(57)【要約】      （修正有）【課題】小さなコンタクトホールを結像する場合に、十分なプロセス寛容度（すなわち、最小寸法における所与の公差に対する、使用可能焦点深度および許容露光ドーズの変化の組合せ）を備えた露光方法を提供すること。【解決手段】減衰型位相シフトマスクまたはバイナリマスクを使用したリソグラフィ装置を用いてパターンの像を基板に転写する方法において、瞳フィルタパラメータを含む複数のパラメータを選択し、選択されたパラメータに対してパターンの像を計算し、計算された像の属性の変化を表す測定基準をプロセスのレンジにわたって計算し、測定基準の結果に基づいて複数のパラメータを調整することを含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置を用いてパターニングデバイスから基板上にパターンの像を転写する方法であって、
パターニングデバイスのパターンでパターン形成された放射ビームをフィルタリング処理して、基板に転写されるパターンの像からゼロ次の非回折次数を実質的に取り除くステップであって、パターニングデバイスがクロムレス位相シフトマスク若しくは約１０％より高い透過率を有する高透過率の減衰型位相シフトマスクであるステップと、
フィルタリング処理されパターン形成済みの放射ビームを基板上に投影するステップとを含む方法。
【請求項２】
パターン形成された放射ビームの１次および２次の回折次数を取得して投影するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
像からゼロ次の非回折次数を実質的に取り除くために、リソグラフィ装置の投影システムに配置されるアポダイゼーションプレートを使用する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
瞳フィルタの領域の直径を調整するステップをさらに含み、領域が放射ビームの放射をフィルタリング処理するように構成および配置している請求項１に記載の方法。
【請求項５】
フィルタリング処理するステップは、ゼロ次の非回折次数をすべてフィルタリング処理することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
放射ビームをフィルタリング処理するように構成される瞳フィルタの領域の半径率が、リソグラフィ装置の照明システムの瞳面における放射ビームの半径率より大きい請求項１に記載の方法。
【請求項７】
フィルタリング処理するステップは、放射ビームを供給する照明システムの開口数とパターン形成された放射ビームを投影する投影システムの開口数との比率を調整することを含み、比率は、放射ビームのゼロ次の非回折次数が投影システムで投影される像に集まらないように選択される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
リソグラフィ装置を用いてパターンの像を基板に転写する方法であって、
瞳フィルタパラメータを含む複数のパラメータを選択するステップと、
選択されたパラメータに対してパターンの像を計算するステップと、
計算された像の属性の変化を表す測定基準をプロセスのレンジにわたって計算するステップと、
測定基準の結果に基づいて、（ａ）瞳フィルタパラメータを調整し、（ｂ）パターンの像を計算し、（ｃ）属性の変化のほぼ最小値または最大値が得られるまで測定基準を計算するステップとを含む方法。
【請求項９】
パターンの像を計算するステップは、像を空間像モデル、レジストモデルおよびキャリブレーション済みモデルとしてモデル化するモデルからなるモデル群から選択される１つのモデルを使用して、実行される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
実質的な最小値または最大値は、属性変化の選択レンジ内にある請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
瞳フィルタは、像からゼロ次の非回折次数を実質的に取り除くように構成される請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
属性は、ＣＤ変化、ＣＤ均一性、ＭＥＥＦ、焦点深度、露光寛容度またはサイズに対する露光ドーズである請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
測定基準を計算するステップは、複数のプロセスレンジにわたって属性変化を表す測定基準を計算するステップを含み、測定基準は複数のプロセスレンジのうちの１つによってそれぞれ引き起こされるＣＤ変化の二次合計である請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
複数のプロセスレンジは、焦点レンジ、マスク誤差レンジおよび露光ドーズレンジを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
画像の選択、画像の計算、測定基準の計算、および調整が、コンピュータシミュレーションよって実行される請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
瞳フィルタパラメータが瞳フィルタの領域の直径を含み、領域が放射ビームをフィルタリング処理するように配置および構成されている請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
複数のパラメータが、光源パラメータおよびパターニングデバイスパラメータを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを保持するように構成された支持構造であって、パターニングデバイスがパターン形成された放射ビームを作るように放射ビームをパターン形成するように構成され、パターニングデバイスがクロムレス位相シフトマスクおよび約１０％より高い透過率を有する高透過率の減衰型位相シフトマスクの一方である支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成された放射ビームを基板に投影するように構成された光学システムと、
投影システムの瞳面に配置され、基板のパターン形成されたビームからパターン形成された放射ビームのゼロ次の非回折次数を実質的に取り除くように構成されたフィルタとを有するリソグラフィ装置。
【請求項１９】
光学システムはパターン形成された放射ビームの１次および２次回折次数を取得して投影するように構成される請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
フィルタがアポダイゼーションプレートである請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】
機械実行可能命令を有するコンピュータ製品であって、命令はリソグラフィ装置を用いてパターンの像を基板に転写する方法を実施する機械によって実行可能であり、方法が、
瞳フィルタパラメータを含む複数のパラメータを選択するステップと、
選択されたパラメータに対してパターンの像を計算するステップと、
計算された像の属性の変化を表す測定基準をプロセスのレンジにわたって計算するステップと、
測定基準の結果に基づいて、（ａ）瞳フィルタパラメータを調整し、（ｂ）パターンの像を計算し、（ｃ）属性変化の実質的な最小値または最大値が得られるまで測定基準を計算するステップとを含むコンピュータ製品。
【請求項２２】
パターンの像は、空間像モデル、レジストモデルまたはキャリブレーション済みモデルを用いて計算される請求項２１に記載のコンピュータ製品。
【請求項２３】
実質的な最小値または最大値が属性の変化の選択レンジ内にある請求項２１に記載のコンピュータ製品。
【請求項２４】
瞳フィルタは基板に転写されるパターンの像からゼロ次の非回折次数を実質的に取り除くように構成される請求項２１に記載のコンピュータ製品。
【請求項２５】
属性が、ＣＤ変化、ＣＤ均一性、ＭＥＥＦ、焦点深度、露光寛容度またはサイズに対する露光ドーズである請求項２１に記載のコンピュータ製品。
【請求項２６】
測定基準を計算するステップは、複数のプロセスレンジにわたって属性の変化を表す測定基準を計算することを含み、測定基準は、複数のプロセスレンジのうちの１つによってそれぞれ引き起こされるＣＤ変化の二次合計である請求項２１に記載のコンピュータ製品。
【請求項２７】
複数のプロセスレンジは、焦点レンジ、マスク誤差レンジおよび露光ドーズレンジを含む請求項２６に記載のコンピュータ製品。
【請求項２８】
瞳フィルタパラメータが瞳フィルタ領域の直径を含み、領域が放射ビームをフィルタリング処理するように構成および配置された請求項２１に記載のコンピュータ製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置およびリソグラフィ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は基板のターゲット部分に所望のパターンを付与する機械である。例えば、リソグラフィ装置は集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。その環境では、放射ビームが照明システムを横切って、パターニングデバイスを照明する。パターニングデバイスはマスクまたはレチクルとも呼ばれ、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用できる。このパターンは、放射感応性物質（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたはいくつかのダイの一部を含む）に結像できる。一般に、１つの基板は、複数のターゲット部分が隣接しているネットワークを含み、これらのターゲット部分は順次露光される。従来のリソグラフィ装置には、パターン全体を１度に１つのターゲット部分に露光することで各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパや、投影ビームによりパターンを所定の方向（「スキャン」方向）へスキャンすると同時に、その方向と実質的に平行または逆平行な方向へ基板を同期してスキャンすることで各目ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナなどがある。
【０００３】
パターニングデバイスの上流の放射ビームは、ビームが照明システムの瞳面で所望の空間強度分布を有するように整形および制御される。この分布は、照明モード、照明形状、または照明配列と称される。さまざまな照明形状が用いられて良い。例えば、いわゆる「従来型照明」（瞳内のトップハット型強度分布であり、瞳面の軸を中心とする）が従来から使用されている。現在は、輪帯、２重極、４重極、およびより複雑な形状の照明形状構成を含む「軸外（off-axis）」照明モードが一般に使用されている、照明システムの瞳面における半径方向位置は、一般に投影システムの開口数に対応する瞳半径のフラクションシグマ（fraction sigma）（σ）として表される。従来型照明モードはσ（ただし０＜σ＜１）という単一の値で特徴付けられ得る。従来型照明は、「従来型シグマ照明」および「円形照明（circular illumination）」とも呼ばれる。輪帯照明モードは、輪帯形状の強度分布の内側半径範囲と外側半径範囲をそれぞれ示すσ-innerおよびσ-outerという２つのσ値によって特徴付けられる。
【０００４】
フォトリソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要工程の１つであると広く認識されている。現在、所望のパターン構成を同様の精度、速度および経済生産性で提供できる他の技術は存在しないようである。しかしながら、フォトリソグラフィを用いて作られるフィーチャ（feature）寸法の小型化が進むにつれ、フォトリソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造を大量生産できるようにするための最重要ゲーティングファクタ（gating factor）でないにしても、その１つとなりつつある。
【０００５】
パターン印刷の限界の理論推定値は、式（１）に示す様な解像度に関するレイリーの式によって与えられる。
【０００６】
【数１】
2007158328.tif 000003
【０００７】
ここで、λは使用される放射線の波長であり、ＮＡＰＳはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数（adjustment factor）であり、ＣＤは１：１のデューティーサイクル（duty cycle）でアレイに配列されたフィーチャ（すなわち、ピッチの半分に等しい大きさと同等なラインおよび空間もしくはホール）のサイズである。したがって、フィーチャをアレイ状に間隔配置する際のピッチによって特徴付けられるフィーチャアレイでは、式（１）の最小寸法ＣＤはリソグラフィ印刷が可能な最小ピッチの半分の値であり、本願明細書では「ハーフピッチ」と呼ぶ。
【０００８】
式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズを小さくするには、露光波長λを短くする、開口数ＮＡＰＳを大きくする、またはｋ１の値を小さくするという３つの方法があることが分かる。
【０００９】
レイリー定数ｋ１を小さくすることによってパターン解像度を向上させるためにリソグラフィで広く用いられている最新の解像度向上技術として、位相シフトマスクおよび軸外照明の使用がある。解像度向上技術は、ＩＣデバイスの配線レベル間の接続を定めるコンタクトホールまたはビアをリソグラフィ印刷および処理するために特に重要である。コンタクトホールは他のＩＣフィーチャと比べると比較的小面積だからである。コンタクトホールの印刷は、例えば、従来型の軸上（on-axis）照明とalternatingアパーチャ位相シフトマスクとポジ型レジストとを組み合わせて使用することによってなされ得る。
【００１０】
あるいは、コンタクトホールの印刷は、軸外照明と、バイナリマスクまたは減衰型位相シフトマスクと、ポジ型レジストとを組み合わせて使用することによって行っても良い。
【００１１】
バイナリマスクは石英およびクロムのフィーチャで構成される。バイナリマスクでは、放射光が透明な石英領域を透過し、不透明なクロム領域で遮断される。減衰型位相シフトマスクは、隣接する石英領域と、例えばケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）領域によってそのパターンを形成する。クロムとは異なり、ＭｏＳｉまたは他の同等の材料はわずかな率であるが放射光を透過する（一般に６％）。しかし、ＭｏＳｉ層の透過放射光と、隣接する透明な石英領域を透過する放射光との位相を１８０°ずらすようにＭｏＳｉの厚さが選択される。ＭｏＳｉ領域を透過する放射光は非常に弱いのでレジストを露光できない。しかしながら、位相差が強度を「下げる」働きをするので、クロムにおける同一フィーチャと比較して「暗くなる」。
【００１２】
軸外照明は、パターニングデバイスからの１次回折ビームとゼロ次回折ビームを、高い回折角で同時にキャプチャできるようにすることによって、解像度と焦点深度を向上させ、それによってより小さなピッチをなす。
【００１３】
しかしながら、減衰型位相シフトマスクまたはバイナリマスクを軸外照明と組み合わせて使用した場合、（λ＝１９３ｎｍ、ＮＡＰＳ＝０．９３、ｋ１＝０．４で）約８５ｎｍよりも小さなコンタクトホールを結像することは不可能であろう。上記技術の機能には限界があり、ｋ１＝０．４で操作したときに得られるＣＤを下回るハーフピッチを印刷するのに十分なプロセス寛容度（すなわち、最小寸法における所与の公差に対する、使用可能焦点深度および許容露光ドーズの変化の組合せ）を提供できないかもしれない。
【発明の開示】
【００１４】
本発明の実施形態は、リソグラフィ装置でマスクパターンの像を基板に転写する方法を含み、この方法は、マスクパターンを放射ビームで照明してパターン形成された放射ビームを生成するステップであって、パターニングデバイスがクロムレス位相シフトマスクかまたは約１０％より高い透過率を備える高透過率の減衰型位相シフトマスクであるステップと、パターン形成された放射ビームをフィルタリング処理してゼロ次の非回折次数を実質的に取り除くステップと、フィルタリング処理後のパターン形成された放射ビームを基板上に投影するステップと、を含む。
【００１５】
本発明の別の実施形態では、リソグラフィ装置でマスクパターンの像を基板に転写する方法が提供される。この方法は、瞳フィルタパラメータを含む複数のパラメータを選択するステップと、選択されたパラメータに対してパターンの像を計算するステップと、計算された像の属性の変化を表す測定基準をプロセスのレンジにわたって計算するステップと、測定基準の結果に基づいて、（ａ）瞳フィルタの直径を調整し、（ｂ）パターンの像を計算し、（ｃ）属性の変化のほぼ最小値または最大値が得られるまで測定基準を計算するステップと、を含む。
【００１６】
本発明のさらに別の実施形態ではリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造であって、パターニングデバイスがパターン形成された放射ビームを形成するように放射ビームをパターン形成するように構成され、パターニングデバイスがクロムレス位相シフトマスクかまたは約１０％より高い透過率を有する高透過率の減衰型位相シフトマスクである、支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成された放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、投影システムの瞳面に配置され、パターン形成された放射ビームのゼロ次の回折次数を実質的に取り除くように構成されたフィルタと、を有する。
【００１７】
本発明のさらに別の実施形態では、コンピュータ製品が提供される。このコンピュータ製品は機械実行可能命令を有し、この命令はリソグラフィ装置でパターンの像を基板に転写する方法を実施する機械によって実行可能であり、この方法は、瞳フィルタパラメータを含む複数のパラメータを選択するステップと、選択されたパラメータに対してマスクパターンの像を計算するステップと、計算された像の属性の変化を表す測定基準をプロセスのレンジにわたって計算するステップと、測定基準の結果に基づいて、（ａ）瞳フィルタの直径を調整し、（ｂ）パターンの像を計算し、（ｃ）属性の変化のほぼ最小値または最大値が得られるまで測定基準を計算するステップと、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
単なる例として添付概略図を参照しながら以下に本発明の実施例を説明する。図中、同一符号は同一部分を示している。
【００１９】
図１は本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ（紫外）線）を調整する照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、投影システムＰＳに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに連結された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを備えている。この装置はまた、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持し、投影システムＰＳに対して基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴを備えている。この装置はまた、パターニングデバイスＭＡによりビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたはそれより多いダイを含む）上に結像させるようになっている投影システムＰＳ（例えば、屈折投影レンズ）も備えている。
【００２０】
本願明細書に記載するように、この装置は透過型（例えば、透過型マスクを使用する）のものとすることができる。あるいは、この装置は反射型（例えば、以下に記載するタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する）であっても良い。
【００２１】
照明システムＩＬは放射源ＳＯから放射光を受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合、完全に分離することができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えず、放射ビームは放射源ＳＯから、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤによってイルミネータＩＬへ送られる。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるときは、放射源をこの装置の一体部分としてもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼んでもよい。
【００２２】
投影システムＰＳは、基板レベルの選択値により投影システムＰＳの開口数を設定するために使用されるアジャスタブル開口部を有する、開口絞り（diaphragm）を備えていてもよい。最大選択可能開口数、または、一定開口の場合の固定開口数のことを、ＮＡＰＳと称する。
【００２３】
パターニングデバイスレベルでは、投影システムＰＳが放射ビームＢの光線を受け取ることができる対応角度のキャプチャレンジは、ＮＡＰＳＯＢと称される投影システムＰＳのオブジェクト側の開口数によって与えられる。投影システムＰＳの最大のオブジェクト側開口数はｍａｘＮＡＰＳＯＢと示される。光学リソグラフィの投影システムは、一般に、５倍または４倍といった縮小率の縮小投影システムとして具現されている。開口数ＮＡＰＳＯＢは、ＮＡＰＳＯＢ＝ＮＡＰＳ／Ｍにより、縮小率Ｍを介してＮＡＰＳと関連している。
【００２４】
照明システムＩＬによってパターニングデバイスＭＡに供給される放射ビームＢは、図１のｚ軸に対して定義され、パターニングデバイス（例えば、マスク）に対する対応入射角をそれぞれが有する複数の放射光線を含む。これらの光線は、ＮＡＩＬ＝ｓｉｎ（入射角）にしたがって照明システムの開口数ＮＡＩＬによって特徴付けられる。ただし、パターニングデバイスに対して上流の位置にある空間の屈折率は１とする。しかしながら、そのＮＡＩＬによって照射放射光線を特徴付けるのではなく、照明システムの瞳内の、光線が横切った対応点の半径方向の位置によって光線を特徴付けることもできる。この半径方向位置はＮＡＩＬに対して直線的な比例関係にあり、照明システムの瞳内の対応する規格化された半径方向位置σを次式によって規定するのが一般的な方法である。
【００２５】
【数２】
2007158328.tif 000004
【００２６】
照明システムは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯのほかに、照明システムの瞳内の強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）設定するように構成されるアジャスタデバイスＡＭを備えている。その後、照射放射光の最大開口数がＮＡＩＬｍａｘ＝σ-outer＊ＮＡＰＳＯＢで規定される。規格化を考慮すると、σ-outer＝１のとき、照明瞳のエッジを横切る（したがって、最大照明開口数を有する）光線は（パターニングデバイスＭＡによる回折がなければ）投影システムＰＳによってちょうどキャプチャできる。そのとき、ＮＡＩＬｍａｘ＝ＮＡＰＳＯＢだからである。
【００２７】
支持構造ＭＴ上に保持されているパターニングデバイスＭＡに放射ビームＢが入射する。パターニングデバイスＭＡを透過した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に結ぶ。基板テーブルＷＴは、第２の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉測定デバイス）を使用して正確に移動でき、それにより、例えば放射ビームＢの光路内に異なるターゲット部分Ｃを配置できる。同様に、例えばマスク保管場所からマスクが機械的に取り出された後またはスキャン中に、第２の位置決め装置および（図２には明確に示されていない）他の位置センサを用いて、放射ビームＢの光路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴの動きは、位置決め装置ＰＭおよびＰＷのうちのいずれか一方またはその両方の一部を形成しているロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）によって実現される。しかし、ステッパ（スキャナではなく）の場合、支持構造ＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結または固定できる。パターニングデバイスＭＡおよび基板ＷはマスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされる。
【００２８】
図示装置は以下のさまざまなモードで使用できる。
【００２９】
１．ステップモードでは、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（すなわち単一の静的露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向に動かされ、異なるターゲットＣが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一の静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３０】
２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる（すなわち、単一の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小率）および像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の幅）が制限され、また、スキャン動作の長さによってターゲット部分の高さ（スキャン方向の高さ）が決まる。
【００３１】
３．その他のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持するために支持構造ＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、または連続する放射パルス間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上記で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
上述の使用モードの組合せおよび／またはその変更例あるいはまったく異なる使用モードを採用することも可能である。
【００３３】
リソグラフィプロセスの性能を評価するために、さまざまなパラメータを使用できる。高解像度に関係する結像品質パラメータの１つがマスクエラー増強要因（ＭＥＥＦ）である。ＭＥＥＦは、対応パターンフィーチャサイズのユニット変化当たりの、ターゲット基板に印刷される最終的なフィーチャサイズの変化増分量に対応している（パターン寸法が撮像装置の縮小率によって基板サイズにまで縮尺される）。ＭＥＥＦはリソグラフィ装置の解像限界付近で急激に増加することが多い。露光寛容度、焦点深度、dose to size（レジストフィーチャの適正寸法を生じさせるために必要な露光ドーズエネルギーの大きさ。“Ｅ１：１”とも称される）などの別のパラメータも使用できる。
【００３４】
例えばマスクなどのパターンをコヒーレントビームの放射で照明すると、そのパターンによって回折パターンが生成され、光の回折角度は、そのパターンの空間周波数成分によって決まる。例えば、ライン／空間パターンのピッチＰによって決まる単一の空間周波数を有する無限ライン／空間パターンは、下記の式（３）で定義される角度（すなわち回折次数ｎ、ここでｎは整数）で、パターンのラインおよび空間に対して垂直方向に（光軸に沿ってパターンに向かっている）コヒーレント放射ビームを回折する。
【００３５】
【数３】
2007158328.tif 000005
【００３６】
図２（ａ）は、従来の円形の照明形状を備えたコンタクトホールのパターンを０．１シグマで照明することによって得られる回折パターンのシミュレーションを示す。このコンタクトホールのパターンは、図２（ｂ）に概略的に示されている、１４０ｎｍのピッチで配列された９０ｎｍのホールから成るアレイに対応している。
【００３７】
図２（ａ）の回折パターンは図２（ｂ）のアレイの各ホールに関連する回折パターンに対応しており、ゼロ次の非回折次数（００）と、１次および２次の回折次数を含んでいる。１次の回折次数は、図２（ａ）で見たときに略直角な２本の軸に沿って整列されており、正の次数（１０）および（０１）と負の次数（１０）および（０１）とを含んでいる。２次の回折次数は、正の次数（１１）と負の次（１１）、（ｌ１）および（１１）とを含んでいる。図２（ｂ）のコンタクトホールのアレイによって生成されるこれら全部の回折次数、すなわち１次の次数と２次の次数を視覚化のためにキャプチャするためには、投影システムの開口数を約２．３９に設定する。そのようなものとして、図２（ａ）は、投影システムＰＳによって収集された放射ビームＢの断面に対応している。
【００３８】
コンタクトホールのサイズ変更に対する放射ビームＢの種々の成分／次数の応答は、図３（ａ）記載のシミュレーション結果によって示されるように、かなり変化する場合がある。この図は、選択された回折次数（０１）と（１１））の振幅変化のシミュレーションをパターニングデバイスのホールサイズの関数として示している。バイナリマスク（ＢＩＭ）上に１４０ｎｍのピッチで配列された７５ｎｍのコンタクトホールの正方形アレイを求める計算が実施される。ゼロ次の次数の変更態様も図３（ａ）に示されている。対称性を勘案すると、次数（（１０）、（１０）、（０１））と（（１ｌ）、（１１）、（１１））の振幅は、それぞれ回折次数（０１）および（１１）の振幅と実質的に同じであり、回折次数（０１）および（１１）の振幅のみが示され、これらの表示は省略されている。
【００３９】
図３（ａ）に示されているように、ゼロ次の非回折次数の振幅は、ホールサイズの増大にともなって急速に増加する。これに対し、１次および２次の回折次数の応答は、小さい振幅はあるにせよ、パターンのホールサイズと無関係にほぼ一定である。最大強度についての対応結果が図３（ｂ）に示されている。図３（ｂ）は、第１の回折次数対（００）および（０１）ならびに第２の回折次数対（０１）および（１１）について計算した空間像強度を示す。計算された空間像強度は、Ｉｍａｘ＝（Ａ＋Ａ’）２である。ここで、ＡおよびＡ’はそれぞれ回折次数の振幅を表す。空間像の計算は、スカラーモデルを使ってシミュレータソフトＰＲＯＴＩＴＨＴＭで行なわれる。図３（ｂ）は、ゼロ次の回折次数（００）と１次の回折次数（０１）とを含む放射ビームによる結像がホールサイズに対して非常に敏感であり、したがって高いＭＥＥＦを生じることを示している。これに対し、１次および２次の回折次数（０１）および（１１）を含む放射ビームはホールサイズに対してかなり鈍感であり、したがって生じるＭＥＥＦも低い。
【００４０】
図４（ａ）および４（ｂ）は、図３（ａ）および３（ｂ）と同様の計算で、クロムレスマスク／パターニングデバイスを使用した場合を示す。クロムレスマスク（すなわち、クロムレス位相リソグラフィマスク，ＣＰＬマスク）は、クロムの特性、位相の特性、ならびに散乱バーおよび、モデルベースの光近接効果補正の使用を一般に含む透過率可変（クロムおよび位相）の特性を含む強力な位相シフトマスクである。クロムレスマスクは、０°シフトさせた石英領域と１８０°シフトさせた石英領域とを含んでいる。クロムレス位相リソグラフィは、埋め込まれた減衰型位相シフトマスク占める空間とそれよりはるかに高価なalternating位相シフトマスク（ａｌｔ−ＰＳＭ）が占める空間の間にある。ＡｌｔＰＳＭは、ウェーハ上にフィーチャを形成するために、クロム領域と、１８０°シフトさせた石英領域とを交互に配した構成となっている。ＡｌｔＰＳＭは有力な技術である。しかし、このマスクの製造プロセスはバイナリマスクよりもはるかに困難で高額となる可能性がある。また、ＡｌｔＰＳＭは第２の「トリム（Trim）」マスクを要し、その結果、余分な費用がかかり且つステッパのスループットが低下する。
【００４１】
再び図４（ａ）および４（ｂ）を参照すると、計算は同一のパターン、すなわち１４０ｎｍのピッチで配列された７５ｎｍのコンタクトホールについて実行されているが、クロムレスマスクが使用されている。図４（ａ）は、パターニングデバイス上で測定されるさまざまな回折次数の振幅の変化のシミュレーションをコンタクトホールのサイズの関数として示している。図３（ａ）と同様に、ゼロ次の非回折次数の振幅はホールサイズの変化に非常に敏感である。この実施例では、ゼロ次の非回折次数の位相は、より高い次数の位相と異なっている。したがって、クロムレスマスク／パターニングデバイスのゼロ次の非回折次数での結像では、コンタクトホールではない暗い像またはポストができる。
【００４２】
図４（ｃ）は、０°シフトされた透過率１００％の石英領域４００と１８０°シフトされた透過率１００％の石英領域４１０とを有するクロムレスマスクの平面図を示す。０°シフトされた透過率１００％の石英領域がコンタクトホールのアレイを画定する。図４（ｄ）は、ゼロ次のビームを含む従来型照明モードで図４（ｃ）のクロムレスマスクを照射したことによってもたらされるポスト４２０のパターンのシミュレーションを示す。
【００４３】
図４（ａ）および４（ｂ）の結果からも、１次および２次の回折次数の振幅および強度のシミュレーションは、バイナリマスクの場合よりもクロムレスマスク／パターニングデバイスの方がはるかに高いことが分かる。パターンを目標サイズに結像させる際の露光ドーズをかなり小さくできるので、これは特に興味深い。図３（ｂ）のバイナリマスクでのゼロ次および１次の結像の場合の強度が、図４（ｂ）のクロムレスマスクでの１次および２次の次数の結像の場合の強度と同様であることも分かるであろう。
【００４４】
焦点深度を向上させてＭＥＥＦを減少させるために、本発明の１つまたはそれより多い実施形態では、放射ビームの回折次数を選択的にフィルタリングすることが提案される。本発明の一実施形態において、これは、ゼロ次の非回折次数を少なくともある程度遮断するフィルタすなわちアポダイゼーションプレート（apodization plate）を投影システムに設けることによって達成される。本発明の別の実施形態において、フィルタは、ゼロ次の非回折次数を実質的に取り除くように構成されてもよい。本発明のさらに別の実施形態において、フィルタは、さらに１次の回折次数の部分を取り除くように構成されてもよい。アポダイゼーションプレートすなわちフィルタは投影システムの瞳面に配置してもよい。アポダイゼーションプレートすなわち瞳フィルタは円形のプレートとすることもできる。
【００４５】
瞳フィルタリング処理は、例えば、透過率の高い位相シフトマスク（１０％〜１００％の透過率、ここで１００％はクロムレスマスクに相当し得る）またはバイナリマスクを組み合わせて使用できる。瞳フィルタをバイナリマスクと一緒に使用することにより、複雑な補助フィーチャ、パターニングデバイスまたは照明構成を用いなくともプロセスウィンドウを大幅に増大できる。図５（ａ）〜５（ｃ）は３種類のリソグラフィプロセスについて、最大露光寛容度の変化（図５（ａ））と、露光寛容度６％時の焦点深度（ＤＯＦ＠６％ＥＬ）の変化（図５（ｂ））と、ＭＥＥＦの変化とのシミュレーションをピッチの関数として示す。第１のリソグラフィプロセス（”０．８ｓ  ＆  ＢＭ  ｗ  ＰＦ”と称され、図５（ａ）〜５（ｃ）ではＰＲ１で示されている）は、従来型の０．８シグマの照明と、バイナリマスクと、ゼロ次の非回折次数を取り除くための瞳フィルタとを含む。瞳フィルタは、投影システムの瞳面に配されている０．５シグマのプレートである。第２のリソグラフィプロセス（”ｂｕｌｌｓｅｙｅ  ＆  ｈｔ−ｐｓｍ  ｗ／ｏ  ＰＦ”と称され、図５（ａ）〜５（ｃ）ではＰＲ２で示されている）は、ブルズアイ照明（bullseye  illumination）と６％の高透過率位相シフトマスクを含む。ブルズアイ照明は、従来型の０．５シグマ照明と、外側０．９６シグマ／内側０．７６シグマの輪帯照明とを備える。第３のリソグラフィプロセス（”０．８ｓ  ＆  ｈｔ−ｐｓｍ  ｗ／ｏ  ＰＦ”と称され、図５（ａ）〜５（ｃ）ではＰＲ３で示されている）は、従来型の０．８シグマの照明と６％の高透過率位相シフトマスクを含む。第２および第３のリソグラフィプロセスでは瞳フィルタは使用しない。キャリブレーション済みモデル（ＰＲＯＬＩＴＨ（商標）  Ｖ８．１）を使用して、８０ｎｍのコンタクトホールのパターンについて計算を行なう。開口数は１．２が用いられる。図５（ａ）〜５（ｃ）の結果は、ｐｏｓｔ−ＯＰＣ（すなわち、光学的近接効果補正の後）について示されている。
【００４６】
図５（ａ）〜５（ｃ）から、瞳フィルタリング処理はＭＥＥＦを減少させ、焦点深度と露光寛容度を同時に大幅に増加させることが分かる。瞳フィルタリング処理を含む第１のリソグラフィプロセスは、複雑な照明（例えば、ブルズアイ照明）および標準的な透過率の位相シフトマスクなど、より高度なリソグラフィソリューションと比較しても、ピッチレンジ１００ｎｍ〜１０００ｎｍで最良のリソグラフィ性能を示す。
【００４７】
図６に、最小寸法均一性（ＣＤＵ）に関するシミュレーション結果が示されている。この図は、図５（ａ）〜５（ｃ）の第１、第２および第３のリソグラフィプロセス（図６では、それぞれＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３で示されている）について、８０ｎｍのコンタクトホールのパターンのＣＤＵの変化をピッチの関数として示している。ＣＤＵは、露光ドーズ、焦点およびマスクのエラーの結果として生じるＣＤ変化である。このパラメータは、ＣＤ分布における６シグマのＣＤ変化に実質的に対応する。この場合には、ＣＤＵは想定される現実的な露光ドーズ、焦点およびマスクエラーのバジェットにおけるＣＤの変化の二次合計に対応する。具体的には、１３０ｎｍ〜１０００ｎｍのレンジの各ピッチについて、ドーズ誤差レンジ４％、フォーカスエラーレンジ１５０ｎｍ、マスク誤差レンジ２ｎｍの場合の計算を行なう。図６から分かるように、ＣＤＵに関しては、従来のシグマ照明と０．５シグマの瞳フィルタとを組み合わせた第１のリソグラフィプロセスが最良の結果を出している。ＣＤＵ値は、全ピッチレンジを通じて概ね最大値要件（１５ｎｍ）を下回っている。
【００４８】
ここで、図７を参照しながら、本発明の一実施形態にしたがって基板上にパターンを光学的に転写する方法を説明する。
【００４９】
この方法は、ステップ７００から開始し、次にステップ７０５に進み、そこで瞳フィルタを含む複数のリソグラフィパラメータが定められる。一例として、瞳フィルタパラメータはフィルタプレートの直径に対応している。あるいは、瞳フィルタは、瞳フィルタの厚さ、吸光度、吸光度の空間分布、フィルタを構成している材料のタイプ、または瞳フィルタの他の寸法または特徴など、瞳フィルタの別の属性に対応していてもよい。
【００５０】
複数のリソグラフィパラメータが照明構成パラメータを含むこともできる。実施形態で使用できる照明構成パラメータは、露光ドーズ、照明システムまたは投影システムまたは両方の開口数、照明モードを定める種々の幾何学パラメータなどとすることができる。また、幾何学パラメータとは、より一般的には、照明システム内の、照明強度分布または照明形状の、位置、寸法および空間分布などである。例えば、照明構成パラメータは、多極照明形状の位置、強度、開き角（opening angle）、極の内径／外径うちのいずれかまたは全部とすることができる。別の実施形態では付加的な光源パラメータおよび／または他のパラメータも使用できることが分かるであろう。例えば、最適化手順の際にマスク（パターニングデバイス）バイアスパラメータを使用してもよい。
【００５１】
一例として、リソグラフィパラメータは１つまたはそれより多いパターニングデバイスパラメータを含むこともできる。その場合、図７のフローチャートにしたがうリソグラフィプロセスの最適化を照明構成のパターニングデバイスの最適化として参照しても良い。パターニングデバイスパラメータの例は、その印刷を容易にするためにパターンに埋め込まれる光近接補正フィーチャのサイズとしてもよい。一実施形態において、光近接効果補正フィーチャは、ラインの端部に挿入されるhammerheadを含んでいても良い。このようなフィーチャは、従来、ラインの長さ不足を防止するために使用されてきた。本実施形態では、hammerheadの寸法をパターニングデバイスのパラメータとして使用できる。
【００５２】
リソグラフィパラメータを定めた後、本方法はステップ７１０に進み、複数のパラメータを初期設定するためにパターニングデバイスのパターンの像を計算する。パターンの像はコンピュータシミュレーションによって計算してもよい。
【００５３】
リソグラフィシミュレーションはさまざまなモデルを用いて実施できる。パラメータ表示される照明形状を最適化するシミュレーションモデルおよび方法の例は、例えば、２００３年２月１１日出願の米国特許出願第１０／３６１８３１号（現在は米国特許第６８３９１２５号）「Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ  ａｎ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｕｓｉｎｇ  Ｆｕｌｌ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｗｉｎｄｏｗ  Ｍｅｔｒｉｃ」の明細書、２００３年１１月２０日出願の米国特許出願第１０／７１６４３９号（米国特許出願公開第２００４０１５８８０８号）「Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ  ａｎ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｕｓｉｎｇ  Ｉｓｏｆｏｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ」の明細書、および２００４年２月９日出願の米国特許出願第１０／７７３３９７号（米国特許出願公開第２００４０１５６０３０号）「Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ  ａｎ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｕｓｉｎｇ  Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ」の明細書から収集できる。これらの３つの出願の内容は、参照によりここに援用される。
【００５４】
本発明の一実施形態において、放射感応性物質（レジスト）に入射する放射エネルギーの分布を求めるために空間像モデルを用いてシミュレーション計算を行なうことができる。空間像の計算は、フーリエ光学に基づきスカラーまたはベクトルいずれかの形で実行される。開口数ＮＡまたは特定のパターンのようなリソグラフィ装置およびプロセスの特性は、シミュレーションのための入力パラメータとして入力される。このシミュレーションは、市販されているＰＲＯＬＩＴＨＴＭ、ＳＯＬＩＤ−ＣＴＭ、ＬＩＴＨＯＣＲＵＩＳＥＲＴＭ等のシミュレータを使用して実行される。空間像品質は、コントラストまたは正規化空間像ログスロープ（ＮＩＬＳ）測定基準（フィーチャサイズに正規化されたもの）を用いて求めることができる。この値は、画像強度の勾配（または空間像）に対応する。
【００５５】
空間像シミュレーションを行うための関連パラメータは、幾何学的光線光学系により決定した最善の焦点面が存在する平面への距離を意味するガウス画像面の焦点面からの距離、または準単色放射源の中心波長などとすることができる。これらのパラメータは、照明システムの部分的空間コヒーレンス性の程度を表す尺度、半導体用基板を照明する照明システムの開口数、光学系の収差、およびパターンを表す空間透過率の関数の記述を含んでもよい。
【００５６】
別の実施形態では、レジストモデルを用いてリソグラフィのシミュレーションを実施できる。一例として、レジストモデルは、最小寸法（またはサイズ）およびドーズ／露光エネルギーおよび焦点などの変数によるその変化を計算する際に、レジストの露光、レジストの焼成およびレジストの現像を考慮してもよい。同様に、本発明の一実施形態において、レジストモデルは、非平面トポグラフィおよびベクトル効果を考慮に入れても良い。ベクトル効果とは、大きい開口数を使用する場合に電磁波が斜めに伝搬することである。これらのベクトル効果は、空中画像を計算する際に補償することができるが、低屈折率の媒体（例えば、空気）中におけるベクトル効果の計算により、基板上で得られるコントラスト損失が著しく過大評価されることがある。このことは、入射光がレジスト中を伝搬する際に、レジストのより高い屈折率のために直線化されやすいことに起因する。したがって、実際の実験応答を正確に評価するために、厳格な電磁計算を備えたレジストモデルが望ましい。
【００５７】
本発明の別の実施形態において、集中パラメータモデルまたは可変閾値レジストモデルなどの追加モデルを使用することもできる。例えば、直接的で現実的な結果を得るために、ステップ７１０で、キャリブレーション済みモデルを用いてパターンの像を計算してもよい。キャリブレーション済みモデルとは実験データと一致させたモデルのことである。一実施形態において、キャリブレーション済みモデルは、さまざまな実験データでシミュレータ（例えば、ＰＲＯＬＩＴＨＴＭ）のリソグラフィモデルをキャリブレーションすることによって得られる。例えば、ＰＲＯＬＩＴＨＴＭのＡｕｔｏＴｕｎｅオプションを使用すれば、シミュレーションモデルを実験データに合わせて自動でキャリブレーションすることができる。
【００５８】
パターニングデバイスの像を計算した後、ステップ７１５に進み、シミュレートされた像の属性変化を表す測定基準を、例えば焦点、ドーズおよびパターニングデバイスなどの想定される現実的な誤差バジェットについて計算する。一実施形態において、属性はパターンのいずれかフィーチャの最小寸法の変化（ＣＤ変化）に対応していてもよい。例えば、属性はコンタクトホールのＣＤ変化を含むことができる。
【００５９】
一実施形態において、測定基準はＣＤｔｏｔａｌ  ｖａｒｉａｔｉｏｎで示され、式（４）で定義されるデフォーカス、ドーズおよびマスク変化によって引き起こされるＣＤ変化の二次合計平方根を含むこともできる。
【００６０】
【数４】
2007158328.tif 000006
【００６１】
ここで、ＣＤＲｆｏｃ、ＣＤＲｄｏｓｅ、およびＣＤＲｇｌｏｂａｌｍａｓｋは、それぞれ、想定バジェットにかかる焦点変化、ドーズ変化、およびマスク変化によって引き起こされるＣＤの変化に対応している。
【００６２】
式（４）に定義されている総ＣＤ変化は、実質的にマスクパターンの全ＣＤ変化レンジを示すものであり、したがって、６シグマの統計的変動レンジに近づくことが分かるであろう。したがって、ＣＤ変化の半値（ＣＤ変化のハーフレンジとも言われる）は、実質的に３シグマのＣＤ均一性に近づく。
【００６３】
ステップ７２０では、測定基準の結果が許容できるか否か、例えば、属性変化の許容範囲であるか、および／またその最適値に収束してきたか、についての判断がなされる。例えば、属性がＣＤ変化に対応する場合、変化レンジは１０％以内とすることができる。判断が肯定的なものであれば、ステップ７２５で終了となる。判断が否定的なものである場合、ステップ７００へと戻り、新たな試行条件を発生させ、再びステップ７００からステップ７２０に進み、新しい属性値（例えば、ＣＤ変化）を得る。一実施形態において、この手順は最小値（例えば、リソグラフィ応答がＣＤ変化である場合）または最大値が得られるまで繰り返される。
【００６４】
新たな試行条件は、例えば、１つまたは複数のリソグラフィパラメータの新たな値としてもよい。あるいは、新たな試行条件は、新たな照明配置（例えば、形状）、新たなＯＰＣ、別のパターニングデバイスパラメータ、または以前に使用された照明配置の別の照明配置パラメータとすることもできる。
【００６５】
初期的な照明配列形状（例えば、従来の輪帯、二極照明、四極照明または軸上および軸外照明を含む多極形態）は、実験またはシミュレーションによって求めることができる。シミュレーションの場合、選択されたパターンの初期照明形状は、２００３年２月１１日出願の米国特許出願第１０／３６１８３１号（現在は米国特許第６８３９１２５号）「Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ  ａｎ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｕｓｉｎｇ  Ｆｕｌｌ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｗｉｎｄｏｗ  Ｍｅｔｒｉｃ」の明細書、２００３年１１月２０日出願の米国特許出願第１０／７１６４３９号（米国特許出願公開第２００４０１５８８０８号）「Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ  ａｎ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｕｓｉｎｇ  Ｉｓｏｆｏｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ」の明細書、および２００４年２月９日出願の米国特許出願第１０／７７３３９７号（米国特許出願公開第２００４０１５６０３０号）「Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇ  ａｎ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｕｓｉｎｇ  Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ」の明細書に示されている方法にしたがって生成される等高線図（contour map）を用いて評価すればよい。初期的な照明配列形状が生成されると、ステップ７０５で、照明配列形状を画定する幾何学的パラメータを複数のパラメータの１つとして選択してもよい。
【００６６】
式（４）においては、測定基準はＣＤ変化を最小にするように選択される。しかし、本発明の別の実施形態では、他の測定基準および属性を使用できることが分かるであろう。例えば、測定基準は、ＭＥＥＦを最小にするように選択してもよいし、焦点深度および／または露光寛容度を最大にするように選択してもよい。
【００６７】
本発明の一実施形態において、ステップ７２０で測定基準を計算する前に、パターンをその目標サイズに印刷するために、ステップ７０５で特定されたパラメータのサブセット（例えば、ドーズ、ＮＡ、照明およびパターニングデバイスパラメータ）を繰り返し最適化することもできる。具体的には、パターンの計算された像を標準パターンと比較し、計算された像が標準パターンと著しく異なる場合には、新たなパラメータサブセット値を生成する。その後、標準パターンを得られる（または、例えば±５％などの許容公差内となる）パラメータのサブセット（例えば、ドーズ、ＮＡ、照明およびパターニングデバイスパラメータ）を確認するための収束ルーチンによって反復的な像計算が行なわれる。最適なサブセットが特定されると、前述のように、測定基準がパターンの属性うちの１属性の変化を計算する。本発明の一実施形態において、サブセットは瞳フィルタパラメータを含みうる。
【００６８】
一実施形態において、測定基準を計算する前に、複数のパラメータの全部を最適化してもよい。この場合、サブセットは複数のパラメータの全部を含む。
【００６９】
図８は、１６０ｎｍ（最小ピッチ）、２００ｎｍ、２４０ｎｍ、２８０ｎｍおよび３２０ｎｍのピッチで配列され、従来型の最適化方法（すなわち、中心吸光領域を有する瞳フィルタ無しの）を用いた場合および、以後「新規な」方法と呼ぶ図７記載の実施形態の方法を用いた場合の、碁盤の目に配列された８０ｎｍのコンタクトホールの平均的なＣＤ変化のハーフレンジ値のシミュレーションを示す。計算は、放射波長１９３ｎｍ、開口数（液浸）１．２、ｋ１＝０．４に対応する最小半ピッチを用いて実施される。従来型の最適化方法には６％減衰型位相シフトマスクが使用され、また、図７の実施形態（新規な方法）にしたがうパターニングデバイスの転写には１００％の高透過率位相シフトマスクが使用されている。
【００７０】
予備計算では、（以後、照明形状−σとも称される１シグマ値で特徴付けられる）従来型の照明形状が８０ｎｍのコンタクトホールのアレイを結像させるのに適した候補光源形状であることが示された。よって、従来型の照明形状を用いたコンタクトホールアレイの結像を、従来型の最適化方法（すなわち、中心吸光領域を有する瞳フィルタを用いない）と新規な方法の両方で実施する。従来型照明形状のシグマ値は、従来型最適化方法および新規な方法の最適化手順の一部である。しかし、本発明の別の実施形態では、追加的なおよび／または異なる照明構成パラメータも最適化されてよいことをご理解頂きたい。例えば、最初の候補照明構成が多極照明形状に対応している場合、極の開き角、内径／外径および相対位置が最適化の一部であってよい。表１に、従来型の方法と図７の新規な方法のシミュレーションで達成された種々の最適化値を示す。
【００７１】
【表１】
2007158328.tif 000007
【００７２】
計算は、キャリブレーション済みフォトレジストモデルを使用してＰＲＯＬＩＴＨ（商標）Ｖ８．１で実施される。焦点レンジ０．１５μｍ、ドーズレンジ２％、マスクレンジ２ｎｍを含むエラーバジェットを仮定する。
【００７３】
図８および表１のシミュレーション結果は、図７の新規な方法では焦点およびマスク誤差感度が少なくなったことにより、ＣＤＵに近似するＣＤ変化のハーフレンジが著しく改善されていることを示す。この特定リソグラフィプロセスでは、瞳フィルタの最適直径率、すなわち瞳の開口直径に対する瞳フィルタの吸収円領域（absorbing circular area）の直径の比率は、従来の照射モード（ゼロ次の非回折次数が遮断される）のシグマ値のほぼ２倍に相当する。また、従来の方法と比較して、ドーズレンジは大幅に縮小される。
【００７４】
図９に、従来方法（６％ａｔｔ−ＰＳＭ、従来型照明形状−σ＝０．７４であり、図９ではグラフＰＲ４として示される）および新規な方法（クロムレスＰＳＭ、従来型照明形状−シグマ＝０．８６であり、中心吸光領域を有する瞳フィルタ、図９ではグラフＰＲ５として示される）で最適化されたプロセスについて、ＭＥＥＦのシミュレーションをピッチ（ｎｍ）の関数として示す。図９に示されるように、最適な瞳フィルタとクロムレス位相シフトマスク（ＣＰＬマスク）を組み合わせた結像ソリューションでは、１３０ｎｍ〜２６０ｎｍの全ピッチレンジを通じて、従来の結像法と比較してはるかに低いＭＥＥＦが実現される。図９において、瞳フィルタの直径は、ゼロ次の非回折次数を実質的に減らすように最適化されている。
【００７５】
図１０は、従来型方法（６％ａｔｔ−ＰＳＭ、従来型照明形状−σ＝０．７４であり、図１０ではグラフＰＲ４として示される）および新規な方法（クロムレスＰＳＭ、従来型照明形状−σ＝０．８６であり、中心吸光領域を有する瞳フィルタ、図１０ではグラフＰＲ５として示される）で最適化されたプロセスについて、フォーカスエラーに対するコンタクトホールの感受性変化のシミュレーションをピッチ（ｎｍ）の関数として示す。この計算では、０．１５μｍの焦点レンジが想定されている。図１０は、瞳フィルタとクロムレス位相シフトマスクを含むプロセスでは、コンタクトホールのフォーカスエラーに対する感受性が、全ピッチレンジを通じて、従来の結像方法の場合よりもはるかに小さいことを示している。瞳フィルタとクロムレス位相シフトマスクを用いた場合、フォーカスエラーによるコンタクトホールのＣＤ変化は４ｎｍ以下である。
【００７６】
図７に示される基板上にパターンを転写する方法はどのようなタイプのパターンにも拡張可能であることが分かるであろう。一例として、この方法は、基板への不規則なフィーチャパターンの転写を最適化するために適用することもできる。
【００７７】
不規則なフィーチャパターン、例えば不規則なコンタクトホールパターンの結像要件は、一般に、規則的なパターンの結像要件よりも複雑である。不規則なコンタクトホールパターンでは、いくつかのコンタクトホールの中で、最も近い隣接コンタクトホールの座標値が大幅に変わることがあり、そのために印刷プロセスが難しくなる。図１１は、０．９ＮＡで放射波長１９３ｎｍの場合のｋ１＝０．４に対応する、最小ピッチ約１７１ｎｍの９０ｎｍのコンタクトホールからなる模式的な不規則パターンを示す。図１１に示されるように、第１のコンタクトホールとその最も近い隣接コンタクトホールとの間の距離は、第２のコンタクトホールとその最も近い隣接コンタクトホールとの間の距離よりずっと大きくてもよい。また、第１のコンタクトホール対の相対的な向きは、第２のコンタクトホール対の相対的な向きと異なっていてもよい。
【００７８】
図１２と１３を参照すると、これらの図は、従来型方法（瞳フィルタなし）で最適化されたプロセスと方法と新規な方法（図７の実施形態参照）にしたがって最適化されたプロセスについて、露光寛容度（％）の変化のシミュレーションを焦点深度の関数としてそれぞれ示している。計算は、図１１で識別されている９つのコンタクトホール（１〜９）の垂直（Ｖ）成分および水平（Ｈ）成分について行なわれている。計算は０．９ｎｍおよび１９３ｎｍの放射波長の開口数を想定している。図１２では、６％減衰型位相シフトマスクと従来型の０．７シグマ照明が使用され、図１３では、クロムレスマスク（ＣＰＬマスク）と瞳フィルタが使用されている。
【００７９】
予備シミュレーションでは、従来型の照明モードが図１１のパターンを最適化するのに適した照明形状であることが示された。よって、従来型の照明形状を用いたコンタクトホールアレイの結像を、従来型の最適化方法（すなわち、中心吸光領域を有する瞳フィルタを用いない）と新規な方法の両方で実施する。図７の新規な方法にしたがって最適化されたプロセスの場合の瞳フィルタの円形吸光領域の半径率および従来型照明のシグマ値は、それぞれ、約０．７および約０．５に設定する。これは、瞳フィルタの円形吸光領域の半径率が、照明瞳の円形照明強度分布の半径率より大きいことを意味する。よって、ゼロ次の非回折次数が遮断される。このような構成では、１次の回折次数の部分も遮断される。この２つのケースについて最適なマスクバイアスは、それぞれ５ｎｍと２０ｎｍである。この実施形態では、マスクバイアスは、手順において最適化されるパラメータの１つである（ステップ７０５参照）。
【００８０】
図１２および１３は、（図７の新規な方法を使用する）図１３の瞳フィルタ処理プロセスの場合、露光寛容度および焦点深度が図１２の従来型方法の場合よりもはるかに大きいことを示す。従来型の場合、コンタクトホールパターンのＭＥＥＦ値は６．５〜７．７のレンジ内であり、図７の新規な方法にしたがって最適化されたプロセスの場合より２．６低い。参考のため、表２に、図７の新規な方法にしたがって最適化されたプロセスの場合の図１１の９つのホールの垂直および水平の両成分のＭＥＥＦを示す。
【００８１】
【表２】
2007158328.tif 000008
【００８２】
本発明の一実施形態では、高透過率の減衰型位相シフトマスクが瞳フィルタと組み合わせて使用される。この場合、複雑な照明構成の使用に頼らずに焦点深度およびＭＥＥＦについて満足な結果が得られる。図１４および１５は、ブルズアイ照明と５０％減衰型位相シフトマスク（従来型方法で最適化された）とを含む結像ソリューション（図１４）および従来型の円形照明と５０％減衰型位相シフトマスクと瞳フィルタ（新規な方法で最適化された）とを含む別の結像ソリューション（図１５）について、それぞれ、露光寛容度の変化のシミュレーションを焦点深度の関数として示す。図１１の不規則なパターンで識別された９つのコンタクトホール（１〜９）の結果が示されている。
【００８３】
ブルズアイ照明の形状が図１６に示されている。この照明は、０．３２の中心シグマ極と約１．３／１．１のinner／outerシグマを含む環状コンポーネントとを備えている。この照明コンポーネントから出るゼロ次の非回折次数が投影システムによって集められないという事実に関連して、この環状コンポーネントは暗視野コンポーネントに対応する。参考のため、図１６にシグマ＝１に対応する外側限界（１６０で示される）を示す。この実施形態では、照明システムの開口数と投影システムの開口数（ＮＡＰＳＯＢ）の比率は、環状コンポーネントで得られるゼロ次の非回折次数が投影システムで集められないように選択される。図１６において、環状コンポーネントの照明システムの瞳面における正規化半径方向位置シグマは１．１〜１．３である。
【００８４】
５０％減衰型位相シフトマスクと瞳フィルタを伴う従来型照明は、シグマが約０．５の中心極を備えている。
【００８５】
図７の新規な方法にしたがって図１１の不規則パターンの転写を最適化することにより、瞳フィルタの吸光領域の半径率を約０．７とすることができる。図１５は、瞳フィルタと従来型照明と５０％減衰型位相シフトマスクとを組み合わせた結像ソリューションによって得られ、図７の新規な方法で最適化された焦点深度の関数としての露光寛容度の変化が、透過率１００％のクロムレス位相シフトマスクで得られるものと同様であることを示す。
【００８６】
また、図１４と図１５を比較すると、従来型の円形照明と、５０％減衰型位相シフトマスクと瞳フィルタを組み合わせた結像ソリューションによって得られ、図７の新規な方法によって最適化された露光寛容度および焦点深度の結果が、暗視野照明（ブルズアイ照明と瞳フィルタ処理をしない５０％減衰型位相シフトマスク）を使用する結像ソリューションの場合の結果より、優れていることが分かる。
【００８７】
図１２に示される従来型の結像ソリューションと比較して、図１５の結像ソリューション（すなわち、従来型の円形照明、５０％減衰型位相シフトマスクおよび瞳フィルタ、ならびに図７の新規な方法による最適化）と図１４（図１６のブルズアイ照明および５０％減衰型位相シフトマスク）の両方が、露光寛容度および焦点深度を著しく改善することが分かるであろう。図１２の従来型結像ソリューションは、６％減衰型位相シフトマスクと従来の０．７シグマ照明とを組み合わせたものである。したがって、いずれのケース（すなわち、図１４および図１５の結像ソリューション）も、コンタクトホールの印刷ではゼロ次の非回折次数の部分的な除去に有益である。図１５の結像ソリューション（すなわち、図１６のブルズアイ照明と５０％減衰型位相シフトマスク）では、輪帯照明で得られるゼロ次の非回折次数が投影システムによって集められない。投影システムの有限開口数は、ブルズアイ照明の中心極によって得られるゼロ次の非回折次数だけを集めるフィルタとして作用する。図１５の結像ソリューション（すなわち、従来型円形照明、５０％減衰型位相シフトマスクおよび瞳フィルタ、ならびに図７の新規な方法による最適化）では、ゼロ次の非回折次数は瞳フィルタによってすべて遮断されるので、焦点深度および露光寛容度が向上する。
【００８８】
透過率を図７の方法で最適化されるパラメータのうちの１つとしてもよいことが分かるであろう。図１７（ａ）は、さまざまな回折次数（００）、（０１）、（１１）および（００  ｐｉ）の最大振幅変化のシミュレーションを、マスク透過率（ここで、“１”は１００％を意味する）の関数として示す。（ゼロ次の次数の振幅を表す曲線を外挿することによって、）図１７（ａ）に示されるように、ゼロ次の次数は、透過率約２５％で位相が（０からｐｉへと）変わる。図１７（ａ）に示されているように、１次および２次回折次数の振幅は、マスクの透過率の増加に伴ってわずかに増加する。２次回折次数の振幅は、マスク透過率とは無関係に概ね同じままであることが分かるであろう。
【００８９】
図１７（ｂ）は、第１の回折次数対（００）および（０１）ならびに第２の回折次数対（０１）および（１１）の最大強度の変化のシミュレーションをマスク透過率（％）の関数として示す。図１７（ｂ）から分かるように、１０％より大きい透過率では、より高い次数での結像のほうが、標準的な結像よりも高い強度を示す。図１７（ｂ）は、マスク透過率が１０％より高い場合に十分な強度がもたらされることも示している。一実施形態において、透過率は約１０％より高い。
【００９０】
基板上へパターンを光学的転写する構成に関わる種々の作用は、機械実行可能命令により実行できることが分かるであろう。これらの機械実行可能命令は、例えば、リソグラフィ装置の制御ユニットなどのデータ記憶媒体内に格納されてもよい。制御ユニットは、アジャスタデバイスＡＭを制御し、照明システムＩＬから出るビーム内の横断面内の強度分布を修正するように構成されるプロセッサを備えることができる。
【００９１】
本発明の一実施形態において機械実行可能命令は、ＰｒｏｌｉｔｈＴＭ、Ｓｏｌｉｄ−ＣＴＭ、ＬｉｔｈｏｃｒｕｉｓｅｒＴＭ等のシミュレーションソフトウェアと一緒に使用することができるコンピュータ製品に内蔵させることができる。すなわち、コンピュータ製品は、照明ファイルを生成し、シミュレーションソフトウェア内に入力するように、そしてシミュレーションソフトウェアに、例えば、空中または全レジストシミュレーションを使用する所望パターンの画像を計算するように命令するように構成できる。次に、コンピュータ製品は、計算した画像を出力し、この画像が、基板上に所望のパターンを正常に印刷するのに適した光学的品質を備えているか判断するために、この画像対１つまたはそれより多い基準を評価するように構成することもできる。像は、例えば露光寛容度および焦点深度を評価するために焦点レンジにわたって分析されてもよい。コンピュータ製品は、光源点位置の関数として種々のリソグラフィ応答の等高線図を作成するように構成することもできる。
【００９２】
これとは別にあるいはこれに追加して、機械実行命令は、パターンの像を計算する機能を提供するリソグラフィシミュレーションソフトウェアの一部であってもよい。
【００９３】
本文中ではＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用を特に言及しているが、本願明細書記載のリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリのガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途があることを理解すべきである。このような別の用途においては、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用は、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」の同義語と考えられることが当業者には分かるであろう。本願明細書で言及される基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板に対してレジスト層を塗布する、また露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールで処理される。適用できるならば、本願明細書の開示内容を上記およびその他の基板処理ツールに適用しても良い。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理される場合があり、したがって、本願明細書で使用する基板という用語は、既に複数回処理された層を含む基板を表すこともできる。
【００９４】
本願明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）線および（例えば５〜２０ｎｍの波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）線ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームをはじめとする、全タイプの電磁放射を包含する。
【００９５】
本願明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを形成するようにビームの横断面にパターンを付与するために使用できるあらゆる装置を示すものと広く解釈される必要がある。ビームに付与されたパターンは基板のターゲット部分に望まれるパターンと厳密に同じではないことに留意すべきである。一般にビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に形成される集積回路などのデバイスの特定機能層に対応する。
【００９６】
パターニングデバイスは透過式であっても反射式であってもよい。パターニングデバイスの例として、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリ型、alternating位相シフト型、減衰型位相シフト型、ならびに各種のハイブリッドマスクタイプをはじめとするマスクタイプがある。プログラマブルミラーアレイの例は小さなミラーのマトリックス配列を使用しており、個々のミラーは入射する放射ビームを異なる方向へ反射するように個別に傾動でき、これにより反射ビームにパターンが付与される。
【００９７】
支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるかどうかといった他の諸条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的クランプ、真空圧、または例えば真空状況下での静電型クランプのような他のクランプ技術を使用できる。支持構造は例えばフレームまたはテーブルとすることもでき、この支持構造は必要に応じて固定されるか移動可能とされる。またパターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置となることを保証することができる。本願明細書で使用する「レチクル」または「マスク」という用語は、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同意語と考えることができる。
【００９８】
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、例えば使用される露光用放射光や、他の因子、例えば液浸液の使用や真空の使用に適当とされる屈折光学系、反射光学系、屈折反射光学系を含む各種形式の投影システムを包含するものと広く解釈しなければならない。本願明細書で使用する「投影レンズ」という用語は、より一般的な「投影システム」という用語と同意語と考えることができる。
【００９９】
照明システムもまた、放射ビームの方向決め、成形または制御を行う屈折光学系、反射光学系、屈折反射光学系の部材を含む各種の形式の光学コンポーネントを包含し、それらの部材は以下に、集合体または単体で「レンズ」とも称される。
【０１００】
このリソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または、２つまたはそれより多いマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」の機構では、付加的なテーブルを並行して使用してもよいし、１つまたはそれより多いテーブルが露光に使用されている間に他の１つまたはそれより多いテーブルで準備段階を遂行してもよい。
【０１０１】
リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するよう、基板の表面を水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸すタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの最初の要素との間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。投影システムの開口数を増大させるための液浸技術は当業界では周知である。
【０１０２】
本願明細書に記載の方法は、ソフトウェア、ハードウェアまたはこれらの組み合わせとして実施できる。一実施形態において、コンピュータシステム上で実行される場合に、本願明細書に記載のいずれかまたは全部の方法を実行するようにコンピュータシステムに命令するプログラムコードを含むコンピュータプログラムが提供される。
【０１０３】
以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、記載した以外の方法で本発明を実施できることも分かるであろう。記載は本発明の限定を意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２（ａ）】図２（ｂ）に示されるコンタクトホールのパターンを約０．１のシグマの従来の照明モードで照明することによって得られる回折パターンシミュレーションを示す図である。
【図２（ｂ）】１４０ｎｍのピッチで配列された９０ｎｍのコンタクトホールの概略パターンを示す図である。
【図３（ａ）】バイナリマスクにおけるさまざまな回折次数の振幅変化のシミュレーションをコンタクトホールサイズの関数として示す図である。
【図３（ｂ）】バイナリマスクにおける回折次数対の最大強度変化のシミュレーションをコンタクトホールサイズの関数として示す図である。
【図４（ａ）】クロムレスマスクにおけるさまざまな回折次数の振幅変化のシミュレーションをコンタクトホールサイズの関数として示す図である。
【図４（ｂ）】バイナリマスクにおける回折次数対の最大強度変化のシミュレーションをコンタクトホールサイズの関数として示す図である。
【図４（ｃ）】透過率１００％の０°シフトされた石英領域と透過率１００％の１８０°シフトされた石英領域とを有するクロムレスマスクの平面図を示す図である。
【図４（ｄ）】ゼロ次のビームを含む従来型照明で図４（ｃ）のクロムレスマスクを照明したことによってもたらされる柱のパターンを示す。
【図５（ａ）】最大露光寛容度の変化のシミュレーションを、瞳フィルタリング処理を行う若しくは行わない場合のさまざまなリソグラフィプロセスのピッチの関数として示す図である。
【図５（ｂ）】焦点深度の変化のシミュレーションを、瞳フィルタリング処理を行う若しくは行わない場合のさまざまなリソグラフィプロセスのピッチの関数として示す図である。
【図５（ｃ）】マスクエラー増強要因（ＭＥＥＦ）の変化のシミュレーションを、瞳フィルタリング処理を行う若しくは行わない場合のさまざまなリソグラフィプロセスのピッチの関数として示す図である。
【図６】最小寸法均一性の変化のシミュレーションを、瞳フィルタリング処理を行う若しくは行わない場合のさまざまなリソグラフィプロセスのピッチの関数として示す図である。
【図７】本発明の実施形態にしたがって基板上にパターンを光学的に転写する方法のフローチャートである。
【図８】従来型の照明方法と図７の方法とから得られるＣＤ変化のハーフレンジのシミュレーションを示す図である。
【図９】従来型の照明方法および図７の方法の場合のＭＥＥＦの変化のシミュレーションをピッチの関数として示す図である。
【図１０】従来型の照明方法および図７の方法の場合の焦点深度変化のシミュレーションをピッチの関数として示す図である。
【図１１】本発明の実施形態にしたがうコンタクトホールの不規則なパターンを概略的に示す図である。
【図１２】図１１に示される選択された９つのコンタクトホールに関して、露光寛容度の変化のシミュレーションを焦点深度の関数として示す図である。
【図１３】図１１に示される選択された９つのコンタクトホールに関して、本発明の実施形態にしたがう露光寛容度変化のシミュレーションを焦点深度の関数として示す図である。
【図１４】図１１に示される選択された９つのコンタクトホールに関して、露光寛容度変化のシミュレーションを焦点深度の関数として示す図である。
【図１５】図１１に示される選択された９つのコンタクトホールに関して、本発明の実施形態にしたがう露光寛容度変化のシミュレーションを焦点深度の関数として示す図である。
【図１６】本発明の実施形態にしたがう照明構成の断面のシミュレーションを示す図である。
【図１７（ａ）】さまざまな回折次数（００）、（０１）、（１１）および（００  ｐｉ）の最大振幅変化のシミュレーションをマスク透過率（％）の関数として示す図である。
【図１７（ｂ）】回折次数対の最大強度の変化のシミュレーションをマスク透過率（％）の関数として示す図である。
【図１】
2007158328.tif 000009
【図２（ａ）】
2007158328.tif 000010
【図２（ｂ）】
2007158328.tif 000011
【図３（ａ）】
2007158328.tif 000012
【図３（ｂ）】
2007158328.tif 000013
【図４（ａ）】
2007158328.tif 000014
【図４（ｂ）】
2007158328.tif 000015
【図４（ｃ）】
2007158328.tif 000016
【図４（ｄ）】
2007158328.tif 000017
【図５（ａ）】
2007158328.tif 000018
【図５（ｂ）】
2007158328.tif 000019
【図５（ｃ）】
2007158328.tif 000020
【図６】
2007158328.tif 000021
【図７】
2007158328.tif 000022
【図８】
2007158328.tif 000023
【図９】
2007158328.tif 000024
【図１０】
2007158328.tif 000025
【図１１】
2007158328.tif 000026
【図１２】
2007158328.tif 000027
【図１３】
2007158328.tif 000028
【図１４】
2007158328.tif 000029
【図１５】
2007158328.tif 000030
【図１６】
2007158328.tif 000031
【図１７（ａ）】
2007158328.tif 000032
【図１７（ｂ）】
2007158328.tif 000033
【外国語明細書】
2007158328000001.pdf