(57)【要約】【課題】簡便に蓋体を設置しつつ、確実に電磁シールドを形成可能な半導体装置を提供する。【解決手段】上面４ａに開口する開口孔４ｃを備え、開口孔４ｃの上方にダイヤフラム５ａを位置させて半導体センサチップ５が設置される樹脂層４と、半導体センサチップ５の下方に配されて樹脂層４に封止される板状のステージ１と、ステージ１に一端２ａが接続され、樹脂層４の外側に向けて延出された他端２ｂ側に樹脂層４から露出する一面２ｃを備えた外部接続用端子２と、樹脂層４の上面４ａとともに半導体センサチップ５を収容する空間８を画成する導電性の蓋体９とが具備されており、蓋体９に、外部接続用端子２の一面２ｃと隣接しつつ略同一水平面上に配された一面９ｇを有する電磁シールド形成用端子９ｄを具備する。【選択図】図４
2007158217.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続用端子を外側に突出させつつ樹脂で封止した基板の上面に半導体センサチップが固定されるとともに、前記半導体センサチップを囲んだ状態で前記基板の上方を覆う導電性の蓋体が取り付けられ、該蓋体には、前記外部接続用端子と同一面となるように前記基板の外側に突出する電磁シールド形成用端子が具備されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
加えられた圧力によって変形し該変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムが形成された半導体センサチップを具備する半導体装置であって、
上面に開口する開口孔を備え、該開口孔の上方に前記ダイヤフラムを位置させて前記半導体センサチップが設置される樹脂層と、前記半導体センサチップの下方に配されて前記樹脂層に封止される板状のステージと、該ステージに一端が接続され、前記樹脂層の外側に延出された他端側に前記樹脂層から露出する一面を備えた外部接続用端子と、前記樹脂層の上面とともに前記半導体センサチップを収容する空間を画成する導電性の蓋体とが具備されており、前記蓋体には、前記外部接続用端子の一面と隣接しつつ略同一水平面上に配された一面を有する電磁シールド形成用端子が具備されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記樹脂層には、前記上面の側端側に上方に向けて突出する突部が前記半導体センサチップを収める凹部を画成するように連設されており、前記蓋体は、前記突部の上端に固着されて前記樹脂層とともに前記半導体センサチップを収容する前記空間を画成する天板部と、該天板部の側端側から前記樹脂層の側面の外側を通って下方に延出する前記電磁シールド形成用端子とを備え、該電磁シールド形成用端子の下端に前記外部接続用端子の一面と隣接する前記一面が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記樹脂層には、前記上面の側端側に上方に向けて突出する突部が前記半導体センサチップを収める凹部を画成するように連設されており、前記蓋体は、前記突部の上端に固着されて前記半導体センサチップを収容する前記空間を画成する天板部と、該天板部の側端側から前記樹脂層の側面を覆うように垂下した側壁部とを備えるとともに、前記側壁部に、該側壁部の下端から下方に延出する前記電磁シールド形成用端子が設けられ、該電磁シールド形成用端子の下端に前記外部接続用端子の一面と隣接する前記一面が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の半導体装置において、
前記蓋体には、前記天板部の側端または前記側壁部の下端から垂下しつつ前記樹脂層の側面に係合されて該蓋体と前記樹脂層とを保持する係止部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ステージが、前記樹脂層の上面側からの平面視で前記半導体センサチップよりも大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音圧センサチップや圧力センサチップ等の半導体センサチップを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン半導体を用いて製造される、例えば圧力センサやシリコンマイクなどの半導体装置には、略矩形板状に形成されその表面から裏面に向けて凹む凹状部を備えた半導体センサチップをプリント基板上に実装して構成したものがある。この半導体装置において、半導体センサチップは、凹状部により薄肉化された部分が例えばブリッジ抵抗回路を備えたダイヤフラム（可動電極）とされ、音圧などの圧力が加わるとダイヤフラムに変位やひずみ（以下、変位という）が生じ、ブリッジ抵抗回路がこの変位を電気抵抗の変化として捉え、変位の大きさに応じた電気抵抗の変化に基づいて圧力を検出することが可能とされている。
【０００３】
また、この種の半導体装置は、プリント基板の表面にカバー（蓋体）が設置され、このカバーで画成された空間内に半導体センサチップを収容するように構成されている。このカバーには、空間内と外部とを連通させる開口部が設けられ、開口部を通じて外部で生じた音圧等の変動する圧力を空間内に導き半導体センサチップに到達させることが可能とされている。さらに、カバーには、内面及び下端面に導電性材からなる導電性層が形成され、開口部以外の部分を通じて空間内に侵入しようとする電磁気的なノイズをこの導電性層の電磁シールドで遮断することが可能とされている。これにより、ノイズが半導体センサチップに到達してダイヤフラムに誤振動が生じることを防止でき、正確に圧力を検出することを可能にしている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【特許文献１】特表２００４−５３７１８２号公報
【特許文献２】米国特許第６７８１２３１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の半導体装置においては、半導体装置を例えば携帯電話機などの回路基板に実装する際に、電磁シールドを形成するためカバーの導電性層と回路基板とを電気的に接続する必要があり、このための工夫が必要であった。
【０００５】
また、例えばプリント基板の表面に露出形成した接続端子と、カバーの内面から延出した下端の導電性層とを接続して電磁シールドを形成するような場合には、カバーの下端の導電性層を接続端子に一致させながらカバーを設置する必要が生じる。このような場合には、導電性層と接続端子との電気的な不連続が生じないようカバーの設置に精度を要し、手間を要するという問題があった。このため、より簡便にカバーを設置しつつ、確実に電磁シールドの形成を可能とし、ひいてはカバーの設置に係る手間を軽減することで半導体装置の製造に掛かるコストを低減することが強く望まれていた。
【０００６】
本発明は、上記事情を鑑み、簡便に蓋体を設置しつつ、確実に電磁シールドを形成可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。
【０００８】
本発明の半導体装置は、外部接続用端子を外側に突出させつつ樹脂で封止した基板の上面に半導体センサチップが固定されるとともに、前記半導体センサチップを囲んだ状態で前記基板の上方を覆う導電性の蓋体が取り付けられ、該蓋体には、前記外部接続用端子と同一面となるように前記基板の外側に突出する電磁シールド形成用端子が具備されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の半導体装置は、加えられた圧力によって変形し該変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムが形成された半導体センサチップを具備する半導体装置であって、上面に開口する開口孔を備え、該開口孔の上方に前記ダイヤフラムを位置させて前記半導体センサチップが設置される樹脂層と、前記半導体センサチップの下方に配されて前記樹脂層に封止される板状のステージと、該ステージに一端が接続され、前記樹脂層の外側に延出された他端側に前記樹脂層から露出する一面を備えた外部接続用端子と、前記樹脂層の上面とともに前記半導体センサチップを収容する空間を画成する導電性の蓋体とが具備されており、前記蓋体には、前記外部接続用端子の一面と隣接しつつ略同一水平面上に配された一面を有する電磁シールド形成用端子が具備されていることを特徴とする。
【００１０】
さらに、本発明の半導体装置において、前記樹脂層には、前記上面の側端側に上方に向けて突出する突部が前記半導体センサチップを収める凹部を画成するように連設されており、前記蓋体は、前記突部の上端に固着されて前記樹脂層とともに前記半導体センサチップを収容する前記空間を画成する天板部と、該天板部の側端側から前記樹脂層の側面の外側を通って下方に延出する前記電磁シールド形成用端子とを備え、該電磁シールド形成用端子の下端に前記外部接続用端子の一面と隣接する前記一面が設けられていることが望ましい。
【００１１】
さらに、本発明の半導体装置において、前記樹脂層には、前記上面の側端側に上方に向けて突出する突部が前記半導体センサチップを収める凹部を画成するように連設されており、前記蓋体は、前記突部の上端に固着されて前記半導体センサチップを収容する前記空間を画成する天板部と、該天板部の側端側から前記樹脂層の側面を覆うように垂下した側壁部とを備えるとともに、前記側壁部に、該側壁部の下端から下方に延出する前記電磁シールド形成用端子が設けられ、該電磁シールド形成用端子の下端に前記外部接続用端子の一面と隣接する前記一面が設けられていることがより望ましい。
【００１２】
また、本発明の半導体装置においては、前記蓋体に、前記天板部の側端または前記側壁部の下端から垂下しつつ前記樹脂層の側面に係合されて該蓋体と前記樹脂層とを保持する係止部が設けられていることがさらに望ましい。
【００１３】
さらに、本発明の半導体装置においては、前記ステージが、前記樹脂層の上面側からの平面視で前記半導体センサチップよりも大きく形成されていることがより望ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体装置によれば、蓋体に、外部接続用端子と同一面となるように基板の外側に突出する電磁シールド形成用端子が具備されていることによって、例えば携帯電話機などの回路基板に半導体装置を設置すると同時に、外部接続用端子と蓋体の電磁シールド形成用端子とをそれぞれ回路基板の接続端子に当接させることが可能とされ、外部接続用端子と回路基板の接続端子を半田付けして電気的に接続するとともに、蓋体の電磁シールド形成用端子と回路基板の接続端子とを半田付けして電磁シールド形成用端子を簡便に回路基板と接続することができる。これにより、半導体装置の回路基板への実装時に、回路基板と電磁シールド形成用端子を接続して簡便に電磁シールドを形成することができるため、半導体装置の製造時に、蓋体の電気的接続を行なう必要がなく、蓋体の設置手間を軽減でき、ひいては半導体装置の製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。
【００１５】
また、本発明の半導体装置によれば、樹脂層から露出する外部接続用端子の一面と隣接しつつ略同一水平面上に蓋体の電磁シールド形成用端子の一面が設けられているため、例えば携帯電話機などの回路基板に半導体装置を設置すると同時に、外部接続用端子の一面と蓋体の電磁シールド形成用端子の一面とを回路基板の接続端子に当接させることが可能とされ、このような状態の外部接続用端子の一面と蓋体の一面と回路基板の接続端子とを一度に半田付けするという簡便な操作で、互いを電気的に接続することができる。これにより、外部接続用端子が繋げられたステージと導電性の蓋体とを、簡便な操作で電気的に接続して同電位にすることができ、半導体センサチップの下方に配されたステージと、上方に配された蓋体とで、半導体センサチップを包むような電磁シールドを簡便に形成することが可能になる。よって、半導体装置の製造時には蓋体の電気的接続を行なう必要がなく、半導体装置の回路基板への実装時に半田付けするのみで電磁シールドを確実に形成できるため、蓋体の設置手間を軽減でき、ひいては半導体装置の製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。
【００１６】
また、樹脂層に突部が形成され、蓋体に天板部と電磁シールド形成用端子が設けられていることによって、天板部を突部の上端に固着するという簡易な操作で、確実に外部接続用端子の一面に電磁シールド形成用端子の下端に形成された一面を隣接させつつ略同一水平面上に配置することが可能になる。これにより、半導体装置の回路基板への実装時に、両一面を容易に一度で半田付けすることができ、このような簡便な操作で電磁シールドを確実に形成することが可能になる。
【００１７】
さらに、本発明の半導体装置においては、蓋体に側壁部が設けられていることによって、簡便に蓋体を設置しつつ、この側壁部で樹脂層の側面を被覆することができる。これにより、半導体センサチップの上方に蓋体の天板部を、下方にステージを、そして側方に側壁部を配置することができ、半導体センサチップを包むような電磁シールドを形成することが可能になる。よって、半導体センサチップをノイズからより確実に保護することが可能となり、この半導体センサチップで検出した圧力を信頼性の高いものにすることができる。
【００１８】
また、本発明の半導体装置においては、樹脂層の上面側からの平面視で、ステージが半導体センサチップよりも大きく形成されていることによって、さらに確実に半導体センサチップをノイズから保護することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図１から図９を参照し、本発明の第１実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態は、外部に発生した音響などの音圧を検出する半導体装置に関し、特にリードフレームを用いて製造されるＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプの半導体装置に関するものである。
【００２０】
本実施形態の半導体装置Ａは、図１から図６に示すように、略矩形板状を呈するステージ１と、ステージ１と繋がる一端２ａから半導体装置Ａの外側に向けて他端２ｂ側が延出する外部接続用端子２と、ステージ１側に一端３ａを配置するように半導体装置Ａの側面側からステージ１に向けて延出する複数のリード３と、ステージ１と外部接続用端子２とリード３とを封止するとともに上面４ａから下面４ｂに向けて延びる開口孔４ｃを備える樹脂層４と、樹脂層４の上面４ａに固着された略矩形板状を呈する半導体センサチップ（音圧センサチップ）５と、同じく樹脂層４の上面４ａに固着され半導体センサチップ５が出力した電気信号を増幅する増幅器６と、半導体センサチップ５と増幅器６とリード３を電気的に接続するワイヤー７と、樹脂層４に固着され半導体センサチップ５及び増幅器６の上方に第１の空間（空間）８を画成しつつこれらを被覆する略皿状の蓋体９とが主な構成要素とされている。ここで、本実施形態においては、複数のリード３も外部で接続される端子（外部接続用端子）であるが、後述する蓋体９の電磁シールド形成用端子９ｄと電気的に接続されて電磁シールドを形成する端子を外部接続用端子２とし、これらを区別して表記している。また、ステージ１と外部接続用端子２とリード３と、これらを封止する樹脂層４とを合わせて本実施形態の基板Ａ１が構成されている。
【００２１】
ステージ１は、図４及び図６に示すように、樹脂層４の開口孔４ｃの直下に設けられており、その下面１ａが樹脂層４の下面４ｂと面一とされつつ露出されている。また、ステージ１は、樹脂層４の上面４ａに固着された半導体センサチップ５と増幅器６が、上面４ａ側からの平面視でステージ１上に位置するような大きさをもって形成されている。
【００２２】
一方、外部接続用端子２は、図１から図６に示すように、略平板状の帯状に形成され、一端２ａがステージ１の側端に繋げられ、ステージ１の上面１ｂ側からの平面視でステージ１の側端に直交しつつ樹脂層４の外側に向けて延設されている。また、外部接続用端子２の他端２ｂ側は、樹脂層４の側面４ｄから外側に向けて若干突出され、この突出した他端２ｂ側の下面（外部接続用端子２の一面）２ｃは、樹脂層４の下面４ｂと略同一水平面上に設けられている。さらに、外部接続用端子２は、その一端２ａと他端２ｂとの間に、ステージ１の上面１ｂと平行しつつ上方に位置する上面２ｄを備えた屈曲部２ｅが設けられている。そして、この屈曲部２ｅの上面２ｄは、後述する突部４ｅで囲まれ半導体センサチップ５や増幅器６が設置される樹脂層４の上面４ａに、一端２ａ側の一部が面一とされつつ露出され、他端２ｂ側の上面２ｄは樹脂層４内に封止されている。
【００２３】
複数のリード３は、それぞれ、外部接続用端子２と同じく略平板状の帯状に形成されており、本実施形態においては、樹脂層４の対向する一対の側面４ｄ側の半導体センサチップ５側にそれぞれ２条ずつ設けられている。これら２条ずつのリード３は、外部接続用端子２に平行して延設され、外部接続用端子２を含めて略等間隔に並設されている。一方、樹脂層４の下面４ｂ側からの平面視で一対の側面４ｄと直交する一対の側面４ｄのうち増幅器６側の側面４ｄ側にも、１条のリード３が設けられている。これらのリード３は、他端３ｂ側が外部接続用端子２と同じく樹脂層４の外側に若干突出され、その突出した他端３ｂ側の下面３ｃが樹脂層４の下面４ｂや外部接続用端子２の他端２ｂ側の下面２ｃと略同一水平面上に位置されて露出されている。他方、リード３には、他端３ｂから一端３ａに向かう途中に折曲部３ｄが設けられており、この折曲部３ｄによって一端３ａ側の上面３ｅが、他端３ｂ側の上面３ｅよりも上方に位置され、樹脂層４の突部４ｅよりもやや内側の上面４ａと略同一水平面上に配されて露出されている。
【００２４】
このように構成されたステージ１と外部接続用端子２とリード３を封止する樹脂層４は、互いに平行する上面４ａと下面４ｂを備えるとともに、外部接続用端子２の屈曲部２ｅやリード３の折曲部３ｄを封止する側面（側端）４ｄ側に、上面４ａから上方に突出する突部４ｅが形成されている。この突部４ｅは、樹脂層４の側端４ｄに沿って延びて連設されているとともに、突出方向先端側（上端４ｆ側）に向かうに従いその幅が漸次小となるように形成されている。このように形成された突部４ｅによって樹脂層４の上面４ａ側の内側には、凹部４ｇが画成されている。ここで、樹脂層４の凹部４ｇに位置する上面４ａ側に、上面４ａから下面４ｂに向けて凹む前述の開口孔４ｃが設けられており、この開口孔４ｃは、上面４ａ側に開口しつつ下方に位置するステージ１の上面１ｂに向けて延設されている。
【００２５】
一方、本実施形態の半導体センサチップ５は、略矩形板状に形成され、下面側からの平面視で略中央に、下面から上面に向けて凹む凹状部が形成されており、この凹状部により薄肉化された部分がダイヤフラム（可動電極）５ａとされている。このダイヤフラム５ａは、これに加えられる例えば音響などの音圧の大きさに応じた変形量で変形（振動）可能とされている。また、ダイヤフラム５ａの上面側には、図示せぬブリッジ抵抗回路が形成されており、ダイヤフラム５ａの変形を電気抵抗の変化として捉え、これを圧力に変換することで音圧を検出するものとされ、この音圧の大きさに応じた電気信号を出力することが可能とされている。このように構成される半導体センサチップ５は、樹脂層４の上面４ａに、下面を対向させつつ接着剤で固着されている。また、このとき半導体センサチップ５は、ダイヤフラム５ａの直下に樹脂層４の開口孔４ｃが配されてダイヤフラム５ａと開口孔４ｃとが対向するように固着されている。なお、本実施形態においては、半導体センサチップ５が樹脂層４の上面４ａに設置されることにより、凹状部と樹脂層４の開口孔４ｃとで密閉状態の第２の空間１０が画成されている。
【００２６】
また、本実施形態においては、樹脂層４の上面４ａに、ＩＣ（Integrated Circuit）化された例えばオペアンプなどの増幅器６も接着剤で固着されて設けられており、この増幅器６は、半導体センサチップ５と並設されている。
【００２７】
このように設置された半導体センサチップ５及び増幅器６には、複数のボンディングパッドがそれぞれに設けられており、これらボンディングパッドを介して、半導体センサチップ５と増幅器６とを、また半導体センサチップ５及び増幅器６とリード３の樹脂層４の上面４ａに露出して第１の空間８に位置された上面３ｅとを、それぞれワイヤー７で接続し、半導体センサチップ５と増幅器６とリード３とが電気的に接続されている。
【００２８】
蓋体９は、図１から図４に示すように、例えば銅などの導電性材料で形成されており、開口側を下方に向けた略皿状に形成されて、略矩形平板状の天板部９ａと、天板部９ａの側端と繋がりつつ垂下した側壁部９ｂと、側壁部９ｂの一部の下端９ｃからさらに下方に延出する電磁シールド形成用端子（以下、シールド端子という）９ｄとから構成されている。また、天板部９ａには、上面から下面（内面）に貫通する貫通孔９ｅが形成されているとともに、上面から内面側に凹むコイニング部９ｆが、上面側からの平面視で各側端に沿って延びつつ略矩形状を呈するように連設されている。そして、コイニング部９ｆに位置する内面は、他の部分よりも下方に突出されている。上記のように形成された蓋体９は、コイニング部９ｆの内面が樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆに接着剤を介して固着されて、天板部９ａが樹脂層４の凹部４ｇを閉塞させるように設けられている。また、このとき、側壁部９ｂが樹脂層４の下面４ｂに向けて垂れ下がり、樹脂層４の側面４ｄを覆うように設けられている。さらに、シールド端子９ｄには、その先端（下端）に天板部９ａの内面と平行する一面９ｇが設けられており、この一面９ｇが、樹脂層４から露出する外部接続用端子２の一面２ｃと隣接しつつ略同一水平面上に配されている。
【００２９】
ついで、上記の構成からなる半導体装置Ａの製造方法について説明する。
【００３０】
本実施形態の半導体装置Ａは、リードフレーム２０を用いて製造されるものであり、はじめに、図７及び図８に示すように、外周矩形枠を形成する矩形枠部２０ａと、この矩形枠部２０ａの対向する外周辺側から内方に向けて突出する複数のリード３と、同じく矩形枠部２０ａの前記対向する外周辺側からそれぞれ内方に向けて突出する外部接続用端子２と、この外部接続用端子２と連結されて支持されるステージ１とを備えたリードフレーム２０を用意する。このように構成されるリードフレーム２０は、金属製薄板を、プレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって形成されるものであり、本実施形態においては、リード３の折曲部３ｄや外部接続用端子２の屈曲部２ｅがこの段階で形成されている。
【００３１】
上記のリードフレーム２０を用意した段階で、図９に示すように、矩形枠部２０ａ及びリード３と外部接続用端子２の一部を除いた部分を一対の金型Ｅ、Ｆに挟み込んで型締めを行なう。ここで、一対の金型Ｅ、Ｆのうち、リードフレーム２０の上面側に配される一方の金型Ｅには、樹脂層４の凹部４ｇを形成するための凸部Ｅ１や、樹脂層４の突部４ｅ及び樹脂層４の側面４ｄを画成するための凹溝部Ｅ２や、開口孔４ｃを形成するための突起部Ｅ３が設けられている。一方、リードフレーム２０の下面側に配される他方の金型Ｆは、その内面が平坦面とされている。このような一対の金型Ｅ、Ｆは、リードフレーム２０の型締めを行なった状態で、他方の金型Ｆの内面が、ステージ１の下面１ａと、リード３の折曲部３ｄよりも外側に位置する部分の下面３ｃと、外部接続用端子２の屈曲部２ｅよりも外側に位置する部分の下面２ｃに当接される。そして、一方の金型Ｆの凸部Ｅ１の内面が、リード３の折曲部３ｄよりも一端３ａ側の上面３ｅ及び外部接続用端子２の屈曲部２ｅの一端２ａ側の上面２ｄに当接され、突起部Ｅ３の先端側の内面がステージ１の上面１ｂよりもやや上方に位置される。
【００３２】
このように一対の金型Ｅ、Ｆを用いて型締めを行なった段階で、キャビティー内に溶融した例えばエポキシ樹脂などの樹脂を射出し、ステージ１と外部接続用端子２とリード３とを樹脂の内部に埋め、樹脂が硬化した段階で、金型Ｅ、Ｆを取り外す。これにより、ステージ１の上方に凹部４ｇと開口孔４ｃが画成された樹脂層４が形成される。
【００３３】
本実施形態においては、この段階で、例えば銀や金、パラジウムなどのメッキ液に浸漬させて、リード３の一端３ａ側の上面３ｅや他端３ｂ側の下面３ｃなどに図示せぬメッキ層を形成した後に、樹脂層４から外側に延出したリード３や外部接続用端子２を切断する。ちなみに、このメッキ層は、例えば携帯電話機などの装置が備える回路基板に半導体装置Ａを実装する際のリード３と回路基板のパターン（接続端子）との接続や、半導体センサチップ５と増幅器６とリード３とを電気的に接続するワイヤー７の接続に際し、半田付けのぬれ性を向上させるためのものである。なお、外部接続用端子２の一面２ｃにもメッキ層が形成されている。
【００３４】
ついで、図４及び図５に示すように、半導体センサチップ５と増幅器６を、それぞれ接着剤を介しつつ樹脂層４の凹部４ｇの上面４ａに並設させて固着する。このとき、半導体センサチップ５においては、下面と凹部４ｇの上面４ａとを対向させ、且つダイヤフラム５ａが開口孔４ｃの直上に配されてこれに対向するように設置する。さらに、半導体センサチップ５及び増幅器６のボンディングパッドとリード３とのそれぞれにワイヤー７を接合して、半導体センサチップ５と増幅器６とリード３とを電気的に接続する。
【００３５】
そして、予め天板部９ａと側壁部９ｂと一面９ｇを備えるシールド端子９ｄとが形成されて略皿状を呈する蓋体９を設置する。このとき、天板部９ａのコイニング部９ｆの内面を樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆに、接着剤を介して固着する。本実施形態においては、コイニング部９ｆを突部４ｅの上端４ｆに固着する精度は、さほど高精度を必要とせず、蓋体９の側壁部９ｂが樹脂層４の側面４ｄに近接しつつ沿うように配置される程度でよいものとされている。このように簡便に蓋体９を設置した場合においても、天板部９ａを突部４ｅの上端４ｆに固着することでシールド端子９ｄの下方に延びる先端（下端）側の一面９ｇは、外部接続用端子２の樹脂層４の外側に延出した一面２ｃと略同一水平面上に配されて、かつ両一面２ｃ、９ｇが隣接することになる。このように蓋体９の設置を終えた段階で、本実施形態の半導体装置Ａの製造が完了する。
【００３６】
ついで、上記のように製造された半導体装置Ａの作用及び効果について説明する。
【００３７】
本実施形態の半導体装置Ａは、例えば携帯電話機などの装置に具備される回路基板に搭載されて使用される。本実施形態の半導体装置Ａを回路基板に搭載する際には、予めリード３の下面３ｃが樹脂層４の下面４ｂと面一とされつつ露出しているため、回路基板の所定の位置に半導体装置Ａを設置するとともに、このリード３の下面３ｃが回路基板の接続端子に接触することになる。
【００３８】
また、本実施形態においては、樹脂層４から露出した外部接続用端子２の一面２ｃと蓋体９のシールド端子９ｄの一面９ｇとが隣接しつつ略同一水平面上に設けられており、この両一面２ｃ、９ｇも、リード３の下面３ｃと同様に、半導体装置Ａを回路基板に設置するとともに回路基板の接続端子に接触することになる。このため、リード３と回路基板とを半田付けで接続する際に、前記両一面２ｃ、９ｇと回路基板の接続端子をも同時に半田付けで簡便に接続することが可能とされる。そして、このように簡便な操作で接続することにより、蓋体９と外部接続用端子２及びステージ１とは、同電位状態とされる。
【００３９】
ここで、このように回路基板に設置された本実施形態の半導体装置Ａは、外部に発生した音響等の音圧を、蓋体９の貫通孔９ｅを通じて第１の空間８に導くものとされ、この音圧が半導体センサチップ５のダイヤフラム５ａに到達してダイヤフラム５ａをその音圧の大きさに応じた変形量をもって振動させることになる。そして、ダイヤフラム５ａの変形によりブリッジ抵抗回路がこの変形量を電気抵抗の変化として捉え、圧力に変換することで音圧が検出される。また、このときダイヤフラム５ａから出力された電気信号は、増幅器６に送られて増幅されるため、より正確に音圧を検出することが可能とされている。この一方で、半導体装置Ａには、検出対象の音圧以外に外部で発生した電磁気的なノイズも作用する。この種のノイズは、樹脂層４を透過して半導体センサチップ５に到達し、ダイヤフラム５ａの誤振動を生じさせるおそれがある。
【００４０】
しかしながら、本実施形態の半導体装置Ａにおいては、回路基板に搭載するとともに蓋体９と外部接続用端子２が簡便に接続されて、蓋体９と外部接続用端子２及びステージ１とが常に同電位となるように形成されている。このため、第１の空間８内の半導体センサチップ５や増幅器６は、その上方や側方を覆う蓋体９の天板部９ａや側壁部９ｂと、下方を覆うステージ１とで形成された電磁シールドで包まれることになる。これにより、樹脂層４を透過したノイズは、この半導体センサチップ５や増幅器６を包む電磁シールドで遮断され半導体センサチップ５に達することがないものとされる。よって、本実施形態の半導体装置Ａで検出した圧力は、ノイズの影響を受けず、信頼性の高いものとされる。
【００４１】
したがって、上記の半導体装置Ａにおいては、例えば携帯電話機などの装置の回路基板に半導体装置Ａを設置するとともに、外部接続用端子２の一面２ｃと、この一面２ｃと隣接しつつ略同一水平面上に配された蓋体９の一面９ｇとを、半田付けする簡便な操作で電気的に接続することができ、これにより、半導体センサチップ５や増幅器６を包むような電磁シールドを形成することができる。また、半導体装置Ａの製造時に蓋体９を電気的に接続して電磁シールドを形成する必要がないため、従来の半導体装置と比較して蓋体９の設置にさほど精度を要することがなく、蓋体９の設置に要する手間を軽減することができる。これにより、半導体装置Ａの製造コストの低減を図ることが可能になる。
【００４２】
また、樹脂層４が突部４ｅの形成によって略皿状に形成され、蓋体９が天板部９ａと側壁部９ｂとシールド端子９ｄとから構成されていることにより、天板部９ａの内面に樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆを当接させつつ固着するという簡便な操作で、外部接続用端子２の一面２ｃとシールド端子９ｄの一面９ｇとを、確実に略同一水平面上に位置させて隣接させることができる。これにより、半導体装置Ａを回路基板に設置する際に、互いの一面２ｃ、２ｇを簡便に接続することが可能とされ、電磁シールドをより確実に、かつ容易に形成することが可能になる。さらに、上記のように蓋体９を設置した場合には、樹脂層４の側面４ｄが蓋体９の側壁部９ｂで覆われ、この部分にも電磁シールドが形成されるため、半導体センサチップ５を電磁シールドで確実に保護することも可能になる。
【００４３】
また、本実施形態の半導体装置Ａにおいては、樹脂層４の上面４ａ側から平面視で、ステージ１が半導体センサチップ５よりも大きく形成されていることによって、半導体センサチップ５の上方側や側方側が蓋体９による電磁シールドで保護されるとともに、半導体センサチップ５の下方側をこの大きなステージ１による電磁シールドで覆うことができる。これにより、さらに確実に半導体センサチップ５をノイズから保護することができ、この半導体センサチップ５で音圧を高精度で検出し、半導体装置Ａを信頼性の高いものにすることができる。
【００４４】
なお、本発明は、上記の第１実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、外部接続用端子２がステージ１に接続されているものとされ、リード３と区別して説明を行なったが、例えば本実施形態のステージ１及び外部接続用端子２を具備せずに、リード３を外部接続用端子としてもよく、また、半導体装置Ａの回路基板への搭載時に、蓋体９のシールド端子９ｄのみを回路基板の接続端子に接続して、蓋体９のみで電磁シールドを形成するようにしてもよいものである。
【００４５】
また、本実施形態では、一対の金型Ｅ、Ｆで樹脂層４を形成した段階で、リード３や外部接続用端子２を切断するものとして説明を行なったが、例えば図１０及び図１１に示すように、リード３や外部接続用端子２を切断する前段で、シールド端子９ｄの他端（下端）が長く延ばされて未だ所定の寸法で形成されていない状態の蓋体９を樹脂層４に設置し、リード３や外部接続用端子２の切断と同時に、シールド端子９ｄを切断するようにして半導体装置Ａが形成されてもよいものである。
【００４６】
また、本実施形態においては、蓋体９が天板部９ａと側壁部９ｂとシールド端子９ｄとを備えて構成されているものとしたが、側壁部９ｂを具備せずに天板部９ａの側端に直接シールド端子９ｄが接続されて形成されてもよいものである。この場合においては、本実施形態の半導体装置Ａに対して、側壁部９ｂを具備しない分だけ電磁シールド効果が低減するおそれがあるが、その他の効果については、本実施形態の半導体装置Ａと同様である。
【００４７】
また、本実施形態においては、蓋体９にコイニング部９ｆが形成されて、このコイニング部９ｆの内面を樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆに接着剤を介して接続するものとしたが、蓋体９には必ずしもコイニング部９ｆを設ける必要はなく、天板部９ａの内面を平坦面として、この平坦面を突部４ｅの上端４ｆに接着固定してもよいものである。さらに、蓋体９の天板部９ａに貫通孔９ｅが設けられ、この貫通孔９ｅを介して第１の空間８に外部で発生した音圧を導くものとして説明を行なったが、蓋体９の天板部９ａに貫通孔９ｅを設けず、例えば樹脂層４に形成された開口孔４ｃと連通しつつ外部空間と繋がる孔をステージ１に設け、この開口孔４ｃと前記孔とを介して音圧をダイヤフラム５ａに到達させるように構成してもよいものである。すなわち、第１の空間８を密閉状態とし、第２の空間１０を外部と繋がる開放空間として音圧などの圧力を検出する構成としてもよいものである。また、本実施形態では、半導体センサチップ５の下方側を覆うステージ１の下面１ａが樹脂層４の下面４ｂと面一とされつつ露出しているものとしたが、ステージ１は、その下面１ａが樹脂層４内に配されるように樹脂層４の上面４ａ側に設けられていてもよいものである。さらに、樹脂層４の開口孔４ｃが、ステージ１の上面１ｂよりも若干上方まで延設されているものとしたが、開口孔４ｃは、その底部がステージ１の上面１ｂに達するように形成されていてもよいものである。
【００４８】
また、本実施形態では、半導体装置Ａに半導体センサチップ５と増幅器６が具備されているものとしたが、例えば半導体センサチップ５のみを備えるように構成されていてもよく、例えば携帯電話機などの装置の回路基板に別途設けた増幅器で半導体センサチップ５から出力された電気信号を増幅するようにしてもよいものである。
【００４９】
さらに、半導体センサチップ５は、樹脂層４の上面４ａに、下面を対向させつつ固着されているものとしたが、半導体センサチップ５の上面を樹脂層４の上面４ａに対向させて設置してもよいものである。すなわち、ダイヤフラム５ａが開口孔４ｃ側に配されていてもよいものである。
【００５０】
また、本実施形態では、半導体センサチップ５のダイヤフラム５ａの直上に蓋体９の貫通孔９ｅが設けられているように図示したが、この貫通孔９ｅは、第１の空間８と外部とを連通させるように形成されれば、その設置位置は限定を必要とするものではない。例えば、ダイヤフラム５ａの上方から横方向にずらして貫通孔９ｅを形成した場合には、圧力の検出精度が低下しないばかりか、逆に貫通孔９ｅを通じて第１の空間８内に水分などが侵入した際に、この水分などがダイヤフラム５ａに直接接触することを防止でき、圧力の検出精度を維持または高めることも可能とされる。
【００５１】
ついで、図１２から図１６を参照し、本発明の第２実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態は、外部に発生した音響などの音圧を検出する半導体装置に関し、特にリードフレームを用いて製造されるＱＦP（Quad Flat Package）タイプの半導体装置に関するものである。ここで、本実施形態の説明においては、第１実施形態に共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。
【００５２】
本実施形態の半導体装置Ｂにおいては、第１実施形態で示した半導体装置Ａに対し、主にリード３と外部接続用端子２と樹脂層４と蓋体９の構成が異なるものとされている。本実施形態の半導体装置Ｂのリード３は、図１２から図１５に示すように、樹脂層４に封止されている部分が水平に延設されており、樹脂層４の側面４ｄよりも外側に延出された部分が、樹脂層４の下面４ｂに向けて垂下するように形成されている。本実施形態においては、この垂下部分を垂下部３ｆとし、この垂下部３ｆの下端側は、半導体装置Ｂの水平方向外側に向けて折れ曲ってその下面３ｃが樹脂層４の下面４ｂと略同一水平面上に配されている。なお、本実施形態においても第１実施形態と同様に、ステージ１と外部接続用端子２とリード３と、これらを封止する樹脂層４とを合わせて基板Ｂ１が構成される。
【００５３】
また、外部接続用端子２は、ステージ１と繋がる一端２ａから他端２ｂに向かう途中で、かつ樹脂層４に封止されている部分に折曲部２ｆが形成されており、この折曲部２ｆによって上方に位置された上面２ｄがリード３の一端３ａ側の上面３ｅと略同一水平面上に配されている。さらに、外部接続用端子２の樹脂層４の外側に延出した部分は、リード３と同様に、樹脂層４の下面４ｂに向けて垂下するように形成され、その下端側に樹脂層４の下面４ｂと略同一水平面上に配された一面２ｃが形成されている。ここで、本実施形態においては、以下、この外部接続用端子２の樹脂層４の外側に延出されて垂下する部分を垂下端子部２ｇとする。
【００５４】
本実施形態の樹脂層４は、リード３の一端３ａ側の上面３ｅ及び外部接続用端子２の折曲部２ｆによって上方に配された上面２ｄと略同一水平面上に位置する側面２ｄに折曲点Ｈが設けられている。この折曲点Ｈよりも下方に位置する側面４ｄは、下方に向かうに従い漸次半導体装置Ｂの内側に向けて傾斜する傾斜面とされている。また、樹脂層４の下面４ｂは、リード３の下面３ｃ、外部接続用端子２の一面２ｃ及びステージ１の下面１ａと略同一水平面上に位置されている。
【００５５】
この一方で、本実施形態の蓋体９は、第１実施形態と同様に、樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆに当接されつつ固着される天板部９ａと、天板部９ａの側端から下方に延出されて突部４ｅの側面４ｄに沿いつつこれを覆うように形成された側壁部９ｂと、側壁部９ｂの一部の下端９ｃが下方に延出するように形成された電磁シールド形成用端子（シールド端子）９ｄとを備えて形成されている。また、本実施形態においては、リード３や外部接続用端子２の他端２ｂ、３ｂ側が樹脂層４の下面４ｂ側に垂下されているため、シールド端子９ｄにおいてもその下端側の一面９ｇが、外部接続用端子２の一面２ｃに隣接しつつ略同一水平面上に位置するように、第１実施形態のシールド端子９ｄよりも下方に長く延出されている。
【００５６】
さらに、本実施形態の蓋体９には、シールド端子９ｄと同様に、側壁部９ｂの一部の下端９ｃから下方に向けて延びる係止部９ｈが、対向する一対の側壁部９ｂのそれぞれの側に設けられている。この係止部９ｈは、蓋体９を樹脂層４と一体とした状態で、樹脂層４の下面４ｂよりも上方にその下端が位置されるとともに、樹脂層４の側面４ｄに沿うように形成されて、この側面４ｄに係合するものとされている。すなわち、係止部４ｈは、側壁部９ｂの下端と接続される上端から下端の間に、樹脂層４の折曲点Ｈと一致する折曲点Ｔを備えた略くの字形状を呈するように形成されている。
【００５７】
ついで、上記構成からなる半導体装置Ｂの製造方法について説明する。
【００５８】
本実施形態の半導体装置Ｂは、第１実施形態の図７に示したようなリードフレーム２０を用いて製造される。本実施形態においては、リードフレーム２０を用意した段階で、図１６に示すように、外部接続用端子２に折曲部２ｆが形成され、折曲部２ｆよりも他端２ｂ側の上面２ｄがステージ１の上面１ｂよりも上方に位置するように形成されている。この一方で、樹脂層４の外側に延出されて垂下するように折れ曲るリード３の垂下部３ｆや外部接続用端子２の垂下端子部２ｇは、この段階では形成されず、水平方向外側に真っ直ぐに延出されている。
【００５９】
このように形成されたリードフレーム２０の矩形枠部２０ａおよびリード３と外部接続用端子２の一部を除いた部分を一対の金型Ｍ、Ｎに挟み込んで型締めを行なう。ここで、本実施形態では、この一対の金型Ｍ、Ｎのうち、リードフレーム２０の下面側に配される他方の金型Ｎには、樹脂層４の折曲点Ｈよりも下方に位置する側面４ｄを、下方に向かうに従い漸次内側に傾斜する傾斜面とするための凹部Ｎ１が設けられている。一方、一方の金型Ｍは、第１実施形態で示した一方の金型Ｅとほぼ同様に形成されている。
【００６０】
一対の金型Ｍ、Ｎを用いて型締めを行なった段階で、金型Ｍ、Ｎのキャビティー内に溶融した樹脂を射出し、樹脂が硬化した段階で金型Ｍ、Ｎを取り外し、本実施形態の樹脂層４が形成される。
【００６１】
ついで、本実施形態においては、この段階で、樹脂層４から外側に延出したリード３や外部接続用端子２を所定の長さを残して切断するとともに、下方に折曲げて垂下部３ｆや垂下端子部２ｇを形成する。このとき、垂下部３ｆの下面３ｃや垂下端子部２ｇの一面２ｃは、樹脂層４の下面４ｂと略同一水平面上に配置されることになる。そして、第１実施形態と同様に、半導体センサチップ５と増幅器６とを樹脂層４の上面４ａに固着しワイヤー７を接続する。
【００６２】
そして、予め天板部９ａと側壁部９ｂとシールド端子９ｄと係止部９ｈが形成された蓋体９を、天板部９ａの内面を樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆに当接させつつ接着剤で固着して設置する。本実施形態においては、この蓋体９を樹脂層４と一体に設置する際に、はじめに、係止部９ｈの先端側が樹脂層４の側面４ｄに当接されつつ押圧されて、係止部９ｈが外側に弾性変形する。そして、係止部９ｈの先端が樹脂層４の折曲点Ｈよりも下方に配され、天板部９ａの内面が樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆに当接した段階で、係止部９ｈの折曲点Ｔと樹脂層４の折曲点Ｈが一致する。この状態において、係止部９ｈの樹脂層４の側面４ｄ側を向く面と、樹脂層４の側面４ｄとが面接触し、かつ係止部９ｈの弾性力によって互いの面が押圧され、蓋体９がその設置位置を固定して樹脂層４に保持される。また、これとともに、蓋体９のシールド端子９ｄの一面９ｇは、第１実施形態と同様、外部接続用端子２の垂下端子部２ｇの一面２ｃと略同一水平面上に配されて、かつ両一面２ｃ、９ｇが隣接することになる。本実施形態においては、上記のように蓋体９を設置した段階で半導体装置Ｂの製造が完了する。
【００６３】
ついで、上記のように製造された半導体装置Ｂの作用及び効果について説明する。
【００６４】
本実施形態の半導体装置Ｂにおいても、第１実施形態と同様に、例えば携帯電話機などの装置に具備される回路基板に搭載する際に、リード３の垂下部３ｆの下面３ｃを回路基板の接続端子に接触させ、半田付けにより互いを接続するという簡便な操作で半導体装置Ｂを回路基板に搭載することが可能とされる。
【００６５】
また、このとき、外部接続用端子２の垂下端子部２ｇの一面２ｃと蓋体９のシールド端子９ｄの一面９ｇとが隣接しつつ略同一水平面上に設けられているため、互いの一面２ｃ、９ｇを半田付けによって接続するという簡便な操作で、導電性の蓋体９とステージ１とが同電位の状態とされる。これにより、蓋体９とステージ１により、半導体センサチップ５を包むような電磁シールドが形成される。
【００６６】
したがって、上記の半導体装置Ｂによれば、例えば携帯電話機などの装置の回路基板に半導体装置Ｂを実装するとともに、外部接続用端子２の一面２ｃと蓋体９の一面９ｇとを接続するという簡易な操作で、半導体センサチップ５を囲むような電磁シールドを形成することができる。これにより、簡便に蓋体９を設置して電磁シールドを形成することが可能となり、半導体装置Ｂの製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。
【００６７】
また、本実施形態の半導体装置Ｂにおいては、蓋体９に係止部９ｈが設けられていることによって、簡便に樹脂層４に係合させつつ蓋体９を設置することができ、これとともにシールド端子９ｄの一面９ｇを確実に外部接続用端子２の垂下端子部２ｇの一面２ｃと略同一水平面上に位置させることができる。また、設置した蓋体９が樹脂層４に保持されることになるため、設置後の蓋体９がずれたり、外れたりすることをも防止できる。
【００６８】
なお、本発明は、上記の第２実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、リード３の垂下部３ｆの下面３ｃや、外部接続用端子２の垂下端子部２ｇの一面２ｃ、蓋体９のシールド端子９ｄの一面９ｇが、ともに樹脂層４の下面４ｂと略同一水平面上に位置されているものとしたが、樹脂層４の下面４ｂよりも下方に配されつつ各面が略同一水平面上に位置されていてもよいものである。
【００６９】
また、本実施形態では、一対の金型Ｍ、Ｎを用いて樹脂層４を形成した段階で、リード３や外部接続用端子２を切断し、かつリード３や外部接続用端子２に垂下部３ｆや垂下端子部２ｇを形成し、さらに、蓋体９が天板部９ａと側壁部９ｂとシールド端子９ｄと係止部９ｈを備えて予め完成品として形成されているものとしたが、例えば図１７及び図１８に示すように蓋体９に側壁部９ｂを設けず、天板部９ａの側端からシールド端子９ｄや係止部９ｈが延設されていてもよく、また、例えば図１９に示すように、リード３や外部接続用端子２を切断する前段で、シールド端子９ｄの他端（下端）が水平方向に長く延ばされ未だ所定の寸法で形成されていない状態の蓋体９を樹脂層４と一体に設置し、リード３や外部接続用端子２の切断と同時に、シールド端子９ｄを切断し、かつ垂下部３ｆや垂下端子部２ｇを所定の形状に形成してもよいものである。さらに、図１７及び図１８に示した蓋体９のように、天板部９ａのシールド端子９ｄや係止部９ｈが繋がる部分に切欠き部９ｉが設けられていてもよく、この場合には、シールド端子９ｄや係止部９ｈが弾性変形した際に、この切欠き部９ｉによって、天板部９ａに変形が生じたり、樹脂層４の突部４ｅとの接着部分が剥離したりすることを防止できる。
【００７０】
ついで、図２０及び図２１を参照し、本発明の第３実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態は、第２実施形態の半導体装置Ｂと同様、リードフレームを用いて製造されるＱＦPタイプの半導体装置に関するものである。ここで、本実施形態の説明においては、第１及び第２実施形態に共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。
【００７１】
第２実施形態の半導体装置Ｂが樹脂層４に蓋体９を上方から被せるように設置しつつシールド端子９ｄと外部接続用端子２とを隣接配置させるものとされていたのに対して、本実施形態の半導体装置Ｃは、図２１に示すように、水平方向（矢印ａ方向）に蓋体９を移動させながら樹脂層４に設置してシールド端子９ｄと外部接続用端子２とを隣接配置させるものとされている。このような本実施形態の半導体装置Ｃは、第２実施形態の半導体装置Ｂに対し、蓋体９の構成が異なるものとされている。なお、第１及び第２実施形態と同様に、ステージ１と外部接続用端子２とリード３と、これらを封止する樹脂層４とを合わせて本実施形態の基板Ｃ１が構成されるとともに、本実施形態においては、半導体装置Ｃから蓋体９を取り除いた状態のもの（基板Ｃ１に半導体センサチップ５や増幅器６を固着して電気的な接続を行ったもの）を装置本体Ｃ２と表記する。
【００７２】
本実施形態の蓋体９は、第２実施形態と同様、天板部９ａと側壁部９ｂとシールド端子９ｄとから構成されている一方、略矩形板状に形成された天板部９ａの４つの側端側のうち３つの側端側にのみ側壁部９ｂが設けられ、残りの１つの側端側には側壁部９ｂがなく開口部９ｊが形成されている。
【００７３】
また、蓋体９の３つの側壁部９ｂには、下端９ｃから下方に向けて延びる係止部９ｈがそれぞれに設けられている。この係止部９ｈは、図２０に示すように、蓋体９を樹脂層４と一体とした状態で、樹脂層４の下面４ｂよりも上方にその下端が位置されるとともに、折曲点Ｈを境に折れ曲る樹脂層４の側面４ｄに沿うように形成されて、この側面４ｄに係合するものとされている。すなわち、係止部４ｈは、側壁部９ｂの下端９ｃと繋がる上端から下端の間に、樹脂層４の折曲点Ｈと一致する折曲点Ｔを備えた略くの字形状を呈するように形成され、上端から折曲点Ｔまでの部分が折曲点Ｔに向かうに従い漸次蓋体９の外側に向けて延び、折曲点Ｔから下端までの部分が下端に向かうに従い漸次蓋体９の内側に向かうように形成されている。
【００７４】
ついで、上記の構成からなる蓋体９を設置して蓋体９と外部接続用端子２（ステージ１）とを電気的に接続する方法について説明を行う。
【００７５】
本実施形態の半導体装置Ｃにおいて、蓋体９は、開口部９ｊ側から装置本体Ｃ２を天板部９ａと側壁部９ｂで囲まれた内部に導くようにして設置される。すなわち、天板部９ａの内面と樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆとの水平位置を略一致させつつ、シールド端子９ｄが形成されている側壁部９ｂの延設方向と、外部接続用端子２側の樹脂層４の側面４ｄの延設方向とを一致させながら蓋体９の開口部９ｊを装置本体Ｃ２に向ける。そして、蓋体９を水平移動して開口部９ｊから内部に装置本体Ｃ２を挿入する。このとき、天板部９ａの内面が樹脂層４の突部４ｅの上端４ｆに当接しつつ摺接（摺動）されて、蓋体９が装置本体Ｃ２の上方を覆うように設置されてゆく。また、蓋体９の移動方向（矢印ａ方向）に沿う一対の側壁部９ｂのそれぞれに形成さえた略くの字状の係止部９ｈが、その折曲点Ｔを樹脂層４の折曲点Ｈと一致させつつ樹脂層４に係合され、かつ樹脂層４側の面（内面）を樹脂層４の側面４ｄに面接触させながら摺動する。このように係止部９ｈが係合されつつ摺動することによって、蓋体９は、確実に樹脂層４の折曲点Ｔに沿って摺動することになる。そして、蓋体９の移動方向後方に位置する側壁部９ｂの係止部９ｈが、樹脂層４の側面４ｄに当接されて係合した段階で、蓋体９が所定の位置に設置され、外部接続用端子２の一面２ｃと蓋体９の一面９ｇとが隣接しつつ略同一水平面上に配置される。
【００７６】
したがって、上記の半導体装置Ｃによれば、例えば携帯電話機などの装置の回路基板に半導体装置Ｃを実装するとともに、外部接続用端子２の一面２ｃと蓋体９の一面９ｇとを接続するという簡易な操作で、半導体センサチップ５を囲むような電磁シールドを形成することができる。これにより、簡便に蓋体９を設置して電磁シールドを形成することが可能となり、半導体装置Ｃの製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。
【００７７】
また、本実施形態の半導体装置Ｃにおいては、係止部９ｈで蓋体９が確実に保持され、かつこの蓋体９の天板部９ａの内面が樹脂層４の突部４ｅに密着されて保持されることにより、蓋体９と樹脂層４とを接着剤で固着する必要がないものとされる。よって、この点からも、蓋体９の設置手間を軽減することができ、半導体装置Ｃの製造に掛かるコストの低減を図ることが可能になる。
【００７８】
なお、本発明は、上記の第３実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の分解斜視図である。
【図３】図１のＸ−Ｘ線矢視図である。
【図４】図１に示した半導体装置の断面図である。
【図５】図２のＹ−Ｙ線矢視図である。
【図６】図２のＺ−Ｚ線矢視図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造に用いられるリードフレームを示す図である。
【図８】図７のＸ−Ｘ線矢視図及び図７のＹ−Ｙ線矢視図である。
【図９】本発明の第１実施形態における一対の金型を用いて樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の他例を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の他例を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す分解斜視図である。
【図１４】図１２のＸ−Ｘ線矢視図である。
【図１５】図１２に示した半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の第２実施形態における一対の金型を用いて樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の変形例を示す斜視図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の変形例を示す分解斜視図である。
【図１９】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の他例を示す図である。
【図２０】本発明の第３実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
【図２１】本発明の第３実施形態に係る半導体装置を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
１・・・ステージ、２・・・外部接続用端子、２ａ・・・一端、２ｂ・・・他端、２ｃ・・・一面、２ｄ・・・上面、３・・・リード、４・・・樹脂層、４ａ・・・上面、４ｂ・・・下面、４ｃ・・・開口孔、４ｄ・・・側面（側端）、４ｅ・・・突部４ｅ・・・上端、４ｇ・・・凹部、５・・・半導体センサチップ、６・・・増幅器、７・・・ワイヤー、８・・・第１の空間（空間）、９・・・蓋体、９ａ・・・天板部、９ｂ・・・側壁部、９ｃ・・・下端、９ｄ・・・シールド端子（電磁シールド形成用端子）、９ｅ・・・貫通孔、９ｆ・・・コイニング部、９ｇ・・・一面、９ｈ・・・係止部、１０・・・第２の空間、Ａ，Ｂ，Ｃ・・・半導体装置、Ｈ，Ｔ・・・折曲点
【図１】
2007158217.tif 000003
【図２】
2007158217.tif 000004
【図３】
2007158217.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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