(57)【要約】【課題】鉄共振の発生に伴う非接地型三相配電線路の異常電位上昇を抑制する機能を有するＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置を提供する。【解決手段】ＧＰＴの一次巻線１１１は、Ｙ結線であり、三相電圧を印加される３本の電線に接続され且つ中性点Ｎが接地される。二次巻線１１２は、一次巻線１１１に印加された三相電圧を変圧して外部装置１４０に出力する。三次巻線１１３は、オープンΔ結線であり、負担抵抗１２０がオープン端子対の間に設けられる。対地電圧抑制装置１３０は、オープン端子Ｏ１に一端が接続された放電ギャップ１３１と、放電ギャップ１３１の他端とオープン端子Ｏ２との間に設けられた負担抵抗１３２とを有する。異常電位上昇時に放電ギャップが通電すると、抵抗素子１２０，１３２が並列接続された状態になって中性点Ｎの接地抵抗が増大し、放電が促進されるので、電位上昇が抑制される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
三相電圧が印加される３本の電線に接続され且つ中性点が接地される、Ｙ結線の一次巻線と、
該一次巻線に印加された前記三相電圧を変圧して他の装置に出力する二次巻線と、
前記中性点の電位を測定するための負担抵抗が設けられた、オープンΔ結線の三次巻線と、
を含むＧＰＴに接続するためのＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置であって、
前記オープンΔ結線の一端に接続され且つ端子間電圧が所定値を超えたときに通電を開始する放電回路と、
該放電回路の他端と前記オープンΔ結線の他端との間に設けられた電圧制御抵抗と、
を備えることを特徴とするＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置。
【請求項２】
前記放電回路が、端子間電圧が所定値を超えたときに通電を開始する放電ギャップを備えることを特徴とする請求項１に記載のＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置。
【請求項３】
前記放電回路が、端子間電圧が所定値を超えたときに通電を開始するサイリスタ回路を備えることを特徴とする請求項１に記載のＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置。
【請求項４】
前記放電回路の通電開始電圧が、波高値で２９０ボルト以上５００ボルト以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置。
【請求項５】
前記電圧制御抵抗の抵抗値が、２オーム以上８オーム以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、対地電圧検出用変成器（Grounding Potential Transformer:以下、ＧＰＴと記す）の異常電位上昇を抑制する装置に関する。この発明は、例えば、電力会社等が運営する配電用変電設備に設置されたＧＰＴに接続して使用することができる。
【背景技術】
【０００２】
我が国では、一般に、変電所から家庭等に電力を供給する配電線路として、非接地方式の三相配電線路が使用されている。非接地方式の三相配電線路には、地絡や漏電等を検出するために、ＧＰＴが使用される。ＧＰＴに関する文献としては、例えば下記特許文献１、２が知られている。
【０００３】
図８に示したように、従来のＧＰＴ８００は、鉄心８１０と、該鉄心８１０に巻かれた一次〜三次巻線８１１〜８１３とを有する。図８に示したように、一次巻線８１１はＹ結線であり、二次巻線８１２はＹ結線であり、且つ、三次巻線８１３はオープンΔ結線である。一次巻線８１１は、各端部Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１で三相配電線（図示せず）のＲ相、Ｓ相およびＴ相に接続され、中性点Ｎで接地される。二次巻線８１２の各点Ｒ２，Ｓ２，Ｔ２は、電圧計、過電圧・不足電圧リレー、電圧調整器等の外部装置８３０に接続される。また、三次巻線８１３のオープン端子Ｏ１，Ｏ２間には、例えば３６オームの負担抵抗８２０および地絡方向リレー等が接続される。
【０００４】
三相配電線路が正常であるとき（すなわち、地絡や漏電等が発生していないとき）、該三相配電線路のＲ相、Ｓ相およびＴ相の電圧は１／３周期ずつずれており、これにより、電圧の和は常に零ボルトになる。したがって、中性点Ｎの電位も、零ボルトになる。このため、三次巻線８１３には殆ど電流が流れず、したがって、負担抵抗８２０の端子間電圧も実質的に零ボルトである。
【０００５】
これに対して、三相配電線路に異常が発生したとき（すなわち、３本の配電線の１本或いは２本に地絡や漏電等が発生したとき）は、中性点Ｎの電位が上昇するので、三次巻線８１３の端子間電圧も上昇する。したがって、三次巻線８１３の電圧を計測することにより、三相配電線路の異常発生を検出することができる。
【０００６】
一方、従来より、三相配電線路の電位を上昇させる原因の一つとして、鉄共振が知られている。鉄共振とは、リアクタンス成分による地絡たとえば変圧器の巻線（Ｌ）と配線路の静電容量（Ｃ）とによってＬＣ直列回路が形成されてしまい、リアクタンス成分の磁気飽和が起こることにより、三相配電線路の電圧が異常上昇する現象である。鉄共振に関する文献としては、例えば下記特許文献３、４が知られている。
【０００７】
図９（Ａ）の概念図に示したように、柱上変圧器（ＧＰＴではない）９００は、鉄心９１０と、該鉄心９１０に巻かれた一次巻線９１１および二次巻線９１２とを有する。一次巻線９１１の各端部は、ヒューズ９２１，９２２を介して、三相配電線路９３０のＲ相、Ｓ相、Ｔ相のいずれかに接続される。また、一次巻線９１１の各端部は、耐雷設備９３１，９３２を介して接地されている。二次巻線９１２の各端部は、装置９４０に接続されているが、無負荷状態である。
【０００８】
このような柱上変圧器９００において、ヒューズ９２２が切断されるとともに耐雷設備９３１が絶縁破壊を起こしたときの回路構成を、図９（Ｂ）の概念図に示す。三相配電線路９３０を流れる電流Ｉは、ヒューズ９２１（図９（Ｂ）では示さず）、一次巻線９１１および耐雷設備９３２を介して、グランドに放電される。したがって、三相配電線路９３０の静電容量９４１と、一次巻線９１１とにより、ＬＣ直列回路が構成されることになる。
【０００９】
このように、三相配電線路９３０に地絡事故では、該三相配電線路９３０とグランドとの間にＬＣ直列回路が形成される場合がある。このＬＣ直列回路によって、鉄共振が発生する。
【特許文献１】特開平８−２７５３７６号公報
【特許文献２】特開平９−２２２４５５号公報
【特許文献３】特開２００５−２９５７８３号公報
【特許文献４】特開平５−３００６５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
非接地方式の三相配電線路で鉄共振が発生した場合、該三相配電線路の電位が異常に上昇する。この出願の発明者の検討によれば、鉄共振を伴う地絡事故では、三相配電線路の対地電位上昇は、１０キロボルト（ＬＣ直列回路に接続されていない配電線は３．８キロボルト）或いはそれ以上となる。
【００１１】
鉄共振による配電線対地電位の異常上昇は、アレスタ（避雷器）等の耐雷設備を破損させ、さらには、三相配電線路に接続された各種機器や配電線自体の破壊を引き起こす場合もある。
【００１２】
このような配電線対地電位の異常上昇を防止するためには、例えば、三相配電線路を抵抗接地方式やリアクトル接地方式に変更すればよい。しかしながら、通常、我が国では、変電所で使用される配電用変圧器の二次巻線をΔ結線で構成しているため、このような設備変更は大幅な設備変更を伴うことになり、膨大なコストが必要になる。
【００１３】
この発明の課題は、配電線路の異常電位上昇を抑制する装置を安価に提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
（１）この発明に係るＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置は、三相電圧が印加される３本の電線に接続され且つ中性点が接地されるＹ結線の一次巻線と、該一次巻線に印加された三相電圧を変圧して他の装置に出力する二次巻線と、中性点の電位を測定するための負担抵抗が設けられた、オープンΔ結線の三次巻線とを含むＧＰＴに接続するためのＧＰＴ付加型対地電圧抑制装置に関する。
【００１５】
そして、オープンΔ結線の一端に接続され且つ端子間電圧が所定値を超えたときに通電を開始する放電回路と、該放電回路の他端とオープンΔ結線の他端との間に設けられた電圧制御抵抗とを備える。
【００１６】
（２）放電回路は、端子間電圧が所定値を超えたときに通電を開始する放電ギャップを備えることができる。
【００１７】
（３）放電回路は、端子間電圧が所定値を超えたときに通電を開始するサイリスタ回路とすることができる。
【００１８】
（４）放電回路の通電開始電圧は、波高値で２９０ボルト以上５００ボルト以下とすることが望ましい。
【００１９】
（５）電圧制御抵抗の抵抗値は、２オーム以上８オーム以下とすることが望ましい。
【発明の効果】
【００２０】
この発明において、電線電圧の異常上昇により一次巻線の中性点電位が上昇すると、三次巻線の端子間電圧も上昇する。そして、三次巻線に設けられた負担抵抗の端子間電圧が放電回路の放電開始電圧を超えると、該放電回路が通電し、これにより、負担抵抗と電圧制御抵抗とが並列接続された状態になる。このため、三次巻線のオープン端子間の抵抗値が低下するので、三次巻線に流れる電流が増大する。この結果、電線から中性点を介してグランドに放電される電流の量が増大して、該電線の電位低下が促進される。
【００２１】
したがって、この発明によれば、他の変圧装置のＬＣ直列回路化等により鉄共振が発生するなどして電線電位の異常上昇が開始された場合に、ＧＰＴが該電線の放電を促進して、該異常上昇を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、この発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、図中、各構成成分の大きさ、形状および配置関係は、この発明が理解できる程度に概略的に示してあるにすぎず、また、以下に説明する数値的条件は単なる例示にすぎない。
【００２３】
図１は、この実施形態に係るＧＰＴ１００の概略構成を示す概念図である。図１に示したように、ＧＰＴ１００は、鉄心１１０と、一次〜三次巻線１１１〜１１３と、負担抵抗１２０と、対地電圧抑制装置１３０とを備える。
【００２４】
鉄心１１０は、一次〜三次巻線１１１〜１１３に流れる電流に応じた磁束を発生させるための鉄心であり、通常のＧＰＴで使用する鉄心と同じでよい。
【００２５】
一次巻線１１１は、Ｙ結線された巻線である。一次巻線１１１の各端部Ｒ１，Ｓ１，Ｔ１は、非接地方式三相配電線路のＲ相、Ｓ相、Ｔ相（図示せず）に接続される。また、一次巻線１１１の中性点Ｎは、接地される。一次巻線１１１の巻数は、例えば‘６６００’である。
【００２６】
二次巻線１１２は、三相配電線路の電圧を変圧して、各端部Ｒ２，Ｓ２，Ｔ２から、外部装置１４０（例えば電圧計、過電圧・不足電圧リレー、電圧調整器等）に供給する。なお、二次巻線１１２の結線構造は、特に限定されないが、この実施形態ではＹ結線とした。二次巻線１１２の巻数は、例えば‘１１０’である。
【００２７】
三次巻線１１３は、オープンΔ結線された巻線である。三次巻線１１３のオープン端子Ｏ１，Ｏ２間には、負担抵抗１２０と対地電圧抑制装置１３０とが、並列に接続される。三次巻線１１３の巻数は、例えば‘１１０’である。
【００２８】
負担抵抗１２０は、測定電位を安定させるための抵抗素子である。後述のように、三相配電線路の電位が異常に上昇したとき、当該電位に応じて、負担抵抗１２０の端子間電圧が上昇する。ＧＰＴ１００を変電所に設置する場合、負担抵抗１２０の抵抗値は、一般に３６〜４０オームとすることが望ましいが、この実施形態では３６オームとする。
【００２９】
対地電圧抑制装置１３０は、放電ギャップ１３１と電圧制御抵抗１３２とを備える。放電ギャップ１３１は、この発明の放電回路として使用され、オープン端子Ｏ１に一端が接続される。電圧制御抵抗１３２は、放電ギャップ１３１の他端とオープン端子Ｏ２との間に設けられる。鉄共振によるアレスタ（避雷器）等の破壊を防止するためには、放電ギャップ１３１の通電開始電圧を波高値で２９０ボルト以上５００ボルト以下とすることが望ましく、また、電圧制御抵抗１３２の抵抗値は２オーム以上８オーム以下とすることが望ましい。この実施形態では、放電ギャップ１３１として、通電開始電圧４２５ボルトの放電ギャップ（株式会社サンコーシヤ製、製品番号Ｙ２０−４２５−Ｃ）を使用した。また、この実施形態では、電圧制御抵抗１３２を、１８０ワットで１オームの抵抗素子（株式会社日本抵抗器製作所製、ＧＲＺＧ１Ｂ  １２０  １ＲＯ  Ｋ）を５本直列接続することによって構成した。
【００３０】
図２（Ａ）は、図１に示したＧＰＴ１００の等価回路を示している。
【００３１】
図２（Ａ）において、交流電源２１１〜２１３および静電容量２２１〜２２３は、三相配電線路を構成する各電線の配電電圧および静電容量に相当する。すなわち、交流電源２１１および静電容量２２１は当該配電線路のいずれか１本の電線に相当し、交流電源２１２および静電容量２２２は当該配電線路の他の１本の電線に相当し、且つ、交流電源２１３および静電容量２２３は当該配電線路の最後の１本の電線に相当する。
【００３２】
負担抵抗２３０は、図１の負担抵抗１２０に相当する。図１では、一次巻線と三次巻線との巻数比が６６００：１１０（＝６０：１）であり、オープンΔの発生電圧は３倍となるため、図２（Ａ）の等価回路では、負担抵抗２３０の抵抗値が、負担抵抗１２０の（６０／３）２＝４００倍、すなわち１４．４キロオームである。
【００３３】
放電ギャップ２４１は、図１の放電ギャップ１３１に相当する。放電ギャップ２４１の通電開始電圧は、放電ギャップ１３１の２０倍、すなわち８．５キロボルトである。
【００３４】
電圧制御抵抗２４２は、図１の電圧制御抵抗１３２に相当する。電圧制御抵抗２４２の抵抗値は、負担抵抗２３０の場合と同様の理由から、電圧制御抵抗１３２の４００倍、すなわち２キロオームになる。
【００３５】
図２（Ｂ）は、対地電圧抑制装置の他の構成例を示す回路図である。図２（Ｂ）において、図１と同じ符号は、それぞれ図１と同じものを示している。
【００３６】
図２（Ｂ）の放電回路２５０は、双方向サイリスタ（すなわち、トライアック）２６０と、ツェナーダイオード回路２７０，２８０とを備えている。
【００３７】
双方向サイリスタ２６０は、一方の主電極がオープン端子Ｏ１に接続され、且つ、他方の主電極が電圧制御抵抗１３２に接続されている。
【００３８】
ツェナーダイオード回路２７０は、直列接続された一段または複数段のツェナーダイオード（この実施形態では三段のツェナーダイオード２７１，２７２，２７３）を有する。初段ツェナーダイオード２７１のアノードは、双方向サイリスタ２６０のゲートに接続されている。
【００３９】
ツェナーダイオード回路２８０は、直列接続された一段または複数段のツェナーダイオード（この実施形態では三段のツェナーダイオード２８１，２８２，２８３）を有する。ツェナーダイオード２８１のアノードは、ツェナーダイオード２７３のアノードに接続されている。さらに、ツェナーダイオード２８３のアノードは、オープン端子Ｏ１に接続されている。
【００４０】
このような構成の放電回路２５０において、オープン端子Ｏ１が正電位のときは、ツェナーダイオード２７１，２７２，２７３は順方向接続となり、且つ、ツェナーダイオード２８１，２８２，２８３は逆方向接続となる。このため、オープン端子Ｏ１の電位が上昇して、ツェナーダイオード２８１，２８２，２８３の両端の電位差が所定のしきい値を超えると、双方向サイリスタ２６０のゲート電位が上昇し、これにより双方向サイリスタ２６０が通電する。
【００４１】
一方、オープン端子Ｏ１が負電位のときは、ツェナーダイオード２７１，２７２，２７３には逆方向接続となり、且つ、ツェナーダイオード２８１，２８２，２８３には順方向接続となる。このため、オープン端子Ｏ１の電位が下降して、ツェナーダイオード２７１，２７２，２７３の両端の電位差が所定のしきい値を超えると、双方向サイリスタ２６０のゲート電位が下降し、これにより双方向サイリスタ２６０が通電する。
【００４２】
このように、図２（Ｂ）の放電回路２５０でも、放電ギャップ１３１と同様、端子間電圧が所定値を超えたときにのみ通電を行わせることができる。
【００４３】
なお、ここでは、放電回路の例として、放電ギャップとサイリスタ回路とを示したが、他の回路（例えばサイリスタ以外の半導体素子を用いた回路）であっても、オープン端子Ｏ１，Ｏ２間の電圧（波高値）が所定値を超えたときに通電を開始する回路であれば、この実施形態の放電回路として使用することができる。
【００４４】
図３は、この実施形態に係るＧＰＴ１００の外観構成を示している。
【００４５】
図３に示したように、ＧＰＴ１００は底面３０１、前面３０４および背面３０５がフェノール樹脂基板で覆われ、二側面３０２，３０３および上面３０６は通気性の良いパンチングメタルで覆われる。また、前面３０４には端子台３０７が設けられる。この端子台には、三次巻線１１３のオープン端子Ｏ１，Ｏ２の電位が取り出され、異常発生の検出に使用される。
【００４６】
以下、この実施形態に係るＧＰＴ１００の動作原理について、図２（Ａ）を用いて説明する。
【００４７】
上述のように、三相配電線路が正常であるとき（すなわち、地絡や漏電等が発生していないとき）について説明する。
【００４８】
この場合、該三相配電線路のＲ相、Ｓ相およびＴ相の電圧（図２（Ａ）の交流電源２１１〜２１３の出力電圧に相当）は、互いに１／３周期ずつずれている。このため、これらの電圧の和は零ボルトになるので、中性点Ｎの電位も零ボルトになる。したがって、放電ギャップ２４１への印加電圧も零ボルトになるので、該放電ギャップは通電しない。これにより、中性点Ｎとグランドとの間に接続された抵抗素子は負担抵抗２３０のみであり、したがって、中性点Ｎとグランドとの間の抵抗値は１４．４キロオームである。また、中性点Ｎの電位が零ボルトであることより、中性点Ｎとグランドとの間には電流は流れず、負担抵抗２３０の端子間電圧は零ボルトである。
【００４９】
続いて、三相配電線路を構成する３本の配電線のうち１本が完全接地した場合（すなわち、鉄共振を伴わない地絡の場合）について説明する。
【００５０】
この場合、三相配電線路のＲ相、Ｓ相およびＴ相の電圧の和は零ボルトでなくなり、したがって、中性点Ｎの電位も上昇する。我が国の通常の三相配電線路（各配電線の電位が６６００ボルト）の場合、１本の配電線が完全接地すると、中性点Ｎの電位は、実効値で３８００ボルト、波高値では約５４００ボルト（３８００×√２）となる。このとき、放電ギャップ２４１（通電開始電圧８．５キロボルト）は、通電しない。このため、中性点Ｎからグランドに、負担抵抗２３０（抵抗値１４．４キロオーム）のみを介して、放電が行われる。
【００５１】
次に、三相配電線路で鉄共振が発生した場合を考える。
【００５２】
上述のように、三相配電線路に接続された他の変圧器（例えば柱上変圧器）の故障等により、該三相配電線路に鉄共振が発生する場合がある（図８参照）。鉄共振が発生した場合、三相配電線路の各相の対地電位は、上述のように、１０キロボルト或いはそれ以上となる。これにより、ＧＰＴ１００において、中性点Ｎの波高値は、１０キロボルト以上になる。この場合、放電ギャップ２４１は、印加電圧が通電開始電圧（８．５キロボルト）を超えることになるので、通電する。したがって、中性点Ｎとグランドとの間の抵抗値は、負担抵抗２３０，２４２の合成抵抗（約１．７５キロオーム）になる。中性点Ｎからグランドへは、この合成抵抗を介して、放電が行われる。
【００５３】
このように、この実施形態に係るＧＰＴ１００では、鉄共振を伴わない地絡事故等の場合（すなわち、中性点Ｎの波高値が８．５キロボルト未満の場合）には中性点Ｎとグランドとの放電抵抗が大きく（１４．４キロオーム）、且つ、鉄共振を伴う地絡事故等の場合（すなわち、中性点Ｎの波高値が８．５キロボルト以上の場合）には中性点Ｎとグランドとの間の放電抵抗が小さくなる（約１．７５キロオーム）。したがって、鉄共振等の発生により、中性点Ｎの電位が異常上昇した場合に、中性点Ｎからグランドへの放電が速やかに行われる。
【００５４】
この発明の発明者は、模擬配電線路を用いて鉄共振を再現し、従来のＧＰＴ８００（図８参照）と、この実施形態に係るＧＰＴ１００との、特性を比較した。
【００５５】
図４および図５は従来のＧＰＴ８００の特性を示しており、図４（Ａ）は二次巻線８１２のＲ相電位、図４（Ｂ）は二次巻線８１２のＳ相電位、図４（Ｃ）は二次巻線８１２のＴ相電位、図５（Ａ）は中性点Ｎの電位（Ｖ０）、図５（Ｂ）は一次巻線８１１の中性点Ｎからグランドに流れる電流である。また、図６および図７はこの実施形態に係るＧＰＴ１００の特性を示しており、図６（Ａ）は二次巻線１１２のＲ相電位、図６（Ｂ）は二次巻線１１２のＳ相電位、図６（Ｃ）は二次巻線１１２のＴ相電位、図７（Ａ）は一次巻線１１１の中性点Ｎ（図１参照）における電位（Ｖ０）、図７（Ｂ）は一次巻線１１１の中性点Ｎからグランドに流れる電流である。
【００５６】
図４および図５から解るように、従来のＧＰＴ８００では、鉄共振が発生すると、二次巻線の波高値が１０〜１５キロボルトまで上昇し、収束しない。これにより、外部装置８３０（図８参照）等の破損が生じ易くなる。
【００５７】
これに対して、図６および図７から解るように、この実施形態に係るＧＰＴ１００では、中性点Ｎの波高値が８．５キロボルトを超えた時点で、一次巻線からグランドに流れる電流値が急激に増大して（図７（Ｂ）参照）、中性点Ｎの電位が低下し（図７（Ａ）参照）、鉄共振が収束する。
【００５８】
以上説明したように、この実施形態によれば、中性点Ｎの電位上昇量に応じて該中性点Ｎとグランドとの間の抵抗値を切り換えることができるので、三相配電線路に接続された各種機器や配電線自体の破壊を引き起こす可能性が小さい。
【００５９】
加えて、この実施形態に係るＧＰＴ１００では、既存のＧＰＴに対地電圧抑制装置１３０を追加するだけでよいので、非常に安価である。
【００６０】
なお、中性点Ｎからグランドへの放電を促進する方法としては、対地電圧抑制装置１３０を設けずに、負担抵抗２３０（図２（Ａ）参照）の抵抗値を低くすることも考えられる。しかしながら、負担抵抗２３０の抵抗値を低くすると、中性点Ｎの電位が正常時にわずかに上昇したような場合や、鉄共振を伴わない地絡事故等の場合に、中性点Ｎからグランドに流れる電流が増大することになる。このため、ＧＰＴの負担容量を大きくする必要が生じるため、現実的でない。これに対して、この実施形態によれば、ＧＰＴの負担容量を増加させる必要がないので、安価である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施形態に係るＧＰＴの回路構成を示す回路図である。
【図２】（Ａ）は図１の等価回路を示す回路図、（Ｂ）は対地電圧抑制装置の他の例を示す回路図である。
【図３】実施形態に係るＧＰＴの外観構成を示す斜視図である。
【図４】従来のＧＰＴの特性を示すグラフである。
【図５】従来のＧＰＴの特性を示すグラフである。
【図６】実施の形態に係るＧＰＴの特性を示すグラフである。
【図７】実施の形態に係るＧＰＴの特性を示すグラフである。
【図８】従来のＧＰＴの構成を概念的に示す回路図である。
【図９】鉄共振現象を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００６２】
１００  ＧＰＴ
１１０  鉄心
１１１  一次巻線
１１２  二次巻線
１１３  三次巻線
１２０，２３０  負担抵抗
１３０  対地電圧抑制装置
１３１，２４１  放電ギャップ
１３２，２４２  電圧制御抵抗
２１１〜２１３  交流電源
２２１〜２２３  静電容量
２５０  放電回路
２６０  双方向サイリスタ
２７０，２８０  ツェナーダイオード回路
２７１〜２７３，２８１〜２８３  ツェナーダイオード
３０１〜３０３  フェノール樹脂基板
３０４〜３０６  パンチングメタル
３０７  端子台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2007330071.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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