(57)【要約】【課題】  画像欠陥レベルの向上と、電位特性の均一性向上とを同時に実現可能であり、また、これらの安定性向上が可能な堆積膜形成装置等を提供する。【解決手段】  堆積膜形成装置は、第１の円筒状側壁１０１とそれを取り囲む第２の円筒状側壁１０２との間に構成された反応容器２０１と、その内部に配置され基体２０５を保持する基体保持部材と、原料ガス供給手段２１０と、反応容器内に高周波電力を供給する電力供給系とを有している。第１の円筒状側壁１０１の少なくとも一部は誘電体により構成されており、また、第１の円筒状側壁の中心軸上には第１の高周波電極２０２が第１の円筒状側壁と離間した状態で配置されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の円筒状側壁と、前記第１の円筒状側壁を取り囲む第２の円筒状側壁との間に構成された減圧可能な反応容器と、
前記反応容器内に配置され、基体を保持する基体保持部材と、
前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と、
前記反応容器内に高周波電力を供給するための電力供給系と、を備える堆積膜形成装置において、
前記第１の円筒状側壁の少なくとも一部が誘電体により構成されると共に、前記電力供給系として、前記第１の円筒状側壁の中心軸上に第１の高周波電極が前記第１の円筒状側壁と離間して配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の堆積膜形成装置において、前記高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の堆積膜形成装置において、前記第１の円筒状側壁と前記第２の円筒状側壁が同一の中心軸を有するように配置されており、前記基体保持部材は、前記中心軸上に中心を持つ円周上に複数配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置において、前記第２の円筒状側壁の外部に配置された第２の高周波電極を更に有し、かつ、前記第２の円筒状側壁の少なくとも一部は誘電体により構成され、第２の高周波電極から前記反応容器内に高周波電力が導入できるように構成されていることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載の堆積膜形成装置において、前記第１の円筒状側壁の少なくとも一部を構成する前記誘電体の材料と、前記第２の円筒状側壁の少なくとも一部を構成する前記誘電体の材料とが異なることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置において、前記第１の高周波電極が円筒状又は円柱状であることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置において、前記第１の高周波電極の外径が、前記第１の円筒状側壁の外径の１/３以下であることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置において、前記基体が円筒状であり、前記第１の円筒状側壁の外径が前記基体の外径の１/２以上であることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項９】
第１の円筒状側壁と、第１の円筒状側壁を取り囲む第２の円筒状側壁との間に構成された減圧可能な反応容器内に基体を配置し、前記反応容器内に原料ガスを供給し、高周波電力導入手段から前記反応容器内に高周波電力を導入して前記原料ガスを分解して前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
前記高周波電力は、前記第１の円筒状側壁により囲まれ、かつ、前記第１の円筒状側壁と離間して配置された第１の高周波電極から、前記第１の円筒状側壁の少なくとも一部を構成する誘電体部材を透過して前記反応容器内に導入される特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の堆積膜形成方法において、前記高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の円筒状側壁と前記第２の円筒状側壁が同一の中心軸を有するように配置され、前記中心軸上に中心を持つ円周上に配置された複数の前記基体に対して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法において、高周波電力を、前記反応容器の外部に配置された第２の高周波電極から、前記第２の円筒状側壁の少なくとも一部を構成する誘電体部材を透過させて前記反応容器内に導入することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の円筒状側壁の少なくとも一部を構成する前記誘電体部材と、前記第２の円筒状側壁の少なくとも一部を構成する前記誘電体部材とが異なることを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項１４】
請求項９から１３のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法において、円筒状又は円柱状の前記第１の高周波電極から前記反応容器内に高周波電力を導入することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項１５】
請求項９から１４のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法において、前記第１の円筒状側壁の外径に対して１/３以下の外径の前記第1の高周波電極から前記反応容器内に高周波電力を導入することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項１６】
請求項９から１５のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法において、前記基体が円筒状であり、前記第１の円筒状側壁の外径が前記基体の外径の１/２以上であることを特徴とする堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、又は光起電力デバイス等における堆積膜形成に用いられる、高周波電力を用いた堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子に用いられる堆積膜を形成する方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、多数知られており、そのための装置も実用に付されている。
【０００３】
中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電により原料ガスを分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法が、現在実用化されており、そのための装置も各種提案されている(例えば特許文献１参照)。なお、プラズマＣＶＤ法は、電子写真用水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）堆積膜の形成等に好適である。
【０００４】
図５は、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いた電子写真用ａ−Ｓｉ：Ｈ堆積膜形成装置の一例を示した概略図であり、図５（ａ）は概略断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
【０００５】
反応容器２０１の下部には排気口２０９が形成され、排気口２０９の他端は不図示の排気装置に接続されている。反応容器２０１の中心部を取り囲むように、堆積膜が形成される６本の円筒状基体２０５が配置されており、各基体２０５は互いに平行となっている。また、各円筒状基体２０５は、回転軸２０８によって保持され、発熱体２０７によって加熱されるように設けられている。不図示のモータを駆動することにより、不図示のギアを介して回転軸２０８が回転し、円筒状基体２０５が軸を中心として自転するようになっている。
【０００６】
原料ガスは、原料ガス供給手段２１０より反応容器２０１内に供給される。高周波電力は、高周波電源２１１よりマッチングボックス２１２を介して第１の高周波電極２０２より反応容器２０１内に導入されるようになっている。
【０００７】
このような装置を用いた堆積膜形成は概略以下のような手順により行なわれる。
【０００８】
まず、反応容器２０１内に円筒状基体２０５を設置し、不図示の排気装置により排気口２０９を通して反応容器２０１内を排気する。続いて、発熱体２０７により円筒状基体２０５を所定の温度に加熱・制御する。
【０００９】
円筒状基体２０５が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段２１０を介して原料ガスを反応容器２０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器２０１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源２１１の出力を所定値に設定し、続いて、マッチングボックス２１２内のマッチング回路のインピーダンスを調整する。これによって、高周波電力が第１の高周波電極２０２を介して効率良く反応容器２０１内に供給され、反応容器２０１内にグロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体２０５上に堆積膜が形成される。
【００１０】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、基体２０５に所望の多層構造の光受容層が形成される。堆積膜形成中、回転軸２０８を介して円筒状基体２０５を不図示のモータにより所定の速度で回転させることにより、円筒状基体２０５の表面全周に渡って均一な堆積膜が形成されるようになっている。
【００１１】
図６は、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いた電子写真用水素化アモルファスシリコン堆積膜形成装置の他の一例を示した概略図である。図６（ａ）は概略断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
【００１２】
図６の装置においては、第２の高周波電極２１３が反応容器２０１の外部に複数配置され、高周波電力が、誘電体壁２０３を透過して第２の高周波電極２１３からも反応容器２０１内に導入されるようになっている。
【００１３】
なお、第２の高周波電極２１３への高周波電力の供給は、第２の高周波電源２１４より第２のマッチングボックス２１５を介してなされる。また、第２の高周波電極２１３を取り囲むように高周波シールド２０４が設けられ、外部への電力の漏洩を防止する構成となっている。
【００１４】
このような装置を用いた堆積膜形成は、第２の高周波電源２１４及び第２のマッチングボックス２１５の制御を、各々高周波電源２１１及びマッチングボックス２１２の制御と同時並行的に行いながら実施される。その他の動作は、図５の装置を用いた場合と同様にして行うことができる。
【００１５】
図６のような装置を用いた場合、高周波電力が反応容器２０１の内部と外部との両方から供給されるので、反応容器２０１内の電力密度の調整をより適正に行うことが可能となり、その結果、形成される電子写真用感光体の特性向上が可能となる。
【００１６】
ところで、高周波電力としてＶＨＦ帯の周波数の高周波電力を用いる場合、電力むらが比較的生じやすい。したがって、これを改善するために図７に示すような、２つの異なる周波数の高周波電力を用いた電子写真用水素化アモルファスシリコン堆積膜形成装置も開発され、更にはこのような装置を用いた場合の堆積膜形成法もさまざまに改善されている（例えば特許文献２参照）。
【００１７】
以下、これについて図７を参照して説明する。図７において、図７（ａ）は概略断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
【００１８】
図７の装置においては、高周波電源２１１より出力される高周波電力とは異なる周波数の高周波電力を出力可能な重畳高周波電源２１７が設けられている。また、同様にして、第２の高周波電源２１４より出力される高周波電力とは異なる周波数の高周波電力を出力可能な第２の重畳高周波電源２１６が設けられている。
【００１９】
高周波電源２１１及び重畳高周波電源２１７より出力された各々の高周波電力は、マッチングボックス２１２内で合成された後、第１の高周波電極２０２へと供給される。同様に、第２の高周波電源２１４及び第２の重畳高周波電源２１６より出力された各々の高周波電力は、マッチングボックス２１５内で合成された後、第２の高周波電極２１３へ供給される。
【００２０】
マッチングボックス２１２内には、高周波電源２１１より入力された高周波電力のマッチング調整を行うためのマッチング回路と、重畳高周波電源２１７より入力された高周波電力のマッチング調整を行うためのマッチング回路とが設けられており、各々独立に調整可能となっている。同様に、マッチングボックス２１５内にも、第２の高周波電源２１４より入力された高周波電力のマッチング調整を行うためのマッチング回路と、第２の重畳高周波電源２１６より入力された高周波電力のマッチング調整を行うためのマッチング回路とが設けられており、各々独立に調整可能となっている。
【００２１】
このような装置を用いて堆積膜を形成するには、高周波電源２１１から高周波電力を出力するのと同時並行的に重畳高周波電源２１７からも高周波電力を出力し、かつ、第２の高周波電源２１４から高周波電力を出力するのと同時並行的に第２の重畳高周波電源２１６からも高周波電力を出力する。また、マッチング調整は、高周波電源２１１、重畳高周波電源２１７、第２の高周波電源２１４、及び第２の重畳高周波電源２１６のそれぞれから出力される高周波電力に対して、各々独立して行われる。このような高周波電力の出力及びマッチング調整以外に関しては、図６に示した装置を用いた場合と同様にして堆積膜の形成を行うことができる。
【特許文献１】特開平１１−０９２９３２号公報
【特許文献２】特開２００３−２６８５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
上述したような従来の装置及び処理方法であっても、現在実用上問題のないレベルの電子写真用感光体は製造可能である。しかしながら、更なる高画質化に対して改善の余地を残しているのが現状である。特に、画像欠陥の抑制、電位特性の均一性向上に関しては、近年の更なる高画質化の要求に応えるためには早急に達成することが求められている。
【００２３】
例えば図７に示した装置を用いて電子写真感光体を形成する場合、電位特性の均一性を更に向上させる手段として、高周波電力を高めることが有効である。しかしながら、高周波電力を高めると反応容器２０１内に設置された第１の高周波電極２０２上に堆積した堆積膜の膜剥れが顕著となり、構造欠陥に起因した画像欠陥レベルの低下を伴ってしまう場合がある。逆に、画像欠陥レベルを向上させるために高周波電力を低下させると電位特性の均一性が悪化してしまう場合がある。このため、画像欠陥レベル、電位特性の均一性を同時に向上可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法の実現が課題として残されていた。
【００２４】
現状の電子写真用感光体形成においては、画像欠陥レベル及び電位特性の均一性レベルのバランスを考慮して堆積膜形成時の高周波電力値が設定される。しかし、画像欠陥レベル及び電位特性の均一性レベルに対する高周波電力の影響度が高いため、高周波電力のずれ又はばらつきによる画像欠陥レベルの悪化や電位特性の均一性レベルの悪化が生じやすかった。このため、良品率向上の観点から、画像欠陥レベル、電気的特性の均一性レベルの安定性を向上することが課題として残されていた。
【００２５】
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。すなわち、画像欠陥レベルの向上と、電位特性の均一性向上とを同時に実現可能であり、また、これらの安定性向上が可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、電位特性の均一性を向上するには高周波電極表面の電力密度が高い方が好ましく、一方、画像欠陥レベルを向上するにはプラズマが接する高周波電力導入部での電力密度が低い方が好ましいとの知見を得た。この知見を基に更に検討を進めた結果、反応容器の構成及び反応容器と高周波電極の配置関係の工夫により画像欠陥レベルの向上と、電位特性の均一化とを同時に向上させることが可能であり、また、これらの安定性向上が可能であることを見いだし、本発明を完成させるに至った。
【００２７】
すなわち、本発明は、第１の円筒状側壁と、前記第１の円筒状側壁を取り囲む第２の円筒状側壁との間に構成された減圧可能な反応容器と、前記反応容器内に配置され、基体を保持する基体保持部材と、前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と、前記反応容器内に高周波電力を供給するための電力供給系と、を備える堆積膜形成装置において、前記第１の円筒状側壁の少なくとも一部が誘電体により構成されると共に、前記電力供給系として、前記第１の円筒状側壁の中心軸上に第１の高周波電極が前記第１の円筒状側壁と離間して配置されていることを特徴とする。
【００２８】
また、本発明は、第１の円筒状側壁と、第１の円筒状側壁を取り囲む第２の円筒状側壁との間に構成された減圧可能な反応容器内に基体を配置し、前記反応容器内に原料ガスを供給し、高周波電力導入手段から前記反応容器内に高周波電力を導入して前記原料ガスを分解して前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記高周波電力は、前記第１の円筒状側壁により囲まれ、かつ、前記第１の円筒状側壁と離間して配置された第１の高周波電極から、前記第１の円筒状側壁の少なくとも一部を構成する誘電体部材を透過して前記反応容器に導入される特徴とする。
【００２９】
このような本発明によれば、画像欠陥レベル、電位特性の均一性を同時に向上させることが可能であり、また、これらの安定性向上が可能となる。
【００３０】
高周波電力を反応容器内に導入する場合、高周波電極上には用いる高周波電力の波長に応じた電力むらが生じ、本発明者らは検討の結果、電力むらによる堆積膜への影響は高周波電極上における高周波電力密度が小さいほど顕在化しやすいことを見いだした。すなわち、高周波電極上における高周波電力密度が小さいほど形成される堆積膜の均一性が悪化しやすいことを見いだした。この観点から高周波電極としてはその表面積ができるだけ小さいことが好ましく、円筒状又は円柱状の高周波電極を用いる場合にはその直径ができるだけ小さいことが好ましい。
【００３１】
一方、本発明者らは更なる検討により、反応容器壁面に付着する堆積膜は高周波電力導入部で膜剥れが生じやすく、更には高周波電力導入部表面での電力密度が高いほど膜剥れが顕著となりやすいことを見いだした。すなわち、高周波電力導入部表面での電力密度が高いほど形成される堆積膜における欠陥が増加しやすく、電子写真用感光体形成の場合は画像欠陥が増加しやすいことを見いだした。そして、従来の原料ガス利用効率向上を目的として高周波電極表面積を小さくし高周波電極表面への膜付着を可能な限り減少させるという考え方ないし設計が膜剥れ抑制や画像欠陥抑制の障壁となっていたことをつきとめた。
【００３２】
ここまでの知見を基に、電力むらの抑制、膜剥れの抑制を同時に実現する方法を考えると、例えば図５に示した構成の装置の場合、第１の高周波電極２０２を導電性部材で構成された部分とその外部を覆う誘電体部材とで構成し、導電性部材の直径を小さく、誘電体部材を厚くして直径を大きくすることが考えられる。これは、導電性部材表面での電力密度を高くし、また、反応容器２０１への電力導入部となる誘電体部材表面での電力密度を低くすることで電力むらの抑制と処理中の堆積膜の膜剥れ抑制の両立を目指すものである。
【００３３】
しかしながら、このような構成とした場合、実際には高周波電力が誘電体部材を透過する際の電力損失が大きくなり、この電力損失に付随して誘電体部材が昇温してしまう。この結果、誘電体部材が損傷したり、誘電体部材表面に付着した堆積膜が却って膜剥れを生じやすくなってしまう場合があることが解った。
【００３４】
また、他の構成として、第１の高周波電極２０２を導電性部材で構成された部分とその外部を覆う筒状の誘電体部材とで構成し、導電性部材の直径を小さく、筒状の誘電体部材の直径を大きく設定し、更に筒状の誘電体部材の厚さを薄くすることが考えられる。しかしながら、この場合、実際には導電性部材と筒状の誘電体部材の間で放電が生じやすく、この放電での電力の損失により、堆積膜特性に弊害をもたらしてしまう場合があることが解った。また、導電性部材と筒状の誘電体部材との間で生じた放電が不安定で反応容器内全体の放電も不安定化してしまう場合があることが解った。
【００３５】
以上のような更なる知見をもとに本発明者らは更に検討を進めた結果、反応容器の一部を、少なくとも一部が誘電体で構成された第１の円筒状側壁と、第１の円筒状側壁を取り囲む第２の円筒状側壁とで構成し、第１の高周波電極を第１の円筒状側壁の中心軸上に、第１の円筒状側壁と離間して配置することで上述したような弊害が抑制されることを見出した。これにより、膜剥れの抑制と電力むらの抑制とが両立し、またこれらの安定性向上が可能となり、本発明の目的である画像欠陥レベルの向上、及び電位特性の均一性の向上の同時実現、及び、これらの安定性向上が可能となることをつきとめた。なお、反応容器の具体的な構成例としては、上記第１の円筒状側壁及び第２の円筒状側壁と、それらの上下端にそれぞれ配置される上壁及び下壁とで構成されるものであってもよい。
【発明の効果】
【００３６】
上述したように、本発明によれば、反応容器の一部を、第１の円筒状側壁とそれを取り囲む第２の円筒状側壁とで構成するようにし、第１の高周波電極を第１の円筒状側壁の中心軸上に、第１の円筒状側壁とは離間した状態で配置することで、堆積膜形成中の膜剥れ及び電力むらが抑制され、その結果、構造欠陥レベルの向上、及び電位特性の均一性の向上を同時に実現することができ、また、これらの安定性も向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明について、以下、図を用いて詳述する。
【００３８】
図１は、本発明に用いることができる堆積膜形成装置の概略構成図の一例である。
【００３９】
図１において、１０１は第１の円筒状側壁、１０２は第２の円筒状側壁であり、第１の円筒状側壁１０１、第２の円筒状側壁１０２、及び上壁、下壁で囲まれた反応容器２０１内は減圧可能となっている。第１の円筒状側壁１０１の少なくとも一部は誘電体により構成され、第1の円筒状側壁１０１の中心軸上には、第1の円筒状側壁１０１と離間して第１の高周波電極２０２が配置されている。高周波電力は、第１の高周波電極２０２から、第1の円筒状側壁１０１の誘電体部を通じて反応容器２０１内に導入される。
【００４０】
なお、第１の円筒状側壁１０１により囲まれた空間、すなわち第１の高周波電極２０２が設置される空間は大気状態となっている。このように、第１の高周波電極２０２と第１の円筒状側壁１０１との間が大気状態とされているので、これらの間での放電の生起が抑制され、第１の高周波電極２０２と第１の円筒状側壁１０１の間での放電生起に起因する堆積膜特性への弊害が抑制される。また、第１の円筒状側壁１０１の上部及び下部には不図示の電磁シールドが設けられ、第１の高周波電極２０２から放射される高周波電力が反応容器外部へ漏洩しないようになっている。
【００４１】
上記以外の構成に関しては図５に示した従来の装置構成と同様であり、また、図１に示した装置を用いた堆積膜形成も図５に示した従来の装置を用いた場合と同様にして行うことができる。
【００４２】
本発明では、まず、第１の高周波電極２０２の表面積と、第１の円筒状側壁１０１の外径とを適宜設定することで、第１の高周波電極２０２表面での電力密度を高くし、また、反応容器２０１への電力導入部となる第１の円筒状側壁１０１の外周面での電力密度を低くすることが可能となる。また、第１の円筒状側壁１０１の少なくとも一部を構成する誘電体の厚さを適切に設定することで、誘電体部での電力損失を抑制することが可能となり、そこでの昇温を抑制し、処理中の膜剥れ抑制が可能となる。
【００４３】
第１の高周波電極２０２を構成する材料としては導電性材料であれば特に制限はなく、アルミニウム、ニッケル、チタン、銀、金、ＳＵＳ等を用いることができる。また、第１の高周波電極２０２は、全体がこのような導電性材料で構成されている必要はなく、例えば樹脂、セラミック等の非導電性材料を母体としてその表面に導電性材料を設ける構成としても良い。また、導電性材料の表面を樹脂、セラミック等の非導電性材料で覆う構成としても良い。導電性材料の表面を非導電性材料で覆う場合、非導電性材料での高周波電力の損失を抑制するために誘電損失の小さな材料を用いることが好ましい。
【００４４】
本発明では、第１の円筒状側壁１０１は、その少なくとも一部が誘電体材料で構成されていることが必要である。第１の円筒状側壁１０１は反応容器２０１の一部を構成するため、大気を遮断可能な減圧容器壁となりうるものであることが必要である。また、第１の円筒状側壁１０１は反応容器内への高周波電力導入部を兼ねるため、誘電損失が小さくそこでの高周波電力の損失が少ない材料であることが好ましい。具体的には、アルミナ、酸化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、又は窒化炭素等のセラミックス材料が好ましく用いられる。
【００４５】
高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下のＶＨＦ帯の高周波電力を用いる場合、特に顕著な効果を得ることができる。ＶＨＦ帯の高周波電力においては、プラズマに接する部分での波長が１０ｃｍ程度から数ｍ程度となる場合が多く、装置寸法、基板寸法と同程度となる場合が多いため、高周波電力が被処理特性の均一性に及ぼす影響が顕在化しやすい。しかし、本実施形態においては、膜剥れが顕著となるのを抑制しながらも高周波電力密度の均一性を向上するのでＶＨＦ帯の高周波電力においても被処理特性の均一性を良好に保つことができる。このため、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いた場合の特徴である、高処理速度、高処理特性と構造欠陥の抑制、処理特性の均一性を同時に得ることが可能となり、被処理体の特性向上、及び処理コストの低減が可能となる。
【００４６】
次に、第１の円筒状側壁１０１と第２の円筒状側壁１０２とは、各々の中心軸が同一となるように配置されていることが好ましい。反応容器２０１内での高周波電力の均一性が向上し、ひいては堆積膜特性の均一性が向上するためである。
【００４７】
更に、第１の円筒状側壁１０１及び前記第２の円筒状側壁１０２の中心軸上に中心を持つ円周上に、基体２０５（言い換えればそれを保持する基体保持部材）を複数配置することが、処理特性の均一性を維持しながらも処理能力を向上させることができる点でより好ましい。
【００４８】
本発明は上記構成の他にも、第２の円筒状側壁の少なくとも一部を誘電体で構成し、かつ、第２の円筒状側壁の外部に配置した第２の高周波電極からも反応容器内に高周波電力を導入する構成としてもよい。これにより、被処理特性の均一性をより向上させることが可能となる。
【００４９】
以下、これについて図２を参照して説明する。図２は本発明に係る装置の一例を示した概略図であって、図２（ａ）は概略断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
【００５０】
図２の装置においては、第２の高周波電極２１３が反応容器２０１の外部に複数配置され、高周波電力は、反応容器２０１の一部を形成する誘電体壁である第２の円筒状側壁２０３を透過して第２の高周波電極２１３からも反応容器２０１内に導入可能な構成となっている。
【００５１】
なお、第２の高周波電極２１３への高周波電力の供給は、第２の高周波電源２１４及び第２の重畳高周波電源２１６より第２のマッチングボックス２１５を介してなされる。また、第２の高周波電極２１３を取り囲むように高周波シールド２０４が設けられ、外部への電力の漏洩を防止する構成となっている。
【００５２】
このような、第２の円筒状側壁２０３の少なくとも一部を誘電体で構成し、第２の円筒状側壁２０３の外部に配置した第２の高周波電極２１３からも反応容器２０１中に高周波電力を導入する構成とした場合、第１の円筒状側壁１０１における誘電材料と第２の円筒状側壁２０３における誘電材料とを、必要に応じて異なる材料とすることで本発明の効果をより顕著に得ることができる場合がある。これは、誘電材料を変えることで、それに伴って誘電率が変わり、反応容器２０１の内部側から導入される高周波電力の導入効率と、反応容器２０１の外部側から導入される高周波電力の導入効率とが調整されるためではないかと推察される。
【００５３】
なお、本発明における高周波電極の形状としては特に制限はないものの、対称性の観点、不要な電極表面積を削減するといった観点から円筒状または円柱状であることがより好ましい。
【００５４】
更に、第１の高周波電極の外径を第１の円筒状側壁の外径の１/３以下とすることが本発明の効果をより顕著に得る上で好ましい。このような寸法比率とすることで、高周波電極表面での電力密度と、反応容器への高周波電力導入部となる誘電体部材表面での電力密度とのバランスが好ましい条件になるものと推察される。
【００５５】
また、第１の円筒状側壁の外径は円筒状基体の外径の１/２以上であることが好ましい。堆積膜形成条件は、膜の密着性の観点から、基体上での膜剥れ抑制に最も効果的な条件を用いるのが一般的である。第１の円筒状側壁の外径が円筒状基体の外径の１/２よりも小さい場合、円筒状基体の曲率に対して第１の円筒状側壁の曲率が大きすぎて膜剥れに対して不利な条件となってしまう場合がある。したがって、第１の円筒状側壁の外径を円筒状基体の外径の１/２以上とすることで、このような曲率の違いによる膜剥れの発生が抑制されて良好な堆積膜形成が可能となる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらによりなんら制限されるものではない。
【００５７】
〔実施例１〕
図１に示す堆積膜形成装置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー（基体）２０５上に、高周波電源２１１の発振周波数を１００ＭＨｚ、重畳高周波電源２１７の発振周波数を５５ＭＨｚとして、表１に示す条件で堆積膜を形成した。堆積膜は、電荷注入阻止層、光導電層、及び表面層からなるアモルファスシリコン感光体（ａ−Ｓｉ感光体）であり、概略以下の手順で作製した。
【００５８】
なお、第１の高周波電極２０２は直径３０ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱とした。また、第１の円筒状側壁１０１は外径９０ｍｍ、厚さ５ｍｍのアルミナ製円筒であり、プラズマに接する外周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。高周波電力に関し、高周波電源２１１からの電力と重畳高周波電源２１７からの電力とは同じ値とし、それらの合計が表１に示す値となるようにした。
【００５９】
まず、反応容器２０１内に円筒状アルミニウムシリンダー２０５を設置し、不図示の排気装置により排気口２０９を通して反応容器２０１内を排気した。続いて、回転軸２０８を介して円筒状アルミニウムシリンダー２０５を不図示のモータにより３ｒｐｍの速度で回転させた。また、原料ガス供給手段２１０より反応容器２０１中にＡｒを５００ｍｌ/ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）で供給しながら、発熱体２０７により円筒状アルミニウムシリンダー２０５を２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【００６０】
次いで、Ａｒの供給を停止し、反応容器２０１内を不図示の排気装置により排気口２０９を通して排気した後、原料ガス供給手段２１０を介して、表１に示した電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となったことを確認した後、排気口２０９と不図示の排気装置の間に設けられた不図示の圧力調整バルブのコンダクタンスを調整して反応容器２０１内の圧力を所定の圧力に設定した。圧力が安定したのを確認した後、高周波電源２１１及び重畳高周波電源２１７の出力の合計が表１に示した値となるよう設定し、マッチングボックス２１２を介して第１の高周波電極２０２へ高周波電力を供給した。
【００６１】
第１の高周波電極２０２より放射された高周波電力は第１の円筒状側壁１０１を透過して反応容器２０１内に導入され、原料ガスを励起解離することにより、円筒状アルミニウムシリンダー２０５上に電荷注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して電荷注入阻止層の形成を終えた。その後、同様の操作を複数回繰り返すことによって、光導電層と表面層とを順次形成した。
【００６２】
〔比較例１〕
図３に示す堆積膜形成装置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー２０５上に、高周波電源２１１の発振周波数を１００ＭＨｚ、重畳高周波電源２１７の発振周波数を５５ＭＨｚとして、表１に示す条件で堆積膜を形成した。堆積膜は、実施例１と同様、電荷注入阻止層、光導電層、及び表面層からなるａ−Ｓｉ感光体であり、形成手順も実施例１と同様である。
【００６３】
図３に示す堆積膜形成装置は図５に示す従来の堆積膜形成装置に重畳高周波電源２１７を追加した構成のものである。実施例１同様、高周波電力は高周波電源２１１からの電力と重畳高周波電源２１７からの電力は同じ値とし、それらの合計が表１に示す値となるようにした。
【００６４】
第１の高周波電極２０２は、直径３０ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱の外部を、内径３３ｍｍ、外径３７ｍｍのアルミナ製円筒により覆う構成とした。アルミナ製円筒の外周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。
【００６５】
このようにして実施例１、比較例１で作製されたａ−Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ６０１０に設置し、ａ−Ｓｉ感光体の特性評価を行なった。評価項目は、「画像濃度むら」、「光メモリー」、「特性ばらつき」、及び「画像欠陥」の４項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行なった。
【００６６】
「画像濃度むら」…まず、現像器位置での暗部電位が所定の値となるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０.１以下の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した。 次いで反射濃度０.３のＡ３サイズの中間調原稿を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像上全領域における反射濃度の最高値と最低値の差により評価した。評価結果は同時に形成された全感光体の平均値とした。したがって、数値が小さいほど良好である。なお、画像濃度の測定は、画像濃度計：Ｍａｃｂｅｔｈ  ＲＤ９１４を用いた。
【００６７】
「光メモリー」…現像器位置における暗部電位が所定の値となるよう、主帯電器の電流値を調整した後、反射濃度０.１以下の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整する。この状態で反射濃度０.３のＡ３サイズの中間調原稿に反射濃度１.５、直径１０ｍｍの黒丸を図４のように貼り付けた本テスト用のチャートを黒丸が貼り付けられた方向を原稿先端側として原稿台に置いてコピーする。得られたコピー画像において、中間調コピー上に認められる黒丸のメモリー像の反射濃度と黒丸のメモリー像に隣接した中間調部分の反射濃度との差を測定した。なお、図４において、５０１は反射濃度０.３のＡ３サイズの中間調原稿、５０２は反射濃度１.５、直径１０ｍｍの黒丸である。黒丸５０２は２０ｍｍ間隔で列状に２列並べられており、列と列は２０ｍｍ間隔とした。このような測定を感光体母線方向全領域にわたって行い、その中の最大反射濃度差を光メモリーの値とした。評価結果は同時に形成された全感光体の平均値とした。したがって、数値が小さいほど光メモリーが良好であることを示す。なお、画像濃度の測定は、画像濃度計：Ｍａｃｂｅｔｈ  ＲＤ９１４を用いた。
【００６８】
「特性ばらつき」…「光メモリー」評価の過程で得られた全感光体の光メモリーの値から最大値・最小値を求め、次いで、（（最大値）／（最小値）−１）の値を求めて「特性ばらつき」の値とした。従って、数値が小さいほど特性ばらつきが小さく良好であることを示す。
【００６９】
「画像欠陥」…反射濃度１.５のＡ３サイズのベタ黒原稿を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０.１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。したがって、数値が小さいほど良好である。なお、画像濃度の測定は、画像濃度計：Ｍａｃｂｅｔｈ  ＲＤ９１４を用いた。
【００７０】
評価結果を表２に示す。表２において、評価結果は、比較例１の評価結果を基準とし、「画像濃度むら」に関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上７／８未満の良化を〇〜△、７／８以上９／８未満を△、９／８以上を×で示した。
【００７１】
「光メモリー」に関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上７／８未満の良化を〇〜△、７／８以上９／８未満を△、９／８以上を×で示した。
【００７２】
「特性ばらつき」については１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上７／８未満まで良化したものを〇〜△、７／８以上９／８未満のものを△、９／８以上のものを×で示した。
【００７３】
「画像欠陥」に関しては、直径０.１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上７／８未満の良化を〇〜△、７／８以上９／８未満を△、９／８以上を×で示した。
【００７４】
表２より、実施例１で作製されたａ−Ｓｉ感光体は特に「特性ばらつき」及び「画像欠陥」に優れた良好なものであることが確認され、本発明の効果が確認された。
【００７５】
【表１】
2007063628.tif 000003
【００７６】
【表２】
2007063628.tif 000004
【００７７】
〔実施例２〕
図１に示す堆積膜形成装置を改造し、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー２０５を同一円周上に１２本設置する構成とし、高周波電源２１１の発振周波数を９０ＭＨｚ、重畳高周波電源２１７の発振周波数を６０ＭＨｚとした。そして、表３に示す条件で電荷注入阻止層、第一光導電層、第二光導電層及び表面層からなるａ−Ｓｉ感光体を実施例１と同様の手順により作製した。
【００７８】
なお、高周波電力は高周波電源２１１からの電力と重畳高周波電源２１７からの電力は同じ値とし、それらの合計が表３に示す値となるようにした。第１の高周波電極２０２は直径３０ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱とした。また、第１の円筒状側壁１０１は外径９０ｍｍ、厚さ５ｍｍのアルミナ製円筒であり、プラズマに接する外周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。
【００７９】
〔比較例２〕
図５に示す堆積膜形成装置を改造し、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー２０５を同一円周上に１２本設置する構成とし、高周波電源２１１の発振周波数を９０ＭＨｚ、重畳高周波電源２１７の発振周波数を６０ＭＨｚとした。そして、表３に示す条件で電荷注入阻止層、第一光導電層、第二光導電層及び表面層からなるａ−Ｓｉ感光体を実施例１と同様の手順により作製した。
【００８０】
なお、高周波電力は高周波電源２１１からの電力と重畳高周波電源２１７からの電力は同じ値とし、それらの合計が表３に示す値となるようにした。第１の高周波電極２０２は直径７５ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱の外部を内径８０ｍｍ、外径９０ｍｍのアルミナ製円筒により覆う構成とした。アルミナ製円筒の外周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。
【００８１】
上記実施例２、比較例２で作製されたａ−Ｓｉ感光体を、本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＧＰ５５に設置し、ａ−Ｓｉ感光体の特性評価を行なった。評価項目は、「画像濃度むら」、「光メモリー」、「特性ばらつき」、及び「画像欠陥」の４項目とし、実施例１と同様の具体的評価法により各項目の評価を行なった。評価結果を表４に示す。表４において、評価結果は、比較例２の評価結果を基準とし、実施例１と比較例１の比較の際と同様の指標で示した。
【００８２】
表４より、実施例２で作製されたａ−Ｓｉ感光体は特に「画像濃度むら」、「光メモリー」、及び「特性ばらつき」に優れた良好なものであることが確認され、本発明の効果が確認された。
【００８３】
【表３】
2007063628.tif 000005
【００８４】
【表４】
2007063628.tif 000006
【００８５】
〔実施例３〕
図１に示す堆積膜形成装置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー２０５上に、高周波電源２１１の発振周波数を１５０ＭＨｚ、重畳高周波電源２１７の発振周波数を６０ＭＨｚとして表５に示す条件で電荷注入阻止層、第一光導電層、第二光導電層、及び表面層からなるａ−Ｓｉ感光体を実施例１と同様の手順により作製した。
【００８６】
なお、高周波電力は高周波電源２１１からの電力と重畳高周波電源２１７からの電力は同じ値とし、それらの合計が表５に示す値となるようにした。本実施例においては、第１の高周波電極２０２の直径、及び第１の円筒状側壁１０１の外径を表６に示す４条件として、各々の条件においてａ−Ｓｉ感光体の作製を行った。なお、いずれの条件においても第１の高周波電極２０２の長さは５０ｃｍ、第１の円筒状側壁１０１の厚さは５ｍｍとした。第１の円筒状側壁１０１のプラズマに接する外周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。
【００８７】
〔比較例３〕
図５に示す堆積膜形成装置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８mmの円筒状アルミニウムシリンダー２０５上に、高周波電源２１１の発振周波数を１５０ＭＨｚ、重畳高周波電源２１７の発振周波数を６０ＭＨｚとして表５に示す条件で電荷注入阻止層、第一光導電層、第二光導電層、及び表面層からなるａ−Ｓｉ感光体を実施例１と同様の手順により作製した。
【００８８】
なお、高周波電力は高周波電源２１１からの電力と重畳高周波電源２１７からの電力は同じ値とし、それらの合計が表５に示す値となるようにした。第１の高周波電極２０２は直径４０ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱の外部を内径４５ｍｍ、外径５５ｍｍのアルミナ製円筒により覆う構成とした。アルミナ製円筒の外周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。
【００８９】
上記実施例３、比較例３で作製されたａ−Ｓｉ感光体を、本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ６０１０に設置し、ａ−Ｓｉ感光体の特性評価を行なった。評価項目は、「画像濃度むら」、「光メモリー」、「特性ばらつき」、及び「画像欠陥」の４項目とし、実施例１と同様の具体的評価法により各項目の評価を行なった。評価結果を表７に示す。表７において、評価結果は、比較例３の評価結果を基準とし、実施例１と比較例1の比較の際と同様の指標で示した。
【００９０】
表７より、実施例３で作製されたａ−Ｓｉ感光体はいずれの条件においても良好な特性を示し、第１の高周波電極の外径が第１の円筒状側壁の外径の１/３以下の場合（条件２〜４）に特に顕著な効果を得る事が可能であることが確認された。また、高周波電極の表面積を小さくすることにより（条件４）更なる効果が得られることが確認された。
【００９１】
【表５】
2007063628.tif 000007
【００９２】
【表６】
2007063628.tif 000008
【００９３】
【表７】
2007063628.tif 000009
【００９４】
〔実施例４〕
図２に示す堆積膜形成装置を用い、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー２０５上に、高周波電源２１１、第２の高周波電源２１４の発振周波数を共に１２０ＭＨｚ、重畳電源２１７、第２の重畳電源２１６の発振周波数を共に７０ＭＨｚとして表８に示す条件で電荷輸送層、電荷発生層、及び表面層からなるａ−Ｓｉ感光体を作製した。
【００９５】
なお、高周波電源２１１からの電力を重畳高周波電源２１７からの電力の２/３倍とし、これらの電力の合計を表８中の内部高周波電力の値とした。また、第２の高周波電源２１４からの電力を第２の重畳高周波電源２１６からの電力の２/３倍とし、これらの電力の合計を表８中の外部高周波電力の値とした。他の具体的作製手順は第２の高周波電源２１４、第２の重畳高周波電源２１６、及び第２のマッチングボックス２１５の制御を各々、高周波電源２１１、重畳高周波電源２１７、及びマッチングボックス２１２の制御と同時並行的に行う以外は実施例１と同様にして行った。
【００９６】
第１の高周波電極２０２は直径２０ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱とした。また、第１の円筒状側壁１０１は外径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのアルミナ製円筒であり、プラズマに接する外周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。
【００９７】
第２の高周波電極２１３は直径２０ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱とし、第２の円筒状側壁２０３は外径５００ｍｍ、厚さ１２ｍｍのアルミナ製円筒で構成し、プラズマに接する内周面はブラスト加工によりＲｚ＝２０μｍとした。第２の高周波電極２１３の中心軸と第２の円筒状側壁２０３の外周面との距離は３０ｍｍとした。
【００９８】
〔比較例４〕
図７に示す堆積膜形成装置を用い、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー２０５上に、高周波電源２１１、第２の高周波電源２１４の発振周波数を共に１２０ＭＨｚ、重畳電源２１７、第２の重畳電源２１６の発振周波数を共に７０ＭＨｚとして表８に示す条件で電荷輸送層、電荷発生層、及び表面層からなるａ−Ｓｉ感光体を作製した。
【００９９】
なお、高周波電源２１１からの電力を重畳高周波電源２１７からの電力の２/３倍とし、これらの電力の合計を表８中の内部高周波電力の値とした。また、第２の高周波電源２１４からの電力を第２の重畳高周波電源２１６からの電力の２/３倍とし、これらの電力の合計を表８中の外部高周波電力の値とした。他の具体的作製手順は実施例４と同様の手順により行った。
【０１００】
第１の高周波電極２０２は直径３０ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱の外部を内径３５ｍｍ、外径４５ｍｍのアルミナ製円筒により覆う構成とした。アルミナ製円筒の外周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。
【０１０１】
第２の高周波電極２１３は直径２０ｍｍ、長さ５０ｃｍのＳＵＳ３０４製円柱とし、第２の円筒状側壁２０３は外径５００ｍｍ、厚さ１２ｍｍのアルミナ製円筒で構成し、プラズマに接する内周面はブラスト加工によりＲzjis（JIS B0601:’01）をＲzjis＝２０μｍとした。第２の高周波電極２１３の中心軸と第２の円筒状側壁２０３の外周面との距離は３０ｍｍとした。
【０１０２】
上記実施例４、比較例４で作製されたａ−Ｓｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＧＰ５５に設置し、感光体の特性評価を行なった。評価項目は、「画像濃度むら」、「光メモリー」、「特性ばらつき」、及び「画像欠陥」の４項目とし、実施例１と同様の具体的評価法により各項目の評価を行なった。評価結果を表９に示す。表９において、評価結果は、比較例４の評価結果を基準とし、実施例１と比較例１の比較の際と同様の指標で示した。
【０１０３】
表９より、実施例４で作製されたａ−Ｓｉ感光体はいずれの項目においても良好な特性を示し、本発明の効果が確認された。
【０１０４】
【表８】
2007063628.tif 000010
【０１０５】
【表９】
2007063628.tif 000011
【０１０６】
〔実施例５〕
実施例４における第１の円筒状側壁１０１を窒化ホウ素製円筒とする以外は実施例４と同様にして、表８に示す条件で電荷輸送層、電荷発生層、及び表面層からなるａ−Ｓｉ感光体を作製した。
【０１０７】
実施例５で作製されたａ−Ｓｉ感光体を実施例４と同様にしてａ−Ｓｉ感光体の特性評価を行った。評価結果を表１０に示す。表１０において、評価結果は、比較例４の評価結果を基準とし、実施例１と比較例１の比較の際と同様の指標で示した。
【０１０８】
表１０より、実施例５で作製されたａ−Ｓｉ感光体はいずれの項目においても特に良好な特性を示し、本発明の効果が確認された。
【０１０９】
【表１０】
2007063628.tif 000012
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施形態による堆積膜形成装置の概略構成図の一例である。
【図２】本発明の他の実施形態による堆積膜形成装置の概略構成図の一例である。
【図３】比較例として構成した従来型の堆積膜形成装置の概略構成図の一例である。
【図４】光メモリーの評価に用いた原稿を模式的に示した図である。
【図５】従来の堆積膜形成装置の一例を示す図である。
【図６】従来の堆積膜形成装置の他の例を示す図である。
【図７】従来の堆積膜形成装置の更に他の例を示す図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１０１  第１の円筒状側壁
１０２  第２の円筒状側壁
２０２  第１の高周波電源
２０５  円筒状基体
２１０  原料ガス供給手段
２１１  高周波電源
２１２  マッチングボックス
【図１】
2007063628.tif 000013
【図２】
2007063628.tif 000014
【図３】
2007063628.tif 000015
【図４】
2007063628.tif 000016
【図５】
2007063628.tif 000017
【図６】
2007063628.tif 000018
【図７】
2007063628.tif 000019