(57)【要約】【課題】  同軸共振器において、従来方法よりも、低価格で、温度安定度、および再現性を向上させる。【解決手段】  外部導体と、前記外部導体内に配置される内部導体とを備える同軸共振器において、前記外部導体は、鉄系の鋼材で構成され、前記内部導体は、鉄系の鋼材から成る第１の部分と、鉄系の鋼材よりも低線膨張率の金属材からなる第２の部分とで構成され、前記内部導体を構成している金属部の長さをＬｉ、前記第１の部分の長さをＬｉＦ、前記第２の部分の長さをＬｉＳＴとするとき、Ｌｉ＝ＬｉＦ＋ＬｉＳＴ、ＬｉＳＴ＝Ｌｉ×（０．７３±０．１）を満足する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部導体と、前記外部導体内に配置される内部導体とを備え、
前記外部導体は、鉄系の鋼材で構成され、
前記内部導体は、鉄系の鋼材から成る第１の部分と、鉄系の鋼材よりも低線膨張率の金属材からなる第２の部分とで構成され、
前記内部導体を構成している金属部の長さをＬｉ、前記第１の部分の長さをＬｉＦ、前記第２の部分の長さをＬｉＳＴとするとき、Ｌｉ＝ＬｉＦ＋ＬｉＳＴ、ＬｉＳＴ＝Ｌｉ×（０．７３±０．１）を満足することを特徴とする同軸共振器。
【請求項２】
外部導体と、前記外部導体内に配置される内部導体とを備え、
前記外部導体は、鉄系の鋼材で構成され、
前記内部導体を構成する金属部の線膨張係数をＫｉとするとき、Ｋｉ＝（４±１）×１０−６／Ｃ°を満足することを特徴とする同軸共振器。
【請求項３】
前記内部導体は、取り付け部にフレア加工が施されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の同軸共振器。
【請求項４】
入力端子と出力端子との間に、複数の同軸共振器を有する同軸共振器型帯域通過フィルタにおいて、
前記同軸共振器として、前記請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の同軸共振器を使用することを特徴とする同軸共振器型帯域通過フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同軸共振器および同軸共振器型帯域通過フィルタに係り、特に、温度補償形の同軸共振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
移動通信、放送等の無線関連の分野においては、共振器の減衰特性、振幅偏差特性などが、温度に対して安定であることが要求される。
このような共振器の温度補償として、バイメタルを使用する方法（下記、非特許文献１参照）、あるいは、誘電体共振器を使用する方法が知られている。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【非特許文献１】テレビジョン無線技術研究会資料；「共振器の温度特性改善について」資料番号RE73-2（1973-01）、社団法人  テレビジョン学会、1973年 1月26日
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述のバイメタルを使用する方法は、温度安定度が３×１０−６／Ｃ°と、要求されている温度安定度０．１×１０−６／Ｃ°〜１×１０−６／Ｃ°にほど遠く、しかも、再現性が悪いという問題点があった。
また、前述の誘電体共振器を使用する方法は、誘電体共振器の誘電体材として、負（マイナス）の線膨張係数を持つ材質を使用し、温度補償を行うものであるが、価格が高価であり、多少大型化する、あるいは取り扱いが困難であるなどの問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、同軸共振器において、従来方法よりも、低価格で、温度安定度、および再現性を向上させることが可能となる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前述の同軸共振器を使用する同軸共振器型帯域通過フィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
前述の目的を達成するために、本発明の同軸共振器は、外部導体と、前記外部導体内に配置される内部導体とを備え、前記外部導体は、鉄系の鋼材で構成され、前記内部導体は、鉄系の鋼材から成る第１の部分と、鉄系の鋼材よりも低線膨張率の金属材からなる第２の部分とで構成され、前記内部導体を構成している金属部の長さをＬｉ、前記第１の部分の長さをＬｉＦ、前記第２の部分の長さをＬｉＳＴとするとき、Ｌｉ＝ＬｉＦ＋ＬｉＳＴ、ＬｉＳＴ＝Ｌｉ×（０．７３±０．１）を満足する。
また、本発明の同軸共振器は、外部導体と、前記外部導体内に配置される内部導体とを備え、前記外部導体が、鉄系の鋼材で構成され、前記内部導体を構成する金属部の線膨張係数をＫiとするとき、Ｋi＝（４±１）×１０−６／Ｃ°を満足する。
また、本発明では、前記内部導体は、取り付け部にフレア加工が施されている。
また、本発明は、入力端子と出力端子との間に、複数の同軸共振器を有する同軸共振器型帯域通過フィルタにおいて、前記同軸共振器として、前述の同軸共振器を使用する。
【発明の効果】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の同軸共振器によれば、従来方法よりも、低価格で、温度安定度、および再現性を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図１４は、従来の同軸共振器を説明するための模式図であり、同図（ａ）は内部構造を示す図、同図（ｂ）は上から見た図、同図（ｃ）は、並列共振回路で表現した場合の等価回路である。図１４において、１は内部導体、２は外部導体（筐体）である。
図１４に示す同軸共振器において、外部導体２の長さ（または、高さ）（Ｌｏ）を１４０ｍｍ、外部導体２の一辺の長さ（Ｓ）を１５０ｍｍ、内部導体１の直径（Ｄ）を５０ｍｍとして、内部導体１の長さ（または、高さ）（Ｌｉ）をパラメータとして変化させたときの、共振周波数の実測値と、当該周波数での（λ／４）長を図１５に示す。図１５において、Ａが実測値、Ｂが（λ／４）長を示す。
【０００８】
図１４に示す従来の同軸共振器において、内部導体１および外部導体２として、共に同一の金属材料を使用した場合の、温度による基準共振周波数（ｆｏ）からの周波数の変動（△ｆ）は、下記（１）式により求めることができる。
△ｆ＝Ｔ×Ｋ×ｆｏ    ・・・・・・・・・・・・・・・・・・    （１）
ここで、Ｔは、基準温度からの温度差、Ｋは、内部導体１および外部導体２として使用される金属材料の線膨張係数である。
例えば、金属材料が、線膨張係数（ＫＳＩ）が、ＫＳＩ＝１．５×１０−６／Ｃ°のスーパインバの場合で、Ｔが３０°Ｃ、ｆｏ＝５００ＭＨｚとした場合、温度による基準共振周波数（ｆｏ）からの変動（△ｆＳＩ）は、下記（２）式により求めることができる。
△ｆＳＩ＝３０×１．５×１０−６×５００×１０６
＝２２．５ＫＨｚ    ・・・・・・・・・・・・・・・・・・  （２）
また、金属材料が、線膨張係数（ＫＦ）が、ＫＦ＝１１×１０−６／Ｃ°の鉄系の鋼材（鉄、あるいは、ステンレス）の場合で、Ｔが３０°Ｃ、ｆｏ＝５００ＭＨｚとした場合、温度による基準共振周波数（ｆｏ）からの変動（△ｆＦ）は、下記（３）式により求めることができる。
△ｆＦ＝３０×１１×１０−６×５００×１０６
＝１６５ＫＨｚ    ・・・・・・・・・・・・・・・・・・    （３）
【０００９】
今、仮に、温度２０°Ｃにおいて、図１４に示す外部導体２の長さ（Ｌｏ(20））を１４０ｍｍ、内部導体１の長さ（Ｌｉ(20））を１１５ｍｍ、したがって、内部導体１と外部導体２との間の間隔（Ｌｉｏ(20)）を２５ｍｍとして、さらに、内部導体１を構成する金属材料の線膨張係数（Ｋｉ）を、Ｋｉ＝４×１０−６／Ｃ°とし、また、外部導体２を構成する金属材料の線膨張係数（Ｋｏ）を、Ｋｏ＝１１×１０−６／Ｃ°とするとき、温度５０°Ｃの時の、Ｌｏ(50)、Ｌｉ(50)、Ｌｉｏ(50)は、下記（４）式により求めることができる。
Ｌｏ(50)＝Ｌｏ(20)＋３０×Ｌｏ(20)×１１×１０−６
＝１４０＋３０×１４０×１１×１０−６
＝１４０＋０．０４６２
＝１４０．０４６２（ｍｍ）
Ｌｉ(50)＝Ｌｉ(20)＋３０×Ｌｉ(20)×４×１０−６
＝１１５＋３０×１１５×４×１０−６
＝１１５＋０．０１３８
＝１１５．０１３８（ｍｍ）
Ｌｉｏ(50)＝Ｌｏ(50)−Ｌｉ(50)
＝１４０．０４６２−１１５．０１３８
＝２５．０３２４（ｍｍ）
・・・・・・・・・・・・・・・・    （４）
【００１０】
この場合に、温度の上昇に伴って、内部導体１の長さ（Ｌｉ）が長くなって、図１４に示す同調インダクタンスのインダクタンス値（Ｌr1）が大きくなるので、共振周波数が低くなるように作用（作用１）するが、内部導体１と外部導体２との間の間隔（Ｌｉｏ）が、２５ｍｍから２５．０３２４ｍｍと広くなるので、同調容量の容量値（Ｃr1）が小さくなり、共振周波数が高くなるようにも作用（作用２）する。
一般に、図１４に示す並列共振回路の基準共振周波数（ｆｏ）は、ｆｏ＝１／２π√（Ｌr1）×（Ｃr1）で表される。
そして、温度の上昇に伴って、インダクタンス値（Ｌr1）が大きく（Ｌr1＋△Ｌ）、容量値（Ｃr1）が小さく（Ｃr1−△Ｃ）なると、並列共振回路の共振周波数（ｆｏ＋△ｆ）は、（ｆｏ＋△ｆ）＝１／２π√｛（Ｌr1＋△Ｌ）×（Ｃr1−△Ｃ）｝となる。
ここで、｛（Ｌr1＋△Ｌ）×（Ｃr1−△Ｃ）｝を展開すると、（Ｌr1×Ｃr1＋△Ｌ×Ｃr1−△Ｃ×Ｌr1−△Ｌ×△Ｃ）となり、△Ｌ×△Ｃは、ほぼ０（△Ｌ×△Ｃ≒０）と見なせる。
したがって、（△Ｌ／Ｌr1＝△Ｃ／Ｃr1）のとき、（Ｌr1＋△Ｌ）×（Ｃr1−△Ｃ）＝（Ｌr1×Ｃr1）となり、（ｆｏ＋△ｆ）＝ｆｏ（△ｆ＝０）とすることができる。
【００１１】
このように、温度が上昇（または、下降）に伴って、同調インダクタンスのインダクタンス値（Ｌr1）が増加（または、減少）する方向と、同調容量の容量値（Ｃr1）が増加（または、減少）する方向とを逆向きにし、同調インダクタンスのインダクタンス値（Ｌr1）の変動比（△Ｌ／Ｌr1）と、同調容量の容量値（Ｃr1）の変動比（△Ｃ／Ｃr1）を一致させると、温度が上昇、または、下降しても、並列共振回路の基準共振周波数（ｆｏ）の変動を抑えることが可能となる。
即ち、作用１による共振周波数の高い方のズレと、作用２による共振周波数の低い方のズレとを同じにすることにより、作用１、および作用２による共振周波数のズレを互いにキャンセルすることが可能となり、温度変化による共振周波数のズレを少なくすることが可能となる。
本発明は、前述した作用１、および作用２による共振周波数のズレを互いにキャンセルするために、内部導体１を、鉄系の鋼材（鉄、あるいは、ステンレス）から成る第１の部分と、鉄系の鋼材よりも低線膨張率の金属材（例えば、スーパアンバ）からなる第２の部分とで構成したことを特徴とする。
【００１２】
図１は、本発明の実施例の同軸共振器を説明するための模式図であり、同図（ａ）は内部構造を示す図、同図（ｂ）は上から見た図、同図（ｃ）は、並列共振回路で表現した場合の等価回路である。
図１において、１Ａは内部導体１の第１の部分であり、この部分は、鉄系の鋼材（鉄、あるいは、ステンレス）で構成される。また、１Ｂは内部導体１の第２の部分であり、この部分は、鉄系の鋼材よりも低線膨張率の金属材（例えば、スーパアンバ）で構成される。ここで、第１の部分（１Ａ）および第２の部分（１Ｂ）は、溶接により一体化されるとともに、銅メッキが施されている。
今、仮に、温度２０°Ｃにおいて、図１に示す外部導体２の長さ（または、高さ）（Ｌｏ(20））を１４０ｍｍ、内部導体１の第１の部分（１Ａ）の長さ（または、高さ）（ＬｉＦ(20））を３１．０５ｍｍ、第２の部分（１Ｂ）の長さ（または、高さ）（ＬｉＳＩ(20））を８３．９５ｍｍとし、したがって、内部導体全体の長さ（Ｌｉ(20)）を１１５ｍｍ、内部導体１と外部導体２との間の間隔（Ｌｉｏ(20)）を２５ｍｍとして、さらに、第１の部分（１Ａ）を構成する金属材料（ここでは、鉄系の鋼材）の線膨張係数（ＫＦ）を、ＫＦ＝１１×１０−６／Ｃ°、第１の部分（１Ａ）を構成する金属材料（ここでは、スーパアンバ）の線膨張係数（ＫＳＩ）を、ＫＳＩ＝１．５×１０−６／Ｃ°とするとき、温度５０°Ｃの時の、Ｌｏ(50)、ＬｉＦ(50）、ＬｉＳＴ(50)、Ｌｉｏ(50)）は、下記（５）式により求めることができる。
【００１３】
Ｌｏ(50)＝Ｌｏ(20)＋３０×Ｌｏ(20)×１１×１０−６
＝１４０．０４６２（ｍｍ）
ＬｉＦ(50）＝ＬｉＦ(20)＋３０×ＬｉＦ(20)×１１×１０−６
＝３１．０５＋３０×３１．０５×１１×１０−６
＝３１．０５＋０．０１０２４６５
＝３１．０６０２４５（ｍｍ）
ＬｉST(50)＝ＬｉＳＴ(20) ＋３０×ＬｉＳＴ(20)×１．５×１０−６
＝８３．９５＋３０×８３．９５×４×１０−６
＝８３．９５＋０．００３７７７７５
＝８３．９５３７７７７５（ｍｍ） 
Ｌｉ(50)＝ＬｉＦ(20）＋ＬｉＳＴ(50)
＝３１．０６０２４５＋８３．９５３７７７７５
＝１１５．０１４０４３
Ｌｉｏ(50)＝Ｌｏ(50)−Ｌｉ(50)
＝１４０．０４６２−１１５．０１４０４３
＝２５．０３２１５７（ｍｍ）
・・・・・・・・・・・・・・・・    （５）
【００１４】
したがって、本実施例でも、温度の上昇に伴って内部導体１の内部導体全体の長さ（Ｌｉ）が長くなって、図１に示す同調インダクタンスのインダクタンス値（Ｌr2）が大きくなるので、共振周波数が低くなるように作用（作用１）するが、内部導体１と外部導体２との間の間隔（Ｌｉｏ）が、２５ｍｍから２５．０３２１５７ｍｍと広くなるので、同調容量の容量値（Ｃr2）が小さくなり、共振周波数が高くなるように作用（作用２）する。
したがって、作用１による共振周波数の高い方のズレと、作用２による共振周波数の低い方のズレとを同じにすることにより、作用１、および作用２による共振周波数のズレを互いにキャンセルすることが可能となり、温度変化による共振周波数のズレを少なくすることが可能となる。
この場合の等価線膨張係数（Ｋｉ）は、下記（６）式のようになる。
３０×１１５×Ｋｉ＝０．０１４０４３
Ｋｉ＝ ０．０１４０４３／３４５０
≒４．０６６×１０−６      ・・・・・・・・・・・・・・   （６）
【００１５】
図２は、本実施例の内部導体１の変形例を示す図であり、内部導体１を構成するパイプの一部を押し広げ、フレア状の取り付けフランジ部（１Ｃ）を構成したものである。
図２に示す構造の内部導体１を使用した同軸共振器において、（２０±３０）Ｃ°（−１０°〜５０°Ｃ）の温度特性を測定し、図示したものが、図３のグラフである。
この図３のグラフにおいて、Ｌf、ＬSTは、下記（７）式で定義される。
Ｌf＝ＬｉＦ／Ｌｉ 
ＬＳＴ＝ＬｉＳＴ／Ｌｉ 
１＝Ｌf＋ＬST    ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ ・     （７）
ここで、Ｌｉは、内部導体全体の長さ、ＬｉＦは、内部導体１の第１の部分（１Ａ）の長さ、ＬｉＳＴは、内部導体１の第２の部分（１Ｂ）の長さである。
この図３から、ＬｉＦ＝０．２７×Ｌｉ、ＬｉＳＴ＝０．７３×Ｌｉの時に、温度変化による共振周波数のズレ（△ｆ）が略０（△ｆ≒０）となることが分かる。
【００１６】
この状態のときには、共振周波数のズレ（△ｆ）として、０．１５ＫＨｚを得ることができ、そのときの温度安定度（Ｋ）として、下記（８）式により、（１×１０−７）が得られる。
１５００＝３０×Ｋ×５００×１０６
Ｋ≒１×１０−７        ・・・・・・・・・・・・・・・    （８）
なお、前述の説明では、ＬｉＦ＝０．２７×Ｌｉ、ＬｉＳＴ＝０．２７×Ｌｉの場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＬｉＦ、ＬｉＳＴは、ＬｉＦ＝Ｌｉ×（０．２７±０．１）、ＬｉＳＴ＝Ｌｉ×（０．７３±０．１）、より好ましくは、ＬｉＦ＝Ｌｉ×（０．２７±０．０５）、ＬｉＳＴ＝Ｌｉ×（０．７３±０．０５）が望ましい。
また、図３の結果を用いて、等価線膨張係数（Ｋｉ）を求めると、図４に示すグラフとなる。なお、図４において、Ａは、スーパインバの線膨張係数（ＫＳＩ）が、１．５×１０−６／Ｃ°の場合、Ｂは、スーパインバの線膨張係数（ＫＳＩ）が、１．０×１０−６／Ｃ°の場合である。
この図４から、スーパインバの線膨張係数（ＫＳＩ）が、１．５×１０−６／Ｃ°の場合、内部導体１の線膨張係数（Ｋｉ）が、Ｋｉ＝４．０５×１０−６／Ｃ°のときに、温度変化による共振周波数のズレ（△ｆ）が略０（△ｆ≒０）となることが分かる。
なお、前述の説明では、Ｋｉ＝４．０５×１０−６／Ｃ°の場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、Ｋｉは、Ｋｉ＝（４±１）×１０−６／Ｃ°、より好ましくは、Ｋｉ＝（４±０．０５）×１０−６／Ｃ°が望ましい。
【００１７】
図５は、本発明の実施例の単一有極型の６次同軸共振器型帯域通過フィルタ（以下、６次同軸共振器型ＢＰＦという）の概略構成を示す模式図である。なお、図５は、同軸共振器型ＢＰＦの内部を上から見た図である。
図５において、１０は外部導体、１１は隔壁、１５は入力（または出力）端子、１６は出力（または入力）端子、Ｒ１〜Ｒ６は、前述した同軸共振器、１は内部導体である。ここで、外部導体１０と、隔壁１１とは、各同軸共振器の外部導体を構成する。
また、入力端子１５、および出力端子１６は、それぞれ、例えば、同軸接栓より成り、各同軸接栓を形成する外部導体が、共振器を構成する外部導体１０に接続される。
図５に示す有極型の６次同軸共振器型ＢＰＦでは、入力端子１５と出力端子１６との間に、１番目から６番目の順番に、６個の同軸共振器（Ｒ１〜Ｒ６）がコの字状に配置され、図５のＭ１２，Ｍ２３，Ｍ３４，Ｍ４５，Ｍ５６に示すように、各同軸共振器（Ｒ１〜Ｒ６）間は、磁気結合回路で主結合される。
【００１８】
また、入力端子１５と同軸共振器（Ｒ１）との間、並びに、出力端子１６と同軸共振器（Ｒ６）との間は、図５のＭ０１，Ｍ６７に示すように、磁気結合回路で結合され、また、図５のＣ２５に示すように、同軸共振器（Ｒ２）と同軸共振器（Ｒ５）との間が容量性の結合回路で副結合されている。
各同軸共振器間を主結合する磁気結合回路としては、例えば、図６に示すように、窓２０が形成された隔壁１１を用いればよい。
また、図５に示す有極型の６次同軸共振器型ＢＰＦにおいて、同軸共振器（Ｒ２）と同軸共振器（Ｒ５）との間を副結合する容量性の結合回路としては、例えば、図７に示すような、隔壁１１の上下異なる位置で、ループ素子の両端が隔壁１１に電気的、機械的に接続される構造のループ素子（Ｓ字形のループ素子）２６、あるいは、図８に示すような、容量素子２７を使用すればよい。
図９は、図５に示す単一有極型の６次同軸共振器型ＢＰＦの等価回路を示す回路図である。
【００１９】
図１０は、本実施例の単一有極型の６次同軸共振器型ＢＰＦの一例の減衰特性を示すグラフであり、横軸は周波数（ＭＨｚ）でメモリ間隔は２ＭＨｚ、縦軸は減衰量（ｄＢ）でメモリ間隔は５ｄＢであり、また、中心周波数は６２５．８４６ＭＨｚである。この図１０は、内部導体全体の長さ（Ｌｉ）が、Ｌｉ＝９０ｍｍ、内部導体１の第１の部分（１Ａ）の長さ（ＬｉＦ）が、ＬｉＦ＝２５ｍｍ、内部導体１の第２の部分（１Ｂ）の長さ（ＬｉＳＴ）が、ＬｉＳＴ＝７３ｍｍ、したがって、ＬＳＴ（＝ＬｉＳＴ／Ｌｉ）≒０．８１１の場合である。
図１１は、図１０に示すグラフを拡大して示すグラフであり、横軸のメモリ間隔が０．０５ＭＨｚ、縦軸のメモリ間隔が１ｄＢであり、また、中心周波数は６２８．８４６ＭＨｚである。
この図１１のグラフから分かるように、ＬＳＴ（＝ＬｉＳＴ／Ｌｉ）≒０．８１１の場合には、温度の上昇に応じて、共振周波数のズレ（△ｆ）が略０（△ｆ≒０）となっていることが分かる。
【００２０】
図１２は、本実施例の単一有極型の６次同軸共振器型ＢＰＦの他の例の減衰特性を示すグラフであり、横軸は周波数（ＭＨｚ）でメモリ間隔は２ＭＨｚ、縦軸は減衰量（ｄＢ）でメモリ間隔は５ｄＢであり、また、中心周波数は４９１．０ＭＨｚである。この図１２において、内部導体全体の長さ（Ｌｉ）が、Ｌｉ＝１１５ｍｍ、内部導体１の第１の部分（１Ａ）の長さ（ＬｉＦ）が、ＬｉＦ＝２５ｍｍ、内部導体１の第２の部分（１Ｂ）の長さ（ＬｉＳＴ）が、ＬｉＳＴ＝９０ｍｍ、したがって、ＬＳＴ（＝ＬｉＳＴ／Ｌｉ）≒０．７８２の場合である。
図１３は、図１２に示すグラフを拡大して示すグラフであり、横軸のメモリ間隔が０．０５ＭＨｚ、縦軸のメモリ間隔が１ｄＢであり、また、中心周波数は４９４．０ＭＨｚである。また、図１３のＡが、温度が１０°Ｃの場合、図１３のＢが温度が２３°Ｃ、図１３のＣが温度が５０°Ｃのときの減衰特性である。
この図１３のグラフから分かるように、ＬＳＴ（＝ＬｉＳＴ／Ｌｉ）≒０．７８２の場合には、温度の上昇に応じて、共振周波数のズレ（△ｆ）が大きくなることが分かる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施例の同軸共振器を説明するための模式図である。
【図２】本発明の実施例の内部導体の変形例を示す図である。
【図３】図２に示す構造の内部導体を使用した同軸共振器において、−１０°〜５０°Ｃの温度特性を測定したグラフである。
【図４】図３の結果を用いて求めた等価線膨張係数（Ｋｉ）を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例の単一有極型の６次同軸共振器型帯域通過フィルタの概略構成を示す模式図である。
【図６】図５に示す単一有極型の６次同軸共振器型帯域通過フィルタにおける、各同軸共振器間を主結合する磁気結合回路の一例を示す図である。
【図７】図５に示す単一有極型の６次同軸共振器型帯域通過フィルタにおける、同軸共振器（Ｒ２）と同軸共振器（Ｒ５）との間を副結合する容量性の結合回路の一例を示す図である。
【図８】図５に示す単一有極型の６次同軸共振器型帯域通過フィルタにおける、同軸共振器（Ｒ２）と同軸共振器（Ｒ５）との間を副結合する容量性の結合回路の他の例を示す図である。
【図９】図５に示す単一有極型の６次同軸共振器型帯域通過フィルタの等価回路を示す回路図である。
【図１０】本発明の実施例の単一有極型の６次同軸共振器型帯域通過フィルタの一例の減衰特性を示すグラフである。
【図１１】図１０に示すグラフを拡大して示すグラフである。
【図１２】本発明の実施例の単一有極型の６次同軸共振器型帯域通過フィルタの他の例の減衰特性を示すグラフである。
【図１３】図１２に示すグラフを拡大して示すグラフである。
【図１４】従来の同軸共振器を説明するための模式図である。
【図１５】図１４に示す同軸共振器の一例の共振周波数の実測値と、当該周波数での（λ／４）長を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２２】
１  内部導体
１Ａ  内部導体１の第１の部分
１Ｂ  内部導体１の第２の部分
１Ｃ  内部導体１のフレア状の取り付けフランジ部（１ｃ）
２，１０  外部導体（筐体）
１１  隔壁
１５  入力（または出力）端子
１６  出力（または入力）端子
２０  窓
２６  副結合回路を構成するＳ字形のループ素子
２７  副結合回路を構成する容量素子
Ｒ１〜Ｒ６  同軸共振器
【図１】
2007013279.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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