(57)【要約】【課題】  照明光の偏光状態を局所的に補正することができる照明光学装置を提供する。【解決手段】  光源１から射出された照明光により被照射面Ｍを照明する照明光学装置において、所定の応力を付与することにより前記照明光の偏光状態を局所的に補正する補正部材８８を備え、前記補正部材８８は、前記光源１から前記被照射面Ｍまでの光路中の照明瞳が形成される位置またはその近傍に配置される。【選択図】  図１
2007048871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から射出された照明光により被照射面を照明する照明光学装置において、
所定の応力を付与することにより前記照明光の偏光状態を局所的に補正する補正部材を備え、
前記補正部材は、前記光源から前記被照射面までの光路中の照明瞳が形成される位置またはその近傍に配置されることを特徴とする照明光学装置。
【請求項２】
前記光源と前記補正部材との間の光路中に前記光源から射出される照明光全体の偏光状態を調整する偏光調整部材を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の照明光学装置。
【請求項３】
前記偏光調整部材と前記被照射面との間の光路中に、前記照明瞳にて所望形状の光強度分布を設定する設定手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２記載の照明光学装置。
【請求項４】
前記補正部材に対して所望の応力を付与する第１応力付与手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の照明光学装置。
【請求項５】
前記被照射面を所望の偏光状態で照明するために、前記光源から前記被照射面までの光路中に、前記照明光に対して所望の偏光作用を付与する偏光変換部材を備え、
前記補正部材は、前記偏光変換部材に隣接して配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の照明光学装置。
【請求項６】
前記被照射面での偏光状態を計測する計測手段と、該計測手段からの計測結果に基づいて、前記第１応力付与手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の照明光学装置。
【請求項７】
前記偏光変換部材に対して所望の応力を付与する第２応力付与手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項記載の照明光学装置。
【請求項８】
前記第２応力付与手段は、前記計測手段からの計測結果に基づいて、前記制御手段により制御されることを特徴とする請求項７照明光学装置。
【請求項９】
前記補正部材及び前記偏光変換部材の中の少なくとも１つは、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム及び方解石の中の何れかにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の照明光学装置。
【請求項１０】
光源から射出される照明光により照明された所定のパターンを投影光学系を介して感光性基板上に露光する露光装置において、
請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の照明光学装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の露光装置を用いて所定のパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための露光装置に用いられる照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置及び該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、露光装置においては、光源から射出された光束が、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ（またはマイクロレンズアレイなど）を介して、多数の光源からなる実質的な面光源としての二次光源を形成する。二次光源（一般には、照明光学装置の照明瞳またはその近傍に形成される照明瞳分布）からの光束は、フライアイレンズの後側焦点面の近傍に配置された開口絞りを介して制限された後、コンデンサレンズに入射する。
【０００３】
コンデンサレンズにより集光された光束は、所定のパターンが形成されたマスクを重畳的に照明する。マスクのパターンを透過した光は、投影光学系を介してウエハ上に結像する。こうして、ウエハ上には、マスクパターンが投影露光（転写）される。ここでマスクに形成されたパターンは高集積化されており、この微細パターンをウエハ上に正確に転写するにはウエハ上において所定の偏光状態による均一な照度分布を得ることが不可欠である。なお、任意方向の微細パターンを高精度に転写するのに適した照明条件を実現するために、光束を周方向偏光状態に変換する光学素子を備える照明光学装置が存在する（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２００５／０５０７１８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで任意方向の微細パターンを高精度に転写するためには、感光性基板上における光束の偏光状態が正確な周方向偏光状態である必要が有るが、光束が感光性基板に到達するまでの過程において、光学部材を透過することにより偏光状態が部分的に変化し正確な周方向偏光状態を保つことができない場合があった。
【０００６】
この発明の課題は、照明光の偏光状態を局所的に補正することができる照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置及び該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の照明光学装置は、光源から射出された照明光により被照射面を照明する照明光学装置において、所定の応力を付与することにより前記照明光の偏光状態を局所的に補正する補正部材を備え、前記補正部材は、前記光源から前記被照射面までの光路中の照明瞳が形成される位置またはその近傍に配置されることを特徴とする。
【０００８】
この発明の照明光学装置によれば、補正部材により効果的に照明光の偏光状態を局所的に補正することができる。
【０００９】
この発明の露光装置は、光源から射出される照明光により照明された所定のパターンを投影光学系を介して感光性基板上に露光する露光装置において、この発明の照明光学装置を備えることを特徴とする。
【００１０】
この発明の露光装置によれば、照明光学装置の補正部材により効果的に照明光の偏光状態を局所的に補正することができるため、任意方向の微細パターンを感光性基板上に高精度に転写することができる。
【００１１】
この発明のマイクロデバイスの製造方法は、この発明の露光装置を用いて所定のパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、任意方向の微細パターンを有するマイクロデバイスを良好に製造することができる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明の照明光学装置によれば、補正部材により効果的に照明光の偏光状態を局所的に補正することができる。
【００１４】
また、この発明の露光装置によれば、照明光学装置の補正部材により効果的に照明光の偏光状態を局所的に補正することができるため、任意方向の微細パターンを感光性基板上に高精度に転写することができる。
【００１５】
また、この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、任意方向の微細パターンを有するマイクロデバイスを良好に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる露光装置について説明する。図１は、この実施の形態にかかる露光装置の概略構成を示す図である。なお、以下の説明においては、図１中に示すＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がウエハＷに対して平行となるように設定され、Ｚ軸がウエハＷに対して直交する方向に設定されている。また、この実施の形態にかかる照明光学装置は、輪帯照明を行うように構成されている。
【００１７】
この実施の形態にかかる露光装置は、図１に示すように、露光光（照明光）を供給するためのレーザ光源（光源部）１として、例えば波長が約１９３ｎｍの光を供給するＡｒＦエキシマレーザ光源または波長が約２４８ｎｍの光を供給するＫｒＦエキシマレーザ光源を備えている。即ち、光源１は、偏光度０．９５以上の光を供給するための狭帯化エキシマレーザ光源であり、その射出光束の９５％以上が一方向に沿って振動方向を有する直線偏光である。
【００１８】
偏光度Ｖは、次の式（ａ）により表わされる。式（ａ）において、Ｓ０は全強度を、Ｓ１は水平直線偏光強度マイナス垂直直線偏光強度を、Ｓ２は４５度直線偏光強度マイナス１３５度直線偏光強度を、Ｓ３は右まわり円偏光強度マイナス左まわり円偏光強度をそれぞれ表わしている。ここで、Ｓ０〜Ｓ３はストークスパラメーターと呼ばれる。
Ｖ＝（Ｓ１２＋Ｓ２２＋Ｓ３２）１／２／Ｓ０ （ａ）
レーザ光源１からＺ方向に沿って射出された略平行な光束は、Ｘ方向に沿って細長く延びた矩形状の断面を有し、一対のレンズ２ａ及び２ｂからなるビームエキスパンダ２に入射する。各レンズ２ａ及び２ｂは、図１のＹＺ平面内において負の屈折力及び正の屈折力をそれぞれ有する。したがって、ビームエキスパンダ２に入射した光束は、図１のＹＺ平面内において拡大され、所定の矩形状の断面を有する光束に整形される。
【００１９】
整形光学系としてのビームエキスパンダ２を介した平行な光束は、折り曲げミラー３により反射されＹ方向に偏向された後、光軸ＡＸを中心として結晶光学軸が回転自在に、かつ光軸ＡＸから挿脱可能に構成されている１／４波長板（偏光調整部材）１１に入射する。ここで、１／４波長板１１は、水晶により形成された平行平板であり楕円偏光の光が入射した場合において、入射する楕円偏光の特性に応じてその１／４波長板１１の結晶光学軸を設定することにより、楕円偏光の入射光を直線偏光の光に変換する機能を有する。
【００２０】
即ち、レーザ光源１としてＫｒＦエキシマレーザ光源やＡｒＦエキシマレーザ光源を用いる場合、レーザ光源１は略直線偏光の光を射出する。通常、レーザ光源１と１／４波長板１１との間の光路中には裏面反射鏡としての複数個の直角プリズム（図示せず）が配置されている。一般的に、裏面反射鏡としての直角プリズムに入射する直線偏光の光が直角プリズムの入射面に対してＰ偏光またはＳ偏光に一致していない場合、直角プリズムでの全反射により直線偏光から楕円偏光に変化する。従って、例えば直角プリズムを介することにより入射光が直線偏光から楕円偏光に変化した場合においても、１／４波長板１１に入射する楕円偏光の特性に応じて１／４波長板１１の結晶光学軸を設定することにより、入射光を楕円偏光から直線偏光に変化させることができる。
【００２１】
１／４波長板１１を通過した光束は、１／２波長板（偏光調整部材）１０及びデポラライザ（非偏光化素子）２０を通過する。図２は、１／２波長板１０及びデポラライザ２０の概略構成を示す図である。図２に示すように、１／２波長板１０は、水晶により形成された平行平板であり、光軸ＡＸを中心として結晶光学軸が回転自在に構成されている。また、デポラライザ２０は、くさび形状の水晶プリズム２０ａと、この水晶プリズム２０ａと相補的な形状を有するくさび形状の石英プリズム２０ｂにより構成されている。水晶プリズム２０ａと石英プリズム２０ｂとは、一体的なプリズム組立体として、照明光路に対して挿脱自在に構成されている。
【００２２】
１／２波長板１０の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して０度または９０度の角度をなすように設定された場合、１／２波長板１０に入射した直線偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。また、１／２波長板１０の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して４５度の角度をなすように設定された場合、１／２波長板１０に入射した直線偏光の光は偏光面が９０度だけ変化した直線偏光の光に変換される。なお、水晶プリズム２０ａの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して４５度の角度をなすように設定された場合、水晶プリズム２０ａに入射した直線偏光の光は、非偏光状態の光に変換（非偏光化）される。
【００２３】
この実施の形態においては、デポラライザ２０が照明光路中に位置決めされたときに水晶プリズム２０ａの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して４５度の角度をなすように構成されている。ちなみに、水晶プリズム２０ａの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して０度または９０度の角度をなすように設定された場合、水晶プリズム２０ａに入射した直線偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。また、１／２波長板１０の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して２２．５度の角度をなすように設定された場合、１／２波長板１０に入射した直線偏光の光は、偏光面が変化することなくそのまま通過する直線偏光成分と偏光面が９０度だけ変化した直線偏光成分とを含む非偏光状態の光に変換される。
【００２４】
この実施の形態においては、上述したように、直線偏光の光が１／２波長板１０に入射する。デポラライザ２０を照明光路中に位置決めした場合、１／２波長板１０の結晶光学軸を入射する直線偏光の偏光面に対して０度または９０度の角度をなすように設定すると、１／２波長板１０に入射した直線偏光の光は偏光面が変化することなく通過して水晶プリズム２０ａに入射する。水晶プリズム２０ａの結晶光学軸は入射する直線偏光の偏光面に対して４５度の角度をなすように設定されているので、水晶プリズム２０ａに入射した直線偏光の光は非偏光状態の光に変換される。
【００２５】
一方、１／２波長板１０の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して４５度の角度をなすように設定すると、１／２波長板１０に入射した直線偏光の光は偏光面が９０度だけ変化した直線偏光の光になって水晶プリズム２０ａに入射する。水晶プリズム２０ａの結晶光学軸は入射する直線偏光の偏光面に対しても４５度の角度をなすように設定されているので、水晶プリズム２０ａに入射した直線偏光の光は非偏光状態の光に変換される。水晶プリズム２０ａを介して非偏光化された光は、光の進行方向を補償するためのコンペンセータとしての石英プリズム２０ｂを通過する。
【００２６】
これに対し、デポラライザ２０を照明光路から退避させた場合、１／２波長板１０の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して０度または９０度の角度をなすように設定すると、１／２波長板１０に入射した直線偏光の光は偏光面が変化することなく通過する。一方、１／２波長板１０の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して４５度の角度をなすように設定すると、１／２波長板１０に入射した直線偏光の光は偏光面が９０度だけ変化した直線偏光の光になる。
【００２７】
以上のように、この実施の形態では、デポラライザ２０を照明光路中に挿入して位置決めすることにより、非偏光状態の光に変換することができる。また、デポラライザ２０を照明光路から退避させ且つ１／２波長板１０の結晶光学軸を入射する直線偏光の偏光面に対して０度または９０度の角度をなすように設定することにより、その直線偏光状態が変化することなく光は進行する。さらに、デポラライザ２０を照明光路から退避させ且つ１／２波長板１０の結晶光学軸を入射する直線偏光の偏光面に対して４５度をなすように設定することにより、偏光面が９０度変化した直線偏光状態の光に変換することができる。
【００２８】
即ち、デポラライザ２０を照明光路から退避させ且つ１／２波長板１０の結晶光学軸を入射する直線偏光の偏光面に対して０度または９０度、もしくは４５度の角度をなすように設定することにより、照明光全体を所望の方向に偏光方向を有する光に変換することができ、照明光全体の偏光状態を調整することができる。
【００２９】
デポラライザ２０を通過した光束は、回折光学素子（設定手段）４ａに入射する。一般に、回折光学素子（ＤＯＥ）は、ガラス基板に露光光（照明光）の波長程度のピッチを有する段差を形成することによって構成され、入射ビームを所望の角度に回折する作用を有する。具体的には、回折光学素子４ａは、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、そのファーフィールド（またはフラウンホーファ回折領域）に輪帯状の光強度分布を形成する機能を有する。したがって、回折光学素子４ａを介した光束は、後述するアフォーカルレンズ８５（ひいては照明光学装置）の照明瞳または該照明瞳の近傍に輪帯状の光強度分布、すなわち輪帯状の断面を有する光束を形成する。回折光学素子４ａは、照明光路から退避可能に構成されている。
【００３０】
回折光学素子４ａを通過した光束は、アフォーカルレンズ（リレー光学系）８５に入射する。アフォーカルレンズ８５は、その前側焦点位置と回折光学素子４ａの位置とがほぼ一致し且つその後側焦点位置と図中破線で示す所定面８６の位置とがほぼ一致するように設定されたアフォーカル系（無焦点光学系）である。したがって、回折光学素子４ａに入射した略平行な光束は、アフォーカルレンズ８５の照明瞳面に輪帯状の光強度分布を形成した後、略平行な光束となってアフォーカルレンズ８５から射出される。
【００３１】
なお、アフォーカルレンズ８５の前側レンズ群８５ａと後側レンズ群８５ｂとの間の光路中において照明瞳またはその近傍には、光源側から順に、偏光局所補正部材８８、偏光変換素子（偏光変換部材）８９及び円錐アキシコン系（設定手段）８７が配置されている。１／２波長板１０及びデポラライザ２０を介することにより、直線偏光状態（または非偏光状態）の光に変換された光束は、アフォーカルレンズ８５の前側レンズ群８５ａを通過し偏光局所補正部材８８に入射する。
【００３２】
図３に示すように、偏光局所補正部材８８は、平行平板形状を有する結晶材料である蛍石（フッ化カルシウム）により形成されている。また、偏光局所補正部材８８に対して所定の方向（光軸ＡＸに対して垂直な方向）から応力を付与する応力付与機構（第1応力付与手段）５０が設けられている。応力付与機構５０は、偏光局所補正部材８８に対して、所定の結晶軸方向に局所的に応力を付与する押圧機構または引張機構を備えて構成されている。応力付与機構５０により、蛍石により形成され所定の厚さを有する平行平板に所定の応力を局所的に付与した場合には、蛍石により形成され平行平板には、局所的な位相差が生じ、蛍石により形成され平行平板は、照明光の偏光状態を局所的に補正する補正部材として機能する。なお、図3に示す矢印は、偏光局所補正部材８８に応力付与機構５０から付与される応力を示し、矢印の長さは応力の大きさを示す。
【００３３】
なお、図４は、蛍石の結晶軸について説明するための図である。図４に示すように、蛍石の結晶軸は、立方晶系の結晶軸ａ１ａ２ａ３（図中細線矢印で示す）に基づいて規定される。即ち、結晶軸＋ａ１に沿って結晶軸［１００］、結晶軸＋ａ２に沿って結晶軸［０１０］、結晶軸＋ａ３に沿って結晶軸［００１］がそれぞれ規定される（図中太線矢印で示す）。また、ａ１ａ３平面において結晶軸［１００］及び結晶軸［００１］と４５度をなす結晶軸［１０１］、ａ１ａ２平面において結晶軸［１００］及び結晶軸［０１０］と４５度をなす方向に結晶軸［１１０］、ａ２ａ３平面において結晶軸［０１０］及び結晶軸［００１］と４５度をなす方向に結晶軸［０１１］がそれぞれ規定される（図中破線矢印で示す）。更に、結晶軸ａ１ａ２ａ３の＋方向、且つ結晶軸［１００］、結晶軸［０１０］及び結晶軸［００１］と同一の角度をなす方向に結晶軸［１１１］が規定される（図中太線矢印で示す）。図３においては、結晶軸＋ａ１、結晶軸＋ａ２、結晶軸＋ａ３で規定される空間における結晶軸のみを図示しているが、他の空間においても同様に結晶軸が規定される。
【００３４】
上述の応力付与機構５０は、偏光局所補正部材８８に対して、図４において規定されている結晶軸の中の、結晶軸[１００]、結晶軸[０１０]、結晶軸[００１]、結晶軸[１１０]、結晶軸[１０１]、結晶軸[０１１]の中の何れか１つの方向に応力を付与する。この結晶軸方向に応力を付与することにより偏光局所補正部材８８に対して、効果的に位相差を生じさせることができ、照明光の偏光状態を局所的に補正することができる。
【００３５】
偏光局所補正部材８８を通過した照明光は、偏光変換素子８９に入射する。図５は偏光変換素子８９の構成を概略的に示す図である。また、図６は、偏光変換素子の作用により周方向偏光状態（S偏光状態）に設定された輪帯状の光束断面を概略的に示す図である。この実施の形態においては、偏光変換素子８９は、円錐アキシコン系８７の直前、即ち照明光学装置の瞳またはその近傍に配置されている。従って、輪帯照明の場合、偏光変換素子８９には、光軸ＡＸを中心とした略輪帯状の断面を有する光束が入射する。
【００３６】
図５を参照すると、偏光変換素子８９は、全体として光軸ＡＸを中心とした輪帯状の有効領域を有し、この輪帯状の有効領域は、光軸ＡＸを中心とした円周方向に当分割された８つの扇形形状の基本素子により構成されている。これら８つの基本素子において、光軸ＡＸを挟んで対向する一対の基本素子は、互いに同じ特性を有する。即ち、８つの基本素子は、光の透過方向（Ｙ方向）に沿った厚さ（光軸方向の厚さ)が互いに異なる４種類の基本素子８９Ａ〜８９Ｄを２個づつ含んでいる。
【００３７】
具体的には、第１基本素子８９Ａの厚さが最も大きく、第４基本素子８９Ｄの厚さが最も小さく、第２基本素子８９Ｂの厚さは、第３基本素子８９Ｃの厚さより大きく設定されている。その結果、偏光変換素子８９の一方の面（例えば入射面）は平面状であるが、他方の面(例えば射出面)は、各基本素子の厚さの違いにより凹凸状になっている。なお、偏光変換素子８９の双方の面（入射面及び射出面）を共に凹凸状に形成することもできる。
【００３８】
また、この実施の形態では、各基本素子８９Ａ〜８９Ｄが施光性を有する光学材料である結晶材料としての水晶により構成され、各基本素子８９Ａ〜８９Ｄの結晶光学軸が光軸ＡＸと略一致、即ち入射光の進行方向と略一致するように設定されている。
【００３９】
この実施の形態において、第１基本素子８９Ａは、Ｚ方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、Ｚ方向をＹ軸回りに＋１８０度回転させた方向、即ちＺ方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さが設定されている。従って、この場合、図７に示す輪帯状の光束断面３１のうち、一対の第１基本素子８９Ａの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域３１Ａにおける光束の偏光方向は、Ｚ方向になる。
【００４０】
第２基本素子８９Ｂは、Ｚ方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、Ｚ方向をＹ軸回りに＋１３５度回転させた方向、即ちＺ方向をＹ軸回りに−４５度回転させた方向に偏光方向を有する直線偏光の光を射出するように厚さが設定されている。従って、この場合、図７に示す輪帯状の光束断面３１のうち、一対の第２基本素子８９Ｂの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域３１Ｂにおける光束の偏光方向は、Ｚ方向をＹ軸回りに−４５度回転させた方向になる。
【００４１】
第３基本素子８９Ｃは、Ｚ方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、Ｚ方向をＹ軸回りに＋９０度回転させた方向、即ちＸ方向に偏光を有する直線偏光の光を射出するように厚さが設定されている。従って、この場合、図７に示す輪帯状の光束断面３１のうち、一対の第３基本素子８９Ｃの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域３１Ｃにおける光束の偏光方向は、Ｘ方向になる。
【００４２】
第４基本素子８９Ｄは、Ｚ方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、Ｚ方向をＹ軸回りに＋４５度回転させた方向に偏光を有する直線偏光の光を射出するように厚さが設定されている。従って、この場合、図７に示す輪帯状の光束断面３１のうち、一対の第４基本素子８９Ｄの旋光作用を受けた光束が形成する一対の円弧状領域３１Ｄにおける光束の偏光方向は、Ｚ方向をＹ軸回りに＋４５度回転させた方向になる。
【００４３】
なお、偏光変換素子８９を光路から退避させることなく通常の円形照明を行なうことができるように、偏光変換素子８９の有効領域の径方向の大きさの３／１０以上大きさを有し且つ旋光性を有しない円形状の中央領域８９Ｅが設けられている。ここで、中央領域８９Ｅは、例えば石英のように旋光性を有しない光学材料により形成されていてもよいし、円形状の開口であってもよい。
【００４４】
この実施の形態においては、偏光変換素子８９に対してＺ方向に偏光方向を有する直線偏光の光を入射させる。その結果、図６に示すように、偏光変換素子８９から射出される光は、各円弧状領域３１Ａ〜３１Ｄにおける光が各領域の円周方向に沿った中心位置における光軸ＡＸを中心とする円の接線方向と略一致する偏光方向を有する直線偏光状態（Ｓ偏光状態）になる。
【００４５】
偏光変換素子８９を通過した照明光は、円錐アキシコン系８７に入射する。図７は、照明光学装置の照明瞳または該照明瞳の近傍に配置される円錐アキシコン系８７の概略構成を示す図である。円錐アキシコン系８７は、光源側から順に、光軸ＡＸ方向に対して凹円錐状の屈折面（凹状屈折面）を有する第１プリズム８７ａ及び第１プリズム８７ａの凹円錐状の屈折面と互いに当接可能なように相補的に形成された凸円錐状の屈折面（凸状屈折面）を有する第２プリズム８７ｂを備えている。第１プリズム８７ａは光源側に平面を向け且つマスクＭ側に凹円錐状の屈折面を向けて配置されており、第２プリズム８７ｂは光軸ＡＸ側に凸円錐状の屈折面を向け且つマスクＭ側に平面をむけて配置されている。
【００４６】
また、第１プリズム８７ａ及び第２プリズム８７ｂのうち少なくとも一方は光軸ＡＸに沿って移動可能に構成されており、第１プリズム８７ａの凹円錐状の屈折面と第２プリズム８７ｂの凸円錐状の屈折面との間隔が可変に構成されている。ここで、第１プリズム８７ａの凹円錐状の屈折面と第２プリズム８７ｂの凸円錐状の屈折面とが互いに当接している状態では、円錐アキシコン系８７は平行平面板として機能し、後述するマイクロレンズアレイ８を介して形成される輪帯状の二次光源に及ぼす影響はない。しかしながら、第１プリズム８７ａの凹円錐状の屈折面と第２プリズム８７ｂの凸円錐状の屈折面とを離間させると、円錐アキシコン系８７は、いわゆるビームエキスパンダとして機能する。したがって、円錐アキシコン系８７の間隔の変化に伴って、図１中破線で示す所定面８６への入射光束の入射角度は変化する。
【００４７】
図８は、輪帯照明において形成される二次光源に対する円錐アキシコン系８７の作用を説明するための図である。円錐アキシコン系８７の間隔が０でかつ後述するズームレンズ９０の焦点距離が最小値に設定された状態（以下、「標準状態」という）で形成された最も小さい輪帯状の二次光源１３０ａは、円錐アキシコン系８７の間隔を０から所定の値まで拡大させることにより、その幅（外径と内径との差の１／２：図中矢印で示す）が変化することなく、その外径および内径がともに拡大された輪帯状の二次光源１３０ｂに変化する。即ち、円錐アキシコン系８７の作用により、輪帯状の二次光源の幅が変化することなく、その輪帯比（内径／外径）および大きさ（外径）がともに変化する。
【００４８】
アフォーカルレンズ８５を介した光束は、σ値可変用のズームレンズ（設定手段）９０を介して、マイクロレンズアレイ（オプティカルインテグレータ）８に入射する。所定面８６の位置はズームレンズ９０の前側焦点位置またはその近傍に配置され、マイクロレンズアレイ８の入射面はズームレンズ９０の後側焦点面またはその近傍に配置されている。即ち、ズームレンズ９０は、所定面８６とマイクロレンズアレイ８の入射面とを実質的にフーリエ変換の関係に配置し、ひいてはアフォーカルレンズ８５の照明瞳面とマイクロレンズアレイ８の入射面とを光学的に略共役に配置している。したがって、マイクロレンズアレイ８の入射面上には、アフォーカルレンズ８５の照明瞳面と同様に、例えば光軸ＡＸを中心とした輪帯状の照野が形成される。この輪帯状の照野の全体形状は、ズームレンズ９０の焦点距離に依存して相似的に変化する。即ち、マイクロレンズアレイ８によって照明瞳位置と共役な位置に形成される二次光源（面光源）の大きさは、レーザ光源１から射出される照明光の光エネルギをほぼ一定に保ちながら、ズームレンズ９０の焦点距離に依存して相似的に変更することができる。
【００４９】
図９は、輪帯照明において形成される二次光源に対するズームレンズ９０の作用を説明するための図である。標準状態で形成された輪帯状の二次光源１３０ａは、ズームレンズ９０の焦点距離を最小値から所定の値へ拡大させることにより、照明光の光エネルギをほぼ一定に保ちながら、その全体形状が相似的に拡大された輪帯状の二次光源１３０ｃに変化する。即ち、ズームレンズ９０の作用により、輪帯状の二次光源の輪帯比が変化することなく、その幅及び大きさ（外径）が共に変化する。
【００５０】
ズームレンズ９０を介した光束は、マイクロレンズアレイ８に入射する。マイクロレンズアレイ８への入射光束の入射角度は、円錐アキシコン系８７の間隔の変化に伴って、所定面８６への入射光束の角度が変化するのと同様に変化する。
【００５１】
マイクロレンズアレイ８は、縦横にかつ稠密に配列された多数の正屈折力を有する石英により構成される微小レンズからなる光学素子である。マイクロレンズアレイ８を構成する各微小レンズは、マスクＭにおいて形成すべき照野の形状（ひいてはウエハＷ上において形成すべき露光領域の形状）と相似な矩形上の断面を有する。マイクロレンズアレイ８に入射した光束は、多数の微小レンズにより二次元的に分割され、その後側焦点面（ひいては照明瞳）にはマイクロレンズアレイ８への入射光束によって形成される照野と略同じ光強度分布を有する二次光源、即ち光軸ＡＸを中心とした輪帯状の実質的な面光源からなる二次光源が形成される。マイクロレンズアレイ８の後側焦点面に形成された輪帯状の二次光源からの光束は、マイクロレンズアレイ８の後側焦点面（射出面）またはその近傍に配置可能に設けられている開口絞り１２を通過する。開口絞り１２は、マイクロレンズアレイ８の後側焦点面に形成される二次光源（照明光学装置の照明瞳位置に形成される面光源）の大きさを所定の大きさに制限する例えば虹彩絞り等により構成されている。開口絞り１２を介した光束は、コンデンサレンズ９ａを介して、マスクブラインドＭＢを重畳的に照明する。
【００５２】
照明視野絞りとしてのマスクブラインドＭＢには、マイクロレンズアレイ８を構成する各微小レンズの形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野が形成される。マスクブラインドＭＢの矩形状の開口部（光透過部）を介した光束は、石英により構成される結像光学系９ｂの集光作用を受けた後、所定のパターンが形成されたマスク（被照射面）Ｍを重畳的に照明する。即ち、結像光学系９ｂは、マスクブラインドＭＢの矩形状開口部の像をマスクＭ上に形成する。マスクＭのパターンを透過した光束は、投影光学系ＰＬを介して、感光性基板であるウエハＷ上にマスクＭのパターン像を形成する。
【００５３】
ここでマスクＭはマスクステージＭＳに保持され、感光性基板としてのウエハＷは基板ステージとしてのウエハステージＷＳにて保持されている。こうして、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと直交する平面内において、マスクステージＭＳとウエハステージＷＳとを走査方向に沿って移動させながら、マスクＭのパターンの像がウエハＷの感光領域にスキャン露光される。マスクステージＭＳとウエハステージＷＳとの移動によりマスクＭのパターンの像をウエハＷの感光領域にスキャン露光する動作と、次にウエハＷの露光領域へ露光するためにウエハステージＷＳを移動させる動作（ステップ動作）を繰り返す、所謂ステップアンドスキャン方式により、ウエハＷの各露光領域には、マスクＭのパターンが逐次露光される。なお、ウエハステージＷＳの2次元的な動作を主に制御しながら、マスクＭのパターンの像をウエハＷの露光領域に形成する露光動作と、次のウエハＷの露光領域に露光を行なうためにウエハステージＷＳを移動させる制御（ステップ動作）を繰り返す、所謂ステップアンドリピート方式により、ウエハＷの各露光領域にマスクＭのパターンを逐次露光してもよい。
【００５４】
この実施の形態に係る露光装置は、ウエハＷに対する照明光の偏光状態を測定するための偏光状態測定装置６を備えている。偏光状態測定装置６は、ウエハステージＷＳの一端に設けられており、偏光状態測定装置６と応力付与機構５０等は、制御装置３０にそれぞれ電気的に接続されている。なお、後述するが偏光状態測定装置６の計測結果に基づき、制御部３０は、応力付与機構５０等を介して補正光学部材に対して局所的な応力等を付与して局所的に悪化している偏光状態を補正する。
【００５５】
図１０は、偏光状態測定装置６の概略光性を示す図である。偏光状態測定装置６は、ウエハＷの位置またはその近傍に位置決め可能なピンホール部材６０を備えている。なお、偏光状態測定装置６の使用時には、ウエハＷは光路から退避する。ピンホール部材６０のピンホール６０ａを通過した光は、コリメートレンズ６１を介してほぼ平行な光束になり、反射鏡６２で反射された後、リレーレンズ系６３に入射する。リレーレンズ系６３を介したほぼ平行な光束は、移相子としてのλ／４板６４および偏光子としての偏光ビームスプリッター６５を介した後、二次元ＣＣＤ６６の検出面６６ａに到達する。
【００５６】
ここで、λ／４板６４は、光軸を中心として回転可能に構成されており、このλ／４板６４には、その光軸を中心とした回転角を設定するための設定部６７が接続されている。こうして、ウエハＷに対する照明光の偏光度が０でない場合には、設定部６７を介してλ／４板６４を光軸廻りに回転させることにより二次元ＣＣＤ６６の検出面６６ａにおける光強度分布が変化する。したがって、偏光状態測定装置６では、設定部６７を用いてλ／４板６４を光軸廻りに回転させながら検出面６６ａにおける光強度分布の変化を検出し、この検出結果から回転移相子法により照明光の偏光状態を測定することができる。
【００５７】
なお、回転移相子法については、例えば鶴田著，「光の鉛筆−光技術者のための応用光学」，株式会社新技術コミュニケーションズなどに詳しく記載されている。実際には、ピンホール部材６０（ひいてはピンホール６０ａ）をウエハ面に沿って二次元的に移動させつつ、ウエハ面内の複数の位置における照明光の偏光状態を測定する。このとき、偏光状態測定装置６では、二次元的な検出面６６ａにおける光強度分布の変化を検出するので、この検出分布情報に基づいて照明光の瞳内における偏光状態の分布を測定することができる。
【００５８】
ところで、偏光状態測定装置６では、移相子としてλ／４板６４に代えてλ／２板を用いることも可能である。どのような移相子を用いたとしても、偏光状態、すなわち４つのストークスパラメーターを測定するためには、移相子と偏光子（偏光ビームスプリッター６５）との光軸廻りの相対角度を変えたり、移相子または偏光子を光路から退避させたりして、少なくとも４つの異なる状態で検出面６６ａにおける光強度分布の変化を検出する必要がある。なお、この実施の形態では移相子としてのλ／４板６４を光軸廻りに回転させたが、偏光子としての偏光ビームスプリッター６５を光軸廻りに回転させても良く、移相子および偏光子の双方を光軸廻りに回転させても良い。また、この動作に代えて、あるいはこの動作に加えて、移相子としてのλ／４板６４および偏光子としての偏光ビームスプリッター６５のうちの一方または双方を光路から挿脱させても良い。
【００５９】
偏光状態測定装置６による測定結果は、制御部３０に対して出力される。制御部３０は、照明光が適切な偏光状態になっているかどうかを判定し、ウエハＷに対する照明光（ひいてはマスクＭに対する照明光）の偏光状態を所望の偏光状態にするために、応力付与機構５０に対して制御信号の出力を行なう。従って、照明光の偏光状態を局所的に補正することができ、所望の偏光状態の光でマスクＭを照明し、適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができる。従って、ウエハ上における照明光を正確な周方向偏光状態（Ｓ変更状態）にすることができ、任意方向の微細パターンを高精度に感光性基板上に露光することができる。
【００６０】
なお、上述の実施の形態においては、平行平板形状の偏光局所補正部材８８を用いていたが、図１１に示すように円板形状を有する結晶材料である蛍石（フッ化カルシウム）により形成された部材に所定の方向から局所的な応力を付与することにより、偏光状態を局所的に補正する補正部材として機能させるようにしてもよい。なお、図１１において矢印は、偏光局所補正部材に付与される応力を示し、その長さが応力の大きさを示す。この場合には、応力付与機構により光軸ＡＸに垂直な方向から局所的に応力を付与する。この応力を付与する方向は、図４において規定されている結晶軸の中の、結晶軸[１００]、結晶軸[０１０]、結晶軸[００１]、結晶軸[１１０]、結晶軸[１０１]、結晶軸[０１１]の中の何れか１つの方向に一致させる。この結晶軸方向に応力を付与することにより偏光局所補正部材に対して、効果的に位相差を生じさせることができ、照明光の偏光状態を局所的に補正することができる。
【００６１】
また、偏光局所補正部材に対して光軸方向から局所的な応力を付与してもよい。即ち、図１２に示すように、蛍石により形成された平行平板に光軸方向の所定の位置に応力を付与することにより、偏光状態を局所的に補正する補正部材として機能させるようにしてもよい。なお、図１２において矢印は、偏光局所補正部材に付与される応力を示し、その長さが応力の大きさを示す。この応力を付与する方向を図１１で説明した方向と一致させることにより、偏光局所補正部材に対して効果的に位相差を生じさせることができ、照明光の偏光状態を局所的に補正することができる。
【００６２】
また、上述の実施の形態においては、偏光局所補正部材８８を偏光変換素子８９の光源側に隣接して配置しているが、照明光学装置に形成される瞳の位置またはその近傍に配置すればよく、例えば、マイクロレンズアレイ8の光源側に隣接して配置するようにしてもよい。
【００６３】
また、上述の実施の形態においては、照明光の偏光状態を局所的に補正するために偏光局所補正部材８８を用いているが、図１３に示すように、偏光変換素子８９に対して応力を付与する応力付与機構（第２応力付与手段）５１を設け、偏光変換素子８９に対して局所的な応力を付与することにより、偏光変換素子８９にも照明光の偏光状態を局所的に補正する機能を付与し、偏光局所補正部材８８及び偏光変換素子８９により、照明光の偏光状態を局所的に補正するようにしてもよい。この場合には、応力付与機構５０，５１は、制御部３０から出力される偏光状態計測装置６の計測結果に基づく制御信号に基づいて、図１４に示すように、偏光局所補正部材８８、偏光変換素子８９に対して局所的に応力を付与する。なお、図１４において矢印は、偏光局所補正部材８８、偏光変換素子８９に付与される応力を示し、その長さが応力の大きさを示す。
【００６４】
また、偏光変換素子８９に対して局所的な応力を付与することにより、偏光変換素子８９にも照明光の偏光状態を局所的に補正する機能を付与した場合には、偏光局所補正部材８８を取り除き、偏光変換素子８９のみにより、照明光の偏光状態を局所的に補正するようにしてもよい。この場合には、偏光変換素子８９は、照明光の偏光状態を局所的に補正する補正部材及び照明光の偏光状態を変換する素子として機能する。
【００６５】
また、上述の実施の形態にかかる露光装置においては、１／４波長板１１及び１／２波長板１０を水晶により形成しているが、平行平板形状を有する結晶材料である蛍石（フッ化カルシウム）に光軸ＡＸに対して垂直な方向から均一な応力を付与することにより、１／４波長板及び１／２波長板として機能させるようにしてもよい。この場合には、図１５に示すように、１／４波長板として機能する平行平板１００に光軸ＡＸに対して垂直な方向から応力を付与する応力付与機構５２を設ける。また、１／２波長板として機能する平行平板１０１に光軸ＡＸに対して垂直な方向から応力を付与する応力付与機構５３を設ける。応力付与機構５２，５３は、１／４波長板として機能する平行平板１００、１／２波長板として機能する平行平板１０１に対して、所定の結晶軸方向に応力を付与する。
【００６６】
なお、応力付与機構５２，５３は、１／４波長板として機能する平行平板１００及び１／２波長板として機能する平行平板１０１に対して、上述の図４において規定されている結晶軸の中の、結晶軸[１００]、結晶軸[０１０]、結晶軸[００１]、結晶軸[１１０]、結晶軸[１０１]、結晶軸[０１１]の中の何れか１つの方向に均一な応力を付与する。即ち、図１６に示すように、平行平板の上下にプレート状部材５４を配置し、このプレート状部材５４を介して応力を付与する。なお、図１６において矢印は、平行平板１００，１０１に付与される応力を示し、その長さが応力の大きさを示す。また、応力を付与する方向は、上下の２方向に限らす、左右の２方向であってもよく、上下左右の４方向であってもよい。この結晶軸方向に応力を付与することにより、平行平板１００及び平行平板１０１の全体に均一な位相差を生じさせ、１／４波長板、１／２波長板として機能させる。
【００６７】
また、上述の実施の形態においては、１／４波長板として機能する円板形状を有する結晶材料である蛍石及び１／２波長板として機能する円板形状を有する結晶材料である蛍石に光軸ＡＸに対して垂直な方向から均一な応力を付与するようにしてもよい。この場合には、図１７に示すように、円板形状を有する部材の円周部に板状の部材を配置し、この部材を介して応力を付与する。これにより円板全体に均一な位相差が生じ１／４波長板または１／２波長板として機能する。
【００６８】
ここで１／２波長板として機能する平行平板（または円板）１０１を上述の実施の形態における１／２波長板１０に代えて照明光学装置の光路中に配置する場合には、平行平板に応力を付与することにより平行平板に生じた進相軸が所定の方向に向くように平行平板１０１を配置する。即ち、平行平板１０１に生じた進相軸が入射する直線偏光の偏光面に対して０度または９０度の角度をなすように設定された場合、平行平板１０１に入射した直線偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。また、平行平板１０１に生じた進相軸が入射する直線偏光の偏光面に対して４５度の角度をなすように設定された場合、平行平板１０１に入射した直線偏光の光は偏光面が９０度だけ変化した直線偏光の光に変換される。
【００６９】
また、上述の実施の形態において、変更局所補正部材をフッ化マグネシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム及び方解石の中の何れかにより形成してもよく、偏光変換素子をフッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム及び方解石の中の何れかにより形成してもよい。
【００７０】
上述の実施の形態にかかる露光装置では、照明光学装置によってマスク（レチクル）Ｍを照明し（照明工程）、投影光学系ＰＬを用いてマスクＭに形成された転写用のパターンを感光性基板（ウエハ）Ｗに転写する（転写工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのウエハＷ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図１８のフローチャートを参照して説明する。
【００７１】
先ず、図１８のステップＳ３０１において、１ロットのウエハＷ上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ３０２において、そのｌロットのウエハＷ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ３０３において、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて、マスクＭ上のパターンの像がその投影光学系ＰＬを介して、その１ロットのウエハＷ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ３０４において、その１ロットのウエハＷ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ３０５において、その１ロットのウエハＷ上でレジストパターンをマスクＭとしてエッチングを行うことによって、マスクＭ上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハＷ上の各ショット領域に形成される。
【００７２】
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いているため、微細なパターンをウエハに良好に露光することができる。なお、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０５では、ウエハＷ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハＷ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
【００７３】
また、上述の実施の形態にかかる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図１９のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図１９において、パターン形成工程Ｓ４０１では、上述２の実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクＭのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２へ移行する。
【００７４】
次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２の後に、セル組み立て工程Ｓ４０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ４０３では、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ４０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
【００７５】
その後、モジュール組み立て工程Ｓ４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いているため、微細なパターンをウエハに良好に露光することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】実施の形態にかかる露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】実施の形態にかかる照明光学装置が備える１／２波長板及びデポラライザの概略構成を示す図である。
【図３】実施の形態にかかる偏光局所補正部材を説明するための図である。
【図４】蛍石の結晶軸を説明するための図である。
【図５】実施の形態にかかる偏光変換素子の構成を示す図である。
【図６】実施の形態にかかる偏光変換素子により周方向偏光状態に変換された光束断面を説明するための図である。
【図７】実施の形態にかかる照明光学装置が備える円錐アキシコン系の概略構成を示す図である。
【図８】実施の形態にかかる輪帯照明において形成される二次光源に対する円錐アキシコン系の作用を説明するための図である。
【図９】実施の形態にかかる輪帯照明において形成される二次光源に対するズームレンズの作用を説明するための図である。
【図１０】実施の形態にかかる偏光状態測定装置の概略構成を示す図である。
【図１１】偏光局所補正部材の他の例を示す図である、
【図１２】偏光局所補正部材の他の例を示す図である、
【図１３】偏光変換素子に偏光局所補正部材としての機能を持たせた場合の構成を示す図である。
【図１４】偏光局所補正部材としての機能を持たせた場合の偏光変換素子を示す図である。
【図１５】１／４波長板及び１／２波長板の他の構成を示す図である。
【図１６】１／４波長板及び１／２波長板の他の構成を示す図である。
【図１７】１／４波長板及び１／２波長板の他の構成を示す図である。
【図１８】実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスを製造する方法を示すフローチャートである。
【図１９】実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７７】
１…レーザ光源、２…ビームエキスパンダ、３…折り曲げミラー、４ａ…回折光学素子、６…偏光状態測定装置、８…マイクロレンズアレイ、９ａ…コンデンサレンズ、９ｂ…結像光学系、１０…１／２波長板、１１…１／４波長板、１２…開口絞り、２０…デポラライザ、３０…制御部、８５…アフォーカルレンズ、８７…円錐アキシコン系、８７ａ…第１プリズム、８７ｂ…第２プリズム、８８…偏光局所補正部材、８９…偏光変換素子、９０…ズームレンズ、ＭＢ…マスクブラインド、Ｍ…マスク、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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