(57)【要約】【課題】ウエハを個々の発光素子に分離する際の歩留まり及び光取り出し効率の向上。【解決手段】エピタキシャル成長に用いたサファイア基板をレーザリフトオフ法により除去したウエハ１０００ｗ（２．Ａ）は、ｎ型シリコン基板２００に導電性多層膜ｆｍとIII族窒化物系化合物半導体層１１，１２とｎ電極１３０が形成された表面と、導電性多層膜２３０の形成された裏面とを有する。半導体層１１，１２側からテーパを有する切削面ｆｄを形成して、半導体層１１，１２を個々の素子ごとに分離する（２．Ｂ）。裏面側から切削面ｂｄを、ｎ型シリコン基板２００の厚さ１／３までの深さで形成する（２．Ｃ）。次に公知のブレーキング工程により、ウエハ１０００ｗの表裏の切削面ｆｄ及びｂｄがつながる様にして、個々の発光素子１０００を得る（２．Ｄ）。切削面ｆｄは同じ角度のテーパ状（２．Ｅ）としても、角度が変化するテーパ状（２．Ｆ）としても良い。【選択図】図２
2007158130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングブレードにより個々の素子に分離するIII族窒化物系化合物半導体光素子の製造方法であって、
第１の基板にIII族窒化物系化合物半導体光素子を形成する工程と、
当該III族窒化物系化合物半導体光素子の最上層に電極を形成する工程と、
導電性の第２の基板と、直接又は導電性膜若しくは導電性多層膜を介して、前記電極を形成した側から前記III族窒化物系化合物半導体素子を形成した前記第１の基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１の基板を除く工程と、
前記III族窒化物系化合物半導体素子の新たにあらわになった層に電極を形成する工程と、
前記導電性の第２の基板の前記III族窒化物系化合物半導体光素子を形成した側から、ダイシングブレードにより、III族窒化物系化合物半導体層を素子ごとに分離すると共に、分離された素子の周囲部分について、少なくとも発光領域又は受光領域付近の外周の全周がテーパ状となる様にダイシングする第１のダイシング工程と、
前記導電性の第２の基板の前記III族窒化物系化合物半導光体素子を形成した側とは反対側から、ダイシングする第２のダイシング工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
III族窒化物系化合物半導体光素子であって、
導電性の基板と、
当該導電性の基板に直接又は導電性膜若しくは導電性多層膜を介して接合された第１の電極と、
当該第１の電極と接合された第１の伝導型の層、及びその伝導型とは異なる第２の伝導型の層が少なくとも積層されたIII族窒化物系化合物半導体光素子層と、
当該III族窒化物系化合物半導体光素子層の第１の電極とは逆側である表面側に形成された第２の電極とを有し、
素子外周部であって、前記III族窒化物系化合物半導体光素子層の２つの伝導型の層の間に形成される発光領域又は受光領域付近の、外周の全周に渡って形成されたテーパ部を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はIII族窒化物系化合物半導体光素子及びその製造方法に関する。尚、本明細書で半導体光素子とは、発光素子、受光素子、その他光エネルギーと電気エネルギーとの一方から他方への変換素子その他任意の光機能を有する半導体素子を言うものとする。
【背景技術】
【０００２】
緑色、青色乃至紫外光を発する発光素子として、III族窒化物系化合物半導体発光素子が登場してから久しいが、依然サファイア基板等の、異種且つ絶縁性基板上に発光素子をエピタキシャル成長するものが主流である。異種の導電性基板を用いる場合であっても、エピタキシャル成長中のいわゆる転位が十分に低減できないことや、エピタキシャル成長後常温に戻すまでに、熱膨張係数の差によるIII族窒化物系化合物半導体層におけるクラックの発生を十分には抑制できないことが依然として問題である。
【０００３】
ところで、エピタキシャル成長を行う基板と、素子として用いる際の支持基板とを異なるものとする、即ちエピタキシャル成長後に他の基板にIII族窒化物系化合物半導体層やIII族窒化物系化合物半導体素子を移し替る技術がある（特許文献１乃至４、非特許文献１）。
【特許文献１】特許３４１８１５０
【特許文献２】特表２００１−５０１７７８
【特許文献３】特表２００５−５２２８７３
【特許文献４】ＵＳＰ６０７１７９５
【非特許文献１】Ｋｅｌｌｙら、「Ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｏｒ  ｌｉｆｔｏｆｆ  ｏｆ  ｇｒｏｕｐ  ＩＩＩ−ｎｉｔｒｉｄｅ  ｆｉｌｍｓ」、Ｐｈｙｓｉｃａ  Ｓｔａｔｕｓ  Ｓｏｌｉｄｉ（ａ）  ｖｏｌ．１５９、１９９７年、Ｒ３〜Ｒ４頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らは、上記技術をIII族窒化物系化合物半導体光素子に適用する際の手法として、支持基板を導電性基板とし、支持基板に接するｐ層側の電極構成に高反射性金属を用い、且つ反対側、即ちあらわになったｎ層側の電極を窓枠状に形成することを検討中である。これにより、例えばIII族窒化物系化合物半導体発光素子として、ｎ層側の窓枠状の電極が形成されていない領域（窓）から光取り出しを効率よく行うことができると考えられる。
【０００５】
さて、導電性の支持基板と複数個の半導体素子を有する半導体層から成るウエハを個々の素子に分離する方法としては、例えば半導体層を形成していない側（裏面）から導電性の支持基板にダイシングブレードによりハーフカットを行い、その後ブレーキングする手段が考えられる。ところが、上記方法によりエピタキシャル成長基板から導電性基板に半導体層を移し替る際に、多層金属膜を形成していることから、裏面のハーフカットから亀裂が直接半導体層に結びつかず、半導体層が所望の位置で切断されにくいことがわかった。また、裏面又は表面からのダイシングブレードによるフルカットも、導電性の支持基板と、エピタキシャル成長層と、それらの間に形成される多層金属膜の、各層の硬さが異なるため、綺麗にはダイシングができなかった。これらは素子分離の際の歩留まりの低下を意味している。
【０００６】
そこで本発明の目的は、III族窒化物系化合物半導体光素子を形成したウエハを個々の素子に分離する際の歩留まり良くすることである。更には、それにより形成される個々の素子の光り取り出し効率或いは光取込み効率を良くすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、ダイシングブレードにより個々の素子に分離するIII族窒化物系化合物半導体光素子の製造方法であって、第１の基板にIII族窒化物系化合物半導体光素子を形成する工程と、当該III族窒化物系化合物半導体光素子の最上層に電極を形成する工程と、導電性の第２の基板と、直接又は導電性膜若しくは導電性多層膜を介して、電極を形成した側からIII族窒化物系化合物半導体素子を形成した第１の基板とを貼り合わせる工程と、第１の基板を除く工程と、III族窒化物系化合物半導体素子の新たにあらわになった層に電極を形成する工程と、導電性の第２の基板のIII族窒化物系化合物半導体光素子を形成した側から、ダイシングブレードにより、III族窒化物系化合物半導体層を素子ごとに分離すると共に、分離された素子の周囲部分について、少なくとも発光領域又は受光領域付近の外周の全周がテーパ状となる様にダイシングする第１のダイシング工程と、導電性の第２の基板のIII族窒化物系化合物半導光体素子を形成した側とは反対側から、ダイシングする第２のダイシング工程とを有することを特徴とする。尚、ここで「発光領域又は受光領域」とは、例えば発光領域については、ｐｎ接合界面、単一又は多重量子井戸構造その他の発光層を全て含むもので、受光領域についても同様である。
【０００８】
請求項２に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体光素子であって、導電性の基板と、当該導電性の基板に直接又は導電性膜若しくは導電性多層膜を介して接合された第１の電極と、当該第１の電極と接合された第１の伝導型の層、及びその伝導型とは異なる第２の伝導型の層が少なくとも積層されたIII族窒化物系化合物半導体光素子層と、当該III族窒化物系化合物半導体光素子層の第１の電極とは逆側である表面側に形成された第２の電極とを有し、素子外周部であって、III族窒化物系化合物半導体光素子層の２つの伝導型の層の間に形成される発光領域又は受光領域付近の、外周の全周に渡って形成されたテーパ部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
ダイシングブレードによるハーフカットを行った際に露出する、素子周囲側面のｐ層及びｎ層に挟まれた領域である発光領域又は受光領域付近の外周の全周がテーパ状となっているので、例えば発光素子において、III族窒化物系化合物半導体層内で反射を繰り返して当該テーパ状側面に達した光は、当該テーパ状側面から外部へ取り出されることとなる。これは、例えば平盤状の平たい直方体においては、反射によりいずれの面とも臨界角を越える光路が存在し、最終的には外部に光が取り出されること無くIII族窒化物系化合物半導体層中で吸収されてしまうが、発光領域又は受光領域付近の、外周の全周に渡って形成されたテーパ部を有するならば、そのような光路がテーパ部で切断され、光が外部に放出されることによる。また、半導体層の形成されていない裏面からもダイシングを行えば、少なくとも半導体層は分離されているので、個々の素子への分離工程における歩留まりが向上する。本発明はエピタキシャル成長基板にて形成されたのち、他の支持基板に移し替られてから、ダイシングするような製造方法に特に有効である（請求項１）。
【００１０】
また、このような構成の素子は、光取り出し効率が向上すると共にチップ化時の歩留りを向上させることができる（請求項２）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明に用いるダイシングブレードは例えばその先端部が、対象となるウエハに形成されるIII族窒化物系化合物半導体層の厚さの切削を行った際に、発光領域又は受光領域付近において、少なくともテーパが形成される様になれば良い。即ち完全に垂直な切削面の形成されるものでなければ、極めて広い範囲のダイシングブレードを用いることが可能である。III族窒化物系化合物半導体層に形成されるべきテーパは、いずれの面においても、その法線がエピタキシャル層の厚さ方向に対して１０〜８０度であると良く、好ましくは２０〜７０度、より好ましくは３０〜６０度である。
【００１２】
III族窒化物系化合物半導体層側からのダイシングは、少なくともIII族窒化物系化合物半導体層の発光領域又は受光領域に達する迄の深さが必要であり、望ましくはIII族窒化物系化合物半導体層を得るべき素子ごとに分離するような深さである。多層金属膜を介して導電性基板上に載置された状態の場合は、当該多層金属膜を切削する深さ、更には導電性基板をも切削する深さであっても構わないが、III族窒化物系化合物半導体層を得るべき素子ごとに分離するような深さであれば本願発明の目的を達成できる。
【００１３】
一方、基板の、III族窒化物系化合物半導体層を形成していない側からのダイシングは、のちのブレーキング工程にて基板を劈開するのに十分な深さの切削が望ましい。尚、ダイシングの「幅」は、ウエハに素子を配置させる設計により、所望に設定できる。
【００１４】
本発明は、任意のIII族窒化物系化合物半導体光素子に適用でき、特に光取り出し領域を有する発光素子、光取込み領域を有する受光素子に適用できる。支持基板を有した素子は、当該基板と接していない側のIII族窒化物系化合物半導体層に窓枠状等の電極を、直接又は透光性電極を介して形成すると良い。正負の電極が発光領域の上下にそれぞれ位置するので、支持基板としては導電性基板を用いることが望ましい。
【００１５】
レーザ照射により例えばＧａＮの薄膜部を溶融、分解してエピタキシャル成長基板と分離させる場合は、３６５ｎｍより短波長のレーザが適しており、波長３６５ｎｍ、２６６ｎｍのＹＡＧレーザ、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌレーザ、波長１５５ｎｍのＡｒＦレーザ、波長２４８ｎｍのＫｒＦが好適に用いられる。レーザ照射を、任意個数のチップサイズとすること、例えば５００μｍ毎にウエハに配置されたチップならば４個×４個の２ｍｍ角のレーザ照射、或いは６個×６個の３ｍｍ角のレーザ照射とすると、各チップを「レーザ照射済み」「未照射」の境界が横切ることが無く、好適である。
【００１６】
III族窒化物系化合物半導体積層構造は、エピタキシャル成長により形成することが望ましい。但しエピタキシャル成長に先立って形成されるバッファ層は、エピタキシャル成長によらず、例えばスパッタリングその他の方法により形成されるものでも構わない。エピタキシャル成長方法、エピタキシャル成長基板、各層の構成、発光層等の機能層の構造その他の構成方法及び素子分割後の取扱い方法等は、以下の実施例では細部を全く述べないこともあるが、これは本願出願時における、任意の公知の構成を用いること、或いは複数の技術構成を任意に組み合わせて所望の光素子を形成することが、本発明に包含されうることを意味するものである。
【００１７】
III族窒化物系化合物は、狭義にはＡｌＧａＩｎＮ系の任意組成の２元系及び３元系を包含する４元系の半導体自体と、それらに導電性を付与するためのドナー又はアクセプタ不純物を添加したものを意味するが、一般的に、他のIII族及びV族を追加的或いは一部置換して用いる半導体、或いは他の機能を付与するために任意の元素を添加された半導体を排除するものではない。
【００１８】
III族窒化物系化合物層に直接接合させる電極や、当該電極に接続される単層又は多層の電極は、任意の導電性材料を用いることができる。高反射性金属としてはIII族窒化物系化合物層に直接接合させる場合はイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）が好適である。透光性電極を形成することも可能であり、酸化インジウムスズ、酸化インジウムチタンその他の酸化物電極を用いることができる。エピタキシャル成長ウエハと支持基板とを接合させるのにははんだを好適に用いることができ、はんだの成分によって、支持基板やエピタキシャル成長ウエハの接合側面に必要に応じて多層金属膜を形成すると良い。また、２つの層例えば酸化物層と金属層とを直接接触させないために誘電体層をそれらの間に形成する場合、任意の誘電体材料を用い、当該誘電体層に孔部を設けて電気的接続部材を充填するなどの手法が有る。
【００１９】
本発明は電極構成に特徴を有するものであり、繰り返し述べるように、他の構成は任意の公知構成、公知技術の組み合わせを用いることができる。
【実施例１】
【００２０】
図１．Ａ乃至図１．Ｋは、本発明の具体的な一実施例に係るIII族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法を示す工程図（断面図）である。尚、図１．Ｋでは、実質的に１チップのIII族窒化物系化合物半導体発光素子１０００に対応する図を示しており、図１．Ａ乃至図１．Ｊにおいても１チップ分の断面図に対応する図面を示している。しかし、図１．Ａ乃至図１．Ｊは１枚のウエハ等の「一部」を拡大して表現したものであり、図１．Ｋも、ダイシング等によりチップ化する前の状態である１枚のウエハ等の「一部」を拡大した断面図をも意味するものである。
【００２１】
まず、サファイア基板１００を用意し、通常のエピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体層を形成する（図１．Ａ）。図１．Ａでは単純化して、ｎ型層１１とｐ型層１２と発光領域Ｌとして積層されたIII族窒化物系化合物半導体層を示した。図１．Ａ乃至図１．Ｋにおいて、ｎ型層１１とｐ型層１２とは、破線で示した発光領域Ｌで接する２つの層の如く記載しているが、これらは細部の積層構造の記載を省略したものである。実際、サファイア基板１００に例えばバッファ層、シリコンをドープしたＧａＮから成る高濃度ｎ+層、ＧａＮから成る低濃度ｎ層、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層を構成するものであっても、図１．Ａ乃至図１．Ｋにおいてはｎ型層１１として代表させている。同様に、マグネシウムをドープしたｐ−ＡｌＧａＮクラッド層、ＧａＮから成る低濃度ｐ層、ＧａＮから成る高濃度ｐ+層を構成するものであっても、図１．Ａ乃至図１．Ｋにおいてはｐ型層１２として代表させている。また、発光領域Ｌは、ｐｎ接合の場合の接合面と、例えば多重量子井戸構造の発光層（通常、井戸層はアンドープ層）の両方を代表して破線で示したものであり、単に「ｎ型層１１とｐ型層１２との界面」を意味するものではない。但し、「発光領域の平面」は発光領域Ｌで示した破線付近に存在する、平面である。尚、ｐ型層１２は、下記の「窒素（Ｎ2）雰囲気下の熱処理」前においては、「ｐ型不純物を含む層ではあるが、低抵抗化していない」ものであり、当該「窒素（Ｎ2）雰囲気下の熱処理」後においては、通常の意味の低抵抗のｐ型層である。
【００２２】
次に、電子ビーム蒸着により、ｐ型層１２の全面に厚さ３００ｎｍの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）から成る透光性電極１２１−ｔを形成する。この後、Ｎ2雰囲気下、７００℃で、５分間加熱処理して、ｐ型層１２を低抵抗化すると共に、ｐ型層１２とＩＴＯ電極１２１−ｔとのコンタクト抵抗を低抵抗化する。次に、ＩＴＯ電極１２１−ｔの全面に、厚さ１００ｎｍの窒化ケイ素（ＳｉＮx）から成る誘電体層１５０を形成する（図１．Ｂ）。
【００２３】
次に、図示しないレジスト膜を用いたフォトリソグラフにより、ドライエッチングでＳｉＮxから成る誘電体層１５０に孔部Ｈを形成する。後述するように、孔部Ｈの形状と位置、即ちニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃの形状と位置は、のちに形成する多層金属膜から成るｎ電極１３０の形状と位置との関係において、「発光領域Ｌの平面」に投影した両者の正射影が重ならないようにする。本実施例においては、孔部Ｈは、一辺４００乃至５００μｍの正方形状のIII族窒化物系化合物半導体発光素子１０００に対して幅約２０μｍ、孔部Ｈの間隔８０乃至１００μｍのストライプ状とした。この後レジスト膜を除去する（図１．Ｃ）。
【００２４】
次に、孔部Ｈにニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃを形成するため、図示しないレジスト膜を形成する。このレジスト膜には、ＳｉＮxから成る誘電体層１５０の孔部Ｈ上部に、当該孔部よりも大きい孔部を形成する。こうして、ＳｉＮxから成る誘電体層１５０の孔部Ｈと、その上に形成されたレジスト膜の孔部とにニッケル（Ｎｉ）を抵抗加熱蒸着により形成する。この際、ニッケル（Ｎｉ）はＳｉＮxから成る誘電体層１５０の孔部Ｈを充填し、且つ誘電体層１５０上部に２０ｎｍ厚の庇状部が形成されるまで蒸着した。こうして、レジスト膜を除去し、ＳｉＮxから成る誘電体層１５０の孔部Ｈを充填する、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃを形成した（図１．Ｄ）。
【００２５】
次に、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃを孔部Ｈに有するＳｉＮxから成る誘電体層１５０の上に、厚さ３００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒを蒸着により形成する（図１．Ｅ）。こうして、ＩＴＯから成る透光性電極１２１−ｔ、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃ、アルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒとにより、III族窒化物系化合物半導体層との密着性が高く、光を吸収せず高反射する、多重ｐ電極が形成される。尚、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃを孔部Ｈに有するＳｉＮxから成る誘電体層１５０の役割は、アルミニウム（Ａｌ）とＩＴＯを直接接触させないことで、アルミニウム（Ａｌ）の酸化による電極特性の劣化を防止することである。
【００２６】
次に、多層金属膜を次の順に蒸着により形成する。厚さ５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層１２２、厚さ５００ｎｍのニッケル（Ｎｉ）層１２３、厚さ５０ｎｍの金（Ａｕ）層１２４。こうして図１．Ｆの層構成となる。チタン（Ｔｉ）層１２２、ニッケル（Ｎｉ）層１２３、金（Ａｕ）層１２４の機能は、次の通りである。スズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１を設けるにあたって、当該金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１と合金化する層として金（Ａｕ）層１２４を、スズ（Ｓｎ）のアルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒへの拡散を防ぐ層としてニッケル（Ｎｉ）層１２３を、ニッケル（Ｎｉ）層１２３とアルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒとの密着性を向上させるためにチタン（Ｔｉ）層１２２を各々設けるものである。
【００２７】
次に金（Ａｕ）層１２４の上に、スズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１を厚さ１５００ｎｍ形成する（１．Ｇ）。
【００２８】
次にｎ型シリコン基板２００を用意し、両面に導電性多層膜を次の順に蒸着等により形成する。表面側の層を符号２２１乃至２２４で、裏面側の層を符号２３１乃至２４４で示す。厚さ３０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）層２２１及び２３１、厚さ５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層２２２及び２３２、厚さ５００ｎｍのニッケル（Ｎｉ）層２２３及び２３３、厚さ５０ｎｍの金（Ａｕ）層２２４及び２３４。窒化チタン（ＴｉＮ）層２２１及び２３１は、ｎ型シリコン基板２００とのコンタクト抵抗が低い点から選択された層であり、チタン（Ｔｉ）層２２２及び２３２、ニッケル（Ｎｉ）層２２３及び２３３、金（Ａｕ）層２２４及び２３４の機能は、上述のチタン（Ｔｉ）層１２２、ニッケル（Ｎｉ）層１２３、金（Ａｕ）層１２４の機能と全く同様である。このｎ型シリコン基板２００に形成した表面側の導電性多層膜の最上層である金（Ａｕ）層２２４の上にスズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５２を厚さ１５００ｎｍ形成し、上述の図１．Ｇのスズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１を厚さ１５００ｎｍ形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子ウエハと、金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）を形成した面同士を貼り合わせる（図１．Ｈ）。こうして、３００℃、３０ｋｇ重／ｃｍ2（２．９４ＭＰａ）で熱プレスして、２つのウエハを合体させる。以下、金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）は一体化した層５０として示す（図１．Ｉ）。
【００２９】
このような一体化されたウエハの、サファイア基板１００側から、２４８ｎｍのＫｒＦ高出力パルスレーザを照射する。照射条件は、０．７Ｊ／ｃｍ2以上、パルス幅２５ｎｓ（ナノ秒）、照射領域２ｍｍ角又は３ｍｍ角で、各照射ごとに、レーザ照射領域外周が、「１チップ」を横切らないようにすると良い。このレーザ照射により、サファイア基板１００に最も近いｎ型層１１（ＧａＮ層）の界面１１ｆが薄膜状に溶融し、ガリウム（Ｇａ）液滴と窒素（Ｎ2）とに分解する。こののち、サファイア基板１００を一体化ウエハからリフトオフにより除去する（図１．Ｊ）。この後、露出したｎ型層１１表面を希塩酸により洗浄し、表面に付着しているガリウム（Ｇａ）液滴を除去する。
【００３０】
次に、図示しないレジスト膜を形成し、レジスト膜の孔部に多層金属膜から成るｎ電極１３０を次の順に蒸着により形成する。レジスト膜の孔部は、後述する通り、ニッケル（Ｎｉ）からなる接続部１２１−ｃの形状と正射影が互いに重ならないように「窓枠状」に形成した。次にｎ型層１１の上（レジスト膜の孔部）に順に、厚さ１５ｎｍのバナジウム（Ｖ）層、厚さ１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層、厚さ３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層、厚さ５００ｎｍのニッケル（Ｎｉ）層、厚さ５００ｎｍの金（Ａｕ）層。この後にレジストをリフトオフして除去することで、レジスト膜の孔部の多層金属膜から成るｎ電極１３０が残り、他の領域の金属膜はレジストと共に除去される。こうして、両面に導電性多層膜を形成したｎ型シリコン基板２００を支持基板とし、ｐ側にＩＴＯから成る透光性電極１２１−ｔ、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃ、アルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒとを形成され、多層金属膜を介して金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５０でｎ型シリコン基板２００と電気的に接続された、III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００が形成された（図１．Ｋ）。III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００は、「窓枠状」に形成された多層金属膜から成るｎ電極１３０の形成されていない領域が光取り出し領域である発光素子である。
【００３１】
次に、本発明の要部であるダイシングについて、図２を参照しながら説明する。図２．Ａ乃至図２．Ｄは、上記のように得られたウエハから個々の素子への分離工程を示す断面図であり、図２．Ｅ及び図２．Ｆは、得られたIII族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の、素子外周部の発光領域Ｌの外周付近を中心とした拡大図である。
【００３２】
図２．Ａ乃至図２．Ｆにおいては、簡略化のため、ｎ型シリコン基板２００の裏面２００Ｂに形成された、窒化チタン（ＴｉＮ）層２３１、チタン（Ｔｉ）層２３２、ニッケル（Ｎｉ）層２３３、金（Ａｕ）層２３４から成る導電性多層膜を単に２３０と、ｎ型シリコン基板２００の表面２００ＦとIII族窒化物系化合物半導体ｐ型層１２との間に形成された、窒化チタン（ＴｉＮ）層２２１、チタン（Ｔｉ）層２２２、ニッケル（Ｎｉ）層２２３、金（Ａｕ）層２２４、金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）層５０、金（Ａｕ）層１２４、ニッケル（Ｎｉ）層１２３、チタン（Ｔｉ）層１２２、アルミニウム（Ａｌ）層１２１−ｒ、ニッケル（Ｎｉ）からなる接続部１２１−ｃ、ＩＴＯから成る透光性電極１２１−ｔから成る導電性多層膜を単にｆｍと示した。また、図２．Ａ乃至図２．Ｄにおいては、III族窒化物系化合物半導体層を１層で示し、符号は「１１，１２」と示した。また、ｎ電極は簡略化のため、１素子辺り２個となるように図２で示した。
【００３３】
まず、サファイア基板１００をレーザリフトオフ法により除去したウエハ１０００ｗを図２．Ａに示す。これは図１．Ｋで示したIII族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の分離前の状態である。III族窒化物系化合物半導体層１１，１２側からダイシングブレードを操作し、切削面ｆｄを形成して、III族窒化物系化合物半導体層１１，１２を個々の素子ごとに分離する。この際、切削面ｆｄは、ｎ型シリコン基板２００の表面に対し、垂直でなく、テーパを有するものであった（図２．Ｂ）。
【００３４】
次に、裏面の導電性多層膜２３０側からダイシングブレードを操作し、切削面ｂｄを形成した。切削面ｂｄは、ｎ型シリコン基板２００の厚さ１／３を切削するまでの深さとした（図２．Ｃ）。次に公知のブレーキング工程により、ウエハ１０００ｗの表裏の切削面ｆｄ及びｂｄがつながる様にして、個々のIII族窒化物系化合物半導体発光素子１０００を得ることができる（図２．Ｄ）。
【００３５】
III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の、切削面ｆｄ付近の状態の例について、拡大図を図２．Ｅ及び図２．Ｆに示す。切削面ｆｄは、図２．Ｅのように、III族窒化物系化合物半導体層１１，１２全体に渡って、同じ角度（図２．Ｅでは４５度）のテーパ状としても良く、図２．Ｆのように、III族窒化物系化合物半導体層のｐ型層１２からｎ型層１１に渡って、角度が変化するテーパ状（楕円柱面その他の曲柱面状）としても良い。
【００３６】
上記図２においては、III族窒化物系化合物半導体層１１，１２の素子外周部全体に渡って切削面ｆｄが形成される例を示したが、本発明は少なくとも発光領域又は受光領域付近においてテーパが形成されていれば良い。更には、切削面ｆｄがIII族窒化物系化合物半導体層１１，１２及び導電性多層膜ｆｍに達しても、更にはその下にあたるｎ型シリコン基板２００表面にまで達しても、更にｎ型シリコン基板２００の一部を切削しても良い。
【００３７】
〔ｎ電極１３０と、接続部１２１−ｃの充填された誘電体層１５０の孔部Ｈの平面形状について〕
ｎ電極１３０と、接続部１２１−ｃの充填された誘電体層１５０の孔部Ｈの平面形状、即ち発光領域Ｌの平面への正射影は、重ならないことが望ましく、またそれらの正射影はいずれの位置においても一定の距離以下とならないことが好ましい。この場合の「一定の距離」とは、例えばｎ型層１１とｐ型層１２の総膜厚程度の距離、或いはその数倍を設定すると良い。例えばｎ型層１１とｐ型層１２の総膜厚が５μｍであるならば、２つの正射影はいずれの位置においても５μｍ以上離れていることが望ましく、１０μｍ以上離れていることがより望ましく、２０μｍ以上離れていることが更に望ましい。
【００３８】
上記実施例において、ｎ電極１３０を直接ｎ型層１１に形成するのでなく、例えば透光性電極を形成したのちに更に窓枠状のｎ電極を形成しても良い。
【００３９】
ｐ電極側は、ＩＴＯから成る透光性電極１２１−ｔ、ニッケル（Ｎｉ）から成る接続部１２１−ｃ、アルミニウム（Ａｌ）から成る高反射性金属層１２１−ｒとにより構成せずに、高反射性金属の単層電極、例えばロジウム（Ｒｈ）から成る単層電極としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１．Ａ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｂ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｃ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｄ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｅ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｆ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｇ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｈ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｉ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｊ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図１．Ｋ】III族窒化物系化合物半導体発光素子１０００の製造方法の１工程を示す段面図。
【図２】図２．Ａ乃至図２．Ｄは素子分離工程を示す断面図、図２．Ｅ及び図２．Ｆは素子外周部の発光領域Ｌ付近の拡大図。
【符号の説明】
【００４１】
１０００：III族窒化物系化合物半導体発光素子
１００：サファイア基板（エピタキシャル成長基板）
１１：ｎ型III族窒化物系化合物半導体層
１２：ｐ型III族窒化物系化合物半導体層
Ｌ：発光領域
１２１−ｔ：ＩＴＯから成る透光性電極
１２１−ｃ：Ｎｉから成る接続部
１２１−ｒ：Ａｌから成る高反射性金属層
２００：シリコン基板（支持基板）
２２１、２３１：ＴｉＮ層
１２２、２２２、２３２：Ｔｉ層
１２３、２２３、２３３：Ｎｉ層
１２４、２２４、２３４：Ａｕ層
１３０：多層金属膜から成るｎ電極
５０、５１、５２：Ａｕ−２０Ｓｎはんだ層
１５０：ＳｉＮxから成る誘電体層
Ｈ：誘電体層の孔部
【図１．Ａ】
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【図１．Ｂ】
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【図１．Ｃ】
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【図１．Ｄ】
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【図１．Ｅ】
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【図１．Ｆ】
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【図１．Ｇ】
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【図１．Ｈ】
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【図１．Ｉ】
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【図１．Ｊ】
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【図１．Ｋ】
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【図２】
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