(57)【要約】【課題】クリーニング終了時点を高精度に検出すること。【解決手段】真空容器と、真空容器内にプラズマを形成するプラズマ形成部と、プラズマ形成部に電力を供給する高周波電源と、前記電力の周波数に対する成分レベルを分析する周波数成分分析部と、周波数成分分析部の出力をうけて高周波電源を制御する制御部を備え、真空容器内に堆積した物質をプラズマを発生させることによりクリーニングを行い、制御部が所定周波数における成分レベルの変化に基づいてクリーニングの終了時点を検出して前記プラズマを消滅させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、真空容器内にプラズマを形成するプラズマ形成部と、プラズマ形成部に電力を供給する高周波電源と、前記電力の周波数に対する成分レベルを分析する周波数成分分析部と、周波数成分分析部の出力をうけて高周波電源を制御する制御部を備え、真空容器内に堆積した物質をプラズマを発生させることによりクリーニングを行い、制御部が所定周波数における成分レベルの変化に基づいてクリーニングの終了時点を検出して前記プラズマを消滅させるプラズマ処理装置。
【請求項２】
周波数成分分析部は、高周波電源の周波数の整数倍の周波数における成分レベルを検出する請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
高周波電源が周波数の異なる複数の電源からなる請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
周波数成分分析部は、前記複数の電源から選択された１つの電源の周波数整数倍の周波数に対する成分レベルを抽出する請求項３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
周波数成分分析部は、スペクトラムアナライザを備える請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
周波数成分分析部は、帯域通過フィルタから構成される請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
周波数成分分析部は、周波数成分を分析するフーリエ変換回路を備える請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
真空容器と、真空容器内にプラズマを形成するプラズマ形成部と、プラズマ形成部に電力を供給する高周波電源とからなるプラズマ処理装置において、プラズマ処理を行い、次に真空容器内に堆積した物質をプラズマを発生させることによりクリーニングし、クリーニング中に前記電源から供給される電力の周波数に対する成分レベルを分析し、所定周波数の成分レベルの変化に基づいてクリーニングの終了時点を検出するプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項９】
周波数成分分析工程は、高周波電源の周波数の整数倍の周波数における成分レベルを検出する請求項８記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１０】
高周波電源が周波数の異なる複数の電源からなる請求項８記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１１】
周波数成分分析工程は、複数の電源から選択された１つの電源の周波数の整数倍の周波数に対する成分レベルを抽出する請求項１０記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１２】
周波数成分分析工程は、スペクトラムアナライザを用いる請求項８記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１３】
周波数成分分析工程は、帯域通過フィルタを用いる請求項８記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１４】
周波数成分分析工程は、周波数成分を分析するフーリエ変換回路を用いる請求項８記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１５】
プラズマ処理工程が、比誘電率εｒ≦３を有する絶縁膜が形成されている被処理体のエッチング処理である請求項８〜１４のいずれか１つに記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１６】
プラズマ処理工程が、比誘電率εｒ＞３を有する絶縁膜が形成されている被処理体のエッチング処理である請求項８〜１４のいずれか１つに記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１７】
プラズマ処理工程が、珪素を主材料とする導電体が形成されている被処理体のエッチング処理である請求項８〜１４のいずれか１つに記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【請求項１８】
プラズマ処理工程が、金属膜が形成されている被処理体のエッチング処理である請求項８〜１４のいずれか１つに記載のプラズマクリーニング終点検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＳＩ，薄膜トランジスタ等製造に用いるプラズマ処理装置に係り、特に装置稼働率の向上、プロセスのクリーン化等に有効なプラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩや薄膜トランジスタ等の製造に用いるプラズマ処理装置には、従来から2MHz、13.56MHzあるいは60MHzの高周波プラズマを利用したものが多い。
【０００３】
これらの装置では、プロセスの安定化と異物低減のために、一定期間毎の真空容器の大気開放や清掃を余儀なくされているが、これがプラズマ処理装置の低い稼働率の原因となっている。この課題を解決するため、近年真空容器内を一定期間毎に真空を破ることなくクリーニングするプラズマクリーニング機能を有している装置も発表されている。
【０００４】
このプラズマクリーニングは、あらかじめクリーニング速度を測定しておき、時間管理を行なうことで、その終点を判定している。しかし、この方法は、プラズマクリーニング終点を直接測定していないため、クリーニング残渣や、過剰クリーニングによる真空容器内壁の劣化といった問題が生じる。
【０００５】
例えば、絶縁膜エッチング装置の場合には、エッチング処理中に真空容器内に形成された堆積物である水素化フルオロカーボン(CxHyFz)膜を、酸素を用いてプラズマクリーニングを行なうのが一般的である。プラズマクリーニングにより、反応後は堆積物の酸化物である一酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO2）もしくは二フッ化一酸化炭素（COF2）等の混合ガスが反応生成される。これらの反応性生物は、プラズマクリーニング開始直後直ちに最大値となった後、減少すると考えられる。反応生成物の発生は、存在場所によらず真空容器内に堆積物が存在する限り行なわれる。言い替えると、反応生成物が検出されなくなれば、真空容器内に堆積物が存在しないということを意味する。
【０００６】
そこでクリーニング終点（終了時点）を測定する方法として、プラズマクリーニング中にプラズマより観測される光の波長を真空容器に設けられた石英の窓より観測する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
また、クリーニング終点を測定する別の手法として、プラズマ励起時に高周波電極に発生する直流電圧（DCバイアス）を測定する方法や、高周波電源と高周波電極の間に接続されている整合器の整合位置によりプラズマのインピーダンス変化を検出する手法がある。これは、クリーニング終点付近におけるプラズマ中の電子密度やイオン密度の変化を電気的な変化として測定するものである（例えば、特許文献２，３参照）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、光の波長を観測する方法を用いると、近年の被処理体のエッチング処理と同時に真空容器のクリーニングを行う手法では、被処理体より発生する反応性生物から発生する強度の強い光の波長と重なってしまうため、被処理体の終点とクリーニングの終点が分離できないという問題がある。
【０００９】
また、高周波電極に発生する直流電圧やプラズマのインピーダンス変化を検出する方法では、間接的にプラズマ中の電子数やイオン数を測定できるため、クリーニングの終点を精度よく検出できる利点があるが、直流電圧は時間的平均値を測定しているため、真空容器の状態よっては検出が難しいという問題がある。また、整合位置の変化は投入している電力に対して、クリーニング終点付近のプラズマのインピーダンス変化が小さいため、検出の感度が低いという問題がある。
【００１０】
そこで、この発明では、電極に発生する高周波の周波数分布に注目し、投入している電力に影響を受けない周波数成分の変化を測定することによって、感度よくプラズマクリーニングの終点検出を行うものである。
【００１１】
被処理物，クーニングガス、及びクリーニング条件等によって、クリーニング中とクリーニング終了時のプラズマ状態は異なっている。そこで、予めクリーニング終点付近の高周波の周波数分布の測定を行なった上で、最もプラズマクリーニング状態を反映している周波数を採用すればよい。
つまり、この発明は、高周波の周波数に対する成分レベルを測定することにより、プラズマクリーニングの終点検出の高精度化を図り、この結果、高精度に適正クリーニング時間の検出が可能となり、真空容器内パーツの長寿命化、高稼働率化が可能なプラズマ処理装置のクリーニング終点判定技術を提供するものである。
【特許文献１】特開昭６３−８９６８４号公報
【特許文献２】特開昭６１−１４５８２５号公報
【特許文献３】特開昭６３−２４４７３９号公報
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、真空容器と、真空容器内にプラズマを形成するプラズマ形成部と、プラズマ形成部に電力を供給する高周波電源と、前記電力の周波数に対する成分レベルを分析する周波数成分分析部と、周波数成分分析部の出力をうけて高周波電源を制御する制御部を備え、真空容器内に堆積した物質をプラズマを発生させることによりクリーニングを行い、制御部が所定周波数における成分レベルの変化に基づいてクリーニングの終了時点を検出して前記プラズマを消滅させるプラズマ処理装置を提供するものである。
【００１３】
周波数成分分析部は、高周波電源の周波数の整数倍の周波数における成分レベルを検出するようにしてもよい。
高周波電源が周波数の異なる複数の電源からなってもよい。
周波数成分分析部は、前記複数の電源から選択された１つの電源の周波数整数倍の周波数における成分レベルを抽出するようにしてもよい。
周波数成分分析部は、帯域通過フィルタから構成されてもよいし、周波数成分を分析するフーリエ変換回路を備えてもよいし、スペクトラムアナライザを備えてもよい。
【００１４】
この発明は、別の観点から、真空容器と、真空容器内にプラズマを形成するプラズマ形成部と、プラズマ形成部に電力を供給する高周波電源とからなるプラズマ処理装置において、プラズマ処理を行い、次に真空容器内に堆積した物質をプラズマを発生させることによりクリーニングし、クリーニング中に前記電源から供給される電力の周波数に対する成分レベルを分析し、所定周波数の成分レベルの変化に基づいてクリーニングの終了時点を検出するプラズマクリーニング終点検出方法を提供するものである。
【００１５】
周波数成分分析工程は、高周波電源の周波数の整数倍の周波数における成分レベルを検出するようにしてもよい。
高周波電源が周波数の異なる複数の電源からなってもよい。
周波数成分分析工程は、複数の電源から選択された１つの電源の周波数の整数倍の周波数における成分レベルを抽出するようにしてもよい。
周波数成分分析工程には、帯域通過フィルタ、フーリエ変換回路、又は、スペクトラムアナライザを用いることができる。
【００１６】
プラズマ処理工程は、例えば、比誘電率εｒ＞３を有する絶縁膜が形成されている被処理体のエッチング処理であってもよいし、珪素を主材料とする導電体が形成されている被処理体のエッチング処理であってもよいし、金属膜が形成されている被処理体のエッチング処理であってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
この発明の装置と方法によれば、プラズマ形成部に供給される電力の周波数に対する成分レベルの変化に基づいて、クリーニングの終了時点が高精度に検出される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明の最良の形態を説明する。
【００１９】
（実施例１）
本発明の実施例１を図１を用いて説明する。図１のプラズマ処理装置は、真空容器１０１内に、第一の電極１０２と、第一の電極１０２に載置した被処理体１０３と、第二の電極１０４とを有する。第一の電極１０２と第二の電極１０４にインピーダンス整合器１０５を介して接続された交流電源１０６を用いて電極１０２、１０４間にプラズマを発生させて被処理体１０３を処理し、さらに、真空容器１０１内に堆積した物質をプラズマにより除去（プラズマクリーニング）する。そして、プラズマクリーニングの期間中に、第一の電極１０２に電力検出器１０７を介して接続された周波数成分分析部１０８で測定される電力の周波数成分のレベル変化を制御部１０９により演算し、そのレベルの変化からプラズマクリーニングの終了時点を検出し、電源１０６の出力を停止させる。
【００２０】
本実施例では、被処理体１０３として、珪素（Si）製の基板を用い、その上に形成された二酸化珪素(SiO2)膜のエッチングを行い、その後のプラズマクリーニング時の電力成分の周波数分布を周波数成分分析部１０７で計測した。
【００２１】
なお、図１に示す真空容器１０１はアルミニウム(Al)製で接地されている。本実施例では、真空容器１０１には内部がイットリア（Y2O3）で表面保護されたものを用いるが、アルマイト処理、アルミナ（Al2O3）、石英（SiO2）、窒化アルミニウム(AlN)あるいは炭化珪素（SiC）などのセラミック材料や、Siなどで表面保護されたものを用いてもよく、容器１０１は金属汚染や、プラズマによる消耗が少ない材料であることが望ましい。電極１０２はアルミニウムで形成された母材料にAl2O3セラミックを溶射処理したものを用いる。これは、導電性の高い金属と絶縁体の組み合わせであればよく、銅の母材料にAlNセラミック板を張り合わせたものを用いてもよい。被処理体１０３はSi製の基板であり、被エッチング加工面を有する。その加工面には、SiO2膜と、所望のパターン部が露光および現像処理された、フォトレジスト膜とが形成されている。電極１０４は、アルミニウム製の母材料に、Y2O3セラミックを溶射処理したものである。電極１０４は、アルミニウム製の母材料にAl2O3セラミックを溶射処理したものや、Si板であってもよい。また、本実施例では電極１０４は接地され電源１０６の接地側の出力に接続されているが、直流電圧あるいは交流電圧を重畳してもよい。整合器１０５はインピーダンス整合を行うインピーダンス整合器であり、電源１０６は13.56MHzの高周波電源である。本実施例では13.56MHzの交流電源を用いたが、380kHzや27.12MHzなどの交流電源を用いてもよい。整合器１０５は交流電源１０６の周波数13.56MHzに対するインピーダンス整合が可能であるものを用いる。周波数成分分析部１０８は電源１０６から電極１０２へ供給される交流電力を電力検出器１０７を介して検出し、その周波数成分を分析するものである。本実施例では、交流電力の周波数成分を分析したが、交流電流の周波数成分を分析してもよい。検出部１０７には市販の高周波検波器（アンリツ社製74NE0型）を用いている。周波数成分分析部１０８には市販のスペクトラムアナライザ（ADVANTEST社製U3751型）を用いている。また、分析部１１０には、検出器１０７を内蔵したスペクトラムアナライザを用いてもよい。さらに、この実施例では、図示しないガス導入手段より、六フッ化四炭素ガス/酸素ガス/アルゴンガス(C4F6/O2/Ar)を容器１０１にそれぞれ20sccm/20sccm/800sccm導入し、図示しない排気手段により、容器内１０１内の圧力を20mTorrに設定した。これらは、エッチングする膜の組成、加工形状などで変化させることが望ましい。制御部１０９には、中央演算処理装置(CPU)と記憶部(メモリ)を備えたパーソナルコンピュータ又はマイクロコンピュータを用いる。また、本実施例ではプラズマクリーニングの終了時点で交流電源１０６の出力を停止するようにしたが、供給するガスの種類や流量や真空容器１０１内部の圧力を変化させてプラズマを消滅させてもよい。
【００２２】
図２に真空容器１０１内の堆積物である水素化フルオロカーボン膜の膜厚を測定した結果を示す。測定方法は、真空容器１０１内に、10mm角のSiO2膜が表面に形成されたSi板を設置して、そこに形成される堆積物を、分光エリプソメトリー法により測定した。プラズマクリーニングガスとして酸素ガス(O2)を用いたが、四フッ化炭素(CF4)やArを同時に導入してもよい。本実験の結果、Si板に形成された水素化フルオロカーボン膜の除去、すなわち、プラズマクリーニングに必要な時間は、5分24秒であった。
【００２３】
図３は従来技術に基づいて測定した電極１０２に発生する直流電圧(DCバイアス)の時間変化を示す。DCバイアスはプラズマクリーニング開始時で613Vであった。また、終点後で598Vであり、変化量は15Vとなった。変化点は5分18秒であり、前述の堆積物の膜厚測定結果とよく一致する。しかし、電極１０２に発生するDCバイアスはその大きさに対し、変化量が小さく、雑音などの影響を容易に受け易いことが分かる。
【００２４】
図４は図１の装置において、プラズマクリーニング終点前後の交流電力の周波数成分のレベルを測定した結果である。周波数成分のレベルは、14MHz,27MHz,41MHz,54MHz,68MHzにおいて極大値（ピーク値）が検出された。14MHzの成分は、交流電源１０６の基本周波数13.56MHzの影響と考えられる。クリーニング中の電力レベルは14MHz,27MHz,41MHz,54MHz,68MHzでそれぞれ、1910W,326W,251W,42W,31Wであった。クリーニング終了時にはそれぞれ、1596W,516W,945W,50W,63Wと変化した。各周波数におけるレベル変化の比率は、それぞれ、0.84倍、1.6倍、3.8倍、1.2倍、2.0倍であった。本実施例では終点前後のレベル変化は41MHzにおけるものが最大であった。
【００２５】
図５はプラズマクリーニング時間に対する交流電力の変化を示す。変化率が最大になるまでの時間は5分28秒であり、図２に示す実際の堆積物の除去結果とよく一致する。また、交流電力レベルはプラズマクリーニング終点前で251Wであり、終点後で945Wが観測されており、図３のDCバイアスの変化量と比較して検出感度がはるかに向上することが分かる。また、本実施例では、3倍の電力レベルの変化が認められた時点を、プラズマクリーニング終点とすればよいことがわかる。
【００２６】
（実施例２）
本発明の実施例２を図６を用いて説明する。図６のプラズマ処理装置は、接地されたアルミニウム製の真空容器２０１内に、第一の電極２０２と、第一の電極２０２に載置した被処理体２０３と、接地された第二の電極２０４とを有する。第一の電極２０２と第２の電極２０４との間に、第一の帯域通過フィルタ２０５と第一のインピーダンス整合器２０６を介して接続された第一の交流電源２０７と、第一の電極２０２と第２の電極２０４との間に第二の帯域通過フィルタ２０８と第二のインピーダンス整合器２０９を介して接続された第二の交流電源２１０の双方もしくは一方を用いてプラズマ処理を行なう。そして、真空容器２０１内に堆積した物質をプラズマにより除去し、プラズマクリーニングの終了時点を検出する。つまり、第一の電極２０２に電力検出器２１１を介して接続された周波数成分分析部２１２で測定される電力の周波数成分のレベル変化を制御部２１３により演算し、終了時点を検出し、電源２０７および／又は２１０の出力を停止させる。
【００２７】
本実施例では、図６に示したプラズマ処理装置を用い、被処理体２０３としてSi基板を用い、被処理体２０３に形成されたSiO2膜のエッチングを行い、その後、プラズマクリーニング時の周波数成分を周波数成分分析部２１２で計測した。
【００２８】
電極２０４にはSi板を用いた。また、本実施例では電極２０４は接地されている。電源２０７は2MHzの交流電源であり、電源２１０は27.12MHzの交流電源である。電源２０７と２１０には、それぞれ380kHzと13.56MHzの周波数のものや、他の周波数のものを用いてもよい。帯域通過フィルタ２０５は、交流電源２１０の周波数27.12MHzの電力が交流電源２０７に印加されるのを防止しており、帯域通過フィルタ２０９は、交流電源２０７の周波数2MHzの電力が交流電源２１０に印加されるのを防止している。これらの帯域通過フィルタは、高域通過フィルタと低域通過フィルタをそれぞれ組み合わせて用いてもよい。インピーダンス整合器２０６は交流電源２０７の周波数である2MHzでインピーダンス整合が可能であるもの、インピーダンス整合器２０９は交流電源２１０の周波数である27.12MHzでインピーダンス整合が可能であるものであればよい。電力検出器２１１は交流電源２０７と２１０の出力を検出するためのものである。周波数成分分析部２１２は電源２０７および／又は２１０の出力する交流電力の周波数分布を測定するものであり、これらには実施例１と同様の高周波検波器とスペクトラムアナライザを用いた。制御部２１３には、実施例１と同様にパーソナルコンピュータ又はマイクロコンピュータを用いた。その他の構成は実施例１と同様である。
【００２９】
（実施例３）
本発明の実施例３を、図７を用いて説明する。図７のプラズマ処理装置は、接地されたアルミニウム製の真空容器３０１内に、第一の電極３０２と、第一の電極３０２に載置した被処理体３０３と、第二の電極３０４とを有する。第一の電極３０２とアース（大地）間に、第一の帯域通過フィルタ３０５と第一のインピーダンス整合器３０６を介して第一の交流電源３０７が接続され、第二の電極３０４とアース（大地）間に、第二の帯域通過フィルタ３０８と第二の整合器３０９を介して第二の交流電源３１０が接続される。電源３０１と３１０の双方もしくはいずれか一方を用いてプラズマ処理を行ない、真空容器３０１内に堆積した物質をプラズマにより除去するプラズマクリーニングの終了時点を検出する。つまり、第一の電極３０２に電力検出器３１１を介して接続された周波数成分分析部３１２で測定される電力の周波数成分のレベル変化を制御部３１３により演算し、終点を検出して電源の出力をオフにする。
【００３０】
本実施例では、図７に示したプラズマ処理装置を用い、被処理体３０３としてSi基板を用い、被処理体３０３に形成されたSiO2膜のエッチングを行い、その後のプラズマクリーニング時の周波数成分を周波数成分分析部３１２で計測した。
【００３１】
電源３０７は2MHzの交流電源であり、電源３１０は60MHzの交流電源である。帯域通過フィルタ３０５は、交流電源３１０の周波数60MHzの電力が交流電源３０７に印加されるのを防止しており、帯域通過フィルタ３０９は、交流電源３０７の周波数2MHzの電力が交流電源３１０に印加されるのを防止している。インピーダンス整合器３０６は交流電源３０７の周波数である2MHzでインピーダンス整合が可能で、インピーダンス整合器３０９は交流電源３１０の周波数である60MHzでインピーダンス整合が可能である。電力検出器３１１は実施例１と同様の高周波検波器であり、周波数成分分析部３１２には、実施例１と同様のスペクトラムアナライザが用いられる。制御部３１３はマイクロコンピュータ又はパーソナルコンピュータであり、交流電源３０７および３１０の出力を制御している。その他の構成は実施例２と同様である。
【００３２】
（実施例４）
本発明の実施例４を、図８を用いて説明する。図８のプラズマ処理装置は、接地されたアルミニウム製の真空容器４０１内に、第一の電極４０２と、第一の電極４０２に載置した被処理体４０３と、第二の電極４０４を有する。第一の電極４０２とアース（大地）間に、第一の帯域通過フィルタ４０５と第一のインピーダンス整合器４０６を介して第一の交流電源４０７が接続され、第二の電極４０４とアース（大地）間に、第二の帯域通過フィルタ４０８と第二のインピーダンス整合器４０９を介して第二の交流電源４１０が接続されている。そして、電源４０７と４１０の双方もしくは一方を用いてプラズマ処理を行ない、真空容器４０１内に堆積した物質をプラズマにより除去し、プラズマクリーニングの終点を検出する。つまり、第二の電極４０４に電力検出器４１１を介して接続された周波数成分分析部４１２で測定される電力の周波数成分のレベル変化を制御部４１３により演算し、終点を検出して電源の出力をオフにする。
【００３３】
本実施例では、図８に示したプラズマ処理装置を用い、被処理体４０３としてSi基板を用い、被処理体４０３に形成されたSiO2膜のエッチングを行い、その後のプラズマクリーニング時の周波数成分を周波数成分分析部４１２で計測した。
【００３４】
電源４０７は2MHzの交流電源であり、電源４１０は60MHzの交流電源である。帯域通過フィルタ４０５は、交流電源４１０の周波数60MHzの電力が交流電源４０７に印加されるのを防止しており、帯域通過フィルタ４０９は、交流電源４０７の周波数2MHzの電力が交流電源４１０に印加されるのを防止している。インピーダンス整合器４０６は交流電源４０７の周波数である2MHzでインピーダンス整合が可能で、インピーダンス整合器４０９は交流電源４１０の周波数である60MHzでインピーダンス整合が可能である。電力検出器４１１は実施例１と同様の高周波検波器である。周波数成分分析部４１２に実施例１と同様にスペクトラムアナライザを用いた。制御部４１３はパーソナルコンピュータ又はマイクロコンピュータであり、交流電源４０７および４１０の出力を制御している。その他の構成は実施例３と同様である。
【００３５】
（実施例５）
本発明の実施例５を、図９を用いて説明する。図９のプラズマ処理装置は、接地されたアルミニウム製の真空容器５０１内に、第一の電極５０２と、第一の電極５０２に載置した被処理体５０３とを備える。容器５０１は天板が誘導体板５０４からなり、誘電体板５０４の上部に第二の電極（銅製コイル）５０５が設置される。第一の電極５０２とアース（大地）間に、帯域通過フィルタ５０６と第一のインピーダンス整合器５０７を介して第一の交流電源５０８が接続され、第二の電極５０５の両端に、第二のインピーダンス整合器５０９を介して第二の交流電源５１０が接続される。そして、電源５０８と５１０の双方もしくは一方を用いてプラズマ処理を行ない、真空容器５０１内に堆積した物質をプラズマにより除去し、プラズマクリーニングの終点を検出する。つまり、第一の電極５０２に電力検出器５１１を介して接続された周波数成分分析部５１２で測定される電力の周波数成分のレベル変化を制御部５１３により演算し、終点を検出して電源の出力をオフにする。
【００３６】
本実施例では、図９に示したプラズマ処理装置を用い、被処理体５０３としてSi基板を用い、被処理体５０３に形成された多結晶珪素(poly-Si)膜のエッチングを行い、その後のプラズマクリーニング時の周波数成分を周波数成分分析部５１２で計測した。
【００３７】
真空容器５０１にはAl製アルミナで表面保護したものを用いるが、アルマイト処理、Y2O3、石英、AlNあるいはSiCなどのセラミック材料を真空容器内５０１の内部表面に形成したものを用いても良く、金属汚染や、プラズマによる消耗の少ない材料であることが望ましい。電極５０２にはAlで形成された母材料にAl2O3セラミックを溶射処理したものを用いるが、これは、導電性の高い金属と絶縁体の組み合わせであればよく、銅の母材料にAlNセラミック板を張り合わせたものを用いてもよい。被処理体５０３はSi基板で被エッチング加工面を有する。被エッチング加工面には、poly-Si膜と、その上に、所望のパターン部が露光および現像処理された、フォトレジスト膜が形成されている。誘電体版５０４はAl2O3セラミックである。コイル状の電極５０５は、真空容器５０１内に、プラズマを励起可能なように設計されている。電源５０８は2MHzの交流電源であり、電源５１０は13.56MHzの交流電源である。本実施例では2MHzと13.56MHzの交流電源を用いたが、380kHzと2MHzなどの周波数の電源の組み合わせ、あるいは他の周波数の電源の組み合わせを用いてもよい。帯域通過フィルタ５０６は、交流電源５１０の周波数13.56MHzの電力が交流電源５０８に印加されるのを防止しており、2MHzの交流電力のみ通過できるように設計されている。帯域通過フィルタ５０６には、13.56MHzの交流電力のみ通過できる帯域通過フィルタを用いるが、13.56MHz未満周波数の交流電力が通過できる低域通過フィルタを用いてもよい。インピーダンス整合器５０７は交流電源５０６の周波数である2MHzでインピーダンス整合が可能であればよく、インピーダンス整合器５０９は交流電源５１０の周波数である13.56MHzでインピーダンス整合が可能なものを用いる。電力検出器５１１、周波数成分分析部５１２、制御部５１３は、それぞれ実施例２の電力検出器２１１、周波数成分分析部２１２、制御部２１３と同等である。
図示しないガス導入手段より、真空容器５０１に臭化水素ガス/塩素ガス/酸素ガス(HBr/Cl2/O2)をそれぞれ200sccm/200sccm/20sccmを混合して導入し、図示しない排気手段により、真空容器５０１内の圧力を20mTorrに設定した。これらの組み合わせはエッチングする膜の組成、加工形状などで変化させることが望ましい。本実施例では終点演算の結果により交流電源５０８と５１０の出力を停止してプラズマを消滅させる構成としたが、供給するガスの種類や流量や真空容器５０１内部の圧力を変化させて消滅させてもよい。その他の構成は実施例５と同様である。
【００３８】
（実施例６）
本発明の実施例６を、図１０を用いて説明する。図１０のプラズマ処理装置は、接地されたアルミニウム製の真空容器６０１内に、第一の電極６０２と、第一の電極６０２に載置した被処理体６０３とを備える。真空容器６０１は天板が誘電体板６０４からなり、誘電体板６０４はその上部に第二の電極（銅製コイル）６０５が設置される。第一の電極６０２とアース（大地）間に、帯域通過フィルタ６０６と第一のインピーダンス整合器６０７を介して第一の交流電源６０８が接続され、第二の電極６０５の両端に、第二のインピーダンス整合器６０９を介し第二の交流電源６１０が接続される。そして、電源６０８と６１０の双方もしくは一方を用いてプラズマ処理を行ない、真空容器６０１内に堆積した物質をプラズマにより除去し、プラズマクリーニングの終点を検出する。つまり、前記第二の電極６０５に電力検出器６１１を介して接続された周波数成分分析部６１２で測定される電力の周波数成分のレベル変化を制御部６１３により演算し、終点を検出して電源の出力をオフにする。
【００３９】
本実施例では、図１０に示したプラズマ処理装置を用い、被処理体６０３としてSi基板を用い、被処理体６０３に形成された、poly-Si膜のエッチングを行い、その後のプラズマクリーニング時の周波数成分を周波数成分分析部６１２で計測した。
【００４０】
電力検出器６１１、周波数成分分析部６１２、制御部６１３は、それぞれ実施例２の電力検出器２１１、周波数成分分析部２１２、制御部２１３と同等である。その他の構成は実施例５と同様である。
【００４１】
（実施例７）
本発明の実施例７を、図１１を用いて説明する。図１１のプラズマ処理装置は、接地されたアルミニウム製の真空容器７０１内に、第一の電極７０２と、第一の電極７０２に載置した被処理体７０３とを備える。容器７０１は天板が誘電体板７１６からなり、誘電体板７１６はその上部に第二の電極７０４を備える。第一の電極７０２アース（大地）間に、第一の帯域通過フィルタ７０５と第一のインピーダンス整合器７０６と第一の交流電源７０７の直列回路と、第二の帯域通過フィルタ７０８と第二のインピーダンス整合器７０９と第二の交流電源７１０の直列回路と、第三のインピーダンス整合器７１２が並列接続され、第二の電極７０４とアース（大地）間に第三の交流電源７１１が接続されている。これら３つの交流電源のいずれか１つ以上を用いてプラズマ処理を行ない、真空容器７０１内に堆積した物質をプラズマにより除去し、プラズマクリーニングの終点を検出する。つまり、第一の電極７０２に電力検出器７１３を介して接続された周波数成分分析部７１４で測定される周波数成分のレベル変化を制御部７１５により演算し、終点を検出して電源をオフにする。
【００４２】
本実施例では、図１１に示したプラズマ処理装置を用い、被処理体７０３としてSi基板を用い、被処理体７０３に形成された SiO2膜のエッチングを行い、その後のプラズマクリーニング時の周波数成分を周波数成分分析部７１４で計測した。
【００４３】
電源７０７、７１０および７１１は、それぞれ2MHz、13.56MHzおよび162MHzの交流電源である。使用する交流電源の周波数は、これらに限定されない。帯域通過フィルタ７０６は、交流電源７１０および７１１の周波数である13.56MHzおよび162MHzの電力が交流電源７０７に印加されるのを防止しており、帯域通過フィルタ７０９は、交流電源７０７および７１１の周波数である2MHzおよび162MHzの電力が交流電源７１０に印加されるのを防止している。インピーダンス整合器７０６は交流電源７０７の周波数である2MHzでインピーダンス整合が可能で、インピーダンス整合器７０９は交流電源７１０の周波数である13.56MHzでインピーダンス整合が可能で、インピーダンス整合器７１２は交流電源７１１の周波数である162MHzでインピーダンス整合が可能である。本実施例では電源７１１に対応するインピーダンス整合器を電極７０２に接続したが、電極７０４と交流電源７１１の間に接続してもよい。電力検出器７１３、周波数成分分析７１４、制御部７１５は、それぞれ実施例２の電力検出器２１１、周波数成分分析部２１２、制御部２１３と同等である。その他の構成は実施例２と同様である。
【００４４】
（実施例８）
本発明の実施例８を、図１２を用いて説明する。図１２のプラズマ処理装置は、接地されたアルミニウム製の真空容器８０１内に、第一の電極８０２と、第一の電極８０２に載置した被処理体８０３とを備える。容器８０１は天板が誘電体板８１６からなり、誘電体板１８はその上に第二の電極８０４を備える。第一の電極８０２とアース（大地）間に、第一の帯域通過フィルタ８０５と第一のインピーダンス整合器８０６と第一の交流電源８０７の直列回路と、第二の帯域通過フィルタ８０８と第二のインピーダンス整合器８０９と第二の交流電源８１０の直列回路と、第三のインピーダンス整合器８１２が並列接続され、第２の電極８０４とアース（大地）間に第三の交流電源８１１が接続されている。これら３つの交流電源のいずれか１つ以上を用いてプラズマ処理を行ない、真空容器８０１内に堆積した物質をプラズマにより除去し、プラズマクリーニングの終点を検出する。つまり、第二の電極８０４に電力検出器８１３を介して接続された周波数成分分析部８１４で測定される周波数成分のレベル変化を制御部８１５により演算し、終点を検出して電源をオフにする。
【００４５】
本実施例では、図１２に示したプラズマ処理装置を用い、被処理体８０３としてSi基板を用い、被処理体８０３に形成されたSiO2膜のエッチングを行い、その後のプラズマクリーニング時の周波数成分を周波数成分分析部８１４で計測する。
【００４６】
電力検出器８１３、周波数成分分析部８１４、制御部８１５は、それぞれ実施例２の電力検出器２１１、周波数成分分析部２１２、制御部２１３と同等である。その他の構成は実施例７と同様である。
【００４７】
次に、実施例１における実測データ例を図１３を用いて説明する。図１３は、本発明の実施例１のプラズマ装置（図１）において、周波数成分分析部（スペクトラムアナライザ）で測定される交流電力成分の周波数分布を測定したものである。周波数は、10MHz〜100MHzを0.2MHzおきに測定した。点線で示す６つのピーク９０１はプラズマクリーニング中に観測された交流電力の周波数成分である。13.56MHz、27.12MHz、40.56MHz、54.24MHz、68.80MHz、81.12MHzの周波数に極大値（ピーク）が得られた。電力ピーク値はそれぞれ、1865W、217W、120W、36W、25W、23Wが測定された。実線で示す６つのピーク９０２はプラズマクリーニング完了後に観測された交流電力の周波数分布であり、極大値（ピーク）が観測される周波数は点線のピーク９０１と同様であったが、電力ピーク値はそれぞれ、1720W、335W、516W、43W、103W、32Wが測定され、プラズマクリーニング終点後で周波数成分レベルが変化していることがわかる。変化比率はそれぞれ、0.9倍、1.5倍、4.3倍、1.2倍、4.2倍、1.4倍となった。
【００４８】
ここで、極大値（ピーク）が得られた周波数をfa[MHz]とした場合、交流電源の周波数である13.56MHzの関係はnを正の整数とすると、fa＝13.56 × nなる関係が得られた。よって、観測する周波数は交流電源の周波数ｆとした場合、その整数倍であるfa＝ f × nなる周波数を測定し、プラズマクリーニングの終点を検出すればよいことがわかる。本実測データ例では40.56MHz、すなわち、終点観測の周波数をn ＝ 3とし、電力レベルが4倍だけ変化した時点で、プラズマクリーニング終点とすればよいことがわかる。
【００４９】
本発明の実施例3における実測データ例を図１４を用いて説明する。図１４は、本発明の実施例３のプラズマ装置（図７）において、周波数成分分析部（スペクトラムアナライザ）で測定される交流電力成分の周波数分布を測定したものである。測定した周波数は40MHz〜400MHzを1MHzおきに測定した。点線で示す６つのピーク１００１はプラズマクリーニング中に観測された交流電力の周波数成分である。60MHz、120MHz、180MHz、240MHz、300MHz、360MHzの周波数で極大値（ピーク）が得られた。電力ピーク値はそれぞれ、2312W、56W、223W、113W、125W、57Wが測定された。実線で示す６つのピーク１００２はプラズマクリーニング完了後に観測された交流電力の周波数分布である。極大値（ピーク）が観測される周波数は点線のピーク１００１と同様であったが、電力ピーク値はそれぞれ、2156W、62W、1312W、159W、1053W、69Wが測定され、プラズマクリーニング終点後で周波数成分レベルが変化していることがわかる。変化比率はそれぞれ、0.9倍、1.1倍、5.8倍、1.4倍、8.4倍、1.2倍となった。
【００５０】
ここで、極大値が得られた周波数をga[MHz]とした場合、交流電源の周波数である60MHzの関係はnを正の整数とすると、ga＝60 × nなる関係が得られた。よって、観測する周波数は交流電源の周波数ｇとした場合、その整数倍であるga＝ g × nなる周波数を測定し、プラズマクリーニングの終点を検出すればよいことがわかる。本実測データ例では300MHz、すなわち、終点観測の周波数をn ＝ 5とし、電力レベルが8倍だけ変化した時点で、プラズマクリーニング終点とすればよいことがわかる。
【００５１】
本発明の実施例７における実測データ例を、図１５を用いて説明する。図１５は、実施例７のプラズマ装置（図１１）において、周波数成分分析部（スペクトラムアナライザ）で測定される交流電力成分の周波数分布を測定したものである。測定した周波数は100MHz〜1000MHzを2MHzおきに測定した。点線で示す６つのピーク１１０１はプラズマクリーニング中に観測された交流電力の周波数成分である。162MHz、324MHz、486MHz、684MHz、810MHz、972MHzの周波数で極大値（ピーク）が得られた。電力ピーク値はそれぞれ、1513W、63W、130W、16W、65W、8Wが測定された。実線で示す６つのピーク値１１０２はプラズマクリーニング完了後に観測された交流電力の周波数分布である。極大値（ピーク値）が観測される周波数は点線のピーク１１０１と同様であったが、電力ピーク値はそれぞれ、1407W、255W、151W、17W、249W、12Wが測定され、プラズマクリーニング終点後で周波数成分レベルが変化していることがわかる。変化比率はそれぞれ、0.9倍、4.0倍、1.2倍、1.1倍、3.8倍、1.5倍となった。
【００５２】
ここで、極大値（ピーク）が得られた周波数をha[MHz]とした場合、交流電源の周波数である162MHzの関係はnを正の整数とすると、ha＝162 × nの関係が得られた。よって、観測する周波数は交流電源の周波数hとした場合、その整数倍であるha＝ h × nなる周波数を測定し、プラズマクリーニングの終点を検出すればよいことがわかる。本実測データ例では384MHz、すなわち、終点観測の周波数をn ＝ 2とし、電力レベルが4倍だけ変化した時点で、プラズマクリーニング終点とすればよいことがわかる。
【００５３】
前述の実施例で使用可能な周波数成分分析部の他の例を図１６を用いて説明する。図１６は、周波数成分分析部を帯域通過フィルタで構成した例である。図１６において、１２０１、１２０２、１２０３および１２０４は抵抗器であり、１２０１〜１２０４は交流電源からの出力を減衰するための機能を有する。１２０５〜１２０８はインダクタンスコイルであり、１２０９〜１２１２はコンデンサである。１２０５〜１２１２は帯域通過フィルタを形成しており、所望の周波数の信号が通過可能なように設計する。帯域通過フィルタを形成していれば、他の回路でも問題ない。１２１３はダイオード、１２１４はコンデンサ、１２１５は抵抗器である。１２１３〜１２１５は検波器を形成しており、所望の周波数の振幅を直流信号に変換するものである。１２１６は直流電圧計であり、１２１３〜１２０５で得られた検波出力を測定する。１２１３〜１２１６は交流信号を検波できれば、他の回路を用いてもよい。
【００５４】
実施例1を別の観点から図１７と図１８を用いて説明する。図１７は、プラズマクリーニング終点前後の交流電流波形を測定したものである。１３０１（実線）はプラズマクリーニング中の交流電流波形である。１３０２（点線）はプラズマクリーニング完了後の交流電流波形である。図１８は、図１７の電流波形をフーリエ変換回路により周波数分布を算出した結果である。交流電流波形をフーリエ変換回路により周波数分布を算出しても、スペクトラムアナライザと同様の機能が実現可能であることを示している。
【００５５】
実施例１のプラズマ処理装置（図１）を用いたさらに具体的な処理例を図１９を用いて説明する。この処理例は、比誘電率εr≦３を有する絶縁膜（low-k）材料の加工を行なう場合において、プラズマクリーニングの終点検出を、周波数成分分析部（スペクトラムアナライザ）で検出するように応用したものである。
【００５６】
図１９に示す１４０１はSiを主材料とする被処理体の基板と材料である。１４０２はSiC膜である。１４０３は珪素、酸素、および炭素(SiOC膜)からなる比誘電率εr=2.8を有する絶縁膜である。１４０４は珪素、酸素、窒素(SiON膜)からなる絶縁膜であり、反射防止膜としての機能を有する。１４０５はドライエッチング加工された孔（VIA）である。１４０５のVIAの孔内部と１４０４の表面には有機反射防止膜１４０６が形成されている。１４０７はフォトレジスト膜であり、エッチング加工を行なうためのパターン部が露光および現像処理されている。被処理体１４０１に形成された膜１４０２〜１４０６のエッチング加工を行なうためのガスとして、第一の段階で有機反射防止膜１４０６およびSiOC膜１４０４のエッチング処理は、CF4ガスを用いて行なった。第二の段階では絶縁膜１４０３を八フッ化四炭素(C4F8)ガス、CF4ガスおよびArガスを混合し、エッチング処理を行なった。第三の段階では、O2ガスを用いてフォトレジスト１４０７および有機反射防止膜１４０６を除去すると同時に、真空容器内のプラズマクリーニングを同時に行なった。最終段階では、絶縁膜１４０２を二フッ化一炭化二水素（CH2F2）ガス、CF4ガス、ArガスおよびO2ガスを混合し、エッチング処理を行った。これらの処理の結果、図１９に示す加工形状が得られる。これらの被処理体の構造、材料、使用するエッチングガス、プラズマクリーニングガスはそれぞれ、エッチング材料のよって、C4F6ガス、C4F8ガス、O2ガス、COガス、水素（H2）ガス、窒素（N2）ガス、アンモニア(NH3)ガス、CH2F2ガス、三フッ化炭化水素（CHF3）ガスなどのいずれか、または、複数を組み合わせて用いてもよい。他の点は実施例１と同様であり、周波数成分のレベル変化により、第三の段階の終点が検出可能である。
【００５７】
実施例５のプラズマ処理装置（図９）を用いたさらに具体的な処理例を図２０を用いて説明する。この処理例は、比誘電率εr＞３を有する絶縁膜（high-k）材料の加工を行なう場合において、プラズマクリーニングの終点検出を、周波数成分分析部（スペクトラムアナライザ）で検出するようにしたものである。
【００５８】
図２０に示す１５０１はSiを主材料とする被処理体の基板となる材料である。１５０２はSiN膜であり、１５０３はハフニア(Hf2O3)であり、ともに、比誘電率＞３の絶縁膜である。１５０４は、多結晶珪素(poly-Si)であり、この処理例ではすでにエッチング加工後の状態である。１５０５はSiO2膜であり、poly-Si膜のエッチング加工を行なう際に、無機マスクとして作用させるものである。被処理体１５０１に形成された、Hf2O3膜１５０３のエッチング加工を行なうガスとして、六フッ化硫黄(SF6)ガス、塩素(Cl2)ガスおよびN2ガスを混合して行なった。その後、被処理体のない状態で、真空容器内のプラズマクリーニングを、SF6ガスとO2ガスを混合して行なった。これらの被処理体の構造、材料、使用するエッチングガス、プラズマクリーニングガスは、この例の組み合わせに限定されるものではない。
【００５９】
他の点は実施例５と同様であり、周波数成分のレベル変化により、プラズマクリーニング終点が検出可能である。
【００６０】
実施例５のプラズマ処理装置を用いた具体的な他の処理例を図２１を用いて説明する。この処理例、珪素を主材料とする導電体の加工を行なう場合において、プラズマクリーニングの終点検出を、周波数成分分析部（スペクトラムアナライザ）で検出するようにしたものである。
【００６１】
図２１に示す１６０１はSiを主材料とする被処理体の基板となる材料である。１６０２は、SiO2膜である。１６０３はpoly-Si膜であり、１６０４はタングステン(W)とpoly-Si膜を反応させて形成した、タングステンシリサイド(WSi)膜である。１６０３および１６０４は導電性を有する膜である。１６０５はSiO2膜であり、poly-Si膜のエッチング加工を行なう際し、無機マスクとして作用させるものである。１６０６は有機反射防止膜であり、１６０７はフォトレジストである。被処理体１６０１に形成された膜１６０３〜１６０６のエッチング加工を行なうガスとして、膜１６０３とSiN膜１６０２のエッチング処理を、HBrガス、SF6ガス、Cl2ガス、O2ガス、CF4ガスおよびN2ガスを混合して行なった。その後、被処理体のない状態で、真空容器内のプラズマクリーニングを、三フッ化窒素(NF3)ガスとO2ガスを混合して行なった。これらの被処理体の構造、材料、使用するエッチングガス、プラズマクリーニングガスは、この例の組み合わせに限定されるものではない。
【００６２】
他の点は実施例５と同様であり、周波数成分のレベル変化により、プラズマクリーニング終点が検出可能である。
【００６３】
実施例５のプラズマ処理装置を用いたさらに他の処理例を図２１を用いて説明する。この処理例は、金属膜の加工を行なうエッチング装置において、プラズマクリーニングの終点検出を、周波数成分分析部（スペクトラムアナライザ）で検出するようにしたものである。
【００６４】
図２２に示す１７０１はSiを主材料とする被処理体の基板となる材料である。１７０２は、SiO2膜である。１７０３はタングステン(W)膜であり、金属材料である。１７０４は、SiON膜であり、反射防止膜としての機能を有する。１７０５はエッチング加工をおこなうためのマスクとして機能するフォトレジストである。被処理体１７０１のエッチング加工を行なうガスとして、W膜である１７０２のエッチング処理を、HBrガス、SF6ガス、Cl2ガスおよびO2ガスを混合して行なった。その後、被処理体のない状態で、真空容器内のプラズマクリーニングを、NF3ガスとO2ガスを混合して行なった。これらの被処理体の構造、材料、使用するエッチングガス、プラズマクリーニングガスは、この例の組み合わせに限定されるものではない。
【００６５】
他の点は実施例５と同様であり、周波数成分のレベル変化により、プラズマクリーニング終点が検出可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】実施例１に係るプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図２】実施例１に係る真空容器内の堆積物の除去速度を測定したグラフである。
【図３】従来例に係るクリーニング終点前後のDCバイアスを測定したグラフである。
【図４】実施例１に係るクリーニング終点前後の交流電力の周波数分布を測定したグラフである。
【図５】実施例１に係るクリーニング終点前後の交流電力の特定の周波数成分の時間的変化を測定したグラフである。
【図６】実施例２に係るプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図７】実施例３に係るプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図８】実施例４に係るプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図９】実施例５に係るプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図１０】実施例６に係るプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図１１】実施例７に係るプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図１２】実施例８に係るプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図１３】実施例1の装置におけるクリーニング終点前後の交流電力の周波数分布を測定したグラフである。
【図１４】実施例３の装置におけるクリーニング終点前後の交流電力の周波数分布を測定したグラフである。
【図１５】実施例７の装置におけるクリーニング終点前後の交流電力の周波数分布を測定したグラフである。
【図１６】周波数成分分析部を帯域通過フィルタで構成した回路図である。
【図１７】実施例1の装置のクリーニング終点前後の電源の交流電流波形図である。
【図１８】実施例1の装置の周波数成分の分析をフーリエ変換で実現した周波数分布図である。
【図１９】実施例１の装置で処理される、比誘電率εｒ≦３を有する絶縁膜が形成されている被処理体の断面図である。
【図２０】実施例５の装置で処理される、比誘電率εｒ＞３を有する絶縁膜が形成されている被処理体の断面図である。
【図２１】実施例５の装置で処理される、珪素を主材料とする導電体が形成されている被処理体の断面図である。
【図２２】実施例５の装置で処理される、金属膜が形成されている被処理体の断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０１  真空容器、
１０２  第一の電極、
１０３  被処理体、
１０４  第二の電極、
１０５  整合器、
１０６  交流電源、
１０７  電力検出器、
１０８  周波数成分分析部、
１０９  制御部、
２０１  真空容器、
２０２  第一の電極、
２０３  被処理体、
２０４  第二の電極、
２０５  帯域通過フィルタ、
２０６  整合器、
２０７  交流電源、
２０８  帯域通過フィルタ、
２０９  整合器、
２１０  交流電源、
２１１  電力検出器、
２１２  周波数成分分析部、
２１３  制御部、
３０１  真空容器、
３０２  第一の電極、
３０３  被処理体、
３０４  第二の電極、
３０５  帯域通過フィルタ、
３０６  整合器、
３０７  交流電源、
３０８  帯域通過フィルタ、
３０９  整合器、
３１０  交流電源、
３１１  電力検出器、
３１２  周波数成分分析部、
３１３  制御部、
４０１  真空容器、
４０２  第一の電極、
４０３  被処理体、
４０４  第二の電極、
４０５  帯域通過フィルタ、
４０６  整合器、
４０７  交流電源、
４０８  帯域通過フィルタ、
４０９  整合器、
４１０  交流電源、
４１１  電力検出器、
４１２  周波数成分分析部、
４１３  制御部、
５０１  真空容器、
５０２  第一の電極、
５０３  被処理体、
５０４  誘電体板
５０５  第二の電極、
５０６  帯域通過フィルタ、
５０７  整合器、
５０８  交流電源、
５０９  整合器、
５１０  交流電源、
５１１  電力検出器、
５１２  周波数成分分析部、
５１３  制御機器、
６０１  真空容器、
６０２  第一の電極、
６０３  被処理体、
６０４  誘電体板
６０５  第二の電極、
６０６  帯域通過フィルタ、
６０７  整合器、
６０８  交流電源、
６０９  整合器、
６１０  交流電源、
６１１  電力検出器、
６１２  周波数成分分析部、
６１３  制御部、
７０１  真空容器、
７０２  第一の電極、
７０３  被処理体、
７０４  誘電体板
７０５  第二の電極、
７０６  帯域通過フィルタ、
７０７  整合器、
７０８  交流電源、
７０９  帯域通過フィルタ、
７１０  整合器、
７１１  交流電源、
７１２  整合器、
７１３  電力検出器、
７１４  周波数成分分析部、
７１５  制御部、
８０１  真空容器、
８０２  第一の電極、
８０３  被処理体、
８０４  誘電体板
８０５  第二の電極、
８０６  帯域通過フィルタ、
８０７  整合器、
８０８  交流電源、
８０９  帯域通過フィルタ、
８１０  整合器、
８１１  交流電源、
８１２  整合器、
８１３  電力検出器、
８１４  周波数成分分析部、
８１５  制御部、
９０１  終点前周波数分布、
９０２  終点後周波数分布、
１００１  終点前周波数分布、
１００２  終点後周波数分布、
１１０１  終点前周波数分布、
１１０２  終点後周波数分布、
１２０１  抵抗器、
１２０２  抵抗器、
１２０３  抵抗器、
１２０４  抵抗器インダクタンス、
１２０５  コイルインダクタンス、
１２０６  コイルインダクタンス、
１２０７  コイルインダクタンス、
１２０８  コイル、
１２０９  コンデンサ、
１２１０  コンデンサ、
１２１１  コンデンサ、
１２１２  コンデンサ、
１２１３  ダイオード、
１２１４  コンデンサ、
１２１５  抵抗器、
１２１６  直流電圧計、
１４０１  Si、
１４０２  SiC膜、
１４０３  SiOC膜、
１４０４  SiON膜、
１４０５  有機反射防止膜、
１４０６  フォトレジスト、
１５０１  Si、
１５０２  SiN膜、
１５０３  Hf2O3膜、
１５０４  poly-Si膜、
１５０５  SiO2膜、
１６０１  Si、
１６０２  SiO2膜、
１６０３  poly-Si膜、
１６０４  WSi膜、
１６０５  SiO2膜、
１６０６  有機反射防止膜、
１６０７  フォトレジスト、
１７０１  Si、
１７０２  SiO2膜、
１７０３  W膜、
１７０４  SiON膜、
１７０５  フォトレジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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