(57)【要約】【課題】  電子回路部品の位置ずれが無く、リフロー装置の安価な電子回路ユニット、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明の電子回路ユニット、及びその製造方法において、回路基板１の第１のランド部２ａに設けられた半田バンプ３と、この半田バンプ３によって半田付けされた電子回路部品５と、回路基板１の第２のランド部２ｂに設けられた半田端子４とを備え、半田バンプ３は、第１の半田材料とこの第１の半田材料よりも溶融温度の高い第２の半田材料の溶融混合半田で形成されたため、半田バンプ３の溶融温度は、第１の半田材料よりも高くなり、従って、半田バンプ３が溶融されない温度にリフロー装置を設定することによって、半田バンプ３が溶融することが無く、電子回路部品５の位置ずれが無い上に、リフロー装置も簡素化され、リフロー装置が安価である。【選択図】  図１
2007013001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側に複数の第１のランド部が設けられ、他面側に複数の第２のランド部が設けられた回路基板と、前記第１のランド部に設けられた半田バンプによって前記回路基板に搭載された電子回路部品と、前記第２のランド部に設けられた半田端子とを備え、前記半田バンプは、第１の半田材料とこの第１の半田材料よりも溶融温度の高い第２の半田材料の溶融混合半田で形成されると共に、前記半田端子は、前記第１の半田材料で形成されたことを特徴とする電子回路ユニット。
【請求項２】
前記第１の半田材料が錫ー亜鉛合金で形成されると共に、前記第２の半田材料が錫ー銀合金で形成されたことを特徴とする請求項１記載の電子回路ユニット。
【請求項３】
前記半田バンプは、前記第１の半田材料の量よりも前記第２の半田材料の量の多い前記溶融混合半田で形成されたことを特徴とする請求項１、又は２記載の電子回路ユニット。
【請求項４】
前記半田端子は、ランド・グリッド・アレイによって形成されたことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の電子回路ユニット。
【請求項５】
前記半田端子は、ボール・グリッド・アレイによって形成されたことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の電子回路ユニット。
【請求項６】
請求項１、又は２記載の電子回路ユニットと、前記第１，第２のランド部を設けた前記回路基板とを備え、第１工程として、前記第１のランド部には、前記第１の半田材料からなる第１のクリーム半田を形成し、次に、第２工程として、前記第１のクリーム半田を溶融、固化して第１の半田下地層を形成した後、第３工程として、前記第１の半田下地層上には、前記第２の半田材料からなる第２のクリーム半田を形成し、次に、第４工程として、前記第２のクリーム半田上には、前記電子回路部品を載置した後、第５工程として、前記第１の半田下地層と前記第２のクリーム半田を溶融して、前記第１，第２の半田材料からなる前記溶融混合半田が形成され、前記溶融混合半田が固化された前記半田バンプによって、前記電子回路部品が前記回路基板に搭載されたことを特徴とする電子回路ユニットの製造方法。
【請求項７】
請求項３記載の電子回路ユニットを備え、前記第１のクリーム半田が前記第２のクリーム半田よりも薄く形成されることによって、前記第１の半田材料よりも前記第２の半田材料の量の多い前記半田バンプを形成したことを特徴とする請求項６記載の電子回路ユニットの製造方法。
【請求項８】
請求項４記載の電子回路ユニットを備え、前記第５工程の後、第６工程として、前記第２のランド部には、前記第１の半田材料からなる第３のクリーム半田を形成し、次に、第７工程として、前記第３のクリーム半田を溶融、固化することによって、前記ランド・グリッド・アレイからなる前記半田端子が形成されたことを特徴とする請求項６、又は７記載の電子回路ユニットの製造方法。
【請求項９】
請求項４記載の電子回路ユニットを備え、前記第５工程の後、第６工程として、前記第２のランド部には、前記第１の半田材料からなる厚さの薄い第３のクリーム半田を形成し、次に、第７工程として、前記第３のクリーム半田を溶融、固化して第２の半田下地層を形成した後、第８工程として、前記第２の半田下地層上には、前記第１の半田材料からなり、前記第３のクリーム半田よりも厚さの厚い第４のクリーム半田を形成し、次に、第９工程として、前記第２の半田下地層と前記第４のクリーム半田を溶融混合、固化することによって、前記ランド・グリッド・アレイからなる前記半田端子が形成されたことを特徴とする請求項６、又は７記載の電子回路ユニットの製造方法。
【請求項１０】
請求項５記載の電子回路ユニットを備え、前記第５工程の後、第６工程として、前記第２のランド部には、前記第１の半田材料からなる厚さの薄い第３のクリーム半田を形成し、次に、第７工程として、前記第１の半田材料からなる半田膜を球体部に設けて構成された半田ボールが前記第３のクリーム半田上に載置された後、第８工程として、前記半田膜と前記第３のクリーム半田を溶融混合、固化することによって、前記ボール・グリッド・アレイからなる前記半田端子が形成されたことを特徴とする請求項６、又は７記載の電子回路ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子機器に適用して好適な電子回路ユニット、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子回路ユニット、及びその製造方法の図面を説明すると、図１３は従来の電子回路ユニットに係る要部断面図、図１４〜図１９は従来の電子回路ユニットの製造方法に係る第１工程〜第６工程を示す説明図であり、次に、従来の電子回路ユニットの構成を図１３に基づいて説明すると、回路基板５１の一面（上面）には、複数の第１のランド部５２ａを有する銅箔からなる配線パターン５２が設けられると共に、この第１のランド部５２ａ上には、半田バンプ５３が形成され、この半田バンプ５３は、半田材料が等しい２つの半田材料の溶融混合によって形成されており、この半田バンプ５３上には、半導体部品等からなる種々の電子回路部品５４の電極５４ａが載置され、リフロー装置によって半田バンプ５３が溶融されて、電子回路部品５４が回路基板５１に搭載され、回路基板５１には、所望の電気回路が形成されて、従来の電子回路ユニットが形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような従来の電子回路ユニットにおいて、回路基板５１の下面側で電子機器への配線を行う場合、図１３に示すように、回路基板５１の他面（下面）には、上面に設けられた配線パターン５２に接続された第２のランド部５２ｂが設けられると共に、この第２のランド部５２には、半田バンプ５３と同様の半田材料からなる半田端子５５が設けられて、半田端子５５と半田バンプ５３は、同じ溶融温度であると共に、この半田端子５５は、半田バンプ５３が形成された後に設けられている。
このような構成を有する従来の電子回路ユニットは、半田端子５５が電子機器のマザー基板５６に設けられた第３のランド部５７に載置された状態で、リフロー装置によって半田端子５５が溶融され、第３のランド部５７に半田付けされて、マザー基板５６に取り付けられるようになっている。
【０００４】
そして、従来の電子回路ユニットは、半田バンプ５３と半田端子５５が同じ半田材料で形成されているため、半田端子５５を第３のランド部５７に半田付けするためにリフロー装置で加熱された際、半田バンプ５３も溶融して、電子回路部品５４の位置ずれを起こし、また、この位置ずれを無くするために、リフロー装置に冷風機等を設けて半田バンプ５３の溶融を防止すると、リフロー装置が高価となるばかりか、リフロー装置の熱効率が悪くなる。
【０００５】
次に、従来の電子回路ユニットの製造方法を図１４〜図１９に基づいて説明すると、先ず、第１工程として図１４に示すように、第１のランド部５２ａには、厚さの薄い第１のクリーム半田６０が印刷によって設けられた後、第２工程として図１５に示すように、リフロー装置によって、第１のクリーム半田６０を溶融、固化して半田下地層６１を形成する。
この時、第１のランド部５２ａの表面は、酸化して酸化銅となっており、第１のクリーム半田６０が溶融した際、フラックスと酸化銅が反応して、ガスや水が発生するが、薄い半田下地層６１となっているため、ガスが逃げて、半田下地層６１内には、大きな気泡が存在しない状態となる。
【０００６】
次に、第３工程として図１６に示すように、半田下地層６１上には、第１のクリーム半田６０と同じ半田材料からなり、第１のクリーム半田６０よりも厚さの厚い第２のクリーム半田６２が印刷によって設けられた後、第４工程として図１７に示すように、リフロー装置によって、半田下地層６１と第２のクリーム半田６２を溶融混合し、これを固化して半田バンプ５３を形成する。
この時、フラックスが存在する第２のクリーム半田６２は、半田下地層６１の存在によって銅箔の第１のランド部５２ａと反応せず、第２のクリーム半田６２が溶融しても、ガスや水の発生が無くなり、半田バンプ５３内の大きな気泡を無くすることができる。
【０００７】
次に、第５工程として図１８に示すように、固化された半田バンプ５３上には、電子回路部品５４の電極５４ａが載置された状態で、リフロー装置によって半田バンプ５３が溶融されて、電子回路部品５４が回路基板５１に搭載され、回路基板５１には、所望の電気回路が形成される（例えば、特許文献１参照）。
そして、回路基板５１の下面側で電子機器への配線を行う場合には、第６工程として図１９に示すように、回路基板５１の他面（下面）に設けられた第２のランド部５２ｂには、第１，第２のクリーム半田６０，６２と同一の半田材料からなる第３のクリーム半田（図示せず）が設けられ、この第３のクリーム半田がリフロー装置によって溶融され、これを固化して半田端子５５を第２のランド部５２ｂに形成すると、その製造が完了する。
【０００８】
そして、従来の電子回路ユニットの製造方法は、電子回路部品５４が半田バンプ５３上に載置された状態で、リフロー装置による半田付けが行われるため、半田バンプ５３による電子回路部品５４の保持が不安定となり、電子回路部品５４の半田付け位置にずれが生じる上に、半田端子５５を形成するためにリフロー装置で加熱された際、半田バンプ５３も溶融して、電子回路部品５４の位置ずれを起こし、また、この位置ずれを無くするために、リフロー装置に冷風機等を設けて半田バンプ５３の溶融を防止すると、リフロー装置が高価となるばかりか、リフロー装置の熱効率が悪くなる。
【特許文献１】特開２００４−１１９８０１号公報（第３−第４頁、図１ー図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来の電子回路ユニットは、半田バンプ５３と半田端子５５が同じ半田材料で形成されているため、半田端子５５を第３のランド部５７に半田付けするためにリフロー装置で加熱された際、半田バンプ５３も溶融して、電子回路部品５４の位置ずれを起こし、また、この位置ずれを無くするために、リフロー装置に冷風機等を設けて半田バンプ５３の溶融を防止すると、リフロー装置が高価となるばかりか、リフロー装置の熱効率が悪くなるという問題がある。
また、従来の電子回路ユニットの製造方法は、電子回路部品５４が半田バンプ５３上に載置された状態で、リフロー装置による半田付けが行われるため、半田バンプ５３による電子回路部品５４の保持が不安定となり、電子回路部品５４の半田付け位置にずれが生じる上に、半田端子５５を形成するためにリフロー装置で加熱された際、半田バンプ５３も溶融して、電子回路部品５４の位置ずれを起こし、また、この位置ずれを無くするために、リフロー装置に冷風機等を設けて半田バンプ５３の溶融を防止すると、リフロー装置が高価となるばかりか、リフロー装置の熱効率が悪くなるという問題がある。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、電子回路部品の位置ずれが無く、リフロー装置の安価な電子回路ユニット、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の解決手段として、一面側に複数の第１のランド部が設けられ、他面側に複数の第２のランド部が設けられた回路基板と、前記第１のランド部に設けられた半田バンプによって前記回路基板に搭載された電子回路部品と、前記第２のランド部に設けられた半田端子とを備え、前記半田バンプは、第１の半田材料とこの第１の半田材料よりも溶融温度の高い第２の半田材料の溶融混合半田で形成されると共に、前記半田端子は、前記第１の半田材料で形成された構成とした。
【００１２】
また、第２の解決手段として、前記第１の半田材料が錫ー亜鉛合金で形成されると共に、前記第２の半田材料が錫ー銀合金で形成された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記半田バンプは、前記第１の半田材料の量よりも前記第２の半田材料の量の多い前記溶融混合半田で形成された構成とした。
また、第４の解決手段として、前記半田端子は、ランド・グリッド・アレイによって形成された構成とした。
また、第５の解決手段として、前記半田端子は、ボール・グリッド・アレイによって形成された構成とした。
【００１３】
また、第６の解決手段として、請求項１、又は２記載の電子回路ユニットと、前記第１，第２のランド部を設けた前記回路基板とを備え、第１工程として、前記第１のランド部には、前記第１の半田材料からなる第１のクリーム半田を形成し、次に、第２工程として、前記第１のクリーム半田を溶融、固化して第１の半田下地層を形成した後、第３工程として、前記第１の半田下地層上には、前記第２の半田材料からなる第２のクリーム半田を形成し、次に、第４工程として、前記第２のクリーム半田上には、前記電子回路部品を載置した後、第５工程として、前記第１の半田下地層と前記第２のクリーム半田を溶融して、前記第１，第２の半田材料からなる前記溶融混合半田が形成され、前記溶融混合半田が固化された前記半田バンプによって、前記電子回路部品が前記回路基板に搭載された製造方法とした。
【００１４】
また、第７の解決手段として、請求項３記載の電子回路ユニットを備え、前記第１のクリーム半田が前記第２のクリーム半田よりも薄く形成されることによって、前記第１の半田材料よりも前記第２の半田材料の量の多い前記半田バンプを形成した製造方法とした。
また、第８の解決手段として、請求項４記載の電子回路ユニットを備え、前記第５工程の後、第６工程として、前記第２のランド部には、前記第１の半田材料からなる第３のクリーム半田を形成し、次に、第７工程として、前記第３のクリーム半田を溶融、固化することによって、前記ランド・グリッド・アレイからなる前記半田端子が形成された製造方法とした。
【００１５】
また、第９の解決手段として、請求項４記載の電子回路ユニットを備え、前記第５工程の後、第６工程として、前記第２のランド部には、前記第１の半田材料からなる厚さの薄い第３のクリーム半田を形成し、次に、第７工程として、前記第３のクリーム半田を溶融、固化して第２の半田下地層を形成した後、第８工程として、前記第２の半田下地層上には、前記第１の半田材料からなり、前記第３のクリーム半田よりも厚さの厚い第４のクリーム半田を形成し、次に、第９工程として、前記第２の半田下地層と前記第４のクリーム半田を溶融混合、固化することによって、前記ランド・グリッド・アレイからなる前記半田端子が形成された製造方法とした。
【００１６】
また、第１０の解決手段として、請求項５記載の電子回路ユニットを備え、前記第５工程の後、第６工程として、前記第２のランド部には、前記第１の半田材料からなる厚さの薄い第３のクリーム半田を形成し、次に、第７工程として、前記第１の半田材料からなる半田膜を球体部に設けて構成された半田ボールが前記第３のクリーム半田上に載置された後、第８工程として、前記半田膜と前記第３のクリーム半田を溶融混合、固化することによって、前記ボール・グリッド・アレイからなる前記半田端子が形成された製造方法とした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の電子回路ユニットは、回路基板の一面側の第１のランド部に設けられた半田バンプと、この半田バンプによって半田付けされた電子回路部品と、回路基板の他面側の第２のランド部に設けられた半田端子とを備え、半田バンプは、第１の半田材料とこの第１の半田材料よりも溶融温度の高い第２の半田材料の溶融混合半田で形成されたため、半田バンプの溶融温度は、第１の半田材料よりも高くなり、従って、半田端子が電子機器のマザー基板に半田付けされる際、リフロー装置によって加熱されるが、半田バンプが溶融されない温度にリフロー装置を設定することによって、半田バンプが溶融することが無く、このため、電子回路部品の位置ずれが無い上に、従来に比して、リフロー装置も簡素化され、リフロー装置が安価であると共に、熱効率の良好なものが得られる。
【００１８】
また、第１の半田材料が錫ー亜鉛合金で形成されると共に、第２の半田材料が錫ー銀合金で形成されたため、鉛フリーの半田が形成できて、環境に良いものが得られる。
また、半田バンプは、第１の半田材料の量よりも第２の半田材料の量の多い溶融混合半田で形成されたため、半田バンプの溶融温度を高くできると共に、半田バンプと半田端子の溶融温度差が大きくなって、半田端子の溶融時、半田バンプを溶け難くできる。
また、半田端子は、ランド・グリッド・アレイによって形成されたため、半田端子の形成が容易で、生産性が良く、安価なものが得られる。
また、半田端子は、ボール・グリッド・アレイによって形成されたため、回路基板とマザー基板との間に空隙を持たせることができて、回路基板の下面に対向するマザー基板には、配線パターンを設けることが可能となって、マザー基板の配線パターンの高密度化が図れる。
【００１９】
また、半田バンプは、第１のクリーム半田材料と、この第１の半田材料よりも溶融温度の高い第２の半田材料の溶融混合半田によって形成された製造方法としたため、半田バンプの溶融温度は、半田端子よりも高くなり、従って、半田端子が電子機器のマザー基板に半田付けされる際、リフロー装置によって加熱されるが、半田バンプが溶融されない温度にリフロー装置を設定することによって、半田バンプが溶融することが無く、このため、電子回路部品の位置ずれが無い上に、従来に比して、リフロー装置も簡素化され、リフロー装置が安価であると共に、熱効率の良好なものが得られ、また、電子回路部品は、第２のクリーム半田によって保持された状態で半田付けでき、電子回路部品の位置ずれの無いものが得られる。
【００２０】
また、半田バンプは、厚さの薄い第１のクリーム半田を溶融して、第１の半田下地層を形成するため、銅箔からなる第１のランド部の場合、第１のクリーム半田が溶融した際、フラックスと第１のランド部の酸化銅が反応して、ガスや水が発生するが、薄い第１の半田下地層となっているため、ガスが逃げて、第１の半田下地層内には、大きな気泡が存在せず、また、半田バンプは、第１の半田下地層上に厚さの厚い第２のクリーム半田が設けられるため、半田バンプの溶融温度を高くできると共に、半田バンプと半田端子の溶融温度差が大きくなって、半田端子の溶融時、半田バンプを溶け難くできると共に、フラックスが存在する第２のクリーム半田は、第１の半田下地層の存在によって銅箔の第１のランド部と反応せず、第２のクリーム半田が溶融しても、ガスや水の発生が無くなり、半田バンプ内の大きな気泡を無くすることができる。
【００２１】
また、第２のランド部には、第１の半田材料からなる第３のクリーム半田を形成した後、第３のクリーム半田を溶融、固化することによって、ランド・グリッド・アレイからなる半田端子が形成されたため、半田端子は、半田バンプよりも溶融温度が低く、従って、半田端子の形成の際にリフロー装置によって加熱されるが、半田バンプが溶融されない温度にリフロー装置を設定することによって、半田バンプが溶融することが無く、このため、電子回路部品の位置ずれが無い上に、従来に比して、リフロー装置も簡素化され、リフロー装置が安価であると共に、熱効率の良好なものが得られる。
【００２２】
また、半田端子は、厚さの薄い第３のクリーム半田を溶融して、第２の半田下地層を形成するため、銅箔からなる第２のランド部の場合、第３のクリーム半田が溶融した際、フラックスと第２のランド部の酸化銅が反応して、ガスや水が発生するが、薄い第２の半田下地層となっているため、ガスが逃げて、第２の半田下地層内には、大きな気泡が存在せず、また、半田端子は、第２の半田下地層上に厚さの厚い第４のクリーム半田が設けられるため、フラックスが存在する第４のクリーム半田は、第２の半田下地層の存在によって銅箔の第２のランド部と反応せず、第４のクリーム半田が溶融しても、ガスや水の発生が無くなり、半田端子内の大きな気泡を無くすることができる。
【００２３】
また、半田ボールは、第２のランド部に設けられた第３のクリーム半田によって保持されるため、半田ボールの位置が安定すると共に、半田端子は、厚さの薄い第３のクリーム半田を溶融して形成するため、銅箔からなる第２のランド部の場合、第３のクリーム半田が溶融した際、フラックスと第２のランド部の酸化銅が反応して、ガスや水が発生するが、厚さの薄い第３のクリーム半田によってガスが逃げて、半田端子内の大きな気泡を無くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、本発明の電子回路ユニット、及びその製造方法の図面を説明すると、図１は本発明の電子回路ユニットの第１実施例に係る要部断面図、図２は本発明の第１実施例に係る電子回路ユニットがマザー基板に取り付けられた状態を示す要部断面図、図３は本発明の第２実施例に係る電子回路ユニット、及びマザー基板に取り付けられた状態を示す要部断面図、図４〜図１０は本発明の第１実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第１工程〜第７工程を示す説明図、図１１と図１２は本発明の第２実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第６工程と第７工程を示す説明図である。
【００２５】
次に、本発明の電子回路ユニットの第１実施例に係る構成を図１に基づいて説明すると、回路基板１には、銅箔等からなる配線パターン２が設けられ、この配線パターン２は、回路基板１の一面（上面）に設けられた複数の第１のランド部２ａと、回路基板１の他面（下面）に設けられた複数の第２のランド部２ｂを有する。
この第１のランド部２ａには、半田バンプ３が形成され、この半田バンプ３は、錫ー亜鉛合金からなる第１の半田材料と、この第１の半田材料よりも溶融温度が高い錫ー銀合金からなる第２の半田材料の溶融混合半田によって形成されて、半田バンプ３は、溶融温度が第２の半田材料よりも低く、且つ、第１の半田材料よりも高くなると共に、半田バンプ３は、第１の半田材料の量よりも第２の半田材料の量の多い溶融混合半田で形成されていてる。
【００２６】
また、第２のランド部２ｂには、ランド・グリッド・アレイからなる半田端子４が設けられ、この半田端子４は、半田バンプ３よりも溶融温度が低い錫ー亜鉛合金からなる第１の半田材料で形成されている。
半導体部品等からなる種々の電子回路部品５は、下面に電極６を有し、この電子回路部品５は、リフロー装置（図示せず）によって、電極６が半田バンプ３によって半田付けされて、電子回路部品５が回路基板１に搭載され、回路基板１には、所望の電気回路が形成されて、本発明の電子回路ユニットが形成されている。
【００２７】
このような本発明の電子回路ユニットは、図２に示すように、回路基板１の下面に設けられた半田端子４が電子機器のマザー基板７に設けられた配線パターン８の第３のランド部８ａ上に載置された状態で、リフロー装置によって半田端子４が溶融され、第３のランド部８ａに半田付けされて、マザー基板７に取り付けられるようになっている。
この時、半田端子４は溶融するが、半田バンプ３は溶融しない温度にリフロー装置を設定しておけば、冷風機等の手段を用いることなく、半田バンプ３の溶融を防止できて、且つ、電子回路部品５の位置ずれを起こすことも無い。
【００２８】
また、図３は本発明の電子回路ユニットの第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、金属や樹脂等からなる球体部９ａの外周面に半田膜９ｂが設けられた半田ボール９を有し、この半田ボール９が第２のランド部２ｂに半田付けされて、半田端子４が形成されたものである。
その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
また、このような本発明の第２実施例の電子回路ユニットは、図３に示すように、回路基板１の下面に設けられた半田ボール９からなる半田端子４が電子機器のマザー基板７に設けられた配線パターン８の第３のランド部８ａ上に載置された状態で、リフロー装置によって半田膜９ｂからなる半田端子４が溶融され、第３のランド部８ａに半田付けされて、マザー基板７に取り付けられるようになっている。
この時、半田端子４は溶融するが、半田バンプ３は溶融しない温度にリフロー装置を設定しておけば、冷風機等の手段を用いることなく、半田バンプ３の溶融を防止できて、且つ、電子回路部品５の位置ずれを起こすことも無い。
【００２９】
次に、本発明の第１実施例に係る電子回路ユニットの製造方法を図４〜図１０に基づいて説明すると、先ず、第１工程として図４に示すように、第１のランド部２ａには、厚さの薄い第１の半田材料である錫ー亜鉛合金からなる第１のクリーム半田１１が印刷等によって設けられた後、第２工程として図５に示すように、リフロー装置によって、第１のクリーム半田１１を溶融、固化して第１の半田下地層１２を形成する。
この時、第１のランド部２ａの表面は、酸化して酸化銅となっており、第１のクリーム半田１１が溶融した際、フラックスと酸化銅が反応して、ガスや水が発生するが、薄い第１の半田下地層１２となっているため、ガスが逃げて、第１の半田下地層１２内には、大きな気泡が存在しない状態となる。
【００３０】
次に、第３工程として図６に示すように、第１の半田下地層１２上には、第１のクリーム半田１１と同じ半田材料からなり、第１のクリーム半田１１よりも厚さの厚い第２のクリーム半田１３が印刷等によって設けられた後、第４工程として図７に示すように、第２のクリーム半田１３上には、電子回路部品５の電極６を載置した後、第５工程として図８に示すように、リフロー装置によって、第１の半田下地層１２と第２のクリーム半田１３を溶融して、第１，第２の半田材料からなる溶融混合半田が形成され、溶融混合半田が固化された半田バンプ３によって、電子回路部品５が回路基板１に搭載されされた状態となる。
この時、フラックスが存在する第２のクリーム半田１３は、第１の半田下地層１２の存在によって銅箔の第１のランド部２ａと反応せず、第２のクリーム半田１３が溶融しても、ガスや水の発生が無くなり、半田バンプ３内の大きな気泡を無くすることができる。
【００３１】
次に、第６工程として図９に示すように、裏返しされた回路基板１の第２のランド部２ｂ上には、第１の半田材料である錫ー亜鉛合金からなる第３のクリーム半田１４を印刷等によって形成し、次に、第７工程として１０に示すように、リフロー装置によって第３のクリーム半田１４を溶融し、そして、固化することによって、ランド・グリッド・アレイからなる半田端子４が形成されて、第１実施例の電子回路ユニットの製造が完了する。
この時、第３のクリーム半田１４は、リフロー装置によって溶融するが、リフロー装置は、半田バンプ３が溶融しない温度に設定しておけば、冷風機等の手段を用いることなく、半田バンプ３の溶融を防止できて、且つ、電子回路部品５の位置ずれを起こすことも無い。
【００３２】
なお、この実施例では、半田端子４が１層の第３のクリーム半田１４によって形成されたもので説明したが、ここでは図示しないが、上記実施例の第６工程として、第２のランド部２ｂには、第１の半田材料の錫ー亜鉛合金からなる厚さの薄い第３のクリーム半田を形成し、次に、第７工程として、第３のクリーム半田を溶融、固化して第２の半田下地層を形成した後、第８工程として、第２の半田下地層上には、第１の半田材料の錫ー亜鉛合金からなり、第３のクリーム半田よりも厚さの厚い第４のクリーム半田を形成し、次に、第９工程として、第２の半田下地層と第４のクリーム半田を溶融混合、固化することによって、ランド・グリッド・アレイからなる半田端子を形成しても良い。
このように厚さの薄い第２の半田下地層を形成すると、上述したように、第２のランド部２ｂの表面は、酸化して酸化銅となっており、第３のクリーム半田が溶融した際、フラックスと酸化銅が反応して、ガスや水が発生するが、薄い第２の半田下地層となっているため、ガスが逃げて、第２の半田下地層内には、大きな気泡が存在しない状態となる。
また、フラックスが存在する第４のクリーム半田は、第２の半田下地層の存在によって銅箔の第２のランド部２ｂと反応せず、第４のクリーム半田が溶融しても、ガスや水の発生が無くなり、半田端子４内の大きな気泡を無くすることができる。
【００３３】
次に、本発明の第２実施例に係る電子回路ユニットの製造方法を説明すると、この第２実施例の製造方法における第１工程〜第５工程は、前記第１実施例の製造方法と同様であるので、その説明は省略する。
次に、第２実施例の第６工程として図１１に示すように、裏返された回路基板１の第２のランド部２ｂには、第１の半田材料の錫ー亜鉛合金からなる厚さの薄い第３のクリーム半田１４を印刷等によって形成し、次に、第７工程として、第１の半田材料からなる半田膜９ｂを球体部９ａに設けて構成された半田ボール９が第３のクリーム半田１４上に載置された後、第８工程として、半田膜９ｂと第３のクリーム半田１４をリフロー装置によって溶融混合し、そして、固化することによって、ボール・グリッド・アレイからなる半田端子４が形成されて、第２実施例の電子回路ユニットの製造が完了する。
この時、半田ボール９の保持は、第３のクリーム半田１４によって安定すると共に、半田膜９ｂと第３のクリーム半田１４は、リフロー装置によって溶融するが、リフロー装置は、半田バンプ３が溶融しない温度に設定しておけば、冷風機等の手段を用いることなく、半田バンプ３の溶融を防止できて、且つ、電子回路部品５の位置ずれを起こすことも無い。
また、厚さの薄い第３のクリーム半田１４を形成すると、上述したように、第２のランド部２ｂの表面は、酸化して酸化銅となっており、第３のクリーム半田１４が溶融した際、フラックスと酸化銅が反応して、ガスや水が発生するが、薄い第３のクリーム半田１４となっているため、ガスが逃げて、半田端子４内には、大きな気泡が存在しない状態となる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の電子回路ユニットの第１実施例に係る要部断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る電子回路ユニットがマザー基板に取り付けられた状態を示す要部断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る電子回路ユニット、及びマザー基板に取り付けられた状態を示す要部断面図である。
【図４】本発明の第１実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第１工程を示す説明図である。
【図５】本発明の第１実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第２工程を示す説明図である。
【図６】本発明の第１実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第３工程を示す説明図である。
【図７】本発明の第１実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第４工程を示す説明図である。
【図８】本発明の第１実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第５工程を示す説明図である。
【図９】本発明の第１実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第６工程を示す説明図である。
【図１０】本発明の第１実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第７工程を示す説明図である。
【図１１】本発明の第２実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第６工程を示す説明図である。
【図１２】本発明の第２実施例における電子回路ユニットの製造方法に係る第７工程を示す説明図である。
【図１３】従来の電子回路ユニットに係る要部断面図である。
【図１４】従来の電子回路ユニットの製造方法に係る第１工程を示す説明図である。
【図１５】従来の電子回路ユニットの製造方法に係る第２工程を示す説明図である。
【図１６】従来の電子回路ユニットの製造方法に係る第３工程を示す説明図である。
【図１７】従来の電子回路ユニットの製造方法に係る第４工程を示す説明図である。
【図１８】従来の電子回路ユニットの製造方法に係る第５工程を示す説明図である。
【図１９】従来の電子回路ユニットの製造方法に係る第６工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  回路基板
２  配線パターン
２ａ  第１のランド部
２ｂ  第２のランド部
３  半田バンプ
４  半田端子
５  電子回路部品
６  電極
７  マザー基板
８  配線パターン
８ａ  第３のランド部
９  半田ボール
９ａ  球体部
９ｂ  半田膜
１１  第１のクリーム半田
１２  第１の半田下地層
１３  第２のクリーム半田
１４  第３のクリーム半田
【図１】
2007013001.tif 000003
【図２】
2007013001.tif 000004
【図３】
2007013001.tif 000005
【図４】
2007013001.tif 000006
【図５】
2007013001.tif 000007
【図６】
2007013001.tif 000008
【図７】
2007013001.tif 000009
【図８】
2007013001.tif 000010
【図９】
2007013001.tif 000011
【図１０】
2007013001.tif 000012
【図１１】
2007013001.tif 000013
【図１２】
2007013001.tif 000014
【図１３】
2007013001.tif 000015
【図１４】
2007013001.tif 000016
【図１５】
2007013001.tif 000017
【図１６】
2007013001.tif 000018
【図１７】
2007013001.tif 000019
【図１８】
2007013001.tif 000020
【図１９】
2007013001.tif 000021