(57)【要約】【課題】速い切替速度を有し、物理的に小型で、広い動作周波数範囲を有し、歪みが小さく、高電力の信号に対応するステップ減衰器の提供。【解決手段】二重経路減衰システムであって、直通信号経路と、減衰信号経路と、直通信号経路及び減衰信号経路のうちの一方を入力と出力との間に選択的に接続する非終端入力スイッチ及び非終端出力スイッチと、加えられた入力信号の振幅を調整範囲にわたって調整し、振幅安定化信号を与えるＡＬＣシステムとを備え、非終端入力スイッチ及び非終端出力スイッチは、振幅安定化信号が調整範囲内の指定された閾値よりも高い振幅を有するときには、入力と出力との間に直通信号経路を接続し、非終端入力スイッチ及び非終端出力スイッチは、振幅安定化信号が指定された閾値よりも低い振幅を有するときには、入力と出力との間に減衰信号経路を接続する。【選択図】図１
2007159118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重経路減衰システムであって、
直通信号経路と、
減衰信号経路と、
前記直通信号経路及び前記減衰信号経路のうちの一方を入力と出力との間に選択的に接続する非終端入力スイッチ及び非終端出力スイッチと、
加えられた入力信号の振幅を調整範囲にわたって調整し、振幅安定化信号を与えるＡＬＣシステムとを備え、
前記非終端入力スイッチ及び前記非終端出力スイッチは、前記振幅安定化信号が前記調整範囲内の指定された閾値よりも高い振幅を有するときには、前記入力と前記出力との間に前記直通信号経路を接続し、前記非終端入力スイッチ及び前記非終端出力スイッチは、前記振幅安定化信号が前記指定された閾値よりも低い振幅を有するときには、前記入力と前記出力との間に前記減衰信号経路を接続する、二重経路減衰システム。
【請求項２】
前記減衰信号経路が、前記非終端入力スイッチ及び前記非終端出力スイッチが前記入力と前記出力との間に前記減衰信号経路を接続するときに、前記振幅安定化信号にステップ減衰を与える、請求項１に記載の二重経路減衰システム。
【請求項３】
前記閾値が、前記調整範囲と、前記減衰信号経路によって与えられる前記ステップ減衰の最小ステップサイズとの間の差に基づいて指定される、請求項２に記載の二重経路減衰システム。
【請求項４】
前記非終端入力スイッチ及び前記非終端出力スイッチがそれぞれ、１つ又は複数のＦＥＴを用いて実装される、請求項１に記載の二重経路減衰システム。
【請求項５】
前記減衰経路が少なくとも１つのＩＣステップ減衰器を含む、請求項１に記載の二重経路減衰システム。
【請求項６】
前記少なくとも１つのＩＣステップ減衰器が、それぞれ対応するパッケージに収容される３つのカスケード接続されるステージを含む、請求項５に記載の二重経路減衰システム。
【請求項７】
前記３つのカスケード接続されるステージのうちの第１のステージ及び第３のステージがそれぞれ５５ｄＢの減衰を与え、３つのカスケード接続されるステージのうちの第２のステージが２０ｄＢの減衰を与える、請求項６に記載の二重経路減衰システム。
【請求項８】
前記３つのカスケード接続されるステージのそれぞれを収容する対応するパッケージがセラミックである、請求項６に記載の二重経路減衰システム。
【請求項９】
前記３つのカスケード接続されるステージのそれぞれを収容する対応するパッケージがラミネートである、請求項６に記載の二重経路減衰システム。
【請求項１０】
前記第１のステージ及び前記第３のステージがそれぞれ、５ｄＢ減衰ステップで１５ｄＢの減衰範囲を与える第１のＩＣステップ減衰器と、４０ｄＢ減衰ステップで４０ｄＢの減衰範囲を与える第２のＩＣステップ減衰器とを含む、請求項７に記載の二重経路減衰システム。
【請求項１１】
前記第２のステージが、２０ｄＢ減衰ステップで２０ｄＢの減衰範囲を与えるＩＣステップ減衰器を含む、請求項１０に記載の二重経路減衰システム。
【請求項１２】
二重減衰システムであって、
直通信号経路と、
減衰信号経路と、
前記直通信号経路及び前記減衰信号経路のうちの一方を入力と出力との間に選択的に接続する第１の非終端スイッチ及び第２の非終端スイッチと、
加えられた入力信号の振幅を調整範囲にわたって調整し、振幅安定化信号を与えるＡＬＣシステムとを備え、前記第１の非終端スイッチ及び前記第２の非終端スイッチは、前記振幅安定化信号が前記調整範囲内の指定された閾値よりも高い振幅を有するときには、前記入力と前記出力との間に前記直通信号経路を接続し、前記第１の非終端スイッチ及び前記第２の非終端スイッチは、前記振幅安定化信号が前記指定された閾値よりも低い振幅を有するときには、前記入力と前記出力との間に前記減衰信号経路を接続する、二重経路減衰システム。
【請求項１３】
前記第１の非終端スイッチ、前記第２の非終端スイッチ及び前記減衰信号経路が、１つ又は複数のＧａＡｓ集積回路上に実装される、請求項１２に記載の二重経路減衰システム。
【請求項１４】
前記減衰信号経路が、前記第１の非終端スイッチ及び前記第２の非終端スイッチが前記入力と前記出力との間に前記減衰信号経路を接続するときに、前記振幅安定化信号にステップ減衰を与える、請求項１２または請求項１３に記載の二重経路減衰システム。
【請求項１５】
前記１つ又は複数のＧａＡｓ集積回路が、１つ又は複数のＬＥＤによって照明される、請求項１３に記載の二重経路減衰システム。
【請求項１６】
前記１つ又は複数のＧａＡｓ集積回路が、カスケード接続される一連のセラミックパッケージ内に収容される、請求項１５に記載の二重経路減衰システム。
【請求項１７】
前記１つ又は複数のＧａＡｓ集積回路が、カスケード接続される一連のラミネートパッケージ内に収容される、請求項１５に記載の二重経路減衰システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号減衰技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
信号源、ネットワークアナライザ、マルチファンクションテスタ、並びに他の計測器及びシステムにはステップ減衰器が含まれる。一般的な計測器では、ステップ減衰器は、自動レベル制御（ＡＬＣ）システムのフィードバックループの外側に収容される。ステップ減衰器は、電気信号の振幅を不連続な減衰ステップで調整するのに対して、ＡＬＣシステムは信号の振幅の連続的な制御、すなわちバーニヤ制御を提供する。
【０００３】
１つのタイプのステップ減衰器では、減衰回路が機械的に選択されるか、又は切り替えられる。このタイプのステップ減衰器は、ステップ減衰器に加えられる信号に歪みを重畳することなく、高い電力の信号に対応することができる。しかしながら、これらの機械的に切り替えられるステップ減衰器は、物理的なサイズが大きい、及び切り替え速度が遅いという不都合がある。
【０００４】
別のタイプのステップ減衰器では、減衰回路が、ＰＩＮダイオードを用いて電子制御によって切り替えられる。このタイプのステップ減衰器は物理的に小型であり、速い切り替え速度を達成することができる。しかしながら、これらのＰＩＮダイオードによって切り替えられるステップ減衰器は、低い周波数、たとえば約１ＭＨｚ未満の周波数を有する信号が加えられると、歪みを重畳する。
【０００５】
集積回路（ＩＣ）ステップ減衰器では、減衰回路は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いて実装され、切り替えられる。これらのＩＣステップ減衰器は、物理的に小型であり、切り替え速度が速い。低い電力レベルでは、ＩＣステップ減衰器は、広い周波数範囲にわたって歪みが小さい。しかしながら、ＩＣステップ減衰器は、高い電力レベルを有する信号が加えられると、ＩＣステップ減衰器内にあるＦＥＴの固有の非線形性に起因して、高いレベルの歪みを導入するという不都合がある。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第４２６３５６０号明細書
【特許文献２】米国特許第５６６１４４２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
速い切り替え速度を有し、物理的に小型であり、ＦＥＴによって切り替えられるステップ減衰器のような広い動作周波数範囲を有し、機械的に切り替えられるステップ減衰器によって提供される、歪みが小さく、且つ高い電力の信号に対応するという利点を併せ持つステップ減衰器が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものである。すなわち、本第一の発明は、二重経路減衰システムであって、直通信号経路と、減衰信号経路と、前記直通信号経路及び前記減衰信号経路のうちの一方を入力と出力との間に選択的に接続する非終端入力スイッチ及び非終端出力スイッチと、加えられた入力信号の振幅を調整範囲にわたって調整し、振幅安定化信号を与えるＡＬＣシステムとを備え、前記非終端入力スイッチ及び前記非終端出力スイッチは、前記振幅安定化信号が前記調整範囲内の指定された閾値よりも高い振幅を有するときには、前記入力と前記出力との間に前記直通信号経路を接続し、前記非終端入力スイッチ及び前記非終端出力スイッチは、前記振幅安定化信号が前記指定された閾値よりも低い振幅を有するときには、前記入力と前記出力との間に前記減衰信号経路を接続することを特徴とするものである。
【０００９】
また、本第二の発明は、本第一の発明において、前記減衰信号経路が、前記非終端入力スイッチ及び前記非終端出力スイッチが前記入力と前記出力との間に前記減衰信号経路を接続するときに、前記振幅安定化信号にステップ減衰を与えることを特徴とするものである。
【００１０】
さらに、本第三の発明は、本第二の発明において、前記閾値が、前記調整範囲と、前記減衰信号経路によって与えられる前記ステップ減衰の最小ステップサイズとの間の差に基づいて指定されることを特徴とするものである。
【００１１】
またさらに、本第四の発明は、本第一の発明において、前記非終端入力スイッチ及び前記非終端出力スイッチがそれぞれ、１つ又は複数のＦＥＴを用いて実装されることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本第五の発明は、本第一の発明において、前記減衰経路が少なくとも１つのＩＣステップ減衰器を含むことを特徴とするものである。
【００１３】
さらに、本第六の発明は、本第五の発明において、前記少なくとも１つのＩＣステップ減衰器が、それぞれ対応するパッケージに収容される３つのカスケード接続されるステージを含むことを特徴とするものである。
【００１４】
またさらに、本第七の発明は、本第六の発明において、前記３つのカスケード接続されるステージのうちの第１のステージ及び第３のステージがそれぞれ５５ｄＢの減衰を与え、３つのカスケード接続されるステージのうちの第２のステージが２０ｄＢの減衰を与えることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本第八の発明は、本第六の発明において、前記３つのカスケード接続されるステージのそれぞれを収容する対応するパッケージがセラミックであることを特徴とするものである。
【００１６】
さらに、本第九の発明は、本第六の発明において、前記３つのカスケード接続されるステージのそれぞれを収容する対応するパッケージはラミネートであることを特徴とするものである。
【００１７】
またさらに、本第十の発明は、本第七の発明において、前記第１のステージ及び前記第３のステージがそれぞれ、５ｄＢ減衰ステップで１５ｄＢの減衰範囲を与える第１のＩＣステップ減衰器と、４０ｄＢ減衰ステップで４０ｄＢの減衰範囲を与える第２のＩＣステップ減衰器とを含むことを特徴とするものである。
【００１８】
また、本第十一の発明は、本第十の発明において、前記第２のステージが、２０ｄＢ減衰ステップで２０ｄＢの減衰範囲を与えるＩＣステップ減衰器を含むことを特徴とするものである。
【００１９】
さらに、本第十二の発明は、二重減衰システムであって、直通信号経路と、減衰信号経路と、前記直通信号経路及び前記減衰信号経路のうちの一方を入力と出力との間に選択的に接続する第１の非終端スイッチ及び第２の非終端スイッチと、加えられた入力信号の振幅を調整範囲にわたって調整し、振幅安定化信号を与えるＡＬＣシステムとを備え、前記第１の非終端スイッチ及び前記第２の非終端スイッチは、前記振幅安定化信号が前記調整範囲内の指定された閾値よりも高い振幅を有するときには、前記入力と前記出力との間に前記直通信号経路を接続し、前記第１の非終端スイッチ及び前記第２の非終端スイッチは、前記振幅安定化信号が前記指定された閾値よりも低い振幅を有するときには、前記入力と前記出力との間に前記減衰信号経路を接続することを特徴とするものである。
【００２０】
またさらに、本第十三の発明は、本第十二の発明において、前記第１の非終端スイッチ、前記第２の非終端スイッチ及び前記減衰信号経路が、１つ又は複数のＧａＡｓ集積回路上に実装されることを特徴とするものである。
【００２１】
また、本第十四の発明は、本第十二または本第十三の発明において、前記減衰信号経路が、前記第１の非終端スイッチ及び前記第２の非終端スイッチが前記入力と前記出力との間に前記減衰信号経路を接続するときに、前記振幅安定化信号にステップ減衰を与えることを特徴とするものである。
【００２２】
さらに、本第十五の発明は、本第十三の発明において、前記１つ又は複数のＧａＡｓ集積回路が、１つ又は複数のＬＥＤによって照明されることを特徴とするものである。
【００２３】
またさらに、本第十六の発明は、本第十五の発明において、前記１つ又は複数のＧａＡｓ集積回路が、カスケード接続される一連のセラミックパッケージ内に収容されることを特徴とするものである。
【００２４】
また、本第十七の発明は、前記１つ又は複数のＧａＡｓ集積回路が、カスケード接続される一連のラミネートパッケージ内に収容されることを特徴とするものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、自動レベル制御（ＡＬＣ）システム１２及び二重信号経路減衰器１４を含む、本発明の実施形態による二重経路減衰システム１０の一例を示す。二重経路減衰システム１０は、加えられる入力信号１１の振幅を調整できるようにし、二重信号経路減衰器１４の出力ポート１５において振幅を安定化した出力信号１３を与える。この例では、加えられる入力信号１１は、任意のタイプのネットワーク、回路、デバイス、素子、或いは電気信号を生成するか、又は他の方法で与えるのに適したシステムを含む、信号源１６によって、二重経路減衰システム１０に与えられる。
【００２６】
米国特許第４，２６３，５６０号及び米国特許第５，６６１，４４２号は、二重経路減衰システム１０に収容するのに適している数多くのタイプのＡＬＣシステム１２のうちの２つの例を開示する。ＡＬＣシステム１２は、図１に示されるように、信号結合器１８と、レベル検出器２０と、レベル制御回路２２と、可変減衰器２４とを備え、それらの構成要素はフィードバック制御ループを形成する。信号結合器１８は、分布結合器、電力分割器、抵抗ブリッジ、又は二重信号経路減衰器１４に与えられる信号１７の一部をレベル検出器２０に結合するのに適した他の回路又はシステムを含む。レベル検出器２０は通常、検波ダイオード、電力センサ、或いは、信号１７の振幅に対応する、検出された信号１９を与えるのに適した他のデバイス、素子又はシステムを含む。振幅は、信号１７の大きさ、電圧、電流又は電力、或いは信号１７のレベルの任意の他の適当な指示子によって表すことができる。ＡＬＣシステム１２内の可変減衰器２４は、ＰＩＮダイオード減衰器、ＦＥＴ減衰器、可変利得増幅器、或いは、レベル制御回路２２によって与えられる制御信号２１に応答して、加えられる入力信号１１の振幅を調整するのに適した任意の他のデバイス、素子又はシステムを含む。
【００２７】
ＡＬＣシステム１２の平衡動作状態では、レベル検出器２０によって与えられる、検出された信号１９は、二重信号経路減衰器１４の入力に加えられる信号１７の振幅に対応する。レベル制御回路２２は、検出された信号１９を受信し、検出された信号１９を基準信号ＲＥＦと比較して、その比較に基づいて誤差信号ｅを生成する。その後、誤差信号ｅを調整して、可変減衰器２４を駆動する制御信号２１を与える。ＡＬＣシステム１２は、レベル制御回路２２が可変減衰器２４の減衰を調整し、誤差信号ｅを最小限に抑えることができるようにするだけの十分な利得を有する。誤差信号ｅを最小限に抑えることにより、信号１７の振幅が安定化され、基準信号ＲＥＦを調整するのに応じて、信号１７の振幅を調整できるようになる。
【００２８】
平衡動作状態では、ＡＬＣシステム１２は、信号１７の振幅のバーニヤ調整を提供する。バーニヤ振幅調整は通常、ＡＬＣシステム１２のレベル制御回路２２内の基準信号ＲＥＦを設定するために用いられる、ＤＡＣ２６或いは他のデバイス又はシステムの分解能の範囲内で連続的である。二重信号経路減衰器１４は、信号１７を受信して、ＡＬＣシステム１２によって与えられる振幅のバーニヤ調整に加えて、出力信号１３の振幅のステップ減衰を提供する。出力信号１３の振幅のバーニヤ調整及びステップ減衰を組み合わせることにより、出力信号１３の振幅が、広い調整範囲にわたって連続して調整されるようになる。
【００２９】
通常、ＡＬＣシステム１２は開ループ状態において動作することもでき、その場合には、信号１７の振幅は安定化されないか、又は外部制御によって安定化された状態にあり、その状態では、図１に示されるＡＬＣシステム１２の外部にある信号結合器及びレベル検出器が、二重経路減衰システム１０に含まれ、フィードバックループを形成する。
【００３０】
二重信号経路減衰器１４（図２に示される）は、直通信号経路３０と、減衰信号経路３２と、直通信号経路３０及び減衰信号経路３２を二重信号経路減衰器１４の入力と出力ポート１５との間に選択的に接続する入力スイッチＳ１及び出力スイッチＳ２とを備える。二重信号経路減衰器１４内の入力スイッチＳ１及び出力スイッチＳ２は終端されない。すなわち、入力スイッチＳ１及び出力スイッチＳ２は、選択されないスイッチ経路を整合終端しない。
【００３１】
図２に示される二重信号経路減衰器１４の例では、二重信号経路減衰器１４は、３つのカスケード接続されるステージ３４ａ、３４ｂ、３４ｃにおいて実装され、５ｄＢ減衰ステップで、１３０ｄＢの減衰調整範囲を達成する。第１のステージ３４ａは、ＦＥＴスイッチを用いて実装される、単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチのような入力スイッチＳ１を備える。第１のステージ３４ａでは、減衰信号経路３２は、２つのカスケード接続される集積回路（ＩＣ）ステップ減衰器３６ａ、３８ａを備える。ＩＣステップ減衰器３６ａは、５ｄＢの減衰ステップを提供し、０ｄＢ、５ｄＢ、１０ｄＢ及び１５ｄＢの減衰を選択的に達成する。ＩＣステップ減衰器３８ａは、１つの４０ｄＢ減衰ステップを提供し、０ｄＢ及び４０ｄＢの減衰を選択的に達成する。ＩＣステップ減衰器３６ａ、３８ａの組み合わせが、５５ｄＢの減衰調整範囲を有する、減衰信号経路３２の第１のステージを提供する。第２のステージでは、減衰信号経路３２は、１つのＩＣステップ減衰器３６ｂを含む。ＩＣステップ減衰器３６ｂは、１つの２０ｄＢ減衰ステップを提供し、０ｄＢ及び２０ｄＢの減衰を選択的に達成し、２０ｄＢの減衰調整範囲を達成する。第３のステージ３４ｃは、ＦＥＴスイッチを用いて実装される、単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチのような出力スイッチＳ２を含む。第３のステージ３４ｃでは、減衰信号経路３２は同じく、２つのカスケード接続される集積回路（ＩＣ）ステップ減衰器３６ｃ、３８ｃを含む。ＩＣステップ減衰器３６ｃは、５ｄＢの減衰ステップを提供し、０ｄＢ、５ｄＢ、１０ｄＢ及び１５ｄＢの減衰を選択的に達成する。ＩＣステップ減衰器３８ｃは、１つの４０ｄＢ減衰ステップを提供し、０ｄＢ及び４０ｄＢの減衰を選択的に達成する。ＩＣステップ減衰器３６ｃ、３８ｃの組み合わせが、５５ｄＢの減衰調整範囲を有する、減衰信号経路３２の第３のステージを提供する。アジレントテクノロジ社の型式Ｅ４４３８Ｃ  ＥＳＧベクトル信号発生器は、二重信号経路減衰器１４の減衰信号経路３２内に収容するのに適したＩＣステップ減衰器を含む。
【００３２】
二重経路減衰システム１０の一実施形態によれば、カスケード接続されるステージ３４ａ、３４ｂ、３４ｃはそれぞれ、対応するラミネートパッケージ又はセラミックパッケージ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ内に収容される。パッケージ４０ａ、４０ｂ、４０ｃは、表面実装技術（ＳＭＴ）又はプリント回路基板（ＰＣＢ）技術を用いて、基板４２上に実装するのに適している。二重減衰経路システム１０の別の実施形態によれば、二重信号経路減衰器１４は、シールドされたマイクロ回路パッケージ又は他の適当なパッケージ内に収容される。図２に示される二重信号経路減衰器１４内にある、パッケージ４０ａ、４０ｂ、４０ｃに収容される３つのカスケード接続されるステージ３４ａ、３４ｂ、３４ｃは、１３０ｄＢステップ減衰調整範囲を達成するだけの十分な信号分離（アイソレーション）を提供する。二重信号経路減衰器１４の別の例では、カスケード接続されるステージの数、各ステージ内で達成される減衰調整範囲、減衰ステップのサイズ、及び全減衰調整範囲として、二重経路減衰システム１０が収容されるシステム又は計測器の性能パラメータに基づいて別の値を指定することができる。
【００３３】
図２に示される二重信号経路減衰器１４の例では、ＩＣステップ減衰器並びに収容される入力スイッチＳ１及び出力スイッチＳ２は、１つ又は複数のＬＥＤ５２によって照明されるＧａＡｓ集積回路を用いて実装される。１つ又は複数のＬＥＤ５２は、ＧａＡｓ  ＦＥＴのゲート遅延の結果として二重信号経路減衰器１４の減衰信号経路３２内に生じる、減衰状態間の遷移中のスイッチングの遅れ（スローテール）又は他のスイッチング過渡現象を防ぐ。通常、ＬＥＤ５２は、ＩＣステップ減衰器を直に照明する。別法では、ＬＥＤ５２からの光はセラミックパッケージの蓋から反射されるか、又はレンズを用いてＩＣステップ減衰器に誘導される。一例では、３つの高輝度面実装ＬＥＤ５２が、各パッケージ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ内に収容され、１５マイクロ秒未満である減衰ステップ間のスイッチング時間と、同じく１５マイクロ秒未満である、直通信号経路３０と減衰信号経路３２との間のスイッチング時間とを二重信号経路減衰器１４に与える。
【００３４】
別法では、二重信号経路減衰器１４の直通信号経路３０及び減衰信号経路３２は、入力スイッチＳ１及び出力スイッチＳ２を介して、プロセッサ５０（図１に示される）の制御下で選択される。プロセッサ５０は、レベル制御回路２２内のＤＡＣ２６と、減衰信号経路３２内のＩＣステップ減衰器とを介して、出力信号１３の振幅も制御する。通常、直通信号経路３０は、出力信号１３が、指定された閾値よりも大きい振幅を有するように設定されるか、仕様によって指定されるか、又は他の方法で指定されるときに選択される。減衰信号経路３２は、出力信号１３が、その閾値よりも小さい振幅を有するように設定されるか、仕様によって指定されるか、又は他の方法で指定されるときに選択される。二重経路減衰システム１０の一実施形態によれば、その閾値は、ＡＬＣシステム１２の振幅調整範囲と、減衰経路３２によって達成することができる最小減衰ステップサイズとの差に基づいて指定される。たとえば、ＡＬＣシステム１２が１５ｄＢの調整範囲を提供し、最小減衰ステップサイズが５ｄＢであるとき、出力信号１３が出力信号１３の電力範囲の上限から１０ｄＢ以内にあるときに直通信号経路３０が選択され、出力信号１３が出力信号１３の電力範囲の上限から１０ｄＢより低いときに減衰信号経路３２が選択されるように、閾値が指定される。
【００３５】
その閾値は、信号結合器１８と出力ポート１５との間の信号経路の挿入損失の周波数依存性、又はＡＬＣシステム１２の調整範囲の出力信号１３の周波数への依存性に対応するために、周波数依存性にすることができる。
【００３６】
その閾値は、出力信号１３のための歪み要件に基づいて指定することもできる。たとえば、直通信号経路３０は、出力信号１３が、減衰信号経路３２内に許容できないレベルの歪みを導入するほどの十分に高い電力を有するときに選択することができる。
【００３７】
本発明の実施形態が詳細に例示されてきたが、添付の特許請求の範囲内に述べられるような本発明の範囲から逸脱することなく、当業者であれば、これらの実施形態に対する変更及び改変を思いつくことができることは明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態による二重経路減衰システムの一例を示す図である。
【図２】本発明の実施形態による二重経路減衰システム内に収容される二重信号経路減衰器の一例を示す図である。
【図３】本発明の実施形態による二重経路減衰システムを含む回路基板の一例を示す図である。
【図１】
2007159118.tif 000003
【図２】
2007159118.tif 000004
【図３】
2007159118.tif 000005