(57)【要約】【課題】  ウォーターマークやパーティクル残留の発生がなく、簡便なウェーハの洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法を提供すること。【解決手段】  洗浄液８が満たされた洗浄槽２と、ＩＰＡガス９を供給するノズル３とを備え、洗浄槽２内で洗浄液８に水平に浸漬された洗浄後のウェーハＷと、ＩＰＡガス９が噴射されるノズル３とを相互に接近させ、ウェーハＷ上の洗浄液８をＩＰＡガス９によってウェーハＷの外周部へ移動させてウェーハＷの乾燥を行なうことにより、ウェーハＷ上の水分やパーティクルが残留することなくウェーハＷの洗浄、乾燥を行なうことができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄槽内で洗浄用の第１の流体に水平に浸漬されたウェーハと、洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第１の流体よりも表面張力が小さい第２の流体を供給するノズルとを相対的に接近させ、前記ウェーハ上の前記第１の流体を前記第２の流体により該ウェーハの内側から外周部へ移動させて該ウェーハの乾燥を行なうことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥方法。
【請求項２】
洗浄槽内で洗浄用の第１の流体に水平に浸漬されたウェーハへ、複数の噴射口を備えたノズルより、前記ウェーハの内側から外周部に向かって噴射領域を拡大しながら、洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第１の流体よりも表面張力が小さい第２の流体を供給し、前記ウェーハ上の前記第１の流体を前記第２の流体により該ウェーハの外周部へ移動させて該ウェーハの乾燥を行なうことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥方法。
【請求項３】
ウェーハの洗浄を行なう第１の流体が満たされた洗浄槽と、
洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第１の流体よりも張力が小さい第２の流体が供給される噴射口が少なくとも１個設けられたノズルとを備えたことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥装置。
【請求項４】
ウェーハの洗浄を行なう第１の流体を前記ウェーハ表面に向かって噴射することにより、該ウェーハを前記第１の流体で浸漬された状態と同等に保ちながら洗浄を行なう該ウェーハの周囲に設けられた洗浄液噴射口と、
前記ウェーハの洗浄が行なわれる洗浄槽と、
洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第１の流体よりも張力が小さい第２の流体が供給される噴射口が少なくとも１個設けられたノズルとを備えたことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥装置。
【請求項５】
前記洗浄槽は、前記第１の液体を排出するためのドレイン口が設けられていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
【請求項６】
前記洗浄槽の内部には、前記ウェーハを載置し、該ウェーハを上下方向へ移動させる移動機構が設けられていることを特徴とする請求項３、４、又は５のうちいずれか１項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
【請求項７】
前記ノズルは、前記ウェーハに対して接離可能に設けられていることを特徴とする請求項３、４、５又は６のうちいずれか１項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
【請求項８】
前記ノズルの先端部には、前記洗浄槽内に載置された前記ウェーハと平行に板が設けられていることを特徴とする請求項３、４、５、６又は７のうちいずれか１項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置や電子部品等のウェーハの洗浄と乾燥とを行なうウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や電子部品等のウェーハは、製造の過程において切削、研磨等の各種工程を経ていく。例えば、ＣＭＰによるウェーハの研磨は、ウェーハ保持ヘッドによってウェーハを保持し、このウェーハを回転する研磨定盤に所定の圧力で押し付け、その研磨定盤とウェーハとの間にケミカル研磨剤（以下、「スラリ」と称する）を供給することにより行われる。
【０００３】
このようなウェーハ研磨装置で研磨加工されたウェーハは、洗浄装置により洗浄され、ウェーハに付着していたスラリが除去される。洗浄されたウェーハは、洗浄装置内に設けられた、又は洗浄装置に隣接した乾燥装置により乾燥が行なわれる。
【０００４】
乾燥の工程では、従来、ウェーハを回転させて表面の水分を遠心力により除去するスピン乾燥などが行なわれていた。しかし、スピン乾燥では、水分が複数の水滴に分離してウェーハ上から除去されずに残留することによりウォーターマークとなる、又は跳ね飛ばされた水滴の跳ね返りなどによるパーティクル残りが発生するなどの問題があった。
【０００５】
そのため、現在では純水や脱イオン水などの洗浄液内にウェーハを立て、洗浄液を排出するとともにイソプロピルアルコール（Ｉｓｏ−Ｐｒｏｐｙｌ  Ａｌｃｏｈｏｌ。以下ＩＰＡと称する）のガスを密閉された洗浄槽内へ送り、洗浄液とＩＰＡガスの表面張力の差を利用することによりパーティクル残留を防止しながら乾燥を行なう、マランゴニ方式の乾燥装置（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
又は、回転するウェーハに対しウェーハの中央部から外周部に移動しながら洗浄液を供給するノズルと、洗浄用のノズルとともに移動する洗浄用のノズル近傍に設けられた乾燥用のＩＰＡガスを供給するノズルとにより、マランゴニ力を発生させてウェーハの洗浄と乾燥を行なう洗浄乾燥装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００３−２２４１０４号公報
【特許文献２】特開２００４−１４０１９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載されたような乾燥装置では、洗浄液がウェーハ表面に残らないようにするため、ウェーハを立てた状態にする必要があり、ウェーハを加工している定盤上から一度起こして搬送するなど、装置の搬送系が大変複雑かつ大型化する問題があり、一枚単位で処理してゆく装置などには適さない。また、搬送系が複雑化して移動に時間がかかると、凝集しやすいスラリなどを使用している場合は、搬送中に研磨後のスラリが凝集してしまい洗浄が困難になる。
【０００８】
また、特許文献２に記載されたような洗浄乾燥装置では、ウェーハが水平に保たれていない場合、洗浄液が片側に流れてしまい効果的なマランゴニ力を得ることが困難となる。更に、ウェーハを回転させる為、ウェーハ上の洗浄液はウェーハ外周部に向かって流れ、供給されるＩＰＡガスも中央部から外周部に向かって流れるので、流体の流れる力が一方向であって、マランゴニ力のバランスを取ることが困難となり、結果としてウェーハ面上にウェーターマークを残す問題があった。
【０００９】
本発明はこのような問題に対して成されたものであり、ウォーターマークやパーティクル残留の発生がなく、簡便なウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は前記目的を達成するために、洗浄槽内で洗浄用の第１の流体に水平に浸漬されたウェーハと、洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第１の流体よりも表面張力が小さい第２の流体を供給するノズルとを相対的に接近させ、前記ウェーハ上の前記第１の流体を前記第２の流体により該ウェーハの内側から外周部へ移動させて該ウェーハの乾燥を行なうことを特徴としている。
【００１１】
また、本発明は、前記洗浄槽は、前記第１の液体を排出するためのドレイン口が設けられていること、前記洗浄槽の内部には、前記ウェーハの移動を行なう移動機構が設けられていること、前記ノズルの先端部には、前記洗浄槽内に載置された前記ウェーハと平行に板が設けられていることも特徴としている。
【００１２】
更に、本発明では、ウェーハの洗浄を行なう第１の流体を前記ウェーハ表面に向かって噴射することにより、該ウェーハを前記第１の流体で浸漬された状態と同等に保ちながら洗浄を行なう該ウェーハの周囲に設けられた洗浄液噴射口と、前記ウェーハの洗浄が行なわれる洗浄槽と、洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第１の流体よりも張力が小さい第２の流体が供給される噴射口が少なくとも１個設けられたノズルとを備えたことも特徴としている。
【００１３】
本発明によれば、洗浄後のウェーハが洗浄用の第１の流体内に水平に浸漬、又は洗浄液噴射口から噴射される第１の流体により流体内に水平に浸漬された状態と同等にされる。第１の流体に浸漬されたウェーハの上面中心付近に向け、ノズルより乾燥を行なう第２の流体が供給される。この状態でノズルがウェーハに接近することにより、ウェーハへ当たる第２の流体の圧力が徐々に増し、図１１に示すように、第１の流体がウェーハ中央部へ押し寄せる力と、第２の流体が第１の流体をウェーハ外周部へ押し出す力がバランスする状態を制御性よく作り出す。
【００１４】
このとき、第１の流体と第２の流体との表面張力の差により２つの液体の界面付近で発生するマランゴニ力が効果的に働き、ウェーハ上面の第１の流体はウェーハ外周部へとゆっくりと移動する。
【００１５】
第１の流体がウェーハ外周部へ移動した後は、洗浄槽に設けられたドレイン口から第１の流体を排出する、又は、ウェーハの移動機構により第１の流体から上昇させてウェーハを取り出す。
【００１６】
これにより、ウェーハ表面にパーティクルを残すことなくウェーハ上の水分が完全に除去される。また、ウェーハが水平状態に置かれたままで乾燥可能であるため、回転機構や複雑な搬送装置、大型の槽などは不要であり、装置が小型化され、簡便に取り扱うことが出来る。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明のウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置によれば、小型化された簡便な装置により、ウェーハ上に水分やパーティクルが残留することなくウェーハの洗浄、乾燥を行なうことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置の好ましい実施の形態について詳説する。
【００１９】
まず初めに、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置と、ウェーハ洗浄乾燥装置が組み込まれたウェーハ研磨装置との構成について説明する。図１は、ウェーハ研磨装置の平面断面図である。
【００２０】
図１に示すようにウェーハ研磨装置１０は、洗浄乾燥装置１、ウェーハ収納部２０、搬送手段１４、研磨手段１６、１６、１６、及び膜厚測定手段２９とから構成されている。
【００２１】
ウェーハ収納部２０は、製品用ウェーハ収納部２０Ａ、ダミーウェーハ収納部２０Ｂ、第１モニターウェーハ収納部２０Ｃ、第２モニターウェーハ収納部２０Ｄとからなり、各収納部にはカセット２４に収納されたウェーハＷが収納される。製品用ウェーハ収納部２０Ａは２個並んで設けられている。また第１モニターウェーハ収納部２０Ｃはカセット２４の下段を使用し、同じカセット２４の上段は第２モニターウェーハ収納部２０Ｄになっている。
【００２２】
搬送手段１４は、インデックス用ロボット２２とトランスファーロボット３０及び搬送ユニット３６Ａ、３６Ｂとから構成されている。
【００２３】
インデックス用ロボット２２は、旋回自在かつ屈曲自在なアームを２本備えており、図１の矢印Ｙ方向に沿って移動自在に設けられている。このインデックス用ロボット２２は、各ウェーハ収納部に載置されたカセット２４から研磨対象のウェーハＷを取り出して膜厚測定手段２９及び受渡しポート２６、２８に搬送するとともに、洗浄が終了したウェーハＷを洗浄乾燥装置１から受け取ってカセット２４に収納する。
【００２４】
トランスファーロボット３０は、屈曲自在かつ旋回自在なロード用アーム３０Ａとアンロード用アーム３０Ｂとを備えており、図１に示す矢印Ｘ方向に沿って移動自在に設けられている。
【００２５】
ロード用アーム３０Ａは、研磨前のウェーハＷの搬送に使用され、その先端部に備えられた図示しないパッドで研磨前のウェーハＷを受渡しポート２６、２８から受け取り、搬送ユニット３６Ａ、３６Ｂに搬送する。
【００２６】
アンロード用アーム３０Ｂは、研磨後のウェーハＷの搬送に用いられ、その先端に備えられた図示しないパッドで研磨後のウェーハＷを搬送ユニット３６Ａ、３６Ｂから受け取り、洗浄乾燥装置１又はアンロードカセット３２へと搬送する。
【００２７】
搬送ユニット３６Ａ、３６Ｂは、どちらも図１に示される矢印Ｙ方向に沿って移動自在に設けられ、夫々受取り位置ＳＡ 、ＳＢ と受渡し位置ＴＡ 、ＴＢの間を移動する。受取り位置ＳＡ、ＳＢ でトランスファーロボット３０のロード用アーム３０Ａから研磨対象のウェーハＷを受取り、受渡し位置ＴＡ 、ＴＢ に移動して研磨ヘッド３８Ａ、３８Ｂに受け渡す。また研磨後のウェーハＷを受渡し位置ＴＡ 、ＴＢ で受取り、受取り位置ＳＡ 、ＳＢ に移動してトランスファーロボット３０のアンロード用アーム３０Ｂに受け渡す。
【００２８】
この搬送ユニット３６Ａ、３６Ｂは夫々が別々の２個の受け台を持っており、この２個の受け台は研磨前のウェーハＷ用と研磨後のウェーハＷ用とに使い分けられる。
【００２９】
研磨手段１６、１６、１６は、ウェーハＷの研磨を行い、図１に示すように、研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ、研磨ヘッド３８Ａ、３８Ｂ、スラリ供給ノズル３７Ａ、３７Ｂ、３７Ｃ及びキャリア洗浄ユニット４０Ａ、４０Ｂを備えている。
【００３０】
研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃは、円盤状に形成されており、３台が並列して配置されている。各研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃの上面には、それぞれ研磨パッド（図示せず）が貼付されており、この研磨パッド上にスラリ供給ノズル３７Ａ、３７Ｂ、３７Ｃからスラリが供給される。また、各研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃは、図示しないモータで駆動されて回転し、この回転する研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４ＣにウェーハＷが押し付けられることで、ウェーハＷが研磨される。
【００３１】
ここで、この３つの研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃのうち左右の研磨定盤３４Ａ、３４Ｂは第１の研磨対象膜の研磨に用いられ、中央の研磨定盤３４Ｃは第２の研磨対象膜の研磨に用いられる。両者の研磨においては、供給するスラリの種類、研磨ヘッドの回転数や研磨定盤の回転数、また、研磨ヘッドの押付力や研磨パッドの材質等が変更されている。
【００３２】
なお、この研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃの近傍には、それぞれドレッシング装置３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃが設けられている。ドレッシング装置３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃは、旋回自在なアームを備えており、このアームの先端に設けられたドレッサによって研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ上の研磨パッドをドレッシングする。研磨ヘッドは３８Ａ、３８Ｂと２台設置されており、それぞれ図１の矢印Ｘ方向に沿って移動自在に設けられている。
【００３３】
研磨ヘッド３８Ａは、保持したウェーハＷを研磨定盤３４Ａ上の研磨パッドに押し付けて、研磨定盤３４Ａと研磨ヘッド３８Ａとをそれぞれ回転させながら、研磨パッド上にスラリを供給することにより、ウェーハＷが研磨される。他方側の研磨ヘッド３８Ｂも同様に構成される。
【００３４】
また図１に示すように、研磨定盤３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃの間にはキャリア洗浄ユニット４０Ａ、４０Ｂが２台設置されており、それぞれ搬送ユニット３６Ａ、３６Ｂの所定の受渡位置ＴＡ 、ＴＢに配置されている。このキャリア洗浄ユニット４０Ａ、４０Ｂは、研磨終了後の研磨ヘッド３８Ａ、３８Ｂのキャリアを洗浄する。
【００３５】
膜厚測定手段２９は、ウェーハＷのセンタリング機構と膜厚測定機とを有している。膜厚測定機では、研磨対象膜が酸化膜である場合には、光干渉式の膜厚測定機等が用いられ、研磨対象膜がメタル膜の場合には４探針比抵抗測定器等が用いられる。
【００３６】
洗浄乾燥装置１は、研磨が終了したウェーハＷの洗浄と乾燥を行なう。洗浄乾燥装置１には、複数の洗浄槽２と複数のノズル３とを備えている。
【００３７】
洗浄槽２内にはアルカリ溶液、酸性薬液、脱イオン水、又は純水等を使用した第１の流体としての洗浄液を供給する供給口５と、洗浄後の洗浄液を排出するドレイン口４とが設けられている。また、洗浄槽２内には、図２に示すようにウェーハＷを載置して上下に移動を行なう複数個の支持部（移動機構）６が設けられている。
【００３８】
ノズル３は、図２に示す矢印Ａ方向に回転可能、且つ矢印Ｂ方向に上下移動可能であるノズル本体１２と、ノズル本体１２の先端部にウェーハＷと水平に設けられた板１１とで構成される。
【００３９】
ノズル本体１２内部には、第２の流体としてのＩＰＡガス又はＩＰＡガスを含んだ蒸気を噴射するための噴射口が形成されている。板１１は、ノズル本体１２とウェーハＷが接近した際、ノズル本体１２の先端部から噴射したＩＰＡガスがウェーハＷに当たってノズル３側へ吹き上がらず、横方向へ流れるようにするため設けられている。
【００４０】
ノズル３は、インデックス用ロボット２２、又はトランスファーロボット３０によりウェーハＷが支持部６上へ載置、又は指示部６上から移動される場合は矢印Ａ方向に回転してウェーハＷ上より退避する。
【００４１】
ウェーハＷの洗浄後の乾燥を行なう場合は、ノズル３が洗浄液に浸漬されたウェーハＷ上へ回転移動し、回転移動後ノズル本体１２よりウェーハＷ中央付近へＩＰＡガスが噴射される。この状態でノズル本体１２が下降する、ウェーハＷが支持部６により上昇する、又はノズル本体が下降するとともにウェーハＷが支持部６により上昇してウェーハＷとノズル３が相対的に接近して乾燥を行なう。
【００４２】
以上のような構成により、本発明に関わるウェーハ洗浄乾燥装置は、小型化された簡便な装置構成で、ウェーハ上に水分やパーティクルを残留させることなくウェーハの洗浄、乾燥を行なうことが可能となる。
【００４３】
なお、本実施の形態では、洗浄槽２内に設けられた供給口５より洗浄液を供給してウェーハを洗浄液に浸漬させるが、本発明はこれに限らず、図９に示すように、洗浄乾燥装置５０の洗浄槽２内に設けられた洗浄液噴射口５１よりウェーハＷ上に洗浄液を噴射し、ウェーハＷが洗浄液に浸漬されたのと同等の状態を保つようにしても好適に実施可能である。
【００４４】
次に本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置の洗浄乾燥方法について説明する。図３、図４、及び図５は洗浄乾燥装置１を模式的に表した断面側面図である。
【００４５】
図３に示すように、洗浄槽２内へは供給口５より洗浄液８が供給され、複数の支持部（移動機構）６上に載置されたウェーハＷが洗浄液８に浸漬される。洗浄液８に浸漬されたウェーハＷは不図示のダブルサイドブラシ、又は不図示の超音波水を使用したペンブラシ等で洗浄が行なわれる。
【００４６】
ウェーハＷ洗浄後、ノズル３がウェーハＷ上に移動し、噴射口７よりウェーハＷの中心付近へ向けて第２の流体としてのＩＰＡガス９が噴射される。このとき、ウェーハＷの上面は洗浄液８の液面より、図３に示す深さｈの深さに位置する。深さｈは５ｍｍ以下とする。
【００４７】
ウェーハＷの上面中心付近へ向けてＩＰＡガス９を噴射するノズル本体１２は、図４へ示すように下降してウェーハＷへ接近する。それにともない、ＩＰＡガス９がウェーハＷと板１１の間を通り、ＩＰＡガスのウェーハＷ上面に当たる圧力が増し、洗浄液８がウェーハＷの外周部に向かって移動する。
【００４８】
このとき、洗浄液８とＩＰＡガス９との境界面では、洗浄液８とＩＰＡガス９との表面張力の差により、洗浄液８内にＩＰＡガス９をリッチに含む部分とそうではない部分とが混在する。結果として、マランゴニ効果により、ウェーハＷ上のパーティクルや洗浄液８を残すことなく外周部へ移動させ、ウェーハ上のパーティクルや洗浄液８が完全に除去される。
【００４９】
図５に示すようにノズル３がウェーハＷへ更に接近することにより、ＩＰＡガス９がウェーハＷ上面に当たる圧力が更に増し、洗浄液８はウェーハＷの外周部へ完全に移動され、ウェーハ上面側の乾燥が完了する。
【００５０】
この状態でドレイン口４より洗浄液８を排出する、又はノズル３を上昇させるとともに支持部６によりウェーハＷを上昇させることにより、ウェーハＷは洗浄液８から取り出され、ウェーハの乾燥作業が終了する。
【００５１】
なお、本実施の形態では、ノズル３が下降してウェーハＷに接近しているが、本発明はこれに限らず、ノズル３を固定し、ウェーハＷが支持部６により上昇する、又はウェーハＷが上昇するとともにノズル３が下降することによりウェーハＷとノズル３を接近させてウェーハＷを乾燥させる形態でも好適に利用可能である。
【００５２】
次に、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置における別の実施の形態について説明する。図６、図７、及び図８は別の実施の形態における洗浄乾燥装置１を模式的に表した断面側面図である。
【００５３】
図６に示すノズル１７は、ノズル３と同様にウェーハＷと接離可能に設けられており、ウェーハＷの乾燥を行なう際にウェーハＷ上へ移動する。ウェーハＷ上へ移動したノズル１７は、洗浄液８に浸漬したウェーハＷに平行に保たれ、所定の高さまで接近して停止する。
【００５４】
ノズル１７には、ＩＰＡガス９を噴射する噴射口１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８ＤがウェーハＷの外周部に向かって複数設けられており、噴射口は別々にＩＰＡガスを噴射することが可能である。
【００５５】
この状態でノズル１７は、図６に示すように、まずウェーハＷの中心付近に位置する噴射口１８ＡよりＩＰＡガス９をウェーハＷ上へ噴射する。ウェーハＷ上の洗浄液８は、噴射されたＩＰＡガス９によりウェーハＷ外周部に向かって移動する。
【００５６】
このとき、洗浄液８とＩＰＡガス９との境界面では、洗浄液８とＩＰＡガス９との表面張力の差により、洗浄液８内にＩＰＡガス９をリッチに含む部分とそうではない部分とが混在する。結果として、マランゴニ効果により、ウェーハＷ上のパーティクルや洗浄液８を残すことなく外周部へ移動させ、ウェーハ上のパーティクルや洗浄液８が完全に除去される。
【００５７】
ノズル１７は、ウェーハＷ上の洗浄液８が所定の位置まで移動した時点で、図７に示すように、更に噴射口１８ＢよりＩＰＡガス９を噴射してＩＰＡガス９の噴射領域を拡大させ、洗浄液８をよりウェーハＷの外周部へ移動させる。
【００５８】
この後更に噴射する領域を噴射口１８Ｃ、１８Ｄと広げ、最終的にウェーハＷの外周部へ完全に洗浄液８を異動させ、ウェーハ上面側の乾燥が完了する。
【００５９】
この状態でドレイン口４より洗浄液８を排出する、又はノズル１７を上昇させるとともに支持部６によりウェーハＷを上昇させることにより、ウェーハＷは洗浄液８から取り出され、ウェーハの乾燥作業が終了する。
【００６０】
なお、本実施の形態では、噴射口を噴射口１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄの４箇所としているが、本発明はこれに限らず、噴射口の数や位置はウェーハＷのサイズ等により適宜選択される。
【００６１】
以上説明したように、本発明に係るウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置によれば、ウェーハが水平状態に置かれたままで、第１の流体と第２の流体との表面張力の差を利用したマランゴニ効果を利用することが可能であり、ウェーハ表面のパーティクル残留やウォーターマークの発生を防ぐ。
【００６２】
また、回転機構や複雑な搬送装置、大型の槽などは不要であるため、装置が小型化され、図１０に示すように、乾燥洗浄装置を重ねて製作することも可能であり、スペースをとらず、高スループットであって簡便なウェーハの取り扱いを実現することが出来る。
【００６３】
なお、本実施の形態では本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置をウェーハ研磨装置に組み込んだ場合で説明しているが、本発明はこれに限らず、ウェーハ洗浄乾燥装置単体や他の装置への組み込み、及び利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置を組み込んだ研磨装置の平面断面図。
【図２】ウェーハ洗浄乾燥装置の正面斜視図。
【図３】洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図（乾燥動作前）。
【図４】洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図（乾燥中）。
【図５】洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図（乾燥終了時）。
【図６】別の実施形態の洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図（乾燥開始時）。
【図７】別の実施形態の洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図（乾燥中）。
【図８】別の実施形態の洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図（乾燥終了時）。
【図９】洗浄液噴射口が設けられた洗浄乾燥装置の正面斜視図。
【図１０】重ねられた状態の洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図。
【図１１】本発明に係わる洗浄乾燥装置の原理を示した模式図。
【符号の説明】
【００６５】
１、５０…洗浄乾燥装置，２…洗浄槽，３、１７…ノズル，４…ドレイン口，５…供給口，６…支持部（移動機構），７、１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ…噴射口，８…洗浄液（第１の流体），９…ＩＰＡガス（第２の流体），１０…ウェーハ研磨装置，２０Ａ…製品用ウェーハ収納部，２０Ｂ…ダミーウェーハ収納部，２０Ｃ…第１モニターウェーハ収納部，２０Ｄ…第２モニターウェーハ収納部，２１…第２制御手段，２２…インデックス用ロボット，２６、２８…受渡しポート，２９…膜厚測定手段，３０…トランスファーロボット，３２…アンロードカセット，３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ…研磨定盤，３６Ａ、３６Ｂ…搬送ユニット，３８Ａ、３８Ｂ…研磨ヘッド，５１…洗浄液噴射口，Ｗ…ウェーハ
【図１】
2007036152.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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