(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳデバイス及びそれに備えられるコーム電極の形成方法を提供する。【解決手段】第１シリコン基板の一面に所定間隔をおいて複数のトレンチを並列に形成して、一面に沿って互いに段差を有した第１領域と第２領域とを交互に形成するステップと、第１シリコン基板に対して酸化工程を行って、第１領域及び第２領域に沿って段差を有した酸化膜を形成するステップと、酸化膜上に少なくとも段差を埋め込むポリシリコン膜を形成するステップと、準備された第２シリコン基板をポリシリコン膜上に直接接合するステップと、第２シリコン基板及びポリシリコン膜を第１マスクで選択的にエッチングして、第１領域に垂直整列された上部コーム電極１１１を形成するステップと、第１シリコン基板を第２マスクで選択的にエッチングして、第２領域に垂直整列された下部コーム電極１３１を形成するステップと、上部コーム電極１１１と下部コーム電極１３１との間の酸化膜を除去する酸化膜除去ステップと、を含む。【選択図】図６
2007331094.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１シリコン基板の一面に所定間隔をおいて複数のトレンチを並列に形成して、前記第１シリコン基板の一面に沿って互いに段差を有した第１領域と第２領域とを交互に形成するステップと、
前記第１シリコン基板に対して酸化工程を行って、前記第１領域及び前記第２領域に沿って段差を有した酸化膜を形成するステップと、
前記酸化膜上に少なくとも前記段差を埋め込むポリシリコン膜を形成するステップと、
準備された第２シリコン基板を前記ポリシリコン膜上に直接接合するステップと、
前記第２シリコン基板及び前記ポリシリコン膜を第１マスクで選択的にエッチングして、前記第１領域に垂直整列された上部コーム電極を形成するステップと、
前記第１シリコン基板を第２マスクで選択的にエッチングして、前記第２領域に垂直整列された下部コーム電極を形成するステップと、
前記上部コーム電極と前記下部コーム電極との間の酸化膜を除去する酸化膜除去ステップと、
を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項２】
前記ポリシリコン膜の形成ステップ以後には、前記ポリシリコン膜を平坦化するためのＣＭＰ研磨ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項３】
前記ポリシリコン膜の形成ステップ以後には、前記ポリシリコン膜上にさらに前記トレンチの深さに応じたシリコンエピタキシャル層を成長させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項４】
前記第２シリコン基板の直接接合ステップ以後には、前記第２シリコン基板の上面をＣＭＰ研磨して要求される厚さに薄膜化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項５】
前記第２シリコン基板は、前記ポリシリコン膜が形成された第１シリコン基板に対してシリコン直接接合されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項６】
上下に段差を有した前記酸化膜の前記第１領域及び前記第２領域にそれぞれ形成された前記上部コーム電極及び前記下部コーム電極は、前記段差の深さに対応して垂直方向に互いに重なった電極面を有することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項７】
前記第１マスクは、前記酸化膜パターンを基準として、前記第１領域に垂直整列されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項８】
前記第２マスクは、先行工程を通じて形成された前記上部コーム電極パターンを基準として第２領域に垂直整列されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項９】
前記第１領域は、前記上部コーム電極よりも広く形成されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項１０】
前記第２領域は、前記下部コーム電極よりも広く形成されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法。
【請求項１１】
揺動駆動されるステージと、
前記ステージの外側で前記ステージを回転自在に支持するフレームと、
前記ステージで前記フレーム側に向かって平行に延びた複数の駆動コーム電極と、
前記フレームで前記駆動コーム電極とかみ合う位置に延びた複数の固定コーム電極と、を備え、
前記駆動コーム電極と前記固定コーム電極とは、上下に段差を有した位置に配置されるが、互いに所定の垂直区間にかけて重なるように配置されることを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項１２】
前記駆動コーム電極及び前記固定コーム電極は、その間の垂直ギャップが除去されるように垂直方向に重なるように配置されることを特徴とする請求項１１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）デバイス及びそれに備えられるコーム電極（ｃｏｍｂ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）の形成方法に係り、特に、入出力間に線形関係が維持されるようにコームドライブの構造が改善されたＭＥＭＳデバイス及びそれに備えられるコーム電極の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ、レーザプリンタ、精密測定、精密加工など多様な技術分野において、マイクロマシニング技術により製造される微細構造を有したＭＥＭＳデバイスについての研究が活発に進められている。例えば、ディスプレイ装置の技術分野で、前記ＭＥＭＳデバイスは、画面上に走査光を偏向反射するための光スキャナーとしての活用が注目されている。
【０００３】
ディスプレイ装置の光スキャナーとして適用可能なＭＥＭＳデバイスは、互いにかみ合うように配列された固有なコーム電極構造により駆動力を得ている。図１Ａ〜図１Ｅには、従来のコーム電極の形成方法が工程段階によって示されている。図１Ａに示すように、まず、酸化膜２０を挟んで互いに対向するように接合された第１シリコン基板３０及び第２シリコン基板１０を備えるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を準備し、次に、図１Ｂ及び図１Ｃに示したように、所定パターンを有するエッチングマスク３１で第１シリコン基板３０を選択的にエッチングすることによって、複数の駆動コーム電極３５を形成する。次に、図１Ｃ及び図１Ｄに示すように、前工程で形成された駆動コーム電極３５を基準として、第２シリコン基板１０にエッチングマスク１１を整列した後、第２シリコン基板１０を選択的にエッチングすることによって、複数の固定コーム電極１５を形成する。最後に、駆動コーム電極３５と固定コーム電極１５との間の酸化膜２０を除去すれば、図１Ｅに示したようなコーム電極１５，３５が得られる。この形成方法によれば、隣接した駆動コーム電極３５と固定コーム電極１５との間に垂直方向に少なくとも酸化膜２０の厚さ以上のギャップｇが存在する。第１シリコン基板３０、第２シリコン基板１０のエッチング工程で、これらシリコン基板１０，３０が長時間エッチング環境に露出される場合、コーム電極１５，３５のエッジ部位にノッチが発生するが、この場合、駆動コーム電極３５と固定コーム電極１５との間の垂直ギャップｇがさらに増大する。
【０００４】
図２には、図１Ａ〜図１Ｅの形成方法によるコーム電極構造が示されている。隣接したコーム電極１５，３５の間に所定の駆動電圧を印加すれば、駆動コーム電極３５が静電引力により下部の固定コーム電極１５の側に引き付けられつつ、ステージ（図示せず）が回転する。このとき、コーム電極１５，３５に印加される駆動電圧とステージの回転角度との間には、理想的な線形関係が維持されず、コーム電極１５，３５の間の垂直ギャップｇにより非線形関係を有する。
【０００５】
図３は、従来の光スキャナーとして使われるＭＥＭＳデバイスにおいて、入力としての駆動電圧と出力としての走査角との関係を示す図面である。図３に示すように、低い駆動電圧下の第１区間Ｓ１では、駆動電圧と走査角との間にほぼ一定した勾配を有する線形的な関係が維持されていて、駆動電圧が約５０Ｖ付近で勾配が急激に変化し、５０Ｖ以上高い駆動電圧下の第２区間Ｓ２では、第１区間Ｓ１とは異なる勾配を有する線形関係が維持される。このとき、勾配が急激に変化する時点は、固定コーム電極１５から垂直ギャップｇを挟んで離れていた駆動コーム電極３５が固定コーム電極１５の側に引き付けられつつ重なり始める時点に該当し、低い駆動電圧で固定コーム電極１５と駆動コーム電極３５とが離れている第１区間Ｓ１と、高い駆動電圧で固定コーム電極１５と駆動コーム電極３５とが重なっている第２区間Ｓ２との境界に該当する。図３の点線は、駆動電圧と走査角との理想的な線形関係を想定したものであって、非線形関係の従来の構造では、同じ走査角を得るためにさらに多くの駆動電圧が要求されるということが分かる。
【０００６】
図４には、従来のＭＥＭＳデバイスが光走査スキャナーとして使われた場合、画面上の出力状態を示すが、駆動電圧と走査角との非線形的な関係により、意図した理想的な映像とは異なり、画面上に多数の映像の歪曲やしわが形成されていることが見られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、入力としての駆動電圧と出力としてのステージの回転角度との間に線形関係が維持されるように、コーム電極の配置構造が改善されたＭＥＭＳデバイス及びそれに備えられるコーム電極の形成方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するための本発明の一側面によるＭＥＭＳデバイスのコーム電極の形成方法は、第１シリコン基板の一面に所定間隔をおいて複数のトレンチを並列に形成して、前記一面に沿って互いに段差を有した第１領域と第２領域とを交互に形成するステップと、前記第１シリコン基板に対して酸化工程を行って、前記第１領域及び前記第２領域に沿って段差を有した酸化膜を形成するステップと、前記酸化膜上に少なくとも前記段差を埋め込むポリシリコン膜を形成するステップと、準備された第２シリコン基板を前記ポリシリコン膜上に直接接合するステップと、前記第２シリコン基板及び前記ポリシリコン膜を第１マスクで選択的にエッチングして、前記第１領域に垂直整列された上部コーム電極を形成するステップと、前記第１シリコン基板を第２マスクで選択的にエッチングして、前記第２領域に垂直整列された下部コーム電極を形成するステップと、前記上部コーム電極と下部コーム電極との間の酸化膜を除去する酸化膜除去ステップと、を含む。
【０００９】
また、本発明の他の側面によるＭＥＭＳデバイスは、揺動駆動されるステージと、前記ステージの外側で前記ステージを回転自在に支持するフレームと、前記ステージで前記フレーム側に向かって平行に延びた複数の駆動コーム電極と、前記フレームで前記駆動コーム電極とかみ合う位置に延びた複数の固定コーム電極と、を備え、前記駆動コーム電極と固定コーム電極とは、上下に段差を有した位置に配置されるが、互いに所定の垂直区間にかけて重なるように配置される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、上下に段差を有した位置に形成された駆動コーム電極及び固定コーム電極が互いに垂直方向に所定区間にかけて重なるように配置されることによって、ＭＥＭＳデバイスの入力として与えられる駆動電圧と出力として得られるステージの回転角との間に理想的な線形関係が維持される。例えば、ディスプレイ用の光スキャナーとして使われるＭＥＭＳデバイスにおいて、線形的な入出力関係に基づいて走査位置が精密に制御されることによって、映像の歪曲やしわなどが除去され、高品質のディスプレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下では、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態によるＭＥＭＳデバイス及びそれに備えられたコーム電極の形成方法について詳細に説明する。
【００１２】
図５は、本発明の望ましい一実施形態によるＭＥＭＳデバイスの斜視図である。図５に示すように、前記ＭＥＭＳデバイスは、回動駆動されるステージ１１５、ステージ１１５の回転中心を提供するトーションバー１１３、及びトーションバー１１３を通じてステージ１１５を回転自在に支持するフレーム１３０を備える。ステージ１１５とフレーム１３０との互いに対向する面には、平行に延びた複数のコーム電極１１１，１３１が配置される。さらに具体的には、ステージ１１５の両側面には、一定した間隔をおいてフレーム１３０側に平行に延びる複数の駆動コーム電極１１１が形成される。フレーム１３０の内側面には、一定した間隔をおいて駆動コーム電極１１１とかみ合う位置に平行に延びた複数の固定コーム電極１３１が形成される。駆動コーム電極１１１と固定コーム電極１３１とは、互いに隣接するように配置され、互いに静電引力を作用する。すなわち、駆動コーム電極１１１と固定コーム電極１３１の間に所定の駆動電圧が印加されれば、駆動コーム電極１１１が静電引力により固定コーム電極１３１の側に引き付けられつつ、駆動コーム電極１１１が付着されたステージ１１５がトーションバー１１３を中心に対応する方向に回転する。
【００１３】
図６には、図５のコーム電極構造が拡大して示されている。図６に示すように、駆動コーム電極１１１は、下側の固定コーム電極１３１とかみ合うように下降した第１位置と、固定コーム電極１３１の間から外れるように上昇した第２位置との間で往復振動するが、このとき、駆動コーム電極１１１が第２位置に配置され、固定コーム電極１３１と最大に遠く位置する場合であっても、駆動コーム電極１１１および固定コーム電極１３１は、その間にギャップが存在しないように垂直方向に所定区間Ｌにかけて互いに重なるように配置される。上部の駆動コーム電極１１１は接地し、下部の固定コーム電極１３１に駆動電圧Ｖを印加すれば、駆動コーム電極１１１が静電引力により下部の固定コーム電極１３１の側に引き付けられつつステージ１１５が回転する。このとき、駆動コーム電極１１１と固定コーム電極１３１とは、その間に垂直ギャップが形成されないように所定区間Ｌの部分が互いに重なるように配置されることによって、入力としての駆動電圧と出力としての回転角との間に線形的な関係が維持される。これにより、光スキャナーとして使われたＭＥＭＳデバイスの場合、走査角の線形制御が可能になり、映像の歪曲が除去された高品質のディスプレイが具現される。
【００１４】
図７Ａ〜図７Ｉには、本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法が工程段階別に示されている。
【００１５】
まず、図７Ａに示すように、準備された第１シリコン基板２１０に所定間隔をおいて複数のトレンチＴを形成する。例えば、トレンチＴは、公知のフォトレジスト技術を適用してパターンマスク（図示せず）を形成した後、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）により、当該部分を所定深さまでエッチングすることによって得られる。トレンチＴが形成された第１領域Ｗ１は、上部コーム電極１１１が形成される部分であり、トレンチＴの間の第２領域Ｗ２は、下部コーム電極１３１が形成される部分である。トレンチＴが形成されるエッチング深さｄは、上部コーム電極１１１と下部コーム電極１３１とが互いに重なるように配置される重畳区間Ｌの長さと一定した関係を有する。エッチング深さｄは、製造工程上のエラーを考慮して上部コーム電極１１１と下部コーム電極１３１との間に垂直ギャップが存在せず、コーム電極間の重なった整列が保証されれば十分であるので、第１シリコン基板２１０の全体厚さに比べて薄く形成される。
【００１６】
次に、図７Ｂに示したように、トレンチＴが形成された第１シリコン基板２１０の表面に酸化工程で酸化膜２１１を形成する。酸化膜２１１は、高温の酸化性雰囲気で酸化工程を行ってトレンチＴを含む第１シリコン基板２１０の全体の露出面に対して薄膜厚さに形成される。第１シリコン基板２１０の上面には、複数のトレンチＴに沿って屈曲した形態に酸化膜２１１が形成され、第１領域Ｗ１及び第２領域Ｗ２の酸化膜２１１は、互いに上下段差を形成する。
【００１７】
次いで、図７Ｃに示したように、前記第１シリコン基板２１０にポリシリコン膜２２０を蒸着してトレンチＴを埋め込む。ポリシリコン膜２２０の蒸着方法としては、５５０℃以上の高温蒸着環境が要求される低圧化学気相蒸着法（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＬＰＣＶＤ）、４００℃以下で所定の混合ガスを使用して蒸着するプラズマ化学気相蒸着法（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）などがある。このとき、前記ポリシリコン膜２２０が前工程で形成されたトレンチＴを埋め込むように十分な厚さに蒸着されることが望ましく、トレンチＴのエッチング深さｄによって必要時に本工程で形成されたポリシリコン膜２２０上に追加的なシリコンエピタキシャル層（図示せず）を成長させる。
【００１８】
次に、前工程で得られたポリシリコン膜２２０を化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）工程で研磨して、ポリシリコン膜２２０の表面を平坦化する。前記ＣＭＰ工程では、ＣＭＰ装置のポリシングパッドがポリシリコン膜２２０の突出した部分を研磨して除去することによって、表面を平坦化する。このようにして得られたポリシリコン膜２２０の平坦面は、後述するシリコン基板のボンディングで相対基板との接合力の向上に寄与する。
【００１９】
次に、図７Ｄに示したように、準備された第２シリコン基板２３０を、先行工程を通じて形成された第１シリコン基板２１０の上部に直接接合する。第１シリコン基板２１０及び第２シリコン基板２３０の接合は、いわゆるシリコン直接接合（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ：ＳＤＢ）と呼ばれる工程を通じて行われる。前記ＳＤＢ工程では、結合対象となる二枚のシリコン基板２１０，２３０に対して親水化表面処理を加えた後、親水化された表面が互いに結合して水素結合による初期接合を行い、初期接合されたシリコン基板を８００℃以上の高温環境で熱処理することによって堅固な結合を行う。
【００２０】
次に、第２シリコン基板２３０の上面をＣＭＰ工程で研磨して、所定厚さのみを残して除去する。前記ＣＭＰ工程では、ＣＭＰ装置のポリシングパッドが第２シリコン基板２３０の全面を研磨することによって、所望の薄膜厚さに第２シリコン基板２３０を薄膜化する。第２シリコン基板２３０の厚さは、第２シリコン基板２３０で構成される上部コーム電極の厚さを考慮して決定される。
【００２１】
次に、第２シリコン基板２３０を選択的にエッチングして、上部コーム電極１１１を形成する。例えば、本工程では、図７Ｅ及び図７Ｆに示したように、所定パターンが形成されたＰＲ（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）マスク２３１を第２シリコン基板２３０上に形成した後、ＰＲマスク２３１をエッチング防止膜として酸化膜２１１に達するまで第２シリコン基板２３０及びポリシリコン膜２２０をエッチングする。ＰＲマスク２３１は、上部コーム電極１１１に対応するパターンを有するが、上部コーム電極１１１は、酸化膜２１１の第１領域Ｗ１内に形成されなければならないので、ＰＲマスク２３１は、酸化膜パターンを基準として整列されなければならない。このとき、不測の整列エラーにより、上部コーム電極１１１が第１領域Ｗ１の範囲を外れないように、上部コーム電極１１１と第１領域Ｗ１との間には、所定の余裕公差を形成させる。このために、先行工程（トレンチ形成工程）で、第１領域Ｗ１は、あらかじめ設定された上部コーム電極１１１の幅Ｗ３より広く形成されることが望ましい。
【００２２】
次に、第１シリコン基板２１０を選択的にエッチングして、下部コーム電極１３１を形成する。例えば、図７Ｇ及び図７Ｈに示したように、所定パターンが形成されたＰＲマスク２１２をエッチング防止膜として酸化膜２１１に達するまで第１シリコン基板２１０をエッチングする。ＰＲマスク２１２は、下部コーム電極１３１に対応するパターンを有するが、下部コーム電極１３１は、上部コーム電極１１１との関係で上部コーム電極１１１の間に形成されなければならないので、ＰＲマスク２１２は、先行工程を通じて得られた上部コーム電極１１１を基準として整列されなければならない。下部コーム電極１３１は、酸化膜２１１の第２領域Ｗ２内に形成されなければならないので、下部コーム電極１３１と第２領域Ｗ２との間には、所定の余裕公差を形成させ、このために、先行工程（トレンチ形成工程）で、第２領域Ｗ２は、あらかじめ設定された下部コーム電極の幅Ｗ４より広く形成されることが望ましい。
【００２３】
最後に、上部コーム電極１１１と下部コーム電極１３１との間の酸化膜２１１を除去するエッチング工程が行われる。例えば、酸化膜２１１に対して選択的に作用する所定のエッチング液に対して全体の構造物を露出させることによって、酸化膜２１１の部分のみを完全に除去することができる。このように酸化膜２１１が除去されれば、図７Ｉに示したような完成した形態のコーム電極構造が得られる。ここで、上部コーム電極１１１及び下部コーム電極１３１は、垂直方向に所定区間Ｌにかけて互いに重なるように配置され、上部コーム電極１１１及び下部コーム電極１３１は、それぞれステージに付着されて共に回転する駆動コーム電極及び固定的に支持された固定コーム電極として機能することができる。
【００２４】
本発明は、添付された図面に示した実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲により決まらなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明は、光スキャナ関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１Ａ】従来技術によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図１Ｂ】従来技術によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図１Ｃ】従来技術によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図１Ｄ】従来技術によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図１Ｅ】従来技術によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図２】図１Ａ〜図１Ｅの形成方法で得られたコーム電極構造を示す斜視図である。
【図３】図２のコーム電極構造を有した従来のＭＥＭＳデバイスにおいて、入力としての駆動電圧と出力としての走査角との関係を示す図面である。
【図４】図２のコーム電極構造を有した従来のＭＥＭＳデバイスを光スキャナーとして適用した場合、画面の出力状態を示す写真である。
【図５】本発明の望ましい一実施形態によるＭＥＭＳデバイスの斜視図である。
【図６】図５に示したＭＥＭＳデバイスのコーム電極構造を示す斜視図である。
【図７Ａ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図７Ｂ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図７Ｃ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図７Ｄ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図７Ｅ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図７Ｆ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図７Ｇ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図７Ｈ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【図７Ｉ】本発明の望ましい一実施形態によるコーム電極の形成方法を工程段階別に示す垂直断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１１１    駆動コーム電極、
１１３    トーションバー、
１１５    ステージ、
１３０    フレーム、
１３１    固定コーム電極、
Ｗ１    第１領域、
Ｗ２    第２領域。
【図１Ａ】
2007331094.tif 000003
【図１Ｂ】
2007331094.tif 000004
【図１Ｃ】
2007331094.tif 000005
【図１Ｄ】
2007331094.tif 000006
【図１Ｅ】
2007331094.tif 000007
【図２】
2007331094.tif 000008
【図３】
2007331094.tif 000009
【図５】
2007331094.tif 000010
【図６】
2007331094.tif 000011
【図７Ａ】
2007331094.tif 000012
【図７Ｂ】
2007331094.tif 000013
【図７Ｃ】
2007331094.tif 000014
【図７Ｄ】
2007331094.tif 000015
【図７Ｅ】
2007331094.tif 000016
【図７Ｆ】
2007331094.tif 000017
【図７Ｇ】
2007331094.tif 000018
【図７Ｈ】
2007331094.tif 000019
【図７Ｉ】
2007331094.tif 000020
【図４】
2007331094.tif 000021