(57)【要約】【課題】アウトリガー部の剛性を小さくして、小型のスライダーであっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することのできる、回路付サスペンション基板を提供すること。【解決手段】回路付サスペンション基板１のジンバル部６を、磁気ヘッドが搭載されるタング部１０と、タング部１０の両側に設けられるアウトリガ−部１１とから形成し、アウトリガー部１１においては、導体層４の両側面が、カバー絶縁層５によって被覆されるとともに、導体層４の上面のすべてを、カバー絶縁層５から露出させる。これによって、小型のスライダーを搭載する場合であっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。【選択図】図２
2007133929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された導体層と、前記導体層を被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されたカバー絶縁層とを備える回路付サスペンション基板において、
磁気ヘッドが搭載されるタング部と、前記タング部の両側に設けられたアウトリガ−部とを備え、
前記アウトリガー部では、前記導体層の両側面が、前記カバー絶縁層によって被覆されるとともに、前記導体層の上面のすべてが、前記カバー絶縁層から露出していることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記アウトリガー部では、前記導体層の上面と、その導体層の両側に配置されるカバー絶縁層の上面とが、略面一であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記アウトリガー部では、前記金属支持層は、前記ベース絶縁層、前記導体層および前記カバー絶縁層と重ならないように、設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを支持するサスペンション基板に、その磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための配線回路パターンが一体的に形成されている配線回路基板であり、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持して、磁気ヘッドの良好な浮上姿勢を得ることができるので、近年、広く普及しつつある。
【０００３】
このような回路付サスペンション基板には、通常、その先端部において、磁気ヘッドを搭載するスライダーを搭載するためのタング部と、そのタング部の幅方向両側に配置され、配線回路パターンが形成されるアウトリガー部とを備えるジンバル部が形成されている。そして、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を精密に調整するには、このアウトリガー部の剛性が重要な要因となっている。
【０００４】
一方、回路付サスペンション基板は、例えば、ステンレス箔基材の上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有し、その上に銅導体層からなる所定のパターン回路が薄膜として形成され、更に、その上に端子が形成され、端子を除く全表面が、被覆層によって被覆保護されるように、形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−２６５５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、近年、スライダーの小型化に伴なって、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、より精密に調整することが求められている。
一方、回路付サスペンション基板のアウトリガー部は、とりわけ、小型のスライダーに用いられるものは、剛性が大きく、浮上姿勢（角度）を精密に調整することが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、アウトリガー部の剛性を小さくして、小型のスライダーであっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することのできる、回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成された導体層と、前記導体層を被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されたカバー絶縁層とを備える回路付サスペンション基板において、磁気ヘッドが搭載されるタング部と、前記タング部の両側に設けられたアウトリガ−部とを備え、前記アウトリガー部では、前記導体層の両側面が、前記カバー絶縁層によって被覆されるとともに、前記導体層の上面のすべてが、前記カバー絶縁層から露出していることを特徴としている。
【０００８】
アウトリガー部の剛性を小さくするには、アウトリガー部のカバー絶縁層がない方がよいが、とりわけ微細な配線回路パターンとして形成される導体層では、カバー絶縁層をなくしてしまうと、導体層がベース絶縁層から剥離するおそれがある。
しかるに、本発明の回路付サスペンション基板によると、アウトリガー部において、導体層の上面のすべてがカバー絶縁層から露出しているので、その露出部分のカバー絶縁層がない分、剛性を小さくすることができる。一方、導体層の両側面は、カバー絶縁層によって被覆されているので、導体層のベース絶縁層からの剥離を有効に防止することができる。その結果、アウトリガー部の剛性を小さくすることができながら、導体層のベース絶縁層からの剥離を有効に防止することができる。そのため、小型のスライダーを搭載する場合であっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。
【０００９】
また、本発明の回路付サスペンション基板において、前記アウトリガー部では、前記導体層の上面と、その導体層の両側に配置されるカバー絶縁層の上面とが、略面一であることが好適である。
導体層の上面がカバー絶縁層の上面よりも高い場合には、導体層の上面に金属めっきするときに、金属めっきがカバー絶縁層の上面にも流出し、互いに隣接する導体層間において、それらの間に配置されるカバー絶縁層の上面に流出した金属めっきにより、短絡するおそれがある。
【００１０】
また、カバー絶縁層の上面が導体層の上面よりも高い場合には、カバー絶縁層の厚みが厚くなり、アウトリガー部の剛性を小さくすることが困難となる。
しかるに、アウトリガー部において、導体層の上面と、その導体層の両側に配置されるカバー絶縁層の上面とが、略面一であると、導体層の上面に金属めっきするときに、金属めっきがカバー絶縁層の上面に流出しにくくなり、互いに隣接する導体層間における短絡を防止することができる。また、カバー絶縁層の厚みが、必要以上に厚くなることもなく、アウトリガー部の剛性を小さくすることができる。
【００１１】
また、本発明の回路付サスペンション基板において、前記アウトリガー部では、前記金属支持層は、前記ベース絶縁層、前記導体層および前記カバー絶縁層と重ならないように、設けられていることが好適である。
アウトリガー部において、金属支持層を、ベース絶縁層、導体層およびカバー絶縁層と重ならないように設けることにより、アウトリガー部の剛性をより一層低下させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、アウトリガー部の剛性を小さくすることができながら、導体層のベース絶縁層からの剥離を有効に防止することができる。そのため、小型のスライダーを搭載する場合であっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板におけるジンバル部の要部平面図、図３は、（ａ）では、図２のＡ−Ａ線断面図を示し、（ｂ）では、図２のＢ−Ｂ線断面図を示す。なお、図３では、後述する種膜１６や金属皮膜１８は、省略されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための配線回路パターン４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄが、一体的に形成されている。
【００１４】
この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、長手方向に延びる金属支持層としての支持基板２と、その支持基板２の上に形成されたベース絶縁層３と、そのベース絶縁層３の上に配線回路パターンとして形成された導体層４と、その導体層４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されたカバー絶縁層５とを備えている。
支持基板２は、図１に示すように、長手方向に沿って略クランク形状に形成され、その先端部（長手方向一端部）には、ジンバル部６が形成され、その後端部（長手方向他端部）には、リード・ライト基板と接続される外部端子部７が形成されている。
【００１５】
ベース絶縁層３は、支持基板２の上に連続して形成されており、先端部においては、図２に示すように、後述する磁気ヘッド端子部８に形成され、また、後端部においては、図示しないが、外部端子部７に形成され、それら先端部および後端部の間においては、図２に一部示すように、支持基板２の幅方向（長手方向に直交する方向）両側に互いに所定間隔を隔てて形成されている。
【００１６】
導体層４は、先端部および後端部の間においては、互いに所定間隔を隔てて形成されているベース絶縁層３の上に、並列配置される複数（各２つ）の配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄからなる配線回路パターンとして形成されている。すなわち、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、長手方向に沿って設けられ、１対の配線４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄが、幅方向において互いに所定間隔を隔てて、ベース絶縁層３の上に並列配置されている。また、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、図１に示すように、先端部において、磁気ヘッド端子部８の各端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄに接続され、後端部において、外部端子部７の各端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄに接続されている。
【００１７】
また、カバー絶縁層５は、図２に一部示すように、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄを被覆するように、ベース絶縁層３の上に、ベース絶縁層３に沿って形成されている。
そして、ジンバル部６は、図２に示すように、回路付サスペンション基板１の先端部であって、その外形形状が、支持基板２が回路付サスペンション基板１の幅方向両外側に膨出するように形成されており、その膨出部分を含む先端部とされている。なお、支持基板２の膨出部分の幅方向長さは、例えば、０．０３〜３ｍｍ、好ましくは、１〜２．５ｍｍである。
【００１８】
ジンバル部６において、支持基板２には、平面視略Ｕ字状の切欠部９が形成されており、その切欠部９に挟まれる支持基板２の残部が、磁気ヘッドが搭載されるスライダーを実装するための平面視略矩形状のタング部１０とされている。
また、タング部１０の幅方向両側と、タング部１０と長手方向において対向する切欠部９の幅方向両側とが、アウトリガー部１１とされている。
【００１９】
また、切欠部９およびタング部１０よりも先側が、磁気ヘッドと接続するための磁気ヘッド端子部８とされている。
アウトリガー部１１において、ベース絶縁層３、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄおよびカバー絶縁層５は、タング部１０の幅方向両外側における切欠部９を、長手方向に沿って通過するように２本で形成されており、つまり、アウトリガー部１１において、支持基板２と重ならないように配置されている。このように配置することにより、アウトリガー部１１の剛性を低下させることができる。
【００２０】
アウトリガー部１１において、１本のベース絶縁層３の幅方向長さは、０．０３〜５ｍｍ、好ましくは、１〜３ｍｍである。
また、１本のベース絶縁層３の上に配置される１対の配線４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄの幅は、例えば、１０〜１５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍ、１対の配線４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄの間の間隔は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１５０μｍである。
【００２１】
そして、このアウトリガー部１１において、カバー絶縁層５は、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの両側面を被覆し、かつ、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面をすべて露出させるように設けられている。
より具体的には、カバー絶縁層５は、切欠部９を通過する各ベース絶縁層３の上において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上方を被覆することなく、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの両側方を被覆するように、１対の配線４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄの両側（５ａおよび５ｃで示される。）と、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの間（５ｂで示される。）とに形成されている。
【００２２】
磁気ヘッド端子部８において、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５およびそれらの間に介在される各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、支持基板２の上に形成されている。
磁気ヘッド端子部８において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの遊端部が、磁気ヘッドと接続するための複数の平面視略矩形状の端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄとされている。各端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄは、タング部１０と長手方向において対向する位置に、幅方向に沿って互いに所定間隔を隔てて並列配置されている。
【００２３】
また、カバー絶縁層５における各端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄに対応する位置を含む部分は、開口されており、各端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄは、カバー絶縁層５から露出されている。
また、外部端子部７は、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の後端部とされている。外部端子部７において、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５およびそれらの間に介在される各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、支持基板２の上に形成されている。
【００２４】
外部端子部７において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの遊端部が、リード・ライト基板と接続するための複数の平面視略矩形状の端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄとされている。各端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄは、幅方向に沿って互いに所定間隔を隔てて並列配置されている。
また、カバー絶縁層５における各端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄに対応する位置を含む部分は、開口されており、各端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄは、カバー絶縁層５から露出されている。
【００２５】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図４〜図６を参照して簡単に説明する。なお、図４〜図６においては、各工程ごとにおいて、その上側に、回路付サスペンション基板１におけるアウトリガー部１１が形成される部分を、その回路付サスペンション基板１の長手方向に沿う断面（図２におけるＡ−Ａ線断面）として示し、その下側に、回路付サスペンション基板１におけるアウトリガー部１１が形成される部分を、その回路付サスペンション基板１の幅方向に沿う断面（図２におけるＢ−Ｂ線断面）として示している。
【００２６】
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、支持基板２を用意する。支持基板２としては、金属箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ステンレス、４２アロイがなどが好ましく用いられる。また、その厚さが、１０〜２５μｍ、さらには、１５〜２５μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられる。
【００２７】
次に、この方法では、図４（ｂ）〜図４（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３を、上記した所定パターンで形成する。ベース絶縁層３を形成するための絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられる。これらのうち、上記した所定パターンでベース絶縁層３を形成するためには、感光性の合成樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさらに好ましく用いられる。
【００２８】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、上記した所定パターンでベース絶縁層３を形成する場合には、まず、図４（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を、その支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜３ａを形成する。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、その皮膜３ａを、フォトマスク１５を介して露光させ、必要により所定温度に加熱した後、現像することにより、皮膜３ａを、上記した所定パターンに形成する。
また、照射された皮膜３ａの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いる、浸漬法やスプレー法などの公知の方法が用いられる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図４では、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００３０】
そして、図４（ｄ）に示すように、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の皮膜３ａを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を、上記した所定パターンで形成する。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、合成樹脂を、上記した所定パターンのドライフィルムとして予め成形しておき、それを、支持基板２の上に貼着すればよい。
【００３１】
また、このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、５〜３０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
次いで、この方法では、ベース絶縁層３の上に、上記した配線回路パターンで導体層４を形成する。配線回路パターンとして形成する導体層４は、導体からなり、そのような導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体層４を形成するには、ベース絶縁層３の表面に、導体層４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターニング法によって、配線回路パターンとして形成すればよい。
【００３２】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層４を積層し、次いで、この導体層４の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層４をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去するようにする。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上に、導体の薄膜からなる種膜を形成し、次いで、この種膜の上に、配線回路パターンと反転パターンでめっきレジストを形成した後、種膜におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、配線回路パターンとして導体層４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去するようにする。
【００３３】
これらのパターンニング法のなかでは、微細な配線回路パターンを形成すべく、図４（ｅ）〜図５（ｉ）に示すように、アディティブ法が好ましく用いられる。
すなわち、アディティブ法では、まず、図４（ｅ）に示すように、支持基板２およびベース絶縁層３の全面に、導体の薄膜からなる種膜１６を形成する。種膜１６の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、種膜１６となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、支持基板２およびベース絶縁層３の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚みが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚みが、５００〜２０００Åであることが好ましい。
【００３４】
次いで、図５（ｆ）に示すように、その種膜１６の上に、配線回路パターンと反転パターンのめっきレジスト１７を形成する。めっきレジスト１７は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、上記したレジストパターンとして形成すればよい。次いで、図５（ｇ）に示すように、種膜１６におけるめっきレジスト１７が形成されていない部分に、めっきにより、配線回路パターンの導体層４を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、とりわけ、電解銅めっきが好ましく用いられる。
【００３５】
導体層４の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
そして、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト１７を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｉ）に示すように、めっきレジスト１７が形成されていた部分の種膜１６を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
【００３６】
これによって、ベース絶縁層３の上に、導体層４が上記した配線回路パターン（磁気ヘッド端子部８の端子８ａ、８ｂ、８ｃおよび８ｄ、および、外部端子部７の端子７ａ、７ｂ、７ｃおよび７ｄを含む。）として形成される。
次いで、図５（ｊ）に示すように、導体層４の表面に、金属皮膜１８を形成する。この金属皮膜１８は、無電解ニッケルめっきによって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ましく、その厚みは、導体層４の表面が露出しない程度であればよく、例えば、０．０５〜０．１μｍである。なお、この金属皮膜１８は、支持基板２の表面にも形成される。
【００３７】
次いで、図６（ｋ）〜図６（ｍ）に示すように、導体層４を被覆するためのカバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に形成する。カバー絶縁層５を形成するための絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、カバー絶縁層５を形成する場合には、図６（ｋ）に示すように、ベース絶縁層３および金属皮膜１８の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を、その全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜５ａを形成し、次に、図６（ｌ）に示すように、その皮膜５ａを、フォトマスク１９を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、皮膜５ａによって、導体層４が被覆される所定パターンとして形成する。
【００３８】
また、このカバー絶縁層５のパターン形成においては、上記したように、アウトリガー部１１においては、カバー絶縁層５によって、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの両側面を被覆し、かつ、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面をすべて露出させるように形成する。
なお、この露光および現像の条件は、ベース絶縁層３を露光および現像する条件と同様の条件でよく、また、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図６においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００３９】
そして、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の皮膜５ａを、図６（ｍ）に示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層５を、導体層４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成する。なお、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜２５μｍ、好ましくは、３〜７μｍである。
【００４０】
また、カバー絶縁層５は、その厚みが、少なくともアウトリガー部１１において、導体層４の厚みと、略同一となるように形成する。
アウトリガー部１１において、カバー絶縁層５の厚みが、導体層４の厚みと略同一となるように形成するには、上記したカバー絶縁層５の形成において、乾燥および硬化後の厚みを考慮して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液の塗工の厚みを調整すればよい。
【００４１】
これによって、アウトリガー部１１では、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面と、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの両側に配置されるカバー絶縁層５の上面とが、上下方向においてほぼ同じ位置に配置される。
次いで、図６（ｎ）に示すように、支持基板２を、化学エッチングによって、上記した略Ｕ字状の切欠部９が形成されるような所定形状に切り抜いた後、図６（ｏ）に示すように、アウトリガー部１１における導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面に形成されている金属皮膜１８と、磁気ヘッド端子部８における開口部および外部端子部７における開口部から露出する金属皮膜１８とを、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。なお、このときに、支持基板２の表面に形成されている金属皮膜１８も除去される。
【００４２】
その後、図示しないが、アウトリガー部１１の導体層４、磁気ヘッド端子部８における開口部および外部端子部７における開口部から露出する導体層４に、ニッケルめっき層や金めっき層を、電解ニッケルめっきや電解金めっきにより順次形成することにより、回路付サスペンション基板１を得る。
このような回路付サスペンション基板１では、アウトリガー部１１において、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面のすべてが、カバー絶縁層５から露出しているので、その露出部分のカバー絶縁層５がない分、剛性を小さくすることができる。一方、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの両側面は、カバー絶縁層５によって被覆されているので、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄのベース絶縁層３からの剥離を有効に防止することができる。その結果、アウトリガー部１１の剛性を小さくすることができながら、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄのベース絶縁層３からの剥離を有効に防止することができる。そのため、小型のスライダーを搭載する場合であっても、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。
【００４３】
また、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面が、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの両側に配置されるカバー絶縁層５の上面よりも高い場合には、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面に、ニッケルめっき層や金めっき層を形成するときに、ニッケルや金がカバー絶縁層５の上面にも流出し、互いに隣接する各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄ間において、それらの間に配置されるカバー絶縁層５の上面に流出したニッケルや金により、短絡するおそれがある。
【００４４】
また、カバー絶縁層５の上面が、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面よりも高い場合には、カバー絶縁層５の厚みが厚くなり、アウトリガー部１１の剛性を小さくすることが困難となる。
しかるに、この回路付サスペンション基板１において、アウトリガー部１１では、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面と、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの両側に配置されるカバー絶縁層５の上面とが、略面一に形成されている。そのため、導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上面に、ニッケルめっき層や金めっき層を形成するときに、ニッケルや金がカバー絶縁層５の上面に流出しにくくなり、互いに隣接する各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄ間における短絡を防止することができる。また、カバー絶縁層５の厚みが、必要以上に厚くなることもなく、アウトリガー部１１の剛性を小さくすることができる。
【００４５】
なお、上記の説明では、アウトリガー部１１において、ベース絶縁層３および導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄが、支持基板２と重ならないように、切欠部９を形成したが、ベース絶縁層３および導体層４の各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄが、支持基板２と重なるように、切欠部９を形成してもよい。
【実施例】
【００４６】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
下記の各工程を、ロールツーロール法を用いて実施することにより、回路付サスペンション基板を得た。
【００４７】
幅３００ｍｍ、厚み２０μｍ、長さ１２０ｍのステンレス箔からなる支持基板を用意し（図４（ａ）参照）、ポリアミック酸樹脂の溶液を、その支持基板の全面に塗工した後、１００℃で加熱することにより、厚み２５μｍのポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した（図４（ｂ）参照）。その皮膜を、フォトマスクを介して、７２０ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１８０℃で加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した（図４（ｃ）参照）。その後、最高温度４２０℃で硬化させることにより、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、先端部においては、磁気ヘッド端子部に形成され、また、後端部においては、外部端子部に形成され、それら先端部および後端部の間においては、支持基板の幅方向両側に互いに所定間隔を隔てて形成されるパターンとして、形成した（図４（ｄ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。
【００４８】
次いで、支持基板およびベース絶縁層の全面に、厚み４００Åのクロム薄膜と厚み７００Åの銅薄膜とを、スパッタ蒸着法によって順次形成することにより種膜を形成した（図４（ｅ）参照）。その後、種膜の上に、感光性ドライフィルムレジストを積層した後、フォトマスクを介して２３５ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、アルカリ現像液を用いて未露光部を除去するように現像することにより、配線回路パターンと逆パターンのめっきレジストを形成した（図５（ｆ）参照）。
【００４９】
そして、ベース絶縁層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解銅めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成した（図５（ｇ）参照）。
この配線回路パターンは、先端部および後端部の間においては、互いに所定間隔を隔てて形成されているベース絶縁層の上に、並列配置される各２つの配線からなり、先端部においては、磁気ヘッド端子部の各端子として形成され、後端部においては、外部端子部の各端子として形成した。導体層の厚みは１２μｍであった。
【００５０】
その後、めっきレジストを剥離した後（図５（ｈ）参照）、めっきレジストが形成されていた部分の種膜を化学エッチングにより除去した（図５（ｉ）参照）。次いで、導体層の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚み０．１μｍの硬質のニッケル薄膜からなる金属皮膜を形成した（図５（ｊ）参照）。なお、金属皮膜は、支持基板の表面にも形成された。
【００５１】
次いで、ベース絶縁層および金属皮膜の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を、その全面に塗工した後、１００℃で加熱することにより、厚み３０μｍのポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し（図６（ｋ）参照）、その皮膜を、フォトマスクを介して、７２０ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１８０℃で加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、皮膜によって導体層が被覆されるようにパターン化した（図６（ｌ）参照）。なお、このパターン化においては、皮膜が、ベース絶縁層の上に形成され、かつ、アウトリガー部においては導体層の各配線の上面がすべて露出され、磁気ヘッド端子部における開口部および外部端子部における開口部が形成されるようにした。その後、最高温度４２０℃で硬化させることにより、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、所定のパターンで形成した（図６（ｍ）参照）。このカバー絶縁層の厚みは、１２μｍであり、アウトリガー部では、導体層の各配線の上面と、各配線の両側に配置されるカバー絶縁層の上面とが、略面一に形成された。
【００５２】
次いで、感光性ドライフィルムレジストを、切欠部を形成する部分を除いて、支持基板を被覆するように積層した後、１０５ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、アルカリ現像液を用いて現像することによりエッチングレジストを形成した後、そのエッチングレジストをレジストとして、塩化第二鉄溶液を用いてエッチングすることにより、切欠部を形成した（図６（ｎ）参照）。
【００５３】
その後、アウトリガー部における導体層の各配線の上面に形成されている金属皮膜と、磁気ヘッド端子部における開口部および外部端子部における開口部から露出する金属皮膜とを、化学エッチングにより除去した（図６（ｏ）参照）。なお、このときに、支持基板の表面に形成されている金属皮膜も除去した。
その後、アウトリガー部の導体層、磁気ヘッド端子部における開口部および外部端子部における開口部から露出する導体層に、ニッケルめっき層および金めっき層を、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきにより順次形成することにより、回路付サスペンション基板を得た。
【００５４】
このようにして得られた回路付サスペンション基板において、アウトリガー部においては、導体層の両側面が、カバー絶縁層によって被覆されるとともに、導体層の上面のすべてが、カバー絶縁層から露出するように形成された。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板におけるジンバル部の要部平面図である。
【図３】図２に示す回路付サスペンション基板のジンバル部において、（ａ）は、図２のＡ−Ａ線断面図を示し、（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ線断面図を示す。
【図４】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、支持基板の全面に塗工した後、加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光させ、現像することにより、所定のパターンに形成する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させ、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、支持基板およびベース絶縁層の全面に、導体の薄膜からなる種膜を形成する工程を示す。
【図５】図４に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｆ）は、種膜の上に配線回路パターンと反転パターンのめっきレジストを形成する工程、（ｇ）は、ベース絶縁層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、めっきにより、配線回路パターンの導体層を形成する工程、（ｈ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｉ）は、めっきレジストが形成されていた部分の種膜を除去する工程、（ｊ）は、導体層の表面および支持基板の表面に、金属皮膜を形成する工程を示す。
【図６】図５に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｋ）は、ベース絶縁層および金属皮膜の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、その全面に塗工した後、加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｌ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光させ、現像することにより、皮膜によって、導体層が被覆されるようにパターン化する工程、（ｍ）は、皮膜を硬化させ、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、導体層を被覆するようにベース絶縁層の上に形成する工程、（ｎ）は、支持基板を、切欠部が形成されるように切り抜く工程、（ｏ）は、金属皮膜を除去する工程を示す。
【符号の説明】
【００５６】
１    回路付サスペンション基板
２    支持基板
３    ベース絶縁層
４    導体層
５    カバー絶縁層
１０  タング部
１１  アウトリガ−部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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