(57)【要約】【課題】  本発明は、サポートプレートの溝跡が基板へ転写されることを低減できると共に、基板の表面に削りムラ等が生じることを低減できるサポートプレートの貼り合わせ方法を提供するものである。【解決手段】  基板と接着剤２によって一体化したサポートプレート１のシート６が貼着された面を吸着ヘッド７上面に載置して吸引固定し、この状態で半導体ウェーハWの上面（回路を形成していない面）をグラインダ８によって研削する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の回路形成面に厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートを貼り合わせ、前記サポートプレートの基板が貼り合わされた面と反対側の面に転写防止シートを貼り付け、前記転写防止シートのサポートプレートの貫通孔に相当する部分に予め貫通孔を形成しておくことを特徴とするサポートプレートの貼り合わせ方法。
【請求項２】
基板の回路形成面に厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートを貼り合せ、前記サポートプレートの基板が貼り合わされた面と反対側の面に転写防止シートを貼り付け、この状態でサポートプレートによって支持しつつ基板を研削した後、前記転写防止シートの前記サポートプレートの貫通孔に相当する部分に孔をあけることを特徴とするサポートプレートの貼り合わせ方法。
【請求項３】
請求項１乃至請求項2に記載のサポートプレートの貼り合わせ方法において、前記サポートプレートは、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ前記溝に連通する第２の貫通孔とを有することを特徴とするサポートプレートの貼り合わせ方法。
【請求項４】
基板の回路形成面に厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートを貼り合わせる工程と、前記サポートプレートの基板が貼り合わされた面と反対側の面に転写防止シートを貼り付ける工程と、この状態でサポートプレートによって支持しつつ基板を研削する工程を有し、前記サポートプレートは、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ前記溝に連通する第２の貫通孔と、前記溝に連通し、サポートプレートの端縁に繋がる通路が形成されていることを特徴とするサポートプレートの貼り合わせ方法。
【請求項５】
厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートと基板を貼り合わせるサポートプレートの貼り合わせ方法において、前記サポートプレートに転写防止シートを貼り付ける工程と、前記転写防止シートが貼り付けられたサポートプレートと基板との貼り付けを減圧下で行う工程とを有し、前記転写防止シートのサポートプレートの貫通孔に相当する部分に予め貫通孔を形成しておくことを特徴とするサポートプレートの貼り合せ方法。
【請求項６】
厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートと基板を貼り合わせるサポートプレートの貼り合わせ方法において、前記サポートプレートに転写防止シートを貼り付ける工程と、前記転写防止シートが貼り付けられたサポートプレートと基板との貼り付けを減圧下で行う工程とを有し、この状態でサポートプレートによって支持しつつ基板を研削した後、前記転写防止シートのサポートプレートの貫通孔に相当する部分に予め貫通孔を形成することを特徴とするサポートプレートの貼り合わせ方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６に記載のサポートプレートの貼り合わせ方法において、前記サポートプレートは、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ前記溝に連通する第２の貫通孔とを有することを特徴とするサポートプレートの貼り合わせ方法。
【請求項８】
厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートと基板を貼り合わせるサポートプレートの貼り合わせ方法において、前記サポートプレートに転写防止シートを貼り付ける工程と、前記転写防止シートが貼り付けられたサポートプレートと基板との貼り付けを減圧下で行う工程とを有し、前記サポートプレートは、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ前記溝に連通する第２の貫通孔と、前記溝に連通し、サポートプレートの端縁に繋がる通路が形成されていることを特徴とするサポートプレートの貼り合わせ方法。
【請求項９】
一方の面に接着剤を介して基板の回路形成面が貼り合わされるサポートプレートであって、
中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ前記溝に連通する第２の貫通孔と、前記溝に連通し、サポートプレートの端縁に繋がる通路が形成されていることを特徴とするサポートプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サポートプレート及びサポートプレートの貼り合わせ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化、軽量化が要求されており、この要求を満たすためには組み込まれる半導体チップについても薄厚の半導体チップとしなければならない。このため半導体チップの基になるウェーハの厚さは現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍの厚さが要求されると言われている。
【０００３】
半導体ウェーハの薄板化方法として、特許文献１に開示される方法が提案されている。
この方法は、半導体ウェーハの回路素子形成面にガラス板、セラミック板或いは金属板などの剛性の高いサポートプレートを貼付けて一体化し、一体化した状態でサポートプレートを吸着ヘッド上に固定し、この状態で半導体ウェーハの裏面をグラインダで研削して薄板化するようにしている。
【０００４】
そして、薄板化した半導体ウェーハをダイシングして個々のチップに切り離す。このダイシングを行うには、基板をダイシングテープに貼り付け、基板からサポートプレートを剥離して行う。尚、薄板化した半導体ウェーハの表面（Ｂ面）にも回路を形成する場合には、半導体ウェーハをサポートプレートで保持した状態で、エッチングやアッシングなどの回路形成工程を施し、この後にダイシングして個々のチップに切り離す。
【０００５】
前記したように、ダイシングするには基板からサポートプレートを剥離する必要がある。しかしながら基板とサポートプレートとは隙間なく接着剤で接着されているため、簡単に剥離することができない。
【特許文献１】特開２００５−１５０４３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本出願人らは、使用するサポートプレートの形状として、一方の面側に溶剤が流れる溝が形成され、略中心部に溝に溶剤を供給する貫通孔が形成され、更に外周部（周縁部）に接着剤層を溶解した溶剤が排出（回収）される貫通孔が形成されたものを提案している。
【０００７】
しかしこのサポートプレートを用いた薄板化にあっては、研削中は常時吸引（真空吸着）されるため、真空吸着時の陰圧により溝内が減圧され、その分接着剤層を介して薄板化された半導体ウェーハの回路素子形成面に溝の模様が転写されてしまう場合がある。
【０００８】
そこで、さらに本出願人らは、先にサポートプレートの他方の面（半導体ウェーハとの貼り合せ面と反対側の面）にシートを貼り付けた状態で薄板化する提案をしている。
【０００９】
この手段を用いることで、薄板化の際の不具合は解消された。しかしながら、その後の工程において問題が生じた。
即ち、半導体ウェーハの両面に回路を形成する場合には、薄板化した半導体ウェーハをサポートプレートで保持したまま、アッシング、エッチング或いはベーク処理等を行うことになるが、これらの工程はいずれも加熱を伴う工程である。  しかし、サポートプレートの一面側に半導体ウェーハが接着され、多面側には転写防止シートが接着された状態で加熱が行われると、サポートプレートと半導体ウェーハとの間に介在する気泡、或いはサポートプレートの貫通孔や溝内に存在するガスが膨張し、半導体ウェーハを部分的に持ち上げることになる。このように一部が持ち上がった状態で、アッシングやエッチングを行うと、処理が不均一になり歩留りが悪化する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために請求項１に記載のサポートプレートの貼り合わせ方法は、基板の回路形成面に厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートを貼り合わせ、サポートプレートの基板が貼り合わされた面と反対側の面に転写防止シートを貼り付け、転写防止シートのサポートプレートの貫通孔に相当する部分に予め貫通孔を形成しておくようにした。
【００１１】
また請求項２に係るサポートプレートの貼り合わせ方法では、基板の回路形成面に厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートを貼り合わせ、サポートプレートの基板が貼り合わされた面と反対側の面に転写防止シートを貼り付け、この状態でサポートプレートによって支持しつつ基板を研削した後、転写防止シートのサポートプレートの貫通孔に相当する部分に孔をあけるようにした。
【００１２】
なお、請求項１乃至請求項２のサポートプレートの貼り合わせ方法において、サポートプレートとしては、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ前記溝に連通する第２の貫通孔とを有する構成とすることもできる。
【００１３】
また、請求項４にかかわる本発明のサポートプレートの貼り合わせ方法は、基板の回路形成面に厚み方向に貫通孔が形成されたサポートプレートを貼り合わせる工程と、サポートプレートの基板が貼り合わされた面と反対側の面に転写防止シートを貼り付ける工程と、この状態でサポートプレートによって支持しつつ基板を研削する工程を有し、サポートプレートは、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ溝に連通する第２の貫通孔と、前記溝に連通し、サポートプレートの端縁に繋がる通路が形成されているようにした。
【００１４】
また請求項５に係るサポートプレートの貼り合わせ方法では、サポートプレートに転写防止シートを貼り付ける工程と、転写防止シートが貼り付けられたサポートプレートと基板との貼り付けを減圧下で行う工程とを有し、転写防止シートのサポートプレートの貫通孔に相当する部分に予め貫通孔を形成しておくようにした。
【００１５】
また請求項５に係るサポートプレートの貼り合わせ方法では、サポートプレートに転写防止シートを貼り付ける工程と、転写防止シートが貼り付けられたサポートプレートと基板との貼り付けを減圧下で行う工程とを有し、この状態でサポートプレートによって支持しつつ基板を研削した後、転写防止シートのサポートプレートの貫通孔に相当する部分に予め貫通孔を形成するようにした。
【００１６】
また請求項６に係るサポートプレートの貼り合わせ方法では、サポートプレートに転写防止シートを貼り付ける工程と、転写防止シートが貼り付けられたサポートプレートと基板との貼り付けを減圧下で行う工程とを有し、この状態でサポートプレートによって支持しつつ基板を研削した後、転写防止シートのサポートプレートの貫通孔に相当する部分に予め貫通孔を形成するようにした。
【００１７】
なお、請求項４乃至請求項６に記載のサポートプレートの貼り合わせ方法において、サポートプレートは、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ溝に連通する第２の貫通孔とを有する構成とすることもできる。
【００１８】
また請求項８に係るサポートプレートの貼り合わせ方法では、サポートプレートに転写防止シートを貼り付ける工程と、前記転写防止シートが貼り付けられたサポートプレートと基板との貼り付けを減圧下で行う工程とを有し、サポートプレートは、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ溝に連通する第２の貫通孔と、溝に連通し、サポートプレートの端縁に繋がる通路が形成されている構成とすることもできる。
【００１９】
請求項９に係る本発明のサポートプレートは、一方の面に接着剤を介して基板の回路形成面が貼り合わされるものであって、中央付近の厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する面に形成され且つ前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部の厚み方向に形成され且つ前記溝に連通する第２の貫通孔と、前記溝に連通し、サポートプレートの端縁に繋がる通路が形成されていることを特徴とするサポートプレート。
【００２０】
なお、転写防止シートに貫通孔を形成するタイミングとしては、サポートプレートに前記転写防止シートを貼り付けた後に貫通孔を形成し、減圧下で基板を貼り合せるか、転写防止シートをサポートプレートに貼り付け、減圧下で基板を貼り合せた後でも構わない。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のサポートプレート及びサポートプレートの貼り合わせ方法によれば、貫通孔を形成したサポートプレートの基板との貼り合わせ面と反対側の面に、転写防止シートを貼り付けて薄板化する際に、サポートプレートの貫通孔内、サポートプレートと基板との間等にガスが残ることがないので、薄板化後の工程で、基板とサポートプレートとの積層体が加熱されたとしてもガスの膨張によって薄板化した基板の一部が持ち上がる不利が生じない。従って、高精度の加工を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に本発明の実施の形態を添付した図面に基づいて説明する。
図１は本発明に係る半導体ウェーハの貼り合わせ方法の一実施の形態を示す概略断面図である。
また、図２はサポートプレートの一方の面（接着面側）を示す図であり、図３はサポートプレートの他方の面（吸着面側）を示す図である。
なお、図１においては、サポートプレートの他方の面に既に転写防止シート６が貼り付けられている状態を示している。
【００２３】
図１において、１はガラス板、セラミック板或いは金属板等からなるサポートプレートであり、このサポートプレート１の一方の面と半導体ウェーハＷの回路形成面とが接着剤層２によって貼り合わされている。
【００２４】
サポートプレート１において、中央付近（中央部）には外部より溶剤が供給される貫通孔３が厚み方向に形成されている。また、半導体ウェーハＷの回路形成面と接する一方の面には前記貫通孔３に連通する溝４が形成されている。また、外周部（周縁部）には溝４に連通すると共に外部に溶剤が排出（回収）される貫通孔５が厚み方向に形成されている。
サポートプレート１の中央部に形成された貫通孔３や外周部に形成された貫通孔５の数は複数でも構わない。また、溝４は、一方の面において外周部迄の略全域に亘って形成されている。溶剤（薬液）としては、例えばアルコール系又はアルカリ系のものを用いることができる。
【００２５】
なお、サポートプレート１としては、外周部に形成された貫通孔５が外部より溶剤が供給される孔となり、中央部に形成された貫通孔３が外部に溶剤が排出される孔となる場合もある。
【００２６】
溝４の形状としては、格子状や、この格子状の溝において列毎に所定の間隔ずらした千鳥状が考えられる。また、溝４が亀の子形状（正六角形）に形成されたハニカム状も考えられる。
【００２７】
サポートプレート１の他方の面に貼り付けられたシート６としては、実際に薄板化される際に発生する熱に対する耐性、又用いられる溶剤に対する耐性等の特徴を有するものが好適である。またこれらの特徴にサポートプレート１に対する程よい粘着性と剥離性等の特徴を有していれば更に好適である。
このような特徴を有するシート６として、本実施の形態では例えば樹脂シート（例えばポリイミド等）を用いている。
【００２８】
次に、このような構成のサポートプレート１を用いたサポートプレートの貼り合わせ方法の一実施の形態を図４〜図６に基づいて説明する。
【００２９】
図４に示す貼り合わせ方法にあっては、先ず大気圧中でサポートプレート１の多面側に転写防止シート６を貼り付ける。次いで、減圧下においてサポートプレート１の一面側に接着剤層２を介して基板（例えば半導体ウェーハＷ）の回路形成面を貼り付ける。
この後積層体を取り出し、図１に示した装置で薄板化を行う。そして、この薄板化した状態で、エッチング、アッシング或いはベーク処理を行う。
【００３０】
図５に示す貼り合わせ方法にあっては、先ず減圧下でサポートプレート１の一面側に接着剤層２を介して半導体ウェーハＷの回路形成面を貼り付ける。次いで、サポートプレート１の多面側に転写防止シート６を貼り付け、図１に示した装置で薄板化を行う。この後、サポートプレート１の貫通孔３に相当する転写防止シート６の中央部に孔６ａをあけ、この孔６ａ、貫通孔３を介してサポートプレート１の溝４を外部に連通せしめ、この状態で、エッチング、アッシング或いはベーク処理を行う。
【００３１】
図６に示す貼り合わせ方法にあっては、予め中央部に孔６ａをあけた転写防止シート６を用意しておき、減圧下で、このサポートプレート１の一面側に接着剤層２を介して半導体ウェーハＷの回路形成面を貼り付ける。次いで、サポートプレート１の多面側に転写防止シート６を貼り付ける。この状態で孔６ａ、貫通孔３を介してサポートプレート１の溝４は外部に連通している。この後、エッチング、アッシング或いはベーク処理を行う。
【００３２】
なお、図示しないが、薄板化方法にあっては、転写防止シート６をサポートプレートに貼り付け、予め孔を形成しておき、減圧下で、このサポートプレート１の一面側に接着剤層２を介して半導体ウェーハＷの回路形成面を貼り付ける。この状態で孔６ａ、貫通孔３を介してサポートプレート１の溝４は外部に連通している。この後、エッチング、アッシング或いはベーク処理を行う。
【００３３】
また、転写防止シートに孔をあけずに気泡や残存ガスを除去する方法として、サポートプレート１側にエアーの抜け道を形成することが考えられる。
例えば、図８に示すように、サポートプレートの中央付近（中央部）には外部より溶剤が供給される貫通孔（図示せず）が厚み方向に形成されている。また、半導体ウェーハＷの回路形成面と接する一方の面には貫通孔に連通する溝４が形成されている。また、外周部（周縁部）には溝４に連通すると共に外部に溶剤が排出（回収）される貫通孔５が厚み方向に形成されている。そして、このサポートプレートでは特に、貫通孔５に連通し、サポートプレートの端縁に繋がる通路（外部への通気孔）１５が形成されている。これにより、溝５や中央部及び外周部に形成された貫通孔５内に入り込んだエアーやガスは通路１５を通じてサポートプレートの外部へと抜けるようになる。
【００３４】
この後、エッチング・アッシング或いはベーク処理を行うが、減圧下または昇温下にて外圧に対してサポートプレート溝及び孔部の内圧が上昇するが通気孔が形成されているため、圧力によるウェハとの剥離を防止できる。また、ウエット処理を行う際でも外部の液は、十分な長さを取って設けられた通気孔の経路途中までしか進入せず、処理後のベークにより完全に乾燥することが出来るため、この処理の影響を受けない。
【００３５】
以上のエッチング、アッシング或いはベーク処理などの工程を経て、半導体ウェーハＷの回路形成面とは反対側面にも回路を形成したならば、以下に述べるサポートプレート１の剥離工程を行う。
【００３６】
まず、図７に示すように、吸着ヘッドから薄板化された半導体ウェーハWとサポートプレート１とが貼り合わされた積層体を取り外し、半導体ウェーハWの回路が形成されていない面（即ち回路形成面とは反対側の面）をダイシングテープ９に貼り付ける。
【００３７】
次に、サポートプレート１からシート６を剥離し、プレート（溶剤供給プレート）１０をサポートプレート１の溝４の形成されていない他方の面に押し付ける。そして、プレート１０の溶剤供給孔１１をサポートプレート１の中央部に形成された貫通孔３に一致させ、溶剤排出孔１２をサポートプレート２の外周部に形成された貫通孔５に一致させる。
【００３８】
このような状態において、プレート１０の溶剤供給孔１１を介して溶剤を供給すると、溶剤はサポートプレート１の貫通孔３からこの貫通孔３に連通する溝４に入り込む。
この溝４は上述したように接着剤層２に接する面の略全域に亘って形成されているため、貫通孔３から供給された溶剤は溝４を介して周縁部へと流れ、接着剤層２の全てに速やかに満遍なく行き渡り、短時間のうちに接着剤層２を溶解する。
【００３９】
そして、接着剤層２を溶解した溶剤はサポートプレート１の外周部に形成された貫通孔５及びプレート１０の溶剤排出孔１２を介して外部に排出（回収）される。
【００４０】
この後、サポートプレート１を半導体ウェーハＷから剥離するには、プレート１０の真空引き孔１３を介して凹部１４内を減圧し、サポートプレート１をプレート１０に真空吸着せしめた状態でプレート１０を上昇せしめる。
これにより、半導体ウェーハＷはダイシングテープ９に残り、サポートプレート１のみが剥離される。
そして、ダイシングテープ９上の半導体ウェーハＷをストリートに沿ってカッターで切断して個々の回路素子を得る。
【００４１】
上述した実施の形態では、シート６として樹脂シート（ポリイミド）を用いた場合を説明したが、UV照射や加熱等、外部からの遠隔的な手段により粘着力が低下する所謂反応型のテープや、BGテープやダイシングテープ等の貼り剥がし可能な感圧型テープを用いることもできる。
【００４２】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの貼り合わせ方法の一実施の形態を示す図。
【図２】サポートプレートの一方の面（接着面側）を示す図。
【図３】サポートプレートの他方の面（吸着面側）を示す図。
【図４】本発明に係る半導体ウェーハの貼り合わせ方法の一実施の形態を示す図。
【図５】本発明に係る半導体ウェーハの貼り合わせ方法の一実施の形態を示す図。
【図６】本発明に係る半導体ウェーハの貼り合わせ方法の一実施の形態を示す図。
【図７】接着剤を溶解している状態の断面図。
【図８】本発明に係るサポートプレートの一実施の形態を示す概略構成図。
【符号の説明】
【００４４】
１…サポートプレート、２…接着剤層、３…貫通孔、４…溝、５…貫通孔、６…シート、６ａ…孔、７…吸着ヘッド、８…グラインダ、９…ダイシングテープ、１０…プレート、１１…溶剤供給孔、１２…溶剤排出孔、１３…真空引き孔、１４…凹部、１５…通路（溝）
【図１】
2007158124.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007158124.tif 000009
【図８】
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