(57)【要約】【課題】セラミック基板の一方主面に凹部が形成され、かつ、一方主面から上記凹部内に至る外部電極を備えた電子部品であって、位置精度および形状精度の高い外部電極を備えたセラミック電子部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミック基板と、セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品において、セラミック基板の一方主面には、凹部が形成されており、かつ、外部電極は、セラミック基板の一方主面から凹部内に至るように、セラミック基板の表面に沿って配設された連続する一体の厚膜電極により形成された構成とする。【選択図】図１
2007048844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品の製造方法であって、
(ａ)焼成後に前記セラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に前記外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｂ)前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の、前記厚膜電極が印刷された一方主面にプレス部材を押し当てることにより、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面に凹部が形成されるとともに、前記厚膜電極が前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、前記厚膜電極に、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、
(ｃ)前記厚膜電極付き未焼成セラミック体を焼成して、一方主面に凹部が形成された前記セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面から前記凹部内に至り、かつ、前記一方主面から前記凹部内に至る領域に曲折部を有する前記外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程と
を具備することを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品の製造方法であって、
(ａ)焼成後に前記セラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に前記外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｂ)前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に、前記未焼成セラミック体が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層を配設するとともに、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に配設された前記補助層の少なくとも一方を、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体に対向する面に、該補助層と同一材料からなる凸部を備えた、補助層とプレス用型の両方の機能を果たす型・補助層とした補助層付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｃ)前記厚膜電極付きセラミック体の、前記一方主面側に凹部が形成されるように、前記補助層付き未焼成セラミック体をプレスすることにより、前記一方主面側に凹部が形成され、他方主面側に凸部が形成されるとともに、前記厚膜電極が、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、前記厚膜電極に、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、前記補助層付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、
(ｄ)前記補助層付き未焼成セラミック体を、前記未焼成セラミック体が焼結し、前記補助層および前記型・補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(ｅ)焼成後の補助層付きセラミック体から前記補助層および前記型・補助層を取り除くことにより、一方主面に凹部が形成された前記セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面から前記凹部内に至り、かつ、前記セラミック基板の、一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する曲折部を有する前記外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程と
を具備することを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品の製造方法であって、
(ａ)焼成後に前記セラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に前記外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｂ)前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に、前記未焼成セラミック体が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層が配設された補助層付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｃ)前記厚膜電極が印刷された一方主面側から、前記補助層を介して、前記補助層付き未焼成セラミック体にプレス部材を押し当てることにより、前記補助層付き未焼成セラミック体のプレス部材を押し当てた面および前記厚膜電極付きセラミック体の、前記一方主面に凹部が形成されるとともに、前記厚膜電極が前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、前記厚膜電極に、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、前記補助層付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、
(ｄ)前記補助層付き未焼成セラミック体を、前記未焼成セラミック体が焼結し、前記補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(ｅ)焼成後の補助層付きセラミック体から前記補助層を取り除くことにより、一方主面に凹部が形成された前記セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面から前記凹部内に至り、かつ、前記セラミック基板の、一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する曲折部を有する前記外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程と
を具備することを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
セラミック基板と、セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品であって、
前記セラミック基板の前記一方主面には、凹部が形成されており、かつ、
前記外部電極は、前記セラミック基板の前記一方主面から前記凹部内に至るように、前記セラミック基板の表面に沿って配設された連続する一体の厚膜電極によって形成されていること
を特徴とするセラミック電子部品。
【請求項５】
前記セラミック基板の一方主面に形成された凹部は、その側壁部分が、なだらかな傾斜を有していることを特徴とする請求項４記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記凹部内に、表面実装部品が搭載されていることを特徴とする、請求項４または５記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
前記セラミック基板の他方主面が略平坦であることを特徴とする、請求項４〜６のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項８】
前記セラミック基板の他方主面には、前記一方主面の前記凹部に対応する段差部が設けられていることを特徴とする、請求項４〜６のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記セラミック基板が、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であることを特徴とする、請求項４〜８のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、セラミック基板と、外部電極を備えたセラミック電子部品およびその製造方法に関し、詳しくは、セラミック基板と外部電極の構造の改良およびそれを実現するためのセラミック電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品（セラミック電子部品）の中には、基板状の電子部品本体に、外部電極が配設された構造を有するものがある。
このような電子部品の１つに、図１４に示すように、基板状の電子部品本体（焼成後のセラミック基板）５１の、実装対象（例えば、マザーボードなど）に接合される面である、一方主面（底面）５２に凹部５３が配設され、かつ、複数の外部電極５４が該一方主面５２から凹部５３の内側面５５にまで至るように配設された、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）構造を有する電子部品５０がある（特許文献１参照）。
【０００３】
そして、この電子部品５０においては、外部電極５４が電子部品本体５１の一方主面（底面）５２から、凹部５３の内側面（内周面）５５にまで連続して形成されていることから、
(ａ)例えば、リフローはんだ付けなどの方法により、電子部品５０を図１５に示すようにマザーボード６１の接続用ランド６３上に、はんだ付けにより搭載した場合、凹部５３の内側にはんだフィレット６２が形成されるため、実装強度（機械的強度）が向上し、例えば、マザーボード６１が落下したときに電子部品５０が脱落したりすることを抑制することができる、
(ｂ)電子部品５０の外側領域に、はんだフィレット６２が形成されないため、実装領域を小さくすることが可能になり、該電子部品５０のマザーボード６１への高密度実装が可能になる
などの効果を得ることができるとされている。
【０００４】
ところで、電子部品本体に外部電極（側面電極）を形成する方法としては、
(１)図１６(ｂ)に示すように、電子部品本体５１の外側の側面に外部電極を形成する場合に、図１６ (ａ)に示すように、基材７１に外部電極形成用の導電ペースト５４ａを塗布し、この導電ペースト５４ａに電子部品本体５１の側面を押し付けて導電ペースト５４ａを転写させた後、導電ペースト５４ａが付与された電子部品本体５１を所定の条件で熱処理して、導電ペースト５４ａを焼き付けることにより、外部電極５４（図１６(ｂ)）を形成する方法が知られており、
(２)また、上記特許文献１の電子部品のように、電子部品本体５１の一方主面（底面）５２に形成された凹部５３の内側面５５に外部電極５４を形成する方法として、例えば、
(２−１)図１７ (ａ)に示すように、セラミックグリーンシート８１に形成したビアホール８２にビアホール導体（導電ペースト）８３を充填しておき、図１７(ｂ)に示すように、セラミックグリーンシート８１の所定の領域５６を打ち抜いて、凹部５３を与えるための貫通孔５３ａ（図１７(ｃ)）を形成する際に、貫通孔５３ａの内周面にビアホール導体８３の一部を露出させて外部電極５４とする方法や、
(２−２)図１８ (ａ)に示すように、セラミックグリーンシート８１に、凹部５３となる貫通孔５３ａを形成した後、所定の位置に開口部８４が形成されたマスク８５を用い、スルーホール印刷により、外部電極５４が形成されるべき領域（セラミックグリーンシート８１の主面８６から貫通孔５３ａの内側面（内周面）５７に至る領域）に導電ペースト５４ａ（図１８(ｂ)）を付与する方法
などの方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、上述の特許文献１の電子部品のように、凹部の電子部品本体５１の一方主面（底面）５２に形成された凹部５３の内側面５５に外部電極５４を形成する場合、上記(１)の導電ペースト５４ａを電子部品本体５１に転写させる方法を適用することは困難であり、上記(１)の方法では、位置精度や形状精度の高い外部電極を形成することはできないのが実情である。
【０００６】
また、上記(２−１)の、打ち抜き加工を行って、貫通孔５３ａの内周面にビアホール導体８３の一部を露出させる方法の場合、セラミックグリーンシートの状態で充填されたビアホール導体８３の一部を打ち抜く際に、ビアホール８２内のビアホール導体（導電ペースト）８３が欠落・飛散するため、精度の高い外部電極５４を形成することは困難である。
【０００７】
さらに、(２−２)のセラミックグリーンシート８１に外部電極形成用の導電ペースト５４ａを塗布する方法の場合、凹部５３となるキャビティを構成する複数層のグリーンシートに対して、新たにスルーホール印刷工程を追加することが必要になり、製造コストの増大を招くばかりでなく、セラミックグリーンシート８１の積層ズレのため、位置精度や形状精度の高い外部電極を形成することは困難である。
【特許文献１】特開２００２−１００６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願発明は、上記課題を解決するものであり、セラミック基板の一方主面に凹部が形成され、かつ、一方主面から上記凹部内に至る外部電極を備えた電子部品であって、位置精度および形状精度の高い外部電極を備えたセラミック電子部品および該セラミック電子部品を効率よく、しかも確実に製造することが可能な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法は、
セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品の製造方法であって、
(ａ)焼成後に前記セラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に前記外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｂ)前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の、前記厚膜電極が印刷された一方主面にプレス部材を押し当てることにより、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面に凹部が形成されるとともに、前記厚膜電極が前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、前記厚膜電極に、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、
(ｃ)前記厚膜電極付き未焼成セラミック体を焼成して、一方主面に凹部が形成された前記セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面から前記凹部内に至り、かつ、前記一方主面から前記凹部内に至る領域に曲折部を有する前記外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程と
を具備することを特徴としている。
【００１０】
また、本願発明（請求項２）のセラミック電子部品の製造方法は、
セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品の製造方法であって、
(ａ)焼成後に前記セラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に前記外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｂ)前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に、前記未焼成セラミック体が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層を配設するとともに、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に配設された前記補助層の少なくとも一方を、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体に対向する面に、該補助層と同一材料からなる凸部を備えた、補助層とプレス用型の両方の機能を果たす型・補助層とした補助層付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｃ)前記厚膜電極付きセラミック体の、前記一方主面側に凹部が形成されるように、前記補助層付き未焼成セラミック体をプレスすることにより、前記一方主面側に凹部が形成され、他方主面側に凸部が形成されるとともに、前記厚膜電極が、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、前記厚膜電極に、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、前記補助層付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、
(ｄ)前記補助層付き未焼成セラミック体を、前記未焼成セラミック体が焼結し、前記補助層および前記型・補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(ｅ)焼成後の補助層付きセラミック体から前記補助層および前記型・補助層を取り除くことにより、一方主面に凹部が形成された前記セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面から前記凹部内に至り、かつ、前記セラミック基板の、一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する曲折部を有する前記外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程と
を具備することを特徴としている。
【００１１】
また、本願発明（請求項３）のセラミック電子部品の製造方法は、
セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品の製造方法であって、
(ａ)焼成後に前記セラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に前記外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｂ)前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に、前記未焼成セラミック体が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層が配設された補助層付き未焼成セラミック体を形成する工程と、
(ｃ)前記厚膜電極が印刷された一方主面側から、前記補助層を介して、前記補助層付き未焼成セラミック体にプレス部材を押し当てることにより、前記補助層付き未焼成セラミック体のプレス部材を押し当てた面および前記厚膜電極付きセラミック体の、前記一方主面に凹部が形成されるとともに、前記厚膜電極が前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、前記厚膜電極に、前記厚膜電極付き未焼成セラミック体の前記一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、前記補助層付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、
(ｄ)前記補助層付き未焼成セラミック体を、前記未焼成セラミック体が焼結し、前記補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(ｅ)焼成後の補助層付きセラミック体から前記補助層を取り除くことにより、一方主面に凹部が形成された前記セラミック基板と、前記セラミック基板の一方主面から前記凹部内に至り、かつ、前記セラミック基板の、一方主面から前記凹部内に至る領域の形状に対応する曲折部を有する前記外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程と
を具備することを特徴としている。
【００１２】
また、本願発明（請求項４）のセラミック電子部品は、
セラミック基板と、セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品であって、
前記セラミック基板の前記一方主面には、凹部が形成されており、かつ、
前記外部電極は、前記セラミック基板の前記一方主面から前記凹部内に至るように、前記セラミック基板の表面に沿って配設された連続する一体の厚膜電極によって形成されていること
を特徴としている。
【００１３】
また、請求項５のセラミック電子部品は、請求項４の発明の構成において、前記セラミック基板の一方主面に形成された凹部は、その側壁部分が、なだらかな傾斜を有していることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項６のセラミック電子部品は、請求項４または５の発明の構成において、前記凹部内に、表面実装部品が搭載されていることを特徴としている。
【００１５】
また、請求項７のセラミック電子部品は、請求項４〜６のいずれかに記載の構成において、前記セラミック基板の他方主面が略平坦であることを特徴としている。
【００１６】
また、請求項８のセラミック電子部品は、請求項４〜６のいずれかに記載の構成において、前記セラミック基板の他方主面には、前記一方主面の前記凹部に対応する段差部が設けられていることを特徴としている。
【００１７】
また、請求項９のセラミック電子部品は、請求項４〜８のいずれかに記載の構成において、前記セラミック基板が、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法は、セラミック基板と、セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品を製造するにあたって、(ａ)焼成後にセラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、(ｂ)厚膜電極付き未焼成セラミック体の、厚膜電極が印刷された一方主面にプレス部材を押し当てることにより、厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面に凹部が形成されるとともに、厚膜電極が厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面から凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、厚膜電極に、厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面から凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、厚膜電極付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、(ｃ)厚膜電極付き未焼成セラミック体を焼成して、一方主面に凹部が形成されたセラミック基板と、セラミック基板の一方主面から凹部内に至り、かつ、一方主面から凹部内に至る領域に曲折部を有する外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程とを備えているので、一方主面に凹部が形成されたセラミック基板と、セラミック基板の一方主面から凹部内に至る外部電極を備えたセラミック電子部品を確実に製造することができる。
【００１９】
すなわち、焼成後にセラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成し、この厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面にプレス部材を押し当てることにより、厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面に確実に凹部を形成することが可能になるとともに、厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面から凹部内に至る、セラミック基板の表面に密着し、かつ、位置精度および形状精度の高い外部電極を確実に形成することが可能になる。
【００２０】
また、本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法により製造されるセラミック電子部品は、セラミック基板の一方主面から凹部内に至る、位置精度および形状精度の高い外部電極を備えているので、例えば、マザーボードの接続用ランドに、はんだ付けにより搭載した場合に、凹部の内側にはんだフィレットが形成されるため、実装強度（機械的強度）の大きい、信頼性の高い実装を行うことができるとともに、はんだフィレットがセラミック電子部品の外側領域にまで形成される（はみ出す）ことが抑制、防止されるため、高密度実装を行うことができる。
【００２１】
また、本願発明（請求項２）のセラミック電子部品の製造方法は、(ａ)未焼成セラミック体の一方主面に、厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、(ｂ)厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に、未焼成セラミック体が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層を配設するとともに、厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に配設された補助層の少なくとも一方を、該補助層と同一材料からなる凸部を備えた、補助層とプレス用型の両方の機能を果たす型・補助層とした補助層付き未焼成セラミック体を形成する工程と、(ｃ)厚膜電極付きセラミック体の、一方主面側に凹部が形成されるように、補助層付き未焼成セラミック体をプレスすることにより、一方主面側に凹部が形成され、他方主面側に凸部が形成されるとともに、厚膜電極が、厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面から凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、厚膜電極に、厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面から凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、補助層付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、(ｄ)補助層付き未焼成セラミック体を、未焼成セラミック体が焼結し、補助層および型・補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、(ｅ)焼成後の補助層付きセラミック体から補助層および型・補助層を取り除くことにより、一方主面に凹部が形成されたセラミック基板と、セラミック基板の一方主面から凹部内に至り、かつ、セラミック基板の、一方主面から凹部内に至る領域の形状に対応する曲折部を有する外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程とを備えているので、特に型を用意することなく、セラミック基板の一方主面から凹部内に至る、位置精度および形状精度の高い外部電極を備えたセラミック電子部品を効率よく製造することができる。
【００２２】
また、厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に補助層を配設した状態で、型・補助層付き未焼成セラミック積層体を変形させるようにしているので、未焼成セラミック体の折損や破断、内部に内部電極パターンなどが配設されているような場合にも、それらの損傷や破断が発生することを抑制、防止しつつ、セラミック基板の一方主面から凹部内に至る、位置精度および形状精度の高い外部電極を備えたセラミック電子部品を効率よくしかも確実に製造することができる。
【００２３】
また、凹部が形成された補助層付き未焼成セラミック体を、補助層が密着した状態のまま、未焼成セラミック体が焼結し、補助層および型・補助層が実質的に焼結しない温度で焼成するようにしているので、補助層および型・補助層の、セラミック体の焼結時の収縮や変形を抑制する力（拘束力）により、焼成工程でセラミック体に収縮や変形が生じることを抑制、防止して、凹部を備えた形状精度の高いセラミック基板を得ることが可能になる。
【００２４】
なお、厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に補助層を配設するとともに、両主面に配設された補助層の少なくとも一方を、補助層とプレス用型の両方の機能を果たす型・補助層とすることにより、一方主面に凹部を備えたセラミック電子部品を形成することができるのは、例えば、型・補助層が、その中央に凸部を１つ有している構造の場合、補助層付き未焼成セラミック積層体の、該型・補助層が配設された面に凹部が形成されることになり、また、例えば、型・補助層が、その周縁を周回する環状の凸部を有している構造の場合には、補助層付き未焼成セラミック積層体の、該型・補助層が配設された方の面は、周縁部の高さが低く、中央部が突出した凸形状となり、該型・補助層が配設されていない方の面には、上記中央部の凸形状に対応して、中央部に凹部が形成されることになり、このことからもからもわかるように、型・補助層への、型としての凸部の配設態様により、一方主面の意図する位置に凹部が形成されるようにすることが可能であることによる。
【００２５】
また、本願発明（請求項３）のセラミック電子部品の製造方法は、セラミック基板と、セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品の製造方法であって、(ａ)焼成後にセラミック基板となる未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する工程と、(ｂ)厚膜電極付き未焼成セラミック体の両主面に、未焼成セラミック体が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層が配設された補助層付き未焼成セラミック体を形成する工程と、(ｃ)厚膜電極が印刷された一方主面側から、補助層を介して、補助層付き未焼成セラミック体にプレス部材を押し当てることにより、補助層付き未焼成セラミック体のプレス部材を押し当てた面および厚膜電極付きセラミック体の、一方主面に凹部が形成されるとともに、厚膜電極が厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面から凹部内に至る所定の領域に位置し、かつ、厚膜電極に、厚膜電極付き未焼成セラミック体の一方主面から凹部内に至る領域の形状に対応する段差部が形成されるように、補助層付き未焼成セラミック体を変形させる工程と、(ｄ)補助層付き未焼成セラミック体を、未焼成セラミック体が焼結し、補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、(ｅ)焼成後の補助層付きセラミック体から補助層を取り除くことにより、一方主面に凹部が形成されたセラミック基板と、セラミック基板の一方主面から凹部内に至り、かつ、セラミック基板の、一方主面から凹部内に至る領域の形状に対応する曲折部を有する外部電極とを備えたセラミック電子部品を得る工程とを備えており、請求項２の構成の場合と同様に、未焼成セラミック体の折損や破断、内部に内部電極パターンなどが配設されているような場合にも、それらの損傷や破断が発生することを抑制、防止しつつ、セラミック基板の一方主面から凹部内に至る、位置精度および形状精度の高い外部電極を備えたセラミック電子部品を効率よくしかも確実に製造することができる。
【００２６】
また、凹部が形成された補助層付き未焼成セラミック体を、補助層が密着した状態のまま、未焼成セラミック体が焼結し、補助層が実質的に焼結しない温度で焼成するようにしているので、補助層の、セラミック体の焼結時の収縮や変形を抑制する力（拘束力）により、焼成工程でセラミック体に収縮や変形が生じることを抑制、防止して、凹部を備えた形状精度の高いセラミック基板を得ることが可能になる。
なお、未焼成セラミック体の表面に補助層が配設されているので、曲げ加工時に補助層付き未焼成セラミック体の補助層に表面割れが発生した場合にも、未焼成セラミック体には影響がなく、所望の特性を備えたセラミック基板を得ることが可能になる。
【００２７】
また、本願発明（請求項４）のセラミック電子部品は、セラミック基板と、セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック電子部品であって、セラミック基板の一方主面には、凹部が形成されており、かつ、外部電極は、セラミック基板の一方主面から凹部内に至るように、セラミック基板の表面に沿って配設された連続する一体の厚膜電極により形成されているので、例えば、本願請求項１〜３に記載の方法などにより、複雑な製造工程を必要とすることなく、効率よくしかも確実に製造することができる。
【００２８】
また、本願発明のセラミック電子部品においては、実装対象（例えばマザーボードの接続用ランド）上に、はんだ付けにより搭載したときに、凹部の内側にはんだフィレットが形成されるため、実装強度（機械的強度）を高めて、信頼性（落下強度）を向上させることが可能になるとともに、はんだフィレットがセラミック電子部品の外側領域にまで形成されることを抑制、防止して、高密度実装に対応することが可能になる。
【００２９】
なお、本願発明のセラミック電子部品においては、はんだ喰われを防止し、あるいは、はんだ付け性を向上させるために、外部電極の表面に、Ｎｉめっき、さらには、Ｓｎめっきやはんだめっきなどを施すことも可能であり、本願発明のセラミック電子部品は、そのような構成のものも含むものである。
【００３０】
また、請求項５のセラミック電子部品のように、請求項４の発明の構成において、セラミック基板の一方主面に形成された凹部が、なだらかな側壁部分を有するような形状とすることにより、セラミック基板の加工時に大きな応力が加わることを抑制、防止することが可能で、割れや欠けなどのない信頼性の高いセラミック電子部品を提供することが可能になる。
【００３１】
また、請求項６のセラミック電子部品のように、請求項４または５の発明の構成において、凹部内に、表面実装部品が搭載された構成とした場合、実装対象（例えばマザーボードの接続用ランド）と対向することになる面、すなわち下面側にも、表面実装部品を実装することが可能になり、さらに部品搭載の高密度化（すなわち、セラミック電子部品の小型化）を図ることが可能になる。  
【００３２】
また、請求項７のセラミック電子部品のように、請求項４〜６のいずれかに記載の構成において、セラミック基板の他方主面が略平坦となるようにした場合、他方主面に種々の表面実装部品を効率よく搭載することが可能になり、部品搭載密度の高いセラミック電子部品を提供することが可能になる。
【００３３】
また、請求項８のセラミック電子部品のように、請求項４〜６のいずれかに記載の構成において、セラミック基板の他方主面に、一方主面の凹部に対応する段差部が設けられた構成とした場合、未焼成セラミック体を変形させて凹部を形成する工程において、未焼成セラミック体の一方主面と他方主面の両主面を変形させ、未焼成セラミック体全体の形状変化を伴うような態様で凹部を形成することになるため、未焼成セラミック体に大きなダメージを与えることなく、変形量を大きくして、より深い凹部を形成することが可能になる。
また、一方主面に形成された凹部と、他方主面に形成された段差部とを有する形状を利用して、表面実装部品を種々の態様で搭載することが可能になり、構成の自由度の高いセラミック電子部品を提供することが可能になる。
【００３４】
また、請求項９のセラミック電子部品のように、請求項４〜８のいずれかに記載の構成において、セラミック基板を、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板とした場合、さらに集積密度の高いセラミック多層基板を提供することが可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に本願発明の実施例を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００３６】
図１は本願発明の一実施例（実施例１）にかかるセラミック電子部品をマザーボードに搭載した状態を示す図である。
【００３７】
この実施例１のセラミック電子部品１０は、複数のセラミック層を積層することにより形成され、内部にインダクタやコンデンサなどを構成する内部電極（図示せず）が配設されたセラミック基板１と、セラミック基板１の一方主面Ｆ１に配設された、実装対象であるマザーボード２１上の接続用ランド２２との接続のための外部電極５とを備えている。
【００３８】
セラミック基板１の一方主面Ｆ１には、凹部Ｃ１が形成されており、他方主面Ｆ１ａは平坦に形成されている。そして、この平坦な他方主面Ｆ１ａには、表面実装部品１４ａ，１４ｂが搭載されている。また、セラミック基板１の一方主面Ｆ１に形成された凹部Ｃ１は、側壁部分３がなだらかに傾斜した形状を有している。
さらに、セラミック基板１の上面側は、表面実装部品１４ａ，１４ｂが配設された他方主面Ｆ１ａを封止するための金属ケース（シールドケース）１８が配設されている。
【００３９】
また、外部電極５は、セラミック基板１の一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１内に至るように、セラミック基板１の表面に沿って配設された、連続する一体の厚膜電極５ａによって形成されており、外部電極５を形成する厚膜電極５ａの、セラミック基板１の一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１の側壁部分３に至る部分には、セラミック基板の形状に対応する段差部６が形成されている。なお、段差部は丸みを有していてもよいが、角張っていてもよい。
【００４０】
そして、この実施例１のセラミック電子部品１０は、外部電極５を、はんだ４３を介して、マザーボード２１の表面に配設された接続用ランド２２に接続、固定することにより、マザーボード２１に搭載されるように構成されている。
【００４１】
次に、この実施例１のセラミック電子部品１０の製造方法について説明する。
(１)まず、セラミックグリーンシートにビアホールを形成し、ビアホールに導電ペーストを充填する。
(２)上記グリーンシート上に導電ペーストを用いて配線パターン（内部電極）を印刷する。
(３)上記グリーンシートを所定の順序で積層し、セラミック積層体（未焼成セラミック体）を形成する。
(４)それから、図２(ａ)に示すように、未焼成セラミック体１１の一方主面Ｆ２の所定の位置に、焼成後に外部電極５（図１）となる厚膜電極５ａを印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２を形成する。
(５)それから、図２(ａ)，(ｂ)に示すように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の、厚膜電極５ａが印刷された一方主面（電極印刷面）Ｆ２に、凸部２３ａを備えた金型（プレス部材）２３（図２(ａ)）を配置し、プレスすることにより、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２に凹部Ｃ２を形成するとともに、厚膜電極５ａが厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２から凹部Ｃ２の内側に至る所定の領域に位置し、かつ、厚膜電極５ａに、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２から凹部Ｃ２内に至る領域の形状に対応する段差部６が形成されるように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２を変形させる（図２(ｂ)）。
上述のような金型２３を用い、金型２３の形状を調整することにより、セラミック基板１に、深さが１００μm以下程度、好ましくは２０〜１００μm程度の凹部Ｃ１を効率よく形成することができる。
なお、マザー基板を分割して、一度に多数個のセラミック電子部品を得る、いわゆる多数個取りの方法の場合には、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２のブレイクライン上にブレイク用の溝を形成する。
(６)次に、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２を焼成して、図３(ａ)，(ｂ)に示すように、一方主面Ｆ１に凹部Ｃ１が形成され、かつ、一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１の側壁部分３に至る領域に、外部電極５を備えたセラミック基板１を得る。なお、本願発明のセラミック電子部品においては、外部電極５は凹部Ｃ１の側壁部分３を超えて、凹部Ｃ１の底部にまで達していてもよい。
また、必要に応じて、はんだ喰われを防止したり、はんだ付け性を向上させるために、外部電極５（厚膜電極５ａ）にめっきを施すことができる。
(７)それから、例えば、図４(ａ)に示すように、回路要素部品や半導体などの表面実装部品１４ａ，１４ｂをセラミック基板１の他方主面Ｆ１ａに実装する。
(８)次に、セラミック基板１の上面側を覆うように金属ケース（シールドケース）１８を取り付ける。これにより、図１，図４(ｂ)に示すような構造を有するセラミック電子部品１０が得られる。
なお、多数個取りの場合には、マザー基板を分割して個々のセラミック基板に分割した後、金属ケースを取り付けたり、あるいは、金属ケースを取り付けた後、マザー基板を分割したりすることにより、一度に多数個のセラミック電子部品が得られるようにすることができる。
【００４２】
この実施例の方法によれば、凸部２３ａを備えた金型２３を用いるだけで、前述の特許文献１の場合のように、特に複雑な製造工程を必要とせずに、セラミック基板１の一方主面Ｆ１に凹部Ｃ１が形成され、かつ、外部電極５が、セラミック基板１の一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１内に至るように、セラミック基板１の表面に沿って配設された連続する一体の厚膜電極５ａにより形成されセラミック電子部品１０を容易かつ確実に製造することができる。
【００４３】
また、セラミック基板１の一方主面Ｆ１に形成された凹部Ｃ１が、なだらかな側壁部分３を有するような形状とされているので、セラミック基板１の加工時に大きな応力が加わることを抑制、防止して、割れや欠けなどのない信頼性の高いセラミック電子部品１０を得ることができる。
【００４４】
また、本願発明のセラミック電子部品１０は、セラミック基板１の一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１内に至る、位置精度および形状精度の高い外部電極５を備えているので、図１に示すように、マザーボード２１の接続用ランド２２上に、リフローはんだ付けなどの方法により搭載した場合に、凹部Ｃ１の内側にはんだフィレット１３が形成されるため、実装強度（機械的強度）の大きい、信頼性の高い実装を行うことができる。
また、はんだフィレット１３がセラミック電子部品１０の外側領域にまではみ出すことが抑制、防止されるため、高密度実装を行うことが可能になる。
【実施例２】
【００４５】
図５(ａ)，(ｂ)は、それぞれ本願発明の他の実施例（実施例２）にかかるセラミック電子部品の製造方法の工程を示す図である。
【００４６】
この実施例２では、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２を、凸部２３ａを備えた金型２３を用いてプレスする工程（実施例１のセラミック電子部品の製造方法の(５）の工程に相当する工程）を、以下のようにして実施している。
(１)まず、セラミックグリーンシートにビアホールを形成し、ビアホールに導電ペーストを充填する。
(２)上記グリーンシート上に導電ペーストを用いて配線パターン（内部電極）を印刷する。
(３)上記グリーンシートを所定の順序で積層し、セラミック積層体（未焼成セラミック体）を形成する。
(４)それから、未焼成セラミック体の一方主面の所定の位置に、焼成後に外部電極となる厚膜電極を印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体を形成する。
(５)次に、図５(ａ)に示すように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の両主面（一方主面Ｆ２および他方主面Ｆ２ａ）に、未焼成セラミック体１１が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層２０が配設された補助層付き未焼成セラミック体１５を形成する。
【００４７】
(６)それから、図５(ｂ)に示すように、補助層付き未焼成セラミック体１５の一方主面Ｆ３に、凸部２３ａを備えた金型２３を用いてプレスを行い、補助層付き未焼成セラミック体１５の金型２３を押し当てた一方主面Ｆ３および厚膜電極付きセラミック体１２の一方主面Ｆ２に凹部Ｃ３およびＣ２が形成され、厚膜電極５ａが厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２から凹部Ｃ２内に至る所定の領域に位置し、かつ、厚膜電極５ａに、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２から凹部Ｃ２内に至る領域の形状に対応する段差部６が形成されるように、補助層付き未焼成セラミック体１５を変形させる。
(７)そして、プレス後の補助層付き未焼成セラミック積層体１５を、補助層２０がその両主面に密着した状態のまま、未焼成セラミック体１１が焼結し、補助層２０が実質的に焼結しない温度で焼成する。
(８)その後、補助層２０を取り除くことにより、上記実施例１の場合と同様に（図３(ａ)，(ｂ)参照）、一方主面Ｆ１に凹部Ｃ１が形成され、かつ、一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１内に至る領域に外部電極５が配設された構造を有するセラミック基板１を得る。
【００４８】
そして、上記実施例１の場合と同様に、回路要素部品や半導体などの表面実装部品１４ａ，１４ｂをセラミック基板１の他方主面Ｆ１ａに実装し（図４(ａ)参照）、セラミック基板１の上面側を覆うように金属ケース（シールドケース）１８を取り付けることにより、図１，図４(ｂ)に示すような構造を有するセラミック電子部品１０が得られる。
【００４９】
上述のように、この実施例２においては、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の両主面（一方主面Ｆ２および他方主面Ｆ２ａ）に、未焼成セラミック体１１が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層２０が配設された補助層付き未焼成セラミック体１５を形成し、補助層２０の上から金型２３を押し当ててプレス加工を行うようにしているので、補助層付き未焼成セラミック体を変形させる工程で、例えば、未焼成セラミック体の折損や破断、内部に配設された内部電極パターンなどが配設されている場合にも、それらの損傷や破断が発生することを抑制、防止しつつ、一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１内に至る領域に外部電極５が配設された構造を有するセラミック基板１を確実に形成することが可能になる。
【００５０】
また、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の表面に補助層２０が配設されているので、曲げ加工時に補助層に表面割れが発生した場合にも、未焼成セラミック体には影響がなく、所望の特性を備えたセラミック基板を得ることが可能になる。
また、補助層付き未焼成セラミック体１５を、補助層２０が密着した状態のまま、未焼成セラミック体１１が焼結し、補助層２０が実質的に焼結しない温度で焼成するようにしているので、補助層２０の、セラミック体の焼結時の収縮や変形を抑制する力（拘束力）により、焼成工程でセラミック体に収縮や変形が生じることを抑制、防止して、形状精度の高いセラミック基板を得ることが可能になる。
【００５１】
なお、図６は、上記実施例１および２のセラミック電子部品１０の変形例を示す図である。
このセラミック電子部品１０においては、セラミック基板１の凹部Ｃ１に樹脂８が充填され、樹脂８により、外部電極５の、凹部Ｃ１の側壁部分３と凹部Ｃ１の底面との境界部に位置する端部５ｘが樹脂８により被覆されている。その他の構成は、上記実施例１および２のセラミック電子部品１０の場合と同じである。
【００５２】
この積層セラミック電子部品１０のように、セラミック基板１の凹部Ｃ１に樹脂８を充填し、外部電極５の凹部Ｃ１内に位置する端部５ｘを樹脂８により被覆することにより、外部電極５の剥離を抑制することが可能になり、さらに信頼性を向上させることができる。
【００５３】
また、図７は、上記実施例１および２のセラミック電子部品１０の他の変形例を示す図である。
このセラミック電子部品１０においては、外部電極５の、セラミック基板１の中央側に位置する端部５ｘ（セラミック基板１の端縁側の端部５ｙと逆側の端部）が入り込むように、セラミック基板１の一方主面Ｆ１の、中央部と端縁部を除く領域に凹部Ｃ１が設けられており、外部電極５の端部５ｘは凹部Ｃ１内に位置している。
【００５４】
この図７に示すような構成とした場合にも、凹部Ｃ１の内側にはんだフィレットが形成されるため、実装強度（機械的強度）の大きい、信頼性の高い実装を行うことが可能になるとともに、はんだフィレットがセラミック電子部品１０の外側領域にまではみ出すことが抑制、防止されるため、高密度実装を行うことが可能になる。
【実施例３】
【００５５】
図８は本願発明の他の実施例（実施例３）にかかるセラミック電子部品をマザーボードに搭載した状態を示す図である。
この実施例３のセラミック電子部品１０ａは、図８に示すように、セラミック基板１の一方主面Ｆ１に凹部Ｃ１が形成され、かつ、セラミック基板１の他方主面Ｆ１ａに、一方主面Ｆ１の凹部Ｃ１に対応する凸部Ｄ１（段差部１６）が形成された構造を有している。そして、その他の点を除いては、上記実施例１のセラミック電子部品１０の構成と同じ構成を備えている。
【００５６】
次に、この実施例３のセラミック電子部品の製造方法について説明する。
(１)まず、セラミックグリーンシートにビアホールを形成し、ビアホールに導電ペーストを充填する。
(２)上記グリーンシート上に導電ペーストを用いて配線パターン（内部電極）を印刷する。
(３)上記グリーンシートを所定の順序で積層し、セラミック積層体（未焼成セラミック体）を形成する。
(４)それから、図９(ａ)に示すように、未焼成セラミック体１１の一方主面Ｆ２の所定の位置に、焼成後に外部電極５（図８）となる厚膜電極５ａを印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２を形成する。
(５)それから、図９(ａ)，(ｂ)に示すように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の、厚膜電極５ａが印刷された一方主面（電極印刷面）Ｆ２に、中央部に凸部２３ａが形成された金型（プレス部材）２３を配置するとともに、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の他方主面Ｆ２ａに、周辺部に凸部２４ａが形成された金型２４を配置し、プレスすることにより、図９(ｂ)に示すように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２に凹部Ｃ２を形成し、他方主面Ｆ２ａに、凹部Ｃ２の形状に対応する凸部Ｄ２を形成するとともに、厚膜電極５ａが厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２から凹部Ｃ２内に至る所定の領域に位置し、かつ、厚膜電極５ａに、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２から凹部Ｃ２内に至る領域の形状に対応する段差部６が形成されるように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２を変形させる（図９(ｂ)）。
【００５７】
この実施例３のように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面（電極印刷面）Ｆ２に、凸部２３ａを有する金型２３を配置するとともに、他方主面Ｆ２ａに、周辺部に凸部２４ａが形成された金型２４を配置してプレスすることにより、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面に、深い凹部Ｃ２を形成することが可能になる。例えば、幅５mm×長さ５mm×厚み０．５mmのセラミック基板の場合、７００μm程度の深さまでの凹部を形成することが可能で、金型の形状を選択することにより、７００μm以下、さらに好ましくは１００〜５００μmの範囲で任意の深さの凹部Ｃ１を備えたセラミック基板を形成することができる。凹部の深さが浅すぎると、実装強度の向上が小さく、また、深すぎると基板が割れたりするなど、加工性が低下する。凹部の深さが１００μm以上であれば、十分な実装強度が得られ、５００μm以下であれば安定して容易に基板を製造することができる。
【００５８】
なお、マザー基板を分割して、一度に多数のセラミック電子部品を得る、いわゆる多数個取りの方法の場合には、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２のブレイクライン上にブレイク用の溝を形成する。
【００５９】
(６)次に、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２を焼成して、図９(ｃ)に示すにように、一方主面Ｆ１に凹部Ｃ１が形成され、かつ、一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１内に至る領域に、外部電極５を備えたセラミック基板１を得る。
必要に応じて、はんだ喰われを防止したり、はんだ付け性を向上させるために、外部電極５（厚膜電極５ａ）にめっきを施すことができる。
(７)それから、例えば、回路要素部品や半導体などの表面実装部品１４ａ，１４ｂ，１４ｃをセラミック基板１の表面に実装する（図１０(ａ)）。
(８)次に、図１０(ｂ)に示すように、セラミック基板１の上面側を覆うように金属ケース（シールドケース）１８を取り付ける。これにより、図８，図１０(ｂ)に示すような構造を有するセラミック電子部品１０ａが得られる。
なお、多数個取りの場合には、マザー基板を分割して個々のセラミック基板に分割した後、金属ケースを取り付けたり、金属ケースを取り付けた後、分割したりすることにより、一度の多数個のセラミック電子部品が得られるようにすることができる。
【００６０】
この実施例３のセラミック電子部品の製造方法によれば、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面（電極印刷面）Ｆ２に、凸部２３ａを有する金型２３を配置するとともに、他方主面Ｆ２ａに、周辺部に凸部２４ａが形成された金型２４を配置してプレスして、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２に凹部Ｃ２を形成し、他方主面Ｆ２ａに、凹部Ｃ２の形状に対応する凸部Ｄ２を形成するようにしている（すなわち、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２と他方主面Ｆ２ａの両主面を変形させ、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の全体の形状変化を伴うような態様で凹部Ｃ２を形成するようにしている）ことから、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２に大きなダメージを与えることなく、変形量を大きくして、より深い凹部Ｃ２を形成することができる。
【００６１】
なお、実施例１および２のように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の他方主面が平坦になるようなプレス加工を行った場合には、凹部Ｃ２の深さを深くしようとすると、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２にかかる応力が大きくなり、未焼成セラミック体１１の表面に破断が生じたり、内層電極に断線などの不具合が生じたりするため、凹部Ｃ２の深さは、通常、１００μm程度が限界となる。
【００６２】
また、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の凹部Ｃ２を深くすることにより、図８，図９(ｃ)に示すように、凹部Ｃ１の深さが深いセラミック基板１を得ることが可能になり、外部電極５も凹部Ｃ１の長い側壁部分３に沿って長く、かつ、凹部Ｃ１の深い位置まで形成されるため、マザーボード２１に実装した際のはんだフィレット１３がより高く形成されることになる。その結果、落下強度などの機械的強度がより高いセラミック電子部品１０ａを得ることができるようになる。
【００６３】
また、深い凹部Ｃ１を形成することができるため、セラミック基板１の他方主面側に表面実装部品１４ａ，１４ｂを搭載するだけでなく、凹部Ｃ１内にも表面実装部品１４ｃを搭載することが可能になり、セラミック電子部品１０ａの小型化および機能の複合化・多機能化を実現することが可能になる。
また、その他の点においても、上記実施例１のセラミック電子部品において得ることが可能な作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
【実施例４】
【００６４】
図１１(ａ)および図１１(ｂ)は、それぞれ本願発明の他の実施例（実施例４）にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【００６５】
なお、この実施例４では上記実施例３のセラミック電子部品と同様の構成を有するセラミック電子部品を製造する場合を例にとって説明する。
(１)まず、セラミックグリーンシートにビアホールを形成し、ビアホールに導電ペーストを充填する。
(２)上記グリーンシート上に導電ペーストを用いて配線パターン（内部電極）を印刷する。
(３)上記グリーンシートを所定の順序で積層し、セラミック積層体（未焼成セラミック体）を形成する。
(４)それから、未焼成セラミック体１１の一方主面Ｆ２の所定の位置に、焼成後に外部電極５（図８）となる厚膜電極５ａを印刷して、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２（図１１(ａ)参照）を形成する。
(５)一方、基板用グリーンシートの焼成温度では焼結しないセラミックを含む、補助層（補助層用グリーンシート）２０（図１１(ａ)，(ｂ)参照）を作製する。
補助層用グリーンシートは、たとえば、有機ビヒクル中にアルミナ粉末を分散させてスラリーを調製し、これをキャスティング法によってシート状に成形することにより得ることができる。このようにして得られた補助層用グリーンシートの焼結温度は、１５００〜１６００℃であるため、未焼成セラミック体が焼結する温度（例えば、８００〜１０００℃）では焼結せず、この補助層用グリーンシートからなる補助層を接合させた状態で未焼成セラミック体を焼成することにより、未焼成セラミック体の平面方向に関する収縮を抑制しつつ焼結させることが可能になる。
なお、この補助層用グリーンシートは、プレス時に未焼成セラミック体を傷めることなく加工することができるように、基板用グリーンシートよりも、硬くなるように物性を調整したものを用いる。
(６)また、上記(５)の工程で作製した補助層（補助層用グリーンシート）を、所定の形状に打ち抜き加工した、型を形成するために用いられるグリーンシート（型形成用グリーンシート）を、補助層（補助層用グリーンシート）２０に圧着することにより、周辺部に凸部３０ａを備えた、補助層とプレス（変形）用型の両方の機能を備えた型・補助層３０（図１１(ａ)）を作製する。
(７)それから、図１１(ａ)，(ｂ)に示すように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の、厚膜電極５ａが印刷された一方主面（電極印刷面）Ｆ２に、未焼成セラミック体が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる平坦な補助層２０を配設するとともに、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の他方主面Ｆ２ａに、周辺部に凸部３０ａが形成された型・補助層３０を配置する。
そして、この補助層付き未焼成セラミック積層体（型・補助層付き未焼成セラミック体）１５を、補助層２０上に配置した弾性体層（シリコーンラバー層）３１を介してプレスすることにより、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２に凹部Ｃ２を形成し、他方主面Ｆ２ａに、凹部Ｃ２の形状に対応する凸部Ｄ２を形成するとともに、厚膜電極５ａが、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２から凹部Ｃ２の側壁部分３に至る所定の領域に位置し、かつ、厚膜電極５ａに、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２から凹部Ｃ２の側壁部分３に至る領域の形状に対応するなだらかな形状の段差部６が形成されるように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２を変形させる（図１１(ｂ)）。
【００６６】
この実施例４のように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面（電極印刷面）Ｆ２に、平坦な補助層２０を配設するとともに、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の他方主面Ｆ２ａに、周辺部に凸部３０ａが形成された型・補助層３０を配置し、補助層２０上に配置した弾性体層（シリコーンラバー層）３１を介してプレスすることにより、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２にダメージを与えることなく、一方主面Ｆ２に、深い凹部Ｃ２を形成することが可能になる。例えば、幅５mm×長さ５mm×厚み０．５mmのセラミック基板の場合、７００μm以下、好ましくは１００〜５００μm程度の深さの凹部を形成することが可能になる。凹部の深さが浅すぎると、実装強度の向上が小さく、また、深すぎると基板が割れたりするなど、加工性が低下する。凹部の深さが１００μm以上であれば、十分な実装強度が得られ、５００μm以下であれば安定して容易に基板を製造することができる。
【００６７】
なお、型・補助層３０を構成する凸部３０ａは、断面形状が方形（図１１(ａ)参照）になるように形成されているが、補助層２０と同じ材料から構成されていることから、図１１(ｂ)に示すように、プレス工程で凸部３０ａの形状が変化するため、図８に示すような、なだらかな形状の側壁部分３を備えた凸部Ｄ１（１６）を備えたセラミック基板１を形成することができる。
【００６８】
(８)そして、プレス後の補助層付き未焼成セラミック積層体１５を、補助層２０がその両主面に密着した状態のまま、未焼成セラミック体１１が焼結し、補助層２０および型・補助層３０が実質的に焼結しない温度で焼成した後、補助層２０および型・補助層３０を取り除くことにより、上記実施例３の場合と同様に（図９(ｃ)参照）、一方主面Ｆ１に凹部Ｃ１が形成され、かつ、一方主面Ｆ１から凹部Ｃ１の段差部分３に至る領域に外部電極５が配設された構造を有するセラミック基板１を得ることが可能になる。
【００６９】
その後、上記実施例３の場合と同様に、回路要素部品や半導体などの表面実装部品１４ａ，１４ｂをセラミック基板１の他方主面Ｆ１ａに搭載し、表面実装部品１４ｃをセラミック基板１の一方主面Ｆ１側の凹部Ｃ１内に実装した後（図１０(ａ)参照）、セラミック基板１の他方主面Ｆ１ａを覆うように金属ケース（シールドケース）１８を取り付けることにより、図８，図１０(ｂ)に示すような構造を有するセラミック電子部品１０ａを得ることができる。
【実施例５】
【００７０】
図１２(ａ)，(ｂ)は、本願発明の他の実施例（実施例５）にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【００７１】
上述の実施例４（図１１(ａ)，(ｂ)参照）では、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２に、平坦な補助層２０を配設するとともに、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の他方主面Ｆ２ａに、周辺部に凸部３０ａが形成された型・補助層３０を配置し、補助層２０上に配置した弾性体層（シリコーンラバー層）３１を介して、補助層付き未焼成セラミック積層体１５をプレスするようにしたが、この実施例５では、図１２(ａ)，(ｂ)に示すように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２と他方主面Ｆ２ａの両主面に平坦な補助層２０を配設するとともに、補助層２０を介して、補助層付き未焼成セラミック積層体１５の下面側（補助層２０を介して、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の他方主面Ｆ２ａに対向する側）に、周辺部に凸部３２ａが形成された型（例えば金型）３２を配置し、厚膜電極付き未焼成セラミック積層体１２の一方主面Ｆ２側の補助層２０上に配置した弾性体層（シリコーンラバー層）３１を介して、補助層付き未焼成セラミック積層体１５をプレスするようにした。
なお、その他の工程は、上記実施例４の場合に準じる。
【００７２】
この実施例５のように、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２の一方主面Ｆ２と他方主面Ｆ２ａの両方に平坦な補助層２０を配設し、この補助層付き未焼成セラミック積層体１５に型３２を合わせて弾性体層３１を介してプレスするようにした場合にも、厚膜電極付き未焼成セラミック体１２にダメージを与えることなく、所望の深さの凹部Ｃ２を確実に形成することが可能になる。
【００７３】
その後、上記実施例３の場合と同様に、回路要素部品や半導体などの表面実装部品１４ａ，１４ｂをセラミック基板１の他方主面Ｆ１ａに搭載し、表面実装部品１４ｃをセラミック基板１の一方主面Ｆ１側の凹部Ｃ１内に実装した後（図１０(ａ)参照）、セラミック基板１の他方主面Ｆ１ａを覆うように金属ケース（シールドケース）１８を取り付けることにより、図８，図１０(ｂ)に示すような構造を有するセラミック電子部品１０ａを得ることができる。
【００７４】
なお、この実施例５の構成の場合にも、型３２の周辺部の凸部３２ａを、補助層２０を構成する材料と同じ難焼結性材料から形成することも可能である。
【００７５】
また、図１３は、上記実施例３〜５のセラミック電子部品１０ａの変形例を示す図である。
このセラミック電子部品１０ａは、セラミック基板１の凹部Ｃ１に樹脂８が充填され、樹脂８により、外部電極５の、凹部Ｃ１の側壁部分３と凹部Ｃ１の底面との境界部に位置する端部５ｘが樹脂８により被覆されている。その他の構成は、上記実施例３〜５のセラミック電子部品１０ａの場合と同じである。
【００７６】
この積層セラミック電子部品１０ａのように、セラミック基板１の凹部Ｃ１に樹脂８を充填し、外部電極５の凹部Ｃ１内に位置する端部５ｘを樹脂８により被覆することにより、外部電極５の剥離を抑制することが可能になり、さらに信頼性を向上させることができる。
【００７７】
なお、本願発明は、上記の各実施例の構成に限定されるものではなく、セラミック基板の具体的な構成、凹部の配設位置や具体的な形状、外部電極の配設位置や配設個数、平面形状などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本願発明によれば、セラミック基板の一方主面から凹部内に至る、位置精度および形状精度の高い外部電極を備え、マザーボードの接続用ランド上に、はんだ付けにより搭載したときに、凹部の内側にはんだフィレットが形成されて大きな実装強度（機械的強度）を得ることが可能で、かつ、はんだフィレットがセラミック電子部品の外側領域にまで形成される（はみ出す）ことを抑制、防止することが可能な、実装信頼性が高く、かつ、高密度実装性に優れたセラミック電子部品を得ることが可能になる。
したがって、本願発明は、セラミック基板と、セラミック基板の一方主面に配設された、実装対象との接続のための外部電極とを備えたセラミック多層基板や、該セラミック多層基板に各種の電子部品を搭載したモジュール基板などの分野に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本願発明の実施例（実施例１）にかかるセラミック電子部品をマザーボードに搭載した状態を示す図である。
【図２】(ａ)，(ｂ)は、本願発明の実施例１にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【図３】(ａ)，(ｂ)は、本願発明の実施例１にかかるセラミック電子部品を構成するセラミック基板の構成を示す図であり、(ａ)は断面図、(ｂ)はセラミック基板の凹部や外部電極などが形成された面を示す斜視図である。
【図４】(ａ)，(ｂ)は、本願発明の実施例１にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【図５】(ａ)，(ｂ)は、本願発明の実施例２にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【図６】本願発明の実施例１および２にかかるセラミック電子部品の変形例を示す図である。
【図７】本願発明の実施例１および２にかかるセラミック電子部品の他の変形例を示す図である。
【図８】本願発明の他の実施例（実施例３）にかかるセラミック電子部品をマザーボードに搭載した状態を示す図である。
【図９】(ａ)，(ｂ)，(ｃ)は本願発明の実施例３にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【図１０】(ａ)，(ｂ)は本願発明の実施例３にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【図１１】(ａ)，(ｂ)は、本願発明の実施例４にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【図１２】(ａ)，(ｂ)は、本願発明の実施例５にかかるセラミック電子部品の製造方法を示す図である。
【図１３】本願発明の実施例３〜５にかかるセラミック電子部品の変形例を示す図である。
【図１４】従来のセラミック電子部品の構成を示す図である。
【図１５】従来のセラミック電子部品を実装した状態を示す図である。
【図１６】(ａ)，(ｂ)は、従来のセラミック電子部品の製造工程で、外部電極を形成する方法を説明する図である。
【図１７】(ａ)，(ｂ)，(ｃ)は、従来のセラミック電子部品の製造工程で、外部電極を形成する他の方法を説明する図である。
【図１８】(ａ)，(ｂ)は、従来のセラミック電子部品の製造工程で、外部電極を形成するさらに他の方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００８０】
１          セラミック基板
３          凹部の側壁部分
５          外部電極
５ａ        厚膜電極
５ｘ        外部電極の凹部内に位置する方の端部
５ｙ        外部電極の端縁側の端部
６          段差部
８          樹脂
１０        セラミック電子部品
１０ａ      セラミック電子部品
１１        未焼成セラミック体
１２        厚膜電極付き未焼成セラミック体
１３        はんだフィレット
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ      表面実装部品
１５        補助層付き未焼成セラミック体
１６        段差部
１８        金属ケース（シールドケース）
２０        補助層
２１        マザーボード
２２        接続用ランド
２３        金型（プレス部材）
２３ａ      金型の凸部
２４        金型
２４ａ      金型の凸部
３０        型・補助層
３０ａ      凸部
３１        弾性体層（シリコーンラバー層）
３２ａ      凸部
３２        型（金型）
４３        はんだ
Ｃ１，Ｃ２      凹部
Ｄ１，Ｄ２        一方主面の凹部に対応する凸部
Ｆ１        セラミック基板の一方主面
Ｆ１ａ      セラミック基板の他方主面
Ｆ２        未焼成セラミック体の一方主面
Ｆ２ａ      未焼成セラミック体の他方主面
Ｆ３        補助層付き未焼成セラミック体の一方主面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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