(57)【要約】【課題】マルチギャップ構造を備えた垂直配向モードの液晶装置であって、明るく、高コントラストの表示を実現した液晶装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置１００は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとが区画形成されたサブ画素Ｄを平面的に配列してなる垂直配向モードの半透過反射型液晶装置であり、前記反射表示領域Ｒの液晶層厚を前記透過表示領域Ｔの液晶層厚よりも小さくするための液晶層厚調整層２５が、反射層２９と平面的に重なる位置に設けられており、前記サブ画素Ｄは、Ｙ軸方向に関して透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとが配列されており、前記配列方向の両端側にそれぞれ前記透過表示領域Ｔが配置されていることを特徴としている。【選択図】図２
2007133293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に誘電異方性が負の液晶を有した液晶層を挟持してなり、サブ画素には複数の透過表示領域と反射表示領域とが所定方向に配列されており、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域の液晶層厚を前記透過表示領域の液晶層厚よりも小さくする液晶層厚調整層が設けられた液晶装置であって、
前記サブ画素の前記複数の透過表示領域と前記反射表示領域とが配列した方向の両端側にはそれぞれ前記透過表示領域が配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記複数の透過表示領域と前記反射表示領域とが配列した方向で隣接するサブ画素間で前記液晶層に印加される信号が逆極性となる方式で駆動する画素駆動手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記透過表示領域及び前記反射表示領域の各々に対応して、互いに電気的に接続された島状電極が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記サブ画素の各島状電極に対応して、前記液晶層の配向状態を制御する配向制御手段が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記一対の基板の一方に複数の信号配線が形成され、
前記サブ画素の前記透過表示領域と前記反射表示領域とは、前記信号配線の延在方向に沿って配列されており、
前記信号配線と前記サブ画素とは、当該サブ画素の前記反射表示領域に設けられた画素スイッチング素子を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記画素スイッチング素子と前記反射表示領域の電極とを電気的に接続する導電接続部は、当該反射表示領域に設けられた前記配向制御手段と平面的に重なって配置されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記導電接続部及び配向制御手段は、前記反射表示領域の前記島状電極の略中央部に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記信号配線が形成された基板上に、二端子型非線形素子からなる前記画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子と電気的に接続された画素電極とが設けられ、
他方の前記基板上には、前記画素電極と対向するストライプ状の対向電極が設けられており、
前記画素電極と前記対向電極との対向する領域に前記サブ画素が形成されていることを特徴とする請求項４から７のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記信号配線の延在方向で隣接する前記ストライプ状の対向電極の間に、逆極性の信号を入力する方式で前記サブ画素を駆動する画素駆動手段を備えたことを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記信号配線が形成された基板上に、複数の第１の信号配線と、該第１の信号配線と交差する方向に延びる複数の第２の信号配線と、前記第１の信号配線と第２の信号配線との交差点に対応して薄膜トランジスタからなる前記画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子と電気的に接続された画素電極とが設けられ、
他方の前記基板上には、前記画素電極と対向する共通電極が設けられており、
前記画素電極と前記共通電極との対向する領域に前記サブ画素が形成されていることを特徴とする請求項４から７のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記薄膜トランジスタのゲートと接続された前記第２の信号配線に対して、隣接する前記第２の信号配線の間で逆極性の信号を入力する方式で前記サブ画素を駆動する画素駆動手段を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置。
【請求項１２】
任意の前記サブ画素について前記第１の信号配線の延在方向で隣接する他のサブ画素、及び第２の信号配線の延在方向で隣接する他のサブ画素の双方と逆極性となる信号を入力する方式で前記サブ画素を駆動する画素駆動手段を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記信号配線が形成された基板上において、前記画素スイッチング素子と前記画素電極とは層間絶縁膜を介した異なる配線層に形成されるとともに、前記層間絶縁膜を貫通して設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置として反射モードと透過モードとを兼ね備えた半透過反射型液晶装置が知られている。また、反射表示領域と透過表示領域とで液晶層厚を異ならせることでコントラストを向上させた、いわゆるマルチギャップ方式の半透過反射型液晶装置（例えば特許文献１参照）や、垂直配向液晶を用いることで視角特性を改善した半透過反射型液晶装置が提案されている（例えば非特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−０４７２１７号公報
【非特許文献１】"Development of transflective LCD for high contrast and wide viewing angle by using homeotropic alignment", M.Jisaki et al., Asia Display/IDW'01, p.133-136(2001)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、垂直配向液晶を用いた非特許文献１記載の液晶装置では、透過表示領域での液晶が倒れる方向をその中央に設けた突起を用いて制御しているが、反射表示領域の液晶が倒れる方向については、いかに制御したのか全く触れていない。液晶が倒れる方向を制御せずに無秩序な方向に倒すと、異なる液晶配向領域の境界にディスクリネーションと呼ばれる不連続線が現れ、残像等の原因になる。また、液晶の各々の配向領域は異なる視角特性を有しているため、斜め方向から液晶装置を見たときに、ざらざらとしたしみ状のむらとして見えるという問題も生じる。
また、垂直配向液晶を用いたマルチギャップ方式の液晶装置では、透過表示領域と反射表示領域との間の段差部において配向乱れが生じやすく、特に、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子やＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子が上記段差部の近傍に設けられていると、スイッチング素子やそれと接続される配線の電位変動によって液晶の配向乱れが発生しやすくなるという問題がある。そこで、段差部における液晶の配向乱れに起因するコントラスト低下を防止するために、段差部を平面的に覆うように遮光膜を設けることも考えられるが、同時に画素開口率が低下するため表示が暗くなるデメリットがある。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、マルチギャップ構造を備えた垂直配向モードの液晶装置であって、明るく、高コントラストの表示を実現した液晶装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、一対の基板間に誘電異方性が負の液晶を有した液晶層を挟持してなり、サブ画素には複数の透過表示領域と反射表示領域とが所定方向に配列されており、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域の液晶層厚を前記透過表示領域の液晶層厚よりも小さくする液晶層厚調整層が設けられた液晶装置であって、前記サブ画素の前記複数の透過表示領域と前記反射表示領域とが配列した方向の両端側にはそれぞれ前記透過表示領域が配置されていることを特徴とする。
本発明では、負の誘電率異方性を有する液晶を基板面に対して垂直配向させているので、広視角の表示を得ることができ、また反射表示領域の液晶層厚を透過表示領域と異ならせる液晶層厚調整層によって透過表示と反射表示との間におけるリタデーション差を解消し、透過表示と反射表示の双方で高コントラストの表示を得ることができる。そして、一つの透過表示領域と反射表示領域の配列方向に関して、その両端側に前記透過表示領域を配置しているので、前記配列方向で隣接する画素の境界領域には、反射表示領域と透過表示領域との間に液晶層厚調整層によって形成されるテーパ状の段差部が配置されないようにすることができる。前記テーパ状の段差部においては、液晶分子が基板法線方向から傾いて配向しているため、上記長手方向で隣接する画素間に横電界が発生した場合に、前記傾いて配向した液晶分子に横電界が作用すると、基板法線方向に配向している液晶分子に対して横電界が作用する場合に比して液晶分子の動きが大きくなり、光漏れが大きくなる。これに対して本発明では、横電界の発生箇所と前記テーパ状の段差部とが離間されているので、前記テーパ状の段差部に配されている液晶分子は前記横電界の影響を受けにくくなり、また横電界の作用する液晶分子は液晶層厚が一定の領域の液晶分子であるため光漏れの程度が小さくなる。このように本発明では、画素間の境界領域における光漏れを効果的に防止でき、高コントラストの表示を得られるものとなっている。
【０００６】
なお、前記テーパ状の段差部を画素間の境界領域から離れた位置に配するという技術思想からすると、前記長手方向で隣接する画素間に跨るように液晶層厚調整層を配置し、長手方向の両端側に反射表示領域を配する構成とすることも考えられる。しかしながら、反射表示領域に比して透過表示領域の面積率が大きくされている半透過反射型液晶装置にかかる構成を適用すると、反射表示領域が透過領域を挟んで２分されているため、反射表示領域の面積率に比して反射率が低くなり、実質的な開口率が低くなってしまうことが判明している。これに対して本発明では、反射表示領域ではなく透過表示領域を少なくとも２分割する構成であるから、反射表示領域を画素内で一箇所に形成することができ、その面積率に応じた反射率を得られるようになっている。従って本発明は、画素において反射表示領域の総面積が、透過表示領域の総面積よりも小さい場合に好適な構成である。
【０００７】
本発明の液晶装置では、前記複数の透過表示領域と前記反射表示領域とが配列した方向で隣接するサブ画素間で前記液晶層に印加される信号が逆極性となる方式で駆動する画素駆動手段を備えた構成とすることが好ましい。例えばライン反転駆動方式、ドット反転駆動方式で画素を駆動する液晶装置とすることが好ましい。このような構成とすることで、フリッカーやクロストークを効果的に防止し、高品質の表示を得ることができる。ところで、ライン反転駆動方式ないしドット反転駆動方式を採用した場合、隣接ラインに属するサブ画素の間に横電界が発生するが、本発明では、かかる横電界が発生しても横電界の発生箇所と液晶層厚調整層に起因するテーパ状の段差部とが離れて配置されており、また横電界の発生位置では液晶層厚が一定であるため、かかるライン反転駆動方式等を採用した場合であっても、横電界の作用による配向乱れを防止でき、高コントラストの表示を得ることができる。
【０００８】
本発明の液晶装置では、前記透過表示領域及び前記反射表示領域の各々に対応して、互いに電気的に接続された島状電極が設けられている構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、各島状部の形状に応じた配向分割を行うことができ、液晶分子の倒れる方向を良好に制御でき、広い視角範囲で高コントラストの表示を得ることができる。
【０００９】
本発明の液晶装置では、前記サブ画素の各島状電極に対応して、前記液晶層の配向状態を制御する配向制御手段が設けられていることが好ましい。前記配向制御手段は前記各島状部の略中央部に配置されていることが好ましい。このような構成とすれば、配向制御手段を中心として島状部の全方位に向かって液晶分子を正確に傾倒させることができるので、しみ状のむら等を防止して視認性に優れる液晶装置とすることができる。
【００１０】
本発明の液晶装置では、前記一対の基板の一方に複数の信号配線が形成され、前記サブ画素の前記透過表示領域と前記反射表示領域とは、前記信号配線の延在方向に沿って配列されており、前記信号配線と前記サブ画素とは、当該サブ画素の前記反射表示領域に設けられた画素スイッチング素子を介して電気的に接続されている構成とすることができる。すなわち本発明の液晶装置はアクティブマトリクス型の液晶装置とすることができる。また本構成では、信号配線とサブ画素とが、反射表示領域に設けられた画素スイッチング素子を介して電気的に接続されているので、通常は遮光領域となる画素スイッチング素子の形成領域を反射表示領域に配置でき、画素開口率の低下を抑えて明るい表示を得ることができる。
【００１１】
本発明の液晶装置では、前記画素スイッチング素子と前記反射表示領域の電極とを電気的に接続する導電接続部は、当該反射表示領域に設けられた前記配向制御手段と平面的に重なって配置されていることが好ましい。前記画素スイッチング素子と電極との導電接続部は、通常は表示に寄与しない領域であり、また配向制御手段の形成領域も同様に表示に寄与しない領域である。そこで両者を平面的に重ねて配置することで、画素開口率の低下を抑えることができ、明るい表示を得ることができる。
【００１２】
本発明の液晶装置では、前記導電接続部及び配向制御手段は、前記反射表示領域の前記島状電極の略中央部に配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、配向制御手段を中心として全方位に液晶分子が倒れるようにすることができるので、広い視角範囲で高コントラストの表示を得ることができる。
【００１３】
本発明の液晶装置では、前記信号配線が形成された基板上に、二端子型非線形素子からなる前記画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子と電気的に接続された画素電極とが設けられ、他方の前記基板上には、前記画素電極と対向するストライプ状の対向電極が設けられており、前記画素電極と前記対向電極との対向する領域に前記サブ画素が形成されている構成とすることもできる。すなわち、本発明の液晶装置はＴＦＤアクティブマトリクス型の液晶装置とすることができる。この場合、ストライプ状の対向電極が隙間を介して並列されたものとなり、隣接する対向電極の間に横電界が発生するが、このような隙間が形成される箇所は、透過表示領域に挟まれた領域となるので、その液晶層厚は一定であり、横電界に起因する光漏れも少ない。また横電界の作用による光漏れの程度が大きくなるテーパ状の段差部は横電界の発生箇所から離れているので、光漏れによるコントラスト低下を効果的に防止することができる。
【００１４】
本発明の液晶装置では、前記信号配線の延在方向で隣接する前記ストライプ状の対向電極の間に、逆極性の信号を入力する方式で前記サブ画素を駆動する画素駆動手段を備えていることが好ましい。このような構成とすることでフリッカーを防止して視認性に優れた液晶装置とすることができる。
【００１５】
本発明の液晶装置では、前記信号配線が形成された基板上に、複数の第１の信号配線と、該第１の信号配線と交差する方向に延びる複数の第２の信号配線と、前記第１の信号配線と第２の信号配線との交差点に対応して薄膜トランジスタからなる前記画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子と電気的に接続された画素電極とが設けられ、他方の前記基板上には、前記画素電極と対向する共通電極が設けられており、前記画素電極と前記共通電極との対向する領域に前記サブ画素が形成されている構成とすることができる。すなわち本発明は、ＴＦＴアクティブマトリクス型の液晶装置としても構成することができる。
【００１６】
本発明の液晶装置では、前記薄膜トランジスタのゲートと接続された前記第２の信号配線に対して、隣接する前記第２の信号配線の間で逆極性の信号を入力する方式で前記サブ画素を駆動する画素駆動手段を備えた構成とすることが好ましい。また本発明の液晶装置では、任意の前記サブ画素について前記第１の信号配線の延在方向で隣接する他のサブ画素、及び第２の信号配線の延在方向で隣接する他のサブ画素の双方と逆極性となる信号を入力する方式で前記サブ画素を駆動する画素駆動手段を備えた構成とすることが好ましい。このような構成とすることでフリッカーを防止して視認性に優れた液晶装置とすることができる。
【００１７】
本発明の液晶装置では、前記信号配線が形成された基板上において、前記画素スイッチング素子と前記画素電極とは層間絶縁膜を介した異なる配線層に形成されるとともに、前記層間絶縁膜を貫通して設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されている構成とすることが好ましい。
層間絶縁膜を介した下層側にスイッチング素子を配置することで、スイッチング素子から発生する電界の影響を排除でき、またスイッチング素子に起因する基板表面の凹凸を平坦化することができるので、均一な層厚の液晶層を精度良く駆動制御でき、良好な表示が得られるようになる。
【００１８】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、反射表示と透過表示の双方で明るく高コントラストの表示が得られる表示部を具備した電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係る液晶装置について図面を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、基板面に対して垂直に配向させた誘電率異方性が負の液晶に対して電界を印加し、配向を制御することにより画像表示を行うＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モードのアクティブマトリクス型液晶装置であって、１つのサブ画素に反射表示領域と透過表示領域とを有する反透過反射型の液晶装置である。
そして、基板上に設けられたカラーフィルタによるカラー表示が可能であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。従って本明細書では、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素」と称する。また、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素」と称する。
なお、各実施形態で参照する図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
【００２０】
図１は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成された複数の画素の回路構成図である。図２は液晶装置１００の任意の１画素を構成する３つのサブ画素Ｄ１〜Ｄ３を示す平面構成図である。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図であり、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。また、図４は、本実施形態の液晶装置を水平ライン反転駆動するときの走査信号の波形図である。
【００２１】
図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画素駆動手段であるデータ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。ＴＦＴ３０のゲートには、画素駆動手段である走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。
【００２２】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付与されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００２３】
次に、図２及び図３を参照して液晶装置１００の詳細な構成について説明する。まず、液晶装置１００は、図３（ａ）に示すようにＴＦＴアレイ基板（第１の基板）１０と対向基板（第２の基板）２０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えており、液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する領域の縁端に沿って設けられた図示略のシール材によって基板１０，２０間に封止されている。対向基板２０の背面側（図示下面側）には、導光板６１と反射板６２とを具備したバックライト（照明装置）９０が配設されている。
【００２４】
図２の平面構成図に示すように、液晶装置１００の画素には、３つのサブ画素Ｄ１〜Ｄ３が設けられており、各サブ画素Ｄ１〜Ｄ３には、画素電極９と、画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０とが設けられている。また、画素電極９の長手方向（Ｙ軸方向）に沿って延びる複数のデータ線６ａと、画素電極９を横切って図示Ｘ方向に延びる走査線（第２の信号配線）３ａとが形成されており、これらデータ線６ａ、走査線３ａは、その交差点の近傍にて上記ＴＦＴ３０と電気的に接続されている。
また、１つのサブ画素に対応して３原色のうち１色のカラーフィルタ（着色層）が形成され、３つのサブ画素Ｄ１〜Ｄ３で３色のカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを含む画素を形成している。尚、これらのカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、それぞれ図示Ｙ軸方向に延びるストライプ状に形成され、その延在方向で各々複数のサブ画素に跨って形成されるとともに、図示左右方向にて周期的に配列されている。
【００２５】
サブ画素Ｄ１〜Ｄ３に設けられた画素電極９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなり、各サブ画素内にて３つの島状部９１〜９３に略分割され、隣接する島状部９１，９２間、及び島状部９２，９３間はそれらの中央部で連結された形状を有している。３つの島状部９１〜９３のうち中央に配置された島状部９２と平面的に重なるようにして反射層２９が配置されている。反射層２９は、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）等の光反射性の金属膜からなるものであり、この反射層２９と積層された島状部９２とが当該サブ画素の反射電極として機能し、従って島状部９２の形成された領域が反射表示領域Ｒとなる。また、反射電極の表面には凹凸形状が付与されており、この凹凸によって反射光が散乱されることで、視認性の良い表示が得られるようになっている。
【００２６】
また、他の島状部９１，９３はＩＴＯ等の透明導電膜からなり、これらの島状部９１，９３の形成された領域が透過表示領域Ｔとなっている。すなわち、本実施形態の液晶装置１００は、１つのサブ画素Ｄ内に反射表示を行なう反射表示領域Ｒと透過表示を行なう透過表示領域Ｔとを備えた半透過反射型の液晶装置であり、表示可能な領域の１／３弱の面積領域が反射表示に寄与し、残りの２／３強の面積領域が透過表示に寄与する構造である。各サブ画素Ｄ１〜Ｄ３は、透過表示領域Ｔに対応して割り当てられた島状部９１、反射表示領域Ｒに対応して割り当てられた島状部９２、透過表示領域Ｔに対応して割り当てられた島状部９３の順に配列して長手方向を形成しており、２つの透過表示領域Ｔが一つの反射表示領域Ｒを挟んだ状態でサブ画素の両端に配置された構成になっている。
【００２７】
なお、島状部９１〜９３を連結している部分の画素電極についてもＩＴＯ等の透明導電膜からなるものであるから、この連結部位も透過表示に寄与する。それぞれの島状部９１〜９３の略中央部には、液晶の配向を規制するための配向規制手段である誘電体突起１９１〜１９３が配置されている。また各島状部９１〜９３は各角部が丸められた曲線形状となっている。あるいは島状部９１〜９３は角部に面取りが施された略八角形状であってもよい。
【００２８】
図２に示す画素電極９のうち、中央の島状部９２と、走査線３ａ、データ線６ａとの間に、ＴＦＴ３０が介挿されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３５と、半導体層３５の下層側（基板本体１０Ａ側）に設けられたゲート電極３２と、半導体層３５の上層側に設けられたソース電極６ｂとを備えており、ＴＦＴ３０のドレイン側は、島状部９２と平面的に重なるようにして形成された平面視略矩形状の容量電極３１と電気的に接続されている。半導体層３５のうち、ゲート電極３２と対向する領域には当該ＴＦＴ３０のチャネル領域が形成されており、チャネル領域を挟んだ両側の半導体層には、それぞれソース領域（ソース電極６ｂ側）、及びドレイン領域（容量電極３１側）が形成されている。
【００２９】
ゲート電極３２は、走査線３ａの一部をデータ線６ａの延在方向に分岐して形成されており、その先端側で半導体層３５と図示略の絶縁膜を介して対向している。ソース電極６ｂは、データ線６ａの一部を走査線３ａの延在方向に分岐して形成されており、半導体層３５のソース領域に乗り上げるように配置されて電気的に接続されている。容量電極３１のＴＦＴ３０側の角部が一部延出されて半導体層３５のドレイン領域に乗り上げるように配置されて電気的に接続されている。
【００３０】
そして、容量電極３１の中央部に設けられた画素コンタクトホール１５１を介して、容量電極３１と反射表示領域に対応して割り当てられた島状部９２（画素電極９）とが電気的に接続されている。また、各サブ画素の容量電極３１に跨ってＸ軸方向に延びる容量線３ｂが形成されており、前記容量電極３１と容量線３ｂとが平面的に重なる領域に各サブ画素の蓄積容量７０が形成されている。従って、画素コンタクトホール１５１を介してＴＦＴ３０と電気的に接続される画素電極９は島状部９２（画素電極９）であり、ＴＦＴ３０に接続された走査線３ａは、各サブ画素Ｄ１〜Ｄ３の長手方向と交差して、且つ、反射表示領域Ｒに隣接して（或いは、反射表示領域Ｒ内を縫って）各サブ画素Ｄ１〜Ｄ３内に配線形成されている。
【００３１】
このような構成のもと、ＴＦＴ３０は、走査線３ａを介して入力されるゲート信号により所定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａを介して供給される画像信号を、所定のタイミングで液晶に対して書き込めるようになっている。
【００３２】
一方、図３（ａ）に示す断面構造を見ると、液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された対向基板２０とを備え、前記基板１０，２０間に初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶（屈折率異方性Δｎは例えば０．１）からなる液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、図に示す如く画素電極９の形成領域内で部分的に異なる層厚を有して形成されており、具体的には、反射表示領域Ｒに対応して対向基板２０の内面側に設けられた液晶層厚調整層２５によって反射表示領域Ｒにおける液晶層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層厚のほぼ１／２の厚さに調整されている。なお、符号５１を付して示す略棒状の楕円体は、垂直配向された液晶分子を概念的に示すものである。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層側）に走査線３ａ、及び容量線３ｂが形成されている。そして、走査線３ａと容量線３ｂとを覆って絶縁薄膜（ゲート絶縁膜）１１が形成され、この絶縁薄膜１１上にデータ線６ａ等（図２参照）と同層の容量電極３１が形成されている。さらに、容量電極３１を覆って第１層間絶縁膜１２が形成され、第１層間絶縁膜１２を覆って第２層間絶縁膜１３が形成されている。第１層間絶縁膜１２はＴＦＴ３０を構成する各導電膜を保護するシリコン窒化膜等からなる絶縁膜であり、第２層間絶縁膜１３はＴＦＴ３０等が形成された基板本体１０Ａの表面を平坦化する機能を兼ね備えた透明な樹脂材料等からなる絶縁膜である。さらに本実施形態の場合、図３（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜１３は、その表面に凹凸形状が形成された領域を有しており、かかる凹凸形状が形成された領域には、反射層２９が形成されている。反射層２９の表面は前記第２層間絶縁膜１３表面の凹凸形状に倣う形状を成しており、反射層２９はかかる構成により光散乱性を有する散乱反射層となっている。
【００３４】
反射層２９の一部表面を含む第２層間絶縁膜１３上に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極９が形成されている。画素電極９の一部は、第１層間絶縁膜１２と第２層間絶縁膜１３と反射層２９とを貫通して容量電極３１に達するコンタクトホール１５１内に埋設され、容量電極３１と電気的に接続されている。画素電極９を覆ってポリイミド等の垂直配向膜１８が形成されており、液晶分子５１の初期配向を基板面に対し垂直に配向させるようになっている。基板本体１０Ａの外面側には、位相差板１６と偏光板１４とが積層配置されている。
【００３５】
図３（ｂ）はＴＦＴ３０の断面構造を示すＴＦＴアレイ基板１０の部分断面構成図である。基板本体１０Ａ上にゲート電極３２と容量線３ｂとが形成されており、これらを覆って絶縁薄膜１１が形成されている。絶縁薄膜１１を介してゲート電極３２と対向する位置に半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにして、ソース電極６ｂと容量電極３１とが絶縁薄膜１１上に形成されている。容量電極３１と容量線３ｂとは絶縁薄膜１１を介して基板厚さ方向で対向し、蓄積容量７０を形成している。従って絶縁薄膜１１は、ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜と蓄積容量７０の誘電体膜とを兼ねるものとなっている。
【００３６】
対向基板２０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体２０Ａを基体としてなる。基板本体２０Ａの内面側には、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔに跨ってカラーフィルタ２２Ｇ（２２Ｒ、２２Ｂ）が設けられている。先に記載のように、カラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂは、サブ画素の長手方向（図２Ｙ軸方向）に延びるストライプ状であり、各カラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂの間に、及びカラーフィルタ２２Ｒ等の延在方向で隣接するサブ画素の境界領域には、黒色樹脂等からなる遮光層（ブラックマトリクス）２２ＢＭが配置されている。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、カラーフィルタ２２Ｇには、反射表示用の島状部９２中央部に対応する位置に、色材の配置されない矩形の開口領域（非着色領域）２２ａが形成されている。色材の配置される着色領域と色材の配置されない非着色領域との面積比率（非着色領域／着色領域）は、各色の色バランスを考慮してＲ，Ｇ，Ｂの色毎に適切に設定することが好ましい。例えば、視感度の高い緑色のカラーフィルタ２２Ｇについては非着色領域の面積を相対的に最も大きく、次いで赤色のカラーフィルタ２２Ｒの非着色領域、青色のカラーフィルタ２２Ｂの非着色領域の順で小さくすることができる。
【００３８】
カラーフィルタ２２の内面側には反射表示領域Ｒに対応して液晶層厚調整層２５が選択的に形成されており、図２に示す平面構成においては、Ｘ軸方向に延びる反射層２９と同様にＸ軸方向に延びる帯状を成しており、かつ反射層２９と平面視略同一領域に形成されている。
反射表示領域Ｒには開口領域２２ａが設けられているので、上記液晶層厚調整層２５はその一部が開口領域２２ａ内に埋設されたものとなっている。このようにサブ画素内に部分的に形成された液晶層厚調整層２５により、液晶層５０の層厚が反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで異ならされ、各サブ画素についていわゆるマルチギャップ構造を実現するものとなっている。
【００３９】
液晶層厚調整層２５は、アクリル樹脂等の有機膜を用いて形成されている。液晶層厚調整層２５は、例えば膜厚が２μｍ±１μｍ程度に形成され、液晶層厚調整層２５が存在しない部分の液晶層５０の厚みは２μｍ〜６μｍ程度であり、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みは透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚みの約半分である。本例の液晶装置１００は、係る構成により明るく高コントラストの表示が得られるようになっている。
なお、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近には、液晶層厚調整層２５の層厚が連続的に変化しているテーパ状の段差部が形成されているが、この段差部と反射電極２９のドット領域中央側の縁端部とは、平面的にほぼ重なっており、さらに隣接する島状部９２，９３間を連結している線状の電極膜（連結部）とも一部平面的に重なっている。
【００４０】
液晶層厚調整層２５の表面を含むカラーフィルタ２２Ｇ上には、対向電極２１が形成されている。対向電極２１は平面ベタ状のＩＴＯ等からなる透明導電膜であり、係る対向電極２１上の画素電極９と対向する位置に、液晶層５０側に突出する誘電体突起１９１〜１９３が設けられている。誘電体突起１９１〜１９３の断面形状は略三角形で図示しているが、実際にはなだらかな曲面形状で形成される。透過表示領域Ｔに含まれる２つの島状部９１，９３の各々に対応して、その中央部に対向する位置にそれぞれ１つずつ誘電体突起１９１，１９３が配置されており、反射表示領域Ｒを構成する島状部９２に対応して、その中央部に対向する位置に誘電体突起１９２が１つ形成されている。
【００４１】
これらの誘電体突起１９１〜１９３は、樹脂等の誘電体材料からなり、マスクを用いたフォトリソグラフィ等によって形成することができる。例えば、ノボラック系のポジ型フォトレジストを用いて高さ１．２μｍ、直径１２μｍの誘電体突起１９１〜１９３を、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔに対して一括に形成することができる。また、誘電体突起１９１〜１９３の断面形状に関しては、レジストを現像後に２２０℃程度でポストベークすれば、先端形状を鈍らせてなだらかな突起形状を得ることができる。対向電極２１及び誘電体突起１９１〜１９３を覆ってポリイミド等の垂直配向膜２８が形成されており、液晶分子５１の初期配向を基板面に対し垂直に配向させるようになっている。
【００４２】
基板本体２０Ａの外面側には、位相差板２６と偏光板２４とが積層配置されている。上記偏光板１４，２４は、特定方向に振動する直線偏光のみを透過させる機能を有する。また位相差板１６，２６には、可視光の波長に対して略１／４波長の位相差を持つλ／４板が採用されている。偏光板１４，２４の透過軸と位相差板１６，２６の遅相軸とは約４５°の角度を成して配置され、偏光板１４と位相差板１６、及び偏光板２４と位相差板２６とは、協働してそれぞれ円偏光板として機能する。この円偏光板により、直線偏光を円偏光に変換して液晶層５０に入射させる一方、液晶層５０から射出される円偏光を直線偏光に変換して出力し得るようになっている。また、偏光板１４の透過軸と偏光板２４の透過軸とは直交して配置され、位相差板１６の遅相軸は位相差板２６の遅相軸と直交して配置されている。なお、偏光板と位相差板の構成としては、「偏光板＋λ／４板の構成の円偏光板」が一般的だが、「偏光板＋λ／２板＋λ／４板の構成の円偏光板（広帯域円偏光板）」を用いることで、黒表示をより無彩色にすることもできる。
【００４３】
このように構成した液晶装置１００において、本実施形態では水平ライン反転駆動方式が採用されており、図４に示すように、走査線３ａに印加される走査信号（ｃｏｍ）は、１フレームごとに極性が反転し、かつデータ線６ａの延在方向で隣接する走査線３ａの間で逆極性である。すなわち、第ｎ番目に印加される走査信号ｃｏｍ（ｎ）と第ｎ＋１番目に印加される走査信号ｃｏｍ（ｎ＋１）とは常に逆極性であり、データ線６ａの延在方向で隣接するサブ画素の液晶に印加される信号は常に逆極性である。また液晶装置１００の駆動形態としては、隣接するサブ画素に入力する走査信号を逆極性とするドット反転駆動方式も適用することができる。上記水平ライン反転駆動方式ないしドット反転駆動方式を採用することで、フリッカーのない高品質の画像を得ることができる。
【００４４】
本実施形態の液晶装置１００では、いずれのサブ画素においても、サブ画素の長手方向であるデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）の両端側に透過表示領域Ｔを配置しており、これらの透過表示領域Ｔに挟まれる位置に反射表示領域Ｒを配置している。このように液晶装置１００では、Ｙ軸方向に関して隣接するサブ画素において、互いの透過表示領域Ｔ同士が対向するように配置しているので、かかる境界領域に液晶層厚調整層２５の端縁のテーパ状の段差部が配置されることが無く、液晶層厚はほぼ一定の厚さとなる。
【００４５】
先に記載のように液晶装置１００ではデータ線６ａの延在方向で隣接するサブ画素に逆極性の走査信号を入力するライン反転駆動方式、ないしドット反転駆動方式が用いられており、かかる駆動方式では、図３（ａ）に矢印Ｅで示すように、オフ電圧の印加時にも隣接する画素電極９同士の間に横電界が発生する。このような場合に、液晶層厚が変化しているテーパ状の段差部が前記境界領域に配置されていると、段差部では液晶分子５１にプレチルトが付与されたのと同様の状態となっているので、横電界Ｅによって液晶分子５１が大きく傾き、コントラストの低下を招く。これに対して本実施形態の液晶装置１００では、前記サブ画素の境界領域には液晶層厚調整層２５のテーパ状の段差部は配置されず、一定の液晶層厚となっているので、横電界Ｅによって液晶分子５１が大きく傾くことが無く、当該境界領域における光漏れに起因するコントラスト低下を効果的に防止することができる。
【００４６】
また、上記液晶層厚調整層２５の端縁のテーパ状の段差部は、隣接する島状部９１，９２間、及び島状部９２，９３間に配置されており、前記島状部９１〜９３は互いに電気的に接続されて同電位となっている。従って、本実施形態では、前記段差部の形成領域でプレチルトが付与されたの同様の配向状態となっている液晶分子５１に対してオフ電圧時の横電界が作用することはなく、オフ電圧時にコントラストを低下させるような光漏れは発生しない。
【００４７】
さらに、本実施形態の液晶装置では、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を基板面方向に傾倒させて光変調を行うので、黒表示での光漏れが少なく、高コントラストの表示を得ることができる。また、透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒの双方に液晶分子の配向方向を制御する誘電体突起１９１，１９２，１９３が形成されているので、透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒの双方において、電圧印加時に液晶分子を３６０°全方向に倒れるようにすることができる。このため、透過表示領域Ｔ、反射表示領域Ｒのいずれにおいても配向の乱れが発生せず、残像やざらざらとしたしみ状のむらのない、高画質、高視野角の表示を得ることができる。
さらに、液晶層厚調整層２５によって反射表示領域Ｒの液晶層厚を透過表示領域Ｔよりも薄くして透過表示と反射表示でのリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消しているので、透過表示と反射表示の双方で高コントラストの表示を得ることができる。
【００４８】
（第２の実施形態）
次に、図５から図７を参照して本発明の第２実施形態について説明する。図５は本実施形態の液晶装置の回路構成図である。図６は、本実施形態の液晶装置の任意の１画素を構成する３つのサブ画素の平面構成図である。図７（ａ）は、図６のＦ−Ｆ’線に沿う液晶装置の部分断面構成図である。図７（ｂ）は、図６のＨ−Ｈ’線に沿う部分断面構成図である。
なお、図５から図７において、図１から図４に示した液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、それらについての詳細な説明は省略する。
【００４９】
本実施形態の液晶装置２００は、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子（二端子型非線形素子）４１を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置である。また、本実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００と同様、マルチギャップ方式の半透過反射型液晶装置であり、図７（ａ）に示すように、観察者側に配置された素子基板１１０と、バックライト９０側に配置された対向基板１２０との間に、負の誘電率異方性を有する垂直配向モードの液晶層５０を挟持した構成を具備しており、対向基板１２０の液晶層５０側に部分的に形成された液晶層厚調整層２５によって液晶層５０の層厚が部位により異ならされたものとなっている。
【００５０】
図５に示す回路構成図をみると、液晶装置２００は、画素駆動手段たる第１の駆動回路（走査線駆動回路）２０１及び第２の駆動回路（データ線駆動回路）２０２とを備えている。液晶装置２００には、信号配線、すなわち複数の走査線１１３と、走査線１１３と交差する方向に延びる複数のデータ線１１４とが設けられており、走査線１１３は第１の駆動回路２０１により駆動され、データ線１１４は第２の駆動回路２０２により駆動される。そして、各サブ画素Ｄにおいて、走査線１１３とデータ線１１４との間にＴＦＤ素子４１と液晶表示要素（液晶層）５０とが直列に接続されている。なお、図１では、ＴＦＤ素子４１がデータ線１１４側に接続され、液晶表示要素５０が走査線１１３側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４１を走査線１１３側に、液晶表示要素５０をデータ線１１４側に接続した構成としてもよい。
【００５１】
次に、図６に示すように、本実施の形態の液晶装置２００では、Ｙ軸方向に延びるデータ線１１４にＴＦＤ素子４１を介して接続された画素電極１９が平面視マトリクス状に配置されており、Ｘ軸方向に配列された複数の画素電極１９と平面的に重なる位置に対向電極３が短冊状（ストライプ状）を成して形成されている。対向電極３は上述した走査線１１３に対応する。
【００５２】
本実施の形態において、各画素電極１９が形成された個々の領域に１つのサブ画素Ｄ１〜Ｄ３が形成されており、マトリクス状に配置された各サブ画素Ｄ１〜Ｄ３毎にＴＦＤ素子４１が設けられており、各サブ画素Ｄ１〜Ｄ３毎に表示が可能な構造になっている。各サブ画素Ｄ１〜Ｄ３には、１つのサブ画素に対応して３原色のうちの異なる色の１つのカラーフィルタが配設され、図６に示すように、３つのサブ画素Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３で３つのカラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂを含む１つの画素を形成している。先に記載のように、カラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂは、サブ画素の長手方向（図６Ｙ軸方向）に延びるストライプ状であり、各カラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂの間に、及びカラーフィルタ２２Ｒ等の延在方向で隣接するサブ画素の境界領域には、黒色樹脂等からなる遮光層２２ＢＭが配置されている（図７参照）。
【００５３】
画素電極１９は、先の液晶装置１００の画素電極９と同様、データ線１１４の延在方向に沿って配列された３つの島状部２９１〜２９３を細い線状に形成した導電膜で連結した構成を具備している。３つの島状部２９１〜２９３のうち、中央に配置された島状部２９２に、コンタクトホール１５２を介してＴＦＤ素子４１が電気的に接続されている。また、図示Ｘ軸方向に並んで配置された複数の島状部２９２に跨ってＡｌ等の光反射性の金属膜からなる反射層３９が延在しており、反射層３９と島状部２９２とが平面的に重なる領域が本実施形態の液晶装置２００における反射表示領域Ｒとなっており、反射層３９が形成されていない島状部２９１，２９３の平面領域は、それぞれ透過表示領域Ｔとなっている。
また、画素電極１９を構成する３つの島状部２９１〜２９３に対応して、それぞれの島状部２９１〜２９３の中央部に位置して配向制御手段である誘電体突起３９１〜３９３が形成されている。
【００５４】
ここで、ＴＦＤ素子４１はデータ線１１４と画素電極１９とを電気的に接続するスイッチング素子であって、ＴＦＤ素子４１は、Ｔａを主成分とする第１導電膜１４１と、第１導電膜１４１の表面に形成され、ＴａＯｘを主成分とする絶縁膜（図６では省略）と、この絶縁膜の表面に形成され、Ｃｒを主成分とする第２導電膜１４２，１４３とを含んだＭＩＭ構造を備えて構成されている。そして、ＴＦＤ素子４１のうち、第１導電膜１４１は平面視略矩形状の島状の導電膜であり、第２導電膜１４２は、データ線１１４から分岐されて第１導電膜１４１上に延びた導電膜であり、第２導電膜１４３は第１導電膜１４１上から島状部２９２の中央部側へ延びる平面視略矩形状の島状の導電膜である。
【００５５】
図７に示す断面構造をみると、素子基板１１０と対向基板１２０との間に液晶層５０が挟持されており、対向基板１２０の外面側（液晶層５０と反対側）にバックライト９０が配置されている。素子基板１１０は、基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側には、層間絶縁膜１１１が形成され、層間絶縁膜１１１上に画素電極１９（島状部２９１〜２９３）が形成されており、画素電極１９を覆うようにして垂直配向膜１８が形成されている。基板本体１０Ａの外面側には、位相差板１６と偏光板１４とが順に積層されている。
【００５６】
対向基板１２０は、基板本体２０Ａを基体としてなり、基板本体２０Ａの内面側であって、反射表示領域Ｒに対応する領域には、表面に凹凸形状が形成された有機膜３４が部分的に形成されており、この有機膜３４上にＡｌ等の光反射性の金属膜からなる反射層３９が形成されている。反射層３９は有機膜３４表面の凹凸に倣う凹凸形状の表面を有する散乱反射層として構成されている。
【００５７】
反射層３９上には、開口領域２２ａを有するカラーフィルタ２２Ｇが反射層３９を部分的に覆うようにして形成されており、反射層３９の形成領域内のカラーフィルタ２２Ｇ上に、反射表示領域Ｒに対応して設けられる液晶層厚調整層２５が配置されている。液晶層厚調整層２５は、反射層３９と平面的に重なる位置で図６Ｘ軸方向に延びる帯状に形成されており、従って液晶層厚調整層２５の幅方向（Ｙ軸方向）の端縁に形成されるテーパ状の段差部は、反射層３９の形成領域内に配置されている。また液晶層厚調整層２５は、その一部をカラーフィルタ２２Ｇの開口領域２２ａ内に埋設されている。
【００５８】
液晶層厚調整層２５上を含むカラーフィルタ２２Ｇ上に、紙面垂直方向に延びる平面視短冊状の対向電極３が形成されており、対向電極３上の所定位置（島状部２９１〜２９３の中央部と対向する位置）に液晶層５０側に突出する誘電体突起３９１〜３９３が形成されている。誘電体突起３９１〜３９３上を含む対向電極３上の領域に、これらを覆う垂直配向膜２８が形成されている。基板本体２０Ａの外面側には、位相差板２６と偏光板２４とが順に積層されている。
【００５９】
図７（ｂ）には、各サブ画素Ｄ１〜Ｄ３に備えられたＴＦＤ素子４１の断面構造が示されている。ＴＦＤ素子４１は、Ｔａ等の金属膜からなる第１導電膜１４１と、第１導電膜１４１の表面を覆うＴａＯｘを主成分とする絶縁膜１４４と、絶縁膜１４４を介して第１導電膜１４１と対向する第２導電膜１４２及び第２導電膜１４３とを備えて構成されている。基板本体１０Ａ上に形成されたＴＦＤ素子４１を覆って酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１１１が形成されており、この層間絶縁膜１１１を貫通して第２導電膜１４３に達するコンタクトホール１５２を介して画素電極１９とＴＦＤ素子４１とが電気的に接続されている。
【００６０】
このように構成した液晶装置２００においても、水平ライン反転駆動方式が採用されており、図４に示したように、走査線１１３に印加される走査信号（ｃｏｍ）は、１フレームごとに極性が反転し、かつデータ線１１４の延在方向で隣接する走査線１１３の間で逆極性である。すなわち、第ｎ番目に印加される走査信号ｃｏｍ（ｎ）と第ｎ＋１番目に印加される走査信号ｃｏｍ（ｎ＋１）とは常に逆極性であり、データ線１１４の延在方向で隣接するサブ画素の液晶に印加される信号は常に逆極性である。また液晶装置２００の駆動形態としては、隣接するサブ画素に入力する走査信号を逆極性とするドット反転駆動方式も適用することができる。上記水平ライン反転駆動方式ないしドット反転駆動方式を採用することで、フリッカーのない高品質の画像を得ることができる。
【００６１】
本実施形態の液晶装置２００では、いずれのサブ画素においても、サブ画素の長手方向であるデータ線１１４の延在方向（Ｙ軸方向）の両端側に透過表示領域Ｔを配置しており、これらの透過表示領域Ｔに挟まれる位置に反射表示領域Ｒを配置している。このように液晶装置１００では、Ｙ軸方向に関して隣接するサブ画素において、互いの透過表示領域Ｔ同士が対向するように配置しているので、かかる境界領域には、液晶層厚調整層２５の端縁のテーパ状の段差部が配置されることが無く、液晶層厚はほぼ一定の厚さとなる。
【００６２】
本実施形態の液晶装置２００についてもデータ線１１４の延在方向で隣接するサブ画素に逆極性の走査信号を入力するライン反転駆動方式ないしドット反転駆動方式を採用することが好ましく、かかる駆動方式では、図７（ａ）に矢印Ｅで示すように、オフ電圧の印加時にも隣接する対向電極３同士の間に横電界が発生する。このような場合に、液晶層厚が変化しているテーパ状の段差部が前記境界領域に配置されていると、段差部では液晶分子５１にプレチルトが付与されたのと同様の状態となっているので、横電界Ｅによって液晶分子５１が大きく傾き、コントラストの低下を招く。これに対して本実施形態の液晶装置２００では、前記サブ画素の境界領域には液晶層厚調整層２５のテーパ状の段差部は配置されず、一定の液晶層厚となっているので、横電界Ｅによって液晶分子５１が大きく傾くことが無く、当該境界領域における光漏れに起因するコントラスト低下を効果的に防止することができる。
【００６３】
また、上記液晶層厚調整層２５の端縁のテーパ状の段差部は、隣接する島状部２９１，２９２間、及び島状部２９２，２９３間に配置されており、前記島状部２９１〜２９３は互いに電気的に接続されて同電位となっている。従って、本実施形態では、前記段差部の形成領域でプレチルトが付与されたの同様の配向状態となっている液晶分子５１に対してオフ電圧時の横電界が作用することはなく、オフ電圧時にコントラストを低下させるような光漏れは発生しない。
【００６４】
さらに、本実施形態の液晶装置では、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を基板面方向に傾倒させて光変調を行うので、黒表示での光漏れが少なく、高コントラストの表示を得ることができる。また、透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒの双方に液晶分子の配向方向を制御する誘電体突起３９１〜３９３が形成されているので、透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒの双方において、電圧印加時に液晶分子を３６０°全方向に倒れるようにすることができる。このため、透過表示領域Ｔ、反射表示領域Ｒのいずれにおいても配向の乱れが発生せず、残像やざらざらとしたしみ状のむらのない、高画質、高視野角の表示を得ることができる。
さらに、液晶層厚調整層２５によって反射表示領域Ｒの液晶層厚を透過表示領域Ｔよりも薄くして透過表示と反射表示でのリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消しているので、透過表示と反射表示の双方で高コントラストの表示を得ることができる。
【００６５】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について図８を参照して説明する。図８に示す液晶装置３００は、図５から図７を参照して説明した第２実施形態の液晶装置２００の変形例であり、垂直配向モードの液晶層５０の配向を制御する配向制御手段の構成のみが異なるものである。従って、図８において、先の第２実施形態の液晶装置２００と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、またそれらの詳細な説明は省略する。
【００６６】
図８に示すように、液晶装置３００の対向基板１２０上に形成された対向電極３には、当該対向電極３を一部除去してなり、垂直配向液晶の配向制御手段として機能する平面視略円形状の電極スリット４９１〜４９３が形成されている。電極スリット４９１〜４９３は、第２実施形態の液晶装置２００における誘電体突起３９１〜３９３と同様、対向する画素電極１９の各島状部２９１〜２９３の中央部に位置しており、かかる電極スリット４９１〜４９３が設けられていることで、電圧印加時に液晶分子５１は電極スリット４９１〜４９３の周囲の全方位に向けて倒れ込むようになっている。
【００６７】
上記構成を具備した本実施形態の液晶装置３００では、対向基板１２０表面から液晶層５０側に突出する誘電体突起に代えて電極スリット４９１〜４９３を設けているので、対向電極３のパターン形成時に同時に配向制御手段である電極スリット４９１〜４９３を形成でき、工数の削減による液晶装置の低コスト化を実現することができる。また、突起を用いていないので、突起周辺からの光漏れが無くなり、その分だけ黒レベルを低下させることができるのでコントラストを向上させることができる。
なお、本実施形態の液晶装置３００においても、先の第２実施形態に係る液晶装置２００と同等の作用効果が得られるのは勿論である。
【００６８】
（電子機器）
図９は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストであり、かつ広視野角の透過／反射表示が可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の回路構成図。
【図２】同、画素を示す平面構成図。
【図３】図２に示すサブ画素及びＴＦＴの断面構成図。
【図４】駆動方式の一例を説明するための走査信号の波形図。
【図５】第２実施形態に係る液晶装置の回路構成図。
【図６】同、画素を示す平面構成図。
【図７】図２に示すサブ画素及びＴＦＤ素子の断面構成図。
【図８】第３実施形態に係る液晶装置のサブ画素を示す断面構成図。
【図９】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００７０】
１００，２００，３００  液晶装置、１０  ＴＦＴアレイ基板、２０  対向基板、５０  液晶層、３，２１  対向電極、３ａ，１１３  走査線（第２の信号配線）、６ａ，１１４  データ線（第１の信号配線）、９，１９  画素電極、２５  液晶層厚調整層、２９，３９  反射層、３０  ＴＦＴ、４１  ＴＦＤ素子（二端子型非線形素子）、９１〜９３  島状部、１０１，２０２  走査線駆動回路（画素駆動手段）、１０２，２０１  データ線駆動回路（画素駆動手段）、１１０  素子基板、１２０  対向基板、１９１〜１９３  誘電体突起、２９１〜２９３  島状部、３９１〜３９３  誘電体突起、４９１〜４９３  電極スリット、Ｔ  透過表示領域、Ｒ  反射表示領域、Ｄ，Ｄ１〜Ｄ３  サブ画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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