(57)【要約】【課題】  樹脂封止型ＢＧＡタイプの半導体装置において、半導体素子から発生した熱を、平面方向に効率良く放散させる構造を提供する。【解決手段】  半導体素子１が搭載された配線基板２と、配線基板主面の周辺部に沿って配線基板主面上に取り付けられた環状の放熱板３と、半導体素子の接続電極１ａと配線基板の主面上に形成された接続電極２ａとを電気的に接続する第１のボンディングワイヤ４と、半導体素子のダミー電極１ｂと放熱板とを接続する第２のボンディングワイヤ５と、半導体素子、放熱板の少なくとも一部及び第１及び第２のボンディングワイヤとを封止する樹脂封止体９とを有する。半導体素子による発熱がボンディングワイヤを伝って放熱板に広がった後、配線基板とはんだボールを経由して実装基板から放熱されるようになる。平面方向にも効率良く熱を拡散することによって従来技術よりも放熱性を向上させる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に内部回路と電気的に接続された複数の接続電極及び前記内部回路とは電気的に接続されていない複数のダミー電極とを備えた半導体素子と、
前記半導体素子が搭載された配線基板と、
前記配線基板主面の周辺部に沿って前記配線基板主面上に取り付けられた環状の放熱板と、
前記半導体素子の接続電極と前記配線基板上に形成された接続電極とを電気的に接続する第１のボンディングワイヤと、
前記半導体素子のダミー電極と前記放熱板とを接続する第２のボンディングワイヤと、
前記半導体素子、前記配線基板の一部、前記放熱板の少なくとも一部及び前記第１及び第２のボンディングワイヤとを封止する樹脂封止体とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線基板上に取り付けられた前記放熱板は、前記樹脂封止体によって露出部分が被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線基板上に取り付けられた前記放熱板は、前記樹脂封止体によって一部被覆されており、被覆されずに前記樹脂封止体から露出している部分には、表面に凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤとは、形状及び材料が同じであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいづれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
表面に内部回路と電気的に接続された複数の接続電極及び前記内部電極とは電気的に接続されていない複数のダミー電極とを備えた半導体素子と、
前記半導体素子が搭載されたリードフレームの素子搭載部と、
前記素子搭載部を支持する前記リードフレームの吊りピン部に前記半導体素子及び前記素子搭載部を囲むように取り付けられた環状の放熱板と、
前記半導体素子の接続電極と前記リードフレームのリードとを電気的に接続する第１のボンディングワイヤと、
前記半導体素子のダミー電極と前記放熱板とを接続する第２のボンディングワイヤと、
前記半導体素子、前記素子搭載部、前記放熱板の少なくとも一部、前記リードフレームのリードの一部、前記第１のボンディングワイヤ及び第２のボンディングワイヤとを封止する樹脂封止体とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型ＢＧＡ（Ball Grid Array ）タイプの半導体装置の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高消費電力化及び高集積化が進むにつれ動作時の発熱量が大きくなり、半導体装置の内部温度が高くなるようになってきている。これにより半導体素子の誤動作や寿命の低下を招いている。
この問題を解決するための従来技術を説明する。半導体装置は、パッケージ基板もしくはインターポーザ（以下、配線基板という）、パッケージ基板に搭載された半導体チップ及び半導体チップを封止する樹脂封止体から構成されている。配線基板にはプリント基板などが用いられる。
【０００３】
配線基板は、主面及び裏面に接続電極（パッド）が形成されている。主面及び裏面のパッド間は、配線基板内部に埋め込まれた多層配線層（図示しない）を介して適宜電気的に接続されている。従来、配線基板は、半導体装置用プリント基板に放熱用のスルーホールを設けたり、そのスルーホールの直下にはんだボールを搭載している。これにより実装基板への放熱が効果的に行われる。その他には半導体装置に外付けの放熱フィンを搭載したり、強制空冷により冷却している。しかしながら、上記のような、半導体装置用基板にスルーホールを設けたり、放熱用はんだボールを搭載しても熱的な飽和状態となっている。また外付けの放熱フィンを搭載すると、半導体装置の上方に、フィンを搭載するための空間が必要となるが、実装基板を組み込む筐体は一般的に狭いため、そのような空間を空けておくことは難しい。また同様の理由により、雰囲気に強制対流を起こさせることも困難である。
従来技術が開示された特許文献１には、ストリップ又はリール形態のメタルキャリヤフレームにユニットＰＣＢ基板を付着し、メタルキャリヤフレームの一部を半導体パッケージのヒートスプレッダとして構成して半導体パッケージを製造する。ヒートスプレッダは、ＰＣＢ基板の周辺に配置されており、ＢＧＡパッケージの熱放出を容易にすることが記載されている。
【特許文献１】特開平１０−８４０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
樹脂封止型ＢＧＡ（Ball Grid Array ）タイプの半導体装置において、半導体素子から発生した熱を放散させる、とくに平面方向に熱を効率良く放散させる構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置の一態様は、主面に内部回路と電気的に接続された複数の接続電極及び前記内部回路とは電気的に接続されていない複数のダミー電極とを備えた半導体素子と、前記半導体素子が搭載された配線基板と、前記配線基板主面の周辺部に沿って前記配線基板主面上に取り付けられた環状の放熱板と、前記半導体素子の接続電極と前記配線基板の主面上に形成された接続電極とを電気的に接続する第１のボンディングワイヤと、前記半導体素子のダミー電極と前記放熱板とを接続する第２のボンディングワイヤと、前記半導体素子、前記配線基板の一部、前記放熱板の少なくとも一部及び前記第１及び第２のボンディングワイヤとを封止する樹脂封止体とを備えたことを特徴としている。
【０００６】
また、本発明の半導体装置の一態様は、表面に内部回路と電気的に接続された複数の接続電極及び前記内部電極とは電気的に接続されていない複数のダミー電極とを備えた半導体素子と、前記半導体素子が搭載されたリードフレームの素子搭載部と、前記素子搭載部を支持する前記リードフレームの吊りピン部に前記半導体素子及び前記素子搭載部を囲むように取り付けられた環状の放熱板と、前記半導体素子の接続電極と前記リードフレームのリードとを電気的に接続する第１のボンディングワイヤと、前記半導体素子のダミー電極と前記放熱板とを接続する第２のボンディングワイヤと、前記半導体素子、前記素子搭載部、前記放熱板の少なくとも一部、前記リードフレームのリードの一部、前記第１のボンディングワイヤ及び第２のボンディングワイヤとを封止する樹脂封止体とを備えたことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、以上の構成により、半導体素子における発熱がボンディングワイヤを伝って放熱板に広がった後、配線基板とはんだボールを経由して実装基板から放熱されるようになる。従来技術のような半導体素子直下の方向への放熱だけでは熱的に飽和していたが、平面方向にも熱を拡散することによって従来技術よりも放熱性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明は、樹脂封止型ＢＧＡタイプの構造を有する半導体装置に関するもので、配線基板周辺に設けた放熱板と半導体素子とをボンディングワイヤにより接続することにより、半導体素子の発熱を効率よく平面方向にも放散させることを特徴とする。
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【０００９】
まず、図１及び図２を参照して実施例１を説明する。
図１は、半導体装置が搭載された実装基板の部分透視平面図、図２は、図１の半導体装置が搭載された実装基板の断面図である。
実装基板１０には、半導体装置が搭載されている。実装基板１０には、主面に銅などからなる接続電極（パッド）１０ａを含む配線パターンが形成されている。半導体装置は、半導体素子（チップ）１と、これが搭載される配線基板２と、配線基板主面に取り付けられた放熱板３とを備えている。半導体素子１は、例えば、シリコン半導体などからなり、主面には複数のアルミニウムなどの接続電極（パッド）１ａ及びアルミニウムなどのダミー電極１ｂが形成されている。接続電極１ａは、半導体素子１に形成された内部回路に電気的に接続され、ダミー電極１ｂは半導体素子１に形成された内部回路とは電気的に接続されていない。配線基板２は、主面に銅などからなる接続電極（パッド）２ａ及び素子搭載部２ｂを含む配線パターンを有しており、裏面に銅などからなる接続電極（パッド）２ｃを含む配線パターンが形成されている。配線基板２の主面及び裏面の配線パターンは、配線基板２に埋め込み形成された銅などからなるビア７により電気的に接続されている。また、配線基板２の裏面に形成された接続電極２ｃには、例えば、はんだボール８のような外部接続端子が接合される。
【００１０】
配線基板２主面には半導体素子１及び放熱板３が搭載されている。半導体素子１は、配線パターンの素子搭載部２ｂ上にエポキシ樹脂などの接着剤（ダイアタッチ材）６により接合されている。また、配線基板２上には半導体素子１を囲むように環状の放熱板３が配線基板２の周辺部に沿って配置されている。放熱板３は、銅、銅合金、アルミニウム、シリコンを含むアルミニウム合金、高熱伝導セラミックなどの高熱伝導材料を用いる。
半導体素子１と外部接続端子であるはんだボール８とは第１のボンディングワイヤ４により電気的に接続される。第１のボンディングワイヤ４は、配線基板２主面の接続電極２ａ及び半導体素子１主面の接続電極１ａにボンディングされる。半導体素子１から発生した熱の放熱経路は、第２のボンディングワイヤ５により構成される。第２のボンディングワイヤ５は、放熱板３上面の任意の位置と半導体素子１のダミー電極１ｂとに接続される。勿論、第２のボンディングワイヤは、放熱特性を損ねなければ、ダミー電極に接続せず、半導体素子１主面の電極部分以外の部分に接続することができる。また、ボンディングワイヤは、２０〜３０μｍ径の金を材料としている。放熱性を高めるために、第２のボンディングワイヤは太いほど良い（例えば、５０μｍ径のワイヤを用いることができる）が、第１及び第２のボンディングワイヤを同じ太さの金ワイヤを用いれば、ボンディング工程を１回にすることができ、工程を短縮させることができる。
【００１１】
配線基板２上に形成された半導体素子１、放熱板３、第１のボンディングワイヤ４及び第２のボンディングワイヤ５は、例えば、トランスファモールド法などにより、樹脂封止体９に封止される。実装基板１０は、複数の接続電極１０ａに各はんだボール８を接合させて、半導体装置を主面に搭載している。
以上のように構成されることによって半導体素子で生じた熱は、高熱伝導材料である金のボンディングワイヤから放熱板に伝わり、平面方向に熱を拡散することが効率良くできる。
【実施例２】
【００１２】
次に、図３及び図４を参照して実施例２を説明する。
図３は、リードフレームを用いた半導体装置の樹脂封止体部分を透視した平面図、図４は、図３のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図である。図３は、リードフレームを用いた半導体装置である。この半導体装置は、次のような構造を有している。ＣｕやＦｅ−４２Ｎｉなどを材料とするリードフレーム２２上にエポキシ樹脂などを材料とする絶縁性の接着剤（ダイアタッチ材）２６を用いて固定されたシリコンなどの半導体基板に形成した半導体素子２１が搭載されている。リードフレーム２２は、素子搭載部２２ａ、リード２２ｂ及び素子搭載部２２ａを支持する吊りピン部２２ｃを備えている。半導体素子２１の裏面は、前記ダイアタッチ材２６を介して素子搭載部２２ａ表面に接合されている。また、半導体素子２１表面には、アルミニウムなどからなる複数の接続電極２１ａ及びダミー電極２１ｂが設けられている。半導体素子２１表面に形成された接続電極２１ａとリード２２ｂの素子搭載部２２ａと対向する先端部とは金などから構成された第１のボンディングワイヤ２４により接続されて半導体素子２１とリードフレーム２２とが電気的に接続されている。リードフレーム２２のリード２２ｂ及び吊りピン部２２ｃに環状の放熱板２３がエポキシ樹脂などを材料とする絶縁性接着剤２７により接合されている。
【００１３】
第１のボンディングワイヤ２４が半導体素子２１の接続電極２１ａとリードフレーム２２のリード２２ｂとにボンディングされる。半導体素子２１から発生した熱の放熱経路は、第２のボンディングワイヤ２５により構成される。第２のボンディングワイヤ２５は、放熱板２３上面の任意の位置と半導体素子２１のダミー電極２１ｂとに接続される。勿論、第２のボンディングワイヤは、放熱特性を損ねなければ、ダミー電極に接続せず、半導体素子１主面の電極部分以外の部分に接続することができる。ボンディングワイヤは、２０〜３０μｍ径の金を材料としている。放熱性を高めるために、第２のボンディングワイヤは太いほど良いが、第１及び第２のボンディングワイヤを同じ太さの金ワイヤとすれば、ボンディング工程を１回にすることができ、工程を短縮させることができる。
【００１４】
半導体素子２１、素子搭載部２２ａ、リード２２ｂの一部、吊りピン部２２ｃの一部、第１及び第２のボンディングワイヤ２４、２５等は、エポキシ樹脂等を材料とする樹脂封止体２９により封止されている。放熱板２３は、銅、銅合金、アルミニウム、シリコンを含むアルミニウム合金、高熱伝導セラミックなどの高熱伝導材料を用いる。
以上のように構成されることによって半導体素子で生じた熱は、高熱伝導材料である金のボンディングワイヤから放熱板に伝わり、平面方向に熱を拡散することが効率良くできる。
【実施例３】
【００１５】
まず、図５を参照して実施例３を説明する。
図５は、半導体装置が搭載された実装基板の部分透視断面図である。
実装基板３０には、半導体装置が搭載され、主面に銅などの接続電極３０ａを含む配線パターンが形成されている。半導体装置は、半導体素子３１と、これが搭載された配線基板３２と、配線基板３２主面上の放熱板３３とを備えている。半導体素子３１は、主面に複数の接続電極３１ａ及びダミー電極３１ｂが形成されている。接続電極３１ａは、半導体素子３１に形成された内部回路に電気的に接続され、ダミー電極３１ｂは、この内部回路とは電気的に接続されていない。配線基板３２は、主面に接続電極３２ａ及び素子搭載部３２ｂを含む配線パターンを有し、裏面に接続電極３２ｃを含む配線パターンが形成されている。配線基板３２両面の配線パターンは、配線基板３２に埋め込まれたビア３７により電気的に接続されている。また、配線基板３２の裏面に形成された接続電極３２ｃには、はんだボール３８のような外部接続端子が接合されている。
【００１６】
配線基板３２主面には半導体素子３１及び放熱板３３が搭載されている。半導体素子３１は、素子搭載部３２ｂ上に接着剤（ダイアタッチ材）３６により接合されている。また、配線基板３２上には半導体素子３１を囲むように環状の放熱板３３が配線基板３２の周辺部に沿って配置されている。
半導体素子３１と外部接続端子であるはんだボール３８とは第１のボンディングワイヤ３４により電気的に接続される。第１のボンディングワイヤ３４は、配線基板３２主面の接続電極３２ａ及び半導体素子３１主面の接続電極３１ａにボンディングされる。半導体素子３１から発生した熱の放熱経路は、第２のボンディングワイヤ３５により構成される。第２のボンディングワイヤ３５は、放熱板３３上面の任意の位置と半導体素子３１のダミー電極３１ｂとに接続される。配線基板３２に搭載された半導体素子３１、放熱板３３の一部、第１のボンディングワイヤ３４及び第２のボンディングワイヤ３５は、樹脂封止体３９により封止される。放熱板３３は、外周側面が樹脂封止体３９から露出している。実装基板３０は、複数の接続電極３０ａに各はんだボール３８を接合させて、半導体装置を主面に搭載している。
【００１７】
以上のように構成されることによって半導体素子で生じた熱は、高熱伝導材料である金のボンディングワイヤから放熱板に伝わり、平面方向に熱を拡散することが効率良くできる。また、この実施例では放熱板は、半導体装置の樹脂封止体外形寸法と同等またはそれ以上の大きさである。そのため樹脂封止体は、放熱板の環状体の上に成型されることになる（図５参照）。そのため放熱板の側面が雰囲気に露出されるので放熱効果が上昇する。
【実施例４】
【００１８】
まず、図６を参照して実施例４を説明する。
図６は、半導体装置が搭載された実装基板の部分透視断面図である。
実装基板４０には、半導体装置が搭載され、主面に接続電極４０ａを含む配線パターンが形成されている。半導体装置は、半導体素子４１と、これが搭載された配線基板４２と、配線基板４２主面上の放熱板４３とを備えている。半導体素子４１は、主面に複数の接続電極４１ａ及びダミー電極４１ｂが形成されている。接続電極４１ａは、半導体素子４１に形成された内部回路に電気的に接続され、ダミー電極４１ｂは、この内部回路とは電気的に接続されていない。配線基板４２は、主面に接続電極４２ａ及び素子搭載部４２ｂを含む配線パターンを有し、裏面に接続電極４２ｃを含む配線パターンが形成されている。配線基板４２の主面及び裏面の配線パターンは、配線基板４２に埋め込まれたビア４７により電気的に接続されている。また、配線基板４２の裏面に形成された接続電極４２ｃには、はんだボール４８のような外部接続端子が接合されている。
【００１９】
配線基板４２主面には半導体素子４１及び放熱板４３が搭載されている。半導体素子４１は、素子搭載部４２ｂ上に接着剤（ダイアタッチ材）４６により接合されている。また、配線基板４２上には半導体素子４１を囲むように環状の放熱板４３が配線基板４２の周辺部に沿って配置されている。
半導体素子４１と外部接続端子であるはんだボール４８とは第１のボンディングワイヤ４４により電気的に接続される。第１のボンディングワイヤ４４は、配線基板４２主面の接続電極４２ａ及び半導体素子４１主面の接続電極４１ａにボンディングされる。半導体素子４１から発生した熱の放熱経路は、第２のボンディングワイヤ４５により構成される。第２のボンディングワイヤ４５は、放熱板４３上面の任意の位置と半導体素子４１のダミー電極４１ｂとに接続される。配線基板４２に搭載された半導体素子４１、放熱板４３の一部、第１のボンディングワイヤ４４及び第２のボンディングワイヤ４５は、樹脂封止体４９により封止される。放熱板４３は、外周側面及び上面の外周部分が樹脂封止体４９から露出している。実装基板４０は、複数の接続電極４０ａに各はんだボール４８を接合させて、半導体装置を主面に搭載している。
【００２０】
以上のように構成されることによって半導体素子で生じた熱は、高熱伝導材料である金のボンディングワイヤから放熱板に伝わり、平面方向に熱を拡散することが効率良くできる。また、この実施例では放熱板は、半導体装置の樹脂封止体外形寸法以上の大きさである。そのために樹脂封止体は、実施例３と同様に放熱板の環状体の上に成型されることになる。すなわち、樹脂封止体エリアを実施例３よりさらに狭くすると放熱板の環状体上面が雰囲気中に露出される（図６参照）ため放熱効果が上昇する。さらに、露出した環状体表面には外付けのヒートシンクや放熱フィン、筐体などを接続することによりさらに放熱効果を上げることが可能となる。
【実施例５】
【００２１】
まず、図７を参照して実施例５を説明する。
図７は、半導体装置が搭載された実装基板の部分透視断面図である。
実装基板５０には、半導体装置が搭載され、主面に接続電極５０ａを含む配線パターンが形成されている。半導体装置は、半導体素子５１と、これが搭載された配線基板５２と、配線基板５２主面上の放熱板５３とを備えている。
半導体素子５１は、主面に複数の接続電極５１ａ及びダミー電極５１ｂが形成されている。接続電極５１ａは、半導体素子５１に形成された内部回路に電気的に接続され、ダミー電極５１ｂは、この内部回路とは電気的に接続されていない。配線基板５２は、主面に接続電極５２ａ及び素子搭載部５２ｂを含む配線パターンを有し、裏面に接続電極５２ｃを含む配線パターンが形成されている。配線基板５２両面の配線パターンは、配線基板５２に埋め込まれたビア５７により電気的に接続されている。また、配線基板５２の裏面に形成された接続電極５２ｃには、はんだボール５８のような外部接続端子が接合されている。
【００２２】
配線基板５２主面には半導体素子５１及び放熱板５３が搭載されている。半導体素子５１は、素子搭載部５２ｂ上に接着剤（ダイアタッチ材）５６により接合されている。また、配線基板５２上には半導体素子５１を囲むように環状の放熱板５３が配線基板５２の周辺部に沿って配置されている。
半導体素子５１と外部接続端子であるはんだボール５８とは第１のボンディングワイヤ５４により電気的に接続される。第１のボンディングワイヤ５４は、配線基板５２主面の接続電極５２ａ及び半導体素子５１主面の接続電極５１ａにボンディングされる。半導体素子５１から発生した熱の放熱経路は、第２のボンディングワイヤ５５により構成される。第２のボンディングワイヤ５５は、放熱板５３上面の任意の位置と半導体素子５１のダミー電極５１ｂとに接続される。配線基板５２に搭載された半導体素子５１、放熱板５３の一部、第１のボンディングワイヤ５４及び第２のボンディングワイヤ５５は、樹脂封止体５９により封止される。放熱板５３は、外周側面及び上面の外周部分が樹脂封止体５９から露出している。放熱板５３の樹脂封止体５９から露出している上面には凹凸加工５３ａが施されている。実装基板５０は、複数の接続電極５０ａに各はんだボール５８を接合させて、半導体装置を主面に搭載している。
【００２３】
以上のように構成されることによって半導体素子で生じた熱は、高熱伝導材料である金のボンディングワイヤから放熱板に伝わり、平面方向に熱を拡散することが効率良くできる。また、この実施例では放熱板は、半導体装置の樹脂封止体外形寸法以上の大きさである。そのために樹脂封止体は、実施例３、４と同様に放熱板の環状体の上に成型されることになる。すなわち、樹脂封止体エリアを放熱板よりさらに狭くすると放熱板の環状体上面の一部が雰囲気中に露出され、そこに形成された凹凸加工が放熱フィンとしての機能を果たす（図７参照）ために放熱効果が上昇する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施例である実施例１に係る半導体装置が搭載された実装基板の部分透視平面図。
【図２】図１の半導体装置が搭載された実装基板の断面図。
【図３】本発明の一実施例である実施例２に係るリードフレームを用いた半導体装置の樹脂封止体部分を透視した平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。
【図５】本発明の一実施例である実施例３に係る半導体装置が搭載された実装基板の部分透視断面図。
【図６】本発明の一実施例である実施例４に係る半導体装置が搭載された実装基板の部分透視断面図。
【図７】本発明の一実施例である実施例５に係る半導体装置が搭載された実装基板の部分透視断面図。
【符号の説明】
【００２５】
１、２１、３１、４１、５１・・・半導体素子（チップ）
１ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ、５１ａ・・・半導体素子の接続電極
１ｂ、２１ｂ、３１ｂ、４１ｂ、５１ｂ・・・半導体素子のダミー電極
２、３２、４２、５２・・・配線基板
２ａ、２ｃ、３２ａ、３２ｃ、４２ａ、４２ｃ、５２ａ、５２ｃ・・・配線基板の接続電極
２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ・・・配線基板の素子搭載部
３、２３、３３、４３、５３・・・放熱板
４、２４、３４、４４、５４・・・第１のボンディングワイヤ
５、２５、３５、４５、５５・・・第２のボンディングワイヤ
６、２６、２７、３６、４６、５６・・・接着剤（ダイアタッチ材）
７、３７、４７、５７・・・ビア
８、３８、４８、５８・・・はんだボール
９、２９、３９、４９、５９・・・樹脂封止体
１０、３０、４０、５０・・・実装基板
１０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ・・・実装基板の接続電極
２２・・・リードフレーム
２２ａ・・・リードフレームの素子搭載部
２２ｂ・・・リードフレームのリード
２２ｃ・・・リードフレームのつりピン部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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