(57)【要約】【課題】ナノワイヤ溶液をノズルから吐出させて所望の配向方向をもって基板上の所定の位置にナノワイヤを配列させる。【解決手段】溶媒中にナノワイヤ２ａを分散してなるナノワイヤ溶液２を吐出するノズル１ａとノズル内を通過するナノワイヤ溶液２に電界を印加する手段５とを備えるナノワイヤ溶液の塗布装置を用いる。ナノワイヤ溶液２を基板６の表面に付着させる過程において、ナノワイヤ溶液２が基板６に到達する前に、電界印加手段５によりナノワイヤ溶液２に電界を印加してナノワイヤ２ａを配向させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒中にナノワイヤを分散してなるナノワイヤ溶液を基板に塗布する方法であって、
前記ナノワイヤ溶液を前記基板の表面に付着させる過程において、前記ナノワイヤ溶液が前記基板に到達する前に、前記ナノワイヤ溶液に電界を印加して前記ナノワイヤを配向させることを特徴とする、ナノワイヤ溶液の塗布方法。
【請求項２】
前記ナノワイヤ溶液が前記基板に到達した後においても、前記ナノワイヤ溶液に対して電界を印加して前記ナノワイヤを配向させることを特徴とする、請求項１に記載のナノワイヤ溶液の塗布方法。
【請求項３】
溶媒中にナノワイヤを分散してなるナノワイヤ溶液を基板に塗布する装置であって、
前記ナノワイヤ溶液を吐出するノズルと、
該ノズルに配置され該ノズル内を通過する前記ナノワイヤ溶液に電界を印加する手段と、
を備えることを特徴とする、ナノワイヤ溶液の塗布装置。
【請求項４】
前記電界を印加する手段は、前記ナノワイヤ溶液が前記ノズル内を通過する方向に沿った方向の電界を印加するものであることを特徴とする、請求項３に記載のナノワイヤ溶液の塗布装置。
【請求項５】
前記電界を印加する手段は、前記ナノワイヤ溶液が前記ノズル内を通過する方向と直交する方向に沿った方向の電界を印加するものであることを特徴とする、請求項３に記載のナノワイヤ溶液の塗布装置。
【請求項６】
前記ノズルと前記基板との間に電圧を印加することで前記ナノワイヤ溶液に電界を印加する手段を更に備えることを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに記載のナノワイヤ溶液の塗布装置。
【請求項７】
溶媒中にナノワイヤを分散してなるナノワイヤ溶液を基板に塗布する装置であって、
前記ナノワイヤ溶液を吐出するノズルと、
該ノズルと前記基板との間に電圧を印加することで前記ナノワイヤ溶液に電界を印加する手段と、
を備えることを特徴とする、ナノワイヤ溶液の塗布装置。
【請求項８】
列状に配列された複数の前記ノズルを有することを特徴とする、請求項３〜７のいずれかに記載のナノワイヤ溶液の塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノワイヤを含有する溶液を基板に塗布するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子デバイスのスイッチング素子として知られるＴＦＴ技術として、シリコン系トランジスタ（単結晶、多結晶、アモルファス）、化合物半導体トランジスタ（III−V族、II−VI族、IV−IV族）、有機トランジスタ（低分子、高分子）等が知られている。
【０００３】
シリコン系トランジスタは半導体層にケイ素を用いたトランジスタである。この技術は、材料であるケイ素が地表に無尽蔵に存在する、ドーピングによりp型・n型の構造を得られる、良質な絶縁膜としてケイ素の酸化物であるSiO2を利用できる、といった特徴を持つ。更に、この技術は、高いキャリア移動度（単結晶：〜103cm2/Vs、多結晶：〜102cm2/Vs、アモルファス：〜1cm2/Vs）により優れたトランジスタ性能を得ることが出来る、といった特徴を持つ。しかし、素子形成プロセスにおいては、クリーンルームのような大規模な製造施設で、露光や転写などの複雑なプロセスが必要となり、低コスト化・プロセスの簡易化が課題となっている。
【０００４】
化合物半導体トランジスタは半導体層に複数の元素から成る化合物（GaAs、SiC等）を用いたトランジスタである。この技術は、シリコン系よりもはるかに高いキャリア移動度を持つほか、化合物の種類により、高周波数域での低電力駆動、光反応性、マイクロ波放出といった様々な特性を示す。しかし、材料が高価であるだけでなく、素子形成においてシリコン系トランジスタ同様の大規模・複雑なプロセスが必要になるため、その用途は限られている。
【０００５】
有機トランジスタは半導体層に有機物（低分子ではペンタセン等、高分子ではＰＥＤＯＴ等）を用いたトランジスタである。この技術は、特に高分子系において塗布成膜が可能であることから、インクジェット法やロール・トゥ・ロール法による簡易・大量・低コストな素子形成が可能である。しかし、トランジスタの性能を決めるキャリア移動度がシリコン系に比べて低く（〜0.1cm2/Vs）、各種電子デバイスへ応用するには材料面・製造プロセス面での飛躍的な発展が必要とされる。
【０００６】
これらの点から、高いトランジスタ性能を持ち、かつ簡易で低コストな素子形成プロセスにより大量製造可能なＴＦＴ技術の開発が望まれている。
【０００７】
このような次世代ＴＦＴ技術として、シリコンナノワイヤＴＦＴが注目されている。シリコンナノワイヤＴＦＴは、トランジスタの半導体層に複数のシリコンナノワイヤ（径5〜30nm、ワイヤ長〜200μｍ）を用いた構造である。シリコンナノワイヤの合成方法としては、例えば、次のような方法が知られている。即ち、単結晶シリコン基板の表面に金を蒸着させた上で、シランガス雰囲気下で加熱することにより、シリコン基板の表面にシリコンと金との溶融化化合物合金が形成される。これを触媒としてシランガスが分解されて、シリコンナノワイヤが触媒・シリコン基板間に成長する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
このようにして得られたシリコンナノワイヤは、軸方向の結晶性が非常に優れており、更に表面が自然酸化膜SiO2絶縁層（厚さ30nm程度）で覆われた構造をとる。このため、ＴＦＴの半導体層として用いた場合、多結晶シリコン〜単結晶シリコン並みの高いトランジスタ性能を示す（例えば、特許文献２参照。）。また、素子形成においては、基板上への塗布形成が可能であり、簡易・低コスト・大量生産といったプロセス面でのメリットも併せ持つ。
【０００９】
これらの特徴から、シリコンナノワイヤＴＦＴは、シリコン系ＴＦＴの高性能性と、有機ＴＦＴの簡易な形成プロセスという優位点を併せ持ち、従来のＴＦＴ素子を上回る性能や新たな応用用途が期待される。
【００１０】
応用用途の一つの例として、フレキシブル基板へのＴＦＴ形成があげられる。シリコンナノワイヤＴＦＴは、上記のようにＴＦＴ性能に優れるだけでなく、ドライバ回路の同時形成が可能、曲げ耐性に優れる、完全溶液プロセスによる成型の可能性を持つといった特徴をもつ。そのため、ナノワイヤＴＦＴをプラスチック基板上に形成することで、従来のＴＦＴ技術では成し得なかった高いＴＦＴ性能と簡易な形成プロセスとを併せ持つ、フレキシブルな電子デバイスの形成が期待されている。例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイといったフラットパネルディスプレイ技術に、シリコンナノワイヤＴＦＴ技術を組み合わせることで、従来には無い高輝度・高画質・低電力駆動可能なフレキシブルディスプレイの実現が考えられる。その他TFTは位相制御型のアンテナ等いろいろな分野に適用の可能性がある。
【００１１】
高性能なシリコンナノワイヤＴＦＴを形成するためには、ナノワイヤ自体の構造制御（結晶性、径・サイズ、コア−シェル構造）と、配向性・配列性に優れたナノワイヤ層の成膜との二点が重要となる。前者については、ナノワイヤ合成時の反応条件により径・サイズ、シェル厚などを制御することが出来る。
【００１２】
一方、後者については、ナノワイヤ溶液を基板上に設けた流路に流すことにより配向・配列させる技術が報告されているが（例えば、特許文献３参照。）、その他の報告例はほとんど無い。ナノワイヤＴＦＴの特性は、ソース・ドレイン電極間をつなぐナノワイヤ層の配向性・配列性に左右されるため、より配向性・配列性に優れ、かつ簡易なナノワイヤ層の成膜プロセスが必要とされている。
【００１３】
現在開発が進められているナノワイヤをチャネルとする電界効果型トランジスタのチャネル材料としては、カーボンナノチューブ、Siナノワイヤ、Geナノワイヤが挙げられる。また、ナノワイヤの他の材質としては、GaAs、InP等のIII-V族化合物、CdS等のII-VI属化合物半導体等々の半導体材料が挙げられる。本明細書では、これらを含むナノサイズで針状またはロッド状の物質を総称してナノワイヤと呼ぶ。
【００１４】
ナノワイヤは、以上説明してきたように、リソグラフィー等の真空技術が不要で塗布技術により微細構造を作製することが出来るため、今後様々な用途に利用されることが予想される。
【００１５】
以上説明したように、例えばフレキシブル基板に複数のTFTを形成するためにパターン状領域にナノワイヤを配向配列させる技術が非常に重要となっている。例えばディスプレイの場合、104−107個程度の画素に対応するTFTの各々にナノワイヤを配向配列する必要がある。ここでいう配向とは基板上におけるナノワイヤの長軸の方向性を表し、配列とは基板上でのナノワイヤの2次元的な配置位置を示す。しかしながら、これらの技術はまだ十分には研究されていないのが現状である。
【００１６】
従来の配向技術としては次のようなものが報告されている。即ち、前述のようにナノワイヤ溶液を基板上に設けた流路に流すことにより配向・配列させる技術が報告されている（例えば、特許文献３参照。）。この技術は、特定位置へのナノワイヤの配向・配列には有効であるが、多数のTFTを一度に作製しようとすると、複雑な流路構成をとることが必要になるためナノワイヤを配列するための装置が非常に大掛かりなものとなる。また、ナノワイヤを塗布する方法の一つとしてインクジェット方式が報告されている（例えば、非特許文献１参照）。この技術は、ナノワイヤを特定位置に配列するには有効であるが、ナノワイヤを配向する具体的な手段を持たない。また特許文献４では、カーボンナノチューブを配向するために、TFTを構成する2つの電極間に交流電圧を印加する例が紹介されている。本方法は効果的な方法であるが、この場合には電極端部と電極端部との間隙には電圧が印加されるが電極表面には十分な電圧が印加されない。このため、電極表面上に配置されたナノチューブを配向制御することが難しい。また、屈曲したり、絡まったりしたナノチューブを非常に狭い電極間で直線状に直して配向制御することが難しい。また、電極の端部に電界が集中するためナノワイヤの端部が電極端部に配置されやすくナノワイヤと電極との間の電気的な接触が取りにくい等の欠点がある。
【特許文献１】特開平10−106960号公報
【特許文献２】米国特許第6882051号明細書
【特許文献３】米国特許第6872645号明細書
【特許文献４】特開2004-71654号公報
【非特許文献１】Nature  Vol.425  18.Sep.  P.274（2003）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の目的とするところは、上述したような従来技術の課題を解決し、容易に所望の方向及びパターン状にナノワイヤを配向配列させることのできる手段を提供することにある。とくに、本発明はナノワイヤ溶液をノズルから吐出させて基板上の所定の位置に溶液に分散されたナノワイヤを配向配列させる際に、容易に所望の配向方向をもってナノワイヤを配列させ得る方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明によれば、上記の目的を達成するものとして、
溶媒中にナノワイヤを分散してなるナノワイヤ溶液を基板に塗布する方法であって、
前記ナノワイヤ溶液を前記基板の表面に付着させる過程において、前記ナノワイヤ溶液が前記基板に到達する前に、前記ナノワイヤ溶液に電界を印加して前記ナノワイヤを配向させることを特徴とする、ナノワイヤ溶液の塗布方法、
が提供される。
【００１９】
本発明の一態様においては、前記ナノワイヤ溶液が前記基板に到達した後においても、前記ナノワイヤ溶液に対して電界を印加して前記ナノワイヤを配向させる。
【００２０】
また、本発明によれば、上記の目的を達成するものとして、
溶媒中にナノワイヤを分散してなるナノワイヤ溶液を基板に塗布する装置であって、
前記ナノワイヤ溶液を吐出するノズルと、
該ノズルに配置され該ノズル内を通過する前記ナノワイヤ溶液に電界を印加する手段と、
を備えることを特徴とする、ナノワイヤ溶液の塗布装置、
が提供される。
【００２１】
本発明の一態様においては、前記電界を印加する手段は、前記ナノワイヤ溶液が前記ノズル内を通過する方向に沿った方向の電界を印加するものである。本発明の一態様においては、前記電界を印加する手段は、前記ナノワイヤ溶液が前記ノズル内を通過する方向と直交する方向に沿った方向の電界を印加するものである。本発明の一態様においては、前記ノズルと前記基板との間に電圧を印加することで前記ナノワイヤ溶液に電界を印加する手段を更に備える。
【００２２】
また、本発明によれば、上記の目的を達成するものとして、
溶媒中にナノワイヤを分散してなるナノワイヤ溶液を基板に塗布する装置であって、
前記ナノワイヤ溶液を吐出するノズルと、
該ノズルと前記基板との間に電圧を印加することで前記ナノワイヤ溶液に電界を印加する手段と、
を備えることを特徴とする、ナノワイヤ溶液の塗布装置、
が提供される。
【００２３】
以上のような本発明の一態様においては、列状に配列された複数の前記ノズルを有する。
【発明の効果】
【００２４】
以上のような本発明によれば、ナノワイヤ溶液をノズルから吐出させて基板上の所定の位置に溶液に分散されたナノワイヤを配向配列させる際に、容易に所望の配向方向をもってナノワイヤを配列させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら、本発明のナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ塗布装置の実施の形態を説明する。但し、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２６】
ナノワイヤは、上記のようにナノサイズの針状またはロッド状の物質であるが、とくに数nm〜数百nmの直径、数μｍ〜百μｍの長さで、アスペクト比が10〜104のワイヤ形状を有するものが代表的である。但し、本発明においては、ナノワイヤとして、ワイヤ形状だけでなく、カーボン・ナノチューブ等のチューブ形状のものも含むものとし、これにも本発明が適用できる。
【００２７】
ナノワイヤの半導体材料としては具体的には、IV族半導体（C, Si, Ge, Sn）とそれらの組合せ、III−V族半導体(Al,Ga,In)(N,P,As,Sb)、II−VI族半導体(Be,Mg,Zn,Cd,Hg)(O,S,Se,Te)が可能である。また、その他の半導体(Ge,Sn,Pb)(S,Se,Te)、(Cu,Ag)(F,Cl,Br,I)、(Cu,Ag)(Al,Ga,In,Tl,Fe)(S,Se,Te)2、(Al,Ga,In)2(S,Se,Te)3が可能である。更に、BeSiN2, CaCN2, ZnGeP2, CdSnAs2, ZnSnSb2, CuGeP3, CuSi2P3, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, Al2CO等が可能である。また、これらの組合せが可能である。ここで、括弧（）内の元素は、それらの内の一種類からなる材料、あるいは複数種類の材料の混合からなる材料の全てを総括的に表している。また更に、ｐ型半導体、ｎ型半導体の形成のために、適宜ドーパントが添加される場合もある。
【００２８】
これらのナノワイヤを、気相法、液相法などの各種合成法により合成し、均一に分散できるような溶媒中に分散する。溶媒の例としては、アセトン等のケトン類の他に、ジエチルエーテルや、水、エタノール、エチレングリコール等の各種アルコール、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の液体を使用しうる。これらの分散を均一化するために超音波処理することも良い方法である。
【００２９】
また、カーボンナノチューブやシリコンナノワイヤ等の各種ナノワイヤは、組成・製法等により各種の導電性を選択することができる。
【００３０】
ナノワイヤ溶液の塗布される基板は、ナノワイヤ溶液により侵食などの作用を受けない物であれば特に制限はなく、ガラス基板、プラスチック基板など広範な基板の中から選択して用いることが出来る。また、基板は、その表面に電極などの電気的機能要素や絶縁層などを形成したものであってもよい。
【００３１】
＜実施形態1＞
図1は本発明に係るナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ溶液塗布装置の実施形態を示す概要図である。図2は本実施形態の溶液塗布装置のノズル付近の概要図であり、図3は塗布基板を上から見た概要図である。図4は更に他の塗布基板を上から見た概要図である。
【００３２】
図1に示すように、ナノワイヤ2aが溶媒中に分散されたナノワイヤ溶液（以下、単に「溶液」という）２は、具体的には不図示の溶液送付手段（例えば空気圧印加によるもの）4により、所定のタイミングで所定の量づつ容器１に上部から注入される。容器１の下部にはノズル1aが設けられており、溶液２はノズル１ａから下方に向けて上記所定の量づつ吐出される。ノズル１ａの下方には、それに近接して塗布対象の基板（塗布基板）6が配置されている。
【００３３】
基板６としては、ナノワイヤTFT作製のための基板が例示される。この基板６の表面には対をなすソース・ドレイン電極７が形成されており、ソース電極とドレイン電極との間にはナノワイヤの長さより短い間隔が設けられている。基板６は、図１においてノズル１ａに対し相対的に左向きに搬送される。
【００３４】
ノズル1aには溶液に電界を印加するための電極3が配置されている。詳細には図２に示すように、ノズル１ａの壁面に該ノズル内での溶液の移動方向（上下方向）に沿って距離を置いて対をなす電極3a、3bが配置されている。電極3a、3b間には、電圧印加手段5により必要に応じて例えば交流電圧が印加される。ノズルの内径に比べノズル長を長くすることにより、ノズル1a内での電界の向きを大略ノズル内での溶液移動方向と平行にすることができる。これにより、ノズル内において、溶液中のナノワイヤは上記電界により溶液移動方向に沿って直線状に配向される。ノズルヌ内径に対するノズル長の比率は、たとえば２以上、好ましくは３以上、更に好ましくは５以上である。
【００３５】
図面ではノズル内部に一対の電極を設置した例を説明したが、これに限るものではない。複数段の電極を設けて電圧印加可能な距離を稼ぐようにすれば、溶液中のナノワイヤの配向制御をより確実にし、各対をなす電極間に印加される電圧を低下させることができる。
【００３６】
溶液送付手段4により、所定のタイミングでノズル１ａから下方に吐出された所定量の溶液は、近接して配置された基板6のソース・ドレイン電極７上に塗布される。その際、ノズル内で配向された溶液中のナノワイヤ２ａは、基板６が搬送されていることで、図3に示すように基板搬送方向に配向された状態で塗布される。これにより、ナノワイヤ２ａは、ソース電極とドレイン電極との間隔を横切るように配列される。
【００３７】
ここではノズルから溶液を吐出させるための駆動力に空気圧を利用した例を示したが、本発明はこれに限らない。油圧によっても構わないし、またピエゾ方式やバブルジェット（登録商標）方式のインクジェット等の技術を利用して、各ノズルに対応して溶液の送付・吐出のための手段を設けても良い。
【００３８】
更に、基板６上で配向されるナノワイヤの先端位置をそろえる方法について説明する。図1において、ノズル1a内の電極3に電圧を印加する際、ノズル1aからの溶液の吐出・非吐出のタイミングに合わせて電圧印加手段5による電圧の印加・非印加を制御する。これにより、図4に示すように、基板6上の電極7においてナノワイヤの長さ方向の位相をそろえることことができ、ナノワイヤをソース・ドレイン電極７間に無駄なく配列することができる。具体的には、ノズル1aからの溶液の吐出前にノズル1a内の電極3に電圧を印加して溶液中のナノワイヤを配向させておいて、その後に溶液の吐出を行うことにより、吐出される溶液中のナノワイヤの先端位置を揃えることができる。これにより、塗布された溶液中のナノワイヤは、基板上においてソース電極とドレイン電極との間隔を横切るように延び、且つ一端がソース電極上に位置し且つ他端がドレイン電極上に位置するように揃って配列される。かくして、電圧による配向・配列を効率的に行うことが出来る。
【００３９】
＜実施形態2＞
図５は本発明に係るナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ溶液塗布装置の実施形態を示す概要図である。図６は塗布基板を上から見た概要図である。これらの図において、実施形態１の図におけると同様の機能を有する部材には同一の符号が付されている。
【００４０】
本実施形態では、図5に示されるように、ノズルの最下位置の電極3と基板6の電極7との間に電圧印加手段5bにより交流電圧を印加する。これによりノズルから吐出された溶液中のナノワイヤが基板に塗布される前に溶液中でほぼ吐出方向に沿って配向され、基板上においても安定して配向されるようになる。また基板6の電極7上においてもノズルと基板との間に電圧が印加されているため、電極７上においてもナノワイヤを配向させる力が働く。このため、電極端部のみでなく電極全面にわたって効率よくナノワイヤを配向させることができる。図6に示すように2電極7間にナノワイヤを配向配列させるためには、基板の搬送方向に関し先頭側の電極とノズルとの間に電圧を印加することが効果的である。
【００４１】
これらの電圧印加手段5bによる溶液に対する電界印加は、電圧印加手段5aによるノズル1a内部での溶液に対する電界印加と組み合せて利用することも可能である。これにより、ノズルからの吐出前からナノワイヤを配向させておけるので、より効果が高められる。
【００４２】
＜実施形態3＞
図７は本発明に係るナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ溶液塗布装置の実施形態を示す概要図である。図８は本実施形態の溶液塗布装置のノズル付近の概要図であり、図９は塗布基板を上から見た概要図である。これらの図において、実施形態１及び２の図におけると同様の機能を有する部材には同一の符号が付されている。
【００４３】
本実施形態では、ノズルの１ａの構造が上記実施形態のものとは異なる。即ち、図８はノズルを上方から見たもの（水平断面図に該当）であり、この断面において溶液流通路の形状は、基板搬送方向に対し直交する方向に細長く形成されている。そして、対をなす電極3a、3bは、基板搬送方向に対し直交する方向に隔てられて、図８において細長い溶液流通路の両端に配置されている。
【００４４】
一方、図９に示されているように、基板６には、ソース・ドレイン電極７が、基板搬送方向に対し直交する方向に間隔を隔てて配置されている。
【００４５】
電極3a、3b間に電圧印加手段5により必要に応じて交流電圧が印加され、ノズル内において溶液内のナノワイヤ2aは上記電圧により溶液移動方向に対して直交するように配向される。
【００４６】
溶液送付手段4により、所定のタイミングでノズル１ａから下方に吐出された所定量の溶液は、近接して配置された基板6のソース・ドレイン電極７上に塗布される。その際、溶液中のナノワイヤ２ａは、図９に示すように基板搬送方向に対し直交する方向に配向された状態で塗布される。これにより、ナノワイヤ２ａは、ソース電極とドレイン電極との間隔を横切るように配列される。
【００４７】
本実施形態は、基板6の両電極7が間隔が狭く対向電極巾が長いものである場合に好適であり、ノズル形状の設計が容易で効率的にナノワイヤ溶液を塗布することが可能となる。
【００４８】
＜実施形態４＞
図１０は本発明に係るナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ溶液塗布装置の実施形態を示す概要図である。図１１は本実施形態の溶液塗布装置のノズル付近の概要図である。これらの図において、実施形態１〜３の図におけると同様の機能を有する部材には同一の符号が付されている。
【００４９】
本実施形態では、容器１に、１列状に配列された複数のノズル１ａが設けられている。各ノズルの構造は、図１１に示されるように上記実施形態１または２のものと同様であってもよいし、或いは上記実施形態３のものと同様であってもよい。このように複数のノズルを配列することにより、基板上の複数のソース・ドレイン電極に対して一度にナノワイヤ溶液を効率よくパターン状に塗布することができる。
【００５０】
また、インクジェット方式のように各ノズルに溶液の送付・吐出のための手段を設けておくことにより、所定のノズルのみから溶液を吐出させるようにすることも可能である。
【００５１】
以上の実施形態では、TFT作製の際のソース電極とドレイン電極との間の半導体ナノワイヤによるチャネル部形成のためのナノワイヤ溶液塗布につき説明したが、本発明は、その他のナノワイヤを有する電気素子の製造にも利用することができる。このような電気素子としては、抵抗体、コンデンサ、電界発光素子、光電変換素子などを挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係るナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ溶液塗布装置の実施形態を示す概要図である。
【図２】図１の溶液塗布装置のノズル付近の概要図である。
【図３】塗布基板を上から見た概要図である。
【図４】塗布基板を上から見た概要図である。
【図５】本発明に係るナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ溶液塗布装置の実施形態を示す概要図である。
【図６】塗布基板を上から見た概要図である。
【図７】本発明に係るナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ溶液塗布装置の実施形態を示す概要図である。
【図８】図７の溶液塗布装置のノズル付近の概要図である。
【図９】塗布基板を上から見た概要図である。
【図１０】本発明に係るナノワイヤ溶液塗布方法及びナノワイヤ溶液塗布装置の実施形態を示す概要図である。
【図１１】図１０の溶液塗布装置のノズル付近の概要図である。
【符号の説明】
【００５３】
１：容器
１ａ：ノズル
２：溶液
２ａ：ナノワイヤ
３，３ａ，３ｂ：電極
４：溶液送付手段
５，５ａ，５ｂ：電圧印加手段
６：基板
７：ソース・ドレイン電極
【図１】
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【図２】
2007158118.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007158118.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007158118.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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