(57)【要約】  【課題】原料ガスをウエハに全体にわたって均一に接触させる。  【解決手段】ウエハ１０群が搬入されるインナチューブ２およびインナチューブ２を取り囲むアウタチューブ３から構成されたプロセスチューブ１と、インナチューブ２内に原料ガス２１を導入するガス導入ノズル２２と、プロセスチューブ１内を排気する排気口７と、プロセスチューブ１内を加熱するヒータ２０とを備えたＣＶＤ装置において、インナチューブ２の側壁に大中小の排気孔が２５ａ、２５ｂ、２５ｃが上中下段に並べられて開設され、ガス導入ノズル２２には複数個の噴出口２４が上下のウエハ１０、１０間に対向して開設され、ガス導入ノズル２２の流路断面積は噴出口２４群の開口面積の総和よりも大きく設定されている。原料ガスを各ウエハに均一に接触できるため、成膜状態をウエハ内、ウエハ群内において全体にわたって均一化でき、成膜速度を相対的に向上できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上端が閉塞し下端が開口し基板が搬入されるインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されたプロセスチューブと、前記インナチューブ内にガスを導入するガス導入ノズルと、前記プロセスチューブ内を排気する排気口とを備えている基板処理装置において、
前記インナチューブの側壁に複数個の排気孔が長手方向に並べられて開設されており、これら排気孔の開口面積が前記排気口に対する位置によって変更されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記各排気孔の開口面積は、前記排気口から遠ざかるに従って大きくなるようにそれぞれ設定されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ガス導入ノズルには複数個の噴出口が長手方向に並べられて開設されており、この噴出口の個数は処理される前記基板の枚数に対応されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記噴出口の個数が、処理される前記基板の枚数に一致されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ガス導入ノズルの流路断面積が、前記噴出口群の開口面積の総和よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、特に、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置に関し、例えば、半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にポリシリコンやシリコン窒化膜等を堆積（デポジション）するのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、ウエハにポリシリコンやシリコン窒化膜等のＣＶＤ膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が広く使用されている。
一般的なバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、インナチューブ内に原料ガスを導入するガス導入ノズルと、プロセスチューブ内を真空排気する排気口と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入され、インナチューブ内に原料ガスがガス導入ノズルによって導入されるとともに、ヒータによってプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにＣＶＤ膜がデポジションされるように構成されている。
【０００３】
なお、従来のこの種の基板処理装置として、特許文献１に記載された気相成長装置がある。すなわち、この気相成長装置は、二重構造のドーム形の内管と外管とを備えており、内管の側壁には複数個の排気孔が開設され、外管の側壁下端には排気口が開設されており、また、ノズル管には複数個のガス放出細孔が長手方向に並べられて開設されている。
【特許文献１】特開昭６４−８１２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記した一般的なバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置においては、ガス導入ノズルによってインナチューブ内に導入された原料ガスはウエハ群に接触しながらインナチューブ内を上昇してインナチューブの天井からインナチューブとアウタチューブとの隙間に流入し、その隙間を流下してアウタチューブの下端に開設された排気口からプロセスチューブ外に排気されるため、原料ガスがウエハに対して平行に流れない状態になることによって拡散されにくくなり、成膜速度の向上に限界がある。
【０００５】
ここで、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置において、前記した気相成長装置の内管の排気孔のように、インナチューブの側壁に排気孔を開設することにより、インナチューブ内に導入した原料ガスを各ウエハに対して平行に流すことができると、考えられる。
しかしながら、インナチューブの側壁に排気孔を単純に開設した場合には、原料ガスが各ウエハに対して必ずしも平行に流れるとは限らず、不均一な状態で通り過ぎるだけの状態になってしまうため、ウエハ内およびウエハ群内においてＣＶＤ反応が不均一になり、結局、成膜速度が低下してしまうという問題点があることが、本発明者によって明らかにされた。
【０００６】
本発明の目的は、ガスを基板に全体にわたって均一に接触させることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題を解決するための手段は、上端が閉塞し下端が開口し基板が搬入されるインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されたプロセスチューブと、前記インナチューブ内にガスを導入するガス導入ノズルと、前記プロセスチューブ内を排気する排気口とを備えている基板処理装置において、
前記インナチューブの側壁に複数個の排気孔が長手方向に並べられて開設されており、これら排気孔の開口面積が前記排気口に対する位置によって変更されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
前記した手段において、インナチューブ内に導入されたガスはインナチューブの側壁に開設された複数個の排気孔からインナチューブとアウタチューブとの隙間に流出して排気口から排気されるため、インナチューブ内を流れるガスは各ウエハにそれぞれ平行に流れる状態になる。
各ウエハにそれぞれ平行に流れることにより、ガスは各ウエハの全面に均一に接触する状態になるため、各ウエハ内における処理状態は均一になり、相対的に処理速度は向上する。
この際、複数個の排気孔の開口面積が排気口に対する位置によって変更されていることにより、各排気孔を通過するガスの流れが制御されるため、ガスはインナチューブの長さ方向に配置されたウエハ群に全長にわたって均一に接触する状態になる。
つまり、ガスは各ウエハ内において均一に接触するばかりでなく、ウエハ群の全体にわたっても均一に接触するため、処理状態はウエハ内全体およびウエハ群全体において均一になり、その結果、処理速度が相乗的に向上されることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、図１に示されているように、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構成されている。
図１に示されているＣＶＤ装置は、中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ１を備えており、プロセスチューブ１はインナチューブ２とアウタチューブ３とから構成されている。
インナチューブ２およびアウタチューブ３はいずれも、石英ガラス等の耐熱性の高い材料が用いられて円筒形状にそれぞれ一体成形されている。
【００１１】
インナチューブ２は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室４を実質的に形成している。
インナチューブ２の下端開口は被処理物としてのウエハ１０を出し入れするための炉口５を実質的に構成している。したがって、インナチューブ２の内径は取り扱うウエハ１０の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１２】
アウタチューブ３はインナチューブ２に対して大きめに相似し上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２の外側を取り囲むように同心円に被せられている。
インナチューブ２とアウタチューブ３との間の下端部は円形リング形状に形成されたキャップ６によって気密封止されており、キャップ６はインナチューブ２およびアウタチューブ３についての保守点検作業や清掃作業のためにインナチューブ２およびアウタチューブ３に着脱自在に取り付けられている。
キャップ６がＣＶＤ装置の機枠（図示せず）に支持されることより、プロセスチューブ１は垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１３】
キャップ６の側壁の一部には排気口７が開設されており、排気口７は高真空排気装置（図示せず）に接続されて処理室４を所定の真空度に真空排気し得るように構成されている。排気口７はインナチューブ２とアウタチューブ３との間に形成された隙間に連通した状態になっており、インナチューブ２とアウタチューブ３との隙間によって排気路８が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。
排気口７がキャップ６に開設されているため、排気口７は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路８の下端部に配置されていることになる。
【００１４】
キャップ６には下端開口を閉塞するゲート９が垂直方向下側から当接されるようになっている。ゲート９はアウタチューブ３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ１の外部に垂直に設備されたエレベータ（図示せず）によって垂直方向に昇降されるように構成されている。
ゲート９の中心線上には被処理物としてのウエハ１０を保持するためのボート１１が垂直に立脚されて支持されるようになっている。
【００１５】
ボート１１は上下で一対の端板１２、１３と、両端板１２、１３間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材１４とを備えており、各保持部材１４に長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設された多数条の保持溝１５間にウエハ１０を挿入されることにより、複数枚のウエハ１０を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するように構成されている。
ボート１１とゲート９との間には上下で一対の補助端板１６、１７が複数本の補助保持部材１８によって支持されて配設されており、各補助保持部材１８には多数条の保持溝１９が没設されている。
【００１６】
アウタチューブ３の外部にはプロセスチューブ１内を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ２０が、アウタチューブ３の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ２０はＣＶＤ装置の機枠（図示せず）に支持されることより垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１７】
インナチューブ２の内周面近傍における排気口７と１８０度反対側の位置には、原料ガス２１を導入するためのガス導入ノズル２２が二本（図３参照）、垂直に立脚されており、ガス導入ノズル２２のガス導入口部２３はキャップ６の側壁を径方向外向きに貫通してプロセスチューブ１の外部に突き出されている。
図２に示されているように、ガス導入ノズル２２には複数個の噴出口２４が垂直方向に並べられて開設されており、噴出口２４群の個数は処理されるウエハ１０の枚数に対応されている。
本実施の形態において、噴出口２４の個数は処理されるウエハ１０の枚数に一致されており、各噴出口２４の高さ位置はボート１１に保持された上下で隣合うウエハ１０と１０との間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
また、ガス導入ノズル２２の流路断面積は噴出口２４群の開口面積の総和よりも大きく設定されている。
【００１８】
インナチューブ２の側壁におけるガス導入ノズル２２と１８０度反対側の位置すなわち排気口７側の位置には、大中小の円形形状の排気孔２５ａ、２５ｂ、２５ｃが垂直方向に上中下段に並べられて開設されており、三個の排気孔２５ａ、２５ｂ、２５ｃの開口面積は排気口７から遠ざかるに従って大きくなるようにそれぞれ設定されている。
すなわち、上段の排気孔２５ａの開口面積をＳａ、中段の排気孔２５ｂの開口面積をＳｂ、下段の排気孔２５ｃの開口面積をＳｃとすると、各開口面積Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃは、Ｓａ＞Ｓｂ＞Ｓｃ、を満足するようにそれぞれ設定されている。
【００１９】
次に、作用を説明する。
【００２０】
被処理物としてのウエハ１０はボート１１に、保持部材１４の保持溝１５間にその円周縁部が対向する三箇所（図３参照）においてそれぞれ係合するように挿入されて行き、三箇所の外周縁部が各保持溝１５に係合されて自重を支えられるようにセットされて保持される。
複数枚のウエハ１０はボート１１における保持状態においてその中心を揃えられて互いに平行にかつ水平に整列されている。
【００２１】
図１に示されているように、複数枚のウエハ１０を整列保持したボート１１はゲート９の上に、ウエハ１０群が並んだ方向が垂直になるように載置される。
ゲート９の上にセットされたボート１１はエレベータにより差し上げられるようにして、インナチューブ２の炉口５から処理室４内に搬入されて行き、ゲート９に支持されたままの状態で処理室４内に存置される。この状態で、ゲート９は炉口５をシールした状態になる。
【００２２】
排気口７によってプロセスチューブ１の内部が所定の真空度（数Ｔｏｒｒ以下）に真空排気され、また、ヒータ２０によってプロセスチューブ１の内部が所定の温度（例えば、約４００℃）に全体にわたって均一に加熱される。
【００２３】
次いで、所定の原料ガス２１がガス導入ノズル２２の導入口部２３に供給され、ガス導入ノズル２２を流通して複数個の噴出口２４から噴出してインナチューブ２の処理室４に流れ込む。
例えば、ドープドポリシリコンが拡散される場合には、原料ガス２１として、モノシラン（ＳｉＨ4 ）およびホスフィン（ＰＨ3 ）が処理室４に導入される。
【００２４】
処理室４に導入された原料ガス２１は、インナチューブ２の側壁に開設された上中下の排気孔２５ａ、２５ｂ、２５ｃからインナチューブ２とアウタチューブ３との隙間によって形成された排気路８に流出して、アウタチューブ３の下端に位置するキャップ６に開設された排気口７から排気される。
【００２５】
ここで、ガス導入ノズル２２と上中下の排気孔２５ａ、２５ｂ、２５ｃおよび排気口７とは互いに１８０度離れて対向するようにそれぞれ配置されていることにより、ガス導入ノズル２２の各噴出口２４からそれぞれ噴出された原料ガス２１は処理室４を反対側の排気孔２５ａ、２５ｂ、２５ｃに向かって略直線的に緩やかに流れるため、各ウエハ１０に対してそれぞれ平行に緩やかに流れて層流状態になる。
そして、各ウエハ１０にそれぞれ平行に層流状態で流れることにより、原料ガス２１は各ウエハ１０の全面に良好に拡散し、各ウエハ１０内の全面にわたってそれぞれに均一に接触する。
【００２６】
しかも、複数個の噴出口２４のそれぞれは上下で隣合うウエハ１０と１０との間に対向するようにそれぞれ配置されているため、各噴出口２４からそれぞれ噴出された原料ガス２１は上下で隣合うウエハ１０と１０との間の空間のそれぞれに流れ込んで確実に平行に流れる。このため、原料ガス２１は各ウエハ１０の全面により一層良好に拡散し、各ウエハ１０の全面にわたってより一層均一に接触する。
【００２７】
また、ガス導入ノズル２２の流路断面積が複数個の噴出口２４の総開口面積よりも大きく設定されていることにより、各噴出口２４からの原料ガス２１の噴出量は充分に確保されるため、各ウエハ１０において原料ガス２１のＣＶＤ反応を効率的に進行させるに充分な接触が確保されることになる。
【００２８】
ウエハ１０の表面に接触しながら上下で隣合うウエハ１０と１０との間の空間を平行に流れて行く原料ガス２１のＣＶＤ反応によって、ウエハ１０の表面にはＣＶＤ膜が堆積する。つまり、各ウエハ１０への堆積は上下で隣合うウエハ１０と１０との間の空間のそれぞれを層流状態で緩やかに流れて行く原料ガス２１のＣＶＤ反応によって起こる。
例えば、モノシラン（ＳｉＨ4 ）とホスフィン（ＰＨ3 ）とがそれぞれ導入された場合には、ドープドポリシリコン膜がウエハ１０に堆積される状態になる。
【００２９】
この際、原料ガス２１は各ウエハ１０内の全面にわたってそれぞれ均一に接触するため、ＣＶＤ膜の堆積状態は各ウエハ１０内において全体にわたって膜厚および膜質共に均一になる。
そして、ＣＶＤ膜の膜厚がウエハ１０内において全体的に均一に形成されるということは、膜厚不足箇所の発生を考慮しなくて済むため、成膜速度を相対的に向上させ得ることを意味する。
【００３０】
なお、ＣＶＤ膜の堆積膜厚は処理時間によって制御することができる。
また、化学反応の進行程度は、原料ガスの流量や流速、濃度、ヒータ２０による加熱温度、プロセスチューブ１内の真空度等の調整によって制御することができる。
【００３１】
ところで、排気口７がキャップ６の側壁におけるガス導入ノズル２２の反対側に開設されていることによって、排気口７はインナチューブ２とアウタチューブ３との隙間によって形成された排気路８の原料ガス導入ノズル２２の反対側の下端部の一箇所に配置された状態になっているため、排気抵抗（コンダクタンスΔＰ）は上中下の排気孔２５ａ、２５ｂ、２５ｃによって相違した状態になる。
その結果、上中下の排気孔２５ａ、２５ｂ、２５ｃの開口面積が同一にそれぞれ設定されていると、上の排気孔の方が下の排気孔よりも排気され難く（コンダクタンスが大きく）なる。
このように上段の排気孔の方が下段の排気孔よりも排気され難くなると、処理室４における原料ガス２１の流速は下側領域で速く、上側領域で遅くなるため、処理室４における膜厚は下側領域で薄く、上側領域で厚くなってしまう。
【００３２】
しかし、本実施の形態においては、上段の排気孔２５ａの開口面積Ｓａ、中段の排気孔２５ｂの開口面積Ｓｂ、下段の排気孔２５ｃの開口面積Ｓｃが、Ｓａ＞Ｓｂ＞Ｓｃ、を満足するようにそれぞれ設定されていることによって、上段の排気孔２５ａのコンダクタンスＰａ、中段の排気孔２５ｂのコンダクタンスＰｂ、下段の排気孔２５ｃのコンダクタンスＰｃは、Ｐａ＜Ｐｂ＜Ｐｃ、になっているため、処理室４における原料ガスの流速は上中下の領域にかかわらず全体的に均等になる。
その結果、本実施の形態においては、処理室４においてウエハ１０群の各ウエハ１０に形成された膜厚および膜質は、ウエハ１０群における上中下の配置にかかわらず全体的に均一になる。
【００３３】
以上のようにして所望のＣＶＤ膜（例えば、ドープドポリシリコン膜）が堆積された後に、ゲート９が下降されることによって炉口５が開口されるとともに、ボート１１に保持された状態でウエハ１０群が炉口５からプロセスチューブ１の外部に搬出される。
【００３４】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３５】
1)  インナチューブの側壁に複数個の排気孔を上下方向に並べて開設することにより、インナチューブ内に導入された原料ガスをインナチューブの側壁に開設された複数個の排気孔からインナチューブとアウタチューブとの隙間に流出させて排気口から排気させることができるため、インナチューブ内を流れる原料ガスを各ウエハにそれぞれ平行に層流状態で流すことができる。また、排気口をキャップの側壁のようにプロセスチューブの一箇所に集中させることにより、構造を簡単化することができ、イニシャルコストおよびランニングコストを低減することができる。
【００３６】
2)  原料ガスを各ウエハにそれぞれ平行に層流状態で流すことにより、原料ガスを各ウエハの全面に良好に拡散させてウエハ内において全体にわたって均一に接触させることができるため、ＣＶＤ膜の堆積状態をウエハ内において全体にわたって膜厚および膜質共に均一化することができ、成膜速度を相対的に向上させることができる。
【００３７】
3)  インナチューブに開設した上段の排気孔の開口面積Ｓａ、中段の排気孔の開口面積Ｓｂ、下段の排気孔の開口面積Ｓｃを、Ｓａ＞Ｓｂ＞Ｓｃ、を満足するようにそれぞれ設定することにより、上段の排気孔のコンダクタンスＰａ、中段の排気孔のコンダクタンスＰｂ、下段の排気孔のコンダクタンスＰｃが、Ｐａ＜Ｐｂ＜Ｐｃ、になるため、処理室における原料ガスの流速は上中下の領域にかかわらず全体的に均等になり、その結果、処理室においてウエハ群の各ウエハに形成される膜厚および膜質をウエハ群における上中下の配置にかかわらず全体的に均一化させることができる。
【００３８】
4)  処理室において各ウエハに形成される膜厚および膜質を上中下の領域にかかわらず全体的に均一化させることにより、処理室内に長手方向に長く配列されたウエハ群の全体にわたって均一にＣＶＤ膜を形成することができるため、一回の処理におけるＣＶＤ膜の膜厚や膜質等を均一化することができ、品質および信頼性を高めることができる。
【００３９】
5)  処理室内に長手方向に長く配列されたウエハ群の全体にわたって均一にＣＶＤ膜を形成することにより、ウエハ群を処理室内の長手方向全領域にわたって配置しても均一な処理状態を確保することができるため、一回の処理枚数を相対的に増加することができ、その結果、ＣＶＤ装置およびＣＶＤ処理作業のスループットを高めることができる。
【００４０】
6)  原料ガスを処理室内に導入するガス導入ノズルに形成された複数個の噴出口のそれぞれを上下で隣合うウエハ同士の間の空間に対向するように配置することにより、各噴出口から噴出された原料ガスを上下で隣合うウエハ同士の間の空間のそれぞれに流し込ませることができるため、原料ガスをウエハに対して確実に平行に層流状態で緩やかに流すことができ、原料ガスをウエハ内の全面により一層良好に拡散させ、より一層均一に接触させることができる。
【００４１】
7)  ガス導入ノズルの流路断面積を複数個の噴出口の総開口面積よりも大きく設定することにより、各噴出口による各ウエハに対する原料ガスの供給量を充分に確保することができるため、原料ガスの化学反応を効率的に進行させることができる。
【００４２】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４３】
例えば、インナチューブの側壁に開設する複数個の排気孔は上中下の三個に限らず、二個または四個以上であってもよい。排気孔の形状は円形に限らず、長円形や多角形であってもよい。
【００４４】
ガス導入ノズルに開設する噴出口の個数は、処理するウエハの枚数に一致させるに限らず、処理するウエハの枚数に対応して増減することができる。
例えば、噴出口は上下で隣合うウエハ同士間にそれぞれ対向して配置するに限らず、二枚や三枚置きに配設してもよい。
【００４５】
ガス導入ノズルはプロセスチューブ内に二本配置するに限らず、導入するガスの種類に応じて一本または三本以上配置することができる。
【００４６】
プロセスチューブ内を排気する排気口は、キャップに開設するに限らず、アウタチューブに開設してもよい。
【００４７】
前記実施の形態では、ドープドポリシリコン膜の堆積について説明したが、本発明に係るＣＶＤ技術はドープドポリシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のＣＶＤ膜の形成技術全般に適用することができる。
さらには、本発明に係る基板処理技術は拡散技術や熱処理技術等の基板処理技術全般に適用することができる。
【００４８】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００４９】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、横形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置や拡散装置、酸化膜形成装置および熱処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００５０】
本発明の好ましい実施の形態の効果を付記する。
インナチューブの側壁に複数個の排気孔を長手方向に並べて開設することにより、インナチューブ内に導入されたガスをインナチューブの側壁に開設された複数個の排気孔からインナチューブとアウタチューブとの隙間に流出させて排気口から排気させることができるため、インナチューブ内を流れるガスを各基板にそれぞれ平行に流すことができる。
その結果、ガスを各基板の全面に良好に拡散させて基板内において全体にわたって均一に接触させることができるため、処理状態を基板内において全体にわたって均一化することができ、処理速度を相対的に向上させることができる。
【００５１】
インナチューブに開設した複数個の排気孔の開口面積を排気口から遠ざかるに従って大きくなるように設定することにより、処理室全長におけるガスの流速を排気口からの距離にかかわらず全体的に均等に設定することができるため、処理室において各基板に形成される処理状態を排気口からの距離にかかわらず全体的に均一化させることができる。
その結果、インナチューブ内に長手方向に長く配列された基板群の全体にわたって均一に処理することができるため、一回の処理における処理状態を均一化することができ、処理の品質および信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態であるバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置を示す縦断面図である。
【図２】拡大部分縦断面図である。
【図３】拡大部分横断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…プロセスチューブ、２…インナチューブ、３…アウタチューブ、４…処理室、５…炉口、６…キャップ、７…排気口、８…排気路、９…ゲート、１０…ウエハ（基板）、１１…ボート、１２、１３…端板、１４…保持部材、１５…保持溝、１６、１７…補助端板、１８…補助保持部材、１９…保持溝、２０…ヒータ、２１…原料ガス、２２…ガス導入ノズル、２３…ガス導入口部、２４…噴出口、２５ａ、２５ｂ、２５ｃ…排気孔。
【図１】
2007158358.tif 000003
【図２】
2007158358.tif 000004
【図３】
2007158358.tif 000005