(57)【要約】【課題】主面の傾斜方向を視認可能なIII−Ｖ族化合物半導体基板及び窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体基板１０の主面１０ｓの法線方向Ｂは、＜１００＞方向から（１００）面内の第１の結晶方向Ｃに所定角θ傾斜した方向である。また、主面１０ｓ側から見て、主面１０ｓの中心Ｏから結晶方向Ｃにマーク１２が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
当該III−Ｖ族化合物半導体基板の主面の法線方向が、＜１００＞方向から（１００）面内の第１の結晶方向に、又は、＜１１１＞方向から（１１１）面内の第２の結晶方向に、所定角傾斜した方向であり、
前記主面側から見て、前記主面の中心から前記第１の結晶方向又は前記第２の結晶方向にマークが設けられている、III−Ｖ族化合物半導体基板。
【請求項２】
前記マークは前記所定角を表す、請求項１に記載のIII−Ｖ族化合物半導体基板。
【請求項３】
当該窒化物半導体基板の主面の法線方向が、＜０００１＞方向から（０００１）面内の第１の結晶方向に所定角傾斜した方向であり、
前記主面側から見て、前記主面の中心から前記第１の結晶方向にマークが設けられている、窒化物半導体基板。
【請求項４】
前記マークは前記所定角を表す、請求項３に記載の窒化物半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III−Ｖ族化合物半導体基板及び窒化物半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面が（１００）面のＧａＡｓウェハのエッジに形成されるノッチは、工業規格（SEMI M9.7-0200）に定められる通り、ＧａＡｓウェハの表面の中心からＧａＡｓ結晶の＜０１０＞方向に向かった先に位置する（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１６０５２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
表面が（１００）面のＧａＡｓウェハでは、ＧａＡｓウェハの表面の中心からノッチに向かう方向（＜０１０＞方向。以下、場合により「ノッチ方向」という。）に最も近いＧａ面とＡｓ面との位置関係はウェハの表面側から見ても裏面側から見ても変わらない。よって、ウェハの表裏によってプロセス特性（例えばエッチングの異方性）が異なるといったことがない。
【０００４】
しかしながら、ＧａＡｓウェハの表面の法線方向が、＜１００＞方向から（１００）面内の所定の結晶方向（以下、場合により「傾斜方向」という。）に所定角傾斜させた方向である場合、どの傾斜方向かによってプロセス特性が変わってしまう。傾斜方向を例えば＜０１−１＞方向とすると、表面側から見ると、傾斜方向は、ノッチ方向から時計回りに４５°回転した方向となる。一方、裏面側から見ると、傾斜方向は、ノッチ方向から時計回りに１３５°回転した方向となる。このように、ウェハの主面（表面又は裏面）を見ただけでは、主面の傾斜方向を識別することはできない。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、主面の傾斜方向を視認可能なIII−Ｖ族化合物半導体基板及び窒化物半導体基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するため、本発明のIII−Ｖ族化合物半導体基板では、当該III−Ｖ族化合物半導体基板の主面の法線方向が、＜１００＞方向から（１００）面内の第１の結晶方向に、又は、＜１１１＞方向から（１１１）面内の第２の結晶方向に、所定角傾斜した方向であり、前記主面側から見て、前記主面の中心から前記第１の結晶方向又は前記第２の結晶方向にマークが設けられている。
【０００７】
ここで、主面の中心とは例えば主面の重心とすることができる。本発明のIII−Ｖ族化合物半導体基板によれば、マークの位置により主面の傾斜方向が視認可能となる。
【０００８】
また、前記マークは前記所定角を表すことが好ましい。この場合、主面の傾斜角度が視認可能となる。
【０００９】
本発明の窒化物半導体基板では、当該窒化物半導体基板の主面の法線方向が、＜０００１＞方向から（０００１）面内の第１の結晶方向に所定角傾斜した方向であり、前記主面側から見て、前記主面の中心から前記第１の結晶方向にマークが設けられている。
【００１０】
ここで、主面の中心とは例えば主面の重心とすることができる。本発明の窒化物半導体基板によれば、マークの位置により主面の傾斜方向が視認可能となる。
【００１１】
また、前記マークは前記所定角を表すことが好ましい。この場合、主面の傾斜角度が視認可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、主面の傾斜方向を視認可能なIII−Ｖ族化合物半導体基板及び窒化物半導体基板が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００１４】
図１は、実施形態に係るIII−Ｖ族化合物半導体基板を模式的に示す平面図である。図２は、図１のII−II線に沿った断面図である。図１及び図２に示されるIII−Ｖ族化合物半導体基板１０は、実質的に円形のウェハであることが好ましいが、矩形の基板であってもよい。III−Ｖ族化合物半導体基板１０は、III−Ｖ族化合物半導体の単結晶からなる。III−Ｖ族化合物半導体としては、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ等が挙げられる。
【００１５】
III−Ｖ族化合物半導体基板１０の主面１０ｓの縁（エッジ）１０ｅにはノッチＮＴが設けられていることが好ましい。ノッチＮＴに代えてオリエンテーションフラットが設けられていてもよい。ノッチＮＴは、III−Ｖ族化合物半導体基板１０の主面１０ｓの中心Ｏから所定の方向（ノッチ方向）Ａに位置する。
【００１６】
III−Ｖ族化合物半導体基板１０の主面１０ｓの法線方向Ｂは、＜１００＞方向から（１００）面内の第１の結晶方向Ｃに所定角θ（０°＜θ＜９０°）傾斜した方向である。結晶方向Ｃは、例えば＜０１−１＞方向である。所定角θは例えば２〜１０°である。なお、法線方向Ｂは、＜１１１＞方向から（１１１）面内の第２の結晶方向に所定角θ傾斜した方向であってもよい。
【００１７】
主面１０ｓ側から見て、主面１０ｓの中心Ｏから結晶方向Ｃにマーク１２が設けられている。また、主面１０ｓ側から見て、ノッチ方向Ａと結晶方向Ｃとのなす角はα（例えばα＝４５°）である。マーク１２は、主面１０ｓの縁１０ｅを含む外周部に設けられていることが好ましく、III−Ｖ族化合物半導体基板１０の縁１０ｅから３ｍｍ以内に位置することがより好ましい。マーク１２は、例えばレーザ光を主面１０ｓに照射することによって形成される。なお、法線方向Ｂが、＜１１１＞方向から（１１１）面内の第２の結晶方向に所定角θ傾斜した方向である場合、マーク１２は、主面１０ｓ側から見て、主面１０ｓの中心Ｏから第２の結晶方向に設けられている。
【００１８】
III−Ｖ族化合物半導体基板１０では、マーク１２の位置により主面１０ｓの傾斜方向（結晶方向Ｃ）が視認可能となる。よって、III−Ｖ族化合物半導体基板１０の仕様書を確認しなくても主面１０ｓの傾斜方向を識別できる。また、マーク１２が形成されているか否かを見ることにより、III−Ｖ族化合物半導体基板１０の表裏を識別することもできる。さらに、III−Ｖ族化合物半導体基板１０の形状を変える必要がないので、ノッチＮＴを自動検出する際に誤動作を防止することができる。
【００１９】
マーク１２は、所定角θを表すことが好ましい。例えば所定角θが２°の場合、マーク１２は「２．００」と印字されたものであることが好ましい。この場合、主面１０ｓの傾斜角度（所定角θ）が視認可能となる。
【００２０】
また、III−Ｖ族化合物半導体基板１０に代えて窒化物半導体基板を用いても同様の作用効果が得られる。窒化物半導体基板は、窒化物半導体の六方晶の単結晶からなる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ等が挙げられる。
【００２１】
この場合、窒化物半導体基板の主面の法線方向は、＜０００１＞方向から（０００１）面内の第１の結晶方向に所定角傾斜した方向である。また、主面側から見て、主面の中心から第１の結晶方向にマークが設けられている。このマークの位置により主面の傾斜方向が視認可能となる。また、マークが所定角を表す場合、主面の傾斜角度が視認可能となる。
【００２２】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【実施例】
【００２３】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００２４】
（実施例１）
垂直式ブリッジマン法（ＶＢ法）を用いて、＜１００＞方向から＜０−１０＞方向に２°傾斜した方向に結晶を成長させ、直径６インチのＧａＡｓインゴットを準備した。得られたインゴットをワイヤーソーでスライスして、表面の法線方向が＜１００＞方向から＜０−１０＞方向に２°±０．０５°傾斜した方向であるＧａＡｓウェハを得た（オフ角２°）。次に、ＧａＡｓウェハの外周部分を研削し、エッジを面取りした。さらに、ＧａＡｓウェハの中心から＜０１０＞方向にノッチを形成した。また、面取りされた部分とノッチをスポンジ砥石又はラバー砥石で研磨することによって、鏡面に仕上げた。
【００２５】
その後、ＧａＡｓウェハの表面のエッジから０．０５〜０．５５ｍｍ内側の位置であって、表面の中心から＜０−１０＞方向（誤差は±３°）に、ＹＡＧレーザの第３高調波を用いてロットナンバー及び傾斜方向（＜０−１０＞方向）の２次元バーコードを刻印した。
【００２６】
さらに、ＧａＡｓウェハの表面及び裏面をレジンボンド砥石で研削した後、塩化シアヌル酸塩の水溶液とコロイダルシリカスラリーとを混合した研磨材と、発泡ポリウレタン研磨布とを用いて、両面研磨を行った。続いて、コロイダルシリカを除去するために強アルカリ水溶液による洗浄を行った後、塩化シアヌル酸塩をベースとした化学研磨材とスウェード研磨布とを用いて、表面のポリッシュ仕上げを行った。その後、酸・アルカリによる洗浄を行った。さらに、自動検査装置にて刻印を検出し、ＧａＡｓウェハ表面の中心からノッチに向かう方向（＜０１０＞方向）と刻印に向かう方向（＜０−１０＞方向）とのなす角を測定した。
【００２７】
（実施例２）
垂直式温度傾斜凝固法（ＶＧＦ法）を用いて、＜１００＞方向から＜０１−１＞方向に１０°傾斜した方向に結晶を成長させ、直径４インチのＧａＡｓインゴットを準備した。得られたインゴットを内周刃でスライスして、表面の法線方向が＜１００＞方向から＜０１−１＞方向に１０°±０．１°傾斜した方向であるＧａＡｓウェハを得た（オフ角１０°）。次に、ＧａＡｓウェハの外周部分を研削し、エッジを面取りした。
【００２８】
その後、ＧａＡｓウェハの表面のエッジから１〜３ｍｍ内側の位置であって、表面の中心から＜０１−１＞方向（誤差は±５°）に、レーザを用いて「１０」と印字を行った。
【００２９】
さらに、ＷＡ＃１５００砥粒を用いてＧａＡｓウェハの両面をラッピング処理することにより研磨した。続いて、ＧａＡｓウェハの両面をエッチングして、フジミインコーポレーテッドＩＮＳＥＣ  ＮＩＢを用いて片面のポリッシュ仕上げを行った。
【００３０】
（実施例３）
ハロゲン化気相エピタキシー法（ＨＶＰＥ法）を用いて、（０００１）面すなわちＣ面に直交する＜０００１＞方向に結晶を成長させ、ＧａＮインゴットを準備した。得られたインゴットを内周刃でスライスして、表面の法線方向が＜０００１＞方向から＜１０−１０＞方向に２°傾斜した方向であるＧａＮウェハを得た（オフ角２°）。なお、＜１０−１０＞方向は、（１０−１０）面すなわちＭ面に直交する。次に、ＧａＮウェハの外周部分を研削し、エッジを面取りした。
【００３１】
その後、ＧａＮウェハの表面のエッジから０．５〜１．５ｍｍ内側の位置であって、表面の中心から＜１０−１０＞方向（誤差は±１０°）に、レーザを用いて「２．００」と印字を行った。
【００３２】
さらに、ＧａＮウェハの表面を研削した後、コロイダルシリカを用いて表面のポリッシュ仕上げを行った。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施形態に係るIII−Ｖ族化合物半導体基板を模式的に示す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０…III−Ｖ族化合物半導体基板、１０ｓ…III−Ｖ族化合物半導体基板の主面、１２…マーク、Ｂ…主面の法線方向、Ｃ…第１の結晶方向、Ｏ…主面の中心、θ…所定角。
【図１】
2007243064.tif 000003
【図２】
2007243064.tif 000004