(57)【要約】【課題】  オン抵抗が小さく、オン−オフを切り替えるために要する電流が小さいスイッチ回路、これを用いた受光増幅回路及び光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】  スイッチ回路１１は、ＰＮＰ型の一対のパイポーラトランジスタＱ１及びＱ２を備える。バイポーラトランジスタＱ２のコレクタ、ベース及びエミッタは、バイポーラトランジスタＱ１のエミッタ、ベース及びコレクタにそれぞれ接続されている。スイッチ回路１１のオン抵抗は、バイポーラトランジスタＱ１のオン抵抗と、バイポーラトランジスタＱ２のオン抵抗との並列和によって規定されるため、スイッチ回路１１のオン抵抗を小さくすることが可能となる。【選択図】  図１
2007013451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路の一部と他の一部とを接続するためのスイッチ回路であって、
コレクタが前記回路の一部に接続されると共に、エミッタが前記回路の他の一部に接続される第１のバイポーラトランジスタと、
コレクタが前記第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、エミッタが前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタに接続され、かつ、ベースが前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記第１のバイポーラトランジスタと同一の導電型を有する第２のバイポーラトランジスタとを備える、スイッチ回路。
【請求項２】
入射光の強度に応じた電圧を出力し、その内部の信号経路上にスイッチ回路が介挿された受光増幅回路であって、
前記スイッチ回路は、
コレクタが前記信号経路の一端に接続されると共に、エミッタが前記信号経路の他端に接続される第１のバイポーラトランジスタと、
コレクタが前記第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、エミッタが前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタに接続され、かつ、ベースが前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記第１のバイポーラトランジスタと同一の導電型を有する第２のバイポーラトランジスタとを備える、受光増幅回路。
【請求項３】
前記受光増幅回路は、
前記入射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、
前記受光部の一方端に接続される第１の入力端子と、第２の入力端子と、出力端子とを有する増幅器と、
その一方端が前記受光部の前記一方端に接続されると共に、その他方端が前記出力端子に接続される第１の抵抗と、
その一方端が前記受光部の前記一方端に接続される第２の抵抗と、
その一方端が前記第２の入力端子に接続され、その他方端が電源電圧供給点に接続される第３の抵抗と、
その一方端が前記第３の抵抗の前記一方端に接続される第４の抵抗と、
前記第２の抵抗の他方端と前記出力端子との間と、前記第４の抵抗の他方端と電源電圧供給点との間とにそれぞれ介挿される一対の前記スイッチ回路とを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項４】
前記受光増幅回路は、
前記入射光の強度に応じた電流を出力する複数の受光部と、
第１の入力端子と、所定の電圧が印加される第２の入力端子と、出力端子とを有し、前記受光部によって出力された電流に応じた電圧を出力する増幅回路と、
前記受光部の一方端の各々と前記第１の入力端子との間にそれぞれ介挿される複数の前記スイッチ回路とを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項５】
前記受光増幅回路は、
前記入射光の強度に応じた電流を出力する複数の受光部と、
第１の入力端子と、所定の電圧が印加される第２の入力端子と、第１の出力端子とを有し、各々の前記第１の入力端子に前記受光部の一方端の各々が接続され、前記受光部によって出力された電流に応じた電圧を出力する複数の第１の増幅回路と、
第３の入力端子と、所定の電圧が印加される第４の入力端子と、第２の出力端子とを有する第２の増幅回路と、
前記第１の出力端子の各々と前記第３の入力端子との間にそれぞれ介挿される複数の前記スイッチ回路とを含むことを特徴とする、請求項２に記載の受光増幅回路。
【請求項６】
光ディスク媒体によって反射された反射光の強度に応じた電圧を出力し、その内部の信号経路上にスイッチ回路が介挿された光ピックアップ装置であって、
前記スイッチ回路は、
コレクタが前記信号経路の一端に接続されると共に、エミッタが前記信号経路の他端に接続される第１のバイポーラトランジスタと、
コレクタが前記第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、エミッタが前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタに接続され、かつ、ベースが前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、前記第１のバイポーラトランジスタと同一の導電型を有する第２のバイポーラトランジスタとを備える、光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記光ピックアップ装置は、
前記反射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、
前記受光部の一方端に接続される第１の入力端子と、第２の入力端子と、出力端子とを有する増幅器と、
その一方端が前記受光部の前記一方端に接続されると共に、その他方端が前記出力端子に接続される第１の抵抗と、
その一方端が前記受光部の前記一方端に接続される第２の抵抗と、
その一方端が前記第２の入力端子に接続され、その他方端が電源電圧供給点に接続される第３の抵抗と、
その一方端が前記第３の抵抗の前記一方端に接続される第４の抵抗と、
前記第２の抵抗の他方端と前記出力端子との間と、前記第４の抵抗の他方端と電源電圧供給点との間とにそれぞれ介挿される一対の前記スイッチ回路とを含むことを特徴とする、請求項６に記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】
前記光ピックアップ装置は、
前記反射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、
第１の入力端子と、所定の電圧が印加される第２の入力端子と、出力端子とを有し、前記受光部によって出力された電流に応じた電圧を出力する増幅回路と、
前記受光部の一方端の各々と前記第１の入力端子との間にそれぞれ介挿される複数の前記スイッチ回路とを含むことを特徴とする、請求項６に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
前記光ピックアップ装置は、
前記反射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、
第１の入力端子と、所定の電圧が印加される第２の入力端子と、第１の出力端子とを有し、各々の前記第１の入力端子に前記受光部の一方端の各々が接続され、前記受光部によって出力された電流に応じた電圧を出力する複数の第１の増幅回路と、
第３の入力端子と、所定の電圧が印加される第４の入力端子と、第２の出力端子とを有する第２の増幅回路と、
前記第１の出力端子の各々と前記第３の入力端子との間にそれぞれ介挿される複数の前記スイッチ回路とを含むことを特徴とする、請求項６に記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチ回路、受光増幅回路及び光ピックアップ装置に関し、より特定的には、２以上のバイポーラトランジスタにより構成されるスイッチ回路、及び、これを用いた受光増幅回路及び光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＣＤ−Ｒドライブ装置やＤＶＤ−Ｒドライブ装置等に代表されるような光ディスクドライブ装置は、光ディスク媒体からのデータの読み出しと、光ディスク媒体へのデータの書き込みとの両方を行うことができる。近年、このような光ディスクドライブ装置における光ディスク媒体の回転速度は、高速化しており、光ディスク媒体に記録されたデータを読み出す際の高周波信号と、光ディスク媒体へのデータの書き込む際のパルス状信号との両方を正確に増幅することができる受光増幅回路が要望されている。このような、受光増幅回路は、周波数帯域と出力電圧とを入力信号に応じて切り替えることによって実現され得る。
【０００３】
図１２は、特許文献１に開示されている従来の受光増幅装置の回路図である。図１２に示される受光増幅装置８１は、例えば光ディスクドライブ装置のピックアップ部に用いられる。
【０００４】
受光増幅装置８１は、受光素子ＰＤ１と、増幅器Ａ１４と、帰還抵抗Ｒｇ−ａ及びＲｇ−ｂと、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａ及びＲｒｅｆ−ｂと、トランジスタＱ２１及びＱ２２とを備える。
【０００５】
受光素子ＰＤ１は、光ディスク媒体からの反射光を電流に変換する。受光素子ＰＤ１のカソード電極は、増幅器Ａ１４の反転入力端子（−）に接続され、受光素子ＰＤ１のアノード電極は、接地電圧点Ｖｅｅに接続されている。
【０００６】
帰還抵抗Ｒｇ−ａ及びＲｇ−ｂは、受光素子ＰＤ１によって変換された電流を電圧に変換する。帰還抵抗Ｒｇ−ａは、負帰還ループを形成するように、増幅器Ａ１４の反転入力端子（−）と出力端子との間に接続されている。帰還抵抗Ｒｇ−ｂもまた、負帰還ループを形成するように、トランジスタＱ２１を介して増幅器Ａの反転入力端子（−）と出力端子との間に接続されている。
【０００７】
インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａ及びＲｒｅｆ−ｂは、増幅器Ａの反転入力端子（−）から見たインピーダンスと非反転入力端子（＋）から見たインピーダンスとを一致させるために、正転入力端子（＋）と電圧供給点Ｖｃｃとの間に接続されている。より詳細には、一方のインピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａは、増幅器Ａ１４の正転入力端子（＋）と、電圧供給点Ｖｃｃとに接続されている。他方のインピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ｂは、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａと並列に配置されるように、トランジスタＱ２２を介して、増幅器Ａ１４の正転入力端子（＋）と、電圧供給点Ｖｃｃとに接続されている。
【０００８】
トランジスタＱ２１及びＱ２２は、バーチカルＰＮＰ型トランジスタよりなる。トランジスタＱ２１のコレクタは、帰還抵抗Ｒｇ−ｂに接続され、トランジスタＱ２１のエミッタは、増幅器Ａ１４の出力端子に接続されている。一方、トランジスタＱ２２のコレクタは、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ｂに接続され、トランジスタＱ２２のエミッタは、電圧供給点Ｖｃｃに接続されている。尚、トランジスタＱ２２は、増幅器Ａ１４の反転入力端子（−）から見たインピーダンスと、正転入力端子（＋）から見たインピーダンスとが一致するように、トランジスタＱ２１に連動して動作する。
【０００９】
このように構成された受光増幅装置８１のゲインは、トランジスタＱ２１及びＱ２２をオンまたはオフすることによって切り替えられる。すなわち、トランジスタＱ２１及びＱ２２が共にオフの場合には、受光増幅装置８１のゲインは、変換抵抗Ｒｇ−ａによって規定される。また、トランジスタＱ２１及びＱ２２が共にオンの場合には、受光増幅装置８１のゲインは、変換抵抗Ｒｇ−ａとＲｇ−ｂとの並列和によって規定される。
【特許文献１】特開平８−１５４０２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のような従来の受光増幅装置８１によれば、光ディスク媒体の規格の相違や、光ディスク媒体からの読み出しと、光ディスク媒体への書き込みとの動作の相違に応じて、受光素子ＰＤ１へと入射する光ディスク媒体からの反射光の強度が変化しても、当該変化に対応して受光増幅装置８１のゲインを変更することが可能である。したがって、受光増幅装置８１は、受光素子ＰＤ１への入射光の強度にかかわらず、出力端子Ｖｏから一定の電圧を出力することができる。
【００１１】
しかしながら、バーチカルＰＮＰ型のトランジスタＱ２１が帰還抵抗Ｒｇ−ａ及びＲｇ−ｂの切替スイッチとして用いられる場合には、受光素子ＰＤ１への入射光の光量が少ない場合と、入射光の光量が多い場合とにおいて、それぞれ以下のような問題がある。
【００１２】
図１３は、図１２に示されるトランジスタのオン抵抗特性を示す図である。図において、横軸は、図１２に示されるトランジスタＱ２１のコレクタ−エミッタ間の電流を示し、縦軸は、トランジスタＱ２１のオン抵抗を示す。
【００１３】
トランジスタＱ２１は、スイッチとして二点鎖線で示される飽和領域において動作するため、図１３に示されるグラフの原点付近において、オン抵抗Ｒｏｎの特性は、非直線となる。抵抗の並列和を「／／」によって表すと、トランジスタＱ２１がオンになるときの受光増幅装置８１のゲインは、次の式（１）のように示される抵抗の並列和によって規定される。
Ｒｇ−ａ／／（Ｒｇ−ｂ＋Ｒｏｎ）  …  （１）
【００１４】
したがって、受光素子ＰＤ１への入射光の光量が少ない場合、トランジスタＱ１のオン抵抗Ｒｏｎの特性が図１３に示されるように非直線的に歪むのに伴って、受光増幅回路８１のゲインのリニアリティが低下する。
【００１５】
また、トランジスタＱ２１のコレクタ電流は、受光素子ＰＤ１への入射光の光量が多くなるにつれて増加する。トランジスタＱ２１は、スイッチとして飽和領域において動作するため、トランジスタＱ２１のコレクタ電流が増加すると、これに比例してトランジスタＱ２１のベース電流Ｉｓｗ１３を増加させる必要がある。トランジスタＱ２１のベース電流Ｉｓｗ１３は、トランジスタＱ２１のエミッタを介して増幅器Ａ１４の出力端子から供給されるため、ベース電流Ｉｓｗ１３を増加させるためには、増幅器Ａ１４の電流供給能力を大きくすることが求められる。そうすると、増幅器Ａ１４に含まれるトランジスタの電流能力を大きくしたり、増幅器Ａ１４に含まれるトランジスタの数を増やしたりする必要が生じるため、結果として、増幅器Ａ１４のチップサイズの増加を招いてしまう。
【００１６】
それ故に、本発明の目的は、オン抵抗が小さく、オン−オフを切り替えるために要する電流が小さいスイッチ回路、これを用いた受光増幅回路及び光ピックアップ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の課題を解決するために、第１の発明は、回路の一部と他の一部とを接続するためのスイッチ回路であって、コレクタが回路の一部に接続されると共に、エミッタが回路の他の一部に接続される第１のバイポーラトランジスタと、コレクタが第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、エミッタが第１のバイポーラトランジスタのコレクタに接続され、かつ、ベースが第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、第１のバイポーラトランジスタと同一の導電型を有する第２のバイポーラトランジスタとを備える。
【００１８】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗は、第１のバイポーラトランジスタのオン抵抗と、第２のバイポーラトランジスタのオン抵抗との並列和によって規定されるため、スイッチ回路のオン抵抗のリニアリティが向上する。
【００１９】
第２の発明は、入射光の強度に応じた電圧を出力し、その内部の信号経路上にスイッチ回路が介挿された受光増幅回路であって、スイッチ回路は、コレクタが信号経路の一端に接続されると共に、エミッタが信号経路の他端に接続される第１のバイポーラトランジスタと、コレクタが第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、エミッタが第１のバイポーラトランジスタのコレクタに接続され、かつ、ベースが第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、第１のバイポーラトランジスタと同一の導電型を有する第２のバイポーラトランジスタとを備える。
【００２０】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗は、第１のバイポーラトランジスタのオン抵抗と、第２のバイポーラトランジスタのオン抵抗との並列和によって規定されるため、受光増幅回路における信号経路の接続状態を切り替えるスイッチ回路のオン抵抗を小さくすることが可能となる。
【００２１】
また、第２の発明において、受光増幅回路は、入射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、受光部の一方端に接続される第１の入力端子と、第２の入力端子と、出力端子とを有する増幅器と、その一方端が受光部の一方端に接続されると共に、その他方端が出力端子に接続される第１の抵抗と、その一方端が受光部の一方端に接続される第２の抵抗と、その一方端が第２の入力端子に接続され、その他方端が電源電圧供給点に接続される第３の抵抗と、その一方端が第３の抵抗の一方端に接続される第４の抵抗と、第２の抵抗の他方端と出力端子との間と、第４の抵抗の他方端と電源電圧供給点との間とにそれぞれ介挿される一対のスイッチ回路とを含んでも良い。
【００２２】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗のリニアリティが向上するため、受光増幅回路のゲインのリニアリティが向上する。
【００２３】
また、第２の発明において、受光増幅回路は、入射光の強度に応じた電流を出力する複数の受光部と、第１の入力端子と、所定の電圧が印加される第２の入力端子と、出力端子とを有し、受光部によって出力された電流に応じた電圧を出力する増幅回路と、受光部の一方端の各々と第１の入力端子との間にそれぞれ介挿される複数のスイッチ回路とを含んでも良い。
【００２４】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗が小さくなるため、受光増幅回路の複数の受光部を切り替えるために要する電流を小さくすることが可能となる。
【００２５】
また、第２の発明において、受光増幅回路は、入射光の強度に応じた電流を出力する複数の受光部と、第１の入力端子と、所定の電圧が印加される第２の入力端子と、第１の出力端子とを有し、各々の第１の入力端子に受光部の一方端の各々が接続され、受光部によって出力された電流に応じた電圧を出力する複数の第１の増幅回路と、第３の入力端子と、所定の電圧が印加される第４の入力端子と、第２の出力端子とを有する第２の増幅回路と、第１の出力端子の各々と第３の入力端子との間にそれぞれ介挿される複数のスイッチ回路とを含んでも良い。
【００２６】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗が小さくなるため、受光増幅回路における受光部と第１の増幅回路との複数の組み合わせを切り替えるために要する電流を小さくすることが可能となる。
【００２７】
第３の発明は、光ディスク媒体によって反射された反射光の強度に応じた電圧を出力し、その内部の信号経路上にスイッチ回路が介挿された光ピックアップ装置であって、スイッチ回路は、コレクタが信号経路の一端に接続されると共に、エミッタが信号経路の他端に接続される第１のバイポーラトランジスタと、コレクタが第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続されると共に、エミッタが第１のバイポーラトランジスタのコレクタに接続され、かつ、ベースが第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、第１のバイポーラトランジスタと同一の導電型を有する第２のバイポーラトランジスタとを備える。
【００２８】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗は、第１のバイポーラトランジスタのオン抵抗と、第２のバイポーラトランジスタのオン抵抗との並列和によって規定されるため、光ピックアップ装置における信号経路の接続状態を切り替えるスイッチ回路のオン抵抗を小さくすることが可能となる。
【００２９】
また、第３の発明において、光ピックアップ装置は、反射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、受光部の一方端に接続される第１の入力端子と、第２の入力端子と、出力端子とを有する増幅器と、その一方端が受光部の一方端に接続されると共に、その他方端が出力端子に接続される第１の抵抗と、その一方端が受光部の一方端に接続される第２の抵抗と、その一方端が第２の入力端子に接続され、その他方端が電源電圧供給点に接続される第３の抵抗と、その一方端が第３の抵抗の一方端に接続される第４の抵抗と、第２の抵抗の他方端と出力端子との間と、第４の抵抗の他方端と電源電圧供給点との間とにそれぞれ介挿される一対のスイッチ回路とを含んでも良い。
【００３０】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗のリニアリティが向上するため、光ピックアップ装置のゲインのリニアリティが向上する。
【００３１】
また、第３の発明において、光ピックアップ装置は、反射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、第１の入力端子と、所定の電圧が印加される第２の入力端子と、出力端子とを有し、受光部によって出力された電流に応じた電圧を出力する増幅回路と、受光部の一方端の各々と第１の入力端子との間にそれぞれ介挿される複数のスイッチ回路とを含んでも良い。
【００３２】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗が小さくなるため、光ピックアップ装置の複数の受光部を切り替えるために要する電流を小さくすることが可能となる。
【００３３】
また、第３の発明において、光ピックアップ装置は、反射光の強度に応じた電流を出力する受光部と、第１の入力端子と、所定の電圧が印加される第２の入力端子と、第１の出力端子とを有し、各々の第１の入力端子に受光部の一方端の各々が接続され、受光部によって出力された電流に応じた電圧を出力する複数の第１の増幅回路と、第３の入力端子と、所定の電圧が印加される第４の入力端子と、第２の出力端子とを有する第２の増幅回路と、第１の出力端子の各々と第３の入力端子との間にそれぞれ介挿される複数のスイッチ回路とを含んでも良い。
【００３４】
このような構成によれば、スイッチ回路のオン抵抗が小さくなるため、光ピックアップ装置における受光部及び第１の増幅回路の複数の組み合わせを切り替えるために要する電流を小さくすることが可能となる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、オン抵抗が小さく、かつ、オン−オフを切り替えるために要する電流が小さいスイッチ回路、これを用いた受光増幅回路及び光ピックアップ装置を構成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る受光増幅回路の構成及び動作について、図面を参照しながら説明する。
【００３７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。図１に示される受光増幅回路１は、受光素子ＰＤ１と、増幅回路１０とを備える。受光素子ＰＤ１は、入射光の強度に応じた電流を出力する。受光素子ＰＤ１のカソードは、増幅器Ａ１の反転入力端子（−）に接続され、受光素子ＰＤ１のアノードは、接地電圧点Ｖｅｅに接続されている。
【００３８】
増幅回路１０は、反転入力端子（−）と、正転入力端子（＋）と、出力端子とを有する増幅器Ａ１と、帰還抵抗Ｒｇ−ａ及びＲｇ−ｂと、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａ及びＲｒｅｆ−ｂと、スイッチ回路１１及び１２とを備える。尚、本実施形態においては、帰還抵抗Ｒｇ−ａ及びＲｇ−ｂは、それぞれ第１及び第２の抵抗に相当し、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａ及びＲｒｅｆｂは、それぞれ第３及び第４の抵抗に相当する。
【００３９】
並列に配置された帰還抵抗Ｒｇ−ａ及びＲｇ−ｂは、増幅器Ａ１の負帰還ループを構成するように、増幅器Ａ１の反転入力端子（−）と出力端子との間に接続されている。より詳細には、帰還抵抗Ｒｇ−ａの一方端は、受光素子ＰＤ１のカソードに接続され、帰還抵抗Ｒｇ−ａの他方端は、増幅器Ａ１の出力端子に接続されている。また、帰還抵抗Ｒｇ−ｂの一方端は、受光素子ＰＤ１のカソードに接続され、帰還抵抗Ｒｇ−ｂの他方端は、スイッチ回路１１を介して増幅器Ａ１の出力端子に接続されている。
【００４０】
スイッチ回路１１は、一対のＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ１及びＱ２によって構成され、帰還抵抗Ｒｇ−ｂと増幅器Ａ１の出力端子との間に介挿されている。バイポーラトランジスタＱ１のコレクタは、帰還抵抗Ｒｇ−ｂの他方端に接続され、バイポーラトランジスタＱ１のエミッタは、増幅器Ａ１の出力端子に接続されている。また、他方のバイポーラトランジスタＱ２のコレクタは、バイポーラトランジスタＱ１のエミッタに接続され、バイポーラトランジスタＱ２のエミッタは、バイポーラトランジスタＱ１のコレクタに接続されている。更に、バイポーラトランジスタＱ１及びＱ２の各々のベースは、相互に接続されている。尚、スイッチ回路１１においては、バイポーラトランジスタＱ１及びＱ２は、それぞれ第１及び第２のバイポーラトランジスタに相当する。
【００４１】
並列に配置されたインピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａ及びＲｒｅｆ−ｂは、増幅器Ａ１の正転入力端子（＋）と、電圧供給点とに接続されている。より詳細には、一方のインピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａの一方端は、増幅器Ａ１の反転入力端子に接続され、抵抗Ｒｒｅｆ−ａの他方端は、電源電圧点Ｖｃｃに接続されている。インピーダンス整合他方のインピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ｂの一方端は、増幅器Ａ１の正転入力端子に接続され、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ｂの他方端は、スイッチ回路１２を介して電圧供給点Ｖｃｃに接続されている。インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａ及びＲｒｅｆ−ｂの各々は、帰還抵抗Ｒｇ−ａ及びＲｇ−ｂの各々の抵抗値と同一の抵抗値を有する。
【００４２】
スイッチ回路１２は、一対のＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ３及びＱ４によって、スイッチ回路１１と同様に構成されている。すなわち、一方のバイポーラトランジスタＱ３のコレクタは、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ｂの他方端に接続され、エミッタは、電源電圧点Ｖｃｃに接続されている。また、他方のバイポーラトランジスタＱ４のコレクタは、バイポーラトランジスタＱ３のエミッタに接続され、バイポーラトランジスタＱ４のエミッタは、バイポーラトランジスタＱ３のコレクタに接続されている。更に、バイポーラトランジスタＱ３及びＱ４の各々のベースは、相互に接続されている。尚、スイッチ回路１２においては、バイポーラトランジスタＱ３及びＱ４は、それぞれ第１及び第２のバイポーラトランジスタに相当する。
【００４３】
本実施形態に係る増幅回路１０のゲインは、例えば、受光素子ＰＤ１への入射光の光量に対応して、スイッチ回路１１をオンまたはオフにすることによって切り替えられる。このとき、増幅器Ａ１の反転入力端子（−）から見たインピーダンスと、正転入力端子（＋）から見たインピーダンスとを一致させるために、スイッチ回路１２は、スイッチ回路１１と同時にオンまたはオフされる。
【００４４】
スイッチ回路１１がオフの場合には、増幅回路１０のゲインは、帰還抵抗Ｒｇ−ａによって規定される。一方、スイッチ回路１１がオンの場合には、増幅回路１０のゲインは、次の式（２）に示される帰還抵抗の並列和によって規定される。尚、次の式（２）において、Ｒｏｎは、スイッチ回路１１のオン抵抗を表し、「／／」は、抵抗の並列和を表し、「＋」は、抵抗の直列和を表す。
Ｒｇ−ａ／／（Ｒｇ−ｂ＋Ｒｏｎ）…（２）
【００４５】
上記の式（２）に示されるように、スイッチ回路１１のオン抵抗Ｒｏｎが大きくなるにつれて、オン抵抗Ｒｏｎは、抵抗Ｒｇ−ｂに対して支配的になる。したがって、スイッチ回路１１のオン抵抗Ｒｏｎが大きくなるにつれて、増幅回路１０のゲインのリニアリティが低下する。増幅回路１０のゲインのリニアリティの歪みは、特に、受光素子ＰＤ１からの入力電流が小さいときに顕著に生じる。増幅回路１０のリニアリティを確保するために、オン抵抗Ｒｏｎは、小さいことが望ましい。以下、スイッチ回路１１及び１２のオン抵抗について説明する。
【００４６】
図２は、図１に示されるスイッチ回路のオン抵抗特性を示す図である。図２において、細い実線は、バイポーラトランジスタＱ１のエミッタ−コレクタ間に電流Ｉｉｎが流れた場合におけるバイポーラトランジスタＱ１のみのオン抵抗Ｒｏｎの大きさを示し、破線は、バイポーラトランジスタＱ２のコレクタ−ベース間に電流Ｉｉｎが流れた場合におけるバイポーラトランジスタＱ２のみのオン抵抗Ｒｏｎの大きさを示す。また、図２における太い実線は、バイポーラトランジスタＱ１及びＱ２のオン抵抗の並列和、すなわち、スイッチ回路１１のオン抵抗を示す。
【００４７】
図２に示されるように、飽和領域において、バイポーラトランジスタＱ１のエミッタ−コレクタ間のオン抵抗と、バイポーラトランジスタＱ２のコレクタ−エミッタ間のオン抵抗とは、流れる電流の向きが反対のためそれぞれ異なる特性を示す。しかしながら、本実施形態に係るスイッチ回路１１及び１２のようにバイポーラトランジスタＱ１及びＱ２が並列に接続されている場合には、スイッチ回路１１全体のオン抵抗は、バイポーラトランジスタＱ１のオン抵抗（細い実線）と、バイポーラトランジスタＱ２のオン抵抗（破線）との並列和となる。この結果、図２の太い実線で示されるように、Ｉｉｎが小さい領域におけるオン抵抗の歪みが相殺され、飽和領域におけるスイッチ回路１１のオン抵抗Ｒｏｎは、ほぼ一定となる。この場合、上記の式（２）に示される帰還抵抗の並列和の大きさがほぼ一定となるため、増幅回路１０のゲインのリニアリティが向上する。尚、他方のスイッチ回路１２もまた、スイッチ回路１１と同様のオン抵抗特性を示す。
【００４８】
また、スイッチ回路１１及び１２のオン抵抗Ｒｏｎが小さい場合には、帰還抵抗Ｒｇ−ａ及びＲｇ−ｂに対するオン抵抗Ｒｏｎの影響が小さくなる。したがって、スイッチ回路１１及び１２を用いれば、入射光の光量がより一層大きな場合にも対応することが可能な、ゲインの下限値が小さな受光増幅回路１を構成することが可能となる。
【００４９】
更に、オン抵抗Ｒｏｎが小さいため、スイッチ回路１１及び１２をオンにするために要するオン電流Ｉｓｗ１及びＩｓｗ２が小さくなる。これにより、オン電流Ｉｓｗ１及びＩｓｗ２を供給する増幅器Ａ１の出力電流能力を小さくすることができるので、増幅器Ａ１の素子の大きさを小さくすることが可能となる。
【００５０】
（第１の実施形態の変形例）
図３は、本発明の第１の実施形態に係る受光増幅回路の変形例の回路図である。本変形例に係る受光増幅回路１の基本的な構成は、図１に示される受光増幅回路と同様である。ただし、本変形例に係る受光増幅回路１は、スイッチ回路１３及び１４は、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタＱ５〜Ｑ８によって構成されている点で、図１に示される受光増幅回路とは異なる。
【００５１】
本変形例においては、スイッチ回路１３及び１４に含まれるバイポーラトランジスタＱ５〜Ｑ８のエミッタ及びコレクタの各々は、図１に示されるバイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ４のエミッタ及びコレクタの各々とは逆に接続される。例えば、スイッチ回路１３は、一対のＮＰＮ型のバイポーラトランジスタＱ５及びＱ６を備える。バイポーラトランジスタＱ５のエミッタは、帰還抵抗Ｒｇ−ｂに接続され、バイポーラトランジスタＱ５のコレクタは、増幅回路Ａ１の出力端子に接続されている。一方、バイポーラトランジスタＱ６のコレクタ、ベース及びエミッタは、バイポーラトランジスタＱ５のエミッタ、ベース及びコレクタにそれぞれ接続されている。
【００５２】
また、本変形例において、スイッチ回路１３及び１４をオンするためのオン電流Ｉｓｗ３及びＩｓｗ４の向きは、図１に示されるオン電流Ｉｓｗ１及びＩｓｗ２の向きとは反対方向である。
【００５３】
本変形例におけるスイッチ回路１３及び１４は、図１に示されるスイッチ回路１１及び１２と同様のオン抵抗特性を有する。したがって、本変形例に係る受光増幅回路１は、図１に示される受光増幅回路と同様の効果を奏することができる。
【００５４】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。図４に示される受光増幅回路２は、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２と、増幅回路２０と、スイッチ回路２１及び２２とを備えている。
【００５５】
受光素子ＰＤ１及びＰＤ２は、入射光の強度に応じた電流を出力する。受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各々のカソードは、スイッチ回路２１及び２２の各々に接続され、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各々のアノードは、接地電圧点Ｖｅｅに接続されている。例えば、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各々は、異なる波長の入射光を受光することができる。
【００５６】
増幅回路２０は、増幅器Ａ２と、帰還抵抗Ｒｇ−ａと、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａとを備える。帰還抵抗Ｒｇ−ａは、負帰還ループを構成するように、増幅器Ａ２の反転入力端子（−）と出力端子との間に接続されている。インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａは、増幅器Ａ２の正転入力端子（＋）と、電源電圧点Ｖｃｃとの間に接続されている。
【００５７】
スイッチ回路２１は、一対のＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ９びＱ１０によって構成されている。バイポーラトランジスタＱ９のコレクタは、受光素子ＰＤ１のカソードに接続され、バイポーラトランジスタＱ９のエミッタは、増幅器Ａ２の反転入力端子（−）に接続されている。一方、バイポーラトランジスタＱ１０のコレクタは、バイポーラトランジスタＱ９のエミッタに接続され、バイポーラトランジスタＱ１０のエミッタは、バイポーラトランジスタＱ９のコレクタに接続されている。更に、バイポーラトランジスタＱ９及びＱ１０の各々のベースは、互いに接続されている。
【００５８】
また、スイッチ回路２２は、一対のＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ１１及びＱ１２によって、スイッチ回路２１と同様に構成されている。すなわち、バイポーラトランジスタＱ１１のコレクタは、受光素子ＰＤ２のアノードに接続され、バイポーラトランジスタＱ１１のエミッタは、増幅器Ａ２の反転入力端子（−）に接続されている。一方、バイポーラトランジスタＱ１２のコレクタ、ベース及びエミッタは、バイポーラトランジスタＱ１１のエミッタ、ベース及びコレクタに接続されている。
【００５９】
スイッチ回路２１及び２２のベースにオン電流Ｉｓｗ５及びＩｓｗ６を与えると、スイッチ回路２１及び２２は、オンまたはオフになる。したがって、本実施形態に係る受光増幅回路２によれば、２つの受光素子ＰＤ１及びＰＤ２を必要に応じて切り替えることが可能となる。
【００６０】
ここで、複数の受光素子を必要に応じて切り替えるために考えられる回路の例を挙げて、本実施形態に係る受光増幅回路２の利点について説明する。
【００６１】
図５は、図４に示される受光増幅回路に相当する回路の一例を示す回路図である。図５に示される受光増幅回路２３は、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２と、増幅回路２４及び２５とを備える。受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各々のカソードは、増幅器Ａ３及びＡ４の各々の反転入力端子（−）に接続されている。
【００６２】
図５に示される受光増幅回路２３においては、増幅回路２４の増幅器Ａ３の動作または増幅回路２５の増幅器Ａ４の動作をオンまたはオフにすることによって、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２が切り替えられる。しかしながら、このような受光増幅回路２３においては、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２のそれぞれに対応して増幅回路２４及び２５を設ける必要があるため、受光増幅回路２３の素子数が増加するという問題がある。
【００６３】
図６は、図４に示される受光増幅回路に相当する回路の他の一例を示す回路図である。図６に示される受光増幅回路２６は、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２と、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ１３及びＱ１４と、増幅回路２０とを備える。バイポーラトランジスタＱ１３及びＱ１４の各々のコレクタは、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各々のカソードに接続され、バイポーラトランジスタＱ１３及びＱ１４の各々のエミッタは共に、増幅回路２０の増幅器Ａ２の反転入力端子（−）に接続されている。
【００６４】
図６に示される受光増幅回路２６においては、バイポーラトランジスタＱ１３及びＱ１４のベースにオン電流Ｉｓｗ７及びＩｓｗ８を与えることによって、バイポーラトランジスタＱ１３及びＱ１４がオンまたはオフされる。このような受光増幅回路２６によれば、バイポーラトランジスタ１３及び１４によって受光素子ＰＤ１及びＰＤ２が切り替えられるため、図５に示される受光増幅回路２３のように、回路の素子数が増加することはない。
【００６５】
しかしながら、図６におけるバイポーラトランジスタＱ１３及びＱ１４をオンするためのオン電流Ｉｓｗ７及びＩｓｗ８は、バイポーラトランジスタＱ１３及びＱ１４のエミッタを介して増幅器Ａ２から供給されている。したがって、オン電流Ｉｓｗ７及びＩｓｗ８が大きい場合には、増幅器Ａ２のオフセット電圧が大きくなる。また、オン抵抗が一定でない場合には、オン電流Ｉｓｗ７及びＩｓｗ８が変化するため、増幅器Ａ２のオフセット電圧もまた変化する。よって、オン電流Ｉｓｗ７及びＩｓｗ８は、可能な限り小さいことが望ましい。
【００６６】
また、図６に示される受光増幅回路２６には、次のような問題もある。
【００６７】
図７は、図６に示される受光増幅回路の周波数特性を示す図である。受光素子ＰＤ１及びＰＤ２からの入力信号が小さい場合、図６に示される受光増幅回路２６におけるバイポーラトランジスタＱ１３及びＱ１４のオン抵抗によって、受光増幅回路２６の周波数特性は、図７における実線で示される特性から、破線で示される特性へと変化する。すなわち、受光増幅回路２６においては、高周波の入力信号の減衰量が多くなってしまう。
【００６８】
これに対して、図４に示される受光増幅回路２においては、スイッチ回路２１及び２２のオン抵抗が小さいため、周波数特性が変化することが抑制される。
【００６９】
また、図４に示されるような本実施形態に係る受光増幅回路２によれば、スイッチ回路２１及び２２は、それぞれ一対のバイポーラトランジスタによって構成されるため、図５に示される受光増幅回路２３と比べて、回路の素子数を減少させることが可能である。かつ、本実施形態に係る受光増幅回路２によれば、スイッチ回路２１及び２２のオン抵抗が小さいため、図６に示される受光増幅回路２６のオン電流Ｉｓｗ７及びＩｓｗ８と比べて、オン電流Ｉｓｗ５及びＩｓｗ６を小さくすることができる。よって、増幅器Ａ２のオフセット電圧がより小さくなる。また、スイッチ回路２１及び２２のオン抵抗が安定することによって、オフセット電圧が変化することも抑制される。
【００７０】
（第３の実施形態）
図８は、本発明の第３の実施形態に係る受光増幅回路の回路図である。図８に示される受光増幅回路３は、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２と、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各々に接続される第１の増幅回路３０及び３１と、第２の増幅回路３２と、第１の増幅回路３０及び３１の各々と第２の増幅回路３２とを接続するスイッチ回路３３及び３４とを備えている。第１の増幅回路３０及び３１の各々の反転入力端子（−）には、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ａを介して所定の電圧が印加されている。また、第２の増幅回路３２の反転入力端子（−）とには、インピーダンス整合抵抗Ｒｒｅｆ−ｄを介して所定の電圧が印加されている。
【００７１】
受光素子ＰＤ１及びＰＤ２のカソードの各々は、増幅器Ａ５及びＡ６の各々の反転入力端子に接続され、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２のアノードの各々は、接地電圧点Ｖｅｅに接続されている。
【００７２】
スイッチ回路３３は、一対のＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ１５及びＱ１６によって構成されている。バイポーラトランジスタＱ１５のコレクタは、増幅器Ａ５の出力端子に接続され、エミッタは、入力抵抗Ｒｇ−ｃを介して第２の増幅回路３２の反転入力端子（−）に接続されている。一方、バイポーラトランジスタＱ１６のコレクタは、バイポーラトランジスタＱ１５のエミッタに接続され、バイポーラトランジスタＱ１６のエミッタは、バイポーラトランジスタＱ１５のコレクタに接続されている。更に、バイポーラトランジスタＱ１５及びＱ１６の各々のベースは、相互に接続されている。
【００７３】
また、スイッチ回路３４は、一対のＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ１７及びＱ１８によって、スイッチ回路３３と同様に構成されている。すなわち、バイポーラトランジスタＱ１７のコレクタは、増幅器Ａ５の出力端子に接続され、エミッタは、入力抵抗Ｒｇ−ｃを介して増幅回路３２の反転入力端子（−）に接続されている。一方、バイポーラトランジスタＱ１５のコレクタ、ベース及びエミッタは、バイポーラトランジスタＱ１５のエミッタ、ベース及びコレクタにそれぞれ接続されている。
【００７４】
スイッチ回路３３及び３４は、スイッチ回路３３及び３４のベースにオン電流Ｉｓｗ９及びＩｓｗ１０を与えることによって、オンまたはオフになる。このような受光増幅回路３によれば、受光素子ＰＤ１及び第１の増幅回路３０の組み合わせと、受光素子ＰＤ２及び第１の増幅回路３１の組み合わせとを必要に応じて切り替えることが可能となる。
【００７５】
特に、本実施形態における受光増幅回路３においては、増幅回路３２のゲインは、次の式（３）のように表される。
−Ｒｇ−ｄ／（Ｒｇ−ｃ＋Ｒｏｎ）  …  （３）
【００７６】
したがって、スイッチ回路３３及び３４のオン抵抗Ｒｏｎが大きい場合、第２の増幅回路３２のゲインが変化してしまう。しかしながら、本実施形態においては、バイポーラトランジスタＱ１５〜Ｑ１８の飽和領域において、スイッチ回路３３及び３４のオン抵抗が小さくなるため、第２の増幅回路３２のゲインが大きく変化することを抑制することが可能となる。
【００７７】
ここで、受光素子及び増幅回路の複数の組み合わせを必要に応じて切り替えるために考えられる回路の例を挙げて、本実施形態に係る受光増幅回路３の利点について説明する。
【００７８】
図９は、図８に示される受光増幅回路に相当する回路の一例を示す回路図である。図９に示される受光増幅回路３５は、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２と、第１の増幅回路３０及び３１と、第２の増幅回路３２と、バッファアンプＡ８及びＡ９とを備えている。受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各々のカソードは、増幅器Ａ５及びＡ６の反転入力端子に接続されている。第１の増幅回路３０及び３１の各々の出力端子は、バッファアンプＡ８及びＡ９入力端子に接続されている。また、バッファアンプＡ８及びＡ９の各々の出力端子は、入力抵抗Ｒｇ−ｃを介して、第２の増幅回路３２の反転入力端子（−）に接続されている。
【００７９】
図９に示される受光増幅回路３５においては、増幅器Ａ５の動作がオフである場合であっても、受光素子ＰＤ１から出力される入力信号は、第１の増幅回路３０の帰還抵抗Ｒｇ−ａを介して、第１の増幅回路３０から出力される。また、増幅器Ａ６の動作がオフである場合であっても、受光素子ＰＤ２から出力される入力信号は、同様に第１の増幅回路３１の帰還抵抗Ｒｇ−ｂを介して、第１の増幅回路３１から出力される。そこで、受光増幅回路３５は、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各々と、第２の増幅回路３２との間を完全に遮断するために、バッファアンプＡ８及びＡ９を備えている。そして、増幅器Ａ５及びバッファアンプＡ８を同時にオンまたはオフにすると共に、増幅器Ａ６及びバッファアンプＡ９をオフまたはオンにすることによって、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２が切り替えられる。
【００８０】
しかしながら、このような受光増幅回路３５は、バッファアンプＡ８及びＡ９が不可欠であるため、回路全体の素子数が増加するという問題がある。
【００８１】
図１０は、図８に示される受光増幅回路に相当する回路の他の一例を示す回路図である。図１０に示される受光増幅回路３６は、図９におけるバッファアンプＡ８及びＡ９の代わりに、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ１９及びＱ２０を備えている。バイポーラトランジスタＱ１９のコレクタは、増幅器Ａ５の出力端子に接続され、バイポーラトランジスタＱ１９のエミッタは、入力抵抗Ｒｇ−ｃを介して、増幅回路３２の増幅器Ａ７の反転入力端子（−）に接続されている。また、バイポーラトランジスタＱ２０のコレクタは、増幅器Ａ６の出力端子に接続され、バイポーラトランジスタＱ２０のエミッタは、入力抵抗Ｒｇ−ｃを介して、増幅回路３２の増幅器Ａ７の反転入力端子（−）に接続されている。
【００８２】
図１０に示される受光増幅回路３６においては、バイポーラトランジスタＱ１９及びＱ２０のベースにオン電流Ｉｓｗ１１及びＩｓｗ１２を与えて、バイポーラトランジスタＱ１９及びＱ２０をオンまたはオフにすることによって、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２が切り替えられる。したがって、図５に示される受光増幅回路２３と比べると、回路の素子数が増加するという問題は、改善されている。
【００８３】
しかしながら、受光素子ＰＤ１及びＰＤ２をオンするためのオン電流Ｉｓｗ１１及びＩｓｗ１２は、バイポーラトランジスタＱ１９及びＱ２０の各々のエミッタを介して増幅器Ａ７から供給される。したがって、オン電流Ｉｓｗ１１及びＩｓｗ１２が大きい場合には、増幅器Ａ７のオフセット電圧が大きくなる。また、オン電流Ｉｓｗ１１及びＩｓｗ１２がばらつくことによって、増幅器Ａ７のオフセット電圧もまたばらつくため、オン電流Ｉｓｗ１１及びＩｓｗ１２は、可能な限り小さいことが望ましい。
【００８４】
図８に示される本実施形態に係る受光増幅回路３によれば、図９に示される受光増幅回路３５と比べて、回路の素子数を減少させることが可能である。かつ、本実施形態に係る受光増幅回路３によれば、スイッチ回路３３及び３４のオン抵抗が小さくなるため、図１０に示される受光増幅回路３６のオン電流Ｉｓｗ１１及びＩｓｗ１２と比べて、オン電流Ｉｓｗ９及びＩｓｗ１０を小さくすることができる。よって、オフセット電圧は、より小さくなる。また、スイッチ回路３３及び３４のオン抵抗が安定するため、オフセット電圧が変化することも抑制される。
【００８５】
（第４の実施形態）
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る光ピックアップ装置の要部を示すブロック図である。本実施形態に係る光ピックアップ装置４１は、図１１に示されるように、複数の受光素子ＰＤ３〜ＰＤ１４と、増幅回路Ａ８〜Ａ１１と、スイッチ回路４０とを備えている。
【００８６】
複数の規格に対応する光ディスクドライブ装置において、光ディスクからのデータの読み出しと、光ディスクへのデータの書き込みとが行われる場合、光ディスク媒体の規格に応じて、サーボ方式が切り替えられる。この場合、図１１に示される複数の受光素子ＰＤ３〜ＰＤ１４の中から光ディスク媒体の種類に対応する受光素子を選択したり、複数の増幅回路Ａ１０〜Ａ１３の中から光ディスク媒体の種類に対応する増幅回路を選択したりする必要がある。スイッチ回路４０として本発明に係るスイッチ回路が用いられる場合、スイッチ回路のオン抵抗が小さいため、光ピックアップ装置４１における信号経路の接続状態を切り替えるために要する電流を小さくすることが可能である。
【００８７】
また、光ディスク媒体からのデータの読み込み時や光ディスク媒体へのデータの書き込み時にディスクの回転速度が変化すると、受光素子へと入射される反射光の強度が変化する。この場合、受光素子への入射光量に応じて、増幅回路のゲインを変化させる必要がある。増幅回路Ａ１０〜Ａ１３の帰還抵抗の大きさを切り替えるためのスイッチとして、本発明に係るスイッチ回路を備えていれば、光ピックアップ装置４１のゲインのリニアリティが向上する。これにより、光ピックアップ装置４１は、安定して電圧を出力することが可能となる。
【００８８】
尚、上記の各実施形態に係るスイッチ回路は、一対のバイポーラトランジスタを含んでいるが、スイッチ回路は、３以上のバイポーラトランジスタを含んでいても良い。この場合においても、スイッチ回路のオン抵抗は、バイポーラトランジスタの各々のオン抵抗の並列和によって表されるため、スイッチ回路は、上記の各実施形態におけるものと同様の効果を奏することができる。
【００８９】
また、上記の各実施形態において、スイッチ回路に含まれるバイポーラトランジスタの各々の特性は、同一であっても良いし、異なっていても良い。
【００９０】
更に、上記の各実施形態に係る受光増幅回路は、２つのスイッチ回路を備えているが、３つ以上のスイッチ回路を備えていても良いことは言うまでもない。
【００９１】
更に、上記の各実施形態に係る受光増幅回路は、光ピックアップ装置に含まれていても良い。
【００９２】
更に、上記の第１の実施形態に係る受光増幅回路は、２つの帰還抵抗と、２つのインピーダンス整合抵抗とを備えているが、３以上の帰還抵抗と、３以上のインピーダンス整合抵抗とを備えていても良い。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明に係るスイッチ回路、これを用いた受光増幅回路及び光ピックアップ装置は、例えば、複数の規格に対応する光ディスクドライブ装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図２】図１に示されるスイッチ回路のオン抵抗特性を示す図
【図３】本発明の第１の実施形態に係る受光増幅回路の変形例の回路図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図５】図４に示される受光増幅回路に相当する回路の一例を示す回路図
【図６】図４に示される受光増幅回路に相当する回路の他の一例を示す回路図
【図７】図６に示される受光増幅回路の周波数特性を示す図
【図８】本発明の第３の実施形態に係る受光増幅回路の回路図
【図９】図８に示される受光増幅回路に相当する回路の一例を示す回路図
【図１０】図８に示される受光増幅回路に相当する回路の他の一例を示す回路図
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る光ピックアップ装置の要部を示すブロック図
【図１２】従来の受光増幅装置の回路図
【図１３】図１２に示されるトランジスタのオン抵抗特性を示す図
【符号の説明】
【００９５】
１〜３  受光増幅回路
１０、２０  増幅回路
３０、３１  第１の増幅回路
３２  第２の増幅回路
１１〜１４、２１、２２、３３、３４、４０  スイッチ回路
４１  光ピックアップ装置
ＰＤ１〜ＰＤ１４  受光素子
Ｑ１〜Ｑ２０  バイポーラトランジスタ
Ｒｇ−ａ、Ｒｇ−ｂ、Ｒｇ−ｃ、Ｒｇ−ｄ  帰還抵抗
Ｒｒｅｆ−ａ、Ｒｒｅｆ−ｂ、Ｒｒｅｆ−ｄ  インピーダンス整合抵抗
Ｒｒｅｆ−ｃ  入力抵抗
Ａ１〜Ａ１３  増幅器
Ｖｃｃ  電圧供給点
Ｖｏ  出力電圧点
Ｖｅｅ  接地電圧点
【図１】
2007013451.tif 000003
【図２】
2007013451.tif 000004
【図３】
2007013451.tif 000005
【図４】
2007013451.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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