(57)【要約】【課題】本発明は、導電性パターンを電気めっきによる形成と研磨とを繰り返し行うもので、導電性パターンを薄くし且つ平坦にしながら導電性パターンを形成することを目的とする。【解決手段】絶縁性基材１０の表面に形成された導電性層１５の表面に、所望領域のみを露出すべくマスクパターン１６を形成する工程と、前記露出した導電性層１５の表面に導電性パターン１７を形成する工程と、この導電性パターン１７の表面を研磨する工程と、この研磨した導電性パターン１７の表面にさらに導電性層を形成する工程とを含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法である。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の表面に形成された導電性層の表面に、所望領域のみを露出すべくマスクパターンを形成する工程と、前記露出した導電性層の表面に導電性パターンを形成する工程と、この導電性パターンの表面を研磨する工程と、この研磨した導電性パターンの表面にさらに導電性層を形成する工程とを含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項２】
絶縁性基材の表面にビアを形成する工程と、前記ビアとともに絶縁性基材の表面に導電性層を形成する工程と、前記導電性層表面の所望領域を露出すべくマスクパターンを形成する工程と、前記ビアを含んで露出した導電性層の表面に、めっきにより導電性パターンを形成する工程と、この形成された導電性パターンの表面を研磨する工程と、この研磨された導電性パターンにめっきにより導電性層を形成する工程とを含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項３】
絶縁性基材およびその表面に形成された導電性層にビアを形成する工程と、前記ビアの内壁に導電性層を形成する工程と、前記ビアとともに導電性層表面の所望領域を露出すべくマスクパターンを形成する工程と、露出したビアを含む導電性層の表面にめっきにより導電性パターンを形成する工程と、この形成された導電性パターンの表面を研磨する工程と、この研磨された導電性パターン表面にめっきにより導電性層を形成する工程とを含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項４】
露出した導電性層の表面にめっきにより形成される導電性パターンを、前記マスクパターンより薄い厚みで形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項５】
導電性パターン形成におけるめっきが電気めっきであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項６】
導電性パターンを前記マスクパターンより薄い厚みで形成する工程と、前記導電性パターンの表面を研磨する工程とを繰り返し行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項７】
マスクパターンが感光性樹脂であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載の導電性パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁性基材に形成された導電性パターンの形成方法に関するものであり、特に半導体素子、集積回路、電子部品等を搭載するための配線基板の製造方法におけるパターンの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路基板への微細配線形成には、絶縁性基材に薄い導電層を形成し、感光性樹脂によって所定パターン形成し、電気めっきによって感光性樹脂が除去された薄い導電層表面にさらに導電層を形成して後に感光性樹脂を除去して露出した薄い導電層をエッチング除去して形成するセミアディティブ法によって成されていた。
【０００３】
ここで、電気めっきによってビアを同時にめっきして表面が平坦となるようにめっきによるビア（埋めた表面がほぼ平坦とするビアフィルディング）を同時に行う場合、導電性パターン部のめっき厚はビアの絶縁性基材を埋めかつ平坦にするため厚くなり、感光性樹脂より厚くなり表面が飛び出してしまい感光性樹脂の除去が困難であり、且つ表面が曲面上に凸状で、平坦な導電性パターンが得られていなかった。このため感光性樹脂は導電性パターンの厚さより厚くしなければならなかった。ここで、感光性樹脂を厚くすれば当然解像度が低下するためかえって微細化の妨げとなっていた。また、導電性パターン部表面は曲面の凸状になっており、バンプによる実装において実装時にバンプがずれるため不良の原因ともなっていた。
【０００４】
これを解決するために、図２５〜図２７に示す如く電気めっきで導電性パターン７を感光性樹脂６より厚く形成しておき、表面を研磨する方法が提案されている。すなわち、絶縁性基材１の表面に無電解めっきにより導電性層５を形成しておき、感光性樹脂６によって所望領域の導電性層５を露出した後、導電性層５から通電して電気めっきによって導電性パターン７を感光性樹脂６より厚く形成するように飛び出させて形成し、感光性樹脂６から飛び出した部分を研磨もしくはエッチングによって除去する方法である。
【０００５】
なお、この発明の出願に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平４−２０２４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記の方法では、前記ビア埋めを行った場合、感光性樹脂６からかなりめっきが飛び出し、また横にも広がってしまい、研磨やエッチング量を大きくする必要もあり、研磨やエッチングの制御が大変であった。研磨の場合においては、感光性樹脂６から飛び出した導電性パターン７の表面の銅が研磨によって伸ばされてしまい、図２７に示す如く感光性樹脂６の表面に薄い銅の層９が形成されることにより、感光性樹脂６の剥離が困難となることもある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、絶縁性基材の表面に形成された導電性層の表面に、所望領域のみを露出すべくマスクパターンを形成する工程と、前記露出した導電性層の表面に導電性パターンを形成する工程と、この導電性パターンの表面を研磨する工程と、この研磨した導電性パターンの表面にさらに導電性層を形成する工程とを含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法である。すなわち、電気めっきによって形成する導電性パターンを、感光性樹脂などのマスクパターンより薄い状態に選択的に表面を研磨することで、導電性パターンを薄くし且つ平坦な状態を維持して導電性パターンを形成することができる。
【０００８】
このため、形成される導電性パターンの厚さを必要以上に厚く形成することが無いため、感光性樹脂などによるマスクパターンの除去を容易にするものである。また、例えば半導体などの突起電極すなわちバンプを押し付けて行う実装方式等においてバンプが滑って実装不良が発生する様なことなく実装が可能な平坦な導電性パターン表面を形成することができるものである。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように本発明は、電気めっきによって形成される導電性パターンを、感光性樹脂などのマスクパターンより薄い状態に選択的に研磨することで、導電性パターンを電気めっきによる形成と研磨とを繰り返し行うもので、導電性パターンを薄くし且つ平坦にしながら導電性パターンを形成する。従って、導電性パターンの厚さを薄く平坦に形成できる。
【００１０】
これは、特にビア内に同時に電気めっきによって埋めるビアフィルディングする場合には、ビア内は研磨されず導電性パターン表面のみを実質選択的に研磨するために、ビアフィルディングしても導電性パターンのみ薄く形成されるものである。このためマスクパターンを形成する感光性樹脂を薄く出来る。このことは、感光性樹脂の解像度を高めるもので、従って微細な導電性パターンを得ることが出来る。平坦な導電性パターンが得られることで、例えば半導体などの突起電極すなわちバンプを押し付けて行う実装方式等において、バンプが滑って実装不良が発生する様なことなく実装が可能な平坦な導電性パターン表面を形成することが出来るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態について、本発明の特に請求項１、４、５、６、７の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１〜図８は本発明の実施の形態１における配線パターンの形成方法の断面図であり、絶縁性基板の片方の面の貫通孔近傍を示している。
【００１３】
まず、図１に示すように、セラミック基材や樹脂フィルム基材の他にアラミド樹脂基材やガラス等の絶縁性繊維として、例えばガラス繊維を縦糸と横糸とで布状に織ったいわゆるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ基材である厚さ４０μｍ程度の絶縁性基材１０を用意する。
【００１４】
次に、図２に示すように、少なくとも絶縁性基材１０の表面に、無電解めっきによって導電性層１５を被着形成する。
【００１５】
なお、本実施の形態では、導電性層１５を無電解めっきによって形成したが、スパッタ等によって形成してもよい。
【００１６】
次に、図３に示すように、無電解めっきによる導電性層１５の表面の所望領域を露出すべく、例えば２５μｍ厚さの感光性樹脂等を用いたマスクパターン１６によりパターン形成を行う。このマスクパターン１６によるパターン形成は、例えばドライフィルムレジストのラミネートの後に、露光のマスクによる露光および現像によって所望領域にのみマスクパターン１６を容易に残すことが出来る。ここで、このマスクパターン１６は絶縁性の樹脂であるため、電気めっきに対するマスク効果を有するとともに、金属特に銅のエッチングに対してもマスク効果を有する。また、樹脂のため銅などの金属に対してやわらかく、弾力性も有している。さらに、エッチング液やめっき液などをはじく撥水性も有している。
【００１７】
次に、図４に示すように、硫酸銅と硫酸を主成分とし、ポリエチレングリコールやチオールまたはジスフィルド等の添加剤を用いためっき液に浸漬し、導電性層１５を通して電流密度を１０Ａ／ｄｍ2以下、望ましくは１〜６Ａ／ｄｍ2の電力供給をすることで、例えば２５μｍの厚さのマスクパターン１６でマスクされていない導電性層１５が露出した領域に、電気めっきによる銅の導電性パターン１７が形成される。ここで、マスクパターン１６でマスクされていない導電性層１５の露出した領域の厚さを、前記２５μｍのマスクパターン１６より薄い、例えば１５μｍの厚さで形成する。
【００１８】
次に、図５に示すように、前記電気めっきによって形成した導電性パターン１７の表面を研磨することで、前記導電性パターン１７の表面の凸状態の曲面が選択的に研磨される。ここで、研磨には機械的な方法としてバフ研磨があり、バフ研磨では硬い金属は大きく研磨されるが、比較的やわらかく弾力性のあるマスクパターン１６はほとんど研磨されないため、選択的に電気めっき形成された導電性パターン１７の表面のみが選択的に研磨される。
【００１９】
これによって、前記導電性パターン１７の露出した領域表面の凸状態の曲面は、逆に平坦もしくはパターン中央が凹状に出来るものである。また、化学的なエッチング例えば硫酸と過酸化水素の混合液や塩化第２鉄溶液の場合、パターン中央のエッチングが大きく周辺では小さいという、めっきによる厚さ形状とは逆の形状にエッチングされるため、バフ研磨の場合と同様に、厚さを薄くしかも平坦もしくはパターン中央が薄い凹状に出来るものである。ここで、研磨を５μｍ程度とすれば、導電性パターン１７の露出した領域の厚さは１０μｍ程度となる。
【００２０】
その後、図６に示すように、再度電気めっきによって、導電性パターン１７の露出した領域に１０μｍ程度さらに層を形成することにより、再びこの領域の表面は、平坦もしくは若干曲面の凸状態となり、厚さは２０μｍとなる。
【００２１】
このように、電気めっきと研磨を繰り返すことによって、図７に示すように、導電性パターン１７の露出したマスクパターン１６でマスクされていない領域、すなわちパターン部を薄く且つ平坦に形成することができる。
【００２２】
しかる後、図８に示すように、マスクパターン１６を３％水酸化ナトリウム溶液で剥離し、これによって露出した無電解めっきによって形成された導電性層１５を例えば硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング除去することによって導電性パターン１７による配線が形成出来る。
【００２３】
以上のように、本実施の形態によれば、電気めっきによる導電性パターン１７の厚さを薄くかつ平坦に形成でき、微細な導電性パターン１７を得ることが出来る。平坦な導電性パターン１７が得られることで、例えば半導体などの突起電極、すなわちバンプを押し付けて行う実装方式等において、バンプが滑って実装不良が発生する様なことなく実装が可能な平坦な、導電性パターン１７の表面を形成することが出来るものである。
【００２４】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態について、本発明の特に請求項２の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同様の構成を有するものについては、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２５】
図９〜図１６は本発明の実施の形態２における配線パターンの形成方法の断面図であり、絶縁性基板の片方の面の貫通孔近傍を示している。
【００２６】
まず、図９に示すように、セラミック基材や樹脂フィルム基材の他にアラミド樹脂基材やガラス等の絶縁性繊維として、例えばガラス繊維を縦糸と横糸とで布状に織ったいわゆるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ基材である厚さ４０μｍ程度の第１の絶縁性基材１１の表面に銅箔を形成し、この銅箔を、フォトエッチングなどによって形成された内層導電性パターン１２の表面に、さらに厚さ４０μｍ程度の第２絶縁性基材１３を形成する。
【００２７】
この第２の絶縁性基材１３は、第１の絶縁性基材１１と同様、セラミック基材や樹脂フィルム基材の他に、アラミド樹脂基材やガラスエポキシ基材を用いる。次にこの第２の絶縁性基材１３に、炭酸ガスやＹＡＧレーザー等の光学的手法やドリル等の機械的手法によって、１００μｍφ程度の大きさのビア１４を形成し、内層導電性パターン１２表面の一部を露出せしめる。さらに、次の工程で形成する無電解めっきによる導電性層１５の密着性を向上すべく、絶縁性基材１３の表面粗化およびビア１４内の樹脂残渣除去のために、過マンガン酸カリウム等強アルカリによる処理いわゆるデスミアを行う。
【００２８】
次に、図１０に示すように、少なくとも第２の絶縁性基材１３の表面およびビア１４内の絶縁性樹脂部分に、無電解めっきによって導電性層１５を被着形成する。このとき、導電性層１５とビア１４内に露出した内層導電性パターン１２とが電気的に接続される。
【００２９】
なお、本実施の形態では、導電性層１５を無電解めっきによって形成したが、スパッタ等によって形成してもよい。
【００３０】
次に、図１１に示すように、無電解めっきによる導電性層１５の表面およびビア１４の所望領域を露出すべく、例えば２５μｍ厚さの感光性樹脂等を用いたマスクパターン１６によりパターン形成を行う。
【００３１】
次に、図１２に示すように、硫酸銅と硫酸を主成分とし、ポリエチレングリコールやチオールまたはジスフィルド等の添加剤を用いためっき液に浸漬し、導電性層１５を通して電流密度を１０Ａ／ｄｍ2以下、望ましくは１〜６Ａ／ｄｍ2の電力供給をすることで、例えば２５μｍの厚さのマスクパターン１６でマスクされていないビア１４および導電性層１５が露出した領域に、電気めっきによる銅の導電性パターン１７が形成される。ここで、マスクパターン１６でマスクされていない導電性層１５の露出した領域の厚さを、前記２５μｍのマスクパターン１６より薄い、例えば１５μｍの厚さで形成する。
【００３２】
尚、このとき電気めっき液の添加剤によって、ビア１４の底のめっき速度は促進されるものの、導電性パターン１７の表面に対して最大２倍程度の促進であるため、ビア１４の底部では３０μｍ程度となり、このときビア１４は埋められておらず凹状態である。一方、導電性パターン１７の表面においては、感光性樹脂の撥水性によって表面が曲面の凸状態に形成されている。
【００３３】
次に、図１３に示すように、前記電気めっきによって形成した導電性パターン１７の表面をバフ研磨等により研磨することで、前記導電性パターン１７の表面の凸状態の曲面が選択的に研磨されるものの、ビア１４の部分は研磨されないため、まだ凹状である。従って導電性パターン１７の部分の厚さのみが減少するものである。
【００３４】
これによって、前記導電性パターン１７の露出した領域表面の凸状態の曲面は、逆に平坦もしくはパターン中央が凹状に出来るものである。また、化学的なエッチング例えば硫酸と過酸化水素の混合液や塩化第２鉄溶液の場合、パターン中央のエッチングが大きく周辺では小さいという、めっきによる厚さ形状とは逆の形状にエッチングされるため、バフ研磨の場合と同様に、厚さを薄くしかも平坦もしくはパターン中央が薄い凹状に出来るものである。ここで、研磨を５μｍ程度とすれば、ビア１４の部分以外の導電性パターン１７の露出した領域の厚さは１０μｍ程度となる。
【００３５】
その後、図１４に示すように、再度電気めっきによって、導電性パターン１７の露出した領域に１０μｍ程度さらに層を形成することにより、再びこの領域の表面は、平坦もしくは若干曲面の凸状態となり、厚さは２０μｍとなる。一方、すでに３０μｍめっき形成されているビア１４の底部では、層が新たに２０μｍ形成されるため、合計５０μｍとなり導電性層１５上の部分に厚さが近くなる。
【００３６】
このように、電気めっきと研磨を繰り返すことによって、図１５に示すように、導電性パターン１７の露出したマスクパターン１６でマスクされていない領域、すなわちパターン部を薄く且つ平坦に形成し、しかもビア１４も、めっきによる銅で埋めて平坦化も可能である。
【００３７】
しかる後、図１６に示すように、マスクパターン１６を３％水酸化ナトリウム溶液で剥離し、これによって露出した無電解めっきによって形成された導電性層１５を例えば硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング除去することによって導電性パターン１７による配線が形成出来る。
【００３８】
以上のように、本実施の形態によれば、電気めっきによる導電性パターン１７の厚さを薄くかつ平坦に形成できる。これは、特にビア１４内にも同時にめっき形成してビア１４内を埋めるビアフィルディングする場合には、ビア１４内は研磨されずに、導電性パターン１７の表面のみが選択的に研磨されるために、ビアフィルディングしても導電性パターン１７は薄く形成されるため、マスクパターン１６が薄く出来る。このことは、マスクパターン１６の解像度を高めるもので、従って微細な導電性パターン１７を得ることが出来る。平坦な導電性パターン１７が得られることで、例えば半導体などの突起電極、すなわちバンプを押し付けて行う実装方式等において、バンプが滑って実装不良が発生する様なことなく実装が可能な平坦な、導電性パターン１７の表面を形成することが出来るものである。
【００３９】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３について、本発明の特に請求項３に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同様の構成を有するものについては、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４０】
図１７〜図２４は本発明の実施の形態３における配線基板の製造方法の断面図で、絶縁性基板の片方の面の貫通孔近傍を示している。
【００４１】
まず、図１７に示すように、セラミック基材や樹脂フィルム基材の他にアラミド樹脂基材やガラス等の絶縁性繊維として、例えばガラス繊維を縦糸と横糸とで布状に織ったいわゆるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ基材である、厚さ４０μｍ程度の第１の絶縁性基材１１の表面に銅箔１８を形成し、この銅箔１８をフォトエッチングなどによって形成された内層導電性パターン１２の表面に、さらに厚さ４０μｍ程度の第２の絶縁性基材１３を形成する。
【００４２】
さらに、第２の絶縁性基材１３の表面に厚さ１μｍ以上、例えば３μｍの銅箔１８の粗化面を第２の絶縁性基材１３に埋め込むべく、真空熱プレスなどによって被着する。この場合、銅箔の粗化による粒状の凹凸が第２の絶縁性基材１３に埋め込まれるため、後に電気めっきしても第２の絶縁性基材１３との密着強度が強いものが得られる。また、厚さが３μｍと無電解めっきに比較して厚く出来るため低い面抵抗であり、電気めっきにおいてめっき電流を均一にでき、めっき厚さを均一にできる。
【００４３】
次に銅箔１８および第２の絶縁性基材１３に、炭酸ガスやＹＡＧレーザー等の光学的手法やドリル等の機械的手法によって、１００μｍφ程度の大きさのビア１４を形成し、内層導電性パターン１２の表面を露出せしめる。この場合、銅箔１８の表面に炭酸ガスレーザーによってビア１４を形成するに際しては、黒化処理やブラウン処理などの表面処理によってレーザーの吸収を向上する。
【００４４】
また、銅箔１８は、レーザーを反射しやすいため、確実にビア１４を形成するためにビア１４を形成する部分の銅箔１８をフォトエッチングによって除去しておいてもよい。そして、次の工程で形成する無電解めっきのためのビア１４内の樹脂残渣除去に、過マンガン酸カリウム等強アルカリによる処理いわゆるデスミアを行う。
【００４５】
次に、図１８に示すように、少なくともビア１４内に露出した絶縁性樹脂部分に、無電解めっきによって無電解めっき導電性層１９を被着形成する。このとき、第２の絶縁性基材１３の表面に被着した銅箔１８と、無電解めっき導電性層１９およびビア１４内に露出した内層導電性パターン１２とは電気的に接続される。
【００４６】
次に、図１９に示すように、無電解めっき導電性層１９の表面およびビア１４の所望領域を露出すべく、例えば２５μｍ厚さの感光性樹脂などを用いたマスクパターン１６によりパターン形成を行う。このマスクパターン１６によるパターン形成は、ドライフィルムレジストのラミネートの後に、露光のマスクによる露光および現像によって、所望領域にのみマスクパターン１６を容易に残すことが出来る。
【００４７】
次に、図２０に示すように、硫酸銅と硫酸を主成分とし、ポリエチレングリコールやチオールまたはジスフィルド等の添加剤を用いためっき液に浸漬し、無電解めっき導電性層１９より電流密度を１０Ａ／ｄｍ2以下、望ましくは１〜６Ａ／ｄｍ2の電力供給をすることで、例えば２５μｍの厚さのマスクパターン１６によりマスクされていないビア１４および銅箔１８が露出した領域に、電気めっきによる導電性パターン１７が形成される。
【００４８】
ここで、銅箔１８の露出したマスクパターン１６でマスクされていない領域の厚さを、前記２５μｍのマスクパターン１６より薄い、例えば１５μｍ程度の厚さとなるように形成する。このとき電気めっき液の添加剤によって、ビア１４へのめっき成長は促進されるものの、銅箔１８の表面に対して最大２倍程度の促進であるため、ビア１４の底部では３０μｍとなり、このときビア１４は埋められておらず凹状態である。一方、銅箔１８の露出した領域の表面においては、感光性樹脂の撥水性によって表面が曲面の凸状態に形成されている。
【００４９】
次に、図２１に示すように、前記電気めっきによって形成した導電性パターン１７をバフ研磨等により研磨することで、前記銅箔１８の露出した領域表面の凸状態の曲面が選択的に研磨され、ビア１４部においては研磨されない。従ってパターン部の厚さのみが減少するものである。
【００５０】
これによって、前記銅箔１８の露出した領域表面の凸状態の曲面が平坦、むしろパターン中央が薄い凹状に出来るものである。また、化学的なエッチング例えば硫酸と過酸化水素の混合液や塩化第２鉄溶液の場合、パターン中央のエッチングが大きく周辺では小さいという、めっきによる厚さ形状とは逆の形状にエッチングされるため、バフ研磨の場合と同様に、厚さを薄くしかも平坦もしくはパターン中央が薄い凹状に出来るものである。ここで、研磨を５μｍ程度とすればビア１４部以外の銅箔１８の露出した領域の厚さは１０μｍ程度となる。これは、エッチングによっても同程度のエッチング量で同様な厚さおよび形状が得られる。
【００５１】
その後、図２２に示すように、再度電気めっきによって、銅箔１８の露出した領域の厚さが１０μｍ程度さらにめっき形成されることにより、再びこの領域の表面は曲面の凸状態となり、厚さは２０μｍとなる。一方、すでに３０μｍ程度めっき形成されているビア１４の底部では、新たに２０μｍ形成されるため、合計５０μｍとなり、１０μｍ凹の状態になっている。
【００５２】
このように電気めっきと研磨とを複数回繰り返すことによって効果は大きく、図２３に示すように、銅箔１８の露出した感光性樹脂１６でマスクされていない領域、すなわちパターン部を薄く且つ平坦に形成し、しかもビア１４もめっきによる銅で埋めて平坦化することも可能である。
【００５３】
しかる後、図２４に示すように、マスクパターン１６を３％水酸化ナトリウム溶液で剥離し、これによって露出した銅箔１８を、例えば硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング除去することによってパターン形成が出来る。
【００５４】
以上のように、本実施の形態によれば、電気めっきによる導電性パターン１７の厚さを薄くかつ平坦に形成できる。これは、特にビア１４内にも同時にめっき形成して埋めるビアフィルディングする場合には、ビア１４は研磨されずに導電性パターン１７の表面のみが選択的に研磨されるために、ビアフィルディングしても導電性パターン１７は薄く形成されるため、マスクパターン１６を薄く形成することが出来る。このことは、マスクパターン１６の解像度を高めるもので、従って微細な導電性パターン１７を得ることが出来る。また、平坦な導電性パターン１７が得られることで、例えば半導体などの突起電極、すなわちバンプを押し付けて行う実装方式等において、バンプが滑って実装不良が発生する様なことなく実装が可能な、平坦な導電性パターン表面を形成することが出来るものである。また電気めっきにおける面抵抗を小さくでき、電気めっきの厚さの均整を向上できるばかりでなく、密着強度も向上できる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、電気めっきによってビア埋めしても他のパターン部のめっき厚さを薄く形成でき、従って薄い感光性樹脂の採用が可能であるため高解像化できる。従って微細なパターン形成を可能とするものである。しかも平坦な面が得られ実装不良をなくすことを可能とするパターン断面形状が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図２】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図３】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図４】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図５】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図６】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図７】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図８】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図９】本発明の実施の形態２におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１０】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１１】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１２】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１３】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１４】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１５】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１６】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１７】本発明の実施の形態３におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１８】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図１９】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図２０】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図２１】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図２２】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図２３】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図２４】同実施の形態におけるパターン形成方法を示す工程断面図
【図２５】従来のパターン形成方法を示す工程断面図
【図２６】従来のパターン形成方法を示す工程断面図
【図２７】従来のパターン形成方法を示す工程断面図
【符号の説明】
【００５７】
１０  絶縁性基材
１１  第１の絶縁性基材
１２  内層導電性パターン
１３  第２の絶縁性基材
１４  ビア
１５  導電性層
１６  マスクパターン
１７  導電性パターン
１８  銅箔
１９  無電解めっき導電性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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