(57)【要約】【課題】吸着している基板の撓みを効率良く抑制することができる基板熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理プレート１の上面から突出する支持部材１１は、規則的に連続して並べられた正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されている。この支持部材１１に支持される基板Ｗと熱処理プレート１との間に形成される微小空間は、シール部１５によって密閉される。この微小空間内の圧力を排出孔１５により負圧にして基板Ｗを吸引する。ここで、隣接する支持部材１１間の距離は全て等しいので、これら各支持部材１１間で基板Ｗが撓む量も等しい。このような支持部材１１の配置によって、より少ない点数で基板Ｗが撓む量を効率良く抑制することができる。【選択図】図２
2007158075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの上面から突出した状態で、基板の下面を当接支持するものであって、規則的に連続して並べられた正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されている支持手段と、
前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、
前記空間内の気体を排出するための排出孔と、
を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項２】
基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの上面に突出した状態で、基板の下面を当接支持するものであって、前記熱処理プレートの上面内を通る、等間隔で互いに平行な第１仮想線群と、前記熱処理プレートの上面において前記第１仮想線群を６０度回転させた第２仮想線群との各交点の位置に配置されている支持手段と、
前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、
前記空間内の気体を排出するための排出孔と、
を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板熱処理装置において、
いずれかの支持手段の位置を前記熱処理プレートの中心点とすることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
基板は、直径が３００ｍｍの円形であり、
前記排出孔からの排出により、前記空間内の圧力を−４ｋＰａ以上０Ｐａ未満とし、
前記支持手段の間隔は、３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることを特徴とする基板熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して熱処理を行う基板熱処理装置に係り、特に、熱処理プレートから微小空間を隔てて載置される基板を吸引した状態で熱処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板に形成されるパターンの線幅寸法の微細化に伴い、求められる線幅の均一性の要求値が厳しくなり、フォトリソグラフィのベーク熱処理、特に露光後のベーク(PEB:Post Exposure Bake)において温度均一性の要求が高まっている。しかし、基板の大口径化により半導体製造過程で発生する基板の反りも大きくなり、基板を熱処理プレートから微小空間を隔てて載置したのみで熱処理するプロキシミティ加熱方式では温度均一性の要求を満足させることが困難となっている。
【０００３】
そこで、反りが生じている基板に対しても均一な熱処理が行えるように、吸着ベーク方式が提案されている。この種の装置としては、ヒータが付設されている熱処理プレートと、熱処理プレートの上面に設けられる支持部材およびシール部と、熱処理プレートの上面に形成される排出孔とを備えたものが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。この装置では、支持部材により支持された基板と熱処理プレートとの間に形成される空間の側方をシール部によって密閉し、この空間から排出孔を通じて気体を排出することで基板を吸着する。これにより、基板の反りを矯正することができるので、基板を均一に加熱することができる。
【特許文献１】特開平１０−２８４３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、吸着されている基板が支持部間ごとに撓む。図８を参照して具体的に説明する。図８は、熱処理プレート１の部分断面図である。図示するように、基板Ｗは複数の支持部材１１に支持されている。また、基板Ｗと熱処理プレート１との間の微小空間ｍｓは、シール部１５によって密閉されており、かつ、図示省略の排出孔から微小空間ｍｓ内の気体を排出することにより負圧の状態になっている。このとき、基板Ｗは、各支持部材１１の間で熱処理プレート１に近づく方向に湾曲するように撓んでしまう（実線で示す）。ここで、基板Ｗと熱処理プレート１との離隔距離の最大値と最小値との差を撓み量ｂと呼ぶこととする。なお、図８では、撓み量が０μｍのときの基板を点線で示している。
【０００５】
よって、支持部材１１を多く配置してそれらの間隔を短くして撓み量を低減しなければならない。しかし、支持部材の間隔を短くするほど基板は多数の支持部材と接触することになるので、却って接触部位がパーティクル源となってしまう。
【０００６】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、吸着している基板の撓みを効率良く抑制することができる基板熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、熱処理プレートと、前記熱処理プレートの上面から突出した状態で、基板の下面を当接支持するものであって、規則的に連続して並べられた正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されている支持手段と、前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、前記空間内の気体を排出するための排出孔と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、支持手段は、規則的に連続して並べられた正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されているので、隣接する支持手段間の距離は全て等しい。よって、各支持手段間で基板が撓む量は等しい。このような支持手段の配置によって、より少ない点数で基板が撓む量を効率良く抑制することができる。ちなみに、正方形や正六角形を規則的に連続して並べたときの各頂点の位置に支持手段を配置するパターンも考えられるが、基板が撓む量を同じレベルに抑制するためには本願発明に比べて多くの支持手段を要し、効率良く抑制することができない。
【０００９】
なお、「規則的に連続して並べられた」とは、換言すると、任意の正三角形とこれに隣接する他の正三角形とが１辺のみにおいて一致するように配置されることをいう。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、熱処理プレートと、前記熱処理プレートの上面に突出した状態で、基板の下面を当接支持するものであって、前記熱処理プレートの上面内を通る、等間隔で互いに平行な第１仮想線群と、前記熱処理プレートの上面において前記第１仮想線群を６０度回転させた第２仮想線群との各交点の位置に配置されている支持手段と、前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、前記空間内の気体を排出するための排出孔と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１１】
［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、支持手段は、等間隔で互いに平行な第１仮想線群と、熱処理プレートの上面において第１仮想線群を６０度回転させた第２仮想線群との各交点の位置に配置されているので、隣接する支持手段間の距離は全て等しい。よって、各支持手段間で基板が撓む量は等しい。このような支持手段の配置により、より少ない点数で基板が撓む量を効率良く抑制することができる。
【００１２】
各発明において、いずれかの支持手段の位置を前記熱処理プレートの中心点とすることが好ましい（請求項３）。各支持手段を、熱処理プレートの中心点を対称中心として、この中心点に関し互いに対称な位置にそれぞれ配置することができる。
【００１３】
各発明において、基板は、直径が３００ｍｍの円形であり、前記排出孔からの排出により、前記空間内の圧力を−４ｋＰａ以上０Ｐａ未満とし、前記支持手段の間隔は、３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることが好ましい（請求項４）。基板が直径３００ｍｍの円形である場合、空間内の圧力を−４ｋＰａ以上０Ｐａ未満とすることで、反りが生じている基板であっても適切に基板を吸着することができる。さらに、支持手段の間隔を３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下とすることで、基板の撓む量を０．００６ｍｍ以下に抑制することができる。この結果、基板の面内における温度のばらつきを±０．０３℃以下にすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明に係る基板熱処理装置によれば、前記支持手段は、規則的に連続して並べられた正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されているので、隣接する支持手段間の距離は全て等しい。よって、各支持手段間で基板が撓む量は等しい。このような支持手段の配置により、より少ない点数で基板が撓む量を効率良く抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、熱処理プレートの平面図である。
【００１６】
処理対象である基板Ｗを載置する熱処理プレート１は、マイカヒータなどの発熱体３が付設されている。発熱体３と熱処理プレート１の上面との間にあたる伝熱部５には、図示しないヒートパイプが複数本埋設されている。また、図示しない複数本のヒートパイプの間には、図示しない冷却溝が形成され、冷却用の流体が流通される。
【００１７】
図２を参照する。この熱処理プレート１の上面には、基板Ｗの下面を当接支持する複数個の支持部材１１が設けられている。これら支持部材１１は、熱処理プレート１の上面において規則的に連続して並べられた正三角形を仮想し（図２において各正三角形を一点鎖線で示す）、これら正三角形の各頂点の位置を支持部材１１の配置位置としている。ここで、「規則的に連続して」とは「隣り合う２つの正三角形が２つの頂点で一致するようなパターンを繰り返して」という意味である。言い換えれば、支持部材１１の配置位置は、熱処理プレート１の上面内を通る、等間隔で互いに平行な第１仮想線群と、熱処理プレート１の上面においてこの第１仮想線群を６０度回転させた第２仮想線群との各交点にあたる。なお、図２に示す一点鎖線は、これら第１、第２仮想線群にも相当する。
【００１８】
さらに、本実施例では、支持部材１１の１つが熱処理プレート１の中心点Ｐとなるように配置している。
【００１９】
支持部材１１は球形状であり、その材質としてはセラミック等が例示される。熱処理プレート１の上面には、支持部材１１が配置される各位置に凹部が形成されており、支持部材１１は、この凹部に嵌め込まれて固定されている。支持部材１１は、この発明における支持手段に相当する。
【００２０】
また、熱処理プレート１の上面には、平面視、基板Ｗの外径よりやや小径の内径を有するリング形状のシール部１５が設けられている。シール部１５の高さは、支持部材１１の突出高さと等しい。基板Ｗの周縁側がこのシール部１５に当接することで、支持部材１１に支持される基板Ｗと熱処理プレート１との間に形成される微小空間（プロキシミティギャップともいう）ｍｓを気密にする。シール部１５としては、例えば、耐熱性及び弾性を有するポリイミド樹脂が好ましい。また、その他に、フッ素樹脂が利用可能である。なお、シール部１５は、この発明におけるシール手段に相当する。
【００２１】
さらに、熱処理プレート１の上面には、微小空間ｍｓ内の気体を排出する排出孔１７が形成されている。排出孔１７は４個であり、それぞれ周方向に等間隔に設けられている。各排出孔１７は熱処理プレート１の下端側へ貫通している。これら排出孔１７には排出配管２１の一端側が共通して連通接続され、その他端側に真空吸引源２３が連通接続されている。この真空吸引源２３は、例えば、クリーンルームに設けられたバキュームのユーティリティである。排出配管２１には、微小空間ｍｓ内の圧力（負圧）を調整する圧力調整弁２５と、圧力を計測する圧力計２７とが設けられている。なお、さらに、真空破壊弁を備えた開閉弁を備えるように構成してもよい。排出配管２１と真空吸引源２３とは、排出手段として機能する。
【００２２】
さらに、熱処理プレート１には、図示しない搬送手段との間で基板Ｗの受け渡しを行う受け渡し部材３１が設けられている。受け渡し部材３１の形状は棒状体であり、材質としてはセラミック等が例示される。本実施例では、平面視熱処理プレート１の中心点Ｐを重心とする正三角形の各頂点であって支持部材１１を避けた位置に、３個の貫通孔３３が熱処理プレート１を上下に貫くように形成されており、各貫通孔３３にそれぞれ受け渡し部材３１が挿通されている。各受け渡し部材３１の下端は、単一の支持ベース３５に共通して接続されている。支持ベース３５は、エアシリンダ３７の作動軸に連結されている。エアシリンダ３７は、支持ベース３５を上下に昇降駆動する。これら受け渡し部材３１と支持ベース３５とエアシリンダ３７とは、基板受け渡し部として機能している。
【００２３】
制御部４１は、上述した発熱体３の出力と、圧力調整弁２５の開閉と、真空吸引源２３の駆動と、エアシリンダ３７の駆動を統括的に操作する。これらの操作は、予め記憶されているレシピに基づいて行われる。さらに、圧力調整弁２５の開閉操作は、圧力計２７の検出結果に基づいて行われる。制御部４１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【００２４】
ここで、直径３００ｍｍの円形状の基板Ｗに対しては、微小空間ｍｓ内の圧力は−４ｋＰａ以上０Ｐａ未満の負圧に調整されることが好ましい。さらに、微小空間ｍｓ内の圧力は−４ｋＰａに調整されることがより好ましい。本実施例では、制御部４１は、微小空間ｍｓ内の圧力を−４ｋＰａとなるように制御する。
【００２５】
また、微小空間ｍｓ内の圧力が−４ｋＰａ以上０Ｐａ未満の負圧であるときに、支持部材１１の間隔ｄ（「仮想した正三角形の１辺の長さ」に相当する距離であり、以下、単に間隔ｄと記載する）は、３５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることが好ましい。さらに、微小空間ｍｓ内の圧力が−４ｋＰａであるときは、間隔ｄは３５ｍｍであることが好ましい。本実施例では、間隔ｄを３５ｍｍとして支持部材１１を配置している。この場合、支持部材１１は５５個となる。
【００２６】
次に、上記のように構成されている基板熱処理装置の動作について図３を参照して説明する。図３は、基板熱処理装置による処理手順を示すフローチャートである。なお、発熱体３の温度制御等はレシピに応じて既に行われているものとし、以下の説明においては省略する。
【００２７】
＜ステップＳ１＞  基板Ｗを搬入する
図示しない搬送手段によって水平姿勢の基板Ｗが搬入されると、制御部４１はエアシリンダ３７を駆動して支持ベース３５を上昇させる。受け渡し部材３１は、熱処理プレート１の上面から上方へ突出して基板Ｗを受け取る。その後、エアシリンダ３７を逆向きに駆動して、受け渡し部材３１を下降させる。基板Ｗは支持部材１１に支持され、基板Ｗと熱処理プレート１との間に微小空間ｍｓが形成される。また、基板Ｗはその周縁部においてシール部１５に支持される。
【００２８】
＜ステップＳ２＞  基板Ｗを吸着する
制御部４１は、真空吸引源２３を駆動するとともに圧力調整弁２５を操作する。これにより、微小空間ｍｓ内の気体（空気や窒素）は、排出孔１７及び排出配管２１を介して排出され、微小空間ｍｓ内の圧力は所定の負圧（−４ｋＰａ）に調整され、基板Ｗは熱処理プレート１側に吸引される。したがって、反りが生じている基板Ｗであっても、支持部材１１とシール部１５に沿うように矯正される。
【００２９】
図４および図５を参照して具体的に説明する。基板Ｗの反りとしては、図４（ａ）に示すように基板Ｗの中央部が上方に突出するように反ったもの（山型反り）と、図５（ａ）に示すように基板Ｗの中央部が下方に突出するように反ったもの（谷型反り）がある。
【００３０】
中央部が上方に突出した基板Ｗでは、基板Ｗを載置した時点で既に周縁側で基板Ｗとシール部１５が当接して微小空間ｍｓは気密になっているので、吸引により基板Ｗの中央部が熱処理プレート１側に各支持部材１１に当接するまで引き寄せられる。これにより、基板Ｗの反りは、図４（ｂ）に示すように略平坦に矯正される。一方、中央部が下方に突出した基板Ｗでは、基板Ｗを載置した時点ではシール部１５は基板Ｗに当接しないので、微小空間ｍｓの側方は開放されている。しかし、この状態で吸引することにより、周囲から基板Ｗとシール部１５との間を通じて微小空間ｍｓ内に気体が流入してベルヌーイ効果が生じ、基板Ｗの周縁部が下方に引き寄せられる（図５(ａ)において空気の流れを二点鎖線で示す）。やがて、シール部１５が基板Ｗの周縁部に当接することで、微小空間ｍｓは気密になり、基板Ｗの反りは、図５（ｂ）に示すように略平坦に矯正される。
【００３１】
ここで、基板Ｗの反りに関しては、基板Ｗが直径３００ｍｍの円形状である場合、３００μｍ以下と言われている。そして、たとえ基板Ｗに３００μｍの谷型反りが生じている場合であっても、微小空間ｍｓ内の圧力が−４ｋＰａであれば、基板Ｗの吸着してその反りを矯正することができる。
【００３２】
さらに、このように反りを矯正できた場合であっても、厳密には基板Ｗは支持部材１１間で熱処理プレート１側へ湾曲するように撓んでしまう。しかしながら、支持部材１１を規則的に連続して並べられた正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置することによって、いずれの支持部材１１に着目しても、その周囲には間隔ｄを隔てて６個の他の支持部材１１があり、大きく撓むような箇所が存在しない。よって、より少ない支持部材１１の個数で基板Ｗの撓みを効率良く抑制することができる。
【００３３】
具体的に他の配置方法を例示して、これと比較する。図６（ａ）は、正方形を規則的に並べたときの各頂点の位置に支持部材１１を配置する第１比較例であり、図６（ｂ）は、正六角形を規則的に連続して並べたときの各頂点の位置に支持部材１１を配置する第２比較例を示している。第１、第２比較例の正方形、正六角形の１辺の距離を支持部材１１間の間隔ｄ１、ｄ２とする。そして、本実施例と第１、第２比較例において、それぞれの間隔ｄ、ｄ１、ｄ２を変えたときの、必要な支持部材１１の個数（以下、単に支持点数という）と基板Ｗの撓み量ｂとの特性を図７に模式的に示す。図７の横軸は支持点数（必要な支持部材１１の個数）であり、縦軸は基板Ｗの撓み量ｂとしている。また、本実施例、第１、第２比較例の各曲線上には、そのときの間隔ｄ、ｄ１、ｄ２の値をプロットしている。なお、図７では、基板Ｗは直径３００ｍｍの円形状とし、微小空間ｍｓ内の圧力は−４ｋＰａとしたときの値である。
【００３４】
図示するように、基板Ｗを同じ撓み量ｂに抑制するとき、本実施例の方が、第１、第２比較例に比べて、より少ない支持点数で達成できることがわかる。また、同じ支持点数を設けるとき、本実施例の方が、第１、第２比較例に比べて、基板Ｗの撓み量ｂをより低減させることができる。なお、これは、本実施例、第１比較例、および第２比較例でも、その多角形の中心点の撓み量ｂが各辺の中間点の撓み量ｂに比べて大きくなると考えられるが、本実施例によれば、このような撓み量ｂの位置に応じたばらつきがもっとも小さいことによるものと考えられる。
【００３５】
また、図７からわかるように、本実施例において、間隔ｄを３５ｍｍとすると、基板Ｗの撓み量ｂを６μｍ以下に低減されていることがわかる。
【００３６】
＜ステップＳ３＞  基板Ｗを熱処理する
吸着支持されている基板Ｗに対して、予め決められた時間だけこの状態を保持することにより、基板Ｗに対して所定の熱処理を施す。このとき、基板Ｗの撓み量ｂが６μｍ以下であるので、撓み量ｂと基板Ｗの温度差との相関関係より、基板Ｗの面内にわたる温度のばらつきを０．０３度以下にすることができる。
【００３７】
＜ステップＳ４＞  基板Ｗを搬出する
所定時間の熱処理を終えると、制御部４１は、真空吸引源２３を停止させるとともに圧力調整弁２５を閉止して、微小空間ｍｓ内の排気を停止して、微小空間ｍｓ内の圧力を大気圧にする。これにより、基板Ｗの吸引が解除される。次いで、エアシリンダ３７を駆動して受け渡し部材３１を上昇させ、基板Ｗを上方へ持ち上げる。この状態で、図示しない搬送手段により基板Ｗを搬出する。
【００３８】
このように、本基板熱処理装置によれば、各支持部材１１は規則的に連続して並べられた正三角形の各頂点の位置にそれぞれ配置されているので、基板Ｗの撓み量を効率良く抑制することができる。
【００３９】
また、いずれかの支持部材１１の位置を熱処理プレート１の中心点Ｐと合わせることで、支持部材１１を、熱処理プレート１の中心点Ｐを対称中心として、この中心点Ｐに関し互いに対称な位置にそれぞれ配置することができる。
【００４０】
また、微小空間ｍｓ内の圧力を−４ｋＰａに調整することで、直径３００ｍｍの円形状の基板Ｗの反りを矯正することができる。
【００４１】
また、支持部材１１間の間隔ｄを３５ｍｍとすることにより、直径３００ｍｍの円形状の基板Ｗをー４ｋＰａの負圧で吸着したときに、基板Ｗの撓み量ｂを６μｍ以下に低減させることができる。これにより、基板Ｗの面内の温度のばらつきを０．０３度以下に抑えることができる。
【００４２】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４３】
（１）上述した各実施例では、支持部材１１間の間隔ｄは３５ｍｍとし、微小空間ｍｓ内の圧力は−４ｋＰａに調整したが、これに限られない。微小空間ｍｓ内の圧力は−４ｋＰａ以上０Ｐａ未満の負圧であれば適宜に設計変更しても同様の効果を奏する。また、これに応じて、支持部材１１間の間隔ｄとしては４０ｍｍから３５ｍｍの範囲で適宜に設計変更しても同様の効果を奏する。
【００４４】
（２）上述した各実施例では、基板Ｗが直径３００ｍｍの円形である場合であったが、これに限られない。たとえば、３００ｍｍ以外の径を有する円形基板や、矩形状の基板を処理する基板熱処理装置であっても適用できる。
【００４５】
（３）上述した各実施例では、支持部材１１は球形状であり、その材質としてセラミック等を例示したが、これに限られない。例えば、形状としては熱処理プレート１の上面から突出すれば任意の形状とすることができる。また、材質としても樹脂等に置換してもよい。
【００４６】
（４）上述した各実施例では、伝熱部５にヒートパイプを埋設した構成を例に採って説明したが、ヒートパイプを用いていない基板熱処理装置であっても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施例に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】熱処理プレートの平面図である。
【図３】基板熱処理装置による処理手順を示すフローチャートである。
【図４】中央部が熱処理プレートと反対側に突出して反った基板の処理を示す説明図である。
【図５】中央部が熱処理プレート側に突出して反った基板の処理を示す説明図である。
【図６】（ａ）正方形の配置パターンの説明図であり、（ｂ）正六角形の配置パターンの説明図である。
【図７】本実施例と第１、第２比較例とにおける、支持点数と基板の撓み量を比較した模式図である。
【図８】吸着されている基板の状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  …熱処理プレート
１１  …支持部材
１５  …シール部
１７  …排出孔
２１  …排出配管
２３  …真空吸引源
２５  …圧力調整弁
２７  …圧力計
４１  …制御部
Ｗ  …基板
ｍｓ  …微小空間
ｄ  …支持部材間の間隔
Ｐ  …熱処理プレートの中心点
【図１】
2007158075.tif 000003
【図２】
2007158075.tif 000004
【図３】
2007158075.tif 000005
【図４】
2007158075.tif 000006
【図５】
2007158075.tif 000007
【図６】
2007158075.tif 000008
【図７】
2007158075.tif 000009
【図８】
2007158075.tif 000010