(57)【要約】【解決課題】積層型半導体装置をせいぞうする場合、互いのウェハを位置合わせし、重ね合わせ、加圧・加熱を行って電極どうしを接合する。この時、重ね合わせ装置から加圧・加熱装置へ重ね合わされたウェハを仮固定して搬送し、電極接合を行うとウェハ全面にわたって一様な電極接合が得られず、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。【解決手段】仮固定されたウェハを加圧装置の加圧板により再度仮固定し、搬送時に使用した仮固定力を解除する。【選択図】 図４
2007158199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体装置が形成されたウェハを積層して積層型３次元半導体装置を製造する方法であって、
所定の回路を有する半導体装置が複数個形成されたウェハを準備するウェハ準備工程、
ウェハ上の電極を接合する電極接合工程、
ウェハ積層体を個々の半導体チップに分離するダイシング工程、
を有し、
該電極接合工程が、
積層すべきウェハをホルダに保持するウェハ保持工程、
保持されたウェハ間の位置合わせを行い、ウェハを重ね合わせるウェハ重ね合わせ工程、
重ね合わされたウェハが位置ずれしないようにホルダ間に第１の仮固定力を加える、第１の仮固定工程、
仮固定されたウェハ積層体を搬送して加熱・加圧装置に装着する搬送工程、
ウェハ積層体を加圧・加熱装置に装着するウェハ積層体装着工程、
加圧装置の加圧板によりホルダに第２の仮固定力を加える、第２の仮固定工程、
ウェハ積層体を加熱・加圧する加熱・加圧工程
を有し、
該加熱・加圧工程では第１の仮固定力を解除する
ことを特徴とする積層型３次元半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された第１の仮固定工程に使用される仮固定装置であって、
前記搬送工程に使用されるロボットアームの先端部に仮固定用の押圧機構が配置されていることを特徴とする仮固定装置。
【請求項３】
請求項１に記載された第１の仮固定工程に使用される仮固定装置であって、
前記ウェハホルダとは別体であり、且つウェハホルダを仮固定してウェハホルダと一体的に搬送可能になされていることを特徴とする仮固定装置。
【請求項４】
請求項１に記載された第１の仮固定工程に使用される仮固定装置であって、
前記ウェハホルダの一方に固定された磁性体と他方のウェハホルダに固定された電磁石と磁石の組み合わせにより構成されていることを特徴とする仮固定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層型半導体装置の製造方法に関するもので、特にはウェハの積層・接合工程の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年携帯型の電子機器、例えば携帯電話やノートパソコン、携帯型オーディオ機器、デジタルカメラの進歩が著しい。これに伴って、用いられる半導体装置に対してもチップ自体の性能向上に加え、チップの実装技術においても改良が求められ、特に、チップ実装面積の低減と半導体装置の高速駆動化の観点からの実装技術の改良が求められている。
【０００３】
チップ実装面積の低減のために、チップを積層することにより実装面積を増加させずに実装チップ量を増加させ、実効的な実装面積の低減をはかることが行われている。例えば、  特開２００１−２５７３０７、２００２−０５０７３５号、特開２０００−３４９２２８にはこのような技術が開示されている。第１のものは、チップとチップ又はチップと実装基板をワイヤによって接続するワイヤボンド方式によるものである。第２のものは、チップの裏面に設けられたマイクロバンプを介して、チップとチップ又はチップと実装基板を接続するフリップチップ方式によるものである。第３のものは、ワイヤボンド方式、フリップチップ方式の双方を用いて、チップとチップ又はチップと実装基板を接続するものである。
【０００４】
ワイヤボンド方式は半導体ベアチップの周囲にワイヤを張るので半導体ベアチップ自体の占有面積以上の大きな占有面積を必要とし、またワイヤは１本づつ張るので時間がかかる。これに対して、フリップチップ方式では半導体ベアチップの裏面に形成されたマイクロバンプにより接続するため、接続のための面積を特には必要とすることがなく、半導体ベアチップの実装に必要な面積は半導体ベアチップ自体の占有面積にほぼ等しく出来る。また１つの面が全てのバンプを有するように出来るため、配線基板との接続は一括して行える。従ってフリップチップ方式は半導体ベアチップの実装に必要な占有面積を極小化して高密度実装化し、電子機器の小型化を図ると共に工期短縮ためには最も適する方法となっている。
【０００５】
一方、半導体装置の高速駆動化のためには、チップを薄くし、貫通電極を用いてチップとチップ又はチップと実装基板を電気的に接続することにより実現する方法が有力である。例えば、厚さをミクロン単位にして実装する例が特開２０００−２０８７０２に示されている。
【０００６】
このようなチップと実装基板、及びチップとチップ間の接続方法の改良に加え、半導体装置の製造コスト面を低減する手段として、半導体チップが形成されたウェハを個々のチップに分離する前に再配線層、貫通電極や接続バンプの形成、場合によっては樹脂による封止が行われている。このウェハレベルでの処理が有効である半導体装置は、各々のチップの製造の歩留まりが高く、ピン数が少ない半導体装置であり、特にメモリーの生産に利点が多い。（NIKKEI MICRODEVICE 2000年2月号,56頁  及び  NIKKEI ELECTRONICS 2003.9.1 P.127）。
【０００７】
一方、このようにウェハレベルで積層型（３次元）半導体装置を製造するための製造装置の開発も鋭意なされている。例えば、積層されるウェハの位置あわせを行って接合するための装置が学術文献に紹介されている。（P.Lindner等：2002 Electronic Component and Technology Conference P.1439）。他に、特開平９−１４８２０７号にも同様な技術が開示されている。
【０００８】
この積層型半導体装置を製造する工程には、回路が形成されたウェハを互いに位置合わせして順次積層し、互いのウェハ上に形成された電極を接合する、電極接合工程が含まれる。電極の接合には上記のフリップ・フロップ方式が用いられるが、電極を接合する方法には、異方性導電樹脂接合、非導電性樹脂による圧着接合、合金・拡散接合等がある。これらの詳細に関しては、例えば畑田  賢造：「マイクロバンプとマイクロ接合技術の現状と課題」、電子材料、２００２年５月別冊、Ｐ．１４４、酒見  省二、岡崎  誠：「最新フリップチップ実装技術の事例と課題」、同、Ｐ．１６８が参考になる。さらに、前述の学術文献には、ウェハとウェハの接合技術と必要条件が紹介されている。
【０００９】
接合に際して樹脂を用いて接合する場合には、樹脂の硬化により電極どうしを接合する接合力が得られるが、合金を形成して接合する方法や拡散接合による方法では電極同士を圧接して合金形成や電極材の拡散を行うため、積層されるウェハどうしを加圧する必要がある。さらに、この電極接合工程では、接合面の清浄化と活性化による常温接合法を採用する場合を除き、一般的には加圧と加熱が必要となる。
【００１０】
このように所定の半導体回路（接続用電極を含む）を有する半導体チップ（半導体装置）が多数形成されたウェハどうし、又は配線基板とウェハを接合する工程として以下のような工程を採ることになる。
【００１１】
Ｓ１：ウェハ保持工程（図１０(a)）
半導体チップを有するウェハ２１１の面で、チップが形成されていない面をホルダ２２１に保持する（保持力は例えば静電吸着力である）。
【００１２】
Ｓ２：アライメント工程（同図(b)）
顕微鏡２３１を用いて一方のウェハ面と他方のウェハの位置合わせを行って重ね合わせる。
【００１３】
Ｓ３：ウェハ加圧・加熱工程（同図（ｃ））
重ね合わせされたウェハに同図中の矢印の方向に保持力を加え、さらに接合圧力を加えながら、ホルダ及びウェハを加熱して、電極を接合する。（不図示）
このような工程を実施する場合、アライメント機構を有し、且つ加熱機構を有する装置を使用しようとすると、高精度な位置あわせ精度が要求されるアライメント機構に対して加熱の影響がないように機構設計する必要があり、またアライメント工程と加圧・加熱工程を同一装置により行うと工程がシリアルになり生産性が低下することがある。そこで、アライメント工程と加圧・加熱工程を分離して行うことが行われている。例えば、特許文献１，特許文献２にその技術的な思想が開示されている。
【００１４】
このようにアライメント工程と加熱・加圧工程を分離することにより一方の工程での処理の影響が他方に及ばないようになる。しかしながら、２つの工程を切り離したことにより、アライメント工程により位置合わせがなされ、重ね合わせ工程で重ね合わされたウェハ積層体（本願発明の記載では、ウェハが重ね合わされた状態のもの、また、更にそれらが接合されているものも含み、ウェハ積層体と記す）を次段の加圧・加熱工程まで位置あわせ精度を維持して搬送する必要性が生じる。この必要性に対し、重ね合わせ工程後に位置ずれが生じないように仮接続とか仮固定という処理がなされている。この種の技術として、特許文献３（特許２９３２８４０号公報）には樹脂を用いた仮付け方式、特許文献４（特開平１０−１１２４７６号公報）には低加圧での仮接続方式が提案され、特許文献５（特許３０３０２０１号公報）には、熱硬化性樹脂による仮固定と本固定への基板の移送工程が開示されている。また、特許文献１（特開平７−３２６６４１号公報）には磁石による仮固定と搬送工程が開示されている。
【００１５】
位置合わせされ、重ね合わされ、仮固定されたウェハ積層体は加圧・加熱工程に搬送され、プレス機構及び加熱機構を有する加熱・加圧装置により電極接合がなされる。
【特許文献１】ＵＳ６，１６８，６７８号公報
【特許文献２】特開平７−３２６６４１号公報
【特許文献３】特許２９３２８４０号公報
【特許文献４】特開平１０−１１２４７６号公報
【特許文献５】特許３０３０２０１号公報
【特許文献６】特許３２７０２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
仮固定方式として樹脂を用いて行うと定常的に樹脂の費用が発生し、また樹脂が硬化するまでに時間が必要であり、更に仮固定されたウェハ間どうしの位置合わせが狂った場合に修復することがほとんど不可能となる。そこで、樹脂を使用せずに機械的な力により仮固定する方法が検討されている。例えば、特許文献６に記載されているような、接続機構を使用する方法であり、図１１により概説を行う。図１１（ａ）のように、顕微鏡１１１１により、それぞれのホルダ２２１上の基準マーク２２５とウェハ２１１面上のアライメントマーク２２３を観察し、２つのホルダ上の基準マークの位置関係を観察して２つのウェハ間の位置合わせを行い、これを重ね合わせてウェハ積層体を形成する。次いで、図１１（ｂ）のように仮固定部材１１３１（ここではクランプと呼ぶ）によりホルダ間に力（矢印）を加えてホルダどうしを仮固定し、これを不図示の搬送装置により加熱・加圧装置に搬送し、同図（ｃ）のように加圧し、同時にホルダに内蔵されているヒータ又は加圧装置の加圧板に内蔵されているヒータ（不図示）を励起してウェハ積層体を加熱する。
【００１７】
ところが、実際にこのような方法により加熱・加圧を行ってもウェハ全域で見ると電極は一様には接合されず、特にウェハ周辺部の電極は全く接合されないことが判った。また、接合されても接合強度が弱く、熱サイクル試験により接合が破壊される現象が生じた。
【００１８】
本願発明は、このような現象を解消するためになされたもので、半導体回路（チップ）が形成されたウェハをウェハレベルで積層する際に、互いの電極をウェハ全面にわたって一様に確実に接合する方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本願発明の発明者は、電極接合がウェハ面内で一様に行われないという現象の解析を行った結果、その現象の原因を見出した。即ち、接合すべきウェハに熱膨張が生じた時、ウェハがホルダに保持され、且つウェハホルダどうしが周辺部での局所的な力により仮固定されているとウェハ内に応力が生じ、この応力のためにウェハ自体が変形を引き起こし、ウェハ間の加圧接触の一様性が得られなくなることを見出した。本発明は、この知見に基づいてなされたものであり、本願発明では以下の手段を用いている。
【００２０】
上記課題を解決するための手段は、
複数の半導体装置が形成されたウェハを積層して積層型３次元半導体装置を製造する方法であって、
所定の回路を有する半導体装置が複数個形成されたウェハを準備するウェハ準備工程、
ウェハ上の電極を接合する電極接合工程、
ウェハ積層体を個々の半導体チップに分離するダイシング工程、
を有し、
該電極接合工程が、
積層すべきウェハをホルダに保持するウェハ保持工程、
保持されたウェハ間の位置合わせを行い、ウェハを重ね合わせるウェハ重ね合わせ工程、
重ね合わされたウェハが位置ずれしないようにホルダ間に第１の仮固定力を加える、第１の仮固定工程、
仮固定されたウェハ積層体を搬送して加熱・加圧装置に装着する搬送工程、
ウェハ積層体を加圧・加熱装置に装着するウェハ積層体装着工程、
加圧装置の加圧板によりホルダに第２の仮固定力を加える、第２の仮固定工程、
ウェハ積層体を加熱・加圧する加熱・加圧工程
を有し、該加熱・加圧工程では第１の仮固定力を解除する積層型３次元半導体装置の製造方法である。
【００２１】
本手段を採用することにより、加圧・加熱時にウェハを位置固定する力が加圧する力により兼ねる事が出来るため、ウェハ内に拘束するための応力がなくなり、均一加圧することに注力することで、ウェハ全面にわたって一様になされるようになる。
【００２２】
本手段を実施する際に、前記ウェハホルダとは別体で、且つウェハホルダを仮固定してウェハホルダと一体的に搬送可能になされている仮固定装置（前記第１の仮固定力を発生させる仮固定装置）を用いることが好ましい。このような仮固定装置を用いることにより加熱時の熱が仮固定装置に及ぶことがなくなり、仮固定装置の機構設計が容易になる。さらに、本手段を実施する際に、ウェハ搬送工程に使用されるロボットアームの先端に押圧機構を配置した仮固定装置を用いることも好ましい。この仮固定装置を用いれば、加熱時の熱が仮固定装置に及ぶことがなくなり、仮固定装置の機構設計が容易になると同時に、仮固定装置及び搬送装置の部品点数が低減され、且つ加圧・加熱時に第１の仮固定力の作用を無くすることが容易となる。
【００２３】
更にまた、本手段を実施する際に、加熱の影響をあまり考慮せずに設計できることから仮固定装置として、一方のウェハホルダに取り付けられ磁性体と他方のウェハホルダに取り付けられた電磁石・磁石のセットからなる仮固定装置を使用することができ、第１の仮固定力を容易に得ることができる。
【発明の効果】
【００２４】
半導体製造工程においては基板、例えば半導体ウェハ、を積層してより高性能な素子を、低価格で製造することが求められている。この要求に対して従来の積層方法を用いてウェハ積層体を仮固定し、加熱・加圧を行っても一様な接合力が得られず、製造の歩留まりが低下していた。しかし、本願発明のように、ウェハを加熱・加圧する際に仮固定力を解除して加熱・加圧処理を行うとウェハ全面わたってウェハ全面にわたって一様なウェハ間接触が得られ、一様な接合力が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
先ず本願発明は図１にも記されているように、以下の工程を有している。
ＳＴＰ−１：ウェハ準備工程
ＳＴＰ−２：電極接合工程
ＳＳ―２１：ウェハ保持工程
ＳＳ―２２：ウェハ重ね合わせ工程
ＳＳ―２３：仮固定工程
ＳＳ―２４：搬送工程
ＳＳ―２５：ウェハ積層体装着工程
ＳＳ―２６：加熱・加圧工程
ＳＴＰ−３：ダイシング工程
これらの各工程で行われる処理の説明を、処理に使用される装置と共に、本願発明を説明する。
【００２６】
ウェハ準備工程：図２（ａ）に示されているように、最終的なチップ形態に必要な回路素子が形成されたウェハ２１１を準備する。この工程ではリソグラフィ技術を中核として、薄膜形成技術、エッチング技術、不純物拡散技術により、トランジスタ、抵抗体、キャパシタ、配線、貫通電極等からなる半導体装置２１３が形成されたウェハ２１１を作る。積層され、最終的に使用される形態のＩＣチップを形成するために必要な総数分準備する。勿論、必要な層数分を準備してから積層を開始しても良いし、積層工程と一部平行して準備を行っても良い。
【００２７】
電極接合工程：
ウェハ保持工程：図２（ｂ）に示されているように、ウェハホルダ２２１上に静電吸着方式によりウェハ２１１を保持する。勿論、重ね合わせるウェハ双方に対して行う。
【００２８】
ウェハ重ね合わせ工程：ウェハ上のアライメントマーク２２３とホルダ上の基準マーク２２５との位置関係を予め測定しておき、図２（ｃ）に示されているように、ウェハを近接させてウェハホルダ上の基準マーク２２５、２２６の位置関係を顕微鏡２３１により観察する。この２つの基準マークの位置関係よりウェハ間の位置関係が求まり、一方のウェハホルダを適切な量だけ位置を変化させて重ね合わせる。尚、基準マーク２２５は、裏面より観察出来るように薄層化された基板上に形成されている。図中符号２３３は適切な大きさを有する凹上のくぼみを示し、くぼみにより形成される薄層部２３５にアライメントマーク２２５が形成されている。
【００２９】
第１の仮固定工程：位置合わせされ、重ね合わされたウェハ対（ウェハ積層体）は図３（a）のように仮固定装置３１１により仮固定される。仮固定装置３１１はウェハホルダ２１１の面に対して垂直な力を及ぼすが、面に平行な力は作用しないように設計されている。
【００３０】
搬送工程：仮固定されたウェハ積層体３２１は図３（ｂ）に示されたように、ロボットアーム４１５により重ね合わせ工程実施部４１１から加圧・加熱工程実施部４１３に搬送される。この間、仮固定装置により互いのウェハはその位置が変化しないようになされている。
【００３１】
ウェハ積層体装着工程：加圧・加熱実施部に搬送されたウェハ積層体は加圧・加熱装置に装着される。加熱・加圧装置は下部加圧板４２１と上部加圧板４２３を有し、一方の加圧板が例えば不図示の油圧シリンダにより他方の加圧板に圧力を加える仕組みになっている。
【００３２】
加圧・加熱工程：２つの加圧板面とウェハ積層体面の平行度が調整されると図４（ａ）のように加圧板４２３，４２１により第２の仮固定力が加えられる。第２の仮固定力によりウェハ間の位置ずれ防止がなされると、図４（b）に示されたように、仮固定装置が取り外され、２つの加圧板４２１，４２３によりウェハ積層体が加圧・加熱される。加熱はウェハホルダに内蔵されたヒータ（不図示）を励起することにより実施される。
【００３３】
ダイシング工程：所定の層数のウェハが積層され、電極が接合されるとウェハ積層体は個々のチップ毎に分離される。ダイシングは公知のダイシングブレードにより、例えば図４（ｂ）のようにウェハ積層体を破線に沿って切断することにより実施可能である。
【００３４】
本発明は上述のように、加圧・加熱工程において、加圧板４２３，４２１による第２の仮固定力で仮固定を行うように切り替えることで、仮固定機構による第１の仮固定力を解除している。このことにより、加熱されたウェハが熱膨張しようとする時に仮固定機構による影響がなくなり、加圧板による均一加圧だけを考慮すれば良くなり、よりウェハ全面での電極が均一接触され、電極の一様接合が得られる。
【００３５】
次に、本願発明の加圧・加熱工程において使用するに適切な仮固定装置（第１の仮固定力を発生する装置）の説明を行う。
図５は本願発明の仮固定装置の実施例を示すものである。同図（ａ）に示すように、仮固定装置５０１は積層すべきウェハの直径よりも大きな内径を有するリング状の支え基板５１１とその円周上に配置された３つの挟み機構５１３からなり、支え基板５１１の上面には同図（ｂ）に示された様な、動径方向に延びるガイド機構５２１があり、挟み機構５１３が動径方向に移動することが可能になされている。図６を参照して、この仮固定装置の動作の様子を説明する。２つのウェハはアライメントテーブル６１１の中央部に設けられた凸状のでっぱり６１３上で位置合わせされ、重ね合わせが行われる。位置あわせは、顕微鏡２３１により、ウェハ上のアライメントマーク２２３及びウェハホルダ上の基準マーク２２５の位置関係をもとに行われる。重ね合わせが完了すると、挟み機構５１３の支え基板５１１が凸状のでっぱり６１３を取り巻くようにしてアライメントテーブル６１１に置かれる。（勿論、この挟み機構５１３はアライメント動作開始時より先に置かれていても良い）。挟み機構５１３には支え基板に垂直に立てられた移動柱６２１があり、前述のガイド５２１に沿って動径方向（図６（ａ）の左右方向の矢印の方向）に移動可能になっている。この移動柱５１３には挟み爪６２３が上下方向に２個取りつけられていて、移動柱５１３の内部に設けられたアクチュエータ、例えばピエゾアクチュエータ、ボイスコイルモータ、により上下方向（同図中、上下方向の矢印の方向）に移動可能になされている。挟み機構５１３の動作の動作を記す。挟み爪６２３がウェハホルダの切り欠き部６４１に入る高さに移動し、次いで移動柱６２１が動径方向に移動して挟み爪６２３が切り欠き部６４１に入り込むようになる。図６（ｂ）がこの状態を示している。この後、挟み爪６２３を上下方向に移動させて挟み爪６２３がウェハホルダの切り欠き部６４１を互いに固定することになる。このように仮固定されたウェハ積層体は図７（ａ）に示された形態で搬送される。搬送されたウェハ積層体は加圧装置の下部加圧板４２１上に装着され、上部加圧板４２３により圧力が加えられ、第１の仮固定力に相当する第２の仮固定力が得られた時点で、挟み爪６２３を上下させて第１の仮固定力を解除することができる。この状態で加熱を開始しても良いが、さらに移動柱６２１を動径方向の外向きに移動させて加熱源からの熱の影響を軽減する方が好ましい。図７（ｂ）参照。
【００３６】
図８は本願発明の積層工程を実施する際に好ましい、仮固定装置の他の実施例である。この仮固定装置７５１はウェハ積層体搬送用のロボットアームが仮固定機能を有すようにしたものであり、図８（ａ）がウェハ積層体と挟み板７１１の断面構造を、図８（ｂ）が平面構造を、図８（ｃ）が側面構造を示している。挟み板７１１はロボットアームの主部７２１に、水平方向（図８（ｂ）の左右方向の矢印の方向）及び上下方向（図８（ｃ）の上下方向の矢印の方向）に移動可能に取りつけられている。仮固定動作としては、図８（ａ）のように、ウェハが重ね合わされた後、ウェハホルダの切り欠き部６４１に対して挟み板７１１を実線で示すように位置付けを行い、次いで点線に示すように挟み板７１１を移動させる。図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の破線で示す状態が挟み板７１１が仮固定動作を行っている状態である。第１の仮固定が完了すると、ロボットアームとして動作し、搬送工程を実行する。搬送後、加圧・加熱装置に装着し、加圧板により第２の仮固定力を加える。この後、挟み板を移動させれば第１の仮固定力が容易に解除される。この仮固定装置７５１は仮固定機能と搬送機能を兼ねることになり、部品点数の低減により装置コストが低減される。
【００３７】
図９は本願発明の積層工程を実施する際に好ましい、仮固定装置の更なる他の実施例である。図９（ａ）のように、ウェハホルダ２２１には２枚の平行板バネからなる取りつけ部９２１が固定され、その先端部には磁性体９２３または永久磁石９３３と電磁石９３５の組み合わせ磁石９３１がそれぞれ固定されている。ウェハ上のアライメントマーク２２３とホルダ上の基準マーク２２５を顕微鏡２３１を用いて観察して位置合わせを行い、重ねあわせを行う。この間電磁石９３５には通電されており、永久磁石の磁場が電磁石の磁場により打ち消され、組み合わせ磁石９３１と磁性体９２３の間には磁力が働かない。重ね合わせが完了すると、搬送のために第１の仮固定が行われる。この時、電磁石９３５への通電は停止され、永久磁石９３３と磁性体９２３の間には磁力が働いて仮固定が行われる。この状態が図９（ｂ）に示されている。次いで図９（ｃ）のように、仮固定されたウェハ積層体を加圧・加熱装置に装着し、加圧子４２３，４２１による加圧を始める。第１の仮固定力に相当する第２の仮固定力が得られた時点で、電磁石９３５への通電を開始して第１の仮固定力を解除することができる。第１の仮固定が解除されると、電極接合のための加熱と加圧をはじめる。仮固定の起動、解除が電磁石への通電と通電停止という単純な動作だけで行えるので、制御が容易である。
【００３８】
以上、説明したように、半導体ウェハを積層する場合に、位置合わせ・重ね合わせ工程から加圧・加熱工程への移行時の仮固定に起因するウェハ接合の均一性が解消され、製造の歩留まり低下が防止されることが理解されるはずである。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
半導体装置の素子の高密度化、素子の高速駆動化、素子駆動の小電力化は可搬性電子機器にとって必至の要件である。従って、これを実現するための本願発明は産業上の利用という観点からは、可能性は大と言わざるを得ない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本願発明の積層型半導体装置の製造工程を示す。
【図２】本願発明の積層型半導体装置の製造工程中の各工程を示す。
【図３】本願発明の積層型半導体装置の製造工程中の各工程を示す。
【図４】本願発明の積層型半導体装置の製造工程中の各工程を示す。
【図５】本願発明に使用する仮固定装置とその動作を示す。
【図６】本願発明に使用する仮固定装置とその動作を示す。
【図７】本願発明に使用する仮固定装置とその動作を示す。
【図８】本願発明に使用する仮固定装置の他の実施例を示す。
【図９】本願発明に使用する仮固定装置の更なる他の実施例を示す。
【図１０】従来の積層型半導体装置の製造方法の主要工程を示す。
【図１１】従来の電極接合工程の概要を示す。
【符号の説明】
【００４１】
２１１  ・・・  半導体ウェハ          ２１３  ・・・  ウェハ上に形成された回路
２２１  ・・・  ホルダ                ２２３  ・・・  アライメントマーク
２２５，２２６  ・・・  基準マーク          ２３１  ・・・  顕微鏡
３１１  ・・・  仮固定装置
４２１，４２３  ・・・  加圧板
５０１  ・・・  仮固定装置                  ５１１  ・・・  支え基板
５１３  ・・・  挟み機構                    ６１１  ・・・  アライメントテーブル
６２１  ・・・  移動柱                      ６２３  ・・・  挟み爪
６４１  ・・・  切り欠き部
７１１  ・・・  挟み板                      ７２１  ・・・  アーム主要部
７５１  ・・・  仮固定装置                  ９２１  ・・・  取りつけ部
９２３  ・・・  磁性体                      ９３１  ・・・  組み合わせ磁石
９３３  ・・・  永久磁石                    ９３５  ・・・  電磁石
【図１】
2007158199.tif 000003
【図２】
2007158199.tif 000004
【図３】
2007158199.tif 000005
【図４】
2007158199.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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