(57)【要約】【課題】保護用絶縁膜により長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減する。【解決手段】反射型ＴＦＴ基板１は、基板１０と、ゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート絶縁膜３０と、ｎ型酸化物半導体層４０と、チャンネル部４１によって隔てられて形成された金属層６０と、画素電極６７，ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５が露出した状態で、ガラス基板１０の上方を覆う保護用絶縁膜８０とを具備し、金属層６０が、ソース配線６５，ドレイン配線６６，ソース電極６３，ドレイン電極６４及び画素電極６７を兼ねる。【選択図】  図９
2007212699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
この基板の上方に形成されたゲート電極及びゲート配線と、
前記基板，前記ゲート電極及び前記ゲート配線の上方に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の上方の前記ゲート絶縁膜の上方に形成された酸化物層と、
前記酸化物層の上方にチャンネル部によって隔てられて形成された金属層と、
ソース・ドレイン電極と電気的に接続された画素電極と
を具備する反射型ＴＦＴ基板であって、
前記金属層が、少なくとも前記画素電極及び該画素電極と接続された前記ソース・ドレイン電極を兼ねることを特徴とする反射型ＴＦＴ基板。
【請求項２】
前記酸化物層と金属層との間に、酸化物導電体層が形成されたことを特徴とする請求項１記載の反射型ＴＦＴ基板。
【請求項３】
前記金属層の反射率が８０％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の反射型ＴＦＴ基板。
【請求項４】
前記金属層が、アルミニウム，銀若しくは金からなる薄膜、又は、アルミニウム，銀若しくは金を含む合金層からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の反射型ＴＦＴ基板。
【請求項５】
前記反射型ＴＦＴ基板が金属層及び／又は金属薄膜を備え、前記金属層及び／又は金属薄膜を保護する金属層保護用酸化物透明導電体層を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のＴＦＴ基板。
【請求項６】
前記反射型ＴＦＴ基板の上方が保護用絶縁膜によって覆われ、かつ、前記保護用絶縁膜が、各画素電極，ソース・ドレイン配線パッド及びゲート配線パッドに対応する位置に開口部を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の反射型ＴＦＴ基板。
【請求項７】
前記酸化物層が、ｎ型酸化物半導体層であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の反射型ＴＦＴ基板。
【請求項８】
前記酸化物層が、前記チャンネル部，ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極に対応する所定の位置に形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の反射型ＴＦＴ基板。
【請求項９】
前記酸化物層のエネルギーギャップが、３．０ｅＶ以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の反射型ＴＦＴ基板。
【請求項１０】
基板の上方に、第一のマスクを用いて、ゲート電極及びゲート配線を形成する工程と、
前記基板，ゲート電極及びゲート配線の上方に、ゲート絶縁膜，酸化物層，金属層及び第二のレジストを積層し、ハーフトーン露光によって、前記第二のレジストを所定の形状に形成する工程と、
前記第二のレジストを用いて、前記金属層及び酸化物層をエッチングして、ソース配線，ドレイン配線及び画素電極を形成する工程と、
前記第二のレジストを再形成した後、該第二のレジストを用いて、前記ゲート電極の上方の前記金属層を選択的にエッチングし、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
露出した前記ゲート絶縁膜及び酸化物層の上方、並びに、前記ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極の上方に、保護用絶縁膜及び第三のレジストを積層し、第三のマスクを用いて、第三のレジストを所定の形状に形成する工程と、
前記第三のレジストを用いて、前記画素電極及びソース・ドレイン配線パッドの上方の前記保護用絶縁膜、並びに、前記ゲート配線パッドの上方の前記保護用絶縁膜及びゲート絶縁膜をエッチングし、前記画素電極，ソース・ドレイン配線パッド及びゲート配線パッドを露出させる工程と
を有することを特徴とする反射型ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化物層と金属層の間に、酸化物導電体層を積層することを特徴とする請求項１０記載の反射型ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記金属層の上方に、金属層保護用酸化物透明導電体層を積層することを特徴とする請求項１０又は１１記載の反射型ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記ゲート電極及びゲート配線の上方に、金属層保護用酸化物透明導電体層を積層することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の反射型ＴＦＴ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型ＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板の製造方法に関し、特に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の活性層としての酸化物半導体層と、この酸化物半導体層上にチャンネル部によって隔てられて形成され、ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極を兼ねる金属層と、保護用絶縁膜とを具備することにより、長期間にわたり安定に作動させるとともに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることができ、さらに、ゲート配線どうしが干渉する（クロストーク）といった心配を排除することができる反射型ＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ（液晶表示装置）や有機ＥＬ表示装置は、表示性能、省エネルギー等の理由から広く利用されている。特に、携帯電話やＰＤＡ（個人向け携帯情報端末）、パソコンやラップトップパソコン、テレビ等の表示装置として、ほぼ主流を占めるに至っている。これらの表示装置には、一般に、ＴＦＴ基板（反射型ＴＦＴ基板などをも含む。）が用いられている。
【０００３】
例えば、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶などの表示材料を充填し、この表示材料に対して画素ごとに選択的に電圧を印加するように構成されている。ここで、ＴＦＴ基板とは、半導体薄膜（半導体膜とも呼ばれる）などからなるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が配置されている基板をいう。一般に、ＴＦＴ基板は、アレイ状にＴＦＴが配置されているので、「ＴＦＴアレイ基板」とも呼ばれる。
【０００４】
なお、液晶表示装置などに用いられるＴＦＴ基板は、ＴＦＴと液晶表示装置の画面の１画素との組（これを１ユニットと呼ぶ）が、ガラス基板上に縦横に配設されている。ＴＦＴ基板は、ガラス基板上に、ゲート配線が例えば縦方向に等間隔で配置されており、ソース配線又はドレイン配線が横方向に等間隔で配置されている。また、ゲート電極，ソース電極及びドレイン電極が、各画素を構成する上記ユニット中にそれぞれ設けられている。
【０００５】
＜ＴＦＴ基板の従来の製造方法＞
さて、このＴＦＴ基板の製造法としては、通常、５枚のマスクを使用する５マスクプロセスや、ハーフトーン露光技術を利用してマスクを４枚に減らした４枚マスクプロセス等が知られている。
ところで、このようなＴＦＴ基板の製造法は、５枚ないし４枚のマスクを使用することから、その製造プロセスは工程数が多くなりがちである。たとえば、４枚マスクプロセスの場合でも３５ステップ（工程）、５枚マスクプロセスの場合では、４０ステップ（工程）を超える工程が必要であることが知られている。このように工程数が多くなると、製造歩留りが低下する恐れがある。また、工程数が多いと、工程が複雑となりがちであり、製造コストが増大する恐れもある。
【０００６】
（５枚のマスクを用いた製造方法）
図１１は、従来例にかかるＴＦＴ基板の製造方法を説明するための概略図であり、（ａ）はゲート電極が形成された断面図を、（ｂ）はエッチストッパーが形成された断面図を、（ｃ）はソース電極及びドレイン電極が形成された断面図を、（ｄ）は層間絶縁膜が形成された断面図を、（ｅ）は透明電極が形成された断面図を示している。
同図（ａ）において、ガラス基板２１０上に、第一のマスク（図示せず）を用いて、ゲート電極２１２が形成されている。すなわち、まず、ガラス基板２１０上に、スパッタリングによって金属（たとえば、Ａｌなどの）を堆積させ、その後、第一のマスクを用いてホトリソグラフィー法によりレジストを形成し、所望形状にエッチングすることによってゲート電極２１２を形成し、レジストをアッシングする。
【０００７】
次に、同図（ｂ）に示すように、ガラス基板２１０及びゲート電極２１２上に、ＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）となるゲート絶縁膜２１３，及び，α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜２１４を順に積層する。続いて、チャンネル保護層であるＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）を堆積させ、さらに、第二のマスク（図示せず）を用いてホトリソグラフィー法によりレジストを形成し、ＣＨＦガスを用いてＳｉＮ膜を所望の形状にドライエッチングし、エッチストッパー２１５を形成し、レジストをアッシングする。
【０００８】
次に、同図（ｃ）に示すように、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜２１４及びエッチストッパー２１５上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜２１６を堆積させ、さらに、その上にＣｒ／Ａｌ二層膜を真空蒸着、あるいは、スパッタリング法を用いて堆積させる。続いて、第三のマスク（図示せず）を用いてホトリソグラフィー法によりレジストを形成し、Ｃｒ／Ａｌ二層膜をエッチングし、所望の形状のソース電極２１７ａ及びドレイン電極２１７ｂを形成する。このエッチングは、Ａｌに対しては、Ｈ３ＰＯ４−ＣＨ３ＣＯＯＨ−ＨＮＯ３を用いたホトエッチングによって行われ、また、Ｃｒに対しては、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液を用いたホトエッチングによって行われる。さらに、α−Ｓｉ：Ｈ膜（２１６及び２１４）に対して、ＣＨＦガスを用いたドライエッチングとヒドラジン水溶液（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２０）を用いたウェットエッチングを併用してエッチングし、所望の形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜２１６及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜２１４を形成し、レジストをアッシングする。
【０００９】
次に、同図（ｄ）に示すように、透明電極２１９を形成する前に、ゲート絶縁膜２１３，エッチストッパー２１５，ソース電極２１７ａ及びドレイン電極２１７ｂ上に、層間絶縁膜２１８を堆積させる。続いて、第四のマスク（図示せず）を用いてホトリソグラフィー法によりレジストを形成し、層間絶縁膜２１８をエッチングし、ソース電極２１７ａと次に述べる透明電極２１９とを電気的に接続するためのスルーホール２１８ａを形成し、レジストをアッシングする。
【００１０】
次に、同図（ｅ）に示すように、ソース電極２１７ａ及びドレイン電極２１７ｂのパターンが形成された領域の層間絶縁膜２１８上に、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とする非晶質透明導電膜をスパッタリング法で堆積させる。続いて、第五のマスク（図示せず）を用いてホトリソグラフィー法によりレジストを形成し、非晶質透明導電膜を蓚酸４重量％の水溶液をエッチャントとして用いてホトエッチングを行い、ソース電極２１７ａと電気的に接続するような形状にパターニングし、レジストをアッシングする。これによって、透明電極２１９が形成される。
このように、本従来例によるＴＦＴ基板の製造方法によれば、５枚のマスクが必要である。
【００１１】
（３枚のマスクを用いた製造方法）
上記従来の技術を改良する技術として、マスクの数を（例えば、５枚から３枚に）減らし、より製造工程を削減した方法でＴＦＴ基板を製造する技術が種々提案されている。たとえば、下記特許文献１〜７には、３枚のマスクを用いたＴＦＴ基板の製造方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００４−３１７６８５号公報
【特許文献２】特開２００４−３１９６５５号公報
【特許文献３】特開２００５−０１７６６９号公報
【特許文献４】特開２００５−０１９６６４号公報
【特許文献５】特開２００５−０４９６６７号公報
【特許文献６】特開２００５−１０６８８１号公報
【特許文献７】特開２００５−１０８９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記特許文献１〜７に記載された３枚のマスクを用いたＴＦＴ基板の製造方法は、ゲート絶縁膜の陽極酸化工程が付加されているなど、非常に煩雑な製造プロセスであり、実用に供することが困難な技術であるといった問題があった。
また、実際の製造ラインにおいては、品質（たとえば、長期間にわたる動作安定性やゲート配線どうしが干渉する（クロストーク）といった不具合を回避すること）が重要であり、品質を向上させるとともに、生産性をも向上させることの可能な実用的な技術が要望されていた。
さらに、反射型のＴＦＴ基板に対しても、品質や生産性を向上させることが要望されていた。
【００１３】
本発明は、係る課題に鑑みなされたものであり、保護用絶縁膜により長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能な反射型ＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板の製造方法の提案を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、基板と、この基板の上方に形成されたゲート電極及びゲート配線と、前記基板，前記ゲート電極及び前記ゲート配線の上方に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の上方の前記ゲート絶縁膜の上方に形成された酸化物層と、前記酸化物層の上方にチャンネル部によって隔てられて形成された金属層と、ソース・ドレイン電極と電気的に接続された画素電極とを具備する反射型ＴＦＴ基板であって、前記金属層が、少なくとも前記画素電極及び該画素電極と接続された前記ソース・ドレイン電極を兼ねる構成としてある。
このようにすると、製造する際に使用するマスク数を削減でき、製造工程が削減されることにより、生産効率が向上し製造原価のコストダウンを図ることができる。また、通常、金属層が、ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極を兼ねる構造とされ、このようにすると、ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極を効率よく製造することができるとともに、各配線や電極の電気抵抗を低減することができ、信頼性が向上し、かつ、エネルギー効率の低下を抑制することができる。
なお、「金属層が、少なくとも画素電極及び該画素電極と接続されたソース・ドレイン電極を兼ねる」とは、形成された金属層が、少なくとも画素電極及び該画素電極と接続されたソース電極又はドレイン電極としての機能を有することをいう。
【００１５】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、前記酸化物層と金属層との間に、酸化物導電体層が形成された構成としてある。
このようにすると、ＴＦＴのスイッチング速度が高速化するとともに、ＴＦＴの耐久性を向上させることができる。
【００１６】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、前記金属層の反射率が８０％以上としてあり、輝度に優れた反射型ＴＦＴ基板を提供することができる。
さらに、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、前記金属層が、アルミニウム，銀若しくは金からなる薄膜、又は、アルミニウム，銀若しくは金を含む合金層からなる構成としてある。このようにすると、より多くの光を反射することができ、輝度を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、前記反射型ＴＦＴ基板が金属層及び／又は金属薄膜を備え、前記金属層及び／又は金属薄膜を保護する金属層保護用酸化物透明導電体層を有する構成としてある。
このようにすると、金属層及び／又は金属薄膜の腐蝕を防ぐとともに、耐久性を向上させることができる。たとえば、ゲート配線として金属薄膜を用いた場合、ゲート配線パッド用の開口部を形成した際、金属表面が露出するのを防止でき、接続信頼性を向上させることができる。また、金属層が反射金属層である場合、反射金属層の変色などを防止でき、反射金属層の反射率が低下するといった不具合を防止することができる。さらに、透明としてあるので、光の透過量が減少しないので、輝度の優れた表示装置を提供することができる。
【００１８】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、前記反射型ＴＦＴ基板の上方が保護用絶縁膜によって覆われ、かつ、前記保護用絶縁膜が、各画素電極，ソース・ドレイン配線パッド及びゲート配線パッドに対応する位置に開口部を有する構成としてある。
このようにすると、チャンネル部の酸化物層の上部が、保護用絶縁膜により保護されているので、長期間にわたり安定に作動することができる。また、反射型ＴＦＴ基板自体が保護用絶縁膜を備えた構造となるので、液晶や有機ＥＬ材料などを利用した表示手段や発光手段を容易に製造可能な反射型ＴＦＴ基板を提供することができる。
なお、ソース・ドレイン配線パッドとは、ソース配線パッド又はドレイン配線パッドをいう。
【００１９】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、前記酸化物層が、ｎ型酸化物半導体層である。
このように、ＴＦＴの活性層として酸化物半導体層を使用することにより、電流を流しても安定であり、電流制御により作動させる有機電界発光装置にとって有用である。
【００２０】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、前記酸化物層が、前記チャンネル部，ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極に対応する所定の位置に形成された構成としてある。
このようにすると、通常、酸化物層が、所定の位置にのみ形成されることとなるので、ゲート配線どうしが干渉する（クロストーク）といった心配を排除することができる。
【００２１】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板は、前記酸化物層のエネルギーギャップが、３．０ｅＶ以上である。
このように、エネルギーギャップを３．０ｅＶ以上とすることにより、光による誤動作を防止することができる。なお、通常、エネルギーギャップは、３．０ｅＶ以上あればよいが、好ましくは、３．２ｅＶ以上とするとよく、さらに、好ましくは、３．４ｅＶ以上とするとよい。このように、エネルギーギャップを大きくすることにより、光による誤動作をより確実に防止することができる。また、酸化物導電体層を備える場合、この酸化物導電体層のエネルギーギャップをも、３．０ｅＶ以上とするとよく、同様の効果を得ることができる。
【００２２】
また、上記目的を達成するために、本発明の反射型ＴＦＴ基板の製造方法は、基板の上方に、第一のマスクを用いて、ゲート電極及びゲート配線を形成する工程と、前記基板，ゲート電極及びゲート配線の上方に、ゲート絶縁膜，酸化物層，金属層及び第二のレジストを積層し、ハーフトーン露光によって、前記第二のレジストを所定の形状に形成する工程と、前記第二のレジストを用いて、前記金属層及び酸化物層をエッチングして、ソース配線，ドレイン配線及び画素電極を形成する工程と、前記第二のレジストを再形成した後、該第二のレジストを用いて、前記ゲート電極の上方の前記金属層を選択的にエッチングし、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、露出した前記ゲート絶縁膜及び酸化物層の上方、並びに、前記ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極の上方に、保護用絶縁膜及び第三のレジストを積層し、第三のマスクを用いて、第三のレジストを所定の形状に形成する工程と、前記第三のレジストを用いて、前記画素電極及びソース・ドレイン配線パッドの上方の前記保護用絶縁膜、並びに、前記ゲート配線パッドの上方の前記保護用絶縁膜及びゲート絶縁膜をエッチングし、前記画素電極，ソース・ドレイン配線パッド及びゲート配線パッドを露出させる工程とを有する方法としてある。
このように、本発明は、反射型ＴＦＴ基板の製造方法としても有効であり、三枚のマスクを用いて、保護用絶縁膜を有する反射型ＴＦＴ基板を製造することができ、マスク数が削減され製造工程が削減されることにより、生産効率が向上し製造原価のコストダウンを図ることができる。また、チャンネル部の酸化物層の上部が、保護用絶縁膜により保護されているので、長期間にわたり安定に作動させることができる。さらに、通常、酸化物層が、所定の位置（チャンネル部，ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極に対応する所定の位置）にのみ形成されることとなるので、ゲート配線どうしが干渉する（クロストーク）といった心配を排除することができる。
【００２３】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板の製造方法は、前記酸化物層と金属層の間に、酸化物導電体層を積層する方法としてある。
このようにすると、ＴＦＴのスイッチング速度が高速化するとともに、ＴＦＴの耐久性を向上させることができる。
【００２４】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板の製造方法は、前記金属層の上方に、金属層保護用酸化物透明導電体層を積層する方法としてある。
このようにすると、金属層の腐蝕を防ぐとともに、耐久性を向上させることができる。たとえば、金属層が反射金属層である場合、反射金属層の変色などを防止でき、反射金属層の反射率が低下するといった不具合を防止することができる。
【００２５】
また、本発明の反射型ＴＦＴ基板の製造方法は、前記ゲート電極及びゲート配線の上方に、金属層保護用酸化物透明導電体層を積層する方法としてある。
このようにすると、たとえば、ゲート配線として金属層を用いた場合、ゲート配線パッド用の開口部を形成した際、金属表面が露出するのを防止でき、接続信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明における反射型ＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板の製造方法によれば、マスク数が削減され製造工程が削減されることにより、生産効率が向上し製造原価のコストダウンを図ることができる。また、チャンネル部の酸化物層の上部が、保護用絶縁膜により保護されているので、長期間にわたり安定に作動させることができる。さらに、ゲート配線どうしが干渉する（クロストーク）といった心配を排除することができる。また、通常、金属層が、ソース配線，ドレイン配線，ソース電極，ドレイン電極及び画素電極を兼ねる構造とされ、各配線や電極の電気抵抗を低減することができ、信頼性が向上し、かつ、エネルギー効率の低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
［反射型ＴＦＴ基板の製造方法における一実施形態］
図１は、本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法を説明するための概略フローチャート図を示している。
同図において、まず、基板１０上に、第一のマスク２２を用いて、ゲート電極２１及びゲート配線２２を形成する（ステップＳ１）。
次に、第一のマスク２２を用いた処理について、図面を参照して説明する。
【００２８】
（第一のマスクを用いた処理）
図２は、本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第一のマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は処理前のガラス基板の断面図を、（ｂ）はメタル成膜／金属層保護用酸化物透明導電体層成膜された断面図を、（ｃ）は第一のレジスト塗布された断面図を、（ｄ）は露光／現像／第一のエッチング／第一のレジスト剥離され、ゲート電極及びゲート配線が形成された断面図を示している。
同図（ａ）において、まず、透光性のガラス基板１０が用意される。
なお、反射型ＴＦＴ基板１の基材となる板状部材は、上記ガラス基板１０に限定されるものではなく、たとえば、樹脂製の板状部材やシート状部材などでもよい。また、透光性のガラス基板１０に限定されるものではなく、たとえば、遮光性や半透明のガラス基板でもよい。
【００２９】
次に、同図（ｂ）に示すように、ガラス基板１０にメタル成膜を行い、ゲート電極・配線用薄膜（ゲート電極及びゲート配線用薄膜）２０を形成する。
本実施形態では、ガラス基板１０上に、ＡｌとＭｏをこれらの順に高周波スパッタリング法を用いて、それぞれ膜厚約２５０ｎｍ及び５０ｎｍの金属薄膜を形成する。続いて、酸化インジウム−酸化亜鉛（一般的に、ＩＺＯと呼称される。Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝９０：１０ｗｔ％）からなるスパッタリングターゲットを用いて膜厚約１００ｎｍの金属層保護用酸化物透明導電体層（適宜、酸化物保護膜と略称する。）２６を形成し、Ａｌ／Ｍｏ／ＩＺＯからなるゲート電極・配線用薄膜２０を形成する。
なお、Ａｌの上のＭｏは、酸化物保護膜との接触抵抗を下げる目的で使用しており、接触抵抗が気にならない程度に低い場合は、Ｍｏ層を形成しなくてもよい。また、Ｍｏの代わりに、Ｔｉ（チタン），Ｎｉ（ニッケル），Ｃｒ（クロム）などを使用することができる。さらに、ゲート配線としてＡｇ（銀），Ｃｕ（銅）などの金属薄膜や合金薄膜を用いることもできる。
【００３０】
また、ＩＺＯなどの透明導電膜を金属層保護用酸化物透明導電体層２６としてゲート配線２４の表面に配置するのは、ゲート絶縁膜３０に開口部２５１を形成し、ゲート配線パッド２５を形成した際、ゲート配線２４に使用した金属表面を露出させないためである。これにより信頼性の高い接続が可能となる。
また、ゲート絶縁膜３０としてＳｉＮＸ，ＳｉＯＮＸ，ＳｉＯ２などの絶縁物を使用し、ＣＨＦ（ＣＦ４，ＣＨＦ３など）を用いたリアクティブイオンエッチング法により、ゲート絶縁膜３０に開口部２５１を形成する場合、ＩＺＯなどの透明導電膜が、金属薄膜（Ａｌ／Ｍｏ層）の保護膜にもなる。
【００３１】
ＩＺＯに代わる材料としては、ＩＴＯにランタノイド系元素を含有させた材料やＭｏ，Ｗなどの高融点金属酸化物を添加した材料が使用できる。添加量は、全金属元素に対して、約３０原子％以下、好ましくは、約１〜２０原子％がよい。この理由は、約３０原子％を超えると、蓚酸水溶液や燐酸、酢酸及び硝酸からなる混酸でのエッチング速度が低下する場合があるからである。また、膜厚は、約２０ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは約３０ｎｍ〜３００ｎｍとするとよい。その理由は、約２０ｎｍ未満であると、ピンホールができ、保護膜としての用を足さない場合があり、約５００ｎｍを超えると、成膜やエッチングに時間を要し、経済的損失が増大するからである。
【００３２】
次に、同図（ｃ）に示すように、ゲート電極・配線用薄膜２０上に、第一のレジスト２１が塗布される。
【００３３】
次に、同図（ｄ）に示すように、第一のマスク２２を用いて、ホトリソグラフィー法により、所定の形状にレジスト（図示せず）を形成する。続いて、蓚酸水溶液を用いて、金属層保護用酸化物透明導電体層２６をエッチングし、さらに、燐酸、酢酸及び硝酸からなる混酸（一般的に、ＰＡＮと呼ばれている。）を用いて、金属薄膜をエッチングし、所望の形状のゲート電極２３及びゲート配線２４を形成する（図３参照）。図２（ｄ）に示すゲート電極２３及びゲート配線２４は、図３におけるＡ−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面を示している。ここで、ＩＺＯは、ＰＡＮを用いてもエッチング可能であることから、上記ＰＡＮを用いて金属層保護用酸化物透明導電体層２６と金属薄膜を一括エッチングしてもよい。
【００３４】
次に、図１に示すように、ガラス基板１０、ゲート電極２３及びゲート配線２４上に、ゲート絶縁膜３０、酸化物層としてｎ型酸化物半導体層４０、酸化物導電体層５０、金属層６０、金属層保護用酸化物透明導電体層７０及び第二のレジスト７１を順次積層し（ステップＳ２）、第二のハーフトーンマスク７２及びハーフ露光によって、第二のレジスト７１を所定の形状に形成する（ステップＳ３）。
次に、第二のハーフトーンマスク７２を用いた処理について、図面を参照して説明する。
【００３５】
（第二のハーフトーンマスクを用いた処理）
図４は、本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第二のハーフトーンマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）はゲート絶縁膜成膜／ｎ型酸化物半導体層成膜／酸化物導電体層成膜／金属層成膜／金属層保護用酸化物透明導電体層成膜／第二のレジスト塗布された断面図を、（ｂ）はハーフトーン露光／現像された断面図を示している。
同図（ａ）において、まず、グロー放電ＣＶＤ（化学蒸着法）法により、ガラス基板１０，ゲート電極２３及びゲート配線２４上に、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）膜であるゲート絶縁膜３０を膜厚約３００ｎｍ堆積させる。なお、本実施形態では、放電ガスとして、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系の混合ガスを用いる。
【００３６】
次に、ゲート絶縁膜３０上に、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化ガリウム（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝約７０：２７：３ｗｔ％）ターゲットを用いて、高周波スパッタリング法により、酸素約１０％、アルゴン約９０％、基板温度約２００℃を超えない条件で（すなわち、ｎ型酸化物半導体層４０を結晶化させない条件で）厚み約１００ｎｍのｎ型酸化物半導体層（活性層）４０を形成する。このように、ＴＦＴの活性層としてｎ型酸化物半導体層４０を使用することにより、電流を流しても安定であり、電流制御により作動させる有機電界発光装置にとって有用である。
また、このｎ型酸化物半導体層４０のエネルギーギャップは、約３．６ｅＶであった。このように、エネルギーギャップを大きくすることにより、光による誤動作をより確実に防止することができる。
【００３７】
また、ｎ型酸化物半導体層４０の形成に用いた酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化ガリウム（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝約７０：２７：３ｗｔ％）ターゲットにおいて、酸化亜鉛の添加量は、約１〜６ｗｔ％が好適であり、約２〜５ｗｔ％がより好適である。この理由は、１ｗｔ％未満では、キャリヤー濃度が低下しない場合があり、６ｗｔ％を超えるとキャリヤー濃度が低下しなくなったり、結晶化せず燐酸，酢酸及び硝酸からなる混酸への耐性が無くなったりするからである。
【００３８】
続いて、ｎ型酸化物半導体層４０上に、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ：ＳｎＯ２＝約６０：２０：２０ｗｔ％）ターゲットを用いて、高周波スパッタリング法により、酸素約１％、アルゴン約９９％、さらに、酸化物導電体層５０を結晶化させない条件で厚み約１５０ｎｍの酸化物導電体層５０を形成する。このようにすると、ＴＦＴのスイッチング速度が高速化するとともに、ＴＦＴの耐久性を向上させることができる。
また、この酸化物導電体層５０のエネルギーギャップは、約３．２ｅＶであった。このように、エネルギーギャップを大きくすることにより、光による誤動作をより確実に防止することができる。
なお、本実施形態では、ｎ型酸化物半導体層４０と金属層６０との間に、酸化物導電体層５０を形成しているが、たとえば、ｎ型酸化物半導体層４０と金属層６０との電気的な接触抵抗が小さい場合などには、酸化物導電体層５０を形成しなくてもよい。
【００３９】
また、本実施形態の酸化物導電体層５０として用いた酸化インジウム−酸化スズ−酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２：ＺｎＯ＝約６０：２０：２０ｗｔ％）薄膜は、３５０℃の加熱でも結晶化しない。この酸化物導電体層５０は結晶化させないほうがよく、これにより、蓚酸水溶液でのエッチングが可能となる。また、上記酸化物導電体層５０の組成では、結晶化されていなくても、燐酸，酢酸及び硝酸の混酸により、エッチングされることはない。すなわち、酸化物導電体層５０は、金属層６０をエッチングする液（混酸）に対して耐性があり、一方、結晶化されたｎ型酸化物半導体層４０に影響を与えないエッチング液（蓚酸水溶液）で、エッチングできるなどの選択エッチング特性を有している。また、酸化物導電体層５０は、所定のエッチング液（蓚酸水溶液）により、結晶化されていないｎ型酸化物半導体層４０とともにエッチングされ、かつ、結晶化されたｎ型酸化物半導体層４０が耐性を有するエッチング液（蓚酸水溶液）により、エッチングされるといった選択エッチング特性を有していることが重要である。
なお、上記のｎ型酸化物半導体層４０のＡＣホール測定（東陽テクニカ社製のＲＥＳＩＴＥＳＴ（商品名）を用いた測定）を行ったところ、キャリヤー濃度：１０＋１４／ｃｍ３、移動度：３０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。また、酸化物導電体層５０のＡＣホール測定を行ったところ、キャリヤー濃度：１０＋２０／ｃｍ３、移動度：３８ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。なお、本実施形態で用いたｎ型酸化物半導体層４０と酸化物導電体層５０は、上記材料に限定されるものではない。
【００４０】
次に、酸化物導電体層５０上に、ＭｏとＡｌとＭｏをこれらの順に高周波スパッタリング法を用いて、それぞれ膜厚約５０ｎｍ、２００ｎｍ及び５０ｎｍに積層し、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏからなる金属層６０を形成する。なお、金属層６０は、反射型ＴＦＴ基板１の反射金属層として機能する。ここで、好ましくは、金属層６０の反射率を８０％以上とするとよく、このようにすると、輝度に優れた反射型ＴＦＴ基板１を提供することができる。また、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏからなる金属層６０の代わりに、ＡｇやＡｕなどの金属薄膜を用いてもよく、このようにすると、より多くの光を反射することができ、輝度を向上させることができる。
なお、各Ｍｏ層は、酸化物導電体層５０や金属層保護用酸化物透明導電体層７０との接触抵抗を下げる目的で使用しており、接触抵抗が気にならない程度に低い場合は、Ｍｏ層を形成しなくてもよい。
【００４１】
次に、金属層６０上に、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝約９０：１０ｗｔ％）ターゲットを用いて、高周波スパッタリング法により、酸素約１％、アルゴン約９９％の条件で厚み約１５０ｎｍの金属層保護用酸化物透明導電体層７０を形成する。このようにすると、金属層６０の腐蝕を防ぐとともに、耐久性を向上させることができる。したがって、反射金属層としての金属層６０の変色などを防止でき、金属層６０の反射率が低下するといった不具合を防止することができる。さらに、金属層保護用酸化物透明導電体層７０は、透明としてあり、光の透過量が減少しないので、輝度の優れた表示装置を提供することができる。なお、金属層６０が、金属層保護用酸化物透明導電体層７０を必要としない安定した金属である場合には、金属層保護用酸化物透明導電体層７０を形成しなくてもよい。
続いて、金属層保護用酸化物透明導電体層７０上に、第二のレジスト７１を積層する（ステップＳ２）。
【００４２】
次に、同図（ｂ）に示すように、第二のハーフトーンマスク７２及びハーフトーン露光によって、第二のレジスト７１を所定の形状に形成する（図１のステップＳ３）。第二のレジスト７１は、ゲート電極２３，ソース電極６３，ドレイン電極６４，ソース配線６５，ドレイン配線６６及び画素電極６７の上方を覆い、かつ、ハーフトーンマスク部７２１によって、チャンネル部４１の上方を覆う部分が他の部分より薄い形状に形成される。
【００４３】
図５は、本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第二のハーフトーンマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は第二のエッチングされた断面図を、（ｂ）は第二のレジストの再形成された断面図を示している。
同図（ａ）において、第二のエッチングとして、第二のレジスト７１とＰＡＮを用いて、金属層保護用酸化物透明導電体層７０と金属層（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）６０に対して一括エッチングを行い、さらに、第二のレジスト７１と蓚酸水溶液を用いて、酸化物導電体層５０とｎ型酸化物半導体層４０に対して一括エッチングを行い、所望するソース配線６５，ドレイン配線６６及び画素電極６７を形成する（図１のステップＳ４）。
なお、上記第二のエッチングによって、ソース電極６３及びドレイン電極６４を隔てる空隙は形成されないものの、ソース電極６３とドレイン電極６４の外郭の一部が形成される。  
【００４４】
次に、同図（ｂ）に示すように、上記第二のレジスト７１を再形成する（図１のステップＳ５）。すなわち、まず、同図（ｂ）に示すように、第二のレジスト７１のうちハーフトーン露光により薄く形成されたチャンネル部４１上のレジストをアッシングし、第二のレジスト７１を再形成する（図１のステップＳ５）。
【００４５】
次に、ソース電極６３及びドレイン電極６４を形成する処理について、図面を参照して説明する。
図６は、本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第二のハーフトーンマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は第三のエッチングされた断面図を、（ｂ）は第二のレジスト剥離された断面図を示している。    
同図（ａ）において、まず、再形成した第二のレジスト７１とＰＡＮを用いて、ゲート電極２３の上方の金属層保護用酸化物透明導電体層７０と金属層６０をエッチングする。ここで、上記酸化物導電体層５０は、結晶化されていない状態でもＰＡＮに対して耐性を有しているので、エッチングされない。
【００４６】
次に、ｎ型酸化物半導体層４０を加熱結晶化させる。この際、加熱温度を約２００℃以上かつ約３００℃を超えない温度とする。これにより、ｎ型酸化物半導体層４０は、結晶化するので蓚酸水溶液に対して耐性を有するようになるが、酸化物導電体層５０は、結晶化されないので蓚酸水溶液によりエッチングされる。
続いて、再形成した第二のレジスト７１と蓚酸水溶液を用いて、ゲート電極２３の上方の酸化物導電体層５０を選択的にエッチングし、ソース電極６３及びドレイン電極６４を形成する（図１のステップＳ６）。この際、結晶化されたｎ型酸化物半導体層４０は、蓚酸水溶液に対して耐性を有しているので、ダメージを受けることはない、また、結晶化によって、半導体特性が安定化する。
なお、上記エッチングによって、ゲート電極２３の上方のｎ型酸化物半導体層４０にチャンネル部４１が形成される。これにより、反射型ＴＦＴ基板１は、チャンネルエッチング型と呼ばれる。
【００４７】
続いて、同図（ｂ）に示すように、再形成された第二のレジスト７１を全てアッシングすると、ソース電極６３上，ドレイン電極６４上，ソース配線６５上，ドレイン配線６６上及び画素電極６７上に形成された、金属層保護用酸化物透明導電体層７０が露出する（図７参照）。図６（ｂ）に示す、ドレイン電極６４，チャンネル部４１，ソース電極６３，ソース配線６５及び画素電極６７は、図７におけるＣ−Ｃ断面を示しており、ドレイン配線６６は、Ｄ−Ｄ断面を示している。
【００４８】
次に、図１に示すように、露出したゲート絶縁膜３０及びｎ型酸化物半導体層４０上、並びに、ソース配線６５，ドレイン配線６６，ソース電極６３，ドレイン電極６４及び画素電極６７上に形成された金属層保護用酸化物透明導電体層７０上に、保護用絶縁膜８０及び第三のレジスト８１を順次積層し（ステップＳ７）、第三のマスク８２を用いて、第三のレジスト８１を所定の形状に形成する（ステップＳ８）。
次に、第三のマスク８２を用いた処理について、説明する。
【００４９】
（第三のマスクを用いた処理）
図８は、本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第三のマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は保護用絶縁膜成膜／第三のレジスト塗布された断面図を、（ｂ）は露光／現像された断面図を示している。
同図（ａ）において、まず、チャンネル部４１が形成された反射型ＴＦＴ基板１に、グロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜である保護用絶縁膜８０を膜厚約２００ｎｍ堆積する。放電ガスとしては、ＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系の混合ガスを用いる。続いて、保護用絶縁膜８０上に、第三のレジスト８１を積層する（ステップＳ７）。
【００５０】
次に、同図（ｂ）に示すように、第三のマスク８２によって、第三のレジスト８１を所定の形状に形成する（ステップＳ８）。第三のレジスト８１は、画素電極６７，ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５の上方を除く全ての保護用絶縁膜７０を覆う形状に形成される。
【００５１】
図９は、本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第三のマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は第四のエッチングされた断面図を、（ｂ）は第三のレジスト剥離された断面図を示している。
同図（ａ）において、第四のエッチングとして、第三のレジスト８１及びＣＨＦ（ＣＦ４，ＣＨＦ３ガスなど）を用いて、画素電極６７及びドレイン配線パッド６８上の保護用絶縁膜８０、並びに、ゲート配線パッド２５上の保護用絶縁膜８０及びゲート絶縁膜３０をドライエッチングし、画素電極６７、ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５を露出させる（図１のステップＳ９）。すなわち、ドライエッチングによって形成された開口部６７１，６８１及び２５１を介して、画素電極６７、ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５が露出される。
【００５２】
次に、第三のレジスト８１をアッシングすると、図１０に示すように、基板１０上に、画素電極６７，ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５上を除き、保護用絶縁膜８０が露出する。図９（ｂ）に示す、ドレイン電極６４，チャンネル部４１，ゲート電極２３，ソース電極６３，ソース配線６５及び画素電極６７は、図１０におけるＥ−Ｅ断面を示しており、ドレイン配線パッド６８は、Ｆ−Ｆ断面を示しており、ゲート配線パッド２５は、Ｇ−Ｇ断面を示している。
【００５３】
このように、本実施形態の反射型ＴＦＴ基板１の製造方法によれば、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減でき、また、チャンネル部４１のｎ型酸化物半導体層４０の上部が、保護用絶縁膜８０により保護されているので、長期間にわたり安定に作動させることができる。さらに、通常、ｎ型酸化物半導体層４０が、所定の位置（チャンネル部４１，ソース配線６５，ドレイン配線６６，ソース電極６３，ドレイン電極６４及び画素電極６７に対応する所定の位置）にのみ形成されることとなるので、ゲート配線２４どうしが干渉する（クロストーク）といった心配を排除することができる。さらに、保護用絶縁膜８０が形成されているので、反射型ＴＦＴ基板１に、有機ＥＬ材料，電極及び保護膜を設けることにより、有機電界発光装置を容易に得ることができる。
【００５４】
なお、本実施形態では、ガラス基板１０上に、ゲート電極・配線用薄膜２０（金属層保護用酸化物透明導電体層２６を含む。）及び第一のレジスト２１が積層され、さらに、ゲート絶縁膜３０，ｎ型酸化物半導体層４０，酸化物導電体層５０，金属層６０，金属層保護用酸化物透明導電体層７０及び第二のレジスト７１が積層され、さらに、保護用絶縁膜８０及び第三のレジスト８１が積層されるが、これに限定されるものではなく、たとえば、各層間に（たとえば、本実施形態の機能や効果を損なわない、あるいは、他の機能や効果などを補助する）他の層を介して積層されてもよい。
【００５５】
［反射型ＴＦＴ基板における一実施形態］
また、本発明は、反射型ＴＦＴ基板１の発明としても有効である。
本実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板１は、図９（ｂ）及び図１０に示すように、ガラス基板１０と、このガラス基板１０の上方に形成されたゲート電極２３及びゲート配線２４と、ガラス基板１０，ゲート電極２３及びゲート配線２４の上方に形成されたゲート絶縁膜３０と、少なくともゲート電極２３の上方のゲート絶縁膜３０の上方に形成されたｎ型酸化物半導体層４０と、ｎ型酸化物半導体層４０上にチャンネル部４１によって隔てられて形成された金属層６０を具備している。すなわち、酸化物層として、ｎ型酸化物半導体層４０を設け、ＴＦＴの活性層としてｎ型酸化物半導体層４０を使用することにより、電流を流しても安定であり、電流制御により作動させる有機電界発光装置にとって有用である。
【００５６】
また、反射型ＴＦＴ基板１は、金属層６０が、ソース配線６５，ドレイン配線６６，ソース電極６３，ドレイン電極６４及び画素電極６７を兼ねている。すなわち、上述した実施形態の製造方法により三枚のマスク（第一のマスク２２，第二のハーフトーンマスク７２，第三のマスク８２）で製造されるので、製造工程が削減されて生産効率が向上し、製造原価のコストダウンを図ることができる。また、各配線６５，６６や電極６３，６４の電気抵抗を低減することができ、信頼性を向上させることができるとともに、エネルギー効率の低下を抑制することができる。
【００５７】
さらに、反射型ＴＦＴ基板１は、反射型ＴＦＴ基板１の上方が保護用絶縁膜８０によって覆われ、かつ、保護用絶縁膜８０が、各画素電極６７，ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５に対応する位置に、画素電極６７，ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５を露出させるための開口部６７１，６８１及び２５１を有している。すなわち、露出した画素電極６７，ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５の上方を除く反射型ＴＦＴ基板１の上方は、通常、全て保護用絶縁膜８０で覆われている。このようにすると、チャンネル部４１のｎ型酸化物半導体層４０の上部が、保護用絶縁膜８０により保護されているので、長期間にわたり安定に作動させることができる。また、反射型ＴＦＴ基板１自体が保護用絶縁膜８０を備えた構造となるので、液晶や有機ＥＬ材料などを利用した表示手段や発光手段を容易に製造可能な反射型ＴＦＴ基板１を提供することができる。
【００５８】
また、反射型ＴＦＴ基板１は、ｎ型酸化物半導体層４０と金属層６０との間に、酸化物導電体層５０が形成された構成としてある。このようにすると、ＴＦＴのスイッチング速度が高速化するとともに、ＴＦＴの耐久性を向上させることができる。
さらに、反射型ＴＦＴ基板１は、金属層６０の反射率を８０％以上としてあり、輝度に優れた反射型ＴＦＴ基板を提供することができる。ここで、好ましくは、金属層６０が、アルミニウム，銀若しくは金からなる薄膜、又は、アルミニウム，銀若しくは金を含む合金層からなる構成とするとよい。このようにすると、より多くの光を反射することができ、輝度を向上させることができる。
【００５９】
また、反射型ＴＦＴ基板１は、金属薄膜からなるゲート電極２３及びゲート配線２４の上に、金属層保護用酸化物透明導電体層２６を有する構成としてある。このようにすると、ゲート配線パッド２５用の開口部２５１を形成した際、金属表面が露出するのを防止でき、接続信頼性を向上させることができる。
さらに、反射層としての金属層６０の上に、金属層保護用酸化物透明導電体層７０を有する構造としてある。このようにすると、金属層６０の腐蝕を防ぐとともに、耐久性を向上させることができる。また、反射層としての金属層６０の変色などを防止でき、反射層の反射率が低下するといった不具合を防止することができる。さらに、透明としてあるので、光の透過量が減少しないので、輝度の優れた表示装置を提供することができる。
【００６０】
また、反射型ＴＦＴ基板１は、ｎ型酸化物半導体層４０が、チャンネル部４１，ソース配線６５，ドレイン配線６６，ソース電極６３，ドレイン電極６４及び画素電極６７に対応する所定の位置に形成された構成としてある。
このようにすると、通常、ｎ型酸化物半導体層４０が、所定の位置にのみ形成されることとなるので、ゲート配線どうしが干渉する（クロストーク）といった心配を排除することができる。
さらに、反射型ＴＦＴ基板１は、ｎ型酸化物半導体層４０のエネルギーギャップが、３．０ｅＶ以上である。このように、エネルギーギャップを３．０ｅＶ以上とすることにより、光による誤動作を防止することができる。なお、通常、エネルギーギャップは、３．０ｅＶ以上あればよいが、好ましくは、３．２ｅＶ以上とするとよく、さらに、好ましくは、３．４ｅＶ以上とするとよい。また、酸化物導電体層５０を備える場合、この酸化物導電体層５０のエネルギーギャップをも、３．０ｅＶ以上とするとよく、同様の効果を得ることができる。
【００６１】
このように、本実施形態の反射型ＴＦＴ基板１は、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減でき、また、チャンネル部４１のｎ型酸化物半導体層４０の上部が、保護用絶縁膜８０により保護されているので、長期間にわたり安定に作動することができる。さらに、保護用絶縁膜８０が形成されているので、反射型ＴＦＴ基板１に、有機ＥＬ材料，電極及び保護膜を設けることにより、有機電界発光装置を容易に得ることができる。さらに、ｎ型酸化物半導体層４０が、所定の位置にのみ形成されることとなるので、ゲート配線２４どうしが干渉する（クロストーク）といった心配を排除することができる。
【００６２】
以上、本発明の反射型ＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板の製造方法について、好ましい実施形態を示して説明したが、本発明に係るＴＦＴ基板及びＴＦＴ基板の製造方法は、上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
たとえば、上記実施形態に用いたｎ型酸化物半導体層４０や酸化物導電体層５０は、上記材料に限定されるものではない。
すなわち、ｎ型酸化物半導体層４０の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化錫、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化ガリウムなど、あるいは、これらに絶縁性透明酸化物を添加したものなどをあげることができる。なお、絶縁性透明酸化物として、酸化イットリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化硼素、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、ランタノイド系元素の酸化物などがあげられる。
さらに、ｎ型酸化物半導体層４０として、上記の酸化物を使用する場合、そのキャリヤー密度を１０+１７／ｃｍ３以下にすることが重要となる。この場合、大量の酸素存在下に成膜したり、酸素の存在下に熱処理することにより酸素欠損によるキャリヤーを減らす方法や、キャリヤー密度を低下させる目的で、酸化インジウムに酸化亜鉛を添加した場合や、酸化錫に酸化インジウムを添加する場合など、荷電子制御により行うこともできる。また、それらの組み合わせも効果的である。
また、酸化物導電体層５０の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化錫などをあげることができる。酸化物導電体層５０として、上記の酸化物を使用する場合、そのキャリヤー密度を１０+２０／ｃｍ３以上にすることが重要となる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の反射型ＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板の製造方法は、ＬＣＤ（液晶表示装置）や有機ＥＬ表示装置に使用されるＴＦＴ基板及びＴＦＴ基板の製造方法に限定されるものではなく、たとえば、ＬＣＤ（液晶表示装置）や有機ＥＬ表示装置以外の表示装置、あるいは、他の用途に使用される反射型ＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板の製造方法としても、本発明を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法を説明するための概略フローチャート図を示している。
【図２】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第一のマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は処理前のガラス基板の断面図を、（ｂ）はメタル成膜／金属層保護用酸化物透明導電体層成膜された断面図を、（ｃ）は第一のレジスト塗布された断面図を、（ｄ）は露光／現像／第一のエッチング／第一のレジスト剥離され、ゲート電極及びゲート配線が形成された断面図を示している。
【図３】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法において、ゲート電極及びゲート配線が形成されたガラス基板の要部の概略平面図を示している。
【図４】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第二のハーフトーンマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）はゲート絶縁膜成膜／ｎ型酸化物半導体層成膜／酸化物導電体層成膜／金属層成膜／金属層保護用酸化物透明導電体層成膜／第二のレジスト塗布された断面図を、（ｂ）はハーフトーン露光／現像された断面図を示している。
【図５】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第二のハーフトーンマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は第二のエッチングされた断面図を、（ｂ）は第二のレジストの再形成された断面図を示している。
【図６】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第二のハーフトーンマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は第三のエッチングされた断面図を、（ｂ）は第二のレジスト剥離された断面図を示している。
【図７】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法において、ソース電極，ドレイン電極，ソース配線，ドレイン配線及び画素電極上の金属層保護用酸化物透明導電体層が露出したガラス基板の要部の概略平面図を示している。
【図８】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第三のマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は保護用絶縁膜成膜／第三のレジスト塗布された断面図を、（ｂ）は露光／現像された断面図を示している。
【図９】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法の、第三のマスクを用いた処理を説明するための概略図であり、（ａ）は第四のエッチングされた断面図を、（ｂ）は第三のレジスト剥離された断面図を示している。
【図１０】本発明の一実施形態にかかる反射型ＴＦＴ基板の製造方法において、保護用絶縁膜が露出された反射型ＴＦＴ基板の要部の概略平面図を示している。
【図１１】従来例にかかるＴＦＴ基板の製造方法を説明するための概略図であり、（ａ）はゲート電極が形成された断面図を、（ｂ）はエッチストッパーが形成された断面図を、（ｃ）はソース電極及びドレイン電極が形成された断面図を、（ｄ）は層間絶縁膜が形成された断面図を、（ｅ）は透明電極が形成された断面図を示している。
【符号の説明】
【００６５】
１  反射型ＴＦＴ基板
１０  ガラス基板
２０  ゲート電極・配線用薄膜
２１  第一のレジスト
２２  第一のマスク
２３  ゲート電極
２４  ゲート配線
２５  ゲート配線パッド
２６  金属層保護用酸化物透明導電体層
３０  ゲート絶縁膜
４０  ｎ型酸化物半導体層
４１  チャンネル部
５０  酸化物導電体層
６０  金属層
６３  ソース電極
６４  ドレイン電極
６５  ソース配線
６６  ドレイン配線
６７  画素電極
６８  ドレイン配線パッド
７０  金属層保護用酸化物透明導電体層
７１  第二のレジスト
７２  第二のハーフトーンマスク
８０  保護用絶縁膜
８１  第三のレジスト
８２  第三のマスク
２１０  ガラス基板
２１２  ゲート電極
２１３  ゲート絶縁膜
２１４  α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
２１５  エッチストッパー
２１６  α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜
２１７ａ  ソース電極
２１７ｂ  ドレイン電極
２１８  層間絶縁膜
２１８ａ  スルーホール
２１９  透明電極
２５１、６７１，６８１  開口部
７２１  ハーフトーンマスク部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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