(57)【要約】【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。【解決手段】絶縁膜用材料として、ｎ−ブチルジメチルメトキシシラン、ｎ−ブチルメチルシラノン、ｎ−ブチリデンメチルメトキシシラン、ｎ−ブチリデンシラノン、アリルジメチルメトキシシラン、アリルメチルシラノン、アリリデンメチルメトキシシラン、アリリデンシラノン、ビニルエチルメチルメトキシシラン、ビニルエチルシラノンなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。ＣＯ２、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ、Ｈ２、炭素数３の炭化水素基を有する鎖状炭化水素、アルコール類、エーテル類を成膜時に同伴させてもよい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式（１）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化１】
2007048955.tif 000019
【請求項２】
下記化学式（２）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化２】
2007048955.tif 000020
【請求項３】
下記化学式（３）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化３】
2007048955.tif 000021
【請求項４】
下記化学式（４）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化４】
2007048955.tif 000022
【請求項５】
下記化学式（５）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化５】
2007048955.tif 000023
【請求項６】
下記化学式（６）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化６】
2007048955.tif 000024
【請求項７】
下記化学式（７）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化７】
2007048955.tif 000025
【請求項８】
下記化学式（８）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化８】
2007048955.tif 000026
【請求項９】
下記化学式（９）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化９】
2007048955.tif 000027
【請求項１０】
下記化学式（１０）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料。
【化１０】
2007048955.tif 000028
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の絶縁膜用材料を用いプラズマＣＶＤにより成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の絶縁膜用材料を用いプラズマＣＶＤにより成膜を行う際、添加ガスを同伴させることを特徴とする成膜方法。
【請求項１３】
添加ガスが、ＣＯ２、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ、Ｈ２、炭素数３の炭化水素基を有する鎖状炭化水素、炭素数３の炭化水素基を有するアルコール類、炭素数３の炭化水素基を有するエーテル類のいずれか１種以上であることを特徴とする請求項１２に記載の成膜方法。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれかに記載の成膜方法を用いて成膜された絶縁膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の層間絶縁膜などの絶縁膜を成膜する際に用いられる絶縁膜用材料およびこれを用いる成膜方法ならびに絶縁膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置の高集積化に伴い、配線層が微細化されつつある。しかし、微細な配線層では、配線層における信号遅延の影響が大きくなり高速化を妨げている。この信号遅延は、配線層の抵抗と配線層間容量に比例するため、高速化を実現するためには配線層の低抵抗化と配線層間容量の低減が必須である。
【０００３】
このため、最近では配線層をなす材料として、従来のアルミニウムから抵抗率の低い銅を用い、配線層間容量を減らすために、層間絶縁膜をＳｉＯ２（比誘電率＝４．１）から誘電率の低いＳｉＯＦ（比誘電率＝３．７）を用いるようになっている。しかし、層間絶縁膜に求められる比誘電率の値は次第に小さくなり、近い将来では２．４以下という小さな値のものが求められることが予想される。
【０００４】
配線層を銅から形成する場合には、配線層の形成にはダマシン法と呼ばれる手法が採用されている。ダマシン法とは、予めレジストマスキングにより層間絶縁膜にドライエッチングにより配線溝を形成し、この上に銅を堆積した後、配線溝以外に堆積している銅を化学機械研磨法（ＣＭＰ）によって除去して銅からな配線層を形成する手法である。
【０００５】
この化学機械研磨法による操作は、ウエハにスラリとパッドで荷重をかけながら銅を研磨除去するため、層間絶縁膜には上方向と横方向とからの力がかかり、場合によっては層間絶縁膜が破損したり剥離したりする不具合が起こる。
層間絶縁膜が、テトラエトキシシランを用い、ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ２膜である場合には、この膜の強度が高いため、化学機械研磨によって破損することは無い。しかし、誘電率を下げるためにＳｉＯ２膜を多孔質にすると強度が大きく低下して脆くなる。
【０００６】
この絶縁膜の強度の指標として、ヤング率を用いるのが一般的であるが、テトラエトキシシランを用いたＳｉＯ２膜では８０ＧＰａ程度あったものが、ＳｉＯＦ膜になると７０ＧＰａ、更にＳｉＯＣ膜になると１２ＧＰａにまで低下する。
最近の有機物原料を用いた多孔質ＳｉＯ２膜では、４〜６ＧＰａ程度の強度しかないことが判明し、化学機械研磨ができない状況も現出しており、これが半導体集積回路装置の微細化を阻害する原因となっている。
【０００７】
半導体集積回路装置の層間絶縁膜として、誘電率を低減させたものを用いるようにした提案は多数あり、以下のその一部を示す。
【特許文献１】特開２００２−２５２２２８号公報
【特許文献２】特開２００２−２５６４３４号公報
【特許文献３】特開２００４−２００６２６号公報
【特許文献４】特開２００４−２１４１６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
よって、本発明における課題は、半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜が得られるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、下記化学式（１）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料である。
【化１】
2007048955.tif 000002
【００１０】
請求項２にかかる発明は、下記化学式（２）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料である。
【化２】
2007048955.tif 000003
【００１１】
請求項３にかかる発明は、下記化学式（３）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料である。
【化３】
2007048955.tif 000004
【００１２】
請求項４にかかる発明は、下記化学式（４）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料である。
【化４】
2007048955.tif 000005
【００１３】
請求項５にかかる発明は、下記化学式（５）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料である。
【化５】
2007048955.tif 000006
【００１４】
請求項６にかかる発明は、下記化学式（６）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料である。
【化６】
2007048955.tif 000007
【００１５】
請求項７にかかる発明は、下記化学式（７）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料である。
【化７】
2007048955.tif 000008
【００１６】
請求項８にかかる発明は、下記化学式（８）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料である。
【化８】
2007048955.tif 000009
【００１７】
請求項９にかかる発明は、下記化学式（９）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料である。
【化９】
2007048955.tif 000010
【００１８】
請求項１０にかかる発明は、下記化学式（１０）で示されるプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料である。
【化１０】
2007048955.tif 000011
【００１９】
請求項１１にかかる発明は、請求項１ないし１０のいずれかに記載の絶縁膜用材料を用いプラズマＣＶＤにより成膜を行うことを特徴とする成膜方法である。
請求項１２にかかる発明は、請求項１ないし１０のいずれかに記載の絶縁膜用材料を用いプラズマＣＶＤにより成膜を行う際、添加ガスを同伴させることを特徴とする成膜方法である。
【００２０】
請求項１３にかかる発明は、添加ガスが、ＣＯ２、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ、Ｈ２、炭素数３の炭化水素基を有する鎖状炭化水素、アルコール類、エーテル類のいずれか１種以上であることを特徴とする請求項１２に記載の成膜方法である。
請求項１４にかかる発明は、請求項１１ないし１３のいずれかに記載された成膜方法を用いて成膜された絶縁膜である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、この絶縁膜用材料を利用してプラズマＣＶＤ法により成膜された絶縁膜は、誘電率が低く、しかも機械的強度が高く、化学機械研磨法によっても、層間絶縁膜が破損することがなくなる等の効果が得られる。特に、誘電率が２．４以下で、ヤング率が８ＧＰａ以上の絶縁膜を得ることができる。
【００２２】
また、従来より、絶縁膜の機械的強度を維持しながら、誘電率を下げるための材料として、有機シリコーン系材料が多く提案されている。これまで提案された有機シリコーン系材料は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を骨格とする絶縁膜のネットワーク中に、有機シリコーン系材料の有機基からなる低誘電率の結合部位を導入すると言う目的のためだけに使用され、この結合部位は、上記ネットワークの終端に位置している。
【００２３】
本発明では、絶縁膜の理論的な検討を実施し、ネットワークとして、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合だけではなく、Ｓｉ−（炭化水素）−Ｓｉ結合を含めば、高い機械的強度の低誘電率材料が得られることを見出した。具体的には、（炭化水素）がｃ３Ｈ６であり、Ｓｉの酸素配位数が２となる構造である。そして、この構造を実現できる絶縁膜用材料を種々検討し、数種類の材料を発見した。
上記化学式（１）〜（１１）に示す材料を用いて成膜された絶縁膜は、その誘電率が２．１〜２．４であり、ヤング率は９．５〜１１．０ＧＰａであった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を詳しく説明する。
初めに、本発明の絶縁膜用材料について説明する。
本発明のプラズマＣＶＤ用絶縁膜用材料のうち、上記化学式（１）で表される化合物の具体例としては、以下の表１および表２に示すものなどがある。
【００２５】
【表１】
2007048955.tif 000012
【００２６】
【表２】
2007048955.tif 000013
【００２７】
また、上記化学式（２）で表される化合物の具体例としては、以下の表３に示すものなどがある。
【００２８】
【表３】
2007048955.tif 000014
【００２９】
また、上記化学式（３）で表される化合物の具体例としては、以下の表４に示すものなどがある。
【００３０】
【表４】
2007048955.tif 000015
【００３１】
上記化学式（４）で表される化合物の具体例としては、ブチリデンシラノン、プロピリデンシラノン、ペンチリデンシラノンなどがある。
【００３２】
上記化学式（５）で表される化合物の具体例としては、以下の表５に示すものなどがある。
【００３３】
【表５】
2007048955.tif 000016
【００３４】
上記化学式（６）で表される化合物の具体例としては、アリルシラノン、アリルメチルシラノン、アリルエチルシラノンなどがある。
【００３５】
上記化学式（７）で表される化合物の具体例としては、以下の表６に示めすものなどがある。
【００３６】
【表６】
2007048955.tif 000017
【００３７】
上記化学式（８）で表される化合物は、アリリデンシラノンである。
【００３８】
上記化学式（９）で表される化合物の具体例としては、以下の表７に示すものなどがある。
【００３９】
【表７】
2007048955.tif 000018
【００４０】
上記化学式（１０）で表される化合物の具体例としては、ビニルメチルシラノン、ビニルエチルシラノン、プロピルビニルシラノンなどがある。
【００４１】
次に、本発明の成膜の方法について説明する。
【００４２】
本発明の成膜方法は、上述の絶縁膜用材料を用いプラズマＣＶＤ法により成膜を行うものである。絶縁膜材料が常温において気体状のものであればそのまま成膜装置のチャンバーに送り、液体状のものであればヘリウムなどの不活性ガスを用いたバブリングによる気化、気化器による気化または材料容器の加熱による気化によってチャンバーに送る。
【００４３】
この成膜の際、添加ガスを成膜装置のチャンバーに同時に送り込んで、プラズマＣＶＤ反応を行うようにしてもよい。
【００４４】
この添加ガスとしては、ＣＯ２、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２などの酸化性ガス、ＣＯ、Ｈ２、炭素数３の炭化水素基を有する鎖状炭化水素、炭素数３の炭化水素基を有するアルコール類、炭素数３の炭化水素基を有するエーテル類などの添加系化合物ガスが用いられる。
【００４５】
炭素数３の炭化水素基は、プロピル基、アリル基、１−プロペニル基、１，２−プロパジエニル基である。炭素数３の炭化水素基を有する鎖状炭化水素には、ポロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、１−プロペン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、２−プロペン、２−ブテン、２−ペンテン、２−ヘキセン、１，２−プロパジエン、１，２−ブタジエン、１，２−ペンタジエン、１，２ーヘキサジエンなどがある。
【００４６】
炭素数３の炭化水素基を有するアルコール類には、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、３−プロペノール、４−ブテノール、５−ペンテノール、６−ヘキセノール、２−プロペノール、３−ブテノール、４−ペンテノール、５−ヘキセノール、２，３−プロパジエノール、３，４−ブタジエノール、４，５−ペンタジエノール、５，６−ヘキサジエノールなどがある。
【００４７】
炭素数３の炭化水素基を有するエーテル類には、メチルプロピルエーテル、エチルプロピルエーテル、ジプロピルエーテル、メチルアリルエーテル、エチルアリルエーテル、プロピルアリルエーテル、メチル−１−プロペニルエーテル、エチル−１−プロペニルエーテル、プロピル−１ープロピニルエーテル、メチル−１，２−プロパジエニルエーテル、エチル−１，２−プロパジエニルエーテル、プロピル−１，２−プロパジエニルエーテルなどがある。
【００４８】
この添加ガスの使用により、得られる絶縁膜の誘電率、ヤング率の値を制御することができる。
酸化性ガスを添加することで、ヤング率を向上させることができ、誘電率が上昇する。特別の効果をもつものを以下に示す。
【００４９】
ＣＯ２については、化学式（１）、（２）、（３）、（４）、（９）、（１０）で表される化合物を使用するときの酸化剤として適する。化学式（１）、（２）での化合物のＲ１がＨの場合、Ｒ１に結合する−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−がプラズマによって切断されてＣＨ３基やＣ２Ｈ５基、Ｃ３Ｈ７基になって脱離してしまう場合に利用するとよい。
【００５０】
また、化学式（３）、（４）の化合物のＲ１がＨの場合、Ｒ１に結合する−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝がプラズマによって切断されてＣＨ３基やＣ２Ｈ５基になって脱離してしまう場合に使用すると良い。
化学式（９）、（１０）の化合物のＲ１がＨの場合、Ｒ１に結合する−ＣＨ２−がプラズマによって切断されてＣＨ３基で脱離してしまう場合に利用するとよい。
【００５１】
Ｈ２Ｏについては、化学式（３）、（４）、（７）、（８）の化合物を使用するときの酸化剤として適している。また、化学式（３）、（４）、（７）、（８）の化合物内のＳｉ＝Ｃ結合を切断しＣ側にＨを付けたい場合に使用すると良い。  
【００５２】
添加系化合物系ガスについては、ＣＯを用いる場合は、酸化剤と同時に添加した場合には酸化剤の強さを弱めることができる。例えば、Ｏ２と同時に使用することでプリカーサーが酸化され絶縁膜中のＳｉＯ２成分が増加することを防
ぐ。単独で使用する場合では、化学式（１）、（２）、（３）、（４）、（９）（１０）の化合物を使用するときの添加剤として最適である。化学式（１）、（２）の化合物のＲ１がＨの場合、Ｒ１に結合する−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−がプラズマによって切断されてＣＨ３基やＣ２Ｈ５基、Ｃ３Ｈ７基になって脱離してしまう場合に利用するとよい。
【００５３】
また、ＣＯでは、化学式（３）、（４）の化合物のＲ１がＨの場合、Ｒ１に結合する−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝がプラズマによって切断されてＣＨ３基やＣ２Ｈ５基になって脱離してしまう場合に使用すると良い。化学式（９）、（１０）の化合物のＲ１がＨの場合、Ｒ１に結合する−ＣＨ２−がプラズマによって切断されてＣＨ３基で脱離してしまう場合に利用するとよい。
【００５４】
Ｈ２を用いる場合には、化学式（３）、（４）、（７）、（８）の化合物を使用するときの添加剤として最適である。化学式（３）、（４）、（７）、（８）の化合物ののＳｉ＝Ｃ結合を切断しＣ側にＨを付けたい場合に使用すると良い。
【００５５】
炭素数３の炭化水素基を持つ化合物では、プラズマのパワーが強い場合や酸化剤を使用する場合の添加剤として最適であり、全ての材料に使用できる。
プラズマで有機側鎖が切断されてしまう恐れがある場合に添加することで絶縁膜中のＳｉＯ２成分が増加することを防ぐ。
特に、プラズマのパワーが強すぎる場合には不飽和結合の多い１，２−プロペニル基など持つ化合物を使用すると少量でも効果が大きい。
【００５６】
なお、添加ガスとなる化合物が常温で液体であれば、ヘリウムなどを用いたバブリング、または材料容器の加熱による気化によって用いることになる。
【００５７】
プラズマＣＶＤ法としては、周知のものが用いられ、例えば、図１に示すような平行平板型のプラズマ成膜装置などを使用して成膜することができる。
【００５８】
図１に示したプラズマ成膜装置は、減圧可能なチャンバー１を備え、このチャンバー１は、排気管２、開閉弁３を介して排気ポンプ４に接続されている。また、チャンバー１には、図示しない圧力計が備えられ、チャンバー１内の圧力が測定できるようになっている。チャンバー１内には、相対向する一対の平板状の上部電極５と下部電極６とが設けられている。上部電極５は、高周波電源７に接続され、上部電極５に高周波電流が印加されるようになっている。
【００５９】
下部電極６は、基板８を載置する載置台を兼ねており、その内部にはヒーター９が内蔵され、基板８を加熱できるようになっている。
また、上部電極５には、ガス供給配管１０が接続されている。このガス供給配管１０には、図示しない成膜用ガス供給源が接続され、この成膜用ガス供給装置からの成膜用のガスが供給され、このガスは上部電極５内に形成された複数の貫通孔を通って、下部電極６に向けて拡散しつつ流れ出るようになっている。
【００６０】
また、上記成膜用ガス供給源には、上述の絶縁膜用材料を気化する気化装置と、その流量を調整する流量調整弁を備えるとともに、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置、水蒸気、酸素などの酸素含有ガスを供給する供給装置、および前述の添加用ガスを供給する供給装置が設けられており、これらのガスもガス供給配管１０を流れて、上部電極５からチャンバー１内に流れ出るようになっている。
【００６１】
プラズマ成膜装置のチャンバー１内の下部電極６上に基板８を置き、成膜用ガス供給源から上記絶縁膜用材料からなるガス、不活性ガス、酸素含有ガスをチャンバー１内に送り込む。高周波電源７から高周波電流を上部電極５に印加して、チャンバー１内にプラズマを発生させる。これにより、基板８上に上記ガスから気相化学反応により生成した絶縁膜が形成される。
【００６２】
このプラズマ成膜装置における成膜条件は、以下の範囲が好適であるがこの限りではない。
絶縁膜用材料流量   ：２５〜１００ｃｃ／ｍ
添加ガス流量       ：０〜５０ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量       ：２５〜１００ｃｃ／ｍｉｎ
圧力             ：１〜１０ｔｏｒｒ
ＲＦパワー         ：３００〜５００Ｗ
基板温度           ：３００〜４００℃
成膜厚さ           ：２００ｎｍ
【００６３】
このときに使用する絶縁膜用材料にあっては、材料中に含まれる金属成分は合計１００ｐｐｂ未満であり、窒素成分は１０ｐｐｍ未満であることが好ましい。
絶縁膜用材料中の金属成分は成膜された膜のリーク特性を悪化させるため少ないほうがよく、窒素は成膜後ＡｒＦレジストを行う際にアミンを生成するなどの悪影響があるため少ないほうが良い。
【００６４】
本発明の絶縁膜は、上述のプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料、またはこれと添加ガスとを用い、プラズマ成膜装置によって、プラズマＣＶＤ反応により成膜されたもので、その誘電率が２．１〜２．４で、ヤング率が９．５〜１１ＧＰａとなって、機械的強度が高いものとなる。
このため、この絶縁膜は、化学機械研磨によって破損したり、基板から剥離するようなことがない。
【００６５】
また、この絶縁膜は、上述のように、絶縁膜を構成するネットワークとして、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合だけではなく、Ｓｉ−（炭化水素）−Ｓｉ結合をも含み、炭化水素がＣ３Ｈ６であり、Ｓｉの酸素配位数が２である構造となっている。
【００６６】
以下、具体例を示す。
（１）プラズマ成膜装置を使用し、ｎ−ブチルジメチルメトキシシラン〔ｎ−Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３：化学式（１）で示される化合物のＲ１〜Ｒ４がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：５ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：４００Ｗ
基板温度             ：３５０℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．１、ヤング率は９．５ＧＰａであった。
【００６７】
（２）プラズマ成膜装置を使用し、〔ｎ−Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）Ｓｉ＝Ｏ：化学式（２）で示される化合物のＲ１〜Ｒ２がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：３ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：５００Ｗ
基板温度             ：３００℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．２、ヤング率は９．８ＧＰａであった。
【００６８】
（３）プラズマ成膜装置を使用し、ｎ−ブチリデンメチルメトキシシラン〔ｎ−Ｃ４Ｈ８＝Ｓｉ（ＣＨ３）ＯＣＨ３：化学式（３）で示される化合物のＲ１〜Ｒ３がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
添加ガス種類         ：Ｈ２０
添加ガス量           ：２０ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：５ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：３００Ｗ
基板温度             ：３００℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．３、ヤング率は９．９ＧＰａであった。
【００６９】
（４）プラズマ成膜装置を使用し、ｎ−ブチリデンシラノン〔ｎ−Ｃ４Ｈ８＝Ｓｉ＝Ｏ：化学式（４）で示される化合物のＲ１がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
添加ガス種類         ：Ｈ２
添加ガス量           ：２０ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：８ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：４００Ｗ
基板温度             ：４００℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．４、ヤング率は１０．１ＧＰａであった。
【００７０】
（５）プラズマ成膜装置を使用し、アリルジメチルメトキシシラン〔ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３：化学式（５）で示される化合物のＲ１〜Ｒ３がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：８ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：４００Ｗ
基板温度             ：３００℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．２、ヤング率は１０．１ＧＰａであった。
【００７１】
（６）プラズマ成膜装置を使用し、アリルメチルシラノン〔ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２（ＣＨ３）Ｓｉ＝Ｏ：化学式（６）で示される化合物のＲ１がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：５ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：３００Ｗ
基板温度             ：４００℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．３、ヤング率は１０．４ＧＰａであった。
【００７２】
（７）プラズマ成膜装置を使用し、アリリデンメチルメトキシシラン〔ＣＨ２＝ＣＨＣＨ＝Ｓｉ（ＣＨ３）ＯＣＨ３：化学式（７）で示される化合物のＲ１〜Ｒ２がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
添加ガス種類         ：Ｈ２０
添加ガス量           ：２０ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：８ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：５００Ｗ
基板温度             ：４００℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．４、ヤング率は１０．５ＧＰａであった。
【００７３】
（８）プラズマ成膜装置を使用し、アリリデンシラノン〔ＣＨ２＝ＣＨＣＨ＝Ｓｉ＝Ｏ：化学式（８）で示される化合物〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
添加ガス種類         ：Ｈ２
添加ガス量           ：２０ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：８ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：４００Ｗ
基板温度             ：４００℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．４、ヤング率は１０．７ＧＰａであった。
【００７４】
（９）プラズマ成膜装置を使用し、ビニルエチルメチルメトキシシラン〔ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３ＣＨ２）（ＣＨ３）ＳｉＯＣＨ３：化学式（９）で示される化合物のＲ１〜Ｒ３がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：３ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：５００Ｗ
基板温度             ：５００℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．４、ヤング率は１０．７ＧＰａであった。
【００７５】
（１０）プラズマ成膜装置を使用し、ビニルエチルシラノン〔ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３ＣＨ２）Ｓｉ＝Ｏ：化学式（１０）で示される化合物のＲ１がＣＨ３〕を用いた成膜条件は以下のとおりである。
絶縁膜用材料流量     ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
ヘリウム流量         ：１００ｃｃ／ｍｉｎ
圧力               ：５ｔｏｒｒ
ＲＦパワー           ：４００Ｗ
基板温度             ：３５０℃
厚さ               ：２００ｎｍ
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は２．３、ヤング率は１１．０ＧＰａであった。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明で用いられるプラズマ成膜装置の例を示す概略構成図である。
【図１】
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