(57)【要約】      （修正有）【課題】低温同時焼成セラミックを用いた６０ＧＨｚ帯に適した改良型バンドパスフィルタを提案する。【解決手段】低温同時焼成セラミック製であり、１または１以上の孔を有するベースと、前記ベースの上にパターニングされ、前記１または１以上の孔を覆うコプレーナ導波部と、を備えるバンドパス・フィルタ。【選択図】図１７
2007013368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温同時焼成セラミック製であり、１または１以上の孔を有するベースと、
前記ベースの上にパターニングされ、前記１または１以上の孔を覆うコプレーナ導波部と、
を備えることを特徴とするバンドパス・フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバンドパス・フィルタに関し、特に、６０GHz帯に適し、LTCC（低温同時焼成セラミック）を基に設計されたバンドパス・フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
ロウパス・フィルタやバンドパス・フィルタを設計するために、種々の技術が提案されている。たとえば、それらフィルタを設計するための技術は以下の非特許文献に記載されている。
【非特許文献１】M. Kim、B. Lee  「コプレーナ導波部のための新規なL型DGS」  ２００３年、Asia-Pacific Microwave Conference、３巻、１４５４−１４５７頁
【非特許文献２】J. S. Lim、C. S. Kim、Y. T. Lee、D. Ahn、S. Nam  「コプレーナ導波部のための螺旋形欠陥グランド構造」  IEEE microwave and Wireless Components Letters、１２巻、９号、３３０−３３２頁、２００２年９月
【非特許文献３】T. Y. Yun、K. Chang  「一平面一次元光バンドギャップ構造の共振器」  IEEE Trans.  Microwave Theory Tech.  ４９巻、５４９−５３３頁、２００１年３月
【非特許文献４】Y. Q. Fu.、G. H. Zhang、N. C. Yuan  「新規なPBGコプレーナ導波部」  IEEE microwave and Wireless Components Letters、１１巻、９号、４４７−４４９頁、２００１年１１月
【非特許文献５】S. W. Wang、C. L. Wang、R. B. Wu  「コプレーナ導波部給電式ステップ摂動スロットリング共振器を備えた新規なユニプレーナ型バンドパス・フィルタ」  2003 Asia-Pacific Microwave Conference、３巻、６６９−６７２頁
【非特許文献６】Rainee N. Simons  「コプレーナ導波部回路、要素、システム」  John Wiley & Sons, Inc、２００１年
【０００３】
有用性のある方法として欠陥グランド構造(DGS)［非特許文献１］［非特許文献２］がロウパス・フィルタやバンドバス・フィルタを設計するために提案されている。フィルタを構成するのに少数のDGSを用いればよいので、光バンドギャップ(PBG)構造［非特許文献３］［非特許文献４］に比較してDGSは簡易である。
【０００４】
しかし、PBGを用いてフィルタを設計するには、多くのPBGを用いなければならない。また、DGSには簡易なRLC（抵抗、インダクタンス、容量）回路を近似させることが可能であるので、DGSはその動作周波数レンジを、特にマイクロストリップライン構造に合わせて容易に調整・設計することができる。
【０００５】
従来のDGS部は、DGSを周期的アレイ状に配置することなしに、遮断周波数と減衰極をある周波数において出現させることができる。
【０００６】
従来より、DGSまたはPBGがマイクロストリップ型フィルタを設計するのに用いられてきた。DGSの応用について多くの論文が公開され、多種のDGS構造が図１において用いられている。
【０００７】
しかし、DGSを用いたコプレーナ型フィルタ［非特許文献１］［非特許文献２］の設計についてはあまり論文が公開されていない。コプレーナ導波部(CPW)はマイクロストリップラインやスロットラインと同じく平面回路設計にとって重要な要素である。多様なCPW構造が存在する［非特許文献６］。
【０００８】
CPWの基本構造は三つの共面なストリップラインにより構成される。図２(a)に示すように、両面ストリップラインは無限幅を有する。この構造は、実際には理論的作業や解析作業にのみ用いられる。
【０００９】
詳細には、マイクロ波集積回路(MIC)において、CPWはマイクロストリップ構造に接続されるか、または導体背面グランドを有していなければならない。配線またはビアにより二つの側面グランドは導体背面グランドに接続され、一つのグランドを形成する（つまり、等しい電圧レベルで動作できる）。
【００１０】
もう一つの問題は、実際の回路においては側面グランドの幅は有限であるということである。勿論、ある場合においては、幅が十分に大きいものである限り、この構造は従来のCPWとみなすことができる［非特許文献６］。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、特にLTCCに基づく、６０GHz帯に適した改良型バンドパス・フィルタを提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の目的と本発明により解決される課題は以下に示す技術的解決により達成される。
【００１３】
バンドパス・フィルタは、低温同時焼成セラミック製であり、かつ、１または１以上の孔を有するベースと、前記ベースの上にパターニングされ、前記１または１以上の孔を覆うコプレーナ導波部と、を備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
第一、第二実施形態として、DGSとCPWに基づく新しいフィルタを提案する。
１．第一実施形態−DGSとCPWに基づく
１．１  ストップバンドフィルタ用のCPWに基づく従来のDGS
【００１５】
CPWに基づくDGS利用の先行技術が［非特許文献１］［非特許文献２］に公開されている。これらの論文に基づき、６０GHzにて動作可能なDGS-CPWフィルタを、DGS、CPWパラメータを変更することにより設計してみる。
【００１６】
CPWに基づく基本的なDGSの三つの例が図２(a)、図３(a)、図４(a)にて用いられている。これらのSパラメータはAnsoft  HFSS9.0
により計算され、それぞれ図２(b)、図３(b)、図４(b)に示されている。
【００１７】
これら三つの設計において、DGSはそれぞれの共振周波数において良好なストップバンド特性を示している。マイクロストリップを用いたDGSをRLC回路により近似させることを議論した論文が公開されている。RLC回路に基づき、共振周波数を容易に調整し迅速にストップバンドDGS構造を設計することができる。
【００１８】
実際に、DGS構造は共振構造である。われわれの要求する共振周波数にしたがって、適切なDGS構造を選択することができる。
【００１９】
ときにより、DGSは螺旋形構造をとることもある。DGS構造を小型に設計することを望むならば、より多くの周期をもつ螺旋を用いればよい。
【００２０】
DGSの最大体積構造のものは方形導波部である。
【００２１】
DGSは周波数要件や製造要件に基づいて設計されなければならない。図２から図４の例において、両面導体は無限幅を有する。導体背面グランドは必要ではない。
１．２  バンドパス・フィルタのためのBGCPWに基づくDGS設計
【００２２】
われわれの目標は、DGS、CPWに基づく、動作周波数が約６０GHz、帯域幅が１GHzであるフィルタを設計、改良することである。
【００２３】
MMIC、パッケージ、寸法等の要件を考慮すると、フィルタを導体背面CPW（CBCPW）技術と低温同時焼成セラミック（LTCC）技術を用いて設計するのが望ましい。
【００２４】
以下に示す設計では、基板のパラメータは、er=8.7、mr=1、tand=0.0015、厚さが0.2mmである。
１．２．１  事例１
【００２５】
始めに、二つのDGSをCBCPWにエッチングすることを考える。
【００２６】
その構造を図５に示す。その構造パラメータ（mm）は、
sg = 0.4
s = 0.0925
w = 0.075
dgs1 = 0.2
dgs2 = 0.15
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
ビアホールのR = 0.1
t1 = 0.1
t2 = 0.1
viaholed = 0.3
である。
【００２７】
この構造に基づき、t1が固定され、tabdw=0.075mm、tabdw1=0.26mmであり、t2を（ちょうど異なるtabdlを選択するように）移動した場合の、Sパラメータを図６に示す。
【００２８】
この図より、tabdlが減少するにつれ結果が良好になり、しかし帯域幅が増加することがわかる。DGS部の二つのグランドを接続するためにビアホールを用いない場合にDGSの縁部の場が放射状に広がることを考慮して、図７(a)では、側面グランドと導体背面グランドを接続するためにDGSの近傍に２グループのビアホールを追加した。tabdwの効果を解析するために、異なるtabdw値をそれぞれ0.2、0.3、0.46のように選択する。この場合、tabdw1=0.46mmであり、tabdl=0.1mmである。
【００２９】
図７(b)にSパラメータについてのこれらtabdw値の比較結果を示す。
【００３０】
この図より、tabdwが増加するにつれSパラメータは良好になっているが、帯域幅は増大していることがわかる。それゆえ、将来的には帯域幅とSパラメータを両立するような適切なtabdwを選択しなければならない。
【００３１】
要約すると、この設計においては、Sパラメータと帯域幅のどちらかが設計要件を満たさないので、この設計は成功ではない。
１．２．２  事例２
【００３２】
その他の可能性を考慮してみる。本設計においては、図８(a)に示すように、DGSの二つのスロットがストリップラインによって接続される。この設計の構成を図８に示す。この設計のパラメータは、
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.22
dgs2 = 0.15
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdw = ...
c1 = ...
t1 = 0.1
cw = ...
viaholed = 0.15
sviaholed = 0.28
sviaholel = 0.18
である。
【００３３】
まず、cl=0.1、cw=0.075において、DGSの配置位置の効果を考慮してみる。DGSの配置位置をx方向に沿って対称的に移動する（tabdwと称する）。図９より、tabdwが増加するにつれSパラメータが良好になることがわかる。しかし、中間動作周波数が低下し、帯域幅が増大する。
【００３４】
この設計が今後の我々の設計に大きく寄与することは、DGSの配置位置を移動し、中間動作周波数を小さい範囲で調整することにより、良好なSパラメータを得ることができることが判明したことである。次に中央ストリップラインの不連続性について解析する。図８にその構造と、パラメータ構成を示す。本例における全てのパラメータはテーブル２に設定されており、tabdw=0.56mmである。
【００３５】
cl=0.5mmでcwを様々に変化させる場合のSパラメータの変化を図１０に示す。
【００３６】
この図より、clが低下するとSパラメータが良好になることがわかる。帯域幅は狭くなるが、その変化は際立つほどのものではない。そのため、より良い結果を得るために、製造者のデザインルールにしたがってclを最小トレース幅として選択すればよい。
【００３７】
同様に、cl=0.26mmでcwを変化させる場合のSパラメータの変化を図１１に示す。
【００３８】
この図より、cwが低下するにつれより良好な結果が得られることがわかる。それと引き替えに、帯域幅が多少狭まる。それゆえ、良好なSパラメータと狭い帯域幅を得るためには、製造要件にしたがってcwを最小トレース幅にするべきである。
【００３９】
したがって、良好な結果を得るためには、clとcwを今後なるべく早く狭めるべきである。そのためには製造者の要件に基づいて最小トレース幅を選択することが容易な選択である。製造上の制限により、本設計は帯域幅が狭まるという結果を調整するための十分な調整パラメータを有していない。
【００４０】
しかし、本設計により、clとcwには最小値を選択すべきだということや、DGSの配置位置（tabdw）を移動することにより帯域幅やSパラメータを変化させることができるということ等、この種のCPW-DGSフィルタ設計についての設計経験を得ることができた。
１．２．３  事例３
【００４１】
先の二つの設計では、中央ストリップラインが短くないということも想定していた。本例では、中央ストリップラインが切断されて二つの部分に分割されているとする。この構造を図１２(a)に示す。この構造のSパラメータを図１２(b)に示す。
【００４２】
我々の設計要件に従えば、Sパラメータが容認できないものであるのは明らかである。今後、この態様は省略する。
１．２．４  事例４
【００４３】
事例１、２に基づいて、図１３に示す新しい設計を提案する。この設計の基本パラメータは、
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.225
dgs2 = 0.125
dgs3 = 0.125
dgs4 = 0.225
tabdw = 0.075
tabdl = ...
tabdw1 = ...
t1 = 0.075
t2 = ...
sviaholed = 0.28
viaholed = ...
sviaholew = 0.18
ビアホールの半径 = 0.1
である。
【００４４】
この設計が一番目と二番目の設計の組み合わせであることは明らかである。
【００４５】
まず、移動するDGS（tabdw1と称する）の特性を解析する。CPWのビアホールの配置とDGSのパラメータを可変のものとした場合のSパラメータの比較を図１４(b)に示す。図１４(b)において、viaholed=0.15mm、t2=0.15、tabdl=0.1mm、px=0.18mm、py=0.08mmである。この図において、図９で得られたのと同様な結果が得られる。
【００４６】
この特性を帯域幅と中間動作周波数を変化させるのに用いることができる。図９と図１４の両方において、tabdw1の値を変化させた場合、右側面のターンポイントはほぼ不変である。
【００４７】
側面ビアホールの効果を議論する。ビアホールの中央点の位置を変化させた場合のSパラメータを図１５に示す。図１５において、tabdw1=0.72mm、t2=0.075、tabdl=0.1mm、px=0.23mm、py=0.03mmである。
【００４８】
この図より、ビアホールをDGSから遠ざける（viaholedと称する）と、中間動作周波数が低下することが分かる。帯域幅がほぼ一定であることもわかる。最後に、tabdw1=0.72mm、t2=0.075、tabdl=0.1mm、px=0.23mm、py=0.03mm、viaholed=0.15mmにおいて、DGSのスロットを解析する。
【００４９】
Sパラメータの比較を図１６に示す。この図より、スロットの幅が小さくなると帯域幅が狭まることがわかる。
１．３  最終設計
【００５０】
上述の背景的な議論に基づき、ビアホールの位置、DGSの位置、中央ストリップラインのtabを調整することによる、最終設計を図１７に示す。この設計の構造パラメータは、
sg = 0.4
s = 0.0925
w = 0.075
dgs1 = 0.225
dgs2 = 0.125
dgs3 = 0.125
dgs4 = 0.225
tabdl = 0.1
tabdw = 0.075
tabdw1 = 0.26
t1 = 0.075
t2 = 0.12
sviaholed = 0.24
viaholed = 0.235/0.28
sviaholew = 0.2
px = 0
py = 0
py1 = 0
である。
【００５１】
これらの設計パラメータに基づく最終CPW-DGSフィルタのSパラメータを図１８、図１９に示す。図１８がviaholed=0.28mmの場合であり、図１９がviaholed=0.235mmの場合である。
【００５２】
このフィルタの５９．５GHz用の詳細なシミュレーションパラメータは、
通過帯域幅：５８．８５〜６０．０GHz（２％）
反射減衰量：＜２dB
挿入損失：＞１８dB
ターン帯域幅：４．５GHz（５％）
３dB帯域幅：〜０．５GHz
【００５３】
６１．５GHz用のパラメータは、
通過帯域幅：６１〜６２GHz（１．７％）
反射減衰量：＜２dB
挿入損失：＞１５dB
ターン帯域幅：５．４GHz（５％）
３dB帯域幅：〜０．５GHz
２．第二実施形態−DGSに基づく
【００５４】
第一実施形態では、CPW-DGSフィルタの設計に成功し、結果は妥当であり容認できるものであった。次に別種のCPW-DGSフィルタ構造を考えてみる。
【００５５】
DGS構造が図２０に示されている。最終設計を作成するための、初歩のDGS-CPW構造から開始する。
２．１  従来のDGS CPW設計に借用された基本設計
【００５６】
まず、図２０(a)に示す構造を考慮してみる。この構造のSパラメータを図２０(b)に示す。
【００５７】
この結果より、このフィルタがストップバンド特性を有していることが分かる。ストップバンドレンジは５５GHz〜６０GHzである。しかし、この帯域幅においては反射減衰量が思わしくなかった。
２．２  バンドパスフィルタ用のBGCPWに基づく修正設計
【００５８】
第一の設計のアイディアを借りて、図２０(a)に示す基本設計を修正してみる。
２．２．１  事例１
【００５９】
まず始めに、DGSの二つのスロットを一本のスロットラインで接続する。この構造を図２１(a)に示し、この構造のSパラメータを図２１(b)に示す。
【００６０】
この図より、この設計が中間動作周波数において良好なSパラメータを有し、高周波数において良好なストップバンド特性を有していることが分かる。しかし、この設計は動作帯域幅とターン帯域幅が広すぎる。
２．２．２  事例２
【００６１】
２グループのDGSショルダーに接続された二本のストリップラインを考えてみる。その構造と構成パラメータを図２２に示す。基本パラメータは、
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.147
dgs3 = 0.15
dgs4 = 0.225
tabdx = ...
tabdy = ...
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.095
sviaholex = 0.175
sviaholey = 0.28
sviaholew = 0.2
px = 0
py = 0
viaholed = ...
である。
【００６２】
以下のテストにおいて、tabdw、tabdl、dgsパラメータといった、いくつかのパラメータの解析を行う。
【００６３】
まず、tabdx=0.72mmにおいて、tabdyの値を対称的に変化させることを考える。
【００６４】
この場合のSパラメータを図２３に示す。tabdyが増加すると帯域幅が縮小する。それと同時に、Sパラメータも変化する。しかし、二つのtabラインをCPW端子に接触させると、右側面ターンポイントは変化しないが、Sパラメータは悪化する。
【００６５】
それゆえ、tabdyは製造要件に従って妥当な範囲で可変とすべきである。
【００６６】
次に、tabdy=0.225mmにおいて、tabdxパラメータを対称的に調整してみる。この場合のSパラメータを図２４に示す。二つのDGSを中央ストリップラインまで移動すると、帯域幅は狭まるが右側面ターンポイントはほぼ不変である。
【００６７】
この二つの例から、狭帯域特性を得たい場合にはtabdyとtabdxを妥当な範囲で変化すればよいことが分かる。tabdyやtabdxを、中間動作周波数を変化させるためにも使用した。しかし、中間動作周波数を変化させるとその帯域幅も変化してしまうので、これはあまり良い考えではない。
【００６８】
最後に、DGSのサイズを変化させてみる。異なるDGS構成（dgs1、dgs2、dgs3、dgs4）でのSパラメータを図２５に示す。この図より、dgs構成を変化させると、Sパラメータも、中間動作周波数、ターンポイントも変化する。
【００６９】
ある中間動作周波数から別の中間動作周波数へと変化させたい場合には、DGS構造を変化させればよいことが明らかになった。しかし、製造上の制限により、この考えは最終的には用いることができない。
【００７０】
実際には、DGSのエッチングされた領域が増加するにつれ、DGSの有効直列インダクタンスが増加し、直列インダクタンスが増加すると遮断周波数が低下する。
２．２．３  事例３
【００７１】
このセクションでは、第一、第二のテスト設計を組み合わせて第三のテストCPW-DGSフィルタを作成する。その構造と構成形状を図２６に示す。この設計をテストするために、いくつかのパラメータを始めに設定する。
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.097
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdx = 0.52
tabdy = 0.3
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.075
sviaholey = 0.28
sviaholex = 0.175
px = 0.13
py = 0.05
【００７２】
まず、DGSの二つのスロットを接続するのに用いられるt3の特性をviaholed=0.13mmにおいてテストする。図２７にt3がある場合とt3がない場合の比較結果を示す。
【００７３】
同じ構成において、t3がない場合のSパラメータは高周波数に遷移し、高周波数において良好なストップバンド特性を有する。しかし、t3がない場合の帯域幅はt3がある場合と比較して広い。次に、viaholed=0.13mmにおいて、DGSの二つのスロットを接続するのに用いられるストリップライン（SS）を議論する。
二つのDGSの距離が固定されていて、0.72mm（tabdxと称する）であり、SSの長さを変化させた場合のSパラメータを図２８に示す。
【００７４】
SSの長さが2s+w未満である場合、Sパラメータは逆に変化する。しかし、SSの長さが増加し2s+wより大きくなると、Sパラメータは高周波数へと遷移する。
【００７５】
これから、CPWにおけるビアホールの効果を考慮してみる。異なるビアホール位置（viaholed）を選択した場合のパラメータを図２９に示す。ビアホールがDGSに近づくとSパラメータが高周波数に遷移することが明らかである。
【００７６】
最後に、二つのDGSを対称的に移動した場合のSパラメータを図３０に示す。第二のテストフィルタと同様な結果が得られた。二つのDGSを対称的に引き離して移動した場合、Sパラメータは低周波数に遷移する。
【００７７】
２．３  最終設計
【００７８】
上述の背景議論に基づき、ビアホール位置、DGS位置、中央ストリップラインのtabを調整して得られる最終構造のパラメータは、
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.097
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdx = 0.52
tabdy = 0.3
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.075
sviaholed = 0.28
viaholed = 0.112/0.14
px = 0.13
py = 0.05
である。
【００７９】
viaholedが0.14mmの場合、中間動作周波数が５９．５GHz近傍であるDGS-CPWフィルタが得られる。図３１に詳細なSパラメータを示す。
【００８０】
viaholedが0.112mmの場合、中間動作周波数が６１．５GHz近傍であるDGS-CPWフィルタが得られる。図３２にSパラメータを示す。
【００８１】
これら二つのフィルタの５９．５GHz用の設計性能は、
通過帯域幅：５９〜５９．９GHz（１．５％）
反射減衰量：＜２dB
挿入損失：＞１５dB
ターン帯域幅：４．５GHz（７．５％）
３dB帯域幅：〜１GHz
である。
【００８２】
６１．５GHz用の性能は、
通過帯域幅：６１〜６２GHz（１．５５％）
反射減衰量：＜２dB
挿入損失：＞１５dB
ターン帯域幅：５GHz（８％）
３dB帯域幅：〜０．８GHz
である。
【００８３】
本出願では、改良型バンドバス・フィルタを提案した。本発明の広範な精神と範囲から逸脱することなく、種々の実施例や変形が可能である。上述の実施形態は本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を制限するものではない。
【００８４】
本発明の範囲は実施形態でなく添付の特許請求の範囲により確定される。本発明による請求の均等物の範囲と請求項の範囲でなされた種々の変形は本発明の範囲に含まれるものとみなされる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】図１は、マイクロストリップ利用用の何種類かのDGSを示す概略図である。
【図２】図２は、ストップバンド設計の従来型CPW式DGS１を示す概略図である。
【図３】図３は、ストップバンド設計の従来型CPW式DGS２を示す概略図である。
【図４】図４は、ストップバンド設計の従来型CPW式DGS３を示す概略図である。
【図５】図５は、DGSに基づいて、第一に試作されたフィルタ設計の構成を示す概略図である。
【図６】図６は、異なるtabdlにおいてSパラメータを比較する概略図である。
【図７】図７は、CPW-DGSフィルタ構造と、異なるtabdwにおけるそのSパラメータを示す概略図である。
【図８】図８は、DGSに基づいて、第二に試作されたフィルタ設計の構成を示す概略図である。
【図９】図９は、CPW-DGSフィルタ構造と、DGS位置の特性を示す概略図である。
【図１０】図１０は、clを変化させた場合のSパラメータを比較する概略図である。
【図１１】図１１は、cwを変化させた場合のSパラメータを比較する概略図である。
【図１２】図１２は、第三に試作されたCPW-DGSフィルタの中央ストリップラインのオープン特性を示す概略図である。
【図１３】図１３は、第四に試作されたCPW-DGSフィルタの構成を示す概略図である。
【図１４】図１４は、tabdw1を変化させた場合のSパラメータを比較する概略図である。
【図１５】図１５は、CPWのビアホール位置がviaholedである場合のSパラメータを比較する概略図である。
【図１６】図１６は、異なるスロット幅t1においてSパラメータを比較する概略図である。
【図１７】図１７は、最終的なCPW-DGSフィルタの構成を示す概略図である。
【図１８】図１８は、中間動作周波数５９．５GHzにおける、最終CPW-DGSフィルタのSパラメータを示す概略図である。
【図１９】図１９は、中間動作周波数６１．５GHzにおける、最終CPW-DGSフィルタのSパラメータを示す概略図である。
【図２０】図２０は、基本CPW-DGS構造とそのSパラメータを示す概略図である。
【図２１】図２１は、第一に試作されたCPW-DGS構造とそのSパラメータを示す概略図である。
【図２２】図２２は、第二に試作されたCPW-DGSフィルタとそのSパラメータを示す概略図である。
【図２３】図２３は、異なるtabdyでのSパラメータを比較する概略図である。
【図２４】図２４は、異なるtabdxでのSパラメータを比較する概略図である。
【図２５】図２５は、異なるDGS構成でのSパラメータを比較する概略図である。
【図２６】図２６は、第二に試作されたCPW-DGSフィルタとその構成を示す概略図である。
【図２７】図２７は、t3がある場合とt3がない場合のSパラメータを比較する概略図である。
【図２８】図２８は、DGSの二つのスロットを接続するために使用される中央ストリップラインの効果を示す概略図である。
【図２９】図２９は、viaholedの効果を示す概略図である。
【図３０】図３０は、tabwdにより二つのDGSを対称的に移動した場合のSパラメータを比較する概略図である。
【図３１】図３１は、中間動作周波数５９．５GHzにおけるSパラメータを示す概略図である。
【図３２】図３２は、中間動作周波数６１．５GHzにおけるSパラメータを示す概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【外国語明細書】
A Bandpass Filter
Field of Invention
[0001]   The present invention relates to a bandpass filter, specially a bandpass filter design based on LTCC(low-temperature co-fire ceramic)suitable for 60GHz band.  
Description of the Related Art
[0002]   To design low-pass and bandpass filter, various technologies are proposed.  For example, the technologies to design such filters are described in:
[Doc.1] M.  Kim and B.  Lee, "Novel L-shaped DGS for coplanar waveguide," 2003 Asia-Pacific Microwave Conference, vol.3, 1454-1457.  
[Doc.2] J.  S.  Lim, C.  S.  Kim, Y.  T.  Lee, D.  Ahn and S.  Nam, "A spiral shaped defected ground structure for coplanar waveguide," IEEE microwave and Wireless Components Letters, vol.  12, no.  9, pp.  330-332, Sep.  2002.  
[Doc.3] T.  Y.  Yun, K.  Chang, "Uniplanar one-dimensional photonic-bandgap structure resonator," IEEE Trans.  Microwave Theory Tech.  vol.49, pp.  549-553, Mar.  2001.  
[Doc.4] Y.  Q.  Fu.  G.  H.  Zhang and N.  C.  Yuan, "A novel PBG coplanar waveguide," ," IEEE microwave and Wireless Components Letters, vol.  11, no.  9, pp.  447-449, Nov.  2001.  
[Doc.5] S.  W.  Wang, C.  L.  Wang and R.  B.  Wu, "A novel uniplanar bandpass filter with cpw-fed step-perturbed slot ring resonator," 2003 Asia-Pacific Microwave Conference, vol.3, 669-672.  
[Doc.6] Rainee N.  Simons, Coplanar Waveguide Circuits, Components, and Systems.  John Wiley & Sons, Inc, 2001.  
[0003]   Defected Ground Structure (DGS) [Doc.1][Doc.2] as a potential method is proposed to design low-pass and bandpass filter.  Compared with Photonic Band Gap (PBG) Structures [Doc.3][Doc.4], DGS is so simple that only few DGSs can be used to construct filter.  
[0004]   However, if PBG is used to design filter, a lot of them should be used.  At the same time, because DGS can be approximated by a simple RLC (registance, inductance and capacitance) circuit, it can be tuned and designed easily in its work frequency range, specially for microstrip line structure.  
[0005]   Traditional DGS section can provide cutoff frequency and attenuation pole in some frequency without any periodic array of DGS.  
[0006]   Traditional whether DGS or PBG is used to design microstrip-type filter.  Many papers have been published for this application and many kinds of DGS structures are used in Fig.1.  
[0007]   However, only few papers are reported to design CPW-type filter[Doc.1] [Doc.2] using DGS.  Coplanar waveguide (CPW) as well as microstrip line and slotline are very important components for planar circuit design.  There are many kinds of CPW structures [Doc.6].  
[0008]   The basic structure of CPW can be constructed with three coplanar stripline.  Both-side striplines have infinite width, such as Fig.2 (a).  Actually, this structure is just used to do theory or analytical work.  
[0009]   Specially, in microwave integrated circuit (MIC), CPW should be connected with microstrip structure or have a conductor-back ground.  By the wire or via, the two side grounds can be connected with conductor-back ground, and then they form one ground (or they can work at same voltage level).  
[0010]   Another problem is that the width of side ground is finite in real circuit.  Of course, in some case, as long as the width is large enough, the structure can be considered as traditional CPW [Doc.6].  
Summary of Invention
[0011]   The object of the present invention is to propose an imploved bandpass filter suitable for 60GHz, specially based on LTCC.  
[0012]   The object of and problems to be solved by the present invention are achieved with the following technical solution.  
[0013]   A bandpass filter comprises, a base which is made of low-temperature co-fire ceramic and has one or more holes, and a coplanar waveguide which is patterned on said base and covers said one or more holes.  
Brief Description of Drawings
Fig.1 is  a schematic graph for some kinds of DGS for microstrip application.  
Fig.2 is  a schematic graph for classic CPW-type DGS 1 for stopband design.  
Fig.3 is  a schematic graph for classic CPW-type DGS 2 for stopband design.  
Fig.4 is  a schematic graph for classic CPW-type DGS 3 for stopband design.  
Fig.5 is  a schematic graph for configuration of first-tried Filter design based on DGS.  
Fig.6 is  a schematic graph for comparison S parameters with different tabdl.  
Fig.7 is  a schematic graph for CPW-DGS filter structure and their S parameters with different tabdw.  
Fig.8 is  a schematic graph for configuration of second-tried Filter design based on DGS.  
Fig.9 is  a schematic graph for CPW-DGS filter structure and the characteristics of DGS location.  
Fig.10 is  a schematic graph for comparison S parameter as cl is changed.  
Fig.11 is  a schematic graph for comparison S parameter as cw is changed.  
Fig.12 is  a schematic graph for the open characteristics of central stripline for third-tried CPW-DGS filter.  
Fig.13 is  a schematic graph for the configuration of fourth-tried CPW-DGS filter.  
Fig.14 is  a schematic graph for comparision of S parameters as tabdw1 is changed.  
Fig.15 is  a schematic graph for comparison of S parameters with the CPW via hole location viaholed.  
Fig.16 is  a schematic graph for comparision of S parameters with different slot width t1.  
Fig.17 is  a schematic graph for the configuration of final CPW-DGS filter.  
Fig.18 is  a schematic graph for the S parameter of final CPW-DGS filter for central work frequency at 59.5GHz.  
Fig.19 is  a schematic graph for the S parameter of final CPW-DGS filter for central work frequency at 61.5GHz.  
Fig.20 is  a schematic graph for basic CPW-DGS structure and its S parameters.  
Fig.21 is  a schematic graph for the first-trial CPW-DGS structure and its S parameters.  
Fig.22 is  a schematic graph for the second-trial CPW-DGS filter and its configuration.  
Fig.23 is  a schematic graph for Comparison S parameters with different tabdy.  
Fig.24 is  a schematic graph for comparison S parameters with different tabdx.  
Fig.25 is  a schematic graph for comparison of S parameter with different DGS configuration.  
Fig.26 is  a schematic graph for the second-trial CPW-DGS filter and its configuration.  
Fig.27 is  a schematic graph for comparison of S parameter without t3 and with t3.  
Fig.28 is  a schematic graph for the effect of central stripline used to connect two slots of DGS.  
Fig.29 is  a schematic graph for the effect of viaholed.  
Fig.30 is  a schematic graph for comparsion S parameter with tabwd when we move two DGS symmetrically.  
Fig.31 is  a schematic graph for the S parameter for central work frequency at 59.5GHz.  
Fig.32 is  a schematic graph for the S parameter for central work frequency at 61.5GHz.  
Detailed Description
[0014]   As the first and second embodiments, we will propose some new filters based on DGS and CPW.  
1.  First Embodiment - based on DGS and CPW
1.1 Traditional DGS based on CPW for stop-band filter
[0015]   Traditional DGS application based on CPW has been published in [Doc.1] [Doc.2].  Based on these papers, we want to design a DGS-CPW filter which can work on 60GHz by changing DGS and CPW parameters.  
[0016]   Three basic DGS examples based on CPW are used in Fig.2 (a), Fig.3 (a) and Fig.4 (a).  Their S parameters are calculated by ansoft HFSS 9.0 and shown in Figs.2 (b), Fig.3 (b) and Fig.4 (b), respectively.  
[0017]   In these three designs, the DGSs have good stopband characteristics in their resonance frequency.  Some papers have published to proximate DGS in the microstrip application by RLC circuit.  Based on the RLC circuit, we can easily tune resonance frequency and quickly design stopband DGS structure.  
[0018]   Actually, DGS structure is a resonance structure.  According to our resonance frequency requirement, we can choose suitable DGS structure.  
[0019]   At some time, DGS is also spiral structure.  If we want to make DGS structure smaller and compactable, more cycles spiral can be used.  
[0020]   The largest volume structure of DGS should be rectangle waveguide.  
[0021]   We should design DGS based on frequency and manufacture requirements.  In the examples of Fig.2 - Fig.4, both-side conductors have infinite width.  No conductor-back ground is needed.  
1.2 DGS design based on BGCPW for bandpass filter
[0022]   Our target is to design and improve a filter based on DGS and CPW, which working frequency is nearby 60GHz and bandwidth is 1GHz.  
[0023]   Considering the requirements of MMIC, package and measurement, we want this filter to be designed using conductor-back CPW (CBCPW) and low-temperature co-fire ceramic(LTCC) techologies.  
[0024]   In the following designs, the parameters of the substrate are chosen as εr = 8.7, μr = 1, tanδ = 0.0015 and thickness is 0.2mm.  
1.2.1 Case one
[0025]   In the beginning, we just consider to etch a couple of DGS in CBCPW.  
[0026]   Its structure is shown in Fig.5 and its structure parameters(mm) are:
sg = 0.4, 
s = 0.0925, 
w = 0.075, 
dgs1 = 0.2, 
dgs2 = 0.15, 
dgs3 = 0.1, 
dgs4 = 0.225, 
R of viahole = 0.1, 
t1 = 0.1, 
t2 = 0.1, 
viaholed = 0.3.  
[0027]   Based on this structure, when t1 is fixed, tabdw=0.075mm and tabdw1=0.26mm, by moving t2 (just as choosing different tabdl), their S parameters are shown in Fig.6.  
[0028]   From this figure, as tabdl decreases, the results become better, but its bandwidth increases.  Considering that the fields at the edge of DGS will radiate if no via holes are used to connect two ground in the DGS part, we add two groups of via holes nearby DGS to connect side-ground and conductor-back ground in Fig.7 (a).  In order to analyze the effect of tabdw, different values of tabdw are chosen as 0.2, 0.3 and 0.46.  Here tabdw1=0.46mm and tabdl=0.1mm.  
[0029]   Fig.7 (b) shows their comparison results about S parameters.  
[0030]   From this figure, although S parameters become better as tabdw increases, their bandwidths become wider.  So, in the future, we should choose a reasonable tabdw to balance bandwidth and S parameters.  
[0031]   In sum, in this design, because whether S parameters or bandwidth can not satisfy our design requirement, this design is no successful.  
1.2.2 Case two
[0032]   Now we consider another possibility.  In this design, the two slots of DGS are connected by a stripline shown in Fig.8 (a).  Its configuration is shown in Fig.8 and and its parameters are:
sg = 0.4, 
s = 0.095, 
w = 0.075, 
dgs1 = 0.22, 
dgs2 = 0.15, 
dgs3 = 0.1, 
dgs4 = 0.225, 
tabdw = ..., 
cl = ..., 
t1 = 0.1, 
cw = ..., 
viaholed = 0.15, 
sviaholed = 0.28, 
sviaholel = 0.18.  
[0033]   Firstly, the effect of DGS location is considered, where cl=0.1 and cw=0.075.  The location of the DGS is moved along x-direction symmetrically (refered as tabdw).  From Fig.9, as tabdw increases, the S parameters become better.  However, its central work frequency is also shifted to lower frequency and its bandwidth becomes wider.  
[0034]   The big contribution to our future design from this design is that we can get good S parameters by shifting DGS location and tuning central work frequency in a small range.  Now we analyze the discontinuous of central stripline.  The structure and its parameters' configuration are shown in Fig.8.  In this example, all parameters are set in Table 2 and tabdw=0.56mm.  
[0035]   When cl=0.5mm, with the variation of cw, the variation of S parameters is shown in Fig.10.  
[0036]   From this figure, when cl decreases, S parameters become better.  Although its bandwidth becomes narrow, its variety is not distinct.  So, in order to get better results, the cl can be chosen as minimum trace width according to manufacture's design rules.  
[0037]   Similarly, when cl=0.26mm, with the variation of cw, the variation of S parameters is shown in Fig.11.  
[0038]   From this figure, as cw decreases, the better results can be obtained.  As a trade-in, its bandwidth becomes a little narrow.  So, in order to obtain good S parameters and narrow bandwidth, the cw should be chosen as minimum trace width according to fabrication requirements.  
[0039]   So, in order to get good results, the cl and cw should be as soon narrow.  A simple chosen is minimum trace width based on manufacturer's requirement.  Because of the limitations of manufacture, this design doesn't have enough tuning parameter to tune a narrow-band result.  
[0040]   However, from this design, I can get some design experiences for this kind of CPW-DGS filter design, such as we should choose minimum value for cl and cw and can change bandwidth and S parameters by shift DGS location (tabdw).  
1.2.3 Case three
[0041]   In the first two designs, we also suppose that central stripline is not short.  Now we just consider the central stripline is cut and divided into two parts.  Its structure is shown in Fig.12 (a).  And its S parameters are shown in Fig.12 (b).  
[0042]   It is obvious that S parameters can not be accepted according to our design requirements.  In the future, this scheme should be omitted.  
1.2.4 Case four
[0043]   Based on the cases one and two, we propose a new design shown in Fig.13.  Its basic parameters are:
sg = 0.4, 
s = 0.095, 
w = 0.075, 
dgs1 = 0.225, 
dgs2 = 0.125, 
dgs3 = 0.125, 
dgs4 = 0.225, 
tabdw = 0.075, 
tabdl = ..., 
tabdw1 = ..., 
t1 = 0.075, 
t2 = ..., 
sviaholed = 0.28, 
viaholed = ..., 
sviaholew = 0.18, 
Radius of viahole = 0.1.  
[0044]   It is obvious that this design is a combination of the first and second designs.  
[0045]   Firstly, we analyze the characteristics of moving DGS (referenced as tabdw1).  When the locations of via holes of CPW and the parameters of DGS keep invariable, the comparison of S parameters is shown in Fig.14 (b), where viaholed=0.15mm, t2=0.15, tabdl=0.1mm, px=0.18mm, py=0.08mm.  From this figure, the similar results can be obtained as Fig.9.  
[0046]   We can use this characteristic to shift bandwidth and central work frequency.  In both Figs.9 and Fig.14, when we change the value tabdw1, the right-side turn point almost keeps invariable.  
[0047]   Now, the effect of side viahole is discussed.  The S parameters via location of central point of via hole is shown in Fig.15, where tabdw1=0.72mm,t2=0.075, tabdl=0.1mm, px=0.23mm, py=0.03mm.  
[0048]   From this figure, when viaholes move away DGS (referenced as viaholed), the central work frequency will move to low frequency.  At the same time, bandwidth almost keeps constant.  Lastly, the slot of DGS is analyzed, where tabdw1=0.72mm, t2=0.075, tabdl=0.1mm, px=0.23mm, py=0.03mm and viaholed=0.15mm.  
[0049]   Its comparable S parameters are shown in Fig.16.  From this figure, when slot width become small, the bandwidth will be narrower.  
1.3 Final Design
[0050]   Based on the discussion of context, by tuning viahole location, DGS location and tab of central strip line, the final design is shown in Fig.17 and its structure parameters are:
sg = 0.4, 
s = 0.0925, 
w = 0.075, 
dgs1 = 0.225, 
dgs2 = 0.125, 
dgs3 = 0.125, 
dgs4 = 0.225, 
tabdl = 0.1, 
tabdw = 0.075, 
tabdw1 = 0.26, 
t1 = 0.075, 
t2 = 0.12, 
sviaholed = 0.24, 
viaholed = 0.235/0.28, 
sviaholew = 0.2, 
px = 0, 
py = 0, 
py1 = 0.  
[0051]   Based on these design parameters, the S parameters of final CPW-DGS filter is shown in Fig.18, where viaholed=0.28mm and in Fig.19 where viaholed=0.235mm.  
[0052]   Its detailed simulation parameters for 59.5GHz are:
Pass Bandwidth: 58.85〜60.0GHz (2％), 
Return Loss: <2dB, 
Insertion loss: >18dB, 
Turn Bandwidth: 4.5GHz (5％), 
3dB Bandwidth: 〜0.5GHz.  
[0053]   The parameters for 61.5GHz are:
Pass Bandwidth: 61〜62GHz (1.7％), 
Return Loss: <2dB, 
Insertion loss: >15dB, 
Turn Bandwidth: 5.4GHz (5％), 
3dB Bandwidth: 〜0.5GHz.  ().2.  Second Embodiment - based on DGS -
[0054]   In the fist embodiment, we have succeeded in design a CPW-DGS filter, the results are reasonable and can be accepted.  Now, we consider another kind of CPW-DGS filter structure.  
[0055]   DGS structure is shown in Fig.20.  We will start from an initial DGS-CPW structure to build our final design.  
2.1 Basic design borrowed for traditional DGS CPW design.
[0056]   Firstly, we consider the structure in Fig.20 (a).  Its S parameters are shown in Fig.20 (b).  
[0057]   From this result, we can find this filter have stop-band characteristics.  The stop-band range is 55GHz〜60GHz.  However, in this bandwidth, its return loss is not so good.  
2.2 Modified design based on BGCPW for bandpass filter
[0058]   Borrowing the idea of design one, we modify the basic design of Fig.20 (a).  
2.2.1 Case one
[0059]   Firstly, two slots of the DGSs are connected by one stripline.  Its structure is shown in Fig.21 (a), and its S parameters are shown in Fig.21 (b).  
[0060]   From this figure, the design has good S parameter in its central work frequency and good stop-band characteristics in high frequency.  However, its work and turn bandwidth are too wide.  
2.2.2 Case two
[0061]   Now, we consider two striplines connected with two group of DGS shoulders.  Its structure and configuration parameters are shown in Fig.22.  Its basic parameters are:
sg = 0.4, 
s = 0.095, 
w = 0.075, 
dgs1 = 0.25, 
dgs2 = 0.147, 
dgs3 = 0.15
dgs4 = 0.225, 
tabdx = ..., 
tabdy = ..., 
t1 = 0.075, 
t2 = 0.075, 
t3 = 0.095, 
sviaholex = 0.175, 
sviaholey = 0.28, 
px = 0, 
py = 0, 
viaholed = ....  
[0062]   In the following testings, we will analyze the characteristics of some parameters, such as tabdw, tabdl, dgs parameters.  
[0063]   Firstly, we consider changing the value of tabdy symmetrically where tabdx=0.72mm.  
[0064]   Their S parameters are shown in Fig.23, When tabdy increases, the bandwidth will decrease, At same time, its S parameters are also changed.  However, when two tab line is contacted with CPW terminal, the S parameter become worse although right-side turn point doesn't change.  
[0065]   So, the tabdy should be variable in a reasonable range according to fabrication requirements.  
[0066]   Then we tune the parameter of tabdx symmetrically when tabdy=0.225mm.  Their S parameters are shown in Fig.24.  When two DGSs move to central stripline, the bandwidth will become narrow, but its right-side turn point almost keeps invariable.  
[0067]   From these two examples, if we want to get narrow band characteristics, we can shift tabdy and tabdx in a reasonable range.  Certainly, we also use them to change central work frequency.  However, it is not a good idea because when we change central work frequency, its bandwidth is also changed.  
[0068]   Lastly, we change the size of DGS.  With different DGS configuration (dgs1, dgs2, dgs3,dgs4), their S parameters are shown in Fig.25.  From this figure, when dgs configuration is changed, the S parameter will be shifted as well as central work frequency and turn point.  
[0069]   It is clear that if we want to shift results from one central work frequency to another central work frequency, we can change DGS structure.  However, because of limitation of fabrication, the idea can not be used unlimitedly.  
[0070]   Actually, as the etched area of DGS is increased, the effective series inductance of DGS increase, and increasing the series inductance give rise to a lower cutoff frequency.  
2.2.3 Case three
[0071]   In this section, we combine first and second-trial design to build third-trial CPW-DGS filter.  Its structure and configuration figuration are shown in Fig.26.  In order to test this design, some parameters are set initially:
sg = 0.4, 
s = 0.095, 
w = 0.075, 
dgs1 = 0.25, 
dgs2 = 0.097, 
dgs3 = 0.1, 
dgs4 = 0.225, 
tabdx = 0.52, 
tabdy = 0.3, 
t1 = 0.075, 
t2 = 0.075, 
t3 = 0.075, 
sviaholey = 0.28, 
sviaholex = 0.175, 
px = 0.13, 
py = 0.05.  
[0072]   Firstly, the characteristic of t3, which is used to connect two slots of DGS, is tested, where viaholed=0.13mm.  Fig.27 shows the comparable results with t3 and without t3.  
[0073]   For same configuration, the S parameter without t3 will shift to high frequency and have better stop band characteristics in high frequency.  However, the bandwidth without t3 is broader than that of with t3.  Then we discuss the stripline (SS) which is used to connect two slots of DGS, where viaholed=0.13mm.  When the distances of two DGS is fixed and is 0.72mm (referenced as tabdx).  By changing the length of SS, their S parameters are shown in Fig.28.  
[0074]   When the length of SS is less than 2s+w, the S parameters will be changed inversely.  However, when the length of SS increases and is larger than 2s+w, the S parameter will shift to high frequency.  
[0075]   Now, we consider the effect of viaholes in CPW.  By choosing different via hole locations (viaholed), theirs parameters are shown in Fig.29.  It is obvious that when the via holes move to DGS, the S parameters will shift to high frequency.  
[0076]   Lastly, when two DGSs are moved symmetrically, its S parameters are shown in Fig.30.  The similar results to second-trial filter can be obtained.  When two DGSs move away symmetrically, the S parameter will shift to low frequency.  
[0077]   2.3 Final Design
[0078]   Based on the discussion of context, by tuning viahole location, DGS location and tab of central strip line, the final structure parameters are:
sg = 0.4, 
s = 0.095, 
w = 0.075, 
dgs1 = 0.25, 
dgs2 = 0.097, 
dgs3 = 0.1, 
dgs4 = 0.225, 
tabdx = 0.52, 
tabdy = 0.3, 
t1 = 0.075, 
t2 = 0.075, 
t3 = 0.075, 
sviaholed = 0.28, 
viaholed = 0.112/0.14, 
px = 0.13, 
py = 0.05.  
[0079]   When viaholed is 0.14mm, we can get one DGS-CPW filter which central work frequency is nearby 59.5GHz.  The detailed S parameters are shown in Fig.31.  
[0080]   When viaholed is 0.112mm, we can get one DGS-CPW filter which central work frequency is nearby 61.5GHz.  Its S parameters can be found in Fig.32.  
[0081]   For these two filters, their design performances for 59.5GHz are:
Pass Bandwidth: 59〜59.9GHz (1.5％), 
Return Loss: <2dB, 
Insertion loss: >15dB, 
Turn Bandwidth: 4.5GHz (7.5％), 
3dB Bandwidth: 〜1GHz.  
[0082]   The performances for 61.5GHz are:
Pass Bandwidth: 61〜62GHz (1.55％), 
Return Loss: <2dB, 
Insertion loss: >15dB, 
Turn Bandwidth: 5GHz(8％), 
3dB Bandwidth: 〜0.8GHz.  
[0083]   In this application, the improved bandpass filter is proposed.  Various embodiments and changes may be made thereto without departing from the broad spirit and scope of the invention.  The above-described embodiments are intended to illustrate the present invention, not to limit the scope of the present invention.  
[0084]   The scope of the present invention is shown by the an attached claim rather than the embodiments.  Various modifications made within the meaning of an equivalent of the claim of the invention and within the claims are to be regarded to be in the scope of the present invention.  
1.  A bandpass filter comprising:
a base which is made of low-temperature co-fire ceramic and has one or more holes, and
a coplanar waveguide which is patterned on said base and covers said one or more holes.  
A bandpass filter comprising a base which is made of low-temperature co-fire ceramic and has one or more holes, and a coplanar waveguide which is patterned on said base and covers said one or more holes.  
【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【図17】
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【図18】
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【図19】
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【図20】
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【図21】
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【図22】
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【図23】
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【図24】
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【図25】
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【図26】
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【図27】
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【図28】
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【図29】
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【図30】
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【図31】
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【図32】
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