(57)【要約】【課題】多層セラミック電子部品を製造する際に、有機ビヒクルの物理的特性変化による導電性材料の分散性低下を起こさず、かつセラミックグリーンシートへの浸食によるデラミネーションが生じない、すなわち、電気的特性の劣化の発生しないセラミック積層体を製造するための導電性ペースト用の溶剤を提供すること。【解決手段】多層セラミック部品を製造する際に用いる導電性ペーストにおいて、溶剤成分として、芳香環含有エステル化合物および／または芳香環含有エーテル化合物を含有する導電性ペースト。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層セラミック部品を製造する際に用いる導電性ペーストにおいて、溶剤成分として、芳香環含有エステル化合物および／または芳香環含有エーテル化合物を含有することを特徴とした導電性ペースト。
【請求項２】
芳香環含有エステル化合物または芳香環含有エーテル化合物が、下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種である請求項１記載の導電性ペースト。
【化１】
2007158073.tif 000007
〔ただし、式（Ｉ）において、ａ＝０の場合、ｌ＝２または３、ａ＝１〜４の場合、ｌ＝１〜３である。〕
【化２】
2007158073.tif 000008
〔ただし、式（ＩＩ）において、ｂ＝０〜４、ｍ＝１〜３の整数である。〕
【化３】
2007158073.tif 000009
〔ただし、式（ＩＩＩ）において、ｃ＝０〜４、ｎ＝１〜３の整数である。〕
【化４】
2007158073.tif 000010
〔ただし、式（ＩＶ）において、ｄ＝０〜４、ｏ＝１〜４の整数である。〕
【請求項３】
溶剤成分が、式（Ｉ）において、ａ＋ｌ＝３である請求項２記載の導電性ペースト。
【請求項４】
溶剤成分が、式（ＩＩ）において、ｂ＋ｍ＝４である請求項２記載の導電性ペースト。
【請求項５】
溶剤成分が、式（ＩＩＩ）において、ｃ＋ｎ＝１および／または２である請求項２記載の導電性ペースト。
【請求項６】
溶剤成分が、式（ＩＶ）において、ｄ＋ｏ＝４である請求項２記載の導電性ペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサー、多層セラミック基板などの多層セラミック電子部品を製造する際に使用される導電性ペーストに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多層セラミック電子部品に使用されるセラミック積層体は、通常、誘電層となるセラミックグリーンシートの上に導電性ペーストをスクリーン印刷し、それを交互に数十層積み重ね同時焼成して得られる。多層セラミック電子部品は、このセラミック積層体に外部電極を塗布、焼き付け加工して得られる。
【０００３】
セラミックグリーンシートは、セラミック誘電体粉末にポリビニルブチラール樹脂などの有機バインダーおよびエタノールなどの有機溶剤を加え混合したセラミックスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形したものが使用される。また、導電性ペーストは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属粉末などの導電性材料を、エチルセルロース樹脂などの有機バインダーおよび溶剤に溶解した有機ビヒクルに分散させたものが使用される。
【０００４】
導電性ペーストに使用される溶剤としては、通常、ターピネオール、メチルエチルケトン、ブチルカルビトールアセテート、ケロシンなどの溶剤が使用されてきた（特許文献１）。
【０００５】
さらに、グリーンシート層への浸食が少ない溶剤として、特許文献２に水素添加ターピネオール、特許文献３にはイソボルニルアセテートおよびノピルアセテート、特許文献４には水素添加ターピネオールアセテートを使用するペースト溶剤が提案されている。
【特許文献１】特開平２−５５９１号公報
【特許文献２】特開平７−２１８３３号公報
【特許文献３】特開２００２−２７０４５６号公報
【特許文献４】特許第２９７６２６８号公報
【０００６】
しかしながら、これらの溶剤は、ターピネオールに比べて、エチルセルロース樹脂に対する溶解力が低いため、有機ビヒクルの状態で保存しておくと、有機ビヒクルの物理的特性に経時変化が生じる。このことが、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属粉末など、導電性材料の分散性低下の原因となり、さらには積層セラミックコンデンサーの電気的特性の劣化につながる。今後、さらに欠品の削減や多層セラミック電子部品の薄膜化、高密度化に対応するためには、有機ビヒクルのエチルセルロース樹脂に対する溶解性を維持したままで、セラミックグリーンシートへの浸食を抑える必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、多層セラミック電子部品を製造する際に、有機ビヒクルの物理的特性変化による導電性材料の分散性低下を起こさず、かつセラミックグリーンシートへの浸食によるデラミネーションが生じない、すなわち、電気的特性の劣化の発生しないセラミック積層体を製造するための導電性ペースト用の溶剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、多層セラミック部品を製造する際に用いる導電性ペーストにおいて、溶剤成分として、芳香環含有エステル化合物および／または芳香環含有エーテル化合物、特に、下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種を含有することを特徴とした導電性ペーストである。
【０００９】
【化１】
2007158073.tif 000002
【００１０】
〔ただし、式（Ｉ）において、ａ＝０の場合、ｌ＝２または３、ａ＝１〜４の場合、ｌ＝１〜３である。〕
【００１１】
【化２】
2007158073.tif 000003
【００１２】
〔ただし、式（ＩＩ）において、ｂ＝０〜４、ｍ＝１〜３の整数である。〕
【００１３】
【化３】
2007158073.tif 000004
【００１４】
〔ただし、式（ＩＩＩ）において、ｃ＝０〜４、ｎ＝１〜３の整数である。〕
【００１５】
【化４】
2007158073.tif 000005
【００１６】
〔ただし、式（ＩＶ）において、ｄ＝０〜４、ｏ＝１〜４の整数である。〕
【００１７】
なお、より好ましくは、式（Ｉ）においてはａ＋ｌ＝３、式（ＩＩ）においてはｂ＋ｍ＝４、式（ＩＩＩ）においてはｃ＋ｎ＝１および／または２、式（ＩＶ）においてはｄ＋ｏ＝４の場合である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の導電性ペーストによれば、溶剤成分として、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）で表されるような芳香環含有エステル化合物および／または芳香環含有エーテル化合物を含有することにより、有機ビヒクルの物理的特性変化による導電性材料の分散性低下を起こさない、電気的特性の劣化の発生しない積層セラミックコンデンサーなどを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の溶剤成分である芳香環含有エステル化合物および芳香環含有エーテル化合物について説明する。
【００２０】
まず、芳香環含有エステル化合物について説明する。
芳香環含有エステル化合物の製造方法は特定の方法に限定されないが、一般的には、アルコール化合物と、酸または酸無水物を、触媒を用いてエステル化して製造することができる。
【００２１】
ここで、アルコール化合物としては、ベンジルアルコール、ｏ−メチルベンジルアルコール、ｍ−メチルベンジルアルコール、ｐ−メチルベンジルアルコール、ｏ−エチルベンジルアルコール、ｍ−エチルベンジルアルコール、ｐ−エチルベンジルアルコール、ｏ−プロピルベンジルアルコール、ｍ−プロピルベンジルアルコール、ｐ−プロピルベンジルアルコール、ｏ−イソプロピルベンジルアルコール、ｍ−イソプロピルベンジルアルコール、ｐ−イソプロピルベンジルアルコール、ｏ−ｎ−ブチルベンジルアルコール、ｍ−ｎ−ブチルベンジルアルコール、ｐ−ｎ−ブチルベンジルアルコール、ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンジルアルコール、ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンジルアルコール、ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンジルアルコール、ｏ−ｔ−ブチルベンジルアルコール、ｍ−ｔ−ブチルベンジルアルコール、ｐ−ｔ−ブチルベンジルアルコール、フェノール、ｏ−メチルフェノール、ｍ−メチルフェノール、ｐ−メチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−プロピルフェノール、ｍ−プロピルフェノール、ｐ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェノール、ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェノール、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェノール、ｏ−ｔ−ブチルフェノール、ｍ−ｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノールなどである。好ましくは、ベンジルアルコール、ｐ−メチルベンジルアルコール、ｐ−エチルベンジルアルコール、ｐ−プロピルベンジルアルコール、ｐ−イソプロピルベンジルアルコール、ｐ−ｎ−ブチルベンジルアルコール、フェノール、ｐ−メチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｐ−プロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールである。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００２２】
また、酸または酸無水物としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸、安息香酸、ｏ−メチル安息香酸、ｍ−メチル安息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｏ−エチル安息香酸、ｍ−エチル安息香酸、ｐ−エチル安息香酸、ｏ−プロピル安息香酸、ｍ−プロピル安息香酸、ｐ−プロピル安息香酸、ｏ−イソプロピル安息香酸、ｍ−イソプロピル安息香酸、ｐ−イソプロピル安息香酸、ｏ−ｎ−ブチル安息香酸、ｍ−ｎ−ブチル安息香酸、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸、ｏ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸、ｍ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸、ｐ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸、ｏ−ｔ−ブチル安息香酸、ｍ−ｔ−ブチル安息香酸、ｐ−ｔ−ブチル安息香酸などがある。好ましくは、酪酸、イソ酪酸、無水酪酸、無水イソ酪酸、安息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−エチル安息香酸、ｐ−プロピル安息香酸、ｐ−イソプロピル安息香酸、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸である。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００２３】
さらに、触媒としては、β−ゼオライト、アンバーリスト、塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ポリリン酸、リンタングステン酸などのヘテロポリ酸、フッ化ホウ素、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７）などである。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００２４】
上記反応方式は特に限定されないが、バッチ反応でも連続反応でも反応できる。
なお、上記反応におけるアルコール化合物と、酸または酸無水物との反応は、アルコール化合物１モルに対し、通常、酸または酸無水物が０．２〜５．０モル、好ましくは０．５〜１.５モルである。酸または酸無水物が０．２モル未満ではアルコール化合物が過剰に存在することになり製造コスト的に好ましくなく、一方、５．０モルを超えると酸または酸無水物が過剰に存在することになり製造コスト的に好ましくない。
また、上記触媒の使用量は、アルコール化合物に対し、通常、０．０１〜２０重量％、好ましくは０．５〜５．０重量％である。触媒量が０．０１重量％未満では反応が進行しにくいため好ましくなく、一方２０重量％を超えると副反応が顕著になり好ましくない。
【００２５】
上記反応温度は、通常、−７８〜２５０℃、好ましくは−３０〜２００℃、さらに好ましくは０〜１８０℃に加熱することで反応が行なわれる。反応温度が−７８℃未満では反応速度が極端に遅く、一方、２５０℃を超えると、副反応が顕著になり好ましくない。
【００２６】
上記反応における溶媒は使用しなくてもよいが、トルエン、酢酸エチル、アセトンなどの溶媒を使用してもよい。
また、上記溶媒の使用量は、一般的には、アルコール化合物１００重量部に対し、１００〜８００重量部である。
【００２７】
芳香族環含有エステル化合物の具体例としては、上記式（Ｉ）、（ＩＩ）、あるいは（ＩＶ）で表される化合物が挙げられる。
このうち、式（Ｉ）の化合物は、例えば、ベンジルアルコールにイソ酪酸をアンバーリストの触媒下、室温から１００℃で反応させ、その後、触媒除去ならびに蒸留によって精製して得られた化合物である。
式（Ｉ）の化合物としては、そのほかプロピオン酸ベンジル、酪酸ベンジル、酢酸−ｏ−メチルベンジル、酢酸−ｍ−メチルベンジル、酢酸−ｐ−メチルベンジル、プロピオン酸−ｏ−メチルベンジル、プロピオン酸−ｍ−メチルベンジル、プロピオン酸−ｐ−メチルベンジル、イソ酪酸−ｏ−メチルベンジル、イソ酪酸−ｍ−メチルベンジル、イソ酪酸−ｐ−メチルベンジル、酪酸−ｏ−メチルベンジル、酪酸−ｍ−メチルベンジル、酪酸−ｐ−メチルベンジル、酢酸−ｏ−エチルベンジル、酢酸−ｍ−エチルベンジル、酢酸−ｐ−エチルベンジル、プロピオン酸−ｏ−エチルベンジル、プロピオン酸−ｍ−エチルベンジル、プロピオン酸−ｐ−エチルベンジル、イソ酪酸−ｏ−エチルベンジル、イソ酪酸−ｍ−エチルベンジル、イソ酪酸−ｐ−エチルベンジル、酪酸−ｏ−エチルベンジル、酪酸−ｍ−エチルベンジル、酪酸−ｐ−エチルベンジル、酢酸−ｏ−プロピルベンジル、酢酸−ｍ−プロピルベンジル、酢酸−ｐ−プロピルベンジル、プロピオン酸−ｏ−プロピルベンジル、プロピオン酸−ｍ−プロピルベンジル、プロピオン酸−ｐ−プロピルベンジル、イソ酪酸−ｏ−プロピルベンジル、イソ酪酸−ｍ−プロピルベンジル、イソ酪酸−ｐ−プロピルベンジル、酪酸−ｏ−プロピルベンジル、酪酸−ｍ−プロピルベンジル、酪酸−ｐ−プロピルベンジル、酢酸−ｏ−イソプロピルベンジル、酢酸−ｍ−イソプロピルベンジル、酢酸−ｐ−イソプロピルベンジル、プロピオン酸−ｏ−イソプロピルベンジル、プロピオン酸−ｍ−イソプロピルベンジル、プロピオン酸−ｐ−イソプロピルベンジル、イソ酪酸−ｏ−イソプロピルベンジル、イソ酪酸−ｍ−イソプロピルベンジル、イソ酪酸−ｐ−イソプロピルベンジル、酪酸−ｏ−イソプロピルベンジル、酪酸−ｍ−イソプロピルベンジル、酪酸−ｐ−イソプロピルベンジル、酢酸−ｏ−ｎ−ブチルベンジル、酢酸−ｍ−ｎ−ブチルベンジル、酢酸−ｐ−ｎ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｏ−ｎ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｍ−ｎ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｐ−ｎ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｏ−ｎ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｍ−ｎ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｐ−ｎ−ブチルベンジル、酪酸−ｏ−ｎ−ブチルベンジル、酪酸−ｍ−ｎ−ブチルベンジル、酪酸−ｐ−ｎ−ブチルベンジル、酢酸−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、酢酸−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、酢酸−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、酪酸−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、酪酸−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、酪酸−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンジル、酢酸−ｏ−ｔ−ブチルベンジル、酢酸−ｍ−ｔ−ブチルベンジル、酢酸−ｐ−ｔ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｏ−ｔ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｍ−ｔ−ブチルベンジル、プロピオン酸−ｐ−ｔ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｏ−ｔ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｍ−ｔ−ブチルベンジル、イソ酪酸−ｐ−ｔ−ブチルベンジル、酪酸−ｏ−ｔ−ブチルベンジル、酪酸−ｍ−ｔ−ブチルベンジル、酪酸−ｐ−ｔ−ブチルベンジルなどが挙げられる。
【００２８】
また、式（ＩＩ）の化合物は、例えば、ｐ−メチルフェノールに無水イソ酪酸をトリエチルアミン触媒下で、室温で反応させ、蒸留によって精製して得られた化合物である。
式（ＩＩ）の化合物としては、そのほか酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、イソ酪酸フェニル、酪酸フェニル、酢酸−ｏ−メチルフェニル、酢酸−ｍ−メチルフェニル、酢酸−ｐ−メチルフェニル、プロピオン酸−ｏ−メチルフェニル、プロピオン酸−ｍ−メチルフェニル、プロピオン酸−ｐ−メチルフェニル、イソ酪酸−ｏ−メチルフェニル、イソ酪酸−ｍ−メチルフェニル、イソ酪酸−ｐ−メチルフェニル、酪酸−ｏ−メチルフェニル、酪酸−ｍ−メチルフェニル、酪酸−ｐ−メチルフェニル、酢酸−ｏ−エチルフェニル、酢酸−ｍ−エチルフェニル、酢酸−ｐ−エチルフェニル、プロピオン酸−ｏ−エチルフェニル、プロピオン酸−ｍ−エチルフェニル、プロピオン酸−ｐ−エチルフェニル、イソ酪酸−ｏ−エチルフェニル、イソ酪酸−ｍ−エチルフェニル、イソ酪酸−ｐ−エチルフェニル、酪酸−ｏ−エチルフェニル、酪酸−ｍ−エチルフェニル、酪酸−ｐ−エチルフェニル、酢酸−ｏ−プロピルフェニル、酢酸−ｍ−プロピルフェニル、酢酸−ｐ−プロピルフェニル、プロピオン酸−ｏ−プロピルフェニル、プロピオン酸−ｍ−プロピルフェニル、プロピオン酸−ｐ−プロピルフェニル、イソ酪酸−ｏ−プロピルフェニル、イソ酪酸−ｍ−プロピルフェニル、イソ酪酸−ｐ−プロピルフェニル、酪酸−ｏ−プロピルフェニル、酪酸−ｍ−プロピルフェニル、酪酸−ｐ−プロピルフェニル、酢酸−ｏ−イソプロピルフェニル、酢酸−ｍ−イソプロピルフェニル、酢酸−ｐ−イソプロピルフェニル、プロピオン酸−ｏ−イソプロピルフェニル、プロピオン酸−ｍ−イソプロピルフェニル、プロピオン酸−ｐ−イソプロピルフェニル、イソ酪酸−ｏ−イソプロピルフェニル、イソ酪酸−ｍ−イソプロピルフェニル、イソ酪酸−ｐ−イソプロピルフェニル、酪酸−ｏ−イソプロピルフェニル、酪酸−ｍ−イソプロピルフェニル、酪酸−ｐ−イソプロピルフェニル、酢酸−ｏ−ｎ−ブチルフェニル、酢酸−ｍ−ｎ−ブチルフェニル、酢酸−ｐ−ｎ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｏ−ｎ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｍ−ｎ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｐ−ｎ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｏ−ｎ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｍ−ｎ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｐ−ｎ−ブチルフェニル、酪酸−ｏ−ｎ−ブチルフェニル、酪酸−ｍ−ｎ−ブチルフェニル、酪酸−ｐ−ｎ−ブチルフェニル、酢酸−ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、酢酸−ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、酢酸−ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、酪酸−ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、酪酸−ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、酪酸−ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、酢酸−ｏ−ｔ−ブチルフェニル、酢酸−ｍ−ｔ−ブチルフェニル、酢酸−ｐ−ｔ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｏ−ｔ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｍ−ｔ−ブチルフェニル、プロピオン酸−ｐ−ｔ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｏ−ｔ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｍ−ｔ−ブチルフェニル、イソ酪酸−ｐ−ｔ−ブチルフェニル、酪酸−ｏ−ｔ−ブチルフェニル、酪酸−ｍ−ｔ−ブチルフェニル、酪酸−ｐ−ｔ−ブチルフェニルなどが挙げられる。
【００２９】
さらに、式（ＩＶ）の化合物は、例えば、安息香酸にｎ−ブタノールをアンバーリストの触媒下、室温から１００℃で反応させ、その後、触媒除去ならびに蒸留によって精製して得られた化合物である。
式（ＩＶ）の化合物としては、そのほか安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸イソプロピル、安息香酸ｓｅｃ−ブチル、安息香酸ｔ−ブチル、ｏ−メチル安息香酸メチル、ｍ−メチル安息香酸メチル、ｐ−メチル安息香酸メチル、ｏ−メチル安息香酸エチル、ｍ−メチル安息香酸エチル、ｐ−メチル安息香酸エチル、ｏ−メチル安息香酸プロピル、ｍ−メチル安息香酸プロピル、ｐ−メチル安息香酸プロピル、ｏ−メチル安息香酸イソプロピル、ｍ−メチル安息香酸イソプロピル、ｐ−メチル安息香酸イソプロピル、ｏ−メチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｍ−メチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｐ−メチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｏ−メチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｍ−メチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｐ−メチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｏ−メチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｍ−メチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｐ−メチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｏ−エチル安息香酸メチル、ｍ−エチル安息香酸メチル、ｐ−エチル安息香酸メチル、ｏ−エチル安息香酸エチル、ｍ−エチル安息香酸エチル、ｐ−エチル安息香酸エチル、ｏ−エチル安息香酸プロピル、ｍ−エチル安息香酸プロピル、ｐ−エチル安息香酸プロピル、ｏ−エチル安息香酸イソプロピル、ｍ−エチル安息香酸イソプロピル、ｐ−エチル安息香酸イソプロピル、ｏ−エチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｍ−エチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｐ−エチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｏ−エチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｍ−エチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｐ−エチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｏ−エチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｍ−エチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｐ−エチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｏ−プロピル安息香酸メチル、ｍ−プロピル安息香酸メチル、ｐ−プロピル安息香酸メチル、ｏ−プロピル安息香酸エチル、ｍ−プロピル安息香酸エチル、ｐ−プロピル安息香酸エチル、ｏ−プロピル安息香酸プロピル、ｍ−プロピル安息香酸プロピル、ｐ−プロピル安息香酸プロピル、ｏ−プロピル安息香酸イソプロピル、ｍ−プロピル安息香酸イソプロピル、ｐ−プロピル安息香酸イソプロピル、ｏ−プロピル安息香酸−ｎ−ブチル、ｍ−プロピル安息香酸−ｎ−ブチル、ｐ−プロピル安息香酸−ｎ−ブチル、ｏ−プロピル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｍ−プロピル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｐ−プロピル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｏ−プロピル安息香酸−ｔ−ブチル、ｍ−プロピル安息香酸−ｔ−ブチル、ｐ−プロピル安息香酸−ｔ−ブチル、ｏ−イソプロピル安息香酸メチル、ｍ−イソプロピル安息香酸メチル、ｐ−イソプロピル安息香酸メチル、ｏ−イソプロピル安息香酸エチル、ｍ−イソプロピル安息香酸エチル、ｐ−イソプロピル安息香酸エチル、ｏ−イソプロピル安息香酸プロピル、ｍ−イソプロピル安息香酸プロピル、ｐ−イソプロピル安息香酸プロピル、ｏ−イソプロピル安息香酸イソプロピル、ｍ−イソプロピル安息香酸イソプロピル、ｐ−イソプロピル安息香酸イソプロピル、ｏ−イソプロピル安息香酸−ｎ−ブチル、ｍ−イソプロピル安息香酸−ｎ−ブチル、ｐ−イソプロピル安息香酸−ｎ−ブチル、ｏ−イソプロピル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｍ−イソプロピル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｐ−イソプロピル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｏ−イソプロピル安息香酸−ｔ−ブチル、ｍ−イソプロピル安息香酸−ｔ−ブチル、ｐ−イソプロピル安息香酸−ｔ−ブチル、ｏ−ｎ−ブチル安息香酸メチル、ｍ−ｎ−ブチル安息香酸メチル、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸メチル、ｏ−ｎ−ブチル安息香酸エチル、ｍ−ｎ−ブチル安息香酸エチル、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸エチル、ｏ−ｎ−ブチル安息香酸プロピル、ｍ−ｎ−ブチル安息香酸プロピル、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸プロピル、ｏ−ｎ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｍ−ｎ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｏ−ｎ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｍ−ｎ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｏ−ｎ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｍ−ｎ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｏ−ｎ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｍ−ｎ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｏ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸メチル、ｍ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸メチル、ｐ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸メチル、ｏ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸エチル、ｍ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸エチル、ｐ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸エチル、ｏ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸プロピル、ｍ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸プロピル、ｐ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸プロピル、ｏ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｍ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｐ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｏ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｍ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｐ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｏ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｍ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｐ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｏ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｍ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｐ−ｓｅｃ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｏ−ｔ−ブチル安息香酸メチル、ｍ−ｔ−ブチル安息香酸メチル、ｐ−ｔ−ブチル安息香酸メチル、ｏ−ｔ−ブチル安息香酸エチル、ｍ−ｔ−ブチル安息香酸エチル、ｐ−ｔ−ブチル安息香酸エチル、ｏ−ｔ−ブチル安息香酸プロピル、ｍ−ｔ−ブチル安息香酸プロピル、ｐ−ｔ−ブチル安息香酸プロピル、ｏ−ｔ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｍ−ｔ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｐ−ｔ−ブチル安息香酸イソプロピル、ｏ−ｔ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｍ−ｔ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｐ−ｔ−ブチル安息香酸−ｎ−ブチル、ｏ−ｔ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｍ−ｔ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｐ−ｔ−ブチル安息香酸−ｓｅｃ−ブチル、ｏ−ｔ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｍ−ｔ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチル、ｐ−ｔ−ブチル安息香酸−ｔ−ブチルなどが挙げられる。
【００３０】
次に、芳香環含有エーテル化合物について説明する。
芳香環含有エーテル化合物の製造方法は特定の方法に限定されないが、一般的には、（１）硫酸ジアルキル化合物を用いた芳香族アルコール化合物のアルキル化、（２）ハロゲン化アルキルと芳香族化合物のエーテル化、（３）ハロゲン化アリールと金属アルコールとのエーテル化などにより製造することができる。
【００３１】
（１）硫酸ジアルキル化合物を用いた芳香族アルコール化合物のアルキル化に用いられる芳香族アルコール化合物としては、上記エステル化に用いられるアルコール化合物のうち、芳香族アルコール化合物が挙げられる。
また、硫酸ジアルキル化合物としては、硫酸ジメチル、硫酸ジエチル、硫酸ジプロピル、硫酸ジイソプロピル、硫酸ジｎ−ブチル、硫酸ジｓｅｃ−ブチル、硫酸ジｔ−ブチルなどが挙げられる。
さらに、触媒としては、酸化水銀、酸化銀、酸化バリウム、酸化亜鉛、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水素化ナトリウム、ナトリウム粉、カリウム粉などがある。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００３２】
上記反応方式は特に限定されないが、バッチ反応でも連続反応でも反応できる。
なお、上記反応における芳香族アルコール化合物と、硫酸ジアルキル化合物との反応は、芳香族アルコール化合物１モルに対し、通常、硫酸ジアルキル化合物０．２〜１０モル、好ましくは１．０〜２．５モルである。硫酸ジアルキル化合物が０．２モル未満では芳香族アルコール化合物が過剰に存在することになり製造コスト的に好ましくなく、一方、１０モルを超えると硫酸ジアルキル化合物が過剰に存在することになり製造コスト的に好ましくない。
【００３３】
上記反応温度は、通常、−７８〜２５０℃、好ましくは−３０〜２００℃、さらに好ましくは０〜１８０℃に加熱することで反応が行なわれる。反応温度が−７８℃未満では反応速度が極端に遅く、一方、２５０℃を超えると、副反応が顕著になり好ましくない。
【００３４】
なお、硫酸ジアルキル化合物を用いた芳香族アルコール化合物のアルキル化における溶媒は使用しなくてもよいが、ジオキサン、シクロヘキサンなどの溶媒を使用してもよい。
また、上記溶媒の使用量は、一般的には、芳香族アルコール化合物１００重量部に対し、５０〜１０００重量部である。
【００３５】
また、（２）ハロゲン化アルキルと芳香族化合物のエーテル化に用いられる芳香族アルコール化合物としては、上記エステル化に用いられるアルコール化合物のうち、芳香族アルコール類が挙げられる。
また、ハロゲン化アルキルとしては、ヨウ化メチル、臭化メチル、塩化メチル、ヨウ化エチル、臭化エチル、塩化エチル、ヨウ化プロピル、臭化プロピル、塩化プロピル、ヨウ化イソプロピル、臭化イソプロピル、塩化イソプロピル、ヨウ化ｎ−ブチル、臭化ｎ−ブチル、塩化ｎ−ブチル、ヨウ化ｓｅｃ−ブチル、臭化ｓｅｃ−ブチル、塩化ｓｅｃ−ブチル、ヨウ化ｔ−ブチル、臭化ｔ−ブチル、塩化ｔ−ブチルなどが挙げられる。
さらに、触媒としては、酸化水銀、酸化銀、酸化バリウム、酸化亜鉛、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水素化ナトリウム、ナトリウム粉、カリウム粉などがある。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。
エーテル化においては、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどの市販のナトリウムアルコキシドを直接反応させてもよい。
【００３６】
上記反応方式は特に限定されないが、バッチ反応でも連続反応でも反応できる。
なお、上記反応における芳香族アルコール化合物と、ハロゲン化アルキルとの反応は、芳香族アルコール化合物１モルに対し、通常、ハロゲン化アルキル０．２〜１０モル、好ましくは１．０〜２．５モルである。ハロゲン化アルキルが０．２モル未満では芳香族アルコール化合物が過剰に存在することになり製造コスト的に好ましくなく、一方、１０モルを超えるとハロゲン化アルキルが過剰に存在することになり製造コスト的に好ましくない。
【００３７】
上記反応温度は、通常、−７８〜２５０℃、好ましくは０〜２５０℃、さらに好ましくは２０〜２００℃に加熱することで反応が行なわれる。反応温度が−７８℃未満では反応速度が極端に遅く、一方、２５０℃を超えると、副反応が顕著になり好ましくない。
【００３８】
上記反応には、トルエン、ヘキサン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホロアミドなどの溶媒を使用してもよい。
上記溶媒の使用量は、一般的には、芳香族アルコール化合物１００重量部に対し、５０〜１,０００重量部である。
【００３９】
さらに、（３）ハロゲン化アリールと金属アルコールとのエーテル化に用いられるハロゲン化アリール化合物としては、ヨウ化フェニル、臭化フェニル、塩化フェニル、ヨウ化ｏ−メチルフェニル、臭化ｏ−メチルフェニル、塩化ｏ−メチルフェニル、ヨウ化ｍ−メチルフェニル、臭化ｍ−メチルフェニル、塩化ｍ−メチルフェニル、ヨウ化ｐ−メチルフェニル、臭化ｐ−メチルフェニル、塩化ｐ−メチルフェニル、ヨウ化ｏ−エチルフェニル、臭化ｏ−エチルフェニル、塩化ｏ−エチルフェニル、ヨウ化ｍ−エチルフェニル、臭化ｍ−エチルフェニル、塩化ｍ−エチルフェニル、ヨウ化ｐ−エチルフェニル、臭化ｐ−エチルフェニル、塩化ｐ−エチルフェニル、ヨウ化ｏ−プロピルフェニル、臭化ｏ−プロピルフェニル、塩化ｏ−プロピルフェニル、ヨウ化ｍ−プロピルフェニル、臭化ｍ−プロピルフェニル、塩化ｍ−プロピルフェニル、ヨウ化ｐ−プロピルフェニル、臭化ｐ−プロピルフェニル、塩化ｐ−プロピルフェニル、ヨウ化ｏ−イソプロピルフェニル、臭化ｏ−イソプロピルフェニル、塩化ｏ−イソプロピルフェニル、ヨウ化ｍ−イソプロピルフェニル、臭化ｍ−イソプロピルフェニル、塩化ｍ−イソプロピルフェニル、ヨウ化ｐ−イソプロピルフェニル、臭化ｐ−イソプロピルフェニル、塩化ｐ−イソプロピルフェニル、ヨウ化ｏ−ｎ−ブチルフェニル、臭化ｏ−ｎ−ブチルフェニル、塩化ｏ−ｎ−ブチルフェニル、ヨウ化ｍ−ｎ−ブチルフェニル、臭化ｍ−ｎ−ブチルフェニル、塩化ｍ−ｎ−ブチルフェニル、ヨウ化ｐ−ｎ−ブチルフェニル、臭化ｐ−ｎ−ブチルフェニル、塩化ｐ−ｎ−ブチルフェニル、ヨウ化ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、臭化ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、塩化ｏ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、ヨウ化ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、臭化ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、塩化ｍ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、ヨウ化ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、臭化ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、塩化ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、ヨウ化ｏ−ｔ−ブチルフェニル、臭化ｏ−ｔ−ブチルフェニル、塩化ｏ−ｔ−ブチルフェニル、ヨウ化ｍ−ｔ−ブチルフェニル、臭化ｍ−ｔ−ブチルフェニル、塩化ｍ−ｔ−ブチルフェニル、ヨウ化ｐ−ｔ−ブチルフェニル、臭化ｐ−ｔ−ブチルフェニル、塩化ｐ−ｔ−ブチルフェニルなどが挙げられる。
【００４０】
また、金属アルコールとしては、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロピオキシド、ナトリウムイソプロピオキシド、ナトリウムｎ−ブトキシド、ナトリウムｓｅｃ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムプロピオキシド、リチウムイソプロピオキシド、リチウムｎ−ブトキシド、リチウムｓｅｃ−ブトキシド、リチウムｔ−ブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロピオキシド、カリウムイソプロピオキシド、カリウムｎ−ブトキシド、カリウムｓｅｃ−ブトキシド、カリウムｔ−ブトキシド、マグネシウムメトキシド、マグネシウムエトキシド、マグネシウムプロピオキシド、マグネシウムイソプロピオキシド、マグネシウムｎ−ブトキシド、マグネシウムｓｅｃ−ブトキシド、マグネシウムｔ−ブトキシド、アルミニウムメトキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウムプロピオキシド、アルミニウムイソプロピオキシド、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓｅｃ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシドなどが挙げられる。
さらに、触媒としては、銅粉、塩化銅（Ｉ）などのハロゲン化銅（Ｉ）、銅アルコキシドなどがある。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００４１】
上記反応方式は特に限定されないが、バッチ反応でも連続反応でも反応できる。
なお、上記反応におけるハロゲン化アリール化合物と、金属アルコールとの反応は、ハロゲン化アリール化合物１モルに対し、通常、金属アルコール０．２〜１０モル、好ましくは１．０〜２．５モルである。金属アルコールが０．２モル未満ではハロゲン化アリール化合物が過剰に存在することになり製造コスト的に好ましくなく、一方、１０モルを超えると金属アルコールが過剰に存在することになり製造コスト的に好ましくない。
【００４２】
上記反応温度は、通常、−７８〜２５０℃、好ましくは０〜２５０℃、さらに好ましくは２０〜２００℃に加熱することで反応が行なわれる。反応温度が−７８℃未満では反応速度が極端に遅く、一方、２５０℃を超えると、副反応が顕著になり好ましくない。
【００４３】
上記反応には、トルエン、ヘキサン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホロアミドなどの溶媒を使用してもよい。
上記溶媒の使用量は、一般的には、ハロゲン化アリール１００重量部に対し、５０〜１,０００重量部である。
【００４４】
芳香族環含有エーテル化合物の具体例は、例えば上記式（ＩＩＩ）で表される化合物が挙げられる。この式(ＩＩＩ)の化合物は、例えば、フェノールを、硫酸ジメチルを用いてメチル化し、蒸留によって精製して得られた化合物である。
式(ＩＩＩ)の化合物としては、そのほか、エトキシベンゼン、プロピオキシベンゼン、イソプロピオキシベンゼン、ｎ−ブトキシベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシベンゼン、ｔ−ブトキシベンゼン、メトキシ−ｏ−メチルベンゼン、メトキシ−ｍ−メチルベンゼン、メトキシ−ｐ−メチルベンゼン、エトキシ−ｏ−メチルベンゼン、エトキシ−ｍ−メチルベンゼン、エトキシ−ｐ−メチルベンゼン、プロピオキシ−ｏ−メチルベンゼン、プロピオキシ−ｍ−メチルベンゼン、プロピオキシ−ｐ−メチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｏ−メチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｍ−メチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｐ−メチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｏ−メチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｍ−メチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｐ−メチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｏ−メチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｍ−メチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｐ−メチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｏ−メチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｍ−メチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｐ−メチルベンゼン、メトキシ−ｏ−エチルベンゼン、メトキシ−ｍ−エチルベンゼン、メトキシ−ｐ−エチルベンゼン、エトキシ−ｏ−エチルベンゼン、エトキシ−ｍ−エチルベンゼン、エトキシ−ｐ−エチルベンゼン、プロピオキシ−ｏ−エチルベンゼン、プロピオキシ−ｍ−エチルベンゼン、プロピオキシ−ｐ−エチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｏ−エチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｍ−エチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｐ−エチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｏ−エチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｍ−エチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｐ−エチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｏ−エチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｍ−エチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｐ−エチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｏ−エチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｍ−エチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｐ−エチルベンゼン、メトキシ−ｏ−プロピルベンゼン、メトキシ−ｍ−プロピルベンゼン、メトキシ−ｐ−プロピルベンゼン、エトキシ−ｏ−プロピルベンゼン、エトキシ−ｍ−プロピルベンゼン、エトキシ−ｐ−プロピルベンゼン、プロピオキシ−ｏ−プロピルベンゼン、プロピオキシ−ｍ−プロピルベンゼン、プロピオキシ−ｐ−プロピルベンゼン、イソプロピオキシ−ｏ−プロピルベンゼン、イソプロピオキシ−ｍ−プロピルベンゼン、イソプロピオキシ−ｐ−プロピルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｏ−プロピルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｍ−プロピルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｐ−プロピルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｏ−プロピルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｍ−プロピルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｐ−プロピルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｏ−プロピルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｍ−プロピルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｐ−プロピルベンゼン、メトキシ−ｏ−イソプロピルベンゼン、メトキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン、メトキシ−ｐ−イソプロピルベンゼン、エトキシ−ｏ−イソプロピルベンゼン、エトキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン、エトキシ−ｐ−イソプロピルベンゼン、プロピオキシ−ｏ−イソプロピルベンゼン、プロピオキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン、プロピオキシ−ｐ−イソプロピルベンゼン、イソプロピオキシ−ｏ−イソプロピルベ���ゼン、イソプロピオキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン、イソプロピオキシ−ｐ−イソプロピルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｏ−イソプロピルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｐ−イソプロピルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｏ−イソプロピルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｐ−イソプロピルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｏ−イソプロピルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｐ−イソプロピルベンゼン、メトキシ−ｏ−ｎ−ブチルベンゼン、メトキシ−ｍ−ｎ−ブチルベンゼン、メトキシ−ｐ−ｎ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｏ−ｎ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｍ−ｎ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｐ−ｎ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｏ−ｎ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｍ−ｎ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｐ−ｎ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｏ−ｎ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｍ−ｎ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｐ−ｎ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｏ−ｎ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｍ−ｎ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｐ−ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｏ−ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｍ−ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｐ−ｎ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｏ−ｎ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｍ−ｎ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｐ−ｎ−ブチルベンゼン、メトキシ−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、メトキシ−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、メトキシ−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンゼン、メトキシ−ｏ−ｔ−ブチルベンゼン、メトキシ−ｍ−ｔ−ブチルベンゼン、メトキシ−ｐ−ｔ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｏ−ｔ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｍ−ｔ−ブチルベンゼン、エトキシ−ｐ−ｔ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｏ−ｔ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｍ−ｔ−ブチルベンゼン、プロピオキシ−ｐ−ｔ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｏ−ｔ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｍ−ｔ−ブチルベンゼン、イソプロピオキシ−ｐ−ｔ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｏ−ｔ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｍ−ｔ−ブチルベンゼン、ｎ−ブトキシ−ｐ−ｔ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｏ−ｔ���ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｍ−ｔ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブトキシ−ｐ−ｔ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｏ−ｔ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｍ−ｔ−ブチルベンゼン、ｔ−ブトキシ−ｐ−ｔ−ブチルベンゼンなどが挙げられる。
【００４５】
なお、本発明の導電性ペーストの溶剤中には、必要に応じて、各種添加剤、溶剤を含有させてもよい。
【００４６】
次に、本発明の導電性ペーストについて説明する。
本発明の導電性ペーストは、貴金属電極層に相当するもので、有機バインダーとなる樹脂を芳香環含有エステル化合物または芳香環含有エーテル化合物である本発明の有機溶剤に溶解して得られる有機ビヒクル中に、Ｐｄなどの金属粉末を分散させたものである。
有機ビヒクル中の芳香環含有エステル化合物または芳香環含有エーテル化合物は、５〜９５重量％であることが好ましい。より好ましくは、１５〜８５重量％である。
５重量％未満では、エチルセルロースなどの溶解性が悪くなり、一方、９５重量％を超えると、有機ビヒクルの粘度が低くなり過ぎて好ましくない。
有機バインダーとしては、エチルセルロース、ニトロセルロースなどのセルロース系樹脂や、ブチルメタクリレート、メチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂が使用される。
導電性ペースト中における、上記有機ビヒクルは、５〜４０重量％であることが好ましい。より好ましくは、１０〜３０重量％である。
有機ビヒクルは、５重量％未満であると、乾燥膜の強度が弱くなり、一方、４０重量％を超えると、焼成後の電極厚さが薄くなりすぎて好ましくない。
【００４７】
本発明の溶剤成分である芳香環含有エステル化合物や芳香環含有エーテル化合物は、導電性ペーストに使用されるエチルセルロースに対して非常に良好な溶解性を示す。そのため、本発明の溶剤成分である芳香環含有エステル化合物および／または芳香環含有エーテル化合物を含有する有機ビヒクルは、特許文献１から４に示されるようなテルペンアルコールおよびテルペンエステル系溶剤で調製した有機ビヒクルと比較して、低粘度および低ＴＩ値を示し、安定性も非常に高い。
したがって、Ｐｄなどの金属粉末を均一に分散させることができ、高密度で厚みを抑えた導電性ペーストを印刷することが可能となる。
【００４８】
ここで、ＴＩ値とは、有機ビヒクルのチクソトロピック性を表す値でせん断速度変化に対する粘度変化の度合いを示すものであり、本発明では、好ましくは１．０〜１．５、さらに好ましくは１．０〜１．２である。１．０未満であると、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを印刷する際にダレが生じて適切な厚みを保つことができず、一方、１．５を超えると、印刷時にかすれが生じて均一な厚みで印刷することができず好ましくない。ＴＩ値の算出方法は、ブルックフィールド社製デジタル粘度計ＨＢＤＶ−１で２５℃において０．５ｒｐｍおよび５．０ｒｐｍで測定し、下記式のように、各測定値を０．５ｒｐｍ／５．０ｒｐｍで求めた。
本発明のＴＩ値（実測値）＝０．５ｒｐｍでの粘度／５．０ｒｐｍでの粘度
【００４９】
また、本発明の溶剤成分である芳香環含有エステル化合物または芳香環含有エーテル化合物は、ターピネオールに比べて、セラミックグリーンシートに使用されるポリビニルブチラールなどの有機バインダー樹脂に対する溶解性が低いため、印刷した際にセラミックグリーンシートへの浸食を抑制することができる。
したがって、セラミック誘電層とＰｄ（パラジウム）などの貴金属電極が交互に、規則性をもって積み重ねた積層体を製造することが可能となり、デラミネーションが生じない、電気的特性の劣化の発生しない、積層セラミックコンデンサーを提供することを可能にするものである。
【００５０】
なお、本発明の芳香環含有エステル化合物または芳香環含有エーテル化合物のみを溶剤とした場合、有機バインダー樹脂に対して非常に良好な溶解性を示すため、低分子量の有機バインダー樹脂を使用すると有機ビヒクルの粘度およびＴＩ値が場合によっては適正値より低い値になることが予測される。
その場合には、高分子量の有機バインダー樹脂を用いる、あるいは粘度調製用の希釈溶剤および安定剤として他の溶剤と併用するのが好ましい。具体的には導電性ペースト溶剤として、ターピネオールや水素添加ターピネオールなどのテルペンアルコール系溶剤ならびにターピニルアセテート、イソボルニルアセテート、ノピルアセテート、水素添加ターピネオールアセテートなどのテルペンエステル系溶剤と併用するのが好ましい。例えば、溶剤成分として、ターピネオールや水素添加ターピネオールなどのテルペンアルコール系溶剤と本発明の溶剤成分である芳香環含有エステル化合物または芳香環含有エーテル化合物を併用すると、セラミックグリーンシート層への浸食によるデラミネーションの発生を抑えたままで有機ビヒクルの安定性を保つことが可能となる。さらに、グリーンシート層への浸食が少ないターピニルアセテート、イソボルニルアセテート、ノピルアセテート、水素添加ターピネオールアセテートなどのテルペンエステル系溶剤と併用すると、より効果が顕著になる。
溶剤成分としての本発明の芳香環含有エステル化合物または芳香環含有エーテル化合物の比率は特に限定させるものではないが、５重量％〜９５重量％とすると効果が顕著になり好ましい。
【実施例】
【００５１】
以下実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
合成例１
（式（Ｉ）で表される化合物の合成）
冷却管、温度計、撹拌棒を備えた１，０００ｍｌガラス製四つ口フラスコに、ベンジルアルコール  １２９．６ｇ（和光純薬工業（株）製、純度９９％、１．２モル）、イソ酪酸  ７０．４ｇ（和光純薬工業（株）製、純度９９％、０．８モル）、アンバーリスト  ３．５ｇ（ローム・アンド・ハース社製）、およびトルエン  ４００．０ｇ（和光純薬工業（株）製、純度９９％）を仕込み、撹拌しながら昇温して、１００〜１１０℃で２時間反応した。反応後、反応液を水洗し、油層を減圧蒸留（８０．０ｍｍＨｇ、１３５〜１４０℃）することにより、式（Ｉ）で表されるイソ酪酸ベンジル５７．０ｇ（収率４０．０％、純度９９％）を得た。
【００５２】
合成例２
（式（Ｉ）で表される化合物の合成）
冷却管、温度計、撹拌棒を備えた１，０００ｍｌガラス製四つ口フラスコに、ベンジルアルコール  １２９．６ｇ（和光純薬工業（株）製、純度９９％、１．２モル）、酪酸  ７０．４ｇ（和光純薬工業（株）製、純度９９％、０．８モル）、アンバーリスト  ３．５ｇ（ローム・アンド・ハース社製）、およびトルエン  ４００．０ｇ（和光純薬工業（株）製、純度９９％）を仕込み、撹拌しながら昇温して、１００〜１１０℃で２時間反応した。反応後、反応液を水洗し、油層を減圧蒸留（８０．０ｍｍＨｇ、１３５〜１４０℃）することにより、式（Ｉ）で表される酪酸ベンジル５２．０ｇ（収率３５．８％、純度９８％）を得た。
【００５３】
合成例３
（式（ＩＩ）で表される化合物の合成）
冷却管、温度計、撹拌棒を備えた１，０００ｍｌガラス製四つ口フラスコに、ｐ−メチルフェノール  １３０．９ｇ（和光純薬工業（株）製、純度９９％、１．２モル）、無水イソ酪酸  １９１．５ｇ（和光純薬工業（株）製、純度９９％、１．２モル）を仕込み、撹拌しながらトリエチルアミン  １３．１ｇを滴下して、室温で１０時間反応した。反応後、水を加えて油水分離し、油層を減圧蒸留（６０．０ｍｍＨｇ、１３５〜１４０℃）することにより、式（ＩＩ）で表されるイソ酪酸−ｐ−メチルフェニル１１７．７ｇ（収率４５．０％、純度９８％）を得た。
【００５４】
実施例１〜５
（エチルセルロースの溶解性試験）
５０ｍＬ共栓付試験管にエチルセルロースＮ１０００（ＨＥＲＣＵＬＥＳ社製）２ｇと本発明の各溶剤（上記合成例１〜３で得られた本発明の溶剤）、および、本発明のメトキシベンゼン（和光純薬工業（株）製、アニソール、純度９９％）、および本発明の安息香酸ｎ−ブチル（和光純薬工業（株）製、純度９８％）２３ｇを、それぞれ混合し、スターラーで撹拌しながら６０℃で２時間加温した。加温終了後、室温まで放冷した。ブルックフィールド社製デジタル粘度計ＨＢＤＶ−１を用いて２５℃、０．５ｒｐｍで、得られた有機ビヒクルの粘度を測定した。また、同様の装置を用いて、上記記載方法によりＴＩ値を算出した。また、ビヒクルの、調製３０日後の経時変化でゲル化の有無も観察した。ゲル化が発生すると、金属粉末が均一に分散されず、導電性ペーストの金属状態の品質低下が発生し、クレームの元となる可能性が大となる。その結果を表１に示す。ここで、調製したビヒクルを２５℃で３０日間保管し、調製３０日後に目視によってゲル化が確認された場合は、ゲル化有り、目視でゲル化が確認されなかった場合は、ゲル化無しと判断した。
【００５５】
（ブチラール樹脂の溶解性試験）
５０ｍＬ共栓付試験管にブチラール樹脂〔和光純薬工業（株）製：重量平均分子量（ＭＷ）２，４００、あるいは、積水化学工業（株）製：Ｓ−ＬＥＣ  ＢＨ−３〕５００ｍｇと本発明の各溶剤（合成例１〜３で得られた溶剤）、および、本発明のメトキシベンゼン（式（ＩＩＩ）、和光純薬工業（株）製アニソール、純度９９％）、本発明の安息香酸ｎ−ブチル（式（ＩＶ）、和光純薬工業（株）製、純度９８％）２５ｇを、それぞれ、スターラーで撹拌しながら６０℃で２時間加温した。加温終了後、上清を分取し、さらに２，０００ｒｐｍで５分間遠沈操作を行った。このものの上澄みを１ｇ取り、標品（旭電化工業（株）製、アデカスタブＡＯ−２０）を５０ｍｇ加えてＧＰＣを測定した。測定後、ブチラール樹脂の分子量に相当するピークエリアと標品のピークエリア比より、各溶剤２５ｇに溶解したブチラール樹脂量（ｍｇ）を算出した。その結果を表１に示す。
【００５６】
実施例６〜７
本発明のイソ酪酸ベンジル〔合成例１で得られた溶剤；式（Ｉ）〕１９．５５ｇとターピネオール（ヤスハラケミカル(株)製、純度１００％）３．４５ｇ、また本発明のイソ酪酸ベンジル〔合成例１で得られた溶剤；式（Ｉ）〕４．６ｇとターピニルアセテート（ヤスハラケミカル(株)製、純度９５％）１８．４ｇをそれぞれ混合し、２種の混合溶剤を調製した。これらの溶剤に対して実施例１〜５と同様のエチルセルロースの溶解性試験、ならびにブチラール樹脂溶解性試験を行った。
【００５７】
比較例１〜６
ターピネオール（ヤスハラケミカル(株)製、純度１００％）、ジヒドロターピネオール（ヤスハラケミカル(株)製、純度９８％）、イソボルニルアセテート（ヤスハラケミカル(株)製、純度９５％）、ノピルアセテート（ヤスハラケミカル(株)製、純度９５％）、ターピニルアセテート（ヤスハラケミカル(株)製、純度９５％）、ならびにジヒドロターピニルアセテート（ヤスハラケミカル(株)製、純度９５％）を比較溶剤として用い、実施例１〜５と同様のエチルセルロースの溶解性試験、ならびにブチラール樹脂溶解性試験を行った。なお、比較例のエチルセルロースの溶解性試験では、エチルセルロースにＳＴＤ２００（ＤＯＷ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ製）を使用した。その結果を表１に示す。
【００５８】
（デラミネーションの発生の測定方法）
積層セラミックコンデンサーを製造する場合について、以下の方法で、本発明の導電性ペーストを評価した。
微細化したチタン酸バリウム粉末９０重量％とポリビニルブチラール（積水化学工業（株）製Ｓ−ＬＥＣ  ＢＨ−３）４重量％、エチルアルコール６重量％からなる有機ビヒクルを混練してセラミックスラリーを作製し、ドクターブレード法により、誘電体グリーンシートを作製した。
次に、実施例１〜７および上記各比較例で使用したそれぞれの溶剤３０重量部に、エチルセルロース樹脂（ＤＯＷ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ製、エチルセルロース）５重量部を溶解させ、有機ビヒクルを調合した。次に、この有機ビヒクル１０重量部と、Ｐｄ（パラジウム）粉末を１０重量部混練して、導電性ペーストを作製した。
上記誘電体グリーンシート上に、この導電性ペーストをスクリーン印刷し、そのシートを１２０℃で１０分間乾燥させた。その後、そのシートを積層し、８０℃、１００ｋｇ／ｃｍ２、３分間で熱圧着し、３０層の積層体である内部電極を作製した。その積層体を３ｍｍ×５ｍｍ角に切断し、大気炉にて１，３５０℃で２時間焼成した。その後、焼成体を研磨し、断面を光学顕微鏡で観察し、デラミネーションの発生の有無を観察した。結果を表１に記載した。
【００５９】
【表１】
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【００６０】
表１に示すように、本発明の溶剤〔式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）の溶剤〕は、エチルセルロースに対する溶解性が非常に高いため、本発明の溶剤にエチルセルロースを溶解させて作製したビヒクルは、低粘度および低ＴＩ値を示す。加えて、比較例に挙げられたテルペンエステル系溶剤を用いて調製した有機ビヒクルはゲル化が認められたのに対して、本発明の溶剤を用いて調製した有機ビヒクルは経時変化を起こさない。
また、本発明の溶剤は、従来の導電性ペースト用溶剤として使用されているターピネオールおよびジヒドロターピネオールと比較して、セラミックグリーンシート層に含有するブチラール樹脂の溶解性が著しく低下している。この性質のため、これら溶剤を用いた導電性ペーストは、従来のものと比較し、積層時のシートアタック現象やそれに伴うデラミネーション現象を抑制することができる。
さらに、実施例６および７に示すように混合溶剤として使用することにより既存のペースト溶剤の特性を改善することができる。本発明の溶剤をターピネオールと併用すると有機ビヒクルの低ＴＩ値を保ちながら、かつセラミックグリーンシート層への浸食によるデラミネーションも生じない。また、ブチラール樹脂に対する溶解力が小さいターピニルアセテートとの併用では、さらに効果的である。
よって、本発明の溶剤を使用することで、薄層化、高密度化、さらに欠品の削減に対応した多層セラミック部品の製造が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の導電性ペーストは、積層セラミックコンデンサーなどの製造の際に使用される導電性ペーストとして利用できる。