(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の特性を満足するネマチック相を有する液晶組成物と、この組成物を含有する液晶表示素子を提供する。【解決手段】  式（１）〜式（３）の化合物を含有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子。2007169460.tif 0000662007169460.tif 0000672007169460.tif 000068【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
2007169460.tif 000045
2007169460.tif 000046
2007169460.tif 000047
ここで、Ｒ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ３は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり；Ｒ４およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり；Ｙ１は水素またはフッ素であり；そしてｍおよびｎは独立して０または１である。
【請求項２】
液晶性化合物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から７０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲である請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
第４成分として式（４−１）〜（４−５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する請求項１に記載の液晶組成物。
2007169460.tif 000048
2007169460.tif 000049
2007169460.tif 000050
2007169460.tif 000051
2007169460.tif 000052
ここで、Ｒ６は炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｘ2はフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり；そしてＹ2は水素またはフッ素である。
【請求項４】
液晶性化合物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から７０重量％の範囲であり、第３成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から８０重量％の範囲である請求項３に記載の液晶組成物。
【請求項５】
第１成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、そして第４成分として式（４−１）〜式（４−５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、実質的にこれらの成分のみからなり、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
2007169460.tif 000053
2007169460.tif 000054
2007169460.tif 000055
2007169460.tif 000056
2007169460.tif 000057
2007169460.tif 000058
2007169460.tif 000059
2007169460.tif 000060
ここでＲ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ３は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり、Ｒ４およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｒ６は炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｘ１およびＸ2は独立してフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり；Ｙ１およびＹ2は独立して水素またはフッ素であり；そしてｍおよびｎは独立して０または１である。
【請求項６】
液晶性化合物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から７０重量％の範囲であり、第３成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から８０重量％の範囲である請求項５に記載の液晶組成物。
【請求項７】
第１成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、そして第４成分として式（４−２）および式（４−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、実質的にこれらの成分のみからなり、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
2007169460.tif 000061
2007169460.tif 000062
2007169460.tif 000063
2007169460.tif 000064
2007169460.tif 000065
ここでＲ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ３は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり、Ｒ４およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｒ６は炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｘ１およびＸ2は独立してフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり；Ｙ１およびＹ2は独立して水素またはフッ素であり；そしてｍおよびｎは独立して０または１である。
【請求項８】
紫外線吸収剤をさらに含有する請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子などに適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子などに関する。この組成物はネマチック相および正の誘電率異方性を有する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−１０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。
【０００４】
2007169460.tif 000002
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）は、コントラスト比を最大にするように設計される。適切な積の値は動作モードの種類に依存する。ＴＮのようなモードの素子では、適切な値は約０．４５μｍである。この場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する組成物が好ましい。組成物における大きな誘電率異方性は素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。紫外線および熱に対する組成物の安定性は、液晶表示素子の寿命に関する。これらの安定性が高いとき、この素子の寿命は長い。このような特性は、液晶プロジェクター、液晶テレビなどに用いるＡＭ素子に好ましい。
【０００６】
従来の組成物は、下記の特許文献１から３に開示されている。
【特許文献１】特開平１０−２０４０１６号公報
【特許文献２】特開２００３−１７６２５１号公報
【特許文献３】特開２００４−３５２９９２号公報
【０００７】
望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、しきい値電圧が低い、電圧保持率が大きい、寿命が長い、などの特性を有する。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物の望ましい特性は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適当な光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性、などである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的の一つは、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、適当な光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。別の目的は、このような組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。本発明の側面は、低いしきい値電圧、０．０６〜０．１０の光学異方性、熱に対する高い安定性などを有する組成物であり、そして短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、第２成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子である。
【００１０】
2007169460.tif 000003
2007169460.tif 000004
2007169460.tif 000005
【００１１】
ここで、Ｒ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ３は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり、Ｒ４およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり、Ｘ１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり、Ｙ１は水素またはフッ素であり、ｍおよびｎは独立して０または１である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。この組成物の多くは、低いしきい値電圧、０．０６〜０．１０の光学異方性、熱に対する高い安定性などを有し、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子に適する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物または液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物を意味する。この有用な化合物は１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を含有し、棒状（rod like）の分子構造を有する。光学活性な化合物は組成物に添加されることがある。この化合物が液晶性化合物であったとしても、ここでは添加物として分類される。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。式（１）で表される化合物の群も「化合物（１）」と略すことがある。他の式で表される化合物についても同様である。
【００１４】
ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。「第１成分の割合」は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。第２成分の割合などにおいても同様である。組成物に混合される添加物の割合は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
【００１５】
本発明の詳細は、下記の項などである。
１．  第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【００１６】
2007169460.tif 000006
2007169460.tif 000007
2007169460.tif 000008
【００１７】
ここで、Ｒ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ３は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり；Ｒ４およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり；Ｙ１は水素またはフッ素であり；そしてｍおよびｎは独立して０または１である。
【００１８】
２．  液晶性化合物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から７０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲である項１に記載の液晶組成物。
【００１９】
３．  第４成分として式（４−１）〜（４−５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する項１に記載の液晶組成物。
2007169460.tif 000009
2007169460.tif 000010
2007169460.tif 000011
2007169460.tif 000012
2007169460.tif 000013
ここで、Ｒ６は炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｘ2はフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり；そしてＹ2は水素またはフッ素である。
【００２０】
４．  液晶性化合物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から７０重量％の範囲であり、第３成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から８０重量％の範囲である項３に記載の液晶組成物。
【００２１】
５．  第１成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、そして第４成分として式（４−１）〜式（４−５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、実質的にこれらの成分のみからなり、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
2007169460.tif 000014
2007169460.tif 000015
2007169460.tif 000016
2007169460.tif 000017
2007169460.tif 000018
2007169460.tif 000019
2007169460.tif 000020
2007169460.tif 000021
【００２２】
ここでＲ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ３は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり、Ｒ４およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｒ６は炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｘ１およびＸ2は独立してフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり；Ｙ１およびＹ2は独立して水素またはフッ素であり；そしてｍおよびｎは独立して０または１である。
【００２３】
６．  液晶性化合物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から７０重量％の範囲であり、第３成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から８０重量％の範囲である項５に記載の液晶組成物。
【００２４】
７．  第１成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物、そして第４成分として式（４−２）および式（４−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、実質的にこれらの成分のみからなり、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【００２５】
2007169460.tif 000022
2007169460.tif 000023
2007169460.tif 000024
2007169460.tif 000025
2007169460.tif 000026
【００２６】
ここでＲ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ３は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり、Ｒ４およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｒ６は炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｘ１およびＸ2は独立してフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３であり；Ｙ１およびＹ2は独立して水素またはフッ素であり；そしてｍおよびｎは独立して０または１である。
【００２７】
８．  紫外線吸収剤をさらに含有する項１から７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２８】
９．  項１から８のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２９】
本発明は、次の項も含む。１）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、２）酸化防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤などの添加物をさらに含有する上記の組成物。３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。
【００３０】
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分化合物の具体的な例を示す。第六に、成分化合物の合成法を説明する。第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。
【００３１】
第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の液晶性化合物、添加物、不純物などをさらに含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物（１）、化合物（２）、化合物（３）、および化合物（４−１）〜（４−５）とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである
【００３２】
組成物Ｂは、実質的に化合物（１）、化合物（２）、化合物（３）、および化合物（４−１）〜（４−５）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物と異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストを下げるためから組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。
【００３３】
第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。記号Ｌ、Ｍ、Ｓは、成分化合物のあいだの定性的な比較に基づいた分類である。
【００３４】
表２．化合物の特性
2007169460.tif 000027
【００３５】
成分化合物を組成物に混合したとき、成分化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１）は光学異方性を下げ、そして誘電率異方性を上げる。化合物（２）は光学異方性を下げ、そして粘度を下げる。化合物（３）は上限温度を上げる。化合物（４−１）〜（４−５）は誘電率異方性を上げる。
【００３６】
第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第１成分の好ましい割合は、光学異方性を下げ、そして誘電率異方性を上げるために５％以上であり、下限温度を下げるために４０％以下である。さらに好ましい割合は１０％から３５％の範囲である。特に好ましい割合は１０％から３０％の範囲である。
【００３７】
第２成分の好ましい割合は、粘度を下げるために５％以上であり、そして上限温度を上げるために７０％以下である。さらに好ましい割合は２０％から７０％の範囲である。特に好ましい割合は２０％から６０％の範囲である。
【００３８】
第３成分の好ましい割合は上限温度を上げるために５％以上であり、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために３０％以下である。さらに好ましい割合は１０％から３０％の範囲である。特に好ましい割合は１０％から２５％の範囲である。
【００３９】
第４成分は、特に大きな誘電率異方性を有する組成物の調製に適している。第４成分の好ましい割合は、光学異方性を下げ、そして誘電率異方性を上げるために５％以上であり、下限温度を下げるために８０％以下である。さらに好ましい割合は５％から７０％の範囲である。特に好ましい割合は１０％から６５％の範囲である。
【００４０】
組成物Ａにおいて、第１成分、第２成分、第３成分、および第４成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。組成物Ｂにおける４つの成分の合計は１００％である。
【００４１】
第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。Ｒ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。Ｒ３は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシである。Ｒ４〜Ｒ６は独立して炭素数１〜１２のアルキルである。好ましいＲ４〜Ｒ６は炭素数１〜１０の直鎖アルキルである。
【００４２】
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、粘度を下げるためなどからエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。
【００４３】
好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、小さな粘度の観点などからビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。これらのアルケニルにおいては、分岐よりも直鎖のアルケニルが好ましい。
【００４４】
好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキサオキシ、ヘプタオキシ、またはオクタオキシである。さらに好ましいアルコキシは、粘度を下げるためなどからメトキシ、エトキシ、プロポキシ、またはブトキシである。
【００４５】
Ｘ１およびＸ２は独立してフッ素、塩素、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、または−ＯＣＦ３である。好ましいＸ１およびＸ２は、大きな誘電率異方性および熱に対する高い安定性の観点からフッ素またはトリフルオロメトキシ（−ＯＣＦ３）である。
【００４６】
Ｙ１およびＹ２は独立して水素またはフッ素である。好ましいＹ１およびＹ２は、大きい誘電率異方性および低い下限温度の観点からフッ素である。
【００４７】
第五に、成分化合物の具体的な例を示す。下記の好ましい化合物において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、上限温度を上げるためにシスよりもトランスが好ましい。成分化合物の化学式において、Ｒ１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（１−２）のＲ１がエチルであるケースがある。化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（１−２）のＲ１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ２、Ｒ３などにも適用される。
【００４８】
好ましい化合物（１）は化合物（１−１）〜（１−３）である。さらに好ましい化合物（１）は誘電率異方性を上げるためと粘度を下げるために化合物（１−２）である。好ましい化合物（２）は化合物（２−１）〜（２−４）である。さらに好ましい化合物（２）は光学異方性を下げるためと下限温度を下げるために化合物（２−２）である。
【００４９】
好ましい化合物（３）は化合物（３−１）および（３−２）である。好ましい化合物（４）は化合物（４−１）〜（４−５）である。好ましい化合物（４−１）は化合物（４−１−１）〜（４−１−１０）である。さらに好ましい化合物（４−１）は誘電率異方性を上げるためと粘度を下げるために化合物（４−１−５）および（４−１−６）である。好ましい化合物（４−２）は化合物（４−２−１）〜（４−２−１０）である。さらに好ましい化合物（４−２）は誘電率異方性を上げるためと粘度を下げるために化合物（４−２−５）および（４−２−６）である。好ましい化合物（４−３）は化合物（４−３−１）〜（４−３−１０）である。さらに好ましい化合物（４−３）は誘電率異方性を上げるためと粘度を下げるために化合物（４−３−５）および（４−３−６）である。好ましい化合物（４−４）は化合物（４−４−１）〜（４−４−１０）である。さらに好ましい化合物（４−４）は誘電率異方性を上げるためと粘度を下げるために化合物（４−４−５）および（４−４−６）である。好ましい化合物（４−５）は化合物（４−５−１）〜（４−５−１０）である。さらに好ましい化合物（４−５）は誘電率異方性を上げるためと粘度を下げるために化合物（４−５−５）および（４−５−６）である。
【００５０】
2007169460.tif 000028
【００５１】
2007169460.tif 000029
【００５２】
2007169460.tif 000030
【００５３】
2007169460.tif 000031
【００５４】
2007169460.tif 000032
【００５５】
2007169460.tif 000033
【００５６】
2007169460.tif 000034
【００５７】
2007169460.tif 000035
【００５８】
2007169460.tif 000036
【００５９】
2007169460.tif 000037
【００６０】
2007169460.tif 000038
【００６１】
2007169460.tif 000039
【００６２】
2007169460.tif 000040
【００６３】
第六に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１−２）は、国際公開９８／１７６６４号パンフレットに記載された方法で合成する。化合物（２−１）は、特開昭５９−７０６２４号公報および特開昭６０−１６９４０号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３）は、特開昭５７−１６５３２８号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−２）は、特表平４−５０１５８１号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−１−６）、（４−２−６）、（４−３−６）および（４−５−６）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−４−６）は、特開平１０−２０４０１６号公報に記載された方法で合成する。
【００６４】
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分化合物を混合し、そして加熱によって互いに溶解させる。
【００６５】
第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。このような化合物の例は、化合物（６−１）〜（６−４）である。光学活性な化合物の好ましい割合は５％以下である。さらに好ましい割合は０．０１％から２％の範囲である。
【００６６】
2007169460.tif 000041
【００６７】
ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるためにアゾ系色素、アントラキノン系色素などのような二色性色素（dichroic dye）が組成物に混合される。色素の好ましい割合は、０．０１％から１０％の範囲である。大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、または、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、酸化防止剤が組成物に混合される。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように６００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は、１００ｐｐｍから３００ｐｐｍの範囲である。
【００６８】
2007169460.tif 000042
【００６９】
酸化防止剤の好ましい例は、ｎが１〜９の整数である化合物（５）などである。化合物（５）において、好ましいｎは、１、３、５、７、または９である。さらに好ましいｎは１または７である。ｎが１である化合物（５）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。ｎが７である化合物（５）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。式（５）のｎが１である化合物は、市販されている。この化合物は、例えばアルドリッチ（Aldrich）社から販売されている。ｎが７である化合物（５）などは、米国特許３６６０５０５号明細書に記載された方法によって合成する。
【００７０】
紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。紫外線吸収剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように１００００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は１００ｐｐｍから１０００ｐｐｍの範囲である。
【００７１】
最後に、組成物の用途を説明する。大部分の組成物は、−１０℃以下の下限温度、７０℃以上の上限温度、そして０．０６〜０．１０の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型または半透過のＡＭ素子に特に適する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．０６〜０．１１の光学異方性を有する組成物、さらには０．０５〜０．１２の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。
【００７２】
この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮまたはＯＣＢモードを有する素子への使用は特に好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【実施例】
【００７３】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。
表３において、１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめた。
【００７４】
2007169460.tif 000043
【００７５】
組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。しかし、組成物をガスクロマト分析することによって成分の割合を正確に算出するのは容易でない。補正係数が液晶性化合物の種類に依存するからである。幸いなことに補正係数はほぼ１である。さらに、成分化合物における１重量％の差異が組成物の特性に与える影響は小さい。したがって、本発明においてはガスクロマトグラフにおける成分ピークの面積比を成分化合物の重量％と見なすことができる。つまり、ガスクロマト分析の結果（ピークの面積比）は、補正することなしに液晶性化合物の重量％と等価であると考えてよいのである。
【００７６】
試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶の測定値）／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
【００７７】
母液晶の組成は下記のとおりである。
【００７８】
2007169460.tif 000044
【００７９】
特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。
【００８０】
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【００８１】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【００８２】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。
【００８３】
回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。ツイスト角が０°であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍである素子に試料を入れた。ＴＮ素子に１６ボルトから１９．５ボルトの範囲で０．５ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度を測定した素子を用い、下に記載した方法で求めた。
【００８４】
光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。
【００８５】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【００８６】
しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。
【００８７】
電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。
【００８８】
紫外線に対する安定性：紫外線を照射したあと、電圧保持率（ＶＨＲ−２；２５℃；％）および上限温度（ＮＩ（ＵＶ））を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−２を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍである。この素子に試料を注入し、光を２００分間照射した。光源は超高圧水銀ランプＵＳＨ−５００Ｄ（ウシオ電機製）であり、素子と光源の間隔は２０ｃｍである。ＶＨＲ−２の測定では、減衰する電圧を１６．７ミリ秒のあいだ測定した。
【００８９】
熱に対する安定性：試料を注入したＴＮ素子を１２０℃の恒温槽内で５００時間加熱したあと、電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）と上限温度（ＮＩ（Ｈ））を測定し、熱に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−３を有する組成物は熱に対して大きな安定性を有する。ＮＩとＮＩ（Ｈ）との差が小さい組成物は熱に対して大きな安定性を有する。ＶＨＲ−３の測定では、減衰する電圧を１６６７ミリ秒のあいだ測定した。
【００９０】
応答時間（τ；２５℃で測定；ミリ秒）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。立ち上がり時間（τｒ：rise time）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立下がり時間（τｆ：fall time）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立上がり時間と立下り時間との和である。
【００９１】
ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
【００９２】
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、成分化合物の重量％は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。
【００９３】
比較例１
特開２００４−３５２９９２号公報に開示された組成物の中から実施例６を選んだ。根拠は、この組成物が化合物（１）および（２）を含有し、そして小さな光学異方性を有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。
【００９４】
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）            ８％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−２−６）        ７％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−２−６）        ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−２−６）        ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−２−６）        ３％
２−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）      １１％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）      １２％
５−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）        ８％
３−ＨＨ１ＯＨ−３                        （−）                ３％
４−ＨＨ１ＯＨ−３                        （−）                ４％
３−ＨＨ１ＯＨ−５                        （−）                ２％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          （−）                ３％
２−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ６％
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
ＩＳ−８７２０                            （−）                ３％
ＮＩ＝８８．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．０６６；Δε＝１２．４；η＝３３．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．２％；ＶＨＲ−２＝９１．７％
【００９５】
実施例１
実施例１の組成物は、比較例１のそれと比較して、低いΔｎ、低い下限温度を有する。
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
４−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
２−ＨＨ−３                              （２−１）            ７％
３−ＨＨ−４                              （２−１）            ３％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２２％
５−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２２％
３−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ３％
３−ＨＨＥＨ−５                          （３−１）            ３％
４−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ３％
４−ＨＨＥＨ−５                          （３−１）            ３％
３−ＨＨＥＢＨ−３                        （３−２）            ３％
３−ＨＨＥＢＨ−４                        （３−２）            ４％
３−ＨＨＥＢＨ−５                        （３−２）            ３％
ＮＩ＝８４．９℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０５３；Δε＝４．４；η＝１９．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９８．４％
【００９６】
実施例２
３−ＧＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （１−１）            ６％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （１−１）            ６％
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３          （１−３）            ４％
４−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３          （１−３）            ４％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３          （１−３）            ４％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２２％
５−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２２％
３−ＨＨＢ−１                            （２−３）            ７％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                          （２−４）            ３％
３−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ３％
３−ＨＨＥＨ−５                          （３−１）            ３％
４−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ３％
４−ＨＨＥＨ−５                          （３−１）            ３％
３−ＨＨＥＢＨ−３                        （３−２）            ３％
３−ＨＨＥＢＨ−４                        （３−２）            ４％
３−ＨＨＥＢＨ−５                        （３−２）            ３％
ＮＩ＝８６．１℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０５４；Δε＝４．３；η＝２０．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．６％；ＶＨＲ−２＝９８．６％
【００９７】
実施例３
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ７％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）            ５％
４−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ５％
４−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１−６）        ８％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１−６）        ８％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                      （４−２−１）        ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                      （４−２−１）        ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ              （４−２−３）        ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                （４−２−５）        ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                （４−２−５）        ７％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）      １８％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）      ２０％
ＮＩ＝８５．１℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０６６；Δε＝１２．７；η＝３０．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．１２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．２％；ＶＨＲ−２＝９８．３％
【００９８】
実施例４
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ７％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）            ５％
４−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ５％
３−ＧＨＢ（Ｆ）−Ｆ                      （４−１−１）        ４％
５−ＧＨＢ（Ｆ）−Ｆ                      （４−１−１）        ４％
３−ＧＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                （４−１−５）        ４％
５−ＧＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                （４−１−５）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＣＬ                    （４−２−２）        ３％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＣＦ３                  （４−２−４）        ３％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−２−６）        ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ          （４−２−８）        ７％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ                    （４−３−１）        ７％
２−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−３−６）        ２％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−３−６）        ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ）−Ｆ                    （４−４−１）        ３％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ            （４−４−３）      １０％
５−ＨＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （４−４−５）      １０％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ        （４−４−８）      １０％
ＮＩ＝８０．４℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０６２；Δε＝１３．８；η＝３１．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝０．９８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．２％；ＶＨＲ−２＝９７．９％
【００９９】
実施例５
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ７％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）            ５％
３−ＨＨＥＢＨ−５                        （３−２）            ７％
４−ＧＨＢ（Ｆ）−ＣＬ                    （４−１−２）        ４％
３−ＧＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ              （４−１−３）        ４％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＬ                （４−１−７）        ４％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ          （４−１−８）        ４％
２−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３              （４−１−９）        ４％
１−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３            （４−１−１０）      ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３              （４−２−９）        ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３            （４−２−１０）      ７％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ            （４−３−３）        ５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ        （４−３−８）        ５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３          （４−３−１０）      ５％
２−ＨＨＸＢ（Ｆ）−ＣＬ                  （４−４−２）        ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ）−ＣＦ３                （４−４−４）        ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＬ              （４−４−７）        ３％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３            （４−４−９）        ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ）−Ｆ                      （４−５−１）        ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ              （４−５−３）        ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                （４−５−５）        ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−５−６）        ３％
ＮＩ＝８３．４℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０５９；Δε＝１３．８；η＝３１．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝０．９８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．３％；ＶＨＲ−２＝９８．０％
【０１００】
実施例６
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
４−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２２％
５−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２２％
Ｖ−ＨＨＢ−１                            （２−３）            ５％
３−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ５％
４−ＧＨＢ（Ｆ）−ＣＦ３                  （４−１−４）        ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＬ                （４−２−７）        ４％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−ＣＦ３                （４−３−４）        ４％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３            （４−３−９）        ４％
３−ＨＧＢ（Ｆ）−ＣＦ３                  （４−５−４）        ３％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３              （４−２−９）        ３％
ＮＩ＝８２．０℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０５７；Δε＝６．４；η＝２１．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７３Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９８．５％
【０１０１】
実施例７
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
４−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
Ｖ−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）            ４％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２０％
５−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          １６％
３−ＨＨＥＢＨ−３                        （３−２）            ４％
３−ＨＨＥＢＨ−４                        （３−２）            ３％
３−ＨＨＥＢＨ−５                        （３−２）            ３％
２−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＬ              （４−３−７）        ４％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３          （４−４−１０）      ４％
５−ＨＧＢ（Ｆ）−ＣＬ                    （４−５−２）        ４％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＬ                （４−５−７）        ４％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ          （４−５−８）        ５％
１−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３            （４−５−１０）      ５％
ＮＩ＝８４．１℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０６１；Δε＝５．７；η＝１９．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８３Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．４％；ＶＨＲ−２＝９８．７％
【０１０２】
実施例８
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
４−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２４％
５−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          １６％
３−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ３％
３−ＨＨＥＨ−５                          （３−１）            ３％
４−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ２％
４−ＨＨＥＨ−５                          （３−１）            ２％
２−ＨＨＥＢ（Ｆ）−ＣＬ                  （４−３−２）        ４％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （４−３−５）        ４％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ）−ＣＬ                  （４−４−２）        ４％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （４−４−５）        ４％
５−ＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （−）                ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （−）                ５％
ＮＩ＝８１．７℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０６０；Δε＝５．８；η＝２０．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．４％；ＶＨＲ−２＝９８．７％
【０１０３】
実施例９
３−ＧＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （１−１）          １０％
２−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３          （１−３）            ７％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３          （１−３）            ７％
３−ＨＨ−４                              （２−１）            ５％
３−ＨＨ−Ｖ                              （２−１）            ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１                            （２−３）            ５％
３−ＨＨＥＢＨ−３                        （３−２）            ５％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１−６）        ４％
４−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１−６）        ６％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１−６）        ６％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−２−６）        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−２−６）        ５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ                    （４−３−１）        ５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （４−３−５）        ５％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）        ５％
２−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）        ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）        ５％
５−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）        ５％
ＮＩ＝８３．４℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０６３；Δε＝７．８；η＝２４．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．３％；ＶＨＲ−２＝９８．１％
【０１０４】
実施例１０
３−ＧＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （１−１）          １０％
１−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ７％
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ７％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          １０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                          （２−４）            ５％
３−ＨＨＥＢＨ−５                        （３−２）            ５％
１−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１−６）        ４％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ          （４−１−８）        ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                      （４−２−１）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                （４−２−５）        ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−２−６）        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ          （４−２−８）        ５％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３              （４−４−５）      １０％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （４−４−６）      １０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                （４−５−５）        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−５−６）        ５％
ＮＩ＝８２．９℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０６１；Δε＝７．６；η＝２３．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．３％；ＶＨＲ−２＝９８．２％
【０１０５】
実施例１１
３−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
４−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
５−ＧＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （１−２）            ８％
３−ＨＢ−Ｏ２                            （−）                ７％
３−ＨＨ−４                              （２−１）            ３％
３−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２２％
５−ＨＨ−Ｏ１                            （２−２）          ２２％
３−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ３％
３−ＨＨＥＨ−５                          （３−１）            ３％
４−ＨＨＥＨ−３                          （３−１）            ３％
４−ＨＨＥＨ−５                          （３−１）            ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３                    （−）                ３％
３−ＨＨＥＢＨ−４                        （３−２）            ４％
３−ＨＨＥＢＨ−５                        （３−２）            ３％
ＮＩ＝８４．１℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０５９；Δε＝４．４；η＝１９．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９８．２％