(57)【要約】      （修正有）【課題】偏光板用の保護フィルムとして使用した場合の、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）が十分に低く、かつ平衡含水率が低く、高温高湿における耐久性を向上させるセルロース誘導体フィルムを提供すること。【解決手段】分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3以上である置換基を含むセルロース誘導体と、特定の数式を満たすレターデーション調節剤の１種類以上とを、少なくとも含むことを特徴とするセルロース誘導体フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記数式（１）で表される分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3以上である置換基を含むセルロース誘導体と、下記数式（１１−１）を満たすレターデーション調節剤の１つ以上とを少なくとも含むことを特徴とするセルロース誘導体フィルム。
数式（１）：Δα＝αx−（αy＋αz）／２
（式中、αxは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、最大の成分であり；
αyは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、二番目に大きい成分であり；
αzは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、最小の成分である。）
数式（１１−１）：Ｒｔｈ(ａ)−Ｒｔｈ(０)／ａ≦−１．５
（ただし、０．０１≦ａ≦３０）
Ｒｔｈ(ａ)：アセチル置換度２．８５のセルロースアシレートとセルロースアシレート１００質量部に対してａ質量部の上記レターデーション調節剤とからなる膜厚８０μｍのフィルムの波長５８９ｎｍにおけるＲth（ｎｍ）
Ｒｔｈ(０)：上記レターデーション調節剤を含有しないアセチル置換度２．８５のセルロースアシレートのみからなる膜厚８０μｍのフィルムの波長５８９ｎｍにおけるＲｔｈ（ｎｍ）
ａ：セルロースアシレート１００質量部に対する上記レターデーション調節剤の質量部
【請求項２】
前記レターデーション調節剤が、下記一般式（１）〜（２１）で表される化合物のいずれかであることを特徴とする請求項１記載のセルロース誘導体フィルム。
【化１】
2007169523.tif 000107
（一般式（１）中、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の脂肪族基を表し、該脂肪族基は置換基を有していてもよい。Ｒ11〜Ｒ13は互いに連結して環を形成してもよい。）
【化２】
2007169523.tif 000108
（一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子または−ＮＲ25−を表し、Ｒ25は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良い。Ｙ21、Ｙ22はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表し、Ｙ21、Ｙ22は互いに連結して環を形成してもよい。ｍは１〜５の整数を表し、ｎは１〜６の整数を表す。）
【化３】
2007169523.tif 000109
（一般式（４）〜（１２）において、Ｙ31〜Ｙ70はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０のエステル基、炭素数が１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数が１〜２０のアミド基、炭素数が１〜２０のカルバモイル基またはヒドロキシ基を表し、Ｖ31〜Ｖ43はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２０の脂肪族基を表す。Ｌ31〜Ｌ80はそれぞれ独立に、原子数０〜４０かつ、炭素数０〜２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ31〜Ｌ80の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｖ31〜Ｖ43およびＬ31〜Ｌ80は、さらに置換基を有していてもよい。）
【化４】
2007169523.tif 000110
（一般式（１３）中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。）
【化５】
2007169523.tif 000111
（一般式（１４）中、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ4およびＲ5の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。）
【化６】
2007169523.tif 000112
（一般式（１５）中、Ｒ1は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、Ｒ2は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｌ1は、２価〜６価の連結基を表し、ｎはＬ1の価数に応じた２〜６の整数を表す。）
【化７】
2007169523.tif 000113
（一般式（１６）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｘは下記の連結基群１から選ばれる１つ以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｙは水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
（連結基群１）単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ4−、アルキレン基またはアリーレン基を表す。Ｒ4は水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）
【化８】
2007169523.tif 000114
（一般式（１７）中、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ独立に５または６員環を表す。ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表す。）
【化９】
2007169523.tif 000115
（一般式（１９）中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。）
【化１０】
2007169523.tif 000116
（一般式（２１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯ−および−ＮＲ5−（Ｒ5は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０以上の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは２以上である。Ｑ1は（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）価の有機基を表す。）
【請求項３】
前記分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3以上である置換基が芳香族を含む置換基であることを特徴とする請求項１または２記載のセルロース誘導体フィルム。
【請求項４】
前記分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3以上である置換基が芳香族アシル基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセルロース誘導体フィルム。
【請求項５】
フィルムの２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が３．０％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のセルロース誘導体フィルム。
【請求項６】
フィルムのＲｔｈ（λ）が下記数式（２）を満たすことを特徴とする請求項１〜５記載のセルロース誘導体フィルム。
数式（２）−６００ｎｍ≦Ｒｔｈ（５８９）≦０ｎｍ
（ここでＲｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおけるフィルムの膜厚方向のレタデーションを示す。）
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のセルロース誘導体フィルム上に、光学異方性層を設けてなることを特徴とする光学補償フィルム。
【請求項８】
偏光膜およびその両側に配置された二枚の透明保護を有する偏光板であって、透明保護膜の少なくとも一方が、請求項１〜６のいずれかに記載のセルロース誘導体フィルム、または請求項７記載の光学補償フィルムであることを特徴とする偏光板。
【請求項９】
液晶セルおよびその両側に配置された２枚の偏光板を有する液晶表示装置であって、少なくとも１枚の偏光板が請求項８に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
表示モードがＶＡモードであることを特徴とする請求項９の液晶表示装置。
【請求項１１】
表示モードがＩＰＳモードであることを特徴とする請求項９の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に有用なセルロース誘導体フィルム、該セルロース誘導体フィルムを用いた光学補償フィルム、偏光板等の光学材料および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、セルロースアシレートフィルムに代表されるセルロースエステルフィルムはその強靭性と難燃性から写真用支持体や各種光学材料に用いられてきた。特に、近年は液晶表示装置用の光学透明フィルムとして多く用いられている。セルロースエステルフィルムは、光学的に透明性が高いことと、光学的に等方性が高いことから、液晶表示装置のように偏光を取り扱う装置のための光学材料として優れており、これまで偏光膜の保護膜（以下、保護フィルムとも言う。）や、斜め方向から見た表示を良化（視野角補償）できる光学補償フィルムの支持体として用いられてきた。
【０００３】
最近の液晶表示装置においては、視野角特性の改善がより強く要求されるようになってきており、液晶表示装置の表示モードが、応答速度や視野角を向上する観点で、従来のＴＮ方式、ＳＴＮ方式に加え、近年はＶＡ方式、ＩＰＳ方式、ＯＣＢ方式等、多様化するのに対応して、視野角特性を向上させる光学補償層の構成も多様な構成が検討されている。そこで、光学補償手段の一つとして膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）が負の光学補償フィルム、とりわけ偏光板の保護フィルムとしても使用可能なセルロースエステルフィルムが求められている。
【０００４】
これに対し、例えば特許文献１にはセルロースアセテートの置換度や溶解方法等の製造条件を選択することで負のＲｔｈを有するセルロースアシレートフィルムを製造する技術が提案されている。また、特許文献２には、特定の構造を有する化合物によりレターデーションを低減させる技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００５−１２０３５２号公報
【特許文献２】特開２００５−９９１９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の技術では、得られるフィルムの平衡含水率が高く、これらを保護フィルムとして用いた偏光板を高温高湿下で使用した場合、偏光性能が劣化する問題があり、改良が望まれていた。
【０００６】
一方、特許文献２に記載されている技術では、セルロースアセテートに対し、芳香環を有するが平面性の低い特定の化合物を使用することでセルロースアシレートフィルムのリターデーション、すなわちＲｅ、Ｒｔｈを低減させる方法が提案されている。しかし、提案された方法を使用しても、Ｒｔｈの低減効果に限界があり、Ｒｔｈが充分にマイナスの値とならない、または併用する前記文献記載の化合物を多量に使用する必要があり、製造時の化合物のフィルム表面への泣き出しや、弾性率の低下による取り扱い性の低下が問題となった。
【０００７】
本発明の目的は、種々の表示モードで光学補償用の部材として使用可能な負のＲｔｈを有するセルロース誘導体フィルムを提供することである。また、さらには高温高湿条件での耐久性に優れた偏光板を作製するためのセルロース誘導体フィルムを提供することである。
本発明の他の目的は、前記セルロース誘導体フィルムを用いた、視野角特性に優れ、更に耐久性に優れる光学補償フィルムや偏光板、前記偏光板を用いた液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは鋭意検討した結果、特定の置換基を有するセルロース誘導体と膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を合わせて使用することにより、効率的に所望の負のＲｔｈを示すセルロース誘導体フィルムを提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。さらには前記特定の置換基として疎水性の大きい置換基を用いることで、フィルムの平衡含水率を非常に低くでき、高温高湿条件での耐久性を改善した偏光板を提供できることを見出した。
すなわち、本発明は以下の通りである。
【０００９】
１．  下記数式（１）で表される分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3以上である置換基を含むセルロース誘導体と、下記数式（１１−１）を満たすレターデーション調節剤の１つ以上とを少なくとも含むことを特徴とするセルロース誘導体フィルム。
数式（１）：Δα＝αx−（αy＋αz）／２
（式中、αxは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、最大の成分であり；
αyは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、二番目に大きい成分であり；
αzは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、最小の成分である。）
数式（１１−１）：Ｒｔｈ(ａ)−Ｒｔｈ(０)／ａ≦−１．５
（ただし、０．０１≦ａ≦３０）
Ｒｔｈ(ａ)：アセチル置換度２．８５のセルロースアシレートとセルロースアシレート１００質量部に対してａ質量部の上記レターデーション調節剤とからなる膜厚８０μｍのフィルムの波長５８９ｎｍにおけるＲth（ｎｍ）
Ｒｔｈ(０)：上記レターデーション調節剤を含有しないアセチル置換度２．８５のセルロースアシレートのみからなる膜厚８０μｍのフィルムの波長５８９ｎｍにおけるＲｔｈ（ｎｍ）
ａ：セルロースアシレート１００質量部に対する上記レターデーション調節剤の質量部
２．  前記レターデーション調節剤が、下記一般式（１）〜（２１）で表される化合物のいずれかであることを特徴とする前記１記載のセルロース誘導体フィルム。
【００１０】
【化１】
2007169523.tif 000002
【００１１】
（一般式（１）中、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の脂肪族基を表し、該脂肪族基は置換基を有していてもよい。Ｒ11〜Ｒ13は互いに連結して環を形成してもよい。）
【００１２】
【化２】
2007169523.tif 000003
【００１３】
（一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子または−ＮＲ25−を表し、Ｒ25は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良い。Ｙ21、Ｙ22はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表し、Ｙ21、Ｙ22は互いに連結して環を形成してもよい。ｍは１〜５の整数を表し、ｎは１〜６の整数を表す。）
【００１４】
【化３】
2007169523.tif 000004
【００１５】
（一般式（４）〜（１２）において、Ｙ31〜Ｙ70はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の
エステル基、炭素数が１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数が１〜２０のアミド基、炭素数が１〜２０のカルバモイル基またはヒドロキシ基を表し、Ｖ31〜Ｖ43はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２０の脂肪族基を表す。Ｌ31〜Ｌ80はそれぞれ独立に、原子数０〜４０かつ、炭素数０〜２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ31〜Ｌ80の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｖ31〜Ｖ43およびＬ31〜Ｌ80は、さらに置換基を有していてもよい。）
【００１６】
【化４】
2007169523.tif 000005
【００１７】
（一般式（１３）中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。）
【００１８】
【化５】
2007169523.tif 000006
【００１９】
（一般式（１４）中、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ4およびＲ5の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。）
【００２０】
【化６】
2007169523.tif 000007
【００２１】
（一般式（１５）中、Ｒ1は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、Ｒ2は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｌ1は、２価〜６価の連結基を表し、ｎはＬ1の価数に応じた２〜６の整数を表す。）
【００２２】
【化７】
2007169523.tif 000008
【００２３】
（一般式（１６）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｘは下記の連結基群１から選ばれる１つ以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｙは水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
（連結基群１）単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ4−、アルキレン基またはアリーレン基を表す。Ｒ4は水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。）
【００２４】
【化８】
2007169523.tif 000009
【００２５】
（一般式（１７）中、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ独立に５または６員環を表す。ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表す。）
【００２６】
【化９】
2007169523.tif 000010
【００２７】
（一般式（１９）中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。）
【００２８】
【化１０】
2007169523.tif 000011
【００２９】
（一般式（２１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は、それぞれ独立に、単結合、−ＣＯ−および−ＮＲ5−（Ｒ5は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０以上の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは２以上である。Ｑ1は（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）価の有機基を表す。）
【００３０】
３．  前記分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3以上である置換基が芳香族を含む置換基であることを特徴とする前記１または２記載のセルロース誘導体フィルム。
４．  前記分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3以上である置換基が芳香族アシル基であることを特徴とする前記１〜３のいずれかに記載のセルロース誘導体フィルム。
５．  フィルムの２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が３．０％以下であることを特徴とする前記１〜４のいずれかに記載のセルロース誘導体フィルム。
６．  フィルムのＲｔｈ（λ）が下記数式（２）を満たすことを特徴とする前記１〜５記載のセルロース誘導体フィルム。
数式（２）−６００ｎｍ≦Ｒｔｈ（５８９）≦０ｎｍ
（ここでＲｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおけるフィルムの膜厚方向のレタデーションを示す。）
７．  前記１〜６のいずれかに記載のセルロース誘導体フィルム上に、光学異方性層を設けてなることを特徴とする光学補償フィルム。
８．  偏光膜およびその両側に配置された二枚の透明保護膜を有する偏光板であって、透明保護膜の少なくとも一方が、前記１〜６のいずれかに記載のセルロース誘導体フィルム、または前記７記載の光学補償フィルムであることを特徴とする偏光板。
９．  液晶セルおよびその両側に配置された２枚の偏光板を有する液晶表示装置であって、少なくとも１枚の偏光板が前記８に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
１０．  表示モードがＶＡモードであることを特徴とする前記９の液晶表示装置。
１１．  表示モードがＩＰＳモードであることを特徴とする前記９の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、負のＲｔｈを示すセルロース誘導体フィルムを提供できる。本発明のセルロース誘導体フィルムはこの性能により、例えばＩＰＳモードの液晶表示装置に好適な位相差フィルムとして使用でき、また他の様々な光学特性を有する光学フィルムと組み合わせて使用することで光学設計の自由度を著しく向上させることができる。さらに本発明によれば、上記性能に加え、フィルムの含水率が低く高温高湿条件での耐久性に優れた偏光板の製造に有用なセルロース誘導体フィルムを提供できる。本発明のセルロース誘導体フィルムを偏光板用の保護フィルムや液晶表示装置に使用される光学補償フィルムの支持体として使用した場合に、視野角特性や、高温高湿条件での耐久性に優れた液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本明細書において「〜」とは、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。また、本発明でいう「重合」には、共重合も含む趣旨である。さらに、本発明でいう「支持体上」又は「配向膜上」には、該支持体等の直接の表面をいう場合と、該支持体等の上に何らかの層（膜）を設けた表面をいう場合の両方を含む趣旨である。
【００３３】
以下に本発明のセルロース誘導体フィルムの詳細を説明する。
本発明のセルロース誘導体フィルムは、特定の分極率異方性を有する置換基を含むセルロース誘導体と、特定の数式を満たすレターデーション調節剤の１つ以上とを少なくとも含むことを特徴とする。
【００３４】
［セルロース誘導体］
まず、本発明のセルロース誘導体フィルムに使用するセルロース誘導体について説明する。
本発明のセルロース誘導体フィルムに使用するセルロース誘導体はセルロース誘導体の構成単位であるβ−グルコース環上の３つの水酸基の内の少なくとも１つに連結する置換基として、後述する分極率異方性が特定の範囲内にある（分極率異方性が大きい）置換基を有する、セルロース誘導体である。分極率異方性が大きい置換基を有するセルロース誘導体に対し、後述するレターデーション調節剤を組み合わせることにより、詳細な作用機構は不明だが、置換基の分極率異方性をよりフィルムの膜厚方向に分布させることができ、結果的にフィルムのＲｔｈをより低減させることができる。
【００３５】
本発明における分極率異方性が特定の大きい置換基について詳しく説明する。
本発明における置換基の分極率は、分子軌道法又は密度汎関数法を用いた計算により求めることができ、本発明のセルロース誘導体フィルムは、分極率異方性が大きい置換基として、下記数式（１）で表される分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3以上である置換基を有する。また実用上、置換基の分極率異方性は３００×１０-24ｃｍ3以下であることが好ましい。分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3より小さいと、置換基の分極率異方性によるＲｔｈ低減効果が十分でなく、Ｒｔｈが所望のマイナスの領域のフィルムを得るためには数式（１１−１）を満たすレターデーション調節剤の使用量が膨大となり、フィルムのＴｇが低下して製造適性が問題となり、またコスト上の懸念が生じてしまう。また、該分極率異方性が３００×１０-24ｃｍ3以下とすれば、分極率異方性を達成するための置換基の大きさが過大となってセルロース誘導体の溶解性が不足するといった問題や、また得られるフィルムの剛性が不足して取り扱い性が悪くなるといった問題が生じず、好ましい。前記置換基の分極率異方性は、４．０×１０-24ｃｍ3以上３００×１０-24ｃｍ3以下であることがより好ましく、６.０×１０-24ｃｍ3以上３００×１０-24ｃｍ3以下であることが更に好ましく、８．０×１０-24ｃｍ3以上３００×１０-24ｃｍ3以下であることがもっとも好ましい。
【００３６】
数式（１）：Δα＝αx−（αy＋αz）／２
（式中、αxは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、最大の成分であり；
αyは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、二番目に大きい成分であり；
αzは、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値の内、最小の成分である。）
【００３７】
(置換基の分極率異方性)
置換基の分極率異方性はＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ｂ．０３、米ガウシアン社ソフトウェア）を用いて計算した。具体的には、分極率異方性はＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊レベルで最適化された構造を用いて、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１１＋Ｇ＊＊レベルで分極率を計算し、得られた分極率テンソルを対角化した後、対角成分より算出した。本発明における置換基の分極率異方性の計算においては、セルロース誘導体の構成単位であるβ−グルコース環上の水酸基に連結する置換基を、水酸基の酸素原子を含む部分構造にて計算して求めた。
【００３８】
また、本発明のセルロース誘導体フィルムに用いられるセルロース誘導体は、疎水性の大きい置換基を有することが好ましい。疎水的な置換基を有するセルロース誘導体を用いることでセルロース誘導体フィルムの平衡含水率を低減でき、光学部材に用いられた際の高温高湿時の性能変化を抑制することができる。疎水的な置換基としては、セルロースの構成単位であるβ−グルコース環上の置換基を加水分解した−ＯＨ体の構造におけるｌｏｇＰ値が、１．０以上であることが好ましく、１．５以上であることがより好ましく、２．０以上であることが好ましい。ｌｏｇＰ値が１．０以上の置換基を含有することにより、高温高湿時の性能変化を抑制する効果が顕著となり、ｌｏｇＰ値がより大きい方がその効果も大きい。またｌｏｇＰ値としては１０以下であることが好ましい。
【００３９】
前記分極率が大きい置換基としては、βグルコース上の水酸基に連結可能な置換基であれば何でも良く、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルリン酸オキシ基、アリールリン酸オキシ基、アルキルホウ酸オキシ基、アリールホウ酸オキシ基、アルキル炭酸オキシ基、アリール炭酸オキシ基等があげられる。また、疎水性の大きい置換基としては、前記分極率が大きい置換基として例示した置換基を挙げることができる。
上記、分極率異方性が高く且つ疎水性が大きいという観点から本発明において特に好ましい置換基としては、芳香族を含む置換基が挙げられ、芳香族アシル基等がより好ましい。
【００４０】
前記分極率が大きい置換基の置換度及び前記疎水性の大きい置換基の置換度（ＳＢ）としては、ドープとしての溶媒への溶解性を維持しつつ、且つフィルムのＲｔｈを低減して所望の範囲内とする目的と、更にフィルムの平行含水率を低減して偏光板用の保護フィルムとして使用した場合の偏光板の耐久性を向上させる目的で、０．０１以上３．０以下であることが好ましく、０．１以上２．７以下であることがより好ましく、０．３以上２．５以下であることが更に好ましい。
【００４１】
また、本発明のセルロース誘導体は、溶液製膜により製膜する場合の溶液への溶解性や、フィルムの取り扱い性の観点で製膜したフィルムの弾性率が好適な範囲内とするため、βグルコース上の水酸基に連結する置換基として、分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3より小さい置換基を含むことが好ましい。分極率異方性が２．５×１０-24ｃｍ3より小さい置換基の好ましい例としては、βグルコース上の水酸基に連結可能な置換基であれば何でも良く、アルキルオキシ、アリールオキシ、アルキルカルボニルオキシ、アリールカルボニルオキシ、アルキルリン酸オキシ、アリールリン酸オキシ、アルキルホウ酸オキシ、アリールホウ酸オキシ、アルキル炭酸オキシ、アリール炭酸オキシ、等があげられる。脂肪族アシル基、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が好ましく、より好ましくはアセチル基である。また、分極率異方性が小さい置換基の総置換度ＳＳは、前記分極率が大きい置換基の総置換度ＳＢに対し、下記式（Ｓ１）を満たす範囲内であることが好ましい。より好ましくは（Ｓ２）を満たす範囲内であり、更に好ましくは（Ｓ３）を満たす範囲内である。
式（Ｓ１）：  ０≦ＳＳ≦３．０−ＳＢ
式（Ｓ２）：  １．０≦ＳＳ≦３．０−ＳＢ
式（Ｓ３）：  ２．０≦ＳＳ≦３．０−ＳＢ
【００４２】
前記のとおり、分極率異方性が高く且つ疎水性が大きいという観点から本発明において特に好ましい置換基としては、芳香族を含む置換基が挙げられ、芳香族アシル基等がより好ましい。
【００４３】
本発明において用いられるセルロース誘導体としては、脂肪酸アシル基と前記分極率異方性の大きい置換基である置換もしくは無置換の芳香族アシル基とを有する混合酸エステルが好ましく用いられる。ここで置換もしくは無置換の芳香族アシル基としては下記一般式（Ａ）で表される基があげられる。
一般式（Ａ）
【００４４】
【化１１】
2007169523.tif 000012
【００４５】
一般式（Ａ）中、Ｘは置換基で、置換基の例には、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、アラルキル基、ニトロ、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アシルオキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、アルキルスルホニルオキシ基およびアリールオキシスルホニル基、−Ｓ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−ＯＲ、−ＰＨ−Ｒ、−Ｐ(−Ｒ)2、−ＰＨ−Ｏ−Ｒ、−Ｐ(−Ｒ)(−Ｏ−Ｒ)、−Ｐ(−Ｏ−Ｒ)2、−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｒ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)2、−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｏ−Ｒ、−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)(−Ｏ−Ｒ)、−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｏ−Ｒ)2、−Ｏ−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｒ、−Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)2−Ｏ−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)(−Ｏ−Ｒ)、−Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｏ−Ｒ)2、−ＮＨ−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)(−Ｏ−Ｒ)、−ＮＨ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｏ−Ｒ)2、−ＳｉＨ2−Ｒ、−ＳｉＨ(−Ｒ)2、−Ｓｉ(−Ｒ)3、−Ｏ−ＳｉＨ2−Ｒ、−Ｏ−ＳｉＨ(−Ｒ)2および−Ｏ−Ｓｉ(−Ｒ)3が含まれる。上記Ｒは脂肪族基、芳香族基またはヘテロ環基である。置換基の数は、０または１個〜５個であることが好ましく、１個〜４個であることがより好ましく、１個〜３個であることがさらに好ましく、１個または２個であることが最も好ましい。置換基としては、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基およびウレイド基が好ましく、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基およびカルボンアミド基がより好ましく、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基およびアリールオキシ基がさらに好ましく、ハロゲン原子、アルキル基およびアルコキシ基が最も好ましい。
【００４６】
上記ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が含まれる。上記アルキル基は、環状構造あるいは分岐を有していてもよい。アルキル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがより好ましく、１〜６であることがさらに好ましく、１〜４であることが最も好ましい。アルキル基の例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチルおよび２−エチルヘキシルが含まれる。上記アルコキシ基は、環状構造あるいは分岐を有していてもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがより好ましく、１〜６であることがさらに好ましく、１〜４であることが最も好ましい。アルコキシ基は、さらに別のアルコキシ基で置換されていてもよい。アルコキシ基の例には、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、２−メトキシ−２−エトキシエトキシ、ブチルオキシ、ヘキシルオキシおよびオクチルオキシが含まれる。
【００４７】
上記アリール基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。アリール基の例には、フェニルおよびナフチルが含まれる。上記アリールオキシ基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。アリールオキシ基の例には、フェノキシおよびナフトキシが含まれる。上記アシル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。アシル基の例には、ホルミル、アセチルおよびベンゾイルが含まれる。上記カルボンアミド基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。カルボンアミド基の例には、アセトアミドおよびベンズアミドが含まれる。上記スルホンアミド基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。スルホンアミド基の例には、メタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミドおよびｐ−トルエンスルホンアミドが含まれる。上記ウレイド基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。ウレイド基の例には、（無置換）ウレイドが含まれる。
【００４８】
上記アラルキル基の炭素原子数は、７〜２０であることが好ましく、７〜１２であることがさらに好ましい。アラルキル基の例には、ベンジル、フェネチルおよびナフチルメチ
ルが含まれる。上記アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがさらに好ましい。アルコキシカルボニル基の例には、メトキシカルボニルが含まれる。上記アリールオキシカルボニル基の炭素原子数は、７〜２０であることが好ましく、７〜１２であることがさらに好ましい。アリールオキシカルボニル基の例には、フェノキシカルボニルが含まれる。上記アラルキルオキシカルボニル基の炭素原子数は、８〜２０であることが好ましく、８〜１２であることがさらに好ましい。アラルキルオキシカルボニル基の例には、ベンジルオキシカルボニルが含まれる。上記カルバモイル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。カルバモイル基の例には、（無置換）カルバモイルおよびＮ−メチルカルバモイルが含まれる。上記スルファモイル基の炭素原子数は、２０以下であることが好ましく、１２以下であることがさらに好ましい。スルファモイル基の例には、（無置換）スルファモイルおよびＮ−メチルスルファモイルが含まれる。上記アシルオキシ基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがさらに好ましい。アシルオキシ基の例には、アセトキシおよびベンゾイルオキシが含まれる。
【００４９】
上記アルケニル基の炭素原子数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがさらに好ましい。アルケニル基の例には、ビニル、アリルおよびイソプロペニルが含まれる。上記アルキニル基の炭素原子数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがさらに好ましい。アルキニル基の例には、チエニルが含まれる。上記アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。上記アリールスルホニル基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。上記アルキルオキシスルホニル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。上記アリールオキシスルホニル基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。上記アルキルスルホニルオキシ基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。上記アリールオキシスルホニル基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。
【００５０】
次に、本発明のセルロース混合酸エステル中脂肪酸エステル残基において、脂肪族アシル基は炭素原子数が２〜２０で具体的にはアセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル、ヘキサノイル、オクタノイル、ラウロイル、ステアロイル等があげられる。好ましくはアセチル、プロピオニル及びブチリルであり、特に好ましいのはアセチルである。本発明において前記脂肪族アシル基とはさらに置換基を有するものも包含する意味であり、置換基としては例えば前記の一般式（Ａ）のＸとして例示したものがあげられる。
【００５１】
更に、芳香族環に置換する置換基の数が２個以上の時、互いに同じでも異なっていてもよいが、また、互いに連結して縮合多環化合物（例えばナフタレン、インデン、インダン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン、クロメン、クロマン、フタラジン、アクリジン、インドール、インドリンなど）を形成してもよい。
【００５２】
セルロースの水酸基への芳香族アシル基の置換は、一般的には芳香族カルボン酸クラロイドあるいは芳香族カルボン酸から誘導される対称酸無水物及び混合酸無水物を用いる方法等が挙げられる。特に好ましいのは芳香族カルボン酸から誘導した酸無水物を用いる方法（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ、Ｖｏｌ．２９、３９８１−３９９０（１９８４）記載）が挙げられる。上記の方法として本発明のセルロース混合酸エステル化合物の製造方法としては、（１）セルロース脂肪酸モノエステル又はジエステルを一旦製造したのち、残りの水酸基に前記一般式（Ａ）で表される芳香族アシル基を導入する方法、（２）セルロースに直接に、脂肪族カルボン酸と芳香族カルボン酸の混合酸無水物を反応させる方法、などがあげられる。（１）の前段においては、セルロース脂肪酸エステル又はジエステルの製造方法自体は周知の方法であるが、これにさらに芳香族アシル基を導入する後段の反応は、該芳香族アシル基の種類によって異なるが好ましくは反応温度０〜１００℃、より好ましくは２０〜５０℃で、反応時間は、好ましくは３０分以上、より好ましくは３０〜３００分で行われる。また後者の混合酸無水物を用いる方法も、反応条件は混合酸無水物の種類によって変わるが、好ましくは反応温度０〜１００℃、より好ましくは２０〜５０℃、反応時間は好ましくは３０〜３００分、より好ましくは６０〜２００分である。上記のいずれの反応も、反応を無溶媒又は溶媒中のいずれで行っても良いが、好ましくは溶媒を用いて行われる。溶媒としてはジクロロメタン、クロロホルム、ジオキサンなどを用いることができる。
【００５３】
芳香族アシル基の置換度はセルロース脂肪酸モノエステルの場合、残存する水酸基に対して好ましくは０．０１以上２．０以下、より好ましくは０．１以上２．０以下、更に好ましくは０．３以上２．０以下である。また、セルロース脂肪酸ジエステル（二酢酸セルロース）の場合、残存する水酸基に対して好ましくは０．０１以上１．０以下、より好ましくは０．１以上１．０以下、更に好ましくは０．３以上１．０以下である。以下に一般式（Ａ）で表される芳香族アシル基の具体例を示すが、本発明はこれに限定するものではない。これらの中でも好ましいのは、Ｎｏ．１、３、５、６、８、１３、１８、２８、より好ましいのはＮｏ．１、３、６、１３である。
【００５４】
【化１２】
2007169523.tif 000013
【００５５】
【化１３】
2007169523.tif 000014
【００５６】
【化１４】
2007169523.tif 000015
【００５７】
【化１５】
2007169523.tif 000016
【００５８】
本発明で用いられるセルロース誘導体は、３５０〜８００の質量平均重合度を有することが好ましく、３７０〜６００の質量平均重合度を有することがさらに好ましい。また本発明で用いられるセルロース誘導体は、７００００〜２３００００の数平均分子量を有することが好ましく、７５０００〜２３００００の数平均分子量を有することがさらに好ましく、７８０００〜１２００００の数平均分子量を有することが最も好ましい。
【００５９】
本発明で用いられるセルロース誘導体は、アシル化剤やアルキル化剤、アリール化剤として、酸無水物や酸塩化物、ハロゲン化物を用いて合成できる。アシル化剤として酸無水物を使用する場合は、反応溶媒として有機酸（例えば、酢酸）や塩化メチレンが使用される。触媒としては、硫酸のようなプロトン性触媒が用いられる。アシル化剤として酸塩化物を使用する場合は、触媒として塩基性化合物が用いられる。工業的に最も一般的な合成方法では、セルロースをアセチル基および他のアシル基に対応する有機酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸）またはそれらの酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）を含む混合有機酸成分でエステル化してセルロースエステルを合成する。また、アルキル基やアリール基を置換基として導入する場合の一般的な方法の一つとしては、セルロースをアルカリ溶液中に溶解した後、ハロゲン化アルキル化合物、ハロゲン化アリール化合物等でエーテル化して合成する。
【００６０】
この方法において、綿花リンターや木材パルプのようなセルロースは、酢酸のような有機酸で活性化処理した後、硫酸触媒の存在下で、上記のような有機酸成分の混合液を用いてエステル化する場合が多い。有機酸無水物成分は、一般にセルロース中に存在する水酸基の量に対して過剰量で使用する。このエステル化処理では、エステル化反応に加えてセ
ルロース主鎖β１→４−グリコシド結合）の加水分解反応（解重合反応）が進行する。主鎖の加水分解反応が進むとセルロースエステルの重合度が低下し、製造するセルロースエステルフイルムの物性が低下する。そのため、反応温度のような反応条件は、得られるセルロースエステルの重合度や分子量を考慮して決定することが好ましい。
【００６１】
重合度の高い（分子量の大きい）セルロースエステルを得るためには、エステル化反応工程における最高温度を５０℃以下に調節することが重要である。最高温度は、好ましくは３５〜５０℃、さらに好ましくは３７〜４７℃に調節する。反応温度が３５℃以上であれば、エステル化反応が円滑に進行するので好ましい。反応温度が５０℃以下であれば、セルロースエステルの重合度が低下するなどの不都合が生じないので好ましい。
【００６２】
エステル化反応の後、温度上昇を抑制しながら反応を停止すると、さらに重合度の低下を抑制でき、高い重合度のセルロースエステルを合成できる。すなわち、反応終了後に反応停止剤（例えば、水、酢酸）を添加すると、エステル化反応に関与しなかった過剰の酸無水物は、加水分解して対応する有機酸を副成する。この加水分解反応は激しい発熱を伴い、反応装置内の温度が上昇する。反応停止剤の添加速度が大きすぎることがなければ、反応装置の冷却能力を超えて急激に発熱して、セルロース主鎖の加水分解反応が著しく進行し、得られるセルロースエステルの重合度が低下するなどの問題が生じることはない。また、エステル化の反応中に触媒の一部はセルロースと結合しており、その大部分は反応停止剤の添加中にセルロースから解離する。このとき反応停止剤の添加速度が大きすぎなければ、触媒が解離するために充分な反応時間が確保され、触媒の一部がセルロースに結合した状態で残るなどの問題は生じにくい。強酸の触媒が一部結合しているセルロースエステルは安定性が非常に悪く、製品の乾燥時の熱などで容易に分解して重合度が低下する。これらの理由により、エステル化反応の後、好ましくは４分以上、さらに好ましくは４〜３０分の時間をかけて反応停止剤を添加して、反応を停止することが望ましい。なお、反応停止剤の添加時間が３０分以下であれば、工業的な生産性の低下などの問題が生じないので好ましい。
【００６３】
反応停止剤としては、一般に酸無水物を分解する水やアルコールが用いられている。ただし、本発明では、各種有機溶媒への溶解性が低いトリエステルを析出させないために、水と有機酸との混合物が、反応停止剤として好ましく用いられる。以上のような条件でエステル化反応を実施すると、質量平均重合度が３５０以上８００以下である高分子量セルロースエステルを容易に合成することができる。
【００６４】
［レターデーション調節剤］
本発明において必須成分として用いられるレターデーション調節剤は、フィルムにおける膜厚方向のレターデーションを低減させる化合物であり、以下の数式（１１−１）を満たす化合物である。
数式（１１−１）：Ｒｔｈ(ａ)−Ｒｔｈ(０)／ａ≦−１．５
（ただし、０．０１≦ａ≦３０）
Ｒｔｈ(ａ)：アセチル置換度２．８５のセルロースアシレートとセルロースアシレート１００質量部に対してａ質量部のレターデーション調節剤とからなる、膜厚８０μｍのフィルムの波長５８９ｎｍにおけるＲｔｈ（ｎｍ）
Ｒｔｈ(０)：レターデーション調節剤を含有しないアセチル置換度２．８５のセルロースアシレートのみからなる膜厚８０μｍのフィルムの波長５８９ｎｍにおけるＲｔｈ（ｎｍ）
ａ：セルロースアシレート１００質量部に対するレターデーション調節剤の質量部
上記数式（１１−１）を満たす化合物をレターデーション調節剤として使用することにより充分なＲｔｈ低減性が得られ、レターデーション調節剤を過剰に使用することなく、所望のＲｔｈを示すフィルムを作製することができる。
本発明においては、分極率異方性の大きい（「分極率異方性の高い」とも言う）置換基を有するセルロース誘導体と、Ｒｔｈを低減させる化合物を組み合わせることで、Ｒｔｈをより低減させることができる。
レターデーション調節剤は数式（１１−２）を満足することがより好ましく、数式（１１−３）を満足することがさらに好ましい。
数式（１１−２）：Ｒｔｈ(ａ)−Ｒｔｈ(０)／ａ≦−２．０
数式（１１−３）：Ｒｔｈ(ａ)−Ｒｔｈ(０)／ａ≦−２．５
（ただし、０．０１≦ａ≦３０）
また、本発明において用いられるレターデーション調整剤は、アセチル置換度２．８６のセルロースアシレートフィルムに添加した場合の波長５８９ｎｍにおけるＲｅが下記数式（１０）を満足する化合物であるのが好ましい。
数式（１０）：｜Ｒｅ(ａ)−Ｒｅ(０)｜／ａ≧１．０
Ｒｅ(ａ)：アセチル置換度２．８５のセルロースアシレートとセルロースアシレート１００質量部に対してａ質量部のレターデーション調節剤とからなる膜厚８０μｍのフィルムの波長５８９ｎｍにおけるＲｅ（ｎｍ）
Ｒｅ(０)：レターデーション調節剤を含有しないアセチル置換度２．８５のセルロースアシレートのみからなる膜厚８０μｍのフィルムの波長５８９ｎｍにおけるＲｅ（ｎｍ）
【００６５】
本発明においては、前記分極率異方性の大きい（「分極率異方性の高い」とも言う）置換基を有するセルロース誘導体と、レターデーション調節剤を組み合わせることで、Ｒｔｈをよりさらに低減させることができる。Ｒｔｈをより低減させる作用機構は明確になってはいないが、セルロース誘導体上の分極率の高い置換基に対し、置換基と相溶性の高い上記レターデーション調節剤を用いることで、製膜時の置換基の配向の自由度を高め、膜厚方向へ配向する置換基の割合を高めることで、結果的にフィルムのＲｔｈを低減できるものと推定している。
【００６６】
以下に本発明で好ましく用いられる、セルロース誘導体フィルムのレターデーション調節剤の例として、まず一般式（１）〜（２１）を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。
【００６７】
【化１６】
2007169523.tif 000017
【００６８】
式中、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の脂肪族基を表す。Ｒ11〜Ｒ13は互いに連結して環を形成してもよい。
【００６９】
【化１７】
2007169523.tif 000018
【００７０】
一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子または−ＮＲ25−を表し、Ｒ25は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良い。Ｙ21、Ｙ22はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表し、Ｙ21、Ｙ22は互いに連結して環を形成してもよい。ｍは１〜５の整数を表し、ｎは１〜６の整数を表す。
【００７１】
【化１８】
2007169523.tif 000019
【００７２】
一般式（４）〜（１２）において、Ｙ31〜Ｙ70はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０のエステル基、炭素数が１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数が１〜２０のアミド基、炭素数が１〜２０のカルバモイル基またはヒドロキシ基を表し、Ｖ31〜Ｖ43はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２０の脂肪族基を表す。Ｌ31〜Ｌ80はそれぞれ独立に、
原子数０〜４０かつ、炭素数０〜２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ31〜Ｌ80の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｖ31〜Ｖ43およびＬ31〜Ｌ80は、さらに置換基を有していてもよい。
【００７３】
【化１９】
2007169523.tif 000020
【００７４】
一般式（１３）中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。
【００７５】
【化２０】
2007169523.tif 000021
【００７６】
一般式（１４）中、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ4およびＲ5の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。
【００７７】
【化２１】
2007169523.tif 000022
【００７８】
一般式（１５）中、Ｒ1は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、Ｒ2は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｌ1は、２価〜６価の連結基を表し、ｎはＬ1の価数に応じた２〜６の整数を表す。
【００７９】
【化２２】
2007169523.tif 000023
【００８０】
一般式（１６）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｘは下記の連結基群１から選ばれる１つ以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｙは水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
【００８１】
（連結基群１）
単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ4−、アルキレン基またはアリーレン基を表す。Ｒ4は水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
【００８２】
【化２３】
2007169523.tif 000024
【００８３】
一般式（１７）中、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ独立に５または６員環を表す。ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表す。
【００８４】
一般式（１７）で表される化合物としては、好ましくは下記一般式（１８）で表される化合物が挙げられる。
【００８５】
【化２４】
2007169523.tif 000025
【００８６】
一般式（１８）中、Ｘ2はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎを表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34およびＲ35はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
【００８７】
【化２５】
2007169523.tif 000026
【００８８】
一般式（１９）中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。
【００８９】
一般式（１９）で表される化合物としては、好ましくは下記一般式（２０）で表される化合物が挙げられる。
【００９０】
【化２６】
2007169523.tif 000027
【００９１】
一般式（２０）中、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数が１〜２０のものが好ましく、１〜１５のものがさらに好ましく、１〜１２のものが最も好ましい。環状のアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。アリール基は炭素原子数が６〜３６のものが好ましく、６〜２４のものがより好ましい。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。
【００９２】
【化２７】
2007169523.tif 000028
【００９３】
一般式（２１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は、それぞれ、単結合、−ＣＯ−および−ＮＲ5−（Ｒ5は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０以上の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは２以上である。Ｑ1は（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）価の有機基を表す。
【００９４】
以下に本発明で好ましく用いられる、セルロース誘導体フィルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を上記一般式（１）〜（２１）で表される化合物について示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。
【００９５】
一般式（１）の化合物について説明する。
【００９６】
【化２８】
2007169523.tif 000029
【００９７】
一般式（１）において、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の脂肪族基を表し、該脂肪族基は置換基を有していてもよい。Ｒ11〜Ｒ13は互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ11〜Ｒ13について詳しく説明する。Ｒ11〜Ｒ13は好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基又はアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２.２.２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどが挙げられる。
Ｒ11〜Ｒ13で表される脂肪族基は置換されていてもよく、置換基の例としては、ハロゲ
ン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基又はその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール又はヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキル又はアリール）スルホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ11〜Ｒ13は置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。
【００９８】
以下に一般式（１）で表される化合物の例（Ｃ−１〜Ｃ−７６）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、ｌｏｇＰの値は、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））により求めたものである。
【００９９】
【化２９】
2007169523.tif 000030
【０１００】
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は前記一般式（１）のＲ11〜Ｒ13と同義であり、下記のＣ−１〜Ｃ−７６で具体例を例示する。）
【０１０１】
【表１】
2007169523.tif 000031
【０１０２】
【表２】
2007169523.tif 000032
【０１０３】
【表３】
2007169523.tif 000033
【０１０４】
【表４】
2007169523.tif 000034
【０１０５】
一般式（２）および（３）の化合物について説明する。
【０１０６】
【化３０】
2007169523.tif 000035
【０１０７】
一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ25−
を表し、Ｒ25は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどを挙げることができる。
また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。
【０１０８】
Ｒ25は水素原子または、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ25で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどを挙げることができる。Ｒ25で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ11〜Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１０９】
Ｙ21、Ｙ22はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが例示できる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが例示できる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが例示できる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメ��ルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが例示できる。Ｙ21、Ｙ22は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ21、Ｙ22はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ11〜Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１１０】
以下に一般式（２）または（３）で表される化合物の例（Ｃ−２０１〜Ｃ−２３１）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、括弧内に記載のｌｏｇＰの値は、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））により求めたものである。
【０１１１】
【化３１】
2007169523.tif 000036
【０１１２】
【化３２】
2007169523.tif 000037
【０１１３】
一般式（４）〜（１２）の化合物について説明する。
【０１１４】
【化３３】
2007169523.tif 000038
【０１１５】
一般式（４）〜（１２）において、Ｙ31〜Ｙ70はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、カルバモイル基またはヒドロキシ基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニルなど、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル
、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが挙げられる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが挙げられる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが挙げられる。Ｙ31〜Ｙ70はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ11〜Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１１６】
Ｖ31〜Ｖ43はそれぞれ独立に水素原子または、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２である脂肪族基を表す。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。Ｖ31〜Ｖ43はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ11〜Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１１７】
Ｌ31〜Ｌ80はそれぞれ独立に、原子数０〜４０かつ、炭素数０〜２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ31〜Ｌ80の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｌ31〜Ｌ80の好ましい例としては、アルキレン基（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、メチルエチレン、エチルエチレンなど）、環式の２価の基（例えば、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロペンチリデンなど）、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、スルホン、スルホキシド、スルフィド、スルホンアミド、ウレイレン、チオウレイレンなどを挙げることができる。これらの２価の基は互いに結合して二価の複合基を形成してもよく、複合置換基の例としては、−(ＣＨ2)2Ｏ(ＣＨ2)2−、−(ＣＨ2)2Ｏ(ＣＨ2)2Ｏ(ＣＨ2)−、−(ＣＨ2)2Ｓ(ＣＨ2)2−、−(ＣＨ2)2Ｏ2Ｃ(ＣＨ2)2−などを挙げることができる。Ｌ31〜Ｌ80は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ11〜Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１１８】
一般式（４）〜（１２）においてＹ31〜Ｙ70、Ｖ31〜Ｖ43およびＬ31〜Ｌ80の組み合わせにより形成される化合物の好ましい例としては、クエン酸エステル（例えば、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリ（エチルオキシカルボニルメチレン）エステルなど）、オレイン酸エステル（例えば、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチルなど）、リシノール酸エステル（例えばリシノール酸メチルアセチルなど）、セバシン酸エステル（例えばセバシン酸ジブチルなど）、グリセリンのカルボン酸エステル（例えば、トリアセチン、トリブチリンなど）、グリコール酸エステル（例えば、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなど）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレートなど）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテートなど）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル類（トリメチロールプロパントリアセテート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート）など）、特開平１１−２４６７０４号公報に記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号公報に記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号公報に記載のクエン酸エステル類、ピロリドンカルボン酸エステル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチルなど）、キシリトールカルボン酸エステル（キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネートなど）などが挙げられる。
【０１１９】
以下に一般式（４）〜（１２）で表される化合物の例（Ｃ−４０１〜Ｃ−４４８）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、括弧内に記載のｌｏｇＰの値は、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））により求めたものである。
【０１２０】
【化３４】
2007169523.tif 000039
【０１２１】
【化３５】
2007169523.tif 000040
【０１２２】
【化３６】
2007169523.tif 000041
【０１２３】
一般式（１３）および（１４）の化合物について説明する。
【０１２４】
【化３７】
2007169523.tif 000042
【０１２５】
【化３８】
2007169523.tif 000043
【０１２６】
上記一般式（１３）において、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の炭素原子数の総和が１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。また、一般式（１４）中、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ4およびＲ5の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。
置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ｔ−アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、ｔ−オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６〜３０のものが好ましく、６〜２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。
一般式（１３）または一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【化３９】
2007169523.tif 000044
【０１２７】
【化４０】
2007169523.tif 000045
【０１２８】
【化４１】
2007169523.tif 000046
【０１２９】
【化４２】
2007169523.tif 000047
【０１３０】
【化４３】
2007169523.tif 000048
【０１３１】
一般式（１５）で表される化合物について説明する。
一般式（１５）
【０１３２】
【化４４】
2007169523.tif 000049
【０１３３】
上記一般式（１５）において、Ｒ1は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、Ｒ2は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられる（以下、特に述べない限り同じ。）。Ｌ1は２〜６価の連結基を表す。Ｌ1の価数として好ましくは２〜４、より好ましくは２または３である。ｎはＬ1の価数に応じた２〜６の整数を表し、２〜４がより好ましく、２または３が特に好ましい。
１つの化合物の中に含まれる２つ以上のＲ1およびＲ2は、それぞれ、同一であってもよ
いし、異なっていてもよい。好ましくは同一である。
【０１３４】
上記一般式（１５）としては、好ましくは下記一般式（１５ａ）で表される化合物である。
一般式（１５ａ）
【０１３５】
【化４５】
2007169523.tif 000050
【０１３６】
上記一般式（１５ａ）において、Ｒ4は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｒ4として好ましくは置換若しくは無置換の芳香族基であり、さらに好ましくは無置換の芳香族基である。Ｒ5は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｒ5として好ましくは水素原子または置換若しくは無置換の脂肪族基であり、さらに好ましくは水素原子である。Ｌ2は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＲ3−（Ｒ3は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。）、アルキレン基およびアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。連結基の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ3−およびアルキレン基から選ばれるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが特に好ましい。また、連結基は、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれる２以上をからなる連結基が好ましい。
【０１３７】
置換若しくは無置換の脂肪族基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のものが特に好ましい。脂肪族基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、イソアミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ビシクロオクチル基、アダマンチル基、ｎ−デシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、ジデシル基などが挙げられる。
【０１３８】
芳香族基は芳香族炭化水素基でも芳香族ヘテロ環基でもよく、より好ましくは芳香族炭化水素基である。芳香族炭化水素基としては、炭素原子数が６〜２４のものが好ましく、６〜１２のものがさらに好ましい。芳香族炭化水素基の具体例な環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ビフェニル、ターフェニルなどが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニルが特に好ましい。芳香族ヘテロ環基としては、酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含むものが好ましい。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環基としては、ピリジン、トリアジン、キノリンが特に好ましい。
【０１３９】
また、前述の置換基Ｔは下記の一般式（２１）で説明するものと同義である。
【０１４０】
また、上記一般式（１５）で表される化合物としては、下記一般式（１５ｃ）で表される化合物をより好ましく挙げることができる。
一般式（１５ｃ）
【０１４１】
【化４６】
2007169523.tif 000051
【０１４２】
上記一般式（１５ｃ）において、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24およびＲ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24およびＲ25としては、好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数１〜３０、より好ましくは１〜１２のものであり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、具体的には例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、アリールオキシカルボニルアミノ基である。これらの置換基はさらに置換されてもよく、置換基が２つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ11とＲ21、Ｒ12とＲ22、Ｒ13とＲ23、Ｒ14とＲ24およびＲ15とＲ25はそれぞれ同一であることが好ましい。さらに、Ｒ11〜Ｒ25はいずれも水素原子である場合がより好ましい。
【０１４３】
Ｌ3は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＲ3−（Ｒ3は水素原子、脂肪族基または芳香族基を表す。）、アルキレン基、アリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。連結基の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ3−、およびアルキレン基から選ばれるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが特に好ましい。
また、連結基は、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれる２以上からなる連結基がさらに好ましい。
一般式（１５）、とくに一般式（１５ａ）、一般式（１５ｃ）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１４４】
【化４７】
2007169523.tif 000052
【０１４５】
【化４８】
2007169523.tif 000053
【０１４６】
【化４９】
2007169523.tif 000054
【０１４７】
本発明に用いられる化合物はいずれも既知の化合物より製造することができる。一般式（１５）特に一般式（１５ａ）、（１５ｃ）で表される化合物は、一般的には、スルホニルクロリドと多官能アミンとの縮合反応により得られる。
【０１４８】
一般式（１６）の化合物について説明する。
一般式（１６）
【０１４９】
【化５０】
2007169523.tif 000055
【０１５０】
上記一般式（１６）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１〜５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、アミル、イソアミル）であることが好ましく、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも１つ以上が炭素原子数１〜３のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル）であることが特に好ましい。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン、エチレン、プロピレン）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン）から選ばれる１つ以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ドデシル、シクロヘキシル、ジシクロヘキシル、アダマンチル）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル、クレジル、ｔ−ブチルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０〜４０であることが好ましく、１〜３０であることがさらに好ましく、１〜２５であることが最も好ましい。
これら一般式（１６）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１５１】
【化５１】
2007169523.tif 000056
【０１５２】
【化５２】
2007169523.tif 000057
【０１５３】
一般式（１７）の化合物について説明する。
一般式（１７）
【０１５４】
【化５３】
2007169523.tif 000058
【０１５５】
上記一般式（１７）において、Ｑ1、Ｑ2およびＱ3はそれぞれ独立に５または６員環を表し、炭化水素環でもへテロ環でもよく、また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。炭化水素環として好ましくは、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環、芳香族炭化水素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。へテロ環として好ましくは５または６員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む環である。へテロ環としてより好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。
Ｑ1、Ｑ2およびＱ3として好ましくは芳香族炭化水素環または芳香族へテロ環である。芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
【０１５６】
芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Ｑ1、Ｑ2およびＱ3としてより好ましくは好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。またＱ1、Ｑ2およびＱ3は置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられる。
【０１５７】
ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表し、Ｘとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎであり、Ｘとしてより好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。
一般式（１７）で表される化合物としては、好ましくは下記一般式（１８）で表される化合物が挙げられる。
一般式（１８）
【０１５８】
【化５４】
2007169523.tif 000059
【０１５９】
（一般式（１８）中、Ｘ2はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34およびＲ35はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０１６０】
Ｘ2はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表しＸ2として好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎ、Ｐ＝Ｏであり、更に好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。
【０１６１】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34およびＲ35はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34およびＲ35として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ
基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基である。
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１６２】
以下に前述の置換基Ｔについて説明する。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１６３】
以下に一般式（１７）または（１８）で表される化合物の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されるものではない。
【０１６４】
【化５５】
2007169523.tif 000060
【０１６５】
【化５６】
2007169523.tif 000061
【０１６６】
【化５７】
2007169523.tif 000062
【０１６７】
【化５８】
2007169523.tif 000063
【０１６８】
【化５９】
2007169523.tif 000064
【０１６９】
【化６０】
2007169523.tif 000065
【０１７０】
【化６１】
2007169523.tif 000066
【０１７１】
一般式（１９）の化合物について説明する。
一般式（１９）
【０１７２】
【化６２】
2007169523.tif 000067
【０１７３】
一般式（１９）中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。
【０１７４】
一般式（１９）として好ましくは下記一般式（２０）で表される化合物である。
一般式（２０）
【化６３】
2007169523.tif 000068
【０１７５】
上記一般式（２０）において、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数が１〜２０のものが好ましく、１〜１５のものがさらに好ましく、１〜１２のものが最も好ましい。環状のアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。アリール基は炭素原子数が６〜３６のものが好ましく、６〜２４のものがより好ましい。
【０１７６】
上記のアルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基およびアシルアミノ基が好ましく、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基である。
【０１７７】
以下に、一般式（１９）または一般式（２０）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１７８】
【化６４】
2007169523.tif 000069
【０１７９】
【化６５】
2007169523.tif 000070
【０１８０】
【化６６】
2007169523.tif 000071
【０１８１】
【化６７】
2007169523.tif 000072
【０１８２】
次に、下記一般式（２１）で表される化合物について、説明する。
一般式（２１）
【０１８３】
【化６８】
2007169523.tif 000073
【０１８４】
一般式（２１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は、それぞれ、単結合、−ＣＯ−および−ＮＲ5−（Ｒ5は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０以上の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは２以上である。Ｑ1は（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）価の有機基を表す。
【０１８５】
前記（２１）で表される化合物は、更に下記一般式（２１ａ）〜（２１ｄ）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（２１ａ）
【０１８６】
【化６９】
2007169523.tif 000074
【０１８７】
一般式（２１ａ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、それぞれ、水素原子、置換若し
くは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｘ11、Ｘ12、Ｘ13およびＸ14は、それぞれ、単結合、−ＣＯ−および−ＮＲ5−（Ｒ5は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。ｋ、ｌ、ｍおよびｎは０または１であり、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎは２、３または４である。Ｑ2は２〜４価の有機基を表す。
【０１８８】
一般式（２１ｂ）
【０１８９】
【化７０】
2007169523.tif 000075
【０１９０】
一般式（２１ｂ）中、Ｒ21およびＲ22は、それぞれ、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｙ1およびＹ2は、それぞれ、−ＣＯＮＲ23−または−ＮＲ24ＣＯ−を表す（Ｒ23およびＲ24は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）。Ｌ1は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＮＲ25−（Ｒ25は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。）、アルキレン基およびアリーレン基からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の有機基を表す。
【０１９１】
一般式（２１ｃ）
【０１９２】
【化７１】
2007169523.tif 000076
【０１９３】
一般式（２１ｃ）中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33およびＲ34はそれぞれ置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｌ2は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＮＲ35−（Ｒ35は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。）、アルキレン基およびアリーレン基からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の有機基を表す。
【０１９４】
一般式（２１ｄ）
【０１９５】
【化７２】
2007169523.tif 000077
【０１９６】
一般式（２１ｄ）中、Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53およびＲ54はそれぞれ置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｌ4は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＮＲ55−（Ｒ55は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。）、アルキレン基およびアリーレン基からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の有機基を表す。
【０１９７】
以下、一般式（２１）で表される化合物についてさらに説明する。
上記一般式（２１）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は、それぞれ、単結合、−ＣＯ−、−ＮＲ5−（Ｒ5は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4の組み合わせは特に限定されないが、−ＣＯ−、−ＮＲ5−から選ばれるのがより好ましい。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０以上の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは２以上である。ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは、２〜８であることが好ましく、より好ましくは２〜６、さらに好ましくは２〜４である。Ｑ1は（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）価の有機基（環状のものを除く）を表す。Ｑ1の価数は２〜８が好ましく、２〜６がより好ましく、２〜４が最も好ましい。
有機基とは、有機化合物からなる基をいう。
【０１９８】
上記一般式（２１ａ）において、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｘ11、Ｘ12、Ｘ13およびＸ14はそれぞれ独立に単結合、−ＣＯ−、−ＮＲ15−（Ｒ15は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。それぞれＸ11、Ｘ12、Ｘ13およびＸ14の組み合わせは特に限定されないが、−ＣＯ−、−ＮＲ15−から選ばれるのがより好ましい。ｋ、ｌ、ｍおよびｎは０または１であり、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝２、３または４である。Ｑ1は２〜４価の有機基（環状のものを除く）を表す。Ｑ1の価数は２または３が好ましい。
【０１９９】
上記一般式（２１ｂ）において、Ｒ21およびＲ22は、それぞれ、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｙ1およびＹ2はそれぞれ独立に−ＣＯＮＲ23−または−ＮＲ24ＣＯ−を表し、Ｒ23およびＲ24は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。Ｌ1は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＮＲ25−、アルキレン基およびアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の有機基（環状のものを除く）を表す。Ｌ1の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ25−、およびアルキレン基から選ばれるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのがさらに好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが最も好ましい。
【０２００】
上記一般式（２１ｃ）において、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33およびＲ34はそれぞれ置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｌ2は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＮＲ35−（Ｒ35は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）、アルキレン基、アリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｌ2の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ35−、およびアルキレン基から選ばれるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのがさらに好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが最も好ましい。
【０２０１】
上記一般式（２１ｄ）において、Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53およびＲ54はそれぞれ置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｌ4は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＮＲ55−（Ｒ55は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）、アルキレン基、アリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｌ4の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ55−、およびアルキレン基から選ばれるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのがさらに好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが最も好ましい。
【０２０２】
以下に一般式（２１）及び一般式（２１ａ）〜（２１ｄ）の置換基として述べた置換若しくは無置換の脂肪族基について説明する。脂肪族基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のものが特に好ましい。脂肪族基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、イソアミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基ビシクロオクチル基、アダマンチル基、ｎ−デシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、ジデシル基などが挙げられる。
【０２０３】
以下に一般式（２１）及び一般式（２１ａ）〜（２１ｄ）の置換基として述べた芳香族基について説明する。芳香族基は芳香族炭化水素基でも芳香族ヘテロ環基でもよく、より好ましくは芳香族炭化水素基である。芳香族炭化水素基としては、炭素原子数が６〜２４のものが好ましく、６〜１２のものがさらに好ましい。芳香族炭化水素基の具体例な環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ビフェニル、ターフェニルなどの各環基が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニルの各基が特に好ましい。芳香族ヘテロ環基としては、酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含むものが好ましい。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどの各環が挙げられる。芳香族ヘテロ環基としては、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環が特に好ましい。
【０２０４】
また、以下に上記各一般式に係る前述の置換基Ｔに関して詳細に説明する。
置換基Ｔとしては、例えばアルキル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８のものであり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは０〜１０、特に好ましくは０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、
【０２０５】
アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる
。）、アシル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）。
【０２０６】
アシルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは０〜１６、特に好ましくは０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）。
【０２０７】
アルキルチオ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素原子数３〜４０、より好ましくは３〜３０、特に好ましくは３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０２０８】
一般式（２１）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０２０９】
【化７３】
2007169523.tif 000078
【０２１０】
【化７４】
2007169523.tif 000079
【０２１１】
【化７５】
2007169523.tif 000080
【０２１２】
【化７６】
2007169523.tif 000081
【０２１３】
本発明に用いられる化合物はいずれも既知の化合物より製造することができる。一般式（２１）または（２１ａ）〜（２１ｄ）のいずれかで表される化合物は、例えば、カルボニルクロリドとアミンとの縮合反応により得られる。
【０２１４】
（ｌｏｇＰ値）
本発明のセルロース誘導体フィルムを作製するにあたっては、上述のように分極率異方性の高い置換基とレターデーション調節剤の相溶性が高くなることで、フィルム中のセルロース誘導体上の置換基が膜厚方向へ配向する割合をより高める目的で、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０〜１０である化合物をレターデーション調節剤として使用することが好ましい。ｌｏｇＰ値が１０以下であることにより、セルロース誘導体上の置換基との相溶性が良好であり、Ｒｔｈを充分に低減させる効果を有し、またフィルムの白濁や粉吹きを生じるといった問題が起こらず、好ましい。また、ｌｏｇＰ値が０以上であることにより、親水性が高くなり過ぎず、セルロース誘導体フィルムの耐水性を悪化させるという問題が生じず、好ましい。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１〜６であり、特に好ましい範囲は１．５〜５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））、Ｖｉｓｗａｎａｄｈａｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２９，１６３（１９８９））、Ｂｒｏｔｏ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．−Ｃｈｉｍ．Ｔｈｅｏｒ．，１９，７１（１９８４））などが好ましく用いられるが、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓ  ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法により判断することが好ましい。
【０２１５】
［レターデーション調節剤の物性］
レターデーション調節剤は、前述のとおり、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。またレターデーション調節剤は、分子量が３０００以下であることが好ましく、分子量が１５０以上３０００以下であることがより好ましく、１７０以上２０００以下であることがさらに好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
レターデーション調節剤は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。またレターデーション調節剤は、セルロース誘導体フィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
レターデーション調節剤の添加量は、セルロース誘導体の０．０１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがより好ましく、３〜２０質量％であることが特に好ましい。
レターデーション調節剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
レターデーション調節剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【０２１６】
［その他のレターデーション調節剤］
多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体をセルロース誘導体に添加することによっても、光学異方性を低下させることができる。すなわち、これらの化合物も、セルロース誘導体フィルムの光学異方性を低下させる化合物であり、本発明においては、これらの化合物を上記レターデーション調節剤として使用することもできる。これらの化合物は、前記一般式（１）〜（２１）で表される化合物と同様に、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜１０であることが好ましい。
【０２１７】
オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜１０である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の具体例を以下に示す。
【０２１８】
（多価アルコールエステル化合物）
本発明に好適に用いられる多価アルコールエステルは、２価以上の多価アルコールと１種以上のモノカルボン酸とのエステルである。多価アルコールエステル化合物としては以下のものが例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２１９】
（多価アルコール）
好ましい多価アルコールの例としては、例えばアドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。
【０２２０】
（モノカルボン酸）
好ましいモノカルボン酸としては、特に制限はなく公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることができる。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いるとよりセルロース誘導体フィルムの透湿度、含水率、保留性を向上させる点で好ましい。
【０２２１】
好ましいモノカルボン酸の例としては、以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０２２２】
脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸を好ましく用いることができる。炭素数は１〜２０であることが更に好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。酢酸を含有するとセルロースエステルとの相溶性が増すため好ましく、酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。
【０２２３】
好ましい脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。これらは更に置換基を有しても良い。
【０２２４】
好ましい脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。
【０２２５】
好ましい芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。特に安息香酸が好ましい。
【０２２６】
本発明の多価アルコールエステルにおけるカルボン酸は一種類でも、二種以上の混合でもよい。また、多価アルコール中のＯＨ基は全てエステル化してもよいし、一部をＯＨ基のままで残してもよい。好ましくは、分子内に芳香環もしくはシクロアルキル環を３つ以上有することが好ましい。
【０２２７】
多価アルコールエステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２２８】
【化７７】
2007169523.tif 000082
【０２２９】
【化７８】
2007169523.tif 000083
【０２３０】
(カルボン酸エステル化合物)
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。具体的には、フタル酸エステル及びクエン酸エステル等、フタル酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート及びジエチルヘキシルフタレート等、またクエン酸エステルとしてはクエン酸アセチルトリエチル及びクエン酸アセチルトリブチルを挙げることが出来る。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバチン酸ジブチル、トリアセチン、トリメチロールプロパントリベンゾエート等も挙げられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートもこの目的で好ましく用いられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートのアルキルは炭素原子数１〜８のアルキル基である。アルキルフタリルアルキルグリコレートとしてはメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、プロピルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等を挙げることが出来、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートが好ましく、特にエチルフタリルエチルグリコレートが好ましく用いられる。またこれらアルキルフタリルアルキルグリコレート等を２種以上混合して使用してもよい。
【０２３１】
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２３２】
【化７９】
2007169523.tif 000084
【０２３３】
【化８０】
2007169523.tif 000085
【０２３４】
（多環カルボン酸化合物）
本発明において用いる多環カルボン酸化合物は分子量が３０００以下の化合物であることが好ましく、特に２５０〜２０００以下の化合物であることが好ましい。環状構造に関して、環の大きさについて特に制限はないが、３〜８個の原子から構成されていることが好ましく、特に６員環及び／又は５員環であることが好ましい。これらが炭素、酸素、窒素、珪素あるいは他の原子を含んでいてもよく、環の結合の一部が不飽和結合であってもよく、例えば６員環がベンゼン環、シクロヘキサン環でもよい。本発明の化合物は、このような環状構造が複数含まれているものであり、例えば、ベンゼン環とシクロヘキサン環をどちらも分子内に有していたり、２個のシクロヘキサン環を有していたり、ナフタレンの誘導体あるいはアントラセン等の誘導体であってもよい。より好ましくはこのような環状構造を分子内に３個以上含んでいる化合物であることが好ましい。また、少なくとも環状構造の１つの結合が不飽和結合を含まないものであることが好ましい。具体的には、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、パラストリン酸などのアビエチン酸誘導体が代表的であり、以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。
【０２３５】
【化８１】
2007169523.tif 000086
【０２３６】
Ｋ−５において、Ｒは、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。また、ｎは１以上の整数であれば良く、１≦ｎ≦２０であることが好ましく、１≦ｎ≦１０であることがより好ましい。
【０２３７】
（ビスフェノール誘導体）
本発明において用いるビスフェノール誘導体は分子量が１００００以下であることが好ましく、この範囲であれば単量体でも良いし、オリゴマー、ポリマーでも良い。また他のポリマーとの共重合体でも良いし、末端に反応性置換基が修飾されていても良い。以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。
【０２３８】
【化８２】
2007169523.tif 000087
【０２３９】
なお、ビスフェノール誘導体の上記具体例中で、Ｒ１〜Ｒ４は水素原子、または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。ｌ、ｍ、ｎは繰り返し単位を表し、特に限定はしないが、１〜１００の整数が好ましく、１〜２０の整数がさらに好ましい。
上記ＬｏｇＰ値が０〜１０である多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の配合量は、上記セルロース誘導体１００質量部に対して０．１〜３０質量部とするのが好ましく、１〜２０質量部とするのが更に好ましい。
【０２４０】
［他の添加剤］
本発明のセルロース誘導体フィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、マット剤微粒子、光学特性調整剤など）を加えて製造することができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
【０２４１】
（波長分散調節剤）
本発明のセルロース誘導体フィルムには、２５０ｎｍ〜４００ｎｍに分光吸収の極大を有する化合物を波長分散調節剤として使用することができる。
上記波長分散調節剤のλｍａｘは２７０ｎｍ以上３６０ｎｍがさらに好ましい。
また、４００ｎｍにおける吸光度は０．２０以下が好ましく、０．１０以下がさらに好ましい。
上記吸収特性を有する波長分散調節剤を使用することにより、全可視域に渡って光学的等方性が高く、かつ着色のないフィルムが得られる。
上記波長分散剤は紫外線吸収剤としての機能を兼ねてもよい。
上記波長分散調節剤としては、下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩＩ）で表される化合物を用いることが特に好ましい。
一般式（ＩＩＩ）
【０２４２】
【化８３】
2007169523.tif 000088
【０２４３】
式中、Ｑ1およびＱ2はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘは置換基を表し、Ｙは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。ＸＹは水素原子であっても良い。
一般式（ＩＶ）
【０２４４】
【化８４】
2007169523.tif 000089
【０２４５】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5はそれぞれ独立に一価の有機基であり、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも１つは総炭素数１０〜２０の無置換の分岐または直鎖のアルキル基である。
一般式（Ｖ）
【０２４６】
【化８５】
2007169523.tif 000090
【０２４７】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5はそれぞれ独立に一価の有機基であり、Ｒ6は分岐のアルキル基である。
【０２４８】
また、特開２００３−３１５５４９号公報に記載されているように、一般式（VI）で示される化合物も好ましく使用することができる。
一般式（ＶＩ）
【０２４９】
【化８６】
2007169523.tif 000091
【０２５０】
式中、Ｒ0およびＲ1はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数
７〜９のフェニルアルキル基、無置換または炭素数１〜４のアルキル基置換のフェニル基、置換または無置換のオキシカルボニル基、もしくは置換または無置換のアミノカルボニル基を表す。Ｒ2〜Ｒ5およびＲ19〜Ｒ23はそれぞれ独立に水素原子、もしくは炭素数２〜２０の置換または無置換のアルキル基を表す。
【０２５１】
さらには、例えばオキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などを上記波長分散調節剤として用いることもできる。
【０２５２】
一般式（III）で示される化合物としては、例えば、ベンゾフェノン系化合物が挙げられる。
【０２５３】
また、ベンゾトリアゾール系化合物の具体例を下記に列記するが、本発明で用いることができるベンゾトリアゾール系化合物はこれらに限定されない。
２−（２'−ヒドロキシ−５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２'−ヒドロキシ−３'−ｔｅｒｔ−ブチル−５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２'−ヒドロキシ−３'−（３''，４''，５''，６''−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２'−ヒドロキシ−３'−ｔｅｒｔ−ブチル−５'−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２'−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）、（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、（２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，６−ヘキサンジオール−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２，２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイトなどが挙げられる。特に（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、（２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕が好ましい。また例えば、Ｎ，Ｎ'−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジンなどのヒドラジン系の金属不活性剤やトリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フォスファイトなどの燐系加工安定剤を併用してもよい。これらの化合物の添加量は、セルロース誘導体に対して質量割合で１ｐｐｍ〜１．０％が好ましく、１０〜１０００ｐｐｍが更に好ましい。
【０２５４】
一般式（VII）  Ｑ1−Ｑ2−ＯＨ
【０２５５】
式中、Ｑ1は１，３，５−トリアジン環、Ｑ2は芳香族環を表す。
【０２５６】
一般式（VII）で表される波長分散調節剤のさらに好ましい例は下記一般式（VII−Ａ）で表される化合物である。
一般式（VII−Ａ）
【０２５７】
【化８７】
2007169523.tif 000092
【０２５８】
（VII−Ａ）式中さらに好ましくは、Ｒ1 は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；炭素原子数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；フェニル基、ＯＨ、炭素原子数１〜１８のアルコキシ基、炭素原子数５〜１２のシクロアルコキシ基、炭素原子数３〜１８のアルケニルオキシ基、ハロゲン原子、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ4 、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ5 、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ6 、−ＣＯ−ＮＨ2 、−ＣＯ−ＮＨＲ7 、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ7 ）（Ｒ8 ）、ＣＮ、ＮＨ2 、ＮＨＲ7 、−Ｎ（Ｒ7 ）（Ｒ8 ）、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ5 、フェノキシ基、炭素原子数１〜１８のアルキル基で置換されたフェノキシ基、フェニル−炭素原子数１〜４のアルコキシ基、炭素原子数６〜１５のビシクロアルコキシ基、炭素原子数６〜１５のビシクロアルキルアルコキシ基、炭素原子数６〜１５のビシクロアルケニルアルコキシ基、または炭素原子数６〜１５のトリシクロアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１８のアルキル基；ＯＨ、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基または−Ｏ−ＣＯ−Ｒ5 で置換された炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；グリシジル基；−ＣＯ−Ｒ9 または−ＳＯ2 −Ｒ10を表すか；あるいはＲ1 は１以上の酸素原子で中断されたおよび／またはＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素原子数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換された炭素原子数３〜５０のアルキル基を表すか；あるいはＲ1は−Ａ；−ＣＨ2−ＣＨ（ＸＡ）−ＣＨ2−Ｏ−Ｒ12；−ＣＲ13Ｒ'13−（ＣＨ2）m−Ｘ−Ａ；−ＣＨ2−ＣＨ（ＯＡ）−Ｒ14；−ＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−ＸＡ；
【０２５９】
【化８８】
2007169523.tif 000093
【０２６０】
−ＣＲ15Ｒ'15−Ｃ（＝ＣＨ2）−Ｒ"15；−ＣＲ13Ｒ'13−（ＣＨ2）m−ＣＯ−Ｘ−Ａ；−ＣＲ13Ｒ'13−（ＣＨ2）m−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ15Ｒ'15−Ｃ（＝ＣＨ2）−Ｒ"15または−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ15Ｒ'15−Ｃ（＝ＣＨ2）−Ｒ"15（式中、Ａは−ＣＯ−ＣＲ16＝ＣＨ−Ｒ17を表す。）で表される定義の一つを表し；基Ｒ2は、互いに独立して、炭素原子数６〜１８のアルキル基；炭素原子数２〜６のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；ＣＯＯＲ4；ＣＮ；−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ5；ハロゲン原子；トリフルオロメチル基；−Ｏ−Ｒ3を表し；Ｒ3はＲ1に対して与えられた定義を表し；Ｒ4は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基を表すか；あるいはＲ4は１以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ7−、−Ｓ−で中断されたおよびＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素原子数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換されていてもよい、炭素原子数３〜５０のアルキル基を表し；Ｒ5はＨ；炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数２〜１８のアルケニル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；フェニル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素原子数６〜１５のビシクロアルキル基
；炭素原子数６〜１５のビシクロアルケニル基；炭素原子数６〜１５のトリシクロアルキル基を表し；Ｒ6はＨ；炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基を表し；Ｒ7およびＲ8は互いに独立して炭素原子数１〜１２のアルキル基；炭素原子数３〜１２のアルコキシアルキル基；炭素原子数４〜１６のジアルキルアミノアルキル基を表すか；または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基を表し；あるいはＲ7およびＲ8は一緒になって炭素原子数３〜９のアルキレン基、炭素原子数３〜９のオキサアルキレン基または炭素原子数３〜９のアザアルキレン基を表し；Ｒ9は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数２〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素原子数６〜１５のビシクロアルキル基；炭素原子数６〜１５のビシクロアルキルアルキル基、炭素原子数６〜１５のビシクロアルケニル基；または炭素原子数６〜１５のトリシクロアルキル基を表し；Ｒ10は炭素原子数１〜１２のアルキル基；フェニル基；ナフチル基；または炭素原子数７〜１４のアルキルフェニル基を表し；基Ｒ11は互いに独立してＨ；炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜６のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；ハロゲン原子；炭素原子数１〜１８のアルコキシ基を表し；Ｒ12は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数３〜８のアルケノキシ基、ハロゲン原子またはトリフルオロメチル基で１〜３回置換されたフェニル基を表すか；または炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；炭素原子数６〜１５のトリシクロアルキル基；炭素原子数６〜１５のビシクロアルキル基；炭素原子数６〜１５のビシクロアルキルアルキル基；炭素原子数６〜１５のビシクロアルケニルアルキル基；−ＣＯ−Ｒ5を表し；またはＲ12は１以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ7−、−Ｓ−で中断されたおよびＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素原子数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換されていてもよい、炭素原子数３〜５０のアルキル基を表し；Ｒ13およびＲ'13は互いに独立してＨ；炭素原子数１〜１８のアルキル基；フェニル基を表し；Ｒ14は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜１２のアルコキシアルキル基；フェニル基；フェニル−炭素原子数１〜４のアルキル基を表し；Ｒ15、Ｒ'15およびＲ"15は互いに独立してＨまたはＣＨ3を表し；Ｒ16はＨ；−ＣＨ2−ＣＯＯ−Ｒ4；炭素原子数１〜４のアルキル基；またはＣＮを表し；Ｒ17はＨ；−ＣＯＯＲ4；炭素原子数１〜１７のアルキル基；またはフェニル基を表し；Ｘは−ＮＨ−；−ＮＲ7−；−Ｏ−；−ＮＨ−（ＣＨ2）p−ＮＨ−；または−Ｏ−（ＣＨ2）q−ＮＨ−を表し；および指数ｍは数０−１９を表し；ｎは数１−８を表し；ｐは数０〜４を表し；ｑは数２〜４を表す；但し一般式（VII−Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ11の少なくとも１つが２個以上の炭素原子を含む、である。
【０２６１】
さらに一般式（VII−Ａ）で表される化合物を説明する。
アルキル基としての基Ｒ1〜Ｒ10、Ｒ12〜Ｒ14、Ｒ16およびＲ17は、枝分かれもしくは枝分かれされたアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、第二ブチル基、イソブチル基、第三ブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、１−メチルペンチル基、１，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、１，１，３−トリメチルヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、１−メチルウンデシル基、ドデシル基、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基またはオクタデシル基である。
【０２６２】
炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基としてのＲ1、Ｒ3〜Ｒ9およびＲ12は例えばシ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基である。好ましいのもはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基およびシクロドデシル基である。
【０２６３】
アルケニル基としてのＲ6、Ｒ9、Ｒ11およびＲ12は特にアリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、イソブテニル基、ｎ−ペンタ−２，４−ジエチル基、３−メチル−ブテ−２−エニル基、ｎ−オクテ−２−エニル基、ｎ−ドデセ−２−エニル基、イソ−ドデセニル基、ｎ−ドデセ−２−エニル基およびｎ−オクタデセ−４−エニル基が含まれる。
【０２６４】
置換されたアルキル基、シクロアルキル基またはフェニル基の置換基の数は１または２以上であり、結合している炭素原子において（α−位において）または他の炭素原子において置換基をもつことができ；置換基がヘテロ原子によって（例えばアルコキシ基）結合する場合、その置換基の結合位置は好ましくはα−位以外であり、また、置換されたアルキル基の炭素数は好ましくは２以上、より好ましくは３以上である。２以上の置換基は好ましくは異なる炭素原子と結合する。
【０２６５】
−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ7−、−Ｓ−により中断されたアルキル基はこれらの基の１以上で中断されていてもよく、それぞれの場合一般に一つの結合中に１つの基が挿入されており、およびヘテロ−ヘテロ結合、例えばＯ−Ｏ、Ｓ−Ｓ、ＮＨ−ＮＨ等は生じず；中断されたアルキル基がさらに置換されている場合、置換基は一般にヘテロ原子に対してα位にない。１つの基の中で２以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ7−、−Ｓ−のタイプの中断する基が生じる場合、それらは一般に同一である。
【０２６６】
アリール基は、一般に芳香族炭化水素基であり、例えばフェニル基、ビフェニルイル基またはナフチル基であり、好ましくはフェニル基およびビフェニルイル基である。アルアルキルは一般にアリール基、特にフェニル基により置換されたアルキル基であり；従って炭素原子数７〜２０のアルアルキルは、例えばベンジル基、α−メチルベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェニルペンチル基およびフェニルヘキシル基を含み；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基は好ましくはベンジル基、α−メチルベンジル基およびα，α−ジメチルベンジル基である。
【０２６７】
アルキルフェニル基およびアルキルフェノキシ基はそれぞれアルキル基で置換されたフェニル基またはフェノキシ基である。
【０２６８】
ハロゲン置換基となるハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子であり、より好ましいものはフッ素原子または塩素原子であり特に塩素原子であることが好ましい。
【０２６９】
炭素原子数１〜２０のアルキレン基は例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等である。ここにアルキル鎖はまた枝分かれでき、例えばイソプロピレン基である。
【０２７０】
炭素原子数４〜１２のシクロアルケニル基は、例えば、２−シクロブテニ−２−イル基、２−シクロペンテニ−１−イル基、２，４−シクロペンタジエニ−１−イル基、２−シクロヘキセ−１−イル基、２−シクロヘプテニ−１−イル基、または２−シクロオクテニ−１−イル基である。
【０２７１】
炭素原子数６〜１５のビシクロアルキル基は、例えば、ボルニル基、ノルボルニル基、
［２．２．２］ビシクロオクチル基である。ボルニル基およびノルボルニル基、特にボルニル基およびノルボルニ−２−イル基が好ましい。
【０２７２】
炭素原子数６〜１５のビシクロアルコキシ基は、例えばボルニルオキシ基またはノルボルニ−２−イルオキシ基である。
【０２７３】
炭素原子数６〜１５のビシクロアルキル−アルキル基または−アルコキシ基は、ビシクロアルキル基で置換されたアルキル基またはアルコキシ基で、炭素原子の総数が６〜１５であるものであり；具体例はノルボルナン−２−メチル基およびノルボルニル−２−メトキシ基である。
【０２７４】
炭素原子数６〜１５のビシクロアルケニル基は、例えば、ノルボルネニル基、ノルボルナジエニル基である。好ましいものは、ノルボルネニル基、特にノルボルネ−５−エン基である。
【０２７５】
炭素原子数６〜１５のビシクロアルケニルアルコキシ基は、ビシクロアルケニル基で置換されたアルコキシ基で、炭素原子の総数が６〜１５であるものであり；例えばノルボルネ−５−エン−２−メトキシ基である。
【０２７６】
炭素原子数６〜１５のトリシクロアルキル基は、例えば、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基である。好ましいものは１−アダマンチル基である。
【０２７７】
炭素原子数６〜１５のトリシクロアルコキシ基は、例えば、アダマンチルオキシ基である。炭素原子数３〜１２のヘテロアリール基は、好ましくは、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニルまたはキノリニル基である。
【０２７８】
式（VII−Ａ）で表される化合物はさらに好ましくは、Ｒ1は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；炭素原子数３〜１２のアルケニル基；フェニル基；フェニル基、ＯＨ、炭素原子数１〜１８のアルコキシ基、炭素原子数５〜１２のシクロアルコキシ基、炭素原子数３〜１８のアルケニルオキシ基、ハロゲン原子、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ4、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ5、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ6、−ＣＯ−ＮＨ2、−ＣＯ−ＮＨＲ7、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ7）（Ｒ8）、ＣＮ、ＮＨ2、ＮＨＲ7、−Ｎ（Ｒ7）（Ｒ8）、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ5、フェノキシ基、炭素原子数１〜１８のアルキル基で置換されたフェノキシ基、フェニル−炭素原子数１〜４のアルコキシ基、ボルニルオキシ基、ノルボルニ−２−イルオキシ基、ノルボルニル−２−メトキシ基、ノルボルネ−５−エン−２−メトキシ基、アダマンチルオキシ基で置換された炭素原子数１〜１８のアルキル基；ＯＨ、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基および／または−Ｏ−ＣＯ−Ｒ5で置換された炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；グリシジル基；−ＣＯ−Ｒ9または−ＳＯ2−Ｒ10を表すか；あるいはＲ1は１以上の酸素原子で中断されたおよび／またはＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素原子数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換された炭素原子数３〜５０のアルキル基を表すか；あるいはＲ1は−Ａ；−ＣＨ2−ＣＨ（ＸＡ）−ＣＨ2−Ｏ−Ｒ12；−ＣＲ13Ｒ'13−（ＣＨ2）m−Ｘ−Ａ；−ＣＨ2−ＣＨ（ＯＡ）−Ｒ14；−ＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−ＸＡ；
【０２７９】
【化８９】
2007169523.tif 000094
【０２８０】
−ＣＲ15Ｒ'15−Ｃ（＝ＣＨ2）−Ｒ"15；−ＣＲ13Ｒ'13−（ＣＨ2）m−ＣＯ−Ｘ−Ａ；−ＣＲ13Ｒ'13−（ＣＨ2）m−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ15Ｒ'15−Ｃ（＝ＣＨ2）−Ｒ"15または−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ15Ｒ'15−Ｃ（＝ＣＨ2）−Ｒ"15（式中、Ａは−ＣＯ−ＣＲ16＝ＣＨ−Ｒ17を表す。）で表される定義の一つを表し；基Ｒ2は炭素原子数６〜１８のアルキル基；炭素原子数２〜６のアルケニル基；フェニル基；−Ｏ−Ｒ3または−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ5を表し；ならびに基Ｒ3は互いに独立してＲ1に対して与えられた定義を表し；Ｒ4は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基を表すか；あるいはＲ4は１以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ7−、−Ｓ−で中断されおよびＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素原子数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換されていてもよい、炭素原子数３〜５０のアルキル基を表し；Ｒ5はＨ；炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数２〜１８のアルケニル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；フェニル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；ノルボルニ−２−イル基；ノルボルネ−５−エニ−２−イル基；アダマンチル基を表し；Ｒ6はＨ；炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基を表し；Ｒ7およびＲ8は互いに独立して炭素原子数１〜１２のアルキル基；炭素原子数３〜１２のアルコキシアルキル基；炭素原子数４〜１６のジアルキルアミノアルキル基を表すか；または炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基を表し；あるいはＲ7およびＲ8は一緒になって炭素原子数３〜９のアルキレン基；炭素原子数３〜９のオキサアルキレン基または炭素原子数３〜９のアザアルキレン基を表し；Ｒ9は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数２〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；ノルボルニ−２−イル基；ノルボルネ−５−エニ−２−イル基；アダマンチル基を表し；Ｒ10は炭素原子数１〜１２のアルキル基；フェニル基；ナフチル基；または炭素原子数７〜１４のアルキルフェニル基を表し；基Ｒ11は互いに独立してＨ；炭素原子数１〜１８のアルキル基；または炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基を表し；Ｒ12は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数３〜８のアルケノキシ基、ハロゲン原子またはトリフルオロメチル基で１〜３回置換されたフェニル基を表すか；または炭素原子数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素原子数５〜１２のシクロアルキル基；１−アダマンチル基；２−アダマンチル基；ノルボルニル基；ノルボルナン−２−メチル−；−ＣＯ−Ｒ5を表し；またはＲ12は１以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ7−、−Ｓ−で中断されたおよびＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素原子数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換されていてもよい、炭素原子数３〜５０のアルキル基を表し；Ｒ13およびＲ'13は互いに独立してＨ；炭素原子数１〜１８のアルキル基；フェニル基を表し；Ｒ14は炭素原子数１〜１８のアルキル基；炭素原子数３〜１２のアルコキシアルキル基；フェニル基；フェニル−炭素原子数１〜４のアルキル基を表し；Ｒ15、Ｒ'15およびＲ"15は互いに独立してＨまたはＣＨ3を表し；Ｒ16はＨ；−ＣＨ2−ＣＯＯ−Ｒ4；炭素原子数１〜４のアルキル基；またはＣＮを表し；Ｒ17はＨ；−ＣＯＯＲ4；炭素原子数１〜１７のアルキル基；またはフェニル基を表し；Ｘは−ＮＨ−；−ＮＲ7−；−Ｏ−；−ＮＨ−（ＣＨ2）p−ＮＨ−；または−Ｏ−（ＣＨ2）q−ＮＨ−を表し；および指数ｍは数０−１９を表し；ｎは数１−８を表し；ｐは数０−４を表し；ｑは数２−４を表す、である。
【０２８１】
一般式（VII）および（VII−Ａ）で表される化合物は慣用の方法により、例えば欧州特許第４３４６０８号公報またはH.BrunettiおよびC.E.Luthi, Helv. Chim.Acta 55, 1566(1972) による刊行物に示される方法に従ってまたはそれと同様に、相当するフェノールへのハロトリアジンのフリーデル−クラフツ付加によって、公知の化合物と同様に得ることができる。
【０２８２】
次に、一般式（VII）および（VII−Ａ）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明で用いることができる化合物はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０２８３】
【化９０】
2007169523.tif 000095
【０２８４】
【表５】
2007169523.tif 000096
【０２８５】
【表６】
2007169523.tif 000097
【０２８６】
また、その他にも旭電化、プラスチック用添加剤概要、「アデカスタブ」のカタログにある光安定剤も使用でき、チバ・スペシャル・ケミカルズのチヌビン製品案内にある光安定剤、紫外線吸収剤も使用でき、SHIPROKASEI KAISYAのカタログにあるＳＥＥＳＯＲＢ、ＳＥＥＮＯＸ、ＳＥＥＴＥＣ（いずれも商品名）なども使用できる。城北化学工業のＵＶ吸収剤、酸化防止剤も使用することができる。共同薬品のＶＩＯＳＯＲＢ（商品名）、吉富製薬の紫外線吸収剤も使用することができる。
【０２８７】
また、さらには、特開２００１−１８７８２５号公報に記載のように、ベンゾトリアゾール系で融点が２０℃以下である紫外線吸収化合物、分子内にエステル基を有する紫外線吸収化合物を使用すること、融点が２０℃以下である紫外線吸収化合物と融点が２０℃より高い紫外線吸収化合物とを併用すること、ベンゾトリアゾール系で９．２以上の分配係数を有する紫外線吸収剤を使用することも好ましい。
なかでも特に、融点が２０℃以下である紫外線吸収化合物や、９．２以上の分配係数を有する紫外線吸収剤を使用すると、Ｒｔｈ値の波長分散低下効果が大きくなり、好ましい。分配係数は、９．３以上であることがさらに好ましい。
【０２８８】
また、本発明においては、上記波長分散調節剤として、０．１ｇ／リットルの濃度で溶媒に溶解し１ｃｍ角のセルで溶媒のみの試料を比較として分光吸収スペクトルを測定したときの透過率が５０％となる波長が、３９２〜４２０ｎｍの範囲にある分光吸収スペクトルを有する紫外線吸収剤としての機能を有するもの及び該波長が３６０〜３９０ｎｍの範囲にある分光吸収スペクトルを有する紫外線吸収剤としての機能を有するものを使用することも好ましい。
【０２８９】
本発明のセルロース誘導体フィルムにおいては、目標とする光学性能の波長分散に応じて波長分散調節剤の使用量を調整することが好ましい。求める光学性能の波長分散にもよるが、波長分散調整剤の使用量としては、セルロース誘導体１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下で使用することが好ましく、０．１質量部以上２５質量部以下であることがより好ましく、０．１質量部以上２０質量部以下であることが更に好ましい。
【０２９０】
なお、上記波長分散調節剤の添加は予めセルロース誘導体の混合溶液を作製するときに添加してもよいが、セルロース誘導体のドープを予め作製し、流延までのいずれかの時点で添加されてもよい。後者の場合、セルロース誘導体を溶剤に溶解させたドープ液と、上記波長分散調節剤と少量のセルロース誘導体とを溶解させた溶液をインライン添加、混合を行うためには、例えば、スタチックミキサー（東レエンジニアリング製）、ＳＷＪ（東レ静止型管内混合器  Hi-Mixer）等のインラインミキサー等が好ましく用いられる。後添加する上記波長分散調節剤には、同時にマット剤を混合しても良いし、そのレターデーション制御剤、可塑剤、劣化防止剤、剥離促進剤等の添加物を混合しても良い。インラインミキサーを用いる場合、高圧下で濃縮溶解することが好ましく、加圧容器の種類は特に問うところではなく、所定の圧力に耐えることができ、加圧下で加熱、撹拌ができればよい。加圧容器はそのほか圧力計、温度計などの計器類を適宜配設する。加圧は窒素ガスなどの不活性気体を圧入する方法や、加熱による溶剤の蒸気圧の上昇によって行ってもよい。加熱は外部から行うことが好ましく、例えばジャケットタイプのものは温度コントロールが容易で好ましい。溶剤を添加しての加熱温度は、使用溶剤の沸点以上で、かつ該溶剤が沸騰しない範囲の温度が好ましく例えば３０〜１５０℃の範囲に設定するのが好適である。又、圧力は設定温度で、溶剤が沸騰しないように調整される。溶解後は冷却しながら容器から取り出すか、または容器からポンプ等で抜き出して熱交換器などで冷却し、これを製膜に供する。このときの冷却温度は常温まで冷却してもよいが、沸点より５〜１０℃低い温度まで冷却し、その温度のままキャスティングを行うほうが、ドープ粘度を低減できるためより好ましい。
【０２９１】
［マット剤微粒子］
本発明のセルロース誘導体フィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。
【０２９２】
これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。
【０２９３】
二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。
【０２９４】
これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。
【０２９５】
本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロース誘導体フィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロース誘導体溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロース誘導体溶液（ドープ液）と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に
対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロース誘導体のドープ溶液中でのマット剤微粒子の添加量は１ｍ3あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。また、マット剤微粒子の配合量は、上記セルロース誘導体１００質量部に対して０．０１〜２．０質量部とするのが好ましく、０．０１〜１．０質量部とするのが更に好ましい。
【０２９６】
使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。
【０２９７】
[可塑剤、劣化防止剤、剥離剤] 
本発明のセルロース誘導体フィルムには、波長分散調整剤の他に、用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。さらにまた、赤外吸収剤としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れの時期でも良いが、ドープ作製工程の最後に添加剤を添加するのがよい。更にまた、各添加剤の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロース誘導体フィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。
【０２９８】
[セルロース誘導体溶液の有機溶媒] 
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロース誘導体フィルムを製造することが好ましく、セルロース誘導体を有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。
本発明では、セルロース誘導体溶液を後述する流延工程にて金属支持体上に流延して形成した未乾燥状態のドープ膜のゲル化を促進させ、剥離性を良化させ、また一方で作製するフィルムの弾性率を高くする目的で、セルロース誘導体を溶解する有機溶媒（溶剤）として、少なくとも２種類以上のアルコール系溶剤を含有することが好ましい。アルコール系溶剤としては、炭素数１〜８のアルコールであればいずれのアルコールを用いても良い。また、少なくとも１種類は炭素数３〜８のアルコールであることが好ましく、炭素数４〜６であることがより好ましい。また、溶剤組成中のアルコール含率は０．１〜４０％のいずれでも良く、１．０〜３０％がより好ましく、２．０〜２０％が更に好ましい。
また、本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。主溶剤としては、塩素系溶剤か、または酢酸エステルであることが好ましく、メチレンクロライド、または酢酸メチルであることがより好ましい。
【０２９９】
以上本発明のセルロース誘導体フィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載され
ているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良い。
【０３００】
その他、本発明のセルロース誘導体溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の公開特許公報に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６、特開平１２−９５８７７、特開平１０−３２４７７４、特開平８−１５２５１４、特開平１０−３３０５３８、特開平９−９５５３８、特開平９−９５５５７、特開平１０−２３５６６４、特開平１２−６３５３４、特開平１１−２１３７９、特開平１０−１８２８５３、特開平１０−２７８０５６、特開平１０−２７９７０２、特開平１０−３２３８５３、特開平１０−２３７１８６、特開平１１−６０８０７、特開平１１−１５２３４２、特開平１１−２９２９８８、特開平１１−６０７５２、特開平１１−６０７５２号の各公報などに記載されている。これらの公報によると本発明のセルロース誘導体に好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。
【０３０１】
[セルロース誘導体フィルムの製造工程] 
[溶解工程] 
本発明のセルロース誘導体溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロース誘導体溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。
【０３０２】
（ドープ溶液の透明度）
本発明のセルロース誘導体溶液のドープ透明度としては８５％以上であることがのぞましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上であることがのぞましい。本発明においてはセルロース誘導体ドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロース誘導体溶液の透明度を算出した。
【０３０３】
［流延、乾燥、巻き取り工程］
次に、本発明のセルロース誘導体溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。本発明のセルロース誘導体フィルムを製造する方法及び設備は、従来のセルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロース誘導体溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。本発明のセルロース誘導体フィルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
前記金属支持体としては、２つのドラムの間に張架したエンドレスのベルトを支持体とする方式か、もしくはドラムそのものをエンドレスの支持体とする方式が一般的であるが、生産性を向上させる観点ではドラムそのものをエンドレスの支持体として使用する方式のを用い、またドープ溶液として２種類以上のアルコール系溶剤を含有する溶剤を含むセルロース誘導体溶液を使用し、更にドラムの温度を適温とすることで、ウェブのゲル化を促進し、支持体からのウェブの剥離性を向上させ、結果的により生産性を向上させることができる。
また、作製されるセルロース誘導体フィルムの厚さは１０〜２００μｍが好ましく、２０〜１５０μｍがより好ましく、３０〜１００μｍがさらに好ましい。
【０３０４】
［高湿度処理後のフィルムの光学性能変化］
本発明のセルロース誘導体フィルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃で９０％ＲＨの環境下に２４０時間状態調節したフィルムのＲｅ（４００）、Ｒｅ（７００）、Ｒｔｈ（４００）およびＲｔｈ（７００）の変化量が０ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好まししくは０ｎｍ以上１２ｎｍ以下であり、０ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
［高温度処理後のフィルムの光学性能変化］
また、８０℃で２４０時間状態調節したフィルムのＲｅ（４００）、Ｒｅ（７００）、Ｒｔｈ（４００）およびＲｔｈ（７００）の変化量が０ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは０ｎｍ以上１２ｎｍ以下であり、０ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
［フィルム加熱処理後の化合物揮散量］
本発明のセルロース誘導体フィルムにのぞましく用いることができる、２５０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲に分光吸収スペクトルの極大値を有する化合物は、８０℃で２４０時間状態調節したフィルムからの化合物の揮散量が０％以上３０％以下であることが好ましい。より好ましくは０％以上２５％以下以下であり、０％以上２０％以下であることがさらに好ましい。
なお、フィルムからの揮散量は、８０℃で２４０時間状態調節したフィルムおよび状態調節しないのフィルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、高速液体クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフィルム中に残存した化合物量として、下記式により算出する。
揮散量（％）＝ ｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝/（未処理品中の残存化合物量）×１００
【０３０５】
［フィルムのガラス転移温度Ｔｇ］
本発明のセルロース誘導体フィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃であるのが好ましい。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度Ｔｇの測定は、本発明のセルロース誘導体フィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（例えばＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント製）で熱量測定を行い、ガラス転移温度Ｔｇを算出する。
【０３０６】
［フィルムのヘイズ］
本発明のセルロース誘導体フィルムのヘイズは０．０％〜２．０％であることが好ましい。より好まししくは０．０％〜１．５％であり、０．０％〜１．０％であることがさらに好ましい。光学フィルムとしてフィルムの透明性は重要である。ヘイズの測定は、本発明のセルロース誘導体フィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨでヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）でＪＩＳ  Ｋ−６７１４に従って測定する。
【０３０７】
［レターデーション］
本明細書において、セルロース誘導体フィルム（透明支持体）のＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値は、以下に基づき算出するものとする。Ｒｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)は各々、波長λにおける面内のリターデーションおよび厚さ方向のリターデーションを表す。Ｒｅ(λ)はＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。
【０３０８】
Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)、遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨが算出する。さらに、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨはｎｘ、ｎｙ、ｎｚ、及びＲｔｈを算出する。また、直接測定不可能な波長のレターデーションについては、Ｃａｕｔｈｙの式を用い、周辺の波長のレターデーション値よりカーブフィッティングして求めた。
本発明において、セルロース誘導体フィルムのＲｔｈ(589)は、下記数式（２）を満たすのが好ましく、であることが好ましい。さらに好ましくは、下記数式（２−１）を満たすことであり、特に好ましくは下記数式（２−２）を満たすことである。
数式（２）；−６００ｎｍ≦Ｒｔｈ(589)≦０ｎｍ
数式（２−１）；−５００ｎｍ≦Ｒｔｈ(589)≦−２０ｎｍ
数式（２−２）；−４００ｎｍ≦Ｒｔｈ(589)≦−４０ｎｍ
ここで、Ｒｔｈ(λ)は、波長λｎｍにおけるフィルムの膜厚方向のレターデーションである。
また本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、波長２５０〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物を用いることにより、フィルムが着色せず、且つフィルムのＲｅ(λ)およびＲｔｈ(λ)の波長分散を制御することができ、結果的に波長４００ｎｍと７００ｎｍでのＲｅ、Ｒｔｈの差、（Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)）および（Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)）の値を低減することができることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
【０３０９】
[フィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性] 
本発明のセルロース誘導体フィルムのＲｅおよびＲｔｈはともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、フィルムの正面レターデーションＲｅ(λ)および膜厚方向のレターデーションＲｔｈ(λ)（λは波長（ｎｍ）を示す）が、下記式（４）を満たすことが好ましい。
式（４）
（ＲｔｈA）−（ＲｔｈB）≦３０ｎｍ、かつ（ＲｅA）−（ＲｅB）≦１０ｎｍ、
（ここで、（ＲｔｈA）は２５℃および１０％ＲＨの条件下でのＲｔｈ(589)、（ＲｔｈB）は２５℃および８０％ＲＨの条件下でのＲｔｈ(589)を示す。また、（ＲｅA）は２５℃および１０％ＲＨの条件下でのＲｅ(589)、（ＲｅB）は２５℃および８０％ＲＨの条件下でのＲｅ(589)を示す。）
また、Ｒｔｈについては、より好ましくは（ＲｔｈA）−（ＲｔｈB）が０〜２５ｎｍであり、さらに好ましくは０〜２０ｎｍであり、Ｒｅについては、より好ましくは（ＲｅA）−（ＲｅB）が０〜８ｎｍであり、さらに好ましくは０〜５ｎｍである。
【０３１０】
[フィルムの平衡含水率] 
本発明のセルロース誘導体フィルムの平衡含水率は、偏光板の保護膜として用いる際、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわず、かつ偏光板の高温高
湿における耐久性を十分良好なものとするため、膜厚のいかんに関わらず、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が、３．０％以下であるのが好ましく、０．１〜３．０％であることが更に好ましい。０.１〜２．５％であることがより好ましく、０．１〜２．０％であることが特に好ましい。上記範囲に平衡含水率を制御することにより高温高湿下の偏光板の偏光性能の変化を低減することができる。
平衡含水率は、本発明のセルロース誘導体フィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを２５℃８０％ＲＨ条件下にて６時間以上静置して調湿後、水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定して得られた水分量（ｇ）を試料質量（ｇ）で除することにより求めることができる。
【０３１１】
[本発明のセルロース誘導体フィルムの評価方法]
本発明のセルロース誘導体フィルムの評価は、以下の方法で測定して実施した。
【０３１２】
（透過率）
試料２０ｍｍ×７０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで透明度測定器（ＡＫＡ光電管比色計、ＫＯＴＡＫＩ製作所）で可視光（６１５ｎｍ）の透過率を測定する。
【０３１３】
（表面エネルギー）
本発明のセルロース誘導体フィルムの表面エネルギーは以下の方法により測定できる。すなわち、試料を水平な台の上に水平にのせ、試料表面に一定量の水、およびヨウ化メチレンをのせてから一定時間後の試料表面での水、およびヨウ化メチレンの接触角を求める。測定した接触角から、Ｏｗｅｎｓの方法により表面エネルギーを求める。
【０３１４】
[セルロース誘導体フィルムのレターデーションの面内ばらつき] 
本発明のセルロース誘導体フィルムは次の式を満たすことが好ましい。
｜Ｒｅ(MAX)−Ｒｅ(MIN)｜≦3かつ｜Ｒｔｈ(MAX)−Ｒｔｈ(MIN)｜≦5 
［式中、Ｒｅ(MAX)、Ｒｔｈ(MAX)は任意に切り出した1ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ(MIN)、Ｒｔｈ(MIN)は最小値である。］
【０３１５】
［フィルムの保留性］
本発明のセルロース誘導体フィルムにおいては、フィルムに添加した各種化合物の保留性が要求される。具体的には、本発明のセルロース誘導体フィルムを８０℃で９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフィルムの質量変化が、０〜５％であることが好ましい。より好ましくは０〜３％であり、さらに好ましくは０〜２％である。
〈保留性の評価方法〉
試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間状態調節後の質量を測定したのち、８０±５℃で９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。状態調節後の試料の表面を軽く拭き、２３℃で５５％ＲＨで１日状態調節後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算する。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００
【０３１６】
［機能層］
本発明のセルロース誘導体フィルムは、その用途として光学用途と写真感光材料に適用される。特に光学用途が液晶表示装置であることが好ましく、液晶表示装置が、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光板を配置し、さらにおよび該液晶セルと該偏光板との間に少なくとも一枚の光学補償フィルム（以下、光学補償シートともいう。）を配置した構成であることが好ましい。これらの液晶表示装置としては、ＴＮ、ＩＰＳ、ＦＬＣ、ＡＦＬＣ、ＯＣＢ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＶＡおよびＨＡＮが好ましい。とくにＩＰＳおよびＶＡが好ましい。
その際に前述の光学用途に本発明のセルロース誘導体フィルムを用いるに際し、各種の
機能層を付与することが実施される。それらは、例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶層などである。本発明のセルロース誘導体フィルムを用いることができるこれらの機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止層、ハードコート層などが挙げられ、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁〜４５頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
【０３１７】
［用途（偏光板）］
本発明のセルロース誘導体フィルムの用途としては、特に偏光板用の保護フィルム用が挙げられる。
すなわち、本発明の偏光板は、偏光膜及びその両側に配置された２枚の透明保護膜（保護フィルム）を有する偏光板であり、透明保護膜の少なくとも一方が上述した本発明のセルロース誘導体フィルムまたはセルロースアシレート誘導体フィルム上に光学異方性層を設けた光学補償フィルムであることを特徴とする。
偏光板は偏光膜及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶セルへ貼合する面の反対面側に用いられる。また、セパレートフィルムは液晶セルへ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶セルへ貼合する面側に用いられる。プロテクトフィルムは、本発明のセルロース誘導体フィルムを用いてもよい。
【０３１８】
偏光膜は、Ｏｐｔｉｖａ社製のものに代表される塗布型偏光膜、もしくはバインダーと、ヨウ素または二色性色素からなる偏光膜が好ましい。
偏光膜におけるヨウ素および二色性色素は、バインダー中で配向することで偏向性能を発現する。ヨウ素および二色性色素は、バインダー分子に沿って配向するか、もしくは二色性色素が液晶のような自己組織化により一方向に配向することが好ましい。
現在、汎用の偏光膜は、延伸したポリマーを、浴槽中のヨウ素もしくは二色性色素の溶液に浸漬し、バインダー中にヨウ素、もしくは二色性色素をバインダー中に浸透させることで作製されるのが一般的である。汎用の偏光膜は、ポリマー表面から４μｍ程度（両側合わせて８μｍ程度）にヨウ素もしくは二色性色素が分布しており、十分な偏光性能を得るためには、少なくとも１０μｍの厚みが必要である。浸透度は、ヨウ素もしくは二色性色素の溶液濃度、同浴槽の温度、同浸漬時間により制御することができる。
【０３１９】
偏光膜のバインダーは架橋していてもよい。架橋しているバインダーは、それ自体架橋可能なポリマーを用いることができる。官能基を有するポリマーあるいはポリマーに官能基を導入して得られるバインダーを、光、熱あるいはｐＨ変化により、バインダー間で反応させて偏光膜を形成することができる。
また、架橋剤によりポリマーに架橋構造を導入してもよい。反応活性の高い化合物である架橋剤を用いてバインダー間に架橋剤に由来する結合基を導入して、バインダー間を架橋することにより形成することができる。
架橋は一般に、ポリマーまたはポリマーと架橋剤の混合物を含む塗布液を、透明支持体上に塗布したのち、加熱を行なうことにより実施される。最終商品の段階で耐久性が確保できれば良いため、架橋させる処理は、最終の偏光板を得るまでのいずれの段階で行なってもよい。
【０３２０】
偏光膜のバインダーは、それ自体架橋可能なポリマーあるいは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができる。ポリマーの例には、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリビニルトルエン、クロロスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、塩素化ポリオレフィン（例、ポリ塩化ビニル）、ポリエステル、ポリイミド、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、カルボキシメチルセルロース、ポリプロピレン、ポリカーボネートおよびそれらのコポリマー（例、アクリル酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／マレインイミド共重合体、スチレン／ビニルトルエン共重合体、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体）が含まれる。水溶性ポリマー（例、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがさらに好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。
【０３２１】
ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールのケン化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がさらに好ましく、９５〜１００％が最も好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜５０００が好ましい。
変性ポリビニルアルコールは、ポリビニルアルコールに対して、共重合変性、連鎖移動変性あるいはブロック重合変性により変性基を導入して得られる。共重合変性では、変性基として、ＣＯＯＮａ、Ｓｉ（ＯＨ）3、Ｎ（ＣＨ3）3・Ｃｌ、Ｃ9Ｈ19ＣＯＯ、ＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ25を導入することができる。連鎖移動変性では、変性基として、ＣＯＯＮａ、ＳＨ、ＳＣ12Ｈ25を導入することができる。変性ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜３０００が好ましい。変性ポリビニルアルコールについては、特開平８−３３８９１３号、同９−１５２５０９号および同９−３１６１２７号の各公報に記載がある。
ケン化度が８５〜９５％の未変性ポリビニルアルコールおよびアルキルチオ変性ポリビニルアルコールが特に好ましい。
ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールは、二種以上を併用してもよい。
【０３２２】
バインダーの架橋剤は、多く添加すると、偏光膜の耐湿熱性を向上させることができる。ただし、バインダーに対して架橋剤を５０質量％以上添加すると、ヨウ素、もしくは二色性色素の配向性が低下する。架橋剤の添加量は、バインダーに対して、０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１５質量％がさらに好ましい。
バインダーは、架橋反応が終了した後でも、反応しなかった架橋剤をある程度含んでいる。ただし、残存する架橋剤の量は、バインダー中に１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。バインダー層中に１．０質量％を超える量で架橋剤が含まれていると、耐久性に問題が生じる場合がある。すなわち、架橋剤の残留量が多い偏光膜を液晶表示装置に組み込み、長期使用、あるいは高温高湿の雰囲気下に長期間放置した場合に、偏光度の低下が生じることがある。架橋剤については、米国再発行特許２３２９７号明細書に記載がある。また、ホウ素化合物（例、ホウ酸、硼砂）も、架橋剤として用いることができる。
【０３２３】
二色性色素としては、アゾ系色素、スチルベン系色素、ピラゾロン系色素、トリフェニルメタン系色素、キノリン系色素、オキサジン系色素、チアジン系色素あるいはアントラキノン系色素が用いられる。二色性色素は、水溶性であることが好ましい。二色性色素は、親水性置換基（例、スルホ、アミノ、ヒドロキシル）を有することが好ましい。二色性色素の例には、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・イエロー１２、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・オレンジ３９、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・オレンジ７２、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・レッド３９、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・レッド７９、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・レッド８１、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・レッド８３、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・レッド８９、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・バイオレット４８、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・ブルー６７、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・ブルー９０、Ｃ．Ｉ．ダイレクト・グリーン５９、Ｃ．Ｉ．アシッド・レッド３７が含まれる。二色性色素については、特開平１−１６１２０２号、同１−１７２９０６号、同１−１７２９０７号、同１−１８３６０２号、同１−２４８１０５号、同１−２６５２０５号、同７−２６１０２４号の各公報に記載がある。二色性色素は、遊離酸、あるいはアルカリ金属塩、アンモニウム塩またはアミン塩として用いられる。二種類以上の二色性色素を配合することにより、各種の色相を有する偏光膜を製造することができる。偏光軸を直交させた時に黒色を呈する化合物（色素）を用いた偏光膜、あるいは黒色を呈するように各種の二色性分子を配合した偏光膜または偏光板が、単板透過率および偏光率とも優れており好ましい。
【０３２４】
本発明においては、偏光板の単板透過率、平行透過率、直交透過率はUV3100PC（島津製作所社製）を用いて測定した。測定では、２５℃６０％ＲＨ条件下、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲で測定し、単板、平行、直交透過率ともに、１０回測定の平均値を用いた。偏光板耐久性試験は（１）偏光板のみと（２）偏光板をガラスに粘着剤を介して貼り付けたものとの２種類の形態で次のように行った。偏光板のみの測定は、２つの偏光子の間に光学補償膜が挟まれるように組み合わせて直交させた同じものを２つ用意して測定した。ガラス貼り付け状態のものはガラスの上に偏光板を光学補償膜がガラス側にくるように貼り付けた試料（約５ｃｍ×５ｃｍ）を２つ作成する。単板透過率測定ではこの試料のフィルムの側を光源に向けてセットして測定した。２つの試料をそれぞれ測定し、その平均値を単板の透過率とした。偏光性能の好ましい範囲としては単板透過率（ＴＴ）、平行透過率（ＰＴ）、直交透過率（ＣＴ）の順でそれぞれ、４０．０≦ＴＴ≦４５．０、３０．０≦ＰＴ≦４０．０、ＣＴ≦２．０であり、より好ましい範囲としては４０．２≦ＴＴ≦４４．８、３２．２≦ＰＴ≦３９．５、ＣＴ≦１．６であり、さらに好ましい範囲としては４１．０≦ＴＴ≦４４．６、３４≦ＰＴ≦３９．１、ＣＴ≦１．３である。
これらの透過率から偏光度Ｐは計算され偏光度Ｐが大きいほど、クロス配置したときの漏れ光がすくなくなり偏光板の性能が高いことを示している。偏光度Ｐは９５．０％以上であることが好ましく、より好ましくは９６．０％以上、さらに好ましくは９７．０％以上である。
【０３２５】
本発明の偏光板は、波長λにおける直交透過率をＴ(λ)としたときに、Ｔ(380)、Ｔ(410)、Ｔ(700)が下記式（ｅ）〜（ｇ）の少なくとも１つ以上を満たすことが好ましい。
（ｅ）Ｔ(380)≦２．０
（ｆ）Ｔ(410)≦１．０
（ｇ）Ｔ(700)≦０．５
より好ましくはＴ(380)≦１．９５、Ｔ(410)≦０．９、Ｔ(700)≦０．４９であり、さらに好ましくはＴ(380)≦１．９０、Ｔ（(410)）≦０．８、Ｔ(700)≦０．４８である。
本発明の偏光板は、６０℃９５％ＲＨの条件下に６５０時間静置した場合の直交単板透過率の変化量ΔＣＴ、偏光度変化量ΔＰが下記式（ｈ）、（ｉ）の少なくとも１つ以上を満たすことが好ましい。
（ｈ）−０．６≦ΔＣＴ≦０．６
（ｉ）−０．３≦ΔＰ≦０．０
本発明の偏光板は、８０℃の条件下に６５０時間状態調節した場合の直交単板透過率の変化量ΔＣＴ、偏光度変化量ΔＰが下記式（ｌ）、（ｍ）の少なくとも１つ以上を満たすことが好ましい。
（ｈ）−０．６≦ΔＣＴ≦０．６
（ｉ）−０．３≦ΔＰ≦０．０
また偏光板耐久性試験ではその変化量はより小さい方が好ましい。
【０３２６】
（液晶表示装置の構成）
液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶セルが配置されているが、本発明のセルロース誘導体フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装
置の表示側最表面の偏光板の保護フィルムにはその上に透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、本発明のセルロース誘導体フィルムをこの部分に用いることが特に好ましい。
【０３２７】
本発明の偏光板を作製するにあたり、本発明のセルロース誘導体フィルムを偏光膜の保護フィルム（偏光板用保護フィルム）として用いるために、偏光膜と貼り合わせる側の表面とポリビニルアルコールを主成分とする偏光膜との接着性を良好にすることが必要である。接着性が不充分の場合は、偏光板を作製した後に液晶表示装置等のパネルに適宜用いるための加工性が不良であったり、または耐久性が不足して、長期の使用での剥れ等が問題となる。接着には、粘着剤を使用することもでき、粘着剤の成分としては、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系粘着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。接着性を考慮するには表面エネルギーを指標に考えれば良く、偏光膜の主成分であるポリビニルアルコールか、もしくはポリビニルアルコールかビニル系ラテックスを主成分とする粘着剤からなる粘着剤層の表面エネルギーと貼り合せる保護フィルムの表面エネルギーがより近ければ貼合性と貼合した偏光板の加工性と耐久性がより向上される。これらのことから、偏光膜または粘着剤と貼り合わせる側の表面エネルギーを親水化処理等の表面処理により所望の範囲内にすることで、ポリビニルアルコールを主成分とする偏光膜との接着性を充分に付与することができる。
【０３２８】
本発明のセルロース誘導体フィルムは、通常、光学異方性を低下させる化合物や、波長分散調整剤等の添加剤を含有しているため、フィルムの表面はより疎水的となっている。そのため後述の親水化処理による貼合性を向上させることが、偏光板の加工性と耐久性を付与する上でより必要となる。
【０３２９】
親水化処理等の表面処理等を行う前の、製膜後のフィルムの表面エネルギーは、前記添加剤を使用するため疎水化されており、フィルムの光学特性や力学特性の湿度依存性や、前記貼合性を向上するための処理の容易性の観点から、３０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下が好ましく、４０ｍＮ／ｍ以上４８ｍＮ／ｍ以下がより好ましい。処理前の表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ未満では後述の親水化処理により貼合性を良好にするためには、大きなエネルギーが必要となり、結果的にフィルム特性を劣化させたり、または生産性との両立が困難となる。また処理前の表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍを超えると、フィルム自身の親水性が大きすぎて、フィルムの光学性能や力学特性の湿度依存性が大きすぎて問題となってしまう。
【０３３０】
また、ポリビニルアルコール表面の表面エネルギーは、併用する添加剤や乾燥の程度や用いる粘着剤にもよるが６０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下の範囲にあることから、後述の親水化処理等の表面処理後の本発明のフィルムの、偏光膜と貼り合せる側の面の表面エネルギーとしては、５０ｍＮ／ｍ以上８０ｍＮ／ｍ以下が好ましく、６０ｍＮ／ｍ以上７５ｍＮ／ｍ以下がより好ましく、６５ｍＮ／ｍ以上７５ｍＮ／ｍ以下が更に好ましい。
【０３３１】
［親水化処理等の表面処理］
本発明のフィルム表面の親水化処理は、公知の方法で行うことが出来る。例えば、コロナ放電処理、グロー放電処理、紫外線照射処理、火炎処理、オゾン処理、酸処理、アルカリ処理等で該フィルム表面を改質する方法が挙げられる。ここでいうグロー放電処理とは、１０-3〜２０Ｔｏｒｒ（０．１３３〜２６６０Ｐａ）の低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。上記のような条件においてプラズマ励起されるプラズマ励起性気体としては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
【０３３２】
［アルカリ鹸化処理］
これらの中でも特に好ましくは、アルカリ鹸化処理でありセルロース誘導体フィルムの表面処理としては極めて有効である。処理方法として、以下の方法が挙げられる。
【０３３３】
（１）浸漬法
アルカリ液の中にフィルムを適切な条件で浸漬して、フィルム全表面のアルカリと反応性を有する全ての面を鹸化処理する手法であり、特別な設備を必要としないため、コストの観点で好ましい。アルカリ液は、水酸化ナトリウム水溶液であることが好ましい。好ましい濃度は０．５〜３ｍｏｌ／ｌであり、特に好ましくは１〜２ｍｏｌ／ｌである。好ましいアルカリ液の液温は２５〜７０℃、特に好ましくは３０〜６０℃である。
アルカリ液に浸漬した後は、フィルムの中にアルカリ成分が残留しないように、水で十分に水洗したり、希薄な酸に浸漬してアルカリ成分を中和することが好ましい。
【０３３４】
鹸化処理することにより、フィルムの両面が親水化される。偏光板用保護フィルムは、親水化された表面を偏光膜と接着させて使用する。
親水化された表面は、ポリビニルアルコールを主成分とする偏光膜との接着性を改良するのに有効である。
【０３３５】
一方、浸漬法では保護フィルムがその上に反射防止層を積層する場合、その主面までアルカリによるダメージを受ける為、必要最小限の反応条件とすることが重要となる。アルカリによる反射防止層の受けるダメージの指標として、反対側の主面の支持体の水に対する接触角を用いた場合、特に支持体がセルロース誘導体であれば、好ましくは２０度〜５０度、より好ましくは３０度〜５０度、さらに好ましくは４０度〜５０度となる。この範囲で、反射防止フィルムの受けるダメージに実害が無く、かつ偏光膜との接着性を保持できる。
【０３３６】
（２）アルカリ液塗布法
上述の浸漬法における反射防止フィルムへのダメージを回避する手段として、適切な条件でアルカリ液を反射防止フィルムを有する主面と反対側の主面のみに塗布、加熱、水洗、乾燥するアルカリ液塗布法が好ましく用いられる。アルカリ液及び処理は、特開２００２−８２２２６号公報、国際公開第０２／４６８０９号パンフレットに記載の内容が挙げられる。ただし、別途、アルカリ液を塗布する設備、工程が必要となるため、コストの観点では（１）の浸漬法に劣る。
【０３３７】
［プラズマ処理］
本発明に用いられるプラズマ処理としては、真空グロー放電、大気圧グロー放電等によるものがあり、その他の方法としてフレームプラズマ処理等の方法があげられる。これらは、例えば特開平６−１２３０６２号公報、特開平１１−２９３０１１号公報、同１１−５８５７号公報等に記載された方法を用いることが出来る。
【０３３８】
プラズマ処理によれば、プラズマ中においたプラスチックフィルムの表面を処理することで、これに強い親水性を与える事が出来る。例えば、上記のグロー放電によるプラズマ発生装置中においては相対する電極の間にこれらの親水性を付与しようとするフィルムを置き、この装置中にプラズマ励起性気体を導入し、電極間に高周波電圧を印加する事により、該気体をプラズマ励起させ電極間にグロー放電を行わせることにより表面処理が行える。中でも大気圧グロー放電によるものが好ましく用いられる。
【０３３９】
［コロナ放電処理］
表面処理のうち、コロナ放電処理は、最もよく知られている方法であり、従来公知のいずれの方法、例えば特公昭４８−５０４３号公報、同４７−５１９０５号公報、特開昭４７−２８０６７号公報、同４９−８３７６７号公報、同５１−４１７７０号公報、同５１−１３１５７６号公報等に開示された方法により達成することができる。コロナ処理に使用するコロナ処理機としては、現在プラスチックフィルム等の表面改質の手段として使用されている市販の各種コロナ処理機の適用が可能であり、中でもＳＯＦＴＡＬ（ソフタル）社のマルチナイフ電極を有するコロナ処理機は多数本の電極で構成され、さらに電極の間に空気を送る構造となっており、フィルムの加熱防止やフィルム表面に出てくる低分子の除去等がおこなえるので、エネルギー効率が非常に高く、高コロナ処理が可能となるので、本発明には特に有用なコロナ処理機である。
【０３４０】
本発明のセルロース誘導体フィルムを偏光板用保護フィルム等の目的で使用するためにはセルロース誘導体フィルムの少なくとも片面の表面エネルギーを適当な範囲内にすることが必要であり、そのため前述のような表面処理を行う。一方、本発明のセルロース誘導体フィルムに表面処理を行うことにより、セルロース誘導体フィルム中に含有する添加剤の揮散／溶出／分解が発生する可能性があり、セルロース誘導体フィルムの光学性能やフィルム性能や耐久性が劣化する懸念がある。また揮散や溶出が発生する場合には更に処理系を汚染し処理性を低下させてしまい、連続的に処理を行うことができなくなる。そのため添加剤量の低下を抑制することが必要であり、表面処理による添加剤の添加量の変化量は、処理前の添加剤の全添加量の０．２％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましく、０．０１％以下であることが更に好ましい。
【０３４１】
［用途（光学補償フィルム）］
本発明のセルロース誘導体フィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いると特に効果がある。
なお、光学補償フィルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、位相差を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フィルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。本発明のセルロース誘導体フィルムは負のＲｔｈを示すものであり、好適にはＲｔｈ(５８９)が−６００≦Ｒｔｈ≦０ｎｍの範囲であり、複屈折を持つ他の光学異方性層と好適に併用することで所望の光学性能を有する光学補償フィルムを得ることができる。
【０３４２】
したがって本発明のセルロース誘導体フィルムを液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いる場合、併用する光学異方性層のＲｅ(５８９)およびＲｔｈ(５８９)はＲｅ(５８９)＝０〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ(５８９)｜＝０〜４００ｎｍであることが好ましく、この範囲であればどのような光学異方性層でも良い。本発明のセルロース誘導体フィルムが使用される液晶表示装置の液晶セルの光学性能や駆動方式に制限されず、光学補償フィルムとして要求される、どのような光学異方性層も併用することができる。併用される光学異方性層としては、液晶性化合物を含有する組成物から形成しても良いし、複屈折を持つポリマーフィルムから形成しても良い。
前記液晶性化合物としては、ディスコティック液晶性化合物または棒状液晶性化合物が好ましい。
【０３４３】
（ディスコティック液晶性化合物）
本発明に使用可能なディスコティック液晶性化合物の例には、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，７１巻，１１１頁（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，頁１７９４（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１６巻，２６５５頁（１９９４））に記載の化合物が含まれる。
【０３４４】
光学異方性層において、ディスコティック液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４公報に記載がある。ディスコティック液晶性分子を重合により固定するためには、ディスコティック液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。ただし、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に、連結基を導入する。重合性基を有するディスコティック液晶性分子について、特開２００１−４３８７号公報に開示されている。
【０３４５】
（棒状液晶性化合物）
本発明において、使用可能な棒状液晶性化合物の例には、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が含まれる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。
【０３４６】
光学異方性層において、棒状液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。本発明に使用可能な重合性棒状液晶性化合物の例には、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９０巻、２２５５頁（１９８９年）、Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ５巻、１０７頁（１９９３年）、米国特許第４６８３３２７号明細書、同５６２２６４８号明細書、同５７７０１０７号明細書、国際公開第９５／２２５８６号パンフレット、同９５／２４４５５号パンフレット、同９７／００６００号パンフレット、同９８／２３５８０号パンフレット、同９８／５２９０５号パンフレット、特開平１−２７２５５１号公報、同６−１６６１６号公報、同７−１１０４６９号公報、同１１−８００８１号公報、および特開２００１−３２８９７３号公報などに記載の化合物が含まれる。
【０３４７】
（ポリマーフィルムからなる光学異方性層）
光学異方性層はポリマーフィルムから形成してもよい。ポリマーフィルムは、光学異方性を発現し得るポリマーから形成する。そのようなポリマーの例には、ポリオレフィン（例、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系ポリマー）、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルおよびセルロースエステル（例、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート）が含まれる。また、これらのポリマーの共重合体あるいはポリマー混合物を用いてもよい。
【０３４８】
ポリマーフィルムの光学異方性は、延伸のような伸張処理により得ることが好ましい。延伸は一軸延伸または二軸延伸であることが好ましい。具体的には、２つ以上のロールの周速差を利用した縦一軸延伸、またはポリマーフィルムの両サイドを掴んで幅方向に延伸するテンター延伸、これらを組み合わせての二軸延伸が好ましい。また、後述する光学補償フィルムおよび偏光板の生産性の観点から、テンター延伸、または二軸延伸がより好ましい。なお、二枚以上のポリマーフィルムを用いて、二枚以上のフィルム全体の光学的性質が前記の条件を満足してもよい。ポリマーフィルムは、複屈折のムラを少なくするためにソルベントキャスト法により製造することが好ましい。ポリマーフィルムの厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、４０〜１００μｍであることが最も好ましい。
【０３４９】
［ポリマーの塗布による光学異方性層の形成］
本発明におけるポリマーの塗布による光学異方性層の形成は、溶媒に溶解させて液状化したポリマーを本発明のセルロース誘導体フィルム上に展開して乾燥させ、得られた積層体に、その面内で分子を配向させる処理を施して行うことができる。これにより、所望の光学特性を付与した光学補償フィルムが得られる。分子配向処理としては、伸張処理、収縮処理あるいはこれらの両方が挙げられるが、生産性と制御の容易さの観点から伸張処理が好ましい。
【０３５０】
前記ポリマーについては特に限定はなく、光透過性の適宜なものを１種または２種以上用いることができる。中でも、光透過率が７５％以上、特に８５％以上の透光性に優れるフィルムを形成しうるポリマーが好ましい。またフィルムの安定した量産性等の点より、延伸方向のレターデーションが大きくなる正の複屈折性を示す固体ポリマーが好ましく用いることができる。
ちなみに前記した固体ポリマーの例としては、ポリアミドやポリエステル（たとえば特表平１０−５０８０４８号公報）、ポリイミド（たとえば特表２０００−５１１２９６号公報）、ポリエーテルケトンや特にポリアリールエーテルケトン（たとえば特開２００１−４９１１０号公報）、ポリアミドイミド（たとえば特開昭６１−１６２５１２号公報）やポリエステルイミド（たとえば特開昭６４−３８４７２号公報）などがあげられる。複屈折性フィルムの形成には、その固体ポリマーの１種、または２種以上を混合したものなどを用いうる。固体ポリマーの分子量について特に限定はないが、一般にはフィルムへの加工性などの点より質量平均分子量に基づいて２０００〜１００万、好ましくは１５００〜７５万、さらに好ましくは１０００〜５０万である。
【０３５１】
ポリマーフィルムの形成に際しては、安定剤や可塑剤や金属類等からなる種々の添加剤を必要に応じて配合することができる。また固体ポリマーの液状化には、熱可塑性の固体ポリマーを加熱して溶融させる方式や、固体ポリマーを溶媒に溶解させて溶液とする方法などの適宜な方式を採ることができる。
セルロース誘導体フィルム上に展開したポリマー（展開層）の固体化は、前者の溶融液ではその展開層を冷却させることにより、また後者の溶液ではその展開層より溶媒を除去して乾燥させることにより行うことができる。その乾燥には自然乾燥（風乾）方式や加熱乾燥方式、特に４０〜２００℃の加熱乾燥方式、減圧乾燥方式などの適宜な方式の１種または２種以上を採ることができる。製造効率や光学的異方性の発生を抑制する点からはポリマー溶液を塗工する方式が好ましい。
【０３５２】
前記の溶媒としては、例えば塩化メチレンやシクロヘキサノン、トリクロロエチレンやテトラクロロエタン、Ｎ−メチルピロリドンやテトラヒドロフランなどの適宜なものを１種または２種以上用いることができる。溶液は、フィルム形成に適した粘度の点より、溶媒１００質量部に対してポリマーを２〜１００質量部、好ましくは５〜５０質量部、特に１０〜４０質量部溶解させたものが好ましい。
液状化したポリマーの展開には、例えばスピンコート法やロールコート法、フローコート法やプリント法、ディップコート法や流延成膜法、バーコート法やグラビア印刷法等のキャスティング法、押出法などの適宜なフィルム形成方式を採ることができる。中でも、厚さムラや配向歪ムラ等の少ないフィルムの量産性などの点より、キャスティング法等の溶液製膜法が好ましく適用することができる。とくに、セルロース誘導体フィルム上に、溶媒に溶解させて液状化したポリマーを、共流延法により積層し成膜するのが好ましい。なおその場合、ポリイミドとしては芳香族二無水物とポリ芳香族ジアミンから調製された溶媒可溶性のもの（特表平８−５１１８１２号公報参照）が好ましく用いうる。
【０３５３】
前記のポリマーを液状化してセルロース誘導体フィルム上に展開し伸張または収縮処理
する本発明の製造方法は、セルロース誘導体フィルム上層の展開層の形成過程でＲｔｈを制御し、積層体を伸張または収縮処理することにより分子を配向させＲｅを制御する。かかる役割分担方式には、例えば二軸延伸方式等の従来のＲｔｈとＲｅを同時的に制御する方法に比べて少ない延伸率で目的を達成でき、ＲｔｈとＲｅの特性や光学軸の各精度に優れた二軸性光学補償フィルムが得られやすいという設計と製造における利点がある。
【０３５４】
前記の分子配向処理は、フィルムの伸張処理または／及び収縮処理として施すことができ、その伸張処理は、例えば延伸処理などとして施すことができる。延伸処理には逐次方式や同時方式等による二軸延伸方式、自由端方式や固定端方式等の一軸延伸方式などの適宜な方式の１種または２種以上を適用することができる。ボーイング現象を抑制する観点から一軸延伸方式が好ましい。
この際、延伸処理温度は、従来に準じることができ、例えば前記固体ポリマーのガラス転移温度の近傍、ガラス転移温度以上が一般的である。また、本発明の延伸されたセルロース誘導体フィルムのレターデーションをより小さくする目的では、延伸温度はセルロース誘導体フィルムのガラス転移温度Ｔｇの近傍である方がよく、Ｔｇ−２０℃以上で延伸することが好ましく、Ｔｇ−１０℃以上で延伸することがより好ましく、Ｔｇ以上で延伸することが更に好ましい。
また、好ましい延伸倍率の範囲としては、延伸前のフィルム長に対する延伸後のフィルム長の倍率で、１．０３倍以上、２．５０倍以下が好ましく、より好ましくは、１．０４倍以上、２．２０倍以下であり、更に好ましくは１．０５倍以上１．８０倍以下である。延伸倍率が１．０５倍以下の場合には、前述の光学異方性層を形成する目的から延伸倍率として不足してしまい、また２．５０倍以上となる場合には、フィルムの耐久性試験後のカールや光学特性の変化が大きくなってしまう。
【０３５５】
一方、収縮処理は、例えば高分子フィルムの塗工形成を基材上で行って、その基材の温度変化等に伴う寸法変化を利用して収縮力を作用させる方式などにより行うことができる。その場合、熱収縮性フィルムなどの収縮能を付与した基材を用いることもでき、そのときには延伸機等を利用して収縮率を制御することが望ましい。
上記の方法により作製される複屈折性フィルムは、液晶表示装置の視野角特性を改善する光学補償フィルムとして好適に用いられ、更に液晶表示装置の薄型化と生産工程数の低減による生産性向上のため、偏光板の保護フィルムとして偏光子（偏光膜）に直接貼り合わせた形態で用いることが好ましい。この際、上記の光学補償フィルムを用いた偏光板をより低コストで生産性良く提供できることが求められ、偏光板までの作製工程をより生産性良く低コスト化することが望まれている。ここで、本発明の光学補償フィルムは、光学異方性層の面内のＲｅの発現方向が偏光板の吸収軸に対し直行する方向になるように偏光子と貼り合わせた形態で使用される。また、ヨウ素とＰＶＡからなる一般的な構成の偏光子は縦一軸延伸により作製され、偏光子の吸収軸は長手方向となる。更に、上記の複屈折フィルムを有する光学補償フィルムを用いた偏光板を生産性良く低コストで提供するためには、上記の作製工程を一貫してロールｔｏロールで行うことがまず求められる。これらの要因で、とくに生産性の観点から、上記の複屈折フィルムからなる光学補償フィルムの作製方法としては、本発明のセルロース誘導体フィルム上に上記のポリマーからなる展開層を積層した後、展開層のポリマーが幅方向に配向し、幅方向にＲｅが発現するように伸張処理または収縮処理を行うことが好ましい。このようにして作製したロール状の光学補償フィルムを偏光子の保護フィルムとして用いることで、そのままロールｔｏロールで有効な光学補償機能を有する偏光板の作成を行うことができる。
ここで、本発明におけるロール状のフィルムとは長手方向に１ｍ以上の長さを有し、さらに長手方向に３周回以上巻かれた状態のフィルムを示す。またロールｔｏロールとは、ロール状のフィルムに対し、製膜や他のロール状フィルムとの積層／貼り合せや、表面処理、加熱／冷却処理、伸張処理／収縮処理、といった実施可能なあらゆる処理を施す前後でロール状の形態を維持することであり、特に生産性やコスト、取り扱い性の観点から、
ロールｔｏロールで処理を行うことが好ましい。
【０３５６】
得られる複屈折性フィルムにおけるＲｔｈとＲｅの大きさは、固体ポリマーの種類や、液状化物の塗工方式等の展開層の形成方式、乾燥条件等の展開層の固体化方式や、形成する固体ポリマーからなる光学補償層の厚さなどにて制御することができる。光学補償層として用いられる固体ポリマー層の一般的な厚さは、０．５〜１００μｍ、好ましくは１〜５０μｍ、特に２〜２０μｍである。
この方法にて作製した複屈折フィルムはそのまま用いても良いし、粘着剤等によりその他のフィルムに貼合しても良い。
【０３５７】
（液晶表示装置の構成）
液晶表示装置は［機能層］に前述したように、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光板を配置し、さらにおよび該液晶セルと該偏光板との間に少なくとも一枚の光学補償フィルムを配置した構成であることが好ましい。セルロースアシレートフィルムを光学補償フィルムとして用いる場合は、偏光板の透過軸と、セルロースアシレートフィルムからなる光学補償フィルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。そして、本発明の液晶表示装置は、液晶セル及びその両側に配置された２枚の偏光板を有する液晶表示装置であって、少なくとも１枚の偏光板が前記の本発明の偏光板であることを特徴とする。
液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。
【０３５８】
（液晶表示装置の種類）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。本発明のセルロース誘導体フィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。
なお、本発明の液晶表示装置は、表示モードがＶＡモード又はＩＰＳモードであるのが好ましい。
【０３５９】
（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロース誘導体フィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償フィルムの支持体または偏光板の保護膜として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．．３６巻（１９９７）１４３頁や、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３６巻（１９９７）１０６８頁）に記載がある。
【０３６０】
（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロース誘導体フィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償フィルムの支持体または偏光板の保護膜として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。
【０３６１】
（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償フィルムの支持体として特に有利に用いられる。また偏光板の保護膜として用いてもよい。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムのＲｅ（５８９）を０〜１５０ｎｍとし、Ｒｔｈ（５８９）を７０〜４００ｎｍとすることが好ましい。Ｒｅ（５８９）は、２０〜７０ｎｍであることが更に好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈ（５８９）は７０〜２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈ（５８９）は１５０〜４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。
【０３６２】
（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償フィルムの支持体、または偏光板の保護膜としても特に有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において本発明のセルロース誘導体フィルムを用いた偏光板は視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、前記偏光板の保護膜と保護膜と液晶セルの間に配置された光学異方性層のレターデーションの値は、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。またＲｔｈ（５８９）値の絶対値｜Ｒｔｈ（５８９）｜は、２５ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以下に設定するのが好ましいため、本発明のセルロース誘導体フィルムが有利に用いられる。
【０３６３】
（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償フィルムの支持体または偏光板の保護膜としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムには、レターデーションの絶対値が最小となる方向が光学補償フィルムの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムの光学的性質も、光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質および光学的異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムについては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３７）に記載がある。
【０３６４】
（反射型液晶表示装置）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償フィルムまたは偏光板の保護膜として
も有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号公報、国際公開第９８／４８３２０号パンフレット、特許第３０２２４７７号公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、国際公開第００／６５３８４号パンフレットに記載がある。
【０３６５】
（その他の液晶表示装置）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ
Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ  ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償フィルムの支持体または偏光板の保護膜としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ  ｅｔ  ａｌ．，  ＳＩＤ  ９８  Ｄｉｇｅｓｔ  １０８９頁（１９９８））に記載がある。
【０３６６】
（自発光型表示装置）
本発明によるセルロース誘導体フィルムを用いた光学補償フィルム、偏光板等は、自発光型の表示装置に設けて表示品位の向上などを図ることもできる。その自発光型の表示装置については特に限定はない。ちなみにその例としては、有機ＥＬやＰＤＰ、ＦＥＤなどがあげられる。自発光型フラットパネルディスプレイにＲｅが１／４波長の複屈折性フィルムを適用することにより直線偏光を円偏光に変換して、反射防止フィルターを形成することができる。
前記において液晶表示装置等の表示装置の形成部品は、積層一体化されていてもよいし、分離状態にあってもよい。また表示装置の形成に際しては、例えばプリズムアレイシートやレンズアレイシート、光拡散板や保護板などの適宜な光学素子を適宜に配置することができる。かかる素子は、光学補償フィルムと積層してなる上記した光学部材の形態にて表示装置の形成に供することもできる。
【０３６７】
（ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルム）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、またハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムへの適用が好ましく実施できる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、本発明のセルロース誘導体フィルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）の５４頁〜５７頁に詳細に記載されており、本発明のセルロース誘導体フィルムを好ましく用いることができる。
【０３６８】
（写真フィルム支持体）
さらに本発明のセルロース誘導体フィルムは、ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としても適用できる。それらの技術については、特開２０００−１０５４４５号公報にカラーネガティブに関する記載が詳細に挙げられており、本発明のセルロース誘導体フィルムが好ましく用いられる。またカラー反転ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としての適用も好ましく、特開平１１−２８２１１９号公報に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。
【０３６９】
（透明基板）
本発明のセルロース誘導体フィルムは、優れた透明性を持っていることから、液晶表示装置の液晶セルガラス基板の代替、すなわち駆動液晶を封入する透明基板としても用いる
ことができる。
液晶を封入する透明基板はガスバリア性に優れる必要があることから、必要に応じて本発明のセルロース誘導体フィルムの表面にガスバリアー層を設けてもよい。ガスバリアー層の形態や材質は特に限定されないが、本発明のセルロース誘導体フィルムの少なくとも片面にＳｉＯ2等を蒸着したり、あるいは塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系ポリマーなど相対的にガスバリアー性の高いポリマーのコート層を設ける方法が考えられ、これらを適宜使用できる。
また液晶を封入する透明基板として用いるには、電圧印加によって液晶を駆動するための透明電極を設けてもよい。透明電極としては特に限定されないが、本発明のセルロース誘導体フィルムの少なくとも片面に、金属膜、金属酸化物膜などを積層することによって透明電極を設けることができる。中でも透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましく、なかでも酸化スズを主として酸化亜鉛を２〜１５％含む酸化インジウムの薄膜が好ましく使用できる。これら技術の詳細は例えば、特開２００１−１２５０７９号公報や特開２０００−２２７６０３号公報などに公開されている。
【実施例】
【０３７０】
以下、本発明を実施例によりさらに説明するが、本発明は下記例に限定されない。
【０３７１】
〔実施例１〕
＜セルロース誘導体溶液の調製＞
表７に記載の組成物を耐圧性のミキシングタンクに投入し６時間攪拌して各成分を溶解し、セルロース誘導体溶液（以下、ドープともいう）Ｔ−１〜Ｔ−３０を調製した。なお、表７の置換度の欄の（  ）内には置換されたアシル基の基名を示し、更に各基名に続けて（  ）内に本文中に記載の方法により計算した各基の分極率異方性を示した。
【０３７２】
【表７】
2007169523.tif 000098
【０３７３】
ＴＰＰ：トリフェニルフォスフェート
ＢＤＰ：ビフェニルジフェニルフォスフェート
ＵＶＢ−３：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール
ＵＶＢ−７：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル）−ベンゾトリアゾール
アサロニル：下記構造の置換基
【０３７４】
【化９１】
2007169523.tif 000099
【０３７５】
＜セルロース誘導体フィルム試料００１の作製＞
調整したセルロース誘導体溶液Ｔ−１をバンド流延機にて金属支持体上に流延した後に乾燥を行い、自己支持性のあるドープ流延膜をバンドより剥離した。剥離したドープ膜をテンターでフィルム幅が維持されるように把持しながら乾燥した後、ロールに巻き取り、厚み８０μｍのセルロース誘導体フィルム試料００１を、幅方向が１．３ｍの長さとなるように作製した。
【０３７６】
＜セルロース誘導体フィルム試料００２〜０３０の作製＞
セルロース誘導体フィルム試料００１の作製方法において、ドープ調液に使用するセルロース誘導体溶液、及び添加剤溶液を表８に記載のものに変更する以外は同様の方法により、厚み８０μｍのセルロース誘導体フィルム試料００２〜０３０を、幅方向が表８に記載の長さとなるように作製した。
【０３７７】
＜セルロース誘導体フィルム試料０３１の作製＞
（セルロース誘導体溶液の調製）
攪拌羽根を有し外周を冷却水が循環するステンレス製溶解タンクに、ジクロロメタン（主溶媒）８０．０質量部、メタノール（第２溶媒）１０．０質量部、ブタノール（第３溶媒）５．０質量部、トリメチロールプロパントリアセテート（可塑剤）２．４質量部、ＵＶＢ−３（０．２質量部）、ＵＶＢ−７（０．２質量部）、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−アミルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール（紫外線吸収剤Ｃ）０．２質量部を投入した。
【０３７８】
各成分を攪拌、分散しながら、アセチル置換度が２．９２のセルロースアセテート粉体（フレーク）２０質量部を徐々に添加した。セルロースアセテート粉体を分散タンクに投入後、タンク内を１３００Ｐａに減圧した。攪拌は、１５ｍ／ｓｅｃ（剪断応力５×１０４ｋｇｆ／ｍ／ｓｅｃ2）の周速で攪拌するディゾルバータイプの偏芯攪拌軸および中心軸にアンカー翼を有して周速１ｍ／ｓｅｃ（剪断応力１×１０４ｋｇｆ／ｍ／ｓｅｃ2）で攪拌する攪拌軸を用いて、３０分間実施した。攪拌の開始温度は２５℃であり、冷却水を流しながら攪拌し、最終到達温度を３５℃とした。その後、高速攪拌軸を停止し、アンカー翼を有する攪拌軸の周速を０．５ｍ／ｓｅｃとして、さらに１００分間攪拌し、セルロースアセテート粉体（フレーク）を膨潤させた。
【０３７９】
得られた不均一なゲル状物質を、軸中心部を３０℃に加温したスクリューポンプで送液して、そのスクリュー外周部から冷却して−７５℃で３分間となるように冷却部分を通過させた。冷却は冷凍機で冷却した−８０℃の冷媒を用いて実施した。冷却により得られた溶液は、スクリュ−ポンプで送液中に３５℃に加温し、ステンレス製の容器に移送した。５０℃で２時間攪拌し均一溶液とした後、絶対濾過精度２．５μｍの濾紙（ＦＨ０２５、ポール社製）にて濾過した。得られたセルロース誘導体溶液は、送液パイプの加温加圧部で１１０℃、１ＭＰａに加温加圧し、常圧（約０．１Ｍｐａ）に放出することで有機溶媒を揮発させると共に冷却して、ドープ溶液を得た。
【０３８０】
（セルロース誘導体フイルムの作製）
濾過した５０℃のセルロース誘導体溶液を用い、実施例１と同様の方法により流延することにより、膜厚８０μｍのセルロース誘導体フイルムを幅方向が表８に記載の長さとなるように作製してセルロース誘導体フィルム０３１を得た。
【０３８１】
＜表面処理＞
次に、作製したフィルム試料００１に対し下記表面処理を行った。
作製したフィルム試料００１を、１．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロース誘導体フィルムの表面をアルカリケン化した試料を作製した。
また、作製した他のフィルム試料００２〜０３１についても同様に表面処理をした試料を作成した。
【０３８２】
＜光学性能の評価＞
作製した各試料について、本明細書に記載の方法にて、Ｒｅ（５８９）、Ｒｔｈ(５８９)、の光学性能の評価を行った。その結果を表８に示す。
【０３８３】
＜フィルムの平衡含水率の測定＞
作製した各試料フィルムについて、本明細書に記載の方法にて、２５℃８０％ＲＨにおけるフィルムの平衡含水率を測定した。その結果を表８に示す。
【０３８４】
＜偏光板作製＞
上記の表面処理済みフィルム試料００１〜０３１を用い、下記の偏光板作製を行った。すなわち、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して偏光膜を得た。作製した表面処理済みフィルム試料を２枚用意し、それぞれの片方の面（表面処理済の面）を偏光膜側にしながら偏光膜を間にして両側から挟むようにポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り合わせ、両面がセルロース誘導体フィルム００１によって保護された偏光板を得た。この際両側のセルロース誘導体フィルム試料００１の遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように貼り付けた。同様にして作製した表面処理済のフィルム試料００２〜０３１についても偏光板を作製した。
【０３８５】
＜偏光板試料の評価＞
作製した偏光板試料について、以下の方法で耐久性の評価を行った。
＜偏光板耐久性の評価＞
作製した各偏光板試料について、クロスニコルでの透過率の４００ｎｍ〜７００ｎｍの平均値について、６０℃、９５％ＲＨの条件下に１３００時間静置する前後の差を求めることで、偏光板耐久性を評価した。
【０３８６】
得られた結果を表８に示す。
【０３８７】
【表８】
2007169523.tif 000100
【０３８８】
以上の結果より、分極率異方性が高い置換基を有するセルロース誘導体と、数式（１１−１）を満たすレターデーション調節剤とを組み合わせたフィルム試料１６〜２３及び２６〜３０は、Ｒｔｈの低減効果がより大きくなり、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を十分に低くすることができることがわかった。また、更に平衡含水率を低くすることができ、偏光板用の保護フィルムとして使用した場合の高温高湿条件における耐久性試験後の偏向度の低下を抑制することができ、結果的に偏光板耐久性を向上できることがわかった。
【０３８９】
〔実施例２〕
＜偏光板一体型光学補償フイルム試料００１の作製＞
実施例１で作製したセルロース誘導体フイルム試料００１の表面を実施例１と同様の方法によりケン化処理した後、このフイルム上に下記の組成の配向膜塗布液をワイヤーバーコーターで２０ｍｌ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに１００℃の温風で１２０秒乾燥し、膜を形成した。次に、形成した膜にフイルムの遅相軸方向と平行の方向にラビング処理を施して配向膜を形成した。
（配向膜塗布液の組成）
下記の変性ポリビニルアルコール                  １０質量部
水                                            ３７１質量部
メタノール                                    １１９質量部
グルタルアルデヒド                            ０．５質量部
テトラメチルアンモニウムフルオライド          ０．３質量部
【０３９０】
【化９２】
2007169523.tif 000101
【０３９１】
次に、配向膜上に、下記のディスコチック液晶性化合物１．８ｇ、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）０．２ｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）０．０６ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．０２ｇ、下記の空気界面側垂直配向剤（例示化合物Ｐ−６）０．０１ｇを３．９ｇのメチルエチルケトンに溶解した溶液を、＃５．４のワイヤーバーで塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１２５℃の恒温槽中で３分間加熱し、ディスコチック液晶化合物を配向させた。次に、９０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、３０秒間ＵＶ照射しディスコチック液晶化合物を架橋し、その後、室温まで放冷してディスコチック液晶位相差層を形成した。このようにして作製したセルロース誘導体フイルム試料００１からなる支持体とディスコチック液晶位相差層とからなるフイルムを、光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム試料００１とした。
ディスコチック液晶性化合物
【０３９２】
【化９３】
2007169523.tif 000102
【０３９３】
空気界面側垂直配向剤  Ｐ−６
【０３９４】
【化９４】
2007169523.tif 000103
【０３９５】
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、本発明の光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム００１のＲｅの光入射角度依存性を測定し、予め測定したセルロース誘導体フイルム試料００１の寄与分を差し引くことによって、ディスコチック液晶位相差層のみの光学特性を算出したところ、Ｒｅが１９５ｎｍ、Ｒｔｈが−９７ｎｍ、液晶の平均傾斜角は８９．９°であり、ディスコチック液晶がフイルム面に対して垂直に配向していることが確認できた。なお遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であった。上記作製したディスコチック液晶位相差層は、屈折率異方性が負で光軸が層面に対して実質的に平行方向にある位相差層であった。このディスコチック液晶位相差層を、光学補償層１とした。
【０３９６】
実施例１と同様の方法により、延伸したポリビニルアルコールフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作した。ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム試料００１の表面に実施例１と同様の方法によりケン化処理を行い、セルロース誘導体フイルムが偏光膜側となるように偏光膜の片側に貼り付けた。偏光膜の透過軸と光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム試料００１の遅相軸（光学補償層１の遅相軸もこれに一致する）とは直交になるように配置した。更に市販のセルロースアセテートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付け、偏光板一体型光学補償フイルム００１を製作した。
【０３９７】
＜偏光板一体型光学補償フイルム試料００２〜０３１の作製＞
セルロース誘導体フィルム試料００１の代わりに実施例１で作製したセルロース誘導体フィルム試料００２〜０３１を用いる以外は偏光板一体型光学補償フイルム試料００１の作製方法と同様の方法により偏光板一体型光学補償フィルム００２〜０３１を作製した。
【０３９８】
＜ＩＰＳモード液晶セルの作製＞
一枚のガラス基板上に、図１に示す様に、隣接する電極間の距離が２０μｍとなるように電極（図１中２及び３）を配設し、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。図１中に示す方向４に、ラビング処理を行なった。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行なって配向膜とした。二枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を３．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０７６９及び誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は３００ｎｍであった。
【０３９９】
＜ＩＰＳモード液晶表示装置における光漏れの評価＞
次に上記で作製した偏光板一体型光学補償フイルムを用いて液晶表示装置を作製し、光漏れを評価した。なお、長尺状に作製した偏光板一体型光学補償フイルムについては、所定の大きさに裁断した後、液晶表示装置に組み込んだ。
接着剤を用いて、偏光板一体型光学補償フイルム００１を、作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム試料００１の遅相軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように（即ち、光学補償層１の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と直交になるように）、且つディスコチック液晶位相差層面側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に、市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置００１を作製した。
偏光板一体型光学補償フィルム００２〜０３１についても、同様の方法によりＩＰＳモード液晶表示装置に組み込んだ液晶表示装置００２〜０３１を作製した。
【０４００】
＜評価試験＞
［パネル評価］
＜作製した液晶表示装置の視野角依存性評価＞
作成した液晶表示装置の透過率の視野角依存性を測定した。抑角は正面から斜め方向へ１０°毎に８０°まで、方位角は水平右方向（０°）を基準として１０°毎に３６０°まで測定した。黒表示時の輝度は正面方向から抑角が増すにつれ漏れ光による上昇が見られ、抑角７０°近傍で最大値をとることがわかった。また黒表示時の輝度が増すことで、コントラストが悪化することもわかった。そこで、黒表示時にて抑角６０°、方位角が液晶セルのラビング方向から左方向に４５°回転した方向から測定した輝度ＬＡおよび白表示時にて抑角６０°、方位角が液晶セルのラビング方向から左方向に４５°回転した方向から測定した輝度ＬＢを測定し、漏れ光（％）をＬＡのＬＢに対する割合として求めることで、コントラストを評価することにした。その結果を表８に示す。
（漏れ光）＝ＬＡ／ＬＢ
【０４０１】
＜作製した液晶表示装置の耐久性評価＞
作成した液晶表示装置の画像中央部における正面の黒輝度と耐久性試験後の黒輝度を測定し、経時前の白輝度に対する黒輝度の経時前後の黒輝度の差の割合（％）を耐久性前後の黒輝度上昇率として、液晶表示装置の耐久性を評価した。評価した結果を表８に示す。（耐久性評価）＝（（経時後の黒輝度）―（経時前の黒輝度））／（経時前の白輝度）
その結果、本発明のフィルム試料（フィルム試料０１５〜０２３及び０２５〜０３０）を偏光板用保護フィルムとして使用した偏光板を用いた液晶表示装置により、視野角特性に優れ、且つ高温高湿の耐久性試験後の黒輝度の上昇を抑制し、耐久性に優れる液晶表示装置を得られることがわかった。
【０４０２】
〔実施例３〕
＜偏光板一体型光学補償フイルム試料００１Ａの作製＞
実施例１と同様の方法により、延伸したポリビニルアルコールフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作した。本発明のセルロース誘導体フィルム試料００１の表面に実施例１と同様の方法によりケン化処理を行った後、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片側に貼り付けた。偏光膜の透過軸とセルロース誘導体フィルム試料００１の遅相軸とが平行になるように配置した。更に市販のセルロースアセテートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付け、偏光板一体型光学補償フイルム００１Ａを製作した。
【０４０３】
＜偏光板一体型光学補償フイルム試料００２Ａ〜０３１Ａの作製＞
セルロース誘導体フィルム試料００１の代わりに実施例１で作製したセルロース誘導体フィルム試料００２〜０３１を用いる以外は偏光板一体型光学補償フイルム試料００１Ａの作製方法と同様の方法により偏光板一体型光学補償フィルム００２Ａ〜０３１Ａを作製した。
【０４０４】
＜偏光板一体型光学補償フイルム試料００３Ｂの作製＞
実施例１で作製したセルロース誘導体フイルム試料００３の表面を実施例１と同様の方法によりケン化処理した後、このフイルム上に下記の組成の配向膜塗布液をワイヤーバーコーターで２０ｍｌ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに１００℃の温風で１２０秒乾燥し、膜を形成した。次に、形成した膜にフイルムの遅相軸方向と平行の方向にラビング処理を施して配向膜を形成した。
【０４０５】
（配向膜塗布液の組成）
下記の変性ポリビニルアルコール                  １０質量部
水                                            ３７１質量部
メタノール                                    １１９質量部
グルタルアルデヒド                            ０．５質量部
テトラメチルアンモニウムフルオライド          ０．３質量部
【０４０６】
変性ポリビニルアルコール
【０４０７】
【化９５】
2007169523.tif 000104
【０４０８】
次に、配向膜上に、下記のディスコチック液晶性化合物１．８ｇ、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）０．２ｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）０．０６ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．０２ｇ、下記の空気界面側垂直配向剤（例示化合物Ｐ−６）０．０１ｇを３．９ｇのメチルエチルケトンに溶解した溶液を、＃５．４のワイヤーバーで塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１２５℃の恒温槽中で３分間加熱し、ディスコチック液晶化合物を配向させた。次に、９０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、３０秒間ＵＶ照射しディスコチック液晶化合物を架橋し、その後、室温まで放冷してディスコチック液晶位相差層を形成した。このようにして作製したセルロース誘導体フイルム試料００３からなる支持体とディスコチック液晶位相差層とからなるフイルムを、光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム試料００３Ｂとした。
ディスコチック液晶性化合物
【０４０９】
【化９６】
2007169523.tif 000105
【０４１０】
空気界面側垂直配向剤  Ｐ−６
【０４１１】
【化９７】
2007169523.tif 000106
【０４１２】
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、本発明の光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム００３ＢのＲｅの光入射角度依存性を測定し、予め測定したセルロース誘導体フイルム試料００３Ｂの寄与分を差し引くことによって、ディスコチック液晶位相差層のみの光学特性を算出したところ、Ｒｅが１９１ｎｍ、Ｒｔｈが−１０５ｎｍ、液晶の平均傾斜角は８９．３°であり、ディスコチック液晶がフイルム面に対して垂直に配向していることが確認できた。なお遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であった。上記作製したディスコチック液晶位相差層は、屈折率異方性が負で光軸が層面に対して実質的に平行方向にある位相差層であった。このディスコチック液晶位相差層を、光学補償層３Ｂとした。
【０４１３】
実施例１と同様の方法により、延伸したポリビニルアルコールフイルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作した。ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム試料００３Ｂの表面に実施例１と同様の方法によりケン化処理を行い、セルロース誘導体フイルムが偏光膜側となるように偏光膜の片側に貼り付けた。偏光膜の透過軸と光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム試料００３Ｂの遅相軸（光学補償層３Ｂの遅相軸もこれに一致する）とが平行になるように配置した。更に市販のセルロースアセテートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付け、偏光板一体型光学補償フイルム００３Ｂを製作した。
【０４１４】
＜ＩＰＳモード液晶表示装置における光漏れの評価＞
次に上記で作製した偏光板一体型光学補償フイルムを用いて液晶表示装置を作製し、光漏れを評価した。なお、長尺状に作製した偏光板一体型光学補償フイルムについては、所定の大きさに裁断した後、液晶表示装置に組み込んだ。
接着剤を用いて、偏光板一体型光学補償フイルム００３Ｂを、実施例２で作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、光学異方性層付きセルロース誘導体フィルム試料００３の遅相軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように（即ち、光学補償層１の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と直交になるように）、且つディスコチック液晶位相差層面側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セルのもう一方の側に、偏光板一体型光学補償フイルム００１Ａをクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置００１Ｃを作製した。
偏光板一体型光学補償フィルム００２〜０３１についても、同様の方法によりＩＰＳモード液晶表示装置に組み込んだ液晶表示装置００２Ｃ〜０３１Ｃを作製した。
【０４１５】
＜評価試験＞
［パネル評価］
＜作製した液晶表示装置の視野角依存性評価＞
実施例２と同様の方法により、漏れ光（％）求めることで、コントラストを評価することにした。その結果を表８に示す。
（漏れ光）＝ＬＡ／ＬＢ
＜作製した液晶表示装置の耐久性評価＞
実施例２と同様の方法で黒輝度上昇率をもとめ、液晶表示装置の耐久性を評価した。評価した結果を表８に示す。
その結果、本発明のフィルム試料（フィルム試料０１５〜０２３及び０２５〜０３０）を偏光板用保護フィルムとして使用した偏光板を用いた液晶表示装置により、視野角特性に優れ、且つ高温高湿の耐久性試験後の黒輝度の上昇を抑制し、耐久性に優れる液晶表示装置を得られることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０４１６】
【図１】ＩＰＳモード液晶セルの説明図である。
【符号の説明】
【０４１７】
１    液晶素子画素領域
２    画素電極
３    表示電極
４    ラビング方向
５ａ、５ｂ  黒表示時の液晶化合物のダイレクター
６ａ、６ｂ  白表示時の液晶化合物のダイレクター
【図１】
2007169523.tif 000117