(57)【要約】【課題】基板ウェハの表面外周部におけるエピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制できるサセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置を提供すること。【解決手段】サセプタ２に、基板ウェハＷよりも大きい外形を有する略円板状のウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面２２Ａおよびこの内周面２２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面２２Ｂを有する略リング板状の周縁部２２と、を設けている。気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、ＳｉＣ被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ２により形成して設けている。【選択図】図２
2007243167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであって、
前記基板ウェハが載置されるウェハ載置部と、
このウェハ載置部の周縁を囲む状態に設けられた周縁部と、
この周縁部の少なくとも一部分に設けられ、前記ウェハ載置部に載置される基板ウェハのベベル部および表面外周部における気相成長の速度を制御する気相成長制御部と、
を備えていることを特徴とするサセプタ。
【請求項２】
請求項１に記載のサセプタであって、
前記周縁部は、前記ウェハ載置部を囲む状態に起立する内周面と、この内周面の上端から前記ウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成される上面とを備え、
前記気相成長制御部は、前記周縁部の前記一部分における内周面および上面のうち少なくともいずれか一方に、前記エピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成されて設けられている
ことを特徴とするサセプタ。
【請求項３】
請求項２に記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、前記周縁部の内周面に倣う内周面と、前記周縁部の上面に倣う上面とを有し、
前記気相成長制御部の内周面の少なくとも一部は、他の周縁部の内周面よりも、前記ウェハ載置部の載置中心側に突出している
ことを特徴とするサセプタ。
【請求項４】
基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであって、
前記基板ウェハが載置されるウェハ載置部と、
このウェハ載置部を囲む状態に起立する内周面およびこの内周面の上端から前記ウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成される上面を有する周縁部と、
前記周縁部に形成され、前記ウェハ載置部の中心から外側に向かう方向の長さ寸法の異なる幅広部及び幅狭部を備え、前記エピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成されて設けられている気相成長制御部と、
を備えていることを特徴とするサセプタ。
【請求項５】
請求項２ないし請求項４のいずれかに記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、前記周縁部に嵌着され、前記材料から成る部品として構成されている
ことを特徴とするサセプタ。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれかに記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、前記反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料を離散的パターン状に露出させて構成されている
ことを特徴とするサセプタ。
【請求項７】
請求項１に記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、他の周縁部の上面よりも単位区画あたりの表面積が大きな低平坦度部として構成されている
ことを特徴とするサセプタ。
【請求項８】
請求項１に記載のサセプタであって、
前記周縁部は、上面がウェハ載置部に倣う略リング状に形成された周縁本体部と、この周縁本体部の上面の一部から上方に向けて突出する突出部とを備え、
前記気相成長制御部は、前記周縁本体部における前記突出部以外の部分であり、前記ウェハ載置部に基板ウェハを載置した際に前記基板ウェハの端面が露出する状態に形成されている
ことを特徴とするサセプタ。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、前記ウェハ載置部に載置された前記基板ウェハの結晶方位に対応する状態で設けられている
ことを特徴とするサセプタ。
【請求項１０】
基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置であって
請求項１から請求項９のいずれかに記載のサセプタと、
このサセプタが内部に配置され、前記基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、
前記エピタキシャル膜を気相成長させる際に前記基板ウェハを加熱するための加熱装置と、
を備えていることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高集積化に伴い、半導体中の結晶欠陥、特に表面および表面近傍の結晶欠陥の低減が重要になってきている。このため、基板ウェハの表面に結晶性に優れたエピタキシャル膜を気相成長させたエピタキシャルウェハの需要が年々高まってきている。
そして、このようなエピタキシャルウェハの製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載のものは、サセプタの表面に、半導体結晶基板（以下、基板と称す）を載置させるための座ぐり部が形成されている。
また、基板を座ぐり部に載置させた状態で基板の上面からサセプタの表面に至る寸法を段差量ｈとして定義するとともに、この段差量ｈについて、単結晶薄膜の周縁部での平均成長速度を中心部での平均成長速度とほぼ等しくするための最適値（以下、最適段差量ｈ０と称す）を把握する。
そして、座ぐり部の深さＤ０を、基板の厚さｄと、最適段差量ｈ０と、の和によって一時的に定めている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２３９７号公報（第２頁右欄−第５頁左欄）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述したような特許文献１のような構成では、所定の条件でエピタキシャルウェハを製造すると、基板ウェハの結晶方位が（１００）のベベル部での気相成長の速度が（１１０）のベベル部での速度よりも速くなり、（１００）のベベル部の吸い込みが大きくなる。ここで、ベベル部の吸い込みとしては、表面外周部上方の反応ガスの吸い込みと、表面外周部からの成長途中のエピタキシャル膜の吸い込みと、が考えられる。そして、このように反応ガスが吸い込まれると、表面外周部に供給される反応ガスの量が減り、表面外周部の膜厚が薄くなる。また、成長途中のエピタキシャル膜が吸い込まれると、同様に表面外周部の膜厚が薄くなる。
このため、（１１０）の表面外周部の外縁方向への膜厚分布が略均一であっても、（１００）の表面外周部の膜厚が外縁に向かうに従って薄くなるという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、基板ウェハの表面外周部におけるエピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制可能なサセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のサセプタは、基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであって、前記基板ウェハが載置されるウェハ載置部と、このウェハ載置部の周縁を囲む状態に設けられた周縁部と、この周縁部の少なくとも一部分に設けられ、前記ウェハ載置部に載置される基板ウェハのベベル部および表面外周部における気相成長の速度を制御する気相成長制御部と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
ここで、気相成長制御部は、周縁部の少なくとも一部分に設けられるが、ウェハ載置部に載置される基板ウェハの結晶方位との関係が重要であり、基板ウェハのエピタキシャル層のベベル部における気相成長の速度が、結晶方位によって異なるため、結晶方位に対応した気相成長の抑制又は促進を図ることにより、前記目的を達成するものである。具体的には、基板ウェハの結晶方位により、表面外周のベベル部の気相成長速度が異なることにより、膜厚分布がばらつくため、膜厚が薄い部分では、気相成長を促進するような気相成長制御を行い、膜厚が厚い部分では、気相成長を抑制するような気相成長制御を行うことにより、膜厚分布を均一にすることが可能となる。
また、気相成長制御部は、周縁部を構成する材料の材質や、ウェハ載置部を構成する材料の材質とは異なる材料によって構成したり、同様の材質を用いても異なる表面形状とすることにより構成することができる。
【０００９】
このような発明によれば、ウェハ載置部の周縁に設けられた周縁部の少なくとも一部分に、ウェハ載置部に載置される基板ウェハのベベル部および表面外周部、すなわち基板ウェハのエッジ部（以下、ウェハエッジ部と称す）における気相成長の速度を制御する気相成長制御部を設けているので、この気相成長制御部の近傍に位置するウェハエッジ部の気相成長速度を他の部分とは異なる状態で制御して、気相成長制御部近傍の表面外周部における外縁方向の膜厚分布を気相成長制御部を設けない場合とは異なる膜厚分布とすることが可能となる。
このことにより、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可能となり、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
【００１０】
さらに、本発明では、前記周縁部は、前記ウェハ載置部を囲む状態に起立する内周面と、この内周面の上端から前記ウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成される上面とを備え、前記気相成長制御部は、前記周縁部の前記一部分における内周面および上面のうち少なくともいずれか一方に、前記エピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成されて設けられていることが好ましい。
このような発明によれば、周縁部に、ウェハ載置部を囲む状態に起立する内周面と、この内周面の上端からウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成される上面とを設けている。そして、この周縁部の一部分における上面および内周面のうち少なくともいずれか一方に、反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成された気相成長制御部を設けている。
例えば、反応ガスとの反応を促進する材料により気相成長制御部を形成した場合、以下のような作用により、気相成長制御部近傍のベベル部の気相成長速度を、気相成長制御部を設けない場合と比べて遅くすることが可能となる。
すなわち、気相成長制御部近傍に供給される反応ガスは、相対的に多くが気相成長制御部で反応して、この気相成長制御部近傍のウェハエッジ部にほとんど流れない。
一方、このような気相成長制御部を設けない場合、周縁部に供給される反応ガスは、その一部がウェハエッジ部に流れる。つまり、気相成長制御部近傍のウェハエッジ部に供給される反応ガスの量を、気相成長制御部を設けない場合と比べて少なくすることが可能となる。このため、気相成長制御部で積極的に反応ガスが捕捉されるので、上述したように、気相成長制御部近傍のベベル部の気相成長速度を、気相成長制御部を設けない場合と比べて遅くすることが可能となる。
したがって、気相成長制御部近傍のベベル部における吸い込みを大きくすることにより、気相成長制御部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を、気相成長制御部が存在しない場合よりも薄くする状態に制御することが可能となる。
また、例えば、反応ガスとの反応を抑制する材料により気相成長制御部を形成した場合、以下のような作用により、気相成長制御部近傍のベベル部の気相成長速度を、気相成長制御部を設けない場合と比べて速くすることが可能となる。
すなわち、気相成長制御部近傍に供給される反応ガスは、相対的に多くが気相成長制御部で反応せずに、この気相成長制御部近傍のウェハエッジ部に流れる。
一方、このような気相成長制御部を設けない場合、周縁部に供給される反応ガスは、その一部がウェハエッジ部に流れる。つまり、気相成長制御部近傍のウェハエッジ部に供給される反応ガスの量を、気相成長制御部を設けない場合と比べて多くすることが可能となる。このため、気相成長制御部で反応ガスが反応しない状態で滞留し、ウェハエッジ部の反応ガス濃度が上がるので、上述したように、気相成長制御部近傍のベベル部の気相成長速度を、気相成長制御部を設けない場合と比べて速くすることが可能となる。
したがって、気相成長制御部近傍のベベル部における吸い込みを小さくすることにより、気相成長制御部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を、気相成長制御部が存在しない場合よりも厚くする状態に制御することが可能となる。
よって、気相成長制御部を反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成するだけで、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可能となり、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
【００１１】
さらに、本発明では、前記気相成長制御部は、前記周縁部の内周面に倣う内周面と、前記周縁部の上面に倣う上面とを有し、前記気相成長制御部の内周面は、他の周縁部の内周面よりも、前記ウェハ載置部の載置中心側に突出していることが好ましい。
このような発明によれば、気相成長制御部の内周面が他の周縁部の内周面よりもウェハ載置部の載置中心側に突出しているので、気相成長制御部の内周面からウェハ載置部の中心までの距離を他の周縁部の内周面と同じにする構成と比べて、気相成長制御部に供給されるがウェハエッジ部の方向に流れる反応ガスをより確実にウェハエッジ部に到達させることが可能となる。よって、表面外周部における膜厚のばらつきがより効率的に抑制可能となる。
【００１２】
また、本発明のサセプタは、基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであって、前記基板ウェハが載置されるウェハ載置部と、このウェハ載置部を囲む状態に起立する内周面およびこの内周面の上端から前記ウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成される上面を有する周縁部と、前記周縁部に形成され、前記ウェハ載置部の中心から外側に向かう方向の長さ寸法の異なる幅広部及び幅狭部を備え、前記エピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成されて設けられている気相成長制御部と、を備えていることを特徴とする。
【００１３】
このような発明によれば、前記周縁部に形成され、前記ウェハ載置部の中心から外側に向かう方向の長さ寸法の異なる幅広部及び幅狭部を備え、反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成された気相成長制御部を設けている。
例えば、気相成長制御部を反応ガスとの反応を促進する材料により形成した場合、気相成長制御部の幅広部に供給されてウェハエッジ部の方向に流れる反応ガスの量を、気相成長制御部の幅狭部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量よりも少なくすることが可能となる。
このことにより、幅広部近傍に位置するベベル部の気相成長速度を幅狭部近傍に位置するベベル部と比べてより遅くする状態に制御して、このベベル部における吸い込みを大きくすることにより、幅広部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を幅狭部近傍よりもより薄くする状態に制御することが可能となる。
また、気相成長制御部を反応ガスとの反応を抑制する材料により形成した場合、幅広部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量を、幅狭部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量よりも多くすることが可能となる。
このことにより、幅広部近傍に位置するベベル部の気相成長速度を幅狭部近傍に位置するベベル部と比べてより速くする状態に制御して、このベベル部における吸い込みを小さくすることにより、幅広部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を幅狭部近傍よりもより厚くする状態に制御することが可能となる。
よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可能となり、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
【００１４】
そして、本発明では、前記気相成長制御部は、前記周縁部に嵌着され、前記材料から成る部品として構成されていることが好ましい。
このような発明によれば、気相成長制御部を薄膜状に設ける構成と比べて、基板ウェハのエッチング処理に対する耐久性を向上させることが可能となる。
このことにより、気相成長制御部を薄膜状に設ける構成と比べて、より長期間の使用が可能となる。
【００１５】
また、本発明では、前記気相成長制御部は、前記反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料を離散的パターン状に露出させて構成されていることが好ましい。
このような発明によれば、気相成長制御部を反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料を離散的パターン状に露出させて構成しているので、連続的パターン状に露出させる構成と比べて、気相成長制御部の所定の部分にシリコン膜が形成された場合に膜が気相成長制御部全体に広がるのを抑制できる。
このことにより、気相成長制御部を連続的パターン状に露出させる構成と比べて、例えばシリコン膜を除去する処理をすることなく、より長時間の使用が可能となる。
【００１６】
また、本発明では、前記気相成長制御部は、他の周縁部の上面よりも単位区画あたりの表面積が大きな低平坦度部として構成されていることが好ましい。
ここで、単位区画とは、一定寸法で区画した例えば、矩形状や円形状の領域面積を意味し、単位区画あたりの表面積が大きいということは、当該区画における平坦度が低い、すなわち、例えば、他の周縁部の上面が平坦面であった場合、気相成長制御部では、これよりも凹凸状態の大きな粗面状に形成されていることを意味する。
このような発明によれば、気相成長制御部を他の周縁部の上面よりも単位区画あたりの表面積が大きな低平坦度部として構成しているので、この低平坦度部に低平坦度以外の部分（以下、高平坦度部と称す）と比べて反応ガスが吸着しやすくなり、高平坦度部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量を、低平坦度部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量よりも多くすることが可能となる。
このことにより、高平坦度部近傍に位置するベベル部の気相成長速度を低平坦度部近傍に位置するベベル部と比べてより速くする状態に制御して、このベベル部における吸い込みを小さくすることにより、高平坦度部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を低平坦度部近傍よりもより厚くする状態に制御することが可能となる。よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可能となり、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
【００１７】
また、本発明では、前記周縁部は、上面がウェハ載置部に倣う略リング状に形成された周縁本体部と、この周縁本体部の上面の一部から上方に向けて突出する突出部とを備え、前記気相成長制御部は、前記周縁本体部における前記突出部以外の部分であり、前記ウェハ載置部に基板ウェハを載置した際に前記基板ウェハの端面が露出する状態に形成されていることが好ましい。
このような発明によれば、周縁部における気相成長制御部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量を、突出部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量よりも多くできる。
したがって、気相成長制御部近傍に位置するベベル部の気相成長速度を突出部近傍に位置するベベル部と比べてより速くして、ベベル部での吸い込みを小さくすることにより、気相成長制御部近傍の表面外周部の膜厚を突出部近傍のものよりもより厚くする状態に制御することが可能となる。よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可能となり、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
【００１８】
さらに、本発明では、前記気相成長制御部は、前記ウェハ載置部に載置された前記基板ウェハの結晶方位に対応する状態で設けられていることが好ましい。
このような発明によれば、気相成長制御部を基板ウェハの結晶方位に対応する状態で設けているので、結晶方位に依存する表面外周部における膜厚のばらつきをより確実に抑制可能となる。
【００１９】
そして、本発明のエピタキシャルウェハの製造装置は、基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェハを製造するエピタキシャルウェハの製造装置であって、請求項１から請求項９のいずれかに記載のサセプタと、このサセプタが内部に配置され、前記基板ウェハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、前記エピタキシャル膜を気相成長させる際に前記基板ウェハを加熱するための加熱装置と、を備えていることを特徴とする。
【００２０】
このような発明によれば、エピタキシャルウェハの製造装置に上述した作用効果を奏するサセプタを用いている。
このことにより、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制されたエピタキシャルウェハを製造可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。
〔エピタキシャルウェハの製造装置の構成〕
図１は、エピタキシャルウェハの製造装置１を模式的に示す断面図である。
製造装置１は、基板ウェハＷ上にエピタキシャル膜ＥＰを気相成長させてエピタキシャルウェハＥＰＷを製造する枚葉式の製造装置である。この製造装置１は、直径寸法が２００ｍｍのエピタキシャルウェハＥＰＷの製造装置として構成されている。なお、直径寸法が２００ｍｍ以上のエピタキシャルウェハＥＰＷを対象とした製造装置１としてもよい。この製造装置１は、図１に示すように、サセプタ２と、反応容器３と、加熱装置４と、を備える。
ここで、この第１実施形態、および、後述する第２〜第７実施形態において、表面外周部とは、基板ウェハＷの外縁およびこの外縁から５ｍｍの間の領域を意味しているが、基板ウェハＷの直径にかかわらず上述した領域に限るものでなく、例えば外縁から１ｍｍや７ｍｍといった領域を意味する場合もある。
【００２２】
サセプタ２は、具体的には後述するが、基板ウェハＷが載置される部材であり、反応容器３内部に設置される。
【００２３】
反応容器３は、サセプタ２が内部に設置され、内部に反応ガスを供給可能に構成されている。そして、反応ガスをサセプタ２上に載置された基板ウェハＷに供給することで、基板ウェハＷの表面上にエピタキシャル膜ＥＰを気相成長させる。この反応容器３は、図１に示すように、上側ドーム３１と、下側ドーム３２と、ドーム取付体３３と、サセプタ支持部３４とを備える。
上側ドーム３１および下側ドーム３２は、石英等の透光性部材から構成され、平面視略中央部分が反応容器３の内部から外側に向けて窪む略凹状に形成されている。
ドーム取付体３３は、上方および下方が開放された略筒状部材から構成され、上方側の開口部分および下方側の開口部分にて上側ドーム３１および下側ドーム３２を支持するものである。そして、ドーム取付体３３に上側ドーム３１および下側ドーム３２を取り付けることで、図１に示すように、反応容器３内部に反応室３Ａが形成される。
このドーム取付体３３において、その側面には、図１に示すように、反応ガス供給管３３１および反応ガス排出管３３２が設けられている。そして、これら反応ガス供給管３３１および反応ガス排出管３３２は、反応室３Ａおよび反応容器３外部を連通するように形成されている。
【００２４】
反応ガス供給管３３１および反応ガス排出管３３２は、反応容器３の上方側に対向配置するように設けられる。そして、このような構成では、反応ガス供給管３３１を介して反応容器３外部から反応室３Ａ内に反応ガスを供給すると、サセプタ支持部３４にて支持されたサセプタ２上の基板ウェハＷの表面を水平に反応ガスが流通するとともに、反応ガス排出管３３２を介して反応室３Ａ内の反応ガス等が反応容器３外部に排出される。
ここで、反応ガスとしては、エピタキシャル膜ＥＰを気相成長させるためのシリコン原子を含んだ原料ガスの他、キャリアガスを混合させたものを採用できる。原料ガスとしては、気相成長させるエピタキシャル膜ＥＰに応じたものを採用すればよく、例えば、シリコンソースであるＳｉＨＣｌ３およびボロンドーパントソースであるＢ２Ｈ６を水素ガスで希釈した混合反応ガスを採用できる。また、キャリアガスとしては、例えば水素を含んだものを採用できる。
【００２５】
サセプタ支持部３４は、石英等の透光性部材から構成され、反応容器３の下側ドーム３２の略中央部分から反応室３Ａ内に突出し、サセプタ２を水平状態で反応容器３内に設置するとともに、ウェハをサセプタ２に設置するものである。そして、このサセプタ支持部３４は、例えば、外部の図示しない制御装置による制御の下、回転軸Ｒを中心として回転自在に構成されている。このサセプタ支持部３４は、図１に示すように、サセプタ支持部本体３４１と、ウェハ昇降部３４２とを備える。
サセプタ支持部本体３４１は、下側ドーム３２の略中央部分から反応室３Ａ内に突出する基部３４１Ａと、基部３４１Ａの上方側端部から、反応室３Ａ内にてドーム取付体３３の内側面に近接する方向に延出する３つの延出部３４１Ｂとを備える。そして、サセプタ支持部本体３４１は、３つの延出部３４１Ｂの先端部分が上方に向けて延出し、この先端部分にてサセプタ２の下面外周縁部分を３点で支持する。サセプタ支持部本体３４１がサセプタ２を支持することで、サセプタ２は、反応室３Ａ内に水平状態で設置される。
なお、サセプタ支持部本体３４１の形状は、上述したものに限らず、延出部３４１Ｂを３つ以上形成してもよく、延出部３４１Ｂを基部３４１Ａの上方側端部から放射状に拡がる平面視円形状となるように形成してもよい。
【００２６】
ウェハ昇降部３４２は、サセプタ支持部３４の基端部分を囲うように筒状に形成された基部３４２Ａと、基部３４２Ａの上方側端部から、反応室３Ａ内にてドーム取付体３３の内側面に近接する方向に延出する３つの延出部３４２Ｂと、３つの延出部の先端部分に取り付けられ上方に向けて延びる３つのピン状部材３４２Ｃとを備える。
このウェハ昇降部３４２は、回転軸Ｒを中心として回転自在に構成されているとともに、サセプタ支持部本体３４１に対して上下方向に進退自在に構成されている。そして、ウェハ昇降部３４２が上下方向に進退移動することで、ピン状部材３４２Ｃの先端部分がサセプタ２の後述するピン挿通孔２１Ｂを介して基板ウェハＷに当接し、この基板ウェハＷを上下方向に移動させる。
すなわち、本実施形態の製造装置１は、この製造装置１へのウェハ搬入、搬出を行う図示しない搬送治具とサセプタ２間の移載方式が、ウェハ下面をピン状部材３４２Ｃにて支持してウェハ昇降部３４２の進退移動によりウェハを移載するタイプで構成されている。
なお、ウェハ昇降部３４２を省略し、製造装置１へのウェハ搬入、搬出を行う前記搬送治具とサセプタ２間の移載方式として、ベルヌイチャック方式または前記搬送治具の昇降方式によりウェハを移載するタイプを採用してもよい。
【００２７】
加熱装置４は、反応容器３の上方側および下方側にそれぞれ配設され、反応容器３の上側ドーム３１および下側ドーム３２を介して、サセプタ２上に載置された基板ウェハＷ、およびサセプタ２を放射熱により加熱し、基板ウェハＷを所定温度に設定するものである。この加熱装置４としては、例えば、ハロゲンランプや赤外ランプ等を採用できる。なお、加熱装置４としては、放射熱により加熱するものの他、誘導加熱により基板ウェハＷを加熱する高周波加熱方式を採用してもよい。
【００２８】
〔サセプタの構成〕
図２は、サセプタ２の概略構成を示す図であり、（Ａ）はサセプタ２の上面図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線の断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）におけるＣ−Ｃ線の断面図である。
【００２９】
サセプタ２は、図２（Ａ）に示すように、例えば炭素基材により基板ウェハＷよりも大きい外形を有する略円板状に形成され、基板ウェハＷが載置される載置面２１Ａを有するウェハ載置部２１を備えている。
ここで、基板ウェハＷのウェハエッジ部ＷＥには、結晶方位が（１００）となる第１ウェハエッジ部ＷＥ10と、（１１０）となる第２ウェハエッジ部ＷＥ11と、が約４５°間隔で円周方向に交互に並んだ状態で設けられている。第１ウェハエッジ部ＷＥ10は、ウェハエッジ部ＷＥに切り欠き形成されたノッチＷｄを基準とした反時計回りの角度（以下、ノッチ基準角度と称す）が４５°、１３５°、２２５°、３１５°の位置に設けられている。第２ウェハエッジ部ＷＥ11は、ノッチ基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°の位置に設けられている。
【００３０】
ウェハ載置部２１には、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、サセプタ支持部３４を構成するウェハ昇降部３４２のピン状部材３４２Ｃを挿通可能とする３つのピン挿通孔２１Ｂが形成されている。また、ウェハ載置部２１には、図２（Ａ），（Ｃ）に示すように、軸方向が上下方向と交差する３つの空気孔２１Ｃが形成されている。
なお、空気孔２１Ｃの代わりに、上下方向略中央に軸方向が左右方向と略一致する部分を有する空気孔２１Ｄや、軸方向が上下方向と略一致する空気孔２１Ｅを設ける構成としてもよい。
【００３１】
また、ウェハ載置部２１には、中心がウェハ載置部２１の中心と略一致し、かつ、ノッチＷｄが常に特定の位置に位置する状態（以下、特定載置状態と称す）で、基板ウェハＷが載置される。
さらに、ウェハ載置部２１には、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面２２Ａと、この内周面２２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面２２Ｂと、を有する略リング板状の周縁部２２が一体的に設けられている。
【００３２】
周縁部２２の少なくとも内周面２２Ａおよび上面２２Ｂには、例えばＳｉＣ被膜がコーティングされている。また、周縁部２２における特定載置状態で載置された基板ウェハＷのノッチＷｄに対向するノッチ対向部２２Ｃを基準とした反時計回りの角度（以下、ノッチ対向部基準角度と称す）が４５°、１３５°、２２５°、３１５°となる内周縁近傍部分には、この部分を円弧方向の略中央とした平面視略三日月形状の嵌合溝２２Ｄがそれぞれ形成されている。すなわち、周縁部２２には、基板ウェハＷの第１ウェハエッジ部ＷＥ10に対向する部分に嵌合溝２２Ｄが形成され、第２ウェハエッジ部ＷＥ11に対向する部分に嵌合溝２２Ｄが形成されていない。
ここで、嵌合溝２２Ｄは、ノッチ基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°の位置に第１ウェハエッジ部ＷＥ10が設けられた基板ウェハＷを載置対象とする場合、ノッチ対向部基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°の位置に形成される。
【００３３】
嵌合溝２２Ｄには、ＳｉＣと比べて反応ガスとの反応が抑制される材料である石英すなわちＳｉＯ２から成る、嵌合溝２２Ｄの形状に対応する平面視略三日月形状の部品として構成された気相成長制御部２３が取り付けられている。すなわち、嵌合溝２２Ｄには、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、気相成長制御部２３が取り付けられている。また、気相成長制御部２３は、ノッチ対向部基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°の部分における上面２３Ｂの上面２２Ｂに倣う方向の長さが最も長く、これらの部分から離間するに従って上面２３Ｂの上面２２Ｂに倣う方向の長さが短くなる状態に取り付けられている。
なお、気相成長制御部２３としては、ＳｉＯ２で形成する構成に限らず、ＳｉＣと比べて反応ガスとの反応が抑制される材料、例えばＳｉＮなどの材料で形成する構成としてもよい。
【００３４】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の動作〕
次に、上述した製造装置１の動作として、エピタキシャルウェハＥＰＷの製造処理を説明する。
【００３５】
先ず、上述したウェハの移載方式により、図示しない搬送治具を移動させるとともにウェハ昇降部３４２のピン状部材３４２Ｃを進退移動させることで、基板ウェハＷをサセプタ２のウェハ載置部２１に特定載置状態で載置する。ここで、搬送治具に図示しない高精度位置確認用センサを取り付けて、基板ウェハＷを確実に特定載置状態で載置する構成が望ましい。
そして、加熱装置４により高温に加熱された反応室３Ａ内に反応ガス供給管３３１を介してＨ２ガスを供給し、高温のガスエッチングにより基板ウェハＷ表面の自然酸化膜を除去する。
【００３６】
この後、以下に示すように、基板ウェハＷ上にエピタキシャル膜ＥＰを気相成長させる。
すなわち、先ず、加熱装置４により、基板ウェハＷを所望の成長温度に加熱する。
そして、回転軸Ｒを中心としてサセプタ支持部３４を回転させながら、反応ガス供給管３３１を介して基板ウェハＷの表面上に水平に反応ガスを供給する。このようにして気相成長を実施することにより、基板ウェハＷの表面上にエピタキシャル膜ＥＰが形成され、エピタキシャルウェハＥＰＷが製造される。
【００３７】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の作用〕
次に、上述したエピタキシャルウェハＥＰＷの製造装置１の作用を説明する。
ここで、エピタキシャルウェハＥＰＷの中心からの距離が９６ｍｍ、９７ｍｍ、９８ｍｍ、９９ｍｍの位置のそれぞれの膜厚から、９５ｍｍの位置の膜厚を減じて９５ｍｍの位置の膜厚で除した値を、膜厚変化割合と称して説明する。
図３は、エピタキシャルウェハＥＰＷの製造装置１の作用を説明するための実験に用いた実施例１，２，３のサセプタ５００，５１０，５２０の上面図である。図４は、実施例１のサセプタ５００を用いたエピタキシャルウェハＥＰＷの製造時における第１ウェハエッジ部ＷＥ10の状態およびエピタキシャル膜ＥＰの膜厚分布を示す図である。図５は、エピタキシャルウェハＥＰＷの製造装置１の作用を説明するための実験に用いた比較例のサセプタ７００の上面図である。図６は、比較例のサセプタ７００を用いたエピタキシャルウェハＥＰＷの製造時における第１ウェハエッジ部ＷＥ10の状態およびエピタキシャル膜ＥＰの膜厚分布を示す図である。図７は、実施例１のサセプタ５００を用いて製造したエピタキシャルウェハＥＰＷにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。図８は、実施例２のサセプタ５１０を用いて製造したエピタキシャルウェハＥＰＷにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。図９は、実施例３のサセプタ５２０を用いて製造したエピタキシャルウェハＥＰＷにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。図１０は、比較例のサセプタ７００を用いて製造したエピタキシャルウェハＥＰＷにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
【００３８】
先ず、エピタキシャルウェハＥＰＷの製造装置１の作用を説明するための実験に用いた実施例１，２，３のサセプタ５００，５１０，５２０の構成を説明する。
【００３９】
実施例１，２，３のサセプタ５００，５１０，５２０は、本発明を適用したサセプタ２と同様の構成を有し、図３に示すように、ウェハ載置部２１と、周縁部５０２，５１２，５２２と、を備える。
周縁部５０２，５１２，５２２の少なくとも内周面５０２Ａ，５１２Ａ，５２２Ａおよび上面５０２Ｂ，５１２Ｂ，５２２Ｂには、ＳｉＣ被膜がコーティングされている。また、周縁部５０２，５１２，５２２のノッチ対向部５０２Ｃ，５１２Ｃ，５２２Ｃを基準としたノッチ対向部基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°となる内周縁近傍部分には、この部分を円弧方向の略中央とした平面視略円弧状の嵌合溝５０２Ｄ，５１２Ｄ，５２２Ｄがそれぞれ形成されている。
ここで、嵌合溝５０２Ｄは、幅Ｌが２ｍｍかつ角度θが４５°の形状に形成されている。また、嵌合溝５１２Ｄは、幅Ｌが２ｍｍかつ角度θが２０°の形状に形成されている。さらに、嵌合溝５２２Ｄは、幅Ｌが５ｍｍかつ角度θが２０°の形状に形成されている。
そして、嵌合溝５０２Ｄ，５１２Ｄ，５２２Ｄには、ＳｉＯ２から成る嵌合溝５０２Ｄ，５１２Ｄ，５２２Ｄの形状に対応する平面視略円弧状の部品として構成された気相成長制御部５０３，５１３，５２３が取り付けられている。
【００４０】
次に、実施例１のサセプタ５００を用いて製造したエピタキシャルウェハＥＰＷのエピタキシャル膜ＥＰの形成状態について説明する。なお、実施例２，３のサセプタ５１０，５２０を用いた場合のエピタキシャル膜ＥＰの形成状態も実施例１のサセプタ５００を用いた場合と同様なので、ここでは説明を省略する。
【００４１】
実施例１のサセプタ５００に、ノッチ基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°の位置に設けられた第１ウェハエッジ部ＷＥ10と、ノッチ基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°の位置に設けられた第２ウェハエッジ部ＷＥ11と、を有する基板ウェハＷを特定載置状態で載置する。そして、この基板ウェハＷ上にエピタキシャル膜ＥＰを気相成長させて、エピタキシャルウェハＥＰＷを製造した場合、基板ウェハＷにおける例えばノッチ基準角度が９０°となる第２ウェハエッジ部ＷＥ11近傍には、気相成長制御部５０３ではなくＳｉＣ被膜がコーティングされた周縁部５０２の上面５０２Ｂが存在するので、ここでは図示しないが、上面５０２Ｂに向けて供給される反応ガスＧ１（以下、周縁供給反応ガスＧ１と称す。図４参照）は、相対的に多くが上面５０２Ｂで反応して基板ウェハＷの方向に流れない。また、基板ウェハＷに向けて供給される反応ガスＧ２（以下、ウェハ供給反応ガスＧ２と称す。図４参照）は、基板ウェハＷに向けて供給される。
そして、第２ウェハエッジ部ＷＥ11に周縁供給反応ガスＧ１が到達せずにウェハ供給反応ガスＧ２のみが到達するため、この第２ウェハエッジ部ＷＥ11のベベル部におけるエピタキシャル膜ＥＰの気相成長の速度が所定の速度となり、ベベル部の吸い込みが所定の大きさとなる。これにより、第２ウェハエッジ部ＷＥ11の表面外周部における膜厚分布が略均一となる。
【００４２】
また、基板ウェハＷにおける例えばノッチ基準角度が４５°となる第１ウェハエッジ部ＷＥ10近傍には、ＳｉＣと比べて周縁供給反応ガスＧ１との反応が抑制されるＳｉＯ２で形成された気相成長制御部５０３が存在するので、図４に示すように、気相成長制御部５０３に向けて供給される周縁供給反応ガスＧ１は、一部が気相成長制御部５０３で反応せずに第１ウェハエッジ部ＷＥ10の方向に流れる。さらに、ウェハ供給反応ガスＧ２は、基板ウェハＷに向けて供給される。
そして、第１ウェハエッジ部ＷＥ10に周縁供給反応ガスＧ１およびウェハ供給反応ガスＧ２が到達するため、この第１ウェハエッジ部ＷＥ10のベベル部ＷＥ101におけるエピタ
キシャル膜ＥＰの気相成長の速度がウェハ供給反応ガスＧ２のみが到達する場合と比べて速くなり、ベベル部ＷＥ101の吸い込みが小さくなる。これにより、第１ウェハエッジ部
ＷＥ10の表面外周部ＷＥ102における外縁側の膜厚が気相成長制御部５０３を設けない場
合と比べて厚くなる。
また、後述するが、第１ウェハエッジ部ＷＥ10にウェハ供給反応ガスＧ２のみが到達する場合、第２ウェハエッジ部ＷＥ11にウェハ供給反応ガスＧ２のみが到達した場合よりもベベル部ＷＥ101における気相成長の速度が遅くなるため、表面外周部ＷＥ102の膜厚が外縁に向かうに従って薄くなる。
これらのことから、第１ウェハエッジ部ＷＥ10の表面外周部ＷＥ102における膜厚分布
は、気相成長制御部５０３を設けずに第１ウェハエッジ部ＷＥ10に周縁供給反応ガスＧ１を到達させない場合と比べて略均一となる。
【００４３】
次に、エピタキシャルウェハＥＰＷの製造装置１の作用を説明するための実験に用いた比較例のサセプタ７００の構成を説明する。
【００４４】
比較例のサセプタ７００は、図５に示すように、ウェハ載置部２１と、周縁部７０２と、を備える。
そして、周縁部７０２の少なくとも内周面７０２Ａおよび上面７０２Ｂには、ＳｉＣ被膜がコーティングされている。
また、周縁部７０２は、ウェハ載置部２１の載置面２１Ａに対する上面７０２Ｂの高さが、実施例１，２，３のサセプタ５００，５１０，５２０におけるウェハ載置部２１の載置面２１Ａに対する周縁部５０２，５１２，５２２の上面５０２Ｂ，５１２Ｂ，５２２Ｂの高さと同一となる形状に形成されている。
さらに、周縁部７０２には、特定載置状態、すなわちノッチ対向部７０２ＣにノッチＷｄが対向する状態で基板ウェハＷが載置される。
【００４５】
次に、比較例のサセプタ７００を用いて製造したエピタキシャルウェハＥＰＷのエピタキシャル膜ＥＰの形成状態について説明する。
【００４６】
実施例１のサセプタ５００を用いた場合と同様にして比較例のサセプタ７００を用いてエピタキシャルウェハＥＰＷを製造した場合、基板における第２ウェハエッジ部ＷＥ11近傍には、ウェハ載置部２１に対して周縁部５０２と同一状態で設けられた周縁部７０２の上面７０２Ｂが存在するので、ここでは図示しないが、実施例１のサセプタ５００を用いた場合と同様に、周縁供給反応ガスＧ１およびウェハ供給反応ガスＧ２がそれぞれ上面７０２Ｂおよび基板ウェハＷに向けて供給され、第２ウェハエッジ部ＷＥ11の表面外周部における膜厚分布が略均一となる。
【００４７】
また、基板ウェハＷにおける第１ウェハエッジ部ＷＥ10近傍にも上面７０２Ｂが存在するので、図６に示すように、周縁供給反応ガスＧ１およびウェハ供給反応ガスＧ２がそれぞれ上面７０２Ｂおよび基板ウェハＷに向けて供給される。
さらに、この第１ウェハエッジ部ＷＥ10のベベル部ＷＥ101におけるエピタキシャル膜
ＥＰの気相成長の速度が第２ウェハエッジ部ＷＥ11のベベル部における速度よりも速くなるので、ベベル部ＷＥ101の吸い込みが大きくなり、表面外周部ＷＥ102の膜厚が外縁に向かうに従って薄くなり膜厚分布が不均一となる。
【００４８】
そして、実施例１，２，３のサセプタ５００，５１０，５２０、比較例のサセプタ７００を用いて同一条件でエピタキシャルウェハＥＰＷを製造して、これらのエピタキシャルウェハＥＰＷにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を比較した。
実施例１，２，３のサセプタ５００，５１０，５２０を用いたエピタキシャルウェハＥＰＷでは、図７，８，９に示すように、ノッチ基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°の第１ウェハエッジ部ＷＥ10における膜厚変化割合が９９ｍｍの位置でも約−３．５％以上となることが確認された。特に、実施例１のサセプタ５００を用いた場合、膜厚変化割合が９９ｍｍの位置でも約−２．５％以上となり、膜厚分布が最も均一に近い状態となることが確認された。
一方、比較例のサセプタ７００を用いたエピタキシャルウェハＥＰＷでは、図１０に示すように、第１ウェハエッジ部ＷＥ10における膜厚変化割合が９９ｍｍの位置でも約−４．４％以上となり、実施例１，２，３のサセプタ５００，５１０，５２０を用いた場合と比べて、膜厚分布が不均一となることが確認された。
【００４９】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第１実施形態によれば、以下の効果がある。
（１）製造装置１におけるウェハ載置部２１の周縁に設けられた周縁部２２の４つの部分に、ウェハ載置部２１に載置される基板ウェハＷのウェハエッジ部ＷＥにおけるエピタキシャル膜ＥＰの気相成長速度を制御する気相成長制御部２３を設けている。
このため、気相成長制御部２３の近傍に位置する基板ウェハＷのウェハエッジ部ＷＥの気相成長の速度を他の部分とは異なる状態に制御して、気相成長制御部２３近傍のウェハエッジ部ＷＥの表面外周部における外縁方向の膜厚分布を気相成長制御部２３を設けない場合とは異なる膜厚分布とすることが可能となる。
したがって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることができ、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
【００５０】
（２）周縁部２２に、ウェハ載置部２１を囲む状態に起立する内周面２２Ａと、この内周面２２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面２２Ｂとを設けている。さらに、気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、ＳｉＣ被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ２により形成して設けている。
このため、上述したように気相成長制御部２３により反応ガスの流れを制御でき、気相成長制御部２３近傍に位置する第１ウェハエッジ部ＷＥ10のベベル部ＷＥ101における気
相成長速度を気相成長制御部２３が存在しない場合と比べて速くして、第１ウェハエッジ部ＷＥ10の表面外周部ＷＥ102の膜厚を気相成長制御部２３が存在しない場合よりも厚く
する状態に制御できる。したがって、気相成長制御部２３を反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ２により形成するだけで、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることができ、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
【００５１】
（３）気相成長制御部２３を、ＳｉＯ２から成る部品として構成して周縁部２２に設けている。
このため、気相成長制御部２３を薄膜状に設ける構成と比べて、基板ウェハＷのエッチング処理に対する耐久性を向上させることができる。
したがって、気相成長制御部２３を薄膜状に設ける構成と比べて、より長期間使用できる。
【００５２】
（４）気相成長制御部２３を、ウェハ載置部２１に特定載置状態で載置された基板ウェハＷにおける第１ウェハエッジ部ＷＥ10に対向する状態で設けている。
このため、気相成長制御部２３を基板ウェハＷの第１ウェハエッジ部ＷＥ10に対向する状態で設けているので、結晶方位に依存する表面外周部における膜厚のばらつきをより確実に抑制できる。
【００５３】
（５）エピタキシャルウェハＥＰＷの製造装置１に上述した作用効果を奏するサセプタ２を用いている。
このため、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制されたエピタキシャルウェハＥＰＷを製造可能なエピタキシャルウェハＥＰＷの製造装置１を提供できる。
【００５４】
（６）ウェハ載置部２１に、空気孔２１Ｃを設けている。
このため、基板ウェハＷがウェハ載置部２１に載置された際に、基板ウェハＷおよびウェハ載置部２１の間に存在する空気を、空気孔２１Ｃを介してウェハ載置部２１の下方に排出できる。
したがって、基板ウェハＷおよびウェハ載置部２１の間に空気が存在することによる基板ウェハＷの滑りを抑制できる。なお、空気孔２１Ｄ，２１Ｅを設けた場合も、作用効果を奏することができる。
【００５５】
（７）空気孔２１Ｃを、軸方向が上下方向と交差する形状に設けている。
このため、加熱装置４からの光が基板ウェハＷに直接照射されるのを防ぐことができ、いわゆるナノトポや膜厚分布の悪化を抑えることができる。なお、空気孔２１Ｄを設けた場合も、同様の効果を奏することができる。
【００５６】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図１１は、第２実施形態に係るサセプタ８００の概略構成を示す図であり、（Ａ）はサセプタ８００の上面図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線の断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）におけるＣ−Ｃ線の断面図である。図１２は、各ノッチ対向部基準角度での周縁本体部の上面を基準とした内周縁の高さを表す図である。
【００５７】
〔サセプタの構成〕
サセプタ８００は、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、ウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む略リング板状に形成された周縁部８０２が一体的に設けられている。
【００５８】
周縁部８０２は、上面がウェハ載置部２１の載置面２１Ａに倣う略リング板状に形成された周縁本体部８０３を備える。この周縁本体部８０３におけるノッチ対向部８０３Ｃを基準としたノッチ対向部基準角度が６０°〜１２０°の部分、１５０°〜２１０°の部分、２４０°〜３００°の部分、３３０°〜３０°の部分には、上方に向けて平面視略円弧状の略四角錐状に突出する突出部８０４が一体的に形成されている。すなわち、特定載置状態で載置された基板ウェハＷの第２ウェハエッジ部ＷＥ11に対向する部分に突出部８０４が形成されている。
【００５９】
この突出部８０４は、上辺よりも下辺が長い略台形状を有しウェハ載置部２１の載置面２１Ａと略直交する方向に起立する内縁側面８０４Ａと、この内縁側面８０４Ａと共通の上辺を有しこの上辺よりの下辺が長い略台形状の外縁側面８０４Ｂと、内縁側面８０４Ａおよび外縁側面８０４Ｂと共通の斜辺を有する略三角形状の右側面８０４Ｃと、この右側面８０４Ｃと略同一形状を有する左側面８０４Ｄと、を備える。また、内縁側面８０４Ａは、図１２に示すように、ノッチ対向部基準角度が８５°〜９５°の部分、１７５°〜１８５°の部分、２６５°〜２７５°の部分、３５５°〜５°の部分に上辺が位置し、かつ、周縁本体部８０３の上面を基準とした高さが０．６ｍｍの略台形状を有している。ここで、この略台形状の高さとしては、基板ウェハＷの厚さの０．７〜１．３倍の範囲で任意に選択可能である。
さらに、周縁本体部８０３におけるノッチ対向部基準角度が３０°〜６０°の部分、１２０°〜１５０°の部分、２１０°〜２４０°の部分、３００°〜３３０°の部分は、突出部８０４の上端すなわち周縁部８０２の上端よりも低い上面を有し、ウェハ載置部２１に基板ウェハＷを載置した際に基板ウェハＷの端面が露出する状態に形成された気相成長制御部８０５とされている。
そして、突出部８０４および気相成長制御部８０５には、ＳｉＣ被膜がコーティングされている。
【００６０】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第２実施形態によれば、第１実施形態の（１）、（４）〜（７）と同様の効果に加え、以下の作用効果がある。
（８）周縁部８０２に、周縁本体部８０３の上端よりも低い上面を有し、ウェハ載置部２１に基板ウェハＷを載置した際に基板ウェハＷの端面が露出する状態に形成された気相成長制御部８０５を設けている。
このため、周縁部８０２における気相成長制御部８０５に供給されてウェハエッジ部ＷＥの方向に流される反応ガスの量を、突出部８０４に供給されてウェハエッジ部ＷＥの方向に流される反応ガスの量よりも多くできる。
したがって、気相成長制御部８０５近傍に位置する第１ウェハエッジ部ＷＥ10のベベル部の気相成長速度を突出部８０４近傍に位置する第２ウェハエッジ部ＷＥ11のベベル部と比べてより速くして、ベベル部での吸い込みを小さくすることにより、第１ウェハエッジ部ＷＥ10の表面外周部の膜厚を第２ウェハエッジ部ＷＥ11よりもより厚くする状態に制御することができる。よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可能となり、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
【００６１】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図１３は、第３実施形態に係るサセプタ８１０の概略構成を示す上面図である。
【００６２】
〔サセプタの構成〕
サセプタ８１０は、図１３に示すように、ウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面８１２Ａおよびこの内周面８１２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面８１２Ｂを有する略リング板状の周縁部８１２と、を備える。
周縁部８１２の少なくとも内周面８１２Ａおよび上面８１２Ｂには、例えばＳｉＣ被膜がコーティングされている。また、周縁部８１２の上面８１２Ｂにおける内周縁に沿った部分には、内周縁に沿って略リング状に形成された嵌合溝８１２Ｄが設けられている。
この嵌合溝８１２Ｄは、外形が平面視略正方形状を有し、かつ、各頂点がノッチ対向部８１２Ｃを基準としたノッチ対向部基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°の部分に位置する形状に形成されている。すなわち、嵌合溝８１２Ｄは、ノッチ対向部基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°の部分の平面方向長さが他の部分よりも長くなる形状に形成されている。
また、嵌合溝８１２Ｄには、ＳｉＯ２から成る平面視略リング状の部品として構成された気相成長制御部８１３が取り付けられている。
そして、気相成長制御部８１３は、ノッチ対向部基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°となる部分において、ウェハ載置部２１の基板ウェハの載置中心から外側に向かう方向に頂点が位置する平面視略二等辺三角形状の４つの幅広部８１３Ａと、この幅広部８１３Ａに隣接して形成され、基板ウェハの載置中心から外側に向かう方向の寸法が幅広部８１３Ａよりも小さな幅狭部８１３Ｂとを備えている。
すなわち、気相成長制御部８１３は、幅広部８１３Ａと、この幅広部８１３Ａよりも平面方向長さが短い幅狭部８１３Ｂと、を備え、特定載置状態で載置された基板ウェハＷの第１ウェハエッジ部ＷＥ10に対向する部分に幅広部８１３Ａが設けられる構成を有している。
【００６３】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第３実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（７）と同様の作用効果に加え、以下の作用効果がある。
【００６４】
（９）周縁部８１２に、ＳｉＯ２により幅広部８１３Ａおよび幅狭部８１３Ｂが交互に設けられた略リング板状に形成された気相成長制御部８１３を設けている。
このため、幅広部８１３Ａに供給されてウェハエッジ部ＷＥの方向に流される反応ガスの量を、幅広部８１３Ａよりも平面方向長さが短い幅狭部８１３Ｂに供給されてウェハエッジ部ＷＥの方向に流される反応ガスの量よりも多くすることができる。
したがって、幅広部８１３Ａ近傍に位置する第１ウェハエッジ部ＷＥ10のベベル部の気相成長速度を幅狭部８１３Ｂ近傍に位置する第２ウェハエッジ部ＷＥ11のべベル部と比べてより速くする状態に制御して、ベベル部での吸い込みを小さくすることにより、第１ウェハエッジ部ＷＥ10の表面外周部の膜厚を第２ウェハエッジ部ＷＥ11よりもより厚くする状態に制御することができる。よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることができ、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
【００６５】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図１４は、第４実施形態に係るサセプタ８２０の概略構成を示す上面図である。
【００６６】
〔サセプタの構成〕
サセプタ８２０は、図１４に示すように、ウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面８２２Ａおよびこの内周面８２２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面８２２Ｂを有する略リング板状の周縁部８２２と、を備える。
周縁部８２２の内縁には、ノッチ対向部８２２Ｃを基準としたノッチ対向部基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°の部分を円弧方向の略中央とした平面視略三日月状の切欠部８２２Ｅが形成されている。すなわち、内周面８２２Ａにおけるノッチ対向部基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°の部分からウェハ載置部２１の中心までの距離が、４５°、１３５°、２２５°、３１５°の部分よりも長くなる形状に形成されている。
また、周縁部８２２の少なくとも内周面８２２Ａおよび上面８２２Ｂには、例えばＳｉＣ被膜がコーティングされている。さらに、周縁部８２２の上面８２２Ｂには、第１実施形態の嵌合溝２２Ｄと略同一形状の嵌合溝８２２Ｄが形成されている。
そして、嵌合溝８２２Ｄには、気相成長制御部２３が取り付けられている。すなわち、気相成長制御部２３は、内周面２３Ａが周縁部８２２の内周面８２２Ａよりもウェハ載置部２１の載置中心に突出する状態に取り付けられている。
【００６７】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第４実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（７）と同様の作用効果に加え、以下の作用効果がある。
【００６８】
（１０）気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部８２２の内周面８２２Ａよりもウェハ載置部２１の載置中心に突出する状態に設けている。
このため、基板ウェハＷが特定載置状態で載置された際に、気相成長制御部２３が設けられた部分を設けられていない部分よりもウェハエッジ部ＷＥ近傍に位置させることができる。
したがって、気相成長制御部２３が設けられた部分における内縁からウェハ載置部２１の中心までの距離を他の部分と同じにする構成、すなわち第１実施形態のサセプタ２の構成と比べて、気相成長制御部２３に供給されるがウェハエッジ部ＷＥの方向に流れる反応ガスをより確実にウェハエッジ部ＷＥに到達させることができる。よって、表面外周部における膜厚のばらつきをより効率的に抑制できる。
【００６９】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図１５は、第５実施形態に係るサセプタ８３０の概略構成を示す上面図である。
【００７０】
〔サセプタの構成〕
サセプタ８３０は、図１５に示すように、ウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面８３２Ａおよびこの内周面８３２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面８３２Ｂを有する略リング板状の周縁部８３２と、を備える。
周縁部８３２の少なくとも内周面８３２Ａおよび上面８３２Ｂには、例えばＳｉＣ被膜がコーティングされている。また、周縁部８３２の内縁側には、ノッチ対向部８３２Ｃを基準としたノッチ対向部基準角度が４５°の部分を円弧方向の略中央とした平面視略円弧スリット状の嵌合溝８３２Ｄ，８３２Ｅ，８３２Ｆが径方向外側に向けて所定間隔毎に並設されている。これら嵌合溝８３２Ｄ，８３２Ｅ，８３２Ｆは、径方向外側に位置するものほど円弧方向の長さが短くなっている。さらに、周縁部８３２におけるノッチ対向部基準角度が１３５°、２２５°、３１５°の部分にも、嵌合溝８３２Ｄ，８３２Ｅ，８３２Ｆが形成されている。
そして、嵌合溝８３２Ｄ，８３２Ｅ，８３２Ｆには、ＳｉＯ２から成る平面視略円弧スリット状の部品として構成された気相成長制御部８３３Ａ，８３３Ｂ，８３３Ｃが取り付けられている。すなわち、気相成長制御部８３３Ａ，８３３Ｂ，８３３Ｃは、ＳｉＯ２を離散的パターン状に露出させる状態に取り付けられている。
なお、気相成長制御部８３３Ａ，８３３Ｂ，８３３Ｃを離散的パターン状に露出させる構成としては、例えば平面視水玉状など他の離散的パターン状に露出させてもよい。
【００７１】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第５実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（７）と同様の作用効果に加え、以下の作用効果がある。
【００７２】
（１１）気相成長制御部８３３Ａ，８３３Ｂ，８３３Ｃを、ＳｉＯ２が離散的パターン状に露出される状態に設けている。
このため、例えば第１実施形態の気相成長制御部２３のように連続的パターン状に露出させる構成と比べて、例えば気相成長制御部８３３Ａにシリコン膜が形成された場合に、これに伴う気相成長制御部８３３Ｂ，８３３Ｃでのシリコン膜の形成を抑制できる。
したがって、気相成長制御部２３のように連続的パターン状に露出させる構成と比べて、例えばシリコン膜を除去する処理をすることなく、より長時間使用できる。
【００７３】
［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図１６は、第６実施形態に係るサセプタ８４０の概略構成を示す上面図である。
【００７４】
〔サセプタの構成〕
サセプタ８４０は、図１６に示すように、ウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面８４２Ａおよびこの内周面８４２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面８４２Ｂを有する略リング板状の周縁部８４２と、を備える。
周縁部８４２の少なくとも内周面８４２Ａおよび上面８４２Ｂには、例えばＳｉＣ被膜がコーティングされている。
周縁部８４２の上面８４２Ｂには、ノッチ対向部８４２Ｃを基準としたノッチ対向部基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°の部分を円弧方向の略中央とした平面視略三日月状を有し、他の部分よりも単位区画あたりの表面積が大きい低平坦度部８４２Ｄが設けられている。すなわち、特定載置状態で載置された基板ウェハＷの第２ウェハエッジ部ＷＥ11に対向する部分に低平坦度部８４２Ｄが設けられている。また、上面８４２Ｂにおける低平坦度部８４２Ｄ以外の部分は、高平坦度部８４２Ｅとされている。
ここで、低平坦度部８４２Ｄおよび高平坦度部８４２Ｅを設ける方法としては、例えば低平坦度部８４２Ｄの部分の単位区画あたりの表面積が大きくなる状態に部材を設けたり削ったりする方法を適用してもよいし、高平坦度部８４２Ｅの部分の単位区画あたりの表面積が小さくなる状態に部材を設けたり鏡面状態に加工したりする方法を適用してもよい。
【００７５】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第６実施形態によれば、第１実施形態の（１）、（４）〜（７）と同様の作用効果に加え、以下の作用効果がある。
【００７６】
（１２）周縁部８４２に、単位区画あたりの表面積が大きい低平坦度部８４２Ｄを設けている。
このため、低平坦度部８４２Ｄに高平坦度部８４２Ｅと比べて反応ガスが吸着しやすくなり、高平坦度部８４２Ｅに供給されてウェハエッジ部ＷＥの方向に流される反応ガスの量を低平坦度部８４２Ｄに供給されてウェハエッジ部ＷＥの方向に流される反応ガスの量よりも多くすることができる。
したがって、高平坦度部８４２Ｅ近傍に位置する第１ウェハエッジ部ＷＥ10のベベル部の気相成長速度を低平坦度部８４２Ｄ近傍に位置する第２ウェハエッジ部ＷＥ11のベベル部と比べてより速くする状態に制御して、ベベル部での吸い込みを小さくすることにより、第１ウェハエッジ部ＷＥ10の表面外周部の膜厚を第２ウェハエッジ部ＷＥ11よりもより厚くする状態に制御することができる。よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることができ、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
【００７７】
［第７実施形態］
次に、本発明の第７実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図１７は、第７実施形態に係るサセプタ８５０の概略構成を示す上面図である。
【００７８】
〔サセプタの構成〕
サセプタ８５０は、図１７に示すように、ウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面８５２Ａおよびこの内周面８５２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面８５２Ｂを有する略リング板状の周縁部８５２と、を備える。
ウェハ載置部２１には、ノッチＷｄが常に特定の方向に向き、かつ、ノッチＷｄ近傍の外縁が周縁部８５２の内周面８５２Ａに当接する状態で、基板ウェハＷが載置される。すなわち、ウェハ載置部２１には、中心がウェハ載置部２１の中心からずれた状態（以下、中心不一致載置状態と称す）で基板ウェハＷが載置される。
ここで、基板ウェハＷを中心不一致載置状態で載置する方法としては、ウェハ載置部２１の載置面２１Ａや、搬送治具を構成するウェハハンドやリフトピンに傾斜をつけて、基板ウェハＷをノッチＷｄの方向に滑らせた状態で載置する方法が例示できる。
【００７９】
周縁部８５２の少なくとも内周面８５２Ａおよび上面８５２Ｂには、例えばＳｉＣ被膜がコーティングされている。また、周縁部８５２におけるノッチ対向部８５２Ｃを基準としたノッチ対向部基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°となる部分には、第１実施形態の嵌合溝２２Ｄと略同一形状の嵌合溝８５２Ｄ，８５２Ｅ，８５２Ｆ，８５２Ｇが形成されている。
ここで、嵌合溝８５２Ｄ，８５２Ｅ，８５２Ｆ，８５２Ｇは、それぞれの内縁および中心不一致載置状態で載置された基板ウェハＷの外縁が略平行となり、かつ、基板ウェハＷまでの距離Ｎが略同一となる位置に設けられている。すなわち、嵌合溝８５２Ｄ，８５２Ｇは、嵌合溝８５２Ｅ，８５２Ｆよりも周縁部８５２の内縁から離れた位置に設けられている。
そして、嵌合溝８５２Ｄ，８５２Ｅ，８５２Ｆ，８５２Ｇには、気相成長制御部２３が取り付けられている。
【００８０】
〔エピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第７実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（７）と同様の作用効果に加え、以下の作用効果がある。
【００８１】
（１３）サセプタ８５０に、基板ウェハＷをノッチＷｄ近傍の外縁が周縁部８５２の内周面８５２Ａに当接する状態で載置する構成としている。
このため、例えば第１実施形態のようにウェハ載置部２１の略中央に基板ウェハＷを載置する構成と比べて、基板ウェハＷの位置決めを容易にできる。
【００８２】
［他の実施形態］
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
【００８３】
すなわち、第１，３，４，５，７実施形態において、サセプタ２，８１０，８２０，８３０，８５０の気相成長制御部２３，８１３，２３，８３３Ａ〜８３３Ｃ，２３を部品として構成したが、薄膜状に上面２２Ｂ，８１２Ｂ，８２２Ｂ，８３２Ｂ，８５２Ｂや、内周面２２Ａ，８１２Ａ，８２２Ａ，８３２Ａ，８５２Ａに形成してもよい。
また、第１，４，５，７実施形態において、ノッチ対向部基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°となる部分のうちいずれか１，２，３つの部分に気相成長制御部２３，２３，８３３Ａ〜８３３Ｃ，２３を設けない構成としてもよい。
そして、第３実施形態において、ノッチ対向部基準角度が４５°、１３５°、２２５°、３１５°となる部分のうちいずれか１，２，３つの部分に幅広部８１３Ａを設けない構成としてもよい。
また、第２，６実施形態において、ノッチ対向部基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°となる部分のうちいずれか１，２，３つの部分に突出部８０４、低平坦度部８４２Ｄを設けない構成としてもよい。
【００８４】
さらに、ノッチ対向部基準角度が０°、９０°、１８０°、２７０°となる部分のうちいずれか１，２，３つの部分に、反応ガスとの反応が促進される材料により形成された気相成長制御部を設ける構成としてもよい。
このような構成の場合、ウェハエッジ部ＷＥに供給されるウェハ供給反応ガスは、相対的に多くが気相成長制御部の方向に流れることとなる。一方、このような気相成長制御部を設けない場合、ウェハ供給反応ガスは、そのままウェハエッジ部ＷＥに流れ周縁部の方向にほとんど流れない。
このことにより、気相成長制御部近傍に位置するベベル部の気相成長速度を気相成長制御部が存在しない場合と比べて遅くする状態に制御して、このベベル部における吸い込みを大きくすることにより、気相成長制御部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を気相成長制御部が存在しない場合よりも薄くする状態に制御することができる。したがって、気相成長制御部を反応ガスとの反応を促進する材料により形成するだけで、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることができ、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
【００８５】
本発明を実施するための最良の構成などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部若しくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明のサセプタは、エピタキシャルウェハを製造するにあたって、基板ウェハの表面外周部におけるエピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制できるため、エピタキシャルウェハを製造する製造装置に用いられるサセプタとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るエピタキシャルウェハの製造装置を模式的に示す断面図である。
【図２】前記第１実施形態におけるサセプタの概略構成を示す図であり、（Ａ）はサセプタの上面図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線の断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）におけるＣ−Ｃ線の断面図である。
【図３】エピタキシャルウェハの製造装置の作用を説明するための実験に用いた実施例１，２，３のサセプタの上面図である。
【図４】実施例１のサセプタを用いたエピタキシャルウェハの製造時における第１ウェハエッジ部の状態およびエピタキシャル膜の膜厚分布を示す図である。
【図５】エピタキシャルウェハの製造装置の作用を説明するための実験に用いた比較例のサセプタの上面図である。
【図６】比較例のサセプタを用いたエピタキシャルウェハの製造時における第１ウェハエッジ部の状態およびエピタキシャル膜の膜厚分布を示す図である。
【図７】実施例１のサセプタを用いて製造したエピタキシャルウェハにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
【図８】実施例２のサセプタを用いて製造したエピタキシャルウェハにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
【図９】実施例３のサセプタを用いて製造したエピタキシャルウェハにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
【図１０】比較例のサセプタを用いて製造したエピタキシャルウェハにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
【図１１】本発明の第２実施形態に係るサセプタの概略構成を示す図であり、（Ａ）はサセプタの上面図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ−Ｂ線の断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）におけるＣ−Ｃ線の断面図である。
【図１２】前記第２実施形態における各ノッチ対向部基準角度での周縁本体部の上面を基準とした内周縁の高さを表す図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
【図１５】本発明の第５実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
【図１６】本発明の第６実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
【図１７】本発明の第７実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１・・・製造装置
２，５００，５１０，５２０，８００，８１０，８２０，８３０，８４０，８５０・・・サセプタ
３・・・反応容器
４・・・加熱装置
２１・・・ウェハ載置部
２１Ａ・・・載置面
２２，５０２，５１２，５２２，８０２，８１２，８２２，８３２，８４２，８５２・・・周縁部
２２Ａ，５０２Ａ，５１２Ａ，５２２Ａ，８１２Ａ，８２２Ａ，８３２Ａ，８４２Ａ，８５２Ａ・・・内周面
２２Ｂ，５０２Ｂ，５１２Ｂ，５２２Ｂ，８１２Ｂ，８２２Ｂ，８３２Ｂ，８４２Ｂ，８５２Ｂ・・・上面
２３，５０３，５１３，５２３，８０５，８１３，８３３Ａ，８３３Ｂ，８３３Ｃ・・・気相成長制御部
２３Ａ・・・内周面
２３Ｂ・・・上面
８０３・・・周縁本体部
８０４・・・突出部
８４２Ｄ・・・低平坦度部
Ｗ・・・基板ウェハ
ＷＥ101・・・ベベル部
ＷＥ102・・・表面外周部
ＥＰ・・・エピタキシャル膜
ＥＰＷ・・・エピタキシャルウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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