(57)【要約】【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物を含有することを特徴とする、Ｓｉ含有膜形成材料。
【請求項２】
少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物が、下記一般式（１）
【化１】
2007254651.tif 000010
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ１〜Ｒ８は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。ａは１〜４の整数、ｂおよびｃは０〜３の整数を表わし、ａ＋ｂ＋ｃは４以下の整数を表す。）であることを特徴とする、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項３】
一般式（１）においてＲ１〜Ｒ５が水素原子であることを特徴とする、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項４】
一般式（１）で表される化合物がシクロプロピルメチルジメトキシシラン、ジシクロプロピルジメトキシシラン、ジシクロプロピルメチルメトキシシラン、またはトリシクロプロピルメトキシシランであることを特徴とする、請求項２または３に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項５】
少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物が、下記一般式（２）
【化２】
2007254651.tif 000011
（式中、Ｒ９〜Ｒ１５は、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。Ｒ９〜Ｒ１５は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。ｄは１〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表し、ｄ＋ｅは３以下の整数を表す。）であることを特徴とする、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項６】
一般式（２）においてＲ１１〜Ｒ１５が水素原子であることを特徴とする、請求項５に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項７】
上記一般式（２）で表される化合物が１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサンである請求項５または６に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項８】
少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物が、下記一般式（３）
【化３】
2007254651.tif 000012
（式中、Ｒ１６〜Ｒ２１は、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。Ｒ１６〜Ｒ２１は、互いに結合し、環状構造を形成してもよい。ｆは１または２、ｇは３以上６以下の整数を表す。）であることを特徴とする、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項９】
一般式（３）においてＲ１６〜Ｒ２０が水素原子であることを特徴とする、請求項８に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項１０】
一般式（３）で表される化合物が２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサシクロプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、または２，２，４，４，６，６，８，８−オクタシクロプロピルシクロテトラシロキサンであることを特徴とする、請求項８または９に記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項１１】
ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量が１０ｐｐｂ未満であり、かつ含水量が５０ｐｐｍ未満であることを特徴とする、請求項１から請求項１０のいずれかに記載のＳｉ含有膜形成材料。
【請求項１２】
下記一般式（４）
【化４】
2007254651.tif 000013
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ１〜Ｒ５は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｘは、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子表わす。）で示される有機ハライドと金属マグネシウムとを反応させて製造した有機マグネシウム化合物と、下記一般式（５）
【化５】
2007254651.tif 000014
（式中、Ｒ６〜Ｒ８は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ６〜Ｒ８は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。ｂおよびｃは０〜３の整数を表わし、ｂ＋ｃは３以下の整数を表す。）で示されるアルコキシシランを反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化６】
2007254651.tif 000015
（式中、Ｒ１〜Ｒ８、ｂ、ｃは前記に同じ。ａは１〜４の整数を表し、ａ＋ｂ＋ｃは４以下の整数を表す。）で示される有機シラン化合物の製造方法。
【請求項１３】
下記一般式（６）
【化７】
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（式中、Ｒ９〜Ｒ１５は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わす。Ｒ９〜Ｒ１５は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。Ｒ２２は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。ｄは１〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表わし、ｄ＋ｅは３以下の整数を表す。）で示される有機シラン化合物を加水分解させることを特徴とする、一般式（２）
【化８】
2007254651.tif 000017
（式中、Ｒ９〜Ｒ１５、ｄ〜ｅは、前記に同じ。）で示される有機シラン化合物の製造方法。
【請求項１４】
下記一般式（７）
【化９】
2007254651.tif 000018
（式中、Ｒ１６〜Ｒ２１は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わす。Ｒ１６〜Ｒ２１は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。Ｒ２３は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。ｆは、１または２を表す。）で示される有機シラン化合物を加水分解させることを特徴とする、一般式（３）
【化１０】
2007254651.tif 000019
（式中、Ｒ１６〜Ｒ２１、ｆは前記に同じ。ｇは３以上６以下の整数を表す。）で示される有機シラン化合物の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１１いずれかに記載のＳｉ含有膜形成材料を用いることを特徴とする、Ｓｉ含有膜の製造方法。
【請求項１６】
化学気相成長法により製造することを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の方法により得られることを特徴とする、Ｓｉ含有膜。
【請求項１８】
請求項１７に記載のＳｉ含有膜を、更に熱処理、紫外線照射処理、または電子線処理して得られることを特徴とする、Ｓｉ含有膜。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８に記載のＳｉ含有膜からなることを特徴とする絶縁膜。
【請求項２０】
請求項１９に記載の絶縁膜を用いることを特徴とする、半導体デバイス。
【請求項２１】
ジシクロプロピルメチルメトキシシラン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサシクロプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、または２，２，４，４，６，６，８，８−オクタシクロプロピルシクロテトラシロキサン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ロジックＵＬＳＩにおける多層配線技術に用いられる低誘電率層間絶縁膜の形成に有用なＳｉ含有膜形成材料に関するものである。殊にプラズマ重合に適したＳｉ含有膜形成材料、その製造方法及びその用途に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の集積回路分野の製造技術において、高集積化かつ高速化の要求が高まっている。シリコンＵＬＳＩ、殊にロジックＵＬＳＩにおいては、ＭＯＳＦＥＴの微細化による性能よりも、それらをつなぐ配線の性能が課題となっている。すなわち、多層配線化に伴う配線遅延の問題を解決する為に配線抵抗の低減と配線間および層間容量の低減が求められている。
【０００３】
これらのことから、現在、集積回路の大部分に使用されているアルミニウム配線に変えて、より電気抵抗が低く、マイグレーション耐性のある銅配線の導入が必須となっており、スパッタリングまたは化学気相成長法（以下、ＣＶＤと略記）によるシード形成後、銅メッキを行うプロセスが実用化されつつある。
【０００４】
低誘電率層間絶縁膜材料としては、さまざまな提案がある。従来技術としては、無機系では、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素、燐珪酸ガラス、有機系では、ポリイミドが用いられてきたが、最近では、より均一な層間絶縁膜を得る目的で予めテトラエトキシシランモノマーを加水分解、すなわち、重縮合させてＳｉＯ２を得、Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ（無機ＳＯＧ）と呼ぶ塗布材として用いる提案や、有機アルコシキシランモノマーを重縮合させて得たポリシロキサンを有機ＳＯＧとして用いる提案がある。
【０００５】
また、絶縁膜形成方法として絶縁膜ポリマー溶液をスピンコート法等で塗布、成膜を行う塗布型のものと主にプラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置中でプラズマ重合させて成膜するＣＶＤ法の二つの方法がある。
【０００６】
ＰＥＣＶＤ法の提案としては、例えば、特許文献１において、トリメチルシランと酸素とからＰＥＣＶＤ法により酸化トリメチルシラン薄膜を形成する方法が、また、特許文献２では、メチル、エチル、ｎ−プロピル等の直鎖状アルキル、ビニルフェニル等のアルキニル及びアリール基を有するアルコキシシランからＰＥＣＶＤ法により、酸化アルキルシラン薄膜を形成する方法が提案されている。これら従来のＰＥＣＶＤ法材料で形成された絶縁膜は、バリアメタル、配線材料である銅配線材料との密着性が良好な反面、膜の均一性が課題となったり、成膜速度、比誘電率が不十分な場合があった。
【０００７】
環状シロキサンを用いたＰＥＣＶＤの提案としては、例えば、特許文献３において、テトラメチルシクロテトラシロキサンを用いた方法が、特許文献４では、テトラアルキルシクロテトラシロキサン、テトラアミノシクロテトラシロキサン、オクタアルキルシクロテトラシロキサン、オクタアミノシクロテトラシロキサンを用いた方法が提案されている。
【０００８】
これらの方法では、原料化合物として環状シロキサンを用い、生成薄膜中にその環状構造を維持しつつ、生成薄膜中に空孔を形成させ、比誘電率を低下させることを意図している。しかしながら、本発明者の知見によれば、これらの置換環状シロキサンを用いＰＥＣＶＤ成膜した場合、２．７未満の比誘電率を有する薄膜は得られない。これは、その環状シロキサン化合物原料は、プラズマ中で容易に環状構造が破壊され、鎖状構造となり、多孔化に寄与しないためと考えられる。
【０００９】
また、特許文献５では、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサンの六員環状シロキサンの提案があり、特許文献６では、ビスベンゾシクロブテン置換ジシロキンサン化合物と八員環状シロキサンの１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロトリシロキサンをプラズマ雰囲気下で共重合させる提案がある。しかしながら、本発明者の知見によれば、これらの提案にあるビニル、メチルが置換した環状シロキサンを用いる方法では、２．５未満の比誘電率を有する薄膜は得られない。
【００１０】
特許文献７および特許文献８では、多孔化剤を用いたＰＥＣＶＤ法低誘電率薄膜の成膜方法が提案されている。前者では、トリエトキシシランとジエトキシメチルシランと多孔化剤のα−テルピネンをＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給し、ＰＥＣＶＤ成膜した後、４００℃以上の温度でアニール処理し、薄膜中のα−テルピネン由来の成分を揮発させることで多孔化を行い、低誘電率化を行う方法を提案している。後者では、シクロ−１，３，５，７−テトラシリレン−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレンと多孔化剤のビニルフリルエーテルと酸化剤の亜酸化窒素をＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給し、ＰＥＣＶＤ成膜した後、４００℃以上の温度でアニール処理し、薄膜中のビニルフリルエーテル由来の成分を揮発させることで多孔化を行い、低誘電率化を行う方法を提案している。これらの方法は、多孔化による低誘電率化は、期待できるものの、一度形成されてしまった薄膜中から後処理により、多孔化剤由来成分を薄膜外に除去することから、薄膜のマトリックスが破壊されたり、膜内部での組成が不均一となり、剛性やヤング率等の機械的強度が低下したり、形成された孔が連続した開放系の孔となり、膜中への金属成分の拡散を防げない等の問題を有している。
【００１１】
一方、塗布型の提案としては、膜の均一性は良好であるものの、塗布、溶媒除去、熱処置の三工程が必要であり、ＣＶＤ材料より経済的に不利であり、また、バリアメタル、配線材料である銅配線材料との密着性や、微細化している基板構造への塗布液の均一な塗布自体が課題となる場合が多い。
【００１２】
また、塗布型材料においては、比誘電率が２．５以下、更には、２．０以下のＵｌｔｒａ  Ｌｏｗ−ｋ材を実現する為に多孔質材料とする方法が提案されている。有機系もしくは無機系材料のマトリックスに容易に熱分解する有機成分微粒子を分散させ、熱処理し多孔化する方法、珪素と酸素をガス中蒸発させて形成したＳｉＯ２超微粒子を蒸着させ、ＳｉＯ２超微粒子薄膜を形成させる方法等がある。
【００１３】
しかしながら、これら多孔質化の方法は、低誘電率化には有効であるものの、機械的強度が低下し、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）が困難となったり、水分の吸収による誘電率の上昇と配線腐食を引き起こす場合があった。
【００１４】
従って、市場は、低誘電率、十分な機械的強度、バリアメタルとの密着性、銅拡散防止、耐プラズマアッシング性、耐吸湿性等の全て要求性能を満たすバランスの良い材料を更に求めており、これらの要求性能をある程度バランスよく満たす方法として、有機シラン系材料において、シランに対する有機置換基の炭素比率を上昇させることによって、有機ポリマーと無機ポリマーの中間的特徴を有する材料が提案されている。
【００１５】
例えば、特許文献９では、アダマンチル基を有するシリコン化合物を酸性水溶液共存下、ゾル−ゲル法により加水分解重縮合した塗布溶液を用い、多孔質化せずに比誘電率が２．４以下の層間絶縁膜を得る方法を提案している。しかしながら、この材料は、塗布型の材料であり、依然、上述したような塗布型による成膜方法の課題を抱えている。
【００１６】
【特許文献１】特開２００２−１１０６７０号公報
【特許文献２】特開平１１−２８８９３１号公報
【特許文献３】特許２０６７８０１号公報
【特許文献４】特開平５−２７９８５６号公報
【特許文献５】国際公開第０３／０１９６４５号パンフレット
【特許文献６】特開２００４−４７８７３号公報
【特許文献７】特開２００５−１９９８０号公報
【特許文献８】特開２００１−２９８０２３号公報
【特許文献９】特開２０００−３０２７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなる、Ｓｉ含有膜形成材料を提供すること、及びそれを用いた絶縁膜並びにこれらの絶縁膜を含んでなる半導体デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者らは、少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物が、絶縁膜、殊に半導体デバイス用の低誘電率層間絶縁膜の材料として好適であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１９】
すなわち本発明は、少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物を含有することを特徴とする、Ｓｉ含有膜形成材料である。
【００２０】
また本発明は、下記一般式（１）
【００２１】
【化１】
2007254651.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ１〜Ｒ８は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。ａは１〜４の整数、ｂおよびｃは０〜３の整数を表わし、ａ＋ｂ＋ｃは４以下の整数を表す。）で表される有機シラン化合物を含有することを特徴とする、Ｓｉ含有膜形成材料である。
【００２２】
また本発明は、下記一般式（２）
【００２３】
【化２】
2007254651.tif 000004
（式中、Ｒ９〜Ｒ１５は、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。Ｒ９〜Ｒ１５は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。ｄは１〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表し、ｄ＋ｅは３以下の整数を表す。）で表される有機シラン化合物を含有することを特徴とする、Ｓｉ含有膜形成材料である。
【００２４】
また本発明は、下記一般式（３）
【００２５】
【化３】
2007254651.tif 000005
（式中、Ｒ１６〜Ｒ２１は、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。Ｒ１６〜Ｒ２１は、互いに結合し、環状構造を形成してもよい。ｆは１または２、ｇは３以上６以下の整数を表す。）で表される有機シラン化合物を含有することを特徴とする、Ｓｉ含有膜形成材料である。
【００２６】
また本発明は、下記一般式（４）
【００２７】
【化４】
2007254651.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ１〜Ｒ５は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｘは、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子表わす。）で示される有機ハライドと金属マグネシウムとを反応させて製造した有機マグネシウム化合物と、下記一般式（５）
【００２８】
【化５】
2007254651.tif 000007
（式中、Ｒ６〜Ｒ８は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ６〜Ｒ８は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。ｂおよびｃは０〜３の整数を表わし、ｂ＋ｃは３以下の整数を表す。）で示されるアルコキシシランを反応させることを特徴とする、一般式（１）で示される有機シラン化合物の製造方法である。
【００２９】
また本発明は、下記一般式（６）
【００３０】
【化６】
2007254651.tif 000008
（式中、Ｒ９〜Ｒ１５は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わす。Ｒ９〜Ｒ１５は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。Ｒ２２は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。ｄは１〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表わし、ｄ＋ｅは３以下の整数を表す。）で示される有機シラン化合物を加水分解させることを特徴とする、一般式（２）で示される有機シラン化合物の製造方法である。
【００３１】
また本発明は、下記一般式（７）
【００３２】
【化７】
2007254651.tif 000009
（式中、Ｒ１６〜Ｒ２１は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表わす。Ｒ１６〜Ｒ２１は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。Ｒ２３は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。ｆは、１または２を表す。）で示される有機シラン化合物を加水分解させることを特徴とする、一般式（３）で示される有機シラン化合物の製造方法である。
【００３３】
また本発明は、上述のＳｉ含有膜形成材料を用いることを特徴とする、Ｓｉ含有膜の製造方法である。
【００３４】
また本発明は、上述の方法により得られることを特徴とする、Ｓｉ含有膜である。
【００３５】
また本発明は、上述のＳｉ含有膜を、更に熱処理、紫外線照射処理、または電子線処理して得られることを特徴とする、Ｓｉ含有膜である。
【００３６】
また本発明は、上述のＳｉ含有膜からなることを特徴とする絶縁膜である。
【００３７】
また本発明は、上述の絶縁膜を用いることを特徴とする、半導体デバイスである。
【００３８】
また本発明は、ジシクロプロピルメチルメトキシシラン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサシクロプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、または２，２，４，４，６，６，８，８−オクタシクロプロピルシクロテトラシロキサンである。以下、本発明の詳細について説明する。
【００３９】
上記一般式（１）においてＲ１〜Ｒ８は、水素原子あるいは炭素数１〜２０の炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。また、それらが互いに結合して環状構造を形成してもよい。
【００４０】
ＰＥＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で炭素数１〜１０の炭化水素基が特に好ましい。
【００４１】
Ｒ１〜Ｒ８の炭化水素基の例としては、特に限定されるものではないが、炭素数１〜２０、好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基を挙げることができる。Ｒ１〜Ｒ８は、同一であっても異なっても良い。
【００４２】
Ｒ１〜Ｒ８が互いに結合していない場合の炭化水素基の例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トルイル基等を挙げることができる。
【００４３】
Ｒ１〜Ｒ８が互いに結合した場合の炭化水素基の例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルを挙げることができる。
【００４４】
またＲ１〜Ｒ５は水素原子であることも好ましい。
【００４５】
ａは、１〜４の整数を表す。すなわち、ａ＝１であるシクロプロピル基一置換シラン類、ａ＝２であるシクロプロピル基二置換シラン類、ａ＝３であるシクロプロピル基三置換シラン類およびａ＝４であるシクロプロピル基四置換シラン類を表す。これらの混合物であってもよい。
【００４６】
一般式（１）で表される有機シラン化合物の具体例としては、
（Ａ）シクロプロピルメチルジメトキシシラン、シクロプロピルエチルジメトキシシラン、シクロプロピルプロピルジメトキシシラン、シクロプロピルイソプロピルジメトキシシラン、ジシクロプロピルジメトキシシラン、シクロプロピルブチルジメトキシシラン、シクロプロピルイソブチルジメトキシシラン、シクロプロピル−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、シクロプロピル−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、シクロプロピルシクロブチルジメトキシシラン、シクロプロピルペンチルジメトキシシラン、シクロプロピルイソペンチルジメトキシシラン、シクロプロピルネオペンチルジメトキシシラン、シクロプロピル−１−メチルブチルジメトキシシラン、シクロプロピル−２−メチルブチルジメトキシシラン、シクロプロピル−２、３−ジメチルプロピルジメトキシシラン、シクロプロピルヘキシルジメトキシシラン、シクロプロピル−１−メチルペンチルジメトキシシラン等があげられる。
【００４７】
また、シクロプロピル−２−メチルペンチルジメトキシシラン、シクロプロピル−３−メチルペンチルジメトキシシラン、シクロプロピル−４−メチルペンチルジメトキシシラン、シクロプロピル−１、２−ジメチルブチルジメトキシシラン、シクロプロピル−１、３−ジメチルブチルジメトキシシラン、シクロプロピル−２、３−ジメチルブチルジメトキシシラン、シクロプロピル−２、２−ジメチルブチルジメトキシシラン、シクロプロピル−３、３−ジメチルブチルジメトキシシラン、シクロプロピルシクロヘキシルジメトキシシラン、トリシクロプロピルメトキシシラン、シクロプロピルビニルジメトキシシラン、シクロプロピルアリルジメトキシシラン、シクロプロピルメタリルジメトキシシラン、シクロプロピルメチリジルジメトキシシラン等があげられる。
【００４８】
（Ｂ）シクロプロピルメチルジエトキシシラン、シクロプロピルエチルジエトキシシラン、シクロプロピルプロピルジエトキシシラン、シクロプロピルイソプロピルジエトキシシラン、ジシクロプロピルジエトキシシラン、シクロプロピルブチルジエトキシシラン、シクロプロピルイソブチルジエトキシシラン、シクロプロピル−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、シクロプロピル−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、シクロプロピルシクロブチルジエトキシシラン、シクロプロピルペンチルジエトキシシラン、シクロプロピルイソペンチルジエトキシシラン、シクロプロピルネオペンチルジエトキシシラン、シクロプロピル−１−メチルブチルジエトキシシラン、シクロプロピル−２−メチルブチルジエトキシシラン、シクロプロピル−２、３−ジメチルプロピルジエトキシシラン、シクロプロピルヘキシルジエトキシシラン、シクロプロピル−１−メチルペンチルジエトキシシラン等があげられる。
【００４９】
また、シクロプロピル−２−メチルペンチルジエトキシシラン、シクロプロピル−３−メチルペンチルジエトキシシラン、シクロプロピル−４−メチルペンチルエトキシシシラン、シクロプロピル−１、２−ジメチルブチルジエトキシシラン、シクロプロピル−１、３−ジメチルブチルジエトキシシラン、シクロプロピル−２、３−ジメチルブチルジエトキシシラン、シクロプロピル−２、２−ジメチルブチルジエトキシシラン、シクロプロピル−３、３−ジメチルブチルジエトキシシラン、シクロプロピルシクロヘキシルジエトキシシラン、トリシクロプロピルエトキシシラン、シクロプロピルビニルジエトキシシラン、シクロプロピルアリルジエトキシシラン、シクロプロピルメタリルジエトキシシラン、シクロプロピルメチリジルジエトキシシラン等があげられる。
【００５０】
（Ｃ）シクロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルプロピルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジシクロプロピルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルイソブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−ｓｅｃ−ブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−ｔｅｒｔ−ブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルシクロブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルペンチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルイソペンチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルネオペンチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−１−メチルブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−２−メチルブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−２、３−ジメチルプロピルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルヘキシルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−１−メチルペンチルジイソプロポキシシラン等があげられる。
【００５１】
また、シクロプロピル−２−メチルペンチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−３−メチルペンチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−４−メチルペンチルイソプロポキシシシラン、シクロプロピル−１、２−ジメチルブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−１、３−ジメチルブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−２、３−ジメチルブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−２、２−ジメチルブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピル−３、３−ジメチルブチルジイソプロポキシシラン、シクロプロピルシクロヘキシルジイソプロポキシシラン、トリシクロプロピルイソプロポキシシラン、シクロプロピルビニルジイソプロポキシラン、シクロプロピルアリルジイソプロポキシラン、シクロプロピルメタリルジイソプロポキシラン、シクロプロピルメチリジルジイソプロポキシラン等があげられる。
【００５２】
（Ｄ）テトラシクロプロピルシラン、テトラ−２−メチル―シクロプロピルシラン、テトラ−２−エチル―シクロプロピルシラン、テトラ−２−プロピル―シクロプロピルシラン、テトラ−２，２−メチル、エチル−シクロプロピルシラン、テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピルシラン、テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピルシラン等があげられる。
【００５３】
（Ｅ）２−メチル―シクロプロピルメチルジメトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルエチルジメトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルプロピルジメトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルイソプロピルジメトキシシラン、２−メチル―ジシクロプロピルジメトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルビニルジメトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルアリルジメトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルメタリルジメトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルメチリジルジメトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルメチルジメトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルエチルジメトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルプロピルジメトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルイソプロピルジメトキシシラン、２−エチル―ジシクロプロピルジメトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルビニルジメトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルアリルジメトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルメタリルジメトキシシラン等があげられる。
【００５４】
また、２−エチル―シクロプロピルメチリジルジメトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルメチルジメトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルエチルジメトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルプロピルジメトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルイソプロピルジメトキシシラン、２−プロピル―ジシクロプロピルジメトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルビニルジメトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルアリルジメトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルメタリルジメトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルメチリジルジメトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメチルジメトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルエチルジメトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルプロピルジメトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルイソプロピルジメトキシシラン、２，２−メチル、エチル―ジシクロプロピルジメトキシシラン等があげられる。
【００５５】
また、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルビニルジメトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルアリルジメトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメタリルジメトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメチリジルジメトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルメチルジメトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルエチルジメトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルプロピルジメトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルイソプロピルジメトキシシラン、１，２−ジメチル―ジシクロプロピルジメトキシシラン、１，２−メチル、エチル―シクロプロピルビニルジメトキシシラン、１，２−メチル、エチル―シクロプロピルアリルジメトキシシラン、１，２−メチル、エチル―シクロプロピルメタリルジメトキシシラン、１，２−メチル、エチル―シクロプロピルメチリジルジメトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルメチルジメトキシシラン等があげられる。
【００５６】
また、２，３−ジメチル―シクロプロピルエチルジメトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルプロピルジメトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルイソプロピルジメトキシシラン、２，３−ジメチル―ジシクロプロピルジメトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルビニルジメトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルアリルジメトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルメタリルジメトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルメチリジルジメトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルメチルジエトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルエチルジエトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルプロピルジエトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルイソプロピルジエトキシシラン、２−メチル―ジシクロプロピルジエトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルビニルジエトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルアリルジエトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルメタリルジエトキシシラン等があげられる。
【００５７】
また、２−メチル―シクロプロピルメチリジルジエトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルメチルジエトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルエチルジエトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルプロピルジエトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルイソプロピルジエトキシシラン、２−エチル―ジシクロプロピルジエトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルビニルジエトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルアリルジエトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルメタリルジエトキシシラン、２−エチル―シクロプロピルメチリジルジエトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルメチルジエトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルエチルジエトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルプロピルジエトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルイソプロピルジエトキシシラン、２−プロピル―ジシクロプロピルジエトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルビニルジエトキシシラン等があげられる。
【００５８】
また、２−プロピル―シクロプロピルアリルジエトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルメタリルジエトキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルメチリジルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメチルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルエチルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルプロピルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルイソプロピルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―ジシクロプロピルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルビニルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルアリルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメタリルジエトキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメチリジルジエトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルメチルジエトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルエチルジエトキシシラン等があげられる。
【００５９】
また、１，２−ジメチル―シクロプロピルプロピルジエトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルイソプロピルジエトキシシラン、１，２−ジメチル―ジシクロプロピルジエトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルビニルジエトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルアリルジエトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルメタリルジエトキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルメチリジルジエトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルメチルジエトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルエチルジエトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルプロピルジエトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルイソプロピルジエトキシシラン、２，３−ジメチル―ジシクロプロピルジエトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルビニルジエトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルアリルジエトキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルメタリルジエトキシシラン等があげられる。
【００６０】
また、２，３−ジメチル―シクロプロピルメチリジルジエトキシシラン、２−メチル―シクロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、２−メチル―シクロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、２−メチル―シクロプロピルプロピルジイソプロポキシシラン、２−メチル―シクロプロピルイソプロピルジイソプロポキシシラン、２−メチル―ジシクロプロピルジイソプロポキシシラン、２−メチル―シクロプロピルビニルジイソプロポキシシラン、２−メチル―シクロプロピルアリルジイソプロポキシシラン、２−メチル―シクロプロピルメタリルジイソプロポキシシラン、２−メチル―シクロプロピルメチリジルジイソプロポキシシラン、２−エチル―シクロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、２−エチル―シクロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、２−エチル―シクロプロピルプロピルジイソプロポキシシラン、２−エチル―シクロプロピルイソプロピルジイソプロポキシシラン、２−エチル―ジシクロプロピルジイソプロポキシシラン等があげられる。
【００６１】
また、２−プロピル―シクロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、２−エチル―シクロプロピルビニルジイソプロポキシシラン、２−エチル―シクロプロピルアリルジイソプロポキシシラン、２−エチル―シクロプロピルメタリルジイソプロポキシシラン、２−エチル―シクロプロピルメチリジルジイソプロポキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルプロピルジイソプロポキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルイソプロピルジイソプロポキシシラン、２−プロピル―ジシクロプロピルジイソプロポキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルビニルジイソプロポキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルアリルジイソプロポキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルメタリルジイソプロポキシシラン、２−プロピル―シクロプロピルメチリジルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル等があげられる。
【００６２】
また、エチル―シクロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルプロピルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルイソプロピルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル、エチル―ジシクロプロピルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルビニルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルアリルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメタリルジイソプロポキシシラン、２，２−メチル、エチル―シクロプロピルメチリジルジイソプロポキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルプロピルジイソプロポキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルイソプロピルジイソプロポキシシラン、１，２−ジメチル―ジシクロプロピルジイソプロポキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルビニルジイソプロポキシシラン等があげられる。
【００６３】
また、１，２−ジメチル―シクロプロピルアリルジイソプロポキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルメタリルジイソプロポキシシラン、１，２−ジメチル―シクロプロピルメチリジルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルプロピルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルイソプロピルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―ジシクロプロピルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルビニルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルアリルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルメタリルジイソプロポキシシラン、２，３−ジメチル―シクロプロピルメチリジルジイソプロポキシシラン等が挙げられる。
【００６４】
中でも、シクロプロピルメチルジメトキシシラン、ジシクロプロピルジメトキシシラン、ジシクロプロピルメチルメトキシシラン、またはトリシクロプロピルメトキシシランが特に好ましい。
【００６５】
上記一般式（２）において、Ｒ９〜Ｒ１５は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。また、それらが互いに結合して環状構造を形成してもよい。
【００６６】
ＰＥＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、炭素数１〜５の炭化水素基が特に好ましい。炭素数が５を超えた場合、生成した有機シランの蒸気圧が低くなり、ＰＥＣＶＤ装置での使用が困難となる場合があり、好ましくない場合がある。
【００６７】
Ｒ９〜Ｒ１５の炭化水素基の例としては、特に限定されるものではないが、炭素数１〜１０、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基を挙げることができる。Ｒ９〜Ｒ１５は、同一であっても異なっても良い。
【００６８】
Ｒ９〜Ｒ１５が互いに結合していない場合の例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ．−アミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トルイル等を挙げることができる。
【００６９】
Ｒ９〜Ｒ１５どうしが互いに結合した場合の例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルが代表例として挙げられる。
【００７０】
またＲ１１〜Ｒ１５が水素原子であることも好ましい。
【００７１】
ｄは１〜３の整数、ｅは０〜２の整数を表し、ｄ＋ｅは３以下の整数を表す。すなわち、
（Ｆ）ｄ＝３ならば、シクロプロピル基六置換ジシロキサン、
（Ｇ）ｄ＝２ならば、シクロプロピル基四置換ジシロキサン、
（Ｈ）ｄ＝１ならば、シクロプロピル基二置換ジシロキサン
を表す。これらの混合物であってもよい。
【００７２】
一般式（２）で表される有機シラン化合物の具体例としては、
（Ｆ）ヘキサシクロプロピルジシロキサン、ヘキサ−２−メチル―シクロプロピルジシロキサン、ヘキサ−２−エチル―シクロプロピルジシロキサン、ヘキサ−２−プロピル―シクロプロピルジシロキサン、ヘキサ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピルジシロキサン、ヘキサ−１，２−ジメチル―シクロプロピルジシロキサン、ヘキサ−２，３−ジメチル―シクロプロピルジシロキサン等があげられる。
【００７３】
（Ｇ）１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジイソプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジアリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジメタリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジメチリデンジシロキサン等があげられる。
【００７４】
また、１，１，３，３−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−１，３−ジプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−１，３−ジイソプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−１，３−ジアリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−１，３−ジメタリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−１，３−ジメチリデンジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−１，３−ジエチルジシロキサン等があげられる。
【００７５】
また、１，１，３，３−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−１，３−ジプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−１，３−ジイソプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−１，３−ジアリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−１，３−ジメタリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−１，３−ジメチリデンジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−１，３−ジプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−プロピル―シクロプロピルル−１，３−ジイソプロピルジシロキサン等があげられる。
【００７６】
また、１，１，３，３−テトラ−２−プロピル―シクロプロピルル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−プロピル―シクロプロピルル−１，３−ジアリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−プロピル―シクロプロピルル−１，３−ジメタリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２−プロピル―シクロプロピルル−１，３−ジメチリデンジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，３−ジプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピルル−１，３−ジイソプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピルル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，２−メチル等があげられる。
【００７７】
また、エチル―シクロプロピルル−１，３−ジアリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピルル−１，３−ジメタリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピルル−１，３−ジメチリデンジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，３−ジプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジイソプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジアリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジメタリルジシロキサン等があげられる。
【００７８】
また、１，１，３，３−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジメチリデンジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，３−ジプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジイソプロピルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジビニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジアリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジメタリルジシロキサン、１，１，３，３−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピルル−１，３−ジメチリデンジシロキサン等があげられる。
【００７９】
（Ｈ）１，３−ジシクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジシクロプロピル−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジシクロプロピル−１，１，３，３−テトラプロピルジシロキサン、１，３−ジシクロプロピル−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン、１，３−ジシクロプロピル−１，１，３，３−テトラビニルジシロキサン、１，３−ジシクロプロピル−１，１，３，３−テトラアリルジシロキサン、１，３−ジシクロプロピル−１，１，３，３−テトラメタリルジシロキサン、１，３−ジシクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチリデンジシロキサン等があげられる。
【００８０】
また、１，３−ジ−２−メチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジ−２−メチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジ−２−メチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２−メチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２−メチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラビニルジシロキサン、１，３−ジ−２−メチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラアリルジシロキサン、１，３−ジ−２−メチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメタリルジシロキサン、１，３−ジ−２−メチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチリデンジシロキサン、１，３−ジ−２−エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジ−２−エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン等があげられる。
【００８１】
また、１，３−ジ−２−エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２−エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２−エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラビニルジシロキサン、１，３−ジ−２−エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラアリルジシロキサン、１，３−ジ−２−エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメタリルジシロキサン、１，３−ジ−２−エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチリデンジシロキサン、１，３−ジ−２−プロピル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジ−２−プロピル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジ−２−プロピル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２−プロピル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン等があげられる。
【００８２】
また、１，３−ジ−２−プロピル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラビニルジシロキサン、１，３−ジ−２−プロピル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラアリルジシロキサン、１，３−ジ−２−プロピル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメタリルジシロキサン、１，３−ジ−２−プロピル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチリデンジシロキサン、１，３−ジ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラビニルジシロキサン、１，３−ジ−２，２−メチル等があげられる。
【００８３】
また、エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラアリルジシロキサン、１，３−ジ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメタリルジシロキサン、１，３−ジ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチリデンジシロキサン、１，３−ジ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラプロピルジシロキサン、１，３−ジ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン、１，３−ジ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラビニルジシロキサン、１，３−ジ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラアリルジシロキサン、１，３−ジ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメタリルジシロキサン等があげられる。
【００８４】
また、１，３−ジ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチリデンジシロキサン、１，３−ジ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン、１，３−ジ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラビニルジシロキサン、１，３−ジ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラアリルジシロキサン、１，３−ジ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメタリルジシロキサン、１，３−ジ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−１，１，３，３−テトラメチリデンジシロキサン等が挙げられる。
【００８５】
中でも１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサンが特に好ましい。
【００８６】
上記一般式（３）においてＲ１６〜Ｒ２１は、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。また、それらが互いに結合して環状構造を形成してもよい。
【００８７】
ＰＥＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で炭素数１〜５の炭化水素基が特に好ましい。
【００８８】
Ｒ１６〜Ｒ２１の炭化水素基の例としては、特に限定されるものではないが、炭素数１〜１０、好ましくは、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基を挙げることができる。Ｒ１６〜Ｒ２１は、同一であっても異なっても良い。
【００８９】
Ｒ１６〜Ｒ２１が互いに結合していない場合の炭化水素基の例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トルイル基等を挙げることができる。
【００９０】
Ｒ１６〜Ｒ２１が互いに結合した場合の炭化水素基の例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルを挙げることができる。
【００９１】
またＲ１６〜Ｒ２０は水素原子であることも好ましい。
【００９２】
ｆは１または２、ｇは３以上６以下の整数を表す。すなわち、
（Ｉ）ｆ＝１，ｇ＝３であるシクロプロピル基三置換シクロトリシロキサン類、
（Ｊ）ｆ＝２，ｇ＝３であるシクロプロピル基六置換シクロトリシロキサン類、
（Ｋ）ｆ＝２，ｇ＝４であるシクロプロピル基四置換シクロテトラシロキサン類、
（Ｌ）ｆ＝２，ｇ＝４であるシクロプロピル基八置換シクロテトラシロキサン類、
（Ｍ）ｆ＝１，ｇ＝５であるシクロプロピル基五置換シクロペンタシロキサン類、
（Ｎ）ｆ＝２，ｇ＝５であるシクロプロピル基十置換シクロペンタシロキサン類、
等であってもよく、またこれらの混合物であってもよい。
【００９３】
一般式（３）で表される有機シラン化合物の具体例としては、
（Ｉ）２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリイソブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−ｓｅｃ−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリシクロブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリイソペンチルシクロトリシロキサン等があげられる。
【００９４】
また、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリネオペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−１−メチルブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−２−メチルブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−２、３−ジメチルプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−１−メチルペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−２−メチルペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−３−メチルペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−４−メチルペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−１，２−ジメチルブチルシクロトリシロキサン等があげられる。
【００９５】
また、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−１、３−ジメチルブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−２，３−ジメチルブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−２，２−ジメチルブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリ−３，３−ジメチルブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリビニルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリアリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメタリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチリデンシクロトリシロキサン等があげられる。
【００９６】
また、２，４，６−トリ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６−トリプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６−トリビニルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６−トリアリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメタリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチリデンシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン等があげられる。
【００９７】
また、２，４，６−トリ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリビニルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリアリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメタリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチリデンシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６−トリプロピルシクロトリシロキサン等があげられる。
【００９８】
また、２，４，６−トリ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６−トリビニルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６−トリアリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６−トリメタリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチリデンシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，２−メチル等があげられる。
【００９９】
また、エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリビニルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリアリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメタリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチリデンルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン等があげられる。
【０１００】
また、２，４，６−トリ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリビニルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリアリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメタリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチリデンシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリビニルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリアリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメタリルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６−トリメチリデンシクロトリシロキサン等があげられる。
【０１０１】
（Ｊ）２，２，４，４，６，６−ヘキサシクロプロピルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサ−２−メチル―シクロプロピルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサ−２−エチル―シクロプロピルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサ−２−プロピル―シクロプロピルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサ−１，２−ジメチル―シクロプロピルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサ２，３−ジメチル―シクロプロピルシクロトリシロキサン等があげられる。
【０１０２】
（Ｋ）２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトライソブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラｓｅｃ−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラシクロブチルシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１０３】
また、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトライソペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラネオペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ１−メチルブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ２−メチルブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ２、３−ジメチルプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ１−メチルペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ２−メチルペンチルシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１０４】
また、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ３−メチルペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ４−メチルペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ１、３−ジメチルブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ２、３−ジメチルブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ２、２−ジメチルブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラ３、３−ジメチルブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラアリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメタリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチリデンシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１０５】
また、２，４，６，８−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラアリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメタリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチリデンシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１０６】
また、２，４，６，８−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラアリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメタリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチリデンシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１０７】
また、２，４，６，８−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラアリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメタリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチリデンシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１０８】
また、２，４，６，８−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラアリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメタリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，２−メチル等があげられる。
【０１０９】
また、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチリデンシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラビニルルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラアリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメタリルシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１１０】
また、２，４，６，８−テトラ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチリデンシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラアリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメタリルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチリデンシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１１１】
（Ｌ）２，２，４，４，６，６，８，８−オクタシクロプロピルシクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−オクタ−２−メチル―シクロプロピルシクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−オクタ−２−エチル―シクロプロピルシクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−オクタ−２−プロピル―シクロプロピルシクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−オクタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピルシクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−オクタ−１，２−ジメチル―シクロプロピルシクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−オクタ−２，３−ジメチル―シクロプロピルシクロテトラシロキサン等があげられる。
【０１１２】
（Ｍ）２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラｓｅｃ−ブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１１３】
また、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラシクロブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラペンチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソペンチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラネオペンチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ１−メチルブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ２−メチルブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ２、３−ジメチルプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラヘキシルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１１４】
また、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ１−メチルペンチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ２−メチルペンチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ３−メチルペンチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ４−メチルペンチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ１、２−ジメチルブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ１、３−ジメチルブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ２、３−ジメチルブチルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１１５】
また、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ２、２−ジメチルブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラ３、３−ジメチルブチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラシクロヘキシルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラアリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメタリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタシクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチリデンシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１１６】
また２，４，６，８，１０−ペンタ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラアリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメタリルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１１７】
また、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−メチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチリデンシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラアリルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１１８】
また、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメタリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチリデンシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラビニルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１１９】
また、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラアリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメタリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２−プロピル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチリデンシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソプロピルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１２０】
また、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラアリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメタリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチリデンシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラプロピルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１２１】
また、２，４，６，８，１０−ペンタ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラアリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメタリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−１，２−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチリデンシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラエチルシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１２２】
また、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトライソプロピルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラビニルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラアリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメタリルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタ−２，３−ジメチル―シクロプロピル−２，４，６，８，１０−テトラメチリデンシクロペンタシロキサン等があげられる。
【０１２３】
（Ｎ）２，２，４，４，６，６，８，８，１０，１０−デカシクロプロピルシクロペンタシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８，１０，１０−デカ−２−メチル―シクロプロピルシクロペンタシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８，１０，１０−デカ−２−エチル―シクロプロピルシクロペンタシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８，１０，１０−デカ−２−プロピル―シクロプロピルシクロペンタシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８，１０，１０−デカ−２，２−メチル、エチル―シクロプロピルシクロペンタシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８，１０，１０−デカ−１，２−ジメチル―シクロプロピルシクロペンタシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８，１０，１０−デカ−２，３−ジメチル―シクロプロピルシクロペンタシロキサン等が挙げられる。
【０１２４】
中でも２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサシクロプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、または２，２，４，４，６，６，８，８−オクタシクロプロピルシクロテトラシロキサンが特に好ましい。
【０１２５】
上記一般式（１）の有機シラン化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば、一般式（４）で示される有機ハライドと金属マグネシウムとを反応させて製造した有機マグネシウム化合物と、一般式（５）で示されるアルコキシシランを反応させることにより製造することができる。
【０１２６】
本製造法を採用することにより、副生成物生成を抑制し、高収率に高純度の一般式（１）で示される有機シラン化合物が得られる。
【０１２７】
上記一般式（４）で示される有機ハライドと金属マグネシウムとの反応条件は、特に限定されるものではないが、以下にその一例を示す。
【０１２８】
使用する金属マグネシウムとしては、マグネシウム粒子、マグネシウムリボン、マグネシウムパウダー等を用いることができるが、反応の利便性面から、マグネシウム粒子を用いることが好ましい。
【０１２９】
有機ハライドと金属マグネシウムとの反応に用いる溶媒としては、当該技術分野で使用されるものであれば特に限定されるものでなく、例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−デカン等の飽和炭化水素類、トルエン、キシレン、デセン等の不飽和炭化水素類、ジエチルエーテル、プロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類を使用することができる。
【０１３０】
有機ハライドと金属マグネシウムとの反応における反応温度については、生成するシクロプロピル基とマグネシウムとが直結した有機マグネシウム化合物が分解しない様な温度範囲で行うことが好ましい。通常、工業的に使用されている温度である−１００〜２００℃の範囲、好ましくは、−８５〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。反応の圧力条件は、加圧下、常圧下、減圧下いずれであっても可能である。
【０１３１】
合成したシクロプロピル基とマグネシウムとが直結した有機マグネシウム化合物については、製造の後、そのまま用いることができ、また、未反応の有機ハライド及び金属マグネシウムを除去した後、使用することもできる。
【０１３２】
シクロプロピル基とマグネシウムとが直結した有機マグネシウム化合物と上記一般式（５）で表されるアルコキシシランとの反応条件は、特に限定されるものではないが、以下にその一例を示す。
【０１３３】
使用できる反応溶媒は、上記の有機ハライドと金属マグネシウムとの反応の際に用いることができる溶媒と同様のものが使用できる。その反応温度については、使用するシクロプロピル基とマグネシウムとが直結した有機マグネシウム化合物が分解しない様な温度範囲で行うことが好ましい。通常、工業的に使用されている温度である−１００〜２００℃の範囲、好ましくは、−８５〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。反応の圧力条件は、加圧下、常圧下、減圧下いずれであっても可能である。
【０１３４】
生成した一般式（１）で示される有機シラン化合物の精製法については、絶縁膜材料として使用するに有用な水分含有量５０ｐｐｍ未満、かつケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量を１０ｐｐｂ未満とする為には、副生するマグネシウム塩を、ガラスフィルター、焼結多孔体等を用いた濾過、常圧もしくは減圧蒸留、またはシリカ、アルミナ、高分子ゲルを用いたカラム分離精製等の手段により除去すればよい。この際、必要に応じてこれらの手段を組み合せて使用してもよい。一般の有機合成技術で用いられるような、副生するマグネシウム塩を水等により抽出する方法では、最終的に得られる一般式（１）で示される有機シラン化合物中の水分や、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素、殊に金属不純物残渣が高くなって、絶縁膜材料として不適当なものとなる場合がある。
【０１３５】
上記一般式（２）で表される有機シラン化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば、ｄ＝ｅ＝１であるシクロプロピル基二置換ジシロキサンは、ｄ＝ｅ＝１である一般式（６）で表される有機シラン化合物を、水および酸の共存下、二量化することにより製造することができる。
【０１３６】
本製造法を採用することにより、副生成物の生成を抑制し、高収率に高純度の一般式（２）で示される有機シラン化合物が得られる。
【０１３７】
上記一般式（３）で表されるの有機シラン化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば、ｆ＝１、ｇ＝３であるシクロプロピル基三置換六員環シロキサンは、ｆ＝１である一般式（７）で表される有機シラン化合物を、水および酸の共存下、重縮合することにより、製造することができる。
【０１３８】
本製造法を採用することにより、副生成物の生成を抑制し、高収率に高純度の一般式（３）で示される有機シラン化合物が得られる。
【０１３９】
生成した一般式（２）および（３）で示される有機シラン化合物の精製法については、絶縁膜材料として使用するに有用な水分含有量５０ｐｐｍ未満、かつケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量を１０ｐｐｂ未満とする為には、ガラスフィルター、焼結多孔体等を用いた濾過、常圧もしくは減圧蒸留、またはシリカ、アルミナ、高分子ゲルを用いたカラム分離精製等の手段により除去すればよい。この際、必要に応じてこれらの手段を組み合せて使用してもよい。
【０１４０】
製造に際しては、当該有機金属化合物合成分野での方法に従う。すなわち、脱水および脱酸素された窒素またはアルゴン雰囲気下で行い、使用する溶媒および精製用のカラム充填剤等は、予め脱水操作を施しておくことが好ましい。また、金属残渣およびパーティクル等の不純物も除去しておくことが好ましい。
【０１４１】
本発明のＳｉ含有膜形成材料を絶縁膜の材料として用いる場合には、特にケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量が１０ｐｐｂ未満であり、かつ含水量が５０ｐｐｍ未満のものが好ましい。
【０１４２】
本発明のＳｉ含有膜形成材料を用いて、Ｓｉ含有膜を製造することができる。このときの成膜方法は限定されるものではないが、ＣＶＤにより行うことが好ましく、特にＰＥＣＶＤにより行うことが好ましい。
【０１４３】
このときのＰＥＣＶＤの種類及び用いる装置は、特に限定されるものではないが、例えばこのＰＥＣＶＤは半導体製造分野、液晶ディスプレイ製造分野等の当該技術分野で一般的に用いられるものが使用される。
【０１４４】
ＰＥＣＶＤ装置において、本発明のＳｉ含有膜形成材料を気化器により気化させて、成膜チャンバー内に導入し、高周波電源により、成膜チャンバー内の電極に印加し、プラズマを発生させ、成膜チャンバー内のシリコン基板等にＰＥＣＶＤ薄膜を形成させることができる。この際、プラズマを発生させる目的でアルゴン、ヘリウム等のガス、酸素、亜酸化窒素等の酸化剤を導入しても良い。また、薄膜の多孔化の目的で、有機過酸化物もしくは、エポキシ化合物を同時に導入してもよい。ＰＥＣＶＤ装置によって本発明のＳｉ含有膜形成材料を用いて成膜した場合、半導体デバイス用の低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材）として好適な薄膜を形成できる。
【０１４５】
ＰＥＣＶＤ装置のプラズマ発生方法については、特に限定されず、当該技術で使用されている誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を用いることができる。好ましくは、誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマである。また、プラズマ発生源としては、平行平板型、アンテナ型等の種々のものが使用でき、ＰＥＣＶＤ装置のチャンバーに供給する不活性ガスとしては、当該技術分野で使用されるヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノン等が使用できる。
【０１４６】
このようにしてＳｉ含有膜が得られるが、この膜は比誘電率が低く、条件次第では、２．０以下の比誘電率を有する膜が得られるため、低誘電率膜として使用することができる。また、この膜は環状シロキサン構造を有するものが好ましい。特に一般式（３）で表される化合物を用いて成膜した場合、膜中の環状シロキサン構造は、一般式（３）で示される化合物中の環状シロキサン構造が残存したものであってもよく、またプラズマにより新たに生成されたものであってもよい。その結果、環状シロキサン構造を有する膜は、主たる細孔径が１ｎｍ以下の多孔性の膜となり、さらにその孔が連続しておらず、膜中への金属の拡散が無く、かつ高い機械的物性と高い伝熱性を有することから、半導体デバイス用低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材）として殊に好適な薄膜となる。従って、一般式（３）で表される環状シロキサン化合物中の環状シロキサン構造を破壊しないようなＰＥＣＶＤ条件で成膜することが好ましい。
【０１４７】
ＰＥＣＶＤ装置の一例として、図１に平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示す。図１に示す平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置１は、ＰＥＣＶＤ装置チャンバー内にシャワーヘッド上部電極と基板の温度制御が可能な下部電極、本発明のＳｉ含有膜形成材料（以下プレカーサーと略す）をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。
【０１４８】
具体的には、このＰＥＣＶＤ装置１は、ＰＥＣＶＤチャンバー２、プレカーサーをチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッドを有する上部電極３、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板５を設置する為の温度制御装置８を有する下部電極４、プレカーサーを気化させるための気化装置９〜１５、プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置１６から成る。１７，１８は、アースである。
【０１４９】
プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７は、上部電極３に接続され、放電によりプラズマを発生させる。ＲＦ電源７の規格については、特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ、好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ、周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ、好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
【０１５０】
基板温度は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１，０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【０１５１】
気化装置は、常温常圧で液体であるプレカーサー１３を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管１５を備えている容器１２、液体であるプレカーサー１３の流量を制御する液体流量制御装置１０、液体であるプレカーサー１３を気化させる気化器９、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管１４とその流量を制御する気体流量制御装置１１からなる。本気化装置は、気化器９からシャワーヘッドを備えた上部電極３に配管接続されている。
【０１５２】
また、ＰＥＣＶＤ装置の一例として、図２に誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置を示す。図２に示す誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置１９は、ＰＥＣＶＤ装置チャンバー上部の石英の周りにコイル状に巻かれたプラズマ発生部、温度制御が可能な基板設置部、プレカーサーをチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。
【０１５３】
具体的には、このＰＥＣＶＤ装置１９は、ＰＥＣＶＤチャンバー２０、プラズマ発生部であるコイル２１と石英管２２、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板２４を設置する為のヒーター部２３と温度制御装置２７、プレカーサーを気化させるための気化装置２８〜３５、プラズマ発生源であるマッチング回路２５とＲＦ電源２６、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置３６から成る。３７は、アースである。
【０１５４】
プラズマ発生部である石英周りのコイルは、マッチング回路２５に接続され、石英管中にＲＦ電流によるアンテナ電流磁界で放電させ、プラズマを発生させる。ＲＦ電源２６の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ、好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ、周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ、好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
【０１５５】
基板温度は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１，０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【０１５６】
気化装置は、常温常圧で液体であるプレカーサー３３を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管３５を備えている容器３２、液体であるプレカーサー３３の流量を制御する液体流量制御装置２９、液体であるプレカーサー３３を気化させる気化器２８、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管３４とその流量を制御する気体流量制御装置３０と不活性ガスとガス化したプレカーサー３３をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド３１から成る。
【０１５７】
プレカーサーは、上記で例示したＰＥＣＶＤ装置等を用いてガス化され、必要に応じて不活性ガスと共にチャンバー内に供給され、ＰＥＣＶＤにより成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、０．１Ｐａ〜１００００Ｐａ、好ましくは１Ｐａ〜５０００Ｐａである。
【０１５８】
また、本発明により得られるＳｉ含有膜を、更に熱処理、紫外線照射処理、又は電子線処理することすることにより、多孔化した、または機械的強度が向上した薄膜を得ることができる。これらを組み合わせた処理を行ってもよい。本処理で得られた薄膜は低誘電率絶縁材料として好適なものである。
【０１５９】
本発明によるＳｉ含有膜は、いずれも低誘電率材料として好適なものであり、絶縁膜として半導体デバイスに用いることができる。特に多層配線を用いたＵＬＳＩの製造に好適である。
【０１６０】
また本発明のＳｉ含有膜形成材料として使用しうる有機シラン化合物のうち、ジシクロプロピルメチルメトキシシラン、２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６−ヘキサシクロプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、または２，２，４，４，６，６，８，８−オクタシクロプロピルシクロテトラシロキサンは新規化合物である。
【発明の効果】
【０１６１】
本発明のＳｉ含有膜形成材料を用いることにより、Ｓｉ含有膜を得ることができ、それは半導体デバイス層間絶縁膜中の低誘電率材料として、低い誘電率且つ高い機械的強度を有するものである。特に本発明のＳｉ含有膜形成材料を用いて、ＰＥＣＶＤにより成膜することにより、従来法では困難であった多孔質材料の提供が可能となり、これは相間絶縁膜として有用なものである。
【実施例】
【０１６２】
以下に実施例を示すが、本発明は、これらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【０１６３】
実施例１
［シクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物の製造］
窒素気流下、滴下濾斗を備えた１ｌの反応器に金属マグネシウム２９．１７ｇ（１．２ｍｏｌ）と乾燥したジエチルエーテル８００ｍｌとを仕込み、室温で攪拌しつつ、滴下濾斗より、ブロモシクロプロパン２４５．１８ｇ（１．２ｍｏｌ）とテトラメトキシシラン６２．０９ｇ（０．４ｍｏｌ）の混合溶液を滴下し、更にジエチルエーテル還流条件下、２４時間攪拌した。反応終了後、未反応の金属マグネシウム及び副生物のＭｇＢｒ（ＯＭｅ）を濾過により除去して、ジシクロプロピルジメトキシシランのジエチルエーテル溶液とした。ジエチルエーテルを留去し、蒸留により、目的物であるジシクロプロピルジメトキシシランを分離精製した。結果は、収率１５％であった。単離したジシクロプロピルジメトキシシランを１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳで分析した結果は以下の通りであり、高純度の目的物であることが示された。
【０１６４】
［ジシクロプロピルジメトキシシランの物性値］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−０．５０〜−０．４８ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．４２〜０．４６ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．５６〜０．６２ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、３．５６（ｓ，６Ｈ，ＣＨ３Ｏ−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−９．２８ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．２１ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．８４ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、５０．９０ｐｐｍ（ＣＨ３Ｏ−Ｓｉ）
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝１７２、Ｃ８Ｈ１６Ｏ２Ｓｉ。
【０１６５】
実施例２
実施例１において、金属マグネシウム１４．５９ｇ（０．６ｍｏｌ）、ブロモシクロプロパン７２．５９ｇ（０．６ｍｏｌ）、テトラメトキシシランの代わりにメチルトリメトキシシラン５０．４９ｇ（０．４ｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１と同様に実験操作を行い、目的物であるシクロプロピルメチルジメトキシシラン（収率２８％）およびジシクロプロピルメチルメトキシシラン（９％）を得た。
【０１６６】
［シクロプロピルメチルジメトキシシランの物性値］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−０．４２〜−０．３４ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、−０．０４（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３−Ｓｉ）、０．３８〜０．４２ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．５６〜０．６４ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、３．５４（ｓ，６Ｈ，ＣＨ３Ｏ−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−７．４６ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｓｉ），−７．００ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．９７ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、５０．６０ｐｐｍ（ＣＨ３Ｏ−Ｓｉ）
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝１４６、Ｃ６Ｈ１４Ｏ２Ｓｉ。
【０１６７】
［ジシクロプロピルメチルメトキシシランの物性値］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−０．４６〜−０．３６ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、−０．１１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３−Ｓｉ）、０．２８〜０．４０ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．５６〜０．６２ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、３．５２（ｓ，３Ｈ，ＣＨ３Ｏ−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−７．３７ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｓｉ），−６．８７ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．８０ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．９９ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、５１．０５ｐｐｍ（ＣＨ３Ｏ−Ｓｉ）
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝１５６、Ｃ８Ｈ１６ＯＳｉ。
【０１６８】
実施例３
［シクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物の製造］
窒素気流下、２０ｍｌの反応器に水２．３９ｇ（０．１３ｍｏｌ）と濃硫酸１．８５ｇ（０．０１９ｍｏｌ）を仕込み、０℃で攪拌しつつ、ジシクロプロピルメチルメトキシシラン２．７７ｇ（０．０１９ｍｏｌ）を滴下し、更に室温で３時間攪拌した後、８０℃に加温し１時間攪拌した。反応終了後、蒸留により目的物である１，１，３，３，−テトラシクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサンを分離精製した。結果は、収率６％であった。
【０１６９】
［１，１，３，３−テトラシクロプロピル−１，３−ジメチルジシロキサンの物性値］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−０．５０〜−０．４２ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、−０．０９（ｓ，６Ｈ，ＣＨ３−Ｓｉ）、０．２８〜０．３４ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．４８〜０．５４ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−４．７７ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｓｉ），−３．５５ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、１．００ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝２６６、Ｃ１４Ｈ２６ＯＳｉ２。
【０１７０】
実施例４
［シクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する環状有機シラン化合物の製造］
窒素気流下、２０ｍｌの反応器に水２．５３ｇ（０．１４ｍｏｌ）と濃硫酸１．９７ｇ（０．０２ｍｏｌ）を仕込み、室温で攪拌しつつ、シクロプロピルメチルジメトキシシラン２．９４ｇ（０．０２ｍｏｌ）を滴下し、さらに室温で１時間、８０℃で１時間反応した後、蒸留により目的物である２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン（収率１５％）、および２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン（収率１４％）を分離精製した。
【０１７１】
［２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサンの物性値］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−０．４０〜−０．３８ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．１３８ｐｐｍ（ｓ，９Ｈ，ＣＨ３−Ｓｉ）、０．３６−０．４０ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．５４−０．６０ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−４．１７ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｓｉ）、−１．３８ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、１．１８（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）ｐｐｍ
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝３００、Ｃ１２Ｈ２４Ｏ３Ｓｉ３。
【０１７２】
［２，４，６，８−テトラシクロプロピル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサンの物性値］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−０．４８〜−０．４０ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．０２−０．１０ｐｐｍ（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ３−Ｓｉ）、２．８０−０．３８ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．４８−０．５４ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−４．２３ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｓｉ）、−１．３４ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、１．２１ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝４００、Ｃ１６Ｈ３２Ｏ４Ｓｉ４。
【０１７３】
実施例５
［シクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する環状有機シラン化合物の製造］
窒素気流下、２０ｍｌの反応器に水１．４６ｇ（０．８１ｍｏｌ）と濃硫酸１．１４ｇ（０．０１ｍｏｌ）を仕込み、室温で攪拌しつつ、ジシクロプロピルジメトキシシラン２．００ｇ（０．０１ｍｏｌ）を０℃で滴下し、さらに８０℃で１時間反応した後、抽出し、蒸留により目的物である２，２，４，４，６，６−ヘキサシクロプロピルシクロトリシロキサン（収率９％）、および２，２，４，４，６，６，８，８−オクタシクロプロピルシクロテトラシロキサン（収率４％）を分離精製した。
【０１７４】
［２，２，４，４，６，６−ヘキサシクロプロピルシクロトリシロキサンの物性値］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−０．４２〜−０．３６ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．４４−０．４８ｐｐｍ（ｍ，１２Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．５４−０．６０ｐｐｍ（ｍ，１２Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−５．８１ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、１．１０ｐｐｍ（−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝３７８、Ｃ１８Ｈ３０Ｏ３Ｓｉ３。
【０１７５】
［２，２，４，４，６，６，８，８−オクタシクロプロピルシクロテトラシロキサンの物性値］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；−０．４９〜−０．４０ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．３８−０．４２ｐｐｍ（ｍ，１６Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）、０．４８−０．５３ｐｐｍ（ｍ，１６Ｈ，−ＣＨ２−ＣＨ−Ｓｉ）
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝５０４、Ｃ２４Ｈ４０Ｏ４Ｓｉ４。
【０１７６】
実施例６
［一般式（１）で表される有機シラン化合物を用いたＰＥＣＶＤ成膜］
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて実施例１で合成したジシクロプロピルジメトキシシランをシリコン基板上に成膜した。成膜条件は、不活性ガスとしてアルゴンガスを１０ｓｃｃｍで供給し、気化させたジシクロプロピルジメトキシシランをチャンバー内圧が１０Ｐａとなるように供給し続け、基板温度１００℃、ＲＦ電源電力３０Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で成膜した。結果は、成膜速度１１３ｎｍ／ｍｉｎ．であった。
【０１７７】
実施例７  ［一般式（１）で表される有機シラン化合物を用いたＰＥＣＶＤ成膜］
実施例６においてジシクロプロピルジメトキシシランに変えて、実施例２で合成したシクロプロピルメチルジメトキシシランとしたこと以外は、実施例６と同様にしてＰＥＣＶＤ薄膜を得た。結果は、成膜速度１６．９ｎｍ／ｍｉｎ．であった。
【０１７８】
実施例８  ［一般式（３）で表される有機シラン化合物を用いたＰＥＣＶＤ成膜］
実施例６においてジシクロプロピルジメトキシシランに変えて、実施例４で合成した２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサンとしたこと以外は、実施例６と同様にしてＰＥＣＶＤ薄膜を得た。結果は、成膜速度５２．０ｎｍ／ｍｉｎ．であった。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示す図である。
【図２】誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置を示す図である。
【符号の説明】
【０１８０】
１．平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置
２．ＰＥＣＶＤチャンバー
３．上部電極
４．下部電極
５．薄膜形成用基板
６．マッチング回路
７．ＲＦ電源
８．温度制御装置
９．気化器
１０．液体流量制御装置
１１．気体流量制御装置
１２．容器
１３．プレカーサー
１４．配管
１５．配管
１６．排気装置
１７．アース
１８．アース
１９．誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置
２０．ＰＥＣＶＤチャンバー
２１．コイル
２２．石英管
２３．ヒーター部
２４．薄膜形成用基板
２５．マッチング回路
２６．ＲＦ電源
２７．温度制御装置
２８．気化器
２９．液体流量制御装置
３０．気体流量制御装置
３１．シャワーヘッド
３２．容器
３３． プレカーサー
３４．配管
３５．配管
３６．排気装置
３７．アース
【図１】
2007254651.tif 000020
【図２】
2007254651.tif 000021