(57)【要約】      （修正有）【課題】パターン形状やパターン欠陥を計測するセンサを提供する。【解決手段】検査ユニット２４は放射を基板上に投影するように構成された放射プロジェクタを含み、第１の方向に配向された直線偏光放射を基板上に投影することができるように構成された第１の部分と、第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射を基板上に投影することができるように構成された第２の部分とを有する。第１の方向に配向された直線偏光放射によって照明されたときと、第１の方向に対して直交する方向に配向された直線偏光放射によって照明されたときに、共に基板上のターゲットを検査することが可能である。【選択図】図４ｂ
2007243164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のプロパティを測定するためのセンサシステムであって、
前記基板上に放射を投影するように構成された放射プロジェクタと、
前記基板から反射された前記放射を検出するように構成されたディテクタと
を備えており、
前記放射プロジェクタが、第１の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第１の部分と、前記放射プロジェクタで、前記第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第２の部分とを有する、センサシステム。
【請求項２】
前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させるように構成された第１のアクチュエータと、
前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させることなしに、前記ディテクタを前記基板に対して移動するように構成された第２のアクチュエータと
をさらに備える、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項３】
前記ディテクタに対する前記放射プロジェクタの位置および向きが固定される、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項４】
前記第２のアクチュエータが、前記放射プロジェクタの前記放射が投影される前記基板の表面の表面に対して平行な２つの直交する方向に、前記基板に対する前記ディテクタの位置を独立に制御するように構成される、請求項２に記載のセンサシステム。
【請求項５】
前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させるように、また、前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させることなしに、前記ディテクタを前記基板に対して移動するように構成されたアクチュエータをさらに備える、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項６】
前記第１のアクチュエータが、前記基板を前記放射プロジェクタに対して９０°の倍数だけ回転させるように構成され、前記第２のアクチュエータが、ある移動範囲を有するように構成され、その結果、前記ディテクタが、前記基板を前記放射プロジェクタに対して回転させないで、前記基板の象限内の任意の点から放射を検出することができる、請求項２に記載のセンサシステム。
【請求項７】
前記放射プロジェクタが、
第１の直線偏光子に向けられた放射が直線偏光され前記第１の方向に配向されて前記基板上に投影されるように構成された第１の直線偏光子と、
第２の直線偏光子に向けられた放射が直線偏光され前記第２の方向に配向されて前記基板上に投影されるように構成された第２の直線偏光子と
を備える、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項８】
前記ディテクタが、
前記第１の直線偏光子から導出される、前記基板の表面から反射された放射を検出するように構成された第１の部分と、
前記第２の直線偏光子から導出される、前記基板の表面から反射された放射を検出するように構成された第２の部分と
を備える、請求項７に記載のセンサシステム。
【請求項９】
前記放射プロジェクタが、放射を前記第１と第２の直線偏光子の間で切り替えることができるように放射源からの放射を誘導するように構成された切替え可能な光学エレメントをさらに備える、請求項７に記載のセンサシステム。
【請求項１０】
前記放射プロジェクタが、放射を前記第１の直線偏光子に送るように構成された第１の放射源と、放射を前記第２の直線偏光子に送るように構成された第２の放射源とを備える、請求項７に記載のセンサシステム。
【請求項１１】
前記放射プロジェクタが、
放射源と、
前記第１と第２の直線偏光子のうちの１つを位置決めするように構成され、その結果、前記基板上に投影される前に前記放射源からの放射が前記第１と第２の直線偏光子のうちの前記１つによって偏光される、直線偏光子交換ユニットと
をさらに備える、請求項７に記載のセンサシステム。
【請求項１２】
前記放射プロジェクタが、前記第１および第２の方向にそれぞれ配向されて前記基板上に投影される前記直線偏光放射を生成するように構成された第１および第２の放射源を含む、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項１３】
前記センサが、基板の表面上に形成された複数のメトロロジー回折格子を有する該基板のプロパティを測定するように構成され、前記複数のメトロロジー回折格子が、第３の方向に対して平行に配列されたストライエーションで少なくとも１つの回折格子が形成され、また、前記第３の方向に対して垂直に配列されたストライエーションで少なくとも１つの回折格子が形成されるように配向されており、そして、前記センサが、前記放射プロジェクタが放射を前記基板上に投影したときに前記第１と第２の方向のうちの１つが前記第３の方向に対して平行となるように、前記基板を配向するように構成される、請求項２に記載のセンサシステム。
【請求項１４】
基板の向きを示す該基板の端上のノッチを突き止めるように構成されたノッチロケータをさらに備え、前記第１のアクチュエータが、前記第１と第２の方向のうちの前記１つを確実に前記第３の方向に対して平行とするために、前記ノッチロケータからの情報に基づいて前記基板を配向する、請求項１３に記載のセンサシステム。
【請求項１５】
前記基板の向きを示す情報を生成するために、前記基板上に形成された前記メトロロジーターゲットと前記基板上に形成されたデバイス構造とのうちの少なくとも１つを検査するように構成されたビジュアルインスペクションツールをさらに備え、前記第１のアクチュエータが、前記第１と第２の方向のうちの前記１つを確実に前記第３の方向に対して平行とするために、前記ビジュアルインスペクションツールからの情報に基づいて前記基板を配向する、請求項１３に記載のセンサシステム。
【請求項１６】
パターンをパターニングデバイスから基板上に転写するように構成されたリソグラフィシステムであって、放射を前記基板上に投影するように構成された放射プロジェクタを備える、前記基板のプロパティを測定するためのセンサと、前記基板から反射された前記放射を検出するように構成されたディテクタとを備え、前記放射プロジェクタが、第１の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第１の部分と、前記放射プロジェクタで、前記第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射を前記基板上に投影することができるように構成された第２の部分とを有する、リソグラフィシステム。
【請求項１７】
基板のプロパティを測定する方法であって、
放射プロジェクタを使用して放射を前記基板上に投影することと、
測定すべき前記プロパティを示す、前記基板から反射された放射を検出することとを有し、
前記放射プロジェクタが、第１の方向に配向された直線偏光放射と、前記第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射とを前記基板上に投影するように構成される、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィシステム、センサ、および基板のプロパティを測定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造時に使用される。その場合、選択可能にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用してＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えば、シリコンウェーハ）上の（例えば、１つまたはいくつかのダイの一部を含む）ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上で設けられる放射感応性材料（レジスト）の層上への結像を介する。一般に、単一の基板は、連続して露光される、隣接するターゲット部分のネットワークを含むことになる。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体を一度にターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）で放射ビームを介してパターンをスキャンし、一方、この方向に対して平行または逆平行に基板を同期スキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
センサは、リソグラフィ工程中、またはリソグラフィ工程後に、基板を検査することで知られる。例えば、（例えばパターン形成された放射のビームによって露光された）基板上のレジストが現像された後で、測定および検査ステップが実行される可能性がある。これは、生産で使用される基板を処理する通常の過程で実施されるため、「インライン」(“in-line”)と呼ばれる。これは、２つの目的を果たす。第１に、現像されたレジスト内のパターンに欠陥がある領域を検出することが望ましい。十分な数の基板上のダイ、すなわち個々のデバイスを形成するために使用されることになる基板の一部分に欠陥がある場合、その基板は、欠陥のあるパターンを有して、後続の工程ステップ、例えばエッチングを実施することによって、欠陥を永続的なものするのではなく、パターン形成されたレジストを剥離し、願わくば正しく再露光することができる。第２に、測定は、リソグラフィ装置内の誤差、例えば照明設定または露光線量を検出し、後続の露光のために補正することを可能にすることができる。しかし、リソグラフィ装置内の多数の誤差は、レジスト内でプリントされたパターンから容易に検出する、または適切とみなすことができない。欠陥の検出は、必ずしもその原因に直接通じない。したがって、リソグラフィ装置内で誤差を検出し測定するための様々な「オフライン」(“off-line”)手順もまた知られている。これは、基板を測定用デバイスと置き換えること、または特別なテストパターンの露光を、例えば様々な異なる機械設定で実施することを必要とする可能性がある。そのようなオフライン技法は、しばしば少なからぬ時間がかかり、その間、測定結果が使用可能となるまで、装置の最終製品は、未知の品質のものとなる。したがって、リソグラフィ装置内で誤差を検出し測定するための、生産露光と同時に実施することができるインライン技法が好ましい。
【０００４】
スキャトロメトリは、ＣＤおよびオーバーレイのインライン測定のために使用することができる光学メトロロジー技法の一例である。２つの主なスキャトロメトリ技法がある。すなわち、
１）分光スキャトロメトリは、通常、キセノン、重水素、またはハロゲンをベースとする光源など広帯域光源を使用して、散乱光のプロパティを、固定された角度で、波長の関数として測定する。固定された角度は、垂直入射または斜め入射とすることができる。
２）角度分解スキャトロメトリは、通常、レーザを単一波長光源として使用して、散乱光のプロパティを、固定され可波長で、入射角の関数として測定する。
【０００５】
反射スペクトルを生じる構造が、例えばリアルタイム回帰(real-time regression)を使用して、またはシミュレーションによって導出されたパターンのライブラリに比較することにより、再構築される。再構築には、費用関数の最小化が必要とされる。どちらの手法も、光の散乱を周期構造によって計算する。最も一般的な技法は、厳密結合波解析（Rigorous Coupled-Wave Analysis ＲＣＷＡ）であるが、光の散乱は、ＦＤＴＤ技法または積分方程式(Integral Equation)技法など、他の技法によって計算することもできる。
【０００６】
また、スキャトロメトリは、（例えば、リソグラフィ工程によって形成されたパターンによって制御されている可能性がある）エッチング工程後に形成されたフィーチャを検査するために、またはスタックの形で形成された材料の１つまたは複数の層の厚さまたはプロパティを測定するために使用することができる。
【０００７】
スキャトロメトリ測定を実行するために、基板は、放射を用いて照明される。測定から大部分の情報を得るために、基板を照明する放射を、直線偏光することができる。偏光の向きは、ウェーハ上の各ターゲットにとって適切なものになるように調整するべきである。そのために、現在、放射を基板上に投影するシステムの最後の光学エレメントと基板との間で、回転偏光子を設けることが知られている。
【０００８】
しかし、回転偏光子の使用は、ターゲットに対する偏光済み放射の向きの精度を低下させ、測定の精度を低下させる可能性がある。さらに、回転偏光子を使用したとき実現可能でない広範囲の入射角を用いてターゲットを照明することが望ましい可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
改善された放射偏光精度をもって基板上のターゲットを照明することができる基板のプロパティを測定するためのセンサを提供することが望ましい。さらに、リソグラフィ装置内で大きなスペースを占有することなしに、基板をインラインで検査することができる、そのようなセンサを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、基板のプロパティを測定するためのセンサシステムであって、基板上に放射を投影するように構成された放射プロジェクタと、基板から反射された放射を検出するように構成されたディテクタとを含み、放射プロジェクタが、放射プロジェクタで、第１の方向に配向された直線偏光放射を基板上に投影することができるように構成された第１の部分と、放射プロジェクタで、第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射を基板上に投影することができるように構成された第２の部分とを有する、センサシステムが提供される。
【００１１】
本発明の一態様によれば、そのようなセンサシステムを含む、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写するように構成されたリソグラフィシステムが提供される。
【００１２】
本発明の一態様によれば、基板のプロパティを測定する方法であって、放射プロジェクタを使用して放射を基板上に投影するステップと、測定すべきプロパティを示す、基板から反射された放射を検出するステップとを含み、放射プロジェクタが、第１の方向に配向された直線偏光放射と、第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射とを基板上に投影するように構成される方法が提供される。
【００１３】
例示にすぎないが、次に、本発明の諸実施形態について、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照して述べる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを含む。支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続される。基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続される。投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＬは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影するように構成される。
【００１５】
照明システムは、放射を誘導、成形、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはその任意の組合せなど様々なタイプの光学コンポーネントを包むことができる。
【００１６】
支持体は、パターニングデバイスを支持する、例えばその重量を支える。支持体は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなどによって決まる形で、パターニングデバイスを保持する。支持体は、機械式、真空、静電または他のクランプ技法を使用し、パターニングデバイスを保持することができる。支持体は、例えば、必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルとすることができる。支持体は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のどの使用も、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００１７】
本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内でパターンを生み出すように、放射ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈するべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば、パターンが位相シフト特徴および／またはアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分内で生み出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１８】
パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、Alternating位相シフト、減衰型位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーのそれぞれは、入射する放射ビームを様々な方向に反射するように個別に傾けることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００１９】
本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは、液浸液の使用または真空の使用など他の要因にとって適切なように、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、またはそれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈するべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のどの使用も、「投影システム」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００２０】
本明細書では、本装置は、（例えば透過マスクを使用する）透過タイプのものである。別法として、本装置は、（例えば、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）反射タイプのものとすることができる。
【００２１】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」機では、追加テーブルを同時に使用することができ、あるいは、１つまたは複数の他のテーブルが露光用に使用されている間に、１つまたは複数のテーブルに対して準備ステップを実施することができる。
【００２２】
リソグラフィ装置はまた、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部分を覆うことができるタイプのものとすることができる。また、液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えば、マスクと投影システムの間で与えることもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大することで、当技術分野で周知である。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板など、ある構造を液体内に沈めなければならないことを意味しているのではなく、むしろ、液体が、露光中に投影システムと基板の間に位置することを意味するにすぎない。
【００２３】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受け取る。放射源とリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザであるとき、別体とすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射は、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。他の場合には、例えば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一体化部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれることがあり得る。
【００２４】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するために、アジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用し、その断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを条件付けることができる。
【００２５】
放射ビームＢは、支持体（例えばマスクテーブルＭＴ）上で保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。放射ビームＢは、マスクＭＡを横切って、投影システムＰＬを通過し、投影システムＰＬは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の助けにより、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭと（図１には明示的に図示されないが、干渉デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサとすることができる）別の位置センサを使用し、マスクＭＡを、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。（スキャナではなく）ステッパの場合には、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータに接続するだけとすることも、固定とすることもできる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分間の空間内に位置することができる（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況では、マスクアライメントマークは、ダイ間に位置することができる。
【００２６】
図の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが本質的に静止したままであり、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に１回で投影される（すなわち、１回の静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、１回の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる（すなわち、１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの（縮小）倍率とイメージ反転特性によって決定される可能性がある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向での）幅が制限され、一方、スキャン運動の長さにより、ターゲット部分の（スキャン方向での）高さが決定される。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止したままであり、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中、連続する放射パルスの間で、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイなど、プログラマブルパターニングデバイスを使用するマスク不要のリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
上述の使用モードまたはまったく異なる使用モードに対する組合せおよび／または変形形態をも、使用することができる。
【００２８】
基板Ｗの表面のプロパティは、スキャトロメータ(scatterometer)、例えば図２に示されているものなど、センサを使用して決定することができる。スキャトロメータは、放射を基板６上に投影する広帯域（白色光）放射プロジェクタ２を含む。反射された放射は、スキャトロメータディテクタ４に渡され、スキャトロメータディテクタ４は、正反射放射のスペクトル１０（波長の関数としての強度）を測定する。このデータから、検出されたスペクトルを生じる構造またはプロフィルを、例えば厳密結合波解析(Rigorous Coupled Wave Analysis)および非線形回帰(non-linear regression)によって、または図２の下部で示されているシミュレーションされたスペクトルのライブラリとの比較によって再構築することができる。一般に、再構築するために、この構造の一般的な形態は既知であり、いくつかのパラメータは、この構造が作製された工程の知識から仮定され、スキャトロメトリデータから決定すべきこの構造の少数のパラメータだけが残る。
【００２９】
スキャトロメータは、垂直入射スキャトロメータ(normal-incidence scatterometer)または斜め入射スキャトロメータ(oblique-incidence scatterometer)とすることができる。ある範囲の波長の単一の角度での反射ではなく、単一の波長のある範囲の角度で反射が測定されるスキャトロメトリの変形形態を使用することもできる。
【００３０】
基板のプロパティを測定するためのスキャトロメータは、図３に示されているように、高開口数レンズの瞳面１１内で、基板表面から複数の角度および波長で反射された角度分解スペクトルのプロパティを測定することができる。そのようなスキャトロメータは、放射を基板上に投影するための放射プロジェクタ２と、反射されたスペクトルを検出するように構成されたディテクタ１４とを含むことができる。瞳面は、放射の半径方向位置により入射角が画定され、角度位置により放射の方位角が画定される平面である。ディテクタ１４は、高開口数レンズの瞳面内に配置される。開口数は、例えば少なくとも０．９、または少なくとも０．９５という高いものとすることができる。液浸スキャトロメータ(Immersion scatterometer)は、１より大きな開口数を有するレンズを有することもできる。
【００３１】
いくつかの角度分解スキャトロメータ(angle-resolved scatterometer)は、散乱光の強度を測定するにすぎない。しかし、より多くの最近のスキャトロメータは、いくつかの波長を、ある範囲の角度で同時に測定することを可能にする。様々な波長および角度についてスキャトロメータによって測定されるプロパティは、横断方向磁気偏光(transverse magnetic-polarized light)および横断方向電気偏光(transverse electric-polarized light)の強度、ならびに横断方向磁気偏光と横断方向電気偏光との位相差とすることができる。
【００３２】
高帯域光源（すなわち、広範囲の光周波数または波長、したがって色を有するもの）の使用が可能であり、それにより、大きなetendueが得られ、複数の波長を混合することが可能になる。広帯域内の複数の波長は、それぞれが、例えばδλの帯域幅を、したがって少なくとも１つの２δλ（すなわち、波長の２倍）の間隔を有することが好ましい。放射のいくつかの「源」は、例えば光ファイバ束を使用して分割されている拡張放射源の異なる一部分とすることができる。このようにして、角度分解された散乱スペクトルを、複数の波長で平行に測定することができる。３Ｄスペクトル（波長および２つの異なる角度）が測定され、これは、２Ｄスペクトルより多くの情報を含む。これは、より多くの情報を測定することを可能にし、それにより、メトロロジー工程の確実性（robustness）が増大する。
【００３３】
本発明と共に使用することができるスキャトロメータが、図３に示されている。放射プロジェクタ２の放射が、レンズシステム１２を使用して、干渉フィルタ１３を介して集束され、顕微ミラー対物レンズ１５を介して基板Ｗ上に集束される。次いで、その放射は、散乱スペクトルを検出させるために、部分的に反射性の表面１６を介して、逆投影瞳面１１内のディテクタ内に反射される。瞳面１１は、レンズシステム１５の焦点距離にある。ディテクタおよび高開口レンズが瞳面部で配置される。高ＮＡレンズの瞳面は、通常レンズの内側に位置するため、瞳面は、補助光学系を用いて再結像させることができる。
【００３４】
反射された放射の瞳面は、例えば１フレーム当たり４０ミリ秒の積分時間でＣＣＤディテクタ上で結像される。このようにして、基板ターゲットの２次元角度散乱スペクトルがディテクタ上で結像される。ディテクタは、例えば、ＣＣＤディテクタまたはＣＭＯＳディテクタのアレイとすることができる。
【００３５】
例えば４０５〜７９０ｎｍ、あるいは２００〜３００ｎｍなどさらに低い範囲内で注目の波長を選択するために、１組の干渉フィルタ１３が使用可能である。干渉フィルタは、１組の異なるフィルタを含むのではなく、同調可能とすることができる。干渉フィルタの代わりに回折格子を使用することができる。
【００３６】
基板Ｗ、あるいは部分的に反射性の表面１４さえも回折格子とすることができる。回折格子は、現像後、中実のレジストラインからなる棒が形成されるようにプリントすることができる。別法として、これらの棒は、基板内にエッチング形成することができる。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に投影システムＰＬ内の色収差に敏感であり、照明対称性、およびそのような収差の存在は、プリントされた回折格子内の変動の形で現れることになる。したがって、回折格子を再構築するために、プリントされた回折格子のスキャトロメトリデータが使用される。ライン幅および形状など、回折格子のパラメータは、プリントステップおよび／または他のスキャトロメトリ工程の知識から、再構築工程に入力することができる。
【００３７】
図４ａおよび図４ｂは、本発明の一実施形態によるセンサの構成を示す。下記の説明は、リソグラフィシステム内でのそのようなセンサの使用に関するが、本発明はそのように限定されず、本発明のセンサ構成は、「スタンドアロン」”stand alone”ユニットとして、または別の装置の一部として設けることができることを理解されたい。図のように、基板Ｗは、基板支持体またはチャック２１上に載置される。基板支持体またはチャック２１は、アクチュエータ２２によって装置のベース２３上に載置される。アクチュエータ２２は、基板支持体２１、したがって基板Ｗを、ベース２３に対して、基板Ｗの表面に垂直な軸の周りで回転させることができるように構成される。
【００３８】
放射を基板上に投影するための放射プロジェクタと、基板から反射された放射を検出するように構成されたディテクタ、例えば上記で論じたスキャトロメータとは、検知ユニット２４内で載置される。検知ユニット２４は、ロータリアクチュエータ２２を使用して基板Ｗを回転させることなしに基板Ｗに対して検知ユニット２４を移動するように構成されるアクチュエータシステムによって、ベース２３に取り付けられる。
【００３９】
図４ａおよび図４ｂに示されている構成では、このアクチュエータシステムは、ガントリ２５を基板Ｗの上方で支持する支持体２６に取り付けられたガントリ２５からなる。ガントリ２５は、ガントリ２５が基板Ｗの表面に対して平行な直線方向で移動することができるように、支持体２６に取り付けられる。検知ユニット２４は、検知ユニットが基板Ｗの表面に対して平行な、しかしガントリの移動の方向に対して垂直な第２の直線方向で、ガントリ２５に沿って移動することができるように、ガントリ２５に取り付けられる。したがって、基板Ｗに対する検知ユニット２４の位置を、２つの直交する方向で独立に制御することが可能である。したがって、検知ユニット２４は、ロータリアクチュエータ２２を使用してベース２３に対して基板Ｗを回転させることなしに、規定された移動範囲内で、基板Ｗに対して任意の必要とされる位置に位置決めすることができる。
【００４０】
上記で論じたアクチュエータシステムの変形形態を使用することができることを理解されたい。例えば、ガントリ２５の位置は固定とすることができ、その代わりに、基板支持体２１をガントリの長さに対して垂直な方向で移動するようにアクチュエータを設けることができる。
【００４１】
下記でより詳細に論じるように、検知ユニット２４は、放射を基板上に投影するように構成された放射プロジェクタを含み、第１の方向に配向された直線偏光放射を基板上に投影することができるように構成された第１の部分と、第１の方向に対して直交する第２の方向に配向された直線偏光放射を基板上に投影することができるように構成された第２の部分とを有する。したがって、第１の方向に配向された直線偏光放射によって照明されたときと、第１の方向に対して直交する方向に配向された直線偏光放射によって照明されたときに、共に基板上のターゲットを検査することが可能である。さらに、放射プロジェクタは、直交する２方向に配向された直線偏光放射を投影すること専用の２つの別個の部分を有するので、偏光が回転偏光子によって提供されるものに比べて、システムの精度が大きく改善される。例えば、多くの場合では、有用な情報は、直交して配向された直線偏光放射によってターゲットが照明されたときディテクタによって受け取られる信号間の差によって得ることができる。差が小さい状況では、その効果は、回転偏光子が使用されるシステム内で見えなくなる可能性がある。しかし、別個の部分が、直交して配向された直線偏光放射を提供すること専用である本発明などのシステムでは、この不正確さを除去することができる。さらに、本システムは、偏光子の回転を正確に制御するためのシステムを設けることが必要とされないため、より単純であり、したがってコストがかからない。本発明のシステムの他の利点は、偏光子など構成要素を正確に回転させることを必要とする場合より速く、センサが、直交偏光の放射を用いて、検査するターゲット間で切り替わることができることである。
【００４２】
上記で論じたように、検知ユニット２４は、基板Ｗ上の様々な位置でターゲットを検査するために、そのアクチュエータシステムによって移動させることができる。所望の結果を得るために、基板Ｗ上のターゲットを、そのターゲットに対して所与の角度で配向された直線偏光放射で照明することが望ましい可能性がある。これは、基板Ｗ上のターゲットが、検知ユニット２４によって基板上に投影された直線偏光放射に対して必要とされる向きになるように、ロータリアクチュエータ２２を使用して基板Ｗを回転されることにより、本発明に従って達成することができる。次いで、検知ユニット２４は、そのアクチュエータシステムを使用して、ターゲットに対して位置決めすることができる。
【００４３】
基板Ｗ上のターゲットすべてを、それらを照明する直線偏光放射の所望の向きが、基板Ｗ上で、所与の方向に対して平行または垂直になるように配向することができる。例えば、図４ｂに示されている基板Ｗは、基板の第１象限３３内のターゲット３１、３２と、基板の第２象限３６内のターゲット３４、３５と、基板の第３象限３９内のターゲット３７、３８と、基板Ｗの第４象限４２内のターゲット４０、４１とを含む。この場合、ターゲットのそれぞれは、基板上の単一の方向に対して平行または垂直なストライエーションを含めて、回折格子から形成される。
【００４４】
例えばリソグラフィ装置内で、センサによって必要とされる空間を削減するために、検知ユニット２４の移動範囲を、基板Ｗの単一の象限だけをカバーするように制限することができる。例えば、図４ｂに示されている構成では、検知ユニット２４は、図４ｂ内で示されているその位置で、基板Ｗの第１象限３３に対応する領域内だけで移動するように制限することができる。基板Ｗの第２象限３６内のターゲットを検査するために、第２象限３６が、基板の第１象限３３の場所をとり、したがって検知ユニット２４を移動させることができる領域内に位置するように、基板Ｗを、ロータリアクチュエータ２２によって、９０°まで反時計回りで回転させることができる。第２象限３６内のターゲット３４、３５は、依然として、最適な向きと共に直線偏光される放射によって照明されることになる。というのは、第２象限３６内のターゲットすべてが、第１象限３３内のターゲットにとって最適な向きに対して平行または垂直な向きで直線偏光される放射によって最適に照明され、また、検知ユニット２４が、直交して配向された直線偏光放射を提供する専用部分を有するからである。
【００４５】
ロータリアクチュエータ２２は、基板Ｗの象限３３、３６、３９、４２のそれぞれを検知ユニット２４の移動範囲内に順に入れるために、単独で、９０°の倍数の回転によって基板Ｗを正確に回転させるように構成することができる。しかし、ロータリアクチュエータ２２は、基板Ｗを任意の角度まで正確に回転させるように構成することができることを理解されたい。これは、例えば、第１の組のメトロロジーターゲットが、検知ユニット２４による最適な照明に必要とされる向きになるように、基板を最初に配向するために使用することができる（その後で、基板を９０°の倍数だけ回転させることができる）。
【００４６】
基板Ｗの最初の向きを決定するために、検知ユニット２４は、基板Ｗの１つの側部にあるノッチまたはフラット４５を検査するためのディテクタ２４ａを含むことができる。そのようなノッチまたはフラット４５は、基板の向きを識別するために突き止めることができ、基板の向きは、メトロロジーターゲットが基板Ｗ上のノッチまたはフラット４５の位置に対して既知の向きで設けられる場合、それらのメトロロジーターゲットの向きを決定するために使用することができる。基板の向きを決定するために基板上のノッチまたはフラット４５を検査するためのディテクタ２４ａは、検知ユニット２４の一部であることを必要とせず、例えば、リソグラフィ装置内で別個に載置することができることを理解されたい。
【００４７】
別法として、または追加として、基板Ｗの最初の向きは、基板上で形成されたメトロロジーターゲット、および／または基板上にすでに形成されたデバイス構造のビジュアルインスペクションによって決定することができる。このビジュアルインスペクションは、検知ユニット２４によって、例えば、やはりメトロロジーターゲットを検査するために使用されるＣＣＤディテクタを使用して実行することができる。別法として、または追加として、カメラなど専用ビジュアルインスペクションツール、または他のＣＣＤデバイスを、例えば検知ユニット２４の一部として、または検知ユニット２４から別個で設けることができる。
【００４８】
上述の、また図４ａおよび図４ｂに示されているものに対する代替のアクチュエータシステムを使用し、基板Ｗをベース２３に対して回転させ、かつ／または検知ユニット２４をベース２３に対して移動させることができることを理解されたい。
【００４９】
図５は、本発明によるセンサの構成の一実施形態を示す。この実施形態とその動作の多くは、上述の実施形態と同じであり、したがって、それらの説明は繰り返さない。
【００５０】
この実施形態では、検知ユニット２４が支持体５０上で載置され、ベース２３に対して固定された位置で配置される。基板Ｗは、基板支持体２１上で載置される。基板支持体２１、したがって基板Ｗの位置は、アクチュエータシステム５１によって制御される。
【００５１】
図５に示されているシステムでは、アクチュエータシステム５１は、基板支持体２１の位置を、基板Ｗの表面に対して平行な２つの直交する方向で直線的に、また、基板の表面に対して垂直な軸の周りで回転可能に制御することが可能である平面モータである。（一般に、平面モータは、ベース２３に対する基板支持体２１の位置を、最大６自由度すべてにおいて制御することができる可能性がある。）したがって、アクチュエータシステム５１は、検知ユニット２４で基板上の様々な位置でターゲットを検査することを可能にするために、基板Ｗに対する検知ユニット２４の位置と、基板Ｗ上のメトロロジーターゲットを照明する直線偏光放射の、そのターゲットに対する所望の向きを提供するために、検知ユニット２４に対する基板Ｗの向きとを、共に制御する。
【００５２】
前述と同様に、アクチュエータシステム５１は、基板Ｗを９０°の倍数だけ回転させるように構成することができ、検知ユニット２４に対する基板の運動範囲は、基板Ｗを回転させることなしに、検知ユニットが基板Ｗの単一の象限内のメトロロジーターゲットだけを検査することができるようなものとすることができる。
【００５３】
アクチュエータシステム５１は、平面モータであることを必要とせず、ベース２３に対する基板Ｗの位置を、基板の表面に対して平行な２つの直交する方向で直線的に、また、基板に対して垂直な軸の周りで回転可能に制御することができるシステムを提供するにすぎないことを理解されたい。例えば、アクチュエータシステム５１は、ベース２３に対する第１のステージの位置を、基板Ｗの表面に対して平行な第１の方向で制御するように構成された第１のリニアアクチュエータと、第１のステージ上に載置され、第１のステージに対する第２のステージの位置を、基板Ｗの表面に対して平行な、また第１の方向に対して垂直な第２の方向で制御するように構成された第２のリニアアクチュエータと、第２のステージに対する基板支持体２１の位置を、基板Ｗに対して垂直な軸の周りで回転可能に制御するように構成された第３のアクチュエータとを含むことができる。
【００５４】
図６は、本発明の一部として、特に上記で論じた実施形態のいずれかと共に使用することができる検知ユニットを示す。図では、この検知ユニットは、基板Ｗ上のメトロロジーターゲットを照明するように放射を送る放射源６０を含む。放射源６０は、検知ユニット内に含むことも、検知ユニット自体から別個のものとし、検知ユニット自体に接続することもできることを理解されたい。リソグラフィ装置内で使用される検知ユニットの場合、放射源は、リソグラフィ装置から完全に別個のものとすることができる。どの場合でも、放射源は、例えば光ファイバ接続によって検知ユニットの残りの部分に接続することができる。
【００５５】
さらに、図６に示されている実施形態は、放射源６０からの放射を、第１のビーム経路６２または第２のビーム経路６３に送るように構成された光スイッチングユニット６１を含む。光スイッチングユニット６１は、回転可能に載置される、またその位置がアクチュエータによって制御されるリフレクタまたはプリズムから形成することができる。別法として、電気光学材料から形成された、適切に構成された構成要素から形成することができる。
【００５６】
第１のビーム経路６２に従う放射は、第１の直線偏光子６６によって偏光され、部分リフレクタ６４を通過し、基板Ｗ上に投影される。その後で、反射された放射は、部分リフレクタ６４によって、図３に関連して上述した形で、ディテクタ６８内に反射される。同様に第２のビーム経路６３に従う放射は、第２の直線偏光子６７によって偏光され、第２の部分リフレクタ６５を通過し、基板Ｗの表面によって反射され、第２の部分リフレクタ６５によって第２のディテクタ６９内に反射される。図６に示されている構成は単純化されていること、また、一般に、光スイッチングデバイス６１に続くセンサの構成は、各ビーム経路６２、６３について、図２および図３に関連して上述したものと同様とすることができることを理解されたい。
【００５７】
第１の直線偏光子６６および第２の直線偏光子６７は、第１の直線偏光子６６から基板上に投影された直線偏光放射の向きが、第２の直線偏光子６７から基板上に投影された直線偏光放射に対して垂直であるように構成される。基板上に投影された放射の偏光は、ディテクタの固有偏光となるように選択することができ、較正要件を削減し、精度を改善する。
【００５８】
図７ａおよび図７ｂは、例えば最初の２つの実施形態のいずれかとの組合せで、本発明内で使用することができる検知ユニットの代替の構成を示す。図６の実施形態の構成に比べて、単一のビーム経路が設けられる。したがって、放射源７０からの放射は、偏光ユニット７２内で直線偏光され、部分リフレクタ７１を通過し、基板Ｗによって、またそれに続いて部分リフレクタ７１によって反射され、ディテクタ７３内で検出される。前述と同様に、図の構成は単純化されており、一般に、図２および図３に関連して上述したものなど、追加の構成要素を含むことができる。
【００５９】
図７ａは、第１の動作状態にある検知ユニットを示し、図７ｂは、第２の動作状態にある検知ユニットを示す。図では、偏光ユニット７２は、２つの直線偏光子７２ａ、７２ｂを含む。第１の動作状態では、放射のビームは、第１の直線偏光子７２ａによって直線偏光される。第２の動作状態では、放射のビームは、第２の直線偏光子７２ｂによって直線偏光される。第１の直線偏光子７２ａおよび第２の直線偏光子７２ｂは、第１の動作状態で基板Ｗ上に投影された直線偏光放射の向きが、第２の動作状態で基板Ｗ上に投影された直線偏光放射に対して垂直であるように構成される。
【００６０】
図８は、例えば最初の２つの実施形態のいずれかと共に、本発明内で使用することができる検知ユニットの構成の他の変形形態を示す。図のように、この実施形態では、検知ユニットは２つの別個の部分を有する。第１の部分は、第１の光源８０または第１の光源８０に対する接続を含み、第１の直線偏光子８２によって直線偏光され部分リフレクタ８１を通過する放射のビームを送る。その後で、放射は、基板Ｗおよび部分リフレクタ８１によって反射され、ディテクタ８３によって検出される。第２の部分は、第２の光源８５または第２の光源８５に対する接続を含み、第２の直線偏光子８７によって直線偏光され第２の部分リフレクタ８６を通過する第２の放射のビームを送る。その後で、放射のビームは、基板Ｗおよび第２の部分リフレクタ８６によって反射され、第２のディテクタ８４によって検出される。前述と同様に、図の検知ユニットのどちらの部分も単純化されており、一般に、検知ユニットの一方の、またはどちらの部分も、図２および図３に関連して上述したものと同様とすることができる。
【００６１】
第１の直線偏光子８２および第２の直線偏光子８７は、第１の直線偏光子８２から基板Ｗ上に投影された直線偏光放射の向きが、第２の直線偏光子８７から基板Ｗ上に投影された直線偏光放射の向きに対して垂直であるように構成される。
【００６２】
図９は、例えば最初の２つの実施形態のいずれかと共に、本発明内で使用することができる検知ユニットの構成の他の変形形態を示す。図では、検知ユニットは、第１の放射源９０および第２の放射源９１、または第１の放射源９０および第２の放射源９１に対する接続を含む。これらの放射源の出力は、それぞれのシャッタ９２、９３によって制御される。
【００６３】
これらの放射源からの放射は、それぞれの直線偏光子９４、９５によって実質的に直線偏光され、２つの放射源９０、９１からの放射のためのビーム経路は、ビームコンバイナ９６によって単一のビーム経路９７に組み合わされる。その後で、検知ユニットは前述のように機能し、したがって、放射のビームは、部分リフレクタ９８を通過し、基板Ｗによって反射され、部分リフレクタ９８によってディテクタ９９内に反射される。前述と同様に、図の構成は単純化されており、一般に、ビーム経路が組み合わされる点からの検知ユニットは、図２および図３に関連して上述したものと同様とすることができる。
【００６４】
直線偏光子９４、９５は、第１の放射源９０から導出されて、基板Ｗ上に投影された直線偏光放射の向きが、第２の放射源９１から導出されて、基板Ｗ上に投影された直線偏光放射に対して垂直であるように構成される。
【００６５】
この実施形態の、また上記で論じた図８の実施形態の変形形態では、放射源が、偏光済み白色光を生成する白色光レーザであり、必要とされる形で配向された放射を送るように構成される場合、省略することができる。レーザは、例えば偏光を維持するフォトニック結晶ファイバを使用して、検知ユニットの残りの部分に接続することができる。
【００６６】
本文中では、ＩＣの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に言及することがあるかもしれないが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語のどのような使用も、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができることを理解されたい。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、例えば、トラック（一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともあり得る。
【００６７】
上記では、本発明の諸実施例の使用を光リソグラフィの文脈で具体的に言及することがあるかもしれないが、本発明は、他の応用分野、例えばインプリントリソグラフィで使用することができ、状況において可能な場合、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィにより、基板上で作成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを、基板に供給されたレジストの層内に押し付けることができ、そのとき、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストから移動され、レジストが硬化された後でレジスト内にパターンを残す。
【００６８】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外光（ＵＶ）放射、および（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）極端紫外光（ＥＵＶ）放射、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなど粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
【００６９】
「レンズ」という用語は、状況において可能な場合、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、および静電型を含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ、または組合せを指すことがあり得る。
【００７０】
上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されよう。例えば、本発明は、上述の方法について説明する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
【００７１】
上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものであるものとする。したがって、述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に修正を加えることができることが、当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】本発明におけるセンサとして使用することができるスキャトロメータの図である。
【図３】高ＮＡレンズの瞳面内で角度分解スペクトルを測定する一般的な動作原理の図である。
【図４ａ】本発明の一実施形態の図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態の図である。
【図５】本発明の一実施形態の図である。
【図６】本発明の一実施形態の図である。
【図７ａ】本発明の一実施形態の図である。
【図７ｂ】本発明の一実施形態の図である。
【図８】本発明の一実施形態の図である。
【図９】本発明の一実施形態の図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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