(57)【要約】【課題】データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑える。【解決手段】画素１１０は、画素容量と、容量線１３２に接続された蓄積容量とを含む。走査線１１２を１、２、３、…、３２０、３２１行目という順番で選択する場合、各行の容量線１３２にＴＦＴ１５６、１５８を設ける。ここで例えば、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極は第１給電線１６５に接続され、そのゲート電極は１行目の走査線１１２に接続され、ＴＦＴ１５８のソース電極は第２給電線１６７に接続され、そのゲート電極は２行目の走査線１１２に接続され、ＴＦＴ１５６、１５８のドレイン電極同士は、１行目の容量線１３２に接続されて、２行目の走査信号Ｙ２がＨレベルになったときに、１行目の容量線１３２に電圧ΔＶだけ変動するように、第１給電線１６５に供給される第１容量信号Ｖc1、および、第２給電線１６７に供給される第２容量信号Ｖc2の電圧を規定する。【選択図】図１
2007327996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第１給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されたときに第２給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されたときに、当該一の容量線の電圧が変化するように、前記第１および第２給電線の電圧が設定された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記第１給電線の電圧は、異なる２つの電圧が所定の周期で入れ替わり、
前記第２給電線の電圧は一定である
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記第２給電線の電圧を、前記第１給電線における２つの電圧の中間値とする
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
前記第１および第２給電線は、異なる２つの電圧が同時にかつ前記走査線の選択毎に入れ替わる
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
前記第１および第２給電線は、異なる２つの電圧が相補的にかつ前記走査線の選択毎に入れ替わる
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項７】
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の各々に対応して、第１および第２トランジスタを有し、
一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が第１給電線に接続され、
前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が第２給電線に接続されて、
前記第１および第２トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に接続された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項８】
前記容量線の各々に対応して、補助容量を有し、
一の容量線に対応する補助容量は、その一端が当該一の容量線に接続され、
その他端が、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線と所定行離間した走査線が選択されてから再び当該一の走査線が選択されるまでの期間において、一定の電位に保たれた
ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項９】
前記第１給電線は、奇数行用と偶数行用とに分かれ、
奇数行に対応する容量線の第１トランジスタのソース電極は、奇数行用の第１給電線に接続され、偶数行に対応する容量線の第１トランジスタのソース電極は、偶数行用の第１給電線に接続され、
異なる２つの電圧のうち一方が奇数行に対応する第１給電線に印加され、前記異なる２つの電圧のうち他方が偶数行に対応する第１給電線に印加されるとともに、前記異なる２つの電圧は、所定の周期で入れ替えられる
ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項１０】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第１給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されたときに第２給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置において、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する必要がある場合、データ信号の電圧振幅が正負の両極性となるので、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路においては、構成素子に電圧振幅に対応した耐圧が要求される。このため、画素容量に並列して蓄積容量を設けるとともに、各行において蓄積容量を共通接続した容量線を、走査線の選択に同期させて２値で駆動することにより、データ信号の電圧振幅を抑える技術が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−８３９４３号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、この技術では、容量線を駆動する回路が、走査線を駆動する走査線駆動回路（実質的にはシフトレジスタ）と同等であるので、容量線を駆動するための回路構成が複雑化してしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えることが可能な電気光学装置、その駆動回路および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数行の走査線と、複数列のデータ線と、前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、前記画素容量の一端と、前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第１給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって、当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されたときに第２給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、簡易な構成により、データ線の電圧振幅を抑えることが可能となる。
【０００５】
ここで、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、前記容量線駆動回路は、一端が前記第１給電線に接続され、当該一の走査線が選択されたときに一端と他端との間において導通状態となる第１スイッチング素子と、一端が前記第２給電線に接続され、当該一の走査線から所定行離間した走査線が選択されたときに一端と他端との間において導通状態となる第２スイッチング素子と、を含み、前記第１スイッチング素子の他端と前記第２スイッチング素子の他端とが当該一の走査線に共通接続された構成が好ましい。
また、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、前記第１給電線の電圧は、異な
る２つの電圧が所定の周期で入れ替わり、前記第２給電線の電圧は一定であるとしても良いし、さらに、前記第２給電線の電圧を、前記第１給電線における２つの電圧の中間値としても良い。
さらに、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、前記第１および第２給電線は、異なる２つの電圧が同時にかつ前記走査線の選択毎に入れ替わる構成としても良いし、異なる２つの電圧を、相補的かつ所定の周期で入れ替わる構成としても良い。
一方、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、一端が前記複数の容量線に接続されるとともに他端が一定の電位に保たれた補助容量を、前記複数の容量線の各々に対応して有する構成としても良い。また、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、前記第１給電線は、奇数行用と偶数行用とに分かれ、奇数行に対応する容量線の第１トランジスタのソース電極は、奇数行用の第１給電線に接続され、偶数行に対応する容量線の第１トランジスタのソース電極は、偶数行用の第１給電線に接続され、異なる２つの電圧のうち一方が奇数行に対応する第１給電線に印加され、前記異なる２つの電圧のうち他方が偶数行に対応する第１給電線に印加されるとともに、前記異なる２つの電圧は、所定の周期で入れ替えられる構成としても良い。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域１００の周辺に制御回路２０、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０が配置した構成となっている。このうち、表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、３２１行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在する一方、２４０列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられ、このうち、最終３２１行目以外の１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、３２１行目の走査線１１２は、表示領域１００の垂直走査（画素１１０に対する電圧書込のために走査線を順番に選択する動作）には寄与しない。
なお、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれ容量線１３２がＸ方向に延在して設けられている。このため、本実施形態において、容量線１３２については、ダミーとなる３２１行目の走査線１１２を除いた１〜３２０行分が設けられる。
【０００８】
ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。
図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉは、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。ここで、（ｉ＋１）については、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合には、１以上３２０以下の整数であるが、走査線１１２の行を説明する場合には、ダミーである３２１行目を含める必要があるので１以上３２１以下の整数となる。
【０００９】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
また、画素容量１２０の他端はコモン電極１０８である。このコモン電極１０８は、図１に示されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、コモン信号Ｖcomが供給さ
れる。なお、本実施形態においてコモン信号Ｖcomは、後述するように時間的に電圧ＬＣcomで一定である。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の容量線１３２の電圧を示している。
【００１０】
表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成された対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。このため、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで誘電体の一種である液晶１０５を挟持したものとなり、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保持する構成となっている。この構成において、画素容量１２０では、その透過光量が当該保持電圧の実効値に応じて変化する。なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードであるとする。
【００１１】
また、ｉ行ｊ列の画素１１０における蓄積容量１３０は、一端が画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン電極）に接続されるとともに、他端がｉ行目の容量線１３２に接続されている。ここで、画素容量１２０および蓄積容量１３０における容量値を、それぞれＣpixおよびＣsとする。
【００１２】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするとともに、第１容量信号Ｖc1を第１給電線１６５に、第２容量信号Ｖc2を第２給電線１６７に、それぞれ供給する。また、制御回路２０は、コモン信号Ｖcomをコモン電極１０８に供給する。
表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１４０や、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間にわたって走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を、それぞれ１、２、３、…、３２０、３２１行目の走査線１１２に供給するものである。すなわち、走査線駆動回路１４０は、走査線を１、２、３、…、３２０、３２１行目という順番で選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧Ｖddに相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧（接地電位Ｇnd）に相当するＬレベルとする。
【００１３】
なお、詳細には、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、制御回路２０から供給されるスタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等に
よって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を出力する。
また、本実施形態において１フレームの期間とは、図４に示されるように、走査信号Ｙ１がＨレベルになってから走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまで有効走査期間Ｆaと、
ダミーの走査信号Ｙ３２１がＨレベルとなってから走査信号Ｙ１が再びＨレベルとなるま
での帰線期間Ｆbとを含む。また、１行の走査線１１２が選択される期間が水平走査期間
（Ｈ）である。
【００１４】
容量線駆動回路１５０は、本実施形態では、１〜３２０行目の容量線１３２に対応して設けられたＴＦＴ１５６、１５８の組から構成される。ここで、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６、１５８について説明すると、当該ＴＦＴ１５６（第１トランジスタ）のゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は、第１給電線１６５に接続される一方、当該ＴＦＴ１５８（第２トランジスタ）のゲート電極は、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は、第２給電線１６７に接続されるとともに、ＴＦＴ１５６、１５８のドレイン電極同士がｉ行目の容量線１３２に接続されている。
【００１５】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位置する画素１１０の階調に応じた電圧であって、極性指示信号Ｐolで指定された極性の電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目のデータ線１１４にそれぞれ供給するものである。
ここで、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調値（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デー
タＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によってアドレスとともに変更
後の表示データＤaが供給されて書き換えられる。
データ線駆動回路１９０は、選択される走査線１１２に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、当該階調値に応じた電圧であって指定された極
性の電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する動作を、選択される走査線１１２に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
【００１６】
ここで、極性指示信号Ｐolは、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極性書込を指定する信号であり、図４に示されるように、本実施形態では、１フレームの期間毎に極性反転する。すなわち、本実施形態では、１フレームの期間において画素に書き込む極性をすべて同一とし、この書込極性を１フレームの期間毎に反転させた面反転方式とする。このように極性反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた電圧を保持させる際に、コモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも画素電極１１８の電位を
高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。一方、電圧については、特に説明のない限り、電源の接地電位Ｇndを基準としている。
【００１７】
なお、制御回路２０は、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングにおいてラッチパルスＬpをデータ線駆動回路１９０に供給する。上述したように、走査線駆動回
路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を出力するので、走査線が選択される期間の開始タイミングは、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングである。したがって、データ線駆動回路１９０は、例えばラッチパルスＬpを
１フレームの期間にわたってカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのか、および、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって、その選択の開始タイミング
を知ることができる。
【００１８】
なお、本実施形態において、素子基板には、表示領域１００における走査線１１２や、データ線１１４、ＴＦＴ１１６、画素電極１１８、蓄積容量１３０に加えて、容量線駆動回路１５０におけるＴＦＴ１５６、１５８、第１給電線１６５、第２給電線１６７なども
形成される。
【００１９】
図３は、このような素子基板のうち、容量線駆動回路１５０と表示領域１００との境界付近の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、本実施形態では、ＴＦＴ１１６、１５６、１５８は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側に位置するボトムゲート型である。詳細には、第１導電層となるゲート電極層のパターニングにより走査線１１２および容量線１３２が形成され、その上にゲート絶縁膜（図示省略）が形成され、さらにＴＦＴ１１６、１５６、１５８の半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第２導電層となるＩＴＯ（indium tin oxide）層のパターニングにより、矩形形状の画素電極１１８が形成され、さらに、第３導電層となるアルミニウムなどの金属層のパターニングによって、ＴＦＴ１１６、１５６、１５８のソース・ドレイン電極となるデータ線１１４、第１給電線１６５、第２給電線１６７等が形成されている。
【００２０】
ここで、ＴＦＴ１５６のゲート電極は、走査線１１２からＹ（下）方向にＴ字状に分岐した部分であり、ＴＦＴ１５８のゲート電極は、走査線１１２からＹ（上）方向にＴ字状に分岐した部分である。また、蓄積容量１３０は、画素電極１１８の下層において幅広となるように形成された容量線１３２の部分と当該画素電極１１８とにより上記ゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成である。また、ＴＦＴ１５６、１５８の共通ドレイン電極と容量線１３２とは、上記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホール（図において×印）を介して、電気的な接続が図られている。なお、画素電極１１８と対向するコモン電極１０８は、対向基板に形成されるので、素子基板の平面図を示す図３には現れない。
【００２１】
図３は、あくまでも一例であり、ＴＦＴの型については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。また、容量線駆動回路１５０の素子を表示領域１００に造り込むのではなく、ＩＣチップを素子基板側に実装する構成としても良い。
ＩＣチップを素子基板側に実装する場合、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０を、データ線駆動回路１９０とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞれ別々のチップとしても良い。また、制御回路２０については、ＦＰＣ（flexible printed
circuit）基板等を介して接続しても良いし、半導体チップとして素子基板に実装する構成としても良い。
また、本実施形態を透過型ではなく反射型とする場合には、画素電極１１８について反射性の導電層をパターニングしたものとしても良いし、別途の反射性金属層を持たせても良い。さらに、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
【００２２】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
上述したように本実施形態では、面反転方式としている。このため、制御回路２０は、極性指示信号Ｐolについて、図４に示されるように、あるフレーム（「ｎフレーム」と表記している）の期間においてＨレベルとして正極性書込を指定し、次の（ｎ＋１）フレームの期間においてＬレベルとして負極性書込を指定して、以下同様に１フレームの期間毎に書込極性を反転させる。
また、制御回路２０は、ｎフレームにおいて、第１容量信号Ｖc1および第２容量信号Ｖc2を互いに同電位とする一方、（ｎ＋１）フレームにおいて、第１容量信号Ｖc1を、第２容量信号Ｖc2よりも電圧ΔＶだけ相対的に上昇させる。このため、図４に示されるように、第２容量信号Ｖc2が電圧Ｖslで書込極性に拘わらずに一定であれば、第１容量信号Ｖc1は、ｎフレームにおいて同じ電圧Ｖslであり、（ｎ＋１）フレームにおいて電圧ＶslよりもΔＶだけ高い電圧Ｖshとなる。
【００２３】
さて、ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって最初に走査信号Ｙ１がＨレベルになる。
一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、１行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧ＬＣcomを基準に高位側とした電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０に変換し、
それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。
これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０の表示データＤaで指定された電圧だけ電圧ＬＣcomよりも高位側とした正極性の電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
さて、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０が印加される。このため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。一方、走査信号Ｙ１がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６がオンするが、ＴＦＴ１５８がオフであるので（走査信号Ｙ２はＬレベルであるので）、当該１行目の容量線１３２は、第１給電線１６５に接続された状態となって電圧Ｖslとなる。このため、１行１列〜１行２４０列の蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Ｖslとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２４】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、走査信号Ｙ１がＬレベル、走査信号Ｙ２がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６がオフし、ＴＦＴ１５８がオンするので、当該１行目の容量線１３２は第２給電線１６７に接続された状態となるが、正極性書込を指定するｎフレームにおいては、当該第２給電線１６７は第１給電線１６５と同じ電圧Ｖslであるために電位変動しない。
このため、極性指示信号ＰolがＨレベルあって正極性書込が指示されていれば、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。
【００２５】
一方、走査信号Ｙ２がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、２行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０が印加される結果、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が書き込まれることになる。
なお、走査信号Ｙ２がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、２行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６がオンするが、ＴＦＴ１５８がオフであるので（走査信号Ｙ３はＬレベルであるので）、当該２行目の容量線１３２は電圧Ｖslとなり、このため、２行１列〜２行２４０列の蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Ｖslとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２６】
次に走査信号Ｙ２がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ３がＨレベルになる。
走査信号Ｙ２がＬレベルになると、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６がオフし、ＴＦＴ１５８もオフするので、当該１行目の容量線１３２は、電気的にどこにも接続されないハイ・インピーダンス状態となる。このため、当該１行目の容量線１３２は、その寄生容量によってＴＦＴ１５８のオフ直前の状態である
電圧Ｖslに保持されるため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０において保持された電圧は以後についても変化が生じないことになる。結局、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０は、それぞれ走査信号Ｙ１がＨレベルとなったときに画素電極１１８に印加されたデータ信号の電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとの差
電圧、すなわち、階調に応じた電圧を保持し続けることになる。
また、走査信号Ｙ３がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、３行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給し、これにより、３行１列〜３行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
なお、走査信号Ｙ３がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、３行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６がオンするが、ＴＦＴ１５８がオフであるので（走査信号Ｙ４はＬレベルであるので）、当該３行目の容量線１３２は電圧Ｖslとなり、このため、３行１列〜３行２４０列の蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Ｖslとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２７】
極性指示信号Ｐo lがＨレベルとなるｎフレームの期間では、以下同様な動作が、走査
信号Ｙ３２１がＨレベルとなるまで繰り返され、これにより、すべての画素容量１２０は、画素電極１１８に印加されたデータ信号の電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとの
差電圧を保持し続けることになる。
【００２８】
次に、制御回路２０は、極性信号ＰolがＬレベルとなる（ｎ＋１）フレームの動作について説明する。
この（ｎ＋１）フレームの動作は、主に次の２点においてｎフレームの動作と相違する。すなわち、第１に、制御回路２０は、第１容量信号Ｖc1を、図４に示されるように、電圧ＶslよりもΔＶだけ高い電圧Ｖshとする点と、第２に、走査信号ＹｉがＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、ｉ行
目であって、１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出す点までｎフ
レームと一緒であるが、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０として、当該表示データＤaに対応し、かつ、負極性に対応した電圧（この意味については後述する）とする
点とにおいてｎフレームの動作と相違する。
そこで、（ｎ＋１）フレームにおける動作については、この相違点を中心にして、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときにｉ行ｊ列の画素容量１２０に書き込んだ電圧が、走査信号Ｙ（ｉ＋１)がＨレベルとなったときにどのように変化するのか、という観点で説明
することにする。
【００２９】
図５は、（ｎ＋１）フレームにおけるｉ行ｊ列の画素容量１２０の電圧変化を説明するための図である。
まず、走査信号ＹｉがＨレベルになると、図５（ａ）に示されるように、ｉ行ｊ列のＴＦＴ１１６がオンするので、データ信号Ｘｊが画素容量１２０の一端（画素電極１１８）と蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ印加される。一方、走査信号ＹｉがＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０においてｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６がオンし、ＴＦＴ１５８がオフを維持するので、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、第１給電線１６５の電圧Ｖshとなる。なお、コモン電極１０８は電圧ＬＣcomで一定である。
したがって、このときのデータ信号Ｘｊの電圧をＶｊとすれば、ｉ行ｊ列における画素容量１２０には電圧（Ｖｊ−ＬＣcom）が充電され、蓄積容量１３０には電圧（Ｖｊ−Ｖsh）が充電される。
【００３０】
次に、走査信号ＹｉがＬレベルになると、図５（ｂ）に示されるように、ｉ行ｊ列のＴＦＴ１１６がオフする。また、走査信号ＹｉがＬレベルになると、次の走査信号Ｙ（ｉ＋
１）がＨレベルになるので（図５（ｂ）においては（ｉ＋１）行を図示省略）、容量線駆動回路１５０においてｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６がオフ、ＴＦＴ１５８がオンする。このため、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、第２給電線１６７の電圧Ｖslとなり、走査信号ＹｉがＨレベルであったときと比較すると、電圧ΔＶだけ低下するが、コモン電極１０８は電圧ＬＣcomで一定である。したがって、画素容量１２０に蓄え
られた電荷は、蓄積容量１３０に移動するので、画素電極１１８の電圧が低下する。
詳細には、画素容量１２０と蓄積容量１３０との直列接続において、画素容量１２０の他端（コモン電極）が電圧一定に保たれたまま、蓄積容量１３０の他端が電圧ΔＶだけ低下するので、画素電極１１８の電圧も低下する。
このため、当該直列接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖｊ−｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、走査信号ＹｉがＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖｊよりも、ｉ行目の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画素容量１２０および蓄積容量１３０の容量比｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ低下することになる。すなわち、ｉ行目の容量線１
３２の電圧ＣｉがΔＶだけ低下すると、画素電極１１８の電圧は、走査信号ＹｉがＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖｊよりも、｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ（＝Δ
Ｖpixとする）だけ低下することになる。ただし、各部の寄生容量は無視している。
【００３１】
ここで、負極性書込が指定される（ｎ＋１）フレームにおいて、走査信号ＹｉがＨレベルのときのデータ信号Ｘｊは、画素電極１１８が電圧ΔＶpixだけ低下することを見越し
た電圧Ｖｊに設定される。すなわち、低下した後の画素電極１１８の電圧がコモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも低位であって両者の差電圧がｉ行ｊ列の階調に応じた値となる
ように設定される。
詳細には、本実施形態では、図７に示されるように、正極性書込となるｎフレームにおいて、データ信号が白色ｗに相当する電圧Ｖw(+)から黒色ｂに相当する電圧Ｖb(+)までの範囲であって、階調が低く（暗く）なるにつれて電圧ＬＣcomよりも高位側の電圧となる
場合に、負極性書込となる（ｎ＋１）フレームにおいて画素を白色ｗするときには電圧Ｖb(+)とし、画素を黒色ｂとする場合には電圧Ｖw(+)となるように設定して、正極性の電圧範囲と同一であって、その階調関係を逆転させた設定とする。第２に、（ｎ＋１）フレームにおいてデータ信号の電圧を書き込んだ後に、画素電極１１８が電圧ΔＶpixだけ低下
したとき、当該画素電極１１８の電圧が負極性の白色に相当する電圧Ｖw(-)から黒色に相当する電圧Ｖb(-)までの範囲であって、電圧ＬＣcomを基準にして正極性の電圧と対称と
なるように、容量線１３２の電圧ΔＶの低下分を設定する。
これにより、負極性書込を指定する（ｎ＋１）フレームにおいて、電圧ΔＶpixだけ低
下したときの画素電極１１８の電圧は、階調に応じた負極性の電圧、すなわち、白色ｗに相当する電圧Ｖw(-)から黒色ｂに相当する電圧Ｖb(-)までの範囲であって、階調が低く（暗く）なるにつれて電圧ＬＣcomよりも低位側の電圧にシフトする。
なお、図５では、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０について説明するが、同様な動作は、走査線１１２および容量線１３２を兼用するｉ行について同様に実行される。また、（ｎ＋１）フレームにおいては、ｎフレームと同様に、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１が順番にＨレベルとなるので、各行における動作は、１、２、３、…、３２０行の画素についても順番に実行される。
【００３２】
したがって、本実施形態では、負極性書込を指定する（ｎ＋１）フレームにおけるデータ線の電圧範囲ａは、正極性書込を指定するｎフレームと同じであるが、シフト後における画素電極１１８の電圧が、階調に応じた負極性電圧となる。これにより、本実施形態によれば、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧が狭くて済むだけでなく、容量が寄生するデータ線１１４における電圧振幅も狭くなるので、その寄生容量により無駄に電力が消費されることもなくなる。
すなわち、コモン電極１０８が電圧ＬＣcomに保たれるとともに、容量線１３２の電圧
を、各フレームにわたって一定とした構成において、画素容量１２０を交流駆動する場合、画素電極１１８に、あるフレームにおいて階調に応じて正極性の電圧Ｖw(+)から電圧Ｖb(+)までの範囲の電圧で書き込んだときには、階調に変化がなければ、次のフレームにおいて負極性に対応した電圧Ｖw(-)から電圧Ｖb(-)までの範囲であって、電圧ＬＣcomを基
準に反転させた電圧を書き込まなければならない。このため、コモン電極１０８の電圧が一定である構成において、容量線１３２の電圧一定としたとき、データ信号の電圧が図において範囲ｂにわたるので、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧も範囲ｂに対応させる必要があるだけでなく、容量が寄生するデータ線１１４において範囲ｂで電圧が変化すると、その寄生容量により無駄に電力が消費されることにもなるが、本実施形態では、このような不都合が解消されるのである。
【００３３】
さらに、本実施形態によれば、図６に示されるように、正極性書込を指示するフレームにおいてｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルになったときにＴＦＴ１５６がオンすることにより第１給電線１６５の電圧Ｖslとなり、その次の走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときにＴＦＴ１５８がオンすることにより第２給電線１６７の電圧Ｖslとなる。このため、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、正極性書込を指示するフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったタイミングでは電圧変化しない。
一方、負極性書込を指示するフレームにおいてｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルになったときにＴＦＴ１５６がオンすることにより第１給電線１６５の電圧Ｖshとなり、その次の走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときにＴＦＴ１５８がオンすることにより第２給電線１６７の電圧Ｖslとなる。このため、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、負極性書込を指示するフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったタイミングにて電圧ΔＶだけ低下する。
本実施形態では、このように１行分の容量線１３２を駆動するのに、２つのＴＦＴ１５６、１５８で足り、さらに、別途の制御信号や制御電圧も不要である。このため、各行に対応した容量線１３２を駆動する容量線駆動回路１５０の構成が複雑化を回避することも可能である。
なお、図６は、走査信号と容量線と画素電極との電圧関係を示す図であり、ｉ行ｊ列の画素電極１１８の電圧変化をＰix（i,j)で示している。
【００３４】
ここで、正極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲と、負極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲とを一致させたが、完全に一致させなくもても、容量線１３２の電圧変化によりデータ信号の電圧振幅を抑えることはできる。
【００３５】
なお、この説明では、第２容量信号Ｖc2を電圧Ｖslで一定とすることによって、正極性書込を指定するｎフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに、ｉ行目の容量線１３２の電圧を変化させない一方、負極性書込を指定する（ｎ＋１）フレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに、ｉ行目の容量線１３２を電圧ΔＶだけ低下させて、走査信号ＹｉがＨレベルであったときに書き込んだ画素電極１１８を電圧ΔＶpixだけ低下させたが、これとは反対としても良い。
すなわち、図８に示されるように、第２容量信号を電圧Ｖshで一定とすることによって、負極性書込を指定するフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに、ｉ行目の容量線１３２の電圧を変化させない一方、正極性書込を指定するフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに、ｉ行目の容量線１３２を電圧ΔＶだけ上昇させて、走査信号ＹｉがＨレベルであったときに書き込んだ画素電極１１８を電圧ΔＶpixだけ上昇させる構成としても良い。
この構成において、データ信号の電圧関係は、図７（ａ）および図７（ｂ）を、電圧ＬＣcomを基準に反転させるとともに、正極性書込を負極性書込に、負極性書込を正極性書
込に、それぞれ読み替えれば良い。
【００３６】
さらに、この説明では、１フレームの期間において画素に書き込む極性をすべて同一とし、この書込極性を１フレームの期間毎に反転させた面反転方式としたが、１行毎に書込極性を反転する走査線（ライン）反転方式としても良い。
走査線反転方式とする場合、極性指示信号Ｐolは、図９に示されるように、水平走査期間（Ｈ）毎に反転するとともに、隣接するフレーム同士において、同一の走査信号がＨレベルとなる（同一の走査線が選択される）期間でみたときにも反転した関係となる。
また、第１容量信号Ｖc1は、極性指示信号ＰolがＨレベルであるときに電圧Ｖslとなり、極性指示信号ＰolがＬレベルであるときに電圧Ｖshとなる。
これにより、図９のｎフレームにおいて、奇数（１、３、５、…、３１９）行の容量線１３２は、次の偶数（２、４、６、…、３２０）行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになっても電圧変化しないが、偶数行の容量線１３２は、次の奇数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧ΔＶだけ低下する。したがって、図９のｎフレームにおいて奇数行では図７（ａ）と同様な正極性書込が実行される一方、偶数行では図７（ｂ）と同様な負極性書込が実行される。
一方、図９の（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数行の容量線１３２は、次の偶数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧ΔＶだけ低下するが、偶数行の容量線１３２は、次の奇数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになっても電圧変化しない。したがって、図９の（ｎ＋１）フレームにおいて奇数行では図７（ｂ）と同様な負極性書込が実行される一方、偶数行では図７（ａ）と同様な正極性書込が実行される。
なお、図９においては、第２容量信号Ｖc2を電圧Ｖslとしたが、電圧Ｖshとして、容量線１３２の電圧をΔＶだけ上昇させる構成としても良い。
【００３７】
また、このように走査線反転方式とする場合に、図１０に示されるように、第２容量信号Ｖc2を電圧ＬＣcomで一定としても良い。
第２容量信号Ｖc2を電圧ＬＣcomで一定とした場合、図１０のｎフレームにおいて、奇
数行の容量線１３２は、次の偶数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧Ｖslから電圧ＬＣcomに上昇し、偶数行の容量線１３２は、次の奇数行の走査線
１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧Ｖshから電圧ＬＣcomに下降する一
方、（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数行の容量線１３２は、次の偶数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧Ｖshから電圧ＬＣcomに下降し、偶数行の
容量線１３２は、次の奇数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧Ｖslから電圧ＬＣcomに上昇する。
ここで、電圧Ｖslから電圧ＬＣcomへの上昇分と、電圧ＬＣcomから電圧Ｖslへの変化分を等しくΔＶとしたとき、図１１に示されるように、ｉ行目の画素電極では、走査信号ＹｉがＨレベルになったときに書き込んだ電圧を、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときにｉ行目の容量線１３２を電圧ΔＶだけ変化させることによって、電圧ΔＶpixだ
けシフトさせる動作が、正極性書込と負極性書込とで１フレームの期間毎に交互に実行される。
【００３８】
ここで、データ信号は、正極性書込が指定されたときの電圧範囲ａに、負極性書込が指定されたときの電圧範囲を一致させるようにすれば、図４と同様な効果を奏する。すなわち、図１２に示されるように、正極性書込となるｎフレームにおいて、電圧範囲ａの中心が電圧ＬＣcomに一致するように設定するとともに、電圧ΔＶpixだけ上昇したときに、電圧Ｖw(+)から電圧Ｖb(+)までの範囲にシフトし、電圧ΔＶpixだけ下降したときに、電圧
Ｖw(-)から電圧Ｖb(-)までの範囲にシフトするように電圧ΔＶ（＝Ｖsh−ＬＣcom＝ＬＣcom−Ｖsl）を設定すれば良い。ただし、図１２における電圧範囲ａは、正極性書込が指定される場合、白色ｗ側が低位となり黒色ｂ側が高位となるが、負極性書込が指定される場合、白色ｗ側が高位となり黒色ｂ側が低位となり、階調の関係が逆転する。
なお、正極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲と、負極性書込が指定され
たときのデータ信号の電圧範囲とを一致させなくても、容量線１３２の電圧変化によりデータ信号の電圧振幅を抑えることはできる。
【００３９】
ところで、図３に示されるように、第１給電線１６５と第２給電線１６７とは、走査線１１２と（絶縁を保った上で）交差するために寄生容量が発生する。したがって、第１給電線１６５と第２給電線１６７との電位が変化すると、この寄生容量によって無駄な電力が消費されることになる。一般に、この寄生容量をＣ、変化電圧をＶ、変化頻度（周波数）をｆとすると、消費電力はＣＶ２ｆで表せる。そこで、図１３に示されるように、第２容量信号Ｖc2の電圧波形を第１容量信号Ｖc1と同じとし、その電圧振幅を、図４における第１容量信号Ｖc1の半分にする。すると、図９の場合と同様に、正極性書込と負極性書込とを走査線毎に交互に実行する走査線反転方式が行われることになる。
ここで、第１給電線１６５と第２給電線１６７との寄生容量による消費電力は、それぞれ、
Ｃ（Ｖ／２）２ｆ
となるが、第１給電線１６５と第２給電線１６７との両方が変化するので、結局、
２Ｃ（Ｖ／２）２ｆ＝（１／２）ＣＶ２ｆ
となって、図９の場合に比べて、第１給電線１６５と第２給電線１６７とによる消費電力を半減することが出来る。
なお、第１容量信号Ｖc1、第２容量信号Ｖc2を図１３に示されるように変化させた場合に、データ信号の電圧は、例えば図１２に示されるように電圧範囲を規定すれば良い。
【００４０】
一方、図３に示されるように、容量線１３２は、第２給電線１６７と（絶縁を保った上で）交差するが、第１給電線１６５とは交差しない。ただし、図３に示される構成以外の構成をとった場合、例えば、容量線１３２が、第２給電線１６７のみならず、第１給電線１６５とも交差するような構成をとった場合、容量線１３２は、第１給電線１６５と第２給電線１６７との双方に対し、それぞれ寄生容量を介して電気的に結合することになる。
特に、本実施形態において、走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）がいずれもＬレベルであれば、ｉ行目の容量線１３２は、ハイ・インピーダンス状態となるので、第１給電線１６５、第２給電線１６７が電圧変化した場合、その電圧変化が寄生容量を介して容量線１３２に伝搬して、ハイ・インピーダンス状態の電位を変動させてしまう可能性がある。走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）がいずれもＬレベルである場合に、ｉ行目の容量線１３２が電位変動すると、画素容量１２０において蓄積された電荷が移動して、階調に応じた電圧から外れてしまうので、このような電圧変動はできるだけ抑えたい。
そこでまず、図１４に示されるように、ｉ行目のＴＦＴ１５８のゲート電極を（ｉ＋１）行目の走査線１１２ではなく、もう１行下の（ｉ＋２）行目の走査線１１２に接続した構造にした上で、図１５に示されるように、第１容量信号Ｖc1として、極性指示信号ＰolがＨレベルであるときに電圧Ｖslとし、極性指示信号ＰolがＬレベルであるときに電圧Ｖshとしたときに、第２容量信号Ｖc2の電圧として、第１容量信号Ｖc1の電圧Ｖsl、Ｖshを入れ替えた関係としても良い。
なお、第１容量信号Ｖc1、第２容量信号Ｖc2を図１５に示されるように変化させた場合に、データ信号の電圧は、例えば図１２に示されるように、電圧範囲を規定すれば良い。
【００４１】
このように、第１容量信号Ｖc1が電圧Ｖslであるときに第２容量信号Ｖc2が電圧Ｖshとなり、第１容量信号Ｖc1が電圧Ｖshであるときに第２容量信号Ｖc2が電圧Ｖslとなるような相補的な関係に設定すると、第１容量信号Ｖc1の電圧が変化するときには、第２容量信号Ｖc2が同じ電圧だけ反対方向に変化する。
このため、容量線１３２と第１給電線１６５との寄生容量と、容量線１３２と第２給電線１６７との寄生容量とが同一であれば、第１給電線１６５の電圧変化が容量線１３２に及ぼす影響は、第２給電線１６７の電圧変化が容量線１３２に及ぼす影響により相殺されるので、ハイ・インピーダンス状態における容量線１３２の電位変動を抑えることができ
る。
【００４２】
また、図１５に示されるようにした場合、ｉ行目の容量線１３２の電圧ΔＶは、第１容量信号Ｖc1と第２容量信号Ｖc2との相対変化で決まる。このため、第２容量信号Ｖc2の電圧を一定として第１容量信号Ｖc1の電圧を変化させたときの構成（図４、図８、図９、図１０）と比較して、容量信号の振幅が半分となる（この点については、図１３も同様である）。
なお、容量線１３２と第１給電線１６５との寄生容量と、容量線１３２と第２給電線１６７との寄生容量とが相違するのであれば、この寄生容量の大きさに応じて、第１容量信号Ｖc1の電圧振幅と第２容量信号Ｖc2の電圧振幅とを異ならせれば良い。
【００４３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１６は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される構成が第１実施形態（図１参照）と相違する部分は、補助容量１８０と共通給電線１８２とが設けられている点にある。そこでこの点について説明すると、補助容量１８０は、１〜３２０行の容量線１３２に対応して設けられ、一端が容量線１３２に接続され、他端が共通給電線１８２に接続されている。この共通給電線１８２は、Ｙ方向に延在して、各容量線１３２と交差するように設けられ、一定の電位、例えば電位Ｇndに接地されている。
【００４４】
図１７は、第２実施形態において、素子基板のうち、容量線駆動回路１５０と表示領域１００との境界付近の構成を示す平面図である。
この図において第１実施形態（図３参照）と相違する部分は、容量線１３２が、共通給電線１８２と交差する部分において幅広となるように形成されるとともに、共通給電線１８２が、第３導電層となる金属層のパターニングによって、容量線１３２の幅広部分と重なるように設けられている点にある。したがって、補助容量１８０は、容量線１３２と共通給電線１８２とによりゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成となる。
なお、共通給電線１８２のうち、走査線１１２と交差する部分については、補助容量１８０の幅広部分よりも狭くなるように形成されている。
【００４５】
上述したように、ｉ行の容量線１３２は、走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）がいずれもＬレベルであれば、ハイ・インピーダンス状態となるので、寄生容量を介して結合する部分の電圧変動の影響を受けやすくなるが（図１５の例を除く）、この第２実施形態によれば、ハイ・インピーダンス状態となった容量線１３２は、ハイ・インピーダンス状態となる直前の電圧を保持した補助容量１８０により安定的に保たれる。
このため、第２実施形態によれば、容量線１３２の電位変動によって画素容量１２０で保持される電圧が変化し、目標とする階調から外れてしまうことを防止することが可能となる。
【００４６】
ここで、補助容量１８０の目的は、ｉ行目でいえば、走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）がいずれもＬレベルであって、ｉ行目の容量線１３２の電圧を、ＴＦＴ１５８のオフ直前の状態に維持することであるから、補助容量１８０の他端を、例えばｉ行目の走査線１１２に接続しても良い。補助容量１８０の他端をｉ行目の走査線１１２に接続しても、ｉ行目の容量線１３２がハイ・インピーダンス状態となる期間にわたって、走査信号ＹｉはＬレベルで一定に保たれるから、共通給電線１８２と同等の効果を奏することになる。
なお、実際には、容量線１３２は、自身に寄生する容量や、ＴＦＴ１５６、１５８の寄生容量（特に、ゲート・ドレイン電極の容量）、さらには、コモン電極１０８との対向による容量など、様々な容量によって、ハイ・インピーダンス状態になっても、ある程度の電圧保持性を有する。ただし、第２実施形態のように、補助容量１８０を積極的に設ける
ことにより、容量線１３２の電位をより安定化することが可能である。
【００４７】
＜第３実施形態＞
ところで、走査線反転方式とする場合（図９、図１０等参照）、第１容量信号Ｖc1を水平走査期間（Ｈ）毎に電圧Ｖsl、Ｖshで切り替える必要がある。このため、第１容量信号Ｖc1を供給する第１給電線１６５に容量が寄生していると、この電圧切り替えにより電力が無駄に消費されてしまうことになる。そこで、この点を解消した第３実施形態について説明する。
【００４８】
図１８は、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示される構成が第１実施形態（図１参照）と相違する部分は、第１に、制御回路２０が第１容量信号として２種類を出力する点、および、第２に、容量線駆動回路１５０において、奇数行の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極が２種類の第１容量信号のうち一方を供給する給電線に接続される一方、偶数行の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極が他方を供給する給電線に接続された点にある。
他については同一であるので、その説明を省略し、以下においては、この相違点を中心に説明することにする。
【００４９】
詳細には、制御回路２０は、第１容量信号Ｖc1の代わりに、第１容量信号Ｖc1a、Ｖc1bを、それぞれ第１給電線１６５ａ、１６５ｂに供給する。
ここで、図２０に示されるように、第１容量信号Ｖc1aは、各フレームにわたって電圧
一定であってｎフレームにおいて電圧Ｖslであり、次の（ｎ＋１）フレームにおいて電圧Ｖshに切り替わる。すなわち、第１容量信号Ｖc1aでは、電圧Ｖsl、Ｖshが１フレームの
期間毎に交互に切り替わる。
一方、第１容量信号Ｖc1bは、第１容量信号Ｖc1aに対して、電圧Ｖsl、Ｖshを入れ替えた関係にある。すなわち、第１容量信号Ｖc1bは、ｎフレームにおいて第１容量信号Ｖc1aが電圧Ｖslであるときに電圧Ｖshとなり、（ｎ＋１）フレームにおいて第１容量信号Ｖc1aが電圧Ｖshであるときに電圧Ｖslとなる。第２容量信号Ｖc2は、電圧ＬＣcomで一定である。
そして、容量線駆動回路１５０において、奇数行の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極は第１給電線１６５ａに接続され、偶数行の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極は第１給電線１６５ｂに接続されている。
【００５０】
図１９は、第３実施形態において、素子基板のうち、容量線駆動回路１５０と表示領域１００との境界付近の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、第２給電線１６７は、第１給電線１６５ａ、１６５ｂの間において奇数のｉ行では第１給電線１６５ｂ寄りに位置し、偶数の（ｉ＋１）行では第１給電線１６５ａ寄りに位置するように、行毎に折り返される。
そして、ＴＦＴ１５６、１５８の共通半導体層は、奇数のｉ行では、Ｘ方向に対し第１給電線１６５ａから第２給電線１６７までの領域にわたって、偶数の（ｉ＋１）行では、Ｘ方向に対し第２給電線１６７から第１給電線１６５ｂまでの領域にわたって設けられている。このため、奇数のｉ行目に対応するＴＦＴ１５６、１５８と、偶数の（ｉ＋１）行目に対応するＴＦＴ１５６、１５８とは互いに逆向きの関係にある。
なお、第３実施形態では、便宜的にｉを奇数とし、（ｉ＋１）を偶数としている。
【００５１】
第３実施形態ではｎフレームにおいて、奇数行目に対応する容量線１３２は、同じ行の走査信号がＨレベルになったときに第１容量信号Ｖc1aの電圧Ｖslとなり、次行の走査信
号がＨレベルになったときに第２容量信号Ｖc2の電圧ＬＣcomとなるので、電圧（ＬＣcom−Ｖsl）だけ上昇する一方、偶数行目に対応する容量線１３２は、同じ行の走査信号がＨレベルになったときに第１容量信号Ｖc1bの電圧Ｖshとなり、次行の走査信号がＨレベル
になったときに第２容量信号Ｖc2の電圧ＬＣcomとなるので、電圧（Ｖsh−ＬＣcom）だけ下降する。
反対に、次の（ｎ＋１）フレームでは、奇数行目の容量線１３２は、次行の走査信号がＨレベルになったときに電圧（Ｖsh−ＬＣcom）だけ下降し、偶数行目の容量線１３２は
、次行の走査信号がＨレベルになったときに電圧（ＬＣcom−Ｖsl）だけ上昇する。
したがって、第３実施形態では、図９、図１０に示した例と同じように、各容量線１３２が電圧変化するので、データ信号を図７、図１２に示されるような電圧範囲で供給することにより、画素への電圧を走査線反転方式で書き込むことが可能となる。
特に、第３実施形態によれば、第１容量信号Ｖc1a、Ｖc1bの２つが必要となるが、この２つの第１容量信号Ｖc1a、Ｖc1bの電圧切り替わりは、水平走査期間（Ｈ）ではなく、フレームの期間となるので、電圧切り替わりにより寄生容量で無駄に消費される電力を抑えることが可能となる。
【００５２】
なお、上述した各実施形態では、容量線駆動回路１５０において、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲート電極を、次の（ｉ＋１）行の走査線１１２に接続したが、（ｉ＋１）行目以降の走査線１１２のように一定の行数ｍ（ｍは２以上の整数）だけ離間した走査線１１２に接続する構成であれば足りる。ただし、ｍが多くなると、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲート電極を、（ｉ＋ｍ）行目の走査線１１２に接続する必要があり、配線が複雑化する。
また、最終の３２０行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８までを駆動するために、ダミーの走査線１１２がｍ行必要となる。ただし、各実施形態のようにｍが「１」であれば、帰線期間Ｆbをなくして、３２０行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲ
ート電極を、１行目の走査線１１２に接続する構成とすれば、また、例えばｍが「２」であれば、やはり帰線期間Ｆbをなくして、３１９、３２０行目の容量線１３２に対応する
ＴＦＴ１５８のゲート電極を、それぞれ１、２行目の走査線１１２に接続する構成とすれば、あえてダミーの走査線を設ける必要もない。
さらに、コモン電極１０８の電圧Ｖcomを、正極性書込が指定されたときに低位とし、
負極性書込が指定されたときに高位として切り替える構成でも良い。
【００５３】
また、各実施形態では、画素容量１２０として画素電極１１８とコモン電極１０８とで液晶１０５を挟持して、液晶にかかる電界方向を基板面垂直方向とした構成としたが、画素電極、絶縁層およびコモン電極とを積層して、液晶にかかる電界方向を基板面水平方向とした構成としても良い。
一方、各実施形態では、垂直走査方向を図１において上から下方向に向かった方向としているので、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲート電極を、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続したが、垂直走査方向を下から上方向に向かった方向とした場合には（ｉ−１）行目の走査線１１２に接続すれば良い。すなわち、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲート電極については、ｉ行目の走査線以外の走査線であって、ｉ行目の走査線が選択された後に選択される走査線１１２に接続される構成であれば良い。
【００５４】
また、上述した各実施形態では、画素容量１２０を単位としてみたときに、１フレームの期間毎に書込極性を反転したが、その理由は、画素容量１２０を交流駆動するために過ぎないので、その反転周期は２フレームの期間以上の周期であっても良い。
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別の１色（例えばシアン（Ｃ））を追加し、これらの４色の画素で１ドットを構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。
【００５５】
上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極１０８に印加される電圧ＬＣcomとし
ているが、これは、画素１１０におけるＴＦＴ１１６が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際には、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため、画素容量１２０については交流駆動としなければならないが、コモン電極１０８への印加電圧ＬＣcomを書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのた
めに、負極性書込による画素容量１２０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってしまう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。このため、実際には、書込極性の基準電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとを別々とし、詳細には、書込極性
の基準電圧を、プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧ＬＣcomよりも高位側に
オフセットして設定するようにしても良い。
さらに、蓄積容量１３０は、直流的には絶縁されているので、第１給電線１６５と第２給電線１６７に印加されている電位差だけが上述の関係となっていればよく、例えば電圧ＬＣcomとの電位差は何ボルトであっても構わない。 
【００５６】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器について説明する。図２１は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
【００５７】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図２１に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図５】同電気光学装置の負極性書込を示す図である。
【図６】同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。
【図７】同電気光学装置のデータ信号と保持電圧との関係を示す図である。
【図８】同電気光学装置の別動作（その１）を説明するための図である。
【図９】同電気光学装置の別動作（その２）を説明するための図である。
【図１０】同電気光学装置の別動作（その３）を説明するための図である。
【図１１】別動作（その３）を説明するための電圧波形図である。
【図１２】別動作（その３）におけるデータ信号と保持電圧との関係を示す図である。
【図１３】同電気光学装置のさらに別動作（その４）を説明するための図である。
【図１４】同電気光学装置のさらに別構成を示す図である。
【図１５】同電気光学装置のさらに別動作（その５）を説明するための図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１７】同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。
【図１８】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１９】同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。
【図２０】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図２１】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１３２…容量線、１４０…走査線駆動回路、１５０…容量線駆動回路、１５６、１５８…ＴＦＴ、１６５、１６５ａ、１６５ｂ…第１給電線、１６７…第２給電線、１８０…補助容量、１８２…補助給電線、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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