(57)【要約】      （修正有）【課題】光軸に対して垂直な方向において方向によって開口数を調整可能なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】光軸に沿って放射線ビームを処理するように光学システムが構成される。光学システムは光学素子を備えている。光学システムは開口数を定め、開口数は投影システムの集光能力の測度である。開口数は第１の方向の第１の値および第１の方向と異なる第２の方向の第２の値を有し、第１の方向および第２の方向は光軸に対して略垂直であり、第１および第２の値は異なっている。【選択図】図３
2007158313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成された光学システムであって、
前記光学システムは、光学素子を備え且つ開口数を定めるものであり、前記開口数が、前記光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および前記第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、前記第１の方向と前記第２の方向が光軸に対して略垂直であり、前記第１の値と前記第２の値が異なるものである、
光学システム。
【請求項２】
前記光学システムは、前記放射線ビームに付与されたパターンを前記光軸に沿って目標に投影するように構成された投影システムである、
請求項１に記載の光学システム。
【請求項３】
前記光学システムは、前記放射線ビームを調整するように構成された照明システムである、
請求項１に記載の光学システム。
【請求項４】
前記光学素子は、屈折性の光学素子、反射性の光学素子、調整装置、インテグレータ、コンデンサ、またはそれらのいずれかの組合せである、
請求項１に記載の光学システム。
【請求項５】
前記光学素子は、前記開口数を形成するように形成される、
請求項１に記載の光学システム。
【請求項６】
前記投影システムは、前記開口数を形成するためのダイヤフラムをさらに備える、
請求項２に記載の光学システム。
【請求項７】
前記ダイヤフラムは、前記光学システムの瞳面に配置される、
請求項６に記載の光学システム。
【請求項８】
前記ダイヤフラムは、複数のブレードによって形成される、
請求項６に記載の光学システム。
【請求項９】
前記開口数を回転させるために、前記光学システムの少なくとも一部分を前記光軸のまわりに回転させるように構成された回転デバイスをさらに備える、
請求項１に記載の光学システム。
【請求項１０】
前記回転デバイスは、前記光学素子を回転させることによって前記開口数を回転するように構成される、
請求項９に記載の光学システム。
【請求項１１】
前記光学システムは、前記放射線ビームに付与されたパターンを前記光軸に沿って目標に投影するように構成された投影システムであり、
前記投影システムは、前記開口数を形成するためのダイヤフラムを備え、
前記回転デバイスは、前記ダイヤフラムを回転させることによって前記開口数を回転させるように構成されている、
請求項９に記載の光学システム。
【請求項１２】
前記回転デバイスは、ギヤホイールを制御するように構成され、
前記ギヤホイールは、回転されるべき前記光学システムの少なくとも一部分に結合されているギヤに係合するように構成されている、
請求項９に記載の光学システム。
【請求項１３】
放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、
放射線ビームの断面にパターンを付与してパターンを有する放射線ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターンを有する放射線ビームを前記基板の目標部位に投影するように構成された投影システムを備え、
前記投影システムは、光軸に沿って前記放射線ビームを処理するように構成された光学システムであり、
前記光学システムは、光学素子を有し且つ開口数を定め、前記開口数が前記光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および前記第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、前記第１の方向と前記第２の方向が前記光軸に対して略垂直であり、前記第１の値と前記第２の値とが異なるものである、
リソグラフィ装置。
【請求項１４】
放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記放射線ビームの断面にパターンを付与してパターンを有する放射線ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターンを有する放射線ビームを前記基板の目標部位に投影するように構成された投影システムと、
を備え、
前記照明システムは、光軸に沿って前記放射線ビームを処理するように構成された光学システムであり、
前記光学システムは、光学素子を備え且つ開口数を定め、前記開口数は、前記光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および前記第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、前記第１の方向と前記第２の方向は、前記光軸に対して略垂直であり、前記第１の値と前記第２の値とが異なるものである、
リソグラフィ装置。
【請求項１５】
パターニングデバイスから基板へパターンを投影するように構成されたリソグラフィ投影装置であって、
前記リソグラフィ投影装置は、光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成された光学システムであり、
前記光学システムは、光学素子を有し且つ開口数を定め、前記開口数は、前記光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および前記第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、前記第１の方向と前記第２の方向が前記光軸に対して略垂直であり、前記第１の値と前記第２の値とが異なるものである、
リソグラフィ投影装置。
【請求項１６】
光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成された光学システムを有する装置であって、
前記光学システムは、光学素子を備え且つ開口数を定め、前記開口数は、前記光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および前記第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、前記第１の方向と前記第２の方向が前記光軸に対して略垂直であり、前記第１の値と前記第２の値とが異なるものである、
装置。
【請求項１７】
パターンを目標に投影する方法であって、
放射線ビームを提供する工程と、
前記放射線ビームにパターンを形成する工程と、
光軸を有する照明システムを用いて前記パターンを有する放射線ビームを前記目標に投影する工程と、
を備え、
前記照明システムは、光学素子を備え且つ開口数を定め、前記開口数は、前記照明系の集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および第２の方向の第２の値を有し、前記第２の方向が前記第１の方向と異なり、前記第１の方向と前記第２の方向が前記光軸に対して略垂直であり、前記第１の値と前記第２の値とが異なるものである、
方法。
【請求項１８】
パターンを目標に投影する方法であって、
照明システムを用いて光軸に沿って放射線ビームを提供する工程であって、前記照明システムが光学素子を備え且つ開口数を定め、前記開口数が前記照明システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および第２の方向の第２の値を有し、前記第２の方向が前記第１の方向と異なり、前記第１の方向と前記第２の方向が前記光軸に対して略垂直であり、前記第１の値と前記第２の値が異なる、工程と、
前記放射線ビームにパターンを形成する工程と、
前記パターンを有するビームを前記目標に投影する工程と、
を備える方法。
【請求項１９】
前記パターンが第１の部分と第２の部分を備えており、
当該方法が、
前記パターンの前記第１の部分を前記目標に投影する工程と、
前記開口数を前記光軸のまわりに所定の角度にわたって回転させる工程と、
前記パターンの前記第２の部分を前記目標に投影する工程と、
をさらに備える、
請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１７の方法により製造されるデバイス。
【請求項２１】
光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成された光学システムであって、
前記光学システムは、光学素子を備え、且つ、前記光学素子が、第１の方向の第１の寸法および前記第１の方向とは異なる第２の方向の第２の寸法を有し、前記第１の方向と前記第２の方向が前記光軸に対して略垂直なものである、
光学システム。
【請求項２２】
前記光学システムは、前記放射線ビームに付与されたパターンを前記光軸に沿って目標に投影するように構成され、
前記光学素子は、前記パターンまたは前記目標に近接して配置される、
請求項２１に記載の光学システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学システム、リソグラフィ装置および投影方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は基板上、通常は基板の目標部位、に所望のパターンを付与する機器である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。この場合には、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスが使用される場合がある。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェハ）上の目標部位（例えば、１つまたはいくつかのダイの一部を含む）に転写できる。パターンの転写は、通常、基板上に設けられた放射線感応性物質（レジスト）の層への像形成による。一般に、１つの基板は、複数の目標部位が隣接しているネットワーク構造を含み、これらの目標部位に順次パターンニングが施される。公知のリソグラフィ装置には、パターン全体を１度に１つの目標部位に露光することで各目標部位を照射するステッパと、放射線ビームによりパターンを所定の方向（「走査」方向）へ走査すると同時に、その方向と実質的に平行または非平行な方向へ基板を同期走査することで各目標部位を照射するスキャナなどがある。パターンを基板上にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明の一実施形態によれば、光学システムが光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成され、この光学システムが光学素子を備え且つ開口数を定め、開口数が光学システムの集光能力の測度であり、第１の方向の第１の値および第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、第１の方向と第２の方向が光軸に対して略垂直であり、第１の値と第２の値とが異なる。
【０００４】
本発明の別の実施形態によれば、リソグラフィ装置が、放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、放射線ビームの断面にパターンを付与してパターンを有する放射線ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターンを有する放射線ビームを基板の目標部位に投影するように構成された投影システムとを備え、投影システムは光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成された光学システムであり、光学システムが開口数を定め、開口数が光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、第１の方向と第２の方向が光軸に対して略垂直であり、第１の値と第２の値とが異なる。
【０００５】
本発明のさらに別の実施形態によれば、リソグラフィ装置が、放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、放射線ビームの断面にパターンを付与してパターンを有する放射線ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターンを有する放射線ビームを基板の目標部位に投影するように構成された投影システムとを備え、照明システムは光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成された光学システムであり、光学システムが光学素子を備え且つ開口数を定め、開口数が光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、第１の方向と前記第２の方向が前記光軸に対して略垂直であり、第１の値と前記第２の値とが異なる。
【０００６】
本発明のさらに別の実施形態によれば、リソグラフィ投影装置がパターニングデバイスから基板へパターンを投影するように構成され、このリソグラフィ投影装置は光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成された光学システムであり、光学システムが光学素子を有し且つ開口数を定め、開口数が光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、第１の方向と第２の方向が光軸に対して略垂直であり、第１の値と第２の値とが異なる。
【０００７】
本発明のさらに別の実施形態によれば、装置が、光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成された光学システムを備え、光学システムが光学素子を備え且つ開口数を定め、開口数が光学システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および第１の方向とは異なる第２の方向の第２の値を有し、第１の方向と第２の方向が光軸に対して略垂直であり、第１の値と第２の値とが異なる。
【０００８】
本発明のさらに別の実施形態によれば、パターンを目標に投影する方法が、放射線ビームを提供する工程と、放射線ビームにパターンを形成する工程と、光軸を有する照明システムを用いてパターンを有する放射線ビームを目標に投影する工程とを備え、照明システムが光学素子を備え且つ開口数を定め、開口数が照明系の集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および第２の方向の第２の値を有し、第２の方向が第１の方向と異なり、第１の方向と第２の方向が光軸に対して略垂直であり、第１の値と第２の値とが異なる。
【０００９】
本発明のさらに別の実施形態によれば、パターンを目標に投影する方法が、照明システムを用いて光軸に沿って放射線ビームを提供する工程であって、照明システムが光学素子を備え且つ開口数を定め、開口数が照明システムの集光能力の測度であり且つ第１の方向の第１の値および第２の方向の第２の値を有し、第２の方向が第１の方向と異なり、第１の方向と第２の方向が光軸に対して略垂直であり、第１の値と第２の値とが異なる工程と、前記放射線ビームにパターンを形成する工程と、パターンを有するビームを目標に投影する工程とを備える。
【００１０】
本発明のさらに別の実施形態によれば、光学システムが光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成され、光学システムが光学素子を備え、光学素子が第１の方向の第１の寸法および第１の方向とは異なる第２の方向の第２の寸法を有し、第１の方向と第２の方向が光軸に対して略垂直である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
単なる例として添付概略図を参照しながら以下に本発明の実施例を説明する。図中、同じ符号は同じ構成要素を示す。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、放射線ビームＢ（例えば、紫外線または極紫外線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬを備えている。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように支持体（例えば、マスクテーブル）ＭＴが構成され、この支持体ＭＴは特定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに連結されている。基板Ｗ（例えば、レジスト被覆ウェハ）を保持するように基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴが構成され、この基板テーブルＷＴが特定のパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに連結されている。また、投影システム（例えば、屈折式投影レンズ系）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡにより放射線ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部位Ｃ（例えば、１つまたはそれより多いダイを含む）へ投影させるように構成されている。
【００１３】
照明システムは、放射線の方向決め、成形または制御を行う屈折式、反射式、磁気式、電磁式、光学系、静電式または他タイプの光学部材など、各種タイプの光学部材を包含し得る。
【００１４】
支持体は、例えばパターニングデバイスの重さを支えるなど、パターニングデバイスを支持する。支持体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるかどうかといった他の諸条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。支持体はパターニングデバイスを保持するために、機械技術、真空技術、静電技術または他のクランプ技術を用いることができる。支持体は、例えば必要に応じて固定式であっても可動式であってもよいフレームまたはテーブルとすることができる。支持体は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して、確実に所望の位置にあるようにしてもよい。本願明細書で使用する「レチクル」または「マスク」という用語は、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同意語と考えることができる。
【００１５】
本願明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部位にパターンを形成するように放射線ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆる装置を示すものと広く解釈される必要がある。例えば、パターンが位相シフト特徴形体（feature）またはいわゆるアシスト特徴形体を備えていない場合には、放射線ビームに付与されるパターンが、基板の目標部位に望まれるパターンと厳密に同じではない場合もあることに注意すべきである。一般に放射線ビームに付与されるパターンは、目標部位に形成される集積回路などのデバイスの特定機能層に対応する。
【００１６】
パターニングデバイスは透過式であっても反射式であってもよい。パターニングデバイスの例として、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィでは周知であり、二値化式、交番位相シフト式、減衰位相シフト式、ならびに各種のハイブリッドマスクタイプをはじめとするマスクタイプがある。プログラマブルミラーアレイの例は小さなミラーのマトリックス配列を使用しており、個々のミラーは入射する放射線ビームを異なる方向へ反射するように個別に傾動できる。傾動されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射線ビームにパターンを付与する。
【００１７】
本願明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用される露光用放射光や、他の因子、例えば浸液の使用や真空の使用に適当とされる屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁光学系および静電光学系を含む各種投影システムまたはそれらの任意の組合せを包含するものと広く解釈される必要がある。本願明細書で使用する「投影レンズ」という用語は、より一般的な「投影システム」という用語と同意語と考えることができる。
【００１８】
本願明細書に記載するように、この装置は透過式（すなわち透過式マスクを使用する）のものである。あるいは、この装置は反射式（例えば、上述で説明したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用または反射マスクを使用）のものとすることもできる。
【００１９】
このリソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または、２つまたはそれより多いマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「多段」の機械では、付加的なテーブルを並行して使用してもよいし、１つまたはそれより多いテーブルが露光に使用されている間に他の１つまたはそれより多いテーブルで準備段階を遂行してもよい。
【００２０】
このリソグラフィ装置はまた、基板の少なくとも一部分が、比較的大きな屈折率を有する液体、例えば水に覆われて、投影システムと基板との間の空間が満たされるタイプのものであってもよい。浸液はリソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影システムの間に与えることもできる。投影システムの口径値を増大させるための液浸技術は当業界では周知である。本願明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に沈めなくてはならないことを意味するのではなく、例えば露光中に投影システムと基板の間に液体があることを意味するものに過ぎない。
【００２１】
図１を参照すると、照明装置ＩＬは放射光源ＳＯから放射光を受ける。放射光源およびリソグラフィ装置は、例えば放射光源がエキシマレーザである場合、完全に分離することができる。そのような場合、放射光源はリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えず、放射光は放射光源ＳＯから、例えば適当な方向決めミラーおよび（または）ビーム拡大器を含むビーム導入系ＢＤによって照明装置ＩＬへ送られる。他の例では、例えば放射光源が水銀ランプであるときは、放射光源をリソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射光源ＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要ならばビーム導入系ＢＤと共に、放射システムと呼んでもよい。
【００２２】
照明装置ＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調整する調整装置ＡＤを含むこともできる。一般に、照明装置の瞳面の強度分布における少なくとも外側および／または内側の半径方向範囲（一般にそれぞれσ−アウターおよびσ−インナーと称される）を調整することができる。また、照明装置ＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、他のさまざまな構成部材を備えることができる。照明装置は、断面において所望の均一性および強度分布を有するように放射線ビームを調整するために使用できる。
【００２３】
放射線ビームＢは、支持体（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。マスクＭＡを横断すると、放射線ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームの焦点を基板Ｗの目標部位Ｃ上に結ぶ。第２の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉式装置、リニアエンコーダ、または容量センサ）により、例えば放射線ビームＢの光路内に様々な目標部位Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴが正確に移動される。同様に、例えばマスク保管場所からマスクが機械的に取り出された後または走査中に、第１の位置決め装置および（図１に明確に示されていないが、例えば、干渉計測装置、リニアエンコーダまたは容量センサなどの）他の位置センサを用いて、放射線ビームＢの光路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの動きは、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成する長ストロークモジュール（粗動位置決め）および短ストロークモジュール（微動位置決め）によって実現される。同様に、基板テーブルＷＴの動きは、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成する長ストロークモジュールおよび短ストロークモジュールを用いて実現されるステッパの場合には、走査装置とは反対に、マスクテーブルＭＴは短ストロークアクチュエータのみに連結または固定される。マスクＭＡおよび基板ＷはマスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされる。示されているように、基板アライメントマークは専用の目標部位に設けられているが、目標部位と目標部位の間に配置することもできる（これらは、けがき線アライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが設けられている場合には、ダイとダイの間にマスクアライメントマークがあってもよい。
【００２４】
図示装置は、下記モードのうちの少なくとも１つで使用できる。
【００２５】
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保持される一方、放射線ビームに付与されたパターン全体が一度に目標部位Ｃに投影される（すなわち、一回の静止露光）。その後、基板テーブルＷＴは、別の目標部位Ｃが照射できるようにＸおよび／またはＹ方向へ移動される。ステップモードでは、一回の静止露光で結像される目標部位Ｃの寸法が露光フィールドの最大寸法によって限定される。
【００２６】
２．走査モードでは、放射線ビームに付与されたパターンが目標部位Ｃ上に投影される間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期して走査される（すなわち、一回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、倍率（縮小率）および投影システムＰＳの像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大寸法によって１回の動的露光での目標部位の幅（非走査方向）が限定されるが、目標部位の高さ（走査方向）は走査動作の長さによって決まる。
【００２７】
３．他のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保持され、放射線ビームに付与されたパターンが目標部位Ｃに対して投影される間に基板テーブルＷＴが移動すなわち走査される。このモードでは、パルス化された放射光源が一般に使用され、プログラマブルパターニングデバイスは基板テーブルＷＴの各移動の後、または走査時の連続する放射光パルスの間にて、要求に応じてアップデートされる。この作動モードは、上述で引用したタイプのプログラマブルミラーアレイのようなプログマブルパターニングデバイスを利用する、マスクレスリソグラフィにも容易に適用できる。
【００２８】
上述の使用態様または全く異なる使用態様の組合せおよび／または変更態様を採用することもできる。
【００２９】
また、上述の投影システムＰＳは、パターニングデバイスＭＡにより放射線ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部位Ｃ（例えば、１つまたはそれより多いダイを含む）へ投影させるように構成されている。既に上で記載した通り、投影システムＰＳは、使用される露光用放射光や、他の因子、例えば浸液の使用や真空の使用に適当とされる、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁光学系および静電光学系を含む各種投影システムまたはそれらの任意の組合せなどとすることができる。本願明細書で使用する「投影レンズ」という用語は、より一般的な「投影システム」という用語と同意語と考えることができる。
【００３０】
目標部位Ｃに無事に投影できる最小の細部形体（detail）、すなわち達成可能な最大解像度は、使用される光学装置とそれらの相互の構成に依存する。達成可能な最大解像度の周知測度は開口数ＮＡである。開口数ＮＡは、レンズ系すなわち投影システムの集光能力の測度である。開口数ＮＡはＮＡ＝ｎ・ｓｉｎαで定義される。ここで、αは、光ビームが投影システムＰＳによって依然投影される際に、例えばマスクＭＡから放射される光ビームと光軸との間の最大角度であり、ｎは、光が伝搬する媒体の屈折率である。αより大きい角度でマスクＭＡから放出される光は投影システムＰＳによって投影されない。開口数ＮＡが高いということは、投影システムＰＳが比較的小さな詳細形体を投影できることを示すものである。これについては、図２を参照しながら以下に詳しく説明する。
【００３１】
図２は、放射線ビームＢを用いてマスクＭＡから基板Ｗ上にパターンを投影するように構成された投影システムＰＳを概略的に示す。示されている投影システムＰＳは、第１のレンズＬ１、第２のレンズＬ２、第３のレンズＬ３および第４のレンズＬ４といったいくつかの光学素子を備えている。光学素子を何個設けてもよいことは言うまでもない。図２に示されている配置は光軸ＯＡについて回転対称である。
【００３２】
図２には、上で定義された式、ＮＡ＝ｎ・ｓｉｎαで用いられる角度αが示されている。投影システムＰＳによって結像できるのは、マスクＭＡから放出する光で、光軸ＯＡに対してαと等しいかまたはそれより小さい角度を有する光だけであることが明確に分かる。
【００３３】
図２に示され、また当業者に理解されるように、投影システムＰＳは瞳面ＰＰも備えている。瞳面ＰＰでは、パターンを有する放射線ビームＢの空間情報が完全に混合される。
【００３４】
開口数ＮＡは、投影システムＰＳのハードウェアによって決まる。しかしながら、どの程度までの開口数ＮＡを使用するか、すなわち、開口数ＮＡの内容は、結像されるパターン、使用される照明モード、放射線ビームＢの波長など、いくつかの要因によって決定される。これらの要因は、どの程度までの開口数ＮＡを使用するかを決定する。
【００３５】
例えば、環状照明モードまたはダイポール照明モードが使用される場合には、開口数ＮＡは十分に使われない。より高い回折次数に連関する光は、部分的に開口数ＮＡの範囲外となる場合がある。部分的に開口数ＮＡの範囲内となる回折次数は、開口数ＮＡを完全に満たさない場合がある。
【００３６】
最高の投影結果を得るために、基板Ｗ上の目標部位Ｃは、投影システムＰＳに対して、すなわち、投影システムＰＳによって定められる焦点面ＦＰ内に正確に位置決めされる必要がある。目標部位Ｃが焦点面ＦＰから遠く離れるほど、投影像の品質は悪くなる。図２に示される例では、基板Ｗは焦点面ＦＰに置かれている。
【００３７】
投影システムＰＳを記述する別のパラメータは焦点深度ＤＯＦである。焦点深度ＤＯＦとは、焦点面ＦＰに対して目標部位Ｃが移動される光軸ＯＡ方向の距離の速度であって、許容される距離、つまり、投影パターンの最小の細部形体を依然として結像できる距離の測度である。焦点深度ＤＯＦは投影されるべき最小の細部形体の大きさに依存する。
【００３８】
比較的高い開口数ＮＡ（高解像度を可能とする）は比較的低い焦点深度ＤＯＦを意味し、逆もまた同様であることが知られている。ＤＯＦがλ／ＮＡ２に対応すること、すなわち、ＤＯＦ〜λ／ＮＡ２は公知であり、ここでλは放射線ビームＢの波長である。
【００３９】
より高い開口数ＮＡを得るために、投影システムＰＳに使用されるレンズなどの光学素子はサイズが大きくなっている。これらのレンズ（例えば、フッ化カルシウムから作られる）の材料費がレンズの総費用のうちで占める割合は増加している。また、より大きなレンズを作成すると、レンズ材料の応力を排除または最小化することがより困難となる。
【００４０】
本発明の一実施形態によれば、回転対称ではなく、方向が異なると値が異なる開口数ＮＡを有する投影システムＰＳが提供される。したがって、光軸ＯＡに垂直な第１の方向の開口数ＮＡは、光軸ＯＡに垂直な第２の方向の開口数ＮＡと異なっている。例えば、第１の方向の開口数ＮＡが第２の方向の開口数ＮＡより高い場合、結像されるパターンの品質は方向によって異なる。すなわち、第１の方向に延在するパターン構造のほうが、第２の方向に延在するパターン構造よりも高品質に結像される。
【００４１】
このような投影システムＰＳは、例えば、フラッシュメモリデバイスなどのメモリデバイスをリソグラフィによって製造する場合に使用できる。このようなメモリデバイスは、第１の方向に高い解像度を有し、第１の方向に略垂直な第２の方向に比較的低い解像度を有する投影パターンで一般に製造される。このようなパターンでは、第１の方向に比較的高い開口数を要し、第２の方向に比較的低い開口数を要する。
【００４２】
また、非対称な開口数ＮＡを有する投影システムＰＳは研究用に用いることもできる。レジスト、リソグラフィ投影装置に使用されるセンサ、マスクＭＡ等を、特に比較的小さな細部形体を結像させるときにどのような挙動を呈するかを見るために試験する場合、第１の方向に高い開口数ＮＡを備え、第２の方向に低いかまたは実質上ゼロの開口数ＮＡを備える非対称な開口数ＮＡを有する投影システムＰＳが使用されることがある。このように、高開口数ＮＡを有する投影システムＰＳは、早い段階でコスト効率良く高開口数の効果を試験するように構成され得る。
【００４３】
現在、レジストを試験するために、２つの干渉ビームを用いてレジスト上のラインパターンを投影する二光束干渉計装置が使用されている。しかしながら、デューティサイクル５０％のグレーティング格子しか試験できない。これらのツールを使用して、別のピッチを有するラインパターンを（ピッチの挙動等を通して）試験することはできない。また、マスクＭＡをこのように試験することもできない。上述のコスト効率の良い投影システムＰＳはこれらの制限を取り去るものである。
【００４４】
図３は、本発明の一実施形態による投影システムＰＳの概略図を示す。図３は、第１のレンズＬ１、非対称な第２のレンズＬ２’、非対称な第３のレンズＬ３’および第４のレンズＬ４の４つのレンズを示し、各レンズは光軸ＯＡに沿って位置決めされている。投影システムＰＳは、パターンＰを投影して基板Ｗ上に投影パターンＰ’を形成するように構成されている。パターンＰはマスクＭＡに形成されていてもよい。
【００４５】
図３は瞳面ＰＰも示す。図３では、瞳面ＰＰと光軸ＯＡとの交点がＰＰｉで示されている。ｘ、ｙおよびｚ方向を示す座標系が記載されている。ｚ方向は光軸ＯＡと一致している。
【００４６】
パターンＰは、ｘ方向に延びる複数のラインを含むラインパターンであり、これらのラインはｙ方向に隣り合うように配置されている。パターンＰを無事に投影するには、ｙ方向の開口数ＮＡｙは比較的高い必要があるが、ｘ方向の開口数ＮＡｘは比較的低くても間に合うことが分かるであろう。
【００４７】
非対称な開口数ＮＡを実現するためには、瞳面ＰＰの近傍のレンズを非対称にする。すなわち、非対称な第２のレンズＬ２’と非対称な第３のレンズＬ３’を設ける。図２記載の第２のレンズＬ２および第３のレンズＬ３との違いは斜線部で示されている。図３で分かるように、非対称な第２および第３のレンズＬ２’、Ｌ３’は、ｘ方向よりｙ方向のほうが大きい。
【００４８】
非対称な第２および第３のレンズＬ２’、Ｌ３’のサイズは、開口数ＮＡを定義する数式中に存在する角度αに直接影響することを理解すべきである。このときｘ方向の角度αｘとｙ方向の角度αｙは異なる。ｘ方向の開口数には、ＮＡｘ＝ｎ・ｓｉｎαｘという式が適用される。したがって、ｙ方向の開口数では、ＮＡｙ＝ｎ・ｓｉｎαｙとなる。αｘ＜αｙ（非対称なレンズであるので）、ｓｉｎαｘ＜ｓｉｎαｙ（０°＜αｘ＜９０°、０°＜αｙ＜９０°）であり、したがって、ＮＡｘ＜ＮＡｙである。
【００４９】
その結果、非対称な第２のレンズＬ２’と非対称な第３のレンズＬ３’は、より少ない材料を使用して、したがってより高いコスト効率で製造できる。また、これらのレンズは占める空間が、図２に示される第２および第３のレンズＬ２およびＬ３よりも小さいので、省スペース効果もある。
【００５０】
レンズＬ１およびＬ４など、投影システムＰＳの他の可能な光学素子を非円形すなわち非対称に形成してコストおよび／または空間を節約することもできることを理解すべきである。しかしながら、第１のレンズＬ１および第４のレンズＬ４は、それぞれパターンＰおよび投影パターンＰ’に比較的近接している。したがって、これらのレンズＬ１およびＬ４は主としてフィールド情報を「見る」。したがって、これらのレンズの外形変更は、投影されるフィールドの境界に影響を及ぼす場合があり、その結果、フィールド情報が失われることがある。そのため、投影システムＰＳのレンズを非対称に形成してもよいが、パターンＰの一部分が全く結像されないようにレンズのサイズを小さくしないように、または光強度を低くしすぎないように、注意を払う必要がある。
【００５１】
本発明の一実施形態によれば、光軸に沿って放射線ビームを処理するように構成され、少なくとも１つの光学素子を含む光学システムであって、光学素子のうちの少なくとも１つが第１の方向の第１の寸法および第１の方向とは異なる第２の方向の第２の寸法を有し、第１の方向と第２の方向は光軸に対して略垂直であり、第１の寸法と第２の寸法が異なっている光学システムが提供される。例えば、光学素子の不使用部を除外してもよい。
【００５２】
別の実施形態によれば、光学システムは、放射線ビームに付与されたパターンを光軸に沿って目標部位に投影するように構成された投影システムであって、光学素子のうちの少なくとも１つがパターンまたは目標部位に近接して配置されている投影システムであってもよい。これらの光学素子は、主としてフィールド情報を「見る」フィールドレンズとすることができる。
【００５３】
第１および第２の寸法は、パターンＰおよび／または目標部位Ｃの形状の寸法とほぼ同じであってもよい。
【００５４】
非対称レンズはさまざまな方法で製造できる。例えば、非対称レンズは、最先端の対称レンズとして製造してもよく、そこから各部を取り除く。取り除いた各部を他のレンズの製造に使用してもよい。また、非対称なレンズ材料ピースを研磨することによって非対称レンズを製造してもよい。他の非対称レンズ製造法が考えられることは言うまでもない。
【００５５】
別の実施形態によれば、図４ａに示されているように、例えば２つのブレードＢＬによって形成される非対称なダイヤフラムを備える回転対称な投影システムＰＳを使用することによって、非対称な開口数ＮＡを得ることができる。ブレードＢＬは瞳面ＰＰに配置してもよい。ブレードＢＬは非対称な開口数ＮＡを得る簡単な方法である。図４ｂは、光軸ＯＡの方向において見たときのブレードＢＬの概略図である。第２のレンズＬ２は、このレンズＬ２に対する両ブレードＢＬの相対位置を示すように描かれている。
【００５６】
非対称な開口数ＮＡにより、焦点深度ＤＯＦを一方向に最大化できることを認識すべきである。ＤＯＦが開口数に対応すること、すなわちＤＯＦ＝λ／ＮＡ２は公知である。第１の方向に小さなピッチ（比較的高い開口数ＮＡが必要）を有し且つ第２の方向に大きなピッチ（比較的低い開口数ＮＡで十分）を有するパターンを投影する場合、非対称な開口数ＮＡを使用して、大きなピッチに対してＤＯＦを最大限にすることもできる。
【００５７】
ダイヤフラムを用いて非対称な開口数ＮＡを作ることにより、ダイヤフラムの設定を調整することで開口数の値を調整することが可能となる。したがって、両ブレードＢＬは、互いに近づいたり離れたりするように構成された可動式ブレードとすることもできる。これにより、非対称な開口数ＮＡを調整することが可能となる。両ブレードＢＬを互いにより近くに配置することによってｘ方向の開口数ＮＡｘを低くすることができ、両ブレードＢＬを互いにより遠くに配置することによってｘ方向の開口数ＮＡｘを高くすることができる。また、両ブレードＢＬは、開口数が対称となるように離して配置することもできる。これにより、投影システムＰＳをさまざまな種類の目的のために柔軟に使用できる。
【００５８】
ブレードは、例えば、瞳面ＰＰに配置してもよいし、瞳面ＰＰの近くに配置してもよい。
【００５９】
別の実施形態によれば、開口数ＮＡの方向を変えることもできる。例えば、投影システムＰＳは、投影されるパターンＰに対して開口数ＮＡを光軸ＯＡのまわりに回転させるように構成された回転デバイスＲＤを備えることもできる。その結果、非対称な開口数ＮＡの方向を調整できる。これにより、投影されるパターンＰの方向に応じて非対称な開口数ＮＡの方向を調節することが可能となる。
【００６０】
この別実施形態によれば、本願明細書に記載されている種々の方法のいずれかにしたがって非対称な開口数ＮＡを提供できる。
【００６１】
第１の変更形態によれば、マスクＭＡを保持するマスクテーブルＭＴおよび投影システムＰＳに対して基板Ｗを保持する基板テーブルＷＴのうちの少なくとも一方を回転させるように回転デバイスＲＤを設けてもよい。第２の変更形態によれば、投影システムＰＳを回転させてマスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴに対して非対称な開口数ＮＡを回転させるように回転デバイスＲＤを設けてもよい。また、投影システムＰＳの一部分だけを回転させるように、すなわち、投影システムＰＳの非対称な素子だけを回転させるように回転デバイスＲＤを設けてもよい。
【００６２】
例えば、この第２の変更形態と上述の第１の実施形態（図３参照）との組合せを考えると、非対称な第２のレンズＬ２’と非対称な第３のレンズＬ３’を光軸ＯＡのまわりに回転させるように回転デバイスＲＤを構成することもできる。図５ｃは回転デバイスＲＤの例を概略的に示す。回転デバイスＲＤは、ギヤホイールＧＷを制御して、この例では、非対称な第２のレンズＬ２’を矢印Ａの方向に動かすように構成されている。図５ｃに示されている例によれば、回転デバイスＲＤはベルトＢＥを用いてギヤホイールＧＷを動かす。回転デバイスＲＤは、例えば、投影システムＰＳが使用されているリソグラフィ投影装置の主制御ユニット（図示せず）によって制御することもできる。
【００６３】
ギヤホイールＧＷは、図５ｃに示されているように、非対称な第２のレンズＬ２’の外縁に沿って部分的に形成されている円形のギヤＧを動かす。ギヤホイールＧＷおよびギヤＧは、係合する歯車であってもよい。しかしながら、ギヤホイールＧＷは、ギヤホイールＧＷとギヤＧとの間に存在する摩擦力を用いてギヤＧを駆動してもよい。したがって、ギヤホイールＧＷおよびギヤＧはラバーホイールであってもよい。
【００６４】
実際に回転を行なわせるための他の多くの回転デバイスＲＤおよび機構を使用できることは言うまでもない。投影システムＰＳの１つまたはそれより多い他の部品を制御するように回転デバイスＲＤを構成することもできる。
【００６５】
例えば、この第２の変更形態と上述の第２の実施形態（図４参照）との組合せを考えると、回転デバイスＲＤは２つのブレードＢＬを含む非対称なダイヤフラムを、図５ａに示される位置まで回転させるように構成できる。ここで図５ａは、図４ａと同様に光軸ＯＡに沿った図である。
【００６６】
図５ｂは、非対称な開口数を第１の方向に形成する第１のブレードＢＬセットと、非対称な開口数を第２の方向に形成する第２のブレードＢＬを使用することによって、非対称な開口数ＮＡの方向を変更できる別の変更形態を示す。非対称な開口数を別の方向に作るために、追加のブレードを設けてもできる。
【００６７】
別の実施形態によれば、マスクＭＡ上のパターンＰを投影する必要があるとき、そのパターンＰのある部分が比較的高い開口数ＮＡを第１の方向に必要とし、そのパターンＰの別の部分が比較的高い開口数ＮＡを第２の方向に必要としている場合、パターンＰを２つのパターンに分けることもできる。パターンＰは、パターンＰにおける比較的高い開口数ＮＡを第１の方向に必要する部分を含む第１の部分Ｐ１と、パターンＰにおける比較的高い開口数ＮＡを第２の方向に必要する部分を含む第２の部分Ｐ２とに分けられる。それから、比較的高い開口数ＮＡを第１の方向に有する非対称な開口数ＮＡを第１の方向に使用して第１の部分Ｐ１を最初に投影し、その後、比較的高い開口数ＮＡを第２の方向に有する非対称な開口数ＮＡを第２の方向に使用して第２の部分Ｐ２を投影できるように非対称な開口数ＮＡの方向をパターンＰに対して回転することによって、パターンＰを投影することができる。
【００６８】
上記は、パターンＰを第１の部分Ｐ１と第２の部分Ｐ２に分け、第１の部分Ｐ１と第２の部分Ｐ２を連続的に照射する際に実施でき、第１の部分Ｐ１および第２の部分Ｐ２はともに１つのマスクＭＡを形成している。しかし、第１の部分Ｐ１と第２の部分Ｐ２は、別個の２つのマスクＭＡとすることもできる。このように、第１および第２の部分Ｐ１，Ｐ２は、同一マスクＭＡの異なる部分であってもよいし、別々のマスクＭＡであってもよい。いずれの場合も、２回（またはそれより多い回数）の露光を組み合わせて像が形成される。
【００６９】
非対称な開口数ＮＡの回転は、パターンＰおよび目標部位Ｃの回転、投影システムＰＳの回転、または投影システムＰＳの非対称な部品の回転など、上述のどの方法によっても行なうこともできる。
【００７０】
変形例によれば、第１の部分Ｐ１は第１の投影システムＰＳを用いて投影し、第２の部分Ｐ２は第２の投影システムＰＳを用いて投影してもよい。したがって、この変形例によれば、最初に第１の部分Ｐ１が基板Ｗ上の目標部位Ｃに投影される。次に、基板Ｗは第２の投影システムＰＳまで移動される。これは、基板テーブルＷＴを第１の位置から第２の位置に移動させることによって行なわれてもよい。また、これは、基板テーブルＷＴの基板Ｗを取って、第２の投影システムＰＳに対して位置決めされている第２の基板テーブルＷＴ上に置くことによって行なわれてもよい。
【００７１】
この変形例によれば、マスクＭＡを第１の投影システムＰＳから第２の投影システムＰＳに移動させてもよい。しかし、マスクＭＡが第１の部分と第２の部分で形成されている場合もあり、その場合は、第１の部分は第１の投影システムＰＳによって投影されるように位置決めされ、マスクＭＡの第２の部分は第２の投影システムＰＳによって投影されるように位置決めされる。
【００７２】
別の実施形態によれば、本明細書に記載されている開口数ＮＡは、屈折性の光学素子ではなく、反射性の光学素子または屈折性の光学素子と反射性の光学素子の組合せによって形成された投影システムＰＳを有するリソグラフィ投影装置で使用することもできる。このような投影システムＰＳは、例えば、（Ｅ）ＵＶ放射線ビームＢを使用するリソグラフィ投影装置に使用できる。
【００７３】
ＵＶまたはＥＵＶ技術を使用するリソグラフィ投影装置では、本明細書に記載の開口数は、例えば、上述のように光学素子を変更すること、またはやはり上述のように複数のブレードＢＬによって形成されたダイヤフラムを設けることなどによって、多くの方法で得ることができる。
【００７４】
投影システムＰＳが、本願明細書に記載されている開口数ＮＡを備えている場合、投影システムＰＳの開口数ＮＡの形状にしたがって照明装置ＩＬを調整することもできる。
【００７５】
上に説明したように、リソグラフィ投影装置は、放射線ビームＢ（例えば、紫外線または極紫外線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬを備えている。
【００７６】
照明装置ＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調整する調整装置ＡＤを含むこともできる。一般に、照明装置の瞳面の強度分布における少なくとも外側および／または内側の半径方向範囲（一般にそれぞれσ−アウターおよびσ−インナーと称される）を調整することができる。また、照明装置ＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、他のさまざまな構成部材を備えることができる。照明装置ＩＬは、断面において所望の均一性および強度分布を有するように放射線ビームを調整するために使用できる。
【００７７】
一実施形態によれば、調整装置ＡＤ、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯをはじめとする照明装置ＩＬの構成部材は、投影システムＰＳの開口数ＮＡの形状に応じて調整できる。
【００７８】
例えば、開口数ＮＡの形状が図３に示されているような形状の場合、この開口数ＮＡの形状の結果、放射線ビームＢの、投影システムＰＳで送出されない部分を処理するように構成された照明装置ＩＬの部材の部分を除外できる。
【００７９】
したがって、これらの部品はよりコスト効率良く製造でき、材料費を節約し、省スペース効果がある。
【００８０】
別の実施形態によれば、非対称な開口数ＮＡを作るための、２つより多いブレードを備えるダイヤフラムが提供される。ダイヤフラムは、例えば、図５ｂに示されるように４つのブレードを備えることができるが、ダイヤフラムは光軸ＯＡのまわりに配置されるブレードＢＬをいくつ備えることもできる。例えば、ダイヤフラムは、３、８、１２、１６、２５のブレードＢＬまたは他の任意の数のブレードＢＬを備えることもできる。ブレードＢＬの数は、楕円形をはじめとする開口数ＮＡの所望形状により近づくように増加させてもよい。ブレードＢＬの個数は、偶数であっても奇数であってもよい。
【００８１】
例えば、８つのブレードＢＬが設けられる場合、開口数ＮＡは８角形にすることができる。例えば、２５のブレードＢＬが設けられる場合、開口数ＮＡは楕円形に近い形状にすることができる。このように、開口数ＮＡは、種々の用途に適したあらゆる種類の形状にすることができる。
【００８２】
この記載に基づき、一般に、実質的に円形でない、あらゆる種類の形状を有する開口数ＮＡを形成できる。そのような非円形の開口数ＮＡが対称性を有する場合があることは言うまでもない。
【００８３】
上述の実施形態のうちの１つにしたがって製造される基板Ｗは、基板表面上に形成された、異なる方向に異なる精度を有するパターンを備えることができる。基板Ｗの表面に形成されるパターンは、非対称な開口数の比較的高い開口数の方向に対応する第１の方向に比較的「鮮明」で、第２の方向に「鮮明」さが劣るパターンを含む場合がある。本明細書中に使用されている「鮮明」という用語は、第１の方向のパターン中の異なるライン間の過渡部（transition）がくっきりとした過渡線（transition line）であることを示すものであり、これに対し、第２の方向は、ライン間の過渡部がぼやけたくっきりさの少ない過渡線である。
【００８４】
上述の各実施形態は、例えば、液浸技術を用いるリソグラフィ投影装置またはＥＵＶを用いるリソグラフィ投影装置など、あらゆる種類のリソグラフィ投影装置で満足に使用できる。また、上述の発明は、リソグラフィ装置のほか、あらゆる種類の投影装置にも使用できる。
【００８５】
ここではＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用法に特に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置には、一体型光学システム、磁気領域メモリのガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途があることを理解すべきである。このような別の用途においては、本明細書における「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用は、それぞれより一般的な用語である「基板」または「目標部位」の同義語と考えられることを理解されたい。本願明細書で言及される基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板に対してレジスト層を塗布する、また露光したレジストを現像するツール）、冶金ツールおよび／または検査ツールで処理される。該当する場合には、本明細書の開示内容を上記およびその他の基板処理ツールに適用できる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを製造するために１回より多く処理される場合があり、したがって、本明細書で使用する基板という用語は、既に複数回処理された層を含む基板を表すこともできる。
【００８６】
以上、本発明の実施形態の使用法を光リソグラフィィに関連させて詳しく言及したが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィィなど他の用途で用いることができ、場合によっては光リソグラフィィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィィでは、基板上に形成されるパターンはパターニングデバイスのトポグラフィ（表面的特徴）によって規定される。基板に積層されたレジスト層にパターニングデバイスのトポグラフィを圧入し、その後すぐに電磁放射線、熱、圧力またはそれらの組合せを印加することによってレジストを硬化させる。レジスト硬化後、レジストにパターンが残った状態でレジストからパターニングデバイスが外される。
【００８７】
本願明細書で使用する「放射光」および「ビーム」という用語は、（例えば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長またはほぼそれらの波長を有する）紫外（ＵＶ）線および（例えば５〜２０ｎｍの波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）線ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームをはじめとする、全タイプの電磁放射線を包含する。
【００８８】
「レンズ」という用語は、状況に応じ、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式など、さまざまなタイプの光学部材のうちのいずれか１つまたはそれらの組合せのことを言う。
【００８９】
以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、記載した以外の方法で本発明を実施できることも分かるであろう。例えば、本発明は、上述の方法を記載する機械読取り可能指令のシーケンスを１つまたはそれより多く含むコンピュータプログラムの形態をとることもできるし、そのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることもできる。
【００９０】
上記各実施形態は、説明に役立てることを目的とするものであり、限定的なものではない。したがって、当業者には、記載されている請求の範囲から逸脱することなく、記載されている発明に変更を施せることが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。
【図２】最新技術による投影システムの概略図である。
【図３】本発明の一実施形態による投影システムの概略図である。
【図４ａ】本発明の別の実施形態による投影システムの概略図である。
【図４ｂ】本発明の別の実施形態による投影システムの概略図である。
【図５ａ】本発明の更なる変更実施形態の概略図である。
【図５ｂ】本発明の更なる変更実施形態の概略図である。
【図５ｃ】本発明の更なる変更実施形態の概略図である。
【図１】
2007158313.tif 000003
【図２】
2007158313.tif 000004
【図４ａ】
2007158313.tif 000005
【図４ｂ】
2007158313.tif 000006
【図５ａ】
2007158313.tif 000007
【図５ｂ】
2007158313.tif 000008
【図５ｃ】
2007158313.tif 000009
【図３】
2007158313.tif 000010
【外国語明細書】
2007158313000001.pdf