(57)【要約】【課題】  耐水素特性に優れた光ファイバ素線を製造することが可能な光ファイバ素線の製造方法と製造装置並びに光ファイバ素線の提供。【解決手段】  光ファイバ母材を紡糸炉にて加熱溶融し、光ファイバ裸線を引き出し、次いで該光ファイバ裸線を被覆樹脂コーティング温度まで冷却し、次いで光ファイバ裸線に被覆樹脂をコーティングし、次いで該被覆樹脂を架橋・硬化させて光ファイバ素線を得る光ファイバ裸線の製造方法において、光ファイバ裸線を冷却する際に、光ファイバ裸線温度が１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線を徐冷炉を使用して徐冷し、徐冷炉の温度を１０００℃〜１２００℃の範囲とすることを特徴とする光ファイバ素線の製造方法。【選択図】  図１
2007063030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ母材を紡糸炉にて加熱溶融し、光ファイバ裸線を引き出し、次いで冷却する光ファイバ裸線の製造方法において、光ファイバ裸線温度が１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線を徐冷炉を使用して徐冷し、徐冷炉の温度を１０００℃〜１２００℃の範囲とすることを特徴とする光ファイバ裸線の製造方法。
【請求項２】
光ファイバ母材を紡糸炉にて加熱溶融し、光ファイバ裸線を引き出し、次いで該光ファイバ裸線を被覆樹脂コーティング温度まで冷却し、次いで光ファイバ裸線に被覆樹脂をコーティングし、次いで該被覆樹脂を架橋・硬化させて光ファイバ素線を得る光ファイバ裸線の製造方法において、光ファイバ裸線を冷却する際に、光ファイバ裸線温度が１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線を徐冷炉を使用して徐冷し、徐冷炉の温度を１０００℃〜１２００℃の範囲とすることを特徴とする光ファイバ素線の製造方法。
【請求項３】
光ファイバ母材を線引きして光ファイバ裸線とする紡糸炉と、該紡糸炉から引き出され１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線を徐冷する徐冷炉と、該徐冷炉から導出された光ファイバ裸線を被覆樹脂コーティング温度まで冷却する冷却筒と、冷却後の光ファイバ裸線に被覆樹脂液を塗布するコーターと、該被覆樹脂液を加熱し又は紫外線を照射して樹脂を架橋・硬化させて被覆層を形成する架橋筒とを有することを特徴とする光ファイバ素線の製造装置。
【請求項４】
請求項２に記載の製造方法により製造され、かつ、水素暴露によって波長１５３０ｎｍ付近をピークとする損失増加が０．００５ｄＢ／ｋｍ以下である光ファイバ素線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ裸線の製造方法、光ファイバ素線の製造方法と製造装置並びに光ファイバ素線に関し、特に耐水素特性の優れた光ファイバ素線を製造するための方法と装置、該製造方法により得られた光ファイバ素線に関する。本発明により得られる光ファイバ素線は、耐水素特性に優れているため、海底ケーブル用光ファイバ素線や、その他の水素暴露によって損失増加を好まない用途（光増幅システムなど）に好適である。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ファイバの紡糸において、生産性の向上の観点から、線引き速度を増加させた、所謂高速紡糸が用いられる傾向にある。このような高速紡糸の場合、限られた高さの紡糸タワー（建築物）の中で光ファイバ裸線に被覆（コーティング）を施すために、光ファイバ裸線をコーティング可能な温度まで冷却筒にて急冷させる必要がある。しかし、光ファイバ温度が高温である時に急冷を開始すると、耐水素特性が悪化する問題がある。
【０００３】
従来、耐水素特性の改善方法としては、主に、光ファイバ母材の線引き（紡糸）工程において、加熱溶融後の光ファイバを徐冷する方法、光ファイバ母材の添加物、屈折率分布を最適化する方法、製造した光ファイバ素線に対し、予め水素暴露処理をする方法、などが提案されている。
【０００４】
・線引き工程での徐冷
図２は、線引き後に徐冷を施す光ファイバ素線の製造装置の一例を示す図であり、この図中符号１０は光ファイバ母材、１１は光ファイバ裸線、１２は光ファイバ素線、１３は紡糸炉、１４は徐冷炉、１５は冷却筒、１６はコーター、１７は架橋筒、１８はターンプーリー、１９は引き取り部、２０はダンサーロール、２１は巻き取りロールである。この製造装置を用いて光ファイバ素線を製造するには、紡糸炉１３にて光ファイバ母材１０を局部加熱して光ファイバ裸線１１を線引きし、引き出された光ファイバ裸線１１を徐冷炉１４に導入して徐冷後、この光ファイバ裸線１１を冷却筒１５に導入して被覆樹脂コーティング温度まで冷却し、次いでコーター１６を通して光ファイバ裸線１１に被覆樹脂をコーティングし、次いで架橋筒１７に導入し該被覆樹脂を架橋・硬化させて光ファイバ素線１２を得る。得られた光ファイバ素線１２は、ターンプーリー１８，引き取り部１９、ダンサーロール２０を経て、巻き取りロール２１に巻き取られる。
このような線引き条件を最適化して光ファイバ中のパーオキシラジカルの生成を抑制する方法が種々提案されている。例えば、光ファイバ母材加熱溶融後の冷却過程にて、０．２５〜０．５秒で６００℃にする方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、光ファイバ母材加熱溶融炉にて、紡糸炉内中央より上部に最高温度位置があり、その後出口に向かって単調減少となり、最高温度は１７００〜２３００℃とする方法も提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
さらに、光ファイバ母材を軟化させる温度が１８００℃以上であり、１８００℃となるときの冷却速度を４０００℃／秒以下とする方法も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【０００５】
・添加物の調整
ゲルマニウム高濃度層からゲルマニウム低濃度層に染み出す光パワーの割合を、光ファイバを伝搬する光のパワー全体の０．４％以下に設定するなどして、光ファイバの耐水素特性を向上させる。さらに、ゲルマニウム高濃度層、すなわちコアおよび中間層の一方あるいは両方には必要に応じてフッ素などの他のドーパントを共添加することにより、複雑な屈折率プロファイルに対応することができる（例えば、特許文献４参照。）。
【０００６】
・水素暴露
波長１５３０ｎｍの吸収が可逆的であり、最終的には波長１３８０ｎｍに吸収ピークをもつＳｉＯＨに変化し、さらにＳｉＯＨの結合に変化すると再度水素雰囲気に暴露されても最早波長１５３０ｎｍに吸収を生じないことを利用し、光ファイバを予め水素雰囲気下で処理する方法が提案されている（例えば、特許文献５参照。）。
【特許文献１】特許第３２７５４２９号公報
【特許文献２】特開２００２−２２６２２７号公報
【特許文献３】特開２００２−３３８２８９号公報
【特許文献４】特開２００２−１０７５６３号公報
【特許文献５】特開２００２−２３４７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述した従来技術では、次のような問題点がある。
線引き工程の最適化では、特に長い徐冷時間が幅広い温度域で必要となっており、不必要な温度域が含まれているため、実際必要なライン長が長く、建物を高くする必要があったり、また既存のライン長で実施する場合、線引き速度を遅くする必要があり、生産性の低下を招き、これらは、コストアップにつながる。
【０００８】
また、光ファイバ母材の屈折率分布や、添加物の調整を行う場合、緻密な屈折率分布と添加量の制御が必要となり、母材製造方法、例えば、ＶＡＤ法などでは、緻密な添加物分布を得ることが難しいという問題がある。
【０００９】
さらに、水素処理による耐水素特性の改善には、水素暴露時間、暴露後の光ファイバ中の水素除去放置時間が必要となり、工程内のリードタイムが増加し、短納期の要求への対応が困難となり、あるいは大量の在庫を抱える必要があり、実用的ではない。
【００１０】
本発明は前記事情に鑑みてなされ、耐水素特性に優れた光ファイバ素線を製造することが可能な光ファイバ素線の製造方法と製造装置並びに光ファイバ素線の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明は、光ファイバ母材を紡糸炉にて加熱溶融し、光ファイバ裸線を引き出し、次いで冷却する光ファイバ裸線の製造方法において、光ファイバ裸線温度が１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線を徐冷炉を使用して徐冷し、徐冷炉の温度を１０００℃〜１２００℃の範囲とすることを特徴とする光ファイバ裸線の製造方法を提供する。
【００１２】
また本発明は、光ファイバ母材を紡糸炉にて加熱溶融し、光ファイバ裸線を引き出し、次いで該光ファイバ裸線を被覆樹脂コーティング温度まで冷却し、次いで光ファイバ裸線に被覆樹脂をコーティングし、次いで該被覆樹脂を架橋・硬化させて光ファイバ素線を得る光ファイバ裸線の製造方法において、光ファイバ裸線を冷却する際に、光ファイバ裸線温度が１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線を徐冷炉を使用して徐冷し、徐冷炉の温度を１０００℃〜１２００℃の範囲とすることを特徴とする光ファイバ素線の製造方法を提供する。
【００１３】
また本発明は、光ファイバ母材を線引きして光ファイバ裸線とする紡糸炉と、該紡糸炉から引き出され１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線を徐冷する徐冷炉と、該徐冷炉から導出された光ファイバ裸線を被覆樹脂コーティング温度まで冷却する冷却筒と、冷却後の光ファイバ裸線に被覆樹脂液を塗布するコーターと、該被覆樹脂液を加熱し又は紫外線を照射して樹脂を架橋・硬化させて被覆層を形成する架橋筒とを有することを特徴とする光ファイバ素線の製造装置を提供する。
【００１４】
また本発明は、前述した本発明に係る製造方法により製造され、かつ、水素暴露によって波長１５３０ｎｍ付近をピークとする損失増加が０．００５ｄＢ／ｋｍ以下である光ファイバ素線を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、耐水素特性改善に最も効率の良い温度域での徐冷であるため、既存設備の高さを有効利用できる。
耐水素特性改善に最も効率の良い温度と、徐冷炉の温度を一致させることで、光ファイバの温度管理が容易であり、かつ、徐冷炉を必要以上に高い温度に設定する必要がなく、電気代などのコスト増加を最低限に抑えることができる。
光ファイバ裸線に被覆を施し、光ファイバ素線とすることで、光ファイバの保護ができ、機械的信頼性が向上する。
水素暴露によって生じる波長１５３０ｎｍ付近をピークとする損失増加が少ないので、波長多重（ＷＤＭ）伝送システム用光ファイバとして好適である。
ＷＤＭ伝送システム用光ファイバとして好適であるため、海底用光ファイバとして利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
光ファイバ母材製造工程での各種ドーパントの共添加による屈折率分布の最適化による製造性の悪化や、コスト増の問題、また、紡糸冷却工程において、不必要な温度域の徐冷によるライン長利用の無駄の問題、さらに、製造後の光ファイバ素線に対し、水素ローディングによる処理、拡散時間の増加によるリードタイムの増加などの問題を解決するためには、母材製造工程での各種ドーパントによる共添加を行わず、紡糸冷却工程において、必要最低限の温度域のみを徐冷することで、ライン長を有効利用し、ついで、製造後の光ファイバ素線に対し、水素ローディングを行わないことが必要である。以上のことを満たすために、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、次のことがわかった。
【００１７】
一般に、ＯＨ基を少なからず含有した石英ガラスを高温で熱すると、ＯＨ基が乖離（熱乖離）し、石英ガラス中に水素が発生することが知られている。同じように、ＯＨ基を少なからず含有した光ファイバ母材を紡糸炉にて加熱溶融すると、約２０００℃を超える光ファイバ母材溶融部（ネックダウン部）において、高温の熱によりＯＨ基が熱乖離し、水素が発生する。そして発生した水素は、光ファイバ内外を拡散する。拡散した水素は、光ファイバ裸線が溶融変形し、そして、外径が一定値になり、光ファイバ裸線の変形が凍結し、冷却される過程にて、光ファイバ裸線が溶融変形時に発生した欠陥（非架橋酸素ホールセンター（ＮＢＯＨＣ）やパーオキシラジカル（ＰＯＲ）など）と結合し、最終的には化学的に安定なＯＨ基となる。
【００１８】
水素暴露による波長１５３０ｎｍ帯にピークを持つ吸収損失が増加する原因は、このＰＯＲである。つまり、予め紡糸中に拡散した水素とＰＯＲを結合させることで光ファイバ溶融変形中に発生したＰＯＲを減少させておけば、水素暴露後に波長１５３０ｎｍ帯にピークを持つ吸収損失が増加することはなく、耐水素特性が悪化することはない。これは、１５３０ｎｍの吸収が可逆的であり、最終的には１３８０ｎｍに吸収ピークをもつＳｉＯＨに変化することから、ＯＨ基の吸収損失（波長１３８０帯に吸収ピークを持つ）を測定し、従来の方法で製造された光ファイバ素線と比較し、増加していることでＰＯＲの減少を確認できる。
【００１９】
製造された光ファイバ素線の耐水素特性の評価は、例えば、特許文献４（特開２００２−１０７５６３号公報）に記載されているように、１００％水素、３０℃、２１時間暴露する水素暴露前後の波長と損失の関係から評価することができる。本発明では、特に水素暴露試験前後の波長１５３０ｎｍの損失増分を調べ、この損失増分が０．００５ｄＢ／ｋｍ以下である光ファイバ素線を提供する。
【００２０】
本発明者らが鋭意検討を行った結果、ＯＨ基の吸収損失、つまり、波長１３８０ｎｍ帯に吸収ピークを持つ損失を効率よく増加させる温度域は、１０００℃〜１２００℃ある。好ましくは、１１００℃程度が最適である。この温度域においては、光ファイバ外径変形はしないため、新たに欠陥が生じないのに加え、拡散した水素が効率よく欠陥と結合する。
【００２１】
一方、１３００℃以上の温度域においては、光ファイバ裸線は溶融変形過程にあり、ＰＯＲと結合した水素が、再び外径変形により結合が切れ、ＰＯＲを生じさせてしまうため、効率が悪い。さらに、９００℃以下の温度域では、外径変形は終わっているものの、構造的には構造緩和が進み、欠陥同士の再結合などが優先的に進む。しかしながら、この再結合には、温度が低いこともあり、比較的長い徐冷時間が必要となり、限られたライン長を使用するには、生産性を落とすなどの対応が必要となり現実的ではない。
【００２２】
以上のことから、光ファイバ母材を紡糸炉にて加熱溶融し、光ファイバ裸線を引き出し、冷却する光ファイバ冷却過程において、光ファイバ裸線温度が１０００℃〜１２００℃の領域の温度を徐冷することで、効率よくＰＯＲと水素を結合させることができ、結果として耐水素特性の優れた光ファイバ素線を得ることができる。
【００２３】
図１は、本発明に係る光ファイバ素線の製造装置の一例を示す図である。この製造装置は、光ファイバ母材１０を局部加熱して光ファイバ裸線１１を線引きする紡糸炉１３と、該紡糸炉１３から引き出され１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線１１を徐冷する徐冷炉２２と、該徐冷炉２２から導出された光ファイバ裸線１１を被覆樹脂コーティング温度まで冷却する冷却筒１５と、冷却後の光ファイバ裸線１１に被覆樹脂液を塗布するコーター１６と、該被覆樹脂液を加熱し又は紫外線を照射して樹脂を架橋・硬化させて被覆層を形成する架橋筒１７と、得られた光ファイバ素線１２をターンプーリー１８、引き取り部１９及びダンサーロール２０を介して巻き取る巻き取りロール２１とを備えて構成されている。
【００２４】
本製造装置は、紡糸炉１３から引き出され１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線１１を徐冷する位置に、徐冷炉２２を設けたことを特徴としている。この徐冷炉２２の温度は、１０００℃〜１２００℃の範囲とすることが好ましい。
【００２５】
本発明に係る光ファイバ素線の製造方法は、例えば図１に示す製造装置を用い、まず光ファイバ母材１０を紡糸炉１３にて加熱溶融し、光ファイバ裸線１１を引き出し、次いで光ファイバ裸線温度が１０００℃〜１２００℃の領域にある光ファイバ裸線を徐冷炉２２に導入し、１０００〜１２００℃で徐冷し、次いで該光ファイバ裸線１１を冷却筒１５に導入して被覆樹脂コーティング温度まで冷却し、次いで光ファイバ裸線１１に被覆樹脂をコーティングし、次いで該被覆樹脂を架橋炉１７内で架橋・硬化させて光ファイバ素線１２を得ることを特徴とする。
【００２６】
本製造方法において、光ファイバ裸線１１の徐冷温度が１０００℃より低いか、或いは１２００℃より高いと、得られる光ファイバ素線１２は、前述した水素暴露試験前後の波長１５３０ｎｍ損失増分が０．００５ｄＢ／ｋｍ以上となり、耐水素特性が悪くなる。
【００２７】
光ファイバ裸線１１に被覆樹脂をコーティングし、被覆を形成する工程は、従来の光ファイバ素線の製造方法における被覆形成工程と同様に行うことができる。また被覆樹脂としては、紫外線熱硬化型樹脂や熱硬化型樹脂を用いることができ、架橋筒１７は使用樹脂の硬化条件に応じて、紫外線ランプや加熱ヒータを備えたものが用いられる。
【００２８】
このように得られた本発明に係る光ファイバ素線は、１００％水素、３０℃、２１時間暴露する水素暴露前後の波長１５３０ｎｍの損失増分が０．００５ｄＢ／ｋｍ以下となり、耐水素特性の優れたものとなる。
本発明の光ファイバ素線は、耐水素特性に優れているため、海底ケーブル用光ファイバ素線や、その他の水素暴露によって損失増加を好まない用途（光増幅システムなど）に好適である。
【実施例】
【００２９】
［実施例１］
ＭＣＶＤ法を用いて石英系ガラスからなるＷＤＭ光ファイバ母材を製造し、次いで線引きし、光ファイバ素線を製造した。線引き時、放射温度計にて光ファイバ温度を測定し、光ファイバ温度１１００℃の位置に、徐冷炉を設置し、徐冷炉温度を１１００℃とした。
製造した光ファイバ素線に対して、カットバック法による損失波長特性の測定による波長１３８０ｎｍ損失の評価、および、１００％水素、３０℃、２１時間暴露による水素暴露試験を行い、試験後の波長１５３０ｎｍ損失の増分を評価したところ、波長１３８０ｎｍ損失は０．８２ｄＢ／ｋｍであり、波長１５３０ｎｍ損失増分は０．０００ｄＢ／ｋｍであった。結果を図３に示す。図３（ａ）は、水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｂ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｃ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失増分の波長特性を示すグラフである。
【００３０】
［実施例２］
同じＷＤＭ光ファイバ母材を製造し、次いで線引きし、光ファイバ素線を製造した。線引き時、放射温度計にて光ファイバ温度を測定し、光ファイバ温度１０００℃の位置に、徐冷炉を設置し、徐冷炉温度を１０００℃とした。
製造した光ファイバ素線に対して、カットバック法による損失波長特性の測定による波長１３８０ｎｍ損失の評価、および、１００％水素、３０℃、２１時間暴露による水素暴露試験を行い、試験後の波長１５３０ｎｍ損失の増分を評価したところ、波長１３８０ｎｍ損失は０．８１ｄＢ／ｋｍであり、波長１５３０ｎｍ損失増分は０．００１ｄＢ／ｋｍであった。結果を図４に示す。図４（ａ）は、水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｂ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｃ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失増分の波長特性を示すグラフである。
【００３１】
［実施例３］
同じＷＤＭ光ファイバ母材を製造し、次いで線引きし、光ファイバ素線を製造した。線引き時、放射温度計にて光ファイバ温度を測定し、光ファイバ温度１２００℃の位置に、徐冷炉を設置し、徐冷炉温度を１２００℃とした。
製造した光ファイバ素線に対して、カットバック法による損失波長特性の測定による波長１３８０ｎｍ損失の評価、および、１００％水素、３０℃、２１時間暴露による水素暴露試験を行い、試験後の波長１５３０ｎｍ損失の増分を評価したところ、波長１３８０ｎｍ損失は０．８０ｄＢ／ｋｍであり、波長１５３０ｎｍ損失増分は０．００２ｄＢ／ｋｍであった。結果を図５に示す。図５（ａ）は、水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｂ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｃ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失増分の波長特性を示すグラフである。
【００３２】
［比較例１］
同じＷＤＭ光ファイバ母材を製造し、次いで線引きし、光ファイバ素線を製造した。線引き時に徐冷炉の設置は行わなかった。
製造した光ファイバ素線に対して、カットバック法による損失波長特性の測定による波長１３８０ｎｍ損失の評価、および、１００％水素、３０℃、２１時間暴露による水素暴露試験を行い、試験後の波長１５３０ｎｍ損失の増分を評価したところ、波長１３８０ｎｍ損失は０．６１ｄＢ／ｋｍであり、波長１５３０ｎｍ損失増分は０．０１５ｄＢ／ｋｍであった。結果を図６に示す。図６（ａ）は、水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｂ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｃ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失増分の波長特性を示すグラフである。
【００３３】
［比較例２］
同じＷＤＭ光ファイバ母材を製造し、次いで線引きし、光ファイバ素線を製造した。線引き時、放射温度計にて光ファイバ温度を測定し、光ファイバ温度１３００℃の位置に、徐冷炉を設置し、徐冷炉温度を１３００℃とした。
製造した光ファイバ素線に対して、カットバック法による損失波長特性の測定による波長１３８０ｎｍ損失の評価、および、１００％水素、３０℃、２１時間暴露による水素暴露試験を行い、試験後の波長１５３０ｎｍ損失の増分を評価したところ、波長１３８０ｎｍ損失は０．５９ｄＢ／ｋｍであり、波長１５３０ｎｍ損失増分は０．００７ｄＢ／ｋｍであった。結果を図７に示す。図７（ａ）は、水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｂ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｃ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失増分の波長特性を示すグラフである。
【００３４】
［比較例３］
同じＷＤＭ光ファイバ母材を製造し、次いで線引きし、光ファイバ素線を製造した。線引き時、放射温度計にて光ファイバ温度を測定し、光ファイバ温度９００℃の位置に、徐冷炉を設置し、徐冷炉温度を９００℃とした。
製造した光ファイバ素線に対して、カットバック法による損失波長特性の測定による波長１３８０ｎｍ損失の評価、および、１００％水素、３０℃、２１時間暴露による水素暴露試験を行い、試験後の波長１５３０ｎｍ損失の増分を評価したところ、波長１３８０ｎｍ損失は０．６０ｄＢ／ｋｍであり、波長１５３０ｎｍ損失増分は０．００９ｄＢ／ｋｍであった。結果を図８に示す。図８（ａ）は、水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｂ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失波長特性を示すグラフ、（ｃ）は波長１５００〜１６００ｎｍの範囲の水素暴露試験前後の損失増分の波長特性を示すグラフである。
以上の結果を表１にまとめる。
【００３５】
【表１】
2007063030.tif 000003
【００３６】
表１の結果より、徐冷ファイバ温度域として、１０００℃〜１２００℃であり、徐冷炉温度１０００℃〜１２００℃の時に、波長１５３０ｎｍ損失増分が０．００２ｄＢ／ｋｍ以下となっており、非常に耐水素特性の良い光ファイバが得られていることがわかる。
徐冷ファイバ温度域が１３００℃、９００℃および徐冷なしの場合は、波長１３８０ｎｍ損失も低く、かつ波長１５３０ｎｍ損失増分が大きい（０．００７ｄＢ／ｋｍ以上）ことから、耐水素特性は改善できないことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る光ファイバ素線の製造装置の一例を示す構成図である。
【図２】従来の光ファイバ素線の製造装置の一例を示す構成図である。
【図３】実施例１で製造した光ファイバの損失波長特性を示すグラフである。
【図４】実施例２で製造した光ファイバの損失波長特性を示すグラフである。
【図５】実施例３で製造した光ファイバの損失波長特性を示すグラフである。
【図６】比較例１で製造した光ファイバの損失波長特性を示すグラフである。
【図７】比較例２で製造した光ファイバの損失波長特性を示すグラフである。
【図８】比較例３で製造した光ファイバの損失波長特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３８】
１０…光ファイバ母材、１１…光ファイバ裸線、１２…光ファイバ素線、１３…紡糸炉、１４…徐冷炉、１５…冷却筒、１６…コーター、１７…架橋筒、１８…ターンプーリー、１９…引き取り部、２０…ダンサーロール、２１…巻き取りロール、２２…徐冷炉。
【図１】
2007063030.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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