(57)【要約】【課題】簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができるフリップチップ実装方法を提供する。【解決手段】一旦はんだ接合した半導体チップ１と回路基板４の間隙にアンダーフィル樹脂３を充填した後、はんだ２の融点を超える温度でアンダーフィル樹脂３を硬化処理することにより、アンダーフィル樹脂３における硬化進行時の樹脂の体積膨張により間隙を拡張することで、硬化処理熱により再溶融したはんだ２の形状を鼓状にする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップ構造の電子部品を回路基板に実装するフリップチップ実装方法であって、前記フリップチップ構造の電子部品の電極と前記回路基板の配線電極とをはんだを用いて接合する工程と、前記接合した前記フリップチップ構造の電子部品と前記回路基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程と、前記アンダーフィル樹脂の硬化温度以上でかつ前記接合用のはんだの融点を越える温度を処理温度として、前記アンダーフィル樹脂を硬化させる工程とを有することを特徴とするフリップチップ実装方法。
【請求項２】
請求項１記載のフリップチップ実装方法であって、前記アンダーフィル樹脂の硬化処理は、前記はんだによる接合用のはんだリフロー装置を通すことにより実行することを特徴とするフリップチップ実装方法。
【請求項３】
請求項１記載のフリップチップ実装方法であって、前記回路基板は、有機系樹脂をベースとした単層もしくは多層構造のものを使用することを特徴とするフリップチップ実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだによる接合部を有するフリップチップ構造の電子部品を回路基板上に実装するフリップチップ実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、フリップチップ構造の電子部品を回路基板上にフリップチップ実装する方法の１つとして、フリップチップ構造の電子部品の電極と回路基板上の配線電極との接合用材料として、はんだを用いる工法（例えば、特許文献１の従来技術を参照）が広く利用されている。
【０００３】
上記のように、フリップチップ構造の電子部品の電極と回路基板上の配線電極との接合用材料として、はんだを用いる従来のフリップチップ実装方法について、図面を用いて以下に説明する。
【０００４】
図４は従来のフリップチップ実装方法により製造された半導体装置の断面構造図である。図４に示すように、まず、バンプ状のはんだ２を半導体チップ１と回路基板４との間に配置し、これらをリフロー装置のリフロー炉を通すことによって、はんだ２を溶融して半導体チップ１と回路基板４の電極間を電気的に接続する。このとき、はんだ２の形状は太鼓状になっている。
【０００５】
上記のように半導体チップ１と回路基板４をはんだ接続した後に、アンダーフィル樹脂３を注入し、アンダーフィル樹脂を、加熱炉などにより、はんだ融点以下である１５０度Ｃ程度の温度を加えて硬化させる。このとき、はんだ２の形状は、アンダーフィル樹脂をはんだ融点以下で硬化させるため、その硬化前後で変化することがなく、同一形状の太鼓状のままである。なお、上記のはんだの融点温度は、通常、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの場合で約２２０度Ｃ（２１７度Ｃ〜２１９度Ｃ）であり、Ｓｎ−３７Ｐｂの場合で約１８３度Ｃである。
【特許文献１】特開平５−３４３４７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記のような従来のフリップチップ実装方法による構造では、半導体チップや回路基板とはんだとの接合部における界面近傍への熱的および機械的な応力が集中しやすく、また、半導体チップの微細化によるバンプピッチの狭ピッチ化に伴い、フリップチップ実装時に、隣接のはんだ同士がショートするのを防ぐ目的で、フリップチップ実装のはんだの量を少なくしているため、はんだへの局所応力に対して熱的および機械的に弱くなる。
【０００７】
その部分に対して耐温度サイクル性や耐落下衝撃性等の熱的および機械的な応力が加わることにより、歪ストレスが発生し、その歪ストレスにより、特に接合界面での剥離破壊が起こってしまい、最終的に電気的なオープン現象となり、はんだ接合部の信頼性面で大きな問題を有していた。
【０００８】
また、上記の問題点に対して、他の方法（例えば、特許文献１を参照）では、チップと基板の中央付近に緩衝材を用い、この熱膨張を利用してはんだ接合部を鼓状に形成することを特徴とするが、その材料選定や厚みおよび接着面積の設定等に注意しなければ、安定したはんだ高さを実現することはできず、はんだ接合不良となりやすく、また、緩衝材の熱膨張を利用しているため、はんだが鼓状になった状態から急冷しなくてはならず、さらに、緩衝材の部分には、はんだ接合部を設けることはできないため、チップ面積の有効利用ができないという問題点を有していた。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができるフリップチップ実装方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載のフリップチップ実装方法は、フリップチップ構造の電子部品を回路基板に実装するフリップチップ実装方法であって、前記フリップチップ構造の電子部品の電極と前記回路基板の配線電極とをはんだを用いて接合する工程と、前記接合した前記フリップチップ構造の電子部品と前記回路基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程と、前記アンダーフィル樹脂の硬化温度以上でかつ前記接合用のはんだの融点を越える温度を処理温度として、前記アンダーフィル樹脂を硬化させる工程とを有する方法としたことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の請求項２に記載のフリップチップ実装方法は、請求項１記載のフリップチップ実装方法であって、前記アンダーフィル樹脂の硬化処理は、前記はんだによる接合用のはんだリフロー装置を通すことにより実行する方法としたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の請求項３に記載のフリップチップ実装方法は、請求項１記載のフリップチップ実装方法であって、前記回路基板は、有機系樹脂をベースとした単層もしくは多層構造のものを使用する方法としたことを特徴とする。
【００１３】
以上により、アンダーフィル樹脂を硬化させる際の処理熱によりアンダーフィル樹脂が体積膨張し、アンダーフィル樹脂の硬化処理熱により再溶融した接合用のはんだの形状が、体積膨張したアンダーフィル樹脂からの押圧により鼓状で均等な形状になることによって、電子部品および回路基板の接合部分におけるはんだとの界面に掛かる熱的および機械的な応力を分散して緩和することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明によれば、アンダーフィル樹脂を硬化させる際の処理熱によりアンダーフィル樹脂が体積膨張し、アンダーフィル樹脂の硬化処理熱により再溶融した接合用のはんだの形状が、体積膨張したアンダーフィル樹脂からの押圧により鼓状で均等な形状になることによって、従来の製造工程を増数することなく、電子部品および回路基板の接合部分におけるはんだとの界面に掛かる熱的および機械的な応力を分散して緩和することができる。
【００１５】
その結果、簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を示すフリップチップ実装方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
図１は本実施の形態のフリップチップ実装方法により回路基板上に半導体チップが実装された半導体装置の断面構造図である。図１に示すように、半導体チップ１と回路基板４の接合には、はんだ２を用い、さらに、半導体チップ１と回路基板４の間には、アンダーフィル樹脂３が充填された構造であり、はんだ２が鼓状に形成される。
【００１７】
以下、本実施の形態のフリップチップ実装方法における具体的な実装方法について詳述する。
図２は本実施の形態のフリップチップ実装方法におけるアンダーフィル樹脂注入前の断面構造図である。図２に示すように、従来の接合と同じく、半導体チップ１と有機系の材料からなる回路基板４を用い、その接合に錫銀系の鉛フリーはんだ、具体的には、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだを用い、リフロー装置に設けられたリフロー炉等により、はんだの融点である約２２０度Ｃ以上にて、具体的には、接合用として使用したはんだの融点の約２２０度Ｃ以上で３０秒間のプロファイルにて、はんだ２を溶融させ、半導体チップ１と回路基板４を電気的に接合する。このとき、はんだ２は溶融時の表面張力とのバランスにより、その形状は太鼓状となり、そのはんだ高さは約１００ｕｍ程度であり、そのままの形状で冷却され固化される。
【００１８】
次に、図３に示すように、主成分がエポキシ樹脂であるアンダーフィル樹脂３を注入し、はんだ２の融点以上の温度にて、アンダーフィル樹脂３を硬化させる。具体的には、はんだリフロー炉を用い、使用した錫銀系はんだの融点である約２２０度Ｃ以上で約３０秒間のプロファイルにて硬化させた。この過程において、アンダーフィル樹脂はいったん溶融して、その際に体積膨張を起こし、半導体チップ１と回路基板４の間隔を約１００ｕｍから約１５０ｕｍまで広げる。同時に、はんだ２は再溶融しており、その形状は鼓状へと変形される。その後、アンダーフィル樹脂４が硬化するとともに、はんだ２は鼓状のまま冷却され、図１に示す形状となる。
【００１９】
これにより、はんだ接合において、はんだ２の形状は、太鼓状の形状から鼓状の形状へと変化し、半導体チップ１とはんだ２の接合界面近傍、およびはんだ２と回路基板４の接合界面近傍への応力の集中が分散されて緩和され、簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上することができる。
【００２０】
また、アンダーフィル樹脂３の溶融時の体積膨張を利用することにより、半導体チップ１と回路基板４の間隔を均等にすることが可能であり、安定したはんだ高さとなり、はんだ接合部の安定した信頼性を確保することができる。
【００２１】
なお、上記の実施の形態では、前記した回路基板を、有機系の樹脂基板としたが、無機系のセラミック基板を用いて実施することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
本発明のフリップチップ実装方法は、簡便な工法でありながら、フリップチップ構造の電子部品におけるはんだ接合部の信頼性を向上するとともに、チップ面積の有効利用を可能とする電子部品を実現することができるもので、電子部品実装用基板や電子部品等の接続に有効に適用することができ、加えて、近年の環境問題としてはんだに鉛を使用しない錫銀系合金はんだにおいては、はんだの硬度が増し、はんだ自体、延性に乏しくなり応力緩和しにくくなっているが、その場合にもさらに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態のフリップチップ実装方法により製造された半導体装置の断面構造図
【図２】同実施の形態のフリップチップ実装方法におけるアンダーフィル樹脂注入前の断面構造図
【図３】同実施の形態のフリップチップ実装方法におけるアンダーフィル樹脂注入後の断面構造図
【図４】従来のフリップチップ実装方法により製造された半導体装置の断面構造図
【符号の説明】
【００２４】
１    半導体チップ
２    はんだ
３    アンダーフィル樹脂
４    回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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