(57)【要約】【課題】  インクジェットに用いられる薄膜圧電体アクチュエータの製法において、簡単なプロセスで膜剥がれ、膜劣化のない薄膜圧電体アクチュエータを得ることである。【解決手段】  Ｓｉ基板上に吐出口からインクを吐出するための薄膜圧電体アクチュエータと、薄膜圧電体アクチュエータに対応する様に吐出口に連通するインク流路が設けられたインクジェットヘッドの製造方法であって、Ｓｉ基板上に選択的に異方性エッチングが可能なＰｏｌｙ―Ｓｉ犠牲層を設ける工程と、Ｐｏｌｙ−Ｓｉを一部熱酸化して異方性エッチングストップ層とする工程と、基板の薄膜圧電体アクチュエータに対応する部分を異方性エッチングにより除去することにより薄膜圧電体アクチュエータ下に空間を形成する工程と、振動板を薄膜圧電体アクチュエータ上に形成する工程とを含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。【選択図】  図１
2007168110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に吐出口からインクを吐出するための薄膜圧電体アクチュエータと、薄膜圧電体アクチュエータに対応する様に吐出口に連通するインク流路が設けられたインクジェットヘッドの製造方法であって、
Ｓｉ基板上に選択的に異方性エッチングが可能なＰｏｌｙ―Ｓｉ犠牲層を設ける工程と、
Ｐｏｌｙ−Ｓｉを一部熱酸化して異方性エッチングストップ層とする工程と、
基板の薄膜圧電体アクチュエータに対応する部分を異方性エッチングにより除去することにより薄膜圧電体アクチュエータ下に空間を形成する工程と、
振動板を薄膜圧電体アクチュエータ上に形成する工程と
を含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項２】
基板として面方位が｛１１０｝であるＳｉ結晶を用いる請求項１に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
Ｓｉ結晶の前記空間の側壁の面方位が｛１１１｝であり、側壁が空間の形成される前の基板の主面にほぼ垂直である請求項２に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のインクジェットヘッドの製造方法によって製造されたインジェットヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体に外部からエネルギーを加えることによって所望の液体を吐出する液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコンの印刷装置としてインクジェット記録装置を用いたプリンタが、印字性能が良く、低コストなので広く利用されるようになっている。このインクジェット記録装置には、熱エネルギーによってインクに気泡を発生させ、その気泡による圧力波によりインク滴を吐出させるもの、静電力によりインク滴を吸引吐出させるもの、圧電素子のような振動子による圧力波を利用したもの等が開発されている。
【０００３】
上記インクジェット記録装置のうち圧電素子を用いたものは、インク吐出口に連通したインク流路と、そのインク流路の圧電素子に対応した圧力発生室と、この圧力発生室に対応して設けられた例えば薄膜の圧電素子と、この圧電体薄膜が接合された振動板を有する。圧電体薄膜に所定の電圧を印加すると、圧電体薄膜が伸縮することによって、圧電体薄膜と振動板とが一体となって振動を起こして圧力発生室内のインクが圧縮され、それによりインク吐出口からインク液滴が吐出するような構成である。
【０００４】
ところで近年、インクジェット記録装置においては印字性能の向上、特に高解像度および高速印字が求められている。このためには、１回のインク滴の吐出量を少なくし、さらに高速駆動をすることが必要となってくる。これらのことを実現するにあたって特開平９−１２３４４８号公報（特許文献１）では、圧力発生室での圧力損失を小さくするために圧力発生室の容積を縮小する方法を開示している。
【０００５】
また、特開２０００−２４６８９８号公報（特許文献２）は、シリコン基板に設けられたキャビティに対向する領域に圧電素子を配し、各圧力発生室間の隔壁の剛性を確保し、クロストークを防止したヘッドを開示する。
【０００６】
一方印字性能をさらに上げるにはアクチュエータのサイズを各圧力発生室でバラツキのないものを作らなくてはならない。
【０００７】
アクチュエータを形成するために、Ｓｉ基板のアクチュエータが形成された面の反対側からＲＩＥ・ＤｅｅｐＲＩＥ（ＩＣＰ）などのドライエッチングやＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドライド）・ＫＯＨ（水酸化カリウム）による異方性エッチング、サンドブラストなどによる方法が一般的に挙げられる。中でも微細加工が容易かつ一度に多数の基板を処理することが可能な異方性エッチングが有効で、特開平９−１２３４４８号公報、特開２０００−２４６８９８号公報でも利用されている。しかし異方性エッチングはサイドエッチングや基板内欠陥が原因となりバラツキが生やすい。
【特許文献１】特開平９−１２３４４８号公報
【特許文献２】特開２０００−２４６８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これを防止するために、ＡｌやＰｏｌｙ−Ｓｉなどの犠牲層が有効である。構成としては基板の表裏面にＳｉＯ２やＳｉＮなどでエッチングマスク層やエッチングストップ層を形成する工程、基板表面にＰｏｌｙ−ＳｉやＡｌなどの犠牲層を形成する工程などにより形成された図２や図３のような構成が挙げられる。図２は基板２０１、表裏面エッチングマスク２０２、犠牲層２０３、エッチングストップ層２０４から構成される。図３は基板３０１、裏面エッチングマスク３０２、犠牲層３０３、エッチングストップ層兼エッチングマスク３０４から構成される。ＳｉＯ２やＳｉＮは、スパッタ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤなどが挙げられるが、この膜の上に薄膜ＰＺＴを成膜し結晶化のために焼成を行った場合、複数の元素の拡散やＰＺＴの応力により膜剥がれや膜の劣化を生じる場合がある。また図２のような場合工程数が長くなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的は、インクジェットに用いられる薄膜圧電体アクチュエータの製法において、簡単なプロセスで膜剥がれ、膜劣化のない薄膜圧電体アクチュエータを得ることである。
【００１０】
本発明の第１は、Ｓｉ基板上に吐出口からインクを吐出するための薄膜圧電体アクチュエータと、薄膜圧電体アクチュエータに対応する様に吐出口に連通するインク流路が設けられたインクジェットヘッドの製造方法において、Ｓｉ基板上に選択的に異方性エッチングが可能なＰｏｌｙ―Ｓｉ犠牲層を設ける工程と、Ｐｏｌｙ−Ｓｉを一部熱酸化して異方性エッチングストップ層する工程と、基板の薄膜圧電体アクチュエータに対応する部分を異方性エッチングにより除去することにより薄膜圧電体アクチュエータ下に空間を形成する工程と、振動板を薄膜圧電体アクチュエータ上に形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明により、簡易なプロセスで薄膜圧電体アクチュエータを寸法精度良く形成することができ、圧電体の焼成時に膜剥がれや膜の劣化を生じることはない。
【００１２】
本発明の第２は、基板として面方位が｛１１０｝であるＳｉ結晶を用いることを特徴とする。
【００１３】
本発明により、面方位が｛１１０｝であるＳｉ基板を異方性エッチングすることによって基板の振動板背面側に空間を形成することにより、振動板の薄膜化および微細化を可能にする。
【００１４】
本発明の第３は、Ｓｉ結晶の空間の側壁の面方位が｛１１１｝であり、側壁が空間の形成される前の基板の主面にほぼ垂直であることを特徴とする。
【００１５】
本発明により、基板に形成された空間の側壁が、空間が形成される前の基板の主面にほぼ垂直（Ｓｉの｛１１１｝面に平行）とすることで、複数の圧力発生室が高密度に配設され、基板の空間同士の間の部分は強度的に比較的強いヘッドを得ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、簡易なプロセスで薄膜圧電体アクチュエータを寸法精度良く形成することができ、圧電体の焼成時に膜剥がれや膜の劣化を生じることはない。また、面方位が｛１１０｝であるＳｉ基板を異方性エッチングすることによって基板の振動板背面側に空間を形成することにより、振動板の薄膜化および微細化を可能にする。また、基板に形成された空間の側壁が、空間が形成される前の基板の主面にほぼ垂直（Ｓｉの｛１１１｝面に平行）とすることで、複数の圧力発生室が高密度に配設され、基板の空間同士の間の部分は強度的に比較的強いヘッドを得ることができる。
【００１７】
以上より簡易なプロセスで歩留まり良く高密度な、圧電素子駆動型のインクジェットヘッドを製造することが可能になる。この結果、液体種類適用性が高く、高品位な印字の可能なインクジェットヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明に係る製造方法によるアクチュエータを液体吐出ヘッドに適用した場合の実施態様を示す模式的断面図である。
【００１９】
基板１０１には振動板の背面の自由空間１０２が空けられている。自由空間の上部には、振動板１０３、圧電体薄膜１０４、上電極１０５、下電極１０６等が形成されている。さらにこれらの上に圧力発生室１０７が形成されている。図１の圧力発生室左端には吐出口１０８が形成されている。圧電体薄膜を接合した振動板の変形で生じた圧力によって吐出口からインクは吐出され媒体に印字される。圧力発生室の右端にはインクを供給するための連通孔（インク供給口）１０９が空けられていてインクタンクと繋がっている。
【００２０】
振動板を複数の圧力発生室に作用させることは構成上可能ではあるが微細な描画を行うには個々のノズルについて独立に液体の吐出の有無を調節できることが望ましい。従って、振動板は各圧力発生室ごとに独立している構成をとることが好ましい。
【００２１】
以下に、本実施例を図面を用いて説明する。図６は本実施例のインクジェット記録ヘッドの製造方法を模式的に示す工程図である。以下に各工程について説明する。尚、以下の工程（１）〜（１５）は図６（１）〜（１５）に対応する。
【００２２】
（１）
面方位｛１１０｝のＳｉ基板６０１を用意する。
【００２３】
（２）
後述する異方性エッチング用エッチャントに対するエッチング速度が大きな材料であり、後の工程で熱酸化することでエッチングストップ層を形成することが可能であるＰｏｌｙ−Ｓｉをパターニングして犠牲層６０２を形成する。エッチングが進行してエッチャントが犠牲層に到すると、Ｓｉ基板より犠牲層のエッチングレートが速いので短時間に又正確に犠牲層パターンに対応した自由空間を形成することができる。
【００２４】
図４は基板の表面模式図である。フォトリソ技術によって図４のように自由空間４０１ンク供給口４０２に対応する領域に犠牲層パターンを形成する。隣接したエッチングマスク層のパターンは面方位｛１１０｝に平行に並列して配置されている。また、基板に対して垂直に自由空間やインク供給口を形成するために狭角が７０．５度をなす平行四辺形にかつ、平行四辺形の長辺および短辺は｛１１１｝と等価の面に平行になるように形成する。
【００２５】
Ｐｏｌｙ−Ｓｉの厚さとしては１．５μｍ以下が好ましい。アクチュエータの断面形状で段差が大きくなるからである。
【００２６】
（３）
基板を熱酸化してＳｉ熱酸化膜を形成する。Ｐｏｌｙ−Ｓｉの表層はＳｉ熱酸化膜となりエッチングストップ層６０３となる。エッチングストップ層はエッチャントによって駆動回路が侵されないようにするのが目的で形成される。Ｓｉ熱酸化膜は０．３μｍ以上が好ましい。工程中で膜を破る可能性が大きくなるからである。
【００２７】
（４）
裏面のＳｉ熱酸化膜を自由空間やインク供給口に対応する領域をパターニングしてエッチングマスク６０４を形成する。
【００２８】
（５）
Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕなど低抵抗な金属材料で下電極６０５を形成する。基板と電極の間にＴｉ、Ｔａ、ＴｉＮやＴａＮなどの金属窒化物、ＺｒＯ２などの密着層を形成する。
【００２９】
（６）
電極上にスパッタ等の方法でチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の薄膜６０６をスパッタリングなどにより成膜し、圧電性を確保するために４００℃以上、結晶性を上げるために好ましくは６５０℃以上の高温でアニールする。ＰＺＴは焼成前にパターニングしても良いし、後の上電極形成後にパターニングしても良い。
【００３０】
（７）
圧電体薄膜上にＰｔ、Ａｕ、Ｃｕなど低抵抗な金属材料で上電極６０７を形成する。基板と電極の間に密着層を形成しても良い。
【００３１】
（８）
電極・圧電体薄膜が形成された部分に、ＣＶＤ法等を使ってＳｉＯｘ、ＳｉＮ等を成膜したり、スパッタ等でＣｒ、Ｎｉなどの金属膜を形成して振動板６０８を形成する。最上面はインクから圧電素子や駆動回路を保護するために耐インク性のある膜を形成するのが良い。
【００３２】
（９）
後に除去することで圧力発生室などを形成するための型材となる第１パターン６０９を形成する。形成方法としては印刷技術やフォトリソ技術を利用することができるが、微細パターンを形成できるので感光性樹脂を利用したフォトリソ技術が望ましい。型材としては厚い膜のパターニングが可能で、後にアルカリ溶液や有機溶剤で除去可能なものが好ましい。型材としては、ＴＨＢシリーズ（ＪＳＲ製）やＰＭＥＲシリーズ（東京応化工業製）などが使用できる。当然これに限定されるものではない。
【００３３】
（１０）
第１パターン上に導電層６１０をスパッタリング等により成膜する。導電層としてはＰｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ等を使用することができる。樹脂と導電層の密着性がある程度良好でなくては微細なパターンを形成することができないので、他の金属膜を成膜した後にＰｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等を成膜しても良い。後に型材を除去する工程で吐出口に対応する部分の導電層を除去できる必要であるので、導電層の厚さとしては１５０ｎｍ以下が良く、最適には１００ｎｍ以下である。１５０ｎｍより厚いと型材を除去する工程で吐出口に対応する分の導電層を完全に除去しきれない場合がある。
【００３４】
（１１）
導電層が形成された第１パターン上に後に除去することで吐出口となる第２パターン６１１を形成する。型材としては、ＴＨＢシリーズ（ＪＳＲ製）やＰＭＥＲシリーズ（東京応化工業製）などが使用できる。当然これに限るものではなく、厚い膜のパターニングが可能で後にアルカリ溶液や有機溶剤で除去可能なものであれば良い。
【００３５】
圧力発生室で発生した力を効率良く吐出力に利用するために第１パターン・第２パターンともに上面が下面より小さいテーパーになっているのが好ましい。シミュレーションなどを利用して最適な形状を求めることができる。テーパの形成方法としては様々だが、プロキシミティタイプの露光機の場合には基板とマスク間の距離（ギャップ）を離すことで可能である。またグレイスケールマスクなどを利用しても可能である。当然１／５や１／１０などの縮小露光を利用すれば微小な吐出口の形成が容易である。さらにグレイスケールマスクを利用すれば単純なテーパー形状ではなく螺旋状にするなど複雑な形状にすることも容易である。
【００３６】
（１２）
メッキ処理により圧力発生室・吐出口を含む流路構造体６１２を形成する。メッキの種類には電気メッキや無電解メッキなどがあり適時使い分ける。電気メッキは処理液が安価である点、廃液処理が簡易である点が有利である。無電解メッキはつき回りがよい点、均一な膜が形成できる点、メッキ皮膜が硬く耐摩耗性がある点で優れている。使い分けの例としては、まず電気メッキでＮｉ層を厚く形成しその後無電解メッキによりＮｉ−ＰＴＦＥ複合メッキ層を薄く形成するという方法がある。この方法の場合、所望の特性の皮膜を持つメッキ層を安価に形成することができるという利点がある。
【００３７】
メッキの種類としてはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕなどの単金属メッキ、合金メッキ、ＰＴＦＥなどを析出させる複合メッキなどがあげられる。耐薬品性、強度からＮｉを好適に用いる。また前述したようにメッキ膜に撥水性を与えるにはＮｉ−ＰＴＦＥ複合メッキなどを形成する。
【００３８】
（１３）
前工程で作成された基板の表面側をエッチャントから保護するため、耐アルカリ性を持ち後に有機溶剤などで除去可能な樹脂を基板表面に塗布したり、裏面側のみエッチャントに接触させることが可能な治具に基板を装着したりする。
【００３９】
裏面の平行四辺形の狭角の近傍部分（裏面の平面図：図５参照）に、レーザー加工などによる先導孔５０１を開けても良い。これにより異方性エッチングの際に平行四辺形の狭角から発生する斜めの｛１１１｝面が抑制される。この先導孔はエッチングストップ層に限りなく近くまであけるのが良い。先導孔の深さは、一般には基板厚さの６０％以上好ましくは７０％以上、最適には８０％以上である。当然基板を貫通してはならない。
【００４０】
この基板をエッチャントに浸漬し、｛１１１｝面が出るように異方性エッチングすれば平面形状が平行四辺形の自由空間６１３およびインク供給口６１４を形成することができる。アルカリ系エッチャントとしてはＫＯＨ、ＴＭＡＨなどがあるが、環境の面からＴＭＡＨが好適に使用される。
【００４１】
エッチング後は、耐アルカリ性の保護膜を利用した場合には有機溶剤などで除去する。治具を使用した場合には基板を治具よりはずす。
【００４２】
（１４）
エッチングストップ層のＳｉ熱酸化膜をウェットエッチング等で除去する。
【００４３】
（１５）
圧力発生室・吐出口を含む流路構造体の型材となっている第１パターンと第２パターンをアルカリ溶液や有機溶剤によって除去する。ダイレクトパス（ダイレクトパスは登録商標です）（荒川化学工業製）を利用することで吐出口に対応する部分に形成されている導電層を容易に除去することが可能である。この時、溶剤としてはパインアルファ（パインアルファは登録商標です）シリーズ（荒川化学工業株式会社製）を用いることができる。
【００４４】
本発明において図６（９）〜（１２）の工程はこれに限られるものではない。以上で本発明による液体吐出ヘッドを適用したインクジェット記録ヘッドの主たる製造工程が完了する。
【実施例１】
【００４５】
本実施例のより具体的な実施例に係る製造方法を、図６を用いて説明する。基板６０１として厚さ６３５μｍの面方位｛１１０｝を持つ６インチのＳｉ基板を用いた。基板の表面にＬＰＣＶＤ法によりＰｏｌｙ−Ｓｉを６００ｎｍ形成した。フォトリソ技術により自由空間とインク供給口を設けるための所望の犠牲層６０２を形成した。この時｛１１１｝面に対して平行に平行四辺形の長辺がくるように図４のように形成した。熱酸化してＰｏｌｙ−Ｓｉ上で４００ｎｍのＳｉ熱酸化膜６０３を形成した。基板の裏面のＳｉ熱酸化膜に自由空間とインク供給口に対応する領域にパターニングを行いエッチングマスク６０４を形成した。下電極６０５はＰｔを厚さ１５０ｎｍ、下電極の下引き層としてＴａを厚さ３０ｎｍ、圧電体薄膜６０６はＰＺＴを厚さ２μｍ、上電極６０７はＰｔを厚さ１５０ｎｍ、上電極下引き層としてＴｉを厚さ４ｎｍでスパッタリングにより成膜し、６８０℃で所望の時間焼成し、パターニングして圧電体薄膜を形成した。振動板６０８としてＳｉＮをプラズマＣＶＤ法により２μｍの厚さに成膜しパターニングした。
【００４６】
基板上に圧力発生室などの型材６０９となるＰＭＥＲ  Ｐ−ＨＭ３０００ＰＭ（東京応化工業製）をスピンナで６０μｍに形成し乾燥後パターニングした。型材の表面側から見たサイズは短辺９２μｍ、長辺３ｍｍであった。また型材は短辺方向に平行に並べた。またインク供給口に型材が適当に重なるように作成し、実際のインク供給口の大きさを制御する。このようにして吐出口側とインク供給口側のイナータンスのバランスを制御することができた。導電層となるＴｉ／Ｃｕをそれぞれ２５ｎｍ／７５ｎｍの厚さにスパッタリングにより成膜、パターニング６１０した。ＴｉはＣｕの基板に対する密着性向上や導電性向上を目的に成膜した。吐出口の型材６１１となるＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ（東京応化工業株式会社製）をスピンナで３０μｍに形成し乾燥後パターニングした。型材の露光にはプロキシミティタイプの露光機を使いマスクと基板のギャップを１２０μｍにすることでテーパー形状にした。
【００４７】
次に電気メッキでＮｉ層を２１μｍ形成し、その後無電解メッキによりＮｉ−ＰＴＦＥ複合メッキ層６１２を３μｍ形成した。
【００４８】
次に基板表面側を保護するために環化ゴム系樹脂のＯＢＣ（東京応化工業製）を塗布した。その後、裏面の平行四辺形の狭角の近傍部分にレーザー加工で先導孔３０３を開けた。先導孔の深さは基板の厚さの８０％にした。基板に対してＴＭＡＨ２２ｗｔ％、８０℃にて所定の時間、異方性エッチングを行った。異方性エッチング後ＯＢＣをキシレンで除去し、その後エッチングストップ層６０３であるＳｉ熱酸化膜をエッチングで除去した。最後にダイレクトパス（ダイレクトパスは登録商標です）（荒川化学工業製）を使って型材を除去した。この時、溶剤としてはパインアルファ（パインアルファは登録商標です）ＳＴ−３８０（荒川化学工業株式会社製）を使用した。
【００４９】
完成したヘッドの吐出口上面は１５μｍ、下面は３０μｍであった。圧力発生室の隔壁は２１μｍであった。形成された自由空間の長辺方向の長さは７００μｍ、インク供給口の長辺方向の長さは５００μｍであった。
【００５０】
このヘッドを使って、粘度２ｍＰａ・ｓ（＝２ｃＰ）の油性インクを用いて、２５ＫＨｚで１２ｐｌの液滴で不吐出のない高品位な印字物が得られた。
【実施例２】
【００５１】
実施例１における犠牲層、エッチングストップ層、エッチングマスク層の形成において、図７のように、基板７０１を熱酸化してＳｉ熱酸化膜７０２を形成し（図７（１））、基板表面のＳｉ熱酸化膜の自由空間やインク供給口に対応する領域をパターニング７０３し（図７（２））、基板表面の自由空間やインク供給口に対応する領域にＰｏｌｙ−Ｓｉをパターニング７０４し（図（３））、再度熱酸化してエッチングストップ層７０５を形成し（図７（４））、基板裏面のＳｉ熱酸化膜の自由空間やインク供給口に対応する領域をパターニング７０６する（図７（５）以外は同じ工程でインクジェット記録ヘッドを作成する。この場合、実施例１よりもプロセスは増えるというデメリットはあるが、基板表面の段差が少なくなるメリットがある。
【００５２】
本実施例のより具体的な実施例に係る製造方法を、図７を用いて説明する。基板７０１として厚さ６３５μｍの面方位｛１１０｝を持つ６インチのＳｉ基板を用いた。基板を熱酸化して表裏面にＳｉ熱酸化膜６００ｎｍを形成する（７０２）。フォトリソ技術により自由空間とインク供給口を設けるための所望のエッチングマスク７０３を形成した。この時｛１１１｝面に対して平行に平行四辺形の長辺がくるように形成した。基板の表面にＬＰＣＶＤ法によりＰｏｌｙ−Ｓｉを６００ｎｍ形成した。フォトリソ技術により自由空間とインク供給口を設けるための所望の犠牲層７０４を形成した。熱酸化してＰｏｌｙ−Ｓｉ上で３００ｎｍのＳｉ熱酸化膜７０５を形成した。基板の裏面のＳｉ熱酸化膜に自由空間とインク供給口に対応する領域にパターニングを行いエッチングマスク７０６を形成した。これ以降は実施例１と同様に作成した。
【００５３】
完成したヘッドの吐出口上面は１５μｍ、下面は３０μｍであった。圧力発生室の隔壁は２１μｍであった。形成された自由空間の長辺方向の長さは７００μｍ、インク供給口の長辺方向の長さは５００μｍであった。
【００５４】
このヘッドを使って、粘度２ｍＰａ・ｓ（＝２ｃＰ）の油性インクを用いて、２５ＫＨｚで１２ｐｌの液滴で不吐出のない高品位な印字物が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明によるインクジェットヘッドの断面模式図
【図２】異方性エッチングのための犠牲層・エッチングストップ層の形成方法の例１
【図３】異方性エッチングのための犠牲層・エッチングストップ層の形成方法の例２
【図４】本発明による基板の表面模式図
【図５】本発明による基板の裏面模式図
【図６】実施例１のインクジェットヘッドの製造フロー
【図７】実施例２のインクジェットヘッドの製造フローの一部
【符号の説明】
【００５６】
１０１  基板
１０２  自由空間
１０３  振動板
１０４  圧電体薄膜
１０５  上電極
１０６  下電極
１０７  圧力発生室
１０８  吐出口
１０９  インク供給口
２０１  基板
２０２  表裏面エッチングマスク
２０３  犠牲層
２０４  エッチングストップ層
３０１  基板
３０２  裏面エッチングマスク
３０３  犠牲層
３０４  エッチングストップ層兼エッチングマスク
４０１  自由空間に対応する領域
４０２  インク供給口に対応する領域
５０１  先導孔
６０１  Ｓｉ基板
６０２  犠牲層
６０３  エッチングストップ層
６０４  エッチングマスク
６０５  下電極
６０６  圧電体薄膜
６０７  上電極
６０８  振動板
６０９  型材（第１パターン）
６１０  導電層
６１１  型材（第２パターン）
６１２  メッキ金属
６１３  自由空間
６１４  インク供給口
７０１  基板
７０２  Ｓｉ熱酸化膜
７０３  エッチングマスク
７０４  犠牲層
７０５  エッチングストップ層
【図１】
2007168110.tif 000003
【図２】
2007168110.tif 000004
【図３】
2007168110.tif 000005
【図４】
2007168110.tif 000006
【図５】
2007168110.tif 000007
【図６】
2007168110.tif 000008
【図７】
2007168110.tif 000009