(57)【要約】【課題】  表面を粗面化することなく、より簡易な工程で且つ様々なプラスチック材料に対して広範囲に適用可能なプラスチック成形品の製造方法を提供する。【解決手段】  凹部を有し、該凹部により表面に開口が画成されているプラスチック基材を用意することと、プラスチック基材の表面に金属微粒子を含有する物質を付加することと、該物質が付加されたプラスチック基材の表面に高圧二酸化炭素を接触させることと、開口を塞いで高圧二酸化炭素を凹部に滞留させ、凹部を画成するプラスチック基材の表面内部に金属微粒子を浸透させることとを含む製造方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック成形品の製造方法であって、
凹部を有し、該凹部により表面に開口が画成されているプラスチック基材を用意することと、
上記プラスチック基材の表面に金属微粒子を含有する物質を付加することと、
上記物質が付加された上記プラスチック基材の表面に高圧二酸化炭素を接触させることと、
上記開口を塞いで上記高圧二酸化炭素を上記凹部に滞留させ、上記凹部を画成する上記プラスチック基材の表面内部に上記金属微粒子を浸透させることとを含む製造方法。
【請求項２】
プラスチック成形品の製造方法であって、
スルーホールを有し、該スルーホールにより表面に開口が画成されているプラスチック基材を用意することと、
上記プラスチック基材の表面に金属微粒子を含有する物質を付加することと、
上記物質が付加された上記プラスチック基材の表面に高圧二酸化炭素を接触させることと、
上記開口を塞いで上記高圧二酸化炭素を上記スルーホールに滞留させ、上記スルーホールを画成する上記プラスチック基材の表面内部に上記金属微粒子を浸透させることとを含む製造方法。
【請求項３】
プラスチック成形品の製造方法であって、
凹部及びスルーホールを有し、該凹部及びスルーホールにより表面に開口が画成されているプラスチック基材を用意することと、
上記プラスチック基材の表面に金属微粒子を含有する物質を付加することと、
上記物質が付加された上記プラスチック基材の表面に高圧二酸化炭素を接触させることと、
上記開口を塞いで上記高圧二酸化炭素を上記凹部及びスルーホールに滞留させ、上記凹部及びスルーホールを画成する上記プラスチック基材の表面内部に上記金属微粒子を浸透させることとを含む製造方法。
【請求項４】
さらに、上記金属微粒子が浸透した上記プラスチック基材の表面領域にメッキ膜を形成することを含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
上記プラスチック基材が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれ一項に記載の製造方法。
【請求項６】
上記プラスチック基材が、液晶ポリマー、ポリアミド系樹脂、及びシクロオレフィン系樹脂のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれ一項に記載の製造方法。
【請求項７】
プラスチック成形品であって、
凹部及びスルーホールの少なくとも一方を有するフレキシブル基材と、
上記凹部及びスルーホールの少なくとも一方を画成する上記フレキシブル基材の表面領域に形成されたメッキ膜とを備え、
上記メッキ膜が形成されている上記フレキシブル基材の表面内部に上記メッキ膜のメッキ触媒核となる金属微粒子が含浸されていることを特徴とするプラスチック成形品。
【請求項８】
上記フレキシブル基材が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項７に記載のプラスチック成形品。
【請求項９】
上記フレキシブル基材の厚さが５０〜２００μｍであることを特徴とする請求項７または８に記載のプラスチック成形品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面改質されたプラスチック成形品の製造方法及びプラスチック成形品に関し、より詳細には、超臨界流体または高圧ガスを用いて表面改質されたプラスチック成形品の製造方法およびプラスチック成形品に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、プラスチック成形品からなる電子機器等の部品の表面に金属導電膜を形成する手段としては、無電解メッキ法が広く利用されている。プラスチック成形品の成形から無電解メッキのプロセスは、成形品の材料などにより多少異なるが、一般には、樹脂成形、成形品の脱脂、エッチング、中和及び湿潤化、触媒付与、触媒活性化、並びに、無電解メッキの工程からなり、この順で行なわれる。
【０００３】
プラスチック成形品を成形した後のプロセスをより詳細に説明すると、まず、プラスチック成形品の「脱脂」により成形品表面の油等を取り除き、次いで、「エッチング」によりプラスチック成形品の表面の粗面化を行う。「エッチング」プロセスでは、クロム酸溶液やアルカリ金属水酸化物溶液などを用いるが、これらのエッチング液は「中和」等の後処理が必要なため、コスト高の要因となっている。また、毒性の高いエッチャントを用いるので取り扱い上の問題もある。次いで、プラスチック成形品を界面活性剤水溶液で処理する（「湿潤化」）ことにより、成形品表面の濡れ性を改善した後、「キャタリスト（触媒付与）」プロセスによりプラスチック成形品の表面に触媒を付着させる。「キャタリスト」プロセスでは、例えば、触媒としてパラジウム触媒を用いた場合、塩化スズと塩化パラジウムの塩酸酸性水溶液にプラスチック成形品を含浸させる。「キャタリスト」プロセスの後は、プラスチック成形品を硫酸、塩酸などの酸に接触させてメッキ用触媒を活性化させる（アクセレーター（触媒活性化）プロセス）。以上のプロセスを経た後、はじめて「無電解メッキ」プロセスが可能になる。
【０００４】
また、従来、無電解メッキプロセスの前処理方法として、上述したエッチングによる粗面化プロセスを必要しないプロセスが提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。これらの特許文献で提案されている方法は、プラスチック成形品の表面に、メッキ触媒の含有する薄膜を有機バインダーや紫外線硬化樹脂により形成する方法である。更には従来、アミン化合物等のガス雰囲気で紫外線レーザをプラスチック成形品の表面に照射して表面改質する技術も提案されており（例えば、特許文献３参照）、これ以外でもコロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線処理等による表面改質技術が提案されている。
【０００５】
さらに、従来、超臨界流体を利用したポリマーの表面改質技術を用いて、メッキ触媒核をポリマー表面に浸透させる方法も提案されている（例えば、特許文献４参照）。また、熱可塑性樹脂からなる成形品を射出成形で成形する際に、金属粒子を成形品の表面近傍に偏析させる技術も提案されている（例えば、特許文献５参照）。特許文献５で開示されている技術では、凹部を有する成形品の全表面近傍に金属粒子を偏析させた後、凸部を研磨して凹部の表面にのみ金属粒子を偏析させる方法が開示されている。
【０００６】
プラスチック成形品の表面に金属導電膜を形成する方法としては、従来、プラスチック成形品に立体回路を設ける方法が提案されている（例えば、特許文献６及び７参照）。この形成方法では、まず、立体的なプラスチック製回路基板を樹脂成形により作製し、次いで、回路基板の表面を粗面化および触媒付与する。その後、回路基板表面の全面に無電解メッキを施して金属導電膜を形成する。次いで、フォトレジストを回路基板の全面に塗着する。そして、フォトマスクを被せて露光し、その後現像して回路パターン形成部以外のフォトレジストを除去する。次いで、回路基板の表面に電解メッキによりさらにＮｉやＡｕのメッキ膜を形成する。次いで、フォトレジストを剥離するとともにメッキ膜の不要部分をエッチング除去することにより、プラスチック成形品に立体回路を形成する。この技術では、立体構造のプラスチック成形品に均一なフォトレジストを形成するのは困難であるため、電着レジストを用いることが特許文献６で提案されているが、この電着レジストは耐アルカリ性が低いという欠点を有している。
【０００７】
さらに、従来、射出成形を利用した回路形成方法も提案されている（例えば、特許文献８参照）。しかしながら、この特許文献では、触媒を金型表面に均一に付着させる方法が具体的に示されてない他、回路部の表面を金型上で粗化する必要がある上、成形後のエッチングも必要である。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−５９７７８号公報
【特許文献２】特開２００１−３０３２５５号公報
【特許文献３】特開平６−８７９６４号公報
【特許文献４】特開２００５−３０５９４５号公報
【特許文献５】特開２００４−２１８０６２号公報
【特許文献６】特開平４−７６９８５号公報
【特許文献７】特開平１−２０６６９２号公報
【特許文献８】特開平６−１９６８４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のように、従来のプラスチック成形品の製造プロセス及び成形品上に金属導電膜を形成するプロセスは複雑でコスト高であるだけでなく、有害物質を多く使用するため、廃液処理にも問題があった。
【００１０】
また、近年、携帯電話等の情報通信機器の信号帯域、コンピューターのＣＰＵクロックタイムはＧＨｚ帯に達し、回路基板等においては高周波化が急速に進行している。このような用途では、電気信号の誘電損失をできるだけ抑制する必要がある。電気信号の誘電損失は、回路を形成する絶縁体の比誘電率の平方根、誘電正接および使用される信号の積に比例するため、これを抑制するために絶縁体には誘電率および誘電正接の小さな材料を選定する必要がある。誘電率および誘電正接の小さい絶縁体としては、フッ素樹脂、硬化性ポリオレフィン、シアネートエステル系樹脂等の材料が提案されている。これら材料は一般にエッチング液によって表面が粗化されない材料、すなわち、難メッキ材料として知られており、これらのプラスチック材料に無電解メッキを施すことは困難であるとされている。また、本発明者らの知る限りでは、様々なプラスチック材料からなるプラスチック成形品に対して効率的且つ容易に表面改質できる技術は提案されておらず、特に、様々なプラスチック材料に対して広範囲に適用しうる金属導電膜（電気回路）の形成方法は提案されていない。
【００１１】
また、従来のメッキ法では、基材表面を０．５〜数μｍ粗化する必要があるため、その上に形成されたメッキ膜の表面粗度Ｒａも数μｍ程度となる。このような表面粗度を有するメッキ膜を高周波回路の配線として用いた場合には、伝送ロスが大きくなる恐れがある。
【００１２】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、より簡易な工程で且つ様々なプラスチック材料に対して広範囲に適用可能なプラスチック成形品の製造方法を提供することであり、特に、様々なプラスチック材料に対して表面を粗面化することなく、無電解メッキプロセスが適用可能になるように表面改質されたプラスチック成形品の製造方法を提供することである。
【００１３】
また、携帯電子機器の分野では、小型・薄型化を図るためにプラスチック製のフレキシブル基材が活用する例が増加している。フレキシブル基材は、曲がる、薄い、軽い等の特徴を有し、例えば、折り畳み構造の携帯電話等の機器の連結部に適用されている。このような場合、通常、フレキシブル基材には電気配線が施されており、連結部が高密度・狭小な構造であると、フレキシブル基材上の配線が断線したり、ショートしたり、あるいは、連結部に設けられたデバイスを傷める恐れがある。また、このような電気配線されたフレキシブル基材では、より狭い空間に実装しやすくするため、配線の狭ピッチ化が進められている。
【００１４】
そこで、本発明の別の目的は、上述したようなフレキシブル基材における課題も解決することであり、フレキシブル基材を備えるプラスチック成形品に対しても、その表面を選択的に且つ微細に表面改質されたプラスチック成形品及びプラスチック成形品の製造方法を提供することであり、特に、無電解メッキプロセスが適用可能になるように表面改質されたプラスチック成形品及びプラスチック成形品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の態様に従えば、プラスチック成形品の製造方法であって、凹部を有し、該凹部により表面に開口が画成されているプラスチック基材を用意することと、上記プラスチック基材の表面に金属微粒子を含有する物質を付加することと、上記物質が付加された上記プラスチック基材の表面に高圧二酸化炭素を接触させることと、上記開口を塞いで上記高圧二酸化炭素を上記凹部に滞留させ、上記凹部を画成する上記プラスチック基材の表面内部に上記金属微粒子を浸透させることとを含む製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第２の態様に従えば、プラスチック成形品の製造方法であって、スルーホールを有し、該スルーホールにより表面に開口が画成されているプラスチック基材を用意することと、上記プラスチック基材の表面に金属微粒子を含有する物質を付加することと、上記物質が付加された上記プラスチック基材の表面に高圧二酸化炭素を接触させることと、上記開口を塞いで上記高圧二酸化炭素を上記スルーホールに滞留させ、上記スルーホールを画成する上記プラスチック基材の表面内部に上記金属微粒子を浸透させることとを含む製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の第３の態様に従えば、プラスチック成形品の製造方法であって、凹部及びスルーホールを有し、該凹部及びスルーホールにより表面に開口が画成されているプラスチック基材を用意することと、上記プラスチック基材の表面に金属微粒子を含有する物質を付加することと、上記物質が付加された上記プラスチック基材の表面に高圧二酸化炭素を接触させることと、上記開口を塞いで上記高圧二酸化炭素を上記凹部及びスルーホールに滞留させ、上記凹部及びスルーホールを画成する上記プラスチック基材の表面内部に上記金属微粒子を浸透させることとを含む製造方法が提供される。
【００１８】
本発明のプラスチック成形品の製造方法では、金属微粒子を含有する物質、具体的には、金属微粒子を溶解した液状物質を塗布したプラスチック基材に高圧二酸化炭素を接触させた状態でプラスチック基材の凹部及び／またはスルーホールにより画成された開口を塞ぎ（凹部及び／またはスルーホールを密閉し）、凹部及び／またはスルーホールに高圧二酸化炭素を滞留させる。この際、高圧二酸化炭素が、プラスチック基材表面に塗布された液状物質を介して、凹部及び／またはスルーホールを画成するプラスチック基材表面に接触する。同時に、プラスチック基材表面に塗布された物質中の金属微粒子が高圧二酸化炭素に溶解して、高圧二酸化炭素とともに凹部及び／またはスルーホールを画成するプラスチック基材の表面内部に浸透する。それゆえ、従来より簡易な方法で、金属微粒子をプラスチック基材表面の一部に選択的に且つ高濃度で浸透させることができる。なお、本発明のプラスチック成形品の製造方法を用いれば、メッキ触媒核となる金属微粒子を高圧二酸化炭素に溶解して、高圧二酸化炭素とともにプラスチック基材に浸透させることができるので、従来のメッキ法が適用可能なプラスチック基材のみならず、従来のメッキ法が適用できなかった材料に対しても容易に金属微粒子を浸透させることができる。
【００１９】
なお、本明細書でいう「高圧二酸化炭素」とは、圧力５ＭＰａ以上の二酸化炭素であり、亜臨界状態及び超臨界状態の二酸化炭素も含む意味である。本発明の製造方法で用いる高圧二酸化炭素としては、特に、亜臨界状態または超臨界状態の高圧二酸化炭素が好ましく、さらに好ましくは超臨界状態の高圧二酸化炭素が好ましい。また、二酸化炭素以外の超臨界流体としては、超臨界状態にある空気、水、窒素、ブタン、ペンタン等を用いても良い。また、超臨界流体に対する溶質すなわち金属微粒子の溶解度を向上させるために、高圧二酸化炭素にエントレーナー、すなわち助剤としてアセトンやメタノール、エタノール、プロパノール等のアルコールを混合させても良い。
【００２０】
本発明のプラスチック成形品の製造方法では、さらに、上記金属微粒子が浸透した上記プラスチック基材の表面領域にメッキ膜を形成することを含むことが好ましい。
【００２１】
上述のように、本発明のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック基材の凹部及び／またはスルーホールを画成するプラスチック基材の表面内部のみに高濃度で金属微粒子を浸透させることができるので、凹部及び／またはスルーホールを画成するプラスチック基材の表面に含浸した金属微粒子をメッキ触媒核として、無電解メッキによりその表面に容易にメッキ膜を形成することができる。また、本発明のプラスチック成形品の製造方法では、従来のメッキ法が適用可能なプラスチック基材のみならず、従来のメッキ法が適用できなかった材料に対しても容易に金属微粒子を浸透させることができるので、様々なプラスチック材料の基材表面にメッキ膜を形成することができる。
【００２２】
また、上記特許文献４で開示されている表面改質技術を用いて、平坦な基板表面に所定のパターン（例えば、配線回路等）で金属微粒子を浸透させ、その上に、メッキ膜を形成すると、メッキ膜の膜厚方向（上面）だけなくメッキ膜の面内方向にもメッキ膜が成長するので、メッキ膜の膜厚の増大とともに、メッキ膜のパターン幅も増大する。それゆえ、例えば、狭ピッチパターンのメッキ膜を形成する場合、その導電性を確保するためにメッキ膜の膜厚を厚くする必要があるので、そのような場合に上記特許文献４で開示されている表面改質技術を用いてメッキ膜を形成すると、狭ピッチパターンを形成することが困難となる恐れもある。
【００２３】
しかしながら、本発明のプラスチック成形品の製造方法では、メッキ膜を形成すべき領域に凹部を設けているので、本発明の製造方法でメッキ膜を形成した場合には、凹部を画成するプラスチック基材の表面に沿ってメッキ膜を形成することができ、メッキ膜のパターン幅は凹部の幅より広くなることはない。それゆえ、狭ピッチパターンのメッキ膜を十分な厚さで形成することができる。その様子を具体的に示したのが、図１である。
【００２４】
例えば、凹部の幅が広い（例えば幅が１００μｍ以上）場合またはメッキ膜の膜厚が薄い場合、図１（ａ）に示すように、プラスチック基材１の凹部２を画成するプラスチック基材１の表面に沿ってメッキ膜４が形成される。なお、図１（ａ）中の黒丸印３は、プラスチック基材１の表面内部に浸透している金属微粒子である。また、凹部の幅が狭い場合またはメッキ膜の膜厚が厚い場合には、図１（ｂ）に示すように、プラスチック基材１の凹部２にメッキ膜４が埋まるような構造になる。いずれにしても、本発明の製造方法でプラスチック基材上にメッキ膜を形成した場合には、メッキ膜で形成されるパターン幅はプラスチック基材の凹部の幅となり、膜厚が増大してもメッキ膜のパターン幅は広がらない。それゆえ、狭ピッチパターン（狭メッキ膜パターン）をプラスチック基材上に形成する場合に、十分な厚さのメッキ膜を形成してもパターン幅は広がらない。また、本発明の製造方法で、プラスチック基材上にメッキ膜を形成した場合には、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、メッキ膜はプラスチック基材の凹部内部に埋め込まれるようにして形成されるので、摩擦等の物理的接触による膜はがれを抑制することができる。
【００２５】
なお、本発明における凹部としては、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、凹部を画成する底面が平坦で、その底面に対して垂直方向に側面が延在するような断面構造を有するものに限定されない。図１（ｃ）に示すように、断面がＶ字状の構造にしても良いし、図１（ｄ）に示すように、凹部を画成する底面の断面が平坦でなく円弧状に窪んでいても良い。さらに、摩擦等による物理的接触による膜はがれを一層抑制するためには、図１（ｅ）に示すように、凹部を画成する底面の幅を凹部の開口部（上部）の幅より広く（アンダーカット形状）しても良い。なお、凹部の形成方法としては、例えば、プラスチック基材に熱可塑性樹脂を用いた場合には射出成形により成形することにより、所望の凹部パターン得ることができる。
【００２６】
さらに、本発明のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック基材の表面を粗化することなくメッキ膜に形成することができるので、メッキ膜の表面粗度を小さくすることが可能である。それゆえ、本発明の製造方法で形成したメッキ膜を高周波回路の配線として用いた場合でも、伝送ロスを低減することができる。
【００２７】
また、本発明のプラスチック成形品の製造方法でスルーホールの表面にメッキ膜を形成した場合には、次のような利点もある。上述のように、従来のメッキ方法では基材の表面を粗化する必要があるので、メッキ可能な樹脂材料としてはエッチングにより表面が粗らされるＡＢＳ樹脂または各種樹脂にＡＢＳを添加したメッキグレード等に限られる。一方、従来、メッキできないプラスチック基材（回路基板）に対してスルーホールを形成する場合には、スパッタ法によりその表面に電解膜を形成する。しかしながら、アスペクト比（深さ／幅）の高い（約１〜２以上）スルーホールに対してスパッタ法により電解膜を形成した場合、スルーホールの中央部分までスパッタ粒子が到達せず、スルーホールに電解膜を形成できないという問題がある。それに対して、本発明の製造方法では、プラスチック基材の形成材料に関係なく、高アスペクト比のスルーホールに対しても、金属微粒子を溶解した高圧二酸化炭素をスルーホールの中央部分に難なく到達させることができ、スルーホールの中央部分の表面に容易に金属微粒子を浸透させることができる。それゆえ、本発明の製造方法を用いれば、プラスチック基材の形成材料に関係なく、スルーホールを画成するプラスチック基材の表面に容易にメッキ膜を形成することができる。
【００２８】
本発明のプラスチック成形品の製造方法では、上記プラスチック基材が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂のいずれかで形成されていることが好ましい。
【００２９】
上述のように、本発明のプラスチック成形品の製造方法では、従来のようにプラスチック基材表面を粗面化してメッキ膜を形成するのではなく、高圧二酸化炭素を用いて金属微粒子をプラスチック基材の表面内部に浸透させて、金属微粒子が浸透している領域上にメッキ膜を形成するので、プラスチック基材の形成材料としては様々な材料を用いることができる。
【００３０】
プラスチック基材を熱可塑性樹脂で形成する場合には、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルイミド、ポリメチルペンテン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリメチルペンテン、ポリアセタール、液晶ポリマー、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、スチレン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂等が用い得る。
【００３１】
プラスチック基材を熱硬化性樹脂で形成する場合には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂等が用い得る。
【００３２】
また、プラスチック基材を光硬化性樹脂で形成する場合には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂等が用い得る。
【００３３】
本発明のプラスチック成形品の製造方法では、特に、上記プラスチック基材が、液晶ポリマー、ポリアミド系樹脂、及びシクロオレフィン系樹脂のいずれかで形成されていることが好ましい。
【００３４】
本発明のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック基材の表面改質処理終了後の減圧方法は任意であるが、高圧二酸化炭素と有機溶媒の浸透した熱可塑性樹脂は（特に非晶質材料の場合）、ガラス転移温度が低下し、発泡により表面荒れが生じやすくなる。そのため、表面改質時の処理温度よりも温度を低下させた後、減圧することが好ましい。
【００３５】
また、本発明のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック成形品の表面改質に用いる装置の構造（高圧容器もしくは金型の形態）は、成形品の凹部及び／またはスルーホールにより画成された開口を塞ぐ機能を有する装置であれば任意である。例えば、成形品に対応するキャビティを複数有する金型を備え、複数のキャビティを一括して開閉する構造のプレス装置を用いても良いし、また、成形品毎に小型容器を用意して、その小型容器内で成形品を表面改質処理するような構造の装置を用いても良い。
【００３６】
なお、本明細書でいう「金属微粒子」とは、有機金属錯体のみならずその変性物も含む意味である。具体的には、以下のようなものが金属微粒子として用い得る。
【００３７】
本発明で用いることのできる金属微粒子としては、高圧二酸化炭素にある程度の溶解度を有するものが好ましい。例えば、超臨界二酸化炭素を用いた場合、有機金属錯体としては、ビス（シクロペンタジエニル）ニッケル、ビス（アセチルアセトナト）パラジウム（ＩＩ）、ジメチル（シクロオクタジエニル）プラチナ（ＩＩ）、ヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)、ヘキサフルオロアセチルアセトナトヒドレート銅（ＩＩ）、ヘキサフルオロアセチルアセトナトプラチナ(ＩＩ)、ヘキサフルオロアセチルアセトナト（トリメチルホスフィン）銀（Ｉ）、ジメチル（ヘプタフルオロオクタネジオネート）銀（ＡｇＦＯＤ）等を用いることができる。
【００３８】
また、本発明の製造方法では、金属微粒子として、有機金属錯体が還元して生成される金属元素等の高圧二酸化炭素に溶解しない材料（無機材料）を用いることもできる。高圧二酸化炭素に溶解しない無機材料（溶質）をポリマー表面（プラスチック基材表面）に塗布して高圧二酸化炭素をポリマー表面に接触すると、ポリマー表面が膨潤等を起こすので、ポリマー上に塗布された溶質が、高圧二酸化炭素の圧力によりポリマー内に浸透する。この場合、無機材料としては任意の材料を用い得るが、ポリマー内に容易に浸透可能な粒子の大きさを考慮すると、特に分子量５０００以下の無機材料を用いることが望ましい。このような条件を満足する無機材料としては、金属微粒子、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノホーン等のナノカーボン、酸化チタン等が挙げられる。従来の超臨界流体を用いた表面改質方法では、超臨界状態等の高圧二酸化炭素に溶解する溶質しか使えなかったが、本発明では上記のような作用により、超臨界状態等の高圧二酸化炭素に溶解しない溶質を用いた表面改質も可能となる。
【００３９】
本発明の第４の態様に従えば、プラスチック成形品であって、凹部及びスルーホールの少なくとも一方を有するフレキシブル基材と、上記凹部及びスルーホールの少なくとも一方を画成する上記フレキシブル基材の表面領域に形成されたメッキ膜とを備え、上記メッキ膜が形成されている上記フレキシブル基材の表面内部に上記メッキ膜のメッキ触媒核となる金属微粒子が含浸されていることを特徴とするプラスチック成形品が提供される。
【００４０】
本明細書でいう「フレキシブル基材」とは、適度な屈曲性を有する基材である。特に、本発明のプラスチック成形品では、電気的絶縁性及び可撓性を考慮して５０〜２００μｍの厚さのプラスチック基材を用いることが好ましい。より好ましくは、５０〜１５０μｍの厚さであることが好ましい。なお、本発明のプラスチック成形品では、上記凹部の深さが５〜５０μｍであることが好ましく、上記凹部の幅が５〜２００μｍであることが好ましい。凹部の寸法を上記範囲にすることにより、凹部内部に好適なピッチ幅及び厚みの配線（金属導電膜）を形成することができる。なお、ここでいう凹部の深さとは、プラスチック基材の表面から凹部の深さが最も深い位置までのプラスチック基材厚さ方向の距離のことであり、凹部の幅とは、プラスチック基材の表面に平行な方向の幅であり且つ凹部内でその幅が最も広くなる位置の値である。
【００４１】
なお、本発明のプラスチック成形品のプラスチック基材としては、適度な屈曲性を有する基材であれば任意の材料を用い得る。例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂のいずれかが用い得る。より具体的には、ガラスエポキシ基板、ガラスポリイミド基板、ポリイミドフィルム基板、ポリエチレンフィルム基板等が用い得る。特に、回路基板としては、低比誘電率、低誘電正接という観点から、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、液晶ポリマー等が好ましい。この中でも特に、高周波対応の点で液晶ポリマーが好ましい。
【００４２】
また、本発明のプラスチック成形品では、凹部及び／またはスルーホールを画成するプラスチック基材の表面から約１００ｎｍの深さ位置までに、金属微粒子がプラスチック基材の材料に対して約０．１〜０．５ａｔ％の割合で含有されていることが好ましい。
【００４３】
本発明のプラスチック成形品でプラスチック基材の凹部を画成する表面にメッキ膜を形成した場合には、メッキ膜で形成されるパターン幅はプラスチック基材の凹部の幅となる。それゆえ、十分な厚さで（導電性を確保しつつ）且つ狭ピッチパターン（狭メッキ膜パターン）のメッキ膜をプラスチック基材上に形成することができる。また、本発明のプラスチック成形品でプラスチック基材の凹部を画成する表面にメッキ膜を形成した場合には、メッキ膜はプラスチック基材の凹部内部に形成されるので、摩擦等の物理的接触による膜はがれを抑制することができる。
【００４４】
本発明のプラスチック成形品の製造方法及びプラスチック成形品では、上記プラスチック基材表面に形成される上記メッキ膜が電気配線であることが好ましい。
【発明の効果】
【００４５】
本発明のプラスチック成形品の製造方法によれば、高圧二酸化炭素を用いてプラスチック基材の凹部及び／またはスルーホールを画成するプラスチック基材の表面内部のみに金属微粒子を浸透させることができる。それゆえ、本発明のプラスチック成形品の製造方法では、従来のメッキ法が適用可能なプラスチック基材のみならず、従来のメッキ法が適用できなかった様々な種類のプラスチック基材に対してもより簡易な方法で、プラスチック基材の所定領域に選択的に且つ高濃度で金属微粒子を浸透させることができる。
【００４６】
本発明のプラスチック成形品の製造方法によれば、上述のように、様々な種類のプラスチック基材に対しても、プラスチック基材の所定領域に選択的に且つ高濃度で金属微粒子を浸透させることができるので、その金属微粒子をメッキ触媒核として様々な材料のプラスチック基材表面にメッキ膜を形成することができる。
【００４７】
また、本発明のプラスチック成形品の製造方法によれば、メッキ膜はプラスチック基材の凹部内部に形成されるので、導電性を確保するためにメッキ膜の厚さを厚くしてもメッキ膜のパターン幅は広がらない。また、メッキ膜はプラスチック基材の凹部内部に埋め込まれるようにして形成されるので、摩擦等の物理的接触による膜はがれを抑制することができる。
【００４８】
さらに、本発明のプラスチック成形品の製造方法によれば、表面を粗面化することなく表面改質を行うことができるので、より簡易な方法で表面改質することができ、毒性の高い処理物質を用いる必要もない。また、本発明のプラスチック成形品の製造方法によれば、特許文献５に開示されている技術のように、金属粒子をプラスチック基材表面近傍に偏析させた後、プラスチック基材に研磨等を施す必要もないので、本発明のプラスチック成形品の製造方法は、特許文献５に開示されている技術と比べてもより簡易な方法である。また、本発明のプラスチック成形品では、機能を発現する溶質（金属微粒子等）はプラスチック成形品の内部に浸透しているのでその機能は持続し、耐候性に優れたプラスチック成形品を製造することができる。
【００４９】
また、本発明のプラスチック成形品の製造方法によれば、プラスチック基材の表面を粗面化せずにメッキ膜に形成することができるので、メッキ膜の表面粗度を小さくすることができる。それゆえ、本発明の製造方法で形成したメッキ膜を高周波回路の配線として用いた場合に伝送ロスを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下に、本発明のプラスチック成形品の製造方法およびプラスチック成形品の実施例について図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【実施例１】
【００５１】
実施例１では、図３に示すような断面が略１０角形状であり且つ凹部２及びスルーホール５を有するプラスチック基材１に対して、凹部２及びスルーホール５を画成するプラスチック基材１の表面内部に金属微粒子を浸透させるプラスチック成形品の製造方法およびプラスチック成形品について説明する。
【００５２】
［プラスチック成形品及び製造装置］
この例のプラスチック基材１としては、熱可塑性樹脂であるシクロオレフィン系樹脂（ゼオネックス：日本ゼオン製）を用いた。プラスチック基材１には、図３に示すように、凹部２およびスルーホール５を形成した。この例のプラスチック基材１は、公知の射出成形法により成形した。この例では、凹部２の幅を０．１ｍｍとし、深さを０．１ｍｍとした。また、スルーホール５の直径は０．３ｍｍとし、高さ（長さ）を１．５ｍｍ（アスペクト比１．５/０．３＝５．０）とした。また、この例のプラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成する表面内部に浸透させる金属微粒子としては、有機金属錯体であるヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)を用いた。
【００５３】
次に、この例のプラスチック成形品の製造方法に用いた製造装置について説明する。この例で用いたプラスチック成形品の製造装置の概略構成を図２に示した。この例の製造装置１００は、図２に示すように、主に高圧二酸化炭素の供給部１０１と、排気部１０２と、型締め装置（プレスピストン）を備える金型１０３とから構成される。
【００５４】
高圧二酸化炭素の供給部１０１は、図２に示すように、液体二酸化炭素ボンベ１１と、液体二酸化炭素を加圧するための高圧ポンプ１２と、高圧二酸化炭素の金型１０３への供給を制御する逆支弁１４及びバルブ１５とから構成され、これらの構成要素は配管１６により接続されている。また、高圧二酸化炭素の排出部１０２は、図２に示すように、金型１０３から排出される高圧二酸化炭素を回収する回収槽２２と、高圧二酸化炭素の排出を制御する保圧弁２４及びバルブ２５，２６とから構成され、これらの構成要素は配管２７により接続されている。なお、この例の製造装置１００の配管の表面すべてには、図示しないヒータが巻かれており、温調可能な構造となっている。
【００５５】
金型１０３は、図２に示すように、主に、可動金型３１と、固定金型３２とから構成され、プレスピストン（不図示）により開閉される。プレスピストンは電動サーボモータ（不図示）による位置制御により移動可能となっている。また、金型１０３は、図示しないカートリッジヒータにより温調可能な構造になっている。さらに、この例の金型１０３は、図示しない冷却回路を流動する冷却水によって冷却可能である。
【００５６】
この例の金型１０３では、図２に示すように、可動金型３１と固定金型３２との間に複数のプラスチック基材１を挟み込んで保持する構造になっている。可動金型３１の固定金型３２側の表面には、図２に示すように、プラスチック基材１の上半分の外形と倣った凹部３１ａが複数形成されており、固定金型３２の可動金型３１側の表面には、プラスチック基材１の下半分の外形と倣った凹部３２ａが複数形成されている。そして、可動金型３１の凹部３１ａと固定金型３２の凹部３２ａとは互いに対向する位置に配置されている。すなわち、可動金型３１と固定金型３２とを閉じた際に、固定金型３２と可動金型３１との界面に、可動金型３１の凹部３１ａと固定金型３２の凹部３２ａにより、プラスチック基材１の外形寸法及び形状とほぼ同じ寸法及び形状を有する空間（キャビティ）が複数画成されるような構造になっている。それゆえ、図２に示すように、可動金型３１及び固定金型３２の界面にプラスチック基材１を装着して金型を閉めると、プラスチック基材１の表面に形成されている凹部２及びスルーホール５の開口部（凹部２及びスルーホール５によりプラスチック基材１の表面に画成された開口）は金型により塞がれた状態となる。なお、この例では、１００個の成形品を一括で表面改質処理できる構造とした。具体的には、可動金型３１及び可動金型３２の各表面に凹部をそれぞれ１０×１０個で配列して形成した。
【００５７】
また、金型１０３には、図２に示すように、可動金型３１及び固定金型３２間に画成される空間と流通した導入口３３及び排出口３４が形成されている。そして、導入口３３及び排出口３４は、図２に示すように、高圧二酸化炭素の供給部１０１の配管１６及び排出部１０２の配管２７にそれぞれ接続されている。それゆえ、高圧二酸化炭素の供給部１０１は、図３に示すように、導入口３３を介して可動金型３１及び固定金型３２間の空間と流通しており、排出部１０２は排出口３４を介して可動金型３１及び固定金型３２間の空間と流通している。すなわち、この例の製造装置１００では、供給部１０２で生成された高圧二酸化炭素は配管１６から導入口３３を通って可動金型３１及び固定金型３２間に画成された空間に導入され、導入された高圧二酸化炭素は、排出口３４から配管２７を通って回収槽２２に排出される。
【００５８】
［プラスチック成形品の製造方法］
次に、この例のプラスチック成形品の製造方法を、図２〜６を参照しながら説明する。なお、図３〜５は、図２中の破線Ａで囲まれた領域の拡大図であり、図６は、図３〜５中の破線Ｂで囲まれた領域の拡大図である。
【００５９】
まず、凹部２及びスルーホール５が形成されたプラスチック基材１を公知の射出成形法により成形した（図６（ａ）の状態）。次いで、プラスチック基材１の表面に金属微粒子（ヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)）の溶解した溶液６（液状物質）を塗布した（図６（ｂ）の状態）。なお、この例では溶液６として、金属微粒子をアセトン（溶媒）に溶解させたものを用いた。この際、塗布した溶液６は、図６（ｂ）に示すように、主にプラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５に溜まり、凹部２及びスルーホール５以外のプラスチック基材表面にはほとんど溶液６は溜まらない。
【００６０】
次いで、金属微粒子を溶解した溶液６が塗布されたプラスチック基材１を金型１０３（可動金型３１及び固定金型３２の界面に画成されるキャビティ）に装着した（図３の状態）。なお、金型１０３の初期開き量（図３中のｔ）は１ｍｍとした。また、表面改質処理前の金型１０３の温度は１２０℃に設定した。この例の製造装置１００の配管ヒータは５０℃に設定した。
【００６１】
次いで、液体二酸化炭素ボンベ１１から液体二酸化炭素を高圧ポンプ１２に供給し、高圧ポンプ１２で液体二酸化炭素を加圧して高圧二酸化炭素を生成した。なお、高圧ポンプ１２では、圧力計１３が１０ＭＰａになるように液体二酸化炭素を昇圧した。次いで、逆支弁１４を介し、バルブ１５、２５を開放することにより、金型１０３の内部（可動金型３１及び固定金型３２間に画成された空間）に１０ＭＰａの高圧二酸化炭素を導入した。この工程で、プラスチック基材１の表面全体に渡って高圧二酸化炭素７が接触している状態となる（図６（ｃ）の状態）。
【００６２】
次いで、金型１０３を閉め、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５の開口部を塞いで、高圧二酸化炭素を凹部２及びスルーホール５のみに滞留させた（図４及び図６（ｄ）の状態）。なお、この際、排出部１０２の保圧弁２４の１次側の圧力を１０ＭＰａに調節することが望ましい。そして、この状態を５分間保持した。この際、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５のみに高圧二酸化炭素を滞留させることで、高圧二酸化炭素が、プラスチック基材１表面に塗布された溶液６を介して、凹部２及びスルーホール５を画成するプラスチック基材１の表面に接触する。それにより、熱可塑性樹脂であるプラスチック基材１表面が膨潤し、その粘性が低下し軟化する。同時に、プラスチック基材１表面に塗布された溶液６中の金属微粒子が高圧二酸化炭素に溶解して（図４及び図６（ｄ）中の溶液６’）、高圧二酸化炭素とともに凹部２及びスルーホール５を画成するプラスチック基材１の表面内部に浸透する。この方法を用いると、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成するプラスチック基材１表面にのみ均一に且つ高濃度で金属微粒子（図５及び図６（ｅ）中に粒子３）を浸透させることができる。
【００６３】
なお、図６（ｄ）の工程は、図６（ｃ）の工程後、短い時間（この例では５〜１０秒）内で行なっているので、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５以外の表面にはほとんど金属微粒子は浸透しない。ただし、図６（ｃ）の状態を長時間保持すると、高圧二酸化炭素に溶解した溶液６がプラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５以外の表面に高濃度で浸透する恐れがあるので、図６（ｄ）の工程は、図６（ｃ）の工程後、できるだけ短い時間内で行なうことが好ましい。
【００６４】
次いで、金型１０３のヒータの電源を切り、冷却水を流して、金型１０３を４０℃まで冷却した。その後、バルブ１５、２５を閉じ、次いで、バルブ２６を開放して、金型１０３内部を大気開放した（図５及び図６（ｅ）の状態）。そして、プラスチック基材１を金型１０３から取り出した。以上のようにして、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成する表面にのみ金属微粒子３が均一に且つ高濃度で浸透したプラスチック成形品を作製した。
【００６５】
上述のように、この例のプラスチック成形品の製造方法では、表面を粗面化することなく表面改質を行うことができるので、より簡易な方法で表面改質することができ、毒性の高い処理物質を使用する必要もない。さらに、上記製造方法で作成されたプラスチック成形品では、機能を発現する溶質（この例では金属微粒子）はプラスチック成形品の内部に浸透しているのでその機能は持続し、耐候性に優れたプラスチック成形品を作製することができる。
【００６６】
この例では、さらに、上述した方法で作製したプラスチック成形品にメッキ膜を形成した。具体的には、次のようにしてメッキ膜を形成した。
【００６７】
まず、上述のようにして表面処理したプラスチック成形品を、８０℃に温調したＮｉ無電解メッキ液（奥野製薬工業（株）製）内に５分間浸漬し、Ｎｉ無電解メッキ処理を行った。次いで、Ｎｉ無電解メッキ処理を行ったプラスチック成形品を、６０℃に温調したＡｕ無電解メッキ液（奥野製薬工業（株）製）内に５分間浸漬し、Ａｕ無電解メッキ処理を行った。この際、この例のプラスチック成形品では、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成する表面にのみ金属微粒子が浸透しているので、凹部２及びスルーホール５を画成する表面上にのみ、浸透した金属微粒子をメッキ触媒核としてメッキ膜が形成される（例えば、図１（ａ）または（ｂ）の状態）。この例では上述のようにして、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成する表面上にのみメッキ膜が形成されたプラスチック成形品を作製した。
【００６８】
この例のプラスチック成形品の製造方法では、上述のようにメッキ膜はプラスチック基材の凹部内部に形成されるので、導電性を確保するためにメッキ膜の厚さを厚くしてもメッキ膜のパターン幅は広がらない。また、メッキ膜はプラスチック基材の凹部内部に形成されるので（図１（ａ）及び（ｂ）参照）、摩擦等の物理的接触による膜はがれを抑制することができる。
【００６９】
［メッキ膜の品質評価］
次に、この例でプラスチッキ基材上に形成したメッキ膜の品質を評価した。この例で形成したメッキ膜はふくれがなく、テープ剥離試験による密着強度も良好であった。また、この例で作製したプラスチック成形品の凹部及びスルーホールの断面を光学顕微鏡像で観察した。その結果を図７に示した。図７（ａ）が凹部の断面の光学顕微鏡像であり、図７（ｂ）がスルーホールの断面の光学顕微鏡像である。図７中の領域１がプラスチック基材１であり、領域４が凹部２及びスルーホール５内部に形成されたメッキ膜である。図７から明らかなように、メッキ膜４がプラスチック成形品の凹部及びスルーホールを画成する内壁に沿って成長していることが確認できた。
【００７０】
また、この例で作製されたプラスチック成形品のメッキ膜が形成された凹部表面を、触針式表面粗さ測定装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）にて測定したところ、算術平均粗さ（Ｒａ）が約２．８ｎｍ、最大高さ（Ｒｙ）が約３．３ｎｍであり、従来のメッキ法でプラスチック基材上に形成したメッキ膜（Ｒａ〜数μｍ）に比べて非常に小さな値となった。これは、この例のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック基材の表面を粗面化することなく無電解メッキ膜を形成したためである。それゆえ、この例の製造方法で形成したメッキ膜を高周波回路の配線として用いても伝送ロスを低減することができることが分かった。
【実施例２】
【００７１】
実施例２では、実施例１と同様に、図１０に示すような断面が略１０角形状であり且つ凹部２及びスルーホール５を有するプラスチック基材１に対して、凹部２及びスルーホール５を画成するプラスチック基材１の表面内部に金属微粒子を浸透させるプラスチック成形品の製造方法およびプラスチック成形品について説明する。
【００７２】
［プラスチック成形品及び製造装置］
この例のプラスチック基材１としては、熱可塑性樹脂である液晶ポリマー（ベクトラＡ９５０：ポリプラスチックス（株）製）を用いた。この例のプラスチック基材１では、図１０に示すように、凹部２およびスルーホール５を形成した。この例のプラスチック基材１は、実施例１と同様に、公知の射出成形法により成形し、凹部２およびスルーホール５の寸法及び形状は実施例１と同じとした。また、この例のプラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成する表面内部に浸透させる金属微粒子としては、実施例１と同様に、有機金属錯体であるヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)を用いた。
【００７３】
次に、この例のプラスチック成形品の製造方法に用いた製造装置について説明する。この例で用いたプラスチック成形品の製造装置の概略構成を図８に示した。この例の製造装置２００は、図８に示すように、主に高圧二酸化炭素の供給部２０１と、排気部２０２と、プラスチック基材１の表面改質処理を行なう高圧容器２０３とから構成される。
【００７４】
高圧二酸化炭素の供給部２０１は、図８に示すように、実施例１と同様の構成とした。それゆえ、ここでは、供給部２０１の説明は省略する。一方、高圧二酸化炭素の排出部２０２は、図８に示すように、高圧容器２０３から排出される高圧二酸化炭素を回収する回収槽２２と、高圧二酸化炭素の排出を制御するバルブ２５とから構成され、これらの構成要素は配管２７により接続されている。なお、この例の製造装置２００の配管の表面すべてには、図示しないヒータが巻かれており、温調可能な構造となっている。
【００７５】
高圧容器２０３は、図８に示すように、その内部に複数の小型容器４２が収容される構造になっている。また、各小型容器４１内には、１つのプラスチック基材１が収容可能になっている。それゆえ、この例の製造装置２００では、高圧容器２０３内に収容可能な小型容器４２の数と同じ数のプラスチック基材１を同時に表面改質処理できる構造になっている。なお、この例では、１００個の小型容器４２が収納可能な高圧容器２０３を用いた。また、高圧容器２０３は、カートリッジヒータ（不図示）を備え温調可能である。さらに、高圧容器２０３は、冷却回路（不図示）を備え、冷却回路に冷却水を流動させることによって冷却可能な構造となっている。また、この例の製造装置２００では、１つの小型容器４１に１つのプラスチック基材１が収容可能になっているので、プラスチック基材１に対して個別に寸法を合わすことが可能となるため、高圧容器２０３全体での寸法精度がさほど要求されない。
【００７６】
また、高圧容器２０３の外壁４１の上面には、図８に示すように、高圧容器２０３の内部と流通した高圧二酸化炭素の導入口４５及び排出口４６が形成されている。そして、導入口４５及び排出口４６は、図８に示すように、高圧二酸化炭素の供給部２０１の配管１６及び排出部２０２の配管２７にそれぞれ接続されている。すなわち、高圧二酸化炭素の供給部２０１は、図８に示すように、導入口４５を介して高圧容器２０３内部と流通しており、排出部２０２は排出口４６を介して高圧容器２０３内部と流通している。それゆえ、この例の製造装置２００では、供給部２０２で生成された高圧二酸化炭素は配管１６から高圧容器２０３の導入口４５を通って高圧容器２０３の内部に導入され、導入された二酸化炭素は、排出口４６から配管２７を通って回収槽２２に排出される。
【００７７】
次に、高圧容器２０３内部に収容される小型容器４２の構造について説明する。小型容器４２の概略断面図を図９に示した。小型容器４２は、図９に示すように、その内部にプラスチック基材１を１つ収容可能な構造になっており、主に、容器本体５１と、容器本体５１内部に設けられたピストン５２と、ピストン５２の上部を保持する保持部５３と、容器本体５１及びピストン５２の間に画成された空間に装着されたバネ５４とから構成される。
【００７８】
容器本体５１の内部は、図９に示すように、ピストン５２及びバネ５４が収容可能な構造になっている。また、容器本体５１のピストン５２の先端部と対向する底面には、小型容器４２に装着されるプラスチック基材１の下半分の外形を倣った凹部５１ａが形成されている。また、容器本体５１の側壁には、図９に示すように、凹部５１ａと流通する流路５１ｂが形成されており、後述するように、この流路５１ｂを介して高圧二酸化炭素が小型容器４２内に導入及び排出される。
【００７９】
ピストン５２は、容器本体５１の内部にその長手方向（図９上では上下方向）に移動可能に取り付けられており、その移動は、後述するように、高圧容器２０３内に導入される高圧二酸化炭素の圧力とバネ５４の弾性力との大小関係で制御される。また、ピストン５２の容器本体５１側の先端面には、図９に示すように、小型容器４２に装着されるプラスチック基材１の上半分の外形と倣った凹部５２ａが形成されており、容器本体５１内の凹部５１ａと対向する位置設けられている。それゆえ、ピストン５２を容器本体５１の凹部５１ａに向かって移動させ、ピストン５２の先端面とそれと対向する容器本体５１の底面とを重ね合わせると、ピストン５２の先端面と容器本体５１の底面との間に、プラスチック基材１の外形とほぼ同じ形状及び寸法の空間（キャビティ）が画成される。それゆえ、図９に示すように、小型容器４２内にプラスチック基材１を装着してピストン５２の先端面とそれと対向する容器本体５１の底面とを重ね合わせると、プラスチック基材１の表面に形成されている凹部２及びスルーホール５の開口部は、ピストン５２の先端面とそれと対向する容器本体５１の底面により塞がれた状態となる。なお、以下の説明では、ピストン５２を容器本体５１の凹部５１ａに向かって移動させてピストン５２の先端面とそれと対向する容器本体５１の底面とを重ね合わせる動作を、キャビティを閉じると称し、逆に、ピストン５２を容器本体５１の凹部５１ａから離れる方向に移動させる動作を、キャビティを開くと称する。
【００８０】
ここで、小型容器４２内のピストン５２の開閉動作（キャビティの開閉動作）の原理について説明する。小型容器４２内のピストン５２の移動は、図９に示すように、バネ５４の弾性力によりピストン５２に与えられる力Ａ１と、高圧容器２０３内に導入された高圧二酸化炭素の圧力によりピストン５２に与えられる力Ａ２との大小関係で制御される。バネ５４の弾性力によりピストン５２に与えられる力Ａ１は、図９に示すように、キャビティを開く方向に作用する。一方、高圧容器２０３内に導入された高圧二酸化炭素の圧力によりピストン５２に与えられる力Ａ２は、図９に示すように、ピストン５２の上端面（上記凹部５２ａとは反対側の面）を押す方向に作用するので、キャビティを閉じる方向に作用する。
【００８１】
この例では、高圧容器２０３に高圧二酸化炭素が導入されておらず、高圧容器２０３内部が大気圧の状態にある場合、バネ５４によりピストン５２に加えられる力Ａ１の方がピストン５２の上端面にかかる力Ａ２より大きくなるように調整されており、ピストン５２の先端面とそれと対向する容器本体５１の底面とが離れた状態（キャビティが開いた状態）となる。しかしながら、高圧二酸化炭素が高圧容器２０３内、すなわち、小型容器４２の外雰囲気に導入されると、ピストン５２の上端面を押す力Ａ２（高圧二酸化炭素の圧力×ピストン上端面の受圧面積）が大きくなる。そして、ピストン５２の上端面を押す力Ａ２が、バネ５４によりピストン５２に加えられる力Ａ１より大きくなると（Ａ２＝（圧力×ピストン下面の受圧面積）＞バネ力＝Ａ１の状態になると）、ピストン５２が下降してキャビティが閉じる構造となっている。
【００８２】
なお、高圧容器２０３に高圧二酸化炭素を導入した際、最初は圧力が低い状態であるので、小型容器４２内のキャビティが開いた状態であり、小型容器４２の流路５１ｂを介して小型容器４２の内部にも高圧二酸化炭素が導入される。そして、高圧容器２０３に導入する二酸化炭素の圧力を上昇させると、徐々にピストン５２が下降してキャビティが閉じられる。その結果、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５の開口部が塞がれ、小型容器４２の内部に導入された高圧二酸化炭素を、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５内部のみに滞留させることができる。なお、ピストン５２を下降させるために必要な圧力Ａ２は小型容器４２内に挿入するバネ５４のバネ定数により調整することができる。すなわち、キャビティを閉じる圧力をバネ５４のバネ定数により選定することができる。本実施例では、キャビティを閉じる圧力が１０ＭＰａとなるように調節し、高圧容器２０３に１０ＭＰａの高圧二酸化炭素を導入することにより、小型容器４２内のキャビティが閉じる構造にした。
【００８３】
［プラスチック成形品の製造方法］
次に、この例のプラスチック成形品の製造方法を、図６、８及び１０〜１２を参照しながら説明する。なお、図１０〜１２は、図９中の破線Ｃで囲まれた領域の拡大図であり、図６は、図１０〜１２中の破線Ｄで囲まれた領域の拡大図である。
【００８４】
まず、凹部２及びスルーホール５を有するプラスチック基材１を公知の射出成形法により成形した（図６（ａ）の状態）。次いで、プラスチック基材１の表面に金属微粒子（ヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)）の溶解した溶液６（液状物質）を塗布した（図６（ｂ）の状態）。なお、この例では溶液６として金属微粒子をアセトン（溶媒）に溶解させたものを用いた。
【００８５】
次いで、金属微粒子を溶解した溶液６が塗布されたプラスチック基材１を小型容器４２内のキャビティ（ピストン５２の先端面と容器本体５１の底面との間に画成された空間）に装着した（図１０の状態）。次いで、プラスチック基材１が装着された小型容器４２を１００個、高圧容器２０３内に装着した。なお、表面改質処理前の高圧容器２０３の温度は１２０℃に設定した。また、この例の製造装置２００の配管ヒータは５０℃に設定した。
【００８６】
次いで、液体二酸化炭素ボンベ１１から液体二酸化炭素を高圧ポンプ１２に供給し、高圧ポンプ１２で液体二酸化炭素を加圧して高圧二酸化炭素を生成した。なお、高圧ポンプ１２では、圧力計１３が５ＭＰａになるように液体二酸化炭素参加を昇圧した。次いで、逆支弁１４を介し、バルブ１５を開放することにより、高圧容器２０３の内部に５ＭＰａの高圧二酸化炭素を導入した。これにより、５ＭＰａの高圧二酸化炭素を小型容器４２の流路５１ｂを介して小型容器４２の内部（キャビティ）に導入し、プラスチック基材１の表面に高圧二酸化炭素を接触させた（図６（ｃ）の状態）。
【００８７】
次いで、高圧二酸化炭素の圧力を１０ＭＰａまで段階的に昇圧し、小型容器４２内のピストン５２を下降させ、プラスチック基材１の表面に高圧二酸化炭素を接触させた状態で小型容器４２内のキャビティを閉じた。この結果、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５の開口部が塞がれ、小型容器４２の内部に導入された高圧二酸化炭素がプラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５内部のみに滞留した状態となる（図１１及び図６（ｄ）の状態）。そして、この状態を５分間保持した。この際、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５のみに高圧二酸化炭素を滞留させることで、高圧二酸化炭素が、プラスチック基材１表面に塗布された溶液６を介して、凹部２及びスルーホール５を画成するプラスチック基材１の表面に接触する。それにより、熱可塑性樹脂であるプラスチック基材表面が膨潤し、その粘性が低下し軟化する。同時に、プラスチック基材１表面に塗布された溶液中の金属微粒子が高圧二酸化炭素に溶解して、高圧二酸化炭素とともに凹部２及びスルーホール５を画成するプラスチック基材１の表面内部に浸透する。それゆえ、この例の製造装置を用いた場合でも、実施例１と同様に、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成するプラスチック基材１表面にのみ均一に且つ高濃度で金属微粒子３（図１２及び図６（ｅ）中の粒子３）を浸透させることができる。
【００８８】
なお、図６（ｄ）の工程、すなわち、高圧二酸化炭素の圧力を５ＭＰａから１０ＭＰａに昇圧する工程は、図６（ｃ）の工程後、短い時間（この例では５〜１０秒）内で行なっているので、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５以外の表面にはほとんど金属微粒子は浸透しない。ただし、図６（ｃ）の状態を長時間保持すると、高圧二酸化炭素に溶解した溶液６がプラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５以外の表面に高濃度で浸透する恐れがあるので、図６（ｄ）の工程は、図６（ｃ）の工程後、できるだけ短い時間内で行なうことが好ましい。
【００８９】
次いで、高圧容器２０３のヒータの電源を切り、冷却水を流して、高圧容器２０３を４０℃まで冷却した。その後、バルブ１５を閉じ、次いで、バルブ２５を開放して、高圧容器２０３内部を大気開放した（図１２及び図６（ｅ）の状態）。そして、プラスチック基材１を金型１０３から取り出した。以上のようにして、この例では、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成する表面にのみ金属微粒子３が均一に且つ高濃度で浸透したプラスチック成形品を作製した。また、上述のように、この例のプラスチック成形品の製造方法では、表面を粗面化することなく表面改質を行うことができるので、より簡易な方法で表面改質することができ、毒性の高い処理物質を使用する必要もない。さらに、機能を発現する溶質（この例では金属微粒子）はプラスチック成形品の内部に浸透しているのでその機能は持続し、耐候性に優れたプラスチック成形品を作製することができる。
【００９０】
この例では、さらに、上述した方法で作製したプラスチック成形品にメッキ膜を形成した。具体的には、次のようにしてメッキ膜を形成した。
【００９１】
まず、上述のようにして表面処理したプラスチック成形品を、８０℃に温調したＮｉ無電解メッキ液（奥野製薬工業（株）製ＩＣＰ−二コロンＤＫ）内に５分間浸漬し、Ｎｉ無電解メッキ処理を行った。次いで、Ｎｉ無電解メッキ処理を行ったプラスチック成形品を、６０℃に温調したＡｕ無電解メッキ液（奥野製薬工業（株）製）内に５分間浸漬し、Ａｕ無電解メッキ処理を行った。この際、上述のように、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成する表面にのみ金属微粒子が浸透しているので、凹部２及びスルーホール５を画成する表面上にのみ、浸透した金属微粒子をメッキ触媒核としてメッキ膜が形成される（例えば、図１（ａ）または（ｂ）の状態）。この例では上述のようにして、プラスチック基材１の凹部２及びスルーホール５を画成する表面上にのみメッキ膜が形成されたプラスチック成形品を作製した。
【００９２】
この例のプラスチック成形品の製造方法では、上述のようにメッキ膜はプラスチック基材の凹部内部に形成されるので、導電性を確保するためにメッキ膜の厚さを厚くしてもメッキ膜のパターン幅は広がらない。また、メッキ膜はプラスチック基材の凹部内部に形成されるので、摩擦等の物理的接触による膜はがれを抑制することができる。
【００９３】
［メッキ膜の品質評価］
次に、この例で形成したメッキ膜の品質を評価した。この例で形成したメッキ膜はふくれがなく、テープ剥離試験による密着強度も良好であった。また、この例で作製したプラスチック成形品の凹部及びスルーホールの断面の光学顕微鏡像で観察したところ、実施例１と同様に、メッキ膜４がプラスチック成形品の凹部及びスルーホールを画成する内壁に沿って成長していることが確認できた（図７参照）。
【００９４】
また、この例で作製されたプラスチック成形品のメッキ膜が形成された凹部表面を、触針式表面粗さ測定装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）にて測定したところ、算術平均粗さ（Ｒａ）が約２．４ｎｍ、最大高さ（Ｒｙ）が約２．９ｎｍであり、従来のメッキ法でプラスチック基材上に形成したメッキ膜（Ｒａ〜数μｍ）に比べて非常に小さな値となった。これは、この例のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック基材の表面を粗面化することなく無電解メッキ膜を形成したためである。それゆえ、この例の製造方法で形成したメッキ膜を高周波回路の配線として用いても伝送ロスを低減することができることが分かった。
【実施例３】
【００９５】
実施例３では、プラスチック基材としてフレキシブル基板（フレキシブル基材）を用いたプラスチック成形品の製造方法について説明する。
【００９６】
フレキシブル基板としては、熱可塑性樹脂であるポリアミド系樹脂（ガラス繊維強化ナイロン６）を用いた。フレキシブル基板の厚みは０．１５ｍｍとし、その表面には幅５０μｍ、深さ５０μｍの凹パターン（凹部）を形成した（図１４中のフレキシブル基板６０）。この例では、フレキシブル基板は、ポリアミド系樹脂を押し出し成形した後、公知のナノインプリントにより成形して作製した。また、この例のフレキシブル基板の凹部を画成する表面内部に浸透させる金属微粒子としては、実施例１と同様に、有機金属錯体であるヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)を用い、これをアセトン（溶媒）に溶解してフレキシブル基板上に塗布した。
【００９７】
次に、この例で用いたプラスチック成形品の製造装置について説明する。この例では、実施例２と同様の構成の製造装置（図８）を用いた。ただし、この例では、プラスチック成形品の形状及び寸法が実施例２と異なるので、フレキシブル基材を収容する小型容器（図８中の容器４２）の内部構造を実施例２とは異なる構造にした。それ以外は、実施例２の製造装置と同じ構造とした。
【００９８】
この例の小型容器の概略断面図を図１３に示した。また、図１３中の破線Ｅで囲まれた領域の拡大図を図１４に示した。小型容器４２’は、図１３に示すように、その内部にフレキシブル基板６０を１つ収容可能な構造になっており、主に、容器本体５１’と、容器本体５１’内部に設けられたピストン５２’と、ピストン５２’の上部を保持する保持部５３’と、容器本体５１’及びピストン５２’の間に画成された空間に装着されたバネ５４’とから構成される。この例の小型容器４２’では、ピストン５２’の先端面５２ａ’を平坦とし、容器本体５１’のピストン５２’の先端面５２ａ’と対向する底面には、小型容器４２’に装着されるフレキシブル基板６０の外形とほぼ同じ形状及び寸法の凹部５１ａ’を形成した。これ以外の小型容器４２’の構造は実施例２（図９）と同じである。また、小型容器４２’の動作原理（ピストン５２’の移動制御の原理）も実施例２と同様である。
【００９９】
この例では、上記製造装置を用い、フレキシブル基板６０の凹部に金属微粒子が含浸したプラスチック成形品を作製した。なお、この例のプラスチック成形品の製造方法の手順は実施例２と同様である。
【０１００】
さらに、この例においても、実施例１と同様にして、フレキシブル基板６０の凹部にメッキ膜を形成し、そのメッキ膜の品質を評価した。この例で形成したメッキ膜もまたふくれがなく、テープ剥離試験による密着強度も良好であった。また、この例で作製したプラスチック成形品の凹部の断面を光学顕微鏡像で観察したところ、実施例１と同様に、メッキ膜がプラスチック成形品の凹部を画成する内壁に沿って成長していることが確認できた（図７（ａ）参照）。
【０１０１】
また、この例で作製されたプラスチック成形品のメッキ膜が形成された凹部表面を、触針式表面粗さ測定装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）にて測定したところ、算術平均粗さ（Ｒａ）が約７．９ｎｍ、最大高さ（Ｒｙ）が約８．４ｎｍであり、従来のメッキ法でプラスチック基材上に形成したメッキ膜（Ｒａ〜数μｍ）に比べて非常に小さな値となった。これは、この例のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック基材の表面を粗面化することなく無電解メッキ膜を形成したためである。それゆえ、この例の製造方法で形成したメッキ膜を高周波回路の配線として用いても伝送ロスを低減することができることが分かった。
【実施例４】
【０１０２】
実施例４では、プラスチック基材に架橋剤を混合した熱硬化性樹脂を用いた。具体的には、熱硬化性樹脂としてシリコン樹脂を用いた。また、この例のプラスチック基材の構造は、実施例２で作製したプラスチック基材の構造（図１０参照）とほぼ同じ構造とした。なお、この例では、プラスチック基材の表面には凹部（幅０．１ｍｍ、深さ０．１ｍｍ）のみを形成した（スルーホールは形成しなかった）。この例のプラスチック基材は、金型を用いて射出成形すること（すなわち、公知の熱硬化性樹脂の成形方法）により作製した。なお、この例では、プラスチック基材に浸透させる金属微粒子として有機金属錯体であるヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)を用い、これをアセトン（溶媒）に溶解してプラスチック基材上に塗布した。
【０１０３】
この例では、製造装置も実施例２と同じ装置（図８参照）を用いた。また、この例では、プラスチック基材の表面改質処理前の高圧容器の温度を８０℃にしたこと以外は、実施例２と同様にして、金属微粒子をプラスチック基材の凹部に浸透させ、凹部上にメッキ膜を形成した。
【０１０４】
また、この例においても実施例１と同様にして、形成したメッキ膜の品質を評価した。この例で形成したメッキ膜はふくれがなく、テープ剥離試験による密着強度も良好であった。また、この例で作製したプラスチック成形品の凹部の断面を光学顕微鏡像で観察したところ、実施例１と同様に、メッキ膜がプラスチック成形品の凹部を画成する内壁に沿って成長していることが確認できた（図７（ａ）参照）。
【０１０５】
さらに、この例で作製したプラスチック成形品のメッキ膜が形成された凹部表面を、触針式表面粗さ測定装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）にて測定したところ、算術平均粗さ（Ｒａ）が約３．１ｎｍ、最大高さ（Ｒｙ）が約３．９ｎｍであり、従来のメッキ法でプラスチック基材上に形成したメッキ膜（Ｒａ〜数μｍ）に比べて非常に小さな値となった。これは、この例のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック基材の表面を粗面化することなく無電解メッキ膜を形成したためである。
【実施例５】
【０１０６】
実施例５では、プラスチック基材に光硬化性樹脂を用いた。具体的には、光硬化性樹脂としてエポキシ樹脂材と硬化剤とを含む紫外線硬化型樹脂を用いた。また、この例のプラスチック基材の構造は、実施例４で作製したプラスチック基材の構造と同じ構造とした。この例のプラスチック基材は、透明金型内に光硬化性樹脂を導入し、紫外線を照射して光硬化性樹脂を硬化させることにより（すなわち、公知の光硬化性樹脂の成形方法）により作製した。なお、この例では、プラスチック基材に浸透させる金属微粒子として有機金属錯体であるヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)を用い、これを１ビニル２ピロリドン（溶媒）に溶解してプラスチック基材上に塗布した。
【０１０７】
この例では、製造装置も実施例２と同じ装置（図８参照）を用いた。なお、プラスチック基材の表面改質処理前の高圧容器の温度を１５０℃にしたこと以外は、実施例２と同様にして、金属微粒子をプラスチック基材の凹部に浸透させ、凹部上にメッキ膜を形成した。
【０１０８】
また、この例においても実施例１と同様にして、形成したメッキ膜の品質を評価した。この例で形成したメッキ膜はふくれがなく、テープ剥離試験による密着強度も良好であった。また、この例で作製したプラスチック成形品の凹部の断面を光学顕微鏡像で観察したところ、実施例１と同様に、メッキ膜がプラスチック成形品の凹部を画成する内壁に沿って成長していることが確認できた（図７（ａ）参照）。
【０１０９】
また、この例で作製されたプラスチック成形品のメッキ膜が形成された凹部表面を、触針式表面粗さ測定装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）にて測定したところ、算術平均粗さ（Ｒａ）が約３．０ｎｍ、最大高さ（Ｒｙ）が約３．６ｎｍであり、従来のメッキ法でプラスチック基材上に形成したメッキ膜（Ｒａ〜数μｍ）に比べて非常に小さな値となった。これは、この例のプラスチック成形品の製造方法では、プラスチック基材の表面を粗面化することなく無電解メッキ膜を形成したためである。
【０１１０】
上記実施例１〜５では、プラスチック基材表面にメッキ膜（導電性）パターンを形成したプラスチック成形品について説明したが、メッキ膜を形成する前のプラスチック成形品（金属微粒子がプラスチック基材表面の所望領域に浸透した状態のプラスチック成形品）は、次のような用途に好適なプラスチック成形品である。金属微粒子がプラスチック基材表面の所望領域に浸透した状態のプラスチック成形品では、金属微粒子をプラスチック成形体表面に選択式に配向させることで、局所的に導電性を付与したり、磁力との密着性を高めたりすることができる。それゆえ、このようなプラスチック成形品をバイオチップに適用すると、例えば、簡単にバイオチップの封止を行うことができる。具体的には、流体の流路となる微細な凹凸を有したプラスチック成形品をガラス基板等と貼り合わせ該ガラス基板裏面から磁力を発生させることでガラス基板と該プラスチック成形品の表面の凹部を簡便に封止することが可能となる。
【０１１１】
上記実施例１〜５では、プラスチック基材表面の凹部に金属微粒子を浸透させる例について説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明のプラスチック成形品の製造方法は、例えば、ポリエチレングリコール等のポリアルキルグリコールをポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の疎水性プラスチック基材表面の凹部に選択的に浸透させる方法としても適用可能である。この場合には、疎水性プラスチック基材表面の凹部が選択的に親水化されたプラスチック成形品を作製することができる。この結果、例えば、プラスチックで作製されたバイオッチップにおける流路表面の任意の局所的個所を親水化もしくは撥水化することができ、バイオチップ内における混合流体の層流状態をより高効率化することや、あるいは、タンパク質を該個所にトラップすることにより分析等を行うことが可能となる。また、フッ素化合物を本発明の製造方法を用いてプラスチック成形品の凹部に浸透させた場合には、プラスチック成形品表面の凹部を選択的に撥水処理することや屈折率の低減を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明のプラスチック成形品の製造方法では、様々な形成材料からなるプラスチック基材表面に、より簡易な方法でメッキ膜を所望のパターン及びサイズで形成することができ、さらに表面粗さの非常に小さいメッキ膜を形成することができる。それゆえ、本発明のプラスチック成形品の製造方法及びプラスチック成形品はあらゆる回路基板の電気配線パターンの形成方法として好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明のプラスチック成形品における凹部の変形例を示した図である。
【図２】図２は、実施例１で用いた製造装置の概略構成図である。
【図３】図３は、実施例１のプラスチック成形品の製造方法の手順を説明するための図であり、図２中の破線領域Ａの拡大図である。
【図４】図４は、実施例１のプラスチック成形品の製造方法の手順を説明するための図であり、図２中の破線領域Ａの拡大図である。
【図５】図５は、実施例１のプラスチック成形品の製造方法の手順を説明するための図であり、図２中の破線領域Ａの拡大図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｅ）は、実施例１及び２のプラスチック成形品の製造方法の手順を示した図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例１で作製したプラスチック成形品の凹部の断面の光学顕微鏡像であり、図７（ｂ）は、実施例１で作製したプラスチック成形品のスルーホールの断面の光学顕微鏡像である。
【図８】図８は、実施例２で用いた製造装置の概略構成図である。
【図９】図９は、実施例２で用いた小型容器の概略構成図である。
【図１０】図１０は、実施例２のプラスチック成形品の製造方法の手順を説明するための図であり、図９中の破線領域Ｃの拡大図である。
【図１１】図１１は、実施例２のプラスチック成形品の製造方法の手順を説明するための図であり、図９中の破線領域Ｃの拡大図である。
【図１２】図１２は、実施例２のプラスチック成形品の製造方法の手順を説明するための図であり、図９中の破線領域Ｃの拡大図である。
【図１３】図１３は、実施例３で用いた小型容器の概略構成図である。
【図１４】図１４は、図１３中の破線領域Ｅの拡大図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  プラスチック基材
２  凹部
３  金属微粒子
４  メッキ膜
５  スルーホール
６  金属微粒子が溶解した液状物質
７  高圧二酸化炭素
【図１】
2007239081.tif 000003
【図２】
2007239081.tif 000004
【図３】
2007239081.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007239081.tif 000009
【図８】
2007239081.tif 000010
【図９】
2007239081.tif 000011
【図１０】
2007239081.tif 000012
【図１１】
2007239081.tif 000013
【図１２】
2007239081.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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