(57)【要約】【課題】互いに隣接するサブ画素間の領域を透過する光がサブ画素領域内に漏れ出ることを防止することにより、液晶装置において表示のコントラストが低下することを防止する。【解決手段】互いに対向する第１透光性基板７ａ及び第２透光性基板８ａと、基板７ａと基板８ａとの間に挟持された液晶層１２と、基板７ａと基板８ａの平面領域において平面的に配列されて有効表示領域を構成する複数のサブ画素Ｄと、基板７ａのうちの液晶層１２側の表面上であって個々のサブ画素Ｄ内に設けられた光反射膜２４と、基板８ａ上の互いに隣接する前記サブ画素Ｄ同士の間に設けられた遮光膜４２と、基板７ａに対して基板８ａが配置される側と反対側に設けられた照明装置と、基板７ａ上であって遮光膜４２に対向する位置に設けられ、照明装置から出射された光を遮光膜４２に向けて集光する集光手段である凸部３８Ａとを有する液晶装置である。【選択図】図４
2007304351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記液晶層を挟持した前記第１基板及び前記第２基板の平面領域において平面的に配列
されて有効表示領域を構成する複数のサブ画素と、
前記第１基板の前記液晶層側の表面上であって個々の前記サブ画素内に設けられた光反
射膜と、
前記第２基板上の互いに隣接する前記サブ画素同士の間に設けられた遮光膜と、
前記第１基板に対して前記第２基板が配置される側と反対側に設けられた照明装置と、
前記第１基板上の前記遮光膜に対向する位置に設けられ、前記照明装置から出射された
光を前記遮光膜に向けて集光する集光手段と、
を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、前記集光手段は透光性の樹脂から成る凸部であり、
該凸部の光屈折率をｎ１とし、前記液晶層の光屈折率をｎ２としたとき、
ｎ１＞ｎ２
であることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶装置において、前記集光手段は透光性の樹脂を窪ませて成る凹部で
あり、該凹部の光屈折率をｎ１とし、前記液晶層の光屈折率をｎ２としたとき、
ｎ１＜ｎ２
であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記集光手段は、互
いに隣接する前記サブ画素同士の間の領域に沿って、前記有効表示領域の一端部から他端
部にかけて連続する帯状に設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記集光手段は前記
サブ画素よりも短い長さを有し、当該集光手段が複数個、互いに隣接する前記サブ画素同
士の間の領域に沿って並べられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５記載の液晶装置において、前記サブ画素内には、前記照明装置から出射される
光を透過して表示を行う透過表示領域と、前記光反射膜によって反射した反射光を用いて
表示を行う反射表示領域とが設けられ、前記遮光膜は互いに隣接する前記サブ画素同士の
間であって互いに隣接する前記透過表示領域同士の間以外の部分に設けられることを特徴
とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記集光手段は、互
いに隣接する前記サブ画素間を通る直線に直交した断面の形状が円の一部の形状であるこ
とを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の記載の液晶装置において、前記集光手段
は、互いに隣接する前記サブ画素間を通る直線に直交した断面の形状が三角形状であるこ
とを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項５又は請求項６記載の液晶装置において、個々の前記集光手段は球の一部の形状
であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項５又は請求項６記載の液晶装置において、個々の前記集光手段は角錐形状である
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記第１基板と前
記光反射膜の間には絶縁膜が設けられ、前記集光手段は、前記絶縁膜と同じ材料を用いて
形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電
子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶層を通過する光を変調して像を形成する液晶装置に関する。また、本発
明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、当該電子機器
に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置が広く用いられて
いる。液晶装置は、一般に、互いに対向する一対の基板間に液晶層を配置し、その液晶層
を通過する光をサブ画素ごとに変調することにより、光の進行方向の下流側に在る基板の
外側に、文字、数字、図形等といった像を表示する。
【０００３】
液晶層を通過する光としては、反射光及び透過光の２種類が考えられる。反射光は、太
陽光、室内光等といった外部光が液晶装置の内部で反射して液晶層へ供給される光である
。透過光は、液晶装置の構成要素である液晶パネルの背面に設けられた照明装置から出射
して液晶層へ供給される光である。反射光を用いた表示は反射型表示と呼ばれ、透過光を
用いた表示は透過型表示と呼ばれている。
【０００４】
上記の反射型表示及び透過型表示の両方の表示を行うことができる液晶装置として、従
来、個々のサブ画素の領域内の一部に光反射膜を設け、１つのサブ画素内に反射表示領域
及び透過表示領域を備えた半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１
参照）。この液晶装置では、反射表示領域内の光反射膜において光が鏡面反射することを
防止するために、光反射膜の下層となる樹脂膜の表面に複数の凸部及び凹部から成る凹凸
パターンが設けられている。また、互いに隣接するサブ画素間を透過する光が当該サブ画
素内に漏れ出ることを防止するために、サブ画素間に遮光膜が設けられている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−７２２２０号公報（第６頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に開示された液晶装置において、互いに隣接するサブ画素間の樹
脂膜の表面は、反射表示領域内と同じ凹凸パターンに形成されているか、又は平坦な面に
形成されている。互いに隣接するサブ画素間の樹脂膜の表面に凹凸パターンが形成されて
いる部分では、照明装置から発せられて液晶パネル内に入射した光がサブ画素間を通過す
る際、その光が凹凸パターンにおいて散乱してサブ画素内に漏れ出るおそれがある。他方
、互いに隣接するサブ画素間の樹脂膜の表面が平坦面である部分でも、照明装置から発せ
られて液晶パネル内に入射した光がサブ画素間を通過する際、その光が樹脂膜の平坦面に
おいて屈折してサブ画素内に漏れ出るおそれがある。このように反射表示領域において、
照明装置からの光が、互いに隣接するサブ画素間から当該サブ画素の領域内に漏れ出ると
、液晶装置の表示のコントラストが低下するおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、互いに隣接するサブ画素間の
領域を透過する光がサブ画素領域内に漏れ出ることを防止することにより、液晶装置及び
電子機器における表示のコントラストが低下することを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る液晶装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前
記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層を挟持した前記第１基板及び前記第
２基板の平面領域において平面的に配列されて有効表示領域を構成する複数のサブ画素と
、前記第１基板の前記液晶層側の表面上であって個々の前記サブ画素内に設けられた光反
射膜と、前記第２基板上の互いに隣接する前記サブ画素同士の間に設けられた遮光膜と、
前記第１基板に対して前記第２基板が配置される側と反対側に設けられた照明装置と、前
記第１基板上の前記遮光膜に対向する位置に設けられ、前記照明装置から出射された光を
前記遮光膜に向けて集光する集光手段とを有することを特徴とする。
【０００９】
上記構成の液晶装置において、第１基板及び第２基板は透光性を有する材料、例えば透
光性のガラス、透光性のプラスチックによって形成された基板である。第１基板上に設け
られた光反射膜は、例えば室内光等といった外部光を反射してその光を表示に利用するた
めのものである。また、第２基板に設けられた遮光膜は、例えば、照明手段から発せられ
て第１基板を透過した光や第１基板上の光反射膜で反射された光が不要な領域に出射しな
いために遮光するものである。
【００１０】
また、上記構成の液晶装置において、個々のサブ画素は表示を行うための最小単位の領
域であり、このサブ画素が複数個平面的に並べられることによって、表示が行われる全体
の領域である有効表示領域が構成されている。
【００１１】
本発明の液晶装置では、第２基板上であって互いに隣接するサブ画素同士の間に遮光膜
を設け、第１基板上の互いに隣接するサブ画素同士の間であって遮光膜に対向する位置に
集光手段を設けている。この集光手段は、照明装置から第１基板に入射した光のうちの互
いに隣接するサブ画素間を透過する光を、当該集光手段に対向する第２基板の遮光膜に向
けて集光できる。その結果、照明装置から第１基板に入射した光のうちの互いに隣接する
サブ画素間を透過する光が、隣接するサブ画素内に漏れ出ることを防止できる。それ故、
液晶装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。
【００１２】
また、集光手段は、照明装置から第１基板に入射した光のうちの互いに隣接するサブ画
素間を透過する光を狭い範囲内に集光できるので、その集光手段に対向する遮光膜を狭い
幅に形成できる。遮光膜の幅を狭くすることにより、サブ画素の領域を広くすることがで
きるので、液晶装置の表示の開口率を高くすることができる。その結果、液晶装置の表示
を明るく鮮明に行うことができる。
【００１３】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記集光手段は透光性の樹脂から成る凸部であ
り、該凸部の光屈折率をｎ１とし、前記液晶層の光屈折率をｎ２としたとき、
ｎ１＞ｎ２
であることが望ましい。ここで、凸部の光屈折率ｎ１は、すなわち、凸部を形成する透光
性の樹脂の光屈折率である。この構成において、集光手段である透光性の樹脂を用いた凸
部としては、例えば、断面の形状を円の一部の形状としたものが考えられる。または、断
面の形状を三角形状としたものが考えられる。
【００１４】
ここで、本発明態様における集光手段の光の集光原理を説明する。まず、集光手段の断
面が円の一部の形状を有した場合には、図５（ｂ）に示すように、凸部３８Ａが形成され
た樹脂膜２３の光屈折率をｎ１とし、液晶層１２の光屈折率をｎ２とする。また、凸部３
８Ａ内を進行する光Ｌと凸部３８Ａの曲面の法線とが成す角度をθ１とし、液晶層１２内
を進行する光Ｌと凸部３８Ａの曲面の法線とが成す角度をθ２とする。
【００１５】
他方、集光手段の断面が三角形状を有した凸部である場合には、図６（ｂ）に示すよう
に、凸部３８Ｂが形成された樹脂膜２３の光屈折率をｎ１とし、液晶層１２の光屈折率を
ｎ２とする。また、凸部３８Ｂ内を進行する光Ｌと凸部３８Ｂの稜線とが成す角度をθ１
とし、液晶層１２内を進行する光Ｌと凸部３８Ｂの稜線とが成す角度をθ２とする。
なお、実際の液晶装置においては、凸部３８Ａ，３８Ｂと液晶層１２との間に他の光学
要素、例えば配向膜が介在する場合がある。配向膜のような介在要素の屈折率は凸部３８
Ａ，３８Ｂと液晶層１２との間においては光の屈折に関しては無視できるものであり、よ
って、以下の説明では凸部３８Ａ，３８Ｂと液晶層１２との間の屈折率だけを考慮する。
【００１６】
上記のように、断面形状が円の一部の形状である図５（ｂ）の凸部３８Ａ、及び断面形
状が三角形状である図６（ｂ）の凸部３８Ｂにおいて、屈折率ｎ１，ｎ２及び角度θ１，
θ２の関係は、
ｎ１・ｓｉｎθ１＝ｎ２・ｓｉｎθ２
である。ここで凸部の光屈折率と液晶層の光屈折率とが異なれば（すなわち、ｎ１≠ｎ２
であれば）、凸部３８Ａ又は３８Ｂを通過して液晶層１２に入射する光Ｌが両者の境界部
分で屈折することができる。
【００１７】
さらに、光Ｌを集光する方向へ屈折させるには、角度θ１とθ２との関係が
θ１＜θ２
であることが必要である。すなわち、凸部の光屈折率ｎ１と液晶層の光屈折率ｎ２との関
係が、
ｎ１＞ｎ２
であることが必要である。凸部の光屈折率と液晶層の光屈折率との関係をｎ１＞ｎ２に設
定すれば、凸部を透過して液晶層に入射する光が、凸部と液晶層との境界部分において、
集光する方向に屈折できるので、凸部を透過する光をその凸部に対向する遮光膜に向けて
確実に集光できる。
【００１８】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記集光手段は透光性の樹脂を窪ませて成る凹
部であり、該凹部の光屈折率をｎ１とし、前記液晶層の光屈折率をｎ２としたとき、
ｎ１＜ｎ２
であることが望ましい。ここで、凹部の光屈折率ｎ１は、すなわち、凹部が形成される透
光性の樹脂の光屈折率である。この構成において、集光手段である透光性の樹脂を用いた
凹部としては、例えば、断面の形状を円の一部の形状としたものが考えられる。または、
断面の形状を三角形状としたものが考えられる。
【００１９】
ここで、本発明態様における集光手段の光の集光原理を説明する。まず、集光手段の断
面が円の一部の形状を有した場合には、図８（ｂ）に示すように、凹部３９Ａが形成され
た樹脂膜２３の光屈折率をｎ１とし、液晶層１２の光屈折率をｎ２とする。また、凹部３
９Ａが形成された樹脂膜２３内を進行する光Ｌと凹部３９Ａの曲面の法線とが成す角度を
θ１とし、液晶層１２内を進行する光Ｌと凹部３９Ａの曲面の法線とが成す角度をθ２と
する。
【００２０】
他方、集光手段の断面が三角形状を有した凹部である場合には、図９（ｂ）に示すよう
に、凹部３９Ｂが形成された樹脂膜２３の光屈折率をｎ１とし、液晶層１２の光屈折率を
ｎ２とする。また、凹部３９Ｂが形成された樹脂膜２３内を進行する光Ｌと凹部３９Ｂの
稜線とが成す角度をθ１とし、液晶層１２内を進行する光Ｌと凹部３９Ｂの稜線とが成す
角度をθ２とする。
なお、この場合にも凹部３９Ａ，３９Ｂと液晶層１２との間に介在する要素の屈折率は
無視しても差し支えない。
【００２１】
上記のように、断面形状が円の一部の形状である図８（ｂ）の凹部３９Ａ、及び断面形
状が三角形状である図９（ｂ）の凹部３９Ｂにおいて、屈折率ｎ１，ｎ２及び角度θ１，
θ２の関係は、
ｎ１・ｓｉｎθ１＝ｎ２・ｓｉｎθ２
である。ここで凹部の光屈折率と液晶層の光屈折率とが異なれば（すなわち、ｎ１≠ｎ２
であれば）、凹部３９Ａ又は３９Ｂを通過して液晶層１２に入射する光Ｌが両者の境界部
分で屈折することができる。
【００２２】
さらに、光Ｌを集光する方向へ屈折させるには、角度θ１とθ２との関係が
θ１＞θ２
であることが必要である。すなわち、樹脂膜の光屈折率ｎ１と液晶層の光屈折率ｎ２との
関係が、
ｎ１＜ｎ２
であることが必要である。凹部が形成された樹脂膜の光屈折率と液晶層の光屈折率との関
係をｎ１＜ｎ２に設定すれば、凹部を透過して液晶層に入射する光が、凹部と液晶層との
境界部分において、集光する方向に屈折できるので、凹部を透過する光をその凹部に対向
する遮光膜に向けて確実に集光できる。
【００２３】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記集光手段は、互いに隣接する前記サブ画素
同士の間の領域に沿って、前記有効表示領域の一端部から他端部にかけて連続する帯状に
設けられることが望ましい。こうすれば、互いに隣接するサブ画素同士の間において、集
光手段を遮光膜に対向する部分に遮光膜に沿った方向に隙間無く設けることができる。そ
の結果、サブ画素間を透過する光を、互いに隣接するサブ画素間のうちの遮光膜が設けら
れた部分の全域において、集光手段によって遮光膜に集光できる。
【００２４】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記集光手段はサブ画素よりも短い長さに形成
でき、その場合には当該集光手段が複数個、互いに隣接する前記サブ画素同士の間の領域
に沿って並べられていることが望ましい。この構成においても、照明装置から第１基板に
入射した光のうちの互いに隣接するサブ画素間を透過する光を、集光手段を用いて第２基
板の遮光膜に向けて集光できるので、照明装置から第１基板に入射した光のうちの互いに
隣接するサブ画素間を透過する光が、隣接するサブ画素Ｄ内に漏れ出ることを防止できる
。それ故、液晶装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。
【００２５】
次に、本発明に係る液晶装置において、（１）前記サブ画素内には、前記照明装置から
出射される光を透過して表示を行う透過表示領域と、前記光反射膜によって反射した反射
光を用いて表示を行う反射表示領域とが設けられ、（２）前記遮光膜は互いに隣接する前
記サブ画素同士の間であって互いに隣接する前記透過表示領域同士の間以外の部分に設け
られることが望ましい。この構成の液晶装置は、反射型表示と透過型表示の両方の表示を
行うことができる半透過反射型の液晶装置である。
【００２６】
本発明態様の液晶装置では、遮光膜を互いに隣接するサブ画素同士の間のうちの透過表
示領域同士の間には設けず、反射表示領域同士の間のみに設けるようにした。そしてさら
に、互いに隣接する反射表示領域同士の間に設けられた遮光膜に対向して集光手段を設け
た。これにより、反射表示領域内において、照明装置から出射されて互いに隣接するサブ
画素同士の間から透過する光を集光手段によって遮光膜へ集光させることにより遮光する
ことができる。その結果、透過型表示においてコントラストが低下することを防止できる
。また、透過表示領域同士の間においては、遮光膜が設けられていないので、透過表示領
域の開口率を高くできる。その結果、透過型表示を明るく鮮明に行うことができる。
【００２７】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記集光手段は、互いに隣接する前記サブ画素
間を通る直線に直交した断面の形状を円の一部の形状とすることができる。この集光手段
は、例えば、図５又は図８のように構成できる。また、前記集光手段は、互いに隣接する
前記サブ画素間を通る直線に直交した断面の形状が三角形状とすることもできる。この集
光手段は、例えば、図６又は図９のように構成できる。このように、集光手段の断面形状
を円の一部の形状又は三角形状とすることにより、先に述べた集光原理に基づいて、集光
手段を透過する光を効率良く集光できる。
【００２８】
次に、本発明に係る液晶装置において、個々の前記集光手段は球の一部の形状とするこ
とができる。この場合には、集光手段の断面形状が円の一部の形状となる。この集光手段
の構成は、図５又は図８に示した凸部又は凹部の構成のことである。これらの構成では、
サブ画素間の集光手段（凹部または凸部）で屈折した光が第２基板の遮光膜上で集光する
ように集光手段の形状が調整されている。また、個々の前記集光手段は角錐形状とするこ
ともできる。この場合には、集光手段の断面形状が三角形状となる。この集光手段の構成
は、図６又は図９に示した凸部又は凹部の構成のことである。このように、集光手段の断
面形状を円の一部の形状又は三角形状とすることにより、先に述べた集光原理に基づいて
、集光手段を透過する光を効率良く集光できる。
【００２９】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１基板と前記光反射膜の間には絶縁膜が
設けられ、前記集光手段は、前記絶縁膜と同じ材料を用いて形成されることが望ましい。
第１基板と光反射膜の間に設けられる絶縁膜としては、例えば、第１基板の表面に設けら
れるスイッチング素子等といった導電部材と光反射膜とを電気的に絶縁する、いわゆる層
間絶縁膜が考えられる。このような絶縁膜と集光手段とを同じ材料を用いて形成すれば、
集光手段と絶縁膜とを一体に形成できる。その結果、集光手段は、製造工程や材料を増や
すことなく容易に設けることができる。
【００３０】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴と
する。本発明に係る液晶装置は、第２基板上であって互いに隣接するサブ画素間に遮光膜
を設け、遮光膜に対向する第１基板上に集光手段を設けているので、互いに隣接するサブ
画素間を通過する光を遮光膜に向けて集光できる。その結果、遮光膜が設けられた領域か
らそれ以外の領域、例えばサブ画素内への不要な光漏れを防止し、液晶装置の表示のコン
トラスト低下を防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、電子機器の表示
部における表示のコントラスト低下を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、半透過反射型でＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動方
式でカラー表示が可能な液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態
を説明する。また、本実施形態では、ＴＦＴ素子としてチャネルエッチ型でシングルゲー
ト構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いた液晶装置に本発明を適用する。また、
本実施形態では、液晶モードとしてＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence：
電界制御複屈折モード）を採用した液晶装置に本発明を適用する。なお、本発明がこの実
施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面では、特徴
部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示す場合
がある。
【００３２】
図１は、本発明に係る液晶装置の全体の側面断面構造を示している。また、図２は、図
１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示している。また、図３は、図１の矢印Ａに従
った平面構造を示している。また、図４は、図３のＺ２−Ｚ２線に従った断面図であり、
主にＴＦＴ素子を示している。なお、図１は、図３のＺ３−Ｚ３線に従った断面構造に相
当している。
【００３３】
図１において、液晶装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パネル
２に付設された照明装置３とを有する。この液晶装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が
観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバ
ックライトとして機能する。
【００３４】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互
いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成され
る素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板であ
る。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板８が配置され、観察側から見て背面に
素子基板７が配置される。
【００３５】
シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップ
Ｇを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口
を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入され
る。注入された液晶はセルギャップＧ内で電気光学物質の層としての液晶層１２を形成す
る。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法と
しては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続す
る環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴下する方法でもよい。なお、本実施
形態では、液晶として、正の誘電異方性を有するネマティック液晶を用いることができる
。
【００３６】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複
数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹
脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）
に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所
定の位置に柱状に形成することもできる。
【００３７】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを
有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用
いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工に
よって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対
向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、
必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必
要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００３８】
素子基板７は、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成された
第１基板としての第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａの外側表面
には偏光板１８ａが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、
例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面に
は、矢印Ｚ１で示す部分の拡大図である図２にも示すように、ソース線１９が列方向Ｙ（
すなわち、図２の左右方向）に延びている。また、ゲート線２０が行方向Ｘ（すなわち、
図２の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティ
ブ素子であるＴＦＴ素子２１がソース線１９及びゲート線２０に接続して形成されている
。
【００３９】
それらのＴＦＴ素子２１、ソース線１９及びゲート線２０の上に、それらを覆う保護膜
２２が形成され、その上に絶縁膜としての凹凸樹脂膜２３が形成され、その上に光反射膜
２４が形成され、その上に画素電極２５が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されて
いる。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基
板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。なお、本実施形態において、液晶
分子の配向は、液晶に電界を印加していない状態で水平配向になるように設定されている
。
【００４０】
通常、保護膜２２は、透光性と絶縁性を有する窒化膜（ＳｉＮ）や二酸化ケイ素膜（Ｓ
ｉＯ２）を用いて形成される。また、凹凸樹脂膜２３は、例えば、透光性、感光性、及び
絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理
によってパターニングすることによって形成されている。
【００４１】
光反射膜２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料を
フォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極
２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった金属酸化物
をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また、
配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されて
いる。
【００４２】
光反射膜２４及び画素電極２５は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板７上に行方向
Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２４及び画素
電極２５は、図３に示すように、各ソース線１９と各ゲート線２０とが交差する位置の近
傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子２１に接続されている。
【００４３】
図２において、保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３には、画素電極２５とＴＦＴ素子２１と
を電気的に接続するための開口部として貫通穴であるコンタクトホール２７が形成されて
いる。このコンタクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子２１の素子
本体部分に重ならない位置であって、画素電極２５と重なる位置に形成される。
【００４４】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子２１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ
素子２１は、図４に示すように、ゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ（アモル
ファスシリコン）によって形成された半導体膜３３、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂ、ソー
ス電極３５、ドレイン電極３６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子２１は、ボトムゲート
構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されている。
【００４５】
ＴＦＴ素子２１から少し離れて補助容量３７が設けられている。この補助容量３７は画
素電極２５に付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるものであ
る。この補助容量３７は、ゲート電極３１と同じ層内に同じ材料によって形成された第１
電極３１ａと、ゲート絶縁膜３２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１電極
３１ａを覆う絶縁膜３２ａと、ドレイン電極３６と同じ層内に形成されていて絶縁膜３２
ａを覆う第２電極３６ａとによって構成されている。図３に示すように、第１電極３１ａ
は、ゲート線２０に平行で、ソース線１９に交差して延びている。また、第２電極３６ａ
は面積の広い長方形状に形成されている。
【００４６】
図４において、ドレイン電極３６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜３４ｂを介して半導体膜
３３に接続し、その他端が補助容量３７の第２電極３６ａとなる所まで延びている。また
、ドレイン電極３６はコンタクトホール２７を介して画素電極２５に電気的に接続し、ソ
ース電極３５は、図３に示すように、ソース線１９から分岐して形成されている。ゲート
電極３１は、ソース線１９と直角方向に延びるゲート線２０から分岐して延びている。
【００４７】
図４において、画素電極２５の下に保護膜２２と凹凸樹脂膜２３とから成る層間絶縁膜
を設けることにより、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層は別々の層に分けられてい
る。これにより、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、素
子基板７の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層と
を別層とすることにより、画素電極２５の面積、すなわち画素面積をＴＦＴ素子２１によ
って阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶装置において鮮明な表示
を行うことができる。
【００４８】
次に、図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から
見て長方形又は正方形の第２基板としての第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透
光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される
。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが貼り付けられている。必要に応
じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。な
お、本実施形態においては、偏光板１８ａと１８ｂとをクロスニコル配置としている。そ
して、液晶表示装置の表示モードは、ノーマリホワイトモード、すなわち電圧無印加時に
白表示になり、電圧印加時には黒表示になる表示モードに設定されている。
【００４９】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図２にも示すように、カラーフィルタを構成する
着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の
上にオーバーコート膜４３が形成され、その上に共通電極４４が形成され、その上に配向
膜２６ｂが形成されている。オーバーコート膜４３は、カラーフィルタを保護する保護膜
として機能する。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することに
よって形成される。
【００５０】
個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状（すなわち、島状
）に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方
向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に
形成されている。
【００５１】
着色膜４１の個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に設
定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストラ
イプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜４１の光学的特性はＲ，
Ｇ，Ｂの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を
通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、異なる色の着色膜４１を重ねたり、
あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。
【００５２】
図１において、共通電極４４は、カラーフィルタ基板８の表面の全面に設けられている
。一方、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２５は矢印Ａ方向から平面的に見て行
方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２５とカラー
フィルタ基板８上に設けられた共通電極４４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のド
ット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のためのサブ画素Ｄを
形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶ
ことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の有効表示領域Ｖが形成され、こ
の有効表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５３】
本実施形態のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う
場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによ
って１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は
、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。
【００５４】
図２において、光反射膜２４は、例えばフォトエッチング処理によって形成される。こ
の光反射膜２４はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには
設けられていない。領域Ｔは図３に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域であ
る。一方、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の領域Ｔ以外の領域であり、本実施形態では領域Ｔを囲
む領域である。
【００５５】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２４が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射
膜２４が存在しない領域が透過表示領域Ｔである。図２において矢印Ａで示す観察側から
入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射する。一方、図１の照
明装置３の導光体１４から出射した図２の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００５６】
凹凸樹脂膜２３の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分に
は、複数の凹部及び複数の凸部が矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成されること
により凹凸パターンが形成されている。光反射膜２４は、そのような凹凸パターンが形成
されている凹凸樹脂膜２３の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パタ
ーンの形状を有している。このように光反射膜２４に凹凸パターンを形成することにより
、光反射膜２４で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性
を持った光とすることができる。
【００５７】
また、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域Ｓ（以下、画素間領域Ｓという）にお
ける凹凸樹脂膜２３の表面であって、カラーフィルタ基板８上の遮光膜４２に対向する領
域には、集光手段としての凸部３８Ａが矢印Ａ方向から平面的に見て図２の紙面垂直方向
へ延びる帯状に設けられている。凹凸樹脂膜２３に設けられた凸部３８Ａに関しては後に
詳しく説明する。
【００５８】
カラーフィルタ基板８上のオーバーコート膜４３は反射表示領域Ｒに対応して設けられ
ており、透過表示領域Ｔに対応する領域には設けられていない。このため、反射表示領域
Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くな
っている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。液晶層１２の層厚の調整は、反射表
示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で
光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーシ
ョン（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われる。但し、“Δｎ”は屈折率
異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００５９】
次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板
８の外側へ張り出す張出し部４５を有している。この張出し部４５の表面には、配線４６
がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４６は矢印Ａ方向から見て複数
本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられ
ている。また、張出し部４５の辺端には複数の外部接続用端子４７が紙面垂直方向に沿っ
て互いに間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７が設けら
れた張出し部４５の辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。
【００６０】
複数の配線４６は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成
されている。これらの配線４６の一部は、素子基板７上のソース線１９（図２参照）に直
接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材６
によって囲まれた領域内で素子基板７の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さ
らに折れ曲って行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線４
６は、素子基板７上のゲート線２０（図２参照）に直接に繋がって走査線として機能する
。
【００６１】
張出し部４５の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４
９を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５０が実装されている。
駆動用ＩＣ５０は、ソース線１９へデータ信号を伝送し、ゲート線２０へ走査信号を伝送
する。駆動用ＩＣ５０は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣ
チップで形成しても良い。駆動用ＩＣ５０を複数のＩＣチップによって構成する場合には
、それらのＩＣチップは張出し部４５上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。
【００６２】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、液晶表示装置１が明るい室外や明る
い室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行わ
れる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバッ
クライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６３】
上記反射型表示を行う場合、図２において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィ
ルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子
基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１２へ
供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し
、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出
射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ１で示すように透
過表示領域Ｔにおいて光反射膜２４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００６４】
以上のように液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７の画素電極２５とカラーフィ
ルタ基板８の共通電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所
定の電圧が印加され、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御される。こ
の結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が
、カラーフィルタ基板８の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂ
の偏光特性によりサブ画素Ｄごとに通過を規制され、素子基板７の表面に文字、数字、図
形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６５】
以下、図２の凹凸樹脂膜２３の表面に形成される凸部３８Ａについて詳しく説明する。
図５（ａ）は、図４の素子基板７上の画素間領域Ｓの一部分を拡大して示す斜視図である
。また、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った断面における光の進行状態を
示している。図５では、凹凸樹脂膜２３を主に示しており、その上に積層される光反射膜
２４及び画素電極２５を鎖線で示している。
【００６６】
図４において、凸部３８Ａは、画素間領域Ｓにおける凹凸樹脂膜２３の表面であって、
カラーフィルタ基板８上の遮光膜４２に対向する領域に設けられている。本実施形態にお
いて凸部３８Ａは、凹凸樹脂膜２３と同じ材料を用いて一体に形成されている。すなわち
、凸部３８Ａは、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリ
イミド樹脂等を用いて形成されている。この凸部３８Ａは、凹凸樹脂膜３２の表面に形成
された凹凸パターンと同時にフォトリソグラフィ処理によって形成できる。
【００６７】
次に、カラーフィルタ基板８の遮光膜４２は、図３に示すように、行方向Ｘ及び列方向
Ｙに延びる帯状に形成されて、サブ画素Ｄを囲む格子状に設けられている。従って、素子
基板７に設けられた図２の凸部３８Ａもサブ画素Ｄを囲む格子状に設けられている。
【００６８】
凸部３８Ａは、図１の有効表示領域Ｖの行方向Ｘの一端部から他端部にかけて、図３に
示すように、行方向Ｘに延びる画素間領域Ｓに沿って連続する帯状に形成されている。ま
た、凸部３８Ａは、列方向Ｙにおいても画素間領域Ｓに沿って連続する帯状に形成されて
いる。一方、図５（ａ）において、画素間領域Ｓを通る直線Ｐに直交する断面（すなわち
、図５（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った断面）における凸部３８Ａの形状は、図５（ｂ）に
示すように、円の一部の形状、本実施形態では半円形状になっている。つまり、図５（ａ
）において凸部３８Ａは、いわゆる蒲鉾形状、すなわち半円筒形状になっている。本実施
形態では、サブ画素Ｄ間に配置された凸部３８Ａで屈折した光Ｌ２（図５（ｂ）参照）が
カラーフィルタ基板８の遮光膜４２上で集光するように凸部３８Ａの形状が調整されてい
る。
【００６９】
次に、凸部３８Ａにおける光の屈折について図５（ｂ）を用いて説明する。本実施形態
の液晶装置においては、凸部３８Ａが形成された凹凸樹脂膜２３の光屈折率をｎ１とし、
液晶層１２の光屈折率をｎ２とする。図４において凸部３８Ａと液晶層１２との間に介在
する配向膜２６ａの光屈折率は無視しても差し支えない。凹凸樹脂膜２３の光屈折率ｎ１
と液晶層１２の光屈折率ｎ２とが異なれば（すなわち、ｎ１≠ｎ２であれば）、凸部３８
Ａを通過して液晶層１２に入射する光Ｌ２が両者の境界部分で屈折する。
【００７０】
ここで、凸部３８Ａ内を進行する光Ｌ２と凸部３８Ａの曲面の法線とが成す角度をθ１
とし、液晶層１２内を進行する光Ｌ２と凸部３８Ａの曲面の法線とが成す角度をθ２とし
たとき、屈折率ｎ１，ｎ２及び角度θ１，θ２の関係は、
ｎ１・ｓｉｎθ１＝ｎ２・ｓｉｎθ２
である。
【００７１】
本実施形態のように、集光手段が凸部３８Ａである場合、光を集光する方向へ屈折させ
るには、角度θ１とθ２との関係が
θ１＜θ２
であることが必要である。従って、凸部３８Ｂの光屈折率ｎ１と液晶層の光屈折率ｎ２と
の関係を、
ｎ１＞ｎ２
に設定している。
【００７２】
ところで、従来の液晶装置においては、互いに隣接するサブ画素間の樹脂膜の表面は、
反射表示領域内と同じ凹凸パターンに形成されているか、又は平坦な面に形成されている
ことが多い。互いに隣接するサブ画素間の樹脂膜の表面に凹凸パターンが形成されている
と、照明装置から発せられて液晶パネル内に入射した光がサブ画素間を通過する際、その
光が凹凸パターンにおいて散乱してサブ画素内に漏れ出るおそれがある。他方、互いに隣
接するサブ画素間の樹脂膜の表面が平坦面である場合でも、照明装置から発せられて液晶
パネル内に入射した光がサブ画素間を通過する際、その光が樹脂膜の平坦面において屈折
してサブ画素内に漏れ出るおそれがある。このように反射表示領域において、照明装置か
らの光が、互いに隣接するサブ画素間から当該サブ画素の領域内に漏れると、液晶装置の
表示のコントラストが低下するおそれがあった。
【００７３】
これに対し、本実施形態の液晶装置では、図４に示すように、互いに隣接するサブ画素
Ｄ同士の間の領域である画素間領域Ｓ内であって、遮光膜４２に対向する位置の凹凸樹脂
膜２３の表面に凸部３８Ａを設けている。照明装置３（図１参照）から出射されて画素間
領域Ｓ内の凹凸樹脂膜２３を透過する光Ｌ２を、この凸部３８Ａによりカラーフィルタ基
板８の遮光膜４２に向けて集光できる。その結果、照明装置３から出射されて画素間領域
Ｓ内に入射した光が隣接するサブ画素Ｄの領域内に漏れ出ることを防止できるので、液晶
装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。また、凸部３８Ａは、光Ｌ２を
狭い範囲内に集光できるので、遮光膜４２の幅を狭く形成できる。これにより、液晶パネ
ル２の開口率を高くすることができる。
【００７４】
（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の他の施形態を説明する。この実施形態に係る液晶装置の
全体的な構成は図１に示した液晶装置１と略同じである。本実施形態では、図５（ａ）に
示す集光手段３８Ａに代えて異なる形状の集光手段が用いられている。図６（ａ）は、本
実施形態に係る図１の液晶装置１の要部を示す斜視図である。また、図６（ｂ）は、図６
（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従った断面を示している。なお、図６に示す本実施形態は図５に
示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示す
ことにして、その説明は省略する。
【００７５】
本実施形態において、集光手段としての凸部３８Ｂは、図６（ａ）に示すように、素子
基板７上の互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域（すなわち、画素間領域）Ｓに沿っ
て１つの帯状に形成されている。そして、画素間領域Ｓを通る直線Ｐに直交する断面（す
なわち、図６（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従った断面）における凸部３８Ｂの形状は、図６（
ｂ）に示すように、三角形状になっている。
【００７６】
次に、断面が三角形状の凸部３８Ｂにおける光の屈折について図６（ｂ）を用いて説明
する。本実施形態の液晶装置においても、凸部３８Ｂが形成された凹凸樹脂膜２３の光屈
折率をｎ１とし、液晶層１２の光屈折率をｎ２とする。凹凸樹脂膜２３の光屈折率ｎ１と
液晶層１２の光屈折率ｎ２とが異なれば（すなわち、ｎ１≠ｎ２であれば）、凸部３８Ｂ
を通過して液晶層１２に入射する光Ｌ２が両者の境界部分で屈折する。
【００７７】
ここで、凸部３８Ｂ内を進行する光Ｌ２と凸部３８Ｂの稜線の法線とが成す角度をθ１
とし、液晶層１２内を進行する光Ｌ２と凸部３８Ｂの稜線の法線とが成す角度をθ２とし
たとき、屈折率ｎ１，ｎ２及び角度θ１，θ２の関係は、
ｎ１・ｓｉｎθ１＝ｎ２・ｓｉｎθ２
である。
【００７８】
本実施形態のように、集光手段が凸部である場合、光を集光する方向へ屈折させるには
、角度θ１とθ２との関係が
θ１＜θ２
であることが必要である。従って、凸部３８Ｂの光屈折率ｎ１と液晶層１２の光屈折率ｎ
２との関係を、
ｎ１＞ｎ２
に設定している。
【００７９】
本実施形態の液晶装置では、画素間領域Ｓ内であって、遮光膜４２（図１参照）に対向
する位置の凹凸樹脂膜２３の表面に、断面が三角形状の凸部３８Ｂを設けている。凸部３
８Ｂで屈折した光Ｌ２がカラーフィルタ基板８の遮光膜４２上で集光するように凸部３８
Ｂの形状が調整されている。これにより、画素間領域Ｓを透過する光Ｌ２を遮光膜４２に
集光することができる。その結果、照明装置３から出射されて画素間領域Ｓ内に入射した
光が隣接するサブ画素Ｄの領域内に漏れ出ることを防止できるので、液晶装置の表示のコ
ントラストが低下することを防止できる。また、凸部３８Ｂは、光Ｌ２を狭い範囲内に集
光できるので、遮光膜４２の幅を狭く形成できる。これにより、液晶パネル２の開口率を
高くすることができる。
【００８０】
（液晶装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の施形態を説明する。この実施形態に係る液晶
装置の全体的な構成は図１に示した液晶装置１と略同じである。本実施形態では、図４に
示す集光手段３８Ａに代えて異なる形状の集光手段が用いられている。図７は、本実施形
態に係る図１の液晶装置１の要部を示す断面図であり、主にＴＦＴ素子近傍を拡大して示
している。また、図８（ａ）は、図７の画素間領域Ｓの一部分を拡大して、特に集光手段
の構造を示す斜視図である。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＺ６−Ｚ６線に従った断
面を示している。なお、図７及び図８に示す本実施形態は図４及び図５に示した先の実施
形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、そ
の説明は省略する。
【００８１】
本実施形態に係る図１の液晶装置１では、図７に示すように、互いに隣接するサブ画素
Ｄ同士の間の領域（すなわち、画素間領域）Ｓに集光手段としての凹部３９Ａを設けてい
る。凹部３９Ａは、画素間領域Ｓにおける凹凸樹脂膜２３の表面であって、カラーフィル
タ基板８上の遮光膜４２に対向する領域に設けられている。本実施形態において凹部３９
Ａは、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂
等を用いて形成された凹凸樹脂膜２３の表面を窪ませることにより形成されている。この
凹部３９Ａは、凹凸樹脂膜２３の表面を、例えばフォトリソグラフィ処理によって除去す
ることにより形成できる。
【００８２】
次に、カラーフィルタ基板８の遮光膜４２は、図３に示すように、行方向Ｘ及び列方向
Ｙに延びる帯状に形成されて、サブ画素Ｄを囲む格子状に設けられている。従って、素子
基板７に設けられた図７の凹部３９Ａもサブ画素Ｄを囲む格子状に設けられている。
【００８３】
凹部３９Ａは、図１の有効表示領域Ｖの全域において、図３に示すように、行方向Ｘに
延びる画素間領域Ｓに沿って１つの帯状に形成されている。また、凹部３９Ａは、列方向
Ｙにおいても画素間領域Ｓに沿って１つの帯状に形成されている。一方、図８（ａ）にお
いて、画素間領域Ｓを通る直線Ｐに直交する断面（すなわち、図８（ａ）のＺ６−Ｚ６線
に従った断面）における凹部３９Ａの形状は、図８（ｂ）に示すように、円の一部の形状
、本実施形態では半円形状になっている。つまり、凹部３９Ａは、図８（ａ）に示すよう
に、例えば半円筒の溝形状になっている。
【００８４】
次に、凹部３９Ａにおける光の屈折について図８（ｂ）を用いて説明する。本実施形態
の液晶装置においては、凹部３９Ａが形成された凹凸樹脂膜２３の光屈折率をｎ１とし、
液晶層１２の光屈折率をｎ２とする。凹凸樹脂膜２３の光屈折率ｎ１と液晶層１２の光屈
折率ｎ２とが異なれば（すなわち、ｎ１≠ｎ２であれば）、凹部３９Ａを通過して液晶層
１２に入射する光Ｌ２が両者の境界部分で屈折する。本実施形態では、凹部３９Ａで屈折
した光Ｌ２がカラーフィルタ基板８の遮光膜４２上で集光するように凸部３９Ａの形状が
調整されている。
【００８５】
ここで、凹凸樹脂膜２３内を進行する光Ｌ２と凹部３９Ａの曲面の法線とが成す角度を
θ１とし、液晶層１２内を進行する光Ｌ２と凹部３９Ａの曲面の法線とが成す角度をθ２
としたとき、屈折率ｎ１，ｎ２及び角度θ１，θ２の関係は、
ｎ１・ｓｉｎθ１＝ｎ２・ｓｉｎθ２
である。
【００８６】
本実施形態のように、集光手段が凹部３９Ａである場合、画素間領域Ｓを透過する光Ｌ
２を遮光膜４２に集光するには、角度θ１とθ２との関係が
θ１＞θ２
であることが必要である。従って、凹部３９Ａが形成された凹凸樹脂膜２３の光屈折率ｎ
１と液晶層１２の光屈折率ｎ２との関係を、
ｎ１＜ｎ２
に設定している。
【００８７】
本実施形態の液晶装置は、図７に示すように、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領
域である画素間領域Ｓ内であって、遮光膜４２に対向する位置の凹凸樹脂膜２３の表面に
凹部３９Ａを有している。照明装置３（図１参照）から出射されて画素間領域Ｓ内の凹凸
樹脂膜２３を透過する光Ｌ２を、この凹部３９Ａによりカラーフィルタ基板８の遮光膜４
２に向けて集光できる。その結果、照明装置３から出射されて画素間領域Ｓ内に入射した
光が、隣接するサブ画素Ｄの領域内に漏れ出ることを防止できるので、液晶装置の表示の
コントラストが低下することを防止できる。また、凹部３９Ａは、光Ｌ２を狭い範囲内に
集光できるので、遮光膜４２の幅を狭く形成できる。これにより、液晶パネル２の開口率
を高くすることができる。
【００８８】
（液晶装置の第４実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の施形態を説明する。この実施形態に係る液晶
装置の全体的な構成は図１に示した液晶装置１と略同じである。本実施形態では、図８（
ａ）に示す集光手段３９Ａに代えて異なる形状の集光手段が用いられている。図９（ａ）
は、本実施形態に係る図１の液晶装置１の要部を示す斜視図である。また、図９（ｂ）は
、図９（ａ）のＺ７−Ｚ７線に従った断面を示している。なお、図９に示す本実施形態は
図８に示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付し
て示すことにして、その説明は省略する。
【００８９】
本実施形態において、集光手段としての凹部３９Ｂは、図９（ａ）に示すように、素子
基板７上の互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域（すなわち、画素間領域）Ｓに沿っ
て１つの帯状に形成されている。そして、画素間領域Ｓを通る直線Ｐに直交する断面（す
なわち、図９（ａ）のＺ７−Ｚ７線に従った断面）における凹部３９Ｂの形状は、図９（
ｂ）に示すように、三角形状になっている。すなわち、凹部３９Ｂは、図９（ａ）に示す
ように、画素間領域Ｓに沿って延びるＶ字形状の溝に形成されている。
【００９０】
次に、断面が三角形状の凹部３９Ｂにおける光の屈折について図９（ｂ）を用いて説明
する。本実施形態の液晶装置においても、凹部３９Ｂが形成された凹凸樹脂膜２３の光屈
折率をｎ１とし、液晶層１２の光屈折率をｎ２とする。凹凸樹脂膜２３の光屈折率ｎ１と
液晶層１２の光屈折率ｎ２とが異なれば（すなわち、ｎ１≠ｎ２であれば）、凹部３９Ｂ
を通過して液晶層１２に入射する光Ｌ２が両者の境界部分で屈折する。
【００９１】
ここで、凹部３９Ｂが形成された凹凸樹脂膜２３内を進行する光Ｌ２と凹部３９Ｂの稜
線の法線とが成す角度をθ１とし、液晶層１２内を進行する光Ｌ２と凹部３９Ａの稜線の
法線とが成す角度をθ２としたとき、屈折率ｎ１，ｎ２及び角度θ１，θ２の関係は、
ｎ１・ｓｉｎθ１＝ｎ２・ｓｉｎθ２
である。
【００９２】
本実施形態のように、集光手段が凹部３９Ｂである場合、光を集光する方向へ屈折させ
るには、角度θ１とθ２との関係が
θ１＞θ２
であることが必要である。従って、凹部３９Ｂの光屈折率ｎ１と液晶層の光屈折率ｎ２と
の関係を、
ｎ１＜ｎ２
に設定している。
【００９３】
本実施形態の液晶装置によれば、画素間領域Ｓ内であって、遮光膜４２（図１参照）に
対向する位置の凹凸樹脂膜２３の表面に、断面が三角形状の凹部３９Ｂを設けたことによ
り、画素間領域Ｓを透過する光Ｌ２を遮光膜４２に集光することができる。その結果、照
明装置３から出射されて画素間領域Ｓ内に入射した光が隣接するサブ画素Ｄの領域内に漏
れ出ることを防止できるので、液晶装置の表示のコントラストが低下することを防止でき
る。また、凹部３９Ｂは、光Ｌ２を狭い範囲内に集光できるので、遮光膜４２の幅を狭く
形成できる。これにより、液晶パネル２の開口率を高くすることができる。
【００９４】
（液晶装置の第５実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態について説明する。本実施形態では
、図５（ａ）の集光手段である凸部３８Ａに代えて異なる形状の集光手段が用いられてい
る。図１０は、本実施形態に係る液晶装置の素子基板７における集光手段近傍を示してい
る。本実施形態において、集光手段である凸部３８Ｃは、画素間領域Ｓ内に複数個設けら
れている。そして、それら複数の凸部３８Ｃが画素間領域Ｓに沿って並べられている。そ
れらの凸部３８Ｃ同士は、間隔を空けることなく、互いに接触して並べられている。なお
、適宜の数の凸部３８Ｃを連続させてグループを形成し、各グループ間に間隔を設けても
良い。
【００９５】
個々の凸部３８Ｃは、球の一部の形状に形成されている。具体的には、球の半分が凹凸
樹脂膜２３の表面に突出した形状（すなわち、島状）に形成されている。凸部３８Ｃは、
上記の各実施形態と同じく、凹凸樹脂膜２３と同じ材料を用いて同時に形成できる。
【００９６】
個々の凸部３８Ｃは、図１０のＺ８−Ｚ８線に従った断面形状が円の一部の形状を有し
ており、その断面形状は図５（ｂ）に示した第１実施形態と同じである。また、凸部３８
Ｃの光屈折率ｎ１と液晶層１２の光屈折率ｎ２とは、図５（ｂ）に示した第１実施形態に
おける関係と同じである。すなわち、
ｎ１＞ｎ２
となっている。この場合の、凸部３８Ｃにおける光の進行状態は、図５（ｂ）に符号Ｌ２
で示した場合と同じであるので、説明は省略する。
【００９７】
本実施形態の液晶装置においても、図１０において、画素間領域Ｓ内であって、遮光膜
４２（図１参照）に対向する位置に設けられた複数の凸部３８Ｃにより、照明装置３（図
１参照）から出射されて画素間領域Ｓ内の凹凸樹脂膜２３を透過する光Ｌ２を、カラーフ
ィルタ基板８の遮光膜４２に向けて集光できる。その結果、照明装置３から出射されて画
素間領域Ｓ内に入射した光が隣接するサブ画素Ｄの領域内に漏れ出ることを防止できるの
で、液晶装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。また、凸部３８Ｃは、
光Ｌ２を狭い範囲内に集光できるので、遮光膜４２の幅を狭く形成できる。これにより、
図１の液晶パネル２の開口率を高くすることができる。
【００９８】
（液晶装置の第６実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態について説明する。本実施形態では
、図６（ａ）の集光手段である凸部３８Ｂに代えて異なる形状の集光手段が用いられてい
る。図１１は、本実施形態に係る液晶装置の素子基板７における集光手段近傍を示してい
る。本実施形態において、集光手段である凸部３８Ｄは、画素間領域Ｓ内に島状に複数個
設けられている。そして、それら複数の凸部３８Ｄが画素間領域Ｓに沿って並べられてい
る。それらの凸部３８Ｄ同士は、間隔を空けることなく、互いに接触して並べられている
。なお、適宜の数の凸部３８Ｄを連続させてグループを形成し、各グループ間に間隔を設
けても良い。
【００９９】
個々の凸部３８Ｄは、角錐形状に形成されている。具体的には、底面が四角形の角錐が
凹凸樹脂膜２３の表面に突出した形状（すなわち、島状）に形成されている。凸部３８Ｄ
は、上記の各実施形態と同じく、凹凸樹脂膜２３と同じ材料を用いて同時に形成できる。
【０１００】
個々の凸部３８Ｄは、図１１のＺ９−Ｚ９線に従った断面形状が三角形状を有しており
、その断面形状は図６（ｂ）に示した第２実施形態と同じである。また、凸部３８Ｄの光
屈折率ｎ１と液晶層１２の光屈折率ｎ２とは、図６（ｂ）に示した第２実施形態における
関係と同じである。すなわち、
ｎ１＞ｎ２
となっている。この場合の、凸部３８Ｄにおける光の進行状態は、図６（ｂ）に符号Ｌ２
で示した場合と同じであるので、説明は省略する。
【０１０１】
本実施形態の液晶装置においても、図１１において、画素間領域Ｓ内であって、遮光膜
４２（図１参照）に対向する位置に設けられた複数の凸部３８Ｄにより、照明装置３（図
１参照）から出射されて画素間領域Ｓ内の凹凸樹脂膜２３を透過する光Ｌ２を、カラーフ
ィルタ基板８の遮光膜４２に向けて集光できる。その結果、照明装置３から出射されて画
素間領域Ｓ内に入射した光が隣接するサブ画素Ｄの領域内に漏れ出ることを防止できるの
で、液晶装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。また、凸部３８Ｄは、
光Ｌ２を狭い範囲内に集光できるので、遮光膜４２の幅を狭く形成できる。これにより、
図１の液晶パネル２の開口率を高くすることができる。
【０１０２】
（液晶装置の第７実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態について説明する。本実施形態では
、図８（ａ）の集光手段である凹部３９Ａに代えて異なる形状の集光手段が用いられてい
る。図１２は、本実施形態に係る液晶装置の素子基板７における集光手段近傍を示してい
る。本実施形態において、集光手段である凹部３９Ｃは、画素間領域Ｓ内に複数個設けら
れている。そして、それら複数の凹部３９Ｃが画素間領域Ｓに沿って並べられている。そ
れらの凹部３９Ｃ同士は、間隔を空けることなく、互いに接触して並べられている。なお
、適宜の数の凹部３９Ｃを連続させてグループを形成し、各グループ間に間隔を設けても
良い。
【０１０３】
個々の凹部３９Ｃは、球の一部の形状に形成されている。具体的には、球の半分の形状
を有した窪みが凹凸樹脂膜２３の表面に形成されている。凹部３９Ｃは、凹凸樹脂膜２３
の表面を、例えばフォトリソグラフィ処理によって除去することにより形成できる。
【０１０４】
個々の凹部３９Ｃは、図１２のＺ１０−Ｚ１０線に従った断面形状が円の一部の形状を
有しており、その断面形状は図８（ｂ）に示した第３実施形態と同じである。また、凹部
３９Ｃの光屈折率ｎ１と液晶層１２の光屈折率ｎ２とは、図８（ｂ）に示した第３実施形
態における関係と同じである。すなわち、
ｎ１＜ｎ２
となっている。この場合の、凹部３９Ｃにおける光の進行状態は、図８（ｂ）に符号Ｌ２
で示した場合と同じであるので、説明は省略する。
【０１０５】
本実施形態の液晶装置においても、図１２において、画素間領域Ｓ内であって、遮光膜
４２（図１参照）に対向する位置に設けられた複数の凹部３９Ｃにより、照明装置３（図
１参照）から出射されて画素間領域Ｓ内の凹凸樹脂膜２３を透過する光Ｌ２を、カラーフ
ィルタ基板８の遮光膜４２に向けて集光できる。その結果、照明装置３から出射されて画
素間領域Ｓ内に入射した光が隣接するサブ画素Ｄの領域内に漏れ出ることを防止できるの
で、液晶装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。また、凹部３９Ｃは、
光Ｌ２を狭い範囲内に集光できるので、遮光膜４２の幅を狭く形成できる。これにより、
図１の液晶パネル２の開口率を高くすることができる。
【０１０６】
（液晶装置の第８実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態について説明する。本実施形態では
、図９（ａ）の集光手段である凹部３９Ｂに代えて異なる形状の集光手段が用いられてい
る。図１３は、本実施形態に係る液晶装置の素子基板７における集光手段近傍を示してい
る。本実施形態において、集光手段である凹部３９Ｄは、画素間領域Ｓ内に複数個設けら
れている。そして、それら複数の凹部３９Ｄが画素間領域Ｓに沿って並べられている。そ
れらの凹部３９Ｄ同士は、間隔を空けることなく、互いに接触して並べられている。なお
、適宜の数の凹部３９Ｄを連続させてグループを形成し、各グループ間に間隔を設けても
良い。
【０１０７】
個々の凹部３９Ｄは、角錐形状に形成されている。具体的には、開放面が四角形である
角錐の窪みが凹凸樹脂膜２３の表面に形成されている。凹部３９Ｄは、凹凸樹脂膜２３の
表面を、例えばフォトリソグラフィ処理によって除去することにより形成できる。
【０１０８】
個々の凹部３９Ｄは、図１３のＺ１１−Ｚ１１線に従った断面形状が三角形状を有して
おり、その断面形状は図９（ｂ）に示した第４実施形態と同じである。また、凹部３９Ｄ
の光屈折率ｎ１と液晶層１２の光屈折率ｎ２とは、図９（ｂ）に示した第４実施形態にお
ける関係と同じである。すなわち、
ｎ１＞ｎ２
となっている。この場合の、凹部３９Ｄにおける光の進行状態は、図９（ｂ）に符号Ｌ２
で示した場合と同じであるので、説明は省略する。
【０１０９】
本実施形態の液晶装置においても、図１３において、画素間領域Ｓ内であって、遮光膜
４２（図１参照）に対向する位置に設けられた複数の凹部３９Ｄにより、照明装置３（図
１参照）から出射されて画素間領域Ｓ内の凹凸樹脂膜２３を透過する光Ｌ２を、カラーフ
ィルタ基板８の遮光膜４２に向けて集光できる。その結果、照明装置３から出射されて画
素間領域Ｓ内に入射した光が隣接するサブ画素Ｄの領域内に漏れ出ることを防止できるの
で、液晶装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。また、凹部３９Ｄは、
光Ｌ２を狭い範囲内に集光できるので、遮光膜４２の幅を狭く形成できる。これにより、
図１の液晶パネル２の開口率を高くすることができる。
【０１１０】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定さ
れるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、集光手段として凹部又は凸部の断面形状が円の一部の
形状又は三角形状である場合を例示している。しかしながら、集光手段としての凹部又は
凸部は、図１の遮光膜４２に光を集光できれば、他の形状を用いることもできる。
【０１１１】
また、上記の各実施形態において、遮光膜４２は、図３に示すように、サブ画素Ｄを囲
む格子状に設けられる場合を例示している。そして、集光手段は格子状の遮光膜４２に対
向して格子状に設けられている。しかしながら、遮光膜４２は、互いに隣接するサブ画素
Ｄの間の領域（すなわち、画素間領域）Ｓの一部に設けるようにすることもできる。例え
ば、図１４に示すように、画素間領域Ｓ内であって、互いに隣接する透過表示領域Ｔ同士
の間には設けない構成としても良い。
【０１１２】
上記のように、遮光膜４２を画素間領域Ｓのうちの透過表示領域Ｔ同士の間には設けず
、反射表示領域Ｒ同士の間のみに設けるようにし、さらに、互いに隣接する反射表示領域
Ｒ同士の間に設けられた遮光膜４２に対向して集光手段である凸部３８又は凹部３９を設
ければ、反射表示領域Ｒ内においては、照明装置３（図１参照）から出射されて画素間領
域Ｓから透過する光を遮光することができる。その結果、反射型表示においてコントラス
トが低下することを防止できる。また、透過表示領域Ｔ内においては、遮光膜４２が設け
られていないので、透過表示領域Ｔの開口率を高くできる。その結果、透過型表示を明る
く鮮明に行うことができる。
【０１１３】
また、上記の各実施形態では、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子で
あるＴＦＴ素子であってチャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコン
ＴＦＴ素子を用いる液晶装置に本発明を適用した。しかしながら本発明は、他の構造のア
モルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶装置にも適用できる。また、本発明は、アモ
ルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、
低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方
式の液晶装置にも適用できる。
【０１１４】
また、本発明は、スイッチング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（
Thin Film Diode）素子を用いる液晶装置にも適用できる。
【０１１５】
また、上記の各実施形態では、ＥＣＢ方式の液晶モードを採用した液晶表示装置に本発
明を適用したものであるが、本発明は、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード
や、ＶＡ（Vertically Aligned：垂直配向）モード等の液晶モードを採用した液晶表示装
置にも適用できる。
【０１１６】
（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一
例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１１７】
図１５は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、
液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。制御回路１０２は、表示
情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレー
タ１０８によって構成される。そして、液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路
１０４を有する。
【０１１８】
表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種デ
ィスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等
を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて
、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する
。
【０１１９】
次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ
補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を
実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆
動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したもの
である。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１２０】
液晶装置１０１は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。液晶装置１
は、互いに隣接するサブ画素Ｄ間の領域内であって遮光膜４２に対向する領域の凹凸樹脂
膜２３に凸部３８Ａを設けたことにより、この凸部３８Ａを通過する光Ｌ２を対向する遮
光膜４２に向けて集光できる。その結果、遮光膜４２が設けられた領域からそれ以外の領
域、例えばサブ画素Ｄ内への不要な光漏れを防止し、液晶装置１の表示のコントラスト低
下を防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、電子機器の表示部における
表示のコントラスト低下を防止できる。
【０１２１】
（電子機器の第２実施形態）
図１６は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、開閉可能に設けられた表示体部１１２とを
有する。液晶装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体
部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２の表示画面１
１４によって視認でき、本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【０１２２】
表示体部１１２の一端部には伸縮自在のアンテナ１１６が取付けられている。表示体部
１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。
また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内
蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制
御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１
２の内部に格納される。
【０１２３】
表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。液晶装置１
は、互いに隣接するサブ画素Ｄ間の領域内であって遮光膜４２に対向する領域の凹凸樹脂
膜２３に凸部３８Ａを設けたことにより、この凸部３８Ａを通過する光Ｌ２を対向する遮
光膜４２に向けて集光できる。その結果、遮光膜４２が設けられた領域からそれ以外の領
域、例えばサブ画素Ｄ内への不要な光漏れを防止し、液晶装置１の表示のコントラスト低
下を防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、電子機器の表示部における
表示のコントラスト低下を防止できる。
【０１２４】
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュ
ータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す側面断面図である。
【図２】図１の矢印Ｚ１で示す部分の拡大断面図である。
【図３】図２の矢印Ａに従い素子基板上の１つのサブ画素及びその周辺の平面構造を示す平面図である。
【図４】図３のＺ２−Ｚ２線に従う断面図である。
【図５】図４の凸部を拡大して示しており、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った断面図である。
【図６】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の要部を示しており、（ａ）は凸部を拡大して示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従った断面図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図８】図７の凹部を拡大して示しており、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ６−Ｚ６線に従った断面図である。
【図９】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示しており、（ａ）は凹部を拡大して示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ７−Ｚ７線に従った断面図である。
【図１０】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１．液晶装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ６．シール材、  ７．素子基板、
７ａ．第１透光性基板（第１基板）、  ８．カラーフィルタ基板、
８ａ．第２透光性基板（第２基板）、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  
１４．導光体、  １４ａ．光入射面、  １４ｂ．光出射面、  １６．光反射層、
１７．光拡散層、  １８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．ソース線、  ２０．ゲート線、
２１．ＴＦＴ素子、  ２２．保護膜、  ２３．凹凸樹脂膜（絶縁膜）、  
２４．光反射膜、  ２５．画素電極、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、  
２７．コンタクトホール、  ３１．ゲート電極、  ３１ａ．第１電極、  
３２．ゲート絶縁膜、  ３２ａ．絶縁膜、  ３３．半導体膜、  
３４ａ，３４ｂ．Ｎ＋−Ｓｉ膜、  ３５．ソース電極、  ３６．ドレイン電極、
３６ａ．第２電極、  ３７．補助容量、  
３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ，３８Ｄ．凸部（集光手段）、
３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ，３９Ｄ．凹部（集光手段）、  ４１．着色膜、  
４２．遮光膜、  ４３．オーバーコート膜、  ４４．共通電極、  ４５．張出し部、
４６．配線、  ４７．外部接続用端子、  ４９．ＡＣＦ、  ５０．駆動用ＩＣ、  
１０１．液晶表示装置（液晶装置）、  １０２．制御回路、  １０３．液晶パネル、  
１０４．駆動回路、  １１０．携帯電話機（電子機器）、  Ｄ．サブ画素、  
Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２．光、  ｎ１，ｎ２．光屈折率、  
Ｒ．反射表示領域、Ｔ．透過表示領域、Ｖ．有効表示領域
【図１】
2007304351.tif 000003
【図２】
2007304351.tif 000004
【図３】
2007304351.tif 000005
【図４】
2007304351.tif 000006
【図５】
2007304351.tif 000007
【図６】
2007304351.tif 000008
【図７】
2007304351.tif 000009
【図８】
2007304351.tif 000010
【図９】
2007304351.tif 000011
【図１０】
2007304351.tif 000012
【図１１】
2007304351.tif 000013
【図１２】
2007304351.tif 000014
【図１３】
2007304351.tif 000015
【図１４】
2007304351.tif 000016
【図１５】
2007304351.tif 000017
【図１６】
2007304351.tif 000018