(57)【要約】【課題】  スクライブラインと保護テープの隙間をウェハの外周部に達するまでに閉じ、ウェハの裏面切削時における切削水の浸入を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】  スクライブラインで互いに隔てられた複数のチップが形成されたウェハの主面にパッシベーション膜を形成する工程と、ウェハの外周部から数ｍｍの領域にパッシベーション膜を残しつつ、スクライブライン上のパッシベーション膜を除去する工程と、ウェハの主面に保護テープを貼着して、ウェハの裏面を研削する工程と、スクライブラインを切断して、個々のチップを切り出す工程とを有する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクライブラインで互いに隔てられた複数のチップが形成されたウェハの主面にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記ウェハの外周部から数ｍｍの領域に前記パッシベーション膜を残しつつ、前記スクライブライン上の前記パッシベーション膜を除去する工程と、
前記ウェハの主面に保護テープを貼着して、前記ウェハの裏面を研削する工程と、
前記スクライブラインを切断して、個々のチップを切り出す工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記パッシベーション膜としてネガタイプの感光性ポリイミドを使用し、
前記パッシベーション膜を除去する工程は、前記チップ上の前記パッシベーション膜を露光する工程と、前記ウェハの外周部から数ｍｍの領域における前記パッシベーション膜を露光する工程と、前記パッシベーション膜の露光していない部分を現像処理により除去する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
スクライブラインで互いに隔てられた複数のチップが形成されたウェハの主面に、ネガタイプの感光性ポリイミドからなるパッシベーション膜を形成する工程と、
前記ウェハの外周部から数ｍｍの領域をブラインドしつつ、前記チップ上の前記パッシベーション膜を露光する工程と、
前記パッシベーション膜の露光していない部分を現像処理により除去する工程と、
前記ウェハの主面に保護テープを貼着して、前記ウェハの裏面を研削する工程と、
前記スクライブラインを切断して、個々のチップを切り出す工程とを有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハの裏面を研削する工程を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル品への対応などによりパッケージの薄型化が進んでいる。これに伴い、ウェハを薄くするために、ウェハの主面に保護テープを貼着して、ウェハの裏面を研削する方法が取られている（例えば、特許文献１参照）。図４は、従来の裏面研磨時におけるウェハの状態を示す上面図であり、図５はその断面図である。ウェハ１の主面に、スクライブライン３で互いに隔てられた複数のチップ２が形成されている。そして、チップ２上にパッシベーション膜４が形成されている。一方、スクライブライン３上においては、ダイシングする時の事を考慮し、パッシベーション膜４は除去されている。さらに、ウェハ１の主面に保護テープ５が貼着されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２５３６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、チップ２とスクライブライン３の境界にはパッシベーション膜４の有無によって数μｍの段差ができ、この段差は保護テープ５では埋めきれず、隙間ができる。従来は、この隙間がウェハの外周部まで達していたため、この隙間から切削水が浸入し、ウェハ１上に形成されたチップ２のパッド６が切削水に含まれるＳｉくずで汚染されるという問題があった。
【０００５】
また、ウェハの薄型化の要求が強くなってきているため、従来ほど粘着力の強い保護テープをウェハの主面に貼ることができなくなり、かつ研磨時間が長くなり切削水にウェハが曝される時間も長くなってきたことから、スクライブラインと保護テープの隙間に浸入する切削水の量が多くなり、パッドが汚染されやすくなってきた。
【０００６】
また、薄膜化されたウェハが割れるのを防ぐため、保護テープを剥がさずパッドが汚染されたままでプロセスラインからAssyラインヘ搬送されるようになってきた。このため、搬送中に浸入した切削水は乾いてしまい、Assyラインで保護テープをはがした後にウェハを洗浄してもパッドに付着したＳｉくずを除去しきれない場合があった。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、スクライブラインと保護テープの隙間をウェハの外周部に達するまでに閉じ、ウェハの裏面切削時における切削水の浸入を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、スクライブラインで互いに隔てられた複数のチップが形成されたウェハの主面にパッシベーション膜を形成する工程と、ウェハの外周部から数ｍｍの領域にパッシベーション膜を残しつつ、スクライブライン上のパッシベーション膜を除去する工程と、ウェハの主面に保護テープを貼着して、ウェハの裏面を研削する工程と、スクライブラインを切断して、個々のチップを切り出す工程とを有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、スクライブラインと保護テープの隙間をウェハの外周部に達するまでに閉じ、ウェハの裏面切削時における切削水の浸入を防ぐことができる。これによって、Ｓｉくずによるパッド汚染を防止することができる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、図１に示すように、ウェハ１の主面に、スクライブライン３で互いに隔てられた複数のチップ２を形成する。次に、ウェハ１の主面に、ネガタイプの感光性ポリイミドからなるパッシベーション膜を形成する。このようなネガタイプの感光性ポリイミドは現在量産で普通に使用されているので、本実施の形態を実施するために新たな材料を導入する必要はない。
【００１１】
そして、チップ上のパッシベーション膜を露光し、ウェハの外周部から数ｍｍの領域におけるパッシベーション膜を露光する。このようにウェハの外周部を露光する露光装置は、ウェハの外周部のレジスト剥がれ防止などの為に現在量産で普通に使用されており、本実施の形態を実施するために新たな露光装置を導入する必要もない。さらに、新たなマスクの追加も不要であり、複雑なプロセスも不要である。従って、歩留り低下を起さないことから、製造コスト的にも有利である。
【００１２】
その後、パッシベーション膜の露光していない部分を現像処理により除去する。これにより、図２に示すように、チップ２上及びウェハの外周部から数ｍｍの領域にパッシベーション膜４を残しつつ、スクライブライン２上のパッシベーション膜４を除去することになる。
【００１３】
次に、従来と同様に、ウェハの主面に保護テープを貼着して、ウェハの裏面を研削する。その後、スクライブラインを切断して、個々のチップを切り出す。
【００１４】
上記の製造方法を適用することにより、スクライブラインと保護テープの隙間をウェハの外周部に達するまでに、ウェハの外周部に設けられたリング状のポリイミドの壁によって閉じて切削水浸入口を塞ぎ、ウェハの裏面切削時における切削水の浸入を防ぐことができる。これによって、Ｓｉくずによるパッド汚染を防止することができる。  
【００１５】
実施の形態２．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、実施の形態１と同様に、スクライブラインで互いに隔てられた複数のチップが形成されたウェハの主面に、ネガタイプの感光性ポリイミドからなるパッシベーション膜を形成する。次に、ウェハの外周部から数ｍｍの領域をブラインドしつつ、チップ上のパッシベーション膜を露光する。このようなブラインド露光は現在量産で普通に使用されている装置に付属する機能のため、本実施の形態を実施するために新たな装置を導入する必要はない。
【００１６】
その後、パッシベーション膜の露光していない部分を現像処理により除去する。これにより、図３に示すように、チップ２上にパッシベーション膜４を残しつつ、ウェハ１の外周部から数ｍｍの領域及びスクライブライン２上のパッシベーション膜４を除去することになる。これにより、保護テープとウェハの外周部から数ｍｍの領域が完全に密着するため、切削水浸入口が塞がり、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】複数の半導体チップを形成したウェハを示す上面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るパターニングされたパッシベーション膜を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係るパターニングされたパッシベーション膜を示す上面図である。
【図４】従来の裏面研磨時におけるウェハの状態を示す上面図である。
【図５】従来の裏面研磨時におけるウェハの状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  ウェハ
２  チップ
３  スクライブライン
４  パッシベーション膜
５  保護テープ
６  パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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