(57)【要約】【課題】  フォトリソグラフィーを使わずに、有機トランジスタを作成するときにゲート長を短く一定にする。【解決手段】  溝付き基板を用い、その中にゲート電極を形成後、基板を親水化し、その後ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜と基板との表面エネルギーの差でソース、ドレイン電極をゲート絶縁膜ぎりぎりに形成し、最後に半導体層を形成する。【選択図】  図１
2007158003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に作成された電子デバイスにおいて、基板には連続する溝があり、該溝に埋め込まれた制御電極と同じ溝の電極上に形成された絶縁膜を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
連続する溝の少なくとも一端には溝幅よりも幅が広い凹みが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
溝の断面形状は、Ｖ字、Ｕ字、矩形、台形、半円形、あるいはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１又は、請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
溝幅の変動は５％以下であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項５】
連続する溝を有する基板を用意し、該溝にエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液を充填させた後にエネルギーを付与して溶液を固化して導電化したものを制御電極として用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
連続する溝を有する基板を用意し、該溝の端部にエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液を付与し、該溝の中に溶液を毛細管現象により充填させた後にエネルギーを付与して溶液を固化して導電化したものを制御電極として用いることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
制御電極を作成した後、溝を有する基板表面を親水化する工程を有することを特徴とする請求項５又は、請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
エネルギーを付与して溶液を固化して導電化したものの上に絶縁材料溶液を付与した後、再度エネルギーを付与して絶縁材料溶液を固化させて絶縁体膜とすることを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
連続する溝を有する基板を用意する工程、該溝の端部にエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液を付与する工程、該溝の中に溶液を毛細管現象により充填させる工程、エネルギーを付与して溶液を固化して導電化する工程、溝を有する基板表面を親水化する工程、固化して導電化したものの上に絶縁材料溶液を付与する工程、再度エネルギーを付与して絶縁材料溶液を固化させて絶縁体膜とする工程、絶縁体膜の両側にエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液を付与する工程、エネルギーを付与して溶液を固化して導電化する工程、絶縁体膜の上に半導体材料を付与する工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロニクスデバイスに関し、特に有機材料を用いた電子デバイス（「有機電子デバイス」という）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電子デバイスとしては、シリコンなどの無機半導体基板をゲート電極に用い、絶縁層を挟んでソース電極とドレイン電極を基板面内に配置し、その間隙部に有機半導体材料を成膜した有機電界効果トランジスタ−（有機ＦＥＴ）が非特許文献１に提案されている。
又、別の従来例としては、特許文献１をあげることが出来る。
【非特許文献１】Appl. Phys. Lett. 69 (20), 3066-3068 (1996)
【特許文献１】特開2004-055654号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
提案されている有機電子デバイスは、平面型（プレーナー型）デバイスであるために電流キャリアが有機半導体材料中を流れる距離が長く（典型的には数十μｍ程度）、結果的に高い電圧で駆動するか、単結晶有機材料などの特殊な製法による高いキャリア移動度を持つ材料を用いる必要がある。
【０００４】
そこで、電流キャリアの移動距離がこれまでの有機ＦＥＴデバイスに比べて大幅に短い、薄膜型で積層型の有機電子デバイスも提案されているが、制御電極の隙間を狭く保つのが困難なために、その個体差も大きいために特性のそろったデバイスの作成が困難であった。
【０００５】
ここに本発明の目的は、制御電極長の短いデバイスを再現性良く作成することが可能で特性の良い有機電子デバイスを安価に提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために電子デバイスの製法を検討した結果、本発明を考案するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明に係る電子デバイス及びその製造方法は、下記の構成によって上記課題を解決するものである。
【０００８】
すなわち、所定形状の基板に作成された電子デバイスにおいて、基板には所定形状の連続する溝があり、該溝に埋め込まれた制御電極と同じ溝の電極上に形成された絶縁膜を有することを特徴とする電子デバイスである。
【０００９】
また、連続する溝の少なくとも一端には溝幅よりも幅が広い凹みが接続されていることを特徴とする電子デバイスである。また、溝の断面形状は、Ｖ字、Ｕ字、矩形、台形、半円形、あるいはこれらの組み合わせであることを特徴とする電子デバイスである。
【００１０】
また、溶液には、金属微粒子が含まれていることを特徴とする電子デバイスである。
【００１１】
また、溝幅の変動は５％以下であることを特徴とする電子デバイスである。
【００１２】
また、所定形状の連続する溝を有する基板を用意し、該溝にエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液を充填させた後にエネルギーを付与して溶液を固化して導電化したものを制御電極として用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
【００１３】
また、エネルギーを付与して溶液を固化して導電化したものの上に絶縁材料溶液を付与した後、再度エネルギーを付与して絶縁材料溶液を固化させて絶縁体膜とすることを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
【００１４】
また、所定形状の連続する溝を有する基板を用意し、該溝の端部にエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液を付与し、該溝の中に溶液を毛細管現象により充填させた後にエネルギーを付与して溶液を固化して導電化したものを制御電極として用いることを特徴とする電子デバイスである。また、制御電極を作成した後、溝を有する基板表面を親水化する工程を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法である。また、エネルギーを付与して溶液を固化して導電化したものの上に絶縁材料溶液を付与した後、再度エネルギーを付与して絶縁材料溶液を固化させて絶縁体膜とすることを特徴とする請求項５又は、請求項６に記載の電子デバイスの製造方法である。また、所定形状の連続する溝を有する基板を用意する工程、該溝の端部にエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液を付与する工程、該溝の中に溶液を毛細管現象により充填させる工程、エネルギーを付与して溶液を固化して導電化する工程、溝を有する基板表面を親水化する工程、固化して導電化したものの上に絶縁材料溶液を付与する工程、再度エネルギーを付与して絶縁材料溶液を固化させて絶縁体膜とする工程、絶縁体膜の両側にエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液を付与する工程、エネルギーを付与して溶液を固化して導電化する工程、絶縁体膜の上に半導体材料を付与する工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
以上、説明したように、本発明により、制御電極長が均一かつ短い電子デバイスが作成可能となった。
【００１６】
また、溝付き基板の作成にＲＭ法を用いれば基板の成形がきわめて早くなるために製造コストの飛躍的な低減が可能となり電子デバイスの低価格化が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の詳細を実施例の記述に従って説明する。
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
図２は、本発明に関する電子デバイスの製造方法の一例を示す基板断面図である。電子デバイスは、ドレイン電極１３、ゲート電極１４、ソース電極１５、および半導体層１８を含み、これらによって薄膜トランジスタ−として動作する。
【００２０】
本実施形態においては、まず、基板１１上に溝をもうける。
【００２１】
本発明に使用できる基板シートとしては、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリサルホン、液晶ポリマー、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリスチレン（ＰＳ）などの樹脂が好適に用いることができる。導電化処理に加熱を必要とする場合には、ポリイミド、ＰＥＥＫ、ＰＥＳ、ポリサルホン、液晶ポリマーなどが安定性の面から良い。必要に応じて上記樹脂に各種着色剤や紫外線吸収剤、酸化防止剤、フィラー等を添加した物でも良い。
【００２２】
また、薄いガラス、セラミックスなどを用いても良い。
【００２３】
基板に溝２１１や液体を受容する凹み２１２を加工する方法としては、平らなシートにレーザ光を照射して基板材料を蒸発させる方法や、ダイヤモンドバイト等で研削する方法などがある。あるいは、シート上にフォトレジストを塗布し、マスク露光により溝部分のレジストを現像除去して作成してもよい。ガラス、セラミックスに溝を作成する場合には、レジストを現像した後RIE等でドライエッチングしたり、フッ酸等で化学的にエッチングする方法を用いてもよい。溝の幅の変動は、５％以下であることが望ましく、より好ましくは２％以下であることが作成された素子の特性変動が小さくなるためによい。変動の幅がこれより大きくなると特性の変化が大きく、歩留まりの低下が起こり、コストアップにつながり好ましくない。また、溝の断面形状は、Ｖ字、Ｕ字、矩形、台形、半円形、あるいはこれらの組み合わせであることが好ましく、毛管現象で液を溝の一方から他方へ送るには、Ｖ字やＵ字、台形、半円形が有利である。また、電子デバイスがＴＦＴの場合に、ゲート長を一定に保つことが素子性能の安定化につながるのでゲート長を決める部分、すなわちゲート電極の上部分の幅が一定に保てる形状が好ましく、この点では、矩形、Ｕ字、半円形が有利である。従って、溝の上部分が矩形で下部分がＶ字やＵ字、半円、台形になっているものが特に好ましい。
【００２４】
熱可塑性樹脂を用いる場合には、所望する形状の逆パターンを金型に作成しておいて加熱しながら樹脂基板を押しつけて形状を転写するホットプレス法や、樹脂を溶融してＴダイから押し出し、金型を巻き付けたロールで溝形状を転写すると同時にシート化を行う特開平08-229955号等に記載されているＲＭ法を利用することが可能である。上記形状の逆パターンを金型に作るには、Ｖ字、Ｕ字、矩形、台形、半円形、あるいはこれらの組み合わせ形状である上の部分が矩形で下の部分がＶ字やＵ字、半円、台形になっているダイヤモンドバイトでリン青銅原版を切削して溝を作成しておき、これに離型処理後Ｎｉ電鋳−研磨−トリミング−固定具溶接により金型を作ることができる。
【００２５】
また、硬化性の樹脂を用いる場合には、型とシートの間にエネルギー硬化性の樹脂を充填しておき、エネルギーを付与して硬化させ、型の反転形状を作成する方法で基板上に溝を作成してもよい。
【００２６】
次に、上記溝にエネルギーを付与することで導電性となる物質の溶液等を付与して固化させて制御電極を作成する。これには公知の液体付与法で金属や金属酸化物あるいは導電性を有する有機物等が用いられる。液体付与法の中で、インクジェット方式は、装置の使用が簡便であることや使用材料を有効に使うことができる点で優れている。インクジェット方式としては、圧電体素子の体積変化により溶液を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加により急激に蒸気が発生することにより溶液を吐出させるサーマルジェット方式であってもよい。また、微量吐出のできるマイクロディスペンサーを用いても良い。また、印刷法で導電ペーストを溝の上に付与し、余分に付与されたペーストをスキージ等でかきとってもよい。
【００２７】
本発明に使用できるエネルギーを与えることにより固化して導電化する溶液としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム等貴金属ナノ粒子を分散用樹脂でくるんだ貴金属ナノペーストインクやカーボンや銀、銅、カーボンの微粒子を結着剤と溶媒で分散した導電ペースト、ジアセチレン溶液、酸化銀や有機銀溶液、カーボンナノチューブ、デオキシリボ核酸、導電性高分子や導電性材料の前駆体を含む溶液などをあげることができる。導電性高分子としてポリチオフェン、ポリアニリン等が挙げられるがこれに限定されるものではない。導電性材料の前駆体としては、ポリチオフェンの前駆体、ポリアニリンの前駆体等が挙げられるがこれに限定されるものではない。特に貴金属ナノペーストインクは、配合によって１５０℃程度の焼成温度で低抵抗の被膜を作ることができるので好適に用いることができる。
【００２８】
溶媒としては、水やアルコール等の極性溶媒や、クロロホルム、ジクロロメタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒などが挙げられるがこれに限定されるものではない。
【００２９】
基板および導電化した膜を親水化するには、酸素プラズマアッシャーやコロナ放電、ＣＤＥ（ケミカルドライエッチング）などを適宜使うことが可能である。
【００３０】
絶縁材料溶液としては、有機樹脂を材料とする溶液を用い、その有機樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することが出来る。溶媒としては、アルコール等の極性溶媒や、クロロホルム、ジクロロメタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒などが挙げられるが前記有機樹脂絶縁材料を溶解するものであればよく、これに限定されるものではない。このとき、絶縁材料の表面自由エネルギーが低いと後工程でソース、ドレイン電極をインクジェットで水系の金属ナノペーストインクを用いる場合に濡れ性の差を用いてソース、ドレイン電極を描き分けることが可能となり好ましい。また、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタルなど無機の絶縁体をスパッタリング，ＣＶＤ法，蒸着法，クラスタイオンビーム蒸着法等の方法で成膜してもよい。
【００３１】
次に、ソース電極１５、ドレイン電極１３を成膜する。ソース、ドレイン用電極材料としては、仕事関数の大きな物質、たとえば、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム等貴金属やＰＥＤＯＴ/ＰＳＳなどが好適に用いられる。製膜方法は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム等貴金属ナノ粒子を分散用樹脂でくるんだ貴金属ナノペーストインクやpoly(ethylenedioxythiphene)/polystyrenesulphonic acid （ＰＥＤＯＴ/ＰＳＳ）を含む溶液をインクジェットで吐出して描画する方法やスクリーン印刷、マスクを用いたスパッタリング，めっき，ＣＶＤ法，蒸着法，クラスタイオンビーム蒸着法等公知の方法で成膜することができる。
【００３２】
そして、最後に半導体層１９を作成する。半導体層１９としては、好ましくは、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン及びそれらの誘導体よりなる群から選択されるアセン分子材料、フタロシアニン系化合物、アゾ系化合物及びペリレン系化合物よりなる群から選ばれる顔料及びその誘導体、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、ジフェニルメタン化合物、スチルベン化合物、アリールビニル化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルアミン化合物、フェニレン誘導体及びトリアリールアミン化合物よりなる群から選択される低分子化合物並びにそれらの誘導体、或いは、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー誘導体、ピレンホルムアルデヒド樹脂、ポリアセチレン誘導体、及び、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂よりなる群から選択される高分子化合物、よりなる有機半導体材料で構成される。また、フルオレノン系、ジフェノキノン系、ベンゾキノン系、アントラキノン系、インデノン系化合物も使用可能である。このように、半導体を構成する材料が有機半導体材料であると、高分子有機半導体材料では、その溶液を印刷法、インクジェット法等の手段により成膜することができ、また、低分子有機半導体材料では、これを真空蒸着法等の手段により成膜することができるので、極めて薄い有機半導体層を低コストで形成することができる。また、前記半導体層は、酸化亜鉛、酸化スズ等の金属酸化物、或いは、チタン酸ストロンチウム等の複合酸化物よりなる無機半導体材料で構成されてもかまわない。この場合は、スパッタリング，ＣＶＤ法，蒸着法，クラスタイオンビーム蒸着法等公知の方法で成膜することができる。
【００３３】
以上の工程で本発明の電子デバイスを作成することができる。
【００３４】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明する。
【実施例１】
【００３５】
本実施例では図１に示す方法に従って電子デバイスの一つである薄膜有機ＴＦＴを作成した。
【００３６】
先ず、ポリイミド基板２１０上に先端がＶ字形をした剣先バイトを用いて幅１０μｍ高さ５μｍ膜厚方向の断面がＶ字形をした長さ３ｍｍの溝２１１を作成し、さらにこの溝に接続した直径１００μｍの円形の液体を受容する凹みを先端の平らなバイトで加工して作成し、溝とこれに連通する液体を受容する凹みを有する基板を作成した（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ））。この溝の幅精度は、１０±０．２５μｍで変動幅は５％であった。
【００３７】
上記Ｖ字形をした溝２１１内に、銀ペースト（ドータイトＦＡ−４０１ＣＡ（商品名、藤倉化成株式会社製）を塗布し、余分なペーストをシリコーン樹脂製のスキージで掻き取ってレジスト表面と銀ペーストの高さをほぼ等しくした。
【００３８】
これを１４０℃のオーブン中で１５分間加熱し、Ｖ字形をした溝２１１中に銀のゲート電極２１４を形成し、さらに酸素アッシャーで１分処理して全体を親水化した。このとき、硬化収縮で溝の上部分に１μｍ程度の凹みが生じた。
【００３９】
次に、液体を受容する凹みにインクジェットによりポリイミド溶液を吐出したところ、Ｖ字形をした溝２１１の上部分に生じた１μｍ程度の凹みにポリイミド溶液が流れ込んでゲート電極表面を覆った。これをオーブンで３５０℃３０分焼成しゲート絶縁膜とした。
【００４０】
この基板上のゲート絶縁膜の両側に金ナノペーストインク（日本ペイント製）を打ち込み２５０℃３０分焼成してソース、ドレイン電極を作成した。
【００４１】
さらに、精製したポリヘキシルチオフェン（市販品）をクロロホルムに溶解して半導体濃度を０．４重量％とした溶液を、インクジェット２１６にて吐出し、半導体層２１３を形成した。上記半導体層２１３の膜厚は８０ｎｍであった。
【００４２】
この様にして作成したトランジスタのゲート長を測定したところ、９．４±０．３μｍで安定していた。
【実施例２】
【００４３】
実施例１のポリイミドの代わりにリン青銅の板を用意し、実施例１と同様のパターンを作成した。これにＮｉを電鋳し、裏面研磨を行い剥離、トリミング後、固定用の金具を溶接しスタンパーとしたものを用いて特開平08-229955号等に記載のＲＭ成形法で基板の成形を行った。
【００４４】
図３は、本発明の基板の製造方法の一例を示す模式図である。
【００４５】
１１は第１ロール、１２はロールスタンパー、１３は第３ロール、１４はＴダイである。電子デバイス用基板材料は、ガラス転移点以上熱分解点以下の温度で熔融されてＴダイ１４のスリットからほぼ均一な厚みで押し出される。押し出された熔融状態の成形材料は、第１ロール１１とロールスタンパー１２とで挟圧され、シート状に成形されると同時にロールスタンパー１２の表面に取付けられたスタンパー１５表面のＶ溝パターンと液体を受容する凹みのパターンが転写される。このようにして成形された有機ＴＦＴ用基板シート１６は、第３ロール１３によって搬送され、次の工程に運ばれる。この場合、所定の大きさに切断しても良いし、連続したウェブ状のまま巻き取って使用しても良い。本実施例では、１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさに切断して有機ＴＦＴ作成に用いた。転写された溝形状は、溝幅９．８±０．０９μｍであり、溝幅の変動幅は１．８％であった。
【００４６】
この後は、液体を受容する凹みにインクジェットにより銀ナノペーストインク（森村ケミカル製）を打ち込み、毛細管現象でＶ溝内にインクを充填し、常温で乾燥後２００℃３０分焼成し、さらに酸素アッシャーで３０秒処理して全体を親水化してゲート電極を作成した。このとき、硬化収縮で溝の上部分に約２μｍ程度の凹みが生じた。
【００４７】
次に、液体を受容する凹みにインクジェットによりポリイミド溶液を吐出したところ、Ｖ字形をした溝２１１の上部分に生じた２μｍ程度の凹みにポリイミド溶液が流れ込んでゲート電極表面を覆った。これをオーブンで３５０℃３０分焼成しゲート絶縁膜とした。
【００４８】
この基板上のゲート絶縁膜の両側に金ナノペーストインク（日本ペイント製）を打ち込み２５０℃３０分焼成してソース、ドレイン電極を作成した。
【００４９】
さらに、精製したポリヘキシルチオフェン（市販品）をクロロホルムに溶解して半導体濃度を０．４重量％とした溶液を、インクジェット２１６にて吐出し、半導体層２１３を形成した。上記半導体層２１３の膜厚は８０ｎｍであった。
【００５０】
この様にして作成したトランジスタのゲート長を測定したところ、７．８±０．３μｍで安定していた。
【実施例３】
【００５１】
切削用のバイト形状を図４に示すような台形＋矩形形状のバイトとしてＥ−Ｅ’断面の幅を１０μｍ、Ｆ−Ｆ’間の幅を４μｍのものを用いてリン青銅製の原版に深さ７μｍとなるように切削加工をして長さ３ｍｍの台形状の溝を作成した。この溝の一端に直径２００μｍ深さ５μｍの円形の液体を受容する凹みを先端の平らなバイトで加工して作成し、溝とこれに連通する液体を受容する凹みを有する原板を作成した。これにＮｉを電鋳し、裏面研磨を行い剥離、トリミング後、固定用の金具を溶接しスタンパーとしたものを用いて特開平08-229955号等に記載のＲＭ成形法で基板の成形およびトランジスタの製造を実施例２と同様にして行った。作成された基板の溝幅は、９．９±０．１μｍで溝幅の変動率は２％であった。
【００５２】
この様にして作成したトランジスタのゲート長を測定したところ、９．９±０．１μｍで極めて安定していた。
【００５３】
（比較例）
実施例１と同様に、ポリイミド基板２１０上に先端がＶ字形をした剣先バイトを用いて幅１０μｍ高さ５μｍ膜厚方向の断面がＶ字形をした長さ３ｍｍの溝２１１を作成したが、このときに、ポリイミド基板の裏の一部にゴミが挟まったまま加工を行ったために、溝の幅精度は、１０±０．３μｍで変動幅は６％となっていた。
【００５４】
この基板を用いて実施例１と同様にトランジスタを作成し、評価を行った。
【００５５】
トランジスタのゲート長を測定したところ、９．６±０．５μｍでゲート長のバラツキが１０％を超えており、特性のバラツキも大きかった。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施の形態を示す電子デバイスの製造方法を説明するための概略図である。Aは平面図、Bはｂ-ｂ'方向の断面図、Cは、C-C'方向の断面図、Ｄはインクジェットで液体を受容する凹みにエネルギーを付与することで導電性となる物質の溶液を吐出している様子を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施の形態を示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の電子デバイスの製造方法の基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図４】本発明の電子デバイスの製造に用いられる金型製造のためのバイト形状を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５７】
１１  第一ロール
１２  ロールスタンパー
１３  第３ロール
１４  Ｔダイ
１５  スタンパー
１６  成型された電子デバイス用基板シート
２１０  基板
２１１  溝
２１２  液体を受容する凹み
２１３  ソース電極
２１４  制御電極
２１５  半導体層
２１６  インクジェット
２１７  制御絶縁膜
２１８  ドレイン電極
２１９  エネルギーを付与することで導電性となる物質または導電性材料の前駆体と溶媒を含む溶液
２２０  台形＋矩形形状のバイト
【図１】
2007158003.tif 000003
【図２】
2007158003.tif 000004
【図３】
2007158003.tif 000005
【図４】
2007158003.tif 000006