(57)【要約】【課題】ゲート絶縁膜を露出させる工程におけるゲート電極膜のサイドエッチングを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に形成されたゲート電極膜３とを備えた半導体基板１を用意して、第１のエッチングガスによりＮ型ゲート電極膜３ａ等の上部を、第２のエッチングガスによりＮ型ゲート電極膜３ａ等の中腹部を、ＳｉＦ４及びＯ２を含ませた第３のエッチングガスによりゲート絶縁膜２が露出するようにＮ型ゲート電極膜３ａ等の下部をそれぞれエッチングする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ含有ガス及びＯ２を含むエッチングガスを用いて、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極膜をエッチングし、前記ゲート絶縁膜を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングガスは、Ｎ２をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜は、Ｈｆ及びＺｒの少なくともいずれかを含んでいることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ含有ガスは、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４、及びＳｉＨ２Ｃｌ２の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記Ｓｉ含有ガスは、前記エッチングガス中に０．５ｖｏｌ％以上１０％ｖｏｌ以下含まれていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に伴い、ドライエッチングによってＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor）のゲート電極を形成することが次第に難しくなってきている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
通常、ゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極膜をエッチングすることにより形成されるが、このエッチングにおいては、ゲート電極膜のサイドエッチングを抑制すること、及びゲート絶縁膜がオーバーエッチングにより破壊されないようにすることが重要である。
【０００４】
現在、このエッチングは、多段階で行われており、ゲート電極膜の下部をエッチングして、ゲート絶縁膜を露出させる工程においては、ゲート絶縁膜がオーバーエッチングにより破壊されないように、ゲート絶縁膜に対するゲート電極膜のエッチング選択比が大きいエッチングガスを使用するとともに、イオンエネルギーを低下させた条件で行っている。
【０００５】
しかしながら、イオンエネルギーを低下させた条件でエッチングを行うと、等方性成分が大きくなるので、ゲート電極膜の下部にサイドエッチングが発生し易い。この結果、ゲート閾値電圧（Ｖｔｈ）のばらつきが増大し、トランジスタの特性がばらついてしまう。
【０００６】
特に、同一の半導体基板上に形成されたＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成用のゲート電極膜と、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成用のゲート電極膜とを同時にエッチングする場合、ゲート電極膜に導入された不純物の違いから、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成用のゲート電極膜をエッチングする際のエッチングレートがＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成用のゲート電極膜をエッチングする際のエッチングレートより大きくなるので、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極膜の下部が過剰にエッチングされ、サイドエッチングが発生し易い。
【特許文献１】特開平１０−１７２９５９号公報
【特許文献２】特開平１１−５４４８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。即ち、ゲート絶縁膜を露出させる工程におけるゲート電極膜のサイドエッチングを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一の態様によれば、Ｓｉ含有ガス及びＯ２を含むエッチングガスを用いて、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極膜をエッチングし、前記ゲート絶縁膜を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一の態様による半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜を露出させる工程におけるゲート電極膜のサイドエッチングを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態では、半導体基板上にＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴを製造するプロセスについて説明する。図１（ａ）〜図４は本実施の形態に係るＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴを製造するプロセスを模式的に示した図であり、図５は本実施の形態に係るゲート電極膜をエッチングする際に用いられるエッチング装置の概略構成図である。
【００１１】
まず、例えば単結晶Ｓｉ等から構成された半導体基板１上に例えば化学気相成長法（Chemical  Vapor  Deposition：CVD）等によりゲート絶縁膜２を形成し、ゲート絶縁膜２上に例えば化学気相成長法によりゲート電極膜３を形成する（図１（ａ））。
【００１２】
ゲート絶縁膜２は、Ｈｆ系酸化物、Ｚｒ系酸化物、及びＳｉ系酸化物の少なくともいずれかから構成することが可能である。Ｈｆ系酸化物としては、例えば、Ｈｆシリケート（Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ）、Ｈｆアルミネート（Ｈｆ−Ａｌ−Ｏ）、及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）等の少なくともいずれかが挙げられる。Ｚｒ系酸化物としては、例えば、Ｚｒシリケート（Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ）、Ｚｒアルミネート（Ｚｒ−Ａｌ−Ｏ）、及び酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等の少なくともいずれかが挙げられる。Ｓｉ系酸化物としては、例えば、ＳｉＯＮ及びＳｉＯ２の少なくともいずれかが挙げられる。本実施の形態では、ゲート絶縁膜２がＨｆ系酸化物から構成されており、ゲート電極膜３がポリシリコン等から構成されている例について説明する。
【００１３】
次に、ゲート電極膜３上に、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に開口を有する例えばフォトレジストからなるレジストパターン４を形成し、このレジストパターン４をマスクとして、ゲート電極膜３に燐（Ｐ）或いは砒素（Ａｓ）を導入し、ゲート電極膜としてのＮ型ゲート電極膜３ａを形成する（図１（ｂ））。その後、例えばＯ２を用いたアッシングによりフォトレジストパターン４を除去する。
【００１４】
また、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等上に、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成領域に開口を有する例えばフォトレジストからなるレジストパターン５を形成し、このレジストパターン５をマスクとして、ゲート電極膜にホウ素（Ｂ）を導入し、ゲート電極膜としてのＰ型ゲート電極膜３ｂを形成する（図１（ｃ））。その後、例えばＯ２を用いたアッシングによりフォトレジストパターン５を除去する。
【００１５】
次に、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等上に、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極形成領域及びＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極形成領域以外の領域に開口を有するハードマスク６を形成する（図２（ａ））。ハードマスク６は、例えばＳｉＯ２等から構成されている。
【００１６】
Ｎ型ゲート電極膜３ａ等上にハードマスク６を形成した後、図５に示されるエッチング装置２０を用いるとともにハードマスク６をマスクとして、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching:ＲＩＥ）によりゲート電極形成領域以外の領域に存在するＮ型ゲート電極膜３ａ及びＰ型ゲート電極膜３ｂ等をドライエッチングする。
【００１７】
エッチング装置２０は、誘導結合型プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）装置である。エッチング装置２０は、主に、上部に誘電体プレート２１ａを有するチャンバ２１と、後述する第１〜第３のエッチングガスをチャンバ２１内に導入するガス導入ライン２２と、チャンバ２１内の排気を行う排気ライン２３と、チャンバ２１内に配置され、半導体基板１を載置可能な下部電極２４と、誘電体プレート２１ａ上に配置されたアンテナ２５と、下部電極２４に高周波電力を供給する高周波電源２６と、アンテナ２５に高周波電力を供給する高周波電源２７と、第１〜第３のエッチングガスの流量を測定する流量計２８と、チャンバ２１内の圧力を測定する圧力計２９とを備えている。
【００１８】
そして、このようなエッチング装置２０の下部電極２４上にハードマスク６等が形成された半導体基板１を載置した状態で、アンテナ２５に高周波電源２７から高周波電力を供給し、かつ第１のエッチングガス等をチャンバ２１内に供給して、プラズマを形成するとともに、下部電極２４に高周波電源２６から高周波電力を供給して、ゲート電極形成領域以外の領域に存在するＮ型ゲート電極膜３ａ等のエッチングを行う。
【００１９】
このエッチングは、多段階に分けて行われる。具体的には、まず、チャンバ２１内に搬送されるまでの間にＮ型ゲート電極膜３ａ等の表面には自然酸化膜が形成される場合があるので、第１のエッチングガスを用いて、自然酸化膜が取り除かれるようにゲート電極形成領域以外の領域に存在するＮ型ゲート電極膜３ａ等の上部をエッチングする（図２（ｂ））。第１のエッチングガスには、例えばＣＦ４、ＳＦ６、ＮＦ３、及びＣＨＦ３の少なくともいずれかが含まれている。
【００２０】
Ｎ型ゲート電極膜３ａ等の上部をエッチングした後、ＨＢｒをベースとした第２のエッチングガスを用いて、比較的イオンエネルギーが高い条件で、ゲート電極形成領域以外の領域に存在するＮ型ゲート電極膜３ａ等の中腹部をエッチングする（図２（ｃ））。ここで、この工程は、比較的イオンエネルギーが高い条件で行われるので、異方性成分が大きくなり、ゲート電極形成領域に存在するＮ型ゲート電極膜３ａの側壁３ａ１及びＰ型ゲート電極膜３ｂの側壁３ｂ１がほぼ垂直にエッチングされる。
【００２１】
第２のエッチングガスには、ＨＢｒの他、例えばＣｌ２等が含まれている。なお、この工程は、ゲート絶縁膜２を露出させない状態で、停止されるので、第２のエッチングガスとしては、ゲート絶縁膜２に対するＮ型ゲート電極膜３ａ等のエッチング選択比がそれほど大きくないものも用いることができる。また、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等の膜厚を干渉型終点検出装置にてリアルタイムでモニタリングすることにより、或いは予め実験により求められた時間に基づくことにより、ゲート絶縁膜２を露出させない状態で、このエッチングを停止させることができる。
【００２２】
Ｎ型ゲート電極膜３ａ等の中腹部をエッチングした後、ＨＢｒをベースとし、Ｓｉ含有ガスとしての例えばＳｉＦ４及びＯ２を含んだ第３のエッチングガスを用いて、比較的イオンエネルギーが低い条件で、ゲート電極形成領域以外の領域に存在するＮ型ゲート電極膜３ａ等の下部をゲート絶縁膜２の表面が露出するまでエッチングする（図３（ａ））。
【００２３】
第３のエッチングガスには、ＨＢｒ、ＳｉＦ４、及びＯ２の他、例えばＮ２が含まれている。なお、第３のエッチングガスのベースは、ＨＢｒでなくともよい。また、Ｓｉ含有ガスは、Ｓｉを含有したガスであればよく、ＳｉＦ４に限定されない。具体的には、Ｓｉ含有ガスは、ＳｉＦ４の他、例えばＳｉＣｌ４、ＳｉＨ２Ｃｌ２の少なくともいずれかであってもよい。
【００２４】
第３のエッチングガス中のＳｉ含有ガスの割合は、第３のエッチングガス全体中で、０．５ｖｏｌ％以上１０ｖｏｌ％以下であることが望ましい。この範囲が望ましいとしたのは、０．５％ｖｏｌ未満であると、後述する保護膜７が効果的に形成されないので、Ｎ型ゲート電極膜３ａの側壁３ａ１を保護するという効果が弱く、また１０ｖｏｌ％を超えると、Ｆ（フッ素）やＣｌ（塩素）が多くなるので、Ｎ型ゲート電極膜３ａの側壁３ａ１等がエッチングされてしまうおそれがあるからである。また、第３のエッチングガス中のＯ２の割合は、第３のエッチングガス全体中で０．５ｖｏｌ％以上６ｖｏｌ％以下であることが望ましい。この範囲が望ましいとしたのは、０．５ｖｏｌ％未満であると、ゲート絶縁膜２に対するＮ型ゲート電極膜３ａ等の十分なエッチング選択比を得られ難く、また６ｖｏｌ％を超えると、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等のエッチングレートが低下し、エッチングの面内均一性が損なわれるおそれがあるからである。
【００２５】
このような第３のエッチングガスとしては、ゲート絶縁膜２に対するＮ型ゲート電極膜３ａ等のエッチング選択比が例えば５０以上となるようなガスを使用することが望ましい。
【００２６】
ＳｉＦ４を含んだ第３のエッチングガスを用いてエッチングすると、Ｎ型ゲート電極膜３ａの側壁３ａ１等に保護膜７が形成されながらエッチングが進行する。保護膜７は、主に、ＳｉＦ４のＳｉとＯ２との反応物であるＳｉＯ２と、ＳｉＦ４のＳｉとＯ２とＮ２との反応物であるＳｉＯＮとから構成されている。ここで、ＳｉＯ２及びＳｉＯＮはＨＢｒ等によってエッチングされ難い。従って、この保護膜７が形成されることにより、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等の下部をエッチングして、ゲート絶縁膜２を露出させる工程におけるＮ型ゲート電極膜３ａ等のサイドエッチングが抑制される。
【００２７】
また、このエッチングが進行し、ゲート絶縁膜２が露出すると、ゲート絶縁膜２の表面にはゲート絶縁膜２に含まれているＨｆとＳｉＦ４のＦとの反応物であるＨｆＦｘ（ｘ=１〜４）が形成される。このＨｆＦｘは蒸気圧が低いためにゲート絶縁膜２の表面に堆積して、保護膜８を形成する。これにより、ゲート絶縁膜２が露出しても、ゲート絶縁膜２がエッチングされ難いので、オーバーエッチングによるゲート絶縁膜２の破壊が抑制される。なお、保護膜８は、主にＨｆＦｘから構成されているが、その他の化合物も混入している。
【００２８】
Ｓｉ含有ガスとしてＳｉＦ４の代わりにＳｉＣｌ４やＳｉＨ２Ｃｌ２を用いた場合には、ＨｆＦｘの代わりにＨｆＣｌｘ（ｘ=１〜４）が形成されるが、ＨｆＣｌｘであってもＨｆＦｘと同様の効果が得られる。しかしながら、ＨｆＦｘの蒸気圧はＨｆＣｌｘの蒸気圧よりも低いことから、Ｓｉ含有ガスとしてはＳｉＦ４を用いることが好ましい。
【００２９】
ゲート絶縁膜２がＺｒ系酸化物から構成されている場合には、Ｈｆ系酸化物と同様に、蒸気圧が低いＺｒＦｘ（ｘ=１〜４）やＺｒＣｌｘ（ｘ=１〜４）が形成されるので、Ｈｆ系酸化物と同様に保護膜８が形成され、同様の効果を得ることができる。
【００３０】
ゲート絶縁膜２がＳｉ系酸化物から構成されている場合には、Ｓｉ系酸化物のＳｉとの反応物は蒸気圧が比較的高いので、保護膜８は形成されないが、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨ２Ｃｌ２はＳｉ系酸化物のＳｉに対して反応性が低いので、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨ２Ｃｌ２の少なくともいずれか用いることが好ましい。
【００３１】
Ｎ型ゲート電極膜３ａ等の下部をエッチングした後、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等のエッチング残渣を完全に除去し、その後、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）等によりウエットエッチングして、Ｎ型ゲート電極膜３ａの側壁３ａ１等に形成された保護膜７及びゲート絶縁膜２の表面に形成された保護膜８を除去する。また、ハードマスク６を除去する（図３（ｂ））。これにより、ゲート電極形成領域にＮ型ゲート電極９及びＰ型ゲート電極１０が形成される。
【００３２】
Ｎ型ゲート電極９及びＰ型ゲート電極１０を形成した後、ウエットエッチングによりＮ型ゲート電極９及びＰ型ゲート電極１０の直下のゲート絶縁膜２が残るようにその他のゲート絶縁膜２を除去する（図３（ｃ））。
【００３３】
その後、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン形成領域に開口を有するレジストパターン（図示せず）を形成し、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン形成領域に燐或いは砒素を導入することによりＮ型ゲート電極９の両側の半導体基板１にＮ型ソース・ドレイン領域１１を形成する。その後、例えばＯ２を用いたアッシングによりこのフォトレジストパターンを除去する。
【００３４】
また、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン形成領域に開口を有するレジストパターン（図示せず）を形成し、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン形成領域にホウ素を導入することによりＰ型ゲート電極１０の両側の半導体基板１にＰ型ソース・ドレイン領域１２を形成する。その後、例えばＯ２を用いたアッシングによりこのフォトレジストパターンを除去する（図４）。
【００３５】
本実施の形態では、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等の下部をエッチングして、ゲート絶縁膜２を露出させる工程において、ＳｉＦ４及びＯ２を含有する第３のエッチングガスを用いているので、Ｎ型ゲート電極膜３ａの側壁３ａ１等に保護膜７を形成することができる。従って、上記のように同一の半導体基板上に形成されたＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成用のＮ型ゲート電極膜３ａの下部と、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ形成用のゲート電極膜３ｂの下部とを同時にエッチングした場合であっても、保護膜７によりＮ型ゲート電極膜３ａのサイドエッチングを抑制することができる。
【００３６】
なお、保護膜７の作用が大き過ぎると、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等の下部をエッチングして、ゲート絶縁膜２を露出させる工程において、エッチングされるべき部分がエッチングされず、Ｎ型ゲート電極膜３ａの側壁３ａ１等が裾を引く形状になってしまうおそれがある。これに対し、本実施の形態では、第３のエッチングガスにＮ２を含ませているので、Ｎ２の流量を調節することで、Ｎ型ゲート電極膜３ａの側壁３ａ１等の形状制御を容易に行うことができる。ここで、第３のエッチングガス中のＮ２の割合は、第３のエッチングガス全体中で１０ｖｏｌ％以下とすることが望ましい。これは、１０ｖｏｌ％を超えると、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等のエッチングレートが低下し、エッチングの面内均一性が損なわれるおそれがあるからである。
【００３７】
また、本実施の形態では、Ｎ型ゲート電極膜３ａ等の下部をエッチングして、ゲート絶縁膜２を露出させる工程において、ＳｉＦ４及びＯ２を含有する第３のエッチングガスを用いるとともに、ゲート絶縁膜２がＨｆ系酸化物から構成されているので、上記のようにゲート絶縁膜２の表面に保護膜８を形成することができ、オーバーエッチングによるゲート絶縁膜２の破壊を抑制することができる。
【００３８】
（実験例）
以下、実験例について説明する。本実験例では、ＳｉＦ４を含んだエッチングガスを用いて、ゲート電極膜の下部をエッチングした場合と、ＳｉＦ４を含んでいないエッチングガスを用いて、ゲート電極膜の下部をエッチングした場合とにおけるゲート電極の形状をそれぞれ電子顕微鏡で観察した。
【００３９】
具体的には、ＨｆＯ２膜（ゲート絶縁膜）上にべた膜のポリシリコン膜（ゲート電極膜）を形成し、さらにポリシリコン膜上に所定の位置に開口を有するハードマスクを形成し、このハードマスクをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングし、ポリシリコンのゲート電極を形成した。
【００４０】
実験例１では、ＨｆＯ２膜が露出するポリシリコン膜の下部のエッチングに際し、ＳｉＦ４を含んでいるエッチングガスを使用した。このエッチングガスはＨＢｒ、Ｏ２、Ｎ２、及びＳｉＦ４から構成されており、それぞれのガスの流量がＨＢｒ／Ｏ２／Ｎ２／ＳｉＦ４=１５０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ／２ｓｃｃｍ／３ｓｃｃｍとなるように供給された。また、このエッチングには上記実施の形態で示されたエッチング装置を使用したが、チャンバ内の圧力は８ｍＴｏｒｒに維持され、アンテナには６００Ｗの高周波電力が供給され、下部電極には２５Ｗの高周波電力が供給された。
【００４１】
一方、実験例２では、ＨｆＯ２膜が露出するポリシリコン膜の下部のエッチングに際し、ＳｉＦ４を含んでいないエッチングガスを使用した。このエッチングガスはＨＢｒ、Ｏ２、及びＮ２から構成されており、それぞれのガスの流量がＨＢｒ／Ｏ２／Ｎ２=１５０ｓｃｃｍ／２ｓｃｃｍ／２ｓｃｃｍとなるように供給された。また、このエッチングには上記実施の形態で示されたエッチング装置を使用したが、チャンバ内の圧力は８ｍＴｏｒｒに維持され、アンテナには６００Ｗの高周波電力が供給され、下部電極には２５Ｗの高周波電力が供給された。
【００４２】
そして、このような条件で形成されたゲート電極をそれぞれ電子顕微鏡で観察した。
【００４３】
以下、実験結果について述べる。図６（ａ）は実験例１に係るゲート電極の断面形状を示した電子顕微鏡写真であり、図６（ｂ）は実験例２に係るゲート電極の断面形状を示した電子顕微鏡写真である。
【００４４】
実験例２では、サイドエッチングが発生したため、図６（ｂ）に示されるようにゲート電極の下部はえぐれていた。これに対し、実験例１では、ゲート電極膜の側壁に保護膜が形成され、サイドエッチングの発生が抑制されたため、図６（ａ）に示されるようにゲート電極の下部はほぼえぐれていなかった。
【００４５】
この結果から、ゲート電極膜の下部をエッチングする工程において、ＳｉＦ４を含有したエッチングガスを使用すると、ゲート電極膜のサイドエッチングを抑制できることが確認された。
【００４６】
なお、本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は実施の形態に係るＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴを製造するプロセスを模式的に示した図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は実施の形態に係るＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴを製造するプロセスを模式的に示した図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は実施の形態に係るＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴを製造するプロセスを模式的に示した図である。
【図４】実施の形態に係るＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴを製造するプロセスを模式的に示した図である。
【図５】実施の形態に係るゲート電極膜をエッチングする際に用いられるエッチング装置の概略構成図である。
【図６】（ａ）は実験例１に係るゲート電極の断面形状を示した電子顕微鏡写真であり、（ｂ）は実験例２に係るゲート電極の断面形状を示した電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００４８】
１…半導体基板、２…ゲート絶縁膜、３…ゲート電極膜、３ａ…Ｎ型ゲート電極膜、３ａ１…側壁、３ｂ…Ｐ型ゲート電極膜、３ｂ１…側壁、７，８…保護膜、９…Ｎ型ゲート電極、１０…Ｐ型ゲート電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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