(57)【要約】【課題】  無駄なＡｕメッキや、メッキ後のリードの解し作業をなくし、コストダウンをすることができる構造の半導体レーザおよびその製法を提供する。【解決手段】  表面にメッキが施される平面形状がほぼ円形のベース１１に、最表面にＡｕメッキが施される少なくとも１本のリード１３、１５が電気的絶縁性材料により固定され、そのベース１１の一面側にヒートシンク１２が設けられることによりステム１が形成されている。このヒートシンク１２に半導体レーザ素子２が、たとえばサブマウント３を介して固着され、その半導体レーザ素子２の電極の少なくとも一方はリード１３とワイヤ８により接続されている。このリード１３、１５に施される最表面のＡｕメッキが、ベース１１の最表面に施されるメッキの材料またはＡｕメッキの厚さと異なるようにベース１１およびリード１３、１５にメッキが施されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にメッキが施される平面形状がほぼ円形のベースと、該ベースに電気的絶縁性材料により固定され、最表面にＡｕメッキが施される少なくとも１本のリードと、前記ベースの一面側に設けられるヒートシンクと、該ヒートシンクに固着される半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の電極の少なくとも一方を前記リードと接続するワイヤとを具備する半導体レーザであって、前記リードに施される最表面のＡｕメッキが前記ベースの最表面に施されるメッキの材料またはＡｕメッキの厚さと異なるように前記ベースおよびリードにメッキが施されてなる半導体レーザ。
【請求項２】
前記ベースおよびヒートシンクが鉄よりも熱伝導率の優れた金属により形成され、前記ヒートシンクが、前記半導体レーザ素子がマウントされる平坦なマウント面を囲うように該マウント面の端部からマウント面と垂直方向に突出する側壁を有するように形成されてなる請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記リードが、前記ベースに電気的絶縁性の樹脂または接着剤を介して固定されてなる請求項１または２半導体レーザ。
【請求項４】
前記ベースおよびヒートシンクが、銅もしくは銅合金またはアルミニウムにより一体に形成されてなる請求項１ないし３のいずれか１項記載の半導体レーザ。
【請求項５】
金属板を冷間鍛造法により成形して平面形状がほぼ円形で、リードを挿入する貫通孔を有するベースおよび該ベースの表面上に突出するように延びるヒートシンクを一体に形成し、該ベースおよびヒートシンクの表面に少なくともＮｉを含むメッキを施し、前記ベースに挿入するリードを形成して、少なくとも最表面にＡｕメッキ膜を有するようにメッキを施し、該リードを前記ベースの貫通孔内に電気的絶縁性の樹脂または接着剤により固着し、前記ヒートシンクに半導体レーザ素子をマウントし、該半導体レーザ素子の電極をワイヤボンディングにより前記リードと電気的に接続することを特徴とする半導体レーザの製法。
【請求項６】
アルミニウムを用いたダイカスト法により、平面形状がほぼ円形で、リードを挿入する貫通孔を有するベースおよび該ベースの表面上に突出するように延びるヒートシンクを一体に成形し、前記ベースに挿入するリードを形成して、少なくとも最表面にＡｕメッキ膜を有するようにメッキを施し、該リードを前記ベースの貫通孔内に電気的絶縁性の樹脂または接着剤により固着し、前記ヒートシンクに半導体レーザ素子をマウントし、該半導体レーザ素子の電極をワイヤボンディングにより前記リードと電気的に接続することを特徴とする半導体レーザの製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＤ、ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク；digital versatile disk）、ＤＶＤ−ＲＯＭ、データ書き込み可能なＣＤ−Ｒ/ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷなどのピックアップ用光源に用いるのにとくに適した半導体レーザおよびその製法に関する。さらに詳しくは、ステム型の半導体レーザで、ベースとリードとのメッキを別々に行い、それほどＡｕメッキを厚く必要としないベースに無駄なＡｕメッキをしなくても済む構造の半導体レーザおよびその製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＤ用のピックアップなどに用いられるステムタイプの半導体レーザは、図３に示されるような構造になっている（たとえば特許文献１参照）。すなわち、鉄などの金属材料を冷間鍛造法により成形して、ベース２１の中心部の一部を盛り上げてヒートシンク部２２を形成し、リード２３、２５をガラス２６などにより固定したステム２０が用いられ、このヒートシンク部２２に半導体レーザ素子３１がシリコン基板などからなるサブマウント３４を介してマウントされ、一方の電極（チップ３１の裏側）がサブマウント３４の中継部３８を介してワイヤ３３によりリード２３と電気的に接続され、他方の電極はワイヤ３３を介してサブマウント３４に接続され、その裏面を介してヒートシンク部２２およびベース２１を経てコモンリード２４と電気的に接続されている。
【０００３】
この構造で、半導体レーザ素子３１の１つの電極は、リード２３とワイヤ３３により接続されるため、ワイヤボンディングをする必要があり、リードのワイヤボンディング部分は充分なＡｕメッキが施されていないと信頼性のあるワイヤボンディングを行うことができない。そのため、ベース２１にリード２３、２５を固定した後に、バレルメッキなどにより、たとえばＮｉ／Ａｕメッキが施され、Ａｕメッキは０.１μｍ程度設けられている。なお、３２はモニタ用の受光素子で、一方の電極はワイヤ３３を介してリード２５と、他方の電極はサブマウント３４、ヒートシンク部２２およびベース２１を介してコモンリード２４とそれぞれ電気的に接続されている。そしてその周囲にＦｅ-Ｎｉ-Ｃｏ合金などの鉄系材料からなるキャップ３５が被せられることにより形成されている。キャップ３５の頂部中央部には半導体レーザ素子３１により発光する光が透過するように貫通孔３５ａが設けられ、ガラス板３６が低融点ガラス３７により封着されている。
【０００４】
一方、最近のＤＶＤ−ＲＯＭやデータ書き込み可能なＣＤ−Ｒ/ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷなどのピックアップ用光源では、非常に高出力化されており、発熱量も多くなっているため、効率的な熱放散を行わないと、半導体レーザ素子の寿命が低下するという問題が生じてきており、ステムに銅系材料を用いることにより熱放散を良くする工夫がなされている。この場合、銅系材料を用いているためキャップを溶接することができず、キャップを形成せずにヒートシンクで防御部を形成する構造が提案されている（たとえば特許文献２参照）。すなわち、図４に示されるように、銅などからなるアイレット４１と一体にヒートシンク４２および防御部４３が形成され、そのアイレット４１にリード４４〜４６が設けられている。
【特許文献１】特開２００１−１１１１５２号公報（図７）
【特許文献２】特開２００４−３４９３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように、従来のステム型の半導体レーザは、ベースに固定されたリードとヒートシンクに固定された半導体レーザ素子の電極とを金線などのワイヤで電気的に接続する必要がある。そのため、リードには少なくとも０.１μｍ程度のＡｕメッキを施す必要がある。このメッキは、前述のように、ベースにリードを低融点ガラスなどにより溶着した後にバレルメッキなどにより行われるため、リードだけではなく、ベースにも同じ厚さのメッキが形成される。ベースにはワイヤボンディングはなされないため、厚いＡｕメッキは必要ないが、リードと同じ厚さのＡｕメッキが付着し、リードより遥かに面積の大きいベースの両面に厚いＡｕメッキが付着することになり、非常にコストアップになるという問題がある。
【０００６】
また、メッキはバレルメッキで一般的に行われるが、バレルメッキではリードがベースに固定された状態で撹拌しながら行われるため、リードが曲がって相互に絡みやすく、メッキ後に解したりリードを延ばしたりする作業が必要となり、この観点からもコストアップになるという問題がある。
【０００７】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、無駄なＡｕメッキをしたり、メッキ後に解し作業をしたりすることをなくし、コストダウンをすることができる構造の半導体レーザおよびその製法を提供することを目的とする。
【０００８】
本発明の他の目的は、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用やＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ用のような高出力の半導体レーザでも、レーザ素子で発生する熱を効率よく放散させることができる構造の半導体レーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による半導体レーザは、表面にメッキが施される平面形状がほぼ円形のベースと、該ベースに電気的絶縁性材料により固定され、最表面にＡｕメッキが施される少なくとも１本のリードと、前記ベースの一面側に設けられるヒートシンクと、該ヒートシンクに固着される半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の電極の少なくとも一方を前記リードと接続するワイヤとを具備する半導体レーザであって、前記リードに施される最表面のＡｕメッキが前記ベースの最表面に施されるメッキの材料またはＡｕメッキの厚さと異なるように前記ベースおよびリードにメッキが施されている。
【００１０】
ここにほぼ円形のベースとは、完全な円形だけを意味するのではなく、位置決め用のスロットなどがベース周端部に数箇所形成されているもの、ベース周端部の一部が欠落しているものなども含む意味である。
【００１１】
前記ベースおよびヒートシンクが鉄よりも熱伝導率の優れた金属により形成され、前記ヒートシンクが、前記半導体レーザ素子がマウントされる平坦なマウント面を囲うように該マウント面の端部からマウント面と垂直方向に突出する側壁を有するように形成されていることが、高出力で発熱しやすい半導体レーザでも、レーザ素子で発生する熱を効率よく放熱することができるため好ましい。
【００１２】
前記リードが、前記ベースに電気的絶縁性の樹脂または接着剤を介して固定されることにより、ガラスで溶着する場合のようにリードを高温に加熱する必要がないので、予めメッキをしておくことができ、ベースに固着する前にリードのメッキをすることができるため、必要な部分のみに必要な厚さのメッキをすることができると共に、リードが絡み合ったり、曲がったりすることがない。
【００１３】
前記ベースおよびヒートシンクが、銅もしくは銅合金またはアルミニウムにより一体に形成されていることにより、より一層熱伝導に優れているため、熱放散をしやすく好ましい。
【００１４】
本発明による半導体レーザの製法は、金属板を冷間鍛造法により成形して平面形状がほぼ円形で、リードを挿入する貫通孔を有するベースおよび該ベースの表面上に突出するように延びるヒートシンクを一体に形成し、該ベースおよびヒートシンクの表面に少なくともＮｉを含むメッキを施し、前記ベースに挿入するリードを形成して、少なくとも最表面にＡｕメッキ膜を有するようにメッキを施し、該リードを前記ベースの貫通孔内に電気的絶縁性の樹脂または接着剤により固着し、前記ヒートシンクに半導体レーザ素子をマウントし、該半導体レーザ素子の電極をワイヤボンディングにより前記リードと電気的に接続することを特徴とする。ステム部（ベースおよびヒートシンク部）の形成は、冷間鍛造法に代えて、アルミニウムを用いたダイカスト法により形成することもできる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ベースとリードとのメッキが異なる仕様で施されているため、ワイヤボンディングのために必要な厚いＡｕメッキは、リードのみに施すことができ、ベースの部分に厚いＡｕメッキを施す必要がない。その結果、リードよりも遥かに表面積が大きいベースのＡｕメッキをリードよりも薄くすることができ、大幅なコストダウンを達成することができる。すなわち、従来のこの種のステムを用いた半導体レーザでは、ステムとキャップとを気密封止していたため、キャップの窓部もガラス板などを低融点ガラスにより気密封止すると共に、ステムもベースとリードとを低融点ガラスなどにより気密に封止されていた。そのため、リードに予めメッキを施すとガラス封止の際にメッキが熱に犯されるため、ガラス封止後でしかメッキをすることができず、ベースにもリードと同じ量のメッキがなされていた。しかし、本発明では、熱放散を効率よくできるようにステムに熱伝導率の優れた材料を用いることに主眼をおき、銅などからなるステムには溶接しにくいキャップを除去することにしたため、リードのベースへの固着を樹脂などにより比較的低温で行うことができ、予めリードにメッキをし、ベースへの厚いＡｕメッキなどの不要なメッキを減らして、コストダウンを達成している。
【００１６】
また、リードとベースに別々に所望のメッキを施してからベースとリードとを固着することにより、ベースと垂直方向に延びるリードをベースに固着した後にバレルメッキなどをしなくてもよいため、リードが絡み合ったり曲がったりすることがなく、その後の作業も非常に容易となり、ワイヤボンディングも非常に確実に行うことができる。その結果、メッキによるコストダウンのみならず、リード伸ばしなど余計な工数も不要となり、より一層のコストダウンを達成することができる。また、リードとベースとを樹脂や接着剤などにより固着することにより、熱膨張係数などの問題も余り生じなくなり、リードの固着自身も容易となる。さらに、ベース、ヒートシンクなどを銅または銅合金、アルミニウムなどの鉄よりも熱伝導率の優れた材料により形成することにより、非常に熱放散が優れ、放熱特性の優れた半導体レーザが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体レーザについて説明をする。本発明による半導体レーザは、その一実施形態の斜視説明図が図１に、ステム部分の分解図が図２に断面説明図でそれぞれ示されるように、表面にメッキが施される平面形状がほぼ円形のベース１１に、最表面にＡｕメッキが施される少なくとも１本のリード１３、１５が電気的絶縁性材料により固定され、そのベース１１の一面側にヒートシンク１２が設けられることによりステム１が形成されている。このヒートシンク１２に半導体レーザ素子２が、たとえばサブマウント３を介して固着され、その半導体レーザ素子２の電極の少なくとも一方はリード１３とワイヤ８により接続されている。本発明では、このリード１３、１５に施される最表面のＡｕメッキが、ベース１１の最表面に施されるメッキの材料またはＡｕメッキの厚さと異なるようにベース１１およびリード１３、１５にメッキが施されている。なお、図１の例ではリード１３、１５が２本の例であるが、受光素子が不要であれば１本でもよく、３本になる場合もあり得る。すなわち、逆に言うと、ベース１１とリード１２、１３のメッキが別々に行われ、それぞれに所望のメッキが所望のメッキ厚で形成されていることに特徴がある。
【００１８】
ベース１１およびヒートシンク１２は、たとえば銅板などを冷間鍛造法により成形することにより、図１に示されるように、板状のベース１１と一体にヒートシンク１２が突出するように形成されている。ヒートシンクは、ほぼ円形のベースの中心部にベース１１の面と垂直に平坦なボンディング面１２ａが形成されると共に、そのボンディング面１２ａを両側から覆うように側壁部１２ｂが両側に形成され、上面から見ると３の字状に形成されている。このヒートシンク１２の高さは、たとえば２ｍｍ程度に形成されている。その結果、一対のリード１３、１５のサイドは側壁部１２ｂで囲われ、横側からの作業者などによる触手から保護し得る構造になっており、後述するワイヤボンディング部や半導体レーザ素子２を保護することができる。
【００１９】
このベース１１およびヒートシンク１２を構成する材料は、この例で示される銅のように、熱伝導の良好な材料が好ましく、銅の他にも、リン青銅などの銅合金で銅を５０ａｔ％以上含む銅系の材料を用いることができる。また、銅系の材料でなくても、たとえばアルミニウムなど鉄よりも熱伝導率のよい材料であれば用いることができる。たとえばアルミニウムであればダイカストによりベース１１とヒートシンク１２を一体に型成形することができ、マウント面１２ａやベース１１の表面の基準面となる部分だけを機械加工により寸法出しをすれば、放熱性の優れたステム部を安価に得ることができる。
【００２０】
なお、図１に示される例では、ヒートシンク１２は中心部にマウント面１２ａを有し、その両側に側壁部１２ｂを有することにより上面図が３の字状に形成されているが、この形状には限定されない。ヒートシンク１２のマウント面１２ａに半導体レーザ素子２がマウントされることにより、半導体レーザ素子２から出射されるレーザ光がほぼステム１の中心から上方（ベース面と垂直な方向）に出射するように形成されていれば、後は自由な形状に形成することができ、放熱性のよい形状に設計することができる。しかし、図１に示されるように、半導体レーザ素子２およびそのワイヤボンディング部を被覆するように形成されていれば、それらを作業者などの触手から保護することができるため好ましい。また、図１に示される例では、ベース１１とヒートシンク１２とが一体に形成されているが、ヒートシンク１２をベース１１と別個に製造してベース１１に固着することもできる。
【００２１】
このベース１１は、厚さが、たとえば１.２ｍｍ程度で、その径が５.６ｍｍφ程度に形成され、図２にリード１３、１５を挿入する前の断面図が示されるように、リード１３、１５を挿入する貫通孔１１ａが形成されると共に、外周には位置決め溝１１ｂ、１１ｃが形成されている。また、中央部のマウント面１２ａの前には、受光素子４をマウントする傾斜面が形成された凹部１１ｄが形成されている。リード１３、１５を挿入する貫通孔の径は、たとえば１ｍｍφ程度で、その間隔は２ｍｍ程度に形成されている。また、ベース１１の裏面には、コモンリードとするリード１４がロウ付けなどにより固着されている。これらの加工成形後に、図示されていないが全表面に、たとえばＮｉが２μｍ程度とＡｕが０.００８μｍ程度のメッキが施されている。
【００２２】
リード１３、１５は、たとえば０.４５ｍｍφ程度のＦｅ-Ｎｉ合金棒またはコバール（登録商標）などからなり、予めその表面に、Ｎｉが２μｍ程度、Ａｕが０.１μｍ程度形成されている。このリード１３、１５には、後述する金線などのワイヤがボンディングされるため、金線との馴染みを良くするために０.１μｍ程度のＡｕメッキが必要となる。
【００２３】
このようにメッキが施されたベース１１の貫通孔１１ａ内にメッキが施されたリード１３、５を挿入して、所定の寸法に位置合せをした状態で、貫通孔１１ａ内にたとえばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を塗布して、たとえば２００〜３００℃程度で、１０〜２００分程度の焼成を行うことにより固着することができる。この程度の温度に上昇しても、前述のベース１１やリード１３、１５に施したメッキは何らの影響を受けない。リードを固定する樹脂は、エポキシ樹脂のほかにもポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂、またはシリカ粉末が混入されたシリコーン樹脂などを用いることができる。これらの樹脂は、リード１３、１５を機械的に接合することができると共に、電気的に絶縁することができる。また、樹脂の他にもエポキシ系または２液性などの接着剤を用いることもできる。
【００２４】
半導体レーザ素子２は、レーザ光を出射するように形成され、ベアチップの状態でサブマウント３を介してヒートシンク１２上にマウントされているが、その大きさはＣＤ再生用では２５０μｍ×２５０μｍ程度であり、ＤＶＤ再生用では２５０μｍ×３５０μｍ程度、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用では２５０μｍ×９００μｍ程度となる。しかし、この一番大きいチップでも非常に小さく、その取扱を容易にし、さらに放熱性を確保するため、前述のように、通常０.８ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさのシリコン基板またはＡｌＮ（アルミナイトライド）などからなるサブマウント３上にボンディングされている。そして、図１〜２に示されるように、一方の電極はサブマウント３に金線８などのワイヤボンディングにより接続されてその裏面から導電性接着剤によりヒートシンク１２、ベース１１を介してコモンリード１４に接続され、他方の電極（裏面電極）はサブマウント３上の接続部（図示せず）を介して金線８などのワイヤボンディングによりリード１３と接続されている。
【００２５】
この半導体レーザ素子２がボンディングされたサブマウント３は吸着コレットにより搬送され、ヒートシンク１２にマウントされる。また、半導体レーザ素子２の発光出力をモニタするための受光素子４がベース１１表面に形成された凹部１１ｄ内にマウントされ、その一方の電極はベース１１を介してコモンリード１４に接続され、他方の電極は金線８などのワイヤボンディングによりリード１５と電気的に接続されている。なお、この受光素子４は、サブマウント１２上または半導体レーザの外側に設けられてもよい。
【００２６】
本発明の半導体レーザによれば、ベース１１とリード１３、１５のメッキがそれぞれ別々に行われているため、ワイヤボンディングのため厚いＡｕメッキが必要なリードのみに厚いＡｕメッキを行い、ワイヤボンディングが行われないベースには、必要最小限のメッキまたは省略をすることができ、非常にコストダウンに寄与する。さらに、ベースとリードとを接合する前にメッキをしておくことにより、バレルメッキをしてもリードが絡み合ったり曲がったりすることがなく、非常に作業工程を単純化することができる。さらに、本発明では、キャップをなくする構造としながら、ヒートシンクと連続して側壁を形成する構造にしているため、これらの全てを銅などの熱伝導率の優れた材料で構成することができ、半導体レーザ素子で発生する熱をヒートシンクの側壁およびベースに伝達させて、それぞれから熱輻射により放熱することができ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷやＤＶＤ−Ｒ／ＲＷのような高出力の半導体レーザ素子で発熱量が大きくても、速やかに放熱することができ、半導体レーザ素子の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
また、キャップがないものの、ヒートシンクに側壁が形成されているため、半導体レーザ素子およびワイヤボンディング部分は、その側壁で囲まれた内部に位置しており、予期しない触手などによるワイヤボンディング部分の破損などを防止することができる。
【００２８】
つぎに、この半導体レーザの製法について説明をする。本発明の半導体レーザの製法は、前述のように、ベースにリードを固着した後にメッキを施すのではなく、その前に別々にメッキを施し、それぞれに必要なメッキを必要な厚さだけ形成することに特徴がある。その結果、ベース１１にはリードより遥かに薄いＡｕメッキで済ませることができる。
【００２９】
具体的には、まず、銅板などの金属板を冷間鍛造法により成形して平面形状がほぼ円形で、リードを挿入する貫通孔１１ａを有するベース１１およびベース１１の表面上に突出するように延びるヒートシンク１２を一体に形成する。この際、前述のように、円形状ベース１１のほぼ中心部に半導体レーザ素子２をマウントすることができるように、平坦なマウント面１２ａが形成されるようにヒートシンク１２を形成すると共に、その両サイドに側壁１２ｂを形成することが好ましい。また、このベース１１には、リード１３、１５を挿入する貫通孔１１ａおよび周端部に位置決め用などの凹部１１ｂ、１１ｃなどを同時に形成する。また、ベース１１のヒートシンク１２が設けられる面と反対面にコモンリード１４をロウ付けなどにより形成してから、ＮｉメッキおよびＡｕメッキを行い、メッキ膜を形成する。Ａｕメッキは０.００８μｍ程度と非常に薄く形成することができる。
【００３０】
一方、Ｆｅ-Ｎｉ合金などからなる０.４５ｍｍφ程度の棒材を準備し、その表面にＮｉおよびＡｕメッキを行う。この場合のＡｕメッキは０.１μｍ程度の厚さを確保する。このリード１３、１５をベース１１の貫通孔１１ａ内に挿入して、挿入高さを位置合せすると共に貫通孔１１ａの中心部に保持し、エポキシ樹脂などの樹脂ペーストを貫通孔１１ａ内に流し込み、２００〜３００℃程度に加熱して硬化させる。
【００３１】
その後は、従来の半導体レーザの製造と同様に、半導体レーザ素子２をダイボンディングした、たとえばシリコン基板からなるサブマウント３をコレットで吸着してヒートシンク１２のマウント面１２ａ上の所定の位置に導電性接着剤またはＩｎなどによりボンディングする。そして、受光素子４も所定の場所に導電性接着剤などによりボンディングし、半導体レーザ素子２および受光素子４のそれぞれの一方の電極を金線８などのワイヤを用いてリード１３、１５と電気的に接続する。なお、電気的に接続としたのは、半導体レーザ素子２の電極とリード１３とを直接ワイヤボンディングしないで、サブマウント３などを介してワイヤボンディングされる場合があることを考慮したものである。本発明では、このワイヤボンディングにより半導体レーザの製造は完了し、この上にキャップは被せられない。
【００３２】
前述の例では、銅板などを冷間鍛造法により加工することにより、ベースおよびヒートシンクのステム部を形成したが、たとえばアルミニウムを用いたダイカスト法により、前述と同様の構造のベース１１およびヒートシンク１２を有するステム部を形成することができる。この場合は、たとえばマウント面１２ａおよびベース１１の表面外周は、寸法精度が要求されるので、後から機械加工により寸法出しをするのが好ましい。その他の製造工程は、前述の例と同様であるので、詳細は省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による半導体レーザの一実施形態の斜視説明図である。
【図２】図１の半導体レーザのステム部の分解断面説明図である。
【図３】従来の半導体レーザの一例を示す断面説明図である。
【図４】従来の半導体レーザの他の構成例を示す斜視説明図である。
【符号の説明】
【００３４】
１    ステム
２    半導体レーザ素子
３    サブマウント
４    受光素子
８    金線
１１    ベース
１２    ヒートシンク
１３    リード
１３ａ  Ｎｉ／Ａｕメッキ
１４    コモンリード
１５    リード
１５ａ  Ｎｉ／Ａｕメッキ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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