(57)【要約】【課題】ポッティング成型が可能であり、無色透明で耐久性に優れ、しかも、はんだリフローやヒートサイクルに対してクラックを生じにくい光半導体封止材を形成しうる光半導体用封止用組成物を提供すること。【解決手段】（Ａ）エポキシ当量が１５０〜６００ｇ／モルでありかつガラス転移温度が−８０℃〜１５０℃であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）エポキシ当量が６００ｇ／モルを超えそして１，６００ｇ／モル以下でありかつガラス転移温度が−５０℃以下であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンならびに（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物を含有する光半導体封止用組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ当量が１５０〜６００ｇ／モルでありかつガラス転移温度が−８０℃〜１５０℃であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）エポキシ当量が６００ｇ／モルを超えそして１６００ｇ／モル以下でありかつガラス転移温度が−５０℃以下であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンならびに（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物を含有することを特徴とする光半導体封止用組成物。
【請求項２】
（Ａ）成分および（Ｂ）成分のいずれも下記式（１）で表されるシラン化合物および／またはその部分縮合物と下記式（２）で表されるシラン化合物および／またはその部分縮合物とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下に加熱して、加水分解・縮合させて得られる請求項１の光半導体封止用組成物。
【化１】
2007169406.tif 000012
〔式（１）において、Ｘはエポキシ基を１個以上有する１価の有機基を示し、Ｙ１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を示し、ｎは０〜２の整数である。〕
【化２】
2007169406.tif 000013
〔式（２）において、Ｙ２は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、Ｒ２は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を示し、ｍは０〜３の整数である。〕
【請求項３】
（Ａ）エポキシ当量が１５０〜６００ｇ／モルでありかつガラス転移温度が−８０℃〜１５０℃であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）エポキシ当量が６００ｇ／モルを超えそして１６００ｇ／モル以下でありかつガラス転移温度が−５０℃以下であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンならびに（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物を混合することを特徴とする光半導体封止用組成物の製造法。
【請求項４】
請求項１〜２のいずれかに記載の光半導体封止用組成物を加熱硬化させた硬化物からなる光半導体封止材。
【請求項５】
請求項４に記載の光半導体封止材により封止された光半導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体封止用組成物、その製造法、光半導体の封止材、および光半導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光半導体封止用樹脂としては、ビスフェノールＡグリシジルエーテルを主剤とするエポキシ化合物が一般に用いられていたが、このようなエポキシ化合物は芳香環を有するため、青色もしくは紫外光を発光する光半導体の封止を行うには、紫外線に対する耐久性（ＵＶ耐久性）が不十分であった。
そこで、光半導体封止用樹脂のＵＶ耐久性を改良するため、脂環式エポキシ化合物を用いることが提案されているが（特許文献１参照）、依然としてＵＶ耐久性は十分なものとはいえなかった。
【０００３】
一方、シロキサン骨格を有する樹脂は耐候性に優れていることが知られており、近年ではポリジメチルシロキサンを主骨格とする樹脂を光半導体封止材に用いる検討がさかんに行われている。しかしこの樹脂の場合、硬化物の硬度が不十分で、タック性を有するため埃が付着しやすかったり、配線に使用される金のワイヤーが振動により切れたり、また基板との密着性が不足して剥がれやすいなどの欠点が指摘されている。
そこで、硬化物の硬度や密着性を上げるため、硬くて密着性も高いシロキサン系材料として、シルセスキオキサン系樹脂が提案されており、特にエポキシ基を有するシルセスキオキサン系樹脂を用いた光半導体封止材が特許文献２に開示されている。しかし、特許文献２に開示されたシルセスキオキサン系樹脂をポッティング成型するために、溶剤を留去するとゲル化して、成型が困難となったり、膜厚が厚くなるとクラックや気泡を生じるなどするため、光半導体封止材としての実用に耐えうるものではなかった。また、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの製造法として、Ｓｉ−Ｈ結合を有するポリオルガノシロキサンにビニル基を有するエポキシ誘導体を白金、ロジウムあるいはルテニウム触媒を用いて付加させる方法が知られている（特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６、特許文献７および特許文献８参照）。しかし、Ｓｉ−Ｈを有するポリオルガノシロキサンは水分に対し不安定で取扱が難しく原料が高価という問題がある。また、触媒が残存した場合に着色の原因になるという問題もある。
また、光半導体封止素子ははんだリフローや−４０℃〜１００℃のヒートサイクルに耐えることが必要であるが、封止樹脂の力学特性が弱いとクラックを生じて光出力が低下するという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−８２０６２号公報
【特許文献２】特開昭６２−１０６６３２号公報
【特許文献３】特開平１−２９７４２１号公報
【特許文献４】特開平２−０６７２９０号公報
【特許文献５】特開平４−２５２２２８号公報
【特許文献６】特開平４−３５２７９３号公報
【特許文献７】特開平８−０４１１６８号公報
【特許文献８】特開２０００−１０３８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、その課題は、ポッティング成型が可能であり、無色透明で耐久性に優れ、しかも、はんだリフローやヒートサイクルに対してクラックを生じにくい光半導体封止材を形成しうる光半導体用封止用組成物、その製造法、当該光半導体封止材および当該光半導体用封止材で封止された光半導体を提供することにある。
本発明の他の課題および利点は以下の説明から明らかとなろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第１に、
（Ａ）エポキシ当量が１５０〜６００ｇ／モルでありかつガラス転移温度が−８０℃〜１５０℃であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）エポキシ当量が６００ｇ／モルを超えそして１，６００ｇ／モル以下でありかつガラス転移温度が−５０℃以下であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンならびに（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物を含有することを特徴とする光半導体封止用組成物によって達成される。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第２に、
（Ａ）エポキシ当量が１５０〜６００ｇ／モルでありかつガラス転移温度が−８０℃〜１５０℃であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）エポキシ当量が６００ｇ／モルを超えそして１，６００ｇ／モル以下でありかつガラス転移温度が−５０℃以下であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンならびに（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物を混合することを特徴とする光半導体封止用組成物の製造法によって達成される。
【０００６】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第３に、
本発明の上記光半導体封止用組成物を加熱硬化させた硬化物からなる光半導体封止材によって達成される。
また、本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第４に、
本発明の上記光半導体封止材により封止された光半導体によって達成される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の光半導体封止用組成物は、はんだリフローやヒートサイクル試験で生じるクラックや剥離を改善することができ、しかも無色透明でＵＶ耐久性に優れた光半導体封止材を与えることができ、例えば５００ｎｍ以下の領域に発光ピーク波長を有する青色ＬＥＤや白色ＬＥＤ等の封止に極めて好適に使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明について詳細に説明する。
ポリオルガノシロキサンおよびその製造方法
本発明のポリオルガノシロキサン（Ａ）および（Ｂ）は、下記式（１）で表されるシラン化合物（以下、「シラン化合物（１）」という。）および／またはその部分縮合物（以下、シラン化合物（１）とその部分縮合物をまとめて「シラン化合物（１）等」ともいう。）と下記式（２）で表されるシラン化合物（以下、「シラン化合物（２）」という。）および／またはその部分縮合物（以下、シラン化合物（２）とその部分縮合物をまとめて「シラン化合物（２）等」ともいう。）とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下に加熱して、加水分解・縮合させて得られるポリオルガノシロキサンである。
【０００９】
【化１】
2007169406.tif 000002
〔式（１）において、Ｘはエポキシ基を１個以上有する１価の有機基を示し、Ｙ１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、Ｒ１は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を示し、ｎは０〜２の整数である。〕
【００１０】
【化２】
2007169406.tif 000003
〔式（２）において、Ｙ２は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、Ｒ２は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基を示し、ｍは０〜３の整数である。〕
【００１１】
式（１）において、Ｘのエポキシ基を１個以上有する１価の有機基としては、特に限定されるものではないが、エポキシ基を有する炭化水素基が好ましく、例えば、γ−グリシドキシプロピル基、３，４−エポキシシクロペンチル基、３，４−エポキシシクロヘキシル基、（３，４−エポキシシクロペンチル）メチル基、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル基、２−（３，４−エポキシシクロペンチル）エチル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、２−（３，４−エポキシシクロペンチル）プロピル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基、３−（３，４−エポキシシクロペンチル）プロピル基、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基等の炭素数５〜２０のエポキシ基を有する炭化水素基を挙げることができる。
これらのエポキシ基を１個以上有する１価の有機基のうち、γ−グリシドキシプロピル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、エポキシシクロヘキシル基を含む上記一価の有機基が好ましく、特に好ましくは２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基である。
【００１２】
式（１）において、Ｙ１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示す。これらの基は、有機塩基および水の存在下における加水分解・縮合反応の過程でシラノール基を生成し、該シラノール基同志で縮合反応を生起するかあるいは該シラノール基と塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子ないし該アルコキシル基を有するケイ素原子との間で縮合反応を生起することにより、シロキサン結合を形成する基である。
式（１）において、Ｙ１の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。
式（１）におけるＹ１としては、塩素原子、メトキシ基、エトキシ基等が好ましい。
【００１３】
式（１）において、Ｒ１の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
また、Ｒ１の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基としては、例えば、
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２−フルオロエチル基、（トリフルオロメチル）メチル基、ペンタフルオロエチル基、３−フルオロ−ｎ−プロピル基、２−（トリフルオロメチル）エチル基、（ペンタフルオロエチル）メチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、４−フルオロ−ｎ−ブチル基、３−（トリフルオロメチル）−ｎ−プロピル基、２−（ペンタフルオロエチル）エチル基、（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）メチル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、５−フルオロ−ｎ−ペンチル基、４−（トリフルオロメチル）−ｎ−ブチル基、３−（ペンタフルオロエチル）−ｎ−プロピル基、２−（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）エチル基、（ノナフルオロ−ｎ−ブチル）メチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、６−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、５−（トリフルオロメチル）−ｎ−ペンチル基、４−（ペンタフルオロエチル）−ｎ−ブチル基、３−（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）−ｎ−プロピル基、２−（ノナフルオロ−ｎ−ブチル）エチル基、（パーフルオロ−ｎ−ペンチル）メチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基、７−（トリフルオロメチル）−ｎ−ヘプチル基、６−（ペンタフルオロエチル）−ｎ−ヘキシル基、５−（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）−ｎ−ペンチル基、４−（ノナフルオロ−ｎ−ブチル）−ｎ−ブチル基、３−（パーフルオロ−ｎ−ペンチル）−ｎ−プロピル基、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチル基、（パーフルオロ−ｎ−ヘプチル）メチル基、パーフルオロ−ｎ−オクチル基、９−（トリフルオロメチル）−ｎ−ノニル基、８−（ペンタフルオロエチル）−ｎ−オクチル基、７−（ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル）−ｎ−ヘプチル基、６−（ノナフルオロ−ｎ−ブチル）−ｎ−ヘキシル基、５−（パーフルオロ−ｎ−ペンチル）−ｎ−ペンチル基、４−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）−ｎ−ブチル基、３−（パーフルオロ−ｎ−ヘプチル）−ｎ−プロピル基、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル基、（パーフルオロ−ｎ−ノニル）メチル基、パーフルオロ−ｎ−デシル基、４−フルオロシクロペンチル基、４−フルオロシクロヘキシル基等のフルオロアルキル基；
クロロメチル基、２−クロロエチル基、３−クロロ−ｎ−プロピル基、４−クロロ−ｎ−ブチル基、３−クロロシクロペンチル基、４−クロロシクロヘキシル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシシクロペンチル基、４−ヒドロキシシクロヘキシル基；３−（メタ）アクリロキシプロピル基、３−メルカプトプロピル基
等を挙げることができる。
また、Ｒ１の炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−メチルビニル基、１−プロペニル基、アリル基（２−プロペニル基）、２−メチル−２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−シクロペンテニル基、３−シクロヘキセニル基等を挙げることができる。
【００１４】
また、Ｒ１の炭素数６〜２０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基、１−ナフチル基等を挙げることができる。
また、Ｒ１の炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基等を挙げることができる。
式（１）におけるＲ１としては、メチル基、エチル基等が好ましい。
【００１５】
シラン化合物（１）の具体例としては、
ｎ＝０の化合物として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン等；
ｎ＝１の化合物として、（γ−グリシドキシプロピル）（メチル）ジメトキシシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（エチル）ジメトキシシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（メチル）ジエトキシシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（エチル）ジエトキシシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（メチル）ジメトキシシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（エチル）ジメトキシシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（メチル）ジエトキシシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（エチル）ジエトキシシラン等；
ｎ＝２の化合物として、（γ−グリシドキシプロピル）（メトキシ）ジメチルシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（メトキシ）ジエチルシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（エトキシ）ジメチルシラン、（γ−グリシドキシプロピル）（エトキシ）ジエチルシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（メトキシ）ジメチルシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（メトキシ）ジエチルシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（エトキシ）ジメチルシラン、〔２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル〕（エトキシ）ジエチルシラン等
をそれぞれ挙げることができる。
【００１６】
また、シラン化合物（１）の部分縮合物としては、商品名で、例えば、ＥＳ１００１Ｎ、ＥＳ１００２Ｔ、ＥＳ１０２３（以上、信越シリコーン（株）製）；メチルシリケートＭＳＥＰ２（三菱化学（株）製）等を挙げることができる。
本発明において、シラン化合物（１）およびその部分縮合物は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００１７】
式（２）において、Ｙ２は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基を示す。これらの基は、有機塩基および水の存在下における加水分解・縮合反応の過程でシラノール基を生成し、該シラノール基同志で縮合反応を生起するかあるいは該シラノール基と塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子ないし該アルコキシル基を有するケイ素原子との間で縮合反応を生起することにより、シロキサン結合を形成する基である。
式（２）において、Ｙ２の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基としては、例えば、前記式（１）におけるＹ１の対応する基について例示したものと同様の基等を挙げることができる。
式（２）におけるＹ２としては、例えば塩素原子、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等が好ましい。
【００１８】
式（２）において、Ｒ２の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換アルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基および炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えば、前記式（１）におけるＲ１のそれぞれ対応する基について例示したものと同様の基等を挙げることができる。
式（２）におけるＲ２としては、例えばフッ素原子、メチル基、エチル基、２−（トリフルオロメチル）エチル基、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチル基、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−（メタ）アクリロキシプロピル基、３−メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、フェニル基等が好ましい。
【００１９】
シラン化合物（２）の具体例としては、
ｍ＝０の化合物として、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン等；
ｍ＝１の化合物として、トリクロロシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉ−プロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
フルオロトリクロロシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｉ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリクロロシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリメトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリエトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（トリフルオロメチル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリクロロシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−ヘキシル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリクロロシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリメトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリエトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、２−（パーフルオロ−ｎ−オクチル）エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ヒドロキシメチルトリクロロシラン、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ヒドロキシメチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリクロロシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
３−メルカプトプロピルトリクロロシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｉ−プロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
アリルトリクロロシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリ−ｎ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｉ−プロポキシシラン、アリルトリ−ｎ−ブトキシシラン、アリルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン等：
【００２０】
ｍ＝２の化合物として、メチルジクロロシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルジ−ｎ−プロポキシシラン、メチルジ−ｉ−プロポキシシラン、メチルジ−ｎ−ブトキシシラン、メチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジメチルジクロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジクロロシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジメトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジエメトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）〔２−（パーフルオロオ−ｎ−クチル）エチル〕ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジクロロシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジメトキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジエトキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）（γ−グリシドキシプロピル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジクロロシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジメトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジエトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）（３−メルカプトプロピル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
（メチル）（ビニル）ジクロロシラン、（メチル）（ビニル）ジメトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジエトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｎ−プロポキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｉ−プロポキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｎ−ブトキシシラン、（メチル）（ビニル）ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジビニルジクロロシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジビニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジビニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジビニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン等；
【００２１】
ｍ＝３の化合物として、クロロジメチルシラン、メトキシジメチルシラン、エトキシジメチルシラン、クロロトリメチルシラン、ブロモトリメチルシラン、ヨードトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、ｎ−プロポキシトリメチルシラン、ｉ−プロポキシトリメチルシラン、ｎ−ブトキシトリメチルシラン、ｓｅｃ−ブトキシトリメチルシラン、ｔ−ブトキシトリメチルシラン、
（クロロ）（ビニル）ジメチルシラン、（メトキシ）（ビニル）ジメチルシラン、（エトキシ）（ビニル）ジメチルシラン、
（クロロ）（メチル）ジフェニルシラン、（メトキシ）（メチル）ジフェニルシラン、（エトキシ）（メチル）ジフェニルシラン等
をそれぞれ挙げることができる。
【００２２】
これらのシラン化合物（２）のうち、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等が好ましい。
【００２３】
また、シラン化合物（２）の部分縮合物としては、商品名で、例えば、ＫＣ−８９、ＫＣ−８９Ｓ、Ｘ−２１−３１５３、Ｘ−２１−５８４１、Ｘ−２１−５８４２、Ｘ−２１−５８４３、Ｘ−２１−５８４４、Ｘ−２１−５８４５、Ｘ−２１−５８４６、Ｘ−２１−５８４７、Ｘ−２１−５８４８、Ｘ−２２−１６０ＡＳ、Ｘ−２２−１７０Ｂ、Ｘ−２２−１７０ＢＸ、Ｘ−２２−１７０Ｄ、Ｘ−２２−１７０ＤＸ、Ｘ−２２−１７６Ｂ、Ｘ−２２−１７６Ｄ、Ｘ−２２−１７６ＤＸ、Ｘ−２２−１７６Ｆ、Ｘ−４０−２３０８、Ｘ−４０−２６５１、Ｘ−４０−２６５５Ａ、Ｘ−４０−２６７１、Ｘ−４０−２６７２、Ｘ−４０−９２２０、Ｘ−４０−９２２５、Ｘ−４０−９２２７、Ｘ−４０−９２４６、Ｘ−４０−９２４７、Ｘ−４０−９２５０、Ｘ−４０−９３２３、Ｘ−４１−１０５３、Ｘ−４１−１０５６、Ｘ−４１−１８０５、Ｘ−４１−１８１０、ＫＦ６００１、ＫＦ６００２、ＫＦ６００３、ＫＲ２１２、ＫＲ−２１３、ＫＲ−２１７、ＫＲ２２０Ｌ、ＫＲ２４２Ａ、ＫＲ２７１、ＫＲ２８２、ＫＲ３００、ＫＲ３１１、ＫＲ４０１Ｎ、ＫＲ５００、ＫＲ５１０、ＫＲ５２０６、ＫＲ５２３０、ＫＲ５２３５、ＫＲ９２１８、ＫＲ９７０６（以上、信越シリコーン（株）製）；グラスレジン（昭和電工（株）製）；ＳＨ８０４、ＳＨ８０５、ＳＨ８０６Ａ、ＳＨ８４０、ＳＲ２４００、ＳＲ２４０２、ＳＲ２４０５、ＳＲ２４０６、ＳＲ２４１０、ＳＲ２４１１、ＳＲ２４１６、ＳＲ２４２０（以上、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）；ＦＺ３７１１、ＦＺ３７２２（以上、日本ユニカー（株）製）；ＤＭＳ−Ｓ１２、ＤＭＳ−Ｓ１５、ＤＭＳ−Ｓ２１、ＤＭＳ−Ｓ２７、ＤＭＳ−Ｓ３１、ＤＭＳ−Ｓ３２、ＤＭＳ−Ｓ３３、ＤＭＳ−Ｓ３５、ＤＭＳ−Ｓ３８、ＤＭＳ−Ｓ４２、ＤＭＳ−Ｓ４５、ＤＭＳ−Ｓ５１、ＤＭＳ−２２７、ＰＳＤ−０３３２、ＰＤＳ−１６１５、ＰＤＳ−９９３１、ＸＭＳ−５０２５（以上、チッソ（株）製）；メチルシリケートＭＳ５１、メチルシリケートＭＳ５６（以上、三菱化学（株）製）；エチルシリケート２８、エチルシリケート４０、エチルシリケート４８（以上、コルコート（株）製）；ＧＲ１００、ＧＲ６５０、ＧＲ９０８、ＧＲ９５０（以上、昭和電工（株）製）等を挙げることができる。
【００２４】
本発明において、シラン化合物（２）およびその部分縮合物は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
ポリオルガノシロキサン（Ａ）および（Ｂ）は、シラン化合物（１）等とシラン化合物（２）等とを、有機溶媒、有機塩基および水の存在下に加熱して、加水分解・縮合させることにより製造することが好ましい。
前記有機溶媒としては、例えば、炭化水素、ケトン、エステル、エーテル、アルコール等を使用することができる。
【００２５】
前記炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン等；前記ケトンとしては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−アミルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン等；前記エステルとしては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、乳酸エチル等；前記エーテルとしては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等；前記アルコールとしては、例えば、１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル等をそれぞれ挙げることができる。これらのうち、非水溶性のものが好ましい。
これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００２６】
有機溶媒の使用量は、全シラン化合物１００重量部に対して、好ましくは５０〜１０，０００重量部、より好ましくは１００〜５，０００重量部である。
前記有機塩基としては、例えばエチルアミン、ジエチルアミンの如き１〜２級有機アミン；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジンの如き３級の有機アミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アミン等を挙げることができる。
これらの有機塩基のうち、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジンの如き３級の有機アミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの如き４級の有機アミンが好ましい。
【００２７】
ポリオルガノシロキサン（Ａ）、（Ｂ）を製造する際に、有機塩基を触媒として用いることにより、エポキシ基の開環などの副反応を生じることなく、高い加水分解・縮合速度で目的とするポリオルガノシロキサンを得ることができるため、生産安定性がよく、また良好な硬化性を示す組成物を得ることができる。
有機アミンの使用量は、有機アミンの種類、温度などの反応条件等により異なり、特に限定されないが、全シラン化合物に対して、好ましくは０．０１〜３倍モル、より好ましくは０．０５〜１倍モルである。なお、有機アミン以外の有機塩基を用いる場合の使用量も、ほぼ有機アミンに準じる量で十分である。
【００２８】
ポリオルガノシロキサンを製造する際の水の使用量は、全シラン化合物に対して、好ましくは０．５〜１００倍モル、より好ましくは１〜３０倍モルである。
ポリオルガノシロキサンを製造する際の加水分解・縮合反応は、シラン化合物（１）等とシラン化合物（２）等とを有機溶媒に溶解し、この溶液を有機塩基および水と混合して、例えば油浴などにより加熱することにより実施することができる。
【００２９】
加水分解・縮合反応時には、加熱温度を１３０℃以下、好ましくは４０〜１２０℃として、０．５〜１２時間程度、好ましくは１〜８時間程度加熱するのが望ましい。なお、加熱操作中は、混合液を撹拌してもよいし、還流下に放置してもよい。
反応終了後、反応液から有機溶媒層を分取して、通常、水で洗浄する。この洗浄に際しては、少量の塩を含む水、例えば０．２重量％程度の硝酸アンモニウム水溶液などで洗浄することにより、洗浄操作が容易になる。洗浄は洗浄後の水が中性になるまで行い、その後有機溶媒層を、必要に応じて無水硫酸カルシウム、モレキュラーシーブス等の乾燥剤で乾燥したのち、濃縮することにより、目的とするポリオルガノシロキサンを得ることができる。
【００３０】
このようにして得られるポリオルガノシロキサンは、残存する加水分解性基例えば、アルコキシル基等、やシラノール基が少ないため、溶剤で希釈しなくても室温で１ヶ月以上ゲル化することなく保存できる。また所望により、反応終了後に、残存するシラノール基をヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミド、Ｎ−（トリメチルシリル）アセトアミド、（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）トリメチルシラン、（ジエチルアミノ）トリメチルシラン、Ｎ−（トリメチルシリル）イミダゾール、トリメチルシリルジフェニル尿素、ビス（トリメチルシリル）尿素等によりトリメチルシリル化することによって、さらにシラノール基を減らすことができる。中でもヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミドが好ましい。また、残存シラノールはオルトギ酸エチルによってエステル化してもよい。
シラノール基がトリメチルシリル化されているとリードフレームへの耐剥離性が向上する。シラノール同士の硬化収縮が抑えられることや吸水率の低下が起こるためと考えられる。
また、有機塩基および水の存在下における加水分解・縮合反応には、シラン化合物（１）等中のエポキシ基の開環反応や重合反応などの副反応を生起することがない利点がある。
【００３１】
ポリオルガノシロキサンのポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、５００〜１，０００，０００であり、好ましくは１，０００〜１００，０００である。
（Ａ）成分のポリオルガノシロキサンのエポキシ当量は１５０〜６００ｇ／モルでありかつガラス転移温度が−８０℃〜１５０℃であることが好ましい。（Ｂ）成分のポリオルガノシロキサンはエポキシ量が６００ｇ／モルを超え１，６００ｇ／モル以下でありかつガラス転移温度が−５０℃以下であることが好ましい。
ガラス転移温度はＤＳＣで昇温速度２０℃／分で測定することができる。
【００３２】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の比率は、（Ａ）成分１００重量部に対して、好ましくは（Ｂ）成分が５〜１２０重量部、より好ましくは１０〜１００重量部である。（Ｂ）成分が５重量部未満でははんだリフローやヒートサイクル試験でクラックや剥離を生じやすくなり、１２０重量部を超えると硬化後の樹脂が柔らかすぎてタックを生じることがある。
ポリオルガノシロキサン（Ａ）、（Ｂ）は、後述する各光半導体封止用組成物における主体成分として極めて好適に使用することができるほか、ダイボンド接着剤、単独でまたは一般のポリオルガノシロキサンと混合して、例えば、成型品、フィルム、ラミネート材、塗料等としても有用である。
【００３３】
−（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物−
シクロヘキサントリカルボン酸としては、例えばシクロヘキサン−１，２，４−トリカルボン酸、シクロヘキサン−１，３，５−トリカルボン酸、シクロヘキサン−１，２，３−トリカルボン酸などが挙げられる。また、シクロヘキサントリカルボン酸無水物としては、例えばシクロヘキサン−１，３，４−トリカルボン酸−３，４−無水物、シクロヘキサン−１，３，５−トリカルボン酸−３，５−無水物、シクロヘキサン−１，２，３−トリカルボン酸−２，３−酸無水物などが挙げられる。これらの中、シクロヘキサン−１，２，４−トリカルボン酸、シクロヘキサン−１，３，５−トリカルボン酸あるいはシクロヘキサン−１，３，４−トリカルボン酸−３，４−無水物が好ましい。
これらの化合物は単独でも用いることができる。（Ｃ）成分を他のカルボン酸無水物と組み合わせて用いてもよい。
他のカルボン酸無水物としては、例えば下記式（３）〜（１２）で表わされる化合物
【００３４】
【化３】
2007169406.tif 000004
【００３５】
や、４−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルナジック酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物のほか、α−テルピネン、アロオシメン等の共役二重結合を有する脂環式化合物と無水マレイン酸とのディールス・アルダー反応生成物やこれらの水素添加物等を挙げることができる。なお、前記ディールス・アルダー反応生成物やこれらの水素添加物としては、任意の構造異性体および任意の幾何異性体を使用することができる。
【００３６】
また、前記脂環式カルボン酸無水物は、硬化反応を実質的に妨げない限り、適宜に化学的に変性して使用することもできる。
これらの脂環式カルボン酸無水物のうち、組成物の流動性や透明性の点から、式（３）、式（５）、式（７）、式（８）または式（９）で表される化合物等が好ましい。特に好ましくは式（３）、式（５）、式（７）で表される化合物である。
【００３７】
本発明において、脂環式カルボン酸無水物は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物を他のカルボン酸無水物と組合せて用いる場合、その組合せにおける（Ｃ）成分の割合は、好ましくは１０〜１００重量％、より好ましくは２０〜１００重量％である。１０重量％未満では十分な硬化性、耐熱性およびＵＶ耐久性を得ることができない。
（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物または（Ｃ）成分と他のカルボン酸無水物との組合せの使用量は（Ａ）および（Ｂ）成分のポリオルガノシロキサン中のエポキシ基１モルに対するカルボン酸無水物基またはカルボキシル基の当量比として、好ましくは０．３〜１．５、さらに好ましくは０．５〜１．３である。この場合、該当量比が０．３未満では硬化が十分に進まず、１．５以上では着色やクラックなどの問題を生じることがある。
【００３８】
さらに、光半導体封止用組成物においては、前記（Ｃ）成分または（Ｃ）成分と他のカルボン酸無水物との組合せ以外に、本発明の所期の効果を損なわない範囲で、エポキシ化合物やエポキシ樹脂に対する硬化剤として公知の成分（以下、「他の硬化剤」という。）、例えば、フェノール類、ジシアンジアミド類や、アジピン酸ヒドラジッド、フタル酸ヒドラジッド等の有機ヒドラジッド類等を１種以上併用することもできる。
【００３９】
他の硬化剤の使用割合は、前記（Ｃ）成分または（Ｃ）成分と他のカルボン酸無水物の組合せに対して、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下である。
本発明の光半導体組成物はエポキシ樹脂を含んでもよい。具体的には
【００４０】
【化４】
2007169406.tif 000005
【００４１】
などを挙げることができる。（１３）はＨＢＥ１００（新日本理化（株））、ＹＸ８０００（ジャパンエポキシレジン（株））、（１４）はＹＬ７０４０，（１５）はＹＬ６７５３，（１６）はＹＥＤ２１６Ｄ（以上、ジャパンエポキシレジン（株））、（１７）はＣＥ２０２１（ダイセル化学工業（株））、（１８）はＬＳ７９７０（信越化学（株））、（１９）〜（２３）はそれぞれＣＥ２０８０，ＣＥ３０００，エポリードＧＴ３００，エポリードＧＴ４００，ＥＨＰＥ３１５０（以上、ダイセル化学工業（株））、（２４）はＳＲ−ＨＨＰＡ（阪本薬品工業（株））、（２５）はテピック（日産化学工業（株））として入手することができる。ＹＬ７１７０，ＹＬ８０３４（以上、ジャパンエポキシレジン（株））、Ｗ−１００（新日本理化（株））なども用いることができる。これらの他に以下の芳香族エポキシ化合物を水素化して得られる脂環族エポキシ化合物を用いてもよい。ビスフェノールＡＤ，ビスフェノールＳ，テトラメチルビスフェノールＡ，テトラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＡＤ，テトラメチルビスフェノールＳ，テトラブロモビスフェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡ，テトラフルオロビスフェノールＡなどのビスフェノール類をグリシジル化したビスフェノール型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン等の２価のフェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、4,4-（１−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチリデン）ビスフェノール等のトリスフェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等のテトラキスフェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールＡノボラック、臭素化ビスフェノールＡノボラック等のノボラック類をグリシジル化したノボラック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
上記脂肪族あるいは脂環族エポキシ化合物は（Ａ）および（Ｂ）成分のポリオルガノシロキサン１００重量部に対して０．１〜１０００重量部で加えることができる。
【００４２】
本発明の光半導体組成物は硬化速度を上げる目的で硬化促進剤を含んでいてもよい。このような硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、
ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、シクロヘキシルジメチルアミン、トリエタノールアミンの如き３級アミン；
２−メチルイミダゾール、２−ｎ−ヘプチルイミダゾール、２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジ（ヒドロキシメチル）イミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニル−４，５−ジ〔（２’−シアノエトキシ）メチル〕イミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテート、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ｎ−ウンデシルイミダゾリル）エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１')〕エチル−ｓ−トリアジン、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１')〕エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物の如きイミダゾール類；
ジフェニルフォスフィン、トリフェニルフォスフィン、亜リン酸トリフェニルの如き有機リン化合物；
ベンジルトリフェニルフォスフォニウムクロライド、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムブロマイド、メチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、ｎ−ブチルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド、テトラフェニルフォスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムヨーダイド、エチルトリフェニルフォスフォニウムアセテート、テトラブチルホスフォニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムｏ，ｏ−ジエチルフォスフォロジチオネート、メチルトリブチルホスフォニウムジメチルホシフェート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムベンゾトリアゾレート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムテトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルフォスフォニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルフォスフォニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルベンジルホスフォニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスフォニウムテトラフルオロボレートの如き４級フォスフォニウム塩；
１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７やその有機酸塩の如きジアザビシクロアルケン；
オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、アルミニウムアセチルアセトン錯体の如き有機金属化合物；
テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、下記式（２６）
【００４３】
【化５】
2007169406.tif 000006
【００４４】
の如き４級アンモニウム塩；
三フッ化ホウ素、ホウ酸トリフェニルの如きホウ素化合物；塩化亜鉛、塩化第二錫の如き金属ハロゲン化合物、
ジシアンジアミドやアミンとエポキシ樹脂との付加物等のアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性硬化促進剤；前記イミダゾール類、有機リン化合物や４級フォスフォニウム塩等の硬化促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性硬化促進剤；アミン塩型潜在性硬化剤促進剤；ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型の熱カチオン重合型潜在性硬化促進剤等の潜在性硬化促進剤
等を挙げることができる。
【００４５】
これらの硬化促進剤のうち、イミダゾール類、４級フォスフォニウム塩、ジアザビシクロアルケン、有機金属化合物および４級アンモニウム塩が、無色透明で長時間加熱しても変色し難い硬化物が得られる点で好ましい。
前記硬化促進剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
光半導体封止用組成物において、硬化促進剤の使用量は、（Ａ）および（Ｂ）成分のポリオルガノシロキサン合計１００重量部に対して、好ましくは０〜６重量部、さらに好ましくは０〜４重量部である。硬化促進剤の使用量が６重量部を超えると、得られる硬化物に着色などの不都合を生じるおそれがある。
【００４６】
−他の添加剤−
本発明の光半導体封止用組成物には、ＵＶ耐久性の改善、粘度の調整等の目的で、必要に応じて、無機酸化物粒子を配合することもできる。
前記無機酸化物粒子としては、特に限定されるものではないが、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＳｂおよびＣｅの群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する酸化物からなる粒子を挙げることができ、より具体的には、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ゲルマニウム、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化アンチモン、アンチモン−スズ酸化物（ＡＴＯ）、酸化セリウム等の粒子を挙げることができる。
これらの無機酸化物粒子のうち、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化アンチモン等の微粒子が好ましい。
また、前記無機酸化物粒子は、アルキル化、ポリシロキシル化、（メタ）アクリロキシアルキル化、グリコキシアルキル化、アミノアルキル化等の適宜の表面処理して使用することもできる。
前記無機酸化物粒子は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００４７】
さらに必要に応じて、無機酸化物粒子と共に、例えば、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、高分子分散剤等の分散剤を１種以上併用することができる。
無機酸化物粒子の一次平均粒径は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは１〜８０ｎｍである。この場合、無機酸化物粒子の一次平均粒径が１００ｎｍを超えると、得られる硬化物の透明性が損なわれるおそれがある。
無機酸化物粒子の使用量は、（Ａ）および（Ｂ）成分のポリオルガノシロキサン合計１００重量部に対して、好ましくは９０重量部以下、さらに好ましくは８０重量部以下である。無機酸化物粒子の使用量が９０重量部を超えると、組成物が増粘して、加工が困難になるおそれがある。
前記無機酸化物粒子は、場合により、適当な溶媒に分散した分散液として使用することもできる。
【００４８】
前記溶媒としては、本発明の光半導体封止用組成物を構成する各成分および硬化反応に対して不活性で、適度の揮発性を有する限り特に限定されるものではないが、例えば、
メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｎ−オクタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピルグリコールモノメチルエーテル、プロピルグリコールモノエチルエーテルの如きアルコール；
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンの如きケトン；
酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトンの如きエステルまたはラクトン；
ベンゼン、トルエン、キシレンの如き芳香族炭化水素；
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンの如きアミドまたはラクタム
等を挙げることができる。
これらの溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
無機酸化物粒子の分散液の固形分濃度は、好ましくは１〜６０重量％、より好ましくは５〜５０重量％である。
【００４９】
無機酸化物粒子やその分散液は市販されており、これらの市販品を使用することもできる。
無機酸化物粒子やその分散液の市販品（商品名）としては、例えば、シリカ粒子の分散液として、メタノールシリカゾル、ＩＰＡ−ＳＴ、ＭＥＫ−ＳＴ、ＮＢＡ−ＳＴ、ＸＢＡ−ＳＴ、ＤＭＡＣ−ＳＴ、ＳＴ−ＵＰ、ＳＴ−ＯＵＰ、ＳＴ−Ｃ、ＳＴ−Ｎ、ＳＴ−Ｏ、ＳＴ−ＯＬ、ＳＴ−２０、ＳＴ−４０、ＳＴ−５０（以上、日産化学工業（株）製）；オルガノゾルＰＬ−２ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル分散液、扶桑化学工業（株）製）等を、シリカ粒子として、アエロジル１３０、アエロジル３００、アエロジル３８０、アエロジルＴＴ６００、アエロジルＯＸ５０（以上、日本アエロジル（株）製）；シルデックスＨ３１、シルデックスＨ３２、シルデックスＨ５１、シルデックスＨ５２、シルデックスＨ１２１、シルデックスＨ１２２（以上、旭硝子（株）製）；Ｅ２２０Ａ、Ｅ２２０（以上、日本シリカ工業（株）製）；ＳＹＬＹＳＩＡ４７０（富士シリシア（株）製）、ＳＧフレーク（日本板硝子（株）製）等を、アルミナ粒子の分散液として、アルミナゾル−１００、アルミナゾル−２００、アルミナゾル−５２０（以上、いずれも水分散液、日産化学工業（株）製）；ＡＳ−１５０１（ｉ−プロパノール分散液、住友大阪セメント（株）製）；ＡＳ−１５０Ｔ（トルエン分散液、住友大阪セメント（株）製）等を、ジルコニア粒子の分散液として、ＨＸＵ−１１０ＪＣ（トルエン分散液、住友大阪セメント（株）製）等を、アンチモン酸亜鉛粒子の分散液として、セルナックス（水分散液、日産化学工業（株）製）等を、酸化セリウム粒子の分散液として、ニードラール（水分散液、多木化学（株）製）等を、それぞれ挙げることができる。
【００５０】
また、本発明の光半導体封止用組成物には、着色を抑えるために、必要に応じて、酸化防止剤、光安定剤や紫外線吸収剤を配合することもできる。
前記酸化防止剤としては、商品名で、例えば、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＢＨＴ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＭ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＳ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＭＤＰ−Ｓ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＢＢＭ−Ｓ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＷＸ−Ｒ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＡ−８０、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰＬ−Ｒ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰＭ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰＳ、ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰ−Ｄ（以上、住友化学工業（株）製）；Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６、Ｉｒｇａｎｏｘ５６５、Ｉｒｇａｎｏｘ１５２０、Ｉｒｇａｎｏｘ２４５、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１０９８、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、Ｉｒｇａｎｏｘ１４２５、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４、ＩｒｇａｎｏｘＭＤ−１０２４（以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）；Ｃｙａｎｏｘ１７９０（Ｃｙｔｅｃ社製）；ＴＮＰ（四日市合成（株）製）；Ｗｅｓｔｏｎ６１８（Ｖｏｒｇ  Ｗａｒｎｅｒ社製）；Ｉｒｇａｆｏｓ１６８（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）；ＡｄｅｋａｓｔａｂＰＥＰ−３６、ＡｄｅｋａｓｔａｂＨＰ−１０（以上、旭電化工業（株）製）や、ＳａｎｄｓｔａｂＰ−ＥＰＱ、Ｕｌｔｒａｎｏｘ６２６等を挙げることができる。
前記光安定剤としては、商品名で、例えば、Ｖｉｏｓｏｒｂ０４（共同薬品（株）製）；Ｔｉｎｕｖｉｎ６２２、Ｔｉｎｕｖｉｎ７６５（以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）；ＣｙａｓｏｒｂＵＶ−３３４６（Ｃｙｔｅｃ社製）；ＡｄｅｋａｓｔａｂＬＡ−５７（旭電化工業（株）製）や、Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ１１９、Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ９４４等を挙げることができる。
【００５１】
前記紫外線吸収剤としては、商品名で、例えば、Ｖｉｏｓｏｒｂ８０、Ｖｉｏｓｏｒｂ１１０、Ｖｉｏｓｏｒｂ１３０、Ｖｉｏｓｏｒｂ５２０、Ｖｉｏｓｏｒｂ５８３、Ｖｉｏｓｏｒｂ５９０（以上、共同薬品（株）製）；ＴｉｎｕｖｉｎＰ、Ｔｉｎｕｖｉｎ２１３、Ｔｉｎｕｖｉｎ２３４、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２０、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２６、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２８（以上、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）；ＡｄｅｋａｓｔａｂＬＡ−３１（旭電化工業（株）製）等を挙げることができる。
さらに、本発明の光半導体封止用組成物には、必要に応じて、本発明の所期の効果を損なわない範囲で、脂環式エポキシ化合物、芳香族エポキシ化合物、エチレングリコールやプロピレングリコール等の脂肪族ポリオール、脂肪族または芳香族のカルボン酸、フェノール化合物等の炭酸ガス発生防止剤；ポリアルキレングリコール類、ポリジメチルシロキサン誘導体等の可とう性付与剤；各種のゴムや有機ポリマービーズ等の耐衝撃性改良剤のほか、可塑剤、滑剤、他のシランカップリング剤、難燃剤、帯電防止剤、レベリング剤、イオントラップ剤、摺動性改良剤、遥変性付与剤、表面張力低下剤、消泡剤、沈降防止剤、抗酸化剤、離型剤、蛍光剤、着色剤、導電性充填剤等の前記以外の添加剤を配合してもよい。
【００５２】
また、リードフレームとの密着性を上げる目的で密着助剤を添加することもできる。β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ドデカンジチオール、式（２７）、（２８）の化合物。
【００５３】
【化６】
2007169406.tif 000007
【００５４】
また、式（２９）、（３０）のようなチタネート系密着助剤を使用することもできる。
【００５５】
【化７】
2007169406.tif 000008
【００５６】
これらの中でもβ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ドデカンジチオール、式（２７）、（２８）の化合物が好ましい。
密着助剤の添加量は好ましくは（Ａ）および（Ｂ）成分のポリオルガノシロキサン合計１００重量部に対し０．０１〜３０重量部、より好ましくは０．１〜２０重量部である。
クラックやリードフレームとの剥離を防ぐ目的で応力緩和剤を添加することもできる。
エポキシ変性シリコーンとして例えばＫＦ−１０５，Ｘ−２２−１６３Ａ，Ｘ−２２−１６３Ｂ，Ｘ−２２−１６３Ｃ、ＫＦ−１００１、ＫＦ−１０１、Ｘ−２２−２０００、Ｘ−２２−１６９ＡＳ、Ｘ−２２−１６９Ｂ、ＫＦ−１０２（以上信越化学工業（株））、ＳＦ８４２１（東レダウ）、カルボキシル基変性シリコーンとしてＸ−２２−１６２Ｃ、Ｘ−２２−３７０１Ｅ、Ｘ−２２−３７１０（以上信越化学工業（株））、メルカプト変性Ｘ−２２−１６７Ｂ、ＫＦ−２００１、ＫＦ−２００４（以上信越化学工業（株））、両末端カルボキシ変性水添ポリブタジエンとしてＣＩ１０００（日本曹達（株））、両末端ヒドロキシ変性ポリブタジエンとしてＧＩ２０００、ＧＩ３０００（以上、日本曹達（株）製）を挙げることができる。
【００５７】
また、樹脂の表面張力を調節する目的で界面活性剤を添加することもできる。
具体的にはＦ−４７４、Ｆ−４７９（以上、大日本インキ化学工業（株））、ＦＣ−４４３０、ＦＣ−４４３２（以上、住友スリーエム（株））、ＫＰ３２３、ＫＰ３４１（以上、信越化学工業（株））、ＰＡＩＮＴＡＤ３２、ＰＡＩＮＴＡＤ５４、ＤＫ８−８０１１（東レダウ）、エマルゲン１０４Ｐ、エマルゲン１０９Ｐ、エマルゲン１２３、レオドール８Ｐを挙げることができる。
【００５８】
光半導体封止用組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により各成分を混合して調製することができるが、光半導体封止用組成物の好ましい調製方法としては、シラン化合物（１）等とシラン化合物（２）等とを、前記した要領で加水分解・縮合させることにより得られた（Ａ）成分と（Ｂ）成分のポリオルガノシロキサンを、必要に応じ、（Ｃ）カルボン酸無水物または多価カルボン酸と混合する方法を挙げることができる。
なお、光半導体封止用組成物は、（Ｃ）成分を含有するとき、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を主成分とするポリオルガノシロキサン液と（Ｃ）成分を主成分とする硬化剤液とを別々に調製しておき、使用時に両者を混合して調製してもよい。
【００５９】
光半導体封止材
本発明の光半導体封止材は、光半導体封止用組成物を加熱硬化させた硬化物からなる。
本発明の光半導体封止材を形成する際には、光半導体層を有する基板の所定箇所に、各光半導体封止用組成物を、例えば、塗布、ポッティング、含浸等により施工したのち、加熱して硬化させる。
各光半導体封止用組成物の施工方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ディスペンサーによる塗布またはポッティング、真空下または常圧下におけるスクリーン印刷による塗布、反応射出成型等の公知の方法を採用することができる。
【００６０】
また、施工後の各光半導体封止用組成物を硬化させる方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、密閉式硬化炉、連続硬化が可能なトンネル炉等の従来公知の硬化装置を用いることができる。
硬化させるための加熱方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、熱風循環式加熱、赤外線加熱、高周波加熱等の従来公知の方法を採用することができる。
硬化条件は、例えば、８０〜２５０℃で３０秒〜１５時間程度が好ましい。硬化に際して、硬化物の内部応力を低減させることを目的とする場合は、例えば８０〜１２０℃で０．５〜５時間程度の条件で予備硬化させたのち、例えば１２０〜１８０℃で０．１〜１５時間程度の条件で後硬化させることが好ましく、また短時間硬化を目的とする場合は、例えば１５０〜２５０℃で３０秒〜３０分程度の条件で硬化させることが好ましい。
【００６１】
光半導体
本発明の光半導体は、本発明の光半導体封止材により封止された光半導体からなる。
本発明の光半導体における光半導体封止材の膜厚は、好ましくは０．０５ｍｍ以上、より好ましくは０．１ｍｍ以上である。なお、光半導体封止材の厚さの上限値は、封止される光半導体の用途等に応じて適宜選定される。
本発明の光半導体封止用組成物は、ポッティング成型が可能であり、かつ膜厚が厚くても硬化物にクラックや気泡を生じることがなく、しかも無色透明でＵＶ耐久性に優れた光半導体封止材を形成することができ、例えば５００ｎｍ以下の領域に発光ピーク波長を有する青色ＬＥＤや白色ＬＥＤ等の封止に極めて好適に使用することができる。また、優れたＵＶ耐久性を有するため光半導体のボンディング材として使用することもできる。
【実施例】
【００６２】
以下に実施例を示して、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６３】
各合成例で得た（Ａ）または（Ｂ）成分であるポリオルガノシロキサンの粘度、Ｍｗおよびエポキシ当量の測定方法は、下記のとおりである。
粘度の測定方法：
ＴＶ型粘度計により、２５℃で測定した。
Ｍｗの測定方法：
カラム：東ソー（株）製ＴＳＫｇｅｌＧＲＣＸＬＩＩ、溶剤：テトラヒドロフラン、温度：４０℃および圧力：６８ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で測定した。
エポキシ当量の測定方法：
−ヨウ化カリウム水溶液−
低ヨウ素酸塩含量（０．００３重量％以下）のヨウ化カリウム３．０ｇを蒸留水５．０ｇに溶解して調製した。
−エポキシ基の滴定法−
還流器とビューレットを取り付けた２岐管を介してジムロート冷却管を装着した１２５ミリリットルの三角フラスコに、各試料（ポリオルガノシロキサン）１．０〜１．５ｇを入れて、熱板付マグネチックスターラー上で攪拌しながら還流させ、試料が溶解した時点で直ちに、指示薬２０滴とヨウ化カリウム水溶液を加えた。その後、再び還流させたのち、１Ｎ塩酸で終点になるまで滴定した。この終点は、１Ｎ塩酸を１滴加えたとき、溶液が青色から黄色に変わり、その黄色が１分以上持続する点である。
−エポキシ当量の算出法−
試料重量をＷ（ｇ）、滴下した１Ｎ塩酸の量をＶ（ミリリットル）としたとき、下記式により、エポキシ当量を算出した。
エポキシ当量＝１０００×Ｗ／Ｖ
ガラス転移温度測定法：ＤＳＣ（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）装置を用い、−１００〜５０℃まで窒素雰囲気下で１０℃／分の昇温速度で測定した。
【００６４】
合成例１
撹拌機、温度計、滴下漏斗、還流冷却管を備えた反応容器に、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（ＥＣＥＴＳ）６０．０ｇ、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＳ）４０．０ｇ、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）５００ｇ、トリエチルアミン１０．０ｇを加え、室温で混合した。次いで、脱イオン水１００ｇを滴下漏斗より３０分かけて滴下したのち、還流下で混合しつつ、８０℃で６時間反応させた。反応終了後、有機層を取り出し、０．２重量％硝酸アンモニウム水溶液で、洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、減圧下で溶媒および水を留去して、（Ａ）ポリオルガノシロキサンを粘調な透明液体として得た。
この（Ａ）ポリオルガノシロキサンについて、１Ｈ−ＮＭＲ分析を行なったところ、化学シフト（δ）＝３．２ｐｐｍ付近にエポキシ基に基づくピークが理論強度どおりに得られ、反応中にエポキシ基の副反応が起こっていないことが確認された。
このポリオルガノシロキサンの粘度、Ｍｗおよびエポキシ当量を表１に示す。
【００６５】
合成例２〜４
仕込み原料を表１に示すとおりとした以外は、合成例１と同様にして、各（Ａ）または(Ｂ)成分であるポリオルガノシロキサンを粘調な透明液体として得た。
各ポリオルガノシロキサンの粘度、Ｍｗおよびエポキシ当量を表１に示す。
【００６６】
【表１】
2007169406.tif 000009
光半導体封止用組成物の成型治具と硬化条件、並びに硬化物の外観、ＵＶ耐久性および硬度の評価要領は、下記のとおりである。
【００６７】
成型治具：
ポリエチレンテレフタレートフィルムを表面に貼り付けたガラス板２枚を対向させ、ガラス板の端部に直径２ｍｍのシリコンゴムロッドをＵ字状にして挟み込んで、成型治具とした。
硬化条件：
前記成型治具に光半導体封止用組成物を注入し、１２０℃のオーブンで２時間、１４０℃のオーブンで２時間加熱して硬化させた。
ＵＶ耐久性の評価要領：
硬化物に対して、紫外線ロングライフフェードメーター（スガ試験機（株）製）を用い、紫外線（ＵＶ）を６３℃で２週間連続照射して、照射前後における波長４７０ｎｍでの透過率を分光光度計にて測定した。
耐熱性：硬化物の初期および１５０℃のオーブンに１２０時間放置した後の４７０ｎｍでの透過率を測定した。
クラック・剥離の評価要領：
半導体封止用組成物をリードフレームに注入し、１２０℃で２時間、１４０℃で２時間硬化させたサンプルを１０個作成した。このサンプルを−５０〜１００℃のヒートサイクル２００回繰り返した後に顕微鏡にてクラック・剥離を観察した。
クラック・剥離があるサンプルが１０個中５個以下・・・○
クラック・剥離があるサンプルが１０個中６個以上・・・×
【００６８】
実施例１
表２に示す各成分を用いた。すなわち（Ａ）成分として、合成例１で得た（Ａ）ポリオルガノシロキサン８．０ｇ、（Ｂ）成分として合成例４で得たポリオルガノシロキサン２．０ｇ、（Ｃ）成分としてシクロヘキサン−１，３，４−トリカルボン酸−３，４−無水物（以下、ＣＴＡと略）３．１ｇ、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物（商品名ＭＨ７００、新日本理化（株）製）１．３ｇを加えて、均一に混合し、脱泡したのち、成型冶具に注入して硬化させることにより、無着色透明な硬化物を得た。この硬化物の評価結果を表３に示す。
【００６９】
実施例２〜３、比較例１
表２に示す各成分を用いた以外は実施例１と同様にして、硬化物を得た。各硬化物の評価結果を表３に示す。
表２における前記以外の成分の内容は、下記のとおりである。
実施例に示すように（Ｂ）成分のポリシロキサンを添加したものはＵＶ耐久性および耐熱性を維持しつつクラック・剥離を改善することができる。
【００７０】
【表２】
2007169406.tif 000010
【００７１】
【表３】
2007169406.tif 000011