(57)【要約】【課題】  測温素子における熱の流出入の影響を低減することによって、パッケージ内の温度制御の精度を向上させること。【解決手段】  この光送信デバイス１は、パッケージ１０内部に収容された電子冷却器２１と、パッケージ１０内部において電子冷却器２１の上側基板２１ａに搭載され、半導体レーザ素子２４を搭載する絶縁性材料からなるキャリア２２と、キャリア２２に搭載され、パッケージ１０内部の温度を検出するサーミスタ２５と、キャリア２２の上面において支持される支持体２６ａとサーミスタ２５の上側電極２５ａと同一面上で接続される接続体２６ｂとを含む熱伝導体２６と、サーミスタ２５から外部へ信号を出力するための積層セラミック部１２ｃと、熱伝導体２６と積層セラミック部１２ｃとを電気的に接続するワイヤ２７とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ内部に収容された電子冷却器と、
前記パッケージ内部において前記電子冷却器の上面に搭載され、半導体発光素子を搭載する絶縁性材料からなるキャリアと、
前記キャリアに搭載され、前記パッケージ内部の温度を検出する測温素子と、
前記キャリアの上面において支持される支持体と前記測温素子の電極と同一面上で接続される接続体とを含む金属部材と、
前記測温素子から外部へ信号を出力するための配線基板と、
前記金属部材と前記配線基板とを電気的に接続する配線部材と、
を備えることを特徴とする光送信デバイス。
【請求項２】
前記キャリアは、上面において窪み部が形成されており、
前記測温素子は、前記窪み部において前記キャリアに搭載され、
前記接続体は、前記支持体が前記キャリアによって支持される面と同一面上で前記電極と接続される、
ことを特徴とする請求項１記載の光送信デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信において用いられる光送信デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高速（例えば１０Ｇｂｐｓ）の光通信においては、ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）方式のように複数の異なる波長の光が用いられるために、光送信デバイスに対して高い波長精度が要求される。このような光送信デバイスには測温素子及び電子冷却器が内蔵され、その測温素子及び電子冷却器を用いて発光素子を温度制御することにより、波長精度が高く維持されている。この場合、光送信デバイスの内部の温度を検出するためのサーミスタ等の測温素子による検出温度の正確性が問題となる。
【０００３】
このような問題に対処するため、下記特許文献１記載の半導体レーザモジュールでは、サーミスタの電極を、キャリア上の絶縁性及び熱伝導性を有する中継ブロックとワイヤボンディングして中継ブロックを外部ピンと接続することで、ボンディングワイヤ及び端子を介してのサーミスタへの熱の流入が防止されている。また、下記特許文献２記載の半導体レーザモジュールでは、電子冷却器上の基板に設けられた配線パターンを介して、サーミスタの電極とパッケージの側壁に設けられた配線パターンとがボンディングワイヤで接続されることにより、サーミスタに対する周辺温度の影響が軽減されている。
【０００４】
さらに、下記特許文献３記載の半導体レーザモジュールでは、半導体レーザは金属ベース上に搭載されたヒートシンク上に配置され、サーミスタは金属ベース上に搭載されたサーミスタ基板上に配置されている。このような構造において、金属ベースからレーザダイオードまでの熱抵抗、及び金属ベースからサーミスタまでの熱抵抗を調整して、半導体レーザをサーミスタ温度で動作させている。また、下記特許文献４記載のレーザダイオードモジュールにおいては、ベース上にレーザダイオード及びサーミスタが搭載され、ベースのレーザダイオード近傍の部分とハウジングとを熱的に接続する金属プレートが設けられ、サーミスタ及びレーザダイオードがほぼ同温度になるように設定されている。また、下記特許文献５記載の半導体レーザ装置においては、抵抗体であるインピーダンス整合回路をペルチェ素子上の金属ベース上ではなく、ペルチェ素子から分離された端子配線棚部に設けることにより、ペルチェ素子上の発熱源が減少すると共に、ペルチェ素子上の各素子と端子配線棚部とを結ぶボンディングワイヤの本数も削減されてパッケージ内への熱流入が低減される。
【特許文献１】特許第３０３５８５２号公報
【特許文献２】特開２００２−２３２０６７号公報
【特許文献３】特開２００１−２４４５４５号公報
【特許文献４】特開平８−１９５５２８号公報
【特許文献５】特開平６−３１８７６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の光送信モジュールにおいては、依然として、サーミスタの電極に接続されたボンディングワイヤを介して、外部とサーミスタとの間で熱の流出入が生じる。その結果、サーミスタの２つの電極間で流出又は流入する熱量が異なるので、サーミスタの両電極間で温度差が生じる。このような電極間の温度差は、サーミスタによって検出される温度の正確性を低下させ、発光素子の温度制御の精度の低下という問題を招来する。
【０００６】
そこで、本発明は、測温素子における熱の流出入の影響を低減することによって、パッケージ内の温度制御の精度を向上させることが可能な光送信デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の光送信デバイスは、パッケージ内部に収容された電子冷却器と、パッケージ内部において電子冷却器の上面に搭載され、半導体発光素子を搭載する絶縁性材料からなるキャリアと、キャリアに搭載され、パッケージ内部の温度を検出する測温素子と、キャリアの上面において支持される支持体と測温素子の電極と同一面上で接続される接続体とを含む金属部材と、測温素子から外部へ信号を出力するための配線基板と、金属部材と配線基板とを電気的に接続する配線部材とを備えることを特徴とする。
【０００８】
このような光送信デバイスにおいては、電子冷却器上のキャリアに搭載されたサーミスタによりキャリア上の温度が検出され、その温度に基づいて電子冷却器の動作が制御されることにより、半導体発光素子を収容するパッケージ内部の温度制御が行われる。このとき、測温素子の電極とキャリア上面とは金属部材により熱的に接続され、測温素子の電極と外部接続用の配線基板とは金属部材を介して電気的に接続されているので、外部からパッケージ内に流入、又はパッケージ内から外部へ流出する熱は、金属部材を介して配線基板とキャリアとの間で効率的に伝導する。特に、測温素子の電極と金属部材とは面接触で接続されているので、電極とキャリア上面との温度差が低下する。これにより、測温素子の電極と外部との間の熱の流出入が防止され、測温素子で検出される温度の精度が向上する。
【０００９】
また、キャリアは、上面において窪み部が形成されており、測温素子は、窪み部においてキャリアに搭載され、接続体は、支持体がキャリアによって支持される面と同一面上で電極と接続されることも好ましい。かかる構成とすれば、金属部材の形状が単純化されて金属部材の加工が容易になると共に、金属部材取付時のがたつきを抑えることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光送信デバイスによれば、測温素子における熱の流出入の影響を低減することによって、パッケージ内の温度制御の精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る光送信デバイスの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１２】
図１は、本発明の好適な一実施形態である光送信デバイスの構成を示す斜視図である。同図に示す光送信デバイス１は、外部から入力された高周波の電気信号を光信号に変換して出力するためのデバイスである。
【００１３】
光送信デバイス１は、直方体形状を有するパッケージ１０と、このパッケージ１０の側面１２ａに固定され、光ファイバの先端に取り付けられたフェルールに嵌合される光結合部２０と、側面１２ａの端部につながる側面１２ｂに取り付けられ、側面１２ｂに略垂直に外側に延びるＬ字形状のリードピン１４ｂと、側面１２ａに対向する側面１２ｃに取り付けられ、側面１２ｃに略垂直に外側に延びるリードピン１４ａとを備えている。このリードピン１４ａは、パッケージ１０内部の半導体発光素子に高周波の変調信号を与えるために設けられ、リードピン１４ｂは、電子冷却器への電源の供給、測温素子からの信号出力、発光素子モニタ用の受光素子からの信号出力、及び半導体発光素子への駆動電流の供給等の直流信号又は低周波信号の入出力用に設けられている。このように、光送信デバイス１は、直方体のパッケージ１０の側面から外側にリードピンが延びるようなバタフライ型の形状を有する。
【００１４】
次に、図２〜図４を参照して、光送信デバイス１の内部構成について説明する。
【００１５】
図２において、（ａ）は、光送信デバイス１の各種素子の搭載前の一部破断斜視図、（ｂ）は、光送信デバイス１の各種素子の搭載前の状態を側面から見た模式図、図３において、（ａ）は、光送信デバイス１の各種素子の搭載後の状態を側面から見た模式図、（ｂ）は、（ａ）の要部拡大図、図４は、キャリア上における半導体レーザ素子及びサーミスタの搭載状態を詳細に示す斜視図である。
【００１６】
まず、図２（ａ）〜（ｂ）、及び図３（ａ）を参照して、パッケージ１０は、ＣｕＷ等の高熱伝導率の材料からなる底板１１と、底板１１の縁部にロー付けにより気密に接合された側壁１２とを含んでいる。パッケージ１０内部において底板１１上には、直方体形状の台座部１１ａが形成され、この台座部１１ａの上面にはペルチェ素子を含む電子冷却器２１が搭載されている。電子冷却器２１は、上側基板２１ａと下側基板２１ｂとの間に半導体素子であるペルチェ素子２１ｃが複数接続された構造を有し、下側基板２１ｂの下面の形状が台座部１１ａの上面の形状と同一にされることで、台座部１１ａと一体化した状態で搭載される。この台座部１１ａは、底板１１上に電子冷却器２１を接着する際に周囲に漏れ出した接着剤が電子冷却器２１の下側基板２１ｂの上方にせり上がりペルチェ素子２１ｃと台座部１１ａとが短絡するのを防止するために設けられる。
【００１７】
側壁１２は、コバール等の金属からなる金属板１２ａとアルミナ系の材料からなる積層セラミック部（配線基板）１２ｃとを含んでいる。積層セラミック部１２ｃは、底板１１上に、第１の多層セラミック基板１７ａ、第２の多層セラミック基板１７ｂ、及びセラミック層１７ｃがこの順で重ね合わされたものである。ここで、第１の多層セラミック基板１７ａ及び第２の多層セラミック基板１７ｂは、複数のセラミック層の表面に配線が形成されてなるものであり、パッケージ１０内部に収容される各種部品とリードピン１４ａ，１４ｂとの間を電気的に接続する役割を有する。
【００１８】
さらに、電子冷却器２１の上側基板２１ａ上には、ＡｌＮ等のセラミック製のキャリア２２が搭載されている。キャリア２２は、その底面形状が電子冷却器２１の上側基板２１ａの上面と同一形状をなしており、上側基板２１ａと半田により接合されている。また、キャリア２２には、その上面において互いに平行で上側基板２１ａからの距離が異なる第１実装面２２ａと第２実装面２２ｂとが形成されており、金属板１２ａ側の第２実装面２２ｂには、半導体発光素子から出射された光を略平行光に変換するレンズ２３が搭載されている。第２実装面２２ｂより高い位置に形成されている第１実装面２２ａには、半導体発光素子としての半導体レーザ素子２４とパッケージ１０内部の温度を検出するサーミスタ（測温素子）２５とが搭載されている。
【００１９】
半導体レーザ素子２４は、分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ:Distributed Feed-Back Laser）と半導体変調素子（Electro-Absorption Device）とを集積化したＥＡ−ＤＦＢ型の半導体発光素子であり、出射する光の方向がレンズ２３の方向を向くように第１実装面２２ａ上に固定されている。半導体レーザ素子２４から出射された光は、レンズ２３を透過した後、光結合部２０（図１）を通過して光ファイバに入射される。サーミスタ２５は、ブロック状のセラミック製部材の両面に電極が接続されたものであり、下側電極が第１実装面２２ａに接するようにキャリア２２に搭載される。半導体レーザ素子２４の端子及びサーミスタ２５の下側電極は、第１実装面２２ａ上の金属パターン及び金属パターンと積層セラミック部１２ｃとの間に渡されたボンディングワイヤ２８を介して積層セラミック部１２ｃに接続されている。
【００２０】
次に、図３（ｂ）及び図４を参照してキャリア２２上のサーミスタ２５の搭載状態を詳細に説明する。サーミスタ２５は、上述したように、下側電極２５ｂを第１搭載面２２ａ上の金属パターン２９に接触した状態でキャリア２２に搭載される。さらに、このサーミスタ２５の上側電極２５ａ及びキャリア２２上には熱伝導体（金属部材）２６が設置されている。熱伝導体２６は、熱伝導率の高い金属材料（例えば、銅）からなり、縦方向の断面が略Ｌ字形状を有し、キャリア２２の第１実装面２２ａにおいて支持される直方体の支持体２６ａと、測温素子２５の上側電極２５ａに接続される直方体の接続体２６ｂとが一体成形されたものである。この支持体２６ａの底面２６ｃと接続体２６ｂの底面２６ｄとは、それぞれの底面を含む平面間の距離がサーミスタ２５の厚さとぼぼ同一となるように形成されている。
【００２１】
このような構成において、接続体２６ｂの底面２６ｄをサーミスタ２５の上側電極２５ａに沿って接続することにより上側電極２５ａと熱伝導体２６とが熱的に接続されると同時に、支持体２６ａの底面２６ｃがキャリア２２の上面に接合されることによりキャリア２２と熱伝導体２６とが熱的に接続される。なお、支持体２６ａとキャリア２２との良好な接着性を得るために、キャリア２２の第１搭載面２２ａの接合部位には、銅メタライズ等の金属膜が形成されていることが好ましい。ただし、この場合は、この金属膜とキャリア２２上の金属パターン２９とは電気的に分離することが必要とされる。
【００２２】
さらに、熱伝導体２６の上面は、ワイヤ（配線部材）２７を用いたワイヤボンディングにより積層セラミック部１２ｃの第２の多層セラミック基板１７ｂ（図３参照）上の配線パターンに電気的に接続されている。その結果、サーミスタ２５の上側電極２５ａは、熱伝導体２６及びワイヤ２７を介して積層セラミック部１２ｃと電気的に接続され、サーミスタ２５で検出された信号は積層セラミック部１２ｃ及びリードピン１４ｂを通じて外部に出力される。このようにしてサーミスタ２５から出力された信号は、外部の制御用回路（図示せず）においてキャリア２２上の半導体レーザ素子２４の温度を検出するために利用され、この制御用回路によって半導体レーザ素子２４の温度が一定となるように電子冷却器２１への駆動電流が制御される。
【００２３】
以上説明した光送信デバイス１の作用効果について、熱伝導体２６を含まない構成と比較しつつ説明する。
【００２４】
光送信デバイス１において熱伝導体２６を除いた構成、すなわち、サーミスタ２５の上側電極２５ａが直接ワイヤボンディングにより積層セラミック部１２ｃに接続される構成（図７参照）においては、外部とサーミスタとの間で熱の移動が生じやすい。すなわち、サーミスタ２５と積層セラミック部１２ｃ内の配線とを接続するワイヤは、熱伝導率の高い金線が利用されるため、外部環境温度の変化に伴うパッケージ１０の内部と外部との温度差に応じて、サーミスタ２５と外部につながる積層セラミック部１２ｃとの間で熱の移動が生じる。例えば、電子冷却器２１によって調整する半導体レーザ素子２４の温度より積層セラミック部１２ｃの温度が高い場合には、ワイヤを介して積層セラミック部１２ｃからサーミスタ２５の上側電極２５ａに熱が流入する。一方、半導体レーザ素子２４の温度より積層セラミック部１２ｃの温度が低い場合には、ワイヤを介して上側電極２５ａから積層セラミック部１２ｃに熱が流出する。
【００２５】
ここで、サーミスタ２５の素材は熱伝導率の低いアルミナ等のセラミック製部材からなるため、このような熱の移動によりサーミスタ２５の上下電極間に温度差が生じる。サーミスタ２５の電気抵抗はサーミスタ自体の温度に追随して変化する性質を有するため、上下電極間の温度差が存在するとサーミスタ２５によって正確な温度を検出することが困難となり、電子冷却器２１によるパッケージ１０内の温度制御の精度が低下する。その結果、半導体レーザ素子の電流−光出力強度特性（Ｉ−Ｌ特性）の変動、半導体レーザ素子の発振閾値の変動による光出力特性及び発振波長特性の劣化等の問題が生じる。さらには、温度差分だけ加熱或いは冷却する必要があるため、電子冷却器の消費電力の増大や冷却特性の悪化などの問題にも波及する。
【００２６】
これに対して本実施形態にかかる光送信デバイス１においては、サーミスタ２５の素材よりも熱伝導性に優れる熱伝導体２６の存在により、ワイヤ２７を介して流出或いは流入する熱が上側電極２５ａに蓄積するのが効果的に防止される。すなわち、パッケージ１０の外部から積層セラミック部１２ｃに流入した熱は、上側電極２５ａには蓄積されず、ワイヤ２７及び熱伝導体２６を伝わってキャリア２２上の金属パターンに流出される。これにより、ワイヤを介したサーミスタ２５の上側電極２５ａと積層セラミック部１２ｃとの間の熱の移動が防止され、サーミスタ２５の上下電極間の温度差を低減することができる。特に、サーミスタ２５の上側電極２５ａと熱伝導体２６とは面接触で接続されているので、電極２５ａとキャリア２２上面との温度差が小さくなり、結果としてサーミスタ２５の上下電極間の温度差が一層低減されることになる。その結果、サーミスタ２５で検出する温度と半導体レーザ素子２４の温度とを一致させることができ、電子冷却器２１による温度制御の精度を向上させることができる。
【００２７】
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、熱伝導体２６とサーミスタ２５及びキャリア２２との接続形態としては、他の様々な形態のものを採用することができる。
【００２８】
図５〜図６は、本発明の光送信デバイスの変形例において、キャリア上の半導体レーザ素子２４及びサーミスタ２５の搭載状態を詳細に示す斜視図である。図５（ａ）においては、サーミスタ２５及びキャリア２２上において、熱伝導体３６の設置方向が熱伝導体２６に対して１８０度回転されている。また、図５（ｂ）に示す熱伝導体４６は、縦方向の断面が略Ｕ字形状を有し、底面の両端側において第１支持体４６ｂ及び第２支持体４６ｃが形成されている。この第１支持体４６ｂ及び第２支持体４６ｃがキャリア２２の第１実装面２２ａに接合されるとともに、第１支持体４６ｂ及び第２支持体４６ｃの間に形成された接続体４６ａがサーミスタ２５の上側電極２５ａに接続される。このような接続構造により、キャリア２２上に熱伝導体４６を搭載した際のがたつきが少なくされるとともに、キャリア２２と熱伝導体４６との間の熱抵抗が一層低下する。
【００２９】
図６（ａ）に示す変形例では、キャリア２２の隅部において第１実装面２２ａより低い位置に窪み部２２ｃが形成され、この窪み部２２ｃ上にサーミスタ２５が搭載されている。また、窪み部２２ｃを含む平面と第１実装面２２ａとの距離はサーミスタ２５の厚さとほぼ同一とされることで、第１実装面２２ａとサーミスタ２５の上側電極２５ａとが同一平面上に位置している。さらに、熱伝導体５６は、支持体５６ａと接続体５６ｂとが一体化された直方体形状を有し、接続体５６ｂは、支持体５６ａがキャリア２２によって支持される面である第１実装面２２ａと同一面上で上側電極２５ａと接続されている。このような構成により、熱伝導体の形状が単純化されて熱伝導体の加工が容易になると共に、熱伝導体取付時のがたつきを抑えることができる。また、図６（ｂ）に示す変形例においては、熱伝導体６６は、縦方向の断面が略Ｌ字形状を有し、接続体６６ｂを挟んだ第１支持体６６ａの反対側には、下方に突出する第２支持体６６ｃが形成されている。この熱伝導体６６は、接続体６６ｂの底面において上側電極２５ａと接続されると同時に、第１支持体６６ａ及び第２支持体６６ｃの底面においてキャリア２２の第１実装面２２ａ及び窪み部２２ｃに接合されている。
【００３０】
次に、本発明の光送信デバイス１及びその変形例における半導体レーザ素子２４及びサーミスタの温度分布のシミュレーション結果を示す。図９において、（ａ）は、上述した実施形態及びその変形例である光送信デバイスにおけるパッケージの内外温度差とサーミスタ上下電極間の温度差との関係のシミュレーション結果を示すグラフ、（ｂ）は、パッケージの内外温度差と、半導体レーザ素子のサーミスタに対する温度差との関係のシミュレーション結果を示すグラフである。
【００３１】
ここでは、光送信デバイス１の各構成要素の主材料として、半導体レーザ素子２４、キャリア２２、サーミスタ２５、電子冷却器２１の上下基板２１ａ，２１ｂ、パッケージ１０の底板１１、積層セラミック部１２ｃ、ワイヤ２７、及び熱伝導体２６，３６，４６，５６，６６には、それぞれ、ＩｎＰ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＷ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｕ、Ｃｕが使用されていると想定し、また、それぞれの熱伝導率［W/mK］が、68、170、17、17、180、17、300、390であるとした。また、環境条件として、電子冷却器２１の上側基板２１ａの温度を３５°Ｃ、パッケージ１０の内部環境として窒素が自然対流している状態、パッケージ１０の外部環境として空気が自然対流している状態を想定した。また、パッケージ１０内で発生する熱量は、半導体レーザ素子２４の分布帰還型半導体レーザにおいて0.18W、半導体変調素子において0.0368W、電子冷却器２１の高温側基板において0.9Wとした。このような条件のもと、光送信デバイスをSUS304製の金属土台の上に載置させたことを想定してシミュレーションを行った。
【００３２】
同図において、変形例１〜４は、それぞれ、図５（ａ）、図５（ｂ）、図６（ａ）、図６（ｂ）の変形例に、比較例１〜４は、それぞれ、図７、図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）に示す構成に対応している。なお、図８（ａ）は、サーミスタの上側電極とキャリアの上面とを熱伝導率300［W/mK］の金製のワイヤ（φ25μm）３本で接続した場合、図８（ｂ）は、熱伝導率300［W/mK］の金製のリボンワイヤで接続した場合、図８（ｃ）は、熱伝導率62.8［W/mK］の燐青銅製の板バネで接続した場合を示している。
【００３３】
図９（ａ）を参照すると、比較例１においては、半導体レーザ素子の設定温度とパッケージ温度との差ΔＴＬＤ−ＰＫＧの増加に応じてサーミスタ上下電極間の温度差ΔＴｔｈが増加している。例えば、光送信デバイスの動作保証温度（パッケージ温度に換算）ＴＣ＝-5°Ｃ、75°Ｃ（ΔＴＬＤ−ＰＫＧ＝40°Ｃ）のときに、ΔＴｔｈ＝1.3°Ｃとなっている。また、比較例２〜４においては、温度差ΔＴｔｈは若干低下しているものの、依然として比較的大きくなっている。これに対して、上述した実施形態及びその変形例１〜４においては、ΔＴＬＤ−ＰＫＧの広い範囲においてΔＴｔｈ≦0.1を示しており、サーミスタ上下電極間の温度差が低減されている。従って、サーミスタによって検出される温度の精度が向上する。また、図９（ｂ）を参照して、温度差ΔＴＬＤ−ＰＫＧと半導体レーザ素子の下面のサーミスタの上側電極に対する温度差ΔＴＬＤ−ｔｈとの関係においては、比較例１〜４では温度差ΔＴＬＤ−ＰＫＧの増加に応じて温度差ΔＴＬＤ−ｔｈが変動している。これに対して、上述した実施形態及び変形例１〜４では温度差ΔＴＬＤ−ＰＫＧの広い範囲でΔＴＬＤ−ｔｈ＝1.0〜1.3°Ｃの間でほぼ一定に維持される。従って、この温度差ΔＴＬＤ−ｔｈを補正値としてフィードバックして温度制御させることで、半導体レーザ素子の温度を所定値に維持させることが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施形態である光送信デバイスの構成を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１の光送信デバイスの各種素子の搭載前の一部破断斜視図、（ｂ）は、図１の光送信デバイスの各種素子の搭載前の状態を側面から見た模式図である。
【図３】（ａ）は、図１の光送信デバイスの各種素子の搭載後の状態を側面から見た模式図、（ｂ）は、（ａ）の要部拡大図である。
【図４】図３のキャリア上における半導体レーザ素子及びサーミスタの搭載状態を詳細に示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の変形例である光送信デバイスにおいて、キャリア上の半導体レーザ素子及びサーミスタの搭載状態を示す斜視図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の他の変形例である光送信デバイスにおいて、キャリア上の半導体レーザ素子及びサーミスタの搭載状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の比較例である光送信デバイスにおいて、キャリア上の半導体レーザ素子及びサーミスタの搭載状態を示す斜視図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の他の比較例である光送信デバイスにおいて、キャリア上の半導体レーザ素子及びサーミスタの搭載状態を示す斜視図である。
【図９】（ａ）は、光送信デバイスにおけるパッケージの内外温度差とサーミスタ上下電極間の温度差との関係のシミュレーション結果を示すグラフ、（ｂ）は、光送信デバイスにおけるパッケージの内外温度差と、半導体レーザ素子のサーミスタに対する温度差との関係のシミュレーション結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３５】
１…光送信デバイス、１０…パッケージ、１２ｃ…積層セラミック部（配線基板）、２１…電子冷却器、２１ａ…上側基板（上面）、２２…キャリア、２２ｃ…窪み部、２４…半導体レーザ素子（半導体発光素子）、２５…サーミスタ（測温素子）、２５ａ…上側電極、２６，３６，４６，５６，６６…熱伝導体（金属部材）、２６ａ，４６ｂ，４６ｃ，５６ａ，６６ａ，６６ｃ…支持体、２６ｂ，４６ａ，５６ｂ，６６ｂ…接続体、２７…ワイヤ（配線部材）。
【図１】
2007036046.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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