(57)【要約】【課題】大面積で膜厚が薄く、湾曲しているようなＬＰＥ膜であっても、その表面に現れている微細周期の凸部を選択的に除去して表面を平坦化できるようにし、形状の揃った微細な内部構造を高密度で実現する。【解決手段】非磁性基板１０の表面に微細周期の凹部もしくは凸部１６を縦横２次元的に配列形成し、その凹凸面上の全面にわたってＬＰＥ法により磁性ガーネット結晶を育成することによって非磁性基板の凹凸形状を反映した表面を有するＬＰＥ膜２０を形成し、次いで磁気研磨法により砥粒が付着したもしくは砥粒を含んだ磁気ブラシを用いてＬＰＥ膜表面をさすることによりＬＰＥ膜表面の凸部を選択的に研磨除去し、ＬＰＥ膜表面を平坦化した磁気光学デバイスを製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の表面に微細周期の凹部もしくは凸部を縦横２次元的に配列形成し、その凹凸面上の全面にわたってＬＰＥ法により磁性ガーネット結晶を育成することによって非磁性基板の凹凸形状を反映した表面を有するＬＰＥ膜を形成し、次いで磁気研磨法により砥粒が付着したもしくは砥粒を含んだ磁気ブラシを用いてＬＰＥ膜表面をさすることによりＬＰＥ膜表面の凸部を選択的に研磨除去し、ＬＰＥ膜表面を平坦化することを特徴とする磁気光学デバイスの製造方法。
【請求項２】
ＬＰＥ膜は、１０ｍｍ角以上の面積を有し、凹凸の形成周期が２０μｍ以下であって、膜厚の最小値が４μｍ以下で且つ表面凹凸が１μｍ以上の磁性ガーネット単結晶膜を、磁気研磨法により、膜厚の最小値が１．５μｍ以上で且つ表面凹凸が０．１μｍ以下まで平坦化する請求項１記載の磁気光学デバイスの製造方法。
【請求項３】
ＬＰＥ膜は、１０ｍｍ角以上の面積を有し、凹凸の形成周期が２０μｍ以下であって、許容研磨代（研磨可能な厚み）が２．５μｍ以下で且つ表面凹凸が１μｍ以上の磁性ガーネット単結晶膜を、磁気研磨法により、許容研磨代以内の研磨で表面凹凸が０．１μｍ以下まで平坦化する請求項１記載の磁気光学デバイスの製造方法。
【請求項４】
非磁性基板表面に微細周期の凹凸が形成されているＬＰＥ膜を有するワークを、非磁性容器内でワックスにより固定し、磁気研磨液を入れ、研磨液保持具を該ワークの表面近傍に間隔をおいて対向配置し、該研磨液保持具を回転させ、研磨液保持具をワーク表面に沿って動かして研磨することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気光学デバイスの製造方法。
【請求項５】
非磁性基板表面の凸部がピクセル間ギャップ部に形成される仕切り壁であり、ＬＰＥ膜の格子状の凸部を研磨除去して平坦化する請求項４記載の磁気光学デバイスの製造方法。
【請求項６】
非磁性基板表面の凹部がピクセル間ギャップ部に形成される格子状の仕切り溝であり、凸部が縦横配列された多数の矩形状のピクセル対応箇所であり、ＬＰＥ膜の多数の矩形状の凸部を研磨除去して全体を平坦化する請求項４記載の磁気光学デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ファラデー効果を利用する磁気光学デバイスの製造方法に関し、更に詳しく述べると、非磁性基板表面の凹凸形状を反映した表面を有するＬＰＥ膜の微細周期の凸部を、磁気研磨法を利用して選択的に研磨除去することにより、ＬＰＥ膜表面を平坦化する磁気光学デバイスの製造方法関するものである。この技術は、例えば、ピクセルとなる磁性ガーネット結晶（磁気光学結晶）が多数、２次元アレイ状に規則的に密に配列されている磁気光学空間光変調器などに有用である。
【背景技術】
【０００２】
ＬＰＥ膜を用いる磁気光学デバイスとしては、光通信分野では光アイソレータや光スイッチなどがあり、光情報処理分野では磁気光学空間光変調器（ＭＯＳＬＭ）などがある。磁気光学空間光変調器は、光の振幅、位相、偏光状態を、ＬＰＥ膜のファラデー効果を利用して空間的に変調する磁気光学デバイスであり、近年、ホログラム記録、各種ディスプレイなどへの応用が期待されている。このような磁気光学空間光変調器は、光を並列処理するために、電流による磁界印加によってＬＰＥ膜の磁化方向を独立に制御可能な多数のピクセル（画素）を２次元アレイ状に配列した構成となっている。
【０００３】
このような磁気光学空間光変調器においては、各ピクセルは１個１個完全に独立した個別の素子ではなく、実際には、ＬＰＥ法（液相エピタキシャル法）などによって基板上の全面に磁性膜を育成し、その磁性膜を多数のピクセルに磁気的に区画した集積構造が採用されている。これは、各ピクセルが非常に小さく且つ正確に密に配列されている必要があるためである。従って、各ピクセルの磁化反転に際しては、任意のピクセルが隣接する他のピクセルに影響を及ぼさないような構造にする必要がある。
【０００４】
各々のピクセルを磁気的に分離する方法としては、磁性ガーネット材料上の各ピクセル対応箇所にＳｉ等の酸化可能な膜パターンを形成し、全体を熱処理することにより、Ｓｉ膜直下の磁性ガーネット材料を還元して変質させ、ピクセル単位で磁化反転が可能となるようにする技術がある（特許文献１参照）。しかし、Ｓｉのような酸化可能な膜を用いて磁性ガーネット材料全体を熱処理すると、熱拡散のためにＳｉ膜周辺も還元してしまうため、各ピクセルの輪郭が不明瞭となり、ピクセルサイズにもばらつきが生じる。そのためピクセル間距離を大きく取らなければならない。ピクセル間ギャップ長が大きくなると、単位面積当たりの情報量が少なくなってしまうため、大量の情報を高速で処理する用途には不向きとなる。
【０００５】
そこで、本発明者等は、非磁性基板表面の各ピクセル対応箇所を予め掘り下げることで周囲のピクセル間ギャップ部が残って仕切り壁となるように加工し、その非磁性基板上のほぼ全面に磁気光学結晶を成膜し、ギャップ部上に成長した磁性膜の凸部を除去して平坦化する磁気光学デバイスの製造方法を案出した。この方法によって、非磁性基板表面に形成されている凹部に磁気光学結晶が埋設され、それら磁気光学結晶同士が非磁性基板と一体の仕切り壁により磁気的に分離した高密度、高性能の磁気光学デバイスを製造できる。
【０００６】
しかし、ここで問題となるのは、大面積の磁性膜では、凸部のみを除去して平坦化することが非常に難しいという点である。磁性膜表面の平坦化は、後工程で配線などの微細構造を積層するため必要である。従来の一般的なラッピングやポリッシングによる研磨方法は、ラップとワークを砥粒を介して擦り合わせる研磨法であるため、研磨面は、ワークとラップの平行度に左右される。通常、ＬＰＥ育成された直径１インチサイズの磁性ガーネット結晶をラッピングあるいはポリッシングする場合は、ワークの反り（湾曲）やワークを定盤に接着する場合は接着むらなどにより、数μｍ以上の高さむらがあるため、磁性膜全体を研磨するには数μｍ以上、少なくとも５μｍは必要である。ところが、磁気光学式空間光変調器として磁性ガーネット結晶を育成したＬＰＥ膜では、通常、膜厚４μｍ以下で且つ表面凹凸が１μｍ以上である。このようにＬＰＥ膜は非常に薄いため研磨代の余裕がほとんど無く、通常の加圧方式の研磨（例えばラッピングやポリッシングなど）によれば、基板の中央部では凸部のみならず凹部も研磨され平坦化の前に磁性ガーネット結晶が削り取られてしまったり、基板の周辺部では凸部でも研磨されずにそのまま残るといった不具合が起こる。
【０００７】
更に、従来周知の技術として、化学的エッチングやイオンミリングなどの研磨加工方法もあるが、これらは、凸部も凹部も同様に削り取るため、凸部のみを研磨除去する平坦化には適用できない。
【特許文献１】米国特許第５，４７３，４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、大面積で膜厚が薄く、湾曲しているようなＬＰＥ膜であっても、その表面に現れている微細周期の凸部を選択的に除去して表面を平坦化できるようにし、形状の揃った微細な内部構造を高密度で実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ところで最近、磁気研磨液を用いる非加圧方式の研磨方法が開発された（特開２００５−１９３３１９号公報参照）。これは、磁気研磨液の組成を工夫することで、磁場の吸引力で研磨面上に磁気研磨液を十分に留め置くことを可能にしたものであり、変化に富んだ形状の精密な研磨が期待されている。
【００１０】
この磁気研磨法は、変化に富んだ形状の研磨面であっても、その形状に倣って研磨される特徴があり、凹部は凹部で、凸部は凸部で、均等に研磨されるとされている。従って、本発明のような凹凸が形成されている表面形状において、その凸部のみを選択的に研磨する用途には不向きと考えられた。しかし、本発明者等が試みた結果、凹凸が２５０μｍ以上の比較的大きな周期で形成されている場合には、確かに凹部も凸部もほぼ均等に研磨されるが、凹凸が微細な周期構造（例えば２０μｍ程度以下）になると、凸部のみが研磨除去される選択性見出された。本発明は、かかる現象に知得に基づきなされたものである。
【００１１】
本発明は、非磁性基板の表面に微細周期の凹部もしくは凸部を縦横２次元的に配列形成し、その凹凸面上の全面にわたってＬＰＥ法により磁性ガーネット結晶を育成することによって非磁性基板の凹凸形状を反映した表面を有するＬＰＥ膜を形成し、次いで磁気研磨法により砥粒が付着したもしくは砥粒を含んだ磁気ブラシを用いてＬＰＥ膜表面をさすることによりＬＰＥ膜表面の凸部を選択的に研磨除去し、ＬＰＥ膜表面を平坦化することを特徴とする磁気光学デバイスの製造方法である。
【００１２】
ここで、ＬＰＥ膜は、１０ｍｍ角以上の面積を有し、凹凸の形成周期が２０μｍ以下であって、膜厚の最小値が４μｍ以下で且つ表面凹凸が１μｍ以上の磁性ガーネット単結晶膜である。本発明では、このようなＬＰＥ膜を、磁気研磨法により、膜厚の最小値が１．５μｍ以上で且つ表面凹凸が０．１μｍ以下まで平坦化する。また、膜厚の最小値が４μｍを超える場合でも、許容研磨代（研磨可能な厚み）が２．５μｍ以下の場合は、磁気研磨法により、研磨代が２．５μｍ以下で表面凹凸を０．１μｍ以下まで平坦化できる。
【００１３】
磁気研磨は、非磁性基板表面に微細周期（２０μｍ以下）の凹凸が形成されているＬＰＥ膜を有するワークを、非磁性容器内でワックスにより固定し、磁気研磨液を入れ、研磨液保持具を該ワークの表面近傍に僅かな間隔をおいて対向配置し、該研磨液保持具を回転させ、研磨液保持具をワーク表面に沿って動かすことで行う。
【００１４】
本発明では、例えば、非磁性基板表面の凸部がピクセル間ギャップ部に形成される仕切り壁であり、ＬＰＥ膜の格子状の凸部を研磨除去して平坦化する。その他、非磁性基板表面の凹部がピクセル間ギャップ部に形成される格子状の仕切り溝であり、凸部が縦横配列された多数の矩形状のピクセル対応箇所であり、ＬＰＥ膜の多数の矩形状のピクセル対応箇所の凸部を研磨除去して全体を平坦化する。このようにして仕上げた磁気光学デバイスは、磁気光学空間光変調器などに有用である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、磁気研磨法を用いて磁性ガーネット結晶のＬＰＥ膜の表面を研磨する方法であるから、ワークと研磨液保持具が非接触での研磨であるため、ワークセッティングにおける数μｍあるいは数十μｍ程度の傾きや、ワーク自体の数μｍ程度の反りに関係なく、ワークの概略的な形状に沿って研磨できる。しかもＬＰＥ膜の凹凸は、微細周期構造（２０μｍ以下）であるために、凸部が凹部より研磨速度が速くなり凸部が選択的に研磨され表面の平坦化ができる。このため、製造の歩留まりが著しく向上する。この結果、例えば磁気光学デバイスが磁気光学空間光変調器の場合、平坦化した表面に必要な電気配線を容易に且つ高信頼度で形成できるなど、磁気光学デバイスの高密度化、高信頼性に貢献できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明に係る磁気光学デバイスの製造工程の典型例を図１の示す。この例は、ピクセルとなる磁気光学結晶が多数、２次元アレイ状に密に配列されている磁気光学空間光変調器を製造する場合を示している。非磁性基板表面の各ピクセル対応箇所を予め必要とするＬＰＥ膜の厚みよりも掘り下げることで周囲のピクセル間ギャップ部が残って仕切り壁となるように加工し、その非磁性基板上のほぼ全面に磁気光学結晶（例えば希土類鉄ガーネット単結晶）を成膜し、ギャップ部上に成長したＬＰＥ膜による凸部を除去して平坦化することで作製する。
【００１７】
（ａ）まず、非磁性基板１０を用意する。非磁性基板１０としてはＳＧＧＧあるいはＧＧＧ単結晶基板が好ましい。
（ｂ）非磁性基板１０上に、フォトリソグラフィー技術を使用してフォトレジスト１２により正方格子状のパターニングを行う。フォトレジストが付着していない多数の矩形微細領域が、それぞれピクセル対応箇所となる。
（ｃ）イオンミリングを用いて非磁性基板１０の各ピクセル対応箇所を掘り込み、多数の矩形の凹部１４を形成する。
（ｄ）表面に残っているフォトレジストを除去する。これによって、ピクセル対応箇所が掘り込まれ、ピクセル間ギャップ位置が逆に突出した表面構造の非磁性基板１０が得られる。ピクセル間ギャップ位置で突出した部分が、仕切り壁１６となる。
（ｅ）このように表面加工した非磁性基板１０の上に、磁性ガーネット単結晶をＬＰＥ法により育成する。磁性ガーネット単結晶は、典型的にはＢｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶である。このとき、ギャップ位置の非磁性基板上にもＬＰＥ膜が成長し、育成後にも下地の非磁性基板と同様の凸構造が生じる。従って、ＬＰＥ膜２０の表面は、下地の非磁性基板表面の凹凸構造を反映し、同様の凸部２１を有する構造を呈する。
（ｆ）その後、表面を磁気研磨法により研磨することにより、ＬＰＥ膜に現れている凸部を削り取りフラットな表面を形成する。
【００１８】
これによって、図２に示すような磁気光学デバイスが得られる。即ち、非磁性基板１０の表面の各ピクセル対応箇所に形成されている凹部１４にＬＰＥ膜（磁気光学結晶）２０が埋設され、ピクセル間ギャップの位置で、非磁性基板と一体となっている仕切り壁１６によって前記ＬＰＥ膜２０同士が磁気的に分離され、且つ表面全体が平坦化されている構造である。互いに独立した各ＬＰＥ膜２０が、それぞれピクセル（画素）となる。図１及び図２では、理想的な状態として仕切り壁の先端が露出した状態を示しているが、必ずしも露出した状態まで研磨しなくても磁気光学デバイスとしては十分に機能する。
【００１９】
磁気研磨法による凸部の研磨除去は、図３に示すような装置構成で行う。非磁性基板表面に微細周期の凹凸が形成されているＬＰＥ膜を有するワーク３０を、非磁性容器３２内に収容してワックス３４で固定し、そこに所定の磁気研磨液３６を入れ、底部に永久磁石３８を備えた研磨液保持具４０を前記ワーク３０の上方近傍に対向配置し、前記研磨液保持具４０を回転させつつ（符号ａで示す）、該研磨液保持具４０がワーク表面をコの字型に（符号ｂで示す）に繰り返し往復して所定時間研磨する。その後、ワーク３０の中心を軸に、該ワーク３０を１８０°反転させて、さらに所定時間研磨し、その後、研磨液保持具４０底面とワークとの距離を更に離して所定時間仕上げの研磨を行う。
【００２０】
使用する磁気研磨液は、磁性粉であるマグネタイト粉及び鉄粉、砥粒であるダイヤモンド粉、更にαセルロース及びケロシンを含有する磁性流体である。使用する研磨液保持具は、非磁性金属柱体中に、永久磁石を埋め込み、該永久磁石の一面が非磁性金属柱体の底面と同一高さに面が出ている構造である。
【００２１】
磁気研磨液は、研磨液保持具に埋設されている永久磁石の磁力により、磁気ブラシのような状態となり、ブラシを構成している多数の磁気クラスタ（マグネタイトと鉄粉が連なった房状構造）が砥粒を含んでいるか、あるいは砥粒が表面に付着している状態となる。このような磁気ブラシが凹凸形成面をさすることで、表面が研磨される。このとき、表面の凹凸は微細周期で形成されており、砥粒を含む各磁気クラスタの「はら」の部分がＬＰＥ膜表面をなぞるが、微細な凹部に入り込めないか、もしくは入り込み難いため、凸部のみが選択的に研磨され、徐々に凹凸の段差が小さくなって、やがて凸部が分からないように平坦化されると考えられる。これにより、後工程でＬＰＥ膜の上に必要な電気配線を印刷形成することが可能となる。
【００２２】
図４は、本発明に係る磁気光学デバイスの製造工程の他の例を示している。
（ａ）まず、非磁性基板５０を用意する。非磁性基板５０としてはＳＧＧＧあるいはＧＧＧ単結晶基板が好ましい。
（ｂ）非磁性基板５０上に、磁性ガーネット結晶膜をＬＰＥ法により育成する。育成した膜を第１ＬＰＥ膜６０と称する。
（ｃ）第１ＬＰＥ膜６０上に、フォトリソグラフィー技術を使用してフォトレジスト５２により多数の矩形微細領域のパターニングを行い、イオンミリングにより第１ＬＰＥ膜６０を掘り込み、多数の矩形微細領域を形成する。各矩形微細領域が、それぞれピクセル部となる。
（ｄ）表面に残っているフォトレジストを除去する。これによって、ピクセル部が残り、ピクセル間ギャップ部が掘り込まれた表面構造の第１ＬＰＥ膜６０を有する非磁性基板５０が得られる。
（ｅ）このように表面加工した第１ＬＰＥ膜６０を備えた非磁性基板５０の上に、磁性ガーネット結晶膜をＬＰＥ法により育成する。これを第２ＬＰＥ膜６２と称する。育成後には下地の第１ＬＰＥ膜６０と同様の凹凸構造が生じる。つまり、第２ＬＰＥ膜６２の表面は、下地の凹凸構造を反映し、同様の凸部を有する構造を呈する。
（ｆ）その後、表面を磁気研磨法により研磨することにより、ＬＰＥ膜に現れている凸部を削り取りフラットな表面を作製する。
【００２３】
この構造では、ＬＰＥ膜が連続し、ピクセル間の磁気的な分離が達成されていないように見えるが、実際にはピクセル部とギャップ部のＬＰＥ膜は育成時期の違いにより、磁気的な繋がりは持っておらず、ピクセルの区画が実現される。
【実施例】
【００２４】
［実施例１］
図１に示す工程に従って磁気光学デバイスを作製した。片面にピッチ１６μｍ、ピクセルサイズ１４μｍ、ピクセル深さ（仕切り壁高さ）２μｍの微細周期の凹凸が形成されている非磁性ガーネット基板（格子定数：１２．４９６Ａ、組成：（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12、直径：２５ｍｍ（１インチ）、厚み：７００μｍ、格子形成面は（１１１））の凹凸形成面上に、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶（組成：（ＧｄＹＢｉ）3 （ＦｅＧａ）5 Ｏ12）をＬＰＥ法により育成した。育成膜厚は３．２μｍで、反りは３μｍであった。
【００２５】
図３に示されているように、内径１００ｍｍ非磁性容器内の中心に、非磁性基板上に磁性ガーネット単結晶を育成したワークをワックスで固定し、そこに磁気研磨液５５ｇを入れ、研磨液保持具を、その底面とワークの最高部との距離が２ｍｍとなるように対向設置した。
【００２６】
使用した磁気研磨液の組成は、粒子径ｘが１０ｍｍ≦ｘ≦５０ｎｍのマグネタイト２２．７ｗｔ％、粒子径ｙが０．２μｍ≦ｙ≦３．３μｍの鉄粉３６．４ｗｔ％、粒子径ｚが０＜ｚ≦０．５μｍのダイヤモンド粉３．１ｗｔ％、αセルロース６．０ｗｔ％、ケロシン３１．８ｗｔ％からなる。また使用した研磨液保持具は、直径３０ｍｍ、長さ３０ｍｍの非磁性金属円柱内に、縦１０ｍｍ、横２０ｍｍ、高さ５ｍｍの直方体状のネオジム磁石を埋め込み、該ネオジム磁石の１０ｍｍ×２０ｍｍの面が非磁性金属円柱の底面と同一高さに面が出ている構造である。
【００２７】
研磨液保持具を５００ｒｐｍで回転させつつ、研磨液保持具の中心がワークの中心から上下±２．５ｍｍずらせて左右に±３０ｍｍ移動させるようにして４時間研磨し、その後ワークの中心を軸に該ワークを１８０°反転させて、同様の手法で更に４時間研磨し、その後研磨液保持具底面と磁性ガーネット単結晶の最高部との距離を３ｍｍに離して４時間仕上げ研磨した。ワークに研磨液保持具を近づけると、速く削れるがむらが生じやすい。ワークを反転させるとむらを少なくでき、研磨液保持具をワークから離すと仕上げができる。育成後の時点では１．９μｍあった表面の凹凸が０．０５μｍ以下に平坦化できた。また、直径１インチサイズの膜厚のバラツキは±０．１μｍ以下まで均等に研磨されており、また凹部における絶対値は３．２μｍから２．７μｍに０．５μｍしか削られていなかった。
【００２８】
磁気研磨前と磁気研磨後の寸法の変化について測定した結果を、図５の記号に従い表１に記載する。また、磁気研磨前、磁気研磨途中、磁気研磨後の表面状態の電子顕微鏡写真を図６に示す。
【００２９】
【表１】
2007133984.tif 000003
【００３０】
本発明の有効性を確認するため、凹凸周期の異なる幾つかのワークについて、磁気研磨を行った。結果を図７及び表２に示す。これらの結果からも分かるように、凹凸の形成周期が２５０μｍというように大きい場合は、凸部も凹部も均等に研磨される。しかし、凹凸の形成周期が２０μｍ以下（この値は、磁気光学空間光変調器のピクセルサイズに丁度対応している）というように微細になると、主として凸部が選択的に研磨される状態となることが分かる。凹部の膜厚４μｍ、凸部高さ１μｍを、凹部の膜厚２．５μｍ以上で凸部高さを０にする場合を想定すると、凹部の研磨厚は２．５μｍ、凸部の研磨厚は３．５μｍとなるので、研磨速度比が０．７１以下である必要がある。凹凸の形成周期が２０μｍ以下であれば、この要求値を十分に満たすことができる。
【００３１】
【表２】
2007133984.tif 000004
【００３２】
このとき使用した磁気研磨液に含まれている鉄粉の粒度分布を図８に示す。粒径ほぼ１μｍを中心として、０．２〜３．３μｍの範囲で分布している。
【００３３】
［実施例２］
図４に示す工程に従って、非磁性ガーネット基板（格子定数：１２．４９６Ａ、組成：（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12、直径：２５ｍｍ（１インチ）、厚み：７００μｍ、凹凸形成面は（１１１））に、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶（組成：（ＧｄＹＢｉ）3 （ＦｅＧａ）5 Ｏ12）をＬＰＥ法により育成した。育成した第１ＬＰＥ膜に２μｍ幅、深さ１．９μｍの溝を形成した。溝の内側は１４μｍ四方の正方形である。更に矩形状の第１ＬＰＥ膜を形成した面に、第２ＬＰＥ膜を育成した。第１ＬＰＥ膜及び第２ＬＰＥ膜を合わせた育成膜厚は４．２μｍで、反りは４μｍであった。
【００３４】
実施例１と同様の磁気研磨液と研磨液保持具を使用し、同じ研磨装置により研磨を行った。内径１００ｍｍの非磁性容器内の中心に、育成したＬＰＥ膜を有するワークをワックスで固定し、そこに磁気研磨液５５ｇを入れ、研磨液保持具を、その底面と磁性ガーネット単結晶の最高部との距離を２ｍｍとなるように対向設置し、５００ｒｐｍで回転させ、研磨液保持具の中心が磁性ガーネット単結晶の中心から上下に±２．５ｍｍずらせて左右に±３０ｍｍ移動させて４時間研磨し、その後、ワークの中心を軸に該ワークを１８０°反転させて、さらに４時間研磨し、その後研磨液保持具底面とワークの最高部との距離を３ｍｍに設定して１３時間仕上げ研磨した。育成後の時点では０．７μｍあった表面の凹凸が０．０５μｍ以下まで平坦化できた。また、直径１インチサイズの膜厚のバラツキは±０．１μｍ以下まで均等に研磨されており、またその絶対値は４．２μｍから３．４μｍに０．６μであり、溝部分でみると０．１μｍしか削られていなかった。
【００３５】
磁気研磨前と磁気研磨後の寸法の変化について測定した結果を、図９の記号に従い表３に記載する。また、磁気研磨前、磁気研磨途中、磁気研磨後の表面状態の電子顕微鏡写真を図１０に示す。
【００３６】
【表３】
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【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る磁気デバイスの製造工程の典型例を示す説明図。
【図２】製造した磁気光学デバイスの部分斜視図。
【図３】本発明で用いる磁気研磨装置の説明図。
【図４】本発明に係る磁気デバイスの製造工程の他の例を示す説明図。
【図５】実施例１における研磨前と研磨後の形状寸法説明図。
【図６】実施例１での研磨前、研磨途中、研磨後の表面状態の電子顕微鏡写真。
【図７】凹凸形成周期と研磨速度の関係を示すグラフ。
【図８】用いた鉄粉の粒度分布を示すグラフ。
【図９】実施例２における研磨前と研磨後の形状寸法説明図。
【図１０】実施例１での研磨前、研磨途中、研磨後の表面状態の電子顕微鏡写真。
【符号の説明】
【００３８】
１０  非磁性基板
１２  レジスト
１４  凹部
１６  仕切り壁
２０  ＬＰＥ膜
２１  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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