(57)【要約】【課題】集積回路デバイスと他の部品との間で高周波信号及び低周波信号をルーティングする。【解決手段】パッケージ（５）は、パッケージ（５）の第一の層を形成し、その上に一群の厚膜相互接続（３０）を有する厚膜基板（１５）であって、厚膜相互接続（３０）の少なくとも一部が、ｉ）集積回路（１０）との電気接続用に配置された第一の端部、及びｉｉ）他レベルの相互接続との電気接続用に配置された第二の端部を有する厚膜基板（１５）と、パッケージ（５）の第二の層を形成し、その上に一群のプリント回路相互接続（６０）を有するプリント回路基板（４５）であって、プリント回路相互接続（６０）の少なくとも一部が、ｉ）集積回路（１０）との電気接続用に配置された第一の端部、及びｉｉ）他レベルの相互接続との電気接続用に配置された第二の端部を有するプリント回路基板（４５）と、備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路から信号をルーティングする為のパッケージにおいて、
前記パッケージの第一の層を形成し、その上に一群の厚膜相互接続を有する厚膜基板であって、前記厚膜相互接続の少なくとも一部が、ｉ）前記集積回路との電気接続用に配置された第一の端部、及びｉｉ）他レベルの相互接続との電気接続用に配置された第二の端部を有する、前記厚膜基板と、
前記パッケージの第二の層を形成し、その上に一群のプリント回路相互接続を有するプリント回路基板であって、前記プリント回路相互接続の少なくとも一部が、ｉ）前記集積回路との電気接続用に配置された第一の端部、及びｉｉ）他レベルの相互接続との電気接続用に配置された第二の端部を有する、前記プリント回路基板と、
を備えたことを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
前記厚膜基板の第一の面と前記プリント回路基板の第一の面とを接着する接着剤を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記接着剤が誘電体特性を持つものであることを特徴とする請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記厚膜相互接続の一部分と前記プリント回路相互接続の一部分が相互に電気接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載のパッケージ。
【請求項５】
前記厚膜相互接続の少なくとも一部の前記第一の端部が、前記集積回路の受容領域を画定する前記厚膜基板の部分に隣接配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一つに記載のパッケージ。
【請求項６】
前記厚膜相互接続の少なくとも一部の前記第二の端部が、前記厚膜基板の外側部分に近接配置されていることを特徴とする請求項５に記載のパッケージ。
【請求項７】
前記集積回路と、
前記集積回路及び前記厚膜相互接続間で高周波信号をルーティングするように構成された第一のワイヤボンド群と、
前記集積回路及び前記プリント回路相互接続間で低周波信号をルーティングするように構成された第二のワイヤボンド群と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか一つに記載のパッケージ。
【請求項８】
前記厚膜基板がセラミック基板であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一つに記載のパッケージ。
【請求項９】
前記厚膜相互接続の少なくとも一部の前記第二の端部と電気接続された第一のコネクタ群と、
前記プリント回路相互接続の少なくとも一部の前記第二の端部と電気接続された第二のコネクタ群と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１から８のいずれか一つに記載のパッケージ。
【請求項１０】
集積回路デバイス及び他の部品間で高周波信号及び低周波信号をルーティングする為の方法であって、
相互に接着された圧膜基板及びプリント回路基板を有するパッケージを設けることと、
前記集積回路デバイスの高周波信号をルーティングするように構成された部分と、前記厚膜基板上に配置された一群の厚膜相互接続とを相互に電気接続させるように取り付けることと、
前記集積回路デバイスの低周波信号をルーティングするように構成された部分と、前記プリント回路基板の一群のプリント回路基板相互接続とを相互に電気接続させるように取り付けることと、
前記他の部品の高周波信号をルーティングするように構成された部分と、前記厚膜基板上に配置された前記厚膜相互接続とを相互に電気接続させるように取り付けることと、
前記他の部品の低周波信号をルーティングするように構成された部分と、前記プリント回路基板の前記プリント回路相互接続とを電気接続させるように取り付けることと、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
一般に厚膜相互接続を有するセラミック基板は、特にＫＱ材料技術と併せて利用した場合、無線周波数（ＲＦ）範囲にある信号等の高周波信号の伝送に有利である。厚膜相互接続の現在の欠点の一つは、単位面積あたりの厚膜材料のコストが高いという点である。
【０００２】
プリント回路相互接続を持つプリント回路基板は一般に、ＫＱ材料相互接続を含む厚膜基板よりも単位面積あたりのコストが安い。しかしながら、プリント回路相互接続の構造は通常、直流（ＤＣ）に近い信号等の低周波信号にしか適しているとは言えない。一部の特殊な基板は比較的高い周波数を伝送することができるが、これらの基板は非有機基板よりも低い周波数しか伝送しないのである。
【０００３】
殆どの超小型回路パッケージデザインでは、高周波及び低周波両方の電気信号の伝送が必要となる。しかしながら、特定のデザインが高周波信号を要する場合、低周波信号もまた、厚膜回路を通じて伝送されることになる。この構成では低周波（例えばＤＣ信号）用の厚膜相互接続が必要となり、これはパッケージコストを増大させることになる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施例においては、集積回路から信号をルーティングする為のパッケージが提供されるものであり、このパッケージは、その第一の層を形成する厚膜基板を備え、該厚膜基板は一群の厚膜相互接続をその上に有し、その厚膜相互接続の少なくとも一部が、ｉ）集積回路との電気接続用に配置された第一の端部と、ｉｉ）他レベルの相互接続との電気接続用に配置された第二の端部とを有しており、そしてプリント回路基板が該パッケージの第二の層を形成しており、このプリント回路基板がその上に一群のプリント回路相互接続を有しており、そのプリント回路相互接続の少なくとも一部が、ｉ）集積回路との電気接続用に配置された第一の端部と、ｉｉ）他レベルの相互接続との電気接続用に配置された第二の端部とを有している。
【０００５】
他の実施例においては、集積回路から信号をルーティングする為のシステムが提供されるものであり、このシステムは、他の部品と電気接続されるように構成され、これにより高周波信号及び低周波信号をそれらとの間で伝送するようになっている集積回路と、集積回路から信号をルーティングする為のパッケージであって、その第一の層を形成する厚膜基板を含み、一群の厚膜相互接続をその上に有する該厚膜基板は、その厚膜相互接続の少なくとも一部が、ｉ）集積回路との電気接続用に配置された第一の端部と、ｉｉ）他レベルの相互接続との電気接続用に配置された第二の端部とを有し、そして該パッケージの第二の層を形成するプリント回路基板は、その上に一群のプリント回路相互接続を有しており、そのプリント回路相互接続の少なくとも一部が、ｉ）集積回路との電気接続用に配置された第一の端部と、ｉｉ）他レベルの相互接続との電気接続用に配置された第二の端部とを有し、そして第一のコネクタ群及び第二のコネクタ群とを備えており、該第一のコネクタ群が厚膜相互接続及び集積回路と電気接続しており、該第二のコネクタ群がプリント回路基板相互接続及び集積回路と電気接続している。
【０００６】
他の実施例においては、集積回路デバイス及び他の部品間に高周波信号及び低周波信号をルーティングする為の方法が提供されるものであり、該方法は、相互に接着された厚膜基板及びプリント回路基板を有するパッケージを設けることと、集積回路デバイスの高周波信号をルーティングするように構成された部分と、厚膜基板上に配置された一群の厚膜相互接続とを、相互に電気接続するように取り付けることと、集積回路デバイスの低周波信号をルーティングするように構成された部分と、プリント回路基板の一群のプリント回路相互接続とを、相互に電気接続するように取り付けることと、他の部品の高周波信号をルーティングするように構成された部分と、厚膜基板上に配置された厚膜相互接続とを、相互に電気接続するように取り付けることと、そして他の部品の低周波信号をルーティングするように構成された部分と、プリント回路基板のプリント回路相互接続とを、相互に電気接続するように取り付けることとを含む。
【０００７】
他の実施例も同様に開示される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明を説明する実施例を図に示した。
【０００９】
一実施例においては、相互接続の他レベルへと送られる高周波信号及び低周波信号用にパッケージ５（図１）が提供される。例えば、無線周波数（ＲＦ）信号が高周波信号の一タイプであり、直流（ＤＣ）信号が低周波信号の一タイプである。これらの高周波信号及び低周波信号は、パッケージ５を通じて集積回路デバイス１０から他の部品へとルーティングされる。
【００１０】
図１〜図５を参照すると、集積回路デバイス１０と他の部品との間で高周波信号及び低周波信号をルーティングする為のパッケージ５が描かれている。厚膜基板１５はパッケージ５の第一の層を形成している。厚膜基板１５としては、セラミック材料、ガラス材料、又は誘電体材料でコーティングされた金属が含まれるが、これらに限らない。以下の説明においては、便宜上、厚膜基板は厚膜セラミック基板とする。厚膜基板１５は相互に反対を向く第一の面２０と第二の面２５を持っている。一群の厚膜相互接続３０が厚膜基板１５の第一の面２０上に配置されている。厚膜相互接続３０の各々は、第一の端部３５及び第二の端部４０を持っている。各厚膜相互接続３０の第一の端部３５は、集積回路デバイス１０との電気接続用に構成されている。各厚膜相互接続３０の第二の端部４０は、集積回路デバイス１０から離れて位置する他レベルの相互接続との電気接続用に構成されている。一実施例においては、厚膜相互接続３０は、高周波信号を集積回路デバイス１０と他の部品との間で伝送するように構成されている。オプションとして、高周波信号及び低周波信号の両方が厚膜相互接続３０を介して伝送されるようになっていても良い。しかしながら、一実施例においては、少なくとも一部の低周波信号が厚膜相互接続３０を介して伝送されないようになっており、その分、厚膜相互接続３０を形成する為に用いられる材料の量が低減される。
【００１１】
プリント回路基板４５は超小型回路パッケージ５の第二の層を形成する。プリント回路基板４５は第一の面５０及び第二の面５５を持つ。一群のプリント回路相互接続６０は、プリント回路基板４５の第一の面５０上に配置される。プリント回路相互接続６０の各々は、第一の端部６５及び第二の端部７０を持っている。プリント回路相互接続６０の各々の第一の端部６５は、集積回路デバイス１０との電気接続用に構成されている。プリント回路相互接続６０の各々の第二の端部７０は、集積回路デバイス１０から離れて位置する他レベルの相互接続との電気接続用に構成されている。プリント回路相互接続６０は、集積回路デバイス１０及び他の部品間で低周波信号を伝送するように構成されているものである。
【００１２】
一実施例においては、パッケージ５は、厚膜基板１５の第一の面２０とプリント回路基板４５の第二の面５５とを相互に向き合うように配置することにより構成されている。接着剤７５が厚膜基板１５の第一の面２０とプリント回路基板４５の第二の面とを互いに接着させている。接着剤７５は誘電体材料とすることが出来る。
【００１３】
一実施例においては、厚膜相互接続３０及びプリント回路相互接続６０の一部は、相互に電気的に接続されるように配置されている。プリント回路基板４５及び厚膜基板１５間の接着層７５は、プリント回路基板４５の相互接続６０と厚膜基板１５の相互接続３０との間に導電性の接続領域を設けるようにパターニングすることが出来る。
【００１４】
図３〜図５及び図６Ｂを見ると、一実施例においては厚膜相互接続３０の第一の端部３５が厚膜基板１５の中心部分８０に隣接して配置されている。厚膜相互接続６０の第一の端部３５は、それらの中に開口８５を形成している。開口８５はそこに集積回路デバイス１０を受容するように所定面積の大きさを持っているものであるが、他の実施例においては集積回路デバイス１０を厚膜基板１５上に直接的に取り付けることが出来る為、開口８５は必要とされない。プリント回路基板４５はその中に開口９０を持っている。プリント回路基板４５の開口９０は、それを通して集積回路デバイス１０を受容するように所定面積の大きさを持っている。厚膜相互接続３０の第二の端部３５は厚膜基板１５の外側部分９５に隣接して配置されている。プリント回路基板４５の開口９０は厚膜相互接続３０の第一の端部３５間に形成された開口８５よりも大きい幅を持っている。一実施例においては、厚膜相互接続３０中の集積回路１０用の開口８５の各々は、プリント回路基板４５の開口９０よりも小さい。この構成により、雛壇様の構造が集積回路デバイス１０の周囲に形成されるのである。
【００１５】
図５を参照すると、一実施例においては、第一のワイヤボンド群１００は集積回路デバイス１０と厚膜相互接続３０との間で高周波信号を伝送するように構成されている。第二のワイヤボンド群１０５は集積回路デバイス１０とプリント回路相互接続６０との間で低周波信号を伝送するように構成されている。この構成においては、厚膜相互接続３０へと固定されている第一のワイヤボンド群１００の各々は、プリント回路相互接続６０へと固定された第二のワイヤボンド群１０５よりも、集積回路デバイス１０から離れて配置されている。一実施例においては、第一のワイヤボンド群１００及び第二のワイヤボンド群１０５の一方又は両方が、単一のワイヤボンドを含むものであっても良い。
【００１６】
一実施例においては、厚膜相互接続３０は、それを通じて高周波信号が伝送されるように、集積回路デバイス１０の第一の部位群と電気接続されている。プリント回路相互接続６０は、それを通じて高周波信号が伝送されるように、集積回路デバイス１０の第二の部位群と電気接続されている。
【００１７】
次に図６Ａ、図６Ｂ、図７及び図８を見るが、これらには第一のコネクタ群１１０及び第二のコネクタ群１１５が示されている。第一のコネクタ群１１０は厚膜相互接続３０の第二の端部４０と電気接続されており、第二のコネクタ群１はプリント回路相互接続６０の第二の端部７０と電気接続されている。
【００１８】
図６Ａ及び図６Ｂにおいては、パッケージ５から一群の厚膜相互接続３０に対して垂直に伸びる一群のＲＦコネクタ１２０が示されており、これらのＲＦコネクタ１２０は第一のコネクタ群１１０として設けられたものである。
【００１９】
図７及び図８においては、パッケージ５から一群の厚膜相互接続３０に対して平行に伸びている一群のＲＦコネクタ１２５が示されており、これらのＲＦコネクタ１２５は第一のコネクタ群１１０として設けられたものである。
【００２０】
図７においては、プリント回路基板４５の両側に表面実装コネクタ１３０が示されている。一実施例においては、表面実装コネクタ１３０は第二のコネクタ群１１５として設けられている。平らなリッド１３２を設けることにより、プリント回路基板４５の開口９０中に配置された集積回路デバイス１０を覆うことが出来る。
【００２１】
図６Ｂにおいては、第二のコネクタ群１１５として設けられたボールグリッドアレイ１３５が示されている。
【００２２】
図８においては、プリント回路基板４５の開口９０中に配置された集積回路デバイス１０を覆う平らなリッド１３２に隣接させてボールグリッドアレイ（図示せず）を設けても良い。
【００２３】
一般に、ＲＦコネクタ１２０又は１２５のサイズを適正に選択することにより厚膜基板１５のサイズを最小化することが出来る。換言すると、小さなコネクタ１２０又は１２５とすることで、より小さい厚膜基板１５を使うことが可能となるのである。
【００２４】
パッケージ５は、基部パッケージ／ヒートスプレッダの上に作ることが出来る。しかしながら、パッケージ５は厚膜基板１５及びプリント回路基板４５のみを含むものとすることも可能である。
【００２５】
一実施例においては、集積回路デバイス１０と他の部品との間で高周波信号及び低周波信号をルーティングする為の方法が提供される。一般に方法は、厚膜基板１５及びプリント回路基板４５を相互に接着させたパッケージ５を設けることを含む。集積回路デバイス１０の高周波信号をルーティングするように構成された部分と厚膜基板１５の上に配置された厚膜相互接続３０が相互に電気的に接続するように取り付けられる。集積回路デバイス１０の低周波信号をルーティングするように構成された部分とプリント回路基板４５のプリント回路相互接続６０が相互に電気的に接続するように取り付けられる。他の部品の高周波信号をルーティングするように構成された部分と厚膜基板１５上に配置された厚膜相互接続３０が相互に電気的に接続するように取り付けられる。他の部品の高周波信号をルーティングするように構成された部分とプリント回路基板４５のプリント回路相互接続６０が相互に電気的に接続するように取り付けられる。
【００２６】
本願に記載のパッケージを用いて実現出来る利点の一部には、厚膜相互接続３０の面積の低減による厚膜基板１５のコスト削減、より小型でシンプルなパッケージによるパッケージ５のコスト削減、及び厚膜基板３０の利用と共にプリント回路基板４５の多層構造によるより大きいルーティング密度が含まれるが、これらに限らない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】パッケージ基板上に取り付けられた一群の厚膜相互接続を描いた図である。
【図２】図１に示したパッケージの基部の中央開口中に集積回路デバイス（ＩＣ）を取り付けたところを描いた図であり、集積回路デバイスはパッケージ基板上に実装された圧膜相互接続間に配置されている。
【図３】図１のパッケージ基板と接続したプリント回路基板（ＰＣボード）を含むパッケージアセンブリを描いた図であり、パッケージ基板及びプリント回路基板は接着剤により相互に接着されている。
【図４】パッケージ基板及びプリント回路基板を相互に接着している接着剤層を描いた図である。
【図５】図３に示した超小型回路パッケージの一部分を示す図であり、集積回路デバイスは、高周波ワイヤボンドにより厚膜相互接続と、そして低周波ワイヤボンドによりプリント回路相互接続と電気接続されている。
【図６Ａ】パッケージから、基板の一群の厚膜相互接続に対して垂直に伸び、これらと電気的に接続する一群のＲＦコネクタを有する超小型回路パッケージを描いた図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示したパッケージの反対側を描いた図であり、プリント回路基板のプリント回路相互接続から伸び、これと電気接続するボールグリッドアレイが描かれている。
【図７】パッケージから、基板の一群の厚膜相互接続に対して平行に伸び、これに電気接続し、そして機械加工されたパッケージ基部と接続する一群の高周波ＲＦコネクタと、そしてプリント回路基板のプリント回路相互接続と電気接続する一対の低周波表面実装コネクタデバイスと、そしてプリント回路基板の開口中に配置された集積回路デバイスを覆う平らな蓋とを含むパッケージを描いた図である。
【図８】厚膜基板の厚膜相互接続と電気接続し、単純なパッケージ基部と接続した高周波のエッジラウンチＲＦコネクタと、そしてプリント回路基板の開口中に配置された集積回路デバイスを覆う平らな蓋とを持ったパッケージを描いた図である。
【符号の説明】
【００２８】
５：パッケージ
１０：集積回路デバイス（集積回路）
１５：厚膜基板
２０：厚膜基板の第一の面
３０：厚膜相互接続
３５：厚膜相互接続の第一の端部
４０：厚膜相互接続の第二の端部
４５：プリント回路基板
５０：プリント回路基板の第一の面
６０：プリント回路基板相互接続
６５：プリント回路基板相互接続の第一の端部
７０：プリント回路基板相互接続の第二の端部
７５：接着剤
８０：厚膜基板の中心部分
８５：集積回路受容領域
９０：プリント回路基板の開口
１００：第一のワイヤボンド群
１０５：第二のワイヤボンド群
１１０：第一のコネクタ群
１１５：第二のコネクタ群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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