(57)【要約】【課題】シールド層としてＳｉ及びＡｌを含むＦｅ合金を用いた場合にもＣＭＰによる表面の平坦化が可能である薄膜磁気ヘッドにおける軟磁性層の研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による軟磁性層を研磨する場合に、酸性の第１のスラリーを用いてＣＭＰを行い、次いで、第１のスラリーとｐＨの異なる弱酸性又は中性の第２のスラリーを用いてＭＰを行う。【選択図】図５
2007290110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素及びアルミニウムを含む鉄合金による軟磁性層を研磨する場合に、酸性の第１のスラリーを用いて化学機械研磨を行い、次いで、該第１のスラリーとｐＨの異なる弱酸性又は中性の第２のスラリーを用いて機械研磨を行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッドにおける軟磁性層の研磨方法。
【請求項２】
前記化学機械研磨と前記機械研磨とを同一の研磨装置において行うことを特徴とする請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記軟磁性層が、柱状の結晶構造を有する軟磁性層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨方法。
【請求項４】
前記第１のスラリーが、研磨剤として酸化アルミニウムを含み、さらに有機酸を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の研磨方法。
【請求項５】
前記第１のスラリーのｐＨが、３．７〜４．３であることを特徴とする請求項４に記載の研磨方法。
【請求項６】
前記第２のスラリーが、研磨剤として酸化アルミニウムを含み、さらに硝酸化合物を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の研磨方法。
【請求項７】
前記第２のスラリーのｐＨが、６〜７であることを特徴とする請求項６に記載の研磨方法。
【請求項８】
前記軟磁性層が、磁気抵抗効果読出しヘッド素子の下部シールド層であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の研磨方法。
【請求項９】
基板上に下地層を介して珪素及びアルミニウムを含む鉄合金による軟磁性層を成膜してパターニングした後、該パターニングした軟磁性層上に絶縁層を成膜し、該成膜した絶縁層及びパターニングした軟磁性層の表面を酸性の第１のスラリーを用いて化学機械研磨を行い、次いで、該第１のスラリーとｐＨの異なる弱酸性又は中性の第２のスラリーを用いて機械研磨を行って下部シールド層を形成した後、その上に下部シールドギャップ層及び磁気抵抗効果層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記化学機械研磨と前記機械研磨とを同一の研磨装置において行うことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記軟磁性層が、柱状の結晶構造を有する軟磁性層であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第１のスラリーが、研磨剤として酸化アルミニウムを含み、さらに有機酸を含むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第１のスラリーのｐＨが、３．７〜４．３であることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第２のスラリーが、研磨剤として酸化アルミニウムを含み、さらに硝酸化合物を含むことを特徴とする請求項９から１３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記第２のスラリーのｐＨが、６〜７であることを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記下部シールドギャップ層及び磁気抵抗効果層上に上部シールドギャップ層を積層した後、該上部シールドギャップ層上に上部シールド層を積層することを特徴とする請求項９から１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記上部シールド層上にインダクティブ書込みヘッド素子を形成することを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
基板上に下地層を介して積層された珪素及びアルミニウムを含む鉄合金による下部シールド層と、該下部シールド層上に形成された下部シールドギャップ層と、該下部シールドギャップ層上に形成された磁気抵抗効果層と、該磁気抵抗効果層及び該下部シールドギャップ層上に形成された上部シールドギャップ層と、該上部シールドギャップ層上に形成された上部シールド層とを備えており、前記下部シールド層の表面がその表面粗さが１ｎｍ以下となるように平坦化されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記上部シールド層上に形成されたインダクティブ書込みヘッド素子をさらに備えていることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、珪素（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含む鉄（Ｆｅ）合金による軟磁性層を含む薄膜磁気ヘッドにおけるこの軟磁性層の研磨方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
シールド層用の軟磁性材料としては、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）合金（パーマロイ）が一般的に用いられている。パーマロイによる下部シールド層を積層して薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子を製造する場合、積層した下部シールド層の表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）によって平坦化することが行われる。この平坦化は、下部シールド層上にＭＲ層やリード導体層を形成する際のフォト精度を安定化するためのものである。
【０００３】
パーマロイのＣＭＰ法として、特許文献１には、ｐＨが１以上７未満の酸性研磨液を用いて研磨した後、ｐＨが７を超えて１４以下のアルカリ性研磨液を用いて研磨する方法が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２６８１８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、シールド層をパーマロイで形成した場合、ＣＭＰ法によるその表面の平坦化は問題なく行える。しかしながら、パーマロイは延性が高いため、ウエハ工程の後に行われるヘッド加工工程や完成後の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との摺動によって、シールド層のテープベアリング面（ＴＢＳ）又は浮上面（ＡＢＳ）側の一部が絶縁層側に飛び出すいわゆるスメアが発生し、ＭＲ層とシールド層との導通によって読出しヘッド特性が著しく低下する場合がある。
【０００６】
一方、優れた耐スメア特性を有する軟磁性材料として、Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金の一種であるセンダストが存在する。しかしながら、このセンダストで形成した層の表面を通常のＣＭＰによって平坦化しようとした場合、この材料が化学エッチングレートの異なる成分から構成されていることから、良好に平坦化することが全く不可能であった。このように、シールド層にセンダストを用いた場合、従来技術ではその表面を平坦化することができないので、平坦化無しの粗い表面状態でその上にＭＲ層やリード導体層を形成せざるを得なかった。その結果、ＭＲ層やリード導体層にうねりが生じ、ＭＲ読出しヘッド素子の出力特性に多大なばらつきが発生していた。
【０００７】
従って本発明の目的は、シールド層としてＳｉ及びＡｌを含むＦｅ合金を用いた場合にもＣＭＰによる表面の平坦化が可能である薄膜磁気ヘッドにおける軟磁性層の研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金で形成されているにも係わらず表面が平坦化されているシールド層を備えた薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による軟磁性層を研磨する場合に、酸性の第１のスラリーを用いてＣＭＰを行い、次いで、第１のスラリーとｐＨの異なる弱酸性又は中性の第２のスラリーを用いて機械研磨（精密機械研磨、ＭＰ）を行う薄膜磁気ヘッドにおける軟磁性層の研磨方法が提供される。
【００１０】
酸性のスラリーによるＣＭＰを行った後、これとはｐＨの異なる弱酸性又は中性のスラリーによるＭＰを行うことにより、Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による軟磁性層であっても、ＣＭＰによる良好な平坦化が可能であり、その上に積層する層の特性ばらつきを大幅に抑制することができる。
【００１１】
ＣＭＰとＭＰとを同一の研磨装置において行うことが好ましい。
【００１２】
軟磁性層が、柱状の結晶構造を有する軟磁性層であっても良い。
【００１３】
第１のスラリーが、研磨剤として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、アルミナ）を含み、さらに有機酸を含むことが好ましい。この場合、第１のスラリーのｐＨが、３．７〜４．３であることがより好ましい。
【００１４】
第２のスラリーが、研磨剤としてＡｌ２Ｏ３を含み、さらに硝酸化合物を含むことも好ましい。この場合、第２のスラリーのｐＨが、６〜７であることがより好ましい。
【００１５】
軟磁性層が、ＭＲ読出しヘッド素子の下部シールド層であることが好ましい。
【００１６】
本発明によれば、さらに、基板上に下地層を介してＳｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による軟磁性層を成膜してパターニングした後、パターニングした軟磁性層上に絶縁層を成膜し、成膜した絶縁層及びパターニングした軟磁性層の表面を酸性の第１のスラリーを用いて化学機械研磨を行い、次いで、第１のスラリーとｐＨの異なる弱酸性又は中性の第２のスラリーを用いて機械研磨を行って下部シールド層を形成した後、その上に下部シールドギャップ層及びＭＲ層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１７】
Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による軟磁性層に対して、酸性のスラリーによるＣＭＰを行った後、これとはｐＨの異なる弱酸性又は中性のスラリーによるＭＰを行うことにより、軟磁性層の表面をＣＭＰによって平坦化し下部シールド層を形成することが可能となり、その上に積層するＭＲ層の特性ばらつきを大幅に抑制することができる。
【００１８】
ＣＭＰとＭＰとを同一の研磨装置において行うことが好ましい。
【００１９】
軟磁性層が、柱状の結晶構造を有する軟磁性層であっても良い。
【００２０】
第１のスラリーが、研磨剤としてＡｌ２Ｏ３を含み、さらに有機酸を含むことが好ましい。この場合、第１のスラリーのｐＨが、３．７〜４．３であることがより好ましい。
【００２１】
第２のスラリーが、研磨剤としてＡｌ２Ｏ３を含み、さらに硝酸化合物を含むことも好ましい。この場合、第２のスラリーのｐＨが、６〜７であることがより好ましい。
【００２２】
下部シールドギャップ層及びＭＲ層上に上部シールドギャップ層を積層した後、上部シールドギャップ層上に上部シールド層を積層することも好ましい。
【００２３】
上部シールド層上にインダクティブ書込みヘッド素子を形成することも好ましい。
【００２４】
本発明によれば、さらにまた、基板上に下地層を介して積層されたＳｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による下部シールド層と、下部シールド層上に形成された下部シールドギャップ層と、下部シールドギャップ層上に形成されたＭＲ層と、ＭＲ層及び下部シールドギャップ層上に形成された上部シールドギャップ層と、上部シールドギャップ層上に形成された上部シールド層とを備えており、下部シールド層の表面がその表面粗さが１ｎｍ以下となるように平坦化されている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００２５】
下部シールド層をＳｉ及びＡｌを含むＦｅ合金によって形成した場合にも、前述した研磨方法によってその表面を平坦化することによって、表面粗さを１ｎｍ以下とすることができる。これにより、その上に積層したＭＲ層の特性ばらつきが大幅に抑制されるので、良好なＭＲ出力を得ることができる。
【００２６】
上部シールド層上に形成されたインダクティブ書込みヘッド素子をさらに備えていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による軟磁性層であっても、ＣＭＰによる平坦化が可能であり、その上に積層する層の特性ばらつきを大幅に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は本発明の一実施形態として、マルチチャネル磁気テープ装置の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は図１の薄膜磁気ヘッド及びその周辺部分の構成を拡大して示す拡大斜視図である。
【００２９】
本実施形態は、本発明をリニアテープオープン（ＬＴＯ）のテープドライブに適用した場合である。もちろん、本発明は、ＬＴＯのテープドライブに限定されるものではなく、マルチチャネルのいかなるテープドライブ、ディスクドライブ、ドラムドライブにも適用可能である。
【００３０】
図１及び図２において、１０は単一リールのテープカートリッジ、１１はテープカートリッジ１０から引き出された磁気テープ１２を一時的に巻き取るテイクアップリール、１３は磁気テープ１２の往復走行方向１４に対して垂直の方向（トラック幅方向）１５に往復移動可能な薄膜磁気ヘッドをそれぞれ示している。
【００３１】
公知のように、ＬＴＯでは、１／２インチ幅の磁気テープ１２への書込み及び読出しが行われる。このための薄膜磁気ヘッド１３は複数個の書込み／読出し磁気ヘッド素子と２個のサーボ読出しヘッド素子とを備えている。
【００３２】
図３は本実施形態におけるこの薄膜磁気ヘッド１３の構成を概略的に示す斜視図である。ただし、同図では、理解を容易にするために、３つの書込み／読出し磁気ヘッド素子のみが図示されており、残りの書込み／読出し磁気ヘッド素子及び書込み／読出し磁気ヘッド素子の上に形成される層等の図示が省略されている。
【００３３】
同図において、１３０ａ、１３１ａ及び１３２ａはＴＢＳ１３３に垂直な平面上にトラック幅方向に沿って一列配列された３つの書込み／読出し磁気ヘッド素子、１３０ｂ、１３１ｂ及び１３２ｂは書込み／読出し磁気ヘッド素子１３０ａ、１３１ａ及び１３２ａ用の端子電極、１３０ｃ、１３１ｃ及び１３２ｃは書込み／読出し磁気ヘッド素子１３０ａ、１３１ａ及び１３２ａと端子電極１３０ｂ、１３１ｂ及び１３２ｂとを電気的に接続するリード導体をそれぞれ示している。
【００３４】
図４は本実施形態における各書込み／読出し磁気ヘッド素子の構成を概略的に示す側面図であり、ＴＢＳ方向から見た図である。
【００３５】
同図に示すように、例えばアルティック（Ａｌ−ＴｉＣ）等による基板４０上には例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による下地層４１がコーティングされており、その上には例えばセンダスト等の軟磁性材料による下部シールド層（ＳＦ）４２が積層されている。
【００３６】
下部シールド層４２の上には例えばＡｌ２Ｏ３、酸化珪素（ＳｉＯ２）等の絶縁材料による下部シールドギャップ層４４が積層されており、その上にはＭＲ層４５とリード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層４６とが積層されている。
【００３７】
ＭＲ層４５とリード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層４６上には、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による上部シールドギャップ層４７が積層されており、その上には例えばＮｉＦｅ等の軟磁性材料による上部シールド層（ＳＳ１）４８が積層されており、その上には、例えばＴａ等の非磁性材料による中間非磁性層４９が積層されている。
【００３８】
この中間非磁性層４９上には、インダクティブ書込みヘッド素子の例えばＮｉＦｅ等の軟磁性材料による下部磁極下側層（ＳＳ２）５０が積層されており、その上には例えば高保磁力（ＨｉＢｓ）のＮｉＦｅ等の軟磁性材料による下部磁極上側層（ＳＳ３）５１が積層されており、その上には例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による記録ギャップ層５２が積層されており、その上には例えばＨｉＢｓのＮｉＦｅ等の軟磁性材料による上部磁極層（Ｐ２）５３が積層されており、その上には例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料によるオーバーコート層５４が積層されている。
【００３９】
図５は図１の薄膜磁気ヘッドのウエハ製造工程の一部を概略的に示す工程断面図である。
【００４０】
同図（Ａ）に示すように、例えばＡｌ−ＴｉＣ等による基板４０上に例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による下地層４１が例えば１．０μｍ厚でコーティングされている。この下地層４１上に、センダスト等のＳｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による下部シールド層用の軟磁性膜４２″を例えば３μｍ厚でスパッタにより成膜する。このようにスパッタ成膜されたセンダストによる軟磁性膜４２″は、柱状の結晶構造を有している。
【００４１】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、この軟磁性膜４２″をパターニングする。
【００４２】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、パターニングした軟磁性膜４２′上に平坦化用の例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による絶縁層４３′を例えば４μｍ厚で成膜する。
【００４３】
次いで、絶縁層４３′及びパターニングした軟磁性膜４２′の表面を以下の方法で平坦化し、同図（Ｄ）に示すごとく表面が平坦化された例えば２．００±０．３０μｍ厚の下部シールド層４２及び絶縁層４３を得る。
（１）第１の研磨工程
第１のスラリーとして、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、比重が１．１、ｐＨ＝３．７〜４．３の酸性スラリーを用いる。このスラリーの他の成分として、研磨分布の向上及びＡｌ２Ｏ３の凸部を選択的に研磨するための有機酸と、分散性向上及びｐＨ調節のためのアミン化合物が含まれている。各成分の含有率は、Ａｌ２Ｏ３が１２％以下、有機酸が１％以下、アミン化合物が１％以下、水が８６％以上である。このようなスラリーとしては、例えば株式会社バイコウスキージャパンのＴＫＨ−３４Ｐが存在する。この第１のスラリーを用い、さらに、接触側の第１層がポリウレタン発泡体からなり、そのクッション層としての第２層を有する２層構造のパッドを用いてＣＭＰを行う。このパッドの第１層の厚さが０．８ｍｍ、密度が０．７３ｇ／ｃｍ３、圧縮率が１％、圧縮弾性（回復）率が６１％、硬度９５Ａｓｋｅｒ−Ｃであり、第２層の厚さが１．２７ｍｍ、圧縮率が８％、圧縮弾性（回復）率が８８％、硬度６１Ａｓｋｅｒ−Ｃである。このような研磨パッドとしては、例えばニッタ・ハース株式会社のＩＣ  １０００とＳｕｂａ  ４００とを積み重ねて形成する。第１の研磨工程における研磨テーブルの回転速度は約４５ｒｐｍ、研磨時間は約２．５〜３分である。
（２）第２の研磨工程
第２のスラリーとして、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、比重が１．０４、ｐＨ＝６〜７の酸性若しくは若干中性のスラリー／を用いる。このスラリーの他の成分として、面粗さ向上のための硝酸化合物と、分散性向上及びｐＨ調節のためのアミン化合物とが含まれている。各成分の含有率は、Ａｌ２Ｏ３が５％以下、硝酸化合物が１％以下、アミン化合物が１％以下、水が９３％以上である。このようなスラリーとしては、例えば株式会社バイコウスキージャパンのＤＨ−６αが存在する。この第２のスラリーを用い、さらに、発泡体からなる洗浄用パッドを用いて精密機械研磨（ＭＰ）を行う。ただし、このパッドは、厚さが１．５ｍｍ、圧縮率が１３％である。このような洗浄用のパッドとしては、例えばニッタ・ハース株式会社のＳＵＰＲＥＭＥ  ＲＮ−Ｈが存在する。第２の研磨工程における研磨テーブルの回転速度は約２５〜８０ｒｐｍ、研磨時間は約７〜１２秒である。
【００４４】
以上の平坦化処理により、表面粗さＲａが１．８〜３．０ｎｍであった軟磁性膜４２′から表面粗さＲａが０．５〜０．８ｎｍの下部シールド層４２が得られた。
【００４５】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、下部シールド層４２及び絶縁層４３上に、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による下部シールドギャップ層４４を例えば１００．０ｎｍ厚で積層する。
【００４６】
次いで、同図（Ｆ）に示すように、下部シールドギャップ層４４上に、ＭＲ層４５とリード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層４６とを積層する。
【００４７】
ＭＲ層４５は、本実施形態では、ニッケル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒ）（１２．６ｎｍ厚）／タンタル（Ｔａ）（６．０ｎｍ厚）／ＮｉＦｅ（２５．０ｎｍ厚）／Ｔａ（３．５ｎｍ厚）なる多層構造を有する異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）層で形成されている。リード導体層は、本実施形態では、銅（Ｃｕ）等の導電性材料を例えば２００ｎｍ厚に積層することで形成されており、ハードマグネット層は、本実施形態では、Ｔａ（３．０ｎｍ厚）／クロムチタン（ＣｒＴｉ）（５．０ｎｍ厚）／コバルトクロム白金（ＣｏＣｒＰｔ）（６０．０ｎｍ厚）／クロムチタン（ＣｒＴｉ）（１０．０ｎｍ厚）／Ｔａ（１００．０ｎｍ厚）なる多層構造で形成されている。
【００４８】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、ＭＲ層４５とリード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層４６上に、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による上部シールドギャップ層４７を例えば１００．０ｎｍ厚で積層する。
【００４９】
その後、同図（Ｈ）に示すように、上部シールドギャップ層４７上に、例えばセンダスト等のＳｉ及びＡｌを含むＦｅ合金等の軟磁性材料による上部シールド層４８を例えば２．０±０．３μｍ厚でパターニング形成する。
【００５０】
図４に示されているように、上部シールドギャップ層４７及び上部シールド層４８上には、例えばＴａ等の非磁性材料による中間非磁性層４９が例えば０．０２０±０．００２ｎｍ厚で積層され、その中間非磁性層４９上には、インダクティブ書込みヘッド素子が形成される。即ち、例えばパーマロイ等の軟磁性材料による下部磁極下側層５０が例えば２．０±０．３μｍ厚で積層され、その上には例えばＨｉＢｓのＮｉＦｅ等の軟磁性材料による下部磁極上側層５１が例えば３．５±０．３μｍ厚で積層され、さらにその上には例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による記録ギャップ層５２が例えば０．４５μｍ厚で積層され、その上には例えばＨｉＢｓのＮｉＦｅ等の軟磁性材料による上部磁極層５３が積層され、その上には例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料によるオーバーコート層５４が例えば４１＋５／−２μｍ厚で積層される。
【００５１】
なお、ＭＲ層４５として、ＡＭＲ層に代えて巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）層、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）層を用いても良いことはもちろんである。
【００５２】
センダストで成膜された下部シールド層の表面を本実施形態のようにＣＭＰで平坦化した場合と、平坦化しなかった場合とで、ＭＲ出力及びその標準偏差、並びにアシメトリ及びその標準偏差がどのように異なってくるかを、実際に磁気テープを走行させてＭＲ出力を測定することによって調べた。表１は、その測定結果を示している。サンプル数は本実施形態のもの及び従来技術のものがそれぞれ１６０である。
【００５３】
【表１】
2007290110.tif 000003
【００５４】
表１から、ＣＭＰによる平坦化を行うことによって、ＭＲ出力の標準偏差が８７％から５５％又は４６％へと大幅に低減しており、アシメトリの標準偏差も８．１１％から６．５％又は３．６１％へと低減している。即ち、センダストによる層の表面をＣＭＰによって平坦化して下部シールド層を形成することが可能となり、その上に積層するＭＲ層の特性ばらつきを大幅に抑制できることが分かる。
【００５５】
センダストで成膜された下部シールド層の表面粗さＲａをどの程度とすれば、良好なＭＲ出力特性が得られるかについても調べた。
【００５６】
図６はＭＲ出力のアシメトリ標準偏差とビットエラーレートとの関係を示す図であり、図７は下部シールド層の表面粗さＲａとＭＲ出力のアシメトリ標準偏差との関係を示す図である。ただし、これらの図において、１つのプロットはＮ＝１６０のサンプルにおける標準偏差を表している。
【００５７】
図６から分かるように、ＭＲ出力として、１０−７台のビットエラーレートを得るためには、そのアシメトリ標準偏差は７．５％以下であることが必要となる。一方、図７から分かるように、アシメトリ標準偏差が７．５％以下となるのは、下部シールド層の表面粗さＲａが１ｎｍ以下でなければならない。即ち、下部シールド層の表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるように平坦化されていれば、下部シールド層をセンダストで形成した場合にも良好なＭＲ出力を得ることができる。
【００５８】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態として、マルチチャネル磁気テープ装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッド及びその周辺部分の構成を拡大して示す拡大斜視図である。
【図３】図１の薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。
【図４】図１の薄膜磁気ヘッドにおける各書込み／読出し磁気ヘッド素子の構成を概略的に示す側面図であり、ＴＢＳ方向から見た図である。
【図５】図１の薄膜磁気ヘッドのウエハ製造工程の一部を概略的に示す工程断面図である。
【図６】ＭＲ出力のアシメトリ標準偏差とビットエラーレートとの関係を示す図である。
【図７】下部シールド層の表面粗さＲａとＭＲ出力のアシメトリ標準偏差との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０  テープカートリッジ
１１  テイクアップリール
１２  磁気テープ
１３  薄膜磁気ヘッド
１４  往復走行方向
１５  垂直の方向（トラック幅方向）
４０  基板
４１  下地層
４２  下部シールド層
４２′、４２″  軟磁性膜
４３、４３′  絶縁層
４４  下部シールドギャップ層
４５  ＭＲ層
４６  リード導体層及び磁区制御用ハードマグネット層
４７  上部シールドギャップ層
４８  上部シールド層
４９  中間非磁性層
５０  下部磁極下側層
５１  下部磁極上側層
５２  記録ギャップ層
５３  上部磁極層
５４  オーバーコート層
１３０ａ、１３１ａ、１３２ａ  書込み／読出し磁気ヘッド素子
１３０ｂ、１３１ｂ、１３２ｂ  端子電極
１３０ｃ、１３１ｃ、１３２ｃ  リード導体
１３３  ＴＢＳ
【図１】
2007290110.tif 000004
【図２】
2007290110.tif 000005
【図３】
2007290110.tif 000006
【図４】
2007290110.tif 000007
【図５】
2007290110.tif 000008
【図６】
2007290110.tif 000009
【図７】
2007290110.tif 000010