(57)【要約】      （修正有）【課題】高品質で安価な半導体加速度センサを提供する。【解決手段】封止体２の内部に位置する半導体チップ６と、チップ６を固定するタブ５と、外端が封止体２の外周面に露出するタブ吊りリード４と、チップ６の周囲に配置され封止体２の下面に露出する複数のリード３と、チップ６の電極とリード３を接続するワイヤとを有する半導体装置１である。チップ６はその上面に接触を嫌う部分（加速度センサ部）及び接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する。タブ５のチップ６固定面には接触を嫌う部分に対面する窪み１２が設けられている。タブ５は複数の電極から外れたチップ６の上面に接着剤を介して接着され、チップ６の接触を嫌う部分は窪み１２内に位置しタブ５には直接触れない構造となる。半導体装置１はタブ５、タブ吊りリード４及びリード３を有する金属のリードフレームを用いて製造されるためコストが低減される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定され、固定される面側に前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップと、
前記半導体チップ及び前記キャップを覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、
前記封止体内に位置し、前記リードと前記半導体チップの前記電極を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、
前記キャップは外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記キャップ、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リードは前記封止体の下面に露出し、前記リードの外端は前記封止体の外周面に露出してノンリード型リードを構成していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの第２の面は前記封止体の下面に露出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの前記接触を嫌う部分は加速度センサ部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定され、固定される面側に前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップと、
前記半導体チップ及び前記キャップを覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、
前記封止体内に位置し、前記リードと前記半導体チップの前記電極を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、
前記キャップは、第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有する枠体と、前記枠体の前記第１の面に接着される蓋体とからなり、前記枠体と前記蓋体によって前記窪みが形成され、
前記枠体は外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記枠体、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記蓋体は一面に粘着面を有する樹脂からなるテープで形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記リードは前記封止体の下面に露出し、前記リードの外端は前記封止体の外周面に露出してノンリード型リードを構成していることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップの第２の面は前記封止体の下面に露出していることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップの前記接触を嫌う部分は加速度センサ部であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定され、固定される面側に前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップと、
前記半導体チップ及び前記キャップを覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、
前記封止体内に位置し、前記リードと前記半導体チップの前記電極を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面に前記半導体チップの前記第２の面が固定されるタブを有し、
前記タブの外周から延在し途中で折り返されるアームと、
前記アームの先端に形成され、前記アームの折り返しによって前記半導体チップの第１の面に重なる重なり部を有し、
前記重なり部には前記窪みが形成されて前記キャップを構成し、
前記タブは外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記重なり部、前記アーム、前記タブ、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記リードは前記封止体の下面に露出し、前記リードの外端は前記封止体の外周面に露出してノンリード型リードを構成していることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップの第２の面は前記封止体の下面に露出していることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体チップの前記接触を嫌う部分は加速度センサ部であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定され、固定される面側に前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップと、
前記半導体チップ及び前記キャップを覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、
前記封止体内に位置し、前記リードと前記半導体チップの前記電極を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面に前記半導体チップの前記第２の面が固定されるタブを有し、
前記タブの外周から延在し途中で折り返されるアームと、
前記アームの先端に形成され、前記アームの折り返しによって前記半導体チップの第１の面に第１の面が重なる枠体と、
前記枠体の前記第２の面に接着される蓋体とを有し、
前記枠体と前記蓋体によって前記窪みが形成されて前記キャップを構成し、
前記タブは外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記枠体、前記アーム、前記タブ、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
前記蓋体は一面に粘着面を有する樹脂からなるテープで形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記リードは前記封止体の下面に露出し、前記リードの外端は前記封止体の外周面に露出してノンリード型リードを構成していることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記半導体チップの第２の面は前記封止体の下面に露出していることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体チップの前記接触を嫌う部分は加速度センサ部であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１９】
（ａ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップを準備する工程、
（ｂ）複数のリードと、半導体チップ固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とからなる製品形成部を複数有し、前記タブは前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れた部分に固定される大きさであり、かつ前記半導体チップの前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップを構成してなるリードフレームを準備する工程と、
（ｃ）前記タブの前記窪みに前記接触を嫌う部分が対面するように接着体を介して前記半導体チップを前記タブの前記半導体チップ固定面に固定する工程と、
（ｄ）前記半導体チップの前記各電極と前記各リードを導電性の接続手段で接続する工程と、
（ｅ）前記タブ、前記タブ吊りリード、前記半導体チップ、前記リード及び前記接続手段を絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード及び前記リードの一部が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｆ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（ｅ）では、前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の下面に露出させ、
前記工程（ｆ）では、前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の外周面近傍で切断分離させてノンリード型リードを形成させることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記工程（ｅ）では、前記半導体チップの前記第２の面を前記封止体の下面に露出させることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記工程（ａ）では、前記接触を嫌う部分が加速度センサ部を構成する前記半導体チップを準備することを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
（ａ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップを準備する工程、
（ｂ）複数のリードと、半導体チップ固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とからなる製品形成部を複数有し、
前記タブは、前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れた部分に固定される大きさの枠体からなり、かつ該枠体の内側の中空部に前記半導体チップの前記接触を嫌う部分が入る大きさであり、
前記枠体の前記半導体チップ固定面の反対面には蓋体が接着体で接着され、
前記枠体と前記蓋体とによって前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップを構成してなるリードフレームを準備する工程と、
（ｃ）前記タブの前記窪みに前記接触を嫌う部分が対面するように接着体を介して前記半導体チップを前記タブの前記半導体チップ固定面に固定する工程と、
（ｄ）前記半導体チップの前記各電極と前記各リードを導電性の接続手段で接続する工程と、
（ｅ）前記タブ、前記蓋体、前記タブ吊りリード、前記半導体チップ、前記リード及び前記接続手段を絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード及び前記リードの一部が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｆ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記工程（ｂ）では、一面が粘着面となる樹脂からなるテープを前記枠体の前記半導体チップ固定面の反対面に接着して前記蓋体を形成することを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記工程（ｅ）では、前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の下面に露出させ、
前記工程（ｆ）では、前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の外周面近傍で切断分離させてノンリード型リードを形成させることを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記工程（ｅ）では、前記半導体チップの前記第２の面を前記封止体の下面に露出させることを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記工程（ａ）では、前記接触を嫌う部分が加速度センサ部を構成する前記半導体チップを準備することを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
（ａ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップを準備する工程、
（ｂ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有するパターン化された金属板からなり、複数のリードと、前記第１の面に半導体チップ固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記タブの外周から延在し途中で折り返されるアームと、前記アームの先端に形成され前記アームの折り返しによって前記半導体チップの第１の面に前記複数の電極から外れて重なる重なり部と、前記重なり部の前記第１の面に形成され前記半導体チップの前記接触を嫌う部分を覆う大きさからなる窪みと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とからなる製品形成部を複数有するリードフレームを準備する工程と、
（ｃ）前記タブの第１の面に前記半導体チップの前記第２の面を接着体を介して固定する工程、
（ｄ）前記タブから延在する前記アームを途中部分で折り返して先端の前記重なり部の前記第１の面を接着体によって前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定させ、前記半導体チップの前記接触を嫌う部分に前記窪みを対面させて前記重なり部で前記接触を嫌う部分を非接触状態で密閉する工程と、
（ｅ）前記半導体チップの前記各電極と前記各リードを導電性の接続手段で接続する工程と、
（ｆ）前記タブ、前記タブ吊りリード、前記半導体チップ、前記アーム、前記重なり部、前記リード及び前記接続手段を絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード及び前記リードの一部が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｇ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記工程（ｆ）では、前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の下面に露出させ、
前記工程（ｇ）では、前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の外周面近傍で切断分離させてノンリード型リードを形成させることを特徴とする請求項２８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記工程（ｆ）では、前記半導体チップの前記第２の面を前記封止体の下面に露出させることを特徴とする請求項２８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
前記工程（ａ）では、前記接触を嫌う部分が加速度センサ部を構成する前記半導体チップを準備することを特徴とする請求項２８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
（ａ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップを準備する工程、
（ｂ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有するパターン化された金属板からなり、複数のリードと、前記第１の面に半導体チップ固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記タブの外周から延在し途中で折り返されるアームと、前記アームの先端に形成され前記アームの折り返しによって前記半導体チップの第１の面に前記複数の電極から外れて重なる枠体からなる重なり部と、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とからなる製品形成部を複数有し、
前記枠体からなる重なり部の前記第２の面には蓋体が接着され、前記枠体と前記蓋体によって前記半導体チップの前記接触を嫌う部分に対面する窪みを形成するキャップを構成するリードフレームを準備する工程と、
（ｃ）前記タブの第１の面に前記半導体チップの前記第２の面を接着体を介して固定する工程、
（ｄ）前記タブから延在する前記アームを途中部分で折り返して先端の前記重なり部の前記第１の面を接着体によって前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定させ、前記半導体チップの前記接触を嫌う部分に前記窪みを対面させて前記キャップで前記接触を嫌う部分を非接触状態で密閉する工程と、
（ｅ）前記半導体チップの前記各電極と前記各リードを導電性の接続手段で接続する工程と、
（ｆ）前記タブ、前記タブ吊りリード、前記半導体チップ、前記アーム、前記キャップ、前記リード及び前記接続手段を絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード及び前記リードの一部が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｇ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
前記工程（ｂ）では、一面が粘着面となる樹脂からなるテープを前記枠体の前記第２の面に接着して前記蓋体を形成することを特徴とする請求項３２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
前記工程（ｆ）では、前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の下面に露出させ、
前記工程（ｇ）では、前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の外周面近傍で切断分離させてノンリード型リードを形成させることを特徴とする請求項３２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
前記工程（ｆ）では、前記半導体チップの前記第２の面を前記封止体の下面に露出させることを特徴とする請求項３２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３６】
前記工程（ａ）では、前記接触を嫌う部分が加速度センサ部を構成する前記半導体チップを準備することを特徴とする請求項３２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の突起電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の突起電極から外れて固定され、固定される面側に前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップと、
前記半導体チップ及び前記キャップを覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、
前記半導体チップは前記突起電極を介して前記リードにフリップ・チップ接続されてなる半導体装置であって、
前記キャップは外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記キャップ、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３８】
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分、前記第１の面から前記第２の面に亘って貫通する空洞部及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定され、固定される面側に前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップと、
前記半導体チップの前記第２の面に固定され、前記空洞部及び前記接触を嫌う部分を覆い、かつ前記接触を嫌う部分に接触しない蓋部と、
前記半導体チップ、前記キャップ及び前記蓋部を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、
前記封止体内に位置し、前記リードと前記半導体チップの前記電極を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、
前記キャップは外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記キャップ、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３９】
前記蓋部は接着体によって前記半導体チップに固定され、前記接着体の介在によって前記蓋部が前記半導体チップの前記接触を嫌う部分に接触しない構造となっていることを特徴とする請求項３８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係わり、特にパッケージの内部が中空となり、その中空部分に半導体チップに形成したセンサ等の可動部分が位置する半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体加速度センサは半導体基板を加工して片持ち梁の先端に重りを形成し、この重りの動きに伴う片持ち梁の撓みを片持ち梁に形成した抵抗体の抵抗値の変化で検出する構成になっている（例えば、特許文献１）。片持ち梁は加速度を検出するために動く部分になっている。
【０００３】
また、複数本の片持ち梁で重りを支持する半導体加速度センサも知られている（例えば、特許文献２）。この特許文献２には、四角形の枠部の各辺から細い弾性部を内方に突出させ、各弾性部で質量部を支持する構造になっている。
【０００４】
また、基板の表面に突出する片持ち梁を設けた半導体加速度センサも知られている（例えば、特許文献３）。
【０００５】
さらに、ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical System ）で形成された加速度センサなどを、従来の集積回路の製造で用いる樹脂モールドで製造する方法が開発されている（例えば、非特許文献１）。
【０００６】
非特許文献１には、低融点ガラスを部分的に付けたガラスをウエハ状態で接合し、ＭＥＭＳ部分を非接触状態で封止してからダイシングでチップに分離し、樹脂モールドする方法が開示されている。前記ガラスの下面には窪みが設けられ、この窪みによって空間が形成され、この空間に動く部分が位置し、動く部分は自由に動くことができるようになっている。
【０００７】
また、非特許文献１には、ＭＥＭＳ部分をＰＳＧ（リンシリケートガラス）などの犠牲層で覆い、これに多孔質ポリシリコンを付けた後、その孔を通して犠牲層をエッチングで除去し、その後封止材料で覆って樹脂モールドする方法も開示されている。この場合、犠牲層が除去されて形成された空間に動く部分が位置することになる。
【０００８】
【特許文献１】特開平１−２２４６７１号公報
【特許文献２】特開２００３−１７２７４５号公報
【特許文献３】特開平１０−２５６５６３号公報
【非特許文献１】工業調査会発行「電子材料」2004年11月号、18頁及び19頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記文献にも開示されているように、封止体（パッケージ）の内部に位置する半導体チップの一部を中空部に対面させる構造の半導体装置においては、半導体チップの一部に窪みを有するキャップを固定し、その後樹脂モールドして半導体装置を製造している。
【００１０】
例えば、半導体加速度センサは、片持ち梁の撓みを検出することによって加速度を測定するため、ＭＥＭＳによって形成した動く部分（片持ち梁等）は自由に動くことができるようにしておく必要がある。このため、半導体加速度センサのパッケージは内部が中空となり、この中空部分に動く部分（接触を嫌う部分）が位置し、動く部分は加速度に対して自由に追従して撓むことができるようになっている。
【００１１】
従来の半導体加速度センサでは、その製造において、非特許文献１にも記載されているように、ガラス及び多孔質ポリシリコンで動く部分が自由に動ける状態で覆い、その後樹脂封止（モールド）を行っている。しかし、従来のこのような製造方法では、ガラス加工、犠牲層エッチング等製造工数が多くなるとともに材料コストが高くなり、半導体装置（半導体加速度センサ）のコスト低減を妨げている。
【００１２】
本発明の目的は製造コストの低減が可能な半導体装置を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は大量生産に適した半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて密着状態で固定され、固定される面側に前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップと、
前記半導体チップ及び前記キャップを覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、
前記封止体内に位置し、前記リードと前記半導体チップの前記電極を電気的に接続する導電性の接続手段（例えば、導電性のワイヤ）とを有する半導体装置であって、
前記キャップは外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記キャップ、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする。
【００１６】
前記リードは前記封止体の下面に露出し、前記リードの外端は前記封止体の外周面に露出してノンリード型リードを構成している。また、前記半導体チップの前記接触を嫌う部分は加速度センサ部であり、半導体装置は半導体加速度センサとなっている。
【００１７】
このような半導体装置は、
（ａ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップを準備する工程、
（ｂ）複数のリードと、半導体チップ固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とからなる製品形成部を複数有し、前記タブは前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れた部分に固定される大きさであり、かつ前記半導体チップの前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップを構成してなるリードフレームを準備する工程と、
（ｃ）前記タブの前記窪みに前記接触を嫌う部分が対面するように接着体を介して前記半導体チップを前記タブの前記半導体チップ固定面に固定する工程と、
（ｄ）前記半導体チップの前記各電極と前記各リードを導電性の接続手段（例えば、導電性のワイヤ）で接続する工程と、
（ｅ）前記タブ、前記タブ吊りリード、前記半導体チップ、前記リード及び前記接続手段を絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード及び前記リードの一部が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｆ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを切断分離する工程とによって製造される。
【００１８】
また、前記工程（ａ）では前記接触を嫌う部分が加速度センサ部を構成する前記半導体チップを準備する。さらに、前記工程（ｅ）では前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の下面に露出させ、前記工程（ｆ）では前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の外周面近傍で切断分離させてノンリード型リードを形成させる。
【００１９】
（２）上記（１）の構成において、前記キャップは、第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有する枠体と、前記枠体の前記第１の面に接着される蓋体とからなり、前記枠体と前記蓋体によって前記窪みが形成され、
前記枠体は外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記枠体、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする。また、前記蓋体は一面に粘着面を有する樹脂からなるテープで形成されている。
【００２０】
このような半導体装置は、上記（１）の製造方法において、
前記工程（ｂ）のリードフレームを準備する工程では、
複数のリードと、半導体チップ固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とからなる製品形成部を複数有し、
前記タブは、前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れた部分に固定される大きさの枠体からなり、かつ該枠体の内側の中空部に前記半導体チップの前記接触を嫌う部分が入る大きさであり、
前記枠体の前記半導体チップ固定面の反対面には蓋体が接着体で接着され、
前記枠体と前記蓋体とによって前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップを構成してなるリードフレームを準備し、
前記工程（ｅ）の封止体形成工程では、
前記タブ、前記蓋体、前記タブ吊りリード、前記半導体チップ、前記リード及び前記接続手段（例えば、導電性のワイヤ）を絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード及び前記リードの一部が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する。
【００２１】
また、前記工程（ｂ）では、一面が粘着面となる樹脂からなるテープを前記枠体の前記半導体チップ固定面の反対面に接着して前記蓋体を形成する。
【００２２】
（３）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定され、固定される面側に前記接触を嫌う部分を非接触状態で覆うことができる窪みを有するキャップと、
前記半導体チップ及び前記キャップを覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、
前記封止体内に位置し、前記リードと前記半導体チップの前記電極を電気的に接続する導電性の接続手段（例えば、導電性のワイヤ）とを有する半導体装置であって、
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面に前記半導体チップの前記第２の面が固定されるタブを有し、
前記タブの外周から延在し途中で折り返されるアームと、
前記アームの先端に形成され、前記アームの折り返しによって前記半導体チップの第１の面に重なる重なり部を有し、
前記重なり部には前記窪みが形成されて前記キャップを構成し、
前記タブは外端が前記封止体の外側に露出するタブ吊りリードで支持され、
前記重なり部、前記アーム、前記タブ、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されていることを特徴とする。
【００２３】
また、前記リードは前記封止体の下面に露出し、前記リードの外端は前記封止体の外周面に露出してノンリード型リードを構成している。また、前記半導体チップの前記接触を嫌う部分は加速度センサ部であり、半導体装置は半導体加速度センサとなっている。
【００２４】
このような半導体装置は、
（ａ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有し、前記第１の面の一部に設けられる接触を嫌う部分及び前記接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する半導体チップを準備する工程、
（ｂ）第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有するパターン化された金属板からなり、複数のリードと、前記第１の面に半導体チップ固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記タブの外周から延在し途中で折り返されるアームと、前記アームの先端に形成され前記アームの折り返しによって前記半導体チップの第１の面に前記複数の電極から外れて重なる重なり部と、前記重なり部の前記第１の面に形成され前記半導体チップの前記接触を嫌う部分を覆う大きさからなる窪みと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とからなる製品形成部を複数有するリードフレームを準備する工程と、
（ｃ）前記タブの第１の面に前記半導体チップの前記第２の面を接着体を介して固定する工程、
（ｄ）前記タブから延在する前記アームを途中部分で折り返して先端の前記重なり部の前記第１の面を接着体によって前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定させ、前記半導体チップの前記接触を嫌う部分に前記窪みを対面させて前記重なり部で前記接触を嫌う部分を非接触状態で密閉する工程と、
（ｅ）前記半導体チップの前記各電極と前記各リードを導電性の接続手段（例えば、導電性のワイヤ）で接続する工程と、
（ｆ）前記タブ、前記タブ吊りリード、前記半導体チップ、前記アーム、前記重なり部、前記リード及び前記接続手段を絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード及び前記リードの一部が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｇ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを切断分離する工程とによって製造される。
【００２５】
また、前記工程（ａ）では前記接触を嫌う部分が加速度センサ部を構成する前記半導体チップを準備する。さらに、前記工程（ｆ）では前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の下面に露出させ、前記工程（ｇ）では前記リード及び前記タブ吊りリードは前記封止体の外周面近傍で切断分離させてノンリード型リードを形成させる。
【００２６】
（４）上記（３）の構成において、前記アームの先端には前記重なり部に変えて、枠体が形成され、該アームの折り返しによって前記半導体チップの第１の面に第１の面が重なる構成になっている。また、前記枠体の前記第２の面には蓋体が接着されて枠体の内側の中空部を一面から塞ぐ構成になっている。そして、前記枠体と前記蓋体によって窪みが形成されてキャップを構成している。このキャップは、半導体チップの第１の面の電極から外れた位置に固定される状態では、前記窪みは前記半導体チップの前記接触を嫌う部分に対応する結果、キャップで前記接触を嫌う部分を非接触状態で密閉する構成となっている。さらに、前記枠体、前記アーム、前記タブ、前記タブ吊りリード及び前記リードは同じ材質の金属で形成されている。
【００２７】
このような半導体装置は、上記（３）の製造方法において、
前記工程（ｂ）のリードフレームを準備する工程では、
第１の面及び前記第１の面の反対面となる第２の面を有するパターン化された金属板からなり、複数のリードと、前記第１の面に半導体チップ固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記タブの外周から延在し途中で折り返されるアームと、前記アームの先端に形成され前記アームの折り返しによって前記半導体チップの第１の面に前記複数の電極から外れて重なる枠体からなる重なり部と、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とからなる製品形成部を複数有し、
前記枠体からなる重なり部の前記第２の面には蓋体が接着され、前記枠体と前記蓋体によって前記半導体チップの前記接触を嫌う部分に対面する窪みを形成するキャップを構成するリードフレームを準備する。
【００２８】
また、前記工程（ｄ）の密閉する工程では、
前記タブから延在する前記アームを途中部分で折り返して先端の前記重なり部の前記第１の面を接着体によって前記半導体チップの前記第１の面に前記複数の電極から外れて固定させ、前記半導体チップの前記接触を嫌う部分に前記窪みを対面させて前記キャップで前記接触を嫌う部分を非接触状態で密閉する。
【００２９】
また、前記工程（ｆ）の封止体を形成する工程では、
前記タブ、前記タブ吊りリード、前記半導体チップ、前記アーム、前記キャップ、前記リード及び前記接続手段を絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード及び前記リードの一部が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する。
【００３０】
また、前記工程（ｂ）では、一面が粘着面となる樹脂からなるテープを前記枠体の前記第２の面に接着して前記蓋体を形成する。
【発明の効果】
【００３１】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記（１）の手段によれば、（ａ）半導体チップの接触を嫌う部分を中空状態で覆うキャップは、金属からなるリードフレームのタブで形成されている。リードフレームを使用する半導体装置の製造技術は生産性の高い確立された製造技術である。従って、本発明で使用するリードフレームを用いる半導体装置の製造においても既存の製造ラインを使用して半導体装置を製造することができる。このため、高品質な半導体装置を高歩留りで製造することができる。また、リードフレームによるキャップは、ガラスや多孔質ポリシリコンによるキャップに比較して製造コストが安価となる。この結果、高品質な半導体装置を安価に提供することができる。
【００３２】
（ｂ）また、リードは封止体の下面に露出し、リードの外端は封止体の外周面に露出するノンリード型リードを構成していることから、高品質で安価なノンリード型の半導体装置を提供することができる。
【００３３】
（ｃ）また、半導体チップの接触を嫌う部分は加速度センサ部であることから、高品質で安価な半導体加速度センサを提供することができる。
前記（２）の手段によれば、（ａ）半導体チップの接触を嫌う部分を中空状態で覆うキャップは、金属からなるリードフレームのタブ（枠体）と、この枠体の一面に接着された蓋体（樹脂テープ）によって形成されている。リードフレームを使用する半導体装置の製造技術は生産性の高い確立された製造技術である。本発明で使用するリードフレームが、タブ部分に樹脂テープを接着した構成のリードフレームであっても、既存の製造ラインを使用して半導体装置を製造することが可能である。このため、高品質な半導体装置を高歩留りで製造することができる。また、リードフレームによるキャップは、ガラスや多孔質ポリシリコンによるキャップに比較して製造コストが安価となる。この結果、高品質な半導体装置を安価に提供することができる。
【００３４】
（ｂ）また、リードは封止体の下面に露出し、リードの外端は封止体の外周面に露出するノンリード型リードを構成していることから、高品質で安価なノンリード型の半導体装置を提供することができる。
【００３５】
（ｃ）また、半導体チップの接触を嫌う部分は加速度センサ部であることから、高品質で安価な半導体加速度センサを提供することができる。
前記（３）の手段によれば、（ａ）半導体チップの接触を嫌う部分を中空状態で覆うキャップは、金属からなるリードフレームのタブから延在するアームの先端の重なり部で形成されている。リードフレームを使用する半導体装置の製造技術は生産性の高い確立された製造技術である。従って、本発明で使用するリードフレームを用いる半導体装置の製造においても既存の製造ラインを使用して半導体装置を製造することができる。このため、高品質な半導体装置を高歩留りで製造することができる。また、リードフレームによるキャップは、ガラスや多孔質ポリシリコンによるキャップに比較して製造コストが安価となる。この結果、高品質な半導体装置を安価に提供することができる。
【００３６】
（ｂ）また、リードは封止体の下面に露出し、リードの外端は封止体の外周面に露出するノンリード型リードを構成していることから、高品質で安価なノンリード型の半導体装置を提供することができる。
【００３７】
（ｃ）また、半導体チップの接触を嫌う部分は加速度センサ部であることから、高品質で安価な半導体加速度センサを提供することができる。
前記（４）の手段によれば、（ａ）半導体チップの接触を嫌う部分を中空状態で覆うキャップは、金属からなるリードフレームのタブから延在するアームの先端の枠体からなる重なり部と、この重なり部の一面に接着した蓋体（樹脂テープ）で形成されている。リードフレームを使用する半導体装置の製造技術は生産性の高い確立された製造技術である。従って、本発明で使用するリードフレームが、重なり部（枠体）に樹脂テープを接着した構成のリードフレームであっても、既存の製造ラインを使用して半導体装置を製造することができる。このため、高品質な半導体装置を高歩留りで製造することができる。また、リードフレームによるキャップは、ガラスや多孔質ポリシリコンによるキャップに比較して製造コストが安価となる。この結果、高品質な半導体装置を安価に提供することができる。
【００３８】
（ｂ）また、リードは封止体の下面に露出し、リードの外端は封止体の外周面に露出するノンリード型リードを構成していることから、高品質で安価なノンリード型の半導体装置を提供することができる。
【００３９】
（ｃ）また、半導体チップの接触を嫌う部分は加速度センサ部であることから、高品質で安価な半導体加速度センサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、発明の実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００４１】
本実施例１では、半導体チップの表面に、可動部分であり接触を嫌う部分となる加速度センサ部を有する半導体チップを封止体内に組み込んだ半導体装置（半導体加速度センサ）及びその製造方法に本発明を適用した例について説明する。
【００４２】
図１乃至図１５は本発明の実施例１である半導体装置及びその製造方法に係わる図である。図１乃至図４は半導体装置の構造に係わる図である。
【００４３】
本実施例１の半導体装置（半導体加速度センサ）１は、図１乃至図３に示すように、角部を切り欠いた四角形の絶縁性樹脂からなる封止体（パッケージ）２の各辺にそれぞれリード３の外端を露出させ、かつ切り掛かれた角部にタブ吊りリード４の外端を露出させる構造となっている。各リード３は封止体２の下面の各辺の部分に各辺に対して直交する方向に延在している。リード３はその外端は封止体２の各辺から０．１ｍｍ程度とわずかに突出する程度である。また、タブ吊りリード４は、図３に示すように、封止体２の内部においては、屈曲して浮き上がり、一段高くなっている。そして、タブ吊りリード４の外端は封止体２の切りかかれた各角部に露出している。これらタブ吊りリード４の外端も、リード３と同様に角部から０．１ｍｍ程度とわずかに突出する程度である。リード３及びタブ吊りリード４は封止体２の内外に亘って延在することになる。これにより、半導体装置１はＱＦＮ（Quad Flat Non-Leaded Package）となり、ノンリード構造となっている。
【００４４】
４本のタブ吊りリード４の内端部分は、図１に示すように四角形のタブ５の各角部に連なり、タブ５を支持している。後述するが、リード３、タブ吊りリード４及びタブ５は一枚の金属板からなるリードフレームから形成される。このリードフレームは第１の面と、この第１の面の反対面となる第２の面を有し、切断されて図２及び図３に示すようなリード３及びタブ吊りリード４となった状態では封止体２の下面にリード３の第２の面及びタブ吊りリード４の第２の面が露出するようになる。
【００４５】
タブ吊りリード４が途中で一段浮き上がる構造となることから、タブ５は封止体２の内部に位置する。そして、このタブ５の第２の面、即ち、図２及び図３における下面には、半導体チップ６が接着体７を介して接続されている。接着体７は、例えば、両面が接着性がある接着テープ、または接着剤が使用される。実施例では接着テープが使用されている。半導体チップ６は、例えば、シリコン半導体基板で形成され、第１の面６ａ及び前記第１の面６ａの反対面となる第２の面６ｂを有し、図４（ａ）に示すように、前記第１の面６ａの一部に設けられる接触を嫌う部分９及び前記接触を嫌う部分９から離れた位置に設けられる複数の電極１０を有する構造になっている。
【００４６】
この半導体チップ６の接触を嫌う部分９は、具体的には加速度センサ部を構成し、図４（ｂ）に示すように、一部に片持ち梁１１を有している。この片持ち梁１１に加速度が加わると片持ち梁１１が撓む。そこで、この撓みを片持ち梁１１に形成した図示しない拡散抵抗体の抵抗値を検出することによって加速度を測定する。半導体チップ６には、ＭＥＭＳ等によって片持ち梁１１が形成され、かつ図示はしないが加速度を検出する回路等がシリコン基板に形成され、これら回路の外部電極端子として電極１０が設けられている。
【００４７】
片持ち梁１１は動くため、接触を嫌う部分９となる。そこで、タブ５の半導体チップに固定される面（第２の面）側には、接触を嫌う部分９を非接触状態で覆うことができる窪み１２が形成されている。この窪み１２によってタブ５はキャップ１４を構成する。このキャップ１４は、その第２の面が接着体７によって半導体チップ６の第１の面６ａに気密的に固定されている。即ち、窪み１２を形成する周縁の第２の面が接着体７によって半導体チップ６の第１の面６ａに固定される。
【００４８】
半導体チップ６の接触を嫌う部分９は窪み１２を有するタブ５によって密閉状態で覆われるため、覆われた中空部１３内には封止体２を形成する樹脂はトランスファモールディング時混入しない。この結果、接触を嫌う部分９は中空部１３に位置して自由に動くことができる。また、半導体チップ６の第２の面も封止体２によって覆われている。
【００４９】
電極１０は接触を嫌う部分９から離れた位置に配置されている。即ち、図４（ａ）に示すように、半導体チップ６の第１の面６ａの中心に接触を嫌う部分９（片持ち梁１１）が配置され、四角形の半導体チップ６の周縁の各辺に沿って電極１０が配置されている。この結果、図２及び図３に示すように、四角形枠状に配列された電極１０から外れた半導体チップ６の中央部分にタブ５を固定することができる。従って、タブ５から外れた露出する半導体チップ６の第１の面６ａに各電極１０が露出することになる。図２に示すように、各電極１０とリード３の内端部分は接続手段（例えば、導電性のワイヤ１５）で電気的に接続されている。
【００５０】
半導体チップ６、タブ５及びワイヤ１５は封止体２内に封止され、リード３及びタブ吊りリード４の一部も封止体２によって封止される。
【００５１】
つぎに、このような半導体装置１の製造方法について説明する。図５乃至図１５は半導体装置の製造方法に係わる図である。
【００５２】
本実施例１の半導体装置１は、図５のフローチャートに示すように、半導体チップ準備（Ｓ０１）、リードフレーム準備（Ｓ０２）、チップボンディング（Ｓ０３）、ワイヤボンディング（Ｓ０４）、封止体形成（Ｓ０５）、切断（個片化：Ｓ０６）の各工程を経て製造される。
最初に半導体チップ６及びリードフレームが準備される。半導体チップ６は、図４でその概略を説明した構造の半導体チップであることからその説明は省略する。
【００５３】
リードフレーム２０は、金属板を精密プレスやエッチングによって所望のパターンに形成したものであり、第１の面と、この第１の面の反対面となる第２の面を有している。図６は第１の面側を示すものである。リードフレーム２０は、銅、銅合金、あるいは鉄−ニッケル合金板から形成される。本実施例１では、厚さ０．１５〜０．２ｍｍの銅合金板を使用する。
【００５４】
リードフレーム２０は、図６に示すように、半導体装置が１個形成される製品形成部２１をｍ列ｎ行と縦横にマトリクス状に配列した構造になっている。図６はリードフレーム２０の一部を示すものであり、製品形成部２１は５列配置になっている。リードフレーム２０の列方向に沿う両側及び端部には、リードフレーム２０の搬送や位置決め等に使用するガイド孔２２ａ〜２２ｄが設けられている。
【００５５】
また、リードフレーム２０の各行の左側には、エジェクターピン孔２３が設けられている。この孔は、トランスファモールディング時、硬化した樹脂部分をエジェクターピンで付き上げてリードフレーム２０から剥離させる際、エジェクターピンをガイドする孔である。
図７はリードフレーム２０の製品形成部２１のリードパターンを示す図であり、リードフレーム２０の第１の面側を示す拡大平面図である。製品形成部２１は、図７に示すように、四角形枠構造の枠部２５と、枠部２５の４箇所の角部から対角線沿って延在する４本のタブ吊りリード４と、４本のタブ吊りリード４によって支持されるタブ５と、枠部２５の各辺から各辺に直交し、かつ所定ピッチで配列される複数のリード３とからなっている。なお、図示はしないが、ワイヤ等を接続する部分には接続性を良好とするために、必要なメッキ膜が形成されている。
【００５６】
図８（ａ）は図７のＣ−Ｃ線に沿う拡大断面図、図８（ｂ）は図７のＤ−Ｄ線に沿う拡大断面図である。既に説明したとおり、タブ吊りリード４は図８（ｂ）に示すように、途中で一段浮き上がり、タブ５寄りが一段高くなっている。また、タブ５の第２の面には前述のように窪み１２が形成されている。また、これにより、タブ５はキャップ１４を構成する。キャップ１４の四角形枠からなる第２の面には接着体７が取り付けられている。実施例では両面が接着面となる接着テープが貼り付けられている。
【００５７】
つぎに、図９及び図１０に示すように、半導体チップ６の第１の面６ａにタブ５の第２の面を接着体（接着テープ）７を介して接続する（チップボンディング：Ｓ０３）。このチップボンディングにおいて、半導体チップ６の第１の面６ａに設けられた片持ち梁１１を含む接触を嫌う部分９は、タブ５の窪み１２内に密閉される。即ち、タブ５の窪み１２の周縁の第２の面全体が半導体チップ６に接着体７で接着されることから、タブ５によって気密性の中空部１３が形成される。また、図９に示すように、タブ５、即ち、キャップ１４の外側に、各電極１０が露出する。
【００５８】
つぎに、図１１及び図１２に示すように、半導体チップ６の第１の面６ａに設けられた電極１０と、リード３の内端を接続手段（例えば、導電性のワイヤ１５）でそれぞれ電気的に接続する（ワイヤボンディング：Ｓ０４）。
【００５９】
つぎに、図１３及び図１４に示すように、トランスファモールディングによって四角形枠からなる枠部２５の内側に絶縁性樹脂からなる封止体２を形成する（封止体形成：Ｓ０５）。この封止体２は、図１４に示すように、リード３の内端側、タブ吊りリード４の内端側、半導体チップ６、タブ５、ワイヤ１５（接続手段）を覆う構造となる。この際、半導体チップ６の接触を嫌う部分９はキャップ１４によって囲まれることから、キャップ１４によって形成される中空部１３内には樹脂が浸入しなくなる。この結果、中空部１３内に位置する接触を嫌う部分（加速度センサ部）９の動作に支障を来さなくなる。また、この封止体形成において、ノンリード型半導体装置を製造するため、リード３の下面（第２の面）は封止体２から露出するように封止が行われる。
【００６０】
トランスファモールディングにおいては、図示しないモールド金型によって、プランジャで樹脂を加圧するカル、カルに連なり樹脂を案内する複数のランナ、各ランナから分岐して樹脂を案内するゲート、ゲートに連なる封止体２を形成するキャビティ、キャビティに連なるエアーベントが形成される。そして、トランスファモールディング後、リードフレーム２０に一部が重なるように硬化した樹脂が残る。
【００６１】
図１５はトランスファモールディング時の硬化した樹脂とリードフレーム２０との関係を示す模式図である。図１５に示すように、リードフレーム２０から外れた位置にカルで硬化したカル部樹脂３０が形成され、このカル部樹脂３０にはランナで硬化したランナ部樹脂３１が連なる。また、各ランナ部樹脂３１からはゲートで硬化したゲート樹脂部３２が延び、このゲート樹脂部３２の先端にはキャビティで硬化した封止体２が形成される。エアーベントに流入した樹脂も硬化するが、薄いことでもあり、図１５では省略してある。ランナ部樹脂３１はリードフレーム２０上では、図６に示すエジェクターピン孔２３上に重なる。この結果、トランスファモールディング後、エジェクターピンでランナ部樹脂３１及びカル部樹脂３０を突き上げることによって、ゲート樹脂部３２は封止体２の付け根で分離し、リードフレーム２０から硬化した樹脂全体を除去することができる。
【００６２】
つぎに、各製品形成部２１において、封止体２の外周に沿ってリード３及びタブ吊りリード４を切断する（切断（個片化）：Ｓ０６）。この個片化によって、図１乃至図３に示すノンリード型の半導体装置１を製造することができる。
図１６は本発明の実施例１の変形例による半導体装置の模式的断面図である。この変形例では、実施例１の半導体装置１において、半導体チップ６の下面である第２の面６ｂを封止体２の下面に露出させる構造となっている。この構造によれば、半導体チップ６で発熱した熱を封止体２の外部に効率的に放熱できる特長がある。例えば、半導体装置１を実装基板に搭載した場合、半導体チップ６の第２の面６ｂを実装基板の放熱を行うヒートスプレッダ等に接続し、半導体チップ６で発生した熱をヒートスプレッダに速やかに伝達することができ、放熱性能の向上が図れ、半導体チップ６の安定動作が可能になる。
【００６３】
図１６では、チップ露出構造の製造方法を説明するために、完成品状態の半導体装置１に、トランスファモールディング時の封止状態の図を二点鎖線によって書き加えてある。即ち、モールド金型の下型３５の図示しない上型との合わせ面３６上に弾力性を有するシート３７を介在させるシートモールド時、前記シート３７に真空吸引用孔３８を下型３５の真空吸引用孔３９に連通するように設けておく。真空吸引用孔３９は半導体チップ６の下面である第２の面６ｂの中心部分に対応している。この結果、矢印で示すように真空吸引を行うことによって、半導体チップ６は下型３５の合わせ面３６側に吸引され、かつ半導体チップ６と下型３５との間には押し潰されたシート３７が介在するため、樹脂が半導体チップ６の第２の面６ｂに付着しないようになる。この結果、封止体２の下面に半導体チップ６の第２の面６ｂを露出させた半導体装置１を製造することができる。
本実施例１によれば以下の効果を有する。
【００６４】
（１）本実施例の半導体装置１においては、半導体チップ６の接触を嫌う部分９を中空状態で覆うキャップ１４は、金属からなるリードフレーム２０のタブ５で形成されている。リードフレームを使用する半導体装置の製造技術は生産性の高い確立された製造技術である。従って、本実施例で使用するリードフレーム２０を用いる半導体装置１の製造においても既存の製造ラインを使用して半導体装置１を製造することができる。このため、高品質な半導体装置１を高歩留りで製造することができる。また、リードフレーム２０によるキャップ１４は、ガラスや多孔質ポリシリコンによるキャップに比較して製造コストが安価となる。この結果、高品質な半導体装置を安価に提供することができる。
【００６５】
（２）本実施例の半導体装置１においては、リード３は封止体２の下面に露出し、リード３の外端は封止体２の外周面に露出するノンリード型リードを構成していることから、高品質で安価なノンリード型の半導体装置１を提供することができる。
【００６６】
（３）本実施例の半導体装置１においては、半導体チップ６の接触を嫌う部分９は加速度センサ部であることから、高品質で安価な半導体加速度センサ１を提供することができる。
【００６７】
（４）半導体チップ６の下面である第２の面６ｂを封止体２の下面に露出させる半導体装置１においては、半導体チップ６で発生した熱を半導体チップ６の下面から外部に放熱できることから、半導体装置１の放熱性能（放熱特性）が向上する。これにより、半導体装置１の安定動作も可能になる。
【実施例２】
【００６８】
図１７乃至図２０は本発明の実施例２である半導体装置の製造方法に係わる図である。図１７は半導体装置の製造方法において使用する蓋体付きリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図、図１８（ａ），（ｂ）は図１７のＨ−Ｈ線及びＩ−Ｉ線に沿う拡大断面図である。図１９は蓋体が接着される前のリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図である。図２０（ａ），（ｂ）は実施例２の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の断面図である。
本発明の実施例２の半導体装置１は、実施例１の半導体装置１におけるキャップ１４を、枠体４０と、この枠体４０の一面側に接着した蓋体４１とで形成するものである。枠体４０は、図１８（ａ），（ｂ）及び図１９に示すように、リードフレーム２０のタブ５で形成する。蓋体４１は接着する面が接着面となる樹脂テープを使用する。樹脂テープは枠体４０と同じ大きさとなり、枠体４０の第１の面（リードフレームの第１の面側）に貼り付けることによって、図１８（ａ），（ｂ）に示すように、枠体４０（タブ５）の下面である第２の面側に実施例１と同様な窪み１２が形成される。樹脂テープは半導体装置１の製造において加わる２００℃程度の熱（チップボンディング及びワイヤボンディング時の熱）に対して変形あるいは劣化しないものを選択する必要がある。
【００６９】
図１９にはタブ５が枠体４０であることが分かる。また、図１７は枠体４０であるタブ５の第１の面に蓋体４１が貼り付けられた状態が分かる。また、本実施例２では、タブ５の下面である第２の面に枠体４０と同じ寸法の四角形枠からなる接着体４２が形成されている。この接着体４２は接着剤あるいは両面が接着面となる接着テープ等によって形成される。実施例２の場合は接着体４２は接着テープである。窪み１２はこの接着体４２の厚さによってさらに深くなる。枠体４０はその４隅がタブ吊りリード４でそれぞれ支持されている。
【００７０】
本実施例２においては、半導体装置１の製造において、リードフレーム２０のタブ５を枠体４０とし、この枠体４０に蓋体４１を取り付けてキャップ１４を形成した以外は実施例１と変わらず、実施例１と同様な製造方法で半導体装置１を製造する。
【００７１】
図２０（ａ），（ｂ）は、図１７の蓋体付きリードフレームを使用して製造された半導体装置１であり、図２０（ａ）は図１７のＨ−Ｈ線に沿う製品での断面図であり、図２０（ｂ）は図１７のＩ−Ｉ線に沿う製品での断面図である。図２０（ａ），（ｂ）に示すように、半導体チップ６の第１の面６ａの片持ち梁１１を含む接触を嫌う部分９は、枠体４０と蓋体４１からなるキャップ１４によって非接触の状態で覆われる。このため、トランスファモールディング時、キャップ１４によって覆われる中空部１３には樹脂が浸入しなくなり、中空部が維持される。この結果、接触を嫌う部分（加速度センサ部）９は支障なく動作することができる。
【００７２】
図２１乃至図２３は本発明の実施例２の変形例である半導体装置の製造方法に係わる図である。図２１は半導体装置の製造方法において使用する蓋体付きリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図、図２２は図２１のＪ−Ｊ線に沿う拡大断面図、図２３は製造された半導体装置の断面図である。
【００７３】
実施例２では、実施例１と同様に四角形枠からなる枠部２５の対角線に沿って延在するタブ吊りリード４でタブ５（枠体４０）を支持したが、この変形例では、四角形枠の枠部２５の一辺からタブ吊りリード４を延在させ、このタブ吊りリード４でタブ５、即ち、枠体４０を支持する構造になっている。この変形例では、枠体４０を一本のタブ吊りリード４で支持しているが、枠体４０の両側に配置する２本のタブ吊りリードで支持する構造、あるいは枠部２５の４辺からそれぞれ延在するタブ吊りリードで枠体４０を支持する構造としてもよい。また、このようなタブ吊りリードの支持構造は実施例１にも適用することができる。
【００７４】
この変形例によれば、図２３に示すように、半導体チップ６の第１の面６ａの片持ち梁１１を含む接触を嫌う部分９は、１本のタブ吊りリード４に支持される枠体４０と蓋体４１からなるキャップ１４によって非接触の状態で覆われる。このため、トランスファモールディング時、キャップ１４によって覆われる中空部１３には樹脂が浸入しなくなり、中空部が維持される。この結果、接触を嫌う部分（加速度センサ部）９は支障なく動作することができる。
【００７５】
本実施例２の半導体装置１及びその製造方法は、実施例１と同様な効果を得ることができる。即ち、本実施例２によれば、半導体チップ６の接触を嫌う部分９を中空状態で覆うキャップ１４は、金属からなるリードフレーム２０の枠体４０（タブ５）と、この枠体４０の一面に接着された蓋体（樹脂テープ）４１によって形成されている。リードフレームを使用する半導体装置の製造技術は生産性の高い確立された製造技術である。本実施例で使用するリードフレーム２０が、タブ部分に樹脂テープ（蓋体）４１を接着した構成のリードフレーム２０であっても、既存の製造ラインを使用して半導体装置１を製造することが可能である。このため、高品質な半導体装置１を歩留り高く製造することができる。また、リードフレーム２０によるキャップ１４は、ガラスや多孔質ポリシリコンによるキャップに比較して製造コストが安価となる。この結果、高品質な半導体装置１を安価に提供することができる。
【実施例３】
【００７６】
図２４乃至図２９は本発明の実施例３である半導体装置の製造方法に係わる図である。図２４は蓋体付きリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図、図２５は製品形成部における蓋体で一面が塞がれた枠体を示す斜視図である。図２６はリードフレームのタブに半導体チップを固定した状態を示す製品形成部の拡大平面図、図２７は半導体チップの電極とリードをワイヤで接続した状態を示す製品形成部の拡大平面図、図２８は図２７のＫ−Ｏ−Ｋ線に沿う拡大断面図である。また、図２９は半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の断面図である。
【００７７】
本実施例３は、半導体チップ６を上面（第１の面）に固定するタブ５の外周からアーム４５を延在させるとともに先端にキャップ構造の重なり部４６を形成しておき、タブ５上に半導体チップ６を固定した後、前記アーム４５を折り返して重なり部４６で半導体チップ６の上面の接触を嫌う部分（加速度センサ部）９を塞ぎ、その後ワイヤボンディング、トランスファモールディング及び切断（個片化）を行って半導体装置１を製造するものである。
【００７８】
実施例３では、図２４及び図２５に示すリードフレーム２０が準備される。このリードフレーム２０は実施例１のリードフレーム２０において、４本あるタブ吊りリード４のうち１本を枠部２５から分離させたアーム４５とする。そして、このアーム４５の先端にキャップ構造の重なり部４６を形成する。
【００７９】
重なり部４６は、本実施例では実施例２の場合と同様に枠体４７と、この枠体４７の一面側に接着した蓋体４８とで形成するものである。枠体４７は、図２４及び図２５に示すように、リードフレーム２０の一部で形成する。蓋体４８は接着する面が接着面となる樹脂テープを使用する。樹脂テープは枠体４７と同じ大きさとなり、枠体４７の下面である第２の面（リードフレームの第２の面側）に貼り付けることによって、図２５に示すように、枠体４７の上面である第１の面側に実施例１と同様な窪み１２が形成され、キャップ１４が形成される。
【００８０】
このようなリードフレーム２０を準備した後、図２６に示すように、タブ５の上面（第１の面）に半導体チップ６を固定する。半導体チップ６は、図２８に示すように、第２の面６ｂが接続される。図では半導体チップ６をタブ５に固定する接着体は省略してある。この結果、リードフレーム２０の第１の面側に半導体チップ６の第１の面が露出し、図２６に示すように、接触を嫌う部分（加速度センサ部）９及び電極１０が露出する。
【００８１】
つぎに、図２７及び図２８に示すように、アーム４５を所定箇所で折り返してキャップ構造の重なり部４６で接触を嫌う部分９を覆う。図２８に示すように、半導体チップ６の第１の面の接触を嫌う部分９はキャップ１４となる重なり部４６で覆われる。重なり部４６の中空部１３に接触を嫌う部分９は非接触状態がカバーされることになる。
【００８２】
また、本実施例３では、アーム４５が折り返されない状態における枠体４７において、枠体４７の第１の面（リードフレーム２０の第１の面）に枠体４７と同じ寸法の四角形枠からなる接着体４９を形成しておく。図２４及び図２５では省略してある。この接着体４９は接着剤あるいは両面が接着面となる接着テープ等によって形成される。実施例３の場合は接着体４９は接着テープである。重なり部４６は接着体４９によって半導体チップ６の第１の面６ａに接着される。この接着によってキャップ１４を構成する重なり部４６と半導体チップ６によって中空部１３が形成され、この中空部１３内に接触を嫌う部分９が非接触状態で密閉される。
【００８３】
つぎに、実施例１と同様にトランスファモールディングを行って、リードフレーム２０の各製品形成部２１の所定部分に封止体２を形成する。この封止体形成において、中空部１３内には樹脂が入り込まなくなる（図２９参照）。
【００８４】
つぎに、リードフレーム２０の切断（個片化）を行って、図２９に示す半導体装置１を複数製造する。図２９も図２７のＫ−Ｏ−Ｋに沿う断面図である。
【００８５】
図３０は実施例３の変形例１によるリードフレームの製品形成部の重なり部を示す斜視図である。この変形例１では、重なり部４６をリードフレーム２０の一部で形成し、重なり部４６の第１の面に窪み１２を形成してキャップ１４と成したものである。この窪み１２を有する重なり部４６によってもアーム４５の折り返しと、接着体４９の使用によって半導体チップ６の第１の面６ａの接触を嫌う部分９を非接触状態で覆うことができる。
図３１は本発明の実施例３の変形例２による蓋体付きリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図である。この変形例２では、タブ５は実施例１と同様に四角形枠からなる枠部２５の対角線に沿って延在する４本のタブ吊りリード４でタブ５を支持する。そして、四角形のタブ５の１辺からアーム４５を突出させかつ先端に重なり部４６を有する構造となっている。変形例２では、重なり部４６は、実施例３と同様に枠体４７、蓋体４８で形成され、窪み１２を有するキャップ１４となっている。なお、この重なり部４６は、実施例３の変形例１と同様にリードフレームの一部で窪み１２を有するキャップ１４となる重なり部４６としてもよい。
【００８６】
本実施例３の半導体装置１及びその製造方法は、実施例１と同様な効果を得ることができる。即ち、本実施例３によれば、半導体チップ６の接触を嫌う部分（加速度センサ部）９を中空状態で覆うキャップ１４は、金属からなるリードフレーム２０のタブ５から延在するアーム４５の先端の枠体４７からなる重なり部４６と、この重なり部４６の一面に接着した蓋体（樹脂テープ）４８で形成されている。リードフレームを使用する半導体装置の製造技術は生産性の高い確立された製造技術である。従って、本実施例で使用するリードフレーム２０が、重なり部（枠体４７）４６に樹脂テープ（蓋体）４８を接着した構成のリードフレーム２０であっても、既存の製造ラインを使用して半導体装置１を製造することができる。このため、高品質な半導体装置を高歩留りで製造することができる。また、リードフレーム２０によるキャップ１４は、ガラスや多孔質ポリシリコンによるキャップに比較して製造コストが安価となる。この結果、高品質な半導体装置１を安価に提供することができる。
【００８７】
また、キャップ１４を構成するために、リードフレームの一部で形成する重なり部４６に窪み１２設ける構造では、部品点数がすくないため、さらなる製造コスト低減が可能になる。
【００８８】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
前記実施例では、ＱＦＮ型の半導体装置の製造に本発明を適用した例について説明したが、例えば、ＳＯＮ型半導体装置の製造に対しても本発明を同様に適用でき、同様の効果を有することができる。また、本発明は封止体の側面からリードを突出させるガルウィング構造等の半導体装置の製造方法にも同様に適用でき、同様の効果を有する。また、実施例では、接触を嫌う部分として加速度センサ部を設けた半導体チップをトランスファモールディングによって封止した例について説明したが、接触を嫌う部分としてＳＡＷ（表面弾性波）フィルターを形成した半導体チップをトランスファモールディングによって封止するようにしても前記実施例同様な効果が得られる。
【００８９】
また前記実施例では、半導体チップの電極とリードを接続する接続手段として、ワイヤボンディング接続タイプの半導体装置に本発明を適用した例について説明したが他の接続手段でもよい。例えば、図３２に示すように、半導体チップ６に突起電極（バンプ電極）５０を形成し、リード３にバンプ電極５０を接続するフリップ・チップ接続手段としてもよい。この構造では半導体装置１の薄型化が図れる。なお、この構造では、半導体装置１の製造に用いるリードフレームのタブ５に設ける窪み１２は、半導体チップ６の接触を嫌う部分９が下向きとなるため、実施例１の場合とは逆になり下向きに設けられる。
また前記実施例では、半導体チップの表面に接触を嫌う部分としてＭＥＭＳで形成した例について説明したが、例えば、図３３乃至図３５に示すような四角形の枠部５１の各辺から細い弾性部５２を内方に突出させ、各弾性部５２で質量部５３を支持する構造のセンサ等の半導体チップに対しても同様に本発明を適用でき、同様の効果を有することができる。この場合には、図３５に示すように、半導体チップの接触を嫌う部分９の表面側をキャップ１４で覆うと共に、前記半導体チップの接触を嫌う部分９の裏面側を、蓋部５５を接着体４９で接続し覆うことにより、中空部１３を形成することができる。即ち、この例では、前記接着体４９の介在によって前記蓋部５５が前記半導体チップ６の前記接触を嫌う部分９（質量部５３）に接触しない構造となっている。
【００９０】
図３５に示す半導体装置１の製造は実施例１とその多くが同じである。異なる点は、半導体チップ６の空洞部５４を封止体２を形成するときの樹脂で塞がないように、封止作業の前に半導体チップ６の第２の面６ｂを蓋部５５で覆うことにある。この蓋部５５の取り付けにおいても、質量部５３に蓋部５５が接触しないようにする必要がある。図３５では接触させないために接着体４９を厚くしてある。また、蓋部５５が質量部５３に接触しないようにするため、蓋部５５の接着面側に突出した枠部を蓋部５５の外周部分に形成しておき、この枠部を半導体チップ６に接着させる構造にしてもよい。
【００９１】
この例によれば、半導体チップに上下に貫通する孔部分（空洞部）が存在する構造に対しても本発明を適用することができる。
本発明は半導体チップに接触を嫌う部分としてＭＥＭＳで形成したものを封止する技術には適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の実施例１である半導体装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】実施例１の半導体装置に組み込まれる半導体チップの模式図である。
【図５】実施例１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】実施例１の半導体装置の製造方法で使用するリードフレームの一部を示す平面図である。
【図７】前記リードフレームの製品形成部を示す拡大平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ線及びＤ−Ｄ線に沿う拡大断面図である。図４のＣ−Ｃ線に沿う拡大断面図である。
【図９】実施例１の半導体装置の製造方法において、リードフレームのタブに半導体チップを固定した状態を示す製品形成部の拡大平面図である。
【図１０】図９のＥ−Ｅ線に沿う拡大断面図である。
【図１１】実施例１の半導体装置の製造方法において、半導体チップの電極とリードをワイヤで接続した状態を示す製品形成部の拡大平面図である。
【図１２】図１１のＦ−Ｆ線に沿う拡大断面図である。
【図１３】実施例１の半導体装置の製造方法において、トランスファモールディング装置によって封止体を形成した状態を示す製品形成部の拡大平面図である。
【図１４】図１３のＧ−Ｇ線に沿う拡大断面図である。
【図１５】前記トランスファモールディング装置によって形成された樹脂硬化部分とリードフレームとの関係を示す模式的平面図である。
【図１６】本発明の実施例１の変形例による半導体装置の模式的断面図である。
【図１７】本発明の実施例２である半導体装置の製造方法において使用する蓋体付きリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図である。
【図１８】図１７のＨ−Ｈ線及びＩ−Ｉ線に沿う拡大断面図である。
【図１９】前記蓋体が接着される前のリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図である。
【図２０】本発明の実施例２である半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の断面図である。
【図２１】実施例２の変形例である半導体装置の製造方法において使用する蓋体付きリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図である。
【図２２】図２１のＪ−Ｊ線に沿う拡大断面図である。
【図２３】実施例２の変形例である半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の断面図である。
【図２４】本発明の実施例３である半導体装置の製造方法において使用する蓋体付きリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図である。
【図２５】前記製品形成部の蓋体で一面が塞がれた枠体を示す斜視図である。
【図２６】実施例３の半導体装置の製造方法において、リードフレームのタブに半導体チップを固定した状態を示す製品形成部の拡大平面図である。
【図２７】実施例３の半導体装置の製造方法において、半導体チップの電極とリードをワイヤで接続した状態を示す製品形成部の拡大平面図である。
【図２８】図２７のＫ−Ｏ−Ｋ線に沿う拡大断面図である。
【図２９】本発明の実施例３である半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の断面図である。
【図３０】本発明の実施例３の変形例１によるリードフレームの製品形成部の重なり部を示す斜視図である。
【図３１】本発明の実施例３の変形例２による蓋体付きリードフレームの製品形成部を示す拡大平面図である。
【図３２】本発明の応用例であるフリップチップ接続構造の半導体装置の断面図である。
【図３３】本発明の応用例である複数本の片持ち梁で質量部を支持する構造の半導体チップの平面図である。
【図３４】図３３のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。
【図３５】本発明の応用例である複数本の片持ち梁で質量部を支持する構造の半導体チップを用いて製造された半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１…半導体装置（半導体加速度センサ）、２…封止体（パッケージ）、３…リード、４…タブ吊りリード、５…タブ、６…半導体チップ、６ａ…第１の面、６ｂ…第２の面、７…接着体、９…接触を嫌う部分、１０…電極、１１…片持ち梁、１２…窪み、１３…中空部、１４…キャップ、１５…ワイヤ、２０…リードフレーム、２１…製品形成部、２２ａ〜２２ｄ…ガイド孔、２３…エジェクターピン孔、２５…枠部、３０…カル部樹脂、３１…ランナ部樹脂、３２…ゲート樹脂部、３５…下型、３６…合わせ面、３７…シート、３８，３９…真空吸引用孔、４０…枠体、４１…蓋体、４２…接着体、４５…アーム、４６…重なり部、４７…枠体、４８…蓋体、４９…接着体、５０…突起電極（バンプ電極）、５１…枠部、５２…弾性部、５３…質量部、５４…空洞部、５５…蓋部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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