(57)【要約】【課題】  気密の保持を向上させ、コストを削減し、小型低背化が可能となり、安定した接合状態を得る。【解決手段】  基板ウェハと基板ウェハに実装される圧電素子と凹部を設けた蓋ウェハとから構成され、圧電素子を実装する実装パターン、実装パターンを外部に引き回す引き回しパターン、引き回しパターンにつながる外部実装パターン、蓋ウェハとの接合面に形成される接合金属膜とを有し、凹部を塞ぐように基板ウェハと蓋ウェハとが接合される圧電振動子の製造方法であって、引き回しパターンが基板ウェハの蓋ウェハとの接合面まで形成されるパターン形成工程、蓋ウェハの基板ウェハとの接合面において裏側まで貫通するスルーホールを形成するスルーホール形成工程、蓋ウェハと基板ウェハとを陽極接合するウェハ接合工程、ウェハ接合工程で塞がれたスルーホールの内部を封止金属膜で覆いつつ外部実装パターンを形成する外部実装パターン形成工程、を含む。【選択図】      図４
2007013636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板ウェハと、この基板ウェハに実装される圧電素子と、この圧電素子を封止するための凹部をマトリクス状に設けた蓋ウェハとから構成され、前記蓋ウェハの接合面にスルーホールが形成され、前記基板ウェハの接合面に接合金属膜とが形成されるとともに、前記各凹部内に収まるように当該基板ウェハに前記圧電素子を実装する実装パターン、この実装パターンを外部に引き回す引き回しパターン、が形成され、前記凹部を塞ぐように前記基板ウェハと前記蓋ウェハとが接合される圧電振動子の製造方法であって、
前記各実装パターンに前記圧電素子を実装する圧電素子実装工程と、
前記蓋ウェハと前記基板ウェハとを陽極接合するウェハ接合工程と、
接合された前記基板ウェハと前記蓋ウェハとを個片化する個片化工程と、
前記ウェハ接合工程で塞がれた前記スルーホールの内部を封止金属膜で覆いつつ外部実装パターンを形成する外部実装パターン形成工程とを含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
前記接合金属膜が、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａgのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
基板ウェハと、この基板ウェハに実装される圧電素子と、この圧電素子を封止するための凹部をマトリクス状に設けた蓋ウェハとから構成され、前記蓋ウェハの接合面にスルーホールが形成され、前記基板ウェハの接合面に接合金属膜とが形成されるとともに、前記各凹部内に収まるように当該基板ウェハに前記圧電素子を実装する実装パターン、この実装パターンを外部に引き回す引き回しパターン、が形成され、前記凹部を塞ぐように前記基板ウェハと前記蓋ウェハとが接合される圧電振動子の製造方法であって、
前記各実装パターンに前記圧電素子を実装する圧電素子実装工程と、
前記蓋ウェハと前記基板ウェハとを直接接合するウェハ接合工程と、
接合された前記基板ウェハと前記蓋ウェハとを個片化する個片化工程と、
前記ウェハ接合工程で塞がれた前記スルーホールの内部を封止金属膜で覆いつつ外部実装パターンを形成する外部実装パターン形成工程とを含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
前記個片化工程の後に、
外部実装パターンを、個片化した前記圧電振動子の両端部の五面に形成する外部実装パターン拡張工程を含むことを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
基板と、この基板に実装される圧電素子と、この圧電素子を封止するための凹部を設けた蓋とから構成され、前記基板に前記凹部内に収まるように当該基板に前記圧電素子を実装する実装パターン、この実装パターンを外部に引き回す引き回しパターン、この引き回しパターンにつながる外部実装パターンとを有する圧電振動子であって、
前記蓋の前記基板との接合面に裏側まで貫通するスルーホールと、
前記実装パターンから前記スルーホールに至る前記引き回しパターンと、
前記引き回しパターンが設けられたスルーホールの内部全面を覆う封止金属膜と、
を備え、
ウェハの状態で前記凹部を塞いで接合された前記基板と前記蓋とが個片化されてなることを特徴とする圧電振動子。
【請求項６】
前記外部実装パターンが前記圧電振動子の両端部の五面に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の圧電振動子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装可能な圧電振動子の製造方法及び圧電振動子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図７に示すように、表面実装可能な圧電振動子として、枠部２０３Ａと振動部２０３Ｂとが一体で形成される水晶からなる圧電基板２０３を、共にガラスからなる蓋２０１と基板２０２とで挟んで構成された圧電振動子２００が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
このような圧電振動子２００は、圧電基板２０３の振動特性を低下させないようにするために、蓋２０１と基板２０２とに振動部２０３Ｂが収まる程度の凹部２１０が形成されている。また、圧電基板２０３の枠部２０３Ａの裏面及び表面の両面には金属層２０３Ｃが形成されており、枠部２０３Ａと蓋２０１、及び、枠部２０３Ａと基板２０２とが陽極接合により、凹部２１０を振動部２０３Ｂに向けて接合されている。
また、電極を外部に引き回すために、基板２０２の水晶との接合面にスルーホール２０４を設けている。この場合、水晶側にスルーホール２０４の一方の端部を覆う取付電極２０５が設けられており、水晶と基板２０２とを接合した後に、スルーホール２０４内部にスパッタリングで金属膜２０５を設けて外部電極としている。
【０００３】
この圧電振動子２００の製造方法は、まず、蓋２０１及び基板２０２が、ウェハから個片にダイシングされる。次に、蓋２０１及び基板２０２がウェハから個片にダイシングされた後に、圧電基板２０３に枠部２０３Ａと振動部２０３Ｂとを一体で形成する工程と、この外枠２０３Ａの裏面と表面とに金属層２０３Ｃを形成する工程と、蓋２０１に凹部２１０を形成する工程と、基板２０２に凹部２１０を形成する工程と、基板２０２にスルーホール２０４を形成する工程と、枠部２０３Ａの一方の面と蓋２０１とを陽極接合により凹部２１０を振動部２０３Ｂに向けて接合する工程と、枠部２０３Ａの他方の面と基板２０２とを陽極接合により凹部２１０を振動部２０３Ｂに向けて接合する工程と、を経て圧電振動子２００が製造されている。
なお、一般的に、振動子や発振器の気密封止方法には、ガラスフリット、抵抗溶接、シーム溶接、樹脂封止、熱融着、ＥＢ封止などが知られている。
【０００４】
また、接合のための金属層と引き出し電極の一部を陽極接合、耐熱接着剤、共晶結合で接合させる封止方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特許第３３９０３４８号公報（段落０００５〜００１３、図３）
【特許文献２】特許第３６２１４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板２０２及び蓋２０１が個片の状態で圧電振動子の組み立てを行う場合、基板精度、治具精度、設備精度の諸要因により、各部品を個々に扱うために、製造装置が複雑となって製造装置にかかる管理が煩雑になり、又は、新たな設備を導入する必要が出てしまい、コストが増大する原因となる。
また、基板２０２及び蓋２０１が個片の状態で圧電振動子の組み立てを行う場合、設備が各部品を把持又は／及び固定する必要があるため、圧電振動子の小型低背化が困難な状態になっている。
また、圧電基板２０３に設けた取付電極に、スルーホール２０４の内面と共に金属膜２０５を形成する場合、スパッタリングによる熱で圧電基板２０３に設けられた取付電極の成分が変質しやすくなり、通電不良を起こす危険性や、当該金属膜２０５と取付電極との接合部で剥がれが生じやすくなる危険性がある。
また、剥がれが生じた場合、金属膜２０５を破損させる恐れもあり、この場合、凹部２１０内の気密が保持されなくなる危険性もある。
【０００６】
また、特許文献２に係る封止方法を、基板をマトリックス状に配列したウェハで扱おうとすると、個々に調整するために引き出し電極の一部を接合のための金属膜と絶縁する必要がある。しかし、このようにすると、陽極接合ができなくなるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明では、前記した問題を解決し、気密の保持を向上させ、コストを削減し、小型低背化が可能となり、安定した接合状態を得る圧電振動子の製造方法及び圧電振動子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、基板ウェハと、この基板ウェハに実装される圧電素子と、この圧電素子を封止するための凹部をマトリクス状に設けた蓋ウェハとから構成され、前記蓋ウェハの接合面にスルーホールが形成され、前記基板ウェハの接合面に接合金属膜とが形成されるとともに、前記各凹部内に収まるように当該基板ウェハに前記圧電素子を実装する実装パターン、この実装パターンを外部に引き回す引き回しパターン、が形成され、前記凹部を塞ぐように前記基板ウェハと前記蓋ウェハとが接合される圧電振動子の製造方法であって、前記各実装パターンに前記圧電素子を実装する圧電素子実装工程と、前記蓋ウェハと前記基板ウェハとを陽極接合するウェハ接合工程と、接合された前記基板ウェハと前記蓋ウェハとを個片化する個片化工程と、前記ウェハ接合工程で塞がれた前記スルーホールの内部を封止金属膜で覆いつつ外部実装パターンを形成する外部実装パターン形成工程とを含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法である。
【０００９】
また、本発明は、前記接合金属膜が、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａgのいずれかであっても良い。
【００１０】
また、本発明は、基板ウェハと、この基板ウェハに実装される圧電素子と、この圧電素子を封止するための凹部をマトリクス状に設けた蓋ウェハとから構成され、前記蓋ウェハの接合面にスルーホールが形成され、前記基板ウェハの接合面に接合金属膜とが形成されるとともに、前記各凹部内に収まるように当該基板ウェハに前記圧電素子を実装する実装パターン、この実装パターンを外部に引き回す引き回しパターン、が形成され、前記凹部を塞ぐように前記基板ウェハと前記蓋ウェハとが接合される圧電振動子の製造方法であって、前記各実装パターンに前記圧電素子を実装する圧電素子実装工程と、前記蓋ウェハと前記基板ウェハとを直接接合するウェハ接合工程と、接合された前記基板ウェハと前記蓋ウェハとを個片化する個片化工程と、前記ウェハ接合工程で塞がれた前記スルーホールの内部を封止金属膜で覆いつつ外部実装パターンを形成する外部実装パターン形成工程とを含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法である。
【００１１】
また、本発明は、前記個片化工程の後に、外部実装パターンを、個片化した前記圧電振動子の両端部の五面に形成する外部実装パターン拡張工程を含んでもよい。
【００１２】
また、本発明は、基板と、この基板に実装される圧電素子と、この圧電素子を封止するための凹部を設けた蓋とから構成され、前記基板に前記凹部内に収まるように当該基板に前記圧電素子を実装する実装パターン、この実装パターンを外部に引き回す引き回しパターン、この引き回しパターンにつながる外部実装パターンとを有する圧電振動子であって、前記蓋の前記基板との接合面に裏側まで貫通するスルーホールと、前記実装パターンから前記スルーホールに至る前記引き回しパターンと、前記引き回しパターンが設けられたスルーホールの内部全面を覆う封止金属膜と、を備え、ウェハの状態で前記凹部を塞いで接合された前記基板と前記蓋とが個片化されてなることを特徴とする圧電振動子である。
【００１３】
また、本発明は、前記外部実装パターンが前記圧電振動子の両端部の五面に形成されていても良い。
【発明の効果】
【００１４】
このような圧電振動子の製造方法によれば、気密の保持が向上し、コストを削減し、小型低背化を可能とし、基板ウェハと蓋ウェハとの接合状態を安定させることができる。
また、このような圧電振動子によれば、気密の保持が向上し、コストを削減し、小型低背化を可能とし、基板と蓋との接合状態を安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第一の実施形態）
次に、本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」という。）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明の圧電振動子には、圧電素子としてブランクタイプの水晶が用いられる場合について説明する。また、接合金属膜を基板ウェハ（基板）に形成した場合について説明する。また、特に説明する場合を除き、スルーホールは、基板となる部分の対角線上に位置する２つの隅に設けられる。
【００１６】
図１は、本発明の第一の実施形態に係る圧電振動子がウェハ状に配列された状態の一例を示す分解斜視図である。図２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図２（ｂ）は、圧電素子を実装した状態の一例を示す断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＣ部拡大図である。図３は、蓋ウェハと基板ウェハとを接合する前の状態を示す断面図である。図４（ａ）は、蓋ウェハと基板ウェハとを接合した後の状態を示す断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のスルーホールの部分を拡大した部分断面図である。図５（ａ）は圧電振動子に個片化した状態を示す断面図であり、図５（ｂ）は外部実装パターンを拡張した状態を示す斜視図である。図６は、本発明の実施形態にかかる圧電振動子の製造方法の工程の一例を示すフローチャートである。
【００１７】
図５（ａ）に示すように、本発明の圧電振動子１００は、基板１０と、凹部２１を有する蓋２０と、圧電素子４０と、凹部２１内に収まるように基板１０に設けられる圧電素子４０を実装する実装パターン３１と、この実装パターン３１を外部に引き回す引き回しパターン３２と、この引き回しパターン３２につながる蓋２０に設けられる外部実装パターン（封止金属膜）３３と、陽極接合のための接合金属膜３４から構成されている。
なお、本発明の第一の実施形態に係る圧電振動子の製造方法の説明について、各構成要素の説明の中に含めるものとし、重複する説明を省略する。
【００１８】
複数の基板１０は、例えばシリコンからなり、個片化される前においてマトリックス状に配列されており、全体でウェハ（以下、「基板ウェハ」という。）の状態となっている（図１参照）。
また、複数の蓋２０は、例えばガラスからなり、個片化される前において凹部２１がマトリックス状に配列されており、全体でウェハ（以下、「蓋ウェハ」という。）の状態となっている（図１参照）。
なお、基板ウェハＫＷのそれぞれの基板１０，１０・・・の配列位置は、蓋ウェハＦＷのそれぞれの蓋２０，２０・・・の配列位置と対応している（図１参照）。
【００１９】
また、基板ウェハＫＷの表面は、平坦に処理されていてもよい。これは、蓋ウェハＦＷと陽極接合するために、基板ウェハＫＷの表面を平坦に処理する。
なお、基板ウェハＫＷへの処理や加工を行う場合、例えば、吸引式の固定ベッドが備えられた加工機（図示せず）を用いることで、基板ウェハＫＷを容易に固定することができる。
また、基板ウェハＫＷ及び後述する蓋ウェハＦＷの表面の平坦処理は、鏡面研磨をして平坦にすることが望ましい。
【００２０】
そして、溝１２を基板ウェハＫＷに形成する。この溝１２は、後述するスルーホール１１に接続し、接合したときに蓋ウェハＦＷの凹部２１内に達するように、基板ウェハＫＷ上に溝１２を形成する。
【００２１】
また、図１及び図２（ａ）に示すように、基板ウェハＫＷには、蓋ウェハＦＷと陽極接合するための接合面を残して、つまり、設けられた凹部２１内に収まるように基板ウェハＫＷの基板１０となる部分に実装パターン３１を形成し、実装パターン３１を外部に引き回す引き回しパターン３２とを基板１０となる部分に形成されている。なお、実装パターン３１、引き回しパターン３２は、通電性の材料により設けられる。
【００２２】
これら実装パターン３１，引き回しパターン３２は、Ａｕが用いられ、圧電素子４０を実装する実装パターン３１とこの実装パターン３１を外部に引き回す引き回しパターン３２とが接続された状態となっている。
また、引き回しパターン３２は、実装パターン３１と後述する外部実装パターン３３とを繋ぐために、基板ウェハＫＷの基板１０上の接合面内に設けられる、後述するスルーホール１１に接続している溝１２を介して設けられる。なお、引き回しパターン３２は、例えば、この溝１２を埋めて用いる。
【００２３】
接合金属膜３４は、基板ウェハＫＷの前記接合面に形成され、共有結合可能な材質（酸化物）を用いることができる。特にイオン化傾向の強い材質、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ａg等が望ましい。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、実装パターン３１には、電極４１が形成された圧電素子４０がＧＧＩ接合により実装される（図６参照、Ｓ１）（圧電素子実装工程）。
この圧電素子４０に形成された電極４１は、Ａｕであって、圧電素子４０の表面上に膜状に形成されるとともに、前記実装パターン３１上に実装される部分にバンプＢが形成されている。
【００２５】
このように圧電素子４０が実装された基板ウェハＫＷには、マトリックス状に配列された基板１０に対応してそれぞれ実装パターン３１と引き回しパターン３２が形成され、各実装パターン３１に圧電素子４０が実装される。したがって、圧電素子４０が基板ウェハＫＦにマトリックス状に配列された状態になる。
【００２６】
この状態において、基板ウェハＫＷ上の各圧電素子４０，４０・・・の周波数調整を行う（図６参照、Ｓ２）（圧電素子周波数調整工程）。
【００２７】
また、蓋ウェハＦＷには、蓋２０となるそれぞれの部分に、凹部２１がマトリックス状に形成されている。
この凹部２１は、基材ウェハＫＷに実装される後述する圧電素子４０と接触しない程度に蓋ウェハＦＷの蓋２０となる部分に形成される。
なお、蓋ウェハＦＷへの加工や搬送を行う場合、例えば、吸引式の固定アームが備えられた加工機（図示せず）を用いることで、蓋ウェハＦＷを容易に固定することができる。
【００２８】
前記スルーホール１１は、蓋ウェハＦＷの蓋２０となる部分であって、蓋２０となる部分の厚さ方向に貫通している。また、スルーホール１１は、矩形となる蓋２０の対角方向に向かい合って基板ウェハＫＷとの接合面に２箇所設けられる。
【００２９】
そして、蓋ウェハＦＷの凹部２１を設けた表面、すなわち、基板ウェハＫＷと接合する表面が平坦に処理されていてもよい。これは、基板ウェハＫＷと陽極接合するために、蓋ウェハＦＷの表面を平坦に処理している。
【００３０】
この状態において、図３及び図４（ａ）に示すように、圧電素子４０が蓋ウェハＦＷに形成した凹部２１内に収まるように、基板ウェハＫＷと蓋ウェハＦＷとを重ね合わせて陽極接合を行って（図６参照、Ｓ３）（ウェハ接合工程）気密封止する。
このとき、基板ウェハＫＷの接合面に設けられた金属膜と蓋ウェハＦＷとが接合し、引き回しパターン３２が蓋ウェハＦＷとは接合しない状態となって、基板ウェハＫＷと蓋ウェハＦＷとを接合している。
これにより、基板ウェハＫＷと蓋ウェハＦＷとが接合された状態となり、複数の圧電振動子１００，１００・・・がマトリックス状に配列されたウェハとなる。
なお、陽極接合は、従来から用いられている諸条件をそのまま適用することができる。
一例として、２００℃から４００℃の温度で５００Ｖから１０００Ｖの電圧を印加することにより行う。
【００３１】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、ウェハ接合工程の後に、基板ウェハＫＷによって一方の端部が塞がれたスルーホール１１において、スルーホール１１の内周面とスルーホール１１の一方の端部を塞いでいる基板ウェハＫＷの表面とを例えばＡｕからなる封止金属膜で覆いつつ外部実装パターン３３を形成する（図６参照、Ｓ４）（外部実装パターン形成工程）。
つまり、外部実装パターン３３は、封止金属膜からなり、スルーホール１１の内部を覆いつつ蓋ウェハＦＷに形成される。
【００３２】
また、図５（ａ）に示すように、マトリックス状に配列された複数の圧電振動子１００，１００・・・、つまり、ウェハの状態で接合されている各基板１０と蓋２０とを、ダイシングやレーザなどを用いて個片化する（図６参照、Ｓ５）（個片化工程）。このように構成すると、一度に複数の圧電振動子１００，１００・・・が得られる。
【００３３】
図５（ｂ）に示すように、このように個片化して得られた圧電振動子１００の外部実装パターン３３をさらに当該圧電振動子１００の両端部の五面にまで拡張して設ける（図６参照、Ｓ６）（外部実装パターン拡張工程）。
例えば、外部実装パターン３３を拡張するために、外部実装パターン３３と接続する金属膜を圧電振動子１００の両端部の五面に設けている。
ここで、圧電振動子１００の両端部の五面とは、圧電振動子１００の一方の端部における蓋２０の主面、相対する両側面、これら両側面と隣り合う面とこれらに対応する基板１０の上面、相対する両側面、これら両側面と隣り合う面の五面と、他方の端部における蓋２０の主面、相対する両側面、これら両側面と隣り合う面とこれらに対応する基板１０の上面、相対する両側面、これら両側面と隣り合う面の五面とをいう。
なお、一方の端部に設けられる外部実装パターン３３と他方の端部に設けられる外部実装パターン３３とは、電気的に接続されていない。
【００３４】
このように、基板１０がマトリックス状に配列された基板ウェハＫＷと、蓋２０がマトリックス状に配列された蓋ウェハＦＷとを用いたことにより、これら基板ウェハＫＷと蓋ウェハＦＷの固定又は／及び把持が容易に行えるので、実装パターン３１と引き回しパターン３２と外部実装パターン３３の形成及び圧電素子４０の実装を基板ウェハＫＷに容易に行うことができ、また、圧電素子４０が蓋ウェハＦＷの凹部２１内に納まるように基板ウェハＫＷに実装され、さらに、基板ウェハＫＷと蓋ウェハＦＷとが陽極接合されているので、圧電振動子を小型低背化することができる。
また、外部実装パターン３３が、スルーホール１１の内周面と、スルーホール１１の一方の端部を塞ぐ蓋ウェハＦＷの表面とを覆いつつ蓋ウェハＦＷに設けられるので、凹部２１内からのリークを防ぐことができる。
【００３５】
また、基板と蓋とが個片の状態で組み立てられる従来の場合と比較して、組み立て搬送のための治具が不要となるため、コストを削減することができる。
また、基板１０と圧電素子４０とがＧＧＩ接合されているので接合が容易であり、基板ウェハＫＷ又は蓋ウェハＦＷの接合面に接合金属膜３４を形成することで、陽極接合を容易に行うことができ、コストを削減することができる。
【００３６】
また、シリコンやガラスといった材料と接合できない耐熱性の絶縁材料との接合が可能となるため、設計の自由度を増すことができ、シリコンやガラスといった材料よりも安価な材料をもちいることができるため、コストを削減することができる。
また、引き回しパターン３２が、見かけ上、蓋２０と接触はしているが接合状態に無いため、蓋２０の変形や熱伝導の影響が、接合している場合に比べて少なくすることができる。
【００３７】
（第二の実施形態）
次に本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子は、基板と、凹部を有する蓋と、圧電素子と、凹部内に収まるように基板に設けられる圧電素子を実装する実装パターンと、この実装パターンを外部に引き回す引き回しパターンと、この引き回しパターンにつながる外部実装パターン（封止金属膜）とから構成されており、蓋ウェハと基板ウェとが直接接合によって接合される点で第一実施形態と異なる。
つまり、蓋ウェハと基板ウェハとを直接接合するために、第一の実施形態における接合金属膜３４を除き、直接接合により接合している点で第一の実施形態と異なる。
【００３８】
なお、蓋ウェハと基板ウェハとは、同じ材質からなり、例えば、シリコン、ガラス、水晶のいずれかが用いられる。なお、本実施形態において、蓋ウェハと基板ウェハとがガラスからなる場合について説明する。
このように基板ウェハと蓋ウェハとを同じ材質とすることで、熱膨張率が同じとなり、接合後に不良を起こすことがなくなる。
【００３９】
本実施形態の場合、圧電振動子は、後述する各工程により製造される。
【００４０】
まず、基板ウェハの表面を平坦に処理する。そして、溝を基板ウェハに形成し、実装パターンと引き回しパターンとを基板となる部分に形成する。その後に、圧電素子実装工程により電極が形成された圧電素子を実装パターンへＧＧＩ接合により実装する。
そして、基板ウェハ上の各圧電素子４０の周波数調整を行う。
蓋ウェハの蓋となる部分に凹部を形成し、蓋ウェハの基板ウェハとの接合面であって蓋となる部分に対角方向にスルーホールを設け、蓋ウェハの基板ウェハと接合する表面を平坦に処理する。
そして、ウェハ接合工程により基板ウェハと蓋ウェハとを重ね合わせて直接接合を行い、外部実装パターン形成工程によりスルーホールの内周面とスルーホールの一方の端部を塞いでいる基板ウェハの表面とを例えばＡｕからなる封止金属膜で覆いつつ外部実装パターンを形成する。
個片化工程によりマトリックス状に配列された複数の圧電振動子、つまり、ウェハの状態で接合されている各基板と蓋とを、ダイシングやレーザなどを用いて個片化する。
そして、外部実装パターン拡張工程により、このように個片化して得られた圧電振動子の外部実装パターンをさらに当該圧電振動子の両端部の五面にまで拡張して設ける。
【００４１】
このように第二の実施形態に係る圧電振動子を構成しても、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態には限定されない。例えば、圧電素子として水晶の他に圧電効果のあるセラミック等を用いることもできる。
また、圧電素子の周波数調整を個片化後に行っても良いし、ウェハ接合工程の後であって個片化工程の前に、接合状態が良好か否かの検査を行っても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る圧電振動子がウェハ状に配列された状態の一例を示す分解斜視図である。
【図２】（ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は圧電素子を実装した状態の一例を示す断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ部拡大図である。
【図３】蓋ウェハと基板ウェハとを接合する前の状態を示す断面図である。
【図４】（ａ）は蓋ウェハと基板ウェハとを接合した後の状態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のスルーホールの部分を拡大した部分断面図である。
【図５】（ａ）は圧電振動子に個片化した状態を示す断面図であり、（ｂ）は外部実装パターンを拡張した状態を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施形態にかかる圧電振動子の製造方法の工程の一例を示すフローチャートである。
【図７】従来の圧電振動子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１００  圧電振動子
１０    基板
１１    スルーホール
１２    溝
２０    蓋
２１    凹部
３１    実装パターン
３２    引き回しパターン
３３    外部実装パターン（封止金属膜）
３４    接合金属膜
４０    圧電素子
４１    電極
６０    回路（発振器として機能する回路）
ＫＷ    基板ウェハ
ＦＷ    蓋ウェハ
Ｂ      バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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