(57)【要約】【課題】静電気の発生による素子等の破壊を防止した電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、複数の走査線２１４同士を短絡させる第１短絡配線２１６，２１８を形成し、第１短絡配線２１６，２１８に複数の走査線２１４のそれぞれを接続する工程と、複数のデータ線３１４同士を短絡させる第２短絡配線３１８を形成する工程と、第１短絡配線２１６，２１８と第２短絡配線３１８との間に抵抗３３０を形成する工程と、第１短絡配線２１６，２１８及び第２短絡配線３１８のそれぞれに電圧を印加して画素の点灯を検査する工程と、走査線２１４及び第１短絡配線２１６，２１８の少なくとも一方を切断し、走査線２１４と第１短絡配線２１６，２１８とを絶縁させると共に、データ線３１４及び第２短絡配線３１８の少なくともいずれか一方を切断し、データ線３１４と第２短絡配線３１８とを絶縁させる工程とを有する。【選択図】図６
2007133067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線とデータ線との交差に対応して配列された画素とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記複数の走査線同士を短絡させる第１短絡配線を形成する工程と、
前記複数のデータ線同士を短絡させる第２短絡配線を形成する工程と、
前記第１短絡配線と前記第２短絡配線との間に抵抗を形成し、前記第１短絡配線と前記第２短絡配線とを前記抵抗を介して接続する工程と、
前記第１短絡配線と前記第２短絡配線とを前記抵抗を介して接続した後、前記第１短絡配線及び前記第２短絡配線のそれぞれに電圧を印加して前記画素の点灯を検査する工程と、
前記検査が終了した後、前記走査線及び前記第１短絡配線の少なくとも一方を切断し、前記走査線と前記第１短絡配線とを絶縁させると共に、前記データ線及び前記第２短絡配線の少なくともいずれか一方を切断し、前記データ線と前記第２短絡配線とを絶縁させる工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記画素には非線形素子が設けられ、前記非線形素子は基板側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層をこの順に積層したものであり、
前記第１金属層はタンタル合金（Ｔａ合金）を用いて形成すると共に、前記第２金属層はクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１種以上の材料を用いて形成し、
前記抵抗は、前記非線形素子の前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれかの材料と同一材料を用いて形成した配線であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記抵抗は、前記走査線、前記データ線、前記第１短絡線及び前記第２短絡線の配線幅よりも狭い配線幅を有した配線であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記抵抗は、少なくとも蛇行、屈曲、及び湾曲のいずれかによって形成された配線であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記抵抗は、基板側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層の順に積層した非線形抵抗素子であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記抵抗は、基板側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層の順に積層し、少なくとも絶縁層の一部に開口部を形成した後、前記開口部に前記第２金属層を埋設することにより前記第１金属層と前記第２金属層とを金属接触させた抵抗素子であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記画素には非線形素子が設けられ、前記非線形素子は基板側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層をこの順に積層したものであり、
前記第１金属層はタンタル合金（Ｔａ合金）を用いて形成すると共に、前記第２金属層はクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１種以上の材料を用いて形成し、
前記抵抗の前記第１金属層は前記非線形素子の前記第１金属層と同一材料を用いて形成し、
前記抵抗の前記第２金属層は前記非線形素子の前記第２金属層と同一材料を用いて形成することを特徴とする請求項５及び請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記抵抗素子を複数形成し、前記複数の抵抗素子を直列に接続することを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記走査線及びデータ線のそれぞれの切断部を同一軸上に配置し、前記走査線及びデータ線の切断部をレーザ光の照射により一括で切断することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に液晶などの電気光学物質の電気光学的な変化により表示を行う液晶装置は、駆動方式によってパッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型とに分けられる。これらの液晶装置は、行方向に延在して形成される走査線と、列方向に延在して形成されるデータ線と、走査線とデータ線との交差部分に対応して設けられる画素とを備えている。
【０００３】
このような液晶装置において、点灯しないような欠陥画素が存在すると、その欠陥画素は容易にユーザに視認される。また、階調特性が、画素にわたって不均一であると、画面全体として見た場合に表示ムラとして視認される。一方で、このような液晶装置を欠陥なく製造することは、製造上困難である。従って、製造時において欠陥のある液晶装置を、いかに効率よく排除するかが品質管理の上で重要となる。
【０００４】
ここで、欠陥の有無を検査する方法としては、以下に説明する方法が知られている。
具体的には、まず、複数の走査線同士を短絡配線に接続することにより短絡させて走査線同士を同電位とする。同様に、複数のデータ線同士を短絡配線に接続することにより短絡させてデータ線同士を同電位とする。
次に、上記短絡配線のそれぞれに接続された端子を介して、画素に所定の駆動電圧を印加して、画素の点灯を検査する。これにより、走査線やデータ線等に断線が発生していると、その欠陥に係る画素は、非点灯状態になるので画素の欠陥を容易に発見することができる。
そして、上述した検査が正常の場合には、走査線及びデータ線のそれぞれに接続された短絡配線にレーザ光を照射することにより、短絡配線を走査線及びデータ線から電気的に切断する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３２８６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、スイッチング素子にＴＦＤ素子が用いられた液晶装置においては、データ線には画素を構成するＴＦＤ及び画素電極等の素子が直接的に接続されている。そのため、データ線に静電気のような高電圧が印加されると、これらの素子が破壊され、欠陥画素となるという問題があった。従って、データ線の静電気対策が十分に施されることが望まれる。
【０００６】
一方、走査線は、スペーサを兼ねる導電性粒子を介して画素に間接的に接続されていることから、静電気が入った場合にＴＦＤ素子に与える影響はデータ線と比較して低い。しかしながら、データ線同様に静電気対策を十分に施すことが望ましい。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電気の発生による素子等の破壊を防止した電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線とデータ線との交差に対応して配列された画素とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記複数の走査線同士を短絡させる第１短絡配線を形成する工程と、前記複数のデータ線同士を短絡させる第２短絡配線を形成する工程と、前記第１短絡配線と前記第２短絡配線との間に抵抗を形成し、前記第１短絡配線と前記第２短絡配線とを前記抵抗を介して接続する工程と、前記第１短絡配線と前記第２短絡配線とを前記抵抗を介して接続した後、前記第１短絡配線及び前記第２短絡配線のそれぞれに電圧を印加して前記画素の点灯を検査する工程と、前記検査が終了した後、前記走査線及び前記第１短絡配線の少なくとも一方を切断し、前記走査線と前記第１短絡配線とを絶縁させると共に、前記データ線及び前記第２短絡配線の少なくともいずれか一方を切断し、前記データ線と前記第２短絡配線とを絶縁させる工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、第１短絡配線に接続された走査線同士は同電位となり、第２短絡配線に接続されたデータ線同士は同電位となる。また、抵抗を介して第１短絡配線と第２短絡配線とを接続するため、走査線とデータ線とは電圧に応じて電流が流れる状態となる。
点灯検査の際、一般に、第１短絡配線の走査線側と、第２短絡配線のデータ線側にはそれぞれ異なる大きさの電圧を印加する。本発明によれば、第１短絡配線と第２短絡配線とを抵抗を介して接続するため、第１短絡配線の走査線側に印加した電圧と第２短絡配線のデータ線側に印加した電圧とが混在することがない。これにより、第１短絡配線と第２短絡配線とを抵抗を介して接続した状態（第１短絡配線と第２短絡配線とを絶縁することなく）で、走査線とデータ線とのそれぞれに異なる電圧を印加して点灯検査を行うことができる。
一方、例えば走査線側で静電気が発生した際、走査線とデータ線とは電圧に応じて電流が流れる状態であるため、走査線側で発生した静電気の電荷は抵抗を介してデータ線側に移動する。これにより、走査線側に発生した過大な静電気をデータ線側に分散させることができ、走査線とデータ線との間に配置されるスイッチング素子等の破壊を防止することができる。よって、画素の欠陥を防止することができ、高精細、高画質な表示を確保することができる。また、上述したように、点灯検査が終了しても、第１短絡配線と第２短絡配線とは抵抗を介して接続され、走査線とデータ線とは電圧に応じて電流が流れる状態であるため、ＩＣ等の実装直前まで（走査線と第１短絡線、およびデータ線と第２短絡線を切断するまで）静電気対策を図ることが可能となる。
なお、上記抵抗は抵抗値が数１０ＫΩから数ＭΩに設定されたものが用いられる。従って、検査時に静電気と比較して低い電圧を走査線とデータ線に印加する場合には抵抗が高抵抗であるため、点灯検査用駆動回路に負荷はかからない。点灯検査用駆動回路によってはさらに抵抗値を下げることも可能である。一方、静電気のように高電圧の電圧が印加される場合には抵抗を介して電流が流れる。
ここで、本発明において電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。従って、例えば液晶装置や有機ＥＬ（electro-Luminescence）装置、無機ＥＬ装置に代表される発光装置等を含む概念である。
【００１０】
また電気光学装置の製造方法は、前記画素に非線形素子が設けられ、前記非線形素子は基板側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層をこの順に積層したものであり、前記第１金属層はタンタル合金（Ｔａ合金）を用いて形成すると共に、前記第２金属層はクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１種以上の材料を用いて形成し、前記抵抗は、前記非線形素子の前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれかの材料と同一材料を用いて形成した配線であることも好ましい。
【００１１】
この方法によれば、第１短絡配線と第２短絡配線とを接続する配線（抵抗）は、画素に設けられた非線形素子を構成する材料と同一材料より形成される。従って、非線形素子の形成と同一工程により配線（抵抗）を形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。また、非線形素子を形成する工程で配線（抵抗）を形成するため、早い段階で静電気対策を図ることができる。
【００１２】
また電気光学装置の製造方法は、前記抵抗が、前記走査線、前記データ線、前記第１短絡線及び前記第２短絡線の配線幅よりも狭い配線幅を有した配線であることも好ましい。
【００１３】
この方法によれば、配線（抵抗）を走査線等の配線の配線幅よりも狭くするため、配線（抵抗）の抵抗値を高くすることができる。これにより、第１短絡配線と第２短絡配線とを抵抗を介して接続した状態（第１短絡配線と第２短絡配線とを絶縁することなく）で、走査線とデータ線とのそれぞれに異なる電圧を印加して点灯検査を行うことができる。
【００１４】
また電気光学装置の製造方法は、前記抵抗が、少なくとも蛇行、屈曲、及び湾曲のいずれかによって形成された配線であることも好ましい。
【００１５】
この方法によれば、配線（抵抗）を屈曲又は湾曲させて配線（抵抗）の距離を長くすることでこの配線（抵抗）の抵抗値を高くすることができる。これにより、第１短絡配線と第２短絡配線とを抵抗を介して接続した状態（第１短絡配線と第２短絡配線とを絶縁することなく）で、走査線とデータ線とのそれぞれに異なる電圧を印加して点灯検査を行うことができる。
【００１６】
また電気光学装置の製造方法は、前記抵抗が、基板側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層の順に積層した非線形抵抗素子であることも好ましい。
【００１７】
この方法によれば、抵抗は非線形抵抗素子の構造を有することになる。そのため、走査線側に静電気のような高電圧が印加されると、非線形抵抗素子の抵抗が小さくなり、走査線側からデータ線側に非線形抵抗素子を介して電流が流れる。これにより、走査線側で発生した静電気の電荷はデータ線側に移動するため、走査線側の過大な静電気をデータ線側に分散させることが可能となる。一方、点灯検査の際に走査線及びデータ線に印加される電圧は、静電気により発生する電圧よりもはるかに小さい。そのため、非線形抵抗素子は電流を流さないため、走査線側とデータ線側とで異なる電圧を同時に印加することができる。
【００１８】
また電気光学装置の製造方法は、前記抵抗が、基板側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層の順に積層し、少なくとも絶縁層の一部に開口部を形成した後、前記開口部に前記第２金属層を埋設することにより前記第１金属層と前記第２金属層とを金属接触させた抵抗素子であることも好ましい。
【００１９】
この方法によれば、抵抗を構成する第１金属層と第２金属層とが開口部を介して金属接触することで、コンタクト抵抗が発生する。これにより、第１短絡配線と第２短絡配線とを抵抗を介して接続した状態（第１短絡配線と第２短絡配線とを絶縁することなく）で、走査線とデータ線とのそれぞれに異なる電圧を印加して点灯検査を行うことができる。
【００２０】
また電気光学装置の製造方法は、前記画素に非線形素子が設けられ、前記非線形素子は基板側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層をこの順に積層したものであり、前記第１金属層はタンタル合金（Ｔａ合金）を用いて形成すると共に、前記第２金属層はクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１種以上の材料を用いて形成し、前記抵抗の前記第１金属層は前記非線形素子の前記第１金属層と同一材料を用いて形成し、前記抵抗の前記第２金属層は前記非線形素子の前記第２金属層と同一材料を用いて形成することも好ましい。
【００２１】
この方法によれば、第１短絡配線と第２短絡配線とを接続する配線（抵抗）は、画素に設けられた非線形素子を構成する材料と同一材料より形成される。従って、非線形素子の形成と同一工程により配線（抵抗）を形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。また、非線形素子を形成する工程で配線（抵抗）を形成するため、早い段階で静電気対策を図ることができる。
【００２２】
また電気光学装置の製造方法は、前記抵抗素子を複数形成し、前記複数の抵抗素子を直列に接続することも好ましい。
【００２３】
この方法によれば、複数の抵抗を直列に接続することで、抵抗値を大きくすることができる。
【００２４】
また電気光学装置の製造方法は、前記走査線及びデータ線のそれぞれの切断部を同一軸上に配置し、前記走査線及びデータ線の切断部をレーザ光の照射により一括で切断することも好ましい。
【００２５】
この方法によれば、同一軸上に走査線及びデータ線の切断部を配置するため、一括で第１短絡配線と走査線、及び第２短絡配線とデータ線を絶縁させることができる。これにより、製造工程の簡略化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部
材の縮尺を適宜変更している。
【００２７】
＜液晶装置の構成＞
はじめに、本発明の実施形態に係る検査方法が適用される液晶装置の電気的構成について説明する。図１は、この液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。この図に示されるように、液晶装置１００（電気光学装置）には、複数ｍ本の走査線（コモン配線）２１４が行（Ｘ）方向に延在に形成される一方、複数３ｎ本のデータ線（セグメント配線）３１４が列（Ｙ）方向に延在して形成されると共に、走査線２１４とデータ線３１４との各交差に対応して画素１１０が形成されている。この画素１１０は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの一色に対応するものであり、Ｘ方向に相隣接するＲＧＢの３つの画素１１０によって１つのドット１２０が構成されている。
【００２８】
ここで、画素１１０は、液晶容量１６２と、二端子型スイッチング素子の一例であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード、非線形素子）３２０との直列接続からなる。このうち、液晶容量１６２は、後述するように、対向電極として機能する走査線２１４と画素電極との間に、電気光学物質の一例たる液晶を挟持した構成となっている。また、ＴＦＤ３２０は、本実施形態では、一端がデータ線３１４に接続される一方、他端が画素電極に接続されて、走査線２１４とデータ線３１４との電位差にしたがってオンオフが制御される。なお、この液晶装置にあっては、説明の便宜上、走査線２１４の総数をｍ本とし、データ線３１４の総数を３ｎ本として、ドット１２０がｍ行ｎ列（画素１１０でいえば、ｍ行３ｎ列）に配列するマトリクス型液晶装置として説明するが、本発明の適用をこれに限定する趣旨ではない。
【００２９】
次に、Ｙドライバ２５１、２５３は、一般には走査線駆動回路と呼ばれるものである。このうち、Ｙドライバ２５１は、図１において上から数えて奇数（１、３、５、…、ｍ−１）本目の走査線２１４の駆動を担当し、Ｙドライバ２５３は、上から数えて偶数（２、４、６、…、ｍ）本目の走査線２１４の駆動を担当すしている。すなわち、Ｙドライバ２５１、２５３によって、１行目、２行目、３行目、…、ｍ行目の走査線２１４が１垂直走査期間において順次排他的に１本ずつ選択されると共に、選択された走査線２１４には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の走査線２１４には、非選択電圧の走査信号が供給される構成となっている。なお、説明の便宜上、走査信号は、一般的にｊ（ｉは、１≦ｊ≦ｍを満たす整数）行目の走査線２１４に供給されるものを、Ｙｊと表記している。
【００３０】
また、Ｘドライバ３５０は、一般にはデータ線駆動回路と呼ばれるものであり、Ｙドライバ２５１、２５３のいずれかにより選択された走査線２１４に位置する３ｎ個の画素１１０に対し、表示内容に応じたデータ信号Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｇ、Ｘ１Ｒ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｇ、Ｘ２Ｒ、…、ＸｎＢ、ＸｎＧ、ＸｎＲを、それぞれ対応するデータ線３１４を介して供給するものである。なお、データ信号は、一般的にｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｎを満たす整数）列目のドット１２０において、Ｂ、Ｇ、Ｒの画素１１０で兼用されるデータ線３１４に供給されるものを、それぞれＸｉＢ、ＸｉＧ、ＸｉＲと表記している。
【００３１】
次に、液晶装置１００の機械的な構成について説明する。図２は、この液晶装置１００の外観構成を示す斜視図である。なお、この図では、液晶装置１００における配線レイアウトを判りやすくするために、観察者に視認される観察側を図において裏側として示す一方、観察者が通常視認することのない背面側を図において表側として示している。また、図３は、この液晶装置１００を図２におけるＸ方向に沿って破断した場合の構成について、観察側を上側として示す部分断面図である。このため、図２と図３とは、互いに上下関係が逆となる点に留意されたい。
【００３２】
これらの図に示されるように、液晶装置１００は、観察側に位置する基板３００と、その背面側に位置して、観察側の基板３００よりも一回り小さい基板２００とが、スペーサを兼ねる導電性粒子１１４が適切な割合で分散されたシール材１１６によって、一定の間隙を保って貼り合わせられると共に、この間隙に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１６０が封入された構成となっている。ここで、シール材１１６は、基板２００の内周縁に沿って形成されるが、液晶１６０を封入するために、その一部が開口している。このため、液晶１６０の封入後に、その開口部分が封止材１１２によって封止されている。
【００３３】
さて、背面側の基板２００にあって、観察側の基板３００との対向面には、ｍ本の走査線２１４がＸ方向に延在して形成される一方、観察側の基板３００にあって背面側の基板２００との対向面には、３ｎ本のデータ線３１４がＹ（列）方向に延在して形成されている。基板２００に形成された走査線２１４のうち、奇数行目の走査線２１４は、シール材１１６の形成領域のうち、図２において左側まで延設される一方、偶数行目の走査線２１４は、シール材１１６の形成領域のうち、図において右側まで延設されている。また、基板３００には、走査線２１４と一対一に対応して配線３７２が設けられると共に、シール材１１６の形成領域において、対応する走査線２１４の一端と対向するように形成されている。
【００３４】
ここで、導電性粒子１１４は、走査線２１４の一端と配線３７２の一端とが対向する部分に、少なくとも１個以上介在するような割合にてシール材１１６中に分散される。このため、基板２００に形成された走査線２１４は、導電性粒子１１４を介して、基板３００に形成された配線３７２に接続される構成となる。なお、この配線３７２は、後述するＴＦＤ３２０の第２金属膜と同一層、及び、画素電極３４８と同一層をパターニングした積層構造となって、その配線抵抗が低く抑えられている。このような配線３７２のうち、奇数行目の走査線２１４に接続される配線３７２は、シール材１１６の形成領域外において９０度屈曲した後、Ｙ方向に沿って張出領域３０２まで延設される。そして、当該配線３７２は、張出領域３０２において、Ｙドライバ２５１の出力側バンプに接合される。同様に、偶数行目の走査線２１４に接続される配線３７２は、シール材１１６の形成領域外において９０度屈曲した後、Ｙ方向に沿って張出領域３０２まで延設されて、Ｙドライバ２５３の出力側バンプに接合される。
【００３５】
一方、データ線３１４は、シール材１１６の形成領域外においてピッチが狭められて、張出領域３０２まで延設される。そして、当該データ線３１４は、張出領域３０２において、Ｘドライバ３５０の出力側バンプに接合される。また、張出領域３０２には、ＦＰＣ（Flexible Circuit Board）基板１５０が接合されて、外部回路（図示省略）から、Ｙドライバ２５１、２５３及びＸドライバ３５０の入力側バンプにクロック信号や制御信号等を供給する構成となっている。そして、基板３００の張出領域３０２においては配線３８４が形成されて、その一端は、Ｙドライバ２５１、２５３又はＸドライバ３５０の入力側バンプに接続される一方、その他端は、ＦＰＣ基板１５０の配線と接続される。
【００３６】
なお、図２においては、説明の理解を優先させたため便宜的に走査線２１４の本数ｍを「８」とし、データ線３１４の本数３ｎを「１８」とした場合を示している。また、張出領域３０２には、検査用の端子２１７，２１９，３１９が設けられているが、これらの端子については後述することにする。
【００３７】
＜内部構成＞
次に、液晶装置１００における表示領域の内部構成について説明する。図３に示されるように、まず、観察側の基板３００の外面には、位相差板１３３及び偏光板１３１が貼り付けられる。なお、これらの位相差板１３３及び偏光板１３１については、簡略化のため図２では省略されている。また、基板３００の内面には、クロム等からなるデータ線３１４がＹ方向（図３では紙面垂直方向）に延在して形成されている。さらに、データ線３１４の近傍には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる矩形状の画素電極３４８が形成されている。なお、データ線３１４や画素電極３４８等の詳細構成については、さらに後述することにする。ここで、画素電極３４８の表面には、ポリイミド等からなる配向膜３０８が形成されている。なお、この配向膜３０８には、背面側の基板２００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング処理が施される。なお、配向膜３０８は、表示領域外では不要であるから、シール材１１６の形成領域近傍及びその外側では設けられていない。
【００３８】
続いて、背面側の基板２００について説明する。基板２００の外面には、位相差板１２３及び偏光板１２１が貼り付けられる。なお、これらの位相差板１２３及び偏光板１２１についても、図２では省略されている。一方、基板２００の内面には、起伏が形成された散乱樹脂層２０３が形成されている。この散乱樹脂層２０３は、例えば基板２００の表面上において点状にパターニングしたフォトレジストを熱処理し、当該フォトレジストの端部を軟化させる等によって、形成したものである。
【００３９】
次に、散乱樹脂層２０３の起伏面には、アルミニウムや銀等の反射性金属からなる反射膜２０４が形成されている。従って、散乱樹脂層２０３の起伏を反映して、反射膜２０４の表面も起伏となるので、観察側から入射した光は、反射膜２０４によって反射する際に、適度に散乱することとなる。なお、液晶装置１００を反射型のみならず透過型としても機能させるために、反射膜２０４には、光を透過させるための開口部２０９が設けられている。なお、このような開口部２０９を設けずに、例えばアルミニウム等の光反射性を有する金属の膜厚を比較的薄く（２０ｎｍ〜５０ｎｍ）して形成することにより、背面側からの入射光の一部を透過させる構成としても良い。
【００４０】
さらに、反射膜２０４の表面には、画素電極３４８と走査線２１４との対向領域に対応して、赤色のカラーフィルタ２０５Ｒ、緑色のカラーフィルタ２０５Ｇ、及び、青色のカラーフィルタ２０５Ｂが、それぞれ所定の配列で設けられている。なお、カラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂの配列は、本実施形態では、データ系の表示に好適なストライプ配列となっている。
【００４１】
次に、各色のカラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂの表面には、絶縁材からなる平坦化膜２０７が設けられて、当該カラーフィルタの段差や反射膜２０４等の起伏を平坦化している。そして、平坦化膜２０７により平坦化された面に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる走査線２１４がＸ方向（図３では紙面左右方向）に、観察側の基板３００に形成された画素電極３４８と対向するように形成されている。そして、走査線２１４の表面には、ポリイミド等からなる配向膜２０８が形成されている。なお、この配向膜２０８には、観察側の基板３００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング処理が施される。また、各色のカラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂ、平坦化膜２０７及び配向膜２０８は、表示領域外では不要であるから、シール材１１６の領域近傍及びその外側では設けられていない。
【００４２】
＜画素構成＞
続いて、液晶装置１００における画素の構成について、ＴＦＤ３２０を中心にして説明する。図４（ａ）は、液晶装置１００におけるドットの１個分（画素の３個分）のレイアウトを示す平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿って示す断面図である。なお、図４（ａ）は、背面側から観察側を見た場合の構成を示しているので、図４（ａ）では手前側が、図４（ｂ）では上側が、それぞれ背面側となる。これらの図に示されるように、矩形状の画素電極３４８は、マトリクス状に配列し、このうち、同一列に属する画素電極３４８が、１本のデータ線３１４にそれぞれＴＦＤ３２０を介して共通接続されている。また、同一行の画素電極３４８は、上述したように、それぞれ１本の（破線で示される）走査線２１４と対向している。
【００４３】
次に、ＴＦＤ３２０は、第１のＴＦＤ３２０ａ及び第２のＴＦＤ３２０ｂからなり、タンタルタングステンなどからなり、島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３３２２の表面を陽極酸化することによって形成された絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第１金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６は、データ線３１４からＴ字状に分岐したものが用いられる一方、後者の第２金属膜３３６は、ＩＴＯ等の画素電極３４８に接続するために用いられる。
【００４４】
ここで、ＴＦＤ３２０のうち、第１のＴＦＤ３２０ａは、データ線３１４の側からみると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第２のＴＦＤ３２０ｂは、データ線３１４の側からみると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、第１のＴＦＤ３２０ａとは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ３２０ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ３２０ａの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。結局、ＴＦＤ３２０は、２つのＴＦＤを互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００４５】
なお、データ線３１４の下層は、断面的にみれば、第１金属膜３１２、絶縁膜３１３となっている。この理由は、そもそも第１金属膜３２２が第１の金属膜３１２から枝別れしたものであって、絶縁膜３１３、３２３が同一プロセスにおける陽極酸化によって形成された後、第１の金属膜３２２（絶縁膜３２３）が島状に切り離されたものであるからである。また、図４（ｂ）においては、基板３００の表面に、第１金属膜３１２、３２２が直接形成されているが、実際には、下地膜などを介して形成される場合が多い。このように下地膜を介して第１金属膜が形成される理由は、第２金属膜の堆積後における熱処理により、第１金属膜が剥離しないようにするため、及び、第１金属膜に不純物が拡散しないようにするためである。さらに、ＴＦＤ３２０はダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛（ZnO）バリスタや、絶縁膜３２３を窒素欠損状態のSiNxに置換したＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）などを用いた素子や、これらのいずれかの素子を、単体又は逆向きに、並列もしくは直列接続したものなどが適用可能である。
【００４６】
このような構成において、データ線３１４に印加されているデータ信号にかかわらず、ＴＦＤ３２０がオンする選択電圧が走査信号として走査線２１４に印加されると、当該走査線２１４及び当該データ線３１４の交差に対応するＴＦＤ３２０がオンして、オンしたＴＦＤ３２０に接続された液晶容量１６２に、当該選択電圧及び当該データ電圧の差に応じた電荷が蓄積される。電荷蓄積後、走査線２１４に非選択電圧を印加して、当該ＴＦＤ３２０をオフさせても、液晶容量１６２における電荷の蓄積は維持される。ここで、液晶容量に蓄積される電荷量に応じて、液晶の配向状態が変化するので、偏光板１３１（図３参照）を通過して観察者に視認される光量も、透過型、反射型のいずれにおいても、蓄積された電荷量に応じて変化する。従って、選択電圧が印加されたときのデータ信号の電圧によって、液晶容量１６２における電荷の蓄積量を画素毎に制御することで、所定の階調表示が可能になる。
【００４７】
＜張出領域＞
続いて、観察側の基板３００のうち、Ｙドライバ２５１、２５３や、Ｘドライバ３５０が実装されると共に、ＦＰＣ基板１５０が接合される張出領域３０２について説明する。ここで、図５は、張出領域のうち、Ｘドライバ３５０及びＦＰＣ基板１５０が接合される部分を、図１においてＹ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【００４８】
Ｘドライバ３５０における実装面周縁に設けられる電極には、それぞれ例えば金（Au）などからなるバンプ３５０ａ又は３５０ｂが形成されているが、このようなＸドライバ３５０は、観察側の基板３００における張出領域３０２に対して次のようにして実装される。まず、図５に示される上下関係を逆さまとして、第１に、基板３００にあってＸドライバ３５０が実装されるべき領域に、エポキシ等の接着材１３０に導電性粒子１３４を均一に分散させたシート状の異方性導電膜を載置し、第２に、電極形成面を下側にしたＸドライバ３５０と基板３００とによって異方性導電膜を挟持し、第３に、Ｘドライバ３５０を位置決めした後に、当該異方性導電膜を介して基板３００に加圧・加熱し、第４に、冷却後、加圧状態を解放する。
【００４９】
これにより、Ｘドライバ３５０のうち、データ信号を供給する出力側バンプ３５０ａはデータ線３１４に、また、ＦＰＣ基板１５０からの信号を入力する入力側バンプ３５０ｂは配線３８４に、それぞれ接着材１３０中の導電性粒子１３４を介して電気的に接続されることとなる。この際、接着材１３０は、Ｘドライバ３５０の接着のみならず、電極形成面を、湿気や、汚染、応力などから保護する封止材を兼ねることになる。
【００５０】
同様にＹドライバ２５１、２５３の実装にも異方性導電膜が用いられる。また、ＦＰＣ基板１５０の接合にも同様に異方性導電膜が用いられる。これにより、ＦＰＣ基板１５０において、ポリイミドのような基材１５２に形成された配線１５４は、基板３００に形成された配線３８４に対し、接着材１４０中の導電性粒子１４４を介して電気的に接続されることとなる。なお、Ｘドライバ３５０における実装面にあっては、短絡配線３１９と、この短絡配線３１９及びデータ線３１４の他端の間が切断された痕跡とが認められるが、この点については後述することにする。
【００５１】
＜検査方法＞
次に、本実施形態に係る液晶装置の検査について説明する。
図６（ａ）は、液晶装置１００を検査する段階の構成、詳細には、Ｙドライバ２５１、２５３や、Ｘドライバ３５０が実装される前の段階であって、ＦＰＣ基板１５０が接合される前の段階の構成を示す斜視図である。図６（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置１００の破線で囲まれた領域の拡大図である。
【００５２】
図６（ａ）に示すように、奇数行目（図６（ａ）中上側から）の各走査線２１４から張出領域３０２に延在する配線３７２の他端は短絡配線２１６（第１短絡配線）に接続されており、奇数行目の走査線２１４同士が短絡されている。また、偶数行目の各走査線２１４から張出領域３０２に延在する配線３７２の他端は短絡配線２１８（第１短絡配線）に接続されており、偶数行目の走査線２１４同士が短絡されている。さらに、データ線３１４から張出領域３０２に延在する配線３７３の他端は短絡配線３１８（第２短絡配線）に接続されており、データ線３１４同士が短絡されている。これにより、走査線２１４同士が同電位となり、データ線３１４同士が同電位となっている。
【００５３】
本実施形態において、図６（ａ）に示すように、奇数行目の走査線２１４側の短絡配線２１６とデータ線３１４側の短絡配線３１８、及び偶数行目の走査線２１４側の短絡配線２１８とデータ線３１４の短絡配線３１８との間には、抵抗配線３３０が形成されている。抵抗配線３３０は、図６（ｂ）に示すように、パルス状に複数回に屈曲されて形成されたものであり、抵抗配線の一端３３０ａが短絡配線２１６と電気的に接続されると共に、抵抗配線の他端３３０ｂが短絡配線２１８と電気的に接続されている。つまり、短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とが抵抗配線３３０を介して電気的に接続されている。これにより、短絡配線２１６，２１８に接続される走査線２１４と、短絡配線３１８に接続されるデータ線３１４とが接続され、走査線２１４とデータ線３１４とが電圧に応じて電流が流れる状態となる。また、抵抗配線３３０の配線幅Ｗ１は、図６（ｂ）に示すように、短絡配線２１６，２１８，３１８の配線幅Ｗ２よりも狭くなるように形成されている。
【００５４】
抵抗配線３３０の材料としては、上述したＴＦＤ３２０を構成する第１金属層３２２と同一材料であるＴａ合金を用いていも良いし、第２金属層３１６、３３６と同一材料であるクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、又はジルコニウム（Ｚｒ）等の金属を用いても良い。また、抵抗配線３３０を画素電極３４８と同一材料のＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明材料を用いて形成しても良い。
このように抵抗配線３３０は、材料、配線長、及び配線幅を調整することで、抵抗配線３３０の抵抗値を高抵抗に調整することができるようになっている。本実施形態において抵抗配線３３０は、点灯検査用駆動回路に負荷がかからない程度の抵抗値（数１０ＫΩ程度から数ＭΩ程度）に設定されたものを用いている。なお、点灯検査用駆動回路によってはさらに抵抗値を下げることも可能である。
【００５５】
また、抵抗配線３３０は、上記ＴＦＤ３２０と同一材料を用いるため、ＴＦＤ３２０と同一工程により同時に形成することができる。つまり、ＴＦＤ３２０の第１金属層を形成する段階で抵抗配線３３０を形成しても良いし、ＴＦＤ３２０の第２金属層を形成する段階で抵抗配線３３０を形成しても良い。また、短絡配線２１６，２１８，３１８は、走査線２１４、配線３７２、データ線３１４と同時に形成されるものであり（又は、これらを構成する配線層の一部を含み、当該配線層のパターニングよって形成されるものであり）、端子２１７，２１９，３１９のそれぞれから引き廻されて形成されている。また、検査後においては、後述するように短絡配線２１６，２１８はそれぞれ配線３７２から電気的に切り離され、同様に、短絡配線３１８は、配線３７３から電気的に切り離される。
【００５６】
このように構成された液晶装置１００を用いて、走査線２１４及びデータ線３１４のそれぞれに所定の電圧を印加して画素１１０の点灯検査を行う。
具体的には、信号Ｖｃｏｍ１は、図７に示すように、着目した走査線２１４が選択される１水平走査期間（１Ｈ）の後半期間において、選択電圧＋ＶＳ（または−ＶＳ）となった後、１垂直走査期間（１Ｆ）が経過するまで非選択電圧＋ＶＤ／２（または−ＶＤ／２）を維持し、再び当該走査線２１４が選択されると、その後半期間において、今度は選択電圧−ＶＳ（または＋ＶＳ）となった後、非選択電圧−ＶＤ／２（または＋ＶＤ／２）を維持する。また、信号Ｖｃｏｍ２は、信号Ｖｃｏｍ１に選択電圧となってから１水平走査期間（１Ｈ）経過後に、選択電圧となるものであり、かつ、その選択電圧は、信号Ｖｃｏｍ１の選択電圧とは逆極性となるものである。
【００５７】
信号Ｖｓｅｇは、データ線３１４に共通接続される画素のうち、選択された走査線２１４の交差に対応する画素の表示内容に着目して、画素を最高階調（白色）表示とするのであれば、当該走査線２１４に選択電圧が印加される後半期間の全域にわたって、当該選択電圧とは同一極性の電圧となる一方、その前半期間の全域にわたって、当該選択電圧とは逆極性の電圧となるものである。また、実際の検査では、信号Ｖsegとしては、黒色から灰色、さらには、白色というように時間的に徐々に変化させたものを用いても良い。
【００５８】
これにより、検査の際、信号Ｖｃｏｍ１は端子２１７を介して短絡配線２１６に供給され、信号Ｖｃｏｍ２は端子２１９を介して短絡配線２１８に供給され、信号Ｖｓｅｇは端子３１９を介して短絡配線３１８に供給される。このとき、短絡配線２１６，３１８間、及び短絡配線２１８，３１８間のそれぞれには抵抗配線３３０が形成されている。そのため、例えば短絡配線２１６に供給されたＶｃｏｍ１が隣接する短絡配線３１８に供給されることはない。
【００５９】
このような条件の下で検査を行うと、正常の場合には、１垂直走査期間（１Ｆ）においてすべての画素１１０の液晶容量１６２に印加される電圧実効値が互いに等しくなるので、すべての画素は同一階調となる。一方、走査線２１４、データ線３１４、配線３７２、及びＴＦＤ３２０等に断線の異常が発生した場合には、欠陥に係る画素は非点灯状態になるので、画素の欠陥を容易に発見することができる。また、走査線２１４、データ線３１４、及び配線３７２の抵抗が不均一であったり、ＴＦＤ３２０の素子特性が画素毎にばらついていたりすると、欠陥部分の画素の階調が他の画素の階調と異なるので、このような欠陥も容易に発見することができる。
【００６０】
次に、上述した検査により液晶装置１００が正常であると判断された場合には、図８に示すように、走査線２１４と短絡配線２１６，２１８、及びデータ線３１４と短絡配線３１８を切断して電気的に分離する。切断方法としては、例えば、レーザ光を用いて溶断する方法が挙げられる。
詳細には、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、走査線２１４から張出領域３０２に延在する配線３７２のうち、実装されるＸドライバ２５１，２５３の出力側バンプ３５０ａに接合される接合部と短絡配線２１６，２１８との接続部との間の切断領域をレーザ光により切断する。同様にして、データ線３１４から張出領域３０２に延在する配線３７３のうち、実装されるＹドライバ３５０の出力側バンプに接合される接合部と短絡配線３１８との接続部との間の切断領域をレーザ光により切断する。このように本実施形態では、各切断領域がＸ軸方向に沿って（同軸）配置されるため、レーザ光を図６に示すように直線３９０（Ｘ軸方向）に沿って走査することで、一括で、各切断領域を切断することができる。これにより、走査線２１４と短絡配線２１６，２１８、及びデータ線３１４と短絡配線３１８を電気的に分離することができる。なお、レーザ光の他に、カッターなどにより物理的に切断しても良い。
【００６１】
そして、走査線２１４と短絡配線２１６，２１８、及びデータ線３１４と短絡配線３１８とを電気的に分離した後に、上述した異方性導電膜を用いて、Ｙドライバ２５１、２５３及びＸドライバ３５０を実装すると共に、ＦＰＣ基板１５０を接合して図２に示すような液晶装置１００となる。
【００６２】
本実施形態によれば、短絡配線２１６，２１８に接続された走査線２１４は同電位となり、短絡配線３１８に接続されたデータ線３１４は同電位となる。また、抵抗配線３３０を介して短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とを接続するため、走査線２１４とデータ線３１４とは電圧に応じて電流が流れる状態となる。
一般に点灯検査の際、短絡配線２１６，２１８の走査線２１４側と、短絡配線３１８のデータ線３１４側にはそれぞれ異なる大きさの電圧を印加する。本実施形態によれば、短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とを抵抗配線３３０を介して接続するため、短絡配線２１６，２１８の走査線２１４側に印加した電圧と短絡配線３１８のデータ線３１４側に印加した電圧とが混在することがない。これにより、短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とを抵抗配線３３０を介して接続した状態（短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とを絶縁することなく）で、走査線２１４とデータ線３１４とのそれぞれに異なる電圧を印加して点灯検査を行うことができる。
一方、例えば走査線２１４側で静電気が発生した際、走査線２１４とデータ線３１４とは電圧に応じて電流が流れる状態であるため、走査線２１４側で発生した静電気の電荷は抵抗を介してデータ線３１４側に移動する。これにより、走査線２１４側に発生した過大な静電気をデータ線３１４側に分散させることができ、走査線２１４とデータ線３１４との間に配置されるスイッチング素子等の破壊を防止することができる。よって、画素の欠陥を防止することができ、高精細、高画質な表示を確保することができる。また、上述したように、点灯検査時においても、短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とは抵抗配線３３０を介して接続され、走査線２１４とデータ線３１４とは電圧に応じて電流が流れる状態となるため、点灯検査段階、つまりＩＣ等の実装直前まで静電気対策を図ることが可能となる。
【００６３】
また本実施形態によれば、短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とを接続する抵抗配線３３０は、画素１１０に設けられたＴＦＤ３２０を構成する材料と同一材料より形成される。従って、ＴＦＤ３２０の形成と同一工程により抵抗配線３３０を形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。また、ＴＦＤ３２０を形成する工程で抵抗配線３３０を形成するため、早い段階で静電気対策を図ることができる。
【００６４】
また本実施形態によれば、抵抗配線３３０を走査線２１４等の配線の配線幅よりも狭くするため、抵抗配線３３０の抵抗値を高くすることができる。
さらに本実施形態によれば、抵抗配線３３０を屈曲させて抵抗配線３３０の距離を長くするため、抵抗配線３３０の抵抗値を高くすることができる。なお、抵抗配線３３０を湾曲させて配線長を長くすることも可能であるし、屈曲及び湾曲を組み合わせても良い。
【００６５】
（第２の実施の形態）
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
上記実施形態においては抵抗配線の長さ、幅等を調整することにより抵抗を形成していた。これに対し、本実施形態においては抵抗に非線形抵抗素子を用いる点において上記実施形態と異なる。なお、液晶装置の基本構成は、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６６】
図１０（ａ）は、短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８との間に形成する抵抗素子３３３を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す抵抗素子３３３のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【００６７】
まず、抵抗素子３３３の断面構造について説明する。
抵抗素子３３３は、図１０（ｂ）に示すように、島状に形成された第１金属膜３３２と、第１金属膜３３２表面に形成された陽極酸化膜３３４と、陽極酸化膜３３４を覆うように形成された第２金属膜３３８とを有している。すなわち、本実施形態の抵抗素子３３３は、基板３００側から第１金属膜３３２、陽極酸化膜３３４及び第２金属膜３３８が積層されたＭＩＭ構造（上述したＴＦＤ３２０と同一構造）となっている。第１金属膜３３２はＴＦＤ素子の第１金属膜３２２と同一材料の例えばＴａ合金から形成されている。陽極酸化膜３３４は第１金属膜３３２表面を陽極酸化することにより得られる絶縁層から形成されている。第２金属膜３３８はＴＦＤ３２０の第２金属膜３１６、３３６と同一材料の例えば、Ｃｒ、Ｍｏ又はＡｌ等から形成されている。これにより、抵抗素子３３３は、表示領域に形成されるＴＦＤ３２０と同一工程により形成することが可能となっている。
【００６８】
次に、抵抗素子３３３の平面構造について説明する。
図１０（ａ）に示すように、平面視長方形状の第１金属膜３３２ａ〜３３２ｆが行方向（Ｙ軸方向）に間隙をあけて配列されている。このとき、第１金属膜３３２の長手方向は、張出領域３０２に延在する配線３７２，３７３と平行となるように列方向（Ｙ軸方向）に延在して形成される。ここで、第１金属膜３３２の長手方向の略中央部がレーザ光により切断される切断領域となる。なお、図１０（ａ）において、第１金属膜３３２上には、陽極酸化膜３３４が形成されているものとする。
【００６９】
第２金属膜３３８は、第１金属膜３３２に交差して形成され、２本の第１金属膜３３２を跨るようにして形成されている。具体的には、図１０（ａ）に示すように、１列目（図１０（ａ）中左側から）及び２列目の第１金属膜３３２ａ，３３２ｂの上端には第２金属膜３３８ａが跨るようにして形成されている。同様に、３列目及び４列目の第１金属膜３３２ｃ，３３２ｄの上端には第２金属膜３３８ｂが跨るようにして形成され、５列目及び６列目の第１金属膜３３２ｅ，３３２ｆの上端には第２金属膜３３８ｃが跨るようにして形成されている。そして、第２金属膜３３８ａと第２金属膜３３８ｂとの間、第２金属膜３３８ｂと第２金属膜３３８ｃとの間は、離間されており、絶縁性が確保されている。
【００７０】
一方、２列目及び３列目の第１金属膜３３２ｂ，３３２ｃの下端には第２金属膜３３８ｄが跨るようにして形成され、４列目及び５列目の第１金属膜３３２ｄ，３３２ｅの下端には第２金属膜３３８ｅが跨るようにして形成されている。そして、第２金属膜３３８ｄと第２金属膜３３８ｅとの間は、離間されており、絶縁性が確保されている。
【００７１】
このような構成により、図１０（ａ）に示すように、第１金属膜３３２と第２金属膜３３８との交差領域のそれぞれには、第１金属膜３３２、陽極酸化膜３３４、及び第２金属膜３３８が積層された抵抗素子３３３が形成される。そして、列方向に形成される抵抗素子３３３は列方向に延在する第１金属膜３３２によって電気的に接続され、行方向に形成される抵抗素子３３３は行方向に延在する第２金属膜３３８によって電気的に接続されている。これにより、複数の抵抗素子３３３が直列に接続される。ここで、抵抗素子間を接続する第１金属膜３３２及び第２金属膜３３８についても抵抗として機能し、配線長を長くし、又は配線幅を狭くすることで抵抗値を調整することができる。このように、本実施形態では、複数の抵抗素子３３３と複数の抵抗素子３３３を接続するための第１金属膜３３２及び第２金属膜３３８とにより抵抗３３０が構成される。
【００７２】
本実施形態によれば、抵抗素子３３３は非線形抵抗素子の構造を有する。そのため、走査線２１４側に静電気のような高電圧が印加されると、非線形抵抗素子の抵抗が小さくなり、走査線２１４側からデータ線３１４側に抵抗素子３３３を介して電流が流れる。これにより、走査線２１４側で発生した静電気の電荷はデータ線３１４側に移動するため、走査線２１４側の過大な静電気をデータ線３１４側に分散させることが可能となる。一方、点灯検査の際に走査線２１４及びデータ線３１４に印加される電圧は、静電気により発生する電圧よりもはるかに小さい。そのため、非線形抵抗素子３３３は電流を流さないため、走査線２１４側とデータ線３１４側とで異なる電圧を同時に印加することができる。
また本実施形態によれば、複数の抵抗素子３３３を直列に接続するため、抵抗値をより大きくすることができる。
【００７３】
（第３の実施の形態）
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
上記実施形態においては配線の長さ、幅等を調整することにより抵抗を形成していた。これに対し、本実施形態においては抵抗に異種金属を接触させてコンタクト抵抗を発生させる点において上記実施形態と異なる。なお、液晶装置の基本構成は、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。また、本実施形態の平面構造、材料等については、第２実施形態で説明した抵抗素子３３３の平面構造と同じであるため、説明を省略する。
【００７４】
図１１（ａ）は、短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８との間に形成する抵抗素子３３３を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す抵抗素子３３３のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【００７５】
抵抗素子３３３は、図１１（ｂ）に示すように、島状に形成された第１金属膜３３２と、第１金属膜３３２表面を陽極酸化させて形成された陽極酸化膜３３４と、陽極酸化膜３３４を覆うように形成された第２金属膜３３８とを有している。第１金属膜３３２及び陽極酸化膜３３４には、基板面に到達するコンタクトホール３４０（開口部）が形成されている。このコンタクトホール３４０上に位置する第２金属膜３３８はコンタクトホール３４０内部に埋設され、第１金属膜３３２及び第２金属膜３３８の異種金属同士がコンタクト接触されている。これにより、第１金属膜３３２と第２金属膜３３８との接触界面にコンタクト抵抗が発生する。このコンタクト抵抗は、接触面積の減少に反比例して大きくなるため、コンタクトホール３４０の開口の大きさを調整することで、第１金属膜３３２と第２金属膜３３８との接触面積を小さくして、コンタクト抵抗を高くすることも可能である。
【００７６】
本実施形態によれば、抵抗素子３３３を構成する第１金属層３３２と第２金属層３３８とがコンタクトホール３４０を介して金属接触することで、コンタクト抵抗が発生する。これにより、短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とを抵抗素子３３３を介して接続した状態（短絡配線２１６，２１８と短絡配線３１８とを絶縁することなく）で、走査線と２１４データ線３１４とのそれぞれに異なる電圧を印加して点灯検査を行うことができる。
【００７７】
なお、本発明は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることはもちろんである。また、本願発明の要旨を逸脱しない範囲において上述した各例を組み合わせても良い。
例えば、スイッチング素子を用いないパッシブマトリクス型の液晶装置を検査対象としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施形態に係る検査方法が適用される液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】同液晶装置の構成を示す斜視図である。
【図３】同液晶装置をＸ方向に破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図４】（ａ）は、同液晶装置における画素の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’線で破断した部分断面図である。
【図５】同液晶装置をＹ方向に破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図６】第１実施形態に係る検査時における液晶装置の構成を示す斜視図である。
【図７】検査時における印加電圧の一例を示す波形図である。
【図８】検査後における液晶装置の構成を示す斜視図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の各々は、それぞれ検査時、切断時及び実装直
【図１０】第２実施形態に係る抵抗素子の構成を示す図である。
【図１１】第３実施形態に係る抵抗素子の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１１０…画素、  ２１４…走査線、  ３１４…データ線、  ２１６，２１８，３１８…短絡配線（第１短絡配線，第２短絡配線）、  ３２０…ＴＦＤ（非線形素子）、  ３３０…抵抗配線，抵抗、  ３３３…抵抗素子、  ３４０…コンタクトホール（開口部）、  １００…液晶装置（電気光学装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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