(57)【要約】【課題】安価に作製することができ、低電圧駆動が可能であり、精度の高い収差補正が可能である形状可変ミラーを提供する。【解決手段】（ａ）活性層１５とハンドル層１３の間にＢＯＸ層１４が挟まれたＳＯＩ基板１２と、（ｂ）ＳＯＩ基板１２の活性層１５上に形成された第１の電極１６，１７と、（ｃ）第１の電極１６，１７上に形成され、圧電性を有するペロブスカイト構造の圧電膜１８と、（ｄ）圧電膜１８上に形成された第２の電極２２，２４，２６と、（ｅ）第１の電極と第２の電極の少なくとも一方に含まれる複数の個別電極２２，２４，２６に対応して、ＳＯＩ基板１２のハンドル層１３側からＢＯＸ層１４又は活性層１５に達するまで除去して形成された凹部１１と、（ｆ）凹部１１に露出したＢＯＸ層１４又は活性層１５上に形成されたミラー面１１ｘとを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層とハンドル層の間にＢＯＸ層が挟まれたＳＯＩ基板と、
前記ＳＯＩ基板の活性層上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成され、圧電性を有するペロブスカイト構造の圧電膜と、
前記圧電膜上に形成された第２の電極と、
前記ＳＯＩ基板の前記ハンドル層を前記ＢＯＸ層に達するまで除去して、又は前記ＳＯＩ基板の前記ハンドル層及び前記ＢＯＸ層を前記活性層に達するまで除去して、形成された凹部と、
前記凹部に露出した前記ＢＯＸ層又は前記活性層上に形成されたミラー面と、
を備え、
前記第１の電極と前記第２の電極の少なくとも一方は、互いに間隔を設けて配置された複数の個別電極を含み、
前記凹部は、前記複数の個別電極に対応して形成されたことを特徴とする、形状可変ミラー。
【請求項２】
前記第１の電極は、前記ＳＯＩ基板の活性層上に連続して形成され、
前記第２の電極は、複数の個別電極を含むことを特徴とする、請求項１に記載の形状可変ミラー。
【請求項３】
前記複数の個別電極は、総数が１９以上であり、同心円で区切られた少なくとも３つの領域に、最も中心の領域には１個以上、その外側の前記領域には６個以上、さらに外側の領域には１２個以上が配置され、
前記凹部は、前記ＳＯＩ基板の法線方向から見たときに、前記個別電極が含まれる領域の前記ハンドル層に、前記個別電極が配置された前記領域と同心となり、かつ、前記凹部の全周に前記ハンドル層が残るように形成されたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の形状可変ミラー。
【請求項４】
前記ＳＯＩ基板の前記活性層の厚さが、５μｍ以上、５０μｍ未満であり、
前記ＳＯＩ基板の前記圧電膜の厚さが、０．３μｍ以上、５μｍ未満であることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の形状可変ミラー。
【請求項５】
前記圧電膜は、圧電膜の分極方向が、表面が正で前記ＳＯＩ基板側が負となるように形成されていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の形状可変ミラー。
【請求項６】
前記圧電膜は、ｒｆスパッタ法により作製されたＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉを主成分とするペロブスカイト構造の酸化物膜であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の形状可変ミラー。
【請求項７】
前記ミラー面が眼底からの反射光を受光部に向けて反射するように配置されることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の形状可変ミラー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、形状可変ミラーに関し、特に収差補正に好適に用いることができる形状可変ミラーに関する。
【背景技術】
【０００２】
眼底は血管を光学的に直接観察することができる唯一の器官であるため、眼底を検査することは有効的であり、眼底の検査装置として走査型レーザー眼底鏡が用いられている。しかし、眼球のようにとりわけ透明度の高い伝播媒体であっても、眼球内部での収差は避けることができないため、補償光学装置でその収差を光学的に補償する必要がある。
【０００３】
補償光学装置について、従来は、天文学における望遠鏡の収差補正、レーザー光の大気による揺らぎ補正等の分野で、特に大型の装置として開発されているものの、眼球検査機器による応用はまだ未開発である。
【０００４】
従来の補償光学装置は、主に、ミラーの形状を、静電気を用いて変形させる静電駆動のミラーが用いられている。
【０００５】
薄膜ダイヤフラムを有する形状可変ミラー素子としては、例えば特許文献１に、Ｓｉ基板上に、下部電極、圧電膜、上部電極を形成した後、基板を除去してダイヤフラムを形成し、このダイヤフラムの上部電極又は下部電極に反射ミラー膜が形成された形状可変ミラー素子が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３８１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
静電駆動のミラーは、作製が容易であるが、（１）駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため電源が大型になる、（２）応答速度が遅い、（３）静電気の引力だけの一方向にしか変位しないため精密な形状制御が難しい、という問題があった。
【０００７】
特許文献１のように、下部電極、圧電膜、上部電極で構成されたダイヤフラムに反射ミラー膜を形成すると、ダイヤフラムが薄いため、振動や熱などの外乱により、反射ミラー膜の形状が乱れることがある。また、電極を分割して反射ミラー膜を多様に変化させようとしても、圧電膜は分割された電極の境界付近で変形態様が急激に変化するため、反射ミラー膜が階段状に変形したり、局部的に大変形して座屈したりして、滑らかな曲面にすることが難しい場合があり、精度の高い収差補正には不向きである。
【０００８】
本発明は、かかる実情に鑑み、安価に作製することができ、低電圧駆動が可能であり、精度の高い収差補正が可能である形状可変ミラーを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した形状可変ミラーを提供する。
【００１０】
形状可変ミラーは、（ａ）活性層とハンドル層の間にＢＯＸ層が挟まれたＳＯＩ基板と、（ｂ）前記ＳＯＩ基板の活性層上に形成された第１の電極と、（ｃ）前記第１の電極上に形成され、圧電性を有するペロブスカイト構造の圧電膜と、（ｄ）前記圧電膜上に形成された第２の電極と、（ｅ）前記ＳＯＩ基板の前記ハンドル層を前記ＢＯＸ層に達するまで除去して、又は前記ＳＯＩ基板の前記ハンドル層及び前記ＢＯＸ層を前記活性層に達するまで除去して、形成された凹部と、（ｆ）前記凹部に露出した前記ＢＯＸ層又は前記活性層上に形成されたミラー面とを備える。前記第１の電極と前記第２の電極の少なくとも一方は、互いに間隔を設けて配置された複数の個別電極を含む。前記凹部は、前記複数の個別電極に対応して形成される。
【００１１】
上記構成において、第１の電極と第２の電極との間に電圧を印加すると、圧電膜は、第１の電極と第２の電極との間に作用する電界によって、電界の方向に直角な方向（圧電膜の面方向）に伸縮する。圧電膜は、第１の電極を介してＳＯＩ基板に接合されており、ＳＯＩ基板は、凹部の周囲がＳＯＩ基板のハンドル層によって支持されるため、ＳＯＩ基板の法線方向に凹部に対向するダイヤフラムの部分が、圧電膜の伸縮に伴ってたわみ、凹部に露出したＢＯＸ層又は活性層上に形成されたミラー面の形状が変わる。ミラー面の形状は、第１の電極と第２の電極の個別電極との間に印加する電圧の組み合わせを変えることによって、調整することができる。
【００１２】
上記構成において、ペロブスカイト構造の圧電膜は、電界を印加したときの変形量が大きいので、ミラー面を変形させるための駆動に適している。第１の電極は、その上に圧電膜を形成するときの熱に耐えられる材料、例えば、Ｐｔ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｒｕ又はその酸化物で形成することが好ましい。ミラー面については、凹部に露出したＢＯＸ層又は活性層の表面に、ミラー面を構成する反射膜を形成しても、凹部に露出したＢＯＸ層又は活性層の表面を、そのままミラー面として用いてもよい。
【００１３】
上記構成において、ＳＯＩ基板のハンドル層は、例えばドライエッチングで除去することができるが、ＳＯＩ基板のＢＯＸ層はドライエッチングでは除去されないので、ＳＯＩ基板のハンドル層を選択的に除去することができ、ＢＯＸ層が露出する凹部を容易に形成することができる。さらに、ＳＯＩ基板のＢＯＸ層を選択的に除去し、ＳＯＩ基板の活性層が露出する凹部を形成することもできる。
【００１４】
ミラー面を支持するダイヤフラムの部分は、圧電膜や電極以外にＳＯＩ基板の活性層も含むので、強度（剛性）を確保し、振動や熱などの外乱によるミラー面の振れなどを防止することができ、精度の高い収差補正が可能である。
【００１５】
上記構成によれば、ＳＯＩ基板を用い、圧電膜を形成し、ＳＯＩ基板のハンドル層やＢＯＸ層を選択的に除去して、凹部に露出したＢＯＸ層又は活性層にミラー面を形成するなど、半導体製造技術を用いて、形状可変ミラーを安価に作製することができる。また、圧電膜を用いることで、低電圧で駆動することが可能である。
【００１６】
好ましくは、前記第１の電極は、前記ＳＯＩ基板の活性層上に連続して形成される。前記第２の電極は、複数の個別電極を含む。
【００１７】
この場合、第１の電極が連続して形成されるため、作製が容易である。すなわち、下部電極が複数の個別電極を含み、分割されている場合のように、下部電極のパターンニングが煩雑になったり、第１の電極上に形成する圧電膜の凹凸が問題となったりすることがない。
【００１８】
好ましくは、前記複数の個別電極は、総数が１９以上であり、同心円で区切られた少なくとも３つの領域に、最も中心の領域には１個以上、その外側の前記領域には６個以上、さらに外側の領域には１２個以上が配置される。前記凹部は、前記ＳＯＩ基板の法線方向から見たときに、前記個別電極が含まれる領域の前記ハンドル層に、前記個別電極が配置された前記領域と同心となり、かつ、前記凹部の全周に前記ハンドル層が残るように形成される。
【００１９】
個別電極を同心円状に配置すると、ミラー面の形状を制御することが容易になる。このとき、個別電極を同心円で区切られた少なくとも３つの領域に配置することによって、ミラー面を変形させる態様が増え、低次の収差のみならず、高次の収差に対しても補正可能となる。補正可能な収差の種類が増えるため、形状可変ミラーは、さらに精度が高い収差補正が可能となる。
【００２０】
個別電極を同心円状に配置し、個別電極が配置された領域と凹部とが同心であり、凹部の全周にＳＯＩ基板のハンドル層が残るようにすると、ミラー面を支持するダイヤフラムの部分が軸対称の構成となり、ミラー面も軸対称に変形するので、ミラー面の変形を容易に制御することができる。例えば、（ｒ，θ）座標系で定義されるゼルニケ多項式を用いて、収差を補正するように、ミラー面の形状を容易に制御することができる。
【００２１】
好ましくは、前記ＳＯＩ基板の前記活性層の厚さが、５μｍ以上、５０μｍ未満である。前記ＳＯＩ基板の前記圧電膜の厚さが、０．３μｍ以上、５μｍ未満である。
【００２２】
ＳＯＩ基板の活性層の厚さが５μｍ以上あれば、座屈が生じたり、振動や熱などの外乱の影響を受けたりしないように、ミラー面を支持するダイヤフラムの部分の剛性を高くすることができる。ＳＯＩ基板の活性層の厚さが大きくなり、活性層の剛性が増すと、圧電膜が変形しても活性層が変形しないためミラー面の形状を変えることができなくなるが、ＳＯＩ基板の活性層の厚さが５０μｍ未満であれば、ミラー面の形状を変えることができる。
【００２３】
ＳＯＩ基板の圧電膜の厚さが０．３μｍ以上であれば、ミラー面を変形させる駆動力を得ることができる。ＳＯＩ基板の圧電膜の厚さが５μｍ以上になると、圧電膜を形成したときの残留歪みが、ＳＯＩ基板のハンドル層に凹部を形成するときに開放され、凹部に隣接するダイヤフラムの部分がたわみ、凹部に露出したＢＯＸ層に精度よくミラー面を形成することが困難になる。
【００２４】
好ましくは、前記圧電膜は、圧電膜の分極方向が、表面が正で前記ＳＯＩ基板側が負となるように形成されている。
【００２５】
この場合、逆の分極方向に形成した圧電膜よりも特性の安定性がよい。基板界面の欠陥が分極の安定化に良い効果を与えているものと思われる。
【００２６】
好ましくは、前記圧電膜は、ｒｆスパッタ法により作製されたＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉを主成分とするペロブスカイト構造の酸化物膜である。
【００２７】
この場合、圧電膜は、全体として、ＳＯＩ基板の活性層側が負、反対側の面が正となる向きに分極され、ＳＯＩ基板の法線方向に分極され、他の方法で作製された場合よりも特性が安定するので、形状可変ミラーを低電圧で効率よく駆動することができる。
【００２８】
好ましくは、前記ミラー面が眼底からの反射光を受光部に向けて反射するように配置される。
【００２９】
この場合、ミラー面の形状により、眼底からの反射光の波面の乱れを、ミラー面で反射するときに整えることにより、眼底からの反射光の収差を補正し、眼底像の解像度を向上することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の形状可変ミラーは、安価に作製することができ、低電圧駆動が可能であり、収差補正に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図９を参照しながら説明する。
【００３２】
＜実施例１＞  形状可変ミラー１０について、図１〜図８を参照しながら説明する。
【００３３】
図１（ａ）は形状可変ミラー１０の斜視図、図１（ｂ）は形状可変ミラー１０の平面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）の線ｃ−ｃに沿って切断した断面図である。
【００３４】
図１（ｃ）に示すように、形状可変ミラー１０は、ＳＯＩ基板１２の活性層１５の上に、電極材料としてＰｔ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｒｕのうち少なくとも１つを含む金属もしくは酸化物の電極膜１６，１７が形成され、さらにその上に、圧電性を有するペロブスカイト構造の酸化物を含む圧電膜１８が形成されている。圧電膜１８の上には、電極パターン２０、電極端子２８、配線パターン（不図示）を含む導電パターンが形成されている。導電パターンは、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、形状可変ミラー１０の一方主面１０ａ（図において上面）に露出している。
【００３５】
電極パターン２０は、種々の態様で個別電極を配置することができるが、例えば図１（ｂ）に示すように、同心円状に配置された３つの領域に、それぞれ、個別電極２２，２４，２６が配置されている。
【００３６】
形状可変ミラー１０の一方主面１０ａの四隅には、複数個の電極端子２８が形成されている。各電極端子２８は、不図示の配線パターンにより、それぞれ、個別電極２２，２４，２６と接続されて、また、不図示の配線により、電極膜１６，１７に電気的に接続されている。
【００３７】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、形状可変ミラー１０の他方主面１０ｂ（図において下面）の中心には、電極パターン２０に対応して、ＳＯＩ基板１２のハンドル層１３が除去されて円柱形状の凹部１１が形成され、凹部１１の底面には、ミラー面１１ｘが露出している。ミラー面１１ｘは、ＳＯＩ基板１２のハンドル層１３が除去されて露出したＢＯＸ層１４上に、Ａｌ等の金属を蒸着するなどして形成された反射膜１９のＢＯＸ層１４とは反対側に面である。
【００３８】
なお、ハンドル層１３を取り去って露出したＢＯＸ層１４の表面は鏡面であるので、反射膜１９を設けずに、露出したＢＯＸ層１４の表面をそのままミラー面として用いてもよい。また、ＢＯＸ層１４を取り去って露出した活性層１５の表面も同じく鏡面であるので、この表面もしくはこの表面にＡｌ等の金属を蒸着して、ミラー面とすることもできる。
【００３９】
次に、形状可変ミラー１０の駆動について、図８を参照しながら説明する。図８では、圧電膜１８の両面に配置されている電極膜１６，１７と電極パターン２０の図示を省略している。
【００４０】
図８（ａ）に示すように、形状可変ミラーは、基本的には、活性層１５に圧電膜１８が重ね合わされてユニモルフ構造となっている。圧電膜１８の両面に電圧が印加されると、圧電膜１８に、例えば矢印８２で示すように厚み方向の電界が作用する。これによって、例えば図８（ｂ）において矢印８４で示すように、圧電膜１８は面方向に伸びようとする。このとき、圧電膜１８は、一方の主面がＳＯＩ基板１２の活性層１５によって支持され、拘束されているので、一方の主面側の伸びが抑制され、他方の主面側の伸びが相対的に大きくなり、図８（ｃ）において矢印８８で示すように、圧電膜１８及び活性層１５のダイヤフラムの部分は、活性層１５とは反対側に突出するようにたわむ。これにより、活性層１５に形成されたミラー面１１ｘは凹状に変形し、ミラー面１１ｘの曲率が変化する。
【００４１】
圧電膜１８に印加される電界が逆向きとなると、圧電膜１８は面方向に縮み、圧電膜１８及び活性層１５のダイヤフラムの部分は、活性層１５側にくぼむようにたわみ、ミラー面１１ｘが凸状に変形し、ミラー面１１ｘの曲率が変化する。
【００４２】
個別電極２２，２４，２６ごとに印加する電圧を変えると、圧電膜１８は、個別電極２２，２４，２６に対向する部分ごとに電界の強さが変わり、局所的に変形量が変わる。そのため、個別電極２２，２４，２６に印加する電圧を調整することにより、ミラー面１１ｘを所望の形状となるように変形させることができる。
【００４３】
しかし、圧電膜１８は電極膜１６，１７を介してＳＯＩ基板１２に接合されており、圧電膜１８の変形はＳＯＩ基板１２によって制約されるため、ミラー面１１ｘの形状変化は滑らかになる。これは、収差補正を行う場合に好適である。
【００４４】
圧電膜１８は、圧電膜１８の分極方向が、表面が正でＳＯＩ基板１２側が負となるように形成すると、逆の分極方向に形成した圧電膜よりも特性の安定性がよくなるので、好ましい。基板界面の欠陥が分極の安定化に良い効果を与えているものと思われる。
【００４５】
圧電膜１８は、スパッタリング、ゾルゲル、ＣＶＤ法によって、良好に成膜することができる。圧電膜１８は、ｒｆスパッタ法で作製すると、他の方法で作製した場合よりも、特性が安定するので、好ましい。
【００４６】
次に、形状可変ミラー１０の作製工程について、図５〜図７を参照しながら説明する。
【００４７】
図２に示すように、ハンドル層１３、ＢＯＸ層１４、活性層１５を含むＳＯＩ基板１２を準備する。例えば、ハンドル層１３が厚さ５００μｍのＳｉ、ＢＯＸ層１４が厚さ１μｍ〜５μｍのＳｉＯ２、活性層１５が厚さ２０μｍのＳｉである２０ｍｍ×２０ｍｍのＳＯＩ基板１２を準備する。なお、量産する場合には、複数個分の大きさのＳＯＩ基板（集合基板）を用いて複数個分を同時に作成した後、１個ずつに分割すればよい。
【００４８】
次に、図３に示すように、活性層１５上に、スパッタリングにより厚さ０．１μｍのＴｉ膜１６を形成する。次いで、図４に示すように、Ｔｉ膜１６上に、スパッタリングにより厚さ０．１μｍのＰｔ膜１７を形成する。
次いで、図５に示すように、Ｐｔ膜１７上に、スパッタリングにより、厚さ２．０μｍのＰＺＴ［Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］の圧電膜１８を形成する。圧電膜１８は、ＲＦ電源を使用するＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、ｒｆスパッタ法により作製すると、圧電膜１８が良好の分極し、特性の安定性も良いので、好ましい。
【００４９】
次に、リフトオフ加工により、電極パターン２０、電極端子（図示せず）、配線パターン（図示せず）を含む導電パターンを、圧電膜１８上に形成する。導電パターンは、適宜な方法、例えばエッチング、リフトオフにより形成する。例えば、圧電膜１８上にフォトレジストを塗布し、露光、現像して、導電パターンの部分が開口するレジストパターンを形成し、次いでＡｌを蒸着した後、レジストパターンとともに、レジストパターン上の不要なＡｌを、剥離液を用いて除去（リフトオフ）して、導電パターンの部分に蒸着したＡｌが残るようにする。
【００５０】
電極パターン２０は、図１（ｂ）に示しように、直径２ｍｍ、６ｍｍ、１２ｍｍの同心円で区切られた領域に、合計１９個の個別電極２２，２４，２６を配置する。同心円の中心には一つの個別電極２２を配置し、その外側には円周方向に６個の個別電極２４を等ピッチで配置し、さらに外側に円周方向に１２個の個別電極２６を等ピッチで配置する。円周方向に並んだ個別電極２４，２６の間に、幅９０μｍの径方向に延在する隙間を設け、個別電極２２と２４、２４と２８の間には、幅９０μｍの円形の隙間を設ける。
【００５１】
次いで、図７に示すように、ＳＯＩ基板１２のハンドル層１３側をドライエッチングし、直径１５ｍｍの凹部１１を形成する。このとき、凹部１１の底にＢＯＸ層１４が露出すると、ＢＯＸ層１４はドライエッチングでは除去されないので、それ以上は加工されない。露出したＢＯＸ層１４は、そのままでも鏡面状態であるが、より効率よく光を反射するように、スパッタリングによりＴｉの反射膜１９をＢＯＸ層１４上に形成し、反射膜１９の表面によりミラー面１１ｘを形成する。
【００５２】
以上のようにして作製した形状可変ミラー１０は、合計１９個の個別電極２２，２４，２６を適宜に選択して１０Ｖ程度の電圧を印加すると、ミラー面１１ｘをその法線方向に数μｍ程度変形させることができ、収差補正に用いることができる。
【００５３】
＜実施例２＞  実施例１の形状可変ミラー１０を用いる眼底検査装置３０について、構成を模式的に示す図９を参照しながら説明する。
【００５４】
眼底検査装置３０は、発光部３２から眼球２の眼底６に向けてレーザービームを照射し、眼底６からの反射光を受光素子３６で受光し、不図示のモニタに眼底６の画像を出力するためのデータを生成する。
【００５５】
発光部３２と眼球２との間には、ビームスプリッタ３４が配置され、眼底６からの反射光を、受光素子３６側に導く。ビームスプリッタ３４と受光素子３６との間には、実施例１の形状可変ミラー１０とビームスプリッタ４６とが配置されている。
【００５６】
形状可変ミラー１０は、そのミラー面１１ｘが、ビームスプリッタ３４からの反射光を、ビームスプリッタ４６に向けて反射するように配置されている。形状可変ミラー１０は、端子電極２８（図１参照）に制御装置４２が接続されている。制御装置４２は、ミラー面１１ｘが所望の形状となるように、形状可変ミラー１０の個別電極２２，２４，２６（図１参照）に印加する電圧を制御する。
【００５７】
ビームスプリッタ４６は、受光素子３６に向かう反射光の一部を検出部４４に導く。検出部４４は、反射光を高速の波面センサーで波面の乱れを測定し、測定データを制御装置４２に送出する。制御装置４２は、検出部４４で検出した反射光の波面の乱れを打ち消すように、形状可変ミラー１０のミラー面１１ｘの形状を補正する補正量を演算し、補正量に応じて個別電極２２，２４，２６（図１参照）に印加する電圧を調整する。これによって形状が変化した形状可変ミラー１０のミラー面１１ｘで反射され光５４は、収差が補正され、波面が整った状態となる。この反射光５４を受光素子３６で受光することにより、収差が補正され、解像度が向上した眼底像を得るすることができる。
【００５８】
制御装置４２は、検出部４４により得られる波面の乱れに対し、これを補正する鏡面状態をゼルニケ多項式で表現し、このゼルニケ多項式で表された鏡面を実現するように、形状可変ミラー１０の個別電極２２，２４，２６（図１参照）に印加する電圧を算出し、算出した電圧を形状可変ミラー１０の個別電極２２，２４，２６（図１参照）に印加して、ミラー面１１ｘの変形態様を制御する。
【００５９】
ゼルニケ多項式は、軸対称などの仮定を含まない厳密な式であるため、精度のよい収差補正が可能である。ゼルニケ多項式は、次数ｍ、ｎと関数が、種々の収差（球面収差、非点収差、像面湾曲、歪曲、コマ）と対応することが知られており、検出した収差から補正する鏡面状態を表現することができる。ゼルニケ多項式は（ｒ，θ）座標系を用いるので、同心円状に配置した個別電極２２，２４，２６（図１参照）に印加する電圧との対応付けが容易である。
【００６０】
個別電極を径方向の３つの領域に分けて配置すると、ミラー面を、収差の種類（球面収差、非点収差、像面湾曲、歪曲、コマなど）に対応する所定の形状パターンに変形させて、収差を光学的に補償することができる。収差補正によって解像度が向上するので、眼底６をより詳しく観察することができる。
【００６１】
＜まとめ＞  以上に説明したように、形状可変ミラーは、安価に作製することができ、低電圧駆動が可能であり、精度の高い収差補正が可能である。
【００６２】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【００６３】
例えば、圧電膜を駆動する個別電極を、同心円状の４以上の領域に配置すれば、より精度の高い収差補正が可能となる。
【００６４】
ＳＯＩ基板と圧電膜との間の電極膜をパターニングして、複数の個別電極を形成してもよい。この場合、圧電膜に関してＳＯＩ基板とは反対側に形成する電極膜は、連続して形成しても、個別電極を含むように形成してもよい。
【００６５】
また、ミラーは眼底検査装置に限らず、例えば、天体望遠鏡などにおいて波面収差を補正するために用いることができる。さらに、本発明の形状可変ミラーは、収差補正以外の用途に用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】ミラーの（ａ）斜視図、（ｂ）平面図、（ｃ）断面図である。（実施例１）
【図２】ミラーの作製工程の説明図である。（実施例１）
【図３】ミラーの作製工程の説明図である。（実施例１）
【図４】ミラーの作製工程の説明図である。（実施例１）
【図５】ミラーの作製工程の説明図である。（実施例１）
【図６】ミラーの作製工程の説明図である。（実施例１）
【図７】ミラーの作製工程の説明図である。（実施例１）
【図８】ミラーの駆動原理の説明図である。（実施例１）
【図９】眼底検査装置の構成図である。（実施例２）
【符号の説明】
【００６７】
１０  ミラー
１１  凹部
１１ｘ  ミラー面
１２  ＳＯＩ基板
１３  ハンドル層
１４  ＢＯＸ層
１５  活性層
１６，１７  電極膜（第１の電極）
１８  圧電膜
２０  電極パターン（第２の電極）
２２，２４，２６  個別電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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