(57)【要約】【課題】表と裏の両面において表示を行うことができる液晶装置を薄く形成する。【解決手段】互いに対向する基板３ａと基板４ａと、基板３ａと基板４ａとの間に配置された液晶層７と、基板３ａの液晶層７側に選択的に設けられるとともに、基板４ａ側から入射した光Ｌ１を反射させる光反射膜１４Ｂと、基板３ａの光反射膜１４Ｂが設けられていない領域Ｄ１に対応して基板４ａの液晶層７側に選択的に設けられるとともに、基板３ａ側から入射した光Ｌ０を反射させる光反射膜１４Ａと、基板３ａの液晶層７側で光反射膜１４Ｂが設けられていない領域Ｄ１に選択的に設けられた帯状電極３３Ａと、基板４ａの液晶層７側で光反射膜１４Ａが設けられていない領域Ｄ２に選択的に設けられた帯状電極３３Ｂとを備える液晶装置である。【選択図】図３
2007327995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板と第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板の前記液晶層側に選択的に設けられるとともに、前記第２基板側から入射
した光を反射させる光反射膜と、
前記第１基板の前記光反射膜が設けられていない領域に対応して前記第２基板の前記液
晶層側に選択的に設けられるとともに、前記第１基板側から入射した光を反射させる光反
射膜と、
前記第１基板の前記液晶層側で前記光反射膜が設けられていない領域に選択的に設けら
れた透光性の電極と、
前記第２基板の前記液晶層側で前記光反射膜が設けられていない領域に選択的に設けら
れた透光性の電極と、
を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、互いに交差する第１方向と第２方向に配列された複
数のサブ画素を備え、該複数のサブ画素は、前記第２基板の前記液晶層側に光反射膜が設
けられた第１サブ画素と、前記第１基板の前記液晶層側に光反射膜が設けられた第２サブ
画素とを有して構成され、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素は互いに異なる大きさに
形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の液晶装置において、互いに交差する第１方向と第２方向に
配列された複数のサブ画素を備え、該複数のサブ画素は、前記第２基板の前記液晶層側に
光反射膜が設けられた第１サブ画素と、前記第１基板の前記液晶層側に光反射膜が設けら
れた第２サブ画素とを有して構成され、
個々の前記第１サブ画素同士及び個々の前記第２サブ画素同士は、前記第１方向及び前
記第２方向のいずれか一方に沿って互いに隣接して配列されており、
前記第１方向及び前記第２方向の他方には、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とが
交互に配列されることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記第１サブ画素内
の前記第１基板の前記液晶層側に設けられた前記透光性の電極は互いに隣接して配列され
た複数の前記第１サブ画素にわたって帯状に設けられ、前記第２サブ画素内の前記第２基
板の前記液晶層側に設けられた前記透光性の電極は互いに隣接して配列された複数の前記
第２サブ画素にわたって帯状に設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記第１基板上及び
前記第２基板上の少なくとも一方には、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のそれぞ
れに対応して１色又は複数色の着色膜が所定の配列で設けられていることを特徴とする液
晶装置。
【請求項６】
請求項１から請求行５のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子
機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶層を通過する光を変調して像を形成する液晶装置に関する。また、本発
明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、例えば、当該
電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置が広く用
いられている。液晶装置は、一般に、互いに対向する一対の基板間に液晶層を配置して成
る液晶パネルを有し、その液晶パネルを通過する光をサブ画素ごとに変調することにより
、光の進行方向の下流側に在る基板の外側に、文字、数字、図形等といった像を表示する
。
【０００３】
上記の液晶装置として、従来、２つの液晶パネルを重ねて設け、一方の液晶パネルを用
いて表側面の表示を行い、他方の液晶パネルを用いて裏側面の表示を行うことにより、液
晶パネルの表と裏の両面において表示を行うことができるものが知られている（例えば、
特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７７４２９号公報（第３〜４頁、図１）
【特許文献２】特開２００５−７８８０２号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、携帯電話機等といった電子機器に関しては、現在、その電子機器の小型化や
薄型化が求められている。それ故、その電子機器に用いられる液晶装置に関しても、全体
の厚さを薄く形成することが望まれている。しかしながら、特許文献１及び特許文献２に
開示された液晶装置は、２つの液晶パネルを用いて構成されているので、１つの液晶パネ
ルを用いて片面表示を行う構成の液晶装置に比べて、液晶装置全体の厚さが厚くなってい
る。従って、この液晶装置を用いて電子機器を薄く形成することが難しかった。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、表と裏の両面において表示を
行うことができる液晶装置を薄く形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液晶装置は、（１）互いに対向する第１基板と第２基板と、（２）前記第
１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、（３）前記第１基板の前記液晶層側
に選択的に設けられるとともに、前記第２基板側から入射した光を反射させる光反射膜と
、（４）前記第１基板の前記光反射膜が設けられていない領域に対応して前記第２基板の
前記液晶層側に選択的に設けられるとともに、前記第１基板側から入射した光を反射させ
る光反射膜と、（５）前記第１基板の前記液晶層側で前記光反射膜が設けられていない領
域に選択的に設けられた透光性の電極と、（６）前記第２基板の前記液晶層側で前記光反
射膜が設けられていない領域に選択的に設けられた透光性の電極とを備えることを特徴と
する。
【０００８】
上記構成の液晶装置において、第１基板及び第２基板は透光性を有する材料、例えば透
光性のガラス、透光性のプラスチックによって形成された基板である。また、第１基板上
及び第２基板上に設けられた光反射膜は、例えばＡｌ（アルミニウム）等を用いて形成さ
れ、室内光等といった外部光を反射してその光を表示に利用するためのものである。また
、第１基板上及び第２基板上にそれぞれ設けられた透光性の電極は、例えばＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等を用いて形成される。これらの透光性の電極に対
向する位置には、例えば光反射膜や他の導電部材から成る電極が配置され、それらの透光
性の電極とそれに対向する電極との間に印加された電圧によって液晶層内の液晶分子の配
向が制御される。
【０００９】
上記構成の液晶装置において、第２基板の液晶層側に設けられた光反射膜は、第１基板
側から入射した外部光を第１基板へ向けて反射する。この反射光を用いて第１基板の表面
に像を形成できる。他方、第１基板の液晶層側に設けられた光反射膜は、第２基板側から
入射した外部光を第２基板へ向けて反射する。この反射光を用いて第２基板の表面に像を
形成できる。
【００１０】
このように、本発明に係る液晶装置によれば、第２基板の液晶層側に設けられた光反射
膜で反射した光を用いて第１基板の表面に像を形成し、第１基板の液晶層側に設けられた
光反射膜で反射した光を用いて第２基板の表面に像を形成するので、両面表示が可能な液
晶装置を、第１基板と第２基板の２枚の基板から成る１つの液晶パネルを用いて形成でき
る。その結果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表裏両面の表示を行う液晶装置に
比べて、液晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。
【００１１】
次に、本発明に係る液晶装置においては、（１）互いに交差する第１方向と第２方向に
配列された複数のサブ画素を備え、（２）該複数のサブ画素は、前記第２基板の前記液晶
層側に光反射膜が設けられた第１サブ画素と、前記第１基板の前記液晶層側に光反射膜が
設けられた第２サブ画素とを有して構成され、（３）前記第１サブ画素と前記第２サブ画
素は互いに異なる大きさに形成されていることが望ましい。
【００１２】
個々の第１サブ画素及び個々の第２サブ画素は表示を行うための最小単位の領域である
。これらの第１サブ画素及び第２サブ画素が、第１方向と第２方向とに複数個平面的に配
列されることによって、表示が行われる全体の領域である表示領域が構成されている。こ
こで、第１方向は、各サブ画素に走査信号を伝送する走査線に沿った方向とすることがで
きる。また、第２方向は、走査線に直交して設けられ各サブ画素にデータ信号を伝送する
データ線に沿った方向とすることができる。
【００１３】
両面表示を行う液晶装置では、一方の表示面で主となる表示を行い、他方の表示面で副
次的な表示を行うことが多い。この場合、副次的な表示に比べて主となる表示の精細度を
高くすることが望ましいと考えられる。本発明態様の液晶装置では、第１サブ画素と第２
サブ画素とを互いに異なる大きさに形成できるので、表側面の表示と裏側面の表示とで表
示の精細度を異ならせることができる。例えば、第１サブ画素と第２サブ画素とにおいて
、主となる表示を行う方のサブ画素を副次的な表示を行うサブ画素に比べて大きく形成す
れば、主となる表示の精細度を高くすることができる。
【００１４】
次に、本発明に係る液晶装置において、（１）互いに交差する第１方向と第２方向に配
列された複数のサブ画素を備え、（２）該複数のサブ画素は、前記第２基板の前記液晶層
側に光反射膜が設けられた第１サブ画素と、前記第１基板の前記液晶層側に光反射膜が設
けられた第２サブ画素とを有して構成され、（３）個々の前記第１サブ画素同士及び個々
の前記第２サブ画素同士は、前記第１方向及び前記第２方向のいずれか一方に沿って互い
に隣接して配列されており、（４）前記第１方向及び前記第２方向の他方には、前記第１
サブ画素と前記第２サブ画素とが交互に配列されることが望ましい。
【００１５】
仮に、第１サブ画素及び第２サブ画素を第１方向と第２方向の両方向において互いに隣
り合うように配列した場合、第１基板側の表示領域及び第２基板側の表示領域は、第１基
板及び第２基板の平面領域内において片寄った領域に狭く形成されることが考えられる。
【００１６】
これに対し、本発明態様のように個々の第１サブ画素同士及び個々の第２サブ画素同士
を第１方向及び第２方向のうちのいずれか一方に沿って互いに隣接して配列し、第１方向
及び第２方向のうちの他方に第１サブ画素と第２サブ画素とを交互に配列すれば、第１サ
ブ画素及び第２サブ画素を、第１基板及び第２基板の平面領域内に効率良く配列できる。
その結果、第１基板側の表示領域及び第２基板側の表示領域が平面領域内で片寄ることが
なくなるので、それらの表示領域を広く形成できる。
【００１７】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１サブ画素内の前記第１基板の前記液晶
層側に設けられた前記透光性の電極は互いに隣接して配列された複数の前記第１サブ画素
にわたって帯状に設けられ、前記第２サブ画素内の前記第２基板の前記液晶層側に設けら
れた前記透光性の電極は互いに隣接して配列された複数の前記第２サブ画素にわたって帯
状に設けられることが望ましい。
【００１８】
液晶装置において、仮に、全ての透光性の電極をサブ画素内にドット状（すなわち、島
状）に形成した場合には、それらのドット状の電極同士を電気的に接続する導電部材を別
途設ける必要がある。この場合には、第１基板上及び第２基板上に形成される要素の構造
が複雑になるので、液晶装置の製造が難しくなったり、液晶装置の動作不良等の障害が発
生する原因になるおそれがある。
【００１９】
本発明態様の液晶装置では、前記第１サブ画素内の前記第１基板上に設けられた前記透
光性の電極を互いに隣接して配列された複数の前記第１サブ画素にわたって帯状に設け、
前記第２サブ画素内の前記第２基板上に設けられた前記透光性の電極を互いに隣接して配
置された複数の前記第２サブ画素にわたって帯状に設けることができるので、第１基板上
及び第２基板上における電極の構成を簡単にできる。その結果、液晶装置を容易に製造で
き、且つ液晶装置において断線等の障害が発生することを防止できる。
【００２０】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１基板上又は前記第２基板上の少なくと
も一方には、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のそれぞれに対応して１色又は複数
色の着色膜が所定の配列で設けられていることが望ましい。この構成の液晶装置において
、第１サブ画素及び第２サブ画素のそれぞれに対応して１色の着色膜を設けた場合には、
その１色のみを用いた表示、いわゆるモノカラーの表示を行うことができる。また、着色
層を設けない場合には、白黒表示を行うことができる。一方、第１サブ画素及び第２サブ
画素のそれぞれに対応して複数色の着色膜を設けた場合には、それら複数色を用いたカラ
ー表示を行うことができる。例えば、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色の着色
膜を設けた場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色を用いた表示、いわゆるフルカラーの表示を行う
ことができる。
【００２１】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴と
する。本発明に係る液晶装置は、複数の第１サブ画素を用いて第１基板の表面に像を形成
し、複数の第２サブ画素を用いて第２基板の表面に像を形成できるので、第１基板と第２
基板の２枚の基板から成る１つの液晶パネルで両面表示を行うことができる。その結果、
従来のように２つの液晶パネルを用いて表裏両面の表示を行う液晶装置に比べて、液晶装
置の全体の厚さを薄く形成できる。従って、この液晶装置を用いた本発明に係る電子機器
も全体の厚さを薄く形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、反射型でＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動方式でカ
ラー表示が可能な液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明
する。また、本実施形態では、ＴＦＴ素子としてチャンネルエッチ型でシングルゲート構
造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いた液晶装置に本発明を適用する。なお、本発
明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面
では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率
で示す場合がある。
【００２３】
図１は、本発明に係る液晶装置の平面構造を示している。また、図２は、図１のＺ１−
Ｚ１線に従った液晶装置の断面構造を示している。また、図３は、図２において矢印Ｚ２
で示す部分を拡大して示している。
【００２４】
図２において、液晶装置１は、液晶パネル２と、その液晶パネル２に接続された配線基
板（図示せず）を有している。この液晶装置１に関しては、矢印Ａが描かれた側が主たる
表示が行われる主観察側であり、矢印Ｂが描かれた側が副次的な表示が行われる副観察側
である。すなわち、本実施形態の液晶装置１は、矢印Ａ側と矢印Ｂ側の両面において表示
を行う両面表示型の液晶パネル２から成る液晶装置である。
【００２５】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互
いに貼り合わされた一対の基板３及び４を有する。基板３は矢印Ａが描かれた主観察側に
配置され、その基板３の外側の表面に第１の表示面Ｓ１が形成される。他方、基板４は矢
印Ｂが描かれた副観察側に配置され、その基板４の外側に第２の表示面Ｓ２が形成される
。
【００２６】
基板３は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第１基板としての第１の透光性の基
板３ａを有する。この第１透光性基板３ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラス
チック等によって形成される。この第１透光性基板３ａの外側表面には偏光板８ａが貼り
付けられている。必要に応じて、偏光板８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に
設けることもできる。他方、基板３に対向する基板４は、矢印Ｂ方向から見て長方形又は
正方形の第２基板としての第２の透光性の基板４ａを有する。この第２透光性基板４ａは
、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光
性基板４ａの外側表面には偏光板８ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板８ｂ
以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００２７】
シール材６は、基板３と基板４との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シ
ール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して基板３と
基板４との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ
内で電気光学物質の層としての液晶層７を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した
後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通し
て行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領
域内に液晶滴下する方法でもよい。なお、本実施形態では、液晶として、正の誘電異方性
を有するネマティック液晶を用いることができる。
【００２８】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層７の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数
のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂
部材を基板３又は基板４の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形
成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成
することもできる。
【００２９】
図１において、液晶パネル２には、複数の領域Ｄ１とＤ２とが設けられている。符号Ｄ
１で示す領域（すなわち、図１において斜線で示す領域）は、図２の第１表示面Ｓ１にお
ける表示の単位領域である第１サブ画素である。また、図１において符号Ｄ２で示す領域
は、図２の第２表示面Ｓ２における表示の単位領域である第２サブ画素である。これらの
第１サブ画素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２は、後述する画素電極と帯状電極とが平面的に重
なった領域であり、表示の最小単位となる領域である。なお、図１は図２の液晶装置を矢
印Ａ方向から示す平面図であり、この図１において、基板４は紙面奥側に設けられており
、基板３は紙面手前側に設けられている。従って、液晶パネル２の内部に設けられる電極
や配線は、本来、基板３の存在によって外部から見えない要素であるが、図１では便宜的
に電極、配線等を実線で示している。
【００３０】
第１サブ画素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２は、複数個が互いに平面的に並んで設けられて
いる。第１方向としての行方向Ｘ（すなわち、図１の左右方向）に関しては、第１サブ画
素Ｄ１同士が互いに隣接して配列されている。また、第２サブ画素Ｄ２同士も互いに隣接
して配列されている。他方、第２方向としての列方向Ｙ（すなわち、図１の上下方向）に
関しては、第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とが交互に配列されている。つまり、行
方向Ｘに沿って並べられた複数の第１サブ画素Ｄ１の列と、同じく行方向に沿って並べら
れた複数の第２サブ画素Ｄ２の列とが、列方向Ｙに交互に配置されている。
【００３１】
次に、基板３と基板４から成る液晶パネル２の内部の構造を詳細に説明する。図２の液
晶装置１では、第１サブ画素Ｄ１内と第２サブ画素Ｄ２内との間の関係において液晶パネ
ル２の内部の構造が異なっている。
【００３２】
まず、第１サブ画素Ｄ１内における液晶パネル２の内部の構造を説明する。
図４及び図５は、図１において矢印Ｚ３で示す部分を拡大して示している。また、図６
は、図４のＺ４−Ｚ４線、又は図５のＺ５−Ｚ５線に従った断面図であり、主にＴＦＴ素
子を示している。なお、図４は、図３の矢印Ａ方向から、主に基板４の平面構造を示して
いる。また、図５は、図３の矢印Ｂ方向から、主に基板３の平面構造を示している。
【００３３】
図３において、第２透光性基板４ａの内側表面には、ソース線９Ａが列方向Ｙ（すなわ
ち、図３の左右方向）に延びている。また、ゲート線１０Ａが行方向Ｘ（すなわち、図３
の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素
子であるＴＦＴ素子１１Ａがソース線９Ａ及びゲート線１０Ａに接続して形成されている
。なお、ソース線９Ａは、ＴＦＴ素子１１Ａにデータ信号を伝送するデータ線として機能
する。一方、ゲート線１０Ａは、ＴＦＴ素子１１Ａに走査信号を伝送する走査線として機
能する。
【００３４】
それらのＴＦＴ素子１１Ａ、ソース線９Ａ及びゲート線１０Ａの上に、それらを覆う保
護膜１２Ａが形成され、その上に絶縁膜としての凹凸樹脂膜１３Ａが形成され、その上に
光反射膜１４Ａが形成され、その上に透光性の電極である画素電極１５Ａが形成され、そ
の上に配向膜１６ｂが形成されている。この配向膜１６ｂに配向処理、例えばラビング処
理が施され、これにより、基板４の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００３５】
通常、保護膜１２Ａは、透光性と絶縁性を有する窒化膜（ＳｉＮ）や二酸化ケイ素膜（
ＳｉＯ２）を用いて形成される。また、凹凸樹脂膜１３Ａは、例えば、透光性、感光性、
及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ
処理によってパターニングすることによって形成されている。
【００３６】
光反射膜１４Ａは、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料
をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電
極１５Ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった金属酸
化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。ま
た、配向膜１６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成さ
れている。
【００３７】
光反射膜１４Ａ及び画素電極１５Ａは、図１において、基板４上に行方向Ｘ及び列方向
Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜１４Ａ及び画素電極１５Ａ
は、矢印Ｚ３で示す部分を拡大した図４にも示すように、各ソース線９Ａと各ゲート線１
０Ａとが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子１１Ａに接続されてい
る。
【００３８】
図３において、保護膜１２Ａ及び凹凸樹脂膜１３Ａには、画素電極１５ＡとＴＦＴ素子
１１Ａとを電気的に接続するための開口部として貫通穴であるコンタクトホール１７Ａが
形成されている。このコンタクトホール１７Ａは、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素
子１１Ａの素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極１５Ａと重なる位置に形成
される。
【００３９】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子１１ＡはアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦ
Ｔ素子１１Ａは、図６に示すように、ゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２、ａ−Ｓｉ（ア
モルファスシリコン）によって形成された半導体膜２３、Ｎ＋−Ｓｉ膜２４ａ，２４ｂ、
ソース電極２５、ドレイン電極２６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子１１Ａは、ボトム
ゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されてい
る。
【００４０】
ＴＦＴ素子１１Ａから少し離れて補助容量２７が設けられている。この補助容量２７は
画素電極１５Ａに付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるもの
である。この補助容量２７は、ゲート電極２１と同じ層内に同じ材料によって形成された
第１電極２１ａと、ゲート絶縁膜２２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１
電極２１ａを覆う絶縁膜２２ａと、ドレイン電極２６と同じ層内に形成されていて絶縁膜
２２ａを覆う第２電極２６ａとによって構成されている。図４に示すように、第１電極２
１ａは、ゲート線１０Ａに平行で、ソース線９Ａに交差して延びている。また、第２電極
２６ａは面積の広い長方形状に形成されている。
【００４１】
図６において、ドレイン電極２６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜２４ｂを介して半導体膜
２３に接続し、その他端が補助容量２７の第２電極２６ａとなる所まで延びている。また
、ドレイン電極２６はコンタクトホール１７Ａを介して画素電極１５Ａに電気的に接続し
、ソース電極２５は、図４に示すように、ソース線９Ａから分岐して形成されている。ゲ
ート電極２１は、ソース線９Ａと直角方向に延びるゲート線１０Ａから分岐して延びてい
る。
【００４２】
図６において、画素電極１５Ａの下に保護膜１２Ａと凹凸樹脂膜１３Ａとから成る層間
絶縁膜を設けることにより、画素電極１５Ａの層とＴＦＴ素子１１Ａの層は別々の層に分
けられている。これにより、画素電極１５ＡとＴＦＴ素子１１Ａとを同じ層に形成する構
造に比べて、基板３の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極１５Ａの層とＴＦＴ素
子１１Ａの層とを別層とすることにより、画素電極１５Ａの面積、すなわち画素面積をＴ
ＦＴ素子１１Ａによって阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶装置
において鮮明な表示を行うことができる。
【００４３】
図３において、凹凸樹脂膜１３Ａの表面であって個々の第１サブ画素Ｄ１内には、複数
の凹部及び複数の凸部が矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成されることにより凹
凸パターンが形成されている。光反射膜１４Ａは、そのような凹凸パターンが形成されて
いる凹凸樹脂膜１３Ａの上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターン
の形状を有している。このように光反射膜１４Ａに凹凸パターンを形成することにより、
光反射膜１４Ａで反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性
を持った光とすることができる。
【００４４】
次に、図３において、第１サブ画素Ｄ１内の基板４に対向する第１透光性基板３ａの内
側表面には、カラーフィルタを構成する着色膜３１Ａが形成され、その着色膜３１Ａの上
にオーバーコート膜３２Ａが形成され、その上に透光性の電極である帯状電極３３Ａが形
成され、その上に配向膜１６ａが形成されている。オーバーコート膜３２Ａは、カラーフ
ィルタを保護する保護膜として機能する。配向膜１６ａは、例えばポリイミド等を印刷等
によって塗布することによって形成される。
【００４５】
個々の着色膜３１Ａは、各第１サブ画素Ｄ１内に、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方
形のドット状（すなわち、島状）に形成されている。また、着色膜３１Ａは複数個が矢印
Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。
【００４６】
着色膜３１Ａの個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に
設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜３１Ａが矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばス
トライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜３１Ａの光学的特性
はＲ，Ｇ，Ｂの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３
原色を通過させる特性とすることもできる。
【００４７】
帯状電極３３Ａは、例えば、ＩＴＯをフォトエッチング処理によって所定の帯形状にパ
ターニングして形成される。１本の帯状電極３３Ａは、図４に示すように、行方向Ｘ（図
４の左右方向）に延びている。そして、複数の帯状電極３３Ａが列方向Ｙ（図４の上下方
向）に所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。
【００４８】
基板４上において行方向Ｘに並ぶ複数のドット状の画素電極１５Ａと、基板３上におい
て行方向Ｘへ延びる帯状電極３３Ａとは、平面的に重なっている。このように両電極が重
なることにより、表示のための最小単位である第１サブ画素Ｄ１が構成されている。そし
て、図２において、複数の第１サブ画素Ｄ１が平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリク
ス状に並ぶことにより、基板３の外側（矢印Ａが描かれた側）に第１表示領域Ｖ１が形成
され、この第１表示領域Ｖ１内に文字、数字、図形等の像が表示される。
【００４９】
第１表示領域Ｖ１において、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜３１Ａを用いてカラー表
示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜３１Ａに対応する３つの第１
サブ画素Ｄ１によって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー
表示を行う場合は、１つの第１サブ画素Ｄ１によって１つの画素が形成される。
【００５０】
次に、第２サブ画素Ｄ２内における液晶パネル２の内部の構造を説明する。第２サブ画
素Ｄ２内においては、図３に示すように、第１サブ画素Ｄ１内の構成要素を、基板３と基
板４とで逆に配置した構造となっている。すなわち、第１サブ画素Ｄ１内の基板３上にお
ける構成要素が第２サブ画素Ｄ２内の基板４上に設けられ、第１サブ画素Ｄ１内の基板４
上における構成要素が第２サブ画素Ｄ２内の基板３上に設けられている。なお、第２サブ
画素Ｄ２内の構造は、サブ画素の平面的な面積を除いて、第１サブ画素Ｄ１と同じである
。
【００５１】
図３において、第１透光性基板３ａの内側表面には、ソース線９Ｂが列方向Ｙ（すなわ
ち、図３の左右方向）に延びている。また、ゲート線１０Ｂが行方向Ｘ（すなわち、図３
の紙面垂直方向）に延びている。そして、第２サブ画素Ｄ２内には、スイッチング素子と
して機能するアクティブ素子であるＴＦＴ素子１１Ｂがソース線９Ｂ及びゲート線１０Ｂ
に接続して形成されている。ＴＦＴ素子１１Ｂは、図６に示すＴＦＴ素子１１Ａと同じ構
成とし、その詳細な説明は省略する。なお、ソース線９Ｂは、ＴＦＴ素子１１Ｂにデータ
信号を伝送するデータ線として機能する。一方、ゲート線１０Ｂは、ＴＦＴ素子１１Ｂに
走査信号を伝送する走査線として機能する。
【００５２】
ＴＦＴ素子１１Ｂ、ソース線９Ｂ及びゲート線１０Ｂの上には、それらを覆う保護膜１
２Ｂが形成され、その上に絶縁膜としての凹凸樹脂膜１３Ｂが形成され、その上に光反射
膜１４Ｂが形成され、その上に透光性の電極である画素電極１５Ｂが形成され、その上に
配向膜１６ａが形成されている。この配向膜１６ａに配向処理、例えばラビング処理が施
され、これにより、基板３の近傍における第２サブ画素Ｄ２内の液晶分子の初期配向が決
められる。
【００５３】
保護膜１２Ｂは、第１サブ画素Ｄ１内の保護膜１２Ａと同じく、透光性と絶縁性を有す
る窒化膜（ＳｉＮ）や二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２）を用いて形成される。また、凹凸樹脂
膜１３Ｂは、第１サブ画素Ｄ１内の凹凸樹脂膜１３Ａと同じく、例えば、透光性、感光性
、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフ
ィ処理によってパターニングすることによって形成されている。光反射膜１４Ｂは、例え
ば、Ａｌをフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている
。画素電極１５Ｂは、例えばＩＴＯをフォトエッチング処理によってパターニングするこ
とによって形成されている。
【００５４】
光反射膜１４Ｂ及び画素電極１５Ｂは、図１において、基板３上に行方向Ｘ及び列方向
Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜１４Ｂ及び画素電極１５Ｂ
は、矢印Ｚ３で示す部分を拡大した図５にも示すように、各ソース線９Ｂと各ゲート線１
０Ｂとが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子１１Ｂに接続されてい
る。
【００５５】
図３において、保護膜１２Ｂ及び凹凸樹脂膜１３Ｂには、画素電極１５ＢとＴＦＴ素子
１１Ｂとを電気的に接続するためのコンタクトホール１７Ｂが形成されている。このコン
タクトホール１７Ｂは、矢印Ｂ方向から平面的に見てＴＦＴ素子１１Ｂの素子本体部分に
重ならない位置であって、画素電極１５Ｂと重なる位置に形成される。
【００５６】
図３において、凹凸樹脂膜１３Ｂの表面には、複数の凹部及び複数の凸部が矢印Ａ方向
から見て平面的にランダムに形成されることにより凹凸パターンが形成されている。光反
射膜１４Ｂは、そのような凹凸パターンが形成されている凹凸樹脂膜１３Ｂの上に一定の
膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンの形状を有している。このように光
反射膜１４Ｂに凹凸パターンを形成することにより、光反射膜１４Ｂで反射する光Ｌ１を
、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。
【００５７】
次に、第２サブ画素Ｄ２内であって、基板３に対向する第２透光性基板４ａの内側表面
には、着色膜３１Ｂが形成され、その着色膜３１Ｂの上にオーバーコート膜３２Ｂが形成
され、その上に透光性の電極である帯状電極３３Ｂが形成され、その上に配向膜１６ｂが
形成されている。オーバーコート膜３２Ｂは、カラーフィルタを保護する保護膜として機
能する。
【００５８】
個々の着色膜３１Ｂは、各第２サブ画素Ｄ２内に、矢印Ｂ方向から見て長方形又は正方
形のドット状（すなわち、島状）に形成されている。また、着色膜３１Ｂは複数個が矢印
Ｂ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。
【００５９】
着色膜３１Ｂの個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に
設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜３１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばスト
ライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜３１Ｂの光学的特性は
Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原
色を通過させる特性とすることもできる。
【００６０】
図３において、帯状電極３３Ｂは、例えば、ＩＴＯをフォトエッチング処理によって所
定の帯形状にパターニングして形成される。１本の帯状電極３３Ｂは、図５に示すように
、行方向Ｘ（図５の左右方向）に延びている。そして、複数の帯状電極３３Ｂが列方向Ｙ
（図５の上下方向）に所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。
【００６１】
基板３上において行方向Ｘに並ぶ複数のドット状の画素電極１５Ｂと、基板４上におい
て行方向Ｘへ延びる帯状電極３３Ｂとは、平面的に重なっている。このように両電極が重
なることにより、表示のための最小単位である第２サブ画素Ｄ２が構成されている。そし
て、図２において、複数の第２サブ画素Ｄ２が平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリク
ス状に並ぶことにより、基板４の外側（矢印Ｂが描かれた側）に第２表示領域Ｖ２が形成
され、この第２表示領域Ｖ２内に文字、数字、図形等の像が表示される。
【００６２】
第２表示領域Ｖ２においても、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜３１Ｂを用いてカラー
表示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜３１Ｂに対応する３つの第
２サブ画素Ｄ２によって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラ
ー表示を行う場合は、１つの第２サブ画素Ｄ２によって１つの画素が形成される。
【００６３】
次に、図２において、基板４を構成する第２透光性基板４ａは基板３の外側へ張り出す
張出し部３５Ａを有している。この張出し部３５Ａの表面には、配線３６Ａがフォトエッ
チング処理等によって形成されている。配線３６Ａは矢印Ａ方向から見て複数本形成され
ており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられている。ま
た、張出し部３５Ａの辺端には複数の外部接続用端子３７Ａが紙面垂直方向に沿って互い
に間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子３７Ａが設けられた
張出し部３５Ａの辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。
【００６４】
複数の配線３６Ａは、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形
成されている。これらの配線３６Ａの一部は、基板４上のソース線９Ａに直接に繋がって
データ線として機能する。また、複数の配線３６Ａの他の一部は、シール材６によって囲
まれた領域内で基板４の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って
行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線３６Ａは、基板４
上のゲート線１０Ａに直接に繋がって走査線として機能する。
【００６５】
張出し部３５Ａの表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）
３８Ａを用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ３９Ａが実装されて
いる。駆動用ＩＣ３９Ａは、ソース線９Ａへデータ信号を伝送し、ゲート線１０Ａへ走査
信号を伝送する。駆動用ＩＣ３９Ａは１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じ
て複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ３９Ａを複数のＩＣチップによって構
成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部３５Ａ上で図１の左右方向に並べて実装
される。
【００６６】
他方、図２において、基板３を構成する第１透光性基板３ａは基板４の外側へ張り出す
張出し部３５Ｂを有している。この張出し部３５Ｂの表面には、配線３６Ｂがフォトエッ
チング処理等によって形成されている。配線３６Ｂは矢印Ａ方向から見て複数本形成され
ており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられている。ま
た、張出し部３５Ｂの辺端には複数の外部接続用端子３７Ｂが紙面垂直方向に沿って互い
に間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子３７Ｂが設けられた
張出し部３５Ｂの辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。
【００６７】
複数の配線３６Ｂは、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形
成されている。これらの配線３６Ｂの一部は、基板３上のソース線９Ｂに直接に繋がって
データ線として機能する。また、複数の配線３６Ｂの他の一部は、シール材６によって囲
まれた領域内で基板３の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って
行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線３６Ｂは、基板３
上のゲート線１０Ｂに直接に繋がって走査線として機能する。
【００６８】
張出し部３５Ｂの表面には、ＡＣＦ３８Ｂを用いたＣＯＧ技術によって、駆動用ＩＣ３
９Ｂが実装されている。駆動用ＩＣ３９Ｂは、ソース線９Ｂへデータ信号を伝送し、ゲー
ト線１０Ｂへ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ３９Ｂは１つのＩＣチップで形成しても良
いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。
【００６９】
以上のように構成された図２の液晶装置１によれば、矢印Ａが描かれた主観察側と、矢
印Ｂが描かれた副観察側の両側において、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射
型の表示が行われる。
【００７０】
主観察側において表示が行われる場合には、図３において、矢印Ａの方向から基板３を
通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０が、液晶層７を通過して基板４内へ入った後
、第１サブ画素Ｄ１内において光反射膜１４Ａで反射して再び液晶層７へ供給される。こ
のように液晶層７へ光が供給される間、基板４の画素電極１５Ａと基板３の帯状電極３３
Ａとの間には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、液晶
層７内の液晶分子の配向が第１サブ画素Ｄ１ごとに制御される。この結果、液晶層７に供
給された光が第１サブ画素Ｄ１ごとに変調される。この変調された光が、基板３の偏光板
８ａ（図２参照）を通過するとき、その偏光板８ａの偏光特性により第１サブ画素Ｄ１ご
とに通過を規制され、基板３の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが
、矢印Ａ方向から視認される。
【００７１】
他方、副観察側において表示が行われる場合には、矢印Ｂの方向から基板４を通して液
晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ１が、液晶層７を通過して基板３内へ入った後、第２サ
ブ画素Ｄ２内において光反射膜１４Ｂで反射して再び液晶層７へ供給される。このように
液晶層７へ光が供給される間、基板３の画素電極１５Ｂと基板４の帯状電極３３Ｂとの間
には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、液晶層７内の
液晶分子の配向が第２サブ画素Ｄ２ごとに制御される。この結果、液晶層７に供給された
光が第２サブ画素Ｄ２ごとに変調される。この変調された光が、基板４の偏光板８ｂ（図
２参照）を通過するとき、その偏光板８ｂの偏光特性により第２サブ画素Ｄ２ごとに通過
を規制され、基板４の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ｂ
方向から視認される。
【００７２】
以上のようにして、本実施形態に係る液晶装置では、図２の液晶パネル２において、矢
印Ａが描かれた主観察側と矢印Ｂが描かれた副観察側の両側で表示を行うことができる。
この液晶装置１では、複数の第１サブ画素Ｄ１を用いて基板３の表面Ｓ１に像を形成し、
複数の第２サブ画素Ｄ２を用いて基板４の表面Ｓ２に像を形成するので、両面表示が可能
な液晶装置を、基板３と基板４の２枚の基板から成る１つの液晶パネル２を用いて形成で
きる。その結果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表面と裏面とで両面表示を行う
液晶装置に比べて、液晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。
【００７３】
なお、本実施形態では、図４に示すように、第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とを
互いに異なる大きさに形成している。具体的には、個々の第１サブ画素Ｄ１の面積を個々
の第２サブ画素の面積より大きく形成している。一般に、両面表示を行う液晶装置では、
一方の表示面で主となる表示を行い、他方の表示面で副次的な表示を行っている。この場
合、副次的な表示に比べて主となる表示の精細度を高くすることが望ましいと考えられる
。本実施形態に係る液晶装置では、個々の第１サブ画素Ｄ１の面積を個々の第２サブ画素
の面積より大きく形成しているので、基板４の表面であって副次的な表示を行う第２表示
面Ｓ２における表示の精細度に比べて、基板３の表面であって主となる表示を行う第１表
示面Ｓ１における表示の精細度を高くすることができる。
【００７４】
また、本実施形態では、図１に示すように、行方向Ｘ（すなわち、図１の左右方向）に
関して、第１サブ画素Ｄ１同士を互いに隣接して配列し、第２サブ画素Ｄ２同士も互いに
隣接して配列している。そして列方向Ｙ（すなわち、図１の上下方向）に関しては、第１
サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とを交互に配列している。これにより、第１サブ画素Ｄ
１及び第２サブ画素Ｄ２を、図２の表示領域Ｖ１及び表示領域Ｖ２の平面領域内に効率良
く配列できる。その結果、表示領域Ｖ１及び表示領域Ｖ２が平面内で片寄ることがなくな
るので、それらの表示領域Ｖ１及びＶ２を広く形成できる。
【００７５】
（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の他の実施形態を説明する。図７は、本実施形態の液晶装
置５１の平面構造を示している。また、図８は、図７のＺ６−Ｚ６線に従った断面構造を
示している。また、図９は、図８の矢印Ｚ７で示す部分を拡大して示している。また、図
１０及び図１１は、図７において矢印Ｚ８で示す部分を拡大して示している。なお、図１
０は、図９の矢印Ａ方向から、主に基板５４の平面構造を示している。また、図１１は、
図９の矢印Ｂ方向から、主に基板５３の平面構造を示している。
【００７６】
この実施形態に係る図７の液晶装置５１の構成は、シール材６によって囲まれた内側の
領域における第１サブ画素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２の配列を除いて、図１に示した液晶
装置１と略同じである。以下、主に第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２の配列に関する
内容を中心に液晶装置５１について説明する。なお、図７に示す本実施形態は図１に示し
た先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示すこと
にして、その説明は省略する。
【００７７】
図８において、液晶装置５１は、液晶パネル５２と、その液晶パネル５２に接続された
配線基板（図示せず）を有している。この液晶装置５１に関しては、矢印Ａが描かれた側
が主たる表示が行われる主観察側であり、矢印Ｂが描かれた側が副次的な表示が行われる
副観察側である。すなわち、本実施形態の液晶装置５１は、矢印Ａ側と矢印Ｂ側の両面に
おいて表示を行う両面表示型の液晶パネル５２から成る液晶装置である。
【００７８】
液晶パネル５２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって
互いに貼り合わされた一対の基板５３及び５４を有する。基板５３は矢印Ａが描かれた主
観察側に配置され、その基板５３の外側の表面に第１の表示面Ｓ１が形成される。他方、
基板５４は矢印Ｂが描かれた副観察側に配置され、その基板５４の外側に第２の表示面Ｓ
２が形成される。
【００７９】
液晶パネル５２には、図７に示すように、複数の第１サブ画素領域Ｄ１と複数の第２サ
ブ画素領域Ｄ２とが設けられている。第１サブ画素Ｄ１及び第２サブ画素Ｄ２は、複数個
が互いに平面的に並んで設けられている。第１サブ画素Ｄ１は、図７において斜線で示さ
れた領域である。
【００８０】
本実施形態の液晶装置５１は、図１の液晶装置１に対して、第１サブ画素Ｄ１と第２サ
ブ画素Ｄ２の配列が異なっている。具体的には、第２方向としての列方向Ｙ（すなわち、
図７の上下方向）に関しては、第１サブ画素Ｄ１同士が互いに隣接して配列されている。
また、第２サブ画素Ｄ２同士も互いに隣接して配列されている。他方、第１方向としての
行方向Ｘ（すなわち、図７の左右方向）に関しては、第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ
２とが交互に配列されている。つまり、列方向Ｙに沿って配列された複数の第１サブ画素
Ｄ１の列と、同じく列方向Ｙに沿って配列された複数の第２サブ画素Ｄ２の列とが、行方
向Ｘに沿って交互に配置されている。
【００８１】
図９において、第１サブ画素Ｄ１内における液晶パネル５２の内部の層構造は、図３に
示す液晶パネル２における第１サブ画素Ｄ１内の構造と同じである。具体的には、図９に
示すように、第２透光性基板４ａの内側表面に、ソース線９Ａが列方向Ｙ（すなわち、図
９の紙面垂直方向）に延びている。また、ゲート線１０Ａが行方向Ｘ（すなわち、図９の
左右方向）に延びている。そして、ＴＦＴ素子１１Ａがソース線９Ａ及びゲート線１０Ａ
に接続して形成されている。本実施形態の液晶装置５１に用いられるＴＦＴ素子１１Ａは
、図１０のＺ９−Ｚ９線に従った断面の構造が図６に示す先の実施形態におけるＴＦＴ素
子１１Ａと同じであり、その詳細な説明は省略する。
【００８２】
それらのＴＦＴ素子１１Ａ、ソース線９Ａ及びゲート線１０Ａの上に、それらを覆う保
護膜１２Ａが形成され、その上に絶縁膜としての凹凸樹脂膜１３Ａが形成され、その上に
光反射膜１４Ａが形成され、その上に透光性の電極である画素電極１５Ａが形成され、そ
の上に配向膜１６ｂが形成されている。
【００８３】
光反射膜１４Ａ及び画素電極１５Ａは、図７において、基板５４上に行方向Ｘ及び列方
向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜１４Ａ及び画素電極１５
Ａは、矢印Ｚ８で示す部分を拡大した図１０にも示すように、各ソース線９Ａと各ゲート
線１０Ａとが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子１１Ａに接続され
ている。また、図９において、保護膜１２Ａ及び凹凸樹脂膜１３Ａには、画素電極１５Ａ
とＴＦＴ素子１１Ａとを電気的に接続するための開口部として貫通穴であるコンタクトホ
ール１７Ａが形成されている。このコンタクトホール１７Ａは、矢印Ａ方向から平面的に
見てＴＦＴ素子１１Ａの素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極１５Ａと重な
る位置に形成される。
【００８４】
次に、図９において、第１サブ画素Ｄ１内の基板５４に対向する第１透光性基板３ａの
内側表面には、カラーフィルタを構成する着色膜３１Ａが形成され、その着色膜３１Ａの
上にオーバーコート膜３２Ａが形成され、その上に透光性の電極である帯状電極３３Ａが
形成され、その上に配向膜１６ａが形成されている。
【００８５】
本実施形態において帯状電極３３Ａは、図１０に示すように、列方向Ｙ（図１０の上下
方向）に延びている。そして、複数の帯状電極３３Ａが行方向Ｘ（図１０の左右方向）に
所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。基板５４上において列方向Ｙに並ぶ複数
のドット状の画素電極１５Ａと、基板５３上において列方向Ｙへ延びる帯状電極３３Ａと
は、平面的に重なっている。このように両電極が重なることにより、表示のための最小単
位である第１サブ画素Ｄ１が構成されている。そして、図８において、複数の第１サブ画
素Ｄ１が平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、基板５３の外
側（矢印Ａが描かれた側）に第１表示領域Ｖ１が形成され、この第１表示領域Ｖ１内に文
字、数字、図形等の像が表示される。
【００８６】
次に、図９において、第２サブ画素Ｄ２内における液晶パネル５２の内部の層構造は、
図３に示す液晶パネル２における第２サブ画素Ｄ２内の構造と同じである。具体的には、
図９に示すように、第１透光性基板３ａの内側表面にソース線９Ｂが列方向Ｙ（すなわち
、図９の紙面垂直方向）に延びている。また、ゲート線１０Ｂが行方向Ｘ（すなわち、図
９の左右方向）に延びている。そして、ＴＦＴ素子１１Ｂがソース線９Ｂ及びゲート線１
０Ｂに接続して形成されている。ＴＦＴ素子１１Ｂは、図１１におけるＺ１０−Ｚ１０線
に従った断面の構造が図６に示すＴＦＴ素子１１Ａと同じであり、その詳細な説明は省略
する。
【００８７】
ＴＦＴ素子１１Ｂ、ソース線９Ｂ及びゲート線１０Ｂの上には、それらを覆う保護膜１
２Ｂが形成され、その上に絶縁膜としての凹凸樹脂膜１３Ｂが形成され、その上に光反射
膜１４Ｂが形成され、その上に透光性の電極である画素電極１５Ｂが形成され、その上に
配向膜１６ａが形成されている。
【００８８】
光反射膜１４Ｂ及び画素電極１５Ｂは、図７において、基板５３上に行方向Ｘ及び列方
向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜１４Ｂ及び画素電極１５
Ｂは、矢印Ｚ８で示す部分を拡大した図１１にも示すように、各ソース線９Ｂと各ゲート
線１０Ｂとが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子１１Ｂに接続され
ている。また、図９において、保護膜１２Ｂ及び凹凸樹脂膜１３Ｂには、画素電極１５Ｂ
とＴＦＴ素子１１Ｂとを電気的に接続するためのコンタクトホール１７Ｂが形成されてい
る。このコンタクトホール１７Ｂは、矢印Ｂ方向から平面的に見てＴＦＴ素子１１Ｂの素
子本体部分に重ならない位置であって、画素電極１５Ｂと重なる位置に形成される。
【００８９】
次に、第２サブ画素Ｄ２内であって、基板５３に対向する第２透光性基板４ａの内側表
面には、着色膜３１Ｂが形成され、その着色膜３１Ｂの上にオーバーコート膜３２Ｂが形
成され、その上に透光性の電極である帯状電極３３Ｂが形成され、その上に配向膜１６ｂ
が形成されている。
【００９０】
本実施形態において、帯状電極３３Ｂは、図１１に示すように、列方向Ｙ（図１１の上
下方向）に延びている。そして、複数の帯状電極３３Ｂが行方向Ｘ（図１１の左右方向）
に所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。基板５３上において列方向Ｙに並ぶ複
数のドット状の画素電極１５Ｂと、基板５４上において列方向Ｙへ延びる帯状電極３３Ｂ
とは、平面的に重なっている。このように両電極が重なることにより、表示のための最小
単位である第２サブ画素Ｄ２が構成されている。そして、図８において、複数の第２サブ
画素Ｄ２が平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、基板５４の
外側（矢印Ｂが描かれた側）に第２表示領域Ｖ２が形成され、この第２表示領域Ｖ２内に
文字、数字、図形等の像が表示される。
【００９１】
本実施形態に係る図７の液晶装置５１においても、図８の液晶パネル５２において、矢
印Ａが描かれた主観察側と矢印Ｂが描かれた副観察側の両側で表示を行うことができる。
この液晶装置５１では、複数の第１サブ画素Ｄ１を用いて基板５３の表面に像を形成し、
複数の第２サブ画素Ｄ２を用いて基板５４の表面に像を形成するので、両面表示が可能な
液晶装置を、基板５３と基板５４の２枚の基板から成る１つの液晶パネル５２を用いて形
成できる。その結果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表裏両面の表示を行う液晶
装置に比べて、液晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。
【００９２】
なお、本実施形態においても、図１０に示すように、第１サブ画素Ｄ１と第２サブ画素
Ｄ２とを互いに異なる大きさに形成している。具体的には、個々の第１サブ画素Ｄ１の面
積を個々の第２サブ画素の面積より大きく形成している。これにより、基板５４の表面で
あって副次的な表示を行う第２表示面Ｓ２における表示の精細度に比べて、基板５３の表
面であって主となる表示を行う第１表示面Ｓ１における表示の精細度を高くすることがで
きる。
【００９３】
また、本実施形態では、図７に示すように、列方向Ｙ（すなわち、図７の上下方向）に
関して、第１サブ画素Ｄ１同士を互いに隣接して配列し、第２サブ画素Ｄ２同士も互いに
隣接して配列している。そして行方向Ｘ（すなわち、図７の左右方向）に関しては、第１
サブ画素Ｄ１と第２サブ画素Ｄ２とを交互に配列している。これにより、第１サブ画素Ｄ
１及び第２サブ画素Ｄ２を、図８の表示領域Ｖ１及び表示領域Ｖ２の平面領域内に効率良
く配列できる。その結果、表示領域Ｖ１及び表示領域Ｖ２が平面内で片寄ることがなくな
るので、それらの表示領域Ｖ１及びＶ２を広く形成できる。
【００９４】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定さ
れるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子
であるＴＦＴ素子であってチャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコ
ンＴＦＴ素子を用いる液晶装置に本発明を適用した。しかしながら本発明は、他の構造の
アモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶装置にも適用できる。また、本発明は、ア
モルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や
、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス
方式の液晶装置にも適用できる。
【００９５】
また、本発明は、スイッチング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（
Thin Film Diode）素子を用いる液晶装置にも適用できる。
【００９６】
また、上記の各実施形態では、図３及び図９に示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色の着色膜
３１Ａ又はＲ，Ｇ，Ｂの３色の着色膜３１Ｂを用いてフルカラー表示を行うことができる
液晶装置に本発明を適用した。しかしながら、本発明は、１色の着色膜を用いてモノカラ
ー表示を行う液晶装置に適用することもできる。また、着色膜を用いていない構成であっ
て白黒表示を行う液晶装置に適用することもできる。
【００９７】
また、上記の各実施形態では、スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の
液晶装置に本発明を適用した。しかしながら、本発明は、スイッチング素子を用いない構
成であるパッシブマトリクス方式の液晶装置に適用することもできる。
【００９８】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発
明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００９９】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施形態をブロック図で示している。また、図１
３は、図１２のブロック図で示す電子機器の一例である折り畳み式携帯電話機を示してい
る。図１２に示す電子機器は、液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有
する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１
０７及びタイミングジェネレータ１０８を有する。そして、液晶装置１０１は液晶パネル
１０３、第１駆動回路１０４Ａ及び第２駆動回路１０４Ｂを有する。
【０１００】
表示情報出力源１０５は、ＲＯＭ(Read Only Memory)やＲＡＭ(Random Access Memory)
等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信
号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各
種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情
報処理回路１０６に供給する。
【０１０１】
次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ
補正回路や、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を
実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４Ａ又は１０４Ｂへ供給す
る。ここで、駆動回路１０４Ａ及び１０４Ｂは、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共
に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所
定の電源電圧を供給する。
【０１０２】
図１２のブロック図に示した電子機器は、例えば、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示
した折り畳み式の携帯電話機１１０として構成される。この携帯電話機１１０では、液晶
パネル１０１を備えた表示体１１２がヒンジ部１１４を介して操作本体１１３に開閉可能
に連結されている。液晶パネル１０１は表と裏の両面で表示を行うことができる液晶パネ
ルである。液晶パネル１０１は、表示体１１２を開いたときに、主の表示を行うメイン表
示部１１５として動作する。一方、表示体１１２を操作本体１１３に折り重ねたときには
、副次的な表示を行うサブ表示部１１６として動作する。
【０１０３】
ここで、メイン表示部１１５及びサブ表示部１１６のいずれで表示を行うかは、携帯電
話機１１０の折り畳み操作で切替えられる。このため、図１２に示すように、この電子機
器には、携帯電話機１１０の折り畳み操作を検出する開閉検出回路１０９が含まれる。こ
の開閉検出回路１０９はその検出結果を液晶装置１０１に出力するようになっている。
【０１０４】
図１２の液晶装置１０１は、例えば、図１に示した液晶装置１又は図７に示した液晶装
置５１を用いて構成できる。液晶装置１，５１においては、複数の第１サブ画素Ｄ１を用
いて基板３の表面に像を形成し、複数の第２サブ画素Ｄ２を用いて基板４の表面に像を形
成できるので、基板３と基板４の２枚の基板から成る１つの液晶パネル２で両面表示を行
うことができる。その結果、従来のように２つの液晶パネルを用いて表裏両面の表示を行
う液晶装置に比べて、液晶装置の全体の厚さを薄く形成できる。従って、この液晶装置を
用いた図１３（ａ）及び図１３（ｂ）の携帯電話機１１０もその全体の厚さを薄く形成で
きる。
【０１０５】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュ
ータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１のＺ１−Ｚ１線に従う断面図である。
【図３】図２の矢印Ｚ２で示す部分を拡大して示す断面図である。
【図４】図３の矢印Ａ方向から図１の矢印Ｚ３で示す部分を拡大して示す平面図である。
【図５】図３の矢印Ｂ方向から図１の矢印Ｚ３で示す部分を拡大して示す平面図である。
【図６】図４のＺ４−Ｚ４線に従う断面図である。
【図７】本発明に係る液晶装置の他の実施形態を示す平面図である。
【図８】図７のＺ６−Ｚ６線に従う断面図である。
【図９】図８の矢印Ｚ７で示す部分を拡大して示す断面図である。
【図１０】図９の矢印Ａ方向から図７の矢印Ｚ８で示す部分を拡大して示す平面図である。
【図１１】図９の矢印Ｂ方向から図７の矢印Ｚ８で示す部分を拡大して示す平面図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１３】図１２に示す電子機器の外観を示す図であって、（ａ）は閉じた状態を示し、（ｂ）は開いた状態を示している。
【符号の説明】
【０１０７】
１，５１．液晶装置、  ２，５２．液晶パネル、  ３，５３．基板、  
３ａ．第１透光性基板（第１基板）、  ４，５４．基板、  
４ａ．第２透光性基板（第２基板）、  ６．シール材、  ７．液晶層、
８ａ，８ｂ．偏光板、  ９Ａ，９Ｂ．ソース線、  １０Ａ，１０Ｂ．ゲート線、
１１Ａ，１１Ｂ．ＴＦＴ素子、  １２Ａ，１２Ｂ．保護膜、  
１３Ａ，１３Ｂ．凹凸樹脂膜、  １４Ａ，１４Ｂ．光反射膜、
１５Ａ，１５Ｂ．画素電極（透光性の電極）、  １６ａ，１６ｂ．配向膜、
１７Ａ，１７Ｂ．コンタクトホール、  ２１．ゲート電極、  ２１ａ．第１電極、
２２．ゲート絶縁膜、  ２３．半導体膜、  ２４ａ，２４ｂ．Ｎ＋−Ｓｉ膜、
２５．ソース電極、  ２６．ドレイン電極、  ２７．補助容量、
３１Ａ，３１Ｂ．着色膜、  ３２Ａ，３２Ｂ．オーバーコート膜、  
３３Ａ，３３Ｂ．帯状電極（透光性の電極）、  ３５Ａ，３５Ｂ．張出し部、
３６Ａ，３６Ｂ．配線、  ３７Ａ，３７Ｂ．外部接続用端子、  
３８Ａ，３８Ｂ．ＡＣＦ、  ３９Ａ，３９Ｂ．駆動用ＩＣ、  １０１．液晶装置、  
１０２．制御回路、  １０３．液晶パネル、  １０４Ａ．第１駆動回路、
１０４Ｂ．第２駆動回路、  １１０．携帯電話機（電子機器）、  １１１．本体部、
１１２．表示体、  １１３．操作本体、  １１４．ヒンジ部、  １１５．メイン表示部、
１１６．サブ表示部、  Ｄ１．第１サブ画素、  Ｄ２．第２サブ画素、
Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０，Ｌ１．光、  Ｓ１．主表示面、  Ｓ２．副表示面、
Ｖ．有効表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2007327995.tif 000014
【図１３】
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