(57)【要約】【課題】検知精度を低下させることなく、処理液による処理を均一化させることを目的とする。【解決手段】基板処理装置１に、処理液を吐出空間２２に向けて吐出する吐出機構２と、断面形状が帯状のレーザ光を照射する投光部３と、投光部３から照射されたレーザ光を受光する受光部４と、制御部５とを設ける。投光部３が吐出空間２２外に配置されるように、投光部３を吐出空間２２よりも上方に設置し、吐出機構２の上方からガラス基板９に向けてレーザ光を照射する。制御部５は、受光部４から出力される受光量に基づいて、受光量が所定の閾値よりも増加した時点で、エッチング処理が終了したと判定する。【選択図】図１
2007254840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、
所定の吐出空間に向けて処理液を吐出して、基板の第１表面に向けて処理液を吐出する吐出手段と、
少なくとも前記吐出手段が処理液を吐出している間において、断面形状が帯状のレーザ光を前記基板に向けて照射する投光部と、
前記投光部から照射されたレーザ光を受光しつつその受光量を出力する受光部と、
前記受光部から出力される受光量に基づいて、前記吐出手段から吐出される処理液による処理が終了したことを検出する検出手段と、
を備え、
前記投光部および前記受光部の少なくとも一方が、前記第１表面に対向し、かつ前記吐出空間外に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板処理装置であって、
所定の吐出空間に向けて処理液を吐出して、基板の第１表面に向けて処理液を吐出する吐出手段と、
少なくとも前記吐出手段が処理液を吐出している間において、レーザ光を前記基板に向けて照射する半導体レーザをアレイ状に複数備えた投光部と、
前記投光部から照射された複数のレーザ光を受光しつつその受光量を出力する受光部と、
前記受光部が出力する前記受光量に基づいて、前記吐出手段から吐出される処理液による処理が終了したことを検出する検出手段と、
を備え、
前記投光部および前記受光部の少なくとも一方が、前記第１表面に対向し、かつ前記吐出空間外に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記第１表面に対向していない前記投光部または前記受光部が、前記第１表面の反対に位置する第２表面に対向するように配置され、
前記基板は、前記投光部と前記受光部との間に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記投光部および前記受光部が前記第１表面と対向し、
前記受光部は、前記投光部から照射され、前記第１表面で反射したレーザ光の反射光を受光することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面における処理液が部分的に不足することのないように供給し、当該処理液による処理を均一化させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルなどの製造工程で使用されるウェットエッチング処理装置（基板処理装置）は、コンベアにてガラス基板を搬送し、上方に配置したノズルから処理液をガラス基板に向けて吐出することによって、薬液処理を実行する。このようなウェットエッチング処理装置において、検出光を照射し、これを受光することによって、薬液処理の終了を検知するエンドポイントセンサを設ける技術が知られている。
【０００３】
エッチング（薬液処理）前のガラス基板上には金属膜が形成されている。
【０００４】
そして、処理液によってエッチング処理が進行すると、マスクされていない部分の金属膜は処理液によって除去され、検出光の受光量が変化する。
【０００５】
エンドポイントセンサは、上述のようにエッチング処理の進行状況に応じて変化する検出光の受光量の変化を検出して薬液処理の終了を検知する。従来のエンドポイントセンサはＬＥＤによって検出光を照射する。このような技術が例えば特許文献１に記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平０８−２６０１６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、ＬＥＤは光軸距離が長くなると検出光が拡散し、正確な検出が行えないという問題があった。このため、従来では投光部と受光部との距離を近づける必要があり（１０ｍｍ程度）、ノズルと基板との間にエンドポイントセンサを配置しなければならなかった。この場合、エンドポイントセンサが、ノズルから吐出される処理液を遮断してしまうため、エンドポイントセンサの影になる部分では処理液が不足し、基板に対する処理が不均一になるという問題があった。
【０００８】
そこで従来では、製品への影響を最小限にするために、エンドポイントセンサの影になる部分が基板の端部となるように、エンドポイントセンサを配置することも行われていた。しかし、基板の端部と中央部とでは、処理される速度が異なる（特に基板が大型化すると顕著である）。したがって、基板の端部がエンドポイントセンサの影になるように配置した場合には、基板中央部における薬液処理の終了を検知することができないという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、エンドポイントセンサによる検知精度を低下させることなく、薬液による処理を均一化させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置であって、所定の吐出空間に向けて処理液を吐出して、基板の第１表面に向けて処理液を吐出する吐出手段と、少なくとも前記吐出手段が処理液を吐出している間において、断面形状が帯状のレーザ光を前記基板に向けて照射する投光部と、前記投光部から照射されたレーザ光を受光しつつその受光量を出力する受光部と、前記受光部から出力される受光量に基づいて、前記吐出手段から吐出される処理液による処理が終了したことを検出する検出手段とを備え、前記投光部および前記受光部の少なくとも一方が、前記第１表面に対向し、かつ前記吐出空間外に配置されることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２の発明は、基板処理装置であって、所定の吐出空間に向けて処理液を吐出して、基板の第１表面に向けて処理液を吐出する吐出手段と、少なくとも前記吐出手段が処理液を吐出している間において、レーザ光を前記基板に向けて照射する半導体レーザをアレイ状に複数備えた投光部と、前記投光部から照射された複数のレーザ光を受光しつつその受光量を出力する受光部と、前記受光部が出力する前記受光量に基づいて、前記吐出手段から吐出される処理液による処理が終了したことを検出する検出手段とを備え、前記投光部および前記受光部の少なくとも一方が、前記第１表面に対向し、かつ前記吐出空間外に配置されることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１または２の発明に係る基板処理装置であって、前記第１表面に対向していない前記投光部または前記受光部が、前記第１表面の反対に位置する第２表面に対向するように配置され、前記基板は、前記投光部と前記受光部との間に配置されることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項１または２の発明に係る基板処理装置であって、前記投光部および前記受光部が前記第１表面と対向し、前記受光部は、前記投光部から照射され、前記第１表面で反射したレーザ光の反射光を受光することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明では、断面形状が帯状のレーザを照射する投光部および受光部の少なくとも一方が、基板の第１表面に対向し、かつ吐出空間外に配置されることにより、投光部または受光部を吐出空間内に配置しないので、処理液の供給が妨げられることがない。したがって、処理精度が向上する。
【００１５】
請求項２に記載の発明では、レーザ光を基板に向けて照射する半導体レーザをアレイ状に複数備えた投光部および受光部の少なくとも一方が、基板の第１表面に対向し、かつ吐出空間外に配置されることにより、投光部または受光部を吐出空間内に配置しないので、処理液の供給が妨げられることがない。したがって、処理精度が向上する。
【００１６】
請求項３に記載の発明では、第１表面に対向していない投光部または受光部が、第１表面の反対に位置する第２表面に対向するように配置され、基板は、投光部と受光部との間に配置されることにより、投光部または受光部のうち第２表面に対向する位置に配置される方は、比較的基板に近接させることができる。したがって、レーザ光の光軸距離を比較的短くできるので、精度が向上する。
【００１７】
請求項４に記載の発明では、投光部および受光部が第１表面と対向し、受光部は、投光部から照射され、第１表面で反射したレーザ光の反射光を受光することにより、装置を小型化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１９】
＜１．  第１の実施の形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１を示す側面図である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【００２０】
基板処理装置１は、吐出機構２、投光部３、受光部４、制御部５および搬送機構６を備えており、吐出機構２から吐出する処理液によってガラス基板９に対してウェットエッチング処理を行う装置として機能する。ただし、ガラス基板９に対する処理液による処理はウェットエッチング処理に限られるものではない。
【００２１】
なお、以下の説明において、投光部３と受光部４とを合わせて、処理液によるエッチング処理の終了を検出するための「エンドポイントセンサ」と総称する。また、搬送機構６の搬送経路よりもＺ軸上の座標が大きい空間を処理空間と称し、他の空間を非処理空間と称して区別する。また、エンドポイントセンサの構成のうち、処理空間内に配置される構成を「処理側センサ」と称する。
【００２２】
さらに、投光部３がガラス基板９に対向するとは、投光部３がガラス基板９に向けて光を照射するように配置されることを意味し、受光部４がガラス基板９に対向するとは、受光部４がガラス基板９からの光を受光するように配置されていることを意味する。すなわち、以下の説明において、「対向する」とは、エンドポイントセンサの光軸がガラス基板９に対して垂直であることに限定する意味ではない。
【００２３】
吐出機構２は、処理空間内に設けられており、Ｘ軸方向に沿って延びるノズル支持部２０と、ノズル支持部２０に支持される複数のノズル２１とを備えている。また、詳細は図示しないが、吐出機構２は、処理液を貯留するタンクと、処理液を送液するポンプと、タンクからノズル支持部２０まで処理液を導く配管とを有している。そして、制御部５からの制御信号に従ってポンプを駆動することによって、タンクに貯留した処理液を配管を介してノズル支持部２０に供給するように構成されている。
【００２４】
ノズル支持部２０の内部には図示しない処理液の流路が設けられており、この流路はノズル支持部２０に設けられている個々のノズル２１にそれぞれ連通されている。このような構造により、ノズル支持部２０に供給された処理液は、各ノズル２１に向けて供給される。
【００２５】
なお、図１には１つのノズル支持部２０しか図示していないが、基板処理装置１はＹ軸方向に配列する複数のノズル支持部２０を備えており、個々のノズル支持部２０はいずれもＸ軸方向に延びる向きに配置される。また、各ノズル支持部２０とガラス基板９との距離は互いに等しくなるように配置されている。このような構造により、基板処理装置１では、複数のノズル２１がＸＹ平面方向に均等に分布するように配置されている。
【００２６】
基板処理装置１が備える複数のノズル２１は、互いに同一構造となっており、ガラス基板９に向かう方向に吐出口（図示せず）を有している。ノズル支持部２０を介して各ノズル２１に供給される処理液は、各ノズル２１の吐出口から吐出空間２２に向けて吐出される。
【００２７】
本実施の形態では、１つのノズル２１によって形成される吐出空間２２は略三角錐状の空間として形成される。また、複数のノズル２１がＸＹ平面方向に均等に分布していることから、これらのノズル２１から同時に処理液を吐出することにより、吐出された処理液は上面９０の全体に散布される。
【００２８】
エッチング処理では、処理時間が短すぎると、浸食すべき部分が完全に除去しきれずに処理不良となる。逆に、処理時間を必要以上に長くすると、浸食が水平方向にも進行して、処理不良となる。すなわち、エッチング処理では、ガラス基板９の上面９０全体において、均一の速度で処理を進行させつつ、適切なタイミングで処理を停止させることが重要である。
【００２９】
一般に、エッチング処理中の処理面（例えば上面９０）において、部分的に処理液の不足した領域（以下、「不足領域」と称する）が存在すると、不足領域における処理速度は他の領域に比べて顕著に低下する。したがって、不足領域が生じると処理面において処理不均一を生じる。一方、エッチング処理中の処理面において、部分的に処理液の量が必要量よりも多い領域が存在したとしても、当該領域における処理速度が他の領域に比べて顕著に上昇するわけではないので、あまり処理不均一の原因とはならない。
【００３０】
すなわち、基板処理装置１では、ガラス基板９の上面９０に不足領域が形成されないように、処理液を吐出することが重要である。したがって、各ノズル２１の吐出空間２２は、ガラス基板９の上面９０において、隙間を形成することのないように（逆に重複領域は形成してもよい）、各ノズル２１の間隔が決定されている。
【００３１】
図１に示すように、投光部３は、上面９０に対向するようにガラス基板９の上方に配置されており、ガラス基板９に向けてレーザ光を照射する。また、投光部３の配置位置は、吐出空間２２外となるように、ノズル支持部２０よりも高い位置（基板９の上面９０から遠い位置）に配置されている。すなわち、本実施の形態では、投光部３が処理空間内に配置されており、投光部３は処理側センサである。
【００３２】
また、図１では省略しているが、投光部３は制御部５に接続されており、制御部５からの制御信号によってレーザ光の照射タイミングが制御される。
【００３３】
受光部４は、受光した光の光量に応じた電気信号を出力する光電変換素子（例えば、ＣＣＤ素子等）を備えている。これにより受光部４は、投光部３から照射されたレーザ光を受光しつつその受光量を制御部５に出力する。なお、詳細は図示しないが、受光部４の受光領域は、投光部３から照射されるレーザ光の断面積に比べて充分に広くなるように設定する。
【００３４】
本実施の形態では、図１に示すように受光部４は、投光部３と対向し、かつガラス基板９の裏面９１（第２表面）に対向する位置に配置されている。すなわち、本実施の形態における受光部４は非処理空間内に配置されており、受光部４は処理側センサではない。このような配置により、受光部４は投光部３から照射されたレーザ光のうち、ガラス基板９を透過したレーザ光を受光する。
【００３５】
従来の装置では、ＬＥＤによる光を用いていたために、投光部と受光部との距離を近づけなければならず、結果的に処理側センサを吐出空間内に設ける必要があった。そして、吐出空間内に処理側センサを設けると、吐出された処理液の供給が処理側センサによって妨げられ、処理不均一を生じていた。
【００３６】
しかし、ＬＥＤによる光に比べて、投光部３が照射するレーザ光は直進性がよいという特徴がある。したがって、本実施の形態における基板処理装置１は、レーザ光を照射する投光部３を備えることによって、従来の構成に比べて投光部３と受光部４との距離を離して配置することができる。すなわち、処理側センサである投光部３を吐出空間２２外に配置することができる。
【００３７】
このように、本実施の形態における基板処理装置１は、処理側センサである投光部３を吐出空間２２外に配置し、吐出空間２２内に処理側センサを配置することはない。これにより、吐出空間２２に向けて吐出された処理液が投光部３によって妨げられることがない（処理液の供給が妨げられることがない）ので、基板処理装置１は、ガラス基板９の上面９０において、不足領域が生じることを防止できる。したがって、エッチング処理の進行状態が上面９０全体において均一化されるので、エッチング処理が均一化される。
【００３８】
図２は、投光部３から照射されるレーザ光の断面Ｓの形状を示す図である。なお、「断面Ｓ」とは、レーザ光の光軸に対して垂直な面で当該レーザ光を切断したときの断面と定義する。
【００３９】
投光部３は半導体レーザ（図示せず）を備え、図２に示すように、断面Ｓの形状が帯状のレーザ光を照射する。すなわち、投光部３は、通常のスポット型レーザ光に比べて断面積の広いレーザ光を照射する。
【００４０】
レーザ光は、先述のように、直進性がよいので、投光部３と受光部４との距離を比較的離して設置することができる。しかし、レーザ光は、処理液の付着や、ミスト状に供給する処理液の影響で錯乱され急激に減衰するため、受光部４における受光量が低下するという特徴がある。したがって、スポット型レーザ光は、処理液が飛散する空間を通過させなければならないエンドポイントセンサに適さないという問題がある。
【００４１】
本実施の形態における基板処理装置１は、先述のように、スポット型レーザ光に比べて断面積の広い帯状レーザ光を用いる。したがって、本実施の形態におけるレーザ光は、吐出空間２２内を通過するように配置された場合であっても、金属膜に遮蔽されることがなければ、受光部４に入射する。
【００４２】
なお、本実施の形態における投光部３は、長手方向の幅が約１０ｍｍのレーザ光を照射するが、もちろんサイズはこれに限られるものではない。
【００４３】
図１に戻って制御部５は、コンピュータとしての機能を備えており、基板処理装置１の各構成を制御する。
【００４４】
例えば、制御部５は、少なくとも吐出機構２がガラス基板９に向けて処理液を吐出している間において、投光部３にレーザ光を照射させる。そして、レーザ光を照射している間、随時受光部４から出力される受光量と予め設定されている閾値とを比較して、受光量が閾値を超えるタイミングを監視する。
【００４５】
ガラス基板９の上面９０に形成された金属膜が未だ除去されていない状態（処理が未完了の状態）では、投光部３から照射されたレーザ光は金属膜に遮蔽されて受光部４に入射しない。しかし、処理が進行して、金属膜の除去が完了すると、レーザ光は金属膜に反射されることなくガラス基板９を通過して、受光部４に入射する。すなわち、エッチング処理が完了した状態では、受光部４から出力される受光量は増加する。
【００４６】
したがって、閾値を予め適切に設定しておけば、受光量が閾値を超えるタイミングにおいて、処理の終了を検知することができる。このようにして、制御部５は、受光部４から出力されるレーザ光の受光量に基づいて、吐出機構２から吐出される処理液による処理（エッチング処理）が終了したことを検出する。
【００４７】
搬送機構６は、複数の搬送ローラ６０を備えており、これらの搬送ローラ６０の上端面によってガラス基板９の裏面９１を保持する。また、制御部５からの制御信号に応じて、搬送ローラ６０を回転させることによって、所定の搬送経路に沿ってガラス基板９をＸ軸方向に搬送する。
【００４８】
制御部５は、処理の終了を検知すると、吐出機構２による処理液の吐出を停止させ、搬送機構６を制御することにより、ガラス基板９を次の工程に搬送させる。これと並行して、投光部３によるレーザ光の照射を停止する。
【００４９】
以上のように、本実施の形態における基板処理装置１は、断面Ｓの形状が帯状のレーザ光を照射する投光部３が、ガラス基板９の上面９０に対向し、かつ吐出空間２２外に配置されることにより、投光部３または受光部４を吐出空間２２内に配置しないので、ガラス基板９の上面９０全体に処理液が到達する。したがって、処理精度が向上する。
【００５０】
また、処理液の供給を妨げることがないので、投光部３および受光部４を任意の位置に配置することができ、例えば、エンドポイントセンサが基板９０の中央部を検知するように配置することも可能である。また、エンドポイントセンサの数を増やしても影響がない。したがって、処理上、特に重要な位置を検知するようにエンドポイントセンサを配置できるので、精度が向上する。
【００５１】
なお、本実施の形態では、金属膜を例に説明したが、除去する対象となる膜は金属でなくてもよい。処理液によって除去される物質で構成され、レーザ光を遮蔽する性質の膜であれば何でもよい。
【００５２】
また、投光部３および受光部４の少なくとも一方が処理側センサとして配置されていればよいので、投光部３と受光部４との配置を入れ替えてもよい。すなわち、受光部４を処理側センサとしてガラス基板９の上方に配置し、投光部３をガラス基板９の下方に配置してもよい。ただし、下方に配置される方は比較的汚れが付着しやすいため、投光部３を処理側センサとする方が精度上は好ましい。
【００５３】
また、処理側センサの光軸はガラス基板９の上面９０と必ずしも垂直に対向しなくてよい。例えば、投光部３をガラス基板９の上方から外れた位置（ただし処理空間内）に設け、レーザ光を上面９０に対して斜めに入射させてもよい。この場合も、受光部４を投光部３と対向さて配置しておけば、処理の終了を検知することができる。ただし、斜めに入射させると、レーザ光の光軸距離が長くなるだけでなく、ガラス基板９の表面で反射する光が多くなり受光部４の受光量が減るため、精度上は垂直対向が好ましい。
【００５４】
＜２．  第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、断面形状が帯状のレーザ光を照射する場合について説明した。しかし、レーザ光の断面積を広くする手法はこれに限られるものではない。
【００５５】
図３は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における投光部３ａを示す図である。
【００５６】
投光部３ａは、複数の半導体レーザ３ｂを備えており、これらがアレイ状に配置された一体構造を有している。各半導体レーザ３ｂは、それぞれがスポット型レーザ光を照射するすなわち、第２の実施の形態におけるレーザ光は、複数のレーザ光の束であり、その断面積は単一のスポット型レーザ光よりも広くなる。
【００５７】
このようなレーザ光は、吐出空間２２内を通過したとしても、金属膜が除去されていれば受光部４に入射する。なお、図３では、１２個の半導体レーザ３ｂを示しているが、半導体レーザ３ｂの数はこれに限られるものではない。
【００５８】
以上のように、第２の実施の形態における基板処理装置１のように、複数の半導体レーザ３ｂをアレイ状に一体化した投光部３ａであっても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
＜３．  第３の実施の形態＞
上記実施の形態では、投光部３，３ａと受光部４とが別々の構造となっているエンドポイントセンサ（いわゆる透過型センサ）について説明した。しかし、エンドポイントセンサは反射型センサであってもよい。
【００６０】
図４は、このような原理に基づいて構成した第３の実施の形態における基板処理装置７を示す図である。なお、基板処理装置７において、基板処理装置１と同様の機能を有する構成については同符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６１】
基板処理装置７は、投光部３と受光部４との代わりに、レーザ光を照射する投光部とレーザ光を受光して受光量を出力する受光部とが一体となった反射型センサ８を備える点が基板処理装置１と異なっている。
【００６２】
反射型センサ８は、第１の実施の形態と同様に断面形状が帯状のレーザ光を照射する。なお、第２の実施の形態と同様にアレイ状に複数の投光部を配置する構造であってもよい。
【００６３】
また、反射型センサ８は、基板処理装置１の投光部３と同様に、吐出空間２２外に配置されている。すなわち、本実施の形態では、反射型センサ８が処理側センサとなっており、非処理空間内に配置されるセンサは存在しない。
【００６４】
反射型センサ８から出力される受光量は、レーザ光の反射光の受光量であるから、エッチング処理の開始時点では比較的大きな値となる。一方、エッチング処理が完了すると、照射されたレーザ光はガラス基板９の裏面側に抜け、反射光は激減するため、受光量は比較的小さい値となる。
【００６５】
すなわち、本実施の形態における制御部５は、反射型センサ８から出力される受光量と、予め設定された閾値とを比較しつつ、受光量が閾値より小さくなるタイミングを監視することによって、処理の終了を検知する。
【００６６】
以上のように、第３の実施の形態における基板処理装置７でも、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
なお、第３の実施の形態の反射型センサ８は、レーザ光をガラス基板９に向けて垂直に入射させると説明したが、ガラス基板９に向けて照射するレーザ光を斜めに入射させてもよい。すなわち、反射型センサ８においても投光部および受光部はガラス基板９に対向していればよいので、投光部と受光部とを処理側の別々の位置に配置してもよい。
【００６８】
＜４．  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００６９】
上記本実施の形態では、複数のノズル支持部２０がＹ軸方向に配列し、これに取り付けられたノズル２１がＸ軸方向に配列すると説明したが、Ｙ軸方向に延びるノズル支持部２０をＸ軸方向に配列する構成であってもよい。
【００７０】
また、上記実施の形態では、処理側センサはノズル支持部２０より上方に配置されると説明したが、吐出空間２２よりも上方であればよい。すなわち、ノズル２１から吐出される処理液の供給を妨げない位置（吐出空間２２外）であれば、ノズル支持部２０やノズル２１よりもガラス基板９に近い位置に設けられていてもよい。
【００７１】
また、エッチング処理が終了したとき（処理の終了を検知したとき）、制御部５は、吐出機構２に洗浄液を吐出させてもよい。すなわち、エッチング処理の後、基板処理装置１において引き続き後工程が実施される場合は、必ずしも搬送機構６によってガラス基板９を搬出しなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明に係る基板処理装置を示す側面図である。
【図２】投光部から照射されるレーザ光の断面の形状を示す図である。
【図３】第２の実施の形態における投光部を示す図である。
【図４】第３の実施の形態における基板処理装置を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１，７  基板処理装置
２  吐出機構
２１  ノズル
２２  吐出空間
３，３ａ  投光部
３ｂ  半導体レーザ
４  受光部
５  制御部
６  搬送機構
８  反射型センサ
９  ガラス基板
９０  上面
９１  裏面
【図１】
2007254840.tif 000003
【図２】
2007254840.tif 000004
【図３】
2007254840.tif 000005
【図４】
2007254840.tif 000006