(57)【要約】【課題】液浸リソグラフィにおける欠陥形成を抑制する方法とシステムを提供する。【解決手段】液浸リソグラフィシステムは、液浸流体を収容する液浸流体ホルダーを有する。さらにこのシステムは、レジストで被膜された半導体ウェハを液浸流体ホルダーに位置させるステージと、液浸流体ホルダーの近傍に在って、液浸流体126を通して、レジストで被膜された半導体ウェハ上に画像を投影するための位置決め可能なレンズとを有している。液浸流体ホルダーは、液浸流体中の汚染物質による汚染物資の付着を減少するように構成された被膜を有する。【選択図】図８
2007013161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィシステムにおける液浸流体を収容するための一乃至複数の表面に対し、その表面の親水または疎水の特性を制御しながら、前記液浸リソグラフィシステムにおける一乃至複数の表面を被膜でコーティングする工程と、
前記液浸リソグラフィシステムへ前記液浸流体を供給する工程と、
親水性被膜を施した前記一乃至複数の表面を有する前記液浸リソグラフィシステムを使用して、レジスト被膜基板上に液浸リソグラフィを実施する工程と、
からなることを特徴とする液浸リソグラフィ実施方法。
【請求項２】
（ｉ）二酸化シリコンと、
（ii）ポリ四フッ化エチレンと、
（iii）フッ化物と、
（iv）ポリエチレンと、
（ｖ）ポリ塩化ビニルと、
（vi）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを有する高分子物質と、
（vii）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを有する合金と、
（viii）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを含む化合物と、
からなるグループから、前記被膜が選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記液浸リソグラフィシステムが、ウェハステージと、液浸流体ホルダーと、レンズとを有し、前記液浸流体ホルダーの少なくとも一部分が、親水性被膜でコーティングされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記液浸リソグラフィシステムが、ウェハステージと、液浸流体ホルダーと、レンズとを有し、前記液浸流体ホルダーの少なくとも一部分が、疎水性被膜でコーティングされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
複数の表面を有する液浸流体収容チャンバと、
前記液浸流体収容チャンバに配置される液浸流体と、
前記液浸流体チャンバ内で共に位置する基板ステージと、
レンズと、
前記複数の表面の一乃至複数に適用される汚染物付着低減被膜と、
から構成されることを特徴とする液浸リソグラフィシステム。
【請求項６】
（ｉ）二酸化シリコンと、
（ii）ポリ四フッ化エチレンと、
（iii）フッ化物と、
（iv）ポリエチレンと、
（ｖ）ポリ塩化ビニルと、
（vi）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを有する高分子物質と、
（vii）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを有する合金と、
（viii）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを含む化合物と、
からなるグループから、前記汚染物付着低減被膜が選択されることを特徴とする請求項５記載の液浸リソグラフィシステム。
【請求項７】
前記基板ステージの少なくとも一部に、汚染物付着低減被膜が適用されることを特徴とする請求項５記載の液浸リソグラフィシステム。
【請求項８】
前記レンズの少なくとも一部に、汚染物付着低減被膜が適用されることを特徴とする請求項５記載の液浸リソグラフィシステム。
【請求項９】
液浸流体を収容する液浸流体ホルダーと、
レジスト被膜された半導体ウェハを前記液浸流体ホルダーに位置付けするためのステージと、
前記液浸流体ホルダーの近傍にあって、前記液浸流体を通して前記レジスト被膜された半導体ウェハ上に画像を投影する位置決め可能なレンズとにより構成され、
前記液浸流体ホルダーが、液浸流体における汚染物質から汚染物質の粘着性を低減するように構成された被膜を有することを特徴とする液浸リソグラフィシステム。
【請求項１０】
前記被膜は、前記液浸流体の近傍にある前記液浸流体ホルダーの表面の湿潤性を増加させる特性を有するものであることを特徴とする請求項９記載の液浸リソグラフィシステム。
【請求項１１】
ウェハステージと、液浸流体ホルダーと、センサと、レンズとによるグループから選択される一乃至複数の構成部を含む複数の構成要素からなり、この複数の構成要素は、液浸リソグラフィを実行するために共同で動作できるようになっており、前記複数の構成要素における少なくとも一つの少なくとも一部分が、約50°よりも大きな接触角を有するように構成した外部被膜を有することを特徴とする液浸リソグラフィ実施装置。
【請求項１２】
（ｉ）二酸化シリコンと、
（ii）ポリ四フッ化エチレンと、
（iii）フッ化物と、
（iv）ポリエチレンと、
（ｖ）ポリ塩化ビニルと、
（vi）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを有する高分子物質と、
（vii）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを有する合金と、
（viii）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを含む化合物と、
からなるグループから、前記被膜が選択されることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸リソグラフィにおける欠陥形成を抑制する方法とシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液浸リソグラフィは、通常、半導体ウェハにおける基板の上端面（例えば、薄膜スタック）にフォトレジストの被膜を付加し、その後、そのフォトレジストを露光してパターンを形成する。露光中、脱イオン（ＤＩ）水を使用して、露光レンズとレジスト表面の間の空間を充填し、焦点深度（ＤＯＦ）の窓を増加させる。次に、露光されたフォトレジストを、他の考えられる対象物中に、（フォトレジストが高分子系物質から構成される場合のように）劈開（cleave）させ、高分子物質を高密度にし、および／または総ての溶剤を蒸発させるのに、一乃至複数回の露光後ベーク、および／または他の処理が実施される。場合によっては、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の塗布後に、現像チャンバを使用して、水性現像溶液に溶解可能な、露光された高分子物質を除去してもよい。そして、脱イオン水リンスを付加して、水溶性高分子物質、または他の分解されたフォトレジストを除去し、スピンドライ処理を使行なってウェハを乾燥する。場合によっては、レジスト表面上の水分を蒸発させる追加のベーク後ではあるが、露光および現像後のウェハを次の処理作業へ移動する。
【０００３】
液浸リソグラフィ装置は、液浸スキャナーＤＩチャンバを備え、この液浸スキャナーＤＩチャンバは、他の考えられる構成要素の中で、レンズシステム，レンズの周囲にあるＤＩ水保持システム，センサシステム、および／または、ウェハステージ（載置台）システムを有している。レンズ装置の部分は、シリカ，二酸化シリコン，および／または同様の物質から構成し、および／またはその上に被膜して、シリカ，二酸化ケイ素，および／または同様の物質からなる一乃至複数の層を有してもよい。ステージシステムは、アルミニウム，シリカ，シリコン，マグネシウム，亜鉛，リン，および／または酸素の合金から構成される。センサシステムの表面は、窒化チタンで被膜される。ＤＩ水保持システムは、ステンレス鋼で構成される。
【０００４】
特許文献１〜特許文献６における全開示は、参考のために本明細書中に取り入れられる。
【０００５】
それと共に、本願と関係し、共通に譲渡された下記の米国特許出願の全開示もまた、参考のために本明細書中に取り入れられる。
【０００６】
米国特許出願第１０／９９５６９３号  発明の名称「メガソニックリンスによる液浸リソグラフィ」  代理人整理番号２４０６１．５３６
米国特許出願第１０／９９５６９３号  発明の名称「リソグラフィ処理用超臨界現像」  代理人整理番号２４０６１．５６５
米国特許出願第６０／６９５５６２号  発明の名称「欠陥を低減した液浸リソグラフィ」  代理人整理番号２４０６１．６５６
米国特許出願第６０／６９５８２６号  発明の名称「欠陥を低減した液浸リソグラフィ」  代理人整理番号２４０６１．６５７
【特許文献１】米国特許第６８６７８８４号明細書
【特許文献２】米国特許第６８０９７９４号明細書
【特許文献３】米国特許第６７８８４７７号明細書
【特許文献４】米国特許第５８７９５７７号明細書
【特許文献５】米国特許第６１１４７４７号明細書
【特許文献６】米国特許第６５１６８１５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の処理方法と装置は、種々の問題により妨害される。例えば、レジスト表面のゼータ電位は、ＰＨ＝７で約−40ｍＶである（ゼータ電位とは、固体と液体の界面を跨いで存在する電位、或いは、特定の化学組成を特徴付ける周囲の環境と相互作用する固体表面の電位のことを言い、運動電位とも称する）。従って、液浸ＤＩ液が汚染物質を含んでいる場合は、この汚染物質がレジストの表面に付着する。同様に、レンズおよび／またはレンズ装置を構成するシリカ，二酸化シリコン，或いは同様の物質は、約−2.5ｍＶのゼータ電位を有している。この約−2.5ｍＶのゼータ電位は、レジスト表面よりは低い電圧であり、場合によっては、汚染物質を引き付ける。ステージの合金物質は、＋40ｍＶのゼータ電位を有するアルミニウム元素またはアルミニウム構成要素からなり、その表面は、容易に負のゼータ電位を有する微粒子を付着するようになっている。ステンレス鋼からなるＤＩ水の保持システムも、正のゼータ電位を有し、負のゼータ電位を有する微粒子が付着するようになっている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、液浸リソグラフィシステムにおける液浸流体を収容するための一乃至複数の表面に対し、その表面の親水または疎水の特性を制御しながら、前記液浸リソグラフィシステムにおける一乃至複数の表面を被膜でコーティングする工程と、前記液浸リソグラフィシステムへ前記液浸流体を供給する工程と、親水性被膜を施した前記一乃至複数の表面を有する前記液浸リソグラフィシステムを使用して、レジスト被膜基板上に液浸リソグラフィを実施する工程と、からなることを特徴とする液浸リソグラフィ実施を提供する。
【０００９】
また本発明は、複数の表面を有する液浸流体収容チャンバと、前記液浸流体収容チャンバに配置される液浸流体と、前記液浸流体チャンバ内で共に位置する基板ステージと、レンズと、前記複数の表面の一乃至複数に適用される汚染物付着低減被膜と、から構成されることを特徴とする液浸リソグラフィシステムを提供する。
【００１０】
さらに本発明は、ウェハステージと、液浸流体ホルダーと、センサと、レンズとによるグループから選択される一乃至複数の構成部を含む複数の構成要素からなり、この複数の構成要素は、液浸リソグラフィを実行するために共同で動作できるようになっており、前記複数の構成要素における少なくとも一つの少なくとも一部分が、約50°よりも大きな接触角を有するように構成した外部被膜を有することを特徴とする液浸リソグラフィ実施装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
種々の実施例における様々な特徴を導入するために、下記の開示は多くの実施形態や実施例を提供することを、理解されたい。本発明を簡素化するために、特定の例における構成と処理方法を下記に説明する。勿論、これらは単に例に過ぎず、限定する意図は無い。さらに本発明は、種々の各例において、参照番号および／または文字を繰り返し使用する。この繰り返し使用は、平易化と明確化が目的であり、検討する種々の実施例および／または実施形態間の関係を、本来決定するものではない。さらに、以下の説明において、第２の特徴全体に及ぶ、または、第２の特徴に関する第１の特徴を形成することにより、この第１の特徴と第２の特徴が、直接の関連を有して形成される実施例を含むことになる。そして、第１の特徴と第２の特徴が直接の関連を持たず、第１の特徴と第２の特徴の間に介在して付加的な特徴が形成される実施例をも含むものである。
【００１２】
図１と図２を参照すると、半導体ウェハ110の異なる各領域が、液浸リソグラフィを受けつつある、従来の液浸リソグラフィ装置の断面図が示されている。この半導体ウェハ110は、基板とパターン化層を有している。この基板は、パターン化するのに望ましい高分子物質，金属，および／または誘電体を含む一乃至複数の層を有している。パターン化層は、パターン作成のための露光処理に反応するフォトレジスト（レジスト）層とすることができる。
【００１３】
ここでの液浸リソグラフィ装置の説明例では、レンズシステム122と、脱イオン水などの液浸流体126を収容する構造体124と、液体を注入または除去できるような様々な隙間128と、レンズシステム122に対してウェハ110を固定したり動かしたりするステージ130および（チャックのような、しかもステージ130に一体化されることもある）取付具132とから構成されている。液浸流体収容構造体124とレンズシステム122は、液浸ヘッド120aを構成している。液浸ヘッド120aは、乾燥のために空気をウェハにパージすることができる「エア・ナイフ」として、幾つかの隙間128を使用し、またパージされたあらゆる流体を除去するために、別な間隙を使用することができる。ウェハ110から液浸流体126を全てパージするには、エア・ナイフだけでは不十分なことがある。
【００１４】
図３は、図１と図２に示す装置100における処理を経て、従来の液浸リソグラフィ処理を受けた後のウェハ110の上面図である。また図３は、装置100で処理中に形成される欠陥150の様々な詳細図である。これらの欠陥は、パターン化されたレジストにおける、ウォーターマークや、残留物または外部からの微粒子を表しており、或いはレジストにおける変形や「穴」（失われたパターン部分）を表している。これと違った種類の欠陥もまた、存在する。ウォーターマーク型の欠陥を除去するために、露光後ベーク（ＰＢＥ）の時間と温度を増加させると、外部からの微粒子，および／または他の欠陥の発生が増加する可能性があることに留意されたい。
【００１５】
図６と図７は、図１と図２に示す装置100と、図１から図３に示すウェハ110のもう一つの断面図である。上述したように、装置100における一乃至複数の構成部の組成または表面特性は、汚染物質を付着する親和性を有し得る。例えば、ステージ130におけるシリカまたは二酸化シリコンの組成は、比較的低い接触角度（図４参照）を有し、或いは、微粒子，（微粒子を含む可能性のある）水滴155，および／または他の汚染物質が、ステージ130の表面に付着できるような親水性である。こうした装置100を構成するステージ130，取付具132，レンズ122，および／またはその他の部品の組成や、接触角度や、水に対する親和性や、および／または他の特徴が、それらの各部の表面を、汚染物質が付着し易いものとする。
【００１６】
図８と図９を参照すると、本発明の特徴による装置200の一つの実施例における少なくとも一部分の断面図が示されている。この装置200は、図１，図２，図６および図７に示す装置100の実施例にほぼ同じである。しかしながら、この装置200においては、被膜，裏層，或いは他の層が、装置200の一乃至複数の構成部における一乃至複数の表面上に存在している。例えば、レンズ122の一乃至複数の表面は、被膜210を形成してもよい。一つの実施例においては、露光が伝播する表面（例えば、上面と下面）部分を可能な限り除いて、レンズ122の表面の幾つかまたは全てに被膜210を有している。ステージ130，固定金具132，液浸流体収容構造物124，および／または隙間128における一乃至複数の表面は、前記レンズ122の表面と共に、若しくは前記レンズ122の表面の代わりに、被膜210を有する。一つの実施例において、（レンズ122の光伝播表面を可能な限り除いて）液浸流体126と接触するようになる装置200の全構成部の全表面に、被膜210を形成してもよい。
【００１７】
この被膜210は、二酸化シリコン，フッ化物，ポリ四フッ化エチレン（ＰＴＦＥまたはデュポン社から供給される登録商標ＴＥＦＬＯＮ）、フッ化物，ポリエチレン，ポリ塩化ビニル，これらの物質の少なくとも一つを有する高分子物質，これらの物質の少なくとも一つを有する合金，これらの物質の少なくとも一つを有する化合物，および／または本発明で開示される範囲にある他の組成物中の、他の高分子物質から構成される。被膜210は、改善された湿潤性を付与するので、「親水性被膜」と呼ばれる。それに加えて、若しくはその代わりに、この被膜は、水中の汚染物質が対応する表面へ付着するのを低減することから、「汚染物付着低減被膜」と呼ぶことができる。化学的気相堆積法（ＣＶＤ），ディッピング，ブラッシング，スプレイング，スタンピング，キャスティング，ボンディング，スピン・オン・コーティング，電着等の無数の従来の処理法、および／または将来開発される処理法の内の一乃至複数の方法によって、装置200の構成部の表面に、この被膜210が形成される。この被膜210の厚さは、本発明の開示範囲内で変化させてもよい。さらに、被膜210の厚さ，組成，塗布処理、および／または他の特徴を、単一の実施例内で変化させてもよい。例えば、装置200の一つの構成部における被膜210の厚さと組成は、装置200の他の構成部における被膜の厚さと組成とは異なっていてもよい。
【００１８】
図８と図９に示す実施例で図示するように、装置200は、一乃至複数のセンサまたはセンサシステム（これらをまとめて「センサ」と称する）160を有する。センサ160は、液浸流体126，リンス剤，および／または他の流体やガスの汚染レベルや、露光サイクル回数や、液浸流体収容構造体124の充填および排出のサイクル回数や、基板110の汚染レベルを検出し、および／または他の特性，品質，寸法，或いは特徴を検出するように構成され、装置200および／または、（液浸流体源のような）流体源やガス源の洗浄，ろ過，保守，および／または交換の必要性を判断するのに使用してもよい。センサ160は、ここで説明する実施例のように、液浸流体収容構造体124に接続され、若しくは一体化される。しかしながら、ステージ130，液浸ヘッド120ａ，および／または取付具132のような、他の構成部中に存在する装置200の別な構成部に、センサ160を直接または間接に接続し、若しくは一体化させてもよい。
【００１９】
図１０を参照すると、本発明の特徴による液浸リソグラフィ実施方法300の１実施例における少なくとも一部分のフローチャートが示されている。ステップ３０４において、ウェハ基板の表面上を覆ってレジストが形成される。このレジストは、ネガ型或いはポジ型のレジストであり、既知の材料であるか、この目的のために将来開発される材料であってもよい。例えば、このレジストは、１成分、２成分、または、多成分のレジストシステムでもよい。レジストの塗布は、スピンコーティング、または、その他の好適な処理により実施されてもよい。レジストの塗布前に、ウェハは、フォトリソグラフィ処理に対する準備のために、初期処理を施されることもある。例えば、ウェハは、レジストの塗布前に洗浄され、乾燥され、および／または付着促進材料で被膜される。
【００２０】
ステップ３０６において、液浸露光ステップが実行される。ウェハとレジストは、脱イオン水などの液浸露光液中に浸され、レンズを通して、放射線源に対して露光される。この放射線光源は、例えば、フッ化クリプトン（ＫｒＦ，248nm），フッ化アルゴン（ＡｒＦ，193nm），或いはＦ２（157nm）エキシマレーザのような紫外線光源とすることができる。ウェハは、使用されるレジストの種類，紫外線光源の強さ，および／またはその他の要因に応じて、所定の時間、この放射線に露光される。露光時間を、例えば約0.2秒から約30秒間持続させてもよい。
【００２１】
ステップ３０８において、乾燥処理が行われる。乾燥処理は、一つ前の、または次の処理ステップによりその場（in‐situ）で行われるか、さもなければ隔離チャンバで行われる。一乃至複数の乾燥処理は、独立して、或いは、種々の組合せにおいて、使用可能である。例えば、超臨界ＣＯ２，アルコール（例えば、メタノール，エタノール，イソプロパノール（ＩＰＡ），および／またはキシレン），界面活性剤，および／または清潔な脱イオン水のような一乃至複数の流体が、乾燥処理に対して付加される。その代わりに、またはそれに追加して、パージ・ドライ処理用の濃縮された若しくは清潔な乾燥空気（ＣＤＡ），Ｎ２，またはＡｒのような一乃至複数の気体が加えられる。真空処理、および／またはスピンドライ処理が、乾燥処理を容易にするために、代案として、または追加して使用され得る。スピンドライ処理は、とりわけ他の上記一乃至複数の乾燥処理と良好に組み合わされ、その場で実行される。例えば、ノズルを通して脱イオン水リンスを供給することで、スピンドライ処理と同時に、或いはスピンドライ処理の直後に、いかなる汚れた液滴をも分解するか、および／またはこれを除去することができる。
【００２２】
ステップ３１０において、露光され乾燥されたレジストを有するウェハは、高分子物質を分解するための露光後焼成（ＰＥＢ）を行なうために加熱される。このステップでは、露光されたフォト酸を、高分子物質と反応させ、ポリマー分解させる。場合によっては、約30秒〜約200秒の間の持続時間で、約85℃〜約150℃の範囲の温度で、ウェハを加熱してもよい。これ以外の温度と持続時間もまた、本発明の範囲内である。ある実施例では、このＰＥＢステップ３１０の前に、第１の低温焼成（例えば、上記温度の80％の温度で）を先行して行なうことが可能であり、これにより、ウェハから存在する流体の幾らかを除去する助けとなる。
【００２３】
ステップ３１２において、パターン現像工程は、露光されたレジスト上（ポジ型の場合）、または、露光されないレジスト上（ネガ型の場合）で実行され、所望のパターンが残される。ある実施例では、レジストの一部が分解し除去される所定の時間、ウェハは現像液に浸される。ウェハは、例えば約５秒から約60秒の間、現像液に浸される。現像液の組成は、レジストの組成により決定され、当技術分野では周知のことである。
【００２４】
上記方法３００は、レジスト形成ステップ３０４の前に一乃至複数の洗浄ステップ３０２を、および／または現像ステップ３１２の後に一乃至複数の洗浄ステップ３１４を有している。例えば、こうしたオプションのステップは、ウェハ台，液浸流体（例えば、ＤＩ水）ホルダー，センサ，レンズ，液浸露光装置のその他の構成部における少なくとも一つ少なくとも１部分を洗浄することを含んでいる。この洗浄には、アンモニア，水素，過酸化水素，オゾン，亜硫酸，およびこれらの組成物の少なくとも一つを含む化学洗浄液を使用してもよい。これに加えて、またはこの代わりに、洗浄には、イオン界面活性剤と非イオン界面活性剤の内の少なくとも一つを含む界面活性剤液を使用してもよい。洗浄ステップ３０２および／または洗浄ステップ３１４は、各露光工程間で行われるか、さもなければ必要に応じて行われる。それに加えて、若しくはその代わりに、洗浄ステップ３０２および／または洗浄ステップ３１４が、ウェハがレンズにより処理される所定回数後，液浸流体ホルダーの充填と排出を繰り返す所定回数後，または、レンズによる露光の所定回数後のように、規則的な間隔で行われるようにしてもよい。それに加えて、若しくはその代わりに、洗浄ステップ３０２および／または洗浄ステップ３１４が、センサによる感知される測定，特性，特徴または値が、所定の閾値を超える場合に、または所定の閾値を下回る場合に、または所定の条件を満たす場合に、行われるようにしてもよい。
【００２５】
このように本発明は、少なくとも一つの実施例において、別な可能性のある構成部の中から、ウェハステージ，液浸流体（例えば、ＤＩ水）ホルダー，センサ，レンズを有する液浸露光装置としての装置を、または、この液浸露光装置を含んだ装置を、紹介するものである。液浸露光装置のウェハステージ，液浸流体ホルダー，センサ，レンズ，および／またはその他の構成要素の少なくとも一つにおける少なくとも一部分は、（ｉ）二酸化シリコンと、（ii）ポリ四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）と、（iii）フッ化物と、（iv）ポリエチレンと、（ｖ）ポリ塩化ビニルと、（vi）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを有する高分子物質と、（vii）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを有する合金と、（viii）上記（ｉ）から（ｖ）の物質の少なくとも一つを含む化合物と、（ix）その他の高分子物質、からなるグループから選択される外部被膜を有する。このような装置の少なくとも一部分を作成，製造，使用，操作，または洗浄する方法も、本発明の範囲内である。
【００２６】
本発明の特徴により構成された装置の一実施例は、液浸リソグラフィを実行するように総合的に動作可能な、若しくは構成された、複数の構成部を備えており、この複数の構成部は、他の可能性がある構成部の中から、ウェハステージ，液浸流体（例えばＤＩ水）ホルダー，センサ，レンズの内の一乃至複数を有している。この複数の構成部の少なくとも一つにおける少なくとも１部分（例えば、それらの上部における一乃至複数の表面または各領域）は、外部被膜を有していて、汚染物質の付着を低減するように構成される。例えば、この外部被膜は、当該外部被膜を有する表面の接触角を増加させ、当該外部被膜を有する表面の親水性の程度を増加させ、および／または、当該外部被膜を有する表面の疎水性の程度を減少させるものであってもよい。
【００２７】
また本発明は、少なくとも一つの実施例において、基板上を覆ってフォトレジスト（またはレジスト）を形成し、液浸露光装置を使用してフォトレジスト層を露光し、露光したフォトレジスト層をベーキング（焼成）し、ベークされ露光されたフォトレジスト層を現像する方法を提供するものである。液浸露光装置は、ウェハステージ，液浸流体（例えばＤＩ水）ホルダー，センサ，およびレンズを有する。ウェハステージ，液浸流体ホルダー，センサ，レンズの少なくとも一つの少なくとも一部分は、二酸化シリコン，ＰＴＦＥ，フッ化物，ポリエチレン，ポリ塩化ビニル，これらの物質の少なくとも一つを有する高分子物質、これらの物質の少なくとも一つを有する合金、これらの物質の少なくとも一つを含む化合物、および／またはその他の高分子物質から選択される外部被膜を有する。
【００２８】
このような方法の各実施例は、欠陥による汚染物質を減少させて、液浸リソグラフィを行なうために実施される。この方法は、ウェハステージ，ＤＩ水ホルダー，センサ，その他の液浸露光装置の構成部における少なくとも一つの少なくとも一部分を、洗浄する工程を含んでいる。本発明は、また、実施可能である装置の、または、上記方法の少なくとも一つの少なくとも一部分を実行するよう動作可能な、若しくは構成された装置の実施例を提供するものである。
【００２９】
本発明の範囲内にある方法および／または装置の、一乃至複数の実施例における一乃至複数の特徴は、液浸レンズチャンバの欠陥の付着を除去するか、或いはこの欠陥の付着を減少させる。このような一乃至複数の特徴は、それに加えて、またはその代わりに、レンズ，レジスト，センサ，ステージ，および／または液浸流体ホルダー間の相互汚染を減少させる。このような一乃至複数の特徴は、それに加えて、またはその代わりに、装置の保守頻度および／または複雑さを減少させる。このような一乃至複数の特徴は、それに加えて、またはその代わりに、レジスト表面の欠陥および／またはウォーターマークによる汚染をなくし、或いは表面の欠陥および／またはウォーターマークによる汚染減少させる。このような一乃至複数の特徴は、それに加えて、またはその代わりに、ウェハのスキャン速度を増加させ、処理能力を改善する可能性がある。このような一乃至複数の特徴は、それに加えて、またはその代わりに、一乃至複数のこのような特徴は、弾力的な浸出仕様を減少させ、或いは、解除する。一乃至複数のこのような特徴は、それに加えて、またはその代わりに、ＴＡＲ被膜の必要性を減少または除去し、および／またはＴＡＲＣ処理と、それに関連するコストを低減して、処理能力を改善する。
【００３０】
本発明の実施例を詳細に説明したが、当業者ならば、種々の変更，置換，代案を、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、行なうことが可能であることを理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来の液浸リソグラフィの方法と装置により処理されつつあるウェハの断面図である。
【図２】従来の液浸リソグラフィの方法と装置により処理されつつあるウェハの断面図である。
【図３】従来の液浸リソグラフィの方法と装置に起因するウェハ上の数個の代表的な欠陥を示す図である。
【図４】二酸化シリコンで被膜された表面上では、脱イオン水などの流体が約20°の接触角を有することを示す図である。
【図５】ＰＴＦＥ、またはポリ四フッ化エチレンで被膜された表面上では、脱イオン水などの流体が約90°の接触角を有することを示す図である。
【図６】従来の液浸リソグラフィの方法と装置により処理されつつあるウェハの断面図である。
【図７】従来の液浸リソグラフィの方法と装置により処理されつつあるウェハの断面図である。
【図８】本発明の特徴に基づき、液浸リソグラフィ装置の一実施例により処理されつつあるウェハの断面図である。
【図９】本発明の特徴に基づき、液浸リソグラフィ装置の一実施例により処理されつつあるウェハの断面図である。
【図１０】本発明の特徴に基づき、欠陥の低減した液浸リソグラフィ処理の実施方法の一実施例により処理される少なくとも一部分のフローチャートである。
【図１１Ａ】種々の組成とウェハに対するゼータ電位とｐＨとの間の関係を示すグラフである。
【図１１Ｂ】種々の組成とウェハに対するゼータ電位とｐＨとの間の関係を示すグラフである。
【図１１Ｃ】種々の組成とウェハに対するゼータ電位とｐＨとの間の関係を示すグラフである。
【図１１Ｄ】種々の組成とウェハに対するゼータ電位とｐＨとの間の関係を示すグラフである。
【図１１Ｅ】種々の組成とウェハに対するゼータ電位とｐＨとの間の関係を示すグラフである。
【図１１Ｆ】種々の組成とウェハに対するゼータ電位とｐＨとの間の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
110  ウェハ
122  レンズ
124  液浸流体収容構造体（液浸流体ホルダー）
126  液浸流体
130  ステージ
210  被膜
【図１０】
2007013161.tif 000003
【図１】
2007013161.tif 000004
【図２】
2007013161.tif 000005
【図３】
2007013161.tif 000006
【図４】
2007013161.tif 000007
【図５】
2007013161.tif 000008
【図６】
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【図７】
2007013161.tif 000010
【図８】
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【図９】
2007013161.tif 000012
【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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【外国語明細書】
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