(57)【要約】【目的】  成形アパーチャの開口部のエッジ加工精度を向上させることを目的とする。【構成】  本発明は、電子ビーム２００を収束させる投影レンズ２０４と、投影レンズ２０４の下流側に配置され、投影レンズ２０４により収束中の電子ビーム２００を成形する、シリコン材を用いて成形開口部Ｈ付近の厚さｔが電子ビーム透過率が０％より大きくなる厚さにて形成されたＳｉ−ＡＰ５０２と、Ｓｉ−ＡＰ５０２の下流側に配置され、Ｓｉ−ＡＰ５０２のシリコン材内部を透過した電子ビーム２００を遮蔽するブランキングアパーチャ２１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、成形アパーチャを薄くすることができるので、開口部のエッジ加工精度を向上させることができる。その結果、成形されたビーム形状の精度を向上させることができ、高精度な寸法にて試料を描画することができる。【選択図】        図４
2007048804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電ビームを収束させるレンズと、
前記レンズの下流側に配置され、開口部が形成され、前記レンズにより収束中の荷電ビームを前記開口部を通過させることで成形し、前記開口部以外に当たった荷電ビームを透過する成形アパーチャと、
前記成形アパーチャの下流側に配置され、前記成形アパーチャを透過した荷電ビームを遮蔽する遮蔽アパーチャと、
を備えたことを特徴とする荷電ビーム描画装置。
【請求項２】
前記成形アパーチャにおいて、前記開口部付近の厚さが２０μｍ未満に形成されたことを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項３】
前記遮蔽アパーチャは、高融点金属材料を用いて形成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項４】
前記レンズは、前記荷電ビームが前記成形アパーチャの上流側から収束を開始し、前記遮蔽アパーチャの位置にてクロスオーバーを形成するように前記荷電ビームを収束させることを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項５】
荷電ビームを成形する荷電ビームの成形方法において、
第１の成形アパーチャの開口部を通過後、第２の成形アパーチャの開口部を通過させることにより前記荷電ビームを所望する形状に可変成形し、
前記第２の成形アパーチャの開口部を通過しない前記荷電ビームについて前記第２の成形アパーチャを透過させることで散乱角度を変更させて、散乱角度が変更した前記荷電ビームを遮蔽することを特徴とする荷電ビームの成形方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電ビーム描画装置及び荷電ビームの成形方法に係り、例えば、成形アパーチャを用いて電子ビームを成形する電子ビーム描画装置及びかかる電子ビームの成形方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１１は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形用開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一般に成形アパーチャの１つとなる第２のアパーチャ４２０は、シリコン（Ｓｉ）材により形成される。そして、成形アパーチャは、上流部からの電子線３３０をカットし、試料面に余分な電子線を到達させないようにするために電子線の透過率がほぼ０％となる十分な厚さで形成されている。
【０００５】
ここで、上述した可変成形型の電子線描画装置とは異なり、レチクルに電子線を照射してレチクルの像をウェハに照射する電子線露光装置において、レチクルに照射する電子線の面積を制限するシェーピングアパーチャという名称で記載された制限アパーチャの透過率を０％としていない技術が文献に開示されている（例えば、特許文献２参照）。かかる技術では、発散する方向（開く方向）に進む電子ビームを前記シェーピングアパーチャが受ける場合に、前記シェーピングアパーチャの下流側にて電子ビームはコンデンサレンズにより絞られることで発散方向から収束方向へ向きが変えられ、そのうち、前記シェーピングアパーチャの開口部を通過した電子ビームだけがクロスオーバー用のアパーチャの開口部を通過して、レチクルを照明するというものである。
【特許文献１】特開２０００−５８４２４号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７１６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
荷電ビーム描画装置において、成形アパーチャで上流部からの荷電ビームを完全にカットし、試料面に荷電ビームを到達させないようにするためには、荷電ビーム透過率がほぼ０％となる十分な厚さで成形アパーチャを形成することが求められる。そして、従来、かかる荷電ビーム透過率がほぼ０％となる十分な厚さで成形アパーチャを形成していた。
しかしながら、成形アパーチャを試料面に荷電ビームを到達させないように荷電ビーム透過率がほぼ０％となる十分な厚さで形成すると、成形アパーチャの開口部のエッジ加工が難しく、加工精度を十分に得ることが困難であるという問題があった。成形アパーチャの開口部のエッジラフネスが悪いと、成形される荷電ビームの形状も精度が悪くなり、その結果、描画されるパターンにも影響が出てしまうといった問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、成形アパーチャの開口部のエッジ加工精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の荷電ビーム描画装置は、
荷電ビームを収束させるレンズと、
前記レンズの下流側に配置され、開口部が形成され、前記レンズにより収束中の荷電ビームを前記開口部を通過させることで成形し、前記開口部以外に当たった荷電ビームを透過する成形アパーチャと、
前記成形アパーチャの下流側に配置され、前記成形アパーチャを透過した荷電ビームを遮蔽する遮蔽アパーチャと、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
上述の成形アパーチャが、開口部以外に当たった荷電ビームを透過するためには、開口部付近の厚さが前記荷電ビーム透過率が０％より大きくなる厚さにて形成されることが必要となる。よって、従来に比べ厚さを薄くすることができる。また、厚さを薄くした結果、成形アパーチャを透過してしまった荷電ビームについては、後述するように成形アパーチャを透過する際に成形アパーチャにより透過ビームの散乱角度を変化させることができる。その結果、遮蔽アパーチャに当たって遮蔽することができる。
【００１０】
そして、本発明の上述の前記成形アパーチャにおいて、前記開口部付近の厚さが２０μｍ未満に形成されたことを特徴とする。
【００１１】
後述するように、シリコンアパーチャにおける荷電ビーム透過率を０％にするためには、前記成形アパーチャの厚さが２０μｍ以上必要である。よって、シリコン材により成形アパーチャを形成する場合に、前記開口部付近の厚さを２０μｍ未満に形成することで、前記成形アパーチャを荷電ビーム透過率が０％より大きくなるように形成することができる。
【００１２】
また、本発明の上述の前記遮蔽アパーチャは、高融点金属材料を用いて形成されたことを特徴とする。
【００１３】
遮蔽アパーチャとして高融点金属材料を用いて形成されることにより、荷電ビームによる材料劣化を抑制することができる。
【００１４】
そして、本発明の上述の前記レンズは、荷電ビームが前記成形アパーチャの上流側から収束を開始し、遮蔽アパーチャの位置にてクロスオーバーを形成するように荷電ビームを収束させることを特徴とする。
【００１５】
かかる構成により成形アパーチャと遮蔽アパーチャとの間に他のレンズ等を配置する必要を無くすことができる。
【００１６】
また、本発明の一態様の荷電ビームの成形方法は、
荷電ビームを成形する荷電ビームの成形方法において、
第１の成形アパーチャの開口部を通過後、第２の成形アパーチャの開口部を通過させることにより前記荷電ビームを所望する形状に可変成形し、
前記第２の成形アパーチャの開口部を通過しない前記荷電ビームについて前記第２の成形アパーチャを透過させることで散乱角度を変更させて、散乱角度が変更した前記荷電ビームを遮蔽することを特徴とする。
【００１７】
上述したように、開口部を通過しない荷電ビームに対して第２の成形アパーチャを透過させることで散乱角度を変更させて、散乱角度が変更した荷電ビームを遮蔽することにより、第２の成形アパーチャを薄くすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、成形アパーチャを薄くすることができるので、開口部のエッジ加工精度を向上させることができる。その結果、成形されたビーム形状の精度を向上させることができ、高精度な寸法にて試料を描画することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、荷電ビーム描画装置の一例である可変成形型ＥＢ描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０とを備えている。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、ＸＹステージ１０５、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１の成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、成形偏向器２０５、第２の成形アパーチャ２０６、遮蔽アパーチャの一例となるブランキングアパーチャ２１６、対物レンズ２０７、対物偏向器２０８を有している。そして、電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１の成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、成形偏向器２０５、第２の成形アパーチャ２０６、ブランキングアパーチャ２１６、対物レンズ２０７、対物偏向器２０８が配置されている。制御部１６０は、制御回路１１０、描画データ処理回路１２０を有している。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。可変成形型ＥＢ描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００２０】
可変成形型ＥＢ描画装置１００では、描画データが入力されると、描画データ処理回路１２０により装置内フォーマットに描画データを変換する。そして、かかるフォーマットに変換された描画データに基づいて、制御回路１１０により可変成形型ＥＢ描画装置１００の各機構が制御される。
【００２１】
電子銃２０１から出た荷電ビームの一例となる電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１の成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここでは、電子ビーム２００が照明レンズ２０２により絞られクロスオーバーを形成した後に発散する方向（開く方向）に進みながら第１の成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１の成形アパーチャ２０３の開口部を通過した第１の成形アパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により絞られて、収束しながら収束途中で第２の成形アパーチャ２０６上に投影される。かかる第２の成形アパーチャ２０６上での第１の成形アパーチャ像の位置は、静電型の成形偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２の成形アパーチャ２０６の開口部を通過した第２の成形アパーチャ像の電子ビーム２００は、ブランキングアパーチャ２１６の開口部でクロスオーバーを形成した後、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、対物偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。また、電子鏡筒１０２内およびＸＹステージ１０５が配置された描画室内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。
【００２２】
図２は、ステージ移動の様子を説明するための図である。
試料１０１に描画する場合には、ＸＹステージ１０５を図示していない駆動部によりＸ方向に連続移動させながら、描画（露光）面を電子ビーム２００が偏向可能な短冊状の複数のストライプ領域に仮想分割された試料１０１の１つのストライプ領域上を電子ビーム２００が照射する。ＸＹステージ１０５のＸ方向の移動は、連続移動とし、同時に電子ビーム２００のショット位置もステージ移動に追従させる。連続移動させることで描画時間を短縮させることができる。そして、１つのストライプ領域を描画し終わったら、ＸＹステージ１０５を図示していない駆動部によりＹ方向にステップ送りしてＸ方向（今度は逆向き）に次のストライプ領域の描画動作を行なう。各ストライプ領域の描画動作を蛇行させるように進めることでＸＹステージ１０５の移動時間を短縮することができる。
【００２３】
図３は、第２の成形アパーチャの断面形状を示す概念図である。
第２の成形アパーチャ２０６は、ベースとなる例えば１ｍｍ程度の厚さのシリコン（Ｓｉ）ベース５０６上に例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）薄膜５０４が形成され、ＳｉＯ２薄膜５０４上に本来の成形アパーチャとなるシリコンアパーチャ（Ｓｉ−ＡＰ）５０２が形成されている。成形開口部Ｈは、Ｓｉ−ＡＰ５０２に形成される。そして、ＳｉＯ２薄膜５０４とＳｉベース５０６は、成形開口部Ｈの位置では、成形開口部Ｈの位置の裏面にて成形開口部Ｈより十分広い位置からさらに末広がり状に形成された開口部（ベース開口部Ｈ’）が形成される。電子ビーム２００を所望の形状に成形するためには、Ｓｉ−ＡＰ５０２に形成される成形開口部Ｈのエッジ部の側面の精度が求められる。成形開口部Ｈのエッジ部の側面の精度を向上させるためには、できるだけ成形開口部Ｈの厚さｔを薄くするほど加工がし易くなりエッジ加工精度も向上させることができる。
【００２４】
図４は、本発明の実施の形態１における第２の成形アパーチャにおける成形方法を説明するための概念図である。
投影レンズ２０４では、電子ビーム２００が第２の成形アパーチャ２０６の上流側から収束を開始し、ブランキングアパーチャ２１６の位置にてクロスオーバーを形成するように電子ビーム２００を収束させる。
【００２５】
ここで、実施の形態１では、Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さｔを薄くし、電子ビーム透過率が０％より大きくなる厚さ、例えば、後述する２０μｍ未満の厚さにてＳｉ−ＡＰ５０２を形成する。言い換えれば、第２の成形アパーチャ２０６を、シリコン材を用いて成形開口部Ｈ付近の厚さが電子ビーム透過率が０％より大きくなる厚さにて形成する。Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さを薄くすることで、成形開口部Ｈのエッジ加工精度を向上させることができる。そして、投影レンズ２０４により収束中の電子ビーム２００が投影レンズ２０４の下流側に配置されたＳｉ−ＡＰ５０２に当たると、Ｓｉ−ＡＰ５０２で遮蔽されずにシリコン材内部を透過してしまった電子ビーム２００は、Ｓｉ−ＡＰ５０２を透過する際に散乱する。しかし、透過する際に散乱角度が大きく変更されるため、第２の成形アパーチャ２０６の下流側に配置されたブランキングアパーチャ２１６の開口部を通過することができない。よって、散乱電子５１０をブランキングアパーチャ２１６により遮蔽することができる。
【００２６】
一方、Ｓｉ−ＡＰ５０２の成形開口部Ｈを通過した通過電子ビーム５２０は、ブランキングアパーチャ２１６の位置にてクロスオーバーを形成するように進むため、ブランキングアパーチャ２１６の開口部を通過することができる。言い換えれば、電子ビーム２００がブランキングアパーチャ２１６の位置にてクロスオーバーを形成するように進むため、ブランキングアパーチャ２１６は、Ｓｉ−ＡＰ５０２の成形開口部Ｈを通過した通過電子ビーム５２０を通過させる一方、散乱電子５１０を遮蔽することができる。また、投影レンズ２０４によりブランキングアパーチャ２１６の位置にてクロスオーバーを形成するように電子ビーム２００を収束させることにより、Ｓｉ−ＡＰ５０２、言い換えれば第２の成形アパーチャ２０６とブランキングアパーチャ２１６との間に他のレンズ等を配置する必要を無くすことができる。
【００２７】
ここで、ブランキングアパーチャ２１６は、高融点金属材料を用いて形成されることが望ましい。高融点金属材料を用いて形成されることにより、電子ビーム２００による材料劣化を抑制することができる。また、ブランキングアパーチャ２１６は、散乱電子５１０を透過させない十分な厚さで形成される。
【００２８】
図５は、アパーチャ膜厚と電子ビーム透過率との関係を示す図である。
ここでは、Ｓｉ膜の場合を示している。そして、電子ビーム２００を５０ｋＶで加速させた場合を示している。図４に示すように、電子ビーム２００をほぼ１００％遮蔽する、すなわち、電子ビーム透過率を略０％とするためには、Ｓｉ−ＡＰ５０２の膜厚となる厚さｔを２０μｍ以上にする必要があることがわかる。また、Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さｔが１５μｍでは電子ビーム透過率が約２０％、１０μｍでは電子ビーム透過率が約６０％、５μｍでは電子ビーム透過率が約９０％、２μｍでは電子ビーム透過率がほぼ１００％となることがわかる。
【００２９】
本実施の形態では、第２の成形アパーチャ２０６における成形開口部Ｈ付近の厚さｔ、言い換えれば、Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さｔを２０μｍ未満に形成する。Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さｔを２０μｍ未満に形成することで、電子ビーム透過率を０％より大きくなるように形成することができる。Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さｔは、２０μｍ未満であれば、１５μｍ、１０μｍ、５μｍ、或いは２μｍでも構わない。もちろん、２０μｍ未満であれば、その他の値であっても構わない。但し、機械的強度の観点からは、２μｍ以上が望ましい。すなわち、２μｍ以上２０μｍ未満が望ましい。
【００３０】
図６は、散乱角度と透過電子数との関係を示す図である。
図６では、一例として、Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さｔが１０μｍ、５μｍ、及び２μｍの各場合について示している。
図６に示すように、Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さｔが１０μｍ、５μｍ、及び２μｍの各場合とも、ある散乱角度（ここでは、角度Ａから角度Ｃにかけて）で透過電子数がピークを示す一方、散乱角度０°での透過電子数が０であり、散乱角度が変化しない透過電子が存在していないことを示している。また、Ｓｉ−ＡＰ５０２の厚さｔが厚くなるほど、透過電子数がピークを示す散乱角度が大きくなることを示している。ほどんどの透過電子は大きく散乱角度が変化していることを示している。すなわち、Ｓｉ−ＡＰ５０２のシリコン内部を透過して角度を変えずに進み、そのまま収束を続けブランキングアパーチャ２１６の開口部に進む透過電子が存在しないことを示している。そして、散乱角度の変化が小さく、ブランキングアパーチャ２１６の開口部に進む透過電子があったとしても、後述する描画結果でも示されるように、描画精度に影響を与えるほどではない。
すなわち、Ｓｉ−ＡＰ５０２を透過させることで散乱角度を変更させることができるため、散乱角度が変更した透過電子をブランキングアパーチャ２１６で遮蔽することができる。
また、描画精度に影響を与える程度の透過電子数の電子が散乱する散乱角度は、大きい（例えば、数１０°）ため、ブランキングアパーチャ２１６の開口部の開口径の大きさも電子ビーム２００のクロスオーバー像の径に比べて十分大きく（数倍）しても散乱電子５１０を遮蔽することができる。
【００３１】
図７は、ドーズ量とＣＤ精度との関係の一例を示す図である。
図７では、一例として、厚さｔが２０μｍ、１０μｍ及び２μｍの各Ｓｉ−ＡＰ５０２を用いてパターンを描画した場合についての描画された各パターンのＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）の偏差（σ）を示している。ここでは、３σで評価している。図７に示すように、あるドーズ量の領域（最適ドーズ量）では、各厚さでの差が小さいことを示している。言い換えれば、各厚さのＳｉ−ＡＰ５０２が使用可能であることを示している。さらに、厚さｔをより薄くする方が３σの値が小さく、そしてばらつきを小さくすることができる。言い換えれば、厚さｔをより薄くする方がドーズ量の使用領域を広げることができる。
【００３２】
図８は、厚さｔが２０μｍのＳｉ−ＡＰを用いて描画されたパターンの状態を示す図である。
図９は、厚さｔが５μｍのＳｉ−ＡＰを用いて描画されたパターンの状態を示す図である。
図１０は、厚さｔが２μｍのＳｉ−ＡＰを用いて描画されたパターンの状態を示す図である。
各図において、描画されたパターンは、数１０ｎｍの線幅を描画した場合を示している。図８〜図１０に示すように、厚さｔが２０μｍ、５μｍ及び２μｍのいずれのＳｉ−ＡＰ５０２を用いて描画した場合でもパターンが形成されていることがわかる。すなわち、Ｓｉ−ＡＰ５０２を透過させることで散乱角度を変更させることができるため、散乱角度が変更した透過電子をブランキングアパーチャ２１６で十分遮蔽できていることを示している。また、散乱角度の変化が小さく、ブランキングアパーチャ２１６の開口部に進む透過電子があったとしても、描画精度に影響を与えるほどではないことを示している。
【００３３】
以上のように、第２の成形アパーチャ２０６の成形開口部Ｈを通過しない電子ビーム２００について第２の成形アパーチャ２０６を透過させることで散乱角度を変更させて、散乱角度が変更した電子ビーム２００（散乱電子５１０）をブランキングアパーチャ２１６で遮蔽することで、第２の成形アパーチャ２０６におけるＳｉ−ＡＰ５０２を薄くすることができる。その結果、Ｓｉ−ＡＰ５０２に形成される成形開口部Ｈのエッジ加工精度を向上させることができる。
【００３４】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００３５】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、可変成形型ＥＢ描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００３６】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電ビーム描画装置及び荷電ビームの成形方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】ステージ移動の様子を説明するための図である。
【図３】第２の成形アパーチャの断面形状を示す概念図である。
【図４】本発明の実施の形態１における第２の成形アパーチャにおける成形方法を説明するための概念図である。
【図５】アパーチャ膜厚と電子ビーム透過率との関係を示す図である。
【図６】散乱角度と透過電子数との関係を示す図である。
【図７】ドーズ量とＣＤ精度との関係の一例を示す図である。
【図８】厚さｔが２０μｍのＳｉ−ＡＰを用いて描画されたパターンの状態を示す図である。
【図９】厚さｔが５μｍのＳｉ−ＡＰを用いて描画されたパターンの状態を示す図である。
【図１０】厚さｔが２μｍのＳｉ−ＡＰを用いて描画されたパターンの状態を示す図である。
【図１１】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００３８】
１００  可変成形型ＥＢ描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御回路
１２０  描画データ処理回路
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  第１の成形アパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  成形偏向器
２０６  第２の成形アパーチャ
２０７  対物レンズ
２０８  対物偏向器
２１６  ブランキングアパーチャ
３３０  電子線
４１０  第１のアパーチャ
４１１  開口
４２０  第２のアパーチャ
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
５０２  Ｓｉ−ＡＰ
５０４  ＳｉＯ２薄膜
５０６  Ｓｉベース
５１０  散乱電子
５２０  通過電子ビーム
【図１】
2007048804.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１１】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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