(57)【要約】【課題】集積回路素子を搭載した電子基板の発生雑音模擬測定方法において、測定精度を向上することができる簡易な模擬測定方法を提供する。【解決手段】発生雑音の等価測定手段140を実行する前段階で、集積回路素子に対する等価負荷回路の設定記憶手段200aと、等価ノイズ源の設定記憶手段300aと、基板設計ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段500とによって被測定電子基板に対応した仮想電子基板が電子計算機上で生成される。等価ノイズ源の設定記憶手段300aは基礎実験測定手段300bによるノイズ電流の実測値と略等しくなるように初期調整されると共に、アンテナ特性校正手段400aによって模擬測定ゲインの初期調整が行なわれている。  等価回路方式によって簡易な模擬測定が行なえると共に、二重の初期調整によって測定精度を向上することができる。【選択図】図１
2007133484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路素子を搭載した電子基板が発生する不要輻射ノイズの発生状態を電子計算機によって模擬測定する電子基板の発生雑音模擬測定装置であって、
上記電子計算機は、上記集積回路素子に対する等価負荷回路の設定記憶手段と等価ノイズ源の設定記憶手段と、上記電子基板に対する設計ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段と、発生雑音の等価測定手段と、仮想アンテナ特性校正手段とを備え、
上記等価負荷回路の設定記憶手段は、上記集積回路素子の正負の電源端子間のインピーダンスに関して各種の周波数で実測測定して得られる抵抗・キャパシタンス・インダクタンスから成る負荷要素の各測定値を、推定された上記負荷要素の接続回路の構成に基づいて記憶し、
上記等価ノイズ源の設定記憶手段は、上記集積回路素子と該集積回路素子を稼動するための最小限度の限定回路部品を用いて上記集積回路素子を給電稼動させたときに、上記集積回路素子の電源端子に流入する実負荷電流と、上記等価負荷回路の内部に接続された仮想の等価ノイズ源となる電流源によって仮想の集積回路素子の電源端子に流入する仮想負荷電流とが合致する関係に上記電流源の電流値と周波数特性を整合させて等価ノイズ源の動作特性を設定記憶し、
上記ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段は、上記電子基板の電源配線パターン配置情報と、電源線間に接続される抵抗・コンデンサ・コイル等の回路素子の配置と抵抗値・キャパシタンス・インダクタンスの値のうち、少なくとも電流分布計算上で無視できない一部の低インピーダンス実装部品に関する配置・特性情報とを記憶し、
上記発生雑音の等価測定手段は、被測定電子基板に対応した仮想電子基板に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを演算算出する模擬測定手段であって、上記仮想アンテナの設置位置は仮想アンテナ位置設定手段によって可変設定され、
上記仮想アンテナ特性校正手段は、実際の輻射ノイズ測定用アンテナで測定した電界強度と、同一位置関係に設置された上記仮想アンテナによって模擬測定された電界強度が合致するように模擬測定ゲインを予め調整しておくことを特徴とする電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項２】
上記電子計算機は、上記被測定電子基板に接続された電源供給用の外部配線の線長・線径・本数・シールド被覆の有無等に関する外部配線情報、又は上記被測定電子基板が導電性筐体に収納されている場合の筐体寸法等の環境情報を設定記憶する外部環境情報の設定記憶手段を備え、上記外部配線情報としては信号系配線を除外して電源系配線に限定した情報が設定記憶されることを特徴とする請求項１に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項３】
上記等価負荷回路の設定記憶手段は、上記等価ノイズ源が上記集積回路素子内部の特定点位置に存在する質点であるとみなし、上記集積回路素子の正負の電源端子と上記等価ノイズ源は仮想電源パターンによって接続されていると仮定して、上記正負の電源端子とつながる正側・負側端子インピーダンスの値から上記仮想電源パターンによるインピーダンスを減殺した値を補正等価負荷回路として使用する質点補正手段を備え、
上記発生雑音の等価測定手段は、上記等価ノイズ源が上記仮想電子基板に搭載された仮想集積回路素子の特定点位置に存在する質点であるとみなし、上記仮想電源パターンが存在するものとして模擬測定が行なわれることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子基板の発生雑音模擬測定方法及び装置。
【請求項４】
上記集積回路素子は、相互に内部接続された複数の正側電源端子又は複数の負側電源端
子を備えており、
上記等価負荷回路の設定記憶手段は、複数の正側電源端子の様々な組合せによる一対の端子間に測定用交流電圧を印加して正側電源端子に直結した正側端子インピーダンスを測定し、同様に複数の負側電源端子の様々な組合せによる一対の端子間に測定用交流電圧を印加して負側電源端子に直結した負側端子インピーダンスを測定する第一の測定手段と、
正側電源端子の一つと負側電源端子の一つとの間に測定用交流電圧を印加して、正負の電源端子間の全体インピーダンスを測定する第二の測定手段とを備え、
上記第二の測定手段によって測定された全体インピーダンスから上記第一の測定手段によって測定された端子直結インピーダンスを差し引くことによって等価内部インピーダンスを算出することを特徴とする請求項３に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項５】
上記等価ノイズ源の設定記憶手段は、基礎実験基板によって上記集積回路素子を稼動させたときに、上記集積回路素子の電源端子に流入する実負荷電流の注目特性値と、仮想基礎実験基板によって仮想の集積回路素子の電源端子に流入する仮想負荷電流の注目特性値とが合致する関係に上記電流源の電流値と周波数特性を整合させた近似関数式又はデータテーブルによって仮想の等価ノイズ源の動作特性を設定記憶し、
上記基礎実験基板は、上記集積回路素子と該集積回路素子を稼動するための最小限度の限定回路部品を搭載した電子基板であると共に、上記限定回路部品はクロック信号発生回路と電源平滑コンデンサ又は該電源平滑コンデンサに並列接続された電源バイパスコンデンサ又は上記集積回路素子の正負の電源端子に接続された近傍バイパスコンデンサの少なくとも一部のコンデンサを包含し、
上記仮想基礎実験基板は、上記基礎実験基板に対応した仮想の電子基板であって、上記仮想基礎実験基板には上記集積回路素子とクロック信号発生回路に代わるものとして上記等価負荷回路と等価ノイズ源となる電流源が仮想接続されると共に、上記電流源によって仮想の集積回路素子から流出する電流回路を構成するものとして上記電源平滑コンデンサ又は電源バイパスコンデンサ又は近傍バイパスコンデンサの少なくとも一部のコンデンサが仮想接続されており、
上記注目特性値は、上記記集積回路素子の電源端子に流入する負荷電流のピーク電流値、該ピーク電流の発生周期、定常脈動電流の平均値レベル及び脈動振幅・脈動周期であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項６】
上記等価ノイズ源の設定記憶手段は、上記注目特性値の補間推定手段を備えると共に、上記基礎実験基板は、上記集積回路素子と該集積回路素子を稼動するための最小限度の限定回路部品の特性と配置を様々に変更した複数種類のものが準備され、上記限定回路部品を変更したことに伴う上記注目特性値の変化に対する相関関係が予め実測されていて、
上記注目特性値の補間推定手段は、適用された実際の被測定電子基板の中の限定回路部品の内容に応じて実際の注目特性値を上記相関関係に基づいて補間推定することを特徴とする請求項５に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項７】
上記発生雑音の等価測定手段は、被測定電子基板に対応した仮想電子基板として上記等価負荷回路の設定記憶手段と上記等価ノイズ源の設定記憶手段に基づく仮想の等価集積回路素子と仮想のクロック信号発生回路が搭載され、上記ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段によって選択された電源パターンと回路部品とが搭載された仮想電子基板を想定し、該仮想電子基板に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを測定する仮想の電界強度計を備えた面解析模擬測定手段であって、
上記面解析模擬測定手段は、上記電子基板の正負の面状電源パターンや筐体導体面を微小面状要素に分割し、測定アンテナを微小線状要素に分割して回路解析と電磁界解析とが行なわれるモーメント法に基づいて、電流分布から電磁界分布を算出する模擬測定技法であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項８】
上記電子計算機は、上記被測定電子基板に対する仮想電子基板上にあって、上記外部配線の接続位置において可変所定容量の第一のバイパスコンデンサを正負の電源パターン間に仮想接続した状態にしておいて、発生雑音の模擬測定を行なう第一の判定手段と、該第一の判定手段による雑音測定の結果が、上記第一のバイパスコンデンサを仮想接続したことによって改善されたと認められた場合に、上記第一のバイパスコンデンサの接続パターンをＣＡＤ設計によって決定し、決定された接続パターンに基づいて再度発生雑音の模擬測定を確認実施する第一の確認測定手段とを備えたことを特徴とする請求項２に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項９】
上記電子計算機は、上記被測定電子基板に対する仮想電子基板をメッシュ状に複数分割した基板メッシュの略中心位置又は実装部品の空きスペースがある適所にあって、可変所定容量の第二のバイパスコンデンサを正負の電源パターン間に仮想接続した状態において発生雑音の模擬測定を行なう第二の判定手段と、該第二の判定手段による雑音測定の結果が、上記第二のバイパスコンデンサを仮想接続したことによって改善されたと認められた場合に、上記第二のバイパスコンデンサの接続パターンをＣＡＤ設計によって決定し、決定された接続パターンに基づいて再度発生雑音の模擬測定を確認実施する第二の確認測定手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項１０】
上記電子基板の電源パターン間に接続されるバイパスコンデンサの特性値は、バイパスコンデンサの多数のサンプル品に基づいて実測された静電容量の平均値に加えて、実測された内部寄生インダクタンスの平均値が直列接続された等価インピーダンスとして取り扱われることを特徴とする請求項５、請求項８、請求項９のいずれか１項に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項１１】
上記電子基板の電源パターン間に接続されるバイパスコンデンサの特性値は、バイパスコンデンサの多数のサンプル品に基づいて実測された静電容量の平均値、又は呼称静電容量そのものである代表静電容量の値に加えて、実測された直列共振周波数の平均値と上記代表静電容量の値から算出される等価寄生インダクタンスとが直列接続された等価インピーダンスとして取り扱われるものであることを特徴とする請求項５、請求項８、請求項９のいずれか１項に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項１２】
上記仮想アンテナ特性校正手段は、上記集積回路素子と該集積回路素子を稼動するための最小限度の限定回路部品を搭載した基礎実験基板を用いて上記集積回路素子を給電稼動させて、所定位置に設置された実際の輻射ノイズ測定用アンテナで測定した電界強度を基準として、上記等価負荷回路と等価ノイズ源を用いた仮想基礎実験基板に対して、同一位置関係に設置された仮想アンテナによって模擬測定された電界強度を合致させるように模擬測定ゲインを調整することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子基板の発生雑音模擬測定方法及び装置。
【請求項１３】
上記電子計算機は、上記等価ノイズ源の設定記憶手段において演算算出される仮想負荷電流特性を表示画面に表示して実負荷電流と対比するための第一の画面表示手段と、上記発生雑音の等価測定手段によって演算算出された仮想電界強度計の出力特性を表示画面に表示するための第二の画面表示手段とを備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子基板の発生雑音模擬測定装置。
【請求項１４】
集積回路素子を搭載した電子基板が発生する不要輻射ノイズの発生状態を電子計算機によって模擬測定する電子基板の発生雑音模擬測定方法であって、
上記集積回路素子に対する等価負荷回路の設定記憶ステップと等価ノイズ源の設定記憶ステップと、上記電子基板に対する設計ＣＡＤデータの選択抽出記憶ステップと、発生雑音の等価測定ステップと、仮想アンテナ特性校正ステップとを備え、
上記等価負荷回路の設定記憶ステップは、上記集積回路素子の正負の電源端子間のインピーダンスに関して各種の周波数で実測測定して得られる抵抗・キャパシタンス・インダクタンスから成る負荷要素の各測定値を、推定された上記負荷要素の接続回路の構成に基づいて記憶するステップであり、
上記等価ノイズ源の設定記憶ステップは、上記集積回路素子と該集積回路素子を稼動するための最小限度の限定回路部品を用いて上記集積回路素子を給電稼動させたときに、上記集積回路素子の電源端子に流入する実負荷電流と、上記等価負荷回路の内部に接続された仮想の等価ノイズ源となる電流源によって仮想の集積回路素子の電源端子に流入する仮想負荷電流とが合致する関係に上記電流源の電流値と周波数特性を整合させて等価ノイズ源の動作特性を設定記憶するステップであり、
上記ＣＡＤデータの選択抽出記憶ステップは、上記電子基板の電源配線パターン配置情報と、電源線間に接続される抵抗・コンデンサ・コイル等の回路素子の配置と抵抗値・キャパシタンス・インダクタンスの値のうち、少なくとも電流分布計算上で無視できない一部の低インピーダンス実装部品に関する配置・特性情報とを記憶するステップであり、
上記発生雑音の等価測定ステップは、被測定電子基板に対応した仮想電子基板に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを演算算出する模擬測定ステップであって、上記仮想アンテナの設置位置は仮想アンテナ位置設定ステップによって可変設定されるものであり、
上記仮想アンテナ特性校正ステップは、実際の輻射ノイズ測定用アンテナで測定した電界強度と、同一位置関係に設置された上記仮想アンテナによって模擬測定された電界強度が合致するように模擬測定ゲインを予め調整しておくステップであることを特徴とする電子基板の発生雑音模擬測定方法。
【請求項１５】
上記被測定電子基板に接続された電源供給用の外部配線の線長・線径・本数・シールド被覆の有無等に関する外部配線情報、又は上記被測定電子基板が導電性筐体に収納されている場合の筐体寸法等の環境情報を設定記憶する外部環境情報の設定記憶ステップを有し、上記外部配線情報としては信号系配線を除外して電源系配線に限定した情報が設定記憶されることを特徴とする請求項１４に記載の電子基板の発生雑音模擬測定方法。
【請求項１６】
上記等価負荷回路の設定記憶ステップは、上記等価ノイズ源が上記集積回路素子の特定点位置に存在する質点であるとみなし、上記集積回路素子の正負の電源端子と上記等価ノイズ源は仮想電源パターンによって接続されていると仮定して、上記正負の電源端子とつながる正側・負側端子インピーダンスの値から上記仮想電源パターンによるインピーダンスを減殺した値を補正等価負荷回路として使用する質点補正ステップを有し、
上記発生雑音の等価測定ステップは、上記等価ノイズ源が上記仮想電子基板に搭載された仮想集積回路素子の特定点位置に存在する質点であるとみなし、上記仮想電源パターンが存在するものとして模擬測定が行なわれることを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の電子基板の発生雑音模擬測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、集積回路素子を搭載した電子基板が発生する電源系の不要輻射ノイズの発生を抑制改善するために、試作電子基板の輻射ノイズを電波暗室で測定する手間を削減・回避し、電子計算機によって簡易なシミュレーション判定を行なうようにした電子基板の発生雑音模擬測定装置及び発生雑音模擬測定方法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路素子を搭載した電子基板が発生する電源系の不要輻射ノイズの発生を抑制改善する手段として、プリント配線基板の電源層とグランド層との間に、例えば、チップ型のセラミックコンデンサをバイパスコンデンサとして接続することは常套手段として用いられている。
例えば、特許文献１の「多層プリント回路基板」によれば、多層プリント回路基板全体を均等に分割し、該基板の電源層及びグランド層に接続されるバイパスコンデンサを格子状位置に均等に配置することにより、共振による電源系の放射（輻射）ノイズのピーク周波数をＥＭＩ規制対象外の高域にシフトさせ、その結果、ＥＭＩ規制対象周波数領域内において、多層プリント回路基板の電源層及びグランド層に回り込む集積回路素子の高周波電源電流が原因となる放射ノイズの発生を大幅に抑制できることが開示されている。
【０００３】
一方、特許文献２の「電子機器のＥＭＩ設計・評価方法」によれば、後戻り（出荷直前におけるＥＭＩ評価工程で所望の性能が得られない場合に、基板実装設計に立ち返ること）のない基板実装設計を行なって、基板の設計・評価期間を短縮するために、「ＣＡＤデータから抽出された電源／ＧＮＤ層の設計データを基にモデル生成工程でモデルを生成し、面解析シミュレーション工程でこのモデルを基に面解析シミュレーションを実行し、この面解析シミュレーションと同時に電源／ＧＮＤ層のみの基板を電源／ＧＮＤ層のみの基板製作工程で制作し、面解析シミュレーションの結果と制作された基板単体での周波数特性を実測した結果との照合を行い、それらが一致した時にバイパスコンデンサ搭載工程で電源／ＧＮＤ層のみの基板にバイパスコンデンサを実装し、それらの情報を実装詳細設計工程にフィードバックする」方法が開示されている。
【０００４】
なお、上記特許文献２による面解析シミュレーションは、集積回路素子を搭載しない電源回路基板単体の状態、又は電源回路基板にバイパスコンデンサを装着した状態でのシミュレーションであるのに対し、特許文献３の「集積回路のノイズシミュレーション方法及びノイズシミュレーション装置及び記録媒体」によれば、集積回路素子が発生するノイズを集積回路素子の設計段階で評価してノイズ対策を実行することができるシミュレーション方法が開示されている。
この特許文献３では、集積回路を複数の機能ブロックに分割して消費電流シミュレーションを実行し、インバータで駆動されるコンデンサによって構成された機能ブロックを生成するステップと、各機能ブロックに接続される電源配線等のインピーダンス情報を抽出して各モデル回路に付加して、複数のモデル回路を結合してノイズシミュレーション用回路を作成するステップと、ノイズシミュレーション用回路に対してアナログシミュレーションを実行することによりノイズを解析するステップとを備えていて、ノイズ源とインピーダンス情報とを結合したモデル回路の概念が提示されている。
【０００５】
一方、特許文献４の「シミュレーション装置及びシミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体」によれば、電磁波解析と回路解析との融合シミュレーションを少ない計算量で行い、かつ安定した解が得られるシミュレーション装置として、電流源法を用いた回路部の等価回路に基づいて回路解析を行なう手段について論及している。
その他、特許文献５の「電磁界強度算出方法および算出装置」によれば、非線形回路部品を含む解析対象に対し、回路解析法を適用すべき回路解析モデルと、電磁波解析法を適用すべき電磁波解析モデルとを結合し、電磁波解析法としてモーメント法を用いた電磁界強度算出方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−０２４３３４号公報（図１、要約）
【特許文献２】特許第３０５２０９０７号公報（図１、段落0021、0049、0050）
【特許文献３】特開平１１−１２０２１４号公報（図１、要約）
【特許文献４】特開平１１−１５３６３４号公報（図１、要約）
【特許文献５】特開２００３−２１６６８１号公報（図１、要約）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１による輻射ノイズ抑制対策においては、高密度電子基板であって、たとえ一個のバイパスコンデンサといえども極力廃止したいような場合に、目標とするノイズレベル以下であって、且つ、なるべく少ない個数のバイパスコンデンサをどこに限定して設置すればよいかを決定するのは容易なことではない。
また、特許文献２に開示されている「電子機器のＥＭＩ設計・評価方法」は、この問題を解決しようとするものではあるが、実施されるノイズシミュレーションはノイズ源となる集積回路素子が搭載されていない状態のものであり、実態に即していないことや、評価用のプリント基板も実際に作ってみる必要があるなどの問題点がある。
また、特許文献３は、集積回路素子の内容を複数のモデル回路に置換して、集積回路素子単独のノイズシミュレーションを行なうものであって、電子基板を含めたノイズシミュレーションについては論及していない。
また、特許文献４や特許文献５は、分布回路定数として等価回路に変換できない面状の電源パターンやグランドパターンを有する電子基板に適用可能な輻射ノイズシミュレーションの方法を開示したものであるが、その効果的な利用方法と測定精度の向上対策について具体的に論及したものではない。
【０００７】
この発明は、上述したような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、集積回路素子が搭載され、特に面状の電源層とグランド層を有する多層の電子基板に発生する雑音ノイズを簡易・効率的・高精度に模擬測定できる「電子基板の発生雑音模擬測定装置あるいは発生雑音模擬測定方法」を提供し、電子基板の試作製作工程の削減を可能とすることである。
また、上記発生雑音模擬測定方法を活用して、高密度実装電子基板のＣＡＤによるパターン設計の前に雑音抑制用のバイパスコンデンサ（単に、パスコンとも略す）の効果の確認をすることにより、バイパスコンデンサの設置位置と容量の選択を効率的に行える手段を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明による電子基板の発生雑音模擬測定装置は、集積回路素子を搭載した電子基板が発生する不要輻射ノイズの発生状態を電子計算機によって模擬測定する電子基板の発生雑音模擬測定装置であって、上記電子計算機は、上記集積回路素子に対する等価負荷回路の設定記憶手段と等価ノイズ源の設定記憶手段と、上記電子基板に対する設計ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段と、発生雑音の等価測定手段と、仮想アンテナ特性校正手段とを備えている。
上記等価負荷回路の設定記憶手段は、上記集積回路素子の正負の電源端子間のインピーダンスに関して各種の周波数で実測測定して得られる抵抗・キャパシタンス・インダクタンスから成る負荷要素の各測定値を、推定された上記負荷要素の接続回路の構成に基づいて記憶する手段となっている。
【０００９】
上記等価ノイズ源の設定記憶手段は、上記集積回路素子と該集積回路素子を稼動するための最小限度の限定回路部品を用いて上記集積回路素子を給電稼動させたときに、上記集積回路素子の電源端子に流入する実負荷電流と、上記等価負荷回路の内部に接続された仮想の等価ノイズ源となる電流源によって仮想の集積回路素子の電源端子に流入する仮想負荷電流とが合致する関係に上記電流源の電流値と周波数特性を整合させて等価ノイズ源の動作特性を設定記憶する手段となっている。
上記ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段は、上記電子基板の電源配線パターン配置情報と、電源線間に接続される抵抗・コンデンサ・コイル等の回路素子の配置と抵抗値・キャパシタンス・インダクタンスの値のうち、少なくとも電流分布計算上で無視できない一部の低インピーダンス実装部品に関する配置・特性情報とを記憶する手段となっている。
上記発生雑音の等価測定手段は、被測定電子基板に対応した仮想電子基板に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを演算算出する模擬測定手段であって、上記仮想アンテナの設置位置は仮想アンテナ位置設定手段によって可変設定されるものである。
上記仮想アンテナ特性校正手段は、実際の輻射ノイズ測定用アンテナで測定した電界強度と、同一位置関係に設置された上記仮想アンテナによって模擬測定された電界強度が合致するように模擬測定ゲインを予め調整しておく手段となっている。
【００１０】
また、この発明による電子基板の発生雑音模擬測定方法は、集積回路素子を搭載した電子基板が発生する不要輻射ノイズの発生状態を電子計算機によって模擬測定する電子基板の発生雑音模擬測定方法であって、
上記集積回路素子に対する等価負荷回路の設定記憶ステップと等価ノイズ源の設定記憶ステップと、上記電子基板に対する設計ＣＡＤデータの選択抽出記憶ステップと、発生雑音の等価測定ステップと、仮想アンテナ特性校正ステップとを備え、
上記等価負荷回路の設定記憶ステップは、上記集積回路素子の正負の電源端子間のインピーダンスに関して各種の周波数で実測測定して得られる抵抗・キャパシタンス・インダクタンスから成る負荷要素の各測定値を、推定された上記負荷要素の接続回路の構成に基づいて記憶するステップであり、上記等価ノイズ源の設定記憶ステップは、上記集積回路素子と該集積回路素子を稼動するための最小限度の限定回路部品を用いて上記集積回路素子を給電稼動させたときに、上記集積回路素子の電源端子に流入する実負荷電流と、上記等価負荷回路の内部に接続された仮想の等価ノイズ源となる電流源によって仮想の集積回路素子の電源端子に流入する仮想負荷電流とが合致する関係に上記電流源の電流値と周波数特性を整合させて等価ノイズ源の動作特性を設定記憶するステップであり、上記ＣＡＤデータの選択抽出記憶ステップは、上記電子基板の電源配線パターン配置情報と、電源線間に接続される抵抗・コンデンサ・コイル等の回路素子の配置と抵抗値・キャパシタンス・インダクタンスの値のうち、少なくとも電流分布計算上で無視できない一部の低インピーダンス実装部品に関する配置・特性情報とを記憶するステップであり、上記発生雑音の等価測定ステップは被測定電子基板に対応した仮想電子基板に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを演算算出する模擬測定ステップであって、上記仮想アンテナの設置位置は仮想アンテナ位置設定ステップによって可変設定されるものであり、上記仮想アンテナ特性校正ステップは、実際の輻射ノイズ測定用アンテナで測定した電界強度と、同一位置関係に設置された上記仮想アンテナによって模擬測定された電界強度が合致するように模擬測定ゲインを予め調整しておくステップであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による電子基板の発生雑音模擬測定装置あるいは発生雑音模擬測定方法は、多数の非線形素子の集合体である集積回路素子を等価負荷回路に置換して簡易・効率的に発生雑音の模擬測定を行うようにしたものであって、等価ノイズ源による仮想負荷電流と実負荷電流を略合致させると共に、仮想アンテナの概念を導入して模擬測定ゲインによって仮想アンテナ特性を校正しているので、等価ノイズ源の設定特性に誤差があっても総合的に雑音ノイズの模擬測定精度の向上を図ることが可能となり、電子基板の試作製作工程の削減が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
以下、図面に基づいて、本発明の一実施の形態について説明する。
なお、各図間において、同一符合は、同一あるいは相当のものであることを表す。
図１は、実施の形態１による電子基板の発生雑音模擬測定装置における測定準備手順を示す図である。
図２〜図４は、図１に示した電子基板の発生雑音模擬測定装置の測定準備手順におけるインピーダンス測定を説明するための図であって、図２は電子基板に搭載される集積回路素子のインピーダンス測定回路を示す図、図３はインピーダンス測定結果の一例を示す図、図４は集積回路素子の等価負荷回路を示す図である。
図５は基礎実験基板による基礎実験の構成を示す図、図６は基礎実験基板を給電稼動したときの集積回路素子に対する給電電流特性の一例を示す図である。
図７は基礎実験基板に対する仮想基礎実験基板による模擬実験の構成を示す図、図８は質点補正の概念を示す図である。
図９は被測定電子基板の構成を示す図、図１０は被測定電子基板に対応した仮想電子基板の構成を示す図、図１１はバイパスコンデンサの特性測定用回路を示す図である。
図１２は活用操作手順を示す図、図１３は基礎実験手順を示す図、図１４は発生雑音模擬測定装置におけるシステム構成を示す図である。
【００１３】
電子基板の発生雑音模擬測定装置における測定準備手順を示す図１を中心として、図２〜図１４を引用しながら、模擬測定の準備操作について説明する。
図１において、工程100は準備操作を開始するステップ、続く工程200a・260aは集積回路素子（ＬＳＩ）の等価回路の定数設定と後述の質点補正データを図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程300aは、適用された集積回路素子に関する等価ノイズ源の出力特性の設定データを図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程400aは、仮想アンテナの特性データである模擬測定ゲインの値を図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程ブロック500は、工程510a・520a・530aによって構成されていて、電子基板のＣＡＤ設計データを図１４で示す電子計算機10に選択抽出して読み込み記憶するステップである。
【００１４】
工程510aは正負の電源パターンとその配置データを選択抽出して記憶するステップであり、工程520aは集積回路素子（ＬＳＩ）の配置データと正負の電源線間に接続されるコンデンサ・抵抗・インダクタンス等の線形部品の配置データを選択抽出して記憶するステップであり、工程530aは選択抽出された線形部品の静電容量・抵抗値・インダクタンス等の特性定数データを読出し記憶するステップとなっている。
工程ブロック500に続く工程110aは、予め工程110bで準備された設計環境データを参照して、電子基板の外部に接続される電源配線の線径・線長・本数・シールド被覆の有無等の外部配線情報と、電子基板をとりまく導電性筐体の寸法等の環境データを、図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程120aは、予め工程120bで準備された測定アンテナの設置位置に関する規格データを参照して、模擬測定で使用される仮想アンテナの設置位置データを図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程130は準備操作の終了ステップ、続く工程140は図１２で詳述する発生雑音の等価測定を実行するステップとなっている。
【００１５】
工程200bは、工程200aによるデータ設定の前段階において実施される集積回路素子（ＬＳＩ）の等価回路の定数測定ステップであり、その詳細を図２〜図４によって説明する。
インピーダンス測定回路を示す図２において、集積回路素子210は、相互に内部接続された３個の正側電源端子Ｖcc1・Ｖcc2・Ｖcc3を備えると共に、相互に内部接続された３個の負側電源端子Ｖss1・Ｖss2・Ｖss3とを備えている。
測定用交流電圧201aは、電流計202を介して正側電源端子Ｖcc1と負側電源端子Ｖss1との間に接続され、印加電圧は電圧計203によって測定されている。
インピーダンス測定結果の一例を示す図３において、横軸は測定電圧の周波数であり、縦軸は測定インピーダンスの値を示している。
曲線220は校正用に測定された既知のインピーダンスに対する測定結果であり、曲線221は電源端子Ｖcc1・Ｖss1間の測定結果であり、曲線222は電源端子Ｖcc2・Ｖss2間の測定結果であり、曲線223は電源端子Ｖcc3・Ｖss3間の測定結果となっている。
その他、測定用交流電圧201bによって電源端子Ｖcc1・Ｖcc2間やＶcc2・Ｖcc3間やＶcc3・Ｖcc1間で測定したり、電源端子Ｖss1・Ｖss2間やＶss2・Ｖss3間やＶss3・Ｖss1間で測定することによって端子直結インピーダンスが測定される。
【００１６】
集積回路素子の等価負荷回路210aを示す図４において、仮想ＣＰＵ230aは集積回路素子210に内蔵されているマイクロプロセッサＣＰＵとプログラムメモリPMEMとＲＡＭメモリRMEMを代表表示したものであるが、この仮想ＣＰＵ230aは負荷インピーダンスは持たないがクロック信号に応動したノイズ源となる仮想のマイクロプロセッサとして表現されている。
正端子インピーダンス231aは正側電源端子Ｖcc1に直結したインピーダンスであり、インダクタンス成分Ｌ11を主体として構成された負荷要素となっている。
正端子インピーダンス232aは正側電源端子Ｖcc2に直結したインピーダンスであり、インダクタンス成分Ｌ21を主体として構成された負荷要素となっている。
正端子インピーダンス233aは正側電源端子Ｖcc3に直結したインピーダンスであり、インダクタンス成分Ｌ31を主体として構成された負荷要素となっている。
同様に、負端子インピーダンス231b・232b・233bは負側電源端子Ｖss1・Ｖss2・Ｖss3に直結したインピーダンスであり、インダクタンス成分Ｌ12・Ｌ22・Ｌ32を主体として構成された負荷要素となっている。
【００１７】
等価内部インピーダンス234・235は仮想ＣＰＵ230aに並列接続され、正端子インピーダンス231a・232a・233aの接続点と負端子インピーダンス231b・232b・233bの接続点との間に接続されている。
これらの等価内部インピーダンスや端子側インピーダンスに含まれる抵抗・インダクタンス・キャパシタンスの値は、様々な端子間で測定されたインピーダンス対周波数特性をマニュアル操作で分析して連立方程式の解として算出される。
【００１８】
図１における工程300bは、工程300aによる等価ノイズ源の出力特性の設定を行なうに当たって前段階で実行される基礎実験ステップであり、その詳細を図５〜図８によって説明する。
基礎実験基板340による基礎実験の構成を示す図５において、定電圧電源341はローパスフィルタ342を介して基礎実験基板340に所定の安定化定電圧を供給するようになっていて、ローパスフィルタ342は集積回路素子210の発生ノイズ電流が定電圧電源341側へ流出するのを防止するためのものとなっている。
基礎実験基板340には集積回路素子210が実装されていると共に、例えばタンタルコンデンサである電源平滑コンデンサ343と、該電源平滑コンデンサ343の近傍位置に接続された電源バイパスコンデンサ344aと、集積回路素子210の近傍位置であって正負の電源端子間に接続された近傍バイパスコンデンサ344bと、集積回路素子210のクロック入力端子に接続されるクロック信号発生回路347が実装されていて、各バイパスコンデンサ344a・344bは例えばチップ型のセラミックコンデンサが使用されている。
なお、クロック信号発生回路347は、水晶発振器345と該水晶発振器345の両端に接続された安定化コンデンサ346a・346bによって構成されている。
【００１９】
電界強度計350は、基礎実験基板340と対向して設置された測定用アンテナ351の出力によって基礎実験基板340が発生する雑音輻射ノイズを測定するものであり、測定アンテナ351の設置位置は所定の試験規格によって制定されている。
電流計352は、測定プローブ353を介して集積回路素子210に対する給電電流を測定する例えばスペクトラムアナライザである。
基礎実験基板340を給電稼動したときの集積回路素子210に対する給電電流特性の一例を示す図６において、縦軸は測定された実負荷電流の値であり、横軸は周波数となっている。
基礎実験基板340に対する仮想基礎実験基板440による模擬実験の構成を示す図７において、図５に示した基礎実験基板340の集積回路素子210に代わるものとして補正等価回路210bが使用され、補正等価回路210bの内部にはクロック信号に応動する等価ノイズ源となる電流源420が接続されている。
また、図５の電源平滑コンデンサ343や電源バイパスコンデンサ344a、近傍バイパスコンデンサ344bに代わるものとして仮想の電源平滑コンデンサ443や電源バイパスコンデンサ444a、近傍バイパスコンデンサ444bが接続されている。
【００２０】
電界強度計350に対応する仮想電界強度計450は、仮想基礎実験基板440と対向して仮想設置された仮想アンテナ451の出力によって仮想基礎実験基板440が発生する雑音輻射ノイズを演算算出するものである。
仮想電流計452は電流計352と同一位置関係にあって、仮想電流測定プローブ453を介して仮想集積回路素子である補正等価負荷回路210bの給電電流を演算算出する。
なお、質点補正の概念を説明するための概念図である図８において、等価ノイズ源となる電流源420は、集積回路素子210のパッケージ210cの特定点位置（例えば、中心位置）に存在する質点であるとみなし、集積回路素子210の各電源端子に対しては仮想電源パターン461・462・463によって接続されているものとして模擬測定が行なわれるようになっている。
しかし、この仮想電源パターン461・462・463は、実際の基礎実験基板340には存在しないものであるため、図４で示した等価負荷回路210aにおける端子直結負荷要素Ｌ11・Ｌ21・Ｌ31、Ｌ12・Ｌ22・Ｌ32の値に比べて、図７で示した補正等価負荷回路210bにおける端子直結負荷要素ＭＬ11・ＭＬ21・ＭＬ31、ＭＬ12・ＭＬ22・ＭＬ32の値は、仮想電源パターン461・462・463によるインピーダンスを減殺した値が使用されている。
【００２１】
図１の工程300dは、図７の電流源420の電流特性を設定するステップであり、この工程300dで設定された仮想負荷電流特性は図６で示した実負荷電流と合致するようにマニュアル操作で推論決定されるものであって、その詳細は図１３によって後述する。
上記推論決定は、各測定周波数における実負荷電流のピーク電流値と該ピーク電流の発生周期と、定常脈動電流の平均値レベルと脈動振幅・脈動周期などを注目特性値として定め、図５に示した基礎実験によって測定された実負荷電流の値と図７に示した模擬試験で演算算出された仮想負荷電流の値を合致させるような近似算式又はデータテーブルを誘導することによって達成される。
【００２２】
なお、基礎実験基板340における限定回路部品となる電源平滑コンデンサ343・電源バイパスコンデンサ344a・近傍バイパスコンデンサ344b・クロック信号発生回路347について、その接続位置や特性定数を変更した複数種類の基礎実験基板を準備して、各基礎実験基板に対して実負荷電流に対応した電流源420の出力設定特性を演算算出しておくことは有意義である。
例えば、近傍バイパスコンデンサ344bの静電容量について大小２種類のものを準備して、実負荷電流と仮想負荷電流との相関関係を確認しておけば、近傍バイパスコンデンサ344bとして中間の静電容量を持つものが使用された場合には、わざわざ実験確認を行なわなくても補間演算によって正確な仮想負荷電流を推定することができる。
図１における工程400bは、工程400aによる仮想アンテナ特性の模擬測定ゲインの設定を行なうに当たって前段階で実行される基礎実験ステップであり、工程400dは図７の仮想電界強度計450によって得られる模擬測定結果が、図５の電界強度計350によって実測された基礎実験結果と合致するように測定ゲインを算出しておくステップとなっている。
【００２３】
被測定電子基板540の構成を示す図９において、被測定電子基板540には図５の基礎実験基板340で適用された集積回路素子210を中心として、限定回路部品であったクロック信号発生回路347、電源平滑コンデンサ343、電源バイパスコンデンサ344a、近傍バイパスコンデンサ344bが実装されていると共に、図示しない多数のその他の回路部品が高密度実装されている。
コネクタ541は被測定電子基板540に対して着脱可能に接続されており、外部配線542を通じて図示しない各種入力センサや出力負荷と被測定電子基板とを接続するようになっている。
第一のバイパスコンデンサ545は、外部配線542の内で集積回路素子210に印加される電源回路に接続される正負の電源パターン間において、コネクタ541の近傍に設置されている。
第二のバイパスコンデンサ546は、集積回路素子210に印加される正負の電源パターン間において、被測定電子基板540を格子状に分割した略中心点位置又は実装部品に空きスペースがある位置の適所に設置されている。
なお、上記第一・第二のバイパスコンデンサ545・546は、必要最小限度のものを仮接続したものであって、実際に装着するバイパスコンデンサの個数・場所・容量などは発生雑音の模擬測定結果を踏まえて決定される。
【００２４】
被測定電子基板540に対応した仮想電子基板640の構成を示す図１０において、仮想電子基板640に反映されるものは以下のとおりとなっている。
まず、図１の工程510bで準備された被測定電子基板540に関するＣＡＤ設計データの中から、集積回路素子210に印加される正負の電源パターンの寸法とパターン配置とが、工程510aによって選択抽出されている。
また、図１の工程520bで準備された被測定電子基板540に関するＣＡＤ設計データの中から、集積回路素子210に印加される正負の電源パターン間に接続される抵抗・コンデンサ・コイル等の実装回路部品の接続配置データが520aによって選択抽出されている。
更に、図１の工程530bで準備された被測定電子基板540に関するＣＡＤ設計データの中から、工程520aで選択抽出された実装回路部品の抵抗値・キャパシタンス・インダクタンス等の値が工程530aによって読出記憶されるようになっている。
図５の集積回路素子210とクロック信号発生回路347については、工程260aや工程300aで設定された補正等価負荷回路210bと等価ノイズ源となる電流源420とが使用されているが、集積回路素子210の正負の電源端子の配置はＣＡＤ設計データに依存したものとなっている。
【００２５】
正側電源パターン611aと負側電源パターン611bは、工程510aで読出記憶された正負の電源パターンを反映したものである。
仮想の電源平滑コンデンサ643、電源バイパスコンデンサ644a、近傍バイパスコンデンサ644b、第一のバイパスコンデンサ645、第二のバイパスコンデンサ646は、工程520a・530aで読出記憶された実装回路部品配置データと部品特性データを反映したものとなっている。
外部配線648a・648b・648cは、図１の工程110aで設定された外部環境情報に基づいて線長・線径・本数が設定されたものであり、各外部配線648a・648b・648cの一端は、コネクタ647を介して電源パターン611aに接続され、他端は試験規格に基づくローパスフィルタ（ＬＰＦ）が接続されている。
【００２６】
上述の各コンデンサは、所定の静電容量Ｃを持つ以外に、内部寄生インダクタンスＬ0を持っている。
従って、図１の工程530aで入力される実装部品の定数データとしては、この寄生インダクタンスの値を入力することが重要であると共に、静電容量Ｃの固体バラツキ変動を考慮した値を入力することが重要である。
コンデンサの特性測定用回路図である図１１において、コンデンサ700は静電容量701と内部寄生インダクタンス702の直列回路によって構成されていて、このコンデンサ700には可変周波数の交流電圧703が電流計704を介して印加され、印加電圧は電圧計705によって測定されている。
図１の工程530aで入力される定数データの値としては、多数のコンデンサについて、図１１で示すコンデンサの特性測定用回路でインピーダンスの測定を行なって、静電容量の平均値Ｃと内部寄生インダクタンスの平均値Ｌ0の値を適用することが測定精度の向上を図るうえで重要である。
【００２７】
図１の工程530aで入力される定数データの値のその他の入力方法としては、多数のコンデンサについて、図１１で示すコンデンサの特性測定用回路で、インピーダンスの測定を行なうと共に、直列共振周波数の測定を行なって、静電容量の平均値Ｃ又はコンデンサ700のカタログ記載値である呼称静電容量Ｃ0のいずれかの値を代表静電容量Ｃxと、次式で算出される等価寄生インダクタンスＬxの値とを入力するようにしても良い。
Ｌx＝１/（２πｆ0×Ｃx）  （Ｃxは平均値Ｃ又は呼称値Ｃ0）
但し、ｆ0は測定された共振周波数の平均値である。
【００２８】
なお、正負の電源パターン間に接続される平滑コンデンサやバイパスコンデンサは、不要輻射ノイズが問題となる高周波帯域においては極めて低インピーダンスとなるが、内部寄生インダクタンスとプリント配線パターンの導体インダクタンスとの合成インダクタンスとコンデンサの静電容量の値によって直列共振状態が発生して、通常は数オームから数キロオームの値を示すものである。
これに対し、ＣＭＯＳ系半導体を中心とした電子回路部品を搭載した電子基板における抵抗負荷成分は非常に大きな値であって、不要輻射ノイズの原因となるノイズ電流に対する影響は僅少である。
従って、図１の工程520aによって選択される実装部品は、主としてコンデンサが対象となるものである。
【００２９】
次に、実施の形態１の模擬測定装置における活用操作手順について、図１２を用いて説明する。
図１２において、工程800は活用操作の開始ステップ、続く工程801は図１０における等価ノイズ源420の動作を開始するステップ、続く工程802は発生雑音の等価測定を行なうステップである。
なお、発生雑音の等価測定手段となる工程802は、被測定電子基板540に対応した仮想電子基板640を用いて発生雑音を模擬測定するものである。
この仮想電子基板640には設定記憶手段200aによって設定された等価負荷回路210aを基にして、質点補正手段260aによって補正された補正等価負荷回路210bが用いられている。
また、この補正等価負荷回路210bには等価ノイズ源420の設定記憶手段300aに基づく仮想のクロック信号発生回路が搭載されている。
更に、上記仮想電子基板640にはＣＡＤデータの選択抽出記憶手段500によって選択された電源パターンと回路部品とが搭載されている。
このように構成された仮想電子基板640に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを測定する仮想の電界強度計を備えた面解析模擬測定手段が上記工程802によって示されている。
上記面解析模擬測定手段は、電子基板540の正負の面状電源パターンや筐体導体面を微小面状要素に分割し、測定アンテナを微小線状要素に分割して回路解析と電磁界解析とが行なわれるモーメント法に基づいて、電流分布から電磁界分布を算出する模擬測定技法となっている。
【００３０】
続く工程803は、工程802で測定された不要輻射ノイズレベルが試験規格で定められた許容ノイズレベル以下であるかどうかを判定し、良好なレベルであれば終了工程809へ移行し、改善必要レベルであれば工程804へ移行する判定ステップとなっている。
工程804は、コネクタ647の近傍に設置する第一のバイパスコンデンサ645の評価を行なうのか、電子基板内部に設置する第二のバイパスコンデンサ646の評価を行なうのかを選択する判定ステップであり、第一のバイパスコンデンサ645の評価を行なう場合には工程805aへ移行し、第二のバイパスコンデンサ646の評価を行なう場合には工程805bへ移行するようになっている。
なお、図１０において、「パスコン」と表記されているのは、バイパスコンデンサを略したものである。
工程805aは、コネクタ647に接続される電源外部配線648a・648b・648cの全てに対して第一のバイパスコンデンサ645が接続されているかどうかを判定し、満杯接続（即ち、全ての電源外部配線に対してバイパスコンデンサが接続されていること）であれば後述の工程808へ移行し、満杯接続でなければ工程806aへ移行する判定ステップとなっている。
工程806aは、第一のバイパスコンデンサ645を仮想接続してから再度模擬雑音の測定を行なうステップである。
なお、ここで言う仮想接続は、第一のバイパスコンデンサ645が所定の静電容量と内部寄生インダクタンスを有する質点であるとみなし、電子基板上の接続スペースを無視して便宜上の接続を行なったものであって、なるべくは空きスペース位置に接続するものの、ＣＡＤ設計上で実際の配線パターンの設計が行なわれていない状態となっている。
【００３１】
続く工程807aは、工程806aで測定された不要輻射ノイズレベルが試験規格で定められた許容ノイズレベル以下であるかどうかを判定し、良好なレベルであれば終了工程809へ移行し、改善必要レベルであれば工程805aへ復帰する判定ステップとなっている。
そして、工程806aを再度実行するときには第一のバイパスコンデンサ645の静電容量を増加させてみたり、各外部配線に対して第一のバイパスコンデンサ645を接続追加したりするようになっている。
なお、工程807aの判定が良好であった場合には、終了工程809に続いて工程810aが実行され、該工程810aでは良好判定された第一のバイパスコンデンサ645の接続パターンをＣＡＤ設計上で正規に決定し、続く工程811aによって確認のための模擬雑音測定が行なわれるようになっている。
【００３２】
工程805bは、格子状に分割された電子基板上の各格子中心点近傍位置において第二のバイパスコンデンサ646が接続されているかどうかを判定し、満杯接続であれば後述の工程808へ移行し、満杯接続でなければ工程806bへ移行する判定ステップとなっている。
工程806bは、第二のバイパスコンデンサ646を仮想接続してから再度模擬雑音の測定を行なうステップであり、ここで言う仮想接続は第二のバイパスコンデンサ64６が所定の静電容量と内部寄生インダクタンスを有する質点であるとみなし、電子基板上の接続スペースを無視して便宜上の接続を行なったものであって、なるべくは空きスペース位置に接続するものの、ＣＡＤ設計上で実際の配線パターンの設計が行なわれていない状態となっている。
【００３３】
続く工程807bは、工程806bで測定された不要輻射ノイズレベルが試験規格で定められた許容ノイズレベル以下であるかどうかを判定し、良好なレベルであれば終了工程809へ移行し、改善必要レベルであれば工程805bへ復帰する判定ステップとなっている。
そして、工程806bを再度実行するときには第二のバイパスコンデンサ64６の静電容量を増加させてみたり、各格子中心点に対して第二のバイパスコンデンサ646を接続追加したりするようになっている。
なお、工程807bの判定が良好であった場合には、終了工程809に続いて工程810bが実行され、該工程810bでは良好判定された第二のバイパスコンデンサ64６の接続パターンをＣＡＤ設計上で正規に決定し、続く工程811bによって確認のための模擬雑音測定が行なわれるようになっている。
【００３４】
工程808では工程804によるバイパスコンデンサの選択が完了したかどうかを判定し、未完了であれば工程804へ復帰し、完了しておれば動作終了工程809へ移行するようになっている。
なお、工程808の判定がYESであって、バイパスコンデンサの選択が完了であった場合には、終了工程809に続いて工程810cが実行され、該工程810cではＣＡＤ設計による電源パターンを全面的に変更し、続く工程811cによって再度の模擬雑音測定が行なわれるようになっている。
【００３５】
次に、実施の形態１の模擬測定装置における基礎実験手順について、図１３を用いて説明する。
なお、図１３の基礎実験手順は、図７で示した仮想基礎実験基板440に対する模擬測定と準備操作の手順を示したものであって、図１の測定準備手順や図１２の活用操作手順の
操作に先立って実行されるものであるに対し、図１２・図１は、図１０で示した仮想電子基板640に対する模擬測定と準備操作の手順を示したものであり、同一又は相当部分には同一符号が付けられている。
図１３において、工程900は基礎実験操作を開始するステップ、続く工程200a・260aは、集積回路素子（ＬＳＩ）の等価回路の定数設定と前述の質点補正データを図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程300cは、適用された集積回路素子に関する等価ノイズ源の出力特性の仮設定値を図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程120aは、予め工程120bで準備された測定アンテナの設置位置に関する規格データを参照して、模擬測定で使用される仮想アンテナ451の設置位置データを図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程400cは、仮想アンテナ451の特性データである模擬測定ゲインの仮データを図１４で示す電子計算機10に入力するステップである。
続く工程ブロック500は、工程510c・520c・530cによって構成されていて、基礎実験基板340のＣＡＤ設計データを図１４で示す電子計算機10に選択抽出して読み込み記憶するステップである。
【００３６】
工程510cは正負の電源パターンとその配置データを選択抽出して記憶するステップであり、工程520cは集積回路素子（ＬＳＩ）の配置データと正負の電源線間に接続されるコンデンサ・抵抗・インダクタンス等の線形部品の配置データを選択抽出して記憶するステップであり、工程530cは選択抽出された線形部品の静電容量・抵抗値・インダクタンス等の特性定数データを読出し記憶するステップとなっている。
工程ブロック500に続く工程901は、図７の等価ノイズ源420を駆動し、工程300cで設定された特性のノイズ電流を発生開始するステップである。
続く工程902は、図７の仮想電流計452によって測定された電流と図５の電流計352で測定された電流が一致しているかどうかを分析して、不一致であれば工程903へ移行し、一致しておれば工程300dへ移行する判定ステップとなっている。
工程903では、工程300cで仮設定された等価ノイズ源420の出力特性を補正設定して工程901へ移行するようになっている。
【００３７】
続く300dは、工程903で補正設定され、工程902で一致判定された最終値を等価ノイズ源420の出力特性として決定記憶するステップである。
続く工程400dは、仮想基礎実験基板440に対する不要輻射ノイズの模擬測定レベルが図５で実測された電界強度計350による不要輻射ノイズレベルと合致するように模擬測定ゲインを決定記憶するステップである。
続く工程904は、基礎実験操作の終了ステップであり、工程300d・400dで決定記憶された設定値が図１における工程300a・400aで読出し利用されるようになっている。
なお、工程200bは、工程200aによるデータ設定の前段階において実施される集積回路素子（ＬＳＩ）の等価回路の定数測定ステップである。
また、工程300bは、工程300dによる等価ノイズ源の出力特性の設定を行なうに当たって前段階で実行される基礎実験ステップである。
更に、工程300bは、工程400dによる仮想アンテナ特性の模擬測定ゲインの設定を行なうに当たって前段階で実行される基礎実験ステップである。
工程510b・520b・530bは基礎実験基板540に関するＣＡＤ設計データに相当している。
【００３８】
図１４は、この発明の電子基板の発生雑音模擬測定装置におけるシステム構成を示す図であり、発生雑音模擬測定装置は、例えば、パーソナルコンピュータである電子計算機10、操作入力用のキーボード11、表示画面12およびハードディスクである記憶装置13によって構成されている。
記憶装置13には、図１の準備手順や図１２の活用操作手順で用いられる各種の制御プログラム14や格納保存データ15が保存されている。
格納保存データ15の一部は、基板ＣＡＤデータを格納した磁気光ディスクなどによる保存媒体16から選択取り込みされ、他の一部は指令入力（等価負荷回路定数、等価ノイズ源特性データなど）17としてキーボード11から入力されるようになっている。
以上で説明した仮想電流計、仮想アンテナ、仮想電界強度計は、あくまでも模擬測定演算の中で扱われる架空・便宜上のものであるが、表示画面12には仮想電流計や仮想電界強度計による演算測定結果を第一・第二の画面表示手段14a・14bによって表示することができるように構成されている。
【００３９】
以上の説明で明らかなとおり、本発明による電子基板の発生雑音模擬測定装置は、集積回路素子210を搭載した電子基板が発生する不要輻射ノイズの発生状態を電子計算機10によって模擬測定する電子基板の発生雑音模擬測定装置であって、
上記電子計算機10は上記集積回路素子210に対する等価負荷回路210aの設定記憶手段200aと等価ノイズ源420の設定記憶手段300aと、上記電子基板に対する設計ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段500と、発生雑音の等価測定手段140・802と、仮想アンテナ特性校正手段400aとを備えている。
上記等価負荷回路210aの設定記憶手段200aは上記集積回路素子210の正負の電源端子間のインピーダンスに関して各種の周波数で実測測定して得られる抵抗・キャパシタンス・インダクタンスから成る負荷要素231a・232a・233a・231b・232b・233b・234・235の各測定値を、推定された上記負荷要素の接続回路の構成に基づいて記憶する手段となっている。
【００４０】
上記等価ノイズ源420の設定記憶手段300aは、上記集積回路素子210と該集積回路素子210を稼動するための最小限度の限定回路部品343・344a・344b・347を用いて上記集積回路素子210を給電稼動させたときに、上記集積回路素子210の電源端子に流入する実負荷電流と、上記等価負荷回路210aの内部に接続された仮想の等価ノイズ源となる電流源によって仮想の集積回路素子の電源端子に流入する仮想負荷電流とが合致する関係に上記電流源の電流値と周波数特性を整合させて等価ノイズ源420の動作特性を設定記憶する手段となっている。
上記ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段500は、上記電子基板の電源配線パターン配置情報と、電源線間に接続される抵抗・コンデンサ・コイル等の回路素子の配置と抵抗値・キャパシタンス・インダクタンスの値のうち、少なくとも電流分布計算上で無視できない一部の低インピーダンス実装部品に関する配置・特性情報とを記憶する手段となっている。
【００４１】
上記発生雑音の等価測定手段140・802は、被測定電子基板540に対応した仮想電子基板640に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを演算算出する模擬測定手段であって、上記仮想アンテナの設置位置は仮想アンテナ位置設定手段120aによって可変設定されるものとなっている。
上記仮想アンテナ特性校正手段400aは実際の輻射ノイズ測定用アンテナで測定した電界強度と、同一位置関係に設置された上記仮想アンテナによって模擬測定された電界強度が合致するように模擬測定ゲインを予め調整しておく手段となっている。
【００４２】
また、上記電子計算機10は、更に外部環境情報の設定記憶手段110aを備えている。
上記外部環境情報の設定記憶手段110aは上記被測定電子基板540に接続された電源供給用の外部配線の線長・線径・本数・シールド被覆の有無等に関する外部配線情報、又は上記被測定電子基板540が導電性筐体に収納されている場合の筐体寸法等の環境情報を設定記憶する手段であって、上記外部配線情報としては信号系配線を除外して電源系配線に限定した情報が設定記憶されるものとなっている。
従って、実用状態に応じた模擬測定が行なえると共に、不要輻射ノイズの発生要因として大きな影響を与える電源線に注目して、簡易にノイズ測定を行なうことができる。
【００４３】
また、上記等価負荷回路210aの設定記憶手段200aは、更に質点補正手段260aを備えている。
上記質点補正手段260aは、上記等価ノイズ源420が上記集積回路素子210の内部の例えば中心位置等の特定点位置に存在する質点であるものとみなし、上記集積回路素子210の正負の電源端子と上記等価ノイズ源420は仮想電源パターン461・462・463によって接続されていると仮定して、上記正負の電源端子とつながる正側・負側端子インピーダンスの値から上記仮想電源パターン461・462・463によるインピーダンスを減殺した値を補正等価負荷回路210bとして使用する手段となっている。
上記発生雑音の等価測定手段140・802は、上記等価ノイズ源420が上記仮想電子基板640に搭載された仮想集積回路素子の例えば中心位置等の特定点位置に存在する質点であるとみなし、上記仮想電源パターン461・462・463が存在するものとして模擬測定が行なわれるものとなっている。
従って、質点とみなした等価ノイズ源と集積回路素子の正負の電源端子とを接続する仮想電源パターンのインピーダンスが計上されることを回避して、ノイズ測定精度を向上することができる。
【００４４】
また、上記集積回路素子210は、相互に内部接続された複数の正側電源端子Ｖcc1・Ｖcc2・Ｖcc3又は複数の負側電源端子Ｖss1・Ｖss2・Ｖss3を備えており、
上記等価負荷回路210aの設定記憶手段200aは、更に、複数の正側電源端子の様々な組合せによる一対の端子間に測定用交流電圧201bを印加して正側電源端子に直結した正側端子インピーダンス231a・232a・233aを測定し、同様に複数の負側電源端子の様々な組合せによる一対の端子間に測定用交流電圧を印加して負側電源端子に直結した負側端子インピーダンス231b・232b・233bを測定する第一の測定手段と、正側電源端子の一つと負側電源端子の一つとの間に測定用交流電圧201aを印加して、正負の電源端子間の全体インピーダンスを測定する第二の測定とを備え、
上記第二の測定手段によって測定された全体インピーダンスから上記第一の測定手段によって測定された端子直結インピーダンスを差し引くことによって等価内部インピーダンス234・235を算出する。
従って、正側・負側の端子インピーダンスが相違していても、正確に各端子インピーダンスと等価内部インピーダンスを分離して測定することができる。
【００４５】
また、上記等価ノイズ源420の設定記憶手段300aは、基礎実験基板340によって上記集積回路素子210を稼動させたときに、上記集積回路素子210の電源端子に流入する実負荷電流の注目特性値と、仮想基礎実験基板440によって仮想の集積回路素子の電源端子に流入する仮想負荷電流の注目特性値とが合致する関係に上記電流源の電流値と周波数特性を整合させた近似関数式又はデータテーブルによって仮想の等価ノイズ源の動作特性を設定記憶する。
上記基礎実験基板340は、上記集積回路素子210と該集積回路素子210を稼動するための最小限度の限定回路部品を搭載した電子基板であると共に、上記限定回路部品はクロック信号発生回路347と電源平滑コンデンサ343又は該電源平滑コンデンサ343に並列接続された電源バイパスコンデンサ344a又は上記集積回路素子210の正負の電源端子に接続された近傍バイパスコンデンサ344bの少なくとも一部のコンデンサを包含している。
【００４６】
上記仮想基礎実験基板440は、上記基礎実験基板340に対応した仮想の電子基板であって、該仮想基礎実験基板440には上記集積回路素子210とクロック信号発生回路347に代わるものとして上記等価負荷回路210aと等価ノイズ源420となる電流源が仮想接続されると共に、上記電流源によって仮想の集積回路素子から流出する電流回路を構成するものとして上記電源平滑コンデンサ343又は電源バイパスコンデンサ344a又は近傍バイパスコンデンサ344bの少なくとも一部のコンデンサが仮想接続されている。
上記注目特性値は、上記記集積回路素子210の電源端子に流入する負荷電流のピーク電流値、該ピーク電流の発生周期、定常脈動電流の平均値レベル及び脈動振幅・脈動周期となっている。
【００４７】
従って、基礎実験基板による実験データを仮想基礎実験基板に反映して等価ノイズ源の特性設定を行っているので、高精度な等価ノイズ源の設定を行うことができる特徴がある。
また、この基礎実験によって集積回路素子の特性が把握できた後は、当該集積回路素子を利用した様々な仕様の被測定電子基板のノイズ測定において、電子基板のＣＡＤ設計さえ行なっておけば電子基板の試作前段階で発生雑音の模擬測定を行なって、改良されたＣＡＤ設計データに基づいた基板製作を行なうことができる。
【００４８】
また、上記等価ノイズ源420の設定記憶手段300aは、更に、上記注目特性値の補間推定手段を備えると共に、上記基礎実験基板340は上記集積回路素子210と該集積回路素子210を稼動するための最小限度の限定回路部品343・344a・344b・347の特性と配置を様々に変更した複数種類のものが準備され、上記限定回路部品を変更したことに伴う上記注目特性値の変化に対する相関関係が予め実測されていて、
上記注目特性値の補間推定手段は適用された実際の被測定電子基板540の中の限定回路部品343・344a・344b・347の内容に応じて実際の注目特性値を上記相関関係に基づいて補間推定するものとなっている。
従って、基礎実験基板で使用された限定回路部品と実際の被測定電子基板で使用された限定回路部品対応の部品特性が異なる場合でも、等価ノイズ源の特性を正確に設定することができる。
【００４９】
また、上記発生雑音の等価測定手段140・802は、被測定電子基板540に対応した仮想電子基板640として上記等価負荷回路210aの設定記憶手段200aと等価ノイズ源420の設定記憶手段300aに基づく仮想の等価集積回路素子と仮想のクロック信号発生回路が搭載され、上記ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段500によって選択された電源パターンと回路部品とが搭載された仮想電子基板640を想定し、該仮想電子基板640に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを測定する仮想の電界強度計を備えた面解析模擬測定手段となっている。
なお、上記面解析模擬測定手段は上記電子基板の正負の面状電源パターンや筐体導体面を微小面状要素に分割し、測定アンテナを微小線状要素に分割して回路解析と電磁界解析とが行なわれるモーメント法に基づいて、電流分布から電磁界分布を算出する模擬測定技法となっている。
従って、分布定数として扱うことが困難な面状の電源パターンやグランドパターンを有する電子基板において、正確なノイズ測定を行なうことができる特徴がある。
【００５０】
また、上記電子計算機10は、更に、上記被測定電子基板540に対する仮想電子基板640上にあって、上記外部配線の接続位置において可変所定容量の第一のバイパスコンデンサ645を正負の電源パターン間に仮想接続した状態にしておいて、発生雑音の模擬測定を行なう第一の判定手段807aと、上記第一の判定手段807aによる雑音測定の結果が、上記第一のバイパスコンデンサ645を仮想接続したことによって改善されたと認められた場合に、上記第一のバイパスコンデンサ645の接続パターンをＣＡＤ設計によって決定し、決定された接続パターンに基づいて再度発生雑音の模擬測定を確認実施する第一の確認測定手段811aとを備えている。
従って、ＣＡＤによるパターン設計を行なう前にバイパスコンデンサの効果の有無が確認できるので、部品追加に困難を極める高密度実装基板において無駄なパターン設計が不要となる。
【００５１】
また、上記電子計算機10は、更に、上記被測定電子基板540に対する仮想電子基板640をメッシュ状に複数分割した基板メッシュの略中心位置又は実装部品の空きスペースがある適所にあって、可変所定容量の第二のバイパスコンデンサ646を正負の電源パターン間に仮想接続した状態において、発生雑音の模擬測定を行なう第二の判定手段807bと、上記第二の判定手段807bによる雑音測定の結果が、上記第二のバイパスコンデンサ646を仮想接続したことによって改善されたと認められた場合に、上記第二のバイパスコンデンサ646の接続パターンをＣＡＤ設計によって決定し、決定された接続パターンに基づいて再度発生雑音の模擬測定を確認実施する第二の確認測定手段811bとを備えている。
従って、ＣＡＤによるパターン設計を行なう前にバイパスコンデンサの効果の有無が確認できるので、部品追加に困難を極める高密度実装基板において無駄なパターン設計が不要となる特徴がある。
【００５２】
また、上記電子基板の電源パターン間に接続されるバイパスコンデンサの特性値は、バイパスコンデンサの多数のサンプル品に基づいて実測された静電容量の平均値Ｃに加えて、実測された内部寄生インダクタンスの平均値Ｌ0が直列接続された等価インピーダンスとして取り扱われるものとなっている。
従って、寄生インダクタンスを考慮すると共に、バイパスコンデンサの固体バラツキ変動を補正しているので正確なノイズ測定を行なうことができる特徴がある。
【００５３】
また、上記電子基板の電源パターン間に接続されるバイパスコンデンサの特性値は、バイパスコンデンサの多数のサンプル品に基づいて実測された静電容量の平均値Ｃ、又は呼称静電容量Ｃ0そのものである代表静電容量Ｃxの値に加えて、実測された直列共振周波数の平均値ｆ0と上記代表静電容量Ｃxの値から算出される等価寄生インダクタンスＬxとが直列接続された等価インピーダンスとして取り扱われるものとなっている。
従って、寄生インダクタンスを考慮すると共に、バイパスコンデンサの固体バラツキ変動を補正しているので正確なノイズ測定を行なうことができると共に、直列共振点に注目したバラツキ補正を行なうことができる特徴がある。
【００５４】
また、上記仮想アンテナ特性校正手段400aは、上記集積回路素子210と該集積回路素子210を稼動するための最小限度の限定回路部品343・344a・344b・347を搭載した基礎実験基板340を用いて上記集積回路素子210を給電稼動させて、所定位置に設置された実際の輻射ノイズ測定用アンテナ351で測定した電界強度を基準として、上記等価負荷回路210aと等価ノイズ源420を用いた仮想基礎実験基板440に対して、同一位置関係に設置された仮想アンテナ451によって模擬測定された電界強度を合致させるように模擬測定ゲインを調整する手段となっている。
従って、等価ノイズ源の設定に誤差が含まれていても、基礎実験段階でアンテナ特性が校正されているので、全体としての総合精度が向上する。
【００５５】
また、上記電子計算機10は、更に、上記等価ノイズ源の設定記憶手段において演算算出される仮想負荷電流特性を表示画面12に表示して実負荷電流と対比するための第一の画面表示手段14aと、上記発生雑音の等価測定手段によって演算算出された仮想電界強度計の出力特性を表示画面12に表示するための第二の画面表示手段14bとを備えている。
従って、等価ノイズ源の出力特性の設定操作が容易となると共に、仮想アンテナ特性を校正するための模擬測定ゲインを容易に算出することができる。
【００５６】
この発明による電子基板の発生雑音模擬測定方法は、集積回路素子210を搭載した電子基板が発生する不要輻射ノイズの発生状態を電子計算機10によって模擬測定する電子基板の発生雑音模擬測定方法であって、
上記集積回路素子210に対する等価負荷回路210aの設定記憶ステップと等価ノイズ源420の設定記憶ステップと、上記電子基板に対する設計ＣＡＤデータの選択抽出記憶ステップと、発生雑音の等価測定ステップと、仮想アンテナ特性校正ステップとを備えている。
上記等価負荷回路210aの設定記憶ステップは、上記集積回路素子210の正負の電源端子間のインピーダンスに関して各種の周波数で実測測定して得られる抵抗・キャパシタンス・インダクタンスから成る負荷要素231a・232a・233a・231b・232b・233b・234・235
の各測定値を、推定された上記負荷要素の接続回路の構成に基づいて記憶するステップである。
【００５７】
上記等価ノイズ源420の設定記憶ステップは、上記集積回路素子210と該集積回路素子210を稼動するための最小限度の限定回路部品343・344a・344b・347を用いて上記集積回路素子210を給電稼動させたときに、上記集積回路素子210の電源端子に流入する実負荷電流と、上記等価負荷回路210aの内部に接続された仮想の等価ノイズ源となる電流源によって仮想の集積回路素子の電源端子に流入する仮想負荷電流とが合致する関係に上記電流源の電流値と周波数特性を整合させて等価ノイズ源420の動作特性を設定記憶するステップである。
上記ＣＡＤデータの選択抽出記憶ステップは、上記電子基板の電源配線パターン配置情報と、電源線間に接続される抵抗・コンデンサ・コイル等の回路素子の配置と抵抗値・キャパシタンス・インダクタンスの値のうち、少なくとも電流分布計算上で無視できない一部の低インピーダンス実装部品に関する配置・特性情報とを記憶するステップである。
【００５８】
上記発生雑音の等価測定ステップは、被測定電子基板540に対応した仮想電子基板に対向して設置された仮想アンテナと該仮想アンテナで受信された輻射ノイズを演算算出する模擬測定ステップであって、上記仮想アンテナの設置位置は仮想アンテナ位置設定ステップによって可変設定されるものであり、
上記仮想アンテナ特性校正ステップは、実際の輻射ノイズ測定用アンテナで測定した電界強度と、同一位置関係に設置された上記仮想アンテナによって模擬測定された電界強度が合致するように模擬測定ゲインを予め調整しておくステップである。
【００５９】
また、この発明による電子基板の発生雑音模擬測定方法は、上記被測定電子基板540に接続された電源供給用の外部配線の線長・線径・本数・シールド被覆の有無等に関する外部配線情報、又は上記被測定電子基板540が導電性筐体に収納されている場合の筐体寸法等の環境情報を設定記憶する外部環境情報の設定記憶ステップを有し、上記外部配線情報としては信号系配線を除外して電源系配線に限定した情報が設定記憶される。
従って、実用状態に応じた模擬測定が行なえると共に、不要輻射ノイズの発生要因として大きな影響を与える電源線に注目して、簡易にノイズ測定を行なうことができる。
【００６０】
また、この発明による電子基板の発生雑音模擬測定方法の上記等価負荷回路210aの設定記憶ステップは、上記等価ノイズ源420が上記集積回路素子210の特定点位置に存在する質点であるとみなし、上記集積回路素子210の正負の電源端子と上記等価ノイズ源420は仮想電源パターンによって接続されていると仮定して、上記正負の電源端子とつながる正側・負側端子インピーダンスの値から上記仮想電源パターンによるインピーダンスを減殺した値を補正等価負荷回路210bとして使用する質点補正ステップを有し、
上記発生雑音の等価測定ステップは、上記等価ノイズ源420が上記仮想電子基板640に搭載された仮想集積回路素子の特定点位置に存在する質点であるとみなし、上記仮想電源パターンが存在するものとして模擬測定が行なわれる。
従って、質点とみなした等価ノイズ源と集積回路素子の正負の電源端子とを接続する仮想電源パターンのインピーダンスが計上されることを回避して、ノイズ測定精度を向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
この発明は、集積回路素子が搭載され、電源層とグランド層を有する多層の電子基板に発生する雑音ノイズを簡易・効率的・高精度に模擬測定でき、電子基板の試作製作工程を削減することを可能とする発生雑音模擬測定装置あるいは発生雑音模擬測定方法を提供するのに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】、実施の形態１による電子基板の発生雑音模擬測定装置における測定準備手順を示す図である。
【図２】電子基板に搭載される集積回路素子のインピーダンス測定回路を示す図である。
【図３】インピーダンス測定結果の一例を示す図である。
【図４】集積回路素子の等価負荷回路を示す図である。
【図５】基礎実験基板による基礎実験の構成を示す図である。
【図６】基礎実験基板を給電稼動したときの集積回路素子に対する給電電流特性の一例を示す図である。
【図７】基礎実験基板に対する仮想基礎実験基板による模擬実験の構成を示す図である。
【図８】集積回路素子パッケージの質点補正の概念を示す図である。
【図９】被測定電子基板の構成を示す図である。
【図１０】被測定電子基板に対応した仮想電子基板の構成を示す図である。
【図１１】バイパスコンデンサの特性測定用回路を示す図である。
【図１２】活用操作手順を示す図である。
【図１３】基礎実験手順を示す図である。
【図１４】発生雑音模擬測定装置におけるシステム構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
10  電子計算機（パーソナルコンピュータ）
12  表示画面
14a  第一の画面表示手段                 14b  第二の画面表示手段
110a  外部環境情報の設定記憶手段        120a  仮想アンテナ位置設定手段
140  発生雑音の等価測定手段            200a  等価負荷回路の設定記憶手段
201a・201b  測定用交流電圧               210  集積回路素子
210a  集積回路素子の等価負荷回路
210b  集積回路素子の補正等価負荷回路    210c  パッケージ
230a  仮想ＣＰＵ                  
231a〜233a  正側端子インピーダンス（負荷要素）
231b〜233b  負側端子インピーダンス（負荷要素）
234・235                等価内部インピーダンス（負荷要素）
260a  質点補正手段    
300a  等価ノイズ源の設定記憶手段         340  基礎実験基板
343  電源平滑コンデンサ（限定回路部品）
344a  電源バイパスコンデンサ（限定回路部品）
344b  近傍バイパスコンデンサ（限定回路部品）
347  クロック信号発生回路（限定回路部品）
350  電界強度計                         351  アンテナ
400a  仮想アンテナ特性校正手段           420  電流源（等価ノイズ源）
440  仮想基礎実験基板
443  仮想電源平滑コンデンサ（限定回路部品）
444a  仮想電源バイパスコンデンサ（限定回路部品）
444b  仮想近傍バイパスコンデンサ（限定回路部品）
450  仮想電界強度計                     451  仮想アンテナ
461〜463  仮想電源パターン
500  ＣＡＤデータの選択抽出記憶手段     540  被測定電子基板
541  コネクタ                           542  外部配線
545  第一のバイパスコンデンサ（コネクタ側近位置）
546  第二のバイパスコンデンサ（格子配置）
640  仮想電子基板（被測定電子基板対応）
611a  正側電源パターン                  611b  負側電源パターン
643  電源平滑コンデンサ
644a  電源バイパスコンデンサ            644b  近傍バイパスコンデンサ
645  第一のバイパスコンデンサ           646  第二のバイパスコンデンサ
648a〜648c  外部配線                    700  コンデンサ
701  静電容量（キャパシタンス）         702  内部寄生インダクタンス
802  発生雑音の等価測定手段
807a  第一の判定手段                    807b  第二の判定手段
811a  第一の確認測定手段                811b  第二の確認測定手段
【図１】
2007133484.tif 000003
【図２】
2007133484.tif 000004
【図３】
2007133484.tif 000005
【図４】
2007133484.tif 000006
【図５】
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【図６】
2007133484.tif 000008
【図７】
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【図８】
2007133484.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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