(57)【要約】【課題】  フォトニック結晶基板のエピタキシャルの質を向上させ且つＬＥＤ構造の発光効率を増加させることである。【解決する手段】このＬＥＤ構造は、表面と円筒形フォトニック結晶とを有する基板と、第1型ドーピング半導体層と、第１電極と、発光層と、第2型ドーピング半導体層と、第2電極と、を備えている。前記第1型ドーピング半導体層は、前記基板に配置され、前記フォトニック結晶をカバーする。前記発光層と、前記第2型ドーピング半導体層と、前記2電極とは、順次、前記第１型ドーピング半導体層の一部分に形成されている。前記第１電極は、前記発光層によりカバーされない前記第1型ドーピング半導体の他の部分に配置されている。フォトニック結晶を有する基板は前記第１型ドーピング半導体層のエピタキシャルの質を向上させるとともに、ＬＥＤの前方への光のエネルギーを高めるため、前記ＬＥＤの発光効率が有効に向上される。【選択図】図２
2007036186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と複数のフォトニック結晶とを有する基板と、
該基板に配置され該フォトニック結晶をカバーする第１型ドーピング半導体層と、
該第１型ドーピング半導体層の一部分に配置された発光層と、
該発光層に配置された第２型ドーピング半導体層と、
前記発光層によりカバーされない前記第１型ドーピング半導体の一部分に配置されている第１電極と、
前記第2型ドーピング半導体層に配置された第２電極と、を備えていることを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）構造。
【請求項２】
前記第２型ドーピング半導体層と前記第2電極との間に配置されるオームコンタクトを
更に有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項３】
前記フォトニック結晶は、異なる直径を有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項４】
前記フォトニック結晶は同一の直径を有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項５】
前記フォトニック結晶は、凸状パターンと凹状パターンとの一方を有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項６】
前記フォトニック結晶は、m×nマトリックスの配列によって前記基板の表面に配置され、ここでmとnは正の整数であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項７】
前記フォトニック結晶は、複数の奇数行と複数の偶数行に配列され、
前記各偶数行のフォトニック結晶が、前記奇数行における隣接する二つのフォトニック結晶の間に形成された複数の間隔に相応していることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項８】
前記奇数行の二つの隣接するフォトニック結晶の間の間隔は、前記偶数行の隣接する二つのフォトニック結晶間の間隔と異なることを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤ構造。
【請求項９】
前記奇数行の前記フォトニック結晶は、互いに整列して配列され、
前記偶数行のＫ番目の行の前記フォトニック結晶が、前記奇数行の隣接する二つの前記フォトニック結晶間の間隔に対応するとともに、前記偶数行でＫ+１番目行の隣接の二つ
のフォトニック結晶間の間隔にも対応し、ここでＫは正の整数であることを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１０】
前記のフォトニック結晶は、ハニカム形状で前記基板表面に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１１】
前記フォトニック結晶の一部分が、ハニカム形状で前記基板表面に配置され、前記一部分のフォトニック結晶の他の部分を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１２】
前記ハニカム形状フォトニック結晶の直径は、前記他の部分の前記フォトニック結晶の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１３】
前記基板の材料は、サファイア、シリコン炭化ケイ素、スピネル、又はシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１４】
前記フォトニック結晶は、前記基板表面と垂直方向に沿って、０．２〜３ミクロンの寸法を有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１５】
前記フォトニック結晶表面の直径は、０.２５ミクロンと5ミクロンの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１６】
前記隣接の二つのフォトニック結晶間の間隔は、０.５〜１０ミクロンの範囲にあるこ
とを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１７】
前記第１型ドーピング半導体層、前記発光層及び前記第２ドーピング半導体層の材料は
、III-V族化合物半導体であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１８】
前記III-V族化合物半導体は、GaN, GaP, またはGaAspを含むことを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１９】
前記第１型ドーピング半導体層はn型ドーピング半導体層であり、且つ前記第2ドーピング半導体層はp型ドーピング半導体層であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ構
造。
【請求項２０】
前記第１型ドーピング半導体層はp型ドーピング半導体層であり、且つ前記第２型ドー
ピング半導体は、n型ドーピング半導体層であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥ
Ｄ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関し、特に発光ダイオードの構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電球と比べ、発光ダイオード（ＬＥＤ）は、小型、長寿命、低電圧/電流駆動、
非破壊性、低発熱性、水銀（Ｈg）などの有害物質を含まず環境に優しい、消費電力が少
ない発光効率をもつ等の優れた長所を有する。また、近年、ＬＥＤの発光効率は増大をし続け、高い応答速度の走査ランプ、液晶ディスプレイ用のバック・ライト、自動車の制御パネル照明灯、信号機、又は一般の照明器具等の応用分野において、ＬＥＤが電球や蛍光灯に代って用いられつつある。
【０００３】
また、III−V族窒化物（III-V nitridＥ compound）は広いバンドギャップを備える材
料であるため、放出された波長範囲が紫外線から赤外線をカバーすることができる。即ち、この素材は、可視光の全領域をカバーする。従って、GaN、GaA1N、又はGaInNのようなIII−V族窒化物半導体を用いる発光装置は、種々の照明モジュールに広く応用されている
。ここで、バンドギャップとは、半導体の結晶中には、マイナスの電荷を有する電子とプラスの電荷を有するホールが含まれている。これらの電子と正孔は熱や光のエネルギーによってペアとして生成される。そしてその電子―正孔ペアの生成され易さを表す指標がバンドギャップである。電子と正孔のペアが生成されにくいほどバンドギャップは広いバンドギャップといえる。  半導体中で容易に電子―ホールペアが生成されると、半導体の性質が金属に変化してしまうので、広いバンドギャップの半導体であるほど、半導体デバイスとしては高温で使用できることを意味する。
【０００４】
図1は従来のＬＥＤ構造を概略的に示す断面図である。図１において、ＬＥＤ構造は、
基本的に基板１１０と、n型ドーピング半導体層１２０と、電極１２２と、発光層１３０
と、p型ドーピング半導体層１４０と、オームコンタクト層１５０と他の電極１４２とを
備えている。n型ドーピング半導体層１２０、発光層１３０、p型ドーピング半導体層１４０、オームコンタクト層１５０及び電極１４は、基板１１０の上に順次形成され、発光層１３０はn型ドーピング半導体層１２０の一部分をカバーする。電極１２２は、発光層１
３０によりカバーされていないn型ドーピング半導体層１２０の部分に配置されている。
【０００５】
図1を参照すると、n型ドーピング半導体層１２０からの電子がp型ドーピング半導体層
１４０からの電子正孔と発光層１３０において再結合するとき、光１０２を発生させるこができる。この光１０２の一部はオームコンタクト層１５０と基板１１０とを透過してＬＥＤ構造１００の上部と下部から夫々出射される。また、光１０２の他の部分は基板１１０の表面または電極１４２と基板１１０との間の複数の界面により反射される。例えば、基板１１０と発光層１３０との間に配置されるn型ドーピング半導体層１２０内に光が横
方向に伝搬（trＡnsvＥrsＥly propＡgＡtＥs）される。この場合、光１０２の光エネル
ギーの一部分がn型ドーピング半導体層１２０、p型ドーピング半導体層１４０、電極１２２及び電極１４２により吸収され、ＬＥＤ１００の外部量子効率の低下を生じさせる。
【０００６】
上記の問題を解決するために、特許文献１には、基板上の入射光を散乱させて、ＬＥＤ構造の外部量子効率を増加させるため、化学機械的研磨処理及びエッチング処理を用いて、ＬＥＤ構造の基板表面をランダムに粗くすることが開示されている。
【０００７】
しかし、この基板表面をランダムに粗く（粗化処理）する方法は、このＬＥＤ表面の外部量子効率を有効に増加させるものではない。一方では先ず、基板表面上の凹状パターン
または凸状パターンが大きすぎると、基板の表面から成長するn型ドーピング半導体層１
２０の結晶品質が低下する。その結果、ＬＥＤ構造の内部量子効率が減少する。それにより、外部量子効率が増加しない。他方、ランダムに粗くされた基板表面は、横方向伝播における光エネルギーが粗面により容易に吸収されてしまう。この方法は、ＬＥＤ構造から発光された光を減少させ、外部量子効率が充分に得られない。
【特許文献１】特開平１１―２７４５６８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、フォトニック結晶基板を有するＬＥＤ構造を提供する。フォトニック結晶を有する基板はエピタキシャルの質を改良することができる。基板表面に沿って伝搬する光が減少され、これによってＬＥＤ構造の発光効率が増加され得る。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は基板と、第1型ドーピング半導体層と、第１電極と、発光層と、第２型ドーピ
ング半導体層と第２電極とを有するＬＥＤ構造を提供する。前記基板は、表面と該表面上に形成された複数の円筒形フォトニック結晶とを有する。該第１型ドーピング半導体層は、基板に形成され該フォトニック結晶をカバーする。前記発光層は、第１型ドーピング半導体層の一部分に形成されている。前記第２型ドーピング半導体層及び第２電極は、順次、この発光層に形成されている。この第１電極は、発光層にカバーされていない第１型ドーピング半導体の一部分に配置されている。
【００１０】
本発明の実施態様において、上記のＬＥＤ構造は、例えば第２型ドーピング半導体層と第２電極との間に配置されるオームコンタクト層を有する。
【００１１】
本発明の実施態様において、フォトニック結晶は異なるまたは同一の直径であっても良い。更に、フォトニック結晶は例えば少なくとも凸状パターンと凹状パターンとの一方を有する。
【００１２】
本発明の実施態様において、上記のフォトニック結晶は、例えばm×nの配列によって基板表面に配置され、ここで、mとnは正の整数である。
【００１３】
本発明の実施態様において、上記のフォトニック結晶は、例えば複数の奇数行と複数の偶数行とに配列されている。前記各偶数行のフォトニック結晶は、奇数行における隣接する二つのフォトニック結晶の間に形成された間隔に相応する。更に、実施態様において、奇数行での各隣接する二つのフォトニック結晶の間の間隔は、例えば偶数行の隣接する二つのフォトニック結晶との間の間隔と異なる。更に、フォトニック結晶のアレイパターンは、奇数行におけるフォトニック結晶が互いに整列され、偶数行におけるＫ番目列のフォトニック結晶が奇数行にある隣接するフォトニック結晶の間の間隔に対応するとともに、偶数行でＫ+１番目列の隣接するフォトニック結晶間の間隔にも相応することができる。
ここで、Ｋは正の整数であり、フォトニック結晶とは、光の波長と同程度の周期的な屈折率分布をもった結晶体のことを意味する。
【００１４】
本発明の実施態様において、上記のフォトニック結晶は、例えばハニカム形状で基板表面に配置されている。
【００１５】
本発明の実施態様において、前記のフォトニック結晶の一部分は、例えばハニカム形状で基板表面に配置され、フォトニック結晶の他の部分を囲むように配置されている。一つの実施態様において、前記ハニカム形状のフォトニック結晶の直径は、例えば他の部分のフォトニック結晶の直径よりも大きい。
【００１６】
本発明の実施態様において、この基板は、例えばサファイア、シリコン炭化ケイ素、スピネル、又はシリコン基板である。
【００１７】
本発明の実施態様において、上記のフォトニック結晶は、基板表面に対して垂直方向に沿って例えば０.２〜３ミクロンの寸法を有する。フォトニック結晶の水平方向直径は、
例えば０.２５ミクロンと5ミクロンの範囲内にある。また、隣接の二つのフォトニック結晶間の間隔が、例えば０.５〜１０ミクロンの範囲にある。
【００１８】
本発明の実施態様において、第１型ドーピング半導体層、発光層、第２ドーピング半導体層の材料は、例えば、III-V族化合物半導体である。例えば、III-V族化合物半導体は、GaN, GaP, またはGaAsPである。
【００１９】
本発明の実施態様において、第１型ドーピング半導体層は、n型ドーピング半導体層で
ある。第２ドーピング半導体層は、p型ドーピング半導体層である。本発明の実施態様で
は、前記第１型ドーピング半導体層は、p型ドーピング半導体層である。前記第２型ドー
ピング半導体は、n型ドーピング半導体層である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、第１型ドーピング半導体層のエピタキシャル質を改良し、ＬＥＤの内部量子効率を高めるために、このフォトニック結晶は、ＬＥＤ構造の基板表面に形成されている。また、本発明のフォトニック結晶はＬＥＤ構造の外部量子効率を高めるように、ＬＥＤ構造の前進方向で放射する光エネルギーを更に高めることができる。その結果、本発明のＬＥＤ構造により、発光効率を充分に改良した。ここでは、エピタキシャルとは、単結晶基板上に薄膜を作成する場合に膜自体も何らかの特定の方位をもって成長する構造を意味する。
【発明の実施態様】
【００２１】
以下、図2〜3に示した本発明の実施態様を詳細に説明する。
【００２２】
図2は、本発明の一実施例に係るＬＥＤ構造を概略的に示す断面図である。図２におい
て、このＬＥＤ構造２００は、基板２１０と、第1型ドーピング半導体層２２０と、電極
２２２と、発光層２３０と、第２型ドーピング半導体層２４０と電極２４２とを有する。基板２１０の材料は、例えばサファイア、シリコン炭化ケイ素、スピネル、又はシリコン基板を含む。基板２１０は、表面２０２とこの表面２０２上の円筒形フォトニック結晶２０４とを有する。
【００２３】
上述において、このフォトニック結晶２０４は例えば凸状パターン、又は凹状パターンである。フォトニック結晶２０４は、表面２０２に円筒形凸状パターン又は円筒形凹状パターンを形成するために、例えばフォトグラフィとエッチング処理により形成される。具体的に、このフォトニック結晶２０４は、基板２１０の表面２０２に周期的に配列されている。隣接する二つのフォトニック結晶の間の間隔は、例えば0.5〜10ミクロンの範囲に
ある。
【００２４】
また、フォトニック結晶２０４の直径は、例えば０.２５〜5ミクロンの範囲にある。更に、基板表面に対して垂直方向に沿うフォトニック結晶２０４の寸法は、例えば０．２〜３ミクロンの範囲にある。換言すると、凸状パターンのフォトニック結晶２０４は例えば０.２〜３ミクロン範囲の高さを有し、又は凹状パターンのフォトニック結晶２０４が例えば０.２〜３ミクロン範囲の深さを有する。
【００２５】
さらに、図2を参照すると、この第１型ドーピング半導体層２２０は、フォトニック結
晶204をカバーするように、基板２１０上に配置されている。特に、第１型ドーピング半
導体層２２０は、凹状パターンに埋め込められず、凸部で基板２１０の表面２０２に形成されている。注目すべきことは、第１型半導体層２２０を形成する処理において、フォトニック結晶２０４は基板２１０の表面２０２に、周期的に配置され、第１ドーピング半導体層２２０上の局所的な結晶欠陥を抑えることができる。これは、転位を減少しエピタキシャル結晶の質を高めるとともに、更にＬＥＤ構造２００の内部量子効率を高めることができる。
【００２６】
また、図２を参照すると、発光層２３０と、第２型ドーピング半導体層２４０と電極２４２とは、順次、第１型ドーピング半導体層２２０の一部の上に配置されている。電極２２２は、発光層２３０によりカバーされていない部分で第１型ドーピング半導体層２２０上に配置されている。この実施例において、第１型ドーピング半導体層２２０は、例えば、n型ドーピング半導体層２２０であり、第２型ドーピング半導体層２４０は、例えば、p型ドーピング半導体層２４０である。他の実施例において、第１型ドーピング半導体層２２０は、例えばP型ドーピング半導体層２２０であり、第２型ドーピング半導体層２４０
は、例えばn型ドーピング半導体層２４０である。また、発光層２３０は、例えば多重量
子井戸（MQW:Multi-QuＡntum WＥll）層である。
【００２７】
また、第１型ドーピング半導体層２２０、発光層２３０と第２型ドーピング半導体層２４０は、例えば、III−V族化合物の半導体材料により形成されている。この実施例では、第１型ドーピング半導体層２２０、発光層２３０、第２型ドーピング半導体層２４０は、例えば、窒化ガリウム（GaN）、ガリウム燐（GaP）、またはガリウムヒ素燐（GaAsP）に
より形成されている。
【００２８】
更に、本発明において、第１型ドーピング半導体層２２０、発光層２３０及び第２型ドーピング半導体層２４０の導電均一性を高めるために、オームコンタクト層２５０が、電極２４２と第2型ドーピング半導体層２４０との間に形成されている。この実施例では、
オームコンタクト層２５０は、例えばp型オームコンタクト層である。
【００２９】
基板２１０の表面２０２に周期的に配列されるフォトニック結晶２０４は、第１型ドーピング半導体層２２０のエピタキシャル質を向上し、第１型ドーピング半導体層２２０と第2型ドーピング半導体層２４０との間の横方向に伝搬する光を前方に導光可能であり、
この結果、前方の光がＬＥＤ構造２００から放出され、外部量子効率が効率的に向上される。特に、本発明のフォトニック結晶２０４は、複数の周期的な配列を有する。下記において、例示として、フォトニック結晶２０４の種々の配列を述べる。
【００３０】
図３（Ａ）〜（Ｋ）は、フォトニック結晶の配列の概略を示す平面図である。図３（Ａ）を参照すると、本発明においてフォトニック結晶２０４は、例えば、m×nマトリックスの列に配置されている（ここで、mとnは正の整数である）。特に、フォトニック結晶２０４の直径は、同一であるか、または異なっていても良い。フォトニック結晶２０４のm×nマトリックスについては、図３（B）に示すように、奇数行のフォトニック結晶２０４の
直径が偶数行のフォトニックス結晶２０４の直径と異なっていても良い。更に、図３（C
）に示すように、位置（p, q）に配置されたフォトニック結晶２０４の直径が、位置（p+１, q）と（p,  q+１）に配置されたフォトニック結晶２０４の直径と、異なっていても
良い（ここで、pとqは正の整数、
2007036186.tif 000003
【００３１】
及び
2007036186.tif 000004
【００３２】
である）。
【００３３】
マトリックス配列に加えて、フォトニック結晶２０４は、奇数行と偶数行とが列方向において整列しない態様で配列されていても良い。例えば、図３（Ｄ）に示すように、列方向におけるそれぞれの奇数行のフォトニック結晶２０４は、整列されている。それぞれの偶数行のフォトニック結晶２０４は、奇数行における隣接する二つのフォトニック結晶２０４の間の間隔に相応している。勿論、偶数行のフォトニック結晶２０４の直径は、奇数行のフォトニック結晶２０４の直径と異なっていても良い。
【００３４】
図３（Ａ）〜（Ｅ）において、偶数行のフォトニック結晶２０４の間隔は、奇数行のフォトニック結晶２０４の間隔と等しい。他の実施例においては、偶数行のフォトニック結晶２０４の間隔が、奇数行のフォトニック結晶２０４の間隔と異なっている。図３（Ｆ）及び（Ｇ）に示すように、偶数行のフォトニック結晶２０４の間隔が、例えば、奇数行におけるフォトニック結晶２０４の間隔の２倍である。偶数行のフォトニックス結晶２０４は、例えば、奇数行の隣接する二フォトニック結晶２０４間のスペースに相応する。ここで、用語「間隔」は、中心点から計算した隣接する２つのフォトニック結晶２０４間の距離を意味する。用語「スペース」は、縁から計算した隣接する２つのフォトニック結晶２０４の間隔を意味する。
【００３５】
詳細には、図３（Ｆ）に示すように、奇数行のフォトニック結晶２０４は、列方向において整列され、偶数行のフォトニック結晶２０４も列方向において整列されている。更に、図３（Ｇ）に示すように、奇数行のフォトニック結晶２０４は列方向に整列されている。一方、偶数行のＫ番目列のフォトニック結晶が、奇数行における隣接の二つのフォトニック結晶間の間隔に相応するとともに、偶数行でのＫ+1番目列の隣接する二つのフォトニック結晶間の間隔にも相応する。特に図３（Ｈ）及び（Ｉ）に示すように、本発明における他の実施例において、いくつかの小さい直径のフォトニック結晶２０４Ａを、図３（Ｆ）及び（Ｇ）における偶数行のフォトニック結晶２０４の間に配置することができる。
【００３６】
更に、図３（Ｊ）に示すように、本発明のフォトニック結晶２０４はハニカム形状で基板表面に配列されても良い。他の実施例では、図３（Ｋ）に示すように、フォトニック結晶２０４ｂの一部は、ハニカム形状に配列されたフォトニック結晶２０４Ａの他の部分により、囲まれている。フォトニック結晶２０４Ａの直径が、例えばフォトニック結晶２０４ｂの直径よりも大きい。
【００３７】
図3は、説明のための例示に過ぎないことに留意すべきである。本発明におけるフォト
ニック結晶２０４を、基板２１０の表面２０２上の任意の周期で配列することができる。図面は、本発明のフォトニック結晶２０４の配列を限定するのに用いられるものではない。
【００３８】
表1及び表２は、従来のＬＥＤの構造に比較して、本発明の新規ＬＥＤ構造の改良を当
業者が容易に認識できるように、図3における配列に従って、本発明のフォトニック結晶
を有するＬＥＤ構造の発光効率の実験結果を示す。表１の実験には、４６５nmの発光ラインを有する本発明に係る裸のＬＥＤチップが用いられた。表２は、ＬＥＤ構造がパッケー
ジされた後の試験結果である。入力電流は２０mＡである。また、表１及び表２に上げら
れた発光効率は、図１に示されるように、従来のＬＥＤ構造との相対値である。
【００３９】
表1  
2007036186.tif 000005
【００４０】
表２
2007036186.tif 000006
【００４１】
表１及び表２から、従来のＬＥＤ構造と比較して本発明のＬＥＤ構造では、発光効率が向上している。
【００４２】
本発明のＬＥＤ構造は、要約すると、基板表面に周期的な屈折率を有するように、周期的な配列で基板表面に円筒形のフォトニック結晶を形成する。その結果、発光層からの光が基板表面に到達したとき、この光は、フォトニック結晶により回折されるとともに、基板の上側面、または下側面から放出される。これは、第１型ドーピング半導体層と第２型ドーピング半導体層間の横方向伝達により光エネルギーの損失を減少させる。これによってＬＥＤ構造の外部量子効率は向上される。
【００４３】
さらに、基板表面上のフォトニック結晶は、第１型ドーピング半導体層に局部的結晶欠陥の形成を抑えることができる。従って、ＬＥＤ構造の内部量子効率を向上させるために、エピタキシャルの質量が向上するともに、転位(位置ずれ)が減少する。その結果、本発明のＬＥＤ構造で、充分良好な発光効率が得られる。
以上、本発明の比較的な好ましい実施の形態について説明したが、これは、本発明を限定するものではない。本発明の範囲内、発明の精神から逸脱しない限り、当業者により上記の実施の形態の均等変化や、若干の変更は可能である。上記の記載を鑑み、ここで、本発明の権利範囲、均等変化内にあるものは、本発明にカバーされるものであることを主張する。
【００４４】
添付図面は、本発明のさらなる理解を得るために用いられ、本明細書に組み込まれ且つ明細書の一部分を構成する。図面は、本発明の実施例を図解し、記載とともに本発明の原理を説明する役割を果たす。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来のＬＥＤ構造の概略を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るＬＥＤ構造を概略的に示す断面図である。
【図３】（Ａ）から（Ｋ）は、フォトニック結晶の配列を概略に示す平面図である。
【符合の説明】
【００４６】
２００  発光ダイオード（ＬＥＤ）構造
２０４  フォトニック結晶
２１０  基板
２２０  第１型ドーピング半導体層
２２２  電極
２３０  発光層
２４０  第２型ドーピング半導体層
２４２  電極
【図１】
2007036186.tif 000007
【図２】
2007036186.tif 000008
【図３】
2007036186.tif 000009