(57)【要約】      （修正有）【課題】二酸化炭素が混入された加工水の滞留を防止することができる加工水供給手段を備えた切削装置を提供する。【解決手段】加工水供給手段は、純水を供給する純水供給手段５１と、二酸化炭素を供給する二酸化炭素供給手段５２と、純水に二酸化炭素を混入せしめる二酸化炭素混入器５３と、二酸化炭素混入器において純水に二酸化炭素が混入された加工水を加工水供給ノズルに供給する加工水供給経路５４と、加工水供給経路に配設され切削装置の稼動時に開路し稼動停止時に閉路せしめられる第１の切換弁５５と、加工水供給経路における第１の切換弁と二酸化炭素混入手段との間に接続された排水経路５６と、排水経路に配設され切削装置の稼動時に閉路し稼動停止時に開路せしめられる第２の切換弁５７とを具備する。【選択図】図２
2007331071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に加工水を供給する加工水供給ノズルを備え被加工物に加工水を供給しつつ切削する切削手段と、該加工水供給ノズルに加工水を供給する加工水供給手段と、を具備する切削装置において、
該加工水供給手段は、純水を供給する純水供給手段と、二酸化炭素を供給する二酸化炭素供給手段と、該純水供給手段から純水供給経路を介して供給される純水に該二酸化炭素供給手段から供給される二酸化炭素を混入せしめる二酸化炭素混入器と、該二酸化炭素混入器において純水に二酸化炭素が混入された加工水を該加工水供給ノズルに供給する加工水供給経路と、該加工水供給経路に配設され切削装置の稼動時に開路し稼動停止時に閉路せしめられる第１の切換弁と、該加工水供給経路における該第１の切換弁と該二酸化炭素混入手段との間に接続された排水経路と、該排水経路に配設され切削装置の稼動時に閉路し稼動停止時に開路せしめられる第２の切換弁と、を具備している、
ことを特徴とする切削装置。
【請求項２】
該排水経路における該第２の切換弁より下流側に配設され、該第２の切換弁を介して排出される加工水を該純水供給経路に還流する加工水還流手段を備えている、請求項１記載の切削装置。
【請求項３】
該切削手段によって切削加工された被加工物を洗浄する洗浄手段を具備しており、該洗浄手段と該加工水供給経路における該第１の切換弁より下流側とを接続する加工水供給管を備えている、請求項１又は２記載の切削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を切削する切削装置、更に詳しくは被加工物の切削部に加工水を供給する加工水供給手段を装備した切削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれる切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、切削ブレードに加工水を供給する加工水供給手段を具備し、該加工水供給手段によって切削水を回転する切削ブレードに供給することにより切削ブレードを冷却するとともに、切削ブレードによる被加工物の切削部に加工水を供給しつつ切削作業を実施する。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００４−３０３８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した切削ブレードによる被加工物の切削部に供給される加工水としては、デバイスの品質の低下を防止するために純水が用いられるが、静電気の帯電を防止するために純水に二酸化炭素が混入されている。この二酸化炭素が混入された加工水は、洗浄能力が高いことから切削後の被加工物を洗浄する洗浄水としても使用されている。
【０００５】
しかるに、切削装置の可動を停止して加工水の供給を停止すると、加工水供給手段における純水に二酸化炭素を混入する二酸化炭素混入手段から切削手段および洗浄手段に至る経路に加工水が滞留する。二酸化炭素が混入された加工水が滞留すると、バクテリアが発生するという問題がある。特に、加工水が比較的多量にある二酸化炭素混入手段においてバクテリアの発生が顕著である。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、二酸化炭素が混入された加工水の滞留を防止することができる加工水供給手段を備えた切削装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に加工水を供給する加工水供給ノズルを備え被加工物に加工水を供給しつつ切削する切削手段と、該加工水供給ノズルに加工水を供給する加工水供給手段と、を具備する切削装置において、
該加工水供給手段は、純水を供給する純水供給手段と、二酸化炭素を供給する二酸化炭素供給手段と、該純水供給手段から純水供給経路を介して供給される純水に該二酸化炭素供給手段から供給される二酸化炭素を混入せしめる二酸化炭素混入器と、該二酸化炭素混入器において純水に二酸化炭素が混入された加工水を該加工水供給ノズルに供給する加工水供給経路と、該加工水供給経路に配設され切削装置の稼動時に開路し稼動停止時に閉路せしめられる第１の切換弁と、該加工水供給経路における該第１の切換弁と該二酸化炭素混入手段との間に接続された排水経路と、該排水経路に配設され切削装置の稼動時に閉路し稼動停止時に開路せしめられる第２の切換弁と、を具備している、
ことを特徴とする切削装置が提供される。
【０００８】
上記排水経路における第２の切換弁より下流側に配設され、第２の切換弁を介して排出される加工水を上記純水供給経路に還流する加工水還流手段を備えている。
また、上記切削手段によって切削加工された被加工物を洗浄する洗浄手段を具備しており、洗浄手段と上記加工水供給経路における第１の切換弁より下流側とを接続する加工水供給管を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による切削装置に装備される加工水供給手段は、加工水供給経路に配設され切削装置の稼動時に開路し稼動停止時に閉路せしめられる第１の切換弁と該加工水供給経路における第１の切換弁と二酸化炭素混入手段との間に接続された排水経路と、排水経路に配設され切削装置の稼動時に閉路し稼動停止時に開路せしめられる第２の切換弁とを具備しているので、１日の作業が終了して切削装置の稼動を停止する際には、二酸化炭素混入器内の加工水は、加工水供給経路、第１の切換弁、排水経路、第２の切換弁５７を介して排出されるため、二酸化炭素混入器内の加工水が滞留することがなく、バクテリアの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明によって構成された切削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１１】
図１には、本発明によって構成された切削装置の斜視図が示されている。図１に示す実施形態における切削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持するチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に配設された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の上面である保持面上に被加工物を図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル３１には、被加工物として後述する半導体ウエーハを保護テープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３３が配設されている。このように構成されたチャックテーブル３は、図示しない切削送り手段によって、矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１２】
図示の実施形態における切削装置は、切削手段としてのスピンドルユニット４を具備している。スピンドルユニット４は、図示しない割り出し送り手段によって図１において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって図１において矢印Ｚで示す切り込み送り方向に移動せしめられるようになっている。このスピンドルユニット４は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に支持された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２の前端部に装着された切削ブレード４３とを具備している。切削ブレード４３は、例えば図２に示すようにアルミニウムによって形成された円盤状の基台４３１と、該基台４３１の外周部側面にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて厚さが１５〜３０μmに形成された砥石部４３２からなっている。
【００１３】
図２を参照して説明を続けると、上記スピンドルハウジング４１の前端部には、切削ブレード４３の上半部を覆うブレードカバー４４が取り付けられている。ブレードカバー４４は、図示の実施形態においてはスピンドルハウジング４１に装着された第１のカバー部材４４１と、該第１のカバー部材４４１に装着される第２のカバー部材４４２とからなっている。第１のカバー部材４４１の側面には雌ネジ穴４４１aと２個の位置決めピン４４１bが設けられており、第２のカバー部材４４２には上記雌ネジ穴４４１aと対応する位置に挿通穴４４２aが設けられている。また、第２のカバー部材４４２の第１のカバー部材４４１と対向する面には、上記２個の位置決めピン４４１bが嵌合する図示しない２個の凹部が形成されている。このように構成された第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２は、第２のカバー部材４４２に形成された図示しない２個の凹部を第１のカバー部材４４１に設けられた２個の位置決めピン４４１bに嵌合することによって位置決めする。そして、締結ボルト４４３を第２のカバー部材４４２の挿通穴４４２aに挿通し、第１のカバー部材４４１に設けられた雌ネジ穴４４１aと螺合することにより、第２のカバー部材４４２を第１のカバー部材４４１に装着する。
【００１４】
上記ブレードカバー４４を構成する第１のカバー部材４４１と第２のカバー部材４４２には、それぞれ加工水供給管４５１、４５２が配設されている。この加工水供給管４５１、４５２の上端は後述する加工水供給手段５に接続されている。加工水供給管４５１、４５２の下端には、それぞれ切削ブレード４３の砥石部４３２の両側にそれぞれ配設され砥石部４３２の両側面に向けて加工水を噴射する加工水供給ノズル４６１、４６２が接続されている。
【００１５】
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置は、上記チャックテーブル３上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード４３によって切削すべき領域を検出するための撮像手段６を具備している。この撮像手段６は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっている。また、切削装置は、撮像手段６によって撮像された画像を表示する表示手段７を具備している。
【００１６】
上記装置ハウジング２におけるカセット載置領域８aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル８が配設されている。このカセット載置テーブル８は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル８上には、被加工物としての半導体ウエーハ１０を収容するカセット９が載置される。カセット９に収容される半導体ウエーハ１０は、表面に格子状のストリートが形成されており、この格子状のストリートによって区画された複数の矩形領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成されている。このように形成された半導体ウエーハ１０は、環状の支持フレーム１１に装着された保護テープ１２の表面に裏面が貼着された状態でカセット９に収容される。
【００１７】
また、図示の実施形態における切削装置は、カセット載置テーブル８上に載置されたカセット９に収容されている半導体ウエーハ１０（環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持されている状態）を仮置きテーブル１３に搬出する搬出手段１４と、仮置きテーブル１３に搬出された半導体ウエーハ１０を上記チャックテーブル３上に搬送する搬送手段１５と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハ１０を洗浄する洗浄手段１６と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハ１０を洗浄手段１６へ搬送する洗浄搬送手段１７を具備している。
【００１８】
次に、加工水供給手段５について、図２を参照して説明する。
図示の実施形態における加工水供給手段５は、純水を供給する純水供給手段５１と、二酸化炭素を供給する二酸化炭素供給手段５２と、純水供給手段５１から供給された純水に二酸化炭素供給手段５２から供給された二酸化炭素を混入せしめる二酸化炭素混入器５３と、該二酸化炭素混入器５３において純水に二酸化炭素が混入された加工水を上記加工水供給ノズル４６１、４６２に供給する加工水供給経路５４とを具備している。純水供給手段５１は、純水を純水供給経路５１１を介して二酸化炭素混入器５３に供給する。また、二酸化炭素供給手段５２は、二酸化炭素を二酸化炭素供給経路５２１を介して二酸化炭素混入器５３に供給する。上記加工水供給経路５４は、二酸化炭素混入器５３と加工水供給ノズル４６１、４６２に接続された加工水供給管４５１、４５２とを連通する。
【００１９】
上記加工水供給経路５４には、切削装置の稼動時に開路し稼動停止時に閉路せしめられる第１の切換弁５５が配設されている。この第１の切換弁５５は、パイロット圧が作用していない状態では図示のように閉路しており、パイロット圧が作用すると開路するように構成されている。また、加工水供給経路５４における第１の切換弁５５と二酸化炭素混入器５３との間には排水経路５６が接続されている。この排水経路５６に切削装置の稼動時に閉路し稼動停止時に開路せしめられる第２の切換弁５７が配設されている。この第２の切換弁５７は、パイロット圧が作用していない状態では図示のように開路しており、パイロット圧が作用すると閉路するように構成されている。
【００２０】
上記第１の切換弁５５と第２の切換弁５７は、切換弁作動手段５８によって作動せしめられるようになっている。切換弁作動手段５８は、パイロットエアー供給手段５８１と、該パイロットエアー供給手段５８１と上記第１の切換弁５５および第２の切換弁５７のパイロットポートとを接続するパイロットエアー経路５８２と、該パイロットエアー経路５８２に配設された電磁切換弁５８３とならなっている。電磁切換弁５８３は、除勢(OFF)している状態では図示のように第１の切換弁５５および第２の切換弁５７のパイロットポートを開放しており、附勢(ON)されると第１の切換弁５５および第２の切換弁５７のパイロットポートをパイロットエアー供給手段５８１に連通するように構成されている。従って、電磁切換弁５８３が除勢(OFF)している状態では、第１の切換弁５５は閉路し、第２の切換弁５７は開路している。一方、電磁切換弁５８３が附勢(ON)されると、パイロットエアーが第１の切換弁５５および第２の切換弁５７に作用するため、第１の切換弁５５は開路せしめられ、第２の切換弁５７は閉路せしめられる。
【００２１】
図示の実施形態における加工水供給手段５は、第２の切換弁５７を介して排出される加工水を上記純水供給経路５１１に還流する加工水還流手段５９を具備している。加工水還流手段５９は、純水供給経路５１１に接続された還流経路５９１と、該還流経路５９１と上記第２の切換弁５７より下流側の排水経路５６との間に配設された電磁切換弁５９２とからなっている。電磁切換弁５９２は、除勢(OFF)している状態では図示のように第２の切換弁５７より下流側の排水経路５６を排水管５６１に連通しており、附勢(ON)されると第２の切換弁５７より下流側の排水経路５６を上記還流管５９１と連通するように構成されている。
【００２２】
図示の実施形態における加工水供給手段５は、加工水供給経路５４における第１の切換弁５５より下流側に配設された電磁開閉弁６１を備えている。この電磁開閉弁６１は、除勢(OFF)している状態では図２に示すように閉路しており、附勢(ON)されると開路するように構成されている。また、加工水供給経路５４における第１の切換弁５５より下流側には上記洗浄手段１６に加工水を供給する加工水供給管６２が接続されている、この加工水供給管６２に電磁開閉弁６３が配設されている。この電磁開閉弁６３は、除勢(OFF)している状態では図２に示すように閉路しており、附勢(ON)されると開路するように構成されている。
【００２３】
図示の実施形態における加工水供給手段５は、加工水供給経路５４における第１の切換弁５５と電磁開閉弁６１との間に接続された排水管６４と、該排水管６４に配設された電磁開閉弁６５を備えている。この電磁開閉弁６５は、除勢(OFF)している状態では図２に示すように開路しており、附勢(ON)されると閉路するように構成されている。
【００２４】
図示の実施形態における加工水供給手段５は以上のように構成されており、切削装置を稼動する際には純水供給手段５１と二酸化炭素供給手段５２およびパイロットエアー供給手段５８１が作動されるとともに、電磁切換弁５８３が附勢(ON)される。電磁切換弁５８３が附勢(ON)されると、第１の切換弁５５および第２の切換弁５７のパイロットポートにパイロット圧が作用し、第１の切換弁５５は開路せしめられ、第２の切換弁５７は閉路せしめられる。また、電磁開閉弁６５を附勢(ON)して閉路する。そして、切削ブレード４３による切削作業が開始される際には、電磁開閉弁６１が附勢(ON)され開路せしめられる。この結果、二酸化炭素混入器５３において純水供給手段５１から供給された純水に二酸化炭素供給手段５２から供給された二酸化炭素が混入された加工水が加工水供給管４５１、４５２および加工水供給ノズル４６１、４６２を介して切削ブレード４３による切削部に供給される。なお、切削ブレード４３によって切削された被加工物を洗浄する際には、電磁開閉弁６３を附勢(ON)して開路し、加工水を加工水供給管６２を介して洗浄手段１６に供給する。
【００２５】
次に、１日の作業が終了して切削装置の稼動を停止する際には、純水供給手段５１と二酸化炭素供給手段５２およびパイロットエアー供給手段５８１の作動が停止されるとともに、電磁切換弁５８３が除勢(OFF)される。電磁切換弁５８３が除勢(OFF)されると、図２に示すように第１の切換弁５５および第２の切換弁５７のパイロットポートを開放するため、第１の切換弁５５が閉路し、第２の切換弁５７が開路せしめられる。この結果、二酸化炭素混入器５３内の加工水は、加工水供給経路５４、第１の切換弁５５、排水経路５６、第２の切換弁５７、電磁切換弁５９２、排水管５６１を介して排出される。なお、切削装置の稼動を停止する際には、電磁開閉弁６５も除勢(OFF)される。この結果、第１の切換弁５５から電磁開閉弁６１および電磁開閉弁６３までの加工水供給経路５４にある加工水が排水管６４および電磁開閉弁６５を介して排出される。
【００２６】
一方、昼休み等において切削装置の稼動を一時停止する場合には、純水供給手段５１と二酸化炭素供給手段５２およびパイロットエアー供給手段５８１を作動している状態で、電磁切換弁５８３を除勢(OFF)する。そして、加工水還流手段５９の電磁切換弁５９２を附勢(ON)する。この結果、第２の切換弁５７より下流側の排水経路５６が還流管５９１と連通する。従って、二酸化炭素混入器５３内の加工水は、加工水供給経路５４、第１の切換弁５５、排水経路５６、第２の切換弁５７、電磁切換弁５９２還流経路５９１、純水供給経路５１１を介して循環されるため、二酸化炭素混入器５３内の加工水が滞留することがない。なお、加工水を還流させないで排水管５６１から排水する場合には、加工水の滞留を防止できる排水量として０．０５〜０．２リットル／分程度が経済的にも適当である。
【００２７】
次に、上述した加工水供給手段５を装備した切削装置を用いて半導体ウエーハ１０を所定のストリートに沿って切断する切削作業行について、簡単に説明する。
切削装置を稼動する際には上述したように加工水供給手段５の純水供給手段５１と二酸化炭素供給手段５２およびパイロットエアー供給手段５８１が作動されるとともに、電磁切換弁５８３および電磁開閉弁６５が附勢(ON)される。そして、切削作業開始スイッチ(図示せず)がONされると、カセット載置テーブル８上に載置されたカセット９の所定位置に収容されている半導体ウエーハ１０（環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持されている状態）は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル８が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出手段１４が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置きテーブル１３上に搬出する。仮置きテーブル１３に搬出された半導体ウエーハ１０は、搬送手段１５の旋回動作によって上記チャックテーブル３上に搬送される。
【００２８】
チャックテーブル３上に半導体ウエーハ１０が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル３上に吸引保持する。また、半導体ウエーハ１０を保護テープ１２を介して支持する環状のフレーム１１は、上記クランプ３３によって固定される。このようにして半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３は、撮像手段６の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル３が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６によって半導体ウエーハ１０に形成されているストリートが検出され、スピンドルユニット４を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調節してストリートと切削ブレード４３との精密位置合わせ作業が行われる。
【００２９】
その後、切削ブレード４３を矢印Ｚで示す方向に所定量切り込み送りし所定の方向に回転させつつ、半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３を切削送り方向である矢印Ｘで示す方向（切削ブレード４３の回転軸と直交する方向）に所定の切削送り速度で移動することにより、チャックテーブル３上に保持された半導体ウエーハ１０は切削ブレード４３により所定のストリートに沿って切断される（切削工程）。この切削工程を実施する際には、加工水供給手段５の電磁開閉弁６１が附勢(ON)される。従って、上述したように電磁開閉弁６１が開路して、二酸化炭素混入器５３において純水に二酸化炭素が混入された加工水が加工水供給管４５１、４５２および加工水供給ノズル４６１、４６２を介して切削ブレード４３の砥石部４３２の側面に向けて噴射される。
【００３０】
このようにして、半導体ウエーハ１０を所定のストリートに沿って切断したら、チャックテーブル３を矢印Ｙで示す方向にストリートの間隔だけ割り出し送りし、上記切削工程を実施する。そして、半導体ウエーハ１０の所定方向に延在するストリートの全てに沿って切削工程を実施したならば、チャックテーブル３を９０度回転させて、半導体ウエーハ１０の所定方向と直交する方向に延在するストリートに沿って切削工程を実行することにより、半導体ウエーハ１０に格子状に形成された全てのストリートが切削されて個々のチップに分割される。なお、分割されたチップは、保護テープ１２の作用によってバラバラにはならず、環状のフレーム１１に支持されたウエーハの状態が維持されている。
【００３１】
上述したように半導体ウエーハ１０のストリートに沿って切削工程が終了したら、半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３は最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻される。そして、半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、半導体ウエーハ１０は洗浄搬送手段１７によって洗浄手段１６に搬送される。洗浄手段１６に搬送された半導体ウエーハ１０は、ここで洗浄される。このとき、上述したように加工水供給手段５の電磁開閉弁６３を附勢(ON)して開路し、加工水を加工水供給管６２を介して洗浄手段１６に供給する。このようにして洗浄された半導体ウエーハ１０は、乾燥後に搬送手段１５によって仮置きテーブル１３に搬送される。そして、半導体ウエーハ１０は、搬出手段１４によってカセット９の所定位置に収納される。
【００３２】
次に、昼休み等において切削装置の稼動を一時停止する場合には、上述したように純水供給手段５１と二酸化炭素供給手段５２およびパイロットエアー供給手段５８１を作動している状態で、電磁切換弁５８３を除勢(OFF)する。そして、加工水還流手段５９の電磁切換弁５９２を附勢(ON)して開路する。この結果、上述したように二酸化炭素混入器５３内の加工水は、加工水供給経路５４、第１の切換弁５５、排水経路５６、第２の切換弁５７、電磁切換弁５９２還流経路５９１、純水供給経路５１１を介して循環されるため、二酸化炭素混入器５３内の加工水が滞留することがない。このとき、電磁開閉弁６５を除勢(OFF)して開路することにより、第１の切換弁５５から電磁開閉弁６１および電磁開閉弁６３までの加工水供給経路５４にある加工水が排水管６４および電磁開閉弁６５を介して排出される。
【００３３】
次に、１日の作業が終了して切削装置の稼動を停止する際には、上述したように純水供給手段５１と二酸化炭素供給手段５２およびパイロットエアー供給手段５８１の作動を停止するとともに、電磁切換弁５８３を除勢(OFF)する。この結果、図２に示すように第１の切換弁５５および第２の切換弁５７のパイロットポートは開放され、第１の切換弁５５が閉路し、第２の切換弁５７が開路せしめられる。従って、二酸化炭素混入器５３内の加工水は、加工水供給経路５４、第１の切換弁５５、排水経路５６、第２の切換弁５７、電磁切換弁５９２、排水管５６１を介して排出されるため、二酸化炭素混入器５３内の加工水が滞留することがない。また、切削装置の稼動を停止する際には、電磁開閉弁６５も除勢(OFF)され開路するので第１の切換弁５５から電磁開閉弁６１および電磁開閉弁６３までの加工水供給経路５４にある加工水が排水管６４および電磁開閉弁６５を介して排出される。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に従って構成された切削装置の斜視図。
【図２】図１に示す切削装置に装備される加工液供給手段のブロック構成図。
【符号の説明】
【００３５】
２：装置ハウジング
３：チャックテーブ
４：スピンドルユニット
４３：切削ブレード
４４：ブレードカバー
４６１，４６２：ノズル
５：加工液供給手段
５１：純水供給手段
５２：二酸化炭素供給手段
５３：二酸化炭素混入器
５４：加工水供給経路
５５：第１の切換弁
５６：排水経路
５７：第２の切換弁
５８：切換弁作動手段
５８１：パイロットエアー供給手段
５８２：パイロットエアー経路
５８３：電磁切換弁
５９：加工水還流手段
５９１：還流経路
５９２：電磁切換弁
６１：電磁開閉弁
６３：電磁開閉弁
６５：電磁開閉弁
６：撮像手段
７：表示手段
８：カセット載置テーブル
９：カセット
１０：半導体ウエーハ（被加工物） 
１１：環状の支持フレーム
１２：保護テープ
１３：仮置きテーブル
１４：搬出手段
１５：搬送手段
１６：洗浄手段
１７：洗浄搬送手段
【図１】
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【図２】
2007331071.tif 000004