(57)【要約】      （修正有）【課題】複数のチップを積層した集積デバイスの樹脂封止後の高さを低くする製造方法を提供する。【解決手段】個々にカプセル状に包まれていない複数のチップ構成１８，２４を備え、各チップ構成１８，２４は、接続パッド１５，２１に接続するための複数の接続要素１６，２３を有し、複数のチップ構成１８，２４を、接続要素１６，２３が各チップ構成１８，２４に電気的結合を供給するように互いに積層し、複数の積層されたチップ構成１８，２４をカプセル状に包むようにして共通完全モールドを備えた集積デバイスを得る。【選択図】図１
2007243196.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々にカプセル封止されていない複数のチップ構成を備え、各チップ構成は、複数の接続パッドにそれぞれ接続するための複数の接続要素を有し、前記複数のチップ構成は、前記接続要素が各チップ構成に電気的結合を供給するように互いに積層され、
前記複数の積層されたチップ構成をカプセル封止するように構成された共通完全モールドを備えた集積デバイス。
【請求項２】
各チップ構成は、
前記複数の接続要素が直接その上に設けられたフリップチップと、
第１表面と第２反対表面とを有する基板を含むボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）構成との少なくとも１つを備え、前記基板の前記第１表面上にチップが設けられ、前記第２反対表面上に複数の接続要素が設けられて前記チップとの電気的結合を供給する請求項１記載の集積デバイス。
【請求項３】
前記複数のチップ構成は、少なくとも１つのＢＧＡ構成と少なくとも１つのフリップチップとを含む請求項２記載の集積デバイス。
【請求項４】
少なくとも１つのＢＧＡ構成と少なくとも１つのフリップチップとが設けられたパッケージ基板をさらに含む請求項３記載の集積デバイス。
【請求項５】
前記フリップチップは、前記パッケージ基板の関連する接続パッドに接続するように設けられた複数の第１接続要素を含み、前記ＢＧＡ構成は、前記パッケージ基板のさらなる接続パッドに接続するように設けられた複数の第２接続要素を含み、前記ＢＧＡ構成の前記複数の第２接続要素は、前記ＢＧＡ構成が前記フリップチップ上に積層されるときに、前記フリップチップを覆う領域の外に設けられる請求項４記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記共通モールドは、前記パッケージ基板の一つのサイドに設けられる請求項５記載の集積デバイス。
【請求項７】
前記接続要素は、半田バンプとして形成される請求項１記載の集積デバイス。
【請求項８】
複数の接続要素を有してカプセル封止されていない複数のチップ構成を積層し、
共通モールドで複数のチップ構成をカプセル封止し、少なくとも１つのチップ構成の複数の接続要素が外部接続可能である集積デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記複数のチップ構成の少なくとも１つは、前記複数の接続要素が直接その上に設けられるフリップチップとして供給される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記チップ構成の少なくとも１つは、第１表面と第２反対表面とを有する基板を含むボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）構成として供給され、前記基板の前記第１表面上にチップが設けられ、前記第２反対表面上に複数の接続要素が設けられて前記チップとの電気的結合を供給する請求項８記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのチップ構成が、複数の接続要素が直接設けられるフリップチップとして供給され、少なくとも１つのチップ構成が、第１表面と第２反対表面とを有する基板を含むＢＧＡ構成として供給され、前記基板の前記第１表面上にチップが設けられ、前記第２反対表面上にさらなる複数の接続要素が設けられて前記チップとの電気的結合を供給する請求項８記載の方法。
【請求項１２】
パッケージ基板上に前記フリップチップを設け、前記フリップチップの前記接続要素は、前記パッケージ基板の関連する接続パッドに接続されて設けられ、
前記パッケージ基板上の前記フリップチップの上に前記ＢＧＡ構成を積層し、前記ＢＧＡ構成の前記接続要素は、前記パッケージ基板のさらなる接続パッドに接続して設けられ、前記ＢＧＡ構成の前記接続要素は、前記ＢＧＡ構成が前記フリップチップ上に積層されるときに、前記フリップチップを覆う領域の外に設けられる請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
複数の第１接続要素に接続された第１チップ構成と、
複数の第２接続要素に接続された第２チップ構成とを備え、前記第２チップ構成は、前記第１チップ構成の上に積層されて、チップ積層を形成し、前記第１及び第２チップ構成は、個々にカプセル封止されておらず、
前記チップ積層の第１サイドをカプセル封止するように設けられた共通完全モールドを備え、前記第１及び第２接続要素は、前記チップ積層のカプセル封止されていないサイド上に設けられて前記第１及び第２チップ構成への電気的接続を提供する集積デバイス。
【請求項１４】
第１表面と第２反対表面とを有するパッケージ基板をさらに備え、前記モールドされてカプセル封止されたチップ積層は、前記パッケージ基板の前記第１表面上に設けられ、前記第１及び第２接続要素は、前記パッケージ基板の前記第２表面上に設けられる請求項１３記載の集積デバイス。
【請求項１５】
前記第１チップ構成は、前記パッケージ基板の第１表面上に設けられたフリップチップを含み、前記第２チップ構成は、ＢＧＡ基板と、前記ＢＧＡ基板上に設けられた第２チップと、前記ＢＧＡ基板と前記パッケージ基板との間に設けられた複数の中間接続要素とを含むボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）構成を含む請求項１４記載の集積デバイス。
【請求項１６】
前記複数の中間接続要素は、前記ＢＧＡ基板の外側領域に設けられ、前記第２チップは、前記フリップチップの上に積層された前記ＢＧＡ基板の中央領域に設けられる請求項１５記載の集積デバイス。
【請求項１７】
前記第２チップ構成の上の積層構成に設けられた第３チップ構成をさらに含み、前記第３チップ構成は、さらなるＢＧＡ基板と、前記さらなるＢＧＡ基板上に設けられた第３チップと、前記さらなるＢＧＡ基板と前記第２チップ構成の前記ＢＧＡ基板と間に設けられたさらなる複数の中間接続要素とを含むさらなるＢＧＡ構成を含む請求項１６記載の集積デバイス。
【請求項１８】
前記第１チップ構成は、第１表面と第２反対表面とを有して、前記第１及び第２表面の間にボンドチャネルが形成される第１基板と、
前記第１表面上に設けられ、前記第１表面上に設けられたボンディングパッドに接続された第１チップとを含み、前記複数の接続要素は、前記第１基板の前記第２表面上に設けられ、前記複数の第１接続要素は、前記ボンドパッドに接続されたボンディングワイヤを介して前記第１チップと電気的に接続されている請求項１３記載の集積デバイス。
【請求項１９】
前記第２チップは、
第１表面と第２反対表面とを有して、前記第１表面と前記第２基板の前記第２表面との間に第２ボンドチャネルが形成される第２基板と、
前記第２基板の前記第１表面に設けられ、前記第２基板の前記第１表面上に設けられたボンディングパッドに接続された第２チップとを含み、前記複数の第２接続要素は、前記第１基板の前記第２表面に設けられ、前記第２ボンドパッドに接続されたボンディングワイヤを介して前記第２チップに電気的に接続された複数の中間接続要素は、前記第２基板と前記第１基板との間に設けられ、前記第１基板を通って前記複数の第２接続要素に電気的に接続される請求項１８記載の集積デバイス。
【請求項２０】
前記複数の中間接続要素と前記複数の第２接続要素とは、前記第１基板の外側領域に設けられており、前記第１チップは、前記第２チップとともに積層された構成で、前記第１基板の中央領域に設けられている請求項１９記載の集積デバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔関連出願の相互参照〕
本願は、米国特許出願第１１／０３９，２９３号、代理人事件番号ＩＮＦＮ／００９７（２００４Ｐ５３３５６ＵＳ）、ブリッジレイヤーを使用したマルチチップモジュールのための信号再配信、２００５年１月２０日出願、Ｔｈｏａｉ  Ｔｈａｉら、米国特許出願第１１／２０８，３６２号、代理人事件番号ＩＮＦＮ／０１４０、バランスされたパフォーマンスのためのＭＣＰパッケージング方法、２００５年８月１９日出願、Ｆａｒｉｄ  Ｂａｒａｋａｔら、及び米国特許出願第１１／０７９，６２０号、代理人事件番号ＩＮＦＮ／ＷＢ０１５７、チップ積層の製造方法及び集積デバイスにより形成されたチップ積層、２００５年３月１４日、Ｈａｒａｌｄ  Ｇｒｏｓｓに関連する。上記各関連特許出願は、全面的に参照として組み込まれる。
【０００２】
〔発明の背景〕
〔技術分野〕
本発明は、複数のチップ構成を有する集積デバイスに関し、各集積デバイスは、接続パッドに接続された１つ以上の接続要素とともに供給される。本発明は、さらに、そのような集積デバイスの製造方法に関する。
【０００３】
〔従来技術の説明〕
信号伝送と統合に関する電子デバイスのパフォーマンスを増大させるために、現代のデバイスは、単一のパッケージに集積化された複数のチップ、または、各チップがパッケージ化され、パッケージが積層されたコンパクトな電子デバイスを提供する複数のチップを含んでいる。
【０００４】
上記第１の提案に従えば、ベアダイを積層するためには、積層してパッケージする前に各ダイを試験する必要があり、技術的に費用がかさみ、時間もかかり、高いコストをもたらす。上記第２の提案に関しては、パッケージデバイスの積層の各パッケージデバイスは、モールドで個々にカプセル状に覆われて、その中のダイを環境から保護しているが、各ダイをカプセル封止すると、それらの高さが増大し、電子デバイスの全体の高さが高くなり好ましくないという問題がある。
【特許文献１】米国特許出願１１／０３９、２９３号
【特許文献２】米国特許出願１１／２０８、３６２号
【特許文献３】米国特許出願１１／０７９、６２０号
【０００５】
〔発明の概要〕
本発明のある実施の形態は、軽減されたコストで製造することができ、高い集積度を提供する複数のチップ構成を有する集積デバイスを提供する。
【０００６】
本発明の他の実施の形態は、促進的な態様で集積デバイスに組み立てられる前に各チップ構成が機能的に試験されることができる複数のチップ構成を有する集積デバイスを提供する。
【０００７】
本発明の他の実施の形態は、従来のパッケージ積層と比較して軽減された高さを有する複数のチップ構成を有する集積デバイスを提供する。
【０００８】
本発明の他の実施の形態は、高い効率及びコスト上効果的な態様で複数のチップを有する集積デバイスを製造する方法を提供する。製造された集積デバイスの高さは、従来のパッケージ積層と比較して軽減されている。
【０００９】
本発明の第１の側面に従えば、集積デバイスは、カプセル封止されていない複数のチップ構成を含み、各チップ構成は、接続パッドに接続された複数の接続要素を有し、チップ構成は、互いに積層されて、各接続要素が各チップ構成への電気的接続を供給し、共通完全モールドが、積層されたチップ構成をカプセル状に包むように構成される。
【００１０】
本発明では、チップ構成は、各接続パッド上に接続要素を配置することによって外部接続をチップに供給する複数の接続要素を伴うチップとして定義される。ある実施の形態では、接続パッドは、半田バンプ、例えば、各接続パッドに半田付け可能な半田ボールとして形成される。チップ構成は、カプセル状に包まれておらず、チップ構成の高さは不必要に増大しない。一方、接続要素は、積層の前に容易なコスト的に効果的な態様でチップの機能テストを実行することを許容する。環境的な影響からチップ構成を保護するため、共通完全モールドがチップ構成の周りをカプセル状封止するように設けられる。
【００１１】
複数のチップ構成のそれぞれは、複数の接続要素が直接配置されたフリップチップの１つと、基板の第１表面上にチップが設けられたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）構成とを含む。基板の第２反対表面上には、複数の接続要素が、チップに含まれる集積回路と電気的接続を有して設けられる。
【００１２】
本発明のさらなる実施の形態に従えば、複数のチップ構成は、少なくとも１つのＢＧＡ構成と、少なくとも１つのフリップチップとを含む。少なくとも１つのＢＧＡ構成と、少なくとも１つのフリップチップとが配置された上にパッケージ基板が設けられる。パッケージ基板上にフリップチップが設けられ、その接続要素は、パッケージ基板の関連する接続パッドと接続し、ＢＧＡ構成は、パッケージ基板上に設けられ、その接続要素は、パッケージ基板のさらなる接続パッドに接続され、ＢＧＡ構成の複数の接続要素は、接続要素が設けられない領域が形成されるように配置され、ＢＧＡ構成は、領域がフリップチップを覆うようにフリップチップ上に積層される。
【００１３】
本発明の実施の形態に従えば、共通モールドがパッケージ基板上に設けられ、共通モールドによって、パッケージ基板の１つのサイドのみが覆われる。これによって、パッケージ基板の反対のサイドは、集積デバイスに含まれる積層チップ構成に電気的な接続を供給するために使用される。
【００１４】
本発明の他の側面に従えば、集積デバイスを製造する方法は、複数のチップ構成が供給されることを含む。各チップ構成は、接続パッドに接続する接続要素を有する。この方法は、複数のチップ構成を積層し、複数のチップ構成をカプセル封止して、チップ構成の少なくとも１つの複数の接続要素が、外部接続可能となり、このため、カプセル封止によって覆われない。
【００１５】
ある実施形態では、チップ構成の少なくとも１つが、複数の接続要素が直接配置されたフリップチップとして供給され、チップ構成の少なくとも１つが、チップが基板の第１表面に設けられたＢＧＡ構成として供給され、基板の第２反対表面上に、チップと電気的に接続された複数の接続要素が供給される。フリップチップとＢＧＡ構成との双方は、パッケージ基板上に配置され、フリップチップの各接続要素は、パッケージ基板の関連する接続パッドに接続され、ＢＧＡ構成は、パッケージ基板上に設けられて、各接続要素は、パッケージ基板のさらなる接続パッドにそれぞれ接続され、ＢＧＡ構成の複数の接続要素は、接続要素が設けられない領域が形成されるように設けられ、ＢＧＡ構成は、領域がフリップチップを覆うようにフリップチップ上に積層される。
【００１６】
〔図面の簡単な説明〕
上記した本発明の特徴が詳細に理解される態様で、上記で簡潔に要約された本発明のより特定の説明は、実施形態への参照を有し、そのいくつかは添付の図面に示される。しかしながら、添付された図面は、本発明の典型的な実施形態を示しているだけであり、従って、本発明は他の均等物を受け入れるものであり、その範囲を限定するものと解釈してはならない。
【００１７】
図１は、第１実施形態に係る集積デバイスを示す。
【００１８】
図２は、第２実施形態に係る集積デバイスを示す。
【００１９】
図３は、第３実施形態に係る集積デバイスを示す。
【００２０】
図４は、第４実施形態に係る集積デバイスを示す。
【００２１】
〔好ましい実施形態の詳細な説明〕
図１に本発明に係る集積デバイス１０を示す。集積デバイス１０は、パッケージ基板１１を備え、その第１表面１２上には複数のチップ構成が配置されている。パッケージ基板１１の第２表面１３上には、半田ボール等の形態の接続要素１４が設けられている。パッケージ基板１１の第１表面１２上には第１接続パッド１５が設けられている。チップ構成は、パッケージ基板１１上に積層された態様で配置されている。チップ構成は、関連するパッケージ基板１１の第１接続パッド１５の一部に接続する第２接続要素１６が設けられたフリップチップデバイス１７を備えている。第２チップ構成１８は、基板２０上に半田ボール等として形成される第３接続要素１９を含むＢＧＡチップ構成として形成されている。基板２０は、接続要素１９が設けられている表面とは反対側の表面上の接続パッド２１をさらに含む。接続パッド２１は、第２フリップチップ２２の第４接続要素２３に接続されて電気的接続を提供する。
【００２２】
パッケージ基板１１の第１接続パッド１５と第１接続要素１４とは、１つ以上の第１接続要素１４が１つ以上の第１接続パッド１５に、パッケージ基板１１内に含まれる再配線層（図示せず）によってそれぞれ接続されるという予め定められたスキームに従って接続されている。チップ構成１８も、基板２０に含まれてＢＧＡ基板２０上の第３接続要素１９と第２接続パッド２１との間の電気的接続を供給する再配線層を有している。
【００２３】
第１及び第２チップ構成２４・１８は、チップ１７・２２が実質的に積層状態、即ち、パッケージ基板１１の第１表面に関して互いに平行になるようにパッケージ基板１１上に配置されている。第２チップ構成１８の第３接続要素１９は、基板２０の内部領域Ｒ２において領域が包まれるように、基板２０の外部領域Ｒ１に配置されている。これによって、第２チップ構成１８は、第１接続要素１９がフリップチップとして形成される第１チップ構成２４の外側に配置されるように第１チップ構成２４の上側に配置される。基板２０の内側領域Ｒ２は、このように、パッケージ基板１１に関して第１チップ構成２４の上側に配置される。
【００２４】
電気的接続のためのボンドワイヤ接続を避け得るようにフリップチップを使用してチップ構成を供給する本発明の一実施形態が図１に示されている。しかしながら、さらなる実施形態では、チップ構成２４・１８の少なくとも１つはボンドワイヤを使用して各チップと各接続要素との間の電気的接続を供給することが意図される。
【００２５】
ここで使用するチップ構成という用語は、１つのチップと複数の接続要素との構成と定義される。接続要素は、外部に接続されて、電気的に動作する構成のチップへの直接的な、または間接的な電気的接続を提供する。チップ構成は、チップ上のパッドに直接接触する接続要素を有するフリップチップであり得る。チップ構成は、接続要素を有する基板が設けられ、接続要素は基板上に設けられたチップに電気的に接続され、チップは、ボンドワイヤによって基板に接続されたフリップチップまたは他のチップとして形成される。他の種類のチップ構成は、積層の前にモールドまたは類似のカプセル封止材料によってチップ構成がカプセル封止されない限り積層されたデバイスを供給するために同時に使用され得る。
【００２６】
チップ構成２４・１８が互いに積層された後、共通完全モールド２５が単一の工程で供給され、液体モールドがチップ構成間の隙間に流れ込み、環境の影響に対する確実な保護を提供し、集積デバイス１０内に形成されたキャビティを満たす空気を排除する。通常、共通モールドは、チップ構成間を容易に流れるのに十分低い粘性を有する限りカプセル封止プロセスに使用される。
【００２７】
本発明の第１実施形態に示すように、モールド２５がパッケージ基板１１の第１表面１２に供給され、パッケージ基板１１の第２表面１３はモールド２５で覆われず、第１接続要素１４は、外部に接続されて集積デバイス１０内の各チップに電気信号を供給する。
【００２８】
図２に本発明の第２実施形態を示す。同じ参照符号は、機能的に同じまたは類似の要素を示している。図２の実施形態は、第２チップ構成１８の上にＢＧＡ構成の形態のさらに２つの、即ち、第３及び第４の（さらなるチップ構成のさらなる番号が意図されているが）チップ構成２６・２７が積層されている点で図１の実施形態と異なっている。電気的接続を提供するために、第３接続パッド２８が第２チップ構成１８の基板２０上に設けられており、その上に積層された第３チップ構成２６は、その第５接続要素２９が基板２０上の第３接続パッド２８に関連するように配置され得る。同様に、さらなるチップ構成が積層され得、その各接続要素は、パッケージ基板１１に関して下側に位置する各チップ構成の１つの各接続パッドに接続されている。
【００２９】
図１を参照してすでに説明したように、積層される間、チップ構成はすべてカプセル封止されない。チップ構成がすべて積層された後、共通完全モールドが供給され、全体としてのチップ積層は、カプセル封止されて環境の影響からチップを保護する。基板２０のような基板をチップと各接続要素との間の電気的接続を供給するために使用するチップ構成１８・２６・２７は、複数の構成を有し得る。各チップ構成のチップは、チップ上の各ボンドワイヤパッドを基板上の各接続パッドに接続するボンドワイヤによって接続要素に接続され、これによって、製造上比較的高価なフリップチップの準備を避ける。図１及び２の実施形態に関して示すように、チップ構成は、ＢＧＡ基板上のチップの構成であるＢＧＡ構成の形態で構築される。チップはボンドワイヤに接続され、ＢＧＡ構成はモールドでカプセル封止されず、チップは覆われない。
【００３０】
図３では、本発明の他の実施形態が示され、図１及び２で示されたパッケージ基板１１は省略され得る。図３の実施形態は、構成上同一または類似の２つのチップ構成５１・７１を有する集積デバイス５０を示している。第１チップ構成５１と第２チップ構成７１とは互いに積層されている。第１チップ構成５１は、第１表面にボンディングパッド５５を含んでさかさまに第１チップ５４が設けられた第１基板５２を備えている。第１基板５２は、ボンディングチャネル５６を備えており、フリップチップ５４はボンディングチャネル５６上に配置され、ボンディングパッド５５は、ボンディングパッド５５上のボンディングワイヤ５９に固定されたボンディング装置によってボンディングチャネル５６を通って自由にアクセスすることができる。第１基板５２の第２表面５７上にさらなるボンディングパッド５８がボンディングチャネル５６の近くに設けられており、第１チップ５４上のボンディングパッド５５と、第１基板５２の第２表面５７上のさらなるボンディングパッド５８とはボンディングワイヤ５９で接続されている。さらなるボンディングパッド５８は、第１基板５１内に設けられた再配線ワイヤーによって各第１接続要素と電気的に接続されている。第１チップ５４が配置された位置のそばの領域上の第１基板５２の第１表面５３上には、さらなる接続パッド６０が設けられている。第２チップ構成７１は、第１チップ構成５１と同様の構成を有しており、第１接続要素８１、第２基板７２、第２基板７２の第１表面７３、第２チップ７４、第２チップ７４のボンディングパッド７５、ボンドチャネル７６、第２基板７２の第２表面７７、第２表面７７のさらなるボンディングパッド７８、第２ボンドワイヤ７９、及び第２基板７２の第１表面７３上のさらなる接続パッド８０を有している。
【００３１】
図３では、第１接続要素６１が各積層されたチップ構成５１・７１及び放熱のための熱的接続要素（熱バンプ）に電気信号を供給するので、第２チップ構成７１内の第２接続要素８１よりも多数の第１接続要素６１を供給する点において２つのチップ構成５１・７１は異なっている。チップ構成５１・７１は、互いに積層され、第２チップ構成７１の接続要素８１は、第１チップ構成５１の接続パッド６０上に配置され電気的接続を提供する。
【００３２】
チップ構成５１・７１を積層した後、共通完全モールド９０が供給され、チップ構成５１・７１が単一の工程でカプセル封止され、第１基板５２の第２表面５７は、モールド９０によって覆われず、第１接続要素６１は、電気的接続を供給するために第１及び第２チップ５４・７４に自由にアクセスすることができる。
【００３３】
図４には、本発明に係る集積デバイス１５１の第４実施形態が示される。図３の実施形態の要素と同じ参照符号を有する要素は、同じまたは類似の機能を有する。図４の実施形態は、第１基板５２の寸法が第２基板１７２よりも大きい点において図３の実施形態と異なっている。第２チップ構成１７１は、第１基板５１上に配置され、第２チップ構成１７１は、第１チップ構成５１の第１基板５２によって規定される領域内に完全に横たわっている。供給された共通モールド９０は、第２チップ構成１７１をカプセル封止し、第１チップ構成５１の第１表面５３を覆う。
【００３４】
如何なる実施形態においても、集積デバイスには、１つ以上の熱的要素が設けられ、図４の場合は、第１基板５２の第２表面５７上のさらなる接続要素として設けられ、チップと集積デバイスが接続されるプリント回路ボードとの間の熱抵抗を低減する。
【００３５】
上記は本発明の実施形態に向けられているが、本発明の他のさらなる実施形態は、その基本的範囲を逸脱することなく案出され得る。その範囲は、請求項によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態に係る集積デバイスを示す図である。
【図２】第２実施形態に係る集積デバイスを示す図である。
【図３】第３実施形態に係る集積デバイスを示す図である。
【図４】第４実施形態に係る集積デバイスを示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０  集積デバイス
１４  第１接続要素
１５  第１接続パッド
１６  第２接続要素
１８  第２チップ構成
１９  第３接続要素
２１  第２接続パッド
２３  第４接続要素
２４  第１チップ構成
２５  モールド
【図１】
2007243196.tif 000003
【図２】
2007243196.tif 000004
【図３】
2007243196.tif 000005
【図４】
2007243196.tif 000006