(57)【要約】【課題】  配線基板や実装部品との接合部を形成する際に、半導体製造技術においてはリフロー等の熱処理又は加熱されるため、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）等の耐熱性の低い実装部品の場合には、上手く接合出来ない。【解決手段】  本発明は、配線基板１と実装部品３の配線導体５，１１間を電気的に接続するための接合部２がメッキ処理により析出された金属により形成される接合構造体である。この接合部２は、配線導体５及び／又は配線導体１１に形成されたバンプの先端部を近接又は当接させて保持し、電解メッキ液１７内で通電させることにより、電解メッキ金属を析出させて形成される。【選択図】    図１
2007036022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された少なくとも２つの部材上にそれぞれ形成された第１，２の導体部が電気的に接合された接合構造体であって、
前記第１の導体部上に所望する高さを有する少なくとも１つのバンプが形成された第１の部材と、
前記第１の部材と対向配置され、前記バンプの先端部が当接する第２の部材と、
当接する前記バンプの周囲を含み前記第１の部材の導体部と第２の部材の導体部を接続するメッキ金属により形成された接合部と、
で構成されることを特徴とする接合構造体。
【請求項２】
対向配置された少なくとも２つの部材上にそれぞれ形成された第１，２の導体部が電気的に接合された接合構造体であって、
前記第１の導体部上に所望する第１の高さを有する少なくとも１つの第１のバンプが形成された第１の部材と、
前記第２の導体部上に所望する第２の高さを有する少なくとも１つの第２のバンプが形成された第２の部材と、
前記対向配置により前記第１のバンプの先端部と前記第２のバンプの先端部を当接させた状態で、該第１，２のバンプの周囲を含み前記第１の導体部と第２の導体部を電気的に接続するメッキ金属により形成された接合部と、
で構成されることを特徴とする接合構造体。
【請求項３】
前記対向配置により前記第１のバンプの先端部と前記第２のバンプの先端部同士が近接した状態で、該第１，２のバンプの先端部間及び周囲を含み前記第１の導体部と第２の導体部を電気的に接続するメッキ金属により形成された接合部と、
で構成されることを特徴とする請求項２に記載の接合構造体。
【請求項４】
前記対向配置により前記第１のバンプの先端部が前記前記第２の導体部に当接し、前記第２のバンプの先端部が前記第１の導体部に当接させた状態で、該第１，２のバンプの周囲を含み前記第１の導体部と第２の導体部を電気的に接続するメッキ金属により形成された接合部と、
で構成されることを特徴とする請求項２に記載の接合構造体。
【請求項５】
前記対向配置により前記第１のバンプの側面と前記前記２のバンプの側面とが当接又は近接させた状態で、該第１，２のバンプの周囲を含み前記第１の導体部と第２の導体部を電気的に接続するメッキ金属により形成された接合部と、
で構成されることを特徴とする請求項２に記載の接合構造体。
【請求項６】
前記第１，２の導体部が電気的に接合されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の接合構造体。
【請求項７】
少なくとも２つの部材の導体部が接合された接合構造体の製造方法であって、
少なくとも１つのバンプを第１の部材の前記導体部上に形成する工程と、
前記  バンプの先端部が第２の部材の前記導体部に当接するように対向させた位置を決める工程と、
メッキ液に浸漬され、析出するメッキ金属で前記第１の部材の前記導体部と前記第2の部材の前記導体部とが前記バンプを介して接合する接合部が形成されるメッキ処理工程と、
を含むことを特徴とする接合構造体の製造方法。
【請求項８】
少なくとも１つの第１のバンプを第１の部材の前記導体部上に形成する工程と、
少なくとも１つの第２のバンプを第２の部材の前記導体部上に形成する工程と、
前記第１のバンプと、前記第２のバンプとが当接する又は所定の間隔を隔てて対向するように貼り合せ位置を決める工程と、
メッキ液に浸漬され、析出するメッキ金属で前記第１の部材の前記導体部と前記第２の部材の前記導体部とが、前記第１，第２のバンプを含んで接合する接合部が形成されるメッキ処理工程と、
を含むことを特徴とする接合構造体の製造方法。
【請求項９】
前記メッキ処理工程におけるメッキ処理は、電解メッキ処理であることを特徴とする請求項７又は８に記載の接合構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記メッキ処理工程におけるメッキ処理は、無電解メッキ処理であることを特徴とする請求項７又は８に記載の接合構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記接合構造体の製造方法において、
前記第１の部材の導体部と第２の部材の導体部とを電気的に接合することを特徴とする
請求項７又は８に記載の接合構造体の製造方法。
【請求項１２】
前記バンプを前記第１の部材の前記導体部上に形成する工程において、
前記導体部の一部が開口して露出するように選択的に表面保護膜が形成され、前記バンプは該導体部の一部上にメッキ処理により析出された金属により形成されることを特徴とする請求項７又は８に記載の接合構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記メッキ処理工程において、
前記メッキ液内に浸漬してから電解メッキ用の電流を印加しない所定の待機時間を設けてメッキ金属が形成されるべき前記第１、第２の部材の各導体部と前記バンプの表面を露呈させた後に電流の印加を開始することを特徴とする請求項９に記載の接合構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記接合構造体の製造方法において、
前記メッキ処理の後に前記第１，第２の部材の少なくとも一方を裁断する工程を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の接合構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路部品を実装する基板と配線基板との接合構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、高密度実装を実現するものとして、種々の接続技術が提案されている。その中の１つとして、フリップチップ（ＦＣ）実装技術が提案されている。このＦＣ実装技術は、バンプを用いる接合構造であり、大別すると、はんだバンプを用いるものと、金メッキを用いるものと、スタッド金バンプを用いるものとに別れる。はんだバンプを用いる実装は、はんだペーストの供給又は、フラックス塗布を行った後、ハンダリフローにより接続が行われる。また、金バンプによる接続においては、ＡＦＣをパターンマッチングさせて介在し、熱と共に荷重をかけて実装を行っている。
【０００３】
また、スタッド金バンプは、金線にボールボンディング技術を用いて形成する。このスタッド金バンプにおける接続は、基板側のパターンに当接させて熱を加えると共に荷重を行っている。例えば、特許文献１においては、基板側に銅パターンをプラズマ処理により形成し、チップ側のスタッド金バンプの先端を銅パターンに押しつけると共に熱処理（２３０〜２７０℃）を施して、金と銅とを直接反応させて、接合を行う接合技術が開示されている。 
また、特許文献２には、回路基板上の基板電極と、半導体素子の突起電極とをメッキ法により形成された接続電極とで構成される半導体素子の実装構造が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−６０６０２公報
【特許文献２】特開平２−６６９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述したＦＣ実装技術の実装においては、共にリフローを始めとして、加熱処理が行われている。特許文献１に開示される技術においても、金バンプと銅パターンを当接させた後、２３０〜２７０℃の熱を加えた処理が行われている。従って、前述した様な温度による熱処理を含むため、これらの接合方法により微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical System）等の熱に弱い部品を基板上に実装することは困難である。
【０００５】
また特許文献２においては、２つの電気部品例えば、半導体素子と回路基板とを電気的に接合するような通常の実装ではなく、ＭＥＭＳの組み立て等で電気的接続に加えて、２つの部品間の間隔が比較的離れていた場合には、開示されるメッキ方法を適用することが困難であった。つまり、２つの部品間の間隔が離れていると、マイクロバンプから基板電極へ向けて析出させるメッキ量と、基板電極からマイクロバンプへ向けて析出させるメッキ量を多くしなければならない。これらが当接して接続するためには、２つの部品間の距離に制約があり、自由度の高い設計は出来なかった。
【０００６】
そこで本発明は、耐熱性を有していない部品に対して、比較的部品間距離を有している場合でも低温で電気的な接合を実現する接合構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記目的を達成するために、少なくとも２つの部材の導体部が接合された接合構造体であって、前記導体部上に少なくとも１つのバンプが形成された第１の部材と、前記第１の部材の先端部又は側面で当接する第２の部材と、前記第１の部材の導体部と第２の部材の通電する部分を電気的に接続する、前記バンプを含みメッキ金属により形成された接合部と、で構成される接合構造体を提供する。
【０００８】
さらに、少なくとも２つの部材の導体部が接合された接合構造体の製造方法であって、少なくとも１つのバンプを第１の部材の前記導体部上に形成する工程と、前記バンプと、第２の部材の前記導体部とが所定の間隔を隔てて対向するように貼り合せ位置を決める工程と、メッキ液に浸漬され、析出するメッキ金属で前記第１の部材の前記導体部と前記第2の部材の前記導体部とが前記バンプを介して接合する接合部が形成されるメッキ処理工程とを含む接合構造体の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、部品間の間隔が離れた２つの部品の電気的接続を実現し、且つ耐熱性を有していない部品を低温で接合する接合構造体及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。  
図１には、本発明の接合構造体に係る第１の実施形態の接合構造例の断面図を示し説明する。  
この接合構造体は、大別して、配線基板１と接合部２と実装部品３とで構成される。この実施形態における配線基板１は、基板４と、基板４上に配線パターンを形成する配線導体５と、配線導体５の一部を露出する開口部１４が設けられ、基板４の全体を覆うように設けられたレジスト膜６と、配線導体５上に設けられ配線導体１１に当接するバンプ７とで構成される。基板４としては、ガラス基板、エポキシ基板又は、主としてポリイミドと銅箔からなるフレキシブル基板等が好適する。実装部品３は、シリコン基板やガラス基板等に形成されている。
【００１１】
また実装部品３は、例えば、ＭＥＭＳやその駆動回路が形成されたチップである。実装部品３は、基体９と、基体９上に形成された絶縁膜１０と、絶縁膜１０上に配線パターンを形成する配線導体１１と、配線導体１１の一部を露出する開口部１５が設けられ、基板９の全体を覆うように設けられた絶縁膜１２と、さらに端部が配線導体１１に接し絶縁膜１２を覆うように形成される表面保護膜１３とで構成される。実装部品３においても公知な半導体製造技術により形成することができる。勿論、これらの構成は、一例であり限定されているものではない。  
接合部２は、メッキ処理により生成可能な導電体からなり、先端部が配線導体１１に当接するバンプ７の周囲に形成され、且つ配線導体１１も覆うように形成され、結果的に配線導体５と配線導体１１とを電気的に接続する。
【００１２】
次に、図２（ａ）乃至（ｃ）には、図１に示した接合構造体を作製するための工程を示して詳細に説明する。図２（ａ）は、実装部品製造工程における実装部品３の断面構造例を示す図であり、図２（ｂ）は、配線基板製造工程における配線基板１の断面構造例を示す図であり、図２（ｃ）は、接合部を形成するためのメッキ処理工程を示している。
【００１３】
図２（ａ）に示す実装部品製造工程において、実装部品３は、公知な技術で微小電気機械システムにより形成する。また、これらの他に半導体製造技術を用いてもよい。配線基板１においても、実装部品３と同様に公知な半導体製造技術を用いて、図２（ｂ）に示すような断面構造に形成することができる。また、配線導体５，１１に電解メッキ処理の際に電流を供給できるように、配線導体を延長するように給電用導体(図示せず)が形成されている。なお、配線導体５，１１の少なくとも一部が給電用導体となり得る場合には、給電用導体を形成する必要はない。さらに、配線導体５上に所定の高さｈのバンプ７を例えば、スタッドバンプ形成装置により形成する。この所定の高さｈとは、配線導体５と配線導体との電気的接続時の距離、即ち、配線基板１と実装部品３の部品間距離となる。部品間隔（高さｈ）は電気特性などの仕様又は設計条件に基づき定められる任意の長さである。
【００１４】
次に、図２（ｃ）に示すように、配線基板１と実装部品３の接合箇所が対向するように位置合わせを行い、バンプ７の先端を配線導体１１に当接させた状態で固定する。この固定の手法としては、配線基板１と実装部品３とを挟んだ状態を維持させるような治具（後述する第３実施形態における治具）を用いてもよい。この時、バンプ７の先端部は、配線導体１１に当接させて電気的に導通した状態でメッキ処理が行われるため、配線導体５又は配線導体１１のいずれか一方に電解メッキ処理用電流を導入させる給電用導体（不図示）を形成する。
【００１５】
この固定状態のまま、メッキ槽１８内で温度管理されている電解メッキ液１７中に浸漬させる。その後、図示しないメッキ用電源の電極から給電用導体に電流を印加して電解メッキ処理を行う。このメッキ処理により、配線導体１１にバンプ７の先端が当初から当接した状態であれば、メッキ処理開始からバンプ７と配線導体１１及び配線導体５の３箇所からメッキ金属が析出される。その結果、図１に示したようなバンプ７と配線導体５と配線導体１１が連結するように導電体を析出させたメッキ金属とバンプ７による接合部２が形成される。前述したメッキ液１７の好ましい管理温度は、例えば電解銅メッキ処理であれば、硫酸銅系のメッキ液１７を用いる場合には、メッキ液１７を２５℃程度に維持管理する。
【００１６】
以上説明したように、本実施形態によれば、バンプ７の高さを調整することにより、所望する部品間距離を実現でき、設計時の自由度が増し、且つ既に当接している状態で接続固定（接合）させるための金属を析出させているため、電気的接続の確実性を高くすることができる。
【００１７】
また、本実施形態では、配線基板１と実装部品３を電気的に接合する接合部２を常温下で処理可能なメッキ処理を用いて生成する。これにより、従来接続の際に必要であった熱処理が不要となり、加熱による実装部品３の不良化を防止することができる。さらに、電解メッキ処理においては、バンプ７の先端を配線導体１１に当接させた状態で実施するため、メッキ処理により析出させる金属量は少なくて済み、比較的短時間で電気的接続ができる。下地となる導電体に電流を印加されることにより、金属を析出させる領域を選択することが比較的容易である。さらに、本実施形態では、配線導体５と配線導体１１上にそれぞれ１つのバンプを形成した例を示しているが、これに限定されず、配線導体上に複数のバンプを形成してもよい。また接続する２つの配線導体上に同数のバンプを形成する必要はなく、異なる数のバンプを形成してもよい。
【００１８】
次に、図３（ａ），（ｂ）には、第２の実施形態を示し説明する。  
前述した第１の実施形態においては、配線基板１の配線導体５上にバンプ７のみを形成した例であったが、本実施形態は、実装部品３の配線導体１１上にもバンプ２１を形成し、バンプ７，２１のそれぞれの先端部を当接させた状態で接合部２を形成した構成である。
【００１９】
これらのバンプ７，２１の先端部を当接させた状態で固定し、図３（ｂ）に示すように、電解メッキ液１７中に浸漬させる。尚、このバンプ７とバンプ２１の各先端部を当接させて電気的に導通した状態でメッキ処理が行われるため、配線導体５又は配線導体１１のいずれか一方に電解メッキ処理用電流を導入させる給電用導体（不図示）を形成する。この当接状態で給電用導体に電流を印加して電解メッキ処理を行う。この電解メッキ処理において、電解メッキ液１７中に露出しているバンプ７，２１及び配線導体５，１１の箇所からメッキ金属が析出される。この電解メッキ処理により、図３（ｂ）に示すようなバンプ７，２１の周囲を包み込む接合部２２が形成される。
【００２０】
この第２の実施形態によれば、第１の実施形態の効果に加えて、実装部品やその他の接続条件により配線基板１と実装部品３との間隔が長くなる条件下であっても適正且つ、短時間に接続することができる。尚、本実施形態では、バンプ７及びバンプ２１は同じ大きさで同形状の例を示したがこれに限定されず、互いに先端部が面で当接する形状が好ましいが、大きさはいずれか一方が大きく、他方が小さくてもよい。さらに、本実施形態では、配線導体５と配線導体１１上にそれぞれ１つのバンプを形成した例を示しているが、これに限定されず、配線導体上に複数のバンプを形成してもよい。また接続する２つの配線導体上に同数のバンプを形成する必要はなく、異なる数のバンプを形成してもよい。以下に述べる変形例１乃至３に対してもバンプ数は同様に制限されない。
【００２１】
次に図４（ａ），（ｂ）には、第２の実施形態における変形例１を示し説明する。  
この変形例１は、前述した第２の実施形態と同様に、配線基板１と実装部品３にそれぞれ形成したバンプ７及びバンプ２１を形成する。図４（ａ）に示すように、これらのバンプ７及びバンプ２１の先端部どうしを近接させて間隔２３を開けた状態で保持させて電解メッキ液１７中に浸漬させる。この状態で給電用導体に電流を印加して電解メッキ処理を行う。尚、このバンプ７の先端部とバンプ２１の先端部は、間隔２３分の距離が離れて電気的に接続していないため、配線導体５と配線導体１１の双方に電解メッキ処理を行うための電流を導入させる給電用導体（不図示）を形成する。
【００２２】
この電解メッキ処理により、図４（ｂ）に示すように、バンプ７及びバンプ２１の周囲を含み、配線導体５と配線導体１１を電気的に接合する接合部２４が形成される。 
この変形例１によれば、第２の実施形態において、複数形成したバンプ７及びバンプ２１の先端部を当接させた場合に、製造誤差により当接せず、近接した状態のバンプが発生したとしても何ら問題なく、電気的に接合させることができる。
【００２３】
また、例えば、バンプが製造上の理由により設計に基づく必要な高さに満たない状態でしか形成できなかった場合においても、所望する接合部２４を形成することができ、配線基板１と実装部品３の間隔の調整が容易且つ一義的に実現できる。
【００２４】
図５（ａ），（ｂ）には、第２の実施形態における変形例２を示し説明する。  
この変形例２は、配線基板１と実装部品３を接続させる際に、配線導体５と配線導体１１とが対向せず横方向にずれた場合に、斜め方向に接合部を形成しなければならない状況に適用したものである。つまり、接続しなければならない配線導体５と配線導体１１を形成した際に、回路素子等の形成位置（実装位置）により対向するように配置できない構成であった場合、又はバンプの形成位置の精度により位置ずれが生じた場合に適用される。
【００２５】
この変形例２では、前述した第２の実施形態と同様に、配線導体５と配線導体１１にそれぞれバンプ７及びバンプ２１が形成される。図５（ａ）に示すように、バンプ７及びバンプ３１の側面どうしを当接させた状態で電解メッキ液１７中に浸漬し給電用導体に電流を印加する電解メッキ処理により接合部３１を形成する。
【００２６】
また、位置精度による原因で対向しなかった場合には、図５（ｂ）に示すように、バンプ７及びバンプ２１の互いの側面が当接せずに、隙間３２を開けて近接した状態となる可能性がある。この近接状態で保持させて電解メッキ処理を行い、接合部３１を形成する。
【００２７】
以上のように変形例２によれば、設計上の都合や製造時に発生した誤差による接合箇所の位置ずれに対して、導電体上に形成するバンプの側面を当接又は近接させて、メッキ処理を行うことにより、斜め方向であってもバンプ間を電気的に接続する接合部を形成することができる。従って、接続する電極及び接続用バンプが設計上又は製造時の形成精度により対向する位置に設けられない構成であっても容易に接合部を形成することができる。
【００２８】
次に図６（ａ）乃至（ｃ）には、第２の実施形態の変形例３を示し説明する。  
この変形例３では、配線導体５と配線導体１１にバンプ７及びバンプ２１を形成する。これらのバンプ７及びバンプ２１は、配線基板１と実装部品３が対向した際に先端部同士は当接せず、互いの先端部が対向する配線導体に当接するように設けられている。
【００２９】
図６（ａ）に示すようにバンプ７及びバンプ２１は、側面どうしが接触しない程度に近接し且つ、各バンプ先端部が対向する配線導体５と配線導体１１に当接した状態が保持される。この状態を保持させて、電解メッキ液１７中で電解メッキ処理を行い、配線導体５と配線導体１１を電気的に接続する接合部４１が形成される。  
この変形例３は、前述した第２の実施形態の効果に加えて、配線導体５と配線導体１１の接合する面積が広い場合、つまり接合部４１の接合断面が大きくなる場合などに適用できる。
【００３０】
図６（ｂ）は、接合するバンプに高さずれが生じた場合に適用される例である。変形例３において、バンプ７及びバンプ２１が製造上の都合や、形成精度により設計時よりも低い高さに形成され、いずれか一方のバンプの先端部が配線導体５又は配線導体１１に当接していない場合に適用される。このような状態は、設計上の都合により配線基板１と実装部品３に形成するバンプの高さが一律に異なっていた場合、又は製造上の都合や製造時の形成精度により、バンプの高さが一律ではなかった場合に発生する。このような当接しないバンプが発生しても本変形例３においては、メッキ処理により接合部が形成でき、適正に電気的な接続が実現できる。
【００３１】
これと同様に、図６（ｃ）は、変形例３において、バンプ７及びバンプ２１が共に対向する配線導体５と配線導体１１に当接していない場合に適用される例を示している。バンプ７及びバンプ２１は、共に図示しないバンプよりも高さが低く、対向させてもバンプ先端部が配線導体に当接しない状態となる。この状態で電解メッキ処理を行い、接合部６３を形成してもよい。
【００３２】
次に図７（ａ）乃至（ｃ）には、第２の実施形態の変形例４を示し説明する。  
この変形例４は、前述した変形例３と同様に、配線基板１と実装部品３のそれぞれの配線導体５と配線導体１１にバンプ７及びバンプ２１を形成する。
【００３３】
これらの配線基板１と実装部品３の接合部を形成させる際に、図７（ａ）に示すようにバンプ７及びバンプ２１は、各先端部が対向する配線導体５と配線導体１１に当接し、且つ側面どうしを接触させた状態に保持する。この状態を保持して、電解メッキ液１７中に浸漬させて、電解メッキ処理を行う。この電解メッキ処理により接合部５１が形成される。これと同様に、図７（ｂ）に示すようにバンプ７及びバンプ３１は、側面どうしを接触させて且つ、各先端部が対向する配線導体５と配線導体１１にそれぞれ当接しない状態に保持する。この状態で電解メッキ処理を行い、接合部５１を形成する。また、図７（ｃ）に示すように、バンプ７及びバンプ２１の何れか一方の先端部を対向する配線導体５又は配線導体１１に当接した状態で電解メッキ処理を行い、接合部５１を形成してもよい。
【００３４】
次に、第１の実施形態及び第２の実施形態及び各変形例１乃至４に係るメッキ前処理について説明する。  
図２（ｃ）及び図３（ａ）及び図４（ａ）における電解メッキ処理工程において、電解メッキ液１７中に固定した状態の配線基板１及び実装部品３を浸漬された後、直ちに給電用導体に電流を印加せずに所定の待機時間を設け、その待機時間経過後に電流の印加を開始するものである。つまり、電解メッキ処理のための電流を印加する前に、バンプ７，２１の表面、配線導体５，１１のメッキ領域の金属表面に生じている自然酸化膜などの酸化膜を電解メッキ液１７によって除去する。その除去後に、引き続いて電解メッキ処理が行われて接合部を形成する。このように電解メッキ処理面の表面に存在する酸化膜を除去することにより、接合部と配線導体とのコンタクト特性を向上させて、信号の減衰等を防止することができる。
【００３５】
従って、配線導体と接合部との間に酸化膜が存在する場合であっても、エッチング装置を別途用いなくとも容易に除去することができる。また、この酸化膜除去が電解エッチング液中で行われ、そのまま電解メッキ処理に移行するため、大気に触れることなく、即ち自然酸化膜を発生させずに接合部を形成することができる。
【００３６】
尚、前述した第１，２の実施形態及び変形例１乃至４においては、メッキ処理として電解メッキを例としていたが、これに代わって、無電解メッキであってもよい。無電解メッキを採用する場合には、メッキ液１７に浸漬するだけでメッキ処理できる作用効果がある。また、電解メッキの工程と無電解メッキの工程を組み合わせてもよい。
【００３７】
次に接合部７の形状における変形例について説明する。  
前述した第１，２の実施形態における接合部の例では、径や太さが一定の円柱形状又は角柱形状であったが、電気的な接続が行われていれば、形状には制限がない。例えば、図８（ａ）に示すように、接合部６１は、台形形状（断面）のバンプ７の先端部と配線導体１１とが対向するエリアがバンプ７の底部の径（面積）と同等であり、以外のバンプ７の側面と配線導体５，１１の露出面が表面を覆う程度の膜厚のメッキ金属が析出される状態でもよい。
【００３８】
また、図８（ｂ）に示すように、接合部６２は、台形形状（断面）のバンプ７の先端部が配線導体１１に当接した状態で、バンプ７の側面と配線導体５，１１の露出面が表面を覆う程度の膜厚のメッキ金属が析出される状態でもよい。さらに、図８（ｃ）に示すように、バンプ７の先端部と配線導体１１との対向するエリアのみに接合部６３が形成されてもよい。
【００３９】
このような接合部の形状であっても、第１，２の実施形態や変形例１乃至４で説明した接合部とは、接合強度に対しては若干低くなるが、同等の機能を有しており同様な効果を得ることができる。  
次に図９（ａ）乃至（ｅ）には、バンプの形状例を示して説明する。前述した第１の実施形態におけるバンプの例では、断面形状が台形の円柱又は角柱であったが、形状には制限がない。例えば、図９（ａ）に示すように、底面が上面より狭い逆台形形状のバンプ７１でもよい。また図９（ｂ）に示すように、径（又は面積）が一定で直線的な側面を持つ円柱又は角柱形状のバンプ７２でもよい。さらに、図９（ｃ）に示すような側面が凸曲面となる台形形状のバンプ７３でもよい。また、図９（ｄ）に示すように、中央部分に突起が設けられたバンプ７４もよい。
【００４０】
また、図９（ｅ）に示すように、何れか一方の配線導体、例えば配線導体１１上に複数、例えば、２つのバンプ７５ａ，７５ｂを形成してもよい。これらのバンプは、形成状況に応じて、適宜数を設定すればよい。
【００４１】
次に、図１０（ａ）乃至（ｃ）には、本発明の接合構造体に係る第３の実施形態の接合構造例の工程図を示し説明する。前述した第１，２の実施形態では、バンプ７をスタッドバンプ形成装置により形成した例について説明した。本実施形態では、電解メッキを用いて形成する例である。
【００４２】
図１０（ａ）の工程においては、前述した第１の実施形態と同様に、配線基板１を形成する。この配線基板１の配線導体５の一部を露出するように開口部９１が開口され、レジスト膜６を含め基板４の全体を覆うようにバンプ形成用レジスト膜９２がフォトリソグラフィ技術を用いて形成される。
【００４３】
図１０（ｂ）の工程においては、この配線基板１をメッキ槽１８内の電解メッキ液１７に浸漬させて、配線導体５に接続されるように形成されている給電用導体（図示せず）に電流を印加して電解メッキ処理を行う。この電解メッキ処理により、配線導体５に接続し開口部９１内を充填するようにバンプ９３が形成される。その後、図１０（ｃ）に示すように、バンプ形成用レジスト膜９２を除去する。
【００４４】
このようにメッキ処理で形成されたバンプ９３を用いて、前述した第１，２の実施形態及び変形例１乃至４によるメッキ処理により、接合部を形成する。
【００４５】
本実施形態によれば、複数の配線基板１に対して、バッチ処理でバンプ９３を形成することができる。従って、生産数や所有設備を考慮して製造方法の選択肢が多くなり、より安価・高効率で製造することができる。例えば、製造する配線基板１の数がある一定量より多い場合には、本実施形態のメッキ処理の方が好適することが多い。
【００４６】
また、図１０（ｂ）の工程で用いるバンプ形成用のメッキ金属と接合部２のメッキ金属とを同じ材料で形成すれば、電解メッキ液１７が一種類で済むので設備管理やメッキ液管理の点で製造が容易になる。また、一般的に、同一元素・同一組成同士の金属の密着性は比較的良好であるため、密着性に優れた接合を容易に得ることができる。
【００４７】
次に、図１１（ａ）乃至（ｃ）は、第４の実施形態として本発明の接合構造体を形成するための治具の一例を示す図である。この治具は、電解メッキ処理の際に配線基板１と実装部品３上に形成したバンプが当接した状態又は間隔をあけた状態を保持させるために用いられる。
【００４８】
図１１（ａ）は、治具１１１により配線基板１と実装部品３を固定保持した状態を上から見た図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す線分Ｐ−Ｐにおける断面構成を示し、図１１（ｃ）は、図１１（ａ）に示す線分Ｑ−Ｑにおける断面構成を示す図である。    この治具１１１は、間隔制御板１１２ａ，１１２ｂと、配線基板用クランプ１１３と、実装部品用クランプ１１４と、制御板間隔制御ねじ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃとで構成される。
【００４９】
各クランプ１１３，１１４は、配線基板１と実装部品３の４辺を間隔制御板１１２ａ，１１２ｂにそれぞれ固定する。クランプ１１３，１１４は、ねじ止めにより固定する構成でもよいし、図示しないコイルバネ等の弾性部材を用いて付勢力により固定する構成でもよい。
【００５０】
また制御板間隔制御ねじ１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃは、間隔制御板１１２ａ，１１２ｂに少なくとも３箇所以上で設けられ、例えば、図２（ｃ）で説明したように、バンプ７の先端部と配線導体１１とが当接するように調整する。  
以上のような構成の治具により、バンプの先端部と配線導体を適正に当接させることができるように微調整可能であり、且つメッキ液１７への浸漬や攪拌等により発生する位置ずれを防止することができる。
【００５１】
次に図１２には、本発明の接合構造体に係る第５の実施形態の接合構造例の断面図を示し説明する。本実施形態は、複数の基板が積層構造を有する際に本発明の接合構造を適用した接合構造例である。尚、図１２に示す構成部位で前述した図２に示す構成部位と同等のものには同じ参照符号を付して説明を省略する。
【００５２】
本実施形態は、配線基板１２１を中央にして両側から２つの実装部品３ａ，３ｂで挟んだ積層構造である。配線基板１２１（下面）と実装部品３ａとがそれぞれバンプ７を含む接合部１２２で接続される。また、配線基板１２１（上面）と実装部品３ｂとがバンプ７を含む接合部１２３で接続される。
【００５３】
これらのバンプ７，２１及び接合部１２２，１２３は、前述した第１の実施形態及び各変形例を用いて形成する。バンプ７，２１は、前述した第３の実施形態の手法を用いて形成してもよい。また、図１２においては、前述した図２における接合部を例としているが、前述した何れの接合部を適用してもよい。さらに、接合部１２２，１２３は同じタイプのものである必要はなく、上下異なったタイプでもよい。適宜選択した接合部をそれぞれに形成してもよい。
【００５４】
次に図１３には、本発明の接合構造体に係る第６の実施形態の接合構造例の断面図を示し説明する。本実施形態は、複数の基板が積層構造を有する際に本発明の接合構造を適用した接合構造例である。尚、図１３に示す構成部位で前述した図２に示す構成部位と同等のものには同じ参照符号を付して説明を省略する。
【００５５】
本実施形態は、配線基板１３１を中央にして両側から２つの実装部品３ａ，３ｂで挟んだ積層構造である。配線基板１３１（下面）と実装部品３ａとがそれぞれバンプ７，２１を含む接合部１３２で接続される。また、配線基板１３１（上面）と実装部品３ｂとがバンプ１３３を含む接合部１２５で接続される。
【００５６】
これらのバンプ７，２１及び接合部１２２，１２３は、前述した第１の実施形態及び各変形例を用いて形成する。また、図１３においては、前述した図３における接合部を例としているが、前述した何れの接合部を適用してもよい。さらに、接合部１３２，１３３は同じタイプのものである必要はなく、上下異なったタイプでもよい。適宜選択した接合部をそれぞれに形成してもよい。
【００５７】
前述した第１乃至６の実施形態及び変形例１乃至４に対して、実装部品３及び配線基板１の接合される部材に対して、製造工程で両方の部材が裁断処理される場合には、一方の部材を裁断して、裁断されていない他方の部材に接合する。その接合の後に、裁断されていない基板を裁断してもよい。また、２つの部材を共に裁断する前に接合して、その接合したものを裁断してもよい。
【００５８】
さらに、一方の部材Ａが裁断して製造され、もう一方の部材Ｂが一品ずつ製造される場合も、部材Ａと部材Ｂとを接合した後に部材Ａを裁断しても良い。なお基板等が裁断される例としては、シリコン基板をチップにするためにダイサーで裁断する場合や、複数基板分を含むガラス・エポキシ基板を所定の１基板分に切り分ける場合などが挙げられる。製造する製品により、製造効率が向上する作用効果がある。  
以上、本発明における第１乃至５の実施形態および変形例１乃至４について説明したが、これらに限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内で適宜、変形することは容易である。前述した実施形態等では、接合する部材として、実装部品３と配線基板１を例にとって説明したが、勿論これらに限定されない。例えば実装部品同士、配線基板同士を接合させても良い。実装部品は具体的には集積回路やＭＥＭＳ部品などが例として挙げられる。また、配線基板はガラス・エポキシ基板や、主としてポリイミドと銅箔からなるフレキシブル基板などが例として挙げられる。また接合部は、１組の接合構造体に対して１個に限定されるものではない。また、配線導体間は電気的に接続・接合されている場合に限定されず、各部材が物理的（機械的）にのみ接合・接続されていてもよい。さらに、配線導体間において、電気的に接続・整合されている部分と、物理的（機械的）に接続されている部分とが混在してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の接合構造体に係る第１の実施形態の接合構造例の断面図を示す図ある。
【図２】図２（ａ）乃至（ｃ）は、図１に示した接合構造体を作製するための工程を示す図である。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態を示す図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態における変形例１を示す図である。
【図５】図５（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態における変形例２を示す図である。
【図６】図６（ａ）乃至（ｃ）は、第２の実施形態における変形例３を示す図である。
【図７】図７（ａ）乃至（ｃ）は、第２の実施形態における変形例４を示す図である。
【図８】図８（ａ）乃至（ｃ）は、第１，２の実施形態及び変形例１乃至４における接合部の変形例を示す図である。
【図９】図９（ａ）乃至（ｅ）は、バンプの変形例を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）乃至（ｃ）は、第３の実施形態における工程図を示す図である。
【図１１】図１１（ａ）乃至（ｃ）は、第４の実施形態として、接合構造体を形成するための治具の一例を示す図である。
【図１２】本発明の接合構造体に係る第５の実施形態の接合構造例の断面図を示す図である。
【図１３】本発明の接合構造体に係る第６の実施形態の接合構造例の断面図を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…配線基板、２…接合部、３…実装部品、４…基板、５，１１…配線導体、６，１３…表面保護膜、７…バンプ、９…基体、１０，１２…絶縁膜、１４，１５…開口部、１６…間隔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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