(57)【要約】      （修正有）【課題】熱処理プレートの設定温度をより低い目標温度に変更する場合であっても、チャンバーの温度の影響を受けることなく基板を熱処理することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、熱処理プレートと、熱処理プレートの上方に設けられたチャンバーと、制御部とを備えている。制御部は、熱処理プレートの設定温度の変更条件に応じて、熱処理プレートが目標温度で安定し、かつ、チャンバーの温度が目標温度以下である通常状態になるまでの所要時間に関する時間情報を有し、熱処理プレートの設定温度Ｔ１をより低い新たな目標温度Ｔ２に変更する場合には、この所要時間が経過したときに基板Ｗ１の熱処理を開始する（時刻ｔ５）。このとき、チャンバーの温度が目標温度Ｔ２以下であるので、基板Ｗ１は、チャンバーの温度の影響を受けるおそれがなく、適切に熱処理を行うことができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置において、
基板を熱処理する熱処理プレートと、
前記熱処理プレートに付設され、前記熱処理プレートを冷却する冷却手段と、
前記熱処理プレートの上方に設けられたチャンバーと、
前記熱処理プレートの設定温度がより低い新たな目標温度に変更された場合、前記冷却手段によって前記熱処理プレートを前記目標温度に冷却させ、前記熱処理プレートが前記目標温度で安定し、かつ、前記チャンバーの温度が前記目標温度以下である通常状態でのみ、前記熱処理プレートに基板を載置することを許容する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
さらに、前記熱処理プレートに基板を載置する搬送手段を備え、
前記制御手段は、予め設定される前記通常状態になるまでの所要時間に基づいて、前記搬送手段を操作することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
さらに、前記熱処理プレートに基板を載置する搬送手段と、
前記熱処理プレートの温度を検出するプレート温度検出手段と、
前記チャンバーの温度を検出するチャンバー温度検出手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記プレート温度検出手段と前記チャンバー温度検出手段との検出結果に基づいて前記搬送手段を操作することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板に処理を行う基板処理装置において、
基板を熱処理する熱処理プレートと、
前記熱処理プレートに付設され、前記熱処理プレートを冷却する冷却手段と、
前記熱処理プレートの上方に設けられたチャンバーと、
少なくとも前記チャンバーから吸熱する吸熱手段と、
前記熱処理プレートの設定温度がより低い新たな目標温度に変更された場合、前記冷却手段によって前記熱処理プレートを前記目標温度に冷却させるとともに、前記吸熱手段を操作して前記チャンバーの温度を前記熱処理プレートの温度以下にし、かつ、前記熱処理プレートが前記目標温度で安定したあとに前記熱処理プレートに基板を載置することを許容する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
さらに、前記熱処理プレートに基板を載置する搬送手段と、
前記熱処理プレートの温度を検出するプレート温度検出手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記プレート温度検出手段の検出結果に基づいて前記搬送手段を操作することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記プレート温度検出手段の検出結果に基づいて前記吸熱手段による吸熱を終了させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項５に記載の基板処理装置において、
さらに、前記チャンバーの温度を検出するチャンバー温度検出手段を備え、
前記制御手段は、前記チャンバー温度検出手段の検出結果に基づいて前記吸熱手段による吸熱を終了させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記搬送手段は、前記熱処理プレートの上方の受け渡し位置と前記熱処理プレートの上方から外れた退避位置とにわたり移動可能であって、基板を保持するための保持部を備え、
前記吸熱手段は前記保持部によって構成し、前記保持部は基板を保持しない状態で前記受け渡し位置において吸熱し、かつ、前記退避位置に移動することで吸熱を終了することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記搬送手段は前記熱処理プレートごとに設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の基板処理装置において、
さらに、前記保持部に付設され、前記保持部を冷却する保持部冷却手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して少なくとも熱処理を行う基板処理装置に係り、特に、熱処理プレートの設定温度をより低い目標温度に変更した場合であっても基板に適切な熱処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板に形成されるパターンの線幅寸法の微細化に伴い、求められる線幅の均一性の要求値が厳しくなり、フォトリソグラフィのベーク熱処理、特に露光後のベーク処理(PEB:Post Exposure Bake)の重要性が高まっている。また、多品種小量生産化に伴い、フレキシビリティな生産レシピの運用が必須になっている。レジスト塗布現像処理装置においてもレジストの多系統化が進み、装置に搭載される熱処理部もレジストの種別ごとに様々な温度で熱処理を行う必要がある。
【０００３】
熱処理部は、熱処理プレートとその上方に設けられるチャンバーを備え、熱処理雰囲気が形成される熱処理プレート上に基板を載置して熱処理を行う。熱処理プレートには加熱部と冷却部とが付設されており、熱処理プレートの設定温度の変更に速やかに対応できるように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、熱処理プレートの温度が速やかに変化しても、チャンバーの温度は自然放熱によって緩やかに追従し、熱処理プレートに比べて温度が安定するまでには時間がかかる。
【０００５】
図７は、熱処理プレートを設定温度Ｔ１からより低い目標温度Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）に変更するときの熱処理プレートおよびチャンバーの温度の挙動を模式的に示す。また、下段には、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４に熱処理を行う期間を示している。
【０００６】
設定温度Ｔ１が変更される時刻ｔ１以前においては、熱処理プレートの温度は、設定温度Ｔ１で安定している。また、チャンバーは独自の熱源を持たないので、それより低い温度で安定している。ここで、設定温度Ｔ１から目標温度Ｔ２に変更されると、熱処理プレートの冷却が開始され、時刻ｔ１以降、熱処理プレートの温度は急速に降下する。そして、時刻ｔ４において熱処理プレートが目標温度Ｔ２で安定したと判断すると、冷却を終了する。これに対し、チャンバーは熱処理プレートの温度降下に緩やかに追従するように、時刻ｔ１から徐々に温度が低下している。このとき、時刻ｔ２から時刻ｔ５までの期間に示すように、チャンバーの温度が熱処理プレートより高くなってしまうことが起こりうる。さらには、熱処理プレートが目標温度Ｔ２で安定した時刻ｔ４の時点においても、まだチャンバーの温度がこの熱処理プレートより高い状態が続いている場合がある。
【０００７】
各基板Ｗ１〜Ｗ４への熱処理は熱処理プレートの温度が目標温度Ｔ２に安定すれば開始されるので、時刻ｔ４から基板Ｗ１の熱処理が行われる。このため、基板Ｗ１は、チャンバーの温度の影響を受けて、目標温度Ｔ２より高い温度まで昇温されてしまい、基板Ｗ１に適正な線幅のパターンを解像することができないという不都合がある。
【０００８】
また、チャンバーが熱処理プレートよりも低い温度である場合にはチャンバーの温度の影響が少ない。すなわち、時刻ｔ５以降に処理される基板Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４については、目標温度Ｔ２に精度よく昇温して適切な熱処理を行うことができる。このため、基板Ｗ１と基板Ｗ２〜Ｗ４の間での熱処理の均一性も保たれない。
【０００９】
なお、熱処理プレートの設定温度を低い温度から高い温度に変更する過程では、チャンバーの温度が熱処理プレートより高くなることはないので、上述した不都合は生じない。
【００１０】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱処理プレートの設定温度をより低い目標温度に変更する場合であっても、チャンバーの温度の影響を受けることなく基板を熱処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は基板に処理を行う基板処理装置において、基板を熱処理する熱処理プレートと、前記熱処理プレートに付設され、前記熱処理プレートを冷却する冷却手段と、前記熱処理プレートの上方に設けられたチャンバーと、前記熱処理プレートの設定温度がより低い新たな目標温度に変更された場合、前記冷却手段によって前記熱処理プレートを前記目標温度に冷却させ、前記熱処理プレートが前記目標温度で安定し、かつ、前記チャンバーの温度が前記目標温度以下である通常状態でのみ、前記熱処理プレートに基板を載置することを許容する制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、熱処理プレートの設定温度をより低い新たな目標温度に変更する場合に、チャンバーの温度が目標温度以下でなければ、基板が熱処理プレートに載置されることがない。このように構成することで、熱処理が行われる基板は、チャンバーの温度の影響を受けるおそれがなく、熱処理プレートの温度に精度よく加熱される。しがたって、適切に熱処理を行うことができる。
【００１３】
本発明において、さらに、前記熱処理プレートに基板を載置する搬送手段を備え、前記制御手段は、予め設定される前記通常状態になるまでの所要時間に基づいて、前記搬送手段を操作することが好ましい（請求項２）。通常状態になるまで、基板を熱処理プレートに載置することを簡易に規制することができる。
【００１４】
あるいは、本発明において、さらに、前記熱処理プレートに基板を載置する搬送手段と、前記熱処理プレートの温度を検出するプレート温度検出手段と、前記チャンバーの温度を検出するチャンバー温度検出手段と、を備え、前記制御手段は、前記プレート温度検出手段と前記チャンバー温度検出手段との検出結果に基づいて前記搬送手段を操作することが好ましい（請求項３）。通常状態になるまで、基板を熱処理プレートに載置することを確実に規制することができる。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板を熱処理する熱処理プレートと、前記熱処理プレートに付設され、前記熱処理プレートを冷却する冷却手段と、前記熱処理プレートの上方に設けられたチャンバーと、少なくとも前記チャンバーから吸熱する吸熱手段と、前記熱処理プレートの設定温度がより低い新たな目標温度に変更された場合、前記冷却手段によって前記熱処理プレートを前記目標温度に冷却させるとともに、前記吸熱手段を操作して前記チャンバーの温度を前記熱処理プレートの温度以下にし、かつ、前記熱処理プレートが前記目標温度で安定したあとに前記熱処理プレートに基板を載置することを許容する制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１６】
［作用・効果］請求項４に記載の発明によれば、吸熱手段を備えることで、熱処理プレートの設定温度をより低い新たな目標温度に変更する場合は、チャンバーの温度降下を促進させて、チャンバーの温度を熱処理プレートの温度以下に維持する。このように構成することで、基板は、チャンバーの温度の影響を受けるおそれがなく、熱処理プレートの温度に精度よく加熱される。しがたって、適切に熱処理を行うことができる
【００１７】
本発明において、さらに、前記熱処理プレートに基板を載置する搬送手段と、前記熱処理プレートの温度を検出するプレート温度検出手段と、を備え、前記制御手段は、前記プレート温度検出手段の検出結果に基づいて前記搬送手段を操作することが好ましい（請求項５）。チャンバーの温度は熱処理プレートより低くなっているので、熱処理プレートが目標温度で安定すれば基板を適切に熱処理できる状態になる。本発明によれば、この状態になるまで基板が熱処理プレートに載置されることを、確実に規制することができる。
【００１８】
また、本発明において、前記制御手段は、前記プレート温度検出手段の検出結果に基づいて前記吸熱手段による吸熱を終了させることが好ましい（請求項６）。不要な吸熱をさせることなく、適切なタイミングで吸熱を終了させることができる。
【００１９】
あるいは、本発明において、さらに、前記チャンバーの温度を検出するチャンバー温度検出手段を備え、前記制御手段は、前記チャンバー温度検出手段の検出結果に基づいて前記吸熱手段による吸熱を終了させることが好ましい（請求項７）。不要な吸熱をさせることなく適切なタイミングで吸熱を終了させることができる。
【００２０】
また、本発明において、前記搬送手段は、前記熱処理プレートの上方の受け渡し位置と前記熱処理プレートの上方から外れた退避位置とにわたり移動可能であって、基板を保持するための保持部を備え、前記吸熱手段は前記保持部によって構成し、前記保持部は基板を保持しない状態で前記受け渡し位置において吸熱し、かつ、前記退避位置に移動することで吸熱を終了することが好ましい（請求項８）。装置構成が複雑化することを防ぐことができる。
【００２１】
また、本発明において、前記搬送手段は前記熱処理プレートごとに設けられていることが好ましい（請求項９）。熱処理プレートごとに設けられる搬送手段であれば、熱処理プレートの設定温度を変更しているときは、保持部は待機している。このようなタイミングで保持部によって吸熱させても、保持部本来の基板を移載する処理等を妨げない。
【００２２】
また、本発明において、さらに、前記保持部に付設され、前記保持部を冷却する保持部冷却手段を備えていることが好ましい（請求項１０）。チャンバーの温度降下をより速やかに行うことができる。
【発明の効果】
【００２３】
この発明に係る基板処理装置によれば、熱処理プレートの設定温度をより低い新たな目標温度に変更する場合に、チャンバーの温度が目標温度以下でなければ、基板が熱処理プレートに載置されることがない。このように構成することで、熱処理が行われる基板は、チャンバーの温度の影響を受けるおそれがなく、熱処理プレートの温度に精度よく加熱される。しがたって、適切に熱処理を行うことができる。
【実施例１】
【００２４】
以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示した垂直断面図であり、図２は実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【００２５】
実施例１に係る基板処理装置は、熱処理部１と搬送機構３とに大きく分けられる。熱処理部１は、平面視円形を呈し、処理対象である基板Ｗを載置して熱処理を行う熱処理プレート１１を備えている。この熱処理プレート１１にはマイカヒータなどの加熱部（図示省略）と、冷却プレート１３が付設されている。冷却プレート１３内には蛇行する管路１３ａが形成されている。この管路１３ａの両端にはそれぞれ供給管１５ａと排出管１５ｂの片端が連通接続されている。供給管１５ａの他端側は、熱処理部１から引き出されて冷却水供給源１７に連通接続されている。この冷却水供給源１７は、例えば、クリーンルームに設けられたユーティリティである。また、供給管１５ａには電磁弁１９が介装されている。冷却プレート１３は、この発明における冷却手段に相当する。
【００２６】
熱処理プレート１１には、その上面の温度を検出する温度センサ２１が埋設されている。さらに、後述する保持部３１との間で基板Ｗの受け渡しを行う昇降ピン２３が設けられている。昇降ピン２３は棒状を呈し、熱処理プレート１１に形成された３個の貫通孔にそれぞれ挿通されている。各昇降ピン２３は、その下端が支持ベースやエアシリンダ等で構成される昇降機構（図示省略）に連結されて、昇降可能に設けられている。温度センサ２１は、この発明におけるプレート温度検出手段に相当する。
【００２７】
さらに、熱処理プレート１１の上方に熱処理雰囲気を形成するためのチャンバー２７が設けられている。このチャンバー２７にも、図示省略の昇降機構が連結されており、熱処理プレート１１の上方において昇降可能に構成される。
【００２８】
搬送機構３は、熱処理プレート１１専用に配備されており、熱処理プレート１１に基板Ｗを載置する。搬送機構３は、基板Ｗを水平姿勢で保持するための保持部３１を備え、保持部３１の内部には、冷却水を通じる管路３１ａが形成されている。この管路３１ａの両端は、保持部３１の基端側部において、供給管３３ａと排出管３３ｂの片端が連通接続されている。供給管３３ａの他端側は、ポンプ等（図示省略）を介して冷却水供給源３５に連通接続されている。また、保持部３１は、受け渡し位置において昇降ピン２３と緩衝しないように、複数本のスリット３１ｂが形成されている。管路３１ａは、この発明における保持部冷却手段に相当する。
【００２９】
搬送機構３は、さらに、電動モータ４１と、電動モータ４１によって垂直な軸心周りに回転駆動される回転体４３と、遊転自在のローラ状のガイド部材４５と、回転体４３およびガイド部材４５に巻き回されるベルト４７とを備えている。このベルト４７に支持アーム４９を介して保持部３１が連結されている。そして、電動モータ４１の正逆回転駆動により、熱処理プレート１１の上方の受け渡し位置（図２において一点鎖線で示す位置）と、熱処理プレート１１から外れた退避位置（図２において実線で示す位置）とにわたり保持部３１を進退可能に構成される。搬送機構３は、この発明における搬送手段に相当する。
【００３０】
設定変更部５１は、処理レシピを参照して熱処理プレート１１の設定温度を設定、または変更する。制御部５３は、電磁弁１９と温度センサ２１と電動モータ４１と設定変更部５１とに接続されている。そして、温度センサ２１と設定変更部５１とから出力を受け取り可能に、かつ、電磁弁１９と電動モータ４１とを操作可能に構成される。加えて、図示を省略した熱処理プレート１１に付設される加熱部と昇降ピン２３を昇降させる昇降機構とチャンバー２７を昇降させる昇降機構等を統括的に操作する。
【００３１】
さらに、制御部５３は、設定温度がより低い新たな目標温度（以下、単に「目標温度」という）に変更されるときに、熱処理プレート１１が目標温度で安定し、かつ、チャンバー２７の温度が目標温度以下である通常状態（以下では単に「通常状態」と記載する）になるまでの所要時間を、温度変更条件に応じて設定されている時間情報を記憶している。この時間情報は、たとえば、実験等によって予め求められたものである。
【００３２】
なお、設定変更部５１と制御部５３とは、それぞれプログラムを読み出して実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、各種情報を記憶するＲＡＭ（Random-Access Memory）や固定ディスク等の記憶媒体等で構成される。
【００３３】
次に、実施例１に係る基板処理装置について、熱処理プレート１１の設定温度が目標温度に変更された場合の動作について説明する。図３は、実施例１に係る基板処理装置の処理手順を示すフローチャートであり、図４は、熱処理プレートとチャンバーとの温度の挙動を模式的に示した図である。
【００３４】
ここで、設定温度が変更される前は、熱処理プレート１１は所定の設定温度Ｔ１で安定しているものとし、チャンバー２７は熱処理プレート１１より低い温度で安定しているものとする（図４において時刻ｔ１以前）。また、保持部３１は退避位置にあるものとする。
【００３５】
＜ステップＳ１〜ステップＳ３＞
設定変更部５１が設定温度Ｔ１を目標温度Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）に変更する。これにより、制御部５３は、時刻ｔ１において電磁弁１９を開放する。これにより、冷却水供給源１７から供給管１５ａを通じて冷却プレート１３内の管路１３ａに冷却水が流れる。管路１３ａ内を流れた冷却水は、熱処理プレート１１から伝達された熱とともに排出管１５ｂから排出される（ステップＳ１）。したがって、図４に示すように、熱処理プレート１１の温度は、時刻ｔ１以降において急速に降下する。このように熱処理プレート１１を冷却する際、制御部５３は、温度センサ２１から検出された熱処理プレート１１の温度を監視して、熱処理プレート１１の温度が目標温度Ｔ２で安定したか否かを判断する（ステップＳ２）。そして、時刻ｔ４において、熱処理プレート１１が目標温度Ｔ２で安定したと判断して、冷却を終了する（ステップＳ３）。
【００３６】
なお、図示するように、熱処理プレート１１の温度が時刻ｔ３において目標温度Ｔ２を下まわってオーバーシュートする場合には、適宜に熱処理プレート１１に付設される加熱部（図示省略）によって加熱してもよい。
【００３７】
このとき、チャンバー２７の温度は、熱処理プレート１１の温度降下に追従して、時刻ｔ１以降、緩やかに低下する。そして、時刻ｔ５以降において目標温度Ｔ２以下になる。
【００３８】
＜ステップＳ４〜ステップＳ６＞
制御部５３は、ステップＳ１と並行して、時刻ｔ１において、電動モータ４１を操作して、基板Ｗが熱処理プレート１１に載置されないように搬送機構３の動作を規制する（ステップＳ４）。このとき、時間情報を参照して得られる、この温度変更条件に応じた所要時間を計時して、所要時間が経過するか否かを判断する（ステップＳ５）。そして、所要時間が経過したと判断すると、搬送機構３の規制を終了する（ステップＳ６）。
【００３９】
なお、本実施例では、所要時間は、熱処理プレート１１の冷却を開始した時点を始期として通常状態になるまでに要する時間として設定されている。このため、所要時間の計時は冷却を開始した時点（時刻ｔ１）から開始するように構成されている。ただし、通常状態になるまでに要する時間の始期は適宜のタイミングとすることができる。
【００４０】
ここで、所要時間によって精度よく推定されて、時刻ｔ５において電動モータ４１の規制が終了したものとする。この場合、時刻ｔ５において、ステップＳ３とステップＳ６の双方の処理が終了したことになり、ステップＳ７に移行する。
【００４１】
＜ステップＳ７＞  基板に熱処理を行う
時刻ｔ５において、制御部５３による操作によって以下のように動作する。まず、電動モータ４１が回転駆動して、基板Ｗ１を保持した保持部３１は受け渡し位置まで移動する。その後、昇降ピン２３が上昇して保持部３１から基板Ｗ１を受け取る。基板Ｗ１を受け取ると保持部３１は退避位置に戻り、昇降ピン２３は下降して熱処理プレート１１に基板Ｗ１を載置する。基板Ｗ１が載置されると、チャンバー２７が降下して熱処理雰囲気が形成される。そして、予め決められた時間だけこの状態を保持することにより、基板Ｗ１に対して目標温度Ｔ２で熱処理を施す。熱処理を終えると、チャンバー２７が上昇した後、昇降ピン２３から保持部３１に処理済の基板Ｗ１を渡して熱処理部１外に搬出する。以上により、基板Ｗ１の熱処理を終了する。
【００４２】
このように、基板Ｗ１の熱処理を終了すると、続いて未処理の基板Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４について同様の処理を繰り返す。この結果、図４の下段に示すようなタイミングで各基板Ｗ１〜Ｗ４が熱処理される。
【００４３】
このように、実施例１に係る基板処理装置によれば、制御部５３を備えているので、熱処理プレート１１の設定温度Ｔ１をより低い新たな目標温度Ｔ２に変更する場合に、熱処理プレート１１が目標温度Ｔ２で安定した時刻ｔ４後であっても、チャンバー２７の温度が目標温度Ｔ２以下となる時刻ｔ５までは、基板Ｗが熱処理プレート１１に載置されることはない。言い換えれば、このような設定温度の変更を行った後、最初に熱処理される基板Ｗ１について、チャンバー２７の温度の影響を受けることなく、目標温度Ｔ２に精度よく昇温して適切な熱処理を行うことができる。また、基板Ｗ１と、その後のタイミングで熱処理される各基板Ｗ２〜Ｗ４との間で、処理品質を均一に保つことができる。
【００４４】
また、制御部５３は、予め設定されている所要時間に基づいて各操作を行うので、簡易に制御できる。また、制御部５３は、搬送機構３を規制することで、熱処理プレート１１に基板Ｗを載置することを確実に防ぐことができる。
【実施例２】
【００４５】
次に、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。なお、実施例２の構成は、実施例１と同じブロック図で表されるので便宜上、図１を参照する。ここで、実施例２に係る制御部５４は、時間情報を記憶していないので、実施例１と別の符号を付して区別する。その他の構成については実施例１と同じであるので説明を省略する。
【００４６】
次に、実施例２に係る基板処理装置について、熱処理プレート１１の設定温度Ｔ１が目標温度Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）に変更された場合の動作について説明する。図５は、実施例２に係る基板処理装置の処理手順を示すフローチャートであり、図６は、熱処理プレートとチャンバーとの温度の挙動を模式的に示した図である。なお、実施例１と同じ処理（ステップ）は同符号を付し、簡略して説明する。
【００４７】
また、実施例２においても、既に熱処理プレート１１は設定温度Ｔ１で、チャンバー２７は熱処理プレート１１より低い温度で安定しているものとする。保持部３１は、基板Ｗを保持しない状態で退避位置にあるものとする。
【００４８】
＜ステップＳ１〜ステップＳ３＞
設定変更部５１によって設定温度Ｔ１が目標温度Ｔ２に変更されると、制御部５４は、時刻ｔ１において熱処理プレート１１の冷却を開始するとともに（ステップＳ１）、温度センサ２１の検出結果を監視する（ステップＳ２）。そして、時刻ｔ４において熱処理プレート１１が目標温度Ｔ２で安定したと判断すると冷却を終了する（ステップＳ３）。
【００４９】
＜ステップＳ１４〜ステップ１６＞
制御部５４は、ステップＳ１と並行して、時刻ｔ１において、基板Ｗを保持していない状態の保持部３１を受け渡し位置まで移動させる。保持部３１は受け渡し位置においてチャンバー２７から吸熱する。吸熱された熱は、保持部３１内の管路３１ａに流れている冷却水に伝達され、冷却水とともに排出される。これにより、時刻ｔ１以降におけるチャンバー２７は、保持部３１によって吸熱されているので、常に熱処理プレート１１の温度以下で維持されるように、速やかに降下する。
【００５０】
また、保持部３１は、熱処理プレート１１からも同様に吸熱する。さらに、熱処理プレート１１からの輻射熱を遮蔽する。
【００５１】
保持部３１によって吸熱されているとき、制御部５４は、温度センサ２１の検出結果に基づいて、熱処理プレート１１の温度が少なくとも目標温度Ｔ２以下となったか否かを判断する（ステップＳ１５）。なお、この判断は、熱処理プレート１１が目標温度Ｔ２で安定することではなく、目標温度に到達したか否かである。したがって、時刻ｔ３において目標温度Ｔ２以下となったと判断し、保持部３１を退避位置まで移動させる（ステップＳ１６）。
【００５２】
この結果、時刻ｔ４において、ステップＳ３とステップＳ１６の双方が終了し、ステップＳ７に移行する。
【００５３】
＜ステップＳ５＞  基板に熱処理を行う
時刻ｔ４以降に、基板Ｗ１〜Ｗ４を一枚ずつ熱処理する。
【００５４】
このように、実施例２に係る基板処理装置によれば、熱処理プレート１１の設定温度Ｔ１を目標温度Ｔ２に変更する場合、チャンバー２７から吸熱するので、チャンバー２７をより速く降温させて、チャンバー２７の温度が常に熱処理プレート１１の温度以下に維持することができる。また、熱処理プレート１１からも吸熱することで、熱処理プレート１１の降温をさらに高速にし、早期に目標温度Ｔ２で安定させることができる。そして、チャンバー２７の温度が熱処理プレート１１の温度以下であるので、熱処理プレート１１が目標温度Ｔ２で安定した時点で熱処理を開始することができるので、スループットが向上する。
【００５５】
また、吸熱は保持部３１を用いて行うように構成したので、装置構成が複雑化するおそれがない。また、搬送機構３は、熱処理プレート１１ごとに設けられているので、熱処理プレート１１の温度を変更している間は、保持部３１は待機している。このため、保持部３１が吸熱することで、本来の処理を妨げることはない。また、保持部３１内には冷却水が流れているので、チャンバー２７の降温速度をより促進させることができる。さらに、吸熱を行っても保持部３１自体の温度が上昇することを防止できるので、その後に保持する基板Ｗに熱的影響を与えることがない。
【００５６】
また、熱処理プレート１１の温度が少なくとも目標温度Ｔ２以下になったと判断した時点で吸熱を終了するので、不要な吸熱をさせることなく適切なタイミングで吸熱を終了させることができる。これにより、速やかに保持部３１が基板Ｗを保持する処理を移ることができる。
【００５７】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５８】
（１）上述した実施例１では、制御部５３は搬送機構３の動作を規制したが、基板Ｗを熱処理プレート１１に載置することが規制／許容されれば、これに限られない。たとえば、基板処理装置から搬送機構３を省略し、別体の搬送機構によって基板Ｗが搬入されるように構成される場合にあっては、制御部５３がこの別体の搬送機構に基板Ｗの載置を規制／許容する信号を出力するようにしてもよい。また、搬送機構３を備えていてもいなくても、熱処理部１への基板搬入口（不図示）を閉止する等、搬送機構３以外の構成によって実現してもよい。
【００５９】
（２）上述した実施例１では、制御部５３は予め設定されている所要時間に基づいて制御していたが、これに限られない。たとえば、チャンバー２７の温度を検出するチャンバー温度センサ（この発明におけるにチャンバー温度検出手段に相当する）を備えるように構成してもよい。このとき、制御部５３は、チャンバー温度センサから検出されたチャンバー２７の温度を目標温度Ｔ２と比較することで、チャンバー２７の温度が目標温度以下である状態になる時点を検知する。そして、ステップＳ１〜Ｓ３の処理と併せて通常状態であることを判断するように構成してもよい。
【００６０】
（３）上述した実施例１では、制御部５３は予め設定されている所要時間を記憶しているが、これに限られない。たとえば、温度変更条件に応じた熱処理プレート１１およびチャンバー２７の温度変動の関係式に基づいて、所要時間を算出するようにしてもよい。
【００６１】
（４）上述した実施例２では、保持部３１によって吸熱していたが、チャンバー２７から吸熱することができれば、専用の吸熱手段を備えるように構成してもよい。たとえば、チャンバー２７内に水冷による冷却手段を設けてもよい。また、この場合は、基板処理装置から搬送機構３を省略し、別体の搬送機構によって基板Ｗが搬入されるように構成することもできる。なお、制御部５４は別体の搬送機構に基板Ｗの載置を規制／許容する信号を出力するように構成する。また、搬送機構３を備えていてもいなくても、熱処理部１への基板搬入口を閉止する等、搬送機構３以外の構成によって実現してもよい。
【００６２】
（５）上述した実施例２では、保持部３１内に冷却水を通じる管路３１ａが形成されていたが、保持部３１が吸熱した熱を排出できれば、公知の冷却手段を適宜に適用することができる。また、保持部３１内に管路３１ａを形成せず、冷却手段を省略してもよい。この場合であっても、保持部３１はその熱容量に応じた吸熱をすることができる。
【００６３】
（６）上述した実施例２では、制御部５４は吸熱の終了を、温度センサ２１の検出結果に基づいて判断していたが、これに限られない。たとえば、チャンバー２７の温度を検出するチャンバー温度センサを備えるように構成して、制御部５４は、チャンバー温度センサから検出されたチャンバー２７の温度が目標温度Ｔ２以下となったと判断したときに、吸熱を終了するように構成してもよい。なお、このタイミングは、図６におけるｔ２に相当する。これにより、早期に吸熱を終了することができる。
【００６４】
（７）上述した実施例２では、搬送機構３は熱処理プレート１１専用であったが、これに限られることはなく、別個に設けられる処理ユニットにも基板Ｗを搬送する共用の搬送機構であってもよい。
【００６５】
（８）各実施例では、搬送機構３は基板Ｗを搬入するとともに基板Ｗを搬出する動作をしていたが、少なくとも基板Ｗが熱処理プレート１１に載置することを規制／許容できればよいので、基板Ｗの熱処理プレート１１に載置する動作のみをさせて、基板Ｗの搬出は他の構成部品によって行うようにしてもよい。
【００６６】
（９）各実施例では、処理内容としては基板Ｗに熱処理を行う熱処理部１のみであったが、熱処理部１を複数備えることや、適宜にレジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等を併設することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示した垂直断面図である。
【図２】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図３】実施例１に係る基板処理装置の処理手順を示すフローチャートである。
【図４】熱処理プレートとチャンバーとの温度の挙動を模式的に示した図である。
【図５】実施例２に係る基板処理装置の処理手順を示すフローチャートである。
【図６】熱処理プレートとチャンバーとの温度の挙動を模式的に示した図である。
【図７】従来の基板処理装置における熱処理プレートおよびチャンバーの温度の挙動を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  …熱処理部
３  …搬送機構
１１  …熱処理プレート
１３  …冷却プレート
２１  …温度センサ
２７  …チャンバー
３１  …保持部
３１ａ  …管路
５３、５４  …制御部
Ｗ  …基板
Ｔ１  …設定温度
Ｔ２  …目標温度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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