(57)【要約】【課題】  高次横モードを抑制し、基本横モードの高出力化を実現することの可能な面発光レーザー素子を提供する。【解決手段】  第二反射鏡と、活性層と、第一反射鏡と、該第一反射鏡上に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層上に電気的に接続され、且つ開口部を有する第一電極とを少なくとも有する面発光レーザー素子において、前記コンタクト層には、基本横モード光の光出力分布のピークを含み、且つ高次横モード光の光出力分布のピークを含まないような開口径を有する開口部が設けられている。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第二反射鏡と、活性層と、第一反射鏡と、該第一反射鏡上に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層上に電気的に接続され、且つ開口部を有する第一電極とを少なくとも有する面発光レーザー素子において、前記コンタクト層には、基本横モード光の光出力分布のピークを含み、且つ高次横モード光の光出力分布のピークを含まないような開口径を有する開口部が設けられていることを特徴とする面発光レーザー素子。
【請求項２】
請求項１記載の面発光レーザー素子において、前記第一電極の開口部の開口径は、前記コンタクト層の開口部の開口径よりも大きいことを特徴とする面発光レーザー素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の面発光レーザー素子において、前記第一反射鏡と前記コンタクト層との間には、エッチストップ層が設けられていることを特徴とする面発光レーザー素子。
【請求項４】
第二反射鏡と、活性層と、第一反射鏡と、該第一反射鏡上に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層上に電気的に接続され、且つ開口部を有する第一電極と、前記第一反射鏡と前記コンタクト層との間に設けられるエッチストップ層とを有する面発光レーザー素子の製造方法において、前記コンタクト層を前記エッチストップ層までエッチングして前記コンタクト層に開口部を形成し、前記第一反射鏡を侵食しないエッチャントで前記エッチストップ層をエッチングして前記エッチストップ層に開口部を形成することを特徴とする面発光レーザー素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の面発光レーザー素子が複数個、配列されていることを特徴とする二次元面発光レーザーアレイ。
【請求項６】
請求項５記載の二次元面発光レーザーアレイと、該二次元面発光レーザーアレイから放出されたレーザー光を走査する走査手段とを有していることを特徴とする光走査装置。
【請求項７】
請求項６記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段と、画像形成時以外の時に、前記受光手段を二次元面発光レーザーアレイから放出されるレーザー光の光路上に挿入する挿入手段とがさらに設けられていることを特徴とする光走査装置。
【請求項８】
請求項６記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の一部を反射し残りのレーザー光を透過させる光学手段と、光学手段で反射されたレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段とがさらに設けられていることを特徴とする光走査装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイと受光素子との間に、所定の倍率でレーザー光を拡大する拡大手段がさらに設けられていることを特徴とする光走査装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の光走査装置において、主走査方向終端に１回の主走査終了を検知する主走査終了検知手段がさらに設けられており、主走査終了検知手段で検知された主走査終了検知信号と同期して副走査が行なわれるようになっていることを特徴とする光走査装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一項に記載の光走査装置が用いられることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザー素子及びその製造方法及び二次元面発光レーザーアレイ及び光走査装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真における画像記録において、高精細な画像品質を得るのに、レーザーを用いた画像形成方法が広く用いられている。電子写真の場合、感光性を有するドラムの軸方向にポリゴンミラーを用いてレーザーを走査（主走査）しつつ、ドラムを回転させ（副走査して）、潜像を形成する方法が一般的である。
【０００３】
一方、画像形成装置の分野（電子写真分野）では、画像の高精細化及び出力の高速化が求められている。これを実現するための１つの方法として、主走査・副走査速度を高速化するとともに、レーザーを高出力化するか、感光体を高感度化する方法が考えられるが、この方法により画像形成速度を向上させるには、レーザーの高出力化に伴う光源または高感度感光体の開発、主副走査の高速化によるそれを支持する筐体の補強、更には高速走査時の位置制御方法の開発等、多くの課題が発生し、多大なコストと時間を必要とする。また画像の高精細化について、画像の解像度が２倍になった場合、主走査・副走査方向ともに２倍の時間が必要となるため、画像出力時においては４倍の時間が必要となる。従って画像の高精細化を実現するには、画像出力の高速化も同時に達成する必要がある。
【０００４】
画像出力の高速化を達成するための別の方法として、レーザーをマルチビーム化する方法が考えられ、現在の高速出力機においては複数本のレーザーを用いるのが一般的となっている。レーザーをマルチビーム化することにより、１回の主走査で潜像の形成される領域が拡大され、ｎ本のレーザーを用いた場合、１本のレーザーを用いた場合と比較して、潜像形成領域はｎ倍となり、画像形成に必要な時間は１／ｎとなる。
【０００５】
このような例として、１つのチップに複数の端面発光型半導体レーザーを有するマルチビーム半導体レーザーが例えば特許文献１，特許文献２において提案されているが、そのような構成では構造上・コスト上の問題により、４ビーム（２ビーム×２、４ビーム×１）若しくは８ビーム（２ビーム×４、４ビーム×２）程度が限界であり、今後進展するであろう画像出力の高速化に対応することはできない。
【０００６】
これに対し、近年盛んに研究が行われている面発光レーザー素子（以下、ＶＣＳＥＬと記す）は二次元集積化が容易であり、より多くのＶＣＳＥＬを二次元集積することが可能で、集積方法を工夫することにより、実際のビームピッチをより狭く設定することが可能である。
【０００７】
しかしながら、一般的に、ＶＣＳＥＬは光出力が低く、上述のような画像記録に応用可能な基本横モード発振が報告されている例は極めて少ない。
【０００８】
ＶＣＳＥＬの基本横モード高出力化を抑制している原因の一つに高次横モードの発生が挙げられるが、ＶＣＳＥＬにおいては基本横モードは光軸近傍にピークを有する光出力分布を有するの対し、高次横モードは光軸から離れた位置にピークを有する光出力分布を持つ性質を持つので、この性質を利用し、何らかの方法により高次横モード発振を抑制することによって、ＶＣＳＥＬの基本横モード高出力化が実現可能になる。
【０００９】
このような課題に対していくつかの報告がなされており、例えば特許文献３においては、高次横モードの光出力分布におけるピークを含む領域の反射鏡の一部を除去し該領域の反射率を低下させることによって基本横モード光のみの抽出を試みている。しかしながら、特許文献３においては基本横モード光を抽出する領域においても高濃度のドーパントを含有するコンタクト層が存在し、これによって、基本横モード光が吸収されるため、効率的な手段とは言いがたい。
【００１０】
また、特許文献４においては、上部反射鏡上の電極開口部内にリング状の誘電体膜を形成し、該リング状の誘電体膜の開口部より基本横モードのみ抽出し、該リング状の誘電体膜直下の反射率を低下させることによって高次横モードの発振を抑制するようにしている。しかしながら、特許文献４の仕方によっても、特許文献３と同様に基本横モード光はコンタクト層を透過して外部へ放出されるため、コンタククト層による吸収・出力低下は避けられない。
【００１１】
また、特許文献５においては、基本横モードの発生する光軸から離れるに従い光学的損失を増大させることによって高次横モード発振を抑制し、基本横モードの高出力化が可能であるとしている。しかし現実的には高次横モードの抑制だけでなく、基本横モードに対しても悪影響が発生することが予想され、しかも上記光学的損失を決定する構造を安定して形成することがそもそも困難である。また、特許文献６は、特許文献５に類似しており、その着想・効果とも特許文献５と同様であり、その欠点についても同様である。
【００１２】
さらに、特許文献７においては、活性層より離れた位置にＡｌＧａＡｓからなる電流狭窄層を設け、これをもって横モード制御の機能を兼ね備えているとしているが、活性層より離れた位置で狭窄された電流は、活性層に到達するまでに拡散してしまい、閾値電流の増加を引き起こす恐れがある。
【特許文献１】特開平１１−３４０５７０号公報
【特許文献２】特開平１１−３５４８８８号公報
【特許文献３】特開２００３−１１５６３４号公報
【特許文献４】特許第３５６６９０２号
【特許文献５】特開平１０−５６２３３号公報
【特許文献６】特開２００２−３６８３３３号公報
【特許文献７】特開２００３−６９１５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、高次横モードを抑制し、基本横モードの高出力化を実現することの可能な面発光レーザー素子及びその製造方法及び二次元面発光レーザーアレイ及び光走査装置及び画像形成装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、第二反射鏡と、活性層と、第一反射鏡と、該第一反射鏡上に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層上に電気的に接続され、且つ開口部を有する第一電極とを少なくとも有する面発光レーザー素子において、前記コンタクト層には、基本横モード光の光出力分布のピークを含み、且つ高次横モード光の光出力分布のピークを含まないような開口径を有する開口部が設けられていることを特徴としている。
【００１５】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の面発光レーザー素子において、前記第一電極の開口部の開口径は、前記コンタクト層の開口部の開口径よりも大きいことを特徴としている。
【００１６】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２記載の面発光レーザー素子において、前記第一反射鏡と前記コンタクト層との間には、エッチストップ層が設けられていることを特徴としている。
【００１７】
また、請求項４記載の発明は、第二反射鏡と、活性層と、第一反射鏡と、該第一反射鏡上に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層上に電気的に接続され、且つ開口部を有する第一電極と、前記第一反射鏡と前記コンタクト層との間に設けられるエッチストップ層とを有する面発光レーザー素子の製造方法において、前記コンタクト層を前記エッチストップ層までエッチングして前記コンタクト層に開口部を形成し、前記第一反射鏡を侵食しないエッチャントで前記エッチストップ層をエッチングして前記エッチストップ層に開口部を形成することを特徴としている。
【００１８】
また、請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の面発光レーザー素子が複数個、配列されていることを特徴とする二次元面発光レーザーアレイである。
【００１９】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載の二次元面発光レーザーアレイと、該二次元面発光レーザーアレイから放出されたレーザー光を走査する走査手段とを有していることを特徴とする光走査装置である。
【００２０】
また、請求項７記載の発明は、請求項６記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段と、画像形成時以外の時に、前記受光手段を二次元面発光レーザーアレイから放出されるレーザー光の光路上に挿入する挿入手段とがさらに設けられていることを特徴としている。
【００２１】
また、請求項８記載の発明は、請求項６記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の一部を反射し残りのレーザー光を透過させる光学手段と、光学手段で反射されたレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段とがさらに設けられていることを特徴としている。
【００２２】
また、請求項９記載の発明は、請求項７または請求項８記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイと受光素子との間に、所定の倍率でレーザー光を拡大する拡大手段がさらに設けられていることを特徴としている。
【００２３】
また、請求項１０記載の発明は、請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の光走査装置において、主走査方向終端に１回の主走査終了を検知する主走査終了検知手段がさらに設けられており、主走査終了検知手段で検知された主走査終了検知信号と同期して副走査が行なわれるようになっていることを特徴としている。
【００２４】
また、請求項１１記載の発明は、請求項６乃至請求項１０のいずれか一項に記載の光走査装置が用いられることを特徴とする画像形成装置である。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１乃至請求項３記載の発明によれば、第二反射鏡と、活性層と、第一反射鏡と、該第一反射鏡上に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層上に電気的に接続され、且つ開口部を有する第一電極とを少なくとも有する面発光レーザー素子（ＶＣＳＥＬ）において、前記コンタクト層には、基本横モード光の光出力分布のピークを含み、且つ高次横モード光の光出力分布のピークを含まないような開口径を有する開口部が設けられているので、高次横モードを抑制し、基本横モードの高出力化を実現することができる。すなわち、基本横モードのみからなる高出力単一モードレーザー光を得ることができる。このように、本発明では、ＶＣＳＥＬ構造中に必然的に含まれる不純物による光吸収を積極的に利用し、高次横モードのみを選択的に吸収させることによって、基本横モードの高出力化を実現することができる。
【００２６】
また、請求項４記載の発明によれば、第二反射鏡と、活性層と、第一反射鏡と、該第一反射鏡上に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層上に電気的に接続され、且つ開口部を有する第一電極と、前記第一反射鏡と前記コンタクト層との間に設けられるエッチストップ層とを有する面発光レーザー素子の製造方法において、前記コンタクト層を前記エッチストップ層までエッチングして前記コンタクト層に開口部を形成し、前記第一反射鏡を侵食しないエッチャントで前記エッチストップ層をエッチングして前記エッチストップ層に開口部を形成するので、基本横モードのみからなる高出力単一モードレーザー光を放出する面発光レーザー素子を安定して得ることができる。
【００２７】
また、請求項５記載の発明によれば、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の面発光レーザー素子が複数個、配列されていることを特徴とする二次元面発光レーザーアレイ（二次元ＶＣＳＥＬアレイ）であるので、特性の均一な基本横モードのみからなる高出力単一モードレーザー光を放出する二次元面発光レーザーアレイを提供することができる。
【００２８】
また、請求項６乃至請求項１０記載の発明によれば、請求項５記載の二次元面発光レーザーアレイと、該二次元面発光レーザーアレイから放出されたレーザー光を走査する走査手段とを有していることを特徴とする光走査装置であるので、複数のレーザー光で複数のラインを同時に走査することが可能となり、潜像を高速に（短時間で）形成することができる。
【００２９】
特に、請求項７記載の発明では、請求項６記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段と、画像形成時以外の時に、前記受光手段を二次元面発光レーザーアレイから放出されるレーザー光の光路上に挿入する挿入手段とがさらに設けられており、レーザー光出力を検知して二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御するので、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子からのレーザー光出力を均一に保つことができて、均一な潜像を安定して形成することができる。
【００３０】
また、請求項８記載の発明では、請求項６記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の一部を反射し残りのレーザー光を透過させる光学手段と、光学手段で反射されたレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段とがさらに設けられており、潜像形成中であってもレーザー光出力を検知して二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御するので、面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子からのレーザー光出力を均一に保つことができて、均一な潜像を安定して形成することができる。
【００３１】
また、請求項９記載の発明では、請求項７または請求項８記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイと受光素子との間に、所定の倍率でレーザー光を拡大する拡大手段がさらに設けられているので、二次元面発光レーザーアレイ中の個々の面発光レーザー素子のレーザー光出力を同時に独立して検知することができ、二次元面発光レーザーアレイ中の個々の面発光レーザー素子のレーザー光出力を均一に保つことができる。
【００３２】
また、請求項１０記載の発明では、請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の光走査装置において、主走査方向終端に１回の主走査終了を検知する主走査終了検知手段がさらに設けられており、主走査終了検知手段で検知された主走査終了検知信号と同期して副走査が行なわれるようになっているので、高品質な画像形成を行なうことができる。
【００３３】
また、請求項１１記載の発明によれば、請求項６乃至請求項１０のいずれか一項に記載の光走査装置が用いられることを特徴とする画像形成装置（電子写真装置）であるので、画像（電子写真画像）を高速に出力することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３５】
（第１の形態）
垂直共振器型面発光レーザー（以下、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザー素子）と称す）は、端面発光型レーザーに比べて、発光領域が狭く駆動電流が低いこと、高速変調が容易なこと、二次元集積化が容易なこと等の理由により、近年盛んに研究開発が行われており、光通信分野を中心に様々な応用分野が検討されている。
【００３６】
しかしながら、従来のＶＣＳＥＬは光出力が低く、１ｍＷ以下であったため、応用範囲は極めて限定されていた。光出力を制限する主たる原因は、従来のＶＣＳＥＬでは発光領域径を数μｍ以下まで狭めることにより基本横モード発振を得ていたため、発光領域が狭いことが挙げられる。
【００３７】
図１に示すように、一般にＶＣＳＥＬの基本横モード発振は導波路中心（光軸）近傍にピークを有する光出力分布を持ち、高次横モードはそこから僅かに離れた周辺部にピークを有する光出力分布を持つ。従って、導波路中心周辺部の高次横モード光を除去することによって、高いＳ／Ｎ比を有する基本横モード光を効果的に抽出することができる。
【００３８】
ＶＣＳＥＬの導波路内には定在波が存在し、ＶＣＳＥＬを構成する反射鏡各層の界面は上記定在波の節の位置若しくは腹の位置になるよう設計されている。一方、一般的なＶＣＳＥＬにおいては、上記反射鏡を通して活性層に電流注入を行うため、反射鏡中にドーピングを行っている。これに対し、半導体材料中のドーパントはレーザー光を吸収する性質を有していることが知られており、このため反射鏡中のドーピング濃度は極力低く抑える必要があるが、極端に低いドーピング濃度は、素子抵抗の上昇・ジュール熱の発生を促し、これによって素子の発光特性が大きく低下する。また、ドーパントによる吸収は一様ではなく、上記定在波の節の位置では吸収効率は低下し、腹の位置では吸収効率が増加することが知られている。従って、上記課題を同時に解決する方法として、図２に示すように反射鏡中の定在波の振幅の変動に合わせてドーピング濃度を調整する方法、即ち定在波の節の位置においてはドーピング濃度を高く設定し、腹の位置においてはドーピング濃度を低く設定する手法がＶＣＳＥＬ設計においては一般的に用いられている。
【００３９】
また、ＶＣＳＥＬに電流注入を行うため、構造中に高ドーピング濃度のコンタクト層を設ける必要がある。一方、反射鏡の反射率を高めるためには高屈折率層によって反射鏡を終端させる必要があり、必然的にコンタクト層は上記定在波の腹の位置に設定されるのが一般的であるが、上述のように定在波の腹の位置においてはドーパントの光吸収効率が高く、光出力の観点からは適当な構造であるとは言い難い。しかもこのような構造では、基本横モード光と高次横モード光は全く同一の構造より放出されるため、高次横モード光のみを選択的に除去することは不可能で、基本横モード光の出力を向上させるために注入電流を増加させると、必然的に高次横モード光の増加をも誘発する。
【００４０】
図３は本発明を説明するための図であり、図２においてコンタクト層の一部を除去して（コンタクト層に開口径ａの開口部を設けて）、これを基本横モード光の射出口としたものとなっている。すなわち、図３においては、基本横モード光は通常どおり増幅・発振するが、基本横モード光の周辺にピークを有する出力分布を持つ高次横モード光についてはドーピング濃度の高いコンタクト層によって吸収され、高次横モード光の大部分が吸収される。その結果、ＶＣＳＥＬへの電流注入量を増加させた場合であっても、高次横モード光の出力を増加させることなく基本横モード光を外部へ抽出させることができる。この時、上記コンタクト層の開口径ａは、図１中Ａで示すような基本横モード光の光出力分布のピークを含み、且つ高次横モード光の光出力分布のピークを含まないよう設定されなければならない。また、高屈折率層と低屈折率層との間（界面）、及びコンタクト層と高屈折率層との間（界面）のバンドギャップ差が大きくなって該界面の抵抗が上昇するのを抑制するため、組成傾斜層を挿入した構成であっても構わない。
【００４１】
図３に示したコンタクト層に電気的に接続される電極はリフトオフ法により形成されるのが一般的であるが、その場合、形成された電極周辺にバリが出やすい。バリが上記射出口付近に存在する場合、それは遮蔽部材として働き、基本横モード光の一部を反射，吸収し、光出力の低下を引き起こす。これに対し、図３に示したように、射出口の開口径をａ、電極部の開口径をｂとするとき、ａ＜ｂなる関係が成立している場合、基本横モード光はバリの影響を一切受けることはなく、効率的に基本横モード光のみを抽出することができる。
【００４２】
本発明における構成は、上部反射鏡上にコンタクト層を有する比較的一般的な形態であるのに対し、ＶＣＳＥＬの共振器内部にコンタクト層を有するイントラキャビティコンタクト構造が提案されている。このイントラキャビティコンタクト構造の形態においては、反射鏡をアンドープにできること、定在波の節の位置にコンタクト層を設定できることなどが主な利点として挙げられるが、本発明のようにコンタクト層を加工して基本横モード光の高出力化を実現することはできない。
【００４３】
なお、図３においては便宜上、高屈折率層と低屈折率層との厚さをほぼ等しく示しているが、実際には、それぞれの屈折率と定在波の波長に応じた厚さに調整されている。
【００４４】
上記のように、本発明の第１の形態では、第二反射鏡（下部反射鏡）と、活性層と、第一反射鏡（上部反射鏡）と、該第一反射鏡（上部反射鏡）上に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層上に電気的に接続され、且つ開口部を有する第一電極（上部電極）とを少なくとも有するＶＣＳＥＬ（面発光レーザー素子）において、前記コンタクト層には、基本横モード光の光出力分布のピークを含み、且つ高次横モード光の光出力分布のピークを含まないような開口径を有する開口部が設けられていることを特徴としている。これにより、高次横モードを抑制し、基本横モードの高出力化を実現することができる。
【００４５】
特に、前記第一電極（上部電極）の開口部の開口径は、前記コンタクト層の開口部の開口径よりも大きいことが望ましい。前記第一電極（上部電極）の開口部の開口径が前記コンタクト層の開口部の開口径よりも大きい場合には、基本横モード光は電極周辺のバリの影響を一切受けることはなく、効率的に基本横モード光のみを抽出することができる。
【００４６】
（第２の形態）
ＶＣＳＥＬに用いられる反射鏡においては、それを構成する高屈折率層及び低屈折率層の厚さは、通常、発振波長に応じてその１／４に正確に設定されている。この時、各層の厚さが不正確で、発振波長の１／４からずれている場合、反射鏡の反射率が低下し、発振閾値電流の増加や光出力の低下を引き起こす。従って、反射鏡の除去する厚さについては正確に制御されなければならないが、第１の形態のように（図３のように）コンタクト層に開口部を形成するエッチング工程の一貫として反射鏡の一部を除去する場合には、反射鏡の除去する厚さを正確に制御するには限度がある。
【００４７】
本発明の第２の形態は、上記の問題を解決するため、第１の形態のＶＣＳＥＬ（面発光レーザー素子）において、前記第一反射鏡（上部反射鏡）と前記コンタクト層との間には、エッチストップ層が設けられていることを特徴としている。
【００４８】
図４は本発明の第２の形態を説明するための図であり、図４には、コンタクト層と上部反射鏡の最上部低屈折率層との間にエッチストップ層が設けられた構成が示されている。
【００４９】
この場合、上部反射鏡上の開口部（基本横モード光の射出口）は、次のように作製される。すなわち、コンタクト層をエッチストップ層までエッチングしてコンタクト層に開口部を形成し、上部反射鏡を侵食しないエッチャントでエッチストップ層をエッチングしてエッチストップ層に開口部を形成する。ここで、上部反射鏡の除去する厚さのところにエッチストップ層を設ければ、コンタクト層の開口部をエッチングする工程で、上部反射鏡もエッチストップ層のところまで（すなわち、上部反射鏡の除去する厚さのところまで）、正確に除去（エッチング）することができる。このように、エッチストップ層を所定の位置に設けることによって、上部反射鏡（第一反射鏡）を所定の厚さだけ正確に除去することができる。
【００５０】
反射鏡の一部を除去する具体的な方法としては、ＲＩＥ等のドライエッチング法やウェットエッチング法が一般的によく用いられている。しかし、前者については深さ方向の位置精度は決して高くはなく、エッチング量にばらつきが生じやすい。その結果、上述の如く反射鏡を構成する材料の厚さが不均一になる恐れがある。これに対し、後者については適当な材料を選定することにより、正確にエッチング量を設定することができる。
【００５１】
例えば、コンタクト層を構成する材料としてＧａＡｓ、エッチストップ層としてＧａＩｎＰ、反射鏡としてＡｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ／Ａｌ０．９３Ｇａ０．０７Ａｓ（高屈折率層／低屈折率層）を用いる場合、コンタクト層及び反射鏡は硫酸系エッチャントにより侵食されるが、エッチストップ層は侵食されない。また、塩酸系エッチャントを用いる場合、エッチストップ層は侵食されるが、コンタクト層及び反射鏡は侵食されない。従って、例えば、上部反射鏡の除去する厚さのところにエッチストップ層を設けるとき、コンタクト層に硫酸系エッチャントによって開口部を形成する工程で、エッチストップ層の位置まで（すなわち、反射鏡の所定の厚さだけ）反射鏡を正確に除去することができる。コンタクト層に硫酸系エッチャントによって開口部を形成し、また、反射鏡を所定の厚さだけ除去した後、エッチストップ層に塩酸系エッチャントによって開口部を形成する。このとき、その下の反射鏡の部分はエッチングされずに済む。このように、エッチストップ層を設けることによって、反射鏡を硫酸系エッチャントによって所定の厚さだけ正確にエッチング（除去）することができる。
【００５２】
このように、ＶＣＳＥＬを構成する材料とエッチャントを適当に選定することにより、図４に示したように、反射鏡を構成する高屈折率層と低屈折率層の厚さを正確に設定したＶＣＳＥＬを製造することができる。
【００５３】
（第３の形態）
近年電子写真分野においては、より一層の画像出力の高速化、画像の高密度化が求められている。このような要求に対し、これまではポリゴンミラーの高速化及びレーザー出力の向上によって対応していた。
【００５４】
現在の電子写真において画像形成を行う際には、レーザー光を高速回転するポリゴンミラーにより反射し、画像情報に応じて感光体の主走査方向に一列照射した後、感光体ドラムを副走査方向に一画素分走査するという工程を繰り返すことによって、潜像形成を行っていた。感光体上に潜像を形成する際には単位面積あたり一定のエネルギー以上のレーザー光を照射する必要があるため、潜像形成の高速化を達成するためには、ポリゴンミラーの回転速度を向上させるだけではなく、同時にレーザー出力も向上させなければならない。しかしポリゴンミラーの回転数やレーザー出力の向上には限界があり、特に前者については現在の２−３倍程度が限界である。
【００５５】
画像形成の高速化を実現する他の方法としては、レーザーのマルチビーム化が考えられる。マルチビームレーザーを用いて潜像形成を行う場合、ポリゴンミラーを用いて感光体上を主走査方向に走査する際、一回の走査でレーザーの本数に応じて同時に複数列走査できるので、ポリゴンミラーの回転数や、レーザー出力は従来どおりであっても、より高速に潜像形成を実現することができる。しかし、従来より用いられている端面発光型半導体レーザーは、マルチビーム化において一次元アレイ以外実現することが困難であり、また消費電力が大きいため互いの熱干渉による出力・寿命低下を防止することが困難である。またそれを実現したとしても、非常に煩雑な工程を必要とし、単素子の端面発光型半導体レーザーと比較して大幅なコストアップは避けられない。この傾向はビーム数が増加するほど顕著となり、今後の画像形成の高速化に対応することは困難である。なお、単素子の単面発光型半導体レーザーを複数用いる場合は、素子数と同数の光学系が必要となるため、大幅なコストアップが不可避であることは言うまでもない。
【００５６】
一方、これらの問題を同時に解決する手段として、上述のＶＣＳＥＬをアレイ化した書込み光源が考えられる。ＶＣＳＥＬはレーザー光を基板に対して垂直に取り出すことが可能であるため、発光素子の高度な集積が容易である。しかし、画像形成においては個々のレーザーの均一性が重要であるため、多数の素子を集積する場合、それらの均一性を確保することが重要課題となる。
【００５７】
ＶＣＳＥＬアレイ（面発光レーザーアレイ）の作製においては様々な工程があるが、個々のＶＣＳＥＬの特性を均一にする場合、個々のＶＣＳＥＬの形状及び構造を均一にしなければならない。しかし例えばメサを形成する工程において、ドライエッチング法やウェットエッチング法のいずれを用いた場合であっても、個々のメサ径を均一にすることは困難である。また活性層への注入電流密度を高めるための酸化狭窄構造を形成する工程においても、酸化狭窄径を均一にすることは困難で、最終的な個々のＶＣＳＥＬにおいて発光領域径のばらつきが必ず存在する。
【００５８】
これに対し、第１，第２の形態で示した構成のＶＣＳＥＬにおいては、ＶＣＳＥＬ内の定在波の腹を含む位置に設定されたコンタクト層によって射出領域が限定されており、この射出領域は精度の高いフォトリソグラフィ法によって形成されるため、複数のＶＣＳＥＬの個々のビーム径を均一にすることができる。
【００５９】
図５は本発明の第３の形態を説明するための図であり、図５の例では、第１または第２の形態のＶＣＳＥＬを複数個、同一基板に配列した二次元ＶＣＳＥＬアレイ（二次元面発光レーザーアレイ）が示されている。図５の例においては、第一の基線上にＶＣＳＥＬを等間隔に配置し、また、第一の基線上のＶＣＳＥＬ中心を通り第一の基線に対し所定の角θをなす第二の基線上にＶＣＳＥＬを等間隔に配置し、その時、第二の基線上のＶＣＳＥＬ中心から第一の基線への正射影点が等間隔（ｄ）になるようにしている。
【００６０】
このように、第３の形態では、第１または第２の形態の面発光レーザー素子（ＶＣＳＥＬ）が複数個、配列されていることを特徴とする面発光レーザーアレイ（ＶＣＳＥＬアレイ）であるので、面発光レーザーアレイを図５に示すような二次元ＶＣＳＥＬアレイとすることができるとともに、さらに、特性の均一な基本横モードのみからなる高出力単一モードレーザー光を放出するＶＣＳＥＬアレイを提供することができる。
【００６１】
（第４の形態）
本発明の第４の形態は、第３の形態の二次元面発光レーザーアレイ（二次元ＶＣＳＥＬアレイ）と、該二次元面発光レーザーアレイから放出されたレーザー光を走査する走査手段とを有していることを特徴とする光走査装置である。
【００６２】
より具体的に、この第４の形態の光走査装置は、第３の形態の二次元面発光レーザーアレイ（二次元ＶＣＳＥＬアレイ）と、該二次元面発光レーザーアレイより放出されたレーザー光を平行ビームに変換する手段と、該平行ビームを走査する走査手段と、走査された平行ビームより同一平面上に焦点が得られるよう変換する手段とを有している。
【００６３】
図６は本発明の第４の形態の光走査装置の具体例を示す図であり、図６の例では、光走査装置は、第３の形態の二次元ＶＣＳＥＬアレイ、コリメータレンズ（面発光レーザーアレイより放出されたレーザー光を平行ビームに変換する手段）、ポリゴンミラー（走査手段）、ｆθレンズ（走査された平行ビームより同一平面上に焦点が得られるよう変換する手段）より構成されている。図６において、ポリゴンミラーの回転軸は紙面に対し垂直に設定されており、図５に示した二次元ＶＣＳＥＬアレイの第一の基線は、主走査方向に対し垂直に（副走査方向に対し平行に）、即ち紙面に対し垂直に設定されている。また、コリメータレンズは、二次元ＶＣＳＥＬアレイより放出されるあらゆるレーザー光を全て含む大きさに設計されている。なお、図６の光走査装置は、レーザー光を走査して感光体ドラムに画像を形成する画像形成装置に利用されるものとなっている。
【００６４】
図６の構成では、二次元ＶＣＳＥＬアレイより放出されたレーザー光はコリメータレンズによって平行ビームに変換された後、ポリゴンミラーによって主走査方向に走査され、主走査方向に走査されたレーザー光はｆθレンズによって感光体ドラム上の全ての位置において焦点が得られるように設定されている。
【００６５】
実際の画像形成においては、ポリゴンミラーによって走査されたレーザー光は、図６において左から右へ走査される。この時、二次元ＶＣＳＥＬアレイは、画像情報に応じて図示しない駆動回路によって駆動されている。一回の主走査が完了すると、それと同期して直ちに副走査が開始されるが、従来の光走査装置においては一つの光源しか有していなかったため、一回の主走査で書込まれるのは１行であるから、副走査は１行分のみなされていた。しかし、本発明においては、複数の光源（複数のＶＣＳＥＬ）を有しているため、一回の主走査で光源の数に対応した行数を書込むことが可能である。従って一回の副走査で走査される行数も同様にそれに対応した行数分実施される。
【００６６】
本発明においては、レーザー光のピッチは、図５においてｄによって示される間隔であるが、主走査時に感光体への画像書込む場合、第一の基線に対する各ＶＣＳＥＬのオフセット量を考慮して実施することにより、感光体上での各ＶＣＳＥＬからのビームを一直線上に配置することができる。
【００６７】
一般に、同等の光出力，ポリゴンミラー回転速度を有する光書込み系においては、レーザー本数がｎ本になった場合、感光体ドラム一回転に要する書込み時間は１／ｎとなり、従来と比較して大幅な高速書込みが可能となる。
【００６８】
このように、第４の形態では、第３の形態の二次元面発光レーザーアレイと、該二次元面発光レーザーアレイから放出されたレーザー光を走査する走査手段とを有していることを特徴とする光走査装置であるので、複数のレーザー光で複数のラインを同時に走査することが可能となり、潜像を高速に（短時間で）形成することができる。
【００６９】
（第５の形態）
本発明の第５の形態は、第４の形態の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイ（二次元ＶＣＳＥＬアレイ）の各面発光レーザー素子（ＶＣＳＥＬ）から放出されるレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段と、画像形成時以外の時に、前記受光手段を二次元面発光レーザーアレイから放出されるレーザー光の光路上に挿入する挿入手段とがさらに設けられていることを特徴としている。
【００７０】
図７は第５の形態の光走査装置の具体例を示す図であり、図７の例では、光走査装置には、図６の構成例において、二次元ＶＣＳＥＬアレイの各ＶＣＳＥＬから放出されたレーザー光を検知する受光手段と、該受光手段をＶＣＳＥＬアレイと走査手段（ボリゴンミラー）との間に挿入する挿入手段（図示せず）とがさらに設けられている。
【００７１】
一般に半導体レーザーは、通電と共に徐々に出力が低下する現象が確認されており、この現象は多かれ少なかれあらゆる半導体レーザーについて当てはまる。レーザー出力の変動は、潜像形成における感光体上の電位むらとなって現れ、最終的には画像の濃度むらとなって観察される。従って、均一な濃度の画像を形成する際には、レーザー光出力を均一にしなければならない。
【００７２】
図７の例では、受光手段は、画像形成時には図７のａに示す光路外の位置にあるが、画像非形成時には、図示しない挿入手段（移動手段）によって図７のｂに示す光路内の位置に挿入される。これによって、光路上に挿入された受光手段は、ＶＣＳＥＬアレイの各ＶＣＳＥＬから放出されるレーザー光の光出力を検知し、その結果に基づいて各ＶＣＳＥＬへの注入電流を補正する。これにより、ＶＣＳＥＬアレイの各ＶＣＳＥＬから放出されるレーザー光出力を均一に保つことができる。
【００７３】
このように、本発明の第５の形態では、第４の形態の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段と、画像形成時以外の時に、前記受光手段を二次元面発光レーザーアレイから放出されるレーザー光の光路上に挿入する挿入手段とがさらに設けられており、レーザー光出力を検知して二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御するので、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子からのレーザー光出力を均一に保つことができて、均一な潜像を安定して形成することができる。
【００７４】
（第６の形態）
本発明の第６の形態は、第４の形態の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイ（二次元ＶＣＳＥＬアレイ）の各面発光レーザー素子（ＶＣＳＥＬ）から放出されるレーザー光の一部を反射し残りのレーザー光を透過させる光学手段（例えば、ハーフミラー）と、光学手段で反射されたレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段とがさらに設けられていることを特徴としている。
【００７５】
図８は第６の形態の光走査装置の具体例を示す図であり、図８の例では、光走査装置には、図６の構成例において、二次元ＶＣＳＥＬアレイの各ＶＣＳＥＬから放出されたレーザー光の一部を反射し、残りのレーザー光を透過させるハーフミラーと、ハーフミラーで反射されたレーザー光の光出力を検知する受光手段とがさらに設けられている。
【００７６】
前述した第５の形態の光走査装置の構成においては、画像形成時において全てのレーザー光を潜像形成に用いることができる反面、受光手段の移動手段の設置や該受光手段の位置精度向上のために、構成が複雑になる恐れがあった。
【００７７】
これに対し、第６の形態の光走査装置では、光学手段（ハーフミラー）によってレーザー光の一部を分離・反射し、反射光を受光手段で検出することにより、レーザー光の出力ロスは避けられないが、一切の移動手段（挿入手段）を設けることなく、各ＶＣＳＥＬから放出されるレーザー光の光出力を検知し、各ＶＣＳＥＬへの注入電流を補正して、各ＶＣＳＥＬから放出されるレーザー光出力を均一に保つことができる。また、この第６の形態によれば、潜像形成中であっても光出力の検出が可能であり、潜像形成中に各ＶＣＳＥＬのレーザー光出力が変動した場合であっても、注入電流の補正，レーザー光出力の調整が可能である。
【００７８】
このように、本発明の第６の形態では、第４の形態の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の一部を反射し残りのレーザー光を透過させる光学手段と、光学手段で反射されたレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段とがさらに設けられており、潜像形成中であってもレーザー光出力を検知して二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御するので、面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子からのレーザー光出力を均一に保つことができて、均一な潜像を安定して形成することができる。
【００７９】
（第７の形態）
本発明の第７の形態は、第５または第６の形態の光走査装置において、前記二次元面発光レーザーアレイ（二次元ＶＣＳＥＬアレイ）と前記受光手段との間に、所定の倍率でレーザー光を拡大する拡大手段がさらに設けられていることを特徴としている。
【００８０】
図９は第７の形態の光走査装置の具体例を示す図であり、図９の例では、図８の構成例において、ハーフミラーと受光手段との間に、二次元ＶＣＳＥＬアレイから放出されたレーザー光を所定の倍率で拡大する拡大手段（例えば拡大レンズ）が設けられ、受光手段は、拡大手段で拡大されたレーザー光の光出力を検知するように構成されている。
【００８１】
二次元ＶＣＳＥＬアレイの各ＶＣＳＥＬから放出される各レーザー光は、実際には互いの間隔が狭いため、各ＶＣＳＥＬから同時にレーザー光が出射されるとき、受光手段においてそれぞれのレーザー光を正確に分離して検出するのは難しい。従って、前述した第４，第５の形態において、受光手段で各ＶＣＳＥＬからの個々のレーザー光を検出する場合、ＶＣＳＥＬアレイの各ＶＣＳＥＬをそれぞれ個別に（例えば順次に）駆動する必要があった。
【００８２】
これに対し、この第７の形態では、二次元ＶＣＳＥＬアレイの各ＶＣＳＥＬからのレーザー光のビームピッチを拡大手段（拡大レンズ）によって拡大しているため、各ＶＣＳＥＬが同時に駆動され、各ＶＣＳＥＬから同時にレーザー光が出射されても、受光手段においてそれぞれのレーザー光を正確に分離して検知することができる。
【００８３】
なお、図９の例においては、図８の構成に拡大レンズを追加して、個々のレーザー光を分離・検知しているが、図７の構成に拡大レンズを追加した構成であっても構わない。その場合、画像形成時においては、拡大レンズは、受光手段とともに、図７のａに示す光路外の位置にあり、画像非形成時においては、拡大レンズは、図示しない挿入手段によって図７のｂに示す光路内の位置に受光手段と連動して挿入されなければならない。
【００８４】
（第８の形態）
本発明の第８の形態は、第４乃至第７のいずれかの形態の光走査装置において、主走査方向終端に１回の主走査終了を検知する主走査終了検知手段がさらに設けられており、主走査終了検知手段で検知された主走査終了検知信号と同期して副走査が行なわれるようになっていることを特徴としている。
【００８５】
図１０は第８の形態の光走査装置の具体例を示す図であり、図１０の例では、図６の光走査装置において、主走査方向終端に、主走査終了検知手段としての光センサが設けられている。
【００８６】
電子写真においては、図１０におけるポリゴンミラー（走査手段）による主走査が終了した後、感光体ドラムを副走査方向に所定の量走査することの繰り返しによって画像形成がなされている。従って、主走査と副走査はあらかじめ決められたタイミングによって行われているが、ポリゴンミラーの回転むらにより上記タイミングにずれが生じ、１つの画像分の主走査を完了する間にそのずれが蓄積し、高品質な画像形成を妨げる恐れがある。
【００８７】
これに対し、第８の形態においては、主走査方向終端に、走査されたレーザー光を検知する主走査終了検知手段（図１０の光センサ）を設け、光センサからの１回の主走査終了の信号と同期して副走査を行うことにより（感光体ドラムの副走査方向への走査制御を行なうことにより）、ポリゴンミラーの回転むらによる画像品質の低下を防止することができ、高品質な画像形成を行うことができる。
【００８８】
なお、第８の形態において、潜像形成プロセスについては、副走査の実施を主走査終了検知手段より得られる主走査終了の信号をトリガとして行う以外は、第４の形態で説明したものと同様である。
【００８９】
また、図１０の例では、図６の構成例に適用した場合を示したが、図７，図８，図９の構成例にも、同様に適用できる。
【００９０】
（第９の形態）
本発明の第９の形態は、第４乃至第８のいずれかの形態の光走査装置が用いられることを特徴とする画像形成装置（電子写真装置）である。
【００９１】
ここで、画像形成装置としては、例えば、複写機，プリンタ，ファクシミリ、あるいは、これらの複合機などが挙げられる。
【００９２】
図１１は第９の形態の画像形成装置（電子写真装置）の具体例を示す図であり、図１１において、光走査装置には、第４乃至第８のいずれかの形態の光走査装置が用いられている。
【００９３】
以下に、図１１の画像形成装置（電子写真装置）を用いた画像形成プロセス（電子写真形成プロセス）を示す。
【００９４】
図１１の電子写真装置では、帯電ユニットにより感光体ドラム上を一様に帯電した後、光走査装置により潜像を形成する。潜像形成プロセスについては第４の形態で説明したものと同様である。潜像が形成された後、電荷により形成された潜像に現像ユニットによりトナー現像を施す。次いで、図示しない給紙ユニットにより供給された記録紙に、転写ユニットによりトナー画像を転写する。そして、記録紙上に転写されたトナー画像を図示しない定着ユニットにより熱定着し、電子写真画像形成が完了する。一方、トナー画像を転写した感光体ドラム上の潜像を除電ユニットにより消去した後、感光体ドラム上に残留したトナーをクリーニングユニットにより除去する。以上のプロセスを繰り返し実行することで、電子写真画像を連続且つ高速に出力することができる。
【実施例１】
【００９５】
実施例１では、第２の形態（図４）で示したＶＣＳＥＬの具体的な構成について説明する。図１２（ａ）は実施例１のＶＣＳＥＬ全体の構成を示す図であり、また、図１２（ｂ）は図１２（ａ）で示したＶＣＳＥＬのｐ側電極近傍の詳細図を示す。
【００９６】
この実施例１においては、図１２（ａ）に示すように、第一反射鏡（上部反射鏡）としてＡｌ０．９３Ｇａ０．０７Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ  ｐ−ＤＢＲ、第二反射鏡（下部反射鏡）としてＡｌＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ  ｎ−ＤＢＲ、スペーサ層としてＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ、活性層としてＩｎＧａＡｓＰ  ＳＱＷを用い、半導体基板としてｎ−ＧａＡｓ  （１００）基板、第一電極（上部電極；ｐ側電極）としてＡｕ，Ｚｎ，Ｃｒを含有するオーミック電極、第二電極（下部電極（基板裏面の電極）；ｎ側電極）としてＡｕ，Ｇｅ，Ｎｉを含有するオーミック電極を用いた。なお、活性層中であるＩｎＧａＡｓＰは、発振波長が７８０ｎｍになるように組成を調整している。
【００９７】
また、図１２（ｂ）を参照すると、ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチストップ層よりも上方にあるｐ−ＧａＡｓコンタクト層、ｐ−Ａｌ０．９３Ｇａ０．０７Ａｓ低屈折率層、及び該ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐエッチストップ層の一部が除去されており、レーザー光射出口を形成している。また、上記ｐ−ＧａＡｓコンタクト層にはドーパントとしてＣが高濃度（２×１０１９／ｃｍ３）にドーピングされており、且つＶＣＳＥＬ内部の定在波の腹を含む位置に設定されているので、射出口以外の領域ではレーザー光は吸収され外部へ放出されることはない。
【００９８】
一方、基本横モード光はＶＣＳＥＬの中心軸近傍に発生するため射出口より取り出すことが可能であるが、中心軸周辺に発生する高次横モード光はｐ−ＧａＡｓコンタクト層に吸収されるため外部へは放出されない。
【００９９】
このようにして、第２の形態で示したＶＣＳＥＬを用いることにより、基本横モード光のみからなる高出力な単一モードレーザー光を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】面発光レーザー素子（ＶＣＳＥＬ）の基本横モード，高次横モードの光出力分布を示す図である。
【図２】一般的なＶＣＳＥＬの構成を説明するための図である。
【図３】本発明を説明するための図である。
【図４】本発明の第２の形態を説明するための図である。
【図５】本発明の第３の形態を説明するための図である。
【図６】本発明の第４の形態の光走査装置の具体例を示す図である。
【図７】本発明の第５の形態の光走査装置の具体例を示す図である。
【図８】本発明の第６の形態の光走査装置の具体例を示す図である。
【図９】本発明の第７の形態の光走査装置の具体例を示す図である。
【図１０】本発明の第８の形態の光走査装置の具体例を示す図である。
【図１１】本発明の第９の形態の画像形成装置（電子写真装置）の具体例を示す図である。
【図１２】実施例１の面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ）を説明するための図である。
【図１】
2007158153.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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