(57)【要約】【課題】ＭＲ出力のばらつきを引き起こすことなくビットエラーレート及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及びアシンメトリ特性の補償方法を提供する。【解決手段】ＭＲ読出しヘッド素子と、ＭＲ読出しヘッド素子の外部に独立して設けられており、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を流すことによりＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加される直流磁界を発生する磁界発生手段とを備えている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の外部に独立して設けられており、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を流すことにより該磁気抵抗効果読出しヘッド素子のハイト方向に印加される直流磁界を発生する磁界発生手段とを備えていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁界発生手段が、浮上面から見て前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の後方に設けられたコイル導体であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子がトンネル磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドを支持する支持体とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気ヘッドアセンブリと、該磁気ヘッドアセンブリの磁気抵抗効果読出しヘッド素子が対向する磁気記録媒体とを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【請求項６】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の少なくとも動作中に、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する直流電流を前記磁界発生手段に供給する電流供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項７】
前記電流供給手段が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が読出し動作を行う際にのみ前記直流電流を前記磁界発生手段に供給する手段であることを特徴とする請求項６に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項８】
前記電流供給手段が、当該磁気ディスクドライブ装置が動作中は前記直流電流を前記磁界発生手段に常時供給する手段であることを特徴とする請求項６に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項９】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリを測定する手段をさらに備えており、前記電流供給手段が該測定したアシンメトリに基づいて、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する直流電流を求めて供給する手段であることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項１０】
磁気抵抗効果読出しヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドを支持する支持体と、前記薄膜磁気ヘッドの外部から前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子のハイト方向に印加せしめられる直流磁界を発生する磁界発生手段とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１１】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子がトンネル磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１０に記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１２】
前記磁界発生手段が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を流して前記直流磁界を発生するための少なくとも１つの電磁石であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１３】
前記磁界発生手段が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生するための少なくとも１つの永久磁石であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１４】
請求項１０から１３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドアセンブリと、該磁気ヘッドアセンブリの磁気抵抗効果読出しヘッド素子が対向する磁気記録媒体とを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【請求項１５】
請求項１０から１２のいずれか１項に記載の磁気ヘッドアセンブリと、該磁気ヘッドアセンブリの磁気抵抗効果読出しヘッド素子が対向する磁気記録媒体と、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の少なくとも動作中に、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生するために、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を前記磁界発生手段に供給する電流供給手段とを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【請求項１６】
前記電流供給手段が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が読出し動作を行う際にのみ前記直流電流を前記磁界発生手段に供給する手段であることを特徴とする請求項１５に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項１７】
前記電流供給手段が、当該磁気ディスクドライブ装置が動作中は前記直流電流を前記磁界発生手段に常時供給する手段であることを特徴とする請求項１５に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項１８】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリを測定する手段をさらに備えており、前記電流供給手段が該測定したアシンメトリに基づいて、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する直流電流を求めて供給する手段であることを特徴とする請求項１５から１７のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項１９】
磁気抵抗効果読出しヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを支持する支持体を含む磁気ヘッドアセンブリと、該磁気ヘッドアセンブリの磁気抵抗効果読出しヘッド素子が対向する磁気記録媒体と、前記薄膜磁気ヘッドの外部から該磁気抵抗効果読出しヘッド素子のハイト方向に印加せしめられる直流磁界を発生する磁界発生手段とを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【請求項２０】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子がトンネル磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１９に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項２１】
前記磁界発生手段が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を流して前記直流磁界を発生するための少なくとも１つの電磁石であることを特徴とする請求項１９又は２０に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項２２】
前記磁界発生手段が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生するための少なくとも１つの永久磁石であることを特徴とする請求項１９又は２０に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項２３】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の少なくとも動作中に、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を前記磁界発生手段に供給する電流供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１９から２１のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項２４】
前記電流供給手段が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が読出し動作を行う際にのみ前記直流電流を前記磁界発生手段に供給する手段であることを特徴とする請求項２３に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項２５】
前記電流供給手段が、当該磁気ディスクドライブ装置が動作中は前記直流電流を前記磁界発生手段に常時供給する手段であることを特徴とする請求項２３に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項２６】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリを測定する手段をさらに備えており、前記電流供給手段が該測定したアシンメトリに基づいて、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する直流電流を求めて供給する手段であることを特徴とする請求項２３から２５のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置。
【請求項２７】
磁気抵抗効果読出しヘッド素子の少なくとも動作中に、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の外部から該磁気抵抗効果読出しヘッド素子のハイト方向に印加することを特徴とするアシンメトリ特性の補償方法。
【請求項２８】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリを測定し、該測定したアシンメトリに基づいて前記直流磁界を決定することを特徴とする請求項２７に記載の補償方法。
【請求項２９】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が読出し動作を行う際にのみ前記直流磁界を印加することを特徴とする請求項２７又は２８に記載の補償方法。
【請求項３０】
磁気ディスクドライブ装置が動作中は前記直流磁界を常時印加することを特徴とする請求項２７又は２８に記載の補償方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドアセンブリ、この磁気ヘッドアセンブリを有する磁気ディスクドライブ装置、及びＭＲ読出しヘッド素子のアシンメトリ特性の補償方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク等の磁気記録媒体上に記録されている磁気情報、特に垂直磁気記録された情報をＭＲ読出しヘッド素子によって読出す場合に、その出力信号波形の上下非対称性を表すアシンメトリと、ビットエラーレート及びＳ／Ｎ比との間には相関関係がある。ここで、出力信号（再生出力）のアシンメトリＡｓｓｙｍ（％）とは、再生出力の正の振幅をＴＡＡ１、負の振幅をＴＡＡ２とした場合に、Ａｓｓｙｍ（％）＝（ＴＡＡ１−ＴＡＡ２）／（ＴＡＡ１＋ＴＡＡ２）×１００（％）で与えられる。アシンメトリがゼロに近くなればなるほど、ビットエラーレートが小さくなり、またＳ／Ｎ比も小さくなるので再生特性の優れた磁気ヘッドとされる。
【０００３】
特許文献１には、ＭＲ素子及びバイアスストリップに供給するバイアス電流、即ちセンス電流をアシンメトリがゼロに近づくように制御することにより、ＭＲ素子に印加されるバイアス磁界を調整し、電磁変換特性がリニアな領域でＭＲ素子を動作させてエラーレートを低減する技術が開示されている。
【０００４】
この公知技術は、初期の単層による異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）ヘッドにおいて使用されたソフトフィルムバイアス法のごとく横バイアス磁界を制御する技術である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２２８８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この公知技術によると、ＭＲ素子の出力に直接的に影響を及ぼすセンス電流が調整変化せしめられるため、ＭＲ出力が各ヘッド毎にばらついてしまうという大きな問題点を有している。逆に、センス電流を大幅に変化させることができないため、エラーレートの低減を確実に行うことができないという不都合をも有している。
【０００７】
従って本発明の目的は、ＭＲ出力のばらつきを引き起こすことなくビットエラーレート及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及びアシンメトリ特性の補償方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、ＭＲ読出しヘッド素子と、ＭＲ読出しヘッド素子の外部に独立して設けられており、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を流すことによりＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加される直流磁界を発生する磁界発生手段とを備えている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【０００９】
磁界発生手段がＭＲ読出しヘッド素子の外部に独立して設けられており、この磁界発生手段がＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加される直流磁界が発生する。直流磁界がＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加されることにより、アシンメトリをゼロに近づけることが可能となり、ビットエラーレート及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。しかもその場合、磁界発生手段がＭＲ読出しヘッド素子の外部に独立して設けられているため、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流を変更することなく最適の磁界を印加できるので、ＭＲ出力のばらつきを引き起こすことがない。
【００１０】
磁界発生手段が、浮上面（ＡＢＳ）から見てＭＲ読出しヘッド素子の後方に設けられたコイル導体であることが好ましい。
【００１１】
ＭＲ読出しヘッド素子がトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子であることも好ましい。
【００１２】
本発明によれば、上述の薄膜磁気ヘッドと、この薄膜磁気ヘッドを支持する支持体とを備えた磁気ヘッドアセンブリが提供される。ここで、磁気ヘッドアセンブリとは、書込みヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）とその支持機構とを機械的、電気的に組み立てたアセンブリである。具体例を挙げると、磁気ヘッドスライダとサスペンションとのアセンブリの場合にはヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と称され、磁気ヘッドスライダとこれを支持するサスペンション及び支持アームのアセンブリの場合にはヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）と称され、ＨＡＡが複数積み重ねられる場合にはヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）と称されることが多い。
【００１３】
本発明のよれば、さらに、上述の磁気ヘッドアセンブリと、この磁気ヘッドアセンブリのＭＲ読出しヘッド素子が対向する磁気記録媒体とを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【００１４】
この磁気ディスクドライブ装置が、ＭＲ読出しヘッド素子の少なくとも動作中に、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する直流電流を磁界発生手段に供給する電流供給手段をさらに備えたことが好ましい。
【００１５】
電流供給手段が、ＭＲ読出しヘッド素子が読出し動作を行う際にのみ直流電流を磁界発生手段に供給する手段であることも好ましい。
【００１６】
電流供給手段が、磁気ディスクドライブ装置が動作中は直流電流を磁界発生手段に常時供給する手段であることも好ましい。
【００１７】
ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリを測定する手段をさらに備えており、電流供給手段が測定したアシンメトリに基づいて、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する直流電流を求めて供給する手段であることも好ましい。
【００１８】
本発明によれば、さらにまた、ＭＲ読出しヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドを支持する支持体と、薄膜磁気ヘッドの外部からＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加せしめられる直流磁界を発生する磁界発生手段とを備えた磁気ヘッドアセンブリが提供される。
【００１９】
磁界発生手段が薄膜磁気ヘッドの外部に設けられており、この磁界発生手段からＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に直流磁界が印加される。直流磁界がＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加されることにより、アシンメトリをゼロに近づけることが可能となり、ビットエラーレート及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。しかもその場合、磁界発生手段が薄膜磁気ヘッドの外部に設けられているため、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流を変更することなく最適の磁界を印加できるので、ＭＲ出力のばらつきを引き起こすことがない。
【００２０】
ＭＲ読出しヘッド素子がＴＭＲ素子であることが好ましい。
【００２１】
磁界発生手段が、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を流して直流磁界を発生するための少なくとも１つの電磁石であることも好ましい。
【００２２】
磁界発生手段が、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生するための少なくとも１つの永久磁石であることも好ましい。
【００２３】
本発明によれば、さらに、上述の磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリのＭＲ読出しヘッド素子が対向する磁気記録媒体とを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【００２４】
本発明によれば、また、上述の磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリのＭＲ読出しヘッド素子が対向する磁気記録媒体と、ＭＲ読出しヘッド素子の少なくとも動作中に、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生するために、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を磁界発生手段に供給する電流供給手段とを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【００２５】
電流供給手段が、ＭＲ読出しヘッド素子が読出し動作を行う際にのみ直流電流を磁界発生手段に供給する手段であることが好ましい。
【００２６】
電流供給手段が、磁気ディスクドライブ装置が動作中は直流電流を磁界発生手段に常時供給する手段であることも好ましい。
【００２７】
ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリを測定する手段をさらに備えており、電流供給手段が該測定したアシンメトリに基づいて、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する直流電流を求めて供給する手段であることも好ましい。
【００２８】
本発明によれば、さらにまた、ＭＲ読出しヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドを支持する支持体を含む磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリのＭＲ読出しヘッド素子が対向する磁気記録媒体と、薄膜磁気ヘッドの外部からＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加せしめられる直流磁界を発生する磁界発生手段とを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【００２９】
磁界発生手段が薄膜磁気ヘッドの外部に設けられており、この磁界発生手段からＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に直流磁界が印加される。直流磁界がＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加されることにより、アシンメトリをゼロに近づけることが可能となり、ビットエラーレート及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。しかもその場合、磁界発生手段が薄膜磁気ヘッドの外部に設けられているため、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流を変更することなく最適の磁界を印加できるので、ＭＲ出力のばらつきを引き起こすことがない。
【００３０】
ＭＲ読出しヘッド素子がＴＭＲ素子であることが好ましい。
【００３１】
磁界発生手段が、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を流して直流磁界を発生するための少なくとも１つの電磁石であることも好ましい。
【００３２】
磁界発生手段が、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生するための少なくとも１つの永久磁石であることも好ましい。
【００３３】
ＭＲ読出しヘッド素子の少なくとも動作中に、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流とは独立した直流電流を磁界発生手段に供給する電流供給手段をさらに備えたことも好ましい。
【００３４】
電流供給手段が、ＭＲ読出しヘッド素子が読出し動作を行う際にのみ直流電流を磁界発生手段に供給する手段であることも好ましい。
【００３５】
電流供給手段が、磁気ディスクドライブ装置が動作中は直流電流を磁界発生手段に常時供給する手段であることも好ましい。
【００３６】
ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリを測定する手段をさらに備えており、電流供給手段が該測定したアシンメトリに基づいて、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界を発生する直流電流を求めて供給する手段であることも好ましい。
【００３７】
本発明によれば、さらに、ＭＲ読出しヘッド素子の少なくとも動作中に、ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリが最小となる直流磁界をＭＲ読出しヘッド素子の外部からＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加するアシンメトリ特性の補償方法が提供される。
【００３８】
ＭＲ読出しヘッド素子の外部からそのハイト方向に直流磁界が印加される。直流磁界がＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加されることにより、アシンメトリをゼロに近づけることが可能となり、ビットエラーレート及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。しかもその場合、ＭＲ読出しヘッド素子の外部からｊ位階が印加されるため、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流を変更することなく最適の磁界を印加できるので、ＭＲ出力のばらつきを引き起こすことがない。
【００３９】
ＭＲ読出しヘッド素子の再生出力のアシンメトリを測定し、測定したアシンメトリに基づいて直流磁界を決定することが好ましい。
【００４０】
ＭＲ読出しヘッド素子が読出し動作を行う際にのみ直流磁界を印加することも好ましい。
【００４１】
磁気ディスクドライブ装置が動作中は直流磁界を常時印加することも好ましい。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、磁界発生手段がＭＲ読出しヘッド素子の外部に独立して設けられており、この磁界発生手段がＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加される直流磁界が発生する。直流磁界がＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加されることにより、アシンメトリをゼロに近づけることが可能となり、ビットエラーレート及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。しかもその場合、磁界発生手段がＭＲ読出しヘッド素子の外部に独立して設けられているため、ＭＲ読出しヘッド素子のセンス電流を変更することなく最適の磁界を印加できるので、ＭＲ出力のばらつきを引き起こすことがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図であり、図３は図２のＨＧＡの先端部に装着されている複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図であり、図４は図３の複合型薄膜磁気ヘッドの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た平面図ある。
【００４４】
図１において、１０はスピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は複合型薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作及び直流磁界を発生するための直流磁界発生用導体への直流電流を制御するための記録再生及び電流制御回路をそれぞれ示している。
【００４５】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、磁気ヘッドスライダ２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスクドライブ装置に、単数の磁気ディスク１０、駆動アーム１４及びＨＧＡ１７を設けるようにしても良い。
【００４６】
図２に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２０の先端部に、インダクティブ書込みヘッド素子及びＴＭＲ読出しヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダ２１を固着し、さらにその薄膜磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。
【００４７】
サスペンション２０は、磁気ヘッドスライダ２１に印加される荷重を発生するロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３及びロードビーム２２上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。
【００４８】
本発明の磁気ヘッドアセンブリにおけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００４９】
図３及び図４に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダ２１は、互いに積層されたＴＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１からなる複合型磁気ヘッド素子３２と、これらＴＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１にそれぞれ接続された４つの信号端子電極３３及び３４と、図３には示されていない直流磁界を発生するための直流磁界発生用導体の２つの駆動端子電極３５とを、磁気ヘッドスライダのＡＢＳ３６を底面とした際の１つの側面である素子形成面３７上に備えている。直流磁界発生用導体の両端が２つの駆動端子電極３５に接続されている。なお、これらの端子電極の位置は、図３の形態に限定されるものではない。また、図３において端子電極は６つであるが、直流磁界発生用導体の一端を１つの駆動端子電極に接続し、他端をスライダ基板に接地して５つの端子電極とした形態であっても良い。
【００５０】
図５は本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図であり、図４のＶ−Ｖ線断面を示している。
【００５１】
例えばアルティック（ＡｌＴｉＣ、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上には、絶縁材料層５１に覆われて、フリー層及びピン層を含むＭＲ多層膜を備えたＭＲ読出しヘッド素子５２及びインダクティブ書込みヘッド素子５３が形成されている。
【００５２】
ＭＲ読出しヘッド素子５２は、好ましくはＴＭＲ読出しヘッド素子であるが、積層面と垂直の方向にセンス電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）構造又は積層面と平行の方向にセンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ）構造の巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）読出しヘッド素子であっても良い。インダクティブ書込みヘッド素子５３は、好ましくは垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子であるが、水平磁気記録構造の書込みヘッド素子であっても良い。
【００５３】
ＭＲ読出しヘッド素子５２のＡＢＳ３６から見て後方には、直流磁界を発生するための電磁石を構成する直流磁界発生用導体としてのヘリカル状又はトロイダル状のコイル導体５４と、その内部を挿通する磁気コア５５とが設けられている。コイル導体５４の両端は、前述した駆動端子電極３５に接続されている。
【００５４】
図６は、図１に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路１３の回路構成を示すブロック図である。
【００５５】
同図において、６０は記録再生回路、６１は電流制御回路、６２はＣＰＵをそれぞれ示している。記録再生回路６０は、記録再生チャネル６０ａと、ＭＲ読出しヘッド素子５２及びインダクティブ書込みヘッド素子５３に接続されたプリアンプ部６０ｂとを有している。電流制御回路６１は、レジスタ６１ａと、Ｄ／Ａ変換器６１ｂと、コイル導体５４に接続された電流制御部６１ｃとを有している。
【００５６】
記録再生チャネル６０ａから出力される記録データは、プリアンプ部６０ｂに供給される。プリアンプ部６０ｂは、ＣＰＵ６２から出力された記録制御信号をライトゲート６０ｂ１で受け取り、この記録制御信号が書込み動作を指示するときのみ、記録データに従った書込み電流をインダクティブ書込みヘッド素子５３に流し、これによって磁気ディスク上に記録が行なわれる。
【００５７】
また、ＣＰＵ６２から出力されてリードゲート６０ｂ２で受け取られた再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、プリアンプ部６０ｂからＭＲ読出しヘッド素子５２にセンス電流が流れる。ＭＲ読出しヘッド素子５２から出力され、出力安定化のためのオートゲインコントローラ（ＡＧＣ）６０ｂ３を介してプリアンプ部６０ｂに入力された再生信号は、増幅復調されて再生データとなり、記録再生チャネル６０ａに送られる。
【００５８】
電流制御回路６１の電流制御部６１ｃは、プリアンプ部６０ｂから出力されるＯＮ／ＯＦＦ信号と、ＣＰＵ６２からレジスタ６１ａ及びＤ／Ａ変換器６１ｂを介して出力される電流値制御信号とを受け取る。このＯＮ／ＯＦＦ信号がオン動作指示である場合、コイル導体５４に駆動電流が流れる。その電流値は、電流値制御信号に応じた値に制御される。
【００５９】
このように、記録再生回路６０とは独立して、電流制御回路６１を設けることによって、より多様な通電モードを用いることが可能となる。さらに、ＣＰＵ６２は、電流制御回路６１と記録再生回路６０とを制御しているので、読出し動作とタイミングを合わせてコイル導体５４へ通電することが可能となる。
【００６０】
記録再生及び電流制御回路１３の回路構成は、図６に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録再生制御信号以外の信号で書込み及び読出し動作を特定してもよい。
【００６１】
図７はこの記録再生及び電流制御回路１３におけるＣＰＣ６２の制御動作のうち、特に本発明に関連する部分を概略的に説明するフローチャートであり、ＨＤＤを製造した後、最初に電源を入れる際に実行される初期設定ルーチンの一部を示している。
【００６２】
同図に示すように、初期設定ルーチンにおいて、まず、ＭＲ読出しヘッド素子５２の出力信号（再生出力）のアシンメトリＡｓｓｙｍを測定する（ステップＳ１）。アシンメトリＡｓｓｙｍ（％）は、再生出力の正の振幅をＴＡＡ１、負の振幅をＴＡＡ２とした場合に、Ａｓｓｙｍ（％）＝（ＴＡＡ１−ＴＡＡ２）／（ＴＡＡ１＋ＴＡＡ２）×１００（％）で与えられる。
【００６３】
次いで、測定したアシンメトリＡｓｓｙｍがゼロに最も近くなるコイル導体５４の直流電流値を求める（ステップＳ２）。アシンメトリＡｓｓｙｍから直流電流値を求めるには、互いに異なる直流電流を実際に流して互いに異なる直流磁界（ハイト方向）を印加した際のアシンメトリＡｓｓｙｍをそれぞれ測定し、その測定値が最もゼロに近くなる直流電流値を求めるようにしても良い。実際には、コイル導体５４に直流電流を流さず、従って外部磁界を印加しない状態で測定したアシンメトリＡｓｓｙｍから、アシンメトリＡｓｓｙｍをゼロにするべくコイル導体５４へ流す直流電流の値をあらかじめ定めた関係式又はテーブルから直接的に求める。即ち、図８に示すように、種々のＭＲ読出しヘッド素子において、そのハイト方向への直流磁界とアシンメトリＡｓｓｙｍとの間には、特定の関係があり、この関係は、アシンメトリＡｓｓｙｍが正の側にずれていても負の側にずれていても変化しない。そこで、外部磁界を印加しない状態でアシンメトリＡｓｓｙｍを測定すれば、その値から、アシンメトリＡｓｓｙｍをゼロにするために印加すべき直流電流の値を一義的に定めることができる。
【００６４】
次いで、求めた直流電流の値を導体コイル駆動電流値として記憶しておく（ステップＳ３）。
【００６５】
一方、ＨＤＤの通常の動作処理ルーチンにおいて、リードゲート６０ｂ２で受け取られた再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、プリアンプ部６０ｂから電源制御部６１ｃに送られるＯＮ／ＯＦＦ信号がオンとなり、これによって電源制御部６１ｃは、ＣＰＵ６２からレジスタ６１ａ及びＤ／Ａ変換器６１ｂを介して出力される電流値制御信号の値、即ち初期設定ルーチンにおいて記憶された導体コイル駆動電流値に応じた値、の直流電流をコイル導体５４に流す。
【００６６】
コイル導体５４及び磁芯５５からなる電磁石からは、これにより直流磁界ＭＤＣが発生し、この直流磁界ＭＤＣは、ＭＲ読出しヘッド素子５２のハイト方向へ印加される。
【００６７】
図９（Ａ）に示すように、直流磁界が印加されていない場合に、ＭＲ読出しヘッド素子のフリー層の磁化方向ＦｒｅｅがＡＢＳに対して平行であり、ピン層の磁化方向ＰｉｎがＡＢＳに対して直角である場合（即ちＦｒｅｅとＰｉｎとが直交する場合）は、アシンメトリＡｓｓｙｍがほぼゼロとなるが、フリー層の磁化方向ＦｒｅｅがＡＢＳに対して平行ではない場合は、Ａｓｓｙｍ＞０又はＡｓｓｙｍ＜０となる。
【００６８】
そこで、このような場合に図９（Ｂ）又は（Ｃ）に示すように、ＭＲ読出しヘッド素子に対してそのハイト方向（ＡＢＳに垂直な方向、Ｐｉｎ方向に平行な方向）の直流磁界ＭＤＣを素子外部から印加することによって、アシンメトリＡｓｓｙｍをほぼゼロとすることができるのである。
【００６９】
ＭＲ読出しヘッド素子のアシンメトリＡｓｓｙｍとビットエラーレートとの間には、一般に、図１０に示すような関係があり、アシンメトリＡｓｓｙｍがゼロに近づくにつれて、ビットエラーレートが小さくなることが分かっている。そこで、直流磁界を印加することによって、図１１に示すように、アシンメトリＡｓｓｙｍをゼロに近づけることにより、ビットエラーレートをより低減化することができる。
【００７０】
以上説明したように、本実施形態によれば、アシンメトリＡｓｓｙｍ（％）をゼロに近づけるような直流磁界をＭＲ読出しヘッド素子５２のハイト方向に印加しているので、ビットエラーレート及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。しかもその場合、コイル導体５４がＭＲ読出しヘッド素子５２のセンス電流とは別個に駆動されるため、ＭＲ読出しヘッド素子５２のセンス電流を変更することなく最適の磁界を印加できるので、ＭＲ出力のばらつきを引き起こすことがない。
【００７１】
なお、上述した実施形態では、ＭＲ読出しヘッド素子が読出し動作を行なう際にのみ電磁石を駆動して直流磁界を発生するようにしているが、ＨＤＤが動作中は常時電磁石を駆動して直流磁界を発生するようにしても良いことは明らかである。
【００７２】
また、上述した実施形態では、単一のコイル導体が設けられているが、複数のコイル導体を設けても良いことも明らかである。
【００７３】
図１２は、図１〜図１１の実施形態の一変更態様における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【００７４】
この変更態様においては、直流磁界発生用導体１２４がＭＲ読出しヘッド素子５２と基板５０との間に設けられた１本の直線状の導体からなっており、磁気コアは設けられていない。導体１２４の両端は、駆動端子電極３５に接続されている。
【００７５】
本変更態様におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１２において、図５とほぼ同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。また、本変更態様における作用効果等も、図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００７６】
図１３は、図１〜図１１の実施形態の他の変更態様における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【００７７】
この変更態様においては、直流磁界発生用導体１３４がＭＲ読出しヘッド素子５２とインダクティブ書込みヘッド素子５３との間に設けられた１本の直線状の導体からなっており、磁気コアは設けられていない。導体１３４の両端は、駆動端子電極３５に接続されている。
【００７８】
本変更態様におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１３において、図５とほぼ同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。また、本変更態様における作用効果等も、図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００７９】
図１４は、図１〜図１１の実施形態のさらに他の変更態様における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【００８０】
この変更態様においては、直流磁界発生用導体１４４がＭＲ読出しヘッド素子５２′の内部において、下部シールド層とＭＲ多層膜との間に設けられた１本の直線状の導体からなっており、磁気コアは設けられていない。導体１４４の両端は、駆動端子電極３５に接続されている。
【００８１】
本変更態様におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１４において、図５とほぼ同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。また、本変更態様における作用効果等も、図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００８２】
図１５は、本発明の他の実施形態におけるＨＧＡのサスペンション部分を除く一部構成を概略的に示す斜視図である。
【００８３】
本実施形態では、複合型薄膜磁気ヘッド内に直流磁界発生用導体や磁気コアは設けられておらず、磁気ヘッドスライダ２１′のＡＢＳとは反対側の面に固着されたシート１５０内に直流磁界を発生するための電磁石を構成する直流磁界発生用導体としてのヘリカル状又はトロイダル状のコイル導体１５４と、その内部を挿通する磁気コア（図示なし）とが設けられている。
【００８４】
磁気ヘッドスライダ２１′はシート１５０を介して図２に示したサスペンション２０に固着されるように構成されている。コイル導体１５４の両端は、サスペンション２０の配線部材２５を介して記録再生及び電流制御回路１３の電流制御回路６１に接続されている。この電磁石から発生する直流磁界も、前述の実施形態及び変更態様の場合と同様にＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加される。
【００８５】
本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１５において、図１〜図１１の実施形態の場合と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。また、本実施形態における作用効果等も、複合型薄膜磁気ヘッドの構成を変更する必要がない点を除いて図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００８６】
図１６は、本発明のさらに実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の一部の構成を概略的に示す側面図である。
【００８７】
本実施形態では、ＨＧＡ自体には直流磁界発生用導体や磁気コアは設けられておらず、ＨＧＡ１７′及び磁気ディスク１０の外側から磁気ヘッドスライダ２１′へ直流磁界を印加する電磁石１６０が磁気ディスクドライブ装置内に設けられている。電磁石１６０は、磁気ディスク１０から見てＨＧＡ１７′の上方に設けられた、ヘリカル状又はトロイダル状のコイル導体１６４とその内部を挿通する磁気コア１６５とから構成されている。コイル導体１６４の両端は、図示しない配線部材を介して記録再生及び電流制御回路１３の電流制御回路６１に接続されている。この電磁石１６０から発生する直流磁界も、前述の実施形態及び変更態様の場合と同様にＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加される。電磁石１６０を磁気ヘッドスライダ２１′と共に移動可能とし、磁気ヘッドスライダ２１′の上方に常に位置するように構成しても良いし、電磁石１６０を固定位置に設け、磁気ヘッドスライダ２１′の移動範囲全体に直流磁界が印加されるように構成しても良い。
【００８８】
本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１６において、図１〜図１１の実施形態の場合と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。また、本実施形態における作用効果等も、複合型薄膜磁気ヘッドの構成及びＨＧＡの構成を変更する必要がない点を除いて図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００８９】
図１７は、本発明のまたさらに実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の一部の構成を概略的に示す側面図である。
【００９０】
本実施形態では、ＨＧＡ自体には直流磁界発生用導体や磁気コアは設けられておらず、磁気ディスクドライブ装置内の磁気ディスク１０から見てＨＧＡ１７′の外側にこのＨＧＡ１７′に重なるように直流磁界印加用のＨＧＡ１７７が設けられている。各直流磁界印加用ＨＧＡ１７７は、通常のＨＧＡ１７′における磁気ヘッドスライダの位置に、直流磁界印加用の電磁石１７０が設けられている。電磁石１７０は、図示されていないが、ヘリカル状又はトロイダル状のコイル導体とその内部を挿通する磁気コアとから構成されている。コイル導体の両端は、図示しない配線部材を介して記録再生及び電流制御回路１３の電流制御回路６１に接続されている。この電磁石１７０から発生する直流磁界も、前述の実施形態及び変更態様の場合と同様にＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向に印加される。
【００９１】
本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１７において、図１〜図１１の実施形態の場合と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。また、本実施形態における作用効果等も、複合型薄膜磁気ヘッドの構成及びＨＧＡの構成を変更する必要がない点を除いて図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００９２】
なお、図１５〜図１７の実施形態において、ＭＲ読出しヘッド素子のハイト方向へ直流磁界を印加するために、電磁石が用いられているが、印加すべき直流磁界の値がさほどばらついていない場合には、電磁石に代えて等価の直流磁界を発生する永久磁石を用いても良いことは明らかである。永久磁石を用いる場合、ＭＲ読出しヘッド素子のアシンメトリＡｓｓｙｍを測定し、その測定結果からアシンメトリＡｓｓｙｍが最もゼロに近づくような直流磁界を発生する永久磁石を選択して取り付けることとなる。
【００９３】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図である。
【図３】図２のＨＧＡの先端部に装着されている複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図４】図３の複合型薄膜磁気ヘッドの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た平面図ある。
【図５】図３の複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【図６】図１に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【図７】記録再生及び電流制御回路におけるＣＰＣの制御動作のうち、本発明に関連する部分を概略的に説明するフローチャートである。
【図８】直流磁界に対するアシンメトリＡｓｓｙｍの特性を表した図である。
【図９】ハイト方向の直流磁界を印加することによりアシンメトリＡｓｓｙｍをほぼゼロにできることを説明する図である。
【図１０】アシンメトリＡｓｓｙｍに対するビットエラーレートの一般的な特性を表した図である。
【図１１】アシンメトリＡｓｓｙｍをゼロに近づけることによりビットエラーレートが低下することを説明する図である。
【図１２】図１〜図１１の実施形態の一変更態様における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【図１３】図１〜図１１の実施形態の他の変更態様における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【図１４】図１〜図１１の実施形態のさらに他の変更態様における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態におけるＨＧＡのサスペンション部分を除く一部構成を概略的に示す斜視図である。
【図１６】本発明のさらに実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の一部の構成を概略的に示す側面図である。
【図１７】本発明のまたさらに実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の一部の構成を概略的に示す側面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０  磁気ディスク
１１  スピンドルモータ
１２  アセンブリキャリッジ装置
１３  記録再生及び電流制御回路
１４  駆動アーム
１５  ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６  ピボットベアリング軸
１７、１７′、１７７  ＨＧＡ
２０  サスペンション
２１、２１′  薄膜磁気ヘッド
２２  ロードビーム
２３  フレクシャ
２４  ベースプレート
２５  配線部材
３０、５２、５２′  ＭＲ読出しヘッド素子
３１、５３  インダクティブ書込みヘッド素子
３２  磁気ヘッド素子
３３、３４  信号端子電極
３５  駆動端子電極
３６  ＡＢＳ
３７  素子形成面
５０  スライダ基板
５１  絶縁材料層
５４、１２４、１３４、１４４、１５４、１６４  コイル導体
５５、１６５  磁気コア
６０  記録再生回路
６０ａ  記録再生チャネル
６０ｂ  プリアンプ部
６０ｂ１  ライトゲート
６０ｂ２  リードゲート
６０ｂ３  オートゲインコントローラ（ＡＧＣ）
６１  電流制御回路
６１ａ  レジスタ
６１ｂ  Ｄ／Ａ変換器
６１ｃ  電流制御部
６２  ＣＰＵ
１５０  シート
１６０、１７０  電磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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