(57)【要約】【課題】  空洞の破壊を防止し、共振周波数を高精度に調整できる封止構造を備えた薄膜圧電共振器を提供する。【解決手段】  表面に空洞を有する基板１０と、基板１０上から空洞３０上に延びる下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた圧電膜１４と、下部電極１２と対向し圧電膜１４上に配置され、更に圧電膜１４上から基板１０上に延びる上部電極１６と、下部電極１２及び上部電極１６が対向する領域で規定される共振部を内側に含み、空洞３０から延在する開口部４２が外側に位置するように基板１０上に設けられ、共振部を封止する封止部材とを備える。【選択図】図１
2007036829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に空洞を有する基板と、
前記基板上から前記空洞上に延びる下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記下部電極と対向し、前記圧電膜上に配置され、更に前記圧電膜上から前記基板上に延びる上部電極と、
前記下部電極及び前記上部電極が対向する領域で規定される共振部を内側に含み、前記空洞への開口部が外側に位置するように前記基板上に設けられ、前記共振部を封止する封止部材
とを備えることを特徴とする薄膜圧電共振器。
【請求項２】
前記封止部材が、前記下部電極及び上部電極に接して設けられることを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電共振器。
【請求項３】
前記封止部材が、前記圧電膜に接して設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜圧電共振器。
【請求項４】
それぞれ圧電膜を挟んで下部電極及び上部電極が対向形成されてなる複数の共振部が、表面に空洞を有する基板の前記空洞上に配置された複数の薄膜圧電共振器と、
前記複数の薄膜圧電共振器のそれぞれの前記複数の共振部を内側に含み、前記空洞への開口部が外側に位置するように前記基板上に設けられ、前記複数の共振部を封止する封止部材
とを備え、前記複数の薄膜圧電共振器の電気的接続によりフィルタ回路を構成したことを特徴とするフィルタ。
【請求項５】
基板の表面に犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に下部電極を形成し、
前記下部電極の表面に圧電膜を形成し、
前記下部電極と対向し前記圧電膜上に配置される上部電極を形成し、
前記下部電極及び前記上部電極が対向する領域で規定される共振部を内側に含み、前記犠牲層の一部が外側に位置するように支持部材を前記基板上に形成し、
前記共振部の上方で前記支持部材上に前記共振部を封止するように封止基板を形成し、
前記支持部材の外側に位置する前記犠牲層の一部を介して、前記犠牲層を除去して空洞を形成する
ことを含むことを特徴とする薄膜圧電共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中空構造を有する薄膜圧電共振器、フィルタ及び薄膜圧電共振器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線技術は飛躍的な発展を遂げ、更に高速伝送を目的とした開発が続けられている。同時に、情報伝達量の増大とともに周波数は更に高周波化が進んでいる。一方、多機能化が進む移動無線機器では、構成部品の小型、軽量化の要求が強く、ディスクリート部品として実装されていたフィルタ等の部品に対しても集積化が求められている。
【０００３】
これらの要求に伴って、近年注目を集めている部品の一つとして薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ）を用いるフィルタがある。ＦＢＡＲは、従来の弾性表面波素子（ＳＡＷ）と同じく圧電体の共振現象を利用するものであるが、ＳＡＷが苦手とする２ＧＨｚより高い周波数により適した共振器である。ＦＢＡＲは、圧電体薄膜の膜厚方向を共振器として用いるため、ＳＡＷの場合のようなすだれ状電極の形成を必要とせず、より低損失、高耐電力化を実現することが可能である。更に、ＦＢＡＲは、シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板上に形成することが比較的容易であり、小型化や半導体チップへの集積化も容易に行える。
【０００４】
ＦＢＡＲでは、圧電体薄膜を上部電極及び下部電極で挟んだ共振部の上下に中空構造が設けられている。代表的なＦＢＡＲは、Ｓｉ基板に設けた空洞を介して、Ｓｉ基板上に下部電極、圧電膜、及び上部電極が順に堆積された構造を有する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
例えば、一般的なＦＢＡＲの製造方法では、基板に設けられた溝を埋め込んで形成した犠牲層の上に共振部を形成する。選択性エッチングにより犠牲層のみを除去して空洞を形成する。その後、共振部上に空洞を介在させるように樹脂膜等により中空封止を行う。圧電体として、一般的に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）或いは酸化亜鉛（ＺｎＯ）が用いられる。特に、半導体製造工程との整合が良いＡｌＮが広く用いられている。
【０００６】
中空封止工程では、樹脂膜の接着等において熱負荷や荷重等が加えられる。そのため、共振部下部の空洞の破壊等が発生し易い。その結果、ＦＢＡＲの製造歩留まりが低下する。
【０００７】
ＦＢＡＲは、圧電体の音速と圧電体や電極の膜厚等から共振周波数が一義的に決まる。音速は圧電体の種類によってほぼ決まってしまう物性値である。したがって、ＦＢＡＲの共振周波数は、圧電体及び電極の膜厚を変えて調整する。言い換えると、ＦＢＡＲの共振周波数は、圧電膜及び電極等の薄膜の膜厚に非常に敏感に左右される。
【０００８】
例えば、２ＧＨｚ付近では圧電膜や電極の膜厚が１％変動すると共振周波数も１％変動する。所望のフィルタ特性を得るためには、ＦＢＡＲ単体の共振周波数変動は１％以下とする必要がある。したがって、圧電膜や電極等の薄膜堆積時の膜厚バラつきは非常に小さいことが要求される。
【０００９】
しかしながら、薄膜堆積時の膜厚バラつきは、製膜装置の性能によって決まってしまうものであり、改善には限界がある。実際には、共振周波数を、要求されるバラつきの範囲に抑えることは難しい。そのため、共振部形成の後工程において、電極膜厚を調整して周波数を合わせ込むトリミングが行われている。
【００１０】
トリミングの手法は多様であるが、いずれの場合も共振部上に中空封止を行う前に、電極膜厚を調整している。しかし、中空封止工程以降においてもＦＢＡＲの共振周波数が変動する可能性があり、ＦＢＡＲの製造歩留まりが低下する。
【特許文献１】特開２０００−６９５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、空洞の破壊を防止することができ、且つ共振周波数を高精度に調整でき、歩留まり低下の抑制が可能な封止構造を備えたＦＢＡＲ、フィルタ及びＦＢＡＲの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、（イ）表面に空洞を有する基板と、（ロ）基板上から空洞上に延びる下部電極と、（ハ）下部電極上に設けられた圧電膜と、（ニ）下部電極と対向し圧電膜上に配置され、更に圧電膜上から基板上に延びる上部電極と、（ホ）下部電極及び上部電極が対向する領域で規定される共振部を内側に含み、空洞への開口部が外側に位置するように基板上に設けられ、共振部を封止する封止部材とを備える薄膜圧電共振器であることを要旨とする。
【００１３】
本発明の第２の態様は、（イ）それぞれ圧電膜を挟んで下部電極及び上部電極が対向形成されてなる複数の共振部が、表面に空洞を有する基板の空洞上に配置された複数の薄膜圧電共振器と、（ロ）複数の薄膜圧電共振器のそれぞれの複数の共振部を内側に含み、空洞への開口部が外側に位置するように基板上に設けられ、複数の共振部を封止する封止部材とを備え複数の薄膜圧電共振器の電気的接続によりフィルタ回路を構成したフィルタであることを要旨とする。
【００１４】
本発明の第３の態様は、（イ）基板の表面に犠牲層を形成し、（ロ）犠牲層上に下部電極を形成し、（ハ）下部電極の表面に圧電膜を形成し、（ニ）下部電極と対向し圧電膜上に配置される上部電極を形成し、（ホ）下部電極及び上部電極が対向する領域で規定される共振部を内側に含み、犠牲層の一部が外側に位置するように支持部材を基板上に形成し、（ヘ）共振部の上方で支持部材上に共振部を封止するように封止基板を形成し、（ト）支持部材の外側に位置する犠牲層の一部を介して、犠牲層を除去して空洞を形成することを含む薄膜圧電共振器の製造方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、共振周波数を高精度に調整でき、歩留まり低下の抑制が可能な封止構造を備えたＦＢＡＲ、フィルタ及びＦＢＡＲの製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下図面を参照して、本発明の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１７】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲは、図１〜図３に示すように、表面に空洞３０を有する基板１０において、基板１０上から空洞３０上に延びる下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた圧電膜１４と、下部電極１２と対向し、圧電膜１４上に配置され、更に圧電膜１４上から基板１０上に延びる上部電極１６とを備える。また、ＦＢＡＲには、下部電極１２及び上部電極１６が対向する領域で規定される共振部１８を内側に含み、空洞３０への開口部４２が外側に位置するように配置された支持部材２０と、共振部１８の上方で空洞３２を形成するように支持部材２０上に配置され、共振部１８を封止する封止基板２２とが備えられる。空洞３０には、下部電極１２及び上部電極１６が延在する方向の直交方向で、４個の矩形状の開口部４２が設けられている。
【００１８】
共振部１８では、下部電極１２あるいは上部電極１６に印加された高周波信号により励振されたバルク音響波の共振により特定の高周波信号が伝達される。例えば、下部電極１２に印加されたＧＨｚ帯域の高周波信号は、共振部１８を介して上部電極１６に伝達される。共振部１８の良好な共振特性を得るために、結晶の配向等を含む膜質や膜厚の均一性に優れたＡｌＮ膜やＺｎＯ膜が、圧電膜１４として用いられる。下部電極１２及び上部電極１６には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属膜等が用いられる。基板１０は、Ｓｉ等の半導体基板である。共振部１８を封止する封止部材としての支持部材２０及び封止基板２２には、それぞれ感光性の樹脂等、及びＳｉ等の半導体基板が用いられる。
【００１９】
第１の実施の形態に係るＦＢＡＲは、基板１０表面に設けられた下部電極１２及び上部電極１６に接して設けられた支持部材２０を介して封止基板２２で吊り下げられた封止構造を備えている。したがって、空洞３０が共振部１８下に設けられても、ＦＢＡＲの機械的強度の低下を抑制することが可能となる。
【００２０】
また、第１の実施の形態に係るＦＢＡＲでは、共振部１８の下に形成された空洞３０への開口部４２が、支持部材２０の外側に設けられる。したがって、封止基板２２を形成した後に、空洞３０内で露出された下部電極１２裏面を開口部４２を介して化学的に処理することができる。したがって、下部電極１２の膜厚を調整して、ＦＢＡＲを所望の共振周波数に合わせることが可能となる。
【００２１】
なお、第１の実施の形態では、図１に示したように、空洞３０には、下部電極１２及び上部電極１６が延在する方向の直交方向に、空洞３０の端部に、４個の矩形状の開口部４２が設けられている。しかし、開口部４２は、下部電極１２及び上部電極１６が延在する方向に設けてもよい。また、開口部４２は、１個あるいは２個以上の複数であってもよい。また、開口部４２の形状は、矩形に限定されず、円形、楕円形、あるいは多角形等の任意の形状であってもよい。
【００２２】
次に、第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法を、図４〜図１３に示す平面図及び断面図を用いて説明する。ここで、説明に使用する断面図には、図４に示すＣ−Ｃ線に相当する断面が示されている。
【００２３】
（イ）図４及び図５に示すように、フォトリソグラフィ等により、レジストパターン４０がＳｉ等の基板１０の表面に形成される。反応性イオンエッチング等により、レジストパターン４０をマスクとして、基板１０を除去して凸部１４２を有する溝３０ａを形成する。
【００２４】
（ロ）プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）等により、溝３０ａが形成された基板１０上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を堆積する。図６に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）等により、基板１０の表面が露出するようにＳｉＯ２膜を除去して、溝３０ａに埋め込まれた犠牲層４４を形成する。
【００２５】
（ハ）直流（ＤＣ）マグネトロンスパッタ等により、基板１０及び犠牲層４４上に厚さが約１５０ｎｍ〜約６００ｎｍ、望ましくは約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍのＭｏ等の金属膜を堆積する。図７に示すように、フォトリソグラフィ及びＲＩＥ等により、金属膜を選択的に除去して、凸部１４２の犠牲層４４表面の一部が露出するように下部電極１２を形成する。なお、図示を省略したが、図４のＣ−Ｃ線の直交方向において、下部電極１２は、基板１０から犠牲層４４上に延びるように形成される。
【００２６】
（ニ）高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ等により、下部電極１２がパターニングされた基板１０上に厚さが約０．５μｍ〜約３μｍのウルツ鉱型ＡｌＮ膜を堆積する。ＡｌＮ膜の厚さは、共振周波数により決まる。例えば、共振周波数が約２ＧＨｚであれば、ＡｌＮ膜の厚さは約２μｍである。図８に示すように、フォトリソグラフィ、及び塩化物ガスを用いるＲＩＥ等により、ＡｌＮ膜を選択的に除去して下部電極１２の表面に圧電膜１４を形成する。なお、図示を省略したが、図４のＣ−Ｃ線の直交方向において、圧電膜１４は、凸部１４２を除いて露出している犠牲層４４の表面を覆うように設けられる。
【００２７】
（ホ）スパッタ等により、圧電膜１４がパターニングされた基板１０上に、厚さが約１５０ｎｍ〜６００ｎｍ、望ましくは約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍのＡｌ等の金属膜を堆積する。図９に示すように、フォトリソグラフィ、及び非酸化性の酸、例えば塩酸等を用いるウェットエッチング等により、金属膜を選択的に除去して、圧電膜１４を挟むように下部電極１２と対向する上部電極１６を形成する。なお、図示を省略したが、図４のＣ−Ｃ線の直交方向において、上部電極１６は圧電膜１４上から、下部電極１２に対して反対側の基板１０上に延びるように形成される。
【００２８】
（ヘ）上部電極１６がパターニングされた基板１０上に、感光性樹脂等の樹脂膜を約５μｍ〜約２０μｍ、例えば約１０μｍの厚さで回転塗布する。図１０に示すように、フォトリソグラフィ等により、選択的に架橋反応させた樹脂膜を残して、下部電極１２及び上部電極１６が対向する領域を内側に含むように支持部材２０を形成する。支持部材２０の外側には、犠牲層４４の一部が凸部１４２で露出している。
【００２９】
（ト）図１１に示すように、支持部材２０上に、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂を約１μｍの厚さで塗布した厚さが約１００μｍのＳｉ等の封止基板２２を載せて加熱し、封止基板２２を支持部材２０と接着させる。支持部材２０と封止基板２２に囲まれた空洞３２が上部電極１６上に形成される。
【００３０】
（チ）図１２に示すように、ＨＦ系溶液を用いるウェットエッチングにより、露出した凸部１４２を通じて犠牲層４４を除去し、下部電極１２の下に空洞３０を形成する。犠牲層４４の凸部１４２に対応して、空洞３０への開口部４２が形成される。
【００３１】
（リ）空洞３０、３２を形成した後、ＦＢＡＲの共振周波数を測定する。測定された共振周波数が所望の共振周波数より低い場合、開口部４２より塩素系ガス等を導入し、下部電極１２の膜厚を減少させる。このとき、赤外線などを照射して下部電極１２の温度調節を行うことによって非常に精密に下部電極１２の膜厚を減少させることができる。下部電極１２の重量が減ることにより、共振周波数が高周波側にずれ、所望の共振周波数を得ることができる。また、測定された共振周波数が所望の共振周波数より高い場合、開口部４２より銅（Ｃｕ）メッキ液等を導入し、下部電極１２裏面にメッキを施す。メッキにより下部電極１２の重量が増加し、共振周波数が低周波側にずれ、所望の共振周波数を得ることができる。
【００３２】
（ヌ）図１３に示すように、開口部４２をエポキシ系の樹脂膜２４でふさぐ。このようにして、ＦＢＡＲが製造される。
【００３３】
第１の実施の形態では、封止基板２２を支持部材２０上に接着する封止工程が、下部電極１２下の空洞３０を形成する工程の前に実施される。したがって、封止工程で加わる熱負荷や荷重等による空洞３０の破壊が防止できる。
【００３４】
また、空洞３０から延在する開口部４２が空洞３２を囲む支持部材２０の外側に形成される。開口部４２を介して、ＦＢＡＲの共振周波数の調整を、封止工程後に実施することができる。その結果、封止工程等による共振周波数の変動を回避することができ、共振周波数を高精度に調整することが可能となる。
【００３５】
このように、第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法によれば、空洞３０の破壊を防止することができ、且つ共振周波数を高精度に調整できる。その結果、ＦＢＡＲの製造歩留まり低下の抑制が可能となる。
【００３６】
なお、第１の実施の形態では、下部電極１２として、Ｍｏを用いて説明しているが、これに限定されない。例えば、下部電極１２としてＡｌ等が使用可能である。Ａｌを下部電極１２に用いる場合、下部電極１２と基板１０の間に５０ｎｍ程度の薄いアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の耐酸性の高い絶縁膜を挿入することが望ましい。
【００３７】
また、犠牲層４４には、プラズマＣＶＤによるＳｉＯ2膜を用いているが、これに限定されない。例えば、犠牲層４４として、ＣＶＤによるＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜、スピンオングラス膜（ＳＯＧ）、塗布型誘電膜（ＳＯＤ）、カーボン膜、ポリイミド膜、及びレジスト膜等が使用可能である。例えば、レジスト膜等を犠牲層４４に用いる場合、約２００℃以下の温度で下部電極１２、圧電膜１４、及び上部電極１６等を堆積するのが望ましい。
【００３８】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る複数のＦＢＡＲは、図１４〜図１７に示すように、下部電極１２により結合された第１の共振部１８ａ及び第２の共振部１８ｂを備える。第１の共振部１８ａには、圧電膜１４ａを挟んで下部電極１２と対向する上部電極１６ａが設けられる。第２の共振部１８ｂには、圧電膜１４ｂを挟んで下部電極１２と対向する上部電極１６ｂが設けられる。
【００３９】
空洞３０が、下部電極１２の下に設けられる。空洞３２ａ、３２ｂのそれぞれは、上部電極１６ａ、１６ｂの上で、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂを囲む支持部材２０、２０ａと、封止基板２２とで規定される。支持部材２０は、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂを内側に含むように設けられる。支持部材２０ａは、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂの間で下部電極１２に接して設けられる。空洞３０への開口部４２は、支持部材２０の外側で、上部電極１６ａ、１６ｂが延在する方向で上部電極１６ａ、１６ｂの端部に位置する。
【００４０】
第２の実施の形態では、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂが下部電極１２により結合されて配置される点が第１の実施の形態と異なる。他の構成は、第１の実施の形態と同様であるので、重複する記載は省略する。
【００４１】
第２の実施の形態に係るＦＢＡＲによれば、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂの下に形成された空洞３０への開口部４２が、支持部材２０の外側に設けられる。したがって、封止基板２２を形成した後に、空洞３０に露出された下部電極１２裏面を開口部４２を介して化学的に処理することができる。したがって、下部電極１２の膜厚を調整して、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂの共振周波数を所望の共振周波数に合わせることが可能となる。
【００４２】
また、第２の実施の形態に係る複数のＦＢＡＲは、例えば、フィルタや電圧制御発振器（ＶＣＯ）等の高周波回路に適用可能である。例えば、フィルタ回路では、複数のＦＢＡＲがラダー型に電気的に接続されて用いられる。複数のＦＢＡＲは、空洞３０上に設けられるが、支持部材２０、２０ａを介して下部電極１２あるいは上部電極１６が封止基板２２に吊り下げられて支持される。したがって、空洞３０が、複数のＦＢＡＲに渡る領域に拡張されても、空洞３０の破壊が防止され、且つ共振周波数の調整が可能となる。
【００４３】
次に、第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法を、図１８〜図２１に示す断面図を用いて説明する。ここで、説明に使用する断面図には、図１４に示すＤ−Ｄ線に相当する断面が示されている。
【００４４】
（イ）図１８に示すように、フォトリソグラフィ、ＲＩＥ等により、Ｓｉ等の基板１０に凸部１４２を有する溝を形成する。プラズマＣＶＤ、ＣＭＰ等により、基板１０の溝に埋め込まれた犠牲層４４を形成する。
【００４５】
（ロ）図１９に示すように、ＤＣマグネトロンスパッタ、フォトリソグラフィ、ＲＩＥ等により、基板１０及び犠牲層４４上に、厚さが約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍのＭｏ等の下部電極１２を形成する。ＲＦマグネトロンスパッタ、フォトリソグラフィ、ＲＩＥ等により、下部電極１２上に、厚さが約２μｍのＡｌＮ等の圧電膜１４ａ、１４ｂを形成する。スパッタ、フォトリソグラフィ、エッチング等により、圧電膜１４ａ、１４ｂそれぞれの上に、厚さが約２５０ｎｍのＡｌ等の上部電極１６ａ、１６ｂを形成する。
【００４６】
（ハ）図２０に示すように、基板１０に回転塗布した感光性樹脂等の樹脂膜を、約１０μｍの厚さで回転塗布する。フォトリソグラフィ等により、選択的に架橋反応させた樹脂膜を残して、下部電極１２及び上部電極１６ａ、１６ｂが対向する領域で規定される第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂを内側に含むように、支持部材２０、２０ａを形成する。支持部材２０、２０ａ上に、厚さが約１００μｍのＳｉ等の封止基板２２を接着する。
【００４７】
（ニ）図２１に示すように、ＨＦ系溶液を用いるウェットエッチングにより、露出した凸部１４２を通じて犠牲層４４を除去し、下部電極１２の下に空洞３０を形成する。犠牲層４４の凸部１４２に対応して、空洞３０への開口部４２が形成される。
【００４８】
第２の実施の形態によれば、封止基板２２を支持部材２０上に接着する封止工程の後に、開口部４２を有する空洞３０が形成される。したがって、封止工程で加わる熱負荷や荷重等による空洞３０の破壊が防止できる。また、開口部４２を介して、ＦＢＡＲの共振周波数の調整を、封止工程後に実施することができる。このように、第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法によれば、ＦＢＡＲの製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００４９】
なお、図１５に示したように、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂの間に配置される支持部材２０ａは、圧電膜１４ａ、１４ｂから離間して下部電極１２上に設けられているが、これに限定されない。例えば、図２２に示すように、支持部材２０ｂを第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂの間で圧電膜１４ａ、１４ｂ及び下部電極１２の上に設置してもよい。圧電膜１４ａ、１４ｂ上に跨って支持部材２０ｂを設置することにより、封止基板２２による吊り下げの機械的強度が増加する。また、図２３に示すように、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂに共通の圧電膜１４ｃを用いてもよい。支持部材２０ｃは、下部電極１２上の圧電膜１４ｃの表面に設置される。したがって、封止基板２２による吊り下げの機械的強度は、更に増加する。
【００５０】
また、上述の説明では、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂは、下部電極１２を共通として互いに電気的に結合されている。しかし、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂを、図２４に示すように、上部電極１６を共通にして互いに結合してもよい。第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂのそれぞれには、圧電膜１４ａ、１４ｂを挟んで上部電極１６と対向する下部電極１２ａ、１２ｂが配置される。第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂの間で、空洞３０に接する上部電極１６の表面に支持部材２０ｄが設置される。
【００５１】
更に、図２５に示すように、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂに共通の圧電膜１４ｃを用いてもよい。この場合、第１及び第２の共振部１８ａ、１８ｂ間における圧電膜１４ｃの段差部分に対応して支持部材２０ｄが設置されることになる。ここで、圧電膜１４ｃの段差部分は、結晶方位が不均一であることに起因し膜の破断が発生しやすい箇所である。したがって、この箇所を支持部材２０ｄで支持することは、封止基板２２による吊り下げの機械的強度増加を図るうえで非常に有効である。
【００５２】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００５３】
本発明の第１及び第２の実施の形態において、支持部材２０は、圧電膜１４、１４ａ、１４ｂの辺縁上に位置するように設けられている。しかし、支持部材２０は、圧電膜１４、１４ａ、１４ｂから離間して設置されてもよい。
【００５４】
このように、本発明はここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係わる発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの一例を示す平面概略図である。
【図２】図１に示したＦＢＡＲのＡ−Ａ断面を示す概略図である。
【図３】図１に示したＦＢＡＲのＢ−Ｂ断面を示す概略図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その５）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その６）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その７）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その８）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その９）である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの一例を示す平面概略図である。
【図１５】図１４に示したＦＢＡＲのＤ−Ｄ断面を示す概略図である。
【図１６】図１４に示したＦＢＡＲのＥ−Ｅ断面を示す概略図である。
【図１７】図１４に示したＦＢＡＲのＦ−Ｆ断面を示す概略図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの他の例を示す断面概略図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの他の例を示す断面概略図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの他の例を示す断面概略図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係るＦＢＡＲの他の例を示す断面概略図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…基板
１２…下部電極
１４…圧電膜
１６…上部電極
１８…共振部
２０…支持部材
２２…封止基板
３０…空洞
４２…開口部
４４…犠牲層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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