(57)【要約】【課題】歩留まりを向上させることが可能であり、信頼性が向上した誘電体積層構造体を製造することが可能な誘電体積層構造体の製造方法、信頼性が向上した誘電体積層構造体、及びこのような誘電体積層構造体を備えた配線基板を提供する。【解決手段】コンデンサ１は、金属箔２と、金属箔２主面２ｂ，２ｃ上に形成され、円状の貫通孔１１ａを有する誘電体層１１と、誘電体層１１上に形成され、貫通孔１１ａに連通し、直径が貫通孔１１ａの直径よりも大きい円状の貫通孔１２ａを有する導体層１２とを備える積層体１３を焼成して形成される。貫通孔１１ａ，１２ａは、誘電体層１１上に導体層１２を形成した後に、レーザにより誘電体層１１及び導体層１２を一括して穿孔して形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導体層と、前記第１の導体層の少なくとも一方の主面上に形成され、円状の第１の貫通孔を有する誘電体層と、前記誘電体層上に形成され、前記第１の貫通孔に連通し、直径が前記第１の貫通孔の直径よりも大きい円状の第２の貫通孔を有する第２の導体層とを備える積層体を焼成して形成された誘電体積層構造体の製造方法であって、
前記誘電体層上に前記第２の導体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に前記第２の導体層を形成した後に、レーザにより前記誘電体層及び前記第２の導体層を一括して穿孔し、前記第１及び第２の貫通孔を形成する工程と
を具備することを特徴とする誘電体積層構造体の製造方法。
【請求項２】
前記レーザによる穿孔は、前記第１の導体層上に前記誘電体層及び前記第２の導体層が形成された状態で行われることを特徴とする請求項１記載の誘電体積層構造体の製造方法。
【請求項３】
前記レーザによる穿孔は、前記第１の導体層上に前記誘電体層及び前記第２の導体層が形成される前に行われることを特徴とする請求項１記載の誘電体積層構造体の製造方法。
【請求項４】
前記第１の導体層は金属箔であり、前記誘電体層及び前記第２の導体層は前記金属箔の両方の主面上に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の誘電体積層構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第１の導体層は金属箔であり、前記金属箔は前記第１及び第２の貫通孔に連通した第３の貫通孔を有しており、前記誘電体層及び前記第２の導体層が前記金属箔の少なくとも一方の主面上に形成される前に形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の誘電体積層構造体の製造方法。
【請求項６】
第１の導体層と、
前記第１の導体層の少なくとも一方の主面上に形成され、円状の第１の貫通孔を有する誘電体層と、
前記誘電体層上に形成され、前記第１の貫通孔に連通し、直径が前記第１の貫通孔の直径よりも大きい円状の第２の貫通孔を有する第２の導体層と
を具備することを特徴とする誘電体積層構造体。
【請求項７】
前記第１の貫通孔の側面に対する前記第２の貫通孔の側面の引き下がり長さは、５〜３０μｍであることを特徴とする請求項６記載の誘電体積層構造体。
【請求項８】
前記第１の貫通孔の中心と前記第２の貫通孔の中心との位置ずれが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項６又は７記載の誘電体積層構造体。
【請求項９】
前記第１の導体層は金属箔であり、前記誘電体層及び前記第２の導体層は前記金属箔の両方の主面上に形成されていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の誘電体積層構造体。
【請求項１０】
前記第１の導体層は金属箔であり、前記金属箔は前記第１及び第２の貫通孔に連通した第３の貫通孔を有しており、前記誘電体層及び前記第２の導体層が前記金属箔の少なくとも一方の主面上に形成される前に形成されていることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の誘電体積層構造体。
【請求項１１】
前記第１の導体層は金属箔であり、前記金属箔はＮｉから構成されていることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の誘電体積層構造体。
【請求項１２】
配線基板本体と、
前記配線基板本体上に形成されたビルドアップ層と、
前記ビルドアップ層の内部に配置された請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の誘電体積層構造体と
を具備することを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体積層構造体の製造方法、誘電体積層構造体、及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路技術の進歩によりますます半導体チップの動作が高速化している。それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこで、半導体チップを搭載する配線基板の上面或いは下面にコンデンサを搭載して、ノイズの除去を図っている。
【０００３】
しかしながら、上記の手法では、配線基板の完成後に、別途コンデンサを搭載する必要があるため、他の配線等に制限されることによりコンデンサと半導体チップとの配線距離が長くなり、配線抵抗やインダクタンスが大きくなってしまう。また、配線基板にコンデンサを搭載する領域を予め確保する必要があり、他の電子部品の自由度を低下させてしまう。このようなことから、配線基板にコンデンサを内蔵させる技術が提案されている。
【０００４】
現在、配線基板に内蔵させるコンデンサとしては、例えば、金属箔を用いたコンデンサが知られている（例えば特許文献１参照）。この金属箔を用いたコンデンサとしては、例えば、金属箔上に誘電体層及び導体層がこの順に積層され、かつ誘電体層及び導体層に貫通孔が形成されているものがある。このようなコンデンサを作製する場合、金属箔上に貫通孔を有する誘電体層を形成し、その後誘電体層上にスクリーン印刷により貫通孔を有する導体層を形成している。
【特許文献１】特開２００４−１３４８０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、誘電体層上に導体層をスクリーン印刷により形成すると、誘電体層に対する導体層形成用の印刷マスクの位置ずれが生じ、導体層を構成する導体ペーストが誘電体層の貫通孔内に入り込んでしまい、金属箔と導体層が電気的に導通してしまうことがある。この結果、歩留まりが低下してしまうとともに、コンデンサの信頼性が確保できないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。即ち、歩留まりを向上させることが可能であり、信頼性が向上した誘電体積層構造体を製造することが可能な誘電体積層構造体の製造方法、信頼性が向上した誘電体積層構造体、及びこのような誘電体積層構造体を備えた配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の他の態様によれば、第１の導体層と、前記第１の導体層の少なくとも一方の主面上に形成され、円状の第１の貫通孔を有する誘電体層と、前記誘電体層上に形成され、前記第１の貫通孔に連通し、直径が前記第１の貫通孔の直径よりも大きい円状の第２の貫通孔を有する第２の導体層とを備える積層体を焼成して形成された誘電体積層構造体の製造方法であって、前記誘電体層上に前記第２の導体層を形成する工程と、前記誘電体層上に前記第２の導体層を形成した後に、レーザにより前記誘電体層及び前記第２の導体層を一括して穿孔し、前記第１及び第２の貫通孔を形成する工程とを具備することを特徴とする誘電体積層構造体の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、第１の導体層と、前記第１の導体層の少なくとも一方の主面上に形成され、円状の第１の貫通孔を有する誘電体層と、前記誘電体層上に形成され、前記第１の貫通孔に連通し、直径が前記第１の貫通孔の直径よりも大きい円状の第２の貫通孔を有する第２の導体層とを具備することを特徴とする誘電体積層構造体が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、配線基板本体と、前記配線基板本体上に形成されたビルドアップ層と、前記ビルドアップ層の内部に配置された請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の誘電体積層構造体とを具備することを特徴とする配線基板が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一の態様によれば、歩留まりを向上させることが可能であり、かつ信頼性が向上した誘電体積層構造体を製造することが可能な誘電体積層構造体の製造方法を提供することができる。本発明の他の態様によれば、信頼性が向上した誘電体積層構造体を提供することができる。また、本発明の他の態様によれば、このような誘電体積層構造体を備えた配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１の実施の形態）
以下、図面を参照しながら第１の実施の形態について説明する。図１（ａ）は、本実施の形態に係るコンデンサの縦断面図であり、図１（ｂ）は、本実施の形態に係るコンデンサの平面図である。
【００１２】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示される誘電体積層構造体としてのコンデンサ１は、円状の貫通孔２ａ（第３の貫通孔）を有する第１の導体層としての金属箔２を備えている。本実施の形態では、第１の導体層として、金属箔２を使用した例について説明しているが、第１の導体層は、導体シート、或いは導体ペーストから構成された導体ペースト層であってもよい。
【００１３】
金属箔２は、例えばＮｉ等から構成されている。金属箔２の厚さは、１０〜１００μｍとなっている。金属箔２の厚さをこの範囲としたのは、１０μｍ未満になると取扱いが困難となるからであり、また１００μｍを超えると、後述するビルドアップ層２２への内蔵が困難となるからである。
【００１４】
金属箔２の主面２ｂ、及び主面２ｂと反対側の主面２ｃ上には、円状の貫通孔３ａ（第１の貫通孔）を有する誘電体層３が形成されている。貫通孔３ａは複数形成されており、一部の貫通孔３ａは貫通孔２ａと連通している。誘電体層３は、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックから構成されている。その他、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックからも構成することができ、要求特性に応じてアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックからも構成することができる。
【００１５】
貫通孔２ａと連通している貫通孔３ａの側面３ａ１は、貫通孔２ａの側面２ａ１に対して引き下がっている。具体的には、貫通孔２ａと連通している貫通孔３ａは貫通孔２ａに対して同心円状に形成されているとともに貫通孔３ａの直径は貫通孔２ａの直径より大きくなっている。
【００１６】
側面２ａ１に対する側面３ａ１の引き下がり長さｄ１は１０〜４０μｍであることが好ましい。この範囲が好ましいとしたのは、１０μｍ未満であると、後述するビア３３を形成するためのスルーホール４３を形成する際に誘電体層３にもレーザが照射されてしまい、誘電体層３にクラック等が生じてしまうおそれがあるからであり、４０μｍを超えると、後述するように側面３ａ１より側面４ａ１が引き下がっているために導体層４の面積が所望の面積以下となってしまい、コンデンサ１の静電容量が所望の容量以下となってしまうおそれがあるからである。
【００１７】
誘電体層３の厚さは、０．３〜１０μｍとなっている。誘電体層３の厚さをこの範囲としたのは、０．３μｍ未満になると所定の絶縁耐圧を確保することが困難であり、また１０μｍを超えるとコンデンサ１に反りやうねり等の変形が発生してしまうおそれがあるからである。なお、本実施の形態では、金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上の両方に誘電体層３及び導体層４が形成されているが、誘電体層３及び後述する導体層４は、金属箔２の主面２ｂ，２ｃの少なくとも一方に形成されていればよい。
【００１８】
誘電体層３上には、貫通孔３ａに連通した円状の貫通孔４ａ（第２の貫通孔）を有する第２の導体層としての導体層４が形成されている。導体層４は、例えば、主にＮｉ等から構成されている。なお、コンデンサ１の状態においては、金属箔２、誘電体層３、及び導体層４は焼成後の状態にある。
【００１９】
貫通孔４ａの側面４ａ１は、貫通孔３ａの側面３ａ１に対して引き下がっている。具体的には、貫通孔３ａの中心と貫通孔４ａの中心との位置ずれが１０μｍ以下となっているとともに貫通孔４ａの直径は貫通孔３ａの直径より大きくなっている。
【００２０】
側面３ａ１に対する側面４ａ１の引き下がり長さｄ２は５〜３０μｍであることが好ましい。この範囲が好ましいとしたのは、５μｍ未満であると、金属箔２と貫通孔４ａの側面４ａ１との距離（絶縁距離）が所望の長さ以上確保できないおそれがあるからであり、３０μｍを超えると、導体層４の面積が所望の面積以下となってしまい、コンデンサ１の静電容量が所望の容量以下となってしまうおそれがあるからである。
【００２１】
このようなコンデンサ１は、以下のようにして作製することができる。図２（ａ）〜図３（ｂ）は、本実施の形態に係るコンデンサの模式的な製造工程図である。
【００２２】
まず、図２（ａ）に示されるように、例えばウエットエッチング等のエッチングにより金属箔２をパターニングし、金属箔２に貫通孔２ａを形成する。貫通孔２ａは、エッチングに限らず、レーザにより形成されていてもよい。
【００２３】
次いで、図２（ｂ）に示されるように貫通孔２ａが形成された金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等の樹脂フィルム（図示せず）が貼着された誘電体層１１を圧着し、その後樹脂フィルムを剥離する。これにより、金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に誘電体層１１が形成される。なお、誘電体層１１は誘電体層３の焼成前の状態であり、誘電体層１１としては例えばセラミックグリーンシートやセラミックペースト層等が挙げられる。
【００２４】
金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に誘電体層１１を形成した後、図２（ｃ）に示されるように誘電体層１１上にＰＥＴフィルム等の樹脂フィルム（図示せず）が貼着された導体層１２を圧着する。これにより、誘電体層１１上に導体層１２が形成される。なお、導体層１２は導体層４の焼成前の状態であり、導体層１２は導体シート或いは導体ペースト層から構成されている。
【００２５】
金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に誘電体層１１及び導体層１２を形成した後、導体層１２上に樹脂フィルムが貼着された状態で、レーザにより誘電体層１１及び導体層１２を一括して穿孔して、図３（ａ）に示されるように誘電体層１１及び導体層１２に貫通孔１１ａ，１２ａを形成する。ここで、レーザにより誘電体層１１及び導体層１２を一括して穿孔すると、誘電体層１１よりも導体層１２の方が低融点であることから、導体層１２が誘電体層１１より先に溶融して、貫通孔１２ａの側面１２ａ１が貫通孔１１ａの側面１１ａ１よりも引き下がる。これにより、図３（ａ）に示される積層体１３が形成される。
【００２６】
その後、積層体１３を切断機により所定の大きさに切断して、導体層１２に貼着されている樹脂フィルムを剥離する。
【００２７】
次いで、積層体１３を例えば大気中において所定温度で所定時間脱脂した後、還元雰囲気中において所定温度で所定時間焼成する。この焼成により、誘電体層１１及び導体層１２が焼結して、誘電体層３及び導体層４が形成される。ここで、焼成の際には、図３（ｂ）に示されるように側面１２ａ１が側面１１ａ１に対して更に引き下がる。これにより、図１に示されるコンデンサ１が作製される。
【００２８】
このようなコンデンサ１は、配線基板に内蔵されて使用される。図４は、本実施の形態に係る配線基板の縦断面図である。
【００２９】
図４に示されるように配線基板２０は、配線基板本体としてのコア基板２１を備えている。コア基板２１上には、ビルドアップ層２２が形成されている。ビルドアップ層２２は、複数の絶縁層２３〜２５と、絶縁層２３，２４間等に形成され、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、等の導電性材料から構成された複数の配線層２６〜２９とを備えている。絶縁層２３〜２５としては、エポキシ系樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂フィルムから構成される。
【００３０】
ビルドアップ層２２の内部、具体的には例えば絶縁層２４，２５間には、コンデンサ１が配置されている。コンデンサ１の金属箔２はビア３０を介して配線層２７に電気的に接続されており、導体層４はビア３１，３２を介して配線層２６，２８，２９に電気的に接続されている。また、配線層２６，２９は貫通孔２ａ〜４ａ内に形成されたビア３３により電気的に接続されている。なお、側面２ａ１〜４ａ１とビア３３との間には、絶縁層２４，２５が入り込んでおり、金属箔２及び導体層４とビア３３とは電気的に絶縁されている。ビア３０〜３３は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、等の導電性材料から構成されている。
【００３１】
このような配線基板は、以下のようにして作製することができる。図５（ａ）〜図６（ｂ）は、本実施の形態に係る配線基板の模式的な製造工程図である。
【００３２】
まず、図５（ａ）に示されるようにコンデンサ１を上下両面から絶縁層４１，４２で挟み込み、所定温度で真空ラミネートする。絶縁層４１，４２は絶縁層２４，２５の熱硬化前の状態である。
【００３３】
その後、絶縁層４１，４２を仮熱硬化させた後、図５（ｂ）に示されるようにレーザにより絶縁層４１，４２の両面から所定の位置にビアホール４３を形成する。
【００３４】
ビアホール４３を形成した後、絶縁層４１，４２の粗化を行い、その後例えばめっき法により、ビアホール４３内にめっきを充填してビア３０〜３３を形成するとともに配線層２６〜２９を形成する。ビア３０〜３３等を形成した後、所定温度で所定時間加熱する。この加熱により、図６（ａ）に示されるように絶縁層４１，４２が熱硬化して、絶縁層２４，２５が形成される。
【００３５】
その後、図６（ｂ）に示されるようにコンデンサ１が内蔵された絶縁層２４，２５を、コア基板２１上に形成された絶縁層４３上の所定の位置にマウンター等を用いて配置する。絶縁層４３は絶縁層２３の熱硬化前の状態である。そして、これらを所定温度で所定時間加熱する。この加熱により、絶縁層４３が熱硬化して、絶縁層２３が形成され、図４に示される配線基板２０が作製される。
【００３６】
本実施の形態では、誘電体層１１上に導体層１２を形成した状態で、レーザにより誘電体層１１及び導体層１２を一括して穿孔するので、貫通孔１１ａ内への導体層１２の入り込みが解消され、歩留まりを向上させることができる。また、この方法によれば、誘電体層１１に対する導体層１２の形成位置を考慮する必要がほぼないので、製造効率を向上させることができる。
【００３７】
本実施の形態では、誘電体層１１上に導体層１２を形成した状態で、レーザにより誘電体層１１及び導体層１２を一括して穿孔するので、上記したように側面１１ａ１に対して側面１２ａ１が引き下がるとともに、貫通孔１１ａの中心と貫通孔１２ａの中心との位置ずれが１０μｍ以下となる。これにより、焼成後においては、側面３ａ１に対する側面４ａ１の引き下がり長さｄ２が側面４ａ１の全体においてほぼ均一となり、金属箔２と導体層４との距離（絶縁距離）を確実に確保することができる。それ故、信頼性が向上したコンデンサ１を得ることができる。
【００３８】
本実施の形態では、誘電体層１１が金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に形成される前に貫通孔２ａを形成するので、誘電体層３，１１がエッチング液に晒されることがない。これにより、誘電体層３の損傷を低減させることができ、その結果誘電体層３の絶縁抵抗の低下や金属箔２からの誘電体層３の剥離等を抑制することができる。ここで、図７（ａ）は、本実施の形態に係る焼成前の金属箔の貫通孔の側面の状態を表した写真であり、図７（ｂ）は、本実施の形態に係る焼成後の金属箔の貫通孔の側面の状態を表した写真であるが、誘電体層１１が金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に形成される前に貫通孔２ａを形成した場合には、金属箔２に貫通孔２ａが形成された状態で、焼成されるので、貫通孔２ａの側面２ａ１は、エッチングにより粗面化していたものが（図７（ａ））、焼成により金属箔２の金属粒子が成長（粒子同士が結合）するために平坦化する（図７（ｂ））。一方、誘電体層１１が金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に形成された状態で、金属箔２にエッチングにより貫通孔２ａを形成し、その後焼成した場合であっても、上記したように貫通孔２ａの側面２ａ１は平坦化するが、この場合には、誘電体層１１がエッチング液により侵食し、損傷を受ける。従って、貫通孔２ａの側面２ａ１が平坦化しており、かつ誘電体層３の損傷が低減されている場合には、誘電体層１１が金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に形成される前に貫通孔２ａを形成していると判断することができる。
【００３９】
金属箔２、誘電体層１１、導体層１２の少なくともいずれかが配線基板２０に埋め込まれている状態で金属箔２に貫通孔２ａを形成した場合には、配線基板２０に埋め込まれている状態で焼成されることとなるが、配線基板２０を焼成温度まで加熱することは困難である。これに対し、本実施の形態では、金属箔２、誘電体層１１、導体層１２の少なくともいずれかが配線基板２０に埋め込まれていない状態で金属箔２に貫通孔２ａを形成しているので、積層体１３が配線基板２０に埋め込まれていない状態で、焼成することができる。これにより、コンデンサ１を内蔵した配線基板２０を作製することができる。
【００４０】
金属箔２の主面２ｂ上のみ或いは主面２ｃ上のみに誘電体層１１及び導体層１２を形成した状態で焼成すると、焼結時において誘電体層１１は焼結収縮するのに対し、金属箔２はほぼ収縮しないので、焼結時にコンデンサ１に反りやうねり等の変形が発生するおそれがある。また、誘電体層１１と金属箔２の熱膨張率が異なる場合には、特に焼結後の誘電体層３の降温時に熱膨張率の差に起因してコンデンサ１に反りやうねり等の変形が発生するおそれがある。この結果、配線基板２０への内蔵が困難になるとともに、無理に配線基板２０に内蔵しようとすると、誘電体層３にクラックが生じるおそれがある。これに対し、本実施の形態では、金属箔２の両方の主面２ｂ，２ｃ上にそれぞれ誘電体層１１及び導体層１２を形成しているので、焼結時にコンデンサ１に反りやうねり等の変形が生じ難い。これにより、コンデンサ１を容易に配線基板２０に内蔵することができる。また、金属箔２の両方の主面２ｂ，２ｃ上にそれぞれ誘電体層１１及び導体層１２を形成しているので、金属箔２の主面２ｂ上のみ或いは主面２ｃ上のみに誘電体層１１及び導体層１２を形成した場合に比べて、ほぼ２倍の静電容量を得ることができる。
【００４１】
本実施の形態では、金属箔２等に互いに連通する貫通孔２ａ〜４ａを形成しているので、貫通孔２ａ〜４ａ内にビア３３を形成することができる。これにより、配線距離を長くせずに配線層２６と配線２９とを電気的に接続することができる。
【００４２】
（第２の実施の形態）
以下、図面を参照しながら第２の実施の形態について説明する。本実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる方法によりコンデンサを作製する例について説明する。なお、本実施の形態においては、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号が付してあるとともに、第１の実施の形態で説明した内容と重複する内容については下記以外省略する。図８（ａ）〜図８（ｃ）は本実施の形態に係るコンデンサの模式的な製造工程図である。
【００４３】
まず、第１の実施の形態と同様に金属箔２に貫通孔２ａを形成する。また、一方で、誘電体層１１上に導体層１２を圧着する。これにより、図８（ａ）に示されるように誘電体層１１上に導体層１２が形成される。
【００４４】
次いで、レーザにより誘電体層１１及び導体層１２を一括して穿孔して、図８（ｂ）に示されるように誘電体層１１及び導体層１２に貫通孔１１ａ，１２ａを形成する。貫通孔１２ａの側面１２ａ１は、貫通孔１１ａの側面１１ａ１よりも引き下がっている。
【００４５】
誘電体層１１及び導体層１２に貫通孔１１ａ，１２ａを形成した後、一部の貫通孔１１ａ，１２ａが貫通孔２ａと連通するように誘電体層１１及び導体層１２の位置合わせをし、貫通孔２ａが形成された金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に、誘電体層１１及び導体層１２を圧着する。これにより、図８（ｃ）に示されるように金属箔２の主面２ｂ，２ｃ上に誘電体層１１及び導体層１２が形成される。その後、第１の実施で説明した焼成等の工程と同様の工程を経ることにより、図１に示されるコンデンサ１と同様のコンデンサが得られる。なお、第１の実施の形態と同様に焼成の際には、側面１１ａ１に対して側面１２ａ１が更に引き下がる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例１〜３及び比較例１，２について説明する。まず、実施例１〜３及び比較例１，２で使用したコンデンサ、配線基板、及びその作製手順についてそれぞれ説明する。
【００４７】
（実施例１）
実施例１においては、Ｎｉ箔（金属箔）、チタン酸バリウムグリーンシート（誘電体層）、及びＮｉグリーンシート（導体層）を用いて、上記第１の実施の形態と同様の手法によりＮｉ箔の両面にチタン酸バリウム層及びＮｉ層が形成されたコンデンサを作製するとともに、作製されたコンデンサを用いて配線基板を作製した。具体的には、以下のものを用いて、以下の手順によりコンデンサ及びコンデンサが内蔵された配線基板を作製した。
【００４８】
（１）Ｎｉ箔の作製
Ｎｉ箔は、厚さ３０μｍ及び１５０ｍｍ角の大きさに形成されている。Ｎｉ箔には、エッチング液（塩化第二鉄溶液）を用いたエッチングにより貫通孔が形成されている。
【００４９】
（２）チタン酸バリウムグリーンシートの作製
所定量のチタン酸バリウム粉（平均粒径０．７μｍ）に、分散剤、可塑剤を加えてエタノールとトルエンを混合溶剤中で湿式混合し、十分に混合した後、バインダを添加してさらに混合し、スラリを得た。そして、このスラリから、ドクターブレード法などの汎用の方法により厚さ７μｍのチタン酸バリウムグリーンシートを得た。なお、チタン酸バリウムグリーンシートも、１５０ｍｍ角の大きさに形成されている。
【００５０】
（３）Ｎｉグリーンシートの作製
上記チタン酸バリウムグリーンシートの作製方法と同様の方法により厚さ７μｍのＮｉグリーンシートを得た。なお、Ｎｉグリーンシートも、１５０ｍｍ角の大きさに形成されている。
【００５１】
（４）Ｎｉペーストの作製
分散剤、バインダーをターピネオールに溶解させ、上記と同じＮｉ粉末と共に三本ロールを用いて混練してペーストを得た。
【００５２】
（５）積層体の作製
Ｎｉ箔の両面に、８０℃、５００ｋｇｆ／ｃｍ２の条件でチタン酸バリウムグリーンシートをＮｉ箔に圧着した。そして、チタン酸バリウムグリーンシートに貼着されているＰＥＴフィルムを剥離した後、その両面にＮｉグリーンシートを積層し、８０℃、７５０ｋｇｆ／ｃｍ２で本圧着した。次いで、ＮｉグリーンシートにＰＥＴフィルムが貼着されている状態で、Ｎｉ箔の貫通孔と同位置にレーザでチタン酸バリウムグリーンシートとＮｉグリーンシートに一括して貫通孔を形成した。その後、これらを汎用の切断機により２５ｍｍ角に切断し、Ｎｉグリーンシートに貼着されているＰＥＴフィルムを剥離し、積層体を形成した。
【００５３】
（６）脱脂・焼成
上記積層体を大気中において２５０℃で１０時間脱脂した後、還元雰囲気中において１３００℃で所定時間焼成した。焼成後の厚さは、チタン酸バリウムグリーンシートとＮｉグリーンシートともに４μｍであった。この手順によりコンデンサが作製された。
【００５４】
（７）絶縁樹脂フィルムラミネート
上記で形成されたコンデンサの両面から配線基板に用いられる絶縁樹脂フィルム（絶縁層）を１００℃、７ｋｇｆ／ｃｍ２で真空ラミネートした。そして、絶縁樹脂フィルムを仮熱硬化させた後、レーザで絶縁樹脂フィルムの配線基板にマウントされる側の所定の位置にビアホールを形成した。その後、絶縁樹脂フィルムの粗化を行い、Ｃｕめっき法によりビアホール内にビアを形成するとともに配線層を形成し、１７０℃、９０分で絶縁樹脂フィルムを熱硬化させた。
【００５５】
（８）配線基板へのラミネート
周知のプロセスで作製したコア基板上に絶縁樹脂フィルムをラミネートした後、マウンター等を用いて上記形成されたコンデンサがラミネートされた絶縁樹脂フィルムを所定の位置に設置し、絶縁樹脂フィルムを仮熱硬化させた。その後、周知のビルドアッププロセスによりコンデンサが内蔵された配線基板を作製した。
【００５６】
（実施例２）
実施例２においては、Ｎｉ箔の代わりのＮｉグリーンシート（導体層）、チタン酸バリウムグリーンシート（誘電体層）、及びＮｉグリーンシート（導体層）を用いて、チタン酸バリウム層の両面にＮｉ層が形成されたコンデンサを作製するとともに、作製されたコンデンサを用いてコンデンサが内蔵された配線基板を作製した。
【００５７】
具体的には、チタン酸バリウムグリーンシートの両面にＮｉグリーンシートをそれぞれ圧着し、チタン酸バリウムグリーンシートとＮｉグリーンシートにおける所定の位置にレーザにより一括して貫通孔を形成する。その他の条件は実施例１と同様である。
【００５８】
（実施例３）
実施例３においては、Ｎｉ箔（金属箔）、チタン酸バリウムグリーンシート（誘電体層）、及びＮｉグリーンシート（導体層）を用いて、上記第２の実施の形態と同様の手法によりＮｉ箔上にチタン酸バリウム層及びＮｉ層が形成されたコンデンサを作製するとともに、作製されたコンデンサを用いてコンデンサが内蔵された配線基板を作製した。
【００５９】
具体的には、チタン酸バリウムグリーンシートとＮｉグリーンシートを予め圧着し、チタン酸バリウムグリーンシートとＮｉグリーンシートにおけるＮｉ箔の貫通孔と同位置にレーザにより一括して貫通孔を形成する。その後、Ｎｉ箔と位置合わせをして、チタン酸バリウムグリーンシートとＮｉグリーンシートの積層体をＮｉ箔に圧着した。その他の条件は実施例１と同様である。
【００６０】
（実施例４）
実施例４においては、Ｎｉ箔（金属箔）、チタン酸バリウムグリーンシート（誘電体層）、及びＮｉペースト層（導体層）を用いて、上記第１の実施の形態と同様の手法によりＮｉ箔上にチタン酸バリウム層及びＮｉ層が形成されたコンデンサを作製するとともに、作製されたコンデンサを用いてコンデンサが内蔵された配線基板を作製した。
【００６１】
具体的には、Ｎｉ箔にチタン酸バリウムグリーンシートを圧着し、Ｎｉペーストを全面に印刷する。そしてＮｉ箔の貫通孔と同位置にレーザにより一括して貫通孔を形成する。その他の条件は実施例１と同様である。
【００６２】
（比較例１）
比較例１においては、Ｎｉ箔（金属箔）、チタン酸バリウムグリーンシート（誘電体層）、及びＮｉペースト層（導体層）を用いて、Ｎｉ箔上にチタン酸バリウム層及びＮｉ層が形成されたコンデンサを作製するとともに、作製されたコンデンサを用いてコンデンサが内蔵された配線基板を作製した。
【００６３】
具体的には、予めチタン酸バリウムグリーンシートにＮｉ箔の貫通孔と同位置にレーザで貫通孔を形成し、Ｎｉ箔と位置合わせをして、Ｎｉ箔にチタン酸バリウムグリーンシートを圧着した。その後、チタン酸バリウムグリーンシート上にＮｉペースト層をスクリーン印刷により形成した。その他の条件は実施例１と同様である。
【００６４】
（比較例２）
比較例２においては、実施例１と同様に、Ｎｉ箔（金属箔）、チタン酸バリウムグリーンシート（誘電体層）、及びＮｉペースト層（導体層）を用いて、Ｎｉ箔上にチタン酸バリウム層及びＮｉ層が形成されたコンデンサを作製するとともに、作製されたコンデンサを用いてコンデンサが内蔵された配線基板を作製した。
【００６５】
具体的には、予めチタン酸バリウムグリーンシートにＮｉ箔の貫通孔と同位置にレーザで貫通孔を形成し、Ｎｉ箔と位置合わせをして、Ｎｉ箔にチタン酸バリウムグリーンシートを圧着した。その後、チタン酸バリウムグリーンシート上にＮｉペースト層をスクリーン印刷により形成した。ただし、比較例２においては、Ｎｉペースト層がチタン酸バリウムグリーンシートの貫通孔内に入らないように、チタン酸バリウムグリーンシートの貫通孔の側面に対するＮｉペースト層の貫通孔の側面の引き下がり長さが比較例１より大きくなるような印刷マスクを使用した。
【００６６】
上記説明した実施例１〜３及び比較例１，２におけるコンデンサのチタン酸バリウム層の貫通孔付近のＮｉ層の様子を観察するとともに、チタン酸バリウム層の貫通孔の側面に対するＮｉ層の貫通孔の側面の引き下がり長さを測定した。
【００６７】
以下、結果について述べる。比較例１においては、一部のＮｉ層がチタン酸バリウム層の貫通孔に入り込んで、Ｎｉ箔とＮｉ層が短絡していた。これに対し、実施例１〜３においては、Ｎｉ層がチタン酸バリウム層の貫通孔には入り込んでおらず、Ｎｉ箔とＮｉ層は短絡していなかった。
【００６８】
一方、比較例２においては、引き下がり長さは、６０μｍであり、引き下がり長さが大き過ぎるためにコンデンサの静電容量としては許容範囲外となっていた。これに対し、実施例１〜３においては、引き下がり長さは１２μｍであった。また、実施例４では２０μｍであった。ここで、実施例１〜４においてもＮｉ層の貫通孔の側面が引き下がっているため、コンデンサの静電容量としては低下するが、引き下がり長さは１２μｍ又は２０μｍと比較的小さいので、コンデンサの容量容量としては許容範囲内であった。
【００６９】
この結果から、誘電体層と導体層を積層した状態で、レーザにより誘電体層及び導体層を一括して穿孔して、誘電体層及び導体層のそれぞれに貫通孔を形成した場合には、金属箔と導体層との短絡を抑制できるとともにコンデンサの静電容量の低下を抑制できることが確認された。
【００７０】
本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記第１及び第２の実施の形態では、金属箔２に貫通孔２ａが形成されているが、金属箔２に貫通孔２ａが形成されていなくともよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）は、第１の実施の形態に係るコンデンサの縦断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態に係るコンデンサの平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態に係るコンデンサの模式的な製造工程図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施の形態に係るコンデンサの模式的な製造工程図である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線基板の縦断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施の形態に係る配線基板の模式的な製造工程図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施の形態に係る配線基板の模式的な製造工程図である。
【図７】（ａ）は、第１の実施の形態に係る焼成前の金属箔の貫通孔の側面の状態を表した写真であり、（ｂ）は、第１の実施の形態に係る焼成後の金属箔の貫通孔の側面の状態を表した写真である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施の形態に係るコンデンサの模式的な製造工程図である。
【符号の説明】
【００７２】
１…コンデンサ、２…金属箔、２ａ，３ａ，４ａ，１１ａ，１２ａ…貫通孔、２ａ１，３ａ１，４ａ１，１１ａ１，１２ａ１…側面、２ｂ，２ｃ…主面、３，１１…誘電体層、４，１２…導体層、２０…配線基板、２１…コア基板、２２…ビルドアップ層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007158186.tif 000007
【図６】
2007158186.tif 000008
【図８】
2007158186.tif 000009
【図７】
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