(57)【要約】【課題】Ｃｕを含有させることなく、高い抵抗率が得られる非磁性Ｚｎフェライトを提供する。【解決手段】酸化鉄と酸化亜鉛とを主成分とする非磁性Ｚｎフェライトに、酸化マンガン、酸化ニッケルおよび酸化マグネシウムのグループから選択された少なくとも１種の金属酸化物を所定量含有させて非磁性Ｚｎフェライトを構成する。【選択図】図１
2007091539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％含有され、酸化マンガンがＭｎ2Ｏ3換算で０．０５〜４．０モル％含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）からなることを特徴とする非磁性Ｚｎフェライト。
【請求項２】
酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％含有され、酸化ニッケルがＮｉＯ換算で０．７〜７．０モル％含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）からなることを特徴とする非磁性Ｚｎフェライト。
【請求項３】
酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％含有され、酸化マグネシウムがＭｇＯ換算で０．７〜７．０モル％含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）からなることを特徴とする非磁性Ｚｎフェライト。
【請求項４】
前記酸化マグネシウムの含有量の一部を酸化ニッケルに置き換えて含有させてなり、当該酸化ニッケルの含有量（ＮｉＯ換算）と酸化マグネシウムの含有量（ＭｇＯ換算）の総和が０．７〜７．０モル％である請求項３に記載の非磁性Ｚｎフェライト。
【請求項５】
前記酸化亜鉛の含有量の一部を酸化マンガンに置き換えて含有させてなり、当該酸化マ
ンガンの含有量がＭｎ2Ｏ3換算で０．０５〜４．０モル％である請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の非磁性Ｚｎフェライト。
【請求項６】
バリスタ層と内部電極を有するバリスタ素子部と、フェライト層と内部導体を有するインダクタ素子部とを直接または接合中間層を介して接合してなる複合積層型電子部品であって、
前記フェライト層は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の非磁性Ｚｎフェライトであることを特徴とする複合積層型電子部品。
【請求項７】
前記バリスタ層は、その主成分がＺｎＯからなる請求項６に記載の複合積層型電子部品。
【請求項８】
前記接合中間層は、前記フェライト層を構成する組成成分と前記バリスタ層を構成する酸化亜鉛（ＺｎＯ）を所定の割合で混合することにより構成されてなる請求項６に記載の複合積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、フェライトーバリスタ複合部品に用いられる非磁性Ｚｎフェライトおよびこれを用いた複合積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ機器等では、機器自らノイズを発生させないように、また、外部から機器内にノイズを侵入させないように、回路基板の入出力部や回路途中にフェライトチップやコンデンサチップやバリスタ等が組み込まれている。
【０００３】
しかしながら、積層型バリスタ、インダクタ（フェライトチップ）、コンデンサチップ等の多くの部品を回路基板に付加すると、これらの部品が基板面積を多く占有してしまい、実装スペースが拡大してしまうという問題がある。また、部品点数が増えることによりコストアップの問題が生じてしまう。
【０００４】
このような問題に対して各素子チップを互いに接合させた状態で一体化焼結させて複合部品をつくり、部品のコンパクト化、実装スペースの削減化等を図る試みがなされている。
【０００５】
インダクタ（フェライトチップ）の素地材料として、非磁性フェライトが用いられる場合がある。この場合には、いわゆる空芯コイルが形成されたインダクタ構造となる。このように空芯コイルを構成するインダクタは、芯体が非磁性であるためにコイルを多く巻く必要があるが、より高い周波数領域まで良好な特性を示すという長所がある。
【０００６】
非磁性フェライトとしては、Ｆｅ2Ｏ3とＺｎＯのみを含むＺｎフェライトが代表的であり、さらに低温焼結を可能とするためにＣｕＯの添加が一般的に行われている（例えば、特開平１−１５８７０６号公報）。
【０００７】
さらに、本願と関連があると考えられる先行技術として特開２００４−３３９０１６号公報が挙げられる。特開２００４−３３９０１６号公報によれば、Ｆｅ2Ｏ3とＣｕＯとＺｎＯとを含むフェライトの組成に対して、添加物として酸化チタンを添加することによって、ＣｕＯやＺｎＯの析出を抑制することができ、安定した高絶縁抵抗を有する非磁性フェライトが得られるとされている。
【０００８】
しかしながら、Ｃｕを含有する非磁性Ｚｎフェライトを素地材料としてインダクタ（フェライトチップ）を構成し、このインダクタとバリスタとを一体化焼結させた場合には、インダクタ素地中に含有されるＣｕがバリスタ素子側に拡散移行していき、バリスタ特性が劣化するという不都合が生じる。
【０００９】
また、非磁性ＺｎフェライトからＣｕを除いた場合には、添加物として酸化チタンを添加したとしても、製品として確保すべき高い抵抗率を得ることができないという不都合が生じる。
【００１０】
【特許文献１】特開平１−１５８７０６号公報
【特許文献２】特開２００４−３３９０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
このような実状のもとに本発明は創案されたものであって、その目的は、Ｃｕを含有させることなく、高い抵抗率が得られる非磁性Ｚｎフェライトを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような課題を解決するために、本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％含有され、酸化マンガンがＭｎ2Ｏ3換算で０．０５〜４．０モル％含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）からなるように構成される。
【００１３】
また、本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％含有され、酸化ニッケルがＮｉＯ換算で０．７〜７．０モル％含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）からなるように構成される。
【００１４】
また、本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％含有され、酸化マグネシウムがＭｇＯ換算で０．７〜７．０モル％含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）からなるように構成される。
【００１５】
また、本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、前記酸化マグネシウムの含有量の一部を酸化ニッケルに置き換えて含有させてなり、当該酸化ニッケルの含有量（ＮｉＯ換算）と酸化マグネシウムの含有量（ＭｇＯ換算）の総和が０．７〜７．０モル％であるように構成される。
【００１６】
また、本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、前記酸化亜鉛の含有量の一部を酸化マンガンに置き換えて含有させてなり、当該酸化マンガンの含有量がＭｎ2Ｏ3換算で０．０５〜４．０モル％であるように構成される。
【００１７】
また、本発明の複合積層型電子部品は、バリスタ層と内部電極を有するバリスタ素子部と、フェライト層と内部導体を有するインダクタ素子部とを直接または接合中間層を介して接合してなる複合積層型電子部品であって、前記フェライト層は、上述したいずれかに記載の非磁性Ｚｎフェライトであるように構成される。
【００１８】
また、本発明の複合積層型電子部品の好ましい態様として、前記バリスタ層は、その主成分がＺｎＯからなるように構成される。
【００１９】
また、本発明の複合積層型電子部品の好ましい態様として、前記接合中間層は、前記フェライト層を構成する組成成分と前記バリスタ層を構成する酸化亜鉛（ＺｎＯ）を所定の割合で混合することにより構成される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄と酸化亜鉛とを主成分とする非磁性Ｚｎフェライト主成分に、酸化マンガン、酸化ニッケルおよび酸化マグネシウムのグループから選択された少なくとも１種の金属酸化物が所定量含有されているので、Ｃｕを含有させることなく、１０6Ω・ｍ以上の高い抵抗率が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２２】
本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄と酸化亜鉛とを主成分とする非磁性Ｚｎフェライト成分に、酸化マンガン、酸化ニッケルおよび酸化マグネシウムのグループから選択された少なくとも１種以上の金属酸化物を含有して構成されている。そして、本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、バリスタ素子との接合において特性劣化の要因となる酸化銅を含んでいない。
以下、具体的態様について説明する。
【００２３】
（１）Ｆｅ−Ｚｎ−Ｍｎ系の非磁性フェライト
本発明における第１の態様である非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％（より好ましくは、４６．０〜４９．５モル％）含有され、酸化マンガンがＭｎ2Ｏ3換算で０．０５〜４．０モル％（より好ましくは、０．２〜１．５モル％）含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）から構成されている。
【００２４】
酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５モル％未満となると、焼結が進行しにくくなり抵抗率が低下するという不都合が生じる傾向がある。この一方で、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４９．７モル％を超えると、Ｆｅ2+量が増加し抵抗率が低下するという不都合が生じる傾向がある。
【００２５】
酸化マンガンがＭｎ2Ｏ3換算で０．０５モル％未満となると、抵抗率の改善効果が十分に得られないという不都合が生じる傾向がある。この一方で、酸化マンガンがＭｎ2Ｏ3換算で４．０モル％を超えると、抵抗率が低下するという不都合が生じる傾向がある。
【００２６】
（２）Ｆｅ−Ｚｎ−Ｎｉ系の非磁性フェライト
本発明における第２の態様である非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％（より好ましくは、４６．０〜４９．５モル％）含有され、酸化ニッケルがＮｉＯ換算で０．７〜７．０モル％（より好ましくは、１．０〜５．０モル％）含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）から構成されている。
【００２７】
酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５モル％未満となると、上述したように抵抗率が低下するという不都合が生じる傾向がある。この一方で、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４９．７モル％を超えると、上述したように抵抗率が低下するという不都合が生じる傾向がある。
【００２８】
酸化ニッケルがＮｉＯ換算で０．７モル％未満となると、抵抗率の改善効果が十分に得られないという不都合が生じる傾向がある。この一方で、酸化ニッケルがＮｉＯ換算で７．０モル％を超えると、非磁性性を保持することが困難になるという不都合が生じる傾向がある。
【００２９】
（３）Ｆｅ−Ｚｎ−Ｍｇ系の非磁性フェライト
本発明における第３の態様である非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５〜４９．７モル％（より好ましくは、４６．０〜４９．５モル％）含有され、酸化マグネシウムがＭｇＯ換算で０．７〜７．０モル％（より好ましくは、１．０〜５．０モル％）含有され、残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ換算）から構成されている。
【００３０】
酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４５モル％未満となると、上述したように抵抗率が低下するという不都合が生じる傾向がある。この一方で、酸化鉄がＦｅ2Ｏ3換算で４９．７モル％を超えると、上述したように抵抗率が低下するという不都合が生じる傾向がある。
【００３１】
酸化マグネシウムがＭｇＯ換算で０．７モル％未満となると、抵抗率の改善効果が十分に得られなくなるという不都合が生じる傾向がある。この一方で、酸化マグネシウムがＭｇＯ換算で７．０モル％を超えると、非磁性性を保持することが困難になるという不都合が生じる傾向がある。
【００３２】
（４）Ｆｅ−Ｚｎ−（Ｍｇ，Ｎｉ）系の非磁性フェライト
例えば、上記（３）の態様であるＦｅ−Ｚｎ−Ｍｇ系の非磁性フェライトの酸化マグネシウムの含有量の一部を酸化ニッケルに置き換えて含有させ、酸化ニッケルの含有量（ＮｉＯ換算）と酸化マグネシウムの含有量（ＭｇＯ換算）の総和量を０．７〜７．０モル％とする。含有される酸化マグネシウムと酸化ニッケルは、本発明者らの実験によれば共に、フェライト粒界の構成を改変させるような作用をするものと考えられている。それゆえ、これらの含有量は総和で０．７〜７．０モル％とされる。
【００３３】
（５）Ｆｅ−Ｚｎ−（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｍｎ）系の非磁性フェライト
例えば、上記の（２）の態様であるＦｅ−Ｚｎ−Ｎｉ系の非磁性フェライトや、上記の（３）の態様であるＦｅ−Ｚｎ−Ｍｇ系の非磁性フェライトや、上記の（４）の態様であるＦｅ−Ｚｎ−（Ｍｇ，Ｎｉ）系の非磁性フェライトにおける酸化亜鉛の含有量の一部を酸化マンガンに置き換えて含有させることもできる。この場合の酸化マンガンの含有量は上記の（１）の態様の場合と同様にＭｎ2Ｏ3換算で０．０５〜４．０モル％とされる。
【００３４】
酸化ニッケルの含有量（ＮｉＯ換算）や、酸化マグネシウムの含有量（ＭｇＯ換算）、あるいは酸化ニッケルの含有量（ＮｉＯ換算）と酸化マグネシウムの含有量（ＭｇＯ換算）の総和量は０．７〜７．０モル％の範囲とされる。
【００３５】
酸化マンガンはフェライトにおける２価鉄の生成を抑制する作用をしていると考えられ、フェライト粒界の構成を改変させる作用をすると思われる酸化マグネシウムや酸化ニッケルとは挙動が異なる。そのために、酸化マンガンの含有範囲と、酸化マグネシウムや酸化ニッケルの含有範囲は個別に設定される。
【００３６】
上述してきた（１）〜（５）の各非磁性フェライトの態様において、最も好ましいのは（１）で示されるＦｅ−Ｚｎ−Ｍｎ系の非磁性フェライトの態様である。
【００３７】
本発明における非磁性フェライトの製造方法は、公知の製造方法に従えばよく、具体的製造方法は後述の実施例を参照されたい。
【００３８】
次いで、上述してきた非磁性Ｚｎフェライトからなるフェライト層と内部導体とを有するインダクタ素子部と、バリスタ層と内部電極を有するバリスタ素子部と、を接合してなる複合積層型電子部品について説明する。
【００３９】
図１〜図２には、複合積層型電子部品の一例の全体構成を説明するための図面が示される。なお、図示例はあくまでもバリスタ素子部とインダクタ素子部を接合する状態を模式的に示すためのものであり、これにチップコンデンサ等をさらに積層付加するようにモディファイした部品としてもよい。
【００４０】
図１は、複合積層型電子部品を示す斜視図である。図２は、複合積層型電子部品の積層構造を分かりやすく説明するための積層体の分解斜視図である。
【００４１】
複合積層型電子部品１００は、図１に示されるように、略直方体形状の積層体１を備えており、積層体１により積層型電子部品１００の本体が構成される。積層体１は、それぞれ対向する一対の側面９ａ，９ｂと、一対の側面９ｃ，９ｄと、一対の上面９ｅ及び底面９ｆとを有し、これらの各面９ａ〜９ｆにより略直方体形状を呈している。なお、底面９ｆは、複合積層型電子部品１００が外部基板に実装されたときに、当該外部基板に対向する面である。
【００４２】
また、複合積層型電子部品１００は、積層体１の側面９ａ上に形成された入力端子（第１の端子電極）３と、側面９ｂ上に形成された出力端子（第２の端子電極）５と、側面９ｃ，９ｄ上に形成された一対のグランド端子（第３の端子電極）７とを備えている。入力端子３は、側面９ａの全面を覆い、更にその一部が各面９ｃ〜９ｆ上に回りこんで形成されている。出力端子５は、側面９ｂの全面を覆い、更にその一部が各面９ｃ〜９ｆ上に回り込んで形成されている。各グランド端子７は、積層体１の積層方向に帯状に伸びると共に、更にその両端部が上面９ｅ及び底面９ｆに回り込んで形成されている。
【００４３】
本発明における複合積層型電子部品１００は、図２に示されるように積層体１の構成部材としてバリスタ素子部１０と、インダクタ素子部２０とを有している。
【００４４】
〔バリスタ素子部１０についての説明〕
まず、バリスタ素子部１０の構成について説明する。バリスタ素子部１０は、いわゆる内部電極であるホット電極Ｂ１、グランド電極Ｂ２及びそれらの導出部Ｂ１ａ，Ｂ２ａがそれぞれ形成されたバリスタ用グリーンシートＡ２，Ａ３を含む複数（本実施形態では４枚）のバリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４が積層されることにより構成される。ホット電極Ｂ１は信号用のバリスタ電極であり、グランド電極Ｂ２は接地用のバリスタ電極である。
【００４５】
実際の複合積層型電子部品１００は、バリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４間の境界が視認できない程度に一体化されている。バリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４は、焼成されることによりバリスタ層として機能する。
【００４６】
バリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４は、例えばＺｎＯ、Ｃｏ3Ｏ4、Ｐｒ6Ｏ11、ＣａＣＯ3、ＳｉＯ2の混合紛を原料としたスラリーをドクターブレード法によってフィルム上に塗布することで形成される。このバリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４の組成により、印加される電圧に対して抵抗値が非直線的に変化する電圧非直線性が発現することとなる。また、バリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４の厚みは、例えば３０μｍ程度である。なお、バリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４の組成については後に詳述する。
【００４７】
バリスタ用グリーンシートと電極との関係についてさらに詳述する。バリスタ用グリーンシートＡ２の表面には、ホット電極Ｂ１及び導出部Ｂ１ａがそれぞれ形成されており、ホット電極Ｂ１は、バリスタ用グリーンシートＡ２よりも一回り小さな略長方形状を呈している。ホット電極Ｂ１には、一方の短辺の中央部に導出部Ｂ１ａが一体的に形成されている。ホット電極Ｂ１の導出部Ｂ１ａは、略矩形状を呈しており、バリスタ用グリーンシートＡ２の縁に引き出され、その端部がバリスタ用グリーンシートＡ２の端面に露出している。このため、ホット電極Ｂ１の導出部Ｂ１ａは、入力端子３に電気的に接続される。
バリスタ用グリーンシートＡ３の表面には、グランド電極Ｂ２及び導出部Ｂ２ａがそれぞれ形成されている。グランド電極Ｂ２は、バリスタ用グリーンシートＡ３よりも一回り小さな略長方形状を呈している。グランド電極Ｂ２には、両短辺の中央部に一対の導出部Ｂ２ａがそれぞれ一体的に形成されている。グランド電極Ｂ２の導出部Ｂ２ａは、略矩形状を呈しており、バリスタ用グリーンシートＡ３の縁に引き出され、その端部がバリスタ用グリーンシートＡ３の端面に露出している。このため、グランド電極Ｂ２の導出部Ｂ２ａは、各グランド端子７にそれぞれ接続される。
【００４８】
以上のように、各バリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４が積層され、ホット電極Ｂ１とグランド電極Ｂ２とがバリスタ用グリーンシートＡ２を挟むことで、バリスタＶが構成される。なお、ホット電極Ｂ１、グランド電極Ｂ２及び各導出部Ｂ１ａ，Ｂ２ａは、それぞれ例えば、Ｐｄを主成分とするペーストをバリスタ用グリーンシートＡ２，Ａ３にスクリーン印刷することにより形成される。ホット電極Ｂ１、グランド電極Ｂ２及び導出部Ｂ１ａ，Ｂ２ａの厚みは、例えば５μｍ程度に設定される。
【００４９】
〔インダクタ素子部２０についての説明〕
次いで、インダクタ素子部２０の一つの構成例について説明する。インダクタ素子部２０は、フェライト層と内部導体を有するインダクタ素子部と、内部導体である導体パターンＢ３〜Ｂ１３を備えるインダクタ用グリーンシートＡ６〜Ａ１１を含む複数（本実施形態では７枚）のインダクタ用グリーンシート（フェライト層）Ａ５〜Ａ１２が積層されることにより構成される。実際の複合積層型電子部品１００は、インダクタ用グリーンシートＡ５〜Ａ１２間の境界が視認できない程度に一体化されている。インダクタ用グリーンシートＡ５〜Ａ１２は、焼成されることにより絶縁層として機能する。
【００５０】
インダクタ用グリーンシートＡ５〜Ａ１２は、電気絶縁性を有する絶縁体である。
本発明におけるインダクタ用グリーンシートＡ５〜Ａ１２は、上述の非磁性のＺｎ系フェライトを原料としたスラリーをドクターブレード法によりフィルム上に塗布することで形成される。インダクタ用グリーンシートＡ５〜Ａ１２の厚みは、例えば２０μｍ程度とされる。
【００５１】
インダクタ用グリーンシートＡ６の表面には、各導体パターンＢ３，Ｂ８が互いに所定の間隔を有した状態でインダクタ用グリーンシートＡ６の長手方向に並設されている。各導体パターンＢ３，Ｂ８は、互いに電気的に絶縁されている。各導体パターンＢ３，Ｂ８は、それぞれコイル形成の略１／２ターンに相当し、略Ｌ字状に形成されている。各導体パターンＢ３，Ｂ８の一端には、導出部Ｂ３ａ，Ｂ８ａがそれぞれ一体的に形成されている。各導体パターンＢ３，Ｂ８の導出部Ｂ３ａ，Ｂ８ａは、インダクタ用グリーンシートＡ６の縁にそれぞれ引き出され、各端部がインダクタ用グリーンシートＡ６の端面にそれぞれ露出している。このため、導出部Ｂ３ａは入力端子３と電気的に接続され，導出部Ｂ８ａは出力端子５と電気的に接続される。
【００５２】
各導体パターンＢ３，Ｂ８の他端は、インダクタ用グリーンシートＡ６を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｃ１，Ｃ６と電気的に接続されている。このため、各導体パターンＢ３，Ｂ８は、積層体１が積層された状態で、スルーホール電極Ｃ１，Ｃ６を介して対応する各導体パターンＢ４，Ｂ９の一端とそれぞれ電気的に接続される。
【００５３】
インダクタ用グリーンシートＡ７の表面には、各導体パターンＢ４，Ｂ９が互いに所定の間隔を有した状態でインダクタ用グリーンシートＡ７の長手方向に並設されている。各導体パターンＢ４，Ｂ９は、互いに電気的に絶縁されている。各導体パターンＢ４，Ｂ９は、それぞれコイル形成の略３／４ターンに相当し、略Ｕ字状に形成されている。
【００５４】
各導体パターンＢ４，Ｂ９の一端には、積層体１が積層された状態で各スルーホール電極Ｃ１，Ｃ６と電気的に接続される領域がそれぞれ含まれている。各導体パターンＢ４，Ｂ９の他端は、インダクタ用グリーンシートＡ７を厚み方向に貫通して形成された各スルーホール電極Ｃ２，Ｃ７とそれぞれ電気的に接続されている。このため、各導体パターンＢ４，Ｂ９は、積層体１が積層された状態で、各スルーホール電極Ｃ２，Ｃ７を介して対応する各導体パターンＢ５，Ｂ１０の一端とそれぞれ電気的に接続される。
【００５５】
インダクタ用グリーンシートＡ８の表面には、各導体パターンＢ５，Ｂ１０が互いに所定の間隔を有した状態でインダクタ用グリーンシートＡ８の長手方向に並設されている。各導体パターンＢ５，Ｂ１０は、互いに電気的に絶縁されている。各導体パターンＢ５，Ｂ１０は、それぞれコイル形成の略３／４ターンに相当し、略Ｃ字状に形成されている。各導体パターンＢ５，Ｂ１０の一端には、積層体１が積層された状態で各スルーホール電極Ｃ２，Ｃ７と電気的に接続される領域がそれぞれ含まれている。各導体パターンＢ５，Ｂ１０の他端は、インダクタ用グリーンシートＡ８を厚み方向に貫通して形成された各スルーホール電極Ｃ３，Ｃ８とそれぞれ電気的に接続されている。このため、各導体パターンＢ５，Ｂ１０は、積層体１が積層された状態で、各スルーホール電極Ｃ３，Ｃ８を介して対応する各導体パターンＢ６，Ｂ１１の一端とそれぞれ電気的に接続される。
【００５６】
インダクタ用グリーンシートＡ９の表面には、各導体パターンＢ６，Ｂ１１が互いに所定の間隔を有した状態でインダクタ用グリーンシートＡ９の長手方向に並設されている。各導体パターンＢ６，Ｂ１１は、互いに電気的に絶縁されている。各導体パターンＢ６，Ｂ１１は、それぞれコイル形成の略３／４ターンに相当し、略Ｕ字状に形成されている。各導体パターンＢ６，Ｂ１１の一端には、積層体１が積層された状態で各スルーホール電極Ｃ３，Ｃ８と電気的に接続される領域がそれぞれ含まれている。各導体パターンＢ６，Ｂ１１の他端は、インダクタ用グリーンシートＡ９を厚み方向に貫通して形成された各スルーホール電極Ｃ４，Ｃ９とそれぞれ電気的に接続されている。このため、各導体パターンＢ６，Ｂ１１は、積層体１が積層された状態で、各スルーホール電極Ｃ４，Ｃ９を介して対応する各導体パターンＢ７，Ｂ１２の一端とそれぞれ電気的に接続される。
【００５７】
インダクタ用グリーンシートＡ１０の表面には、各導体パターンＢ７，Ｂ１２が互いに所定の間隔を有した状態でインダクタ用グリーンシートＡ１０の長手方向に並設されている。各導体パターンＢ７，Ｂ１２は、互いに電気的に絶縁されている。各導体パターンＢ７，Ｂ１２は、それぞれコイル形成の略１／２ターンに相当し、略Ｃ字状に形成されている。各導体パターンＢ７，Ｂ１２の一端には、積層体１が積層された状態で各スルーホール電極Ｃ４，Ｃ９と電気的に接続される領域がそれぞれ含まれている。各導体パターンＢ７，Ｂ１２の他端は、インダクタ用グリーンシートＡ１０を厚み方向に貫通して形成された各スルーホール電極Ｃ５，Ｃ１０とそれぞれ電気的に接続されている。このため、各導体パターンＢ７，Ｂ１２は、積層体１が積層された状態で、各スルーホール電極Ｃ５，Ｃ１０を介して対応する導体パターンＢ１３の各端部とそれぞれ電気的に接続される。
【００５８】
以上説明してきたように、各インダクタ用グリーンシートＡ５〜Ａ１１が積層され、各導体パターンＢ３〜Ｂ７が各スルーホール電極Ｃ１〜Ｃ４を介して相互に電気的に接続されることにより、１つのコイルが構成されることとなる。また、各導体パターンＢ８〜Ｂ１２が各スルーホール電極Ｃ６〜Ｃ９を介して相互に電気的に接続されることにより、もう１つのコイルが構成されることとなる。
【００５９】
インダクタ用グリーンシートＡ１１の表面には、導体パターンＢ１３がインダクタ用グリーンシートＡ１１の長手方向に伸びて、略Ｉ字状に形成されている。導体パターンＢ１３の両端に対応する位置には、積層体１が積層された状態で各スルーホール電極Ｃ５，Ｃ１０と電気的に接続される領域がそれぞれ含まれている。これにより、２つのコイルが直列に電気的に接続される。
【００６０】
なお、導体パターンＢ３〜Ｂ１３及びスルーホール電極Ｃ１〜Ｃ１１は、それぞれ例えば、Ｐｄを主成分とするペーストをインダクタ用グリーンシートＡ６〜Ａ１１にスクリーン印刷することによって形成される。導体パターンＢ３〜Ｂ１３の厚みは、例えば１４μｍ程度とされる。
【００６１】
〔接合中間層についての説明〕
バリスタ素子部１０と、インダクタ素子部２０は、直接または接合中間層を介して接合される。好ましくは、図２に示されるように双方の素子部を接合させるための接合中間層５０（Ａ２０〜Ａ２２）を介在させるのがよい。
【００６２】
接合中間層５０は、インダクタ素子部２０のフェライト層を構成する組成成分とバリスタ素子部１０のバリスタ層を構成する酸化亜鉛（ＺｎＯ）を所定の割合で混合することにより構成するのがよい。インダクタ素子部２０とバリスタ素子部１０をクラックの発生なしに確実に接合・一体化させるためである。
【００６３】
接合中間層５０の総和厚さは、例えば、４００μｍ以下、好ましくは２４０μｍ以下、さらに好ましくは１８０μｍ以下とするのがよい。接合の片側素子であるインダクタ素子部は、その素地が非磁性フェライトからなり、いわゆる空芯コイルを形成するものである。空芯コイルを構成するインダクタは、より高い周波数領域まで良好な特性を示すという長所がある代わりに、芯体が非磁性であるためにコイルを多く巻かなければならないというスペース上の問題があり、インダクタ自体の大きさは、通常の磁性フェライト素地を用いる場合と比べて大きくなる傾向にある。そのため、接合のために設けられる中間層の厚さをできるだけ薄くして、複合一体化焼結物のコンパクト化を図ることが重要である。
【００６４】
上述したごとく接合中間層５０の各接合膜Ａ２０〜Ａ２２は、それぞれ、インダクタ素子部のフェライト層を構成する組成成分と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）（バリスタ素子部のバリスタ層を構成する組成成分であってもよい）とを所定の割合で混合することにより構成することが望ましい。その際、フェライト層により近い位置に配置される接合膜は、より多くのフェライト層組成成分を含み、反対に、バリスタ層より近い位置に配置される接合膜は、より多くの酸化亜鉛（ＺｎＯ）（バリスタ素子部のバリスタ層を構成する組成成分であってもよい）を含むように配合するのがよい。
【００６５】
接合中間層５０の各接合膜には、Ｋ，Ｎａ，またはＬｉを添加することが望ましい。バリスタ層組成成分とフェライト層組成成分との混合により低下した抵抗を上げるためである。
【００６６】
〔インダクタ素子部のフェライト層の組成についての説明〕
本発明のインダクタ素子部のフェライト層は、上述した非磁性のＺｎフェライトから構成される。
【００６７】
さらに、添加成分として、ＳｉＯ2、ＣａＣＯ3，ＺｒＯ2，ＳｎＯ2，ＴｉＯ2，ＭｏＯ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＷＯ3，ＣｏＯ等を１ｗｔ％程度含有していてもよい。
【００６８】
〔バリスタ素子部のバリスタ層の組成についての説明〕
バリスタ層は、その主成分であるＺｎＯが、９５モル％以上、特に９５〜９８モル％含有される。さらに、Ｃｏ，Ｐｒ等が副成分として含有される。
【００６９】
次に、図１および図２に示される複合積層型電子部品１００の作製方法について説明する。
【００７０】
まず、バリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４、インダクタ用グリーンシートＡ５〜Ａ１２、および接合中間層としての各接合膜グリーンシートＡ２０〜Ａ２２を用意する。
【００７１】
次に、各インダクタ用グリーンシートＡ６〜Ａ１１の所定の位置、すなわちスルーホール電極Ｃ１〜Ｃ１０を形成する予定位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。
【００７２】
次に、バリスタ用グリーンシートＡ２，Ａ３にそれぞれホット電極Ｂ１、グランド電極Ｂ２及び導出部Ｂ１ａ，Ｂ２ａを形成する。また、インダクタ用グリーンシートＡ６〜Ａ１１にそれぞれ導体パターンＢ３〜Ｂ１３及び導出部Ｂ３ａ，Ｂ８ａを形成する。さらに、各スルーホール電極Ｃ１〜Ｃ１０形成する。
【００７３】
次に、各バリスタ用グリーンシートＡ１〜Ａ４、各インダクタ用グリーンシートＡ５〜Ａ１２、及び接合中間層としての各接合膜グリーンシートＡ２０〜Ａ２２を、図２に示された順序にて積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度（例えば、１１００〜１２００℃）にて焼成する。
【００７４】
これにより、各グリーンシート間の境界が視認できない程度に一体化され、積層体１が形成されることとなる。
【００７５】
次に、この積層体１に入力端子３、出力端子５及びグランド端子７を形成する。これにより、積層型電子部品Ｅ１が形成されることとなる。入力端子３、出力端子５及びグランド端子７は、積層体１の側面９ａ〜９ｄに銀を主成分とする電極ペーストをそれぞれ転写した後に所定温度（例えば、６００〜７００℃）にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより、形成される。電気めっきには、ＮｉとＳｎ、ＣｕとＮｉとＳｎ、ＮｉとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｕ、ＮｉとＰｂとＡｇ、又はＮｉとＡｇ等を用いることができる。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明の具体的実施例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。
[実験例１]
〔非磁性Ｚｎ系フェライトの作製〕
焼成後の非磁性Ｚｎ系フェライトの組成であるＦｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ｍｎ2Ｏ3、ＮｉＯ、およびＭｇＯが下記表１となるように、各原料を所定量配合した。
【００７７】
このように配合された原料に純水を加えてボールミルで２４時間混合してスラリーを形成した。
【００７８】
このスラリーを乾燥させた後、９００℃の温度で２時間仮焼きした。
【００７９】
次いで、仮焼き物に純水を加えてさらに微粉砕した。
【００８０】
次いで、得られた微粉末を乾燥させた後、有機バインダーとともに溶媒中に分散させてスラリーを形成した。
【００８１】
この後、このスラリーからドクターブレード法により厚さ２０μｍのフェライトシートを作製し、このものを１１５０℃で１時間焼成して焼結体サンプルを作製した。
【００８２】
各サンプルについて、下記の要領で（１）焼結密度、（２）抵抗率、および（３）非磁性性について測定をおこなった
【００８３】
（１）焼結密度
サンプルの重量および水中におけるサンプルの重量とを測定しアルキメデスの原理に基づき計算により求めた。
【００８４】
（２）抵抗率（Ω・ｍ）
得られたサンプルの両端面に、インジウム−ガリウム電極を塗り、直流抵抗値を測定し、サンプル寸法とより抵抗率ρを求めた（単位：Ωｍ）。測定は、ＴＯＡ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製のＳＵＰＥＲ  ＭＥＧＯＨＭＭＥＴＥＲ  ＭＯＤＥＬ  ＳＭ−５Ｅにて行った。
【００８５】
（３）非磁性性
−５０℃における透磁率が１であれば非磁性とし、透磁率が１より大きい場合には磁性をもつとして判断した。非磁性であると確認されたものについては、表中「○」で表示し、磁性を持つ場合には表中「×」で表示した。
【００８６】
結果を下記表１中に示した。
【００８７】
【表１】
2007091539.tif 000003
【００８８】
【表２】
2007091539.tif 000004
【００８９】
表１の結果より本発明の効果は明らかである。
すなわち、本発明の非磁性Ｚｎフェライトは、酸化鉄と酸化亜鉛とを主成分とする非磁性Ｚｎフェライト成分に、酸化マンガン、酸化ニッケルおよび酸化マグネシウムのグループから選択された少なくとも１種の金属酸化物が所定量含有されているので、Ｃｕを含有させることなく、非磁性フェライトでかつ１０5Ω・ｍ以上の高い抵抗率が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明の非磁性Ｚｎフェライトおよびそれを用いた複合積層型電子部品は、幅広く各種の電気部品産業に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】図１は、複合積層型電子部品を示す斜視図である。
【図２】図２は、複合積層型電子部品の積層構造を分かりやすく説明するための積層体の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００９２】
１…積層体
１０…バリスタ素子部
２０…インダクタ素子部
５０…接合中間層
１００…複合積層型電子部品
【図１】
2007091539.tif 000005
【図２】
2007091539.tif 000006