(57)【要約】【課題】開口率の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことが可能な、液晶装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置は、ＯＣＢモードマルチギャップ方式の半透過反射型液晶装置であって、サブ画素内の対向基板２０上に、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層２４が設けられており、前記液晶層厚調整層２４に起因して前記反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に形成された前記段差傾斜部７０の平面領域内に、前記液晶層５０の初期転移核を形成する初期転移構造５５が設けられている構成である。【選択図】図３
2007133193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置されて液晶層を挟持する第１基板と第２基板とを備え、１画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成され、
前記第１基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記画素内の少なくとも前記反射表示領域に設けられており、少なくとも前記透過表示領域における動作モードがＯＣＢモードである半透過反射型の液晶装置であって、
前記第１基板の前記液晶層側の表面には、前記液晶層の厚さが厚い領域と薄い領域との間に段差傾斜部が設けられ、前記第１基板の前記液晶層側の前記段差傾斜部と平面的に重なる位置及び／又は前記第２基板の前記液晶層側の前記段差傾斜部と平面的に重なる位置に前記液晶層の初期転移核を形成する初期転移構造が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記初期転移構造が、前記第１基板及び／又は第２基板側の表面から前記液晶層側に突出させる突起、又は前記電極に形成されたスリット及び／又は切り欠きであることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１基板又は第２基板上には、導電部材と該導電部材上に形成された層間絶縁膜と該層間絶縁膜の前記液晶層側に形成された電極が備えられ、前記初期転移構造は前記層間絶縁膜を介して前記電極と前記導電部材とを電気的に接続するコンタクトホールであることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記画素内の前記第２基板の前記液晶層側には、前記第１基板に設けられた前記第１の液晶層厚調整層と対向した第２の液晶層厚調整層が形成され、前記第２基板の前記液晶層側の表面には、前記液晶層の厚さが厚い領域と薄い領域との間に段差傾斜部が設けられており、
前記第１基板の前記液晶層側の表面に設けられた前記段差傾斜部と、前記第２基板の前記液晶層側の表面に設けられた前記段差傾斜部とは、
少なくとも一部で対向配置されており、該対向された領域の前記第１基板及び前記第２基板の前記段差傾斜部に前記初期転移構造が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
互いに対向配置されて液晶層を挟持する第１基板と第２基板とを備え、１画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成され、
前記第１基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記画素内の少なくとも前記反射表示領域に設けられており、少なくとも前記透過表示領域における動作モードがＯＣＢモードである半透過反射型の液晶装置であって、
前記第１基板の前記液晶層側の表面には、前記液晶層の厚さが厚い領域と薄い領域との間に屈曲形状を有した段差傾斜部が設けられ、前記第１基板の前記液晶層側の前記段差傾斜部と平面的に重なる位置及び／又は前記第２基板の前記液晶層側の前記段差傾斜部と平面的に重なる位置に前記液晶層の初期転移核を形成する初期転移構造を構成していることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
前記段差傾斜部が、２箇所以上の屈曲点を有する前記屈曲形状を成していることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記段差傾斜部が、平面視で湾曲形状を成していることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記液晶層に電圧を印加する電極と他の導電部材との間に介挿された層間絶縁膜に、前記電極と導電部材とを電気的に接続するコンタクトホールが形成され、該コンタクトホールが前記段差傾斜部の屈曲点と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１基板上に、前記画素に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子と電気的に接続される配線部材とが設けられており、
前記配線部材と前記段差傾斜部とが平面的に重なって配置されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記スイッチング素子が薄膜トランジスタであり、前記段差傾斜部と平面的に重なって配置された配線部材が、前記薄膜トランジスタのゲートに接続された走査線であることを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記画素に蓄積容量が設けられており、
前記段差傾斜部と平面的に重なって配置された配線部材が、前記蓄積容量の電極を構成する配線部材であることを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特に液晶テレビジョン等に代表される液晶装置の分野においては、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードの液晶装置が脚光を浴びている。ＯＣＢモードにおいて、初期状態では液晶分子が２枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶分子が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている必要がある。すなわち、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することで高速応答性を実現している。
【０００３】
このようにＯＣＢモードの液晶装置の場合、電源遮断時に液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分になされないと表示不良が生じたり、所望の高速応答性が得られなかったりする。
【０００４】
そこで特許文献１には、半透過型液晶表示装置における透過表示用電極の表面に、電圧印加時に液晶分子がスプレイ配向からベンド配向へ転移するのをアシストするための配向転移手段としての突起を形成する技術が提案されている。この半透過型液晶表示装置では、透過表示領域の液晶分子がベンド配向であるときに、反射表示領域の液晶分子はその長軸を反射表示用電極の表面に垂直に向けたハイブリッド配向になるように制御される。従って、パネル駆動時には、透過表示領域はＯＣＢモード、反射表示領域はＲ−ＯＣＢ（Reflective-Optical Compensated Bend）モードとなる。
【特許文献１】特開２００２−２０７２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、表示動作時に、透過表示領域に形成された突起の周辺で配向不良が発生するという問題がある。また、その突起の形成領域を遮光層で覆うと開口率が低下することになる。しかも、反射表示領域の液晶配向状態をハイブリッド配向とするため、反射表示領域の配向膜のみを光配向処理などで垂直配向にする必要があり、製造プロセスが増加するという問題もある。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことが可能な液晶装置の提供を目的とする。
また、表示品質に優れた電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、互いに対向配置されて液晶層を挟持する第１基板と第２基板とを備え、１画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成され、前記第１基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記画素内の少なくとも前記反射表示領域に設けられており、少なくとも前記透過表示領域における動作モードがＯＣＢモードである半透過反射型の液晶装置であって、前記第１基板の前記液晶層側の表面には、前記液晶層の厚さが厚い領域と薄い領域との間に段差傾斜部が設けられ、前記第１基板の前記液晶層側の前記段差傾斜部と平面的に重なる位置及び／又は前記第２基板の前記液晶層側の前記段差傾斜部と平面的に重なる位置に前記液晶層の初期転移核を形成する初期転移構造が設けられていることを特徴とする。
初期転移構造を設けて、初期転移電圧の印加によりディスクリネーションを発生させれば、そのディスクリネーションが転移核となって初期転移が周辺に進行する。したがって、初期転移動作を円滑に行うことができる。
一般に液晶層厚調整層の段差傾斜部では、液晶分子が傾斜配向し斜め電界が発生するので、平坦部に比べて配向状態が乱れやすい。すなわち、液晶層厚調整層の段差傾斜部は、表示動作時における表示品質の向上に寄与していない。そこで、その液晶層厚調整層の段差傾斜部に初期転移構造を設けることにより、その初期転移構造の周辺にディスクリネーションが残っても、表示動作時における表示品質の低下を最小限に抑えることができる。そして、そのような段差傾斜部に初期転移構造を設けることにより、他の部分に初期転移構造を設ける場合と比べて、ディスクリネーションを発生させることが容易になる。したがって、初期転移動作を円滑に行うことができる。
【０００８】
本発明の液晶装置では、前記初期転移構造が、前記第１基板及び／又は第２基板側の表面から前記液晶層側に突出させる突起、又は前記電極に形成されたスリット及び／又は切り欠きである構成とすることができる。
突起を形成した構成によれば、初期の液晶分子を様々な方向に傾斜配向させることが可能になり、また初期転移電圧の印加により様々な方向の斜め電界を発生させることが可能になる。これにより、段差傾斜部の表面にディスクリネーションを発生させることが可能になり、初期転移動作を円滑に行うことができる。また、スリット及び／又は切り欠きを形成した構成によれば、初期転移電圧の印加により様々な方向の斜め電界を発生させることが可能になる。これにより、段差傾斜部の表面にディスクリネーションを発生させることが可能になり、初期転移動作を円滑に行うことができる。
【０００９】
本発明の液晶装置では、前記第１基板又は第２基板上には、導電部材と該導電部材上に形成された層間絶縁膜と該層間絶縁膜の前記液晶層側に形成された電極が備えられ、前記初期転移構造は前記層間絶縁膜を介して前記電極と前記導電部材とを電気的に接続するコンタクトホールである構成とすることができる。上記コンタクトホールの形成領域では、基板表面にコンタクトホールの開口形状に倣う凹部が形成されるため、液晶分子の配向が乱れやすく、転移核となるディスクリネーションを発生させやすい。そこで、上記段差傾斜部の平面領域にコンタクトホールを配置することで、初期転移構造として用いることができる。
【００１０】
本発明の液晶装置では、前記画素内の前記第２基板の前記液晶層側には、前記第１基板に設けられた前記第１の液晶層厚調整層と対向した第２の液晶層厚調整層が形成され、前記第２基板の前記液晶層側の表面には、前記液晶層の厚さが厚い領域と薄い領域との間に段差傾斜部が設けられており、前記第１基板の前記液晶層側の表面に設けられた前記段差傾斜部と、前記第２基板の前記液晶層側の表面に設けられた前記段差傾斜部とは、なくとも一部で対向配置されており、該対向された領域の前記第１基板及び前記第２基板の前記段差傾斜部に前記初期転移構造が設けられている構成とすることもできる。このような構成とした場合にも、互いに対向する段差傾斜部における液晶分子の斜め配向、及び電圧印加時の斜め電界の形成によって段差傾斜部にディスクリネーションを発生させることができ、初期転移動作を円滑に行うことができる。
【００１１】
本発明の液晶装置は、互いに対向配置されて液晶層を挟持する第１基板と第２基板とを備え、１画素内に反射表示領域と透過表示領域とが形成され、
前記第１基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記画素内の少なくとも前記反射表示領域に設けられており、少なくとも前記透過表示領域における動作モードがＯＣＢモードである半透過反射型の液晶装置であって、
前記第１基板の前記液晶層側の表面には、前記液晶層の厚さが厚い領域と薄い領域との間に屈曲形状を有した段差傾斜部が設けられ、前記第１基板の前記液晶層側の前記段差傾斜部と平面的に重なる位置及び／又は前記第２基板の前記液晶層側の前記段差傾斜部と平面的に重なる位置に前記液晶層の初期転移核を形成する初期転移構造を構成していることを特徴とする。
このように段差傾斜部自体を屈曲形状とすることで、その屈曲部において液晶分子の配向乱れを誘発し、ディスクリネーションを発生させることができるので、初期転移動作を円滑に行うことができる。
【００１２】
本発明の液晶装置では、前記段差傾斜部が、２箇所以上の屈曲点を有する前記屈曲形状を成している構成であってもよい。屈曲点を増やせば、その分だけディスクリネーションの発生箇所が多くなり、初期転移動作をより円滑に行うことができる。
また、本発明の液晶装置では、前記段差傾斜部が、平面視で湾曲形状を成している構成であってもよい。
【００１３】
本発明の液晶装置では、前記液晶層に電圧を印加する電極と他の導電部材との間に介挿された層間絶縁膜に、前記電極と導電部材とを電気的に接続するコンタクトホールが形成され、該コンタクトホールが前記段差傾斜部の屈曲点と平面的に重なる位置に設けられている構成とすることもできる。上記屈曲形状の段差傾斜部とコンタクトホールとは、いずれもディスクリネーションの良好な発生箇所となるので、これらを平面的に重なる位置に配置することで、極めて効率よく転移核を発生させることができ、初期転移動作を円滑に行うことができる。
【００１４】
本発明の液晶装置では、前記第１基板上に、前記画素に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子と電気的に接続される配線部材とが設けられており、前記配線部材と前記段差傾斜部とが平面的に重なって配置されている構成とすることもできる。このような構成とすれば、配線部材を段差傾斜部の遮光手段として用いることができ、画素開口率の向上に寄与する。また、配線部材の近傍に形成される電界により段差傾斜部近傍でのディスクリネーションの発生を誘発することができ、初期転移動作を円滑に行うことができる。
【００１５】
本発明の液晶装置では、前記スイッチング素子が薄膜トランジスタであり、前記段差傾斜部と平面的に重なって配置された配線部材が、前記薄膜トランジスタのゲートに接続された走査線である構成とすることができる。比較的高電圧のパルスが入力される走査線を段差傾斜部の近傍に配置すれば、周囲に形成される電界によってディスクリネーションの発生を誘発することができ、初期転移動作を円滑に行うことができる。また、本発明の液晶装置では、前記画素に蓄積容量が設けられており、前記段差傾斜部と平面的に重なって配置された配線部材が、前記蓄積容量の電極を構成する配線部材であってもよい。
【００１６】
本発明の液晶装置では、前記第１基板及び／又は第２基板の外面側に、屈折率異方性が負の光学媒体をハイブリッド配向させてなる光学異方性層を備えていることが好ましい。またこの場合、前記光学媒体は屈折率異方性が正のものであってもよい。
本発明の液晶装置では、前記第１基板及び／又は第２基板の外面側に、光学的に一軸性又は二軸性を示す光学異方性層を備えていることが好ましい。
本発明の液晶装置では、屈折率異方性が正の一軸性光学媒体と、屈折率異方性が負の一軸性光学媒体とを組み合わせてなる光学異方性層を備えていることが好ましい。
本発明の液晶装置では、前記液晶層を挟持する一対の円偏光板を備えていることが好ましく、広帯域の円偏光板であることがより好ましい。
【００１７】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。
上述した液晶装置は、表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施の形態に限定されるものではない。また以下の説明で参照する各図面においては、各構成要素を見易くするために各部の縮尺等を適宜変更して表示している。さらに本明細書では、液晶装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼ぶことにする。また、画像表示の最小単位を「サブ画素」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素の集合を「画素」と呼ぶこととする。また、サブ画素の平面領域において、液晶装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域を「反射表示領域」と呼び、液晶装置の背面側（前記表示面と反対側）から入射する光を利用した表示が可能な領域を「透過表示領域」と呼ぶ。さらに、「非選択電圧印加時」および「選択電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧近傍である時」および「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧に比べて十分高い時」を意味しているものとする。
【００１９】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態である液晶装置１００について、図１から図４を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置１００は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下「ＴＦＴ」という。）素子を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置である。また、図３に示すように、観察者側に配置された対向基板２０と、それに対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と、基板１０，２０間に挟持された液晶層５０と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられ対向基板２０側から入射した光を反射する反射電極１５ｒと、その反射電極１５ｒが存在する反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを、反射電極１５ｒが存在しない透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくするための液晶層厚調整層２４とを有する、マルチギャップ方式の半透過反射型液晶装置である。
【００２０】
図１（ａ）は液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う側面断面図である。
図１に示すように、本実施形態の液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。シール材５２の外側の周辺回路領域には、データ信号駆動回路１０１および外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査信号駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００２１】
図２は、ＴＦＴ素子を用いた液晶装置の等価回路図である。液晶装置の画像表示領域には、データ線６ａおよび走査線３ａが格子状に配置され、両者の交点付近には、画像表示単位であるサブ画素が配置されている。マトリクス状に配置された複数のサブ画素には、それぞれ画素電極１５が形成されている。その画素電極１５の側方には、当該画素電極１５への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子１３が形成されている。このＴＦＴ素子１３のソースには、データ線６ａが電気的に接続されている。各データ線６ａには画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎが供給される。
【００２２】
またＴＦＴ素子１３のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されている。走査線３ａには、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｎが供給される。またＴＦＴ素子１３のドレインには、画素電極１５が電気的に接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｎにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１３を一定期間だけオン状態にすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００２３】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎは、画素電極１５と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と容量線３ｂとの間に蓄積容量７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。そして、上記のように液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となっている。
【００２４】
図３は本実施形態に係る液晶装置の説明図であり、図３（ａ）は１つのサブ画素の平面構成図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’に沿う断面構成図である。
図３（ａ）に示すように、矩形状の画素電極１５の長手方向に沿って上述したデータ線６ａが配置され、画素電極１５の一短辺に沿って上述した走査線３ａが配置されており、走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが画素電極１５の中央部を横断するようにして配置されている。データ線６ａと走査線３ａとの交点付近に、ボトムゲート型のＴＦＴ素子１３が形成されている。ＴＦＴ素子１３のドレイン電極４４は、画素電極１５側に延びた位置でコンタクトホール１４を介して画素電極１５と電気的に接続されている。
【００２５】
図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１１の内側に、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、これら走査線３ａと容量線３ｂとを覆って絶縁薄膜４１が形成されている。絶縁薄膜４１を介して走査線３ａと対向する位置に平面視矩形状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層４５が形成されており、半導体層４５上に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂとドレイン電極４４とが絶縁薄膜４１上に形成されている。そして、これら半導体層４５、ソース電極６ｂ、及びドレイン電極４４を覆うようにして層間絶縁膜１２が形成されている。層間絶縁膜１２を貫通してドレイン電極４４に達するコンタクトホール１４が形成されており、層間絶縁膜１２上に形成された透明電極１５ｔ（画素電極１５）の一部が当該コンタクトホール１４内に埋設されて、透明電極１５ｔとＴＦＴ素子１３とが電気的に接続されている。
【００２６】
層間絶縁膜１２の内側において、画像表示単位となるサブ画素の長手方向の一方端部に、表面に凹凸を有する樹脂層１６が形成されている。樹脂層１６の表面には、ＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料からなる反射電極（反射層）１５ｒが形成されている。またドット領域の長手方向の残部には、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる透明電極１５ｔが形成されており、これらの反射電極１５ｒおよび透明電極１５ｔが導通接続されて、画素電極１５を形成している。そして、反射電極１５ｒの形成領域が、図示のサブ画素における反射表示領域Ｒを区画し、透明電極１５ｔの形成領域が透過表示領域Ｔを区画している。
【００２７】
反射電極１５ｒ上の容量線３ｂと平面的に重なる位置に、例えば突起からなる初期転移構造５５が形成されており、この初期転移構造５５を含む反射電極１５ｒ上及び透明電極１５ｔ上を覆うようにポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。また、サブ画素の一隅部に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を規制する柱状スペーサ５９が立設されている。
【００２８】
一方、対向基板２０の基板本体２１の内側には、サブ画素毎に異なる色光を透過するカラーフィルタを備えたＣＦ層２２が形成されている。カラーフィルタはサブ画素の平面領域内で色度の異なる２種類の色材領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体的には、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。また、反射表示領域Ｒの一部に非着色領域を設ける構成としてもよい。このような構成とすることで、カラーフィルタを表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。なお、ＣＦ層２２は、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成することもできる。
【００２９】
ＣＦ層２２の内側には、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくするための液晶層厚調整層２４が設けられている。半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過するが、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しない。これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層５０のリタデーションが異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。そこで液晶層厚調整層２４を設けることにより、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚（例えば２μｍ程度）が、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚（例えば４μｍ程度）の半分程度に設定されて、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおける液晶層５０のリタデーションが略同一に設定されている。このように、液晶層厚調整層２４によりマルチギャップ構造が実現されて、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。
【００３０】
反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界領域には、液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０が形成されている。これにより、反射表示領域Ｒから透過表示領域Ｔにかけて液晶層５０の層厚が連続的に変化するようになっている。この段差傾斜部の傾斜角は１０°〜３０°程度である。一般に液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０では、液晶分子の配向状態が乱れやすく表示品質が低下しやすい。そこで本実施形態の液晶装置は、段差傾斜部７０を反射表示領域Ｒに配置することにより、透過表示を重視した構成になっている。
【００３１】
この液晶層厚調整層２４の構成材料として、アクリル樹脂等の電気絶縁性および感光性を有する材料を採用することが望ましい。感光性材料を採用することにより、フォトリソグラフィを用いたパターニングが可能になり、液晶層厚調整層２４を精度よく形成することができる。なお、液晶層厚調整層２４についても、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けることができる。
【００３２】
液晶層厚調整層２４が形成された対向基板２０の内側には、略全面に共通電極２５が形成されており、共通電極２５の表面には、ポリイミド等からなる配向膜２９が形成されている。配向膜１８，２９にはラビング処理が施されている。ラビング処理は、図３（ａ）に矢印１９ａで示すように、データ線６ａの延在方向（すなわち、画素電極１５の長手方向）と交差する方向に施されている。
【００３３】
そして図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、ＯＣＢモードで動作する液晶層５０が挟持されている。本実施形態では、透過表示領域Ｔおよび反射表示領域Ｒともに水平配向膜が形成されて、透過表示領域Ｔおよび反射表示領域Ｒの液晶層５０が、ともにＯＣＢモードで動作するようになっている。
【００３４】
図４は、ＯＣＢモードの液晶装置における液晶分子の配向状態の説明図である。ＯＣＢモードでは、図４（ｂ）に示す初期状態には、液晶分子５１がスプレイ状に開いたスプレイ配向となっている。また図４（ａ）に示す表示動作時には、液晶分子５１が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている。そして、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することにより、表示動作の高速応答性を実現しうるようになっている。
【００３５】
図３（ａ）に戻り、一対の基板１０，２０の外側には、それぞれ偏光板３６，３７が設けられている。これらの偏光板３６，３７は、特定方向に振動する直線偏光のみを透過させるものである。偏光板３６の透過軸および偏光板３７の透過軸は、相互に略直交するように配置されるとともに、配向膜１８，２９のラビング方向と略４５°で交差するように配置されている。
【００３６】
偏光板３６および偏光板３７の内側（基板本体側）には、それぞれ位相差板３１及び位相差板３２が配設されている。位相差板３１，３２として、可視光の波長に対して略１／４波長の位相差を持つλ／４板を使用すれば、偏光板３６，３７とともに円偏光板を構成することができる。またλ／２板およびλ／４板を組み合わせて使用すれば、広帯域円偏光板を構成することができる。
【００３７】
さらに、偏光板３６および／または偏光板３７の内側には、光学補償フィルムを配置することもできる。光学補償フィルムを配置することにより、液晶装置を正面視ないし斜視した場合の液晶層の位相差を補償することが可能になり、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとして、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させてなる負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）を使用することが可能である。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させてなる正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）を使用することも可能である。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせて使用することも可能である。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のC-Plate等を使用してもよい。
【００３８】
さらに、対向基板２０の外側には、光源、リフレクタ、導光板などを有するバックライト（照明手段）６０が設置されている。
【００３９】
上述したように、ＯＣＢモードの液晶装置の場合、電源遮断時の液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって、図４（ｂ）に示す初期のスプレイ配向から、図４（ａ）に示す表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分になされないと表示不良が生じたり、所望の高速応答性が得られなかったりする。
【００４０】
液晶層５０の初期転移操作としては、走査線を線順次にＯＮしつつ、画素電極１５と共通電極２５との間に１５Ｖ程度のパルス電圧を印加する。この初期転移電圧の印加によりサブ画素にディスクリネーションを発生させれば、そのディスクリネーションが転移核となって初期転移が周辺に進行する。これにより初期転移動作を円滑に行うことができる。
【００４１】
本実施形態では、サブ画素に初期転移核となるディスクリネーションを発生させるため、図３（ａ）に示す液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０と平面的に重なる位置に初期転移構造を形成している。初期転移構造として、図３（ａ）では突起を設けた場合を示している。また初期転移構造として、段差傾斜部７０の平面領域内に配された画素電極１５ないし共通電極２５にスリット及び／又は切り欠きを形成してもよい。
【００４２】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、初期転移構造５５として段差傾斜部７０の平面領域内に形成可能な突起の平面図である。突起として、初期の液晶分子を様々な方向に傾斜配向させるとともに、初期転移電圧の印加により段差傾斜部の表面に様々な方向の斜め電界を発生させるものを形成する。図５（ａ）では、島状の突起５５１を段差傾斜部７０の平面領域内に配置する場合を示している。この島状突起５５１は、例えば高さ１．２μｍ、直径１０μｍに形成されている。また図５（ｂ）には、島状突起５５２を段差傾斜部７０の平面領域内に配列した場合を示している。また図示はしないが、突起状の初期転移構造５５としては、平面視で稲妻状に突条を形成したものも例示できる。これらの突起の構成材料として、ノボラック系のポジ型フォトレジストを採用することが可能である。そのレジストの現像後に約２２０℃でポストベイクを実施することにより、なだらかな突起形状を得ることができる。
【００４３】
このような突起を形成すれば、初期の液晶分子を様々な方向に傾斜配向させることが可能になり、また初期転移電圧の印加により段差傾斜部の帯状電極の表面に様々な方向の斜め電界を発生させることが可能になる。これに伴って、誘電率異方性が正の液晶分子は、様々な方向から様々な方向に回動しつつ、電界方向に沿って再配向しようとする。これにより、段差傾斜部の表面にディスクリネーションを発生させることができる。従って、初期転移動作を円滑に行うことができる。
【００４４】
図５（ｃ）及び図５（ｄ）は、初期転移構造５５として段差傾斜部７０の平面領域内に形成可能なスリットおよび／または切り欠きの平面構成図である。スリット及び／又は切り欠きとしては、図５（ｃ）に示すような平面視矩形状のスリット５５３を段差傾斜部７０の平面領域内の画素電極１５又は共通電極２５に形成することができる。あるいは、図５（ｄ）に示すように、複数のスリット５５４を段差傾斜部７０の平面領域内に形成してもよい。さらには、図示はしないが、クランク状に繰り返し折れ曲がった形状のスリットや、蛇腹状のスリット、稲妻状のスリットを形成してもよい。これらスリット及び／又は切り欠きとしては、初期転移電圧の印加により段差傾斜部の表面に様々な方向の斜め電界を発生させ得るものを形成することが好ましい。なお、スリット及び／又は切り欠きを上記以外の形状とすることも可能である。
【００４５】
このように、種々の形状のスリット及び／又は切り欠きを形成すれば、初期転移電圧の印加により、段差傾斜部７０の平面領域内の液晶層５０に様々な方向の斜め電界を作用させることが可能になる。これに伴って、誘電率異方性が正の液晶分子は、様々な方向に回動しつつ、電界方向に沿って再配向しようとする。これにより、段差傾斜部７０の平面領域内にディスクリネーションを発生させることができる。そして、全てのドット領域の段差傾斜部にディスクリネーションを発生させることにより、全てのドット領域における液晶の配向状態を初期転移させることが可能になる。したがって、初期転移動作を円滑に行うことができる。
【００４６】
本実施形態では、図３（ａ）に示すように、液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０の平面領域内に初期転移構造５５を形成しているので、初期転移動作が完了した後の表示動作時にも、段差傾斜部７０の近傍でディスクリネーションが残る場合がある。しかしながら、一般に液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０では、液晶分子が傾斜配向し斜め電界が発生するので、平坦部に比べて配向状態が乱れやすい。すなわち、液晶層厚調整層の段差傾斜部は、開口率やコントラスト等の表示品質の向上に寄与していない。そこで、その液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７０に初期転移構造を設けることにより、その初期転移構造の周辺にディスクリネーションが残っても、表示動作時における表示品質の低下を最小限に抑えることができる。そして、そのような段差傾斜部７０に初期転移構造を設けることにより、他の部分に初期転移構造を設ける場合と比べて、ディスクリネーションを発生させることが容易になるのである。
なお、本実施形態では、上記段差傾斜部７０と平面的に重なる位置に、金属配線部材である容量線３ｂを配置しているため、結果的に段差傾斜部７０はサブ画素における遮光領域となり、かかる領域にディスクリネーションが残ったり、配向乱れが生じたとしても表示には影響しない。
【００４７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態である液晶装置２００について、図６を参照して説明する。図６（ａ）は本実施形態の液晶装置２００における１つのサブ画素の平面構成図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。
本実施形態の液晶装置２００は、先の実施形態の液晶装置１００において、マルチギャップ構造を形成する液晶層厚調整層をＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の双方に設けている点に特徴を有している。従って図６では先の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明では共通の構成についての詳細な説明は省略する。
【００４８】
図６（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置２００では、反射電極１５ｒの形成領域に対応して、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１１上の領域に第１の液晶層厚調整層２４１が形成されており、対向基板２０の基板本体２１上の領域に第２の液晶層厚調整層２４２が形成されている。本実施形態の液晶装置２００では、これら第１の液晶層厚調整層２４１と第２の液晶層厚調整層２４２とによって反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを調整しており、それぞれの液晶層厚調整層２４１，２４２は、先の液晶装置１００において対向基板２０側にのみ設けられた液晶層厚調整層２４よりも薄く（半分程度）なっている。
【００４９】
第１の液晶層厚調整層２４１上には、表面に凹凸形状を有する樹脂層１６が形成され、かかる樹脂層１６の表面を覆って反射電極（反射層）１５ｒが形成されている。透明電極１５ｔは第１の液晶層厚調整層２４１の外側の領域の層間絶縁膜１２上に形成されており、前記反射電極１５ｔが樹脂層１６上から第１の液晶層厚調整層２４１の第１の段差傾斜部７１を経由して一部透明電極１５ｔ上にまで延び、透明電極１５ｔと反射電極１５ｒとが電気的に接続された画素電極１５を形成している。
【００５０】
なお、図６（ｂ）では、第１の液晶層厚調整層２４１上に反射電極１５ｒに凹凸形状を付与するための樹脂層１６を形成しているが、通常、液晶層厚調整層２４１は樹脂材料を用いて形成されるので、その表面に直接に凹凸形状を形成し、かかる凹凸形状が形成された液晶層厚調整層２４１上に反射電極１５ｒを形成してもよい。このような構成とすることで樹脂層１６を形成する工程を削減することができ、かつ凹凸形状の加工により液晶層厚調整層２４１の膜厚が減少するので、反射表示領域Ｒにおけるセル厚を確保しやすくなるという利点がある。
【００５１】
一方、対向基板２０側の第２の液晶層厚調整層２４２は、基板本体２１の内面に形成されたＣＦ層２２上に部分的に形成されており、第２の液晶層厚調整層２４２を覆って共通電極２５と配向膜２９とが積層形成されている。第２の液晶層厚調整層２４２は、ＴＦＴアレイ基板１０側の反射電極１５ｒの形成領域に対応して設けられており、第２の液晶層厚調整層２４２の透過表示領域Ｔ側の端縁に形成された第２の段差傾斜部７２は、先の第１の段差傾斜部７１と平面的に重なって配置されている。
【００５２】
上記構成を具備した液晶装置２００では、突起やスリット等の初期転移構造は設けられていないが、初期転移操作を行うべく画素電極１５と共通電極２５との間に１５Ｖ程度のパルスを入力すると、第１の段差傾斜部７１と第２の段差傾斜部７２とが対向している領域にディスクリネーションが発生し、このディスクリネーションを転移核として良好に初期配向転移が成されるものとなっている。これは、基板平面方向で異なる傾斜方向を有する第１の段差傾斜部７１と第２の段差傾斜部７２の双方で液晶分子が斜め配向しており、さらに電圧印加時には基板１０，２０の双方で斜め電界が発生するため、液晶の配向乱れが生じやすくなるからである。従って本実施形態の液晶装置２００においても、ＯＣＢモードの液晶層５０の初期配向転移を高速かつ円滑に行うことができる。
【００５３】
また、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の双方に液晶層厚調整層を設けていることで、液晶層５０の厚さを確保しやすくなるという利点がある。ＯＣＢモードでは、通常のモード（ＶＡＮ(Vertical Aligned Nematic)、ＴＮ(Twisted Nematic)等）と比較して非常に大きなΔｎ・ｄが必要であり、例えばベンド配向状態でλ／２の位相差を得るには、スプレイ配向状態でのΔｎ・ｄを０．９以上とする必要がある。大きなΔｎ・ｄを確保するには、セル厚を大きくするか、液晶のΔｎを大きくするしかないが、液晶のΔｎはあまり大きくすると信頼性が低下するため制限される。そこでセル厚を大きくする必要が生じるが、ＯＣＢモードの液晶装置では初期配向転移の妨げとなるためギャップ材を使用しにくく、また柱状スペーサも高さを大きくするのは困難である。これに対して本実施形態のように基板１０，２０の双方に液晶層厚調整層２４１，２４２を設けることで、柱状スペーサの高さを比較的低く抑えつつセル厚を大きくすることが可能である。
【００５４】
具体例として、例えば液晶のΔｎが０．１５で必要なΔｎ・ｄが０．９であるとすると、透過表示領域Ｔにおける液晶層厚は６μｍ、反射表示領域Ｒにおける液晶層厚は３μｍとする必要がある。先の第１実施形態の液晶装置１００のように対向基板２０にのみ液晶層厚調整層２４を設ける場合では、液晶層厚調整層２４の層厚は３μｍ必要であり、反射表示領域Ｒに立設する柱状スペーサ５９の高さも３μｍ必要である。これに対して、本実施形態のように液晶層厚調整層２４１，２４２を設ける場合、各液晶層厚調整層を厚さ２μｍで形成し、反射表示領域Ｒに高さ２μｍの柱状スペーサ５９を立設することで、透過表示領域Ｔにおいて６μｍのセル厚を確保することができる。この場合、液晶層厚調整層２４１，２４２が対向する反射表示領域Ｒにおけるセル厚が２μｍとなってしまうように思えるが、柱状スペーサ５９を立設する領域を除く第１の液晶層厚調整層２４１の表面に凹凸形状を形成することで、第１の液晶層厚調整層２４１の層厚が０．５〜１μｍ程度減少するので、２．５μｍ〜３μｍのセル厚を反射表示領域Ｒでも確保することができる。
【００５５】
また本実施形態では、樹脂材料により形成する液晶層厚調整層２４１，２４２、及び柱状スペーサ５９のいずれの厚さ（高さ）も２μｍとすることができる点に利点がある。感光性樹脂材料を基板上に塗布した後、露光、現像処理によりパターニングして機能部材を形成する方法にあっては、最初に塗布形成する感光性樹脂膜が厚すぎても薄すぎても膜厚に不均一を生じやすくなり、２μｍ程度の膜厚に形成するのが樹脂膜の均一性を確保する上で都合がよいからである。
【００５６】
なお本実施形態では、上記段差傾斜部７１，７２と平面的に重なる位置に、金属配線部材である容量線３ｂを配置しているため、結果的に段差傾斜部７１，７２はサブ画素における遮光領域に配置されることとなり、かかる領域にディスクリネーションが残ったり、配向乱れが生じたとしても表示には影響しない。
【００５７】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態である液晶装置３００について、図７を参照して説明する。図７（ａ）は本実施形態の液晶装置３００における１つのサブ画素の平面構成図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図である。
本実施形態の液晶装置３００は、先の実施形態の液晶装置１００において、マルチギャップ構造を形成する液晶層厚調整層の段差傾斜部の形状に特徴を有している。従って図７では先の液晶装置１００と共通の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明では共通の構成についての詳細な説明は省略する。
【００５８】
図７に示すように、液晶装置３００の対向基板２０に形成された液晶層厚調整層２４は、その透過表示領域Ｔ側の段差傾斜部７３の形状が、図７（ａ）に示すように、平面視屈曲形状となっている。そして、このような形状を有していることで、段差傾斜部７３において転移核となるディスクリネーションを発生させ、ＯＣＢモードの液晶層５０の初期配向転移を円滑に行えるようにしている。このように段差傾斜部７３を屈曲形状とすることで効果的に転移核を発生させることができるのは、図７（ａ）に示す屈曲点７３１において、異なる向きの段差傾斜部にて配向している液晶分子に対して電圧印加時に斜め電界が作用するので、直線的な段差傾斜部に対して配向している液晶分子に比しても液晶分子の配向乱れが生じやすくなっていることによる。
【００５９】
図８は、図７に示した液晶装置３００における段差傾斜部７３の平面形状のバリエーションを示す平面構成図である。図８（ａ）は図７に示したように、１つの屈曲点７３１を有する構成の段差傾斜部７３の平面図であり、図８（ｂ）は、３つの屈曲点７３２を有して蛇行する屈曲形状とされた段差傾斜部７３の平面図であり、図８（ｃ）は、湾曲部７３３を有する段差傾斜部７３の平面図である。図８に示すいずれの平面形状の段差傾斜部７３を適用した場合にも、それらの屈曲部（湾曲部）において効果的に液晶分子の配向乱れを発生させることができ、ＯＣＢモードの液晶層５０の初期配向転移を円滑に行うことができる。上記した各形状のうちでも、複数の屈曲部７３２を備えた図８（ｂ）に示す形態では、最も効果的に段差傾斜部７３にてディスクリネーションを発生させることができるが、屈曲点を多くするとより広い領域を遮光する必要が生じて画素開口率が低下するため、表示の明るさとのバランスで段差傾斜部の形状を決定することが好ましい。
【００６０】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態である液晶装置４００について、図９を参照して説明する。図９（ａ）は本実施形態の液晶装置４００における１つのサブ画素の平面構成図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ’線に沿う断面構成図である。
本実施形態の液晶装置４００は、先の第３実施形態の液晶装置３００において、マルチギャップ構造を形成する液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７３と平面的に重なる位置に、コンタクトホール１４を設けた点に特徴を有している。従って図９では先の液晶装置３００と共通の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明では共通の構成についての詳細な説明は省略する。
【００６１】
図９に示すように、液晶装置４００では、対向基板２０の液晶層厚調整層２４が平面視屈曲形状の段差傾斜部７３を有しており、かつ、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ素子１３と画素電極１５とを電気的に接続するべく層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１４が、段差傾斜部７３の屈曲点と対向する位置に形成されている。また、コンタクトホール１４を画素電極１５の中央部に設けたことに伴い、走査線３ａ、ＴＦＴ素子１３等も画素電極１５の中央部に配置されている。
【００６２】
本実施形態の液晶装置４００では、液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７３が屈曲形状とされているのに加え、段差傾斜部７３の屈曲点と対向する位置のＴＦＴアレイ基板１０側にコンタクトホール１４を配置しているので、段差傾斜部７３の屈曲点におけるディスクリネーションの発生箇所と、コンタクトホール１４によってＴＦＴアレイ基板１０表面に形成される凹部に起因するディスクリネーションの発生箇所とが一致しており、極めて効率よくディスクリネーションを発生させることができ、ＯＣＢモードの液晶層５０の初期配向転移を円滑に行うことができる。また、本実施形態では、図９（ａ）に示すように、段差傾斜部７３の屈曲点と、コンタクトホール１４の双方が、画素電極１５の中央部に配置されているため、これらによって発生したディスクリネーションにより誘起された配向転移が画素電極１５の周囲に放射状に伝搬するため、サブ画素の平面領域全体で均一に初期配向転移を進行させることができ、サブ画素内に部分的に配向転移の不良が生じることもない。
【００６３】
さらに、本実施形態の液晶装置４００では、走査線３ａが液晶層厚調整層２４の段差傾斜部７３の近傍に配置されているため、比較的高電圧のパルスが入力される走査線３ａの近傍に形成される電界によって段差傾斜部７３近傍でのディスクリネーションの発生を促進することができ、初期配向転移のさらなる高速化を実現することができる。
【００６４】
（電子機器）
図１０は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１２に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。本発明の液晶装置は、表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた携帯電話１３００を提供することができる。
【００６５】
上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストの表示が可能になっている。
【００６６】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記各実施の形態では、画素スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いた場合について説明したが、ＴＦＴ素子に代えてＴＦＤ素子（二端子型非線形素子）を用いてもよいのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成図。
【図２】同、回路構成図。
【図３】同、サブ画素の平面構成図及び断面構成図。
【図４】ＯＣＢモードの液晶の配向状態の説明図。
【図５】図３に示す初期転移構造の構成例を示す平面構成図。
【図６】第２実施形態に係る液晶装置を示す図。
【図７】第３実施形態に係る液晶装置を示す図。
【図８】図７に示す液晶層厚調整層の段差傾斜部の形状例を示す平面構成図。
【図９】第４実施形態に係る液晶装置を示す図。
【図１０】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００６８】
１００，２００，３００，４００  液晶装置、Ｒ  反射表示領域、Ｔ  透過表示領域、３ａ  走査線（配線部材）、３ｂ  容量線（配線部材）、１０  ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０  対向基板（第２基板）、１５  画素電極、１５ｒ  反射電極（反射層）、１５ｔ  透明電極、２４，２４１，２４２  液晶層厚調整層、２５  対向電極、５５  初期転移構造、７０，７１，７２，７３  段差傾斜部、
【図１】
2007133193.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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