(57)【要約】【課題】  従来の発光装置ではリフレクタは光反射率の高い白色系の樹脂を多く用いるので、樹脂成型で形成されるがリフレクタ自体に反りが発生し、マウント基板との接着に不具合が生じる問題点がある。【解決手段】  本発明の発光装置では、リフレクタ３０と実装基板１０と同一のガラスエポキシ基板で形成し、リフレクタ３０の板厚を実装基板１０より厚くしてリフレクタ３０の反りを防止することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
上面に前記発光素子を載置する共通電極および前記発光素子の電極と接続される個別電極とを備え、裏面に前記共通電極および個別電極と接続された取り出し電極とを有する実装基板と、
前記実装基板の上面に接着され、前記発光素子を囲むように斜面状の貫通孔と該貫通孔の斜面内壁に設けた反射メッキ膜とを有するリフレクタとを具備し、
前記リフレクタは機械的加工ができるプリント基板材料から形成され、前記リフレクタの板厚を前記実装基板より厚くして前記リフレクタの反りを防止することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記プリント基板材料はＢＴレジン、ガラスエポキシ樹脂、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂のいずれかから選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記リフレクタと前記実装基板の周端辺は一致させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記反射メッキ膜は銀メッキ膜またはクロムメッキ膜で形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記リフレクタの前記貫通孔は機械的加工で形成され、前記貫通孔の内壁の傾斜面の面積は前記リフレクタを形成するリフレクタ基板の板厚で選択されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記リフレクタの下面はガラスエポキシ基板が露出され、半硬化した樹脂の接着層で前記実装基板の上面に接着されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記実装基板の前記共通電極および個別電極と前記取り出し電極とはスルーホール電極接続され、該スルーホール電極は前記実装基板の周端に配置することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関し、特に２枚のガラスエポキシ樹脂基板で構成された発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８に発光素子から側面への放出される光を効率的に反射する発光効率の高い発光装置が示されている。
【０００３】
この発光装置は発光素子１００、基板２００、リフレクタ３００および封止部材４００から構成される。発光素子１００は３族窒化物系化合物半導体発光素子である。マウント基板２００は絶縁性の基板であり、所望の配線パターンが形成されて発光素子１００がマウントされる。リフレクタ３００は酸化チタンを一様に分散させたポリアミド系樹脂からなり、カップ状部５００を形成する内周面が光軸に対して所望の角度になるように成型され、反射層３１０はＡｌの蒸着で作られている。シリコーン樹脂等の封止部材４００は発光素子１００を被覆するようにカップ状部５００に充填される。（特許文献１、図１参照）
また、他の光半導体装置についてもリフレクタとして働くケースがポリカーボネイトに酸化チタンを含ませた光反射率の高い白色系の樹脂の成型により形成されている。（特許文献２、図３参照）
特に、コストを低減するためにリフレクタを樹脂成型で作る場合が多く、その場合には以下に述べる種々の問題点が発生する。
【特許文献１】特開２００４−１３４６９９号公報
【特許文献２】特開２０００−１８３４０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した発光装置では、以下のような問題点がある。
【０００５】
リフレクタは光反射率の高い白色系の樹脂を多く用いるので、樹脂成型で形成されるがリフレクタ自体に反りが発生し、マウント基板との接着に不具合が生じる問題点がある。
【０００６】
また、リフレクタが樹脂製のために発光装置をマザー基板に半田付けする際のリフロー温度が２５０℃と高いので、リフレクタ自体の変形が発生して不良品を出す問題点もある。
特に、鉛フリーの半田を用いる場合はこのリフロー温度は高くなり、その不良の発生率が高くなる。
【０００７】
リフレクタが樹脂製の場合は金型が必要であり、試作に時間が掛かる問題点もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされ、発光素子と、上面に前記発光素子を載置する共通電極および前記発光素子の電極と接続される個別電極とを備え、裏面に前記共通電極および個別電極と接続された取り出し電極とを有する実装基板と、前記実装基板の上面に接着され、前記発光素子を囲むように斜面状の貫通孔と該貫通孔の斜面内壁に設けた反射メッキ膜とを有するリフレクタとを具備し、前記リフレクタは機械的加工ができるプリント基板材料から形成され、前記リフレクタの板厚を前記実装基板より厚くして前記リフレクタの反りを防止することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明では、プリント基板材料はＢＴレジン、ガラスエポキシ樹脂、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂のいずれかから選択されることを特徴とする。
【００１０】
更に、本発明では、前記リフレクタと前記実装基板の周端辺は一致させることを特徴とする。
【００１１】
更に、本発明では、反射メッキ膜は銀メッキ膜またはクロムメッキ膜で形成されることを特徴とする。
【００１２】
更に、本発明では、リフレクタの前記貫通孔は機械的加工で形成され、前記貫通孔の内壁の傾斜面の面積は前記リフレクタを形成するリフレクタ基板の板厚で選択されることを特徴とする。
【００１３】
更に、本発明では、リフレクタの下面はガラスエポキシ基板が露出され、半硬化したエポキシ樹脂の接着層で前記実装基板の上面に接着されることを特徴とする。
【００１４】
更に、本発明では、実装基板の前記共通電極および個別電極と前記取り出し電極とはスルーホール電極接続され、該スルーホール電極は前記実装基板の周端に配置することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に依れば、実装基板とリフレクタ基板とをプリント基板材料で構成することで、両基板の貼り合わせをしても反りなどが発生しない利点を有する。特に、ガラスエポキシ基板を用いることで、通常のプリント基板と同様に半田リフロー温度が２５０℃以上でも十分に耐熱性があり、リフレクタの変形などが発生しない。
【００１６】
また、本発明によれば、実装基板の両面に設けた導電箔を用いて発光素子を載置する電極と外部電極とをスルーホールで接続することで実装基板を実現できる利点がある。
【００１７】
更に、本発明では、リフレクタ基板に設けられる貫通孔はすべてドリルやリーマー加工などの機械的加工であり、熱処理がないので、リフレクタ基板は従来の樹脂製と異なり金型が一切不要である。貫通孔の大きさはドリルなどの選択で自在であり、傾斜面の大きさもリフレクタ基板の厚みを選択することで対応ができる。リフレクタ基板は機械加工のみで完成されるので、製造中に過熱による反りも発生しない。そのために実装基板とリフレクタ基板を接着剤で貼り合わせるときに反りがないので、隣接する貫通孔との間隔を狭められリフレクタの取れ量を大きくできる。
【００１８】
更に、本発明では実装基板とリフレクタ基板をプリント基板材料で構成するので、両者の基板の厚みの選択のみで発光装置の厚みの選択が容易であり、厚い発光装置から薄い発光装置まで容易に実現できる。
【００１９】
更に、本発明では実装基板とリフレクタとは接着層を挟んで加熱硬化させて一体に接着するので、両者の周端辺は同じであり、１つの基板として扱え、リフレクタの変形も防止できる。
【００２０】
更に、本発明ではリフレクタの貫通孔の斜面内壁に反射メッキ膜として銀メッキ膜またはクロムメッキ膜を用いるので、樹脂に比べてはるかに光沢が得られ反射率を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
まず、図１に本発明の発光装置を示す。図１（Ａ）はその上面図であり、図１（Ｂ）はその断面図である。実装基板１０には上面に十字状の共通電極１１と、四隅に個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが設けられ、下面にはそれぞれの対応する電極とスルーホール電極を通じて接続される取り出し電極１３ａ、１３ｂが設けられている。実装基板１０の上側には共通電極１１と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの一部を露出するようにリフレクタ３０が接着層５０で貼り付けられ、リフレクタ３０の貫通孔３１の傾斜面３２および上面に反射メッキ膜３３が設けられている。共通電極１１の十字の突出部分にはそれぞれ４個の発光素子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄが固着され、共通電極１１は共通アノード電極を構成する。各発光素子のカソード電極は隣接する個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと金属細線１５により接続されている。 なお、図示しないが発光素子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄは透明の保護樹脂で被覆されている。
【００２２】
次に、図２に本発明の個別の実装基板を示す。図２（Ａ）はその上面図であり、図２（Ｂ）はその底面図である。実装基板１０の上面には中央に十字状の共通電極１１が設けられ、四隅に個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが設けらている。実装基板１０の左右両端で終端する共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄには半円状のスルーホールがあり、そこにスルーホール電極が設けられ、裏面に設けた取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ，１３ｆと対応する共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとが電気的に接続される。
【００２３】
実装基板１０の裏面には左右方向に平行に延在された取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ，１３ｆが設けられ、いずれも実装基板１０の左右両端で終端しており、中央にはレジスト層２６が設けられている。
【００２４】
本発明では、リフレクタ３０は実装基板１０と同じように機械的加工ができるプリント基板材料から形成されており、リフレクタの厚みを実装基板１０より厚く形成してリフレクタ３０の機械的強度を強くして反りの発生を防止している。
【００２５】
プリント基板材料としてはＢＴレジン、ガラスエポキシ樹脂、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂のいずれかから選択される。ＢＴレジンはＴ成分（トリアジン樹脂）を主成分とし、Ｂ成分（多官能マレイミド化合物）または他の改質用化合物より構成された高耐熱付加重合型熱硬化性樹脂の総称を言う。コンポジットは複数の基板材料を積層したものである。これらの基板材料はいずれも研削等の機械的加工ができる。
【００２６】
続いて、本発明に用いるリフレクタ付き実装基板の製造方法について説明する。
【００２７】
リフレクタ付き実装基板の製造方法は、発光素子を載置する電極を多数個備えた実装基板を準備する工程と、前記発光素子を載置する前記各電極を取り囲むように内壁に傾斜面を有する貫通孔を形成し、前記貫通孔の傾斜面に反射メッキ膜を形成したリフレクタ基板を準備する工程と、前記実装基板と前記リフレクタ基板とを接着層により接着する工程とから構成される。
【００２８】
図３及び図４を参照して実装基板１０を準備する工程を説明する。
【００２９】
図３（Ａ）では、両面に銅などの導電箔１６、１７を貼り付けたガラスエポキシ基板を用意する。導電箔１６、１７は１８μｍの銅箔を用い、基板１０は０．１５ｍｍの板厚のものを用いる。導電箔１６は上側は発光素子を載置する電極を形成するために用いられ、電極は図３で示した十字状の共通電極１１と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとで構成される。
【００３０】
図３（Ｂ)では、スルーホール電極を形成するための約０．３ｍｍのスルーホール用貫通孔１８がＮＣ工作機を用いてドリル等で導電箔１６、１７および基板１０を貫通して開けられる。続いて、実装基板１０をパラジウム溶液に浸漬して、両導電箔１６、１７を電極としてスルーホール用貫通孔１８の内壁に銅の電解メッキにより約２０μｍの膜厚のスルーホール電極１９を形成する。
【００３１】
図３（Ｃ）では、実装基板１０の上面および下面の導電箔１６、１７はレジスト層２０で被覆し、上面の導電箔１６には図３（Ａ）に示す十字状の共通電極１１と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのパターンを、下面の導電箔１７には図３（Ｂ）に示す取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆのパターンを露光現像し、残ったレジスト層２０をマスクとして導電箔１６、１７のエッチングを行う。導電箔１６、１７が銅のときはエッチング溶液として塩化第２鉄を用いる。
【００３２】
図３（Ｄ）では、レジスト層２０を剥離除去し、上面の十字状の共通電極１１と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄおよび下面の取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆの表面に銀メッキ層２１を設けて、各電極の表面処理を行う。この銀メッキ層２１により発光素子の固着、金属細線のボンディングあるいは半田付けが可能となる。
【００３３】
図４により具体化された実装基板を示す。図４（Ａ）は実装基板１０全体の上面図を示し、図４（Ｂ）は実装基板１０の上面の導電箔１６で形成した共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの拡大平面図を示し、図４（Ｃ）は実装基板１０の下面の導電箔１７で形成した取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆの拡大平面図を示している。
【００３４】
実装基板１０は６０ｍｍ×９０ｍｍのガラスエポキシ基板を用いる。周辺には位置合わせ孔２２を複数個設けられ、内部には行列上に多数の各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが配置される。また、周辺には電解メッキのための電極として枠状の導電箔２３が残されており、各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄはすべてこの枠状の導電箔２３と電気的に接続されている。
【００３５】
各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは図４（Ｂ）に示すように、十字状の共通電極１１が横方向に連なって配置され、十字の突出部の間に個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄがはめ込まれている。十字の突出部の中間位置に丸印示すスルーホール電極１９が各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに設けられており、下面の取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆとの接続を行っている。上側の個別電極１２ａはその上のユニットの下側の個別電極１２ｂと連絡細条２４で接続され、更に同じユニットの共通電極１１と蛇行させた連絡細条２５で接続されている。この連絡細条２４、２５およびスルーホール電極１９とで各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆとは電気的に接続されていることが分かる。なお後で説明するが、各ユニットに分離するときに各ユニットの境界をダイシングする際に連絡細条２４、２５は切断されて各ユニットの各電極は電気的に独立する。
【００３６】
各ユニットの取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆは図４（Ｃ）に示すように３本ほど並列に配置され、丸印で示すスルーホール電極１９で上面の共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと電気的に接続される。上側の取り出し電極１３ｆは他に比べて長めに形成され、ピン配置の目印として用いる。この取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆはスルーホール電極１９間の６本が１つのユニットを構成し、スルーホール電極１９の両側に一体になっている取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆは隣接するユニットに属する。これはダイシングラインがちょうどこのスルーホール電極１９上にあるためである。また、各ユニットの中央にある斜線部分はレジスト層２６であり、マーザー基板への表面実装中に半田が侵入して取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ間をショートすることを防止する。
【００３７】
図５及び図６を参照してリフレクタ基板３４を準備する工程を説明する。
【００３８】
図５（Ａ）では、両面に銅などの導電箔３５、３６を貼り付けたガラスエポキシ基板を用意する。導電箔３５、３６は１８μｍの銅箔を用い、基板は０．６ｍｍの板厚のものを用いる。リフレクタ３０を形成するための貫通孔３１をＮＣ工作機を用いてドリル等で導電箔３５、３６および基板３４を貫通して開けられる。貫通孔３１はまずリフレクタ３０下面の径に合わせて開けられ、たとえば２．２ｍｍに内壁が垂直の貫通孔３１が開けられる。なお、リフレクタ基板３４はプリント基板材料のＢＴレジン、ガラスエポキシ樹脂、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂のいずれかから選択される。
【００３９】
図５（Ｂ）では、貫通孔３１にリフレクタ３０の反射面を形成するためにＮＣ工作機を用いてドリル加工、エンドミル加工あるいはリーマー加工で傾斜面３２を形成する。貫通孔３１の上面の径はたとえば、２．８ｍｍに選択され、貫通孔３１の内壁はすり鉢状の傾斜面３２が形成される。なお、基板の板厚を選択することでリフレクタ３０の反射面の面積を容易に選択できる。また、リーマーの歯の研削角度を選択することで傾斜面３２の角度も容易に選択できる。
【００４０】
図５（Ｃ）では、リフレクタ基板３４をパラジウム溶液に浸漬して、両導電箔３５、３６を電極として貫通孔３１の内壁の傾斜面３２に銅の電解メッキにより約２０μｍの膜厚の導電メッキ膜３７を形成する。
【００４１】
図５（Ｄ）では、充填材３８を印刷して貫通孔３１を穴埋めし、リフレクタ基板３４上面を被覆する。充填材３８としては石膏の溶液を用いる。石膏の溶液は印刷後に焼成して乾燥し、リフレクタ基板３４の下面の導電箔３６に付着した石膏はバフ研磨で除去する。従って、本工程ではリフレクタ基板３４の下面の導電箔３６のみを露出し、上面の導電箔３６および導電メッキ膜３７は充填材３８で被覆される。
【００４２】
図５（Ｅ）では、リフレクタ基板３４の下面の導電箔３６を充填材３８をマスクとして選択的にエッチング除去する。エッチング溶液は塩化第二鉄を用いる。エッチング後に充填材３８である石膏は苛性ソーダ溶液で剥離して除去する。
【００４３】
図５（Ｆ）では、リフレクタ基板３４の上面の導電箔３５および貫通孔３１の導電メッキ膜３７上にマスクなしで電解メッキにより銀メッキあるいはクロムメッキを行い、反射メッキ膜３３を形成する。特に、クロムメッキの場合は表面に傷が付きにくく、表面を酸化されず、腐食もされ難い特徴があり、長期に渡り良好な反射を実現できる。
【００４４】
図６により具体化されたリフレクタ基板３４を示す。図６（Ａ）はリフレクタ基板３４全体の上面図を示し、図６（Ｂ）はリフレクタ基板３４の拡大平面図を示す。
【００４５】
リフレクタ基板３４には前述した実装基板１１の各ユニットに対応する位置に対応する数のリフレクタ３０が設けられる。従って、各ユニットのリフレクタ３０も行列上に配置されている。リフレクタ基板３４は５４．５ｍｍ×７６．０ｍｍの大きさであり、周辺に突出部４０を設けてそこに位置合わせ孔４１を設けてガイドピン等で実装基板１１の位置合わせ孔２２との位置合わせを行う。リフレクタ基板３４にはリフレクタ３０を構成するための貫通孔３１が行列上に並べられ、貫通孔３１の内壁の傾斜面３２には反射メッキ膜３３が設けられている。
【００４６】
貫通孔３１の上面開口の径は２．８ｍｍであり、下面開口の径は２．２ｍｍである。また横方向に隣接するユニットの貫通孔３１の中心間の間隔は３．５６ｍｍであり、縦方向の隣接するユニットの貫通孔３１の中心間の間隔は３．３６ｍｍである。従って、横方向の隣接する貫通孔３１間の離間距離は０．７６ｍｍであり、縦方向の隣接する貫通孔３１間の離間距離は０．５６ｍｍであり、従来の樹脂成型のリフレクタに比べて極めて接近をして配置できるので、リフレクタ基板３４当たりのリフレクタ３０の取れ量を約２０〜３０％程度多くできる。
このために樹脂に比べてコストの高いガラスエポキシ基板を用いても金型を用いないこととともにコストアップを抑えられる。
【００４７】
リフレクタ基板３４は板厚が０．６ｍｍと実装基板１１の板厚０．１５ｍｍよりかなり厚いガラスエポキシ基板を用いるので、リフレクタ基板３４は平坦であり反りが発生することはない特徴がある。リフレクタ基板３４に設けられる各ユニットのリフレクタ３０を構成する貫通孔３１はＮＣ工作機で機械的に形成されているので、加熱処理もなく形成でき、各ユニット間の貫通孔３１の間隔も狭められる。
【００４８】
図７を参照して実装基板１０とリフレクタ基板３４とを接着層により接着する工程を説明する。
【００４９】
接着層５０はガラスクロスにエポキシ系樹脂を半硬化させたスーパーボンディングシート(商品名)を用いる。このシート状のスーパーボンディングシートはＮＣ工作機で実装基板１１の電極がリフレクタ基板３４の貫通孔３１より露出する部分を打ち抜き加工される。この際にスーパーボンディングシートに前述した実装基板１０およびリフレクタ基板３４と同じ位置に位置合わせ孔（図示せず）を設けておくとガイドピン等で位置合わせを自動的に行える。
【００５０】
次に上述した実装基板１０と接着層５０となるスーパーボンディングシートとリフレクタ基板３４とを重ねて油圧プレス機で３〜５ＭＰａで加圧しながら、１６０〜１７０℃で１時間ほどアニールして接着層５０を本硬化させて実装基板１０とリフレクタ基板３４と約５０μｍの厚みの接着層５０で一体に接着してリフレクタ付き実装基板を完成させる。
【００５１】
リフレクタ基板３４の下面の導電箔３６はリフレクタ基板３４の製造工程で除去されているのは実装基板１０の共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと接着層５０のみを挟んでリフレクタ基板３４の下面は一体になるので、接着層５０にピンホールがあったときに水分等でショートするのを防止している。
【００５２】
なお、接着層５０をより厚くしてピンホールの発生が防止できれば、リフレクタ基板３４の下面の導電箔３６の除去を省いて、リフレクタ基板３４全面に反射メッキ膜３３を設けても良い。この場合はリフレクタ基板３４の下面の導電箔除去の工程を省略でき、工程短縮が行える。
【００５３】
以上の工程で完成されたリフレクタ付き実装基板には、まず発光素子を共通電極１１上に組み込み、続いて発光素子のアノード電極と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとを金属細線でボンディングして接続し、発光素子および金属細線を透明の保護樹脂で被覆する。
【００５４】
その後、リフレクタ付き実装基板はダイシング装置により縦方向ではスルーホール電極上を切断され、横方向ではリフレクタ基板に設けた三角形の目印(図５（Ｂ）参照)を基準にして切断され、個々の発光装置に分離される。従って、本発明の発光装置はリフレクタ３０と実装基板１０の周端辺が一致するので、リフレクタ３０と実装基板１０とは一体に扱え、あたかも単一のプリント基板材料で形成されたものとみなせる。また、リフレクタ３０の機械的強度が強いので反りによる変形もなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の発光装置の（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図である。
【図２】本発明に用いる実装基板の（Ａ）上面図、（Ｂ）底面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に用いる実装基板の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明に用いる実装基板の（Ａ）全体を示す平面図、（Ｂ）拡大された上面図、（Ｃ）拡大された底面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明に用いるリフレクタ基板の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明に用いるリフレクタ基板の（Ａ）全体を示す平面図、（Ｂ）拡大された上面図である。
【図７】本発明に用いる実装基板とリフレクタ基板の接着方法を説明する断面図である。
【図８】従来の発光装置を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０          実装基板
１１          共通電極
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ      個別電極
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ      取り出し電極
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ      発光素子
１５          金属細線
１６、１７    導電箔
１８          スルーホール用貫通孔
１９          スルーホール電極
２０          レジスト層
２１          反射メッキ膜
２２          位置合わせ孔
２３          枠状の導電箔
３０          リフレクタ
３１          貫通孔
３２          傾斜面
３３          反射メッキ膜
３４          リフレクタ基板
３５、３６    導電箔
３７          導電メッキ膜
３８          充填材
４０          突出部
４１          位置合わせ孔
５０          接着層
【図１】
2007013066.tif 000003
【図２】
2007013066.tif 000004
【図３】
2007013066.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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