(57)【要約】【課題】吊りリードの端部の欠損を防止して半導体装置の歩留りの向上を図る。【解決手段】半導体チップを支持するタブと、前記半導体チップが樹脂封止されて形成された封止部３と、前記タブと一体で前記タブから真っ直ぐに延在し、かつ幅方向に突出する凸部および幅広部１ｈが端部より僅か内側箇所に形成された吊りリード１ｅと、封止部３の裏面３ａの周縁部に被接続面１ｇが露出して配置された複数のリード１ａと、前記半導体チップのパッドとリード１ａとを接続するワイヤとからなり、吊りリード１ｅに前記凸部と幅広部１ｈが形成され、かつ前記凸部が封止部３に埋め込まれていることにより、吊りリード１ｅと封止部３との食い付き力を高めることができ、吊りリード切断時の吊りリード１ｅの端部付近の封止部３からの欠損を防ぐことができる。【選択図】図３
2007013220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを支持可能なタブと、
前記タブと一体に形成された複数の吊りリードと、
前記タブの周囲に配置された複数のリードと、
複数の表面電極を有し、前記タブ上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数の表面電極と前記複数のリードとを接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、前記タブ、前記複数のリード、前記複数の吊りリードを封止する樹脂体とを有し、
前記複数の吊りリードの各々は、前記樹脂体の端部において前記樹脂体の裏面からその一部が露出する露出部分を有し、
前記露出部分は、前記樹脂体の端部側に位置する第１部分と、前記第１部分より前記タブ側で、かつ前記第１部分よりその幅を広く形成された第２部分を有し、
前記複数の吊りリードの各々は、前記露出部分の反対側の面に、前記露出部分の幅よりも大きい凸部を有し、前記凸部は前記樹脂体内に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数の吊りリードの各々は、前記タブと前記露出部分との間に、前記露出部分よりもその厚さが薄い部分を有し、前記第２部分は、前記露出部分と前記薄い部分との間に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、前記複数の吊りリードの各々の前記薄い部分と前記タブの厚さは同一であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、ペリフェラル形の半導体装置の歩留り向上に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
タブ埋め込み構造の半導体装置について、その構造や製造方法に関して記載されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−１８９８３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
小形化を図った樹脂封止形の半導体装置として、ＣＳＰ（Chip Scale Package) あるいはＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package) と呼ばれるチップサイズまたは半導体チップより若干大きい程度の小形半導体パッケージが開発されている。
【０００４】
ＱＦＮでは、封止部の裏面（半導体装置実装側の面）の周縁部に複数のリードがその被接続面を露出して配置されており、このような構造の半導体パッケージは、ペリフェラル形と呼ばれている。
【０００５】
なお、ＱＦＮには、半導体チップを支持するタブが封止部の裏面に露出する構造（以降、これをタブ露出構造という）のものと、封止部内に埋め込まれて露出しない構造（以降、これをタブ埋め込み構造という）のものとがある。
【０００６】
そのうち、タブ埋め込み構造では、リードフレーム製造時に、タブの裏面をハーフエッチングやプレスなどによって薄く加工し、これによって封止部内にタブを埋め込む方法が考案されている。
【０００７】
また、モールド後の吊りリード切断時には、封止部のモールド樹脂と吊りリードとを一緒に切断するより、金属である吊りリードのみを切断する方が切断し易いため、タブを支持する吊りリードの端部は、ハーフエッチングせずにリードフレームの厚みそのものを残しており、その結果、吊りリードの端部が封止部の裏面の周縁部に露出している。
【０００８】
ところが、前記したタブ埋め込み構造の半導体装置（ＱＦＮ）では、吊りリードの端部に、ハーフエッチングしないリードフレームの厚みそのものの箇所を残しているため、吊りリード切断時に、ハーフエッチング箇所と非エッチング箇所との境界部に切断応力が集中し、吊りリードの端部が契り取られて封止部から脱落することが問題となる。
【０００９】
すなわち、吊りリード切断時に、吊りリードを封止部から引き抜く方向に力が作用し、その結果、吊りリードの端部が欠損することが問題となる。
【００１０】
これにより、ＱＦＮの歩留りが低下することが問題となる。
【００１１】
本発明の目的は、吊りリードの端部の欠損を防止して半導体装置の歩留りの向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
すなわち、本発明は、半導体チップを支持可能なタブと、前記タブと一体に形成された複数の吊りリードと、前記タブの周囲に配置された複数のリードと、複数の表面電極を有し、前記タブ上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの前記複数の表面電極と前記複数のリードとを接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、前記タブ、前記複数のリード、前記複数の吊りリードを封止する樹脂体とを有し、前記複数の吊りリードの各々は、前記樹脂体の端部において前記樹脂体の裏面からその一部が露出する露出部分を有し、前記露出部分は、前記樹脂体の端部側に位置する第１部分と、前記第１部分より前記タブ側で、かつ前記第１部分よりその幅を広く形成された第２部分を有し、前記複数の吊りリードの各々は、前記露出部分の反対側の面に、前記露出部分の幅よりも大きい凸部を有し、前記凸部は前記樹脂体内に位置しているものである。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
（１）．吊りリードに、その幅方向に突出する凸部または幅広部が形成されたことにより、リード切断時のリード引き抜き方向の力に対しての強度を高めることができる。したがって、リード切断時の吊りリードの端部の欠損を防止することができ、半導体装置の歩留りを向上できる。
【００１７】
（２）．吊りリードに凸部と幅広部の両者が形成されていることにより、リード引き抜き方向の力に対しての強度をさらに高めることができる。また、吊りリードの凸部が封止部に埋め込まれていることにより、リード引き抜き方向の力に対しての強度をさらに高めることができる。これにより、半導体装置の歩留りをさらに向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態）
図１、図２および図３は本実施の形態のＱＦＮの構造の一例を示す図、図４および図５はリードフレームの図、図６はＱＦＮの組み立て手順を示す製造プロセスフロー図である。
【００２０】
本実施の形態の半導体装置は、樹脂封止形で、かつ面実装形の小形半導体パッケージであり、ここでは、前記半導体装置の一例として、ＱＦＮ５を取り上げて説明する。
【００２１】
なお、ＱＦＮ５は、図１（ｃ）に示すように、複数の外部端子であるリード１ａの被接続面１ｇが、樹脂モールドによって形成された封止部３の半導体装置実装側の面（以降、裏面３ａという）の周縁部に並んで露出して配置されたペリフェラル形の半導体パッケージであり、各リード１ａは、封止部３に埋め込まれたインナリードと、封止部３の裏面３ａに露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねている。
【００２２】
さらに、ＱＦＮ５は、半導体チップ２を支持するタブ１ｂが、リード１ａよりも薄く（例えば、リード１ａの１／２程度の厚さ）加工されたものであり、したがって、樹脂封止の際には、タブ１ｂが薄く形成された分、図２に示すように、タブ１ｂの裏面１ｄ側にもモールド樹脂が回り込んでタブ１ｂが封止部３内に埋め込まれるタブ埋め込み構造のものである。
【００２３】
なお、タブ１ｂをリード１ａより薄くする加工方法としては、エッチング（ハーフエッチング）やプレスなどが好ましいが、ここでは、ハーフエッチングによって薄くされた場合を説明する。
【００２４】
図１〜図５を用いて、ＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、半導体チップ２を支持する薄板状のタブ１ｂと、半導体チップ２が樹脂封止されて形成された図１（ａ),（ｂ）に示す封止部３と、タブ１ｂと一体でこれを支持してタブ１ｂから真っ直ぐに延在するとともに封止部３の裏面３ａの４つの角部に露出し、かつ幅方向に突出する図５に示す凸部１ｆおよび幅広部１ｈが端部より僅か内側箇所に形成された吊りリード１ｅと、封止部３の裏面３ａの周縁部に被接続面１ｇが露出して配置された複数の外部端子であるリード１ａと、図２に示す半導体チップ２のパッド（表面電極）２ａとこれに対応するリード１ａとを接続するボンディング用のワイヤ４とからなり、タブ１ｂさらに吊りリード１ｅの凸部１ｆが封止部３に埋め込まれている。
【００２５】
すなわち、ＱＦＮ５は、吊りリード１ｅにおいてその端部より僅か内側箇所に凸部１ｆと幅広部１ｈとが形成され、かつ凸部１ｆが封止部３に埋め込まれ、さらに、幅広部１ｈが底面を除いて封止部３に覆われていることにより、吊りリード１ｅと封止部３との食い付き力を高めることが可能なものである。
【００２６】
したがって、吊りリード切断時の吊りリード１ｅの引き抜き方向の力に対してのリード抜け防止強度を高めることができ、その結果、吊りリード１ｅの端部付近の封止部３からの欠損を防ぐことができる。
【００２７】
なお、吊りリード１ｅの端部より僅か内側箇所に形成された凸部１ｆは、図５（ａ）に示すように、その幅方向の両側に突出させて形成したものであり、さらに、封止部３の内部に完全に埋め込まれるように、図５（ｂ）に示すように、吊りリード１ｅの板厚方向においてその全体に亘って形成されているのではなく、板厚の上側約半分程度の箇所に形成されている。
【００２８】
これによって、凸部１ｆを封止部３に埋め込むことができる。
【００２９】
また、幅広部１ｈは、図３に示すように、その端部より僅か内側箇所で、端部より幅を広く形成したものであり、図５（ｂ）に示すように、板厚方向全体に亘って幅広部１ｈが形成されている。
【００３０】
すなわち、図３に示すように、吊りリード１ｅの端部の幅をＡとし、幅広部１ｈの幅をＢとすると、Ａ＜Ｂとなる。
【００３１】
なお、吊りリード１ｅにおける幅広部１ｈは、図３に示すように、吊りリード１ｅの端部から内側に向かって徐々に幅広となって形成され、図５（ａ),（ｂ）に示すように、リード延在方向の凸部１ｆのほぼ中央付近で幅広が終端して、ここで、図５（ａ）に示すＡ＜Ｂの関係が成立している。
【００３２】
また、吊りリード１ｅにおいてリード延在方向の凸部１ｆのほぼ中央付近より内側の領域は、吊りリード１ｅの端部とほぼ同じ幅になっている。
【００３３】
なお、ＱＦＮ５では、封止部３の角部において、図３に示すように、吊りリード１ｅの両側に信号用などのリード１ａが配置される。そこで、吊りリード１ｅとこれに隣接して配置されるリード１ａとの距離は、以下の２つの条件で決まる。
【００３４】
まず、１つめの条件は、リードフレーム１の加工上の条件である。
【００３５】
すなわち、リードフレーム１にはフレーム標準が定められており、エッチングやプレスなどで加工する際に、リード間隔の最小値がリードフレーム１の板厚の８０％程度とされている。
【００３６】
したがって、吊りリード１ｅとこれに隣接配置されるリード１ａとの最小距離も板厚の８０％程度となり、例えば、板厚0.２ｍｍのリードフレーム１の場合、吊りリード１ｅとこれに隣接配置されるリード１ａとの最小距離は0.１６ｍｍとなる。
【００３７】
また、２つめの条件は、ＱＦＮ５を実装する実装基板の基板側端子との関係である。
【００３８】
通常、ＱＦＮ５のリード１ａ（露出部分）より基板側端子の方が面積が広いため、多少リード１ａを大きくして吊りリード１ｅとこれに隣接するリード１ａとの距離を狭めることが可能であるが、これは、実装基板の基板側端子の大きさに起因する。
【００３９】
したがって、リードフレーム１の前記加工条件によってＱＦＮ５における吊りリード１ｅとこれに隣接するリード１ａとの距離が定められることが多い。
【００４０】
また、本実施の形態のＱＦＮ５のタブ１ｂの平面形状は、図４に示すように、十字形であるが、タブ１ｂの平面形状は、特に限定されるものではなく、十字形以外の円形や四角形などであってもよい。
【００４１】
さらに、タブ１ｂは、その４つの角部において吊りリード１ｅによって支持されているが、吊りリード１ｅの本数やその支持箇所などは特に限定されるものではない。
【００４２】
なお、図４に示すリードフレーム１は、複数のＱＦＮ５をまとめて組み立て可能な多数個取りのフレームにおいて、１つのＱＦＮ５に相当するパッケージ領域のみを示したものであり、その際、リードフレーム１は、例えば、前記パッケージ領域が１列に複数配置されたものであってもよく、また、複数列×複数行にマトリクス配置されたものであってもよい。
【００４３】
また、リードフレーム１は、例えば、銅によって形成され、その厚さは、0.１５〜0.２ｍｍ程度である。
【００４４】
したがって、吊りリード１ｅの非エッチング箇所（ハーフエッチングされていない箇所）や各リード１ａの厚さは、例えば、0.１５〜0.２ｍｍ程度であり、さらに、タブ１ｂの厚さは、そのおおよそ１／２程度である。
【００４５】
また、半導体チップ２は、図２に示すように、タブ１ｂのチップ支持面１ｃに銀ペーストなどのダイボンド材によって固着されている。
【００４６】
また、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを接続するボンディング用のワイヤ４は、例えば、金線などである。
【００４７】
さらに、封止部３は、モールド方法による樹脂封止によって形成され、その際用いられる封止用樹脂（モールド樹脂）は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などである。
【００４８】
また、封止部３の裏面３ａの周縁部に露出する各リード１ａの被接続面１ｇには、図２に示すように、実装基板への実装時の半田接続用の半田メッキ６が形成されている。
【００４９】
なお、半田メッキ６の代わりとして、パラジウム（Ｐｄ）メッキなどを形成してもよい。
【００５０】
次に、本実施の形態のＱＦＮ５の製造方法を図６に示す製造プロセスフロー図にしたがって説明する。
【００５１】
まず、半導体チップ２を支持可能な薄板状のタブ１ｂと、タブ１ｂと一体でこれを支持し、かつタブ１ｂから真っ直ぐに延在するとともに幅方向の両側に突出する凸部１ｆおよび幅広部１ｈが端部（図５（ａ),（ｂ）に示すモールドライン８）より僅か内側箇所に形成された吊りリード１ｅと、タブ１ｂの周囲に配置された複数のリード１ａとを有する図４に示すリードフレーム１を準備する（ステップＳ１）。
【００５２】
なお、リードフレーム１においては、図２、図５（ｂ）に示すように、タブ１ｂの裏面１ｄ側がハーフエッチングによって薄く加工されている。
【００５３】
一方、図２に示す主面２ｂに半導体集積回路が形成された半導体チップ２を準備した後、半導体チップ２を供給し、その後、ステップＳ２に示すように、リードフレーム１のタブ１ｂのチップ支持面１ｃと半導体チップ２の裏面２ｃとを接合するダイボンディングを行う。
【００５４】
すなわち、リードフレーム１のタブ１ｂにダイボンド材（例えば、銀ペーストなど）を介して主面２ｂを上方に向けて半導体チップ２を固定（搭載）するダイボンディング（チップマウントともいう）を行う。
【００５５】
続いて、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリードフレーム１のリード１ａ
とを金線などのワイヤ４によって接続するワイヤボンディングを行う（ステップＳ３）。
【００５６】
その後、ステップＳ４に示すように、モールド（ここでは、トランスファーモールド）による半導体チップ２の樹脂封止を行う。
【００５７】
ここでは、各リード１ａの被接続面１ｇが封止部３の裏面３ａの周縁部に露出して並ぶとともに、図１（ｃ）に示すように、裏面３ａの４つの角部に吊りリード１ｅの一部が露出し、かつ凸部１ｆおよび幅広部１ｈを封止部３に接合させて封止部３を形成する。
【００５８】
その際、吊りリード１ｅの凸部１ｆは、吊りリード１ｅの端部より僅か内側箇所に形成されており、かつ図５（ｂ）に示すように、吊りリード１ｅの板厚方向においてその上側約半分程度の箇所に形成されているため、凸部１ｆは封止部３に埋め込まれる。
【００５９】
また、幅広部１ｈは、その端部より僅か内側箇所で、板厚方向全体に亘って形成されているため、図３に示すように、吊りリード１ｅの端部の幅（Ａ）と幅広部１ｈの幅（Ｂ）とが、Ａ＜Ｂとなった状態で封止部３の裏面３ａの角部に露出する。
【００６０】
その後、ステップＳ５に示すように、各リード１ａおよび吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断分離するリード切断（個片化）を行う。
【００６１】
その際、吊りリード１ｅにおいてその端部より僅か内側箇所に凸部１ｆと幅広部１ｈとが形成され、この凸部１ｆが封止部３に埋め込まれていることにより、吊りリード１ｅと封止部３との食い付き力を高められるため、吊りリード切断時の吊りリード１ｅの引き抜き方向の力に対してのリード抜け防止強度を高めることができ、吊りリード１ｅの欠損を防ぐことができる。
【００６２】
その結果、図１に示すＱＦＮ５の完成となる（ステップＳ６）。
【００６３】
本実施の形態のＱＦＮ５（半導体装置）およびその製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００６４】
すなわち、吊りリード１ｅに、その幅方向に突出する凸部１ｆまたは幅広部１ｈが形成されたことにより、吊りリード１ｅ切断時のリード引き抜き方向の力に対しての強度を高めることができる。
【００６５】
すなわち、凸部１ｆおよび幅広部１ｈによって吊りリード１ｅと封止部３との食い付き力が高められ、吊りリード１ｅ切断時に、リード引き抜き方向に対して力が作用しても、吊りリード１ｅが凸部１ｆおよび幅広部１ｈによってロックされるため、吊りリード１ｅの端部が封止部３から脱落することはない。
【００６６】
したがって、リード切断時の吊りリード１ｅの端部の欠損を防止することができる。
【００６７】
その結果、ＱＦＮ５の歩留りを向上できる。
【００６８】
なお、本実施の形態のＱＦＮ５では、凸部１ｆと幅広部１ｈの両者が形成されており、かつ凸部１ｆが封止部３に埋め込まれていることにより、リード引き抜き方向の力に対してのリード引き抜き防止強度（リード１ａと封止部３の食い付き力）をさらに高めることができる。
【００６９】
これにより、ＱＦＮ５の歩留りをさらに向上できる。
【００７０】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００７１】
例えば、吊りリード１ｅに形成される凸部１ｆと幅広部１ｈについては、必ずしも両者が形成されていなくてもよく、少なくとも何れか一方が形成されていればよい。さらに、両者は、必ずしも封止部３に完全に埋め込まれていなくてもよい。
【００７２】
そこで、図７〜図１０に示す変形例の吊りリード１ｅについて説明する。
【００７３】
図７（ａ),（ｂ),（ｃ）に示す変形例の吊りリード１ｅは、幅広部１ｈのみを端部より僅か内側箇所に形成したものであり、板厚方向全体に亘って幅広部１ｈが形成されている。すなわち、前記実施の形態で説明した凸部１ｆと幅広部１ｈとが形成された吊りリード１ｅにおいて両側の凸部１ｆを取り除いた形状のものである。
【００７４】
この場合にも、吊りリード１ｅの端部の幅をＡとし、幅広部１ｈの幅をＢとすると、Ａ＜Ｂとなるため、リード切断時のリード引き抜き方向の力に対しての強度を高めることができ、その結果、リード切断時の吊りリードの端部の欠損を防止することができる。
【００７５】
さらに、幅広部１ｈが板厚方向全体に亘って同幅で形成されているため、プレス加工によってもこのリードフレーム１（図４参照）を容易に製造することが可能である。
【００７６】
また、図８（ａ),（ｂ),（ｃ）に示す変形例の吊りリード１ｅは、凸部１ｆのみを端部より僅か内側箇所に形成したものである。すなわち、前記実施の形態で説明した凸部１ｆと幅広部１ｈとが形成された吊りリード１ｅにおいて幅広部１ｈを取り除いた形状のものである。
【００７７】
この場合、吊りリード１ｅの端部の幅をＡとし、凸部１ｆより内側箇所の幅をＢとすると、Ａ＝Ｂであり、リード幅は、同じであるが、前記実施の形態の吊りリード１ｅと同様に凸部１ｆが両側に形成されているため、リード切断時のリード引き抜き方向の力に対しての強度を高めることができ、その結果、リード切断時の吊りリードの端部の欠損を防止することができる。
【００７８】
また、図９（ａ),（ｂ),（ｃ）に示す変形例の吊りリード１ｅは、図８の吊りリード１ｅと同様に凸部１ｆのみを端部より僅か内側箇所に形成したものであるが、その際、凸部１ｆを吊りリード１ｅの板厚方向においてその全体に亘って形成したものである。
【００７９】
この場合、図９（ａ）に示すように、吊りリード１ｅの端部の幅をＡとし、端部より僅か内側箇所の凸部１ｆの露出部の幅をＢとすると、Ａ＜Ｂとなり、前記実施の形態と同様に、リード切断時のリード引き抜き方向の力に対しての強度を高めることができ、その結果、リード切断時の吊りリードの端部の欠損を防止することができる。
【００８０】
さらに、凸部１ｆが、板厚方向全体に亘って形成されているため、プレス加工によってもこのリードフレーム１（図４参照）を容易に製造することが可能である。
【００８１】
また、図１０（ａ),（ｂ),（ｃ）に示す変形例の吊りリード１ｅは、図５に示すような幅広部１ｈを形成せずに、凸部１ｆのみを端部より僅か内側箇所の両側に形成するとともに、前記実施の形態の吊りリード１ｅの端部の非エッチング箇所の長さを長く形成するものである。
【００８２】
この場合、吊りリード１ｅの端部の幅をＡとし、凸部１ｆより内側箇所の幅をＢとすると、Ａ＝Ｂであり、リード幅は、同じであるが、前記実施の形態の吊りリード１ｅとほぼ同じ凸部１ｆが両側に形成されているため、リード切断時のリード引き抜き方向の力に対しての強度を高めることができ、その結果、リード切断時の吊りリードの端部の欠損を防止することができる。
【００８３】
さらに、吊りリード１ｅの端部の非エッチング箇所の長さを長く形成することにより、封止部３の角部を外側に形成でき、封止部３の角部の面取りを小さくできる。
【００８４】
また、前記実施の形態では半導体装置がペリフェラル形のＱＦＮ５の場合について説明したが、前記半導体装置は、図１１の変形例のように、リード１ａの被接続面１ｇに外部端子として半田ボール７ａが設けられたボール端子パッケージ７などであってもよい。
【００８５】
つまり、図１１に示す変形例の半導体装置は、リード１ａの被接続面１ｇに外部端子として半田ボール７ａが設けられたボール端子パッケージ７であり、このような半導体装置においても前記実施の形態で説明したＱＦＮ５と同様の作用効果を得ることができる。
【００８６】
また、前記実施の形態では、タブ埋め込み構造のＱＦＮ５について説明したが、ＱＦＮ５は、タブ露出構造のものであってもよい。
【００８７】
したがって、前記半導体装置は、リードフレーム１を用いて組み立てられる樹脂封止形で、少なくとも吊りリード１ｅの端部が封止部３の裏面３ａに露出する構造のペリフェラル形のものであれば、ＱＦＮ５やボール端子パッケージ７以外の他の半導体装置であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は、ペリフェラル形の半導体装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態の半導体装置（ＱＦＮ）の構造の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
【図２】図１（ｃ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面の構造を示す断面図である。
【図３】図１（ｃ）のＡ部の構造を拡大して示す拡大部分底面図である。
【図４】図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。
【図５】（ａ),（ｂ）は図４のＢ部の構造を拡大して示す図であり、（ａ）は拡大部分平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。
【図６】図１に示すＱＦＮの製造方法における組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図７】（ａ),（ｂ),（ｃ）は図１に示すＱＦＮの吊りリードに対する変形例の吊りリードによるＱＦＮ底面構造および吊りリードの構造を示す図であり、（ａ）は図１（ｃ）のＡ部に対応する変形例の拡大部分底面図、（ｂ）は図４のＢ部に対応する変形例の拡大部分平面図、（ｃ）は（ｂ）の側面図である。
【図８】（ａ),（ｂ),（ｃ）は図１に示すＱＦＮの吊りリードに対する変形例の吊りリードによるＱＦＮ底面構造および吊りリードの構造を示す図であり、（ａ）は図１（ｃ）のＡ部に対応する変形例の拡大部分底面図、（ｂ）は図４のＢ部に対応する変形例の拡大部分平面図、（ｃ）は（ｂ）の側面図である。
【図９】（ａ),（ｂ),（ｃ）は図１に示すＱＦＮの吊りリードに対する変形例の吊りリードによるＱＦＮ底面構造および吊りリードの構造を示す図であり、（ａ）は図１（ｃ）のＡ部に対応する変形例の拡大部分底面図、（ｂ）は図４のＢ部に対応する変形例の拡大部分平面図、（ｃ）は（ｂ）の側面図である。
【図１０】（ａ),（ｂ),（ｃ）は図１に示すＱＦＮの吊りリードに対する変形例の吊りリードによるＱＦＮ底面構造および吊りリードの構造を示す図であり、（ａ）は図１（ｃ）のＡ部に対応する変形例の拡大部分底面図、（ｂ）は図４のＢ部に対応する変形例の拡大部分平面図、（ｃ）は（ｂ）の側面図である。
【図１１】図１に示すＱＦＮに対する変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１  リードフレーム
１ａ  リード
１ｂ  タブ
１ｃ  チップ支持面
１ｄ  裏面
１ｅ  吊りリード
１ｆ  凸部
１ｇ  被接続面
１ｈ  幅広部
２  半導体チップ
２ａ  パッド（表面電極）
２ｂ  主面
２ｃ  裏面
３  封止部
３ａ  裏面（半導体装置実装側の面）
４  ワイヤ
５  ＱＦＮ（半導体装置）
６  半田メッキ
７  ボール端子パッケージ（半導体装置）
７ａ  半田ボール
８  モールドライン
【図１】
2007013220.tif 000003
【図２】
2007013220.tif 000004
【図３】
2007013220.tif 000005
【図４】
2007013220.tif 000006
【図５】
2007013220.tif 000007
【図６】
2007013220.tif 000008
【図７】
2007013220.tif 000009
【図８】
2007013220.tif 000010
【図９】
2007013220.tif 000011
【図１０】
2007013220.tif 000012
【図１１】
2007013220.tif 000013