(57)【要約】【課題】耐酸化性を向上でき、信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、空洞１５中に設けられＣｕを主成分とする配線層２２−１と、前記配線層と電気的に接続されて所定の構成元素を含む層間絶縁膜１７中に設けられＣｕを主成分とするビア層２３−１とを備えた空中配線Ｗ１と、前記空中配線上に設けられたポーラス膜１１−２と、前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、前記所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜（ＭｎｘＳｉｙＯｚ膜）２５−１とを具備する。【選択図】      図１
2007048974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞中に設けられＣｕを主成分とする配線層と、前記配線層と電気的に接続されて所定の構成元素を含む層間絶縁膜中に設けられＣｕを主成分とするビア層とを備えた空中配線と、
前記空中配線上に設けられたポーラス膜と、
前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、前記所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜とを具備すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
空洞中に設けられＣｕを主成分とする配線層と、前記配線層と電気的に接続されて前記空洞中に設けられＣｕを主成分とするビア層とを備えた空中配線と、
前記空中配線上に設けられたポーラス膜と、
前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜とを具備すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記層間絶縁膜上に設けられたエッチングストッパ膜を更に具備すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記所定の金属元素は、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ｙ、Ｔｃ、およびＲｅからなる群から選択された少なくとも１つの元素を含み、
前記所定の構成元素は、Ｓｉ、Ｃ、及びＦからなる群から選択された少なくとも１つの元素とＯとを含み、
前記バリア膜は、αｘＯｙ、αｘＳｉｙＯｚ、αｘＣｙＯｚ、およびαｘＦｙＯｚからなる群から選択された材料を主成分とし、ここで、αは前記所定の金属元素を表すこと
を特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
少なくともＳｉを含む絶縁膜中に配線用の溝を形成する工程と、
前記溝中に、所定の金属元素を含みＣｕを主成分とする合金膜を埋め込む工程と、
前記合金膜上および前記絶縁膜上に、少なくともＳｉを含むポーラス膜を形成する工程と、
前記ポーラス膜越しに少なくともＯ２ガスを含んだエッチングを熱処理と共に行い、前記絶縁膜を除去して空洞を形成すると同時に、前記合金膜の表面上に前記所定の金属元素とＳｉ元素と前記Ｏ２ガスからのＯ元素との化合物を主成分とするバリア膜を自己整合的に形成する工程とを具備すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えば、空洞（エアギャップ：Air Gap）構造を用いた多層配線等に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、空洞（エアギャップ：Air Gap）構造を用いた多層配線が提案されている（例えば、特許文献１参照）。空洞構造とは、隣接する配線間を絶縁する物質がシリコン酸化膜等に代表される固体材料ではなく、空気等の気体材料である構造である。
【０００３】
この空洞構造を用いた多層配線の従来の一般的な製造方法は、以下のようなものである。
【０００４】
まず、絶縁膜中に一旦、配線構造を形成する。ここで、この絶縁膜の材料としてはカーボン膜、レジストなどが一般的である。また、Ｃｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム）等の金属を主成分とする配線層の形成に先立って、Ｔａ（タンタル）やＴａＮ（窒化タンタル）などのメタル材料によって、拡散防止のバリア膜を形成することが通常である。
【０００５】
続いて、形成した配線構造上に、ポーラス膜を堆積する。
【０００６】
続いて、そのポーラス膜越しに、Ｏ２（酸素）ガスをエッチングガスとして用いて、配線間の絶縁膜をエッチング除去し、空洞（エアギャップ：Air Gap）を形成する。
【０００７】
しかし、このエッチング工程の際には、Ｏ２ガス等の酸化ガスを用いるため、バリア膜が酸化・腐食し、さらには配線も酸化・腐食するという問題がある。これは、バリア膜および配線が、メタル材料により形成されているため、耐酸化性がほとんどなく、Ｏ２ガス等の酸化ガスにより容易に酸化・腐食されるからである。特に、Ｃｕを主成分として配線構造を形成した場合には、Ｃｕ自体は耐酸化性がないため、その問題がより顕著となる。
【０００８】
その結果、抵抗上昇、および配線とバリア膜との密着性劣化が生じ、配線の信頼性が低下するという問題がある。
【０００９】
上記のように、従来の半導体装置およびその製造方法では、耐酸化性が低いため、信頼性が低いという問題があった。
【特許文献１】特開平９−２３７８３１号公報  明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この発明は、耐酸化性を向上でき、信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明の一態様によれば、空洞中に設けられＣｕを主成分とする配線層と、前記配線層と電気的に接続されて所定の構成元素を含む層間絶縁膜中に設けられＣｕを主成分とするビア層とを備えた空中配線と、前記空中配線上に設けられたポーラス膜と、前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、前記所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜とを具備する半導体装置を提供できる。
【００１２】
この発明の一態様によれば、空洞中に設けられＣｕを主成分とする配線層と、前記配線層と電気的に接続されて前記空洞中に設けられＣｕを主成分とするビア層とを備えた空中配線と、前記空中配線上に設けられたポーラス膜と、前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜とを具備する半導体装置を提供できる。
【００１３】
この発明の一態様によれば、少なくともＳｉを含む絶縁膜中に配線用の溝を形成する工程と、前記溝中に、所定の金属元素を含みＣｕを主成分とする合金膜を埋め込む工程と、前記合金膜上および前記絶縁膜上に、少なくともＳｉを含むポーラス膜を形成する工程と、前記ポーラス膜越しに少なくともＯ２ガスを含んだエッチングを熱処理と共に行い、前記絶縁膜を除去して空洞を形成すると同時に、前記合金膜の表面上に前記所定の金属元素とＳｉ元素と前記Ｏ２ガスからのＯ元素との化合物を主成分とするバリア膜を自己整合的に形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、耐酸化性を向上でき、信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１６】
[第１の実施形態]
以下、図１および図２を用いて、この発明の第１の実施形態に係る半導体装置を説明する。図１は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【００１７】
図示するように、層間絶縁膜１７中または空洞（エアギャップ：Air Gap）１５中に、空中配線Ｗ１、Ｗ２が設けられている。尚、この配線Ｗ１、Ｗ２は、実際にはシリコン基板等の半導体基板上に同様の構造が積層された多層配線である。しかし、この説明においては、その一部を抽出して説明し、その他の図示および説明を省略する。
【００１８】
空中配線Ｗ１は、空洞１５中に設けられＣｕを主成分（即ち、５０％以上）とする配線層２２−１と、前記配線層２２−１と電気的に接続されて層間絶縁膜１７中に設けられＣｕを主成分とするビア層２３−１とを備えている。
【００１９】
空中配線Ｗ２は、空洞１５中に設けられＣｕを主成分（即ち、５０％以上）とする配線層２２−２を備えている。尚、この断面において、空中配線Ｗ２のビア層は図示されていない。
【００２０】
空中配線Ｗ１、Ｗ２上にポーラス膜１１−２が設けられている。ポーラス膜１１−２は、具体的には、例えば、ポーラスＳｉ膜等により形成されている。
【００２１】
層間絶縁膜１７は、低誘電率の層間絶縁膜（いわゆるlow-k膜）の一つであるＳｉＯＣ膜等により形成されている。
【００２２】
空中配線Ｗ１の底近傍にポーラス膜１１−１が設けられている。ポーラス膜１１−１は、具体的には、例えば、ポーラスＳｉ膜等により形成されている。
【００２３】
空中配線Ｗ１、Ｗ２の表面上を覆うようにバリア膜２５−１、２５−２が設けられている。このバリア膜２５−１、２５−２は、所定の構成元素（例えば、Ｓｉ、Ｏ等）と所定の金属元素α（例えば、Ｍｎ等）との化合物を主成分とし、自己整合的に形成されており、本例では、ＭｎｘＳｉｙＯｚ（マンガンシリコンオキサイド）膜により形成されている。このＭｎｘＳｉｙＯｚ膜の組成は、より具体的にはＭｎｘＳｉｙＯｚのｘ：ｙ：ｚとして、１：１：３乃至１：３：５、等と表される。また、このバリア膜２５−１、２５−２は、配線層２２−１、２２−２中、ビア層２３−１中のＣｕ（銅）の拡散を防止するためのバリアとしても働く。
【００２４】
ここで、図２を用いて、バリア膜２５−１、２５−２についてより詳しく説明する。図２は、空中配線Ｗ１のバリア膜２５−１の近傍２０の断面ＴＥＭ像の顕微鏡写真を示す図である。この説明において、バリア膜２５−１を例に挙げて説明する。
【００２５】
図示すように、バリア膜２５−１は、薄膜で且つ均一なＭｎｘＳｉｙＯｚ膜であり、その膜厚Ｄ１は、２ｎｍ〜３ｎｍ程度である。
【００２６】
尚、この所定の金属元素αは、この実施形態のようにＭｎに限らず、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ｙ、Ｔｃ、及びＲｅからなる群から選択された少なくとも１つの元素でも良い。これらの金属元素αは、Ｃｕが含まれる層中において拡散速度がＣｕよりも早く、Ｃｕよりも酸素と反応しやすく熱的に安定した酸化物を形成できる金属元素である。
【００２７】
所定の構成元素は、Ｓｉ、Ｃ、及びＦからなる群から選択された少なくとも１つの元素とＯとを具備することができる。具体的な材料として、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘＣｙ、ＳｉＯｘＣｙＨｚ、ＳｉＯｘＦｙ等、を挙げることができる。
【００２８】
また、バリア膜２５−１は、αｘＯｙ、αｘＳｉｙＯｚ、αｘＣｙＯｚ、及びαｘＦｙＯｚからなる群から選択された材料を主成分とすることができる。ここで、αは上述の所定の金属元素αを表す。
【００２９】
このように、このバリア膜（ＭｎｘＳｉｙＯｚ膜）２５−１は、酸化物であるため、これ以上酸化することもない。そのため、空中配線Ｗ１、Ｗ２の耐酸化性を向上でき、空中配線Ｗ１、Ｗ２を酸化から保護できる。
【００３０】
さらに、酸化しない上に連続した緻密な反応生成膜になっているので水分を透過させることもない。そのため、配線層Ｗ１、Ｗ２の耐水性を向上できる。
【００３１】
＜製造方法＞
次に、図１および図２に示した半導体装置を例に挙げて、図３乃至図５を用いて説明する。尚、この説明においては、素子分離やＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等の製造工程の図示は省略する。
【００３２】
まず、半導体基板上に周知の製造方法を用いて、ＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成する。続いて、素子構造上を覆うように、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いてＳｉＯＣ等を堆積し、層間絶縁膜を形成する（図示せず）。
【００３３】
続いて、図３に示すように、層間絶縁膜上に、例えば、ＣＶＤ法を用いてその組成に少なくともＳｉ（シリコン）を含んだポーラスＳｉ膜を堆積し、ポーラス膜１１−１を形成する。その後、ポーラス膜１１−１上に、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ膜等を堆積し、層間絶縁膜１７を形成する。さらに、層間絶縁膜１７上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いてＳｉＣ膜やＳｉＣＮ膜等を堆積し、エッチングストッパ膜１２を形成する。
【００３４】
続いて、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、Ｓｉ系レジスト膜を堆積し、絶縁膜３０を形成する。ここで、絶縁膜３０は、上記Ｓｉ系レジスト膜に限らず、少なくともＯ２を含むガス系でのエッチングによって除去でき、かつその組成に少なくともＳｉを有する材料を適用することが可能である。例えば、シリル化してＳｉを導入したレジスト膜、シリル化してＳｉを導入したポリアリレンエーテル膜、またはレジスト膜やポリアリレンエーテル膜の配線用溝に面する部分をＳｉ含有絶縁膜薄膜で覆った（Sealing)膜等を用いることが可能である。
【００３５】
続いて、絶縁膜３０上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに露光および現像を行って、ビア層２３−１に対応する絶縁膜３０の表面上が露出するようにパターニングする。さらに、そのパターニングされたフォトレジストをマスクとして、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等の異方性エッチングをエッチングストッパ膜１２表面上まで行う（図示せず）。
【００３６】
続いて、上記フォトレジストをアッシャー等により除去した後、絶縁膜３０上にフォトレジストを更に塗布し、このフォトレジストに露光および現像を行って、配線層２２−１、２２−２に対応する絶縁膜３０の表面上が露出するようにパターニングする。さらに、そのパターニングされたフォトレジストをマスクとして、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを層間絶縁膜１７表面上まで行い、配線用の溝３１、３２を形成する。
【００３７】
続いて、上記配線用の溝３１、３２内壁上に沿って、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法あるいはＣＶＤ法等を用いて、ＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２を形成する。その後、ＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２上に、例えば、めっき法を用いて、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２を形成する。さらに、このＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２、３５−１、３５−２を絶縁膜３０表面上までＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて平坦化する。その後、平坦化されたＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２、３５−１、３５−２上、および絶縁膜３０上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いてポーラスＳｉ膜等を堆積し、ポーラス絶縁膜１１−２を形成する。ここで、ポーラス膜１１−２は、その組成に少なくともＳｉを含むことが必要である。
【００３８】
続いて、図５に示すように、上記ポーラス膜１１−２越しに、Ｏ２を含むガス３６系でエッチングを行い、配線間の絶縁膜３０を除去して、空洞（エアギャップ：Air Gap）１５を形成する。
【００３９】
ここで、このエッチング工程の際には、３０ｍｉｎ〜６０ｍｉｎ間、基板温度を２００℃〜６００℃の温度とする熱処理を同時に行う。この熱処理により、ＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２、３５−１、３５−２中のＭｎ元素を拡散させ、絶縁膜３０中、層間絶縁膜１７中、およびポーラス膜１１−１、１１−２中のＳｉ元素とエッチングガス３６中のＯ元素とを反応させて、その表面上を覆うように自己整合的に極薄膜（２ｎｍ〜３ｎｍ）で均一なＭｎｘＳｉｙＯｚ膜（バリア膜）２５−１、２５−２を自己整合的に形成する。
【００４０】
尚、この熱処理工程の反応条件やＭｎ元素の濃度を選択することによって、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２中のＭｎ元素のほとんど全てを析出することも可能である。この場合には、配線層２２−１、２２−２、ビア層２３−１を、純Ｃｕにより形成することも可能である。
【００４１】
さらに、上記のような製造プロセスを複数回繰り返すことにより、所望の層数の空洞構造を持つ多層配線構造を形成することができる。以上の製造方法により、図１および図２に示す半導体装置を製造する。
【００４２】
上記のように、この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、下記（１）乃至（５）の効果が得られる。
【００４３】
（１）空中配線Ｗ１、Ｗ２の耐酸化性を向上でき、空中配線Ｗ１、Ｗ２の酸化・腐食を防止でき、信頼性を向上できる。
【００４４】
バリア膜（ＭｎｘＳｉｙＯｚ膜）２５−１、２５−２は、酸化物であるため、これ以上酸化することがない。そのため、エッチング工程の際のエッチングガス３６中の酸化ガスによりバリア膜２５−１、２５−２が酸化・腐食されることを防止し、その内部の配線層２２−１、２２−２およびビア層２３−１が酸化・腐食されることを防止することができる。
【００４５】
また、一旦、空中配線Ｗ１、Ｗ２を形成した後においても、バリア膜２５−１、２５−２が、ＬＳＩ動作時の酸化性雰囲気に発生する酸化ガス等の侵入を防止できるため、空中配線Ｗ１、Ｗ２の酸化・腐食を防止することができる。
【００４６】
そのため、空中配線Ｗ１、Ｗ２の信頼性を向上できる。
【００４７】
（２）空中配線Ｗ１、Ｗ２の耐水性を向上できる。
【００４８】
バリア膜２５−１、２５−２は、連続した緻密な反応生成膜になっているので、水分を透過させることがない。特に、層間絶縁膜１７は、低誘電率の層間絶縁膜（いわゆるlow-k膜）の一つであるＳｉＯＣ膜等により形成されているが、この低誘電率のＳｉＯＣ膜は、一般的に水分を多く含み易いという性質に加えて水分を透過しやすいという性質がある。しかし、ビア層２３−１表面上には、バリア膜２５−１が設けられているため、水分の侵入を防止することができる。
【００４９】
そのため、空中配線Ｗ１、Ｗ２の耐水性を向上できる。
【００５０】
（３）空中配線Ｗ１、Ｗ２の機械的強度が高い。
【００５１】
配線層２２−１、２２−２間のみに空洞（エアギャップ：Air Gap）１５が設けられ、ビア層２３−１間には固体である層間絶縁膜１７が充填されている。そのため、空中配線Ｗ１、Ｗ２のクラック等を防止でき、機械的強度が高い点で有利である。
【００５２】
（４）配線間の容量値を低減でき、空中配線Ｗ１、Ｗ２の遅延時間を低減できる。
【００５３】
配線層２２−１、２２−２は、空洞１５中に設けられている。空洞１５には、例えば、空気等の気体が充填されおり、空気の比誘電率は、絶縁材料等の固体材料の比誘電率よりも低く、１．０程度である。そして、配線間の容量値は、配線間の比誘電率の増加に伴って増大することが知られている。
【００５４】
そのため、空洞１５中の配線層２２−１、２２−２の容量値を低減でき、空中配線Ｗ１、Ｗ２の遅延時間を低減できる点で有利である。
【００５５】
（５）製造コストの低減に有利である。
【００５６】
上記のように、エッチング工程と熱処理工程とは同時に行われ、エッチング工程の際のエッチングガス３６により、絶縁膜３０を除去して空洞１５を形成すると同時に、バリア膜２５−１、２５−２形成に必要なＯ元素を供給することができる。そのため、空洞１５およびバリア膜２５−１、２５−２を同時に形成することができる。
【００５７】
よって、製造工程のステップ数を低減して製造工程を簡素化できる点で、製造コストの低減に有利である。
【００５８】
［変形例１（先にバリア膜を形成した後に空洞を形成する例）］
次に、この発明の変形例１に係る半導体装置の製造方法について、図６、図７を用いて説明する。この変形例１に係る半導体装置の製造方法は、先にバリア膜を形成した後に、空洞を形成する場合に関する。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００５９】
この変形例１に係る半導体装置の構成は、図１および図２に示す上記第１の実施形態に係る半導体装置の構成と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
【００６０】
＜製造方法＞
まず、半導体基板上に周知の製造方法を用いて、ＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成する。続いて、素子構造上を覆うように、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ等を堆積し、層間絶縁膜を形成する（図示せず）。
【００６１】
続いて、図６に示すように、上記第１の実施形態と同様の製造方法を用いて、層間絶縁膜上に、順次、ポーラス膜１１−１、層間絶縁膜１７、エッチングストッパ膜１２、絶縁膜３０を形成し、この積層膜中に配線用の溝を形成する。
【００６２】
続いて、上記配線用の溝内壁上に沿って、例えば、ＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法等を用いて、ＣｕＭｎ合金層を形成する。その後、このＣｕＭｎ合金層上に、例えば、めっき法を用いて、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２を形成する。さらに、このＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２を絶縁膜３０表面上までＣＭＰ法を用いて平坦化し、平坦化されたＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２上、絶縁膜３０上に、ポーラス膜１１−２を形成する。
【００６３】
続いて、３０ｍｉｎ〜６０ｍｉｎ間、基板温度を２００℃〜６００℃の温度とする熱処理を行う。この熱処理により、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２中のＭｎ元素を拡散させ、絶縁膜３０中、層間絶縁膜１７中、およびポーラス膜１１−１、１１−２中のＳｉ元素、Ｏ元素とを反応させて、その表面上を覆うように自己整合的に極薄膜（２ｎｍ〜３ｎｍ）で均一なＭｎｘＳｉｙＯｚ膜（バリア膜）２５−１、２５−２を形成する。
【００６４】
尚、この熱処理工程の反応条件やＭｎ元素の濃度を選択することによって、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２中のＭｎ元素のほとんど全てを析出することも可能である。この場合には、配線層２２−１、２２−２、ビア層２３−１を、純Ｃｕにより形成することも可能である。
【００６５】
続いて、図７に示すように、上記ポーラス膜１１−２越しに、Ｏ２を含むガス系でエッチングを行い、配線間の絶縁膜３０を除去して、空洞（エアギャップ：Air Gap）１５を形成する。
【００６６】
さらに、上記のような製造プロセスを複数回繰り返すことにより、所望の層数の空洞構造を持つ多層配線構造を形成することができる。以上の製造方法により、図１および図２に示す半導体装置を製造する。
【００６７】
上記のように、この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、上記（１）乃至（５）と同様の効果が得られる。
【００６８】
さらに、この変形例１に係る半導体装置の製造方法では、熱処理工程により先にバリア膜２５−１、２５−２を形成した後に、エッチング工程により絶縁膜３０を除去して空洞１５を形成する。
【００６９】
このように、バリア膜２５−１、２５−２形成と空洞１５形成との製造工程を別個独立に行うことができる。そのため、それぞれの製造工程で最適なガス条件、温度条件などで処理を行うことができる。結果、バリア膜２５−１、２５−２の膜質をより向上でき、空洞１５中に占める気体の質を向上できる点で有利である。
【００７０】
［第２の実施形態（配線層およびビア層が空洞中に設けられた例）］
次に、この発明の第２の実施形態に係る半導体装置について、図８を用いて説明する。この実施形態に係る半導体装置は、配線層およびビア層が空洞中に設けられた場合に関する。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００７１】
図示するように、エッチングストッパ膜が設けられておらず、空中配線Ｗ３、Ｗ４の配線層２２−１、２２−２およびビア層２３−１が空洞４０中に設けられている点で上記第１の実施形態と相違している。
【００７２】
即ち、空中配線Ｗ３は、空洞４０中に設けられＣｕを主成分とする配線層２２−１と、前記配線層２２−１と電気的に接続されて空洞４０中に設けられＣｕを主成分とするビア層２３−１とを備えている。
【００７３】
空中配線Ｗ４は、空洞４０中に設けられＣｕを主成分とする配線層２２−２を備えている。尚、この断面において、空中配線Ｗ４のビア層は図示されていない。
【００７４】
＜製造方法＞
次に、この実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図８に示した半導体装置を例に挙げて、図９乃至図１１を用いて説明する。尚、この説明においては、素子分離やＭＯＳＦＥＴ等の製造工程の図示は省略する。
【００７５】
まず、半導体基板上に周知の製造方法を用いて、ＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成する。続いて、素子構造上を覆うように、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ等を堆積し、層間絶縁膜を形成する（図示せず）。
【００７６】
続いて、図９に示すように、層間絶縁膜上に、例えば、ＣＶＤ法を用いてその組成に少なくともＳｉを含んだポーラスＳｉ膜を堆積し、ポーラス膜１１−１を形成する。
【００７７】
続いて、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、ポーラス膜１１−１上に、Ｓｉ系レジスト膜を堆積し、絶縁膜３０を形成する。ここで、絶縁膜３０は、上記Ｓｉ系レジスト膜に限らず、少なくともＯ２を含むガス系でのエッチングによって除去でき、かつその組成に少なくともＳｉを有する材料を適用することが可能である。例えば、シリル化してＳｉを導入したレジスト膜、シリル化してＳｉを導入したポリアリレンエーテル膜、またはレジスト膜やポリアリレンエーテル膜の配線用溝に面する部分をＳｉ含有絶縁膜薄膜で覆った（Sealing)膜等を用いることが可能である。
【００７８】
続いて、上記第１の実施形態と実質的に同様の製造方法を用いて、配線用の溝４１、４２を形成する。
【００７９】
続いて、図１０に示すように、上記配線用の溝４１、４２内壁上に沿って、例えば、ＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法等を用いて、ＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２を形成する。その後、ＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２上に、例えば、めっき法を用いて、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２を形成する。さらに、このＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２、３５−１、３５−２を絶縁膜３０表面上までＣＭＰ法を用いて平坦化する。その後、平坦化されたＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２、３５−１、３５−２上および絶縁膜３０上に、例えば、ポーラスＳｉ膜等を堆積し、ポーラス絶縁膜１１−２を形成する。ここで、ポーラス膜１１−２は、その組成に少なくともＳｉを含むことが必要である。
【００８０】
続いて、図１１に示すように、上記ポーラス膜１１−２越しに、Ｏ２を含むガス３６系でエッチングを行い、配線間の絶縁膜３０を除去して、空洞（エアギャップ：Air Gap）４０を形成する。
【００８１】
ここで、このエッチング工程の際には、３０ｍｉｎ〜６０ｍｉｎ間、基板温度を２００℃〜６００℃の温度とする熱処理を同時に行う。この熱処理により、ＣｕＭｎ合金層３３−１、３３−２、３５−１、３５−２中のＭｎ元素を拡散させ、絶縁膜３０中およびポーラス膜１１−１、１１−２中のＳｉ元素とエッチングガス中のＯ元素とを反応させて、その表面上を覆うように自己整合的に極薄膜（２ｎｍ〜３ｎｍ）で均一なＭｎｘＳｉｙＯｚ膜（バリア膜）２５−１、２５−２を形成する。
【００８２】
尚、この熱処理工程の反応条件やＭｎ元素の濃度を選択することによって、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２中のＭｎ元素のほとんど全てを析出することも可能である。この場合には、配線層２２−１、２２−２、ビア層２３−１を、純Ｃｕにより形成することも可能である。
【００８３】
さらに、上記のような製造プロセスを複数回繰り返すことにより、所望の層数の空洞構造を持つ多層配線構造を形成することができる。以上の製造方法により、図８に示す半導体装置を製造する。
【００８４】
上記のように、この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、上記（１）、（２）、（４）、（５）と同様の効果が得られる。
【００８５】
さらに、この実施形態に係る半導体装置によれば、配線層２２−１、２２−２だけでなく、ビア層２３−１も空乏４０中に設けられている。
【００８６】
そのため、配線間の比誘電率をより低減して、容量値を低減でき、空中配線Ｗ１、Ｗ２の遅延時間をより低減できる点で有利である。
【００８７】
尚、本実施形態では、配線間絶縁膜とビア間絶縁膜の間にエッチングストッパ膜（ミドルストッパー膜）を用いていないが、エッチングストッパ膜を用いた構造でも同様の効果が得られる。
【００８８】
［変形例２（先にバリア膜を形成した後に空洞を形成する例）］
次に、この発明の変形例２に係る半導体装置の製造方法について、図１２、図１３を用いて説明する。この変形例２に係る半導体装置の製造方法は、先にバリア膜を形成した後に、空洞を形成する場合に関する。この説明において、上記第２の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００８９】
この変形例２に係る半導体装置の構成は、図８に示す上記第２の実施形態に係る半導体装置の構成と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
【００９０】
＜製造方法＞
まず、半導体基板上に周知の製造方法を用いて、ＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成する。続いて、素子構造上を覆うように、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ等を堆積し、層間絶縁膜を形成する（図示せず）。
【００９１】
続いて、図１２に示すように、上記第２の実施形態と同様の製造方法を用いて、層間絶縁膜上に、順次、ポーラス膜１１−１、絶縁膜３０を形成し、この積層膜中に配線用の溝を形成する。
【００９２】
続いて、上記配線用の溝内壁上に沿って、例えば、ＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法等を用いて、ＣｕＭｎ合金層を形成する。その後、このＣｕＭｎ合金層上に、例えば、めっき法を用いて、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２を形成する。さらに、このＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２を絶縁膜３０表面上までＣＭＰ法を用いて平坦化し、平坦化されたＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２上に、ポーラス膜１１−２を形成する。
【００９３】
続いて、３０ｍｉｎ〜６０ｍｉｎ間、基板温度を２００℃〜６００℃の温度とする熱処理を行う。この熱処理により、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２中のＭｎ元素を拡散させ、絶縁膜３０中およびポーラス膜１１−１、１１−２中のＳｉ元素，Ｏ元素とを反応させて、その表面上を覆うように自己整合的に極薄膜（２ｎｍ〜３ｎｍ）で均一なＭｎｘＳｉｙＯｚ膜（バリア膜）２５−１、２５−２を形成する。
【００９４】
尚、この熱処理工程の反応条件やＭｎ元素の濃度を選択することによって、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２中のＭｎ元素のほとんど全てを析出することも可能である。この場合には、配線層２２−１、２２−２、ビア層２３−１を、純Ｃｕにより形成することも可能である。
【００９５】
続いて、図１３に示すように、上記ポーラス膜１１−２越しに、Ｏ２を含むガス３６系でエッチングを行い、配線間の絶縁膜３０を除去して、空洞（エアギャップ：Air Gap）４０を形成する。
【００９６】
さらに、上記のような製造プロセスを複数回繰り返すことにより、所望の層数の空洞構造を持つ多層配線構造を形成することができる。以上の製造方法により、図８に示す半導体装置を製造する。
【００９７】
上記のように、この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、上記（１）、（２）、（４）、（５）と同様の効果が得られる。
【００９８】
さらに、この変形例２に係る半導体装置の製造方法では、熱処理工程により先にバリア膜２５−１、２５−２を形成し、エッチング工程により空洞４０を形成する。
【００９９】
このように、バリア膜２５−１、２５−２形成と空洞４０形成との製造工程を別個独立に行うことができるため、それぞれの工程で最適なガス条件、温度条件などで処理を行うことができる。そのため、バリア膜２５−１、２５−２の膜質をより向上でき、空洞４０中の気体の質を向上できる点で有利である。
【０１００】
［変形例３］
次に、この発明の変形例３に係る半導体装置の製造方法について、図１４乃至図１６を用いて説明する。この説明において、上記第２の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【０１０１】
この変形例３に係る半導体装置の構成は、図８に示す上記第２の実施形態に係る半導体装置の構成と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
【０１０２】
＜製造方法＞
まず、半導体基板上に周知の製造方法を用いて、ＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成する。続いて、素子構造上を覆うように、例えば、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯＣ等を堆積し、層間絶縁膜を形成する（図示せず）。
【０１０３】
続いて、図１４に示すように、上記第２の実施形態と同様の製造方法を用いて、層間絶縁膜上にポーラス膜１１−１を形成する。
【０１０４】
続いて、ポーラス膜１１−１上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、Ｓｉを含まない絶縁膜５７を形成する。このＳｉを含まない絶縁膜５７は、Ｓｉ非含有のレジスト膜や、ポリアリレンエーテル膜等である。
【０１０５】
続いて、上記第２の実施形態と同様の製造工程を用いて、絶縁膜５７中に配線用の溝４１、４２を形成する。
【０１０６】
続いて、上記配線用の溝４１、４２内壁上に沿って、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、Ｓｉを含む絶縁膜５５−１、５５−２の薄膜を形成する。このＳｉを含む絶縁膜５５−１、５５−２は、例えば、ＳｉＯ２膜、ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＮ膜等である。
【０１０７】
続いて、この絶縁膜５５−１、５５−２上に沿って、例えば、ＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法等を用いて、シード層として働くＣｕＭｎ合金層を形成する（図示せず）。
【０１０８】
続いて、図１５に示すように、上記ＣｕＭｎ合金層上に、例えば、めっき法を用いて、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２を形成する。さらに、このＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２を絶縁膜５７表面上までＣＭＰ法を用いて平坦化し、平坦化されたＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２上に、ポーラス膜１１−２を形成する。尚、シード層として働くＣｕＭｎ合金層は、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２と一体化される場合がある。
【０１０９】
続いて、図１６に示すように、上記ポーラス膜１１−２越しに、Ｏ２を含むガス３６系でエッチングを行い、配線間の絶縁膜５７を除去して、空洞（エアギャップ：Air Gap）４０を形成する。
【０１１０】
ここで、このエッチング工程の際には、３０ｍｉｎ〜６０ｍｉｎ間、基板温度を２００℃〜６００℃の温度とする熱処理を同時に行う。この熱処理により、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２中のＭｎ元素を拡散させ、絶縁膜５５−１、５５−２中およびポーラス膜１１−１、１１−２中のＳｉ元素とエッチングガス中のＯ元素とを反応させて、その表面上を覆うように自己整合的に極薄膜（２ｎｍ〜３ｎｍ）で均一なＭｎｘＳｉｙＯｚ膜（バリア膜）２５−１、２５−２を形成する。
【０１１１】
尚、この熱処理工程の反応条件やＭｎ元素の濃度を選択することによって、ＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２中のＭｎ元素のほとんど全てを析出することも可能である。この場合には、配線層２２−１、２２−２、ビア層２３−１を、純Ｃｕにより形成することも可能である。
【０１１２】
さらに、上記のような製造プロセスを複数回繰り返すことにより、所望の層数の空洞構造を持つ多層配線構造を形成することができる。以上の製造方法により、図８に示す半導体装置を製造する。
【０１１３】
上記のように、この実施形態に係る半導体装置およびその製造方法によれば、上記（１）、（２）、（４）、（５）と同様の効果が得られる。
【０１１４】
さらに、この変形例３に係る半導体装置の製造方法では、溝４１、４２内壁上に沿ってＳｉを含む絶縁膜５５−１、５５−２を形成する。そして、バリア膜２５−１、２５−２形成に必要なＯ元素は、上記エッチング工程の際のエッチングガス３６により供給される。一方、Ｍｎ元素は、上記エッチング工程の同時に行われる熱処理工程の際のＣｕＭｎ合金層３５−１、３５−２が周辺に拡散することにより供給される。
【０１１５】
そのため、エッチング工程の際に除去される絶縁膜５７は、バリア膜２５−１、２５−２形成に必要な元素を供給する必要がないため、Ｓｉを含まない絶縁膜により形成することができる。そのため、エッチングされる絶縁膜５７の絶縁材料の選択性を広げることができる点で有利である。
【０１１６】
尚、上記絶縁膜５５−１、５５−２、５７の一例として、第２の実施形態および変形例２に係る配線層およびビア層が空洞中に設けられた場合を例に挙げて説明した。しかし、上記絶縁膜５５−１、５５−２、５７は、第１の実施形態および変形例１に係る配線層が空洞中に設けられた場合においても同様に適用することが可能である。
【０１１７】
また、上記第１の実施形態、変形例１に示した配線構造では、配線層とビア層とで絶縁膜の種類が異なるが、二つの絶縁膜が同じ種類である構造であっても良い。また、配線溝はデュアルダマシン形状に加工するが、シングルダマシン形状に加工する場合であっても、同様の効果を得ることが可能である。
【０１１８】
以上、第１、第２の実施形態および変形例１乃至変形例３を用いて本発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態および各変形例に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態および各変形例には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態および各変形例に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図。
【図２】空中配線のバリア膜の近傍の断面ＴＥＭ像の顕微鏡写真を示す図。
【図３】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図４】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図５】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図６】この発明の変形例１に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図７】この発明の変形例１に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図８】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図。
【図９】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図１０】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図１１】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図１２】この発明の変形例２に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図１３】この発明の変形例２に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図１４】この発明の変形例３に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図１５】この発明の変形例３に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【図１６】この発明の変形例３に係る半導体装置の一製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【０１２０】
Ｗ１、Ｗ２…空中配線、１１−１、１１−２…ポーラス膜（ポーラスＳｉ膜）、１２…エッチングストッパ膜、１５…空洞、１７…層間絶縁膜（ＳｉＯＣ膜）、２２−１、２２−２…配線層（ＣｕＭｎ合金層）、２３−１…ビア層（ＣｕＭｎ合金層）、２５−１、２５−２…バリア膜（ＭｎｘＳｉｙＯｚ膜）。
【図１】
2007048974.tif 000003
【図２】
2007048974.tif 000004
【図３】
2007048974.tif 000005
【図４】
2007048974.tif 000006
【図５】
2007048974.tif 000007
【図６】
2007048974.tif 000008
【図７】
2007048974.tif 000009
【図８】
2007048974.tif 000010
【図９】
2007048974.tif 000011
【図１０】
2007048974.tif 000012
【図１１】
2007048974.tif 000013
【図１２】
2007048974.tif 000014
【図１３】
2007048974.tif 000015
【図１４】
2007048974.tif 000016
【図１５】
2007048974.tif 000017
【図１６】
2007048974.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月8日(2006.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
続いて、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、Ｓｉ系レジスト膜を堆積し、絶縁膜３０を形成する。ここで、絶縁膜３０は、上記Ｓｉ系レジスト膜に限らず、少なくともＯ２を含むガス系でのエッチングによって除去でき、かつその組成に少なくともＳｉを有する材料を適用することが可能である。例えば、シリル化してＳｉを導入したレジスト膜、シリル化してＳｉを導入したポリアリーレンエーテル膜、またはレジスト膜やポリアリーレンエーテル膜の配線用溝に面する部分をＳｉ含有絶縁膜薄膜で覆った（Sealing)膜等を用いることが可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
続いて、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、ポーラス膜１１−１上に、Ｓｉ系レジスト膜を堆積し、絶縁膜３０を形成する。ここで、絶縁膜３０は、上記Ｓｉ系レジスト膜に限らず、少なくともＯ２を含むガス系でのエッチングによって除去でき、かつその組成に少なくともＳｉを有する材料を適用することが可能である。例えば、シリル化してＳｉを導入したレジスト膜、シリル化してＳｉを導入したポリアリーレンエーテル膜、またはレジスト膜やポリアリーレンエーテル膜の配線用溝に面する部分をＳｉ含有絶縁膜薄膜で覆った（Sealing)膜等を用いることが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
続いて、ポーラス膜１１−１上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて、Ｓｉを含まない絶縁膜５７を形成する。このＳｉを含まない絶縁膜５７は、Ｓｉ非含有のレジスト膜や、ポリアリーレンエーテル膜等である。