(57)【要約】【課題】めっきレジストを使用しないで高密度配線を精度良く形成する配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる配線基板の製造方法は、めっきレジストを使用しないで金属を析出させる無電解めっき法により配線基板を製造する方法であって、（ａ）基板上に所定のパターンの触媒層を設ける工程と、（ｂ）無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒層上に金属を析出させて第１の金属層を設ける工程と、（ｃ）前記基板の上面を水洗する工程と、（ｄ）無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記第１の金属層上にさらに金属を析出させて第２の金属層を設ける工程と、を含む。【選択図】図１
2007243031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっきレジストを使用しないで金属を析出させる無電解めっき法により配線基板を製造する方法であって、
（ａ）基板上に所定のパターンの触媒層を設ける工程と、
（ｂ）無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒層上に金属を析出させて第１の金属層を設ける工程と、
（ｃ）前記基板の上面を水洗する工程と、
（ｄ）無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記第１の金属層上にさらに金属を析出させて第２の金属層を設ける工程と、
を含む、配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
工程（ｃ）および工程（ｄ）を繰り返し行う、配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に、
（ｅ）前記基板上の水分を除去する工程、
をさらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
工程（ｃ）、工程（ｅ）および工程（ｄ）を繰り返し行う、配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項３において、
工程（ｅ）と工程（ｄ）の間に、
（ｆ）前記基板の上面を水洗する工程、
をさらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
工程（ｃ）、工程（ｅ）、工程（ｆ）および工程（ｄ）を繰り返し行う、配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項３ないし６のいずれかにおいて、
工程（ｅ）において、前記基板上に空気を吹き付けることにより水分を除去する、配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
工程（ｄ）における浸漬時間は、工程（ｂ）における浸漬時間以下である、配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項２、４、および６のいずれかにおいて、
ｎ回目に行う工程（ｄ）における浸漬時間は、ｎ−１回目に行う工程（ｄ）の浸漬時間以下である、配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、
前記工程（ｃ）では、前記無電解めっき液の温度より低い温度で前記基板の上面を水洗する、配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、
前記工程（ａ）は、
（ａ１）前記基板上の所望の配線パターン以外の領域にレジスト層を設ける工程と、
（ａ２）界面活性剤を含む界面活性剤層を前記基板上に設ける工程と、
（ａ３）前記界面活性剤層上に触媒層を設ける工程と、
（ａ４）前記レジスト層を除去することにより、所望の配線パターン以外の領域の界面活性剤層および触媒層を除去する工程と、
を含む、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高速化・高密度化に伴い、配線基板の製造方法としてアディティブ法が注目を集めている。アディティブ法では、基板上に設けたフォトレジストをパターニングしてめっきレジストを形成し、めっきレジストの開口部にめっき処理を行うことにより金属層を析出させる方法が知られている。
【０００３】
この方法によれば、めっきレジストを最終的に除去する工程が必要となるので、製造工程数が多いことが課題となっていた。そこで、めっきレジストを使用しないで金属層を析出させる方法が注目されている。
【特許文献１】特開平１０−６５３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、めっきレジストを使用しないで高密度配線を精度良く形成する配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかる配線基板の製造方法は、
めっきレジストを使用しないで金属を析出させる無電解めっき法により配線基板を製造する方法であって、
（ａ）基板上に所定のパターンの触媒層を設ける工程と、
（ｂ）無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒層上に金属を析出させて第１の金属層を設ける工程と、
（ｃ）前記基板の上面を水洗する工程と、
（ｄ）無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記第１の金属層上にさらに金属を析出させて第２の金属層を設ける工程と、
を含む。
【０００６】
「めっきレジストを使用しないで金属を析出させる無電解めっき法」とは、具体的には無電解めっき液に基板を浸漬する際にめっきレジストを基板上に設けない方法をいう。めっきレジストとは、めっき処理を行わせないために基板上の一部の領域を覆う物質であり、通常、無電解めっき液に対して反応しない物質からなる。
【０００７】
本発明にかかる配線基板の製造方法によれば、基板面方向へのめっき析出を遅らせながら、厚さ方向に金属層を成長させることができるため、配線パターンの間隔が金属層によって埋められるのを防止することができる。よって、高密度配線を精度良く形成することができ、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【０００８】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
工程（ｃ）および工程（ｄ）を繰り返し行うことができる。
【０００９】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
工程（ｃ）と工程（ｄ）の間に、
（ｅ）前記基板上の水分を除去する工程、
をさらに含むことができる。
【００１０】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
工程（ｃ）、工程（ｅ）および工程（ｄ）を繰り返し行うことができる。
【００１１】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
工程（ｅ）と工程（ｄ）の間に、
（ｆ）前記基板の上面を水洗する工程、
をさらに含むことができる。
【００１２】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
工程（ｃ）、工程（ｅ）、工程（ｆ）および工程（ｄ）を繰り返し行うことができる。
【００１３】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
工程（ｅ）において、前記基板上に空気を吹き付けることにより水分を除去することができる。
【００１４】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
工程（ｄ）における浸漬時間は、工程（ｂ）における浸漬時間以下であることができる。
【００１５】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
ｎ回目に行う工程（ｄ）における浸漬時間は、ｎ−１回目に行う工程（ｄ）の浸漬時間以下であることができる。
【００１６】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、前記無電解めっき液の温度より低い温度で前記基板の上面を水洗することができる。
【００１７】
本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ａ）は、
（ａ１）前記基板上の所望の配線パターン以外の領域にレジスト層を設ける工程と、
（ａ２）界面活性剤を含む界面活性剤層を前記基板上に設ける工程と、
（ａ３）前記界面活性剤層上に触媒層を設ける工程と、
（ａ４）前記レジスト層を除去することにより、所望の配線パターン以外の領域の界面活性剤層および触媒層を除去する工程と、
を含むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
１．第１の実施の形態
１．１．配線基板の製造方法
図１は、本実施の形態にかかる配線基板の製造方法の概略を示すフローチャート８０である。図２〜図１０は、第１の実施の形態にかかる配線基板１００（図１０参照）の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。
【００２０】
（１）まず、基板１０を用意する。基板１０は、図２に示すように絶縁基板であってもよい。基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。あるいは、基板１０は、光透過性基板（例えば透明基板）であってもよい。基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、基板１０上に金属層を形成する。
【００２１】
ついで、レジスト層２２を形成する（ステップＳ１０）。レジスト（図示せず）を基板１０の上面に塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、図２に示すように、レジスト層２２を形成することができる。ここでレジスト層２２は、所望の配線パターン以外の領域に形成される。
【００２２】
（２）次に、基板１０を洗浄する（ステップＳ１１）。基板１０の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、ウエット洗浄でもよいが、ドライ洗浄がより好ましい。ドライ洗浄にすることによって、剥離等のレジスト層２２に与えるダメージを防止することができる。
【００２３】
ドライ洗浄は、図３に示すように、真空紫外線ランプを用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板１０およびレジスト層２２の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板１０の液中表面電位が負電位であれば、基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。
【００２４】
ウエット洗浄は、例えば、基板１０をオゾン水（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。またドライ洗浄は、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。
【００２５】
（３）次に、図４に示すように、基板１０を界面活性剤溶液１４に浸漬する。界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤としては、カチオン系界面活性剤またはアニオン系界面活性剤であることができる。基板１０の表面の液中表面電位が負電位の場合には、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて基板１０に吸着しやすいからである。一方、基板１０の表面の液中表面電位が正電位の場合には、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤として、アニオン系界面活性剤を適用することが好ましい。
【００２６】
カチオン系界面活性剤としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤や、アルキルアンモニウム系の界面活性剤（例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等）などを用いることができる。アニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（ソディウムドデシルサルフェート、リチウムドデシルサルフェート、Ｎ−ラウロイルサルコシン）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。
【００２７】
次いで、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図５に示すように、界面活性剤層２４を基板１０に設けることができる（ステップＳ１２）。このとき、界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、基板１０の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。
【００２８】
（４）次に、図６に示すように、触媒溶液３０に基板１０を浸漬する。触媒溶液３０は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。
【００２９】
たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。
（４ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。
（４ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水と過酸化水素水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。
（４ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。
【００３０】
触媒溶液３０に浸漬した後、基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電解めっき液に混入するのを防止することができる。
【００３１】
以上の工程により、触媒層３１が形成される。触媒層３１は、図７に示すように、基板１０およびレジスト層２２上の界面活性剤層２４の上面に形成される。
【００３２】
次いで、図８に示すように、レジスト層２２を除去して、所望の配線パターンを有する界面活性剤層２６および触媒層３２を形成する（ステップＳ１３）。ここでレジスト層２２は、たとえばアセトン等を用いて除去することができる。レジスト層２２とともに、レジスト層２２上に設けられた界面活性剤層２４および触媒層３１も除去される。
【００３３】
（５）次に、図９に示すように、触媒層３２上に第１の金属層３４を析出させる。具体的には、基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層３２上に第１の金属層３４を析出させることができる。第１の金属層３４としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度７０〜８０℃）に１０秒〜５分程度浸漬することによって、０．０１μｍ〜０．１μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。なお、第１の金属層３４の材料は触媒によってめっき反応が起こる材料であれば特に限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。こうして、基板１０上の触媒層３２の上面に所望の厚み（金属層３３全体の厚み）の５〜５０％程度の第１の金属層３４を形成することができる（ステップＳ１４）。
【００３４】
（６）次に、基板１０を水洗する（ステップＳ１５）。水洗は、たとえば基板１０を純水に浸漬することによって行われることができる。水洗によって、基板１０に付着した無電解めっき液を除去または希釈することができる。水洗に使用する水の温度は、無電解めっき液の温度より低い温度であることが好ましく、たとえば室温であることができる。
【００３５】
（７）次に、第１の金属層３４上に第２の金属層３６を析出させる。具体的には、基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、第２の金属層３６を析出させることができる。無電解めっき液としては、上述した無電解めっき液と同様のものを用いることができる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度７０〜８０℃）に５秒〜５分程度浸漬することによって、０．０１μｍ〜０．１μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。
【００３６】
ここで、第２の金属層３６を形成するための浸漬時間は、第１の金属層３４を形成するための浸漬時間以下であることが好ましい。また、基板１０を浸漬する際、無電解めっき液は攪拌せず、基板１０は静止状態にすることが好ましい。
こうして、基板１０上の第１の金属層３４の上面にさらに所望の厚み（金属層３３全体の厚み）の５〜５０％程度の第１の金属層３６を形成することができる（ステップＳ１６）。
【００３７】
（８）上述したステップＳ１５およびステップＳ１６を、金属層３３が所望の厚さになるまで繰り返すことにより（ステップＳ１７）、図１０に示す配線基板１００が製造される。ここで、ステップＳ１５およびステップＳ１６の適切な繰り返し回数を予め定めておくとよい。ステップＳ１５およびステップＳ１６を繰り返すと、第２の金属層３６は、複数層形成される。このとき、それぞれの第２の金属層３６の膜厚がほぼ同じになるように浸漬時間を調整することが好ましい。したがって、第２の金属層３６が多くなるほど、金属層の成長速度が大きくなる場合には、無電解めっき液に浸漬する浸漬時間は、ステップＳ１６を行う毎に徐々に短くすることが好ましい。即ち、ｎ回目に無電解めっき液に浸漬する浸漬時間は、ｎ−１回目に無電解めっき液に浸漬する浸漬時間以下であることが好ましい。
【００３８】
以上の工程により、配線基板１００を形成することができる。本実施の形態にかかる配線基板１００の製造方法では、金属層の析出と水洗を繰り返し行っている。これによれば、基板面方向へのめっき析出を抑制しながら、厚さ方向に金属層を成長させることができるため、配線パターンの間隔が金属層によって埋められるのを防止することができる。よって、高密度配線を精度良く形成することができる。
【００３９】
これは、水洗により基板１０表面に水膜が設けられるため、その後無電解めっき液に基板１０を浸漬したときに、基板１０付近、特に第１の金属層３４の隙間付近の無電解めっき液の濃度をめっき初期の段階で一時的に下げることができる。このように無電解めっき液の濃度が低下することにより、めっき析出が遅くなり、基板面方向へのめっき析出を抑制すると想定される。
【００４０】
特に、上述したように第２の金属層３６の形成のために基板１０を浸漬する際、無電解めっき液を攪拌せず、基板１０を静止状態にすることにより、水洗により形成された水膜が基板１０付近に存在する時間を長引かせることができる。これにより、基板面方向へのめっき析出をさらに遅らせることができる。
【００４１】
また、無電解めっきによる金属層の析出反応は、無電解めっき液に基板を浸漬直後、初期段階においては、ほとんど金属層が形成されず、ある程度の浸漬時間が経過して初めて金属被膜が形成される。その後中期段階においては、指数関数的に金属層の厚みが増加し、ある厚みを超えると金属層の厚みは緩やかに増加するようになる。基板面方向へのめっき析出反応は、中期段階において進行が速いと想定される。したがって、この中期段階における析出反応が終了する前、即ち、指数関数的に金属層の厚みが増加している間に、無電解めっき液から基板１０を取り出して水洗することが好ましい。これにより、基板面方向へのめっき析出反応を遅らせることができる。
【００４２】
１．２．電子デバイス
図１１は、第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法によって製造される配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す。電子デバイス１０００は、配線基板１００と、集積回路チップ９０と、他の基板９２とを含む。
【００４３】
配線基板１００に形成された配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。配線基板１００は、上述した製造方法によって製造される。図１１に示す例では、配線基板１００には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、配線基板１００の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。
【００４４】
１．３．第１の実験例
第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法により配線基板を形成した。
【００４５】
（１）ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し、その後直描方式により約１．５μｍピッチで約１μｍ幅の直線状に露光、現像することにより、約１．０μｍ幅の直線状のラインと約０．５μｍｍ間隔のストライプ状の開口部を有するフォトレジストを形成した。
【００４６】
（２）このガラス基板を１ｃｍ角に切り出し、カチオン系界面活性剤溶液（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）に浸漬した。次いで、このガラス基板をパラジウム濃度０．００５〜０．０５ｇ／ｌ、ｐＨ４．５〜６．８のパラジウム触媒溶液に浸漬した。その後、アセトン等の有機溶剤を用いてガラス基板上のフォトレジストを除去した。これにより、約１．０μｍ幅の直線状のラインと約０．５μｍ間隔を有するストライプ状の触媒層が形成された。
【００４７】
（３）次に、触媒層が形成されたガラス基板を、８０℃のニッケル無電解めっき液に３０秒間浸漬し（１回目）、約２０ｎｍ程度の厚み、約０．８μｍ幅のニッケル金属層を形成した。
【００４８】
（４）その後、室温の純水を用いて水洗し、その直後に８０℃のニッケル無電解めっき液に３０秒浸漬した（２回目）。
【００４９】
（５）工程（４）を１０回繰り返して、最終的に２００ｎｍ程度の厚みのニッケル金属層をガラス基板上に形成した。このとき、ニッケル無電解めっき液の浸漬時間は、３回目〜４回目は２０秒、５回目〜７回目は１０秒、８回目〜１０回目は５秒とした。このニッケル金属層は、約１．２μｍ幅の直線状のラインと約０．３μｍ間隔を有するストライプ状であった。
【００５０】
１．４．第２の実験例（比較例）
ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し、その後直描方式により１．５μｍピッチで１μｍ幅の直線状に露光、現像することにより、１．０μｍ幅の直線状のラインと０．５μｍｍ間隔のストライプ状の開口部を有するフォトレジストを形成した。このガラス基板を１ｃｍ角に切り出し、カチオン系界面活性剤溶液（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）に浸漬した。次いで、このガラス基板をパラジウム濃度０．００５〜０．０５ｇ／ｌ、ｐＨ４．５〜６．８のパラジウム触媒溶液に浸漬した。その後、アセトン等の有機溶剤を用いてガラス基板上のフォトレジストを除去した。これにより、１．０μｍ幅の直線状のラインと０．５μｍ間隔を有するストライプ状の触媒層が形成された。
【００５１】
次に、触媒層が形成されたガラス基板を、８０℃のニッケル無電解めっき液に３分間浸漬し（１回目）、約２００ｎｍ程度の厚みのニッケル金属層をガラス基板上に形成した。その結果形成されたニッケル金属層は、隣り合う直線状のラインが互いに接し、間隔の空かない状態、すなわち平面状となった。
【００５２】
２．第２の実施の形態
第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法は、上述した工程（６）（ステップＳ１５）の水洗の後に、基板１０を乾燥する工程をさらに含む点で、第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法と異なる。
【００５３】
２．１．配線基板の製造方法
図１２は、第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法の概略を示すフローチャート８２である。
【００５４】
まず、基板１０を用意し、所望の配線パターン以外の領域にレジスト層２２を形成する（ステップＳ２０）。その後、基板１０を洗浄する（ステップＳ２１）。次に、上述した方法により界面活性剤層２４を基板１０に設け（ステップＳ２２）、所定のパターンを有する触媒層３２を形成する（ステップＳ２３）。
【００５５】
次に、基板１０を無電解めっき液に浸漬することにより、触媒層３２上に第１の金属層３４を形成し（ステップＳ２４）、基板１０を水洗する（ステップＳ２５）。水洗は、たとえば基板１０を純水に浸漬することによって行われることができる。
【００５６】
次に、基板１０表面の水分を除去する（ステップＳ２６）。水分の除去は、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去することにより行われる。空気の吹きつけは、基板１０に対して上方から下方に向かって行うことが好ましい。これにより既に設けた金属層が剥離するのを防止することができる。また圧縮空気を吹き付けて水滴を除去することにより、迅速に基板１０上の水分を除去することができ、まためっき成分を含んだ粘性の高い水分であっても容易に除去することができる。乾燥後、たとえば９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置することにより熱処理してもよい。熱処理することにより、基板と金属層３３間の密着性を向上させることができる。次に、基板１０を無電解めっき液に浸漬することにより、第１の金属層３４上に第２の金属層３６を形成する（ステップＳ２７）。
【００５７】
上述したステップＳ２５、ステップＳ２６、およびステップＳ２７を、金属層３３が所望の厚さになるまで繰り返す（ステップＳ２８）ことにより、配線基板１００が製造される。ステップＳ２５、ステップＳ２６、およびステップＳ２７を繰り返すと、第２の金属層３６は、複数層形成される。このとき、無電解めっき液に浸漬する浸漬時間は、ステップＳ２７を行う毎に徐々に短くすることが好ましい。また、乾燥工程後の熱処理工程は、必要に応じて行われればよく、たとえば１回目の乾燥工程の後にのみ行ってもよい。
【００５８】
以上の工程により、第２の実施の形態にかかる配線基板を形成することができる。第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法によれば、基板を水洗した後に空気を吹き付けて水分を除去するため、たとえば第１の金属層３４や第２の金属層３６の隙間のような微細な領域まで十分に表面洗浄することができる。その後無電解めっき液に基板１０を浸漬したときに、基板１０付近、特に第１の金属層３４の隙間付近のめっき成分をほぼ完全に予め除去していることから、付近の無電解めっき液の濃度を一時的に下げることができる。無電解めっき液の濃度を下げることにより、めっき析出を遅らせると想定される。したがって、基板面方向へのめっき析出を抑制しながら、厚さ方向に金属層を成長させることができるため、配線パターンの間隔が金属層によって埋められるのを防止することができる。よって、高密度配線を精度良く形成することができる。
【００５９】
なお、各工程の詳細については、第１の実施の形態における対応する工程と同様であるので説明を省略する。
【００６０】
３．第３の実施の形態
第３の実施の形態にかかる配線基板の製造方法は、第１の実施の形態における工程（６）（ステップＳ１５）の水洗の後に、基板１０を乾燥する工程と、その後に基板１０を再水洗する工程とをさらに含む点で、第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法と異なる。
【００６１】
３．１．配線基板の製造方法
図１３は、本実施の形態にかかる配線基板の製造方法の概略を示すフローチャート８４である。
【００６２】
まず、基板１０を用意し、所望の配線パターン以外の領域にレジスト層２２を形成する（ステップＳ３０）。その後、基板１０を洗浄する（ステップＳ３１）。次に、上述した方法により界面活性剤層２４を基板１０に設け（ステップＳ３２）、所定のパターンを有する触媒層３２を形成する（ステップＳ３３）。
【００６３】
次に、基板１０を無電解めっき液に浸漬することにより、触媒層３２上に第１の金属層３４を形成し（ステップＳ３４）、基板１０を水洗する（ステップＳ３５）。水洗は、たとえば基板１０を純水に浸漬することによって行われることができる。
【００６４】
次に、基板１０表面の水分を除去する（ステップＳ３６）。水分の除去は、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去することにより行われる。空気の吹きつけは、基板１０に対して上方から下方に向かって行うことが好ましい。これにより既に設けた金属層が剥離するのを防止することができる。また圧縮空気を吹き付けて水滴を除去することにより、迅速に基板１０上の水分を除去することができ、まためっき成分を含んだ粘性の高い水分であっても容易に除去することができる。水分の除去後、たとえば９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置することにより熱処理してもよい。熱処理することにより、基板と金属層３３間の密着性を向上させることができる。
【００６５】
次に、基板１０を再び水洗する（ステップＳ３７）。水洗は、たとえば基板１０を純水に浸漬することによって行われることができる。次に、基板１０を無電解めっき液に浸漬することにより、第１の金属層３４上に第２の金属層３６を形成する（ステップＳ３８）。
【００６６】
上述したステップＳ３５、ステップＳ３６、ステップＳ３７、およびステップＳ３８を、金属層３３が所望の厚さになるまで繰り返す（ステップＳ３９）ことにより、配線基板が製造される。ステップＳ３５、ステップＳ３６、ステップＳ３７、およびステップＳ３８を繰り返すと、第２の金属層３６は、複数層形成される。このとき、無電解めっき液に浸漬する浸漬時間は、ステップＳ３８を行う毎に徐々に短くすることが好ましい。また、乾燥工程後の熱処理工程は、必要に応じて行われればよく、たとえば１回目の乾燥工程の後にのみ行ってもよい。
【００６７】
またステップＳ３８において、基板１０を浸漬する際、無電解めっき液を攪拌せず、基板１０を静止状態にすることが好ましい。これにより、水洗により形成された水膜が基板１０付近に存在する時間を長引かせることができる。これにより、基板面方向へのめっき析出をさらに遅らせることができる。
【００６８】
以上の工程により、第３の実施の形態にかかる配線基板を形成することができる。第３の実施の形態にかかる配線基板の製造方法によれば、基板を水洗した後に空気を吹き付けて水分を除去し、その後に再水洗するため、たとえば第１の金属層３４や第２の金属層３６の隙間のような微細な領域まで十分に表面洗浄し、かつ水滴を付着させることができる。よって、その後無電解めっき液に基板１０を浸漬したときに、付近の無電解めっき液の濃度をさらに下げることができる。無電解めっき液の濃度を下げることにより、めっき析出を遅らせると想定される。したがって、基板面方向へのめっき析出を抑制しながら、厚さ方向に金属層を成長させることができるため、配線パターンの間隔が金属層によって埋められるのを防止することができる。よって、高密度配線を精度良く形成することができる。
【００６９】
なお、各工程の詳細については、第１の実施の形態における対応する工程と同様であるので説明を省略する。
【００７０】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、上述した実施の形態では、予め基板上に所望のパターン領域以外の領域にレジスト層を設けて全面に界面活性剤層および触媒層を形成した後にレジスト層を除去することにより、触媒層を所定の領域に形成しているが、これにかえて、レジスト層を用いないで触媒層を形成してもよい。具体的には、たとえば界面活性剤層を基板全面に形成し、この界面活性剤層の一部を光分解して所望のパターン領域にのみ界面活性剤層を残す。これにより、触媒層は所望のパターン領域にのみ形成されることができる。界面活性剤層の光分解は、真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いて行うことができる。光の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。この波長帯域を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。
【００７１】
また本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法の概略を示すフローチャート。
【図２】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図３】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図４】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図５】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図６】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図７】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図８】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図９】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１０】第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。
【図１１】第１の実施の形態にかかる配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す図。
【図１２】第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法の概略を示すフローチャート。
【図１３】第３の実施の形態にかかる配線基板の製造方法の概略を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００７３】
１０  基板、１４  界面活性剤溶液、１８  光源、２０  光、２２  レジスト層、２４  界面活性剤層、２６  界面活性剤層、３０  触媒溶液、３１  触媒層、３２  触媒層、３３  金属層、３４  第１の金属層、３６  第２の金属層、８０、８２、８４  フローチャート、９０  集積回路チップ、９２  他の基板、１００  配線基板、１０００  電子デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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