(57)【要約】【課題】アレイ基板上の隔壁などの材料からの残存水分を均等に乾燥剤によって吸収することにより、輝度にムラが生じない有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】マトリクス状に配置され、第１電極２６と、第１電極に対向配置される第２電極と、第１電極２６及び第２電極３６，３７間に少なくとも発光層を備えた複数の画素２０を備えてなるアレイ基板１０と、前記画素２０に対向する面に乾燥剤４２を備え、アレイ基板１０に間隙をもって封止される封止部材と、を備えた有機ＥＬ表示装置１であって、第２電極３６，３７は、格子状に形成され、複数の画素２０に連続して設けられる。【選択図】      図１
2007048677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置され、第１電極と、前記第１電極に対向配置される第２電極と、前記第１及び第２電極間に少なくとも発光層を備えた複数の画素を備えてなるアレイ基板と、
前記画素に対向する面に乾燥剤を備え、前記アレイ基板に間隙をもって封止される封止部材と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記第２電極は、格子状に形成され、前記複数の画素に連続して設けられることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は、
前記所定間隔を開けて設けられた複数本の帯状の第１導電層と、
前記第１導電層の上層であって、前記第１導電層と交叉するように、かつ、所定間隔を開けて設けられた複数本の帯状の第２導電層と、
を有する
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１導電層が前記アレイ基板の縦方向に沿って設けられ、
前記第２導電層が前記アレイ基板の横方向に沿って設けられた
ことを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１導電層と前記第２導電層との重なり部分に前記一つの画素がある
ことを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
マトリクス状に配置される複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記画素毎に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上層に発光層を形成する工程と、
前記発光層の上層に第２電極を格子状に形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，エレクトロルミネセンス）表示装置が実用化され、携帯電話の表示装置などに用いられている。
【０００３】
この有機ＥＬ表示装置の構造は、アレイ基板と封止部材とが中空部を介して取り付けられ、アレイ基板にマトリクス状に複数の有機材料からなる発光層を有する画素が設けられている。しかし、この有機ＥＬが湿度に弱いため、中空部に乾燥剤が設けられて、水分を吸収している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３１７９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような封止部材に乾燥剤を有した有機ＥＬ表示装置において、製造後に目視確認を行うと表示ムラが発生している場合があった。この発生の原因を調査すると、下記の二つの原因が判明した。
【０００５】
第１の原因は、アレイ基板と封止部材を貼り合わせるときに、乾燥剤でアレイ基板上の画素の陰極に傷が発生することである。
【０００６】
すなわち、上記傷を通じて隣接する画素同士を区切る隔壁中の残存水分が蒸発し、この蒸発した水分を乾燥剤が吸収する。このときに、発生する傷は不均一であるため、この吸収された水分が起因となって画素毎に異なる輝度劣化が発生し、輝度にバラつきが発生するからである。したがって、目視確認をした場合に表示ムラが発生する。
【０００７】
第２の原因は、各画素において、ＲＧＢの３色に発光層を塗り分ける場合にファインマスクを用いることであることが判明した。すなわち、このファインマスクの使用により隔壁に凹凸が発生し、その凹凸が隔壁の上層にある金属製の陰極上に傷を形成することがある。そしてこの傷を通じて前記隔壁中の残存水分が蒸発し、上記と同様に表示ムラが発生する。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、輝度にムラが生じがたい有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、マトリクス状に配置され、第１電極と、前記第１電極に対向配置される第２電極と、前記第１及び第２電極間に少なくとも発光層を備えた複数の画素を備えてなるアレイ基板と、前記画素に対向する面に乾燥剤を備え、前記アレイ基板に間隙をもって封止される封止部材と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記第２電極は、格子状に形成され、前記複数の画素に連続して設けられることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明よれば、輝度ムラの低減された有機ＥＬ表示装置を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置１について図１から図３に基づいて説明する。
【００１２】
図３は、有機ＥＬ表示装置１の縦断面図である。有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板１０と、封止部材１１とを有し、アレイ基板１０と封止部材１１とは、中空部１３を介して対向して貼り合わされている。
【００１３】
図２は、有機ＥＬ表示装置の一部構造を概略的に示す縦断面図であり、ここでは特に一画素分を示している。
【００１４】
アレイ基板１０上には、走査線と、この走査線に直交するように配置された信号線と、信号線と走査線との交点付近に配置されたスイッチング素子である画素ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と、画素ＴＦＴを介して信号線に接続する駆動トランジスタ１４と、駆動トランジスタ１４に接続された画素２０を有している。すなわち、ガラス基板から構成された支持基板１２上には画素ＴＦＴ、駆動トランジスタ１４、走査線、信号線等が形成されている。支持基板１２は、その厚みが０．７ｍｍ〜１．０ｍｍである。これら画素ＴＦＴ及び駆動トランジスタ１４は、支持基板１２上に形成されたポリシリコン半導体層Ｐと、このポリシリコン半導体層Ｐと第１絶縁膜１６を介して配置されたゲート電極Ｇと、第１絶縁膜１６と第２絶縁膜１８を貫通してポリシリコン半導体層Ｐのソース領域にコンタクトしたソース電極Ｓと、第１絶縁膜１６及び第２絶縁膜１８を貫通してポリシリコン半導体層Ｐのドレイン領域にコンタクトしたドレイン電極Ｄを備えている。また、画素ＴＦＴのソース電極Ｓと一体的に信号線が形成され、画素ＴＦＴのゲート電極Ｇには走査線が接続されている。
【００１５】
画素２０は、第２絶縁膜１８の上に配置された第３絶縁膜２２の上に配置されている。すなわち、画素２０の第１電極２６が第３絶縁膜２２の上層に形成され、第３絶縁膜２２に設けられているコンタクトホール２８によって駆動トランジスタ１４のドレイン電極Ｄと接続されている。第１電極２６は、ここでは陽極として機能し、光透過性導電材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で形成されている。
【００１６】
この第１電極２６の上層にはアクリル樹脂よりなる隔壁２４が形成されている。隔壁２４は隣接する画素２０を区画し、第１電極間を電気的に分離する。このアクリル樹脂で形成された隔壁２４を形成するには、ＵＶ光でマスク露光する。
【００１７】
隔壁２４に囲まれた画素２０の凹部の下面に位置する第１電極２６の上に、少なくとも発光層を含む光活性層が積層される。この光活性層は、ＲＧＢ各色共通に形成されるホール注入層、ホール輸送層、エレクトロン輸送層、エレクトロン注入層、及び各色毎に形成される有機発光層を積層して構成してもよく、または、機能的に複合された層構造で構成されている。図２では、光活性層としてホール輸送層３０と有機発光層３２の二層構造である例を例示している。ホール輸送層３０は、例えば、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体より形成され、有機発光層は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する有機化合物によって形成されている。この有機発光層３２は、例えば高分子系材料を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニデンビニデン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを積層して構成されている。上記ホール輸送層３０と有機発光層３２とは、それぞれインクジェット方式によって塗布形成される。
【００１８】
上記のようにして発光層材料を塗布した後、乾燥させ発光層３２を形成した後、図１に示すように、第２電極を形成する。ここで、第２電極は、陰極として機能し、例えばＡｌ等の金属材料を用いて形成され、後述する第１導電層３６及び第２導電層３７からなる。具体的には、帯状の第１導電層３６を所定の間隔（例えば、１０μｍ）を開けて、ストライプ状に縦方向に蒸着を行う。この場合に、第１導電層３６を形成する部分は、各画素２０の上層になるようにする。
【００１９】
上記のようにストライプ状の第１導電層３６を蒸着した後、この第１導電層３６の上層に、帯状の第２導電層３７を所定の間隔（例えば、１０μｍ）を開けてストライプ状に横方向に蒸着する。このとき、第１導電層３６と第２導電層３７とは、互いに直交するように十字状に形成する。そして、この第１導電層３６と第２導電層３７との重なり部分に対応して各画素２０が存在するようにする。第１導電層３６と第２導電層３７により、第２電極は格子状に形成され、格子の間に空白部３８が形成される。この空白部３８は、例えば縦１０μｍ、横１０μｍの網目となっている。この空白部３８は、図１に示すように平面上から見た場合に網目状に、かつ、各画素２０の間に配置されるようになっている。なお、第１導電層３６の厚みは、例えば、７５０オングストローム程度とし、第２導電層３７の厚みは例えば７５０オングストロームである。
【００２０】
尚、第１導電層３６及び第２導電層３７は、同一幅の帯状に形成する場合には、同一のマスクを用いて形成してもよい。第１導電層３６の蒸着に引き続き、マスクと基板の関係を相対的に９０°回転させ、第２導電層３７を蒸着することにより形成可能である。
【００２１】
また、格子状に形成した第２電極は、帯状導電層端部を連結するよう周囲を枠状にしてもよい。このとき、第２導電層の成膜時点で、枠が完成される。
【００２２】
一方、図３に示すように、封止部材１１のアレイ基板の画素と対向する側（図の下面側）の面には、凹部４０が設けられ、この凹部４０にシート状の乾燥剤４２が貼り付けられている。
【００２３】
この封止部材１１とアレイ基板１０とは、額縁状のシール部材４４によって接着されている。このシール部材４４は、例えばＵＶ硬化樹脂、または、融着ガラスよりなる。
【００２４】
また、このシール部材４４によって中空部１３を封止する場合に、中空部１３内部には不活性ガス（例えば、窒素ガス）が封入されている。さらに、中空部１３内部の圧力は、大気圧より低い陰圧に保持する。
【００２５】
上記構成の有機ＥＬ表示装置１であると、第２電極が第１導電層３６と第２導電層３７からなる格子状であり、この格子状の空白部３８から、隔壁２４に残存した水分が蒸発し、この蒸発した水分が乾燥剤４２によって吸収される。そして、この残存水分が蒸発する空白部３８は格子状に均等に配置されているため、各画素２０における輝度劣化のバラつきがなく、従来のように輝度にムラが発生しない。
【００２６】
また、ホール輸送層３０と発光層３２をインクジェット方式により形成すれば、従来のようにファインマスクを使用することがないため、発光層３２に傷が発生せず、その上にある格子状の陰極３６，３７に凹凸が発生するのを抑制でき、、第２電極の傷の発生をより抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表示装置におけるアレイ基板の一部平面図である。
【図２】アレイ基板の一部拡大縦断面図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の縦断面図である。
【符号の説明】
【００２８】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  アレイ基板
１１  封止部材
１６  中空部
２０  画素
３６  第１導電層
３７  第２導電層
３８  空白部
４０  凹部
４２  乾燥剤
【図１】
2007048677.tif 000003
【図２】
2007048677.tif 000004
【図３】
2007048677.tif 000005