(57)【要約】【課題】長期にわたり優れた特性を発揮することができる圧電素子、この圧電素子を備える電子デバイス、および、この電子デバイスを備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の圧電素子４は、主として圧電材料で構成された圧電体４１と、圧電体４１に接合された１対の電極４２、４３とを有し、１対の電極４２、４３に電圧を印加することにより、圧電体４１を変位または変形させるよう構成されたものであって、電極４２、４３が付された圧電体４１の少なくとも一部が、主として無機材料で構成された保護膜４４で覆われ、保護膜４４の少なくとも一部に、撥水処理が施されている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主として圧電材料で構成された圧電体と、
前記圧電体に接合された１対の電極とを有し、
前記１対の電極に電圧を印加することにより、前記圧電体を変位または変形させるよう構成された圧電素子であって、
前記電極が付された前記圧電体の少なくとも一部が、主として無機材料で構成された保護膜で覆われ、
前記保護膜の少なくとも一部に、撥水処理が施されていることを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
前記圧電体は、前記１対の電極の間に介在している請求項１に記載の圧電素子。
【請求項３】
前記撥水処理は、撥水性を付与し得るイオンを前記保護膜に注入することである請求項１または２に記載の圧電素子。
【請求項４】
前記撥水処理は、撥水性を有する材料で構成された撥水膜を前記保護膜の外表面に形成することである請求項１または２に記載の圧電素子。
【請求項５】
前記圧電体は層状をなしており、前記圧電体の厚さをＡ［ｎｍ］とし、前記撥水膜の厚さをＢ［ｎｍ］としたときに、Ｂ／Ａが１／５０００〜１／１０である請求項４に記載の圧電素子。
【請求項６】
前記撥水膜の厚さをＢ［ｎｍ］とし、前記保護膜の厚さをＣ［ｎｍ］としたときに、Ｂ／Ｃが１／１００〜１／１０である請求項４または５に記載の圧電素子。
【請求項７】
前記圧電体は層状をなしており、前記圧電体の厚さをＡ［ｎｍ］とし、前記保護膜の厚さをＣ［ｎｍ］としたときに、Ｃ／Ａが１／５００〜１／１０である請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電素子。
【請求項８】
前記撥水処理による撥水性の程度は、水の接触角７０〜１２０°である請求項１ないし７のいずれかに記載の圧電素子。
【請求項９】
前記撥水処理は、前記保護膜の外表面全域に施されている請求項１ないし８のいずれかに記載の圧電素子。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の圧電素子を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
前記圧電素子は、基板に接合されており、前記保護膜は、前記圧電素子の外表面のうち前記基板に覆われていない部分を覆う請求項１０に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記基板は、エッチング処理により形成されたものであり、前記保護膜は、前記エッチングに用いられる薬液から保護する機能も有する請求項１１に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、インクジェットヘッドのような電子デバイスには、その駆動力を得るために、圧電素子が備えられている（例えば、特許文献１参照。）。
このような圧電素子は、例えば、１対の電極の間に、圧電材料を主材料として構成された圧電体を介在させてなるものである。圧電体は、湿気や製造工程に用いる薬液等の水分により、その特性が劣化しやすいため、例えば、特許文献１では、圧電体を覆うように保護膜が形成されている。
【０００３】
この保護膜は、耐久性および水バリア性を優れたものとするために、無機材料で構成されている。また、この保護膜は、圧電体の変位を阻害しないように、できるだけ薄くする必要がある。
しかしながら、このように無機材料で構成された保護膜を薄く成膜すると、ピンホールやクラックなどの欠損部を生じて、保護膜の水バリア性を損ねてしまう場合がある。その結果、特許文献１にかかる圧電素子は、欠損部からの水分の浸入により、長期にわたり優れた特性を発揮することが難しい。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２３５８１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、長期にわたり優れた特性を発揮することができる圧電素子、この圧電素子を備える電子デバイス、および、この電子デバイスを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の圧電素子は、主として圧電材料で構成された圧電体と、
前記圧電体に接合された１対の電極とを有し、
前記１対の電極に電圧を印加することにより、前記圧電体を変位または変形させるよう構成された圧電素子であって、
前記電極が付された前記圧電体の少なくとも一部が、主として無機材料で構成された保護膜で覆われ、
前記保護膜の少なくとも一部に、撥水処理が施されていることを特徴とする。
【０００７】
これにより、保護膜にピンホールやクラックなどの欠損部が生じていても、湿気や製造工程に用いる薬液などの水分が欠損部を通じて侵入するのを防止することができる。その結果、水分による圧電体の特性の劣化を防止し、圧電素子の特性を長期にわたり優れたものとすることができる。
言い換えすれば、ピンホールやクラックなどの欠損部が生じやすい薄い保護膜であっても、水分による圧電体の特性の劣化を確実に防止し、圧電素子の特性を長期にわたり優れたものとすることができる。このような薄い保護膜は、圧電体の変位を阻害するのを最小限に抑えることができるので、圧電素子の特性を優れたものとすることができる。
【０００８】
本発明の圧電素子では、前記圧電体は、前記１対の電極の間に介在していることが好ましい。
これにより、本発明の圧電素子をピエゾ素子に適用することができる。本発明は、ピエゾ素子のように圧電体の変位量の大きい場合であっても、水分による圧電体の劣化を防止しつつ、保護膜の厚さを薄くして圧電体の変位の応答性を優れたものとすることができる。このように、本発明は、ピエゾ素子のように圧電体の変位量が大きく保護膜にクラックが生じやすい場合に特に効果的である。
【０００９】
本発明の圧電素子では、前記撥水処理は、撥水性を付与し得るイオンを前記保護膜に注入することであることが好ましい。
これにより、保護膜の厚さを抑えつつ、保護膜に撥水処理を施すことができる。この場合、保護膜の厚さが薄いので、圧電体の変位の応答性をより優れたものとすることができる。
本発明の圧電素子では、前記撥水処理は、撥水性を有する材料で構成された撥水膜を前記保護膜の外表面に形成することであることが好ましい。
これにより、比較的簡単に、保護膜に撥水処理を施すことができる。
【００１０】
本発明の圧電素子では、前記圧電体は層状をなしており、前記圧電体の厚さをＡ［ｎｍ］とし、前記撥水膜の厚さをＢ［ｎｍ］としたときに、Ｂ／Ａが１／５０００〜１／１０であることが好ましい。
これにより、撥水膜が圧電体の変位を阻害するのを防止しつつ、保護膜の水バリア性をより優れたものとすることができる。
本発明の圧電素子では、前記撥水膜の厚さをＢ［ｎｍ］とし、前記保護膜の厚さをＣ［ｎｍ］としたときに、Ｂ／Ｃが１／１００〜１／１０であることが好ましい。
これにより、撥水膜が圧電体の変位を阻害するのを防止しつつ、保護膜の水バリア性をより優れたものとすることができる。
【００１１】
本発明の圧電素子では、前記圧電体は層状をなしており、前記圧電体の厚さをＡ［ｎｍ］とし、前記保護膜の厚さをＣ［ｎｍ］としたときに、Ｃ／Ａが１／５００〜１／１０であることが好ましい。
これにより、保護膜が圧電体の変位を阻害するのを防止しつつ、保護膜の水バリア性をより優れたものとすることができる。
【００１２】
本発明の圧電素子では、前記撥水処理による撥水性の程度は、水の接触角７０〜１２０°であることが好ましい。
これにより、より確実に、湿気や製造工程に用いる薬液などの水分が欠損部を通じて侵入するのを防止することができる。
本発明の圧電素子では、前記撥水処理は、前記保護膜の外表面全域に施されていることが好ましい。
これにより、より確実に、水分による圧電体の劣化を防止するとともに、水分による電極の劣化も防止することができる。
【００１３】
本発明の電子デバイスは、本発明の圧電素子を備えることを特徴とする。
これにより、長期にわたり優れた特性を有する電子デバイスを提供することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記圧電素子は、基板に接合されており、前記保護膜は、前記圧電素子の外表面のうち前記基板に覆われていない部分を覆うことが好ましい。
これにより、アクチュエータのような電子デバイスの特性を長期にわたり優れたものとすることができる。
【００１４】
本発明の電子デバイスでは、前記基板は、エッチング処理により形成されたものであり、前記保護膜は、前記エッチングに用いられる薬液から保護する機能も有することが好ましい。
これにより、電子デバイスの製造工程を簡略化するとともに、歩留まりの低下を防止することができる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、長期にわたり優れた特性を有する電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の圧電素子、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下の説明では、本発明の圧電素子としてピエゾ素子、本発明の電子デバイスとしてインクジェットヘッド、本発明の電子機器としてインクジェットプリンタを一例に説明する。
【００１６】
＜インクジェットプリンタ（電子機器）＞
まず、本発明の電子機器、すなわち本発明の電子デバイスを備える電子機器の一例として、インクジェットプリンタを説明する。
図１は、本発明の電子機器の一例であるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、以下の説明では、図１中、上側を「上部」、下側を「下部」という。
【００１７】
図１に示すインクジェットプリンタ３００は、装置本体３０２を備えており、上部後方に記録用紙（記録媒体）Ｐを設置するトレイ３２１と、下部前方に記録用紙Ｐを排出する排紙口３２２と、上部面に操作パネル３０７とが設けられている。
操作パネル３０７は、例えば、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
また、装置本体３０２の内部には、主に、往復動するヘッドユニット３０３を備える印刷装置（印刷手段）３０４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置３０４に送り込む給紙装置（給紙手段）３０５と、印刷装置３０４および給紙装置３０５を制御する制御部（制御手段）３０６と、各部に電力を供給する電源部（図示せず）とを有している。
【００１８】
制御部３０６の制御により、給紙装置３０５は、記録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、ヘッドユニット３０３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット３０３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット３０３の往復動と記録用紙Ｐの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。
印刷装置３０４は、ヘッドユニット３０３と、ヘッドユニット３０３の駆動源となるキャリッジモータ３４１と、キャリッジモータ３４１の回転を受けて、ヘッドユニット３０３を往復動させる往復動機構３４２とを備えている。
【００１９】
ヘッドユニット３０３は、その下部に、本発明の電子デバイスであるインクジェットヘッド１と、インクジェットヘッド１にインクを供給するインクカートリッジ３３１と、インクジェットヘッド１およびインクカートリッジ３３１を搭載したキャリッジ３３２とを有している。
なお、インクカートリッジ３３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。この場合、ヘッドユニット３０３には、各色にそれぞれ対応したインクジェットヘッド１が設けられることになる。
【００２０】
往復動機構３４２は、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸３４２Ａと、キャリッジガイド軸３４２Ａと平行に延在するタイミングベルト３４２Ｂとを有している。
キャリッジ３３２は、キャリッジガイド軸３４２Ａに往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト３４２Ｂの一部に固定されている。
キャリッジモータ３４１の動作により、プーリ（図示せず）を介してタイミングベルト３４２Ｂを正逆走行させると、キャリッジガイド軸３４２Ａに案内されて、ヘッドユニット３０３が往復動する。そして、この往復動の際に、インクジェットヘッド１から適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷が行われる。
【００２１】
給紙装置３０５は、その駆動源となる給紙モータ３５１と、給紙モータ３５１の作動により回転する給紙ローラ３５２とを有している。
給紙ローラ３５２は、記録用紙Ｐの送り経路（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ３５２ａと駆動ローラ３５２ｂとで構成され、駆動ローラ３５２ｂは給紙モータ３５１に連結されている。これにより、給紙ローラ３５２は、トレイ３２１に設置した多数枚の記録用紙Ｐを、印刷装置３０４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ３２１に代えて、記録用紙Ｐを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
【００２２】
制御部３０６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置３０４や給紙装置３０５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部３０６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、後述する本発明の圧電素子（振動源）を駆動する圧電素子駆動回路、印刷装置３０４（キャリッジモータ３４１）を駆動する駆動回路、給紙装置３０５（給紙モータ３５１）を駆動する駆動回路、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路、および、印刷データを処理するデータ処理回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。
また、ＣＰＵには、例えば、インクジェットヘッド１の周囲の環境条件（例えば、温度、湿度等）、インクの吐出状況、記録用紙（記録媒体）Ｐ上の印刷状況、記録用紙Ｐの供給状態、記録用紙Ｐの印刷部位付近の雰囲気のインク溶媒濃度等を検出可能な各種センサが、それぞれ電気的に接続されている。
【００２３】
このようなインクジェットプリンタ３００では、まず、ＣＰＵが、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。次いで、データ処理回路は、この印刷データを処理する。次いで、ＣＰＵは、この処理データおよび各種センサの検出データに基づいて、各駆動回路にそれぞれ駆動信号を出力する。この駆動信号により印刷装置３０４および給紙装置３０５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに印刷が行われる。
【００２４】
＜インクジェットヘッド（電子デバイス）＞
次に、本発明の電子デバイス、すなわち本発明の圧電素子を備える電子デバイスの一例として、前述したインクジェットヘッド１を詳細に説明する。
図２は、インクジェットヘッド１を示す部分断面分解斜視図、図３は、図２におけるＡ−Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図２中、上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」、紙面手前側を「左」、紙面奥側を「右」と言い、図３中、上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」、左側を「左」、右側を「右」と言う。
【００２５】
図２および図３に示すインクジェットヘッド１にあっては、キャビティ基板２の上面に、複数のノズル孔３２を有するノズル基板３が接合され、キャビティ基板２とノズル基板３との間に、複数のノズル孔３２に対応するように複数のインク吐出室２２が区画形成されている。そして、複数のインク吐出室２２に対応するように、前記キャビティ基板２の下面には、インク吐出の駆動源である複数の圧電素子４が接合されている。
【００２６】
より具体的に説明すると、キャビティ基板２には、１つの共有インク室２１と複数のインク吐出室２２とを形成するための溝が形成され、ノズル基板３には、１つの共通インク室２１と複数のインク吐出室２２とを連通させる複数のインクオリフィス３１を形成するための溝が形成されている。そして、キャビティ基板２とノズル基板３とが接合されることにより、これらの間に、共通インク室２１と、インクオリフィス３１、複数のインク吐出室２２が区画形成されている。このようなキャビティ基板２およびノズル基板３は、それぞれ、例えば、シリコンを主材料として構成されている。
ノズル基板３には、各インク吐出室２２の先端側の部分に対応する位置に、ノズル孔３２が形成されており、ノズル孔３２はインク吐出室２２に連通している。
【００２７】
キャビティ基板２の各インク吐出室２２の下壁部分は、薄肉とされており、面外方向、すなわち図２において上下方向に弾性変位可能な振動板２３として機能するようになっている。
また、キャビティ基板２は、共通インク室２１の下壁部分に、外部から共通インク室２１内にインクを供給するためのインク供給口２４が形成されている。インクは、外部の図示しないインクタンクから、インク供給口２４を通って共通インク室２１に供給される。共通インク室２１に供給されたインクは、各インクオリフィス３１を通って、各インク吐出室２２に供給される。
【００２８】
キャビティ基板２の各振動板２３の下面に、圧電素子４が接合されている。すなわち、複数の圧電素子４が、複数の振動板２３に対応して、キャビティ基板２の下面に接合されている。各圧電素子４は、図示しない電圧印加手段に接続されており、電圧が印加されることにより、キャビティ基板２の振動板２３を振動（変位）させるようになっている。なお、圧電素子４については後に詳述する。
【００２９】
以上のようなインクジェットヘッド１では、図示しない電圧印加手段が圧電素子４に駆動電圧を印加すると、振動板２３がノズル基板３と逆側へ撓んで変位し、インク吐出室２２の容積が拡大する。次に、駆動電圧を解除すると、振動板２３はその弾性復帰力によって復帰し、インク吐出室２２の容積が急激に収縮する。このときに発生するインク圧力により、インク吐出室２２を満たすインクの一部が、このインク吐出室２２に連通しているノズル孔３２からインク滴として吐出される。
【００３０】
＜圧電素子＞
次に、本発明の圧電素子の一例として、前述した圧電素子４（ピエゾ素子）を詳細に説明する。
各圧電素子４は、圧電材料を主材料として構成された圧電体（圧電体層）４１と、この圧電体４１を挟持する１対の電極４２、４３とを有している。そして、上側に位置する電極４２が振動板２３の下面に接合されているとともに、下側に位置する電極４３が付された圧電体４１を覆うように保護膜４４が設けられている。
このような圧電素子４にあっては、電極４２と電極４３との間に電圧を印加することにより、圧電体４１を変位（変形）させて駆動する。これにより、振動板２３を振動させる。このような圧電素子４は、圧電体４１が１対の電極４２、４３の間に介在していて、ピエゾ素子を構成している。
【００３１】
圧電体４１は、振動板２３の下面全体をほぼ覆うように形成されている。なお、圧電体４１の形状、大きさは、振動板２３を振動可能であれば、これに限定されない。
圧電体４１を構成する圧電材料としては、例えば、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）、チタン酸バリウム、水晶、その他、各種のものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムおよびチタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で圧電体４１を構成することにより、より高い周波数で圧電素子４を駆動することができる。
【００３２】
電極４２は、圧電体４１よりも長尺となっていて、キャビティ基板２の下面上で電源（図示せず）との接続が可能となっている。
一方、電極４３は、圧電体４１の長さよりも長尺で、かつ、電極４２の長さよりも短尺になっている。したがって、電極４３は、電極４２上で電源（図示せず）との接続が可能となっている。
なお、電極４２と電極４３との間には、圧電体４１のほかに、絶縁層４５が介在していて、これらの間の短絡を防止している。
【００３３】
電極４２、４３の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば特に限定されず、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の導電性材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、前記導電性高分子材料は、通常、酸化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。これらの中でも、電極の構成材料としては、それぞれ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ａｌまたはこれらを含む合金を主とするものが好適に用いられる。
【００３４】
保護膜４４は、複数の圧電素子４を覆うように形成されている。本実施形態では、複数の圧電素子４は、１つの保護膜４４によって覆われている。
より具体的には、保護膜４４は、キャビティ基板２と反対側で、圧電体４１を覆うように設けられている。
また、保護膜４４は、電源との接続部を除いて、電極４３の一部も覆っている。これにより、電極４３の劣化を防止するとともに、水分による圧電体４１の劣化をより確実に防止することができる。
【００３５】
保護膜４４は、主として無機材料で構成されていて、水バリア性を有し、水分による圧電体４１の劣化を防止する機能を有する。
この無機材料としては、保護膜４４を水バリア性を有するものとすることができるものであれば、特に限定されず、各種無機材料を用いることができる。例えば、前記無機材料としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｚｎまたはこれらを含む合金、酸化物、窒化物、酸窒化物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３６】
そして、この保護膜４４の少なくとも一部には、撥水処理が施されている。これにより、保護膜４４にピンホールやクラックなどの欠損部が生じていても、湿気や製造工程に用いる薬液などの水分が欠損部を通じて侵入するのを防止することができる。その結果、水分による圧電体４１の特性の劣化を防止し、圧電素子４の特性を長期にわたり優れたものとすることができる。
【００３７】
言い換えすれば、ピンホールやクラックなどの欠損部が生じやすい薄い保護膜４４であっても、水分による圧電体４１の特性の劣化を確実に防止し、圧電素子４の特性を長期にわたり優れたものとすることができる。このような薄い保護膜４４は、圧電体４１の変位を阻害するのを最小限に抑えることができるので、圧電素子４の特性を優れたものとすることができる。
【００３８】
また、本実施形態では、前述したように圧電素子４がピエゾ素子を構成しているが、本発明は、ピエゾ素子のように圧電体４１の変位量の大きい場合であっても、水分による圧電体４１の劣化を防止しつつ、保護膜４４の厚さを薄くして圧電体４１の変位の応答性を優れたものとすることができる。このように、本発明は、ピエゾ素子のように圧電体４１の変位量が大きく保護膜４４にクラックが生じやすい場合に特に効果的である。
【００３９】
この撥水処理としては、保護膜４４の外表面に撥水性を付与することができるものであれば、特に限定されず、例えば、フッ素イオン等の撥水性を付与し得るイオンを注入（打ち込む）方法、撥水性を有する撥水膜を保護膜４４の外表面に形成する方法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、この撥水処理については、後に詳述する。
なお、各圧電素子４の圧電体４１を覆う保護膜は、それぞれ別体として形成されていてもよい。また、保護膜は、圧電素子４の圧電体４１の少なくとも一部を覆うように形成されていれば、本発明の効果を得ることができる。
【００４０】
ここで、前述した圧電素子４（ピエゾ素子）の製造方法の一例（第１の例）を詳細に説明する。
（第１の例）
図４は、本実施形態のピエゾ素子４の製造方法の第１の例を説明するための図（縦断面図）である。なお、図４は、図２におけるＡ−Ａ線断面に対応する断面を示している。また、以下では、説明の便宜上、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４１】
第１の例における圧電素子４の製造方法は、［１Ａ］キャビティ基板２を製造するための基板２ａを用意する工程と、［１Ｂ］電極４２を形成する工程と、［１Ｃ］圧電体４１を形成する工程と、［１Ｄ］絶縁層４５を形成する工程と、［１Ｅ］電極４３を形成する工程と、［１Ｆ］保護膜４４のための処理前保護膜を形成する工程と、［１Ｇ］処理前保護膜に撥水処理を施して保護膜４４を形成する工程とを有する。以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１Ａ］
まず、キャビティ基板２を製造するための基板として、図４（ａ）に示すように、例えば、シリコンを主材料として構成された基板２ａを用意する。
【００４２】
［１Ｂ］
次に、図４（ｂ）に示すように、基板２ａの一方の面上に、電極４２を形成する。
より具体的には、基板２ａの一方の面上に導電膜を形成した後、この導電膜の不要部分を除去することにより、電極４２を形成する。
導電膜の構成材料としては、前述したような電極４２、４３の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００４３】
導電膜の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等が挙げられる。
導電膜の不要部分の除去に際しては、例えば、導電膜上に、フォトリソグラフィ法によって、電極４２に対応する平面形状のフォトレジストを形成する。そして、このフォトレジストをマスクとして、導電膜をエッチングした後、フォトレジストを剥離除去する。これにより、図４（ｂ）に示すように、基板２ａの一方の面上に電極４２が形成される。
この導電膜のエッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
［１Ｃ］
次に、図４（ｃ）に示すように、電極４２上に、圧電体４１を形成する。
圧電体４１の形成方法としては、前述した電極４２の形成方法と同様のものを用いることができる。
［１Ｄ］
次に、図４（ｄ）に示すように、電極４２上に、圧電体４１の隣接するように、絶縁層４５を形成する。
絶縁層４５の形成方法としては、前述した電極４２の形成方法と同様のものを用いることができる。
【００４５】
［１Ｅ］
次に、図４（ｅ）に示すように、圧電体４１上および絶縁層４５上に、電極４３を形成する。
電極４３の形成方法としては、前述した電極４２の形成方法と同様のものを用いることができる。
【００４６】
［１Ｆ］
次に、図４（ｆ）に示すように、電極４３上および圧電体４１の側面を覆うように、保護膜４４のための処理前保護膜４４ａを形成する。
より具体的には、前述した電極４２の形成方法と同様にして、主として無機材料で構成された処理前保護膜４４ａを形成する。
【００４７】
［１Ｇ］
次に、図４（ｇ）に示すように、処理前保護膜４４ａに、フッ素イオン等の撥水性を付与し得るイオンを注入して（打ち込んで）、保護膜４４を形成する。これにより、圧電素子４が形成される。その後、図４（ｇ）に示すように、このように圧電素子４の形成された基板２ａの他方の面（圧電素子４が形成されている面と反対側の面）に、共通インク室２１のための溝２１ａとインク吐出室２２のための溝２２ａを形成して、キャビティ基板２を得る。
【００４８】
処理前保護膜４４ａに施す撥水処理として、フッ素イオン等の撥水性を付与し得るイオンを注入（打ち込む）方法を用いる場合、具体的には、主として無機材料で構成された処理前保護膜４４ａが形成された基板２ａをチャンバー内にセット（設置）した状態で、ガス状のフッ素化合物を供給しつつ電界を付与する。これにより、ガス状のフッ素化合物がプラズマ化されてフッ素プラズマが発生する。このフッ素プラズマが処理前保護膜４４ａの外表面に照射され、処理前保護膜４４ａの外表面に、例えば、吸着、結合等する。その結果、処理前保護膜４４ａの外表面付近がフッ素化されて、少なくとも外表面（全体または外表面付近のみ）に撥水性を有する保護膜４４が得られる。
かかる方法によれば、処理前保護膜４４ａの外表面をほぼ全体にわたって均一にフッ素化することができ、外表面に均一に（ムラなく）撥水性を有する保護膜４４を得ることができる。
【００４９】
処理前保護膜４４ａの構成材料としては、前述した保護膜４４の構成材料と同様のものを用いることができる。
圧電体４１の厚さをＡ［ｎｍ］とし、保護膜４４または処理前保護膜４４ａの厚さをＣ［ｎｍ］としたときに、Ｃ／Ａが１／５００〜１／１０であるのが好ましく、Ｃ／Ａが１／５００〜1／２０であるのがより好ましい。これにより、保護膜４４が圧電体４１の変位を阻害するのを防止しつつ、保護膜４４の水バリア性をより優れたものとすることができる。
【００５０】
なお、本実施形態では、圧電体４１が１層で構成されているが、圧電体４１が複数層を積層して構成されていてもよい。この場合、圧電体４１の厚さとは、積層されたものの合計の厚さをいう。
また、保護膜４４または処理前保護膜４４ａの厚さは、１０〜１５０ｎｍであるのが好ましく、２０〜１００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、保護膜４４が圧電体４１の変位を阻害するのを防止しつつ、保護膜４４の水バリア性をより優れたものとすることができる。
【００５１】
また、ガス状のフッ素化合物としては、特に限定されないが、例えば、四フッ化メタン（ＣＦ４）、四フッ化エチレン（Ｃ２Ｆ４）、六フッ化プロピレン（Ｃ３Ｆ６）、八フッ化ブチレン（Ｃ４Ｆ８）、ＳＦ６等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このようなガス状のフッ素化合物は、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス等の不活性ガスとともに、供給するようにしてもよい。これにより、比較的高い圧力下（例えば、大気圧下）において、フッ素プラズマを発生させることができるようになり、フッ素プラズマ処理をより簡便に行うことが可能になる。
【００５２】
このガス状のフッ素化合物を供給する際の流量は、１０〜５００ｍｌ／ｍｉｎ程度であるのが好ましく、１０〜３００ｍｌ／ｍｉｎ程度であるのがより好ましい。
放電電力は、１００〜１５００Ｗ程度であるのが好ましく、３００〜５００Ｗ程度であるのがより好ましい。
処理温度は、１０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。
より具体的には、例えば、ガス状のフッ素化合物としてヘリウムおよび四フッ化メタンを使用し、大気圧プラズマによりフッ素プラズマを生じさせる場合、ヘリウムの流量と四フッ化メタンの流量は、それぞれ、１０〜１００ｍｌ／ｍｉｎとし、放電電力を７００Ｗ程度とするのが好適である。
【００５３】
また、例えば、ガス状のフッ素化合物として四フッ化メタンまたはＳＦ６を使用し、真空プラズマによりフッ素プラズマを生じさせる場合、真空度を１〜１００Ｐａとし、四フッ化メタンまたはＳＦ６の流量は、１０〜５００ｍｌ／ｍｉｎとし、放電電力を８００〜１５００Ｗ程度とするのが好適である。
ガス状のフッ素化合物の流量、放電電力および処理温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、処理前保護膜の少なくとも外表面付近に、より容易かつ確実に撥水性を付与することができる。
【００５４】
以上説明したように、撥水処理として、撥水性を付与し得るイオンを処理前保護膜の外表面に注入する方法を用いると、保護膜４４の厚さを抑えつつ、処理前保護膜４４ａに撥水処理を施すことができる。この場合、保護膜４４の厚さが薄いので、圧電体４１の変位の応答性をより優れたものとすることができる。
また、前述したような撥水処理は、保護膜４４の外表面全域に施されているのが好ましい。これにより、より確実に、水分による圧電体４１の劣化を防止することができる。
以上のようにして、圧電素子４を得ることができる。
【００５５】
このように圧電素子４が形成された後に、基板２ａの他方の面（圧電素子４が形成されている面と反対側の面）に、図４（ｇ）に示すように、共通インク室２１のための溝２１ａとインク吐出室２２のための溝２２ａを形成して、キャビティ基板２を得る。
溝２１ａ、２２ａの形成方法としては、特に限定されず、例えば、ウェットエッチングやドライエッチングを用いることができる。溝２１ａ、２２ａの形成に際し、撥水処理された保護膜４４により圧電体４１が覆われているので、エッチングの際に、現像液、エッチング液、洗浄液等の水分による圧電体４１の劣化を防止することができる。すなわち、保護膜４４は、このエッチングに用いられるエッチング液等の薬液から保護する機能も有する。これにより、電子デバイスの製造工程を簡略化するとともに、歩留まりの低下を防止することができる。
【００５６】
このようにして得られたキャビティ基板２に、ノズル基板３を接合することにより、インクジェットヘッド１を得ることができる。
なお、前述した圧電素子４の製造方法では、電極４２、圧電体４１、絶縁層４５、電極４３、保護膜４４を順次形成したが、これらを形成するための層を予め積層し、この積層体の一部を除去することにより、電極４２、圧電体４１、絶縁層４５、電極４３、保護膜４４を一括して形成することもできる。
【００５７】
次に、前述した圧電素子４（ピエゾ素子）の製造方法の他の例（第２の例）を詳細に説明する。
（第２の例）
図５は、本実施形態のピエゾ素子４の製造方法の第２の例を説明するための図（縦断面図）である。なお、図５は、図２におけるＡ−Ａ線断面に対応する断面を示している。また、以下では、説明の便宜上、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５８】
以下、圧電素子４の製造方法の第２の例について、前述した圧電素子４の製造方法の第１の例との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２の例における圧電素子４の製造方法は、［２Ａ］キャビティ基板２を製造するための基板２ａを用意する工程と、［２Ｂ］電極４２を形成する工程と、［２Ｃ］圧電体４１を形成する工程と、［２Ｄ］絶縁層４５を形成する工程と、［２Ｅ］電極４３を形成する工程と、［２Ｆ］保護膜４４のための処理前保護膜を形成する工程と、［２Ｇ］処理前保護膜に撥水処理を施して保護膜４４を形成する工程とを有する。
第２の例においては、工程［２Ｇ］以外は、第１の例と同様である。すなわち、第２の例における工程［２Ａ］〜［２Ｆ］は、第１の例における工程［２Ａ］〜［２Ｆ］と同様である。
【００５９】
［２Ｇ］
図５（ｇ）に示すように、処理前保護膜４４ａの外表面に、撥水性を有する撥水膜４４ｂを形成して、保護膜４４を形成する。これにより、圧電素子４が形成される。その後、図５（ｇ）に示すように、このように圧電素子４の形成された基板２ａの他方の面（圧電素子４が形成されている面と反対側の面）に、共通インク室２１のための溝２１ａとインク吐出室２２のための溝２２ａを形成して、キャビティ基板２を得る。
【００６０】
処理前保護膜４４ａに施す撥水処理として、撥水性を有する撥水膜４４ｂを処理前保護膜４４ａの外表面に形成する方法を用いる場合、より具体的には、例えば、処理前保護膜４４ａの外表面に、撥水膜形成用材料を供給した後、これを必要に応じて乾燥すること等により形成することができる。この場合、撥水膜４４ｂは、基板２ａの一方の面全体を覆うように形成した後、不要部分を除去するようにして形成してもよいし、基板２ａの一方の面側の必要部分のみに選択的に形成してもよい。
【００６１】
処理前保護膜４４ａの外表面に撥水膜形成用材料を選択的に供給する方法としては、例えば、撥水膜形成用材料を含浸させたパッドまたはスタンパ等を、処理前保護膜４４ａの外表面に接触させる方法、撥水膜形成用材料をインクジェット法により処理前保護膜４４ａの外表面に吐出する方法等が挙げられるが、前者の方法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、比較的容易かつ確実に、処理前保護膜４４ａの外表面に撥水膜を選択的に形成することができる。
【００６２】
撥水膜４４ｂの構成材料としては、例えば、撥水性を示す官能基を有するカップリング剤や、撥水性の有機材料等が挙げられる。
また、撥水膜形成用材料には、これらを溶媒または分散媒に混合して調製した溶液または分散液を用いることができる。
カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤等を用いることができる。
【００６３】
撥水性を示す官能基としては、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基等が挙げられる。
カップリング剤の具体例としては、例えば、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００６４】
一方、撥水性の有機材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂等が挙げられる。
【００６５】
また、溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００６６】
撥水膜形成用材料における撥水膜４４ｂの構成材料の濃度は、構成材料の種類等に応じて、例えば、次のようにするのが好ましい。
カップリング剤の場合、０．０１〜０．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｗｔ％程度であるのがより好ましい。また、有機材料の場合、０．０１〜０．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【００６７】
撥水膜形成用材料としてカップリング剤の溶液を用いる場合、カップリング剤の溶液に浸漬させて処理前保護膜４４ａの外表面にカップリング剤を付与するに際しては、浸漬時間は１〜６０ｍｉｎであるのが好ましく、液温は２０〜６０℃であるのが好ましく、濃度（溶媒としてエタノールまたは純水を用いる場合）は０．１〜１０％であるのが好ましい。
【００６８】
また、処理前保護膜４４ａの外表面に付与されたカップリング剤の溶液を乾燥するに際しては、ホットプレートを用いる場合、乾燥温度５０〜１５０℃、乾燥時間３〜６ｍｉｎとするのが好ましく、また、オーブンを用いる場合、乾燥温度５０〜２００℃（特に水蒸気雰囲気の場合は１００〜２００℃）、乾燥時間１０〜６０ｍｉｎとするのが好ましく、ランプアニール（真空雰囲気）を用いる場合、光の強度１〜５０Ｗ、真空度１００Ｐａ程度（なお、常圧またはＮ２パージでも可能）とし、発熱源としてＰｔ（波長２５７ｎｍ）、Ａｕ（波長２００〜５００ｎｍ）、Ｓｉ（波長２００〜１０００ｎｍ）を用いるのが好ましい。
【００６９】
以上説明したように、撥水処理として、撥水性を有する材料で構成された撥水膜４４ｂを処理前保護膜４４ａの外表面に形成する方法を用いると、比較的簡単に、処理前保護膜４４ａに撥水処理を施すことができる。
この場合、圧電体４１の厚さをＡ［ｎｍ］とし、処理前保護膜４４ａの厚さをＢ［ｎｍ］としたときに、Ｂ／Ａが１／５００〜１／１０であるのが好ましく、Ｂ／Ａが１／５００〜１／５０であるのがより好ましい。これにより、撥水膜４４ｂが圧電体４１の変位を阻害するのを防止しつつ、保護膜４４の水バリア性をより優れたものとすることができる。
【００７０】
また、撥水膜４４ｂの厚さをＢ［ｎｍ］とし、処理前保護膜４４ａの厚さをＣ［ｎｍ］としたときに、Ｂ／Ｃが１／１００〜１／１０であるのが好ましく、Ｂ／Ｃが１／１００〜１／１０であるのがより好ましい。これにより、保護膜４４が圧電体４１の変位を阻害するのを防止しつつ、保護膜４４の水バリア性をより優れたものとすることができる。
また、撥水膜４４ｂの厚さは、１〜１０ｎｍであるのが好ましく、１〜５ｎｍであるのがより好ましい。これにより、撥水膜４４ｂが圧電体４１の変位を阻害するのを防止しつつ、保護膜４４の水バリア性をより優れたものとすることができる。
【００７１】
また、撥水処理による撥水性の程度は、水の接触角７０〜１２０°であるのが好ましく、水の接触角９０〜１２０°であるのがより好ましい。これにより、より確実に、湿気や製造工程に用いる薬液などの水分が保護膜４４の欠損部を通じて侵入するのを防止することができる。
以上のようにしても、圧電素子４を得ることができる。
【００７２】
このように圧電素子４が形成された後に、基板２ａの他方の面（圧電素子４が形成されている面と反対側の面）に、図５（ｇ）に示すように、共通インク室２１のための溝２１ａとインク吐出室２２のための溝２２ａを形成して、キャビティ基板２を得る。
この場合も、溝２１ａ、２２ａの形成に際し、撥水処理された保護膜４４により圧電体４１が覆われているので、エッチングの際に、現像液、エッチング液、洗浄液等の水分による圧電体４１の劣化を防止することができる。すなわち、保護膜４４は、このエッチングに用いられるエッチング液等の薬液から保護する機能も有する。これにより、電子デバイスの製造工程を簡略化するとともに、歩留まりの低下を防止することができる。
このようにして得られたキャビティ基板２に、ノズル基板３を接合することにより、インクジェットヘッド１を得ることができる。
【００７３】
以上、本発明の圧電素子、電子デバイス、および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明の圧電素子は、主として圧電材料で構成された圧電体と、圧電体に接合された１対の電極とを有し、１対の電極に電圧を印加することにより、圧電体を変位または変形させるよう構成されたものであれば、特に限定されず、ピエゾ素子のほかに、例えば、特開２００４−３１２１９８号公報に開示されているような弾性表面波素子に適用することができる。
【００７４】
また、本発明の電子デバイスは、本発明の圧電素子を備えるものであれば特に限定されず、インクジェットヘッドのほかに、例えば、圧電素子により駆動される光スイッチ、光アッテネータ等のアクチュエータや、圧電素子により駆動される振動子等に適用することができる。
また、前述した実施形態におけるインクジェットヘッドは、インクジェットプリンタに限らず、他の液滴吐出装置に用いることができる。例えば、他の液滴吐出装置としては、プロテインチップやＤＮＡチップの作製、有機ＥＬ製造装置や液晶表示装置のカラーフィルタの製造、インクジェット法による配線基板の作製などに用いるものが挙げられる。
【００７５】
また、本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えるものであれば特に限定されず、インクジェットプリンタのほかに、例えば、パーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明にかかる電子機器の実施形態の一例であるインクジェットプリンタの概略構成を示す図である。
【図２】図１のインクジェットプリンタに備えられたインクジェットヘッド（電子デバイス）を示す分解斜視図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図３に示す圧電素子の製造工程の第１の例を説明するための図である。
【図５】図３に示す圧電素子の製造工程の第２の例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７７】
１……インクジェットヘッド  ２……キャビティ基板  ２ａ……基板  ２１……共通インク室  ２２……インク吐出室  ２３……振動板  ２４……インク供給口  ３……ノズル基板  ３００……インクジェットプリンタ  ３０２……装置本体  ３０３……ヘッドユニット  ３０４……印刷装置  ３０５……給紙装置  ３０６……制御部（制御手段）  ３０７……操作パネル  ３１……インクオリフィス  ３２……ノズル孔  ３２１……トレイ  ３２２……排紙口  ３３１……インクカートリッジ  ３３２……キャリッジ  ３４１……キャリッジモータ  ３４２……往復動機構  ３４２Ａ……キャリッジガイド軸  ３４２Ｂ……タイミングベルト  ３５１……給紙モータ  ３５２……給紙ローラ  ３５２ａ……従動ローラ  ３５２ｂ……駆動ローラ  ４……圧電素子  ４１……圧電体  ４２、４３……電極  ４４……保護膜  ４４ａ……処理前保護膜  ４４ｂ……撥水膜  ４５……絶縁層
【図１】
2007013009.tif 000003
【図２】
2007013009.tif 000004
【図３】
2007013009.tif 000005
【図４】
2007013009.tif 000006
【図５】
2007013009.tif 000007