(57)【要約】【課題】強誘電体記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されており、少なくとも２個の側面を持つ支持層と、支持層の側面に備わったデータ記録層と、を備えることを特徴とする強誘電体記録媒体とその製造方法。支持層の互いに対向して離隔された両側面にそれぞれ第１及び第２データ記録層が備わっている。そして、支持層は少なくとも３個の側面を持つ多面体柱でありうる。また、支持層は複数個形成されており、四方に同じ間隔を持つ。【選択図】図１
2007036262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されており、少なくとも２個の側面を持つ支持層と、
前記支持層の側面に備わったデータ記録層と、を備えることを特徴とする強誘電体記録媒体。
【請求項２】
前記支持層の互いに対向して離隔された両側面にそれぞれ第１及び第２データ記録層が備わったことを特徴とする請求項１に記載の強誘電体記録媒体。
【請求項３】
前記支持層は、少なくとも３個の側面を持つ多角柱であることを特徴とする請求項１に記載の強誘電体記録媒体。
【請求項４】
前記支持層は複数個形成されてあり、四方に同じ間隔を持つことを特徴とする請求項３に記載の強誘電体記録媒体。
【請求項５】
前記支持層は、ＴｉＯ２、ＶＯ２、ＮｂＯ２、ＺｒＯ２、鉄酸化物、ＴｉＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ及びＦｅ２Ｎからなる群から選択されたいずれか一つで形成された層であることを特徴とする請求項１に記載の強誘電体記録媒体。
【請求項６】
前記支持層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＦｅからなる群から選択されたいずれか一つで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の強誘電体記録媒体。
【請求項７】
前記データ記録層は、ＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層、ＰＬＺＴ層、ＰＴＯ層、ＢＦＯ層、ＳＴＯ層、ＢＴＯ層、ＴＮＯ層、ＴＷＯ層及びＫＮＯ層からなる群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の強誘電体記録媒体。
【請求項８】
基板上に支持層を形成する第１工程と、
前記支持層をパターニングする第２工程と、
前記パターニングされた支持層の側面にソース物質層を形成する第３工程と、
前記ソース物質層を前記パターニングされた支持層に拡散させる第４工程と、を含むことを特徴とする強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記第４工程は、前記ソース物質層が形成された結果物を熱処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記第２工程で、前記支持層は、ライン形態または少なくとも４個の側面を持つ多角柱形態にパターニングすることを特徴とする請求項８に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記支持層は、ＴｉＯ２、ＶＯ２、ＮｂＯ２、ＺｒＯ２、鉄酸化物、ＴｉＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ及びＦｅ２Ｎからなる群から選択された少なくともいずれか一つで形成することを特徴とする請求項８に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記支持層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＦｅからなる群から選択されたいずれか一つで形成することを特徴とする請求項８に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記ソース物質層は、前記支持層と反応して前記支持層の側面にＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層、ＰＬＺＴ層、ＰＴＯ層、ＢＦＯ層、ＳＴＯ層、ＢＴＯ層、ＴＮＯ層、ＴＷＯ層及びＫＮＯ層からなる群から選択されたいずれか一つを形成する物質層で形成することを特徴とする請求項８に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記ソース物質層の主成分は、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｋ及びＬｉからなる群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項８に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記熱処理は、急速熱アニールを利用して４００℃以上で行うことを特徴とする請求項９に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
基板上に支持層を形成する第１工程と、
前記支持層上に前記支持層の一部領域を限定するマスクを形成する第２工程と、
前記マスク周囲の前記支持層をエッチングする第３工程と、
前記エッチング結果物を、前記支持層と反応して強誘電膜を形成するソース物質ガス雰囲気下に置く第４工程と、
前記エッチング結果物を前記ソース物質ガス雰囲気下で熱処理する第５工程と、
前記マスクを除去する第６工程と、を含むことを特徴とする強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記第２工程で、前記支持層をライン形態または少なくとも４個の側面を持つ多面体柱形態に限定することを特徴とする請求項１６に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記支持層は、ＴｉＯ２、ＶＯ２、ＮｂＯ２、ＺｒＯ２、鉄酸化物、ＴｉＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ及びＦｅ２Ｎからなる群から選択された少なくともいずれか一つで形成することを特徴とする請求項１６に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記支持層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＦｅからなる群から選択されたいずれか一つで形成することを特徴とする請求項１６に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記ソース物質ガスは、前記支持層と反応して、前記支持層側面にＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層、ＰＬＺＴ層、ＰＴＯ層、ＢＦＯ層、ＳＴＯ層、ＢＴＯ層、ＴＮＯ層、ＴＷＯ層及びＫＮＯ層からなる群から選択されたいずれか一つを形成する物質ガスであることを特徴とする請求項１６に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記ソース物質ガスの主成分は、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｋ及びＬｉからなる群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項１６に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記第５工程の熱処理は、急速熱アニールを利用して４００℃以上で行うことを特徴とする請求項１６に記載の強誘電体記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ記録媒体及びその製造方法に係り、より詳細には、強誘電体記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インターネット関連技術の発展につれて動画像を含む大容量の情報を記録できる記録媒体と、かかる記録媒体に保存された情報を移動中にも自由に使用しようとする需要の増大は、次世代情報記録媒体市場を導く重要な要因の一つとなる。
【０００３】
大容量の情報を記録できる記録媒体と、かかる記録媒体に／から情報を記録／再生できる手段は、情報記録媒体市場の核心となる。
【０００４】
現在、携帯用不揮発性データ記録素子は、フラッシュメモリのような固体状態メモリ素子とハードディスクのようなディスクタイプメモリ素子とに大別できる。
【０００５】
固体状態メモリ素子の場合、数年してもその容量が数ギカバイト（ＧＢ）程度と予想されるために、巨大規模のデータ記録装置として使用し難い。したがって、固体状態のメモリ素子は、現在のパソコン（ＰＣ）の場合のように、高速動作が要求される場合に使われると予想され、主記録装置は、依然としてハードディスクタイプのメモリ素子になると予想される。
【０００６】
携帯用機器に装着される一般的な磁気記録方式のハードディスクの場合、近い将来にその容量が１０ＧＢになると予想されるが、それ以上の磁気記録密度は、超常磁性（ｓｕｐｅｒｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ）効果により達成し難いと予想される。
【０００７】
このような理由によって、最近ではスキャニングプローブ技術を利用してデータを記録して、強誘電体を記録媒体として使用するメモリ素子が紹介されている。
【０００８】
スキャニングプローブが使われた技術、すなわち、ＳＰＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）技術を利用する場合、プローブを利用して数ｎｍ〜数十ｎｍの領域を調べることができる。また、強誘電体が記録媒体として使われるために、磁気記録媒体とは違って超常磁性効果による影響を受けない。したがって、磁気記録媒体に比べて記録密度を高めることができる。
【０００９】
ＳＰＭ技術が利用される記録媒体で、記録されたデータは強誘電体の分極の極性によって区分される。
【００１０】
強誘電体の分極によって強誘電体表面から電場が発生する。プローブが前記電場内にある時、チップの頂点（ａｐｅｘ）に電荷空乏（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ）領域または電荷蓄積領域が誘導される。これにより、プローブの静電容量の変化や抵抗の変化が現れる。強誘電体分極の極性によって抵抗や静電容量は増加または減少する。ＳＰＭ技術を利用する強誘電体記録媒体に記録されたデータは、このようにプローブの静電容量や抵抗の変化を測定して読み取る。そして、前記記録媒体の強誘電体分極を局所的に変化させて書き込みを行う。このような書き込みは、プローブに書き込み電圧を印加して行われるが、前記書き込み電圧は、前記記録媒体で前記強誘電体分極のスイッチングを誘導するほど高い。
【００１１】
前述したように、ＳＰＭ技術を利用する強誘電体記録媒体は、磁気記録媒体に比べてデータ記録密度を高めることができるという利点を持っている。しかし、強誘電体記録媒体で１ビットデータが記録される領域がまさに分極領域であるということを考慮する必要がある。結局、強誘電体記録媒体のデータ記録密度をさらに高めるためには、強誘電体記録媒体でビットデータ記録領域のサイズを縮める必要がある。
【００１２】
しかし、現在としては、強誘電体記録媒体のビットデータ記録領域のサイズ縮小はプローブのサイズ縮小に多く依存しているところ、プローブサイズを縮めることができる画期的技術が開発されない限り、強誘電体記録媒体のデータ記録密度をさらに高めることは難しいと予想される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した従来技術の問題点を改善するためのものであり、データ記録密度を高めることができる強誘電体記録媒体を提供するところにある。
【００１４】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、このような強誘電体記録媒体の製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記技術的課題を解決するために、本発明は、前記基板上に形成されており、少なくとも２個の側面を持つ支持層と、前記支持層の側面に備わったデータ記録層と、を備えることを特徴とする強誘電体記録媒体を提供する。
【００１６】
本発明の実施形態によれば、前記データ記録層は、前記支持層パターンの側面に備わった複数のデータ記録層を備えることができる。そして、前記支持層パターンは、少なくとも３個の側面を持つ多角形でもよく、またはバータイプでもよい。また、前記支持層パターンは、前記基板上に複数個形成されており、四方に同じ間隔で配置されている。
【００１７】
前記支持層は、ＴｉＯ２、ＶＯ２、ＮｂＯ２、ＺｒＯ２、鉄酸化物、ＴｉＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ及びＦｅ２Ｎからなる群から選択されたいずれか一つで形成された層であるが、これらに制限されるものではない。また、前記支持層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＦｅからなる群から選択されたいずれか一つで形成される。
【００１８】
前記データ記録層は、ＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層、ＰＬＺＴ層、ＰＴＯ層、ＢＦＯ層、ＳＴＯ層、ＢＴＯ層、ＴＮＯ層、ＴＷＯ層及びＫＮＯ層からなる群から選択されたいずれか一つである。
【００１９】
前記技術的課題を解決するために、本発明は、基板上に支持層を形成する第１工程と、前記支持層をパターニングする第２工程と、前記パターニングされた支持層の側面にソース物質層を形成する第３工程と、前記ソース物質層を前記パターニングされた支持層に拡散させる第４工程と、を含むが、前記パターニングされた支持層は、少なくとも２個の側面を持つことを特徴とする強誘電体記録媒体の製造方法を提供する。
【００２０】
この製造方法で、前記ソース物質層の物質と前記パターニングされた支持層の物質とを反応させ、かつ拡散させるために、前記ソース物質層及び前記パターニングされた支持層は４００℃以上に加熱できる。
【００２１】
前記ソース物質層は、前記パターニングされた支持層と反応して前記パターニングされた支持層の側面に物質層を形成する。この時、前記パターニングされた支持層の側面に形成される前記物質層は、ＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層、ＰＬＺＴ層、ＰＴＯ層、ＢＦＯ層、ＳＴＯ層、ＢＴＯ層、ＴＮＯ層、ＴＷＯ層及びＫＮＯ層からなる群から選択されたいずれか一つでありうる。前記ソース物質の主成分（ｂａｓｉｓ）はＰｂ、Ｋ、ＢｉまたはＬｉであるが、これらに制限されない。
【００２２】
前記他の技術的課題を解決するために、本発明はまた、基板上に支持層を形成する第１工程と、前記支持層上に前記支持層の一部領域を限定するマスクを形成する第２工程と、前記マスク周囲の前記支持層をエッチングする第３工程と、前記エッチング結果物を、前記支持層と反応して強誘電膜を形成するソース物質ガス雰囲気下に置く第４工程と、前記エッチング結果物を前記ソース物質ガス雰囲気下で熱処理する第５工程と、前記マスクを除去する第６工程と、を含むことを特徴とする強誘電体記録媒体の製造方法を提供する。
【００２３】
この製造方法で、前記ソース物質と前記支持層の物質間の反応及び拡散を起こすために、前記熱処理は４００℃以上で行える。
【００２４】
この製造方法では、前記第２工程で前記支持層はバータイプに限定するか、少なくとも３個の側面を持つ多角形のパターンに限定できる。
【００２５】
前記支持層としては、前述したような物質が使われうる。
【００２６】
前記ソース物質ガスは、前記支持層と反応して前記支持層の側面にＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層、ＰＬＺＴ層、ＰＴＯ層、ＢＦＯ層、ＳＴＯ層、ＢＴＯ層、ＴＮＯ層、ＴＷＯ層及びＫＮＯ層からなる群から選択されたいずれか一つを形成する物質ガスでありうる。
【００２７】
前記第４工程の熱処理で最後の熱処理は急速熱アニール（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ：ＲＴＡ）方式で実施できる。
【発明の効果】
【００２８】
このような本発明を利用すれば、強誘電体記録媒体のデータ記録密度を従来より高めることができ、データの高速記録及び再生能力を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態による強誘電体記録媒体及びその製造方法を、添付された図面を参照して詳細に説明する。この過程で、図面に図示された層や領域の厚さは、明細書の明確性のために誇張して図示されたものである。
【００３０】
まず、本発明の第１実施形態による強誘電体記録媒体（以下、第１記録媒体）について説明する。
【００３１】
図１を参照すれば、第１記録媒体は、基板４０上にバータイプのデータ保存手段Ｓ１を備える。基板４０は下部電極として使われる。基板４０は、所定の金属、例えば、貴金属である白金（Ｐｔ）またはイリジウム（Ｉｒ）で形成された基板でありうる。データ保存手段Ｓ１は、支持層４２と、第１及び第２記録層４４、４６とを備える。支持層４２は、第１及び第２記録層４４、４６を支持する。支持層４２の両側面は垂直面である。第１記録層４４は支持層４２の一側面を覆い、第２記録層４６は支持層４２の他の側面を覆っている。図１では、第１及び第２記録層４４、４６が支持層４２の両側側面に形成されたように、あるいは付着されたように見える。しかし、後述するデータ保存手段Ｓ１の製造方法を考慮すれば、第１及び第２記録層４４、４６は、ソース物質が支持層４２の両側面を通じて支持層４２に広がった結果として形成される。したがって、第１及び第２記録層４４、４６は、支持層４２の側面境界で支持層４２の内側に所定厚さで存在すると見ることが望ましい。このような支持層４２は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）で形成された層でありうる。また、支持層４２は、ＴｉＯ２、ＶＯ２、ＮｂＯ２、ＺｒＯ２、鉄酸化物、ＴｉＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ及びＦｅ２Ｎからなる群から選択された少なくともいずれか一つで形成された層であるが、これらに制限されない。また、支持層４２は、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及び鉄（Ｆｅ）からなる群から選択された少なくともいずれか一つで形成された純粋金属層でありうる。第１及び第２記録層４４、４６は、強誘電層が望ましい。例えば、第１及び第２記録層４４、４６は、それぞれＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層、ＰＬＺＴ層、ＰＴＯ層、ＢＦＯ層、ＳＴＯ層、ＢＴＯ層、ＴＮＯ層、ＴＷＯ層及びＫＮＯ層からなる群から選択されたいずれか一つでありうる。第１及び第２記録層４４、４６はこのように強誘電層である。第１及び第２記録層４４、４６で分極がいずれか一方向に整列されれば、外部から前記整列された分極の方向を変えるための所定の電圧が印加されない限り、第１及び第２記録層４４、４６の分極は最初に整列された方向を維持する。第１及び第２記録層４４、４６の与えられた領域に上下いずれか一方向に整列された分極が存在するということは、すなわち、第１及び第２記録層４４、４６の前記与えられた領域にビットデータが記録されているということを意味する。したがって、第１及び第２記録層４４、４６に記録されたデータは、データを変化させるための電圧が第１及び第２記録層４４、４６に印加されるまで維持され続ける。基板４０上には、このようなデータ保存手段Ｓ１が複数個存在する。それぞれのデータ保存手段Ｓ１は、与えられた間隔で離隔されており、互いに平行に存在する。
【００３２】
次いで、本発明の第２実施形態による記録媒体（以下、第２記録媒体）について説明する。
【００３３】
図２を参照すれば、第２記録媒体は、基板４０上にデータ保存手段Ｓ２を備える。データ保存手段Ｓ２は、前記第１記録媒体で紹介したデータ保存手段Ｓ１と基本構成は同じである。しかし、データ保存手段Ｓ２の構造は、第１記録媒体のデータ保存手段Ｓ１と異なる。
【００３４】
具体的に、データ保存手段Ｓ２は、支持層４８及び記録層５０を備える。支持層４８は、第１記録媒体の支持層４２と同じく、記録層５０も、第１記録媒体の第１記録層４４または第２記録層４６と同じである。しかし、支持層４８は、バータイプではなく多角柱である。記録層５０は、このような支持層４８の４側面を包む。すなわち、記録層５０は支持層４８の４側面をいずれも覆っている。この時、支持層４８と記録層５０との関係は、第１記録媒体の支持層４２と第１及び第２記録層４４、４６との関係と同一でありえる。図２に図示した第２記録媒体で、記録層５０は支持層４８の４側面をいずれも覆っているので、記録層５０も、支持層４８の４側面に対応する４部分に分けることができる。このように分けた記録層５０の各部分に独立的にビットデータが記録される。したがって、前記第１記録媒体の場合、データ保存手段Ｓ１に２ビットデータを保存することができるが、前記第２記録媒体の場合には、データ保存手段Ｓ２に４ビットデータを保存することができる。前記第２記録媒体の基板４０上には、このようなデータ保存手段Ｓ２が複数個備わっており、各データ保存手段Ｓ２は、四方に同じ間隔で離隔されている。
【００３５】
一方、図１及び図２にそれぞれ図示した第１及び第２記録媒体を通じて、本発明の強誘電体記録媒体は多様な形態に変形されうるということが分かる。例えば、本発明の強誘電体記録媒体で、支持層は、図２に図示した４角柱の代りに５角柱や６角柱になることもあり、３個の側面を有する三角柱であり得、ひいては円柱になることもある。
【００３６】
図３は、図１を３−３’方向に切開した、前記第１記録媒体の断面、または図２を３−３’方向に切開した前記第２記録媒体に対する断面を示す。図３の結果は、下記の製造方法を通じて得ることができる。
【００３７】
まず、本発明の第１実施形態による製造方法（以下、第１方法）を図４ないし図８を参照して説明する。
【００３８】
図４を参照すれば、下部電極として使われる基板４０上に支持層４２を形成する。基板４０は、所定の金属基板、例えば、白金基板またはイリジウム基板で形成できる。支持層４２は、記録層を支持するための支持手段として使われる。支持層４２は、ＴｉＯ２を基板４０上に蒸着して形成できる。また、支持層４２は、ＴｉＯ２、ＶＯ２、ＮｂＯ２、ＺｒＯ２、鉄酸化物、ＴｉＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ及びＦｅ２Ｎからなる群から選択された少なくともいずれか一つで形成された層であるが、これらに制限されない。また、支持層４２は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＦｅからなる群から選択された少なくともいずれか一つを基板４０上に蒸着して形成してもよい。支持層４２を形成した後、支持層４２上に支持層４２の所定領域を限定するマスクＰ１を形成する。マスクＰ１は感光膜パターンでありうる。
【００３９】
次いで、支持層４２に対するエッチング工程を実施する。前記エッチング工程は、基板４０の上部面が露出されるまで実施する。前記エッチング工程の結果、図５に図示したように、マスクＰ１周囲の支持層４２が除去され、支持層４０はマスクＰ１の下にのみ残る。
【００４０】
次いで、図６を参照すれば、基板４０上に前記エッチング工程で得られた支持層４２の露出された面を覆うソース物質層６０を形成する。ソース物質層６０は、アニーリング中に支持層４２と反応して強誘電層を形成できる物質層である。例えば、支持層４２がＴｉＯ２層である場合、ソース物質層６０はＰｂＯ層でありうる。ソース物質層６０は、マスクＰ１の全体面を覆うように形成できる。ソース物質層６０を形成した後、マスクＰ１を除去する。この過程でソース物質層６０のうちマスクＰ１の表面に形成された部分も共に除去される。
【００４１】
この結果、図７に図示したように、ソース物質層６０は、基板４０の露出された面と支持層４２の側面にのみ残り、支持層４２の上部面は露出される。次いで、マスクＰ１が除去された結果物を所定の温度範囲で熱処理する。例えば、４００℃〜１４００℃間の温度で、望ましくは５００℃以上でマスクＰ１が除去された結果物に対してＲＴＡを実施する。このような熱処理過程中にソース物質層６０の基板４０上に形成された部分は揮発されて除去され、支持層４２の側面に形成された部分は支持層４２に拡散しつつ支持層４２と反応する。この結果、図８に図示したように、支持層４２の側面に第１及び第２記録層４４、４６が形成される。第１及び第２記録層４４、４６は、それぞれ強誘電層、例えばＰＺＴ層、ＢＳＴ層、ＳＢＴ層、ＰＬＺＴ層、ＰＴＯ層、ＢＦＯ層、ＳＴＯ層、ＢＴＯ層、ＴＮＯ層、ＴＷＯ層及びＫＮＯ層からなる群から選択されたいずれか一つである。第１及び第２記録層４４、４６は、それぞれビットデータが記録される領域である。前記熱処理過程で、熱処理時間や温度などのような熱処理条件を調節してソース物質層６０の拡散速度を調節できる。したがって、第１及び第２記録層４４、４６の幅も前記熱処理条件を調節して調節できる。結局、前記熱処理過程の条件を調節し、そして前記ソース物質層の厚さを調節してビットデータ記録領域の幅を調節できる。
【００４２】
次いで、図９及び図１０を参照して本発明の第２実施形態による製造方法（以下、第２方法）について説明する。
【００４３】
図９を参照すれば、マスクＰ１を形成する工程までは第１方法による。マスクＰ１を形成した後、マスクＰ１が形成された結果物をソース物質ガス７０を含むガス雰囲気に置く。ソース物質ガス７０は、支持層４２と反応して強誘電層を形成できる物質ガスであることが望ましい。例えば、支持層４２がＴｉＯ２である時、ソース物質ガス７０は、ＰｂＯガスでありうる。支持層４２がソース物質ガス７０を含むガス雰囲気下にある間、支持層４２の側面はソース物質ガス７０と接触される。温度がある値以上である時、例えば、４００℃以上である時、前記ソース物質と前記支持層の物質との間の反応がおきて、前記支持層への拡散が行われる。例えば、前記ソース物質ガスがＰｂＯであり、前記支持層の物質がＴｉＯ２である時、ＰｂＴｉＯ３が形成されうる。
【００４４】
前記熱処理は、前記第１方法で説明したような方法で実施できる。
【００４５】
このような熱処理過程中、支持層４２の側面に接触されるソース物質ガス７０は、図９の右側に図示したように、支持層４２の側面に広がりつつ支持層４２と反応する。この結果、支持層４２の側面から内側に強誘電層９５が形成される。このような実施形態でマスクＰ１は、前記製造工程の温度に耐えねばならない。
【００４６】
このような熱処理過程により図１０に図示したように、支持層４２の側面に強誘電体の第１及び第２記録層４４、４６が形成される。前記熱処理過程後、マスクＰ１を除去する。
【００４７】
次いで、本発明及び従来技術による記録媒体を利用する時の動作速度について説明する。
【００４８】
図１１に図示したように、従来技術による記録媒体で、プローブ９０が第１及び第２記録層８０、８２にアクセスする場合を説明する。プローブ９０は、第１記録層８０の位置を探して所定の動作を行う。次いで、プローブ９０は、第２記録層８２にアクセスするために、さらに第２記録層８２の位置を探す。すなわち、プローブ９０を各記録層にアクセスさせるためには各記録層を一つ一つ探さねばならない。しかし、本発明による記録媒体の場合、少なくとも二つの記録層４４、４６が互いに対向するように支持層４２に形成されているために、隣接した記録層のうち一つの記録層４４に対するプローブ９０のアクセスがなされる場合、隣接した二つの記録層のうち残りの記録層４６に対するアクセスは、プローブ９０を単純に支持層４２の上部面を横切って移動させることによってなされる。すなわち、本発明では、支持層４２を介して互いに対向する二つの記録層４４、４６のうちいずれか一つの記録層４４に対するプローブ９０のアクセスがなされる場合、残りの記録層４６に対してはその位置を再び探す過程が不要である。したがって、本発明の強誘電体記録媒体に対する書き込み及び読み出し動作は、従来より速くなるのである。
【００４９】
前述した第１方法で熱処理過程が完了した後、支持層４２の側面にソース物質層６０が残っている場合、これを除去することもできる。また、前記熱処理過程で多様な熱処理装置を利用することもできる。また、前記データ記録層として、前述していない他の強誘電体を使用することもできる。
【００５０】
前述したように、本発明の強誘電体記録媒体は、支持層を備えて前記支持層の側面に形成された、ビットデータが独立的に記録されうる少なくとも二つのデータ記録層を備える。したがって、本発明の記録媒体を利用する場合、前記記録媒体の記録密度は、前記支持層の側面に形成されたデータ記録層の数に対応する因子ほど増大する。また、本発明の記録媒体で、前記二つのデータ記録層は、支持層を中心に互いに対向するように前記支持層の相異なる側面に備わっている。したがって、プローブを前記二つのデータ記録層のうち選択されたいずれか一つにアクセスさせる場合、残りのデータ記録層の位置は、前記選択されたいずれか一つのデータ記録層から定められているところ、前記残りのデータ記録層の位置を探すための別途の探索過程は不要である。すなわち、本発明の記録媒体でプローブは、一つのデータ記録層に対するアクセス過程だけで、結果的には二つのデータ記録層に対するアクセス過程を行えるので、本発明の記録媒体を利用すれば、データの記録及び再生動作速度を速めることができる。
【００５１】
前記した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは発明の範囲を限定するものというより、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、高集積メモリを必要とするあらゆる製品に適用でき、例えば、コンピュータ、デジタル家電製品、デジタルカメラ、カムコーダ、携帯電話、ＧＰＳ、ＰＤＡ、携帯用データ保存装置、ＭＰ３、音声及び／または画像情報処理装置などに使われうる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態による強誘電体記録媒体の立体図である。
【図２】本発明の第２実施形態による強誘電体記録媒体の立体図である。
【図３】図１または図２を３−３’方向に切開した断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による強誘電体記録媒体製造方法を工程別に示した断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による強誘電体記録媒体製造方法を工程別に示した断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による強誘電体記録媒体製造方法を工程別に示した断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による強誘電体記録媒体製造方法を工程別に示した断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による強誘電体記録媒体製造方法を工程別に示した断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態による強誘電体記録媒体製造方法を工程別に示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による強誘電体記録媒体製造方法を工程別に示す断面図である。
【図１１】従来の記録媒体に対するプローブのアクセスを示す断面図である。
【図１２】本発明の記録媒体に対するプローブのアクセスを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
Ｓ１  データ保存手段
４０  基板
４２  支持層
４４、４６  第１及び第２記録層
【図１】
2007036262.tif 000003
【図２】
2007036262.tif 000004
【図３】
2007036262.tif 000005
【図４】
2007036262.tif 000006
【図５】
2007036262.tif 000007
【図６】
2007036262.tif 000008
【図７】
2007036262.tif 000009
【図８】
2007036262.tif 000010
【図９】
2007036262.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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