(57)【要約】【課題】表示品質を向上させるための表示基板、それの製造方法及びそれを有する表示装置を提供する。【解決手段】透明基板２１０と、透明基板２１０上に形成され、マトリックス形状の画素部を含む画素層２２０と、画素層２２０上に形成され、上部に１．５μｍ以上の深さを有するマイクロレンズパターン２３２が形成された有機絶縁膜２３０と、有機絶縁膜２３０上に形成された透明電極２４０と、透明電極２４０上に部分的に形成され、反射領域と透過領域とを画定する反射電極２５０と、を含み、有機絶縁膜２３０は、透明基板２１０の中心部及び周辺部で同一の厚さを有している。【選択図】図２
2007133373.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、マトリックス形状の画素部を含む画素層と、
前記画素層上に形成され、上部に１．５μｍ以上の深さを有するマイクロレンズパターンが形成された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に形成された透明電極と、
前記透明電極上に部分的に形成され、反射領域と透過領域とを画定する反射電極と、
を含み、
前記有機絶縁膜は、前記透明基板の中心部及び周辺部で同一の厚さを有することを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記マイクロレンズパターンは、１．５μｍ〜２．８μｍの深さを有することを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項３】
前記マイクロレンズパターンは、凹レンズ形状のマイクロレンズからなり、
前記マイクロレンズの直径は、１３．６μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項４】
前記画素層は、
前記透明基板上に形成され、前記画素部第１の側部及び前記第１の側部と対向する第２の側部を画定するゲートラインと、
前記ゲートラインが形成された前記透明基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記画素部を画定する第３の側部及び前記第３の側部と対向する第４の側部を画定するデータラインと、
前記画素部内に形成され、前記ゲートライン及び前記データラインと連結された薄膜トランジスタと、
前記データライン及び前記薄膜トランジスタが形成された前記ゲート絶縁膜上に形成された保護膜と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタは、
前記ゲートラインと連結されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極が形成されている領域に対応するように形成されたアクティブ層と、
前記データラインと連結され、前記アクティブ層上に形成されたソース電極と、
前記ソース電極と離隔されるように前記アクティブ層上に形成され、前記保護膜及び前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記透明電極と連結されたドレイン電極と、
を含むことを特徴とする請求項４記載の表示基板。
【請求項６】
透明基板上にマトリックス形状の画素部を含む画素層を形成する段階と、
前記画素層上に１．５μｍ以上の深さを有するマイクロレンズパターンを有する有機絶縁膜を有機絶縁シートから形成する段階と、
前記有機絶縁膜上に、透明電極を形成する段階と、
前記透明電極上に、反射領域及び透過領域を画定する反射電極を部分的に形成する段階と、
を含むことを特徴とする表示基板の製造方法。
【請求項７】
前記有機絶縁膜シートは、
ベースフィルム及び前記マイクロレンズパターンに対応するエンボシングパターンが形成されたパターン膜を含むベース層と、
前記パターン膜上に形成された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層を保護するカバー層と、を含むことを特徴とする請求項６記載の表示基板の製造方法。
【請求項８】
前記有機絶縁膜を形成する段階は、
前記画素層が形成された前記透明基板上に、前記カバー層を除去した前記有機絶縁シートを配置する段階と、
前記有機絶縁膜シートを前記画素層上に積層させる段階と、
前記有機絶縁層を露光する段階と、
前記ベース層を除去する段階と、
前記有機絶縁層を現像する段階と、
を含むことを特徴とする請求項７記載の表示基板の製造方法。
【請求項９】
前記有機絶縁膜シートを前記画素層上に積層させる段階は、
１００℃〜１４０℃の温度のローラーを使用するローリング工程を通じて行われることを特徴とする請求項８記載の表示基板の製造方法。
【請求項１０】
前記有機絶縁層は、アクリル系感光性樹脂からなることを特徴とする請求項７記載の表示基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ベースフィルムは、ポリエチレンテレフタレート材質からなり、
前記パターン膜は、アクリル系樹脂からなることを特徴とする請求項７記載の表示基板の製造方法。
【請求項１２】
前記マイクロレンズパターンは、１．５μｍ〜２．８μｍの深さを有することを特徴とする請求項６記載の表示基板の製造方法。
【請求項１３】
前記マイクロレンズパターンは、凹レンズ形状のマイクロレンズからなり、
前記マイクロレンズの直径は、１３．６μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の表示基板の製造方法。
【請求項１４】
前記画素層を形成する段階は、
前記透明基板上に、前記画素部の第１の側部及び前記第１の側部と対向する第２の側部を画定するゲートラインを形成する段階と、
前記ゲートラインが形成された前記透明基板上に、ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記画素部の第３の側部及び前記第３の側部と対向する第４の側部を画定するデータラインを形成する段階と、
前記画素部内に、前記ゲートライン及び前記データラインと連結された薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記データライン及び前記薄膜トランジスタが形成された前記ゲート絶縁膜上に、保護膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項６記載の表示基板の製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜トランジスタを形成する段階は、
前記ゲートラインと連結されたゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極が形成されている領域に対応するようにアクティブ層を形成する段階と、
前記アクティブ層上に、前記データラインと連結されたソース電極を形成する段階と、
前記アクティブ層上で前記ソース電極と離隔され、前記保護膜及び前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記透明電極と連結するドレイン電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１４記載の表示基板の製造方法。
【請求項１６】
１．５μｍ以上の深さを有するマイクロレンズパターンが形成された有機絶縁膜、前記有機絶縁膜上に形成された透明電極、及び前記透明電極上に部分的に形成され、反射領域と透過領域とを画定する反射電極を含む表示基板と、
前記表示基板と対向する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、
を含み、
前記有機絶縁膜は、前記透明基板の中心部及び周辺部で同一の厚さを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
前記マイクロレンズパターンは、１．５μｍ〜２．８μｍの深さを有することを特徴とする請求項１６記載の表示装置。
【請求項１８】
前記対向基板は、
色を具現するカラーフィルタ層と、
前記表示基板と対向するように前記カラーフィルタ層上に形成された共通電極と、
を含むことを特徴とする請求項１６記載の表示装置。
【請求項１９】
前記反射電極は、前記マイクロレンズと実質的に同一の深さを有することを特徴とする請求項１６記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示基板、前記表示基板の製造方法、及び前記表示基板を有する表示装置に係り、より詳細には表示品質を向上させるための表示基板、前記表示基板の製造方法、及び前記表示基板を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、種々の平板表示装置の中でも液晶表示装置は、他の表示装置に比べて薄くて軽く、さらに、駆動電圧及び消費電力が低いという利点を有するため、様々な分野において幅広く使用されている。また、液晶表示装置は、製造方法が容易であるためその適用範囲が拡大されつつある。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶表示パネルの背面側に位置したバックライトアセンブリから提供される光を用いて画像を表示する透過型液晶表示装置、外部の自然光を用いて画像を表示する反射型液晶表示装置、そして、室内や外部光源が存在しない暗いところではバックライトアセンブリからの光を用いて表示する透過表示モードで作動し、室外の高照度環境では外部の自然光を反射させ表示する反射表示モードで作動する半透過型液晶表示装置に区分される。
【０００４】
ところで、前記反射型液晶表示装置及び前記半透過型液晶表示装置に使用される液晶表示パネルには、自然光の反射量を増加させ、視野角を向上させるためのマイクロレンズパターンが形成されている。
【０００５】
前記マイクロレンズパターンは、スピンコーティングによって感光性有機膜を蒸着し、露光工程及び現像工程を通じて形成される。この際、スピンコーティングによって蒸着された感光性有機膜は、ガラス基板の中心部と外郭部とで、その厚さが異なってしまうという工程上の問題がある。また、感光性有機膜の露光及び現象などの架橋化工程では、マイクロレンズパターンの形状が変形されてしまうという問題がある。
【０００６】
この結果、精度の高いマイクロレンズパターンを製造することが難しく、液晶表示装置の反射率を増加させることが難しいという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記問題を解決するために成されたものであって、マイクロレンズパターンを精密に製造して反射率を向上させることができる表示基板を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は前記表示基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
また、本発明は前記表示基板を有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するための本発明に係る表示基板は、透明基板、画素層、有機絶縁膜、透明電極及び反射電極を含む。前記画素層は前記透明基板上に形成され、マトリックス形状の画素部を含む。前記有機絶縁膜は前記画素層上に形成され、上部に１．５μｍ以上の深さを有するマイクロレンズパターンを有する。前記透明電極は前記有機絶縁膜上に形成される。前記反射電極は前記透明電極上に部分的に形成され反射領域と透過領域を画定する。
【００１１】
また、本発明に係る表示基板の製造方法によると、透明基板上にマトリックス形状の画素部を含む画素層を形成した後、前記画素層上に１．５μｍ以上の深さを有するマイクロレンズパターンを有する有機絶縁膜を形成する。以後、前記有機絶縁膜上に透明電極を形成した後、前記透明電極上に反射領域及び投下領域を画定する反射電極を形成する。この際、前記有機絶縁膜は有機絶縁シートを用いて形成する。
【００１２】
また、本発明に係る表示装置は、表示基板、前記表示基板に対向する対向基板、及び前記表示基板と前記対向基板との間に配置された液晶層を含む。前記表示基板は１．５μｍ以上の深さを有するマイクロレンズパターンが形成された有機絶縁膜、前記有機絶縁膜上に形成された透明電極、及び前記透明電極上に部分的に形成され反射領域と透過領域を画定する反射電極を含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る表示基板、当該表示基板の製造方法、及び当該表示基板を有する表示装置によれば、外部光の反射率を増加させ、表示品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明の一実施形態に係る表示基板を示す平面図であり、図２は図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した表示装置の断面図である。
【００１６】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、表示基板２００、表示基板２００と対向する対向基板３００、及び表示基板２００と対向基板３００との間に配置された液晶層４００を含む。
【００１７】
表示基板２００は、上部から入射される自然光を反射させるための反射領域ＲＲ及び下部から入射されるバックライト光を透過させるための透過領域ＴＲを含む。
【００１８】
表示基板２００は、透明基板２１０、画素層２２０、有機絶縁膜２３０、透明電極２４０、及び反射電極２５０を含む。
【００１９】
透明基板２１０は、光が透過されることができる透明な物質から形成される。例えば、透明基板２１０は、ガラスから形成される。
【００２０】
画素層２２０は、透明基板２１０上に形成される。画素層２２０は、透明基板２１０上にマトリックス形状に形成された画素部２２１を含む。
【００２１】
画素層２２０は、ゲートライン２２２、ゲート絶縁膜２２３、データライン２２４、薄膜トランジスタ２２５、及び保護膜２２６を含む。
【００２２】
ゲートライン２２２は、透明基板２１０上に形成され、画素部２２１の第１の側部及び前記第１の側部と対向する第２の側部（図１を正面から見て、上側と下側。以下、第１の側部を「上側」、第２の側部を「下側」と称する）を画定する。
【００２３】
ゲート絶縁膜２２３は、ゲートライン２２２が形成された透明基板２１０上に形成され、ゲートライン２２２を保護する。ゲート絶縁膜２２３は、例えば、シリコン窒化膜ＳｉＮｘまたはシリコン酸化膜ＳｉＯｘから形成される。
【００２４】
データライン２２４は、ゲート絶縁膜２２３上に形成され、画素部２２１の第３の側部及び前記第３の側部と対向する第４の側部（図１を正面から見て、左側と右側。以下、第３の側部を「左側」、第４の側部を「右側」と称する）を画定する。
【００２５】
薄膜トランジスタ２２５は、ゲートライン２２２及びデータライン２２４に連結され、画素部２２１内に形成される。薄膜トランジスタ２２５は、ゲートライン２２２を通じて印加されるスキャン信号に応じて、データライン２２４を通じて印加される画像信号を透明電極２４０に印加する。
【００２６】
薄膜トランジスタ２２５は、ゲート電極Ｇ、アクティブ層２２７、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄを含む。
【００２７】
ゲート電極Ｇは、ゲートライン２２２と連結され、薄膜トランジスタ２２５のゲート端子を構成する。
【００２８】
アクティブ層２２７は、ゲート絶縁膜２２３上に、ゲート電極Ｇが形成されている領域に対応するように形成される。アクティブ層２２７は、半導体層２２７ａ及びオームコンタクト層２２７ｂを含む。半導体層２２７ａは、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉ）からなり、オームコンタクト層２２７ｂはｎ型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）から形成される。
【００２９】
ソース電極Ｓは、データライン２２４と連結され、アクティブ層２２７上部まで延長されるように形成される。ソース電極Ｓは、薄膜トランジスタ２２５のソース端子を構成する。
【００３０】
ドレイン電極Ｄは、ソース電極Ｓと離隔されるようにアクティブ層２２７上に形成される。ドレイン電極Ｄは、薄膜トランジスタ２２５のドレイン端子を構成する。ドレイン電極Ｄは、保護膜２２６及び有機絶縁膜２３０に形成されたコンタクトホール２２８を通じて透明電極２４０と連結される。
【００３１】
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとは、アクティブ層２２７上に互いに離隔されるように配置され薄膜トランジスタ２２５のチャンネルを形成する。
【００３２】
保護膜２２６は、データライン２２４及び薄膜トランジスタ２２５が形成されたゲート絶縁膜２２３上に形成され、データライン２２４及び薄膜トランジスタ２２５を保護する。保護膜２２６は、例えば、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜から形成される。
【００３３】
有機絶縁膜２３０は、画素層２２０上に形成される。有機絶縁膜２３０と保護膜２２６とには、薄膜トランジスタ２２５のドレイン電極Ｄを露出させるためのコンタクトホール２２８が形成される。
【００３４】
有機絶縁膜２３０は、反射電極２５０によって反射される自然光の反射率を増加させて視野角を向上させるために、上部に形成されたマイクロレンズパターン２３２を有する。
【００３５】
図３は、図２のＡ部分を拡大した拡大図である。
【００３６】
図３を参照すると、マイクロレンズパターン２３２は、凹レンズ形状のマイクロレンズ２３４より構成される。マイクロレンズ２３４は、一定の間隔に配列される。なお、マイクロレンズ２３４は凸レンズ形状を有することができる。
【００３７】
外部の自然光に対する反射率は、マイクロレンジパターン２３２の深さＡ１とマイクロレンズ２３４の直径Ａ２によって影響を受ける。特に、外部の自然光に対する反射率は、マイクロレンズパターン２３２の深さＡ１に最も大きい影響を受ける。
【００３８】
図４は積分球反射率測定装置を用いてマイクロレンズパターンの深さに係る反射率をシミュレーションしたグラフである。図４で、Ａはマイクロレンズパターンの深さが０．８μｍであり、Ｂは１．１μｍであり、Ｃは１．４μｍであり、Ｄは１．８μｍであり、Ｅは２．３μｍであり、Ｆは２．８μｍであり、Ｇは３．１μｍであり、Ｈは３．５μｍである。
【００３９】
図３及び図４を参照すると、マイクロレンズ２３４の直径Ａ２を１３．６μｍで固定した状態で、マイクロレンズパターン２３２の深さＡ１を変化させながら積分球反射率測定装置を用いてシミュレーションした結果、図４に示す点Ａから点Ｆに近づくほど反射率が増加しＦ以後からは反射率が急激に減少することがわかる。即ち、マイクロレンズパターン２３２の深さＡ１が０．８μｍ〜２．８μｍまで増加するほど反射率が増加するが、以後、逆に反射率が減少する。特に、マイクロレンズパターン２３２の深さＡ１が約１．５μｍ〜２．８μｍの範囲で反射率が約８０％以上になることがわかる。
【００４０】
したがって、マイクロレンズパターン２３２の深さＡ１を約１．５μｍ〜２．８μｍの範囲で形成する場合、外部からの自然光に対する反射率を向上させることができる。
【００４１】
図１及び図２を参照すると、有機絶縁膜２３０上には透明電極２４０が形成される。透明電極２４０は、画素部２２１に対応して、有機絶縁膜２３０上に形成される。透明電極２４０は、有機絶縁膜２３０及び保護膜２２６に形成されたコンタクトホール２２８を通じてドレイン電極Ｄと電気的に連結される。
【００４２】
透明電極２５０は、光が透過することができる透明な導電性物質から形成される。例えば、透明電極２４０は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から形成される。
【００４３】
透明電極２４０上には反射電極２５０が形成される。反射電極２５０は、光の反射のために光反射率の高い伝導性物質からなる。例えば、反射電極２５０はアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる単一反射膜またはアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）とモリブデンタングステン（ＭｏＷ）から形成された二重反射膜で構成される。
【００４４】
反射電極２５０は、透明電極２４０上に部分的に形成され、反射領域ＲＲと透過領域ＴＲとを画定する。即ち、反射電極２５０が存在する領域は反射領域ＲＲであり、反射電極２５０が除去され透明電極２４０が露出された領域は透過領域ＴＲになる。透過領域ＴＲは下部から入射されるバックライト光の透過を用いて画像を表示する領域であり、反射領域ＲＲは上部から入射される自然光の反射を用いて画像を表示する領域である。
【００４５】
透明電極２４０及び反射電極２５０は、有機絶縁膜２３０上に均一な厚さに形成されるので、有機絶縁膜２３０は同一の表面構造を有する。したがって、反射電極２５０は、有機絶縁膜２３０のマイクロレンズパターン２３２と同一の深さを有する。
【００４６】
対向基板３００は、透明基板３１０、カラーフィルタ層３２０、及び共通電極３３０を含む。
【００４７】
透明基板３１０は、光が透過できる透明な物質から形成される。例えば、透明基板３１０はガラスから形成される。
【００４８】
カラーフィルタ層３２０は、表示基板１００と対向する透明基板３１０の面上に形成される。カラーフィルタ層３２０で色を具現するためにレッドＲ、グリーンＧ、及びブルーＢなどの色画素を含む。一方、カラーフィルタ層３２０は、表示基板１００上に形成されることができる。
【００４９】
共通電極３３０は、表示基板１００と対向するようにカラーフィルタ層３２０上に形成される。共通電極３３０は、光の透過のために透明な導電性物質から形成される。例えば、共通電極３３０は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から形成される。
【００５０】
液晶層４００は、異方性屈折率、異方性誘電率などの光学的、電気的特性を有する液晶が一定の形態に配列された構造を有する。液晶層４００は、透明電極２４０と共通電極３３０との間に形成される電界によって液晶の配列が変化され、液晶の配列が変化することによって通過する光の透過率を制御する。
【００５１】
本発明において、マイクロレンズパターン２３２を有する有機絶縁膜２３０は有機絶縁膜シートによって形成される。
【００５２】
図５は、図２に示された有機絶縁膜を形成するための有機絶縁膜シートを示す断面図である。
【００５３】
図５を参照すると、有機絶縁膜シート５００は、ベース層５１０、有機絶縁層５２０、及びカバー層５３０で構成される。
【００５４】
ベース層５１０は、ベースフィルム５１２及びパターン膜５１４を含む。ベースフィルム５１２は、例えば、ポリエチレンテレフタレート材質で、約５０μｍの厚さに形成される。パターン膜５１４は、例えば、アクリル系樹脂から形成される、約４．５μｍの厚さに形成される。パターン膜５１４には形成しようとするマイクロレンズパターン２３２（図２に図示）に対応されるエンボシングパターン（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ  ｐａｔｔｅｒｎ）５１６が形成される。即ち、エンボシングパターン５１６は凸レンズ形状を有し、高さは約１．５μｍ以上になるように形成される。望ましくは、エンボシングパターン５１６の高さは約１．５μｍ〜２．８μｍの範囲を有するように形成される。
【００５５】
有機絶縁層５２０は、パターン膜５１４上に形成される。有機絶縁層５２０は、例えば、アクリル系感光性樹脂から形成され、約２．３μｍの厚さに形成される。有機絶縁層５２０は、パターン膜５１４のエンボシングパターン５１６によって転写され凹レンズ形状のマイクロレンズが形成された構造を有する。このように、パターン膜５１４を通じた転写方法で有機絶縁層５２０の形状を具現することで、製作しようとする形状を正確に形成することができる。
【００５６】
カバー層５３０は、有機絶縁層５２０を保護する。カバー層５３０は、例えば、ＰＥＴ材質から形成され、約２５μｍの厚さに形成される。
【００５７】
以下、有機絶縁膜シートを用いて表示基板を製造する方法について説明する。
【００５８】
図６〜図１０は本発明の一実施形態に係る表示基板の製造過程を示した工程図である。
【００５９】
図１及び図６を参照すると、透明基板２１０上にマトリックス形状の画素部２２１を含む画素層２２０を形成する。
【００６０】
具体的に、透明基板２１０上に第１金属膜を蒸着した後、写真−エッチング工程にを通じてゲートンライン２２２及びグリーン電極Ｇを形成する。
【００６１】
ゲートライン２２２は画素部２２１の上側及び下側を画定する。ゲート電極Ｇはゲートライン２２２と連結され、薄膜トランジスタ２２５のゲート端子を構成する。
【００６２】
以後、ゲートライン２２２及びゲート電極Ｇが形成された透明基板２１０上にゲート絶縁膜２２３を形成する。ゲート絶縁膜２２３は、例えば、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜からなり、約４５００Åの厚さに形成される。
【００６３】
次に、ゲート絶縁膜２２３上にａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層を順次に積層した後、写真−エッチング工程を通じてゲート電極Ｇに対応されるようにアクティブ層２２７を形成する。
【００６４】
アクティブ層２２７は、半導体層２２７ａ及びオームコンタクト層２２７ｂで構成される。半導体層２２７はａ−Ｓｉから形成され、オームコンタクト層２２７ｂはｎ型不純物が高濃度でドーピングされたｎ＋ａ−Ｓｉから形成される。
【００６５】
次に、ゲート絶縁膜２２３及びアクティブ層２２７上に、第２金属膜を蒸着した後、写真−エッチング工程を通じてデータライン２２４、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄを形成する。
【００６６】
データライン２２４は、画素部２２１の左側及び右側を画定する。ソース電極Ｓは、データライン２２４と連結され、薄膜トランジスタ２２５のソース端子を構成する。ドレイン電極Ｄは、ソース電極Ｓと離隔され薄膜トランジスタ２２５のドレイン端子を構成する。
【００６７】
次に、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間に位置したオームコンタクト層２２７ｂをエッチングし、半導体層２２７ａを露出させる。
【００６８】
次に、データライン２２４、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが形成されたゲート絶縁膜２２３上に、保護膜２２６を形成する。保護膜２２６は、例えば、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜から形成され、約２０００Åの厚さに形成される。
【００６９】
図７を参照すると、画素層２２０が形成された透明基板２１０上に、有機絶縁膜シート５００を配置する。この際、有機絶縁膜シート５００はカバー層５３０（図５参照）が除去された状態で有機絶縁層５２０が画素層２２０上に接するように配置される。
【００７０】
次に、有機絶縁膜シート５００を画素層２２０上に積層させる。有機絶縁膜シート５００の積層はローラー５４０のローリングによって行われる。この際、ローラー５４０の温度は、約１００℃〜１４０℃の範囲を有する。
【００７１】
図８を参照すると、有機絶縁膜シート５００の積層の後、有機絶縁層５２０を露光する。即ち、有機絶縁層５２０のパターニングのために、有機絶縁膜シート５００の上部に所定のパターンが形成されたマスク５５０を配置した後、露光のための光線を有機絶縁膜シート５００に照射する。この際、マスク５５０は、露光のための光線が遮断するか、透過することができるパターン部５５２を有する。マスク５５０は、パターン部５５２が図２に示されたコンタクトホール２２８の形成位置に対応されるように配置される。
【００７２】
図９を参照すると、有機絶縁層５２０の露光の後、有機絶縁膜シート５００のベース層５１０を除去する。
【００７３】
次に、画素層２２０上に残っている有機絶縁層５２０を、所定の現象を通じて現像し有機絶縁膜２３０を形成する。この際、マスク５５０のパターン部５５２によって露光されていない有機絶縁層５２０及び保護膜２２６が除去されコンタクトホール２２８が形成される。
【００７４】
このように形成された有機絶縁膜２３０の上部にはマイクロレンズパターン２３２が形成される。マイクロレンズパターン２３２は約１．５μｍ以上の深さを有する。望ましくは、マイクロレンズパターン２３２は、反射率を増加させると共に、視野角を向上させるために、約１．５μｍ〜２．８μｍの深さを有する。
【００７５】
また、既にマイクロレンズパターン２３２が形成されていれば、有機絶縁膜シート５００を用いて有機絶縁膜２３０を形成することで、有機絶縁膜２３０の厚さを均一化、即ち、有機絶縁膜２３０の厚さが位置によってそれぞれ異なる場合、その厚さの差異を減少させて、マイクロレンズパターン２３２を精度良く形成することができる。
【００７６】
図１及び図１０を参照すると、有機絶縁膜２３０上に透明な導電層を形成した後、写真−エッチング工程を通じ、それぞれの画素部２２１に対応するように透明電極２４０を形成する。
【００７７】
透明電極２４０は、光が透過できる透明な導電性物質から形成される。例えば、透明電極２４０は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から形成される。
【００７８】
透明電極２４０は、有機絶縁膜２３０及び保護膜２２６に形成されたコンタクトホール２２８を通じて薄膜トランジスタ２２５のドレイン電極Ｄと電気的に連結される。
【００７９】
次に、透明電極２４０上に光反射率の高い金属層を蒸着した後、写真−エッチング工程を通じて反射電極２５０を形成する。反射電極２５０は、光反射率の高い伝導性物質から形成される。例えば、反射電極２５０は、アルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）からなる単一反射膜またはアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）とモリブデンタングステン（ＭｏＷ）からなる二重反射膜から形成される。
【００８０】
反射電極２５０は、透明電極２４０上に部分的に形成され、反射領域ＲＲと透過領域ＴＲとを画定する。即ち、反射電極２５０が存在する領域は反射領域ＲＲであり、反射電極２５０が除去され、透明電極２４０が露出された領域は透過領域ＴＲになる。
【００８１】
透明電極２４０及び反射電極２５０は、有機絶縁膜２３０上に均一な厚さに形成されるので、有機絶縁膜２３０と同一の表面構造を有する。したがって、反射電極２５０は、有機絶縁膜２３０のマイクロレンズパターン２３２と同一の深さを有する。
【００８２】
このような表示基板、それの製造方法及びそれを有する表示装置によると、有機絶縁膜に約１．５μｍ以上の深さを有するマイクロレンズパターンを形成することで、反射率を増加させると共に、視野角を向上させることができる。
【００８３】
また、マイクロレンズパターンが形成されている有機絶縁膜シートを用いて有機絶縁膜を形成することで、有機絶縁膜の厚さを均一化して、マイクロレンズパターンを精度良く形成することができる。
【００８４】
以上、一実施形態によって本発明を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、表示装置に関する技術分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示基板を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した表示装置の断面図である。
【図３】図２のＡ部分を拡大した拡大図である。
【図４】積分球反射率測定装置を用いてマイクロレンズパターンの深さによる反射率をシミュレーションしたグラフである。
【図５】図２に示された有機絶縁膜を形成するための有機絶縁膜シートを示した断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による表示基板の製造過程を示した工程図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造過程を示した工程図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造過程を示した工程図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造過程を示した工程図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造過程を示した工程図である。
【符号の説明】
【００８７】
１００      表示装置、
２００      表示基板、
２２０      画素層、
２２２      ゲートライン、
２２４      データライン、
２２５      薄膜トランジスタ、
２３０      有機絶縁膜、
２３２      マイクロレンズパターン、
２４０      透明電極、
２５０      反射電極、
３００      対向基板、
４００      液晶層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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