(57)【要約】【課題】変換効率が高く、かつ安価な太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池１０は、透明導電性基板１と、基板１上にスパッタリングによって形成された、Ｃｕ２Ｏよりなるｐ層２及びアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏｎ層３と、このｎ層３上に設けられた金属電極４とからなる。ｎ層３としてアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いることから、ｎ層３とｐ層２との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止され、良好な接合界面が形成される。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏはアモルファス状態でも大きな電子移動度を有する。ｎ層３を低温にてｐ層上に形成することができ、界面の劣化が防止される。従って、大きな変換効率を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ層とｎ層とを積層したｐｎ接合型太陽電池において、
該ｐ層がＣｕ２Ｏよりなり、
該ｎ層がアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
請求項１において、インジウム錫酸化物基板と、
該インジウム錫酸化物基板上に形成された前記ｐ層と、
該ｐ層上に形成された前記ｎ層と、
該ｎ層上に形成された電極とを有することを特徴とする太陽電池。
【請求項３】
請求項１において、Ｃｕ板と、
該Ｃｕ板の表面を酸化して形成された前記ｐ層と、
該ｐ層上に形成された前記ｎ層と、
該ｎ層上に形成されたインジウム錫酸化物よりなる電極膜と、
該電極膜上に形成された電極とを有することを特徴とする太陽電池。
【請求項４】
請求項１において、前記ｐ層又は前記ｎ層は高分子基板上に形成されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、前記ｐ層及びｎ層はスパッタ法、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法又は蒸着法によって形成されたことを特徴とする太陽電池。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、前記ｎ層中のＩｎ，Ｇａ及びＺｎの合計を１００ａｔｍ％とすると、
Ｉｎは８〜６７ａｔｍ％、
Ｇａは１〜５５ａｔｍ％、
Ｚｎは８〜６７ａｔｍ％
であることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、該太陽電池の変換効率が０．６７％以上であることを特徴とする太陽電池。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項において、前記ｐ層の平均粒径が１０ｎｍ〜１０μｍであることを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池に係り、特にｐｎ接合型太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｉ．  従来、太陽電池に用いられている材料としては、シリコン（単結晶Ｓｉ、多結晶Ｓｉ及びアモルファスＳｉ）、ＧａＡｓ、ＣｕＩｎＳｅ及びＣｄＴｅを挙げることができる。このうち、シリコン系太陽電池やＧａＡＳ系太陽電池は変換効率が高いものの、材料が高価である。一方、ＣｕＩｎＳｅ系やＣｄＴｅ系の太陽電池は、材料は比較的安価であるもののセレンやカドミウムといった材料が有毒であることから、大量生産されて広範に普及した場合に環境上問題が生じる。
【０００３】
II．  二酸化チタンを利用した色素増感型太陽電池が、安価でクリーンな太陽電池として注目され、種々の提案がなされている（例えば特開２００３−１２３８５３号）。二酸化チタンはバンドギャップが３．２ｅＶ程度であるために可視光には殆ど応答を示さず、紫外光に対してのみ応答を示す材料である。そこで色素増感型太陽電池では、可視光を吸収する有機色素を二酸化チタン表面に吸着させることによって可視光応答性を向上させ、最高で約１０％という高い変換効率を実現している。但し、色素増感型太陽電池の有する根本的な問題点として、色素の吸着量によって変換効率が大きく変化してしまうこと、電解質溶液を用いる必要があることから、パッケージングが困難であること、等が挙げられる。
【０００４】
III．  ＣｕＡｌＯ２／ＺｎＯという組合せからなる紫外光対応の透明なｐｎ接合型太陽電池が提案されている。また、Ｃｕ２Ｏ／ＺｎＯという組合せからなるｐｎ接合型太陽電池も提案されている。ＣｕＡｌＯ２又はＣｕ２Ｏがｐ層かつ光吸収層として機能し、ＺｎＯがｎ層として機能する。光照射の際、光励起によってｐｎ界面に電子及び正孔を生じさせることによって太陽電池特性が発現する。
【特許文献１】特開２００３−１２３８５３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のｐｎ接合型太陽電池の問題点としては、大きな変換効率が得られない点が挙げられる。その理由としては、結晶性のＣｕＡｌＯ２及びＣｕ２Ｏに対して同じく結晶性のＺｎＯを積層することによりこれらの接合界面が粗くなり、該界面に不連続性やボイド等が発生することによって不良な界面が形成されるためであると考えられる。
【０００６】
他の問題点として、低コスト化が困難である点が挙げられる。その理由は、これらの太陽電池の成膜時又は成膜後に熱処理を行う必要があり、このため、安価な高分子基板へのｎ層及びｐ層の成膜が不可能なためである。なお、高分子基板を用いるためにｎ層であるＺｎＯを低温でスパッタ成膜すると、ＺｎＯ膜の結晶性が悪化して電子移動度が低下し、変換効率が極めて悪化する。
【０００７】
本発明は変換効率の高い太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明（請求項１）の太陽電池は、ｐ層とｎ層とを積層したｐｎ接合型太陽電池において、該ｐ層がＣｕ２Ｏよりなり、該ｎ層がアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなることを特徴とする。
【０００９】
請求項２の太陽電池は、請求項１において、インジウム錫酸化物基板と、該インジウム錫酸化物基板上に形成された前記ｐ層と、該ｐ層上に形成された前記ｎ層と、該ｎ層上に形成された電極とを有することを特徴とする。
【００１０】
請求項３の太陽電池は、請求項１において、Ｃｕ板と、該Ｃｕ板の表面を酸化して形成された前記ｐ層と、該ｐ層上に形成された前記ｎ層と、該ｎ層上に形成されたインジウム錫酸化物よりなる電極膜と、該電極膜上に形成された電極とを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項４の太陽電池は、請求項１において、前記ｐ層又は前記ｎ層は高分子基板上に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項５の太陽電池は、請求項１ないし４のいずれか１項において、前記ｐ層及びｎ層はスパッタ法、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法又は蒸着法によって形成されたことを特徴とする。
【００１３】
請求項６の太陽電池は、請求項１ないし５のいずれか１項において、前記ｎ層中のＩｎ，Ｇａ及びＺｎの合計を１００ａｔｍ％とすると、Ｉｎは８〜６７ａｔｍ％、Ｇａは１〜５５ａｔｍ％、Ｚｎは８〜６７ａｔｍ％であることを特徴とする。
【００１４】
請求項７の太陽電池は、請求項１ないし６のいずれか１項において、該太陽電池の変換効率が０．６７％以上であることを特徴とする。
【００１５】
請求項８の太陽電池は、請求項１ないし７のいずれか１項において、前記ｐ層の平均粒径が１０ｎｍ〜１０μｍであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明（請求項１）の太陽電池にあっては、ｎ層としてアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いることから、ｎ層とｐ層との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止されて良好な接合界面が形成され、これにより大きな変換効率を得ることができる。
【００１７】
また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏはアモルファス状態でも大きな電子移動度を有することから電力を取り出し易く、この点からも大きな変換効率を得ることができる。
【００１８】
さらに、アモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを形成すればよいことから、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを低温にてｐ層上に形成することができる。このため、ｎ層を形成するときの加熱によってｐ層のＣｕ２Ｏに粒成長等の著しい変性が生じることがなく、ｐ層とｎ層との接合界面が劣化することが防止され、これにより大きな変換効率を得ることができる。
【００１９】
かかる本発明の太陽電池は、インジウム錫酸化物基板よりなる第１の電極と、該インジウム錫酸化物基板上に形成されたＣｕ２Ｏよりなる前記ｐ層と、該ｐ層上に形成されたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなる前記ｎ層と、該ｎ層上に形成された第２の電極とを有していてもよい（請求項２）。
【００２０】
また、かかる本発明の太陽電池は、Ｃｕ板よりなる第１の電極と、該Ｃｕ板の表面を酸化して形成されたＣｕ２Ｏよりなる前記ｐ層と、該ｐ層上に形成されたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなる前記ｎ層と、該ｎ層上に形成されたインジウム錫酸化物よりなる電極膜と、該電極膜上に形成された第２の電極とを有していてもよい（請求項３）。このように、Ｃｕ板を酸化することにより、第１の電極とＣｕ２Ｏよりなるｐ層とを容易に形成することができる。また、ｎ層と第２の電極との間にインジウム錫酸化物よりなる電極膜を形成することにより、直列抵抗成分を大幅に減少させることが出来、その結果、変換効率の向上を得ることが出来る。
【００２１】
また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏはアモルファス状態であり、低温にてｐ層上に形成することができることから、ｐ層又はｎ層を安価な高分子基板上に形成してもよい（請求項４）。この場合、太陽電池の低コスト化が図られる。
【００２２】
この太陽電池のｐ層及びｎ層は、スパッタ法、反応性スパッタ法、ＣＶＤ法又は蒸着法によって容易に形成することができる（請求項５）。
【００２３】
ｎ層の組成としては、ｎ層中のＩｎ，Ｇａ及びＺｎの合計を１００ａｔｍ％とすると、Ｉｎは８〜６７ａｔｍ％、Ｇａは１〜５０ａｔｍ％、Ｚｎは８〜６７ａｔｍ％であると、電子移動度が高く、またアモルファス状態を容易に得ることが出来る。また、可視光の透過性も十分あり、光吸収層であるＣｕ２Ｏ層への光の入射をさまたげないものとなる（請求項６）。
【００２４】
この太陽電池は、変換効率が０．６７％以上であることが好ましい（請求項７）。
【００２５】
このｐ層の平均粒径が１０ｎｍ〜１０μｍである場合、さらにホール移動度が高く、かつｐ層とｎ層との界面接合性も良好なものとなる（請求項８）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００２７】
図１は実施の形態に係る太陽電池の模式的な断面図である。太陽電池１０は、透明導電性基板１と、この透明導電性基板１上にスパッタリングによって形成されたｐ層２及びｎ層３と、このｎ層３上に設けられた金属電極４とからなる。
【００２８】
透明導電性基板１及び電極４の表面には導線６が接合されている。
【００２９】
透明導電性基板１としては、導電性金属酸化物薄膜や金属等の導電性材料からなる基板が用いられる。導電性金属酸化物の好ましい例としては、Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２：Ｓｂ、ＳｎＯ２：Ｆ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｆ、ＣｄＳｎＯ４を挙げることができる。
【００３０】
透明導電性基板１の厚さは０．１〜１０ｍｍが一般的であり、０．３〜５ｍｍが好ましい。
【００３１】
なお、この透明導電性基板１の代わりに、透明基板上に上記透明導電性基板１を形成したものを用いてもよい。この場合、透明基板としては、例えばケイ酸アルカリ系ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラスを使用することができる。また、アクリルやＰＥＴなどの高分子フィルム基材も用いることができる。これら高分子基板を用いる場合、低コスト化が図られる。基板の厚さは０．１〜１０ｍｍが一般的であり、０．３〜５ｍｍが好ましい。ガラス板は、化学的に、或いは熱的に強化させたものが好ましい。
【００３２】
ｐ層２はＣｕ２Ｏである。このＣｕ２Ｏは、ｐ層としての機能と共に光吸収層としての機能も有する。
【００３３】
成膜されたＣｕ２Ｏの平均粒径は１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましい。１０ｎｍより小さいとＣｕ２Ｏが十分に粒成長することができずに結晶性が悪くなり、このためｐ層におけるホール移動度が小さくなる。一方、１０μｍより大きいとｐ層の表面が粗くなりすぎてｐ層とｎ層との接合性が悪くなり、変換効率が低下する。また、リーク電流成分も大幅に増大する。
【００３４】
ｐ層の厚さは例えば１００ｎｍ〜３μｍ好ましくは３００ｎｍ〜１μｍである。ｐ層の電子移動度は０．０１〜１００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ特に１〜１００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであることが好ましい。
【００３５】
ｎ層３はアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏである。このアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏは粒界を形成することがなく均一であることから、結晶性のＣｕ２Ｏ表面を一様におおう様に形成され、その結果、ｎ層とｐ層との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止され、良好な接合界面が形成される。これにより大きな変換効率を得ることができる。
【００３６】
また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏはアモルファス状態でも大きな電子移動度を有することから電力を取り出し易く、この点からも大きな変換効率を得ることができる。
【００３７】
さらに、アモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを形成すればよいことから、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを低温にてｐ層上に形成することができる。このため、ｎ層を形成するときの加熱によってｐ層のＣｕ２Ｏに粒成長等の著しい変性が生じることがなく、ｐ層とｎ層との接合界面が劣化することが防止され、これにより大きな変換効率を得ることができる。
【００３８】
ｎ層中のＩｎ，Ｇａ及びＺｎの合計を１００ａｔｍ％とすると、Ｉｎは８〜６７ａｔｍ％、Ｇａは１〜５５ａｔｍ％、Ｚｎは８〜６７ａｔｍ％であることが好ましい。かかる組成のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏは、電子の十分な移動度と、可視光の透過性、Ｃｕ２Ｏ層との接合性の全てを満たすことが出来る。
【００３９】
ｎ層の厚さは例えば１００ｎｍ〜５μｍ好ましくは３００ｎｍ〜１μｍである。
【００４０】
ｎ層は、成膜面の温度が室温〜２００℃の範囲となる条件で成膜することが好ましい。この場合、ｎ層とｐ層との接合性が良好になると共に、ｐ層内のＣｕ２Ｏに粒成長等の変性が生じることを抑制することができる。また、基板として高分子基板を用いることができる。
【００４１】
金属電極４としては、白金、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等が使用できる。
【００４２】
本実施の形態では、ＤＣ電源を用い、酸素とアルゴンの混合ガス雰囲気中に透明導電性基板１を設置し、Ｃｕターゲットに電圧を印加してスパッタする。スパッタされたＣｕは透明導電性基板１の表面等で酸化され、透明導電性基板１上にＣｕ２Ｏ層が形成される。次いでＩｎ−Ｇａ−Ｚｎよりなるターゲットに電圧を印加してスパッタする。スパッタされたＩｎ，Ｇａ及びＺｎはＣｕ２Ｏ層の表面等で酸化され、Ｃｕ２Ｏ層上にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層が形成される。
【００４３】
なお、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎよりなる１種類のターゲットを用いる代わりに、Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎの少なくとも１種類よりなる異なる組成を有する複数種類のターゲットを用いてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層を形成してもよい。
【００４４】
次いで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなるｎ層上に電極を形成することにより、太陽電池１０が得られる。
【００４５】
このようにして得られた太陽電池１０は、変換効率が０．６７％以上の機能性の高いものであることが好ましい。
【００４６】
本実施の形態では反応性スパッタ法によってｐ層及びｎ層の成膜を行ったが、Ｃｕ２Ｏターゲット及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏターゲットを用い、スパッタ法によってｐ層及びｎ層の成膜を行ってもよい。また、ＣＶＤ法、蒸着法等によってｐ層及びｎ層の成膜を行ってもよい。
【００４７】
図２は異なる実施の形態に係る太陽電池の模式的な断面図である。太陽電池２０は、Ｃｕ板２１と、このＣｕ板２１の表面を酸化させることによって形成されたＣｕ２Ｏよりなるｐ層２２と、このｐ層２２上にスパッタリングによって形成されたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなるｎ層２３及びＩＴＯ（インジウム錫酸化物）層２５と、このＩＴＯ層２５上に設けられた金属電極２４とからなる。Ｃｕ２Ｏよりなるｐ層２２は、Ｃｕ板２１を大気中にて熱処理することにより形成する。この太陽電池２０も変換効率の高いものとなる。
【実施例】
【００４８】
以下、実施例１〜４及び比較例１，２について説明するが、本発明は実施例１〜４に限定されるものではない。
【００４９】
＜実施例１＞
ＩＴＯガラス基板上に、反応性スパッタ法を用いてＣｕ２Ｏよりなるｐ層とＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなるｎ層をこの順に成膜した。成膜条件は以下の通りとした。
［ｐ層］
ターゲット：Ｃｕ、到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ、成膜時圧力：０．７Ｐａ
成膜時ガス流量：Ａｒ／Ｏ２＝９５／５ｓｃｃｍ、印加電力：ＤＣ５０Ｗ、
成膜時間：３０分、膜厚：３５０ｎｍ
［ｎ層］
ターゲット：ＩｎＧａＺｎ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（ａｔｍ％））、
到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ、成膜時圧力：０．７Ｐａ、
成膜時ガス流量：Ａｒ／Ｏ２＝８０／２０ｓｃｃｍ、
印加電力：ＤＣ５０Ｗ、成膜時間：３０分、膜厚：３００ｎｍ
【００５０】
このｎ層上にＡｌ（厚さ１００ｎｍ）を形成して電極とした。
得られた太陽電池について、ＩＴＯガラス基板及びＡｌ電極に導線を接合し、ソーラーシミュレーターを用いて変換効率の測定を行った。なお、測定はＡＭ１．５の条件下、３０℃、大気中という環境下で行った。なお、素子のサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍである。
その結果、変換効率ηは１．９％であった。
【００５１】
＜実施例２＞
厚み０．３ｍｍのＣｕ板を大気中、４５０℃にて６時間熱処理して、Ｃｕ板表面にＣｕ２Ｏよりなるｐ層（厚み３５０ｎｍ）を形成した。次いで、このＣｕ２Ｏよりなるｐ層上に、反応性スパッタ法を用いてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなるｎ層及びＩＴＯ層をこの順に形成し、このＩＴＯ層上にＡｌよりなる電極を形成した。ｎ層及びＡｌ電極は実施例１と同様にして形成した。ＩＴＯ層は以下の条件による反応性スパッタによって形成した。
［ＩＴＯ層］
ターゲット：インジウム錫酸化物（Ｉｎ：Ｓｎ＝９７：３ａｔｍ％）、
到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ、成膜時圧力：０．７Ｐａ、
成膜時ガス流量：Ａｒ／Ｏ２＝９５／５ｓｃｃｍ、印加電力：ＤＣ５０Ｗ、
成膜時間：３０分、膜厚：１００ｎｍ
【００５２】
得られた太陽電池について、Ｃｕ板及びＡｌ電極に導線を接合し、実施例１と同様、ソーラーシミュレーターを用いて変換効率の測定を行った。
その結果、変換効率ηは２．１％であった。
【００５３】
＜比較例１＞
ｎ層をＺｎＯとしたこと以外は実施例１と同様にして太陽電池を得た。なお、ＺｎＯは以下の条件による反応性スパッタによって形成した。
［ｎ層（ＺｎＯ）］
ターゲット：Ｚｎ、到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ、成膜時圧力：０．７Ｐａ、
成膜時ガス流量：Ａｒ／Ｏ２＝８０／２０ｓｃｃｍ、印加電力：ＤＣ５０Ｗ、
成膜時間：３０分、膜厚：２８０ｎｍ
【００５４】
得られた太陽電池について、実施例１と同様にソーラーシミュレーターを用いて変換効率の測定を行った。
その結果、変換効率ηは０．２％であった。
【００５５】
＜実施例３＞
ＩＴＯガラス基板上に、反応性スパッタ法を用いてＣｕ２Ｏよりなるｐ層とＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなるｎ層をこの順に成膜した。成膜条件は以下の通りとした。
［ｐ層］
ターゲット：Ｃｕ、到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ、成膜時圧力：０．７Ｐａ
成膜時ガス流量：Ａｒ／Ｏ２＝９５／５ｓｃｃｍ、印加電力：ＤＣ５０Ｗ、
成膜時間：３０分、膜厚：３５０ｎｍ
［ｎ層］
ターゲット：ＩｎＧａＺｎＯ（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：４−ｘ（ａｔｍ％））、
到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ、成膜時圧力：０．７Ｐａ、
成膜時ガス流量：Ａｒ／Ｏ２＝８０／２０ｓｃｃｍ、
印加電力：ＤＣ５０Ｗ、成膜時間：３０分、膜厚：３００ｎｍ
【００５６】
このｎ層上にＡｌ（厚さ１００ｎｍ）を形成して電極とした。
得られた太陽電池について、ＩＴＯガラス基板及びＡｌ電極に導線を接合し、ソーラーシミュレーターを用いて変換効率の測定を行った。なお、測定はＡＭ１．５の条件下、３０℃、大気中という環境下で行った。なお、素子のサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍである。
その結果、変換効率ηは１．９％であった。
【００５７】
＜実施例４＞
厚み０．３ｍｍのＣｕ板を大気中、４５０℃にて６時間熱処理して、Ｃｕ板表面にＣｕ２Ｏよりなるｐ層（厚み３５０ｎｍ）を形成した。次いで、このＣｕ２Ｏよりなるｐ層上に、反応性スパッタ法を用いてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏよりなるｎ層及びＩＴＯ層をこの順に形成し、このＩＴＯ層上にＡｌよりなる電極を形成した。ｎ層及びＡｌ電極は実施例３と同様にして形成した。ＩＴＯ層は以下の条件による反応性スパッタによって形成した。
［ＩＴＯ層］
ターゲット：インジウム錫酸化物（Ｉｎ：Ｓｎ＝９７：３ａｔｍ％）、
到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ、成膜時圧力：０．７Ｐａ、
成膜時ガス流量：Ａｒ／Ｏ２＝９５／５ｓｃｃｍ、印加電力：ＤＣ５０Ｗ、
成膜時間：３０分、膜厚：１００ｎｍ
【００５８】
得られた太陽電池について、Ｃｕ板及びＡｌ電極に導線を接合し、実施例３と同様、ソーラーシミュレーターを用いて変換効率の測定を行った。
その結果、変換効率ηは２．１％であった。
【００５９】
＜比較例２＞
ｎ層をＺｎＯとしたこと以外は実施例３と同様にして太陽電池を得た。なお、ＺｎＯは以下の条件による反応性スパッタによって形成した。
［ｎ層（ＺｎＯ）］
ターゲット：Ｚｎ酸化物（Ｚｎ：Ｏ＝１：１−ｘ（ａｔｍ％））、
到達真空度：５．０×１０−４Ｐａ、成膜時圧力：０．７Ｐａ、
成膜時ガス流量：Ａｒ／Ｏ２＝８０／２０ｓｃｃｍ、印加電力：ＤＣ５０Ｗ、
成膜時間：３０分、膜厚：２８０ｎｍ
【００６０】
得られた太陽電池について、実施例１と同様にソーラーシミュレーターを用いて変換効率の測定を行った。
その結果、変換効率ηは０．２％であった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施の形態に係る太陽電池の模式的な断面図である。
【図２】異なる実施の形態に係る太陽電池の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  透明導電性基板
２，２２  ｐ層
３，２３  ｎ層
４，２４  電極
６  導線
１０，２０  太陽電池
２１  Ｃｕ板
２５  ＩＴＯ層
【図１】
2007013098.tif 000003
【図２】
2007013098.tif 000004