(57)【要約】【課題】  メモリカードにおけるリード／ライトディスターブを大幅に低減し、該メモリカードの信頼性を向上させる。【解決手段】  メモリカードに設けられた不揮発性半導体メモリには、各データブロックに対応するストレス指数が示されたライトストレス制御テーブルが格納されている。ライトされたデータブロックは、ストレス指数が’０’となり、そのデータブロックに隣接するデータブロックには、任意のストレス指数が加算される。たとえば、論理アドレス’Ｄ’で指定されるデータブロックＢ３のストレス指数が上限を超えた場合、ストレス指数の最も少ないデータブロックＢ２が入れ替え先となる。データブロックＢ３のデータはデータブロックＢ２に、データブロックＢ２のデータはデータブロックＢ３にコピーされる。よって、データブロックＢ３におけるライトディスターブを解消することができる。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の不揮発性メモリセルを有し、所定の情報を格納可能な不揮発性半導体メモリと、外部から発行されたコマンドに基づいて前記不揮発性半導体メモリの動作指示を行うコントローラとを有したメモリカードであって、
前記不揮発性半導体メモリは複数のデータ領域を有し、１のデータ領域へのリードアクセスにより他の複数のデータ領域へストレスを生じ、
前記コントローラは、
１のデータ領域へのリードアクセスによって生じた前記他の複数のデータ領域それぞれのストレスの大きさの管理を行い、
所定のタイミングにおいてリードアクセスによるストレスが大きいデータ領域とストレスが小さいデータ領域とを入れ替えすることを特徴とするメモリカード。
【請求項２】
請求項１記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラは、
リードアクセスによってストレスが生じたデータ領域をリードストレス指数によって管理し、リードされたデータ領域に隣接するデータ領域に対して任意のリードストレス指数を加算し、リードされたデータ領域のリードストレス指数をリセットすることを特徴とするメモリカード。
【請求項３】
請求項１記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラは、
リードアクセスによってストレスが生じたデータ領域をリードストレス指数によって管理し、リードされたデータ領域のリードストレス指数をリセットし、リードされていないすべてのデータ領域に任意のリードストレス指数を加算することを特徴とするメモリカード。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のメモリカードにおいて、
リードアクセスによるストレスが大きい前記データ領域の入れ替え先が、アドレス未割り当て領域であることを特徴とするメモリカード。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のメモリカードにおいて、
前記不揮発性半導体メモリは、
各々の前記データ領域の物理アドレスと、前記物理アドレスに対応するリードストレス指数とが登録されるリードストレス指数テーブルを備えたことを特徴とするメモリカード。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のメモリカードにおいて、
前記データ領域は、
消去の最小単位となるデータブロックであることを特徴とするメモリカード。
【請求項７】
複数の不揮発性メモリセルを有し、所定の情報を格納可能な不揮発性半導体メモリと、外部から発行されたコマンドに基づいて前記不揮発性半導体メモリの動作指示を行うコントローラとを有したメモリカードであって、
前記不揮発性半導体メモリは複数のデータ領域を有し、１のデータ領域へのライトアクセスにより他の複数のデータ領域へストレスを生じ、
前記コントローラは、
１のデータ領域へのライトアクセスによって生じた前記他の複数のデータ領域それぞれのストレスの大きさの管理を行い、
所定のタイミングにおいてライトアクセスによるストレスが大きいデータ領域とストレスが小さいデータ領域とを入れ替えすることを特徴とするメモリカード。
【請求項８】
請求項７記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラは、
ライトアクセスによってストレスが生じたデータ領域をライトストレス指数によって管理し、ライトされたデータ領域に隣接するデータ領域に対して任意のライトストレス指数を加算し、ライトされたデータ領域のライトストレス指数をリセットすることを特徴とするメモリカード。
【請求項９】
請求項７記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラは、
ライトアクセスによってストレスが生じたデータ領域をライトストレス指数によって管理し、ライトされたデータ領域のライトストレス指数をリセットし、ライトされていないすべてのデータ領域に任意のライトストレス指数を加算することを特徴とするメモリカード。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載のメモリカードにおいて、
ライトアクセスによるストレスが大きい前記データ領域の入れ替え先が、アドレス未割り当て領域であることを特徴とするメモリカード。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載のメモリカードにおいて、
前記不揮発性半導体メモリは、
各々の前記データ領域の物理アドレスと、前記物理アドレスに対応するライトストレス指数とが登録されるライトストレス指数テーブルを備えたことを特徴とするメモリカード。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載のメモリカードにおいて、
前記データ領域は、
消去の最小単位となるデータブロックであることを特徴とするメモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリカードにおけるデータの信頼性向上技術に関し、特に、データ書き込み／読み出し処理に伴うデータブロックのストレス解消に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータや多機能端末機などの記憶装置として、たとえば、マルチメディアカードやＣＦ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｆｌａｓｈ）カードなどのメモリカードが広く普及している。
【０００３】
近年の高性能化の要求に伴って、メモリカードに搭載される半導体メモリとして、たとえば、電気的に一括消去、書き換えが可能であり、大容量のデータを保持できるフラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられている。
【０００４】
このようなメモリカードにおいて、不揮発性半導体メモリから書き込み／読み出しを行う場合、ホストは、メモリカードに対し該当する論理アドレスを指定する。不揮発性半導体メモリには、ホストから指定された論理アドレスを該不揮発性半導体メモリにおけるメモリ領域の物理アドレスに変換するアドレス変換テーブルが備えられている。
【０００５】
そして、メモリカードは、該メモリカードの制御を司るコントローラが、アドレス変換テーブルに基づいてホストが指定した論理アドレスを不揮発性半導体メモリの物理アドレスに変換し、そのアドレスのデータを書き込み／読み出しする。
【０００６】
また、この種のメモリカードにおけるデータ格納技術においては、たとえば、同一のストリング内で書き換え回数の少ないブロックを定期的に書き換えすることによってディスターブストレスを低減させる技術がある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３１０６５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記のようなメモリカードにおけるデータの読み出し／書き込み技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
【０００８】
すなわち、ホストから指定された論理アドレスがある領域に集中した場合、そのアドレスに対応した不揮発性半導体メモリの物理アドレスのメモリ領域に読み出し／書き込みが集中してしまうことになる。
【０００９】
よって、データの読み出し／書き込み回数が少ないメモリ領域が、データの読み出し／書き込み回数が多いメモリ領域からディスターブストレスを受けてしまい、データ化け、いわゆるリードディスターブやライトディスターブなどが発生してしまう恐れがあるという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、メモリカードにおけるリード／ライトディスターブを大幅に低減し、該メモリカードの信頼性を向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
本発明は、複数の不揮発性メモリセルを有し、所定の情報を格納可能な不揮発性半導体メモリと、外部から発行されたコマンドに基づいて該不揮発性半導体メモリの動作指示を行うコントローラとを有したメモリカードであって、該不揮発性半導体メモリは複数のデータ領域を有し、１のデータ領域へのリードアクセスにより他の複数のデータ領域へストレスを生じ、該コントローラは、１のデータ領域へのリードアクセスによって生じた他の複数のデータ領域それぞれのストレスの大きさの管理を行い、リードアクセスによるストレスが大きいデータ領域とストレスが小さいデータ領域とを入れ替えするものである。
【００１４】
また、本発明は、前記コントローラが、リードアクセスによってストレスが生じたデータ領域をリードストレス指数によって管理し、リードされたデータ領域に隣接するデータ領域に対して任意のリードストレス指数を加算し、リードされたデータ領域のリードストレス指数をリセットするものである。
【００１５】
さらに、本発明は、前記コントローラが、リードアクセスによってストレスが生じたデータ領域をリードストレス指数によって管理し、リードされたデータ領域のリードストレス指数をリセットし、リードされていないすべてのデータ領域に任意のリードストレス指数を加算するものである。
【００１６】
また、本発明は、リードアクセスによるストレスが大きいデータ領域の入れ替え先が、アドレス未割り当て領域よりなるものである。
【００１７】
さらに、本発明は、前記不揮発性半導体メモリが、各々のデータ領域の物理アドレスと、該物理アドレスに対応するリードストレス指数とが登録されるリードストレス指数テーブルを備えたものである。
【００１８】
また、本発明は、前記データ領域が、消去の最小単位となるデータブロックよりなるものである。
【００１９】
さらに、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。
【００２０】
本発明は、複数の不揮発性メモリセルを有し、所定の情報を格納可能な不揮発性半導体メモリと、外部から発行されたコマンドに基づいて該不揮発性半導体メモリの動作指示を行うコントローラとを有したメモリカードであって、該不揮発性半導体メモリは複数のデータ領域を有し、１のデータ領域へのライトアクセスにより他の複数のデータ領域へストレスを生じ、該コントローラは、１のデータ領域へのライトアクセスによって生じた他の複数のデータ領域それぞれのストレスの大きさの管理を行い、ライトアクセスによるストレスが大きいデータ領域とストレスが小さいデータ領域とを入れ替えするものである。
【００２１】
また、本発明は、前記コントローラは、ライトアクセスによってストレスが生じたデータ領域をライトストレス指数によって管理し、ライトされたデータ領域に隣接するデータ領域に対して任意のライトストレス指数を加算し、ライトされたデータ領域のライトストレス指数をリセットするものである。
【００２２】
さらに、本発明は、前記コントローラが、ライトアクセスによってストレスが生じたデータ領域をライトストレス指数によって管理し、ライトされたデータ領域のライトストレス指数をリセットし、ライトされていないすべてのデータ領域に任意のライトストレス指数を加算するものである。
【００２３】
また、本発明は、ライトアクセスによるストレスが大きい前記データ領域の入れ替え先が、アドレス未割り当て領域よりなるものである。
【００２４】
さらに、本発明は、前記不揮発性半導体メモリが、各々のデータ領域の物理アドレスと、該物理アドレスに対応するライトストレス指数とが登録されるライトストレス指数テーブルを備えたものである。
【００２５】
また、本発明は、前記データ領域は、消去の最小単位となるデータブロックよりなるものである。
【発明の効果】
【００２６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２７】
（１）メモリカードにおけるデータのリード／ライトによるデータブロックのストレスを大幅に低減することが可能となり、不揮発性半導体メモリにおけるデータ化けなどを防止することができる。
【００２８】
（２）上記（１）により、メモリカードの信頼性を大幅に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
図１は、本発明の一実施の形態によるメモリカードのブロック図、図２は、図１のメモリカードに設けられたメモリアレイ構成の一例を示す説明図、図３は、図２のメモリアレイにおけるテーブルブロック領域に格納されたライト（またはリード）ストレス制御テーブルの構成例を示す説明図、図４は、図３のライトストレス制御テーブルにおけるストレス指数のカウントの一例を示す説明図、図５は、図３のライトストレス制御テーブルにおける任意の物理アドレスにライトを行った後のストレス指数のカウント例を示した説明図、図６は、図３のライトストレス制御テーブルにおけるストレス指数のカウントの他の例を示す説明図、図７は、図３のライトストレス制御テーブルにおけるストレス指数が任意のストレス指数値以上になった際のデータブロックの入れ替え処理の説明図、図８は、図２のメモリアレイにおけるテーブルブロック領域に格納されたリードストレス制御テーブルにおけるストレス指数のカウント例を示す説明図、図９は、図８のリードストレス制御テーブルにおける任意の物理アドレスにリードを行った後のストレス指数のカウント例を示した説明図、図１０は、図８のリードストレス制御テーブルにおけるストレス指数が任意のストレス指数値以上になった際のデータブロックの入れ替え処理の説明図である。
【００３１】
本実施の形態において、メモリカード１は、図１に示すように、該メモリカード１の外部にホスト機器２が接続可能なようにされており、たとえば、デジタルビデオカメラ、携帯電話、携帯音楽プレーヤやパーソナルコンピュータなどのホスト機器２の外部記憶メディアとして用いられる。
【００３２】
メモリカード１は、フラッシュメモリに例示される電気的にデータの書き換え、消去が可能な複数の不揮発性半導体メモリ３、ならびにコントローラ４から構成されている。ここでは、複数の不揮発性半導体メモリ３よりなる構成としたが、該不揮発性半導体メモリは１つ以上であればよい。
【００３３】
コントローラ４は、ホスト側インタフェース５、コントロール部６、および記憶部側インタフェース７などから構成されている。このコントローラ４は、ホスト機器２と接続されており、不揮発性半導体メモリ３の制御を司り、該不揮発性半導体メモリ３に格納されたプログラムやデータなどを読み出してホスト機器２へ出力し、またはホスト機器２から入力されたプログラムやデータの書き込み動作指示を行う。
【００３４】
ホスト側インタフェース５は、ホスト機器２とコントロール部６のインタフェースである。コントロール部６は、コントローラ４におけるすべての制御を司る。記憶部側インタフェース７は、コントロール部６とフラッシュメモリ３とのインタフェースである。
【００３５】
図２は、不揮発性半導体メモリ３におけるメモリアレイＭＡの構成例を示す説明図である。
【００３６】
メモリアレイＭＡは、図示するように、１以上の管理単位ＫＵからなり、該管理単位ＫＵは、データブロック領域ＤＢＡ、およびシステム領域ＳＡから構成されている。この図２では、たとえば、１つの管理単位ＫＵが、２５６個のデータブロックから構成されている場合について示している。データブロックとは、ワード線に接続された複数の不揮発性メモリセルを一括消去することができる消去単位である。
【００３７】
データブロック領域ＤＢＡは、ユーザがアクセス可能であり、ユーザデータなどが格納されるユーザ領域である。システム領域ＳＡは、データブロック空き領域ＤＢＥＡ、ならびにテーブルブロック領域ＴＢＡから構成されている。
【００３８】
データブロック空き領域ＤＢＥＡは、不良データブロックの代替が発生することを見込んでメモリカード全体の仕様として定められた容量以上に有する領域であって、予め論理アドレスに対応して物理アドレスを割り当てていないアドレス未割り当て領域である。
【００３９】
テーブルブロック領域ＴＢＡは、アドレス変換テーブルとストレス指数テーブルとが格納される領域である。アドレス変換テーブルは、ホスト機器２から指定された論理アドレスから、不揮発性半導体メモリ３の物理アドレスへの変換を管理するテーブルである。
【００４０】
ストレス指数テーブルは、リード／ライトアクセスによるストレス指数を示すテーブルであり、このストレス指数は、リード／ライトアクセスによって影響のあったデータブロックに対してカウントされる。
【００４１】
ストレスは、原因によって影響の大きさが異なるために、ストレス指数のカウントは可変となる。リード／ライトアクセスが行われたブロックは、ストレスが解消されたとしてストレス指数が０（リセット）となる。
【００４２】
結果的に、頻繁にリード／ライトアクセスが行われるデータブロックは、ストレス指数が小さくなり、ほとんどリード／ライトがされないデータブロックはストレス指数が大きくなる。
【００４３】
また、ストレス指数テーブルは、ライトストレス制御テーブル（ライトストレス指数テーブル）、ならびにリードストレス制御テーブル（リードストレス指数テーブル）から構成されている。
【００４４】
ライトストレス制御テーブルは、ライトアクセスによって影響を受けたデータブロックのストレス指数（ライトストレス指数）をカウントするテーブルである。リードストレス制御テーブルは、リードアクセスによって影響を受けたデータブロックのストレス指数（リードストレス指数）をカウントするテーブルである。
【００４５】
図３は、テーブルブロック領域ＴＢＡに格納されたライトストレス制御テーブルの構成例を示す説明図である。
【００４６】
テーブルブロック領域ＴＢＡに格納されたアドレス変換テーブルは、論理アドレス順に、対応する物理アドレスが登録されている。また、同じくテーブルブロック領域ＴＢＡに格納されたライトストレス制御テーブルは、ライトアクセスにおいて、ホスト機器２が指定したアドレスに隣接したアドレスのストレス管理を行うもの（第１のストレス指数カウント方式）、またはライトによる管理単位ＫＵ全体へのストレス管理を行うもの（第２のストレス指数カウント方式）の少なくともいずれかからなる。
【００４７】
たとえば、図３では、アドレス変換テーブルにおいて、論理アドレス’０’に対応する物理アドレスが’Ｂ’であり、ライトストレス制御テーブルにおいて、物理アドレス’Ｂ’に指定されるデータブロックのストレス指数テーブルが’９’となっている。
【００４８】
また、ライトストレス制御テーブルは、たとえば、データ化けが発生する原因が複数存在するなどの場合に複数個備えるようにしてもよい。
【００４９】
次に、ライトストレス制御テーブルのストレス指数について説明する。
【００５０】
図４は、第１のストレス指数カウント方式におけるストレス指数のカウント例を示す説明図である。図５は、任意の物理アドレスにライトを行った後のライトストレス制御テーブルにおけるストレス指数のカウント例を示した説明図である。
【００５１】
たとえば、図４の下方に示すように、ライトストレス制御テーブルにおいて、物理アドレス’Ａ’〜’Ｅ’には、ストレス指数’１６’，’４８’，’３２’，’６４’，’１６’がそれぞれカウントされているものとする。
【００５２】
その場合、物理アドレス’Ａ’〜’Ｅ’に指定される各データブロックは、図４の上方に示すように、ライトストレス制御テーブルに対応するストレス指数をそれぞれ有している。
【００５３】
ここで、たとえば、物理アドレス’Ｃ’のデータブロックに書き込みがある場合、図５に示すように、第１のストレス指数カウント方式では、物理アドレス’Ｃ’のデータブロックがライトされたことによってストレス指数が’０’となる。
【００５４】
一方、物理アドレス’Ｃ’のデータブロックに隣接する物理アドレス’Ｂ’，’Ｄ’のデータブロックには、ライトディスターブによるストレスの影響を受けることになるので、ストレス指数が加算される。
【００５５】
ここでは、１回につき、たとえば、’１６’のストレス指数を加算するものとする。よって、物理アドレス’Ｂ’は、元のストレス指数’４８’に’１６’が加算され、ストレス指数が’６４’となる。物理アドレス’Ｄ’は、元のストレス指数’６４’に’１６’が加算され、ストレス指数が’８０’となる。また、物理アドレス’Ｃ’のデータブロックに隣接する物理アドレス’Ｂ’，’Ｄ’のデータブロック以外には、ストレス指数の変化はない。
【００５６】
また、第２のストレス指数カウント方式の場合には、図６に示すように、物理アドレス’Ｃ’以外のすべての物理アドレスのデータブロックにストレス指数’１’を加算し、ライトアクセスされる物理アドレス’Ｃ’のデータブロックは、ストレス指数を’０’とする。
【００５７】
ここでは、ストレス指数を’１６’としたが、このストレス指数は任意であり、それ以外のカウント値であってもよい。
【００５８】
図７は、ライトストレス制御テーブルにおけるストレス指数が任意のストレス指数値以上になった際のデータブロックの入れ替え処理の説明図である。
【００５９】
ライトストレス制御テーブルのストレス指数が任意のストレス指数値以上になったデータブロックは、ストレス指数の小さいデータブロック（ライトが少ないデータブロック）と物理アドレスの位置が入れ替えられる。
【００６０】
たとえば、図７の左側に示すように、論理アドレス’Ｄ’で指定されるデータブロックＢ３のストレス指数が上限を超えた場合、入れ替え先としてストレス指数の最も少ないデータブロックＢ２が入れ替え先となる。
【００６１】
この場合、物理アドレス’Ｄ’のデータブロックＢ３に書き込まれているデータは、物理アドレス’Ｃ’のデータブロックＢ２にコピーされ、データブロックＢ２に書き込まれているデータは、データブロックＢ３にコピーされる。
【００６２】
よって、物理アドレス’Ｄ’のデータブロックＢ３には、書き込みが発生するので、図７右側に示すように、ストレス指数がリセットされて’０’となり、蓄積されたストレスを解消することができる。
【００６３】
また、図７では、データブロックの入れ替え処理において、コピー／ライトが行われたデータブロックＢ２，Ｂ３に隣接するデータブロックにストレス指数を加算しない場合について記載したが、隣接するデータブロックのストレス指数を加算するようにしてもよい。
【００６４】
さらに、ストレス指数の上限を超えたデータブロックの入れ替え先は、ストレス指数の最も少ないデータブロックとするのではなく、たとえば、データブロック空き領域ＤＢＥＡとするようにしても効果的である。
【００６５】
次に、リードアクセスによるリードストレス制御テーブルのストレス指数について説明する。
【００６６】
図８は、リードアクセスにおけるストレス指数のカウント例を示す説明図であり、図９は、任意の物理アドレスにリードを行った後のリードストレス制御テーブルにおけるストレス指数のカウント例を示した説明図である。
【００６７】
この場合、リードストレス制御テーブルは、前述したライトストレス制御テーブルと同様に各々の物理アドレスに対応するストレス指数を示すテーブルを有している。
【００６８】
たとえば、図８の下方に示すように、リードストレス制御テーブルにおいて、物理アドレス’Ａ’〜’Ｅ’には、ストレス指数’１６’，’４８’，’３２’，’６４’，’１６’がそれぞれカウントされているものとする。
【００６９】
その場合、物理アドレス’Ａ’〜’Ｅ’に指定される各データブロックは、図８の上方に示すように、リードストレス制御テーブルに対応するストレス指数（’１６’，’４８’，’３２’，’６４’，’１６’）をそれぞれ有している。
【００７０】
ここで、物理アドレス’Ｃ’のデータブロックの読み出しがある場合、図９に示すように、物理アドレス’Ｃ’のデータブロックがリードされることになるのでストレス指数が’０’となる。
【００７１】
一方、物理アドレス’Ｃ’のデータブロックに隣接する物理アドレス’Ｂ’，’Ｄ’のデータブロックには、リードディスターブによるストレスの影響を受けることになるので、ストレス指数が加算される。
【００７２】
図８では、１回につき、たとえば、’８’のストレス指数を加算するものとする。よって、物理アドレス’Ｂ’のデータブロックは、元のストレス指数’４８’に’８’が加算され、ストレス指数が’５６’となる。物理アドレス’Ｄ’のデータブロックは、元のストレス指数’６４’に’８’が加算され、ストレス指数が’７２’となる。また、その他の物理アドレスのデータブロックには、ストレス指数の変化はない。
【００７３】
ここでは、リード時のストレス指数を’８’としたが、このストレス指数は任意であり、ライト時のストレス指数と同様の、’１６’、あるいはそれ以外の値としてもよい。
【００７４】
図１０は、リードストレス制御テーブルにおけるストレス指数が任意のストレス指数値以上になった際のデータブロックの入れ替え処理の説明図である。
【００７５】
リードストレス制御テーブルのストレス指数が任意のストレス指数値以上になったデータブロックは、たとえば、データブロック空き領域ＤＢＥＡのデータブロックと物理アドレスの位置が入れ替えられる。
【００７６】
図１０の左側に示すように、論理アドレス’Ｄ’で指定されるデータブロックＢ３のストレス指数（ストレス指数：８０）が上限を超えている場合、入れ替え先としてデータブロック空き領域ＤＢＥＡのデータブロックと入れ替えられる。
【００７７】
物理アドレス’Ｄ’のデータブロックＢ３に書き込まれているデータは、データブロック空き領域ＤＢＥＡのデータブロックにコピーされ、該物理アドレス’Ｄ’のデータブロックＢ３は、データブロック空き領域ＤＢＥＡとなる。
【００７８】
この場合、ストレスが蓄積していた物理アドレス’Ｄ’は、一度コントローラ４への読み出しが行われ、ＥＣＣなどのデータチェックを行った後、データブロック空き領域ＤＢＥＡのデータブロックにコピーを行うことになる。
【００７９】
また、図１０では、データブロックの入れ替え先をデータブロック空き領域ＤＢＥＡのデータブロックとしたが、たとえば、ライトアクセス時と同様に、ストレス指数の小さいデータブロック（リードの少ないデータブロック）と入れ替えを行うようにしてもよい。
【００８０】
また、図１０においては、データブロックの入れ替え処理において、コピー／ライトが行われたデータブロックに隣接するデータブロックにストレス指数を加算していないが、隣接するデータブロックのストレス指数を加算するようにしてもよい。
【００８１】
それにより、本実施の形態によれば、リードディスターブ、およびライトディスターブによるデータブロックのストレスを大幅に低減することができるので、不揮発性半導体メモリ３におけるデータ化けなどを防止することができる。
【００８２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、ライト／リードストレスによるデータ化けなどを防止し、メモリカードにおける信頼性を向上する技術に適している。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の一実施の形態によるメモリカードのブロック図である。
【図２】図１のメモリカードに設けられたメモリアレイ構成の一例を示す説明図である。
【図３】図２のメモリアレイにおけるテーブルブロック領域に格納されたライト（またはリード）ストレス制御テーブルの構成例を示す説明図である。
【図４】図３のライトストレス制御テーブルにおけるストレス指数のカウントの一例を示す説明図である。
【図５】図３のライトストレス制御テーブルにおける任意の物理アドレスにライトを行った後のストレス指数のカウント例を示した説明図である。
【図６】図３のライトストレス制御テーブルにおけるストレス指数のカウントの他の例を示す説明図である。
【図７】図３のライトストレス制御テーブルにおけるストレス指数が任意のストレス指数値以上になった際のデータブロックの入れ替え処理の説明図である。
【図８】図２のメモリアレイにおけるテーブルブロック領域に格納されたリードストレス制御テーブルにおけるストレス指数のカウント例を示す説明図である。
【図９】図８のリードストレス制御テーブルにおける任意の物理アドレスにリードを行った後のストレス指数のカウント例を示した説明図である。
【図１０】図８のリードストレス制御テーブルにおけるストレス指数が任意のストレス指数値以上になった際のデータブロックの入れ替え処理の説明図である。
【符号の説明】
【００８５】
１  メモリカード
２  ホスト機器
３  不揮発性半導体メモリ
４  コントローラ
５  ホスト側インタフェース
６  コントロール部
７  記憶部側インタフェース
ＭＡ  メモリアレイ
ＫＵ  管理単位
ＤＢＡ  データブロック領域
ＳＡ  システム領域
ＤＢＥＡ  データブロック空き領域
ＴＢＡ  テーブルブロック領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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