(57)【要約】【課題】基板間の間隔（ギャップ）を均一することが可能な液晶装置及びこの液晶装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】液晶層と、液晶層を狭持して相互に対向配置された一対の基板と、一対の基板間において液晶層を囲むように配置された環状のシール材５とを具備してなる。シール材５は、一対の基板の配線同士を導通させる導通部５Ａと、非導通部５Ｂとから構成され、導通部５Ａにはギャップ材粒子５２Ａ及び導電性粒子５３Ａが含まれ、非導通部５Ｂにはギャップ材粒子５２Ｂ及び弾性粒子５４Ｂが含まれている。導電性粒子５３Ａの粒径は弾性粒子５４Ｂの粒径よりも大きく、かつ弾性粒子５４Ｂの粒径はギャップ材粒子５２Ｂの粒径よりも大きくなっている。【選択図】図５
2007212813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層と、前記液晶層を狭持して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間において前記液晶層を囲むように配置された環状のシール材とを具備してなり、
前記シール材は、前記一対の基板に設けられた配線を導通させる導通部と、非導通部とから構成され、前記導通部にはギャップ材粒子及び導電性粒子が含まれ、前記非導通部には前記ギャップ材粒子及び弾性粒子が含まれ、前記導電性粒子の粒径は前記弾性粒子の粒径よりも大きく、かつ該弾性粒子の粒径は前記ギャップ材粒子の粒径よりも大きくなっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記導電性粒子の弾性定数が前記弾性粒子の弾性定数以上であって、かつ前記ギャップ材粒子の弾性定数が前記導電性粒子の弾性定数よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記導電粒子は前記弾性粒子の表面を導電膜で覆う構成であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノートパソコン、携帯電話機、腕時計等の携帯用電子機器において、各種の情報を表示する手段として液晶表示装置が広く使用されている。
この種の液晶表示装置では、一般的に２枚の基板間に液晶が封入され、各基板の対向面には電極が形成されており、液晶を各画素毎に外部から駆動する方式が採用されている。
特許文献１には、複数の第１電極及び複数の外部接続用端子を備えた第１基板と、第１電極に対向する第２電極を備えた第２基板と、第１、第２基板を相互に接合する環状のシール材とを有し、シール材には導通部分と非導通部分とを有し、第２基板の第２電極が、シール材の導通部分を介して第１基板の外部接続用端子に接続されてなる液晶表示装置が開示されている。
この特許文献１におけるシール材の導通部分は、電気絶縁性の接着剤の中に複数の導電粒子が混入されることによって形成され、また、シール材の非導通部分は、電気絶縁性の接着剤のみによって構成されている。
【特許文献１】国際公開第９９／５２０１１号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１に記載された液晶表示装置については、その製造工程においてシール材を介して基板同士を貼り合わせる際に、基板間の間隔（ギャップ）を均一にできないという問題があった。特に、シール材の導通部分近傍におけるギャップよりも、非導通部分の近傍におけるギャップが小さくなるという問題があった。この問題は、シール材の導通部分においてはシール材に複数の導通粒子（導電性粒子）が含まれており、この導通粒子が基板間に挟まれることでギャップが一定の値に規制される一方、非導通部分においてはシール材に導通粒子が含まれてないため、ギャップを規制するものが存在しないことによるものと考えられる。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、基板間の間隔（ギャップ）を均一にすることが可能な液晶装置及びこの液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
液晶層と、前記液晶層を狭持して相互に対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間において前記液晶層を囲むように配置された環状のシール材とを具備してなり、前記シール材は、前記一対の基板の配線同士を導通させる導通部と、非導通部とから構成され、前記導通部にはギャップ材粒子及び導電性粒子が含まれ、前記非導通部には前記ギャップ材粒子及び弾性粒子が含まれ、
前記導電性粒子の粒径は前記弾性粒子の粒径よりも大きく、かつ該弾性粒子の粒径は前記ギャップ材粒子の粒径よりも大きくなっていることを特徴とする。
【０００６】
本発明の液晶装置によれば、導電部が基板間の間隔（セルギャップ）を保つためのギャップ材粒子を含み、非導通部が前記ギャップ材粒子とともに弾性粒子も含んでいるので、前記ギャップ材粒子よりも粒径が大きい導電性粒子及び弾性粒子は、基板圧着後に基板間に挟まれて弾性変形している。
ところで、非導通部にギャップ材のみが含まれた状態となっていると、導電性粒子及びギャップ材を含む導通部における基板間に働く荷重にバラツキが生じて、非導通部におけるセルギャップが狭まるといった不具合が生じるおそれがある。
そこで、本発明を採用すれば、上述したようにシール材の非導電部に含まれた弾性粒子が基板間で弾性変形して弾性粒子の反発力が基板間に働き、上記荷重のバラツキを分散させることで非導電部のセルギャップが狭まるのを防止できる。また、導電性粒子の粒径よりも弾性粒子の粒径が小さいので、該弾性粒子は導電性粒子の変形を妨げることがなく、基板間の電気的接続を確実に取ることができる。
よって、弾性粒子が含まれた非導電部はギャップ材粒子によりセルギャップが良好に規制され、シール材全体（導通部、及び非導通部）に渡ってセルギャップの均一化を図ることができ、これにより液晶層の厚みが均一となって液晶装置における表示ムラ等の不具合の発生を防止できる。
【０００７】
また、上記液晶装置においては、前記導電性粒子の弾性定数が前記弾性粒子の弾性定数以上であって、かつ前記ギャップ材粒子の弾性定数が前記導電性粒子の弾性定数よりも大きいのが好ましい。
【０００８】
弾性定数の大小関係により、外部からの応力による各粒子の変形しやすさが相対的に定まり、ギャップ材粒子が最も変形し難く、弾性粒子が導電性粒子よりも変形しやすい。
上記構成によれば、導電性粒子を変形させる程度の荷重で基板間を圧着すれば、該導電性材料に比べ弾性定数が低い弾性粒子が確実に変形されるので、基板間を均一な荷重で圧着できる。
【０００９】
また、上記液晶装置においては、前記導電粒子は前記弾性粒子の表面を導電膜で覆う構成であるのが好ましい。
【００１０】
例えば、ポリスチレン等からなる樹脂粒子の表面にコーティング処理あるいはメッキ処理を施すことで導電性粒子を形成できる。このようにすれば、この導電性粒子を上記粒径の関係、及び弾性定数の関係を満たす導電性粒子として好適採用できる。
【００１１】
本発明の電子機器は、上記液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の電子機器によれば、基板間のセルギャップが均一で表示ムラ等の不具合の発生のおそれのない液晶装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１４】
図１には、本実施形態の液晶装置を対向基板側から見た平面模式図を示し、図２には図１のＡ−Ａ’線に対応する断面模式図を示し、図３には液晶装置の平面拡大図を示す。また、図４には、液晶装置の等価回路を示す。
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１は、液晶層２と、この液晶層２を狭持して相互に対向配置された素子基板３（基板）及び対向基板４（基板）と、素子基板３及び対向基板４の間において液晶層２を囲むように配置された環状のシール材５とを備えて概略構成されている。素子基板３及び対向基板４は、シール材５によって一定の間隔（セルギャップ）をもって貼り合わされており、このシール材５によって区画された領域内に液晶（液晶層）２が封入、保持されている。シール材５は、基板面内において閉ざされた環状（枠状）に形成されている。
【００１５】
図２に示すように、素子基板３の内面側には複数の画素電極６がマトリクス状に形成される一方、対向基板４の内面側には短冊状のストライプ電極７が形成されており、各電極６、７の内面側には更に配向膜８、９が形成されている。なお、画素電極６にはスイッチング素子として図示しないＴＦＤ（薄膜ダイオード）が付設されている。このＴＦＤは図２における層間絶縁膜１０の内部に埋め込まれており、図示しないコンタクトホールを介して層間絶縁膜１０上の画素電極６に接続されている。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態の液晶装置１においては、対向基板４よりも素子基板３の外形寸法の方が大きく、素子基板３と対向基板４の３辺（図１における上辺、右辺、左辺）ではほぼ縁（基板の端面）が揃っているが、対向基板４の残りの１辺（図１における下辺）からは素子基板３の周縁部が張り出すように配置され、張出領域３０を形成している。張出領域３０には、素子基板３側に形成された画素電極６及び対向基板側に形成されたストライプ電極７を駆動するための駆動ＩＣ３１が実装されている。なお、駆動ＩＣ３１には図示しない外部接続用端子が形成され、当該液晶装置１とは異なる外部機器から表示制御信号等が受信可能な構成となっている。
【００１７】
駆動ＩＣ３１は素子基板３上に配設され、しかも矩形状の素子基板３の同一の張出領域３０に形成されている。駆動ＩＣ３１は、素子基板３側に形成された信号線２１を介してＴＦＤ、ひいては画素電極６に信号を送信するためのＩＣである。素子基板３には駆動ＩＣ３１と信号線２１を接続するための配線３２が形成されており、この配線３２を介して信号線２１及び画素電極６に対する信号供給が行われている。また、駆動ＩＣ３１は素子基板３に形成される一方、対向基板４に形成されたストライプ電極７に信号を送信するためのＩＣでもあるため、素子基板３に形成された引き廻し配線３３を介し、さらにシール材５に形成された電気接続部Ｐを介してストライプ電極７に信号が供給されるものとなっている（図３を参照）。電気接続部Ｐを含むシール材５の詳細な構成は後述する。
【００１８】
なお、液晶装置１においては、使用する液晶（液晶層２）の種類、すなわちＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置される。図２においては、素子基板３及び対向基板４の非液晶層側に配置された第１偏光板３ａ及び第２偏光板４ａを図示している。位相差板については図示を省略する。さらに、液晶装置１をカラー表示用として構成する場合には、対向基板４において、素子基板３の各画素電極６に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタを保護膜とともに形成する。
【００１９】
以上の構造を有する液晶装置１の画像表示領域においては、図４に示すように、複数の画素２１がマトリクス状に構成されている。また、図４に示すように、液晶装置１は駆動ＩＣ３１を含んでおり、複数の走査線２２と、該走査線２２と交差する複数のデータ線２３とが設けられ、走査線２２及びデータ線２３は駆動ＩＣ３１からの走査線信号及びデータ線信号をそれぞれ画素２１に供給する。そして、各画素２１において、データ線２３と走査線２２との間にＴＦＤ素子２４と液晶表示要素２５（液晶層）とが直列に接続されている。なお、図４では、ＴＦＤ素子２４がデータ線２３側に接続され、液晶表示要素２５が走査線２２側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子２４を走査線２２側に、液晶表示要素２５をデータ線２３側に設ける構成としても良い。
【００２０】
以上のような回路構成により、ＴＦＤ素子２４のスイッチング特性に基づいて液晶表示要素２５（液晶層）が駆動制御されるとともに、その液晶表示要素２５の駆動に基づいて画素２１毎に明暗表示がなされ、液晶装置１の表示領域において画像表示が行われるものとされている。
【００２１】
上述したように、本実施の形態では、シール材５における電気接続部Ｐ（図３参照）を介して、対向基板４と素子基板３とが電気的に接続されている。ここで、シール材５の態様について詳しく説明する。
図５は、本実施形態の液晶装置１のシール材５の構成を説明するための平面模式図である。この図５においては、シール材５の導通部５Ａ及び非導通部５Ｂの内部構造を模式的に示している。また、図６には図５のＢ−Ｂ’線に対応する断面模式図を示し、図７には図５のＣ−Ｃ’線に対応する断面模式図を示す。
図５に示すように、本実施形態におけるシール材５は、素子基板３の右辺、左辺（対向した２つの辺）に沿って形成された導通部５Ａと、素子基板３の上辺、下辺（対向した２つの短辺）に沿って形成された非導通部５Ｂとから構成されている。このようにシール材５は、導通部５Ａ及び非導通部５Ｂが相互に連結されることによって環状に成形されている。
【００２２】
導通部５Ａは、絶縁性の接着性樹脂５１Ａと、接着性樹脂５１Ａに充填されたギャップ材粒子５２Ａ及び導電性粒子５３Ａとから構成されている。また、非導通部５Ｂは、導通部の接着性樹脂と同じ材質の接着性樹脂５１Ｂと、接着性樹脂５１Ｂに充填された、導通部のギャップ材粒子５２Ａと同じ材質からなるギャップ材粒子５２Ｂと弾性粒子５４Ｂとから構成されている。
【００２３】
前記導電性粒子５３Ａは、例えばポリスチレン、メチルメタクリレート等の樹脂粒子の表面が導電膜で覆われたもの、例えば金属等の導電性材料がコーティング若しくはメッキされてなるものが好ましい。また、前記ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂは、シリカ粒子やガラス粒子等が好ましい。本実施形態では、例えばポリスチレンを弾性粒子として用い、このポリスチレンの表面にＮｉメッキ処理を施すことでＮｉ膜（導電膜）で覆うことで、後述する粒径の関係、及び弾性定数の関係を満たす導電性粒子５３Ａを用いている。
【００２４】
ここで、シール材５に含まれる各粒子の粒径について説明する。
導通部５Ａにおけるギャップ材粒子５２Ａの粒径をｒＧ１とし、非導通部５Ｂにおけるギャップ材粒子５２Ｂの粒径をｒＧ２としたとき、上述したように同じ材質からなるギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径はそれぞれ等しいことから、その関係はｒＧ１＝ｒＧ２となる。そして、前記導電性粒子５３Ａの粒径は前記弾性粒子５４Ｂの粒径よりも大きく、かつ該弾性粒子５４Ｂの粒径は前記ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径よりも大きくなっている。
【００２５】
すなわち、導電性粒子５３Ａの粒径をｒＤＥＢとし、弾性粒子５４Ｂの粒径をｒｅｌｐとしたとき、導電性粒子５３Ａ、弾性粒子５４Ｂ、及びギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径の関係は、ｒＤＥＢ＞ｒｅｌｐ＞ｒＧ１（＝ｒＧ２）となっている。
より詳細には、導電性粒子５３Ａの粒径ｒＤＥＢは、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径ｒＧ１、ｒＧ２に対して５〜１０％程度大きい粒径とされている。本実施形態では、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径を、例えば６μｍ〜１２μｍ程度とした。そして、後述するように基板３，４間に荷重を加えることで、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの大きさまで前記導電性粒子５３Ａを変形させて、基板３，４間で導通を取る。
【００２６】
なお、基板３，４間で良好な導通を取るために必要となる粒子径の差（ｒＤＥＢ−ｒＧ１（＝ｒＧ２））は０．２〜０．８μｍ程度となっているのが好ましく、弾性粒子５４Ｂの粒径がギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂに対して０．１〜０．７μｍ程度大きくなっているのが好ましい。
【００２７】
ところで、弾性定数の大小関係により、外部からの応力による各粒子の変形しやすさが相対的に定まる。前記ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの弾性定数は前記導電性粒子５３Ａの弾性定数よりも大きく、かつ該導電性粒子５４Ｂの弾性定数の値は前記弾性粒子５４Ｂの弾性定数以上となっているのが好ましい。
具体的には、導電性粒子５３Ａは、例えば４．４×１０９Ｎ／ｍ２〜５．０×１０９Ｎ／ｍ２程度の弾性定数を有するものが好ましく、一方、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂは３０×１０９Ｎ／ｍ２〜４０×１０９Ｎ／ｍ２程度の弾性定数を有するものが好ましい。そして、弾性粒子５４Ｂの弾性定数は、４．４×１０９Ｎ／ｍ２以下となるのが好ましい。
【００２８】
例えば、ポリスチレンを主体とする導電性粒子５３Ａの弾性定数は４．４×１０９Ｎ／ｍ２程度である。また、メチルメタクリレートを主体とする導電性粒子５３Ａの弾性定数は４．５×１０９Ｎ／ｍ２程度である。
すなわち、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂよりも導電性粒子５３Ａの方が外部からの応力によって変形されやすく、さらに導電性粒子５３Ａよりも弾性粒子５４Ｂの方が外部の応力によって変形しやすいものとなっている。
【００２９】
図６に示すように、導通部５Ａの断面模式図を示している。図６に示すように、シール材５の導通部５Ａにはギャップ材粒子５２Ａとともに導電性粒子５３Ａが含まれているので、導通部５Ａにおいてはギャップ材粒子５２Ａとともに導電性粒子５３Ａによって基板間の間隔（セルギャップ）ｄＡが保たれている。このセルギャップｄＡは、ギャップ材粒子５２Ａの粒径ｒＧ１にほぼ一致されている。すなわち、導通部５ＡにおけるセルギャップｄＡは、導電性粒子５３Ａを弾性変形させることでギャップ材粒子５２Ａの粒径ｒＧ１により規定される。
【００３０】
また、導通部５Ａにおける導電性粒子５３Ａは、素子基板３及び対向基板４に挟まれて変形されて平坦部５３Ａ１が形成され、この平坦部５３Ａ１が各基板３、４の内面３ｂ、４ｂに対して面接触している。平坦部５３Ａ１が接触する素子基板３の内面３ｂには図示しない引き廻し配線（図３参照）が形成されていて、同様に対向基板４の内面４ｂには、図示しないストライプ電極が形成されているので、平坦部５３Ａ１の形成によって引き廻し配線及びストライプ電極と導電性粒子５３Ａとの接触面積が大きくなり、導電性粒子５３Ａを介しての各基板３，４間の電気的接続が確実に行われる。このようにして、図３における電気接続部Ｐが構成される。本実施形態においては、上記引き廻し配線及びストライプ電極の厚みは、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径に対して無視できる程度の厚みであるので、引き廻し配線及びストライプ電極の厚みがセルギャップに影響するおそれはない。
【００３１】
なお、導電性粒子５３Ａに平坦部５３Ａ１が形成されるのは、導電性粒子５３Ａの元々の粒径ｒＤＥＢがギャップ材粒子５２Ａの粒径ｒＧ１よりも大きく、かつ導電性粒子５３Ａの弾性定数がギャップ材粒子５２Ａの弾性定数よりも小さいことによる。すなわち、基板３、４同士を貼り合わせるために基板３、４同士の距離を縮めると、ギャップ材粒子５２Ａよりも先に導電性粒子５３Ａが基板３、４に接触する。更に基板３、４同士を近づけると、導電性粒子５３Ａが基板３、４間に挟まれて変形する。この導電性粒子５３Ａの変形は、基板３、４間のセルギャップがギャップ材粒子５２Ａの粒径ｒＧ１にほぼ等しくなるまで進行する。これにより導電性粒子５３Ａには、基板３、４に挟まれて変形したことによる平坦部５３Ａ１が形成され、この平坦部５３Ａ１が基板の内面３ｂ、４ｂに対して面接触することになる。
【００３２】
一方、図７には、非導通部５Ｂの断面模式図を示している。図７に示すように、シール材５の非導通部５Ｂにはギャップ材粒子５２Ｂ及び弾性粒子５４Ｂが含まれているので、非導通部５Ｂにおいてはギャップ材粒子５２Ａとともに前記弾性粒子５４Ｂによって基板間の間隔（セルギャップ）ｄＢが保たれている。セルギャップｄＢは、ギャップ材粒子５２Ｂの粒径ｒＧ２にほぼ一致されている。すなわち、非導通部５ＢにおけるセルギャップｄＢは、弾性粒子５４Ｂを弾性変形させることでギャップ材粒子５２Ｂの粒径ｒＧ２によって規定される。
【００３３】
具体的には、非導電部５Ｂにおける弾性粒子５４Ｂは、素子基板３及び対向基板４に挟まれて変形されることにより平坦部５４Ｂ１が形成され、この平坦部５４Ｂ１が各基板３、４の内面３ｂ、４ｂに対して面接触している。この弾性粒子５４Ｂは、導電部５Ａに含まれる導電性粒子５３Ａよりも粒径が小さいので、基板３，４間を圧着する際には、先に粒径の大きい導電性粒子５３Ａが基板３，４間に挟まれて変形され、該弾性粒子５４Ｂは導電性粒子５３Ａの変形を妨げることがなく、この導電性粒子５３Ａを介して基板３，４間の電気的接続が確実に行われたものとなる。また、導電性粒子５３Ａを変形させる程度の荷重で基板３，４間を圧着すれば、該導電性材料５３Ａに比べ弾性定数が低い弾性粒子５４Ｂが確実に変形されるので、基板３，４間が均一な荷重で圧着されたものとなる。
【００３４】
ところで、従来は、非導電部にギャップ材粒子が配置されていない構成を有しており、基板圧着時に導電部に含まれたギャップ材粒子及び導電性粒子による基板面に働く応力に違いが生じてしまい、導電部に比べて非導電部のセルギャップが狭まるといった問題が生じていた。特に、ギャップ材粒子の粒径が大きくなると、上記不具合が生じやすくなる。本実施形態のように６μｍ〜１２μｍの粒径のギャップ材粒子を用いた場合には、基板圧着時の荷重にバラツキが生じやすくなる。
【００３５】
そこで、本実施形態に係る液晶装置１では、導電部５Ａが基板３，４間の間隔（セルギャップ）を保つためのギャップ材粒子５２Ａを含み、非導通部５Ｂが前記ギャップ材粒子５２Ｂとともに弾性粒子５４Ｂも含んでいる。これにより、シール材５の非導電部５Ｂに含まれた弾性粒子５４Ｂが基板３，４間で弾性変形することで、弾性粒子５４Ｂの反発力が基板３，４間に働き、上記荷重のバラツキを分散させることで非導電部５Ｂのセルギャップが狭まるのを防止できる。なお、シール材５の単位体積当たりに含まれる各粒子の個数（混入量）を同じにするのが好ましい。すなわち、導通部５Ａと非導電部５Ｂにおける各粒子の混入量を同じにするのが好ましく、これによりシール材５の全域でのセルギャップの均一性をより高めることができる。
【００３６】
また、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径の関係が上述の通りｒＧ１＝ｒＧ２とされているので、導通部５Ａ及び非導通部５ＢにおけるセルギャップｄＡ、ｄＢは一致することになる。このように、セルギャップｄＡ、ｄＢはギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径ｒＧ１、ｒＧ２によって決まるので、基板３、４間のセルギャップを調整するには、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径ｒＧ１、ｒＧ２を適宜変更すればよい。
【００３７】
なお、上述したように導電性粒子５３Ａの粒径ｒＤＥＢは、ギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径ｒＧ１、ｒＧ２よりも必ず大きくするのが望ましい。導電性粒子５３Ａの粒径ｒＤＥＢがギャップ材粒子５２Ａ、５２Ｂの粒径ｒＧ１、ｒＧ２よりも小さくなると、電気接続部Ｐを形成できなくなるので好ましくない。
【００３８】
以上の構成によれば、シール材５の導電部５Ａが基板３，４間の間隔（セルギャップ）を保つためのギャップ材粒子５２Ａを含み、非導通部５Ｂがギャップ材粒子５２Ｂとともに弾性粒子５４Ｂも含んでいるので、前記ギャップ材粒子５２Ａ，５２Ｂよりも粒径が大きい導電性粒子５３Ａ及び弾性粒子５４Ｂは、基板圧着後に、基板３，４間に挟まれて変形した状態となっている。
よって、基板圧着時の荷重にバラツキが生じ非導電部５Ｂにおけるセルギャップが狭まってしまうおそれがある場合でも、粒径がギャップ材粒子５２Ａ，５２Ｂよりも大きい弾性粒子５４Ｂが変形し基板３，４間に反発力を生じさせることで、非導電部５Ｂでの荷重のバラツキを緩和できる。
【００３９】
特に、シール材５の非導通部５Ｂに含まれた弾性粒子５４Ｂが、素子基板３または対向基板４の歪みによるセルギャップｄＢの変動や、基板３、４同士を接合する際の荷重のバラツキによるセルギャップｄＢの変動を緩和することができ、非導通部５Ｂに含まれたギャップ材粒子５２Ｂによりセルギャップを均一な値ｄＢに保持することができる。
したがって、非導電部５Ｂ及び導電部５Ａに含まれたギャップ材粒子５２Ａ，５２Ｂ及び導電性粒子５３Ａと弾性粒子５４Ｂによってシール材５全体に渡ってセルギャップが均一化することができ、これにより液晶層２の厚みが均一となって液晶装置１における表示ムラ等の不具合の発生を防止できる。
なお、上記実施形態における液晶注入法は基板３，４を貼り合わせた後に液晶を封入する注入方式であってもよいし、基板上にシール材を描画し、上下基板の貼り合わせ時に基板上に液晶を配置し続けて、この液晶が配置された上下基板を真空中にて貼り合せ、貼り合わせ後に大気開放する、いわゆる封口レス（ＯＤＦ（ｏｎ−ｄｒｏｐ-fill：液晶滴下注入））方式を採用してもよい。
【００４０】
（電子機器）
図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。
また、本発明の液晶装置は、プロジェクタの光変調手段（液晶ライトバルブ）として用いても良い。いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストであり、かつ広視野角の表示が可能になっている。
【００４１】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記の実施形態では、透過型のカラー液晶装置の例を示したが、本発明は、白黒／カラー、反射型／透過型／半透過反射型を問わず、適用可能である。
また、上記の実施形態においては、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いた例を説明したが、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いても良い。更に、本発明は、アクティブ型の液晶装置のみならず、パッシブ型の液晶装置に適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】液晶装置を対向基板側から見た平面模式図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に対応する断面模式図である。
【図３】液晶装置の平面拡大図である。
【図４】液晶装置の等価回路を示す回路図である。
【図５】液晶装置のシール材の構成を説明するための平面模式図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ’線に対応する断面模式図である。
【図７】図５のＣ−Ｃ’線に対応する断面模式図である。
【図８】電子機器の一例を示す斜視構成図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…液晶装置、２…液晶層、３…素子基板（基板）、４…対向基板（基板）、５…シール材、５Ａ…導通部、５Ｂ…非導通部、５２Ａ、５２Ｂ…ギャップ材粒子、５３Ａ…導電性粒子、５４Ｂ…弾性粒子、１３００…電子機器、ｒＧ１…導通部に含まれるギャップ材粒子の粒径、ｒＧ２…非導通部に含まれるギャップ材粒子の粒径、ｒＤＥＢ…導電性粒子の粒径、ｒｅｌｐ…弾性粒子の粒径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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