(57)【要約】【課題】酸化スズ薄膜に対するパラジウムの拡散を促進でき、その結果として、ガス感知膜となる酸化スズ薄膜のガス応答性及び感度の向上ができる光照射によるドーピング方法を提供する。【解決手段】基板に形成された酸化スズ薄膜表面に対してパラジウム溶液を接触させた状態で光照射を行うことにより、パラジウムを酸化スズ薄膜に拡散する。光照射は、紫外線領域の波長の光を発する光源にて行うことが好ましい。又、基板に設けられた酸化スズ薄膜を、パラジウム溶液中に浸してもよいが、パラジウム溶液を、酸化スズ薄膜表面に滴下して行うことが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された酸化スズ薄膜表面に対してパラジウム溶液を接触させた状態で光照射を行うことにより、パラジウムを前記酸化スズ薄膜に拡散することを特徴とする光照射によるドーピング方法。
【請求項２】
前記パラジウム溶液は、前記酸化スズ薄膜表面に対して滴下して、接触させることを特徴とする請求項１に記載の光照射によるドーピング方法。
【請求項３】
前記光照射後に、アニール処理を行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光照射によるドーピング方法。
【請求項４】
前記パラジウム溶液が、塩化パラジウム溶液であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の光照射によるドーピング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光照射によるドーピング方法に関し、詳しくは、光照射によるパラジウムのドーピング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、酸化スズは還元性ガスや有毒ガスを検知する物質として研究が進められてきており、特にこれからの燃料電池が主流となる時代において、水素ガスセンサの材料として期待されている。ここで、一般的な、ガスセンサの原理は、以下の通りである。大気中において、ガス感知膜表面に吸着した酸素が電子をトラップし、この結果、ガス感知膜の抵抗率を増加させる。そこへ、水素等の還元性ガスが流れると、前記ガス感知膜表面に吸着された酸素が取り除かれることにより、抵抗率が変化し、この抵抗率の変化を測定することにより、還元性ガスを検知する。
【０００３】
ところで、水素ガスセンサでは、絶縁基板にガス感知薄膜である酸化スズ薄膜が設けられ、該酸化スズ薄膜にパラジウム（Ｐｄ）の拡散が行われることにより、水素ガスを検出可能にされている。そして、この拡散されたパラジウムによって水素ガス（Ｈ２）の分解が促進される。
【０００４】
なお、非特許文献１では、ゾル・ゲル法で作製され、Ｉｎ２Ｏ３をドープしたＳｎＯ２薄膜、すなわち、水素センサが記載されており、該ＳｎＯ２薄膜では２５℃において、ドープしない場合に比して、０．１％の水素に感度が３２％、すなわち、電気抵抗が０．７５倍となったことが記載されている。
【０００５】
又、非特許文献２では、モレキュラビーム  エピタキシ（molecularbeam eptaxy）法で作製されるとともに白金を触媒として使用したＺｎＯ、すなわち、水素センサが記載され、ここでは、２５℃、０．０５％の水素雰囲気中で、１０分で、電気抵抗が４．２％変化したことが記載されている。
【非特許文献１】Ｓ．シュクラ  他３名著，"Nanocrystalline indium oxide-doped tin oxide thin film as low temperature hydrogen sensor" 、「 センサとアクチュエータ（Sensor and Actuators）」，オランダ ，Elsevier社，B 97(2000) 、p256-265
【非特許文献２】Ｈ．Ｔ．ワング  他２名著，"Hydrogen- selective sensing at room temperature with ZnO nanorods"，「(Applied Physics Letters 86)」，アメリカ ，American Institute of Physics，243503(2005)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来は、酸化スズ薄膜に対するパラジウム（Ｐｄ）の拡散が少ないため、ガスセンサのガス感知性能の向上が期待できない問題があった。そこで、酸化スズ薄膜に対して、パラジウムの拡散を促進できるドーピングの方法が望まれている。
【０００７】
本発明の目的は、酸化スズ薄膜に対するパラジウムの拡散を促進でき、その結果として、ガス感知膜となる酸化スズ薄膜のガス応答性及び感度の向上ができる光照射によるドーピング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板に形成された酸化スズ薄膜表面に対してパラジウム溶液を接触させた状態で光照射を行うことにより、パラジウムを前記酸化スズ薄膜に拡散することを特徴とする光照射によるドーピング方法を要旨とするものである。ここで、光照射は、紫外線領域の波長の光を発する光源にて行うことが好ましい。
【０００９】
基板に設けられた酸化スズ薄膜を、パラジウム溶液中に浸してもよいが、特に、前記パラジウム溶液を、酸化スズ薄膜表面に滴下して行うことが好ましい（請求項２）。
又、光照射によって、パラジウムの拡散処理が終了した後は、アニール処理を行うことが好ましい（請求項３）。このアニール処理が行われることにより、高温下のもとで、ガス検知を行う場合に、安定したオーミック特性が得られる。
【００１０】
又、パラジウム溶液は、塩化パラジウム溶液であることが好ましい（請求項４）。
【発明の効果】
【００１１】
本請求項１の発明によれば、酸化スズ薄膜に対するパラジウムの拡散を促進でき、その結果として、ガス感知膜となる酸化スズ薄膜のガス応答性及び感度の向上ができる。
請求項２の発明によれば、パラジウム溶液を酸化スズ薄膜に滴下することにより、請求項１の発明の効果を奏する。
【００１２】
請求項３の発明によれば、パラジウムの拡散処理終了後のアニール処理により、高温下のもとで、ガス検知を行う場合、酸化スズ薄膜に安定したオーミック特性が得られる。
請求項４の発明によれば、パラジウム溶液を塩化パラジウム溶液とすることにより、請求項１乃至請求項３の発明の効果を容易に実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施形態）
図１にこの発明の光照射によるドーピング方法を行うのに好適なドーピング装置の一例の要部を示す。
【００１４】
同図に示すように、ドーピング装置は、基板２０を水平に載置する支持板１２を備えた支持装置１０と、支持板１２に載置された基板２０に対向して配置された光源３０と、光源３０と支持板１２の間に配置され、光源３０からの光を基板２０の上面に集光する集光レンズ４０とを備える。
【００１５】
なお、光源３０を基板２０に対向させて配置し、基板２０に向けて直接に照射しても良いが、アルミコーティング鏡等で反射させて照射するようにすれば、光源３０の配置の自由度が高まる。基板２０と光源３０との間に集光レンズ４０を設けると、基板２０の大きさや堆積しようとする面積に応じて集光レンズ４０で光を集光し、所望の範囲でのみ後述する光化学反応や、ドーピングを起こさせることができるので好ましい。集光レンズ４０で集光することにより、基板２０の一部領域に選択的に薄膜を形成させることも可能である。
【００１６】
上記のドーピング装置を使用して、パラジウムのドーピングを行うが、このドービング方法の説明の前に、ドーピング装置を使用して、基板２０に酸化スズ薄膜を形成する方法の説明を行う。
【００１７】
（酸化スズ薄膜の形成について）
本実施形態では、酸化スズ薄膜の成膜は、光化学堆積法(Photochemical deposition;ＰＣＤ)で行う。ＰＣＤ法においては、化合物の生成反応が溶液中のイオンの光励起によってのみ引き起こされ（光化学反応）、光照射のオン／オフやその強度変化により膜厚の制御を容易に行うことができる。この方法は、溶液中に光照射を行い、薄膜を堆積させるという方法である。そのため、作成される薄膜は微粒子の集合体となり、非常に簡単な装置で膜を形成できる利点がある。又、このＰＣＤ法では、前記溶液を基板上に滴下（ドロップ）した状態で光照射を行う。以下、このＰＣＤ法をドロップＰＣＤ法という。
【００１８】
なお、本実施形態では、ドロップＰＣＤ法で行うが、後述するパラジウム溶液を酸化スズ薄膜に接触させて光照射を行う場合、該酸化スズ薄膜の形成は、従来と同様のＰＣＤ法で形成してもよい。
【００１９】
ところで、酸化スズ薄膜の形成では、２価のスズイオン（Ｓｎ２＋）の光励起反応により誘起されているものと考えられる。そのメカニズムについては、以下のように推測される。
【００２０】
硫酸スズ（ＩＩ）（ＳｎＳＯ４）を含む水溶液は、３００ｎｍ付近に光吸収端をもつ。一方、硫酸スズ（ＩＶ）（Ｓｎ（ＳＯ４）２）を含む水溶液については、２００ｎｍ以上の波長領域で強い吸収が観察されない。従って、硫酸スズ（ＩＩ）水溶液における２００ｎｍ〜３００ｎｍの吸収はＳｎ２＋によるものであると考えられる。このことから、Ｓｎ４＋は光化学反応の誘起には関与しておらず、Ｓｎ２＋が近紫外領域の波長を持つ光を吸収して励起され、化学式（１）に示すような不均化反応を起こすことによって酸化スズ薄膜の形成を誘起しているものと考えられる。
【００２１】
２Ｓｎ２＋→Ｓｎ０＋Ｓｎ４＋  ……（１）
従って、酸化スズ薄膜の形成のための反応溶液中にはＳｎ２＋が供給されていることが必要である。Ｓｎ２＋を含む反応溶液は、例えば硫酸スズ（ＩＩ）、塩化スズ（ＩＩ）等のスズイオンを含む塩を水に溶解することにより、調製することができる。
【００２２】
又、このＳｎ２＋が安定に存在できるイオン濃度やｐＨを反応条件として選定することが重要である。反応溶液がアルカリ性であると、スズイオンがＳｎ（ＯＨ）２となって沈殿してしまうため、反応溶液は酸性であることが必須である。好適なｐＨの範囲については電位−ｐＨ図（Ｍ．Ｐｏｕｒｂａｉｘ  ："Ａｔｌａｓ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｑｕｉｌｉｂｒｉａ  ｉｎ  Ａｑｕｅｏｕｓ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ"，  ｐ４７９）により決定することができ、おおよそ−２以上４以下であることが好ましい。
【００２３】
又、スズイオンの好適な濃度については、製造したい酸化スズ薄膜の性質等により変動し、一概に限定されないが、１０−６ｍｏｌ／ｌ以上、１ｍｏｌ／ｌ以下であることが好ましい。さらに、良好な酸化スズ薄膜を得るためには、スズイオンが１０ｍｍｏｌ／ｌ、ｐＨが１．５〜３の範囲であることが最も好ましい。
【００２４】
なお、電位−ｐＨ図より、スズイオン濃度が上昇するにつれて、ｐＨの上限は低下する。
又、スズイオンを安定化させるために、反応溶液にロッシェル塩（酒石酸カリウムナトリウム）などの錯化剤を加えておいても良い。
【００２５】
（基板２０の材質）
基板２０としては、紫外線を透過しない材質のものであることが好ましく、セラミックス、シリコンウエハ、プラスチック等種々の材質のものを使用することができる。又、ガラス等の紫外線を透過する材質のものであっても、公知のパラジウムによる処理等の表面処理を施すことにより好適に使用することができる。なお、これらの基板には、酸化スズ薄膜の基板表面への密着性の向上を目的とする表面処理を施しておいてもよい。もっとも、例えばプラスチック製の基板を用いる場合には、紫外線によって基板の表面がラジカル反応により活性化（親水化）されることによって、酸化スズ薄膜の基板表面への密着性が向上するため、このような表面処理を行う必要はない。
【００２６】
（光源３０）
紫外線の光源３０としては、反応溶液中のＳｎ２＋を励起できる近紫外領域、及び反応溶液の吸収端よりも短い紫外領域であるとともに、後述するパラジウムのドービングが行える発光波長をもつものであればよい。光源３０としては、例えば高圧水銀灯、クセノンランプ、メタルハライドランプ等を挙げることができる。
【００２７】
（ドーピング方法）
次に、ドーピング装置を利用して、基板２０に成膜された酸化スズ薄膜に対してパラジウムを拡散する方法、すなわちドーピング方法について説明する。
【００２８】
酸化スズ薄膜が形成された基板２０上面に対して、パラジウム溶液を滴下して、所定時間、前記光源３０で光照射を行う。光照射の後、純水で基板２０を洗浄する。このパラジウム溶液を酸化スズ薄膜に触れさせた状態で、光照射を行うことにより、パラジウムが酸化スズ薄膜に拡散される。この後、基板２０をアニール処理を行う。このアニール処理が行われることにより、高温下のもとで、ガス検知を行う場合に、酸化スズ薄膜に安定したオーミック特性が得られる。
【００２９】
（パラジウム溶液）
前記パラジウム溶液は、パラジウムイオンが含まれる溶液であればよい。又、パラジウム溶液の濃度は、酸化スズ薄膜にドープさせたい量に応じて設定すればよく、限定されるものではない。前記パラジウム溶液としては、例えば、塩化パラジウム溶液、酢酸パラジウム溶液、硝酸パラジウム溶液等を挙げることができる。前記パラジウム溶液のｐＨは、７前後が好ましい。
【００３０】
（実施例）
以下、実施例を挙げて詳細に説明する。
まず、実施例及び比較例に使用する試料を下記の通りに作成した。
【００３１】
１．試験方法
１）  酸性水溶液の調整
硫酸スズ（II）を、純水に１０ｍｍｏｌ／ｌ溶かし、ＨＮＯ３６ｍmol/lにより、ｐＨを２に調整した。なお、ＨＮＯ３６ｍmol/lは５０ｍｌの水溶液に対し６１％ＨＮＯ３を０．２５ml加えて作製した。
【００３２】
２）  酸化スズ薄膜の作製
図１に示すドーピング装置を組立てし、酸化スズ薄膜の作製を行った。基板２０としては、１ｃｍ×１ｃｍの大きさのガラス基板を使用し、支持装置１０の支持板１２上に該基板２０を載置して、前記酸性水溶液を基板２０上に１〜２滴（約０．１ｍｌ）滴下した。基板２０の上方には、５００Ｗの超高圧水銀ランプからなる光源３０及び、集光レンズ４０を配置し、光源３０からの発光が集光レンズ４０により集光されて、基板２０の表面における所定の部分、すなわち、前記酸性水溶液が滴下された部分に照射されるようにした。
【００３３】
一度の堆積時間（すなわち、照射時間）を５分間とし、５分毎に、前記基板２０を水洗い、乾燥させる。この一連の処理を１０回繰り返すことにより、酸化スズ薄膜を作製した。
【００３４】
３）  酸化スズ薄膜の確認
この作製により、酸化スズ薄膜の膜厚は、約０．２μｍであった。
この作製された酸化スズ薄膜をＡＥＳ分析（オージェ電子分光分析）装置にてオージェ電子分光分析を行って、組成比を計算した。この場合の酸化スズ薄膜の組成比Ｓｎ／Ｏ２は、約１となり、ドロップＰＣＤ法により、酸化スズ薄膜が基板２０に形成されていることが確認された。又、高分解能操作型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、酸化スズ薄膜の表面状態を調べた結果、酸化スズ薄膜表面に溶液中で反応し析出した酸化スズの粒子が確認でき、酸化スズ薄膜自体もこれらの微粒子が集まってできていることが伺えた。
【００３５】
次に、電流−電圧測定を行うために必要となる端子の形成のために、幅０．２ｍｍのくし型マスクにて酸化スズ薄膜表面を覆い、真空蒸着法により酸化スズ薄膜の端子形成部位（図示しない）を含む表面にＡｕを蒸着して電極（端子）パターンを形成した。このように電極形成した後、窒素雰囲気中４００℃で１時間の条件で、アニール処理を行った。アニール処理を行う理由は、前記電極を蒸着しただけでは、酸化スズ薄膜と電極の安定したオーミック特性が得られないためである。
【００３６】
そして、試料を入れたチャンバー内（図示しない）を真空に保ち、１７℃から４００℃まで温度を上げ、電流−電圧測定を行った。電流−電圧測定の結果を図６に示す。図６では、試料の温度依存性が表れている。なお、同図の縦軸は対数軸であって比抵抗ρ（Ω・ｃｍ）を表し、横軸は１０００／Ｔ（１／Ｋ）である。ここで、Ｔは絶対温度、Ｋはケルビン温度である。
【００３７】
図６に示すように、温度を上げると、抵抗値が指数関数的に減少していることが分かり、これは、半導体の特性を示し、求められる活性化エネルギーは約０．２６ｅＶであった。
【００３８】
４）  実施例１
（パラジウム処理）
試料に対してパラジウム処理を下記のようにして行い、パラジウムの処理が施された実施例１の試料を作製した。
【００３９】
０．２ｇの塩化パラジウムと濃塩酸０．５ｍｌを５００ｍｌの純水に溶かして塩化パラジウム溶液を作製し、この溶液を、図１に示すように、支持板１２上に載置した試料（基板２０）に対して、数滴滴下し、光源３０にて５分間照射を行った。この光源３０により、光源３０から発光した光が集光レンズ４０により集光されて、基板２０の表面における所定の部分、すなわち、塩化パラジウム溶液が滴下された部分に照射されるようにした。その後、純水で試料を洗浄した。なお、図１中、Ｐは基板２０上に滴下された塩化パラジウム溶液を示している。
【００４０】
この後、パラジウムの拡散処理の後、窒素雰囲気中４００℃で１時間の条件で、アニール処理を行った。アニール処理を行う理由は、パラジウムの拡散処理後に、アニール処理を行っていない試料では、高温での電流−電圧測定中に、試料のオーミック特性が変化し、不安定となるため、これを回避するためである。なお、アニール処理の温度条件は４００℃に限定されるものではなく、３５０〜４５０℃の範囲であればよい。
【００４１】
５）  比較例１
酸化スズ薄膜を基板２０上に作製し、その後、パラジウムの処理を行わない試料（上記３）のアニール処理まで行った試料）を比較例１の試料とした。
【００４２】
６）  比較例２
前記実施例１と同じ塩化パラジウム溶液を基板２０上に実施例１と同様に数滴滴下して、暗所で５分間放置し、その後純水洗浄した試料を比較例２の試料として作製した。
【００４３】
７）  実施例１、比較例１及び比較例２の各試料の電流−電圧測定
実施例１、比較例１及び比較例２の各試料とガスとの反応を調べた。具体的には、室温（２５℃）において、チャンバー（図示しない）を真空（約４３．９９Ｐａ）にした後、純酸素、純窒素、及び、アルゴンで希釈した５％水素をそれぞれ１００ｈＰａまで封入し、時間と共に、電流−電圧特性がどのように変化するかを調べた。測定は、酸素中、窒素中、水素中の順で行った。各ガスの測定毎に、真空に引き、次のガスを封入するという方法で行った。
【００４４】
８）  結果と考察
８−１）  比較例１
図２は、比較例１の試料（パラジウムの処理が行われていない試料）のガスとの反応測定の結果を示している。なお、図２〜４においては、横軸に時間（ｍｉｎ）、縦軸に電圧２Ｖを印加したときの電流値をとってある。又、縦軸は対数軸である。比較例１では、酸素雰囲気中、窒素雰囲気中ではほとんど電流値の変化が見られないが、水素雰囲気中（０．５％、アルゴン＋５％Ｈ２を１００ｈＰａ）において、電流値が１５分で約１桁上昇している。これは、作製された酸化スズ薄膜表面が、水素によって還元反応を起こしているものと考えられる。
【００４５】
８−２）  比較例２
図３は、比較例２の試料（パラジウム溶液を滴下処理し、暗所で放置した試料）のガスとの反応測定の結果を示している。比較例２では、比較例１に比して、水素ガスとの反応性が多少向上しているのが分かる。これは、パラジウムが酸化スズ薄膜表面に吸着し触媒として作用したことによるものと考えられる。
【００４６】
８−３）  実施例１
図４は、実施例１の試料のガスとの反応測定の結果を示している。こちらも、酸素雰囲気中、窒素雰囲気中ではほとんど反応が見られないが、水素雰囲気中（０．５％、アルゴン＋５％Ｈ２を１００ｈＰａ）では、１５分で約５桁の電流値が増加していることが分かる。一方、比較例１、２では、１５分で約１桁の電流値しか増加していない。これは、実施例１では光を照射しているため、パラジウムの薄膜への拡散が良好に行われ、パラジウムによる水素分子からの水素イオンへの分解がより活発になり、酸化スズ薄膜表面での還元反応が活性化したためと思われる。
【００４７】
又、この結果は、非特許文献１及び非特許文献２に記載された室温で測定し得る水素センサと比較しても、はるかに高感度であることが分かる。
９）  パラジウム処理による薄膜の組成の変化についての考察
パラジウム処理により、酸化スズ薄膜の組成がどのように変化するかを調べるため、比較例２の試料（光照射を行わなかった試料）と実施例１の試料（光照射が行われた試料）に対してＡＥＳ分析（オージェ電子分光分析）装置にてオージェ電子分光分析を行った。
【００４８】
図５は、ＡＥＳ１階微分スペクトルが示されている。横軸は運動エネルギ（Kinetic  Energy）、縦軸は強度（intensity）である。図５中、比較例２は（ａ）、実施例１は（ｂ）で示されている。図５では、ＡＥＳ分析において、スパッタ後の薄膜の内部の結果が示されている。比較例２では、図５の（ａ）に示されているようにＳｎとＯのピークしか見られないのに対して、実施例１では、図５の（ｂ）に示されているように３２０ｅＶ付近にＰｄのピークが見られる。
【００４９】
これは、パラジウム処理中に、光照射が加えられることによって、パラジウムが膜内部までドープされたことを示している。光照射によりパラジウムが膜内部に浸透していく原理として考えられるのは、酸化スズ薄膜が微粒子の集まりであることから、内部までパラジウム溶液が浸透しやすく、浸透したパラジウム原子が光のエネルギーによって内部の酸素と結合し、ＰｄＯ又はＰｄＯ２を形成していると考えられる。
【００５０】
なお、図３に示されるように、光照射が行われてパラジウム処理が行われた実施例１の試料は図４に示されるように光照射が行われずにパラジウム処理が行われた比較例２の試料に比較して、真空中での電流値が減少している。光照射が行われてパラジウム処理を行った実施例１の試料の抵抗値が高くなるのも、薄膜内部において、ＰｄＯ若しくは、ＰｄＯ２が形成されたものによるものだと考えられる。
【００５１】
１０）  水素雰囲気中の電流値の変化の測定
実施例１の試料において、水素雰囲気中で上昇した電流値が、その後のガス雰囲気の変化で、どのように減少するのかを、２７℃と、２００℃のそれぞれの温度下で測定した。
【００５２】
測定条件は、下記の時間領域（Ｉ）、時間領域（ＩＩ）、時間領域（ＩＩＩ）の順に、それぞれの領域下で実施例１の試料に電圧２Ｖを印加したときの電流値の測定を連続して行った。なお、それぞれの雰囲気下では、５分毎に、１５分間電流値の測定を行った。
【００５３】
領域（Ｉ）：  水素雰囲気（０．５％、アルゴン＋５％Ｈ２を１００ｈＰａ）中で、一度電流値を増加させた後、真空に引き続ける。
領域（ＩＩ）：  水素雰囲気（０．５％、アルゴン＋５％Ｈ２を１００ｈＰａ）中から水素を抜き、純窒素を１００ｈＰａまで封入する。
【００５４】
領域（ＩＩＩ）：  水素雰囲気（０．５％、アルゴン＋５％Ｈ２を１００ｈＰａ）中から水素を抜き、純酸素を１００ｈＰａまで封入する。
図７に示すように、２７℃における電流値測定では、真空中、窒素雰囲気中に比較して、酸素雰囲気中で、電流値が大幅に減少することが分かった。なお、図７、図８において、縦軸は対数軸であって電流値を示し、横軸は時間（ｍｉｎ）軸を示している。
【００５５】
図８に示すように、２００℃における電流値測定では、温度雰囲気が２７℃よりも高温であり、最初の電流値が大きいため、電流値の変化率は１５分で約１桁であるものの、どの領域においても、水素封入後５分以内で電流値が飽和しており、常温に比較して反応速度が上昇していることが分かる。これは、温度を上げることにより、薄膜表面で起こる吸着酸素と水素との還元反応が活発化しているためと考えられる。
【００５６】
このことは、ガスセンサの動作温度としては、低いとされる２００℃で、このような反応性が得られていることから、実施例１の試料は、反応速度の点においても、従来知られている酸化スズ薄膜に比較して優れていると考えられるとともに、室温で動作する水素ガスセンサとして安価で簡単に作製できる。このようにして、実施例１では、ガス感知膜としての酸化スズ薄膜のガス応答性、及び感度の向上を確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施形態のドービング装置の模式図。
【図２】比較例１のガスとの反応測定の結果を示す電流−電圧測定結果の特性図。
【図３】比較例２のガスとの反応測定の結果を示す電流−電圧測定結果の特性図。
【図４】実施例１のガスとの反応測定の結果を示す電流−電圧測定結果の特性図。
【図５】比較例２と、実施例１のＡＥＳ１階微分スペクトルを示す特性図。
【図６】酸化スズ薄膜の温度依存性を示す特性図。
【図７】ガス雰囲気が変更された場合の２７℃下での実施例１の電流値の特性図。
【図８】ガス雰囲気が変更された場合の２００℃下での実施例１の電流値の特性図。
【符号の説明】
【００５８】
１０…支持装置、２０…基板、３０…光源、４０…集光レンズ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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