(57)【要約】【課題】本発明は、湿布摩擦においても金属薄膜層と金属酸化物との間で剥離が生ずることない密着性に優れる導電性積層体およびその導電性積層体を前面に備えたディスプレイを提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも基材上に、金属薄膜層および金属酸化物層を積層してなる導電性多層膜を有し、最上層に防汚層を設けてなる導電性積層体であって、前記導電性多層膜のヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする導電性積層体およびそれを用いたディスプレイである。【選択図】図１
2007168279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基材上に、金属薄膜層および金属酸化物層を積層してなる導電性多層膜を有し、最上層に防汚層を設けてなる導電性積層体であって、
前記導電性多層膜のヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする導電性積層体。
【請求項２】
前記導電性多層膜が、高屈折率金属酸化物層／金属薄膜層／高屈折率金属酸化物層を設けてなることを特徴とする請求項１記載の導電性積層体。
【請求項３】
前記金属薄膜層が、銀または銀を含む合金であることを特徴とする請求項１または２記載の導電性積層体。
【請求項４】
前記導電性多層膜と防汚層の間に、低屈折率層を設けてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項５】
前記防汚層がフッ素含有珪素化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性積層体をディスプレイの前面に設けたことを特徴とするディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、湿布摩擦においても金属薄膜層と金属酸化物との間で剥離が生ずることない密着性に優れる導電性積層体およびその導電性積層体を前面に備えたディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＲＴ、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の光学表示装置においては、外光の表示画面上への写り込みによって画像を認識しづらくなるという問題がある。光学表示装置は、最近では屋内だけでなく屋外にも持ち出される機会が増加し、表示画面上への外光の写り込みは一層深刻な問題になっている。
【０００３】
外光の写り込みを低減するために、可視光領域の波長の広い範囲にわたって反射率の低い反射防止積層体を光学表示装置の前面に設けることが行われている。また、反射防止積層体に導電性を持たせることにより、電磁波シールド性能を付与できる。例えば、電磁波シールド性を付与した導電性積層体をＰＤＰの画像表示部の前面に設けることにより、ＰＤＰ内部から発生する不要電磁波をシールドすることができる。
【０００４】
しかしながら、金属合金酸化物層などに代表される透明薄膜層と金属薄膜層とを交互に積層するような積層体において、透明薄膜層と金属薄膜層との間の密着が良好でないことが問題となっており（例えば特許文献１参照）、例えば、湿った布で被覆表面をぬぐうことから成る簡単な摩擦試験によって立証されるとしている（例えば、特許文献１参照）。一方その対策として、チタン等の金属を金属合金酸化物層と金属層の間にプライマー層として成膜することで、湿った布で長時間はげしく擦っても目で見える変化が生じなくなるとしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
透明薄膜層と金属薄膜層とを交互に積層するような積層体を、ＣＲＴ、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の光学表示装置のディスプレイ最表面に設置する場合、湿った布等で表面を拭くことは容易に予想されるため、湿った布等で拭いても、透明薄膜層と金属層とが剥がれないようにしなければならない。しかし、前記した透明薄膜層と金属層との間に金属のプライマー層を成膜するような方法は、積層体の透過率を低くするという問題点がある。積層体が反射防止膜である場合などは、高い透過率を要求されるため、好ましくない。また、プライマー層を成膜することにより、全体的に層数が増えるため、実際に積層体を生産するという点では、成膜装置の設備費用や、プライマー層の材料費用が発生する上、工程が煩雑になるなどの問題点が多く発生するという点でも好ましくない。
【０００６】
導電性積層体の表面には、フッ素含有珪素化合物からなる、撥水性、撥油性および低摩擦性を有する防汚層が設けられている場合がある（例えば、特許文献２参照）。しかし、フッ素含有珪素化合物からなる防汚層は、撥水、撥油効果を持つものの、湿った布で被覆表面をぬぐう試験を長時間にわたって行った場合、その効果は不十分であった。
【０００７】
下記に特許文献を記す。
【特許文献１】特開平２０００−１９２２２７号公報
【特許文献２】特開平１１−１５６９８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであって、湿布摩擦においても金属薄膜層と金属酸化物との間で剥離が生ずることない密着性に優れる導電性積層体およびその導電性積層体を前面に備えたディスプレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、すなわち、
請求項１に係る発明は、少なくとも基材上に、金属薄膜層および金属酸化物層を積層してなる導電性多層膜を有し、最上層に防汚層を設けてなる導電性積層体であって、
前記導電性多層膜のヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする導電性積層体である。
【００１０】
請求項２に係る発明は、前記導電性多層膜が、高屈折率金属酸化物層／金属薄膜層／高屈折率金属酸化物層を設けてなることを特徴とする請求項１記載の導電性積層体である。
【００１１】
請求項３に係る発明は、前記金属薄膜層が、銀または銀を含む合金であることを特徴とする請求項１または２記載の導電性積層体である。
【００１２】
請求項４に係る発明は、前記導電性多層膜と防汚層の間に、低屈折率層を設けてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性積層体である。
【００１３】
請求項５に係る発明は、前記防汚層がフッ素含有珪素化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性積層体である。
【００１４】
請求項６に係る発明は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性積層体をディスプレイの前面に設けたことを特徴とするディスプレイである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の導電性積層体は、金属薄膜層と金属酸化物との密着を強固にするために特別に層数を増やすことなく、湿った布で長時間にわたり、荷重を掛けて擦っても、金属薄膜層と金属酸化物との間で剥離を生ずることがない。したがって、本発明の導電性積層は、金属層を含む導電性が長期間持続できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
＜導電性積層体＞
図１は、本発明の導電性積層体の一例を示す断面図である。この導電性積層体１は、基材２と、基材２上に設けられたハードコート層３と、ハードコート層３上に設けられたプライマー層４と、プライマー層４上に設けられた導電性機能層５と、導電性機能層５上に設けられた低屈折率透明薄膜層６と、低屈折率透明薄膜層６上に設けられた防汚層７と、基材２の他方の面に設けられた粘着層８とを有して概略構成されるものである。
【００１８】
（基材）
本発明において使用される２としては、透明性を有する無機化合物成形物または有機化合物成形物が挙げられる。本発明における透明性とは、可視光領域の波長の光が透過すればよいことを意味する。成形物の形状としては、表面が平滑であれば特に限定されず、板状、ロール状等が挙げられる。また、基材２は、透明性を有する無機化合物成形物または有機化合物成形物の積層体であってもよい。
【００１９】
透明性を有する無機化合物成形物としては、例えば、ソーダライムガラス、硼珪酸ガラ
ス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、無アルカリガラス、鉛ガラス等が挙げられる。
【００２０】
透明性を有する有機化合物成形物としては、プラスチックが挙げられる。プラスチックとしては、例えば、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリウレタン、ポリエチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルフォン、ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース等が挙げられる。
【００２１】
基材２の厚さは、目的の用途に応じて適宜選択され、通常２５〜３００μｍである。有機化合物成形物には、公知の添加剤、例えば、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、着色剤、酸化防止剤、難燃剤等が含有されていてもよい。
【００２２】
（ハードコート層）
本発明におけるハードコート層３は、鉛筆等による引っ掻き傷、スチールウールによる擦り傷等の機械的外傷から基材２表面または基材２上に形成された各層を防護する層である。ハードコート層３を形成する材料としては、透明性、適度な硬度および機械的強度を有するものであればよく、アクリル系樹脂、有機シリコン系樹脂、ポリシロキサン等の樹脂材料が挙げられる。
【００２３】
アクリル系樹脂としては、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングロコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、３−メチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールビスβ−（メタ）アクリロイルオキシプロピオネート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリ（２−ヒドロキシエチル）イソシアネートジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、２，３−ビス（メタ）アクリロイルオキシエチルオキシメチル［２．２．１］ヘプタン、ポリ１，２−ブタジエンジ（メタ）アクリレート、１，２−ビス（メタ）アクリロイルオキシメチルヘキサン、ノナエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラデカンエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１０−デカンジオール（メタ）アクリレート、３，８−ビス（メタ）アクリロイルオキシメチルトリシクロ［５．２．１０］デカン、水素添加ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロイルオキシジエトキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（（メタ）アクリロイルオキシメチル）シクロヘキサン、ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、エポキシ変成ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００２４】
有機シリコン系樹脂としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラペンタエトキシシラン、テトラペンタイソプロキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジメチルプロポキシシラン、ジメチルブトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００２５】
ハードコート層３は、これら樹脂材料を基材２上に成膜し、熱硬化、紫外線硬化、または電離放射線硬化法によって硬化させることによって形成される。ハードコート層３の厚さは、物理膜厚で０．５μｍ以上、好ましくは３〜２０μｍ、より好ましくは３〜６μｍである。
【００２６】
ハードコート層３に、平均粒子径が０．０１〜３μｍの透明微粒子を分散させて、アンチグレアと呼ばれる処理を施してもよい。ハードコート層３中の微粒子により表面が微細な凹凸状になって光の拡散性が向上し、光の反射をより低減できる。
【００２７】
ハードコート層３は、表面処理が施されていることが好ましい。表面処理を施すことにより、隣接する層との密着性を向上させることができる。ハードコート層３の表面処理としては、例えば、コロナ処理法、蒸着処理法、電子ビーム処理法、高周波放電プラズマ処理法、スパッタリング処理法、イオンビーム処理法、大気圧グロー放電プラズマ処理法、アルカリ処理法、酸処理法等が挙げられる。
【００２８】
（プライマー層）
本発明におけるプライマー層４は、ハードコート層３と導電性機能層５との間の密着性を向上させる層である。プライマー層４の材料としては、例えば、シリコン、ニッケル、クロム、錫、金、銀、白金、亜鉛、チタン、タングステン、ジルコニウム、パラジウム等の金属；これら金属の２種類以上からなる合金；これらの酸化物、弗化物、硫化物、窒化物等が挙げられる。酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の化学組成は、密着性が向上するならば、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。
【００２９】
プライマー層４の厚さは、基材２の透明性を損なわない程度であればよく、好ましくは物理膜厚で０．１〜１０ｎｍである。プライマー層４は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、化学蒸着（ＣＶＤ）法、湿式塗工法等の従来公知の方法で形成できる。
【００３０】
（導電性機能層）
本発明における５は、基材２側から順に、高屈折率透明薄膜層１１（透明金属化合物層）、金属薄膜層１２（金属層）、および高屈折率透明薄膜層１３（透明金属化合物層）から構成される。導電性機能層５は、導電性積層体に、電磁波シールド性、赤外線カット性、反射防止性を付与するものである。
【００３１】
高屈折率透明薄膜層１１、１３は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．７以上であり、かつ波長５５０ｎｍの光の消衰係数が０．５以下である層である。
【００３２】
高屈折率透明薄膜層１１、１３の材料としては、インジウム、錫、チタン、シリコン、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、マグネシウム、ビスマス、セリウム、クロム、タンタル、アルミニウム、ゲルマニウム、ガリウム、アンチモン、ネオジウム、ランタン、トリウム、ハフニウム等の金属；これらの金属の酸化物、弗化物、硫化物、窒化物；酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の混合物等が挙げられる。酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の化学組成は、透明性を保持した化学組成であれば、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。
【００３３】
酸化物としては、例えば、酸化インジウムと酸化錫との混合物（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムとの混合物（ＩＣＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛との混合物、酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの混合物、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物、酸化錫と酸化アンチモンとの混合物、酸化錫中にアンチモンおよびインジウムを含んだ混合物、シリコン中にジルコニウムを含んだ混合物等が挙げられる。これらのうち、ＩＴＯおよびＩＣＯ
は、可視光における屈折率が２．０以上あり、かつ消衰係数がゼロに近いため、可視光領域での透明性に優れ、かつ材料による光の吸収が少ないことから、好適である。また、ＩＴＯおよびＩＣＯは、自由電子密度が高い、すなわち比抵抗が小さいため、直流電源によるスパッタ成膜を可能にする。直流電源の使用は、成膜速度を向上させ、結果として高い生産性に寄与する。
【００３４】
高屈折率透明薄膜層１１と高屈折率透明薄膜層１３とは、必ずしも同一の材料でなくてもよく、目的に合わせて適宜選択される。高屈折率透明薄膜層１１、１３は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の従来公知の方法で形成できる。
【００３５】
本発明における金属薄膜層１２は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．０以下、消衰係数が１０．０以下であることが好ましい。金属薄膜層１２の材料としては例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、パラジウム等の金属；これら金属の２種類以上を含んだ合金が挙げられる。これらのうち。銀、銀を含む合金、銀を含む混合物が好適である。銀は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が０．０５５と小さく、一方、消衰係数は３．３２と大きい。屈折率に対する消衰係数の比が他の金属に比べて大きいため金属性が高い、つまり導電性が高い。
【００３６】
銀の薄膜は、酸素、硫黄、ハロゲン、アルカリ等によって腐食しやすく、結果として凝集、マイグレーション等を引き起こす。一方、銀に他の金属元素を含有させると銀の化学的安定性が向上することが知られている。銀に含有させる金属元素としては、例えば、金、銅、白金、錫、アルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタン、ビスマス、ジルコニウム、ネオジウム、パラジウム、亜鉛、インジウム、ゲルマニウム、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、レニウム、ロジウム等が挙げられる。これら金属元素は、２種類以上を銀に含有させてもよい。これらの金属元素を銀に含有させる場合、その含有量は、金属薄膜層１２または導電性積層体１の光学性能を悪化させずに、耐腐食性に寄与する程度であればよく、０．１原子％〜２０原子％程度である。
【００３７】
金属薄膜層１２の厚さは、物理膜厚で５〜１５ｎｍが好ましい。金属薄膜層１２は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の従来公知の方法により形成できる。スパッタリング法を用いる場合は、直流電源にて成膜が可能であり、大きな成膜速度が得られるため生産性に優れる。
【００３８】
導電性多層膜のヤング率が７５ＧＰａ以上、好ましくは８５ＧＰａ以上であることが必要である。薄膜のヤング率が７５ＧＰａ以上、好ましくは８５ＧＰａ以上でなければ、膜質が脆弱であり、濡れ雑巾等での摩擦には耐えられず、また薄膜のヤング率が１１０ＧＰａ以上であると、例えば金属層が銀である場合、微細な銀の凝集が発生した際、膜応力により薄膜にクラックが発生し、このクラックに沿って銀の凝集が２次的に拡大し易いという傾向があるため好ましくない。
【００３９】
（低屈折率透明薄膜層）
本発明における低屈折率透明薄膜層６は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．７未満であり、かつ波長５５０ｎｍの光の消衰係数が０．５以下である層である。低屈折率透明薄膜層６を、導電性機能層５の高屈折率透明薄膜層１３に接するように設けることにより、導電性積層体１は、反射率が低くなる可視光領域の波長の範囲が充分に広くなる。
【００４０】
低屈折率透明薄膜層６の材料としては例えば、酸化シリコン、窒化チタン、弗化マグネシウム、弗化バリウム、弗化カルシウム、弗化セリウム、弗化ハフニウム、弗化ランタン、弗化ナトリウム、弗化アルミニウム、弗化鉛、弗化ストロンチウム、弗化イッテリビウ
ム等が挙げられる。
【００４１】
低屈折率透明薄膜層６の厚さは、物理膜厚で１５〜７０ｎｍが好ましい。低屈折率透明薄膜層６は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の方法で形成できる。
【００４２】
（防汚層）
本発明における防汚層７は、反応性官能基と結合している珪素原子を１つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層である。本発明における反応性官能基とは、低屈折率透明薄膜層６の材料と反応し、結合しうる基を意味する。よって、防汚層７は、具体的には、フッ素含有珪素化合物の反応性官能基と低屈折率透明薄膜層６の材料とを反応させ、また、フッ素含有珪素化合物の反応性官能基同士を反応させることにより形成される層である。
【００４３】
反応性官能基としては、加水分解性基、ハロゲン原子等が挙げられる。加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基；アリロキシ基、イソプロペノキシ基等のアルケニルオキシ基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアシロキシ基；ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基、ジエチルケトオキシム基、シクロペンタノキシム基、シクロヘキサノキシム基等のケトオキシム基；Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基等のアミノ基；Ｎ−メチルアセトアミド基、Ｎ−エチルアセトアミド基、Ｎ−メチルベンズアミド基等のアミド基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノオキシ基等のアミノオキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらのうち、メトキシ基、エトキシ基、イソプロペノキシ基が好適である。
【００４４】
反応性官能基と結合している珪素原子を１つ以上有しているフッ素含有珪素化合物としては、例えば、下記式（１）で表される化合物が挙げられる。
（Ｒ1）３−ｍ（Ｘ1）ｍＳｉ−Ｒ3−Ｏ−Ｒ5−Ｒｆ−Ｒ6−Ｏ−Ｒ4−Ｓｉ（Ｒ2）３−ｎ（Ｘ2）ｎ・・・・式（１）
式（１）中、Ｒ1、Ｒ2は、炭素数１〜８、好ましくは１〜３の一価の炭化水素基を表し、Ｘ1、Ｘ2は、反応性官能基を表し、Ｒ3、Ｒ4は、アルキレン基を表し、Ｒ5、Ｒ6は、アルキレン基またはオキシアルキレン基を表し、Ｒｆは、パーフルオロアルキレン基またはパーフルオロ（ポリ）オキシアルキレン基を表し、ｍ、ｎは、１〜３の整数を表す。Ｒ1、Ｒ2の一価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基等が挙げられる。
【００４５】
反応性官能基と結合している珪素原子を１つ以上有するフッ素含有珪素化合物の具体例としては、ＣＦ3（ＣＦ2）p（ＣＨ2）qＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＣＦ3（ＣＦ2）p（ＯＣ3Ｆ6）qＯＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ2（ＯＣＯＮＨ）ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ２ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ２ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ２ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ４）ｑ（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ
Ｈ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2、（Ｃ2Ｈ5Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ２ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2が挙げられる。ただし、ｐ＝１〜５０、ｑ＝１〜５０、ｒ＝１〜５０、ｑ＋ｒ＝１０〜１００の整数であり、式中の繰り返し単位はランダムである。
【００４６】
防汚層７は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、プラズマ重合法等の真空ドライプロセスの他、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等のウェットプロセスにより形成できる。防汚層７の物理膜厚は、１〜３０ｎｍ程度であり、好ましくは３〜１５ｎｍ程度である。防汚層７表面における純水の接触角は、防水および防汚性の観点から、１００゜以上が好ましく、かつオレイン酸の接触角は、７０゜以上であることが好ましい。
【００４７】
（粘着層）
本発明における粘着層８は、可視光領域の波長の光を透過し、かつ粘着性を有するものであればよい。粘着層８は、光学的性能の観点から、波長５００〜６００ｎｍの光の屈折率が１．４５〜１．７であり、消衰係数がほぼ０であることが好ましい。粘着層８の材料としては例えば、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリビニルブチラール接着剤（ＰＶＡ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）、ポリビニルエーテル、飽和無定形ポリエステル、メラミン樹脂等が挙げられる。
【００４８】
（作用）
以上説明した導電性積層体１にあっては、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６の成膜方法として、スパッタリングの中でも特に、１０〜３００ｋＨｚ、好ましくは１０〜１００ｋＨｚのサイン波を２対のカソードに正負交互に電圧印加し、該２対のカソードが交互にアノードの役割も果たす放電方法において、該２対のカソードにそれぞれ所望の層を得るための材料がターゲットとして配置されたマグネトロンスパッタリング法を用いると良い。これは、一般にデュアルマグネトロンスパッタリング法（以下ＤＭＳ法）と呼ばれる方法であり、２つのカソードで正負交互に電圧印加されるため、成膜中の高エネルギー粒子による基板側へのボンバードメントが大きく、通常のＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングと比較して、イオンアシスト効果が大きく、緻密で、膜硬度、膜応力が強い膜が成膜される。
【００４９】
また、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６の成膜方法として、２対のカソードにＤＣパルスを正負交互に印加し、該２対のカソードが交互にアノードの役割も果たす放電方法において、該２対のカソードにそれぞれ所望の層を得るための材料がターゲットとして配置されたマグネトロンスパッタリング法を用いても良い。これは、一般にパルスマグネトロンスパッタリング法（以下ＰＭＳ法）と呼ばれる方法であり、ＤＭＳ法と同様に、２つのカソードで正負交互に電圧印加されるため、成膜中の高エネルギー粒子による基板側へのボンバードメントが大きく、通常のＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングと比較して、イオンアシスト効果が大きく、緻密で、膜硬度、膜応力が強い膜が成膜される。このパルスマグネトロンスパッタリング法を用いる際のＤＣパルス印加周波数として、１０〜３００ｋＨｚが適当であり、好ましくは１０〜１００ｋＨｚが良い。
【００５０】
また、上記ＤＭＳ法、ＰＭＳ法は、反応性スパッタ時等にターゲットのエロ−ジョン部やその周辺に形成される絶縁性生成物のチャージアップを除去し、アーキングを防ぐことが可能であり、このため高電力投入が可能である。故に、アーキングが長時間にわたり殆ど無く、高速での成膜が可能であるため、ロール・ツー・ロールでの巻き取り成膜などには最適である。この場合、成膜材料によっては、スパッタ中のプラズマ発光など、プラズマ・パラメータのモニタリングを基本とした精密なプロセス制御技術との組み合わせで、大面積への膜厚均一性に優れた、更なる高速成膜が可能である。
【００５１】
＜光学機能性フィルタ＞
本発明の光学機能性フィルタは、本発明の導電性積層体を有するものである。本発明の光学機能性フィルタとしては、ＣＲＴ用フィルタ、液晶表示装置用フィルタ、プラズマディスプレイパネル用フィルタ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ用フィルタ、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）用フィルタ、リアプロジェクションテレビ用フィルタ等が挙げられる。
【００５２】
プラズマディスプレイパネル用フィルタにおいては、本発明の導電性積層体以外に、他の層として、防眩性を確保するアンチグレア層、ニュートンリングの発生を抑制するアンチニュートンリング層、色補正層、赤外線カット層、紫外線カット層、ガスバリア層、帯電防止層、電磁波シールド層等を設けてもよい。
【００５３】
＜光学表示装置＞
本発明の光学表示装置は、本発明の導電性積層体を有するものである。具体的には、ＣＲＴ、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル等の光学表示装置の前面に、本発明の導電性積層体、または本発明の光学機能性フィルタを設けたものである。
【００５４】
＜光学物品＞
本発明の光学物品としては、液晶表示装置に用いる光源のリフレクターとして本発明の導電性積層体を用いたものが挙げられる。本発明の光学機能性フィルタ、光学表示装置および光学物品にあっては、湿った布で長時間にわたり、荷重を掛けて擦っても、透明薄膜層と金属薄膜層とが剥がれてしまわず、金属層を含む導電性機能層の性能が長時間持続される。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５６】
［実施例１］
基材２である、厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．５１）（以下、ＴＡＣフィルムと記す）上に、電離放射線硬化型アクリル系樹脂をウェットコーティングによって成膜し、物理膜厚５μｍのハードコート層３を形成した。
【００５７】
該ハードコート層成膜済ＴＡＣフィルム上に、図２に示すロール・ツー・ロールの真空成膜装置にて、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６を形成する。図２に示す真空成膜装置の概要を説明する。図２に示す真空成膜装置の概要を説明する。まず、スパッタ・カソード１、２、３、４、５は、ＤＭＳ法及びＰＭＳ法の切り替えが可能であり、本実施例１では、ＤＭＳ法を用いるため、ＤＭＳカソードが配置されており、それぞれのカソードで別々の成膜気圧を設定出来るように仕切りが設けてある。該成膜装置を用いることで、巻出しローラーａにＴＡＣ原反をセットし、巻き取りローラーｂ方向にＴＡＣフィルムを搬送させることで、本発明にて例示した導電性積層体１におけるプライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６全てを１往路のみで積層することが可
能である。
【００５８】
図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、Ｓｉターゲットが配置されたスパッタカソード１にて、ハードコート層３上に、ＳｉＯｘ  をＤＭＳ法により堆積させ、物理膜厚３ｎｍのプライマー層４を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００５９】
ついで、以下のようにして高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３からなる導電性機能層５を形成した。
【００６０】
図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード２にて、プライマー層４上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＤＭＳ法により堆積させ、物理膜厚２７ｎｍの高屈折率透明薄膜層１１（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００６１】
次に、図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード３にて、高屈折率透明薄膜層１１上に、銀中に金１．５原子％および銅０．５原子％を含有する合金をＤＭＳ法により堆積させ、物理膜厚９ｎｍの金属薄膜層１２（波長５５０ｎｍの光の屈折率０．０９、消衰係数３．５１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒを用い、流量は２００ｓｃｃｍ、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００６２】
更に、図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード４にて、金属薄膜層１２上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＤＭＳ法により堆積させ、物理膜厚２０ｎｍの高屈折率透明薄膜層１３（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００６３】
ついで、図２に示す装置を用いて、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード５にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＤＭＳ法によりＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。この際、図２中のスパッタカソード５において示される２対のカソードには、それぞれＳｉターゲットが配置されており、該２対のＳｉターゲットが配置されたカソードにサイン波を正負交互に印加するが、その周波数は４０ｋＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００６４】
さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、下記式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、図２に示す真空成膜装置とは別の真空成膜装置を用いて、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。
（ＣＨ3Ｏ）3Ｓｉ−（ＣＨ2）2−Ｏ−（ＣＨ2）2−Ｏ−（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）6−（ＣＨ2）2−Ｏ−（ＣＨ2）2−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3・・・・式（２）
［実施例２］
該ハードコート層成膜済ＴＡＣフィルム上に、図２に示すロール・ツー・ロールの真空成膜装置にて、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６を形成する。
【００６５】
図２中のスパッタ・カソード１、２、３、４、５には、それぞれＰＭＳカソードが配置されており、それぞれのカソードで別々の成膜気圧を設定出来るように仕切りが設けてある。
【００６６】
図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード１にて、ハードコート層３上に、ＳｉＯｘをＰＭＳ法により堆積させ、物理膜厚３ｎｍのプライマー層４を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００６７】
ついで、以下のようにして高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３からなる導電性機能層５を形成した。
【００６８】
図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード２にて、プライマー層４上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＰＭＳ法により堆積させ、物理膜厚２７ｎｍの高屈折率透明薄膜層１１（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００６９】
次に、図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード３にて、高屈折率透明薄膜層１１上に、銀中に金１．５原子％および銅０．５原子％を含有する合金をＰＭＳ法により堆積させ、物理膜厚９ｎｍの金属薄膜層１２（波長５５０ｎｍの光の屈折率０．０９、消衰係数３．５１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、流量は２００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００７０】
更に、図２に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード４にて、金属薄膜層１２上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＰＭＳ法により堆積させ、物理膜厚２０ｎｍの高屈折率透明薄膜層１３（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００７１】
ついで、図２に示す装置を用いて、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード５にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＰＭＳ法によりＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。この際、図２中のスパッタカソード５において示される２対のカソードには、それぞれＳｉターゲットが配置されており、該２対のＳｉターゲットが配置されたカソードにＤＣパルス波を正負交互に印加するが、その周波数は４０ｋＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００７２】
さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上記式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、図２に示す真空成膜装置とは別の真空成膜装置を用いて、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。
【００７３】
［実施例３］
該ハードコート層成膜済ＴＡＣフィルム上に、図３に示すロール・ツー・ロールの真空成膜装置にて、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６を形成する。
【００７４】
図２に示す真空成膜装置の概要を説明する。図２に示す真空成膜装置の概要を説明する。まず、スパッタ・カソード１、７にはＲＦマグネトロン・スパッタカソードを、スパッタ・カソード２、３、４にはＤＣマグネトロン・スパッタ・カソードを、スパッタ・カソード５にはＤＭＳカソードを、スパッタ・カソード６にはＰＭＳカソードを配置してあり、それぞれのカソードで成膜気圧を設定出来るように仕切りが設けてある。該成膜装置を用いることで、巻出しローラーａにＴＡＣ原反をセットし、巻き取りローラーｂ方向にＴＡＣフィルムを搬送させることで、本発明にて例示した導電性積層体１におけるプライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６全てを１往路のみで積層することが可能である。
【００７５】
図３に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード１にて、ハードコート層３上に、ＳｉＯｘをＲＦマグネトロン・スパッタリング法により堆積させ、物理膜厚３ｎｍのプライマー層４を形成した。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が３０ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００７６】
ついで、以下のようにして高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３からなる導電性機能層５を形成した。
【００７７】
図３に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード２にて、プライマー層４上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＤＣマグネトロン・スパッタリング法により堆積させ、物理膜厚２７ｎｍの高屈折率透明薄膜層１１（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００７８】
次に、図３に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード３にて、高屈折率透明薄膜層１１上に、銀中に金１．５原子％および銅０．５原子％を含有する合金をＤＣマグネトロン・スパッタリング法により堆積させ、物理膜厚９ｎｍの金属薄膜層１２（波長５５０ｎｍの光の屈折率０．０９、消衰係数３．５１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、流量は２００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００７９】
更に、図３に示す成膜装置を用い、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード４にて、金属薄膜層１２上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をＤＣマグネトロン・スパッタリング法により堆積させ、物理膜厚２０ｎｍの高屈折率透明薄膜層１３（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。この際、スパッタガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＯ2を用い、流量はそれぞれ２００ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００８０】
ついで、図３に示す装置を用いて、ＴＡＣフィルムを搬送させながら、スパッタカソード５にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。図３中のスパッタカソード５において示される２対のカソードには、それぞれＳｉターゲットが配置されており、該２対のＳｉターゲットが配置されたカソードにサイン波を正負交互に印加するが、その周波数は４０ｋＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成
膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００８１】
さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上記式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、図２に示す真空成膜装置とは別の真空成膜装置を用いて、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。
【００８２】
［実施例４］
実施例３と同様の手段により、プライマー層４、高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３の成膜を行ない、スパッタカソード６にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＰＭＳ法を用いてＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。図２中のスパッタカソード５において示される２対のカソードには、それぞれＳｉターゲットが配置されており、該２対のＳｉターゲットが配置されたカソードに正負交互にＤＣパルス波の電圧を印加するが、その周波数は４０ｋＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００８３】
さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、実施例１と同様に、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。
【００８４】
［比較例１］
実施例３と同様の手段により、プライマー層４、高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３の成膜を行ない、スパッタカソード７にて、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＲＦマグネトロン・スパッタリング法を用いてＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。
【００８５】
ＲＦマグネトロンスパッタリングの周波数は１３．５６ＭＨｚとした。また、スパッタガスをＡｒ、反応性ガスをＯ2とし、それぞれ流量は、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、Ｏ2が１００ｓｃｃｍであり、成膜気圧は０．３Ｐａとして成膜を行なった。
【００８６】
さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、
実施例１と同様に、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。
【００８７】
［比較例２］
実施例３と同様の手段により、プライマー層４、高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３の成膜を行なった後、図２に示すロール・ツー・ロール型真空成膜装置とは別のロール・ツー・ロール型真空成膜装置を用いて、高屈折率透明薄膜層１３上に、電子ビーム蒸着法を用いてＳｉＯ2を堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。
【００８８】
さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、上式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を、
実施例１と同様に、抵抗加熱による真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。更に、ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着
層８を形成し、導電性積層体１を得た。
【００８９】
＜評価＞
実施例１、２、３、４および比較例１、比較例２で得られた導電性積層体１について、以下の評価を行った。結果を表１〜３に示す。
【００９０】
（１）耐湿布擦傷試験Ａ
実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、比較例１、比較例２によって成膜したサンプルに対し、純水を十分に染み込ませたクリーンウェス（ＧＵＡＲＤＮＥＲ  ＣＯ．，Ｌｔｄ製ＣＬＥＡＮＲＯＯＭ  ＷＩＰＥＲ）を擦傷試験機（ＴＥＳＴＥＲ  ＳＡＮＧＹＯ  ＣＯ．，Ｌｔｄ製  学振型摩擦堅牢度試験機ＡＢ−３０１）に固定し、５００ｇｆの荷重を掛けて、１００、２００、３００、４００、５００往復の擦傷試験を各サンプルに対して、それぞれ行ない、サンプルの磨耗状態を光学顕微鏡にて観察する。この際、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面で層間剥離が起きた結果の磨耗であるかどうかについて、磨耗部をレンズ反射測定機（ＯＬＹＭＰＵＳ社製ＵＳＰＭ−ＲＵ）にてスポットサイズ１２．５μｍを測定し、得られる分光カーブより確認した（表１）。
【００９１】
（２）耐湿布擦傷試験Ｂ
実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、比較例１、比較例２によって成膜したサンプルに対し、鉱物系油剤及び非イオン系界面活性剤を含んだ化学雑巾（大日本除虫菊株式会社製サッサ）を擦傷試験機（ＴＥＳＴＥＲ  ＳＡＮＧＹＯ  ＣＯ．，Ｌｔｄ製  学振型摩擦堅牢度試験機ＡＢ−３０１）に固定し、５００ｇｆの荷重を掛けて、１００、２００、３００、４００、５００往復の擦傷試験を各サンプルに対して、それぞれ行ない、サンプルの磨耗状態を光学顕微鏡にて観察する。この際、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面で層間剥離が起きた結果の磨耗であるかどうかについて、磨耗部をレンズ反射測定機（ＯＬＹＭＰＵＳ社製ＵＳＰＭ−ＲＵ）にてスポットサイズ１２．５μｍを測定し、得られる分光カーブより確認した（表２）。
【００９２】
（３）薄膜強度試験
特許第３５６２０７０号記載の薄膜強度評価装置を用いて、実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、比較例１、比較例２にて作成したサンプルの薄膜部のヤング率（ＧＰａ）を測定する（表３）。
【００９３】
【表１】
2007168279.tif 000003
【００９４】
【表２】
2007168279.tif 000004
【００９５】
【表３】
2007168279.tif 000005
【００９６】
（１）（２）の評価における比較例１、比較例２のサンプルについて、磨耗が発生した箇所をレンズ反射測定機（ＯＬＹＭＰＵＳ社製ＵＳＰＭ−ＲＵ）にて測定した結果、得られる分光カーブより、表１、表２にて「傷多数」「膜剥離」と示した条件では、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面で層間剥離が起きていることが確認出来た。また、特に「膜剥離」と示した条件では、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面での層間剥離が完全に起きており、分光カーブからは、ハードコート層３ないしプライマー層４ないし高屈折率薄膜層１１までしか確認されなかった。
【００９７】
一方、（１）（２）の評価における実施例１、実施例２、実施例３、実施例４のサンプ
ルについては、膜自体に傷がついておらず、高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面で層間剥離が起きいないことが確認出来た。
【００９８】
本実施例１、２の導電性積層体１におけるスパッタ成膜層全てがＤＭＳ法、またはＰＭＳ法である場合、もしくは、本実施例２、３の導電性積層体１におけるスパッタ成膜層の内、基材から最も遠い低屈折率透明薄膜層６がＤＭＳ法、またはＰＭＳ法である場合は、ＤＭＳ法、ＰＭＳ法成膜層がＤＣ、ＲＦのマグネトロン・スパッタ膜、電子ビーム蒸着法と比較して緻密であるため、湿布擦傷試験に対し傷が入りにくく、結果として高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面での密着力が弱くても、剥離していないことが確認された。
【００９９】
これは、評価（３）の導電性積層体１における薄膜のヤング率測定結果より確認することが出来る。低屈折率透明薄膜層６をＲＦマグネトロン・スパッタリング法、電子ビーム蒸着法により成膜した比較例１、比較例２の薄膜のヤング率は、低屈折率透明薄膜層６のみをＤＭＳ法、ＰＭＳ法で成膜した実施例３、実施例４の薄膜のヤング率より低く、プライマー層４、導電性機能層５、低屈折率透明薄膜層６全てをＤＭＳ法、ＰＭＳ法で成膜した実施例１、実施例２のヤング率が最も高いことが確認出来る。本実施例、比較例より、薄膜のヤング率が少なくとも７５ＧＰａ以上であれば、湿布擦傷試験に対し傷が入りにくく、結果として高屈折率薄膜層１１／金属薄膜層１２界面、金属薄膜層１２／高屈折率薄膜層１３界面での密着力が弱くても、剥離しないことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明の導電性積層体は、ＣＲＴ、液晶表示装置、ＰＤＰ等の光学表示装置の前面に設けられるフィルタとして有用であり、前面に導電性積層体からなるフィルタを備えた光学表示装置（ディスプレイ）を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の導電性積層体の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の導電性積層体を成膜するロール・ツー・ロール型真空成膜装置の概略模式図である。
【図３】本発明の導電性積層体を成膜するロール・ツー・ロール型真空成膜装置の概略模式図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１    導電性積層体
２    基材
５    導電性機能層
７    防汚層
１１  高屈折率透明薄膜層（透明金属化合物層）
１２  金属薄膜層（金属層）
１３  高屈折率透明薄膜層（透明金属化合物層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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