(57)【要約】【課題】半導体集積回路素子の構造を変更することなく、半導体集積回路素子の端子間のアイソレーション特性を改善でき、良好な特性を有する小型の高周波モジュールを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の高周波モジュールは、周波数帯又は通信方式の異なる複数の通信システムの送信系回路又は受信系回路と、アンテナ端子との間に配置される高周波モジュールであって、複数の通信システムに対応して切換え可能な高周波スイッチおよび高周波スイッチの切換えを制御する制御回路が一体となった半導体集積回路素子２と、半導体集積回路素子２の送信用端子に接続され、送信信号の高調波信号を減衰させるフィルタ素子３と、半導体集積回路素子２およびフィルタ素子３を搭載するリードフレーム１とを具備してなり、リードフレーム上に前記フィルタ素子３が搭載され、さらにフィルタ素子３上に半導体集積回路素子２が搭載されていることを特徴とする。【選択図】図３
2007036452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数帯又は通信方式の異なる複数の通信システムの送信系回路又は受信系回路と、アンテナ端子との間に配置される高周波モジュールであって、
前記複数の通信システムに対応して切換え可能な高周波スイッチおよび該高周波スイッチの切換えを制御する制御回路が一体となった半導体集積回路素子と、
該半導体集積回路素子の送信用端子に接続され、送信信号の高調波信号を減衰させるフィルタ素子と、
前記半導体集積回路素子および前記フィルタ素子を搭載するリードフレームとを具備してなり、
前記リードフレーム上に前記フィルタ素子が搭載され、さらに該フィルタ素子上に前記半導体集積回路素子が搭載されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記アンテナ端子に印加された過渡的な高電圧サージを減衰するための回路素子が、前記アンテナ端子から前記半導体集積回路素子に至るまでの経路に配置されるように、前記リードフレーム上に前記フィルタ素子とともに並設されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアンテナ端子と、周波数帯又は通信方式の異なる複数の通信システムの送信系回路又は受信系回路との間に配置される高周波モジュールに関し、特にマルチバンド対応移動無線端末機に好適に使用される、高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、１台の携帯電話機内に２つ以上の通信システムを搭載するマルチバンド方式を採用した携帯電話機が提案されている。マルチバンド方式の携帯電話機は、地域性や使用目的等に合った通信システムを選択して送受信することができるので、利便性の高い携帯電話機として期待されている。例えば、通信帯域の異なる複数の通信システムとしてＧＳＭ(Global System for Mobile communications)方式、ＤＣＳ(Digital Cellular System)方式の２方式を搭載したデュアルバンド方式の携帯電話機がある。
【０００３】
図９は、一般的なＧＳＭ／ＤＣＳ方式デュアルバンド携帯電話機の高周波送信モジュール（ＴＸＭ）１００のブロック図である。
【０００４】
この高周波送信モジュール１００は、送受信系回路ＧＳＭの送信系回路ＴＸ、受信系回路ＲＸと、送受信系回路ＤＣＳの送信系回路ＴＸ、受信系回路ＲＸとを備えるとともに、周波数帯域の異なる２つの送受信系回路ＧＳＭ／ＤＣＳを、それぞれの送受信系回路ＧＳＭ及びＤＣＳに分波し、各送受信系回路ＧＳＭ、ＤＣＳにおいてそれぞれ送信系回路ＴＸと受信系回路ＲＸとの切換えを行う高周波モジュール（ＡＳＭ）２００を備えている。
【０００５】
ＧＳＭ送信系回路ＴＸは、電力増幅回路（ＡＭＰ）４０２で増幅された送信信号を、低域通過フィルタからなる整合回路（ＭＡＴ）４０１を通して、高周波モジュール２００に供給する。高周波モジュール２００に供給された高周波信号は、後に説明するように、半導体集積回路素子、分波回路を経由してアンテナ（ＡＮＴ）３００から高周波信号として送信される。以上の動作は、ＤＣＳ送信系回路ＴＸについても同様である。
【０００６】
一方、ＧＳＭ受信系回路ＲＸは、アンテナ３００で受信された高周波信号を、高周波モジュール２００を介して取り出し、帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）５０１にて受信帯域近傍の不要信号を除去する。帯域通過フィルタ５０１を通過した信号は、ＲＸ側低ノイズ増幅器（ローノイズＡＭＰ）５０２にて増幅され、信号処理系回路に入力される。以上の動作は、ＤＣＳ受信系回路ＲＸについても同様である。
【０００７】
ところで、今後の市場動向をふまえると、携帯電話端末機を用いた高品質の音声や画像等のデータ伝送が行なわれることが予想され、これらに対応するために、符号分割多重接続方式であるＣＤＭＡ(Code Division Multiple Access)や、高速データ伝送レートや通信チャネルの多重化を特徴とした次世代通信システムＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）といった大容量データ伝送可能な通信システムの構築が進みつつある。
【０００８】
このように複数の通信システムへ対応するため、１つのモジュールでさらに多くのバンドに対応する必要が生じている。例えばＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００／ＤＣＳ／ＰＣＳ(Personal Communication Services)／ＵＭＴＳ等の多バンド方式等への要求が高まっている。
【０００９】
このようにマルチバンド／モード化が進み、１つの高周波モジュールで更に多くのバンド／モードに対応する必要が生じた場合、バンド／モード数に比例した高周波モジュール搭載基板の表層スペースが必要となり大型化する傾向があるが、高周波モジュール２００には、小型化の実現も要求されている。
【００１０】
一方、最近は、小型化、低損失化を目指して、高周波モジュール２００の内部で送受信切換えを行う手段として、複数の通信システムに対応して切換え可能な高周波スイッチおよび高周波スイッチの切換えを制御する制御回路が一体となった半導体集積回路素子、例えばＧａＡｓ（ガリウム砒素）からなる半導体集積回路素子を用いた構成も検討されている。
【００１１】
このような半導体集積回路素子を用いてマルチバンド／モードであるＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００／ＤＣＳ／ＰＣＳ／ＵＭＴＳ等の多バンド方式に対応する場合、通常は、図１０に示すように、通過帯域のＬｏｗバンド側とＨｉｇｈバンド側の送受信系回路を分波する分波回路（ＤＩＰＸ）６００と、分波回路６００のＬｏｗバンド側ローパスフィルタ（ＬＰＦ）に接続され、例えばＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００の送受信における送信系回路ＴＸと受信系回路ＲＸとの切換えを行う半導体集積回路素子７０１と、分波回路６００のＨｉｇｈバンド側ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）に接続され、例えばＤＣＳ／ＰＣＳ／ＵＭＴＳの送受信における送信系回路ＴＸと受信系回路ＲＸとＵＭＴＳとの切換えを行う半導体集積回路素子７０２とを備えた高周波モジュール２０４を用意する必要がある。なお、このとき半導体集積回路素子７０２は、異なる２つのモードであるＧＳＭ方式とＣＤＭＡまたはＵＭＴＳ方式に対応するために、良好なリニアリティと耐電力性を満足することが必要である。
【００１２】
また、分波回路を使わないときは、図１１に示すように、アンテナ端子に接続され、例えばＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００／ＤＣＳ／ＰＣＳ／ＵＭＴＳのそれぞれの送受信を送信系回路ＴＸと受信系回路ＲＸに切換える半導体集積回路素子７０３を備えた高周波モジュール２０５を用意する必要がある。
【００１３】
上述したような高周波モジュールとしては、従来、図１２に示すように、リードフレーム４１上に、半導体集積回路素子４２と、フィルタ素子（ＬＰＦ）４３が横並びに搭載され、半導体集積回路素子４２の電極パッド４２１とリードフレーム４１の表面に形成された複数のリード端子４１１とをボンディングワイヤ４４で接続し、表面を樹脂封止するという構造のものが採用されてきた（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３０４５８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、図１２に示す構造では、高周波モジュールのサイズが、半導体集積回路素子２とフィルタ素子３のサイズによって制限され、これ以上小型化することができない。例えば、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００／ＤＣＳ／ＰＣＳ／ＵＭＴＳ対応では、高周波モジュールのサイズは４．５×３．２ｍｍ程度になる。
【００１５】
また、マルチバンド／モードに対応する場合には、半導体集積回路素子内に構成されるスイッチング用トランジスタの個数が増えてしまい、更に、低ロス、耐電力性、低歪特性を実現するために、トランジスタサイズが大型化してしまう。
【００１６】
以上のように、従来の高周波モジュールは、その構造上、サイズの小型化が困難であり、マルチバンド／モード対応にともない全体として大型化してしまうという課題があった。
【００１７】
さらに、マルチバンド／モードに対応する場合、半導体集積回路素子内に構成される端子数が増加し、端子間のアイソレーション特性が劣化するという問題があり、この問題を解決するために、図１３に示すように、ＡＮＴ端子からトランジスタＴｒ１を介してａ端子に至る経路とＡＮＴ端子からトランジスタＴｒ３を介してｂ端子に至る経路とが分岐して設けられている場合に、接地電極を分岐部とトランジスタＴｒ１の間に接続するとともにこの経路にシャントのトランジスタＴｒ２を形成した構成が使用されている。このものは、ＡＮＴ端子からａ端子に至る経路のトランジスタＴｒ１がオフの状態でＡＮＴ端子からｂ端子に至る経路のトランジスタＴｒ３がオンの状態のときは、トランジスタＴｒ２がオンとなり、端子ｂから端子ａへのアイソレーション特性を向上させている。また、トランジスタＴｒ１がオンの状態でトランジスタＴｒ３がオフの状態のときは、トランジスタＴｒ２がオフとなり、端子ａから端子ｂへのアイソレーション特性を向上させている。
【００１８】
しかし、アイソレーション特性は接地電極の電位の影響を受けてしまう。一般に半導体集積回路素子の下面には接地電極が形成されており、従来のように、リードフレームに半導体集積回路素子を直接搭載する構成の場合、接地電極の電位を修正することができないから、アイソレーション特性を改善するためには、半導体集積回路素子の構造を変更する必要がある。そうすると、新規に半導体集積回路素子を作製する期間やコストがかかってしまうという課題がある。
【００１９】
本発明は、半導体集積回路素子の構造を変更することなく、半導体集積回路素子の端子間のアイソレーション特性を改善でき、良好な特性を有する小型の高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の高周波モジュールは、周波数帯又は通信方式の異なる複数の通信システムの送信系回路又は受信系回路と、アンテナ端子との間に配置される高周波モジュールであって、前記複数の通信システムに対応して切換え可能な高周波スイッチおよび該高周波スイッチの切換えを制御する制御回路が一体となった半導体集積回路素子と、該半導体集積回路素子の送信用端子に接続され、送信信号の高調波信号を減衰させるフィルタ素子と、前記半導体集積回路素子および前記フィルタ素子を搭載するリードフレームとを具備してなり、前記リードフレーム上に前記フィルタ素子が搭載され、さらに該フィルタ素子上に前記半導体集積回路素子が搭載されていることを特徴とするものである。
【００２１】
このように、フィルタ素子上に半導体集積回路素子を搭載することにより、高周波モジュールのサイズを小型化できる。さらに、フィルタ素子表面の接地電極の電位を最適化することで、高周波半導体集積回路素子の端子間のアイソレーション特性を改善することができる。
【００２２】
ここで、本発明の高周波モジュールには、前記アンテナ端子に印加された過渡的な高電圧サージを減衰するための回路素子が、前記アンテナ端子から前記半導体集積回路素子に至るまでの経路に配置されるように、前記リードフレーム上に前記フィルタ素子とともに並設されているのが好ましい。
【００２３】
このように、高電圧サージ減衰用のフィルタ素子を備えることで、高電圧サージによる高周波半導体集積回路素子の破壊を防止できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、半導体集積回路素子の構造を変更することなく、半導体集積回路素子の端子間のアイソレーション特性を改善でき、良好な特性を有する小型の高周波モジュールが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２６】
本発明の高周波モジュールは、アンテナ端子側に接続される端子数が１、他方の端子数がＭ（Ｍは２以上の整数）の高周波スイッチを使用することを前提としている。以下、５つの通信システムに対応した例について説明する。
【００２７】
図１は、本発明のマルチバンド対応携帯電話端末機の高周波モジュールの一例を説明するためのブロック図であり、図中の点線で囲まれる領域が高周波モジュールを示している。
【００２８】
図１に示す高周波モジュール２０１は、１つの共通のアンテナ端子ＡＮＴに接続され、ＧＳＭ８５０（８５０ＭＨｚ帯）、ＧＳＭ９００（９００ＭＨｚ帯）、ＤＣＳ（１８００ＭＨｚ帯）、ＰＣＳ（１９００ＭＨｚ帯）、ＵＭＴＳ（２１００ＭＨｚ帯）の５つの通信システムを切り換えるモジュールである。
【００２９】
この高周波モジュール２０１は、ＧＳＭ８５０／９００−ＴＸ、ＧＳＭ８５０−ＲＸ、ＧＳＭ９００−ＲＸ、ＤＣＳ／ＰＣＳ−ＴＸ、ＤＣＳ−ＲＸ、ＰＣＳ−ＲＸ、ＵＭＴＳ−ＴＸ／ＲＸを切り換える高周波スイッチとしての機能を有する半導体集積回路素子２を備えている。そして、半導体集積回路素子２は、スイッチの切換え状態を制御する制御回路を備えている。
【００３０】
また、ＧＳＭ８５０／９００−ＴＸと半導体集積回路素子２との経路中に送信信号の高調波成分を減衰させる低域通過フィルタＬＰＦ１と、ＤＣＳ／ＰＣＳ−ＴＸと半導体集積回路素子２の経路中に送信信号の高調波成分を減衰させる低域通過フィルタＬＰＦ２とが接続されている。これらの低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２は、送信用パワーアンプ（図示せず）から発生する高調波を除去することを目的に配置されたローパスフィルタである。
【００３１】
半導体集積回路素子２の送信系端子ＧＳＭ８５０／９００−ＴＸ、ＤＣＳ／ＰＣＳ−ＴＸにはパワーアンプ（図示せず）が接続され、受信系端子ＧＳＭ８５０−ＲＸ、ＧＳＭ９００−ＲＸ、ＤＣＳ−ＲＸ、ＰＣＳ−ＲＸにはローノイズアンプ（図示せず）が、ＵＭＴＳ−ＴＸ／ＲＸにはデュプレクサ（図示せず）が接続されている。
【００３２】
一方、図２（ａ）は、スイッチングトランジスタＱ１〜Ｑ４（総称するときはＱで表す）を含む半導体集積回路素子の模式的な回路であり、図２（ｂ）は、スイッチングトランジスタＱの特性図である。図２（ｂ）の横軸はゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ、縦軸はドレイン電流Ｉｄを表す。スイッチングトランジスタＱは、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを負にすることによってオフにできる、いわゆるデプレッション型といわれるタイプである。なお、半導体集積回路素子２１は図１に示す半導体集積回路素子２における最低限必要な部分のみを取りだして単純化したものである。
【００３３】
以上の特性を有する半導体集積回路素子２１の動作について説明する。    
ＡＮＴ端子とＴＸ１端子の経路がオンの場合、制御電圧Ｖ１をＨｉｇｈ（２．８Ｖ）、制御電圧Ｖ２〜Ｖ４をＬｏｗ（０．２Ｖ）にすることで、トランジスタＱ１が導通状態、トランジスタＱ２〜Ｑ４が非導通状態となり、当該経路がオンとなる。ＡＮＴ端子とＴＸ２端子の経路、ＡＮＴ端子とＲＸ１端子の経路、ＡＮＴ端子とＲＸ２端子の経路をオンにするときも同様に、当該経路のトランジスタを制御する電圧をＨｉｇｈ、その他のトランジスタを制御する電圧をＬｏｗとすることで、当該経路をオンとすることができる。
【００３４】
次に、本発明の高周波モジュールの構造について説明する。    
図３は図１の回路により構成される高周波モジュール２０１の構造図であり、図４は図３に示すリードフレームの平面図である。
【００３５】
図４に示すように、リードフレーム１は、樹脂製材料からなるリードフレーム本体１２と、リードフレーム本体１２表面の略中央部に形成された接地電極パッド１１および周縁部に形成された複数のリード端子１０で構成される。点線Ａで囲われた領域には、フィルタ素子（ＬＰＦ）３が搭載される。
【００３６】
そして、図３に示すように、リードフレーム１の略中央部に位置する接地電極パッド１１には、フィルタ素子３が搭載され、両者は、金属ペースト、半田ペースト等の導電性結合材により、電気的な接続がなされる。フィルタ素子３の下面には、リードフレーム１のリード端子１０、接地電極パッド１１の形状に対応したランドグリッドアレイ端子（ＬＧＡ端子）が形成されている。このＬＧＡ端子は、半導体集積回路素子２との接続用端子、外部部品に接続するためのリード端子との接続用端子、接地電極用端子から構成されている。
【００３７】
このフィルタ素子３は、図５に示すように、誘電体層と導体層とが積層された誘電体多層基板Ｂによって構成されており、図１に示すように、半導体集積回路素子２とＧＳＭ８５０／９００−ＴＸ端子間に挿入される低域通過フィルタＬＰＦ１と、同じく半導体集積回路素子２とＤＣＳ／ＰＣＳ−ＴＸ端子間に挿入される低域通過フィルタＬＰＦ２が内層されている。
【００３８】
誘電体多層基板Ｂは、同一寸法形状の誘電体層５１〜５７が積層されたもので、各誘電体層５１〜５７間には、低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２を構成するパターンからなる導体層６１が形成されている。このような誘電体層５１〜５７は、例えば、低温焼成用のセラミックスで形成され、導体層６１は、銅や銀などの低抵抗導体によって形成される。
【００３９】
また、各誘電体層５１〜５７には複数の層にわたって回路を構成し又は接続するために必要なビアホール導体（図示せず）が適宜形成されている。さらに、フィルタ素子３の上面には、半導体集積回路素子２を搭載するための接地電極パターン６２が形成されており、複数のビアホール導体（図示せず）で下面の接地電極端子と接続されている。これらは、周知の多層セラミック技術によって形成されるもので、例えば、セラミックグリーンシートの表面に導電ペーストを塗布して上述した各回路を構成する導体パターンをそれぞれ形成した後、これらのグリーンシートを積層し、所要の圧力と温度の下で熱圧着し、焼成して形成される。
【００４０】
そして、図３に示すように、半導体集積回路素子２が接地電極パターン６２上に搭載される。この半導体集積回路素子２は、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）化合物、Ｓｉ（シリコン）又はＡｌ２Ｏ３（サファイア）を主成分とする基板上に、ｐ−ＨＥＭＴなどの半導体素子を搭載して、これらの半導体素子を利用したスイッチング回路パターンおよび制御回路を形成したものである。
【００４１】
半導体集積回路素子２の下面には接地用電極が形成されており（図示せず）、この接地用電極とフィルタ素子３上面の接地電極パターン６２とは、ＡｇまたはＡｕＳｎに接着剤を混ぜた導電性接着剤、または有機樹脂系の非導電性の接着剤により、電気的接続がなされている。また、半導体集積回路素子２の上面には電極パッド２０が形成され、電極パッド２０とリード端子１０とはボンディングワイヤ３０により電気的に接続されている。そして、このリード端子１０は高周波モジュールの外部の部品と接続される。
【００４２】
上記のように構成された後、これらの表面をエポキシ樹脂などの封止樹脂により封止して高周波モジュールが完成する。
【００４３】
このように、フィルタ素子の上に半導体集積回路素子が搭載される構造であることにより、以下の効果を奏する。
【００４４】
フィルタ素子３の上面に形成された接地電極パターン６２の電位は、接地電極パターン６２と下面の接地電極端子とを繋ぐビアホール導体の数などを変更することで、変化させることができる。接地電極パターン６２の電位は、半導体集積回路素子２の端子間のアイソレーション特性に影響を与えるため、フィルタ素子３の上面の接地電極パターン６２の電位を最適化することで、半導体集積回路素子２の端子間のアイソレーション特性を最適化することができる。すなわち、半導体集積回路素子２の構造を変更することなく、コスト的に有利なフィルタ素子３の構造を変更することで、電位の調整ができる。
【００４５】
図６に、本発明の高周波モジュールの第２の実施例の回路図を示す。    
図６に示す高周波モジュール２０２においては、ＧＳＭ８５０／９００−ＴＸの経路において、半導体集積回路素子２と低域通過フィルタＬＰＦ１との間に、位相調整線路ＳＬ１が挿入されている。同様に、ＤＣＳ／ＰＣＳ−ＴＸの経路においても、半導体集積回路素子２と低域通過フィルタＬＰＦ２との間に、位相調整線路ＳＬ２が挿入されている。
【００４６】
このような位相調整線路の挿入によれば、電力増幅回路（図示せず）から送信された信号が高周波モジュール２０２のＴＸ経路に入力される際に、半導体集積回路素子２の非線形性により発生してしまう不要高調波成分を、抑制することができる。
【００４７】
なお、位相調整線路ＳＬ１、ＳＬ２は、分布定数線路で形成するときは、フィルタ素子３に内層されるが、半導体集積回路素子２とフィルタ素子３とを接続するワイヤの長さを調整することにより形成してもよい。
【００４８】
ここで、図７に位相調整による不要高調波成分の変化のグラフを示す。    
図７のグラフは、ＧＳＭ９００−ＴＸモード時の、基本周波数９００ＭＨｚの２倍周波数（１８００ＭＨｚ）及び３倍周波数（２７００ＭＨｚ）の不要高調波成分を示している。横軸に、半導体集積回路素子２から位相調整線路ＳＬ１側をみたインピーダンスの位相を表している。縦軸に、不要高調波成分の電力量と基本周波数信号の電力量との差を表しており、数値が大きいほど、不要高調波成分が少なく良好な特性であることを示している。
【００４９】
図７のグラフより、２倍周波数の場合、８０°〜１８０°、−１２０°〜−１８０°の範囲にインピーダンスの位相を調整することで、不要高調波成分が７０ｄＢｃ以上となり、良好な特性を得ることができる。３倍周波数の場合、−１２０°〜−１８０°の範囲にインピーダンスの位相を調整することで、不要高調波成分が７０ｄＢｃ以上となり、良好な特性を得ることができる。
【００５０】
上記のように、半導体集積回路素子２からフィルタ素子３側をみたインピーダンスの位相を、位相調整線路により最適化することで、半導体集積回路素子２から発生する不要高調波成分を抑制できる。
【００５１】
図８に、本発明の高周波モジュールの第３の実施例の構造図を示す。    
図８に示す高周波モジュール２０３においては、リードフレーム１の中央部に位置する接地電極パッド１１に電気的接続されるように、リードフレーム１上にフィルタ素子３が搭載され、フィルタ素子３上面の接地電極上に、半導体集積回路素子２が搭載され、半導体集積回路素子２上面の電極パッド２０とリード端子１０がボンディングワイヤ３０により接続された構成であって、さらに高周波モジュール２０３のアンテナ端子から半導体集積回路素子２に至るまでの経路に配置されるように、高電圧サージ減衰用回路素子７０がリードフレーム１上にフィルタ素子３とともに並設されている。
【００５２】
高電圧サージ減衰用回路素子７０は、一端を高周波モジュール２０３のアンテナ端子に繋がるリード端子１２に接続され、他端を接地電極パッド１１に接続されている。例えば、高電圧サージ減衰用回路素子７０は、インダクタ素子、または、インダクタ素子とバリスタ素子の並列回路で構成される。
【００５３】
一般的に、高電圧サージ対策を施していない半導体集積回路素子は、アンテナ端子に０．１ｋＶ程度の電圧が印加されることで破壊される。電子部品の高電圧サージに関する規格では、通常、コンタクトモードで４ｋＶの高電圧を印加しても、破壊されないことが必要であり、このように、高電圧サージ減衰用の回路素子を備えることで、高電圧サージによる高周波半導体集積回路素子の破壊を防止できる。
【００５４】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらの形態に限定されるものではなく、例えば、ＧＳＭ８５０／９００−ＴＸ端子とＤＣＳ／ＰＣＳ−ＴＸ端子とに接続される電力増幅回路、自動電力制御回路、ＳＡＷフィルタ等の帯域通過フィルタなどが、本実施例に示す高周波モジュールの内部に一体化されて搭載されてもよい。
【００５５】
また、ＵＭＴＳ端子に接続されるデュプレクサ、電力増幅回路、自動電力制御回路、ＳＡＷフィルタ等の帯域通過フィルタなどが、本実施例に示す高周波モジュールの内部に一体化されて搭載されてもよい。さらに、ＧＳＭ８５０−ＲＸ端子、ＧＳＭ９００−ＲＸ端子、ＤＣＳ−ＲＸ端子、ＰＣＳ−ＲＸ端子に接続されるＳＡＷフィルタ等の帯域通過フィルタが、本実施例に示す高周波モジュールの内部に一体化されて搭載されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の高周波モジュールの一例を示す回路ブロック図である。
【図２】（ａ）は本発明の半導体集積回路素子の模式的回路図、（ｂ）は半導体集積回路素子を構成するトランジスタの基本動作を示すグラフである。
【図３】本発明の高周波モジュールの一例を示す構造図である。
【図４】図３に示すリードフレーム１の構造図である。
【図５】図３に示すフィルタ素子３の内部構造を示す一部切欠斜視図である。
【図６】本発明の高周波モジュールの第２の実施の形態を示す回路図である。
【図７】本発明の高周波モジュールの第２の実施の形態に係る、半導体集積回路素子からフィルタ素子側をみたインピーダンスの位相の変化による不要高調波成分の変化を示すグラフである。
【図８】本発明の高周波モジュールの第３の実施の形態を示す構造図である。
【図９】ＧＳＭ／ＤＣＳ方式のデュアルバンド方式の携帯電話端末機の高周波送信モジュール（ＴＸＭ）１００を示すブロック図である。
【図１０】従来の高周波モジュールを示すブロック図である。
【図１１】従来の高周波モジュールを示すブロック図である。
【図１２】従来の高周波モジュールを示す構造図である。
【図１３】従来の半導体集積回路素子の模式的回路図である。
【符号の説明】
【００５７】
１・・・・・リードフレーム
１０・・・・リード端子
１１・・・・接地電極パッド
１２・・・・リードフレーム本体
２、２１・・半導体集積回路素子
２０・・・・電極パッド
３・・・・・フィルタ素子
２０１、２０２、２０３・・高周波モジュール
３０・・・・ボンディングワイヤ
ＬＰＦ１、ＬＰＦ２・・低域通過フィルタ
ＳＬ１、ＳＬ２・・位相調整線路
５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７・・誘電体層
６１・・・・導体パターン
６２・・・・接地電極パターン
７０・・・・高電圧サージ減衰用回路素子
Ａ・・・・・フィルタ素子搭載領域
Ｂ・・・・・誘電体多層基板
【図１】
2007036452.tif 000003
【図２】
2007036452.tif 000004
【図３】
2007036452.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007036452.tif 000007
【図６】
2007036452.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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