜200kHz）を用いることができる。この場合、支持基板201であるＰＥＴシート自身の誘電損失により支持基板201が加熱され、その上面のホットメルト材シート205を溶解させる。なお、熱電半導体素子挿入用形枠207を除去した後に加熱するように構成してもよい。また、熱電半導体素子挿入用形枠207を用いずに、熱電半導体結晶202を支持基板201に対して挿入してもよい。これらの構成の場合、支持基板201をその下方から加熱することができる。
【００２８】
次いで図３Ａに示すように、支持基板・ホットメルト材シート積層体に固定された熱電半導体結晶202の上端面に上側電極203をハンダ付けし、次に図３Ｂに示すように、熱電半導体結晶202の下端面に下側電極204をハンダ付けする。ここで、ハンダ付けを真空リフロー炉内で行うことにより、ボイドの発生を防止するとともに、Ｓｎの酸化膜発生防止のためのフラックスを使用しないことで、フラックス残渣によるハンダの酸化を防止することが好ましい。
【００２９】
このように、本実施形態によれば、熱電半導体結晶202を支持基板201に固定するときに、常温で液状の接着剤を使用せず、ホットメルトシート205の溶着により行うため、熱電半導体結晶202の電極接続面である上端面及び下端面に接着剤が付着し、確実なハンダ付けを阻害するおそれはない。また、支持基板201として柔軟な材料を用いているため、熱電半導体結晶202の支持基板201からの突出長の不揃いがあったとしても、熱応力及び機械的応力のアンバランスによる破壊を防止できる。さらに、熱電半導体素子挿入用形枠207により、支持基板201に対する熱電半導体結晶202の上下方向の位置決めを行うことにより、前記の不揃いを低減できる。
【００３０】
なお、本発明は例えば下記（１）〜（３）のような変形が可能である。
（１）支持基板201として、厚さ0.2〜0.3mmのポリエステル樹脂シートを用いる。ホットメルト材シート205は用いず、高周波誘導加熱により、ポリエステル樹脂シート、即ち支持基板201自身を溶解させ、溶着させる。この場合、高周波磁界中に入れるため、支持基板201に挿入された熱電半導体結晶202の上下両面を所定厚（例、0.5mm）のテフロン（登録商標）シートで挟む。テフロン（登録商標）シートの上に載せた誘導コイルに100〜200kHzの高周波を印加すると、熱電半導体結晶202の表面（側面）から0.3mm程度内部に誘導電流が発生し、２秒程度でその表面が200℃程度に達し、貫通孔の周囲のポリエステル樹脂シートが溶融する。その後、高周波の印加を停止させて、溶融したポリエステル樹脂シートを固化させることにより、支持基板201に熱電半導体結晶202を固定する。
【００３１】
（２）支持基板201として、厚さ0.3mmのポリエステルシートを用いる。ホットメルトシート材205は実施形態と同じである。ホットメルトシート材205を溶融させるための加熱手段として、炭酸ガスレーザ装置などのレーザ装置を用い、支持基板201の貫通孔206の周辺にレーザ光を当てることにより、ホットメルトシート材205を局所的に溶融させる。この場合、レーザ光の吸収率を向上させるため、ポリエステルシートは、予め混練機を用いて、アルミナ粉末などをコンパウンドしておくことが好ましい。また、ホットメルトシート材205を用いる代わりに、ホットメルト粉体を溶射などにより、貫通孔206の周辺に載せておいてもよい。
【００３２】
（３）支持基板201として、厚さ0.3mmのＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂シートを用いる。ホットメルトシート材205は実施形態と同じである。ホットメルトシート材205を溶融させるための加熱手段は（２）と同じである。ＰＰＳ樹脂はガラス転移温度が88℃であり、22５℃以上に加熱すると、架橋・結晶化して溶けなくなる性質を持つ。そこで、支持基板201の貫通孔206の周辺にレーザ光を当てることで90℃程度に加熱して溶着させ、次に上側電極203及び下側電極204にＳｎＺｎからなるクリームハンダペーストを所定の厚さ（例、50μm）に塗布し、乾燥させた後に、真空リフロー炉内で230℃に加熱し、架橋を行う。これにより、耐熱性を有する熱電モジュールが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態の熱電モジュールの正面図である。
【図２】本発明の実施形態の熱電モジュールの製造工程の一部を示す図である。
【図３】本発明の実施形態の熱電モジュールの製造工程の残りの部分を示す図である。
【図４】従来の一般的な熱電モジュールの構成を示す図である。
【図５】支持基板が熱電半導体結晶をほぼ中央で保持する構造を有する熱電モジュールの構成を示す図である。
【図６】図５に示す熱電モジュールの問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３４】
201・・・支持基板、202ｎ・・・ｎ型熱電半導体結晶，202p・・・ｐ型熱電半導体結晶、203・・・上側電極、204・・・下側電極、205・・・ホットメルトシート材、206・・・貫通孔。
【図１】
2007243050.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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