(57)【要約】【課題】マイクロカンチレバー梁の端部の位置及び角度の変わりやすさを低減するための方法及び装置を提供すること。【解決手段】検出コンタクト・プローブは、梁支持部及びプローブを含む。このプローブは、梁支持部から、ある位置を占め、ある角度の方向に向いているプローブ先端面まで延びる曲げ梁本体を有する。曲げ梁本体は、互いに接合され、梁本体を曲げる異なる残留応力を有する、第１及び第２の梁層を有する。曲げ梁本体内に応力緩和領域が形成される。この応力緩和領域は、プローブ先端面の位置及び角度方向を制御するために曲げを調整する、調整応力特性を有する。【選択図】図３
2007048430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
梁支持部及びプローブであって、前記梁支持部からそれと離隔されたプローブ先端面まで延びる曲げ梁本体を含み、前記プローブ先端面が、ある位置を占め、ある角度方向に向いており、
前記曲げ梁本体が、異なる残留応力を有し互いに接合され前記梁本体を曲げる第１及び第２の梁層を含む、梁支持部及びプローブと、
前記曲げ梁本体内に形成されており、前記プローブ先端面の位置及び角度方向を制御するために曲げを調整する調整応力特性を有する、応力緩和領域とを含む、
検出コンタクト・プローブ。
【請求項２】
前記応力緩和領域が、レーザによる除去領域、レーザ誘起塑性流動領域、及び化学エッチング領域からなる群から選択される、請求項１に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項３】
前記第１の梁層が電気絶縁層を含み、前記第２の梁層が、プローブ先端面への電気的接続を提供する金属層を含む、請求項１に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項４】
前記第１の梁層がアルミナを含み、前記第２の梁層がタンタルを含む、請求項１に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項５】
前記プローブ先端面が、１列をなす複数のプローブ先端面に共通のプローブ支持部から懸架された前記１列をなす複数のプローブ先端面の最初の先端面であり、前記最初のプローブ先端面を調整することにより、前記最初のプローブ先端面と残りの複数のプローブ先端面との整合が改善される、請求項１に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項６】
アレイ表面を有する強誘電体メモリ・アレイをさらに含み、前記複数のプローブ先端面が前記強誘電体メモリ面に接触して、前記アレイ表面への複数の電気的接点をもたらす、請求項５に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項７】
前記梁が、放射を前記プローブ先端面に伝える光導波路を含む、請求項１に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項８】
前記プローブ先端面が磁気ヘッドを含む、請求項１に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項９】
前記プローブ先端面が機械的接触センサを含む、請求項１に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項１０】
プローブ支持部及び第１の梁層が、材料の継ぎ目のない本体を含む、請求項１に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項１１】
第１の表面を有する第１の層、及び前記第１の表面に接合された第２の表面を有する第２の層を設ける段階であって、前記第１及び第２の層がそれぞれ異なる内部応力を有する段階と、
前記第１の層によって支持される第１の梁端部と、プローブ先端面のアレイを含む第２の梁端部とを有する梁のアレイを画定するための第１及び第２の層を形成する段階であって、前記梁のアレイが、その内部応力が異なるために曲がって、前記プローブ先端面の位置及び角度方向をもたらす段階と、
前記梁のアレイの少なくとも１つの梁上に応力緩和特性を有する応力緩和領域を設け、前記少なくとも１つの梁上のプローブ先端面の位置及び角度方向を調整するために、前記応力緩和特性を調整する段階とを含む、
検出コンタクト・プローブのアレイを製造する方法。
【請求項１２】
前記応力緩和特性を調整する段階が、レーザによる除去、レーザ誘起塑性流動、及び化学エッチングからなる群から選択される調整プロセスを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
電気絶縁材料から前記第１の層を形成する段階と、
プローブ先端への電気的接続を提供する金属層から前記第２の層を形成する段階と
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記調整する段階により、１つのプローブ先端面と、前記アレイ内の他のプローブ先端面との整合が改善される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
強誘電体メモリ・アレイをプローブ先端面と接触させる段階をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記強誘電体メモリ・アレイの走査を行なうために、前記プローブ先端面に対して前記強誘電体メモリ・アレイを移動させる段階をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記梁支持部からそれと離隔されたプローブ先端面まで延びる曲げ梁本体を含み、前記プローブ先端面がある位置を占め、ある角度方向に向いており、前記梁本体が、異なる残留応力を有し互いに接合され前記梁本体を曲げる第１及び第２の梁層を含む、プローブ支持部及びプローブと、
前記プローブ先端面の位置及び角度方向を制御するために前記曲げを調整する、前記曲げ梁内に形成された応力緩和手段とを含む、
検出コンタクト・プローブ。
【請求項１８】
前記応力緩和領域が、レーザによる除去領域、レーザ誘起塑性流動領域、及び化学エッチング領域からなる群から選択される、請求項１７に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項１９】
前記第１の梁層が電気絶縁層を含み、前記第２の梁層が、プローブ先端面への電気的接続を提供する金属層を含む、請求項１７に記載の検出コンタクト・プローブ。
【請求項２０】
前記第１の梁層がアルミナを含み、前記第２の梁層がタンタルを含む、請求項１７に記載の検出コンタクト・プローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にはコンタクト・プローブに関し、より詳細には、それだけには限らないが、強誘電体メモリと共に使用するためのコンタクト・プローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロカンチレバーは、マイクロメカニカル・デバイスにおいてコンタクト・フィンガー又はサポート・フィンガーとして使用されている。マイクロカンチレバーは、一般に１〜１００マイクロメートルの範囲の寸法を有し、ＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカル・システム）法又はＭＳＴ（マイクロシステム技術）法によって形成される。マイクロカンチレバーに伴う１つの問題は、梁の端部の位置及び角度がある程度変わりやすい傾向があることであり、この変わりやすさは、製造中に制御することが困難な加工条件のばらつきによるものと考えられている。この変わりやすさによって、マイクロカンチレバーを使用するデバイスを製作できる精度が制限される。マイクロカンチレバー梁の端部の位置及び角度の変わりやすさを低減するための方法及び装置が必要とされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の諸実施例は、これらの問題及びその他の問題の解決方法を提供し、また、従来技術に勝るその他の利点をもたらす。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
したがって、本発明は、検出コンタクト・プローブを開示する。この検出コンタクト・プローブは、梁支持部及びプローブを含む。このプローブは、梁支持部からプローブ先端面まで延びる曲げ梁本体を含む。このプローブ先端面は、梁支持部から分離されている。プローブ先端面は、ある位置を占め、ある角度方向に向いている。
【０００５】
曲げ梁本体は、互いに接合され、梁本体を曲げるそれぞれ異なる残留応力を有する第１及び第２の梁層を含む。この曲げ梁本体内に応力緩和領域が形成される。この応力緩和領域は、プローブ先端面の位置及び角度方向を制御するために曲げを調整する、調整応力特性を有する。
【０００６】
一実施例では、第１の梁層は電気絶縁層を含み、第２の梁層は、プローブ先端面への電気的接続を提供する金属層を含む。
【０００７】
別の実施例では、このプローブ先端面は、一列をなす複数のプローブ先端面に共通のプローブ支持部から懸架された１列をなす複数のプローブ先端面の最初の先端面であり、この最初のプローブ先端面を調整すると、最初のプローブ先端面と残りの複数のプローブ先端面との整合が改善される。
【０００８】
本発明の諸実施例を特徴付けるその他の特徴及び利点は、以下の詳細な説明を読み、添付の図面を検討すれば明らかになるであろう。
【実施例】
【０００９】
図１〜１０に関連して以下に説明する各実施例において、検出コンタクト・プローブは、それぞれ異なる残留応力を有する２つの層から形成される梁本体（マイクロカンチレバー）を含む。この２つの層は互いに接合され、残留応力の大きさが異なるため、梁は弓形に曲げられている。曲げ梁本体は、プローブ先端面をプローブ先端面によって走査すべき表面と梁の一端部で接触させておくための、予圧力を与えるバネとして働く。検出コンタクト・プローブは、ある表面の複数の点の同時（並行）走査を実現するために、複数のアレイとして形成することができる。製造工程のばらつきのためにアレイ中の個々の梁が不整合になっている場合は、梁本体内の応力緩和領域の応力特性を調整することによって、それらを整合させる。応力特性を調整するために、レーザ又は化学エッチングを使用することができる。１つのアレイの梁を互いに整合させて、プローブ先端面の正確な配置及び均一な機械的予圧を確保することができる。検出コンタクト・プローブは、強誘電体メモリにおける情報の走査、並びに他の応用例に使用することができる。
【００１０】
図１は、本発明の諸実施例が有用な、例示的な強誘電体データ記憶ドライブ１０を示す。このドライブ１０は、走査可能面１２を有する強誘電体記憶媒体１６を含む。１つのアレイをなす複数のカンチレバー梁１４が走査可能面１２に接触し、走査可能面１２との間でデータをやりとりする。マイクロアクチュエータ２０などのマイクロアクチュエータが、走査可能面１２とカンチレバー梁１４の間の相対的な走査動作を実現する。電気接点１８が、ドライブ１０とホスト・コンピュータ・システムの間の接続を提供する。
【００１１】
図２〜３は、基板２１４の複数の穴の中に形成された検出コンタクト・プローブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２からなるアレイ２００を示す。図２は、アレイ２００の上面（平面）図であり、図３は、図２の線３−３に沿った正面断面図である。
【００１２】
基板２１４は、検出コンタクト・プローブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２用の共通梁支持部を提供する。この基板２１４は、図２〜３では部分的に示されているだけであり、図２〜３には示されていないより多数の検出コンタクト・プローブを支持するように拡張することができる。検出コンタクト・プローブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２は、図示したように整然とした長方形のアレイの形で、又は斜めに揃えた形で配列することが好ましい。基板２１４は、検出コンタクト・プローブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２による表面２１６の走査を実現するために、表面２１６（図３）に対してＸ軸及びＹ軸に沿って移動可能である。基板２１４は、表面２１６から制御された間隔Ｚで支持されている。この制御された間隔Ｚは、一般に、表面２１６と各検出コンタクト・プローブの間の予圧力が所望の大きさになるように選択される。この予圧力は、検出コンタクト・プローブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２が好ましくはバネとして機能するように、検出コンタクト・プローブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２を偏向させる。基板２１４と表面２１６の間の相対的な移動は、基板２１４の移動又は表面２１６の移動、或いは基板２１４と表面２１６の両方の移動によって実現することができる。制御された間隔Ｚは、連続的に維持することもでき、或いは、急速な相対移動の期間中に一時的に広げることもでき、また検出コンタクト・プローブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２が表面２１６に接触しない移行位置に基板を「待機させておく」ために動かすこともできる。例示的な一応用例では、第１のアクチュエータ（図示せず）によって基板２１４がＸ軸に沿って移動し、第２のアクチュエータ（図示せず）によって基板２１６がＹ軸に沿って移動する。
【００１３】
図２〜３で、基板２１４及び表面２１６は、平坦な要素として示されているが、基板２１４及び表面２１６は、円筒形など他の形状を有することもできる。表面２１６は、強誘電体メモリ又は磁気メモリの表面を含むことが好ましく、この表面はプローブ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２によってアクセスされる。基板２１４と表面２１６の間の相対移動は、ランダム・アクセス走査、ラスタ走査、又はその他の周知の表面走査動作やパターンなど、適切などんな走査動作でもよい。複数のプローブを使用することによって、多数のビットのデータを同時に（並列に）書き込み又は読み出して、高速アクセスを実現することができる。
【００１４】
検出コンタクト・プローブ２１８、２２０、２２２との間で情報を搬送するために、例示的な通信チャネル２１８、２２０、２２２が基板２１４の上面２１５を走っている。この通信チャネル２１８、２２０、２２２は、電気導体、光導波路、又はその両方など、周知の通信チャネルを含むことができる。通信チャネル２１８、２２０、２２２は、検出コンタクト・プローブ２０８、２１０、２１２を付勢するために使用することもできる。通信チャネル２１８、２２０、２２２は、基板表面２１５上、又はその他の所に設置することができる電子回路（図示せず）に結合される。
【００１５】
検出コンタクト・プローブ２１０などの例示的な検出コンタクト・プローブは、梁支持部２２４（基板２１４の一部）及びプローブ２２６を含む。このプローブ２２６は、梁支持部２２４から、それと離隔されたプローブ先端面２３０まで延びる曲げ梁本体２２８を含む。このプローブ先端面２３０は、後で図６に関して説明する例についてより詳細に説明するように、ある位置を占め、ある角度方向に向いている。
【００１６】
後で図４〜７に関してより詳細に説明するように、曲げ梁本体２２８は、互いに接合されそれぞれ異なる残留応力を有する第１及び第２の梁層を含む。この異なる残留応力によって梁本体が曲げられる。第１及び第２の梁層は、２つの層中の残留応力が相違するように第１及び第２の層を異なるプロセス条件の下で形成する場合には、同じ材料から形成することができる。好ましくは、第１及び第２の層を異なる材料組成で形成し、それによって残留応力の差異を大きくする。
【００１７】
曲げ梁本体２２８内に応力緩和領域２３２を形成する。この応力緩和領域２３２は、プローブ先端面２３０の位置及び角度方向を制御するために、曲げ梁本体２２８の曲げを調整する調整応力特性を有する。アレイ２００を製作した後に、アレイ中の１つ又は複数のプローブ先端がそのアレイ中の他のプローブ先端と最適に整合せず、したがって他のプローブ先端と同じ力及び角度方向で表面２１６と接触しなくなることがわかることがある。後でより詳細に説明するように、整合していない検出コンタクト・プローブは、応力緩和領域２３２の応力特性を調整することによって正しい整合状態になる。この応力緩和領域２３２は、レーザによる除去領域、レーザ誘起塑性流動領域、化学エッチング領域、又はその他の周知の調整可能な応力緩和領域を含むことができる。
【００１８】
図４〜７は、図２〜３に示した検出コンタクト・プローブ２１０と同等の検出コンタクト・プローブを製造する際の諸工程段階を示す。図４は、製造の第１段階における検出コンタクト・プローブ４００の正面断面図であり、図５は、その側面断面図である。
【００１９】
図４〜５で、基板４０２は上面４０４を有し、その上に通信チャネル４０６が蒸着される。この通信チャネル４０６は、強誘電体メモリの表面と電気的に接触するのに有用な電気導体として働く、パターニングしたタンタルの薄膜層を含む。基板４０２は、アルミナの層を含む。タンタル薄膜層４０６は、ＭＥＭＳリソグラフィの周知の適切などんな方法を使用してパターニングすることもできる。このタンタル薄膜４０６の厚さは、約０．５マイクロメートル程度であることが好ましい。
【００２０】
蒸着プロセスの完了後、タンタル薄膜４０６は、上面４０４に平行な線に沿って、二軸応力を含む又は含まない機械的残留応力の状態にある。基板４０２のうちタンタル薄膜４０６の下にある部分も、上面４０４に平行な線に沿って、機械的残留応力の状態にある。タンタル薄膜４０６内の残留応力の大きさは、基板４０２のその下にある部分内の残留応力の大きさとは異なる。タンタル薄膜４０６は、継ぎ目のない本体を形成するために、蒸着プロセスによって基板上面４０４と連続的に接合される。この連続的な接合によって、そうでない場合にはそれぞれの層を互いにすべらせ、残留応力の差異を減じるかもしれないクリープが除去され、又は有効に制限される。この異なる残留応力は、基板４０２内にもタンタル薄膜内にも残存する。
【００２１】
基板４０２を微細加工して、基板４０２内のタンタル薄膜４０６の一部分の下に穴４０８を形成する。タンタル薄膜４０６の下にアルミナ層４１０が残される。好ましい一実施例では、このアルミナ層４１０は約０．５マイクロメートルの厚さを有する。
【００２２】
図６は、製造の第１段階に続く製造の第２段階における検出コンタクト・プローブ４５０の正面断面図であり、図７は、その側面断面図である。
【００２３】
図６〜７では、アルミナ層４１０は、タンタル薄膜４０６を取り囲む領域内で選択的に除去されており、タンタル梁層４５４の下にアルミナ梁層４５２が残されている。この選択的な除去は、エッチング、又はその他の周知のＭＥＭＳ成形方法によって完了させることができる。アルミナ梁層４５２とタンタル梁層４５４が一緒になって、曲げ梁本体４５６を構成する。この曲げ梁本体４５６は、プローブ先端面４６０から、基板４０２の一部である梁支持部４６２まで延びている。
【００２４】
アルミナ梁層４５２内及びタンタル梁層４５４内の残留応力が異なるため、梁本体４５６が曲げられる。プローブ先端面４６０は、角度θまで曲がる。角度θは４５°を超えており、約９０°に近く、且つ所望の角度方向に近いことが好ましい。このプローブ先端面４６０は、所望の位置に近い、ある直角座標位置Ｘ、Ｚにある。しかし、この直角座標位置及び角度方向は、梁の厚さなどのプロセス・パラメータのばらつきにより、変動する可能性があることがわかる。所望の角度方向又は所望の直角座標位置、或いはその両方を得るために、プローブ先端面の直角座標位置及び角度方向に微調整を加えることが望まれる。
【００２５】
梁本体４５６内に、応力緩和領域Ｓ２を形成する。この応力緩和領域Ｓ２は、プローブ先端面４６０の位置及び角度方向を所望の値に調整するために、調整可能な応力緩和特性を有する。この応力緩和特性は、応力緩和領域の機械的弱化を含むことが好ましい。この機械的弱化は、レーザによる除去又は化学エッチングによる永久的な弱化を含むことができる。或いは、機械的弱化は、レーザ誘起塑性流動中に加熱することによる弱化を含むことができる。冷却後、材料は異なる形状となってその強度を回復し、その応力場は変化したものになる。
【００２６】
応力緩和領域の位置は、梁本体４５６の長手方向Ｓに沿って、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３など異なる位置に選択することができる。この選択した位置によって、Ｘ、Ｚにおける偏向調整の相対量が制御される。選択した位置によって、Ｚ、θの相対変化の量も影響を受ける。この調整は、（図２〜３に示したような）複数の検出コンタクト・プローブからなる１つのアレイ内で、アレイ内での接点の位置決め（Ｘ調整に影響される）が均一になり、予圧の大きさ（Ｚ調整に影響される）が均一になるように、選択された検出コンタクト・プローブを調整するのに特に有用である。好ましい一実施例では、梁本体４５６は、厚さ１マイクロメートル、幅２５マイクロメートル、長さ７５マイクロメートルである。タンタル内の典型的な初期応力は１００Ｍパスカル程度であり、アルミナ梁層４５２内の典型的な初期応力は１Ｇパスカル程度である。応力緩和領域は、一般に１マイクロメートルの溝幅、及び０．２５マイクロメートルの溝深さを有する。調整により、０〜１ミクロンの範囲でＺが変更される。
【００２７】
アルミナ梁層４５２は電気絶縁層を含み、タンタル梁層４５４は、プローブ先端面４６０への電気的接続を提供する金属層を含む。
【００２８】
好ましい一構成では、プローブ先端面４６０は、１列をなす複数のプローブ先端面に共通のプローブ支持部から懸架された前記１列をなす複数のプローブ先端面の最初の先端面である。この最初のプローブ先端面４６０を調整することにより、プローブ先端面４６０と残りの複数のプローブ先端面との整合が改善される。好ましい一構成では、検出コンタクト・プローブ４５０は、（図３の表面２１６のような）記憶媒体表面を有する強誘電体記憶媒体をさらに含み、複数のプローブ先端面が、強誘電体記憶媒体の表面２１６に接触して、表面２１６への複数の電気的接点を形成する。
【００２９】
或いは、このプローブ先端面４６０は、磁気媒体を走査するための磁気ヘッドを含むこともでき、また表面との接触を感知するための機械的コンタクト・センサを含むこともできる。
【００３０】
図４〜７は、検出コンタクト・プローブのアレイを製造する方法を示す。第１の層４５２は第１の表面４０４を有し、第２の層４５４は、第１表面４０４に接合された第２の表面４６２を有する。この第１の層４５２と第２の層４５４は、それぞれ異なる内部応力を有する。第１の層４５２及び第２の層４５４は、第１の層によって支持される第１の梁端部４６２と、プローブ先端面４６０のアレイを含む第２の梁端部とを有する梁のアレイを画定するように形成されている。この梁のアレイは、その内部応力が異なるために曲がって、各プローブ先端面４６０の位置及び角度方向をもたらす。この梁のアレイの少なくとも１つの梁上に、ある応力緩和特性を有する１つの応力緩和領域が設けられる。この応力緩和特性は、少なくとも１つの梁上のプローブ先端面の位置及び角度方向を調節するように調整される。
【００３１】
図８は、曲げ梁本体８０６内の応力特性を調整するために使用できる、レーザを用いた調整設備（ｆｉｘｔｕｒｅ）８００を示す。調整設備８００は、曲げ梁本体８０６に向けることができる調整可能なレーザ８０２及び８０４を含む。応力緩和領域Ｋ１は、レーザ８０２により、曲げ梁本体８０６の上面に長さ方向Ｋに沿って形成することができる。応力緩和領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、レーザ８０４により、曲げ梁本体８０６の長さ方向Ｓに沿って形成することができる。レーザ８０２及び８０４からのレーザ・パルスの強度及び持続時間は、応力緩和領域のレーザにより除去又はレーザ誘起塑性流動のいずれかが得られるように設定することができる。力／位置センサ８０８が、プローブ先端面８１０で力及び位置を感知する。この力／位置センサ８０８は、マイクロアクチュエータ８１２によって位置決めされる。プロセッサ８１４が、マイクロアクチュエータ８１２を制御し、またレーザ８０２、８０４の方向、強度、及び持続時間を制御する。動作の際に、この調整設備は、プローブ先端面８１０の初期の力及び位置を感知する。力又は位置が正しくない場合には、プロセッサ８１４は、レーザ８０２、８０４のうちの一方又は両方を使用して調整量を計算する。調整が行なわれた後、力及び位置を再び感知し、必要に応じ２回目の調整を行なって、所望の大きさの力及び所望の位置にすることができる。１つのアレイ内で１つの曲げ梁本体の調整の完了後、調整設備は、そのアレイ内の調整が必要な第２の曲げ梁本体へ移動することができる。走査すべき表面と適切に接触させるために、アレイ全体を調整することができる。
【００３２】
図９は、複数のタイプの応力緩和領域の様々な例を概略的に示す。応力緩和領域９００は、チャネル９０２内にレーザにより除去された領域を含む。応力緩和領域９０４は、絶縁基板層９０６内に化学エッチングされた溝を含む。応力緩和領域９０８は、基板層９０６内にレーザ誘起塑性流動領域を含む。
【００３３】
図１０は、図９の応力緩和領域９０８の拡大図である。領域９０８は塑性状態まで加熱された後冷却され、応力線９１０が応力緩和領域９０８を通っていない。
【００３４】
本発明の様々な実施例の多くの特徴及び利点を、本発明の様々な実施例の構造及び機能の詳細と共に以上の説明中で述べてきたが、この開示は例示的なものにすぎず、細部において、特に、本発明の原理の範囲内の構造及び各部分の構成に関して、添付の特許請求の範囲が表現されている用語の広い一般的な意味によって示される最大限の範囲まで、変更を加えることができることを理解されたい。例えば、本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく実質的に同じ機能を維持しながら、検出コンタクト・プローブの特定の応用例に応じて、特定の要素を変えることができる。加えて、本明細書で説明した好ましい実施例は、強誘電体メモリ用の走査システムを対象としているが、本発明の教示は、本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく、その他の機械的走査システムに応用できることを当業者は理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】強誘電体データ記憶ドライブを示す図である。
【図２】検出コンタクト・プローブのアレイを示す図である。
【図３】検出コンタクト・プローブのアレイを示す図である。
【図４】検出コンタクト・プローブのアレイを製造する一加工段階を示す図である。
【図５】検出コンタクト・プローブのアレイを製造する一加工段階を示す図である。
【図６】検出コンタクト・プローブのアレイを製造する一加工段階を示す図である。
【図７】検出コンタクト・プローブのアレイを製造する一加工段階を示す図である。
【図８】検出コンタクト・プローブを調整するための製造設備を示す図である。
【図９】検出コンタクト・プローブ内の応力緩和領域の一実施例を示す図である。
【図１０】検出コンタクト・プローブ内の応力緩和領域の一実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０  強誘電体データ記憶ドライブ
１２  走査可能面
１４  カンチレバー梁
１６  強誘電体記憶媒体
１８  電気接点
２０  マイクロアクチュエータ
２０２  検出コンタクト・プローブ
２０４  検出コンタクト・プローブ
２０６  検出コンタクト・プローブ
２０８  検出コンタクト・プローブ
２００  アレイ
２１０  検出コンタクト・プローブ
２１２  検出コンタクト・プローブ
２１４  基板
２１５  上面
２１６  表面
２１８  通信チャネル
２２０  通信チャネル
２２２  通信チャネル
２２４  梁支持部
２２６  プローブ
２２８  曲げ梁本体
２３０  プローブ先端面
２３２  応力緩和領域
４００  製造の第１段階における検出コンタクト・プローブ
４０２  基板
４０４  上面
４０６  通信チャネル
４０８  穴
４１０  アルミナ層
４５０  製造の第２段階における検出コンタクト・プローブ
４５２  アルミナ梁層
４５４  タンタル梁層
４５６  曲げ梁本体
４６０  プローブ先端面
４６２  梁支持部
８００  調整設備
８０２  調整可能なレーザ
８０４  調整可能なレーザ
８０６  曲げ梁本体
８０８  力・位置センサ
８１０  プローブ先端面
８１２  マイクロアクチュエータ
８１４  プロセッサ
９００  応力緩和領域
９０２  チャネル
９０４  応力緩和領域
９０６  絶縁基板層
９０８  応力緩和領域
９１０  応力曲線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【外国語明細書】
2007048430000001.pdf