(57)【要約】【課題】レーザ光を用いて表示装置を切断・分割する製造方法において、表示装置を効率よく切断・分割することが可能な表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示装置１０の製造方法は、レーザ光４５を積層体Ｐ３に照射させて表示装置１０を形成する製造方法であって、積層体Ｐ３に含まれる第１の基板Ｐ１に第１の配線パターン５１ａを形成する工程と、第１の基板Ｐ１と対向する位置に配置される第２の基板Ｐ２に第２の配線パターン５１ｂを形成する工程と、第１の基板Ｐ１と第２の基板Ｐ２とを貼り合せて、積層体Ｐ３を形成する工程と、積層体Ｐ３にレーザ光４５を照射して、材料変質部４７を形成する工程と、積層体Ｐ３に応力Ｆを加えて、分割片Ｑを形成する工程と、を備え、第１の配線パターン５１ａと第２の配線パターン５１ｂとが対峙するように対向配置する。【選択図】図６
2007331007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を積層体に照射させて表示装置を形成する製造方法であって、
前記積層体に含まれる第１の基板に第１の配線パターンを形成する工程と、
前記第１の基板と対向する位置に配置される第２の基板に第２の配線パターンを形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合せて、積層体を形成する工程と、
前記積層体にレーザ光を照射して、材料変質部を形成する工程と、
前記積層体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、
前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが対峙するように対向配置することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置の製造方法において、
前記材料変質部を形成する工程では、
前記第１の配線パターンおよび前記第２の配線パターンを避けて前記積層体に前記レーザ光を照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の表示装置の製造方法において
前記積層体が、前記レーザ光に対して透過性を有する材料で構成されており、
前記材料変質部を形成する工程では、
前記積層体に前記レーザ光を集光素子で集光して照射させて、
前記材料変質部を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
前記材料変質部形成工程では、
前記レーザ光が、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザのうちのいずれかであり、
前記チタンサファイヤレーザ、または前記ＹＡＧレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
前記分割片を形成する工程では、
前記積層体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれか一方の応力を加えて、前記分割片を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光による表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板などの基板を切断する場合、基板にレーザ光を照射させて、切断・分割する方法があった。
【０００３】
例えば特許文献１に開示されているように、半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板などの基板を切断・分割する方法では、その切断予定ラインに沿って基板が吸収するレーザ光を照射し、多光子吸収による改質領域部を基板の表面から裏面に向けて形成し、この改質領域部に沿って切断・分割することで分割片を形成する方法が提案されていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、特許文献１の方法では、例えばＴＦＴパネルのような表示装置の場合、対向基板と、ＴＦＴ基板とを貼り合せた後に、ＴＦＴパネル（積層体）をチップ状に切断しようとすると、表示装置の外周部と、端子部と、対向基板とＴＦＴ基板との間を切断加工する必要があるので、ＴＦＴパネル（積層体）を個々のチップに分割して表示装置を形成するのには多くの切断加工箇所が必要となっていた。結果的に、切断加工箇所が多いものほど加工時間が多くかかり、サイクルタイムの向上を望むことが困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、レーザ光を用いて表示装置を切断・分割する製造方法において、表示装置を効率よく切断・分割することが可能な表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表示装置の製造方法は、レーザ光を積層体に照射させて表示装置を形成する製造方法であって、前記積層体に含まれる第１の基板に第１の配線パターンを形成する工程と、前記第１の基板と対向する位置に配置される第２の基板に第２の配線パターンを形成する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合せて、積層体を形成する工程と、前記積層体にレーザ光を照射して、材料変質部を形成する工程と、前記積層体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備え、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが対峙するように対向配置することを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、第１の配線パターンと第２の配線パターンとが対峙するように対向配置させて、第１の基板と第２の基板とを貼り合せて積層体を形成することによって、レーザ光を照射して形成する材料変質部の箇所を必要最小限の数量に絞りこむことができるから、サイクルタイムを短縮することができるので、結果的に効率的になる。
【０００９】
本発明の表示装置の製造方法は、前記材料変質部を形成する工程では、前記第１の配線パターンおよび前記第２の配線パターンを避けて前記積層体に前記レーザ光を照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１０】
この発明によれば、第１の配線パターンおよび第２の配線パターンの配置位置を避けて積層体にレーザ光を照射させて材料変質部を形成するから、レーザ光の照射によって生じる第１の配線パターンおよび第２の配線パターンの品質劣化を抑制することができるので、安定した品質の表示装置を提供できる。
【００１１】
本発明の表示装置の製造方法は、前記積層体が、前記レーザ光に対して透過性を有する材料で構成されており、前記材料変質部を形成する工程では、前記積層体に前記レーザ光を集光素子で集光して照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１２】
この発明によれば、レーザ光を集光素子で集光して積層体に照射させるから、積層体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
【００１３】
本発明の表示装置の製造方法は、前記材料変質部形成工程では、前記レーザ光が、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザのうちのいずれかであり、前記チタンサファイヤレーザ、または前記ＹＡＧレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。
【００１４】
この発明によれば、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波を積層体に照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波が、積層体に対して透過性を有している波長であるので、積層体の所定の位置に材料変質部を形成することができる。
【００１５】
本発明の表示装置の製造方法は、前記分割片を形成する工程では、前記積層体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれか一方の応力を加えて、前記分割片を形成することが望ましい。
【００１６】
この発明によれば、積層体に応力を加えるだけで積層体を切断・分割することができるので、分割片を簡単に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の表示装置の製造方法について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。なお、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、本実施形態で使用する基板、および基板内部に材料変質部を形成する形成方法について説明する。
【００１８】
＜基体＞
本実施形態で用いうる基板は、その材料にガラス、石英、水晶、シリコン、などの材料（主に、セラミックス材料）を用いることができる。なお、ここでは、基板材料として石英を用いた。
【００１９】
＜材料変質部の形成方法＞
基板にレーザ光を照射して基板内部に材料変質部を形成する形成方法について説明する。
【００２０】
図１は、レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図である。
【００２１】
図１において、基板Ｐの内部にレーザ光４５を集光して照射させて、スキャン方向Ｘ（分割方向）に、レーザ光４５をスキャンする。レーザ光４５は集光素子としてのレンズ４６で集光されるから、基板Ｐの内部に焦点を合わせることができる。スキャン方向Ｘ（分割方向）に、レーザ光４５をスキャンさせると、基板Ｐの内部に改質層としての材料変質部４７を形成できる。なお、レーザ光４５のスキャン方向Ｘにおける移動速度は、１００ｍｍ／ｓｅｃである。基板Ｐの厚さは約２００μｍである。
【００２２】
また、レーザ光４５を１回スキャンさせるだけでは、改質層としての材料変質部４７のできる量が数十μｍであるので、基板Ｐの深さ方向全域に材料変質部４７を形成するためには、レーザ光４５を何回かスキャン方向Ｘ（分割方向）にスキャンさせる必要がある。そして、レーザ光４５をスキャンさせるごとに、集光素子としてのレンズ４６の焦点位置を基板Ｐの下面から上面に向かって上昇させる。ここで、基板Ｐの下面から上面に向けてレーザ光４５の焦点位置を上昇させるのは、先に形成された材料変質部４７によってレーザ光４５が散乱してしまい、基板Ｐの深さ方向全域にわたって材料変質部４７を形成することができなくなることを避けるためである。
【００２３】
（実施形態）
本実施形態では、積層体の面にレーザ光を照射して、積層体内部に材料変質部を形成し、積層体の外部から応力を加えて積層体を切断・分割して、表示装置を製造する表示装置の製造方法について説明する。
【００２４】
図２は、本実施形態におけるレーザ加工装置の概略図であり、図３は、レーザ加工装置の制御系のブロック図である。
【００２５】
図２および図３を参照して、レーザ加工装置について説明する。
【００２６】
図２に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光４５を射出するレーザ光源１０１と、レーザ光源１０１から射出されたレーザ光４５を反射する反射板としてのダイクロイックミラー１０２とを、備えている。また、ダイクロイックミラー１０２は、入射したレーザ光４５の光量を反射させる機能を有している。そして、ダイクロイックミラー１０２は、同図に示すように、レーザ光４５が基板Ｐの表面に対して略垂直に照射できるように配置されている。
【００２７】
レーザ加工装置１００は、ダイクロイックミラー１０２で反射したレーザ光４５を集光する集光素子としてのレンズ４６を備えている。そして、レンズ４６は、同図に示すように、レーザ光４５が基板Ｐの表面に対して略垂直に照射できるように配置されている。
【００２８】
また、加工対象物である基板Ｐを載置するステージ１０７と、ステージ１０７を集光素子としてのレンズ４６に対して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向へ移動させるＸ軸スライド部１１０およびＹ軸スライド部１０８とを、備えている。
【００２９】
また、ステージ１０７に載置された基板Ｐに対して集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を変えてレーザ光４５の集光点の位置を調整するＺ軸スライド機構１０４を備えている。集光素子としてのレンズ４６は、Ｚ軸スライド機構１０４から延びたスライドアーム１０４ａによって支持されている。集光素子としてのレンズ４６は、倍率が５０倍、開口数が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ  Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズである。
【００３０】
さらに、レーザ加工装置１００は、ダイクロイックミラー１０２を挟んで集光素子としてのレンズ４６の反対側に位置する撮像装置１１２を備えている。撮像装置１１２は、同軸落射型光源（図示省略）と、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）（図示省略）とが、組み込まれたものである。撮像装置１１２は、画像を撮像することができ、撮像した画像データは、画像処理部１２４に取り込まれるように構成されている。そして、同軸落射型光源から射出した可視光は、集光素子としてのレンズ４６を透過して焦点を結ぶ。
【００３１】
ここで、レーザ光４５は、基板Ｐに対して透過性を有するものが採用される。本実施形態では、レーザ光源１０１から射出されるレーザ光には、半導体レーザを励起するＹＡＧレーザを採用した。ＹＡＧレーザは、ナノ秒のパルス幅で射出するいわゆるナノ秒レーザである。レーザ光４５の詳細な条件は以下のとおりである。レーザ光源は、半導体レーザを励起するものである。レーザ媒質：Ｎｄ：ＹＡＧ。レーザ波長：１０６４ｎｍ。レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8ｃｍ2。発振形態：Ｑスイッチパルス。繰り返し周波数：１００ＫＨｚ。パルス幅：３０ｎｓ。出力：２０μＪ／パルス。レーザ光品質：ＴＥＭ00。偏光特性：直線偏光（Ｃ）。集光用レンズ倍率：５０倍。ＮＡ：０．５５。レーザ光波長に対する透過率：６０％（Ｄ）。移動速度：１００ｍｍ／ｓｅｃである。
【００３２】
ＹＡＧレーザのレーザ波長は、１０６４ｎｍにこだわることはなく、例えばＹＡＧレーザの第２高調波を用いてもよい。第２高調波のレーザ波長は、５３２ｎｍである。また、レーザ光４５は、ＹＡＧレーザでなくてもよく、例えばチタンサファイヤレーザに代表される超短パルスレーザを採用してもよい。超短パルスレーザであるチタンサファイヤレーザを使用すれば、収差の影響でビーム径が多少大きくなったとしても、問題なく内部加工ができ、材料変質部４７（図１参照）を形成することができる。この場合のレーザ光４５の詳細な条件は以下のとおりである。レーザ波長：約８００ｎｍ。パルス幅：約３００ｆｓ（フェムト秒）。パルス周期：１ｋＨｚである。出力：約７００ｍＷである。
【００３３】
レーザ光４５を射出するレーザ光源１０１は、レーザ制御部１２１によって所定の条件で制御されている。
【００３４】
図３に示すように、レーザ加工装置１００（図２参照）は、上記各構成を制御することができるメインコンピュータ１２０を備えている。メインコンピュータ１２０には、ＣＰＵ１２７（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）と、ＲＡＭ１２８（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、画像処理部１２４とを、備えている。ＣＰＵ１２７は、加工異常が発生したら、その判定をすることができる機能を有している。ＲＡＭ１２８は、切断予定ラインの座標位置を記憶しておくことができる機能を有している。
【００３５】
メインコンピュータ１２０は、入力部１２５と、表示部１２６と、接続されている。入力部１２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力することができる。表示部１２６は、レーザ加工時の各種情報を表示することができる。
【００３６】
レーザ制御部１２１は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されており、レーザ光源１０１の出力や、パルス幅、パルス周期などを制御することができる。
【００３７】
レンズ制御部１２２は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されている。レンズ制御部１２２には、移動距離を検出することが可能な位置センサ（図示省略）が内蔵されている。そして、この位置センサの出力を検出することにより、図２に示すＺ軸スライド機構１０４（図２参照）を駆動して集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を制御することができる。
【００３８】
ステージ制御部１２３は、Ｉ／Ｆ１３１を介して、バッファ１２９によってメインコンピュータ１２０と接続されている。ステージ制御部１２３は、図２に示すＸ軸スライド部１１０と、Ｙ軸スライド部１０８とを、それぞれレール１１１、１０９（図２参照）に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動することができる。
【００３９】
画像処理部１２４は、撮像装置１１２と接続されている（図２参照）。画像処理部１２４は、撮像装置１１２で取得された画像情報の撮像データに基づいて、集光素子としてのレンズ４６のＺ軸方向の位置を確認することや、集光素子としてのレンズ４６の焦点位置を調整する処理を行うことができる。さらに、画像処理部１２４は、基板Ｐにおける切断予定ラインの位置を確認することや、その位置を調整する処理を行うこともできる。
【００４０】
レーザ加工装置１００は、これら、レーザ制御部１２１と、レンズ制御部１２２と、ステージ制御部１２３と、画像処理部１２４とを、制御することができる制御部としてのメインコンピュータ１２０を備えている。
【００４１】
図４は、本実施形態における下基板の図であり、図（ａ）〜（ｃ）は、平面図であり、図（ｄ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図であり、図（ｅ）は、図（ｂ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図であり、図（ｆ）は、図（ｃ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図である。図５は、本実施形態における上基板の図であり、図（ａ）は、平面図であり、図（ｂ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図である。図６は、本実施形態における下基板と上基板とを貼り合わせた図であり、図（ａ）は、概略断面図であり、図（ｂ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｃ）は、分割片を示す斜視図である。図７は、本実施形態における下基板と上基板とを貼り合わせて、積層体を形成し、その積層体を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャートである。
【００４２】
図４〜図７を参照して、表示装置の製造方法について説明する。
【００４３】
図７のステップＳ１では、図４（ａ）に示すように、第２の基板としての下基板Ｐ２の表面上に第２の配線パターン５１ｂを形成する。第２の配線パターン５１ｂは、下基板Ｐ２の表面上に複数形成されている。図４（ｄ）に示すように、第２の配線パターン５１ｂは、薄い膜であり、その材料は金、銀、銅などの導電性を有する金属材料である。なお、第２の配線パターン５１ｂは、スパッタリング法や、真空蒸着法などによる薄膜形成法により形成されている。
【００４４】
図７のステップＳ２では、図４（ｂ）に示すように、シール材４を描画する。シール材４は、第２の配線パターン５１ｂと隣り合う別な第２の配線パターン５１ｂとの間に形成される。シール材４は、下基板Ｐ２の表面上に複数形成される。そこで、シール材４で囲まれている領域が液晶注入部５５である。図４（ｅ）に示すように、シール材４は、薄い膜であり、樹脂膜である。なお、シール材４は、スクリーン印刷法などの印刷法を採用することにより形成される。
【００４５】
図７のステップＳ３では、図４（ｃ）に示すように、液晶注入部５５に液晶５を注入する。図４（ｆ）に示すように、液晶５は、シール材４で囲まれた液晶注入部５５の中に注入されており、下基板Ｐ２の表面上に複数配置される。以上により、第２の配線パターン５１ｂと液晶５とを配置した下基板Ｐ２が形成される。
【００４６】
図７のステップＳ１１では、図５（ａ）に示すように、第１の基板としての上基板Ｐ１の表面上に第１の配線パターン５１ａを形成する。第１の配線パターン５１ａは、上基板Ｐ１の表面上に複数形成されている。図５（ｂ）に示すように、第１の配線パターン５１ａは、薄い膜であり、その材料は金、銀、銅などの導電性を有する金属材料である。なお、第１の配線パターン５１ａは、スパッタリング法や、真空蒸着法などによる薄膜形成法を採用することによって形成される。以上により、第１の配線パターン５１ａを有する下基板Ｐ２が形成される。なお、第１の配線パターン５１ａと、第２の配線パターン５１ｂとは電気的に同じ特性を有している。
【００４７】
図７のステップＳ２１では、図６（ａ）に示すように、第１の基板としての上基板Ｐ１と、第２の基板としての下基板Ｐ２とを、貼り合せて積層体Ｐ３を形成する。下基板Ｐ２上に形成された第２の配線パターン５１ｂと、上基板Ｐ１上に形成された第１の配線パターン５１ａとが、対峙しており、略平行になるように対向配置される。ここで、液晶注入部５５の中に注入された液晶５は、下基板Ｐ２と上基板Ｐ１との間に挟まれて保持される。なお、第１の配線パターン５１ａおよび第２の配線パターン５１ｂの表面には保護膜（例えばＰＩ膜等）を形成しておいてもよい。このようにすれば、積層体Ｐ３をチップに分割する際の応力Ｆによって第１の配線パターン５１ａおよび第２の配線パターン５１ｂの損傷や、断線などによる品質の低下を抑制することができる。そして、この保護膜（例えばＰＩ膜等）は、積層体Ｐ３を分割した後にエッチングなどによる手法で除去することが可能である。また、チップの機能上、チップのどちらかの面に反射防止膜が必要になることがある場合は、積層体Ｐ３を分割する前に選択的に反射防止膜を形成しておいてもよい。この反射防止膜の膜形成方法は特にこだわることはなく、真空蒸着法や、スパッタリング法、スピンコート法などの製造方法を採用して形成してもよい。なお、積層体Ｐ３をチップに分割する前に反射防止膜を形成しにくい場合は、積層体Ｐ３を分割した後に反射防止膜を形成してもかまわない。
【００４８】
図７のステップＳ２２では、図６（ｂ）に示すように、内部加工を行う。この内部加工では、レーザ光４５を集光素子としてのレンズ４６で集光して積層体Ｐ３に対して照射して、上基板Ｐ１および下基板Ｐ２の内部に材料変質部４７を形成する。そして、積層体Ｐ３の厚さ方向全域に材料変質部４７を形成する。ここで、第１の配線パターン５１ａおよび第２の配線パターン５１ｂをレーザ光４５で曝露しないように、これら第１の配線パターン５１ａおよび第２の配線パターン５１ｂを避けてレーザ光４５を照射させる。なお、同図において、積層体Ｐ３の表裏両面から同時にレーザ光４５を照射するように図示したが、実際は、上基板Ｐ１にレーザ光４５を照射し、次に積層体Ｐ３を裏返して下基板Ｐ２にレーザ光４５を照射する方法である。なお、材料変質部４７を形成するのには、図２に示すレーザ加工装置１００を用いて内部加工を行い、レーザ光源１０１から射出されるレーザ光４５は、ＹＡＧレーザを採用したナノ秒レーザである。
【００４９】
ここで、材料変質部４７を形成するための加工回数について従来技術による方法と、本実施形態による方法とで比較検討してみる。第１の配線パターン５１ａ（または第２の配線パターン５１ｂ）が上基板Ｐ１または下基板Ｐ２のいずれか一方に形成されているような従来技術において、チップを２つ形成する場合、１２回加工することになる。その内訳は、上基板Ｐ１で、その外周方向において４辺と、シール材４の部分で２辺と、上基板Ｐ１と下基板Ｐ２との間で１辺の合計７回加工することになる。次に、下基板Ｐ２で、その外周方向において４辺と、上基板Ｐ１と下基板Ｐ２との間で１辺の合計５回加工することになる。その結果、上基板Ｐ１の加工回数７回と下基板Ｐ２の加工回数５回とをあわせると総計１２回加工することになる。一方、本実施形態による方法でチップを２つ形成する場合、１０回加工することになる。その内訳は、上基板Ｐ１で、その外周方向において４辺と、シール材４の部分で１辺となり、合計５回加工することになる。同様に、下基板Ｐ２で、その外周方向において４辺と、シール材４の部分で１辺となり、合計５回加工することになる。その結果、上基板Ｐ１の加工回数５回と下基板Ｐ２の加工回数５回とをあわせると総計１０回加工することになる。したがって、本実施形態における貼り合せ方法を採用すれば、従来の方法に比べて加工回数を２回少なくすることができる（チップを２つ形成する場合）。結果的に、サイクルタイムの短縮化を図ることができる。
【００５０】
次に、図７のステップＳ２３では、図６（ｃ）に示すように、分割を行う。ここでの分割方法は、積層体Ｐ３（基板Ｐ１）の上面側から積層体Ｐ３に対して応力Ｆを加える。積層体Ｐ３の外部から応力Ｆを加える方法としては、例えば切断予定ラインに沿って積層体Ｐ３に曲げや、せん断応力を加えることである。また、積層体Ｐ３に温度差を与えることによって熱応力を発生させることでもできる。材料変質部４７を有する積層体Ｐ３に対して外部から応力Ｆを加えると、材料変質部４７に沿って積層体Ｐ３が割れ、分割片Ｑを形成することができる。そして、同図に示すように、上基板Ｐ１には、チップの周囲に、ｍ１〜ｍ５の合計５箇所の辺を有する分割片Ｑが形成される。同様に、下基板Ｐ２にも、チップの周囲に、ｎ１〜ｎ５の合計５箇所の辺を有する分割片Ｑが形成される。そして、積層体Ｐ３をチップ状に切断・分割することによって、表示装置１０（図８参照）を形成することができる。
【００５１】
以上のような実施形態の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）第１の配線パターン５１ａと第２の配線パターン５１ｂとが対峙するように対向配置させて、第１の基板としての上基板Ｐ１と、第２の基板としての下基板Ｐ２とを貼り合せて積層体Ｐ３を形成することによって、レーザ光４５を照射して形成する材料変質部４７の箇所を必要最小限の数量に絞りこむことができる。結果的に、サイクルタイムを短縮することができるので、効率的になる。さらに、第１の配線パターン５１ａと第２の配線パターン５１ｂとを略平行になるように配置するから、第１の配線パターン５１ａと第２の配線パターン５１ｂとの配列数を多くすることができるから、配置する密度が高くなるので、積層体Ｐ３の材料の節約をすることができる。
（２）第１の配線パターン５１ａおよび第２の配線パターン５１ｂの配置位置を避けて積層体Ｐ３にレーザ光４５を照射させて材料変質部４７を形成するから、レーザ光４５の照射によって生じる第１の配線パターン５１ａおよび第２の配線パターン５１ｂの品質劣化を抑制することができるので、安定した品質の表示装置１０を提供できる。
（３）レーザ光４５を集光素子としてのレンズ４６で集光して積層体Ｐ３に照射させるから、積層体Ｐ３の所定の位置に材料変質部４７を簡単に形成することができる。
（４）チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波を積層体Ｐ３に照射させると、チタンサファイヤレーザ、またはＹＡＧレーザの基本波が、積層体Ｐ３に対して透過性を有している波長であるので、積層体Ｐ３の所定の位置に材料変質部４７を簡単に形成することができる。
（５）積層体Ｐ３に応力Ｆを加えるだけで積層体Ｐ３を切断・分割することができるので、分割片Ｑを簡単に形成することができる。
【００５２】
次に、本発明に係る表示装置としての液晶パネルについて説明する。
【００５３】
図８は、本実施形態における液晶パネルの構造を示す概略図であり、図（ａ）は、概略平面図であり、図（ｂ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図である。
【００５４】
図８（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶パネル１０は、ＴＦＴ３を有するＴＦＴ基板１と、対向電極６を有する対向基板２と、シール材４によって接着されたＴＦＴ基板１と、対向基板２との隙間に充填された液晶５とを備えている。
【００５５】
ＴＦＴ基板１には、厚さ約１．２ｍｍの石英基板が用いられており、その表面には画素
を構成する画素電極（図示省略）と、複数のトランジスタ素子（図示省略）で構成されて
いるＴＦＴ３とが形成されている。ＴＦＴ３を構成する個々のトランジスタ素子の３端子
のうちの一つは画素電極に接続されており、残りの二つは、画素電極を囲んで互いに絶縁
状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されてい
る。データ線および走査線は、配線パターン１１を介して端子部１ａにおいて駆動回路部９に接続されている。駆動回路部９の入力側配線パターン１２は、端子部１ａに配列形成された実装端子１３に接続されている。
【００５６】
対向基板２は、対向基板本体２ａ、マイクロレンズ１５およびカバーガラス１６より構成されている。対向基板本体２ａには、厚さ約１．１ｍｍの石英基板が用いられており、ＴＦＴ基板１の画素電極に対向する部分にはマイクロレンズ面２ｂが形成されている。マイクロレンズ１５は、対向基板本体２ａのマイクロレンズ面２ｂに合性樹脂を充填することにより形成したものである。カバーガラス１６には、厚さ約５０μｍの石英基板が用いられており、マイクロレンズ１５を形成している合性樹脂により、対向基板本体２ａに接着されている。
【００５７】
マイクロレンズ１５は、液晶パネル１０の開口率を向上させる働きをしており、画素電極とは一対一で対応している。カバーガラス１６は、対向基板本体２ａの全域を覆うことにより、マイクロレンズ１５を保護している。
【００５８】
対向基板２には、共通電極としての対向電極６が設けられている。対向電極６は、対向基板２の四隅に設けられた上下導通部１４を介してＴＦＴ基板１側に設けられた配線パターン（図示省略）と導通しており、当該配線パターンも端子部１ａに設けられた実装端子１３に接続されている。液晶５に面するＴＦＴ基板１の表面および対向基板２の表面には、それぞれ配向膜７、８が形成されている。
【００５９】
液晶パネル１０は、外部駆動回路（図示省略）と電気的に繋がる中継基板（図示省略）が実装端子１３に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が駆動回路部９に入力されることにより、ＴＦＴ３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００６０】
液晶パネル１０が、本発明の切断・分割方法で製造されているので、効率的に分割片Ｑ（図６（ｃ）参照）を製造することができる。
【００６１】
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
【００６２】
図９は、電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図である。
【００６３】
図９に示すように、液晶表示装置５００は、多層回路基板３０を備えている。そして、液晶表示装置５００は、カラー表示用の液晶パネル１０と、液晶パネル１０に接続される多層回路基板３０と、多層回路基板３０に実装される液晶駆動用ＩＣ３００などで構成されている。なお必要に応じて、バックライト等の照明装置や、その他の付帯機器が、液晶パネル１０に付設される。なお、液晶表示装置５００は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ・Ｏｎ・Ｆｉｌｍ）構造である。
【００６４】
液晶パネル１０は、シール材４によって接着された一対のＴＦＴ基板１および対向基板２を有し、これらのＴＦＴ基板１と、対向基板２との、間に形成される間隙（セルギャップ）に液晶５が封入され、封入された液晶５は、ＴＦＴ基板１と、対向基板２とに、よって挟持される。これらのＴＦＴ基板１と、対向基板２とは、一般には透光性材料、例えば石英、ガラス、合成樹脂等によって形成される。ＴＦＴ基板１および対向基板２の外側表面には偏光板５６が貼り付けられている。
【００６５】
また、ＴＦＴ基板１の内側表面には画素電極６６が形成され、対向基板２の内側表面には対向電極６が形成される。これらの画素電極６６、対向電極６は、例えばＩＴＯ（（Ｉｎｄｉｕｍ・Ｔｉｎ・Ｏｘｉｄｅ）：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成される。ＴＦＴ基板１は対向基板２に対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の実装端子１３が形成されている。これらの実装端子１３は、ＴＦＴ基板１上に画素電極６６を形成するときに画素電極６６と同時に形成される。従って、これらの実装端子１３は、例えばＩＴＯによって形成される。これらの実装端子１３には、画素電極６６から一体に延びるもの、および導電材（図示省略）を介して対向電極６に接続されるものが含まれる。
【００６６】
一方、多層回路基板３０の表面には、配線パターン３９ａ、３９ｂが形成されている。すなわち、多層回路基板３０の一方の短辺から中央に向かって入力用配線パターン３９ａが形成され、他方の短辺から中央に向かって出力用配線パターン３９ｂが形成されている。これらの入力用配線パターン３９ａおよび出力用配線パターン３９ｂの中央側の端部には、電極パッド（図示省略）が形成されている。
【００６７】
多層回路基板３０の表面には、液晶駆動用ＩＣ３００が実装されている。具体的には、多層回路基板３０の表面に形成された複数の電極パッド（図示省略）に対して、液晶駆動用ＩＣ３００の能動面に形成された複数のバンプ電極が、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ・Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ・Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）１６０を介して接続されている。このＡＣＦ１６０は、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させることによって形成されている。このように、多層回路基板３０の表面に液晶駆動用ＩＣ３００を実装することにより、いわゆるＣＯＦ構造が実現されている。
【００６８】
そして、液晶駆動用ＩＣ３００を備えた多層回路基板３０が、液晶パネル１０のＴＦＴ基板１に接続されている。具体的には、多層回路基板３０の出力用配線パターン３９ｂが、ＡＣＦ１４０を介して、ＴＦＴ基板１の実装端子１３と電気的に接続されている。なお、多層回路基板３０は可撓性を有するので、自在に折り畳むことによって省スペース化を実現しうるようになっている。
【００６９】
上記のように構成された液晶表示装置５００では、多層回路基板３０の入力用配線パターン３９ａを介して、液晶駆動用ＩＣ３００に信号が入力される。すると、液晶駆動用ＩＣ３００から、多層回路基板３０の出力用配線パターン３９ｂを介して、液晶パネル１０に駆動信号が出力される。これにより、液晶パネル１０において画像表示が行われるようになっている。
【００７０】
品質が良好で、より安価な表示装置としての液晶パネル１０を備えているので、表示品質が良好で、より安価な電気光学装置としての液晶表示装置５００を提供することができる。
【００７１】
次に、本発明に係る電気光学装置としての液晶表示装置を搭載した電子機器について説明する。
【００７２】
図１０は、電子機器としての携帯電話の斜視図である。
【００７３】
図１０に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯電話２０００は、上述した液晶表示装置５００（図９参照）を表示手段として搭載している。携帯電話２０００は、表示部２００１を備えている。このように本発明に係る電子機器としての携帯電話２０００は、生産効率の良好な電気光学装置としての液晶表示装置５００を備えることができるので、生産効率の良好な電子機器としての携帯電話２０００を提供できる。また、電子機器としては、携帯電話２０００にこだわることはなく、例えばプリンタ、腕時計、ＮＯＴＥ―ＰＣ、ＰＤＡ、電子ペーパ、と呼ばれる携帯型情報機器、携帯端末機器、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、モニタ直視型のデジタルビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等々の画像表示手段として好適に用いることができる。このようにすれば、電気光学装置としての液晶表示装置５００の用途は広がり、いろいろな電子機器を提供できる。
【００７４】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【００７５】
（変形例）
前述の実施形態で、上基板Ｐ１にレーザ光４５を照射し、次に積層体Ｐ３を裏返して下基板Ｐ２にレーザ光４５を照射する方法にしたがこれに限らない。例えば積層体Ｐ３の表裏両面から同時（あるいは、交互）にレーザ光４５を照射してもよい。このようにすれば、短時間で材料変質部４７を形成することができるので、実施形態と同様の効果が得られる他に、より一層時間の短縮ができるので、より効率的である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図。
【図２】実施形態におけるレーザ加工装置の概略図。
【図３】レーザ加工装置の制御系のブロック図。
【図４】下基板の図であり、図（ａ）〜（ｃ）は、平面図であり、図（ｄ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図であり、図（ｅ）は、図（ｂ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図であり、図（ｆ）は、図（ｃ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図。
【図５】上基板の図であり、図（ａ）は、平面図であり、図（ｂ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図。
【図６】下基板と上基板とを貼り合わせた図であり、図（ａ）は、概略断面図であり、図（ｂ）は、レーザ光を照射して材料変質部を形成する形成過程を示す図であり、図（ｃ）は、分割片を示す斜視図。
【図７】下基板と上基板とを貼り合わせて、積層体を形成し、その積層体を切断・分割して分割片を形成する製造手順を説明するためのフローチャート。
【図８】表示装置としての液晶パネルの構造を示す概略図であり、図（ａ）は、概略平面図であり、図（ｂ）は、図（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面図。
【図９】電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図。
【図１０】電子機器としての携帯電話の斜視図。
【符号の説明】
【００７７】
１０…表示装置としての液晶パネル、４５…レーザ光、４６…集光素子としてのレンズ、４７…改質層としての材料変質部、５１ａ…第１の配線パターン、５１ｂ…第２の配線パターン、１００…レーザ加工装置、１０１…第１レーザ光源、１０２…反射板としてのダイクロイックミラー、１０７…ステージ、１１２…撮像装置、１２０…制御部としてのメインコンピュータ、１２１…レーザ制御部、１２２…レンズ制御部、１２３…ステージ制御部、５００…電気光学装置としての液晶表示装置、２０００…電子機器としての携帯電話、Ｆ…応力、Ｐ…基板、Ｐ１…第１の基板としての上基板、Ｐ２…第２の基板としての下基板、Ｐ３…積層体、Ｑ…分割片。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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