(57)【要約】【課題】  複数枚の基板を基板保持具に保持して処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する場合において、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、構成部材が腐食される心配の無い基板保持具を提供する。【解決手段】  処理液が貯留される処理槽１０の内部と外部との間で移動可能に支持されＳｉＣで形成された移動部材２６と、移動部材２６に固着され基板Ｗの配列方向に沿って水平方向に配置された複数の基板保持枠２８、３０と、基板保持枠２８、３０に設けられ基板Ｗの下端部に接触して基板Ｗを保持する保持部材３４ａ、３４ｂ、３６ａ、３６ｂとを備えて、基板保持具１２を構成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を起立姿勢で配列させて保持する基板保持具において、
処理液が貯留されている処理槽の内部と前記処理槽の上方位置との間で移動可能であり、ＳｉＣで形成された移動部材と、
前記移動部材に固着され、それぞれ基板の配列方向に沿って水平方向に配置された複数の基板保持枠と、
前記基板保持枠に設けられ、基板の下端部に接触して基板を保持する保持部材と、
を備えることを特徴とする基板保持具。
【請求項２】
請求項１に記載の基板保持具において、
前記移動部材の表面にＣＶＤＳｉＣ膜が被着されていることを特徴とする基板保持具。
【請求項３】
請求項２に記載の基板保持具において、
前記移動部材の表面に被着された前記ＣＶＤＳｉＣ膜は、１０μｍ〜３０μｍの厚さであることを特徴とする基板保持具。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板保持具において、
前記基板保持枠は、ＳｉＣで形成されていることを特徴とする基板保持具。
【請求項５】
請求項４に記載の基板保持具において、
前記基板保持枠の表面にＣＶＤＳｉＣ膜が被着されていることを特徴とする基板保持具。
【請求項６】
請求項５に記載の基板保持具において、
前記基板保持枠の表面に被着されたＣＶＤＳｉＣ膜は、１０μｍ〜３０μｍの厚さであることを特徴とする基板保持具。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板保持具において、
前記保持部材は、フッ素樹脂で形成されていることを特徴とする基板保持具。
【請求項８】
請求項７に記載の基板保持具において、
前記保持部材を形成するフッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフロロトリフルオロエチレンおよびポリエーテルエーテルケトンからなる群より選ばれたいずれかの樹脂であることを特徴とする基板保持具。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板保持具において、
前記基板保持枠と前記保持部材とは、フッ素樹脂で形成された固定具により固定されていることを特徴とする基板保持具。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板保持具において、
前記固定具を形成するフッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフロロトリフルオロエチレンおよびポリエーテルエーテルケトンからなる群より選ばれたいずれかの樹脂であることを特徴とする基板保持具。
【請求項１１】
処理液が貯留される処理槽の内部に複数枚の基板を収容し、前記処理槽内の処理液中に複数枚の基板を浸漬させて処理する基板処理装置において、
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板保持具を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理槽内に貯留された処理液中に複数枚の基板を浸漬させて処理する基板処理装置の構成要素の１つであって、複数枚の基板を起立姿勢で配列させて保持する基板保持具、ならびに、その基板保持具を備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理槽内に貯留された処理液中に基板を浸漬させて、洗浄、エッチング等の処理を行う基板処理装置においては、基板保持具によって複数枚の基板を保持し、その基板保持具を処理槽の内部と外部との間で移動させて、基板保持具を処理槽内へ挿入することにより、処理槽内の処理液中に基板を浸漬させて処理する。そして、基板保持具は、複数枚の基板を互いに接触することなく起立姿勢で配列させて保持することができる構成を有している。例えば、基板保持具は、鉛直方向に配設され処理槽の内部と外部との間で移動可能に支持されたリフタ部材（移動部材）と、それぞれ一端部がリフタ部材の下端部分に固着され水平方向に配設された複数の基板保持枠、例えば、リフタ部材の下端部分の中央に固設された中央の基板保持枠、および、リフタ部材の下端部分の左・右にそれぞれ固設された左・右の基板保持枠と、これらの基板保持枠のそれぞれの他端部に固着され鉛直方向に配設された固定枠（固定部材）と、各基板保持枠にそれぞれ固設され基板の下端縁と係合する複数の基板保持溝を有し複数枚の基板を相互に僅かな間隔をあけてそれぞれ起立姿勢で水平方向に配列させて保持する保持部材とを備えて構成されている。このような構成を有する基板保持具は、処理槽内の処理液中に浸漬されて処理液と接触するので、その構成部材であるリフタ部材や固定枠は、石英ガラスで形成されて、その石英ガラス基材の表面が処理液に対して耐食性を有するフッ素樹脂などでコーティングされている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平８−４９０７３号公報（第６−７頁、図１１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
基板保持具のリフタ部材や固定枠は、石英ガラスで形成されてその基材表面がフッ素樹脂などでコーティングされているが、５％以上の高濃度のフッ酸（ＨＦ）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）あるいは硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を処理液として使用した場合には、フッ素樹脂被膜の内部に処理液が染み込んで、石英ガラス基材からフッ素樹脂被膜が剥がれてしまい、リフタ部材や固定枠が腐食される、といった問題点がある。
【０００４】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、複数枚の基板を基板保持具に保持して処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する場合において、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、構成部材が腐食される心配の無い基板保持具を提供すること、および、そのような基板保持具を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に係る発明は、複数枚の基板を起立姿勢で配列させて保持する基板保持具において、処理液が貯留されている処理槽の内部と前記処理槽の上方位置との間で移動可能であり、ＳｉＣ（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）で形成された移動部材と、前記移動部材に固着され、それぞれ基板の配列方向に沿って水平方向に配置された複数の基板保持枠と、前記基板保持枠に設けられ、基板の下端部に接触して基板を保持する保持部材とを備えることを特徴とする。
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板保持具において、前記移動部材の表面にＣＶＤ（化学蒸着）ＳｉＣ膜が被着されていることを特徴とする。
【０００７】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板保持具において、前記移動部材の表面に被着された前記ＣＶＤＳｉＣ膜が１０μｍ〜３０μｍの厚さであることを特徴とする。
【０００８】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板保持具において、前記基板保持枠がＳｉＣで形成されていることを特徴とする。
【０００９】
請求項５に係る発明は、請求項４に記載の基板保持具において、前記基板保持枠の表面にＣＶＤＳｉＣ膜が被着されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項６に係る発明は、請求項５に記載の基板保持具において、前記基板保持枠の表面に被着されたＣＶＤＳｉＣ膜が１０μｍ〜３０μｍの厚さであることを特徴とする。
【００１１】
請求項７に係る発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板保持具において、前記保持部材がフッ素樹脂で形成されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項８に係る発明は、請求項７に記載の基板保持具において、前記保持部材を形成するフッ素樹脂が、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる群より選ばれたいずれかの樹脂であることを特徴とする。
【００１３】
請求項９に係る発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板保持具において、前記基板保持枠と前記保持部材とが、フッ素樹脂で形成された固定具により固定されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の基板保持具において、前記固定具を形成するフッ素樹脂が、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＰＶＤＦ、ＰＣＴＦＥおよびＰＥＥＫからなる群より選ばれたいずれかの樹脂であることを特徴とする。
【００１５】
請求項１１に係る発明は、処理液が貯留される処理槽の内部に複数枚の基板を収容し、前記処理槽内の処理液中に複数枚の基板を浸漬させて処理する基板処理装置において、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板保持具を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１ないし請求項３に係る各発明の基板保持具を使用すると、移動部材がＳｉＣで形成されているので、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、移動部材が腐食される心配は無い。
【００１７】
請求項４ないし請求項６に係る各発明の基板保持具では、基板保持枠がＳｉＣで形成されているので、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、基板保持枠が腐食される心配は無い。
【００１８】
請求項７および請求項８に係る各発明の基板保持具では、保持部材が耐薬品性に優れたフッ素樹脂で形成されているので、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、保持部材が腐食される心配は無い。
【００１９】
請求項９および請求項１０に係る各発明の基板保持具では、基板保持枠と保持部材とを固定する固定具が耐薬品性に優れたフッ素樹脂で形成されているので、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、固定具が腐食される心配は無い。
【００２０】
請求項１１に係る発明の基板処理装置においては、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、基板保持具の移動部材が腐食される心配は無い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１ないし図４は、この発明の実施形態の１例を示し、図１は、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式的断面図であり、図２は、この基板処理装置の構成要素である基板保持具の主要部を正面から見た拡大断面図であり、図３は、基板保持具の主要部を部分的に破断した状態で示す側面図であり、図４は、その基板保持具のリフタ部材の断面構造を示す部分拡大断面図である。
【００２２】
この基板処理装置は、図１に示すように、処理液を貯留する処理槽１０、および、複数枚の基板Ｗを起立姿勢で配列させて保持する基板保持具（リフタ）１２を備え、基板保持具１２は、処理槽１０の内部へ基板Ｗを挿入して処理槽１０内の処理液中に基板Ｗを浸漬させるとともに、処理槽１０内の処理液中から基板Ｗを引き上げて処理槽１０の上方位置へ基板Ｗを排出する。処理槽１０の下部には処理液供給口１４が設けられており、処理液供給口１４に、処理液、例えばフッ酸、リン酸、硫酸などの処理液の供給源に流路接続された処理液供給管１６が連通して接続されている。また、処理槽１０の底部には排液口１８が設けられ、排液口１８に排液管２０が連通して接続されている。処理槽１０の上部外周には、処理槽１０の上部から溢れ出た処理液が流入する液受け部２２が設けられており、液受け部２２の底部に形設された排液口に排液管２４が連通して接続されている。
【００２３】
基板保持具１２は、図２および図３に示すように、鉛直方向に配設されたリフタ部材（移動部材）２６、このリフタ部材２６の下端部分にそれぞれ一端部が固着されて水平方向に配設された複数の基板保持枠、図示例では、リフタ部材２６の下端部分の中央に固設された中央の基板保持枠２８、および、リフタ部材２６の下端部分の左・右にそれぞれ固設された一対の基板保持枠３０、３０、これらの基板保持枠２８、３０のそれぞれの他端部に一体的に固着され鉛直方向に配設された固定枠（固定部材）３２、ならびに、各基板保持枠２８、３０にそれぞれ固設され基板Ｗの下端部に接触して基板Ｗを保持する保持部材３４ａ、３４ｂ；３６ａ、３６ｂを備えて構成されている。
【００２４】
リフタ部材２６は、図示しない支持・移動機構により処理槽１０の内部と処理槽１０の上方位置との間で昇降可能に支持されている。このリフタ部材２６は、図４の（ａ）に示すように、ＳｉＣ材２６ａで形成されている。あるいは、図４の（ｂ）に示すように、リフタ部材２６は、ＳｉＣで形成された基材２６ｂの表面にＣＶＤＳｉＣ膜２６ｃが被着された断面構造を有する。ＣＶＤＳｉＣ膜２６ｃは、例えば、ＳｉＣで形成された基材２６ｂを加熱炉内へ搬入して加熱した状態で原料をスプレイしたりコーティングしたりすることにより基材２６ｂ上に形成される。このとき、ＣＶＤＳｉＣ膜２６ｃは、１０μｍ〜３０μｍの厚さとすることが望ましい。
【００２５】
また、基板保持枠２８、３０および固定枠３２もそれぞれ、ＳｉＣで形成され、あるいは、ＳｉＣで形成された基材の表面にＣＶＤＳｉＣ膜が被着された断面構造を有する。ＣＶＤＳｉＣ膜は、例えば、ＳｉＣで形成された基材を加熱炉内へ搬入して加熱した状態で原料をスプレイしたりコーティングしたりすることにより基材上に形成される。このとき、ＣＶＤＳｉＣ膜は、１０μｍ〜３０μｍの厚さとすることが望ましい。
【００２６】
基板保持枠２８、３０に固設された保持部材３４ａ、３４ｂ；３６ａ、３６ｂは、細長い薄板材からなり、各基板保持枠２８、３０の左右両側面にそれぞれ固定具（ボルトおよびナット）３８によって固定されている。これらの保持部材３４ａ、３４ｂ；３６ａ、３６ｂおよび固定具３８はそれぞれ、例えば、耐薬品性に優れたＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＰＶＤＦ、ＰＣＴＦＥ、ＰＥＥＫ等のフッ素樹脂で形成されている。そして、中央の基板保持枠２８に固設された保持部材３４ａ、３４ｂによって基板Ｗの下縁中央部分が支持されるとともに、左右一対の基板保持枠３０にそれぞれ固設された保持部材３６ａ、３６ｂによって基板Ｗの下縁付近の左・右部分がそれぞれ支持されて、基板Ｗが起立姿勢で保持される。また、保持部材３４ａ、３４ｂ；３６ａ、３６ｂは、図３に示すように、基板Ｗの下端縁と係合する複数の基板保持溝４０ａ、４０ｂ；４２ａ、４２ｂをそれぞれ有しており、複数枚の基板Ｗを相互に僅かな間隔をあけ一定ピッチで水平方向に配列させて保持することができるように構成されている。
【００２７】
上記したように、基板保持具１２のリフタ部材２６、基板保持枠２８、３０および固定枠３２がそれぞれ、ＳｉＣで形成され、あるいは、ＳｉＣで形成された基材の表面にＣＶＤＳｉＣ膜が被着された断面構造を有しているので、処理槽１０内に高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を貯留し、それらの処理液中に基板Ｗを浸漬させて基板Ｗを処理するような場合であっても、この基板保持具１２では、リフタ部材２６、基板保持枠２８、３０および固定枠３２が腐食される心配が無い。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】この発明の実施形態の１例を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式的断面図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の構成要素である基板保持具の主要部を正面から見た拡大断面図である。
【図３】図２に示した基板保持具の主要部を部分的に破断した状態で示す側面図である。
【図４】図２および図３に示した基板保持具のリフタ部材の断面構造を示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０  処理槽
１２  基板保持具
１４  処理液供給口
１６  処理液供給管
１８  排液口
２０  排液管
２６  リフタ部材（移動部材）
２６ａ  ＳｉＣ材
２６ｂ  ＳｉＣで形成された基材
２６ｃ  ＣＶＤＳｉＣ膜
２８、３０  基板保持枠
３２  固定枠
３４ａ、３４ｂ、３６ａ、３６ｂ  保持部材
３８  固定具
４０ａ、４０ｂ、４２ａ、４２ｂ  基板保持溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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