(57)【要約】【課題】ＦＦＳモードにおいて、より輝度の高い表示を可能とする、液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、第１基板の液晶層側に設けられた第１電極１９及び第２電極９と、第１基板の液晶層側に互いが交差するように設けられたデータ線６ａ及び走査線３ａと、スイッチング素子３０とを備え、第１電極１９と第２電極９との間に生じる電界によって液晶層の液晶分子が配向制御される液晶装置である。第１電極１９は、データ線及び走査線に囲まれた画素表示領域に配置され、第２電極９は、データ線６ａと交差する方向に延在する複数の枝電極９ｃと、隣接する枝電極９ｃにおける少なくとも一方の端部をそれぞれ開放させるように、各枝電極９ｃ間を電気的に接続する導通部９ａとを備え、画素領域内で第１電極１９に平面的に重なる領域を有して配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、該第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極及び第２電極と、前記第１基板の前記液晶層側に互いが交差するように設けられたデータ線及び走査線と、該データ線及び走査線にそれぞれ接続されるスイッチング素子とを備え、該第１電極と第２電極との間に生じる電界によって前記液晶層の液晶分子が配向制御される液晶装置において、
前記第１電極は、前記データ線及び走査線に囲まれた画素領域に配置され、
前記第２電極は、前記データ線と交差する方向に延在する複数の枝電極と、隣接する該枝電極における少なくとも一方の端部を開放させるように、前記各枝電極間を電気的に接続する導通部とを備え、前記画素領域内で前記第１電極と平面的に重なる領域を有して配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記導通部は、前記各枝電極の一方の端部側を接続し、かつ前記各枝電極の他方の端部側を開放させるように設けられてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記導通部は、隣接する前記各枝電極の両端部を交互に開放させるように設けられてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
平面視した状態にて、前記データ線側で開放された前記第２電極の前記枝電極の端部と、前記データ線に隣接した前記第１電極の端部との平面的なズレ寸法が５μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記液晶分子の初期配向方向が、前記データ線と前記第１電極との間に生じる電界方向に一致し、かつ前記液晶分子の初期配向方向と前記枝電極の延在方向とが交差することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、該第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極及び第２電極と、前記第１基板の前記液晶層側に互いが交差するように設けられたデータ線及び走査線と、該データ線及び走査線にそれぞれ接続されるスイッチング素子とを備え、該第１電極と第２電極との間に生じる電界によって前記液晶層の液晶分子が配向制御される液晶装置において、
前記第１電極は、前記データ線及び前記走査線に囲まれた画素領域に配置され、
前記第２電極は、前記画素領域内で前記第１電極と平面的に重なる領域を有して配置され、前記データ線に隣接する少なくとも一方の外周辺を跨ぎ、かつ前記データ線と交差する方向に延びる複数のスリットにより形成された複数の枝電極を有し、前記スリットの少なくとも一端は前記第２電極の外側に向かって開放されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置が備えられたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＮ（Twisted Nematic）液晶を用いた液晶装置では、従来から視野角が狭いことが問題視されている。このような問題点を解決するために、液晶層を狭持する一対の基板のうちの一方の基板に第１電極と第２電極を配置し、これら第１，第２電極の間に生じる電界（横電界）によって液晶層を駆動するフリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ）モードの液晶装置が提案されている。
【０００３】
下記特許文献１には、ＦＦＳモードの液晶装置において、画素電極（第２電極）に所定の傾きで配列された矩形状の開口部を形成することで、色ずれ、及びディスクリネーションの発生を防止した液晶装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−１８２２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特許文献１に記載された液晶装置は、画素電極全体が閉じられた形状となっている。このような形状からなる画素電極を備えた液晶装置は、開口部における長辺に直交する方向を主とする横電界が生じている。一方、前記開口部の長辺の長さ方向の端部では、短辺に直交する方向を主とする横電界が生じている。したがって、２方向の横電界が生じた開口部の端部近傍では、液晶分子の一部が逆方向に捻じられた状態（リバースツイスト）が発生し、透過光を厳密に制御することができず、表示領域の輝度を低下させてしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ＦＦＳモードにおいて、より輝度の高い表示を可能とする、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、該第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極及び第２電極と、前記第１基板の前記液晶層側に互いが交差するように設けられたデータ線及び走査線と、該データ線及び走査線にそれぞれ接続されるスイッチング素子とを備え、該第１電極と第２電極との間に生じる電界によって前記液晶層の液晶分子が配向制御される液晶装置において、前記第１電極は、前記データ線及び走査線に囲まれた画素領域に配置され、前記第２電極は、前記データ線と交差する方向に延在する複数の枝電極と、隣接する該枝電極における少なくとも一方の端部を開放させるように、前記各枝電極間を電気的に接続する導通部とを備え、前記画素領域内で前記第１電極と平面的に重なる領域を有して配置されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の液晶装置によれば、枝電極の少なくとも一端が開放された開放端となっているので、開放端側の枝電極と第１電極との間には前記枝電極の延在方向の直交方向を主とする横電界が生じる。よって、開放端側でのリバースツイストの発生を防止でき、液晶分子が良好に配向される領域が拡大することで輝度が向上する。また、枝電極の延在方向が、走査線に比べ第２電極（枝電極）に対する電位差が低いデータ線と交差する方向となっているので、走査線及びデータ線等の信号線と枝電極との間に生じる電界を低く抑えることができ、第１、第２電極間に生じた電界により液晶を確実に配向させることができる。
【０００８】
したがって、高輝度、かつ信頼性の高いＦＦＳモードの液晶装置を提供できる。
【０００９】
また、上記液晶装置においては、前記導通部は、前記各枝電極の一方の端部側を接続し、かつ前記各枝電極の他方の端部側を開放させるように設けられてなるのが好ましい。
【００１０】
上記構成によれば、枝電極の開放端が配置された画素領域の一方側における輝度を集中的に高めることができる。
【００１１】
あるいは、上記液晶装置においては、前記導通部は、隣接する前記各枝電極の両端部を交互に開放させるように設けられてなるようにしてもよい。
【００１２】
上記構成によれば、画素領域の両端側に輝度の高い領域が生じることで、画素領域における輝度を均一化できる。
【００１３】
また、上記液晶装置においては、平面視した状態にて、前記データ線側で開放された前記第２電極の前記枝電極の端部と、前記データ線に隣接した前記第１電極の端部との平面的なズレ寸法が５μｍ以下に設定されているのが好ましい。
【００１４】
上記構成によれば、枝電極と第２電極との境界でディスクリネーションの発生を低減することができ、表示領域における輝度をより向上させることができる。
【００１５】
また、上記液晶装置においては、前記液晶分子の初期配向方向が、前記データ線と前記第１電極との間に生じる電界方向に一致し、かつ前記液晶分子の初期配向方向と前記枝電極の延在方向とが交差するのが好ましい。
【００１６】
上記構成によれば、データ線と第１電極との間に発生する漏れ電界の方向が液晶の初期配向方向と一致するので、この漏れ電界が前記データ線近傍における液晶の初期配向状態を乱すことがない。よって、データ線近傍に遮光膜を設けることなく、ノーマリーブラック表示を行うことができる。また、液晶の初期配向方向と枝電極の延在方向が交差しているので、前記枝電極と第１電極との間に発生した横電界方向に液晶を確実に回動させ、ホワイト表示を良好に行うことができる。
【００１７】
本発明の液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、該第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極及び第２電極と、前記第１基板の前記液晶層側に互いが交差するように設けられたデータ線及び走査線と、該データ線及び走査線にそれぞれ接続されるスイッチング素子とを備え、該第１電極と第２電極との間に生じる電界によって前記液晶層の液晶分子が配向制御される液晶装置において、前記第１電極は、前記データ線及び前記走査線に囲まれた画素領域に配置され、前記第２電極は、前記画素領域内で前記第１電極と平面的に重なる領域を有して配置され、前記データ線に隣接する少なくとも一方の外周辺を跨ぎ、かつ前記データ線と交差する方向に延びる複数のスリットにより形成された複数の枝電極を有し、前記スリットの少なくとも一端は前記第２電極の外側に向かって開放されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の液晶装置によれば、スリットにより枝電極の少なくとも一端が開放された開放端となっているので、開放端側の枝電極と第１電極との間には前記枝電極の延在方向の直交方向を主とする横電界が生じる。よって、開放端側でのリバースツイストの発生を防止でき、液晶分子が良好に配向される領域が拡大することで輝度が向上する。また、枝電極の延在方向が、走査線に比べ第２電極（枝電極）に対する電位差が低いデータ線と交差する方向となっているので、走査線及びデータ線等の信号線と枝電極との間に生じる電界を抑えることができ、第１、第２電極間に生じた電界により液晶を確実に配向させることができる。
【００１９】
したがって、高輝度、かつ信頼性の高いＦＦＳモードの液晶装置を提供できる。
【００２０】
本発明の電子機器は、上記液晶装置が備えられたことを特徴とする。
【００２１】
本発明の電子機器によれば、明るく、高品質の表示部を備えたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係る液晶装置について図面を参照して説明する。本実施形態の液晶装置は、液晶に対して基板面方向の電界（横電界）を印加し、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。
【００２３】
また本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出射する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称し、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素表示領域」と称する。
【００２４】
図１は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域の回路構成図である。図２は液晶装置１００の任意の１サブ画素領域における平面構成図、図３は図２のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図であり、図４は図２における光学軸配置を示す図である。
【００２５】
なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
【００２６】
図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域（画素領域）には、それぞれ画素電極と画素電極９をスイッチングするＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２７】
また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査線信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。
【００２８】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定のレベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号をリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付与されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと前記共通電極に接続され、容量線としても機能する共通電極線３ｂとの間に設けられている。
【００２９】
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、同図中Ｙ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｘ軸方向に延びる走査線３ａとが互いに交差するようにマトリクス状に設けられている。そして、前記データ線６ａと前記走査線３ａとで囲まれる領域が、液晶装置１００の画素表示領域をなすサブ画素領域を構成している。サブ画素領域の中央部には前記走査線３ａと平行に延び、容量線としても機能する共通電極線３ｂが形成されている。該共通電極線３ｂに前記共通電極１９が接続されたものとなっている。
【００３０】
液晶装置１００のサブ画素領域には、平面視略熊手状（櫛歯状）を成す画素電極（第１電極）９と、前記共通電極線３ｂに接続され、前記画素電極９に平面的に略重なるように配置される共通電極（第２電極）１９とが設けられている。なお、サブ画素領域の端部の角部（或いは各サブ画素領域の間隙）には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ（図示せず）が設けられている。
【００３１】
図２中ハッチングで示される領域が画素電極９である。
【００３２】
画素電極９は、Ｘ軸方向に延びる複数本の帯状電極（枝電極）９ｃと、これら複数の帯状電極９ｃにおける少なくとも一方の端部を開放させるようにして前記各帯状電極９ｃを接続し、端部図示左側（−Ｘ側）の各端部で電気的に接続させて略Ｙ軸方向（データ線６ａの延在方向）に延在した基幹部（導通部）９ａと、基幹部９ａの−Ｙ側に設けられ、前記画素コンタクトホール４５が設けられるコンタクト部９ｂとから構成されている。以下、説明を簡単にするため、帯状電極９ｃの開放された側を開放端と呼ぶ。
【００３３】
なお、上記画素電極９は、例えば矩形からなる板状電極に設けられたスリットＳにより構成することもできる。この場合、画素電極９は、前記データ線６ａに隣接する一方（図中＋Ｘ方向）の外周辺を跨ぎ、かつ前記データ線６ａと交差する方向に延在するスリットＳにより形成された複数の帯状電極９ｃを有し、該各帯状電極９ｃが電気的に接続されたものとなる。したがって、前記スリットＳによって隣接する該帯状電極９ｃにおける少なくとも一方の端部が開放端９ｄを有したものとなる。
【００３４】
本実施形態では、各帯状電極９ｃ間を接続する基幹部９ａをサブ画素領域の一方側（図１中−Ｘ方向）に配置しており、サブ画素領域の他方側（図１中Ｘ方向）にのみ開放端が設けられた構造となっている。
【００３５】
そして、開放端９ｄ側（図１中＋Ｘ軸方向）における前記帯状電極９ｃの前記データ線６ａに沿う端辺と共通電極９の前記データ線６ａに沿う端辺とは略重なった状態となっている。ここで、略重なるとは、平面視した状態で共通電極１９の前記データ線６ａに沿う端辺と前記帯状電極９ｃの前記データ線６ａに沿う端辺との平面的なズレ寸法が５μｍ以下に設定されることを意味している。なお、後述するようにサブ画素領域にてより高い輝度を得るためには、このズレを無くす（前記端辺を一致させる）ことが望ましい。
【００３６】
前記画素電極９を構成する帯状電極９ｃは、前記共通電極線３ｂに対して対称形状となっている。ここで、前記共通電極線３ｂによってサブ画素領域を上下に分割した状態で画素電極９の形状について説明する。サブ画素領域の上側では、前記帯状電極９ｃがＸ軸に対して傾斜をなす方向、例えば５°〜２０°程度の角度をなす方向に延在している。
【００３７】
一方、サブ画素領域の下側では、前記帯状電極９ｃがＸ軸に対して−２０°〜−５°程度の角度をなす方向に延在している。
【００３８】
このように、本実施形態の液晶装置１００はサブ画素領域に２つの液晶ドメインが形成されたものとなっており、液晶装置１００に対する視角を変えたときの表示の色付きが効果的に防止されたものとなっている。
【００３９】
共通電極１９は、サブ画素領域内に設けられた上記画素電極９を平面視した状態で重なるように形成されている。本実施形態の場合、共通電極１９はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる導電膜からなるものである。
【００４０】
なお、共通電極は、本実施形態のように透明導電材料からなる透明電極の他、例えば光反射性の金属材料からなる反射電極を一部に備えた構成を採用することで、本発明を半透過反射型の液晶装置に適用することもできる。この場合、前記透明電極と反射電極とが画素電極との間に電界を生じさせる共通電極を構成する一方、前記反射電極は当該サブ画素領域の反射層としても機能する。
【００４１】
また、サブ画素領域には、データ線６ａと走査線３ａとの交差部の近傍にＴＦＴ（スイッチング素子）３０が設けられている。ＴＦＴ３０は走査線３ａの平面領域内に部分的に形成されたアモルファスシリコンからなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ、及びドレイン電極３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００４２】
ＴＦＴ３０のソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略Ｌ形に形成されており、ドレイン電極３２は画素電極９のコンタクト部９ｂとが平面的に重なる位置に設けられていて、画素コンタクトホール４５を介してドレイン電極３２と画素電極９とが電気的に接続されている。なお、画素電極９と共通電極１９とは後述するように絶縁膜を介して積層されており、この構成により前記電極９，１９が平面視で重なる領域に蓄積容量（図示せず）が構成される。
【００４３】
図３に示す断面構造をみると、液晶装置１００は、誘電異方性が正の液晶分子を含む液晶層５０を挟持して対向配置されたＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０及び対向基板（第２基板）２０と、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側に配置された画素電極（第２電極）９と共通電極（第１電極）１９とを具備して概略構成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の外側（液晶層５０と反対側）にはバックライト９０が配設されている。
【００４４】
ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ、共通電極線３ｂ、該共通電極線３ｂに接続される共通電極１９が形成されている。また、走査線３ａ、共通電極線３ｂ、及び共通電極１９を覆うようにしてゲート絶縁膜１１が形成されている。
【００４５】
前記ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極３２とが形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになっている。
【００４６】
したがって、本実施形態の液晶装置１００は、図２に示した１サブ画素領域内のうち、前記共通電極１９が形成された平面領域が、バックライト９０から入射して液晶層５０を透過する光を変調して表示を行う画素表示領域となっている。
【００４７】
前記ＴＦＴ３０を覆って酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１２が形成されており、該層間絶縁膜１２上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。
【００４８】
また、画素電極９、層間絶縁膜１２を覆ってポリイミドやシリコン酸化物等からなる配向膜１８が形成されている。
【００４９】
ところで、前記層間絶縁膜１２を貫通して、ドレイン電極３２に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極９のコンタクト部９ｂが一部埋設されることで、画素電極９とＴＦＴ３０とが電気的に接続されている。
【００５０】
一方、対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体２０Ａを備えている。その基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、カラーフィルタ２２が設けられており、カラーフィルタ２２上にポリイミド等の配向膜２８が積層されている。なおカラーフィルタ２２上には、さらに透明樹脂材料等からなる平坦化膜を積層することが好ましい。これにより、対向基板２０表面を平坦化して液晶層５０の厚さを均一化することができ、サブ画素領域内で駆動電圧が不均一になりコントラストが低下するのを防止することができる。
【００５１】
また、基板本体１０Ａ、２０Ａの外面側には、それぞれ偏光板１４，２４が配設されている。偏光板１４と基板本体１０Ａとの間、及び偏光板２４と基板本体２０Ａとの間には、１枚又は複数枚の位相差板（光学補償板）を設けることができる。
【００５２】
ここで、本実施形態の液晶装置１００における各光学軸の配置例について図４を参照して説明する。
【００５３】
ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板１４の透過軸１５３と、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸１５５とが互いに直交するように配置されている。
【００５４】
また、配向膜１８，２８は、平面視で同一方向にラビング処理されており、その方向は、図４に示すラビング方向（液晶の初期配向方向）１５１であり、Ｘ軸方向に一致する偏光板１４の透過軸１５３と平行となっている。
【００５５】
本実施形態の場合、前記ラビング方向１５１が、図２中Ｘ軸方向（データ線６ａの直交方向）、すなわち前記データ線６ａと前記共通電極１９との間に生じる電界方向に一致している。また、上述したように帯状電極９ｃは図２中Ｘ軸方向に対して、５°〜２０°程度の角度をなす方向に延在しているため、ラビング方向１５１と前記帯状電極９ｃの延在方向とは交差する。
【００５６】
ところで、初期配向された液晶分子の垂直方向に横電界が加わっても液晶分子を会同させることができない。
【００５７】
本実施形態の構成では、画素電極９と共通電極１９との間に形成される横電界（電界）の主方向（帯状電極９ｃの延在方向に直交する方向）と配向膜１８，２８のラビング方向１５１（液晶分子の初期配向方向）とが直交しない。よって、液晶分子を横電界方向に回動させることができる。
【００５８】
このように上記構成では、データ線６ａと共通電極１９との間に生じる漏れ電界とラビング方向１５１とが一致しているので、前記データ線６ａ近傍にて初期配向された液晶分子が前記漏れ電界による影響を受けることがなく、液晶の初期配向状態が乱されることがない。よって、本実施形態に係る液晶装置１００は、データ線近傍の光漏れを防止する遮光膜が不要とすることができ、ノーマリーブラック表示を良好に行うことができる。なお、液晶装置１００の駆動中に上記漏れ電界により液晶分子がラビング方向１５１方向を向いたとしても、ノーマリーブラック表示であれば黒表示となるだけなのでコントラストに大きな影響を及ぼすことがない。また、ラビング方向１５１と帯状電極９ｃの延在方向が交差しているので、前記帯状電極９ｃと共通電極１９との間に発生した電界によって液晶を確実に配向させることができる。
【００５９】
次に、液晶装置１００の動作について説明する。非選択電圧印加時において、液晶層を構成する液晶分子５１は、ラビング方向１５１に沿って基板と水平に配向している。そして、画素電極９と共通電極１９との間に選択電圧を印加すると、帯状電極９ｃ、１９ｃの延在方向（Ｙ軸方向）に直交方向に横電界が作用し、その横電界方向に沿って液晶分子５１が再配向する。なお、本実施形態では、上述したように配向膜のラビング方向１５１が横電界方向と垂直以外の角度で交差する方向に設定されているので、全ての液晶分子を横電界方向に回動させることができる。液晶装置１００は、このような液晶分子５１の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して明暗表示を行うようになっている。
【００６０】
ところで、本実施形態のようなＦＦＳ方式の液晶装置１００は、画素電極９と共通電極１９との境界に生じる横電界によって液晶を配向させるため、画素電極９の形状に応じて横電界の主方向が変化して液晶の配向状態が変化する。
【００６１】
ここで、画素電極が開放端を有しない閉じられた形状から構成される場合と、本実施形態の液晶装置のように画素電極に開放端を設けた場合とを比較し、画素電極の形状によるサブ画素領域の明るさ（輝度）分布について説明する。
【００６２】
図５（ａ）中左図は、開口部Ｔが設けられ、全体として閉じられた形状の画素電極（図中ハッチングで示される領域）を示すもので、この画素電極に厚さ方向で対向するように共通電極が配置されている。また、同図中右図は、この画素電極と共通電極との間に生じた電界による明暗（白黒）状態を示すものである。
【００６３】
図５（ｂ）中左図は、スリットＳ１が設けられ、開放端を有した画素電極（図中ハッチングで示される領域）を示すもので、この画素電極に対しても同様に共通電極が配置されている。
【００６４】
一般的にＦＦＳ方式では、横電界が生じる画素電極と共通電極との境界部分が明るく、横電界が発生しない前記電極及び開口部Ｔの中心部分が暗くなる。したがって、図５（ａ）の左図に示す形状の画素電極は、開口部Ｔの形状に沿って明るい領域が分布すると考えられる。
【００６５】
しかしながら、図５（ａ）中矢印Ａに示される領域では、前記開口部Ｔの長辺及び短辺の直交方向を主方向とする２つの横電界が生じるため、液晶分子の捻れ方向が段階的に変化することにより液晶分子が逆方向に捻れた状態（リバースツイスト）が発生する。
【００６６】
このようなリバースツイストが生じると、透過光を厳密に制御することができなくなりサブ画素領域の輝度が低下する。また、上記矢印Ａに示される領域では、ディスクリネーションも発生しており、図５（ａ）に示したように輝度が低下する。
【００６７】
一方、図５（ｂ）に示す画素電極は、画素電極の外周辺を跨ぐようにして形成されたスリットＳ１により開放端（同図中、矢印Ｂに示される領域）を備えている。すなわち、本実施形態に係る液晶装置１００が備える画素電極９と同様の構造となっている。
【００６８】
この開放端には画素電極９が存在しないため、スリットＳ１の延在方向に直交する方向にのみ横電界が生じ、複数の電界によって液晶分子が逆方向に捻られることがないので、リバースツイストが発生しない。このように画素電極に開放端を設けることで、所望の方向に液晶分子を配向させる（捻る）領域が拡大し、図５（ｂ）に示すように開放端（矢印Ｂに示される領域）側が明るくなって、サブ画素領域の輝度が向上する。
【００６９】
また、図５（ｂ）では、開放端９ｄ側の画素電極９及び共通電極１９の端部が平面視した状態で略重なっており、これにより開放端９ｄ側におけるディスクリネーションを無くしている。
【００７０】
このように画素電極９に開放端９ｄを設けることで、図５（ｂ）の右図に示すように開放端９ｄを有しない画素電極（図５（ａ）参照）に比べて、開放端９ｄ側にて明るい領域が増加し、表示領域の輝度を向上させることができる。
【００７１】
ところで、上述したように画素電極９における開放端９ｄ側の端部と共通電極１９との端部を重ねるのが望ましいが、実際の設計上では多少のズレを許容する必要がある。
【００７２】
このようなズレの許容値としては、平面視した状態で、前記枝電極における開放側の端部と前記共通電極の端部とのズレが５μｍ以下となっているのが望ましい。
【００７３】
図６中左図は、図５（ｂ）に示した画素電極（枝電極）９の端部から共通電極１９が５μｍ外側に突出した場合におけるサブ画素領域の明暗表示を示す図である。すなわち、枝電極と共通電極とのズレＤが５μｍとなっている。
【００７４】
このように画素電極と共通電極にズレが生じると枝電極の端部（矢印Ｃに示される領域）にてディスクリネーションが発生し、開放端側における明るい領域の一部が後退し、図５（ｂ）の状態に比べ、サブ画素領域の輝度が多少低下する。しかしながら、このような±５μｍ程度のズレであれば、図５（ａ）に示したように開放端を有しない場合に比べ、十分高い輝度を得ることができるものとみなすことができる。
【００７５】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置１００は、図２に示したように画素電極９を構成する帯状電極９ｃの少なくとも一方の端部が開放された開放端を備えた構造となっているので、開放端側の帯状電極９ｃ及び共通電極１９の間には一方向の電界が生じる。よって、開放端側でのリバースツイストの発生が防止され、液晶分子が良好に配向される領域が拡大することでサブ画素領域の輝度を向上できる。
【００７６】
また、本実施形態に係る液晶装置１００は、図２に示したように前記帯状電極９ｃがデータ線６ａ側に向かって延在している。ここで、図１の等価回路に示したように画素電極９は、ＴＦＴ３０をスイッチング素子としてデータ線６ａから画像信号が供給されるようになっている。したがって、データ線６ａ及び画素電極９の電位差は、走査線３ａ及び画素電極９の電位差に比べて低くなっている。
【００７７】
本実施形態に係る液晶装置１００は、帯状電極９ｃがより電位差の低いデータ線６ａに交差する方向に延在しているので、帯状電極９ｃとデータ線６ａとの間に生じる電界が抑えられる。このように、信号線（走査線３ａ及びデータ線６ａ）と帯状電極９ｃとの間に形成される電界を抑えることで、画素電極９、共通電極１９間に生じた横電界により液晶を確実に配向できる。したがって、本実施形態に係る液晶装置１００は、高輝度、かつ信頼性の高いものとなる。
【００７８】
また、前記帯状電極９ｃのデータ線端部と共通電極１９との端部が、平面視した状態で５μｍ以下のズレとなっているので、図６にて説明したように画素電極９における開放端９ｄと共通電極１９との境界におけるディスクリネーションを低減でき、サブ画素領域における輝度が向上する。
【００７９】
なお、上記実施形態では、配向膜１８，２８近傍の液晶層５０における液晶の初期配向方向を便宜的にラビング方向としているが、配向膜１８，２８としてはラビング処理によって初期的に液晶分子の配向する方向を規定するものに限らず、例えば、光配向、或いは斜方蒸着法によって初期的な液晶分子の配向方向が規定された配向膜であっても構わないものである。
【００８０】
（変形例）
次に、本発明の第１実施形態の変形例について図面を参照して説明する。
【００８１】
本変形例の液晶装置は、図７に示すように画素電極１０９を構成する帯状電極１０９ｃがＸ軸方向と平行に延在しており、概略櫛歯形状からなる画素電極１０９を備えている。また、本変形例では、共通電極線３ｂが走査線３ａの近傍に形成され、該共通電極線３ｂに接続する共通電極１９を備えている。
【００８２】
また、本変形例では、上述したように帯状電極１０９ｃの延在方向が図中Ｘ軸方向となっているので、Ｘ軸方向を水平方向とした場合、±３°〜１５°程度となる範囲にラビング方向が設定されている。なお、ラビング方向は前記範囲に限定されることはなく、前記帯状電極１０９ｃと共通電極１９との間に生じる横電界方向に対し、垂直以外の角度で交差する方向であれば種々の変更が可能である。
【００８３】
このような形状の画素電極は、例えば共通電極１９と平面視略同一の大きさの板電極に外周辺部の一部を開放させるようにスリットＳ２を設けることで、開放端を備えた画素電極１０９を容易に形成できる。あるいは、複数の枝状の電極（帯状電極１０９ｃ）を用意し、該枝状の電極の一端部を導電部（基幹部１０９ａ）によって接続することで開放端を備えた画素電極１０９を形成することができる。
【００８４】
このような形状の画素電極１０９であっても、上記第１実施形態の液晶装置と同様に開放端を有しているので、輝度の高い表示が可能となる。なお、画素電極１０９の形状は、図示した形状に限定されることはなく、帯状電極１０９ｃの数は種々に変更が可能である。
【００８５】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を図面を参照して説明する。
【００８６】
本実施形態の液晶装置が第１実施形態、及び上記変形例の液晶装置と異なるところは、複数本の帯状電極２０９ｃ間を接続する基幹部２０９ａが、隣接する帯状電極２０９ｃの両端部に設けられている点である。よって、本実施形態の液晶装置を構成する液晶層、ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０、偏光板１４，２４等の構成部材は、上記第１実施形態と同一である。したがって、以下の説明では、第１実施形態及び変形例との共通部分の説明を省略する。
【００８７】
図８には、本実施形態の液晶装置の１サブ画素領域における平面構成図を示すもので、第１実施形態における図２に対応する図である。
【００８８】
図８に示すように、本実施形態における液晶装置は上記帯状電極２０９ｃにおける開放端が両端部に交互に形成された蛇行形状となっている。この構成によれば、少なくとも開放端側において、図５（ｂ）に示したように輝度の高い表示が可能となる。また、本実施形態では、上記開放端を交互に配置しているので、図５（ｂ）に示した明るい領域がサブ画素領域における左右に生じ、サブ画素領域全体の明るさを均一化することができる。なお、本実施形態の帯状電極２０９ｃの延在方向は、上記変形例と同様に走査線３ａと平行となっており、Ｘ軸方向を水平方向とした場合、±３°〜１５°程度となる範囲にラビング方向が設定されている。
【００８９】
（電子機器）
図９は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
【００９０】
上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度の表示が可能になっている。
【００９１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記第１、第２実施形態、及び変形例では画素電極の開放端をサブ画素領域の一端部側のいずれかに設けた構成を採用しているが、例えば前記基幹部９ａを各帯状電極９ｃの中央部に設けることでサブ画素領域の左右両側に開放端を設けるようにしてもよい。また、共通電極１９側の一部に反射膜等を設け半透過反射型の液晶装置に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】サブ画素領域の回路構成を示す図である。
【図２】１サブ画素領域における平面構成を示す図である。
【図３】図２のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図である。
【図４】液晶装置における各光学軸の配置例を示す図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は画素電極の形状における明るさ分布を示す図である。
【図６】枝電極及び共通電極の端部がズレた場合の明るさ分布を示す図である。
【図７】第１実施形態の変形例を示す図である。
【図８】液晶装置の第２実施形態を示す図である。
【図９】電子機器の一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
Ｓ…スリット、６ａ…データ線、９ａ…基幹部（導通部）、９ｃ…帯状電極（枝電極）、９…画素電極（第２電極）、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、１９…共通電極（第１電極）、２０…対向基板（第２基板）、５０…液晶層、１００…液晶装置、１３００…携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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